(57)【要約】【課題】後工程に支障を与え難く、設備コストや製造コストの増大を抑制し得るセラミック基板の製造方法およびセラミック基板を提供する。【解決手段】ベース基板１０’では、実装面１１に分割される部位に沿って形成される分割溝１２ｘ，１２ｙと、非実装面１３に分割溝１２ｘ，１２ｙに沿ってレーザ照射により形成される分割溝１４ｘ，１４ｙと、を備える。これにより、割断時における割り始め位置を固定でき、さらに割れ終端の位置をも制御できる。したがって、レーザ照射時の加熱によって基板成分が溶けて飛散しても、それが実装面１１に付着することないので、後工程における電子部品３１の実装に悪影響を与えない。また、シート１０に形成される分割溝１２ｘ，１２ｙは、焼成により収縮しても基板寸法精度に支障が生じない程度の深さに設定されるため、個片に分割する前の各個片２０の位置や、個片に分割した後の個片２０の寸法精度を低下させない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート材を焼成してなるセラミック基板で、複数個に分割可能な個片基板をまとめて１枚の集合基板として製造するセラミック基板の製造方法であって、
前記シート材または前記集合基板の厚さの２％以上１５％以下に相当する深さの第１の分割溝を前記分割される部位に沿って前記シート材の一方の面に加圧して形成する第１の分割溝形成工程と、
前記第１の分割溝形成工程により形成された前記第１の分割溝を有する前記シート材を加熱して前記集合基板を焼成する焼成工程と、
前記焼成工程により焼成された前記集合基板の前記一方の面と反対側の他方の面に、前記シート材または前記集合基板の厚さの１３％以上３５％以下に相当する深さの第２の分割溝を前記第１の分割溝に沿ってレーザ照射により形成する第２の分割溝形成工程と、
を含むことを特徴とするセラミック基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１の分割溝は、不連続に形成されることを特徴とする請求項１記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２の分割溝は、不連続に形成されることを特徴とする請求項１または２記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項４】
前記焼成工程の前に、前記分割される部位に沿って前記シート材の内部に空洞を形成する空洞形成工程を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項５】
前記焼成工程の前に、前記分割される部位に沿って前記シート材の内部に金属体を設ける金属体埋込工程を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項６】
シート材を焼成してなるセラミック基板で、複数個に分割可能な個片基板をまとめて１枚の集合基板として製造されるセラミック基板であって、
前記シート材または前記集合基板の厚さの２％以上１５％以下に相当する深さで、電子部品を実装予定の実装面に前記分割される部位に沿って形成される第１の分割溝と、
前記シート材または前記集合基板の厚さの１３％以上３５％以下に相当する深さで、前記実装面と反対側の非実装面に前記第１の分割溝に沿ってレーザ照射により形成される第２の分割溝と、
を備えることを特徴とするセラミック基板。
【請求項７】
前記第１の分割溝は、不連続に形成されることを特徴とする請求項６記載のセラミック基板。
【請求項８】
前記第２の分割溝は、不連続に形成されることを特徴とする請求項６または７記載のセラミック基板。
【請求項９】
前記セラミック基板は、その内部に、前記分割される部位に沿って位置する空洞を備えることを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載のセラミック基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シート材を焼成してなるセラミック基板で、複数個に分割可能な個片基板をまとめて１枚の集合基板として製造するセラミック基板の製造方法およびセラミック基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
複数個に分割可能な個片基板をまとめて１枚の集合基板として製造するセラミック基板として、例えば、下記特許文献１に開示される「多数個取り配線基板」があり、またその製造方法として、例えば、下記特許文献２に開示される「セラミツク製絶縁基板を備えた電子部品の製造方法」がある。
【０００３】
