(57)【要約】【課題】ウェハの外周側面に多量の情報を刻印した半導体ウェハ、ウェハの外周側面に多量の情報を容易に刻印する半導体装置の製造装置および製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】半導体ウェハ６であって、半導体で構成される薄板円盤状の半導体ウェハ本体部１０と、前記半導体ウェハ本体部１０の側面に配設される溝部１１と、を備え、前記溝部１１は、溝の形状や大きさによって、前記半導体ウェハ本体部１０の情報であるウェハ情報を示す。【選択図】図３Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体で構成される薄板円盤状の半導体ウェハ本体部と、
前記半導体ウェハ本体部の側面に配設される溝部と、を備え、
前記溝部は、溝の形状や大きさによって、前記半導体ウェハ本体部の情報であるウェハ情報を表示する、
半導体ウェハ。
【請求項２】
前記溝部は、前記半導体ウェハ本体部の表面に対する溝の角度によって前記ウェハ情報を表示する、
請求項１に記載の半導体ウェハ。
【請求項３】
前記溝部は、前記半導体ウェハ本体部の側面から溝の底部までの深さによって前記ウェハ情報を表示する、
請求項１または２に記載の半導体ウェハ。
【請求項４】
前記溝部は、溝の長さによって前記ウェハ情報を表示する、
請求項１から３の何れかに記載の半導体ウェハ。
【請求項５】
前記溝部は、形状や大きさの異なる複数の溝を有し、該複数の溝の組み合わせのパターンによって前記ウェハ情報を表示する、
請求項１から４の何れかに記載の半導体ウェハ。
【請求項６】
半導体ウェハに刻印するウェハ情報の入力を受け付ける入力手段と、
半導体ウェハに刻印するウェハ情報と該半導体ウェハの側面に刻印される溝の形状や大きさとの対応関係を定めたマップを記憶する第一の記憶手段と、
前記第一の記憶手段に記憶されている前記マップを検索し、前記入力手段に入力された前記半導体ウェハに刻印するウェハ情報に対応する溝の形状および寸法の少なくとも一方に関するデータを索出する第一の索出手段と、
前記半導体ウェハの側面に、前記第一の索出手段によって索出された形状および寸法の少なくとも一方と同じ形状または寸法を有する溝を刻印する刻印手段と、を備える
半導体装置の製造装置。
【請求項７】
半導体ウェハに刻印されている溝の形状や大きさを読み取る読取手段と、
半導体ウェハに刻印されるウェハ情報と該半導体ウェハの側面に刻印される溝の形状や大きさとの対応関係を定めたマップを記憶する第二の記憶手段と、
前記第二の記憶手段に記憶されている前記マップを検索し、前記読取手段において読み取られた前記半導体ウェハに刻印されている溝の形状および寸法の少なくとも一方に対応するウェハ情報を索出する第二の索出手段と、
前記第二の索出手段において索出された前記ウェハ情報を外部に出力する出力手段と、を備える
半導体装置の製造装置。
【請求項８】
半導体ウェハに刻印するウェハ情報の入力を受け付ける入力工程と、
記憶手段に記憶されている、半導体ウェハに刻印するウェハ情報と該半導体ウェハの側面に刻印される溝の形状や大きさとの対応関係を定めたマップを検索し、前記入力工程において入力された前記半導体ウェハに刻印するウェハ情報に対応する溝の形状および寸法の少なくとも一方に関するデータを索出する第一の索出工程と、
前記半導体ウェハの側面に、前記第一の索出工程において索出された形状および寸法の少なくとも一方と同じ形状または寸法を有する溝を刻印する刻印工程と、を含む
半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハ、半導体装置の製造装置、および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、半導体ウェハに数百にも及ぶ処理を施すことで製造される。従って、半導体装置を製造する際は、半導体ウェハに管理番号等を付して工程を管理する必要がある。
