(57)【要約】【課題】高温検査時の検査時間の短縮化、および次に検査する待機ウエハの検査開始までの昇温時間の短縮化を図れる半導体検査装置および半導体検査方法を提供する。【解決手段】検査台１５に、加熱溶媒１３を循環させる加熱溶媒循環部１７を形成し、加熱溶媒１３を加熱する電熱線１４ａなどの溶媒加熱装置１４と、溶媒加熱装置１４で加熱された加熱溶媒１３を検査台１５に循環させる加熱溶媒循環装置１１、１２とを備えた。この構成により、検査台１５内部の加熱溶媒循環部１７に、加熱された加熱溶媒１３を循環させるようにし、検査台１５とともに被検査物１６の加熱を行って昇温させる。これにより、溶媒加熱装置１４を検査台１５から離れた場所に配設でき、加熱溶媒１３により検査台１５の加熱を行うため、例えば溶媒加熱装置１４として電熱線１４ａを用いた場合でも、被検査物１６が電磁波の影響を受けないように構成でき、被検査物１６の加熱時に検査中断の必要がない。【選択図】図１
2008192860.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査物を検査台に載せて高温状態にして検査する半導体検査装置であって、
前記検査台に、この検査台を加熱する加熱溶媒を循環させる加熱溶媒循環部を形成し、
前記被検査物の温度を検出する被検査物温度センサと、前記加熱溶媒を加熱する溶媒加熱装置と、溶媒加熱装置で加熱された加熱溶媒を検査台に循環させる加熱溶媒循環装置とを備えたことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項２】
検査台に載せた被検査物の次に検査する待機被検査物を一時的に載せる被検査物待機台と、待機被検査物の温度を検出する待機被検査物温度センサと、被検査物待機台を加熱する待機台加熱手段とを備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体検査装置。
【請求項３】
被検査物待機台上の待機被検査物の設定温度を、検査台上の被検査物の設定温度に、関連付けできるように構成した請求項２記載の半導体検査装置。
【請求項４】
検査台上の被検査物の設定温度と、被検査物待機台上の待機被検査物の設定温度とが独立して設定できるように構成した請求項２記載の半導体検査装置。
【請求項５】
被検査物を検査台に載せて高温状態にして検査する半導体検査方法であって、前記検査台内に、加熱された加熱溶媒を循環させて、検査台とともに被検査物を昇温させることを特徴とする半導体検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハ等の被検査物を検査台に載せて被検査物が高温である状態でその電気的特性を検査する半導体検査装置および半導体検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路を搭載した電子機器の低価格化が進むにつれ、半導体集積回路に対しても低価格化の要求が強くなっている。半導体集積回路はその電気的特性が検査する半導体検査が行われて良好なものが出荷されるが、このような半導体集積回路の低価格化をさせるための手段として、半導体検査の時間を短くして、単位時間当たりの生産量を増大させることにより半導体集積回路の低価格化を実現するという方法がある。
【０００３】
半導体集積回路の検査には温度変化による特性変化を計測検査するため、半導体集積回路が形成されているウエハに対し、加熱または冷却して、高温、低温、または常温状態での検査を行っている。
【０００４】
図３はウエハの高温検査（高温状態でのウエハの電気的特性の検査）を行う従来の半導体検査装置を概略的に示す図である。従来の半導体検査装置は、被検査物であるウエハ５２を載せるウエハ検査台５１を、ウエハ検査台５１内に配設した電熱線（ヒータ）４９により加熱することで、ウエハ５２に対する高温状態での検査（高温検査と称す）を実施している。
【０００５】
