(57)【要約】【課題】ＣＭＰ法に用いるダミーパターンを配線層に形成し、簡単な構造でアライメントマークとの誤認識を確実に防止し得る半導体装置を提供する。【解決手段】本発明のダミーパターンを有する半導体装置は、配線層に形成され回路配線を構成する実パターンＷと、配線層に形成されＣＭＰ法に用いるダミーパターンＤとを備えている。ダミーパターンＤには、第１の方向及び第２の方向に対して非対称な所定形状を有する複数の基本パターンＤ（０）、Ｄ（１）が含まれ、ダミーパターンＤが形成された領域内のＸ方向の直線上及びＹ方向の直線上にて、それぞれの基本パターンＤ（０）、Ｄ（１）を横切るパターン部分が一定間隔で繰り返し配置されないように構成される。これにより、Ｘ方向又はＹ方向を走査方向として光学的な検出信号に基づき位置合わせを行うためのアライメントマークとの誤認識を防止することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の所定位置に設けられ、基板平面内の第１の方向又は当該第１の方向に直交する第２の方向に走査したときの光学的な検出信号に基づき製造時の位置合わせを行うためのアライメントマークと、
前記半導体基板上の配線層に形成され、回路配線を構成する実パターンと、
前記配線層に形成され、ＣＭＰ法に用いるダミーパターンと、
を備え、前記ダミーパターンには、前記第１の方向及び前記第２の方向に対して非対称な所定形状を有する複数の基本パターンが含まれ、前記ダミーパターンが形成された領域内の前記第１の方向の直線上及び前記第２の方向の直線上にて、それぞれの前記基本パターンを横切るパターン部分が一定間隔で繰り返し配置されないように構成されることを特徴とするダミーパターンを有する半導体装置。
【請求項２】
前記ダミーパターンが形成された領域のパターン密度は、前記実パターンが形成された領域のパターン密度と略同一であることを特徴とする請求項１に記載のダミーパターンを有する半導体装置。
【請求項３】
前記複数の基本パターンには、前記配線層の平面内で互いに１８０度回転させた関係にある２種の基本パターンが含まれることを特徴とする請求項１又は２に記載のダミーパターンを有する半導体装置。
【請求項４】
前記基本パターンは、前記第１の方向の直線と前記第２の方向の直線に囲まれた形状を有することを特徴とする請求項３に記載のダミーパターンを有する半導体装置。
【請求項５】
前記基本パターンは、矩形の対向する２角の部分を切り欠いた形状を有することを特徴とする請求項４に記載のダミーパターンを有する半導体装置。
【請求項６】
前記基本パターンは、前記対向する２角の部分の各々を１つの矩形で切り欠いたクランク形状を有することを特徴とする請求項５に記載のダミーパターンを有する半導体装置。
【請求項７】
前記基本パターンは、前記対向する２角の部分の各々を複数の矩形で切り欠いた多重クランク形状を有することを特徴とする請求項５に記載のダミーパターンを有する半導体装置。
【請求項８】
前記基本パターンは、前記第１の方向の直線と前記第２の方向の直線に加えて、前記第１の方向及び前記第２の方向と異なる方向の直線に囲まれた形状を有することを特徴とする請求項３に記載のダミーパターンを有する半導体装置。
【請求項９】
前記ダミーパターンには、前記実パターン又は領域境界部と隣接する位置に、前記基本パターンの一部を除去した変形パターンが含まれることを特徴とする請求項１又は２に記載のダミーパターンを有する半導体装置。
【請求項１０】
前記複数の基本パターンの各々は、隣接する他の前記基本パターン又は前記変形パターンとの間を一定間隔だけ離して配置されることを特徴とする請求項９に記載のダミーパターンを有する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＭＰ法の表面平坦性を高めるためのダミーパターンが形成された半導体装置に関し、特に、位置合わせ用のアライメントマークとの誤認識を回避し得るダミーパターンが形成された半導体装置とそのダミーパターンの配置方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置の製造工程においては、配線層の上部に層間絶縁膜を積層した後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により表面の平坦化が行われる。