(57)【要約】【課題】基板上にマスクを設け、マグネトロンスパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成するためのマグネトロンスパッタ用ターゲットにおいて、マグネトロンスパッタリングにより、スパッタリングターゲット材の消費に無駄が無く透明導電膜を形成でき、また透明導電膜の抵抗率や透過率の制御が容易にできるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】多数の穴の開いた透明導電膜用材料からなる円盤状ターゲットに、ターゲットと同一透明導電膜用材料または他の透明導電膜用導電材料からなる円柱ピン形状のターゲットを多数の穴に完全充填するよう挿入させたことを特徴とする。【選択図】図１
2008050625.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にマスクを設け、マグネトロンスパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成するためのマグネトロンスパッタ用ターゲットにおいて、多数の穴の開いた透明導電膜用材料からなる円盤状ターゲットに、ターゲットと同一透明導電膜用材料または他の透明導電膜用導電材料からなる円柱ピン形状のターゲットを多数の穴に完全充填するよう挿入させたことを特徴とするマグネトロンスパッタ用ターゲット。
【請求項２】
基板上にマスクを設け、マグネトロンスパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成するためのスパッタ用ターゲットにおいて、組成がＩｎ2Ｏ3からなる多数の穴の開いた円盤状ターゲットに、ターゲットと同一組成であるＩｎ2Ｏ3またはＳｎＯ2、ＺｎＯからなる円柱ピン形状のターゲットを多数の穴に完全充填するよう挿入させることを特徴とするマグネトロンスパッタ用ターゲット。
【請求項３】
基板上にマスクを設け、マグネトロンスパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成するためのスパッタ用ターゲットにおいて、組成がＳｎＯ2、またはＺｎＯからなる多数の穴の開いた円盤状ターゲットに、ターゲットと同一組成であるＳｎＯ2、ＺｎＯまたはＩｎ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3からなる円柱ピン形状のターゲットを多数の穴に完全充填するよう挿入させることを特徴とするマグネトロンスパッタ用ターゲット。
【請求項４】
請求項２に記載のマグネトロンスパッタ用ターゲットであって、組成がＩｎ2Ｏ3からなる多数の穴の開いた円盤状ターゲットに、本ターゲットと同一組成であるＩｎ2Ｏ3の円柱ピン形状ターゲットの本数とＳｎＯ2またはＺｎＯからなる円柱ピン形状ターゲットの本数の比率を調整し挿入することで、円盤状ターゲットの組成を制御することを特徴とするマグネトロンスパッタ用ターゲット。
【請求項５】
請求項３に記載のマグネトロンスパッタ用ターゲットであって、組成がＳｎＯ2、またはＺｎＯからなる多数の穴の開いた円盤状ターゲットに、本ターゲットと同一組成であるＳｎＯ2、またはＺｎＯの円柱ピン形状ターゲットの本数とＩｎ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、またはＧａ2Ｏ3からなる円柱ピン形状ターゲットの本数の比率を調整し挿入することで、円盤状ターゲットの組成を制御することを特徴とするマグネトロンスパッタ用ターゲット。
【請求項６】
請求項２または請求項４に記載のマグネトロンスパッタ用ターゲットであって、組成がＩｎ2Ｏ3からなる多数の穴の開いた円盤状ターゲットに、本ターゲットと同一組成であるＩｎ2Ｏ3の円柱ピン形状ターゲットの本数とＳｎＯ2またはＺｎＯからなる円柱ピン形状ターゲットの本数の比率を調整し挿入することで、円盤状ターゲットの組成を制御し、かつ形成膜のシート抵抗、光線透過率を制御することを特徴とする透明導電膜形成方法。
【請求項７】
請求項３または請求項５に記載のマグネトロンスパッタ用ターゲットであって、組成がＳｎＯ2、またはＺｎＯからなる多数の穴の開いた円盤状ターゲットに、本ターゲットと同一組成であるＳｎＯ2、またはＺｎＯの円柱ピン形状ターゲットの本数とＩｎ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、またはＧａ2Ｏ3からなる円柱ピン形状ターゲットの本数の比率を調整し挿入することで、円盤状ターゲットの組成を制御し、かつ形成膜のシート抵抗、光線透過率を制御することを特徴とする透明導電膜形成方法。
【請求項８】
基材上に第一電極と有機発光層と第二電極を少なくともこの順に備え、電極間に電流を流すことにより有機発光層を発光させる有機電界発光素子の製造方法において、第一電極若しくは第二電極の少なくとも一方を請求項６または７に記載の方法により透明導電膜をパターン形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項９】
基材上に反射電極と有機発光層と透明電極を少なくともこの順に備え、電極間に電流を流すことにより有機発光層を発光させるトップエミッション型有機電界発光素子の製造方法において、透明電極を請求項８に記載の方法により形成することを特徴とするトップエミッション型有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９に記載の有機電界発光素子の製造方法において、前記有機発光層形成材料を溶媒に溶解または分散させインキとする工程と、該インキを用いて凸版反転オフセット印刷法により基材上に有機発光層を形成する工程を備えることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項８または請求項９に記載の有機電界発光素子の製造方法において、前記有機発光層形成材料を溶媒に溶解または分散させインキとする工程と、該インキを用いて凸版印刷(フレキソ印刷)法により基材上に有機発光層を形成する工程を備えることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項８〜１１いずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法において、前記有機発光層及び電極を形成した基材上に、ガラスにＣａＯを形成した基材を封止基材として、両者を貼り合わせすることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング法を用いた透明電極形成方法に関し、また透明電極形成方法を用いた有機電界発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電膜の応用分野は光通信、半導体レーザー、各種ディスプレイ、記録メディア、民生用機器（デジタルカメラ、プロジェクター、携帯電話、レンズ、ミラー、ランプ等）など多様化しており、透明導電膜の製造技術においては歩留まり向上などの量産時の安定性、また多層膜形成時の膜性能について重要な要求項目となってきている。
