(57)【要約】【課題】  マスクパターンの設計データから、アライメントマークとして使用可能な領域をパターン領域として特定する。【解決手段】  マスクパターンのデータを処理する方法は、マスクパターンのデータ（ＳＦ）を解析し、マスクパターン内から所定の形状で且つ所定の大きさを有するパターン領域（ＢＤ）を特定する。パターン領域（ＢＤ）はアライメントマークとして機能する。【選択図】図１
2008276222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクパターンの設計データを処理するパターンデータの処理方法において、
前記設計データに基づいて、第１方向に第１の基準値以上の大きさを有すると共に、前記第１方向と交差する方向に第２の基準値以上の大きさを有する所定の領域を、パターン領域として特定すること
を備えるパターンデータ処理方法。
【請求項２】
前記設計データに基づいて、パターンエッジに対応する部分を抽出することを更に備え、
前記パターン領域の特定は、前記パターンエッジに対応する部分の位置情報または形状情報の少なくとも一方に基づいて行われる請求項１に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項３】
複数のパターン領域が特定された場合、前記複数のパターン領域の中から、所定数のパターン領域を選択することを更に備える請求項１または２に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項４】
前記所定数のパターン領域の選択は、前記設計データ内における前記複数のパターン領域間の位置関係に基づいて行われる請求項３に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項５】
前記所定数のパターン領域の選択は、前記所定数のパターン領域の分布密度が、前記設計データ内において概均一化するように行われる請求項４に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項６】
前記特定した結果に基づいて、前記設計データ内における前記パターン領域の位置情報を記憶することを更に備える請求項１から５のいずれか一項に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項７】
前記特定した結果に基づいて、前記設計データ内における前記パターン領域の形状情報と前記パターン領域の大きさに関する情報のうちの少なくとも一方を記憶することを更に備える請求項１から５のいずれか一項に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項８】
前記特定した結果に基づいて、前記設計データ内における前記パターン領域の位置情報と、前記設計データ内における前記パターン領域の形状情報と前記パターン領域の大きさに関する情報のうちの少なくとも一方とを互いに対応付けて記憶することを更に備える請求項１から５のいずれか一項に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項９】
前記所定の領域は、その領域内部で前記設計データの値が等しい一つの領域である請求項１から８のいずれか一項に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項１０】
前記所定の領域は、その領域内部に前記設計データの値が互いに異なる第１領域と第２領域を含む請求項１から８のいずれか一項に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項１１】
前記第１領域の前記第１方向の大きさと前記第２領域の前記第１方向の大きさとの少なくとも一方は、第３の基準値以下である請求項１０に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項１２】
前記第３の基準値は、前記第１の基準値の５倍以下である請求項１１に記載のパターンデータ処理方法。
【請求項１３】
電子デバイスを製造する製造方法において、
第１のマスクパターンを被露光体に形成する第１の露光工程と、
請求項１から１１のいずれか一項に記載のパターンデータ処理方法を用いて、前記第１のマスクパターンの設計データから、パターン領域を特定するパターン領域特定工程と、
前記パターン領域特定工程で得られた前記パターン領域に関する情報を用いて、前記第１の露光工程により前記被露光体上に形成された前記第１のマスクパターンの位置情報を決定する位置決定工程と、
前記位置決定工程で得られた前記第１のマスクパターンの位置情報に基づいて、前記被露光体上に、第２のマスクパターンを形成する第２の露光工程と、
を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記位置決定工程は、前記パターン領域に関する前記情報を用いて、パターン位置計測系により、前記被露光体上に形成された前記パターン領域に対応する少なくとも１つのパターン領域を計測する工程を含む請求項１３に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１５】
前記第１の基準値は、前記被露光体上の寸法に換算して、前記パターン位置計測系の分解能以上に設定されることを特徴とする請求項１４に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１６】
前記第２の基準値は、前記被露光体上の寸法に換算して、前記パターン位置計測系の分解能以上に設定されることを特徴とする請求項１４または１５に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１７】
前記第３の基準値は、前記被露光体上の寸法に換算して、前記パターン位置計測系の分解能以下に設定されることを特徴とする請求項１４から１６のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願
本願は、２００７年４月２７日に出願した米国仮出願第６０／９２４，０６１号及び２００８年３月２７日に出願した米国出願１２／０７８，１７８号に基づく優先権を主張する。
【０００２】
本開示は、マスク上に形成されるマスクパターンのパターンデータの処理方法、及び電子デバイスの製造方法に関し、特に、半導体素子などの電子デバイスの製造で用いるフォトマスクのデータ作成及びアライメントに有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
