(57)【要約】  【課題】優れた反射防止特性を有する光学素子およびその製造方法を提供できるようにする。  【解決手段】表面にレジスト層が形成された基板を準備する。基板を回転させるとともに、レーザ光を基板の回転半径方向に相対移動させながら、レジスト層にレーザ光を間欠的に照射して、可視光波長よりも短いピッチで潜像を形成する。レジスト層を現像して、基板の表面にレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとするエッチング処理を施すことで、基板の表面に凹凸構造を形成する。凹凸構造が形成された基板の複製基板を作製し、複製基板の凹凸構造の上に金属メッキ層を形成する。金属メッキ層を複製基板から剥離して、凹凸構造が転写された成形金型を作製する。成形金型を用いて凹凸構造が表面に形成された透明基体を成形する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凸部または凹部からなる構造体が可視光の波長以下の微細ピッチで基体表面に多数配置されてなる光学素子であって、
上記構造体は、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの楕円錐形状または楕円錐台形状を有していることを特徴とする光学素子。
【請求項２】
上記構造体は、上記基体表面において複数列の円弧状トラックをなすように配置されていることを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【請求項３】
上記構造体は、隣接する３列のトラック間において準六方格子パターンを構成することを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【請求項４】
同一トラック内における上記構造体の配置ピッチＰ１は、隣接する２つのトラック間における上記構造体の配置ピッチＰ２よりも長いことを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【請求項５】
上記構造体は、上記円弧状トラックの円周方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状であり、上記楕円錐形状または楕円錐台形状は、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きに形成されていることを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【請求項６】
上記円弧状トラックの円周方向における上記構造体の高さ（深さ）は、上記円弧状トラックの径方向における上記構造体の高さ（深さ）よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【請求項７】
凸部または凹部からなる構造体が可視光の波長以下の微細ピッチで基板表面に多数配置されてなる光学素子作製用複製基板であって、
上記構造体は、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの楕円錐形状または楕円錐台形状を有していることを特徴とする光学素子作製用複製基板。
【請求項８】
凸部または凹部からなる構造体が可視光の波長以下の微細ピッチで基板表面に多数配置されてなる光学素子作製用複製基板の製造方法であって、
表面にレジスト層が形成された基板を準備する第１の工程と、
上記基板を回転させるとともに、レーザ光を上記基板の回転半径方向に相対移動させながら、上記レジスト層にレーザ光を間欠的に照射して、可視光の波長よりも短いピッチで潜像を形成する第２の工程と、
上記レジスト層を現像して、上記基板の表面にレジストパターンを形成する第３の工程と、
上記レジストパターンをマスクとするエッチング処理を施すことで、上記基板の表面に凹凸構造を形成する第４の工程と、
上記基板の凹凸構造を転写して複製基板を作製する第５の工程と
を有することを特徴とする光学素子作製用複製基板の製造方法。
【請求項９】
上記第２の工程では、隣接する３列のトラック間において準六方格子パターンを構成するように上記潜像を形成することを特徴とする請求項８記載の光学素子作製用複製基板の製造方法。
【請求項１０】
上記第４の工程では、上記レジストパターンをマスクとするエッチング処理と上記レジストパターンに対するアッシング処理とを繰り返し行うと共に、エッチング処理時間を徐々に長くすることを特徴とする請求項８記載の光学素子作製用複製基板の製造方法。
【請求項１１】
上記第５の工程では、上記基板の表面に光硬化樹脂層を形成した後、該光硬化樹脂層を剥離し、上記凹凸構造が転写された複製基板を作製することを特徴とする請求項８記載の光学素子作製用複製基板の製造方法。
【請求項１２】
凸部または凹部からなる構造体が可視光の波長以下の微細ピッチで基板表面に多数配置されてなる光学素子の製造方法であって、
表面にレジスト層が形成された基板を準備する第１の工程と、
上記基板を回転させるとともに、レーザ光を上記基板の回転半径方向に相対移動させながら、上記レジスト層にレーザ光を間欠的に照射して、可視光波長よりも短いピッチで潜像を形成する第２の工程と、
上記レジスト層を現像して、上記基板の表面にレジストパターンを形成する第３の工程と、
上記レジストパターンをマスクとするエッチング処理を施すことで、上記基板の表面に凹凸構造を形成する第４の工程と、
上記基板の複製基板を作製し、上記複製基板の凹凸構造の上に金属メッキ層を形成する第５の工程と、
上記金属メッキ層を上記複製基板から剥離して、上記凹凸構造が転写された成形金型を作製する第６の工程と、
上記成形金型を用いて上記凹凸構造が表面に形成された透明基体を成形する第７の工程と
を有することを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項１３】
上記第７の工程の後、上記透明基体を所定サイズに切り出す第８の工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項１２記載の光学素子の製造方法。
【請求項１４】
上記第２の工程では、隣接する３列のトラック間において準六方格子パターンを構成するように上記潜像を形成することを特徴とする請求項１２記載の光学素子の製造方法。
【請求項１５】
上記第４の工程では、上記レジストパターンをマスクとするエッチング処理と上記レジストパターンに対するアッシング処理とを繰り返し行うと共に、エッチング処理時間を徐々に長くすることを特徴とする請求項１２記載の光学素子の製造方法。
