(57)【要約】【課題】スプレイ配列からベンド配列への転移を容易にすると共に、画像の表示品位を向上させることが可能な液晶表示素子を提供する。【解決手段】液晶をスプレイ配列からベンド配列に転移させて駆動する液晶表示素子において、走査信号配線Ｗ１〜Ｗｊとこの配線に交差する画像信号配線Ｄ１〜Ｄｉとの交差部に画素電極３２を有する画素駆動素子がマトリクス状に配置された第１の基板２２と、共通電極が形成された光透過性を有する第２の基板２４と、第１の基板及び第２の基板の各対向面に互いの配向方向がパラレル方向をなすようにそれぞれ形成された配向層３４、３８と、第１基板と第２の基板の間隙に封入された液晶２６と、第１の基板の画素電極が形成される画素領域の外周側に、画素領域を囲むように設けられ、外部から電圧制御が可能な転移電極３７と、を有するように構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶をスプレイ配列からベンド配列に転移させて駆動する液晶表示素子において、
複数の走査信号配線と該走査信号配線に交差する画像信号配線との交差部に画素電極を有する画素駆動素子がマトリクス状に配置された第１の基板と、
前記第１の基板に対向するように配置され、対向する面に光透過性を有する共通電極が形成された光透過性を有する第２の基板と、
前記第１の基板及び前記第２の基板の各対向面に互いの配向方向がパラレル方向をなすようにそれぞれ形成された配向層と、
前記第１基板と第２の基板の間隙に封入された液晶と、
前記第１の基板の前記画素電極が形成される画素領域の外周側に、前記画素領域を囲むように設けられ、外部から電圧制御が可能な転移電極と、
を有するように構成したことを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】
前記転移電極上の一部に前記第２の基板の前記共通電極と接触する構造物を設けるように構成したことを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項３】
前記転移電極上の一部と前記第２の基板の前記共通電極上の一部に、互いに対向するように垂直配向層をそれぞれ形成するようにしたことを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示素子。
【請求項４】
前記第１の基板の隣り合う画素電極間の間隙に、該間隙の段差を埋めるように絶縁体を設けるように構成したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベンド配列状態で表示する液晶表示素子に係り、特に液晶をスプレイ配列からベンド配列へ容易に転移させることが可能な液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、液晶の表示モードの１つとしてツイストしていないスプレイ配列のネマチック液晶層に電圧を印加してベンド配列とし、このベンド配列を維持する電圧範囲内で液晶のティルト状態を印加電圧値により制御し、液晶層における通過光の位相差を位相差補償板で光学補償して画像表示する複屈折効果型のＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モードが知られている。このＯＣＢモードを使用した表示方法は、広視野角で且つ高速応答が可能な液晶表示の方法として知られている（特許文献１、２等）。
【０００３】
ここでＯＣＢモードの液晶表示素子について図１４及び図１５を参照して説明する。図１４はＯＣＢモードの液晶表示素子の一例を示す概略構成図、図１５（Ａ）は電極間に印加する印加電圧と液晶配列のエネルギーとの関係を示すグラフであり、図１５（Ｂ）はスプレイ配列領域にベンド配列領域を形成するためのエネルギーについて説明するための模式図である。
【０００４】
