(57)【要約】【課題】内部チャンバ内の空間の容量を低減することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１０は、外部チャンバ１３と、該外部チャンバ１３内の空間ＥＳに収容される内部チャンバ１４と、該内部チャンバ１４内の空間ＩＳに処理ガスを供給する処理ガス供給部２３とを備え、外部チャンバ１３内の空間ＥＳはほぼ真空に維持され、内部チャンバ１４は、該内部チャンバ１４内の空間ＩＳを、ステージヒータ１７、エンクロージャ基部１８と画成するエンクロージャ１９を有し、ウエハＷを搬送する搬送アーム１２によって基板を搬出入するとき、エンクロージャ１９は、搬送アーム１２の可動領域から退出するように、エンクロージャ基部１８（ステージヒータ１７）から離間する。【選択図】図２
2008192642.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部チャンバと、該外部チャンバ内の空間に収容される内部チャンバと、該内部チャンバ内の空間に処理ガスを供給するガス供給部とを備え、前記外部チャンバ内の空間は減圧され又は該空間には不活性ガスが充填される基板処理装置において、
前記内部チャンバは、該内部チャンバ内の空間を他の構成部材と画成する可動構成部材を有し、
基板を搬送する搬送アームによって前記基板を搬出入するとき、前記可動構成部材は前記搬送アームの可動領域から退出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記他の構成部材は前記基板を載置する載置台であり、前記可動構成部材は前記載置台を覆う蓋状部材であり、
前記搬送アームによって前記基板を搬出入するとき、前記蓋状部材は前記載置台から離間することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記可動構成部材は前記基板を載置する載置台であり、前記他の構成部材は前記載置台を覆う蓋状部材であり、
前記搬送アームによって前記基板を搬出入するとき、前記載置台は前記蓋状部材から離間することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記可動構成部材及び前記他の構成部材は加熱装置を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ガス供給部は前記内部チャンバ内の空間に連通するガス供給管を有し、該ガス供給管は該ガス供給管を開閉する開閉弁を有し、該開閉弁は前記内部チャンバの近傍に配置されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、特に外部チャンバ及び該外部チャンバに収容される内部チャンバからなる二重構造のチャンバを有する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板としてのウエハから半導体デバイスを製造する半導体製造プロセスでは、処理ガスを用いた化学反応を利用する処理が多用されつつある。化学反応を利用する処理（以下、「化学反応処理」という。）としては、例えば、レジスト膜除去のアッシングの際に損傷した低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）をシリル化ガスによって修復する処理が該当する。
【０００３】
また、半導体製造プロセスでは、従来から真空処理、例えば、エッチング処理、アッシング処理、ＣＶＤ処理が多用されている。これらの真空処理後、該真空処理が施されたウエハを大気中において搬送すると、種々の不具合を引き起こす可能性がある。具体的には、ＣＶＤ処理で形成されたメタル層上に自然酸化によって酸化膜が生じ、該酸化膜が半導体デバイスにおいて導通不良を引き起こす。又は、Ｌｏｗ−ｋ膜が吸湿する。シリル化ガス（例えば、Ｓｉ（ＣＨ３）３−Ｎ（ＣＨ３）２）は水の水酸基（ＯＨ基）と反応して、副反応生成物（Ｓｉ（ＣＨ３）３−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）３）を生成する。該副反応生成物はエッチングによって形成されたトレンチ（溝）やホール（穴）を埋めてしまう。
【０００４】
