(57)【要約】【課題】  エネルギー照射によりメモリセルの書き込みが行なわれる不揮発性記憶装置において、書き込み処理を正確に行ないつつその全体の処理時間を短縮できる不揮発性記憶装置、及びその書き込み方法を提供する。【解決手段】  複数のメモリセル１０Ｃがマトリクス状に配置された不揮発性記憶装置１０において、書き込み対象メモリセル１０Ｃを複数設定し、複数のエネルギー照射源３１Ａの各書き込み対象メモリセル１０Ｃに対する相対位置を適正位置に調整した上で、複数のエネルギー照射源３１Ａから一括してエネルギー照射を行ない、複数の書き込み対象メモリセル１０Ｃに対し一括書き込みを行なうとともに、これら書き込み処理と並列的に、既に書き込まれたデータの誤り検出符合の生成処理を順次行なうようにする。【選択図】  図１
2008310867.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイを備える不揮発性記憶装置において、前記複数のメモリセルの中から書き込み対象となるメモリセルを設定するとともに、設定された書き込み対象メモリセルに対し、エネルギー照射源からエネルギーを照射することにより、該書き込み対象メモリセルへの書き込みを行なう不揮発性記憶装置の書き込み方法であって、
前記書き込み対象メモリセルを複数設定する書き込み対象セル設定ステップと、
設定された複数の前記書き込み対象メモリセルに対し個別にエネルギー照射を行なう複数の前記エネルギー照射源の、各前記書き込み対象メモリセルに対する相対位置を適正位置に調整するエネルギー照射位置調整ステップと、
前記エネルギー照射源の相対位置調整完了後に、前記複数のエネルギー照射源により前記照射エネルギーを一括照射して、前記複数の書き込み対象メモリセルに対し一括書き込みを行なうエネルギー一括照射ステップと、
をこの順で行なう書き込み処理ステップを有することを特徴とする不揮発性記憶装置の書き込み方法。
【請求項２】
前記エネルギー一括照射ステップよりも先に実行される初期処理ステップとして、
書き込み対象となる前記不揮発性記憶装置を予め定められた照射ステージ上に載置する不揮発性記憶装置載置ステップと、
載置された前記不揮発性記憶装置の前記照射ステージ上における相対位置を、前記メモリセルアレイ上に設けられた位置認識部を画像認識する形で認識する不揮発性記憶装置載置位置認識ステップと、
前記不揮発性記憶装置の前記相対位置の認識結果に基づいて、該不揮発性記憶装置を前記照射ステージ上における予め定められた基準位置に調整する不揮発性記憶装置基準位置調整ステップと、
を有する請求項１記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。
【請求項３】
前記初期処理ステップとして、前記不揮発性記憶装置に書き込まれるデータを、マトリクス状に配置された前記メモリセルの列単位及び行単位のいずれか一方で一括書き込み可能な複数の分割データに分割するとともに、全ての前記分割データの一括書き込み単位が前記列単位及び前記行単位のいずれか一方に統一されるデータ分割ステップを有し、
前記初期処理ステップの後に、それら該分割データ毎の前記書き込み処理ステップが順次行なわれるとともに、前記書き込み処理ステップでは、書き込み対象となる前記分割データを設定する書き込み対象データ設定ステップが行なわれ、
前記書き込み対象セル設定ステップでは、書き込み対象に設定された前記分割データを書き込むべき前記書き込み対象メモリセルを、マトリクス状に配置された複数の前記メモリセルの中から書き込み対象とする列又は行を前記一括書き込み単位に応じて選択して、選択された列又は行の中から設定し、
前記エネルギー照射位置調整ステップでは、前記書き込み対象メモリセルの設定方向に予め固定配列されてなる前記複数のエネルギー照射源を、前記書き込み対象メモリセルの設定方向に対し、前記照射ステージ上の前記不揮発性記憶装置が載置される平面において垂直な方向に相対移動させる形で前記適正位置に調整し、
前記エネルギー一括照射ステップでは、前記複数のエネルギー照射源により前記照射エネルギーを一括照射して、マトリクス状に配置された前記メモリセルに対し、列単位又は行単位で一括書き込みを行なう請求項２記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。
【請求項４】
前記エネルギー一括照射ステップにおいて書き込まれるデータには、主データに付随する形で、該主データのビット列に記憶される各値に基づいて書き込み前に生成された誤り検出用のマスター情報が含まれ、
前記エネルギー一括照射ステップにおいて書き込まれた前記データの前記メモリセルアレイ内におけるアドレス情報を生成するアドレス生成ステップと、
同じく前記エネルギー一括照射ステップにおいて書き込まれた前記データを複写して前記メモリセルアレイとは別に設けられた、前記不揮発性記憶装置内の記憶部に記憶するデータ複写ステップと、
