(57)【要約】【課題】感度、解像性、現像性、可撓性、半田耐熱性、耐溶剤性、電気絶縁性、導体回路への追従性、及び難燃性に優れた感光性組成物、感光性フィルム、永久パターン形成方法、及びプリント基板の提供。【解決手段】（Ａ）光重合開始剤と、（Ｂ）重合性化合物と、(Ｃ)バインダーと、を少なくとも含む感光性組成物であって、  前記（Ａ）光重合開始剤が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であり、  前記（Ｂ）重合性化合物として、ビスフェノールＡ骨格及びウレタン骨格のいずれかを有する重合性化合物を少なくとも含むことを特徴とする感光性組成物。【化１】2008233421.tif 000047  ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ｒは、炭素原子数１〜７のアルキル基及びフェニル基のいずれかを表し、Ｒ’は、水素原子、炭素原子数１〜７のアルキル基及びフェニル基のいずれかを表す。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）光重合開始剤と、（Ｂ）重合性化合物と、(Ｃ)バインダーと、を少なくとも含む感光性組成物であって、
前記（Ａ）光重合開始剤が、下記一般式（Ｉ）で表される部分構造を有する化合物であり、
前記（Ｂ）重合性化合物として、ビスフェノールＡ骨格及びウレタン骨格のいずれかを有する重合性化合物を少なくとも含むことを特徴とする感光性組成物。
【化３】
2008233421.tif 000040
ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ｒは、炭素原子数１〜７のアルキル基及びフェニル基のいずれかを表し、Ｒ’は、水素原子、炭素原子数１〜７のアルキル基及びフェニル基のいずれかを表す。
【請求項２】
（Ａ）光重合開始剤が、下記一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−２）のいずれかで表される部分構造を有する化合物、及び下記一般式（ＩＩ−３）で表される化合物のいずれかである請求項１に記載の感光性組成物。
【化１】
2008233421.tif 000041
ただし、前記一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−２）中、Ａｒは芳香族基及び複素環基のいずれかを表す。Ｙ１は水素原子及び一価の置換基のいずれかを表し、Ｙ２はＣＯＹ３を表す。Ｙ３は、脂肪族基、芳香族基、及び複素環基のいずれかを表す。ｍは１以上の整数を表す。
【化２】
2008233421.tif 000042
ただし、前記一般式（ＩＩ−３）中、Ｒ１は、置換基を有してもよい、アシル基、アルコキシカルボニル基、及びアリールオキシカルボニル基のいずれかを表す。ｍは０以上の整数を表す。Ｒ２は、置換基を表し、ｍが２以上の場合、前記Ｒ２は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ａｒは、芳香族環及び複素芳香族環のいずれかを表す。Ａは、４、５、６、及び７員環のいずれかを表し、これらの環は、それぞれへテロ原子を含んでもよい。
【請求項３】
(Ｃ)バインダーが、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物を含む請求項１から２のいずれかに記載の感光性組成物。
【化３】
2008233421.tif 000043
ただし、前記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は水素原子又は１価の有機基を表す。Ｌは有機基を表し、なくてもよい。Ａｒはヘテロ環を含んでもよい芳香族基を表す。
【請求項４】
ウレタン骨格を有する重合性化合物として、下記一般式（ＩＶ）で表されるウレタン（メタ）アクリレート化合物を含む請求項１から３のいずれかに記載の感光性組成物。
【化４】
2008233421.tif 000044
ただし、前記一般式（ＩＶ）中、Ｒは、水素原子及びメチル基のいずれかであり、Ｘ及びＹは、それぞれ独立して、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ−、−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２Ｏ−、及び−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−から選択される少なくとも１つであり、Ｚは、炭素原子数２〜２０の２価の炭化水素基を示し、ｋは１〜３０の整数を示し、ｍは１〜１０の整数を示し、ｎは１〜８の整数を示す。
【請求項５】
ビスフェノールＡ骨格を有する重合性化合物として、下記一般式（Ｖ）で表される化合物を含む請求項１から４のいずれかに記載の感光性組成物。
【化５】
2008233421.tif 000045
ただし、前記一般式（Ｖ）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して水素原子及びメチル基のいずれかであり、Ａは、Ｃ２Ｈ４であり、ＢはＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３)であり、ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立して１〜２９の整数であり、ｎ３及びｎ４は、それぞれ独立して０〜２９の整数であり、ｎ１＋ｎ２は２〜３０の整数であり、ｎ３＋ｎ４は０〜３０の整数である。ＡＯ及びＢＯの繰り返し単位の配列は、ランダムであってもブロックであってもよい。ブロックの場合、ＡＯ及びＢＯの順序は、いずれがビスフェニル基側であってもよい。
【請求項６】
ウレタン骨格を有する重合性化合物として、下記一般式（ＶＩ）で表される化合物を含む請求項１から５のいずれかに記載の感光性組成物。
【化６】
2008233421.tif 000046
ただし、前記一般式（ＶＩ）中、Ｒ１及びＲ２は、互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子及びメチル基のいずれかを表し、Ｘ１及びＸ２は、互いに同一であっても異なっていてもよく、エチレンオキサイド基及びプロピレンオキサイド基のいずれかを表し、ランダム、ブロックのいずれに組み合わされてもよい。ｍ１及びｍ２は、それぞれ独立して１〜３０の整数を表し、Ｙは、２価の有機基を表す。
【請求項７】
（Ｂ）重合性化合物として、１分子中にＯＨ基を２個以上含有するエポキシ（メタ）アクリレート化合物を含む請求項１から６のいずれかに記載の感光性組成物。
【請求項８】
（Ｂ）重合性化合物として、２官能以上の多官能モノマーを含む請求項１から７のいずれかに記載の感光性組成物。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の感光性組成物からなる感光層を支持体上に有してなることを特徴とする感光性フィルム。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれかに記載の感光性組成物により形成された感光層に対して露光を行うことを含むことを特徴とする永久パターン形成方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の永久パターン形成方法により永久パターンが形成されることを特徴とするプリント基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光重合開始剤、重合性化合物、及びバインダーを含む感光性組成物、前記感光性組成物を用いた感光性フィルム、永久パターン形成方法、並びに前記永久パターン形成方法により永久パターンが形成されたプリント基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ソルダーレジスト等の永久パターンを形成するに際して、支持体上に感光性組成物を塗布、乾燥することにより感光層を形成させた感光性フィルムが用いられている。前記永久パターンの製造方法としては、例えば、前記永久パターンが形成される銅張積層板等の基体上に、前記感光性フィルムを積層させて積層体を形成し、前記積層体における前記感光層に対して露光を行い、前記露光後、前記感光層を現像してパターンを形成させ、その後硬化処理等を行うことにより前記永久パターンが形成される。
【０００３】
前記ソルダーレジスト形成用の感光性組成物においては、バインダーとして、高分子量の変性エポキシ樹脂を用い、高解像度で耐熱衝撃性及びフィルム状態での貯蔵安定性に優れた、リジット基板用途（特許文献１参照）やドライフィルム用途（特許文献２及び特許文献３参照）でのソルダーレジスト形成用の感光性組成物が提案されている。しかし、これらの提案の感光性組成物は、感度が低いため、デジタルイメージング（ＤＩ）露光を行なった場合、これに多くの時間がかかり、生産性が悪いという問題があった。
そこで、デジタルイメージング（ＤＩ）露光を行なった場合の生産性を高めるため、高感度な光重合開始剤として、オキシム化合物を用い、波長４０５ｎｍ前後の青紫色レーザにおける膜硬化性に適した前記感光性組成物が提案されている（特許文献４参照）。しかし、この提案では、感度の経時安定性に劣り、予め感光性組成物を調製しておき、適宜必要に応じて使用することが困難であるという問題があった。
【０００４】
また、導体回路に対する高い追従性と、現像性を付与するため、高分子量となる特定のカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマーと、中低分子量となる特定のカルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマーとを併用した感光性組成物が提案されている（特許文献５、６参照）。上記組成物では、感度及び解像性をより高度に満足させるまでにはいたっておらず、より優れた感光性組成物の開発が望まれているのが現状である。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２０８８３５号公報
【特許文献２】特開２００６−２０８８２４号公報
【特許文献３】特開２００６−２０８８５３号公報
【特許文献４】特開２００５−１８２００４号公報
【特許文献５】特開２００６−２２０８０３号公報
【特許文献６】特開２００６−２２０８０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、感度、解像性、現像性、可撓性、半田耐熱性、耐溶剤性、電気絶縁性、導体回路への追従性、及び難燃性に優れた感光性組成物、感光性フィルム、永久パターン形成方法、及びプリント基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  （Ａ）光重合開始剤と、（Ｂ）重合性化合物と、(Ｃ)バインダーと、を少なくとも含む感光性組成物であって、
前記（Ａ）光重合開始剤が、下記一般式（Ｉ）で表される部分構造を有する化合物であり、
前記（Ｂ）重合性化合物として、ビスフェノールＡ骨格及びウレタン骨格のいずれかを有する重合性化合物を少なくとも含むことを特徴とする感光性組成物である。
【化３】
2008233421.tif 000002
ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ｒは、炭素原子数１〜７のアルキル基及びフェニル基のいずれかを表し、Ｒ’は、水素原子、炭素原子数１〜７のアルキル基及びフェニル基のいずれかを表す。
＜２＞  （Ａ）光重合開始剤が、下記一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−２）のいずれかで表される部分構造を有する化合物、及び下記一般式（ＩＩ−３）で表される化合物のいずれかである前記＜１＞に記載の感光性組成物である。
【化１】
2008233421.tif 000003
ただし、前記一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−２）中、Ａｒは芳香族基及び複素環基のいずれかを表す。Ｙ１は水素原子及び一価の置換基のいずれかを表し、Ｙ２はＣＯＹ３を表す。Ｙ３は、脂肪族基、芳香族基、及び複素環基のいずれかを表す。ｍは１以上の整数を表す。
【化２】
2008233421.tif 000004
ただし、前記一般式（ＩＩ−３）中、Ｒ１は、置換基を有してもよい、アシル基、アルコキシカルボニル基、及びアリールオキシカルボニル基のいずれかを表す。ｍは０以上の整数を表す。Ｒ２は、置換基を表し、ｍが２以上の場合、前記Ｒ２は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ａｒは、芳香族環及び複素芳香族環のいずれかを表す。Ａは、４、５、６、及び７員環のいずれかを表し、これらの環は、それぞれへテロ原子を含んでもよい。
＜３＞  (Ｃ)バインダーが、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物を含む前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の感光性組成物である。
【化３】
2008233421.tif 000005
ただし、前記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は水素原子又は１価の有機基を表す。Ｌは有機基を表し、なくてもよい。Ａｒはヘテロ環を含んでもよい芳香族基を表す。
＜４＞  ウレタン骨格を有する重合性化合物として、下記一般式（ＩＶ）で表されるウレタン（メタ）アクリレート化合物を含む前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の感光性組成物である。
【化４】
2008233421.tif 000006
ただし、前記一般式（ＩＶ）中、Ｒは、水素原子及びメチル基のいずれかであり、Ｘ及びＹは、それぞれ独立して、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ−、−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２Ｏ−、及び−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−から選択される少なくとも１つであり、Ｚは、炭素原子数２〜２０の２価の炭化水素基を示し、ｋは１〜３０の整数を示し、ｍは１〜１０の整数を示し、ｎは１〜８の整数を示す。
＜５＞  ビスフェノールＡ骨格を有する重合性化合物として、下記一般式（Ｖ）で表される化合物を含む前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の感光性組成物である。
【化５】
2008233421.tif 000007
ただし、前記一般式（Ｖ）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して水素原子及びメチル基のいずれかであり、Ａは、Ｃ２Ｈ４であり、ＢはＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３)であり、ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立して１〜２９の整数であり、ｎ３及びｎ４は、それぞれ独立して０〜２９の整数であり、ｎ１＋ｎ２は２〜３０の整数であり、ｎ３＋ｎ４は０〜３０の整数である。ＡＯ及びＢＯの繰り返し単位の配列は、ランダムであってもブロックであってもよい。ブロックの場合、ＡＯ及びＢＯの順序は、いずれがビスフェニル基側であってもよい。
＜６＞  ウレタン骨格を有する重合性化合物として、下記一般式（ＶＩ）で表される化合物を含む前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の感光性組成物である。
【化６】
2008233421.tif 000008
ただし、前記一般式（ＶＩ）中、Ｒ１及びＲ２は、互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子及びメチル基のいずれかを表し、Ｘ１及びＸ２は、互いに同一であっても異なっていてもよく、エチレンオキサイド基及びプロピレンオキサイド基のいずれかを表し、ランダム、ブロックのいずれに組み合わされてもよい。ｍ１及びｍ２は、それぞれ独立して１〜３０の整数を表し、Ｙは、２価の有機基を表す。
＜７＞  （Ｂ）重合性化合物として、１分子中にＯＨ基を２個以上含有するエポキシ（メタ）アクリレート化合物を含む前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の感光性組成物である。
＜８＞  （Ｂ）重合性化合物として、２官能以上の多官能モノマーを含む前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の感光性組成物である。
＜９＞  前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の感光性組成物からなる感光層を支持体上に有してなることを特徴とする感光性フィルムである。
＜１０＞  前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の感光性組成物により形成された感光層に対して露光を行うことを含むことを特徴とする永久パターン形成方法である。
＜１１＞  前記＜１０＞に記載の永久パターン形成方法により永久パターンが形成されることを特徴とするプリント基板である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、感度、解像性、現像性、可撓性、半田耐熱性、耐溶剤性、電気絶縁性、導体回路への追従性、及び難燃性に優れた感光性組成物、感光性フィルム、永久パターン形成方法、及びプリント基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明について詳細に説明する。
（感光性組成物）
本発明の感光性組成物は、（Ａ）光重合開始剤と、（Ｂ）重合性化合物と、(Ｃ)バインダーと、を少なくとも含む感光性組成物であって、
前記（Ａ）光重合開始剤が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であり、
前記（Ｂ）重合性化合物として、ビスフェノールＡ骨格及びウレタン骨格のいずれかを有する重合性化合物を少なくとも含むことを特徴とする。
【化３】
2008233421.tif 000009
ただし、前記一般式（Ｉ）中、Ｒは、炭素原子数１〜７のアルキル基及びフェニル基のいずれかを表し、Ｒ’は、水素原子、炭素原子数１〜７のアルキル基及びフェニル基のいずれかを表す。
【００１０】
以下、前記感光性組成物に含有される各成分について順次説明する。
＜（Ａ）光重合開始剤＞
前記光重合開始剤は、下記一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−２）のいずれかで表される部分構造を有する化合物、及び下記一般式（ＩＩ−３）で表される化合物のいずれかであることが好ましい。
【化１】
2008233421.tif 000010
ただし、前記一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−２）中、Ａｒは芳香族基及び複素環基のいずれかを表す。Ｙ１は水素原子及び一価の置換基のいずれかを表し、Ｙ２は脂肪族基、芳香族基、複素環基、ＣＯＹ３、ＣＯ２Ｙ３、及びＣＯＮＹ４Ｙ５のいずれかを表す。Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５は、脂肪族基、芳香族基、及び複素環基のいずれかを表す。ｍは１以上の整数を表す。
【００１１】
【化２】
2008233421.tif 000011
ただし、前記一般式（ＩＩ−３）中、Ｒ１は、置換基を有してもよい、アシル基、アルコキシカルボニル基、及びアリールオキシカルボニル基のいずれかを表す。ｍは０以上の整数を表す。Ｒ２は、置換基を表し、ｍが２以上の場合、前記Ｒ２は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ａｒは、芳香族環及び複素芳香族環のいずれかを表す。Ａは、４、５、６、及び７員環のいずれかを表し、これらの環は、それぞれへテロ原子を含んでもよい。
前記化合物は、１種を単独で使用しても、２種を併用してもよい。
【００１２】
−一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−２）のいずれかで表される部分構造を有する化合物−
上記一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−２）において、前記Ｙ１は、水素原子及び一価の置換基のいずれかであるが、水素原子、脂肪族基、及び芳香族基のいずれかであることが好ましい。
前記Ｙ２は、脂肪族基、芳香族基、複素環基、ＣＯＹ３、ＣＯ２Ｙ３、及びＣＯＮＹ４Ｙ５（Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５は、脂肪族基、芳香族基、及び複素環基のいずれかを表す）であるが、脂肪族基、−ＣＯ−（脂肪族基）、−ＣＯ−（芳香族基）、−ＣＯ−（複素環基）、−ＣＯ２−（脂肪族基）、−ＣＯ２−（芳香族基）、及び−ＣＯ２−（複素環基）のいずれかであることが好ましい。