したがって、特に、真空処理が施されたウエハに続けて化学反応処理を施す場合には、該ウエハを、真空処理後に大気に晒すことなく、真空中や不活性ガス雰囲気中において搬送して化学反応処理用の処理室（チャンバ）に搬入する搬送方法を用いるのが好ましい。
【０００５】
また、従来から内部が真空に維持される外部チャンバと、該外部チャンバ内の空間に収容される内部チャンバからなる二重構造のチャンバを有する基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。この基板処理装置では、外部チャンバ内の空間を真空に維持し且つ内部チャンバ内の空間に処理ガスを導入し、さらに、真空処理を施したウエハを外部チャンバ内の空間において搬送して内部チャンバ内の空間へ搬入することにより、上述した搬送方法を実現することができる。
【特許文献１】特開昭６１−２９１９６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、処理ガスであるシリル化ガスは高価であるため、使用量を低減することが望まれている。すなわち、処理ガスの使用量を可能な限り削減することが求められており、引いては、処理ガスが導入される内部チャンバ内の空間の容量を低減することが求められている。
【０００７】
一方、上述した二重構造のチャンバを有する基板処理装置では、内部チャンバ内の空間にウエハを搬入するために、内部チャンバの側壁にウエハ搬出入口が設けられるか、若しくは、該内部チャンバ上部に配された開口部を開閉可能な上蓋が設けられる。このような内部チャンバでは、ウエハを搬入するために、ウエハを搬送するためのアームをウエハ搬出入口や開口部を経由して内部チャンバ内の空間に進入させる必要がある。このとき、アームと内部チャンバの構成部材との接触を防ぐために、該アームと構成部材とのクリアランスを確保する必要があり、その結果、内部チャンバ内の空間の容量を低減することができないという問題がある。
【０００８】
本発明の目的は、内部チャンバ内の空間の容量を低減することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板処理装置は、外部チャンバと、該外部チャンバ内の空間に収容される内部チャンバと、該内部チャンバ内の空間に処理ガスを供給するガス供給部とを備え、前記外部チャンバ内の空間は減圧され又は該空間には不活性ガスが充填される基板処理装置において、前記内部チャンバは、該内部チャンバ内の空間を他の構成部材と画成する可動構成部材を有し、基板を搬送する搬送アームによって前記基板を搬出入するとき、前記可動構成部材は前記搬送アームの可動領域から退出することを特徴とする。
【００１０】
請求項２記載の基板処理装置は、請求項１記載の基板処理装置において、前記他の構成部材は前記基板を載置する載置台であり、前記可動構成部材は前記載置台を覆う蓋状部材であり、前記搬送アームによって前記基板を搬出入するとき、前記蓋状部材は前記載置台から離間することを特徴とする。
【００１１】
請求項３記載の基板処理装置は、請求項１記載の基板処理装置において、前記可動構成部材は前記基板を載置する載置台であり、前記他の構成部材は前記載置台を覆う蓋状部材であり、前記搬送アームによって前記基板を搬出入するとき、前記載置台は前記蓋状部材から離間することを特徴とする。
【００１２】
請求項４記載の基板処理装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記可動構成部材及び前記他の構成部材は加熱装置を有することを特徴とする。
【００１３】
請求項５記載の基板処理装置は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記ガス供給部は前記内部チャンバ内の空間に連通するガス供給管を有し、該ガス供給管は該ガス供給管を開閉する開閉弁を有し、該開閉弁は前記内部チャンバの近傍に配置されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１記載の基板処理装置によれば、基板を搬送する搬送アームによって基板を搬出入するとき、内部チャンバ内の空間を画成する可動構成部材は搬送アームの可動領域から退出する。したがって、搬送アームと可動構成部材とが接触することがなく、内部チャンバにおいてアームと可動構成部材とのクリアランスを確保する必要がない。その結果、内部チャンバ内の空間の容量を低減することができる。
【００１５】
