(57)【要約】【課題】  絶縁基体の凹部内へ搭載される電子部品の気密不良の発生を抑制して、封止の信頼性を向上することが可能な電子部品収納用パッケージを提供すること。【解決手段】  上面に電子部品が搭載される凹部１０２を備えた絶縁基体１０１、及び絶縁基体１０１の凹部１０２を取り囲む蓋体接合領域１１１に被着されたメタライズ層１０５、ならびにメタライズ層１０５上に被着されたＡｕめっき層１０７を備え、Ａｕめっき層１０７上には、ＡｕＳｎ合金の共晶点におけるＡｕＳｎ質量比よりも、Ｓｎをより多く含むＡｕＳｎ合金からなるろう材１０８が被着されるための被着領域１１２を備えた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に電子部品が搭載される凹部を備えた絶縁基体、及び該絶縁基体の前記凹部を取り囲む蓋体接合領域に被着されたメタライズ層、ならびに該メタライズ層上に被着されたＡｕめっき層を備え、該Ａｕめっき層上には、ＡｕＳｎ合金の共晶点におけるＡｕＳｎ質量比よりも、Ｓｎをより多く含むＡｕＳｎ合金からなるろう材が被着されるための被着領域を備えたことを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
【請求項２】
前記メタライズ層と、前記Ａｕめっき層との間に、Ｎｉ下地層が形成されているとともに、前記Ａｕめっき層の厚みが０．３μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品収納用パッケージ。
【請求項３】
前記ろう材が、Ａｕ：Ｓｎ＝７５：２５〜Ａｕ：Ｓｎ＝６２：３８までの範囲内であることを特徴とする請求項２に記載の電子部品収納用パッケージ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージの前記凹部に電子部品を搭載するとともに、前記被着領域上に配置された前記ろう材により、前記Ａｕめっき層に蓋体を接合したことを特徴とする電子装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージの前記凹部内に電子部品を搭載する第１の工程と、
前記Ａｕめっき層上に、前記ろう材及び蓋体を配置する第２の工程と、
前記ろう材を加熱して、前記Ａｕめっき層上に前記蓋体を接合する第３の工程とを備えることを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶振動子等の電子部品が主面部に搭載される電子部品収納用パッケージ、電子装置、およびその封止技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話や自動車電話等の通信機器、コンピュータ、ＩＣカード等の情報機器等の電子機器において、周波数や時間の基準となる発振器として、水晶振動子等の電子部品が絶縁基体に搭載されて成る電子装置が広く使用されている。
【０００３】
このような電子装置を形成する絶縁基体は、セラミック材料から成る直方体状のものであり、上面に電子部品が搭載される凹部を備えている。この凹部の底面等に形成された複数の接続電極に電子部品の電極が接合・保持されることにより、電子装置が形成される。
【０００４】
従来の電子部品が搭載される電子装置は、電子部品が、絶縁基体の凹部に形成された複数の接続電極に接合材やボンディングワイヤ等により電気的・機械的に接続され、支持固定されている。この電子部品が圧電振動子の場合、接合材として導電性接着剤が使用され、接合材により保持されている保持部以外の部位が振動して所定の信号を発振する。発振された信号は、あらかじめ保持部に配置された接続電極から導体層等を介して凹部の外側に導出される。
【０００５】
また、このような電子装置では、凹部内に搭載した電子部品を気密封止するために、絶縁基体上のメタライズ層にろう材を用いて蓋体を接着することが行われる。用いられるろう材としては、ＰｂＳｎ共晶合金があるが、近年の鉛フリー化により、これに代わるものとして新たにＡｕＳｎ共晶合金からなるろう材が提案されている。尚、蓋体が搭載される絶縁基体上のメタライズ層には、Ｎｉ下地層、Ａｕメッキ層が順次被着されている。
