(57)【要約】【課題】半導体メモリに２種類の温度検知回路を搭載する際、占有面積を削減すると共に、２種類の温度検知回路の個別調整を一度に行なえるようにする。【解決手段】リファレンス電位選択回路１０３は、選択信号発生回路１０４から選択信号に基づいてリファレンスＲＥＦ１、ＲＥＦ２を選択し、第１、第２の温度比較回路１０５、１０６に出力する。選択信号ＳＥＬ１〜８を順次切り替えて、温度判定信号ＴＲＥＳ1の電位の推移を観察し、選択信号ＳＥＬ２−１とＳＥＬ３−１間のリファレンス電位ＲＥＦ１で温度依存性電位ＶＴＭＰがリファレンス電位ＲＥＦ１と交差すると判定され、温度比較回路１０５の比較判定温度をこのリファレンス電位ＲＥＦ１に対応する測定温度として固定したい場合は選択信号ＳＥＬ２-１またはＳＥＬ３−１を選択する制御を行なう。【選択図】図１
2008310882.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度依存性のないリファレンス電位を発生するリファレンス電位発生回路と、
前記リファレンス電位を入力し、該リファレンス電位を分圧した複数の電位の中から２つの電位を選択し、それぞれを第１および第２のリファレンス電位として出力するリファレンス電位選択回路と、
前記リファレンス電位選択回路が電位を選択するための選択信号を発生する選択信号発生回路と、
温度依存性を持つ温度依存性電位を発生する温度依存性電位発生回路と、
前記第１のリファレンス電位と前記温度依存性電位を比較し、その大小を示す第１の温度判定信号を出力する第１の温度比較回路と、
前記第２のリファレンス電位と前記温度依存性電位を比較し、そのレベル差を示す第２の温度判定信号を出力する第２の温度比較回路と、
前記第１の温度判定信号と第１および第２の内部制御信号を入力し、該第１の温度判定信号の論理レベルに応じて該第１および第２の内部制御信号のいずれか一方を第１の制御信号として出力する第１の内部制御回路と、
前記第２の温度判定信号を入力し、該第２の温度判定信号が示すレベル差に応じた周波数の信号を生成し、第２の制御信号として出力する第２の内部制御回路と
を有する、半導体記憶装置の温度検知回路。
【請求項２】
温度依存性のないリファレンス電位を発生するリファレンス電位発生回路と、
前記リファレンス電位を入力し、該リファレンス電位を分圧した複数の電位の中から２つの電位を選択し、それぞれを第１および第２のリファレンス電位として出力するリファレンス電位選択回路と、
前記リファレンス電位選択回路が電位を選択するための選択信号を発生する選択信号発生回路と、
温度依存性を持つ第１の温度依存性電位を発生する第１の温度依存性電位発生回路と、
温度依存性を持つ第２の温度依存性電位を発生する第２の温度依存性電位発生回路と、
前記第１のリファレンス電位と前記第１の温度依存性電位を比較し、その大小を示す第１の温度判定信号を出力する第１の温度比較回路と、
前記第２のリファレンス電位と前記第２の温度依存性電位を比較し、そのレベル差を示す第２の温度判定信号を出力する第２の温度比較回路と、
前記第２の温度判定信号を入力し、該第２の温度判定信号が示すレベル差に応じた周波数の信号を生成し、出力する第２の内部制御回路と、
前記第２の内部制御回路の出力信号を入力し、第１および第２の内部制御信号を生成し、出力する内部制御信号生成回路と、
前記第１の温度判定信号と前記第１および第２の内部制御信号を入力し、該第１の温度判定信号の論理レベルに応じて該第１および第２の内部制御信号のいずれか一方を制御信号として出力する第１の内部制御回路と、
を有する、半導体記憶装置の温度検知回路。
【請求項３】
前記リファレンス電位発生回路が、前記リファレンス電位と接地の間に直列に接続された複数の抵抗からなる分圧回路と、該分圧回路のｎ個（ｎは２以上の整数）の電位接点のそれぞれ電位を第１のリファレンス電位として取り出すための、ｎ個の第１の選択スイッチ信号のそれぞれによりオン／オフするｎ個のスイッチ接点を含む第１の選択スイッチと、該分圧回路のｎ個の電位接点のそれぞれ電位を第２のリファレンス電位として取り出すための、ｎ個の第２の選択スイッチ信号のそれぞれによりオン／オフするスイッチ接点を含む第２の選択スイッチを有する、請求項１または２に記載の、半導体記憶装置の温度検知回路。
【請求項４】
前記選択信号発生回路は、設定された電源または接地電位の第１、第２、・・・、第ｎの信号値のそれぞれを第１、第２、・・・、第ｎの選択信号により前記第１の選択スイッチ信号として出力する選択信号個別切り替え回路と、前記第１の選択スイッチ信号をそのまままたは設定されたビット数シフトして前記第２の選択スイッチ信号として出力する選択信号シフト接続回路と、前記ビット数を設定する接続シフト値設定回路を有する、請求項３に記載の、半導体記憶装置の温度検知回路。
【請求項５】
前記信号値の電源または接地電位への切り替えおよび／または前記ビット数の設定がヒューズ制御またはレジスタ制御により行われる、請求項４に記載の、半導体記憶装置の温度検知回路。
【請求項６】
前記温度依存性電位発生回路が、カソードが接地に接続されたダイオードと、該ダイオードのアノードと前記リファレンス電位の間に接続された１つまたは複数の抵抗を有し、前記アノードの電位を温度依存性電位として出力する、請求項１、３から５のいずれかに記載の、半導体記憶装置の温度検知回路。
【請求項７】
前記第１および第２の温度依存性電位発生回路が、カソードが接地に接続されたダイオードと、該ダイオードのアノードと前記リファレンス電位の間に接続された１つまたは複数の抵抗を有し、前記アノードの電位をそれぞれ第１および第２の温度依存性電位として出力する、請求項２から５のいずれかに記載の、半導体記憶装置の温度検知回路。
【請求項８】
