(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマエッチング装置のチャンバ内で部材に不所望に付着・堆積する反応生成物の剥離を防止ないし抑制することができる反応生成物剥離防止構造及びその制作方法を提供する。【解決手段】プラズマエッチング装置のチャンバ内に防着板として取付されるアルミニウム製のアウターライナー４０およびインナーライナー４２のおもて面（防着表面）をアルマイト処理せずに一定範囲内の表面粗さに粗面化することにより、反応性生物堆積膜５０の剥離を防止し、被処理体１６のパーティクル汚染を低減する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体がチャンバ内に収容され、前記チャンバ内に減圧下で所定の処理ガスが導入され、前記処理ガスの放電により生成されるプラズマにより前記被処理体にプラズマエッチングが施されるプラズマ処理装置における反応生成物の剥離防止構造であって、
前記チャンバ内で前記プラズマエッチングの処理の際に反応生成物が付着する所定の部材の表面から前記反応生成物の堆積膜が剥離するのを抑制するように前記部材の表面が粗面化されている反応生成物剥離防止構造。
【請求項２】
前記反応生成物は、有機ポリマーからなる請求項１に記載の反応生成物剥離防止構造。
【請求項３】
前記反応生成物は、炭素、水素およびフッ素を含む請求項２に記載の反応生成物剥離防止構造。
【請求項４】
前記処理ガスは、炭素とフッ素を主成分とするハロゲン化合物を含む請求項１〜３のいずれか一項に記載の反応生成物剥離防止構造。
【請求項５】
前記処理ガスは酸素を含む請求項４に記載の反応生成物剥離防止構造。
【請求項６】
前記被処理体は、被エッチング材としてシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を有する請求項１〜５のいずれか一項に記載の反応生成物剥離防止構造。
【請求項７】
前記部材は、アルミニウムからなる請求項１〜６のいずれか一項に記載の反応生成物剥離防止構造。
【請求項８】
前記部材の表面の平均粗さがＲａとして、３μｍ≦Ｒａ≦９μｍの範囲にある請求項１〜７のいずれか一項に記載の反応生成物剥離防止構造。
【請求項９】
前記部材の表面の平均粗さがＲａとして、４μｍ≦Ｒａ≦５μｍの範囲にある請求項８に記載の反応生成物剥離防止構造。
【請求項１０】
前記部材は、前記チャンバの内壁の少なくとも一部を覆う第１の防着板を含む請求項１〜９のいずれか一項に記載の反応生成物剥離防止構造。
【請求項１１】
前記部材は、前記被処理体を載置して支持する載置台の表面の少なくとも一部を覆う第２の防着板を含む請求項１〜１０のいずれか一項に記載の反応生成物剥離防止構造。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の反応生成物剥離防止構造を製作するための方法であって、
前記部材の表面にサンドブラスト処理を施す反応生成物剥離防止構造の製作方法。
【請求項１３】
前記サンドブラスト処理に使用される粒子は、アルミナ、珪砂または石英の微粒子であり、その粒度は＃７０〜＃１５０の範囲にある請求項１２に記載の反応生成物剥離防止構造の製作方法。
【請求項１４】
反応生成物防着部材を備えたチャンバ内で半導体ウェーハに対してプラズマ処理を施す工程を含む半導体装置の製造方法であって、
所定のレジストパターンが形成された半導体ウェーハをチャンバ内に導入する工程と、
上記半導体ウェーハに対してプラズマエッチング処理を施す工程と、
チャンバ内の反応生成物防着部材を取り出す工程と、
取り出した防着部材を洗浄する工程と、
洗浄した防着部材を上記チャンバ内に設置する工程と、
所定のレジストパターンが形成された半導体ウェーハをチャンバ内に導入する工程と、
上記半導体ウェーハに対してプラズマエッチング処理を施す工程と
を有し、
上記防着部材の表面の平均粗さＲａが３μｍ≦Ｒａ≦９μｍの範囲にある半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
