(57)【要約】【課題】加熱処理を施される基板を支持する支持ピンであって、熱分解・酸化分解に対する高度の耐久性を有する支持ピンを製造する方法を提供する。【解決手段】はじめに、本体部１０１の成形材料（好ましくは、樹脂）を、酸素および／または水分の含有濃度が１０ｐｐｍ以下の雰囲気でピン形状に射出成型して支持ピン１００の本体部１０１を形成する。続いて、得られた本体部１０１の表面に、静電粉体塗装によって、フロロカーボン膜１０２を形成する。これによって、加熱処理を施される基板を支持する支持ピン１００を得る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱処理を施される基板を支持する支持ピンの製造方法であって、
樹脂材料を、酸素および／または水分の含有濃度が１０ｐｐｍ以下の雰囲気で所定のピン形状に射出成型して成型品を取得する射出成型工程と、
前記成型品の表面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
を備えることを特徴とする支持ピンの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の支持ピンの製造方法であって、
前記保護膜形成工程が、
静電粉体塗装によって前記成型品の表面にフッ素樹脂粉体を吹き付ける塗装工程、
を備えることを特徴とする支持ピンの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の支持ピンの製造方法であって、
前記保護膜形成工程が、
表面が前記保護膜で覆われた前記成型品を、前記支持ピンが使用される加熱処理温度よりも高い温度で焼成する焼成工程、
を備えることを特徴とする支持ピンの製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の支持ピンの製造方法であって、
前記樹脂材料が、導電性ポリエーテルエーテルケトンであることを特徴とする支持ピンの製造方法。
【請求項５】
請求項１から３のいずれかに記載の支持ピンの製造方法であって、
前記樹脂材料が、全芳香族ポリイミド樹脂であることを特徴とする支持ピンの製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の支持ピンの製造方法にて製造されたことを特徴とする支持ピン。
【請求項７】
加熱処理を施される基板を支持する支持ピンであって、
樹脂材料より形成された本体部と、
前記本体部の表面を被膜する保護膜と、
を備えることを特徴とする支持ピン。
【請求項８】
請求項７に記載の支持ピンであって、
前記保護膜が、フロロカーボン膜であることを特徴とする支持ピン。
【請求項９】
基板に対する加熱処理を実行する熱処理装置であって、
前記加熱処理が施される前記基板を支持する部材として、請求項６から８のいずれかに記載の支持ピンを備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項１０】
基板に対する焼成処理を実行する基板焼成炉であって、
前記焼成処理が施される前記基板を支持する部材として、請求項６から８のいずれかに記載の支持ピンを備えることを特徴とする基板焼成炉。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」という）に対して加熱処理が施される際に、当該加熱処理を施される基板を支持する支持ピンに関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に対して一連の処理を行う基板処理装置は、基板に対する各種の処理を実行する単位処理部（例えば、焼成処理部、洗浄処理部、レジスト塗布部、現像部等）を備えている。
【０００３】
基板処理装置のうちでも、例えば基板焼成炉のように、基板に対して加熱処理を行う処理部においては、処理部内に設けられる部材が高温下にさらされることになる。このため、部材には熱分解・酸化分解に対する高度の耐久性が要求される。
【０００４】