前記第２の内部制御回路が、前記第２の温度判定信号により電流制御が行われるオシレーター回路である、請求項１から７のいずれかに記載の、半導体記憶装置の温度検知回路。
【請求項９】
前記第iの選択信号を選択し、そのときの前記第１の温度判定信号のレベルを判定し、判定結果を保持することを、i＝１〜ｎについて行い、前記第１の温度判定信号のレベルの判定結果を合算し、合算値に対応する、前記選択信号個別切り替え回路のｎ個の信号値の設定値を判定し、前記選択信号個別切り替え回路の信号値を該設定値に固定する選択信号個別切り替え判定回路をさらに有する、請求項４に記載の、半導体記憶装置の温度検知回路。
【請求項１０】
前記選択信号個別切り替え判定回路による、前記選択信号個別切り替え回路の信号値の固定が完了した後、前記接続シフト値設定回路のシフト値を選択して、そのときの前記第２の制御信号の周波数の目標周波数との大小を判定し、判定結果を保持することをｎ個のシフト値について行い、該判定結果を合算し、合算値に対応する、前記接続シフト値設定回路のシフト設定値を判定し、前記接続シフト値設定回路のシフト値を該シフト設定値に固定する接続シフト値判定回路をさらに有する、請求項９に記載の、半導体記憶装置の温度検知回路。
【請求項１１】
温度依存性のないリファレンス電位を発生するリファレンス電位発生回路と、
前記リファレンス電位を入力し、該リファレンス電位を分圧した複数の電位の中から２つの電位を選択し、それぞれを第１および第２のリファレンス電位として出力するリファレンス電位選択回路と、
前記リファレンス電位選択回路が電位を選択するための選択信号を発生する選択信号発生回路と、
温度依存性を持つ温度依存性電位を発生する温度依存性電位発生回路と、
前記第１のリファレンス電位と前記温度依存性電位を比較し、その大小を示す第１の温度判定信号を出力する第１の温度比較回路と、
前記第２のリファレンス電位と前記温度依存性電位を比較し、そのレベル差を示す第２の温度判定信号を出力する第２の温度比較回路と、
前記第１の温度判定信号と第１および第２の内部制御信号を入力し、該第１の温度判定信号の論理レベルに応じて該第１および第２の内部制御信号のいずれか一方を第１の制御信号として出力する第１の内部制御回路と、
前記第２の温度判定信号を入力し、該第２の温度判定信号が示すレベル差に応じた周波数の信号を生成し、第２の制御信号として出力する第２の内部制御回路と
を有し、
前記リファレンス電位発生回路が、前記リファレンス電位と接地の間に直列に接続された複数の抵抗からなる分圧回路と、該分圧回路のｎ個（ｎは２以上の整数）の電位接点のそれぞれ電位を第１のリファレンス電位として取り出すための、ｎ個の第１の選択スイッチ信号のそれぞれによりオン／オフするｎ個のスイッチ接点を含む第１の選択スイッチと、該分圧回路のｎ個の電位接点のそれぞれ電位を第２のリファレンス電位として取り出すための、ｎ個の第２の選択スイッチ信号のそれぞれによりオン／オフするスイッチ接点を含む第２の選択スイッチを有し、
前記選択信号発生回路が、設定された電源または接地電位の第１、第２、・・・、第ｎの信号値のそれぞれを第１、第２、・・・、第ｎの選択信号により前記第１の選択スイッチ信号として出力する選択信号個別切り替え回路と、前記第１の選択スイッチ信号をそのまままたは設定されたビット数シフトして前記第２の選択スイッチ信号として出力する選択信号シフト接続回路と、前記ビット数を設定する接続シフト設定回路を有する、
半導体記憶装置の温度検知回路における温度比較用リファレンス電位調整方法であって、
前記第iの選択信号を選択し、そのときの前記第１の温度判定信号のレベルを判定し、判定結果を保持することを、i＝１〜ｎについて行うステップと、
前記第１の温度判定信号のレベルの判定結果を合算するステップと、
合算値に対応する、前記選択信号個別切り替え回路のｎ個の信号値の設定値を判定するステップと、
前記選択信号個別切り替え回路の信号値を該設定値に固定するステップと
を有する、半導体記憶装置の温度検知回路における温度比較用リファレンス電位調整方法。
【請求項１２】
前記選択信号個別切り替え回路の信号値の固定が完了した後、前記接続シフト値設定回路のシフト値を選択して、そのときの前記第２の制御信号の周波数の目標周波数との大小を判定し、判定結果を保持することをｎ個のシフト値について行うステップと、
該判定結果を合算するステップと、
合算値に対応する、前記接続シフト値設定回路のシフト設定値を判定するステップと、
前記接続シフト値設定回路のシフト値を該シフト設定値に固定するステップと
をさらに有する、請求項１１に記載の、半導体記憶装置の温度検知回路における温度比較用リファレンス電位調整方法。
【請求項１３】
温度依存性のないリファレンス電位を発生するリファレンス電位発生回路と、
前記リファレンス電位を入力し、該リファレンス電位を分圧した複数の電位の中から２つの電位を選択し、それぞれを第１および第２のリファレンス電位として出力するリファレンス電位選択回路と、
前記リファレンス電位選択回路が電位を選択するための選択信号を発生する選択信号発生回路と、
温度依存性を持つ第１の温度依存性電位を発生する第１の温度依存性電位発生回路と、
温度依存性を持つ第２の温度依存性電位を発生する第２の温度依存性電位発生回路と、
前記第１のリファレンス電位と前記第１の温度依存性電位を比較し、その大小を示す第１の温度判定信号を出力する第１の温度比較回路と、
前記第２のリファレンス電位と前記第２の温度依存性電位を比較し、そのレベル差を示す第２の温度判定信号を出力する第２の温度比較回路と、
前記第２の温度判定信号を入力し、該第２の温度判定信号が示すレベル差に応じた周波数の信号を生成し、出力する第２の内部制御回路と、