【特許文献１】特開２００１−１９６４８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、本発明者は、従来から使用している低温のろう材であるＰｂＳｎ共晶合金と比較して、ＡｕＳｎ共晶合金は、Ａｕめっき層に対する濡れ性が劣っているということを見出した。濡れ性が悪いと絶縁基体の凹部内に電子部品が搭載されてから絶縁基体の上面に金属製の蓋体を接合しようとしても、望んだような接合がなされないことが懸念される。例えば、搭載される電子部品が圧電振動子であれば、蓋体の接合において気密不良が発生した場合には、所定の周波数特性が得られないといった発振不良が生じることから、Ａｕめっき層と蓋体とは凹部の周囲で途切れることなく接合される必要がある。
【０００７】
また、貴金属を原料とするろう材の使用量を極力少なくするために、蓋体の裏面周囲に枠状にろう材を融着したクラッドタイプの蓋体が提案されているが、枠状のろう材の幅が不均一である場合、メタライズ層に被着されたＡｕめっき層に対する濡れ性が劣っていると、さらに気密不良が発生する危険性が高くなる。
【０００８】
本発明は、かかる従来の技術における問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、絶縁基体の凹部内へ搭載される電子部品の気密不良の発生を抑制して、封止の信頼性を向上することが可能な電子部品収納用パッケージ、電子装置、およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電子部品収納用パッケージは、上面に電子部品が搭載される凹部を備えた絶縁基体、及び該絶縁基体の前記凹部を取り囲む蓋体接合領域に被着されたメタライズ層、ならびに該メタライズ層上に被着されたＡｕめっき層を備え、該Ａｕめっき層上には、ＡｕＳｎ合金の共晶点におけるＡｕＳｎ質量比よりも、Ｓｎをより多く含むＡｕＳｎ合金からなるろう材が被着されるための被着領域を備えたことを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の電子部品収納用パッケージは、好ましくは、前記メタライズ層と、前記Ａｕめっき層との間に、Ｎｉ下地層が形成されているとともに、前記Ａｕめっき層の厚みが０．３μｍ以上であることを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明の電子部品収納用パッケージは、好ましくは、前記ろう材が、Ａｕ：Ｓｎ＝７５：２５〜Ａｕ：Ｓｎ＝６２：３８までの範囲内であることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の電子装置は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージの前記凹部に電子部品を搭載するとともに、前記被着領域上に配置された前記ろう材により、前記Ａｕめっき層に蓋体を接合したことを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の電子装置の製造方法は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージの前記凹部内に電子部品を搭載する第１の工程と、前記Ａｕめっき層上に、前記ろう材及び蓋体を配置する第２の工程と、前記ろう材を加熱して、前記Ａｕめっき層上に前記蓋体を接合する第３の工程とを備えることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の電子部品収納用パッケージは、Ａｕめっき層上に、ＡｕＳｎ合金の共晶点におけるＡｕＳｎ質量比よりも、Ｓｎをより多く含むＡｕＳｎ合金からなるろう材が被着されるための被着領域を備えている。蓋体が接合される際に、この被着領域に上記ろう材が被着されることにより、Ａｕめっき層中にＡｕＳｎ合金のＳｎ成分が食われたとしても、ろう材がＡｕリッチ（ＡｕＳｎ合金の共晶点での質量比に比べて、Ａｕの質量比が過剰であることをいう。）となることが抑制される。Ａｕリッチである場合、ＡｕＳｎ合金がＳｎリッチ（ＡｕＳｎ合金の共晶点での質量比に比べて、Ｓｎの質量比が過剰であることをいう。）である場合に比較して、融点の温度上昇が極めて急激である。従って、ＡｕＳｎ合金の融点が急激に上昇して濡れ性が極端に悪化することを抑制できる。従って、Ａｕめっき層上に十分にろう材が広がり、蓋体とＡｕめっき層とを良好に接合することが可能となる。
