(57)【要約】【課題】有機発光素子製造上の歩留りを向上させることが可能なドナー基板およびドナー基板の作製方法を提供する【解決手段】ドナー基板２は、支持基板３０の表面側から順に、青色対応領域４０Ｂにパターニングされた反射層３２Ａと、この反射層３２Ａを覆うようにして基板全面に形成された光熱変換層３４と、赤色対応領域４０Ｒにパターニングされた反射層３２Ｂとを有していることにより、支持基板３０の表面側からレーザ光Ｌを照射した場合、レーザ光Ｌは、赤色対応領域４０Ｒでは、反射層３２Ｂで反射され、赤色対応領域４０Ｒ以外の領域では、光熱変換層３４によって光熱変換される。他方、支持基板３０の裏面側からレーザ光Ｌを照射した場合、レーザ光Ｌは、青色対応領域４０Ｂでは、反射層３２Ｂで反射され、青色対応領域４０Ｂ以外の領域では、光熱変換層３４によって光熱変換される。【選択図】図２
2008270271.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性の支持基板の表面側に転写層が形成され、前記支持基板に光を照射することにより前記転写層を被転写体へ転写するために用いるドナー基板であって、
前記支持基板と前記転写層との間に、光エネルギーを熱エネルギーに変換するための光熱変換層を備え、
前記光熱変換層の前記支持基板の側に第１の光反射層を有する第１の領域と、前記光熱変換層の前記転写層の側に第２の光反射層を有する第２の領域とを有する
ことを特徴とするドナー基板。
【請求項２】
前記転写層が、前記支持基板の表面側に一体化されている
ことを特徴とする請求項１記載のドナー基板。
【請求項３】
前記転写層は、
前記第２の領域に設けられると共に赤色有機発光材料を含む赤色転写層と、
前記赤色転写層を覆うように設けられると共に緑色有機発光材料を含む緑色転写層とを含む
ことを特徴とする請求項１記載のドナー基板。
【請求項４】
前記第１の領域において、前記支持基板と前記第１の光反射層との間に第１の密着層が設けられている
ことを特徴とする請求項１記載のドナー基板。
【請求項５】
前記光熱変換層の前記支持基板の側に第１の光反射防止層、前記光熱変換層の前記転写層の側に第２の光反射防止層を備え、
前記第１の光反射防止層は、前記第１の領域において、前記第１の光反射層と前記光熱変換層との間に設けられ、
前記第２の光反射防止層は、前記第２の領域において、前記第２の光反射層と前記光熱変換層との間に設けられている
ことを特徴とする請求項１記載のドナー基板。
【請求項６】
前記第１の領域において、前記第１の光反射層と前記第１の光反射防止層との間に第２の密着層が設けられている
ことを特徴とする請求項５記載のドナー基板。
【請求項７】
前記第２の領域において、前記第２の光反射層と前記第２の光反射防止層との間に第３の密着層が設けられている
ことを特徴とする請求項５記載のドナー基板。
【請求項８】
前記光熱変換層の転写層側に、前記光熱変換層の酸化を防止する保護層を備えた
ことを特徴とする請求項１記載のドナー基板。  
【請求項９】
前記支持基板は耐熱性および剛性を有する材料により構成されている
ことを特徴とする請求項１記載のドナー基板。
【請求項１０】
前記第１の光反射層および第２の光反射層は、銀（Ａｇ）を含む金属により構成されている
ことを特徴とする請求項１記載のドナー基板。
【請求項１１】
前記第１の密着層は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）により構成されている
ことを特徴とする請求項４記載のドナー基板。
【請求項１２】
光透過性の支持基板の表面側に転写層が形成され、前記支持基板に光を照射することにより前記転写層を被転写体へ転写するために用いるドナー基板の作製方法であって、
前記支持基板の表面側の第１の領域に、第１の光反射層を形成する工程と、
前記支持基板の表面側に、光エネルギーを熱エネルギーに変換するための光熱変換層を、前記第１の光反射層を覆うように形成する工程と、
前記光熱変換層を形成したのち、支持基板の表面側の第２の領域に、光を反射させる第２の光反射層を形成する工程と
を含むことを特徴とするドナー基板の作製方法。
【請求項１３】
前記第２の光反射層を形成したのち、前記支持基板の表面側に赤色発光材料を含む赤色発光層を形成する工程と、
光を透過させる対向基板を前記赤色発光層と対向するように配置し、前記対向基板の側から光を照射することにより前記赤色発光層の一部を前記対向基板に転写することで前記支持基板上に赤色転写層を形成する工程と、