詳しくは、ウエハ検査台５１に載せた検査対象であるウエハ５２（検査ウエハ５２とも称す）に検査ウエハ温度センサ４５を接触させて検査ウエハ５２の温度を検出した状態で、電熱線４９によりウエハ検査台５１を加熱し、検査ウエハ５２の温度が高温検査を行うに適した所定の温度（この温度は、検査に適した温度範囲の上限の温度であるため、検査上限温度と称す）に達したことを検出した場合に、プローブカード５３に設けたプローブ針４８を検査ウエハ５２の表面に当てて高温状態における検査ウエハ５２の検査を開始する。前記設定温度（検査上限温度）に達すると、検査時に電磁波の影響を受けないよう、電熱線４９の電源スイッチ４４をオフにしてから検査ウエハ５２の検査を開始する。このように高温検査を開始した際には電源スイッチ４４をオフにするため、時間経過とともに検査ウエハ５２の温度が下がるが、高温検査における所定の検査下限温度を下回った場合には、再度、検査ウエハ５２を昇温させるため、再度、電源スイッチ４４をオンにする。なお、図３における４１は、半導体検査装置全体を制御する半導体検査装置コントローラ部、４３はウエハ検査台５１の温度を管理および制御する検査台温度コントローラ部、６０は、ウエハ検査台５１やプローブカード５３が内部に配設される半導体検査装置のウエハ検査部であり、このウエハ検査部６０の内部には、後述するウエハ待機台６１も収容されている。
【０００６】
また、検査ウエハ５２を検査している際中に、現在検査実行中である検査ウエハ５２の次に検査するウエハ（待機ウエハとも称す）６２のウエハ検査台５１への搬送時間を短縮するため、次検査予定の待機ウエハ６２を、半導体検査装置のウエハ検査部６０の内部にあるウエハ待機台６１上に予め待機させている。そして、待機ウエハ６２の検査を開始する時には、ウエハ搬送器５５でウエハ待機台６１からウエハ検査台５１にウエハ６２（５２）を搬送する。搬送された検査ウエハ５２はウエハ検査台５１の上で昇温され、前記検査上限温度に達してから検査が開始される。なお、図３における７０は、未だ検査されていない未検査ウエハ７１などを収容するウエハカセットケース、５９は、未検査ウエハ７１をウエハ検査部６０の内部に入れたり、検査済みの検査ウエハ５２をウエハ検査部６０から取り出したりするためのウエハ搬出入口である。
【０００７】
また、被検査物であるウエハを、検査ウエハ台に設けられたヒータ（電熱線）により加熱しながら検査を行う従来の半導体検査装置が例えば特許文献１等に開示されている。
【特許文献１】特開平１０−４１３７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、前記従来の半導体検査装置並びに半導体検査方法では、高温検査時には、検査ウエハ５２を加熱するためにウエハ検査台５１を電熱線４９で加熱する構造であるので、加熱時に電熱線４９から電磁波が生じ、特に詳細なウエハ検査結果を必要とする場合、前記電磁波が検査の結果に影響を与える恐れがある。
【０００９】
このような不具合を防止すべく、従来は検査台温度コントローラ部４３に検査温度値（検査温度範囲の中心温度）を設定し、その温度に加え、許容温度値を設定し、検査温度値＋許容温度値（＝上記した検査上限温度）から検査温度値−許容温度値（＝上記した検査下限温度）の範囲で検査に適した温度範囲（検査適正温度範囲と称す）に保つよう、検査ウエハ温度センサ４５による検査ウエハ５２の温度計測を行いながら、検査台温度コントローラ部４３の指示により電熱線４９の電源スイッチ４４のオン、オフを繰り返して、所定の検査適正温度範囲内になるよう構成していた。すなわち、検査適正温度範囲内に保つべく、電熱線４９の電源スイッチ４４をオンにして加熱する時には、電磁波の影響を避けるために検査ウエハ５２に対する検査を中断しなくてはならず、高温検査を中断している時間だけ、高温検査に余分に時間がかかっており、生産性の低下を生じていた。
【００１０】
また、次に高温検査する待機ウエハ６２はウエハ待機台６１においては加熱（昇温）されておらずに常温状態とされ、待機ウエハ６２の検査開始時にウエハ検査台５１上にウエハが搬送されて検査ウエハ５２となった時（ウエハの高温検査開始時）に常温から高温検査の前記所定の温度（検査上限温度）にまで昇温させる構成であるので、このウエハ検査台５１上での昇温工程に時間がかかり、高温検査の開始までに時間がかかっていた。