【０００３】
半導体ウェハに管理番号等を付す方法として、ウェハの表面や裏面に刻印する方法とウェハの側面に刻印する方法とがある。
【０００４】
例えば、特許文献１には、ウェハの外周に切り込み等を設けて工程処理内容および工程履歴等の情報を記録することにより、半導体基板の汚染を防止して歩留まりを向上させる技術が記載されている。また、特許文献２には、ウェハの外周部にＩＤマークを刻印することにより、半導体ウェハのプロセス条件をウェハ毎に反映させる技術が記載されている。また、特許文献３には、ウェハエッジにマイクロノッチを形成することで、ウェハを表面または裏面を研磨してもウェハのＩＤ番号を識別可能にする技術が記載されている。
【特許文献１】特開昭５８−５０７５０号公報
【特許文献２】特開２００２−３５３０８０号公報
【特許文献３】特開２００４−１１９６５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、これらの技術には次のような課題がある。すなわち、ウェハの表面や裏面に管理番号等を刻印すると、刻印の際に飛散したパーティクルがウェハ表面に付着して歩留まりが低下したり、ウェハ表面を研磨した際に刻印が消えたりする。これらの問題は、ウェハの側面に管理番号等を刻印することで解決可能である。しかしながら、ウェハの側面に切り込みやマイクロエッジを設ける技術によれば、刻印可能な情報量が少なく、ウェハ毎のプロセス条件等の情報を刻印して製造プロセスを最適化することが困難である。一方、ウェハの側面にＩＤマークを設ける技術によれば、ＩＤマークを刻印する装置が複雑になる。
【０００６】
そこで本発明は、ウェハの外周側面に多量の情報を刻印した半導体ウェハ、ウェハの外周側面に多量の情報を容易に刻印する半導体装置の製造装置および製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は上記の課題を解決するため、半導体ウェハ本体部の側面に、形状や大きさによって半導体ウェハ本体部の情報を示すように構成された溝を配設する。
【０００８】
詳細には、半導体ウェハであって、半導体で構成される薄板円盤状の半導体ウェハ本体部と、前記半導体ウェハ本体部の側面に配設される溝部と、を備え、前記溝部は、溝の形状や大きさによって、前記半導体ウェハ本体部の情報であるウェハ情報を示す。
【０００９】
また、本発明は、製造装置の面からも捉えられる。すなわち、本発明は、半導体装置の製造装置であって、半導体ウェハに刻印するウェハ情報の入力を受け付ける入力手段と、
半導体ウェハに刻印するウェハ情報と該半導体ウェハの側面に刻印される溝の形状や大きさとの対応関係を定めたマップを記憶する第一の記憶手段と、前記第一の記憶手段に記憶されている前記マップを検索し、前記入力手段に入力された前記半導体ウェハに刻印するウェハ情報に対応する溝の形状および寸法の少なくとも一方に関するデータを索出する第一の索出手段と、前記半導体ウェハの側面に、前記第一の索出手段によって索出された形状および寸法の少なくとも一方と同じ形状または寸法を有する溝を刻印する刻印手段と、を備えてもよい。
【００１０】
また、本発明は、半導体装置の製造装置であって、半導体ウェハに刻印されている溝の形状や大きさを読み取る読取手段と、半導体ウェハに刻印されるウェハ情報と該半導体ウェハの側面に刻印される溝の形状や大きさとの対応関係を定めたマップを記憶する第二の記憶手段と、前記第二の記憶手段に記憶されている前記マップを検索し、前記読取手段において読み取られた前記半導体ウェハに刻印されている溝の形状および寸法の少なくとも一方に対応するウェハ情報を索出する第二の索出手段と、前記第二の索出手段において索出された前記ウェハ情報を外部に出力する出力手段と、を備えてもよい。
【００１１】
