(57)【要約】      （修正有）【課題】急速加熱処理システムで使用されるランプアレイの欠陥の種類を識別可能とし、システムのダウンタイムを短縮する。【解決手段】ランプ欠陥検出装置は、ランプアレイにおける１グループの直列接続ランプによって形成された回路経路に沿った異なるサンプリング場所で電圧信号をサンプリングするデータ取得（ＤＡＱ）モジュール１０８と、該ランプのうちの少なくとも２つの電圧低下に基いて該ランプのうちの１つ以上の欠陥を検出するコントローラ１１０を有する。【選択図】図５
2008270164.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の熱処理に使用されるランプアレイにおけるランプ欠陥を検出するためのランプ欠陥検出装置であって、
前記アレイにおける１グループの直列接続ランプによって形成された回路経路に沿った異なるサンプリング場所で電圧信号をサンプリングするデータ取得（ＤＡＱ）モジュールと、
前記サンプリングされた電圧信号によって判断されるように、前記ランプのうちの少なくとも２つの電圧低下に基づいて前記ランプのうち１つ以上の欠陥を検出するように適合されているコントローラと、
を備える装置。
【請求項２】
前記１グループの直列接続ランプが３つ以上のランプを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記コントローラが、前記ランプの第１のランプの開回路条件を、前記ランプの第２のランプのゼロ電圧低下に基づいて、検出するように適合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記コントローラが、第１のランプの電圧低下が、ランプの第２のランプの電圧低下を閾値量より大きく下回る場合、前記ランプの前記第１のランプの部分短絡を検出するように適合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記コントローラが、１つ以上のランプの各々のゼロ電圧低下に基づいて、前記ランプのうち複数の開回路条件を検出するように適合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記ＤＡＱモジュールが、前記サンプリングされた電圧信号のディジタル値を前記コントローラに提供する、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記サンプリングされた電圧信号が交流（ＡＣ）電圧信号である、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
半導体基板の熱処理に使用されるランプアレイにおけるランプ欠陥を検出するためのランプ欠陥検出システムであって、
前記アレイにおける複数のグループの直列接続ランプによって形成された回路経路に沿った異なる場所からサンプリングされた複数のアナログ電圧信号を受信するマルチプレクサと、
前記マルチプレクサによって出力された前記アナログ電圧信号のうちの１つ以上に対応するディジタル値を提供するアナログ／ディジタル（Ａ／Ｄ）変換器と、
前記マルチプレクサを制御して、前記サンプリングされた電圧信号によって判断されるように、いずれのアナログ電圧信号が前記マルチプレクサによって出力されたかを選択し、また前記アレイにおける複数のグループの直列接続ランプについて、前記サンプリングされた電圧信号によって判断されるように、前記ランプのうちの少なくとも２つの電圧低下に基づいて前記グループの前記ランプのうちの１つ以上の欠陥を検出するように適合されている制御論理と、
を備えるシステム。
【請求項９】
前記制御論理がフィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）で実装される、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記制御論理がマイクロコントローラとして実装される、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
外部デバイスを前記制御論理と通信させてランプ欠陥検出データを受信する通信インタフェースをさらに備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記制御論理が、前記マルチプレクサを制御して、共通ゾーンにおける複数のグループの直列接続ランプを順次選択するように適合されている、請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
前記複数のグループの直列接続ランプが３つ以上のランプを備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１４】
前記コントローラが、前記ランプの第１のランプの開回路条件を、前記ランプのうち第２のランプのゼロ電圧低下に基づいて、検出するように適合されている、請求項８に記載の装置。
【請求項１５】
前記コントローラは、第１のランプの電圧低下が、前記ランプの第２のランプの電圧低下を閾値量より大きく下回る場合、前記ランプの前記第１のランプの部分短絡を検出するように適合されている、請求項８に記載の装置。
【請求項１６】
前記ランプがタングステンハロゲンランプである、請求項８に記載の装置。
【請求項１７】
半導体基板の熱処理に使用されるランプアレイにおけるランプ欠陥を検出するための方法であって、
前記アレイにおける１グループの直列接続ランプによって形成された回路経路に沿った異なるサンプリング場所で電圧信号をサンプリングするステップと、
前記サンプリングされた電圧信号に基づいて前記ランプのうちの少なくとも２つの電圧低下を計算するステップと、
前記電圧低下の関係に基づいて欠陥の有無を判断するステップと、
を備える方法。
【請求項１８】
前記１グループの直列接続ランプが３つ以上のランプを備える、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記電圧低下の関係に基づいて欠陥の有無を判断するステップが少なくとも、
前記ランプの第２のランプのゼロ電圧低下に基づいて、前記ランプの第１のランプの開回路条件の存在を判断するステップと、
第１のランプの電圧低下が前記ランプの第２のランプの電圧低下を閾値量より大きく下回る場合、前記ランプの前記第１のランプの部分短絡の存在を判断するステップと、
を備える、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
