(57)【要約】【課題】カラーフィルター層の組み立てにおいてブラックマトリックスのアラインメント誤差の発生を有効に低減させるカラーフィルター層を製作する方法を提供する。【解決手段】カラーフィルター層を製作する方法が提供される。先ず、不透明金属パターンを有する能動デバイスアレイ基板が提供される。次に、複数の画素領域を定義するブラックマトリックスが不透明金属パターンをマスクとして使用する背面露光プロセスにより能動デバイスアレイ基板上に形成される。そして、複数のカラーフィルターパターンが画素領域中に形成される。【選択図】図２Ｄ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
カラーフィルター層を製作する方法であって、
不透明金属パターンを有する能動デバイスアレイ基板を提供することと、
前記不透明金属パターンをマスクとして使用し前記能動デバイスアレイ基板に背面露光を行って、ブラックマトリックスを形成するものであり、そのうち、前記ブラックマトリックスが複数の画素領域を定義することと、
前記画素領域中に複数のカラーフィルターパターンを形成することと
を含むカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項２】
前記能動デバイスアレイ基板が、複数の薄膜トランジスター（Thin Film Transistors = TFTs）を有する薄膜トランジスター（TFT）アレイ基板を含むとともに、前記不透明金属パターンが各薄膜トランジスター（TFT）のソースとドレインとゲートとを含む請求項１に記載のカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項３】
前記不透明金属パターンが、前記能動デバイスアレイ基板の走査線を含む請求項１に記載のカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項４】
前記不透明金属パターンが、前記能動デバイスアレイ基板のデータ線を含む請求項１に記載のカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項５】
前記不透明金属パターンが、前記能動デバイスアレイ基板の共用線を含む請求項１に記載のカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項６】
各カラーフィルターパターンが、赤色フィルターパターン、緑色フィルターパターンまたは青色フィルターパターンを含む請求項１に記載のカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項７】
カラーフィルター層を製作する方法であって、
不透明金属パターンを有する能動デバイスアレイ基板を提供することと、
前記能動デバイスアレイ基板を被覆するネガティブフォトレジスト層を形成することと、
前記不透明金属パターンをマスクとして使用し前記ネガティブフォトレジスト層に背面露光プロセスを行うことと、
現像プロセスを行って前記ネガティブフォトレジスト層がパターン化ネガティブフォトレジスト層に変換されることと、
前記能動デバイスアレイ基板上に黒色遮光層を形成して前記パターン化ネガティブフォトレジスト層を被覆することと、
前記パターン化ネガティブフォトレジスト層およびパターン化ネガティブフォトレジスト層上に位置する前記黒色遮光層を除去して前記黒色遮光層中の複数の画素領域を定義することと、そして
前記画素領域中に複数のカラーフィルターパターンを形成することと
を含むカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項８】
前記パターン化ネガティブフォトレジスト層およびパターン化ネガティブフォトレジスト層上に位置する前記黒色遮光層を除去するステップが、剥離法（lift-off process）を含む請求項７に記載のカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項９】
前記黒色遮光層の材料が、黒色樹脂、クロムまたは酸化クロムを含む請求項７に記載のカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項１０】
前記能動デバイスアレイ基板が、複数の薄膜トランジスター（Thin Film Transistors = TFTs）を有する薄膜トランジスター（TFT）アレイ基板を含むとともに、前記不透明金属パターンが各薄膜トランジスター（TFT）のソースとドレインとゲートとを含む請求項７に記載のカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項１１】
