(57)【要約】【課題】良質の多孔性有機シロキサン膜を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に、炭素を主成分とするポロジェン成分を有する多孔性有機シロキサン膜２１ｂを形成する工程と、多孔性有機シロキサン膜上に、多孔性有機シロキサン膜とは膜密度又は膜組成が異なる上層絶縁膜２２を形成する工程と、多孔性有機シロキサン膜及び上層絶縁膜に電子線又は紫外線を照射して、多孔性有機シロキサン膜中のポロジェン成分の重合反応を促進させる工程とを備える。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、炭素を主成分とするポロジェン成分を有する多孔性有機シロキサン膜を形成する工程と、
前記多孔性有機シロキサン膜上に、前記多孔性有機シロキサン膜とは膜密度又は膜組成が異なる上層絶縁膜を形成する工程と、
前記多孔性有機シロキサン膜及び前記上層絶縁膜に電子線又は紫外線を照射して、前記多孔性有機シロキサン膜中のポロジェン成分の重合反応を促進させる工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記多孔性有機シロキサン膜を形成する工程は、
シリコン、酸素及び炭素を主成分とする主骨格成分と、炭素を主成分とするポロジェン成分とを有する有機シロキサン膜を形成する工程と、
前記有機シロキサン膜に電子線又は紫外線を照射して、前記ポロジェン成分の一部を除去する工程と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記多孔性有機シロキサン膜を形成する工程は、
シリコン、酸素及び炭素を主成分とする主骨格成分を有する予備的な多孔性有機シロキサン膜を形成する工程と、
前記予備的な多孔性有機シロキサン膜中に炭素を主成分とするポロジェン成分を導入する工程と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記上層絶縁膜は、前記電子線又は紫外線を照射した後の膜密度が１．２ｇ／ｃｍ3以上の有機シロキサン膜からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記上層絶縁膜は、無機シロキサン膜、ＳｉＣＨ膜、ＳｉＣＮＨ膜、又はポリアリーレン膜からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高速化のためには、配線間容量の低減、すなわち絶縁膜の低誘電率化が重要である。低誘電率絶縁膜としては有機シロキサン膜が広く用いられているが、より一層の低誘電率化のために、膜中に微細な空孔を有する多孔性絶縁膜の採用が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、多孔性絶縁膜は膜密度が低いため、ドライエッチングの際にエッチングガスが膜中に浸透しやすい。多孔性絶縁膜として多孔性有機シロキサン膜を用いた場合には、エッチングガスによって膜中のＳｉ−Ｏ結合やＳｉ−ＣＨ3結合が破壊され、膜質が劣化するという問題が生じる。このような膜質の劣化に起因して多孔性有機シロキサン膜の吸湿性が増大し、半導体装置の特性悪化の大きな要因となる。
【０００４】
このように、低誘電率絶縁膜として多孔性有機シロキサン膜が提案されているが、従来は良質の多孔性有機シロキサン膜を得ることが困難であった。
【特許文献１】特表２００４−５０９４６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、良質の多孔性有機シロキサン膜を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一視点に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、炭素を主成分とするポロジェン成分を有する多孔性有機シロキサン膜を形成する工程と、前記多孔性有機シロキサン膜上に、前記多孔性有機シロキサン膜とは膜密度又は膜組成が異なる上層絶縁膜を形成する工程と、前記多孔性有機シロキサン膜及び前記上層絶縁膜に電子線又は紫外線を照射して、前記多孔性有機シロキサン膜中のポロジェン成分の重合反応を促進させる工程と、を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、良質の多孔性有機シロキサン膜を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
【０００９】
図１〜図５は、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造工程を模式的に示した断面図である。