特許文献１の「多数個取り配線基板」では、セラミック母基板となるグリーンシート（シート材）の両面に金属製のブレードを押圧することにより所定深さの分割溝を形成した後、焼成することによってセラミック基板を製造している（特許文献１；段落番号００２２〜００２７、図１）。
【０００４】
また、特許文献２の「セラミツク製絶縁基板を備えた電子部品の製造方法」では、チップ抵抗の例ではあるが、セラミック素材板の焼成後に抵抗体を塗着してさらに焼成した後、各絶縁基板ごとにブレイクするための縦横の各筋目線をレーザ照射することによって、形成している（特許文献２；段落番号００１１〜００１３、図１，２）。
【特許文献１】特開２００５−８５８３４号公報
【特許文献２】特開平４−２４１４０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１の開示技術によると、焼成前に分割溝を形成するため、当該分割溝が存在する部位と当該分割溝が存在しない部位とでは、グリーンシート（シート材）の厚さが異なるから、このような分割溝の有無によって焼成時に発生する基板収縮の大きさに差が生じる。そして、この収縮量の差は、分割溝の本数が増えるほど増加するため、複数個に分割される個片基板の数が多い集合基板ほどこの差が大きくなる結果、焼成後の集合基板における個々の個片基板の位置にズレが生じて後工程に影響を与える。
【０００６】
例えば、集合基板の個々の個片基板に電子部品（ベアチップやチップ部品）等を自動的に実装するマウンタやワイヤボンディング装置においては、集合基板ごとに個々の個片基板の位置ズレ量が異なることから、ズレ量に応じた複数通りの位置情報を制御プログラムに与える必要が生じたり、また集合基板の個々の個片基板にクリームはんだや記号表示等を印刷する際に用いるマスクパターンやシルクスクリーン等も、ズレ量に応じた複数通りのものを準備する必要が生じる。このため、これらに関する設備コストや製造コストが増大するという問題がある。
【０００７】
また、上記特許文献２による開示技術では、焼成前には分割溝を形成されないため、特許文献１の開示技術のように、焼成後の集合基板における個々の個片基板に位置ズレが生じることはない。ところが、焼成後にレーザ照射によって分割溝を形成することから、照射時の加熱によって溶ける基板成分が分割溝の周囲や基板面に飛散してしまい、例えば、後工程で実施されるワイヤボンディングの不良を招き易いという問題がある。
【０００８】
さらに、これらの開示技術のいずれについても、分割溝を片面だけ形成した場合には、例えば、分割溝が形成された面において基板の割り始め位置を固定することはできても、割れの終わりがその反対側で分割溝が形成されていない面になることから、割断時に割れ終端の位置を制御することが難しい。そのため、個片に分割した後の個片基板の寸法精度に影響を与えてしまう。また、図７に示すように、基板の両面に分割溝を形成した場合に比べて（図７(A)，図７(C)）、個片基板の割れ代を大きく確保しなければならない結果、個片基板のサイズの大型化を招くという問題がある（図７(B)，図７(D)）。
【０００９】
なお、図７(A) および図７(B) に示す説明図は、上記特許文献１の開示技術に相当するもので、シート材の両面（図７(A)）または片面（図７(B)）にブレードを押圧して分割溝を形成した場合、図７(C) および図７(D) に示す説明図は、上記特許文献２の開示技術に相当するもので、集合基板の両面（図７(C)）または片面（図７(D)）にレーザ照射して分割溝を形成した場合である。一点鎖線は、分割の中心位置を示し、これを中心に割れ代は、通常、割裂し得る幅の最大値よりも大きく設定されている。
【００１０】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、後工程に支障を与え難く、設備コストや製造コストの増大を抑制し得るセラミック基板の製造方法およびセラミック基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、特許請求の範囲に記載の請求項１のセラミック基板の製造方法では、シート材を焼成してなるセラミック基板で、複数個に分割可能な個片基板をまとめて１枚の集合基板として製造するセラミック基板の製造方法であって、前記シート材または前記集合基板の厚さの２％以上１５％以下に相当する深さの第１の分割溝を前記分割される部位に沿って前記シート材の一方の面に加圧して形成する第１の分割溝形成工程と、前記第１の分割溝形成工程により形成された前記第１の分割溝を有する前記シート材を加熱して前記集合基板を焼成する焼成工程と、前記焼成工程により焼成された前記集合基板の前記一方の面と反対側の他方の面に、前記シート材または前記集合基板の厚さの１３％以上３５％以下に相当する深さの第２の分割溝を前記第１の分割溝に沿ってレーザ照射により形成する第２の分割溝形成工程と、を含むことを技術的特徴とする。
