(57)【要約】【課題】反射性に優れた硬化物を与える光半導体用シリコーン接着剤組成物及びそれを用いた高信頼性の光半導体装置を提供する。【解決手段】光半導体用シリコーン接着剤組成物は、（Ａ）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合したアルケニル基を有し、前記アルケニル基含有量が３０〜６００ｍｍｏｌ／１００ｇであるポリオルガノシロキサン  １００重量部、（Ｂ）１分子中に３個以上のＳｉＨ基を含有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン（Ａ）成分のケイ素原子結合アルケニル基１個に対して、ＳｉＨ基が１．０〜５．０個となる量、（Ｃ）白金系触媒  触媒量、（Ｄ）接着性付与剤  ０．３〜２０重量部、及び（Ｅ）平均粒径が０．１〜０．５μｍの酸化チタン  ６０〜１５０重量部を含有する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合したアルケニル基を有し、前記アルケニル基含有量が３０〜６００ｍｍｏｌ／１００ｇであるポリオルガノシロキサン
１００重量部、
（Ｂ）１分子中に３個以上のＳｉＨ基を含有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン
（Ａ）成分のケイ素原子結合アルケニル基１個に対して、ＳｉＨ基が１．０〜５．０個となる量、（Ｃ）白金系触媒                                                        触媒量、（Ｄ）接着性付与剤                                    ０．３〜２０重量部、及び（Ｅ）平均粒径が０．１〜０．５μｍの酸化チタン                ６０〜１５０重量部を含有することを特徴とする光半導体用シリコーン接着剤組成物。
【請求項２】
硬化後の８０μｍ厚みでの反射率が、８００ｎｍで８５％以上であることを特徴とする請求項１に記載の光半導体用シリコーン接着剤組成物。
【請求項３】
硬化後のダイシェア強度が、０．０５ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の光半導体用シリコーン接着剤組成物。
【請求項４】
前記（Ａ）成分の２３℃における粘度が、０．１〜５００Ｐａ・ｓであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光半導体用シリコーン接着剤組成物。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光半導体用シリコーン接着剤組成物を硬化してなる光半導体用シリコーン接着剤により、光半導体素子と支持部材とが接合されてなることを特徴とする光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば発光ダイオード等の光半導体素子の接着剤として好適な光半導体用シリコーン接着剤組成物及びそれを用いた光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、発光ダイオード等の光半導体素子用の接着剤、封止剤として、反射率の良好な白色の樹脂材料が使用されている。特に、充填剤として酸化チタンを配合したエポキシ樹脂ベースの組成物が汎用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかし、従来のエポキシ樹脂ベースの接着剤や封止剤では、近年の発光ダイオード等の高輝度化にともなう発熱量の増大や光の短波長化によって、クラッキングや黄変が生じやすく、輝度低下の原因となっていた。
【０００４】
そこで、耐熱性や耐紫外線特性に優れた点から、シリコーン組成物が使用されている。特に、ヒドロシリル化反応を利用した付加反応硬化型のシリコーン組成物は、加熱することにより短時間で硬化するため、生産性が良い。
【０００５】
しかしながら、近年、さらなる高反射率が要求されており、配合する酸化チタンの種類を特定するなどの様々な検討がなされているが、上記要求に十分応えられるものではない。
【特許文献１】特開２０００−１６９５５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、このような課題に対処するためになされたもので、反射性に優れた硬化物を与える光半導体用シリコーン接着剤組成物及びそれを用いた高信頼性の光半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、（Ｅ）酸化チタンを（Ａ）ベースポリマーに対して特定量配合することで、反射性に優れた硬化物を与える光半導体用シリコーン接着剤組成物およびそれを用いた光半導体装置が得られることを見出し、本発明をなすに至った。
【０００８】
すなわち、本発明の光半導体用シリコーン接着剤組成物は、
（Ａ）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合したアルケニル基を有し、前記アルケニル基含有量が３０〜６００ｍｍｏｌ／１００ｇであるポリオルガノシロキサン
１００重量部、