【００１０】
まず、図１に示すように、層間絶縁膜１２、銅配線１３及び拡散防止膜１４を含む下地領域１１を形成する。拡散防止膜１４は、銅配線１３中の銅の拡散を防止するために用いられ、例えばＳｉＣ膜で形成されている。なお、図示はしないが、下地領域１１の下には、ＭＩＳトランジスタ等の半導体素子が形成された半導体基板が存在する。
【００１１】
次に、下地領域１１上に、シリコン、酸素及び炭素を主成分とする主骨格成分と、炭素を主成分とするポロジェン成分とを有する有機シロキサン膜２１ａを形成する。この有機シロキサン膜２１ａは、主骨格成分形成用の有機シリコンガス（有機シランガス）と、炭化水素を主成分とするポロジェン成分形成用ガスとを用いたＰＥ−ＣＶＤ（plasma enhanced chemical vapor deposition）法によって形成される。以下、この有機シロキサン膜２１ａの形成方法を具体的に説明する。
【００１２】
図６は、有機シロキサン膜２１ａの形成に用いる反応装置（ＰＥ−ＣＶＤ装置）の構成を模式的に示した図である。１１０は図１に示した下地領域１１を有するウェハ、１１１はチャンバ、１１２は加熱機構を有する下部電極、１１３は上部電極である。
【００１３】
まず、１０Torr以下の高真空状態を維持可能なチャンバ１１１内にウェハ１１０を搬入し、ウェハ１１０を下部電極１１２上に載置する。ウェハ１１０は、下部電極１１２に設けられた加熱機構により２５０℃程度に加熱される。
【００１４】
続いて、メチルジエトキシシラン（Methyl-Di-Ethoxy-Silane）、アルファターピネン（Alpha-Terpinene）、Ｏ2及びＨｅを含んだ混合ガスをチャンバ１１１内に導入する。メチルジエトキシシランは主骨格成分形成用のガスであり、アルファターピネンはポロジェン成分形成用ガスである。チャンバ１１１内の圧力を一定に維持した状態で、下部電極１１２及び上部電極１１３に高周波電力を供給し、プラズマを発生させる。これにより、ウェハ１１０の表面に有機シロキサン膜２１ａが形成される。このとき、混合ガスに含まれるアルファターピネンがプラズマによって重合し、有機高分子が形成される。この有機高分子がポロジェンであり、有機シロキサン膜２１ａ中に均一に取り込まれる。
【００１５】
なお、主骨格成分形成用の有機シリコンガスとしては、ジメチルシラン（Di-Methyl-Silane）、トリメチルシラン（Tri-Methyl-Silane）、テトラメチルシラン（Tetra-Methyl-Silane）、ジメチルフェニルシラン（Di-Methyl-Phenyl-Silane）、トリメチルシリルアセチレン（Tri-Methyl-Silyl-Acetylene）、モノメチルジエトキシシラン（Mono-Methyl-Di-Ethoxy-Silane）、ジメチルジエトキシシラン（Di-Methyl-Di-Ethoxy-Silane）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（Tetra-Methyl-Cyclo-Tetra-Siloxane）、及びオクタメチルシクロテトラシロキサン（Octa-Methyl-Cyclo-Tetra-Siloxane）の少なくとも１つを用いることができる。
【００１６】
また、ポロジェン成分形成用ガスとしては、メタン（Methane）、エチレン（Ethylene）、プロピレン（Propylene）、アルファターピネン（Alpha-Terpinene）、ガンマターピネン（Gamma-Terpinene）、及びリモーネン（Limonene）の少なくとも１つを用いることができる。
【００１７】
次に、図２に示すように、有機シロキサン膜２１ａに電子線又は紫外線を照射して、ポロジェン成分の一部を除去する。これにより、シリコン、酸素及び炭素を主成分とする主骨格成分と、炭素を主成分とするポロジェン成分とを有する多孔性有機シロキサン膜２１ｂが得られる。すなわち、多数の空孔を有する有機シロキサン膜２１ｂが得られる。以下、この多孔性有機シロキサン膜２１ｂの形成方法を具体的に説明する。なお、本実施形態では、有機シロキサン膜２１ａに電子線を照射する場合について説明する。
【００１８】
図７は、多孔性有機シロキサン膜２１ｂの形成に用いる電子線照射装置の構成を模式的に示した図である。１２０は図１或いは図２に示した構成を有するウェハ、１２１はチャンバ、１２２は加熱機構を有するウェハステージ、１２３は電子線発生部である。
【００１９】