【００１５】
また、本発明の電子部品収納用パッケージは、好ましくは、メタライズ層と、Ａｕめっき層との間に、Ｎｉ下地層が形成されているとともに、Ａｕめっき層の厚みが０．３μｍ以上であることから、蓋体を絶縁基体の上面に形成されたＡｕめっき層上に接合する際に、０．３μｍ未満のＮｉの拡散による濡れ性の悪化を抑制し、蓋体とＡｕめっき層とをさらに良好に接合することが可能となる。
【００１６】
また、本発明の電子部品収納用パッケージは、好ましくは、前記ろう材が、Ａｕ：Ｓｎ＝７５：２５〜Ａｕ：Ｓｎ＝６２：３８までの範囲内であることから、０．３μｍ以上の厚みを有するＡｕめっき層側にＡｕＳｎ合金のＳｎ成分が食われたとしても、ろう材がＡｕリッチとなりＡｕＳｎ合金の融点が上昇して濡れ性が悪化することを抑制できる。
【００１７】
またＡｕ：Ｓｎ＝６２：３８の質量比は、ＡｕＳｎ合金の融点の極大点（Ａｕリッチの範囲内で、この質量比よりもＳｎの質量比が高かろうが低かろうが融点が下がる点）であることから、この極大点を超えてさらにＳｎの質量比が高くなると、合金中のＳｎがＡｕめっき層に食われた場合に、質量比が極大点に向かってしまい、却って融点が上昇してしまう。融点の上昇は、濡れ性を悪くすることから、ＡｕＳｎの質量比は、Ａｕ：Ｓｎ＝６２：３８までの範囲内であることが好ましい。
【００１８】
本発明の電子装置は、上記のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージの凹部に電子部品を搭載するとともに、被着領域上に配置されたろう材により、Ａｕめっき層に蓋体を接合したことから、凹部の内側に電子部品を搭載して蓋体により凹部を塞ぐ際に、より確実な封止を可能にした信頼性に優れた電子装置を提供できる。
【００１９】
本発明の電子装置の製造方法は、上記のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージの凹部内に電子部品を搭載する第１の工程と、Ａｕめっき層上に、ろう材及び蓋体を配置する第２の工程と、ろう材を加熱して、Ａｕめっき層上に蓋体を接合する第３の工程とを備えることから、凹部の内側に電子部品を搭載し、蓋体により凹部を塞ぐ際に、ろう材の融点が上昇しにくいことから、電子部品への封止時の熱の影響が小さく、より確実な封止を可能にした電子装置の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の電子部品収納用パッケージ（電子装置）にかかる実施例について添付の図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】
図１（ａ）は本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の一例を示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ−Ｘ´線における断面図である。図１（ａ）および図１（ｂ）において、１０１は絶縁基体、１０２は凹部、１０３は接続電極、１０４は電子部品（この例では圧電振動子）、１０５はメタライズ層である。
【００２２】
また、図１（ｂ）において、要部Ａの構造についてわかり易いように図１（ｃ）に拡大図を示す。図１（ｃ）において、１０５はメタライズ層、１０６はＮｉ下地層、１０７はＡｕめっき層、１０８はろう材、１０９は蓋体である。このろう材１０８は、ＡｕＳｎ組成から構成されており、Ａｕめっき層１０７と蓋体１０９とを接合して絶縁基体１０１の凹部１０２内を気密に封止するためのものである。さらに、ろう材１０８の形成領域は、蓋体１０９とろう材１０８が接触する蓋体接合領域１１１と、ろう材１０８とＡｕめっき層１０７が接触する被着領域１１２で形成されている。
