(57)【要約】【課題】環境や負荷の変動による影響を受けにくく安定的に温度を制御することができる温度制御装置を提供する。【解決手段】温度制御装置は、１次冷媒と２次冷媒との間で熱交換を行う熱交換器６、熱交換器６に流入する１次冷媒の流量を変更する電動弁１１と、電動弁１１の開度を制御することによって熱交換器６から流出する２次冷媒の温度を制御するフィードバックループとを備える。フィードバックループは、目標温度と熱交換器６から流出する２次冷媒の温度との誤差に基づいて電動弁１１の開度を決定するフィードバック制御演算器２２と、電動弁１１の開度に応じてフィードバック制御演算器２２のゲインを設定するフィードバック制御ゲイン設定器２４とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次冷媒と２次冷媒との間で熱交換を行う熱交換器と、前記熱交換器に流入する１次冷媒の流量を変更する電動弁と、前記電動弁の開度を制御することによって前記熱交換器から流出する２次冷媒の温度を制御するフィードバックループとを備える温度制御装置であって、
前記フィードバックループは、目標温度と前記熱交換器から流出する２次冷媒の温度との誤差に基づいて前記電動弁の開度を決定するフィードバック制御演算器と、前記電動弁の開度に応じて前記フィードバック制御演算器のゲインを設定するフィードバック制御ゲイン設定器とを含む、
ことを特徴とする温度制御装置。
【請求項２】
前記熱交換器に流入する１次冷媒の温度に基づいて前記電動弁の開度を制御することによって前記熱交換器から流出する２次冷媒の温度を制御するフィードフォワード制御系を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の温度制御装置。
【請求項３】
前記フィードフォワード制御系は、前記熱交換器に流入する１次冷媒の温度を前記電動弁の開度を制御するためにフィードフォワードするフィードフォワード制御演算器と、前記電動弁の開度に応じて前記フィードフォワード制御演算器のゲインを設定するフィードフォワード制御ゲイン設定器とを含み、
前記フィードバック制御演算器の出力と前記フィードフォワード制御演算器の出力とに基づいて前記電動弁の開度が制御される、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の温度制御装置。
【請求項４】
前記電動弁は、電動三方弁であり、前記電動三方弁の２つの出口のうち一方が前記熱交換器に接続され、他方がバイパス流路に接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の温度制御装置。
【請求項５】
デバイス製造装置であって、
デバイス製造装置本体と、
前記デバイス製造装置本体の少なくとも一部の構成要素の温度を制御するように構成された請求項１乃至４のいずれか１項に記載の温度制御装置と、
を備えることを特徴とするデバイス製造装置。
【請求項６】
露光装置であって、
露光装置本体と、
前記露光装置本体の少なくとも一部の構成要素の温度を制御するように構成された請求項１乃至４のいずれか１項に記載の温度制御装置と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項７】
デバイス製造方法であって、
感光剤が塗布された基板を請求項６に記載の露光装置を使って露光する露光工程と、
該感光剤を現像する現像工程と、
を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度制御対象に供給すべき冷媒の温度を制御する温度制御装置、それを備えるデバイス製造装置および露光装置、並びに、デバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等のデバイスを製造するためのデバイス製造装置、特に露光装置では、装置内で発生する熱を回収し、装置内の各部の温度を安定させるために、一定温度に調整された２次冷却水を循環させる温度制御装置が用いられている。近年、半導体ウエハのウエハサイズは大口径化し、このため、半導体露光装置のステージも大型化してきた。また、生産性向上に対する要求により、ステージのスキャン速度や加速度が増大してきた。したがって、露光装置における発熱量も増大してきた。また、半導体ウエハに転写するパターンが微細化し、露光装置の構成要素の熱膨張や温度変動は許されない。このため、温度制御装置の温調性能が、露光装置の露光性能に重大な影響を与えるようになってきた。
