(57)【要約】【課題】コントラストを低下させることなく、残像焼付きを充分に防止することが可能な液晶表示装置および電子機器を提供する。【解決手段】対向配置された駆動基板１０および対向基板２０と、駆動基板１０と対向基板２０の対向面側にそれぞれ配置された配向膜１５，２５と、配向膜１５，２５を介して駆動基板１０と対向基板２０との間に挟持された液晶層ＬＣとを備えている。そして特に、各配向膜１５，２５は、抵抗値が異なる膜で構成されていることとする。また各配向膜に異なる材質を用いる構成も例示される。【選択図】図２
2008233713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第１基板および第２基板と、当該第１基板と第２基板の対向面側にそれぞれ配置された配向膜と、当該配向膜を介して前記第１基板と第２基板との間に挟持された液晶層とを備えた液晶表示装置において、
前記各配向膜は、異なる物性を有するように構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記各配向膜は、抵抗値が異なる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１記載の表示装置において、
前記第１基板上における前記配向膜の下方に画素電極と共通電極とが設けられ、
前記第２基板に配置された配向膜の抵抗値が、前記第１基板に配置された配向膜の抵抗値よりも低い
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記各配向膜は、ダイヤモンドライクカーボン膜からなる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記１対の配向膜は、異なる材質で構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記第１基板上における前記配向膜の下方に画素電極と共通電極とが設けられ、
前記第１基板に配置された配向膜がダイヤモンドライクカーボンからなり、
前記第２基板に配置された配向膜がポリイミドからなる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
対向配置された第１基板および第２基板と、当該第１基板と第２基板の対向面側にそれぞれ配置された配向膜と、当該配向膜を介して前記第１基板と第２基板との間に挟持された液晶層とを備えた液晶パネルを有する電子機器において、
前記各配向膜は、異なる物性を有するように構成されている
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置および電子機器に関し、特には残像および焼付き等の表示不良を低減化した高画質な液晶表示装置および、これを用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一対の基板間に液晶層を充填してなる液晶表示装置においては、各基板の液晶層に向かう面に上に液晶層を構成する液晶分子の配向を制御するための駆動電極がパターン形成され、さらに駆動電極を覆う状態で配向膜が設けられている。配向膜は、駆動電極のスイッチングによって液晶層に印加する電界を制御して液晶分子の長軸を基板と平行に配向させる際、液晶分子の倒れる方向が基板の全面において揃うように膜表面が構成されている。
【０００３】
このような配向膜は、例えば、ポリイミド膜にラビング処理やイオンビーム処理を施してなるものや、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜にイオンビーム処理を施してなるものが用いられている。またこの他にも、斜方蒸着によって成膜された酸化シリコン膜なども用いられている。また、一般的には、各基板に設けられる配向膜は、例えばポリイミド膜であればラビング方向を反平行にして用いられている。
【０００４】