【請求項１６】
上記第５の工程では、上記基板の表面に光硬化樹脂層を形成した後、該光硬化樹脂層を剥離し、上記凹凸構造が転写された複製基板を作製することを特徴とする請求項１２記載の光学素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子およびその製造方法、ならびに光学素子作製用複製基板およびその製造方法に関する。具体的には、凸部または凹部からなる構造体が基体表面に多数設けられた光学素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ガラスやプラスチックなどの透光性基板を用いた光学素子においては、表面反射による光を減少させ、透過特性を上げるための方法として、光学素子表面に微細且つ緻密な凹凸（サブ波長構造体；蛾の目）形状を形成する方法がある。一般に、光学素子表面に周期的なサブ波長構造体を設けた場合、ここを光が透過するときには回折が発生し、透過光の直進成分が大幅に減少する。しかし、サブ波長構造体のピッチが透過する光の波長よりも短い場合には回折は発生せず、例えばサブ波長構造体を錐面が凹状に窪まされた錐体としたときに、そのピッチや深さなどに対応する単一波長の光に対して有効な反射防止効果と優れた透過特性とを得ることができる（例えば非特許文献１参照）。以下では、錐面が凹状に窪まされた形状をテント状、錐面が凸状に膨らまされた形状を釣鐘状または釣鐘型と称する。
【０００３】
上述したテント状のサブ波長構造体を有する光学素子は以下のようにして作製される。まず、Ｓｉ基板上のフォトレジストに電子線記録により凹凸パターンを形成し、凹凸フォトレジストパターンをマスクにし、Ｓｉ基板をエッチングする。これにより、テント状を有する微細なサブ波長構造体（ピッチ：約３００ｎｍ、深さ：約４００ｎｍ）が基板表面に形成され、Ｓｉ原盤が作製される（図１４参照）。この微細な構造体は、正方格子状または六方格子状に配置される。
【０００４】
上述のようにして作製したＳｉ原盤では、広い波長域を有する光に対して反射防止効果を得ることができる。特に、図１５に示すように、テント状を有する微細なサブ波長構造体を六方格子状に配置した場合、可視光域において高性能な反射防止効果（反射率１％以下）を得ることができる（図１６参照）。なお、図１６中、ｌ1、ｌ2はそれぞれＳｉ平坦部の反射率、パターン部の反射率を示す。
【０００５】
次に、作製したＳｉ原盤のＮｉめっきスタンパを作製する（図１７参照）。このスタンパの表面には、図１８に示すように、Ｓｉ原盤の凹凸構造とは反対の凹凸構造が形成される。次に、このスタンパを用いて射出成形することにより、ポリカーボネートの透明樹脂に凹凸パターンを転写する。これにより、目的とする光学素子（複製基板）が得られる。この光学素子も高性能な反射防止効果（反射率０．３％以下）を得ることができる（図１９参照）。なお、図１９中、ｌ3、ｌ4はそれぞれパターン無しの反射率、パターン有りの反射率を示す。
【０００６】
また、微細且つ緻密なサブ波長構造体を有する光学素子について、上述のような具体的な作製方法のみならず、シミュレーションによる理論的な研究も行われている。例えば、特許文献１では、四角錐状のサブ波長構造体の錐面をテント状、釣鐘状、あるいは直線状としたときの反射率の変化をＲＣＷＡ（Rigorous Coupled Wave Analysis）シミュレーションにより検討を行っている。
【０００７】
【非特許文献１】反射防止体 Moth Eye Anti-reflective Nano-structure、[online]、［平成１８年１２月１２日検索］、インターネット＜http://keytech.ntt-at.co.jp/nano/prd_0016.html＞
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−２９４９１０号公報、図２、図３参照
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、テント状のサブ波長構造体を有する光学素子では、図１９に示すように、長波長領域（７００〜８００ｎｍ）において反射率が増加するという問題がある。このような長波長領域にける反射率の増加は、特許文献１のＲＣＷＡシミュレーションにおいても報告されている。すなわち、サブ波長構造体をテント状の四角錐または錐面（稜）が直線状の四角錐にした場合、長波長領域（７００〜８００ｎｍ）において反射率が増加することが報告されている。これに対して、特許文献１のＲＣＷＡシミュレーション結果によれば、サブ波長構造体を釣鐘状四角錐にした場合には、長波長領域（７００〜８００ｎｍ）において反射率が増加しないことが報告されている。
【００１０】
しかしながら、特許文献１では、シミュレーションによる解析のみであるため、微細な釣鐘状錐体の作製方法については開示されておらず、さらに、このような形状の作製は困難と考えられる。また、電子線記録により凹凸パターンを形成する技術では、電子線記録に時間を要するため、生産性が低いという問題もある。
【００１１】
したがって、本発明の第１の目的は、優れた反射防止特性を有する光学素子およびその製造方法、ならびに光学素子作製用複製基板およびその製造方法を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の第２の目的は、優れた生産性を有する光学素子およびその製造方法、ならびに光学素子作製用複製基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願第１の発明は、凸部または凹部からなる構造体が可視光の波長以下の微細ピッチで基体表面に多数配置されてなる光学素子であって、
構造体は、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの楕円錐形状または楕円錐台形状を有していることを特徴とする光学素子である。
【００１４】
本願第２の発明は、凸部または凹部からなる構造体が可視光の波長以下の微細ピッチで基板表面に多数配置されてなる光学素子作製用複製基板であって、
構造体は、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの楕円錐形状または楕円錐台形状を有していることを特徴とする光学素子作製用複製基板である。
【００１５】
本願第３の発明は、凸部または凹部からなる構造体が可視光の波長以下の微細ピッチで基板表面に多数配置されてなる光学素子作製用複製基板の製造方法であって、
