(57)【要約】【課題】耐久性、及び基板に対する転写性が高く、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを転写形成するモールド構造体の提供。【解決手段】厚みが０．３ｍｍ〜２．０ｍｍであり、表面にインプリントレジスト層が形成された基板に対し、表面に凹凸パターンが形成され、該凹凸パターンを前記インプリントレジスト層に対向させて該インプリントレジスト層に前記凹凸パターンを転写するモールド構造体であって、該モールド構造体の厚み（Ｄｍ）と、前記基板の厚み（Ｄｓ）と、モールド構造体の面積（Ｓ１）とが、数式：０．５≦（Ｄｍ／Ｄｓ）×Ｓ１１／２≦１００を満たすことを特徴とするモールド構造体等である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚みが０．３ｍｍ〜２．０ｍｍであり、表面にインプリントレジスト層が形成された基板に対し、表面に凹凸パターンが形成され、該凹凸パターンを前記インプリントレジスト層に対向させて該インプリントレジスト層に前記凹凸パターンを転写するモールド構造体であって、該モールド構造体の厚みＤｍ（ｍｍ）と、前記基板の厚みＤｓ（ｍｍ）と、モールド構造体の面積Ｓ１（ｍｍ２）とが、下記数式（１）を満たすことを特徴とするモールド構造体。
０．５≦（Ｄｍ／Ｄｓ）×Ｓ１１／２≦１００・・・・・・・・・・・数式（１）
【請求項２】
モールド構造体の厚みＤｍと、基板の厚みＤｓと、モールド構造体の面積Ｓ１（ｍｍ２）と、凹凸パターンの表面積Ｓ２（ｍｍ２）とが下記数式（２）を満たす請求項１に記載のモールド構造体。
０．０１≦（Ｄｍ／Ｄｓ）×（Ｓ２／Ｓ１）１／２≦１・・・・・・・数式（２）
【請求項３】
厚みが０．０１ｍｍ以上、０．５ｍｍ未満である請求項１から２のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項４】
石英、ニッケル、及び樹脂のいずれかの材料からなる請求項１から３のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項５】
表面にインプリントレジスト層が形成された基板に対し、表面に凹凸パターンが形成されたモールド構造体を、該凹凸パターンを前記インプリントレジスト層に対向させて該インプリントレジストに前記凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むインプリント方法であって、前記モールド構造体の厚みＤｍ（ｍｍ）と、前記基板の厚みＤｓ（ｍｍ）と、モールド構造体の面積Ｓ１（ｍｍ２）とが、下記数式（１）を満たすことを特徴とするインプリント方法。
０．５≦（Ｄｍ／Ｄｓ）×Ｓ１１／２≦１００・・・・・・・・・・・数式（１）
【請求項６】
請求項１から４のいずれかに記載のモールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に押圧して前記モールド構造体に形成された凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、前記磁気記録媒体の基板の表面に形成された磁性層をエッチングして、前記凹凸パターンに基づく磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、
前記磁性層上に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、を少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法によって作製されたことを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に情報を転写するための凹凸状のパターンを備えたモールド構造体、及びそれを用いたインプリント方法、並びに磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高速性やコストに優れたハードディスクドライブが、ストレージ機器の主力として、携帯電話、小型音響機器や、ビデオカメラなどのポータブル機器に搭載され始め、より一層の小型大容量化という要求に応えるために、記録密度を向上させる技術が求められている。
ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体の高性能化、及び磁気ヘッド幅の狭小化という手法が従来より用いられてきたが、データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響（クロストーク）や、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、磁気ヘッドの狭小化などによる面記録密度の向上には限界があった。
【０００３】
そこで、クロストークによるノイズを解決する手段として、ディスクリートトラックメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている（特許文献１〜２参照）。
ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減したものである。
【０００４】
また、熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている（特許文献３参照）。
【０００５】
上記ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアを製造する際には、特許文献４に開示されたように、レジストパターン形成用モールド（スタンパとも称することがある。）を用いて、磁気記録媒体の表面に形成されたレジスト層に所望のパターンを転写するインプリンティング法がある。
【０００６】
ところで、磁気記録媒体の用途では、微細かつ広面積に対してナノインプリントリソグラフィー（ＮＩＬ）を行う必要があるため、ＮＩＬ均一性、及び安定性が重要となる。また磁気ヘッドの位置決めを行うサーボ信号、実際のデータを記録するデータ信号の２種類のパターンを加工する必要がある。データ部は、ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）では同心円パターン、ビットパターンドメディア（ＢＰＭ）ではドットパターン等の単純なパターンから構成される。サーボ部はプリアンブル、サーボタイミングマーク、アドレス（セクタ、シリンダ）、バースト等の主に４種類のパターンから構成されており、アドレス（セクタ、シリンダ）、バーストパターン部は粗密信号が混在し、複雑なパターン配列となっている。
【０００７】
このようにディスク全面に対して複雑なパターンが密に形成されていることから、ＮＩＬの際に、モールド構造体の凹凸パターンがインプリントレジスト層全面に忠実に転写されることが要求される。
