(57)【要約】      （修正有）【課題】消費電力が小さく、Ｃ／Ｎ特性を向上させた電圧制御発振器を提供する。【解決手段】発振器は、制御端子Ｔａにチョーク用インダクタＬ１を介しカソードが結合した第１可変容量ダイオードＤ１１と、第１可変容量ダイオードのアノードとグランドとの間に接続された第１キャパシタＣ３１および線路Ｓ４（第１インダクタ）を有する第１共振回路１０と、制御端子にチョーク用インダクタＬ１を介しカソードが結合した第２可変容量ダイオードＤ１２と、第２可変容量ダイオードのアノードとグランドとの間に接続された第２キャパシタＣ４２および第２インダクタＬ４２と、を有する第２共振回路２０と、第１共振回路および第２共振回路に結合され、発振信号を出力する発振回路３０と、を具備し、第１共振回路により共振周波数をほぼ決定し、第２共振回路で、Ｃ／Ｎ特性が向上するように調整する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御端子にカソードが結合した第１可変容量ダイオードと、前記第１可変容量ダイオードのアノードとグランドとの間に接続された第１キャパシタおよび第１インダクタと、を有する第１共振回路と、
前記制御端子にカソードが結合した第２可変容量ダイオードと、前記第２可変容量ダイオードのアノードと前記グランドとの間に接続された第２キャパシタおよび第２インダクタと、を有する第２共振回路と、
前記第１共振回路および前記第２共振回路に結合され、発振信号を出力する発振回路と、を具備する発振器。
【請求項２】
前記第１共振回路と前記発振回路とを結合する第１結合キャパシタと、
前記第２共振回路と前記発振回路とを結合する第２結合キャパシタと、を具備する請求項１記載の発振器。
【請求項３】
前記発振回路はバイポーラトランジスタを有し、
前記第１結合キャパシタは、前記第１可変容量ダイオードのアノードと前記バイポーラトランジスタのベースとの間に接続され、
前記第２結合キャパシタは、前記第２可変容量ダイオードのアノードと前記バイポーラトランジスタの前記ベースとの間に接続されている請求項２記載の発振器。
【請求項４】
前記第１結合キャパシタの容量値は前記第２結合キャパシタの容量値より小さく、
前記第１キャパシタの容量値および前記第１インダクタのインダクタンスは前記第２キャパシタの容量値および前記第２インダクタのインダクタンスより大きい請求項２記載の発振器。
【請求項５】
前記発振回路はバイポーラトランジスタと、
前記バイポーラトランジスタの前記ベースと前記グランドとの間に直列に接続された第３キャパシタおよび第４キャパシタを具備し、
前記第３キャパシタと前記第４キャパシタとの間のノードは前記バイポーラトランジスタのエミッタに接続されている請求項１記載の発振器。
【請求項６】
前記ノードと前記エミッタとの間に設けられた抵抗を具備する請求項５記載の発振器。
【請求項７】
前記発振回路はバイポーラトランジスタを有し、
前記バイポーラトランジスタのコレクタと出力端子との間に結合されたバッファ回路を具備する請求項１記載の発振回路。
【請求項８】
前記発振回路はバイポーラトランジスタを有し、
前記バイポーラトランジスタのエミッタとベースとの間に結合された帰還回路を具備する請求項１記載の発振回路。
【請求項９】
制御端子にカソードが結合した可変容量ダイオードと、前記可変容量ダイオードのアノードとグランドとの間に接続された第１キャパシタおよび第１インダクタと、前記可変容量ダイオードのカソードと前記グランドとの間に接続された第２キャパシタと、を有する共振回路と、
発振信号を出力する発振回路と、
前記共振回路と前記発振回路とを結合する第１結合キャパシタと、
前記共振回路と前記発振回路とを結合する第２結合キャパシタと、を具備する発振器。
【請求項１０】
前記発振回路はバイポーラトランジスタを有し、
前記第１結合キャパシタは前記共振回路の前記可変容量ダイオードのアノードと前記バイポーラトランジスタのベースとの間に接続され、
前記第２結合キャパシタは前記共振回路の前記可変容量ダイオードのカソードと前記バイポーラトランジスタのベースとの間に接続される請求項９記載の発振器。
