(57)【要約】【課題】スペースを割く必要なく、磁気抵抗効果素子のシールド部に磁場を印加してシールド部の磁区状態を再生する際に、磁気記録媒体に悪影響を及ぼさずにシールド部に強い磁場を印加することを可能とする磁気センサ、およびそれを用いた磁気記憶装置を提供する。【解決手段】外部磁場に応じて磁化方向が変化するフリー層を有する磁気抵抗効果素子４と、磁気抵抗効果素子４に近接して設けられたシールド部８，９と、シールド部８，９に所定方向の磁場を印加する状態と、磁場の印加を停止した状態とを切り替え可能に設けられた磁場発生手段１３，１４とを備える。【選択図】図２
2008204527.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部磁場に応じて磁化方向が変化するフリー層を有する磁気抵抗効果素子と、
該磁気抵抗効果素子に近接して設けられたシールド部と、
該シールド部に所定方向の磁場を印加する状態と、該磁場の印加を停止した状態とを切り替え可能に設けられた磁場発生手段とを備えることを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
前記所定方向に磁化され、前記フリー層に常時磁場を作用させてフリー層の磁化方向を設定するハードバイアス部を備えることを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記磁場発生手段は、外部端子を介して入力された電気入力に応じて、磁場の印加および停止を制御可能であることを特徴とする請求項１または２記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記磁場発生手段は、前記外部端子に接続された電磁石から成ることを特徴とする請求項３記載の磁気センサ。
【請求項５】
前記外部端子は、前記磁気抵抗効果素子および前記磁場発生手段の双方に接続され、
前記外部端子に正電圧が印加された場合に、前記磁場発生手段には該正電圧による電流が流れないようにし、該外部端子に負電圧が印加された場合には、前記磁気抵抗効果素子には該負電圧による電流が流れないようにする整流部を備えることを特徴とする請求項３または４記載の磁気センサ。
【請求項６】
前記磁場発生手段は、前記シールド部を前記所定方向から挟んで複数設けられていることを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれか一項記載の磁気センサ。
【請求項７】
前記磁場発生手段は、前記シールド部に１０００〜５０００ガウスの強度の磁場を印加可能に設けられていることを特徴とする請求項１〜６のうちのいずれか一項記載の磁気センサ。
【請求項８】
磁気記録媒体と、
該磁気記録媒体に前記磁気抵抗効果素子が対向するよう設けられた、請求項１〜７のうちのいずれか一項記載の磁気センサを有する磁気ヘッドと、
該磁気ヘッドの前記磁場発生手段を制御して、前記シールド部に磁場を印加し、または該磁場の印加を停止する制御を行う制御部とを備えることを特徴とする磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部磁場に応じて磁化方向が変化するフリー層を有する磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子に近接して設けられたシールド部とを備える磁気センサ、およびそれを用いた磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置等の磁気記憶装置において、使用や経時に応じて磁気センサの特性劣化が進行する場合がある。
特許文献１にも記載されているように、特性劣化の要因としては、磁気抵抗効果素子に近接して設けられるシールド部やハードバイアス部の磁区状態が変化してしまうことで、磁気抵抗効果素子の出力特性が変化してしまうためと考えられている（特許文献１  段落００１２等参照）。
【０００３】
特許文献１には、磁気ヘッドを磁気記録媒体に対してアンロードした状態で、磁気ヘッドに磁界を印加する磁界印加部を備えた磁気記録装置（磁気記憶装置）が記載されている。
【０００４】