複数のグループの直列接続ランプにおいて、いずれのグループがランプ欠陥を有しているかを識別するために電圧低下値が使用される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記１グループの直列接続ランプの電圧低下の前記関係が、前記グループの１つ以上のランプのいずれに欠陥が生じているかを識別するために使用される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
半導体基板熱処理システムの定期メンテナンス中にサンプリング、計算および判断を実行するステップを備える、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
半導体基板熱処理システムにおける基板処理の前またはこの最中にサンプリング、計算および判断を実行するステップを備える、請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
ランプ欠陥情報に基づいて処理パラメータを調整するステップをさらに備える、請求項２３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
発明の分野
[0001]本発明の実施形態は概して、シリコンウェーハなどの基板上の薄膜の熱処理に関する。とりわけ、本発明の実施形態は、このような熱処理の放射を生成するために使用されるランプアレイのランプ欠陥を検出する際に使用される方法および装置に関する。
【０００２】
関連技術の説明
[0002]急速加熱処理（ＲＴＰ）は、シリコンウェーハなどの基板の高速加熱および冷却を可能にする一熱処理技術である。通常のピーク処理温度は約４５０℃〜約１１００℃に及ぶことがあり、またウェーハ冷却が開始する前に約１５〜約２０秒間適用されることがある。使用されている特定のピーク温度および加熱時間はウェーハ処理の種類に左右される。ＲＴＰウェーハ処理用途は、とりわけアニーリング、ドーパント活性化、高速熱酸化およびケイ素化を含んでいる。ＲＴＰを特徴付ける高速冷却が続く比較的高温への高速加熱は、より正確なウェーハ処理制御を提供する。例えば、ドーパントのイオン注入に続くＲＰＴアニーリングは、きわめて短い加熱時間によってドーパント原子の拡散を最小化しつつ、結晶ダメージの修復を可能にする。結晶ダメージは、注入原子がこの元の場所から移動可能になる前に修復可能である。より長い加熱および冷却サイクルによる他の熱処理技術は、アニーリング中に同等のドーパント拡散制御を達成することができない。
【０００３】
[0003]ＭＯＳゲートで使用されているより薄い酸化物の傾向は、一部のデバイス用途については１００オングストローム未満の酸化物厚さという要件をもたらした。このような薄い酸化物は、このような薄い酸化層を成長させるために酸素雰囲気でウェーハ表面を極めて高速で加熱および冷却することを必要とする。ＲＴＰシステムは、このレベルの制御の提供が可能であり、また高速熱酸化処理に使用されている。ＲＴＰの技術は、高速加熱および冷却を可能にする放射加熱の原理を使用する。通常、この放射は、ウェーハ表面の上方に配置されているアレイに置かれた多数のランプによって提供される。多数のランプからの放射はウェーハ表面を加熱して、わずか数秒間でプロセス温度に上げる。ランプは電源投入されるため、これらは迅速にオンおよびオフが可能である。短い加熱時間によって、ＲＴＰチャンバを実質的に加熱せずにウェーハ表面の加熱が可能になる。これは、ランプへの電力がオフにされる場合にウェーハ表面の高速冷却を可能にする。高速加熱および冷却サイクルはまたプロセスに必要な熱収支を小さくする。サイクル時間の短縮はまた、全処理時間を削減し、かつウェーハスループットを増大させるために使用可能である。ＲＴＰで使用される短い加熱サイクルの結果は、ウェーハ表面に存在しうる任意の温度勾配がウェーハ処理に悪影響をもたらす恐れがあるということである。従って、ウェーハ表面全体の温度を監視して、処理中のウェーハ表面内および表面上の温度均一性を保証することがＲＴＰでは重要である。結果として、ランプの配置と、個々のランプの制御および監視は重要であるため、放射出力は、ウェーハ表面全体の温度均一性を保証する助けとなるように制御可能である。
【０００４】
[0004]図１は、ＲＴＰシステム１０の部分断面投影図を示している。シリコンカーバイドウェーハサポートリング２４が回転石英シリンダー２２上にサポートされている。ウェーハサポートリングは、ウェーハ（図示せず）を入れることが可能なポケット３２を有している。ランプヘッド１４はウェーハサポートリングに面している。このランプヘッドは、ウェーハに面するランプアレイを形成する数百個のタングステンハロゲンランプ２６を含んでいる。このようなランプの通常の定格は５００Ｗ〜６５０Ｗの範囲であり、タングステンハロゲンランプは強力に赤外線を発光する。ランプ２６のバルブ部分４２は図３に示されている。チューブ状バルブは通常石英からなり、ハロゲン含有ガスで充填され、そして２つの外部フィラメントリード５０および５２の周辺がふさがれている。ノーズ先端４６はふさがれた後に残っている。ヘリカル状に巻かれたタングステンフィラメント４４はふさがれたバルブ内に包囲されており、一方の端はフィラメントリード５２に接続されており、他方の端はサイドアームサポート４８に接続されている。ランプ欠陥の最も一般的なモードは、ヘリカルフィラメントの少数のターンの短絡である。図１を再度参照すると、各ランプは、水冷却ステンレス鋼ハウジング１８内に入れられているステンレス鋼スリーブ１６に保持されている。ランプバルブはスリーブ１６およびハウジング１８を超えて、ランプアレイに整合するスルーホールアレイを有するフロントプレート３０にまで延びている。反射器２０が各スルーホールに挿入されている。薄い石英ウィンドウ２８は反射器２０の開放端と、ウェーハ上方のチャンバ空間１２の間に配置される。
【０００５】
[0005]図２は、フロントプレート３０の別の図であり、ランプがアレイ状にされる様子をより明確に示している。本例では、ランプ２６は六角形アレイである。中央ランプ２６Ａはウェーハ回転軸３４に配置される。ウェーハが回転されて、より均一な放射分布が分かる。ランプアレイパターン＋ウェーハ回転は、ウェーハ表面全体の放射および温度のより均一な分布を作成するための一アプローチである。しかしながら、このアプローチのみでは普通必要な温度均一性を生成することはなく、通常ランプは、同心円状に配列されたゾーン、例えば１５個のゾーンで制御されることもあり、ランプ電力は、ウェーハの中央および縁部の熱効果を補償し、かつより均一な放射状温度プロファイルを生成するためにゾーンごとに調整可能である。
