(57)【要約】【課題】負電源回路を削除することが可能な液晶装置を提供すること。【解決手段】画素（ＴＦＴ５１）、画素電極５５、共通電極を有する素子基板６０と、電圧ＶＣＯＭＬとＶＣＯＭＨとを交互に共通電極に供給する制御回路３０と、画素ＴＦＴをオン／オフする第１／第２の選択電圧を供給する走査線駆動回路１０と、画素ＴＦＴがオンされた際にＶＣＯＭＬよりも電位の高い正極性の画像信号と、ＶＣＯＭＨよりも電位の低い負極性の画像信号とを交互にデータ線に供給するデータ線駆動回路２０とを備え、ＶＣＯＭＬを共通電極に供給した後に、第１の選択電圧を走査線に供給すると共に、正極性の画像信号をデータ線に供給し、第２の選択電圧を供給し、ＶＣＯＭＨを共通電極に供給した後に、第１の選択電圧を供給すると共に、負極性の画像信号をデータ線に供給し、第２の選択電圧を供給する液晶装置であって、第１／第２の選択電圧は０Ｖ以上である。【選択図】図１
2008033298.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線、前記走査線に交差する複数のデータ線、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられた画素トランジスタ、前記画素トランジスタに接続された画素電極、および前記画素電極に対向して設けられた共通電極を有する第１基板と、
前記第１基板に対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶と、
第１電圧と、当該第１電圧よりも電位の高い第２電圧と、を交互に前記共通電極に供給する制御回路と、
前記走査線に前記画素トランジスタをオンする第１の選択電圧及びオフする第２の選択電圧を前記複数の走査線に供給する走査線駆動回路と、
前記画素トランジスタがオンされた際に、前記第１電圧よりも電位の高い正極性の画像信号と、前記第２電圧よりも電位の低い負極性の画像信号と、を交互に前記複数のデータ線に供給するデータ線駆動回路と、を備え、
前記制御回路により前記第１電圧を前記共通電極に供給した後に、前記走査線駆動回路により前記第１の選択電圧を前記走査線に供給するとともに、前記データ線駆動回路により前記正極性の画像信号を前記データ線に供給し、その後、前記第２の選択電圧を前記走査線に供給し、
前記制御回路により前記第２電圧を前記共通電極に供給した後に、前記走査線駆動回路により前記第１の選択電圧を前記走査線に供給するとともに、前記データ線駆動回路により前記負極性の画像信号を前記データ線に供給し、その後、前記第２の選択電圧を前記走査線に供給する液晶装置であって、
前記第１の選択電圧および第２の選択電圧はグランドレベル以上であることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記グランドレベルは０Ｖ以上であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
０Ｖ以上の電圧を発生する正電源回路を備え、前記走査線駆動回路は、前記正電源回路のみで、前記第１および第２の選択電圧を供給することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、表示装置として液晶装置が知られている。この液晶装置は、例えば、液晶パネルと、この液晶パネルに光を供給するバックライトと、を備える。
【０００３】
液晶パネルは、素子基板と、この素子基板に対向配置された対向基板と、素子基板と対向基板との間に設けられた液晶と、を備える。
【０００４】
素子基板は、所定間隔おきに交互に設けられた複数の走査線および複数の容量線と、これら複数の走査線および複数の容量線に交差し所定間隔おきに設けられた複数のデータ線と、複数の走査線に接続された走査線駆動回路と、複数のデータ線に接続されたデータ線駆動回路と、複数の容量線に接続された容量線駆動回路と、を有する。
【０００５】
各走査線と各データ線との交差部分には、画素が設けられている。画素は、画素電極および共通電極からなる画素容量と、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（以降、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）と呼ぶ）と、一方の電極が容量線に接続され他方の電極が画素電極に接続された蓄積容量と、を備える。この画素は、マトリクス状に複数配列されて表示領域を形成する。
【０００６】
ＴＦＴのゲートには、走査線が接続され、ＴＦＴのソースには、データ線が接続され、ＴＦＴのドレインには、画素電極および蓄積容量の他方の電極が接続されている。
【０００７】
容量線駆動回路は、所定の電圧を各容量線に供給する。
【０００８】
走査線駆動回路は、走査線を選択する選択電圧（第１の選択電圧）を所定の順番で各走査線に供給する。走査線に第１の選択電圧が供給されると、この走査線に接続されたＴＦＴが全てオン状態となる。
【０００９】
データ線駆動回路は、画像信号を各データ線に供給し、オン状態のＴＦＴを介して、この画像信号に基づく画像電圧を画素電極に書き込む。
【００１０】
ここで、データ線駆動回路は、共通電極の電圧よりも電位の高い電圧（以降、正極性と呼ぶ）の画像信号をデータ線に供給して、この正極性の画像信号に基づく画像電圧を画素電極に書き込む正極性書込と、共通電極の電圧よりも電位の低い電圧（以降、負極性と呼ぶ）の画像信号をデータ線に供給して、この負極性の画像信号に基づく画像電圧を画素電極に書き込む負極性書込と、を交互に行う。
【００１１】
対向基板は、各画素に対応して、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）といったカラーフィルタを有する。
【００１２】
以上の液晶装置は、以下のように動作する。
【００１３】
すなわち、走査線に第１の選択電圧を順次供給することで、ある走査線に接続されたＴＦＴを全てオン状態にして、この走査線に係る画素を全て選択する。そして、これら画素の選択に同期して、データ線に画像信号を供給する。すると、選択した全ての画素に、オン状態のＴＦＴを介して画像信号が供給され、この画像信号に基づく画像電圧が画素電極に書き込まれる。
【００１４】
画素電極に画像電圧が書き込まれると、画素電極と共通電極との電位差により、液晶に駆動電圧が印加される。液晶に駆動電圧が印加されると、液晶の配向や秩序が変化して、液晶を透過するバックライトからの光が変化する。この変化した光がカラーフィルタを透過することで、階調表示が行われる。
【００１５】
なお、液晶に印加される駆動電圧は、蓄積容量により、画像電圧が書き込まれる期間よりも３桁も長い期間に亘って保持される。
【００１６】
ところで、以上のような液晶装置は、例えば、携帯機器に用いられるが、この携帯機器では、近年、消費電力の低減が要請されている。そこで、画像電圧を画素電極に書き込んだ後に、ＴＦＴをオフ状態にするとともに容量線の電圧を変動させることで、消費電力を低減できる液晶装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１７】
特許文献１のような容量線の電圧を変動させる液晶装置の動作について、図１２、図１３を用いて説明する。
【００１８】
図１２は、従来例に係る液晶装置の正極性書込時のタイミングチャートである。図１３は、従来例に係る液晶装置の負極性書込時のタイミングチャートである。
【００１９】
ここで、例えば、従来例に係る液晶装置は、３２０行の走査線および容量線と、２４０列のデータ線と、を有するものとする。
【００２０】
図１２、図１３において、ＧＡＴＥ（ｍ）は、３２０行の走査線のうちｍ行目（ｍは、１≦ｍ≦３２０を満たす整数）の走査線の電圧であり、ＶＳＴ（ｍ）は、３２０行の容量線のうちｍ行目の容量線の電圧である。また、ＳＯＵＲＣＥ（ｎ）は、２４０列のデータ線のうちｎ列目（ｎは、１≦ｎ≦２４０を満たす整数）のデータ線の電圧である。また、ＰＩＸ（ｍ，ｎ）は、ｍ行目の走査線と、ｎ列目のデータ線と、の交差に対応して設けられたｍ行ｎ列目の画素が備える画素電極の電圧であり、ＶＣＯＭ（ｍ）は、ｍ行ｎ列目の画素が備える共通電極の電圧である。
【００２１】
まず、従来例に係る液晶装置の正極性書込時について、図１２を用いて説明する。
【００２２】
時刻ｔ５１において、走査線駆動回路により、ｍ行目の走査線に第１の選択電圧を供給する。すると、ｍ行目の走査線の電圧ＧＡＴＥ（ｍ）は、上昇して、時刻ｔ５２では、電圧ＶＧＨとなる。これにより、ｍ行目の走査線に接続されたＴＦＴが全てオン状態となる。
【００２３】
時刻ｔ５３において、データ線駆動回路により、ｎ列目のデータ線に正極性の画像信号を供給する。すると、ｎ列目のデータ線の電圧ＳＯＵＲＣＥ（ｎ）は、徐々に上昇して、時刻ｔ５４では、電圧ＶＰ８となる。
【００２４】
ｎ列目のデータ線の電圧ＳＯＵＲＣＥ（ｎ）は、正極性の画像信号に基づく画像電圧として、ｍ行目の走査線に接続されたオン状態のＴＦＴ５１を介して、ｍ行ｎ列目の画素が備える画素電極に書き込まれる。このため、ｍ行ｎ列目の画素が備える画素電極の電圧ＰＩＸ（ｍ，ｎ）は、徐々に上昇して、時刻ｔ５４では、ｎ列目のデータ線の電圧ＳＯＵＲＣＥ（ｎ）と同電位である電圧ＶＰ８となる。
【００２５】
時刻ｔ５５において、走査線駆動回路により、ｍ行目の走査線に第１の選択電圧を供給するのを停止する。すると、ｍ行目の走査線の電圧ＧＡＴＥ（ｍ）は、低下して、時刻ｔ５６では、電圧ＶＧＬとなる。これにより、ｍ行目の走査線に接続されたＴＦＴ５１が全てオフ状態となる。
【００２６】
同時に、容量線駆動回路により、容量線の電圧を上昇させる電圧をｍ行目の容量線に供給する。すると、ｍ行目の容量線の電圧ＶＳＴ（ｍ）は、徐々に上昇して、時刻ｔ５７では、電圧ＶＳＴＨとなる。