前記Ｙ３及びＹ４は、脂肪族基、芳香族基、及び複素環基のいずれかであるが、脂肪族基及び芳香族基のいずれかであることが好ましい。
前記光重合開始剤としては、前記一般式(ＩＩ−１)及び（ＩＩ−２）で表される構造が、連結基を介して複数結合してなる化合物であってもよい。
【００１３】
なお、前記一般式(ＩＩ−１)及び（ＩＩ−２）中、前記脂肪族基は、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基を表し、前記芳香族基は、それぞれ置換基を有していてもよいアリール基、複素環（ヘテロ環）基を表し、前記一価の置換基としては、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアミノ基、アルコキシカルボニル基、水酸基、エーテル基、チオール基、チオエーテル基、シリル基、ニトロ基、シアノ基、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基を表す。
【００１４】
前記芳香族基としては、１個から３個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と５員不飽和環が縮合環を形成したものが挙げられ、具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基が挙げられ、中でも、フェニル基及びナフチル基のいずれかを有する基が好ましく、ナフチル基を有する基が特に好ましい。
また、これらの芳香族基は置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基が挙げられる。前記水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基としては、例えば、後述のアルキル基、置換アルキル基、又は置換アルキル基における置換基として示したもの等が挙げられる。
【００１５】
また、前記複素環（ヘテロ環）基としては、ピロール環基、フラン環基、チオフェン環基、ベンゾピロール環基、ベンゾフラン環基、ベンゾチオフェン環基、ピラゾール環基、イソキサゾール環基、イソチアゾール環基、インダゾール環基、ベンゾイソキサゾール環基、ベンゾイソチアゾール環基、イミダゾール環基、オキサゾール環基、チアゾール環基、ベンズイミダゾール環基、ベンズオキサゾール環基、ベンゾチアゾール環基、ピリジン環基、キノリン環基、イソキノリン環基、ピリダジン環基、ピリミジン環基、ピラジン環基、フタラジン環基、キナゾリン環基、キノキサリン環基、アシリジン環基、フェナントリジン環基、カルバゾール環基、プリン環基、ピラン環基、ピペリジン環基、ピペラジン環基、モルホリン環基、インドール環基、インドリジン環基、クロメン環基、シンノリン環基、アクリジン環基、フェノチアジン環基、テトラゾール環基、トリアジン環基等が挙げられ、中でも、フラン環基、チオフェン環基、イミダゾール環基、チアゾール環基、ベンゾチアゾール環基、ピリジン環基、インドール環基、アクリジン環基が特に好ましい。
また、これらの複素環基は置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、水素原子を除く１価の非金属原子団からなる基が挙げられる。前記水素原子を除く１価の非金属原子団からなる基としては、例えば、後述のアルキル基、置換アルキル基、又は置換アルキル基における置換基として示したものが挙げられる。
【００１６】
前記一価の置換基としては、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアミノ基、アルコキシカルボニル基、水酸基、エーテル基、チオール基、チオエーテル基、シリル基、ニトロ基、シアノ基、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基が好ましい。
【００１７】
また、前記非金属原子からなる１価の置換基としては、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基が好ましい。
【００１８】
前記置換基を有していてもよいアルキル基としては、炭素原子数が１〜２０の直鎖状、分岐状、及び環状のアルキル基を挙げることができ、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、エイコシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１−メチルブチル基、イソヘキシル基、２−エチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、２−ノルボルニル基を挙げることができる。これらの中では、炭素原子数１〜１２の直鎖状、炭素原子数３から１２までの分岐状、並びに炭素原子数５〜１０の環状のアルキル基がより好ましい。
【００１９】
前記置換基を有していてもよいアルキル基の置換基としては、水素原子を除く一価の非金属原子からなる置換基が挙げられ、好ましい例としては、ハロゲン原子（−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｃｌ、−Ｉ）、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルジチオ基、アリールジチオ基、アミノ基、Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、Ｎ−アリールアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、Ｎ−アルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイルオキシ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、Ｎ−アルキルアシルアミノ基、Ｎ−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、Ｎ’−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキルウレイド基、Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アリール−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリール−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリール−Ｎ−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アルコキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリーロキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アリール−Ｎ−アルコキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アリール−Ｎ−アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ−アリールカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基（−ＳＯ３Ｈ）及びその共役塩基基（スルホナト基と称す）、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、Ｎ−アルキルスルフィナモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルフィイナモイル基、Ｎ−アリールスルフィナモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルフィナモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルフィナモイル基、スルファモイル基、Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、Ｎ−アリールスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルファモイル基、ホスホノ基（−ＰＯ３Ｈ２）及びその共役塩基基（ホスホナト基と称す）、ジアルキルホスホノ基（−ＰＯ３（ａｌｋｙｌ）２）「ａｌｋｙｌ＝アルキル基、以下同」、ジアリールホスホノ基（−ＰＯ３（ａｒｙｌ）２）「ａｒｙｌ＝アリール基、以下同」、アルキルアリールホスホノ基（−ＰＯ３（ａｌｋｙｌ）（ａｒｙｌ））、モノアルキルホスホノ基（−ＰＯ３（ａｌｋｙｌ））及びその共役塩基基（アルキルホスホナト基と称す）、モノアリールホスホノ基（−ＰＯ３Ｈ（ａｒｙｌ））及びその共役塩基基（アリールホスホナト基と称す）、ホスホノオキシ基（−ＯＰＯ３Ｈ２）及びその共役塩基基（ホスホナトオキシ基と称す）、ジアルキルホスホノオキシ基（−ＯＰＯ３Ｈ（ａｌｋｙｌ）２）、ジアリールホスホノオキシ基（−ＯＰＯ3（ａｒｙｌ）２）、アルキルアリールホスホノオキシ基（−ＯＰＯ３（ａｌｋｙｌ）（ａｒｙｌ））、モノアルキルホスホノオキシ基（−ＯＰＯ３Ｈ（ａｌｋｙｌ））及びその共役塩基基（アルキルホスホナトオキシ基と称す）、モノアリールホスホノオキシ基（−ＯＰＯ３Ｈ（ａｒｙｌ））及びその共役塩基基（アリールホスホナトオキシ基と称す）、シアノ基、ニトロ基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロ環基、シリル基等が挙げられる。
【００２０】
これらの置換基におけるアルキル基の具体例としては、前述のアルキル基が挙げられ、前記置換基におけるアリール基の具体例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、クロロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、アセトキシフェニル基、ベンゾイロキシフェニル基、メチルチオフェニル基、フェニルチオフェニル基、メチルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、アセチルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、エトキシフェニルカルボニル基、フェノキシカルボニルフェニル基、Ｎ−フェニルカルバモイルフェニル基、シアノフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基等が挙げられる。
【００２１】
また、前記置換基におけるアルケニル基の例としては、ビニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、シンナミル基、２−クロロ−１−エテニル基等が挙げられ、前記置換基におけるアルキニル基の例としては、エチニル基、１−プロピニル基、１−ブチニル基、トリメチルシリルエチニル基等が挙げられる。
前記置換基におけるヘテロ環基としては、例えば、ピリジル基、ピペリジニル基等が挙げられる。
前記置換基におけるシリル基としてはトリメチルシリル基等が挙げられる。
前記置換基にはアシル基（Ｒ０１ＣＯ−）を含んでいてもよく、前記アシル基としては、前記Ｒ０１が、例えば、水素原子、上記のアルキル基、アリール基のもの等が挙げられる。
【００２２】
アシル基（Ｒ０１ＣＯ−）のＲ０１としては、水素原子、並びに前記アルキル基、アリール基が挙げられる。これらの置換基の内、更により好ましいものとしてはハロゲン原子（−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｃｌ、−Ｉ）、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、Ｎ−アルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ−アリールカルバモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイル基、スルホ基、スルホナト基、スルファモイル基、Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、Ｎ−アリールスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルファモイル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、モノアルキルホスホノ基、アルキルホスホナト基、モノアリールホスホノ基、アリールホスホナト基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基、アリール基、アルケニル基が挙げられる。
【００２３】
一方、置換アルキル基におけるアルキレン基としては、前述の炭素原子数１〜２０のアルキル基上の水素原子のいずれか１つを除し、２価の有機残基としたものが挙げられ、好ましくは炭素原子数１〜１２の直鎖状、炭素原子数３〜１２の分岐状並びに炭素原子数５〜１０の環状のアルキレン基が挙げられる。このような置換基とアルキレン基を組み合わせることで得られる置換アルキル基の、好ましい具体例としては、クロロメチル基、ブロモメチル基、２−クロロエチル基、トリフルオロメチル基、メトキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ブトキシメチル基、ｓ−ブトキシブチル基、メトキシエトキシエチル基、アリルオキシメチル基、フェノキシメチル基、メチルチオメチル基、トリルチオメチル基、ピリジルメチル基、テトラメチルピペリジニルメチル基、Ｎ−アセチルテトラメチルピペリジニルメチル基、トリメチルシリルメチル基、メトキシエチル基、エチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、モルホリノプロピル基、アセチルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、Ｎ−シクロヘキシルカルバモイルオキシエチル基、Ｎ−フェニルカルバモイルオキシエチル基、アセチルアミノエチル基、Ｎ−メチルベンゾイルアミノプロピル基、２−オキソエチル基、２−オキソプロピル基、カルボキシプロピル基、メトキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルブチル基、クロロフェノキシカルボニルメチル基、カルバモイルメチル基、Ｎ−メチルカルバモイルエチル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルカルバモイルメチル基、Ｎ−（メトキシフェニル）カルバモイルエチル基、Ｎ−メチル−Ｎ−（スルホフェニル）カルバモイルメチル基、スルホブチル基、スルホナトブチル基、スルファモイルブチル基、Ｎ−エチルスルファモイルメチル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルスルファモイルプロピル基、Ｎ−トリルスルファモイルプロピル基、Ｎ−メチル−Ｎ−（ホスホノフェニル）スルファモイルオクチル基、ホスホノブチル基、ホスホナトヘキシル基、ジエチルホスホノブチル基、ジフェニルホスホノプロピル基、メチルホスホノブチル基、メチルホスホナトブチル基、トリルホスホノヘキシル基、トリルホスホナトヘキシル基、ホスホノオキシプロピル基、ホスホナトオキシブチル基、ベンジル基、フェネチル基、α−メチルベンジル基、１−メチル−１−フェニルエチル基、ｐ−メチルベンジル基、シンナミル基、アリル基、１−プロペニルメチル基、２−ブテニル基、２−メチルアリル基、２−メチルプロペニルメチル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基等が挙げられる。
【００２４】
前記アリール基としては、１個から３個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と５員不飽和環が縮合環を形成したものを挙げることができ、具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基を挙げることができ、これらの中では、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。
前記置換アリール基としては、前述のアリール基の環形成炭素原子上に置換基として、水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基を有するものが用いられる。好ましい置換基の例としては前述のアルキル基、置換アルキル基、並びに、先に置換アルキル基における置換基として示したものが挙げられる。
【００２５】
前記置換アリール基の好ましい具体例としては、ビフェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基、クロロメチルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、メトキシエトキシフェニル基、アリルオキシフェニル基、フェノキシフェニル基、メチルチオフェニル基、トリルチオフェニル基、エチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、モルホリノフェニル基、アセチルオキシフェニル基、ベンゾイルオキシフェニル基、Ｎ−シクロヘキシルカルバモイルオキシフェニル基、Ｎ−フェニルカルバモイルオキシフェニル基、アセチルアミノフェニル基、Ｎ−メチルベンゾイルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、アリルオキシカルボニルフェニル基、クロロフェノキシカルボニルフェニル基、カルバモイルフェニル基、Ｎ−メチルカルバモイルフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルカルバモイルフェニル基、Ｎ−（メトキシフェニル）カルバモイルフェニル基、Ｎ−メチル−Ｎ−（スルホフェニル）カルバモイルフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、スルファモイルフェニル基、Ｎ−エチルスルファモイルフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルスルファモイルフェニル基、Ｎ−トリルスルファモイルフェニル基、Ｎ−メチル−Ｎ−（ホスホノフェニル）スルファモイルフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基、ジエチルホスホノフェニル基、ジフェニルホスホノフェニル基、メチルホスホノフェニル基、メチルホスホナトフェニル基、トリルホスホノフェニル基、トリルホスホナトフェニル基、アリルフェニル基、１−プロペニルメチルフェニル基、２−ブテニルフェニル基、２−メチルアリルフェニル基、２−メチルプロペニルフェニル基、２−プロピニルフェニル基、２−ブチニルフェニル基、３−ブチニルフェニル基等が挙げられる。
【００２６】
前記アルケニル基、前記置換アルケニル基、前記アルキニル基、及び前記置換アルキニル基（−Ｃ（Ｒ０２）＝Ｃ（Ｒ０３）（Ｒ０４）、及び−Ｃ≡Ｃ（Ｒ０５））としては、Ｒ０２、Ｒ０３、Ｒ０４、Ｒ０５が一価の非金属原子からなる基のものが使用できる。
Ｒ０２、Ｒ０３、Ｒ０４、Ｒ０５としては、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基が好ましく、これらの具体例としては、前述の例として示したものが挙げられる。これらの中でも、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基がより好ましい。
具体的には、ビニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、１−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、１−オクテニル基、１−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−１−ブテニル基、２−フェニル−１−エテニル基、２−クロロ−１−エテニル基、エチニル基、１−プロピニル基、１−ブチニル基、フェニルエチニル基等が挙げられる。
ヘテロ環基としては、置換アルキル基の置換基として例示したピリジル基等が挙げられる。
【００２７】