【０００８】
このインプリンティング法では、コストダウンの観点から、多数回の転写プロセスを必要とするため、少なくとも数百〜数万回の転写耐久性がモールド構造体に要求される。
【０００９】
そこで、転写耐久性を向上させるために、シリコン基板等の剛体をモールド構造体に採用する技術が開示されている（特許文献５、及び非特許文献１参照。）。これらの文献によれば、非常に高いパターン精度が得られ、サブミクロン、数十ナノメートルオーダーまでの微細パターンの転写が実現できると記載されている。
【００１０】
ここで、シリコン基板等の剛体で厚いモールド構造体では、インプリントする対象であるインプリントレジスト層が表面に形成された基板の様々な形状に追従できず、全面均一な転写が困難である。
また、インプリントする面積を大きくした場合、モールド構造体の平坦性が問題となり、均一なパターン転写が困難となる。
更に、モールド構造体の厚みが厚いと、重量が増大し、ハンドリング性も悪化し、生産プロセス適性が問題となる。
それに対し、基板厚みを薄くすると、上記問題は解決されるものの、モールド構造体自体が変形したり、破損する可能性、即ち、耐久性が低下する可能性があった（特許文献６参照）。
【００１１】
したがって、耐久性、及び基板に対する転写性が高く、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを転写形成するモールド構造体、及びその関連技術は未だ実現されておらず、その提供が望まれているのが現状である。
【００１２】
【特許文献１】特開昭５６−１１９９３４号公報
【特許文献２】特開平２−２０１７３０号公報
【特許文献３】特開平３−２２２１１号公報
【特許文献４】特開２００４−２２１４６５号公報
【特許文献５】米国特許５７７２９０５号明細書
【特許文献６】特開２００４−２８８８４５号公報
【非特許文献１】Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ，  ｅｔ  ａｌ．，  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  ｖｏｌ．６７，  ３３１４，  １９９５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、耐久性、及び基板に対する転写性が高く、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを転写形成するモールド構造体及びそれを用いたインプリント方法、並びに磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、鋭意検討の結果、モールド構造体の厚みを下げると共に、前記基板の厚みを上げることによって、インプリント工程時にモールド構造体が前記基板に追従しやすくなり、モールド構造体が薄くなることによって低下する凹凸パターンの強度を、モールド構造体の面積を増大することによって前記課題が解決されることを知見した。
【００１５】
本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  厚みが０．３ｍｍ〜２．０ｍｍであり、表面にインプリントレジスト層が形成された基板に対し、表面に凹凸パターンが形成され、該凹凸パターンを前記インプリントレジスト層に対向させて該インプリントレジスト層に前記凹凸パターンを転写するモールド構造体であって、該モールド構造体の厚みＤｍ（ｍｍ）と、前記基板の厚みＤｓ（ｍｍ）と、モールド構造体の面積Ｓ１（ｍｍ２）とが、下記数式（１）を満たすことを特徴とするモールド構造体である。
０．５≦（Ｄｍ／Ｄｓ）×Ｓ１１／２≦１００・・・・・・・・・・・数式（１）
該＜１＞に記載のモールド構造体においては、モールド構造体の厚みと、前記基板の厚みと、モールド構造体の面積との関係を規定することによって、モールド構造体の厚みの適正値を特定することができ、ハンドリング性が改善されるので、耐久性、及び基板に対する転写性が高く、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを転写形成するモールド構造体を提供することができる。
＜２＞  モールド構造体の厚みＤｍ（ｍｍ）と、基板の厚みＤｓ（ｍｍ）と、モールド構造体の面積Ｓ１（ｍｍ２）と、凹凸パターンの表面積Ｓ２（ｍｍ２）とが下記数式（２）を満たす前記＜１＞に記載のモールド構造体である。
０．０１≦（Ｄｍ／Ｄｓ）×（Ｓ２／Ｓ１）１／２≦１・・・・・・・数式（２）
＜３＞  厚みが０．０１ｍｍ以上、０．５ｍｍ未満である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
＜４＞  石英、ニッケル、及び樹脂のいずれかの材料からなる前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
【００１６】
＜５＞  表面にインプリントレジスト層が形成された基板に対し、表面に凹凸パターンが形成されたモールド構造体を、該凹凸パターンを前記インプリントレジスト層に対向させて該インプリントレジストに前記凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むインプリント方法であって、前記モールド構造体の厚みＤｍ（ｍｍ）と、前記基板の厚みＤｓ（ｍｍ）と、モールド構造体の面積Ｓ１（ｍｍ２）とが、下記数式（１）を満たすことを特徴とするインプリント方法である。
０．５≦（Ｄｍ／Ｄｓ）×Ｓ１１／２≦１００・・・・・・・・・・・数式（１）
【００１７】
＜６＞  前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のモールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に押圧して前記モールド構造体に形成された凹凸パターンを転写する転写工程と、前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、前記磁気記録媒体の基板の表面に形成された磁性層をエッチングして、前記凹凸パターンに基づく磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、前記磁性層上に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、を少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
＜７＞  前記＜６＞に記載の磁気記録媒体の製造方法によって作製されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