また、本発明は、製造方法の面からも捉えられる。すなわち、本発明は、半導体装置の製造方法であって、半導体ウェハに刻印するウェハ情報の入力を受け付ける入力工程と、記憶手段に記憶されている、半導体ウェハに刻印するウェハ情報と該半導体ウェハの側面に刻印される溝の形状や大きさとの対応関係を定めたマップを検索し、前記入力工程において入力された前記半導体ウェハに刻印するウェハ情報に対応する溝の形状および寸法の少なくとも一方に関するデータを索出する第一の索出工程と、前記半導体ウェハの側面に、前記第一の索出工程において索出された形状および寸法の少なくとも一方と同じ形状または寸法を有する溝を刻印する刻印工程と、を含むようにしてもよい。
【００１２】
また、本発明は、半導体装置の製造方法であって、半導体ウェハに刻印されている溝の形状や大きさを読み取る読取工程と、記憶手段に記憶された、半導体ウェハに刻印されるウェハ情報と該半導体ウェハの側面に刻印される溝の形状や大きさとの対応関係を定めたマップを検索し、前記読取工程において読み取られた前記半導体ウェハに刻印されている溝の形状および寸法の少なくとも一方に対応するウェハ情報を索出する第二の索出工程と、前記第二の索出工程において索出された前記ウェハ情報を外部に出力する出力工程と、を含むようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
ウェハの外周側面に多量の情報を刻印した半導体ウェハ、ウェハの外周側面に多量の情報を容易に刻印する半導体装置の製造装置および製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施の形態に係る半導体ウェハ、半導体装置の製造装置および製造方法を説明する。本実施形態は例示であり、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１５】
＜実施形態１の構成＞
図１は、本発明の第一の実施形態に係る半導体装置の製造装置（以下、製造装置１と呼ぶ。）の構成を示す。図１において示すように、製造装置１は、入力装置２（本発明でいう「入力手段」に相当する。）、記憶装置３（本発明でいう「第一の記憶手段」に相当する。）、索出装置４（本発明でいう「第一の索出手段」に相当する。）、および刻印装置５（本発明でいう「刻印手段」に相当する。）を備えている。
【００１６】
入力装置２は、入出力インターフェース等で構成される。入力装置２は、外部に接続さ
れた機器から送られるウェハ情報の入力を受け付ける。入力装置２は、入力されたウェハ情報を索出装置４に送る。
【００１７】
記憶装置３は、ハードディスク等で構成される。記憶装置３は、オペレータ等が予め作成した、半導体ウェハに刻印するウェハ情報と該半導体ウェハの側面に刻印される溝の形状や大きさとの対応関係を定めたマップが記憶されている。記憶装置３は、索出装置４からのアクセスを受け付け、索出装置４にデータを提供する。
【００１８】
索出装置４は、ＣＰＵ等で構成される。索出装置４は、入力装置２から送られるウェハ情報や記憶装置３から提供されるデータを受け付け、処理する。索出装置４は、処理したデータを刻印装置５に送る。
【００１９】
刻印装置５は、半導体ウェハ６にウェハ情報を刻印する。刻印装置５は、ウェハ位置決め装置７、レーザ発生装置８、制御装置９を有している。
【００２０】
ウェハ位置決め装置７は、制御装置９からの指令に応じて半導体ウェハ６を動かしたり回転させたりすることにより、レーザ発生装置８に対する半導体ウェハ６の位置を自在に変更する。
【００２１】
レーザ発生装置８は、半導体ウェハ６の表面を切削して加工するためのレーザ光を発生する。レーザ発生装置８は、制御装置９からの指令に応じてレーザ光の強度等を調整する。
【００２２】
制御装置９は、索出装置４から送られたデータに基づいてウェハ位置決め装置７やレーザ発生装置８を制御し、半導体ウェハ６にレーザ光を照射してウェハ情報を刻印する。