上記置換オキシ基（Ｒ０６Ｏ−）としては、Ｒ０６が水素原子を除く一価の非金属原子からなる基であるものを用いることができる。好ましい置換オキシ基としては、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、Ｎ−アルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイルオキシ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基を挙げることができる。これらにおけるアルキル基、並びにアリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基並びに、アリール基、置換アリール基として示したものが挙げられる。また、アシルオキシ基におけるアシル基（Ｒ０７ＣＯ−）としては、Ｒ０７が、先の例として挙げたアルキル基、置換アルキル基、アリール基並びに置換アリール基のものが挙げられる。これらの置換基の中では、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ基、アリールスルホキシ基がより好ましい。好ましい置換オキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ドデシルオキシ基、ベンジルオキシ基、アリルオキシ基、フェネチルオキシ基、カルボキシエチルオキシ基、メトキシカルボニルエチルオキシ基、エトキシカルボニルエチルオキシ基、メトキシエトキシ基、フェノキシエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、モルホリノエトキシ基、モルホリノプロピルオキシ基、アリロキシエトキシエトキシ基、フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ基、メシチルオキシ基、クメニルオキシ基、メトキシフェニルオキシ基、エトキシフェニルオキシ基、クロロフェニルオキシ基、ブロモフェニルオキシ基、アセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ナフチルオキシ基、フェニルスルホニルオキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基等が挙げられる。
【００２８】
アミド基も含む置換アミノ基（Ｒ０８ＮＨ−、（Ｒ０９）（Ｒ０１０）Ｎ−）としては、Ｒ０８、Ｒ０９、Ｒ０１０が水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基のものを使用できる。なお、Ｒ０９とＲ０１０とは結合して環を形成してもよい。置換アミノ基の好ましい例としては、Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、Ｎ−アリールアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基、アシルアミノ基、Ｎ−アルキルアシルアミノ基、Ｎ−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、Ｎ’−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキルウレイド基、Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ’−アリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アリール−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリール−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリール−Ｎ−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アルコキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリーロキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アリール−Ｎ−アルコキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アリール−Ｎ−アリーロキシカルボニルアミノ基が挙げられる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、並びにアリール基、置換アリール基として示したものが挙げられ、アシルアミノ基、Ｎ−アルキルアシルアミノ基、Ｎ−アリールアシルアミノ基おけるアシル基（Ｒ07ＣＯ−）のＲ07は前述の通りである。これらの内、より好ましいものとしては、Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、Ｎ−アリールアミノ基、アシルアミノ基が挙げられる。好ましい置換アミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、モルホリノ基、ピペリジノ基、ピロリジノ基、フェニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、アセチルアミノ基等が挙げられる。
【００２９】
置換スルホニル基（Ｒ０１１−ＳＯ2−）としては、Ｒ０１１が一価の非金属原子団からなる基のものを使用できる。より好ましい例としては、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基が挙げられる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、並びにアリール基、置換アリール基として示したものが挙げられる。このような、置換スルホニル基の具体例としては、ブチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、クロロフェニルスルホニル基等が挙げられる。
【００３０】
スルホナト基（−ＳＯ３−）は前述のとおり、スルホ基（−ＳＯ３Ｈ）の共役塩基陰イオン基を意味し、通常は対陽イオンとともに使用されるのが好ましい。このような対陽イオンとしては、一般に知られるもの、すなわち、種々のオニウム類（アンモニウム類、スルホニウム類、ホスホニウム類、ヨードニウム類、アジニウム類等）、並びに金属イオン類（Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃａ２＋、Ｚｎ２＋等）が挙げられる。
【００３１】
置換カルボニル基（Ｒ０１３−ＣＯ−）としては、Ｒ０１３が一価の非金属原子からなる基のものを使用できる。置換カルボニル基の好ましい例としては、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ−アリールカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ’−アリールカルバモイル基が挙げられる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、並びにアリール基、置換アリール基として示したものが挙げられる。これらの内、より好ましい置換カルボニル基としては、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ−アリールカルバモイル基が挙げられ、さらにより好ましいものとしては、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基並びにアリーロキシカルボニル基が挙げられる。好ましい置換カルボニル基の具体例としては、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基、カルボキシル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ジメチルアミノフェニルエテニルカルボニル基、メトキシカルボニルメトキシカルボニル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ−フェニルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイル基、モルホリノカルボニル基等が挙げられる。
【００３２】
置換スルフィニル基（Ｒ０１４−ＳＯ−）としてはＲ０１４が一価の非金属原子団からなる基のものを使用できる。好ましい例としては、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、スルフィナモイル基、Ｎ−アルキルスルフィナモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルフィナモイル基、Ｎ−アリールスルフィナモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルフィナモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルフィナモイル基が挙げられる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、並びにアリール基、置換アリール基として示したものが挙げられる。これらの内、より好ましい例としてはアルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基が挙げられる。このような置換スルフィニル基の具体例としては、ヘキシルスルフィニル基、ベンジルスルフィニル基、トリルスルフィニル基等が挙げられる。
【００３３】
置換ホスホノ基とは、ホスホノ基上の水酸基の一つもしくは二つが他の有機オキソ基によって置換されたものを意味し、好ましい例としては、前述のジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、アルキルアリールホスホノ基、モノアルキルホスホノ基、モノアリールホスホノ基が挙げられる。これらの中ではジアルキルホスホノ基、並びにジアリールホスホノ基がより好ましい。このような具体例としては、ジエチルホスホノ基、ジブチルホスホノ基、ジフェニルホスホノ基等が挙げられる。
【００３４】
ホスホナト基（−ＰＯ３Ｈ２−、−ＰＯ３Ｈ−）とは、前述のとおり、ホスホノ基（−ＰＯ３Ｈ２）の、酸第一解離もしくは、酸第二解離に由来する共役塩基陰イオン基を意味する。通常は対陽イオンと共に使用されるのが好ましい。このような対陽イオンとしては、一般に知られるもの、すなわち、種々のオニウム類（アンモニウム類、スルホニウム類、ホスホニウム類、ヨードニウム類、アジニウム類等）、並びに金属イオン類（Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃａ２＋、Ｚｎ２＋等）が挙げられる。
【００３５】
置換ホスホナト基とは、前述の置換ホスホノ基の内、水酸基を一つ有機オキソ基に置換したものの共役塩基陰イオン基であり、具体例としては、前述のモノアルキルホスホノ基（−ＰＯ３Ｈ（ａｌｋｙｌ））、モノアリールホスホノ基（−ＰＯ３Ｈ（ａｒｙｌ））の共役塩基が挙げられる。
【００３６】
前記一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−２）のいずれかで表される部分構造を有する化合物としては、下記一般式（ｉｉ−１）及び一般式（ｉｉ−２）のいずれかで表される化合物が更に好ましい。
【化２１】
2008233421.tif 000012
ただし、前記一般式（ｉｉ−１）及び（ｉｉ−２）中、Ｒ１０１は前記一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−２）におけるＹ１と同じ意を表し、Ｙ１２は前記一般式（ＩＩ−１）及び一般式（ＩＩ−２）におけるＹ２と同じ意を表す。
【００３７】
前記Ｒ１０１としては、水素原子及び脂肪族基のいずれかがより好ましく、特に炭素原子数１〜１０の脂肪族基が好ましい。
前記脂肪族基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、オクチル基、アリル基等が挙げられる。
前記Ｙ1２としては、−ＣＯ−（脂肪族基）が特に好ましい。前記Ｙ1２中の脂肪族基としては、炭素原子数１〜１０の脂肪族基が好ましい。
具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基等が好ましい。
【００３８】
前記一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−２）のいずれかで表される部分構造を有する化合物の含有量は、本発明の効果を損なわない限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記感光性組成物の全固形分量に対して、０．０５質量％〜１０質量％であることが好ましく、特に０．１質量％〜５質量％であることが好ましい。前記含有量が、０．０５質量％未満であると、十分な光感度が得られないことがあり、１０質量％を超えると、解像度が低下することがある。
【００３９】
−一般式（ＩＩ−３）で表される化合物−
一方、上記一般式（ＩＩ−３）で表される光重合開始剤としては、下記一般式（ＩＩ−３−１）で表される化合物がより好ましく、下記一般式（ＩＩ−３−２）及び（ＩＩ−３−３）のいずれかで表される化合物が特に好ましい。
【化３０】
2008233421.tif 000013
ただし、前記一般式（ＩＩ−３−１）中、Ｒ１、Ｒ２、ｍ、及びＡｒは、一般式（ＩＩ−３）におけるのと同じ意を表す。Ｘは、Ｏ、及びＳのいずれかを表す。Ａは、５及び６員環のいずれかを表す。
【化３１】
2008233421.tif 000014
ただし、前記一般式（ＩＩ−３−２）及び（ＩＩ−３−３）中、Ｒ３は、置換基を有してもよいアルキル基を表す。ｌは、０〜６のいずれかの整数を表す。Ｒ４は、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、スルホニル基、及びアシルオキシ基のいずれかを表し、ｌが２以上の場合、前記Ｒ４は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｘ及びＡは、一般式（ＩＩ−３）と同じ意を表す。
【００４０】
前記一般式（ＩＩ−３）及び（ＩＩ−３−１）中、前記Ｒ１で表されるアシル基としては、脂肪族、芳香族、及び複素環のいずれでもよく、更に置換基を有してもよい。
前記脂肪族のアシル基としては、例えば、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ヘキサノイル基、デカノイル基、フェノキシアセチル基、クロロアセチル基等が挙げられる。前記芳香族のアシル基としては、例えば、ベンゾイル基、ナフトイル基、メトキシベンゾイル基、ニトロベンゾイル基等が挙げられる。前記複素環のアシル基としては、例えば、フラノイル基、チオフェノイル基等が挙げられる。前記置換基としては、例えば、アルコキシ基、アリールオキシ基、及びハロゲン原子のいずれかが好ましい。
前記アシル基としては、総炭素原子数２〜３０のものが好ましく、総炭素原子数２〜２０のものがより好ましく、総炭素原子数２〜１６のものが特に好ましい。このようなアシル基としては、例えば、アセチル基、プロパノイル基、メチルプロパノイル基、ブタノイル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、シクロヘキサンカルボニル基、オクタノイル基、デカノイル基、ドデカノイル基、オクタデカノイル基、ベンジルカルボニル基、フェノキシアセチル基、２エチルヘキサノイル基、クロロアセチル基、ベンゾイル基、パラメトキシベンゾイル基、２，５−ジブトキシベンゾイル基、１−ナフトイル基、２−ナフトイル基、ピリジルカルボニル基、フラノイル基、チオフェノイル基、メタクリロイル基、アクリロイル基等が挙げられる。
【００４１】
前記一般式（ＩＩ−３）及び（ＩＩ−３−１）中、前記Ｒ１で表されるアルキルオキシカルボニル基としては、置換基を有していてもよく、総炭素原子数が２〜３０のアルコキシカルボニル基が好ましく、総炭素原子数２〜２０のものがより好ましく、総炭素原子数２〜１６のものが特に好ましい。このようなアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニルブトキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル基等が挙げられる。
【００４２】
前記一般式（ＩＩ−３）及び（ＩＩ−３−１）中、前記Ｒ１で表されるアリールオキシカルボニル基としては、置換基を有していてもよく、総炭素原子数７〜３０のアルコキシカルボニル基が好ましく、総炭素原子数７〜２０のものがより好ましく、総炭素原子数７〜１６のものが特に好ましい。この様なアリールオキシカルボニル基としては、例えば、フェノキシカルボニル基、２−ナフトキシカルボニル基、パラメトキシフェノキシカルボニル基、２，５−ジエトキシフェノキシカルボニル基、パラクロロフェノキシカルボニル基、パラニトロフェノキシカルボニル基、パラシアノフェノキシカルボニル基等が挙げられる。
【００４３】
前記一般式（ＩＩ−３）及び（ＩＩ−３−１）中、Ｒ２で表される置換基としては、特に制限はなく、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、スルホニル基、アシルオキシ基、ニトロ基、アシルアミノ基等が挙げられる。これらの中でも、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、スルホニル基、及びアシルオキシ基のいずれかが好ましい。
【００４４】
ここで、前記一般式（ＩＩ−３）で表される化合物の具体例としては、下記構造式（１）〜（５４）で表される化合物が挙げられるが、本発明においては、これらに限定されるものではない。
【化３３】
2008233421.tif 000015
【００４５】
【化３４】
2008233421.tif 000016
ただし、前記構造式（１）〜（５４）中、Ｍｅは、メチル基を表す。Ｐｈは、フェニル基を表す。Ａｃは、アセチル基を表す。
【００４６】
前記一般式（ＩＩ−３）で表される化合物の含有量は、本発明の効果を損なわない限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記感光性組成物の全固形分量に対して、０．０５質量％〜１０質量％であることが好ましく、特に０．１質量％〜５質量％であることが好ましい。前記含有量が、０．０５質量％未満であると、十分な光感度が得られないことがあり、１０質量％を超えると、解像度が低下することがある。
【００４７】
前記その他の光重合開始剤としては、例えば、ハロゲン化炭化水素誘導体（例えば、トリアジン骨格を有するもの、オキサジアゾール骨格を有するもの等）、ヘキサアリールビイミダゾール、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、アクリジン化合物、メタロセン類等が挙げられる。具体的には、特開２００５−２５８４３１号公報に記載の化合物等が挙げられる。前記その他の光重合開始剤は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４８】
光重合開始剤は、重合性化合物１００質量部に対して０．０１質量％〜５０質量部の割合で本発明の感光性組成物に含まれることが好ましい。光重合開始剤の含有量が重合性化合物１００質量部に対し０．０１質量部未満であると、３５０ｎｍ〜４２０ｎｍの波長領域の光による重合性化合物の硬化が十分でなく、硬化皮膜の吸湿性が高くなってＰＣＴ耐性が低下し易くなる傾向にあり、また、はんだ耐熱性や耐無電解めっき性も低くなり易い。他方、光重合開始剤の含有量が重合性化合物１００質量部に対し５０質量部を超えると、塗膜の現像性や硬化皮膜の耐無電解めっき性が悪くなり、またＰＣＴ耐性も劣ったものとなる傾向を示す。より好ましい光重合開始剤の含有量は、重合性化合物１００質量部に対し、０．１質量部〜３０質量部である。
【００４９】
＜（Ｂ）重合性化合物＞
前記重合性化合物は、ビスフェノールＡ骨格及びウレタン骨格のいずれかを有する重合性化合物を少なくとも含むことを特徴とする。
−ビスフェノールＡ骨格を有する重合性化合物−
前記ビスフェノールＡ骨格有する重合性化合物（以下、重合性化合物（ｂ−１）と称する場合がある。）は、前記ビスフェノール骨格Ａを有するものであれば特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００５０】
前記重合性化合物（ｂ−１）の分子量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、５００〜２，０００であることが好ましく、７００〜１，２００であることがより好ましい。前記分子量が７００〜１，２００であると、解像性、密着性がより優れることがある。
【００５１】
前記重合性化合物（ｂ−１）の具体例としては、例えば、下記構造式（Ｖ）で表される化合物が挙げられる。
【化５】
2008233421.tif 000017
ただし、前記一般式（Ｖ）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して水素原子及びメチル基のいずれかであり、Ａは、Ｃ２Ｈ４であり、ＢはＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３)であり、ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立して１〜２９の整数であり、ｎ３及びｎ４は、それぞれ独立して０〜２９の整数であり、ｎ１＋ｎ２は２〜３０の整数であり、ｎ３＋ｎ４は０〜３０の整数である。ＡＯ及びＢＯの繰り返し単位の配列は、ランダムであってもブロックであってもよい。ブロックの場合、ＡＯ及びＢＯの順序は、いずれがビスフェニル基側であってもよい。
【００５２】
前記構造式（Ｖ）におけるｎ１＋ｎ２が１未満であると、テント性及び解像度がやや劣ることがあり、２９を超えると、未露光膜破れがやや劣ることがある。
【００５３】
前記構造式（Ｖ）で表される化合物の具体例としては、例えば、下記式（Ｖ−１）で表される化合物、下記式（Ｖ−２）で表されるエトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート（エチレンオキサイドは平均１０モル付加されているもの、製品名：Ａ−ＢＰＥ−１０、製造元：新中村化学工業株式会社）、下記式（Ｖ−３）で表されるエトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート（エチレンオキサイドは平均１７モル付加されているもの、製品名：Ａ−ＢＰＥ−２０、製造元：新中村化学工業株式会社）等が挙げられる。