【００１８】
＜８＞  前記＜５＞に記載のインプリント方法を用いて、磁気記録媒体を製造することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
＜９＞  磁気記録媒体が、ディスクリート型磁気記録媒体、及びパターンドメディア型磁気記録媒体の少なくともいずれかである前記＜８＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
【００１９】
＜１０＞  前記＜８＞から＜９＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
＜１１＞  ディスクリート型磁気記録媒体、及びパターンドメディア型磁気記録媒体の少なくともいずれかである前記＜１０＞に記載の磁気記録媒体。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、耐久性、及び基板に対する転写性が高く、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを転写形成するモールド構造体、及びそれを用いたインプリント方法、並びに磁気記録媒体及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の中でＤＴＭ用モールド構造体について図面を参照して説明する。
【００２２】
＜モールド構造体の構成＞
図１は、本発明に係るモールド構造体の一実施形態における構成を示す部分斜視図である。
図１に示すように、本実施形態のモールド構造体１は、円盤状をなす基板２の一方の表面２ａ（以下、基準面２ａということがある。）に、複数の凸部３ａが同心円状に、所定の間隔で形成されてなる。前記凸部は、磁気記録媒体のサーボ部及びデータ部に対応して設けられている。前記データ部は、略同心円状の凸パターンからなり、データを記録する領域である。前記サーボ部は、凸部面積の異なる複数種類の凸パターンからなる。前記サーボ部としては、トラッキングサーボ制御用の信号に対応するものであり、例えばプリアンブル、サーボタイミングマーク、アドレスパターン、バーストパターン、などで主に構成されている。前記プリアンブルパターンは、アドレスパターン領域等から各種制御信号を読み取るための基準クロック信号を生成する部位である。前記サーボタイミングマークは、アドレス、バーストパターンを読み取るためのトリガー信号である。前記アドレスマークは、セクタ（角度）情報、トラック（半径）情報で構成されており、ディスクの絶対位置（アドレス）を示している。前記バーストパターンは、磁気ヘッドがオントラック状態にあるとき、ヘッド走行位置を微調整し、高精度な位置決めを達成する機能を有している。
前記モールド構造体の基板２材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、石英、金属、及び樹脂のいずれかの材料が好適である。
前記金属としては、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ等の各種金属、又はこれらの合金を用いることができる。これらの中でも、Ｎｉ、Ｎｉ合金が特に好ましい。
前記樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、トリアセテートセルロース（ＴＡＣ）、低融点フッ素樹脂等が用いられる。
【００２３】
なお、本実施形態では、凸部３ａと、複数の凸部３ａ間に形成された凹部３ｂとを総称して凹凸部３とする。
また、前記同心円の半径方向（凸部３ａが列設されている方向）における凸部３ａの断面形状は、例えば、矩形をなしている。
なお、前記凸部３ａの断面形状は、矩形に限られず、目的に応じて、後述するエッチング工程を制御することにより、任意の形状を選択することができる。
以下、本実施形態の説明において、「断面（形状）」とは、特に断りがない限り、前記同心円の半径方向（凸部３ａが列設されている方向）における断面（形状）を指す。
【００２４】
本発明のモールド構造体１は、基板２の厚みをＤｍ（ｍｍ）とし、基板２の表面における法線方向からの投影面積をＳ１（ｍｍ２）とし、モールド構造体１によってインプリントされるインプリントレジスト層が表面に形成された基板の厚みをＤｓ（ｍｍ）とした場合、モールド構造体１の厚さＤｍは、下記数式（１）を満たすことが好ましい。但し、０．３≦Ｄｓ≦２．０である。前記基板の厚みＤｓが０．３ｍｍ未満であると、基板自体の剛性が低くなってしまい、高速回転時の面ぶれにより、磁気ヘッドの安定浮上が得られなる問題がある。また、前記基板の厚みＤｓが２．０ｍｍを超えると、重量が増加し商品適性が低いだけでなく、材料コストも増加する問題がある。
また、表面積Ｓ１は、１，０００（ｍｍ２）以上であることが更に好ましい。
【００２５】
０．５≦（Ｄｍ／Ｄｓ）×Ｓ１１／２≦１００・・・・・・・・・・・数式（１）
【００２６】
また、本発明のモールド構造体１は、凹凸パターンを構成する凸部３ａの頂部の面積をＳ２（ｍｍ２）としたとき、モールド構造体１の厚さＤｍが、下記数式（２）を満たすことがより好ましい。
ここで、前記表面積Ｓ２は、すべての凸部３ａの頂部を、基板２における凸部３ａが形成された側の面（基準面２ａ、図１参照）に平行な面で近似して算出した面積を指し、断面ＳＥＭまたは断面ＴＥＭ像から測定される。
【００２７】
０．０１≦（Ｄｍ／Ｄｓ）×（Ｓ２／Ｓ１）１／２≦１・・・・・・・数式（２）
【００２８】
また、基板２の厚みは、０．０１ｍｍ以上０．５ｍｍ未満であることが好ましい。
【００２９】
（モールド構造体の作製方法）
以下、本発明に係るモールド構造体の作製方法について図面を参照して説明する。
【００３０】
＜第１の実施形態＞
＜＜原盤の作製＞＞
図２Ａ〜Ｂは、第１の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図２Ａに示すように、まず、Ｓｉ基板１０上に、スピンコートなどでＰＭＭＡなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、Ｓｉ基板１０を回転させながら、データ記録用トラック及びサーボ信号の少なくともいずれかに対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば略同心円状の凸パターンからなるデータトラックパターンと、凸部面積の異なる複数種類の凸パターンからなるサーボパターンと、前記データトラックパターンと前記サーボパターンとの間に半径方向に繋がった略放射状の凸パターンからなる緩衝パターンとを露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、基板１０に凹凸パターンを形成する。次に、残余レジスト層２１を除去して、凹凸形状を有する原盤１１を得る。