【００２７】
ｍ行目の容量線の電圧ＶＳＴ（ｍ）が上昇すると、ｍ行目の容量線に係る全ての画素では、この上昇した分に相当する電荷が蓄積容量と画素容量との間で分配される。このため、ｍ行ｎ列目の画素が備える画素電極の電圧ＰＩＸ（ｍ，ｎ）は、徐々に上昇して、時刻ｔ５７では、電圧ＶＰ９となる。
【００２８】
次に、従来例に係る液晶装置の負極性書込時について、図１３を用いて説明する。
【００２９】
時刻ｔ６１において、走査線駆動回路により、ｍ行目の走査線に第１の選択電圧を供給する。すると、ｍ行目の走査線の電圧ＧＡＴＥ（ｍ）は、上昇して、時刻ｔ６２では、電圧ＶＧＨとなる。これにより、ｍ行目の走査線に接続されたＴＦＴが全てオン状態となる。
【００３０】
時刻ｔ６３において、データ線駆動回路により、ｎ列目のデータ線に負極性の画像信号を供給する。すると、ｎ列目のデータ線の電圧ＳＯＵＲＣＥ（ｎ）は、徐々に低下して、時刻ｔ６４では、電圧ＶＰ１１となる。
【００３１】
ｎ列目のデータ線の電圧ＳＯＵＲＣＥ（ｎ）は、負極性の画像信号に基づく画像電圧として、ｍ行目の走査線に接続されたオン状態のＴＦＴを介して、ｍ行ｎ列目の画素が備える画素電極に書き込まれる。このため、ｍ行ｎ列目の画素が備える画素電極の電圧ＰＩＸ（ｍ，ｎ）は、徐々に低下して、時刻ｔ６４では、ｎ列目のデータ線の電圧ＳＯＵＲＣＥ（ｎ）と同電位である電圧ＶＰ１１となる。
【００３２】
時刻ｔ６５において、走査線駆動回路により、ｍ行目の走査線に第１の選択電圧を供給するのを停止する。すると、ｍ行目の走査線の電圧ＧＡＴＥ（ｍ）は、低下して、時刻ｔ６６では、電圧ＶＧＬとなる。これにより、ｍ行目の走査線に接続されたＴＦＴが全てオフ状態となる。
【００３３】
同時に、容量線駆動回路により、容量線の電圧を低下させる電圧をｍ行目の容量線に供給する。すると、ｍ行目の容量線の電圧ＶＳＴ（ｍ）は、徐々に低下して、時刻ｔ６７では、電圧ＶＳＴＬとなる。
【００３４】
ｍ行目の容量線の電圧ＶＳＴ（ｍ）が低下すると、ｍ行目の容量線に係る全ての画素では、この低下した分に相当する電荷が蓄積容量と画素容量との間で分配される。このため、ｍ行ｎ列目の画素が備える画素電極の電圧ＰＩＸ（ｍ，ｎ）は、徐々に低下して、時刻ｔ６７では、電圧ＶＰ１０となる。
【００３５】
以上のように、従来例に係る液晶装置では、正極性書込時において、正極性の画像電圧を画素電極に書き込んだ後に、容量線の電圧を上昇させる。このため、画素電極の電圧は、正極性の画像電圧により上昇した電圧と、容量線の電圧を上昇させた分に相当する電荷により上昇した電圧と、を合わせた分だけ上昇する。
【００３６】
また、従来例に係る液晶装置では、負極性書込において、負極性の画像電圧を画素電極に書き込んだ後に、容量線の電圧を低下させる。このため、画素電極の電圧は、負極性の画像電圧により低下した電圧と、容量線の電圧を低下させた分に相当する電荷により低下した電圧と、を合わせた分だけ低下する。
【００３７】
したがって、容量線の電圧を変動させることで、共通電極の電圧を基準として画素電極の電圧を変動させて、液晶に印加される駆動電圧の振幅を大きくできる。よって、画像電圧の振幅を小さくしても、液晶に印加される駆動電圧の振幅を確保できるので、画像電圧の振幅を小さくして、消費電力を低減できる。
【００３８】
【特許文献１】特開２００２−１９６３５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３９】
上述の従来例に係る液晶装置では、容量線の電圧を変動させて、蓄積容量と画素容量との間で電荷を移動させることで、画素電極の電圧を変動させる。このため、蓄積容量に特性ばらつきが発生すると、蓄積容量と画素容量との間で移動する電荷に影響を及ぼすので、画素電極に同一の画像電圧を書き込んでも、画素電極の電圧にばらつきが生じ、表示品位が低下する場合があった。
【００４０】
また、液晶を挟持する一対の基板のうち一方の基板に、画素容量を構成する画素電極および共通電極を備えるＩＰＳ（In-Plane Switching）やＦＦＳＦＦＳ（Fringe Field Switching）といった液晶装置では、画素容量と蓄積容量とを一体に形成する。ところが、上述の従来例に係る液晶装置では、容量線の電圧を、画素電極や共通電極とは異なる電圧で変動させるので、容量線に接続された蓄積容量の一方の電極を、画素電極や共通電極とは別個に形成する必要がある。このため、画素容量と蓄積容量とは別個に形成する必要があるので、画素容量と蓄積容量とを一体に形成するＩＰＳやＦＦＳといった液晶装置では、上述の従来例に係る液晶装置を構成するのは困難であった。
【００４１】
そこで、本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、液晶を挟持する一対の基板のうち一方の基板に、画素容量を構成する画素電極および共通電極を備える液晶装置において、表示品位の低下を抑制でき、更には、回路面積の削減や低消費電力化が可能な液晶装置、および液晶装置を備える電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００４２】
本発明の液晶装置は、複数の走査線（実施形態において走査線Ｙが対応する）、前記走査線に交差する複数のデータ線（実施形態においてデータ線Ｘが対応する）、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられた画素トランジスタ（実施形態においてＴＦＴ５１が対応する）、前記画素トランジスタに接続された画素電極（実施形態において画素電極５５が対応する）、および前記画素電極に対向して設けられた共通電極（実施形態において共通電極５６が対応する）を有する第１基板（実施形態において素子基板６０が対応する）と、前記第１基板に対向配置された第２基板（実施形態において対向基板７０が対応する）と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶と、第１電圧（実施形態においてＶＣＯＭＬが対応する）と、当該第１電圧よりも電位の高い第２電圧（実施形態においてＶＣＯＭＨが対応する）と、を交互に前記共通電極に供給する制御回路（実施形態において制御回路３０，３０Ａが対応する）と、前記走査線に前記画素トランジスタをオンする第１の選択電圧およびオフする第２の選択電圧を前記複数の走査線に供給する走査線駆動回路（実施形態において走査線駆動回路１０が対応する）と、前記画素トランジスタがオンされた際に、前記第１電圧よりも電位の高い正極性の画像信号と、前記第２電圧よりも電位の低い負極性の画像信号と、を交互に前記複数のデータ線に供給するデータ線駆動回路（実施形態においてデータ線駆動回路２０が対応する）と、を備え、前記制御回路により前記第１電圧を前記共通電極に供給した後に、前記走査線駆動回路により前記第１の選択電圧を前記走査線に供給するとともに、前記データ線駆動回路により前記正極性の画像信号を前記データ線に供給し、その後前記走査線駆動回路により前記第２の選択電圧を前記走査線に供給し、前記制御回路により前記第２電圧を前記共通電極に供給した後に、前記走査線駆動回路により前記第１の選択電圧を前記走査線に供給するとともに、前記データ線駆動回路により前記負極性の画像信号を前記データ線に供給し、その後、前記走査線駆動回路により前記第２の選択電圧を前記走査線に供給する液晶装置（実施形態において液晶装置１が対応する）であって、前記第１および第２の選択電圧はグランドレベル以上であることを特徴とする。
【００４３】
この発明によれば、第１電圧を共通電極に供給した後に、画素トランジスタをオンする第１の選択電圧を走査線に供給するとともに、データ線駆動回路により正極性の画像信号をデータ線に供給し、その後、画素トランジスタをオフする第２の選択電圧を走査線に供給し、また、第２電圧を共通電極に供給した後に、第１の選択電圧を走査線に供給するとともに、負極性の画像信号をデータ線に供給し、その後、第２の選択電圧を走査線に供給するが、画素トランジスタをオフさせる駆動電圧がグランドレベル以上とする構成としているため、画素電極からデータ線への電流リークが起こっても、リークが発生する期間が１垂直期間中の１水平期間（１本の走査線をオン選択する期間）と短いので、表示に対する影響が小さく、無視できる程度なので、画素トランジスタをオンおよびオフする第１および第２の選択電圧はグランドレベル以上することで、負電源回路を削除して、正電源回路のみでの走査線の駆動を行うことが出来る。よって、負電源回路に必要な回路面積や負電源用ＩＣを削減することができる。更には、負電源回路が無いことにより、低消費電力化も実現することができる。
【００４４】
また、この発明によれば、グランドレベルを０Ｖ以上とする構成とした。
【００４５】
また、この発明によれば、０Ｖ以上の電圧を発生する正電源回路（実施形態において正電源回路１５が対応する）を備え、前記走査線駆動回路は、前記正電源回路のみで、前記第１および第２の選択電圧を供給する構成とした。この発明によれば、上述した効果と同様の効果がある。
【００４６】
また、本発明の電子機器は、上述の液晶装置を備えることを特徴とする。
【００４７】
この発明によれば、上述した効果と同様の効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の実施形態および変形例の説明にあたって、同一構成要件については同一符号を付し、その説明を省略もしくは簡略化する。
【００４９】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係るＣＯＭ分割駆動を採用した横電界方式の液晶装置１のブロック図である。