【化３】
2008233421.tif 000018
ただし、前記式（Ｖ−１）中、ｎ１＋ｎ２＝１２、ｎ３＋ｎ４＝４である。
【化３】
2008233421.tif 000019
【００５４】
前記重合性化合物（ｂ−１）の含有量としては、本発明の効果を損なわない限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記感光性組成物の全固形分量に対して、５質量％〜８０質量％であることが好ましく、特に１０質量％〜６０質量％であることが好ましい。前記含有量が、５質量％未満であると、感度が十分でないことがあり、８０質量％を超えると、エッジヒュージョンが悪化することがある。
【００５５】
−ウレタン骨格を有する重合性化合物−
前記ウレタン骨格を有する重合性化合物（以下、重合性化合物（ｂ−２）と称する場合がある。）は、前記ウレタン骨格を有するものであれば特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
具体的には、下記の一般式（ＩＶ）で表されるウレタン（メタ）アクリレート化合物があげられる。この一般式（ＩＶ）で表されるウレタン（メタ）アクリレート化合物を用いることにより、優れた可撓性に加えて良好な現像性が付与されるようになる。
【００５６】
【化４】
2008233421.tif 000020
ただし、前記一般式（ＩＶ）中、Ｒは、水素原子及びメチル基のいずれかであり、Ｘ及びＹは、それぞれ独立して、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ−、−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２Ｏ−、及び−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−から選択される少なくとも１つであり、Ｚは、炭素原子数２〜２０の２価の炭化水素基を示し、ｋは１〜３０の整数を示し、ｍは１〜１０の整数を示し、ｎは１〜８の整数を示す。
【００５７】
上記一般式（ＩＶ）において、Ｒはメチル基が好ましく、Ｘは−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−が好ましく、Ｙは−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ−が好ましい。
上記一般式（１）において、Ｚで表される炭素原子数２〜２０の２価の炭化水素基としては、例えば、−（ＣＨ２）６−の他、下記に示すものがあげられる。なかでも、−（ＣＨ２）６−が好ましい。
【００５８】
【化２】
2008233421.tif 000021
【００５９】
上記一般式（ＩＶ）において、ｋは１０〜２０の整数が好ましく、ｍは３〜６の整数が好ましく、ｎは３〜６の整数が好ましい。
【００６０】
上記一般式（ＩＶ）で表されるウレタン（メタ）アクリレート化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１９００〜３５００の範囲が好ましく、特に好ましくは２４００〜３０００である。
【００６１】
そして、上記一般式（ＩＶ）で表されるウレタン（メタ）アクリレート化合物のなかでも、Ｒ＝−ＣＨ３、Ｘ＝−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−、Ｙ＝−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ−、Ｚ＝−（ＣＨ２）６−、ｋ＝１５、ｍ＝６、ｎ＝４で表される化合物が特に好ましい。
【００６２】
また、重合性化合物（ｂ−２）としては、下記一般式（ＶＩ）で表される化合物を含むことが好ましい。
【化６】
2008233421.tif 000022
ただし、前記一般式（ＶＩ）中、Ｒ１及びＲ２は、互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子及びメチル基のいずれかを表し、Ｘ１及びＸ２は、互いに同一であっても異なっていてもよく、エチレンオキサイド基及びプロピレンオキサイド基のいずれかを表し、ランダム、ブロックのいずれに組み合わされてもよい。ｍ１及びｍ２は、それぞれ独立して１〜３０の整数を表し、Ｙは、２価の有機基を表す。
【００６３】
前記重合性化合物（ｂ−２）の含有量としては、本発明の効果を損なわない限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記感光性組成物の全固形分量に対して、５質量％〜８０質量％であることが好ましく、特に１０〜６０質量％であることが好ましい。前記含有量が、５質量％未満であると、感度が十分でないことがあり、８０質量％を超えると、エッジヒュージョンが悪化することがある。
【００６４】
上記（Ｂ）重合性化合物としては、更に他のエチレン性不飽和基を有する（メタ）アクリル系モノマー成分を用いてもよい。
他のアクリル系モノマー成分としては、特に限定するものではないが、耐熱性及び耐溶剤性、耐薬品性を考慮すると、２官能以上の多官能の化合物、特に３官能以上の多官能の化合物を用いることが好ましい。具体的には、エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート、トリメチロールプロパントリプロポキシトリ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、フタル酸ジグリシジルエステルジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸変性ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサメチルジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、２，２′−ビス（４−（メタ）アクリロキシジエトキシフェニル）プロパン、２，２′−ビス（４−（メタ）アクリロキシペンタエトキシフェニル）プロパン、２，２′−ビス（４−（メタ）アクリロキシポリエトキシフェニル）プロパン、２−ヒドロキシ−３−（メタ）アクリロイルオキシプロピルアクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート等の多官能モノマーがあげられる。また、上記多官能モノマーとともに単官能モノマーを適当量併用することもでき、このような単官能モノマーとしては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロピルフタレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、グリセリンモノ（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルアシッドホスフェート、フタル酸誘導体のハーフ（メタ）アクリレート、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００６５】
前記重合性化合物全体の含有量は、本発明の効果を損なわない限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記感光性組成物の全固形分量に対して、５質量％〜８０質量％であることが好ましく、特に１０質量％〜６０質量％であることが好ましい。前記含有量が、５質量％未満であると、感度が十分でないことがあり、８０質量％を超えると、エッジヒュージョンが悪化することがある。
【００６６】
＜(Ｃ)バインダー＞
前記バインダーとしては、本発明の効果を損なわない限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記バインダーは、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
前記バインダーの質量平均分子量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、５０，０００〜１５０，０００であることが好ましい。前記質量平均分子量が５０，０００未満であると、膜の強度が不足しやすく、また安定な製造が困難になり、テント性が不十分なることがあり、１５０，０００を超えると、解像度、又は密着性がやや劣ることがある。
【００６７】
前記バインダーとしては、側鎖に、ヘテロ環を含んでもよい芳香族基及び側鎖にエチレン性不飽和結合を有する高分子化合物を含み、前記高分子化合物は、側鎖にカルボキシル基を有することが好ましい。
【００６８】
−ヘテロ環を含んでもよい芳香族基−
前記ヘテロ環を含んでもよい芳香族基（以下、単に「芳香族基」と称することもある。）としては、例えば、ベンゼン環、２個から３個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と５員不飽和環が縮合環を形成したもの等が挙げられる。
前記芳香族基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、ベンゾピロール環基、ベンゾフラン環基、ベンゾチオフェン環基、ピラゾール環基、イソキサゾール環基、イソチアゾール環基、インダゾール環基、ベンゾイソキサゾール環基、ベンゾイソチアゾール環基、イミダゾール環基、オキサゾール環基、チアゾール環基、ベンズイミダゾール環基、ベンズオキサゾール環基、ベンゾチアゾール環基、ピリジン環基、キノリン環基、イソキノリン環基、ピリダジン環基、ピリミジン環基、ピラジン環基、フタラジン環基、キナゾリン環基、キノキサリン環基、アシリジン環基、フェナントリジン環基、カルバゾール環基、プリン環基、ピラン環基、ピペリジン環基、ピペラジン環基、インドール環基、インドリジン環基、クロメン環基、シンノリン環基、アクリジン環基、フェノチアジン環基、テトラゾール環基、トリアジン環基等が挙げられる。これらの中では、炭化水素芳香族基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。
【００６９】
前記芳香族基は、置換基を有していてもよく、前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアミノ基、アルコキシカルボニル基、水酸基、エーテル基、チオール基、チオエーテル基、シリル基、ニトロ基、シアノ基、それぞれ置換基を有してもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基等が挙げられる。
【００７０】
前記アルキル基としては、例えば、炭素原子数が１から２０までの直鎖状のアルキル基、分岐状のアルキル基、環状のアルキル基等が挙げられる。
前記アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、エイコシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１−メチルブチル基、イソヘキシル基、２−エチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、２−ノルボルニル基等が挙げられる。これらの中では、炭素原子数１から１２までの直鎖状のアルキル基、炭素原子数３から１２までの分岐状のアルキル基、炭素原子数５から１０までの環状のアルキル基が好ましい。
【００７１】
前記アルキル基が有してもよい置換基としては、例えば、水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基が挙げられる。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子（−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｃｌ、−Ｉ）、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルジチオ基、アリールジチオ基、アミノ基、Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、Ｎ−アリールアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、Ｎ−アルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイルオキシ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、Ｎ−アルキルアシルアミノ基、Ｎ−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、Ｎ’−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキルウレイド基、Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アリール−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリール−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリール−Ｎ−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アルコキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリーロキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アリール−Ｎ−アルコキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アリール−Ｎ−アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ−アリールカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基（−ＳＯ3Ｈ）及びその共役塩基基（スルホナト基と称す）、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、Ｎ−アルキルスルフィナモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルフィイナモイル基、Ｎ−アリールスルフィナモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルフィナモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルフィナモイル基、スルファモイル基、Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、Ｎ−アリールスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルファモイル基、ホスホノ基（−ＰＯ3Ｈ2）及びその共役塩基基（ホスホナト基と称す）、ジアルキルホスホノ基（−ＰＯ3（ａｌｋｙｌ）２）（以下、「ａｌｋｙｌ」はアルキル基を意味する。）、ジアリールホスホノ基（−ＰＯ３（ａｒｙｌ）２）（以下、「ａｒｙｌ」はアリール基を意味する。）、アルキルアリールホスホノ基（−ＰＯ３（ａｌｋｙｌ）（ａｒｙｌ））、モノアルキルホスホノ基（−ＰＯ３（ａｌｋｙｌ））及びその共役塩基基（アルキルホスホナト基と称す）、モノアリールホスホノ基（−ＰＯ３Ｈ（ａｒｙｌ））及びその共役塩基基（アリールホスホナト基と称す）、ホスホノオキシ基（−ＯＰＯ３Ｈ２）及びその共役塩基基（ホスホナトオキシ基と称す）、ジアルキルホスホノオキシ基（−ＯＰＯ３Ｈ（ａｌｋｙｌ）２）、ジアリールホスホノオキシ基（−ＯＰＯ３（ａｒｙｌ）２）、アルキルアリールホスホノオキシ基（−ＯＰＯ３（ａｌｋｙｌ）（ａｒｙｌ））、モノアルキルホスホノオキシ基（−ＯＰＯ３Ｈ（ａｌｋｙｌ））及びその共役塩基基（アルキルホスホナトオキシ基と称す）、モノアリールホスホノオキシ基（−ＯＰＯ３Ｈ（ａｒｙｌ））及びその共役塩基（アリールホスホナトオキシ基と称す）、シアノ基、ニトロ基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロ環基、シリル基等が挙げられる。
【００７２】
これら置換基におけるアルキル基の具体例としては、前述のアルキル基が挙げられる。
前記置換基におけるアリール基の具体例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、クロロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、アセトキシフェニル基、ベンゾイロキシフェニル基、メチルチオフェニル基、フェニルチオフェニル基、メチルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、アセチルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、エトキシフェニルカルボニル基、フェノキシカルボニルフェニル基、Ｎ−フェニルカルバモイルフェニル基、シアノフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基等が挙げられる。
【００７３】
前記置換基におけるアルケニル基の具体例としては、ビニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、シンナミル基、２−クロロ−１−エテニル基等が挙げられる。
前記置換基におけるアルキニル基の具体例としては、エチニル基、１−プロピニル基、１−ブチニル基、トリメチルシリルエチニル基等が挙げられる。
前記置換基におけるアシル基（Ｒ０１ＣＯ−）のＲ０１としては、水素原子、前述のアルキル基、アリール基等が挙げられる。
これらの置換基の中でも、ハロゲン原子（−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｃｌ、−Ｉ）、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、Ｎ−アルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ−アリールカルバモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイル基、スルホ基、スルホナト基、スルファモイル基、Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、Ｎ−アリールスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルファモイル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、モノアルキルホスホノ基、アルキルホスホナト基、モノアリールホスホノ基、アリールホスホナト基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基、アリール基、アルケニル基等が好ましい。
また、前記置換基におけるヘテロ環基としては、例えば、ピリジル基、ピペリジニル基等が挙げられ、前記置換基におけるシリル基としてはトリメチルシリル基等が挙げられる。
【００７４】
一方、前記アルキル基における、アルキレン基としては、例えば、前述の炭素数１から２０までのアルキル基上の水素原子のいずれか１つを除し、２価の有機残基としたものが挙げられ、例えば、炭素原子数１から１２までの直鎖状のアルキレン基、炭素原子数３から１２までの分岐状のアルキレン基、炭素原子数５から１０までの環状のアルキレン基等が好ましい。
このような置換基とアルキレン基を組み合わせることで得られる置換アルキル基の、好ましい具体例としては、クロロメチル基、ブロモメチル基、２−クロロエチル基、トリフルオロメチル基、メトキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ブトキシメチル基、ｓ−ブトキシブチル基、メトキシエトキシエチル基、アリルオキシメチル基、フェノキシメチル基、メチルチオメチル基、トリルチオメチル基、ピリジルメチル基、テトラメチルピペリジニルメチル基、Ｎ−アセチルテトラメチルピペリジニルメチル基、トリメチルシリルメチル基、メトキシエチル基、エチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、モルホリノプロピル基、アセチルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、Ｎ−シクロヘキシルカルバモイルオキシエチル基、Ｎ−フェニルカルバモイルオキシエチル基、アセチルアミノエチル基、Ｎ−メチルベンゾイルアミノプロピル基、２−オキソエチル基、２−オキソプロピル基、カルボキシプロピル基、メトキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルブチル基、クロロフェノキシカルボニルメチル基、カルバモイルメチル基、Ｎ−メチルカルバモイルエチル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルカルバモイルメチル基、Ｎ−（メトキシフェニル）カルバモイルエチル基、Ｎ−メチル−Ｎ−（スルホフェニル）カルバモイルメチル基、スルホブチル基、スルホナトブチル基、スルファモイルブチル基、Ｎ−エチルスルファモイルメチル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルスルファモイルプロピル基、Ｎ−トリルスルファモイルプロピル基、Ｎ−メチル−Ｎ−（ホスホノフェニル）スルファモイルオクチル基、ホスホノブチル基、ホスホナトヘキシル基、ジエチルホスホノブチル基、ジフェニルホスホノプロピル基、メチルホスホノブチル基、メチルホスホナトブチル基、トリルホスホノヘキシル基、トリルホスホナトヘキシル基、ホスホノオキシプロピル基、ホスホナトオキシブチル基、ベンジル基、フェネチル基、α−メチルベンジル基、１−メチル−１−フェニルエチル基、ｐ−メチルベンジル基、シンナミル基、アリル基、１−プロペニルメチル基、２−ブテニル基、２−メチルアリル基、２−メチルプロペニルメチル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基等が挙げられる。