前記第２の内部制御回路の出力信号を入力し、第１および第２の内部制御信号を生成し、出力する内部制御信号生成回路と、
前記第１の温度判定信号と前記第１および第２の内部制御信号を入力し、該第１の温度判定信号の論理レベルに応じて該第１および第２の内部制御信号のいずれか一方を制御信号として出力する第１の内部制御回路と、
を有し、
前記リファレンス電位発生回路が、前記リファレンス電位と接地の間に直列に接続された複数の抵抗からなる分圧回路と、該分圧回路のｎ個（ｎは２以上の整数）の電位接点のそれぞれ電位を第１のリファレンス電位として取り出すための、ｎ個の第１の選択スイッチ信号のそれぞれによりオン／オフするｎ個のスイッチ接点を含む第１の選択スイッチと、該分圧回路のｎ個の電位接点のそれぞれ電位を第２のリファレンス電位として取り出すための、ｎ個の第２の選択スイッチ信号のそれぞれによりオン／オフするスイッチ接点を含む第２の選択スイッチを有し、
前記選択信号発生回路が、設定された電源または接地電位の第１、第２、・・・、第ｎの信号値のそれぞれを第１、第２、・・・、第ｎの選択信号により前記第１の選択スイッチ信号として出力する選択信号個別切り替え回路と、前記第１の選択スイッチ信号をそのまままたは設定されたビット数シフトして前記第２の選択スイッチ信号として出力する選択信号シフト接続回路と、前記ビット数を設定する接続シフト設定回路を有する、
半導体記憶装置の温度検知回路における温度比較用リファレンス電位調整方法であって、
前記第iの選択信号を選択し、そのときの前記第１の温度判定信号のレベルを判定し、判定結果を保持することを、i＝１〜ｎについて行うステップと、
前記第１の温度判定信号のレベルの判定結果を合算するステップと、
合算値に対応する、前記選択信号個別切り替え回路のｎ個の信号値の設定値を判定するステップと、
前記選択信号個別切り替え回路の信号値を該設定値に固定するステップと
を有する、半導体記憶装置の温度検知回路における温度比較用リファレンス電位調整方法。
【請求項１４】
前記選択信号個別切り替え回路の信号値の固定が完了した後、前記接続シフト値設定回路のシフト値を選択して、そのときの前記第２の制御信号の周波数の目標周波数との大小を判定し、判定結果を保持することをｎ個のシフト値について行うステップと、
該判定結果を合算するステップと、
合算値に対応する、前記接続シフト値設定回路のシフト設定値を判定するステップと、
前記接続シフト値設定回路のシフト値を該シフト設定値に固定するステップと
をさらに有する、請求項１３に記載の、半導体記憶装置の温度検知回路における温度比較用リファレンス電位調整方法。
【請求項１５】
温度依存性のないリファレンス電位を発生するリファレンス電位発生回路と、
前記リファレンス電位を入力し、該リファレンス電位を分圧した複数の電位の中から２つの電位を選択し、それぞれを第１および第２のリファレンス電位として出力するリファレンス電位選択回路と、
前記リファレンス電位選択回路が電位を選択するための選択信号を発生する選択信号発生回路と、
温度依存性を持つ温度依存性電位を発生する温度依存性電位発生回路と、
前記第１のリファレンス電位と前記温度依存性電位を比較し、その大小を示す第１の温度判定信号を出力する第１の温度比較回路と、
前記第２のリファレンス電位と前記温度依存性電位を比較し、そのレベル差を示す第２の温度判定信号を出力する第２の温度比較回路と、
前記第１の温度判定信号と第１および第２の内部制御信号を入力し、該第１の温度判定信号の論理レベルに応じて該第１および第２の内部制御信号のいずれか一方を第１の制御信号として出力する第１の内部制御回路と、
前記第２の温度判定信号を入力し、該第２の温度判定信号が示すレベル差に応じた周波数の信号を生成し、第２の制御信号として出力する第２の内部制御回路と
を有し、
前記リファレンス電位発生回路が、前記リファレンス電位と接地の間に直列に接続された複数の抵抗からなる分圧回路と、該分圧回路のｎ個（ｎは２以上の整数）の電位接点のそれぞれ電位を第１のリファレンス電位として取り出すための、ｎ個の第１の選択スイッチ信号のそれぞれによりオン／オフするｎ個のスイッチ接点を含む第１の選択スイッチと、該分圧回路のｎ個の電位接点のそれぞれ電位を第２のリファレンス電位として取り出すための、ｎ個の第２の選択スイッチ信号のそれぞれによりオン／オフするスイッチ接点を含む第２の選択スイッチを有し、
前記選択信号発生回路が、設定された電源または接地電位の第１、第２、・・・、第ｎの信号値のそれぞれを第１、第２、・・・、第ｎの選択信号により前記第１の選択スイッチ信号として出力する選択信号個別切り替え回路と、前記第１の選択スイッチ信号をそのまままたは設定されたビット数シフトして前記第２の選択スイッチ信号として出力する選択信号シフト接続回路と、前記ビット数を設定する接続シフト設定回路を有する、
半導体記憶装置の温度検知回路における温度比較用リファレンス電位調整プログラムであって、
前記第iの選択信号を選択し、そのときの前記第１の温度判定信号のレベルを判定し、判定結果を保持することを、i＝１〜ｎについて行う手順と、
前記第１の温度判定信号のレベルの判定結果を合算する手順と、
合算値に対応する、前記選択信号個別切り替え回路のｎ個の信号値の設定値を判定する手順と、
前記選択信号個別切り替え回路の信号値を該設定値に固定する手順と
をコンピュータに実行させるための、半導体記憶装置の温度検知回路における温度比較用リファレンス電位調整プログラム。
【請求項１６】
前記選択信号個別切り替え回路の信号値の固定が完了した後、前記接続シフト値設定回路のシフト値を選択して、そのときの前記第２の制御信号の周波数の目標周波数との大小を判定し、判定結果を保持することをｎ個のシフト値について行う手順と、
該判定結果を合算する手順と、