【請求項１１】
前記第１結合キャパシタの容量値は前記第２結合キャパシタの容量値より小さい請求項９記載の発振器。
【請求項１２】
共振周波数の発振信号を出力する発振回路と、
前記発振回路と第１結合キャパシタを介し結合し、前記共振周波数を決定する第１共振回路と、
前記発振回路と第２結合キャパシタを介し結合し、特性を調整するための第２共振回路と、を具備する発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発振器に関し、特に共振回路を少なくとも１つ有する電圧制御発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
発振器、特に電圧制御発振器は、例えば、携帯電話端末、PＨＳ（Personａl Handyphone System）端末、無線ＬＡＮ（Local Area Network）、トランシーバ等の移動体通信端末等に用いられている。
【０００３】
電圧制御発振器は、制御電圧により周波数が制御された共振信号を生成する共振回路と、共振信号の周波数で発振信号を生成する発振回路とを有している。
【０００４】
図１は従来例に係る発振器の回路図である。発振器は発振部１１を含み、発振部１１は共振回路２５、発振回路３０およびバッファ回路４０を含んでいる。発振回路３０を構成するトランジスタＱ１とバッファ回路４０を構成するトランジスタＱ２とはグランドと電源端子Ｔｂとの間に縦続接続されている。
【０００５】
共振回路２５は、可変容量ダイオードＤ１、キャパシタＣ２およびＣ３並びにストリップライン等の線路Ｓ５からなる。制御端子Ｔａに印加される制御電圧は線路Ｓ４およびキャパシタＣ１により高周波成分が除去され、可変容量ダイオードＤ１に印加される。可変容量ダイオードＤ１の静電容量は制御電圧により変化し共振回路２５の共振周波数が変化する。
【０００６】
発振回路３０はバイポーラトランジスタＱ１並びにキャパシタＣ５およびＣ６からなるコルピッツ発振回路の一種であるクラップ発振回路を構成している。トランジスタＱ１のベースは結合キャパシタＣ４を介し共振回路２５に接続されている。
【０００７】
バッファ回路４０はバイポーラトランジスタＱ２を有している。バイポーラトランジスタＱ２のエミッタは発振回路３０のトランジスタＱ１のコレクタに接続され、トランジスタＱ２のベースは結合キャパシタＣ８を介しトランジスタＱ１のエミッタに接続されている。
【０００８】
線路Ｓ２は電源端子ＴｂからトランジスタＱ２のコレクタに電源供給する際、交流成分を除去するチョーク用インダクタとして機能する。抵抗Ｒ１からＲ４はトランジスタＱ１およびＱ２に供給されるバイアスを設定するための抵抗である。キャパシタＣ７、Ｃ１０およびＣ１１は高周波成分をグランドに短絡するためのキャパシタである。
【０００９】
なお、特許文献１には、制御電圧を３つの可変容量ダイオードのカソードに印加する電圧制御発振器が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−１８８７２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
電圧制御発振器においては、位相雑音を低減し、Ｃ／Ｎ（Carrier to Noise）特性を高くすることが求められている。出力電力を大きくすることにより、Ｃ／Ｎ比を向上させることができる。しかしながら、消費電力が大きくなってしまう。
【００１１】
本発明は、上記課題に鑑み、Ｃ／Ｎ特性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の１つの態様によれば、制御端子にカソードが結合した第１可変容量ダイオードと、前記第１可変容量ダイオードのアノードとグランドとの間に接続された第１キャパシタおよび第１インダクタと、を有する第１共振回路と、前記制御端子にカソードが結合した第２可変容量ダイオードと、前記第２可変容量ダイオードのアノードと前記グランドとの間に接続された第２キャパシタおよび第２インダクタと、を有する第２共振回路と、前記第１共振回路および前記第２共振回路に結合され、発振信号を出力する発振回路と、を有する発振器が提供される。これにより、第１共振回路により共振周波数がほぼ決定する。一方、第２共振回路を用いＣ／Ｎ特性等が向上するように第２キャパシタの容量値および第２インダクタのインダクタンスを調整することができる。これにより、Ｃ／Ｎ特性等を向上させることができる。