【００１１】
本発明は上記課題を解決するもので、高温検査時の検査時間の短縮化、および次に検査する待機ウエハの検査開始までの昇温時間の短縮化を図ることができる半導体検査装置および半導体検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の半導体検査装置は、電熱線以外のもので検査台を加熱することにより、被検査物を昇温させ、かつ電熱線による加熱用熱源を遠ざけることにより高温検査時に電磁波の影響を受けないようにし、よって高温検査の途中で特に加熱用熱源の電源をオンした場合でも高温検査を中断することなく、継続して高速に被検査物の検査を行うものである。
【００１３】
具体的な請求項１の発明が講じる解決手段は、検査台に、この検査台を加熱する加熱溶媒を循環させる加熱溶媒循環部を形成し、被検査物の温度を検出する被検査物温度センサと、前記加熱溶媒を加熱する電熱線などの溶媒加熱装置と、溶媒加熱装置で加熱された加熱溶媒を検査台に循環させる加熱溶媒循環装置とを備えたものである。この構成により、請求項５に記載のように、検査台内部の加熱溶媒循環部に、加熱された加熱溶媒を循環させるようにし、検査台とともに被検査物の加熱を行って昇温させる。これにより、溶媒加熱装置を検査台から離れた場所に配設できて、加熱された加熱溶媒により検査台の加熱を行うため、例えば溶媒加熱装置として電熱線を用いた場合でも、被検査物が電磁波の影響を受けないように構成できて、被検査物の加熱時に検査中断の必要がない。
【００１４】
請求項２の発明は、検査台に載せた被検査物の次に検査する待機被検査物を一時的に載せる被検査物待機台と、待機被検査物の温度を検出する待機被検査物温度センサと、被検査物待機台を加熱する待機台加熱手段とを備えたものである。このように、次に検査する待機被検査物を予め加熱することで、待機被検査物が検査台に搬送された際に、検査台に搬送された被検査物が既にある程度昇温されているので、検査台での被検査物の所定温度までの昇温時間（加熱時間）を短くすることができる。
【００１５】
請求項３の発明は、前記請求項２記載の半導体検査装置において、被検査物待機台上の待機被検査物の設定温度を、検査台上の被検査物の設定温度に、関連付けできるように構成したものである。
【００１６】
請求項４の発明は、検査台上の被検査物の設定温度と、被検査物待機台上の待機被検査物の設定温度とが独立して設定できるように構成したものである。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１の発明に係る半導体検査装置並びに請求項５の発明に係る半導体検査方法によると、ウエハなどの被検査物の高温検査時において、検査台および被検査物の昇温時に、加熱溶媒を循環させて検査台を加熱することにより被検査物を加熱するため、溶媒加熱装置を検査台から離れた位置に配置でき、この溶媒加熱装置として、電磁波を発生すると考えられる電熱線を用いたとした場合でも、被検査物が電磁波の影響を受けないように配置できるため、被検査物の高温検査を中断する必要がない。そのため、本発明は従来の半導体検査装置での場合と比較して、その中断時間の分、短いリードタイムで高温検査を実施することができ、作業能率を向上させることができる。
【００１８】
請求項２の発明に係る半導体検査装置によると、次に検査する待機被検査物を一時的に載せる被検査物待機台と、待機被検査物の温度を検出する待機被検査物温度センサと、被検査物待機台を加熱する待機台加熱手段とを備えたので、被検査物待機台を加熱することにより、次に検査する待機被検査物を、これより１つ前の被検査物をまだ検査している最中に、予め加熱して待機させることが可能となり、この結果、前の被検査物の検査が完了した後に、次の被検査物を検査台において短い時間で高温検査に適した温度まで昇温させることが可能となり、短いリードタイムでの高温検査の開始が可能となって作業能率を向上させることができる。