【０００６】
[0006]ランプ欠陥や性能不良によるランプ強度のばらつきは、所望の温度プロファイル制御を大きく妥協して、受容し難い処理結果を招く恐れがある。従って、ウェーハ処理前にランプ欠陥や受容し難いランプ性能を検出可能な監視システムがＲＴＰシステムにとって有用な特質である。図４は、ＲＴＰシステム用の従来技術のランプ欠陥検出システムの概略表記である。ランプはシリコン制御整流器（ＳＣＲ）ドライバ６０によって電源投入される。ランプヘッドは、複数の放射状の対称ゾーンに分割される数百個のタングステンハロゲンランプを含有しており、また各ゾーンはＳＣＲドライバによって別個に電源投入されるため、ランプ電力はゾーンごとに調整可能である。各ゾーンは複数のランプを含有しており、ランプは複数の対に分割され、各ランプ対はＳＣＲドライバに接続されている。各対の２つのランプは直列接続されている。本例では、このようなランプ対はランプＬ１およびＬ２で表されており、これらは電力分布ボード６４に含まれている。電力分布ボードはすべてのランプをランプヘッドに含有しているが、同一のランプ欠陥検出回路が各ランプ対に適用されているため、単一のランプ対のみが示されている。ランプＬ１およびＬ２を含む電力分布ボードはランプ欠陥検出（ＬＦＤ）ボード６２に接続されている。ＬＦＤボードは、導電ライン６８に磁気結合されている変流センサ６６を含んでいるため、ランプＬ１およびＬ２を通過する電流が測定可能である。導電ライン６８はプリント回路ボードトレースであってもよい。センサは、欠陥条件が存在するか否かを判断するために測定済み電流を予め設定された閾値と比較可能な比較器７４に接続されている。本例では、測定済み電流が閾値電流値未満であれば欠陥条件が検出されるであろう。この情報は次いで、欠陥状態にある特定のランプ対を識別するオペレータディスプレイスクリーンに送られる。例えば、ランプＬ２フィラメントが故障した場合、この開フィラメント条件は開回路を作成して、ランプＬ１およびＬ２を介するゼロ電流をもたらすであろう。電流センサは次いでランプ欠陥状態を検出する。
【０００７】
[0007]図４に示されているランプ欠陥検出システムは複数の制限を有している。ランプフィラメントのうちの１つが故障すると、欠陥検出方法は直列接続された２つのランプの電流を測定するため、システムはランプＬ１またはＬ２のいずれが開フィラメントを有しているかを検出できない。結果として、ランプ対の欠陥状態が示されると、欠陥に関して両方のランプをチェックする必要がある。また、所与の対のランプはしばしばランプヘッド内にいくらか間隔を開けられて配置されて、ウェーハ処理中にランプのうちの１つに欠陥が生じても放射均一性に対する影響力を最小化する。欠陥が生じたランプのみがランプアレイ内に配置されるのであれば相当の時間が節約可能であり、ＲＴＰシステムのダウンタイム削減をもたらす。
【０００８】
[0008]従来のシステムのもう１つの制限は、異なる種類のランプ欠陥を検出できない点である。測定電流値は両方のランプの結合抵抗の結果であるため、直列の２つのランプのランプ欠陥を検出するための電流測定の使用は固有の制限を有している。ランプフィラメントのうちの１つが開である場合、電流は次に閾値未満になるため、電流が存在しないことによって欠陥信号をトリガすることになる。ランプ抵抗を削減し、かつセンサによって測定された電流を増大させるランプは部分短絡を有している可能性がある。電流は閾値よりも高いままであるため、これは欠陥信号をトリガしない。部分短絡のあるランプは、正常なランプの出力と異なる放射出力を有する傾向がある。放射出力の変化はウェーハ処理に悪影響を与えることがある。タングステンハロゲンランプなどの白熱光源の場合、部分短絡は、ヘリカルフィラメントの少数のターンの短絡から生じる恐れがあり、これは通常、ランプ放射出力を変え、ランプの寿命を短くすることになる。
【０００９】
[0009]従来のシステムのさらなる制限は、正常なランプ動作条件のセンサ入力７０およびセンサ出力７２について示されている電流波形によって示唆されている。変流器６６は電流変化率の最小閾値を有している。入力信号波形がこの閾値未満の変化率を有している場合、電流センサは機能しない。これは、変流器６６を使用して電流を検出するためには電圧および電流の波形は特定のある要件を満たさなければならないことを意味している。入力波形７０はこのような要件を満たすが、例えば低周波数正弦波は満たさない場合がある。また、電流センサ６６は導電ライン６８に磁気結合されているため、センサは、ＲＴＰシステム付近の浮遊磁界によって作成された雑音から影響を受けやすい。この雑音は電流測定の正確さ、ひいてはランプ欠陥検出システムの正確さを劣化させる恐れがある。
【００１０】
[0010]従って、ランプ欠陥検出のための装置および方法の改良が必要である。電圧および電流の波形と無関係であり、浮遊磁界の存在下で正確かつ確実に機能可能なランプ欠陥検出システムを有することが有用であろう。また、いずれのランプに欠陥を生じたかを識別し、部分短絡などの欠陥の種類を識別可能な欠陥検出システムを有することが有用であろう。概して、ランプの正常な動作特徴とのずれを検出可能な欠陥検出システムを有することが有用であろう。このような情報を使用して、システムダウンタイムを短縮し、ならびにウェーハ処理中のランプ欠陥を防止する助けとなることが可能である。
【発明の概要】
【００１１】
[0011]本発明の態様は、半導体基板の熱処理に使用されるランプアレイにおけるランプ欠陥を検出するためのランプ欠陥検出装置を提供する。該装置は、該アレイにおける１グループの直列接続ランプによって形成された回路経路に沿った異なるサンプリング場所で電圧信号をサンプリングするデータ取得（ＤＡＱ）モジュールと、該サンプリングされた電圧信号によって判断されるように、該ランプのうちの少なくとも２つの電圧低下に基づいて該ランプのうちの１つ以上の欠陥を検出するように適合されたコントローラとを含む。
【００１２】
[0012]本発明の別の態様は、半導体基板の熱処理に使用されるランプアレイにおけるランプ欠陥を検出するためのランプ欠陥検出システムを提供する。該システムは、該アレイにおける複数のグループの直列接続ランプによって形成された回路経路に沿った異なる場所からサンプリングされた複数のアナログ電圧信号を受信するためのマルチプレクサと、該マルチプレクサによって出力された該アナログ電圧信号のうちの１つ以上に対応するディジタル値を提供するアナログ／ディジタル（Ａ／Ｄ）変換器と、該マルチプレクサを制御して、いずれのアナログ電圧信号が該マルチプレクサによって出力されたかを選択し、また該アレイの複数のグループの直列接続ランプについては、該サンプリングされた電圧信号によって判断されるように、該ランプのうちの少なくとも２つの電圧低下に基づいて該グループの該ランプのうちの１つ以上の欠陥を検出するように適合されている制御論理と、を含む。