【００２３】
絶縁基体１０１は、電子部品１０４を搭載し保持するためのものであり、例えば、直方体状の主面部を備える形状に形成される。また絶縁基体１０１は、上面に凹部１０２を有しており、この凹部１０２の底部に形成される２つの接続電極１０３が電子部品１０４の搭載される主面部となっている。
【００２４】
本実施形態において、絶縁基体１０１は、上面に電子部品１０４が搭載される主面部を有する平板部分の上面に、電子部品１０４が搭載される部位を取り囲むように枠体が取着されてなる構造である。平板部分と枠体とで構成される凹部１０２に電子部品１０４が収容される。
【００２５】
このような絶縁基体１０１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，ガラスセラミックス焼結体等のセラミックス材料により形成されている。
【００２６】
絶縁基体１０１は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、平板状や枠状の複数枚のセラミックグリーンシートを積層し、これを焼成することにより形成される。平板状のセラミックグリーンシートは、例えば、酸化アルミニウムや酸化ケイ素、酸化カルシウム等の原料粉末を有機溶剤、バインダー等とともにドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート形成技術を用いて長尺のシート状に成形し、これを所定の寸法に切断することにより作製することができる。また、枠状のセラミックグリーンシートは、平板状のセラミックグリーンシートの中央部を、金型を用いた打ち抜き加工等を用いて打ち抜き、枠状に成形することにより作製することができる。
【００２７】
この絶縁基体１０１の凹部１０２内に電子部品１０４が搭載される。電子部品１０４が圧電振動子であれば、音叉型と呼ばれる片側端部が担持される２股に分岐した形状の水晶片やＡＴカットと呼ばれる両端部で担持される直方体状の水晶片が搭載される。そして、水晶片の一方端部または両端部が接合材１１３を介して絶縁基体１０１の凹部１０２の底部に形成される複数の接続電極１０３に接合されて振動可能に保持される。そして、水晶片が屈曲振動や厚みすべり運動等の姿態により振動して、周波数や時間の基準となる基準信号を発振する。
【００２８】
尚、このような水晶片は、例えば、水晶の結晶体を所定の結晶軸に沿って板状や音叉形状に切り出され、これに電極を形成することにより作製される。
【００２９】
また、絶縁基体１０１の凹部１０２の底面に形成された接続電極１０３から絶縁基体１０１の下面にかけて、導体層１１４が形成されている。
【００３０】
接続電極１０３や導体層１１４は、圧電振動子と電気的に接続され、これを外部の電気回路と電気的に接続させる導電路として機能する。すなわち、接続電極１０３に、導電性接着剤からなる接合材１１３を介して圧電振動子を電気的、機械的に接続するとともに、導体層１１４のうち、絶縁基体１０１の下面に露出する部位を外部回路基板（図示せず）にはんだ等を介して電気的に接続することにより、圧電振動子が、接続電極１０３および導体層１１４を介して外部回路基板と電気的に接続される。
【００３１】
この電気的接続により、圧電振動子の発振する基準信号の外部回路基板への供給や、外部回路基板から圧電振動子への電力の供給等が行なわれる。外部回路基板は、例えば、携帯電話やノートパソコン等の電子機器に組み込まれる実装用基板（マザーボード等、図示せず）に形成されている電気回路である。
【００３２】
接続電極１０３や導体層１１４は、タングステン，モリブデン，マンガン，銅，銀，パラジウム，金，白金等の金属材料から成り、メタライズ層やめっき層等の形態で形成される。接続導体１０３および導体層１１４は、例えば、タングステンのメタライズ層から成る場合であれば、タングステン粉末に有機溶剤、バインダーを添加して作製した金属ペーストを、絶縁基体１０１となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷しておくことにより形成することができる。