前記データが前記記憶部に複写記憶された後に、前記データに含まれる前記主データのビット列に記憶される各値から誤り検出符号を生成し、該誤り検出符号を、対応する前記データの前記アドレス情報に対応付けて前記記憶部に記憶する誤り検出符号生成ステップと、
をこの順で行なう誤り検出用処理ステップを有し、
前記書き込み処理ステップは、前記エネルギー一括照射ステップ後に、続いて書き込むべきデータの有無を判定する書き込み継続判定ステップを有し、
前記書き込み継続判定ステップにおいて、続いて書き込むべきデータがあると判定された場合には、そのデータを書き込むための前記書き込み処理ステップが行なわれる一方で、当該書き込み処理ステップと並列的に、既に書き込みが完了したデータに対する前記誤り検出用処理ステップが行なわれる請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。
【請求項５】
前記書き込み継続判定ステップにおいて続いて書き込むべきデータが無いと判定され、かつ書き込まれた全てのデータに対する前記誤り検出用処理ステップが実行された場合に、前記不揮発性記憶装置の前記記憶部に記憶されている全ての前記誤り検出符号を読み出すとともに、読み出した該誤り検出符号に対応する前記誤り検出用のマスター情報を読み出して対応するもの同士を比較し、それら比較結果が一致するか否かに基づいて、書き込まれた各データの誤りの有無を判定する誤り検出ステップを有する請求項４記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載のメモリセルアレイ及び記憶部を備え、前記誤り検出用処理ステップを実行可能に構成された不揮発性記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エネルギー照射により書き込みがなされる不揮発性記憶装置と、その書き込み方法及び書き込み装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
【特許文献１】特開平７−１８３４０６号公報
【０００３】
従来の不揮発性記憶装置には、電磁波（光（レーザー）等）、熱、中性子のようなエネルギーをメモリセルアレイに照射し、照射を受けたメモリセルに対し書き込みがなされるものがある。特許文献１は、これに関連する技術であり、不揮発性記憶装置のメモリセルにレーザーを照射して基板に多数の高エネルギーキャリアーを発生させ、該高エネルギーキャリアーのフローティングゲートへのトンネリング遷移を容易化することで、書き込み時にコントロールゲートに印加される動作電圧を低くする技術を開示している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、こうしたエネルギー照射を利用してメモリセルの書き込みが行なわれる不揮発性記憶装置において、データ書き込み処理をより早く実行することが望まれている。具体的に言えば、書き込み対象となる全てのデータの書き込みのみならず、書き込まれたデータのエラーチェックまでを含む書き込み処理時間の短縮が望まれている。
【０００５】
本発明の課題は、エネルギー照射によりメモリセルの書き込みが行なわれる不揮発性記憶装置において、書き込み処理を正確に行ないつつその全体の処理時間を短縮できる不揮発性記憶装置、及びその書き込み方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本発明の不揮発性記憶装置の書き込み方法は、
複数のメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイを備える不揮発性記憶装置において、複数のメモリセルの中から書き込み対象となるメモリセルを設定するとともに、設定された書き込み対象メモリセルに対し、エネルギー照射源からエネルギーを照射することにより、該書き込み対象メモリセルへの書き込みを行なう不揮発性記憶装置の書き込み方法であって、
書き込み対象メモリセルを複数設定する書き込み対象セル設定ステップと、
設定された複数の書き込み対象メモリセルに対し個別にエネルギー照射を行なう複数のエネルギー照射源の、各書き込み対象メモリセルに対する相対位置を適正位置に調整するエネルギー照射位置調整ステップと、
エネルギー照射源の相対位置調整完了後に、複数のエネルギー照射源により照射エネルギーを一括照射して、複数の書き込み対象メモリセルに対し一括書き込みを行なうエネルギー一括照射ステップと、
をこの順で行なう書き込み処理ステップを有することを特徴とする。
【０００７】
上記本発明の構成によると、複数のエネルギー照射源から複数のメモリセルに対し一括してエネルギー照射がなされるので、メモリセル１つ１つに順次エネルギー照射をする場合と比較して、書き込み処理時間を短縮することができる。
