(57)【要約】【課題】コンタクタを基板に固定する際に、接着剤を短時間でしかも十分に硬化させることが可能なコンタクタの実装方法を提供する。【解決手段】シリコンフィンガコンタクタ５０をプローブ基板４１に実装するコンタクタの実装方法は、基板４１に接着剤を塗布する塗布ステップと、基板４１上において接着剤が塗布された塗布位置４３に、シリコンフィンガコンタクタ５０を位置決めする位置決めステップと、シリコンフィンガコンタクタ５０においてシリコンから構成されるベース部５１及び梁部５３を介して、基板４１上に塗布された接着剤４３に向かって、波長が１２００ｎｍ以上のレーザ光を照射する照射ステップと、を備えている。【選択図】図１０Ｃ
2008232722.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被試験電子部品のテストに際して前記被試験電子部品の入出力端子と電気的に接触するコンタクタを、基板に実装するコンタクタの実装方法であって、
前記基板に接着剤を塗布する塗布ステップと、
前記基板上において前記接着剤が塗布された位置に、前記コンタクタを位置決めする位置決めステップと、
前記基板に塗布された前記接着剤に向かって、波長が１２００ｎｍ以上の光を照射する照射ステップと、を備え、
前記コンタクタは、波長が１２００ｎｍ以上の光を透過する材料から構成される透過部分を有しており、
前記照射ステップにおいて、前記透過部分を介して、前記接着剤に向かって波長が１２００ｎｍ以上の光を照射するコンタクタの実装方法。
【請求項２】
前記照射ステップにおいて、前記基板に塗布された接着剤に向かって、波長が１２００ｎｍ以上のレーザ光を照射する請求項１記載のコンタクタの実装方法。
【請求項３】
前記コンタクタが有する前記透過部分は、シリコンから構成されている請求項１又は２記載のコンタクタの実装方法。
【請求項４】
前記基板は、波長が１２００ｎｍ以上の光を透過しない材料から構成されている請求項１〜３の何れかに記載のコンタクタの実装方法。
【請求項５】
前記接着剤は、波長が１２００ｎｍ以上の光を透過しない材料を含有している請求項１〜４の何れかに記載のコンタクタの実装方法。
【請求項６】
前記コンタクタは、
前記基板に前記接着剤により固定されるベース部と、
後端側が前記ベース部に設けられ、先端側が前記ベース部から突出している梁部と、
前記梁部の表面に形成され、前記被試験電子部品の入出力端子に電気的に接触する導電部と、を有し、
前記ベース部及び前記梁部は、シリコンから構成されている請求項１〜５の何れかに記載のコンタクタの実装方法。
【請求項７】
被試験電子部品のテストに際して前記被試験電子部品の入出力端子と電気的に接触するコンタクタを基板に実装するコンタクタ実装装置であって、
前記基板の所定位置に接着剤を塗布する塗布手段と、
前記コンタクタを保持する保持手段と、
前記コンタクタに対して前記基板を相対移動させて、前記基板上において前記接着剤が塗布された位置に前記コンタクタを位置決めする移動手段と、
波長が１２００ｎｍ以上の光を照射する照射手段と、を備え、
前記照射手段は、前記基板上に位置決めされた前記コンタクタにおいて、波長が１２００ｎｍ以上の光を透過する材料から構成される透過部分を介して、前記接着剤に向かって波長が１２００ｎｍ以上の光を照射するコンタクタ実装装置。
【請求項８】
前記照射手段は、波長が１２００ｎｍ以上のレーザ光を照射するレーザ照射手段である請求項７記載のコンタクタ実装装置。
【請求項９】
前記コンタクタが有する前記透過部分は、シリコンから構成されている請求項７又は８記載のコンタクタ実装装置。
【請求項１０】
前記基板は、波長が１２００ｎｍ以上の光を透過しない材料から構成されている請求項７〜９の何れかに記載のコンタクタ実装装置。
【請求項１１】
前記接着剤は、波長が１２００ｎｍ以上の光を透過しない材料を含有している請求項７〜１０の何れかに記載のコンタクタ実装装置。
【請求項１２】
前記コンタクタは、
前記基板に前記接着剤により固定されるベース部と、
後端側が前記ベース部に設けられ、先端側が前記ベース部から突出している梁部と、
前記梁部の表面に形成され、前記被試験電子部品の入出力端子に電気的に接触する導電部と、を有し、
