(57)【要約】【課題】  表示電極を覆う誘電体層における電極との間の空隙に影響されることなく、放電空間の密閉性が保持されるプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】  対向する一対の基板の一方の基板上に複数の表示電極を第１の方向に延長させて設け、該表示電極を誘電体層１３により被覆し、対向する基板の周辺部を封止部材により封着したＡＣ型のプラズマディスプレイパネルにおいて、前記複数の表示電極は透明電極１１ａとバス電極１１ｂとからなり前記一方の基板上において第１の方向に延長させて当該バス電極１１ｂからなる電極端部が基板周辺に導出されるように設けられ、前記誘電体層１３は気相成膜された二酸化珪素（ＳｉＯ2）からなり前記複数の表示電極の電極端部を除く当該表示電極全体を覆うように設けられ、封止ガラス３は前記表示電極の延長方向の基板周辺側において前記誘電体層１３の端縁部及び当該表示電極の電極端部の両方に跨って両部材と接触するように設けられてなる構成である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の間隙を介して対向する一対の基板の一方の基板上に複数の表示電極を第１の方向に延長させて設け、該表示電極を誘電体層により被覆し、対向する基板の周辺部を封止部材により封着したＡＣ型のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記複数の表示電極は透明電極とバス電極とからなり前記一方の基板上において第１の方向に延長させて当該バス電極からなる電極端部が基板周辺に導出されるように設けられ、
前記誘電体層は気相成膜された二酸化珪素（ＳｉＯ2）からなり前記複数の表示電極の電極端部を除く当該表示電極全体を覆うように設けられ、
前記封止部材は前記表示電極の延長方向の基板周辺側において前記誘電体層の端縁部及び当該表示電極の電極端部の両方に跨って両部材と接触するように設けられ、かつ前記表示電極の延長方向に交差する第２の方向の基板周辺側において前記誘電体層上に設けてなることを
特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記バス電極が多層の薄膜電極からなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルに関し、特に封止構造により放電  空間と外界とを遮断するＡＣ型のプラズマディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＡＣ型のプラズマディスプレイパネルについて、図６ないし図８に基づいて説明する。図６はＡＣ型パネルの代表例として知られる３電極面放電形プラズマディスプレイパネルの部分斜視図、図７はそのパネルの前面基板の要部上面図及び断面図、図８はそのパネルの要部断面図を示す。前記各図において従来の３電極面放電形プラズマディスプレイパネルは、表示放電用の主電極対１１１を配置された前面基板１０１とアドレス放電用のアドレス電極１２１を配置された背面基板１０２とからなり、この前面基板１０１と背面基板１０２との間にキセノンをネオンに混合した放電ガスを封入している構成である。前面基板１０１と背面基板１０２との間で表示領域ＥＳの周縁部には、放電空間を外から密封するための封止部材１０３が設けられている。
【０００３】
前記前面基板１０１上の主電極対１１１は、この前面基板１０１の基材となるガラス基板１１２の内面に互いに隣接するように平行して配列され、その一方がアドレス電極１２１との間でアドレス放電を発生させるためのスキャン電極として用いられる。これら主電極対１１１は透明電極１１１ａとバス電極１１１ｂとからなり、厚さ３０μｍ程度の誘電体層１１３で被覆されている。この誘電体１１３の表面にはＭｇＯからなる厚さ数千オングストロームの保護膜１１４が設けられている。
【０００４】
前記背面基板１０２上のアドレス電極１２１は、この背面基板１０２の基材となるガラス基板１２２の内面に前記主電極対１１１と交差するように配列されており、厚さ１０μｍ程度の誘電体層１２３で被覆されている。この誘電体層１２３の上には、高さ１５０μｍのストライプ状の隔壁１２４が各アドレス電極１２１の間に１つずつ設けられている。
【０００５】