【００３１】
＜＜モールド構造体の作製＞＞
次に、図２Ｂに示すように、例えば光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４が一方の面に形成された被加工基板としての石英基板３０に対して、原盤１１を押し当て、原盤１１上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層２４に転写される。
【００３２】
＜＜インプリントレジスト層＞＞
前記インプリントレジスト層は、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有するインプリントレジスト組成物（以下、「インプリントレジスト液」ということがある。）であって、基板や磁気記録媒体等に塗布することによって形成される層である。
【００３３】
インプリントレジスト層の厚さは、例えば、エリプソメーター等を用いた光学的な測定あるいは触針式段差計、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等の接触測定等により計測できる。
【００３４】
また、前記インプリントレジスト組成物としては、熱可塑性を有するもの、あるいは光硬化性を有するもの、あるいは、ゾルゲルなどが用いられる。それらの特徴を有し、かつドライエッチング耐性の高いノボラック樹脂、エポキシ樹脂、脂環式樹脂や、剥離性の良好なフッ素系樹脂などが好適である。
【００３５】
ここで、本発明における被加工基板の材料は、光透過性を有し、モールド構造体として機能する強度を有する材料であれば、特に制限されることなく、目的に応じて適宜選択され、例えば、石英（ＳｉＯ２）や、有機樹脂（ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリカーボネート、低融点フッ素樹脂、ＰＭＭＡ）等が挙げられる。
【００３６】
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、被加工基板にインプリントレジスト層が形成される一方の面から出射するように、前記被加工基板の他方の面から光を入射した場合に、インプリントレジストが十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他方の面から前記一方の面への光透過率が５０％以上であることを意味する。
【００３７】
また、前記「モールド構造体として機能する強度を有する」とは、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に対して、平均面圧力が４ｋｇｆ／ｃｍ２という条件下で押し当て、加圧しても耐えられるような強度を意味する。
【００３８】
＜＜硬化工程＞＞
その後、インプリントレジスト層２４に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させる。
【００３９】
＜＜パターン形成工程＞＞
その後、転写されたパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体１を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体１の凹部の断面形状が、図１に示す凸部３ａの断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【００４０】
＜＜剥離層形成工程＞＞
作製したモールド構造体の凹凸面に剥離剤層を形成する。剥離剤はインプリント後にモールド構造体とインプリントレジスト層の界面で剥離できるよう、モールド構造体表面に形成することが好ましい。剥離剤材料としては、モールド構造体に付着、結合しやすく、インプリントレジスト層表面に吸着しにくいという目的に合致する中で、適宜選択できる。中でもレジスト層表面に吸着しにくいと言う点で、フッ素系樹脂が好ましい。
【００４１】
剥離剤層厚みとしては、厚いとパターン精度が劣化するため、可能な限り薄層化することが好ましく、具体的には１０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以下がより好ましい。
剥離剤層の形成手段としては、塗布または蒸着手段を用いることができる。さらに、剥離剤層を形成した後、ベーキング等の手段によりモールド構造体への吸着性を高める等の工程を付与してもよい。
【００４２】
＜第２の実施形態＞
＜＜原盤の作製＞＞
図３Ａ〜Ｂは、第２の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。第１の実施形態と同様に凹凸パターンを有する原盤１１を作製した。
【００４３】
＜＜モールド構造体の作製＞＞
該原盤の表面にスパッタリング法により、導電膜を形成し、該導電膜が付与された原盤を、Ｎｉ電鋳浴に浸漬させて電鋳処理を行い、Ｎｉモールド構造体を作製した。
前記原盤１１の凹凸パターン上への導電膜２２の形成は、導電材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜手段、メッキ法などを用いて行うことができる。前記導電材料としては、後工程（電鋳）に応じて適宜選択できるが、Ｎｉ系、Ｆｅ系、Ｃｏ系の金属または合金材料等が好ましい。電鋳処理により得られたＮｉモールド構造体の厚みは、２０〜８００μｍの範囲が好ましく、４０〜４００μｍがより好ましい。
【００４４】
＜＜剥離層形成工程＞＞
前記第１の実施形態と同様にＮｉモールド構造体の表面に剥離剤層を形成することが好ましい。
【００４５】
＜第３の実施形態＞
＜＜原盤の作製＞＞
図４Ａ〜Ｂは、第３の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。第１の実施形態と同様に凹凸パターンを有する原盤１１を作製した。
【００４６】
＜＜モールド構造体の作製＞＞
熱可塑性樹脂シートに対して、前記原盤を押し当てた。その後、加熱して樹脂の軟化点以上の温度とすることで、樹脂の粘度が低下し原盤上に形成された凸部のパターンが樹脂シートに転写された。その後、冷却して転写されたパターンを硬化させ、原盤から樹脂シートを剥離することで、凹凸形状を有する樹脂モールド構造体を作製した。
【００４７】
ここで、樹脂材料としては、熱可塑性、光透過性を有し、モールド構造体として機能する強度を有する材料であれば、特に制限されることなく、目的に応じて適宜選択され、例えば、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリカーボネート、低融点フッ素樹脂、ＰＭＭＡ等が挙げられる。
【００４８】