例えば、基板焼成炉の場合、図７（ａ）に例示するように、筐体９１内に格納された支持ラック９２にて複数の基板Ｗを多段状態で格納し、筐体９１の内部空間をヒータ等（図示省略）によって所定の焼成処理温度まで昇温することによって基板Ｗに対する焼成処理を実行する。ここで、基板Ｗを片持ち状態で支持する支持部材９２１のそれぞれには、図７（ｂ）の仮想線にて示すように、基板の裏面を突き上げて支持する支持ピン９２２が所定ピッチで配設されている。
【０００５】
このような基板焼成炉内で基板を支持する支持ピンは、筐体９１の内部空間において焼成処理温度のような高温下にさらされ続けるため、徐々に熱分解、酸化分解されていってしまう。これにより支持ピンは徐々に細っていき、２〜３年もすれば抜け落ちてしまう（図７（ｂ））。
【０００６】
支持ピンが抜け落ちると、新しいものに交換しなければならない。すなわち、一旦基板焼成炉の運転を中止して製造ラインを停止し、支持ラックを分解して基板焼成炉から取り出して、全ての支持ピンを交換しなければならない。一般に、基板焼成炉の支持ラックには４０段程度の支持棚が設けられており、各段に数十個の支持ピンが配設される。したがって、一台の基板焼成炉について数百個の支持ピンを交換しなければならず、支持ピンの交換に係るコストは計り知れない。
【０００７】
そこで、少なくとも基板焼成炉の寿命（１０〜１５年程度）以上の耐久性をもつ支持ピンを得る技術が求められていた。
【０００８】
支持ピンは、従来においては、射出成形により形成されていた（例えば、特許文献１には、ウェハ押さえ部材を射出成形により製造する技術が記載されている）。しかしながら、一般的な射出成形においては、成形材料を加熱して可塑化した際に成形材料が大気と触れてしまう。このため、得られた成形品は、表面の末端基が酸化分解され、また、その内部に酸素が拡散したものとなってしまう。酸化分解された末端基は熱分解に弱く、このような末端基が存在することによって、成形材料が本来有していた耐酸化性、耐熱分解性が低下してしまう。すなわち、従来の一般的な射出成形では、成形材料が本来有している耐久性を活かすことができず、高温下において十分な耐久性を有する支持ピンを得ることができなかった。
【０００９】
この点に関して、例えば特許文献２には、電子部品の焼成に用いる治具を製造するにあたって、真空射出成形にて成型品を取得することが記載されている。この技術によると、真空で射出成形されるので、成型品の表面に酸化された部分が大量に発生することはない。なお、真空射出成型を実現する装置の構成については、例えば特許文献３に記載されている。
【００１０】
【特許文献１】特開平１１−１６３１１５号公報
【特許文献２】特開平３−１２２０４３号公報
【特許文献３】特開平５−３１８５２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、真空射出成形にて成型品を取得する従来の技術によると、成型品の表面に酸化された部分が大量に発生することはないものの、成型時に生じる部分的な熱分解によって、成型品の表面に反応性に富んだ部分が露出してしまい、このような部分から酸化分解や熱分解が進んでしまう可能性があった。つまり、真空射出成形によって支持ピンを製造すれば、ある程度耐久性の高い支持ピンを得ることが可能となるものの、その耐久性はまだ十分なものとはいえなかった。
【００１２】
この発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、加熱処理を施される基板を支持する支持ピンであって、熱分解・酸化分解に対する高度の耐久性を有する支持ピンを製造する方法を提供することを目的としている。また、そのような支持ピンを提供することを目的としている。さらに、そのような支持ピンを備える熱処理装置および基板焼成炉を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１の発明は、加熱処理を施される基板を支持する支持ピンの製造方法であって、樹脂材料を、酸素および／または水分の含有濃度が１０ｐｐｍ以下の雰囲気で所定のピン形状に射出成型して成型品を取得する射出成型工程と、前記成型品の表面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、を備える。
【００１４】