請求項２記載の基板処理装置によれば、搬送アームによって基板を搬出入するとき、可動構成部材としての蓋状部材は他の構成部材としての載置台から離間する。蓋状部材の移動機構は比較的簡素な構造を有するので、基板処理装置の構成を簡素にすることができる。
【００１６】
請求項３記載の基板処理装置によれば、搬送アームによって基板を搬出入するとき、可動構成部材としての載置台は他の構成部材としての蓋状部材から離間する。蓋状部材には反応生成物が付着することがあるが、該蓋状部材は移動しないので、反応生成物が移動の衝撃で蓋状部材から剥離するのを防止することができ、もって、載置台に載置された基板に異物が付着するのを防止することができる。
【００１７】
請求項４記載の基板処理装置によれば、可動構成部材及び他の構成部材は加熱装置を有する。基板が有する低誘電率絶縁膜の修復処理は熱によって促進される。したがって、低誘電率絶縁膜を迅速に修復することができる。
【００１８】
請求項５記載の基板処理装置によれば、内部チャンバ内の空間に連通するガス供給管において、開閉弁は内部チャンバの近傍に配置される。これにより、開閉弁がガス供給管を閉鎖したとき、ガス供給管における内部チャンバ内の空間に連通する部分の容量を低減することができ、もって、処理ガスの使用量を確実に削減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２０】
まず、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
【００２１】
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。
【００２２】
図１において、基板処理装置１０は、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗを搬送するための搬送室としてのロードロックチャンバ１１に隣接して配置されている。このロードロックチャンバ１１はウエハＷを載置して搬送する後述の搬送アーム１２を有し、ロードロックチャンバ１１内の空間ＬＳは真空に維持されている。
【００２３】
基板処理装置１０は、ロードロックチャンバ１１に接続された筐体状の外部チャンバ１３と、該外部チャンバ１３内の空間ＥＳに収容されている内部チャンバ１４とを備える。外部チャンバ１３内の空間ＥＳは図示しない排気装置によって減圧されており、ほぼ真空に維持されている。また、外部チャンバ１３はその側壁において空間ＬＳ及び空間ＥＳを互いに連通するウエハ搬出入口１５を有する。該ウエハ搬出入口１５はロードロックチャンバ１１が有するスライドバルブ状のゲートバルブ１６によって開閉される。
【００２４】
内部チャンバ１４は、空間ＥＳの下部に配されている円板状部材であって、ヒータ（図示しない）（加熱装置）を内蔵し且つウエハＷを載置する載置台として機能するステージヒータ１７（他の構成部材）と、外部チャンバ１３の底部から立設されてステージヒータ１７の周りを囲むように配されている円環状部材であるエンクロージャ基部１８（他の構成部材）と、ステージヒータ１７及びエンクロージャ基部１８を覆うように配されている円板蓋状部材であるエンクロージャ１９（可動構成部材）とを有する。
【００２５】
ステージヒータ１７には複数のプッシャーピン２１が配されており、該プッシャーピン２１はステージヒータ１７の表面から自在に突出する。また、プッシャーピン２１はウエハＷをその裏面において支持する。プッシャーピン２１がステージヒータ１７に対する最下方に位置する場合であっても、該プッシャーピン２１は若干量だけステージヒータ１７の表面から突出するので、ウエハＷはステージヒータ１７から若干量だけ離間して載置される。
【００２６】
エンクロージャ１９はロッド２０を介して移動機構（図示しない）に接続され、図中の白抜き矢印方向に沿って自在に移動する。ここでの移動機構はエンクロージャ１９のみを移動させればよいため、比較的簡素な構造で実現できる。また、エンクロージャ１９は、その周縁部を囲うように設けられ、エンクロージャ基部１８に向けて突出する円筒状の側壁１９ａを有する。なお、エンクロージャ１９もヒータ（図示しない）（加熱装置）を内蔵する。
【００２７】