前記ベース部及び前記梁部は、シリコンから構成されている請求項７〜１１の何れかに記載のコンタクタ実装装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路等の電気部品（以下、代表的にＩＣデバイスとも称する。）のテストに際して、ＩＣデバイスとの電気的な接続を確立するプローブカードにおいて、ＩＣデバイスの入出力端子と電気的に接触するためのコンタクタをプローブ基板に実装するためのコンタクタの実装方法及びコンタクタ実装装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路素子は、シリコンウェハ等に多数造り込まれた後、ダイシング、ボンディング及びパッケージング等の諸工程を経て電子部品として完成する。こうしたＩＣデバイスにあっては、出荷前に動作テストが行われるが、このＩＣテストは完成品の状態でもウェハ状態でも実施される。
【０００３】
ウェハ状態のＩＣデバイスのテストに際して、当該ＩＣデバイスとの電気的な接続を確立するためのプローブ針として、プローブ基板に取り付けられるベース部と、後端側がベース部に設けられ、先端側がベース部から突出している梁部と、梁部の表面に形成され、ＩＣデバイスの入出力端子と電気的に接触する導電部と、を有するもの（以下単に、「シリコンフィンガコンタクタ」とも称する。）が従来から知られている（例えば、特許文献１乃至３参照）。
【０００４】
こうしたシリコンフィンガコンタクタを用いてプローブカードを製作する場合には、プローブ基板の所定位置に紫外線硬化型接着剤を塗布し、その塗布位置にシリコンフィンガコンタクタのベース部を位置決めし、ベース部を塗布位置に押し付けた状態で当該塗布位置に向かって紫外線を照射することで、シリコンフィンガコンタクタを基板上に固定している。
【０００５】
しかしながら、紫外線はシリコンをほとんど透過することがないので、上記の紫外線照射の際、基板に塗布された接着剤においてシリコンフィンガコンタクタの影となる部分には紫外線が届かないために十分に硬化せず、シリコンフィンガコンタクタの実装位置にズレが生じてしまい、十分な実装精度を確保することができない場合があった。
【０００６】
特に、シリコンフィンガコンタクタとの接触時にＩＣデバイスの入出力端子が損傷するのを防止するために、基板に対してシリコンフィンガコンタクタを出来る限り倒した姿勢で実装した方が好ましいが、基板に対してシリコンフィンガコンタクタを倒すほど、基板に塗布された接着剤がシリコンフィンガコンタクタの影に入ってしまい、上記の傾向がより顕著となる。
【０００７】
このような問題に対して、紫外線硬化によりシリコンフィンガコンタクタを基板上に仮止めした後に、さらにオーブンに投入して接着剤を熱硬化させることで、シリコンフィンガコンタクタを基板上に固定しており、シリコンフィンガコンタクタを基板に実装するのに長時間を費やしている。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−２４９７２２号公報
【特許文献２】特開２００１−１５９６４２号公報
【特許文献３】国際公開第０３／０７１２８９号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明が解決しようとする課題は、コンタクタを基板に固定する際に、接着剤を短時間でしかも十分に硬化させることが可能なコンタクタの実装方法及びコンタクタの実装装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の第１の観点によれば、被試験電子部品のテストに際して前記被試験電子部品の入出力端子と電気的に接触するコンタクタを、基板に実装するコンタクタの実装方法であって、前記基板に接着剤を塗布する塗布ステップと、前記基板上において前記接着剤が塗布された位置に、前記コンタクタを位置決めする位置決めステップと、前記基板に塗布された前記接着剤に向かって、波長が１２００ｎｍ以上の光を照射する照射ステップと、を備え、前記コンタクタは、波長が１２００ｎｍ以上の光を透過する材料から構成される透過部分を有しており、前記照射ステップにおいて、前記透過部分を介して、前記接着剤に向かって波長が１２００ｎｍ以上の光を照射するコンタクタの実装方法が提供される。
【００１１】
上記発明においては特に限定されないが、前記照射ステップにおいて、前記基板に塗布された接着剤に向かって、波長が１２００ｎｍ以上のレーザ光を照射することが好ましい。
【００１２】
上記発明においては特に限定されないが、前記コンタクタが有する前記透過部分は、シリコンから構成されていることが好ましい。
【００１３】