【００１３】
[0013]本発明の別の態様では、半導体基板の熱処理に使用されるランプアレイにおけるランプ欠陥を検出するための方法が提供される。該方法は、該アレイにおける１グループの直列接続ランプによって形成された回路経路に沿った異なるサンプリング場所で電圧信号をサンプリングするステップと、該サンプリングされた電圧信号に基づいて該ランプのうちの少なくとも２つの電圧低下を計算するステップと、該電圧低下の関係に基づいて欠陥の有無を判断するステップとを含む。
【詳細な説明】
【００１４】
[0028]ランプ欠陥検出システムおよび対応する方法の複数の実施形態について後述する。この方法は、電圧測定を使用し、またいずれのランプに欠陥を生じたか、および欠陥の種類を識別できるという利点を有している。本方法を利用するシステムは、従来技術のシステムよりも簡単、確実かつ正確である。
【００１５】
[0029]ランプ欠陥検出システムの一実施形態が図５に示されている。ランプヘッドは通常、複数の放射状の対称ゾーンに分割される数百個のタングステンハロゲンランプを含有しており、各ゾーンはＳＣＲによって別個に電源投入されるため、ランプ電力はゾーンごとに調整可能である。各ゾーン内に複数のランプがあり、またランプは通常複数の対に分割され、各ランプ対はＳＣＲドライバに接続されている。各対の２つのランプは直列接続されている。
【００１６】
[0030]図５は１つのランプ対を示している。ランプ対が１つだけ示されているが、複数のランプ対が同一電源と並列接続されてもよく、使用される回路が、各ランプ対の各ランプの電圧低下の測定を可能にする限り、同じ欠陥検出システムおよび方法が各ランプ対に使用されてもよい。再度図５を参照すると、２つのランプＬ１およびＬ２は電源１００と直列接続されている。本例では、電源はＡＣであるが、ＤＣ電源であってもよい。本例では、電源はＡＣであり、シリコン制御整流器（ＳＣＲ）ドライバなどの任意の適切な回路を含んでいてもよい。
【００１７】
[0031]データ取得デバイス（ＤＡＱ）１０８は、ポイントＡ、ＢおよびＣで電圧測定をするために使用される。データ取得デバイス１０８は、マルチプレクサ（ＭＵＸ）およびアナログ／ディジタル変換器（ＡＤＣ）などの任意の適切な回路を含んでいてもよい。ＡＤＣはアナログ電圧入力Ｖ’Ａ、Ｖ’ＢおよびＶ’Ｃをディジタル値ＶＡ、ＶＢおよびＶＣに変換し、これらはコントローラ１１０に送られ、ここで各ランプの電圧低下が判断される。本例では、ランプＬ１の電圧低下はＶＡ−ＶＣ＝ＶＬ１であり、ランプＬ２の電圧低下はＶＣ−ＶＢ＝ＶＬ２である。コントローラは電圧低下値ＶＬ１およびＶＬ２を１セットの条件に適用して、いずれのランプが欠陥状態にあるのかを判断する。この手順は、ゾーンのランプ対ごとに、またランプアレイのゾーンごとに反復されてもよい。
【００１８】
[0032]コントローラ１１０は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）１０４、メモリ１０５および支援回路（Ｉ／Ｏ）１０６などの任意の適切な部品を含んでもよい。ＣＰＵ１０４は、ランプ動作を制御および／または監視可能な任意の形態のコンピュータプロセッサであってもよい。メモリ１０５は、ソフトウェア命令およびデータが、ＣＰＵ１０４によって実行するためにコード化され、かつメモリ１０５に記憶可能であるような任意の種類であってもよい。支援回路１０６は、例えば電源、入力／出力回路、アナログ／ディジタル変換器などを含んでもよい。
【００１９】
[0033]図６Ａ〜図６Ｆは、ランプが欠陥状態にあるか否かおよび欠陥状態の種類を判断するために各ランプの電圧低下が使用される様子を示している。Ｖ１およびＶ２は、それぞれランプＬ１およびＬ２の測定済みディジタル電圧低下値を表している。図６Ａ〜６Ｆで表されている各回路において、ＡＣ電圧Ｖ’はランプ対に適用され、対応するディジタル電圧はＶである。位相?Ａおよび?Ｂは、電源が３相ＡＣであることを示しており、ランプ対はこれら２つの位相のライン間電圧に接続される。
【００２０】
[0034]図６Ａ〜図６Ｆに説明されているランプ欠陥検出方法では、ランプは、開状態、閉または正常状態あるいは部分短絡状態という３つの状態のうち１つであるとされる。開状態は、内部ランプ回路が開であり、ランプを電流が流れることはないことを示している。白熱ランプの場合、故障したフィラメントは開ランプ状態を招くことがある。閉状態は、内部ランプ回路が閉じられており、正常なランプ動作の場合同様に電流がランプを流れることができることを意味している。部分短絡のランプについて、ランプ抵抗は正常値未満であり、このことは、ランプの電圧低下の削減を招くが、電圧低下は非ゼロのままである。完全短絡ランプは、ランプ抵抗がゼロになった制限事例を表しており、ランプの電圧低下もまたゼロになる。しかしながら、完全短絡ランプの状態は、２つの理由で本方法の本実施形態に含まれていない。まず、最も一般的なランプ欠陥モードは開または部分短絡状態であり、完全短絡ランプというのはありえない。通常、短絡ランプは非ゼロかつ測定可能な電圧低下を生成するのに十分な抵抗を有している。第２に、ランプが完全に短絡されると、直列の２つのランプの抵抗の全体的削減は通常、残りの良好なランプをオーバーロードし、かつ開状態にする電流の大きさになる。従って、本実施形態については、ランプのゼロ電圧低下は、ランプに電流が流れないことを示しており、ランプが完全に短絡されたことを示しているのではない。
【００２１】
[0035]図６Ａは、ランプＬ１およびＬ２の両方が正常な動作状態にある状態を示している。Ｌ１の電圧は非ゼロ値Ｖ１を有しており、Ｌ２の電圧は非ゼロ値Ｖ２を有している。両ランプの正常動作の条件は以下のように表されることが可能である：ＶＬ１≠０かつＶＬ２≠０かつ｜ＶＬ１−ＶＬ２｜≦αの場合、Ｌ１およびＬ２は正常である。ここで、αは、正常なランプ動作の状態を定義するために使用される差分電圧閾値を表している。この閾値は通常、使用されているランプの種類および許容可能なばらつきによる経験に基づいて選択される。急速加熱処理（ＲＴＰ）の場合、許容可能な閾値は、各ランプの平均電圧の５パーセント未満であってもよい。代替的に、ＶＬ１≠０かつＶＬ２≠０かつ｜ＶＬ１−ＶＬ２｜＞αの場合、Ｌ１およびＬ２は正常な動作状態ではなく、ランプ対の欠陥状態が定義可能である。
