(57)【要約】【課題】ＴＦＴの下層側の例えば基板上に遮光膜を形成する際に、遮光膜の表面を粗面化することができ、遮光膜の反射光を乱反射させて、ＴＦＴの動作不良を解消し、遮光効果を向上させることができる電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器を提供する。【解決手段】電気光学装置は、基板上に、チャネル領域を有する半導体層を含んで構成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上方に第１の層間絶縁膜を介して設けられ、前記半導体層と平面的に重なるように形成されて上側遮光膜としての機能を有し、前記半導体層と電気的に接続するデータ線と、前記半薄膜トランジスタの下方に下地絶縁膜を介して設けられ、表面が粗面化された下側遮光膜と、を備える。【選択図】図１
2008233463.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
チャネル領域を有する半導体層を含んで構成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上方に第１の層間絶縁膜を介して設けられ、前記半導体層と平面的に重なるように形成されて上側遮光膜としての機能を有し、前記半導体層と電気的に接続するデータ線と、
前記薄膜トランジスタの下方に下地絶縁膜を介して設けられ、表面が粗面化された下側遮光膜と、
を具備したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記下側遮光膜は、タングステンシリサイドで形成されていて、該タングステンシリサイドに含まれるシリコンのうちの表面のシリコンが選択的に凹まされて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記下側遮光膜は、前記半導体層の少なくともドレイン側に対応した部分が粗面化されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記下側遮光膜は、上層に遮光膜を用い、下層にポリシリコンを用いた二層構造とされることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項６】
基板上にタングステンシリサイドを成膜する成膜工程と、
成膜された前記タングステンシリサイドをアニールして、シリコンを分離させるアニール工程と、
酸化雰囲気中で加熱処理して、分離された前記シリコンのうちの表面のシリコンを選択的に酸化させる熱酸化工程と、
酸化された前記シリコンをウェットエッチングして、前記タングステンシリサイドの表面に凹凸を形成するエッチング工程と、
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記成膜工程で成膜されるタングステンシリサイドの膜厚は、２０００±２００Åであることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記アニール工程でのアニール温度は、９５０〜１０００℃であることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記エッチング工程にて形成されるタングステンシリサイドの表面粗さの範囲は、膜厚で１５００Å〜２２００Åの範囲であることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及び該電気光学装置の製造方法並びにこのような電気光学装置を備えた液晶プロジェクタ等の電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置は、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、ＴＦＴという）等を画素選択用のスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス駆動形式を採ることが多い。ＴＦＴの半導体層特にチャネル領域に入射光が照射されると、光による励起で光リーク電流が発生してＴＦＴの特性が劣化し、表示面における画質の不均一やコントラスト比の低下、フリッカ特性の劣化等の原因となる。
【０００３】
ＴＦＴは通常、画素の非開口領域に配置されているが、入射光自体が基板に垂直な成分だけではないために、ＴＦＴに光が入射する。そのような入射光は、配線で乱反射或いは多重反射して、ＴＦＴに照射されるものである。近年の電気光学装置は入射光強度が高いために、このようなＴＦＴへの光の入射を抑えることが重要である。
【０００４】
例えば特許文献１には、液晶表示装置の製造において、基板上にＴＦＴを形成する過程で、半導体層の上方に複数の層間絶縁膜、遮光膜及び保護膜を積層する際に、層間絶縁膜に凹凸を形成した後に、遮光膜を形成することによって、層間絶縁膜と遮光膜との界面に凹凸を形成し、これによって遮光膜の反射光を乱反射させ、結果としてＴＦＴの動作不良を解消するようにしたことが開示されている。
【特許文献１】特開平７−２８０８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１では、ＴＦＴの上層側の層間絶縁膜の表面に凹凸を形成することによって上層側の遮光膜を粗面化しているが、ＴＦＴの下層側の例えば基板上に遮光膜を形成しその後に層間絶縁膜を形成する際には、層間絶縁膜の形成が後工程になるので、上記の方法を使えないという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、ＴＦＴの下層側の例えば基板上に遮光膜を形成する際に、遮光膜の表面を凹凸にして粗面化することができ、遮光膜の反射光を乱反射させて、ＴＦＴの動作不良を解消し、遮光効果を向上させることができる電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による電気光学装置は、基板上に、チャネル領域を有する半導体層を含んで構成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上方に第１の層間絶縁膜を介して設けられ、前記半導体層と平面的に重なるように形成されて上側遮光膜としての機能を有し、前記半導体層と電気的に接続するデータ線と、前記半薄膜トランジスタの下方に下地絶縁膜を介して設けられ、表面が粗面化された下側遮光膜と、を具備したものである。