エンクロージャ１９がエンクロージャ基部１８と当接する場合、ステージヒータ１７、エンクロージャ基部１８及びエンクロージャ１９は空間ＩＳを画成する。ステージヒータ１７及びエンクロージャ基部１８、エンクロージャ基部１８及びエンクロージャ１９の側壁１９ａ、並びにステージヒータ１７及びプッシャーピン２１の間にはＯリング２２が配されており、空間ＩＳを空間ＥＳから密封する。ここで、空間ＩＳがウエハＷを収容するとき、プッシャーピン２１がステージヒータ１７に対する最下方に位置する。したがって、空間ＩＳの高さを低くすることができ、もって、空間ＩＳの容量を低減することができる。
【００２８】
また、基板処理装置１０は、空間ＩＳに処理ガス及び窒素ガス（Ｎ２ガス）を供給する処理ガス供給部２３と、該空間ＩＳの処理ガスを排気する処理ガス排気部２４とを備える。
【００２９】
処理ガス供給部２３は、外部チャンバ１３の外に設けられたガス供給管２３ａと、該ガス供給管２３ａに設けられ且つ該ガス供給管２３ａを開閉する供給側開閉弁２３ｂと、外部チャンバ１３の壁部及びエンクロージャ基部１８を貫通し、且つエンクロージャ１９に対向して開口するガス供給穴２３ｃとを有する。
【００３０】
ガス供給穴２３ｃ及びガス供給管２３ａは空間ＩＳと連通し、ガス供給穴２３ｃ、供給側開閉弁２３ｂ及びガス供給管２３ａを介して外部のガス供給装置（図示しない）から処理ガスが供給される。処理ガス供給部２３において、供給側開閉弁２３ｂは内部チャンバ１４の近傍、具体的には外部チャンバ１３に隣接するように配置されている。供給側開閉弁２３ｂがガス供給管２３ａを閉鎖したとき、空間ＩＳと連通する部分はガス供給穴２３ｃのみとなる。
【００３１】
処理ガス排気部２４は、外部チャンバ１３の外に設けられたガス排気管２４ａと、該ガス排気管２４ａに設けられ且つ該ガス排気管２４ａを開閉する排気側開閉弁２４ｂと、外部チャンバ１３の壁部及びエンクロージャ基部１８を貫通し、且つエンクロージャ１９に対向して開口するガス排気穴２４ｃとを有する。
【００３２】
ガス排気穴２４ｃ及びガス排気管２４ａは空間ＩＳと連通し、ガス排気穴２４ｃ、排気側開閉弁２４ｂ及びガス排気管２４ａを介して外部の排気装置（図示しない）によって空間ＩＳ内の処理ガスが排気される。処理ガス排気部２４において、排気側開閉弁２４ｂは内部チャンバ１４の近傍、具体的には外部チャンバ１３に隣接するように配置されている。排気側開閉弁２４ｂがガス排気管２４ａを閉鎖したとき、空間ＩＳと連通する部分はガス排気穴２４ｃのみとなる。
【００３３】
ところで通常、Ｌｏｗ−ｋ膜は下記化学式（１）に示す、終端部に有機成分としてメチル基を有する構造を備える。
【００３４】
【化１】
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【００３５】
このＬｏｗ−ｋ膜及びレジスト膜を有するウエハＷにアッシング等によってレジスト膜除去処理を施すと、Ｌｏｗ−ｋ膜の構造が下記化学式（２）に示す構造に変化する（Ｌｏｗ−ｋ膜が損傷する）。
【００３６】
【化２】
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【００３７】
化学式（２）に示す構造では終端部に水酸基が存在し、有機成分が存在しないので、該構造の膜はＬｏｗ−ｋ膜として機能できない。そこで、上記シリル化ガスを用いて終端部の水酸基を有機成分に置換する。具体的には、上記化学式（２）の構造の膜とシリル化ガスとを反応させて下記化学式（３）に示す構造を得る。これにより、Ｌｏｗ−ｋ膜をシリル化ガスによって修復する。
【００３８】
【化３】
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【００３９】
エンクロージャ１９がエンクロージャ基部１８と当接し、且つ空間ＩＳが損傷したＬｏｗ−ｋ膜を有するウエハＷを収容するとき、処理ガス供給部２３から空間ＩＳへシリル化ガス（例えば、Ｓｉ（ＣＨ３）３−Ｎ（ＣＨ３）２）及び窒素ガスが供給される。空間ＩＳにシリル化ガス及び窒素ガスが一定量充填されると、処理ガス供給部２３は供給側開閉弁２３ｂによってガス供給管２３ａを閉鎖すると共に、処理ガス排気部２４は排気側開閉弁２４ｂによってガス排気管２４ａを閉鎖する。これにより、空間ＩＳは封じられ、その圧力は１．３×１０３Ｐａ（１０Ｔｏｒｒ）〜６．６７×１０３Ｐａ（５０Ｔｏｒｒ）に維持される。空間ＩＳ内ではシリル化ガスが上記化学式（２）に示す構造を有する損傷したＬｏｗ−ｋ膜と反応し、該Ｌｏｗ−ｋ膜が修復される。また、シリル化ガスと損傷したＬｏｗ−ｋ膜との反応は熱によって促進されるため、エンクロージャ１９内のヒータ及びステージヒータ１７のヒータはウエハＷを加熱してＬｏｗ−ｋ膜の修復処理を促進させる。そして、一定時間の封じきりの後、処理ガス排気部２４は空間ＩＳ内のシリル化ガス等を排気する。
