(57)【要約】【課題】製造時の加熱による「ポップコーン現象」の発生を防止すると共に、その加熱後に水分が再度浸入しないようにして耐湿性を高め、特性の向上を図るようにした回路部品内蔵モジュールを提供する。【解決手段】第２構成物を加熱処理する工程より前の工程において、電気的絶縁性基板体８の導体膜層７に開口部１６を形成し、前記加熱処理により蒸気化した電気的絶縁性板体８の水分を、開口部１６から外部に蒸散し、「ポップコーン現象」の発生を防止すると共に、前記加熱の工程後の工程により、開口部１６を電極層１９で覆って封塞し、工程Ｆの加熱処理後、外部環境の湿度変化等が生じても、導体膜層７に形成した開口部１６から電気的絶縁性基板体８内への水分の出入を防止して回路部品内蔵モジュールＭａを製造する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターン層に回路部品を載置して形成された第１構成物を用意する工程Ａと、
絶縁体層の表面に導体膜層を一体に形成した構造の電気的絶縁性基板体を用意し、前記配線パターン層が前記絶縁体層の裏面側に露出した状態で前記回路部品を前記電気的絶縁性基板体に埋設する工程Ｂと、
前記電気的絶縁性基板体に前記配線パターン層の表面を底面とする有底穴を形成する工程Ｃと、
前記導体膜層に開口部を形成して前記絶縁体層を部分的に露出する工程Ｄと、
前記導体膜層と前記配線パターン層とが前記有底穴を介して電気的に導通するように前記有底穴をビアに加工して第２構成物を形成する工程Ｅと、
前記第２構成物を所定温度に加熱する工程Ｆと、
前記加熱の後に前記電気的絶縁性基板体の表面に少なくとも前記開口部を覆って封塞する電極層を一体に形成する工程Ｇと、
を備えたことを特徴とする回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記工程Ｅは、前記導体膜層の表面、前記有底穴の周面及び底面、前記開口部から露出した前記絶縁体層の表面を一様に覆うめっき層を形成する工程と、前記めっき層の形成後に前記有底穴に非導電性ペーストを充填する工程と、前記非導電性ペーストの充填後に前記めっき層の表面を研磨することによって前記開口部に位置した前記絶縁体層の表面の前記めっき層を剥離し、前記開口部を通して前記絶縁体層を露出する工程とを含み、
前記非導電性ペーストは、前記工程Ｆの加熱によって硬化することを特徴とする請求項１に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記工程Ｄは、前記開口部を前記絶縁体層に埋設された前記回路部品の上方位置に形成する工程であることを特徴とする請求項１または２に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記工程Ｆの所定温度は、前記第２構成物の内部の水が蒸散する温度以上の温度であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項５】
回路部品が載置された配線パターン層と、
絶縁体層および、前記絶縁体層の表面に一体に設けられ、前記絶縁体層を部分的に露出する開口部が形成された導体膜層を有し、前記配線パターン層が前記絶縁体層の裏面側に露出した状態で前記回路部品が前記絶縁体層に埋設された電気的絶縁性基板体と、
前記配線パターン層の表面を底面とする前記電気的絶縁性基板体の有底穴を加工して形成され、前記導体膜層と前記配線パターン層とを電気的に導通するビアと、
前記電気的絶縁性基体の表面に少なくとも前記開口部を覆って封塞するように形成された電極層と、
を備えたことを特徴とする回路部品内蔵モジュール。
【請求項６】
前記ビアは、前記有底穴の周面及び底面をめっき層で覆い、前記めっき層で覆われた前記有底穴に非導電性ペーストを充填して形成されていることを特徴とする請求項５に記載の回路部品内蔵モジュール。
【請求項７】
前記導体膜層の前記開口部は、前記絶縁体層に埋設された前記回路部品の上方位置に形成されていることを特徴とする請求項５または６に記載の回路部品内蔵モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、回路部品内蔵モジュールの製造方法及びその回路部品内蔵モジュールに関し、より具体的には製造過程において回路部品を内蔵した層に滞留する水分を外部に放出し、その後の水分の滞留を防止する構造に関する。なお、本願において、「ビア」とは後述の導体膜層と配線パターン層とを電気的に導通するめっき等されたビアホールであり、「有底穴」とは前記ビアを形成するためのめっき等が施される前の有底の穴である。
【背景技術】
【０００２】