以上のような構成の液晶表示装置においては、残像、画像焼付きといった表示不良が生じる場合がある。これは、ある一定時間一定の画像を表示させ別の画像に切替えた際、前の画像が切替え後の画像に残像焼付きとして表示されてしまう現象である。このような残像焼付きは様々な要因によって発生するが、その１つに誘電体である液晶層や配向膜などの界面に電荷が蓄積される界面分極現象がある。このような界面分極現象により、画像切替え後も誘電体の界面に蓄積された電荷がそのまま残り、液晶分子に影響を及ぼして残像焼付き現象が発生するのである。
【０００５】
そこで、液晶層の誘電率と比抵抗との積と、配向膜の誘電率と比抵抗との積とを、おおむね近似させることにより、界面分極を抑えて画像焼付きを防止する構成が提案されている。また、配向膜の表面抵抗の値を３．３×１０11［Ω／□］以上、２．５×１０18［Ω／□］以下とすることにより、界面分極の緩和を早めて画像焼付きを防止する構成も提案されている（以上、例えば、下記特許文献１参照）。
【０００６】
以上の他にも、ＤＬＣ（Diamond−Like Carbon）膜を配向膜として用い、このＤＬＣ配向膜の表面抵抗を１×１０12（Ω／□）以上、１×１０16（Ω／□）以下とすることにより、界面分極の緩和を早めて残像焼付きを低減化する構成が提案されている。ＤＬＣ配向膜であれば、上述した範囲の表面抵抗の配向膜を、均一な膜厚で形成して輝度ムラを防止しつつ、かつ光透過率を高く保って形成することができるため、残像焼付きを低減化した液晶表示装置の実現が可能であるとしている（以上、下記特許文献２参照）。
【０００７】
【特許文献１】特許３２１１５８１号公報
【特許文献２】特開平２００６−２８４８８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、同一基板上に画素電極と共通電極とを用いた横電界方式の液晶表示装置においては、上述したような残像焼付きの防止を目的として配向膜の抵抗を下げすぎると、配向膜で覆われた画素電極−共通電極でリークが発生する。このため、液晶分子の配向を保持できなくなるフリッカー現象が起こり、液晶パネル全体の光透過率が低くなりコントラストを低下させる要因となる。またこのような問題は、電極間隔が小さくなる高画質パネルではより顕著になる。
【０００９】
さらに、ＤＬＣ膜であっても、低抵抗化するほど膜中におけるＣ＝Ｃ結合の含有率が増加して光透過率が低下するため、コントラストを低下させる要因となる。
【００１０】
以上から、特に横電界方式に液晶表示装置においては、配向膜の低抵抗化による残像焼付きの抑制には限界があった。これはＰＩ配向膜を用いた場合であっても同様である。
【００１１】
そこで本発明は、コントラストを低下させることなく、残像焼付きを充分に防止することが可能な液晶表示装置、および電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような目的を達成するための本発明の液晶表示装置は、対向配置された第１基板および第２基板と、当該第１基板と第２基板の対向面側にそれぞれ配置された配向膜と、当該配向膜を介して前記第１基板と第２基板との間に挟持された液晶層とを備えている。そして特に、各配向膜は、異なる物性を有するように構成されているところが特徴的である。また本発明は、上記構成の液晶パネルを備えた電子機器でもある。
【００１３】
異なる物性の配向膜としては、同一の材質からなり抵抗値が異なる膜、異なる材質からなる膜などが例示される。このような構成とすることにより、以降の実施形態で詳細に説明するように、液晶層に印加される電圧を切り替えた場合においての、液晶層に残留する直流（ＤＣ）成分（すなわち残留電圧）の緩和時間を短くできることがわかった。
【００１４】
例えば、各配向膜の表面抵抗を異なるようにすることで、残留電圧の緩和時間が短くなる。これにより、電極を配置する側の配向膜の抵抗値を高く保つことができるため、電極間リークによるフリッカー現象を防止して液晶パネルの光透過率が確保される。また、表面抵抗値の制御が可能なダイヤモンドライクカーボンを用いた配向膜とした場合であれば、一方の配向膜中におけるＣ＝Ｃ結合を少なくして抵抗値を高く保つことで、当該配向膜の光透過性が維持される。