上記発明においては特に限定されないが、前記基板は、波長が１２００ｎｍ以上の光を透過しない材料から構成されていることが好ましい。具体的には、前記基板は、ガラスエポキシ樹脂材料、ポリイミド樹脂材料又はセラミックスから構成されていることが好ましい。
【００１４】
上記発明においては特に限定されないが、前記接着剤は、波長が１２００ｎｍ以上の光を透過しない材料を含有していることが好ましい。
【００１５】
上記発明においては特に限定されないが、前記コンタクタは、前記基板に前記接着剤により固定されるベース部と、後端側が前記ベース部に設けられ、先端側が前記ベース部から突出している梁部と、前記梁部の表面に形成され、前記被試験電子部品の入出力端子に電気的に接触する導電部と、を有し、前記ベース部及び前記梁部は、シリコンから構成されていることが好ましい。
【００１６】
（２）上記目的を達成するために、本発明の第２の観点によれば、被試験電子部品のテストに際して前記被試験電子部品の入出力端子と電気的に接触するコンタクタを基板に実装するコンタクタ実装装置であって、前記基板の所定位置に接着剤を塗布する塗布手段と、前記コンタクタを保持する保持手段と、前記コンタクタに対して前記基板を相対移動させて、前記基板上において前記接着剤が塗布された位置に前記コンタクタを位置決めする移動手段と、波長が１２００ｎｍ以上の光を照射する照射手段と、を備え、前記照射手段は、前記基板上に位置決めされた前記コンタクタにおいて、波長が１２００ｎｍ以上の光を透過する材料から構成される透過部分を介して、前記接着剤に向かって波長が１２００ｎｍ以上の光を照射するコンタクタ実装装置が提供される。
【００１７】
上記発明においては特に限定されないが、前記照射手段は、波長が１２００ｎｍ以上のレーザ光を照射するレーザ照射手段であることが好ましい。
【００１８】
上記発明においては特に限定されないが、前記コンタクタが有する前記透過部分は、シリコンから構成されていることが好ましい。
【００１９】
上記発明においては特に限定されないが、前記基板は、波長が１２００ｎｍ以上の光を透過しない材料から構成されていることが好ましい。具体的には、前記基板は、ガラスエポキシ樹脂材料、ポリイミド樹脂材料又はセラミックスから構成されていることが好ましい。
【００２０】
上記発明においては特に限定されないが、前記接着剤は、波長が１２００ｎｍ以上の光を透過しない材料を含有していることが好ましい。
【００２１】
上記発明においては特に限定されないが、前記コンタクタは、前記基板に前記接着剤により固定されるベース部と、後端側が前記ベース部に設けられ、先端側が前記ベース部から突出している梁部と、前記梁部の表面に形成され、前記被試験電子部品の入出力端子に電気的に接触する導電部と、を有し、前記ベース部及び前記梁部は、シリコンから構成されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明では、基板に接着剤を塗布して、当該塗布位置にコンタクタを位置決めした後に、コンタクタの透過部分を介して、塗布位置に、波長が１２００ｎｍ以上の光を照射する。１２００ｎｍ以上の波長の光により塗布位置の基板が加熱されて接着剤が硬化され、又は、１２００ｎｍ以上の波長の光により接着剤自体が硬化する。これにより、接着剤においてコンタクタの影になってしまう部分も十分に硬化させることができる。また、１２００ｎｍ以上の波長の光を照射した後にオーブンへ投入する工程は不要であるので、コンタクタを基板に短時間で実装することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２４】
図１は本発明に係る製造方法により製造されるコンタクタを備えた電子部品試験装置を示す概略図、図２は図１の電子部品試験装置に用いられるテストヘッド及びプローブカードの接続関係を示す概念図である。
【００２５】
本発明に係るコンタクタの製造方法を説明する前に、当該製造方法により製造されるコンタクタを用いた電子部品試験装置について概説する。
【００２６】
電子部品試験装置１は、図１に示すように、テストヘッド１０、テスタ９０（試験装置本体）及びプローバ１００から構成されている。テスタ９０は、ケーブル束９１を介してテストヘッド１０に電気的に接続されており、半導体ウェハ２００上に造り込まれたＩＣデバイスに対してＤＣ信号やデジタル信号を入出力することが可能となっている。
【００２７】