表面にレジスト層が形成された基板を準備する第１の工程と、
基板を回転させるとともに、レーザ光を基板の回転半径方向に相対移動させながら、レジスト層にレーザ光を間欠的に照射して、可視光の波長よりも短いピッチで潜像を形成する第２の工程と、
レジスト層を現像して、基板の表面にレジストパターンを形成する第３の工程と、
レジストパターンをマスクとするエッチング処理を施すことで、基板の表面に凹凸構造を形成する第４の工程と、
基板の凹凸構造を転写して複製基板を作製する第５の工程と
を有することを特徴とする光学素子作製用複製基板の製造方法である。
【００１６】
本願第４の発明は、凸部または凹部からなる構造体が可視光の波長以下の微細ピッチで基板表面に多数配置されてなる光学素子の製造方法であって、
表面にレジスト層が形成された基板を準備する第１の工程と、
基板を回転させるとともに、レーザ光を基板の回転半径方向に相対移動させながら、レジスト層にレーザ光を間欠的に照射して、可視光波長よりも短いピッチで潜像を形成する第２の工程と、
レジスト層を現像して、基板の表面にレジストパターンを形成する第３の工程と、
レジストパターンをマスクとするエッチング処理を施すことで、基板の表面に凹凸構造を形成する第４の工程と、
基板の複製基板を作製し、複製基板の凹凸構造の上に金属メッキ層を形成する第５の工程と、
金属メッキ層を複製基板から剥離して、凹凸構造が転写された成形金型を作製する第６の工程と、
成形金型を用いて凹凸構造が表面に形成された透明基体を成形する第７の工程と
を有することを特徴とする光学素子の製造方法である。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明によれば、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの楕円錐形状または楕円錐台形状に構造体の形状をしたので、優れた反射防止特性を実現することができる。
【００１８】
また、基体表面において複数列の円弧状トラックをなすように構造体を配置した場合には、優れた生産性を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００２０】
（光学素子の構成）
図１Ａは、本発明の実施形態による光学素子１の構成の一例を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示した光学素子１の一部を拡大して表す平面図である。図１Ｃは、図１Ｂに示した構造体３に対応する潜像をパターニングする際に用いられる信号の波形を示す。図２は、図１Ａに示した光学素子１の一部を拡大して表す斜視図である。
【００２１】
本実施形態による光学素子１は、基体２の表面に凸部からなる構造体３が可視光の波長（約４００ｎｍ）以下の微細ピッチで多数配置された構成を有している。この光学素子１は、基体２を図２の−Ｚ方向に透過する光について、構造体３とその周囲の空気との界面における反射を防止する機能を有している。
【００２２】
この光学素子１は、例えばディスプレイ、光エレクトロニクス、光通信（光ファイバー）、太陽電池、照明装置など種々の光学デバイスに用いて好適なものであり、具体的には例えば種々の波長域を有する光ファイバーやディスプレイ導光板などに用いることができる。
【００２３】
基体２は、例えばポリカーボネート（ＰＣ）やポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの透明性合成樹脂、ガラスなどの透光性を有する透明基体である。また、基体２の形状は、例えば、上述した各種光学デバイスなどの本体部分や、これらの光学デバイスなどに取り付けられるシートあるいはフィルム状の反射防止機能部品の形状などに合わせて選ばれる。このような形状としては、例えばフィルム状、シート状、プレート状、ブロック状などが挙げられる。
【００２４】
構造体３は、例えば基体２と一体的に形成されている。各構造体３はそれぞれ同一の形状を有しているが、これに限られない。構造体３は、例えば底面が長軸と短軸をもつ楕円形、長円形あるいは卵形の錐体構造で、頂部が例えば曲面または平坦な形状に形成されている。特に、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの楕円錐形状（図２参照）であることが好ましい。長波長領域（７００〜８００ｎｍ）における反射率の増加を抑えることができるからである。
【００２５】
各構造体３は、図１Ａに示すように、基体２の表面において複数列の円弧状のトラックＴ１，Ｔ２，Ｔ３，・・・（以下総称して「トラックＴ」ともいう。）をなすような配置されている。各構造体３は、隣接する２つのトラックＴ間において、一方のトラック（例えばＴ１）に配列された各構造体３の中間位置（半ピッチずれた位置）に、他方のトラック（例えばＴ２）の構造体３が配置されている。その結果、図１Ｂに示すように、隣接する３列のトラック（Ｔ１〜Ｔ３）間においてａ１〜ａ７の各点に構造体３の中心が位置する準六方格子パターンを形成するように各構造体３が配置されている。なお、準六方格子パターンとは、正六方格子パターンと異なり、トラックＴの円弧状に沿って歪んだ六方格子パターンを意味する。
【００２６】
同一トラック内における各構造体３は、例えば一定の配置ピッチＰ１（ａ１−ａ２間距離）で配置されており、その配置ピッチＰ１は、例えば約３３０ｎｍに選ばれる。また、円周方向に対して±θ方向、例えば±約６０°方向において、各構造体３は、例えば一定の配置ピッチＰ２（ａ１−ａ７（ａ２−ａ７）間距離）で配置されており、その配置ピッチＰ２は、例えば約３００ｎｍに選ばれる。
【００２７】
また、図１Ｂに示すように、同一トラック（例えばＴ１）内における各構造体３の配置ピッチＰ１（ａ１−ａ２間距離）は、例えば、隣接する２つのトラック（例えばＴ１およびＴ２）間における構造体３の配置ピッチ、すなわち円周方向に対して±約６０°方向における構造体３の配置ピッチＰ２（例えばａ１−ａ７，ａ２−ａ７間距離）よりも長くなっている。
【００２８】
構造体３の高さ（深さ）Ｈは、例えば３００ｎｍ〜３８０ｎｍ程度である。構造体３のアスペクト比（高さＨ／配置ピッチ（平均周期）Ｐ）は、好ましくは０．９７〜１．２３程度である。また、配置ピッチＰ２に対する配置ピッチＰ１の比率（Ｐ１／Ｐ２）は、好ましくは０．９７〜１．２２、より好ましくは１．００〜１．２２、更により好ましくは１．１〜１．１７程度である。