前記前面基板１０１は、ガラス基板１１２上にスパッタリング法により透明電極１１１ａを形成し、透明電極１１１ａが形成されたガラス基板１１２上にＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ膜を連続成膜し、このＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ膜をレジストパターニング後順に透明電極１１１ａに対応するようにエッチングすることによりバス電極１１１ｂを形成して主電極対１１１を構成し、主電極対１１１が構成されたガラス基板１１２上にＣＶＤ法等の気相法によりＳｉＯ２等を成膜して誘電体層１１３を形成し、最後にＭｇＯを真空蒸着して保護膜１１４を形成して作成されていた。
【０００６】
背面基板１０２も作成した後、前面基板１０１と背面基板１０２との貼り合わせ段階において、まず前面基板１０１上に封止用のガラスペーストを表示領域ＥＳの周縁の誘電体層１１３にディスペンサ法により塗付する（この時の前面基板１０１の要部上面図及び断面図が図７（Ａ）、（Ｂ）となる）。次いで作成完了した前面基板１０１及び背面基板１０２を対向配置して熱処理を行う。この熱処理によりガラスペーストが焼成された封止ガラス１０３となり、放電空間を密閉する（図８参照）。
【０００７】
ここで、誘電体層１１３はＣＶＤ法等の気相法によりＳｉＯ２等を成膜して形成したが、他にもＺｎＯ系のフリットガラスで形成することもできる。これらＳｉＯ２の成膜等の方法による以前は、ＰｂＯ系等の鉛を含むフリットガラスで形成されていたが、最近では環境問題、リサイクルの観点から、利用されない傾向となっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来のＡＣ型プラズマディスプレイパネルは、以上のように構成されていたことから、前記前面基板１０１において透明電極１１１ａが形成されたガラス基板１１２上にＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ膜を連続成膜し、このＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ膜をレジストパターニング後順に透明電極１１１ａに対応するようにエッチングすることによりバス電極１１１ｂを形成した場合にバス電極１１１ｂがオーバーハング形状になると、誘電体層１１３の形成時にＣＶＤ法等の気相法ではカバーレージ出来ずにバス電極１１１ｂの両側に空隙を生じることがある。このバス電極１１１ｂの両側に空隙がある状態で保護膜１１４を形成して前面基板１０１を作成し、この前面基板１０１と背面基板１０２とを貼り合わせて封止ガラス１０３で封止し、放電ガスを封入してプラズマディスプレイパネルを完成させると、バス電極１１１ｂ両側の空隙によりパネル内の放電空間がパネル外部に通じて密閉性が保持されないという課題を有する。また、誘電体層１１３がＰｂＯ等の鉛を含んでいないフリットガラスで形成されている場合、バス電極１１１ｂとの密着性が悪く、バス電極１１１ｂ表面に空隙を有する現象が生じ、同様の課題を有する。
【０００９】
本発明は前記課題を解決するためになされ、電極の両側や表面の空隙の発生に影響されることなく、正確且つ容易に製造できる放電空間の密閉性が保持されるＡＣ型のプラズマディスプレイパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、所定の間隙を介して対向する一対の基板の一方の基板上に複数の表示電極を第１の方向に延長させて設け、該表示電極を誘電体層により被覆し、対向する基板の周辺部を封止部材により封着したＡＣ型のプラズマディスプレイパネルにおいて、前記複数の表示電極は透明電極とバス電極とからなり前記一方の基板上において第１の方向に延長させて当該バス電極からなる電極端部が基板周辺に導出されるように設けられ、前記誘電体層は気相成膜された二酸化珪素（ＳｉＯ2）からなり前記複数の表示電極の電極端部を除く当該表示電極全体を覆うように設けられ、前記封止部材は前記表示電極の延長方向の基板周辺側において前記誘電体層の端縁部及び当該表示電極の電極端部の両方に跨って両部材と接触するように設けられ、かつ前記表示電極の延長方向に交差する第２の方向の基板周辺側において前記誘電体層上に設けてなるものである。