【０００３】
しかしながら、露光装置を使用する工場設備側では、クリーンルームや工場設備の大型化、省エネルギー化や、高効率化のために、クリーンルームの室温の温調精度や工場設備側である１次冷却水の温調精度が悪化する傾向にある。すなわち、露光装置の温度環境を悪化させる要因が増えてきた。
【０００４】
従来、この種の露光装置の温度制御装置は、図５のように構成されている。発熱源を有するデバイス製造装置本体１は、温度制御装置２により温度が制御される。温度制御装置２は、所定の温度に温度が制御された２次冷却水をデバイス製造装置本体１の内部を通して循環させて、発熱源が発生する熱を回収する。
【０００５】
以下、温度制御装置２の構成および動作を説明する。冷凍機３は、デバイス製造装置１で加熱された２次冷却水の熱を工場設備からの１次冷却水に排熱する。２次冷却水タンク４は、冷凍機３で冷却された２次冷却水を蓄える。循環ポンプ５は、２次冷却水タンク４内の２次冷却水を熱交換器６を通して半導体製造装置１に所定の流量で送出する。熱交換器６は、冷凍機３で加熱された１次冷却水の一部を用いて２次冷却水を目標温度まで加熱する。温度センサ７は、半導体製造装置本体１に供給される２次冷却水の温度を計測する。
【０００６】
制水弁１０は、１次冷却水の温度が一定になるように流量を調整する。これにより、冷凍機３の冷凍能力が一定に維持される。電動三方弁１１は、電動弁ドライバ２３によって開閉駆動され、冷凍機３によって加熱された１次冷却水の一部を開閉度指令値ＭＶに従って最大流量の０％から１００％の流量で熱交換器側流路１２へ供給し、残りの流量をバイパス流路１３へ供給する。手動弁１４は、バイパス流路１３の配管抵抗を変更することで電動三方弁１１から熱交換器６に供給される１次冷却水の流量範囲を増減することを可能とする。
【０００７】
温度制御部２０は、電動三方弁１１の開閉度を調整し、２次冷却水を所定の温度に制御するために、以下のように構成される。差分器２１は、予め設定された目標温度Ｔ０と温度センサ７で計測された現在温度Ｔ１との差分、つまり温度誤差Ｔｅｒｒを演算する。温度フィードバックループ（以下、ＦＢループとも記載する）の一部を構成するフィードバック制御演算器２２は、温度誤差Ｔｅｒｒを用いて適宜ＰＩＤ制御演算を行い、電動三方弁１１の弁開閉度指令値ＭＶを出力する。電動弁ドライバ２３は、弁開閉度指令値ＭＶに応じて電動三方弁１１を開閉駆動する。
【０００８】
このように、温度センサ７、差分器２１、ＦＢ制御演算器２２、電動弁ドライバ２３、電動三方弁１１、熱交換器６でフィードバックループが構成される。このフィードバックループは、温度センサ７によって計測される温度Ｔ１が目標温度Ｔ０より低い場合は、熱交換器６に供給される１次冷却水の流量を増加させる方向に電動三方弁１１を駆動し、温度が高い場合は反対に駆動する。
【０００９】
上記の半導体露光装置の温度制御装置２では、２次冷却水の温度制御に用いられるフィードバック制御演算器２２に設定されるゲインは、温度制御装置２の設置環境や負荷状況に合わせて調整される。ここで、フィードバック制御演算器２２に設定されるゲインは、比例ゲインＰ、積分ゲインＩ、微分ゲインＤを含む。設置環境は、工場設備から供給される１次冷却水の温度及び流量である。負荷状況は、半導体製造装置の発熱量、すなわち、２次冷却水の温度（温度上昇した温度）及び流量である。
【００１０】
したがって、従来の温度制御装置では、使用時の設置環境や負荷状況が初期調整時の状態に対して大幅に変化した場合において、フィードバック制御演算器のゲインが最適なゲインではなくなる。制御ゲインが高すぎると１次冷却水の温度変動をきっかけとして２次冷却水の温度が発振を起こし、また、制御ゲインが低すぎると１次冷却水の温度変動が外乱として伝わり２次冷却水温度が変動することになる。
【００１１】
このような温度制御装置の補償方法が特許文献１に記載されている。同文献には、１次冷却水と２次冷却水の温度差を検知し、その温度差に応じて流量調節弁の感度を変更することが記載され、また、１次冷却水の流量を検知し、その流量に応じて流量調節弁の感度を変更することが記載されている。ここで、流量調節弁の感度とは、制御ループの制御ゲインと理解してよい。