従来、各種電子部品モジュールの分野においては、小型化、低背化の要求に応えるため、部品内蔵多層基板構造の回路部品内蔵モジュールが種々提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この種の回路部品内蔵モジュールは、一般に、図１１（ａ）〜（ｄ）に示す工程「１−１」〜「１−４」および図１２（ａ）〜（ｄ）に示す工程「１−５」〜「１−８」を経て製造される。
【０００４】
まず、図１１の工程「１−１」は、銅（Ｃｕ）等の導電性金属の配線パターン層１の表面に種々の回路部品２を載置して形成された第１構成物３を用意する工程である。配線パターン層１は、ベース板４の表面に電解めっき、無電解めっき、スパッタ等によって形成され、その所要の電極１ａ上に例えば半田バンプ５を介して回路部品２が載置される。
【０００５】
工程「１−２」は、熱硬化性樹脂からなる絶縁体層６の表面に銅箔の導体膜層７を一体に形成した構造の電気的絶縁性基板体８を用意し、プリプレグ（半硬化状態）の絶縁体層６を第１構成物３に上方から加圧して圧着し、配線パターン層１の裏面がベース板４に接した状態で回路部品２を電気的絶縁性基板体８に埋設する工程である。
【０００６】
工程「１−３」は、例えば周知のコンフォーマルマスク法のパターニングにより導体幕層７の後述の各有底穴の位置にホール９を形成する工程である。
【０００７】
工程「１−４」は、各ホール９直下の絶縁層６に矢印線で示したレーザ加工で有底穴１０ａを形成する工程である。各有底穴１０ａは配線パターン層１の表面、より正確には配線パターン層１の所期の電極１ａの表面を底面とする。
【０００８】
工程「１−５」は、周知のデスミア処理の工程であり、各有底穴１０ａを形成した電気的絶縁性基板体８を薬液に浸したり、電気的絶縁性基板体８に薬液を吹き付ける等して有底穴１０ａの形成で生じたスミアと呼ばれる汚れを除去し、以降のめっき処理の工程におけるめっきの定着を促す。
【０００９】
工程「１−６」は、導体膜層７と配線パターン層１の所期の電極１ａとが各有底穴１０ａを介して電気的に導通するように、各有底穴１０ａをビア１０ｂに加工して第２構成物１１を形成する工程であり、上記デスミア処理後の電気的絶縁性基板体８において、導体膜層７の表面、各有底穴１０ａの周面及び底面を一様に覆うめっき層１２を形成し、各有底穴１０ａをビア１０ｂに加工する。
【００１０】
工程「１−７」は、めっき層１２の形成後の各有底穴１０ａ、すなわち、各ビア１０ｂの穴に非導電性ペースト１３を充填する工程である。
【００１１】
工程「１−８」は、非導電性ペースト１３を充填した第２構成物１１を加熱して、非導電性ペースト１３を硬化させる工程であり、その加熱温度は例えば約１８０℃である。以上の工程を経て、回路部品内蔵モジュールが製造される。
【特許文献１】特開２０００−３６６５９号公報
【特許文献２】特開平１０−３０３３３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
前記工程１−１〜１−８を経て形成される従来のこの種の回路部品内蔵モジュールの場合、工程「１−３」でホール９を形成し、工程「１−４」で有底穴１０ａを形成することにより、電気的絶縁性基板体８の絶縁体層６が外気に曝された状態となり、水分が電気的絶縁性基板体８に（正確にはその絶縁体層６に）吸収される。また、工程「１−５」のデスミア処理を施すことにより、図１２（ａ）の矢印線に示すように一層多量の水分が電気的絶縁性基板体８に吸収され、蓄積される。
【００１３】
そして、工程「１−６」で有底穴１０ａを封止するようにめっき処埋が施されるため、その後は電気的絶縁性基板体８に含まれた水分の放出機会が失われる。なお、電気的絶縁性基板体８の周部もめっき処埋等の封止処理が施されるため、水分が電気的絶縁性基板体８の周部から放出されることもない。
【００１４】
その後、工程「１−７」でビア１０ｂに非導電性ペースト１３を充填し、工程「
１−８」で加熱して非導電性ペースト１３を硬化させるが、その際、加熱処理によって１００℃を越える熱（具体的には約１８０℃の熱）が電気的絶縁性基板体８全体に加わるため、電気的絶縁性基板体８に含まれた水分が蒸気化して気泡１５が発生する。
【００１５】
そのため、前記蒸気化に伴う気泡圧力によって電気的絶縁性基板体８の表面に形成された導体膜層７の銅箔のおよび、めっき層１２が盛り上がるように膨れ、いわゆる「ポップコーン現象」が発生して導体膜層７の銅箔および、めっき層１２が電気的絶縁性基板体８から剥離する事態が生じる。
【００１６】
一方、例えばＬＳＩのＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ） やＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）を構成するプラスチック配線基板においては、一面のベタパターンの導体層上に半導体チップを搭載して加熱すると、プラスチック配線基板中の水分の蒸気化に起因する、「ポップコーン現象」によりプラスチック配線基板に搭載された半導体チップの一部が接着剤層から剥離し、半導体チップと接着剤層との接着強度が大きく低下することが知られている。