ＬＳＩなどの電子デバイスは、被露光体であるシリコンウエハなどの基板上に何十層もの回路パターンを重ね合わせて製造される。これら各層の回路パターンは、フォトマスク（単にマスクともいう）上に描画されたマスクパターンを、投影露光装置を使用して基板上に転写するリソグラフィ工程において形成される。
【０００４】
この電子デバイスの製造工程中の各リソグラフィ工程では、基板上に存在する回路パターンと新たに転写するパターンとの正確な位置合わせが極めて重要である。そのためには、まず、以前のリソグラフィ工程で基板上にすでに露光された回路パターンの位置を正確に検出する必要がある。
【０００５】
そこで、特許文献１に開示されるように、従来では、基板上に形成すべき回路パターンに加え、この回路パターンと所定の位置関係を持つ専用のアライメントマークとを有するフォトマスクが使用されていた。リソグラフィ工程では、回路パターンと共に、アライメントマークを基板上に露光していた。基板上に形成された回路パターンの位置は、基板上に形成された専用のアライメントマークの位置を計測して検出していた。
【０００６】
基板上でのアライメントマークの配置は、隣接する集積回路の間に存在する約５０μｍから１２０μｍ程度の幅のストリートラインと呼ばれる領域に配置されるのが一般的であった。
【特許文献１】特開２００２−０４３２１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の如く、従来では、フォトマスク上に回路パターンとは別にアライメントマークを設けていた。このために、フォトマスク上にアライメントマークを配置するためのレイアウト設計が必要であった。
【０００８】
また、アライメントマークの配置が、隣接する集積回路の間の領域に限られるため、アライメントマークの配置の自由度が低く、１つの集積回路の中にアライメントマークを配置することも困難であった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで、本開示は、マスク上に形成されるマスクパターン（例えば回路パターン）の設計データに基づいて、アライメントマークとして使用可能な領域を特定するパターンデータの処理方法を提供する。
【００１０】
また、本開示は、マスクパターン（例えば回路パターン）とは別にアライメントマークを設けずとも、基板上のマスクパターンの位置を高精度に計測して、電子デバイスを製造する方法を提供する。
【００１１】
一実施形態のパターンデータ処理方法は、マスクパターンの設計データを処理するパターンデータの処理方法において、その設計データに基づいて、第１方向に第１の基準値以上の大きさを有すると共に、その第１方向と交差する方向に第２の基準値以上の大きさを有する所定の領域を、パターン領域として特定することを特徴とするものである。
【００１２】
一実施形態の電子デバイスの製造方法は、電子デバイスを製造する製造方法において、第１のマスクパターンを被露光体に形成する第１の露光工程と、その第１のマスクパターンの設計データからて、上述したパターンデータ処理方法を用いてパターン領域を特定するパターン領域特定工程と、そのパターン領域特定工程で得られたそのパターン領域に関する情報を用いて、その第１の露光工程によりその被露光体上に形成されたその第１のマスクパターンの位置情報を決定する位置決定工程と、その位置決定工程で得られたその第１のマスクパターンの位置情報に基づいて、被露光体上に、その第１のパターンに位置合せして第２のマスクパターンを形成する第２の露光工程と、を有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
一実施形態のパターンデータ処理方法においては、アライメントマークとして使用可能な領域を、マスクパターンの設計データからパターン領域として特定することができる。
一実施形態の電子デバイスの製造方法においては、マスクパターンとは別にアライメントマークを設けずとも、第１の露光工程、すなわち以前の露光工程で形成した第１のマスクパターンの設計データから、アライメントマークとして使用可能な基板上のパターン領域を特定し、これに基づいて第１のマスクパターンの位置情報を決定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は、マスクに形成されるマスクパターン、例えば回路パターンのパターンデータ（本明細書では、マスク設計データともいう）を処理し、第１方向に第１の基準値以上の大きさを有すると共に、その第１方向と交差する方向に第２の基準値以上の大きさを有する所定の領域を、パターン領域として特定するパターンデータの処理方法を実現するのに好適なハードウエア構成の一例を示す。
【００１５】
なお、マスク設計データ、すなわちマスク描画用のパターンデータとは、半導体集積回路等の製造におけるリソグラフィ工程で使用されるフォトマスク上に形成すべき回路パターンを構成する各パターンの位置情報、形状情報、透過率情報を含む電子情報である。
【００１６】
また、マスク設計データは、マスク描画用のパターンデータに限らず、形状の変更可能なパターンを有する可変マスクで用いられるパターンデータであってもよい。なお、可変マスクには、例えば、ガラス基板上に、微細で開閉可能な多数の窓部を液晶で形成し、液晶を駆動して各窓部の開閉を制御することによって、そのガラス基板上に所望の回路パターンを表示する構成が含まれる。
【００１７】
なお、マスク設計データとしては、上記の如く、フォトマスク上にパターンを形成した際に、透過部となる部分の値が１であり遮光部となる部分の値が０である２値のデータをビットマップ状に配列したビットマップデータ形式（ラスターデータ形式ともいう）を採用することができる。
【００１８】
また、マスク設計データとしては、上記の如きビットマップデータ形式で表されるパターンを、四角形や三角形などの微小な多数の多角形に分割し、各頂点のＸ，Ｙ座標値を記載した形式のＧＤＳ２形式等のベクトルデータ形式のデータを使用することもできる。
【００１９】
なお、本明細書では、ビットマップデータ形式で表されるパターンをビットマップパターンともいう。
図１において、データストレージユニット１０のハードディスクなどの記憶装置１１には、半導体素子などの電子デバイスを製造するための各種マスクパターンのマスク設計データＳＦが格納されている。データストレージユニット１０とメインコンピュータ２０とはネットワークで繋がっており、データストレージユニット１０の記憶装置１１とメインコンピュータ２０との間でマスク設計データＳＦの受け渡しが可能になっている。
【００２０】
マスク設計データＳＦのうち必要な品種の層に対応するマスク設計データＳＦは、データストレージユニット１０から、メインコンピュータ２０へと取り出される。