【０００８】
また、エネルギー一括照射ステップよりも先に実行される初期処理ステップとして、
書き込み対象となる不揮発性記憶装置を予め定められた照射ステージ上に載置する不揮発性記憶装置載置ステップと、
載置された不揮発性記憶装置の照射ステージ上における相対位置を、メモリセルアレイ上に設けられた位置認識部を画像認識する形で認識する不揮発性記憶装置載置位置認識ステップと、
不揮発性記憶装置の相対位置の認識結果に基づいて、該不揮発性記憶装置を照射ステージ上における予め定められた基準位置に調整する不揮発性記憶装置基準位置調整ステップと、
を有するように構成できる。
【０００９】
この構成によると、メモリセルアレイ上に設けられた位置認識部を画像認識する形で、照射ステージ上の不揮発性記憶装置の位置合わせを高精度に行なうことができるので、書き込み処理を正確に行なうことも可能とされている。
【００１０】
また、初期処理ステップとして、不揮発性記憶装置に書き込まれるデータを、マトリクス状に配置されたメモリセルの列単位及び行単位のいずれか一方で一括書き込み可能な複数の分割データに分割し、全ての分割データの一括書き込み単位を列単位及び行単位のいずれか一方に統一するデータ分割ステップを有するようにして構成できる。そして、初期処理ステップの後に、これら該分割データ毎の書き込み処理ステップが順次実行されるように構成されることで、全ての分割データの書き込みを行なうことができる。
【００１１】
この場合、書き込み処理ステップにおいて、書き込み対象となる分割データを設定する書き込み対象データ設定ステップが行なうように構成される。また、この場合の書き込み対象セル設定ステップでは、書き込み対象に設定された分割データを書き込むべき書き込み対象メモリセルを、マトリクス状に配置された複数のメモリセルの中から書き込み対象とする列又は行を一括書き込み単位に応じて選択して、選択された列又は行の中から設定する。また、エネルギー照射位置調整ステップでは、書き込み対象メモリセルの設定方向と同方向に予め固定配列されてなる複数のエネルギー照射源を、書き込み対象メモリセルの設定方向に対し、照射ステージ上の不揮発性記憶装置が載置される平面において垂直な方向に相対移動させる形で、適正位置に調整する。この構成によれば、エネルギー一括照射ステップにおいて複数のエネルギー照射源により照射エネルギーを一括照射すると、マトリクス状に配置されたメモリセルに対し、列単位又は行単位で一括書き込みを行なうことができる。書き込み対象メモリセルがメモリセルアレイ上で二次元的に分散設定される場合と比較して、複数のエネルギー照射源による一括エネルギー照射処理をよりシンプルかつ素早く行なうことができる。また、固定配列された複数のエネルギー照射源を一方向に移動させるだけで、エネルギー照射源を照射適正位置に容易に調整でき、書き込み装置の全体構成をよりシンプルなものにすることができる。
【００１２】
一方、エネルギー一括照射ステップにおいて書き込まれるデータは、主データに付随する形で、該主データのビット列に記憶される各値に基づいて書き込み前に生成された誤り検出用のマスター情報を含むように構成できる。この場合、エネルギー一括照射ステップにおいて書き込まれたデータのメモリセルアレイ内におけるアドレス情報を生成するアドレス生成ステップと、同じくエネルギー一括照射ステップにおいて書き込まれたデータを複写してメモリセルアレイとは別に設けられた、不揮発性記憶装置内の記憶部に記憶するデータ複写ステップと、データが記憶部に複写記憶された後に、データに含まれる主データのビット列に記憶される各値から誤り検出符号を生成し、該誤り検出符号を、対応するデータのアドレス情報に対応付けて記憶部に記憶する誤り検出符号生成ステップと、をこの順で行なう誤り検出用処理ステップを実行するように構成できる。これにより、書き込まれたデータのエラーチェックを、書き込み後に生成された誤り検出符号と、書き込み前に生成された誤り検出用マスター情報（誤り検出用マスター符号）との比較で簡易に行なうことが可能となる。
【００１３】
また、エネルギー一括照射ステップ後に、続いて書き込むべきデータの有無を判定する書き込み継続判定ステップを設けることができる。この場合、書き込み継続判定ステップにおいて、続いて書き込むべきデータがあると判定された場合には、そのデータを書き込むための書き込み処理ステップが行なわれる一方で、当該書き込み処理ステップと並列的に、既に書き込みが完了したデータに対する誤り検出用処理ステップが行なわれるように構成することができる。この構成によると、複数のエネルギー照射源を備える書き込み装置において、不揮発性記憶装置への書き込み処理が行なわれる一方で、その書き込み処理と並行して、不揮発性記憶装置においてはエラーチェック用の誤り検出符号の生成処理が行なわれる。一方で、書き込み継続判定ステップにおいて続いて書き込むべきデータが無いと判定され、かつ書き込まれた全てのデータに対する誤り検出用処理ステップが実行された場合には、不揮発性記憶装置の記憶部に記憶されている全ての誤り検出符号を読み出すとともに、読み出した該誤り検出符号に対応する誤り検出用のマスター情報を読み出して対応するもの同士を比較し、それら比較結果が一致するか否かに基づいて、書き込まれた各データの誤りの有無を判定する誤り検出ステップを設けることができる。この構成によると、既に算出された各データの誤り検出符号を読み出し、これを用いてエラーチェック処理が行なわれるので、データ書き込み後に各データの誤り検出符号を算出してエラーチェック処理を行なう場合と比較して、エラーチェック処理に要する時間を短縮できる。