合算値に対応する、前記接続シフト値設定回路のシフト設定値を判定する手順と、
前記接続シフト値設定回路のシフト値を該シフト設定値に固定する手順と
をさらに有する、請求項１５に記載の、半導体記憶装置の温度検知回路における温度比較用リファレンス電位調整プログラム。
【請求項１７】
温度依存性のないリファレンス電位を発生するリファレンス電位発生回路と、
前記リファレンス電位を入力し、該リファレンス電位を分圧した複数の電位の中から２つの電位を選択し、それぞれを第１および第２のリファレンス電位として出力するリファレンス電位選択回路と、
前記リファレンス電位選択回路が電位を選択するための選択信号を発生する選択信号発生回路と、
温度依存性を持つ第１の温度依存性電位を発生する第１の温度依存性電位発生回路と、
温度依存性を持つ第２の温度依存性電位を発生する第２の温度依存性電位発生回路と、
前記第１のリファレンス電位と前記第１の温度依存性電位を比較し、その大小を示す第１の温度判定信号を出力する第１の温度比較回路と、
前記第２のリファレンス電位と前記第２の温度依存性電位を比較し、そのレベル差を示す第２の温度判定信号を出力する第２の温度比較回路と、
前記第２の温度判定信号を入力し、該第２の温度判定信号が示すレベル差に応じた周波数の信号を生成し、出力する第２の内部制御回路と、
前記第２の内部制御回路の出力信号を入力し、第１および第２の内部制御信号を生成し、出力する内部制御信号生成回路と、
前記第１の温度判定信号と前記第１および第２の内部制御信号を入力し、該第１の温度判定信号の論理レベルに応じて該第１および第２の内部制御信号のいずれか一方を制御信号として出力する第１の内部制御回路と、
を有し、
前記リファレンス電位発生回路が、前記リファレンス電位と接地の間に直列に接続された複数の抵抗からなる分圧回路と、該分圧回路のｎ個（ｎは２以上の整数）の電位接点のそれぞれ電位を第１のリファレンス電位として取り出すための、ｎ個の第１の選択スイッチ信号のそれぞれによりオン／オフするｎ個のスイッチ接点を含む第１の選択スイッチと、該分圧回路のｎ個の電位接点のそれぞれ電位を第２のリファレンス電位として取り出すための、ｎ個の第２の選択スイッチ信号のそれぞれによりオン／オフするスイッチ接点を含む第２の選択スイッチを有し、
前記選択信号発生回路が、設定された電源または接地電位の第１、第２、・・・、第ｎの信号値のそれぞれを第１、第２、・・・、第ｎの選択信号により前記第１の選択スイッチ信号として出力する選択信号個別切り替え回路と、前記第１の選択スイッチ信号をそのまままたは設定されたビット数シフトして前記第２の選択スイッチ信号として出力する選択信号シフト接続回路と、前記ビット数を設定する接続シフト設定回路を有する、
半導体記憶装置の温度検知回路における温度比較用リファレンス電位調整プログラムであって、
前記第iの選択信号を選択し、そのときの前記第１の温度判定信号のレベルを判定し、判定結果を保持することを、i＝１〜ｎについて行う手順と、
前記第１の温度判定信号のレベルの判定結果を合算する手順と、
合算値に対応する、前記選択信号個別切り替え回路のｎ個の信号値の設定値を判定する手順と、
前記選択信号個別切り替え回路の信号値を該設定値に固定する手順と
をコンピュータに実行させるための、半導体記憶装置の温度検知回路における温度比較用リファレンス電位調整プログラム。
【請求項１８】
前記選択信号個別切り替え回路の信号値の固定が完了した後、前記接続シフト値設定回路のシフト値を選択して、そのときの前記第２の制御信号の周波数の目標周波数との大小を判定し、判定結果を保持することをｎ個のシフト値について行う手順と、
該判定結果を合算する手順と、
合算値に対応する、前記接続シフト値設定回路のシフト設定値を判定する手順と、
前記接続シフト値設定回路のシフト値を該シフト設定値に固定する手順と
をさらに有する、請求項１７に記載の、半導体記憶装置の温度検知回路における温度比較用リファレンス電位調整プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体メモリの温度検知回路および温度比較用リファレンス電位調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の低消費電力のＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  ＲＡＭ）には多くが温度検知回路とそれによるリフレッシュ周期調整機能を搭載している（たとえば、特許文献１参照）。ＤＲＡＭに温度検知回路を搭載する際には当然一種類の温度検知回路のみが搭載され、その温度検知回路の判定温度や判定電流を調整する場合も一度の調整で完了していた。
【０００３】
ＤＲＡＭの動作は温度による影響が大きいため、ＤＲＡＭ内部に温度検知回路を搭載し内部動作を自動温度補正する機能を持つものは多い。さらに複雑な自動温度補正の制御を行なうためにＤＲＡＭ内部に制御動作の異なる複数の温度検知回路を装備しようとすると、占有面積の増大や温度検知回路の個別調整工程追加のペナルティが発生する。ＤＲＡＭのさらなる低消費電力の低減の要求にこたえるためにはさらに緻密な温度依存特性が要求されるが、そのための温度検知回路の追加は占有面積の増加および追加した温度検知回路の調整工程の追加を必要とする。ＤＲＡＭに２種類の温度検知回路を新たに搭載する際には、その占有面積の増加に加えて、各々の温度調整回路の判定温度や判定電流を調整する工程も増すことになる。