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、被加工基板にインプリントレジスト層が形成される一方の面から出射するように、前記被加工基板の他方の面から光を入射した場合に、インプリントレジストが十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他方の面から前記一方の面への光透過率が５０％以上であることを意味する。
【００４９】
また、前記「モールド構造体として機能する強度を有する」とは、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に対して、平均面圧力が４ｋｇｆ／ｃｍ２という条件下で押し当て、加圧しても耐えられるような強度を意味する。
【００５０】
＜＜剥離層形成工程＞＞
前記第１の実施形態と同様に樹脂モールド構造体の表面に剥離剤層を形成することが好ましい。
本発明のモールド構造体は、該モールド構造体の凸部をレジスト層に対向させて該レジスト層に前記凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むインプリント方法に好適に用いられ、以下に説明する本発明の磁気記録媒体の製造方法に特に好適である。
【００５１】
＜磁気記録媒体の作製方法＞
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、本発明のモールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成したインプリントレジスト層に押圧して前記モールド構造体に形成された凹凸パターンを転写する転写工程と、前記インプリントレジスト層に転写された凹凸パターンを硬化させ、モールド構造体を剥離する硬化工程と、前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、前記磁気記録媒体の基板の表面に形成された磁性層をエッチングして、前記凹凸パターンに基づく磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、前記磁性層上に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、を少なくとも含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
【００５２】
以下、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなどの磁気記録媒体の製造方法の一例について図面を参照して説明する。
【００５３】
[転写工程]
アルミニウム、ガラス、シリコン、石英等の基板上に、Ｆｅ又はＦｅ合金、Ｃｏ又はＣｏ合金等の磁性層５０を有する磁気記録媒体中間体の磁性層上にポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のインプリントレジスト液を塗布してなるレジスト層２４を形成したレジスト層付き磁気記録媒体中間体に対して、表面に凹凸パターンが形成されたモールド構造体を押し当て、加圧することにより、モールド構造体上に形成された凹凸パターンをレジスト層２４に転写する。
【００５４】
[硬化工程]
―光照射による硬化―
インプリントレジスト層を形成するインプリントレジスト組成物が、光硬化性樹脂を含む場合、紫外線などの電子線を、透明性を有するインプリント用モールド構造体１を介してインプリントレジスト層に照射し、該インプリントレジスト層が硬化することとなる。
ここで用いる光硬化性樹脂としては、ラジカル重合タイプとカチオン重合タイプがあるが、要求されるパターン形状精度や硬化速度に対し適宜選択することができる。
【００５５】
―加熱による硬化―
インプリントレジスト層を形成するインプリントレジスト組成物が、熱可塑性樹脂を含む場合、インプリントレジスト層にインプリント用モールド構造体１を押し当てる際に、系を前記レジスト液のガラス転移点（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、前記レジスト液のガラス転移点よりも低下することによりインプリントレジスト層が硬化することとなる。さらに、必要に応じて紫外線などを照射してパターンを硬化させてもよい。
【００５６】
なお、インプリントレジスト組成物が、熱硬化性樹脂を含む場合、室温あるいは加熱して流動性を示す状態でインプリントレジスト層にインプリント用モールド構造体１を押し当てて凹凸パターンを転写した後、樹脂の硬化温度まで加熱することにより、インプリントレジスト層が硬化することとなる。
【００５７】
[磁性パターン部形成工程]
次に、凹凸部のパターンが転写されたレジスト層をマスクにして、ドライエッチングを行い、レジスト層に形成された凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を磁性層に形成する。
【００５８】
前記ドライエッチングとしては、磁性層に凹凸形状を形成できるものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチング、等が挙げられる。これらの中でも、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が特に好ましい。
【００５９】
前記イオンミリング法は、イオンビームエッチングとも言われ、イオン源にＡｒ等の不活性ガスを導入し、イオンを生成した。これを、グリッドを通して加速して、試料基板に衝突させてエッチングするものである。前記イオン源としては、カウフマン型、高周波型、電子衝撃型、デュオプラズマトロン源、フリーマン型、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）型、Ｃｌｏｓｅｄ  ｄｒｉｆｔ型などが挙げられる。
【００６０】
イオンビームエッチングでのプロセスガスとしてはＡｒ、ＲＩＥのエッチャントとしてはＣＯ＋ＮＨ３、塩素ガス、ＣＦ系ガス、ＣＨ系ガス及びこれらのガスに酸素、窒素、水素ガスを添加したものなどを用いることができる。
【００６１】
[非磁性パターン部形成工程]
次に、形成された凹部に非磁性材料を埋め込み、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護膜などを形成して磁気記録媒体１００を作製することができる。
前記非磁性材料としては、例えばＳｉＯ２、カーボン、アルミナ、ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー、円滑油などが挙げられる。
前記保護膜としては、ダイヤモンドカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等が好ましく、該保護膜の上に更に潤滑剤層を設けてもよい。