【０００８】
このような構成においては、薄膜トランジスタの下方に設けられる下側遮光膜の表面を粗面化して、下側遮光膜の反射光を乱反射させ、薄膜トランジスタの動作不良を解消し、遮光効果を向上させることができる。
【０００９】
本発明の装置において、前記下側遮光膜は、タングステンシリサイドで形成されていて、該タングステンシリサイドに含まれるシリコンのうちの表面のシリコンが選択的に凹まされて形成されていることを特徴とする。  
このような構成においては、タングステンシリサイドを遮光膜の材料として用いることにより、タングステンシリサイドに含まれるシリコンのうちの表面のシリコンが製造過程において、選択的に酸化及びエッチングして凹まされ、光を乱反射させる凹凸を形成できる。
【００１０】
本発明の装置において、前記下側遮光膜は、前記半導体層の少なくともドレイン側に対応した部分が粗面化されていることを特徴とする。  
このような構成においては、半導体層のうちのドレイン側が光による励起で光リーク電流を発生して薄膜トランジスタの特性劣化を起こしやすいので、少なくともドレイン側に対応した遮光膜部分を粗面化することが効果的である。
【００１１】
本発明の装置において、前記下側遮光膜は、上層に遮光膜を用い、下層にポリシリコンを用いた二層構造とされることを特徴とする。  
このような構成においては、下側遮光膜を下層にポリシリコンを用いた二層構造とすることで、クラック等の発生を抑えた構造を提供できる。
【００１２】
本発明による電子機器は、上述のいずれかの電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００１３】
このような構成においては、上述した本発明の電気光学装置を備えてなるので、薄膜トランジスタの下層側の例えば基板上に遮光膜を形成する際に、遮光膜の表面を粗面化することができ、遮光膜の反射光を乱反射させて、薄膜トランジスタの動作不良を解消し、遮光効果を向上させることが可能な各種電子機器を実現できる。
【００１４】
本発明による電気光学装置の製造方法は、基板上にタングステンシリサイドを成膜する成膜工程と、成膜された前記タングステンシリサイドをアニールして、シリコンを分離させるアニール工程と、酸化雰囲気中で加熱処理して、分離された前記シリコンのうちの表面のシリコンを選択的に酸化させる熱酸化工程と、酸化された前記シリコンをウェットエッチングして、前記タングステンシリサイドの表面に凹凸を形成するエッチング工程と、を備えたものである。
【００１５】
このような方法においては、基板上にタングステンシリサイドを成膜した後、アニールすることによって、タングステンシリサイドに含まれているシリコンを分離し、その後に熱酸化して表面に酸化シリコンを生成し、その酸化シリコンをウェットエッチングにて除去することによって、遮光膜であるタングステンシリサイドの表面に凹凸を形成することができる。
【００１６】
本発明の方法において、前記成膜工程にて成膜されるタングステンシリサイドの膜厚は、２０００±２００Åであることを特徴とする。  
このような方法においては、タングステンシリサイドの膜厚を２０００±２００Åに形成することにより、光の吸収率を上げることができる。
【００１７】
本発明の方法において、前記アニール工程でのアニール温度は９５０〜１０００℃であることを特徴とする。  
このような方法においては、アニール温度を９５０〜１０００℃に設定することにより、タングステンシリサイドに含まれているシリコンを効果的に分離することができる。
【００１８】
本発明の方法において、前記エッチング工程にて形成されるタングステンシリサイドの表面粗さの範囲は、膜厚で１５００Å〜２２００Åの範囲であることを特徴とする。
【００１９】
このような方法においては、表面粗さの範囲は、遮光層として必要な最低膜厚である１５００Å以上とし、膜応力から限界となる２２００Åを上限とするものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。  
［第１の実施形態］
図１は本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置の断面構造を、図５のＡ−Ａ’線の位置で切断して示す断面図である。本実施の形態はＴＦＴ基板等を有する液晶装置に適用したものである。図２は本実施の形態における電気光学装置である液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図である。図３は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図２のＨ−Ｈ’線の位置で切断して示す断面図である。図４は液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００２１】
先ず、図２乃至図４を参照して本実施の形態の電気光学装置である液晶装置の全体構成について説明する。 
液晶装置は、図２及び図３に示すように、素子基板であるＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。ＴＦＴ基板１０上には画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａ等がマトリクス状に配置される。また、対向基板２０上には全面に対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられる。図４は画素を構成するＴＦＴ基板１０上の素子の等価回路を示している。