ここでは反射型の液晶表示素子を例にとって説明する。図１４に示す液晶表示素子において、画素駆動素子等が形成されているシリコン基板２の表面には、反射型の画素電極４及び配向層６が順次形成されている。また、これと対向側にある透明なガラス基板８の表面（図中の下側）には、透明電極１０及び配向層１２が順次形成されている。そして、上記両基板２、８は、配向層６、１２側を対向させ、基板間隙に液晶１４が挟み込まれて封入されている。図中、黒色の楕円形は液晶分子１４Ａの配列方向を示している。またガラス基板８の上方には、位相差補償板１６が設けられている。そして、表示用の光は、上記位相差補償板１６側から入射する。
【０００５】
ここで、上記両配向層６、１２のそれぞれの配向方向は互いに平行であり、且つプレティルトの方向も同一のパラレル配向をなしている。電圧を印加しないとき、図１５（Ａ）に示すように液晶１４はスプレイ配列の方がベンド配列よりもエネルギーが低いので初期の配向状態として図１４（Ａ）に示すようにスプレイ配列をなし、転移電圧よりも高い電圧を印加すると図１５（Ａ）に示すようにベンド配列の方がスプレイ配列よりもエネルギーが低いので図１４（Ｂ）に示すベンド配列となり、このベンド配列状態で印加電圧を制御して画像表示を行なう。このように、ベンド配列状態を維持する電圧範囲内で画像を表示するようにした液晶表示素子は応答速度に優れている特長がある。
【０００６】
【特許文献１】特開平９−１０５９５７号公報
【特許文献２】特開２００４−２８７４５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、スプレイ配列状態に配向した水平配向の液晶に、電圧を印加してベンド配列に転移させた後、このベンド配列状態で画像表示を行うが、図１５（Ｂ）に示すようにスプレイ配列領域にベンド配列領域を形成する際、その境界にはエネルギーバリア１８があるために、このスプレイ配列からベンド配列への転移を実現するために、転移核の形成や高い電圧印加を必要としていた。
【０００８】
そのため、上記スプレイ配列からベンド配列への転移を実施するために、従来では、ゲート配線電極を利用して、このゲート配線電極に通常の画像表示時よりも高い電圧を印加するなどして液晶にかかる電界強度を高くしたり（例えば特許文献２）、或いは画素電極が形成されている画素領域にスペーサを分散配置してこのスペーサを液晶の転移核にする方法が知られている。
【０００９】
しかしながら、上述したような従来の方法では転移の電圧を印加するために複雑な配線構造を必要とするのみならず、トタンジスタなどからなる画素駆動素子にかかる高い電圧によりトランジスタ等に破壊が生じるなどの問題があった。また、画素領域にスペーサを配置した場合には、このスペーサ自体が画像の表示品位を低下させるなどの問題があった。
【００１０】
本発明は、上述する従来の課題に鑑みてなされたものであり、スプレイ配列からベンド配列への転移を容易にすると共に、画像の表示品位を向上させることが可能な液晶表示素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に係る発明は、液晶をスプレイ配列からベンド配列に転移させて駆動する液晶表示素子において、複数の走査信号配線と該走査信号配線に交差する画像信号配線との交差部に画素電極を有する画素駆動素子がマトリクス状に配置された第１の基板と、前記第１の基板に対向するように配置され、対向する面に光透過性を有する共通電極が形成された光透過性を有する第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２の基板の各対向面に互いの配向方向がパラレル方向をなすようにそれぞれ形成された配向層と、前記第１基板と第２の基板の間隙に封入された液晶と、前記第１の基板の前記画素電極が形成される画素領域の外周側に、前記画素領域を囲むように設けられ、外部から電圧制御が可能な転移電極と、を有するように構成したことを特徴とする液晶表示素子である。
【００１２】
この場合、例えば請求項２に記載したように、前記転移電極上の一部に前記第２の基板の前記共通電極と接触する構造物を設けるように構成している。
また例えば請求項３に記載したように、前記転移電極上の一部と前記第２の基板の前記共通電極上の一部に、互いに対向するように垂直配向層をそれぞれ形成する。