図１及び図２に示すように、テストヘッド１０内には、多数のプリント回路基板１１が設けられており、これらプリント回路基板１１は、数百の内部ケーブルを有するケーブル束９１を介してテスタ９０に接続されている。また、各プリント回路基板１１は、マザーボード２１と接続するためのコネクタ１２にそれぞれ電気的に接続されており、インタフェース部２０のマザーボード２１上のコンタクト端子２１ａと電気的に接続することが可能となっている。
【００２８】
テストヘッド１０とプローバ１００とは、インタフェース部２０を介して接続されており、このインタフェース部２０は、マザーボード２１、ウェハパフォーマンスボード２２及びフロッグリング２３から構成されている。マザーボード２１には、テストヘッド１０側のコネクタ１２と電気的に接続するためのコンタクト端子２１ａと、ウェハパフォーマンスボード２２と、を電気的に接続するために配線パターン２１ｂが形成されている。ウェハパフォーマンスボード２２は、ポゴピン等を介してマザーボード２１に電気的に接続されており、マザーボード２１上の配線パターン２１ｂのピッチをフロッグリング２３側のピッチに変換して、当該配線パターン２１ｂをフロッグリング２３内に設けられたフレキシブル基板３０に電気的に接続するように、配線パターン２２ａが形成されている。
【００２９】
フロッグリング２３は、プローバ１００に対する接触位置を正確に決定するためにウェハパフォーマンスボード２２上に設けられており、テストヘッド１０とプローバ１００との若干の位置合わせを許容するために、内部の伝送路がフレキシブル基板３０で構成されている。フロッグリング２３の下面には、このフレキシブル基板３０が電気的に接続されたポゴピン２３ａが多数実装されている。
【００３０】
フロッグリング２３には、プローブ針としてのシリコンフィンガコンタクタ５０が下面に多数実装されたプローブカード４０が装着されており、ポゴピン２３ａによりプローブカード４０とフロッグリング２３とが電気的に接続されるようになっている。
【００３１】
プローバ１００は、チャック１０１上に半導体ウェハ２００を保持して、テストヘッド１０に装着されたプローブカード４０に対向する位置に半導体ウェハ２００を自動的に供給することが可能となっている。
【００３２】
以上のような構成の電子部品試験装置１では、チャック１０１上に保持されている半導体ウェハ２００にプローブカード４０を押し付けて、半導体ウェハ２００上に造り込まれたＩＣデバイスを入出力端子２１０（図３参照）にシリコンフィンガコンタクタ５０を電気的に接触させた状態で、テスタ９０からＩＣデバイスにＤＣ信号及びデジタル信号を印加するとともに、ＩＣデバイスから出力信号を受信する。ＩＣデバイスからの出力信号（応答信号）は、テスタ９０において期待値と比較することで、ＩＣデバイスの電気的に特性を評価するようになっている。
【００３３】
図３は図１に示す電子部品試験装置に用いられるプローブカードを示す断面図、図４は図３に示すプローブカードの下面図、図５は図３に示すプローブカードに実装されたシリコンフィンガコンタクタの断面図、図６は図５に示すシリコンフィンガコンタクタの平面図、図７は電磁波の波長とシリコンの透過率との関係を示すグラフである。
【００３４】
本実施形態におけるプローブカード４０は、図３及び図４に示すように、例えば多層配線基板などから構成されるプローブ基板４１と、機械的な強度を補強するためにプローブ基板４１の上面に取り付けられているスティフナ４２と、プローブ基板４１の下面に多数実装されているシリコンフィンガコンタクタ５０と、から構成されている。
【００３５】
プローブ基板４１は、例えば、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂或いはセラミックス等の、波長が１２００ｎｍ以上の電磁波を透過しない材料から構成されている。このプローブ基板４１には、下面から上面に貫通するようにスルーホール４１ａが形成されていると共に、このスルーホール４１ａに接続された接続トレース４１ｂが下面に形成されている。
【００３６】
シリコンフィンガコンタクタ５０は、図５に示すように、プローブ基板４１に固定されているベース部５１と、後端側がベース部５１に設けられ、先端側がベース部５１から突出している梁部５３と、梁部５３の表面に形成された導電層５４と、から構成されている。
【００３７】
なお、本実施形態において、シリコンフィンガコンタクタ５０における「後端側」とは、プローブ基板４１に固定される側（図５において左側）を指す。これに対し、シリコンフィンガコンタクタ５０における「先端側」とは、被試験ウェハ２００に形成されたＩＣデバイスの入出力端子２１０に接触する側（図５において右側）を指す。
