(57)【要約】【課題】静電気による損傷を防止するようにした有機電界発光表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】複数のデータ線と前記データ線と交差して形成される複数の走査線と前記データ線および前記走査線に連結される画素を含む画素部と、前記データ線に連結されてデータ信号を伝達するデータ駆動部と、前記走査線に連結されて、走査信号を伝達する走査駆動部と、および前記画素部と前記走査駆動部が連結される部分に形成される放電キャパシター部とを含む。【選択図】図3
2008233843.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデータ線と前記データ線と交差して形成される複数の走査線と前記データ線および前記走査線に連結される画素を含む画素部と、
前記データ線に連結されてデータ信号を伝達するデータ駆動部と、
前記走査線に連結されて、走査信号を伝達する走査駆動部と、
前記画素部と前記走査駆動部が連結される部分に形成される放電キャパシター部と、
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記画素は、前記画素部の所定の領域にパタニーングされて形成されるポリシリコン層と、
前記ポリシリコン層の上部に形成される第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜の上部に形成され、走査線に連結されるゲートメタルと、
前記ゲートメタル上部に形成される第2絶縁膜と、
コンタクトホールを通じて前記ポリシリコン層に接触するソースドレインメタルと、
を含むことを特徴とする請求項1記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記放電キャパシター部は、一つの走査線に一つの放電キャパシターが形成されて、前記放電キャパシターは、第1電極は前記ポリシリコンの中前記画素部の外郭に形成されるポリシリコンによって形成されて、第2電極は前記ポリシリコン層に対向される前記走査線によって形成されることを特徴とする請求項2記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
有機電界発光表示装置の製造方法において、
基板の所定領域にポリシリコン層を形成して、トランジスターの活性層を形成する時、放電キャパシターの第1電極を形成する段階と、
ゲートメタルを形成して、走査線と前記ストレージキャパシターの第2電極および前記放電キャパシターの第2電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記放電キャパシターは、走査信号を伝達する走査駆動部と隣接した領域に形成されることを特徴とする請求項4記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記放電キャパシターは、第1電極は前記ポリシリコンの中画素部の外郭に形成されるポリシリコンによって形成されて、第2電極は前記ポリシリコン層に対向される前記走査線によって形成されることを特徴とする請求項5記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光表示装置およびその製造方法に関し、より詳細に説明すれば、静電気による損傷を防止するようにする有機電界発光表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、陰極線管に比べて重さと体積の小さい各種平板表示装置が開発されており、特に発光効率、輝度および視野角が優れて、応答速度の速い有機電界発光表示装置が注目されている。
【０００３】
有機電界発光表示装置は、複数の有機発光ダイオード(organic  light  emitting  diode、OLED)を利用して映像を表現するようにしたもので、有機発光ダイオードはアノード電極、カソード電極およびこれらの間に位置して電子と正孔の結合によって発光する有機発光層を含む。
【０００４】
上記のような有機電界発光表示装置は、有機発光ダイオードに流れる電流量が多い場合に高輝度を示し、流れる電流量が少ない場合には低輝度を示して有機発光ダイオードに流れる電流の量を調節して階調表現をすることになる。
【０００５】
図1は、一般的な有機電界発光表示装置の画素部の一部を示すレイアウト図である。図1を参照して説明すれば、4個の画素が4X1の形態で配列されて各画素は同じ構造をしている。
【０００６】
基板上に第1トランジスターT1と第2トランジスターT2が形成されて第1トランジスターT1と第2トランジスターT2の間にストレージキャパシターSCの第1電極が形成され、ストレージキャパシターSCの第1電極は第1トランジスターT1のゲート電極と第2トランジスターT2のドレイン電極に連結される。そして、第1トランジスターT1のドレイン電極と有機発光ダイオードOLEDのアノード電極が連結される。
【０００７】
そして、水平方向に走査線S1が形成されて走査線S1は第2トランジスターT2のゲート電極に連結され、データ線D1と第1電源線ELVDDが走査線Sと垂直交差して形成される。