上記チャンバから取り出した上記防着部材に対して粗面処理を施す工程を更に有する請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理装置のチャンバ内で被処理体のパーティクル汚染を防止する技術に係り、特にプラズマエッチング装置内で反応生成物に起因するパーティクルの発生を防止する反応生成物剥離防止構造およびその製作方法ならびに当該構造を用いる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置等の製造において、エッチングは、リソグラフィで形成されたレジストパターンをマスクとして被処理体表面の薄膜を所望の回路パターンに加工する技術であり、必須不可欠のプロセスである。現在主流となっているプラズマエッチングは、減圧下のチャンバ（処理容器）内で反応性の処理ガスを高周波放電により電離・解離させてプラズマ化し、プラズマ中のラジカルやイオンを被処理体（たとえば半導体ウェーハ、ガラス基板等）に供給して、基板表面の被エッチング膜と反応させる。この反応で生成した気相の反応生成物や反応副生成物の大部分は真空排気機構によりチャンバの外へ排出されるが、一部はチャンバ内の各部に付着して堆積膜を形成する。
【０００３】
従来より、チャンバ内壁やサセプタ（基板載置台）等の非交換部材に上記のような反応生成物が不所望に堆積するのを回避するために、それらの部材を覆う板材の防着カバー、いわゆる防着板を用いることも行われている。この場合、プラズマエッチングのプロセス中に生成する反応生成物は防着板に付着してそこに堆積するので、防着板で覆われている背後の部材（チャンバ側壁、サセプタ等）は反応生成物の付着・堆積から保護され、特段のクリーニングは不要となる。
【０００４】
一般に、防着板は、アルマイト処理を施したアルミニウムからなり、チャンバ内に着脱自在に取付可能な交換部品として製作される。そして、プラズマエッチング装置での使用においては、定期的に新旧の交換が行われる。すなわち、プラズマエッチングのプロセスが行われる度に、防着板上で反応生成物の堆積膜が成長してその膜厚が増大し、そのまま放っておくと、やがて防着板から膜が剥がれ、これがパーティクルとなって被処理基板上に落下し、製品の歩留まりを下げる原因になる。そこで、膜剥がれが起きる前に、通常はチャンバ内に防着板を装着してから正味の使用時間つまり累積処理時間が設定時間に達したところで、該防着板をチャンバから取り外し、それと入れ代わりに新規の防着板をチャンバに装着する。チャンバから取り出された使用済みの防着板は、ブラシ等の治具で堆積膜を擦り取って表面を洗浄してからアルマイト処理を施され、再生部品として再利用される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のような従来の防着板を使用するプラズマエッチング装置においては、防着板から反応生成物の堆積膜が剥がれやすく、このため、上記のようなパーティクル発生防止の観点から、防着板の交換サイクルを短く設定せざるを得ず、装置稼働率の低下や防着板再生費用の増大等を来たしている。
【０００６】
本発明は、上述した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、プラズマエッチング装置のチャンバ内で不所望な反応生成物の剥離を簡便に防止することができる反応生成物剥離防止構造およびその制作方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明の反応生成物剥離防止構造は、被処理体がチャンバ内に収容され、前記チャンバ内に減圧下で所定の処理ガスが導入され、前記処理ガスの放電により生成されるプラズマにより前記被処理体にプラズマエッチングが施されるプラズマ処理装置における反応生成物の剥離防止構造であって、前記チャンバ内で前記プラズマエッチングの処理の際に反応生成物が付着する所定の部材の表面から前記反応生成物の堆積膜が剥離するのを抑制するように前記部材の表面が粗面化されている。
【０００８】
上記の構成においては、チャンバ内で反応生成物の付着・堆積する部材の表面を適度に粗面化することで、反応生成物と部材表面との密着性が増大して膜剥離が抑制され、膜剥離に起因する被処理体へのパーティクル汚染が低減する。
【０００９】
本発明の好適な一態様によれば、反応生成物は有機ポリマーからなり、炭素、水素、フッ素を含む。この場合、処理ガスは、炭素とフッ素を主成分とするハロゲン化合物でよく、さらに酸素を含んでよい。本発明は、特にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を被エッチング材とするプラズマエッチングに好適に適用できる。
【００１０】
好適な一態様において、部材はアルミニウムからなり、アルマイト処理を施さずに表面を粗面化する。表面粗さは、平均粗さがＲａとして、３μｍ≦Ｒａ≦９μｍの範囲が好ましく、特にＲａ＝４．５μｍ付近（４μｍ≦Ｒａ≦５μｍ）が最も好ましい。
【００１１】