請求項２の発明は、請求項１に記載の支持ピンの製造方法であって、前記保護膜形成工程が、静電粉体塗装によって前記成型品の表面にフッ素樹脂粉体を吹き付ける塗装工程、を備える。
【００１５】
請求項３の発明は、請求項１または２に記載の支持ピンの製造方法であって、前記保護膜形成工程が、表面が前記保護膜で覆われた前記成型品を、前記支持ピンが使用される加熱処理温度よりも高い温度で焼成する焼成工程、を備える。
【００１６】
請求項４の発明は、請求項１から３のいずれかに記載の支持ピンの製造方法であって、前記樹脂材料が、導電性ポリエーテルエーテルケトンである。
【００１７】
請求項５の発明は、請求項１から３のいずれかに記載の支持ピンの製造方法であって、前記樹脂材料が、全芳香族ポリイミド樹脂である。
【００１８】
請求項６の発明は、請求項１から５のいずれかに記載の支持ピンの製造方法にて製造される。
【００１９】
請求項７の発明は、加熱処理を施される基板を支持する支持ピンであって、樹脂材料より形成された本体部と、前記本体部の表面を被膜する保護膜と、を備える。
【００２０】
請求項８の発明は、請求項７に記載の支持ピンであって、前記保護膜が、フロロカーボン膜である。
【００２１】
請求項９の発明は、基板に対する加熱処理を実行する熱処理装置であって、前記加熱処理が施される前記基板を支持する部材として、請求項６から８のいずれかに記載の支持ピンを備える。
【００２２】
請求項１０の発明は、基板に対する焼成処理を実行する基板焼成炉であって、前記焼成処理が施される前記基板を支持する部材として、請求項６から８のいずれかに記載の支持ピンを備える。
【発明の効果】
【００２３】
請求項１〜５に記載の発明では、酸素および／または水分の含有濃度が１０ｐｐｍ以下の雰囲気で射出成型して成型品を取得し、取得された成型品の表面に保護膜を形成する。これによって、基板に対する加熱処理時のような高温環境にて用いられた場合であっても熱分解や酸化分解が起こりにくい（すなわち、耐久性が高い）支持ピンを製造することができる。
【００２４】
特に、請求項２に記載の発明では、静電粉体塗装により成型品の表面にフッ素樹脂粉体を吹き付けるので、短時間かつ低コストで、均一な保護膜を生成することができる。
【００２５】
特に、請求項３に記載の発明では、表面が保護膜で覆われた成型品を、支持ピンが使用される加熱処理温度よりも高い温度で焼成するので、使用時に支持ピンから脱ガスが発生することがない。
【００２６】
請求項６に記載の発明に係る支持ピンは、酸素および／または水分の含有濃度が１０ｐｐｍ以下の雰囲気で射出成型された成型品の表面に保護膜が形成されているので、高温環境で使用しても、熱分解や酸化分解が起こりにくい。すなわち、高い耐久性を有する。
【００２７】
請求項７，８に記載の発明に係る支持ピンは、樹脂材料より形成された本体部が保護膜により被膜されているので、高温環境で使用しても、熱分解や酸化分解が起こりにくい。すなわち、高い耐久性を有する。
【００２８】
請求項９に記載の発明に係る熱処理装置では、加熱処理が施される基板を支持する支持ピンが熱に対して高い耐久性を備えるので、支持ピンを交換する必要がない。
【００２９】
請求項１０に記載の発明に係る基板焼成炉では、焼成処理が施される基板を支持する支持ピンが熱に対して高い耐久性を備えるので、支持ピンを交換する必要がない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
〈１．支持ピン〉
この発明の実施の形態に係る支持ピン１００について説明する。支持ピン１００は、基板に対する各種の処理を実行する基板処理装置を構成する部品である。特に、基板に対する加熱処理を実行する処理部（例えば、基板に対する焼成処理を実行する基板焼成炉１（図４参照））において、加熱処理を施される基板を支持する部材として適している。
【００３１】
支持ピン１００は、図１に示すように、本体部１０１と、本体部１０１を被膜する保護膜であるフロロカーボン膜（ＣＦｘ膜）１０２とを備えている。ただし、図１は、支持ピン１００の断面図である。この支持ピン１００の製造方法について図２を参照しながら説明する。ただし、図２は、支持ピン１００の製造工程の流れを示す図である。
【００３２】