【００４０】
また、図２に示すように、基板処理装置１０では、搬送アーム１２によってウエハＷを搬出入するとき、エンクロージャ基部１８に当接していたエンクロージャ１９はステージヒータ１７から図中上方へ、搬送アーム１２の可動領域から退出するように離間する。ここでのエンクロージャ１９の上方への移動量は、ウエハＷを搬出入すべくエンクロージャ１９及びステージヒータ１７の間に進入した搬送アーム１２が振れてもエンクロージャ１９に接触しない移動量、例えば、３５ｍｍに設定されている。また、移動しないステージヒータ１７はもとから搬送アーム１２が振れても接触しない位置に配置されている。すなわち、基板処理装置１０では、ウエハＷを搬送アーム１２によって搬出入するときに搬送アーム１２とステージヒータ１７やエンクロージャ１９とが接触することがない。
【００４１】
また、搬送アーム１２からステージヒータ１７へのウエハＷの受け渡しを容易にすべく、プッシャーピン２１がステージヒータ１７の表面から突出する。なお、このときのプッシャーピン２１の突出量はエンクロージャ１９の上方への移動量よりも小さく設定されているため、ウエハＷがエンクロージャ１９の側壁１９ａに隠れることがない。
【００４２】
本実施の形態に係る基板処理装置によれば、上述したように、ウエハＷを搬送アーム１２によって搬出入するときに搬送アーム１２とステージヒータ１７やエンクロージャ１９とが接触することがないので、そもそもステージヒータ１７やエンクロージャ１９が空間ＩＳを画成するときに搬送アーム１２とステージヒータ１７やエンクロージャ１９との接触を考慮する必要がない。その結果、内部チャンバ１４において搬送アーム１２とステージヒータ１７やエンクロージャ１９とのクリアランスを確保する必要がなく、空間ＩＳの容量を低減することができる。なお、本実施の形態では、エンクロージャ１９がエンクロージャ基部１８と当接する場合における空間ＩＳの容量は、例えば、０．４Ｌに設定されている。
【００４３】
上述した基板処理装置１０では、損傷したＬｏｗ−ｋ膜を有するウエハＷが真空に維持されているロードロックチャンバ１１内の空間ＬＳ及びほぼ真空に維持されている外部チャンバ１３内の空間ＥＳにおいて搬送される。したがって、損傷したＬｏｗ−ｋ膜が吸湿することがなく、シリル化ガスを用いるＬｏｗ−ｋ膜の修復処理において副反応生成物が生成されるのを防止することができる。
【００４４】
また、上述した基板処理装置１０では、搬送アーム１２によってウエハＷを搬出入するとき、エンクロージャ１９がエンクロージャ基部１８（ステージヒータ１７）から離間する。エンクロージャ１９の移動機構は比較的簡素な構造を有するので、基板処理装置１０の構成を簡素にすることができる。
【００４５】
上述した基板処理装置１０では、エンクロージャ１９及びステージヒータ１７はヒータを内蔵する。上述したＬｏｗ−ｋ膜の修復処理は熱によって促進される。したがって、損傷したＬｏｗ−ｋ膜を迅速に修復することができる。
【００４６】
また、上述した基板処理装置１０では、空間ＩＳに連通するガス供給管２３ａ及びガス排気管２４ａにおいて、供給側開閉弁２３ｂ及び排気側開閉弁２４ｂは外部チャンバ１３に隣接して配置される。これにより、供給側開閉弁２３ｂ及び排気側開閉弁２４ｂがガス供給管２３ａ及びガス排気管２４ａを閉鎖したとき、シリル化ガスが充填される空間ＩＳと連通する部分はガス供給穴２３ｃ及びガス排気穴２４ｃのみとなる。したがって、空間ＩＳに連通する部分の容量を低減することができ、もって、上述したＬｏｗ−ｋ膜の修復処理においてシリル化ガスの使用量を確実に削減することができる。
【００４７】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
【００４８】
図３は、本実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。
【００４９】
図３において、基板処理装置３０もロードロックチャンバ１１に隣接して配置されている。
【００５０】