【００１１】
このように本発明においては、透明電極とバス電極とからなり、基板周辺部に延出させた複数の表示電極の電極端部を、気相成膜された二酸化珪素（ＳｉＯ2）からなる誘電体層から表出させ、当該表出させた複数の表示電極端部と誘電体層の端縁部との両方に跨って封止部材が直接接しているので、当該封止領域において複数の表示電極端部の両側や表面に空隙を生じ、当該表示電極を通じて放電空間が外部と通じることがなくなる結果、当該封止部材で確実な密着性能を図ることにより放電空間の密閉を維持すると共に、透明電極及びバス電極からなる複数の表示電極と誘電体層との空隙が生じたとしても封止部材により放電空間の密閉を維持し、長期間安定した放電による良好な表示ができる。また、電極導出のない側の基板周辺では封止部材を誘電体層上に設けているので、一対の基板を重ね合わせて基板周辺に封止部材を配置する際、当該封止部材の誘電体層に対する位置合わせが容易である。
【００１２】
また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルは必要に応じて、バス電極が多層の薄膜電極からなるものである。このように本発明においては、前記多層の薄膜電極からなるバス電極の端部（電極端部）が基板周辺に導出されるように設けられ、且つ電極端部となるバス電極端部は誘電体層を被覆せずに露出させ、前記封止部材がバス電極を被膜した誘電体層の端縁部及び露出したバス電極端部（電極端部）の両方に跨って両部材と接しているので、前記複数の表示電極と誘電体層との空隙が生じたとしても封止部材により放電空間の密閉を維持することができる。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように本発明においては、透明電極とバス電極とからなり、基板周辺部に延出させた複数の表示電極の電極端部を、気相成膜された二酸化珪素（ＳｉＯ2）からなる誘電体層から表出させ、当該表出させた複数の表示電極端部と誘電体層の端縁部との両方に跨って封止部材が直接接しているので、当該封止領域において複数の表示電極端部の両側や表面に空隙を生じ、当該表示電極を通じて放電空間が外部と通じることがなくなる結果、当該封止部材で確実な密着性能を図ることにより放電空間の密閉を維持すると共に、透明電極及びバス電極からなる複数の表示電極と誘電体層との空隙が生じたとしても封止部材により放電空間の密閉を維持し、長期間安定した放電による良好な表示ができるという効果を有する。また、電極導出のない側の基板周辺では封止部材を誘電体層上に設けているので、一対の基板を重ね合わせて基板周辺に封止部材を配置する際、当該封止部材の誘電体層に対する位置合わせが容易となるという効果を奏する。
【００１４】
また、本発明においては、前記多層の薄膜電極からなるバス電極の端部（電極端部）が基板周辺に導出されるように設けられ、且つ電極端部となるバス電極端部は誘電体層を被覆せずに露出させ、前記封止部材がバス電極を被膜した誘電体層の端縁部及び露出したバス電極端部（電極端部）の両方に跨って両部材と接しているので、前記複数の表示電極と誘電体層との空隙が生じたとしても封止部材により放電空間の密閉を維持することができるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（本発明の第１の実施形態）
以下、第１の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルを図１または図２に基づいて説明する。図１は本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルにおける前面基板の要部上面図及び断面図、図２は本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの要部断面図を示す。前記各図において本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、従来のプラズマディスプレイパネルと同様に、表示放電用の主電極対１１を配置された前面基板１とアドレス放電用のアドレス電極２１を配置された背面基板２とを備え、この前面基板１と背面基板２とを貼り合わせ、密封された放電空間を形成するために封止ガラス３が誘電体層１３を介さず直接電極に接触状態で配設した構成である。