【００１７】
そして、「ポップコーン現象」による前記剥離を防止するため、図１３に示すように、プラスチック配線基板１００を構成するプラスチック基板１０１において、半導体チップが搭載されるマザーボード接続面１０２中央部のベタパターンの導体層１０３に水分放出用の開口部１０３ａを形成することが提案されている（例えば、特許文献２参照）。なお、図１３において、１０４はスルーホール、１０４ａは導体層、１０５ａはハンダボール用パッドである。
【００１８】
しかしながら、水分が開口部１０３ａから蒸散するようにして「ポップコーン現象」を防止しても、その後、外部環境の変化により開口部１０３ａから水分が容易に出入りし、プラスチック配線基板１００の電気特性がその影響を受けるという問題がある。
【００１９】
本発明は、この種の回路部品内蔵モジュールにおいて、製造時の加熱による「ポップコーン現象」の発生を防止すると共に、その加熱後に水分が再度浸入しないようにして耐湿性を高め、特性の向上を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記した目的を達成するために、本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法は、配線パターン層に回路部品を載置して形成された第１構成物を用意する工程Ａと、絶縁体層の表面に導体膜層を一体に形成した構造の電気的絶縁性基板体を用意し、前記配線パターン層が前記絶縁体層の裏面側に露出した状態で前記回路部品を前記電気的絶縁性基板体に埋設する工程Ｂと、前記電気的絶縁性基板体に前記配線パターン層の表面を底面とする有底穴を形成する工程Ｃと、前記導体膜層に開口部を形成して前記絶縁体層を部分的に露出する工程Ｄと、前記導体膜層と前記配線パターン層とが前記有底穴を介して電気的に導通するように前記有底穴をビアに加工して第２構成物を形成する工程Ｅと、前記第２構成物を所定温度に加熱する工程Ｆと、前記加熱の後に前記電気的絶縁性基板体の表面に少なくとも前記開口部を覆って封塞する電極層を一体に形成する工程Ｇと、を備えたことを特徴としている（請求項１）。
【００２１】
そして、本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法において、前記工程Ｅは、前記導体膜層の表面、前記有底穴の周面及び底面、前記開口部から露出した前記絶縁体層の表面を一様に覆うめっき層を形成する工程と、前記めっき層の形成後に前記有底穴に非導電性ペーストを充填する工程と、前記非導電性ペーストの充填後に前記めっき層の表面を研磨することによって前記開口部に位置した前記絶縁体層の表面の前記めっき層を剥離し、前記開口部を通して前記絶縁体層を露出する工程とを含み、前記非導電性ペーストは、前記工程Ｆの加熱によって硬化することが実用的である（請求項２）。
【００２２】
また、本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法において、前記工程Ｄは、前記開口部を前記絶縁体層に埋設された前記回路部品の上方位置に形成する工程であることが望ましく（請求項３）、前記工程Ｆの所定温度は、前記第２構成物の内部の水が蒸散する温度上の温度であることが好ましい（請求項４）。
【００２３】
つぎに、本発明の回路部品内蔵モジュールは、回路部品が載置された配線パターン層と、絶縁体層および、前記絶縁体層の表面に一体に設けられ、前記絶縁体層を部分的に露出する開口部が形成された導体膜層を有し、前記配線パターン層が前記絶縁体層の裏面側に露出した状態で前記回路部品が前記絶縁体層に埋設された電気的絶縁性基板体と、前記配線パターン層の表面を底面とする前記電気的絶縁性基板体の有底穴を加工して形成され、前記導体膜層と前記配線パターン層とを電気的に導通するビアと、前記電気的絶縁性基体の表面に少なくとも前記開口部を覆って封塞するように形成された電極層と、を備えたことを特徴としている（請求項５）。
【００２４】
そして、本発明の回路部品内蔵モジュールにおいて、前記ビアは、前記有底穴の周面及び底面をめっき層で覆い、前記めっき層で覆われた前記有底穴に非導電性ペーストを充填して形成されていることが実用的で好ましく（請求項６）、前記導体膜層の前記開口部は、前記絶縁体層に埋設された前記回路部品の上方位置に形成されていることが好ましい（請求項７）。
【発明の効果】
【００２５】