【００１９】
請求項３の発明に係る半導体検査装置によると、被検査物待機台上の待機被検査物の設定温度を、検査台上の被検査物の設定温度に関連付けできるので、被検査物の高温検査の温度に連動した温度設定が可能となり、手間をあまりかけずに簡便に被検査物待機台および待機被検査物の加熱温度設定が可能となる。また、検査台上の被検査物の加熱時間をなくしたり、極めて少なくしたりすることができて、さらに作業能率を向上させることも可能となる。
【００２０】
請求項４の発明に係る半導体検査装置によると、検査台上の被検査物の設定温度と、被検査物待機台上の待機被検査物の設定温度とが独立して設定できるので、待機被検査物に対しても所望の温度設定を実施することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。ここで、図１は本発明の実施の形態に係る半導体検査装置を概略的に示す図、図２は半導体検査装置に備えられた検査台の時間経過に伴う温度変化を示す図である。
【００２２】
図１に示すように、本発明の実施の形態に係る半導体検査装置は、被検査物としての板状のウエハを載せて保持する検査台としてのウエハ検査台１５と、ウエハ検査台１５に載せられたウエハ１６（検査ウエハ１６とも称す）に対して接触されるプローブ針８と、このプローブ針８が設けられたプローブカード９と、移動自在（例えば昇降自在）に配設され、前記プローブカード９を保持する検査用ヘッド部１０と、ウエハ検査台１５内に形成され、このウエハ検査台１５を加熱する加熱溶媒１３が導入されて循環される加熱溶媒循環部としての検査台内部空間部１７と、ウエハ検査台１５から離れた場所に配設されて、加熱溶媒１３を加熱する加熱溶媒電熱線１４ａが内蔵され、内部の加熱溶媒１３を加熱する溶媒加熱装置１４と、複数（例えば２つ）の加熱溶媒循環用パイプ１１および加熱溶媒循環用ポンプ１２から構成されて、加熱された溶媒加熱装置１４内の加熱溶媒１３をウエハ検査台１５に送り込んで循環させる加熱溶媒循環装置と、加熱溶媒電熱線１４ａに給電する加熱溶媒加熱用電源３と、ウエハ検査台１５上の検査ウエハ１６に接触可能に配置されて、検査ウエハ１６の温度を検出する検査ウエハ温度センサ５と、ウエハ検査台１５の温度管理および制御を行う検査台温度コントローラ部４と、ウエハ検査台１５に載せた検査ウエハ１６の次に検査する待機被検査物としての待機ウエハ２１を一時的に載せて保持する被検査物待機台としてのウエハ待機台２２と、ウエハ待機台２２に内蔵されて、当該ウエハ待機台２２を加熱する待機台加熱手段としての待機台加熱用電熱線２３と、この待機台加熱用電熱線２３に給電する待機台加熱用電源２９と、ウエハ待機台２２上の待機ウエハ２１に接触可能に配置されて、待機ウエハ２１の温度を検出する待機被検査物温度センサとしての待機ウエハ温度センサ２４と、ウエハ待機台２２の温度管理および制御を行う待機台温度コントローラ部２８と、半導体検査装置の検査部としてのウエハ検査部２０内に搬送されたウエハを、このウエハ検査部２０に形成されたウエハ搬出入口２６を介してウエハ待機台２２上に搬送したり、ウエハ待機台２２上の待機ウエハ２１をウエハ検査台１５上に搬送したりするウエハ搬送器１８と、半導体検査装置全体を制御する半導体検査装置コントローラ部１とを備えている。
【００２３】
ここで、半導体検査装置のウエハ検査部２０内には、検査ウエハ１６の電気特性を検査するためのプローブ針８、プローブカード９、検査用ヘッド部１０と、検査ウエハ１６を載せて昇温するためのウエハ検査台１５、加熱溶媒循環用パイプ１１、加熱溶媒循環用ポンプ１２、溶媒加熱装置１４（加熱溶媒電熱線１４ａ）とに加えて、待機台加熱用電熱線２３が内蔵されたウエハ待機台２２などが配設され、ウエハ待機台２２は、ウエハ検査部２０内におけるウエハ検査台１５に近接した位置に配置されて搬送時間の短縮化が図られている。
【００２４】