支持ピン１００の製造にあたっては、はじめに、本体部１０１の成形材料を、所定の雰囲気にて、ピン形状に射出成型して支持ピン１００の本体部１０１を形成する（ステップＳ１）。「所定の雰囲気」とは、酸素および／または水分の含有濃度が１０ｐｐｍ以下の雰囲気である。
【００３３】
ただし、本体部１０１の成形材料としては、樹脂材料を用いる。特に好ましくは、導電性ＰＥＥＫ（導電性ポリエーテルエーテルケトン）もしくは、全芳香族ポリイミド樹脂（例えば、導電性のベスペル（登録商標：デュポン社））を用いる。ＰＥＥＫは、芳香族性のプラスチックであり、高耐熱性、耐薬品性、耐摩耗性、寸法安定性に優れている。また、加工性にも優れ、射出成形による加工が可能である。また、全芳香族ポリイミド樹脂は、超耐熱性プラスチックであり、高摩擦性、耐薬品性にも優れている。
【００３４】
ステップＳ１の処理は、具体的には次のように行われる。すなわち、まず、成形材料が充填される前の金型内を、所定の雰囲気とする（ステップＳ１１）。より具体的には、金型内の雰囲気を、酸素（Ｏ2）および水分（Ｈ2Ｏ）を遮断した高純度の不活性ガス（例えば、窒素ガス）に置換することによって、金型内の雰囲気を、酸素（Ｏ2）の含有濃度が１０ｐｐｍ以下の雰囲気とする。もしくは、水分（Ｈ2Ｏ）の含有濃度が１０ｐｐｍ以下の雰囲気とする。特に好ましくは、酸素（Ｏ2）および水分（Ｈ2Ｏ）の総含有濃度が１０ｐｐｍ以下の雰囲気とする。
【００３５】
続いて、支持ピン１００の成型材料を加熱して可塑化し、可塑化した成形材料を、所定の雰囲気（すなわち、酸素および／または水分の含有濃度が１０ｐｐｍ以下の雰囲気）とされている金型内に押し出し装置により射出充填する（ステップＳ１２）。可塑化した材料が金型内で固化することによって、ピン形状の成型品（すなわち、本体部１０１）が得られる。ただし、成形材料の可塑化も酸素および／または水分の含有濃度が１０ｐｐｍ以下の雰囲気で行う。すなわち、射出される際だけでなく、可塑化される際にも成形材料が酸素等と接触することを防止する。
【００３６】
ステップＳ１の処理においては、材料が充填される前に予め金型内を酸素および／または水分の含有濃度が１０ｐｐｍ以下の雰囲気とするので、可塑化した材料が、酸素や水分と接触しにくくい。したがって、成型時に材料が酸化されにくい。このため、成型品である本体部１０１の表面に露出する末端基が酸化されにくく、また、本体部１０１の内部に酸素が拡散しにくい。したがって、焼成処理温度のような高温下にさらされた場合であっても熱分解や酸化分解が起こりにくい本体部１０１が得られる。ひいては、耐酸化特性、耐熱分解特性の高い支持ピン１００が得られる。
【００３７】
続いて、ステップＳ１で得られた本体部１０１の表面に、静電粉体塗装によって、保護膜であるフロロカーボン膜１０２を形成する（ステップＳ２）。
【００３８】
ステップＳ２の処理は、具体的には次のように行われる。すなわち、まず、本体部１０１に対して、電圧を印加して帯電させたフッ素樹脂粉体を吹き付けて本体部１０１の表面にフッ素樹脂を付着させる（ステップＳ２１）。フッ素樹脂としては、例えば、ＦＥＰ系（テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体）フッ素樹脂や、ＰＦＡ系（テトラフルオロエチレン−ペルフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）フッ素樹脂を用いる。なお、静電量を変化させることによって、生成されるフロロカーボン膜１０２の膜厚を任意の厚さに制御することができる。ここでは、２０μｍ以上の膜厚のフロロカーボン膜１０２を生成するように静電量を制御することが望ましい。
【００３９】
続いて、表面にフッ素樹脂が付着した本体部１０１をアニールする（ステップＳ２２）。より具体的には、所定の不活性ガス（例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム等）中において、所定時間（好ましくは、２０分間）、所定の焼成温度で、表面にフッ素樹脂が付着した本体部１０１を焼成する。ただし、この焼成温度は、少なくとも、製造された支持ピン１００が使用される加熱処理温度よりも高い温度とする。したがって、より汎用性の高い支持ピン１００を得るためには、この焼成温度は、各種の基板処理処理プロセスにおいて設定される加熱処理の温度条件のうちの最も高い温度（通常は、３００℃程度）より高い温度とすることが望ましい。好ましくは、３８０℃で焼成することが望ましい。