請求項１の発明によれば、第２構成物を加熱する工程Ｆより前の工程Ｄにおいて、電気的絶縁性基板体の導体膜層に開口部が形成され、工程Ｆの加熱により蒸気化した電気的絶縁性基板体の水分は、導体膜層に形成された開口部から外部に蒸散し、「ポップコーン現象」の発生が防止される。
【００２６】
また、工程Ｆの後の工程Ｇにより、導体膜層に形成された開口部が電極層で覆って封塞されるため、工程Ｆの加熱処理後、外部環境の湿度変化等が生じても、導体膜層に形成した開口部から電気的絶縁性基板体内に水分が出入することはなく、電気的絶縁性基板体内は水分の多い湿った状態になることがない。
【００２７】
したがって、この種の回路部品内蔵モジュールにおいて、製造時の加熱による「ポップコーン現象」の発生を防止すると共に、その加熱後に水分が再度浸入しないようにして耐湿性を高め、特性の向上を図ることができる。
【００２８】
また、請求項２の発明によれば、工程Ｅにおいて、めっき層の形成と安価な非導電性ペーストの充填とにより、安価にビアを形成して請求項１と同様の効果を奏することができ、極めて実用的である。しかも、めっき層がモジュールの電気的なシールドとなり、モジュールの特性が向上する。
【００２９】
さらに、請求項３の発明によれば、前記工程Ｄにおいて、導電膜層の前記開口部を絶縁体層のうちの水が溜まり易く工程Ｆの加熱により蒸気化圧力が大きくなり易い回路部品の上方に形成するため、前記「ポップコーン現象」の発生を極めて効果的に防止することができ、この種の回路部品内蔵モジュールの特性を一層向上することができる。
【００３０】
また、請求項４の発明によれば、工程Ｆの所定温度が第２構成物の内部の水が蒸散する温度上の温度であり、極めて具体的で実用的である。
【００３１】
つぎに、請求項５の発明によれば、電気的絶縁性基板体の導電膜層に絶縁体層を部分的に露出する開口部が形成されているので、製造時に、この開口部の形成後の加熱によって蒸気化した電気的絶縁性基板体の水分を、開口部から外部に蒸散し、「ポップコーン現象」の発生を防止することができる。
【００３２】
また、電気的絶縁性基体の表面に形成された電極層により、少なくとも前記開口部を覆って封塞しているため、前記加熱後に水分が再度浸入しないようにして耐湿性を高め、特性の向上を図ることができる。
【００３３】
したがって、製造時の加熱による「ポップコーン現象」の発生を防止すると共に、その加熱後に水分が再度浸入しないようにして耐湿性を高め、特性の向上を図るようにした新規な回路部品内蔵モジュールを提供することができる。
【００３４】
また、請求項６の発明によれば、めっき層の形成と安価な非導電性ペーストの充填とにより、安価にビアを形成した極めて実用的な構成で請求項５の効果を奏する回路部品内蔵モジュールを提供することができる。しかも、めっき層が回路部品の電気的なシールド効果も発揮し、モジュールの特性が向上する。
【００３５】
さらに、請求項７の発明によれば、導体膜層の前記開口部が絶縁体層に埋設された前記回路部品の上方に位置しているので、前記「ポップコーン現象」の発生を極めて効果的に防止することができ、一層特性の優れた回路部品内蔵モジュールを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
つぎに、本発明をより詳細に説明するため、実施形態について、図１〜図１０にしたがって詳述する。
【００３７】
（第１の実施形態）
第１の実施形態について、図１〜図４を参照して説明する。
【００３８】
図１は回路部品内蔵モジュールＭａの断面図、図２〜図４はその製造方法の説明図である。なお、それらの図面において、図１１および図１２と同一符号は同一または相当するものを示す。
【００３９】
（回路部品内蔵モジュールＭａの構造）
回路部品内蔵モジュールＭａは、回路部品２が載置された配線パターン層１と、絶縁体層６および、絶縁体層６の表面に一体に設けられ、絶縁体層６を部分的に露出する開口部１６が形成された導体膜層７とを有し、配線パターン層１が絶縁体層６の裏面側に露出した状態で回路部品２が絶縁体層６に埋設された電気的絶縁性基板体８と、導体膜層７と配線パターン層１とを電気的に導通するビア１０ｂと、電気的絶縁性基体８の表面に少なくとも開口部１６を覆って封塞するように形成された電極層１７と、を備えた構造である。
【００４０】
そして、配線パターン層１は絶縁体基板またはＳＵＳの転写板からなるベース板４の表面に形成され、配線パターン層１を構成する所要の電極１ａ上に例えば半田バンプ５を介して回路部品２が載置されている。なお、回路部品２はリフロー方式により所要の電極１ａ上に形成することも可能である。
【００４１】
また、絶縁体層６は、本実施形態の場合、例えばエポキシ樹脂等の実用的な熱硬化性樹脂で形成されるが、紫外線硬化樹脂等で形成するものであってもよい。
【００４２】