【００１４】
また、本発明の不揮発性記憶装置は、上記メモリセルアレイ及び上記記憶部を備え、上記した誤り検出用処理ステップを実行可能に構成されている。この構成によれば、既に述べた書き込み処理ステップと、誤り検出用処理ステップ（誤り検出符号の生成処理）とを並行して実行できるので、書き込み処理時間全体を短縮できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は本発明の不揮発性記憶装置へのデータ書き込みを行なうデータ書き込み装置の構成を示すブロック図である。
【００１６】
図１のデータ書き込み装置１００は、データ書き込み対象となる不揮発性記憶装置１０を載置するステージ２１と、該ステージ２１を駆動するステージ駆動装置（エネルギー照射位置調整手段及び不揮発性記憶装置基準位置調整手段）２２と、ステージ２１上に載置された不揮発性記憶装置１０にエネルギー（本実施形態においてはレーザー光：電磁波、熱、中性子等であってもよい）を照射する複数のエネルギー照射源３１Ａを備えるエネルギー照射装置３１と、エネルギー照射装置３１と照射ステージ（図中のステージ）２１上との間に配置されて、エネルギー照射装置３１から照射されるエネルギーを不揮発性記憶装置１０上の書き込みポイントに向けて収束させる収束装置（光学レンズ：照射エネルギー収束手段）３２と、ステージ２１上に載置される不揮発性記憶装置の配置状態を、不揮発性記憶装置１０上に設けられた位置認識部１１を画像認識する形で認識する位置認識装置３３と、制御装置４０とを備えて構成されている。
【００１７】
図２は、本発明の不揮発性記憶装置１０の構成を示すブロック図である。図２の不揮発性記憶装置１０は、フローティングゲート、コントロールゲート、ソース及びドレインを有する不揮発性のメモリセル１０Ｃの複数がマトリクス状に配置されたメモリセルアレイ１０Ａを有しており、選択したメモリセル１０Ｃに対する書き込み及び読み出しと、複数のメモリセル１０Ｃに対する一括消去が可能な周知のＥＰＲＯＭ（記憶の消去に紫外線を用いるＵＶ−ＥＰＲＯＭや、電気的に記憶を消去できるＥＥＰＲＯＭ）である。
【００１８】
図１に示すように、制御装置４０は、主制御回路として構成される制御手段４１に対し、位置認識手段（不揮発性記憶装置載置位置認識手段）４２と、データ記憶手段４３と、エネルギー照射制御手段４５と、ステージ駆動制御手段４６と、書き込みデータ故障判定手段（図中の判定手段）４７と、電源制御回路４９とを接続して構成されている。
【００１９】
位置認識手段４２は、画像撮影装置３３により撮影された画像により、ステージ２１上に配置された不揮発性記憶装置１０の位置を認識する画像処理回路である。エネルギー照射位置認識装置３３は、ステージ２１に対する予め定められた固定位置に配置されており、その固定位置から固定方向の撮影を行なうものである。位置認識手段４２は、画像撮影装置３３による撮影画像から、不揮発性記憶装置１０のメモリセルアレイ１０Ａ上に設けられた位置認識部１１を画像認識することにより、ステージ２１に載置された不揮発性記憶装置１０の該ステージ２１上における相対位置を認識する。
【００２０】
データ記憶手段４３は、不揮発性記憶装置１０に書き込むべきデータを記憶する書き換え可能な記憶部（例えばハードディスクドライブ）である。データ記憶手段４３の記憶内容は、制御装置４０の外部に設けられたデータ入力装置（書き込みデータ入力手段）４４からの入力情報に基づいて更新可能とされている。
【００２１】
エネルギー照射制御手段４５は、不揮発性記憶装置１０に照射されるレーザー光の照射制御を行なう制御回路である。エネルギー照射装置３１は複数のエネルギー照射源３１Ａを備えて構成されており、エネルギー照射制御手段４５は、それら各エネルギー照射源３１Ａの照射制御を、制御手段４１から受信する照射指令情報に基づいて実行する。なお、本実施形態における複数のエネルギー照射源３１Ａは、ステージ平面２１ａにおけるＸ軸方向に直線的に固定配列されており、ステージ２１上に配置される不揮発性記憶装置１０においてマトリクス状に配列するメモリセル１０Ｃに対し行単位又は列単位で一括してエネルギー照射が可能に構成されている。
【００２２】