【００２３】
＜実施形態１の処理フロー＞
次に、製造装置１の処理フローについて説明する。図２は、製造装置１の処理フロー図である。以下、図２のフロー図を参照しながら説明する。
【００２４】
まず、入力装置２が、外部に接続された機器から送られるウェハ情報を受け付ける（ステップＳ１０１。本発明でいう「入力工程」に相当する。）。ここで、外部に接続された機器とは、半導体ウェハ６に関する情報を出力する装置であり、例えば、半導体ウェハ６にＣＭＰやフォトリソグラフィといった各種の処理を施す機器や、半導体ウェハ６を工程管理するコンピュータ、半導体ウェハ６の検査装置等が挙げられる。また、外部に接続された機器から送られるウェハ情報とは、半導体ウェハ６に各種の処理を施す際に必要となる半導体ウェハの品種情報、製品情報、プロセス条件といった情報であり、例えば、ウェハのトラブル情報、マスタースライス情報、ウェハの管理番号、ウェハの膜圧、配線の線幅、歩留まり、ウェハの切り分けといった情報で構成される。
【００２５】
次に、索出装置４が、記憶装置３に記憶されているマップを検索し、入力装置２から送られたウェハ情報に対応する溝の形状や大きさに関するデータを索出する（ステップＳ１０２。本発明でいう「第一の索出工程」に相当する。）。
【００２６】
次に、刻印装置５の制御装置９が、索出装置４から送られた溝の形状や大きさに関するデータに基づいてウェハ位置決め装置７やレーザ発生装置８を制御し、半導体ウェハ６にウェハ情報を刻印する（ステップＳ１０３。本発明でいう「刻印工程」に相当する。）。
【００２７】
＜実施形態１の効果＞
以上、本実施形態によれば、ウェハの外周側面に多量の情報を刻印した半導体ウェハを
容易に製造することが可能になる。
【００２８】
また、本実施形態によれば、半導体ウェハに多量の情報を刻印することが可能であるため、ウェハ情報として、インプロセス情報やバルク・配線情報、歩留まり情報といった各種の情報を含ませることが可能であり、少量多品種生産に容易に対応することが可能である。
【００２９】
また、本実施形態によれば、半導体ウェハ６の端部にレーザでウェハ情報を刻印しているため、ウェハ表面の素子形成領域にパーティクルをほとんど付着させることがない。このため、半導体ウェハ６の歩留まりを向上させることが可能となる。
【００３０】
また、本実施形態によれば、半導体ウェハ６の端部にレーザでウェハ情報を刻印しているため、インプロセス時やプロセスアウト時に半導体ウェハ６の処理結果といったプロセス情報を書き込むことが可能となる。
【００３１】
なお、本実施形態に係る製造装置１でウェハ情報を刻印した半導体ウェハ６の上面図を図３Ａ、側面図を図３Ｂにおいて示す。また、図３Ｃにおいて、半導体ウェハ６の溝１１を拡大したＡ−Ａ断面図を示す。図３Ａ、３Ｂにおいて示すように、半導体ウェハ６は、シリコン等の半導体で構成される薄板円盤状の半導体ウェハ本体部１０と、半導体ウェハ本体部１０の側面に製造装置１で刻印された溝１１と、を備えている。図３Ａ、３Ｂにおいて示すように、溝１１は、形状や大きさによってウェハ情報を示すように構成されている。図３Ｃにおいて示すように、ウェハ情報は、半導体ウェハ本体部１０の表面に対する溝１１の角度、半導体ウェハ本体部１０の側面から溝１１の底部までの深さ、溝１１の長さ、形状や大きさの異なる複数の溝１１の組み合わせ等により、表示されている。
【００３２】
＜実施形態２の構成＞
図４は、本発明の第二の実施形態に係る半導体装置の製造装置（以下、製造装置２１と呼ぶ。）を示す。図４において示すように、製造装置２１は、読取装置２２（本発明でいう「読取手段」に相当する。）、記憶装置２３（本発明でいう「第二の記憶手段」に相当する。）、索出装置２４（本発明でいう「第二の索出手段」に相当する。）、および出力装置２５（本発明でいう「出力手段」に相当する。）を備えている。
【００３３】