【００１３】
本発明の別の態様によれば、制御端子にカソードが結合した可変容量ダイオードと、前記可変容量ダイオードのアノードとグランドとの間に接続された第１キャパシタおよび第１インダクタと、前記可変容量ダイオードのカソードと前記グランドとの間に接続された第２キャパシタと、を有する共振回路と、発振信号を出力する発振回路と、前記共振回路と前記発振回路とを結合する第１結合キャパシタと、前記共振回路と前記発振回路とを結合する第２結合キャパシタと、を具備する発振器を提供することができる。これにより、第１キャパシタ及び第１インダクタにより共振周波数がほぼ決定する。一方、第２キャパシタを用いＣ／Ｎ比が向上するように第２キャパシタの容量値を調整する。これにより、Ｃ／Ｎ特性等を向上させることができる。
【００１４】
本発明の更に別の態様によれば、共振周波数の発振信号を出力する発振回路と、前記発振回路と第１結合キャパシタを介し結合し、前記共振周波数を決定する第１共振回路と、前記発振回路と第２結合キャパシタを介し結合し、特性を調整するための第２共振回路と、を具備する発振器が提供される。これにより、第１共振回路により共振周波数がほぼ決定し第２共振回路を用いＣ／Ｎ特性等が向上するように調整することができる。これにより、Ｃ／Ｎ特性等を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図面を参照に、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１６】
図２は実施例１に係る発振器の回路図である。図２を参照に、発振器は第１共振回路１０、第２共振回路２０および発振回路３０を含んでいる。第１共振回路１０は第１可変容量ダイオードＤ１１、第１キャパシタＣ３１および線路Ｓ４（第１インダクタ）を含んでいる。第１可変容量ダイオードＤ１１のカソードはチョーク用インダクタＬ１を介し制御端子Ｔａに接続されている。第１可変容量ダイオードＤ１１のアノードは並列に接続された第１キャパシタＣ３１および線路Ｓ４（第１インダクタ）を介し接地されている。
【００１７】
第２共振回路２０は第２可変容量ダイオードＤ１２、第２キャパシタＣ４２および第２インダクタＬ４２を含んでいる。第２可変容量ダイオードＤ１２のカソードは第１可変容量ダイオードＤ１１のカソードと接続されている。つまり、第２可変容量ダイオードＤ１２のカソードはチョーク用インダクタＬ１を介し制御端子Ｔａに接続されている。第２可変容量ダイオードＤ１２のアノードは並列に接続された第２キャパシタＣ４２および第２インダクタＬ４２を介し接地されている。
【００１８】
第１共振回路１０および第２共振回路２０は制御端子Ｔａに印加される制御電圧により第１可変容量ダイオードＤ１１および第２可変容量ダイオードＤ１２の容量が変化する。よって、制御電圧に応じ共振周波数が変化する。
【００１９】
発振回路３０はＮＰＮバイポーラトランジスタＱ１１、キャパシタＣ６、Ｃ７並びに抵抗Ｒ３およびＲ５を含んでいる。トランジスタＱ１１のベースにはキャパシタＣ６およびＣ７が直列接続し接地されている。キャパシタＣ６とＣ７との間のノードは抵抗Ｒ３を介しトランジスタＱ１１のエミッタに接続されている。トランジスタＱ１１のエミッタはエミッタ抵抗Ｒ５を介し接地されている。トランジスタＱ１１並びにキャパシタＣ６およびＣ７はコルピッツ発振回路の一種であるクラップ発振回路を構成している。
【００２０】
トランジスタＱ１１のベースと第１共振回路１０の第１可変容量ダイオードＤ１１のアノードとは第１結合キャパシタＣ５１を介し結合されている。また、トランジスタＱ１１のベースと第２共振回路２０の第２可変容量ダイオードＤ１２のアノードとは第２結合キャパシタＣ５２を介し結合されている。以上により、発振回路３０は、第１共振回路１０および第２共振回路２０により規定された共振周波数の発振信号を増幅しコレクタに出力する。