【０００３】
有機電界発光素子は、２つの電極間に有機発光層を挟持した構造を有し、電極間に電流を流すことにより有機発光層を発光させるものであるが、発光した光を取り出すために、どちらか一方の電極を透明にする必要がある。そして、透明電極としてインジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）からなる透明導電膜等を用いることが提案されている（例えば、特許文献１、２、３、４）。
【０００４】
上部光取り出し（トップエミッション）型の有機電界発光素子は、基材と反対側の電極を透明電極とするものであるが、このとき金属薄膜上に透明導電膜を形成することにより、陰極の保護と配線抵抗の低抵抗化を図ることが提案されている。また、透明導電膜を陰極とするために下地の有機発光層の保護や電子注入障壁低減を目的として、有機発光層と透明導電膜の間にバッファー層を挟持することが提案されている。透明導電膜形成には従来から行われている蒸着法、並びに近年光通信関連で利用されているプラズマやイオンビームによるアシスト蒸着法やイオンプレーティング法、イオンビームスパッタ法などが主に使用されており、その他としてｓｏｌ／ｇｅｌ法、スプレー法などの湿式法を用いる場合もある。一方、半導体やフラットパネルディスプレイ、電子部品などの薄膜製造工程における量産装置に使用されている方式としてスパッタリング法がある。スパッタリング法は成膜速度や膜組成などが安定しており、また大面積基板への均一な成膜が可能であるため、量産化に適した方式として広く利用されている。更に膜厚及び導電性・透明性の均一性が高く、微細エッチング特性にも優れることから、主流ともなっている。
【０００５】
以下に公知文献を示す。
【特許文献１】特開２００３−９０１１５８号公報
【特許文献２】特開２００１−２５０６７８号公報
【特許文献３】特許第２８５０９０６号公報
【特許文献４】特開２００５−６８５０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
蒸着法により基板上に導電膜をパターン形成する場合、蒸着法は熱的なエネルギーのみで基板に粒子を堆積させるため、基板に入射する粒子のエネルギーは０．１ｅＶ程度である。これに対し、スパッタリング法にて基板上に透明導電膜をパターン形成する場合、基板に入射する粒子のエネルギーは６００ｅＶ程度と非常に高い。一般的に基板に入射する粒子のエネルギーが５０ｅＶ程度以上になると、粒子が基板内に入り込んだり、基板を構成する原子が叩き出されたり、あるいは基板に欠陥を発生させるといった問題が発生する。
【０００７】
特に、有機薄膜上にスパッタリング法により、透明導電膜を成膜した場合、高エネルギー粒子である反跳Ａｒプラズマ、γ電子、ターゲット粒子などの飛散・衝突により有機薄膜の分子構造が破壊（結合断裂）され、有機発光材料本来の発光ポテンシャルが低下するという問題があった。
【０００８】
マグネトロンスパッタにおけるターゲット材は放電がドーナツ状となるため、ターゲット材もドーナツ状に溝が掘られて減っていく。この最もスパッタされているところをエロージョンセンタという。このことは材料の利用効率が低いことを意味し、高価な基材の場合はコスト上昇につながる。対策としてはカソードマグネットを回転させるなどして材料表面全体をスパッタできるようにするなどの手法があるが、装置機構が複雑化する。
【０００９】
スパッタリングターゲットは、マグネトロンスパッタリングした場合、ターゲットに印加する磁場と電場の構成から、磁場の集中する部分ではターゲットの消費が盛んに行われ、磁場の無い部分ではほとんど消費されず、スパッタされる量がばらつき、無駄が多かった。
【００１０】
一方、透明導電膜の抵抗率や透過率などの特性を制御したい場合、所望の特性を生じるターゲットをそのたびごとに製造する必要があり、効率の悪いものであった。
【００１１】
本発明はかかる問題点を解決するもので、マグネトロンスパッタリングにより、スパッタリングターゲット材の消費に無駄が少なく透明導電膜を形成でき、また透明導電膜の抵抗率や透過率の制御が容易にできるスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決させるために請求項１に係る発明としては、基板上にマスクを設け、マグネトロンスパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成するためのマグネトロンスパッタ用ターゲットにおいて、多数の穴の開いた透明導電膜用材料からなる円盤状ターゲットに、ターゲットと同一透明導電膜用材料または他の透明導電膜用導電材料からなる円柱ピン形状のターゲットを多数の穴に完全充填するよう挿入させたことを特徴とするマグネトロンスパッタ用ターゲットとした。
【００１３】
また、請求項２に係る発明としては、基板上にマスクを設け、マグネトロンスパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成するためのスパッタ用ターゲットにおいて、組成がＩｎ2Ｏ3からなる多数の穴の開いた円盤状ターゲットに、ターゲットと同一組成であるＩｎ2Ｏ3またはＳｎＯ2、ＺｎＯからなる円柱ピン形状のターゲットを多数の穴に完全充填するよう挿入させることを特徴とするマグネトロンスパッタ用ターゲットとした。
【００１４】
また、請求項３に係る発明としては、基板上にマスクを設け、マグネトロンスパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成するためのスパッタ用ターゲットにおいて、組成がＳｎＯ2、またはＺｎＯからなる多数の穴の開いた円盤状ターゲットに、ターゲットと同一組成であるＳｎＯ2、ＺｎＯまたはＩｎ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3からなる円柱ピン形状のターゲットを多数の穴に完全充填するよう挿入させることを特徴とするマグネトロンスパッタ用ターゲット。
とした。
【００１５】
また、請求項４に係る発明としては、請求項２に記載のマグネトロンスパッタ用ターゲットであって、組成がＩｎ2Ｏ3からなる多数の穴の開いた円盤状ターゲットに、本ターゲットと同一組成であるＩｎ2Ｏ3の円柱ピン形状ターゲットの本数とＳｎＯ2またはＺｎＯ
からなる円柱ピン形状ターゲットの本数の比率を調整し挿入することで、円盤状ターゲットの組成を制御することを特徴とするマグネトロンスパッタ用ターゲットとした。
【００１６】