【特許文献１】特許第２６４４８９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
１次冷却水が一定の温度（又は、１次冷却水と２次冷却水の温度差が一定）、かつ、一定流量の場合は一定の制御ゲインでよい。しかしながら、以下で説明するように、制御ゲインを変更する必要性がある。
【００１３】
電動三方弁１１は、熱交換器６に流す１次冷却水の流量を最大流量の０％から１００％までの範囲で変更する。当然ながら、最大流量の１００％のような流量の可変範囲のリミット近傍で温度制御を行うと、そのリミットで出力は変化しなくなり、温度制御は正常に行えない。したがって、バイパス流路の手動弁１４を操作して、電動三方弁１１の適正制御範囲内、例えば最大流量の１５％から８５％までの範囲で制御を行うように調整することになる。なお、２次冷却水は冷凍機３で十分に冷却されているため必ず再加熱が必要であり、熱交換器６に流す１次冷却水の流量が０％であることは、通常はない。
【００１４】
バイパス流路の手動弁１４を開閉してパイバス流路側の管路抵抗を操作することによって、電動三方弁１１から熱交換器６に供給される１次冷却水の流量範囲を変更する例を説明する。熱交換器６で必要な１次冷却水の流量が２０リッター毎分であるとする。電動三方弁１１から熱交換器６に供給される１次冷却水の流量を最大流量（すなわち１００％の時の流量）を手動弁１４の操作により、例えば１５０リッター毎分から１００リッター毎分に変更したとする。この場合、熱交換器６に供給すべき１次冷却水の流量すなわち２０リッター毎分の流量に対応する電動三方弁１１の開閉度は、１３％から２０％に変更され、電動三方弁１１の適正制御範囲で制御されることになる。
【００１５】
図３において、電動三方弁１１の最大流量が１５０リッター毎分のときの適正ゲインが点線で、１００リッター毎分のときの適正範囲が実線で示されている。図３に示すように、適正ゲインは、電動三方弁の最大流量（流量範囲）を変更することによって変化し、特に流量が少量の場合は適正ゲインの変化の度合いが大きい。図３において、電動三方弁１１の最大流量が１５０リッター毎分である場合における２０リッター毎分に対する適正ゲインは約８３である。一方、電動三方弁１１の最大流量を１００リッター毎分に変更した場合は、２０リッター毎分に対する適正ゲインは５０に下がり、３０％も変化したことになる。
【００１６】
このようにバイパス流路の手動弁１４を用いて電動三方弁１１の流量範囲を変更すると、１次冷却水が同じ温度かつ同じ流量、すなわち同じ熱交換量でも電動三方弁１１の開閉度が異なるため異なるゲイン設定が必要になる。熱交換器６の流量が大きい場合は適正ゲインの変化量は少なく、制御において大きな問題にならないが、特に、熱交換器の流量が少ない場合は適正ゲインが大きく異なり問題となる。
【００１７】
上記のような例は、旧式設備の半導体製造工場において、例えば夏と冬の気温変化に影響されて工場設備側である１次冷却水の温度が大幅に変化することによって発生しうる。この場合は、手動弁１４を開閉してバイパス流路に流れる１次冷却水の流量を増減することにより、熱交換器６へ供給される１次冷却水の温度を変更すると同時に熱交換器６に供給される１次冷却水の最大流量（流量範囲）を増減させることが可能となる。しかし、この場合にもフィードバック制御演算器２２に設定される比例ゲインＰ、積分ゲインＩ、微分ゲインＤは、同じ温度差、同じ流量であっても変化し、調整しなければならないという欠点があった。
【００１８】
また、特許文献１では、流量センサを使用して制御ゲインの補正を行うが、流量センサを使用すると、以下のような問題も生じる。液体流量センサとしては、流路に支柱等の抵抗体を設け、抵抗体の下流のカルマン渦の周波数を測定するカルマン渦式が主に利用されている。この方式の流量センサは、その計測方式から、抵抗体の導入部に直線流路を必要とし、したがって装置寸法が大きくなる。計測範囲に最低流量があり、最低流量以下は計測できない。流量が少なくなると計測値が振動して安定しなくなり、計測誤差が大きくなる。
【００１９】