【００２９】
（光学素子の製造方法）
次に、以上のように構成される光学素子の製造方法の一例について説明する。この光学素子の製造方法は、原盤の製造工程と、複製基板の製造工程と、成形金型の製造工程と、光学素子の作製工程と、切り出し工程とを有する。以下、図３〜図７を参照しながら、これらの工程を順次説明する。
【００３０】
［原盤の製造工程］
まず、図３Ａに示すように、ディスク状（円盤状）の基板１１を準備する。この基板１１は、例えば石英基板などである。次に、図３Ｂに示すように、基板１１の表面にレジスト層１２を形成する。レジスト層１２は、例えば有機系レジストまたは無機系レジストからなる。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えばタングステンやモリブデンなどの１種または２種以上の遷移金属からなる金属酸化物が好適である。
【００３１】
次に、図３Ｃに示すように、基板１１を回転させると共に、レーザ光（露光ビーム）１３をレジスト層１２に照射する。このとき、レーザ光１３を基板１１の半径方向に移動させながら、レーザ光１３を間欠的に照射することで、レジスト層１２を全面にわたって露光する。これにより、レーザ光１３の軌跡に応じた潜像１２ａが、可視光波長よりも短いピッチでレジスト層１２の全面にわたって形成される。なお、この露光工程の詳細については後述する。
【００３２】
この露光工程では、例えば、レジスト層１２に対するレーザ光１３の照射周期を１トラック毎に変化させながら行うことにより、隣接する３列のトラック間において構造体（潜像）を準六方格子パターン状に配置形成することが可能となる。また、レーザ光１３の照射周期は、例えば、基板１１を角速度一定で回転させ、円周方向の構造体３の配置ピッチＰ１が一定となるようにレーザ光１３のパルス周波数を最適化する。より具体的には、トラック位置が基板中心から遠ざかるに従い、レーザ光１３の照射周期が短くなるように変調制御する。これにより、基板全面において空間周波数が一様なナノパターンを形成することが可能となる。
【００３３】
次に、基板１１を回転させながら、レジスト層１２上に現像液１４を滴下して、図４Ａに示すように、レジスト層１２を現像処理する。レジスト層１２をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザ光１３で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、図４Ｂに示すように、露光部（潜像１２ａ）に応じたパターンがレジスト層１２に形成される。
【００３４】
次に、基板１１の上に形成されたレジスト層１２のパターン（レジストパターン）をマスクとして、基板１１の表面をエッチング処理する。これにより、図４Ｃに示すように、基板１１の一主面に凹部パターン１５ａが形成され、原盤１５が作製される。エッチング方法は、例えばドライエッチングによって行われる。このとき、エッチング処理とアッシング処理とを交互に繰り返し行うことにより、例えば錐体状の凹部１５ａのパターンを形成することができるとともに、レジスト層１２の３倍以上の深さ（選択比３以上）のマスターを作製でき、構造体３の高アスペクト比化を図ることができる。
【００３５】
上述のようにして潜像１２ａを現像し、得られたレジストパターンをマスクとするエッチング処理を施すことにより、例えば、円弧状トラックの円周方向に長軸方向をもつ楕円錐台形状などの構造体３を得ることができる。特に、楕円錐台形状の構造体３としては、中央部の傾きが先端部および底部の傾きよりも急峻に形成されるものが好ましい。これにより、耐久性および転写性を向上させることが可能であるからである。また、同一トラック内における構造体３の配置ピッチＰ１が、例えば、隣接する２トラック間における構造体３の配置ピッチＰ２よりも長い準六方格子パターンを得ることができ、これにより、構造体３の充填密度の更なる向上を図れるようになる。
【００３６】
以上の工程により、図４Ｃに示す原盤１５が製造される。この原盤１５は、図１に示した光学素子１を形成するマスター原器である。この原盤１５の凹部１５ａからなる表面凹凸構造により、後述する複製基板および成形金型を経て、光学素子１の構造体３が形成される。したがって、原盤１５の凹部１５ａは、例えば、原盤１５の円周方向に歪んだ準六方格子パターンを形成するように配置されている。
【００３７】
次に、図５を参照して、図３Ｃに示した露光工程の詳細について説明する。図５に示す露光装置は、光学ディスク記録装置をベースにして構成されている。
【００３８】
レーザ２１は、基板１１の表面に着膜されたレジスト層１２を露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの遠紫外線レーザ光Ｌを発振するものである。レーザ２１から出射されたレーザ光Ｌは、平行ビームのまま直進し、電気光学変調器（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）２２へ入射する。電気光学変調器（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）２２を透過したレーザ光Ｌは、ミラー２３で反射され、変調光学系２５に導かれる。
【００３９】
ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能を有する。ミラー２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学変調器２２を制御してレーザ光Ｌの位相変調を行う。
【００４０】
変調光学系２５において、レーザ光Ｌは、集光レンズ２６により、石英（ＳｉＯ2）などからなる音響光学変調器（ＡＯＭ：Acoust-Optic Modulator）２７に集光される。レーザ光Ｌは、音響光学変調器２７により強度変調され発散した後、レンズ２８によって平行ビーム化される。変調光学系２５から出射されたレーザ光Ｌは、ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。
【００４１】