【００２１】
トランジスタＱ１１のコレクタは線路Ｓ２を介し電源端子Ｔｂに接続されている。線路Ｓ２はトランジスタＱ１１のコレクタに直流電圧を供給するチョーク用インダクタとして機能する。トランジスタＱ１１のコレクタはキャパシタＣ１２を介し出力端子Ｔｏｕｔに接続されている。キャパシタＣ１２は直流成分を遮断する機能およびインピーダンスを整合させる機能を有している。以上により、発振回路３０の発振信号は出力端子Ｔｏｕｔより出力される。
【００２２】
実施例１に係る発振器において、第１共振回路１０は、制御端子Ｔａにカソードが結合した第１可変容量ダイオードＤ１１と、第１可変容量ダイオードＤ１１のアノードとグランドとの間にそれぞれ並列に接続された第１キャパシタＣ３１および線路Ｓ４と、を有している。第１共振回路１０のＬＣ共振が共振周波数の大部分を決定する。
【００２３】
第２共振回路２０は、制御端子Ｔａにカソードが結合した第２可変容量ダイオードＤ１２と、第２可変容量ダイオードＤ１２のアノードとグランドとの間にそれぞれ並列に接続された第２キャパシタＣ４２および第２インダクタＬ４２と、を有している。第２共振回路２０によりＣ／Ｎ比等の特性を調整する。第１共振回路１０および第２共振回路２０に結合された発振回路３０が共振周波数を有する発振信号を出力する。
【００２４】
このように、第１共振回路１０により共振周波数をほぼ決定し、第２共振回路２０の第２キャパシタＣ４２の容量値および第２インダクタＬ４２のインダクタンスを発振器の特性が所望の値になるように調整する。例えば、Ｃ／Ｎ特性が向上するように調整する。これにより、位相雑音を抑制することができる。
【００２５】
実施例１に係る発振器は第１共振回路１０と発振回路３０とを結合する第１結合キャパシタＣ５１と、第２共振回路２０と発振回路３０とを結合する第２結合キャパシタＣ５２と、を有する。第１結合キャパシタＣ５１は、第１可変容量ダイオードＤ１１のアノードとトランジスタＱ１１のベースとの間に接続され、第２結合キャパシタＣ５２は、第２可変容量ダイオードＤ１２のアノードとトランジスタＱ１１のベースとの間に接続されている。これにより、第１共振回路１０と第２共振回路２０とは異なる強度で発振回路３０に結合することができる。
【００２６】
第１結合キャパシタＣ５１の容量値は第２結合キャパシタＣ５２の容量値より小さくする。これにより、大部分の共振周波数を決める第１共振回路１０と発振回路３０との結合が弱くなるため、温度変動や出力端子Ｔｏｕｔに接続される外部のインピーダンスが変動した場合も第１共振回路１０の共振周波数が変動することを抑制することができる。さらに第２共振回路２０と発振回路３０との結合が強くなるため、第２キャパシタＣ４２の容量値および第２インダクタＬ４２のインダクタンスを変更することによりＣ／Ｎ比を容易に調整することができる。よって、発振器の設計時や製造時にＣ／Ｎ特性等の特性を調整することができる。第１結合キャパシタＣ５１の容量値は第２結合キャパシタＣ５２の容量値の例えば１／３とすることができる。
【００２７】
さらに、第１キャパシタＣ３１の容量値および線路Ｓ４（第１インダクタ）のインダクタンスを第２キャパシタＣ４２の容量値および第２インダクタＬ４２のインダクタンスより大きくする。これにより、第１共振回路１０により大部分の共振周波数が決定される。また、第２共振回路２０により、Ｃ／Ｎ特性等の特性の調整を行うことができる。第１キャパシタＣ３１の容量値および線路Ｓ４のインダクタンスはそれぞれ第２キャパシタＣ４２の容量値および第２インダクタＬ４２のインダクタンスの例えば３倍程度とすることができる。
【００２８】
さらに、発振回路３０は、トランジスタＱ１１と、トランジスタＱ１１のベースとグランドとの間に直列に接続されたキャパシタＣ６（第３キャパシタ）およびキャパシタＣ７（第４キャパシタ）とを有し、キャパシタＣ６とキャパシタＣ７との間のノードはトランジスタＱ１１のエミッタに接続されている。これにより、結合コンデンサＣ５１およびＣ５２を含んだコルピッツ発振回路であるクラップ発振回路を構成することができる。