本発明の反応生成物剥離防止構造の製作には、サンドブラスト処理法を好適に用いることができる。この場合、サンドブラスト処理に使用される粒子は、アルミナ、珪砂あるいは石英の微粒子であり、その粒度は＃７０〜＃１５０の範囲に選ばれるのが好ましい。
【００１２】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、反応生成物防着部材を備えたチャンバ内で半導体ウェーハに対してプラズマ処理を施す工程を含む半導体装置の製造方法であって、所定のレジストパターンが形成された半導体ウェーハをチャンバ内に導入する工程と、上記半導体ウェーハに対してプラズマエッチング処理を施す工程と、チャンバ内の反応生成物防着部材を取り出す工程と、取り出した防着部材を洗浄する工程と、洗浄した防着部材を上記チャンバ内に設置する工程と、  所定のレジストパターンが形成された半導体ウェーハをチャンバ内に導入する工程と、上記半導体ウェーハに対してプラズマエッチング処理を施す工程とを有し、上記防着部材の表面の平均粗さＲａが３μｍ≦Ｒａ≦９μｍの範囲にある。
【００１３】
上記半導体装置の製造方法において、好ましくは、上記チャンバから取り出した上記防着部材に対して粗面処理を施す工程が更に含まれてよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の反応生成物剥離防止構造およびその製作方法、ならびに当該構造を用いる半導体装置の製造方法によれば、上記のような構成および作用により、プラズマエッチング装置のチャンバ内で不所望な反応生成物の剥離を簡便に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。
【００１６】
図１に、本発明の一実施形態を適用した容量結合型プラズマエッチング装置の構成を示す。このプラズマエッチング装置のチャンバ１０はアルミニウム（Ａｌ）製の円筒状中空体として形成され、室内には上部電極を兼ねるシャワーヘッド１２と下部電極を兼ねるサセプタ１４が上下に所定の間隔を隔てて平行に配置されている。被処理体たとえば半導体ウェーハ１６は、サセプタ１４上に載置され、サセプタ上面に一体に取付されている静電チャック１８によりクーロン力で保持される。また、サセプタ１４の上面外周部には、半導体ウェーハ１６を囲むように、たとえば多結晶シリコンからなる環状のフォーカスリング２０が着脱可能に取付されている。
【００１７】
シャワーヘッド１２は、処理ガス供給源（図示せず）より処理ガス供給管２２Ａ，２２Ｂを介して所要の処理ガス（エッチングガス）を導入して混合し、混合処理ガスを多孔状のガス吐出口よりサセプタ１４側に向けてシャワー状に噴出するようになっている。シャワーヘッド１２は、定期的なクリーニングまたはメンテナンス作業において取り外しが容易にできるように、たとえばアルミニウム製の上蓋２４を介してチャンバ１０の上面に着脱自在に取り付けられ、電気的には上蓋２４またはチャンバ１０を介して接地される。
【００１８】
サセプタ１４は、チャンバ１０の底に絶縁板２６を介して設置された円柱状または円筒状のたとえばアルミニウム製のサセプタ支持部２８の上に固定されている。サセプタ１４には、チャンバ１０の外に配置された高周波電源３０が整合器３２を介して電気的に接続されている。
【００１９】
チャンバ１０は密閉かつ減圧可能な処理容器として構成されており、チャンバ側壁には半導体ウェーハ１６を出し入れするためのウェーハ出入口３４およびゲートバルブ３５が取り付けられており、チャンバ底には排気管３６を介して真空ポンプ（図示せず）に通じる排気口３８が設けられている。
【００２０】
チャンバ１０内には、それぞれ防着板として、チャンバ内壁を覆うアウターライナー４０と、サセプタ１４ないしサセプタ支持部２８の外周面を覆うインナーライナー４２が着脱可能に取付されている。アウターライナー４０は、より詳細には、チャンバ１０の側壁を覆うように鉛直方向に延びる円筒状の側壁ライナー部４０ａと、シャワーヘッド１２回りのチャンバ１０の天井を覆うように水平方向に延びる環状の天井ライナー部４０ｂとからなり、側壁ライナー部４０ａの上端に天井ライナー部４０ｂの外周端が一体に接続している。側壁ライナー部４０ａには、ゲートバルブ３５と対向する部位に内部ウェーハ出入口４４およびシャッタ４６が設けられる。インナーライナー４２は、アウターライナー４０の側壁ライナー部４０ａと対向して、チャンバ底の排気口３８に通じる環状の排気空間４８を形成する。
【００２１】