【００５０】
液晶装置１は、液晶パネルＡＡと、液晶パネルＡＡに対向配置されて光を出射するバックライト４１と、を備える。この液晶装置１は、バックライト４１からの光を利用して、透過型の表示を行う。
【００５１】
液晶パネルＡＡは、複数の画素５０を有する表示領域Ａと、この表示領域Ａの周辺に設けられて画素５０を駆動する走査線駆動回路１０、前記走査線駆動回路１０にグランド（以下、ＧＮＤと略称する）レベル（基準電位であり０Ｖ）から８Ｖを供給する正電源回路１５、データ線駆動回路２０、および制御回路３０を備える。
【００５２】
バックライト４１は、液晶パネルＡＡの裏面に設けられ、例えば、冷陰極蛍光管（ＣＣＦＬ）やＬＥＤ（発光ダイオード）、あるいはエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）で構成されて、液晶パネルＡＡの画素５０に光を供給する。
【００５３】
以下、液晶パネルＡＡの構成について詳述する。
【００５４】
液晶パネルＡＡは、所定間隔おきに交互に設けられた３２０行の走査線Ｙ（Ｙ１〜Ｙ３２０）および３２０行の共通線Ｚ（Ｚ１〜Ｚ３２０）と、これら走査線Ｙ（Ｙ１〜Ｙ３２０）および共通線Ｚ（Ｚ１〜Ｚ３２０）に交差するように設けられた２４０列のデータ線Ｘ（Ｘ１〜Ｘ２４０）と、を備える。各走査線Ｙおよび各データ線Ｘの交差部分には、画素５０が設けられている。
【００５５】
画素５０は、ＴＦＴ５１、画素電極５５、この画素電極５５に対向して設けられた共通電極５６、および、一方の電極（補助容量電極５７）が共通線Ｚに接続され他方の電極が画素電極５５に接続された補助容量としての蓄積容量５３で構成される。画素電極５５および共通電極５６は、画素容量５４を構成する。
【００５６】
共通電極５６は、走査線Ｙに対応して、１水平ラインごとに分割されている。１水平ラインごとに分割された複数の共通電極５６は、それぞれ、対応する共通線Ｚに接続されている。
【００５７】
ＴＦＴ５１のゲートには、走査線Ｙが接続され、ＴＦＴ５１のソースには、データ線Ｘが接続され、ＴＦＴ５１のドレインには、画素電極５５および蓄積容量５３の他方の電極が接続されている。したがって、このＴＦＴ５１は、走査線Ｙから画素トランジスタをオンする第１の選択電圧が印加されるとオン状態となり、データ線Ｘと画素電極５５および蓄積容量５３の他方の電極とを導通状態とする。
【００５８】
図２は、画素５０の拡大平面図である。図３は、図２に示す画素５０のＡ−Ａ断面図である。
【００５９】
図３に示すように、液晶パネルＡＡは、複数の画素電極５５を有する第１基板としての素子基板６０と、この素子基板６０に対向配置された第２基板としての対向基板７０と、素子基板６０と対向基板７０との間に設けられた液晶と、を備える。
【００６０】
図２に示すように、素子基板６０において、各画素５０は、互いに隣り合う２本の導電材料からなる走査線Ｙと、互いに隣り合う２本の導電材料からなるデータ線Ｘと、で囲まれた領域となっている。つまり、各画素５０は、走査線Ｙとデータ線Ｘとで区画されている。
【００６１】
本実施形態では、ＴＦＴ５１は、逆スタガ型の低温ポリシリコンＴＦＴであり、走査線Ｙとデータ線Ｘとの交差部の近傍には、このＴＦＴ５１が形成される領域５０Ｃ（図２中破線で囲まれた部分）が設けられている。
【００６２】
まず、素子基板６０について説明する。
【００６３】
素子基板６０は、ガラス基板６８を有し、このガラス基板６８の上には、ガラス基板６８の表面荒れや汚れによるＴＦＴ５１の特性の変化を防止するために、素子基板６０の全面に亘って下地絶縁膜（図示省略）が形成されている。
【００６４】
下地絶縁膜の上には、導電材料からなる走査線Ｙが形成されている。
【００６５】
走査線Ｙは、隣接する画素５０の境界に沿って設けられ、データ線Ｘとの交差部の近傍において、ＴＦＴ５１のゲート電極５１１を構成する。
【００６６】
走査線Ｙ、ゲート電極５１１、および下地絶縁膜の上には、素子基板６０の全面に亘って、ゲート絶縁膜６２が形成されている。
【００６７】
ゲート絶縁膜６２の上のＴＦＴ５１が形成される領域５０Ｃには、ゲート電極５１１に対向して、低温ポリシリコンからなる半導体層（図示省略）、Ｎ＋低温ポリシリコンからなるオーミックコンタクト層（図示省略）が積層されている。このオーミックコンタクト層には、ソース電極５１２およびドレイン電極５１３が積層されて、これにより、低温ポリシリコンＴＦＴが形成されている。
【００６８】
ソース電極５１２は、データ線Ｘと同一の導電材料で形成されている。すなわち、データ線Ｘからソース電極５１２が突出する構成となっている。データ線Ｘは、走査線Ｙおよび共通線Ｚに対して交差するように設けられている。
【００６９】
上述のように、走査線Ｙの上には、ゲート絶縁膜６２が形成され、このゲート絶縁膜６２の上には、データ線Ｘが形成されている。このため、データ線Ｘは、走査線Ｙとはゲート絶縁膜６２により絶縁されている。
【００７０】
データ線Ｘ、ソース電極５１２、ドレイン電極５１３、およびゲート絶縁膜６２の上には、素子基板６０の全面に亘って、第１絶縁膜６３が形成されている。
【００７１】
第１絶縁膜６３の上には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）といった透明導電材料からなる共通線Ｚが形成されている。共通線Ｚは、走査線Ｙに沿って設けられており、この共通線Ｚは、１水平ラインごとに分割された共通電極５６と一体に形成されている。
【００７２】
共通線Ｚ、共通電極５６、および第１絶縁膜６３の上には、素子基板６０の全面に亘って、第２絶縁膜６４が形成されている。
【００７３】
第２絶縁膜６４の上には、共通電極５６に対向する領域に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）といった透明導電材料からなる画素電極５５が形成されている。画素電極５５は、上述の第１絶縁膜６３および第２絶縁膜６４に形成されたコンタクトホール（図示省略）を介して、ドレイン電極５１３に接続されている。
【００７４】
この画素電極５５には、自身と共通電極５６との間で、フリンジフィールド（電界Ｅ）を発生させるための複数のスリット５５Ａが所定間隔おきに設けられている。すなわち、液晶装置１の液晶は、ＦＦＳモードで動作する。
【００７５】
画素電極５５および第２絶縁膜６４の上には、素子基板６０の全面に亘って、ポリイミド膜などの有機膜からなる配向膜（図示省略）が形成されている。
【００７６】
次に、対向基板７０について説明する。
【００７７】
対向基板７０は、ガラス基板７４を有し、このガラス基板７４の上のうち走査線Ｙに対向する位置には、ブラックマトリクスとしての遮光膜７１が形成されている。また、ガラス基板７４の上のうち遮光膜７１が形成されている領域を除く領域には、カラーフィルタ７２が形成されている。
【００７８】
遮光膜７１およびカラーフィルタ７２の上には、対向基板７０の全面に亘って、配向膜（図示省略）が形成されている。
【００７９】
図１に戻って、走査線駆動回路１０は、正電源回路１５からの電源供給を受けて、ＴＦＴ５１のオフ時には、ＴＦＴ５１をオフさせるための第２の選択電圧として０Ｖを供給する。また、ＴＦＴ５１をオン状態にするために、第１の選択電圧として８Ｖを前記複数の走査線Ｙに順次供給する。第１の選択電圧は、１水平期間毎に１本ずつ順次走査線に供給される。例えば、ある１水平期間にある走査線Ｙに第１の選択電圧を供給すると、この走査線Ｙに接続されたＴＦＴ５１が全てオン状態となり、この走査線Ｙに係る画素５０が全て選択される。
【００８０】
データ線駆動回路２０は、画像信号をデータ線Ｘに供給し、オン状態のＴＦＴ５１を介して、この画像信号に基づく画像電圧を画素電極５５に書き込む。
【００８１】
ここで、データ線駆動回路２０は、共通電極５６の電圧よりも電位の高い正極性の画像信号をデータ線Ｘに供給して、この正極性の画像信号に基づく画像電圧を画素電極５５に書き込む正極性書込と、共通電極５６の電圧よりも電位の低い負極性の画像信号をデータ線Ｘに供給して、この負極性の画像信号に基づく画像電圧を画素電極５５に書き込む負極性書込と、を１水平ラインごとに交互に行う。
【００８２】
尚、本実施形態において、正極性の画像信号は、０Ｖから４Ｖの電圧幅を有する信号であり、負極性の画像信号は、前記正極性の画像信号と逆極性となる４Ｖから０Ｖの電圧幅を有する信号である。
【００８３】
制御回路３０は、第１電圧としての電圧ＶＣＯＭＬと、この電圧ＶＣＯＭＬよりも電位の高い第２電圧としての電圧ＶＣＯＭＨと、を交互に共通線Ｚに供給する。本実施形態において、電圧ＶＣＯＭＬは０Ｖ、電圧ＶＣＯＭＨは４Ｖである。
【００８４】
尚、上記走査線駆動回路１０、データ線駆動回路２０および制御回路３０などを構成するトランジスタなどの回路素子は、ＳＯＧ（システム・オン・グラス）技術を用いて、前記表示領域Ａの周辺領域（額縁領域）に形成されている。
【００８５】
以上の液晶装置１は、以下のように動作する。
【００８６】
すなわち、まず、制御回路３０から共通線Ｚに電圧ＶＣＯＭＬまたは電圧ＶＣＯＭＨのいずれかを選択的に供給する。
【００８７】
具体的には、各共通線Ｚには、１フレーム期間ごとに、電圧ＶＣＯＭＬと電圧ＶＣＯＭＨとを交互に供給する。例えば、ある１フレーム期間において、ｐ行目の共通線Ｚｐ（ｐは、１≦ｐ≦３２０を満たす整数）に電圧ＶＣＯＭＬを供給した場合、次の１フレーム期間では、共通線Ｚｐに電圧ＶＣＯＭＨを供給する。一方、ある１フレーム期間において、共通線Ｚｐに電圧ＶＣＯＭＨを供給した場合、次の１フレーム期間では、共通線Ｚｐに電圧ＶＣＯＭＬを供給する。
【００８８】