【００２２】
[0036]図６Ｂにおいて、ランプＬ１は開状態であり、ランプＬ２は閉かつ正常な状態である。この状況は、示されている電圧測定を生成することになる。ランプに電流を流す完全な回路はもはやないため、Ｌ２の電圧はゼロである。しかし、Ｌ２は開ではないため、Ｌ１で測定された電圧は次に、ランプ対に正常に適用された電圧である値Ｖを有することになる。この条件は以下のように表されることが可能である：ＶＬ１≠０かつＶＬ２≠０ならば、Ｌ１は開であり、Ｌ２は閉である。ランプＬ１の欠陥状態が存在しており、信号はディスプレイスクリーンに送られることが可能であり、Ｌ１およびＬ２の対のいずれのランプが欠陥を生じたかを識別する。ＶＬ１＝Ｖは上記ｉｆ−ｔｈｅｎ文のＶＬ１≠０の代わりに使用可能であった点に注目するが、ＶＬ１≠０は、Ｌ１が開であるという結果を変化させずにこの文を簡略化する。付加的に、ｉｆ−ｔｈｅｎ文はさらに、ＶＬ２＝０ならばＬ１は開であるというように短縮可能である。この文はＬ２の状態を示していないが、Ｌ１が開の場合には常に真である。
【００２３】
[0037]図６Ｃは、ランプＬ２が開状態であり、かつＬ１が閉状態である場合を示しており、これは上記状況に類似している。この条件は以下のように表されることが可能である：ＶＬ１＝０かつＶＬ２≠０ならば、Ｌ２は開であり、Ｌ１は閉である。付加的に、ｉｆ−ｔｈｅｎ文はさらに、ＶＬ１＝０ならば、Ｌ２は開であるというように短縮可能である。
【００２４】
[0038]図６Ｄにおいて、ランプＬ１およびＬ２の両方は開状態である。図６Ｄに示されているような一部の実施形態については、ランプ欠陥検出システムが、開回路の場合にゼロ電圧読み取りを提供するように設計されてもよい。この場合、各ランプＬ１およびＬ２に示されている電圧は、両ランプが開である場合はゼロである。開状態の両ランプの条件は以下のように表されることが可能である：ＶＬ１＝０かつＶＬ２＝０ならば、Ｌ１およびＬ２は開である。他の実施形態では、ランプ欠陥検出システムは、両ランプが開の場合に開回路が検出されたことを示し、ゼロ電圧読み取りを提供しないように設計されてもよい。
【００２５】
[0039]もう１つの欠陥状態がランプ対に生じうる。図６Ｅにおいて、ランプＬ１は部分内部短絡を有しており、ランプＬ２は正常である。この場合、ランプＬ１もＬ２も開状態にはなく、各ランプは非ゼロ電圧低下を有することになる。ランプＬ１の部分短絡はランプ抵抗をこの正常値未満に下げることになり、これはランプＬ１の電圧低下の削減をもたらす点が認識可能である。この観察は、一方のランプの部分内部短絡が、正常なランプ動作を想定する値を超えて、各ランプの電圧低下の差を増大させることを示唆している。この状態は、電圧ＶＬ２およびＶＬ１の差が差分電圧閾値と比較される条件によって表されることが可能である。この差が閾値を超えると、受容し難い部分短絡条件がランプＬ１について識別され、欠陥状態が存在する。この条件は以下のように表されることが可能である：ＶＬ１≠０かつＶＬ２≠０かつ（ＶＬ２−ＶＬ１）＞Δならば、ランプＬ１は部分短絡を有している。差分電圧閾値Δの選択は、ランプ強度の許容可能なばらつきに左右されるが、ＲＴＰへの適用については各ランプの平均電圧の８パーセント未満であってもよい。付加的に、ｉｆ−ｔｈｅｎ文は、（ＶＬ２−ＶＬ１）＞Δならば、ランプＬ１は部分短絡を有するというようにさらに短縮可能である。ＶＬ１＝０またはＶＬ２＝０のいずれかならば、ランプは開であり、欠陥状態が検出される。
【００２６】
[0040]図６Ｆは、ランプＬ２が部分短絡を有しており、かつランプＬ１が正常である場合を示している。先行の欠陥状態の場合と類似の推論が適用される。条件は以下のように表されることが可能である：ＶＬ１≠０かつＶＬ２≠０かつ（ＶＬ１−ＶＬ２）＞Δの場合、ランプＬ２が部分短絡を有する。上記の場合に使用されるのと同じ閾値Δがここで適用されてもよく、ｉｆ−ｔｈｅｎ文は、（ＶＬ１−ＶＬ２）＞Δならば、ランプＬ２は部分短絡を有するというようにさらに短縮可能である。
【００２７】
[0041]図７は、３つの直列ランプがある場合のランプ欠陥検出システムの別の実施形態である。しかしながら、システムのランプを操作するのに十分な電圧供給がある限り、本実施形態は４つ以上のランプと併用可能である点が認識されるべきである。ランプヘッドは、複数の放射状の対称ゾーンに分割される数百個のタングステンハロゲンランプを含有しており、各ゾーンはＳＣＲドライバによって別個に電源投入されるため、ランプ電力はゾーンごとに調整可能である。各ゾーン内に複数のランプがあり、ランプは（本例では）ランプ３つずつの複数のグループに分割され、各ランプグループはＳＣＲドライバに接続されている。各グループの３つのランプは直列接続される。
【００２８】
[0042]図７は、１つのランプグループを示している。ランプＬ１、Ｌ２およびＬ３は電源１５４と直列接続されている。上記のように、電源はＡＣであるが、ＤＣ電源もまた可能である。本例では、電源はＡＣであり、シリコン制御整流器（ＳＣＲ）ドライバを表している。データ取得デバイス（ＤＡＱ）１５０は、ポイントＡ、Ｂ、ＣおよびＤで電圧測定をするために、示されているような回路に接続される。ＡＤＣは直列の全ランプについて、アナログ電圧入力Ｖ’Ａ、Ｖ’Ｂ、Ｖ’ＣおよびＶ’Ｄをディジタル値ＶＡ、ＶＢ、ＶＣおよびＶＤに変換する。これらの値はコントローラ１５２に送られ、ここで各ランプの電圧低下が判断さえる。本例では、ランプＬ１の電圧低下はＶＡ−ＶＣ＝ＶＬ１であり、ランプＬ２の電圧低下はＶＣ−ＶＤ＝ＶＬ２であり、ランプＬ３の電圧低下はＶＤ−ＶＢ＝ＶＬ３である。
【００２９】
[0043]コントローラ１５２は電圧低下値ＶＬ１、ＶＬ２およびＶＬ３を１セットの条件に適用して、ランプが欠陥状態にあるか否かを判断するする。この手順は、１つのゾーンのランプグループごとに、かつランプアレイのゾーンごとに反復される。
【００３０】
[0044]図８Ａ〜図８Ｅは、各ランプの電圧低下が、ランプが欠陥状態にあるか否かおよび欠陥状態の種類を判断するために使用される様子を示している。Ｖ１、Ｖ２およびＶ３はそれぞれランプＬ１、Ｌ２およびＬ３の測定済みディジタル電圧低下値を表している。図８Ａ〜図８Ｅで表されている各回路において、ＡＣ電圧Ｖ’はランプグループに適用され、対応するディジタル電圧はＶである。位相?Ａおよび?Ｂは、電源は３相ＡＣであることを示しており、ランプ列はこれら２つの位相のライン間電圧に接続される。ランプ２つの場合について上述されているように、また類似の理由で、ランプのゼロ電圧低下は、ランプに電流が流れないことを示しており、ランプが完全短絡されているとは示していない。