【００１２】
特許請求の範囲に記載の請求項２のセラミック基板の製造方法では、請求項１記載のセラミック基板の製造方法において、前記第１の分割溝は、不連続に形成されることを技術的特徴とする。
【００１３】
特許請求の範囲に記載の請求項３のセラミック基板の製造方法では、請求項１または２記載のセラミック基板の製造方法において、前記第２の分割溝は、不連続に形成されることを技術的特徴とする。
【００１４】
特許請求の範囲に記載の請求項４のセラミック基板の製造方法では、請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミック基板の製造方法において、前記焼成工程の前に、前記分割される部位に沿って前記シート材の内部に空洞を形成する空洞形成工程を含むことを技術的特徴とする。
【００１５】
特許請求の範囲に記載の請求項５のセラミック基板の製造方法では、請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミック基板の製造方法において、前記焼成工程の前に、前記分割される部位に沿って前記シート材の内部に金属体を設ける金属体埋込工程を含むことを技術的特徴とする。
【００１６】
特許請求の範囲に記載の請求項６のセラミック基板では、シート材を焼成してなるセラミック基板で、複数個に分割可能な個片基板をまとめて１枚の集合基板として製造されるセラミック基板であって、前記シート材または前記集合基板の厚さの２％以上１５％以下に相当する深さで、電子部品を実装予定の実装面に前記分割される部位に沿って形成される第１の分割溝と、前記シート材または前記集合基板の厚さの１３％以上３５％以下に相当する深さで、前記実装面と反対側の非実装面に前記第１の分割溝に沿ってレーザ照射により形成される第２の分割溝と、を備えることを技術的特徴とする。
【００１７】
特許請求の範囲に記載の請求項７のセラミック基板では、請求項６記載のセラミック基板において、前記第１の分割溝は、不連続に形成されることを技術的特徴とする。
【００１８】
特許請求の範囲に記載の請求項８のセラミック基板では、請求項６または７記載のセラミック基板において、前記第２の分割溝は、不連続に形成されることを技術的特徴とする。
【００１９】
特許請求の範囲に記載の請求項９のセラミック基板では、請求項６〜８のいずれか一項に記載のセラミック基板において、前記セラミック基板は、その内部に、前記分割される部位に沿って位置する空洞を備えることを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
請求項１の発明では、第１の分割溝形成工程により、シート材または集合基板の厚さの２％以上１５％以下に相当する深さの第１の分割溝を分割される部位に沿ってシート材の一方の面に加圧して形成し、焼成工程により、第１の分割溝形成工程により形成された第１の分割溝を有するシート材を加熱して集合基板を焼成する。そして、第２の分割溝形成工程により、焼成工程により焼成された集合基板の一方の面と反対側の面に、シート材または集合基板の厚さの１３％以上３５％以下に相当する深さの第２の分割溝を第１の分割溝に沿ってレーザ照射により形成する。
【００２１】
これにより、焼成前のシート材には、シート材または集合基板の厚さの２％以上１５％以下に相当する深さの第１の分割溝を片面（一方の面）だけ形成するので、分割溝が存在する部位と分割溝が存在しない部位との厚さの差を最大でもシート材または集合基板の厚さの１５％に抑えるので、当該分割溝の有無によって焼成時に発生する基板収縮の差も抑制することができる。また、焼成前に分割溝を形成しない側の面（他方の面）には、焼成後に、レーザ照射により第２の分割溝を形成し、その深さはシート材または集合基板の厚さの１３％以上３５％以下に設定されるので、割断時における割り始め位置を固定することができ、さらに割れ終端の位置をも制御することが可能となる。
【００２２】
したがって、第１の分割溝を形成する面（一方の面）に電子部品を実装し、第２の分割溝を形成する面（反対側の面）には電子部品を実装しない構成を採ることで、レーザ照射時の加熱によって基板成分が溶けて飛散しても、後工程における電子部品の実装に悪影響を与えることなく、また個片に分割する前の各個片基板の位置や、個片に分割した後の個片基板の寸法精度を低下させることもない。このため、後工程に支障を与え難く、設備コストや製造コストの増大を抑制することができる。