また、請求項５に係る発明としては、請求項３に記載のマグネトロンスパッタ用ターゲットであって、組成がＳｎＯ2、またはＺｎＯからなる多数の穴の開いた円盤状ターゲットに、本ターゲットと同一組成であるＳｎＯ2、またはＺｎＯの円柱ピン形状ターゲットの本数とＩｎ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、またはＧａ2Ｏ3からなる円柱ピン形状ターゲットの本数の比率を調整し挿入することで、円盤状ターゲットの組成を制御することを特徴とするマグネトロンスパッタ用ターゲットとした。
【００１７】
また、請求項６に係る発明としては、請求項２または請求項４に記載のマグネトロンスパッタ用ターゲットであって、組成がＩｎ2Ｏ3からなる多数の穴の開いた円盤状ターゲットに、本ターゲットと同一組成であるＩｎ2Ｏ3の円柱ピン形状ターゲットの本数とＳｎＯ2またはＺｎＯからなる円柱ピン形状ターゲットの本数の比率を調整し挿入することで、円盤状ターゲットの組成を制御し、かつ形成膜のシート抵抗、光線透過率を制御することを特徴とする透明導電膜形成方法とした。
【００１８】
また、請求項７に係る発明としては、請求項３または請求項５に記載のマグネトロンスパッタ用ターゲットであって、組成がＳｎＯ2、またはＺｎＯからなる多数の穴の開いた円盤状ターゲットに、本ターゲットと同一組成であるＳｎＯ2、またはＺｎＯの円柱ピン形状ターゲットの本数とＩｎ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、またはＧａ2Ｏ3からなる円柱ピン形状ターゲットの本数の比率を調整し挿入することで、円盤状ターゲットの組成を制御し、かつ形成膜のシート抵抗、光線透過率を制御することを特徴とする透明導電膜形成方法とした。
【００１９】
また、請求項８に係る発明としては、基材上に第一電極と有機発光層と第二電極を少なくともこの順に備え、電極間に電流を流すことにより有機発光層を発光させる有機電界発光素子の製造方法において、第一電極若しくは第二電極の少なくとも一方を請求項６または７に記載の方法により透明導電膜をパターン形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法とした。
【００２０】
また、請求項９に係る発明としては、基材上に反射電極と有機発光層と透明電極を少なくともこの順に備え、電極間に電流を流すことにより有機発光層を発光させるトップエミッション型有機電界発光素子の製造方法において、透明電極を請求項８に記載の方法により形成することを特徴とするトップエミッション型有機電界発光素子の製造方法とした。
【００２１】
また、請求項１０に係る発明としては、請求項８または請求項９に記載の有機電界発光素子の製造方法において、前記有機発光層形成材料を溶媒に溶解または分散させインキとする工程と、該インキを用いて凸版反転オフセット印刷法により基材上に有機発光層を形成する工程を備えることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法とした。
【００２２】
また、請求項１１に係る発明としては、請求項８または請求項９に記載の有機電界発光素子の製造方法において、前記有機発光層形成材料を溶媒に溶解または分散させインキとする工程と、該インキを用いて凸版印刷(フレキソ印刷)法により基材上に有機発光層を形成する工程を備えることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法とした。
【００２３】
また、請求項１２に係る発明としては、請求項８〜１１いずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法において、前記有機発光層及び電極を形成した基材上に、ガラスにＣａＯを形成した基材を封止基材として、両者を貼り合わせすることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法とした。
【発明の効果】
【００２４】
本発明のマグネトロンスパッタ用ターゲットは、基板上にマスクを設け、マグネトロンスパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成するためのマグネトロンスパッタ用ターゲットを前提とし、多数の穴の開いた透明導電膜用材料からなる円盤状ターゲットに、本ターゲットと同一透明導電膜用材料または他の透明導電膜用導電材料からなる円柱ピン形状のターゲットを多数の穴に完全充填するよう挿入させたことを特徴としており、ターゲット消費の激しいエロージョン部(放電エリア)のところに円柱ピン形状ターゲットを挿入することで、ターゲット消費に無駄が少なく、消耗によるターゲット寿命を拡大させることができる。
【００２５】
また、多数の穴の開いた透明導電膜用材料からなる円盤状ターゲットに、本ターゲットと同一透明導電膜用材料または他の透明導電膜用導電材料からなる円柱ピン形状のターゲットを多数の穴に完全充填するよう挿入させたことで所望のターゲット組成が容易に得られる。即ち、一つの円盤状ターゲットと複数の組成からなる円柱ピン形状ターゲットの組み合わせから、ＩＴＯやＩＺＯなど様々な組成のターゲット形成が可能となる。
【００２６】
このようなターゲット組成制御により基板上に形成された膜の物性、特にシート抵抗、光線透過率を容易に制御することが可能となる。
【００２７】
ターゲット主基材である円盤状ターゲットの組成をＳｎＯ2またはＺｎＯとし、ターゲット副基材である円柱ピン形状ターゲットの組成をＩｎ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3とすることで、Ａｓ−Ｄｅｐｏ（プラズマ放電による膜形成）において酸素フリーで成膜可能なＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯなどの組成と同等なマグネトロンスパッタ用ターゲットが得られる。一方ＩＴＯは母結晶であるＩｎ2Ｏ3が完全に化学量論比を満たす単結晶の場合、絶対零度では伝導帯に電子が存在せず、価電子帯は完全に電子で満たされているので絶縁的に振舞い、立方晶に属するｂｉｘｂｙｉｔｅと呼ばれる結晶構造を持つ。格子定数１．０１１８ｎｍの単位格子中にはＩｎ3+が３２個、Ｏ2-が４８個存在し電気的に中性を保つ。Ｉｎイオンに対して酸素イオンは立方体形に６配位し、２個の酸素欠陥（ｑｕａｓｉ−ａｎｉｏｎ  ｓｉｔｅ）が配位している。この酸素欠陥に酸素を置換型固溶させることで膜抵抗及び光線透過率を制御する。即ち、スパッタ成膜時、酸素ドープを行うことで膜の低抵抗化、光線透過率の最適化を図ることができる。
【００２８】
トップエミッション型有機電界発光素子の製造方法において、上部透明電極の下部層として形成する電子注入性保護層にはＢａやＣａなどの低仕事関数である希土類元素を数ｎｍ層間挿入する場合が多い。この場合、これら希土類元素は高活性であるため、スパッタ成膜時の反応ガスである酸素により、酸化され特性劣化を引き起こす懸念がある。このため、Ａｓ−Ｄｅｐｏにおいて酸素フリーでスパッタ成膜を行えるマグネトロンスパッタ用ターゲットを用いることにより、特性向上を期待することができる。