また、隣接する共通線Ｚには、互いに異なる電圧を供給する。例えば、ある１フレーム期間において、共通線Ｚｐに電圧ＶＣＯＭＬを供給した場合、同一の１フレーム期間において、（ｐ−１）行目の共通線Ｚ（ｐ−１）と、（ｐ＋１）行目の共通線Ｚ（ｐ＋１）と、に電圧ＶＣＯＭＨを供給する。一方、ある１フレーム期間において、共通線Ｚｐに電圧ＶＣＯＭＨを供給した場合、同一の１フレーム期間において、共通線Ｚ（ｐ−１）と共通線Ｚ（ｐ＋１）とに電圧ＶＣＯＭＬを供給する。
【００８９】
次に、走査線駆動回路１０から３２０行の走査線Ｙ（Ｙ１〜Ｙ３２０）に第１の選択電圧を１水平走査期間毎に順次供給することで、各走査線Ｙに接続された全てのＴＦＴ５１を１水平走査期間毎に順次オン状態にして、各走査線Ｙに係る全ての画素５０を順次選択する。
【００９０】
次に、これら画素５０の選択に同期して、共通電極５６の電圧に応じて、データ線駆動回路２０からデータ線Ｘに、正極性の画像信号と、負極性の画像信号と、１水平ラインごとに交互に供給する。
【００９１】
具体的には、３２０行の共通線Ｚ（Ｚ１〜Ｚ３２０）のうち、選択した画素５０に係る共通線Ｚｐに電圧ＶＣＯＭＬを供給した場合には、正極性の画像信号をデータ線Ｘに供給する。一方、３２０行の共通線Ｚ（Ｚ１〜Ｚ３２０）のうち、選択した画素５０に係る共通線Ｚｐに電圧ＶＣＯＭＨを供給した場合には、負極性の画像信号をデータ線Ｘに供給する。
【００９２】
すると、走査線駆動回路１０で選択した全ての画素５０に、データ線駆動回路２０からデータ線Ｘおよびオン状態のＴＦＴ５１を介して画像信号が供給されて、この画像信号に基づく画像電圧が画素電極５５に書き込まれる。これにより、画素電極５５と共通電極５６との間に電位差が生じて、駆動電圧が液晶に印加される。
【００９３】
液晶に駆動電圧が印加されると、液晶の配向や秩序が変化して、液晶を透過するバックライト４１からの光が変化する。この変化した光がカラーフィルタを透過することで、階調表示が行われる。
【００９４】
なお、液晶に印加される駆動電圧は、蓄積容量５３により、画像電圧が書き込まれる期間よりも３桁も長い期間に亘って保持される。
【００９５】
図４は、制御回路３０のブロック図である。
【００９６】
制御回路３０は、３２０行の走査線Ｙ（Ｙ１〜Ｙ３２０）に対応して、３２０個の単位制御回路Ｐ（Ｐ１〜Ｐ３２０）を備える。各単位制御回路Ｐには、電圧ＶＣＯＭＬと、電圧ＶＣＯＭＨと、電圧ＶＣＯＭＬまたは電圧ＶＣＯＭＨのいずれかを選択する極性制御信号ＰＯＬと、が供給される。
【００９７】
単位制御回路Ｐは、極性制御信号ＰＯＬを保持するラッチ回路Ｑと、極性制御信号ＰＯＬに応じて電圧ＶＣＯＭＬまたは電圧ＶＣＯＭＨのいずれかを選択的に出力する選択回路Ｒと、を備える。ラッチ回路Ｑは、極性制御信号ＰＯＬを保持する方法から、２つに大別できる。１つは、１行目の走査線Ｙ１に対応して設けられたラッチ回路Ｑ１と、３２０行目の走査線Ｙ３２０に対応して設けられたラッチ回路Ｑ３２０と、である。もう１つは、上述のラッチ回路Ｑ１，Ｑ３２０を除くラッチ回路Ｑ２〜Ｑ３１９である。
【００９８】
まず、ラッチ回路Ｑ２〜Ｑ３１９について、以下に説明する。
【００９９】
ｑ行目（ｑは、２≦ｑ≦３１９を満たす整数）の走査線Ｙｑに対応して設けられたラッチ回路Ｑｑは、否定論理和演算回路（以降、ＮＯＲ回路と呼ぶ）３１と、第１のインバータ３２と、第２のインバータ３３と、第１のクロックドインバータ３４と、第２のクロックドインバータ３５と、を備える。
【０１００】
ＮＯＲ回路３１の２つの入力端子には、それぞれ、（ｑ−１）行目の走査線Ｙ（ｑ−１）と、（ｑ＋１）行目の走査線Ｙ（ｑ＋１）と、が接続されている。ＮＯＲ回路３１の出力端子には、第１のインバータ３２の入力端子と、第１のクロックドインバータ３４の反転入力制御端子と、第２のクロックドインバータ３５の非反転入力制御端子と、が接続されている。
【０１０１】
第１のインバータ３２の出力端子には、第１のクロックドインバータ３４の非反転入力制御端子と、第２のクロックドインバータ３５の反転入力制御端子と、が接続されている。
【０１０２】
第１のクロックドインバータ３４の入力端子からは、極性制御信号ＰＯＬが入力される。第１のクロックドインバータ３４の出力端子には、第２のインバータ３３の入力端子が接続されている。
【０１０３】
第２のクロックドインバータ３５の入力端子には、第２のインバータ３３の出力端子が接続され、第２のクロックドインバータ３５の出力端子には、第２のインバータ３３の入力端子が接続されている。
【０１０４】
以上のラッチ回路Ｑｑは、以下のように動作する。
【０１０５】
すなわち、走査線Ｙ（ｑ−１）と走査線Ｙ（ｐ＋１）とのうち少なくともいずれかに第１の選択電圧が供給されると、ラッチ回路Ｑｑが備えるＮＯＲ回路３１は、Ｌレベルの信号を出力する。このＬレベルの信号は、第１のクロックドインバータ３４の反転入力制御端子に入力されるとともに、第１のインバータ３２で反転され、Ｈレベルの信号として第１のクロックドインバータ３４の非反転入力端子に入力される。このため、第１のクロックドインバータ３４は、オン状態となり、極性制御信号ＰＯＬを反転して出力する。この第１のクロックドインバータ３４から反転して出力された極性制御信号ＰＯＬは、第２のインバータ３３により反転されて選択回路Ｒに出力される。
【０１０６】
以上のように、走査線駆動回路により走査線Ｙ（ｑ−１）と走査線Ｙ（ｑ＋１）とのうち少なくともいずれかに第１の選択電圧が供給されると、ラッチ回路Ｑｐは、極性制御信号ＰＯＬを取り込む。
【０１０７】
一方、走査線Ｙ（ｑ−１）と走査線Ｙ（ｐ＋１）との両方に第１の選択電圧が供給されないと、ラッチ回路Ｑｑが備えるＮＯＲ回路３１は、Ｈレベルの信号を出力する。このＨレベルの信号は、第２のクロックドインバータ３５の非反転入力制御端子に入力されるとともに、第１のインバータ３２で反転され、Ｌレベルの信号として第２のクロックドインバータ３５の反転入力端子に入力される。このため、第２のクロックドインバータ３５は、オン状態となり、第２のインバータ３３から出力された極性制御信号ＰＯＬを反転して出力する。この第２のクロックドインバータ３５から反転して出力された極性制御信号ＰＯＬは、再度、第２のインバータ３３により入力される。
【０１０８】
以上のように、走査線駆動回路により走査線Ｙ（ｑ−１）と走査線Ｙ（ｐ＋１）との両方に第１の選択電圧が供給されないと、ラッチ回路Ｑｐは、既に取り込んでいる極性制御信号ＰＯＬを第２のインバータ３３および第２のクロックドインバータ３５により保持する。
【０１０９】
次に、ラッチ回路Ｑ１，Ｑ３２０について、以下に説明する。
【０１１０】
ラッチ回路Ｑ１，Ｑ３２０は、上述のラッチ回路Ｑｑと比べて、ＮＯＲ回路３１の代わりに、Ｌレベルの信号を出力する電圧ＶＬＬの低電位電源を備える。その他の構成は、上述のラッチ回路Ｑｑと同様である。
【０１１１】
これらラッチ回路Ｑ１，Ｑ３２０は、以下のように動作する。
【０１１２】
すなわち、電圧ＶＬＬの低電位電源からは、常にＬレベルの信号が出力される。このＬレベルの信号は、第１のクロックドインバータ３４の反転入力制御端子に入力されるとともに、第１のインバータ３２で反転され、Ｈレベルの信号として第１のクロックドインバータ３４の非反転入力制御端子に入力される。このため、第１のクロックドインバータ３４は、常にオン状態となり、常に極性制御信号ＰＯＬを反転して出力する。この第１のクロックドインバータ３４から反転して出力された極性制御信号ＰＯＬは、第２のインバータ３３により反転されて選択回路Ｒに出力される。
【０１１３】
以上のように、ラッチ回路Ｑ１，Ｑ３２０は、常に極性制御信号ＰＯＬを取り込む。
【０１１４】
選択回路Ｒは、インバータ３６と、ＣＭＯＳトランジスタからなる第１のトランスファゲート３７と、ＣＭＯＳトランジスタからなる第２のトランスファゲート３８と、を備える。
【０１１５】
インバータ３６の入力端子には、ラッチ回路Ｑが備える第２のインバータ３３の出力端子が接続され極性制御信号ＰＯＬが入力される。インバータ３６の出力端子には、第１のトランスファゲート３７の非反転入力制御端子と、第２のトランスファゲート３８の反転入力制御端子と、が接続されている。
【０１１６】
第１のトランスファゲート３７の反転入力制御端子（ゲート端子）には、ラッチ回路Ｑが備える第２のインバータ３３の出力端子が接続され極性制御信号ＰＯＬが入力される。第１のトランスファゲート３７の出力端子（ドレイン端子）には、共通線Ｚが接続されている。
【０１１７】
また、奇数行目の走査線Ｙに対応して設けられた選択回路Ｒが備える第１のトランスファゲート３７の入力端子（ソース端子）からは、電圧ＶＣＯＭＨが入力される。一方、偶数行目の走査線Ｙに対応して設けられた選択回路Ｒが備える第１のトランスファゲート３７の入力端子からは、電圧ＶＣＯＭＬが入力される。
【０１１８】
第２のトランスファゲート３８の非反転入力制御端子には、ラッチ回路Ｑが備える第２のインバータ３３の出力端子が接続され極性制御信号ＰＯＬが入力される。第２のトランスファゲート３８の出力端子には、共通線Ｚが接続されている。
【０１１９】
また、奇数行目の走査線Ｙに対応して設けられた選択回路Ｒが備える第２のトランスファゲート３８の入力端子からは、電圧ＶＣＯＭＬが入力される。一方、偶数行目の走査線Ｙに対応して設けられた選択回路Ｒが備える第２のトランスファゲート３８の入力端子からは、電圧ＶＣＯＭＨが入力される。
【０１２０】
以上の選択回路Ｒは、以下のように動作する。
【０１２１】
すなわち、ラッチ回路Ｑが備える第２のインバータ３３からＬレベルの極性制御信号ＰＯＬが出力されると、このＬレベルの極性制御信号ＰＯＬは、第１のトランスファゲート３７の反転入力制御端子に入力されるとともに、インバータ３６で反転され、Ｈレベルの極性制御信号ＰＯＬとして第１のトランスファゲート３７の非反転入力制御端子に入力される。このため、第１のトランスファゲート３７は、オン状態となる。