また、加熱溶媒電熱線１４ａが内蔵された溶媒加熱装置１４は、ウエハ検査台１５から離れた箇所（図１においては、ウエハ検査台１５の下方）に配設されて、ウエハ検査台１５の検査ウエハ１６に対して加熱溶媒電熱線１４ａから発生する電磁波の影響を受けないようになっている。
【００２５】
なお、図１における３０は、まだ検査されていない未検査被検査物としての未検査ウエハ３１や、検査済みのウエハ（図示せず）が収容されるウエハカセットケースである。また、この実施の形態では、ウエハカセットケース３０内に、未検査ウエハ３１と検査済ウエハ（図示せず）との両者が収納される（半導体検査装置コントローラ部１で、未検査ウエハ３１と検査済ウエハとは識別されて記憶されている）が、これに限るものでは無く、未検査ウエハ３１と検査済ウエハとを別個の領域に分けて収容してもよい。
【００２６】
次に、図１、図２を参照しながら、検査ウエハ１６をウエハ検査台１５に載せて高温状態にして検査する半導体検査工程について説明する。ここで、検査時の時間の経過と検査ウエハ１６の温度の変化を図２により示す。
【００２７】
まず、加熱溶媒１３を加熱するために使用する溶媒加熱電熱線１４ａの加熱用電源３をオンにする。これにより、溶媒加熱電熱線１４ａによって、溶媒加熱装置１４内に充填されている加熱溶媒１３が加熱される。また、これと同時に加熱溶媒循環用ポンプ１２を起動する。これにより、加熱媒体循環用パイプ１１を通って、加熱溶媒１３がウエハ検査台１５の検査台内部空間部１７に循環され、循環された加熱溶媒１３によりウエハ検査台１５が、検査ウエハ１６が載せられた、その表面部を含めて加熱される。なお、図１においては加熱溶媒１３の循環方向の１例を矢印で示しているが、この循環方向については特に限定するものではなく、ウエハ検査台１５を加熱できればよい。
【００２８】
次に、検査すべきウエハ（未検査ウエハ３１）を、未検査ウエハ３１が収容されているウエカセットケース３０からウエハ搬出入口２６を通してウエハ検査部２０内に搬入する。まだ、ウエハ検査部２０内にウエハが全く搬入されていない場合には、このウエハをウエハ搬送器１８によりウエハ検査台１５まで搬送して、ウエハ検査台１５上に載せて固定する。なお、このウエハ検査台１５上のウエハを検査ウエハ１６と称している。
【００２９】
次に、ウエハ検査台１５に設置された検査ウエハ１６上に、検査ウエハ温度センサ５を接触させる。検査ウエハ温度センサ５では検査するウエハ検査台１５の検査ウエハ１６の有無を検出するとともに、検査ウエハ１６の温度を測定する。なお、検査するウエハが複数あり、かつ検査ウエハ１６が既にウエハ検査台１５上にあり、ウエハ待機台２２に待機ウエハ２１がない場合には、ウエハカセットケース３０内にある未検査ウエハ３１を、半導体検査装置２０内のウエハ待機台２２上に搬送する。この場合に、ウエハ待機台２２上の待機ウエハ２１の有無と、待機ウエハ２１の温度とを、待機ウエハ温度センサ２４により検出する。搬送したウエハを次の検査待ちの待機ウエハ２１として待機させる。なお、ウエハ検査台１５の加熱とウエハの搬送についての作業手順の順番については特に規定しない。
【００３０】
次に、ウエハ検査台１５からの加熱により検査ウエハ１６の温度が、高温検査に適した所定の温度（検査適正温度範囲内）に達した場合、検査ウエハ１６の検査を開始する。検査適正温度範囲に達したか否かの判断は、検査ウエハ温度センサ５から送られてきた信号により検査台温度コントローラ部４が判断して制御する。予め、検査台温度コントローラ部４に高温検査に適した温度を検査設定温度Ａ、検査温度許容値をＢと設定する。それらの温度と時間の関係を図２に示し、横軸Ｙ方向に時間、縦軸Ｘ方向に検査温度を設定した場合を示す。前記検査設定温度Ａとは検査を実施する時の設定中心温度とする。実際には検査ウエハ１６が加熱、または冷却、放熱の状態を繰り返すため、検査設定温度Ａに対して実際の検査温度に若干上下の振れがある。また製品によっては検査温度に対して許容幅を持っているため、それを検査温度許容値Ｂとして設定する。検査温度許容値が無い場合にはＢの値を０と設定する。このようにウエハ検査台１５を加熱し、検査ウエハ１６の温度がＡ−Ｂ（検査適正温度範囲の下限温度：以下、単に下限温度と称す）に達したことを検査ウエハ温度センサ５が検出した場合、検査台温度コントローラ部４より、半導体検査装置全体を制御する半導体検査装置コントローラ部１に検査開始の信号を送出する。