前記赤色転写層を形成したのち、緑色発光材料を含む緑色転写層を、前記赤色転写層を覆うように形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項１２記載のドナー基板の作製方法。
【請求項１４】
前記支持基板の表面側の第１の領域に、前記支持基板に対する前記第１の光反射層の密着性を高めるための第１の密着層を介して前記第１の光反射層を形成する
ことを特徴とする請求項１２記載のドナー基板の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機発光素子の製造に用いられるドナー基板およびその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子の製造過程において、転写層を形成したドナー基板にレーザ光を照射することによって発光層をパターン転写する手法が開示されている（例えば、特許文献１，２参照）。このような従来の転写法では、赤色，緑色，青色の三色の有機発光素子を形成するためには、一般的に発光色数である３回の転写が必要である。あるいは、青色発光層を三色の素子間で共通の層として形成することにより、転写を２回で行う手法が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開平９−１６７６８４号公報
【特許文献２】特開２００２−２１６９５７号公報
【特許文献３】特表２００５−２３５７４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記特許文献の手法では、転写回数が３回と多く、また、レーザ光のスポット形状を成形して所定領域のみ選択的に照射しなければならないため、製造工程が複雑化し、歩留りが低下してしまうという問題があった。
【０００４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、例えば有機発光素子の製造において歩留りを向上させることが可能なドナー基板およびドナー基板の作製方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によるドナー基板は、光透過性の支持基板の表面側に転写層が形成され、支持基板への光照射により転写層の被転写体への転写に用いるものであって、支持基板と転写層との間に、光エネルギーを熱エネルギーに変換するための光熱変換層を備えている。光熱変換層の支持基板の側に第１の光反射層を有する第１の領域、光熱変換層の転写層の側に第２の光反射層を有する第２の領域を有している。
【０００６】
本発明によるドナー基板では、支持基板と転写層との間に光熱変換層が設けられ、光熱変換層の支持基板の側に第１の光反射層を有する第１の領域と、光熱変換層の転写層の側に第２の光反射層を有する第２の領域とを有することにより、支持基板の表面側から光が照射されると、第２の光反射層が形成されている第２の領域では照射光が反射される一方、第２の光反射層が形成されていない領域では、照射光は光熱変換層において光熱変換される。他方、支持基板の裏面側から光が照射されると、第１の光反射層が形成されている第１の領域では照射光が反射される一方、第１の光反射層が形成されていない領域では、照射光は光熱変換層において光熱変換される。よって、支持基板の表面側あるいは裏面側のそれぞれの方向から光を照射することで、支持基板の表面側に形成される転写層のうち選択的な領域の転写層が転写されることとなる。
【０００７】
特に、転写層が、第２の領域に設けられると共に赤色有機発光材料を含む赤色転写層と、この赤色転写層を覆うように設けられると共に、緑色有機発光材料を含む緑色転写層とを含むようにすることにより、支持基板の裏面側から光を照射すると、第２の領域に形成された赤色転写層および緑色転写層が転写されると同時に、第１の領域および第２の領域のいずれにも含まれない領域に形成された緑色転写層が転写される。
【０００８】
また、支持基板と第１の光反射層との間に第１の密着層が設けられていることにより、支持基板に対する第１の光反射層の密着性が高まり、第１の光反射層が支持基板から剥がれにくくなる。
【０００９】