読取装置２２は、半導体ウェハ６に刻印されている溝の形状や大きさを読み取る。読取装置２２は、光源２６、読取センサ２７Ａ，Ｂ，Ｃ、ウェハ位置決め装置２８、制御装置２９を有している。
【００３４】
光源２６は、発光ダイオードであり、半導体ウェハ６の溝１１に光を照射する。光源２６は、制御装置２９からの指令に基づいて発光する。
【００３５】
読取センサ２７Ａ，Ｂ，Ｃは、半導体受光素子であり、半導体ウェハ６からの反射光を検知する。図５は、光源２６や読取センサ２７Ａ，Ｂ，Ｃの位置関係を示す図である。図５において示すように、読取センサ２７Ａ，Ｂ，Ｃは一列に配置されており、溝１１の角度に応じて感応するセンサが切り替わるように構成されている。読取センサ２７Ａ，Ｂ，Ｃは、半導体ウェハ６からの反射光を感知したら電気信号に変換し、制御装置２９に読み取った信号を送る。
【００３６】
ウェハ位置決め装置２８は、制御装置２９からの指令に応じて半導体ウェハ６を回転させ、溝１１が光源２６や読取センサ２７の位置に合うようにする。ウェハ位置決め装置２８は、サーボモータ等を備えており、モータの停止角度を調整することによって溝１１を所望の位置に動かす。
【００３７】
制御装置２９は、光源２６、読取センサ２７Ａ，Ｂ，Ｃ、およびウェハ位置決め装置２８を制御し、溝１１の形状や大きさを計測する。
【００３８】
記憶装置２３は、ハードディスク等で構成される。記憶装置２３は、オペレータ等が予め作成した、半導体ウェハに刻印されるウェハ情報と該半導体ウェハの側面に刻印される溝の形状や大きさとの対応関係を定めたマップが記憶されている。記憶装置２３は、索出装置２４からのアクセスを受け付け、索出装置２４にデータを提供する。
【００３９】
索出装置２４は、ＣＰＵ等で構成される。索出装置２４は、制御装置２９から送られる信号や記憶装置２３から提供されるデータを受け付け、処理する。索出装置２４は、処理したデータを出力装置２５に送る。
【００４０】
出力装置２５は、入出力インターフェース等で構成される。出力装置２５は、索出装置２４から送られるウェハ情報の入力を受け付ける。出力装置２５は、入力されたウェハ情報を外部に接続された機器に送る。
【００４１】
＜実施形態２の処理フロー＞
次に、製造装置２１の処理フローについて説明する。図６は、製造装置２１の処理フロー図である。以下、図６のフロー図を参照しながら説明する。
【００４２】
まず、読取装置２２が、半導体ウェハ６に刻印されている溝１１の形状や大きさを読み取る（ステップＳ２０１。本発明でいう「読取工程」に相当する。）。すなわち、読取装置２２の制御装置２９は、光源２６を発光させる。そして、制御装置２９は、ウェハ位置決め装置２８のサーボモータ等を駆動して半導体ウェハ６を回転させる。そして、制御装置２９は、読取センサ２７Ａ，Ｂ，Ｃから送られる電気信号を索出装置２４に送る。
【００４３】
次に、索出装置２４が、読取装置２２の制御装置２９から送られた電気信号に基づき、記憶装置２３内に記憶されているマップを検索し、溝１１の形状や大きさに対応するウェハ情報を索出する（ステップＳ２０２。本発明でいう「第二の索出工程」に相当する。）。
【００４４】
次に、出力装置２５が、索出装置２４が索出したウェハ情報を外部に出力する（ステップＳ２０３。本発明でいう「出力工程」に相当する。）。ここで、出力装置２５がウェハ情報を出力する出力先の機器として、例えば、オペレータがウェハ情報を知得するためのモニタ、取得したウェハ情報に基づくプロセス条件値で半導体ウェハ６にＣＭＰやフォトリソグラフィといった各種の処理を施す機器、半導体ウェハ６の製造工程を管理するコンピュータ等が挙げられる。
【００４５】
＜実施形態２の効果＞
以上、本実施形態に係る製造装置２１によれば、ウェハの外周側面に刻印された半導体ウェハから多量の情報を容易に取得することが可能になる。
【００４６】
＜実施形態２の変形例＞