【００７５】
前記アリール基としては、例えば、ベンゼン環、２個から３個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と５員不飽和環が縮合環を形成したもの等が挙げられる。
前記アリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基等が挙げられる。これらの中では、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
前記アルキル基は置換基を有してもよく、このような置換基を有するアリール基（以下、「置換アリール基」と称することもある。）としては、例えば、前述のアリール基の環形成炭素原子上に置換基として、水素原子以外の一価の非金属原子団からなる基を有するものが挙げられる。
前記アリール基が有してもよい置換基としては、例えば、前述のアルキル基、置換アルキル基、前記アルキル基が有してもよい置換基として示したものが好ましい。
【００７６】
前記置換アリール基の好ましい具体例としては、ビフェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基、クロロメチルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、メトキシエトキシフェニル基、アリルオキシフェニル基、フェノキシフェニル基、メチルチオフェニル基、トリルチオフェニル基、エチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、モルホリノフェニル基、アセチルオキシフェニル基、ベンゾイルオキシフェニル基、Ｎ−シクロヘキシルカルバモイルオキシフェニル基、Ｎ−フェニルカルバモイルオキシフェニル基、アセチルアミノフェニル基、Ｎ−メチルベンゾイルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、アリルオキシカルボニルフェニル基、クロロフェノキシカルボニルフェニル基、カルバモイルフェニル基、Ｎ−メチルカルバモイルフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルカルバモイルフェニル基、Ｎ−（メトキシフェニル）カルバモイルフェニル基、Ｎ−メチル−Ｎ−（スルホフェニル）カルバモイルフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、スルファモイルフェニル基、Ｎ−エチルスルファモイルフェニル基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルスルファモイルフェニル基、Ｎ−トリルスルファモイルフェニル基、Ｎ−メチル−Ｎ−（ホスホノフェニル）スルファモイルフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基、ジエチルホスホノフェニル基、ジフェニルホスホノフェニル基、メチルホスホノフェニル基、メチルホスホナトフェニル基、トリルホスホノフェニル基、トリルホスホナトフェニル基、アリルフェニル基、１−プロペニルメチルフェニル基、２−ブテニルフェニル基、２−メチルアリルフェニル基、２−メチルプロペニルフェニル基、２−プロピニルフェニル基、２−ブチニルフェニル基、３−ブチニルフェニル基等が挙げられる。
【００７７】
前記アルケニル基（−Ｃ（Ｒ０２）＝Ｃ（Ｒ０３）（Ｒ０４））及びアルキニル基（−Ｃ≡Ｃ（Ｒ０５））としては、例えば、Ｒ０２、Ｒ０３、Ｒ０４、及びＲ０５が一価の非金属原子団からなる基のものが挙げられる。
前記Ｒ０２、Ｒ０３、Ｒ０４、Ｒ０５としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基等が挙げられる。これらの具体例としては、前述の例として示したものを挙げることができる。これらの中でも、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１から１０までの直鎖状のアルキル基、分岐状のアルキル基、環状のアルキル基が好ましい。
【００７８】
前記アルケニル基及びアルキニル基の好ましい具体例としては、ビニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、１−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、１−オクテニル基、１−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−１−ブテニル基、２−フェニル−１−エテニル基、２−クロロ−１−エテニル基、エチニル基、１−プロピニル基、１−ブチニル基、フェニルエチニル基等が挙げられる。
前記ヘテロ環基としては、例えば、置換アルキル基の置換基として例示したピリジル基等が挙げられる。
【００７９】
前記オキシ基（Ｒ０６Ｏ−）としては、Ｒ０６が水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基であるものが挙げられる。
このようなオキシ基としては、例えば、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、Ｎ−アルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイルオキシ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基等が好ましい。
これらにおけるアルキル基及びアリール基としては、前述のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基として示したものを挙げることができる。また、アシルオキシ基におけるアシル基（Ｒ07ＣＯ−）としては、Ｒ07が、先の例として挙げたアルキル基、置換アルキル基、アリール基並びに置換アリール基のものを挙げることができる。これらの置換基の中では、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ基、アリールスルホキシ基がより好ましい。
好ましいオキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ドデシルオキシ基、ベンジルオキシ基、アリルオキシ基、フェネチルオキシ基、カルボキシエチルオキシ基、メトキシカルボニルエチルオキシ基、エトキシカルボニルエチルオキシ基、メトキシエトキシ基、フェノキシエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、モルホリノエトキシ基、モルホリノプロピルオキシ基、アリロキシエトキシエトキシ基、フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ基、メシチルオキシ基、クメニルオキシ基、メトキシフェニルオキシ基、エトキシフェニルオキシ基、クロロフェニルオキシ基、ブロモフェニルオキシ基、アセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ナフチルオキシ基、フェニルスルホニルオキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基等が挙げられる。
【００８０】
アミド基を含んでもよいアミノ基（Ｒ０８ＮＨ−、（Ｒ０９）（Ｒ０１０）Ｎ−）としては、例えば、Ｒ０８、Ｒ０９、及びＲ０１０が水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基のものが挙げられる。なお、Ｒ０９とＲ０１０とは結合して環を形成してもよい。
前記アミノ基としては、例えば、Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、Ｎ−アリールアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基、アシルアミノ基、Ｎ−アルキルアシルアミノ基、Ｎ−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、Ｎ’−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキルウレイド基、Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ’−アリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アリール−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリール−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリール−Ｎ−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アルコキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリーロキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アリール−Ｎ−アルコキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アリール−Ｎ−アリーロキシカルボニルアミノ基等が挙げられる。これらにおけるアルキル基及びアリール基としては、前述のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基として示したものが挙げられる。また、アシルアミノ基、Ｎ−アルキルアシルアミノ基、Ｎ−アリールアシルアミノ基おけるアシル基（Ｒ０７ＣＯ−）のＲ０７は前述の通りである。これらのうち、Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、Ｎ−アリールアミノ基、アシルアミノ基がより好ましい。
好ましいアミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、モルホリノ基、ピペリジノ基、ピロリジノ基、フェニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、アセチルアミノ基等が挙げられる。
【００８１】
前記スルホニル基（Ｒ０１１−ＳＯ２−）としては、例えば、Ｒ０１１が一価の非金属原子団からなる基のものが挙げられる。
このようなスルホニル基としては、例えば、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基等が好ましい。これらにおけるアルキル基及びアリール基としては、前述のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基として示したものが挙げられる。
前記スルホニル基の具体例としては、ブチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、クロロフェニルスルホニル基等が挙げられる。
【００８２】
前記スルホナト基（−ＳＯ3−）は、前述のとおり、スルホ基（−ＳＯ3Ｈ）の共役塩基陰イオン基を意味し、通常は対陽イオンとともに使用されるのが好ましい。
このような対陽イオンとしては、一般に知られるものを適宜選択して用いることができ、例えば、オニウム類（例えば、アンモニウム類、スルホニウム類、ホスホニウム類、ヨードニウム類、アジニウム類等）、金属イオン類（例えば、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃａ２＋、Ｚｎ２＋等）が挙げられる。
【００８３】
前記カルボニル基（Ｒ０１３−ＣＯ−）としては、例えば、Ｒ０１３が一価の非金属原子団からなる基のものが挙げられる。
このようなカルボニル基としては、例えば、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ−アリールカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ’−アリールカルバモイル基等が挙げられる。これらにおけるアルキル基及びアリール基としては、前述のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基として示したものが挙げられる。
前記カルボニル基としては、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ−アリールカルバモイル基が好ましく、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基がより好ましい。
前記カルボニル基の具体例としては、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基、カルボキシル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ジメチルアミノフェニルエテニルカルボニル基、メトキシカルボニルメトキシカルボニル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ−フェニルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイル基、モルホリノカルボニル基等が好適に挙げられる。
【００８４】
前記スルフィニル基（Ｒ０１４−ＳＯ−）としては、Ｒ０１４が一価の非金属原子団からなる基のものが挙げられる。
このようなスルフィニル基としては、例えば、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、スルフィナモイル基、Ｎ−アルキルスルフィナモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルフィナモイル基、Ｎ−アリールスルフィナモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルフィナモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルフィナモイル基等が挙げられる。これらにおけるアルキル基及びアリール基としては、前述のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基として示したものが挙げられる。これらの中でも、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基が好ましい。
前記置換スルフィニル基の具体例としては、ヘキシルスルフィニル基、ベンジルスルフィニル基、トリルスルフィニル基等が好適に挙げられる。
【００８５】
前記ホスホノ基とは、ホスホノ基上の水酸基の一つ乃至二つが他の有機オキソ基によって置換されたものを意味し、例えば、前述のジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、アルキルアリールホスホノ基、モノアルキルホスホノ基、モノアリールホスホノ基等が好ましい。これらの中では、ジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基がより好ましい。
前記ホスホノ基のより好ましい具体例としては、ジエチルホスホノ基、ジブチルホスホノ基、ジフェニルホスホノ基等が挙げられる。
【００８６】
前記ホスホナト基（−ＰＯ３Ｈ２−、−ＰＯ３Ｈ−）とは、前述のとおり、ホスホノ基（−ＰＯ３Ｈ２）の、酸第一解離、又は酸第二解離に由来する共役塩基陰イオン基を意味する。通常は対陽イオンと共に使用されるのが好ましい。このような対陽イオンとしては、一般に知られるものを適宜選択することができ、例えば、種々のオニウム類（アンモニウム類、スルホニウム類、ホスホニウム類、ヨードニウム類、アジニウム類等）、金属イオン類（Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃａ２＋、Ｚｎ２＋等）が挙げられる。
【００８７】
前記ホスホナト基は、ホスホノ基の内、水酸基を一つ有機オキソ基に置換したものの共役塩基陰イオン基であってもよく、このような具体例としては、前述のモノアルキルホスホノ基（−ＰＯ３Ｈ（ａｌｋｙｌ））、モノアリールホスホノ基（−ＰＯ３Ｈ（ａｒｙｌ））の共役塩基が挙げられる。
【００８８】
前記芳香族基は、芳香族基を含有するラジカル重合性化合物１種以上と、必要に応じて共重合成分として他のラジカル重合性化合物１種以上とを通常のラジカル重合法によって製造することできる。
前記ラジカル重合法としては、例えば、一般的に懸濁重合法あるいは溶液重合法等が挙げられる。
【００８９】
前記芳香族基を含有するラジカル重合性化合物としては、例えば、下記構造式（Ａ）で表される化合物、下記構造式（Ｂ）で表される化合物が好ましい。
【化３】
2008233421.tif 000023
ただし、前記構造式（Ａ）中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は水素原子又は１価の有機基を表す。Ｌは有機基を表し、なくてもよい。Ａｒはヘテロ環を含んでもよい芳香族基を表す。
【化４】
2008233421.tif 000024
ただし、前記構造式（Ｂ）中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３、並びに、Ａｒは前記構造式（Ａ）と同じ意を表す。
【００９０】
前記Ｌの有機基としては、例えば、非金属原子からなる多価の有機基であり、１から６０個までの炭素原子、０個から１０個までの窒素原子、０個から５０個までの酸素原子、１個から１００個までの水素原子、及び０個から２０個までの硫黄原子から成り立つものが挙げられる。
より具体的には、前記Ｌの有機基としては、下記の構造単位が組み合わさって構成されるもの、多価ナフタレン、多価アントラセン等を挙げることができる。
【００９１】
【化５】
2008233421.tif 000025
【００９２】
前記Ｌの連結基は置換基を有してもよく、前記置換基としては、前述のハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホナト基、ニトロ基、シアノ基、アミド基、アミノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換オキシ基、置換スルホニル基、置換カルボニル基、置換スルフィニル基、スルホ基、ホスホノ基、ホスホナト基、シリル基、ヘテロ環基が挙げられる。
【００９３】
前記構造式（Ａ）で表される化合物、及び構造式（Ｂ）で表される化合物においては、構造式（Ａ）の方が感度の点で好ましい。また、前記構造式（Ａ）のうち、連結基を有しているものが安定性の点で好ましく、前記Ｌの有機基としては、炭素数１〜４のアルキレン基が非画像部の除去性（現像性）の点で好ましい。
前記構造式（Ａ）で表される化合物は、下記構造式（ＩＩＩ）の構造単位を含む化合物となる。また、前記構造式（Ｂ）で表される化合物は、下記構造式（ＩＩＩ’）の構造単位を含む化合物となる。この内、構造式（ＩＩＩ）の構造単位の方が、保存安定性の点で好ましい。
【００９４】
【化６】
2008233421.tif 000026
【化７】
2008233421.tif 000027
ただし、前記構造式（ＩＩＩ）及び（ＩＩＩ’）中、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３、並びに、Ａｒは前記構造式（Ａ）及び（Ｂ）と同じ意を表す。
前記構造式（ＩＩＩ）及び（ＩＩＩ’）において、Ｒ１及びＲ２は水素原子、Ｒ３はメチル基である事が、非画像部の除去性（現像性）の点で好ましい。
また、前記構造式（ＩＩＩ）のＬは、炭素数１〜４のアルキレン基が非画像部の除去性（現像性）の点で好ましい。
【００９５】
前記構造式（Ａ）で表される化合物又は構造式（Ｂ）で表される化合物としては、特に制限はないが、例えば、以下の例示化合物（１）〜（３０）が挙げられる。
【００９６】
【化８】
2008233421.tif 000028
【００９７】
【化９】
2008233421.tif 000029
【００９８】
前記例示化合物（１）〜（３０）の中でも、（５）、（６）、（１１）、（１４）、及び（２８）が好ましく、これらの中でも、（５）及び（６）が保存安定性及び現像性の点でより好ましい。
【００９９】