【００１５】
また例えば、各配向膜を異なる材質で構成する場合であれば、例えば電極を配置する側にダイヤモンドライクカーボンからなる配向膜を用い、もう一方をポリイミドからなる配向膜とする。これにより電極を配置する側のダイヤモンドライクカーボンからなる配向膜中におけるＣ＝Ｃ結合を少なくして抵抗値を高く保つことで、当該配向膜の光透過性が維持される。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように本発明によれば、液晶パネルにおける光透過率を維持しつつも、液晶層においての残留電圧の緩和時間を短くできるため、コントラストが良好でかつ残像焼付きを防止した液晶表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明に係る液晶表示装置を図面に基づいて説明する。なお、各実施形態においては、アクティブマトリックス駆動を行う横電界方式の液晶表示装置に本発明を適用した構成を説明する。
【００１８】
＜表示装置のパネル構成＞
図１は、各実施形態に共通するアクティブマトリックス駆動の液晶表示装置１においてのパネル構成の一例を示す図である。
【００１９】
図１に示すように、この液晶表示装置１は、駆動基板１０を備えている。駆動基板１０には、表示領域１０ａとその周辺領域１０ｂとが設定されている。
【００２０】
表示領域１０ａには、複数の走査線３と複数の信号線５とが縦横に配線されており、それぞれの交差部に対応して１つの画素が設けられた画素アレイ部として構成されている。各画素に設けられる画素回路は、例えば画素電極１１、薄膜トランジスタＴｒ、および保持容量Ｃｓで構成されている。また画素電極１１間には、全画素に共通の共通電極１３が配置されている。
【００２１】
一方、また周辺領域１０ｂには、走査線３を走査駆動する走査線駆動回路７と、輝度情報に応じた映像信号（すなわち入力信号）を信号線５に供給する信号線駆動回路９とが配置されている。
【００２２】
以上のようなパネル構成においては、走査線駆動回路７による駆動により、薄膜トランジスタＴｒを介して信号線５から書き込まれた映像信号が保持容量Ｃｓに保持され、保持された信号量に応じた電圧が画素電極１１に供給される。そして、保持容量Ｃｓの他方の電極に接続された共通電極１３にはコモン電位Ｖcomが印加される。これにより、画素電極１１と共通電極１３との間に印加された電圧によって発生させた電界に応じて、液晶層を構成する液晶分子が基板面内において所定角度で回転して表示光の光透過が制御される。
【００２３】
尚、以上のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数のトランジスタを設けて画素回路を構成しても良い。また、周辺領域１０ｂには、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路が追加される。
【００２４】
＜第１実施形態＞
図２は、第１実施形態の液晶表示装置１ａの主要部として表示領域における1画素分の断面構成を示す図である。この図に示すように、液晶表示装置１ａは、上述した駆動基板１０と、これに対向配置された対向基板２０と、これらの基板１０−２０間に挟持された液晶層ＬＣを備えている。
【００２５】
駆動基板１０における液晶層ＬＣ側には、ここでの図示は省略したが、上述した薄膜トランジスタＴｒ、保持容量Ｃｓ、さらにはこれらを接続する配線が設けられ、これらを覆う平坦化絶縁膜上に画素電極１１とこれを挟んだ両側に共通電極１３が設けられている。そして、画素電極１１および共通電極１３を覆う状態で、液晶層ＬＣに接して配向膜１５が配置されている。この配向膜１５は、ＤＬＣ（Diamond−Like Carbon）膜に対してイオンビーム照射によって配向処理を施してなる、いわゆるＤＬＣ配向膜であることとする。
【００２６】