【００２３】
請求項２の発明では、第１の分割溝は、不連続に形成されることから、このような分割溝が連続して形成される場合に比べて、焼成時に発生する基板収縮の差もさらに抑制することができる。
【００２４】
請求項３の発明では、第２の分割溝は、不連続に形成されることから、このような分割溝が連続して形成される場合に比べて、レーザ照射の要するエネルギー消費を抑え、無駄な消費電力を抑制することができる。
【００２５】
請求項４の発明では、焼成工程の前に、分割される部位に沿ってシート材の内部に空洞を形成する空洞形成工程を含むことから、割断時における割裂がこの空洞の存在によって容易に進むため、個片基板の寸法精度をさらに向上させることができる。
【００２６】
請求項５の発明では、焼成工程の前に、分割される部位に沿ってシート材の内部に金属体を設ける金属体埋込工程を含むことから、レーザ照射時にこの金属体がレーザ光を吸収し局所的に熱応力が発生するため、割断時における割裂が容易に進み、個片基板の寸法精度をさらに向上させることができる。
【００２７】
請求項６の発明では、実装面に分割される部位に沿って形成される第１の分割溝と、実装面と反対側の非実装面に第１の分割溝に沿ってレーザ照射により形成される第２の分割溝と、を備える。これにより、割断時における割り始め位置を固定することができ、さらに割れ終端の位置をも制御することが可能となる。したがって、レーザ照射時の加熱によって基板成分が溶けて飛散しても、後工程における電子部品の実装に悪影響を与えることなく、また個片に分割する前の各個片基板の位置や、個片に分割した後の個片基板の寸法精度を低下させることもないため、後工程に支障を与え難く、設備コストや製造コストの増大を抑制することができる。
【００２８】
請求項７の発明では、第１の分割溝は、不連続に形成されることから、このような分割溝が連続して形成される場合に比べて、焼成時に発生する基板収縮の差もさらに抑制することができる。
【００２９】
請求項８の発明では、第２の分割溝は、不連続に形成されることから、このような分割溝が連続して形成される場合に比べて、レーザ照射の要するエネルギー消費を抑え、無駄な消費電力を抑制することができる。
【００３０】
請求項９の発明では、セラミック基板は、その内部に、分割される部位に沿って位置する空洞を備えることから、割断時における割裂がこの空洞の存在によって容易に進むため、個片基板の寸法精度をさらに向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明のセラミック基板の製造方法およびセラミック基板の実施形態について図を参照して説明する。まず、本発明のセラミック基板を適用したベース基板１０’の実施形態を図１に基づいて説明する。なお、ここでいうベース基板１０’とは、後述するように、シート１０を焼成することにより生成されるものを指す。このため、ベース基板の符号「１０」に「’」（ダッシュ記号）を付して、焼成前のシート１０と区別している。
【００３２】
図１(A) に示すように、ベース基板１０’は、セラミック基板用グリーンシート等のシート１０（シート材）を焼成してなるセラミック基板で、複数個に分割可能な個片２０（個片基板）をまとめて１枚の集合基板として製造されるものである。図１(A) に示す例では、１枚のベース基板１０’から５０片の個片２０が得られるように、構成されている。セラミック材料としては、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ）、窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪素等が挙げられる。
【００３３】
図１(A) および図１(B) に示すように、ベース基板１０’には、その実装面１１（一方の面）に分割溝１２ｘ，１２ｙ（第１の分割溝）が、また非実装面１３（他方の面）に分割溝１４ｘ，１４ｙ（第２の分割溝）が、それぞれ形成されている。
【００３４】
即ち、電子部品３１を実装予定の実装面１１には、当該ベース基板１０’が分割される部位の、紙面横方向（以下「Ｘ方向」という）に沿って分割溝１２ｘが、また紙面縦方向（以下「Ｙ方向」という）に沿って分割溝１２ｙが、互いに碁盤の目を構成するようにマトリックス状に形成されている。例えば、本実施形態の場合、分割溝１２ｘを１１本、分割溝１２ｙを６本設けることにより、５０片の個片２０を分割可能にしている。
【００３５】
この分割溝１２ｘ，１２ｙは、後述するように、焼成前の柔らかいシート１０の状態において、プレス型５０のブレード５２ｘ，５２ｙが押圧されることによって形成されるもので、本実施形態では、例えば、ベース基板１０’の厚さｔ１の２％以上１５％以下に相当する深さに設定されている。なお、シート１０の厚さｔ０の２％以上１５％以下に相当する深さに設定しても良い。