【００２９】
凸版反転オフセット印刷法は、ブランケットを用い、ブランケットをブラン胴に固定し、ブランケット表面にあるパターン化されたインキを被転写体に転写させるものであり、インキのパターン形状及び膜厚が制御しやすいという利点がある。有機電界発光素子の製造方法において、有機発光層を凸版反転オフセット印刷法を用いて形成することにより、パターン形状の優れた有機発光層を得ることができた。
【００３０】
凸版印刷（フレキソ印刷）法は、シンプルで経済性に優れた印刷法である。凸版印刷法の仕組みは、凸版（樹脂版）の表面に、アニロックスロールと呼ばれるローラーでインキをつけ、更にその版を被印刷基材に押し付けて転写する印刷方式である。アニロックスロール表面に付き過ぎたインキはドクターブレードにより掻き落され、常に安定した量のインキが版表面に供給される。
【００３１】
また、有機電界発光素子の製造方法において、本発明の有機発光層及び電極を形成した基材上に、ガラスにＣａＯを形成した基材を封止基材として、両者を貼り合わせすることにより、乾燥剤を挿入せず封止を行うことが可能になった。また、ガラスを直接、基材上部に貼り合わせすることから、封止基材での光吸収やキャップ構造のガラスを用いた場合に生じる光路長の変化が起きず、光取り出し効率を向上させることができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下に、本発明の実施形態について説明する。
【００３３】
本願発明に用いられる透明導電膜の用途は多岐にわたる。中でもオプトエレクトロニクスデバイス用の電極として使用する場合、種々デバイスの使用条件に応じた要求を満たさなければならない。特に、透明導電膜形成材料は電気的特性と可視光領域の光学的特性の両方は最低限満足する材料でなければならない。本発明における透明導電膜形成材料としては、酸化インジウム系のＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3にＳｎをドーパントとして添加）、その他に、酸化亜鉛系ではＡＺＯ（ＺｎＯにＡｌをドーパントとして添加）、ＧＺＯ（ＺｎＯにＧａをドーパントとして添加）、ＩＺＯ（ＺｎＯにＩｎをドーパントとして添加）などを用いることができる。
【００３４】
また、これらの他にＣｄＯ系、酸化ガリウム系の材料を用いることが可能である。しかし、ＣｄＯ系に関しては、Ｃｄが毒性を有するために実用化は困難である。また酸化ガリウム系の透明導電膜もワイドバンドギャップを持つなど数々の特徴を有するが、Ｉｎ同様、Ｇａは資源の観点からは豊富な材料とは言い難い。このように透明導電膜形成材料は材料設計の指針として環境面を最優先しなければならない社会的背景がある。
【００３５】
ＩＴＯはＩｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅと呼ばれているが、その母結晶はＩｎ2Ｏ3である。Ｓｎを酸化物換算で５〜１０ｗｔ％添加した組成のＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3：Ｓｎ）は絶縁体のように透明でありながら、導電性が高く（１０3Ｓ／ｃｍ）、吸収も少ない。透明性と導電性は互いに関係があるが、１対１の対応があるわけではない。透明性はＩｎ2Ｏ3結晶の構造的な完全性が高く、バンドギャップ内の電子捕獲準位が非常に少ないということであるが、それは結晶内の原子が結晶系の座標点（格子点位置）に正しく、過不足なく位置しているか否かで決まることである。Ｉｎ2Ｏ3試薬は黄白色であり、酸素をわずかに含む（分圧で１０-1Ｐａ以下）雰囲気中で蒸着またはスパッタ成膜すれば透明導電膜を得る。しかし、化合物としては酸素を手放しやすく、真空中加熱や数％の水素を含むような還元雰囲気中での加熱によって容易に還元され、還元が進めば青黒から黒、更に茶褐色にまで変色していく。導電性は母結晶のＩｎ原子やＳｎ原子で置換してやるか、酸素原子を必要十分に与えない条件の下で成膜することで発現する。
【００３６】
ＩＴＯの透明性の物理的意味は半導体としてのバンドギャップが可視域の短波長限界４００ｎｍ付近にあることに帰せられる。しかし、これだけでは不十分で、高い透明性を確保するにはバンドギャップ内に常温で電子が常駐するような準位が少ないか無視できるということである。このようなバンドギャップ内準位は酸素空孔や、Ｉｎ位置に置換したＳｎ原子以外のＩｎ、Ｓｎ原子または原子集団（クラスター）による格子欠陥に由来するものであり、母結晶自体が良質の結晶格子を形成しやすいものでなくてはならない。酸化性が極度に弱い雰囲気で成膜しない限り、Ｉｎ2Ｏ3はこの要件を満たす。実際、Ｉｎ2Ｏ3はガラス基板温度を３００℃程度にしておけば、酸素がやや不足した雰囲気条件であっても、厚さ数十ｎｍの段階から半値幅の狭い良く整ったＸ線回折パターンを示す。この結晶化しやすい特徴はＳｎを添加していっても、数十％程度までは失われない。ＳｎＯ2膜やＺｎＯ膜とは大きく異なる特徴である。
【００３７】
一般的なスパッタリング法としては、イオンビームスパッタリング法、直流スパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法等を用いることが可能である。
【００３８】
マグネトロンスパッタは電流密度が高く、６００ｅＶもの高エネルギーでイオンが電子と衝突するので、透明導電膜を高速で成膜できる。また、低圧力のためスパッタされた粒子の平均自由行程も長く、ターゲットと対向配置の基板上にスパッタ粒子を捕集して薄膜を堆積させることができる。しかし、高エネルギープロセスのため、有機薄膜上へ透明導電膜を成膜する場合、下地の有機薄膜に反跳Ａｒプラズマやγ電子、更には加速されたＴａｒｇｅｔ粒子が衝突し大きなダメージを与えるという問題を有している。
【００３９】
本発明の透明導電膜形成に用いるマグネトロンスパッタ用ターゲットの模式図を図１に示した。図１において、バッキングプレート（ＯＦＣ）（４）上に、組成がＩｎ2Ｏ3からなる多数の穴の開いた円盤状ターゲット（３）が設けられている。多数の穴は、機械的切削、あるいは金型プレス晶結などにより設ける。円盤状ターゲット（３）に、本ターゲットと同一組成であるＩｎ2Ｏ3（２）またはＳｎＯ2、ＺｎＯ（１）からなる円柱ピン形状のターゲットを多数の穴に完全充填するよう挿入させる。
【００４０】
次に、本発明のマグネトロンスパッタ用ターゲットの形成方法を次のように例示できる。従来の円盤状のターゲット材に対し、ボール盤等を用いた機械加工等で、切削スピードを調整しながら穴あけ加工して、多数の孔のあるターゲットを作成する。一方、耐熱性の高い円筒状のるつぼ容器（カーボン、ＢＮ等で形成されたもの）に焼結材料のタブレットを投入し、加圧、高温保持にて材料を焼結させ、ピン形成する。このピンを上記孔のあるターゲットに挿入して、本実施例のターゲットを作成できる。