特に、駆動基板１０側の配向膜１５は、画素電極１１および共通電極１３を覆う膜であるため、これらの電極間のリークを防止できる程度に充分に高い抵抗値を示すように膜質が調整されていることが重要である。特に、１つの画素内に画素電極１１と共通電極１３とが密な状態で交互に配置される櫛歯状電極においては、電極１１−１３間のリークが発生しやすいため、重要である。このような配向膜１５の抵抗値は、１Ｅ+１４［Ω/□］以上であれば良い。尚、配向膜１５の抵抗値の上限は、この液晶表示装置１ａが良好に駆動される範囲であれば良く、例えば１Ｅ+２０［Ω/□］以下の範囲で有れば良い。
【００２７】
一方、対向基板２０における液晶層ＬＣ側には、各画素部分を開口する形状のブラックマトリックス２１と、各画素部分に対応して設けられたカラーフィルタ２３とが設けられている。そして、ブラックマトリックス２１およびカラーフィルタ２３を覆う状態で、液晶層ＬＣに接して配向膜２５が配置されている。この配向膜２５も、ＤＬＣ配向膜であることとする。
【００２８】
また特に、対向基板２０側の配向膜２５は、駆動基板１０側のＤＬＣと比較して表面抵抗値の低い低抵抗配向膜２５であることとする。このような低抵抗配向膜２５の抵抗値は、液晶表示装置１の輝度が充分に保たれる程度の値であることとする。つまり、ＤＬＣ膜においては、抵抗値が高いほど膜中におけるＣ＝Ｃ結合の含有量が少なく、光透過率が大きいため、液晶表示装置１ａの輝度に対して有利なのである。このような低抵抗配向膜２５の抵抗値は、配向膜１５の表面抵抗を上記の範囲で固定した状態において、例えば５Ｅ+１２［Ω/□］以上、１Ｅ+１５［Ω/□］以下の範囲において、配向膜１５よりも低い値に設計するのが望ましい。
【００２９】
ここで、配向膜１５，２５を構成するＤＬＣ膜の成膜は、スパッタリング法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって行われる。そして、上述した配向膜１５，２５の抵抗値は、これらの配向膜を構成するＤＬＣ膜を成膜する際の成膜条件によって制御される。
【００３０】
例えば、スパッタリング法によるＤＬＣ膜の成膜は、カソード(陰極)とアノード(陽極)との間で不活性ガスのＡｒとＨ2ガスとをグロー放電させてＡｒ+プラズマを形成し、Ａｒ+プラズマで炭素（Ｃ）ターゲットをスパッタすることにより、基板にａ-Ｃ：Ｈを生成していく成膜法である。このスパッタリング法においては、ＡｒとＨ2ガス流量の割合によって成膜するＤＬＣ膜の抵抗値を制御することが可能であり、Ｈ2ガスの流量比を減少させることにより、抵抗値の低いＤＬＣ膜を得ることができる。また、プロセス中の圧力制御によっても成膜するＤＬＣ膜の抵抗値を制御することが可能であり、ガス圧力を下げることにより抵抗値の低いＤＬＣ膜を得ることができる。
【００３１】
また、ＣＶＤ法によるＤＬＣ膜の成膜は、一般的な高周波放電プラズマＣＶＤ法が適用される。この場合、成膜雰囲気内に導入したＣＨ4やＣ2Ｈ4などの炭化水素ガスをＲＦ放電によりプラズマ化し、電極上に置かれた基板上にａ-Ｃ：Ｈを蒸着させるものである。このＣＶＤ法においては、ＲＦ Power densityによって成膜するＤＬＣ膜の抵抗値を制御することが可能であり、ＲＦ Power densityを大きくすることにより、抵抗値の低いＤＬＣ膜を得ることができる。また、ＣＨ4とＣ2Ｈ4との流量比によっても成膜するＤＬＣ膜の抵抗値を制御することが可能であり、Ｃ2Ｈ4の流量比を大きくすることにより、抵抗値の低いＤＬＣ膜を得ることができる。
【００３２】
以上のような配向膜１５−２５間に挟持された液晶層ＬＣは、正の誘電異方性を有する液晶分子ｍを用いて構成されている。
【００３３】
またここでの図示は省略したが、少なくとも対向基板２０の外側、あるいは駆動基板１０および対向基板２０の外側に偏光板を配置して液晶表示装置（液晶パネル）１ａが構成されている。
【００３４】
このような液晶表示装置１ａの駆動は、次のように行われる。すなわち画素電極１１と共通電極１３とに電圧を印加しない電圧無印加状態においては、配向膜１５，２５の配向方向に液晶分子ｍの長軸がそろえられる。一方、画素電極１１と共通電極１３とに電圧を印加した状態にいては、画素電極１１−共通電極１３間に横電界が発生し、この横電界の方向に液晶分子の長軸がそろえられる。このような液晶分子ｍの配向方向のスイッチングによって、液晶層ＬＣおよび偏光板に対する光の通過が制御され、黒表示および白表示が行われる。