まず、チャンバ１２１内にウェハ１２０を搬入し、ウェハ１２０をウェハステージ１２２上に載置する。ウェハ１２０は、ウェハステージ１２２に設けられた加熱機構により３５０℃程度に加熱される。続いて、チャンバ１２１内にＡｒガスを導入する。チャンバ１２１内の圧力を一定に維持した状態で、電子線発生部１２３から電子線をウェハ１２０に照射する。これにより、有機シロキサン膜２１ａからポロジェン成分の一部が除去され、多孔性有機シロキサン膜２１ｂが得られる。すなわち、ポロジェン成分が除去されることで空孔が発生し、多孔性有機シロキサン膜２１ｂが得られる。また、有機シロキサン膜２１ａからポロジェン成分の一部が除去されるだけであるため、多孔性有機シロキサン膜２１ｂ中にはポロジェン成分が残存している。
【００２０】
上述したように、本実施形態では、多孔性有機シロキサン膜２１ｂ中にはポロジェン成分の一部が残存している。このように、多孔性有機シロキサン膜２１ｂ中にポロジェン成分の一部を残存させるためには、図１の有機シロキサン膜２１ａの成膜条件や、図２の電子線照射の条件を調整する。有機シロキサン膜２１ａの成膜条件には、成膜ガスの種類、成膜ガスの流量、高周波電力、ウェハの加熱温度、等が含まれる。電子線照射の条件には、照射電子のドーズ量、照射電子のドーズレート、照射電子の加速電圧、ウェハの加熱温度、等が含まれる。本実施形態では、電子線照射時のウェハ加熱温度を３５０℃程度に設定することで、多孔性有機シロキサン膜２１ｂ中にポロジェン成分の一部を残存させている。なお、電子線照射の変わりに紫外線照射を行う場合には、紫外線照射の条件を調整することで、多孔性有機シロキサン膜２１ｂ中にポロジェン成分の一部を残存させることができる。紫外線照射の条件には、紫外線の光量、紫外線の光度、紫外線の波長スペクトル分布、ウェハの加熱温度、等が含まれる。
【００２１】
図８は、図２の電子線照射後のポロジェン成分の残存量を示すための図である。具体的には、電子線照射後の多孔性有機シロキサン膜のＦＴ−ＩＲスペクトルを示した図である。本実施形態では電子線照射時のウェハ加熱温度が３５０℃程度であり、比較例では電子線照射時のウェハ加熱温度が４００℃程度である。図８に示すように、本実施形態では、ポロジェンに起因する波数（wave number）２８００〜３２００ｃｍ-1付近のピーク面積が大きくなっている。なお、本実施形態の多孔性有機シロキサン膜の比誘電率は２．４０程度、比較例の多孔性有機シロキサン膜の比誘電率は２．３５程度であった。
【００２２】
次に、図３に示すように、多孔性有機シロキサン膜２１ｂ上に、上層絶縁膜として、多孔性有機シロキサン膜２１ｂとは膜密度が異なる有機シロキサン膜２２を形成する。有機シロキサン膜２２の膜密度の方が多孔性有機シロキサン膜２１ｂの膜密度よりも高いことが好ましい。有機シロキサン膜２２には、シリコン、酸素及び炭素を主成分とする主骨格成分が含まれているが、ポロジェン成分は含まれていてもよいし含まれていなくてもよい。また、有機シロキサン膜２２の膜密度の方が、図１の工程で形成した有機シロキサン膜２１ａの膜密度よりも高いことが好ましい。
【００２３】
有機シロキサン膜２２は多孔性有機シロキサン膜２１ｂよりも薄いことが好ましい。例えば、有機シロキサン膜２２の厚さは多孔性有機シロキサン膜２１ｂの厚さの１／１０程度に設定する。
【００２４】
有機シロキサン膜２２は、ＰＥ−ＣＶＤ法によって形成される。有機シロキサン膜２２の形成に用いる反応装置（ＰＥ−ＣＶＤ装置）の構成は、図６に示した反応装置の構成と同様である。主骨格成分形成用の有機シランガスには、図１の工程で述べた有機シランガスを用いることができる。ポロジェン成分形成用ガスについても、図１の工程で述べたポロジェン成分形成用ガスを用いることができる。本実施形態では、メチルジエトキシシラン（Methyl-Di-Ethoxy-Silane）、Ｏ2及びＨｅを含んだ混合ガスを用いて有機シロキサン膜２２を形成している。
【００２５】
次に、図４に示すように、多孔性有機シロキサン膜２１ｂ及び有機シロキサン膜（上層絶縁膜）２２に電子線又は紫外線を照射する。これにより、多孔性有機シロキサン膜２１ｂは多孔性有機シロキサン膜２１ｃとなる。
【００２６】
電子線又は紫外線を照射する際に、多孔性有機シロキサン膜２１ｂ上には密度の高い有機シロキサン膜２２が形成されているため、有機シロキサン膜２２がキャップ膜として機能する。そのため、多孔性有機シロキサン膜２１ｂに含まれているポロジェン成分の離脱を、有機シロキサン膜２２によって抑制することができる。その結果、多孔性有機シロキサン膜２１ｂ中でのポロジェン成分の重合反応が促進される。具体的には、電子線又は紫外線を照射することで、ポロジェン成分どうしの重合反応や、ポロジェン成分と主骨格成分との重合反応が促進される。このように重合反応が促進されるため、その後のドライエッチング工程での多孔性有機シロキサン膜２１ｃの膜質の劣化を防止することができる。その結果、多孔性有機シロキサン膜２１ｃの吸湿性が増大するという問題を防止することができ、半導体装置の特性悪化を効果的に防止することができる。