ステージ駆動制御手段４６は、ステージ２１の駆動制御を行なうための駆動制御回路である。ステージ駆動装置２２は、ステージ２１を、ステージ平面２１ａ上のＸ軸方向に直線駆動する第一駆動部（例えばモータ：図示なし）と、同じくステージ平面２１ａ上のＸ軸方向と直交するＹ軸方向に直線駆動する第二駆動部（例えばモータ：図示なし）と、同じくステージ平面２１ａ上の所定原点位置を中心に回転駆動する第三駆動部（例えばモータ：図示なし）を備えて構成されており、ステージ駆動制御手段４６は、それら各駆動部の駆動制御を、制御手段４１から受信する駆動指令情報に基づいて実行する。
【００２３】
データ故障判定手段４７は、ステージ２１上にて不揮発性記憶装置１０に書き込まれたデータの中から誤りを有する故障データを検出・特定する制御回路である。本実施形態においては、ＣＲＣ（Cyclic Redundancy Check：巡回冗長検査）により、書き込まれたデータの中から誤り（故障）を有するものを検出・特定するものである。なお、ＣＲＣではなく、サムチェック、パリティチェック等の周知のデータ故障検出を行なうものであってもよい。データ故障判定手段４７により検出された故障データは、書き換え可能な記憶部である判定結果記憶手段（例えば、データ記憶手段４３に兼用されるハードディスクドライブ）４８に記憶される。
【００２４】
電源制御回路４９は、制御手段４１から受信する書き込み対象セル情報に基づいて、書込み対象となる不揮発性記憶装置１０のメモリセルのコントロールゲートに対し、書き込み電圧を印加するものである。通常、書き込み時にコントロールゲートに印加されるゲート電圧は素子駆動電圧（ドレイン電圧）よりも高く印加され、これにより、ドレイン近傍で発生したホットエレクトロンがフローティングゲートに注入されるように構成されるが、本実施形態においては、書き込み時のコントロール電圧は、ドレイン電圧と同じ又はそれよりも低く設定されている。本実施形態においては、上記特許文献１に示すごとく、メモリセルへの書き込み時には、コントロールゲートに通常よりも低いゲート電圧を印加すると同時に当該セルにレーザー光を照射することにより、フローティングゲートにホットエレクトロンが注入されて書き込み状態となるよう構成されている。
【００２５】
主制御回路として構成される制御手段４１は、内部のメモリに記憶されたプログラムの実行により、ステージ２１上に載置された不揮発性記憶装置１０の各メモリセルへの書き込み処理及び書き込んだ各データのエラーチェック処理を実行する。以下、これら処理の内容を、図３のフローチャートを用いて説明する。
【００２６】
図３の処理は、書き込み対象となる不揮発性記憶装置１０を予め定められた照射ステージ２１上に載置される（不揮発性記憶装置載置ステップ）に伴い実行され、まず、Ｓ１においては、制御手段４１により、データ記憶手段４３に記憶された書き込み対象となるデータを、不揮発性記憶装置１０においてマトリクス状に配置されたメモリセル１０Ｃに対し行単位で一括書き込み可能となるよう複数の分割データに分割する（データ分割ステップ）。これにより、各分割データの一括書き込みが、行単位（一括書き込み単位）で可能となるように分割データが生成される。ここでは、書き込み対象データをＮ個の分割データＤｎ（ｎ＝１〜Ｎ）に分割し、それぞれに対し書き込み順序を定める。ここでの書き込み順序は、ｎの値が少ない分割データＤｎほど先に書き込みが行なわれるものとする。なお、Ｓ１の実行により制御手段４１がデータ分割手段として機能する。
【００２７】
なお、分割データＤｎは、元データ（書き込み対象データ）の分割により生成される主データに付随する形で、該主データのビット列に記憶される各値を用いた所定の演算処理を行なって生成された、後に書き込みデータの故障（誤り）検出に用いられるマスター情報（誤り検出用のマスター情報）が含まれる。本実施形態においては、書き込みを完了したデータの故障（誤り）検出をＣＲＣ（Cyclic Redundancy Check：巡回冗長検査）により行なうため、分割データＤｎの主データに付随するマスター情報は、当該検査方法において定められている、主データのビット列の全値を用いた所定演算処理により算出される。本実施形態においては、Ｓ１において、元データを分割して主データを生成するとともに、生成された主データのビット列に記憶される各値を用いて誤り検出用のマスター情報（誤り検出用マスター符号）を生成し、これを主データに付随させて分割データを作成する。つまり、Ｓ１が誤り検出用マスター情報生成ステップであり、これが実行されることにより、制御手段４１が誤り検出用マスター情報生成手段として機能する。
【００２８】