【００２２】
図４に示すように、画素領域においては、複数本の走査線１１ａと複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線１１ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線１１ａとデータ線６ａの各交差部分に対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素電極９ａが電気的に接続される。
【００２３】
ＴＦＴ３０は走査線１１ａのオン信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。また、画素電極９ａと並列に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００２４】
図１は一つの画素に着目した液晶装置の模式的断面図であり、図５は成膜パターンを示す平面図である。  
図５において、画素電極９ａは、ＴＦＴ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ（点線により示されている）及び走査線１１ａ（ゲート電極３ａに直接接続されている）が設けられている。データ線６ａは、後述するように、アルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線１１ａは、半導体層１ａのうち図中の斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するゲート電極３ａに電気的に接続されている。すなわち、走査線１１ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、走査線１１ａに接続されたゲート電極３ａとチャネル領域１ａ’とが対向配置されて画素スイッチング用のＴＦＴ３０が構成されている。
【００２５】
図５のＡ−Ａ’線断面図たる図１に示すように、電気光学装置は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。
【００２６】
ＴＦＴ基板１０の側には、図１に示すように、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その全面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、配向膜１６及び２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００２７】
このように対向配置されたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０間には、シール材５２（図２及び図３参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した電気光学物質からなる。シール材５２は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【００２８】
一方、ＴＦＴ基板１０上には、画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図１に示すように、下から順に、下側遮光膜としてのブラックマトリクス（以下、ＢＭという）１２１を含む第１層（成膜層）、ゲート電極３ａ及びこれに接続した走査線１１ａを含むＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、電位固定の容量配線であるシールド層４００等を含む第５層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３及び４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。
【００２９】
第１層には、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド（例えばタングステンシリサイド）、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等からなるＢＭ１２１が基板１０上に設けられている。このＢＭ１２１は、平面的にみて、図５のＸ方向及びＹ方向に沿うように、格子状にパターニングされている。ＢＭ１２１は、光の吸収率を上げるために、その膜厚が２０００±２００Å程度とされるが、さらに光の散乱率を上げるために、その表面を粗く（凹凸に）形成している。ＢＭ１２１の表面粗さの範囲は、遮光層として必要な最低膜厚である１５００Å以上とし、膜応力から限界となる２２００Åを上限としている。
【００３０】
また、ＢＭ１２１は、画素電極９ａが形成されない領域を略埋めるように形成されていることから、ＴＦＴ３０に下側から入射しようとする光を遮る機能を有している。さらに、ＢＭ１２１の表面を粗面化することにより、入射光として図示上方向から入射する光がＢＭ１２１の表面に当たり反射した場合は、その反射光を乱反射（散乱）させ、ＴＦＴ３０の半導体層１ａへの戻り光を少なくする機能を有している。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａにおける光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像表示が可能となる。
【００３１】
第２層には、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、図１に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００３２】