【００３１】
半導体検査装置コントローラ部１は、検査開始の信号を通信回線７を通じて送出し、検査ヘッド部１０を動かしてプローブカード９に付随するプローブ針８を検査ウエハ１６上に接触させ、検査ウエハ１６の検査を開始する。検査ウエハ温度センサ５で検出した検査ウエハ１６上の温度がＡ＋Ｂ（検査適正温度範囲の上限温度：以下、単に上限温度と称す）を超えた場合、検査台温度コントローラ部４から検査停止の信号を半導体検査装置コントローラ部１に送出し、ウエハの高温検査を停止させる。このとき、検査台温度コントローラ部４により加熱用電源３をオフにし、加熱溶媒１３を加熱する加熱溶媒電熱線１４ａを停止させる。これにより、ウエハ検査台１５の加熱が停止されて検査ウエハ１６への加熱が停止される。また、これと同時に、検査用ヘッド部１０を動かし、プローブカード９、プローブ針８を検査ウエハ１６より離し、検査ウエハ１６における次検査チップ位置を記録して検査を一時的に停止させ、冷却または放熱により検査ウエハ１６の温度がＡ＋Ｂ（上限温度）以下になるのを待つ。
【００３２】
検査ウエハ温度センサ５が検査ウエハ１６の温度がＡ＋Ｂ以下になったことを検査ウエハ温度センサ５が検出した場合、検査台温度コントローラ部４よりウエハ検査を開始する信号を半導体検査装置コントローラ部１に送出する。このとき、プローブカード９、プローブ針８を検査ウエハ１６に接触させ、検査ウエハ１６の検査を再開する。検査ウエハ１６の温度がＡ−Ｂ（下限温度）を下回ったことを検査ウエハ温度センサ５が検出した場合、検査台温度コントローラ部４からウエハ検査中断の信号を半導体検査装置コントローラ部１に送出する。検査中断の信号により、検査用ヘッド部１０、プローブカード９、プローブ針８が検査ウエハ１６より離され、検査ウエハ１６における次検査チップの位置情報を記録し、検査を中断する。次に、検査台温度コントローラ部４より加熱用電源３のスイッチをオンにする信号を送出して加熱溶媒電熱線１４ａに通電し、加熱溶媒１３を加熱するとともに加熱溶媒循環用ポンプ１２によりウエハ検査台１５内に循環させて、ウエハ検査台１５を加熱して検査ウエハ１６を加熱する。
【００３３】
そして、検査ウエハ１６の温度がＡ−Ｂ（下限温度）に達したことを検査ウエハ温度センサ５が検出した時点で、検査台温度コントローラ部４から検査を開始する信号を半導体検査装置コントローラ部１に送る。この時、検査ヘッド部１０、プローブカード９、プローブ針８を検査する検査ウエハ１６上に接触させ、記録していた次検査チップより検査を開始する。
【００３４】
図２を参照しながら、検査ウエハ１６の温度と検査の実施との関係を説明する。検査ウエハ温度センサ５が検査ウエハ１６の温度がＡ−Ｂ（下限温度）以上で、Ａ＋Ｂ（上限温度）以下の場合、すなわち、図２における区間Ｄと区間Ｈにおいて、検査ウエハ１６の検査を実施する。それ以外のとき（区間Ｃ，区間Ｅ、区間Ｇ、および区間Ｉ）は、高温検査に適した温度ではないので、検査ウエハ温度センサ５の検査台温度コントローラ部４から信号を送出して高温検査を停止させる。また、検査ウエハ１６の温度がＡ−Ｂ（下限温度）を下回ったことを、検査ウエハ温度センサ５が検出した場合、検査台温度コントローラ部４より、溶媒加熱電熱線１４ａに通電し、充填されている加熱溶媒１３を加熱してウエハ検査台１５の加熱を行う。なお、図２におけるＦは加熱している時間、Ｊは加熱していない時間である。
【００３５】
このようにして、ウエハ全チップの検査を完了するまで、前述の動作を繰り返す。
検査ウエハ１６の検査が全て完了した場合、検査ウエハ１６をウエハ搬出入口２６よりウエハカセットケース３０に搬出する。検査ウエハ１６がなくなり、待機ウエハ温度センサ２４がウエハ待機台２２において待機ウエハ２１がない場合ことを検出した場合、ウエハの検査を終了し、ウエハ検査台１５の加熱を停止すべく、加熱用電源３をオフにする。