また例えば請求項４に記載したように、前記第１の基板の隣り合う画素電極間の間隙に、該間隙の段差を埋めるように絶縁体を設けるように構成する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る液晶表示装置によれば、次のような優れた作用効果を発揮することができる。
請求項１に係る本発明によれば、第１の基板の画素電極が形成される画素領域の外周側に、画素領域を囲むように外部から電圧制御が可能な転移電極を設けるように構成したので、ゲート配線電極等に高い電圧をかけることなく、第１の基板の画素電極の領域の外周部に設けられる転移電極を利用して液晶にかかる電界強度を高くして液晶の転移を起こさせることができる。
【００１４】
請求項２に係る発明によれば、転移電極上の一部に第２の基板の共通電極上と接触する構造物を設けるようにしたので、この構造物がベンド配列へ転移するための核となり、液晶の転移を低い電界強度で起こさせることができる。
【００１５】
請求項３に係る発明によれば、転移電極上の一部と第２の基板の共通電極上の一部とが対向して重なり合う位置に垂直配向層を形成するようにしたので、この垂直配向層を形成した場所が、液晶の転移核となって液晶の転移を低い電界強度で起こさせることができる。
請求項４に係る発明によれば、画素電極間の段差を絶縁体によって埋めることにより平坦化したので、ベンド配列への転移を画素領域内へスムーズに進行させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明に係る液晶表示素子の好適な一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係る液晶表示素子の第１実施例を示す概略構成図、図２は本発明の液晶表示素子の第１実施例を示す部分破断斜視図、図３は液晶表示素子の第１実施例の等価回路を示す図、図４は図１に示す液晶表示素子の１画素に相当する部分を示す拡大断面図、図５（Ａ）は電極間に印加する印加電圧と液晶配列のエネルギーとの関係を示すグラフであり、図５（Ｂ）はスプレイ配列領域にベンド配列領域を形成するためのエネルギーについて説明するための模式図である。
ここでは、液晶表示素子として透過型の画素電極を有する透過型の液晶表示素子を例にとって説明する。
【００１７】
図１乃至図４に示すように、この液晶表示素子２０は、例えば光透過性を有するガラス基板よりなる第１の基板２２と、これと所定の間隙を隔てて配置された例えば光透過性を有するガラス基板よりなる第２の基板２４と、この両基板２２，２４間の間隙に封止された液晶（液晶層）２６とにより主に形成されている。
【００１８】
具体的には、上記第１の基板２２の表面側には、画素Ｐｘが縦横に整然とマトリクス状に配列されており、各画素Ｐｘは、列信号電極駆動回路２８から延びる複数の画像信号配線Ｄ１〜Ｄｉと、行走査電極駆動回路３０から延びる複数の走査信号配線Ｗ１〜Ｗｊとの交差部に配置されている。これにより、画像信号を上記各画像信号配線Ｄ１〜Ｄｉでサンプリングして供給しつつこれを上記走査信号配線Ｗ１〜Ｗｊにより順次走査することにより、画像を表示するようになっている。
【００１９】
上記各画素Ｐｘに対応して、その表面に例えばＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等よりなる光透過性を有する画素電極３２が形成されると共に、これを駆動する画素駆動素子３３が第１の基板２４に形成されている。従って、この画素電極３２及び画素駆動素子３３もマトリクス状に配列形成されていることになる。上記画素駆動素子３３は、例えば薄膜トランジスタ等により形成される。ここで上記薄膜トランジスタのゲート電極が上記走査信号配線に接続され、ソースが上記画像信号配線に接続され、ドレインが上記画素電極３２に接続される。そして、上記画素電極３２がマトリクス状に配置された領域が画素領域３５となっている。
【００２０】
そして、この画素領域３５の外周側に、この画素領域３５を囲むようにして外部から電圧制御が可能な本発明の特徴とする転移電極３７が設けられている。具体的には、この転移電極３７は例えばアルミニウムよりなり、画素領域３５を囲んで額縁状に形成され、スプレイ配列の液晶をベンド配列へ転移させることができる電圧を外部より印加できるようになっている。この転移電極３７の幅は特に限定しないが、例えば０．５ｍｍ〜３ｍｍである。また、この画素電極３２の表面には例えばポリイミド膜よりなる配向層３４が形成されている。