前記不透明金属パターンが、前記能動デバイスアレイ基板の走査線を含む請求項７に記載のカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項１２】
前記不透明金属パターンが、前記能動デバイスアレイ基板のデータ線を含む請求項７に記載のカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項１３】
前記不透明金属パターンが、前記能動デバイスアレイ基板の共用線を含む請求項７に記載のカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項１４】
各カラーフィルターパターンが、赤色フィルターパターン、緑色フィルターパターンまたは青色フィルターパターンを含む請求項７に記載のカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項１５】
カラーフィルター層を製作する方法であって、
不透明金属パターンを有する能動デバイスアレイ基板を提供することと、
前記能動デバイスアレイ基板を被覆する黒色ポジティブフォトレジスト層を形成することと、
背面露光プロセスを行い、前記不透明金属パターンをマスクとして使用し前記黒色ポジティブフォトレジスト層を露光することと、
現像プロセスを行って前記黒色ポジティブフォトレジスト層がパターン化黒色ポジティブフォトレジスト層に変換され、複数の画素領域を定義することと、そして
前記画素領域中に複数のカラーフィルターパターンを形成することと
を含むカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項１６】
前記能動デバイスアレイ基板が、複数の薄膜トランジスター（Thin Film Transistors = TFTs）を有する薄膜トランジスター（TFT）アレイ基板を含むとともに、前記不透明金属パターンが各薄膜トランジスター（TFT）のソースとドレインとゲートとを含む請求項１５に記載のカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項１７】
前記不透明金属パターンが、前記能動デバイスアレイ基板の走査線を含む請求項１６に記載のカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項１８】
前記不透明金属パターンが、前記能動デバイスアレイ基板のデータ線を含む請求項１６に記載のカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項１９】
前記不透明金属パターンが、前記能動デバイスアレイ基板の共用線を含む請求項１６に記載のカラーフィルター層を製作する方法。
【請求項２０】
各カラーフィルターパターンが、赤色フィルターパターン、緑色フィルターパターンまたは青色フィルターパターンを含む請求項16に記載のカラーフィルター層を製作する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、カラーフィルターパターン（層）を製作する方法に関する。特に、この発明は、アラインメント誤差（alignment error）のないカラーフィルターパターン（層）を製作する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
陰極線管（Cathode ray tube = CRT）は、優秀なディスプレイ品質および経済的特性を備えているため、ＣＲＴディスプレイが相当な期間にわたってディスプレイ市場を支配してきている。しかしながら、環境保護意識の台頭にともなって、ＣＲＴディスプレイは、ディスプレイがかさばり、スペースならびに多くの電力消費を必要として、多数末端のディスクトップ環境において魅力を減らしてしまう多くの欠点を有する。従って、ＣＲＴディスプレイは、軽く薄く短く小さく、低電力消費という現在の流れに適合することができないものとなっている。そこで、薄膜トランジスター液晶ディスプレイ（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display = TFT-LCD）が、高い鮮明度、小さい空間使用、低い電力消費、無放射性という優れた特性により、次第にディスプレイ市場の主流となってきている。
【０００３】
