(57)【要約】【課題】データ線をデマルチプレクサ方式で駆動する場合に、データ線単位で発生する表示ムラを低減する。【解決手段】データ線１１４はＲ、Ｇ、Ｂの３列毎にグループ化されている。ＴＦＴ５２は、データ線１１４の各々に設けられ、このうち、ソース電極がグループ毎に共通接続され、ドレイン電極がデータ線１１４に接続されている。走査線１１２の１行が選択される水平走査期間において、例えばＲ、Ｇ、Ｂ系列のデータ線１１４を順番に選択した後、１番目に選択したＲ系列、および、２番目に選択したＧ系列のデータ線を再度選択して、選択したデータ線１１４にドレイン電極が接続したＴＦＴ５２をオン状態にさせる。Ｘドライバ３０は、選択された走査線と各グループにおいて選択された列のデータ線との交差に対応するサブ画素の階調に応じた電圧の信号を各グループのそれぞれに出力する。【選択図】図１
2008233454.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数行の走査線と、
ｍ（ｍは２以上の整数）列毎にグループ化された複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、前記走査線に選択電圧が印加されたときに前記データ線の電圧に応じた階調となる画素と、
前記複数列のデータ線の各々に設けられ、一端がグループ毎に共通接続され、他端がデータ線に接続されたトランジスタと、
を備え、
前記複数列のデータ線をそれぞれ駆動する電気光学装置の駆動方法であって、
前記複数行のうち一の走査線に前記選択電圧が印加される期間にわたって、
各グループに属するｍ列のデータ線を所定の順番で選択して、少なくとも選択したデータ線に対応するトランジスタの一端および他端間を導通状態にさせた後、前記順番における最初のデータ線を再び選択して、選択したデータ線に対応するトランジスタにおける一端および他端間を導通状態にさせ、
前記一の走査線と各グループにおいて選択された列のデータ線との交差に対応する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、各グループにおいて共通接続されたトランジスタの一端にそれぞれに供給する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項２】
前記順番における最初のデータ線を再び選択して、選択したデータ線に対応するトランジスタにおける一端および他端間を導通状態にさせた後、
前記順番における２番目のデータ線を再び選択して、選択したデータ線に対応するトランジスタにおける一端および他端間を導通状態にさせる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法。
【請求項３】
各グループに属するｍ列のデータ線のうち、前記順番で最初に選択するデータ線を、所定周期毎にローテーションする
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法。
【請求項４】
複数行の走査線と、
ｍ（ｍは２以上の整数）列毎にグループ化された複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、前記走査線に選択電圧が印加されたときに前記データ線の電圧に応じた階調となる画素と、
前記複数列のデータ線の各々に設けられ、一端がグループ毎に共通接続され、他端がデータ線に接続されたトランジスタと、
を備え、
前記複数列のデータ線をそれぞれ駆動する電気光学装置の駆動回路であって、
前記複数行のうち一の走査線に前記選択電圧が印加される期間にわたって、各グループに属するｍ列のデータ線を所定の順番で選択して、少なくとも選択したデータ線に対応するトランジスタの一端および他端間を導通状態にさせた後、前記順番における最初のデータ線を再び選択して、選択したデータ線に対応するトランジスタにおける一端および他端間を導通状態にさせる制御回路と、
前記一の走査線と各グループにおいて選択された列のデータ線との交差に対応する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、各グループにおいて共通接続されたトランジスタの一端にそれぞれに供給するドライバと、
を有することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
【請求項５】
複数行の走査線と、
ｍ（ｍは２以上の整数）列毎にグループ化された複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、前記走査線に選択電圧が印加されたときに前記データ線の電圧に応じた階調となる画素と、
前記複数列のデータ線の各々に設けられ、一端がグループ毎に共通接続され、他端がデータ線に接続されたトランジスタと、
前記複数行の走査線を所定の順序で選択するＹドライバと、
前記複数行のうち一の走査線に前記選択電圧が印加される期間にわたって、各グループに属するｍ列のデータ線を所定の順番で選択して、少なくとも選択したデータ線に対応するトランジスタの一端および他端間を導通状態にさせた後、前記順番における最初のデータ線を再び選択して、選択したデータ線に対応するトランジスタにおける一端および他端間を導通状態にさせる制御回路と、