【００３３】
また、導体層１１４のうち、凹部１０２内から絶縁基体１０１の下面にかけて形成される導体層１１４は、例えばビア導体や絶縁基体１０１の外周に形成した切り欠き部（いわゆるキャスタレーション、図示せず）の内面に被着させたメタライズ層により導出するように形成されている。
【００３４】
本発明の電子部品収納用パッケージによれば、Ａｕめっき層１０７上には、ＡｕＳｎ合金の共晶点におけるＡｕＳｎ質量比よりも、Ｓｎをより多く含むＡｕＳｎ合金からなるろう材１０８が被着されるための被着領域１１２を備えている。
【００３５】
尚、本件明細書において、ＡｕＳｎ合金の共晶点におけるＡｕＳｎ質量比、及びＡｕＳｎ共晶合金とは、ＡｕＳｎ質量比が、Ａｕ：Ｓｎ＝８２：１８〜Ａｕ：Ｓｎ＝７８：２２である質量比、或いはこの質量比であるＡｕＳｎ合金をいう。
【００３６】
従って、蓋体が接合される際に、被着領域にろう材１０８が被着されることにより、Ａｕめっき層１０７中にＡｕＳｎ合金のＳｎ成分が食われたとしても、ろう材１０８がＡｕリッチ（ＡｕＳｎ合金の共晶点での質量比に比べて、Ａｕの比率が過剰であることをいう。）となることが抑制される。Ａｕリッチである場合、ＡｕＳｎ合金がＳｎリッチ（ＡｕＳｎ合金の共晶点での質量比に比べて、Ｓｎの比率が過剰であることをいう。）である場合に比較して、質量比の変化に対する融点の温度上昇が極めて急激である。従って、ＡｕＳｎ合金の融点が急激に上昇して濡れ性が極端に悪化することを抑制できる。これによりＡｕめっき層１０７上に十分にろう材１０８が広がり、蓋体１０９とＡｕめっき層１０７とを良好に接合することが可能となる。
【００３７】
尚、図１ｃに示すように、Ａｕめっき層１０７の被着領域１１２のうち、平面視で蓋体１０９よりも外側の領域において、ろう材１０８により蓋体１０９の側面にフィレット１０８Ｆを形成させた場合、その他の領域に比較して、フィレット１０８Ｆのろう材１０８の厚みが薄くなってしまう。このため、Ａｕめっき層とＡｕＳｎ合金との体積比率を考慮したときに、この領域ではＡｕめっき層の比率が高くなる為、特にＡｕＳｎ合金のＳｎ成分が食われることによりろう材１０８の融点の上昇が発生し易かったが、本発明のろう材１０８を用いることにより、この領域においても融点の上昇が抑制される。従って、裾野がより外側まで良好に広がったフィレット１０８Ｆが形成され、蓋体が良好に接合され、密閉性が向上する。
【００３８】
絶縁基体１０１の凹部１０２を密閉する蓋体１０９は、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属からなり、その接合面にろう材１０８が被着されている。また、ろう材の厚みは絶縁基体１０１の大きさにもよるが、１５〜４０μｍ程度で形成されており、蓋体１０９の変形等があったとしても絶縁基体１０１のＡｕめっき層１０７の周囲において途切れることなく接合できるように十分な量のろう材１０８が確保されている。尚、この蓋体１０９は、ろう材１０８が上述したフィレット１０８Ｆを形成するために、その外周がＡｕめっき層の外周よりも内側に位置するように形成される。
【００３９】
また、本発明の電子部品収納用パッケージによれば、好ましくは、メタライズ層１０５と、Ａｕめっき層１０７との間に、Ｎｉ下地層１０６が形成されているとともに、Ａｕめっき層１０７の厚みが０．３μｍ以上である。
【００４０】
この構成により、蓋体１０９を絶縁基体１０１の上面に形成されたＡｕめっき層１０７上に接合する際に、Ｎｉ下地層からのＮｉがＡｕめっき層の上面に拡散することによる濡れ性の悪化を抑制でき、蓋体１０９とＡｕめっき層１０７とをさらに良好に接合することが可能となる。
【００４１】
また、本発明の電子部品収納用パッケージによれば、好ましくは、ろう材１０８が、Ａｕ：Ｓｎ＝７５：２５〜Ａｕ：Ｓｎ＝６２：３８までの範囲内である。従って、０．３μｍ以上の厚みを有するＡｕめっき層１０７にＡｕＳｎ合金のＳｎ成分が食われたとしても、ろう材がＡｕリッチとなりＡｕＳｎ合金の融点が上昇して濡れ性が悪化することを抑制できる。
【００４２】