Ｓ２では、制御手段４１が、生成された分割データＤｎのうち書き込み順序が最も早い分割データＤ１（ｎ＝１）を、書き込み対象データとして設定する（書き込み対象データ設定ステップ）。同時に、書き込み対象に設定された分割データＤ１を書き込むべき書き込み対象メモリセルを、マトリクス状に配置された複数のメモリセル１０Ｃの中から書き込み対象とする行を選択して、選択された行の中から設定する（書き込み対象セル設定ステップ）。本実施形態においては、分割データＤｎのｎが書き込み対象となる行の値として定められており、第１行から第Ｎ行までが順次書き込まれる。Ｓ２では、マトリクス状に配置されたメモリセル１０Ｃの第１行が一括書き込み対象となるメモリセル群に設定されるとともに、分割データＤ１のビット列の値に応じて、この第１行に属する複数のメモリセルの中から一括書き込み対象となるメモリセル（一括書き込み対象メモリセル）が設定される。
【００２９】
Ｓ３では、照射ステージ２１上に載置された不揮発性記憶装置１０の該ステージ２１上における相対位置を、メモリセルアレイ上に設けられた位置認識マーク（位置認識部）１１を画像認識する形で認識する（不揮発性記憶装置載置位置認識ステップ）。照射ステージ２１上には、基準位置が予め定められており、その基準位置からのずれ量を認識する形で、該ステージ２１上の不揮発性記憶装置１０の配置状態（全体位置及び角度位置）を認識する。なお、本実施形態における基準位置は、ステージ平面２１ａ上におけるＸ軸方向に直線状に固定配列された複数のエネルギー照射源１０Ａの配列方向と、不揮発性記憶装置１０のメモリセル１０Ｃの行方向（メモリセルの各列の並び方向）とが平行をなし、かつ各エネルギー照射源１０Ａの照射ポイントがメモリセル１０Ｃの各列方向（メモリセルの各行の並び方向）と交差する位置である。つまり、ステージ２１上の不揮発性記憶装置１０を、ステージ平面２１ａ上におけるＸ軸方向の照射位置合わせが完了した位置であり、メモリセル１０Ｃの列方向（メモリセルの各行の並び方向：本実施形態においてはステージ平面２１ａ上のＹ軸方向）に移動するだけで照射位置合わせが全て完了する位置である。
【００３０】
具体的に言えば、まず、画像撮影装置である位置認識装置３３により不揮発性記憶装置１０の全体を撮影し、その全体撮影画像を位置認識手段４２が受信する。そして、位置認識手段（不揮発性記憶装置載置位置認識手段）４２が、受信した全体撮影画像から位置認識マーク１１の存在位置を画像認識する形で、ステージ２１上の不揮発性記憶装置１０の配置状態（全体位置及び角度位置）を認識する。本実施形態においては、不揮発性記憶装置１０が基準位置にある場合の、画像撮影装置３３の撮影画像領域内における各位置認識マーク１１の位置（以下、マーク基準位置という）が位置認識手段４２に予め記憶されており、位置認識手段４２において、撮影された全体撮影画像において画像認識される各位置認識マーク１１の、該マーク基準位置からのずれ量を算出する形で、ステージ２１上における不揮発性記憶装置１０の現在位置を認識する。なお、このずれ量は、本実施形態においては、ステージ平面２１ａ上に規定されるＸ軸方向及びＹ軸方向のずれ量（全体位置のずれ量）と、ステージ平面２１ａ上の所定中心位置を中心とした回転方向のずれ量（角度位置のずれ量）である。そして、ずれ量の算出精度を増すために、本実施形態においては、全体撮影画像のうち位置認識マーク１１の存在領域を拡大抽出する形で、より詳細な位置認識マーク１１の存在位置を認識した上で、マーク基準位置からのずれ量を算出する。認識した不揮発性記憶装置１０の配置状態情報（全体位置及び角度位置に係る認識情報）は制御手段４１に送信され、制御手段４１においてこの配置状態情報が認識される。
【００３１】
Ｓ４では、各エネルギー照射源３１Ａの一括書き込み対象メモリセルに対する相対位置の認識結果に基づいて、各エネルギー照射源３１Ａの一括書き込み対象メモリセルに対する相対位置が適正位置となるようステージ２１の位置調整を行なう（エネルギー照射源調整ステップ）。ただし、「ｎ＝１」の場合は、ステージ２１の初期位置調整も同時行なわれる。
【００３２】
本実施形態における初期位置調整とは、ステージ平面２１ａ上に載置された不揮発性記憶装置１０の現在の配置状態（全体位置及び角度位置）を、該ステージ平面２１ａ上において予め定められた不揮発性記憶装置１０の基準位置（基準全体位置及び基準角度位置）に一致させる位置調整のことである（不揮発性記憶装置基準位置調整ステップ）。つまり、Ｓ３において認識された、ステージ平面２１ａ上における不揮発性記憶装置１０の現在の配置状態（全体位置及び角度位置）と、同じくステージ平面２１ａ上において予め定められた不揮発性記憶装置１０の基準位置（基準全体位置及び基準角度位置）とのずれ量に基づいて、そのずれが減少する方向にステージ２１が移動するように、ステージ駆動制御手段４６によるステージ駆動装置２２の駆動制御を実行することである。
【００３３】