【００３８】
このシリコンフィンガコンタクタ５のベース部５１及び梁部５３は、シリコンから構成されており、図７に示すように、波長１２００ｎｍ以上の電磁波を透過することが可能となっている。このベース部５１及び梁部５３は、シリコン基板にフォトリソグラフィ等の半導体製造技術を用いて構成されており、図６に示すように、一つのベース部５１に対して複数本（本例では７本）の梁部５３がフィンガ状（櫛状）に設けられている。このように、半導体製造技術を用いてコンタクタ５０を製造することにより、複数の梁部５３間のピッチを被試験ウェハ２００上の入出力端子２１０間の狭小なピッチに容易に合わせることができる。
【００３９】
また、図５に示すように、ベース部５１には段差５２が形成されており、この段差の深さと長さの比を制御することで、プローブ基板４１に対するコンタクタ５０の傾斜角度βを任意に設定することが可能となっている。なお、この傾斜角度βは小さいほど好ましい。
【００４０】
梁部５３の上面には、導電層５４をシリコンフィンガコンタクタ５０の他の部分から電気的に絶縁するための絶縁層５３ａが形成されている。この絶縁層５３ａは、例えば、ＳｉＯ２層やボロンドープ層から構成されている。
【００４１】
この絶縁層５３ａの表面には導電層５４が形成されている。導電層５４を構成する材料としては、例えばタングステン、パラジウム、ロジウム、白金、ルテニウム、イリジウム、ニッケル等の金属材料を挙げることができる。
【００４２】
以上のような構成のシリコンフィンガコンタクタ５０は、図３に示すように、被試験ウェハ２００に造り込まれたＩＣデバイスの入出力端子２１０に対向するように、プローブ基板４１に実装されている。なお、図３には、２つのシリコンフィンガコンタクタ５０しか図示していないが、実際には多数のシリコンフィンガコンタクタ５０がプローブ基板４１上に配置されている。
【００４３】
各シリコンフィンガコンタクタ５０は、図３及び図５に示すように、ベース部５１に形成された段差５２をプローブ基板４１の表面に当接させた状態で、接着剤４３によりプローブ基板４１に固定されており、図４に示すように、その導電層５４が接続トレース４１ｂにワイヤボンディング４１ｃにより電気的に接続されている。コンタクタ５０をプローブ基板４１に実装するための接着剤４３としては、例えば、エポキシ系の熱硬化型接着剤を挙げることができ、１２００ｎｍ以上の波長の電磁波を吸収し易くするために、赤外線吸収剤をフィラーとして添加したり、接着剤自体を黒色とすることが好ましい。また、ワイヤボンディング４１ｃの代わりに、ソルダボールを用いて導電層５４と接続トレース４１ｂとを電気的に接続しても良い。
【００４４】
以上のような構成のプローブカード４０を用いたＩＣデバイスのテストでは、プローバ１００によりプローブカード４０に被試験ウェハ２００が押し付けられると、プローブ基板４１上のシリコンフィンガコンタクタ５０と、被試験ウェハ２００上の入出力端子２１０とが電気的に接触する。
【００４５】
次に、プローブカード４０を製作する際に、シリコンフィンガコンタクタ５０をプローブ基板４１に実装するために用いられるコンタクタ実装装置について、図８及び図９を参照しながら説明する。図８は本発明に係るコンタクタ実装装置の実施形態の全体構成を示す概略図、図９は図８におけるIX部の拡大図である。
【００４６】
本実施形態におけるプローブカード製造装置１００は、上述したシリコンフィンガコンタクタ５０をプローブ基板４１上に実装するための装置である。
【００４７】
このコンタクタ実装装置１００は、図８に示すように、シリコンフィンガコンタクタ５０を吸着して保持する吸着ユニット１３１と、プローブ基板４１の所定位置に接着剤４３を塗布する塗布ユニット１３２と、プローブ基板４１に塗布された接着剤４３に向かってレーザ光を照射する照射ユニット１３３と、プローブ基板４１に対するシリコンフィンガコンタクタ５０の相対的な高さを測定する測定ユニット１３４と、プローブ基板４１やシリコンフィンガコンタクタ５０の位置や姿勢を認識するためのカメラユニット１４０と、シリコンフィンガコンタクタ５０に対してプローブ基板４１を相対移動させる移動ステージ１５０と、を備えている。
【００４８】
吸着ユニット１３１は、図９に示すように、シリコンフィンガコンタクタ５０をその上面で吸着保持するための吸着面１３１ａを先端に有している。この吸着面１３１ａは、プローブ基板４１に対するシリコンフィンガコンタクタ５０の取付角度βと実質的に同一の角度を有する傾斜面で構成されている。