このとき、配線層に形成されるパターンは一様でなく偏在して分布するので、パターンが存在しない領域に比べパターンが存在する領域では、ＣＭＰ法により表面研磨された層間絶縁膜が厚くなり、平坦化に支障を来たす。このような問題に対し、配線層においてパターンが存在しない領域に規則的なダミーパターンを形成し、ＣＭＰ法により適切な平坦化を行う手法が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００３】
図６は、上記の手法に基づくダミーパターンを有する半導体装置の模式的な平面図を示している。図６に示すように、半導体装置の配線層において、実際の回路配線を構成する実パターンＷと、ＣＭＰ法のためのダミーパターンＤが配置されている。ダミーパターンＤは、多数の正方形の基本パターンがＸ方向及びＹ方向に一定間隔で繰り返し配置されて構成される。この場合、ＣＭＰ法による平坦性向上のため、実パターンＷとダミーパターンＤは、互いにパターンの有無の比率が概ね一致するような構成となっている。図６に示すような配線層の上部の層間絶縁膜にＣＭＰ法を適用すると、高い平坦性を確保することができる。
【０００４】
一方、半導体装置の製造時にマスクの位置合わせを行うために、半導体基板上の所定位置にアライメントマークが設けられている。そして、光学的にアライメントマークを検出することで、検出信号の波形に基づいてマスクの正確な位置を決定することができる。このようなアライメントマークについて、図７を用いて説明する。図７（ａ）では、半導体基板上の所定位置に設けられ、複数の正方形のパターンＰからなるアライメントマークの例を示している。このアライメントマークは、１５個の正方形のパターンＰが横方向に５個及び縦方向に３個等しい間隔で規則的に配列されている。このようなアライメントマークに対し、例えば、図７（ａ）の走査方向（点線矢印で示す）に、上方からレーザ光を照射しながら走査し、その反射光を検出する。なお、アライメントマークに対する走査方向は、図６のＸ方向又はＹ方向のいずれかであるものとする。レーザ光の反射光から得られる検出信号は、例えば、図７（ｂ）に示す信号波形を有し、走査方向上での正方形のパターンＰの有無に対応して一定の周期Ｔで５本のピークが生じることがわかる。
【特許文献１】ＷＯ２００４／０８２０１２
【特許文献２】特開２００５−１５０３８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図６のダミーパターンＤは、一定間隔で配列された多数の正方形のパターンからなるので、図７（ａ）のアライメントマークのパターンと類似している。そのため、ダミーパターンＤを含む領域にレーザ光が照射されると、ダミーパターンＤをアライメントマークと誤認識する可能性がある。この場合、図７（ｂ）の信号波形において正確に周期Ｔが一致しなくても、誤認識の可能性は残る。また、ダミーパターンＤの配列の工夫で、特定方向に走査したときの誤認識を防ぐことができたとしも、Ｘ方向又はＹ方向で想定される全ての直線上で走査したときの誤認識を確実に防ぐことは困難である。このように、半導体装置の製造時において、ＣＭＰ法による平坦性向上を目的とした従来のダミーパターンＤを採用する場合、アライメントマークの誤認識に起因してマスクの位置決めを的確に行うことができないことが問題であった。
【０００６】