【００３５】
以上説明した液晶表示装置１ａにおいては、画素電極１１および共通電極１３が設けられる駆動基板１０側の配向膜１５に対して、導電層が設けられていない対向基板２０側の配向膜の抵抗値が低くなるように、配向膜１５，２５の物性が異なる構成とした。これにより、次のシミュレーション結果から明らかなように、液晶層ＬＣに印加される電圧を切り替えた場合においての、液晶層ＬＣにおける残留電圧の緩和時間を短くできることがわかった。
【００３６】
図３には、液晶層ＬＣにおける残留電圧の緩和時間をシミュレーションした際の計算モデルを示す。液晶表示装置１ａを構成する各構成要素の材料定数は、下記表１の通りである。尚、配向膜１５，２５の直下には下地絶縁膜を設けたが、この下地絶縁膜の図示は省略している。
【表１】
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【００３７】
このようなモデルの液晶表示装置１ａにおいて、画素電極１１−共通電極１３間に５００ｍＶの直流電圧（ＤＣ）を３００秒間印加し、その後電圧を０ｍＶに切り替えた場合に、液晶層ＬＣのある位置間の残留電圧が１０ｍＶ以下になるまでに要した時間を、残留電圧の緩和時間として計算した。
【００３８】
図４には、対向基板側の配向膜（ＤＬＣ）の表面抵抗がそれぞれの値である場合においての、駆動基板側の配向膜（ＤＬＣ）の表面抵抗に対する残留電圧の緩和時間の依存性を示す。
【００３９】
この図４から、液晶層の残留電圧の緩和時間は、駆動基板側の配向膜（ＤＬＣ）の表面抵抗には依存しないことが分かる。また、液晶層の残留電圧の緩和時間は、対向基板側の配向膜（ＤＬＣ）の表面抵抗を１Ｅ＋１５［Ω／□］以下とすることにより、効果的に短縮されることがわかる。
【００４０】
また、図５には、駆動基板側の配向膜（ＤＬＣ）の表面抵抗がそれぞれの値である場合においての、対向基板側の配向膜（ＤＬＣ）の表面抵抗に対する残留電圧の緩和時間の依存性を示す。
【００４１】
この図５からも、液晶層の残留電圧の緩和時間は、駆動基板側の配向膜（ＤＬＣ）の表面抵抗には依存せず、対向基板側の配向膜（ＤＬＣ）の表面抵抗を１Ｅ＋１５［Ω／□］以下とすることにより、効果的に短縮されることがわかる。
【００４２】
以上から、残留電圧の緩和時間を短縮して残像焼付きを防止するためには、駆動基板側の配向膜（ＤＬＣ）の表面抵抗をあえて下げなくても、対向基板側の配向膜（ＤＬＣ）の表面抵抗のみを下げれば良いことがわかる。
【００４３】
次に、図６には、液晶パネルの光透過率をシミュレーションした際の計算モデルを示す。液晶表示装置１ａを構成する各構成要素の材料定数は、上記表１と同様である。
【００４４】
このようなモデルの液晶表示装置１ａにおいて、共通電極１１に対して周波数２５Ｈｚ、振幅±７Ｖ、パルス幅２０ｍｓｅｃの交流電圧（ＡＣ）を印加する。一方、画素電極にソース／ドレインが接続されたトランジスタのゲートに対しては、周波数２５Ｈｚ、充分に書込める振幅およびパルス幅をもった電圧を印加し、液晶表示装置１ａを駆動させた。
【００４５】
以上のような駆動によって実際に液晶層にかかる電圧を計算し、その電圧での液晶分子のダイレクタ分布からブラックマトリックス間においての光透過率を計算した。
【００４６】
図７には、計算によって得られた配向膜の表面抵抗に対する液晶パネルの光透過率の依存性を示す。
【００４７】
この図７から、対向基板側と駆動基板側の配向膜（ＤＬＣ）における表面抵抗が同一値である場合には、表面抵抗が１Ｅ＋１４［Ω/□］よりも低い値で透過率が下がり始める。これに対して、対向基板側または駆動基板側の一方の配向膜（ＤＬＣ）における表面抵抗をそれぞれ１Ｅ＋１５［Ω/□］に固定し、他方の表面抵抗を１Ｅ＋１１［Ω/□］にまで下げた場合は、２つの配向膜の表面抵抗を同一値で低下させた場合よりも、光透過率の低下が抑えられていることが分かる。
【００４８】