次に、マスク設計データを処理し、第１方向に第１の基準値以上の大きさを有すると共に、その第１方向と交差する方向に第２の基準値以上の大きさを有する所定の領域を、パターン領域として特定するパターンデータの処理方法の第１の実施形態の詳細について、図２、図３、図４及び図７を用いて説明する。
【００２１】
図２は、パターンデータの処理方法の一例を表わすフローチャートである。
図３は、マスク設計データＳＦに基づいてメインコンピュータ２０のメモリー上に展開されたビットマップパターンの一例を表わす。
【００２２】
図４及び図５は、図３に示した如きメインコンピュータ２０のメモリー上に展開されたビットマップパターンの部分拡大図である。
始めに、図２中のステップＳ２１において、メインコンピュータ２０は、データストレージユニット１０の記憶装置１１から、マスク設計データＳＦを取り出す。
【００２３】
次に、ステップＳ２２において、メインコンピュータ２０は、例えば、マスク設計データがベクトルデータ形式の場合、図３に示す如き二次元の２値のビットマップパターン４０に展開する。一例として、図３中では、データの値が１の部分を灰色で表わし、データの値が０の部分を白色で表わしてある。
【００２４】
なお、マスク設計データＳＦがビットマップデータ形式であれば、ステップＳ２２は不要である。
以降、判断点ＤＰを、このビットマップパターン４０上で走査させることにより、マスク設計データから所望の領域を特定する。その走査方向は、図３及び図４中に示したＸ方向であり、これを第１の方向と見ることもできる。そして、Ｘ方向に直交するＹ方向を第２の方向と見ることもできる。
【００２５】
ステップＳ２３において、メインコンピュータ２０は、ビットマップパターン４０上での判断点ＤＰのＹ座標を初期化する。すなわち、判断点ＤＰのＹ方向の初期位置を、例えば図３中の下端に設定する。
【００２６】
ステップＳ２４において、メインコンピュータ２０は、ビットマップパターン４０上での判断点ＤＰのＸ座標を初期化する。すなわち、判断点ＤＰのＸ方向の初期位置を、例えば図３中の左端に設定する。
【００２７】
そして、後述するように、メインコンピュータ２０は、判断点ＤＰのＸ座標を順次加算し、判断点ＤＰを、ビットマップパターン４０上において、図３及び図４に示した＋Ｘ方向に移動させる。
【００２８】
そして、ステップＳ２５において、メインコンピュータ２０は、判断点ＤＰがビットマップパターン４０上の任意のパターンの第１のエッジを検出したか否かを判断する。
第１のエッジとは、そのエッジに対して−Ｘ方向に隣接する位置ではビットマップパターン４０のデータが０であり、そのエッジに対して＋Ｘ方向に隣接する位置ではビットマップパターン４０のデータが１となる部分を言う。
【００２９】
ここで、図４を用いて、ビットマップパターンのパターンのエッジの検出方法の詳細について説明する。
図４（Ａ）は、判断点ＤＰと、メインコンピュータ２０のメモリー上に展開されたビットマップパターン４０の関係を表わした図である。判断点ＤＰは、ビットマップパターン４０に対し、Ｙ座標値をＹ０に保ったまま、＋Ｘ方向に順次移動、すなわち走査する。
図４（Ａ）の状態では、走査動作中の前回の値、すなわち−Ｘ方向に１つ隣の判断点ＤＰ´における値が０であり、今回の判断点ＤＰにおける値も０である。メインコンピュータ２０は、判断点ＤＰがパターンＥＷのエッジを横切ったとは判断しない。すなわち、メインコンピュータ２０は、パターンＥＷのエッジを検出したとは判断しない。
【００３０】
図４（Ｂ）は、判断点ＤＰが＋Ｘ方向にさらに走査し、パターンＥＷの１つのエッジに差し掛かった状態を表わす図である。この場合、走査動作中の前回の判断点ＤＰ´における値が０であり、今回の判断点ＤＰにおける値が１である。従って、メインコンピュータ２０は、判断点ＤＰがパターンＥＷの第１のエッジを横切ったことを検出する。そして、この場合にはステップＳ２６に進み、メインコンピュータ２０は、このときの判断点ＤＰのＸ座標Ｘ１を記憶する。
【００３１】
次に、ステップＳ２７において、メインコンピュータ２０は、判断点ＤＰがビットマップパターン４０上の任意のパターンの第２のエッジを検出したか否かを判断する。
第２のエッジとは、そのエッジに対して−Ｘ方向に隣接する位置ではビットマップパターン４０のデータが１であり、そのエッジに対して＋Ｘ方向に隣接する位置ではビットマップパターン４０のデータが０となる部分を言う。
【００３２】
図４（Ｂ）に示した状態では、判断点ＤＰは第２のエッジとは一致していない。
しかし、後述するように判断点ＤＰがさらに＋Ｘ方向に走査した場合には、図４（Ｃ）に示すごとく、判断点ＤＰはパターンＥＷの第２のエッジと一致する。すなわち、図４（Ｃ）に示した状態では、判断点ＤＰでのビットマップデータ４０の値が０となる。そして、走査動作中の前回の判断点ＤＰ´における値は１であることから、メインコンピュータ２０は、判断点ＤＰがパターンＥＷの第２のエッジを横切ったことを検出する。
【００３３】
この場合にはステップＳ２８に進み、メインコンピュータ２０は判断点ＤＰのＸ座標から１を減算したＸ座標Ｘ２を記憶する。そして、さらにステップＳ２９に進み、検出された２つのＸ座標Ｘ１及びＸ２から、パターンＥＷの大きさを表すＸ方向の第１の幅Ｗｘを算出する。例えば、コンピュータ２０は、Ｘ座標の差（Ｘ２−Ｘ１）を算出する。
【００３４】
そして、ステップＳ３０に進み、メインコンピュータ２０は、上記の第１の幅Ｗｘが第１の基準値以上であるかを判断する。なお、第１の基準値の詳細については、後述する。
また、第１の幅Ｗｘが第１の基準値より小さい場合にはステップＳ３４に移動する。
【００３５】
一方、第１の幅Ｗｘが第１の基準値以上である場合にはステップＳ３１に進み、そのパターンＥＷの大きさを表すＹ方向（第２の方向）についての第２の幅Ｗｙを計測する。ここで、第２の幅Ｗｙの計測方法について、図５及び図６を参照して説明する。
【００３６】
図５（Ａ）は、図４と同様に、ビットマップパターン４０中のパターンＥＷを拡大して表わした図である。ステップＳ２５の処理及びステップＳ２７での処理により、既にＹ座標値がＹ０である線上における第１のエッジＡ及び第２のエッジＢが特定されている。
【００３７】
以下、図６に示した、ステップＳ３１における処理の詳細を表わすフローチャートを併用して説明する。
ステップＳ３１においては、メインコンピュータ２０は、始めにサブステップＳ３１１において、第１のエッジＡの−Ｘ方向に第１判断点ＤＰ１を設定すると共に、第１のエッジＡの＋Ｘ方向に第２判断点ＤＰ２を設定する。そして、サブステップＳ３１２において第１判断点ＤＰ１及び第２判断点ＤＰ２のＹ座標をインクリメント（１加算）し、サブステップＳ３１３において、第２判断点ＤＰ２の位置におけるビットマップデータ４０の値が１か否かを判断する。この第２判断点ＤＰ２の値が１であれば第１のエッジＡは＋Ｙ方向に延びているため、サブステップＳ３１２に戻る。なお、パターンＥＷでは、第１のエッジＡの−Ｘ方向に設定された第１判断点ＤＰ１の値は、常に０である。