そこで、本発明はこれらの問題を解決するためになされたものであり、半導体装置の製造時に、ＣＭＰ法に用いるダミーパターンを形成する場合、簡単な構造でアライメントマークとの誤認識を防止し得る半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のダミーパターンを有する半導体装置の態様は、半導体基板上の所定位置に設けられ、基板平面内の第１の方向又は当該第１の方向に直交する第２の方向に走査したときの光学的な検出信号に基づき製造時の位置合わせを行うためのアライメントマークと、前記半導体基板上の配線層に形成され、回路配線を構成する実パターンと、前記配線層に形成され、ＣＭＰ法に用いるダミーパターンとを備え、前記ダミーパターンには、前記第１の方向及び前記第２の方向に対して非対称な所定形状を有する複数の基本パターンが含まれ、前記ダミーパターンが形成された領域内の前記第１の方向の直線上及び前記第２の方向の直線上にて、それぞれの前記基本パターンを横切るパターン部分が一定間隔で繰り返し配置されないように構成される。
【０００８】
本発明に係る半導体装置によれば、配線層において実パターンとともに、ＣＭＰ法による平坦化のためにダミーパターンを形成し、このダミーパターンを複数の基本パターンを配置して構成した。そして、製造時のマスクの位置合わせに際し、アライメントマークを光学的に検出するために第１の方向又は第２の方向に走査する場合、走査方向に対し基本パターンのパターン部分が一定間隔で現れることがない配置としたので、検出信号の波形に周期的なピークが生じることがなく、ダミーパターンをアライメントマークと誤認識することを確実に防止できる。
【０００９】
本発明において、前記ダミーパターンが形成された領域のパターン密度は、前記実パターンが形成された領域のパターン密度と略同一としてもよい。
【００１０】
本発明において、前記複数の基本パターンは、前記配線層の平面内で互いに１８０度回転させた関係にある２種の基本パターンを含んでいてもよい。
【００１１】
本発明において、前記基本パターンは、前記第１の方向の直線と前記第２の方向の直線に囲まれた形状を有していてもよい。
【００１２】
本発明において、前記基本パターンは、矩形の対向する２角の部分を切り欠いた形状を有してもよい。この場合、前記対向する２角の部分の各々を１つの矩形で切り欠いたクランク形状、あるいは、前記対向する２角の部分の各々を複数の矩形で切り欠いた多重クランク形状とすることができる。
【００１３】
本発明において、前記基本パターンは、前記第１の方向の直線と前記第２の方向の直線に加えて、前記第１の方向及び前記第２の方向と異なる方向の直線に囲まれた形状を有していてもよい。
【００１４】
本発明において、前記ダミーパターンは、前記実パターン又は領域境界部と隣接する位置に、前記基本パターンの一部を除去した変形パターンを含んでいてもよい。この場合、前記複数の基本パターンの各々は、隣接する他の前記基本パターン又は前記変形パターンとの間を一定間隔だけ離して配置してもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、アライメントマークを位置合わせに用いる半導体装置に対し、実パターンとＣＭＰ用のダミーパターンを配線層に形成し、アライメントマークの想定される走査方向で一定間隔のパターン部分が配置されないような形状と配置で複数の基本パターンを設けてダミーパターンを構成した。従って、アライメントマークの光学的な検出信号に周期的なピークが生じず、簡単な構造でダミーパターンをアライメントマークと誤認識することを確実に防止でき、半導体装置の製造時に的確なマスクの位置合わせを行いつつＣＭＰ法による平坦化を実現可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の最良の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１７】
図１は、本発明の半導体装置に係る第１の実施例の模式的な平面図である。第１の実施例では、半導体装置の配線層において、実際の回路配線を構成する実パターンＷが形成された領域と、ＣＭＰ法のためのダミーパターンＤが形成された領域を有している。なお、図１の下部に、基準となるＸ方向（図中横方向）とＹ方向（図中縦方向）を示している。実パターンＷは、簡単のため３本の配線及び長方形領域のみを示しているが、実際は多様な形状で配置される。ダミーパターンＤには、クランク形状の基本パターンＤ（０）、Ｄ（１）と、基本パターンＤ（０）、Ｄ（１）を変形した多様な変形パターンＤ（２）が含まれる。
【００１８】