さらに、後述するようにビア１０ｂは配線パターン層１を底面とする有底穴１０ａを加工して形成され、具体的には、有底穴１０ａの周面及び底面をめっき層１８で覆い、めっき層１８で覆われた有底穴１０ａに安価な熱硬化樹脂からなる非導電性ペースト１３を充填して形成されている。
【００４３】
また、開口部１６は、前記「ポップコーン現象」の発生を極めて効果的に防止するため、加熱により水分の蒸気化圧力が大きくなり易い回路部品２の上方位置、すなわち電気的絶縁性基板体８の主面方向から見て回路部品と重なり合う範囲に形成されている。
【００４４】
（回路部品内蔵モジュールＭａの製造方法）
つぎに、回路部品内蔵モジュールＭａの具体的な製造方法について、図２〜図４を参照して説明する。
【００４５】
本実施形態の製造方法は、概略、図２（ａ）〜（ｄ）の工程「２−１」〜「２−４」、図３（ａ）〜（ｃ）の工程「２−５」〜「２−７」、図４（ａ）〜（ｃ）の工程「２−８」〜「２−１０」からなる。
【００４６】
工程「２−１」は図１１の工程「１−１」と同じ工程であり、本発明の工程Ａを形成し、銅（Ｃｕ）等の導電性金属からなる配線パターン層１の表面に種々の回路部品２を載置して形成された第１構成物３を用意する。配線パターン層１は基板もしくはＳＵＳ等により構成される転写板であるベース板４に形成される。
【００４７】
工程「２−２」は図１１の工程「１−２」と同じ工程であり、本発明の工程Ｂを形成し、絶縁体層６の表面に銅箔の導体膜層７を一体に形成した構造の電気的絶縁性基板体８を用意し、さらに、絶縁体層６が熱硬化性樹脂からなる本実施形態の場合、プリプレグ（半硬化状態）の絶縁体層６を第１構成物３に上方から加圧して圧着し、配線パターン層１の裏面が絶縁体層６の裏面側に露出し、配線パターン層１の裏面がベース板４に接した状態で回路部品２を電気的絶縁性基板体８に埋設する。
【００４８】
工程「２−３」は図１１の工程「１−３」、「１−４」を含む工程であり、本発明の工程Ｃを形成し、例えば周知のコンフォーマルマスク法のパターニングによりホール９を形成し、各ホール９直下の絶縁体層６に矢印線で示したレーザ加工で有底穴１０ａを形成する。各有底穴１０ａは配線パターン層１の表面、より正確には配線パターン層１の所期の電極１ａの表面を底面とする。
【００４９】
工程「２−４」は従来にはない工程であり、本発明の工程Ｄを形成し、電気的絶縁性基板体８を加熱する前に導体膜層７に水分を蒸散する開口部１６を形成し、絶縁体層６を部分的に露出する。なお、開口部１６は湿式、乾式の種々のエッチング処理等で形成することができる。
【００５０】
そして、本実施形態の場合、上記したように、「ポップコーン現象」の発生を極めて効果的に防止するため、加熱により水分の蒸気化圧力が大きくなり易い回路部品２の上方位置に形成されている。なお、開口部１６の個数、大きさ、形成位置や形状等は、「ポップコーン現象」の発生を防止するのに適当なものであればよく、実験等によって適当に設定すればよいが、少なくとも回路部品２の上方位置に形成すると、高い効果が得られる。
【００５１】
工程「２−５」は図１２の工程「１−５」と同じデスミア処理の工程であり、各有底穴１０ａ及び開口部１６を形成した電気的絶縁性基板体８を薬液に浸したり、電気的絶縁性基板体８に薬液を吹き付ける等して有底穴１０ａの形成で生じたスミアを除去し、以降のめっき処理の工程におけるめっきの定着を促す。
【００５２】
そして、工程「２−３」、「２−４」の処理の間に電気的絶縁性基板体８の絶縁体層６が外気に曝された状態となり、水分が電気的絶縁性基板体８に吸収され易いだけでなく、本工程「２−５」のデスミア処理において、図中の矢印線に示すように一層多量の水分が電気的絶縁性基板体８に吸収され、絶縁体層６に蓄積される。なお、このデスミア処理の工程２−６は省略することも可能である。
【００５３】
工程「２−６」は、図１２の工程「１−６」と同様の工程であり、本発明の工程Ｅを形成し、導体膜層７と配線パターン層１とが有底穴１０ａを介して電気的に導通するように有底穴１０ａをビア１０ｂに加工し、工程「１−６」の第２構成物１１に対応する第２構成物１７を形成する。
【００５４】
具体的には、本実施形態の場合、導体膜層７の表面、各有底穴１０ａの周面及び底面、開口部１６から露出した絶縁体層６の表面を一様に覆うめっき層１８を形成し、各有底穴１０ａをビア１０ｂに加工する。このとき、めっき層１８は、まず、無電解めっきによって電気的絶縁性基板体８の表面を一様にメタライズし、その上に電解めっきの層を作成して形成される。この場合、電解めっきは厚く形成することができるため、電解めっきの層を通して電気的絶縁性基板体８の上面の導体膜層７と電気的絶縁性基板体８の底面の配線パターン層１との極めて良好な電気的導通を取ることができる。
【００５５】