【００４０】
ステップＳ２の処理によって、本体部１０１の表面にフロロカーボン膜１０２が形成される。ステップＳ１により得られた本体部１０１の表面には、部分的に、熱分解によって反応性に富む部分が露出する場合がある。このような状態の本体部１０１の表面にフロロカーボン膜１０２が形成されることによって、本体部１０１表面の熱分解された部分を覆う保護膜が形成される。すなわち、本体部１０１の表面に酸素よりも酸化力の強いフッ素の膜が形成されることによって、本体部１０１の表面がさらに酸化されにくい状態となる。これにより、支持ピン１００の耐酸化特性、耐熱分解特性を、さらに向上させることができる。
【００４１】
また、ステップＳ２の処理においては、表面にフッ素樹脂を付着させた後に、本体部１０１をアニールするので、本体部１０１の表面に強固なフロロカーボン膜１０２を形成することができる。また、アニールすることによって、本体部１０１にフロロカーボン膜１０２を生成する際にフロロカーボン膜１０２中に生じた不要成分（例えば、分子量が小さくなったフロロカーボン）を昇華させることができる。これによって、支持ピン１００の耐久性をさらに高めることができる。また、支持ピン１００を基板焼成炉等で使用した際に、支持ピン１００からこれら不要成分が脱ガスとして発生することがなく、脱ガスに起因する被処理基板の汚染も防止される。特に、支持ピン１００が使用される温度よりも高い温度で焼成することによって、支持ピン１００を使用する際に脱ガスが発生することを確実に防止することができる。
【００４２】
また、本体部１０１にフロロカーボン膜１０２を生成する方法として静電粉体塗装法を採用することによって、短時間かつ低コストで、均一なフロロカーボン膜１０２を生成することができる。
【００４３】
〈２．基板焼成炉〉
上述した通り、支持ピン１００は、加熱処理を施される基板を支持する部材として適している。そこで次に、加熱処理を施される基板を支持する部材として支持ピン１００を備える基板焼成炉１について説明する。
【００４４】
〈２−１．構成〉
基板焼成炉１の構成について図３〜図５を参照しながら説明する。図３は、基板焼成炉１の外観を示す概略斜視図である。図４は、図３に示す基板焼成炉１の横断面図（Ｋ１−Ｋ１断面図）である。また、図５は、図３に示す基板焼成炉１の縦断面図（Ｋ２−Ｋ２断面図）である。
【００４５】
基板焼成炉１は、開口部を有する箱形の炉体１０と、炉体１０の開口部を塞ぐルーバタイプのシャッター３０とを備えている。
【００４６】
〈i．炉体内部の構成〉
炉体１０は、基板焼成炉１の本体を構成する筐体であり、断熱材を用いて成型されている。炉体１０はその内部に基板格納部１１、ヒータ１２、ファン１３、耐熱ＨＥＰＡフィルタ１４を収納している。
【００４７】
炉体１０の内側面の一方（内側面Ｓ１）には、基板格納部１１の内部空間Ｖ（以下において「焼成空間Ｖ」という）に熱を供給するヒータ１２が備えられている。また、他方の内側面（内側面Ｓ２）には、ファン１３が備えられている。また、ファン１３と基板格納部１１との間には耐熱ＨＥＰＡフィルタ１４が介挿されている。すなわち、ファン１３が矢印ＡＲ１〜ＡＲ４のように炉体１０内の気流を循環させることによって、焼成空間Ｖ内を温度ムラなく均質に所定の焼成処理温度に保つことができる。なお、ファン１３とヒータ１２の位置は逆でもよい。
【００４８】
〈基板格納部〉
基板格納部１１は、複数の基板を多段状態に格納するための格納部であり、本体を構成する壁面１１０のうち、特に側壁面１１０ａ，１１０ｂはパンチングメタルによって成型されている。
【００４９】
基板格納部１１を構成する筐体の内背面Ｔ１には、複数の炉内支持部材１１１の基端部がそれぞれ固定されている。炉内支持部材１１１は、基板格納部１１内において、基板Ｗを片持ち状態で支持する基板支持部材である。炉内支持部材１１１の長尺方向の長さは、図４に示すように、基板格納部１１に格納された基板Ｗの奥行き方向の長さと同程度の長さを有している。