基板処理装置３０は、ロードロックチャンバ１１に接続された筐体状の外部チャンバ３１と、該外部チャンバ３１内の空間ＥＳ’に収容されている内部チャンバ３２とを備える。外部チャンバ３１内の空間ＥＳ’はほぼ真空に維持されている。
【００５１】
内部チャンバ３２は、ロッド３３によって支持される円板状部材であって、ヒータ（図示しない）（加熱装置）を内蔵し且つウエハＷを載置する載置台として機能するステージヒータ３４（可動構成部材）と、ステージヒータ３４を覆うように配されている円板蓋状部材であるエンクロージャ３５（他の構成部材）とを有する。
【００５２】
ステージヒータ３４はロッド３３を介して移動機構（図示しない）に接続され、図中の白抜き矢印方向に沿って自在に移動する。また、ステージヒータ３４にはプッシャーピン２１と同様の機能を有する複数のプッシャーピン３６が配されている。
【００５３】
エンクロージャ３５は、複数のロッド３９によって外部チャンバ３１の天井部に釣支されている。また、エンクロージャ３５は、その周縁部を囲うように設けられ、ステージヒータ３４に向けて突出する円筒状の側壁３５ａを有する。なお、エンクロージャ３５もヒータ（図示しない）（加熱装置）を内蔵する。
【００５４】
エンクロージャ３５がステージヒータ３４と当接する場合、ステージヒータ３４及びエンクロージャ３５は空間ＩＳ’を画成する。ステージヒータ３４及びエンクロージャ３５の側壁３５ａ、並びにステージヒータ３４及びプッシャーピン３６の間にはＯリング２２が配されており、空間ＩＳ’を空間ＥＳ’から密封する。
【００５５】
また、基板処理装置３０は、空間ＩＳ’に処理ガス及び窒素ガスを供給する処理ガス供給部３７と、該空間ＩＳ’の処理ガスを排気する処理ガス排気部３８とを備える。
【００５６】
処理ガス供給部３７は、外部チャンバ３１の外に設けられたガス供給管３７ａと、該ガス供給管３７ａに設けられ且つ該ガス供給管３７ａを開閉する供給側開閉弁３７ｂと、外部チャンバ３１の壁部、ロッド３９及びエンクロージャ３５を貫通し、且つステージヒータ３４に対向して開口するガス供給穴３７ｃとを有する。処理ガス供給部３７において、供給側開閉弁３７ｂは外部チャンバ３１に隣接するように配置されている。供給側開閉弁３７ｂがガス供給管３７ａを閉鎖したとき、空間ＩＳ’と連通する部分はガス供給穴３７ｃのみとなる。
【００５７】
処理ガス排気部３８は、外部チャンバ３１の外に設けられたガス排気管３８ａと、該ガス排気管３８ａに設けられ且つ該ガス排気管３８ａを開閉する排気側開閉弁３８ｂと、外部チャンバ３１の壁部、ロッド３９及びエンクロージャ３５を貫通し、且つステージヒータ３４に対向して開口するガス排気穴３８ｃとを有する。処理ガス排気部３８において、排気側開閉弁３８ｂは外部チャンバ３１に隣接するように配置されている。排気側開閉弁３８ｂがガス排気管３８ａを閉鎖したとき、空間ＩＳ’と連通する部分はガス排気穴３８ｃのみとなる。
【００５８】
ステージヒータ３４がエンクロージャ３５と当接し、且つ空間ＩＳ’が損傷したＬｏｗ−ｋ膜を有するウエハＷを収容するとき、処理ガス供給部３７から空間ＩＳ’へシリル化ガス及び窒素ガスが供給される。空間ＩＳ’にシリル化ガス及び窒素ガスが一定量充填されると、空間ＩＳ’は封じられる。このとき、空間ＩＳ’内では上述したＬｏｗ−ｋ膜の修復処理が実行される。また、エンクロージャ３５内のヒータ及びステージヒータ３４のヒータはウエハＷを加熱してＬｏｗ−ｋ膜の修復処理を促進させる。そして、一定時間の封じきりの後、処理ガス排気部３８は空間ＩＳ’内のシリル化ガス等を排気する。
【００５９】
また、図４に示すように、基板処理装置３０では、搬送アーム１２によってウエハＷを搬出入するとき、エンクロージャ３５に当接していたステージヒータ３４はエンクロージャ３５から図中下方へ、搬送アーム１２の可動領域から退出するように離間する。ここでのステージヒータ３４の下方への移動量は、ウエハＷを搬出入すべくステージヒータ３４及びエンクロージャ３５の間に進入した搬送アーム１２が振れてもステージヒータ３４に接触しない移動量に設定されている。また、移動しないエンクロージャ３５はもとから搬送アーム１２が振れても接触しない位置に配置されている。すなわち、基板処理装置３０では、ウエハＷを搬送アーム１２によって搬出入するときに搬送アーム１２とステージヒータ３４やエンクロージャ３５とが接触することがない。
【００６０】