本発明によるドナー基板の作製方法は、光透過性の支持基板の表面側に転写層が形成され、支持基板への光照射により転写層の被転写体への転写に用いるものであって、支持基板の表面側の第１の領域に第１の光反射層を形成する工程と、支持基板の表面側に光エネルギーを熱エネルギーに変換するための光熱変換層を第１の光反射層を覆うように形成する工程と、光熱変換層を形成したのち支持基板の表面側の第２の領域に光を反射させる第２の光反射層を形成する工程とを含むものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のドナー基板およびドナー基板の作製方法によれば、ドナー基板の支持基板と転写層との間に光熱変換層が設けられ、光熱変換層の支持基板の側に第１の光反射層を有する第１の領域と、光熱変換層の転写層の側に第２の光反射層を有する第２の領域とを有するようにしたので、支持基板の表面側に転写層を形成し、支持基板の表面側あるいは裏面側のそれぞれの方向から光を照射することで、支持基板の表面側に形成される転写層のうち選択的な領域の転写層を転写することができる。これにより、所定の領域にのみ光が照射されるように光のスポット形状を成型する必要がなくなり、ドナー基板に対して光を全面照射しつつ、所望の領域の転写層を転写させることが可能となり、製造上の歩留りを向上させることができる。
【００１１】
特に、転写層が、第２の領域に設けられると共に赤色有機発光材料を含む赤色転写層と、この赤色転写層を覆うように設けられると共に、緑色有機発光材料を含む緑色転写層とを含むようにすることにより、支持基板の裏面側から光を照射すると、第２の領域に形成された赤色転写層および緑色転写層と、第１の領域および第２の領域のいずれにも含まれない領域に形成された緑色転写層とを一括して転写することができる。
【００１２】
また、支持基板上に、支持基板に対する第１の光反射層の密着性を高める第１の密着層を介して、第１の光反射層を形成すれば、第１の光反射層が支持基板から剥がれにくくなり、歩留りの向上に有利となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明の一実施の形態に係る表示装置１の断面構造を表すものである。この表示装置１は、薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、駆動用基板１０上に、赤色の光を発生する赤色有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する緑色有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する青色有機発光素子１０Ｂとが、順に繰り返し配置され、全体としてマトリクス状に形成されている。これらの赤色有機発光素子１０Ｒ、緑色有機発光素子１０Ｇおよび青色有機発光素子１０Ｂは、保護膜１８により被覆されており、接着層１９を介して封止用基板２０により封止されている。この表示装置１は、隣接する赤色有機発光素子１０Ｒ、緑色有機発光素子１０Ｇおよび青色有機発光素子１０Ｂの組み合わせが一つの画素を構成し、封止用基板２０の上面より３色の光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを射出する上面発光型の表示装置である。
【００１５】
駆動用基板１０は、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）素子などのスイッチング素子と、このスイッチング素子に接続されるゲート線、ソース線などの配線と、これらを平坦化させる平坦化絶縁層（いずれも図示せず）などが積層されて構成されている。なお、平坦化絶縁層にはコンタクトホールが設けられており、ＴＦＴ素子と駆動基板１０上の赤色有機発光素子１０Ｒ、緑色有機発光素子１０Ｇおよび青色有機発光素子１０Ｂと電気的に接続されている。
【００１６】
赤色有機発光素子１０Ｒは、駆動用基板１０の側から、例えば、第１電極１１と、絶縁膜１２と、正孔注入層１３と、正孔輸送層１４と、赤色混合層１５Ｒと、青色共通層１５Ｂと、電子注入層１６と、第２電極１７とが順に積層されたものである。緑色有機発光素子１０Ｇは、駆動用基板１０の側から、第１電極１１と、絶縁膜１２と、正孔注入層１３と、正孔輸送層１４と、緑色単色層１５Ｇと、青色共通層１５Ｂと、電子注入層１６と、第２電極１７とが順に積層されたものである。青色有機発光素子１０Ｂは、駆動用基板１０の側から、第１電極１１と、絶縁膜１２と、正孔注入層１３と、正孔輸送層１４と、青色共通層１５Ｂと、電子注入層１６と、第２電極１７とが順に積層されたものである。
【００１７】