【０１２２】
オン状態となった第１のトランスファゲート３７が、奇数行目の走査線Ｙに対応して設けられた選択回路Ｒが備えるものであれば、電圧ＶＣＯＭＨを共通線Ｚに出力する。一方、オン状態となった第１のトランスファゲート３７が、偶数行目の走査線Ｙに対応して設けられた選択回路Ｒが備えるものであれば、電圧ＶＣＯＭＬを共通線Ｚに出力する。
【０１２３】
一方、ラッチ回路Ｑが備える第２のインバータ３３からＨレベルの極性制御信号ＰＯＬが出力されると、このＨレベルの極性制御信号ＰＯＬは、第２のトランスファゲート３８の非反転入力制御端子に入力されるとともに、インバータ３６で反転され、Ｌレベルの極性制御信号ＰＯＬとして第２のトランスファゲート３８の反転入力制御端子に入力される。このため、第２のトランスファゲート３８は、オン状態となる。
【０１２４】
オン状態となった第２のトランスファゲート３８が、奇数行目の走査線Ｙに対応して設けられた選択回路Ｒが備えるものであれば、電圧ＶＣＯＭＬを共通線Ｚに出力する。一方、オン状態となった第２のトランスファゲート３８が、偶数行目の走査線Ｙに対応して設けられた選択回路Ｒが備えるものであれば、電圧ＶＣＯＭＨを共通線Ｚに出力する。
【０１２５】
＜第１実施形態の選択回路Ｒの変形例＞
図５は、前記選択回路Ｒの変形例である選択回路ＲＡのブロック図であり、トランスファゲートに用いるスイッチング素子として単チャネルのスイッチングトランジスタを使用した例を示している。
【０１２６】
選択回路ＲＡは、ＰｃｈのスイッチングトランジスタからなるＰｃｈトランスファゲートＲＰと、ＮｃｈのスイッチングトランジスタからなるＮｃｈトランスファゲートＲＮと、を備える。
【０１２７】
ＰｃｈトランスファゲートＲＰの入力端子（ソース端子）には、電圧ＶＣＯＭＨが接続され、ＰｃｈトランスファゲートＲＰの制御端子（ゲート端子）には、ラッチ回路Ｑの出力端子が接続され極性制御信号ＰＯＬが入力される。ＰｃｈトランスファゲートＲＰの出力端子（ドレイン端子）には、共通線Ｚが接続されている。
【０１２８】
ＰｃｈトランスファゲートＲＰの入力端子に電圧ＶＣＯＭＨを接続することで、ＮｃｈトランスファゲートＲＮの入力端子に電圧ＶＣＯＭＨを接続する場合よりもゲート−ソース間の電圧ＶＧＳを大きくすることができるため、動作良好で、更に、低オン抵抗化とオフリークの低減も実現することができる。
【０１２９】
ＮｃｈトランスファゲートＲＮの入力端子（ソース端子）には、電圧ＶＣＯＭＬが接続され、ＮｃｈトランスファゲートＲＮの制御端子（ゲート端子）には、ラッチ回路Ｑの出力端子が接続され極性制御信号ＰＯＬが入力される。ＮｃｈトランスファゲートＲＮの出力端子（ドレイン端子）には、共通線Ｚが接続されている。
【０１３０】
ＮｃｈトランスファゲートＲＮの入力端子に電圧ＶＣＯＭＬを接続することで、ＰｃｈトランスファゲートＲＰを用いる場合よりもゲート−ソース間の電圧ＶＧＳを大きくすることができるため、動作良好で、更に、低オン抵抗化とオフリークの低減も実現することができる。
【０１３１】
尚、選択回路ＲＡを用いる場合には、偶数行目の走査線Ｙに対応して設けられたラッチ回路Ｑにおいて、第２のインバータ３３を削除して、第１のクロックドインバータ３４から反転して出力された極性制御信号ＰＯＬをそのままに出力するように構成することで、共通線Ｚに電圧ＶＣＯＭＨと電圧ＶＣＯＭＬを交互に出力することができる。
【０１３２】
以上の選択回路ＲＡは、以下のように動作する。
【０１３３】
すなわち、ラッチ回路ＱからＬレベルの極性制御信号ＰＯＬが出力されると、このＬレベルの極性制御信号ＰＯＬは、ＰｃｈトランスファゲートＲＰの制御端子に入力される。このため、ＰｃｈトランスファゲートＲＰは、オン状態となる。オン状態となったＰｃｈトランスファゲートＲＰは、電圧ＶＣＯＭＨを共通線Ｚに出力する。
【０１３４】
一方、ラッチ回路ＱからＨレベルの極性制御信号ＰＯＬが出力されると、このＨレベルの極性制御信号ＰＯＬは、ＮｃｈトランスファゲートＲＮの制御端子に入力される。このため、ＮｃｈトランスファゲートＲＮは、オン状態となる。オン状態となったＮｃｈトランスファゲートＲＮは、電圧ＶＣＯＭＬを共通線Ｚに出力する。
【０１３５】
このように選択回路ＲＡでは、トランスファゲートに用いるスイッチング素子を単チャネル化することにより、前記選択回路Ｒに用いられているようなＣＭＯＳスイッチング素子を用いる場合に比べて回路面積を小さくすることができる。また、高電位の電圧ＶＣＯＭＨにＰｃｈのスイッチング素子を接続し、低電位の電圧ＶＣＯＭＬにＮｃｈのスイッチング素子を接続する構成とし、夫々を排他的にオンするように構成したことにより、選択回路ＲＡは１本の制御信号のみでの駆動が可能となり、前記選択回路Ｒのようにインバータ３６を用いた反転信号を形成する必要が無いため、インバータ３６を削減できる。従って、一層の回路面積の削減を実現することができる。
【０１３６】
尚、電圧ＶＣＯＭＨと電圧ＶＣＯＭＬと、スイッチング素子のゲート電位としてゲート端子に印加する極性制御信号ＰＯＬの電位関係は、ゲートＨｉｇｈ電圧（極性制御信号ＰＯＬの高電位）＞電圧ＶＣＯＭＨ＞電圧ＶＣＯＭＬ＞＝ゲートＬｏｗ電圧（極性制御信号ＰＯＬの低電位）、の関係を満足するように構成する。
【０１３７】
このように構成することにより、トランスファゲートに用いるスイッチング素子を単チャネル化しても効率的な低オン抵抗化とスイッチング素子のオフリーク低減を実現することが出来る。
【０１３８】
更に好ましくは、電圧ＶＣＯＭＨと電圧ＶＣＯＭＬと、スイッチング素子のゲート電位としてゲート端子に印加する極性制御信号ＰＯＬの電位関係を、ゲートＨｉｇｈ電圧＞電圧ＶＣＯＭＨ−｜Ｐｃｈのトランスファゲートの閾値｜＞電圧ＶＣＯＭＬ＋｜Ｎｃｈのトランスファゲートの閾値｜＞＝ゲートＬｏｗ電圧、を満足するように構成することで、各スイッチング素子は閾値以下でオフできるため、オフリークを確実に防止することができる。
【０１３９】
尚、各電圧の設定は、例えば、ゲートＨｉｇｈ電圧は後述する電圧ＶＧＨと同じ８Ｖ、ゲートＬｏｗ電圧は後述する電圧ＶＧＬと同じ０Ｖ、電圧ＶＣＯＭＨは４Ｖ、電圧ＶＣＯＭＬは０Ｖに設定される。
【０１４０】
以上のラッチ回路Ｑおよび選択回路Ｒ（又は選択回路ＲＡ）を備えた制御回路３０の動作について、図５を用いて説明する。
【０１４１】
図６は、走査線駆動回路１０および制御回路３０のタイミングチャートである。
【０１４２】
時刻ｔ１，ｔ２，・・・は、それぞれ１水平期間を示している。
【０１４３】
まず、時刻ｔ１において、極性制御信号ＰＯＬを電圧ＶＬＬとして、極性制御信号ＰＯＬをＬレベルとする。すると、単位制御回路Ｐ１，Ｐ３２０は、常に極性制御信号ＰＯＬを取り込むラッチ回路Ｑ１，Ｑ３２０により、Ｌレベルの極性制御信号ＰＯＬ（選択回路ＲＡを用いる場合は、ラッチ回路Ｑ３２０により、Ｈレベルの極性制御信号ＰＯＬ）を取り込んで、選択回路Ｒ１，Ｒ３２０により、電圧ＶＣＯＭＨおよび電圧ＶＣＯＭＬをそれぞれ出力する。このため、単位制御回路Ｐ１に接続された共通線Ｚ１は、電圧ＶＣＯＭＨとなり、単位制御回路Ｐ３２０に接続された共通線Ｚ３２０は、電圧ＶＣＯＭＬとなる。
【０１４４】
また、電圧ＶＧＨは、第１の選択電圧と同じ８Ｖであり、電圧ＶＧＬは、第２の選択電圧と同じ０Ｖである。
【０１４５】
次に、時刻ｔ２において、走査線駆動回路１０から１行目の走査線Ｙ１に第１の選択電圧を供給して、走査線Ｙ１の電圧を電圧ＶＧＨとする。すると、走査線Ｙ１に隣接する走査線Ｙ２に対応して設けられた単位制御回路Ｐ２は、ラッチ回路Ｑ２により、Ｌレベルの極性制御信号ＰＯＬ（選択回路ＲＡを用いる場合は、ラッチ回路Ｑ２により、Ｈレベルの極性制御信号ＰＯＬ）を取り込んで、選択回路Ｒ２により、電圧ＶＣＯＭＬを出力する。このため、単位制御回路Ｐ２に接続された共通線Ｚ２は、電圧ＶＣＯＭＨから電圧ＶＣＯＭＬに変化する。共通線Ｚ２が４Ｖから０Ｖに変化すると、対応する画素電極５５の電位は、０Ｖから−４Ｖに変化する。このときＴＦＴ５１のゲートは電圧ＶＧＬ（０Ｖ）であるため、ＴＦＴ５１のドレインからソース、すなわち、画素電極５５からデータ線Ｘにリーク電流が流れてしまう。次に、時刻ｔ３において、走査線駆動回路１０から走査線Ｙ１に第１の選択電圧を供給するのを停止して、走査線Ｙ１の電圧を電圧ＶＧＬとする。
【０１４６】
同時に、走査線駆動回路１０から２行目の走査線Ｙ２に第１の選択電圧を供給して、走査線Ｙ２の電圧を電圧ＶＧＨとする。走査線Ｙ２の電位が電圧ＶＧＨになることで、データ線駆動回路２０から正極性の画像信号が画素電極５５に供給される。
【０１４７】
時刻ｔ３で、走査線Ｙ２の電圧が電圧ＶＧＨになると、走査線Ｙ２に隣接する走査線Ｙ３に対応して設けられた単位制御回路Ｐ３は、ラッチ回路Ｑ３により、Ｌレベルの極性制御信号ＰＯＬを取り込んで、選択回路Ｒ３により、電圧ＶＣＯＭＨを出力する。このため、単位制御回路Ｐ３に接続された共通線Ｚ３は、電圧ＶＣＯＭＨとなる。
【０１４８】
次に、時刻ｔ４において、走査線駆動回路１０から走査線Ｙ２に第１の選択電圧を供給するのを停止して、走査線Ｙ２の電圧を電圧ＶＧＬとして、対応するＴＦＴ５１のゲートを０Ｖとする。このとき画素電極５５は正極性の画像信号（０Ｖ→４Ｖの信号）の書き込みにより、例えば、４Ｖの電位になっているため、画素電極５５からデータ線Ｘへのリーク電流は発生しない。
【０１４９】