【００２９】
さらに、キャパシタＣ６とキャパシタＣ７との間のノードとトランジスタＱ１１のエミッタとの間に抵抗Ｒ３が設けられている。発振回路３０のトランジスタＱ１１において、エミッタ端子を出力とすると、トランジスタＱ１１はコレクタ接地（エミッタ・フォロア）方式の接続となる。コレクタ接地回路では、高周波になるとベースから見た入力インピーダンスはインダクタンス成分となり、エミッタから見た出力インピーダンスが容量成分となる。よって、抵抗Ｒ３を設けない場合、トランジスタＱ１１のベース、キャパシタＣ６、エミッタでＬＣ共振し、異常発振してしまう。よって、抵抗Ｒ３を設け異常発振を抑制することが好ましい。
【実施例２】
【００３０】
実施例２はバッファ段のトランジスタＱ１２を有する例である。図３を参照に、実施例２に係る発振器は実施例１に対し、発振回路３０のトランジスタＱ１１のコレクタと線路Ｓ２との間にバッファ回路４０としてＮＰＮバイポーラトランジスタＱ１２が接続されている。トランジスタＱ１２のエミッタは、トランジスタＱ１１のコレクタに接続されている。トランジスタＱ１２のコレクタは、線路Ｓ２を介し電源端子Ｔｂと接続され、さらにキャパシタＣ１２を介し出力端子Ｔｏｕｔに接続されている。抵抗Ｒ８、Ｒ６およびＲ４は電源電圧を抵抗分割してトランジスタＱ１２のベースおよびトランジスタＱ１１のベースに電圧を供給する。その他の構成は実施例１と同じである。
【００３１】
実施例２においては、発振回路３０のトランジスタＱ１１のコレクタと出力端子Ｔｏｕｔとの間に結合されたバッファ回路４０を有する。これにより、出力端子Ｔｏｕｔに接続される外部回路のインピーダンスが変動しても、発振回路３０が影響することを抑制することができる。
【実施例３】
【００３２】
実施例３は帰還回路を有する例である。図４を参照に、発振回路３０のトランジスタＱ１１のエミッタにインダクタＬ３を介し帰還回路５０が接続されている。帰還回路５０は抵抗Ｒ６を介し電源端子Ｔｂに接続され、さらに抵抗Ｒ４を介しトランジスタＱ１１のベースに接続されている。
【００３３】
帰還回路５０はＮＰＮバイポーラトランジスタＱ１３、キャパシタＣ９、および抵抗Ｒ９０を含んでいる。インダクタＬ３は結合キャパシタＣ１１を介しトランジスタＱ１３のベースに接続されている。トランジスタＱ１３のベースは帰還キャパシタＣ９を介し接地されている。トランジスタＱ１３のコレクタは、抵抗Ｒ６に接続されるとともに、抵抗Ｒ９０を介しトランジスタＱ１３のベースに接続されている。抵抗Ｒ９０はコレクタ電流がベースに逆流することを抑制する機能を有している。トランジスタＱ１３のエミッタは接地されている。
【００３４】
インダクタＬ３は並列に接続されたキャパシタＣ７２と抵抗Ｒ５とを介し接地されている。インダクタＬ３は帰還回路５０からトランジスタＱ１１のエミッタに発振周波数より高周波の成分が侵入することを抑制する機能を有している。抵抗Ｒ５は消費電流を調整し、キャパシタＣ７２は出力レベルを調整する機能を有している。
【００３５】
実施例３においては、発振回路３０のトランジスタＱ１１のエミッタとベースとの間に結合された帰還回路５０を有する。このように、発振回路３０のトランジスタＱ１１のエミッタを帰還回路５０によりトランジスタＱ１１のベースにフィードバックすることによりＣ／Ｎ特性を向上させることができる。
【実施例４】
【００３６】
実施例４は、２つの結合キャパシタにより共振回路と発振回路とが結合された例である。図５を参照に、実施例４に係る発振器は、共振回路１５と発振回路３０とを含んでいる。
【００３７】
共振回路１５は可変容量ダイオードＤ１１、第１キャパシタＣ３１、第２キャパシタＣ４２および線路Ｓ４（第１インダクタ）を含んでいる。可変容量ダイオードＤ１１のカソードはチョーク用インダクタＬ１を介し制御端子Ｔａに接続されている。制御端子Ｔａは高周波除去用のキャパシタＣ２を介し接地されている。可変容量ダイオードＤ１１のアノードは並列に接続された第１キャパシタＣ３１および線路Ｓ４を介し接地されている。可変容量ダイオードＤ１１のカソードは第２キャパシタＣ４２を介し接地されている。共振回路１５は制御電圧により可変容量ダイオードＤ１１の容量値が変化する。よって、制御電圧に応じ共振周波数が変化する。発振回路３０は実施例１の図２と同じであり説明を省略する。