前記ヘテロ環を含んでもよい芳香族基の前記バインダーにおける含有量は、特に制限はないが、高分子化合物の全構造単位を１００ｍｏｌ％とした場合に、前記構造式（Ｉ）で表される構造単位を２０ｍｏｌ％以上含有することが好ましく、３０ｍｏｌ％〜４５ｍｏｌ％含有することがより好ましい。前記含有量が２０ｍｏｌ未満であると、保存安定性が低くなることがあり、４５ｍｏｌ％を超えると現像性が低下することがある。
【０１００】
−エチレン性不飽和結合−
前記エチレン性不飽和結合としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、下記構造式（ａ）〜（ｃ）で表されるものが好ましい。
【０１０１】
【化１０】
2008233421.tif 000030
ただし、前記構造式（ａ）〜（ｃ）中、Ｒ１〜Ｒ３及びＲ５〜Ｒ１１は、それぞれ独立して１価の有機基を表す。Ｘ及びＹは、それぞれ独立して、酸素原子、硫黄原子、又は−Ｎ−Ｒ４を表す。Ｚは、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ−Ｒ４、又はフェニレン基を表す。Ｒ４は、水素原子、又は１価の有機基を表す。
【０１０２】
前記構造式（ａ）において、Ｒ１としては、例えば、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基等が好ましく、水素原子、メチル基がラジカル反応性が高いことからより好ましい。
前記Ｒ２及びＲ３としては、それぞれ独立して、例えば、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、ニトロ基、シアノ基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアルキルアミノ基、置換基を有してもよいアリールアミノ基、置換基を有してもよいアルキルスルホニル基、置換基を有してもよいアリールスルホニル基等が挙げられ、水素原子、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基が、ラジカル反応性が高いことからより好ましい。
前記Ｒ４としては、例えば、置換基を有してもよいアルキル基等が好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基がラジカル反応性が高いことからより好ましい。
ここで、導入しうる前記置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリーロキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、ニトロ基、シアノ基、アミド基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基等が挙げられる。
【０１０３】
前記構造式（ｂ）において、Ｒ４〜Ｒ８としては、それぞれ独立して、例えば、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、ジアルキルアミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、ニトロ基、シアノ基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアルキルアミノ基、置換基を有してもよいアリールアミノ基、置換基を有してもよいアルキルスルホニル基、置換基を有してもよいアリールスルホニル基等が好ましく、水素原子、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基がより好ましい。
導入しうる前記置換基としては、前記構造式（ａ）において挙げたものが例示される。
【０１０４】
前記構造式（ｃ）において、Ｒ９としては、例えば、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基等が好ましく、水素原子及びメチル基が、ラジカル反応性が高いことからより好ましい。
前記Ｒ１０、Ｒ１１としては、それぞれ独立して、例えば、水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、ジアルキルアミノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、スルホ基、ニトロ基、シアノ基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアルキルアミノ基、置換基を有してもよいアリールアミノ基、置換基を有してもよいアルキルスルホニル基、置換基を有してもよいアリールスルホニル基等が好ましく、水素原子、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基がラジカル反応性が高いことからより好ましい。
ここで、導入しうる前記置換基としては、構造式（ａ）において挙げたものが例示される。
前記Ｚとしては、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ１３−、又は置換基を有してもよいフェニレン基を表す。Ｒ１３は、置換基を有してもよいアルキル基等を表し、水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基がラジカル反応性が高いことから好ましい。
【０１０５】
前記構造式(ａ)〜（ｃ）で表される側鎖エチレン性不飽和結合の中でも、構造式(ａ)のものが、重合反応性が高く感度が高くなり、より好ましい。
前記エチレン性不飽和結合の前記高分子化合物における含有量は、特に制限はないが、０．５ｍｅｑ／ｇ〜３．０ｍｅｑ／ｇが好ましく、１．０ｍｅｑ／ｇ〜３．０ｍｅｑ／ｇがより好ましく、１．５ｍｅｑ／ｇ〜２．８ｍｅｑ／ｇが特に好ましい。前記含有量が０．５ｍｅｑ／ｇ未満であると、硬化反応量が少ないため低感度となることがあり、３．０ｍｅｑ／ｇを超えると、保存安定性が劣化することがある。
ここで、前記含有量（ｍｅｑ／ｇ）は、例えば、ヨウ素価滴定により測定することができる。
【０１０６】
前記構造式（ａ）で表されるエチレン性不飽和結合を側鎖に導入する方法としては、特に制限はないが、例えば、側鎖にカルボキシル基を含有する高分子化合物とエチレン性不飽和結合及びエポキシ基を有する化合物を付加反応させることで得ることができる。
前記側鎖にカルボキシル基を含有する高分子化合物は、例えば、カルボキシル基を含有するラジカル重合性化合物１種以上と、必要に応じて共重合成分として他のラジカル重合性化合物１種以上とを通常のラジカル重合法によって製造することでき、前記ラジカル重合法としては、例えば、懸濁重合法、溶液重合法等が挙げられる。
【０１０７】
前記エチレン性不飽和結合及びエポキシ基を有する化合物としては、これらを有すれば特に制限はないが、例えば、下記構造式（ｄ）で表される化合物及び（ｅ）で表される化合物が好ましい。
【化１１】
2008233421.tif 000031
ただし、前記構造式（ｄ）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表す。Ｌ１は有機基を表す。
【化１２】
2008233421.tif 000032
ただし、前記構造式（ｅ）中、Ｒ２は水素原子又はメチル基を表す。Ｌ２は有機基を表す。Ｗは４〜７員環の脂肪族炭化水素基を表す。
前記構造式（ｄ）及び（ｅ）で表される化合物の中でも、構造式（ｄ）で表される化合物が好ましく、特に、Ｌ１が炭素原子数１〜４のアルキレン基のものがより好ましい。
【０１０８】
前記構造式（ｄ）又は（ｅ）で表される化合物としては、特に制限はないが、例えば、以下の例示化合物（３１）〜（４０）が挙げられる。
【化１３】
2008233421.tif 000033
【０１０９】
前記カルボキシル基を含有するラジカル重合性化合物としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、インクロトン酸、マレイン酸、ｐ−カルボキシルスチレン等があり、特に好ましいものは、アクリル酸、メタクリル酸等が挙げられる。
【０１１０】
前記側鎖への導入反応としては、例えば、トリエチルアミン、ベンジルメチルアミン等の３級アミン、ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムクロライド等の４級アンモニウム塩、ピリジン、トリフェニルフォスフィン等を触媒として有機溶剤中、反応温度５０℃〜１５０℃で数時間〜数十時間反応させることにより行うことができる。
【０１１１】
前記側鎖にエチレン性不飽和結合を有する構造単位としては、特に制限はないが、例えば、下記構造式（ｉｉｉ−１）で表される構造、構造式（ｉｉｉ−２）で表される構造、及びこれらの混合により表されるものが好ましい。
【化１４】
2008233421.tif 000034
ただし、前記構造式（ｉｉｉ−１）及び（ｉｉｉ−２）中、Ｒａ〜Ｒｃは水素原子又は１価の有機基を表す。Ｒ１は水素原子又はメチル基を表す。Ｌ１は連結基を有してもよい有機基を表す。
【０１１２】
前記構造式（ｉｉｉ−１）で表される構造乃至構造式（ｉｉｉ−２）で表される構造の高分子化合物における含有量は、２０ｍｏｌ％以上が好ましく、２０ｍｏｌ％〜５０ｍｏｌ％がより好ましく、２５ｍｏｌ％〜４５ｍｏｌ％が特に好ましい。前記含有量が２０ｍｏｌ％未満では、硬化反応量が少ないため低感度となることがあり、５０ｍｏｌ％を超えると、保存安定性が劣化することがある。
【０１１３】
−カルボキシル基−
本発明の高分子化合物においては、非画像部除去性等の諸性能を向上させるために、カルボキシル基を有していてもよい。
前記カルボキシル基は、酸基を有するラジカル重合性化合物を共重合させることにより、前記高分子化合物に付与することができる。
このようなラジカル重合性が有する酸基としては、例えば、カルボン酸、スルホン酸、リン酸基等が挙げられ、カルボン酸が特に好ましい。
前記カルボキシル基を有するラジカル重合性化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、インクロトン酸、マレイン酸、ｐ−カルボキシルスチレン等が挙げられ、これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸、ｐ−カルボキシルスチレンが好ましい。これらは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１１４】
前記カルボキシル基のバインダーにおける含有量は、１．０ｍｅｑ／ｇ〜４．０ｍｅｑ／ｇであり、１．５ｍｅｑ／ｇ〜３．０ｍｅｑ／ｇが好ましい。前記含有量が、１．０ｍｅｑ／ｇ未満では現像性が不十分となることがあり、４．０ｍｅｑ／ｇを超えるとアルカリ水現像による画像強度ダメージを受けやすくなることがある。
ここで、前記含有量（ｍｅｑ／ｇ）は、例えば、水酸化ナトリウムを用いた滴定により測定することができる。
【０１１５】
前記バインダー全体の含有量としては、本発明の効果を損なわない限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、例えば、前記感光性組成物の全固形分量に対して、１０質量％〜８０質量％が好ましく、２０質量％〜８０質量％がより好ましく、４０質量％〜８０質量％が特に好ましい。前記含有量が、１０質量％未満であると、アルカリ現像性やプリント配線板形成用基板（例えば、銅張積層板）との密着性が低下することがあり、９０質量％を超えると、現像時間に対する安定性や、硬化膜（テント膜）の強度が低下することがある。
【０１１６】
＜その他の任意成分＞
本発明の感光性組成物には、以上の必須成分の他に、更にその用途、製造方法等に適したその他の任意成分を適宜添加することができる。例えば、硬化皮膜の物性を改良するための無機充填剤や、その他可塑剤、感光層表面のインク着肉性を向上させ得る感脂化剤等の公知の添加剤を加えてもよい。
ここで、可塑剤としては、例えば、ジオクチルフタレート、ジドデシルフタレート、トリエチレングリコールジカプリレート、ジメチルグリコールフタレート、トリクレジルホスフェート、ジオクチルアジペート、ジブチルセバケート、トリアセチルグリセリン等があり、バインダーと付加重合性化合物との合計質量に対し、一般的に１０質量％以下の範囲で添加することができる。また、後述する平版印刷版原版において、膜強度（耐刷性）向上を目的とした現像後の加熱・露光の効果を強化するための、ＵＶ開始剤や、熱架橋剤等の添加もできる。
【０１１７】
（感光性フィルム）
本発明の感光性フィルムとしては、支持体と、該支持体上に形成された前記本発明の感光性組成物からなる感光層とを少なくとも有し、必要に応じて適宜熱可塑性樹脂層等のその他の層を有することが好ましい。
＜支持体＞
前記支持体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記感光層を剥離可能であり、かつ光の透過性が良好であるものが好ましく、更に表面の平滑性が良好であることがより好ましい。
【０１１８】
前記支持体は、合成樹脂製で、かつ透明であるものが好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、三酢酸セルロース、二酢酸セルロース、ポリ（メタ）アクリル酸アルキルエステル、ポリ（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリスチレン、セロファン、ポリ塩化ビニリデン共重合体、ポリアミド、ポリイミド、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリテトラフロロエチレン、ポリトリフロロエチレン、セルロース系フィルム、ナイロンフィルム等の各種のプラスチックフィルムが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１１９】
前記支持体の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、２μｍ〜１５０μｍが好ましく、５μｍ〜１００μｍがより好ましく、８μｍ〜５０μｍが特に好ましい。前記支持体は、単層であってもよいし、多層構成を有していてもよい。
【０１２０】
前記支持体の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、長尺状が好ましい。前記長尺状の支持体の長さは、特に制限はなく、例えば、１０ｍ〜２０，０００ｍの長さのものが挙げられる。
【０１２１】
＜保護フィルム＞
前記感光性フィルムは、前記感光層上に保護フィルムを形成してもよい。
前記保護フィルムとしては、例えば、前記支持体に使用されるもの、紙、ポリエチレン、ポリプロピレンがラミネートされた紙、などが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムが好ましい。
前記保護フィルムの厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、５μｍ〜１００μｍが好ましく、８μｍ〜５０μｍがより好ましく、１０μｍ〜３０μｍが特に好ましい。
前記支持体と保護フィルムとの組合せ（支持体／保護フィルム）としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート／ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート／ポリエチレン、ポリ塩化ビニル／セロフアン、ポリイミド／ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート／ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。また、支持体及び保護フィルムの少なくともいずれかを表面処理することにより、層間接着力を調整することができる。前記支持体の表面処理は、前記感光層との接着力を高めるために施されてもよく、例えば、下塗層の塗設、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線照射処理、高周波照射処理、グロー放電照射処理、活性プラズマ照射処理、レーザ光線照射処理などを挙げることができる。
【０１２２】
また、前記支持体と前記保護フィルムとの静摩擦係数は、０．３〜１．４が好ましく、０．５〜１．２がより好ましい。
前記静摩擦係数が、０．３未満であると、滑り過ぎるため、ロール状にした場合に巻ズレが発生することがあり、１．４を超えると、良好なロール状に巻くことが困難となることがある。
【０１２３】
前記感光性フィルムは、例えば、円筒状の巻芯に巻き取って、長尺状でロール状に巻かれて保管されることが好ましい。前記長尺状の感光性フィルムの長さは、特に制限はなく、例えば、１０ｍ〜２０，０００ｍの範囲から適宜選択することができる。また、ユーザーが使いやすいようにスリット加工し、１００ｍ〜１，０００ｍの範囲の長尺体をロール状にしてもよい。なお、この場合には、前記支持体が一番外側になるように巻き取られることが好ましい。また、前記ロール状の感光性フィルムをシート状にスリットしてもよい。保管の際、端面の保護、エッジフュージョンを防止する観点から、端面にはセパレーター（特に防湿性のもの、乾燥剤入りのもの）を設置することが好ましく、また梱包も透湿性の低い素材を用いることが好ましい。
【０１２４】
前記保護フィルムは、前記保護フィルムと前記感光層との接着性を調整するために表面処理してもよい。前記表面処理は、例えば、前記保護フィルムの表面に、ポリオルガノシロキサン、弗素化ポリオレフィン、ポリフルオロエチレン、ポリビニルアルコール等のポリマーからなる下塗層を形成させる。該下塗層の形成は、前記ポリマーの塗布液を前記保護フィルムの表面に塗布した後、３０℃〜１５０℃で１分間〜３０分間乾燥させることにより形成させることができる。前記乾燥させる際の温度は、５０℃〜１２０℃が特に好ましい。
【０１２５】
＜その他の層＞
前記感光性フィルムにおけるその他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、クッション層、酸素遮断層（ＰＣ層）、剥離層、接着層、光吸収層、表面保護層などの層を有してもよい。これらの層を１種単独で有していてもよく、２種以上を有していてもよい。また、前記感光層上に保護フィルムを有していてもよい。
【０１２６】
−クッション層−
前記クッション層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、アルカリ性液に対して膨潤性乃至可溶性であってもよく、不溶性であってもよい。
【０１２７】
前記クッション層がアルカリ性液に対して膨潤性乃至可溶性である場合には、前記熱可塑性樹脂としては、例えば、エチレンとアクリル酸エステル共重合体のケン化物、スチレンと（メタ）アクリル酸エステル共重合体のケン化物、ビニルトルエンと（メタ）アクリル酸エステル共重合体のケン化物、ポリ（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリル酸ブチルと酢酸ビニル等の（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のケン化物、（メタ）アクリル酸エステルと（メタ）アクリル酸との共重合体、スチレンと（メタ）アクリル酸エステルと（メタ）アクリル酸との共重合体などが挙げられる。
【０１２８】
この場合の熱可塑性樹脂の軟化点（Ｖｉｃａｔ）は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、８０℃以下が好ましい。
前記軟化点が８０℃以下の熱可塑性樹脂としては、上述した熱可塑性樹脂の他、「プラスチック性能便覧」（日本プラスチック工業連盟、全日本プラスチック成形工業連合会編著、工業調査会発行、１９６８年１０月２５日発行）による軟化点が約８０℃以下の有機高分子の内、アルカリ性液に可溶なものが挙げられる。また、軟化点が８０℃以上の有機高分子物質においても、該有機高分子物質中に該有機高分子物質と相溶性のある各種の可塑剤を添加して実質的な軟化点を８０℃以下に下げることも可能である。
【０１２９】
また、前記クッション層がアルカリ性液に対して膨潤性乃至可溶性である場合には、前記感光性フィルムの層間接着力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、各層の層間接着力の中で、前記支持体と前記クッション層との間の層間接着力が、最も小さいことが好ましい。このような層間接着力とすることにより、前記感光性フィルムから前記支持体のみを剥離し、前記クッション層を介して前記感光層を露光した後、アルカリ性の現像液を用いて該感光層を現像することができる。また、前記支持体を残したまま、前記感光層を露光した後、前記感光性フィルムから前記支持体のみを剥離し、アルカリ性の現像液を用いて該感光層を現像することもできる。
【０１３０】
前記層間接着力の調整方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記熱可塑性樹脂中に公知のポリマー、過冷却物質、密着改良剤、界面活性剤、離型剤などを添加する方法が挙げられる。
【０１３１】
前記可塑剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ジオクチルフタレート、ジヘプチルフタレート、ジブチルフタレート、トリクレジルフォスフェート、クレジルジフェニルフォスフェート、ビフェニルジフェニルフォスフェート等のアルコール類やエステル類；トルエンスルホンアミド等のアミド類、などが挙げられる。
【０１３２】
前記クッション層がアルカリ性液に対して不溶性である場合には、前記熱可塑性樹脂としては、例えば、主成分がエチレンを必須の共重合成分とする共重合体が挙げられる。