【特許文献１】特開２００６−１１４２０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、半導体メモリに２種類の温度検知回路を搭載する際、占有面積を削減すると共に、２種類の温度検知回路の温度比較用リファレンス電位調整を一度に行なえる、半導体メモリの温度検知回路および温度比較用リファレンス電位調整方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、半導体メモリに２種類の温度検知回路を搭載する際に、温度比較用のリファレンス電位を作成する回路（リファレンス電位選択回路）を２種類の温度検知回路間で共有させ、リファレンス電位選択回路のリファレンス電位の選択を、選択信号発生回路で発生する選択信号で行うことにより、占有面積を削減し、かつ２種類の温度検知回路のリファレンス電位の選択を一度に行なえるようにしたものである。
【発明の効果】
【０００６】
本発明は、半導体メモリに２種類の温度検知回路を搭載する際、温度比較回路に使用するレファレンス電位を作成する回路を２つの温度検知回路間で共有することにより、占有面積を削減すると共に、２種類の温度検知回路の温度比較用リファレンス電位調整を一度に行なえる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
次に、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
【０００８】
［第１の実施形態］
図１は本発明の第１の実施形態による半導体メモリの温度検知回路のブロック図である。本実施形態の温度検知回路は、リファレンス電位発生回路１０１と、温度依存性電位発生回路１０２と、リファレンス電位選択回路１０３と、選択信号発生回路１０４と、第１の温度比較回路１０５と、第２の温度比較回路１０６と、第１の内部制御回路１０７と、第２の内部制御回路１０８を有している。
【０００９】
リファレンス電位発生回路１０１は温度依存性を持たないリファレンス電位ＲＥＦ０を発生する。温度依存性電位発生回路１０２は温度依存性を持つリファレンス電位ＶＴＥＭＰを発生する。リファレンス電位選択回路１０３はリファレンス電位ＲＥＦ１、ＲＥＦ２を選択し、それぞれ温度比較回路１０５、１０６に出力する。選択信号発生回路１０４はリファレンス電位選択回路１０３がリファレンス電位ＲＥＦ１、ＲＥＦ２を選択するための選択信号ＳＥＬ１〜８−１、ＳＥＬ１〜８−２をリファレンス電位選択回路１０３に出力する。第１の温度比較回路１０５と第２の温度比較回路１０６はそれぞれに入力される温度依存性を持たないリファレンス電位ＲＥＦ１およびＲＥＦ２と温度依存性を持つリファレンス電位ＶＴＥＭＰとを比較することで温度判定を行ない、温度判定信号ＴＲＥＳ１、ＴＲＥＳ２を出力する。第１の内部制御回路１０７は温度判定信号ＴＲＥＳ１と内部制御信号ＯＳＣ１、ＯＳＣ２を入力し、温度判定信号ＴＲＥＳ１の論理レベルに応じて内部制御信号ＯＳＣ１またはＯＳＣ２を出力する。第２の内部制御回路１０８は温度判定信号ＴＲＥＳ２のレベルに応じた周波数の制御信号ＯＳＣＯを出力する。
【００１０】
図２はリファレンス電位選択回路１０３の具体例の回路図である。リファレンス電位発生回路１０１で発生した、温度依存性を持たないリファレンス電位ＲＥＦ０を差動増幅回路１１１に入力し、そのリファレンス電位を分圧回路１１２で抵抗分割した複数の電位接点の電位を、選択スイッチ信号ＳＥＬ１−１〜ＳＥＬ８−１、ＳＥＬ１−２〜ＳＥＬ８−２で制御される選択スイッチ１１１および１１２にてリファレンス電位ＲＥＦ１、ＲＥＦ２として選択的に取り出す。この選択スイッチ１１３、１１４の出力であるリファレンス電位ＲＥＦ１、ＲＥＦ２はそれぞれ温度検知回路１０５、１０６に入力される。
【００１１】
図３は選択信号発生回路１０４の具体例の回路図である。リファレンス電位発生回路１０１は選択信号切り替え回路１２１と選択信号シフト接続回路１２２と接続シフト値設定回路１２３からなる。選択信号切り替え回路１２１は、ヒューズ制御もしくはレジスタ制御により各信号値を電源または接地電位に切り替え、選択信号ＳＥＬ１〜ＳＥＬ８がハイになることによりに各信号値を選択スイッチ信号ＳＥＬ１−1からＳＥＬ８−1として出力する。選択信号シフト接続回路１２２は、接続シフト値設定回路１２３によるヒューズ制御もしくはレジスタ制御により選択スイッチ信号ＳＥＬ１−1からＳＥＬ８−1を設定されたビット数（０ビットも含む）シフトし、選択スイッチ信号ＳＥＬ１−２からＳＥＬ８−２として出力する。
【００１２】
図４は、選択スイッチ信号ＳＥＬ１−1からＳＥＬ8−1のうち選択スイッチ信号ＳＥＬ１−1がハイレベルの場合に接続シフト値がそれぞれ「０」、「＋１」、「＋２」、「−１」、「−２」のときの選択スイッチ信号ＳＥＬ１−２からＳＥＬ8−２を示している。
【００１３】
図５は第１の温度比較回路１０５の具体例を示す回路図である。第１の温度比較回路１０５は、インバータ１３１と、ＮＭＯＳトランジスタ１３２を含む差動増幅回路１３３と、ＮＭＯＳトランジスタ１３４と、ＣＭＯＳインバータ１３５と、ＰＭＯＳトランジスタ１３６と、インバータ１３８と、ラッチ回路１３９、１４０からなる。第１の温度比較回路１０５は、リファレンス電位選択回路１０３から入力された、温度依存性を持たないリファレンス電位ＲＥＦ１と、温度依存性電位発生回路１０２から入力された、温度依存性を持つリファレンス電位ＶＴＭＰとの比較を駆動信号Ｔ１ＤＲＶが活性化された（ハイレベルの）間に行ない、温度判定信号ＴＲＥＳ1を判定結果として出力する。
【００１４】
図６は第２の温度比較回路１０６の具体例の回路図である。第２の温度比較回路１０６は差動増幅回路１４１とＮＭＯＳトランジスタ１４２とＰＭＯＳトランジスタ１４３からなり、リファレンス電位選択回路１０３から入力された入力された、温度依存性を持たないリファレンス電位ＲＥＦ２と、温度依存性電位発生回路１０２から入力された、温度依存性を持つリファレンス電位ＶＴＭＰとの電位差により電位が決定された温度判定信号ＴＲＥＳ２を判定結果として出力する。