【００４９】
この吸着面１３１ａには、吸着ユニット１３１を貫通する通路１３１ｂの一端が開口している。この通路１３１ｂの他端は、図８に示すように、真空ポンプ１２０に連通している。また、吸着面１３１ａには、図９及び図１０Ｂに示すように、シリコンフィンガコンタクタ５０の後端が係合する段差部１３１ｃが形成されており、これにより、吸着ユニット１３１に吸着保持されているシリコンフィンガコンタクタ５０が、吸着面１３１ａに対して微小移動するのを規制することが可能となっている。
【００５０】
塗布ユニット１３２は、例えば熱硬化型接着剤が充填されたシリンジを有しており、プローブ基板４１の所定位置に所定量の接着剤を塗布することが可能となっている。また、照射ユニット１３３は、１２００ｎｍ以上のレーザ光を発振するレーザ発振装置を備えており、プローブ基板４１上に塗布された接着剤４３に向かってレーザ光を照射することが可能となっている。１２００ｎｍ以上のレーザ光の光源としては、例えば半導体レーザを挙げることができる。
【００５１】
測定ユニット１３４は、例えばレーザ等を用いた非接触式の距離測定センサを有している。距離測定センサは、吸着ユニット１３１に把持されたシリコンフィンガユニット５０とプローブ基板４１との間の距離、すなわちプローブ基板４１に対するシリコンフィンガコンタクタ５０の高さを測定することが可能となっている。
【００５２】
吸着ユニット１３１、塗布ユニット１３２、照射ユニット１３３及び測定ユニット１３４は、昇降ヘッド１３０に取り付けられている。この昇降ヘッド１３０は、プローブ基板４１を保持する移動ステージ１５０を囲むように設けられた架台１１０に支持されており、移動ステージ１５０に対してＺ軸方向に昇降することが可能となっている。また、塗布ユニット１３２及び照射ユニット１３３は、特に図示しないアクチュエータにより、昇降ヘッド１３０に対して図中のＹ軸方向を中心として回転することが可能となっている。
【００５３】
カメラユニット１４０は、例えば、下方を撮像可能なように設けられたＣＣＤカメラを有している。このカメラユニット１４０は、昇降ヘッド１３０とは独立して架台１１０に取り付けられており、ＸＹ方向に沿って移動することが可能となっている。
【００５４】
移動ステージ１５０は、プローブ基板４１を把持可能なチャック（不図示）を有しており、そのプローブ基板４１をＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って移動させることが可能となっていると共に、Ｚ軸を中心としたθ方向にプローブ基板４１を回転させることが可能となっている。
【００５５】
以下に、上述したコンタクタ製造装置を用いてシリコンフィンガコンタクタ５０をプローブ基板４１に実装する方法について、図１０Ａ〜図１０Ｃを参照しながら説明する。図１０Ａ〜図１０Ｃは本発明に係るコンタクタの製造方法の実施形態における第１〜第３工程を示す図である。
【００５６】
先ず、カメラユニット１４０が移動ステージ１５０上に載置されたプローブ基板４１を撮像し、昇降ヘッド１３０に対するプローブ基板４１の相対位置を認識する。そして、移動ステージ１５０が移動して、塗布ユニット１３２の吐出口がプローブ基板４１の所定位置に対向したら、昇降ヘッド１３０がＺ軸方向に下降する。
【００５７】
次いで、図１０Ａに示すように、塗布ユニット１３２がプローブ基板４１上の所定位置に接着剤４３を塗布する。接着剤４３がプローブ基板４１上に塗布されたら、カメラユニット１４０が、その塗布位置４３、及び、移動ステージ１５０上に載置されているシリコンフィンガコンタクタ５０を撮像して、塗布位置４３及びシリコンフィンガコンタクタ５０の位置及び姿勢を認識する。
【００５８】
次に、吸着ユニット１４１は、移動ステージ１５０上に載置されたシリコンフィンガコンタクタ５０を吸着保持し、移動ステージ１５０が移動してシリコンフィンガコンタクタ５０がプローブ基板４１上の塗布位置４３に対向したら、図１０Ｂに示すように、昇降ヘッド１３０がＺ軸方向に下降する。
【００５９】
この下降の際、測定ユニット１３４がプローブ基板４１に対するシリコンフィンガコンタクタ５０の高さを測定している。そして、プローブ基板４１に対するシリコンフィンガコンタクタ５０の高さがゼロとなったら、測定ユニット１３４は、昇降ヘッド１３０のＺ軸方向への下降を停止させる。
【００６０】