工程「２−７」は、図１２の工程「１−７」と同様の工程であり、本発明の工程Ｅに含まれる第２の工程である。そして、めっき層１８の形成後にビア１０ｂに非導電性ペースト１３を充填する。この充填は単に穴埋めを目的としたものであり、非導電性ペースト１３に代えて後述するように導電性ペーストを用いることも可能であるが、導電性ペーストは高価であることから、本実施形態においては、安価な非導電性ペースト１３を充填する。
【００５６】
また、本工程「２−７」においては、非導電性ペースト１３の充填後、ペースト１３を半硬化させるために、仮乾燥を必要に応じて施す。なお、後述する工程「２−８」の研磨が行なえるように８０℃程度で仮乾燥することが好ましい。
【００５７】
このとき、開ロ部１６がめっき層１８に覆われ、電気的絶縁性基板体８の絶縁体層６は露出していないので、仮乾燥によって電気的絶縁性基板体８内に含まれた水分が不用意に蒸発してしまわないように、仮乾燥の温度は水が蒸発しない１ ０ ０℃より低い温度に保たれる。このようにすることによって、仮乾燥によっては「ポップコーン現象」は発生しない。
【００５８】
工程「２−８」は本発明の工程Ｅに含まれる第３の工程であり、非導電性ペースト１３の充填、仮乾燥後にめっき層１８の表面を研磨し、この研磨によってビア１０ｂから突出した非導電性ペースト１３を除去し、表面を平坦化する。この際、導体膜層７の表面のめっき層１８を除去し、同時に、浅い開口部１６に位置した絶縁体層６の表面のめっき層１８を剥離して除去し、開口部１６を通して絶縁体層６を露出する。
【００５９】
そして、めっき層１８で覆われた開口部１６の絶縁体層６を再露出させる専用の工程を用意するのではなく、電気的絶縁性基板体８の表面を研磨してビア１０ｂから突出した非導電性ペースト１３を除去する研磨の工程で開口部１６の絶縁体層６を同時に露出することができるため、工程が増加しない利点もある。
【００６０】
工程「２−９」は本発明の工程Ｆを形成し、第２構成物１７を所定温度に加熱して非導電性ペースト１３を硬化する。
【００６１】
このとき、熱硬化性樹脂からなる非導電性ペースト１３は、約１８０℃に加熱することによって硬化する。
【００６２】
そして、この硬化のための加熱の温度は、第２構成物１７の内部の水が蒸散する温度（通常は水の沸点である１００℃）以上の高温であり、その加熱によって電気的絶縁性基板体内の水分は確実に蒸発し、図４（ｂ）の矢印線に示すように開口部１６から外部に蒸散する。
【００６３】
したがって、この本乾燥によっても「ポップコーン現象」は発生しない。
【００６４】
工程「２−１０」は本発明の工程Ｇを形成し、前記本乾燥の加熱後に電気的絶縁性基板体８の表面に、少なくとも開口部１６を覆って封塞する蓋めっきの電極層１９を一体に形成する。なお、電極層１９は開口部１６を覆って封塞する大きさであればよいが、本実施形態においては、工程の簡素化やシールドの形成を目的として、電気的絶縁体層８の表面全体を一様に覆うように電極層１９を形成する。
【００６５】
この電極層１９を本乾燥の工程２−９の終了直後に形成し、開口部１６を電極層１９で覆って封止することにより、電気的絶縁性基板体８は、絶縁体層６が外部に露出しないように気密に密閉シールドされた状態になるため、その後に電気的絶縁性基板体８が水分を吸収することがない。しかも、電極層１９によって電気的絶縁性基板体８が電気的にシールドされる。
【００６６】
そして、電極層１９の形成後、必要に応じてベース板４の転写板を剥がす等して回路部品内蔵モジュールＭａを完成する。
【００６７】
この場合、第２構成物１７を加熱する工程Ｆより前の工程Ｄにおいて、電気的絶縁性基板体８の導体膜層７に開口部１６が形成されるため、工程Ｆの本乾燥の高温の加熱により蒸気化した電気的絶縁性基板体８の水分は、導体膜層７に形成された開口部１６から外部に蒸散し、「ポップコーン現象」の発生が防止される。
【００６８】
また、工程Ｆの直後の工程Ｇにより、導体膜層７に形成された開口部１６が電極層１９で覆って封塞されるため、工程Ｆの加熱処理後、外部環境の湿度変化等が生じても、導体膜層７に形成した開口部１６から電気的絶縁性基板体８内に水分が出入することはなく、電気的絶縁性基板体８内は水分の多い湿った状態になることがない。
【００６９】
したがって、回路部品内蔵モジュールＭａを、製造時の本乾燥の加熱による「ポップコーン現象」の発生を防止すると共に、その加熱後に水分が再度浸入しないようにして耐湿性を高め、しかも、電極層１９によって電気的シールドも形成し、層特性の向上を図って製造することができる。
【００７０】
（第２の実施形態）
第２の実施形態について、図５〜図７を参照して説明する。
【００７１】
この実施形態の場合も図１の回路部品内蔵モジュールＭａを製造するが、その製造方法が、第１の実施形態と異なる。
【００７２】
図５〜図７はその製造方法の説明図であり、それらの図面において、図１〜図４と同一符号は同一または相当するものを示す。