本発明は、上記の課題認識に基づいてなされたものであり、例えば、環境や負荷の変動による影響を受けにくく安定的に温度を制御することができる温度制御装置およびその応用例を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の第１の側面は、１次冷媒と２次冷媒との間で熱交換を行う熱交換器と、前記熱交換器に流入する１次冷媒の流量を変更する電動弁と、前記電動弁の開度を制御することによって前記熱交換器から流出する２次冷媒の温度を制御するフィードバックループとを備える温度制御装置に関する。前記温度制御装置は、前記フィードバックループは、目標温度と前記熱交換器から流出する２次冷媒の温度との誤差に基づいて前記電動弁の開度を決定するフィードバック制御演算器と、前記電動弁の開度に応じて前記フィードバック制御演算器のゲインを設定するフィードバック制御ゲイン設定器とを含む。
【００２１】
本発明の第２の側面は、デバイス製造装置（例えば、露光装置）に係り、前記デバイス製造装置は、デバイス製造装置本体と、前記デバイス製造装置本体の少なくとも一部の構成要素の温度を制御するように構成された上記の温度制御装置とを備える。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、例えば、環境や負荷の変動による影響を受けにくく安定的に温度を制御することができる温度制御装置およびその応用例を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。
【００２４】
図１は、本発明の第１実施形態のデバイス製造装置の概略構成を示す図である。本発明の第１実施形態のデバイス製造装置は、デバイス製造装置本体（例えば、露光装置本体）１と温度制御装置５０とを備えている。なお、図５と同一の構成要素には、同一の符号が付されている。
【００２５】
図５における温度制御装置２は、図１において温度制御装置５０によって置き換えられている。温度制御装置５０は、図５における温度制御部２０を温度制御部２００で置き換えた構成を有し、温度制御部２００は、図５における温度制御部２０にフィードバック制御ゲイン設定器２４を追加した構成を有する。
【００２６】
発熱源を有するデバイス製造装置本体（例えば、露光装置本体）１は、その少なくとも一部が温度制御装置５０により温度が制御される。温度制御装置５０は、所定の温度に温度が制御された２次冷却水を半導体製造装置本体１の内部を通して循環させて、発熱源が発生する熱を回収する。
【００２７】
以下、温度制御装置５０の構成および動作を説明する。冷凍機３は、デバイス製造装置本体１で加熱された２次冷却水（２次冷媒）の熱を工場設備からの１次冷却水（１次冷媒）に排熱する。２次冷却水タンク（２次冷媒タンク）４は、冷凍機３で冷却された２次冷却水を蓄える。循環ポンプ５は、熱交換器６を通して２次冷却水タンク４内の２次冷却水をデバイス製造装置１に所定の流量で送出する。熱交換器６は、冷凍機３で加熱された１次冷却水の一部を用いて２次冷却水を目標温度まで加熱する。温度センサ７は、デバイス製造装置本体１に供給される２次冷却水の温度を計測する。
【００２８】
制水弁１０は、１次冷却水の温度が一定になるように流量を調整する。これにより、冷凍機３の冷凍能力が一定に維持される。電動三方弁（電動弁）１１は、電動弁ドライバ２３によって開閉駆動され、冷凍機３によって加熱された１次冷却水の一部を開閉度指令値ＭＶに従って最大流量の０％から１００％の流量で熱交換器側流路１２へ供給し、残りの流量をバイパス流路１３へ供給する。電動三方弁１１は、２つの出口の一方が熱交換器６に接続され、他方がバイパス流路１３に接続され、熱交換器６に流入する１次冷却水の流量を変更する電動弁の一例である。手動弁１４は、バイパス流路１３の配管抵抗を変更することで電動三方弁１１から熱交換器６に供給される１次冷却水の流量範囲を増減することを可能とする。
【００２９】
温度制御部２００は、電動三方弁１１の開閉度を調整し、熱交換器６から流出する２次冷却水を所定の温度に制御するために、以下のように構成される。差分器２１は、予め設定された目標温度Ｔ０と温度センサ７で計測された現在温度Ｔ１との差分、つまり温度誤差Ｔｅｒｒを演算する。フィードバックループの一部を構成するフィードバック制御演算器２２は、温度誤差Ｔｅｒｒを用いてＰＩＤ制御演算を行い、電動三方弁１１の弁開閉度を指令する指令値ＭＶを出力する。電動弁ドライバ２３は、指令値ＭＶに応じて電動三方弁１１を開閉駆動する。
【００３０】
このように、温度センサ７、差分器２１、ＦＢ制御演算器２２、電動弁ドライバ２３、電動三方弁１１、熱交換器６でフィードバックループが構成される。このフィードバックループは、温度センサ７によって計測される温度Ｔ１が目標温度Ｔ０より低い場合は、熱交換器６に供給される１次冷却水の流量を増加させる方向に電動三方弁１１を駆動し、温度が高い場合は反対に駆動する。