【００２７】
本実施形態では、図７に示したような電子線照射装置を用い、ウェハ加熱温度を４００℃程度に設定して、多孔性有機シロキサン膜２１ｂ及び有機シロキサン膜２２に電子線を照射している。なお、ウェハ加熱温度は３００℃以上であることが好ましい。
【００２８】
図９は、図４の電子線照射後のポロジェン成分の残存量を示すための図である。具体的には、電子線照射後の多孔性有機シロキサン膜のＦＴ−ＩＲスペクトルを示した図である。本実施形態では有機シロキサン膜２２が形成されているが、比較例では有機シロキサン膜２２は形成されていない。図９に示すように、本実施形態では、電子線照射後に、ポロジェンに起因する波数（wave number）２８００〜３２００ｃｍ-1付近のピーク面積の減少がほとんどない。多孔性有機シロキサン膜２１ｂからのポロジェン成分の離脱を、有機シロキサン膜２２によって効果的に抑制しているためである。
【００２９】
なお、図４の工程で電子線又は紫外線を照射した後、有機シロキサン膜２２の膜密度が多孔性有機シロキサン膜２１ｃの膜密度よりも高いことが望ましい。具体的には、図４の工程の後、有機シロキサン膜２２の膜密度が１．２ｇ／ｃｍ3以上であることが好ましい。また、図４の工程の後、多孔性有機シロキサン膜２１ｃの比誘電率は２．５０以下であることが好ましい。
【００３０】
次に、図５に示すように、拡散防止膜１４、多孔性有機シロキサン膜２１ｃ及び有機シロキサン膜２２をドライエッチングによって加工し、ヴィアホール及び配線溝を形成する。すでに述べた理由により、本ドライエッチング工程での多孔性有機シロキサン膜２１ｃの膜質の劣化は防止される。続いて、ヴィアホール及び配線溝を銅で埋め、ヴィアプラグ２４及び銅配線２５を形成する。さらに、有機シロキサン膜２２及び銅配線２５上に、拡散防止膜２６としてＳｉＣ膜を形成する。
【００３１】
このようにして得られた半導体装置を評価したところ、ヴィアプラグ２４の抵抗上昇や、ストレスマイグレーションによる電気特性の劣化は見られなかった。上述した方法を用いることで、良質の多孔性有機シロキサン膜２１ｃが形成されるためである。
【００３２】
以上のように、本実施形態では、図４の工程で電子線又は紫外線を照射する際に、有機シロキサン膜２２がキャップ膜として機能する。そのため、多孔性有機シロキサン膜２１ｂからのポロジェン成分の離脱を抑制することができ、多孔性有機シロキサン膜２１ｂ中でのポロジェン成分の重合反応が促進される。その結果、ドライエッチング工程等での多孔性有機シロキサン膜２１ｃの膜質の劣化を効果的に防止することができる。また、多孔性有機シロキサン膜２１ｃ中には多数の空孔が存在するため、多孔性有機シロキサン膜２１ｃの低誘電率性は維持することができる。したがって、本実施形態によれば、良質の多孔性有機シロキサン膜２１ｃを得ることができ、信頼性及び特性に優れた半導体装置を形成することが可能である。
【００３３】
なお、上述した実施形態では、ＰＥ−ＣＶＤ法によって有機シロキサン膜２１ａ及び有機シロキサン膜２２を形成したが、塗布法によって有機シロキサン膜２１ａ及び有機シロキサン膜２２を形成してもよい。例えば、塗布法によって有機シロキサン膜２１ａを形成する場合には、シリコン、酸素及び炭素を主成分とする主骨格成分形成用ポリマーと、炭素を主成分とするポロジェン成分形成用ポリマーとを含有した溶液を塗布すればよい。また、炭素を主成分とするポロジェン成分を置換基として有する主骨格成分形成用ポリマー（シリコン、酸素及び炭素を主成分とする主骨格成分形成用ポリマー）を含有した溶液を塗布するようにしてもよい。このように、塗布法によって有機シロキサン膜２１ａ及び有機シロキサン膜２２を形成した場合にも、上述した実施形態の効果と同様の効果を得ることが可能である。
【００３４】
また、上述した実施形態では、多孔性有機シロキサン膜２１ｂ上に形成する上層絶縁膜２２として、多孔性有機シロキサン膜２１ｂとは膜密度が異なる有機シロキサン膜を形成したが、上層絶縁膜２２として、多孔性有機シロキサン膜２１ｂとは膜組成が異なる絶縁膜を用いてもよい。例えば、上層絶縁膜２２として、無機シロキサン膜、ＳｉＣＨ膜、ＳｉＣＮＨ膜、或いはポリアリーレン膜を用いることが可能である。この場合にも、上層絶縁膜２２がキャップ膜として機能するため、多孔性有機シロキサン膜２１ｂからのポロジェン成分の離脱を防止することができ、上述した実施形態の効果と同様の効果を得ることが可能である。
【００３５】