【００１６】
前面基板１上の主電極対１１は、この前面基板１の基材となるガラス基板１２の内面に互いに隣接するように平行して配列され、その一方がアドレス電極２１との間でアドレス放電を発生させるためのスキャン電極として用いられる。これら主電極対１１は透明電極１１ａとバス電極１１ｂとからなり、厚さ３０μｍ程度の誘電体層１３で被覆されている。この誘電体１３の表面にはＨｇＯからなる厚さ数千オングストロームの保護膜１４が設けられている。背面基板２上のアドレス電極２１は、この背面基板２の基材となるガラス基板２２の内面に前記主電極対１１と交差するように配列されており、厚さ１０μｍ程度の誘電体層２３で被覆されている。この誘電体層２３の上には、高さ１５０μｍのストライプ状の隔壁２４が各アドレス電極２１の間に１つずつ設けられている。封止ガラス３は、前面基板１と背面基板２との間で表示領域ＥＳの周縁部に配設され、前面基板１の主電極対１１と接触しており、誘電体層１３中に気泡が生じた場合でさえも、密封された放電空間を維持する。
【００１７】
次に、本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの形成動作を前面基板１の形成動作、背面基板２の形成動作、前面基板１と背面基板２との貼り合わせの順に説明する。まず前面基板１の基材であるガラス基板１２の主面に透明電極１１ａを成形する。この透明電極１１ａは、スパッタリング法によりガラス基板１２全面に酸化スズ及びインジウムとスズとの合金酸化膜をガラス基板１２全面に配置し、フォトグラフィにより所定のパターンに成形される。透明電極１１ａが成形されたガラス基板１２にバス電極１１ｂを成形する。このバス電極１１ｂは、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒの３層をスパッタリング等により連続成膜し、透明電極１１ａと同様に、フォトグラフィにより所定のパターンに成形される。透明電極１１ａ及びバス電極１１ｂがガラス基板１２に成形されることで、主電極対が形成されることとなる。
【００１８】
主電極対１１が形成されたガラス基板１２にプラズマＣＶＤ法より誘電体層１３を成形する。このプラズマＣＶＤ法は、プラズマを発生させて対象物に所定の物質を体積させる方法である。誘電体層１３を成形する場合に、前面基板１の全面に成形するのではなく、図１（Ａ）が示すように外部からの導通を確保するためにバス電極１１ｂの両端を除いて前面基板１に成形する。ここで、バス電極１１ｂの両端を除いて前面基板１に誘電体層１３を成形したが、一旦全面に誘電体層１３を成形した後にバス電極１１ｂの両端の誘電体層１３をエッチングして取り除いてもよい。この誘電体層１３を成形した後に引き続きＭｇＯからなる保護膜１４を真空蒸着して成形して、前面基板１が形成される。
【００１９】
次に、背面基板２は、前面基板１と同様にまずガラス基板２２上にアドレス電極２１を成形する。このアドレス電極２１の成形は、各種の方法が提案されており、電極の材料（Ａｇ等）を印刷により積み上げるパターン印刷、電極の材料を基板全体に塗付して焼成するケミカルエッチング及びドライフィルムフォトレジストを基板全体に貼り付けてパターニングするリフトオフ法等による。
【００２０】
アドレス電極２１を成形されたガラス基板２２に誘電体層２３を前面基板１の誘電体層１３と同様に成形する。次に誘電体層２３を成形されたガラス基板２２に隔壁２４を形成する。この隔壁２４形成は、隔壁材料の低融点ガラスペーストをガラス基板２２全面に塗布してその上にドライフィルムフォトレジストを貼り付け、露光及びエッチングして、レジストが除去された部分に対してサンドブラストにより隔壁２４の形状にする方法や他にも各種の方法が提案されている。隔壁２４が形成されたガラス基板２２に対して蛍光体２５を配設することで、背面基板２の作成が終了する。
【００２１】