【００３１】
フィードバック制御ゲイン設定器２４は、指令値ＭＶに対応するＦＢ制御演算器２２のゲインをテーブル又は関数として記憶している。フィードバック制御ゲイン設定器２４は、電動三方弁１１の弁開閉度を指令する指令値ＭＶをサンプリングして、そのサンプリングした指令値ＭＶに基づいてＦＢ制御演算器２２のゲインを決定してそれをＦＢ制御演算器２２に設定する。ここで、ＦＢ制御演算器２２のゲインには、例えば、比例ゲイン（Ｐ）、積分ゲイン（Ｉ）、微分ゲイン（Ｄ）が含まれうる。
【００３２】
指令値ＭＶのサンプリング方法としては、例えば、所定時間毎に指令値ＭＶを積算して平均化しても良いし、指令値ＭＶ値を所定時間の移動平均として平均化しても良いし、所定時間内の指令値ＭＶ値の最大値と最小値との中間値としても良い。
【００３３】
図４は、電動三方弁１１の開閉度（０〜１００％）に応じたＦＢ制御演算器２２に設定すべきゲインの最適値を示す図である。例えば、サンプリングされた指令値ＭＶ（つまり、電動三方弁１１の開閉度）が５０％であれば、ＦＢ制御演算器２２に設定すべき制御ゲインとして２０を設定すればよい。ここで、１次冷却水の温度変動に応じて手動弁１４を操作して熱交換器６に流す１次冷却水の最大流量を変更した場合に、ＦＢ制御演算器２２に設定すべき制御ゲインは図３に例示したように大きく変化しうる。一方、図４に例示されるように、電動三方弁１１の開閉度に応じた適正な制御ゲインは、熱交換器６に流す１次冷却水の最大流量に依存しない。
【００３４】
本発明の好適な実施形態の温度制御装置５０は、電動三方弁の開度、即ち、電動弁指令値ＭＶに応じたゲインをフィードバック制御演算器に設定するフィードバック制御ゲイン設定器２４を有する。これにより、設置環境や負荷状況が変化しても、工場設備側の１次冷却水の温度に応じて電動三方弁の流量を設定することができ、しかも、最適なゲインで２次冷却水の温度を制御することができる。
【００３５】
したがって、手動弁１４の操作に応じたゲインテーブルを多種類持つ必要がなく、制御上で自動的に変更することができない手動弁の操作量に応じて手動で適切なゲインの選択を行う必要がなくなり、柔軟で確実な温度制御が実現される。
【００３６】
また、本発明の好適な実施形態によれば、流量センサなどの高価な計測器を用いる必要がない。これにより、計測範囲の制限がなくなるので、流量が少なくなると計測値が振動して安定しなくなって計測誤差が大きくなる流量センサを用いた流量サーボを行わなくてよくなる。また、圧損を生じる流量センサの除去は、ポンプの負荷の軽減にも寄与する。
【００３７】
図２は、本発明の第２実施形態のデバイス製造装置の概略構成を示す図である。本発明の第２実施形態のデバイス製造装置は、デバイス製造装置本体（例えば、露光装置本体）１と温度制御装置５０'とを備えている。なお、図１と同一の構成要素には、同一の符号が付されている。
【００３８】
図１における温度制御装置５０は、図２において温度制御装置５０'によって置き換えられている。温度制御装置５０'は、図１における温度制御部２００を温度制御部２１０で置き換えた構成を有し、温度制御部２１０は、図１における温度制御部２００に温度フィードフォワード制御系を追加した構成を有する。
【００３９】
温度フィードフォワード制御系は、温度センサ１７、温度フィードフォワード（以下、ＦＦとも記載する）制御演算器２５、フィードフォワード制御ゲイン設定器２７、加算器２６を含む。
【００４０】
温度制御部２１０は、電動三方弁１１の開閉度を調整し、２次冷却水を所定の温度に制御するために、以下のように構成される。温度センサ１７は、１次冷却水の温度Ｔ２を計測する。フィードフォワード制御演算器２５は、温度センサ１７で計測された１次冷却水の温度Ｔ２を入力し、その温度変動を補償するフィードフォワードＰＩＤ演算を行う。加算器２６は、ＦＢ制御演算器２２からの指令値と、フィードバック制御演算器２２からの補償値とを加算し、指令値ＭＶを出力する。
【００４１】
このように、温度センサ１７、ＦＦ制御演算器２５、加算器２６、電動弁ドライバ２３、電動三方弁１１によって温度フィードフォワード制御系が構成される。この制御系は、温度センサ１７の温度Ｔ２が下がる方向に変動した場合は、熱交換器への１次冷却水の流量を増加させる方向に電動三方弁１１を動作させ、上昇する方向に変動した場合は反対に動作させる。