ＴＦＴ−ＬＣＤのサイズが大きくなるにつれて、アレイ上カラーフィルター（Color filter On Array = COA）構造が多くのＬＣＤｓで広く使用されるようになっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＴＦＴ−ＬＣＤパネルの品質に影響を与える要因は多くあるが、ディスプレイ品質に影響を与える最も決定的な要因は、コントラストであり、コントラストに影響を与える最も重大なパラメーターは、輝度（brightness）である。輝度もバックライトの輝度（luminance）、各薄膜の透過率（transmittance）、開口率（aperture ratio）ブラックマトリックスのアラインメント精度（alignment accuracy）、カラーフィルター層の組み立て精度（assembly accuracy）といった多くの要因から影響を受ける。しかしながら、上記した輝度に影響を与えるパラメーターは、適切な材料または設計を使用することによって改善することができるものの、カラーフィルターの組み立て精度およびブラックマトリックスのアラインメント精度は、設備の性能により制限されて調整することが難しく、それによりパネルの透過率を低減させるものとなる。
【０００５】
そこで、この発明の目的は、カラーフィルター層の組み立てにおいてブラックマトリックスのアラインメント誤差が発生する可能性を有効に低減させるようなカラーフィルター層を製作する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、カラーフィルター層を製作する方法を提供するものであって、以下のステップを含む。先ず、不透明金属パターンを有する能動デバイスアレイ基板が提供される。次に、複数の画素領域を定義するブラックマトリックスが不透明金属パターンをマスクとして使用する背面露光プロセスによって能動デバイスアレイ基板上に形成される。そして、複数のカラーフィルターパターンが画素領域中に形成される。
【０００７】
この発明の実施形態中、能動デバイスアレイ基板が複数の薄膜トランジスター（Thin Film Transistors = TFTs）を有する薄膜トランジスター（TFT）アレイ基板を含む。
【０００８】
この発明の実施形態中、不透明金属パターンが、ＴＦＴのソースおよびドレインを含む。
【０００９】
この発明の実施形態中、不透明金属パターンが、ＴＦＴのゲートを含む。
【００１０】
この発明の実施形態中、不透明金属パターンが、能動デバイスアレイ基板の走査線を含む。
【００１１】
この発明の実施形態中、不透明金属パターンが、能動デバイスアレイ基板のデータ線を含む。
【００１２】
この発明の実施形態中、不透明金属パターンが、能動デバイスアレイ基板の共用線を含む。
【００１３】
この発明の実施形態中、カラーフィルターパターンが、赤色フィルターパターン、緑色フィルターパターンまたは青色フィルターパターンを含む。
【００１４】
この発明の実施形態中、カラーフィルターパターンの材料が、フォトレジスト材料を含む。
【００１５】
この発明は、また、カラーフィルター層を製作する方法を提供するものであって、以下のステップを含む。先ず、不透明金属パターンを有する能動デバイスアレイ基板が提供される。次に、ネガティブフォトレジスト材料が能動デバイスアレイ基板を被覆するよう形成される。そして、背面露光プロセスが不透明金属パターンをマスクとして使用し前記ネガティブフォトレジスト層を露光するために行われる。次に、現像プロセスを行って前記ネガティブフォトレジスト層をパターン化ネガティブフォトレジスト層として形成する。そして、能動デバイスアレイ基板上に黒色遮光層を形成してパターン化ネガティブフォトレジスト層を被覆する。次に、パターン化ネガティブフォトレジスト層およびパターン化ネガティブフォトレジスト層上に位置する黒色遮光層を除去して黒色遮光層中の複数の画素領域を定義する。そして、複数のカラーフィルターパターンが画素領域中に形成される。
【００１６】
この発明の別な実施形態中、パターン化ネガティブフォトレジスト層およびパターン化ネガティブフォトレジスト層上に位置する黒色遮光層を除去するステップが剥離法（lift-off process）を含む。
【００１７】
この発明の別な実施形態中、黒色遮光層が黒色樹脂、クロムまたは酸化クロムを含む。
【００１８】
この発明は、さらに、カラーフィルター層を製作する方法を提供するものであって、以下のステップを含む。先ず、不透明金属パターンを有する能動デバイスアレイ基板が提供される。次に、黒色ポジティブフォトレジスト層が形成されて能動デバイスアレイ基板を被覆する。そして、背面露光プロセスが行われて、不透明金属パターンをマスクとして使用し黒色ポジティブフォトレジスト層を露光する。次に、現像プロセスが行われ、黒色ポジティブフォトレジスト層をパターン化黒色ポジティブフォトレジスト層として形成して、複数の画素領域を定義する。そして、画素領域中に複数のカラーフィルターパターンを形成する。
【００１９】
（作用）