また、搬送アーム１２からステージヒータ３４へのウエハＷの受け渡しを容易にすべく、プッシャーピン３６がステージヒータ３４の表面から突出する。なお、このときのプッシャーピン３６の突出量はエンクロージャ３５の下方への移動量よりも小さく設定されているため、ウエハＷがエンクロージャ３５の側壁３５ａに隠れることがない。
【００６１】
本実施の形態に係る基板処理装置によれば、上述したように、ウエハＷを搬送アーム１２によって搬出入するときに搬送アーム１２とステージヒータ３４やエンクロージャ３５とが接触することがないので、内部チャンバ３２において搬送アーム１２とステージヒータ３４やエンクロージャ３５とのクリアランスを確保する必要がなく、空間ＩＳ’の容量を低減することができる。
【００６２】
また、基板処理装置３０では、搬送アーム１２によってウエハＷを搬出入するとき、ステージヒータ３４がエンクロージャ３５から離間する。エンクロージャ３５には上述したＬｏｗ−ｋ膜の修復処理において副反応生成物が付着することがあるが、該エンクロージャ３５は移動しないので、副反応生成物が移動の衝撃でエンクロージャ３５から剥離するのを防止することができ、もって、ステージヒータ３４に載置されたウエハＷに副反応生成物が異物として付着するのを防止することができる。
【００６３】
上述した各実施の形態では、内部チャンバ１４（３２）内の空間ＩＳ（ＩＳ’）にシリル化ガスを供給して、化学反応処理として上述したＬｏｗ−ｋ膜の修復処理を実行したが、実行される化学反応処理はこれに限られない。例えば、臭化水素ガスのプラズマを用いてポリシリコン層をエッチングする際に生じるＳｉＯＢｒ層を弗化水素ガスによって除去する処理（ＨＴＳ処理）を実行してもよい。このとき、空間ＩＳ（ＩＳ’）には弗化水素ガスが供給されるが、弗化水素ガスは腐食性ガスであり、空間ＩＳ（ＩＳ’）から外部へ流出すると該外部に存在するものを腐食する等の不具合を引き起こす可能性がある。しかしながら、基板処理装置１０（３０）では弗化水素ガスが外部チャンバ１３（３１）内の空間ＥＳ（ＥＳ’）に収容されている内部チャンバ１４（３２）の空間ＩＳ（ＩＳ’）に供給されるのみなので、例え、空間ＩＳ（ＩＳ’）から弗化水素ガスが漏れたとしても、空間ＥＳ（ＥＳ’）に漏れるに過ぎず、外部へ漏れることがない。したがって、ガス漏れに対する安全性を確保することができる。
【００６４】
また、上述した各実施の形態では、ロードロックチャンバ１１内の空間ＬＳは真空に維持され、且つ外部チャンバ１３（３１）内の空間ＥＳ（ＥＳ’）はほぼ真空に維持されているが、空間ＬＳや空間ＥＳ（ＥＳ’）に不活性ガスが充填されていてもよい。このときも、搬送されるウエハＷにおいて損傷したＬｏｗ−ｋ膜は吸湿することがなく、その結果、副反応生成物が生成されるのを防止することができる。
【００６５】
また、供給側開閉弁２３ｂ（３７ｂ）及び排気側開閉弁２４ｂ（３８ｂ）は内部チャンバ１４（３２）に隣接するように配置されていてもよい。
【００６６】
なお、上述した実施の形態では、基板が半導体ウエハＷであったが、基板はこれに限られず、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）やＦＰＤ（Flat Panel Display）等のガラス基板であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図１におけるエンクロージャがエンクロージャ基部（ステージヒータ）から離間した状態を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図４】図３におけるステージヒータがエンクロージャから離間した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
Ｗ  ウエハ
ＥＳ，ＥＳ’，ＬＳ，ＩＳ，ＩＳ’  空間
１０，３０  基板処理装置
１２  搬送アーム
１３，３１  外部チャンバ
１４，３２  内部チャンバ
１７，３４  ステージヒータ
１８  エンクロージャ基部
１９，３５  エンクロージャ
２１，３６  プッシャーピン
２３，３７  処理ガス供給部
２３ａ，３７ａ  ガス供給管
２３ｂ，３７ｂ  供給側開閉弁
２４，３８  処理ガス排気部
２４ａ，３８ａ  ガス排気管
２４ｂ，３８ｂ  排気側開閉弁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2008192642.tif 000009