【００１５】
図７は温度依存性電位接点発生回路１０２の具体例の回路図である。温度依存性電位接点発生回路１０２は、リファレンス電位ＲＥＦ０と接地の間に直列に接続された抵抗１５１〜１５５とダイオード１５６からなり、温度依存性を持つリファレンス電位ＶＴＥＭＰを出力する。
【００１６】
図８は第１の内部制御回路１０７の具体例の回路図である。第１の内部制御回路１０７はインバータ１６１〜１６３とトランスファーゲート１６４、１６５とインバータ１６６からなり、第１の温度比較回路１０５からの温度判定信号ＴＲＥＳ１の論理レベルにより内部制御信号ＯＳＣ１またはＯＳＣ２を選択して制御信号ＯＳＣＭとして出力する。制御信号ＯＳＣＭはたとえば、半導体メモリのリフレッシュ周期の調整に使用される。
【００１７】
図９は第２の内部制御回路１０８の具体例の回路図である。第２の内部制御回路１０８はＮＭＯＳトランジスタ１７１〜１７３とＣＭＯＳインバータ１７４〜１７６とインバータ１７７〜１７９を含むオシレーター回路からなり、温度判定信号ＴＲＥＳ２の電位によりオシレーター回路の電流制御が行なわれ、制御信号ＯＳＣ０が出力される。この例ではオシレーター回路の電流制御を電源側のトランジスタ１７１〜１７３で行なっているが、接地側のトランジスタ（不図示）によって行ってもよい。制御信号ＯＳＣ０はたとえば、半導体メモリの内部電源の駆動動力に使用される。
【００１８】
次に、第１の実施形態の温度比較回路１０５、１０６のレファレンス電位ＲＥＦ１、ＲＥＦ２の調整を行なう際の動作について説明する。
【００１９】
ある測定温度での第１の温度比較回路１０５の温度判定信号ＴＲＥＳ１の波形を図１０と図１１に示す。ワンショットハイレベルの駆動信号Ｔ１ＤＲＶが第１の温度比較回路１０５に入力すると、温度依存性を持たない電位接点（リファレンス電位）ＲＥＦ１と温度依存性を持つ電位接点（リファレンス電位）ＶＴＭＰとの比較が行なわれ、結果はラッチ回路１３９、１４０（図５）に保持されて温度判定信号ＴＲＥＳ1が出力される。図１２は、選択信号ＳＥＬ１−１〜１−８を順次ハイにした場合の温度判定信号ＴＲＥＳ1の電位をプロットしたものである。選択信号ＳＥＬ２−１とＳＥＬ３−１の間で電位が切り替わっており、すなわち判定結果が反転しており、図１３に示すようにこのＳＥＬ２−１とＳＥＬ３−１間のリファレンス電位ＲＥＦ１’で温度依存性電位ＶＴＭＰがリファレンス電位ＲＥＦ１と交差すると判定される。もし第１の温度比較回路１０５の比較判定温度（リファレンス電位ＲＥＦ１）をこのリファレンス電位ＲＥＦ１’に対応する測定温度として固定したい場合は選択信号発生回路１０４内の選択信号個別切り替え回路１２１で選択信号ＳＥＬ２-１またはＳＥＬ３−１を選択する（電源電位に固定する）制御を行なう。この制御によりある温度を閾値として内部制御信号ＯＳＣ１とＯＳＣ２を切り替えて制御信号ＯＳＣＭを出力する調整が完了する。
【００２０】
また、第２の温度比較回路１０６に入力されるリファレンス電位ＲＥＦ２と温度依存性リファレンス電位ＶＴＭＰも第１の温度比較回路１０５と同じ電位が供給されるのでそれらの交差も選択信号ＳＥＬ２−１とＳＥＬ３−１の間にあり、温度判定信号ＴＲＥＳ２の電位は図１４のように推移している。これらの電位の電位差の推移から制御信号ＯＳＣ０の周波数は図１５のように推移する。比較電位ＲＥＦ２とＶＴＭＰの交差する点における周波数が所望の値であれば第１の温度比較回路１０５のリファレンス電位ＲＥＦ１の調整の場合と同様に選択信号発生回路１０４の選択信号個別切り替え回路１２１で選択信号ＳＥＬ２−２またはＳＥＬ３−２を選択する制御を行なう。この制御によりある温度でのＯＳＣ０周波数を所望の値に合わせる調整が完了する。
【００２１】
これら２つの温度比較回路１０５、１０６のレファレンス電位ＲＥＦ１、ＲＥＦ２の個別調整が、ＳＥＬ１からＳＥＬ８の各選択信号を選択して電位を比較する作業を一通り行なうのみで完了することになる。
【００２２】
第２の温度比較回路１０６のリファレンス電位ＲＥＦ２が第１の温度比較回路１０５のリファレンス電位ＲＥＦ１と差がある場合、リファレンス電位ＲＥＦ２に対する選択スイッチ信号ＳＥＬ１−２からＳＥＬ８−２は選択信号個別切り替え回路１２１の出力である選択スイッチ信号ＳＥＬ１−１からＳＥＬ８−１を単純にシフトするのみでよく、ＳＥＬ１からＳＥＬ８の各選択信号を一通り切り替えてリファレンス電位ＲＥＦ２と温度依存性電位ＶＴＭＰを比較する作業を行うのは第１の温度比較回路１０５の場合と同様である。シフトする量は接続シフト値設定回路１２３で決定される。
【００２３】
［第２の実施形態］
図１６は本発明の第２の実施形態による半導体メモリの温度検知回路のブロック図である。本実施形態の温度検知回路は、リファレンス電位発生回路１０１と、第１の温度依存性電位発生回路１０２、温度依存性電位発生回路１０９と、リファレンス電位選択回路１０３と、選択信号発生回路１０４と、第１の温度比較回路１０５と、第２の温度比較回路１０６と、第１の内部制御回路１０７と、第２の内部制御回路１０８と、カウンター回路１１０を有している。第１の温度比較回路１０５は温度依存性を持たないリファレンス電位ＲＥＦ１と温度依存性を持つ電位接点ＶＴＭＰ１とを比較することで温度判定を行ない、第２の温度比較回路１０６は温度依存性を持たないリファレンス電位ＲＥＦ２と温度依存性を持つ電位接点ＶＴＭＰ２とを比較することで温度判定を行なう。
【００２４】