またＡｕ：Ｓｎ＝６２：３８の質量比は、ＡｕＳｎ合金の融点の極大点（Ａｕリッチの範囲内で、この質量比よりもＳｎの質量比が高かろうが低かろうが融点が下がる点）であることから、この極大点を超えてさらにＳｎの質量比が高くなると、合金中のＳｎがＡｕめっき層に食われた場合に、質量比が極大点に向かってしまい、却って融点が上昇してしまう。融点の上昇は、濡れ性を悪くすることから、ＡｕＳｎの質量比は、Ａｕ：Ｓｎ＝６２：３８までの範囲内であることが好ましい。
【００４３】
例えば、Ａｕ：Ｓｎ＝７５：２５の重量比で構成されるろう材１０８を用いて凹部１０２を封止する場合、Ｓｎが食われる前のろう材１０８そのものの融点は３４０℃程度であり、蓋体１０９をＡｕめっき層１０７に接合する際の熱処理温度が３８０℃であれば、ろう材１０８そのものの融点と熱処理温度との温度差は４０℃となるが、Ａｕめっき層１０８にＡｕＳｎ合金のＳｎ成分が食われた場合、そのろう材１０８の融点は極大点から離れて低下する結果、実際の融点と熱処理温度との温度差が４０℃よりも大きくなる傾向にあるため、ろう材１０８を十分に溶融させて濡れ性を良好にすることができる。
【００４４】
本発明の電子装置によれば、上記のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージ（絶縁基体１０１）の凹部１０２に電子部品１０４を搭載するとともに、被着領域１１２上に配置されたろう材１０８により、Ａｕめっき層１０７に蓋体１０９を接合している。
【００４５】
これにより、凹部１０２の内側に電子部品１０４を搭載して蓋体１０９により凹部１０２を塞ぐ際に、より確実な封止を可能にした信頼性に優れた電子装置を提供できる。
【００４６】
ここで、メタライズ層１０５は、タングステンやモリブデン等の金属粉末焼結体からなる。メタライズ層１０５は、例えば、幅が０．２〜０．５ｍｍ程度で厚みが１０〜５０μｍ程度の枠状で形成されている。メタライズ層１０５は、絶縁基体１０１に蓋体１０９を接合させるための下地金属として機能している。このメタライズ層１０５上に蓋体１０９がろう材１０８を介して接合されている。
【００４７】
また、接続電極１０３や導体層１１４の露出表面には、各導体の酸化腐食を抑制するとともに接続電極１０３と電子部品１０４の電極との接続および外部回路基板との接続を強固なものとするために、Ｎｉ・Ａｕ等のめっき層、例えば１〜１０μｍ程度の厚みのＮｉめっき層（Ｎｉ下地層１０６となる）と０．３〜３μｍ程度の厚みのＡｕめっき層１０７から成るめっき層が順次被着されている。尚、Ａｕめっき層１０７の厚みが０．３μｍ未満であると、蓋体１０９を絶縁基体１０１の上面に形成されたＡｕめっき層１０７上に接合する際に、Ｎｉ下地層１０６のＮｉがＡｕめっき層１０７の表面に拡散してしまい濡れ性の悪化を招く可能性があるため、好ましくない。
【００４８】
そしてメタライズ層１０５と蓋体１０９とのろう材１０８を介した接合は、例えばトンネル炉、バッチ炉等の熱処理方法により行なわれている。その他の熱処理方法として、電子ビーム溶接やエレクトロンビーム溶接等でも可能である。この場合、Ｎｉ下地層１０６のＮｉがＡｕめっき層１０７の表面に拡散しない範囲で蓋体１０９が局所的に加熱されてろう材１０８の融点以上となることにより、凹部１０２内を良好に気密封止することが可能である。
【００４９】
そして、本発明の電子装置の製造方法によれば、上記のいずれかに記載の電子部品収納用パッケージ（絶縁基体１０１）の凹部１０２内に電子部品１０４を搭載する第１の工程と、Ａｕめっき層１０７上に、ろう材１０８及び蓋体１０９を配置する第２の工程と、ろう材１０８を加熱して、Ａｕめっき層１０７上に蓋体１０９を接合する第３の工程とを備えている。
【００５０】
これにより、凹部１０２の内側に電子部品１０４を搭載し、蓋体１０９により凹部１０２を塞ぐ際に、ろう材１０８の融点が上昇しにくいことから、電子部品１０４への封止時の熱の影響が小さく、より確実な封止を可能にした電子装置の製造方法を実現できる。
【００５１】