【００３６】
一方、電子部品３１を実装しない側、つまり実装面１１の反対側の非実装面１３にも、当該ベース基板１０’が分割される部位のＸ方向、Ｙ方向に沿って、分割溝１４ｘ、１４ｙが互いに碁盤の目を構成するようにマトリックス状に形成されている。即ち、実装面１１に形成した分割溝１２ｘ，１２ｙの裏側に、分割溝１４ｘ，１４ｙがそれぞれ位置するように、分割溝１２ｘ，１２ｙと同数の分割溝１４ｘ，１４ｙが形成されている。
【００３７】
この分割溝１４ｘ，１４ｙは、後述するように、焼成後の硬いベース基板１０’の状態において、レーザ装置から照射されるレーザ光Ｌｚにより局所的に溶解されて形成されるもので、本実施形態では、例えば、ベース基板１０’の厚さｔ１の１３％以上３５％以下に相当する深さに設定されている。なお、シート１０の厚さｔ０１３％以上３５％以下に相当する深さに設定しても良い。
【００３８】
このようにベース基板１０’には、実装面１１に分割溝１２ｘ，１２ｙが、また非実装面１３に分割溝１４ｘ，１４ｙがそれぞれ形成され、それぞれの溝の深さは、実装面１１に形成される分割溝１２ｘ，１２ｙの方が比較的浅く設定されるのに対し、非実装面１３に形成される分割溝１４ｘ，１４ｙは比較的深く設定されている。
【００３９】
これは、実装面１１の分割溝１２ｘ，１２ｙが焼成前のシート１０に形成されるものであることから、焼成時に発生する基板収縮の影響を避ける、即ち当該分割溝１２ｘ，１２ｙが形成されている部分と当該分割溝１２ｘ，１２ｙが形成されていない部分との収縮量の差を小さくするため、このように分割溝１２ｘ，１２ｙの溝深さを厚さｔ１の２％以上１５％以下の浅いものに設定している。換言すると、焼成により収縮しても基板寸法精度に支障が生じない程度の深さに分割溝１２ｘ，１２ｙを設定している。これにより、このような分割溝１２ｘ，１２ｙが実装面１１に存在しない場合に比べて、割断時における割り始め位置を固定したり、あるいは割れ終端の位置を制御することが可能となる。
【００４０】
これに対し、非実装面１３の分割溝１４ｘ，１４ｙは、焼成後の硬化したベース基板１０’に形成されるものであることから、レーザ光Ｌｚにより局所的にベース基板１０’を溶解し、割断時の割れ方向を確実に制御したり、またバリを抑制可能な深さ、つまりベース基板１０’を割断するのに必要な深さとして、厚さｔ１の１３％以上３５％以下の浅いものに設定している。なお、分割溝１２ｘと分割溝１４ｘとの合計や、分割溝１２ｙと分割溝１４ｙとの合計は、ベース基板１０’の厚さｔ１またはシート１０の厚さｔ０の１５％以上５０％以下になるように設定されている。
【００４１】
このように構成されるベース基板１０’には、図１(C) に示すように、ベース基板１０’を構成する個片２０に電子部品３１が実装される。この電子部品３１は、例えばベアチップ等のチップ部品で、マウンタによって個片２０上に直接搭載された後、ワイヤボンディング装置によりボンディングパッド２２に対してＡｕワイヤ３２でワイヤボンディングされる。これにより、当該個片２０上に形成される図略の配線パターン等と電気的に導通可能に接続される。
【００４２】
このような電子部品３１の実装は、ベース基板１０’から分割される前の複数の個片２０に対してまとめて行われたり、ベース基板１０’から分割された後の個々の個片２０に対して個別に行われる。後述するベース基板１０’の製造方法では、分割前の複数の個片２０に対してまとめて電子部品３１を実装する。
【００４３】
このように本実施形態に係るベース基板１０’では、実装面１１に分割される部位に沿って形成される分割溝１２ｘ，１２ｙと、実装面１１と反対側の非実装面１３に分割溝１２ｘ，１２ｙに沿ってレーザ照射により形成される分割溝１４ｘ，１４ｙと、を備える。これにより、割断時における割り始め位置を固定することができ、さらに割れ終端の位置をも制御することが可能となる。したがって、レーザ照射時の加熱によって基板成分が溶けて飛散しても、それが実装面１１に付着することないので、後工程における電子部品３１の実装に悪影響を与えない。また、シート１０に形成される分割溝１２ｘ，１２ｙは、焼成により収縮しても基板寸法精度に支障が生じない程度の深さに設定されるため、個片に分割する前の各個片２０の位置や、個片に分割した後の個片２０の寸法精度を低下させることもない。よって、後工程に支障を与え難く、設備コストや製造コストの増大を抑制することができる。
【００４４】