前面基板１と背面基板２との貼り合わせは、図１（Ａ）、（Ｂ）が示すように前面基板１上に封止用のガラスペーストを表示領域ＥＳの周縁にディスペンサ法により塗付することで、ガラスペーストが誘電体層１３に覆われていないバス電極１１ｂに直接接触した状態で配設され、この後に、作成完了した前面基板１及び背面基板２を対向配置して熱処理を行う。この熱処理によりガラスペーストが焼成された封止ガラス３となり、放電空間を密閉する（図２参照）。この前面基板１と背面基板２との貼り合わせの後に、基板間の放電空間を排気してからＮｅ及びＸｅ等の放電ガスを充填することで、プラズマディスプレイパネルが完成される。このように本実施形態のプラズマディスプレイパネルによれば、前記封止ガラス３が両側や表面に空隙を生じるバス電極１１ｂを覆っているので、放電空間がバス電極１１ｂの両側や表面の空隙を通じて外と通じることなく、放電空間の密閉性を維持でき、長期間安定した放電に表示ができる。
【００２２】
（その他の実施形態）
なお、前記第１の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルでは、バス電極１１ｂの両端に誘電体層１３を成形せず、このバス電極１１ｂの両端に直接封止ガラス３を成形しているが、誘電体層１３にバス電極１１ｂを表出させる溝βを形成し、図３（Ｂ）及び図４が示すようにこの溝βに封止ガラス３を配設することもでき、バス電極１１ｂの両端近傍に封止ガラス３を成形してバス電極１１ｂの両端に誘電体層１３´が成形されているので、封止ガラス３により放電空間の密閉を維持すると共に、バス電極１１ｂの両端に成形された誘電体層１３´に対して容易にエッチング可能となる。
【００２３】
また、前記第１の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルでは、図５が示すように、封止ガラス３が誘電体層１３に接することなく、直接バス電極１１ｂに接触状態で配設することもできる。また、前記第１の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルでは、封止ガラス３が直接バス電極１１ｂに接触状態で配設しているが、バス電極１１ｂと同様にアドレス電極２１にも同様に適用でき、封止ガラス３が誘電体層２３を介さず直接アドレス電極２１に接触状態で配設することができる。
【実施例】
【００２４】
（実施例１）
前面基板１上にスパッタリングにより形成されたＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒを、パターニングしてバス電極１１ｂ形成後、前記プラズマＣＶＤ法を実施可能な平行平板型プラズマＣＶＤ装置を使用し、以下の条件でＳｉＯ２を図２の誘電体層１３を示す位置に５．０μｍ成膜し、  引き続きＭｇＯを保護膜１４として１．０μｍ蒸着した。
【００２５】
導入ガスと流量：  ＳｉＨ／９００ｓｃｃｍ
導入ガスと流量：  Ｎ２Ｏ／９０００ｓｃｃｍ
高周波出力：      ２．０ｋ
Ｗ基板温度：      ４００℃真空度：  ３．０Ｔｏｒｒ
【００２６】
次に、軟化点４３０℃のガラスペーストを図２の封止ガラス３の位置にディスペンサ法により塗布し、５００℃で焼成した。この前面基板１と背面基板２とを４５０℃で焼成して貼り合わせ、放電空間を真空にし、Ｎｅ−Ｘｅ混合ガスを封入し、プラズマディスプレイパネルを作成した。このプラズマディスプレイパネルに対して、１２０℃、２気圧、１００％湿度の高温高湿度試験を１２時間かけてプラズマディスプレイパネルの放電特性を評価したところ、変動は見られなかった。
【００２７】
（実施例２）
前記実施例１と同様に前面基板１のバス電極１１ｂ形成後、ＺｎＯ−Ｂ２０３−Ｂｉ２０３の混合系によるフリットガラスを図２の誘電体層１３の位置に３０μｍ成膜し、引き続きＭｇＯを保護膜１４として１．０μｍ蒸着した。次に、軟化点４３０℃のガラスペーストを図２の封止ガラス３の位置にディスペンサ法により塗布し、５００℃で焼成した。この前面基板１と背面基板２とを４５０℃で焼成して貼り合わせ、放電空間を真空にし、Ｎｅ−Ｘｅ混合ガスを封入し、プラズマディスプレイパネルを作成した。このプラズマディスプレイパネルに対して、１２０℃、２気圧、１００％湿度の高温高湿度試験を１２時間かけてプラズマディスプレイパネルの放電特性を評価したところ、変動は見られなかった。
【００２８】
（実施例３）
前面基板にＡｇペーストによりバス電極１１ｂ形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を使用し、以下の条件でＳｉＯ２を図２の誘電体層１３の位置に５．０μｍ成膜し、引き続きＭｇＯを保護膜１４として１．０μｍ蒸着した。