従って、この発明のカラーフィルター層を製作する方法において、能動デバイスアレイ基板中の不透明金属パターンをマスクとして使用する背面露光プロセスを介して、ブラックマトリックスが能動デバイスアレイ基板上に形成されるため、ブラックマトリックス製作期間おけるアラインメント誤差の可能性を有効に低減する。これは、また、カラーフィルター層の組み立て誤差を低減する助けとなる。さらに、この発明のカラーフィルター層を製作する方法は、少なくとも１つのフォトマスクを節約できるため、パネルの製作コストを有効に低減させることができる。
【００２０】
この発明の別な観点によれば、ブラックマトリックスが不透明金属パターンを覆うように能動デバイスアレイ基板上に配置され、ブラックマトリックスおよび不透明金属パターンが同一パターンを有しているため、開口率が有効に増大される。
【発明の効果】
【００２１】
この発明は、少なくとも下記する利点を有する。
１．ブラックマトリックス製作期間のアラインメント誤差が有効に低減されるので、カラーフィルター層の組み立て期間の誤差を低減する助けとなる。
２．カラーフィルター製作するために、少なくとも１つのフォトマスクを節約するから、パネル製作コストが実質的に削減される。
３．この発明のカラーフィルター層を製作する方法は、開口率を増大させる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、この発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
図１Ａおよび図１Ｂは、この発明の実施形態にかかるカラーフィルター層を製作する方法のフローチャートを示す平面図である。
【００２３】
先ず、図１Ａにおいて、能動デバイスアレイ基板（active device array substrate）１００、即ちＴＦＴアレイ基板が提供される。能動デバイスアレイ基板１００中、基板１００｀上の複数の走査線１０２および複数のデータ線１０４が複数の画素領域１０６を形成する。複数の共用線１０８が画素領域１０６を通過し、画素電極１１０が画素領域１０６中に位置し、各ＴＦＴｓ１１２が走査線１０２ならびにデータ線１０４の交差点に位置する。この実施形態中、不透明金属パターン（opaque metal pattern）が走査線１０２とデータ線１０４と共用線１０８とＴＦＴｓ１１２のゲート１１４、ソース１１６、ドレイン１１８のような金属パターンにより形成される。しかしながら、この発明は、これに限定されるものではない。当該技術に習熟した者であれば能動デバイスアレイ基板中のいかなる不透明金属層も不透明金属パターンとして使用できることがわかるから、この発明の観点に属すると解釈されなければならない。
【００２４】
以下、ブラックマトリックスを製作する方法を図１Ａに基づいて説明する。
【００２５】
図２Ａ〜図２Ｄは、この発明の実施形態にかかるカラーフィルター層を製作する方法の各ステップを示す図１Ａの破断線Ａ−Ａ｀に沿った断面図である。
【００２６】
先ず、図２Ａにおいて、その上にＴＦＴ１１２を有する基板１００｀が提供される。ＴＦＴ１１２の不透明金属パターンは、ゲート１１４（図１Ａ中の走査線１０２と同一な金属層）、ソース１１６およびドレイン１１８（図１Ａ中のデータ線１０４と同一な金属層）を含んでいる。平坦化層１２０がＴＦＴ１１２上を被覆するとともに、開口１２２を有してドレイン１１８を露出させる。画素電極１１０が開口１２２を介してドレイン１１８に電気接続される。ゲート誘電層１３６、半導体層１３８、オーミックコンタクト層１４０が下から上へゲート１１４、ソース１１６およびドレイン１１８間に配置されている。保護層１４４が平坦化層１２０、ソース１１６およびドレイン１１８間に配置されている。
【００２７】
次に、図２Ｂにおいて、ネガティブフォトレジスト層１２４が基板１００｀上に形成されて平坦化層１２０および画素電極１１０を被覆する。そして、背面露光プロセス（back-side exposure process）がＴＦＴ１１２のゲート１１４、ソース１１６およびドレイン１１８のような不透明金属層をマスクとして使用してネガティブフォトレジスト層１２４に実施される。
【００２８】
次に、図２Ｃにおいて、現像プロセスがネガティブフォトレジスト層１２４につき実施され、ゲート１１４、ソース１１６およびドレイン１１８のような不透明金属層上のネガティブフォトレジスト層１２４を除去して、パターン化ネガティブフォトレジスト層１２６を形成する。
【００２９】
そして、黒色遮光層（black light-shielding layer）１２８が基板１００｀上に形成されてパターン化ネガティブフォトレジスト層１２６、平坦化層１２０および画素電極１１０を被覆する。黒色遮光層１２８の材料は、黒色樹脂、クロムまたは酸化クロムあるいは別な不透明金属材料とすることができる。注記すべきは、もしも黒色遮光層１２８の材料がクロムまたは別な不透明金属材料であれば、透明絶縁層（図示せず）が画素電極１１０ならびに黒色遮光層１２８間に形成されて、画素電極１１０および黒色遮光層１２８間の回路短絡を回避しなければならないことである。