なお、分割溝１２ｘ，１２ｙ，１４ｘ，１４ｙは、図４(A) に示すように、長溝１２αに形成するほか、図４(B) に示すように、複数の矩形溝１２βの直線上（図４(B) に示す一点鎖線）に形成したり、また図４(C) に示すように、複数の円孔１２γの直線上（図４(C) に示す一点鎖線）に形成しても良い。また、図６(B) に示すように、ベース基板１０’の内層に空洞１６ｘ、１６ｙを形成しても良い。なお、これらの構成、作用および効果については後述する。
【００４５】
次に、このようなベース基板１０’の製造方法を図２〜図６に基づいて説明する。なお、この製造方法は、本発明のセラミック基板の製造方法の実施形態に係るものである。図２には、プレス型５０により分割溝１２ｘ，１２ｙを形成する分割溝プレス形成工程、図３には、シート１０を焼成する焼成工程（図３(A) ）、レーザ照射により分割溝１４ｘ，１４ｙを形成する分割溝レーザ形成工程（図３(B) ）等が図示されている。なお、図３(A) 〜図３(D) のそれぞれの紙面右側に示す図は、分割溝１２ｘ，１２ｙ，１４ｘ，１４ｙが形成された部分の拡大図である。
【００４６】
図２に示すように、分割溝１２ｘ，１２ｙを形成する分割溝プレス形成工程（第１の分割溝形成工程）では、図２(A) に示す焼成前のシート１０の実装面１１に、図２(B) に示すプレス型５０を押圧する。このプレス型５０には、前述したように、マトリックス状に配置される分割溝１２ｘ，１２ｙを形成可能に、碁盤の目のように位置するブレード５２ｘおよびブレード５２ｙが設けられている。このため、図２(C) に示すように、このようなプレス型５０をシート１０に所定圧で押圧することによって、前述した溝深さ（ベース基板１０’の厚さｔ１またはシート１０の厚さｔ０の２％以上１５％以下に相当する深さ）の分割溝１２ｘ，１２ｙが形成される（図２(D) ）。
【００４７】
このように実装面１１に分割溝１２ｘ，１２ｙが形成されたシート１０は、図３(A) に示す焼成工程おいて所定温度で加熱されると、その全体が収縮した形状をなすベース基板１０’が焼成される。なお、図３(A) に示す二点鎖線は、焼成前のシート１０の大きさを示す。この焼成工程においては、シート１０の両面に分割溝が形成されていると、当該分割溝が存在する部位と当該分割溝が存在しない部位とでは、シート１０の厚さが異なるから、このような分割溝の有無によって焼成時に発生する基板収縮の大きさに差が生じる。
【００４８】
しかし、本実施形態の場合、分割溝１２ｘ，１２ｙは、シート１０の実装面１１にしか形成されていなく、しかもその溝深さは、焼成により収縮しても基板寸法精度に支障が生じない程度の深さ（ベース基板１０’の厚さｔ１またはシート１０の厚さｔ０の２％以上１５％以下に相当する深さ）に設定されている。このため、個片に分割する前の各個片２０の位置や、個片に分割した後の個片２０の寸法精度を低下させることもない。
【００４９】
焼成工程により焼成されたベース基板１０’は、図３(B) に示すように、分割溝レーザ形成工程（第２の分割溝形成工程）により非実装面１３に分割溝１４ｘ，１４ｙが形成される。レーザ光Ｌｚは、例えば、ＣＯ２  レーザによるもので、ベース基板１０’を割断するのに必要な深さ（ベース基板１０’の厚さｔ１またはシート１０の厚さｔ０の１３％以上３５％以下に相当する深さ)まで溶解可能なレーザ出力に設定されている。これにより、割断時の割れ方向を確実に制御したり、またバリを抑制可能にしている。
【００５０】
なお、分割溝１２ｘと分割溝１４ｘとの合計や、分割溝１２ｙと分割溝１４ｙとの合計は、前述したように、ベース基板１０’の厚さｔ１またはシート１０の厚さｔ０の１５％以上５０％以下になるように設定されている。
【００５１】
続く実装工程では、図略のマウンタ等により電子部品３１をマウントするとともにワイヤボンディング装置によってＡｕワイヤ３２をワイヤボンディングする。これにより、図３(C) に示すように、ベース基板１０’につながって集約されているそれぞれの個片２０に電子部品３１が実装される。
【００５２】
そして、電子部品３１が実装された複数の個片２０を割断工程により分割することによって、図３(D) に示すように、分割された個片２０が得られる。具体的には、図示してはないが、例えば、分割前のベース基板１０’の両端を固定した状態で、非実装面１３側から押し上げる（押し下げる）ことによって、ベース基板１０’を複数の個片２０に割断したり、またベース基板１０’の非実装面１３に貼着されたエクスパンドシートを平面方向に引き伸ばすことによって、ベース基板１０’を複数の個片２０に割断する。なお、実装面１１に実装された電子部品３１に外的な圧力を加えても問題がない場合には、これとは逆方向、つまり実装面１１側から押し下げる（押し上げる）ことによって、ベース基板１０’を複数の個片２０に割断しても良い。