【００２９】
導入ガスと流量：  ＳｉＨ／９００ｓｃｃｍ
導入ガスと流量：  Ｎ２Ｏ／９０００ｓｃｃｍ
高周波出力：      ２．０ｋ
Ｗ基板温度：      ４００℃
真空度：          ３．０Ｔｏｒｒ
【００３０】
次に、軟化点４３０℃のガラスペーストを図２の封止ガラス３の位置にディスペンサ法により塗布し、５００℃で焼成した。この前面基板１と背面基板２とを４５０℃で焼成して貼り合わせ、放電空間を真空にし、Ｎｅ−Ｘｅ混合ガスを封入し、プラズマディスプレイパネルを作成した。このプラズマディスプレイパネルに対して、１２０℃、２気圧、１００％湿度の高温高湿度試験を１２時間かけてプラズマディスプレイパネルの放電特性を評価したところ、変動は見られなかった。
【００３１】
（従来の実施例）
実施例１と同様に前面基板１のバス電極１１ｂ形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を使用し、以下の条件でＳｉＯ２を図８の誘電体層１３の位置に５．０μｍ成膜し、引き続きＭｇＯを保護膜１４として１．０μｍ蒸着した。
【００３２】
導入ガスと流量：  ＳｉＨ／９００ｓｃｃｍ
導入ガスと流量：  Ｎ２Ｏ／９０００ｓｃｃｍ
高周波出力：      ２．０ｋＷ
基板温度：        ４００℃
真空度：          ３．０Ｔｏｒｒ
【００３３】
次に、軟化点４３０℃のガラスペーストを図８の封止ガラス３の位置にディスペンサ法により塗布し、５００℃で焼成した。この前面基板１と背面基板２とを４５０℃で焼成して貼り合わせ、放電空間を真空にし、Ｎｅ−Ｘｅ混合ガスを封入し、プラズマディスプレイパネルを作成した。このプラズマディスプレイパネルに対して、１２０℃、２気圧、１００％湿度の高温高湿度試験を１２時間かけてプラズマディスプレイパネルの放電特性を評価したところ、パネル端部で放電電圧が上昇し、点灯しない部分が生じた。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルにおける前面基板の要部上面図及び断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの要部断面図である。
【図３】本発明のその他の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルにおける前面基板の要部上面図及び断面図である。
【図４】本発明のその他の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの要部断面図である。
【図５】本発明のその他の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの要部断面図である。
【図６】ＡＣ型パネルの代表例として知られる３電極面放電形プラズマディスプレイパネルの部分斜視図である。
【図７】図６の前面基板の要部上面図及び断面図である。
【図８】図６の要部断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１、１０２  前面基板
２、１０２  背面基板
３、１０３  封止ガラス
１１、１１１  主電極対
１１ａ、１１１ａ  透明電極
１１ｂ、１１１ｂ  バス電極
１２、２２、１１２、１２２  ガラス基板
１３、１３´、２３、１１３、１２３  誘電体層
１４、１１４  保護膜
２１、１２１  アドレス電極
２４、１２４  隔壁
２５、１２５  蛍光体
ＥＳ  表示領域
β  溝
【図１】
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【図２】
2008204965.tif 000004
【図３】
2008204965.tif 000005
【図４】
2008204965.tif 000006
【図５】
2008204965.tif 000007
【図６】
2008204965.tif 000008
【図７】
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【図８】
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