移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、ミラー３４および対物レンズ３５を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザ光Ｌは、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、ミラー３４および対物レンズ３５を介して、基板１１上のレジスト層１２へ照射される。基板１１は、スピンドルモータ３６に接続されたターンテーブル（図示省略）の上に載置されている。そして、基板１１を回転させるとともに、レーザ光Ｌを基板１１の回転半径方向に移動させながら、レジスト層１２へレーザ光Ｌを間欠的に照射することにより、レジスト層１２の露光工程が行われる。形成された潜像１２ａは、例えば円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザ光Ｌの移動は、移動光学テーブル３２を矢印Ｒ方向へ移動することにより行われる。
【００４２】
図５に示した露光装置は、レジスト層１２に対して図１Ｂに示した準六方格子の２次元パターンからなる潜像１２ａを形成するための制御機構を備えている。制御機構は、フォーマッタ２９とドライバ３０とを備える。フォーマッタ２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層１２に対するレーザ光Ｌの照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学変調器２７を制御する。
【００４３】
制御機構は、潜像１２ａの２次元パターンが空間的にリンクするように、１トラック毎に、音響光学変調器２７によるレーザ光Ｌの強度変調と、スピンドルモータ３６の駆動回転速度と、移動光学テーブル３２の移動速度とをそれぞれ同期させる。基板１１は、例えば角速度一定（ＣＡＶ：Constant Angular Velocity）で回転制御される。そして、スピンドルモータ３６による基板１１の適切な回転数と、音響光学変調器２７によるレーザ光強度の適切な周波数変調と、移動光学テーブル３２によるレーザ光Ｌの適切な送りピッチとでパターニングを行う。これにより、レジスト層１２に対して準六方格子パターンの潜像１２ａを形成する。
【００４４】
例えば、図１に示したように、円周方向の配置ピッチ（周期）Ｐ１を３３０ｎｍ、円周方向に対して約６０度方向（約−６０度方向）の配置ピッチ（周期）Ｐ２を３００ｎｍにする場合、送りピッチを２５１ｎｍにすればよい。また、極性反転部の制御信号を、空間周波数（潜像１２ａのパターン密度、Ｐ１：３３０ｎｍ、Ｐ２：３００ｎｍ）が一様になるように徐々に変化させる。より具体的には、レジスト層１２に対するレーザ光Ｌの照射周期を１トラック毎に変化させながら露光を行い、各トラックＴにおいて配置ピッチＰ１がほぼ３３０ｎｍとなるように制御機構においてレーザ光Ｌの周波数変調を行う。すなわち、トラック位置が基板中心から遠ざかるに従い、レーザ光Ｌの照射周期が短くなるように変調制御する。これにより、基板全面において空間周波数が一様なナノパターンを形成することが可能となる。
【００４５】
なお、レジスト層１２のパターンは、基板１１の半径方向と円周方向とで現像後の層厚が異なっており、半径方向の層厚よりも円周方向の層厚が薄い。これは、露光工程において基板１１を回転させながらレーザ光Ｌを照射するため、レーザ光Ｌの照射時間が基板半径方向よりも円周方向の方が長くなり、これが現像後においてレジスト層１２の層厚の違いとなって現れるからである。その後のエッチング処理においては、基板１１の円周方向と半径方向とでのレジスト層１２の層厚の違いによって、形成される凹部１５ａに形状の異方性が付される。
【００４６】
次に、図６を参照して、原盤１５から光学素子１が作製されるまでの工程について説明する。
【００４７】
［複製基板の製造工程］
次に、作製した原盤１５の凹凸構造面に紫外線硬化樹脂などの光硬化樹脂を塗布し、その上にアクリル板などの透明基板１６ａを重ねて配置する。そして、透明基板１６ａの上から紫外線などを照射し光硬化樹脂を硬化させた後、原盤１５から剥離する。これにより、図６Ａに示すように、透明基板１６ａの一主面に光硬化樹脂からなる凸部１６ｂが設けられ、複製基板１６が作製される。
【００４８】
［成形金型の製造工程］
次に、作製した複製基板１６の凹凸構造面に導電化膜を無電界メッキ法により形成した後、電界メッキ法によって金属メッキ層を形成する。これら無電解メッキ膜および電界メッキ層の構成材料には、例えばニッケル（Ｎｉ）が好適である。そして、金属メッキ層の形成後、複製基板１６から金属メッキ層を剥離し、必要に応じて外形加工を施する。これにより、図６Ｂに示すように、凹部１７ａが一主面に設けられた成形金型１７が作製される。
【００４９】
［光学素子の作製工程］
次に、作製した成形金型１７を射出成形機の所定位置に設置し、金型を閉じキャビティを形成した後、ポリカーボネートなどの溶融樹脂を充填する。次に、溶融樹脂を冷却した後に金型を開き、固化した樹脂を取り出す。これにより、図６Ｃに示したように、構造体３が基体２の一主面に一体形成されたディスク状基板１Ｗが作製される。
【００５０】
［切り出し工程］
次に、ディスク状基板１Ｗを所定の製品サイズに応じて切り出す。例えば、ディスク状基板１Ｗが直径２００ｍｍを有する円形状である場合、図７Ａに示すように、ディスク状基板１Ｗから携帯電話機用（例えば横２．５インチ）の光学素子１を４枚、あるいは、図７Ｂに示すように、ディスク状基板１Ｗから携帯ゲーム装置用（例えば横４．３インチ）の光学素子１を２枚切り出すことができる。以上により、図１に示す光学素子１が作製される。
【００５１】
なお、構造体３は、上述したように露光装置を用いて基板１１のレジスト層１２に形成した露光パターンをもとに形成されるので、ディスク状基板１Ｗから所定サイズに切り出した光学素子１では、各構造体３は、基体２の表面において複数列の円弧状のトラックＴをなすような配置されている。
【００５２】
以上、本実施形態によれば、光ディスク記録装置を応用した露光装置を用いて原盤１５を作製できるので、光学素子１を短時間で効率良く製造することができるとともに基板１１１の大型化にも対応可能である。したがって、光学素子１の生産性の向上を図ることができる。
【００５３】
また、構造体３が、複数列の円弧状トラックをなすとともに、隣接する３列のトラック間において準六方格子パターンをなすように配置されている場合には、基体２の表面における構造体３の充填密度を高くすることができるので、可視光の反射防止効率を高めることができる。したがって、反射防止特性に優れ、且つ透過率の極めて高い光学素子１を提供することができる。
【００５４】
また、各構造体３を釣鐘状の錐体とした場合には、図１４に示した従来のテント状の微細なサブ波長構造体に比べて、構造体３の耐久性を高めることができるとともに、複製基板１６、成形金型１７およびディスク状基板１Ｗの各凹凸構造面の転写性を高めることが可能となる。