【００５０】
基板格納部１１を構成する筐体の内側面Ｔ２，Ｔ３はパンチングプレートで構成され、複数の補助支持部材１１２の基端部がそれぞれ固定されている。補助支持部材１１２は、基板格納部１１内において、炉内支持部材１１１に支持された基板Ｗを、補助的に支持するための支持部材である。補助支持部材１１２の長尺方向の長さは、基板焼成炉１に対して基板を搬出入する基板搬送装置の搬送フォークと干渉しない程度の長さとする。
【００５１】
基板格納部１１の内背面Ｔ１の同一水平位置には、複数の炉内支持部材１１１（図４においては３個）の基端部が固定されている。また、基板格納部１１の内側面Ｔ２，Ｔ３のそれぞれには、同一水平位置に、複数の補助支持部材１１２（図４においては５個）の基端部がそれぞれ固定されている。互いに同一水平位置にその基端部が固定されたこれら支持部材の集合は、同一の基板Ｗを支持するために供される。すなわち、基板格納部１１内に格納される複数の基板Ｗのそれぞれは、図５に示されるように、同一水平位置に固定された支持部材の集合によって水平に支持される。
【００５２】
さらに、図５に示されるように、基板格納部１１の内背面Ｔ１および内側面Ｔ２，Ｔ３には、鉛直方向について、これら同一水平位置に固定された支持部材の集合が所定の配置間隔（ラックピッチ）ｄをおいて所定数（図５においては簡略化して示しているが、実際は、例えば４０段程度）設けられている。これによって、基板格納部１１は、それぞれ水平に支持された基板Ｗを多段状態で複数格納することができる。
【００５３】
〈支持ピン〉
炉内支持部材１１１および補助支持部材１１２のそれぞれには、支持部材１１１，１１２上に載置された基板Ｗの裏面を支持する部材として、複数個の支持ピン１００が配設されている。より具体的には、図６に示すように、支持部材１１１，１１２には、所定ピッチで支持ピン１００を挿入するための挿入孔Ｋが形成されており、各挿入孔Ｋに支持ピン１００が挿設されることによって、支持部材１１１，１１２上に複数の支持ピン１００が所定ピッチで配設される。支持ピン１００の具体的な構成およびその製造方法は、上述した通りである。
【００５４】
〈ii．シャッターの構成〉
再び図３を参照する。シャッター３０は、全体位置規制部材３１と、全体位置規制部３１上に鉛直方向に積層載置された複数個のルーバ３２ａ，３２ｂ，３２ｃとを備える。
【００５５】
全体位置規制部材３１には昇降機構（図示省略）が取り付けられており、上下方向（矢印ＡＲ５）に昇降可能である。全体位置規制部材３１に取り付けられた昇降機構を制御することによって、全体位置規制部材３１およびそれに積層載置された複数のルーバ３２ａ，３２ｂ，３２ｃを一体に昇降させることができる。
【００５６】
さらに、複数のルーバ３２ａ，３２ｂ，３２ｃのそれぞれにも昇降機構（図示省略）が取り付けられており、各ルーバ３２ａ，３２ｂ，３２ｃは上下方向（矢印ＡＲ６，７，８）に昇降可能である。例えば、ルーバ３２ｂに取り付けられた昇降機構を制御することによって、ルーバ３２ｂおよびそれに積層載置されたルーバ３２ａを一体に昇降させることができる。すなわち、ルーバ３２ｂを上方に移動させることによって、ルーバ３２ｃとルーバ３２ｂとの間に開口部Ｑ（図５）を形成することができる。
【００５７】
つまり、ルーバ３２ａ，３２ｂ，３２ｃおよび全体位置規制部材３１のそれぞれを昇降制御することによって、基板格納部１１の多段構造のうちの任意の段に対向した開口部を形成することができる。これによって、図５に示すように、基板焼成炉１に対する基板の搬出入を行う基板搬送装置（全体図は図示省略）の備える搬送フォーク２４が、基板格納部１１の多段構造のうちの任意の段にアクセス（より具体的には、任意の段に載置された基板Ｗを取り出したり、任意の段に基板Ｗを載置すること）が可能となる。また、ルーバ３２ａ，３２ｂ，３２ｃの移動距離を適切に設定することによって、形成される開口部の鉛直方向についての長さを適正値（より具体的には、搬送フォーク２４が基板Ｗを載置した状態で挿通可能な最小の値）とすることができる。
【００５８】
〈２−２．基板焼成処理〉
基板焼成炉１における基板焼成処理は、以下のように実行される。
【００５９】