【００３８】
一方、この第２判断点ＤＰ２の値が０であれば第１のエッジＡは＋Ｙ方向の終端であると考えられるため、ステップＳ３１４に移行し、現在の第２判断点ＤＰ２のＹ座標Ａ１を記憶する。
【００３９】
次に、メインコンピュータ２０はサブステップＳ３１５において、第２のエッジＢの−Ｘ方向に第１判断点ＤＰ１を設定すると共に、第２のエッジＢの＋Ｘ方向に第２判断点ＤＰ２を設定する。そして、サブステップＳ３１６において第１判断点ＤＰ１及び第２判断点ＤＰ２のＹ座標をインクリメント（１加算）し、サブステップＳ３１７において第１判断点ＤＰ１及び第２判断点ＤＰ２の位置におけるビットマップデータ４０の値が１か否かを判断する。第１判断点ＤＰ１の値が１であり、かつ第２判断点ＤＰ２の値が０であれば第２のエッジＢはＹ方向に延びているため、サブステップＳ３１６に戻る。
【００４０】
一方、第１判断点ＤＰ１及び第２判断点ＤＰ２の値が０であれば、第２のエッジＢは＋Ｙ方向の終端であると考えられるため、サブステップＳ３１８に移行し、現在の判断点ＤＰのＹ座標Ｂ１を記憶する。
【００４１】
そして、サブステップＳ３１９において、上記Ａ１とＢ１のうちの小さい方を、Ｙ座標の上端Ｙ１として記憶する。
次に、サブステップＳ３２０に移り、メインコンピュータ２０は、再度、第１のエッジＡの−Ｘ方向に第１判断点ＤＰ１を設定すると共に、第１のエッジＡの＋Ｘ方向に第２判断点ＤＰ２を設定する。そして、サブステップＳ３２１において第１判断点ＤＰ１及び第２判断点ＤＰ２のＹ座標をデクリメント（１減算）し、サブステップＳ３２２において、第２判断点ＤＰ２の位置におけるビットマップデータ４０の値が１か否かを判断する。この第２判断点ＤＰ２の値が１であれば第１のエッジＡの−Ｙ方向に延びているため、サブステップＳ３２１に戻る。なお、パターンＥＷでは、第１のエッジＡの−Ｘ方向に設定された第１判断点ＤＰ１の値は、常に０である。
【００４２】
一方、この第２判断点ＤＰ２の値が０であれば第１のエッジＡは−Ｙ方向の終端であると考えられるため、ステップＳ３２３に移行し、現在の第２判断点ＤＰ２のＹ座標Ａ２を記憶する。
【００４３】
次に、メインコンピュータ２０はサブステップＳ３２４において、第２のエッジＢの−Ｘ方向に第１判断点ＤＰ１設定すると共に、第２のエッジＢの＋Ｘ方向に第２判断点ＤＰ２を設定する。そして、サブステップＳ３２５において第１判断点ＤＰ１及び第２判断点ＤＰ２のＹ座標をデクリメント（１減算）し、サブステップＳ３２６において第１判断点ＤＰ１及び第２判断点ＤＰ２の位置におけるビットマップデータ４０の値が１か否かを判断する。第１判断点ＤＰ１の値が１であり、かつ第２判断点ＤＰ２の値が０であれば第２のエッジＢはＹ方向に延びているため、サブステップＳ３２５に戻る。
【００４４】
一方、第１判断点ＤＰ１及び第２判断点ＤＰ２の値が１であれば、第２のエッジＢは−Ｙ方向の終端であると考えられるため、サブステップＳ３２７に移行し、現在の判断点ＤＰのＹ座標Ｂ２を記憶する。
【００４５】
そして、サブステップＳ３２８において、上記Ａ２とＢ２のうちの大きい方を、Ｙ座標の下端Ｙ２として記憶する。
最後に、サブステップＳ３２９において、上記のＹ１とＹ２の差を算出し第２の幅Ｗｙとする。
【００４６】
その後、ステップＳ３２に進み、メインコンピュータ２０は、第２の幅Ｗｙが第２の基準値以上か否かを判断する。
第２の幅Ｗｙが第２の基準値より小さい場合にはステップＳ３４に移動する。
【００４７】
一方、第２の幅Ｗｙが第２の基準値以上であれば、メインコンピュータ２０はステップＳ３３に進み、図５（Ｂ）中に斜線で示したＸ座標がＸ１からＸ２までであってＸ座標がＹ２からＹ１までの領域を、パターン領域ＢＤとして特定する。
【００４８】
すなわち、パターン領域ＢＤとは、一例として、マスク設計データの中のパターン、またはそのパターンの中に含まれる部分領域であって、その第１方向の幅が第１の基準値以上であり、かつ、その第２方向の幅が第２の基準値以上である領域である。
【００４９】
このようなパターン領域ＢＤは、そのＸ方向の両端が第２方向（Ｙ方向）に平行な１組のパターンエッジにより規定され、かつ第１方向（Ｘ方向）の幅が第１の基準値以上である。そして、そのＹ方向についても第２の基準値以上の幅を有する。
【００５０】
従って、このようなパターン領域ＢＤがマスクに描画され、それがウエハ等の被露光体に露光転写された際には、被露光体に形成されたパターンのＸ方向の位置を計測するためのパターンとして使用することができる。
【００５１】
メインコンピュータ２０は、パターン領域ＢＤの位置情報、すなわち、パターン領域ＢＤの各頂点の座標である上記のＸ座標がＸ１及びＸ２、Ｙ座標がＹ１及びＹ２や、パターン領域ＢＤの中心座標及び第１の幅Ｗｘ、第２の幅Ｗｙなどの少なくとも一つを記憶する。また、それぞれの位置情報及びそれぞれの座標を対応付けて記憶してもよい。
【００５２】
なお、パターン領域ＢＤはマスク設計データ上に、複数存在する場合もあるので、１つのパターン領域ＢＤを特定した後も、引き続き、他のパターン領域ＢＤの特定を繰り返す。
【００５３】
即ち、ステップＳ３４に移行し、メインコンピュータ２０は、判断点ＤＰのビットマップパターン４０上のＸ座標をインクリメント（１加算）し、ステップＳ３５で、判断点ＤＰのＸ座標が終端、すなわち図３に示したビットマップパターン４０の右端に達したか否かを判断する。
【００５４】
そして、判断点ＤＰのＸ座標が終端に達していなければ、ステップＳ２５に戻り、再度パターンエッジの判定を繰り返す。
一方、判断点ＤＰのＸ座標が終端に達していればステップＳ３６に進み、判断点ＤＰのＹ座標に所定量の加算を行なう。ここで所定量とは１であってもよく、あるいは、処理対象であるマスク設計データに含まれるパターンの最小線幅かその最小線幅の半分程度の値とすることもできる。なお、この最小線幅は、例えば、本処理の開始に先立って、オペレーターがメインコンピュータ２０に入力してもよい。
【００５５】
そして、ステップＳ３７に進み、判断点ＤＰのＹ座標が終端、すなわち図３に示したビットマップパターン４０の上端に達したか否かを判断する。
そして、判断点ＤＰのＹ座標が終端に達していなければ、ステップＳ２４に戻り、再度パターンエッジの判定を繰り返す。
【００５６】
一方、判断点ＤＰのＹ座標が終端に達していれば、ビットマップパターン４０のすべてについて処理が完了しているため、処理を終了する。
ここで、上記の処理でパターン領域ＢＤの特定に際し採用した、第１の基準値、及び第２の基準値の例について説明する。
【００５７】