【００３０】
次に、図２Ｄにおいて、パターン化ネガティブフォトレジスト層１２６ならびにパターン化ネガティブフォトレジスト層１２６上に位置する黒色遮光層１２８（図２Ｃに図示）が除去され、ゲート１１４、ソース１１６およびドレイン１１８のような不透明金属層上方にブラックマトリックス１３０を形成する。ブラックマトリックス１３０が画素領域１０６を定義する。例えば、パターン化ネガティブフォトレジスト層１２６ならびにパターン化ネガティブフォトレジスト層１２６上に位置する黒色遮光層１２８は、剥離法（lift-off process）により除去される。
【００３１】
そして、カラーフィルターパターン１４２が画素領域１０６中に形成される。カラーフィルターパターン１４２は、赤色フィルターパターン、緑色フィルターパターンまたは青色フィルターパターンを含む。カラーフィルターパターン１４２の材料は、フォトレジスト材料を含む。例えば、カラーフィルターパターン１４２は、赤色、緑色または青色フォトレジストを塗布、露光、現像、ベーキングならびに研磨することを介して形成される。
【００３２】
図３Ａ〜図３Ｃは、この発明の他の実施形態にかかるカラーフィルター層を製作する方法のステップを示す図１Ａ中の破断線Ａ−Ａ｀に沿った断面図である。
【００３３】
先ず、図３Ａにおいて、その上に形成されたＴＦＴ１１２を有する基板１００｀が提供される。ＴＦＴ１１２の不透明金属パターンは、ゲート１１４（図１Ａ中の走査線１０２と同一な金属層）、ソース１１６およびドレイン１１８（図１Ａ中のデータ線１０４と同一な金属層）を含んでいる。平坦化層１２０がＴＦＴ１１２上を被覆するとともに、開口１２２を有してドレイン１１８を露出させる。画素電極１１０が開口１２２を介してドレイン１１８に電気接続される。ゲート誘電層１３６、半導体層１３８、オーミックコンタクト層１４０が下から上へ順番にゲート１１４、ソース１１６およびドレイン１１８間に配置されている。保護層１４４が平坦化層１２０、ソース１１６およびドレイン１１８間に配置されている。
【００３４】
次に、図３Ｂにおいて、黒色ポジティブフォトレジスト層１３２が基板１００｀上に形成され、平坦化層１２０および画素電極１１０を被覆する。そして、背面露光プロセスがＴＦＴ１１２のゲート１１４、ソース１１６およびドレイン１１８のような不透明金属層をマスクとして使用し、黒色ポジティブフォトレジスト層１３２につき実施される。
【００３５】
次に、図３Ｃにおいて、現像プロセスが黒色ポジティブフォトレジスト層１３２（図３Ｂに図示）につき実施され、ゲート１１４、ソース１１６およびドレイン１１８のような不透明金属層上方に位置していない黒色ポジティブフォトレジスト層１３２が除去されて、ブラックマトリックス１３４を形成する。ブラックマトリックス１３４が画素領域１０６を定義する。
【００３６】
そして、カラーフィルターパターン１４２が画素領域１０６中に形成される。カラーフィルターパターン１４２は、赤色フィルターパターン、緑色フィルターパターンまたは青色フィルターパターンを含む。カラーフィルターパターン１４２の材料は、フォトレジスト材料を含む。例えば、カラーフィルターパターン１４２は、赤色、緑色または青色フォトレジストを塗布、露光、現像、ベーキングならびに研磨することを介して形成される。
【００３７】
図１Ａと図１Ｂとにおいて、図１Ａ中の能動デバイスアレイ基板１００上にカラーフィルター層を形成するために、図２Ａ〜図２Ｄ（または図３Ａ〜図３Ｃ）に述べたプロセスが採用され、背面露光プロセスがＴＦＴｓ１１２の走査線１０２、データ線１０４、共用線１０８、ゲート１１４、ソース１１６およびドレイン１１８のような不透明金属パターンをマスクとして使用し、能動デバイスアレイ基板１００上にブラックマトリックス１３０（１３４）を形成し、ブラックマトリックス１３０（１３４）が画素領域１０６を定義する。次に、カラーフィルターパターン１４２がブラックマトリックス１３０（１３４）により画素領域１０６中に定義される。
【００３８】
ブラックマトリックス１３０（１３４）がＴＦＴｓ１１２の走査線１０２、データ線１０４、共用線１０８、ゲート１１４、ソース１１６およびドレイン１１８のような不透明金属パターンをマスクとして使用する背面露光プロセスを介して能動デバイスアレイ基板１００上に形成されるため、ブラックマトリックス１３０（１３４）製作期間にアラインメント誤差の発生する可能性が有効に低減されるから、カラーフィルター層の組み立て期間の誤差も低減させる助けとなる。この発明の別な観点に基づくと、少なくとも１つのフォトマスクが節約されるので、パネルの製作コストが有効に削減される。
【００３９】