図１７は温度依存性を持つ温度依存性電位発生回路１０２および１０９の具体例の回路図である。温度依存性電位発生回路１０２はリファレンス電位ＲＥＦ０と接地の間に直列に接続された抵抗１５１〜１５５とダイオード１５６からなり、温度依存性を持つリファレンス電位ＶＴＥＭＰ１を出力する。温度依存性電位発生回路１０９はリファレンス電位ＲＥＦ０と接地の間に直列に接続された抵抗１８１〜１８４とダイオード１８５からなり、温度依存性を持つリファレンス電位ＶＴＥＭＰ２を出力する。
【００２５】
図１８はカウンター回路１１０の具体例の回路図である。カウンター回路１１０はバイナリカウンター１９１と１９２からなる。バイナリカウンター１９１からは第２の内部制御回路１０８の出力信号ＯＳＣ０の周波数の１/２の周波数の内部制御信号ＯＳＣ１が出力され、バイナリカウンター１９２からは内部制御信号ＯＳＣ１の１/２の周波数の内部制御信号ＯＳＣ２が出力される。なお、内部制御信号ＯＳＣ１、ＯＳＣ２の周波数は一例であることは勿論である。
【００２６】
図１９は、図１６に示した第２の実施形態におけるある測定温度での出力信号ＯＳＣＭの、選択信号ＳＥＬ１-８を切り替えた場合の周波数をプロットしたものである。選択信号ＳＥＬ２とＳＥＬ３の間では大きく周波数が変化しているのはこの間に温度判定信号ＴＲＥＳ１の論理レベルが反転したためであり、この間に比較するリファレンス電位ＲＥＦ１と温度依存性リファレンス電位ＶＴＭＰ１は交差すると判定される。もし第１の温度比較回路１０５の判定温度をこのリファレンス電位ＲＥＦ１に対応する測定温度として固定したい場合は選択信号発生回路１０４の選択信号個別切り替え回路１２１で選択スイッチ信号ＳＥＬ２−1またはＳＥＬ３−1を選択する制御を行なう。第２の温度比較回路１０６の温度判定の調整のみ実施する際は、図１９の周波数に第１の温度比較回路１０５の判定結果を考慮した補正演算を行うことで図１５と同様の挙動となり、この選択スイッチ信号ＳＥＬ１-８と出力信号ＯＳＣ０の周波数の関係に基づいて測定温度時に所望の周波数の信号ＯＳＣ０が得られる選択スイッチ信号ＳＥＬ１〜８−１を決定することができる。
【００２７】
[第３の実施形態]
図２０は本発明の第３の実施形態による半導体メモリの温度検知回路のブロック図である。本実施形態の温度検知回路は、第１の実施形態による半導体メモリの温度検知回路に、選択信号個別切り替え判定回路２０１と接続シフト値判定回路２０２を備えたものである。
【００２８】
図２１の右の表の各行は、選択信号個別切り替え回路１２１の選択スイッチ信号ＳＥＬ１〜８−１のレベル（ハイ／ロウ）の設定値の組み合わせを示したものである。たとえば、３行目の組み合わせでは、選択スイッチ信号ＳＥＬ６−１のみがハイになっている。図２１の左の表の各行は、図２１の右の表の同じ行の選択スイッチ信号ＳＥＬ１〜８−１のレベルの組み合わせに対応する各選択スイッチ信号ＳＥＬ１〜８−１毎の温度判定信号ＴＲＥＳ１のレベル（ハイ／ロウ）を示したものである。したがって、温度判定信号ＴＲＥＳ１の電位のレベルの組み合わせを調べれば、選択信号個別切り替え判定回路２０１の信号設定値がわかる。
【００２９】
図２２の上の表は、接続シフト値設定回路１２３の各シフト値に対する、制御信号ＯＳＣＯの周波数をプロットしたものである。図２２の下の表は、接続シフト設定回路１２３の各シフト値に対する、制御信号ＯＳＣＯの周波数を、ターゲット周波数との大小で２値化（ターゲット周波数よりも大きければ「ハイ」、小さければ「ロウ」）したものである。
【００３０】
図２３は、各シフト値のときの、制御信号ＯＳＣＯの周波数のターゲット周波数との比較結果の組み合わせと、対応するシフト設定値を示している。
【００３１】
図２４は選択信号個別切り替え判定回路２０１による選択信号個別切り替え回路１２１の設定処理を示すフローチャートである。まず、選択信号ＳＥＬ１を選択（ハイに）し、温度判定信号ＴＲＥＳ１を判定し、結果（ハイ／ロウ）を、たとえばレジスタに保持する（ステップ３０１、３０９）。以下、選択信号ＳＥＬ２からＳＥＬ８まで同様の動作を繰り返す（ステップ３０２〜３０８、３０９）。以上のすべての判定結果を合算し（組み合わせ）たものと、図２１の個別切り替え回路設定値の対応表とから個別切り替え回路設定値が決定される（ステップ３１０）。この設定値が選択信号個別切り替え回路１２１に送られて各信号値が固定され（ステップ３１１）、調整が完了する。選択信号ＳＥＬ１−１からＳＥＬ８−１の選択時の温度判定信号ＴＲＥＳ１の電位の判定結果の組み合わせが、たとえば「ＬＬＨＨＨＨＨＨ」であったとすると、図２１の対応表から、選択信号個別切り替え回路１２１の各信号値は、選択信号ＳＥＬ１−１からＳＥＬ８−１がそれぞれＬＨＬＬＬＬＬＬとなるように決定される。この決定の通りに、選択信号個別切り替え回路１２１で信号線ＳＥＬ２−１のみハイレベル、他はロウレベルに固定する。リファレンス電位ＲＥＦ１の調整をここで終える場合には接続シフト値設定回路１２３のシフト値は所定の値に固定する。信号レベルの固定はヒューズ切断やラッチ回路による保持で行う。
【００３２】
図２５は接続シフト値判定回路２０２による接続シフト値設定回路１２３への接続シフト値設定処理を示す図である。上記の、選択信号個別切り替え回路１２１での選択信号ＳＥＬ１−１からＳＥＬ８−１のレベル固定後に、シフト値「−２」を選択して制御信号ＯＳＣＯの周波数を測定し、所望の周波数と比較を行い、結果（ハイ／ロウ）を保持する（ステップ４０１、４０６）。以下、シフト値「−１」、「０」、「＋１」、「＋２」について同様の動作を繰り返す（ステップ４０２〜４０６）。以上のすべての判定結果を合算し（組み合わせ）たものと、図２３の対応表からシフト設定値が決定される（ステップ４０７）。このシフト設定値は接続シフト値設定回路１２３に送られ接続シフト値を固定する（ステップ４０８）ことで、リファレンス電位ＲＥＦ２の調整が完了する。各シフト値に対する制御信号ＯＳＣＯの周波数の周波数がたとえば図２２に示すようなものであった場合、この場合のシフト設定値は図２３の対応表から「−１」と決定され、この設定通りに接続シフト値設定回路１２３のシフト値が固定される。なお、上記のシフト値は一例である。