図１に示すように、基本パターンＤ（０）と基本パターンＤ（１）は、Ｘ方向とＹ方向に対して非対称な形状を有し、両者の形状が互いに合同かつ平面内で互いに１８０度回転させた関係にある。実パターンＷの領域を除いたダミーパターンＤの領域の大部分は、２種の基本パターンＤ（０）、Ｄ（１）のいずれかが配置される。一方、変形パターンＤ（２）は、基本パターンＤ（０）、Ｄ（１）の部分的な形状を有し、実パターンＷあるいは領域境界部（外縁部）と隣接する位置において、それらと所定の間隔を確保するために基本パターンＤ（０）、Ｄ（１）の一部のパターンを除去して形成される。また、基本パターンＤ（０）、Ｄ（１）、変形パターンＤ（２）を含むダミーパターンＤ同士が互いに隣接する場合、所定の間隔を離して配置される。
【００１９】
ここで、ダミーパターンＤの領域におけるパターンの有無の比率（パターン密度）は、実パターンＷの領域におけるパターンの有無の比率と概ね一致させることが望ましい。ダミーパターンＤの領域と実パターンＷの領域でパターン密度が大きく異なる場合は、ＣＭＰ法による平坦化に悪影響がある。そのため、実パターンＷの領域のパターンが決定された際にパターン密度を算出した上で、そのパターン密度に適合するようにダミーパターンＤのサイズ及びダミーパターンＤ同士の間隔を決定すればよい。なお、ダミーパターンＤ自体のサイズやダミーパターンＤ同士の間隔を大きくとり過ぎるのは、パターン有り又はパターン無しの部分的な領域が大きくなってＣＭＰ法の観点から好ましくないので、ある程度小さいサイズと間隔でダミーパターンＤを配置する必要がある。
【００２０】
図２には、図１の基本パターンＤ（０）の拡大図を示している。図２に示す基本パタ−ンＤ（０）は、ａ×ｂ（Ｘ方向の長さがａかつＹ方向の長さがｂ、以下同様）の長方形のうち対向する２角の部分を、ａ１×ｂ１の長方形とａ２×ｂ２の長方形でそれぞれ切り欠いた形状（クランク形状）を有している。この例では、ａ＞ａ１＋ａ２、ｂ＞ｂ１＋ｂ２、ａ１＞ａ２、ｂ１＞ｂ２の関係が満たされる。なお、他方の基本パターンＤ（１）については、図２と対称的な構成を考えればよい。
【００２１】
基本パターンＤ（０）に隣接する他のダミーパターンＤとの間は、半導体装置の配置ルールに従って間隔ｃだけ離して配置される。図２では、基本パターンＤ（０）の２つの辺と隣接する２箇所のダミーパターンＤについて示しているが、全ての辺と隣接するダミーパターンＤ（不図示）との間を上記の間隔ｃだけ離して配置する必要がある。一方、基本パターンＤ（０）が実パターンＷと隣接する場合は、間隔ｃより大きい所定の間隔だけ離して配置する必要がある（図１参照）。このようなダミーパターンＤと隣接パターンとの配置ルールは、基本パターンＤ（０）に加え、他方の基本パターンＤ（１）及び変形パターンＤ（２）についても共通である。
【００２２】
図１に戻って、上述の形状と配置を有するダミーパターンＤに対し、アライメントマーク用のレーザ光の走査方向が、任意の位置を通ってＸ方向又はＹ方向に設定されている場合を考える。ここで、Ｘ方向で隣接する複数の基本パターンＤ（０）又は複数の基本パターンＤ（１）に着目すると、少しずつＹ方向の位置がずれた配置となっている。そして、Ｘ方向に走査したとき、図２の長さａ−ａ１（上側）、長さａ（中央）、長さａ−ａ２（下側）のいずれかのパターン部分を横切り、同位置のパターン部分を連続して横切ることはない。よって、一定間隔のパターンが繰り返し現れることはなく、検出信号の波形が一定周期になることは回避される。
【００２３】
一方、Ｙ方向で隣接する複数の基本パターンＤ（０）又は複数の基本パターンＤ（１）に着目すると、少しずつＸ方向の位置がずれた配置となっている。そして、Ｙ方向に走査したとき、図２の長さｂ−ｂ１（下側）、長さｂ（中央）、長さｂ−ｂ２（上側）、のいずれかのパターン部分を横切り、同位置のパターン部分を連続して横切ることはない。よって、一定間隔のパターンが繰り返し現れることはなく、検出信号の波形が一定周期になることは回避される。以上のように、Ｘ方向とＹ方向の両方で、多数のダミーパターンＤのパターンの有無が走査方向上に一定間隔で現れる箇所がなく、これによりアライメントマークの誤認識を確実に防止することができる。