図６は、特許文献１に記載された磁気記録装置の構成を示す。この磁気記録装置１は、磁気記録媒体としての磁気ディスクであるハードディスク４０と、ヘッドスライダ７５に搭載された状態で磁気ヘッドが先端部に取り付けられたアーム２０と、ランプ機構によりアーム２０を保持するためのガイダー１５を有する保持部１０と、ハードディスク４０に対する情報の書き込み及び読み出し等の各種動作を制御する制御部３０とが筐体５内に搭載された構成を有する。ハードディスク４０は、その主面に対して垂直な方向（図６中奥行き方向）に複数枚（通常は３枚程度）積層されている（特許文献１  段落００２０）。
【０００５】
保持部１０は、アーム２０がハードディスク４０の外側に向かって旋回して磁気ヘッドがアンロードされたときに、タブ２４が乗り上げることによってアーム２０を保持するための複数のガイダー１５を有する。１個のガイダー１５に対して、隣接する２個のアーム２０が保持される。さらに、それぞれのガイダー１５と一体となった状態で、磁気ヘッドに磁界を印加するための磁界印加部が設けられている。すなわち、保持部１０を構成する部材は、その一部又は全部が磁界印加部も兼ねるものである（特許文献１  段落００２２）。
【０００６】
保持部１０に設けられた磁界印加部５０ａを、図７に示す。磁界印加部５０ａは、プラスチックマグネットからなるガイダー１５ａと、断面矩形状で、ガイダー１５ａのガイダー垂直面１６０上に形成された孔に嵌め込まれた状態で互いに対向する１対の永久磁石１８ａ，１８ａとで構成される。それぞれの永久磁石１８ａのガイダー垂直面１６０から突起した部分と、その間に位置する部分のガイダー垂直面１６０とで、アンロードされたヘッドスライダ７５の端部に搭載された磁気ヘッド７０を包囲する溝１００が形成されている。ここで、磁界印加部５０ａによって図中矢印で示す方向の磁界が形成されており、この磁界によって、磁気ヘッド７０には図中の矢印Ｍの方向、すなわち、ほぼトラック幅方向の磁界が印加される（特許文献１  段落００３０）。
【０００７】
特許文献１に記載された磁気記録装置１によれば、非動作時、アンロードされた磁気ヘッドに磁界が印加された状態にあり、これにより、磁気ヘッド中の磁気抵抗効果素子における磁区状態を一定の状態に維持することが可能であり、また、動作時に磁気ヘッドの出力特性が変化したときに、磁気ヘッドを一旦アンロードして磁気ヘッドを磁界印加部により再着磁してから、再度磁気ヘッドをロードするといった制御動作を行うことにより、動作時のリードエラーの発生を防止することができるものとしている（特許文献１  段落００３９）。
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−４０４４３号公報（段落００１２，００２０，００２２，００３０，００３９，第１図，第４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載された磁気記録装置には、以下のような課題がある。
すなわち、磁気記録媒体の近傍に、磁界印加部を構成する永久磁石を配設する必要があるため、永久磁石の発する磁場が磁気記録媒体に悪影響を及ぼさないように、その磁場強度を設定する必要がある。したがって、永久磁石の磁場強度、すなわち磁気ヘッドに印加する磁場強度を、あまり大きくすることができず、磁気センサの特性改善を必ずしも十分に行えない場合があるという課題がある。
【００１０】
また、磁気記録装置内に磁界印加部を設ける必要があるから、磁気記録装置内の省スペース化が困難であるという課題がある。
【００１１】
本発明は上記課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、スペースを割く必要なく、磁気抵抗効果素子のシールド部に磁場を印加してシールド部の磁区状態を再生する際に、磁気記録媒体に悪影響を及ぼさずにシールド部に強い磁場を印加することを可能とする磁気センサ、およびそれを用いた磁気記憶装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る磁気センサは、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、外部磁場に応じて磁化方向が変化するフリー層を有する磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子に近接して設けられたシールド部と、該シールド部に所定方向の磁場を印加する状態と、該磁場の印加を停止した状態とを切り替え可能に設けられた磁場発生手段とを備えることを特徴とする。