アウターライナー４０およびインナーライナー４２はいずれもアルミニウム製であり、それぞれのおもて面は後に詳述するような所定範囲内の適度な表面粗さに粗面化されている。
【００２２】
このプラズマエッチング装置は、好適には、半導体ウェーハ１６の主面に形成されているシリコン窒化膜あるいはシリコン酸化膜を被エッチング材とする。プラズマエッチング処理に際しては、処理ガス供給源より第１処理ガス供給管２２Ａおよび第２処理ガス供給管２２Ｂを介してそれぞれフッ素系化合物ガスたとえばＣＨxＦ4-x（ｘ＝１，２または３）および酸素ガスをシャワーヘッド１２に導入して、シャワーヘッド１２内で両ガスを混合し、その多孔状ガス吐出口より矢印に示すようにサセプタ１４上の半導体ウェーハ１６に向けて吐出させる。一方、真空ポンプによりチャンバ１０内を所定圧力まで減圧し、高周波電源３０より所定周波数の高周波を所定のパワーでサセプタ１４に印加する。
【００２３】
これにより、シャワーヘッド（上部電極）１２とサセプタ（下部電極）１４との間の領域（プラズマ生成空間）で処理ガスが高周波のパワーでプラズマ励起される。このプラズマ励起により処理ガスが分解、活性化して、たとえばフッ素や酸素等の活性種が生成される。これらの活性種は、イオンあるいは中性ラジカル等の励起状態にある分子、原子であり、化学反応を起こし易い状態にあり、半導体ウェーハ１６の被エッチング材と容易に反応する。この反応によって生じる気相の生成物は、元素Ｃ，Ｈ、Ｆを含む有機ポリマーであり、その大部分が未反応の活性種や処理ガスと一緒に排気ガスとして排気空間４８を通って排気口３８からチャンバ１０の外へ排出される。
【００２４】
しかし、反応生成物の一部は、チャンバ１０の外に排出されずに、周囲の壁面つまりアウターライナー４０の内壁（防着表面）およびインナーライナー４２の外壁（防着表面）に付着して、堆積膜５０を形成する。そして、プラズマエッチングのプロセスを重ねるにつれて、この反応生成物堆積膜５０の膜厚が増大する。このように、アウターライナー４０およびインナーライナー４２が盾になってそれぞれのおもて面（防着表面）に反応生成物を付着・堆積させるので、それらに覆われた背後の部材（チャンバ１０の内壁、サセプタ支持部２８の外周面）には反応生成物が殆どあるいは僅かしか付着・堆積しないようになっている。
【００２５】
この実施形態においては、アウターライナー４０およびインナーライナー４２から反応生成物の堆積膜５０が剥がれるのを効果的に防止ないし抑制するために、両ライナー４０，４２の防着表面を所定範囲内の適度な表面粗さに粗面化している。具体的には、両ライナー４０，４２の防着表面の表面粗さは、平均粗さをＲａとすると、下限は３μｍ≦Ｒａの条件を満たすのが好ましい。Ｒａが３μｍ未満であると、後に詳述するように、反応生成物堆積膜５０との密着性が悪くなって、膜剥離が生じやすい。また、Ｒａの上限はＲａ≦９μｍの条件を満たすのが好ましい。Ｒａが９μｍを超えると、両ライナー４０，４２の材質（アルミニウム）と反応生成物堆積膜５０との間の熱膨張率の違いに起因した膜剥離が起こりやすくなる。なお、この実施形態においては、３μｍ≦Ｒａ≦９μｍの範囲内でＲａ＝４．５μｍ付近（４μｍ≦Ｒａ≦５μｍ）が膜剥離低減効果の最も大きいことが実験で確認されている。
【００２６】
図２に、この実施形態のプラズマエッチング装置において、シリコン窒化膜のプラズマエッチング処理を繰り返したときの正味の防着板使用時間（累積処理時間）と防着板（アウターライナー４０およびインナーライナー４２）上の反応生成物堆積膜５０の膜厚との関係を示す。図示のように、使用時間が増すにしたがって、反応生成物堆積膜５０の膜厚も略一定の比例係数Ｃ（図示の例はＣ＝１．３３８４）で単調に増大する。
【００２７】
この実施形態においては、使用時間が延べ１１５時間を超して反応生成物堆積膜５０の膜厚が１５３μｍに達しても、図３に模式的に示すように、アウターライナー４０の内壁（防着表面）に反応生成物堆積膜５０がしっかりこびりついていて、膜剥離は全く生じなかった。図示省略するが、インナーライナー４２においても、同様に反応生成物堆積膜５０の剥離は全然見られなかった。
【００２８】
これに対し、比較例として、アウターライナー４０およびインナーライナー４２の防着表面に従来のようにアルマイト処理（５２）を施した場合は、使用時間が５０時間を超えたあたりで、まだ反応生成物堆積膜５０の膜厚が６７μｍの段階で、図４に示すように、アウターライナー４０の内壁（防着表面）から反応生成物堆積膜５０が帯状に剥がれ落ちてアルマイト層５２が露出するに至った。インナーライナー４２においても、図示省略するが、同様に反応生成物堆積膜５０の剥離が見られた。なお、アルマイト層５２の表面粗さは平均粗さＲａが２μｍ以下である。