【００２１】
一方、上記第２の基板２４の表面（図２及び図４中においては下面）には、上記第１の基板２２に対向させて例えばＩＴＯよりなる光透過性を有する共通電極３６が全面に形成されており、更に、この共通電極３６の表面に例えばポリイミド膜よりなる配向層３８（図４参照）が形成されている。そして、上記対向する２つの配向層３４、３８は、その配向方向が互いに平行であって且つプレティルトの方向も同一のパラレル配向をなすように、それぞれ所定の方向へラビング処理が施されている。
【００２２】
ここで上記第１と第２の基板２２、２４間の間隙に封止される液晶２６は、例えばネマチック型の液晶２６が用いられ、電圧を印加していない時にはスプレイ配列されている。図４（Ａ）は画素電極３２と共通電極３６との間に電圧は印加されておらず、液晶分子２６Ａはスプレイ配列になっている状態を示し、図４（Ｂ）は画素電極３２と共通電極３６との間に電圧が印加されてベンド配列に転移した状態を示している。尚、第２の基板２４側には位相差補償板３９が設けられている。
【００２３】
図１５（Ａ）に示すように、電圧を印加しないときには、液晶２６はスプレイ配列の方がベンド配列よりもエネルギーが低いので初期の配向状態として図４（Ａ）に示すようなスプレイ配列をなし、転移電圧よりも高い電圧を印加すると、図１５（Ａ）に示すように、ベンド配列の方がスプレイ配列よりもエネルギーが低くなる。
しかしながら、図１５（Ｂ）に示すように、スプレイ配列領域とベンド配列領域との境界にはエネルギーバリア１８が存在するため、まずは、転移電極３７と共通電極３６との間にエネルギーバリア１８を越える高い電圧を印加して、転移電極３７と共通電極３６との間における液晶２６をスプレイ配列からベンド配列に転移させる。
そして、スプレイ配列領域とベンド配列領域とが存在するとき、図５（Ａ）に示すようにスプレイ配列領域とベンド配列領域との境界のエネルギーバリア（図１５（Ｂ）参照）は、上記境界に形成されたスプレイ配列とベンド配列との混在領域によって低減されるため、従来よりも低い印加電圧により、図５（Ｂ）に矢印４０で示すようにベンド領域が広がる。
【００２４】
具体的には、ＯＣＢモードの場合には、例えば約１２Ｖの電圧を印加することによってエネルギーバリア１８を越えてスプレイ配列からベンド配列に配向転移し、全画面に例えば２〜６Ｖの電圧を印加してベンド配列にして、このベンド配列が維持される電圧(転移電圧以上の電圧)で画像表示を行う。転移電圧により  も少し高い電圧、例えば２Ｖの電圧を印加したときが白表示となり、例えば６Ｖの電圧を印加したときが黒表示となる。従って、白表示〜黒表示の間の表示については、このベンド配列状態で行われる。尚、上記第１と第２の基板２２、２４間に液晶２６を封止するためのスペーサ入りの封止接着材は、上記転移電極３７の更に外周側に設けられている。
【００２５】
このように構成された液晶表示素子２０の動作を説明する。まず、例えば液晶表示素子２０の起動時に、上記第１の基板２２に設けた上記転移電極３７と第２の基板２４に設けた共通電極３６との間に、例えば所定の電位の矩形状のパルス波を印加して、この転移電極３７の部分のスプレイ配列の液晶をベンド配列へ転移させる。すなわち、図１５（Ｂ）に示すように、スプレイ配列とベンド配列との境界のエネルギーバリア１８を越えるような電圧を印加する。
【００２６】
このように、転移電極３７の部分に位置する液晶がスプレイ配列からベンド配列へ転移すると、図５（Ｂ）に示すようにスプレイ配列領域とベンド配列領域との境界にスプレイ配列とベンド配列とが混在するディスクリ領域が形成されて上記境界におけるエネルギーバリアが低くなるので、これを起点として画素領域３５の内側方向へ向けてベンド配列への転移が進行して行くことになる。