これによれば、磁気センサに磁場発生手段が備えられているから、磁気記憶装置内等に、従来の磁界印加部等のためのスペースを割く必要がない。
また、シールド部の直近に磁場発生手段を設けることができるから、従来よりも小さい強度の磁場を発生させてもシールド部に強い磁場を作用させることができる。したがって、磁気記録媒体に悪影響を及ぼすことを避けながら、シールド部に強い磁場を印加することができる。
【００１３】
さらに、前記所定方向に磁化され、前記フリー層に常時磁場を作用させてフリー層の磁化方向を設定するハードバイアス部を備えることを特徴とする。
これによれば、ハードバイアス部の磁化状態も、磁場発生手段により補正することができる。
【００１４】
また、前記磁場発生手段は、外部端子を介して入力された電気入力に応じて、磁場の印加および停止を制御可能であることを特徴とする。
これによれば、磁場の印加、およびその停止を、簡単な制御で行うことができる。
【００１５】
さらに、前記磁場発生手段は、前記外部端子に接続された電磁石から成ることを特徴とする。
これによれば、磁場発生手段を簡単な機構で構成できる。
【００１６】
また、前記外部端子は、前記磁気抵抗効果素子および前記磁場発生手段の双方に接続され、前記外部端子に正電圧が印加された場合に、前記磁場発生手段には該正電圧による電流が流れないようにし、該外部端子に負電圧が印加された場合には、前記磁気抵抗効果素子には該負電圧による電流が流れないようにする整流部を備えることを特徴とする。
これによれば、磁場発生手段に対応する既存の外部端子（磁気抵抗効果素子に接続するリード用の外部端子）を用いて、磁場発生手段を制御することができる。
【００１７】
また、前記磁場発生手段は、前記シールド部を前記所定方向から挟んで複数設けられていることを特徴とする。
これによれば、シールド部に対して、一定の強度の磁場を、方向精度良くかつ安定的に印加することができる。
【００１８】
また、前記磁場発生手段は、前記シールド部に１０００〜５０００ガウスの強度の磁場を印加可能に設けられていることを特徴とする。
これによれば、シールド部の磁区状態を好適に修正することができる。
【００１９】
また、本発明に係る磁気記憶装置は、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に前記磁気抵抗効果素子が対向するよう設けられた、請求項１〜７のうちのいずれか一項記載の磁気センサを有する磁気ヘッドと、該磁気ヘッドの前記磁場発生手段を制御して、前記シールド部に磁場を印加し、または該磁場の印加を停止する制御を行う制御部とを備えることを特徴とする磁気記憶装置。
これによれば、磁気センサに磁場発生手段が備えられているから、磁気記憶装置内等に、従来の磁界印加部等のためのスペースを割く必要がない。
また、シールド部の直近に磁場発生手段を設けることができるから、従来よりも小さい強度の磁場を発生させてもシールド部に強い磁場を作用させることができる。したがって、磁気記録媒体に悪影響を及ぼすことを避けながら、シールド部に強い磁場を印加することができる。
【００２０】
さらに、前記制御部は、前記磁気記録媒体に記録された磁気情報を前記磁気抵抗効果素子により読めなくなった場合に、前記磁場発生手段を制御して、前記シールド部に磁場を印加することを特徴とする。
これによれば、磁気抵抗効果素子の出力特性が悪化した際に、シールド部の磁化状態を修正することができる。
【００２１】
さらに、前記制御部は、前記磁場発生手段を制御して前記シールド部に磁場を印加した後、前記磁気抵抗効果素子により前記磁気記録媒体に記録された磁気情報を読み取り可能か否かのチェックを行い、該読み取りが不能であった場合には前記磁気センサを不良と判定する処理を行うことを特徴とする。
これによれば、シールド部の磁化状態を修正しても改善不能な磁気抵抗効果素子の不良を検出することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る磁気センサ、および磁気記憶装置によれば、スペースを割く必要なく、磁気抵抗効果素子のシールド部に磁場を印加してシールド部の磁区状態を再生する際に、磁気記録媒体に悪影響を及ぼさずにシールド部に強い磁場を印加することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明に係る磁気センサ、および磁気記憶装置を実施するための最良の形態を説明する。
【００２４】