なお、本実施形態において、読取センサ２７は、３つの半導体受光素子で構成されている。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、２つあるいは４つ以上の半導体受光素子で構成してもよい。
【００４７】
また、読取センサ２７は、溝１１の角度に応じて感応するセンサが切り替わるように構成されているが、溝１１の長さに応じて感応するセンサが切り替わるように構成してもよ
い。この場合の光源２６や読取センサ２７Ａ，Ｂ，Ｃの位置関係を図７において示す。図７において示すように、読取センサ２７Ａ，Ｂ，Ｃは一列に配置されており、溝１１の長さに応じて感応するセンサが切り替わるように構成されている。
【００４８】
また、本実施形態において、読取センサ２７は半導体ウェハ６からの反射光を検知するようにしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、溝を透過する光を検知するようにしてもよい。この場合の光源２６や読取センサ２７Ａ，Ｂ，Ｃの位置関係を図８において示す。図８において示すように、読取センサ２７Ａ，Ｂ、Ｃは一列に配置されており、溝１１の深さに応じて感応するセンサが切り替わるように構成されている。
【００４９】
〔その他〕
本発明は、以下のように特定することができる。
（付記１）
半導体で構成される薄板円盤状の半導体ウェハ本体部と、
前記半導体ウェハ本体部の側面に配設される溝部と、を備え、
前記溝部は、溝の形状や大きさによって、前記半導体ウェハ本体部の情報であるウェハ情報を表示する、
半導体ウェハ。（１、図３Ａ、図３Ｂ）
（付記２）
前記溝部は、前記半導体ウェハ本体部の表面に対する溝の角度によって前記ウェハ情報を表示する、
付記１に記載の半導体ウェハ。（２）
（付記３）
前記溝部は、前記半導体ウェハ本体部の側面から溝の底部までの深さによって前記ウェハ情報を表示する、
付記１または２に記載の半導体ウェハ。（３）
（付記４）
前記溝部は、溝の長さによって前記ウェハ情報を表示する、
付記１から３の何れかに記載の半導体ウェハ。（４）
（付記５）
前記溝部は、形状や大きさの異なる複数の溝を有し、該複数の溝の組み合わせのパターンによって前記ウェハ情報を表示する、
付記１から４の何れかに記載の半導体ウェハ。（５）
（付記６）
前記ウェハ情報は、半導体ウェハの品種情報および製品情報を含む、
付記１から５の何れかに記載の半導体ウェハ。
（付記７）
前記ウェハ情報は、前記半導体ウェハ本体部を加工処理する際のプロセス条件であるウェハプロセス情報を含む、
付記１から６の何れかに記載の半導体ウェハ。
（付記８）
前記品種情報は、前記半導体ウェハ本体部の加工処理を開始する際のプロセス条件であるトラブル情報またはマスタースライス情報を含む、
付記６または７に記載の半導体ウェハ。
（付記９）
前記製品情報は、ウェハの管理番号、ウェハの膜圧、および配線の線幅に関する半導体ウェハの固有の情報である固有ウェハ情報を含む、
付記６から８の何れかに記載の半導体ウェハ。
（付記１０）
前記製品情報は、前記半導体ウェハ本体部の加工処理を終了した後の歩留まりやウェハ
の切り分けに関する追加情報を含む、
付記６から９の何れかに記載の半導体ウェハ。
（付記１１）
前記ウェハ情報は、前記半導体ウェハ本体部の加工処理を開始する前、前記半導体ウェハ本体部の加工処理を行っている途中、前記半導体ウェハ本体部の加工処理が終了した後、の何れか一以上の場合に、該半導体ウェハ本体部の側面に付される、
付記１から１０の何れかに記載の半導体ウェハ。
（付記１２）
半導体ウェハに刻印するウェハ情報の入力を受け付ける入力手段と、
半導体ウェハに刻印するウェハ情報と該半導体ウェハの側面に刻印される溝の形状や大きさとの対応関係を定めたマップを記憶する第一の記憶手段と、