本発明の磁気記録媒体の製造方法により製造された磁気記録媒体は、ディスクリート型磁気記録媒体及びパターンドメディア型磁気記録媒体の少なくともいずれかであることが好適である。
【実施例】
【００６２】
（実施例１）
＜モールド構造体の作製＞
図２Ａ〜Ｂは、第１の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図２Ａに示すように、まず、Ｓｉ基板１０上に、電子線レジストをスピンコート法により、厚み１００ｎｍで塗布した。回転式電子線露光装置にて所望のパターンを露光し、現像することで、凹凸パターンを有するレジスト付きＳｉ基板を作製した。
その後、レジストパターンをマスクにして、以下の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）を行い、Ｓｉ基板上に凹凸形状を形成した。
プラズマ源：ＩＣＰ型（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）
ガス：ＣＦ系ガス、及び微量の水素ガス
圧力：０．５Ｐａ
投入電力：ＩＣＰ−３００Ｗ、Ｂｉａｓ−５０Ｗ
その後、残存するレジストを可溶溶剤にて洗浄することで除去し、乾燥させて原盤を作製した。
【００６３】
この実施例に使用したパターンはデータ部とサーボ部に大別される。データ部は凸幅：１２０ｎｍ、凹幅：３０ｎｍ（ＴＰ＝１５０ｎｍ）のパターンとした。サーボ部は最内周でのサーボ基本ビット長が９０ｎｍ、総セクタ数が２４０、プリアンブル（４５ｂｉｔ）／サーボマーク（１０ｂｉｔ）／ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ（８ｂｉｔ）、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ（３２ｂｉｔ）／Ｂｕｒｓｔパターンで構成した。
【００６４】
サーボマーク部は“００００１０１０１１”であり、ＳｅｃｔｏｒがＢｉｎａｒｙ、ＣｙｌｉｎｄｅｒはＧｒａｙ変換を用いる。Ｂｕｒｓｔ部は一般的な位相バースト信号（１６ｂｉｔ）である。
【００６５】
次に、石英基板上に光硬化性アクリル系インプリントレジスト液（東洋合成工業株式会社製：ＰＡＫ−０１）を１００ｎｍスピンコート法により形成した。
次に、前記原盤をモールド構造体として使用し、ＵＶナノインプリントを行った。ＵＶナノインプリントでは、１ＭＰａの圧力で５秒間加圧してパターン転写した後、２５ｍＪ／ｃｍ２のＵＶ光を１０秒間照射してパターン硬化させた。
ナノインプリント後の凹凸レジストパターンを元に、以下に示すＲＩＥにより選択エッチングを行い、石英基板上に凹凸形状を形成した。
プラズマ源：ＩＣＰ型（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）    ガス：ＣＦ系ガスとＡｒガスを１：１、微量の水素ガス添加
圧力：０．５Ｐａ
投入電力：ＩＣＰ−３００Ｗ、Ｂｉａｓ−６０Ｗ
その後、残存するレジストを可溶溶剤にて洗浄することで除去し、乾燥させて石英モールドを作製した。なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体１の凹部の断面形状が、図１に示す凸部３の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【００６６】
＜剥離層形成＞
作製したモールド構造体の凹凸面にウェット法により剥離剤層を形成した。剥離剤層材料としてはＦ１３−ＯＴＣＳ（Ｔｒｉｄｅｃａｆｌｕｏｒｏ−１，１，２，２−ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ−ＯｃｔｙｌＴｒｉＣｈｌｏｒｏＳｉｌａｎｅ）（Ｇｅｌｅｓｔ社製）を用い、アサヒクリンＡＫ２２５（旭硝子株式会社製）溶媒で０．１質量％の剥離層液を調整した。この剥離層液を用い、Ｄｉｐ法により１ｍｍ／ｓｅｃ．の引き上げ速度により、厚み５．２５ｎｍの剥離層を石英モールド上に形成した。
剥離層を形成したモールド構造体を９０℃、８０％ＲＨの環境下に５時間暴露し、モールド構造体表面に剥離層材料を化学的に吸着させた（化学結合処理）。以上により、実施例１のモールド構造体を作製した。
【００６７】
＜磁気記録媒体中間体の作製＞
２．５インチのガラス基板上に、以下のようにして、軟磁性層、第１非磁性配向層、第２非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層をこの順に成膜した。軟磁性膜、第１非磁性配向層、第２非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層はスパッタリング法で成膜した。なお、保護層上の潤滑剤層はディップ法で形成した。
【００６８】
まず、軟磁性層材料としてＣｏＺｒＮｂを厚みが１００ｎｍとなるように積層した。具体的には、ガラス基板をＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを圧力が０．６Ｐａになるように流入し、ＤＣ１，５００Ｗで軟磁性層を成膜した。
次に、第１非磁性配向層としてＰｔを厚みが５ｎｍとなるように積層した。具体的には、基板上に形成された軟磁性層をＰｔターゲットと対向設置し、Ａｒガスを圧力が０．５Ｐａになるように流入し、ＤＣ１，０００Ｗで放電して、第１非磁性配向層を成膜した。
次に、第２非磁性配向層としてＲｕを厚みが１０ｎｍとなるように積層した。具体的には、基板上に形成された第１非磁性配向層をＲｕターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを圧力が０．５Ｐａになるように流入し、ＤＣ１，０００Ｗで放電して、第２非磁性配向層を成膜した。
次に、磁気記録層としてＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２を厚みが１５ｎｍとなるように積層した。具体的には、基板上に形成された第２非磁性配向層をＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２ターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを圧力が１．５Ｐａになるように流入し、ＤＣ１０００Ｗで放電し、磁気記録層を成膜した。
磁気記録層を形成した後、基板上に形成された磁気記録層をＣターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを圧力が０．５Ｐａになるように流入し、ＤＣ１，０００Ｗで放電し、厚み４ｎｍの保護層を成膜した。以上により、磁気記録媒体中間体を作製した。得られた磁気記録媒体中間体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）であった。