図１は、本実施の形態に係る磁気センサを有する磁気ヘッドが内蔵された磁気ヘッドスライダ３９を備える磁気記憶装置としての磁気ディスク装置３１の内部構造を示す。磁気ディスク装置３１の矩形の箱状に形成された本体３２には、磁気記録媒体としての磁気ディスク３３が収容されている。磁気ディスク３３は、スピンドルモータ３４の回転軸に装着され、スピンドルモータ３４の駆動によって回転する。
【００２５】
本体３２内には、磁気ディスク３３のディスク面と垂直方向に延びる支軸３５の回りで揺動するキャリッジ３６が収容されている。このキャリッジ３６は、支軸３５から水平方向に延びる剛体の揺動アーム３７と、この揺動アーム３７の先端に取り付けられ、揺動アーム３７から前方に延びる弾性サスペンション３８とを備える。
【００２６】
弾性サスペンション３８の先端には、浮上面を磁気ディスク３３のディスク面に対向させて磁気ヘッドスライダ３９が取り付けられている。磁気ヘッドスライダ３９には、磁気ディスク３３の表面に向かって弾性サスペンション３８による押圧力が作用する。磁気ディスク３３の回転に基づき磁気ディスク３３の表面で生成される気流の働きによって磁気ヘッドスライダ３９に浮力が作用する。弾性サスペンション３８の押圧力と浮力とのバランスにより磁気ディスク３３の回転中に磁気ヘッドスライダ３９が浮上する。
【００２７】
磁気ヘッドスライダ３９の浮上中に、キャリッジ３６が支軸３５を軸として揺動することにより、磁気ヘッドスライダ３９は径方向に磁気ディスク３３の表面を横切るように移動する。こうした移動により磁気ヘッドスライダ３９は磁気ディスク３３上の所望の記録トラックに位置決めされる。キャリッジ３６の揺動は、たとえばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）といったアクチュエータ４３によって実現される。
【００２８】
磁気ディスク装置３１は、ＣＰＵやその他のＬＳＩやメモリ等から成る図示しない制御部を有する。制御部は、ＣＰＵによりＲＯＭに記録されたファームウェアプログラムを実行したり、ＬＳＩの機能を実行したりすることにより、スピンドルモータ３４やアクチュエータ４３を駆動制御し、磁気ヘッドスライダ３９の磁気抵抗効果素子の出力信号を解析して磁気記録媒体に記録された情報を読み取ったり、磁気記録ヘッド１２を駆動制御して磁気記録媒体に情報を書き込んだりする制御を行う。
【００２９】
図２は、磁気ヘッドスライダ３９を浮上面３９ａ側から見た構成を示す説明図である。図３は、磁気ヘッドスライダ３９の磁気抵抗効果素子４の近傍を、上方（薄膜磁気ヘッドスライダの薄膜の積層方向上方）から見た透視説明図である。
【００３０】
図２および図３に示すように、磁気ヘッドスライダ３９は、外部磁場に応じて磁化方向が変化するフリー層を有する磁気抵抗効果素子４と、磁気抵抗効果素子４の両側に設けられ、図中矢印で示す所定方向に磁化され、前記フリー層に常時磁場を作用させてフリー層の磁化方向を設定するハードバイアス部としてのハードバイアス膜６，６と、磁気抵抗効果素子４を上下から挟むシールド部としての上部シールド８および下部シールド９とから成る磁気センサ１７を備える。
磁気抵抗効果素子４、ハードバイアス膜６，６、上部シールド８、および下部シールド９は、それぞれ一端面が浮上面３９ａに露出して設けられる。
【００３１】
また、図２に示すように、磁気ヘッドスライダ３９は、磁気センサ１７の上層に、磁気記録ヘッド１２を備える。磁気記録ヘッド１２の詳細な構成については説明を省略する。
【００３２】
磁気ヘッドスライダ３９は、図２および図３に示すように、上部シールド８、下部シールド９、およびハードバイアス膜６，６に前記所定方向の磁場を印加する状態と、その磁場の印加を停止した状態とを切り替え可能に設けられた磁場発生手段としての、電磁石１３，１４をさらに備える。
二つの電磁石１３，１４は、上部シールド８、下部シールド９、およびハードバイアス膜６，６を前記所定方向から挟むよう設けられている。
また、電磁石１３，１４は、図３に示すように、浮上面３９ａには露出しないよう、浮上面３９ａから所定距離離間した位置に配設される。
【００３３】
二つの電磁石１３，１４は、それぞれ、前記所定方向に延びる棒状に設けられた、鉄等から成る軟磁性芯材１３ｂ，１４ｂと、軟磁性芯材１３ｂ，１４ｂを軸心として巻き込むコイル１３ａ，１４ａとを備える。
【００３４】