そして、この第２層には、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。この中継電極７１９は、平面的に見て、各画素電極９ａの一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているから、後者が例えば導電性ポリシリコン膜等からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜等からなる。なお、ゲート電極３ａには、前述したように導電性ポリシリコン膜等からなる走査線１１ａが接続している。
【００３３】
なお、上述のＴＦＴ３０は、好ましくは図１に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００３４】
以上説明したＢＭ１２１の上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、ＢＭ１２１からＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００３５】
第３層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極（上部電極ともいう）としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、蓄積容量７０は、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため（換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため）、電気光学装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能である。
【００３６】
より詳細には、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、下部電極７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。また、この下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。この中継接続は、後述するように、前記中継電極７１９を介して行われている。
【００３７】
容量電極３００は、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。容量電極３００を固定電位とするためには、固定電位とされたシールド層４００と電気的接続が図られることによりなされている。
【００３８】
そして、この容量電極３００は、ＴＦＴ基板１０上において、各画素に対応するように島状に形成されており、下部電極７１は、当該容量電極３００とほぼ同一形状を有するように形成されている。これにより、蓄積容量７０は、平面的に無駄な広がりを有さず、即ち画素開口率を低落させることなく、且つ、当該状況下で最大限の容量値を実現し得ることになる。つまり、蓄積容量７０は、より小面積で、より大きな容量値を持つことになる。
【００３９】
誘電体膜７５は、図１に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。そして、この誘電体膜７５は、図１に示すように、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂからなる２層構造を有する。比較的誘電率の大きい窒化シリコン膜７５ｂが存在することにより、蓄積容量７０の容量値を増大させることが可能となると共に、酸化シリコン膜７５ａが存在することにより、蓄積容量７０の耐圧性を低下せしめることがない。このように、誘電体膜７５を２層構造とすることにより、相反する２つの作用効果を享受することが可能となる。
【００４０】
また、窒化シリコン膜７５ｂが存在することにより、ＴＦＴ３０に対する水の浸入を未然に防止することが可能となっている。これにより、ＴＦＴ３０におけるスレッショルド電圧の上昇という事態を招来することがなく、比較的長期の装置運用が可能となる。なお、本実施形態では、誘電体膜７５は、２層構造を有するものとなっているが、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というような３層構造や、あるいはそれ以上の積層構造を有するように構成してもよい。
【００４１】
以上説明したＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後述する第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。
【００４２】
さらに、この第１層間絶縁膜４１には、蓄積容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するコンタクトホール８８２が、後述する第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００４３】
図１に示すように、コンタクトホール８８２は、蓄積容量７０以外の領域に形成されており、下部電極７１を一旦下層の中継電極７１９に迂回させてコンタクトホール８８２を介して上層に引き出していることから、下部電極７１を上層の画素電極９ａに電気的に接続する場合でも、下部電極７１を誘電体膜７５及び容量電極３００よりも広く形成する必要がない。従って、下部電極７１、誘電体膜７５及び容量電極３００を１エッチング工程で同時にパターニングすることができる。これにより、下部電極７１、誘電体膜７５及び容量電極３００の各エッチングレートの制御が容易となり、膜厚等の設計の自由度を増大させることが可能である。
【００４４】
また、誘電体膜７５は下部電極７１及び容量電極３００と同一形状に形成され広がりを有していないことから、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する水素化処理を行うような場合において、該処理に用いる水素を、蓄積容量７０周辺の開口部を通じて半導体層１ａにまで容易に到達させることが可能となるという作用効果を得ることも可能となる。