【００２４】
次に図３は、本発明の半導体装置に係る第２の実施例の模式的な平面図である。第２の実施例では、半導体装置の配線層において、第１の実施例と同様に実パターンＷの領域とダミーパターンＤの領域を有するが、第１の実施例と各々のダミーパターンＤの形状に相違がある。なお、図３の実パターンＷは、図１の実パターンＷと同様であるものとする。図３のダミーパターンＤには、図１よりも複雑なクランク形状（以下、２重クランク形状と呼ぶ）の基本パターンＤ（１０）、Ｄ（１１）と、基本パターンＤ（１０）、Ｄ（１１）を変形した多様な変形パターンＤ（１２）が含まれる。
【００２５】
図３に示すように、基本パターンＤ（１０）と基本パターンＤ（１１）は、Ｘ方向とＹ方向に対して非対称な形状を有し、両者の形状が互いに合同かつ互いに平面内で１８０度回転させた関係にある。実パターンＷの領域を除いたダミーパターンＤの領域の大部分は、２種の基本パターンＤ（１０）、Ｄ（１１）のいずれかが配置される。一方、変形パターンＤ（１２）は、基本パターンＤ（１０）、Ｄ（１１）の部分的な形状を有し、実パターンＷあるいは領域境界部（外縁部）と隣接する場合は、それらと所定の間隔を確保するために基本パターンＤ（１０）、Ｄ（１１）の一部のパターンを除去して形成される。また、基本パターンＤ（１０）、Ｄ（１１）、変形パターンＤ（１２）を含むダミーパターンＤ同士が互いに隣接する場合、所定の間隔を離して配置される。
【００２６】
なお、ダミーパターンＤの領域におけるパターン密度については、第１の実施例と同様、実パターンＷの領域におけるパターン密度と概ね一致させることが望ましい。また、ダミーパターンＤ自体のサイズやダミーパターンＤ同士の間隔についても、第１の実施例と同様、ある程度小さいサイズと間隔で配置する必要がある。
【００２７】
図４には、図３の基本パターンＤ（１０）の拡大図を示している。図４に示す基本パタ−ンＤ（１０）は、ｄ×ｅ（Ｘ方向の長さがｄかつＹ方向の長さがｅ、以下同様）の長方形のうち対向する２角の部分を、一方をｄ１×ｅ１の長方形及びｄ２×ｅ２の長方形で切り欠き、他方をｄ３×ｅ３の長方形及びｄ４×ｅ４の長方形で切り欠いた形状（２重クランク形状）を有している。この例では、ｄ＞ｄ２＋ｄ３、ｅ＜ｅ１＋ｅ４、ｄ２＞ｄ１、ｄ３＞ｄ４、ｅ１＞ｅ２、ｅ４＞ｅ３の関係が満たされる。なお、他方の基本パターンＤ（１１）については、図４と対称的な構成を考えればよい。
【００２８】
基本パターンＤ（１０）に隣接する他のダミーパターンＤとの間は、半導体装置の配置ルールに従って間隔ｆだけ離して配置される。図４では、基本パターンＤ（１０）の２つの辺と隣接する２箇所のダミーパターンＤについて示しているが、全ての辺と隣接するダミーパターンＤ（不図示）との間を上記の間隔ｆだけ離して配置する必要がある。一方、基本パターンＤ（１０）が実パターンＷと隣接する場合は、間隔ｆより大きい所定の間隔だけ離して配置する必要がある（図３参照）。このようなダミーパターンＤと隣接パターンとの配置ルールは、基本パターンＤ（１０）に加え、他方の基本パターンＤ（１１）及び変形パターンＤ（１２）についても共通である。
【００２９】
図３に戻って、上述の形状と配置を有するダミーパターンＤに対し、アライメントマーク用のレーザ光の走査方向が、任意の位置を通ってＸ方向又はＹ方向に設定されている場合を考える。ここで、Ｘ方向で隣接する複数の基本パターンＤ（１０）又は複数の基本パターンＤ（１１）に着目すると、少しずつＹ方向の位置がずれた配置となっている。そして、Ｘ方向に走査したとき、その位置により５通りの長さ（図４の上から長さｄ−ｄ２、ｄ−ｄ１、ｄ−ｄ１−ｄ４、ｄ−ｄ１−ｄ３、ｄ−ｄ３）のいずれかのパターン部分を横切り、同位置のパターン部分を連続して横切ることはない。よって、一定間隔のパターンが繰り返し現れることはなく、検出信号の波形が一定周期になることは回避される。
【００３０】