具体的に言えば、制御手段４１は、Ｓ３において受信したずれ量（配置状態情報）をステージ駆動制御手段４６に送信し、ステージ駆動制御手段４６が、これら各ずれ量のずれ方向に対応する駆動部（第一〜第三駆動部）をステージ駆動装置２２の中から選択し、選択された駆動部をそのずれ量に基づいて駆動する。これにより、ステージ２１上に載置されている不揮発性記憶装置１０は、基準位置（基準全体位置及び基準角度位置）に位置した状態となる。つまり、不揮発性記憶装置１０をＹ軸方向に位置合わせするだけで、各エネルギー照射源３１Ａの照射位置合わせが全て完了する状態となる。
【００３４】
上記初期位置調整は、Ｓ４において「ｎ＝１」の場合に限り行なうが、ｎが２以上の場合は（即ち、初期位置調整が一度なされた後は）、そのときのｎの値に対応する行（第ｎ行）のメモリセルに、後述するＳ８において複数の一括書き込み対象メモリセルが設定されているので、それら複数の一括書き込み対象メモリセルに対し、個別にエネルギー照射を行なう複数のエネルギー照射源３１Ａの、各書き込み対象メモリセルに対する相対位置を、適正位置に調整する（エネルギー照射位置調整ステップ）。具体的に言えば、固定配列されてなる複数のエネルギー照射源３１Ａが、その一括書き込み対象メモリセルの行方向（メモリセルの各列の並び方向：設定方向）に対し、ステージ平面２１ａ上のＹ軸方向（メモリセル１０Ｃの行方向に対し垂直をなす列方向）に相対移動するよう、ステージ駆動手段２２の第二駆動部（エネルギー照射位置調整手段）によりステージ２１を移動させる形で、適正位置に調整する。適正位置とは、各一括書き込み対象メモリセルに対し、対応するエネルギー照射源３１Ａのエネルギー照射ポイントが一致した、第ｎ行の照射位置合わせが完了した状態である。
【００３５】
Ｓ５では、照射位置合わせ調整完了後に、複数のエネルギー照射源３１Ａにより照射エネルギーを行単位で一括照射して、複数の一括書き込み対象メモリセルに対し一括書き込みを行なう（エネルギー一括照射ステップ）。これにより、マトリクス状に配置されたメモリセル１０Ｃのうち、そのときのｎの値に対応する行（第ｎ行）のメモリセルに対し、分割データＤｎの書き込みが完了する。
【００３６】
Ｓ６では、「ｎ＝１」であるか否かを判定する。「ｎ＝１」である場合は、メモリセルへの初回書き込み時と判断され、Ｓ７をスキップしてＳ８に進み、「ｎ＝２」とした上でＳ９に進む。他方、Ｓ６にて、「ｎ≠１」である場合は、Ｓ７において、「ｎ＝ｎ−１」であったときにＳ５の処理でメモリセル１０Ｃに書き込まれた分割データＤｎの誤り検出符号を生成する（誤り検出用処理ステップ）。
【００３７】
以下、誤り検出符号生成処理（誤り検出用処理ステップ）の手順を説明する。まずは、「ｎ＝ｎ−１」であったときにＳ５において書き込まれた分割データＤｎのメモリセルアレイ１０Ａ内におけるアドレス情報を生成する（アドレス生成ステップ）。そして、そのＳ５において書き込まれた分割データＤｎを複写して、これをメモリセルアレイ１０Ａとは別に設けられた、不揮発性記憶装置１０内のレジスタ（記憶部）１０Ｒにセットする（データ複写ステップ）。分割データＤｎがレジスタ１０Ｒにセットされた後には、該分割データＤｎに含まれる主データのビット列に記憶される各値を用いた所定の演算処理を行なって誤り検出符号を生成する（誤り検出符号生成ステップ）。なお、本実施形態において、書き込みを完了したデータの誤り検出は、上記の通りＣＲＣ（Cyclic Redundancy Check：巡回冗長検査）により行なわれるため、ここではＳ１における誤り検出用マスター情報の生成と同様の所定演算処理による演算結果が誤り検出符号とされる。従って、書き込み前に生成された誤り検出用マスター情報と、書き込み後に生成された誤り検出符号とが一致する場合に、その分割データＤｎは正常に書き込まれたものと判定可能となる。
【００３８】
Ｓ７では、上記のように、Ｓ５にて書き込まれた分割データＤｎの誤り検出符号を生成するとともに、図４に示すように、生成した誤り検出符号（図中の算出結果）を、その分割データＤｎが記憶されているメモリセルアレイ１０Ａのアドレス情報に対応付けた形で、レジスタ１０Ｒの所定記憶領域に記憶する（誤り検出符号生成ステップ）。ただし、このＳ７では、この誤り検出符号生成処理が開始されるに伴い、Ｓ８の処理も開始される。つまり、Ｓ７における誤り検出符号生成処理は、Ｓ８以降に続く処理と並行的に実行される。そして、Ｓ７の処理は、誤り検出符号のレジスタ１０Ｒへの記憶が完了に伴い終了して、Ｓ８以降に続く処理との並列処理が終わる。
【００３９】
Ｓ８では「ｎ＝ｎ＋１」とする。Ｓ８では、Ｓ２と同様、そのときのｎの値に対応する分割データＤｎを書き込み対象データとして設定する（書き込み対象データ設定ステップ）とともに、書き込み対象に設定された分割データＤｎを書き込むべき一括書き込み対象メモリセルを、マトリクス状に配置された複数のメモリセル１０Ｃの中から書き込み対象とする行を選択して、選択された行の中から設定する（書き込み対象セル設定ステップ）。Ｓ８では、が終了するとＳ９に進む。
【００４０】