また、上述した実施形態において、図２の工程で多孔性有機シロキサン膜２１ｂを形成した後、多孔性有機シロキサン膜２１ｂ中にポロジェン成分を導入するようにしてもよい。例えば、多孔性有機シロキサン膜２１ｂの表面を、ポロジェン成分を含有したガス雰囲気に晒し、ガス雰囲気から多孔性有機シロキサン膜２１ｂ中にポロジェン成分を導入する。或いは、多孔性有機シロキサン膜２１ｂの表面に、ポロジェン成分を含有した溶液を塗布し、この溶液から多孔性有機シロキサン膜２１ｂ中にポロジェン成分を導入するようにしてもよい。
【００３６】
また、多孔性有機シロキサン膜２１ｂ中にポロジェン成分を導入する場合には、以下のような製造方法を適用することもできる。上述した実施形態では、図２の工程で多孔性有機シロキサン膜２１ｂを形成する際に、有機シロキサン膜２１ａ中のポロジェン成分の一部を除去するようにしたが、図２の工程で多孔性有機シロキサン膜２１ｂを形成する際に、有機シロキサン膜２１ａ中のポロジェン成分のほぼ全てを除去し、その後、多孔性有機シロキサン膜２１ｂ中にポロジェン成分を導入してもよい。
【００３７】
すなわち、多孔性有機シロキサン膜２１ｂ中にポロジェン成分を導入する方法を用いる場合には、少なくとも主骨格成分を有する予備的な多孔性有機シロキサン膜にポロジェン成分を導入すればよく、予備的な多孔性有機シロキサン膜にはポロジェン成分が含有されていてもよいし含有されていなくてもよい。このように、多孔性有機シロキサン膜２１ｂ中にポロジェン成分を導入する方法を用いた場合にも、上述した実施形態の効果と同様の効果を得ることが可能である。
【００３８】
また、上述した実施形態の方法は、図１０に示すような配線構造の形成に適用することも可能である。図１０に示した構造では、拡散防止膜１４、多孔性有機シロキサン膜２１ｃ及び有機シロキサン膜２２に設けられたヴィアホール内にヴィアプラグ２４が形成され、有機絶縁膜２８に設けられた配線溝内に銅配線２５が形成されている。銅配線２５及び有機絶縁膜２８上には、拡散防止膜２９としてＳｉＣ膜が形成されている。本構造では、ポロジェン成分の重合反応を促進させるための電子線又は紫外線照射を、有機シロキサン膜２２の形成後且つ有機絶縁膜２８の形成前に行ってもよいが、有機絶縁膜２８を形成した後に電子線又は紫外線照射を行ってもよい。このように、有機絶縁膜２８を形成した後に電子線又は紫外線を照射した場合にも、上述した実施形態で述べた効果と同様の効果を得ることが可能である。
【００３９】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出され得る。例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を模式的に示した断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を模式的に示した断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を模式的に示した断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を模式的に示した断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を模式的に示した断面図である。
【図６】有機シロキサン膜の形成に用いる反応装置の構成を模式的に示した図である。
【図７】多孔性有機シロキサン膜の形成に用いる電子線照射装置の構成を模式的に示した図である。
【図８】ポロジェン成分の残存量を示すための図である。
【図９】ポロジェン成分の残存量を示すための図である。
【図１０】本発明の実施形態の変更例に係る半導体装置の構成を模式的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１１…下地領域      １２…層間絶縁膜
１３…銅配線      １４…拡散防止膜
２１ａ…有機シロキサン膜      ２１ｂ、２１ｃ…多孔性有機シロキサン膜
２２…有機シロキサン膜（上層絶縁膜）
２４…ヴィアプラグ      ２５…銅配線      ２６…拡散防止膜
２８…有機絶縁膜      ２９…拡散防止膜
１１０…ウェハ      １１１…チャンバ
１１２…下部電極      １１３…上部電極
１２０…ウェハ      １２１…チャンバ
１２２…ウェハステージ      １２３…電子線発生部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008186849.tif 000009
【図８】
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【図９】
2008186849.tif 000011
【図１０】
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