まず、基板搬送装置１は、基板焼成処理を実行するに先立って、予めヒータ１２によって焼成空間Ｖに熱の供給を開始し、焼成空間Ｖを焼成処理温度（例えば３００℃）まで昇温する。
【００６０】
焼成空間Ｖが焼成処理温度まで昇温されると、基板の焼成処理が開始される。すなわち、基板搬送装置（図示省略）が、基板焼成炉１に対する基板Ｗの搬出入を開始する。より具体的には、基板搬送装置が搬送フォーク２４（図５参照）によって未処理基板を基板焼成炉１内に搬入して基板焼成炉１内の所定の炉内支持部材１１１上に載置するとともに、炉内支持部材１１１上に載置された焼成処理済みの基板（すなわち、基板焼成炉１内で所定時間焼成された基板）を支持して基板焼成炉１内より搬出する。これにより、複数の基板Ｗに対する焼成処理が順次実行される。
【００６１】
〈３．効果〉
上記の実施の形態に係る支持ピン１００は、酸素および／または水分の含有濃度が１０ｐｐｍ以下の雰囲気における射出成型により成型された本体部１０１をフロロカーボン膜１０２で被膜した構成を有している。したがって、高温環境下（例えば、基板焼成炉１の焼成空間Ｖ内）で使用された場合であっても、熱分解や酸化分解が起こりにくい。すなわち、耐久性が高い。
【００６２】
また、上記の実施の形態に係る基板焼成炉１は、焼成処理を施される基板を支持する部材として、耐久性の高い支持ピン１００を備えるので、少なくとも、一般的な基板焼成炉の寿命（１０〜１５年程度）が尽きるまでに、支持ピン１００が抜け落ちるといった事態は生じない。つまり、基板を支持する部材を交換する必要がない。したがって、部材交換に係るコスト、部材交換のためにライン停止することに起因する損害等が生じない。
【００６３】
〈４．変形例〉
上記の実施の形態においては、静電粉体塗装により本体部１０１にフロロカーボン膜１０２を生成する構成としていたが、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition、化学的気相成長）、プラズマＣＶＤ（Plasma Enhanced CVD（PECVD）、プラズマ化学気相成長法）により本体部１０１にフロロカーボン膜１０２を生成してもよい。
【００６４】
また、上記の実施の形態においては、支持ピン１００を備える基板焼成炉１について説明したが、支持ピン１００は、基板焼成炉１以外の各種の装置においても、加熱処理を施される基板を支持する部材として用いることができる。例えば、酸化拡散処理を施される基板を支持する部材として支持ピン１００を備える酸化拡散炉、ＣＶＤ処理を施される基板を支持する部材として支持ピン１００を備えるＣＶＤ炉、その面上に支持ピン１００を備えるホットプレート（加熱プレート）、搬送フォーク上に取り付けられ、被搬送基板を支持する部材として支持ピン１００を備える基板搬送装置等が実現可能である。いずれの装置に用いた場合であっても、上述した基板焼成炉１と同様、基板を支持する部材が耐久性の高い支持ピン１００であるため、基板を支持する部材を交換する必要がなくなり、部材交換に係るコスト、部材交換のためにライン停止することに起因する損害の発生等の問題が生じない。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】支持ピンの断面図である。
【図２】支持ピンの製造工程の流れを示す図である。
【図３】基板焼成炉の概略斜視図である。
【図４】基板焼成炉の横断面図である。
【図５】基板焼成炉の縦断面図である。
【図６】支持部材の拡大斜視図である。
【図７】従来の支持ピンが抜け落ちる様子を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
１    基板焼成炉
１００    支持ピン
１０１    本体部
１０２    フロロカーボン膜
【図１】
2008270408.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2008270408.tif 000006
【図５】
2008270408.tif 000007
【図６】
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【図７】
2008270408.tif 000009