【００５３】
いずれにしても、本実施形態に係るベース基板１０’には、分割溝プレス形成工程により、分割溝１２ｘ，１２ｙが実装面１１の分割される部位に沿って形成されており、また分割溝レーザ形成工程により、分割溝１４ｘ，１４ｙが非実装面１３の分割される部位に沿ってレーザ照射により形成されているので、割断工程において、割り始め位置を固定することができ、さらに割れ終端の位置をも制御することが可能となる。
【００５４】
このように本実施形態に係るベース基板１０’の製造方法では、分割溝プレス形成工程により、シート１０の厚さｔ０またはベース基板１０’の厚さｔ１の２％以上１５％以下に相当する深さの分割溝１２ｘ，１２ｙを分割される部位に沿ってシート１０の実装面１１に加圧して形成し、焼成工程により、分割溝プレス形成工程により形成された分割溝１２ｘ，１２ｙを有するシート１０を加熱してベース基板１０’を焼成する。そして、分割溝レーザ形成工程により、焼成工程により焼成されたベース基板１０’の実装面１１と反対側の非実装面１３に、シート１０の厚さｔ０またはベース基板１０’の厚さｔ１の１３％以上３５％以下に相当する深さの分割溝１４ｘ，１４ｙを分割溝１２ｘ，１２ｙに沿ってレーザ照射により形成する。
【００５５】
これにより、焼成前のベース基板１０’には、シート１０の厚さｔ０またはベース基板１０’の厚さｔ１の２％以上１５％以下に相当する深さの分割溝１２ｘ，１２ｙを片面（実装面１１）だけ形成するので、分割溝１２ｘ，１２ｙが存在する部位と分割溝１２ｘ，１２ｙが存在しない部位との厚さの差を最大でもシート１０の厚さｔ０またはベース基板１０’の厚さｔ１の１５％に抑えるので、当該分割溝１２ｘ，１２ｙの有無によって焼成時に発生する基板収縮の差も抑制することができる。また、焼成前に分割溝１２ｘ，１２ｙを形成しない側の面（非実装面１３）には、焼成後に、レーザ照射により分割溝１４ｘ，１４ｙを形成し、その深さはシート１０の厚さｔ０またはベース基板１０’の厚さｔ１の１３％以上３５％以下に設定されるので、割断時における割り始め位置を固定することができ、さらに割れ終端の位置をも制御することが可能となる。
【００５６】
したがって、分割溝１２ｘ，１２ｙを形成する実装面１１に電子部品３１を実装し、分割溝１４ｘ，１４ｙを形成する非実装面１３には電子部品３１を実装しない構成を採ることで、レーザ照射時の加熱によって基板成分が溶けて飛散しても、後工程における電子部品３１の実装に悪影響を与えることなく、また個片に分割する前の各個片２０の位置や、個片に分割した後の個片２０の寸法精度を低下させることもない。このため、後工程に支障を与え難く、設備コストや製造コストの増大を抑制することができる。
【００５７】
なお、上述の分割溝プレス形成工程では、分割溝１２ｘ，１２ｙを、図４(A) に示すように、連続した長溝１２αに形成したが、例えば、図４(B) に示すように、複数の矩形溝１２βの直線上（図４(B) に示す一点鎖線）に形成したり、また図４(C) に示すように、複数の円孔１２γの直線上（図４(C) に示す一点鎖線）に形成しても良い。
【００５８】
例えば、図４(B) に示す矩形溝１２βの場合、幅Ｗを１とすると、長さＬを２、間隔Ｇを１に設定したり、幅Ｗ、長さＬおよび間隔Ｇのいずれも同じ大きさに設定する。また、図４(C) に示す円孔１２γの場合、直径Ｄおよび間隔Ｇのいずれも同じ大きさに設定したり、間隔Ｇを１として直径Ｄを２に設定する。さらに円に限らず、長径方向を直線上（図４(C) に示す一点鎖線）に合わせた楕円に円孔１２γを設定しても良い（例えば、長径２、短径１の割合）。
【００５９】
このように分割溝プレス形成工程で形成する分割溝１２ｘ，１２ｙを、連続した溝ではなく、不連続に形成することで、連続して形成される場合に比べて、シート１０の厚さの差が生じる範囲（部分）が減少することから、焼成工程においてベース基板１０’を焼成するときに発生する基板収縮の差を、さらに抑制することができる。
【００６０】
また、上述の分割溝レーザ形成工程では、分割溝１４ｘ，１４ｙを、連続して形成したが、これも分割溝１２ｘ，１２ｙと同様に、図４(B) や図４(C) に示すように、不連続に構成しても良い。これにより、このような分割溝１４ｘ，１４ｙが連続して形成される場合に比べて、レーザ照射を間欠的に行うことができるので、レーザ照射時の要するエネルギー消費を抑え、無駄な消費電力を抑制することができる。
【００６１】