【００６９】
＜ナノインプリント及びディスクリート型垂直磁気記録媒体の作製＞
作製した磁気記録媒体中間体に対して光硬化性アクリル系インプリントレジスト液（東洋合成工業株式会社製：ＰＡＫ−０１）を１００ｎｍスピンコート法により形成した。
得られたレジスト層付き磁気記録媒体中間体に対し、上記モールド構造体を対向させて配置し、磁気記録媒体中間体を１ＭＰａの圧力で５秒間加圧してパターン転写した後、２５ｍＪ／ｃｍ２のＵＶ光を１０秒間照射してパターン硬化させた。その後、モールド構造体と磁気記録媒体中間体を剥離して、磁気記録媒体中間体上のレジスト層に凹凸パターンを形成した。
その後、凹凸部３のパターンが転写されたインプリントレジスト層２５をマスクにして、Ａｒイオンスパッタエッチ（ＩＣＰ型、Ａｒガス、０．２Ｐａ、ＩＣＰ／Ｂｉａｓ＝７５０Ｗ／３００Ｗ）により選択エッチングを行い、インプリント用モールド構造体１上に形成された凹凸部３のパターン形状に基づく凹凸形状を磁性層５０に形成し、凹部に非磁性材料７０（ＳｉＯ２をＣＶＤ方式で形成）を埋め込み、表面を平坦化（ＣＭＰ処理）した後、保護膜を形成（ＤＬＣ保護層をＣＶＤ方式で形成）して磁気記録媒体１００を得た。以上により、実施例１のディスクリート型垂直磁気記録媒体を作製した。
【００７０】
＜＜転写性の評価＞＞
実施例１のモールド構造体を用いて、基板の表面上に形成したインプリントレジスト層上に５０ｎｍ＆５０ｎｍのライン＆スペース、高さ５０ｎｍの凹凸パターンを転写した際に、インプリントレジスト層の残膜を中心から３０ｍｍの距離の点で４５°毎に８点評価した。残膜の厚みは断面ＴＥＭ像により観察し、残膜のばらつき（最大値−最小値）について、下記評価基準に基づき評価した。評価結果を表１に示す。
【００７１】
［評価基準］
○：ばらつき量が４０ｎｍ以下である。
×：ばらつき量が４０ｎｍを超える。
【００７２】
＜＜耐久性の評価＞＞
実施例１のモールド構造体を用いて、基板の表面上に形成したインプリントレジスト層上に凹凸パターンを転写するプロセスを１００回実施し、同プロセス後に超音波影像法で割れや微小クラックを下記評価基準に基づき評価した。評価結果を表１に示す。
【００７３】
［評価基準］
○：割れや微小クラックがない。
×：割れや微小クラックがある。
【００７４】
＜＜サーボ特性の評価＞＞
上記磁気記録媒体の作製において作製した磁気記録媒体について、再生トラック幅０．１μｍ、再生ギャップ０．０６μｍのＧＭＲヘッドを搭載したハードディスク用磁気ヘッドテスタ（アイメス社製ＢｉｔＦｉｎｄｅｒ  Ｍｏｄｅｌ−ＹＳ
３３００）により、再生信号の位置誤差信号（ＰＥＳ）測定を行い、下記評価基準に基づいて、評価した。結果を表１に示す。
【００７５】
［評価基準］
◎：サーボフォローイングでき、かつＰＥＳがトラック幅の±１０％以内の媒体
○：サーボフォローイングできたが、ＰＥＳがトラック幅の±１０％以上±２０％以下の媒体
×：サーボフォローイングできなかった媒体
【００７６】
（実施例２〜２８）
＜モールド構造体の作製＞
実施例１において、モールド構造体の厚さ（Ｄｍ）、表面積（Ｓ１）、及び凹凸パターンの表面積（Ｓ２）を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜２８のモールド構造体を作製した。
【００７７】
＜磁気記録媒体の作製＞
実施例１において、表１に示すモールド構造体、磁気記録媒体中間体を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜２８の磁気記録媒体を作製した。
【００７８】
＜＜転写性の評価＞＞
実施例１と同様にして、作製した実施例２〜２８のモールド構造体、磁気記録媒体中間体による転写性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００７９】
＜＜耐久性の評価＞＞
実施例１と同様にして、作製した実施例２〜２８のモールド構造体の耐久性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８０】
＜＜サーボ特性の評価＞＞
実施例１と同様にして、作製した実施例２〜２８の磁気記録媒体のサーボ特性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８１】
（実施例２９、３０）
＜モールド構造体の作製＞
実施例１と同様に作製した凹凸形状を有する原盤１１に対し、図４Ｂに示すように、原盤１１の表面の凹凸パターンをもとに、この表面にスパッタリングにより、導電膜２２を形成する。その後、導電膜２２が付与された原盤を、下記組成のＮｉ電鋳浴に浸漬させて５０〜１５０ｒｐｍの回転速度で回転させながら、電鋳処理を行い、厚み３００μｍのポジ状凹凸パターンを有するＮｉ盤を作製した。その後、このＮｉ盤を原盤から剥離し、残留するレジスト膜を除去し洗浄した。このようにして、モールド構造体が得られた。
−Ｎｉ電鋳浴組成及び温度−
スルファミン酸ニッケル・・・６００ｇ／Ｌ
ホウ酸・・・４０ｇ／Ｌ
界面活性剤（ラウリル硫酸ナトリウム）・・・０．１５ｇ／Ｌ
ＰＨ＝４．０
温度＝５５℃
得られたモールド構造体の厚さ（Ｄｍ）、表面積（Ｓ１）、及び凹凸パターンの表面積（Ｓ２）を表１に示す。
なお、導電膜２２を所定の厚さに成膜してＮｉ盤２３を作製する際には、Ｎｉ盤２３の凹部の断面形状が、図２Ａ〜Ｂに示す凸部３の断面形状を転写した断面形状となるように行った。
【００８２】
＜磁気記録媒体の作製＞
実施例１と同様に作製した磁気記録媒体中間体に対してＰＭＭＡ樹脂からなるインプリントレジスト液を１００ｎｍスピンコート法により形成した。
得られたレジスト層付き磁気記録媒体中間体に対し、上記Ｎｉからなるモールド構造体を対向させて配置し、１５０℃に加熱した状態で３ＭＰａの圧力で３０秒間加圧してパターン転写した後、６０℃まで冷却してパターン硬化させた。その後、モールド構造体と磁気記録媒体中間体を剥離して、磁気記録媒体中間体上のレジスト層に凹凸パターンを形成した。
次いで、形成した凹凸パターンをマスクとしてエッチングを行い、凹凸形状を磁気記録層に形成した。以上により、実施例２９、３０の垂直磁気記録媒体を作製した。
【００８３】
＜＜転写性の評価＞＞
実施例１と同様にして、作製した実施例２９、３０のモールド構造体、磁気記録媒体中間体による転写性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８４】
＜＜耐久性の評価＞＞
実施例１と同様にして、作製した実施例２９、３０のモールド構造体の耐久性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８５】