前記一の走査線と各グループにおいて選択された列のデータ線との交差に対応する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、各グループにおいて共通接続されたトランジスタの一端にそれぞれに供給するＸドライバと、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デマルチプレクサを用いて、データ線を駆動する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、例えば携帯電話やナビゲーションシステムなどの電子機器において、表示画像の高精細化が進行している。高精細化は、走査線の行数およびデータ線の列数を増加させて画素数を増加させることによって達成できるが、その際、表示パネルとの接続が問題となる。例えば縦３２０×横２４０ドットのカラー表示を行う場合、表示パネルの横方向には、２４０×３色分の計７２０列のデータ線が必要となるが、表示画像サイズが小型であると、データ線のピッチはＣＯＧ（chip on glass）等の限界を下回ってしまい、各デ
ータ線にそれぞれデータ信号を供給するＸドライバを接続することができなくなってしまう。
そこで、上記表示パネルでいえば７２０列のデータ線を例えば３列毎にグループ化し、ある１行の走査線に選択電圧が印加される期間にわたって各グループに属する３列のデータ信号を時分割で供給するとともに、デマルチプレクサによって各グループにおける３列のデータ線を１列ずつ選択して供給する、という方式が提案されている（例えば特許文献１参照）。この方式において、デマルチプレクサを構成する素子を、表示パネルにおける画素スイッチング素子と共通プロセスによって形成すると、デマルチプレクサの入力端子数はデータ線数の１／３となり、接続ピッチが緩和されるので、Ｘドライバを表示パネルに実装することが容易となる。
なお、上記特許文献１では、デマルチプレクサの入力端子数をデータ線数の１／２とした例が記載されている。
【特許文献１】特開平６−１３８８５１号公報（例えば図１参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、この方式では、各グループにおいて選択が終了したデータ線は、電気的にどの部分にも接続されない状態（ハイ・インピーダンス状態）となる。データ線は、様々な容量が寄生する等によってそれ自体で電圧保持性を有するので、ハイ・インピーダンス状態となる直前の電圧状態を保持するが、データ線自身の配線抵抗や、隣接するデータ線の電位差などに起因するリークによって、保持された電圧が変動する。走査線に選択電圧が印加されている期間において、データ線が、選択により階調に応じた電圧から変動すると、当該データ線に対応する画素を目的とする階調で表示させることができない、といった不都合が発生する。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、デマルチプレクサを用いて、データ線を駆動する場合に、データ線の電圧変動をできるだけ抑えた電気光学装置、駆動方法、駆動回路および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動方法は、複数行の走査線と、ｍ（ｍは２以上の整数）列毎にグループ化された複数列のデータ線と、前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、前記走査線に選択電圧が印加されたときに前記データ線の電圧に応じた階調となる画素と、前記複数列のデータ線の各々に設けられ、一端がグループ毎に共通接続され、他端がデータ線に接続されたトランジスタと、を備え、前記複数列のデータ線をそれぞれ駆動する電気光学装置の駆動方法であって、前記複数行のうち一の走査線に前記選択電圧が印加される期間にわたって、各グループに属するｍ列のデータ線を所定の順番で選択して、少なくとも選択したデ
ータ線に対応するトランジスタの一端および他端間を導通状態にさせた後、前記順番における最初のデータ線を再び選択して、選択したデータ線に対応するトランジスタにおける一端および他端間を導通状態にさせ、前記一の走査線と各グループにおいて選択された列のデータ線との交差に対応する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、各グループにおいて共通接続されたトランジスタの一端にそれぞれに供給することを特徴とする。データ線の電圧変動が大きくなるのは、各グループにおけるｍ列のデータ線のうち、最初に選択されるデータ線であるが、本発明によれば、ｍ列のデータ線の選択が終了した後に、最初に選択されたデータ線には、再び階調に応じたデータ信号が供給されるので、階調に応じた電圧からの変動が少なく抑えられる。
【０００５】
本発明において、前記順番における最初のデータ線を再び選択して、選択したデータ線に対応するトランジスタにおける一端および他端間を導通状態にさせた後、前記順番における２番目のデータ線を再び選択して、選択したデータ線に対応するトランジスタにおける一端および他端間を導通状態にさせても良い。
また、本発明において、各グループに属するｍ列のデータ線のうち、前記順番で最初に選択するデータ線を、所定周期毎にローテーションしても良い。
なお、本発明は、電気光学装置の駆動方法のみならず、駆動回路としても、また、電気光学装置としても、さらに当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００７】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る駆動方法を適用した電気光学装置の構成を示す図である。