さらに、駆動基板側の配向膜（ＤＬＣ）における表面抵抗を１Ｅ＋１５［Ω/□］に固定し、対向基板側の配向膜（ＤＬＣ）における表面抵抗を下げる場合が、最も光透過率の低下が抑えられることが分かる。
【００４９】
このことから、残像焼付き対策において、配向膜（ＤＬＣ）の低抵抗化を図る場合、対向電極側の配向膜のみを低抵抗化することで、液晶パネルの光透過率が確保されることが分かる。これは、図２を参照すると、画素電極１１や共通電極１３が配置される駆動基板１０側の配向膜１５をある程度の抵抗値に保つことにより、電極１１−１３間のリークによるフリッカー現象が防止され、パネル全体の光透過率が維持されているためである。
【００５０】
以上より、残留電圧の緩和時間を短縮して残像焼付きを防止するために対向基板２０側の配向膜２５の表面抵抗のみを下げる場合、駆動基板１０側の配向膜１５の表面抵抗は電極１１−１３間にリークが起こらない程度の値に保つことで、液晶パネルにおける光透過率も維持できることが確認された。
【００５１】
図８には、液晶表示装置1ａにおいての配向膜（ＤＬＣ）の表面抵抗毎の残像時間を示す。配向膜（ＤＬＣ）の表面抵抗［Ω/□］は、対向基板側／駆動基板側＝１Ｅ＋１３／１Ｅ＋１３，１Ｅ＋１３／１Ｅ＋１５，１Ｅ＋１５／１Ｅ＋１５とした。５分残像検査を行い、残像が消滅するまでの時間を残像時間としてプロットした検査結果を示す。
【００５２】
この図８から、対向基板側の配向膜（ＤＬＣ）のみを低抵抗化した場合であっても、駆動基板側および対向基板側の配向膜（ＤＬＣ）の両方を低抵抗化した場合と同程度かそれ以下にまで残像時間を短縮できることが確認された。
【００５３】
以上の結果、対向基板２０側を低抵抗配向膜２５としてその表面抵抗のみを低下させた第１実施形態の構成の液晶表示装置１ａは、駆動基板１０側および対向基板２０側の配向膜１５，２５の両方を低抵抗化した場合と同程度かそれ以下にまで残像時間を短縮でき、かつ駆動基板１０側の配向膜１５で覆われた電極１１−１３間でのリークを防止して液晶パネルの光透過率が維持されることが確認された。特に、１つの画素内に画素電極１１と共通電極１３とが密な状態で交互に配置される櫛歯状電極においては、電極１１−１３間のリークが発生しやすいため、このように駆動基板１０側の配向膜１５の抵抗値を設定できることは、有効である。そしてこのような液晶表示装置１ａにおいては、コントラストが良好でかつ残像焼付きが防止された、高性能な表示を行うことが可能である。
【００５４】
尚、対向基板２０側の配向膜（ＤＬＣ）２５自体は、低抵抗化によって光透過率が低下するが、一方の配向膜２５のみの低抵抗化であれば、両方の配向膜１５，２５を低抵抗化するよりも液晶パネル全体としての光透過率が大きく低下することを防止できる。
【００５５】
尚、図９には、液晶層ＬＣの比抵抗に対する、液晶層における残留電圧の緩和時間の依存性を示す。配向膜１５，２５の表面抵抗は、１Ｅ＋１６［Ω/□］および１Ｅ＋１５［Ω/□］の同一値に設定した。計算モデルは図３、液晶表示装置１ａを構成する各構成要素の材料定数は表１と同様であり、画素電極１１−共通電極１３間に５００ｍＶの直流電圧を３００秒間印加し、その後電圧を０ｍＶに切り替えた場合に、液晶層ＬＣのある位置間の残留電圧が１０ｍＶ以下になるまでにかかった時間を、残留電圧の緩和時間として計算した。この図９から、残留電圧の緩和時間は、液晶層ＬＣの比抵抗には依存しないことが明確である。
【００５６】
＜第２実施形態＞
図１０は、第２実施形態の液晶表示装置１ｂの主要部として表示領域における1画素分の断面構成を示す図である。この図に示す液晶表示装置１ｂが、図２を用いて説明した液晶表示装置１ａと異なるところは、配向膜１７，２７がそれぞれ異なる材料で構成されていることにより、配向膜１７，２７の物性が異なる構成となっているところにあり、他の構成は同様であることとする。
【００５７】
先ず、駆動基板１０側の配向膜１７は、ＤＬＣ膜に対してイオンビーム照射によって配向処理を施してなる、いわゆるＤＬＣ配向膜であることとする。このＤＬＣ配向膜１７は、第１実施形態で説明した駆動基板１０側の配向膜（１５）と同様に設計されていて良い。
【００５８】