本磁気ヘッドスライダ３９の磁気記録ヘッド１２、磁気抵抗効果素子４、および電磁石１３，１４（コイル１３ａ，１４ａ）の回路構成の例を、図４（ａ），（ｂ）に示す。
【００３５】
図４（ａ）に示す回路構成例では、電気的に直列に接続された電磁石１３，１４に電流を供給する外部端子１６ａ，１６ｂが、磁気記録ヘッド１２に接続する外部端子２２ａ，２２ｂおよび磁気抵抗効果素子４に接続する外部端子２３ａ，２３ｂとは別に設けられている。
電磁石１３，１４に接続された外部端子１６ａ，１６ｂは、例えば、磁気記録ヘッド１２に接続する外部端子２２ａ，２２ｂおよび磁気抵抗効果素子４に接続する外部端子２３ａ，２３ｂと並べて、磁気ヘッドスライダ３９の一外側面に設ければよい。
【００３６】
あるいは、図４（ｂ）に示す回路構成例のように、電磁石１３，１４に電流を供給する外部端子１６ａ，１６ｂを、磁気抵抗効果素子４に接続する外部端子と兼用するよう構成してもよい。この場合、電気的に直列に接続された電磁石１３，１４と、磁気抵抗効果素子４とを、電気的に並列に接続し、各回路に接続する配線を外部端子１６ａ，１６ｂに接続する構成とする。
【００３７】
図４（ｂ）に示す回路構成例を採用する場合には、さらに、外部端子１６ｂに対して外部端子１６ａに正電圧を印加した際に電磁石１３，１４にはその正電圧による電流が流れないように設けられた第一整流部２６ａと、外部端子１６ｂに対して外部端子１６ａに負電圧を印加した際に磁気抵抗効果素子４にはその負電圧による電流が流れないように設けられた第二整流部２６ｂとを設ける。
【００３８】
ここで、前記正電圧は、磁気センサ１７の磁気抵抗効果素子４にバイアス電圧またはセンス電流を印加するために生じさせる電圧を指す。すなわち、磁気センサ１７により磁気ディスク３３から情報を読み取るべく、磁気抵抗効果素子４にバイアス電圧またはセンス電流を印加している際には、第一整流部２６ａの作用により、電磁石１３，１４が磁場を発生させることがない。
また、外部端子１６ａ，１６ｂ間に前記負電圧を印加した際には、第二整流部２６ｂの作用により、磁気センサ１７の磁気抵抗効果素子４には電圧および電流が印加されることがない。
【００３９】
なお、本願においては、便宜上、磁気センサ１７の磁気抵抗効果素子４にバイアス電圧またはセンス電流を印加するために生じさせる電圧を正電圧と定義し、それとは逆の電位を負電圧と相対的に定義しているものであり、電位の正負について絶対的な限定をしているものではない。
【００４０】
磁気ディスク装置３１の制御部は、電磁石１３，１４に対する電流の印加し、または印加の停止の制御を行うことで、ハードバイアス膜６，６、上部シールド８、および下部シールド９に電磁石１３，１４からの磁場を印加し、または磁場の印加を停止する制御を行う。
【００４１】
なお、制御部は、電磁石１３，１４から生じた磁場が磁気ディスク３３に記録された磁気情報に影響を与えないよう、電磁石１３，１４に電流を印加する際（すなわちハードバイアス膜６，６、上部シールド８、および下部シールド９に電磁石１３，１４からの磁場を印加する際）には、アクチュエータ４３を駆動制御して揺動アーム３７を動作させ、磁気ヘッドスライダ３９を磁気ディスク３３上から退避させたアンロード状態とする。
【００４２】
なお、図４（ｂ）に示したような回路構成の場合は、制御部は、磁気抵抗効果素子４により磁気ディスク３３から情報を読み取る際には、外部端子１６ａ，１６ｂ間に、磁気抵抗効果素子４にバイアス電圧またはセンス電流を印加するための前記正電圧を印加し、他方、ハードバイアス膜６，６、上部シールド８、および下部シールド９に磁場を印加する際には、外部端子１６ａ，１６ｂ間に前記負電圧を印加して、電磁石１３，１４のコイル１３ａ，１４ａに電流を流すよう制御を行う。
【００４３】
なお、電磁石１３，１４は、ハードバイアス膜６，６、上部シールド８、および下部シールド９に、１０００〜５０００ガウスの強度の磁場を印加するように設けられる。この磁場の強度の設定は、コイル１３ａ，１４ａの巻数を調節したり、外部端子１６ａ，１６ｂを介してコイル１３ａ，１４ａに印加する電流量を制御部により調節したりすること等により行うことができる。
【００４４】