【００４１】
本発明の透明導電膜形成に用いるＤＣマグネトロンスパッタ装置の模式図を図２に示した。図２において、基板（９）とターゲット（３）の間にはトラップ（１０）が設けられている。また、ターゲット（３）は、バッキングプレート（ＯＦＣ）（４）に固定されており、更にバッキングプレート（４）のターゲット（３）と反対側の面には、カソードマグネット（５）が備えられている。なお、装置内は成膜時には真空状態となる。
【００４２】
トラップ（１０）には、電圧が印加される。トラップ（１０）に電圧を印加することで、プラズマ荷電粒子の捕獲（消滅）が可能になる。従って、マスクへのプラズマ荷電粒子の入射頻度も低下させることができ、キャリアトラップ機構として作用する。
【００４３】
本発明は、透明導電膜形成において、組成がＩｎ2Ｏ3からなる多数の穴の開いた円盤状ターゲット（３）に、本ターゲットと同一組成であるＩｎ2Ｏ3（２）またはＳｎＯ2、ＺｎＯ（１）からなる円柱ピン形状のターゲットを、ターゲット消費の激しいエロージョン部（放電エリア）のところにのみ挿入することで、ターゲット消耗による寿命を拡大させることができる。また、組成がＩｎ2Ｏ3からなる多数の穴の開いた円盤状ターゲット（３）に、本ターゲットと同一組成であるＩｎ2Ｏ3からなる円柱ピン形状ターゲット（２）と、ＳｎＯ2またはＺｎＯからなる円柱ピン形状ターゲット（１）の本数比率を調整し、挿入することで所望のターゲット組成が得られる。即ち、一つの円盤状ターゲットと複数の組成からなる円柱ピン形状ターゲットの組み合わせから、ＩＴＯやＩＺＯなど様々な組成のターゲット形成が可能となる。
【００４４】
ターゲット組成制御により基板上に形成された膜の物性、特にシート抵抗、光線透過率を制御することが可能となる。ターゲット主基材である円盤状ターゲット（３）の組成をＳｎＯ2またはＺｎＯとし、ターゲット副基材である円柱ピン形状ターゲットの組成をＩｎ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3とすることで、Ａｓ−Ｄｅｐｏにおいて酸素フリーで成膜可
能なＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯなどの組成比と同等なマグネトロンスパッタ用ターゲットが得られる。
【００４５】
本発明における磁力線とは、トラップ（１０）に設置させたマグネットによって形成された磁力線であり、トラップ面内に張り巡らされるように形成される。
【００４６】
本発明におけるプラズマとは、気体を構成している原子や分子は原子核の周りに電子が捕まえられた準中性状態であり、このような気体中では放電などにより外部からエネルギーを与えてやると電子は原子核の引力を振り切り自由になり、気体は電子と原子核（正イオン）がバラバラになった状態になる。これがプラズマである。プラズマは固体、液体、気体に並ぶ物質の第４状態といわれる。
【００４７】
本発明におけるＡｒイオンと（１２）は、準中性状態のＡｒ気体を放電などによりプラズマ化させたときに形成される正イオンである。
【００４８】
二次電子であるγ電子（１３）はプラズマ電子がＡｒ気体やターゲット粒子に衝突した際に放出される高エネルギーな電子である。
【００４９】
マグネットとしては、ネオジム系合金等、公知の永久磁石を用いることができる。
【００５０】
図３に発明の透明導電膜形成方法における基板周辺部の説明図を示した。基板（９）はマスク（１７）及びマスクフレーム（１９）とマグネットホルダー（１６）によって挟まれ、密着した構造となっている。基板（９）は、マスクと密着した面に透明導電膜がマスクの開口形状に応じて、パターニングされる。本発明の透明導電膜形成方法にあっては、透明導電膜形成中に基板がペルチェ素子（１５）によって冷却されている。ペルチェ素子は、マグネットホルダー上に設けられる。
【００５１】
ペルチェ素子はかつ真空下で密着基板上部に据付けることで容易に基板及びマスク冷却が可能となる半導体素子である。ペルチェ素子を設けるにあっては装置の大幅改造が不必要であり、簡単に基板及びマスクを冷却することができる。
【００５２】
物質の両端に温度差を与えると、超伝導体以外なら必ず起電力が生じる。この現象をゼーベック（Ｓｅｅｂｅｃｋ）効果と呼び、これらを身近に利用しているのが温度測定に用いられる熱電対（Ｔｈｅｒｍｏｃｏｕｐｌｅ）である。物質の高温端と低温端に外部回路を接続すれば、この熱起電力により電流を発生させ、電力として取り出すことができる。これとは逆に二種の物質を接合して電流を流すと接合点で電流の向きに応じて可逆的に熱が発生または吸収される。これをペルチェ（Ｐｅｌｔｉｅｒ）効果と呼び、先述のゼーベック効果とは表裏一体の熱電現象である。電流を反転させるだけで可逆的に加熱と冷却が可能で、応答速度も極めて遅いので、熱電冷却や電子冷熱として、半導体レーザーや高感度の赤外線検出器やＣＣＤなどの冷却、更に半導体製造プロセスや医療機器など精密な温度制御や局所的な急速冷却が要求される分野に広く利用される。ゼーベック効果及びペルチェ効果の二つの熱−電気の変換過程を総称し熱電変換（Ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ）と呼ぶ。
【００５３】
ペルチェ素子は、Ｐ型半導体とＮ型半導体を用いると、Ｐ型の熱電能はプラス、Ｎ型の熱電能はマイナスの符号を持ち、その相対熱電能は非常に大きいので、大きな熱電効果が得られる。図４にペルチェ素子の説明断面図を示した。図に示したように、ペルチェ素子はセラミック基板（２１）間にＰ型半導体（２３ａ）、Ｎ型半導体（２３ｂ）を金属電極（２２）を介して交互にΠ型に配列することにより、冷却または吸熱の能力をもつ素子となる。この素子は電流を流して温度差を起こさせるペルチェ効果を活用しており、ペルチ
ェ素子と呼ばれる。
【００５４】
次に、本発明の有機電界発光素子の製造方法について述べる。本発明の有機電界発光素子においては、基材上に第一電極、有機発光層、第二電極がこの順に設けられている。また、第一電極・第二電極間には発光補助層として、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層等が必要に応じて設けられる。また、基材上に設けられた第一電極、有機発光層、第二電極は、両電極及び有機発光層等を環境中の水分等から保護することを目的として、封止される。封止としては、ガラスキャップ、金属キャップを基材と貼り合わせる方法や、第一電極、有機発光層、第二電極が設けられた基材を、バリア層等により被覆する方法を用いることができる。
【００５５】