【００７３】
そして、本実施形態の場合、回路部品内蔵モジュールＭａは図５（ａ）〜（ｄ）の工程「３−１」〜「３−４」、図６の工程「３−５」〜「３−７」、図７の工程「３−８」〜「３−１０」を経て製造される。
【００７４】
このとき、工程「３−１」、「３−２」は図２の工程「２−１」、「２−２」と同じ工程であり、第１構成物３を用意し、配線パターン層１が絶縁体層６の裏面側に露出した状態で回路部品２を電気的絶縁性基板体８に埋設する。
【００７５】
工程「３−３」は本実施形態の特有の工程であり、本発明の工程Ｄに相当し、図中の矢印線に示すように、例えばコンフォーマルマスク法のパターニングによりホール９と共に開口部１６を形成する。このようにすることで、ホール９と開口部１６とを別個に形成する場合より工程が少なくなる。
【００７６】
工程「３−４」は図２の工程「２−３」に相当し、各開口部９直下の絶縁体層６に矢印線で示したレーザ加工で有底穴１０ａを形成する。
【００７７】
そして、工程「３−４」で有底穴１０ａを形成した後の図６、図７の工程「３−５」〜「３−１０」は図３、図４の工程「２−５」〜「２−１０」それぞれと同じ処理の工程である。
【００７８】
したがって、本実施形態の場合は、ホール９を形成するパターニングの工程によって、同時に開口部１６を形成することにより、より工程の作業の簡素化等を図って第１の実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００７９】
（第３の実施形態）
第３の実施形態について、図８〜図１０を参照して説明する。なお、それらの図面において、図１〜図７と同一符号は同一若しくは相当するものを示す。
【００８０】
この実施形態の場合、図８（ａ）〜（ｄ）の工程「４−１」〜「４−４」、図９（ａ）、（ｂ）の工程「４−５」、「４−６」、図１０（ａ）〜（ｃ）の工程「４−７」〜「４−９の処理を行なう。
【００８１】
そして、有底穴１０ａに図９、図１０の導電性ペースト２０を充填して図１のビア１０ｂに相当するビア１０ｃを形成し、図１のめっき層１８を省いた構成の図１０（ｃ）の回路部品内蔵モジュールＭｂを製造する。
【００８２】
具体的には、図８の工程「４−１」〜「４−４」により、図５の工程「３−１」〜「３−４」と同じ処理を行ない、電気的絶縁性基板体８に有底穴１０ａや開口部１６等を形成する。なお、工程「４−１」、「４−２」、「４−３」、「４−４」が本発明の工程Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｃである。
【００８３】
また、図９（ａ）の工程「４−５」によって図６の工程「３−５」と同じデスミア処理を実施する。
【００８４】
つぎに、図６（ｂ）のめっき層１８の形成工程の相当する工程は省き、図６（ｃ）の工程「３−７」の非導電ペースト１３の充填の処理に代わる図９（ｂ）の工程「４−６」により、電気的絶縁性基板体８の有底穴１０ａに導電性ペースト２０を充填する。
【００８５】
そして、必要に応じて仮乾燥を行なって導電性ペースト２０を半硬化する。この仮乾燥の温度は水が蒸発しない１００℃より低い温度に保たれるため、仮乾燥によっては「ポップコーン現象」は発生しない。
【００８６】
その後、図１０（ａ）の工程「４−７」により、導電性ペースト２０を研磨して平坦にする。
【００８７】
なお、工程「４−５」、「４−６」が本発明の工程Ｅに相当する。
【００８８】
そして、図１０（ｂ）、（ｃ）の工程「４−８」、「４−９」により、図７（ｂ）、（ｃ）の工程「３−８」、「３−９」と同様の本乾燥、電極層１９の形成の処理を行ない、回路部品内蔵モジュールＭｂを製造する。
【００８９】
したがって、本実施形態の場合は、めっき層１８を形成する工程を省くことができ、少ない工程数で回路部品内蔵モジュールＭｂを製造することができる。
【００９０】
そして、開口部１６を形成して導電性ペースト２０の硬化を行ない、その後、蓋めっきとなる電極層１９を形成するため、回路部品内蔵モジュールＭａを製造する場合と同様、製造時の本乾燥の加熱による「ポップコーン現象」の発生を防止すると共に、その加熱後に水分が再度浸入しないようにして耐湿性を高め、しかも、電極層１９によって電気的シールドも形成し、層特性の向上を図って回路部品内蔵モジュールＭｂを製造することができる。
【００９１】