【０００８】
そして、ストレージキャパシターSCの第1電極と対向される位置にストレージキャパシターSCの第2電極が形成されて、第2電極は画素電源供給線ELVDDと第1トランジスターT1のソース電極に連結される。
【０００９】
図2は、図1に示された有機電界発光表示装置のII-II’の断面を示す断面図である。
図2を参照して説明すれば、基板200上にバッファー層201が形成されてバッファー層201上にポリシリコンで形成される活性層202が島形状で形成される。そして、バッファー層201と活性層202の上部に第1絶縁膜204が形成されて、第1絶縁膜204の上部にゲートメタル205がパタニーングされて形成される。
【００１０】
そして、第1絶縁膜204とゲートメタル205の上部に第2絶縁膜209が形成されて、第1絶縁膜204と第2絶縁膜209にコンタクトホールが形成されてコンタクトホールを通じて、ソースドレインメタルが活性層202と接触して、活性層にソース202c、ドレイン202cおよびチャンネル202bが形成される。そして、第2絶縁膜209とソースドレインメタル210a、210bの上部に第3絶縁膜211が形成されて、第3絶縁膜211の上部は平坦化される。
【００１１】
そして、第3絶縁膜211の上部にアノード電極214がパタニーングされて形成されて、かつ第3絶縁膜211にコンタクトホールが形成されてコンタクトホールを通じて、アノード電極214がソースドレインメタルに接触する。そして、第3絶縁膜211とアノード電極214の上部にPDL層215と発光層216が形成されて、その上部にカソード電極217が形成される。
【００１２】
上記のように構成された有機電界発光表示装置は、走査線を通じて外部に発生した静電気が有機電界発光表示装置の内部に伝達される恐れがある。静電気は高電圧を帯っており、走査線を通じて伝達される場合、画素に含まれているトランジスターなどが損傷を受けて、画素不良が発生し、有機電界発光表示装置を使えなくなるという恐れがある。
【特許文献１】韓国特許公開第10-2005-0096564号明細書
【特許文献２】韓国特許公開第10-2003-0091333号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するために創出されたもので、本発明の目的は、静電気による損傷を防止する構造を具備することによって静電気による損傷を防止する有機電界発光表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記目的を達成するために本発明の第1側面は、複数のデータ線と前記データ線と交差して形成される複数の走査線と前記データ線および前記走査線に連結される画素を含む画素部と、前記データ線に連結されてデータ信号を伝達するデータ駆動部と、前記走査線に連結されて、走査信号を伝達する走査駆動部および前記画素部と前記走査駆動部が連結される部分に形成される放電キャパシター部とを含む有機電界発光表示装置を提供するのである。
【００１５】
前記目的を達成するために本発明の第2側面は、有機電界発光表示装置の製造方法において、基板の所定領域にポリシリコン層を形成して、トランジスターの活性層を形成する時、放電キャパシターの第1電極を形成する段階、およびゲートメタルを形成して、走査線と前記ストレージキャパシターの第2電極および前記放電キャパシターの第2電極を形成する段階とを含む有機電界発光表示装置の製造方法を提供するのである。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように、本発明による有機電界発光表示装置およびその製造方法によれば、静電気防止構造が追加されて、静電気による損傷を防止することができ、製造過程などで発生する静電気によって画素が損傷することを防止することができ、有機電界発光表示装置の歩留まり高まるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施例を添付した図面を参照して説明する。
図3は、本発明による有機電界発光表示装置の構造を示す構造図である。図3を参照して説明すれば、画素部100、データ駆動部110、走査駆動部120、電源供給部130および放電キャパシター部140を含む。
【００１８】
画素部100は、複数の画素101が配列されて各画素101に電流の流れに対応して光を発光する有機発光ダイオード(図示せず)を含む。そして、行方向で形成されて走査信号を伝達するn本の走査線S1、S2．．．Sn-1、Snと、列方向で形成されてデータ信号を伝達するm本のデータ線D1、D2．．．Dm-1、Dmが配列される。また、第1電源ELVDDと第2電源ELVSSを電源供給部130から伝達してもらって駆動する。
【００１９】
したがって、画素部101は走査信号、データ信号、第1電源ELVDDおよび第2電源ELVSSにより有機発光ダイオードが発光して映像を表わす。
【００２０】