前記エチレンを必須の共重合成分とする共重合体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン−エチルアクリレート共重合体（ＥＥＡ）などが挙げられる。
【０１３３】
前記クッション層がアルカリ性液に対して不溶性である場合には、前記感光性フィルムの層間接着力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、各層の層間接着力の中で、前記感光層と前記クッション層との接着力が、最も小さいことが好ましい。このような層間接着力とすることにより、前記感光性フィルムから前記支持体及びクッション層を剥離し、前記感光層を露光した後、アルカリ性の現像液を用いて該感光層を現像することができる。また、前記支持体を残したまま、前記感光層を露光した後、前記感光性フィルムから前記支持体と前記クッション層を剥離し、アルカリ性の現像液を用いて該感光層を現像することもできる。
【０１３４】
前記層間接着力の調整方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記熱可塑性樹脂中に各種のポリマー、過冷却物質、密着改良剤、界面活性剤、離型剤などを添加する方法、以下に説明するエチレン共重合比を調整する方法などが挙げられる。
【０１３５】
前記エチレンを必須の共重合成分とする共重合体におけるエチレン共重合比は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、６０質量％〜９０質量％が好ましく、６０質量％〜８０質量％がより好ましく、６５質量％〜８０質量％が特に好ましい。
前記エチレンの共重合比が、６０質量％未満になると、前記クッション層と前記感光層との層間接着力が高くなり、該クッション層と該感光層との界面で剥離することが困難となることがあり、９０質量％を超えると、前記クッション層と前記感光層との層間接着力が小さくなりすぎるため、該クッション層と該感光層との間で非常に剥離しやすく、前記クッション層を含む感光性フィルムの製造が困難となることがある。
【０１３６】
前記クッション層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、５μｍ〜５０μｍが好ましく、１０μｍ〜５０μｍがより好ましく、１５μｍ〜４０μｍが特に好ましい。
前記厚みが、５μｍ未満になると、基体の表面における凹凸や、気泡等への凹凸追従性が低下し、高精細な永久パターンを形成できないことがあり、５０μｍを超えると、製造上の乾燥負荷増大等の不具合が生じることがある。
【０１３７】
−酸素遮断層（ＰＣ層）−
前記酸素遮断層は、通常ポリビニルアルコールを主成分として形成されることが好ましく、厚みが０．５〜５μｍ程度の被膜であることが好ましい。
【０１３８】
〔感光性フィルムの製造方法〕
前記感光性フィルムは、例えば、次のようにして製造することができる。
まず、前記感光性組成物に含まれる材料を、水又は溶剤に溶解、乳化又は分散させて、感光性フィルム用の感光性組成物溶液を調製する。
【０１３９】
前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｎ−ヘキサノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジイソブチルケトンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−ｎ−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、及びメトキシプロピルアセテートなどのエステル類；トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類；四塩化炭素、トリクロロエチレン、クロロホルム、１，１，１−トリクロロエタン、塩化メチレン、モノクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類；テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、１−メトキシ−２−プロパノールなどのエーテル類；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホランなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。また、公知の界面活性剤を添加してもよい。
【０１４０】
次に、前記支持体上に前記感光性組成物溶液を塗布し、乾燥させて感光層を形成し、感光性フィルムを製造することができる。
【０１４１】
前記感光性組成物溶液の塗布方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法、スリットコート法、エクストルージョンコート法、カーテンコート法、ダイコート法、グラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ナイフコート法等の各種の塗布方法が挙げられる。
前記乾燥の条件としては、各成分、溶媒の種類、使用割合等によっても異なるが、通常６０℃〜１１０℃の温度で３０秒間〜１５分間程度である。
【０１４２】
前記感光性フィルムは、例えば、円筒状の巻芯に巻き取って、長尺状でロール状に巻かれて保管されるのが好ましい。
前記長尺状の感光性フィルムの長さは、特に制限はなく、例えば、１０ｍ〜２０，０００ｍの範囲から適宜選択することができる。また、ユーザーが使いやすいようにスリット加工し、１００ｍ〜１，０００ｍの範囲の長尺体をロール状にしてもよい。なお、この場合には、前記支持体が一番外側になるように巻き取られるのが好ましい。また、前記ロール状の感光性フィルムをシート状にスリットしてもよい。保管の際、端面の保護、エッジフュージョンを防止する観点から、端面にはセパレーター（特に防湿性のもの、乾燥剤入りのもの）を設置するのが好ましく、また梱包も透湿性の低い素材を用いるのが好ましい。
【０１４３】
（感光性積層体）
前記感光性積層体は、基体上に、前記感光層を少なくとも有し、目的に応じて適宜選択されるその他の層を積層してなる。
【０１４４】
＜基体＞
前記基体は、感光層が形成される被処理基体、又は本発明の感光性フィルムの少なくとも感光層が転写される被転写体となるもので、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、表面平滑性の高いものから凸凹のある表面を持つものまで任意に選択できる。板状の基体が好ましく、いわゆる基板が使用される。具体的には、公知のプリント配線板製造用の基板（プリント基板）、ガラス板（ソーダガラス板など）、合成樹脂性のフィルム、紙、金属板などが挙げられる。
【０１４５】
〔感光性積層体の製造方法〕
前記感光性積層体の製造方法として、第１の態様として、前記感光性組成物を前記基体の表面に塗布し乾燥する方法が挙げられ、第２の態様として、本発明の感光性フィルムにおける少なくとも感光層を加熱及び加圧の少なくともいずれかを行いながら転写して積層する方法が挙げられる。
【０１４６】
前記第１の態様の感光性積層体の製造方法は、前記基体上に、前記感光性組成物を塗布及び乾燥して感光層を形成する。
前記塗布及び乾燥の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記基体の表面に、前記感光性組成物を、水又は溶剤に溶解、乳化又は分散させて感光性組成物溶液を調製し、該溶液を直接塗布し、乾燥させることにより積層する方法が挙げられる。
【０１４７】
前記感光性組成物溶液の溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記感光性フィルムに用いたものと同じ溶剤が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。また、公知の界面活性剤を添加してもよい。
【０１４８】
前記塗布方法及び乾燥条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記感光性フィルムに用いたものと同じ方法及び条件で行う。
【０１４９】
前記第２の態様の感光性積層体の製造方法は、前記基体の表面に本発明の感光性フィルムを加熱及び加圧の少なくともいずれかを行いながら積層する。なお、前記感光性フィルムが前記保護フィルムを有する場合には、該保護フィルムを剥離し、前記基体に前記感光層が重なるようにして積層するのが好ましい。
前記加熱温度は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１５℃〜１８０℃が好ましく、６０℃〜１４０℃がより好ましい。
前記加圧の圧力は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、０．１ＭＰａ〜１．０ＭＰａが好ましく、０．２ＭＰａ〜０．８ＭＰａがより好ましい。
【０１５０】
前記加熱の少なくともいずれかを行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ラミネーター（例えば、大成ラミネータ社製  ＶＰ−ＩＩ、ニチゴーモートン（株）製  ＶＰ１３０）、日立化成工業（株）製  ＨＬＭ−Ｖ５７０）、などが好適に挙げられる。
【０１５１】
前記感光性フィルム及び前記感光性積層体は、本発明の前記感光性組成物を用いるため、高感度、高解像度であり、感度の経時安定性、膜硬化性、及び耐熱衝撃性が良好で、高精細な永久パターンを効率よく形成可能であり、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターン等の永久パターン、などの各種パターン形成用、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁などの液晶構造部材の製造用、ホログラム、マイクロマシン、プルーフなどのパターン形成用などに好適に用いることができ、特に、プリント基板の永久パターン形成用に好適に用いることができる。
【０１５２】
特に、本発明の感光性フィルムは、該フィルムの厚みが均一であるため、永久パターンの形成に際し、永久パターン（保護膜、層間絶縁膜、ソルダーレジストなど）を薄層化しても、高加速度試験（ＨＡＳＴ）においてイオンマイグレーションの発生がなく、耐熱性、耐湿性に優れた高精細な永久パターンが得られるため、基材への積層がより精細に行われる。
【０１５３】
（パターン形成装置及び永久パターン形成方法）
本発明のパターン形成装置は、前記感光層を備えており、光照射手段と光変調手段とを少なくとも有する。
【０１５４】
本発明の永久パターン形成方法は、露光工程を少なくとも含み、適宜選択した現像工程等のその他の工程を含む。
なお、本発明の前記パターン形成装置は、本発明の前記永久パターン形成方法の説明を通じて明らかにする。
【０１５５】
〔露光工程〕
前記露光工程は、本発明の感光層に対し、露光を行う工程である。本発明の前記感光層、及び基体の材料については上述の通りである。
【０１５６】
前記露光の対象としては、前記感光層である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、上述のように、基体上に感光性組成物を加熱及び加圧の少なくともいずれかを行いながら積層して形成した感光性積層体における感光層に対して行われることが好ましい。
【０１５７】
前記露光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、デジタル露光、アナログ露光等が挙げられるが、これらの中でもデジタル露光が好ましい。
【０１５８】
前記アナログ露光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、所定のパターンを有するフォトマスクを介して、（超）高圧水銀灯、キセノンランプ、ハロゲンランプなどで露光を行なう方法が挙げられる。
【０１５９】
前記デジタル露光としては、前記フォトマスクを用いずに行なうのであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、光照射手段及び光変調手段を少なくとも備えた露光ヘッドと、前記感光層の少なくともいずれかを移動させつつ、前記感光層に対して、前記光照射手段から出射した光を前記光変調手段によりパターン情報に応じて変調しながら前記露光ヘッドから照射して行なうことが好ましい。
【０１６０】
前記デジタル露光で用いる光源としては、紫外から近赤外線を発する光源であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（超）高圧水銀灯、キセノン灯、カーボンアーク灯、ハロゲンランプ、及び複写機用などの蛍光管、またはレーザ光等の公知光源が用いられるが、これらの中でも（超）高圧水銀灯、レーザ光が好ましく、レーザ光がより好ましい。
【０１６１】
（超）高圧水銀灯とは、石英ガラスチューブなどに水銀を封入した放電灯であり、水銀の蒸気圧を高く設定して発光効率を高めたものである。輝線スペクトルのうち、ＮＤフィルターなどを用いて１波長のみの輝線スペクトルを用いてもよく、複数の輝線スペクトルを有する光線を用いてもよい。
【０１６２】
前記レーザ光の「レーザ」は、Light  Amplification  by  Stimulated  Emission  of  Radiation（誘導放出による光の増幅）の頭字語である。前記レーザ光を発する装置としては、反転分布を持った物質中で起きる誘導放出の現象を利用し、光波の増幅、発振によって干渉性と指向性が一層強い単色光を作り出す発振器及び増幅器が好適に挙げられる。
前記レーザ光の励起媒質としては、結晶、ガラス、液体、色素、気体などがあり、これらの媒質から固体レーザ、液体レーザ、気体レーザ、半導体レーザなどの公知のレーザを用いることができる。
具体的には、ガスレーザとして、Ａｒイオンレーザ（３６４ｎｍ、３５１ｎｍ）、Ｋｒイオンレーザ（３５６ｎｍ、３５１ｎｍ）、Ｈｅ−Ｃｄレーザ（３２５ｎｍ）が挙げられ、固体レーザとして、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ（１，０６４ｎｍ）、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザの、２倍波（５３２ｎｍ）、３倍波（３５５ｎｍ）、４倍波（２６６ｎｍ）、導波型波長変換素子とＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ半導体との組み合わせ（３８０ｎｍ〜４００ｎｍ）、導波型波長変換素子とＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＧａＡｓ半導体ｔの組み合わせ（３００ｎｍ〜３５０ｎｍ）、ＡｌＧａＩｎＮ（３５０ｎｍ〜４７０ｎｍ）などが挙げられる。これらの中で好適なレーザ光としては、コストの面でＡｌＧａＩｎＮ半導体レーザ（市販ＩｎＧａＮ系半導体レーザ３７５ｎｍまたは４０５ｎｍ）が、生産性の面で高出力な３５５ｎｍレーザが挙げられる。
【０１６３】
前記レーザ光の波長は、例えば、２００ｎｍ〜１，５００ｎｍが好ましく、３００ｎｍ〜８００ｎｍがより好ましく、３３０ｎｍ〜５００ｎｍが更に好ましく、３５０ｎｍ〜４２０ｎｍが特に好ましい。
【０１６４】
−光変調手段−
前記光変調手段としては、ｎ個の描素部を有し、前記パターン情報に応じて前記描素部を制御する方法が、代表的な方法として挙げられる。具体的には、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）や、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）タイプの空間光変調素子（ＳＬＭ；Ｓｐａｔｉａｌ  Ｌｉｇｈｔ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）、電気光学効果により透過光を変調する光学素子（ＰＬＺＴ素子）、液晶光シャッタ（ＦＬＣ）などが挙げられ、これらの中でもＤＭＤが好適に挙げられる。
【０１６５】
前記ＤＭＤを用いた場合、光源からの光は、適切な光学系によって前記ＤＭＤ上に照射され、前記ＤＭＤに二次元に並んだ各ミラーからの反射光が、別の光学系などを経て、感光層上に、二次元に並んだ光点の像を形成する。このままでは光点と光点の間は露光されないが、前記二次元に並んだ光点の像を、二次元の並び方向に対して、やや傾いた方向に移動させると、最初の列の光点と光点の間を、後方の列の光点が露光することにより、感光層の全面を露光することができる。前記ＤＭＤは、各ミラーの角度を制御し、前記光点をＯＮ-ＯＦＦ制御することで、画像パターンを形成することができる。このような前記ＤＭＤを有す露光ヘッドを並べて用いることで色々な幅の基板に対応することができる。
前記ＤＭＤでは、前記光点の輝度は、ＯＮかＯＦＦの２階調しかないが、ミラー階調型空間変調素子を用いると、２５６階調の露光を行なうことができる。
【０１６６】
また、前記光変調手段は、形成するパターン情報に基づいて制御信号を生成するパターン信号生成手段を有することが好ましい。この場合、前記光変調手段は、前記パターン信号生成手段が生成した制御信号に応じて光を変調させる。
前記制御信号としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、デジタル信号が好適に挙げられる。
【０１６７】
一方、前記光変調手段の、別の代表的な方法として、ポリゴンミラーを用いる方法が挙げられる。ここで、ポリゴンミラー（polygon  mirror）とは、周囲に一連の平面反射面を持った回転部材のことである。前記ポリゴンミラーでは、感光層上に光源からの光を反射して照射するが、反射光の光点は、該平面鏡の回転によって走査される。この走査方向に対して直角に基板を移動させることで、基板上の感光層の全面を露光することができる。そして、光源からの光の強度を適切な方法でＯＮ−ＯＦＦ、又は中間調に制御することで、画像パターンを形成することができる。この際、光源からの光を複数本とすることで、走査時間を短縮することができる。
【０１６８】
本発明の光変調手段としては、その他にも、特開平５−１５０１７５公報に記載のポリゴンミラーを用いて描画する例、特表２００４−５２３１０１公報（国際公開第２００２／０３９７９３号パンフレット）に記載の、下部レイヤの画像の一部を視覚的に取得し、ポリゴンミラーを用いた装置で上部レイヤの位置を下部レイヤ位置に揃えて露光する例、特開２００４−５６０８０公報に記載のＤＭＤ有する露光する例、特表２００２−５２３９０５公報に記載のポリゴンミラー備えた露光装置、特開２００１−２５５６６１公報に記載のポリゴンミラー備えた露光装置、特開２００３−５０４６９公報に記載のＤＭＤ、ＬＤ、多重露光の組み合わせ例、特開２００３−１５６８５３公報に記載の基板の部位により露光量を変える露光方法の例、特開２００５−４３５７６公報に記載の位置ずれ調整を行なう露光方法の例等が挙げられる。
【０１６９】
−光照射手段−
前記光照射手段、すなわち光の照射方法としては、特に制限はなく、前述の露光光源を目的に応じて適宜選択することができるが、これらの光源からの光を２以上合成して照射することが好適であり、２以上の光を合成したレーザ光（合波レーザ光）を照射することが特に好適に挙げられる。
【０１７０】
前記合波レーザ光の照射方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、複数のレーザ光源と、マルチモード光ファイバと、該複数のレーザ光源から照射されるレーザ光を集光して前記マルチモード光ファイバに結合させる集合光学系とにより合波レーザ光を構成して照射する方法が好適に挙げられる。
【０１７１】
前記レーザ光のビーム径は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、濃色離隔壁の解像度の観点から、ガウシアンビームの１／ｅ2値で５μｍ〜３０μｍが好ましく、７μｍ〜２０μｍがより好ましい。
本発明では、レーザ光を画像データに応じて空間光変調することが好ましい。したがって、この目的のため空間光変調素子である前記ＤＭＤを用いることが好ましい。
【０１７２】
前記光変調手段、及び前記光照射手段を有している露光装置としては、例えば、特開２００５−２２２０３９号公報、特開２００５−２５８４３１号公報、特開２００６−３０９６６号公報などに記載されている装置を用いることができるが、本発明における露光装置はこれに限定されるものではない。
【０１７３】
〔現像工程〕
前記現像としては、前記感光層の未露光部分を除去することにより行われる。
前記未硬化領域の除去方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、現像液を用いて除去する方法などが挙げられる。
【０１７４】
前記現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、アルカリ性水溶液、水系現像液、有機溶剤などが挙げられ、これらの中でも、弱アルカリ性の水溶液が好ましい。該弱アルカリ水溶液の塩基成分としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム、硼砂などが挙げられる。
【０１７５】
前記弱アルカリ性の水溶液のｐＨは、例えば、約８〜１２が好ましく、約９〜１１がより好ましい。前記弱アルカリ性の水溶液としては、例えば、０．１質量％〜５質量％の炭酸ナトリウム水溶液又は炭酸カリウム水溶液などが挙げられる。