また、第一電極及び第二電極の一方は陽極であり、もう一方が陰極となる。有機電界発光素子とは、電極間に電流を流すことにより有機発光層を発光させるものであるが、発光した光を基材側から取り出す方式をボトムエミッション方式、基材と反対側から取り出す方式をトップエミッション方式という。ボトムエミッション方式においては、有機発光層を基準として基材側の層は有機発光層で発光した光を透過させるために透明とする必要がある。すなわち、基材及び第一電極は透明性を有する必要がある。一方、トップエミッション方式の有機電界発光素子においては、有機発光層を基準として基材と反対側の層は有機発光層で発光した光を透過させるために透明とする必要がある。すなわち、第二電極は透明性を有する必要があり、また、封止によって光が遮断されないようにする必要がある。
【００５６】
図５にトップエミッション方式の有機電界発光素子の説明断面図を示した。基材（２５）上には、第一電極として反射電極（２６）がパターン形成され、反射電極（２６）間には隔壁（２７）が形成され、反射電極（２６）上に正孔輸送層（２８）、有機発光層（２９ａ、２９ｂ、２９ｃ）がこの順で設けられ、更に有機発光層（２９ａ、２９ｂ、２９ｃ）上に電子注入性保護層（３２）、第二電極として透明電極（３３）が設けられている。そして、反射電極（２６）、隔壁（２７）、正孔輸送層（２８）、有機発光層（２９ａ、２９ｂ、２９ｃ）、電子注入性保護層（３２）、透明電極（３３）が設けられた基材は、バリア層（３４）、樹脂層（３５）、封止基材（３６）で封止されている。また、反射電極、隔壁、正孔輸送層、有機発光層、電子注入性保護層、透明電極が設けられた基材を、乾燥剤としてＣａＯを成膜したガラス基板と直接貼り合わせ、封止しても良い。
【００５７】
本発明のトップエミッション型有機電界発光素子において、基材（２５）としては、ガラス基材やプラスチック製のフィルムまたはシートを用いることができる。プラスチックフィルムを用いれば、巻き取りにより有機電界発光素子の製造が可能となり、安価に素子を提供できる。そのプラスチックフィルム材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート等を用いることができる。また、電極を成膜しない側にセラミック蒸着フィルムやポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体鹸化物等の他のガスバリア性フィルムを積層しても良い。また、有機電界発光素子をアクティブマトリクス方式の有機電界発光素子とする場合、基板は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備えたＴＦＴ基材を用いる必要がある。
【００５８】
有機電界発光素子の駆動方法としては、パッシブマトリクス方式とアクティブマトリクス方式があるが、本発明の有機電界発光素子はパッシブマトリクス方式の有機電界発光素子、アクティブマトリクス方式の有機電界発光素子のどちらにも適用可能である。パッシブマトリクス方式とはストライプ状の電極を有機発光層を挟んで直交させるように対向させ、その交点を発光させる方式であるのに対し、アクティブマトリクス方式は画素毎にトランジスタを形成した、いわゆる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板を用いることにより、
画素毎に独立して発光する方式である。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）としてはアモルファスシリコンまたはポリシリコンの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が用いられる。
【００５９】
パッシブマトリクス方式の有機電界発光素子では、走査するストライプ状の電極数が大きくなるほど各画素における点灯時間は短くなるため、ＯＮ状態では瞬間発光輝度を大きくする必要がある。瞬間発光輝度を大きくした場合には素子寿命が低下するので、走査するストライプ上の電極数が数百〜千数百本も必要な大容量ディスプレイには適さない。対して、各アクティブマトリクス方式の有機電界発光素子では、画素毎にスイッチング素子とメモリ素子（アクティブ素子）を設けているため、１回の走査周期の間動作状態を保持することができるため、ディスプレイを大型化しても瞬間発光輝度は小さくても良く、耐久性にも優れる。また、ディスプレイなどの高速応答が要求される動画表示に有利である。
【００６０】
第一電極である反射電極（２６）は、陽極として、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属材料を蒸着法やスパッタリング法といった真空成膜法により形成することができる。また、反射電極としては、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃｒ等の反射電極とＩＴＯ等の透明電極との２層構成としても良い。このとき、ＩＴＯは陽極界面層として設けられる。
【００６１】
反射電極（２６）形成後、反射電極縁部を覆うようにして反射電極間に隔壁（２７）が形成される。隔壁は絶縁性を有する必要があり、感光性材料等を用いることができる。感光性材料としてはポジ型であってもネガ型であっても良く、ノボラック樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることができ、フォトリソグラフィー法により露光工程、現像工程を経て、隔壁は形成される。
【００６２】
そして、反射電極（２６）上には、正孔輸送層（２８）が設けられる。正孔輸送層形成材料としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等を用いることができる。ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは水に溶解させ塗工液とし、スピンコート法等により基板上に塗工され、乾燥される。
【００６３】
正孔輸送層（２８）上には、有機発光層（２９ａ、２９ｂ、２９ｃ）が設けられる。有機電界発光素子をフルカラー表示させる場合には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、それぞれの発光色を有する有機発光層を画素毎にパターニングする必要があり、図５においては、赤色有機発光層（２９ａ）、緑色有機発光層（２９ｂ）、青色有機発光層（２９ｃ）を有している。有機発光層形成材料としてはポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）やポリフルオレン（ＰＦ）等を用いることができる。これらの有機発光材料は、トルエン等の芳香族系有機溶媒に溶解させインキとし、印刷法を用いることにより、３色にパターニングされる。
【００６４】
印刷方法としては、インクジェット印刷法、オフセット印刷法、凸版印刷法等を用いることが可能であるが、中でも凸版反転オフセット印刷法を好適に使用することができる。図７に凸版反転オフセット印刷法における印刷工程の模式図を、図８に凸版印刷（フレキソ印刷）法における印刷工程の模式図を示した。