本実施の形態に係る磁気センサ１７、および磁気記憶装置としての磁気ディスク装置３１によれば、磁気センサ１７そのものに磁場発生手段が備えられているから、磁気ディスク装置３１内に、従来のように磁界印加部等のためのスペースを割く必要がない。また、従来技術に比較して、ハードバイアス膜６，６、上部シールド８、および下部シールド９の直近に磁場発生手段を設けることができるから、従来よりも小さい強度の磁場を発生させてもハードバイアス膜６，６、上部シールド８、および下部シールド９に強い磁場を作用させることができる。したがって、磁気ディスク３３の記録状態等に悪影響を及ぼすことを避けながら、ハードバイアス膜６，６、上部シールド８、および下部シールド９に強い磁場を印加して、それらの磁区状態を効果的に修復することができる。
【００４５】
なお、前記制御部を、磁気ディスク３３に記録された磁気情報を磁気抵抗効果素子４（磁気センサ１７）により読めなくなった場合に、電磁石１３，１４を制御して、ハードバイアス膜６，６、上部シールド８、および下部シールド９に磁場を印加する処理を行うよう構成すれば、磁気抵抗効果素子４の出力特性が悪化した際に、ハードバイアス膜６，６、上部シールド８、および下部シールド９の磁化状態を修正することができる。
【００４６】
さらに、前記制御部を、前記磁場を印加した後、磁気抵抗効果素子４（磁気センサ１７）により磁気ディスク３３に記録された磁気情報を読み取り可能か否かのチェックを行い、読み取りが不能であった場合に磁気センサ１７を不良と判定する処理を行うよう構成すれば、シールド部の磁化状態を修正しても改善不能な磁気抵抗効果素子の不良を検出することができる。
この際、前記磁場の印加に続いて、磁気記録ヘッド１２により磁気ディスク３３への磁気情報の書き込みを行い、続いて磁気抵抗効果素子４（磁気センサ１７）によりその書き込んだ磁気情報の読み取りが可能か否かの判定を行うように構成してもよい。また、この磁場印加、書き込み、読み出しのチェックのサイクルを、複数回行い、所定回数（例えば３回）続けて読み取りが正常にできなかった場合に、磁気センサ１７を不良と判定する処理を行うよう、制御部を構成してもよい。
【００４７】
次に、本実施の形態に係る磁気センサ１７の製造方法として、電磁石１３の形成方法について、図５を用いて説明する。電磁石１４の形成方法は、電磁石１３と同様であるので説明を省略する。
なお、本願発明に係る磁気センサの磁場発生手段の形成方法は、下記方法に限定されるわけではない。
【００４８】
図５（ａ）〜（ｈ）に示した図は、それぞれ、上に記載した図が、電磁石１３の形成箇所を薄膜の積層方向上方から見た平面図であり、下に記載した図が、電磁石１３の形成箇所を浮上面３９ａ側から見た正面図である。また、図中の破線部は、内部の部材を透視した状態を示す。
【００４９】
図５（ａ），（ｂ）に示すように、まず、絶縁層４２上に導電材料から成る複数の線分状の配線パターン４４，４４・・を、互いに平行に形成する。この導電材料としては例えば銅等を採用できる。また、この配線パターン４４，４４・・の形成は、例えば、既知のフォトリソグラフィ法およびめっき法により実現できる。
続いて、図５（ｃ）に示すように、絶縁層４２および配線パターン４４，４４・・上に絶縁層４６を形成する。
【００５０】
続いて、図５（ｄ）に示すように、配線パターン４４，４４・・上の絶縁層４６上に、軟磁性芯材１３ｂを形成する。この軟磁性芯材１３ｂを構成する軟磁性材料としては、例えば鉄または鉄合金等を採用できる。また、この軟磁性芯材１３ｂの形成は、例えば、既知のフォトリソグラフィ法およびめっき法により実現できる。
続いて、図５（ｅ）に示すように、軟磁性芯材１３ｂの側面および上面を、絶縁層４８で覆う。さらに、絶縁層４８の上面から、絶縁層４６を貫通して、各配線パターン４４，４４・・の各端部に至るスルーホール５２，５２・・を形成する。
続いて、図５（ｆ）に示すように、スルーホール５２，５２・・内を導電材料で埋めて配線パターン５４，５４・・を形成する。この導電材料としては例えば銅等を採用でき、また、この配線パターン５４，５４・・の形成は、例えばめっき法により実現できる。
【００５１】
続いて、図５（ｇ）に示すように、絶縁層４８上に、配線パターン４４，４４・・の両端部に接続する各配線パターン５４，５４・・同士を、それぞれ対応する配線パターン４４，４４・・の一列分だけずれて接続する、配線パターン５６，５６・・を形成する。配線パターン５６，５６・・の形成材料および形成方法は、配線パターン４４，４４・・と同様である。これにより、配線パターン４４，４４・・、配線パターン５４，５４・・、および配線パターン５６が、軟磁性芯材１３ｂを軸心として巻き込むコイル１３ａとして構成される。