実際に本発明の液晶表示素子を動作させたところ、電圧を印加しないとき、液晶２６は図４（Ａ）に示すようなスプレイ配列をなし、エネルギーバリアを越えるような電圧を印加すると図４（Ｂ）に示すようなベンド配列となり、このベンド配列を維持する転移電圧以上の電圧範囲で液晶２６のベンド配列状態を印加電圧値により制御し、液晶層における通過光の位相差を位相差補正板３９で光学補償して画像を表示したところ、高速応答が可能な画像表示を行うことができた。
【００２７】
このように、第１の基板２２の画素電極３２が形成される画素領域３５の外周側に、この画素領域３５を囲むように外部から電圧制御が可能な転移電極３７を設けるように構成したので、ゲート配線電極等に高い電圧をかけることなく、第１の基板２２の画素電極３２の領域の外周部に設けられる転移電極３７を利用して液晶２６にかかる電界強度を高くして液晶２６の転移を起こさせることができる。
【００２８】
＜第２実施例＞
次に、本発明の液晶表示素子の第２実施例について説明する。
前述した第１実施例の場合には、画素領域の外周側に転移電極３７を設けて液晶配列の転移を促進させるようにしたが、この第２実施例では上記転移電極３７上の一部に構造物を設けて、液晶配列の転移を更に促進させるようにしている。
【００２９】
図６はこのような本発明の液晶表示素子の第２実施例を示す部分破断斜視図、図７は電極間に構造物を配置した部分の液晶の配列状態を示す図である。図７（Ａ）は平面図を示し、図７（Ｂ）は図７（Ａ）中のＡ−Ａ線の断面図を示す。尚、図１乃至図５に示す構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。
【００３０】
図６に示すように、この第２実施例においては、上記転移電極３７上の一部に、これと対向する上記第２の基板２２の共通電極３６と接触する構造物４２を設けている。具体的には、この構造物４２は、例えばシリカやプラスチックにより構成されている。そして、この構造物４２は、上記転移電極３７の長さ方向に沿って適宜間隔でもって配置されており、この転移電極３７と共通電極３６の間で挟み込まれた状態となっている。この場合、実際には、この構造物４２の上下端は、それぞれ配向層３８、３４を介して共通電極３６及び転移電極３７に接していることになる。この構造物４２の直径は、例えば１０〜１００μｍであり、またその断面形状は円形に限定されない。
【００３１】
このような構造において、上記転移電極３７と共通電極３６との間に所定の電圧を印加すると、図７（Ｂ）に示すように、この構造物４２の側面近傍の液晶分子２６Ａがスプレイ配列からベンド配列に容易に転移する傾向となる。そして、この転移した液晶分子２６Ａを転移核として液晶の転移が転移核の周辺の液晶へと迅速に進んで行くことになり、従って、液晶２６の転移を低い電界強度で確実に起こすことが可能になる。
【００３２】
このように、本発明の第２実施例によれば、転移電極３７上の一部に第２の基板２４の共通電極３６上と接触する構造物４２を設けるようにしたので、この構造物４２が液晶転移の核となり、液晶２６の転移を低い電界強度で起こさせることができる。
【００３３】
＜第３実施例＞
次に、本発明の液晶表示素子の第３実施例について説明する。
前述した第２実施例の場合には、転移電極３７上に構造物４２を設けたが、これに代えて、或いはこれと共に垂直配向層を設けるようにしてもよい。
【００３４】
図８はこのような本発明の液晶表示素子の第３実施例を示す部分破断断面図、図９は上下の垂直配向層同士の重なり状態の一例を示す図、図１０は垂直配向層の部分の液晶の配列状態を示す図である。図１０（Ａ）は平面図を示し、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）中のＢ−Ｂ線の断面図を示す。尚、図１乃至図７に示す構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。
【００３５】
図８及び図９に示すように、この第３実施例においては、上記転移電極３７の一部と上記第２の基板２４の共通電極３６上（図示例では下面）の一部に、互いに対向して重なり合う位置に垂直配向層４４、４６を形成している。この垂直配向層４４、４６の対は、上記転移電極３７の長さ方向に沿って適宜間隔で配置されている。この垂直配向層４４、４６は、例えばポリイミド系樹脂膜やシラン系樹脂膜よりなり、例えば円形に形成されて液晶２６に対して垂直配列を発現させるようになっている。尚、この平面形状は円形に限定されない。この両垂直配向層４４、４６は平面投射的に、すなわち対向する位置で完全に重なるように配置してもよいし、図９に示すように平面投射した時に平面内で僅かにずらした状態で配置するようにしてもよい。