この図に示されるように、この電気光学装置１は、制御回路１０、Ｙドライバ２０、Ｘドライバ３０および表示パネル１００に大別される。
このうち、表示パネル１００では、特に図示しないが素子基板と対向基板とが、互いに電極形成面が対向するように一定の間隙を保って貼り合わせられるとともに、この間隙に液晶を封入された構成となっている。なお、素子基板には、半導体チップであるＹドライバ２０およびＸドライバ３０が、ＣＯＧ技術等により実装される。また、Ｙドライバ２０、Ｘドライバ３０および表示パネル１００には、制御回路１０から各種の制御信号がＦＰＣ（flexible printed circuit）基板等を介して供給される。
【０００８】
表示パネル１００は、デマルチプレクサ等が形成される領域と表示を行う領域とに分けられる。表示を行う領域では、本実施形態において３２０行の走査線１１２が行（Ｘ）方向に延在するように設けられ、また、３列毎にグループ化された７２０（＝２４０×３）列のデータ線１１４が列（Ｙ）方向に延在するように、かつ、各走査線１１２と互いに電気的な絶縁を保つように設けられている。
サブ画素（画素）１１０は、３２０行の走査線１１２と７２０列のデータ線１１４との交差に対応するように、それぞれ設けられている。このうち、同一行の走査線１１２と同一のグループに属する３列のデータ線１１４との交差に対応した３つのサブ画素１１０は、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）であり、これら３つのサブ画素１１０によって１つのドットが表現される。したがって、本実施形態では、サブ画素１１０が、縦３２０行×横７２０列で、それぞれマトリクス状に配列することになる。また、表示ドットでみれば、縦３２０行×横２４０列のカラー表示を行うことになる。
【０００９】
ここで便宜的に、ドットの列（グループ）を一般化して説明するために、１以上２４０以下の整数「ｊ」を用いると、図１において左から数えて（３ｊ−２）列目、（３ｊ−２
）列目および（３ｊ）列目のデータ線１１４は、それぞれｊ番目のブロックに属し、かつ、Ｒ、Ｇ、Ｂの系列である、ということになる。
【００１０】
サブ画素１１０の構成について図２を参照して説明する。図２は、サブ画素１１０の電気的な構成を示す図であり、ｉ行目の走査線１１２と、ｊ番目のグループに属する３列のデータ線１１４との交差に対応する３つのサブ画素１１０の構成が示されている。なお、「ｉ」は、サブ画素１１０が配列する行（走査線１１２の行）を一般的に示す場合の記号であって、本実施形態では１以上３２０以下の整数である。
【００１１】
図２に示されるように、３つのサブ画素１１０は電気的には互いに同一構成であり、それぞれ、ｎチャネル型の薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１１６と液晶容量１２０と蓄積容量１３０とを有する。
このうち、ＴＦＴ１１６のゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続される一方、そのソース電極はデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は液晶容量１２０の一端である画素電極１１８に接続されている。
また、液晶容量１２０の他端はコモン電極１０８に接続されている。このコモン電極１０８は、表示パネル１００における全てのサブ画素１１０にわたって共通であって、本実施形態では時間的に一定の電圧Ｖcomが印加されている。このコモン電極１０８は、対向
基板に形成されて、画素電極１１８に対して液晶を介して対向するので、液晶容量１２０は、画素電極１１８およびコモン電極１０８で液晶１０５を挟持した構成となる。
なお、各サブ画素１１０には、それぞれに対応する色、すなわち、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかのカラーフィルタが設けられ、液晶容量１２０は、保持した電圧の実効値に応じて透過率が変化する。例えば、本実施形態において、液晶容量１２０は、電圧実効値が低くなるにつれて、透過光量が多くなるノーマリーホワイトモードに設定されている。
【００１２】
このような構成のサブ画素１１０において、ｉ行目の走査線１１２が、しきい値以上の電圧Ｖdd（選択電圧）になると、ＴＦＴ１１６のソース・ドレイン電極が導通（オン）状態になる。このオン状態において、例えば（３ｊ−２）列目のデータ線１１４に、コモン電極１０８への印加電圧Ｖcomと比較して、ｉ行（３ｊ−２）列のＲのサブ画素に対する
階調（明るさ）に応じた電圧だけ高位（正極性）または低位（負極性）の電圧が供給されると、当該電圧は、ＴＦＴ１１６を経由して当該サブ画素の画素電極１１８に印加されるので、液晶容量１２０には、画素電極１１８に印加された電圧とコモン電極１０８への印加電圧Ｖcomとの差電圧が充電されることになる。
ｉ行目の走査線１１２が、しきい値を下回る電圧ゼロ（非選択電圧）になると、ＴＦＴ１１６のソース・ドレイン電極が非導通（オフ）状態になるが、ＴＦＴ１１６がオン状態のときに液晶容量１２０に充電された電圧は、そのまま保持されることになる。
したがって、液晶容量１２０は、ＴＦＴ１１６がオン状態のときに画素電極１１８に印加された電圧とコモン電極１０８への印加電圧Ｖcomとの差電圧に応じた実効値を保持す
ることになって、当該実効値に応じた透過率（明るさ）となる。
【００１３】