【００３１】
[0045]図８Ａは、すべてのランプが正常な動作状態にある状態を示している。Ｌ１の電圧は非ゼロ値Ｖ１であり、Ｌ２の電圧は非ゼロ値Ｖ２であり、Ｌ３の電圧は非ゼロ値Ｖ３である。すべてのランプの正常動作の条件は以下のように表されることが可能である：直列の各ランプは非ゼロ電圧値を有しており、かつ隣接するランプ対の電圧差の大きさがある閾値以下である場合、すべてのランプは正常である。例えば、｜ＶＬ１−ＶＬ２｜≦αかつ｜ＶＬ２−ＶＬ３｜≦αの場合、ランプＬ１、Ｌ２およびＬ３は正常である。他の実施形態では、欠陥検出方法はまた、隣接していないランプ対の電圧差の大きさを含んでいる。例えば、｜ＶＬ１−ＶＬ３｜≦αであれば、ランプＬ１およびＬ３は正常である。ランプ２つの場合のように、αは、正常なランプ動作の状態を定義するために使用される差分電圧閾値を表している。この閾値は通常、使用されているランプの種類および許容可能なばらつきによる経験に基づいて選択される。ＲＴＰの場合、許容可能な閾値は、各ランプの平均電圧の５パーセント未満であってもよい。直列している２つの隣接ランプが非ゼロ電圧値を有しており、この対の電圧差の大きさがこの閾値より大きい場合、ランプは正常な動作状態にはなく、ランプ対の欠陥状態が定義可能である。例えば、｜ＶＬ１−ＶＬ２｜＞αの場合、ランプＬ１およびＬ２は正常な動作状態になく、ランプ対の欠陥状態が定義可能である。
【００３２】
[0046]図８Ｂにおいて、ランプＬ２は開状態であり、他のすべてのランプは閉状態にある。開状態は、内部ランプ回路は開であり、かつランプに電流が流れないことを示している。ランプに電流を流すための完全な回路はないため、Ｌ１およびＬ３の電圧はゼロである。しかし、Ｌ２以外のすべてのランプは閉じられているため、Ｌ２で測定された電圧は、３つの直列ランプに適用されている電圧である値Ｖを有する。この条件は直列の３つ以上のランプに一般化可能であり、以下のように表されることが可能である：非ゼロ電圧を有する１つのランプを除いたすべてのランプ電圧がゼロならば、非ゼロ電圧のランプは開であり、電圧低下Ｖを有しており、また直列のすべてのランプが閉じられる。開ランプの欠陥状態が存在し、信号はディスプレイスクリーンに送られて、直列のいずれのランプに欠陥を生じたかを識別する。
【００３３】
[0047]図８Ｃにおいて、すべてのランプが開状態である。上記のように、一部の実施形態については、ＤＡＱは、図８Ｃおよび８Ｄに示されているように、開回路の場合でもゼロ電圧読み取りを提供するように設計されてもよい。この場合、各ランプの電圧は、すべてのランプが開の場合にはゼロであり、非ゼロ電圧値は、電圧測定がランプ列全体になされる場合にのみ取得可能であり、この場合、値はＶである。他の実施形態では、ランプ欠陥検出システムは、すべてのランプが開の場合には開回路が検出されたことを示し、非ゼロ電圧読み取りを提供しないように設計されてもよい。図８Ｄにおいて、ランプＬ１およびＬ２のみが開である。直列が３つ以上のランプからなり、２つ以上のランプが開の場合、いずれのランプが開であり、かついずれが開でないかを判断するための、個々のランプの電圧低下のみを使用する情報が不十分な場合がある。この場合の条件は以下のようになる：直列の３つ以上のランプについて直列の各ランプの電圧低下がゼロである場合、２つ以上のランプは開状態である。
【００３４】
[0048]もう１つの欠陥状態がランプ列に生じうる。図８Ｅは、ランプＬ２が部分内部短絡を有しており、かつ他のすべてのランプが正常である場合を示している。この場合、ランプのいずれも開状態ではなく、各ランプは非ゼロ電圧低下を有する。ランプＬ２の部分短絡が正常値未満にランプ抵抗を下げ、かつこれはランプＬ２の電圧低下の削減を招くことが認識可能である。この観察は、あるランプの部分内部短絡が、各ランプの電圧低下の差を、正常なランプ動作について予想する値より大きく増大させることを示唆している。この状態は、電圧差ＶＬ１およびＶＬ２が閾値と比較される条件によって表されることが可能である。この差が閾値を越える場合、受容しがたい部分短絡条件がランプＬ２について識別され、欠陥状態が存在する。この条件は以下のように表されることが可能である：すべてのランプ電圧が非ゼロであり、（ＶＬ１−ＶＬ２）＞Δである場合、ランプＬ２は部分短絡を有している。３つ以上のランプの場合、他の隣接するランプは、ランプＬ２に短絡があるか否かをテストするために使用可能である点に注目する。具体的には、（ＶＬ３−ＶＬ２）＞Δの場合、Ｌ２もまた、短絡があるとして識別される。ランプが短絡しているか否かをテストするために同じ方法論が直列の任意のランプに適用可能である。付加的に、ｉｆ−ｔｈｅｎ文は、（ＶＬ１−ＶＬ２）＞Δの場合、ランプ２に部分短絡があるというようにさらに短縮可能である。他の実施形態では、欠陥検出方法はまた、隣接していないランプ対の電圧差の大きさを含むことがある。例えば、（ＶＬ１−ＶＬ３）＞Δの場合、ランプＬ３に部分短絡がある。上記のように、閾値Δの選択は、ランプ強度の許容可能なばらつきに左右されるが、ＲＴＰへの適用については、各ランプの平均電圧の８パーセント未満であってもよい。
【００３５】
[0049]図９は、直列接続されている２つのランプのランプ欠陥を検出するために使用される電子コンポーネントの概略表記である。ＳＣＲドライバは、すべてのランプをランプヘッドに含有している電力分布ボードに接続されている。本例では、１対のみが示されている。ランプヘッドのすべてのランプは放射状の対称ゾーンに分割され、各ゾーンは個別ＳＣＲドライバに接続されているため、電力はゾーンごとに調整可能である。各ゾーンはランプ対に分割され、各対は欠陥検出システムに接続されている。このようなランプＬ１およびＬ２の対がここに示されている。
【００３６】
[0050]電力分布ボードは、各ランプの一方の側のポイントに接続する導電ラインを有しているため、電圧測定は、ランプの一方の側のポイントでなされることが可能である。Ｖ’１、Ｖ’２およびＶ’３はそれぞれポイント１６０、１６２および１６４のアナログ電圧を表しており、Ｖ１、Ｖ２およびＶ３はこれらに対応するディジタル値を表している。各導電ラインはおよそ１メガオームのバラスト抵抗器を有している。本実施形態は約１メガオームのバラスト抵抗器を示しているが、他の抵抗値が使用されてもよい。本実施形態では、バラスト抵抗器は電力分布ボードに含まれているが、他の実施形態ではランプ欠陥検出（ＬＦＤ）ボードに含まれていることもある。