【００３６】
このような半導体検査装置および半導体検査方法によれば、検査ウエハ１６の高温検査時において、ウエハ検査台１５および検査ウエハ１６の昇温時に、加熱溶媒１３を循環させてウエハ検査台１５および検査ウエハ１６を加熱するため、溶媒加熱装置１４（電熱線１４ａ）をウエハ検査台１５から離れた位置に配置でき、溶媒加熱装置１４に、電磁波を発生する電熱線１４ａを用いたとした場合でも、検査ウエハ１６が電磁波の影響を受けないように配置できるため、検査ウエハ１６の高温検査を中断する必要がない。すなわち、従来は加熱時に検査を中断しており、この中断時間を要していたが、本発明では、加熱時に検査を中断しなくても済むので、従来の場合と比較して、その中断時間の分、短いリードタイムで高温検査を実施することができ、作業能率を向上させることができる。
【００３７】
なお、溶媒加熱装置１４として、電熱線１４ａ以外の加熱手段を用いてもよく、この場合でも、この加熱手段を、仮にウエハ検査台１５内に配設した場合の加熱手段に起因する検査ウエハ１６への影響を防止できる利点がある。
【００３８】
ところで、ウエハ検査台１５に設置された検査ウエハ１６の検査が終了した場合でも、待機ウエハ温度センサ２４がウエハ待機台２２にまだ待機ウエハ２１があることを検出した場合には、待機ウエハ２１をウエハ搬送器１８により搬送してウエハ検査台１５に固定し、検査ウエハ温度センサ５によりウエハ検査台１５上の検査ウエハ１６が検査適正温度範囲内であることを確認した段階で、検査台温度コントローラ部４より半導体検査装置コントローラ部１に検査開始の信号を送出し検査を開始する。
【００３９】
この場合の、ウエハ待機台２２に関する温度制御動作について、以下の、第２〜第４の実施の形態で説明する。
第２の実施の形態においては、待機ウエハ２１をウエハ搬送器１８でウエハ待機台２２からウエハ検査台１５に搬送した時点で、ウエハカセットケース３０内にまだ未検査ウエハ３１がある場合、ウエハカセットケース３０から半導体検査装置のウエハ検査部２０内のウエハ待機台２２上に待機ウエハ２１を搬送する。そして、待機ウエハ温度センサ２４でウエハ待機台２２上に待機ウエハ２１があることを確認できた場合、待機台温度コントローラ部２８により待機台加熱用電源２９をオンにしてウエハ待機台２２を加熱し、待機ウエハ２１を加熱する。
【００４０】
一方、ウエハカセットケース３０内に未検査ウエハ３１が残っていない場合なども含めて、ウエハ待機台２２上に待機ウエハ２１が搬送されておらず、存在しないことが待機ウエハ温度センサ２４で確認された場合には、待機台コントローラ部２８により、待機台加熱用電源２９をオフにする。
【００４１】
この構成により、ウエハ検査台１５の検査ウエハ１６を検査しているときでも、並行して、次に検査をするウエハ待機台２２上の待機ウエハ２１を予め加熱して待機させることが可能となり、この結果、ウエハ検査台１５の検査ウエハ１６の検査が完了した後に、その後、次の被検査物である待機ウエハ２１をウエハ検査台１５に搬送した時点で、すでに、この待機ウエハ２１（検査ウエハ１６）がある程度の温度まで昇温されているので、この温度から検査適正温度範囲まで短い時間で昇温させる（温度設定状況によっては加熱しなくても済む）ことが可能となり、この結果、短いリードタイムで早期に次の高温検査を開始することができ、作業能率を向上させることができる。
【００４２】
また、この場合の、ウエハ待機台２２のウエハ検査台１５の温度制御に係る実施の形態（第３の実施の形態）を説明する。
この第３の実施の形態として、第２の実施の形態の温度制御方法に加えて、検査ウエハ１６（ウエハ検査台１５）の検査温度範囲設定と連動して待機ウエハ２１（ウエハ待機台２２）の温度設定が自動的に行われるようにする。連動させる方法の１例として、前記した検査ウエハ１６の検査設定温度Ａに対して、連動させるべき温度Ｋ（この実施の形態では、検査設定温度Ａよりもさらに上昇させる温度Ｋ）の値を検査台温度コントローラ部４に設定可能とする。つまり、設定された検査実施温度Ａに対し、ウエハ待機台２２における待機ウエハ２１の温度をＡ＋Ｋとして設定するようにする。