データ駆動部110は画素部100にデータ信号を印加する手段で、赤色、青色、緑色の成分を持つビデオデータの入力を受けてデータ信号を生成する。そして、データ駆動部110は画素部100のデータ線D1、D2．．．Dm-1、Dmに連結されて生成されたデータ信号を画素部100に印加する。
【００２１】
走査駆動部120は画素部100に走査信号を印加する手段で、走査駆動部120は走査線S1、S2．．．Sn-1、Snに連結されて、走査信号を画素部100の特定の行に伝達する。走査信号が伝達された画素101にはデータ駆動部110から出力されたデータ信号が伝達される。そして、走査信号が伝達された画素部100の特定の行には、データ駆動部110から入力されるデータ信号が印加されて、各画素はデータ信号に対応される電流が流れることになる。
【００２２】
電源供給部130は、画素部100に第1電源ELVDDと第2電源ELVSSを伝達する手段で、外部から電源を受けて、第1電源ELVDDと第2電源ELVSSを生成して画素部100に伝達する。
【００２３】
放電キャパシター部140は、各走査線にキャパシターが連結されている構造を持ち、走査駆動部120と画素部100の走査線S1、S2．．．Sn-1、Snが連結される部分に形成される。
【００２４】
放電キャパシター部140の各キャパシターらは、静電気が外部から走査線S1、S2．．．Sn-1、Snを通じて伝達される場合、静電気を充電し、充電された電荷を放電させて、画素部100の各画素101に静電気が伝達されることを防止し、画素101を保護するようにする。
【００２５】
放電キャパシター部140が放電する過程は、放電キャパシター部140のキャパシターらの第1電極と第2電極の間の誘電体の幅が小さくて、高電圧の静電気が各キャパシターに伝達されれば誘電体が静電気によって炸裂し、各キャパシターらが画素101に伝達される静電気による損傷を代わりに受けて画素101を保護することになる。また、走査駆動部120は走査線に連結される時、放電キャパシター部140が形成された部分よりさらに内側に形成されて、放電キャパシター部140が静電気による損傷を受けた場合にも走査線を通じて走査信号の伝達に支障がないようにする。
【００２６】
図4は、本発明による有機電界発光表示装置の画素部のレイアウト図で、図5は図4に示された画素部の回路図である。図4および図5を参照して説明すれば、4個の画素が4X1の形態で配列されて、各画素は同じ構造をしている。
【００２７】
基板上の所定の領域にポリシリコン層400が形成される。ポリシリコン層は第1トランジスターM1と第2トランジスターM2の活性層および放電キャパシターの第1電極になる。ポリシリコン層400の上部に絶縁膜(図示せず)が形成されて、その上部にゲートメタル410が形成されて、ゲートメタル410は第1トランジスターM1と第2トランジスターM2のゲート電極、走査線S、ストレージキャパシターCstの第1電極になる。
【００２８】
そして、その上部に絶縁膜(図示せず)が形成される。ゲートメタル410の中走査線Sになるゲートメタル410は放電キャパシターCvの第1電極と重なる領域が生じ、放電キャパシターCvの第2電極になる。そして、その上部にソースドレインメタル420が形成されて、第1トランジスターM1と第2トランジスターM2のソースとドレイン電極、データ線、電源線およびストレージキャパシターCstになる。そして、その上部の所定領域に有機発光ダイオードOLEDが形成される。したがって、放電キャパシターCvが具現されて、画素が保護されうる。
【００２９】
上記発明の詳細な説明と図面は、本発明の例示的なものであって、これは、単に本発明を説明するための目的で使用されたものであり、意味の限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するものではない。そのため、以上説明した内容を通じて、当業者なら本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることが分かる。したがって、本発明の技術的な保護範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるのではなく、特許請求の範囲により決定されなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】一般的な有機電界発光表示装置の画素部の一部を示すレイアウト図である。
【図２】図1に示された有機電界発光表示装置のII-II’の断面を示す断面図である。
【図３】本発明による有機電界発光表示装置の構造を示す構造図である。
【図４】本発明による有機電界発光表示装置の画素部のレイアウト図である。
【図５】図4に示された画素部の回路図である。
【符号の説明】
【００３１】
100  画素部
101  画素
110  データ駆動部
120  走査駆動部
130  電源駆動部
140   放電キャパシター部 
【図１】
2008233843.tif 000003
【図２】
2008233843.tif 000004
【図３】
2008233843.tif 000005
【図４】
2008233843.tif 000006
【図５】
2008233843.tif 000007