【００３７】
[0051]ランプ欠陥検出（ＬＦＤ）ボードはＤＡＱモジュールおよびコントローラモジュールを含む。コントローラは、ディジタル電圧値Ｖ１、Ｖ２およびＶ３を使用して各ランプの電圧低下を計算する。Ｌ１の電圧低下はＶＬ１＝Ｖ１−Ｖ３であり、Ｌ２の電圧低下はＶＬ２＝Ｖ２−Ｖ３である。その後、コントローラは図に示されている条件を適用して、ランプ欠陥状態が存在するか否かを判断する。ランプが開であるか、内部短絡がある場合、コントローラは、欠陥状態の検出および欠陥ランプの識別を可能にするユーザーインタフェースデバイスに信号を送る。本実施形態では、図９に示されているように、ランプ欠陥検出システムは、開回路の場合でもゼロ電圧読み取りを提供するように設計されている。他の実施形態では、システムは、開回路が検出されたことを示すにすぎないこともあり、この場合、図９に示されているようなすべての開ランプの条件はもはや関係ない場合もある。
【００３８】
[0052]図１０Ａは、従来技術のランプ欠陥検出装置の概略図であり、図１０Ｂは、本発明の実施形態の図である。両図面の比較は、ＬＦＤボードと電力分布ボードの接続方法の差を示している。１５個のゾーンが示されており、各ゾーンはＳＣＲドライバを含有している。１５個のゾーンが図１０Ｂに示されているが、異なる数のゾーンが本発明の他の実施形態で使用されることもある。従来技術の実施例では、各ゾーンおよび関連ドライバはランプ欠陥検出（ＬＦＤ）ボード１７０に接続され、ＬＦＤボードは電力分布（ＰＤ）ボード１７２に接続される。ＰＤボード１７２へのＬＦＤボード１７０の接続は多数の異なるコネクタの整列を必要とし、これは時間のかかるプロセスである。また、この構成は、電力がＰＤボード１７２およびこの中のランプに送出可能になる前にＬＦＤボード１７０が存在することを必要としている。図１０Ｂを参照すると、本実施形態は異なる接続構成を示している。各ゾーンのＳＣＲドライバはＰＤボード１７４に直接接続されるため、ＰＤボード１７４およびこの中のランプはＬＦＤボード１７６なしで動作可能である。単一コネクタ１７８によってＰＤボード１７４およびＬＦＤボード１７６は一緒に接続され、２つのボードの接続を大きく簡略化する。加えて、ＬＦＤボード１７６によって受信される電圧信号は、およそ１メガオームのバラスト抵抗器ゆえに約５Ｖおよび約０．１ｍＡになる。フィルタ回路１８０は、ＬＦＤボードに見られる最大約５Ｖに信号電圧を制限することがある。
【００３９】
[0053]図１１において、本発明のＬＦＤボードの実施形態の構造がより詳細に示されている。マルチピンコネクタによってＬＦＤボードは電力分布ボードに接続する。各ランプゾーンの各ランプ対からの電圧信号は、通信チャネル１９６を介してプロセッサ２１０によって命令されるようにこれらの信号をサンプリングするマルチプレクサ（ＭＵＸ）へ入力される。ＡＤＣはアナログ信号を、プロセッサ２１０に送られるディジタル値に変換する。本実施形態では、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）はプロセッサに対して使用されるが、他のプロセッサが使用されてもよい。ＦＰＧＡは、各ランプ対の各ランプの電圧低下を計算することもある。ＦＰＧＡはランプ欠陥条件によって事前プログラミングされ、これらの条件を適用して、ランプが開状態にあるか内部短絡を有しているかを判断する。ＤＣ／ＤＣ変換器１９８はＬＦＤボードの一部として示されている。２４ＶのＤＣ電力入力２００はＤＣ／ＤＣ変換器によってステップダウンされて、ＬＦＤコンポーネントに電力を提供する。入力／出力回路１９０は、データ入力ＤＩＮ１９４およびデータ出力ＤＯＵＴ１９２によって表されているように、ＦＰＧＡとの通信を可能にする。
【００４０】
[0054]本発明の先行の実施形態では、２つ以上の直列ランプについて検討されてきた。一部の用途では、電源全体で１つのランプのみを接続することが望ましい、または必要な場合もある。例えば、ランプヘッドのランプの総数が奇数であるが、ランプ対が各欠陥検出回路の基本直列ユニットとして使用される場合、単一のランプは対になっていないままである。各ランプの電圧低下を使用する欠陥検出方法は、検出回路がわずかに修正されたり、別の方法が使用されたりしなければ、単一ランプの場合には使用不可能である。以下のランプ欠陥検出方法はこの単一ランプの場合に対処する。
【００４１】
[0055]図１２は、ランプ欠陥検出方法が、ランプが１つ以上の追加ランプと直列に置かれることができない場合に使用される様子を示している。２つのランプＬ１およびＬ２は、示されているＳＣＲドライバなどの電源と並列接続されており、これは、ランプヘッドにおける複数の放射状の対称ゾーンのうちの１つのゾーンを表すことが可能である。各ランプは電源に単独で接続される。ホール効果電流センサが、電力分布ボード内の各ランプに近接して配置される。電流出力信号ＩＬ１およびＩＬ２はＬＦＤボードおよび、信号をサンプリングしてＡＤＣに送り、アナログ信号をディジタルに変換することができるマルチプレクサ（ＭＵＸ）に送られる。ディジタル信号は次いで、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）などの、ｉｆ−ｔｈｅｎ文を電流信号に適用して、ランプＬ１またはＬ２が欠陥状態であるか否かを判断するプロセッサ３１０に送られることが可能である。ｉｆ−ｔｈｅｎ文は単に、各ランプの電流信号と比較される閾値電流値βの場合もある。例えば、ＩＬ１＜βの場合、ランプＬ１に欠陥状態が存在している可能性がある。電流出力信号は極めて弱い場合もあるため、１つ以上の増幅器３００が、信号を昇圧するためにＬＦＤボードに含まれることもあり、またランプ欠陥ｉｆ−ｔｈｅｎ文が増幅信号に適用されることもある。
【００４２】
[0056]本発明の先行の実施形態はランプ欠陥検出方法および関連装置について説明している。この欠陥検出方法は通常、ウェーハの急速加熱処理（ＲＴＰ）の前に適用して、開または短絡状態のランプがウェーハ処理前に検出されて望ましくない処理結果を回避することを保証する助けとなる。しかしながら、ＲＴＰシステムスループットの低下を回避してシステムダウンタイムを最小化するために、欠陥検出方法は、システム動作中に異なる回数および異なるお方法で適用可能である。このような一実施形態では、欠陥検出装置は、各ＲＰＴチャンバのＲＴＰサイクルの開始直前に開ランプについてチェックするだけのこともある。開ランプのみのチェックは、開および短絡両方のランプをチェックするよりは時間がかからないが、開ランプは通常、部分的に短絡されるだけのランプよりも大きな影響力を放射均一性に対して有することになる。開ランプ用のランプ欠陥検出方法は通常、例えば最大電力の１０〜２０％などの、最大電力の低率でエネルギー付与されるランプによって実行される。低ランプ電力のこの周期はまた、ＲＴＰチャンバへのウェーハのローディングと同時に、またはウェーハローディングのすぐ後に発生することがある。