【００４５】
なお、第１層間絶縁膜４１に対しては、約１０００°Ｃの焼成を行うことにより、半導体層１ａやゲート電極３ａ及びこれを接続する走査線１１ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。
【００４６】
第４層には、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、ＴＦＴ３０の半導体層１ａの延在する方向に一致するように、すなわち図５中Ｙ方向に重なるようにストライプ状に形成されている。このデータ線６ａは、図１に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層（図１における符号４１Ａ）、窒化チタンからなる層（図１における符号４１ＴＮ参照）、窒化シリコン膜からなる層（図１における符号４０１）の三層構造を有する膜として形成されている。窒化シリコン膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターンニングされている。このうちデータ線６ａが、比較的低抵抗な材料たるアルミニウムを含むことにより、ＴＦＴ３０、画素電極９ａに対する画像信号の供給を滞りなく実現することができる。他方、データ線６ａ上に水分の浸入をせき止める作用に比較的優れた窒化シリコン膜が形成されることにより、ＴＦＴ３０の耐湿性向上を図ることができ、その寿命長期化を実現することができる。窒化シリコン膜は、プラズマ窒化シリコン膜が望ましい。データ線６ａは、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに設けられたソース電極（図示略）に電気的に接続する一方、半導体層１ａの上方を遮光する上側遮光膜を構成している。
【００４７】
また、この第４層には、データ線６ａと同一膜として、シールド層用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図５に示すように、平面的に見ると、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。すなわち、図５中最左方に位置するデータ線６ａに着目すると、その直右方に略四辺形状を有するシールド層用中継層６ａ１、更にその右方にシールド層用中継層６ａ１よりも若干大きめの面積をもつ略四辺形状を有する第２中継電極６ａ２が形成されている。シールド層用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２は、データ線６ａと同一工程で、下層より順に、アルミニウムからなる層、窒化チタンからなる層、プラズマ窒化膜からなる層の三層構造を有する膜として形成されている。そして、プラズマ窒化膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターンニングされている。窒化チタン層は、シールド層用中継層６ａ１、第２中継電極６ａ２に対して形成するコンタクトホール８０３，８０４のエッチングの突き抜け防止のためのバリアメタルとして機能する。また、シールド層用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２上に、水分の浸入をせき止める作用に比較的優れたプラズマ窒化膜が形成されることにより、ＴＦＴ３０の耐湿性向上を図ることができ、その寿命長期化を実現することができる。尚、プラズマ窒化膜としては、プラズマ窒化シリコン膜が望ましい。
【００４８】
蓄積容量７０の上、かつ、データ線６ａの下には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ，ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第２層間絶縁膜４２が形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が開孔されているとともに、前記シールド層用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。さらに、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が形成されている。
【００４９】
第５層には、シールド層４００が形成されている。このシールド層４００は、平面的にみると、図５に示すように、図中Ｘ方向及びＹ方向それぞれに延在するように、格子状に形成されている。該シールド層４００のうち図中Ｙ方向に延在する部分については特に、データ線６ａを覆うように、且つ、該データ線６ａよりも幅広に形成されている。
【００５０】
このシールド層４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。なお、定電位源としては、データ線駆動回路１０１（図２参照）に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位源でも構わない。
【００５１】
このように、データ線６ａの全体を覆うように形成されているとともに（図５参照）、固定電位とされたシールド層４００の存在によれば、該データ線６ａ及び画素電極９ａ間に生じる容量カップリングの影響を排除することが可能となる。すなわち、データ線６ａへの通電に応じて、画素電極９ａの電位が変動するという事態を未然に回避することが可能となり、画像上に該データ線６ａに沿った表示ムラ等を発生させる可能性を低減することができる。シールド層４００は格子状に形成されていることから、ゲート電極３ａに接続された走査線１１ａが延在する部分についても無用な容量カップリングが生じないように、これを抑制することが可能となっている。
【００５２】