【実施例】
【００５５】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例においては、上述の実施形態と対応する部分には同一の符号を付す。
【００５６】
（実施例１）
［原盤の作製］
石英基板１１上に、化学増幅型またはノボラック系ポジ型レジスト層１２を厚さ１５０ｎｍ程度塗布し、このレジスト層１２に、図５に示した露光装置を用いて準六方格子パターンの潜像１２ａを形成した。レーザ光１３の波長は２６６ｎｍ、レーザパワーは０．５０ｍＪ／ｍとした。なお、レジスト層１２に対するレーザ光１３の照射周期を１トラック毎に変化させた。その後、レジスト層１２に対して現像処理を施して、準六方格子状のレジストパターンを作製した。現像液としては、無機アルカリ性現像液（東京応化社製）を用いた。
【００５７】
次に、Ｏ2アッシングによりレジストパターンを除去し開口径を広げるプロセスと、ＣＨＦ3ガス雰囲気中でのプラズマエッチングで石英基板１１をエッチングするプロセスとを繰り返し行った。その結果、石英基板１１の表面が露出している準六方格子パターン径が徐々に広がりながら、エッチングが進行し、その他の領域はレジストパターンがマスクとなりエッチングされず、図４Ｃに模式的に示したような釣鐘型楕円錐体状の凹部１５ａが形成された。なお、エッチング量はエッチング時間によって変化させた。最後に、Ｏ2アッシングによりレジストパターンを完全に除去した。
【００５８】
ここで、上述のアッシングおよびエッチングのプロセスの詳細について説明する。まず、（１）Ｏ2アッシング４秒、ＣＨＦ3エッチング１分、（２）Ｏ2アッシング４秒、ＣＨＦ3エッチング１．５分、（３）Ｏ2アッシング４秒、ＣＨＦ3エッチング２分、（４）４．Ｏ2アッシング４秒、ＣＨＦ3エッチング３分、（５）Ｏ2アッシング４秒、ＣＨＦ3エッチング４分、（６）Ｏ2アッシング４秒、ＣＨＦ3エッチング５分のプロセスを、プロセス（１）〜（６）の順序で順次行った。最後に、Ｏ2アッシングを１０秒行うことにより、レジストパターンを完全に除去した。
【００５９】
以上により、円周方向の配置ピッチＰ１が３３０ｎｍ、円周方向に対して約６０°方向（約−６０°方向）の配置ピッチＰ２が３００ｎｍ、深さが３００ｎｍ程度から３８０ｎｍ程度の凹部準六方格子パターンを有するサブ波長構造体石英マスター（原盤）１５が作製された。
【００６０】
［複製基板の作製］
次に、作製したサブ波長構造体石英マスター１５上に紫外線硬化樹脂を塗布した後、アクリル板１６ａを紫外線硬化樹脂上に密着させた。そして、紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させ、石英マスター１５から剥離した。以上により、準六方格子状に凸部１６ｂが配置されたサブ波長構造体紫外線硬化複製基板１６が作製された。
【００６１】
（実施例２）
まず、ポリカーボネートからなる、屈折率１．５９の基板１６ａを用いる以外は実施例１と同様にして、準六方格子状に凸部１６ｂが配置されたサブ波長構造体紫外線硬化複製基板１６を作製した。次に、作製したサブ波長構造体石英マスター１５上に紫外線硬化樹脂を再び塗布し、サブ波長構造体紫外線硬化複製基板１６の平面側を紫外線硬化樹脂上に密着させた。そして、紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させ、石英マスター１５から剥離した。以上により、凸部１６ｂが両面に設けられたサブ波長構造体紫外線硬化複製基板１６が作製された。
【００６２】
（実施例３）
サブ波長構造体石英マスター（原盤）１５の作製工程におけるアッシング時間およびエッチング時間を変える以外は実施例１と同様にして、サブ波長構造体紫外線硬化複製基板１６を作製した。
【００６３】
ここで、上述のアッシングおよびエッチングのプロセスの詳細について説明する。まず、（１）Ｏ2アッシング４秒、ＣＨＦ3エッチング１分、（２）Ｏ2アッシング４秒、ＣＨＦ3エッチング２分、（３）Ｏ2アッシング４秒、ＣＨＦ3エッチング３分、（４）Ｏ2アッシング４秒、ＣＨＦ3エッチング４分、（５）Ｏ2アッシング４秒、ＣＨＦ3エッチング５分のプロセスを、プロセス（１）〜（５）の順序で順次行った。最後に、Ｏ2アッシングを１５秒行うことにより、レジストパターンを完全に除去した。
【００６４】
（実施例４）
サブ波長構造体石英マスター（原盤）１５の作製工程におけるアッシング時間およびエッチング時間を変える以外は実施例１と同様にして、サブ波長構造体紫外線硬化複製基板１６を作製した。
【００６５】
ここで、上述のアッシングおよびエッチングのプロセスの詳細について説明する。まず、（１）Ｏ2アッシング４秒、ＣＨＦ3エッチング１分、（２）Ｏ2アッシング４秒、ＣＨＦ3エッチング１．５分、（３）Ｏ2アッシング４秒、ＣＨＦ3エッチング２分、（４）Ｏ2アッシング４秒、ＣＨＦ3エッチング２．５分、（５）Ｏ2アッシング４秒、ＣＨＦ3エッチング３分、（６）Ｏ2アッシング４秒、ＣＨＦ3エッチング３．５分のプロセスを、プロセス（１）〜（６）の順序で順次行った。最後に、Ｏ2アッシングを２０秒行うことにより、レジストパターンを完全に除去した。
【００６６】
（形状の評価）
【００６７】
上述のようにして作製した実施例１の複製基板について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：scanning electron microscope）により観察を行った。その結果を図８に示す。
【００６８】
図８から以下のことが分かる。
（１）光ディスク記録装置を応用した露光装置を用いて、サブ波長構造体３を一主面に有する光学素子１を作製することができる。
（２）石英マスターのエッチング工程において、アッシングとエッチングとを繰り返し交互に行うと共に、エッチングの時間を徐々に長くすることにより、サブ波長構造体３の形状を、頂部の傾きが緩やかで中央部から底部に徐々に急峻な傾きの楕円錐形状にできる。
（３）レジスト層１２に対するレーザ光１３の照射周期を１トラック毎に変化させることにより、楕円錐形状のサブ波長構造体３を準六方格子状に形成できる。
【００６９】
また、上述のようにして作製した実施例１〜４の複製基板について、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により観察を行った。そして、ＡＦＭの断面プロファイルから各複製基板の凸部１６ｂの高さ（深さ）を求めた。その結果を表１に示す。