【００２９】
上記のように、チャンバ１０内で防着板として機能するＡｌ製のアウターライナー４０およびインナーライナー４２の防着表面をアルマイト処理せずに一定範囲（３μｍ≦Ｒａ≦９μｍ）内の表面粗さに粗面化することにより、反応生成物堆積膜５０の剥離を抑制して、半導体ウェーハ１６表面のパーティクル汚染を低減できる。また、アウターライナー４０およびインナーライナー４２から反応生成物堆積膜５０が剥れ難くなるぶん、チャンバ１０内の定期的クリーニングの実施あるいはライナー交換の間隔（サイクル）を延ばすことができ、装置稼働率の向上や防着板リサイクル費用の低減等も図れる。
【００３０】
ここで、図５の模式図を参照して、本発明における防着板（特に防着表面）の作用を説明する。図５Ａは、本発明にしたがって防着板の表面粗さをＲａ＝４．５μｍとした場合である。この場合は、シリコン窒化膜あるいはシリコン酸化膜のプラズマエッチングにおいて、元素Ｃ、Ｈ、Ｆを含む有機ポリマーの反応生成物５０がたとえば図中の白丸に模擬して示したように束状の繊維になって、防着板表面の凹凸部の中に膜の最下層部分を埋め込ませるようにして付着・堆積する。このように、反応生成物５０の繊維と防着板表面の凹凸部との間の密着面積が大きいため、両者間の接着強度（結合力）が大きい。
【００３１】
これに対して、図５Ｂは、防着板の表面粗さをＲａ＝２μｍとした場合である。従来のようにＡｌ製の防着板の表面をアルマイト処理すると、この程度の細かな表面粗さになる。この場合は、有機ポリマーの反応生成物５０が防着板表面の凹凸部の中に入り込まず、凸部の上に載るような形で付着・堆積するため、接触面積は小さくて密着度が良くなく、界面から膜剥離が生じやすい。
【００３２】
一般に、有機ポリマーの反応生成物の防着板表面への付着においては、原子レベルあるいは分子レベルでみた結合は物理吸着レベルであり、それ程強固なものではない。しかし、本発明による防着板は、そのように本来それ程強固でない付着力であっても、適度な表面粗さにより反応生成物堆積膜との密着ないし接着面積を大きくして、膜の剥離を効果的に抑制することができる。
【００３３】
次に、図６のフローチャートにつき、この実施形態における防着板（アウターライナー４０およびインナーライナー４２）の再利用方法の一例を説明する。先ず、チャンバ１０内の防着板を定期的に交換する場合は、それまで使用してきたアウターライナー４０およびインナーライナー４２を取り外す前に、プラズマクリーニングを実施する。より詳細には、チャンバ１０内にクリーニングガスとして、たとえばＮＦ3（三フッ化窒素）のような炭素を含まないフッ素系ガスと酸素系ガスの混合ガスを導入し、これらのガスをプラズマ励起してチャンバ１０内部の表面をクリーニングする（ステップＳ１）。このプラズマクリーニングにより、各ライナー４０，４２の防着表面に付いている反応生成物堆積膜５０の一部が除去される。
【００３４】
上記プラズマクリーニングの後に、チャンバ上蓋２４およびシャワーヘッド１２を取り外し、アウターライナー４０およびインナーライナー４２をチャンバ１０の外に取り出す。そして、各ライナー４０，４２の防着表面に残存する反応生成物堆積膜５０の擦り落しを行う（ステップＳ２）。この擦り落しでは、防着表面を不織布あるいは樹脂系ブラシ等により摺擦するとよい。
【００３５】
次いで、たとえば純水に浸漬しての超音波洗浄、あるいは化学薬液を用いる洗浄等により各ライナー４０，４２の防着表面を洗浄する（ステップＳ３）。
【００３６】
次いで、各ライナー４０，４２の防着表面をサンドブラスト処理する（ステップＳ４）。このサンドブラスト処理に使用する粒子は珪砂、石英、アルミナ等の微粒子であってよく、その粒度は＃７０〜＃１５０の範囲が好ましく、特に粒度＃１００が好適である。このサンドブラスト処理により各ライナー４０，４２の防着表面が上記一定範囲（３μｍ≦Ｒａ≦９μｍ）内の表面粗さに粗面化される。サンドブラスト処理に用いる微粒子はその粒径が揃うように、たとえば篩いにより分級するのが好ましい。なお、粒度＃は、微粒子を１０ｍｍ平方に並べて配列できる微粒子のほぼ個数に相当する。
【００３７】
その後、サンドブラスト処理により粗面化されたアウターライナー４０およびインナーライナー４２の防着表面を洗浄する（ステップＳ５）。この洗浄工程では、各ライナー４０，４２の防着表面に付着しているパーティクルを効率的に除去できるような洗浄方法、たとえば超音波洗浄あるいは化学薬液洗浄を用いてよい。
【００３８】