（Ｂ）１分子中に３個以上のＳｉＨ基を含有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン
（Ａ）成分のケイ素原子結合アルケニル基１個に対して、ＳｉＨ基が１．０〜５．０個となる量、（Ｃ）白金系触媒                                                        触媒量、（Ｄ）接着性付与剤                                    ０．３〜２０重量部、及び（Ｅ）平均粒径が０．１〜０．５μｍの酸化チタン                ６０〜１５０重量部を含有することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の光半導体装置は、上記光半導体用シリコーン接着剤組成物を硬化してなる光半導体用シリコーン接着剤により、光半導体素子と支持部材とが接合されてなる。
【発明の効果】
【００１０】
上記構成により、反射性に優れた硬化物を与える光半導体用シリコーン接着剤組成物及びそれを用いた高信頼性の光半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の光半導体用シリコーン接着剤組成物について詳細に説明する。
【００１２】
［（Ａ）成分］
（Ａ）成分はベースポリマーであり、得られた組成物を十分に硬化させる上で、１分子中に２個以上のケイ素原子に結合したアルケニル基を有する。
【００１３】
ケイ素原子に結合したアルケニル基としては、例えばビニル基、アリル基、ブテニル基、ペテニル基、ヘキセニル基等が挙げられ、好ましくはビニル基である。ケイ素原子結合アルケニル基（ＳｉＶｉ基）の含有量は、所望のダイシェア強度、接合強度を得る点から、（Ａ）成分１００ｇ中のモル数が３０〜６００ｍｍｏｌ、好ましくは４０〜３００ｍｍｏｌである。なお、ＳｉＶｉ基含有量は、（ＳｉＶｉ基の平均個数）／（理論平均分子構造の分子量）×１０００で算出することによって求めることができる。ケイ素原子結合アルケニル基は、分子鎖末端のケイ素原子に結合していても、分子鎖途中のケイ素原子に結合していても、両者に結合していてもよいが、得られる組成物の硬化速度、硬化物の物性、特に接合強度の点から、少なくとも分子鎖末端のケイ素原子、特に分子鎖両末端のケイ素原子に結合していることが好ましい。
【００１４】
アルケニル基以外のケイ素原子に結合した有機基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基あるいはこれらの水素原子が部分的に塩素原子、フッ素原子などで置換されたハロゲン化炭化水素基等の炭素原子数１〜１２個、好ましくは炭素原子数１〜８個程度のものが挙げられ、合成の容易さから、好ましくはアルキル基、アリール基であり、より好ましくはメチル基、フェニル基である。
【００１５】
（Ａ）成分の２３℃における粘度は、０．１〜５００Ｐａ・ｓ、好ましくは０．２〜３００Ｐａ・ｓである。０．１Ｐａ・ｓ未満であると、硬化後、良好な物性が得られず、脆くなり易い。一方、５００Ｐａ・ｓを超えると、得られた組成物の流動性が低下して作業性が悪化し易い。
【００１６】
（Ａ）成分の分子構造は、例えば直鎖状、分岐状、三次元網目状などが挙げられ、１種単独又は２種以上を混合して用いることができる。例えば（Ａ）成分が固体の場合には、直鎖状のアルケニル基含有ポリオルガノシロキサンで希釈し、２３℃における粘度を上記範囲（０．１〜５００Ｐａ・ｓ）に調整して用いてもよい。
【００１７】
［（Ｂ）成分］
（Ｂ）成分は架橋剤であり、１分子中に３個以上のケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を有している。ＳｉＨ基は、分子鎖末端のケイ素原子に結合していても、分子鎖途中のケイ素原子に結合していても、両者に結合していてもよい。その分子構造は、直鎖状、分岐鎖状、環状あるいは三次元網目状構造のいずれでもよい。
【００１８】
（Ｂ）成分としては、平均組成式：
Ｒ１ａＨｂＳｉＯ［４−（ａ＋ｂ）］／２
で示されるものが用いられる。
上記式中、Ｒ１は、脂肪族不飽和炭化水素基を除く、置換または非置換の１価炭化水素基である。Ｒ１としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基；およびこれらの基の水素原子の一部または全部がフッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子やシアノ基で置換されているもの、例えばクロロメチル基、ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基、シアノエチル基等が挙げられ、なかでも、合成のし易さ、コストの点から、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基等の炭素原子数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
【００１９】
また、ａ、ｂはそれぞれ正数であり、０．５≦ａ≦２、０＜ｂ≦２、０．５＜ａ＋ｂ≦３を満足する数であり、好ましくは０．６≦ａ≦１．９、０．０１≦ｂ≦１．０、０．６≦ａ＋ｂ≦２．８を満足する数である。
【００２０】