シリコンフィンガコンタクタ５０がプローブ基板４１上の塗布位置４３に位置決めされたら、図１０Ｃに示すように、その状態で照射ユニット１３３が塗布位置４３に向かってレーザ光を照射する。この際、シリコンフィンガコンタクタ５０のベース部５１及び梁部５３は、波長が１２００ｎｍ以上の電磁波を透過するので、照射ユニット１３３から照射されたレーザ光はシリコンフィンガコンタクタ５０自体を透過する。一方、プローブ基板４１は、波長１２００ｎｍ以上の電磁波を透過しないので、照射ユニット１３３から照射されたレーザ光により加熱される。この加熱により、基板４１上に塗布されている接着剤４３が熱硬化して、シリコンフィンガコンタクタ５０がプローブ基板４１に実装される。
【００６１】
なお、接着剤４３自体が１２００ｎｍ以上の波長の電磁波を透過しない場合には、照射ユニット１３３から照射されたレーザ光により接着剤４３自体が加熱されて熱硬化することで、シリコンフィンガコンタクタ５０がプローブ基板４１に実装される。
【００６２】
以上のように、本実施形態では、プローブ基板４１に接着剤を塗布して、その塗布位置４３にシリコンフィンガコンタクタ５０を位置決めした後に、コンタクタ５０においてシリコンから構成されるベース部５１及び梁部５３を介して、塗布位置４３に、波長が１２００ｎｍ以上のレーザ光を照射する。この１２００ｎｍ以上の波長のレーザ光により塗布位置の基板４１が加熱されて接着剤４３が熱硬化し、又は、１２００ｎｍ以上の波長のレーザ光により接着剤４３自体が熱硬化する。これにより、基板４１に塗布された接着剤４３においてコンタクタ５０により影になってしまう部分も十分も硬化させることができる。また、レーザ光照射後にオーブンへ投入する工程が不要であるので、コンタクタ５０を基板４１に短時間で実装することができる。
【００６３】
ところで、硬化した接着剤をガラス転移点以上に加熱すると、接着剤を軟化させることができる。そのため、本実施形態では、シリコンフィンガコンタクタ５０を修理や交換する際に、対象となるシリコンフィンガコンタクタ５０を固定している接着剤に、波長が１２００ｎｍ以上のレーザ光を照射することで、そのコンタクタ５０のみを基板４１から取り外すことができる。
【００６４】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】図１は、本発明に係る製造方法により製造されるコンタクタを備えた電子部品試験装置を示す概略図である。
【図２】図２は、図１の電子部品試験装置に用いられるテストヘッド及びプローブカードの接続関係を示す概念図である。
【図３】図３は、図１に示す電子部品試験装置に用いられるプローブカードを示す断面図である。
【図４】図４は、図３に示すプローブカードの下面図である。
【図５】図５は、図３に示すプローブカードに実装されたシリコンフィンガコンタクタの断面図である。
【図６】図６は、図５に示すシリコンフィンガコンタクタの平面図である。
【図７】図７は、電磁波の波長とシリコンの透過率との関係を示すグラフである。
【図８】図８は、本発明に係るコンタクタ実装装置の実施形態の全体構成を示す概略図である。
【図９】図９は、図８におけるIX部の拡大図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、本発明に係るコンタクタの製造方法の実施形態における第１工程を示す図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、本発明に係るコンタクタの製造方法の実施形態における第２工程を示す図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、本発明に係るコンタクタの製造方法の実施形態における第３工程を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
１…電子部品試験装置
１０…テストヘッド
４０…プローブカード
４１…プローブ基板
４３…接着剤
５０…シリコンフィンガコンタクタ
５１…ベース部
５３…梁部
５４…導電部
１００…コンタクタ実装装置
１１０…架台
１２０…真空ポンプ
１３０…昇降ヘッド
１３１…吸着ユニット
１３１ａ…吸着面
１３１ｂ…通路
１３１ｃ…段差部
１３２…塗布ユニット
１３３…照射ユニット
１３４…計測ユニット
１４０…カメラユニット
１５０…移動ステージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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