以上のようにしてアウターライナー４０およびインナーライナー４２の再生処理がなされる。そして、この再生処理されたアウターライナー４０およびインナーライナー４２は、定期交換でプラズマエッチング装置のチャンバ１０内に装着され、再使用に付される。
【００３９】
なお、上記ステップＳ３の洗浄工程の後で、各ライナー４０，４２の防着表面の表面粗さＲａを表面粗さ計で計測し、Ｒａの値が許容範囲から外れた場合に限って上記サンドブラスト処理を行うようにしてもよい。通常、チャンバ１０内の防着板としての使用と上記ステップＳ１，Ｓ２，Ｓ３とを繰り返している間に防着表面４５が滑らかになる。そこで、Ｒａ＜３μｍの膜厚計測結果が得られた場合に、ステップＳ４の工程において上記サンドブラスト処理を行ってよい。あるいは、チャンバ１０内のプラズマクリーニング（ステップＳ１）を省いて、反応生成物堆積膜５０の擦り落し（ステップＳ２）から再生処理を始めてもよい。
【００４０】
本発明によれば、プラズマエッチング装置のチャンバ内で使用される防着板以外の各種部材においても、その表面を上記一定範囲（３μｍ≦Ｒａ≦９μｍ）内の表面粗さに粗面化することにより、反応性生物堆積膜について上記と同様の剥離防止または抑制の効果を得ることができる。この場合、そのような表面粗さの粗面化を施される部材の材質としては、Ａｌ以外にも、たとえば石英ガラス、窒化アルミニウム、ステンレス等でもよい。
【００４１】
本発明は、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜を被エッチング材とするプラズマエッチング装置に好適に適用可能であり、他のプラズマ処理装置たとえばＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）装置では大して顕著な作用効果が得られない。
【００４２】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、上述した実施形態は本発明を限定するものでない。当業者にあっては、具体的な実施態様において本発明の技術思想および技術範囲から逸脱せずに種々の変形・変更を加えることが可能である。
【００４３】
たとえば、上記実施形態において反応性生物堆積膜の剥離抑制のために防着板等の各種部材の表面に施される粗面化処理は、上述したようなサンドブラスト処理の他にも、化学薬液あるいは物理的摺擦による部材表面の蝕刻によって形成されてもよい。
【００４４】
また、本発明における被処理体は半導体ウェーハに限るものではなく、たとえば液晶表示装置に用いられるガラス基板等であってもよい。本発明の適用可能なプラズマエッチング装置は上記実施形態のタイプに限らない。たとえば、下部電極を接地して上部電極に高周波を印加するアノードカップル式のプラズマエッチング装置にも本発明の反応生成物剥離防止構造は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態におけるプラズマエッチング装置の構成を示す縦断面図である。
【図２】実施形態のプラズマエッチング装置における防着板の使用時間と防着板に堆積する反応生成物の膜厚との関係を示すグラフである。
【図３】実施形態において反応生成物堆積膜の膜厚が所定値に達した時点での防着板の防着表面状態を示す図である。
【図４】比較例において反応生成物堆積膜の膜厚が所定値に達した時点での防着板の防着表面状態を示す図である。
【図５Ａ】防着板の表面における本発明の作用を説明するための模式図である。
【図５Ｂ】防着板の表面における比較例（従来例）の作用を説明するための模式図である。
【図６】実施形態における防着板の再利用方法（手順）の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４６】
１０    チャンバ
１２    シャワーヘッド（上部電極）
１４    サセプタ（下部電極）
１６    半導体ウェーハ（被処理体）
３０    高周波電源
３８    排気口
４０    アウターライナー（防着板）
４２    インナーライナー（防着板）
５０    反応生成物堆積膜
【図１】
2008270595.tif 000003
【図２】
2008270595.tif 000004
【図３】
2008270595.tif 000005
【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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