上述の如く、パターン領域ＢＤは、マスク上に、マスクパターン、またはその一部として形成され、その後にウエハ等の被露光体に転写されることを前提とした領域である。そして、被露光体に転写されたパターン領域ＢＤに対応する領域は、露光装置等のパターン位置計測系により、その位置が計測されることを想定している。
【００５８】
従って、パターン領域ＢＤの大きさ（Ｘ方向またはＹ方向の幅）は、上記の如くパターン領域ＢＤが最終的に被露光体に露光転写された領域の大きさが、露光装置等のパターン位置計測系の分解能以上の大きさとなることが好ましい。
【００５９】
マスクを被露光体に露光転写する露光装置の位置計測系としては、一例として、開口数が０．３程度、検出波長が５５０ｎｍの光学顕微鏡が使用される。従って、その解像度は、使用波長／開口数であり、５５０ｎｍ／０．３すなわち１８００ｎｍ程度である。また、マスクからウエハ等の被露光体への縮小率は４倍程度であるので、パターン領域ＢＤの大きさは、マスク上に換算すると７μｍ程度以上であることが望ましい。
【００６０】
従って、上記の第１の基準値、及び第２の基準値は、いずれも処理対象のマスク設計データが、マスク上にパターンとして描画された際に、マスク上で７μｍ程度以上の大きさに対応する値であることが望ましい。
【００６１】
ところで、上記の如く特定されたそれぞれのパターン領域ＢＤは、その内部にビットマップパターン４０のデータが０である領域、すなわち、データが１である領域とは異なる領域を包含している可能性もある。
【００６２】
そこで、上記の処理方法に加えて、さらに以下の処理を行ない、その内部にビットマップパターン４０のデータが０である領域を除外してパターン領域ＢＤを決定する処理、すなわちパターン領域ＢＤの検証を行なうこともできる。
【００６３】
以下、この検証方法について、図７及び図８を用いて説明する。
図７は、この検証方法のフローチャートであり、図８は、上記の如く特定されたパターン領域であって、その内部にデータが０である領域ＦＢＤを有するパターン領域ＢＤ１を表わす図である。
【００６４】
始めにステップＳ４１において、メインコンピュータ２０は、任意のレジスター中に変数Ｙｍｉｎ及び変数Ｙｍａｘを割り当て、これに、パターン領域ＢＤ１のＹ座標の下限値Ｙ２及び上限値Ｙ１をそれぞれ代入する。
【００６５】
次に、ステップＳ４２において、メインコンピュータ２０は、判断点ＤＰのビットマップパターン４０上のＸ座標を、パターン領域ＢＤ１のＸ座標の下限値Ｘ１に設定する。そして、ステップＳ４３に進み、メインコンピュータ２０は、判断点ＤＰのビットマップパターン４０上のＹ座標を、前述のＹ座標Ｙ０に設定する。
【００６６】
続いて、ステップＳ４４では、メインコンピュータ２０は、判断点ＤＰのビットマップパターン４０上のＹ座標をインクリメント（１加算）する。そして、ステップＳ４５において、判断点ＤＰのＹ座標がパターン領域ＢＤ１の上限値Ｙ１より大きいか否かを判断し、大きければステップＳ４９に移行する。
【００６７】
一方、判断点ＤＰのＹ座標が上限値Ｙ１以下であれば、ステップＳ４６に進み、判断点ＤＰの位置でのビットマップパターン４０の値を検出する。そして、ステップＳ４７では、この値が１か否かを判断し、値が１であればステップＳ４４以降のステップを繰り返す。
【００６８】
一方、値が１でない、すなわち０である場合にはステップＳ４８に進む。そして、メインコンピュータ２０は、その時点での判断点ＤＰのＹ座標がレジスター中の変数Ｙｍａｘより小さければ、変数Ｙｍａｘに、０の値を検出した時の判断点ＤＰのＹ座標を代入する。
【００６９】
その後、ステップＳ４９及びステップＳ５０に進み、メインコンピュータ２０は、判断点ＤＰのビットマップパターン４０上のＹ座標を、再度、前述のＹ座標Ｙ０に設定する。
続いて、ステップＳ５１では、メインコンピュータ２０は、判断点ＤＰのビットマップパターン４０上のＹ座標をデクリメント（１減算）する。そして、ステップＳ５２において、判断点ＤＰのＹ座標がパターン領域ＢＤ１の下限値Ｙ２より小さいか否かを判断し、小さければステップＳ５６に移行する。
【００７０】
一方、判断点ＤＰのＹ座標が下限値Ｙ２以上であれば、ステップＳ５３に進み、判断点ＤＰの位置でのビットマップパターン４０の値を検出する。そして、ステップＳ５４では、この値が１か否かを判断し、値が１であればステップＳ５１以降のステップを繰り返す。
【００７１】
一方、値が１でない、すなわち０である場合にはステップＳ５５に進む。そして、メインコンピュータ２０は、その時点での判断点ＤＰのＹ座標がレジスター中の変数Ｙｍｉｎより小さければ、変数Ｙｍｉｎに、０の値を検出した時の判断点ＤＰのＹ座標を代入する。そして、ステップＳ５６に進み、判断点ＤＰのＸ座標を所定の値だけ加算する。ここでも所定量は１であってもよく、あるいは、処理対象であるマスク設計データに含まれるパターンの最小線幅かその最小線幅の半分程度の値とすることもできる。
【００７２】
そして、ステップＳ５７に進み、判断点ＤＰのＸ座標がパターン領域ＢＤ１の上限値Ｘ２より大きいか否かを判断する。そして、判断点ＤＰのＸ座標が上限値Ｘ２以下であれば、ステップＳ４３以降のステップを繰り返す。
【００７３】
一方、判断点ＤＰのＸ座標が上限値Ｘ２より大きい場合には、この検証は終了する。
図８（Ｂ）は、上記のステップＳ４３からステップＳ５７までの動作を模式的に表わす図である。すなわち、判断点ＤＰは、ビットマップパターン４０上のパターン領域ＢＤ１上をＹ方向及びＸ方向に順次移動し、パターン領域ＢＤ１内にビットマップパターンの値が０となる領域の存在の有無を検出する動作を行なう。
【００７４】
上記の検証の結果として、メインコンピュータ２０には、修正された変数Ｙｍｉｎ及び変数Ｙｍａｘが記憶されている。そして、これらの変数は、それぞれパターン領域ＢＤ１から値が０である領域ＦＢＤを除外した最大の長方形領域のＹ方向の下限値とＹ方向の上限値を表わすものである。
【００７５】
図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示したパターンＥＷ１及びパターン領域ＢＤ１の場合には、上記検証により、変数Ｙｍｉｎの値はＹ２より増加するが、変数Ｙｍａｘの値はＹ１と等しい。そして、パターン領域ＢＤ１から値が０である領域ＦＢＤを除外した最大の長方形領域は、図８（Ｃ）に斜線で示したパターン領域ＢＤ２となる。
【００７６】
そこで、パターン領域ＢＤ１に代えて、パターン領域ＢＤ２を新たにパターン領域として特定し、パターン領域ＢＤ１の位置情報に代えて、パターン領域ＢＤ２の位置情報を記憶することもできる。
【００７７】
なお、上記の検証は、図２に示したマスク設計データの処理方法が全て終了した後に行なうことも可能である。あるいは、図２のステップＳ３３において、パターン領域ＢＤを特定する前に行なうことも可能である。