【００３６】
この第３実施例の場合には、図９及び図１０に示すように、一部が対向して重なり合う位置に垂直配向層４４、４６が形成されたとき、斜線で示す重なり合う部分では液晶分子２６ＡＢで示すように完全に垂直配列をなし、スプレイ配列と垂直配列とが隣接する部分がベンド配列に転移する転移核となる。
【００３７】
具体的には、両電極４４、４６の重なり部分からずれた位置では、電極側の液晶分子はベンド配列になるが、電極に接していない側の液晶分子はスプレイ配列のままであり、この部分が転移核となる。そして、上記２つの垂直配向層４４、４６の平面投射図における輪郭の交点Ｐ１、Ｐ２の部分では、完全なベンド配列状態の液晶分子２６ＡＢと完全なスプレイ配列状態の液晶分子とが隣り合った状態となるので、この交点Ｐ１、Ｐ２の部分が特に効果的な転移核となってその周辺に液晶転移を進めて行くことになる。
【００３８】
このような第３実施例の液晶表示素子では、転移電極３７と共通電極３６との間に電圧を印加すると、上記垂直配向層４４、４６が重なり合う位置の部分の液晶が、転移核となってスプレイ配列をなしていた液晶をベンド配列に転移するように作用し、結果的に、液晶の転移を低い電界強度で確実に起こさせることができる。
【００３９】
この場合、上記した両垂直配向層４４、４６の輪郭の交点Ｐ１、Ｐ２に位置する液晶（液晶分子）は上述したように特に効果的な転移核となるので、例えば図１１に示す垂直配向層の変形例のように、一方の垂直配向層４４を円形にし、他方の垂直配向層４６を星形にすれば、両垂直配向層４４、４６の平面投射図における輪郭の交点をより多くできるので、更に効率的に液晶の転移を起こさせることができる。
【００４０】
このように、転移電極３７上の一部と第２の基板２４の共通電極３６上の一部とが対向して重なり合う位置に垂直配向層４４、４６を形成するようにしたので、この垂直配向層４４、４６を形成した場所が、液晶２６の転移核となって液晶２６の転移を低い電界強度で起こさせることができる。尚、この第３実施例の垂直配向層４４、４６と、先の第２実施例の構造物４２とを組み合わせて設けるようにしてもよい。
【００４１】
更に、上記各実施例の場合には、図１２（Ａ）に示す画素電極間の間隙の状態を示す図のように、隣り合う画素電極３２間の間隙５０には段差が形成されていたが、これに限定されず、図１２（Ｂ）に示すように、この間隙５０の部分に絶縁体５２を埋め込むようにして、その上面が画素電極３２の上面に連なる平面となるようにしてもよい。
【００４２】
具体的には、上記画素電極３２間の間隙５０内に例えば有機シリカの溶液をスピンコートで塗布し、これを焼成して絶縁性の層を形成した後、これを研磨によって平坦化することにより上記絶縁体５２を平坦に形成する。尚、図１２中では配向層の記載は省略している。
【００４３】
このように、画素電極３２間の段差を絶縁体５２によって埋めることにより平坦化したので、ベンド配列への転移を画素領域内へスムーズに進行させることができる。
更に、以上の各実施例は第１の基板２２及び画素電極３２が共に光透過性を有する透過型の液晶表示素子を例にとって説明したが、これに限定されず、上記本発明の各実施例は、反射型の液晶表示素子にも適用することができる。図１３は上記したような反射型の液晶表示素子の部分拡大断面図である。尚、図１乃至図１２に示す構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付してある。
【００４４】
図１３に示すように、この第１基板２２は、例えば不透明なシリコン基板５４よりなり、このシリコン基板５４上にソースＳ、ドレインＤ、ゲートＧよりなるＭＯＳ型スイッチングトランジスタ５６や保持容量５８等を有する画素駆動素子３３を設けている。そして、この上方に例えばＳｉＯ２ 膜等よりなる絶縁層５９や例えばアルミニウム膜よりなる遮光膜６０を介して、例えばアルミニウム膜よりなる反射型の画素電極３２を設けている。