そして、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、例えば、前記第１、第２の実施形態においては、工程「２−６」、「３−６」によってめっき層１８を形成して有底穴１０ａをビア１０ｂに加工した後、工程「２−７」、「３−７」で非導電性ペースト１３を充填してビア１０ｂを封塞するようにしたが、本発明はこのようにして製造する構成に限るものではなく、例えば、工程「２−６」、「３−６」でめっき層１８形成した後、非導電性ペースト１３を充填せず、ビア１０ｂを空洞の状態にしておいてもよい。この場合は、非導電性ペースト１３を充填し硬化する工程「２−７」、「３−７」が省ける利点がある。ただし、このような場合にも電気的絶縁性基板体８の表面を研磨することによって開口部１６に位置した絶縁体層６の表面のめっき層１８を剥離し、絶縁体層６を露出した上で、加熱処理を行なう必要がある。加熱処理を行うことによってめっき層１８を強固に定着させることができる。
【００９２】
また、各実施形態の加熱温度、すなわち本発明の所定温度は１ ８ ０℃に限るものではなく、電気的絶縁性基板体８の水が蒸発して外部に蒸散する温度（通常は１００℃）以上の適当な温度であってよいのは勿論である。
【００９３】
つぎに、回路部品２は各実施形態に図示したように２つの有底穴１０ａの間に配置されているが、回路部品２と有底穴１０ａとがそのような配置関係になくてもよいのは勿論である。しかしながら、回路部品２が２つの有底穴１０ａに挟まれている配置関係の場合は、水分が左右に逃げにくく、より回路部品２上に溜まり易い構造となるので、回路部品２上に開口部１６を設けることがより好適な状況となる。
【００９４】
また、例えば第２の実施形態の工程「３−１０」により得られた回路部品内蔵モジュールＭａから転写板等を剥離し、その配線パターン層１の下面に別の電気的絶縁性基板体（この基板体は少なくとも配線パターン層１と有底穴１０ａとは有するが、回路部品２は埋設されていないこともある）を貼り付けて積層し、多層構造の回路部品内蔵モジュールを製造する場合にも、本発明を同様に適用することができる。
【００９５】
なお、このような多層構造の回路部品内蔵モジュールを製造する場合、例えば前記工程「３一１０」により得られた回路部品内蔵モジュールＭａは電極層１９によっていわゆるシールド電極層が形成されるので、通常、最上層に位置することが多いが、最下層や中間層に位置する可能性もある。回路部品内蔵モジュールＭｂの場合も同様である。
【００９６】
そして、絶縁体層６、導体膜層７や非導電性ペースト１３、導電性ペースト２０の構成材料等は、各実施形態に記載したものに限られるものではない。また、それらの形状や寸法等もどのようであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】第１の実施形態の回路部品内蔵モジュールの断面図である。
【図２】図１の回路部品内蔵モジュールの製造過程の一部の説明図である。
【図３】図１の回路部品内蔵モジュールの製造過程の他の一部の説明図である。
【図４】図１の回路部品内蔵モジュールの製造過程の更に他の一部の説明図である。
【図５】第２の実施形態の回路部品内蔵モジュールの製造過程の一部の説明図である。
【図６】第２の実施形態の回路部品内蔵モジュールの製造過程の他の一部の説明図である。
【図７】第２の実施形態の回路部品内蔵モジュールの製造過程の更に他の一部の説明図である。
【図８】第３の実施形態の回路部品内蔵モジュールの製造過程の一部の説明図である。
【図９】第３の実施形態の回路部品内蔵モジュールの製造過程の他の一部の説明図である。
【図１０】第３の実施形態の回路部品内蔵モジュールの製造過程の更に他の一部の説明図である。
【図１１】従来モジュールの製造過程の一部の説明図である。
【図１２】従来モジュールの製造過程の他の一部の説明図である。
【図１３】従来のプラスチック配線基板の平面図である。
【符号の説明】
【００９８】
Ｍａ、Ｍｂ    回路部品内蔵モジュール
１    配線パターン層
２    回路部品
３    第１構成物
６    絶縁体層
７    導体膜層
８    電気的絶縁性基板体
１０ａ    有底穴
１０ｂ、１０ｃ    ビア
１３    非導電性ペースト
１７    第２構成物
１８    めっき層
１９    電極層
【図１】
2008192817.tif 000003
【図２】
2008192817.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008192817.tif 000006
【図５】
2008192817.tif 000007
【図６】
2008192817.tif 000008
【図７】
2008192817.tif 000009
【図８】
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【図９】
2008192817.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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