【００７８】
以上で説明したパターン領域の特定方法は、特定されたパターン領域内におけるビットマップパターンの設計データ、すなわちマスク設計データの値がすべて等しく１になるような特定方法である。
【００７９】
ところで、パターン領域ＢＤは、それがマスクのパターンの一つの領域として形成され、その後にウエハ等の被露光体に露光転写されるべきものである。そして、露光装置等のパターン位置計測系により、ウエハに形成されているパターン中で、パターン領域ＢＤに対応する部分の位置を計測することを想定したものである。従って、パターン領域ＢＤは、その内部にデータ（０か１）の異なる領域を多少含んでいても構わない。被露光体上に換算したその領域の大きさが、露光装置等のパターン位置計測系の分解能に比べて小さな値であるなら、パターンの位置の計測精度に悪影響を及ぼさないためである。
【００８０】
よって、以下、その内部にマスク設計データの値が０である領域と１である領域とを共に含むことを許容したパターン領域ＢＤの特定方法について、図９を用いて説明する。
図９（Ａ）は、Ｘ方向に線幅ａを有するラインパターンが、Ｘ方向に間隔Ｗ５３をもって複数配列された、いわゆるラインアンドスペースパターンＥＷ１のビットマップパターンを表わす図である。
【００８１】
前述の如く、間隔Ｗ５３を被露光体上に換算した大きさが露光装置等のパターン位置計測系の分解能に比べて小さな値であるなら、パターンＥＷ１もパターン領域として特定し、それが露光転写された後には、被露光体上に形成されたパターンの位置の計測に使用することができる。
【００８２】
以下、図２を参照しつつ、パターンＥＷ１をパターン領域として特定する第２の実施形態について説明する。
ただし、本例の方法と図２の方法とは、ステップＳ２７における第２のエッジの検出の方法が異なるだけであるので、その相違点に限って説明する。
【００８３】
本例の場合、ステップＳ２７において第２のエッジを検出した場合、その後も、ステップＳ２５の如き第１のエッジの検出を行ないながら判断点ＤＰの＋Ｘ方向への走査を第３の基準値の回数だけ継続する。そして、この間に第１のエッジが検出された場合には、上記の第２のエッジは検出されなかったものとしてステップＳ３４に進む。
【００８４】
これにより、間隔Ｗ５３が、第３の基準値より小さいものであれば、ラインアンドスペースパターンＥＷ１を、あたかもＸ方向に連続したパターンであるかのごとく検出し、図９（Ｂ）に示したパターン領域ＢＤ３として特定することができる。
【００８５】
そして、第３の基準値は、上述の如く被露光体上に換算した大きさが露光装置等のパターン位置計測系の分解能以下であることが好ましい。すなわち、例えば、マスク上に換算すれば７μｍ程度以下であることが好ましい。
【００８６】
さらに、この場合には、前述の第１の基準値と第２の基準値の各々は、第３の基準値に対して十分に大きいことが好ましい。そうでない場合には、データが０となる領域に悪影響が相対的に大きくなり、パターン領域に相当する被露光体上の領域を使用した位置計測の精度が低下するからである。このため、一例として、第１の基準値または第２の基準値は、第３の基準値の５倍より大きいことが好ましい。
【００８７】
次に、図９（Ｃ）は、図９（Ａ）に示したラインアンドスペースパターンに対し、データが０である部分領域ＦＢＤ２を有する変形ラインアンドスペースパターンＥＷ２を表わす図である。
【００８８】
このようなパターンＥＷ２は、図７の検証方法を変形した変形検証方法を第２の実施形態に適用することでパターン領域として特定することができる。
以下、その変形検証方法について、前述の検証方法との相違点を説明する。
【００８９】
変形検証方法においては、図７のステップＳ５６における判断点ＤＰのＸ座標の加算の後、その判断点ＤＰの位置におけるビットマップパターン４０の値が０か１かを判断する。そして、値が０であれば、判断点ＤＰは変形ラインアンドスペースパターンＥＷ２の各ライン間の間隔部分にあるため、判断点ＤＰのＸ座標をさらに加算し、再度、その判断点ＤＰの位置におけるビットマップパターン４０の値が０か１かを判断する。
【００９０】
上記Ｘ座標の加算及び判断を繰り返し、ビットマップパターン４０の値が１になった場合に、ステップＳ５７に進む。
これにより、図９（Ｃ）に示す如き、データが０である部分領域ＦＢＤ２を有する変形ラインアンドスペースパターンＥＷ２に対しても、その一部を、図９（Ｄ）に示したパターン領域ＢＤ４として特定することができる。
【００９１】
ところで、上記の如きラインアンドスペースパターンの変形として、図９（Ｅ）に示した如く、それを構成するラインパターンの一部が曲線となるパターンＥＷ３も存在する。このようなパターンは、Ｘ方向の両端部がＹ軸に平行でないため、被露光体への露光転写後にＸ方向の位置を計測するためのパターンとして必ずしも適してはいない。しかし、他により適したパターンが存在しない場合には、このような図９（Ｅ）中のパターンＥＷ３の如きパターンも、パターン領域として特定する必要がある。
【００９２】
このようなパターンをもパターン領域として特定するためには、前述のパターンデータの処理方法の第１の実施形態及び第２の実施形態におけるステップＳ３１の処理を以下のように変形すれば良い。
【００９３】
すなわちステップＳ３１における第２の幅Ｗｙの計測に際し、ステップＳ２５で検出した第１のエッジを基準としてＹ方向に伸びるエッジＥＬ１とステップＳ２７で検出した第２のエッジを基準としてＹ方向に伸びるエッジＥＬ２のＸ座標が、Ｙ座標の変化に伴って変動した場合であっても、その変動が、例えば最小線幅の半分程度以内であれば、そのＹ方向エッジは連続したエッジであるとして第２の幅Ｗｙの計測を行なうものとすればよい。
【００９４】
これにより、図９（Ｅ）に示す如き、ラインパターンの一部が曲線となるパターンＥＷ３に対しても、その一部を、図９（Ｆ）に示したパターン領域ＢＤ５として特定することができる。
【００９５】
なお、そのときには、ステップＳ２６で記憶した第１のエッジのＸ座標Ｘ１を上記のＹ方向エッジＥＬ１のＸ座標の平均値に置き換え、ステップＳ２８で記憶した第２のエッジのＸ座標Ｘ２を上記のＹ方向エッジＥＬ２のＸ座標の平均値に置き換えることが望ましい。
【００９６】
ところで、マスク設計データの中には、ラインパターンを含まず、いわゆるホールパターンのみを含むものも存在する。このようなマスク設計データは、上述の如きラインパターンの集合体や、比較的大きなパターンを含まないため、これらまたはこれらの一部を、パターン領域として特定することができない。
【００９７】
そのため、これらのマスク設計データからは、ホールパターンの集合体をパターン領域として特定することが必要となる。