【００３８】
発振回路３０のトランジスタＱ１１のベースと共振回路１５の可変容量ダイオードＤ１１のアノードとは第１結合キャパシタＣ５１を介し結合されている。また、トランジスタＱ１１のベースと可変容量ダイオードＤ１１のカソードとは第２結合キャパシタＣ５２を介し結合されている。以上により、発振回路３０は、共振回路１５の共振周波数の発振信号をコレクタに出力する。
【００３９】
トランジスタＱ１１のコレクタは線路Ｓ２を介し電源端子Ｔｂに接続されている。線路Ｓ２はトランジスタＱ１１のコレクタに直流電圧を供給するチョーク用インダクタとして機能する。トランジスタＱ１１のコレクタはキャパシタＣ１２を介し出力端子Ｔｏｕｔに接続されている。キャパシタＣ１２は直流成分を遮断する機能およびインピーダンスを整合させる機能を有している。以上により、発振回路３０の発振信号は出力端子Ｔｏｕｔより出力される。
【００４０】
実施例４によれば、共振回路１５の共振周波数は、主に可変容量ダイオードＤ１１と可変容量ダイオードＤ１１のアノードとグランドとの間に接続された第１キャパシタＣ３１と線路Ｓ４（第１インダクタ）とにより決定される。一方、可変容量ダイオードＤ１１のカソードとグランドとの間に接続された第２キャパシタＣ４２によりＣ／Ｎ特性等の特性を調整することができる。
【００４１】
さらに、発振器は共振回路１５と発振回路３０とを結合する第１結合キャパシタＣ５１と、共振回路１５と発振回路３０とを結合する第２結合キャパシタＣ５２と、を有する。第１結合キャパシタＣ５１は、可変容量ダイオードＤ１１のアノードとトランジスタＱ１１のベースとの間に接続され、第２結合キャパシタＣ５２は、可変容量ダイオードＤ１１のカソードとトランジスタＱ１１のベースとの間に接続されている。これにより、共振回路１５の第１キャパシタＣ３１および線路Ｓ４と第２キャパシタＣ４２とは異なる強度で発振回路３０に結合することができる。
【００４２】
第１結合キャパシタＣ５１の容量値は第２結合キャパシタＣ５２の容量値より小さくする。これにより、大部分の共振周波数を決める第１キャパシタＣ３１及び線路Ｓ４と発振回路３０との結合が弱くなるため、温度変動や出力端子Ｔｏｕｔに接続される外部のインピーダンスが変動した場合も共振回路１５の共振周波数が変動することを抑制することができる。さらに第２キャパシタＣ４２と発振回路３０との結合が強くなるため、第２キャパシタＣ４２の容量値を変更することによりＣ／Ｎ比を容易に調整することができる。よって、発振器の設計時や製造時にＣ／Ｎ比を調整し、Ｃ／Ｎ特性を向上させることができる。第１結合キャパシタＣ５１の容量値は第２結合キャパシタＣ５２の容量値の例えば１／３とすることができる。
【００４３】
さらに、第１キャパシタＣ３１の容量値は第２キャパシタＣ４２の容量値より大きくすることが好ましい。これにより、キャパシタＣ３２及び線路Ｓ４により大部分の共振周波数が決定され、第２キャパシタＣ４２により、Ｃ／Ｎ特性等の調整を行うことができる。第１キャパシタＣ３１の容量値は第２キャパシタＣ４２の容量値の例えば３倍程度とすることができる。
【００４４】
本発明のいくつかの実施例について説明したが、本実施例は、本発明の原理と精神から逸脱しない限り当業者が変更することもできる。本実施例は特許請求の範囲とその均等の範囲を確定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】図１は従来例に係る発振器の回路図である。
【図２】図２は実施例１に係る発振器の回路図である。
【図３】図３は実施例２に係る発振器の回路図である。
【図４】図４は実施例３に係る発振器の回路図である。
【図５】図５は実施例４に係る発振器の回路図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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