【００６５】
図７において本体フレーム（３７）上にあるブラン胴（３８）の周囲にはブランケット（３９）が装着してある。また、（４０）は印刷ステージであり、印刷時には原版である凸版（４１）及び被印刷基材（４３）を固定する。また、印刷ステージ（４０）は本体フレーム（３７）上を一軸方向に移動可能になっている。また図中に示す（４２）はインキである。被印刷基材には、基材上に第一電極、隔壁、正孔輸送層が予め形成されている。
【００６６】
印刷ステージ（４０）上には凸版（４１）が固定されており、ブランケット（３９）に
は予めインキ（４２）が図示しないインキ供給手段により、カーテンコート法、バーコート法、ワイヤーコート法、スリットコート法等のコーティングを用いて塗布されている（図７（ａ））。印刷ステージ（４０）が移動しブラン胴を回転させることにより、ブランケット（３９）上のインキ膜を所望のパターンのネガパターンである凸版（４１）により除去され、ブランケット上のインキが所望のパターンにパターン化される（図７（ｂ））。ついで、印刷ステージ（４０）が移動しブラン胴を回転させることにより、被印刷基材（４３）上にブランケット上のインキパターンが転移し、印刷工程を終了する（図７（ｃ）、（ｄ））。
【００６７】
なお、凸版反転オフセット印刷装置は、ブラン胴が固定され、凸版及び被印刷基材を備えたステージが移動する方式であるが、本発明の凸版反転オフセット印刷装置は、印刷時においてステージが固定されブラン胴が移動する方式であっても構わない。
【００６８】
本発明における印刷用ブランケットとしては、高分子フィルムやゴムのようにある程度の柔軟性を有する材料で構成されることが好ましく、シリコーンゴムを用いることができる。
【００６９】
図８においてフレキソ刷版（４７）の表面に、アニロックスロール（４５）でインキを付け、更にそのフレキソ刷版（４７）を圧胴（４６）を介して、被転写基板（４８）に押し付ける。アニロックスロール（４５）表面に付き過ぎたインキはドクターブレード（４４）により掻き落され、常に安定した量のインキが版の表面に供給される。
【００７０】
フレキソ印刷はアニロックスロールで厚みのある高弾性の樹脂凸版に水性インキまたはＵＶインキを付け、直接、被印刷体に印刷する。そのため、フレキソ印刷は平滑性の悪い面やフィルム、布等、フレキシブル基材にも対応する。また、非常に薄く均一なベタ印刷を得意とし、様々な樹脂や薬品を塗り重ねることにより、更に精度を高めることも可能である。近年、フレキソ印刷の技術革新により、高精緻で精巧な多色表現が可能となっている。また、水性インキがフレキソ印刷に適応していることから、環境性が高いとされ、特に食品、医薬品のパッケージ分野において広く利用されている。更にインキの塗布量が少ないことから、残留溶剤も少ない。
【００７１】
次に、有機発光層（２９ａ、２９ｂ、２９ｃ）上に電子注入性保護層（３２）を設ける。電子注入性保護層形成材料としては、ＣａやＢａ等の低仕事関数である希土類元素を用いることができ、これらの希土類元素を真空蒸着法により成膜し、電子注入性保護層を形成する。
【００７２】
次に、電子注入性保護層（３２）上に陰極として透明電極（３３）を設ける。透明電極の形成にあっては、先程示した本発明の透明導電膜形成方法を用いることができる。トップエミッション型の有機電界発光素子においては、透明電極を形成する際に本発明の透明導電膜形成方法を好適に用いることができる。本発明の透明導電膜形成方法は、スパッタリング法で成膜する際に、有機発光層といった有機薄膜へのダメージを低減させることができるため、発光特性の優れた有機電界発光素子を得ることができる。また、本発明の透明導電膜形成方法は成膜中のパターニング用マスクの温度上昇を抑えることができる。従って、マスクの熱膨張や熱変形を抑えることができ、透明電極を正確にパターニングすることも可能となる。なお、本発明の有機電界発光素子は、反射電極を陰極、透明電極を陽極としても良い。
【００７３】
次に、反射電極（２６）、隔壁（２７）、正孔輸送層（２８）、有機発光層（２９ａ、２９ｂ、２９ｃ）、電子注入性保護層（３２）、透明電極（３３）が形成された基材（２５）に対し、封止を行う。まず、基材（２５）全体にバリア層（３４）を形成する。
【００７４】
バリア層（３４）としては、窒化珪素膜、酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜等を用いることができる。バリア膜はＣＶＤ法により形成される。ＣＶＤ法は膜にしたい元素を含む気化させた化合物（ソースガス）をそのまま、あるいは水素・窒素などのキャリアガスと混ぜ、高温加熱した基板表面にできるだけ均一になるように送り込み、基板表面で分解、還元、酸化、置換などの化学反応を起こさせ、基材上に薄膜を作る方法である。
【００７５】
更に、バリア層（３４）が設けられた基材は、樹脂層（３５）を介して、封止基板（３６）と貼り合わされる。封止基板（３６）としては、透明性を有していれば良く、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラスやプラスチック材料を用いることができる。または、上記ガラスにＣａＯを形成した基材を封止基材として、両者を貼り合わせしても良い。これにより、乾燥剤を挿入せず封止を行うことが可能である。また、ガラスを直接、基材上部に貼り合わせすることから、封止基材での光吸収やキャップ構造のガラスを用いた場合に生じる光路長の変化が起きず、光取り出し効率を向上させることもできる。樹脂層（３５）としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、２液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート（ＥＥＡ）ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物などの熱可塑性接着性樹脂を挙げることもできる。
【００７６】
貼り合わせ方法については、加熱したロールによる圧着による方法を用いることができる。また、樹脂層として光硬化型接着性樹脂を用いた場合には、紫外光等を照射することにより貼り合わせることができる。
【００７７】
また、本発明の有機電界発光素子においては、基材及び封止基材に可とう性のあるプラスチック基材を用いることにより、フレキシブル有機電界発光素子とすることができる。
【００７８】
また、本願発明の有機電界発光素子においては、両電極を透明電極とし、基材を透明基材とし、封止を透明材料により行うことにより、透明有機電界発光素子とすることができる。図６に透明有機電界発光素子の説明断面図を示した。図６では、透明基材（２５）上に第一電極として透明電極（２５）が形成され、更に図５と同様に、隔壁（２７）、正孔輸送層（２８）、有機発光層（２９ａ、２９ｂ、２９ｃ）、電子注入性保護層（３２）、透明電極（３３）が形成されている。更に、透明性を有するバリア層（３４）、樹脂層（３５）、封止基材（３６）によって封止されている。透明有機電界発光素子においては、基板側、基板と反対側の両面から画像を表示することが可能となる。