そこで、以下、図１０を用いてホールパターンの集合体をパターン領域として特定するパターンデータの処理方法の変形例について説明する。図１０（Ａ）は、微小な正方形パターンであるホールパターンが、Ｘ方向に７列及びＹ軸方向に８列並んだ、ホールパターンの集合体ＥＷ５を含むビットマップパターンを表わす図である。それぞれのホールパターンの１辺の長さはａであり、それぞれの間隔Ｗ６３もほぼａに等しいものとする。
【００９８】
なお、本変形例における処理は、概ね前述の第２の実施形態における処理と同様であるので、それとの相違点のみを説明する。
本例においては、図６に詳細を示したステップＳ３１の中のサブステップＳ３１２及びサブステップＳ３１３における処理を以下の用に修正する。すなわち、サブステップＳ３１３において、判断点ＤＰの位置でのビットマップデータ４０の値が０であっても、前述の第３の基準値の回数だけ、サブステップＳ３１２とサブステップＳ３１３の処理を繰り返す。そして、その所定回数の間に、判断点ＤＰの位置でのビットマップデータ４０の値が１にならなかった場合に限り、サブステップＳ３１４に進み判断点ＤＰのＹ座標Ａ１を記憶するものとする。
【００９９】
そして、サブステップＳ３１６とサブステップＳ３１７、サブステップＳ３２１とサブステップＳ３２２、サブステップＳ３２５とサブステップＳ３２６の、各部分においても、サブステップＳ３１２とサブステップＳ３１３について行なった上記の修正と同様な修正を行なう。
【０１００】
これにより、ホールパターンの集合体ＥＷ５のようなパターンであっても、そのＹ方向の間隔Ｗ５３が第３の基準値より小さければ、あたかもＹ方向に連続したパターンであるかのごとく検出し、図１０（Ｂ）に示したパターン領域ＢＤ６として特定することができる。
【０１０１】
なお、この処理方法の変形例に対し、特定されたパターン領域の内部からデータが０である領域を除外するための、前述の変形検証方法を適用することもできる。
これにより、図１０（Ｃ）に示す如く、その内部にデータが０である領域ＦＢＤ３，ＦＢＤ４，ＦＢＤ５，ＦＢＤ６を有するホールパターンの集合体ＥＷ６から、図１０（Ｄ）に示したパターン領域ＢＤ７として特定することができる。
【０１０２】
ところで、以上の処理方法の各例において、特定したパターン領域ＢＤの数が、当初想定した数より多い場合には、それら多数のパターン領域ＢＤから、さらに好ましいパターン領域ＢＤを選定することもできる。
【０１０３】
これには、例えば、その大きさ（第１方向の幅または第２方向の幅）が大きい順に、所定数（例えば１０から１００程度）のパターン領域ＢＤを選ぶこともできる。
あるいは、ビットマップパターン４０上で、パターン領域ＢＤができるだけ均一な分布密度になるように、所定数のパターン領域ＢＤを選ぶこともできる。より具体的には、例えばビットマップパターン４０をＸ方向及びＹ方向に所定数に分割（例えば８分割から３０分割程度）し、分割された各領域の中で、それぞれ大きさが最大であるパターン領域ＢＤを選ぶこともできる。
【０１０４】
なお、以上の例においては、そのバックグラウンドが０で、パターン部分が１であるビットマップパターンについてのみ、データ処理を行うものとしたが、バックグラウンドが１で、パターン部分が０であるビットマップパターンについても同様に本実施形態を採用することができることは言うまでもない。
【０１０５】
以上の様に決定されたパターン領域ＢＤは、Ｘ方向の両端にＹ方向に平行なエッジを有するパターン、またはその一部であるから、それがマスクに形成され、ウエハ等の被露光体に露光転写された際には、Ｘ方向の位置の計測に適した領域である。しかし、それがＹ方向の位置の計測に適した領域であるとは限らない。
【０１０６】
例えば、図５（Ｂ）に示したパターン領域ＢＤは、そのＸ方向の両端にＹ方向に平行なエッジを有するため、Ｘ方向の位置の計測には適する形状である。しかし、Ｙ方向の位置の計測に使用しようとすれば、パターン領域ＢＤのＹ方向の両端に存在するパターン（パターンＥＷの一部）が障害となって、高精度な位置計測が困難となる場合もある。
【０１０７】
そこで、上記のＸ方向の位置の計測に適したパターン領域の特定と併せて、別途、Ｙ方向の位置の計測に適したパターン領域の特定も行なうことが望ましい。このようなＹ方向の位置の計測に適したパターン領域の特定は、以上で説明した処理方法の各例において、Ｘ座標とＹ座標とを相互に入れ替えることにより実現できる。
【０１０８】
また、マスクパターンとして、ＯＰＣ（optical proximity correction）処理を施したパターンの中から、パターン領域を特定することも可能である。ＯＰＣ処理を施したパターンとして、例えば、マスクパターンのコーナー部や、隣り合うパターンから所定間隔以上離れている部分に補正用のパターンを追加したマスクパターンや、リソグラフィ・シミュレータや実験データに基づいて、補正パターンを生成したマスクパターンや、パターンの角が丸くなるのを防ぐ「シェリフ・パターン」や「ハンマーヘッド・パターン」、パターンの線幅変動を補正する「バイアス」などを加えたマスクパターン等がある。
【０１０９】
次に、図１１を用いて、本発明の電子デバイスの製造方法の第１の実施形態について説明する。
図１１は、本実施形態の電子デバイスの製造方法に使用して好適な露光装置の概略構成を示す図である。この露光装置８０は、照明光学系８１と、マスクステージ８２と、投影光学系８３と、基板ステージ８４と、位置計測系の一例であるウエハアライメント顕微鏡８５とを備える。この露光装置８０は、基板ステージ８４に載置したウエハＰＬ上に、マスクステージ８２に設けたマスクＭのマスクパターンを投影する。露光装置８０は、６５ｎｍの解像度でマスクパターンをウエハＰＬ上に露光することができる。
【０１１０】
また、ウエハアライメント顕微鏡８５は、一例として開口数が０．３の光学顕微鏡であり、その検出波長は５５０ｎｍ程度である。
ここで、照明光学系８１は、光源、コリメートレンズ、フライアイ光学系等を有し、マスクに紫外光を照射する。また、光源は、ＡｒＦレーザ、ＫｒＦレーザ及び高圧水銀ランプなどが使用される。光源制御部９１は、光源の光量や、照明光学系のレンズ移動などの制御を行う。
【０１１１】
マスクステージ８２はマスクＭを支持し、マスクステージ８２の動作を制御するマスク制御部９２を備える。
投影光学系８３は、照明光ＩＬによって照明されたマスクＭのマスクパターンを適当な倍率（例えば１／４倍）でウエハＰＬ上に投影する。
【０１１２】
基板ステージ８４は、ウエハＰＬを載置し、ウエハＰＬを投影光学系８３に対して移動する。基板ステージ制御部９４は、基板ステージ８４を駆動して、ステップ・アンド・リピート方式の露光をすることができる。また、マスク制御部９２及び基板ステージ制御部９４が、基板ステージ８４とマスクステージ８２とを同期移動させて、ステップ・アンド・スキャン方式の露光をすることができる。