第１電極１１は、例えば、アノード電極として機能し、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）および銀（Ａｇ）などの金属、あるいはこれらの金属の合金により構成され、単層構造であっても積層構造であってもよい。なお、下面発光型の場合には、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの透明電極により構成するようにしてもよい。この第１電極１１は、例えば５０ｎｍ〜１０００ｎｍの厚みで形成されている。
【００１８】
絶縁膜１２は、赤色有機発光素子１０Ｒ、緑色有機発光素子１０Ｇおよび青色有機発光素子１０Ｂのそれぞれの素子間で電気的な絶縁を確保するものであり、例えばポリベンゾオキサゾール、ポリイミド、アクリルなど感光性樹脂により構成され、厚みは例えば２．０μｍである。この絶縁膜１２には、各発光領域に対応して開口部が設けられている。
【００１９】
正孔注入層１３、正孔輸送層１４、青色共通層１５Ｂおよび電子注入層１６は、赤色有機発光素子１０Ｒ、緑色有機発光素子１０Ｇおよび青色有機発光素子１０Ｂの共通の層となっている。なお、正孔注入層１４Ａ１，正孔輸送層１４Ａ２および電子輸送層１４Ｅは、必要に応じて設ければよく、発光色によりそれぞれ構成が異なっていてもよい。
【００２０】
正孔注入層１３は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。この正孔注入層１３は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下、例えば２５ｎｍであり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。
【００２１】
正孔輸送層１４は、赤色混合層１５Ｒ、緑色単色層１５Ｇおよび青色共通層１５Ｂへの正孔輸送効率を高めるためのものである。この正孔輸送層１４Ａ２は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下、例えば３０ｎｍであり、４，４’−ビス（Ｎ−１−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（α−ＮＰＤ）により構成されている。
【００２２】
赤色混合層１５Ｒ、緑色単色層１５Ｇおよび青色共通層１５Ｂは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生する発光層として機能するものである。
【００２３】
赤色混合層１５Ｒは、赤色発光材料と、緑色発光材料と、正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種とを含んでおり、厚みは、例えば１０〜１００ｎｍであり、例えば４５ｎｍである。赤色発光材料としては、蛍光性のものでも燐光性のものでもよく、例えば、ＡＤＮ（ジ（２−ナフチル）アントラセン）に、２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。緑色発光材料としては、蛍光性のものでも燐光性のものでもよく、例えば、ＡＤＮに、クマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５重量％混合したものにより構成されている。
【００２４】
緑色単色層１５Ｇは、緑色発光材料と、正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種とを含んでおり、厚みは、１０ｎｍ〜１００ｎｍであり、例えば１５ｎｍ程度である。緑色発光材料としては、上記材料と同等のものを用いることができる。
【００２５】
青色共通層１５Ｂは、青色発光材料と、正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種とを含んでおり、厚みは、１０ｎｍ〜１００ｎｍ、例えば１５ｎｍである。青色発光材料としては、蛍光性のものでも燐光性のものでもよく、ＡＤＮに、４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。
【００２６】
電子注入層１６は、電子注入効率を高めるためのものであり、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ2Ｏなどにより構成され、厚みは例えば３．０ｎｍ以下、例えば０．３ｎｍである。なお、この電子注入層１６と青色共通層１５Ｂとの間に、電子輸送効率を高める電子輸送層を設けるようにしてもよい。
【００２７】