さらに、図５（ｈ）に示すように、絶縁層４８および配線パターン５６，５６・・上に絶縁層５８を形成する。
【００５２】
（付記１）
外部磁場に応じて磁化方向が変化するフリー層を有する磁気抵抗効果素子と、
該磁気抵抗効果素子に近接して設けられたシールド部と、
該シールド部に所定方向の磁場を印加する状態と、該磁場の印加を停止した状態とを切り替え可能に設けられた磁場発生手段とを備えることを特徴とする磁気センサ。
（付記２）
前記所定方向に磁化され、前記フリー層に常時磁場を作用させてフリー層の磁化方向を設定するハードバイアス部を備えることを特徴とする付記１記載の磁気センサ。
（付記３）
前記磁場発生手段は、外部端子を介して入力された電気入力に応じて、磁場の印加および停止を制御可能であることを特徴とする付記１または２記載の磁気センサ。
（付記４）
前記磁場発生手段は、前記外部端子に接続された電磁石から成ることを特徴とする付記３記載の磁気センサ。
（付記５）
前記外部端子は、前記磁気抵抗効果素子および前記磁場発生手段の双方に接続され、
前記外部端子に正電圧が印加された場合に、前記磁場発生手段には該正電圧による電流が流れないようにし、該外部端子に負電圧が印加された場合には、前記磁気抵抗効果素子には該負電圧による電流が流れないようにする整流部を備えることを特徴とする付記３または４記載の磁気センサ。
（付記６）
前記磁場発生手段は、前記シールド部を前記所定方向から挟んで複数設けられていることを特徴とする付記１〜５のうちのいずれか一項記載の磁気センサ。
（付記７）
前記磁場発生手段は、前記シールド部に１０００〜５０００ガウスの強度の磁場を印加可能に設けられていることを特徴とする付記１〜６のうちのいずれか一項記載の磁気センサ。
（付記８）
磁気記録媒体と、
該磁気記録媒体に前記磁気抵抗効果素子が対向するよう設けられた、付記１〜７のうちのいずれか一項記載の磁気センサを有する磁気ヘッドと、
該磁気ヘッドの前記磁場発生手段を制御して、前記シールド部に磁場を印加し、または該磁場の印加を停止する制御を行う制御部とを備えることを特徴とする磁気記憶装置。
（付記９）
前記制御部は、前記磁気記録媒体に記録された磁気情報を前記磁気抵抗効果素子により読めなくなった場合に、前記磁場発生手段を制御して、前記シールド部に磁場を印加することを特徴とする付記８記載の磁気記憶装置。
（付記１０）
前記制御部は、前記磁場発生手段を制御して前記シールド部に磁場を印加した後、前記磁気抵抗効果素子により前記磁気記録媒体に記録された磁気情報を読み取り可能か否かのチェックを行い、該読み取りが不能であった場合には前記磁気センサを不良と判定する処理を行うことを特徴とする付記９記載の磁気記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明に係る磁気記憶装置としての磁気ディスク装置の内部構造を示す図である。
【図２】本発明に係る磁気センサを有する磁気ヘッドスライダを浮上面側から見た構成を示す説明図である。
【図３】本発明に係る磁気センサを有する磁気ヘッドスライダを、薄膜の積層方向上方から見た透視説明図である。
【図４】磁気ヘッドの磁気記録ヘッド、磁気抵抗効果素子、および磁場発生手段としての電磁石の回路構成の例を示す説明図である。
【図５】本発明に係る磁気センサの製造方法としての、磁場発生手段（電磁石）の形成方法を説明する説明図である。
【図６】従来の磁気記憶装置の構成を示す図である。
【図７】従来の磁気記憶装置における磁界印加部の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５４】
４  磁気抵抗効果素子
６  ハードバイアス膜（ハードバイアス部）
８  上部シールド（シールド部）
９  下部シールド（シールド部）
１２  磁気記録ヘッド
１３，１４  電磁石（磁場発生手段）
１３ａ，１４ａ  コイル
１３ｂ，１４ｂ  軟磁性芯材
１６ａ，１６ｂ  外部端子
１７  磁気センサ
２６ａ  第一整流部（整流部）
２６ｂ  第二整流部（整流部）
３１  磁気ディスク装置（磁気記憶装置）
３３  磁気ディスク（磁気記録媒体）
３９  磁気ヘッドスライダ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図５】
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