【０１１３】
基板ステージ８４には、移動鏡８６が載置されており、レーザ干渉計９６は、移動鏡８６からの反射光によって基板ステージ８４の位置を数ｎｍ以下の精度で検出することができる。アライメント光学系としてのウエハアライメント顕微鏡８５の検出結果とともに、レーザ干渉計９６からの基板ステージ８４の位置結果に基づいて、マスクパターンのパターン領域ＢＤのＸＹ座標を検出する。
【０１１４】
主制御部９８は、照明光源を含む照明光学系８１、マスクステージ８２、投影光学系８３、基板ステージ８４等を適当なタイミングで動作させて、ウエハＰＬ上の適所にマスクパターンを投影させる。主制御部９８には、ハードディスク等の記憶部９９が内蔵されており、また、主制御部９８は、データストレージユニット１０と通信ができる。
【０１１５】
ＬＳＩの如き電子デバイスの製造においては、このような露光装置を使用してマスクＭ上のパターンをウエハＰＬに露光転写する露光工程、および、それに付随する現像工程、エッチング工程、成膜工程等を、２０回以上繰り返す。
【０１１６】
本実施形態における電子デバイスの製造方法においては、先ず、少なくとも１つの露光工程ＥＸＰ１において、所定の第１のマスクパターンの設計データに基づいて形成された第１のマスクを用いて、その第１のマスクパターンをウエハＰＬ上に露光転写する。そして、現像工程、エッチング工程、成膜工程等を行なう。
一方、これに先立ち、あるいはその後に、第１のマスクパターンの設計データから上述のパターンデータ処理方法を用いて所定数のパターン領域を特定し、それらのパターン領域の位置情報、あるいはさらに形状情報を前述のデータストレージユニット１０に記憶させておく。
【０１１７】
その後、上述の露光工程ＥＸＰ１より後に行われる露光工程ＥＸＰ２において、第２のマスクを用いて第２のマスクパターンを、ウエハＰＬ上に形成されている第１のパターンに対して位置合せして露光転写する。この露光工程ＥＸＰ２において、第１のマスクパターンの位置を計測するために、上述のパターン領域の位置情報、あるいは形状情報を使用する。  すなわち、露光装置の主制御部９８は、データ回線等を通じてデータストレージユニット１０に記憶された、第１のマスクパターンの設計データから特定されたパターン領域の位置情報、あるいは形状情報を読み込む。
なお、第１のマスクパターンの位置を計測するために、パターン領域の位置情報及び形状情報の両方を使用してもよい。
【０１１８】
そして、露光装置の主制御部９８は、それらの情報に基づいて、ウエハＰＬ上に形成されている第１のマスクパターンの中での、それらのパターン領域に対応する部分（以下、計測対象部分という）の位置を特定する。そして、基板ステージ制御部９４を介して基板ステージを駆動し、ウエハＰＬ上の複数の計測対象部分を、順次ウエハアライメント顕微鏡８５の位置に移動し、それらの計測対象部分の位置を計測する。
【０１１９】
その後、露光装置の主制御部９８は、計測対象部分の位置の計測結果に基づいて、例えばＥＧＡ等の統計処理を行ない、ウエハＰＬ上に形成されている第１のパターンの位置情報を決定する。そして、この位置情報に基づいて、第２のマスク上の第２のパターンを、ウエハＰＬ上に形成されている第１のマスクパターンに対して位置合せして露光転写し、現像工程、エッチング工程、成膜工程等を行なう。ここで、第１のマスクパターンの位置情報とは、第１のマスクパターンのウエハＰＬ平面内の並進位置や回転、及び伸縮に関する情報をいう。
【０１２０】
なお、以上の例では、ウエハＰＬ上の第１のマスクパターンの位置を計測するための計測はすべて計測対象部分について行なうものとしたが、これに限らず、計測対象部分とは別の専用のアライメントマークも併せて計測しても良い。すなわち、少なくとも１つの計測対象部分と専用のアライメントマークを併せて計測するものとしても良い。
【０１２１】
このためには、上述の露光工程ＥＸＰ１において、第１のマスク上に、第１のマスクパターンとは別に専用のアライメントマークを併設し、これをウエハＰＬに露光転写しておくと良い。
【０１２２】
なお、計測対象部分の大きさは、ウエハアライメント顕微鏡８５の分解能以上に設定することが好ましいことは前述の通りである。
本発明の実施形態を図面に関連付けて説明したが、本発明は上記に限定されず、添付した請求の範囲および等価物の範囲内で変更されてもよい。添付した図面は、本発明の一実施形態を示すことを意図しており、本発明を限定することを意図するものではない。
【産業上の利用可能性】
【０１２３】
本発明は、半導体集積回路ＬＳＩや液晶ディスプレイ等の電子デバイスの製造工程中の各リソグラフィ工程で利用することができ、産業上利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】マスクデータ処理の実施形態の構成例を表わす図である。
【図２】マスク設計データＳＦからパターン領域ＢＤを特定するためのフローチャートである。
【図３】マスク設計データＳＦをビットマップパターン４０に展開した図である。
【図４】パターン領域ＢＤの特定を説明するための図である。
【図５】パターン領域ＢＤの特定を説明するための図である。
【図６】図２のフローチャートの一部の処理を詳細に説明するためのフローチャートである。
【図７】パターン領域ＢＤを検証するためのフローチャートである。
【図８】（Ａ）はデータが０である領域ＦＢＤを内部に有するパターン領域ＢＤ１を示す。（Ｂ）は図８（Ａ）のパターン領域ＢＤ１から領域ＦＢＤを除外する工程を示す。（Ｃ）は領域ＦＢＤの除外した最大の長方形領域であるパターン領域ＢＤ２を示す。
【図９】パターン領域ＢＤ中のデータが０である領域の検証を説明する図である。
【図１０】ホールパターンの集合体をパターン領域として特定する方法を説明する図である。
【図１１】露光装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
【０１２５】
１０…データストレージユニット、１１…記憶装置、２０…メインコンピュータ、４０…ビットマップパターン、８０…露光装置、８１…照明光学系、８２…マスクステージ、８３…投影光学系、８４…基板ステージ、８５…アライメント光学系、８６…移動鏡、９１…光源制御部、９２…マスク制御部、９４…基板ステージ制御部、９６…レーザ干渉計、９８…主制御部、９９…記憶部
【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１】
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【図３】
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