走査線Ｙ２の電圧を電圧ＶＧＬにするのと同時に、走査線駆動回路１０から３行目の走査線Ｙ３に第１の選択電圧を供給して、走査線Ｙ３の電圧を電圧ＶＧＨとする。すると、走査線Ｙ３に隣接する走査線Ｙ４に対応して設けられた単位制御回路Ｐ４は、ラッチ回路Ｑ４により、Ｌレベルの極性制御信号ＰＯＬ（選択回路ＲＡを用いる場合は、ラッチ回路Ｑ４により、Ｈレベルの極性制御信号ＰＯＬ）を取り込んで、選択回路Ｒ４により、電圧ＶＣＯＭＬを出力する。このため、単位制御回路Ｐ４に接続された共通線Ｚ４は、電圧ＶＣＯＭＬとなる。
【０１５０】
また、走査線Ｙ３に隣接する走査線Ｙ２に対応して設けられた単位制御回路Ｐ２は、ラッチ回路Ｑ２により、Ｌレベルの極性制御信号ＰＯＬを取り込んで、選択回路Ｒ２により、電圧ＶＣＯＭＬを出力する。このため、単位制御回路Ｐ２に接続された共通線Ｚ２は、電圧ＶＣＯＭＬとなる。
【０１５１】
次に、時刻ｔ５において、走査線駆動回路１０から走査線Ｙ３に第１の選択電圧を供給するのを停止して、走査線Ｙ３の電圧を電圧ＶＧＬとする。
【０１５２】
同時に、走査線駆動回路１０から４行目の走査線Ｙ４に第１の選択電圧を供給して、走査線Ｙ４の電圧を電圧ＶＧＨとする。すると、走査線Ｙ４に隣接する走査線Ｙ５に対応して設けられた単位制御回路Ｐ５は、ラッチ回路Ｑ５により、Ｌレベルの極性制御信号ＰＯＬを取り込んで、選択回路Ｒ５により、電圧ＶＣＯＭＨを出力する。このため、単位制御回路Ｐ５に接続された共通線Ｚ５は、電圧ＶＣＯＭＨとなる。
【０１５３】
また、走査線Ｙ４に隣接する走査線Ｙ３に対応して設けられた単位制御回路Ｐ３は、ラッチ回路Ｑ３により、Ｌレベルの極性制御信号ＰＯＬを取り込んで、選択回路Ｒ３により、電圧ＶＣＯＭＨを出力する。このため、単位制御回路Ｐ３に接続された共通線Ｚ３は、電圧ＶＣＯＭＨとなる。
【０１５４】
以降、走査線駆動回路１０から奇数行目の走査線Ｙ（ただし、１行目の走査線Ｙ１を除く）に第１の選択電圧を供給すると、時刻ｔ４のように動作し、偶数行目の走査線Ｙ（ただし、３２０行目の走査線Ｙ３２０を除く）に第１の選択電圧を供給すると、時刻ｔ５のように動作する。
【０１５５】
次に、時刻ｔ７において、走査線駆動回路１０から３２０行目の走査線Ｙ３２０に第１の選択電圧を供給するのを停止して、走査線Ｙ３２０の電圧を電圧ＶＧＬとする。
【０１５６】
同時に、極性制御信号ＰＯＬを電圧ＶＨＨとして、極性制御信号ＰＯＬをＨレベルとする。すると、単位制御回路Ｐ１，Ｐ３２０は、常に極性制御信号ＰＯＬを取り込むラッチ回路Ｑ１，Ｑ３２０により、Ｈレベルの極性制御信号ＰＯＬ（選択回路ＲＡを用いる場合は、ラッチ回路Ｑ３２０により、Ｌレベルの極性制御信号ＰＯＬ）を取り込んで、選択回路Ｒ１，Ｒ３２０により、電圧ＶＣＯＭＬおよび電圧ＶＣＯＭＨをそれぞれ出力する。このため、単位制御回路Ｐ１に接続された共通線Ｚ１は、電圧ＶＣＯＭＬとなり、単位制御回路Ｐ３２０に接続された共通線Ｚ３２０は、電圧ＶＣＯＭＨとなる。
【０１５７】
次に、時刻ｔ８において、時刻ｔ２と同様に、走査線駆動回路１０から走査線Ｙ１に第１の選択電圧を供給して、走査線Ｙ１の電圧を電圧ＶＧＨとする。すると、単位制御回路Ｐ２は、電圧ＶＣＯＭＨを出力するので、この単位制御回路Ｐ２に接続された共通線Ｚ２は、電圧ＶＣＯＭＨとなる。
【０１５８】
次に、時刻ｔ９において、時刻ｔ３と同様に、走査線駆動回路１０から走査線Ｙ１に第１の選択電圧を供給するのを停止して、走査線Ｙ１の電圧を電圧ＶＧＬとする。
【０１５９】
同時に、時刻ｔ３と同様に、走査線駆動回路１０から走査線Ｙ２に第１の選択電圧を供給して、走査線Ｙ２の電圧を電圧ＶＧＨとする。すると、単位制御回路Ｐ３は、電圧ＶＣＯＭＬを出力するので、この単位制御回路Ｐ３に接続された共通線Ｚ３は、電圧ＶＣＯＭＬとなる。
【０１６０】
次に、時刻ｔ１０において、時刻ｔ４と同様に、走査線駆動回路１０から走査線Ｙ２に第１の選択電圧を供給するのを停止して、走査線Ｙ２の電圧を電圧ＶＧＬとする。
【０１６１】
同時に、時刻ｔ４と同様に、走査線駆動回路１０から走査線Ｙ３に第１の選択電圧を供給して、走査線Ｙ３の電圧を電圧ＶＧＨとする。すると、単位制御回路Ｐ４は、電圧ＶＣＯＭＨを出力するので、この単位制御回路Ｐ４に接続された共通線Ｚ４は、電圧ＶＣＯＭＨとなる。
【０１６２】
また、時刻ｔ４と同様に、単位制御回路Ｐ２は、電圧ＶＣＯＭＨを出力するので、この単位制御回路Ｐ２に接続された共通線Ｚ２は、電圧ＶＣＯＭＨとなる。
【０１６３】
次に、時刻ｔ１１において、時刻ｔ５と同様に、走査線駆動回路１０から走査線Ｙ３に第１の選択電圧を供給するのを停止して、走査線Ｙ３の電圧を電圧ＶＧＬとする。
【０１６４】
同時に、時刻ｔ５と同様に、走査線駆動回路１０から走査線Ｙ４に第１の選択電圧を供給して、走査線Ｙ４の電圧を電圧ＶＧＨとする。すると、単位制御回路Ｐ５は、電圧ＶＣＯＭＬを出力するので、この単位制御回路Ｐ５に接続された共通線Ｚ５は、電圧ＶＣＯＭＬとなる。
【０１６５】
また、時刻ｔ５と同様に、単位制御回路Ｐ３は、電圧ＶＣＯＭＬを出力するので、この単位制御回路Ｐ３に接続された共通線Ｚ３は、電圧ＶＣＯＭＬとなる。
【０１６６】
以降、走査線駆動回路１０から奇数行目の走査線Ｙ（ただし、走査線Ｙ１を除く）に第１の選択電圧を供給すると、時刻ｔ１０のように動作し、偶数行目の走査線Ｙ（ただし、走査線Ｙ３２０を除く）に第１の選択電圧を供給すると、時刻ｔ１１のように動作する。
【０１６７】
尚、本実施形態では、負電源回路を備えず、走査線Ｙに供給される第２の選択電圧が０Ｖであるため、共通線Ｚが電圧ＶＣＯＭＨ（４Ｖ）から電圧ＶＣＯＭＬ（０Ｖ）に変位した際に、それに連動して、当該共通線Ｚに接続された共通電極５６と対になった画素電極５５の電位が０Ｖから−４Ｖに変化すると、当該画素電極５５が接続されたＴＦＴ５１のゲート電位は、０Ｖであるため、画素電極５５からソースにリーク電流が流れてしまうことになる。
【０１６８】
しかし、１水平期間後には、当該ＴＦＴ５１のゲートに接続された走査線に第１の選択電圧が１水平期間供給され、正極性の画像信号（０から４Ｖの電圧）が、データ線駆動回路２０から画素電極５５に供給される。その後、ＴＦＴ５１このように、リーク電流が流れるのは１水平期間のみであるため、リーク電流による影響が小さい。よって、負電源回路を省略し、正電源回路のみで駆動することができ、回路面積削減またはＩＣの削減や、低消費電力化に貢献することができる。
【０１６９】
以上の制御回路３０を備えた液晶装置１の動作について、図７、図８を用いて説明する。
【０１７０】
図７は、液晶装置１の正極性書込時のタイミングチャートである。図８は、液晶装置１の負極性書込時のタイミングチャートである。
【０１７１】
図７、８において、ＧＡＴＥ（ｒ）は、３２０行の走査線Ｙのうちｒ行目（ｒは、１≦ｒ≦３２０を満たす整数）の走査線Ｙｒの電圧であり、ＳＯＵＲＣＥ（ｓ）は、２４０列のデータ線Ｘのうちｓ列目（ｓは、１≦ｓ≦２４０を満たす整数）のデータ線Ｘｓの電圧である。また、ＰＩＸ（ｒ，ｓ）は、ｒ行目の走査線Ｙｒと、ｓ列目のデータ線Ｘｓと、の交差に対応して設けられたｒ行ｓ列目の画素５０が備える画素電極５５の電圧である。また、ＶＣＯＭ（ｒ）は、ｒ行目の共通線Ｚｒに接続された共通電極５６の電圧である。
【０１７２】
まず、液晶装置１の正極性書込時について、図７を用いて説明する。
【０１７３】
時刻ｔ２１において、制御回路３０により、共通線Ｚｒに電圧ＶＣＯＭＬ（０Ｖ）を供給する。すると、共通線Ｚｒに接続された共通電極５６の電圧ＶＣＯＭ（ｒ）は、電圧ＶＣＯＭＨ（４Ｖ）から徐々に低下して、時刻ｔ２２では、電圧ＶＣＯＭＬ（０Ｖ）となる。
【０１７４】
共通線Ｚｒに接続された共通電極５６の電圧ＶＣＯＭ（ｒ）が低下すると、ｒ行ｓ列目の画素５０が備える画素電極５５の電圧ＰＩＸ（ｒ，ｓ）は、前記電圧ＶＣＯＭ（ｒ）の低下分（−４Ｖ）に応じて電圧ＶＣＯＭ（ｒ）と電圧ＰＩＸ（ｒ，ｓ）との電位差を保つように低下する。このため、ｒ行ｓ列目の画素５０が備える画素電極５５の電圧ＰＩＸ（ｒ，ｓ）は、電圧ＶＰ２から徐々に低下して、時刻ｔ２２では、電圧ＶＰ１（（ＶＰ２−４）Ｖ）となる。よって、この時点で、ＴＦＴ５１のドレインは、画素電極５５の負電位、ゲートは、第２の選択電圧の０Ｖ、ソースは、電圧ＶＰ２になるため、ＴＦＴ５１のドレインからソースにリーク電流が流れてしまう。
【０１７５】
しかし、時刻ｔ２３において、走査線駆動回路１０により、走査線Ｙｒに第１の選択電圧が供給される。すると、走査線Ｙｒの電圧ＧＡＴＥ（ｒ）は、上昇して、時刻ｔ２４では、電圧ＶＧＨ（８Ｖ）となる。これにより、走査線Ｙｒに接続されたＴＦＴ５１が全てオン状態となる。したがって、前記リーク電流は流れなくなる。
【０１７６】
時刻ｔ２５において、データ線駆動回路２０により、データ線Ｘｓに正極性の画像信号（０Ｖから４Ｖの信号）を供給する。すると、データ線Ｘｓの電圧ＳＯＵＲＣＥ（ｓ）は、徐々に上昇して、時刻ｔ２６では、０Ｖ以上の電圧ＶＰ３となる。
【０１７７】
データ線Ｘｓの電圧ＳＯＵＲＣＥ（ｓ）は、正極性の画像信号に基づく画像電圧として、走査線Ｙｒに接続されたオン状態のＴＦＴ５１を介して、ｒ行ｓ列目の画素５０が備える画素電極５５に書き込まれる。このため、ｒ行ｓ列目の画素５０が備える画素電極５５の電圧ＰＩＸ（ｒ，ｓ）は、徐々に上昇して、時刻ｔ２６では、データ線Ｘｓの電圧ＳＯＵＲＣＥ（ｓ）と同電位である電圧ＶＰ３となる。
【０１７８】
時刻ｔ２７において、走査線駆動回路１０により、走査線Ｙｒに第１の選択電圧を供給するのを停止する。すると、走査線Ｙｒの電圧ＧＡＴＥ（ｒ）は、低下して、時刻ｔ２８では、電圧ＶＧＬ（０Ｖ）となる。これにより、走査線Ｙｒに接続されたＴＦＴ５１が全てオフ状態となる。
【０１７９】
このとき、走査線Ｙｒの電圧ＧＡＴＥ（ｒ）＜画素電極５５の電圧ＶＰ３であるためドレインからソースへリーク電流は流れない。
【０１８０】
次に、液晶装置１の負極性書込時について、図８を用いて説明する。
【０１８１】