なお、凸部１６ｂの円周方向の高さは半径方向の高さよりも小さく、また、凸部１６ｂの円周方向以外の部分の高さが半径方向の高さとほぼ同一であったことから、凸部１６ｂの高さを半径方向の高さで代表した。
また、平均周期Ｐは以下の式（１）により定義される。
平均周期Ｐ＝（Ｐ１＋Ｐ２＋Ｐ２）／３＝（３３０＋３００＋３００）／３＝３１０  ・・・（１）
【００７０】
【表１】
2008158013.tif 000003
【００７１】
表１から以下のことが分かる。すなわち、エッチング時間を変えることにより、サブ波長構造体３の形状を変えられることが分かる。したがって、エッチング時間を変えることにより、所望の特性を有する光学素子１を作製できることが分かる。
【００７２】
（反射特性・透過特性の評価）
上述のようにして作製した実施例１〜４の複製基板の反射率および透過率を測定した。なお、反射率および透過率の測定には、紫外可視分光光度計（日本分光社株式会社製、商品名：Ｖ−５００）を用いた。その測定結果を図９〜１２に示す。
【００７３】
図９〜１２から、実施例１〜４の複製基板それぞれについて以下のことが分かる。
（ａ）実施例１
（ａ−１）反射特性（図９Ａ参照）
反射率は波長依存性を有しており、微小振幅のサイン波形状を示しているが実用上問題はない。なお、図１３に示すように、サブ波長構造体３を釣鐘状楕円錐体にしたときには、微小振幅のサイン波の波長依存はあるが長波長領域において反射率が増加しないことがＲＣＷＡシミュレーションにより確認されている。また、反射率の平均は０．２％以下であり、ＮＴＴアドバンステクノロジ株式会社製の複製基板の無反射効果（反射率０．３％以下）より優れた特性が得られている。さらに、反射率の角度依存性も少なく、入射角±４０度までは平均反射率が０．２％以下であり、入射角±５０度で平均反射率が０．５％であり、入射角±６０度で平均反射率が１．５％である。すなわち、非常に優れた入射角特性が得られている。
【００７４】
（ａ−２）透過特性（図９Ｂ参照）
透過率は波長依存性を有するが、良好な特性が得られている。例えば、入射角０度の透過率は波長依存性を有するが、波長４２０〜８００ｎｍの範囲では平均透過率は９５〜９６％であり、十分な特性が得られている。また、裏面反射が３．５％程度あるが、基板の両主面に釣鐘型楕円錐形状の凸部（サブ波長構造体）を形成する、または発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）などの光源基板に釣鐘型楕円錐形状を直接形成することで、波長４２０〜８００ｎｍの範囲では平均透過率９９％を達成可能である。入射角依存性は少なく、入射角±２０度まで波長４５０〜８００ｎｍの範囲では平均透過率が９５〜９６％であり、ＬＥＤなどの導光板としては十分な特性が得られている。
【００７５】
（ｂ）実施例２
（ｂ−１）反射特性（図１０Ａ参照）
実施例１と同様の波長依存性と反射特性が得られる。この結果から、実施例１と実施例２とは凹凸構造面について同様な転写性である。
【００７６】
（ｂ−２）透過特性（図１０Ｂ参照）
両面にサブ波長構造体を設けた実施例２では、裏面反射が無いため、透過特性はさらに向上している。透過率は波長依存性を有するが、良好な特性が得られている。例えば、入射角０度の透過率は波長依存性を有しているが、波長４２０〜８００ｎｍの範囲では透過率９９％が得られている。
【００７７】
入射角依存性は少なく、入射角±２０度まで波長４５０〜８００ｎｍの範囲では平均透過率が９９％であり、ＬＥＤなどの導光板としては十分な特性が得られている。青色光の波長（４５０ｎｍ）の透過率は、０度：９７．７％、±１０度：９７．４％、±２０度：９５．６％、±３０度：９３．０％、±４０度：８８．６％であり、非常に優れた透過特性が得られている。さらに、赤色光（６５０ｎｍ）、緑色光（５３０ｎｍ）の波長の透過率は、０度〜±４０度の範囲で９８〜９９％であり十分な透過特性が得られている。
【００７８】
ディスプレイの波長領域（Ｒ：６５０ｎｍ、Ｇ：５３０ｎｍ、Ｂ：４５０ｎｍ）では、０度〜±４０度の範囲で平均透過率が９８％であり、十分な透過特性が得られている。
【００７９】
特許文献３（特開２００６−１４５８８５号公報）に記載の発明では、誘電体層を２４層積層することで光学フィルタを形成し、赤色光（６４０ｎｍ）、緑色光（５３０ｎｍ）、青色光（４５０ｎｍ）の透過率をそれぞれ、８０％、８０％、５０％に向上させているのに対して、実施例２では、上述の青色光、緑色光、青色光の透過率をそれぞれ、９９％、９９％、９９％に向上させている。すなわち、実施例２では、特許文献３に記載の発明に比して格段に透過特性を向上させることができる。また、特許文献３に記載の発明では、入射角依存性が大きく、５０〜６０度の１０度のみで良好な透過特性が得られているのに対して、実施２では、入射角依存性が少なく、０〜±４０度の範囲で充分な透過特性が得られている。
【００８０】
特に、青色光（４５０ｎｍ）透過特性は５０％から９９％と２倍の性能になっている。したがって、青色光（４５０ｎｍ）吸収による光学素子の劣化が起こりにくいと考えられる。よって、極めて高信頼性の光学フィルタ素子または光学フィルタ素子を用いたディスプレイを提供できる。また、ニオブ（Ｎｂ）などの希土類を用いていないため、地球環境汚染の問題も無い光学フィルタ素子または光学フィルタ素子を用いたディスプレイを提供できる。
【００８１】
（ｃ）実施例３，４
（ｃ−１）反射特性（図１１Ａ、図１２Ａ参照）
実施例３，４では、実施例１よりアスペクト比が小さいが、長波長領域において反射率の増加はなく、反射率の平均が０．２５％以下である。また、角度依存性も少なく、入射角±４０度まで平均反射率が０．２５％以下であり、非常に優れた良い入射角特性を示している。すなわち、実施例１と同様な優れた無反射特性が得られている。
【００８２】
（ｃ−２）透過特性（図１１Ｂ、図１２Ｂ参照）
実施例３，４では、透過率（入射角０度）に波長依存性があるが、波長４２０〜８００ｎｍの範囲では平均透過率が９５〜９６％であり、十分な特性が得られている。すなわち、実施例１と同様な優れた透過率特性が得られている。
【００８３】
可視光領域（波長４００〜８００ｎｍ）では平均透過率が９８％であり、格段に優れた透過特性を得ることができる。したがって、ＬＥＤディスプレイ以外にも、多くの蛍光ランプディスプレイや照明装置の導光素子などの多くの応用商品に適応可能である。
【００８４】