また、図５(A) に示すように、焼成工程の前に、分割される部位に沿ってシート１０の非実装面１３に配線パターン２５（金属体）を形成したり、分割される部位に沿ってシート１０の内層に配線パターン２６（金属体）を埋め込んだり、またシート１０の実装面１１に配線パターン２７（金属体）を形成したり、する金属体埋込工程を設けても良い。これらの配線パターン２５，２６，２７は、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属（合金等）あるいはレーザ光を吸収し易い材料により構成される。
【００６２】
これにより、分割溝レーザ形成工程あるいは他のレーザ照射工程において、これらの配線パターン２５等がレーザ光を吸収し局所的に熱応力が発生するため、割断時における割裂が容易に進み、個片基板の寸法精度をさらに向上させることができる。なお、配線パターン２５，２６，２７は、電気信号を導通させ得る通常の配線パターンをシート１０を構成する各層（第１層１０ａ、第２層１０ｂ、第３層１０ｃ、第４層１０ｄ、第５層１０ｅ、第６層１０ｆ）を形成する工程において他のパターンと同様に形成することができるため、特にこれらを形成する工程を設ける必要はない。
【００６３】
また、図６(A) に示すように、焼成工程の前に、分割される部位に沿って格子状に張られたワイヤ７０ｘ，７０ｙを、シート１０の各層（第１層１０ａ、第２層１０ｂ、第３層１０ｃ、第４層１０ｄ、第５層１０ｅ、第６層１０ｆ）間に介在させた後、これらのワイヤ７０ｘ，７０ｙを抜き取ることによって、シート１０の内部に空洞１６ｘ，１６ｙを形成する空洞形成工程を設けても良い（図７(B) ）。
【００６４】
これにより、ベース基板１０’の割断工程において、これらの空洞１６ｘ，１６ｙが各層（第１層１０ａ、第２層１０ｂ、第３層１０ｃ、第４層１０ｄ、第５層１０ｅ、第６層１０ｆ）間に存在することにより、割断時における割裂が連鎖的に促進されて、容易に進むため、個片２０寸法精度をさらに向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】図１(A) はベース基板の概要を示す説明図、図１(B) は図１(A) に示す１Ｂ−１Ｂ線による断面図で、図１(C) は個片に実装される電子部品を示す説明図である。
【図２】プレス型により分割溝を形成する分割溝プレス形成工程を示す説明図で、図２(A) は分割溝が形成される前のシート、図２(B) は分割溝を形成するためのプレス型、図２(C) は分割溝を形成中のシートおよびプレス型、図２(D) は分割溝が形成された後のシート、をそれぞれ示す。
【図３】図３(A) はシートを焼成する焼成工程を示す説明図、図３(B) はレーザ照射により分割溝を形成する分割溝レーザ形成工程を示す説明図、図３(C) はマウンタ等により電子部品を実装したベース基板を示す説明図、図３(D) は図３(C) に示すベース基板を分割した個片を示す説明図である。
【図４】プレス型により形成される分割溝のバリエーション例を示す説明図で、図４(A) は連続に形成される線状溝の例、図４(B) は不連続に形成される破線状溝の例、図４(C) は点状に形成される点線状溝の例、である。
【図５】レーザ光を吸収し易い導電パターンを印刷した例で、図５(A) は基板表面に印刷した例、図５(B) は基板表面に加え内層や裏面にも印刷した例である。
【図６】図６(A) は、シート内に空洞を形成する空洞形成工程を示す説明図で、図６(B) はシートに空洞が形成されている様子を示す説明図である。
【図７】従来技術による基板の割断方法を示す説明図で、図７(A) は、焼成前の柔らかいシート材の両面に分割溝をプレス成形した後、焼成後の基板を割断する例、図７(B) は、図７(A) に示す例において分割溝を片面にのみプレス成形した後、焼成後の基板を割断する例、図７(C) は、焼成後の集合基板の両面に分割溝をレーザ照射により成形した後、焼成後の基板を割断する例、図７(D) は、図７(C) に示す例において分割溝を片面にのみレーザ照射により成形した後、焼成後の基板を割断する例、である。
【符号の説明】
【００６６】
１０…シート（シート材）
１０’…ベース基板（集合基板、セラミック基板）
１１…実装面（一方の面）
１２ｘ，１２ｙ…分割溝（第１の分割溝）
１３…非実装面（他方の面）
１４ｘ，１４ｙ…分割溝（第２分割溝）
１６ｘ，１６ｙ…空洞
２０…個片（個片基板）
２１…実装面
２３…非実装面
２５，２６，２７…配線パターン（金属体）
３１…電子部品
５０…プレス型
５２ｘ，５２ｙ…ブレード
Ｌｚ…レーザ光
ｔ０…厚さ（シート材の厚さ）
ｔ１…厚さ（集合基板の厚さ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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