また、ＴＦＴ１１６がオフ状態となったとき、オフ抵抗が理想的に無限大とはならないので、液晶容量１２０に蓄積された電荷が少なからずリークする。このオフ状態におけるリークを低減するために、次のような蓄積容量１３０がサブ画素毎に形成されている。すなわち、蓄積容量１３０の一端は、画素電極１１８（ＴＦＴ１１６のドレイン電極）に接続される一方、その他端は、全サブ画素にわたって容量線に共通接続されている。本実施形態において、容量線は、コモン電極１０８と同じ電圧Ｖcomに保たれているので、結局
のところ、図２に示されるように、液晶容量１２０と蓄積容量１３０とは、ＴＦＴ１１６のドレイン電極および電圧Ｖcomの給電線との間において並列接続された構成と等価にな
る。
容量線の電圧は、コモン電極への電圧ＬＣcomと異ならせても良い。また、コモン電極
への印加電圧および容量線の電圧は、時間的に一定とするのではなく、高位・低位側に切り替える構成としても良い。
また、液晶容量１２０としては、液晶にかかる電界方向を基板面方向としたＩＰＳ（in
plain switching）モードや、その変形であるＦＦＳ（fringe field switching）モードにも適用可能である。
【００１４】
また、液晶１０５に直流成分が印加されると劣化するので、コモン電極１０８の電圧Ｖcomに対して画素電極１１８に印加すべき電圧（データ信号の電圧）を、高位および低位
で交互に切り替える。このため、画素電極１１８の電圧極性（書込極性）については、電圧Ｖcomに対して高位となる場合を正極性とし、低位となる場合を負極性としている。こ
のように、書込極性については電圧Ｖcomを基準とするが、電圧については特に説明のな
い限り、論理レベルのＬレベルに相当する接地電位Ｇndを電圧ゼロの基準としている。
マトリクス状に配列するサブ画素を１フレームの期間に対して書込極性をどのように切り替えるかについては、走査線毎（行反転）、データ線毎（列反転）、サブ画素毎（ドット反転）、フレーム毎（フレーム反転）など様々な種類があり、いずれも適用可能であるが、本実施形態では、説明の便宜上、フレーム毎の極性反転としている。
【００１５】
説明を図１に戻すと、Ｙドライバ２０は、制御回路１０による制御にしたがって１、２、３、４、…、３２０行目の走査線１１２を、この順番で水平走査期間（Ｈ）毎に選択するとともに、選択した走査線１１２に対して、水平走査期間（Ｈ）よりも狭い期間でＨレベルとなるパルス状の走査信号を供給する走査線駆動回路である。ここで、走査信号のＬレベルに相当する電圧ゼロの接地電位Ｇndであり、Ｈレベルに相当する電圧は、Ｖddである。
便宜上、１、２、３、４、…、３２０行目の走査線１１２に供給される走査信号を、それぞれＧ1、Ｇ2、Ｇ3、Ｇ4、…、Ｇ320と表記し、特に行番目を特定しないで一般的に説
明する場合には、上述したｉを用いてＧiと表記すると、これらの走査信号は、図３に示
される通りとなる。
【００１６】
制御回路１０は、１行分の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）において、選択信号Ｓel-R、Ｓel-G、Ｓel-Bを次のように出力する。詳細には、制御回路１０は、図３に示されるように、ｉ行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）において、走査信号ＧiがＨレベルとなる前のタイミングｔ1にて、選択信号Ｓel-R、Ｓel-G、Ｓel-BをＨレベルにセットした後、タイミングｔ2、ｔ3、ｔ4にて選択信号Ｓel-R、Ｓel-G、Ｓel-Bを順番にＬレベルにリセットし、タイミングｔ5からｔ6までにわたって再び選択信号Ｓel-RをＨレベルにセットし、タイミングｔ7から、走査信号ＧiがＬレベルとなる前のタイ
ミングｔ8までにわたって再び選択信号Ｓel-GをＨレベルにセットする。
【００１７】
Ｘドライバ３０は、Ｙドライバ２０によって選択された走査線１１２と各ブロックにおける３列のデータ線１１４との交差に対応するサブ画素１１０の階調に応じた電圧のデータ信号を、制御回路１０による制御にしたがって次のような順番で出力するものである。便宜的に、１〜２４０番目のブロックに対応して出力されるデータ信号を、ｄ1〜ｄ240と表記し、各ブロックに対応して出力されるデータ信号について、ブロックの番目を特定しないで一般的に説明する場合には、上述したｊを用いてｄjと表記する。
このとき、Ｘドライバ３０は、図３に示されるようにデータ信号ｄjを、ｉ行目の走査
線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）のうち、タイミングｔ1からｔ2までの期間にわたってｉ行（３ｊ−２）列のＲのサブ画素の階調に応じた電圧とし、タイミングｔ2から
ｔ3までの期間にわたってｉ行（３ｊ−１）列のＧのサブ画素の階調に応じた電圧とし、
タイミングｔ3からｔ4までの期間にわたってｉ行（３ｊ）列のＢのサブ画素の階調に応じた電圧とし、タイミングｔ5からｔ6までの期間にわたって再びｉ行（３ｊ−２）列のＲのサブ画素の階調に応じた電圧とし、タイミングｔ7からｔ8までの期間にわたって再びｉ行
（３ｊ−１）列のＧのサブ画素の階調に応じた電圧とする。
【００１８】
水平走査期間（Ｈ）におけるデータ信号ｄjの電圧は、正極性書込であれば、ノーマリ
ーホワイトモードにおいて最も暗い状態に相当する電圧Ｖb(+)から最も明るい状態に相当する電圧Ｖw(+)までの範囲で、負極性書込であれば、最も暗い状態に相当する電圧Ｖb(-)から最も明るい状態に相当する電圧Ｖw(-)までの範囲で、それぞれコモン電極１０８の電圧Ｖcomからサブ画素の階調に応じた差を有する電圧となる。