Ｓ９では、「ｎ＝Ｎ＋１」であるか否かを判定する。つまり、Ｓ９では、制御手段４１により、ｎの値が書き込み対象となる分割データの個数Ｎを上回るか否かを判定し、これにより、続いて書き込むべき分割データＤｎがあるか否かを判定する（書き込み継続判定ステップ）。なお、このステップの実行により、制御手段４１が書き込み継続判定として機能する。続いて書き込むべきデータがあると判定された場合にはＳ４に戻る。そして、その新たな分割データＤｎに対しＳ４〜Ｓ８を実行し、再びＳ９に戻る。Ｓ４〜Ｓ８は、Ｓ９において、続いて書き込むべきデータが無いと判定されるまで繰り返され、続いて書き込むべきデータが無いと判定されるとＳ１０に進む。
【００４１】
Ｓ１０では、Ｓ５において最後に書き込まれた分割データＤＮの誤り検出符号生成処理を実行する。そして、分割データＤＮの誤り検出符号が生成され、全ての分割データＤ１〜ＤＮに対する誤り検出符号の生成が完了すると、制御手段４１に対し、書き込み完了情報を送信してＳ１１に進む。
【００４２】
Ｓ１１では、書き込みデータ故障判定手段４８が、不揮発性記憶装置１０のレジスタ１０Ｒに記憶されている全ての誤り検出符号を読み出し、さらに、読み出した該誤り検出符号に対応する誤り検出用のマスター情報をメモリセルアレイ１０Ａから読み出す。そして、読み出した誤り検出符号と、それに対応する誤り検出用のマスター情報とを比較して、それら比較結果が一致するか否かに基づいて、書き込まれた各データの故障判定を行なう（誤り検出ステップ）。データ故障判定手段４８によるこの処理は、書き込み完了情報を受信した制御手段４１が、書き込みデータ故障判定手段４８に対し書き込みデータ故障判定の実行指示情報を送信し、これに基づいて実行されるものである。た各データの故障判定の結果は記憶部（判定結果記憶手段）４８に記憶されるが、このとき、レジスタ１０Ｒから対応するアドレス情報を読み出し、そのアドレス情報と対応付けた形で記憶する。なお、記憶される判定結果は、故障（誤り）を有する分割データのもののみを記憶するようにしてもよい。
【００４３】
以上、本発明の一実施形態を説明したが、これらはあくまで例示にすぎず、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲の趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。
【００４４】
例えば、Ｓ６における誤り検出符号生成処理（誤り検出用処理ステップ）は、Ｓ５におけるメモリセル１０Ｃへの行単位でのデータ書き込み完了に伴い不揮発性記憶装置１０側で自動実行される、あるいはメモリセル１０Ｃへの行単位でのデータの書き込み完了情報を受けた制御手段４１から不揮発性記憶装置１０が処理開始指令を受信して、これに基づいて不揮発性記憶装置１０側で自動実行されるように構成されていてもよい。これにより、データ書き込み装置１００側の処理負担が軽減され、他の書き込み処理の処理速度を増すことができる。
【００４５】
なお、上記実施形態においては、メモリセル１０Ｃに対し行単位でのデータの一括書き込みを行なう構成とされているが、上記実施形態の行と列とを入れ替え、メモリセル１０Ｃに対し列単位でのデータの一括書き込みを行なう構成としてもよい。なお、本発明は、行単位及び列単位でのデータの一括書き込みに限られるものでは無く、少なくとも複数のメモリセル１０Ｃに対し一括書き込みされるものに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の不揮発性記憶装置の書き込み方法を実施するデータ書き込み装置の構成を示すブロック図。
【図２】本発明の不揮発性記憶装置１０の構成を示すブロック図。
【図３】不揮発性記憶装置への書き込み処理の流れを示すフローチャート。
【図４】データの故障判定結果の記憶内容。
【符号の説明】
【００４７】
１００  データ書き込み装置
１０  不揮発性記憶装置
１０Ａ  メモリセルアレイ
１０Ｃ  メモリセル
１１  位置認識部
２１  ステージ
２２  ステージ駆動装置（エネルギー照射位置調整手段）
３１  エネルギー照射装置（エネルギー一括照射手段）
３１Ａ  エネルギー照射源
３２  収束装置（照射エネルギー収束手段）
３３  位置認識装置（画像撮影装置）
４０  制御装置
４１  制御手段
４２  位置認識手段（不揮発性記憶装置載置位置認識手段）
４３  データ記憶手段
４４  データ入力装置（書き込みデータ入力手段）
４５  エネルギー照射制御手段
４６  ステージ駆動制御手段
４７  書き込みデータ故障判定手段（誤り検出手段）
４８  判定結果記憶手段
４９  電源制御回路
【図１】
2008310867.tif 000003
【図２】
2008310867.tif 000004
【図３】
2008310867.tif 000005
【図４】
2008310867.tif 000006