【実施例】
【００７９】
基板としてガラス基板を用い、基板上に陽極である反射電極としてＣｒ、陽極界面層としてＩＴＯをスパッタリング法により積層形成した。得られた基板上のＣｒ及びＩＴＯの積層膜はフォトリソ法によりパターニングを行い、ストライプパターンとした。次に、ストライプ状のＣｒの端部を覆うように、ポリイミド材料を用い、フォトリソ法により隔壁を形成した。次に、正孔輸送材料としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを用い、これを水に溶解し塗工液とし、スピンコート法により正孔輸送層を形成した。
【００８０】
次に、ポリフルオレン（ＰＦ）からなる緑色有機発光材料を用い、この緑色有機発光材料をトルエンに溶解しインキとし、凸版反転オフセット印刷法によりストライプ状に有機発光層を形成した。次に、蒸着法により有機発光層上にＢａ、Ａｌからなる電子注入性保護層を、陽極のＣｒストライプパターンと直交するようにマスクを用いて成膜した。
【００８１】
次に、本発明のマグネトロンスパッタ用ターゲットを用いて透明電極を形成した。市販
の円盤状のターゲット材に対し、ボール盤を用い、切削スピードを調整しながら穴あけ加工して、多数の孔のあるターゲットを作成した。一方、耐熱性の高い円筒状のるつぼ容器に焼結材料であるＩｎ2Ｏ3タブレットを投入し、加圧、高温保持にて材料を焼結させ、ピン形成した。このピンを上記孔のあるターゲットに挿入して、本実施例のターゲットとした。また、ターゲット組成は酸素フリーで成膜可能なＩＺＯと同一組成にするため、円盤状のＩｎ2Ｏ3ターゲットに対し、円柱ピン形状ターゲットの重量比が１０％となるよう本数調整し、円盤状ターゲットの穴に円柱ピン形状ターゲットを挿入した。スパッタリング装置としては、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いた。このとき、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置内には基板とターゲット間にステンレス製の円形トラップを設け、また、基板上と接触するようにマスクを設け、マスクはマグネットホルダーにより固定した。また、基板の透明電極成膜面と反対側にはペルチェ素子を設けた。スパッタリング条件は、ガス圧力が１．０Ｐａ、Ａｒガス流量が１００ｓｃｃｍ、放電パワーが０．６ｋＷ、ターゲット−基板間距離が１３０ｍｍである。このとき、透明電極であるＩＴＯは電子注入性保護層と重なり、反射電極であるＣｒのストライプパターンと直交するように１５０ｎｍの膜厚となるように設けた。なお、スパッタリング成膜中においてのマスク温度は５０℃であった。
【００８２】
次に、有機電界発光素子の発光領域全面にＣＶＤ法により酸化珪素膜を設け、更にＣａＯ膜を介してガラス基板と貼り合わせることにより封止を行い、トップエミッション型有機電界発光素子を得た。
【００８３】
得られた有機電界発光素子の素子特性は、最高輝度が２０００ｃｄｍ-2、最大電流効率は２．２ｃｄＡ-1である。
（比較例）
実施例と同様に反射電極、隔壁、正孔輸送層、有機発光層、電子注入性保護層を形成したガラス基板に対し、実施例と同様にＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用い、透明電極の成膜を行った。但し、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置において、ターゲットと基板間に円形トラップを設けず、ターゲットも本発明のマグネトロンスパッタ用ターゲットを用いなかった。更に、基板に対してペルチェ素子も設けなかった。なお、スパッタリングに際し、この他のスパッタリング条件は実施例と同じである。
【００８４】
このとき、スパッタリング中のマスク温度は６０℃であり、実施例１と比較して１０℃程度高い結果となった。また、透明電極が形成された基板に対し、実施例と同様に封止を行い、有機電界発光素子を得た。得られた有機電界発光素子の最高輝度は２００ｃｄｍ-2、であり、最大電流効率は０．０５ｃｄＡ-1であった。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の透明導電膜形成に用いるマグネトロンスパッタ用ターゲットの模式図である。
【図２】本発明の透明導電膜形成に用いるＤＣマグネトロンスパッタ装置の模式図である。
【図３】本発明の透明導電膜形成方法における基板周辺部の説明図である
【図４】ペルチェ素子の説明断面図である。
【図５】トップエミッション型有機電界発光素子の説明断面図である。
【図６】透明有機電界発光素子の説明断面図である。
【図７】本発明の凸版反転オフセット印刷法による印刷工程の模式図である。
【図８】本発明の凸版印刷（フレキソ印刷）法による印刷工程の模式図である。
【符号の説明】
【００８６】
１  円柱ピン形状ターゲット（Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯ）
２  円柱ピン形状ターゲット（Ｉｎ2Ｏ3）
３  円盤状ターゲット（Ｉｎ2Ｏ3）
４  バッキングプレート（ＯＦＣ）
５  カソードマグネット
６  チラー
７  アース
８  ２点極性切替機構（トラップ）
９  基板
１０  トラップ
１１  プラズマ
１２  Ａｒイオン
１３  γ電子
１４  電子捕獲軌道（ラーモア半径）
１５  ペルチェ素子
１６  マグネットホルダー
１７  マスク
１７ａ  マスクの開口部
１９  マスクフレーム
２０  リード線
２１  セラミック基板
２２  金属電極
２３ａ  Ｐ型半導体
２３ｂ  Ｎ型半導体
２５  基材
２６  反射電極（第一電極）
２７  隔壁
２８  正孔輸送層
２９ａ  赤色（Ｒ）有機発光層
２９ｂ  緑色（Ｇ）有機発光層
２９ｃ  青色（Ｂ）有機発光層
３２  電子注入性保護層
３３  透明電極（第二電極）
３４  バリア層
３５  樹脂層
３６  封止基材
３７  本体フレーム
３８  ブラン胴
３９  ブランケット
４０  印刷ステージ
４１  凸版
４２  インキ
４３  被転写基板
４４  ドクターブレード
４５  アニロックスロール
４６  版胴
４７  フレキソ刷版
４８  被転写基材
４９  圧胴
Ｌ  発光
【図１】
2008050625.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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