階調の差に応じた電圧は、図３において正極性であれば↑で、負極性であれば↓で、それぞれ示されている。ここで、（ｉ、ｊ−Ｒ）とは、ｉ行目の走査線とｊ番目のブロックにおけるＲ系列のデータ線、すなわち（３ｊ−２）列目のデータ線との交差に対応するＲのサブ画素の階調に応じた差電圧を意味する。同様に（ｉ、ｊ−Ｇ）とは、ｉ行目の走査線とｊ番目のブロックにおけるＧ系列のデータ線、すなわち（３ｊ−１）列目のデータ線との交差に対応するＧのサブ画素の階調に応じた差電圧を意味し、（ｉ、ｊ−Ｂ）は、ｉ行目の走査線とｊ番目のブロックにおけるＢ系列のデータ線、すなわち（３ｊ）列目のデータ線との交差に対応するＢのサブ画素の階調に応じた差電圧を意味する。
なお、正極性電圧Ｖw(+)と負極性電圧Ｖw(-)とは、それぞれ電圧Ｖcomを中心にして、
互いに対称の関係にある。正極性電圧Ｖb(+)と負極性電圧Ｖb(-)とについても同様である。また、図３におけるデータ信号ｄjの電圧の縦スケールは、走査信号や選択信号などの
論理信号の電圧波形と比較して拡大してある。後述する図４および図７においても同様である。
【００１９】
一方、７２０列のデータ線１１４の各々には、それぞれＴＦＴ５２が設けられている。
ＴＦＴ５２（トランジスタ）は、Ｘドライバ３０から出力されるデータ信号を、ブロックに属する３列のデータ線１１４に分配するものであって、デマルチプレクサを構成する。
詳細には、ｊ番目のブロックに属する３つのＴＦＴ５２は、そのソース電極がＸドライバ３０におけるデータ信号の出力端に共通接続され、そのドレイン電極がデータ線１１４の一端にそれぞれ接続されている。また、各ブロックにおいてＲ系列のＴＦＴ５２のゲート電極は、選択信号Ｓel-Rを供給する信号線に接続され、Ｇ、Ｂ系列のＴＦＴ５２のゲート電極は、選択信号Ｓel-G、Ｓel-Bを供給する信号線にそれぞれ接続されている。
なお、Ｘドライバ３０が、表示パネル１００にＣＯＧ実装される場合、両者の接続点は、図１において○印で示した部分となる。
【００２０】
次に、電気光学装置１の動作について説明する。図３および図４は、その動作を説明するためのタイミングチャートである。
まず、図３に示されるように、走査信号Ｇ1〜Ｇ320は、各フレームの期間にわたって水平走査期間（Ｈ）毎に順番に排他的にＨレベルとなる。ここで、フレームの期間とは、１〜３２０行の走査線１１２を選択するのに要する期間であって、約１６．７ミリ秒（６０Ｈｚの逆数）である。
走査信号Ｇ1〜Ｇ320のうち、行を特定しないで一般化するために、ｉ行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）について説明すると、同図に示されるように、制御回路１０は、当該水平走査期間（Ｈ）にわたって選択信号Ｓel-R、Ｓel-G、Ｓel-Bの論理レベル（電圧）を上述したように変化させる。
【００２１】
ここで、ｉ行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）のうち、選択信号Ｓel-R、Ｓel-G、Ｓel-BがＨレベルになるタイミングｔ1からｔ2までの期間において、Ｘドライバ３０は、ｊ番目のブロックに対応するデータ信号ｄjを、ｉ行目の走査線１１２とｊ
番目のブロックにおけるＲ系列のデータ線１１４との交差に対応するＲのサブ画素１１０の階調に応じた電圧であって、かつ、正極性または負極性の一方の電圧とするが、ここでは正極性の電圧とする。
タイミングｔ1からｔ2までの期間において、選択信号Ｓel-R、Ｓel-G、Ｓel-BがＨレベルになると、各ブロックにおけるＲ、Ｇ、Ｂ系列のデータ線１１４に対応するＴＦＴ５２のすべてにおいて、ソース・ドレイン電極間がオン状態になる。このため、ｊ番目のブロックでいうと、ｉ行目であってｊ番目のブロックにおけるＲ系列のサブ画素の階調に応じた電圧のデータ信号ｄjが、当該ｊ番目のブロックに属する３列のデータ線１１４に、そ
れぞれ供給される。
したがって、図４に示されるように、Ｒ、Ｇ、Ｂ系列のデータ線１１４は、タイミングｔ1からｔ2までの期間において、それぞれｉ行目であってｊ番目のブロックにおけるＲのサブ画素の階調に応じた電圧（ｉ、ｊ−Ｒ）にそれぞれ充電される。
なお、図において、タイミングｔ1以前におけるデータ線の初期状態は、便宜的に電圧
Ｖcomとしている。また、タイミングｔ1の後、走査信号ＧiがＨレベルとなる。
【００２２】
次に、タイミングｔ2において、選択信号Ｓel-RがＬベルに変化すると、Ｒ系列のデー
タ線１１４に対応するＴＦＴ５２がオフするので、当該Ｒ系列のデータ線１１４が電気的にどの部分にも接続されないハイ・インピーダンス状態となる。
また、タイミングｔ2からｔ3までの期間において、Ｘドライバ３０は、ｊ番目のブロックに対応するデータ信号ｄjを、ｉ行目の走査線１１２とｊ番目のブロックにおけるＧ系
列のデータ線１１４との交差に対応するＧのサブ画素１１０の階調に応じた正極性電圧とする。
タイミングｔ2からｔ3までの期間においては、引き続き選択信号Ｓel-G、Ｓel-BがＨレベルであるので、各ブロックにおけるＧ、Ｂ系列のデータ線１１４に対応するＴＦＴ５２がオン状態になる。このため、ｊ番目のブロックでいうと、ｉ行目であってｊ番目のブロックにおけるＧ系列のサブ画素の階調に応じた電圧のデータ信号ｄjが、当該ｊ番目のブ
ロックに属するＧ、Ｂ列のデータ線１１４に、それぞれ供給される。
したがって、図４に示されるように、ハイ・インピーダンス状態であるＲ系列のデータ線１１４は、充電された電圧（ｉ、ｊ−Ｒ）から、タイミングｔ2を開始点として変化し