＜＜サーボ特性の評価＞＞
実施例１と同様にして、作製した実施例２９、３０の磁気記録媒体の記録再生特性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８６】
（実施例３１、３２）
＜モールド構造体の作製＞
実施例１と同様に作製した凹凸形状を有する原盤１１に対し、ＰＭＭＡからなる熱可塑性樹脂を対向して配置し、１５０℃に加熱した状態で３ＭＰａの圧力で３０秒間加圧してパターン転写した後、６０℃まで冷却してパターン硬化させた。その後、モールド構造体と剥離することで、凹凸形状を有する樹脂モールド構造体１を得た。
得られたモールド構造体の厚さ（Ｄｍ）、表面積（Ｓ１）、及び凹凸パターンの表面積（Ｓ２）を表１に示す。
【００８７】
＜磁気記録媒体の作製＞
実施例１において、表１に示すモールド構造体を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例３１、３２の磁気記録媒体を作製した。
【００８８】
＜＜転写性の評価＞＞
実施例１と同様にして、作製した実施例３１、３２のモールド構造体、磁気記録媒体中間体による転写性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００８９】
＜＜耐久性の評価＞＞
実施例１と同様にして、作製した実施例３１、３２のモールド構造体の耐久性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００９０】
＜＜サーボ特性の評価＞＞
実施例１と同様にして、作製した実施例３１、３２の磁気記録媒体の記録再生特性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００９１】
（比較例１〜３）
＜モールド構造体の作製＞
実施例１において、モールド構造体の厚さ（Ｄｍ）、表面積（Ｓ１）、及び凹凸パターンの表面積（Ｓ２）を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、比較例１〜３のモールド構造体を作製した。
【００９２】
＜磁気記録媒体の作製＞
実施例１において、表１に示すモールド構造体を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例１〜３の磁気記録媒体を作製した。
【００９３】
＜＜転写性の評価＞＞
実施例１と同様にして、作製した比較例１〜３のモールド構造体、磁気記録媒体中間体による転写性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００９４】
＜＜耐久性の評価＞＞
実施例１と同様にして、作製した比較例１〜３のモールド構造体の耐久性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００９５】
＜＜記録再生特性の評価＞＞
実施例１と同様にして、作製した比較例１〜３の磁気記録媒体の記録再生特性を評価した。評価結果を表１に示す。
【００９６】
【表１】
2008276906.tif 000003
【００９７】
表１に示すように、上記数式（１）を満たす実施例１〜３２は、上記数式（１）を満たさない比較例１〜３に対して、モールド構造体の厚みの適正値を特定することができ、ハンドリング性が改善されるので、耐久性、及び基板に対する転写性が高く、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを転写形成するモールド構造体を提供することができた。
また、上記数式（１）〜（２）を満たす実施例１、４〜２５、及び２９〜３２は、数式（１）のみを満たす実施例２、３、２６〜２８よりも更に耐久性に優れ、１枚のモールド構造体から、より多数枚の磁気記録媒体を作製することができた。
【００９８】
一方、比較例１は、モールド構造体の厚みが薄く形状安定性が確保できないため、転写性・耐久性ともに劣る結果となった。また、比較例２〜３は、モールド構造体の厚みが厚く、強固であるため、耐久性は良好であったが、転写性が劣っていた。
【産業上の利用可能性】
【００９９】
本発明のモールド構造体は、該モールド構造体上に形成された微細なパターンが、基板上のレジストに効率よく入り込み、高い歩留まりで前記基板上にパターンを形成することができるので、ディスクリートメディアの作製や、パターンドメディアの作製に好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】図１は、本発明に係るモールド構造体の一実施形態における構成を示す部分斜視図である。
【図２Ａ】図２Ａは、実施例１〜１５におけるモールド構造体の製造方法の一例を示す断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、実施例１〜１５におけるモールド構造体の製造方法の一例を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明に係るモールド構造体を用いて磁気記録媒体を製造する製造方法を示す断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、実施例１６におけるモールド構造体の製造方法の一例を示す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、実施例１６におけるモールド構造体の製造方法の一例を示す断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、実施例１７におけるモールド構造体の製造方法の一例を示す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、実施例１７におけるモールド構造体の製造方法の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１      モールド構造体
２      基板
３      凹凸部
３ａ      凸部
３ｂ      凹部
２４    インプリントレジスト層
４０    磁気記録媒体の基板
５０    磁性層
１００  磁気記録媒体
【図１】
2008276906.tif 000004
【図２Ａ】
2008276906.tif 000005
【図２Ｂ】
2008276906.tif 000006
【図３】
2008276906.tif 000007
【図４Ａ】
2008276906.tif 000008
【図４Ｂ】
2008276906.tif 000009
【図５Ａ】
2008276906.tif 000010
【図５Ｂ】
2008276906.tif 000011