時刻ｔ３１において、制御回路３０により、共通線Ｚｒに電圧ＶＣＯＭＨ（４Ｖ）を供給する。すると、共通線Ｚｒに接続された共通電極５６の電圧ＶＣＯＭ（ｒ）は、電圧ＶＣＯＭＬ（０Ｖ）から徐々に上昇して、時刻ｔ３２では、電圧ＶＣＯＭＨ（４Ｖ）となる。
【０１８２】
共通線Ｚｒに接続された共通電極５６の電圧ＶＣＯＭ（ｒ）が上昇すると、ｒ行ｓ列目の画素５０が備える画素電極５５の電圧ＰＩＸ（ｒ，ｓ）は、前記電圧ＶＣＯＭ（ｒ）の上昇分（４Ｖ）に応じて電圧ＶＣＯＭ（ｒ）と電圧ＰＩＸ（ｒ，ｓ）との電位差を保つように上昇する。このため、ｒ行ｓ列目の画素５０が備える画素電極５５の電圧ＰＩＸ（ｒ，ｓ）は、徐々に上昇して、時刻ｔ３２では、電圧ＶＰ５から電圧ＶＰ６（（ＶＰ５＋４）Ｖ）となる。よって、ＴＦＴ５１のドレインからソースにリーク電流は流れない。
【０１８３】
時刻ｔ３３において、走査線駆動回路１０により、走査線Ｙｒに第１の選択電圧を供給する。すると、走査線Ｙｒの電圧ＧＡＴＥ（ｒ）は、上昇して、時刻ｔ３４では、電圧ＶＧＨ（８Ｖ）となる。これにより、走査線Ｙｒに接続されたＴＦＴ５１が全てオン状態となる。
【０１８４】
時刻ｔ３５において、データ線駆動回路２０により、データ線Ｘｓに負極性の画像信号（４Ｖから０Ｖの信号（前記正極性の画像信号の逆極性の信号））を供給する。すると、データ線Ｘｓの電圧ＳＯＵＲＣＥ（ｓ）は、徐々に低下して、時刻ｔ３６では、電圧ＶＰ４となる。
【０１８５】
データ線Ｘｓの電圧ＳＯＵＲＣＥ（ｓ）は、負極性の画像信号に基づく画像電圧として、走査線Ｙｒに接続されたオン状態のＴＦＴ５１を介して、ｒ行ｓ列目の画素５０が備える画素電極５５に書き込まれる。このため、ｒ行ｓ列目の画素５０が備える画素電極５５の電圧ＰＩＸ（ｒ，ｓ）は、徐々に低下して、時刻ｔ３６では、データ線Ｘｓの電圧ＳＯＵＲＣＥ（ｓ）と同電位である電圧ＶＰ４となる。
【０１８６】
時刻ｔ３７において、走査線駆動回路１０により、走査線Ｙｒに第１の選択電圧を供給するのを停止する。すると、走査線Ｙｒの電圧ＧＡＴＥ（ｒ）は、低下して、時刻ｔ３８では、電圧ＶＧＬとなる。これにより、走査線Ｙｒに接続されたＴＦＴ５１が全てオフ状態となる。
【０１８７】
本実施形態によれば、以下のような効果がある。
【０１８８】
（１）電圧ＶＣＯＭＬを共通線Ｚに供給して、共通電極５６の電圧を電圧ＶＣＯＭＬとした後に、正極性の画像信号をデータ線Ｘに供給して、正極性の画像電圧を画素電極５５に書き込んだ。また、電圧ＶＣＯＭＨを共通線Ｚに供給して、共通電極５６の電圧を電圧ＶＣＯＭＨとした後に、負極性の画像信号をデータ線Ｘに供給して、負極性の画像電圧を画素電極５５に書き込んだ。このため、上述した従来例のように、蓄積容量５３と画素容量５４との間で電荷が移動しないので、蓄積容量５３に特性ばらつきが発生しても、画素電極５５の電圧にばらつきが生じない。よって、表示品位の低下を抑制できる。
【０１８９】
（２）共通電極５６の電圧ＶＣＯＭ（ｒ）を電圧ＶＣＯＭＬまたは電圧ＶＣＯＭＨに変動させた。したがって、蓄積容量５３の一方の電極（補助容量電極５７）の電圧を、共通電極５６と同様に変動させることができるので、蓄積容量５３を画素容量５４と一体に形成できる。よって、液晶を挟持する一対の基板として素子基板６０および対向基板７０のうち素子基板６０に、画素容量５４を構成する画素電極５５および共通電極５６を備える液晶装置１により、本発明の液晶装置を構成できる。
【０１９０】
（３）１水平ラインごとに共通電極５６を分割した。そして、電圧ＶＣＯＭＬと電圧ＶＣＯＭＨとを１水平ラインごとに交互に共通電極５６に供給するとともに、これら共通電極５６の電圧に対応して、正極性の画像信号と、負極性の画像信号とを、１水平ラインごとに交互に各データ線Ｘに供給した。このため、１フレーム内に正極性書込を行った画素５０と負極性書込を行った画素５０とを混在させ、これら画素５０の間でフリッカを相殺させることができるので、表示品位の低下をさらに抑制できる。
【０１９１】
（４）制御回路３０に、３２０行の走査線Ｙ（Ｙ１〜Ｙ３２０）に対応して、３２０個の単位制御回路Ｐ（Ｐ１〜Ｐ３２０）を設け、各単位制御回路Ｐに、ラッチ回路Ｑおよび選択回路Ｒを設けた。よって、制御回路３０により、電圧ＶＣＯＭＬまたは電圧ＶＣＯＭＨのいずれかを選択的に共通電極５６に供給できる。
【０１９２】
（５）単位制御回路Ｐに対応する走査線Ｙに隣接する走査線Ｙに第１の選択電圧が供給されると、ラッチ回路Ｑにより、極性制御信号を保持した。このため、複数の単位制御回路Ｐには、走査線駆動回路１０により複数の走査線Ｙに順次供給される第１の選択電圧に基づいて、極性制御信号が順次保持される。このため、制御回路３０は、複数の単位制御回路Ｐに順次極性制御信号を転送するために、シフトレジスタ回路といった順次転送回路を必要としないので、消費電力を低減できる。
【０１９３】
（６）ラッチ回路Ｑ１，Ｑ３２０により、常に極性制御信号ＰＯＬを取り込むとともに、ラッチ回路Ｑ２〜Ｑ３１９により、隣接する２つの走査線Ｙのうち少なくともいずれかに第１の選択電圧が供給されると、極性制御信号を取り込んだ。このため、走査線駆動回路１０により走査線Ｙ１から走査線Ｙ３２０の順に選択される場合だけでなく、走査線駆動回路１０により走査線Ｙ３２０から走査線Ｙ１の順に選択される場合でも、制御回路３０は、複数の単位制御回路Ｐに順次極性制御信号を転送できる。
【０１９４】
（７）本実施形態では、負電源回路を備えず、走査線Ｙに供給される第２の選択電圧が０Ｖであるため、共通線Ｚが電圧ＶＣＯＭＨ（４Ｖ）から電圧ＶＣＯＭＬ（０Ｖ）に変位した際に、それに連動して、当該共通線Ｚに接続された共通電極５６と対になった画素電極５５の電位が０Ｖから−４Ｖに変化すると、当該画素電極５５が接続されたＴＦＴ５１のゲート電位は、０Ｖであるため、画素電極５５からソースにリーク電流が流れてしまうことになるが、１水平期間後には、当該ＴＦＴ５１のゲートに接続された走査線に第１の選択電圧が供給され、正極性の画像信号が、データ線駆動回路２０から画素電極５５に供給される。このように、リーク電流が流れるのは１水平期間のみであるため、リーク電流による影響が小さい。よって、負電源回路を省略し、正電源回路のみで駆動することができ、回路面積削減またはＩＣの削減や、低消費電力化に貢献することができる。
【０１９５】
＜第２実施形態＞
図９は、本発明の第２実施形態に係る制御回路３０Ａのブロック図である。
【０１９６】
本実施形態では、１行目の走査線Ｙ１に対応して設けられたラッチ回路Ｑ１Ａと、３２０行目の走査線Ｙ３２０に対応して設けられたラッチ回路Ｑ３２０Ａと、の構成が、第１実施形態のラッチ回路Ｑ１，Ｑ３２０とは異なる。その他の構成については、第１実施形態と同様であり、説明を省略する。
【０１９７】
尚、選択回路Ｒに代えて、選択回路ＲＡを用いることもできる。この場合には、第１実施形態の変形例での説明と同様に、偶数行目の走査線Ｙに対応して設けられたラッチ回路Ｑにおいて、第２のインバータ３３を削除して、第１のクロックドインバータ３４から反転して出力された極性制御信号ＰＯＬをそのままに出力するように構成することで、共通線Ｚに電圧ＶＣＯＭＨと電圧ＶＣＯＭＬを交互に出力するように構成するとよい。
【０１９８】
ラッチ回路Ｑ１Ａ，Ｑ３２０Ａは、それぞれ、第１のインバータ３２と、第２のインバータ３３と、第１のクロックドインバータ３４と、第２のクロックドインバータ３５と、第３のインバータ３９と、を備える。
【０１９９】
ラッチ回路Ｑ１Ａが備える第３のインバータ３９の入力端子には、走査線Ｙ１が接続され、ラッチ回路Ｑ３２０Ａが備える第３のインバータ３９の入力端子には、走査線Ｙ３２０が接続されている。これら第３のインバータ３９の出力端子には、第１のインバータ３２の入力端子と、第１のクロックドインバータ３４の反転入力制御端子と、第２のクロックドインバータ３５の非反転入力制御端子と、が接続されている。
【０２００】
このラッチ回路Ｑ１Ａは、以下のように動作する。
【０２０１】
すなわち、走査線Ｙ１に第１の選択電圧が供給されると、ラッチ回路Ｑ１Ａが備える第３のインバータ３９は、Ｌレベルの信号を出力する。このＬレベルの信号は、第１のクロックドインバータ３４の反転入力制御端子に入力されるとともに、第１のインバータ３２で反転され、Ｈレベルの信号として第１のクロックドインバータ３４の非反転入力端子に入力される。このため、第１のクロックドインバータ３４は、オン状態となり、極性制御信号ＰＯＬを反転して出力する。この第１のクロックドインバータ３４から反転して出力された極性制御信号ＰＯＬは、第２のインバータ３３により反転されて出力される。
【０２０２】
また、ラッチ回路Ｑ３２０Ａは、走査線Ｙ３２０に第１の選択電圧が供給されると、上述のラッチ回路Ｑ１Ａと同様に（ただし、選択回路ＲＡを用いる場合は、第１のクロックドインバータ３４から反転して出力された極性制御信号ＰＯＬをそのまま出力するように）動作する。
【０２０３】
以上のように、走査線駆動回路１０により走査線Ｙ１に第１の選択電圧が供給されると、ラッチ回路Ｑ１Ａは、極性制御信号ＰＯＬを取り込み、走査線駆動回路１０により走査線Ｙ３２０に第１の選択電圧が供給されると、ラッチ回路Ｑ３２０Ａは、極性制御信号ＰＯＬを取り込む。
【０２０４】
図１０は、制御回路３０Ａのタイミングチャートである。
【０２０５】
図１０に示す制御回路３０Ａのタイミングチャートでは、図６に示した第１実施形態の制御回路３０のタイミングチャートと比べて、共通線Ｚ１，Ｚ３２０の電圧が変動するタイミングが異なる。
【０２０６】
共通線Ｚ１は、走査線駆動回路１０から走査線Ｙ１に第１の選択電圧を供給すると同時に、電圧が反転する。
【０２０７】