一方、対向基板２０側の配向膜２７は、ここでは例えば、ポリイミド膜に対してラビングまたはイオンビーム照射による配向処理を施してなる、いわゆるＰＩ配向膜であることとする。このＰＩ配向膜２７は、一般的なＰＩ配向膜と同様のものであって良く、周知の技術手段によって形成される。
【００５９】
このような液晶表示装置１ｂの駆動も、第１実施形態の液晶表示装置と同様に行われる。
【００６０】
以上のような構成の液晶表示装置１ｂにおいては、次のシミュレーション結果から明らかなように、液晶層ＬＣに印加される電圧を切り替えた場合においての、液晶層ＬＣにおける残留電圧の緩和時間を短くできることがわかった。
【００６１】
先ず、前出の図３と同様の計算モデルにより、第１実施形態と同様に液晶層ＬＣのある位置間の残留電圧が１０ｍＶ以下になるまでに要した時間を、残留電圧の緩和時間として計算した。ＰＩ配向膜の材料定数は、膜厚１２０ｎｍ、比誘電率（ε）２．００、表面抵抗１Ｅ＋２０［Ω／□］とした。
【００６２】
図１１には、先の図４の結果に合わせて、対向基板側の配向膜がＰＩからなる場合においての、駆動基板側の配向膜（ＤＬＣ）の表面抵抗に対する残留電圧の緩和時間の依存性を示す。
【００６３】
この図１１から、対向基板側の配向膜がＰＩからなる場合には、対向基板側の配向膜がＤＬＣからなる場合と比較して、液晶層における残留電圧の緩和時間が短縮されることがわかる。しかも、対向基板側の配向膜がＰＩからなる場合であっても、液晶層における残留電圧の緩和時間は、駆動基板側の配向膜（ＤＬＣ）の表面抵抗には依存しないことも確認された。
【００６４】
また、図１２には、先の図５の結果に合わせて、駆動基板側の配向膜がＰＩからなる場合においての対向基板側の配向膜（ＤＬＣ）の表面抵抗に対する残留電圧の緩和時間の依存性を示す。さらに、駆動基板側の配向膜がＰＩからなる場合において、対向基板側の配向膜もＰＩからなるものとし、この対向基板側の配向膜の表面抵抗に対する残留電圧の緩和時間の依存性も合わせて破線で示した。
【００６５】
この図１２から、駆動基板側の配向膜がＰＩからなる場合には、対向基板側の配向膜（ＤＬＣ）の表面抵抗が５Ｅ＋１５［Ω／□］以下の範囲において、両側の配向膜がＤＬＣからなる場合と比較して、液晶層における残留電圧の緩和時間が長いことがわかる。また、駆動基板側および対向基板側ともに配向膜がＰＩからなる場合には、対向基板側の配向膜の表面抵抗が１Ｅ＋１４［Ω／□］以上の範囲において、両側の配向膜がＤＬＣからなる場合と比較して、液晶層における残留電圧の緩和時間が長いことがわかる。
【００６６】
以上から、残留電圧の緩和時間を短縮して残像焼付きを防止するためには、駆動基板側の配向膜をＤＬＣで構成し、対向基板側の配向膜をＰＩで構成する必要が有ることが分かる。
【００６７】
次に、図６と同様の計算モデルにより、第１実施形態と同様に液晶表示装置１ｂを駆動させた場合に、実際に液晶層にかかる電圧を計算し、その電圧での液晶分子のダイレクタ分布からブラックマトリックス間においての光透過率を計算した。ＰＩ配向膜の材料定数は、膜厚１２０ｎｍ、比誘電率（ε）２．００、表面抵抗１Ｅ＋２０［Ω／□］とした。
【００６８】
図１３には、計算によって得られた配向膜（ＤＬＣ）の表面抵抗に対する液晶パネルの光透過率の依存性を示す。
【００６９】
この図１３から、対向基板側がＰＩ配向膜／駆動基板側がＤＬＣ配向膜である本第２実施形態の構成よりも、これと逆の構成の方が、液晶パネルにおける光透過率が維持されることが判る。しかしながら、先の図１１に示したように、対向基板側の配向膜がＰＩ／駆動基板側の配向膜がＤＬＣであれば、駆動基板側のＤＬＣ配向膜の表面抵抗に依存せずに、残像焼付きをきわめて低い値に抑えることが可能である。
【００７０】
このため、対向基板側をＰＩ配向膜、駆動基板側をＤＬＣ配向膜とし、駆動基板側のＤＬＣ配向膜の表面抵抗を１Ｅ＋１３［Ω／□]以上に充分に高く保つことにより、液晶パネルの光透過率を維持しつつ、残像焼付きを防止することが可能になる。このような液晶表示装置１ｂにおいては、コントラストが良好でかつ残像焼付きが防止された、高性能な表示を行うことが可能である。