（Ｂ）成分の２３℃における粘度は、０．０１〜０．５Ｐａ・ｓであることが好ましい。
【００２１】
（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）成分のケイ素原子結合アルケニル基１個に対して、ＳｉＨ基の合計個数が１．０〜５．０個、好ましくは１．５〜４．０となる量である。１．０個未満であると、得られた組成物が十分に硬化し難くなり、硬化後、所望の反射率やダイシェア強度が得られ難くなる。一方、５．０個を越えると、硬化後の物性が経時で変化し易くなる。
【００２２】
［（Ｃ）成分］
（Ｃ）成分は、本組成物の硬化を促進させる成分である。
【００２３】
（Ｃ）成分としては、ヒドロシリル化反応に用いられる触媒として周知の触媒を用いることができ、例えば白金黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と一価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類やビニルシロキサンとの錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒などの白金族金属触媒が挙げられる。
【００２４】
（Ｃ）成分の配合量は、硬化に必要な量であればよく、所望の硬化速度などに応じて適宜調整することができる。通常、（Ａ）成分１００重量部に対し白金元素に換算して０．１〜１０００ｐｐｍ、好ましくは１〜２００ｐｐｍの範囲である。
【００２５】
［（Ｄ）成分］
（Ｄ）成分は、本組成物に接着性を付与する成分であり、公知のものが使用でき、本組成物の付加加硫を阻害しないものであればよい。
（Ｄ）成分は、オルガノシラン、またはケイ素原子数２〜５０個、好ましくは４〜２０個のオルガノシロキサンオリゴマー等の有機ケイ素化合物である。このような有機ケイ素化合物は、ケイ素原子に結合したアルコキシ基及び／又はアルケニルオキシ基を有し、かつ、Ｓｉ−Ｈ基、アルケニル基、アクリル基、メタクリル基、エポキシ基、メルカプト基、エステル基、無水カルボキシ基、アミノ基及びアミド基から選ばれる少なくとも１個の反応性官能基を有することが好ましい。これらは１種単独または２種以上を併用してもよい。
【００２６】
（Ｄ）成分としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性基含有アルコキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ（メトキシエトキシ）シラン等のアルケニル基含有アルコキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ基含有アルコキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアクリル基又はメタクリル基含有アルコキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト基含有アルコキシシランなどのアルコキシシランが挙げられる。また、オルガノシロキサンオリゴマーとしては、下記のような化合物が挙げられる。
【化１】
2008120844.tif 000002
【化２】
2008120844.tif 000003
【化３】
2008120844.tif 000004
【００２７】
（Ｄ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００重量部に対して０．３〜２０重量部、好ましくは２．０〜１５重量部である。０．３重量部未満では、十分な接着性が得られない。一方、２０重量部を越えると、コストの点で不経済である。
【００２８】
［（Ｅ）成分］
（Ｅ）成分の酸化チタンは、種類は特に限定されるものではなく、アナタース型、ルチル型のいずれであってもよい。また、周知の表面処理剤によって表面処理が施されていてもよい。
【００２９】
（Ｅ）成分は、分散性と反射率を高める点から、その平均粒径が０．１〜０．５μｍ、好ましくは０．１〜０．３μｍであり、粒径の異なるものを混合して用いてもよい。なお、平均粒径は、例えばレーザー光回折法による粒度分布測定により得ることができ、重量平均値（またはメジアン径）等として求めることができる。
【００３０】
（Ｅ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００重量部に対して、６０〜１５０重量部、好ましくは７０〜１２０重量部である。６０重量部未満であると、硬化後、所望の反射率が得られ難い。一方、１５０重量部を越えると、得られた組成物の流動性が低下して作業性が悪化し易くなる。
【００３１】
上記（Ａ）〜（Ｅ）成分を基本成分とし、これらに必要に応じて、その他の任意成分として補強性シリカ、金属粉末などの導電性付与剤、反応抑制剤、難燃性付与剤、耐熱性向上剤、可塑剤、金型やセパレーターフィルムから型離れを良くするための内添離型剤等を本発明の目的を損なわない範囲で添加してもよい。
【００３２】
本発明の光半導体用シリコーン接着剤組成物の製造方法としては、例えば（Ａ）〜（Ｅ）成分及びその他任意成分をプラネタリーミキサー、ニーダー、品川ミキサー等の混合機で混合する方法等が挙げられる。なお、各成分の添加順序は特に限定されるものではない。