始め、また、Ｇ、Ｂ系列のデータ線は、それぞれｉ行目であってｊ番目のブロックにおけるＧのサブ画素の階調に応じた電圧（ｉ、ｊ−Ｇ）にそれぞれ充電される。
【００２３】
タイミングｔ3において、選択信号Ｓel-GがＬベルに変化すると、Ｇ系列のデータ線１
１４に対応するＴＦＴ５２がオフするので、当該データ線１１４がハイ・インピーダンス状態となる。
また、タイミングｔ3からｔ4までの期間において、Ｘドライバ３０は、ｊ番目のブロックに対応するデータ信号ｄjを、ｉ行目の走査線１１２とｊ番目のブロックにおけるＢ系
列のデータ線１１４との交差に対応するＢのサブ画素１１０の階調に応じた正極性電圧とする。
タイミングｔ3からｔ4までの期間においては、引き続き選択信号Ｓel-BがＨレベルであるので、各ブロックにおけるＢ系列のデータ線１１４に対応するＴＦＴ５２がオン状態になる。このため、ｊ番目のブロックでいうと、ｉ行目であってｊ番目のブロックにおけるＢ系列のサブ画素の階調に応じた電圧のデータ信号ｄjが、当該ｊ番目のブロックに属す
るＢ列のデータ線１１４のみに供給される。
したがって、図４に示されるように、Ｒ系列のデータ線１１４は、タイミングｔ2から
引き続き電圧が変化し、また、Ｇ系列のデータ線は、充電された電圧（ｉ、ｊ−Ｇ）から、タイミングｔ3を開始点として変化し始め、Ｂ系列のデータ線は、それぞれｉ行目であ
ってｊ番目のブロックにおけるＧのサブ画素の階調に応じた電圧（ｉ、ｊ−Ｂ）に充電される。
【００２４】
タイミングｔ4において、選択信号Ｓel-BがＬベルに変化すると、Ｂ系列のデータ線１
１４に対応するＴＦＴ５２もオフするので、すべてのデータ線１１４がハイ・インピーダンス状態となる。
ここで、Ｒ系列のデータ線１１４はタイミングｔ2にて、また、Ｇ系列のデータ線１１
４はタイミングｔ3にて、すでにハイ・インピーダンス状態となっているので、階調に応
じた電圧から離れている。走査信号Ｇiは、Ｈレベルであるので、データ線１１４の電圧
変動は、ｉ行目におけるＲおよびＧ系列のサブ画素の液晶容量１２０に書き込まれた電圧に影響を与えてしまう。
【００２５】
そこで、本実施形態では、制御回路１０は、タイミングｔ5からｔ6までの期間において、選択信号Ｓel-Rを再びＨレベルとし、また、Ｘドライバ３０は、ｊ番目のブロックに対応するデータ信号ｄjを再び電圧（ｉ、ｊ−Ｒ）とする。これにより、図４に示されるよ
うに、Ｒ系列のデータ線１１４は、タイミングｔ5からｔ6までの期間において再び電圧（ｉ、ｊ−Ｒ）に充電される。
続いてタイミングｔ7からｔ8までの期間において、制御回路１０は、選択信号Ｓel-Gを再びＨレベルとし、また、Ｘドライバ３０は、ｊ番目のブロックに対応するデータ信号ｄjを再び電圧（ｉ、ｊ−Ｇ）とする。これにより、同図に示されるように、Ｇ系列のデー
タ線１１４は、タイミングｔ7からｔ8までの期間において再び電圧（ｉ、ｊ−Ｇ）に充電される。
タイミングｔ8において、選択信号Ｓel-R、Ｓel-G、Ｓel-BがＬレベルになって、すべ
てのデータ線１１４がハイ・インピーダンス状態となった後、走査信号ＧiがＬレベルと
なる。
【００２６】
ここでは、ｊ番目のブロックに対応した３つのサブ画素について書込動作について説明したが、論理信号ＧiがＨレベルとなる期間においては、ｉ行目であって、１、２、３、
…、２４０番目のブロックに対応するサブ画素１１０についても同様な書込動作が同時並行的に実行される。
また、ここではｉ行目の走査線１１２に位置する画素１行分についての書込動作について説明したが、実際には、１フレームの期間にわたって走査信号Ｇ1〜Ｇ320が順番にＨレベルとなるから、画素１行分についての書込動作は、１、２、３、…、３２０行目の順番で実行されることになる。
加えて、次のフレームにおいても、同様な書き込み動作が、１、２、３、…、３２０行目の順番で実行されるが、このとき、液晶に対する書込極性は反転、すなわち、前フレームにおいて正極性であれば、次フレームでは負極性に反転される。これにより、液晶容量１２０に対する書込極性は、１フレーム毎に保持電圧が反転（交流駆動）されるので、直流成分の印加による液晶１０５の劣化が防止されることとなる。
【００２７】
走査信号Ｇiは、ｉ行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）においてタイ
ミングｔ1の後にＨレベルとなり、これにより当該ｉ行目のＴＦＴ１１６のすべてがオン
し、また、タイミングｔ8の後にＬレベルとなって、これにより当該ｉ行目のＴＦＴ１１
６のすべてがオフすることになる。
【００２８】
画素電極１１８に印加される電圧（液晶容量１２０に保持される電圧）は、ＴＦＴ１１６がオフする直前におけるデータ線１１４の電圧で決まるので、走査信号ＧiがＨからＬ
レベルに変化するタイミングにおいて、ハイ・インピーダンス状態にあるデータ線の電圧が、階調に応じた電圧から離れていると、サブ画素を目的とする階調で表示させることができなくなる。
もし仮に、水平走査期間（Ｈ）においてＲ、Ｇ系列のデータ線１１４について再選択しない場合、図７に示されるように、Ｒ系列のデータ線１１４は、走査信号ＧiがＬレベル
となるまでのハイ・インピーダンス状態となる期間が、Ｂ系列のデータ線と比較して長いので、階調に応じた電圧（ｉ、ｊ−Ｒ）からの乖離（ΔＶ）が大きくなる。Ｂ系列のデータ線１１４についても、ハイ・インピーダンス状態となる期間が、Ｒ系列のデータ線と比較すれば短いが、Ｂ系列のデータ線と比較すると長いので、階調に応じた電圧（ｉ、ｊ−
Ｂ）からの乖離がやや大きくなる。