【００７１】
また、ＰＩ配向膜は、強アンカリングエネルギーを発現させるので、上記した界面分極的な残像焼付き以外に配向焼付きなどにも効果的と考えられる。
【００７２】
以上説明した第１実施形態および第２実施形態においては、駆動基板１０側の同一層に画素電極１１と共通電極１３とが配置された横電界方式の液晶表示装置を例示した。しかしながら、横電界方式であれば、駆動基板１０側の共通電極１３上に絶縁膜を介して画素電極１１を配置した横電界方式の液晶表示装置であっても良く、同様の効果を得ることができる。また本発明は、特に複雑な界面分極現象が起こる横電界方式の液晶表示装置への適用によって、極めて有効な効果を得ることができるが、これ以外の液晶表示装置への適用も可能である。
【００７３】
＜適用例＞
以上説明した本発明に係る液晶表示装置は、図１４〜図１８に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
【００７４】
図１４は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。 
【００７５】
図１５は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００７６】
図１６は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。 
【００７７】
図１７は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００７８】
図１８は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】アクティブマトリックス型の液晶表示装置のパネル構成を示す図である。
【図２】第１実施形態の液晶表示装置（液晶パネル）の要部断面図である。
【図３】液晶層における残留電圧緩和の計算モデルを示す図である。
【図４】駆動基板側の配向膜における表面抵抗に対する残留電圧の緩和時間の依存性を示す図である。
【図５】対向基板側の配向膜における表面抵抗に対する残留電圧の緩和時間の依存性を示す図である。
【図６】液晶パネルの光透過率の計算モデルを示す図である。
【図７】配向膜の表面抵抗に対する液晶パネルの光透過率の依存性を示す図である。
【図８】各配向膜の表面抵抗毎の残像時間を示す図である。
【図９】液晶層の比抵抗に対する液晶層における残留電圧の緩和時間の依存性を示す図である。
【図１０】第２実施形態の液晶表示装置（液晶パネル）の要部断面図である。
【図１１】駆動基板側の配向膜における表面抵抗に対する残留電圧の緩和時間の依存性を示す図である。
【図１２】対向基板側の配向膜における表面抵抗に対する残留電圧の緩和時間の依存性を示す図である。
【図１３】配向膜の表面抵抗に対する液晶パネルの光透過率の依存性を示す図である。
【図１４】本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。
【図１５】本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図１６】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図１７】本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。
【図１８】本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【符号の説明】
【００８０】
１，１ａ，１ｂ…液晶表示装置（液晶パネル）、１０…駆動基板、１１…画素電極、１３…共通電極、１５…配向膜、１７…ＤＬＣ配向膜、２０…対向基板、２５…低抵抗配向膜、２７…ＰＩ配向膜、ＬＣ…液晶層極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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