【００３３】
図２４、図２５に示した処理は、測定機器のプログラミング動作で自動的に行うことができる。また、ＳＥＬ１からＳＥＬ８の各選択信号を選択して電位を比較する際は複数の半導体メモリを同時に測定してその結果を蓄えておき、各々の判定は別個に行うことで、複数の半導体メモリの調整を効率的に行うことができる。さらに、本実施形態のように、判定機能をメモリ内に保持することで、一連の調整手順のうち各種の判定やその保持をするための測定機器が不要になる。この場合の調整手順としては、固有のモードエントリー後に選択信号ＳＥＬ１からＳＥＬ８までの切り替え動作またはシフト値「−２」から「＋２」までの切り替え動作のみを実施することで、内部回路が自動判定および回路固定を行う。選択信号個別切り替え判定回路２０１と接続シフト値判定回路２０２は図１６の第２の実施形態による半導体メモリの温度検知回路に設けてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明の利用分野として、低消費電力を要求される携帯電話や携帯メディアプレーヤーのような電池駆動の携帯電子機器が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第１の実施形態による半導体メモリの温度検知回路のブロック図で        ある。
【図２】リファレンス電位選択回路１０３の具体例の回路図である。
【図３】選択信号発生回路１０４の具体例の回路図である。
【図４】接続信号シフト接続回路の出力の例を示した表である。
【図５】第１の温度比較回路１０５の具体例の回路図である。
【図６】第２の温度比較回路１０６の具体例の回路図である。
【図７】温度依存性電位接点発生回路１０２の具体例の回路図である。
【図８】第１の内部制御回路１０７の具体例の回路図である。
【図９】第２の内部制御回路１０８の具体例の回路図である。
【図１０】ある測定温度での第１の温度比較回路１０５の出力波形を示す図である。
【図１１】ある測定温度での第１の温度比較回路１０５の出力波形を示す図である。
【図１２】ある測定温度での駆動信号Ｔ１ＤＲＶがアクティブになった後の温度判定          信号ＴＲＥＳ１の電位を示すグラフである。
【図１３】ある測定温度でのリファレンス電位ＲＥＦ１の推移を示すグラフである。
【図１４】ある測定温度でのリファレンス電位ＲＥＦ２の推移を示すグラフである。
【図１５】ある測定温度でのＯＳＣＯ信号の周波数の推移を示すグラフである。
【図１６】本発明の第２の実施形態による半導体メモリの温度検知回路のブロック図          である。
【図１７】温度依存性電位発生回路１０２および１０９の具体例の回路図である。
【図１８】カウンター回路１１０の具体例の回路図である。
【図１９】ある測定温度でのＯＳＣＭ信号の周波数の推移を示すグラフである。
【図２０】本発明の第３の実施形態による半導体メモリの温度検知回路のブロック図          である。
【図２１】選択信号個別切り替え回路の信号設定値と温度判定信号ＴＲＥＳ１の電位          判定結果の組み合わせの対応表である。
【図２２】各シフト値に対する制御信号ＯＳＣＯの周波数と、該周波数とターゲット          周波数の大小の比較結果をプロットしたグラフである。
【図２３】各シフト値設定時の制御信号ＯＳＣＯの周波数とターゲット周波数の大小          の比較結果の組み合わせとシフト設定値の対応を示す表である。
【図２４】選択信号個別切り替え判定回路による選択信号個別切り替え回路の設定処          理を示すフローチャートである。
【図２５】接続シフト値判定回路による接続シフト値設定回路への接続シフト値設定          処理を示す図である。
【符号の説明】
【００３６】
１０１    リファレンス電位発生回路
１０２    温度依存性電位発生回路
１０３    リファレンス電位選択回路
１０４    選択信号発生回路
１０５    第１の温度比較回路
１０６    第２の温度比較回路
１０７    第１の内部制御回路
１０８    第２の内部制御回路
１０９    第２の温度依存性電位発生回路
１１０    カウンター回路
１１１    差動増幅回路
１１２    分圧回路
１１３、１１４    選択スイッチ
１２１    選択信号個別切り替え回路
１２２    選択信号シフト接続回路
１２３    接続シフト値設定回路
１３１、１３７、１３８    インバータ
１３２、１３４    ＮＭＯＳトランジスタ
１３３    差動増幅回路
１３５    ＣＭＯＳインバータ
１３９、１４０    ラッチ回路
１４１    差動増幅回路
１４２    ＮＭＯＳトランジスタ
１６３    ＰＭＯＳトランジスタ
１５１〜１５５    抵抗
１５６    ダイオード
１６１〜１６３、１６６    インバータ
１６４、１６５    トランスファーゲート
１７１〜１７３    ＮＭＯＳトランジスタ
１７４〜１７６    ＣＭＯＳインバータ
１７７〜１７９    インバータ
１８１〜１８４    抵抗
１８５    ダイオード
１９１、１９２    バイナリカウンター
２０１    選択信号切り替え判定回路
２０２    接続シフト値判定回路
３０１〜３１１、４０１〜４０８    ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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