【００４３】
[0057]図１３は、通常のＲＴＰ時間対温度曲線を示している。温度平坦域４１０は、ＲＴＰサイクルの開始直前の、エネルギー付与されるが極めて低い電力設定であるランプを表している。ＲＴＰサイクルの開始は温度傾斜４２０によって表される。開ランプの検出方法は、このような温度平坦域４１０、あるいは極めて遅い温度傾斜の間に適用されてもよい。ランプ欠陥検出装置は、かなり短い間隔で開状態のランプヘッドの各ランプをチェックすることができ、各ＲＴＰチャンバのＲＴＰサイクルの開始直前の検出方法の適用を可能にする。短絡がありうるランプの欠陥検出は、それほど頻繁ではなく、場合によっては１日に１、２回、チャンバスループットへの影響力がない場合に実行されてもよい。他の実施形態では、ランプ欠陥検出方法は、ＲＴＰシステムの定期メンテナンス中に実行可能である。
【００４４】
[0058]ランプ欠陥検出方法はまた、ランプ欠陥情報に基づいて基板処理の熱処理パラメータを調整するように使用されてもよい。一実施形態では、短絡または開ランプ状態の検出方法は、欠陥ランプの効果を補償するために、ランプ強度のばらつきと、ランプ欠陥信号を使用してなされた対応するランプ電力調整とに最も影響を受けやすいランプゾーンの基板処理中に実行されてもよい。他の実施形態では、異なるランプゾーンへの電力は変化されてもよく、あるいは異なるプロセスパラメターが、欠陥ランプを補償するための基板処理の前、この最中またはこの後に変化されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】熱処理チャンバの切欠き投影図である。
【図２】ランプヘッドの底面図である。
【図３】ランプヘッドの例示的ランプバルブを図示している。
【図４】従来技術のランプ欠陥検出システムの概略図である。
【図５】ランプ欠陥検出器の一実施形態のブロック図である。
【図６Ａ】ランプ動作を描いている概略図である。
【図６Ｂ】ランプ動作を描いている概略図である。
【図６Ｃ】ランプ動作を描いている概略図である。
【図６Ｄ】ランプ動作を描いている概略図である。
【図６Ｅ】ランプ動作を描いている概略図である。
【図６Ｆ】ランプ動作を描いている概略図である。
【図７】ランプ欠陥検出器の別の実施形態のブロック図である。
【図８Ａ】ランプ動作を描いている概略図である。
【図８Ｂ】ランプ動作を描いている概略図である。
【図８Ｃ】ランプ動作を描いている概略図である。
【図８Ｄ】ランプ動作を描いている概略図である。
【図８Ｅ】ランプ動作を描いている概略図である。
【図９】ランプ欠陥検出装置の一実施形態の概略図である。
【図１０Ａ】従来技術のランプ欠陥検出装置の概略図である。
【図１０Ｂ】ランプ欠陥検出装置の別の実施形態の概略図である。
【図１１】ランプ欠陥検出器ボードの実施形態の概略表記である。
【図１２】ランプ欠陥検出システムの別の実施形態を描いている。
【図１３】急速加熱処理（ＲＴＰ）システムの通常の時間対温度曲線を示している。
【符号の説明】
【００４６】
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３…ランプ、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ…ポイント、ＶＡ、ＶＢ、ＶＣ、ＶＤ…電圧入力、１０…ＲＴＰシステム、１２…チャンバ空間、１４…ランプヘッド、１６…ステンレス鋼スリーブ、１８…ステンレス鋼ハウジング、２０…反射器、２２…回転石英シリンダー、２４…ウェーハサポートリング、２６…ランプ、２６Ａ…中央ランプ、２８…薄い石英ウィンドウ、３０…フロントプレート、３２…ポケット、３４…ウェーハ回転軸、４２…バルブ部分、４４…フィラメント、４６…ノーズ先端、４８…サイドアームサポート、５０…フィラメントリード、５２…フィラメントリード、６０…ドライバ、６２…ボード、６４…電力分布ボード、６６…変流センサ、６８…導電ライン、７０…センサ入力、７２…センサ出力、７４…比較器、１００…電源、１０４…ＣＰＵ、１０５…メモリ、１０６…支援回路、１０８…データ取得デバイス、１１０…コントローラ、１５０…データ取得デバイス、１５２…コントローラ、１５４…電源、１６０、１６２、１６４…ポイント、１７０、１７２、１７４、１７６…ボード、１７８…単一コネクタ、１８０…フィルタ回路、１９０…入力／出力回路、１９２…データ出力、１９４…データ入力、１９６…通信チャネル、１９８…ＤＣ／ＤＣ変換器、２００…電力入力、２１０…プロセッサ、３００…増幅器、３１０…プロセッサ、４１０…温度平坦域、４２０…温度傾斜。
【図１】
2008270164.tif 000003
【図２】
2008270164.tif 000004
【図３】
2008270164.tif 000005
【図４】
2008270164.tif 000006
【図５】
2008270164.tif 000007
【図６Ａ】
2008270164.tif 000008
【図６Ｂ】
2008270164.tif 000009
【図６Ｃ】
2008270164.tif 000010
【図６Ｄ】
2008270164.tif 000011
【図６Ｅ】
2008270164.tif 000012
【図６Ｆ】
2008270164.tif 000013
【図７】
2008270164.tif 000014
【図８Ａ】
2008270164.tif 000015
【図８Ｂ】
2008270164.tif 000016
【図８Ｃ】
2008270164.tif 000017
【図８Ｄ】
2008270164.tif 000018
【図８Ｅ】
2008270164.tif 000019
【図９】
2008270164.tif 000020
【図１０Ａ】
2008270164.tif 000021
【図１０Ｂ】
2008270164.tif 000022
【図１１】
2008270164.tif 000023
【図１２】
2008270164.tif 000024
【図１３】
2008270164.tif 000025
【外国語明細書】
2008270164000001.pdf