【００３３】
得られた組成物を硬化させる方法は限定されず、例えば、本組成物で光半導体素子を支持部材に接着した後、室温で放置する方法、又は１００〜１５０℃で３０〜６０分程度加熱する方法等が挙げられる。硬化物は、ゴム状で、白色であることが好ましい。
【００３４】
硬化後の反射率は、十分な反射性を得る上で、８０μｍ厚の硬化物において、波長８００ｎｍで８５％以上、好ましくは８５〜１００％である。よって、硬化物は８０μｍといった薄い厚みであっても、光半導体素子から照射される光を優れた反射率で反射させることで、光を外部に効率よく取り出させる機能を有する。
【００３５】
また、硬化後のダイシェア強度は０．０５ＭＰａ以上、好ましくは０．０５〜１００ＭＰａである。０．０５ＭＰａ未満であると、光半導体素子と支持部材をワイヤボンディングする際に、光半導体素子が振動する恐れがある。なお、ダイシェア強度は、例えば図２に示すように、光半導体用シリコーン接着剤組成物を半導体チップ２２とアルミナ板２３等との間に介在させて加熱硬化させ、シリコーン接着剤２１を形成した後、接触工具２４により半導体チップ２２に対して横方向に力を加え、アルミナ板２３から半導体チップ２２が剥がれる時の強度を測定することによって求められる。
【００３６】
したがって、本発明の光半導体用シリコーン接着剤組成物は、８０μｍ厚の硬化物において、８００ｎｍの反射率が８５％以上であり、硬化後のダイシェア強度が０．０５ＭＰａ以上であるため、光半導体素子から照射された光を反射させることで、外部への光取り出し効率を従来と比べて著しく高めることができ、例えば発光ダイオード等の光半導体素子の接着剤として好適である。
【００３７】
次に、図１を用いて、本発明の光半導体装置の一例について説明する。
【００３８】
光半導体装置１は、略中央にテーパー状の開口部を有する支持部材２と、光半導体素子３とを備える。支持部材２は、一対のリード電極４を有し、これらリード電極４の一端部が支持部材２の底部に露出され、他端部が支持部材２外に延設されるように設けられている。光半導体素子３としては、例えば発光ダイオード、トランジスタ、サイリスタ、固体撮像素子、モノリシックＩＣ等が挙げられる。
【００３９】
光半導体素子３は、支持部材２に設けられたリード電極４に、本組成物の硬化物であるシリコーン接着剤５によって固定されている。また、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（不図示）とリード電極４とがボンディングワイヤ６で電気的に接続されており、これらの一体化物が封止樹脂７で封止されている。
【００４０】
シリコーン接着剤５は、図１に示すように、光半導体素子３の底部からはみ出してその周囲を囲むように塗布されても、または、光半導体素子３からはみ出さないように塗布されてもよく、任意である。シリコーン接着剤５の膜厚は、１０〜１００μｍの範囲であることが好ましい。
【実施例】
【００４１】
本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。実施例及び比較例中、粘度は２３℃において測定した値であり、平均粒径はレーザー光回折法により測定した値である。また、実施例及び比較例で得られた光半導体用シリコーン接着剤組成物は、以下のようにして特性を評価し、結果を表１に示した。表１に示した特性は、２３℃において測定した値である。
【００４２】
［反射率］
得られた組成物を１５０℃、１時間の硬化条件で、２５×８０×２ｍｍのテストピースを作製し、分光光度計（ＵＶ３６００、島津社製）により８００ｎｍの反射率を測定した。同様にして、８０μｍ厚のテストピースを作製し、８００ｎｍの反射率を測定した。
【００４３】
［ダイシェア強度］
得られた組成物を４ｍｍ×４ｍｍの半導体チップとアルミナ板との間に厚さ１０μｍで介在させ、１５０℃で１時間加熱硬化させた。次に、ダイシェア強度測定装置（デイジ社製）により、接触工具によって半導体チップに横方向に力を加え、アルミナ板から半導体チップが剥がれる時の強度を測定した。
【００４４】
［実施例１］
（Ａ）粘度が３００Ｐａ・ｓであり、両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量１．９ｍｍｏｌ／ｇ）１００重量部、（Ｂ）粘度が０．０２Ｐａ・ｓであるポリオルガノハイドロジェンシロキサン（ＳｉＨ基含有量１０ｍｍｏｌ／ｇ）２２重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物０．０５重量部（白金元素に換算して２０ｐｐｍ）、（Ｄ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．２重量部、（Ｄ−２）β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン０．４重量部、（Ｅ−１）平均粒径０．１５μｍの酸化チタン１１０重量部を万能混錬器で均一に混合して、光半導体用シリコーン接着剤組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【００４５】
［実施例２］