このため、Ｒ、Ｇ系列のデータ線１１４について再選択しない場合には、Ｒ、Ｇ（特にＲ）系列のサブ画素についての目的とする階調で表示することができなくなる。
【００２９】
これに対して本実施形態では、走査信号ＧiがＬレベルとなるタイミングにおいて、Ｒ
系列のデータ線１１４は、再選択によって階調に応じた電圧（ｉ、ｊ−Ｒ）に、同様に、Ｇ系列のデータ線１１４も、再選択によって階調に応じた電圧（ｉ、ｊ−Ｇ）に、それぞれほぼ達している。Ｂ系列のデータ線１１４は、ハイ・インピーダンス状態となったタイミングｔ4から間もないので、ほぼ階調に応じた電圧（ｉ、ｊ−Ｂ）である。
このため、本実施形態では、走査信号ＧiがＬレベルとなるタイミングにおいて、Ｒ、
Ｇ、Ｂ系列のデータ線１１４は、いずれも階調に応じた電圧からの変動が極めて小さく抑えられるので、ほぼ目的とする階調で表示させることが可能となる。
【００３０】
＜第２実施形態＞
上述した第１実施形態では、水平走査期間（Ｈ）においてＲ、Ｇ、Ｂ系列の順番でデータ線を選択するとともに、時間的に最も早く選択が解除されてハイ・インピーダンス状態となるＲ、Ｇ系列のデータ線を再度選択する構成とした。ただし、この構成では、Ｒ、Ｇ系列が再選択されるのに対し、Ｂ系列が再選択されないし、さらに、再選択されるＲ、Ｇ系列同士でも、再選択後のハイ・インピーダンス期間は、Ｇ系列よりもＲ系列の方が長くなる。このため、階調に応じた電圧との差が大きくなる順番は、Ｂ、Ｒ、Ｇ系列という順番で固定されてしまうので、表示ムラの原因となりやすくなる。
そこで、第２実施形態では、この順番をローテーションすることで、このような表示ムラを解消しようとするものである。
【００３１】
第２実施形態に係る電気光学装置は、構成的には図１と同一であるが、制御回路１０が出力される選択信号Ｓel-R、Ｓel-G、Ｓel-Bの波形が第１実施形態から変更される。すなわち、第２実施形態では、選択信号Ｓel-R、Ｓel-G、Ｓel-Bの波形として、図５に示される３パターンが用意されて、これらを制御回路１０が所定の周期で入れ替える構成となっている。
詳細には、制御回路１０は、ある２フレームの各水平走査期間（Ｈ）において、選択信号Ｓel-R、Ｓel-G、Ｓel-Bを、図５の（ａ）で示されるように第１実施形態と同じパターンで出力して、この２フレームで正極性書込および負極性書込を実行する。この後、次の２フレームの各水平走査期間（Ｈ）において、選択信号Ｓel-R、Ｓel-G、Ｓel-Bを、図５の（ｂ）で示されるように、選択信号Ｓel-Rとして（ａ）の選択信号Ｓel-Bを、選択信号Ｓel-Gとして（ａ）の選択信号Ｓel- Rを、選択信号Ｓel-Bとして（ａ）の選択信号Ｓel-Gを、それぞれ出力し、同様に、この２フレームで正極性書込および負極性書込を実行す
る。この後、続く２フレームの各水平走査期間（Ｈ）において、選択信号Ｓel-R、Ｓel-G、Ｓel-Bを、図５の（ｃ）で示されるように、選択信号Ｓel-Rとして（ｂ）の選択信号Ｓel-Bを、選択信号Ｓel-Gとして（ｂ）の選択信号Ｓel-Rを、選択信号Ｓel-Bとして（ｂ）の選択信号Ｓel-Gを、それぞれ出力し、同様に、この２フレームで正極性書込および負極性書込を実行する。
【００３２】
なお、Ｘドライバ３０は、図５（ａ）のパターンで選択信号が出力される場合には、期間ｔ1〜ｔ2、ｔ2〜ｔ3、ｔ3〜ｔ4、ｔ5〜ｔ6、ｔ7〜ｔ8において、それぞれ選択された走査線であってＲ、Ｇ、Ｂ、Ｒ、Ｇという系列のデータ線との交差に対応するサブ画素の階調に応じた電圧のデータ信号を出力し、すなわち、第１実施形態と同様にデータ信号を出力する。また、図５（ｂ）のパターンで選択信号が出力される場合には、Ｘドライバ３０は、期間ｔ1〜ｔ2、ｔ2〜ｔ3、ｔ3〜ｔ4、ｔ5〜ｔ6、ｔ7〜ｔ8において、それぞれ選択された走査線であって、Ｇ、Ｂ、Ｒ、Ｇ、Ｂという系列のデータ線との交差に対応するサブ画素の階調に応じた電圧のデータ信号を出力し、図５（ｃ）のパターンで選択信号が出力
される場合には、期間ｔ1〜ｔ2、ｔ2〜ｔ3、ｔ3〜ｔ4、ｔ5〜ｔ6、ｔ7〜ｔ8において、それぞれ選択された走査線であって、Ｂ、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｒという系列のデータ線との交差に対応するサブ画素の階調に応じた電圧のデータ信号を出力する。
【００３３】
これにより第２実施形態では、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）で示されるパターンが、正極性及び負極性書込についてそれぞれ実行されるので、６フレームの期間を単位としてみたときに、各系列における差が平準化される。このため、第２実施形態では、Ｒ、Ｇ、Ｂ系列の順番が固定化されることによる表示ムラを解消することが可能となる。
なお、第２実施形態では、フレームの期間を単位として図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のパターンを切り替えたが、行または列を単位として切り替える構成としても良い。行または列を単位として切り替える場合に、同一のサブ画素について着目したときに、６フレームで順番に切り替える構成とすれば良い。
【００３４】
なお、上述した第１実施形態では、ＲおよびＧ系列のデータ線を再選択する構成としたが、ハイ・インピーダンス状態となったときのリークによる電圧変動が少なければ、最初のＲ系列のデータ線についてのみについて再選択する構成としても良い。第２実施形態についても、図５（ｂ）のパターンであればＧ系列のデータ線、図５（ｃ）のパターンであればＢ系列のデータ線についてのみ、それぞれ再選択する構成としても良い。