前記現像液の温度は、前記感光層の現像性に合わせて適宜選択することができるが、例えば、約２５℃〜４０℃が好ましい。
【０１７６】
前記現像液は、界面活性剤、消泡剤、有機塩基（例えば、エチレンジアミン、エタノールアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、ジエチレントリアミン、トリエチレンペンタミン、モルホリン、トリエタノールアミン等）や、現像を促進させるため有機溶剤（例えば、アルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル類、アミド類、ラクトン類等）などと併用してもよい。また、前記現像液は、水又はアルカリ水溶液と有機溶剤を混合した水系現像液であってもよく、有機溶剤単独であってもよい。
【０１７７】
前記パターンの形成においては、例えば、硬化処理工程、エッチング工程、めっき工程などを含んでいてもよい。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１７８】
〔硬化処理工程〕
前記パターンの形成方法が、保護膜、層間絶縁膜、ソルダーレジストパターン等の永久パターンや、カラーフィルタの形成を行う永久パターン形成方法である場合には、前記現像工程後に、感光層に対して硬化処理を行う硬化処理工程を備えることが好ましい。
前記硬化処理工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、全面露光処理、全面加熱処理などが好適に挙げられる。
【０１７９】
前記全面露光処理の方法としては、例えば、前記現像後に、前記永久パターンが形成された前記積層体上の全面を露光する方法が挙げられる。該全面露光により、前記感光層を形成する感光性組成物中の樹脂の硬化が促進され、前記永久パターンの表面が硬化される。
前記全面露光を行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、超高圧水銀灯などのＵＶ露光機、キセノンランプ使用の露光機、レーザ露光機などが好適に挙げられる。露光量は、通常１０ｍＪ／ｃｍ２〜２，０００ｍＪ／ｃｍ２である。
【０１８０】
前記全面加熱処理の方法としては、前記現像の後に、前記永久パターンが形成された前記積層体上の全面を加熱する方法が挙げられる。該全面加熱により、前記永久パターンの表面の膜強度が高められる。
前記全面加熱における加熱温度は、１２０℃〜２５０℃が好ましく、１２０℃〜２００℃がより好ましい。該加熱温度が１２０℃未満であると、加熱処理による膜強度の向上が得られないことがあり、２５０℃を超えると、前記感光性組成物中の樹脂の分解が生じ、膜質が弱く脆くなることがある。
前記全面加熱における加熱時間は、１０分〜１２０分が好ましく、１５分〜６０分がより好ましい。
前記全面加熱を行う装置としては、特に制限はなく、公知の装置の中から、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ドライオーブン、ホットプレート、ＩＲヒーターなどが挙げられる。
【０１８１】
前記パターンの形成方法は、４０５ｎｍのレーザ露光による直接描画において、酸素による感光層の感度低下防止が必要とされる各種パターンの形成などに使用することができ、高密度化と高生産性とを両立したパターンの形成に好適に使用することができる。
【０１８２】
前記永久パターン形成方法においては、前記永久パターン形成方法により形成される永久パターンが、前記保護膜又は前記層間絶縁膜であると、配線を外部からの衝撃や曲げから保護することができ、特に、前記層間絶縁膜である場合には、例えば、多層配線基板やビルドアップ配線基板などへの半導体や部品の高密度実装に有用である。
【０１８３】
前記永久パターン形成方法は、本発明の前記感光性組成物を用いるため、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターン等の永久パターン、などの各種パターン形成用、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁等の液晶構造部材の製造、ホログラム、マイクロマシン、プルーフなどの製造に好適に使用することができ、特に、プリント基板の永久パターン形成に好適に使用することができる。
【実施例】
【０１８４】
以下、実施例によって本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
［実施例、比較例］
（１）感光性組成物の調製
各成分を下記表１の量で配合して、溶剤（メチルエチルケトン：イソプロパノール＝７５：２５〔質量比〕）に溶解して、濃度５５質量％の感光性組成物溶液を調製した。
（２）感光性積層体の作製
前記感光性組成物溶液を、アプリケーター用いて厚み１９μｍのＰＥＴフィルム（支持体フィルム）上に均一に塗工し、室温にて１分３０秒放置した後、１３０℃のオーブンで３分間乾燥して、厚み３０μｍの感光性組成物層を形成した。
次に、梨地柄が形成された厚み３０μｍで表面平均粗さＲａ＝１．５１のＰＥフィルム〔Ｒａはフィルムロールの横断方向（ＴＤ方向）に１０．０ｍｍ長を、接触子の先端２μｍＲ、測定荷重０．０７ｇｆにて測定したときの値〕を、３０℃にて、０．２ＭＰａにて、上記感光性組成物層と梨地柄形成面とが接触するよう積層し、厚み３０μｍの感光性組成物層を有する感光性積層体を作製した。
【０１８５】
このようにして得られた実施例及び比較例の感光性積層体について、下記の評価方法に従い、各特性の評価を行った。
前記感光性積層体について、感度、解像性、現像性、可撓性、半田耐熱性、耐溶剤性、電気絶縁性、導体回路への追従性、及び難燃性の評価を行った。結果を表３に示す。
【０１８６】
〔感度〕
感光性積層体の保護フィルム（ポリエチレンフィルム）を剥がし、これを、銅基板（ＦＲ−４、厚み１．６ｍｍ）の銅箔表面に上記感光性積層体の感光性組成物層が対峙するよう載置して仮付けし、ダイヤフラム式真空ラミネート機（ニチゴー・モートン社製、「Ｖ−１３０」）を用いて、減圧時間３０秒、プラテン温度５５℃、真空度９５Ｐａ、スラップダウン８秒という条件にて積層した。この積層品を２時間、２０℃にて放置した。前記積層体におけるパターン形成材料の感光層に対し、ポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）側から、「ＩＮＰＲＥＸ  ＩＰ−３０００（富士フイルム製）」を用いて、所定のパターンが得られるようにエネルギー量０．１ｍＪ／ｃｍ２から２１／２倍間隔で１００ｍＪ／ｃｍ２までの光エネルギー量の異なる光を照射して露光し、前記感光層の一部の領域を硬化させた。室温にて１０分間静置した後、前記積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）を剥がし取り、銅張積層板上の感光層の全面に、炭酸ナトリウム水溶液（３０℃、１質量％）をスプレー圧０．１５ＭＰａにて下記現像性で求めた最短現像時間の４倍の時間スプレーし、未硬化の領域を溶解除去して、残った硬化領域の厚みを測定した。次いで、光の照射量と、硬化層の厚みとの関係をプロットして感度曲線を得る。こうして得た感度曲線から硬化領域の厚みが３０μｍとなった時の光エネルギー量を、感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量（感度）とした。結果を表３に示す。
【０１８７】
〔解像性〕
上記感度測定で用いたときのＳｔｏｕｆｆｅｒ社製の２１段ステップタブレットに代えて、ライン／スペース＝２０μｍ／２０μｍ〜１２０μｍ／１２０μｍのパターンマスク（銀塩−ＰＥＴフィルム）を用いた以外は同様にして操作を行い、上記２ｋＷ超高圧水銀ショートアーク灯（平行光）でＳｔｏｕｆｆｅｒ社製の２１段ステップタブレットの９段相当の露光量を照射し、現像した。このときの、解像を示した最小ライン幅の値（現像して形成された硬化ライン間の最小幅の値）を解像性として表示した。
前記露光装置を用いて、ライン／スペース＝１／１でライン幅５μｍ〜２０μｍまで１μｍ刻みで各線幅の露光を行い、ライン幅２０μｍ〜５０μｍまで５μｍ刻みで各線幅の露光を行った。この際の露光量は、前記（１）で測定した前記パターン形成材料の感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量である。室温にて１０分間静置した後、前記積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）を剥がし取った。銅張積層板上の感光層の全面に、前記現像液として炭酸ナトリウム水溶液（３０℃、１質量％）をスプレー圧０．１５ＭＰａにて前記現像工程で求めた最短現像時間の４倍の時間スプレーし、未硬化領域を溶解除去した。この様にして得られた硬化樹脂パターン付き銅張積層板の表面を光学顕微鏡で観察し、硬化樹脂パターンのラインにツマリ、ヨレ等の異常のない最小のライン幅を測定し、これを解像度とした。該解像度は数値が小さいほど良好である。結果を表３に示す。
【０１８８】
〔現像性〕
銅基板（ＦＲ−４、厚み１．６ｍｍ）を準備し、銅箔表面をバフロール研磨（＃６００の後、＃１０００）し、水洗した後、１０％の硫酸水に常温（２５℃）で１分間浸漬して、水洗、乾燥し、２４時間室温にて放置した。そして、この銅基板に上記感度測定時と同様に、ダイヤフラム式真空ラミネート機（ニチゴー・モートン社製、「Ｖ−１３０」）を用い同条件にて、上記厚み４０μｍの感光性組成物層を有する感光性積層体を積層した。ここで用いた上記厚み４０μｍの感光性組成物層を有する感光性積層体は、大きさ１００ｍｍ×１００ｍｍのものとした。未露光のまま２０℃にて２０分間放置した後、３０℃の１重量％Ｎａ２ＣＯ３水溶液にて最小現像時間の２倍の時間スプレー現像（スプレー圧０．１５ＭＰａ）し、水洗、乾燥した。この後、再度、２５℃の水に浸漬し、ラックに角度約８５°となるよう立て掛け、ラックに立て掛けた基板表面の水のはじき度合いをストップウォッチにて計測し、水のはじき性によって現像性を評価した。すなわち、水はじきテストによって、銅基板上の現像残渣（有機物の残渣）の程度をつぎのようにして判定した。結果を表３に示す。
◎・・・１５秒以上水をはじかない（現像性良好）。
○・・・１０秒以上１５秒未満にて水をはじく。
×・・・１０秒未満で水をはじく（有機物残渣がある）。
【０１８９】
〔可撓性〕
上記感度測定時と同様、ダイヤフラム式真空ラミネート機（ニチゴー・モートン社製、「Ｖ−１３０」）を用い、同条件にて、厚み２５ｍｍのポリイミドフィルムの両面に上記厚み４０μｍの感光性組成物層を有する感光性積層体を貼り合わせ積層した。ついで、上記２ｋＷ超高圧水銀ショートアーク灯（平行光）でＳｔｏｕｆｆｅｒ社製の２１段ステップタブレットの９段相当の露光量を両面に全面照射し、ＵＶキュア３Ｊ／ｃｍ2（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｌｉｇｈｔ社製、「ＩＬ−３９０Ａ」での測定値）を両面行い、続いて１５０℃にて６０分間熱キュアを行うことにより硬化フィルムを作製した。そして、この硬化フィルムの同一箇所を、山折〜谷折〜山折〜（折り曲げ半径０°）という操作を行い、可撓性を下記のようにして評価した。なお、折り曲げ条件として、２３℃×５０％ＲＨの室内にて行った。結果を表３に示す。
◎・・・１０回以上の操作においても割れなかった。
○・・・６〜９回の操作において割れた。
△・・・２〜５回の操作において割れた。
×・・・１回の操作において割れた。
【０１９０】
〔半田耐熱性〕
銅厚１８μｍ厚の銅張ポリイミドフィルムを用いて、ＩＰＣ−Ｂ−２５Ａ（ＩＰＣ規格）の銅配線を形成したものに、上記厚み４０μｍの感光性組成物層を有する感光性積層体を、上記感度測定時と同様にダイヤフラム式真空ラミネート機（ニチゴー・モートン社製、「Ｖ−１３０」）を用い、同条件にて、貼り合わせ積層した。ついで、この回路のＤパターンの端子が半田付けできるパターンマスクを用いて、上記２ｋＷ超高圧水銀ショートアーク灯（平行光）でＳｔｏｕｆｆｅｒ社製の２１段ステップタブレットの９段相当の露光量を照射し、感度測定時と同様にして現像、乾燥を行った。続いて、搬送式ＵＶ露光機「モデルＵＶＣＳ９２３」を用いて３Ｊ／ｃｍ2ＵＶキュアを行った（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｌｉｇｈｔ社製、「ＩＬ−３９０Ａ」での測定値）。このときの基板温度は１２０℃であった。この後、１５０℃にて６０分間熱キュアを行うことによりカバーレイが形成されたフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）を作製した。
【０１９１】
ついで、上記ＦＰＣ表面にタムラ化研社製の「フラックスＵＬＦ−５００ＶＳ」を塗布した後、１００℃で１分間乾燥を行い、２６０℃の半田付け処理を１０秒間行った。このフラックス塗布〜半田付け操作を計３回繰り返し行ったときの、カバーレイのクラック発生状態、Ｄパターンの半田もぐりの発生状態、膨れの発生状態を目視により観察し総合して、半田耐熱性を下記のように評価した。結果を表３に示す。
◎・・・３回ともクラック、半田もぐり、膨れの発生がみられなかった。
○・・・２回とも何ら問題はなかったが、３回目に若干の半田もぐりが確認された。
△・・・２回目に若干の半田もぐりが確認され、３回目には膨れが発生した。
×・・・１回目ですでに半田付け操作に耐えられなかった。
【０１９２】
〔耐溶剤性〕
上記半田耐熱性と同様の工程を経由することにより得られたＦＰＣを、イソプロピルアルコール煮沸液に投入し、２分間浸漬した。そして、基板からの浮き、剥がれの発生状態を目視により観察し、耐溶剤性を下記のように評価した。結果を表３に示す。
◎・・・浮き、剥がれとも発生しなかった。
×・・・浮き又は剥がれが発生した。
【０１９３】
〔電気絶縁性〕
上記半田耐熱性と同様の工程を経由することにより得られたＦＰＣを用い、ＩＰＣ−ＳＭ−８４０Ｃ３．９．１（ＩＰＣ規格）の電気マイグレーション試験を行った。すなわち、Ｄパターンを用い、８５℃×９０％ＲＨにて１６８時間、１０ＶＤＣバイアス電位、４５−１００ＶＤＣ試験電位とし、１６８時間後の抵抗を調べ、電気絶縁性を下記のように評価した。規格では２ＭΩ以上が合格とされる。結果を表３に示す。
◎・・・２００ＭΩを超えた。
○・・・２ＭΩ〜２００ＭΩであった。
×・・・２ＭΩ未満であった。
【０１９４】
〔導体回路への追従性〕
銅厚３５μｍ厚の銅張ポリイミドフィルムを用いて、ＩＰＣ−Ｂ−２５Ａ（ＩＰＣ規格）の銅配線を形成した基材を予め準備した。この銅配線側に、厚み２５μｍの感光性積層体（厚み１９μｍの支持体フィルムと厚み２５μｍの感光性組成物層）を用いて仮付けし、真空ラミネート時の温度を変える（５０℃，５５℃，６５℃）以外は、上記感度測定時と同様にしてダイヤフラム式真空ラミネート機（ニチゴー・モートン社製、「Ｖ−１３０」）を用いて、厚み２５μｍの感光性積層体を貼り合わせ積層した。そして、１５０ｍＪ／ｃｍ2にて露光し、基板表面を顕微鏡により観察し、導体回路への追従性を下記のように評価した。結果を表３に示す。
◎・・・５０℃で完全に導体回路に追従し、感光性組成物層と導体回路との間に空間は無かった。
○・・・５０℃では完全に導体回路に追従しなかったが、５５℃にて完全に導体回路に追従し感光性組成物層と導体回路との間に空間は無かった。
△・・・５５℃では完全に導体回路に追従しなかったが、６５℃にて完全に導体回路に追従し感光性組成物層と導体回路との間に空間は無かった。
×・・・６５℃でも完全に導体回路に追従しなかった。
【０１９５】
〔難燃性〕
ＦＲ−４〔絶縁基材厚み０．３ｍｍの銅張積層板（新神戸電機社製のＣＥＬ４７５ＳＤ）の銅箔を両面エッチングしたもの〕を基材として予め準備した。ついで、前記厚み４０μｍの感光性組成物層に代えて厚み５５μｍの感光性組成物層を形成した感光性積層体を用い、上記基材両面に仮付けし、ダイヤフラム式真空ラミネート機（ニチゴー・モートン社製、「Ｖ−１３０」）を用いて、減圧時間３０秒、プラテン温度５５℃、真空度９５Ｐａ、スラップダウン８秒という条件にて積層した。つぎに、この両面を１５０ｍＪ／ｃｍ2にて露光した（ＯＲＣ「ＵＶ−３５１」積算光量計）。その後、３０℃の１重量％Ｎａ２ＣＯ３水溶液の現像槽内を、０．１５ＭＰａで４５秒のパス時間で通し、水洗、乾燥を充分に行った。その後、モデルＵＶＣＳ９２３を用いて、両面ＵＶキュアを３Ｊ／ｃｍ2（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｌｉｇｈｔ社製、「ＩＬ−３９０Ａ」での測定値）にて実施し、その後、熱キュア（１５０℃×６０分間）を行ってサンプル品を作製した。
【０１９６】
上記サンプル品を、長さ１２５±５ｍｍ、幅１３．０ｍｍ±０．５ｍｍに切り出し、米国のＵｎｄｅｒｗｒｉｔｅｒｓ  Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ  Ｉｎｃ．（以下「ＵＬ」と称す）の高分子材料の難燃性試験規格ＵＬ−９４にしたがって、垂直燃焼性試験を行った。難燃性評価は、この規格に従い、難燃性が良好なものから、Ｖ−０、Ｖ−１、Ｖ−２、ＮＯＴ−Ｖとして表記した。結果を表３に示す。
【０１９７】
【表１】
2008233421.tif 000035
【０１９８】
【化２】
2008233421.tif 000036
【０１９９】
（一般式（ＩＩＩ）で表される化合物（※６））
１，０００ｍＬ三口フラスコに１-メトキシ−２−プロパノール１５９ｇを入れ、窒素気流下、８５℃まで加熱した。これに、ベンジルメタクリレート６３．４ｇ、メタクリル酸７２．３ｇ、Ｖ−６０１（和光純薬製）４．１５ｇの１−メトキシ−２−プロパノール１５９ｇ溶液を、２時間かけて滴下した。滴下終了後、更に５時間加熱して反応させた。次いで、加熱を止め、ベンジルメタクリレート／メタクリル酸（３０／７０ｍｏｌ％比）の共重合体を得た。
次に、前記共重合体溶液の内、１２０．０ｇを３００ｍＬ三口フラスコに移し、グリシジルメタクリレート１６．６ｇ、ｐ−メトキシフェノール０．１６ｇを加え、撹拌し溶解させた。溶解後、テトラエチルアンモニウムクロリド２.４ｇを加え、１００℃に加熱し、付加反応を行った。グリシジルメタクリレートが消失したことを、ガスクロマトグラフィーで確認し、加熱を止めた。１−メトキシ−２−プロパノールを加え、固形分３０質量％の下記表１に示す高分子化合物の溶液を調製した。上記表１では、固形分を１００％としたものを使用した。
得られた高分子化合物の質量平均分子量（Ｍｗ）をポリスチレンを標準物質としたゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）により測定した結果、１５，０００であった。
また、水酸化ナトリウムを用いた滴定から、固形分あたりの酸価（カルボキシル基の含有量）は、２．２ｍｅｑ／ｇであった。
更に、ヨウ素価滴定により求めた固形分あたりのエチレン性不飽和結合の含有量（Ｃ＝Ｃ価）は、２．１ｍｅｑ／ｇであった。
【表２】
2008233421.tif 000037
表中、＊１は下記構造式（ａ）で表される構造及び（ｂ）で表される構造の混合（混合比は不明）を表す。
【化２１】
2008233421.tif 000038
【０２００】
（カルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（※７））
メチルメタクリレート／ｎ−ブチルメタクリレート／スチレン／メタクリル酸＝４５／１５／１５／２５（重量比）の割合で重合させてなるカルボキシル基含有ポリマー（重量平均分子量Ｍｗ＝１６８，０００、酸価１６３ｍｇＫＯＨ／ｇ）。なお、重量平均分子量Ｍｗは、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）装置を用い、乾燥ポリマーのＴＨＦ（テトラヒドロフラン）溶解液を、ポリスチレン基準で測定した値である。
【０２０１】
（カルボキシル基含有（メタ）アクリル系ポリマー（※８））
メチルメタクリレート／スチレン／２−エチルヘキシルアクリレート／メタクリル酸＝３１／３０／１５／２４（重量比）の割合で重合させてなるカルボキシル基含有ポリマー（重量平均分子量Ｍｗ＝４５，０００、酸価１５６ｍｇＫＯＨ／ｇ）
【０２０２】
【表３】
2008233421.tif 000039
【０２０３】
上記表３からわかるように、本発明の感光性組成物を使用した感光性積層体は、いずれも感度、解像性、現像性、可撓性、半田耐熱性、耐溶剤性、電気絶縁性、導体回路への追従性、及び難燃性の評価が良好であった。
実施例３と比較例とを比べると、比較例では、本願発明に特徴の光重合開始剤を使用していないので、感度及び解像性が劣る結果となった。
実施例１と実施例３とを比べると、実施例１では上記一般式（ＩＩＩ）で表されるバインダーを使用しているので、解像性がより優れる結果となった。
同様に、実施例４と実施例５とを比べると、実施例４では上記一般式（ＩＩＩ）で表されるバインダーを使用しているので、解像性がより優れる結果となった。
【産業上の利用可能性】
【０２０４】
本発明の感光性組成物は、感度、解像性、現像性、可撓性、半田耐熱性、耐溶剤性、電気絶縁性、導体回路への追従性、及び難燃性が良好で、高精細な永久パターンを効率よく形成可能であるため、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターン等の永久パターン、などの各種パターン形成、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁などの液晶構造部材の製造、ホログラム、マイクロマシン、プルーフの製造などに好適に用いることができ、特にプリント基板の永久パターン形成用に好適に用いることができる。