以上の結果から、円周方向の配置ピッチＰ１が３３０ｎｍ、円周方向に対して約６０°方向（約−６０°方向）の配置ピッチＰ２が３００ｎｍである場合に、優れた反射率特性および透過特性が得られることが分かる。したがって、Ｐ１／Ｐ２の値が０．９７〜１．２２の複製基板において、優れた反射特性および透過特性が得られることが分かる。また、アスペクト比を０．９７〜１．２２にすることにより、優れた反射特性および透過特性が得られることが分かる。
【００８５】
（実施例５）
［原盤の作製・複製基板の作製］
まず、原盤の作製および複製基板の作製を実施例１と同様にして行い、サブ波長構造体紫外線硬化複製基板１６を作製した。
【００８６】
［成形金型の作製］
次に、作製したサブ波長構造体紫外線硬化複製基板１６の凹凸パターン上に、無電界メッキ法によりニッケル皮膜でなる導電化膜を形成した。そして、導電化膜層が形成された複製基板を電鋳装置に設置し、電気メッキ法により導電化膜上に３００±５μｍ程度の厚さのニッケルメッキ層を形成した。続いて、複製基板からニッケルメッキ層をカッターなどを用いて剥離した後、転写された凹凸構造面をアセトンで洗浄し、凹部準六方格子パターンを有するサブ波長構造体Ｎｉ金属マスター（成形金型）１７を作製した。
【００８７】
［光学素子の作製］
次に、作製したサブ波長構造体Ｎｉ金属マスター１７を用いてポリカーボネート樹脂の射出成形基板を作製し、表面に凸部準六方格子パターンを有するサブ波長構造体成形複製基板１Ｗを得た。その後、この複製基板１Ｗを所定サイズに切り出して、光学素子１を作製した。
【００８８】
（光学素子の評価）
上述のようにして作製した光学素子１を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：scanning electron microscope）により観察を行った。その結果、実施例１と同様の形状および配置を有するサブ波長構造体３が基体２の表面に形成されていることが分かった。
【００８９】
また、上述のようにして作製した光学素子１の反射特性および透過特性を実施例１と同様にして評価した。その結果、実施例５では、実施例１と同様の反射特性および透過特性が得られることが分かった。
【００９０】
以上、本発明の実施形態および実施例について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００９１】
例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。
【００９２】
また、上述の実施形態および実施例では、基板をエッチング処理して原盤を形成する場合について説明したが、レジスト層のパターンが形成された基板をそのまま原盤として用いることも可能である。
【００９３】
また、上述の実施形態および実施例では、構造体が凸形状の場合について説明したが、構造体を凹形状としてもよい。この場合にも上述の実施形態および実施例と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の実施形態による光学素子の構成の一例を示す概略図である
【図２】図１に示した光学素子１の一部を拡大して表す斜視図である。
【図３】原盤の製造工程を説明するための模式図である。
【図４】原盤の製造工程を説明するための模式図である。
【図５】原盤の製造工程に用いる露光装置の概略構成図である。
【図６】光学素子作製原盤から光学素子を作製するまでの概略工程を説明するための模式図である。
【図７】光学素子の切り出し工程を説明するための模式図である。
【図８】実施例１の複製基板のＳＥＭ像を示す図である。
【図９】実施例１の反射率、透過率の波長特性および角度特性を示すグラフである。
【図１０】実施例２の反射率、透過率の波長特性および角度特性を示すグラフである。
【図１１】実施例３の反射率、透過率の波長特性および角度特性を示すグラフである。
【図１２】実施例４の反射率、透過率の波長特性および角度特性を示すグラフである。
【図１３】サブ波長構造体を釣鐘状楕円錐体にしたときのＲＣＷＡシミュレーションの結果を示すグラフである。
【図１４】従来のＳｉ原盤の構成を示す図である。
【図１５】従来のＳｉ原盤の構成を示す図である。
【図１６】従来のＳｉ原盤における波長と反射率との関係を示すグラフである。
【図１７】従来のＳｉ原盤のＮｉめっきスタンパの構成を示す図である。
【図１８】図１７に示したＮｉめっきスタンパを拡大して示す図である。
【図１９】従来の光学素子における波長と反射率との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００９５】
１    光学素子
１Ｗ    ディスク状基板
２    基体
３    構造体
１１    基板
１２    レジスト層
１２ａ    潜像
１３    露光ビーム
１４    現像液
１５    原盤
１６    透明基板
１７    成形金型
２１    レーザ
２２    ＥＯＭ
２３，３１，３４    ミラー
２４    ＰＤ
２５    変調光学系
２６    集光レンズ
２７    ＡＯＭ
２８    コリメータレンズ
２９    フォーマッタ
３０    ドライバ
３２    移動光学テーブル系
３３    ＢＥＸ
３５    対物レンズ
３６    スピンドルモータ
Ｌ    レーザ光
【図１】
2008158013.tif 000004
【図２】
2008158013.tif 000005
【図３】
2008158013.tif 000006
【図４】
2008158013.tif 000007
【図５】
2008158013.tif 000008
【図６】
2008158013.tif 000009
【図７】
2008158013.tif 000010
【図９】
2008158013.tif 000011
【図１０】
2008158013.tif 000012
【図１１】
2008158013.tif 000013
【図１２】
2008158013.tif 000014
【図１３】
2008158013.tif 000015
【図１４】
2008158013.tif 000016
【図１６】
2008158013.tif 000017
【図１７】
2008158013.tif 000018
【図１９】
2008158013.tif 000019
【図８】
2008158013.tif 000020
【図１５】
2008158013.tif 000021
【図１８】
2008158013.tif 000022