前記第一の記憶手段に記憶されている前記マップを検索し、前記入力手段に入力された前記半導体ウェハに刻印するウェハ情報に対応する溝の形状および寸法の少なくとも一方に関するデータを索出する第一の索出手段と、
前記半導体ウェハの側面に、前記第一の索出手段によって索出された形状および寸法の少なくとも一方と同じ形状または寸法を有する溝を刻印する刻印手段と、を備える
半導体装置の製造装置。（６、図１）
（付記１３）
半導体ウェハに刻印されている溝の形状や大きさを読み取る読取手段と、
半導体ウェハに刻印されるウェハ情報と該半導体ウェハの側面に刻印される溝の形状や大きさとの対応関係を定めたマップを記憶する第二の記憶手段と、
前記第二の記憶手段に記憶されている前記マップを検索し、前記読取手段において読み取られた前記半導体ウェハに刻印されている溝の形状および寸法の少なくとも一方に対応するウェハ情報を索出する第二の索出手段と、
前記第二の索出手段において索出された前記ウェハ情報を外部に出力する出力手段と、を備える
半導体装置の製造装置。（７、図４）
（付記１４）
半導体ウェハに刻印するウェハ情報の入力を受け付ける入力工程と、
記憶手段に記憶されている、半導体ウェハに刻印するウェハ情報と該半導体ウェハの側面に刻印される溝の形状や大きさとの対応関係を定めたマップを検索し、前記入力工程において入力された前記半導体ウェハに刻印するウェハ情報に対応する溝の形状および寸法の少なくとも一方に関するデータを索出する第一の索出工程と、
前記半導体ウェハの側面に、前記第一の索出工程において索出された形状および寸法の少なくとも一方と同じ形状または寸法を有する溝を刻印する刻印工程と、を含む
半導体装置の製造方法。（８、図２）
（付記１５）
半導体ウェハに刻印されている溝の形状や大きさを読み取る読取工程と、
記憶手段に記憶された、半導体ウェハに刻印されるウェハ情報と該半導体ウェハの側面に刻印される溝の形状や大きさとの対応関係を定めたマップを検索し、前記読取工程において読み取られた前記半導体ウェハに刻印されている溝の形状および寸法の少なくとも一方に対応するウェハ情報を索出する第二の索出工程と、
前記第二の索出工程において索出された前記ウェハ情報を外部に出力する出力工程と、を含む
半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】第一の実施形態に係る製造装置の構成図。
【図２】第一の実施形態に係る製造装置の処理フロー図。
【図３Ａ】第一の実施形態に係る製造装置でウェハ情報を刻印した半導体ウェハの上面図。
【図３Ｂ】第一の実施形態に係る製造装置でウェハ情報を刻印した半導体ウェハの側面図。
【図３Ｃ】第一の実施形態に係る製造装置でウェハ情報を刻印した半導体ウェハの溝を拡大した断面図。
【図４】第二の実施形態に係る製造装置の構成図。
【図５】第二の実施形態に係る製造装置の光源や読取センサの位置関係を示す図。
【図６】第二の実施形態に係る製造装置の処理フロー図。
【図７】第二の実施形態の変形例に係る製造装置の光源や読取センサの位置関係を示す図。
【図８】第二の実施形態の変形例に係る製造装置の光源や読取センサの位置関係を示す図。
【符号の説明】
【００５１】
１、２１    製造装置
２          入力装置
３、２３    記憶装置
４、２４    索出装置
５          刻印装置
６          半導体ウェハ
７、２８    ウェハ位置決め装置
８          レーザ発生装置
９、２９    制御装置
１０          半導体ウェハ本体部
１１          溝
２２          読取装置
２５          出力装置
２６          光源
２７          読取センサ
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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