【００４５】
そして、先の第１実施例と同様に、画素領域の外周を囲むようにして転移電極３７を形成している。更に、この転移電極３７及び画素電極３２上を覆って配向層３４が形成されている。また、この第１の基板２２に対向する第２の基板２４側は、先の第１実施例と同じであり、例えば光透過性を有するガラス基板である第２の基板２４の表面に同じく光透過性を有する共通電極３６及び配向層３８を積層し、これとシリコン基板５４よりなる上記第１の基板２２との間に液晶２６を封止して反射型の液晶表示素子が形成されている。
【００４６】
この液晶表示素子も先の第１実施例と同様な作用効果を発揮することができる。また、上記反射型の液晶表示素子に、上記透過型の液晶表示素子で説明した全ての実施例及び変形例が適用できるのは勿論である。
【００４７】
以上詳細に説明したように、本発明の液晶表示素子によれば、スプレイ配列からベンド配列へ転移させる電界の印加は画素領域の外周側に簡単な構造の転移電極を設けるだけでよい。このように、転移電極を画素領域の外周側に設けることで、液晶にかかる電界強度を高くしても画素駆動素子を破壊することがない。
【００４８】
また、転移電極上の一部に構造物や垂直配向層を設けた場合には、この部分の液晶が液晶転移の核となり、低い電界強度で液晶の転移をさせることができる。また上記構造物や垂直配向層が画素領域の外周側の転移電極上に設けることで、画像の表示品位を低下させることがない。
【００４９】
また画素電極間の段差を平坦化することにより、ベンド配列をスムーズに画素領域内に進行させることができる。
上述のように、本発明は、スプレイ配列からベンド配列への転移を容易にすると共に、高品位で応答速度に優れている液晶表示素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係る液晶表示素子の第１実施例を示す概略構成図である。
【図２】本発明の液晶表示素子の第１実施例を示す部分破断斜視図である。
【図３】液晶表示素子の第１実施例の等価回路を示す図である。
【図４】図１に示す液晶表示素子の１画素に相当する部分を示す拡大断面図である。
【図５】（Ａ）は電極間に印加する印加電圧と液晶配列のエネルギーとの関係を示すグラフであり、（Ｂ）はスプレイ配列領域にベンド配列領域を形成するためのエネルギーについて説明するための模式図である。
【図６】本発明の液晶表示素子の第２実施例を示す部分破断斜視図である。
【図７】電極間に構造物を配置した部分の液晶の配列状態を示す図である。
【図８】本発明の液晶表示素子の第３実施例を示す部分破断断面図である。
【図９】上下の垂直配向層同士の重なり状態の一例を示す図である。
【図１０】垂直配向層の部分の液晶の配列状態を示す図である。
【図１１】垂直配向層の変形例を示す図である。
【図１２】画素電極間の間隙には段差がある場合に絶縁体を埋め込むようにした状態を示す部分拡大断面図である。
【図１３】反射型の液晶表示素子の部分拡大断面図である。
【図１４】ＯＣＢモードの液晶表示素子における液晶の配列を説明するための概略構成図である。
【図１５】（Ａ）は電極間に印加する印加電圧と液晶配列のエネルギーとの関係を示すグラフであり、（Ｂ）はスプレイ配列領域にベンド配列領域を形成するためのエネルギーについて説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００５１】
２０…液晶表示素子、２２…第１の基板、２４…第２の基板、２６…液晶、３２…画素電極、３３…画素駆動素子、３４…配向層、３５…画素領域、３６…共通電極、３７…転移電極、３８…配向層、３９…位相差補償板、４２…構造物、４４，４６…垂直配向層、５０…間隙、５２…絶縁体、５４…シリコン基板、Ｄ１〜Ｄｉ…画像信号配線、Ｗ１〜Ｗｊ…走査信号配線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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