一方、Ｙ方向で隣接する複数の基本パターンＤ（１０）又は複数の基本パターンＤ（１１）に着目すると、少しずつＸ方向の位置がずれた配置となっている。そして、Ｙ方向に走査したとき、その位置により５通りの長さ（図４の左からｅ−ｅ１、ｅ−ｅ２、ｅ、ｅ−ｅ３、ｅ−ｅ４）のいずれかのパターン部分を横切り、同位置のパターン部分を連続して横切ることはない。よって、一定間隔のパターンが繰り返し現れることはなく、検出信号の波形が一定周期になることは回避される。以上のように、Ｘ方向とＹ方向の両方で、多数のダミーパターンＤのパターンの有無が走査方向上に一定間隔で現れる箇所がなく、これによりアライメントマークの誤認識を確実に防止することができる。
【００３１】
以上のように、第１の実施例ではクランク形状のダミーパターンＤを形成し、第２の実施例では２重クランク形状のダミーパターンＤを形成する場合を説明したが、これに限られず、対向する２角を多数の矩形で切り欠いた多重クランク形状のダミーパターンＤを形成してもよい。
【００３２】
また、第１の実施例及び第２の実施例では、Ｘ方向の直線とＹ方向の直線に囲まれた形状のダミーパターンＤを形成する場合を説明したが、Ｘ方向あるいはＹ方向と異なる方向の直線を一部に含む形状のダミーパターンＤを形成してもよい。図５は、このような形状を有するダミーパターンＤの一例として、図２の基本パターンＤ（０）の変形例である基本パターンＤ（２０）の拡大図を示している。図５に示す基本パターンＤ（２０）は、図２の対向する２角の部分を、それぞれ三角形で切り欠いた形状を有している。基本パターンＤ（２０）には、図２と同様のａ１×ｂ１の矩形の対角線とａ２×ｂ２の矩形の対角線に相当する２本の直線が含まれる。
【００３３】
図５の基本パターンＤ（２０）を図１の基本パターンＤ（０）と置き換えてダミーパターンＤを配置し、Ｘ方向及びＹ方向に走査したときも、一定間隔のパターンが繰り返し現れることはなく同様の効果を達成できる。なお、図５の変形例におけるダミーパターンＤには斜め方向の直線が含まれるのに比べ、第１又は第２の実施例のダミーパターンＤはＸ方向又はＹ方向の直線のみで構成されるので、配線層のマスクデータのサイズが小さくて済む。
【００３４】
以上説明したように、本実施形態のダミーパターンＤを採用することにより、多数の基本パターンがＸ方向又はＹ方向には不規則に配列され、ダミーパターンＤを横切るパターン部分が一定間隔で現れないような構成を実現した。よって、製造時にアライメントマークをＸ方向又はＹ方向に走査する際、光学的な検出信号の波形に一定周期のピークが生じることを回避し、ダミーパターンＤをアライメントマークと誤認識することを防ぐことができ、マスクの位置合わせに支障を来たすことがなく半導体装置を製造することができる。
【００３５】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を施すことができる。例えば、ダミーパターンＤにおける基本パターンの形状は、図１〜図５に示した形状に限定されることなく、同様の効果を達成し得る多様な形状とすることができる。また、ダミーパターンＤの一部に一定間隔のパターン部分が含まれる場合であっても、アライメントマークにおけるパターンの間隔と大きく異なる場合は、アライメントマークの誤認識を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の半導体装置に係る第１の実施例の模式的な平面図である。
【図２】図１の基本パターンＤ（０）の拡大図である。
【図３】本発明の半導体装置に係る第２の実施例の模式的な平面図である。
【図４】図３の基本パターンＤ（１０）の拡大図である。
【図５】図２の基本パターンＤ（０）の変形例である基本パターンＤ（２０）の拡大図である。
【図６】従来のダミーパターンが配置された半導体装置における模式的な平面図である。
【図７】半導基板上に設けられたアライメントマークとその検出信号の信号波形を示す図である。
【符号の説明】
【００３７】
Ｄ…ダミーパターン
Ｗ…実パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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