具体的には、時刻ｔ４１において、走査線駆動回路１０から走査線Ｙ１に第１の選択電圧が供給されると同時に、単位制御回路Ｐ１Ａは、ラッチ回路Ｑ１Ａにより、Ｌレベルの極性制御信号ＰＯＬを取り込んで、選択回路Ｒ１により、電圧ＶＣＯＭＨを出力する。このため、単位制御回路Ｐ１Ａに接続された共通線Ｚ１は、電圧ＶＣＯＭＨとなる。また、時刻ｔ４４において、走査線駆動回路１０から走査線Ｙ１に第１の選択電圧が供給されると同時に、単位制御回路Ｐ１Ａは、ラッチ回路Ｑ１Ａにより、Ｈレベルの極性制御信号ＰＯＬを取り込んで、選択回路Ｒ１により、電圧ＶＣＯＭＬを出力する。このため、単位制御回路Ｐ１Ａに接続された共通線Ｚ１は、電圧ＶＣＯＭＬとなる。
【０２０８】
また、共通線Ｚ３２０は、共通線Ｚ１と同様に、走査線駆動回路１０から走査線Ｙ３２０に第１の選択電圧が供給されると同時に、電圧の極性が反転する。
【０２０９】
具体的には、時刻ｔ４３において、走査線駆動回路１０から走査線Ｙ３２０に第１の選択電圧が供給されると同時に、単位制御回路Ｐ３２０Ａは、ラッチ回路Ｑ３２０Ａにより、Ｌレベルの極性制御信号ＰＯＬ（選択回路ＲＡを用いる場合は、ラッチ回路Ｑ３２０Ａにより、Ｈレベルの極性制御信号ＰＯＬ）を取り込んで、選択回路Ｒ３２０により、電圧ＶＣＯＭＬを出力する。このため、単位制御回路Ｐ３２０Ａに接続された共通線Ｚ３２０は、電圧ＶＣＯＭＬとなる。
【０２１０】
また、時刻ｔ４４において、走査線駆動回路１０から走査線Ｙ３２０に第１の選択電圧が供給されると同時に、単位制御回路Ｐ３２０Ａは、ラッチ回路Ｑ３２０Ａにより、Ｈレベルの極性制御信号ＰＯＬを取り込んで、選択回路Ｒ３２０により、電圧ＶＣＯＭＨを出力する。このため、単位制御回路Ｐ３２０Ａに接続された共通線Ｚ３２０は、電圧ＶＣＯＭＨとなる。
【０２１１】
本実施形態によれば、以下のような効果がある。
【０２１２】
（８）図２に示したように、共通電極５６は、１水平ラインごとに分割されている。このため、共通電極５６の電圧が隣接する１水平ラインごとに異なると、これらの間で電界が発生して、液晶の配向や秩序が微妙に変化する場合がある。特に、第１実施形態では、図６で示したように、時刻ｔ６〜ｔ７の期間において、共通線Ｚ３１９の電圧は、電圧ＶＣＯＭＨであり、共通線Ｚ３２０の電圧は、電圧ＶＣＯＭＬである。ここで、時刻ｔ６〜ｔ７の期間は、走査線駆動回路１０により走査線Ｙを選択する期間の３倍の期間に相当する。このため、時刻ｔ６〜ｔ７の期間において、共通線Ｚ３１９に接続された共通電極５６と、共通線Ｚ３２０に接続された共通電極５６と、の間で電界が発生して、液晶の配向や秩序が大きく変化する場合があった。
【０２１３】
そこで、走査線Ｙ３２０に第１の選択電圧が供給されると同時に、共通線Ｚ３２０の電圧の極性を反転させ、共通線Ｚ３１９の電圧と、共通線Ｚ３２０の電圧と、が異なる期間を時刻ｔ４２〜ｔ４３の期間とした。ここで、時刻ｔ４２〜ｔ４３の期間は、走査線駆動回路１０により走査線Ｙを選択する期間の２倍の期間に相当するので、第１実施形態と比べて、共通線Ｚ３１９の電圧と、共通線Ｚ３２０の電圧と、が異なる期間が短い。このため、第１実施形態と比べて、共通線Ｚ３１９に接続された共通電極５６と、共通線Ｚ３２０に接続された共通電極５６と、の間で電界が発生して、液晶の配向や秩序が変化するのを抑制できる。
【０２１４】
＜第３実施形態＞
図１１は、本発明の第３実施形態に係る画素５０Ａの拡大平面図である。
【０２１５】
本実施形態では、画素５０Ａが補助共通線ＺＡおよびコンタクト部５８を備える点が、第１実施形態の画素５０とは異なる。その他の構成については、第１実施形態と同様であり、説明を省略する。
【０２１６】
補助共通線ＺＡは、導電性の金属からなり、１水平ラインごとに分割して設けられた共通電極５６に対応して設けられている。この補助共通線ＺＡは、走査線Ｙに沿って形成されている。
【０２１７】
コンタクト部５８は、導電性の金属からなり、領域５８１において、補助共通線ＺＡと接続され、領域５８２において、共通電極５６および共通線Ｚに接続されている。
【０２１８】
本実施形態によれば、以下のような効果がある。
【０２１９】
（９）１水平ラインごとに分割して設けられた共通電極５６に対応して導電性の金属からなる補助共通線ＺＡを設け、導電性の金属からなるコンタクト部５８を介して、共通電極５６および共通線Ｚと、補助共通線ＺＡと、を接続した。よって、共通電極５６および共通線Ｚの時定数を小さくできる。
【０２２０】
＜変形例＞
なお、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【０２２１】
例えば、上述の各実施形態では、３２０行の走査線Ｙと、２４０列のデータ線Ｘと、を備えるものとしたが、これに限らず、例えば、４８０行の走査線Ｙと、６４０列のデータ線Ｘと、を備えてもよい。
【０２２２】
また、上述の各実施形態では、透過型の表示を行うものとしたが、これに限らず、例えば、バックライト４１からの光を利用する透過型表示と、外光の反射光を利用する反射型表示と、を兼ね備えた半透過反射型の表示を行ってもよい。
【０２２３】
また、上述の各実施形態では、ＴＦＴとして低温ポリシリコンからなるＴＦＴ５１を設けたが、これに限らず、例えばアモルファスシリコンからなるＴＦＴを設けてもよい。
【０２２４】
また、上述の各実施形態では、共通電極５６の上に第２絶縁膜６４を形成し、この第２絶縁膜６４の上に画素電極５５を形成したが、これに限らず、例えば、画素電極５５の上に第２絶縁膜６４を形成し、この第２絶縁膜６４の上に共通電極５６を形成してもよい。
【０２２５】
また、上述の各実施形態では、液晶がＦＦＳモードで動作するものとしたが、これに限らず、例えばＩＰＳモードで動作するものであってもよい。
【０２２６】
また、上述の各実施形態では、共通電極５６を１水平ラインごとに分割して設けたが、これに限らず、例えば、２水平ラインごとや３水平ラインごとに分割して設けてもよい。
【０２２７】
ここで、例えば、共通電極５６を２水平ラインごとに分割して設けた場合には、制御回路３０は、電圧ＶＣＯＭＬと電圧ＶＣＯＭＨとを、各共通電極５６に接続された２つの共通線Ｚごとに、交互に供給する。また、データ線駆動回路２０は、正極性書込と負極性書込とを、共通電極５６に対応する２水平ラインごとに交互に行う。
【０２２８】
＜応用例＞
次に、上述した第１実施形態に係る液晶装置１を適用した電子機器について説明する。
【０２２９】
図１４は、液晶装置１を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに液晶装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、液晶装置１に表示される画面がスクロールされる。
【０２３０】
なお、液晶装置１が適用される電子機器としては、図１４に示すもののほか、パーソナルコンピュータ、情報携帯端末、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した液晶装置が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２３１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶装置のブロック図。
【図２】前記液晶装置が備える画素の拡大平面図。
【図３】前記液晶装置が備える画素の断面図。
【図４】前記液晶装置が備える制御回路のブロック図。
【図５】前記制御回路の選択回路Ｒの変形例を示すブロック図。
【図６】前記液晶装置が備える制御回路のタイミングチャート。
【図７】前記液晶装置の正極性書込時のタイミングチャート。
【図８】前記液晶装置の負極性書込時のタイミングチャート。
【図９】本発明の第２実施形態に係る制御回路のブロック図。
【図１０】前記制御回路のタイミングチャート。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る画素の拡大平面図。
【図１２】従来例に係る液晶装置の正極性書込時のタイミングチャート。
【図１３】従来例に係る液晶装置の負極性書込時のタイミングチャート。
【図１４】上述した液晶装置を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図。
【符号の説明】
【０２３２】
１…液晶装置、１０…走査線駆動回路、１５…正電源回路、２０…データ線駆動回路、３０，３０Ａ…制御回路、３１…ＮＯＲ回路、３２…第１のインバータ、３３…第２のインバータ、３４…第１のクロックドインバータ、３５…第２のクロックドインバータ、３６…インバータ、３７…第１のトランスファゲート、３８…第２のトランスファゲート、３９…第３のインバータ、４１…バックライト、５０…画素、５１…ＴＦＴ、５１１…ゲート電極、５１２…ソース電極、５１３…ドレイン電極、５３…補助容量としての蓄積容量、５４…画素容量、５５…画素電極、５５Ａ…スリット、５６…共通電極、５７…補助容量電極、６０…第１基板としての素子基板、６２…ゲート絶縁膜、６３…第１絶縁膜、６４…第２絶縁膜、６８，７４…ガラス基板、７０…第２基板としての対向基板、７１…遮光膜、７２…カラーフィルタ、３０００…電子機器としての携帯電話機、ＡＡ…液晶パネル、Ａ…表示領域、Ｅ…電界、Ｐ…単位制御回路、ＰＯＬ…極性制御信号、Ｑ…ラッチ回路、Ｒ，ＲＡ…選択回路、ＲＰ…Ｐｃｈトランスファゲート、ＲＮ…Ｎｃｈトランスファゲート、ＶＣＯＭＬ…第１電圧としての電圧、ＶＣＯＭＨ…第２電圧としての電圧、ＶＨＨ…電圧、ＶＬＬ…電圧、Ｘ…データ線、Ｙ…走査線、Ｚ…共通線、ＺＡ…補助共通線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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