また、第５層には、このようなシールド層４００と同一層として、中継層としての第３中継電極４０２が形成されている。本実施の形態においては、第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる導電膜４０２ａ、上層に窒化チタンからなる電蝕防止膜４０２ｂの２層構造を有している。なお、これらシールド層４００及び第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【００５３】
第３中継電極４０２において、下層のアルミニウムからなる導電膜４０２ａは、第２中継電極６ａ２と接続され、上層の窒化チタンからなる電蝕防止膜４０２ｂは、ＩＴＯ等からなる画素電極９ａと電気的に接続されるようになっている。即ち、この第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８９を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。
【００５４】
アルミニウムとＩＴＯとを直接に接続した場合には、両者間において電蝕が生じてしまい、アルミニウムの断線、あるいはアルミナの形成による絶縁等のため、好ましい電気的接続が実現されない。これに対し、本実施の形態においては、窒化チタンとＩＴＯとを接続していることから、コンタクト抵抗が低く良好な接続性が得られる。
【００５５】
第３中継電極４０２の導電膜４０２ａは、第３層間絶縁膜４３に形成されコンタクトホール８８２及び第４層間絶縁膜４４に形成されたコンタクトホール８９を介して第２中継電極６ａ２と画素電極９ａとを電気的に接続する構成になっていることから、これらのコンタクトホール８８２及び８９を含む領域に形成される。
【００５６】
このように、第３中継電極４０２と画素電極９ａとの電気的接続を良好に実現することができることにより、該画素電極９ａに対する電圧印加、あるいは該画素電極９ａにおける電位保持特性を良好に維持することが可能となる。
【００５７】
さらには、シールド層４００及び第３中継電極４０２は、光反射性能に比較的優れたアルミニウムを含み、且つ、大部分の領域において光吸収率が比較的高い窒化チタンが積層されていないことから、発熱を生じることなく遮光層として機能し得る。すなわち、これらによれば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する入射光（図１参照）の進行を、発熱を生じることなくその上側でさえぎることが可能である。
【００５８】
なお、上述した容量電極３００及びデータ線６ａについても同様の遮光機能を有する。これらシールド層４００、第３中継電極４０２、容量電極３００及びデータ線６ａが、ＴＦＴ基板１０上に構築される積層構造の一部をなしつつ、ＴＦＴ３０に対する上側からの光入射を遮る上側遮光膜として機能する。
【００５９】
データ線６ａの上、かつ、シールド層４００の下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくは、ＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法で形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、シールド層４００とシールド層用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００６０】
なお、第２層間絶縁膜４２に対しては、第１層間絶縁膜４１に関して先に述べた焼成を行わないことにより、容量電極３００の界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。
【００６１】
第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＢＰＳＧからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。本実施の形態においては、第３及び第４層間絶縁膜４３、４４の表面は、ＣＭＰ（Chelica1 MechanlcaI Polishing）処理等により平坦化されており、その下方に存在する各種配線や素子等による段差に起因する液晶層５０の配向不良を低減する。ただし、このように第３，第４層間絶縁膜４３，４４に平坦化処理を施すのに代えて、又は加えて、ＴＦＴ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２及び第３層間絶縁膜４３のうち少なくとも一つに溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより、平坦化処理を行ってもよい。
【００６２】
なお、以上述べた実施形態では、蓄積容量７０は、下から順に画素電位側容量電極、誘電体膜及び固定電位側容量電極という３層構造を構成していたが、これとは逆の積層構造を構成するようにしてもよい。
【００６３】
各構成要素の立体的−平面的なレイアウトについても、本発明は、上記実施形態のような形態に限定されるものではなく、別の種々の形態が考えられ得る。
【００６４】
以上述べた本実施形態では、ＴＦＴ基板１０の活性層である半導体層１ａの下部に表面を粗面化した遮光膜としてのＢＭ１２１を形成して、反射光を乱反射させ、半導体層１ａへの戻り光に起因した光リークを低減する。
【００６５】
次に、半導体層１ａ下に形成されるＢＭ１２１の表面を粗面化する理由、及び粗面化する方法について、図６乃至図１１を参照して説明する。  
図６は、ＴＦＴ３０の半導体層１ａと、その上方のゲート電極３ａ及びこれに電気的に接続した走査線（ゲート線とも呼ばれる）１１ａと、さらにその上方のデータ線（ソース線とも呼ばれる）６ａとの平面的な位置関係を示している。なお、走査線１１ａはゲート電極３ａに延設されている。
【００６６】
図７は、基板１０上に成膜されたＢＭ１２１と、その上方のＴＦＴ３０の半導体層１ａとの平面的な位置関係を示している。半導体層１ａはソース領域，チャネル領域及びドレイン領域を有している。  
図８は、画素ごとに設けられた、ＴＦＴ３０の半導体層１ａと及び開口領域１２２と、開口領域間に設けられたＢＭ１２１との平面的な位置関係を示している。