また、第１および第２形態では、制御回路１０が選択信号Ｓel-R、Ｓel-G、Ｓel-Bを出力する構成としたが、これらの選択信号は、Ｘドライバ３０によるデータ信号の出力動作と直接関連するので、選択信号を出力する回路を、Ｘドライバ３０に内蔵させる構成としても良い。また、制御回路１０から独立した構成としても良い。
さらに、第１実施形態でいえば、選択信号Ｓel-R、Ｓel-G、Ｓel-Bを、タイミングｔ1
にてＨレベルにセットした後、タイミングｔ2、ｔ3、ｔ4にて選択信号Ｓel-R、Ｓel-G、
Ｓel-Bを順番にＬレベルにリセットしたが、タイミングｔ1からｔ2までの期間において選択信号Ｓel-RのみをＨレベルとし、タイミングｔ2からｔ3までの期間において選択信号Ｓel-GのみをＨレベルとし、タイミングｔ3からｔ4までの期間において選択信号Ｓel-BのみをＨレベルとする構成としても良い。
【００３５】
上述した各実施形態では、１フレームの期間毎に書込極性を反転したが、その理由は、液晶容量１２０を交流駆動するために過ぎないので、その反転周期は２フレームの期間以上の周期であっても良い。
各実施形態では、１つのグループを構成するデータ線列数「ｍ」を「３」とした場合で説明したが、本発明では「２」以上であれば良い。さらに、液晶容量１２０はノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態において暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に加えて、別の色（例えばシアン（Ｃ））を追加し、これらの４色のサブ画素で１ドットを構成して、色再現性を向上させる構成としても良い。４色のサブ画素で１ドットを構成する場合には、上記「ｍ」を４の倍数とする構成が好ましい。
また、カラーフィルタを設けないで、単なる白黒表示としても良い。
【００３６】
上述した説明では、書込極性の基準をコモン電極１０８に印加される電圧Ｖcomとして
いるが、これは、ＴＦＴ１１６が理想的なスイッチとして機能する場合であり、実際には、ＴＦＴ１１６のゲート・ドレイン電極間の寄生容量に起因して、オンからオフに状態変化するときにドレイン電極（画素電極１１８）の電位が低下する現象（プッシュダウン、突き抜け、フィールドスルーなどと呼ばれる）が発生する。液晶の劣化を防止するため、液晶容量１２０については交流駆動としなければならないが、コモン電極１０８への印加電圧Ｖcomを書込極性の基準として交流駆動すると、プッシュダウンのために、負極性書
込による液晶容量１２０の電圧実効値が、正極性書込による実効値よりも若干大きくなってしまう（ＴＦＴ１１６がｎチャネルの場合）。このため、実際には、書込極性の基準電
圧とコモン電極１０８の電圧ＬＣcomとを別々とし、詳細には、書込極性の基準電圧を、
プッシュダウンの影響が相殺されるように、電圧ＬＣcomよりも高位側にオフセットして
設定するようにしても良い。
【００３７】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１を表示装置として有する電子機器について説明する。図６は、いずれかの実施形態に係る電気光学装置１を用いた携帯電話１２００の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１を備えるものである。なお、電気光学装置１のうち、表示パネル１００に相当する部分以外の構成要素については外観としては現れない。
なお、電気光学装置１が適用される電子機器としては、図６に示される携帯電話の他にも、デジタルスチルカメラや、フォトストレージ、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（または、モニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置１が適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図２】同電気光学装置におけるサブ画素の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置の動作を示す図である。
【図４】同電気光学装置の動作を示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の動作を示す図である。
【図６】実施形態に係る電気光学装置を適用した携帯電話の構成を示す図である。
【図７】実施形態に対する比較例の動作を示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１…電気光学装置、１０…制御回路、２０…Ｙドライバ、３０…Ｘドライバ、５２、１００…表示パネル、１０５…液晶、１０８…コモン電極、１１０…サブ画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１１８…画素電極、１２０…液晶容量、１２００…携帯電話
【図１】
2008233454.tif 000003
【図２】
2008233454.tif 000004
【図３】
2008233454.tif 000005
【図４】
2008233454.tif 000006
【図５】
2008233454.tif 000007
【図６】
2008233454.tif 000008
【図７】
2008233454.tif 000009