第２電極１７は、例えば、カソード電極として機能し、例えば、透明電極または半透過性電極により構成され、厚みは、例えば、５ｎｍ〜５０ｎｍである。なお、上面発光型の場合、この第２電極は、有機層に対して電子を効率的に注入できるように、仕事関数の小さい材料によって構成されていることが好ましく、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、銀、アルミニウム（Ａｌ）により構成されている。また、このような第２電極１７は、蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい方法によって形成されることが好ましい。
【００２８】
保護膜１８は、赤色有機発光素子１０Ｒ、緑色有機発光素子１０Ｇおよび青色有機発光素子１０Ｂに水分や酸素などが侵入することを防止するためのものであり、透過水性および吸水性の低い材料により十分な膜厚で構成されている。また、保護膜１８は、混赤色混合層１５Ｒ、緑色単色層１５Ｇおよび青色共通層１５Ｂで発生した光に対する透過性が高く、例えば８０％以上の透過率を有する材料により構成されている。このような保護膜１８は、例えば、厚みが２μｍ〜３μｍ程度であり、無機アモルファス性の絶縁性材料により構成されている。具体的には、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-x Ｎx ）およびアモルファスカーボン（α−Ｃ）が好ましい。これらの無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないので透水性が低く、良好な保護膜となる。また、保護膜１８は、ＩＴＯやＩＸＯのような透明導電材料により構成されていてもよい。
【００２９】
接着層２０は、例えば熱硬化型樹脂や紫外線硬化型樹脂などにより構成されている。
【００３０】
封止用基板３０は、赤色混合層１５Ｒ、緑色単色層１５Ｇおよび青色共通層１５Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。
【００３１】
次に、上記のような構成を有する表示装置１の製造方法のうち、特に、ドナー基板を用いた転写工程について、図２〜図１４を参照して説明する。
【００３２】
図２は、表示装置１の製造に用いるドナー基板２の断面構成を表すものであり、図３〜図８は、このドナー基板２の作製方法を工程順に表すものである。図９および図１０は、素子形成用基板３の形成方法を工程順に表すものである。図１１〜図１４は、ドナー基板２を用いた転写方法を工程順に表すものである。但し、ドナー基板２としては、本発明のドナー基板に転写層が形成されたものを例に挙げて説明する。
【００３３】
まず、ドナー基板２の構成について説明する。図２に示したように、ドナー基板２は、支持基板３０を有し、支持基板３０の表面側に、反射層３２Ａ（第１の光反射層）と、反射防止層３３Ａ（第１の光反射防止層）と、光熱変換層３４と、反射防止層３３Ｂ（第２の光反射防止層）と、反射層３２Ｂ（第２の光反射層）と、保護層３５と、赤色転写層３６Ｒと、緑色転写層３６Ｇとが、この順に設けられている。特に、反射層３２Ａおよび反射層３２Ｂは、互いに対向しない選択的な領域に設けられており、支持基板３０と反射層３２Ａとの間、反射層３２Ａと反射防止層３３Ａとの間、反射防止層３３Ｂと反射層３２Ｂとの間には、それぞれ、密着層３１Ａ（第１の密着層）、密着層３１Ｂ（第２の密着層）、密着層３１Ｃ（第３の密着層）が設けられている。
【００３４】
このような構成において、支持基板３０の表面側からみて、反射層３２Ａに対向する領域が青色対応領域４０Ｂ（第１の領域）、反射層３２Ｂに対向する領域が赤色対応領域４０Ｒ（第２の領域）、反射層３２Ａおよび反射層３２Ｂのいずれにも対向しない領域が緑色対応領域４０Ｇとなっており、それぞれ、駆動用基板１０上の青色有機発光素子１０Ｂ、赤色有機発光素子１０Ｒ、緑色有機発光素子１０Ｇに対応している。
【００３５】
支持基板３０は、十分な耐熱性や剛性を有すると共に、レーザ光に対する透過性の高い材料、例えばガラスやアクリル等の樹脂により構成されている。
【００３６】
密着層３１Ａは、支持基板３０に対する反射層３２Ａの密着性、密着層３１Ｂは、反射防止層３３Ｂに対する反射層３２Ａの密着性、密着層３１Ｃは、反射防止層３３Ｂに対する反射層３２Ｂの密着性を、それぞれ高めるものである。これら密着層３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃは、例えばＩＴＯなどの光透過性を有する材料により構成されている。なお、密着層３１Ｃは、反射防止層３３Ｂの全面に形成された構成となっているが、これに限定されず、反射層３２Ｂと同様に赤色対応領域４０Ｒのみにパターン形成された構成であってもよい。また、密着層３１Ａ、反射層３２Ａおよび密着層３１Ｂを、パターニングにより青色対応領域４０Ｂのみに形成した構成となっているが、密着層３１Ａについては、支持基板３０の全面に形成された構成であってもよい。