【００６７】
図７及び図８に示すように、光の吸収性の良いＢＭ１２１は格子状にパターン形成され、縦横の格子が交差する領域の上方にＴＦＴ３０の半導体層１ａが配設されている。液晶装置が例えばプロジェクタで使用されている場合をみると、入射光は図面の上方向から入ってきて開口領域１２２を透過して紙面背面側のスクリーンに投射されるために外部からの戻り光は殆どないが、入射光は常に基板１０に垂直に入ってくるとは限らない。例えば図９に示すように斜め上方から入って基板１０を通過していく場合には、開口領域１２２の周辺を取り囲んでいるＢＭ１２１の端部近辺に入射光が当たって一部は吸収され一部は反射し、その反射光が半導体層１ａに侵入して光リークを生じさせ、ＴＦＴの特性を劣化させる。その解決方法の１つとして、光の入射側及び出射側において開口領域１２２の四隅の部分Ｎ（点線にて示す）のようにＢＭの面積を三角形状に増して形成することによって、半導体層１ａの最も影響を受けやすい部分（半導体層１ａにおける、図８の斜線Ｍにて示すドレイン領域及びソース領域に対応したＬＤＤ（Lightly Doped Drain）部分、特にドレイン領域部分）に光が回り込まないようにすることが考えられる。しかしながら、このような方法を用いると、画像表示領域における画素ごとの開口領域を狭めることになり、開口率が低下するという問題を生ずる。
【００６８】
そこで、遮光膜の面積を増やさず、開口率を低下させることなく（つまり液晶装置を透過する光の透光率を下げることなく）、半導体層１ａへの反射光に起因した光リークを低減することが必要になる。  
そのため、本実施形態では、図９に示すように半導体層１ａの下部にあるＢＭ１２１の表面を粗面化することによって、入射光がＢＭ１２１の表面に当たって反射する際に、反射光を粗面（凹凸面）によって散乱させ、半導体層１ａへの戻り光を少なくする。
【００６９】
図９は本発明の第１の実施形態の電気光学装置である液晶装置の要部の断面図を示している。図９は、図１におけるＴＦＴ３０及びその下部の構成と同様である。但し、図１におけるＴＦＴ３０の上方の蓄積容量７０については省略してある。  
図９において、ＴＦＴ基板１０にはＴＦＴの下側遮光膜としてＢＭ１２１が形成されており、その表面は粗面化されている。ＢＭ１２１の上に下地となる層間絶縁膜（下地絶縁膜）１２が積層され、その下地絶縁膜１２の表面に半導体層１ａが形成されている。半導体層１ａは、既に説明したように、チャネル領域１ａ’、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている（図１参照）。半導体層１ａの上にはゲート絶縁膜２を介してゲート電極３ａ及びこれに電気的に接続する走査線１１ａが設けられている。半導体層１ａとゲート絶縁膜２とゲート電極３ａで、ＴＦＴ３０が構成されている。
【００７０】
ＴＦＴ３０の上に第１層間絶縁膜４１’が積層され、その第１層間絶縁膜４１’の表面にデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、例えばアルミニウム配線で形成されており、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに設けられたソース電極に電気的に接続する一方、半導体層１ａの上方を遮光する上側遮光膜を構成している。
【００７１】
次に、下側遮光膜であるＢＭ１２１の製造方法について、図１０及び図１１を参照して説明する。図１０はフローチャートを、図１１は図１０の各ステップに対応した製造工程を図示したものである。  
図１０及び図１１に示すように、まず、ＴＦＴ基板１０上にタングステンシリサイド（ＷＳｉ）をスパッタにて２０００Åの膜厚で形成する（ステップＳ1）。（図１１(a)に示す成膜工程）  
次に、成膜されたＷＳｉ膜を９５０〜１０００℃でアニールすることによって、ＷＳｉに含まれているシリコン（Ｓｉ）を分離させる（ステップＳ2）。（図１１(b)に示すアニール工程）
そして、酸化雰囲気中で加熱処理することによって、ＷＳｉ中で分離されたＳｉの内のＷＳｉ膜表面のＳｉを選択的に酸化させる（ステップＳ3）。（図１１(c)に示す熱酸化工程）  
次に、酸化された酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜をフッ酸（ＨＦ）系のエッチャントにてウェットエッチングし、洗浄することによって、ＷＳｉの表面に凹凸を形成する（ステップＳ4，Ｓ5）。（図１１(d)及び(e)に示すエッチング工程）
ＢＭ１２１は、前述したように画素の開口領域１２２を除いた画素周辺に格子状態に形成される（図８参照）。その場合、ＢＭ１２１の表面を格子全ての表面に亘って凹凸状に粗面化することが、製造上の作業性及び光散乱の効果の観点から好ましい。加えて、ＢＭ全面に亘って粗面化すると、膜応力が一定方向に集中せず、応力のベクトルが分散でき、クラック等を生じにくくなる利点もある。なお、ＢＭ全面に亘って粗面化することなく、ＢＭ表面の一部だけ粗面化することもできるが、上層にあるＴＦＴの半導体層１ａの少なくともドレイン側（図８の斜線部分Ｍのうちのドレイン側）に対応（対向）したＢＭ１２１の表面部分は粗面化することが好ましい。これは半導体層１ａのドレイン側への光入射が最も光リークを発生し易いためである。
【００７２】
［第２の実施形態］
図１２は本発明の第２の実施形態の電気光学装置である液晶装置の要部の断面図を示している。図９の第１の実施形態の液晶装置の要部と同一部分には同一符号を付してある。
【００７３】
図１２において、図９の第１の実施形態と異なる点は、遮光膜であるＢＭ１２１を２層構造としたものである。すなわち、ＢＭ１２３を下層のポリシリコン１２２と上層のタングステンシリサイド（ＷＳｉ）１２１とで構成したものである。このようにガラス基板等で構成されるＴＦＴ基板１０との界面にポリシリコンを下層としてＢＭ１２３を２層に構成すると、ＷＳｉのみでＢＭを構成した場合より膜応力が緩和されクラックの発生を防ぐと共に、上層のＷＳｉ１２１を薄く形成することができる。