（Ａ）粘度が３００Ｐａ・ｓであり、両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量１．９ｍｍｏｌ／ｇ）１００重量部、（Ｂ）粘度が０．０２Ｐａ・ｓであるポリオルガノハイドロジェンシロキサン（ＳｉＨ基含有量１０ｍｍｏｌ／ｇ）２２重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物０．０５重量部（白金元素に換算して２０ｐｐｍ）、（Ｄ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．２重量部、（Ｄ−２）β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン０．４重量部、（Ｅ−１）平均粒径０．１５μｍの酸化チタン７０重量部を万能混錬器で均一に混合して、光半導体用シリコーン接着剤組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【００４６】
［比較例１］
（Ａ）粘度が３００Ｐａ・ｓであり、両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量１．９ｍｍｏｌ／ｇ）１００重量部、（Ｂ）粘度が０．０２Ｐａ・ｓであるポリオルガノハイドロジェンシロキサン（ＳｉＨ基含有量１０ｍｍｏｌ／ｇ）２２重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物０．０５重量部（白金元素に換算して２０ｐｐｍ）、（Ｄ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．３重量部、（Ｄ−２）β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン０．６重量部、（Ｅ−１）平均粒径０．１５μｍの酸化チタン４０重量部を万能混錬器で均一に混合して、光半導体用シリコーン接着剤組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【００４７】
［比較例２］
（Ａ）粘度が３００Ｐａ・ｓであり、両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量１．９ｍｍｏｌ／ｇ）１００重量部、（Ｂ）粘度が０．０２Ｐａ・ｓであるポリオルガノハイドロジェンシロキサン（ＳｉＨ基含有量１０ｍｍｏｌ／ｇ）２２重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物０．０５重量部（白金元素に換算して２０ｐｐｍ）、（Ｄ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．３重量部、（Ｄ−２）β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン０．６重量部、（Ｅ−１）平均粒径０．１５μｍの酸化チタン１０重量部を万能混錬器で均一に混合して、光半導体用シリコーン接着剤組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【００４８】
［比較例３］
（Ａ）粘度が３００Ｐａ・ｓであり、両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたポリジメチルシロキサン（ＳｉＶｉ基含有量１．９ｍｍｏｌ／ｇ）１００重量部、（Ｂ）粘度が０．０２Ｐａ・ｓであるポリオルガノハイドロジェンシロキサン（ＳｉＨ基含有量１０ｍｍｏｌ／ｇ）２２重量部、（Ｃ）塩化白金酸のビニルシロキサン錯体化合物０．０５重量部（白金元素に換算して２０ｐｐｍ）、（Ｄ−１）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．２重量部、（Ｄ−２）β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン０．４重量部、（Ｅ−２）平均粒径５μｍの粉砕シリカ１２０重量部を万能混錬器で均一に混合して、光半導体用シリコーン接着剤組成物を得た。
この組成物の特性を測定し、結果を表１に示した。
【表１】
2008120844.tif 000005
【００４９】
表１から明らかなように、（Ｅ−１）酸化チタンを（Ａ）成分１００重量部に対して６０〜１５０重量部の範囲で配合した各実施例は、硬化後の８０μｍ厚における８００ｎｍでの反射率が８５％以上である。
【００５０】
したがって、本発明の光半導体用シリコーン接着剤組成物を、例えば発光ダイオード等の光半導体素子の接着剤として使用した場合には、８０μｍ厚といった極薄い硬化物であっても、光半導体素子から照射された光を高い反射率で反射させることができ、従来に比べてより多くの光を効率よく外部に取り出すことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の光半導体装置の一例を模式的に示す断面図。
【図２】ダイシェア強度の試験条件を模式的に示す図。
【符号の説明】
【００５２】
１…光半導体装置、２…支持部材、３…光半導体素子、４…リード電極、５…シリコーン接着剤、６……ボンディングワイヤ、７…封止樹脂。
【図１】
2008120844.tif 000006
【図２】
2008120844.tif 000007