図１Ａと図１Ｂとにおいて、図１Ｂ中のブラックマトリックス１３０（１３４）が能動デバイスアレイ基板１００上に位置するとともに、能動デバイスアレイ基板１００中の走査線１０２、データ線１０４、共用線１０８およびＴＦＴｓ１１２のゲート１１４、ソース１１６およびドレイン１１８のような不透明金属パターン上方に位置するので、ブラックマトリックス１３０（１３４）がＴＦＴｓ１１２の走査線１０２、データ線１０４、共用線１０８、ゲート１１４、ソース１１６およびドレイン１１８により形成される不透明金属パターンと同一パターンを有するから、開口率が有効に増大される。
【００４０】
図４は、この発明の他の実施形態にかかるカラーフィルター層を示す平面図である。
【００４１】
図４において、能動デバイスアレイ基板２００の設計に基づいて、ブラックマトリックス２０２より定義される画素領域２０４が第１領域２０６と第２領域２０８と第３領域２１０に分割されている。図４中、ブラックマトリックス２０２が第３領域２１０を分割している。即ち、画素を設計する時に、金属配線２１８が共用線２１６およびドレイン（図示せず）間に提供されているので、ドレインおよび画素電極（図示せず）間のコンタクトウインドウ（contact window）が共用線に移動されている。
【００４２】
図４において、画素領域２０４は、２つ以上のカラーフィルターパターンを含んでおり、これによりパネルの色調を調整する。例えば、赤色フィルターパターン２１２が第１領域２０６および第２領域２０８中に配置されるとともに、緑色フィルターパターン２１４が第３領域２１０中に配置されて、色調を改善する。
【００４３】
以上のごとく、この発明を最良の実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１Ａ】この発明の実施形態にかかるカラーフィルター層を製作する方法のフローチャートを示す平面図である。
【図１Ｂ】この発明の実施形態にかかるカラーフィルター層を製作する方法のフローチャートを示す平面図である。
【図２Ａ】この発明の実施形態にかかるカラーフィルター層を製作する方法のステップを示す図１Ａの破断線Ａ−Ａ｀に沿った断面図である。
【図２Ｂ】この発明の実施形態にかかるカラーフィルター層を製作する方法のステップを示す図１Ａの破断線Ａ−Ａ｀に沿った断面図である。
【図２Ｃ】この発明の実施形態にかかるカラーフィルター層を製作する方法のステップを示す図１Ａの破断線Ａ−Ａ｀に沿った断面図である。
【図２Ｄ】この発明の実施形態にかかるカラーフィルター層を製作する方法のステップを示す図１Ａの破断線Ａ−Ａ｀に沿った断面図である。
【図３Ａ】この発明の別な実施形態にかかるカラーフィルター層を製作する方法のステップを示す図１Ａの破断線Ａ−Ａ｀に沿った断面図である。
【図３Ｂ】この発明の別な実施形態にかかるカラーフィルター層を製作する方法のステップを示す図１Ａの破断線Ａ−Ａ｀に沿った断面図である。
【図３Ｃ】この発明の別な実施形態にかかるカラーフィルター層を製作する方法のステップを示す図１Ａの破断線Ａ−Ａ｀に沿った断面図である。
【図４】この発明の他の実施形態にかかるカラーフィルター層を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１００，２００  能動デバイスアレイ基板
１００｀  基板
１０２  走査線
１０４  データ線
１０６，２０４  画素領域
１０８，２１６  共用線
１１０  画素電極
１２４  ネガティブフォトレジスト層
１２６  パターン化ネガティブフォトレジスト層
１２８  黒色遮光層
１３０，１３４，２０２  ブラックマトリックス
１３２  黒色ポジティブフォトレジスト層
１４２  カラーフィルターパターン
【図１Ａ】
2008158485.tif 000003
【図１Ｂ】
2008158485.tif 000004
【図２Ａ】
2008158485.tif 000005
【図２Ｂ】
2008158485.tif 000006
【図２Ｃ】
2008158485.tif 000007
【図２Ｄ】
2008158485.tif 000008
【図３Ａ】
2008158485.tif 000009
【図３Ｂ】
2008158485.tif 000010
【図３Ｃ】
2008158485.tif 000011
【図４】
2008158485.tif 000012
【外国語明細書】
2008158485.tif 000013
2008158485.tif 000014
2008158485.tif 000015
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2008158485.tif 000020
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