【００４２】
フィードフォワード制御ゲイン設定器２７は、指令値ＭＶに対応するフィードフォワード制御演算器２５のゲイン（むだ時間を含みうる）をテーブル又は関数として記憶している。ＦＦ制御ゲイン設定器２７は、電動三方弁１１の弁開閉度指令値ＭＶをサンプリングして、そのサンプリングした指令値ＭＶに基づいてゲインを決定してそれをＦＦ制御演算器２５に設定する。ここで、ＦＦ制御演算器２７のゲインには、例えば、比例ゲイン（Ｐ）、積分ゲイン（Ｉ）、微分ゲイン（Ｄ）、むだ時間が含まれうる。
【００４３】
指令値ＭＶのサンプリング方法としては、例えば、所定時間毎に指令値ＭＶを積算して平均化しても良いし、指令値ＭＶ値を所定時間の移動平均として平均化しても良いし、所定時間内の指令値ＭＶ値の最大値と最小値との中間値としても良い。
【００４４】
上記の実施形態において、２次冷却水として説明している流体としては、例えば、純水、ブラインを混入した冷却水、フロリナート（商品名）、ガルデン（商品名）が好適であるが、他の流体でもよい。
【００４５】
次に上記のデバイス製造装置、ここでは露光装置を利用したデバイス製造方法を説明する。図６は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（レチクル作製）では設計した回路パターンに基づいてレチクル（原版またはマスクともいう）を作製する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ（基板ともいう）を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のレチクルとウエハを用いて、リソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。
【００４６】
図７は、上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（ＣＭＰ）ではＣＭＰ工程によって絶縁膜を平坦化する。ステップ１６（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１７（露光）では上記の露光装置を使って、回路パターンが形成されたマスクを介し感光剤が塗布されたウエハを露光してレジストに潜像パターンを形成する。ステップ１８（現像）ではウエハ上のレジストに形成された潜像パターンを現像してレジストパターンを形成する。ステップ１９（エッチング）ではレジストパターンが開口した部分を通してレジストパターンの下にある層又は基板をエッチングする。ステップ２０（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の第１実施形態のデバイス製造装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第２実施形態のデバイス製造装置の概略構成を示す図である。
【図３】流量に応じた最適ゲインを例示する図である。
【図４】電動三方弁１１の開閉度に応じたＦＢ制御演算器２２に設定すべきゲインの最適値を示す図である。
【図５】従来のデバイス製造装置の概略構成を示す図である。
【図６】デバイス製造方法を説明するための図である。
【図７】デバイス製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４８】
１：半導体製造装置本体、２：温度制御装置、３：冷凍機、４：２次冷却水タンク、５：循環ポンプ、６：熱交換器、７：温度センサ、８：２次冷却水供給管、９：２次冷却水回収管、１０：制水弁、１１：電動三方弁、１２：熱交換器側流路、１３：バイパス流路、１４：手動弁、１５：１次冷却水供給管、１６：１次冷却水回収管、１７：温度センサ、２０：温度制御部、２１：差分器、２２：フィードバック制御演算器、２３：電動弁ドライバ、２４：フィードバック制御ゲイン設定器、２５：フィードフォワード制御演算器、２６：加算器、２７：フィードフォワード制御ゲイン設定器、５０、５０'：温度制御装置、２００、２１０：温度制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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