まず、本発明の製造方法の第１の工程において、電子部品１０４が絶縁基体１０１の凹部１０２に形成された複数の接続電極１０３に接合材１１３やボンディングワイヤ（図示せず）等により電気的・機械的に接続され、支持固定される。電子部品１０４が例えば、圧電振動子である場合、電子部品１０４を保持する接合材１１３としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル等の金属粉末やカーボン粉末等の導電性フィラーをエポキシ樹脂等の樹脂中に混合してなる導電性接着剤を用いることができる。
【００５２】
また、第２の工程において、Ａｕめっき層１０７上に、ろう材１０８及び蓋体１０９が配置される。この場合、例えば、裏面にろう材１０８が被着形成されている蓋体１０９を絶縁基体１０１の上面中央に重ね合わせて、ろう材１０８とＡｕめっき層１０７が接触するようにバネやクリップ等を用いた固定治具によって絶縁基体１０１上に仮固定される。
【００５３】
さらに、第３の工程において、ろう材１０８を加熱して、Ａｕめっき層１０７上に蓋体１０９を接合する。この場合、例えばトンネル炉内にろう材１０８を挟んで蓋体１０９が仮固定された絶縁基体１０１を搬送し、ろう材１０８の融点以上となるように昇温させることにより、ろう材１０８を溶融させて蓋体１０９に被着形成されたろう材１０８と絶縁基体１０１の上面に形成されたＡｕめっき層１０７が接合される。このとき、ろう材１０８が溶融して凹部１０２内が気密封止されるまでの間、接合材１１３や電子部品１０４の電極等が酸化されないように、不活性ガスである窒素ガス等をトンネル炉内に導入して還元雰囲気で処理することが好ましい。ここで、熱処理方法がバッチ式の加熱炉を用いる方法であれば、加熱炉内を真空状態として加熱することにより、蓋体１０９に被着形成されたろう材１０８と絶縁基体１０１の上面に形成されたＡｕめっき層１０７を接合して凹部１０２内を気密封止することも可能である。溶融したろう材１０８は、Ａｕめっき層１０７との濡れ性が良好となることから、蓋体１０９の外周側面にはろう材１０８のフィレット１０８Ｆが形成される。
【００５４】
なお、本発明は上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の形態に変形できる。
【００５５】
例えば、上述の例では絶縁基体に搭載される電子部品を圧電振動子としたが、半導体素子やその他の電子部品、または、複数の電子部品を同時に凹部内に収容した形態の電子装置であってもよい。
【００５６】
また、蓋体については鉄−ニッケル−コバルト合金としたが、その他の線膨張係数の低い金属、例えば、鉄−ニッケルを用いてもかまわない。さらに、蓋体を絶縁基体と同じ材質のセラミック材料等で形成しておき、絶縁基体の上面のＡｕめっき層と接合できるように、蓋体の裏面に枠状のメタライズ層、Ｎｉ下地層、Ａｕめっき層を順次形成してろう材により凹部を封止する構造としてもよい。この場合、凹部の内側に電子部品を搭載して蓋体により凹部を塞ぐ際に、絶縁基体側のＡｕめっき層だけではなく蓋体側のＡｕめっき層においてもＡｕＳｎ合金のＳｎ成分が食われることになり、ろう材の融点が低い方向へ移動することから、ろう材の本来の融点と熱処理温度との温度差が小さくなることを効果的に抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】（ａ）は本発明の電子部品収納用パッケージ、電子装置の実施の形態の一例を示す平面図であり、（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ´における断面図、（ｃ）は図１（ｂ）の要部拡大図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０１・・・・・絶縁基体
１０２・・・・・凹部
１０３・・・・・接続電極
１０４・・・・・電子部品
１０５・・・・・メタライズ層
１０６・・・・・Ｎｉ下地層
１０７・・・・・Ａｕめっき層
１０８・・・・・ろう材（ＡｕＳｎ合金）
１０８Ｆ・・・・フィレット
１０９・・・・・蓋体
１１０・・・・・外部電極
１１１・・・・・蓋体接合領域
１１２・・・・・被着領域
１１３・・・・・接合材
１１４・・・・・導体層
Ａ・・・・・・・要部
【図１】
2008186917.tif 000003