【００４３】
これにより、検査台温度コントローラ部４に設定した温度ＡにＫ（上昇温度）の値を加えた温度情報（Ａ＋Ｋ）が、通信回線２５を通じて、待機台ウエハコントローラ部２８に待機ウエハ２１の設定温度として送信されて、自動的に設定可能に構成する。この結果、手間を殆どかけずに、簡便に待機ウエハ２１の待機温度の設定を行え、作業能率が向上する。また、前記上昇温度Ｋを、ウエハ待機台２２からウエハ検査台１５まで搬送する際に、冷めてしまう温度に設定することで、ウエハ検査台１５において、加熱時間をなくしたり、極めて少なくしたりすることができ、さらに作業能率が向上する。
【００４４】
次に、第４の実施の形態では、第２の実施の形態の温度制御方法に加えて、検査ウエハ１６（ウエハ検査台１５）の検査温度範囲設定とは独立して、待機ウエハ２１（ウエハ待機台２２）の温度設定が行えるようにする。このように独立して温度を設定するには、検査ウエハ１６の検査設定温度Ａとは関係なく、独立して設定されるべき温度Ｌの値を検査台温度コントローラ部４に設定可能に構成する。つまり、検査ウエハ１６の検査設定温度Ａに対し、待機ウエハ２１（ウエハ待機台２２）の設定温度を、通信回線２５を通して待機台温度コントローラ部２８に検査待ち時の待機温度Ｌとして設定、通知することができるようにする。
【００４５】
これにより簡便に待機ウエハ２１の待機温度Ｌの設定が可能となり、検査ウエハ１６の検査設定温度（検査実施温度）Ａとは独立して待機ウエハ２１の温度設定をＬとして行え、検査ウエハ１６、待機ウエハ２１のそれぞれの温度管理を独自に行える。なお、検査台温度コントローラ部４に代えて、待機台温度コントローラ部２８自体にウエハ待機台２２の温度設定部を設けてもよい。
【００４６】
これらの実施の形態に係る半導体検査装置および半導体検査方法によれば、高速に高温検査を実施することができて、ひいては単位時間当たりの検査時間を短くすることができて、生産性の向上と半導体集積回路の生産コストの低減を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明における半導体検査装置および半導体検査方法は、被検査物がウエハである場合に特に適しているが、これに限るものではなく、高温状態での電気特性を検査するものであれば、被検査物として何でも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体検査装置を簡略的に示す図
【図２】半導体検査装置に備えられた検査台の高温検査時の時間経過に伴う温度変化を示す図
【図３】従来の半導体検査装置を簡略的に示す図
【符号の説明】
【００４９】
１．半導体検査装置コントローラ部
３．（検査ウエハ）加熱用電源
４．検査台温度コントローラ部
５．検査ウエハ温度センサ（被検査物温度センサ）
７．（半導体検査装置コントローラ部、検査ヘッド間）通信回線
８．プローブ針
９．プローブカード
１０．検査ヘッド部
１１．加熱溶媒循環用パイプ（加熱溶媒循環装置）
１２．加熱溶媒循環用ポンプ（加熱溶媒循環装置）
１３．加熱溶媒
１４．溶媒加熱装置
１４ａ．加熱溶媒用電熱線
１５．ウエハ検査台（検査台）
１６．検査ウエハ（被検査物）
１７．検査台内部空間部
１８．ウエハ搬送器
２０．ウエハ検査部
２１．待機ウエハ（待機被検査物）
２２．ウエハ待機台（被検査物待機台）
２３．待機台加熱用電熱線
２４．待機ウエハ温度センサ（待機被検査物温度センサ）
２５．（検査台温度コントローラ部、待機台温度コントローラ部間）通信回線
２６．ウエハ搬出入口
２８．待機台温度コントローラ部
２９．待機台加熱用電源
３０．ウエハカセットケース
３１．未検査ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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