【００７４】
以上に説明した実施形態の液晶装置は、例えばプロジェクタに適用される。ここでは、上記実施形態の液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。  
図１３は本発明に係る電子機器としてのプロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００７５】
図１３において、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶装置１００Ｒ、１００Ｂ及び１００Ｇに入射される。液晶装置１００Ｒ、１００Ｂ及び１００Ｇの構成は上述した液晶装置と同等であり、それぞれにおいて画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号が変調される。これらの液晶装置によって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。ダイクロイックプリズム１１１２では、各色の画像が合成され、カラー画像として射出される。カラー画像は、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン１１２０等に投写される。
【００７６】
なお、上記実施形態の液晶装置は、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー表示装置に適用することもできる。その場合、対向基板２０上における画素電極９ａに対向する領域に、ＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に形成すればよい。或いは、ＴＦＴ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。更に、以上の各場合において、対向基板２０上に画素と１対１に対応するマイクロレンズを設けるようにすれば、入射光の集光効率が向上し、表示輝度を向上させることができる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用してＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るい表示が可能となる。
【００７７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びこれを備えた電子機器、並びに、そのような電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
以上では、液晶装置及び液晶プロジェクタを例に挙げて本発明について説明したが、本発明の電気光学装置は、ＴＦＴを用いて表示用電極を駆動する装置であればよく、液晶装置の他にも、例えば、電子ペーパなどの電気泳動装置や、電子放出素子を用いた表示装置（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）等として実現することができる。また、本発明の電子機器は、このような本発明の電気光学装置を備えることで実現され、上述したプロジェクタの他に、テレビジョン受像機や、ビューファインダ型或いはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の各種の電子機器として実現可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電気光学装置の断面構造を示す断面図。
【図２】本実施の形態における電気光学装置である液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。
【図３】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図２のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図。
【図４】液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。
【図５】本実施形態のＴＦＴ基板上に形成する隣接した複数の画素について各層の成膜パターンのうちの一部の成膜パターンを示す平面図。
【図６】本実施形態のＴＦＴの半導体層と、その上方のゲート電極及びこれに電気的に接続した走査線と、さらにその上方のデータ線との平面的な位置関係を示す平面図。
【図７】本実施形態のＴＦＴ基板上に成膜されたブラックマトリクスと、その上方のＴＦＴの半導体層との平面的な位置関係を示す平面図。
【図８】ＴＦＴの半導体層と画素の開口領域とブラックマトリクスとの平面的な位置関係を示す平面図。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る電気光学装置の要部の概略構成を示す断面図。
【図１０】図１の液晶装置の製造方法の要部を示すフローチャート。
【図１１】図１０の製造方法の要部の工程を断面図によって工程順に示す工程図。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る電気光学装置の要部の概略構成を示す断面図。
【図１３】本発明に係る電子機器としてのプロジェクタの構成例を示す平面図。
【符号の説明】
【００８０】
１ａ…半導体層、３ａ…ゲート電極、６ａ…データ線（ソース線）、１０…ＴＦＴ基板（素子基板）、１１ａ…走査線（ゲート線）、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、１２１，１２３…下側遮光膜（ブラックマトリクス）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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