【００３７】
反射層３２Ａ，３２Ｂは、反射率の高い金属材料、例えば、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）あるいはこれらを含む合金などにより構成され、厚みは、例えば５０ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば１００ｎｍである。この反射層３２Ａの反射率は、９０％以上であることが好ましい。
【００３８】
反射防止層３３Ａ，３３Ｂは、反射率の低い材料、例えば、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）により構成され、厚みは、例えば３４ｎｍ〜３５ｎｍである。
【００３９】
光熱変換層３４は、光エネルギーを吸収して熱エネルギーに変換する材料、例えば、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）あるいはこれらを含む合金など吸収率の高い材料により構成され、好ましくはモリブデンにより構成されている。この光熱変換層３４は、光を透過しない程度の十分な厚み、例えば１００ｎｍで構成されている。
【００４０】
保護層３５は、例えば、ＳｉＮxなどの非晶質シリコンにより構成され、光熱変換層３４の酸化を防止すると共に、光熱変換層３４の吸収率を高めるようになっている。
【００４１】
赤色転写層３６Ｒは、赤色発光材料と、正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んで構成されており、上述の赤色有機発光素子１０Ｒの赤色混合層１５Ｒを形成するものである。この赤色転写層３６Ｒは、保護層３５上の赤色対応領域４０Ｒ、すなわち反射層３２Ｂに対向する領域に設けられ、厚みは、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍ、例えば３０ｎｍである。
【００４２】
緑色転写層３６Ｇは、保護膜３５の全面に対して、赤色転写層３６Ｒを覆うように設けられ、厚みは、５ｎｍ〜７０ｎｍ、例えば１５ｎｍである。従って、赤色対応領域４０Ｒでは、赤色転写層３６Ｒと緑色転写層３６Ｇとが積層されており、緑色対応領域４０Ｇおよび青色対応領域４０Ｂでは、緑色転写層３６Ｇの単色層となっている。
【００４３】
次に、このドナー基板２の作製方法について、図３〜図８を参照して説明する。
【００４４】
まず、図３（Ａ）に示したように、支持基板３０上に、密着層３１−１、反射層３２−１、密着層３１−２を、この順に例えばスパッタリング法を用いて形成する。続いて、図３（Ｂ）に示したように、形成した密着層３１−１、反射層３２−１、密着層３１−２のうち、例えばフォトリソグラフィによるパターニングにより、青色対応領域４０Ｂ以外の部分を除去する。これにより、支持基板３０の表面上に、青色対応領域４０Ｂにのみ、密着層３１Ａ、反射層３２Ａおよび密着層３１Ｂの積層構造が形成される。
【００４５】
続いて、図４（Ａ）に示したように、パターニングされた密着層３１Ａ、反射層３２Ａおよび密着層３１Ｂを覆うように、支持基板３０の表面の全面に対して反射防止層３３Ａを例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法により形成する。次いで、光熱変換層３４を全面に十分な厚みで例えばスパッタリング法により形成したのち、反射防止層３３Ｂを例えばＣＶＤ法により形成する。こののち、形成した反射防止層３３Ｂ上に密着層３１Ｃ、反射層３１−２を、この順に例えばスパッタリング法により形成する。続いて、図４（Ｂ）に示したように、形成した反射層３１−２のうち、例えばフォトリソグラフィによるパターニングにより、赤色対応領域４０Ｒ以外の部分を除去する。これにより、支持基板３０の表面側に、赤色対応領域４０Ｒにのみ、反射層３２Ｂが形成される。
【００４６】
続いて、図５に示したように、密着層３１Ｃ上に、反射層３２Ｂを覆うように保護層３５を、例えばＣＶＤ法により形成する。但し、この保護層３５と前述の反射防止層３３Ａ，３３Ｂの成膜温度は、３００℃以下であることが好ましい。３００℃よりも高い温度で成膜すると、反射層３２Ａ，３２Ｂとして銀あるいは銀合金を用いた場合、銀が変質して反射率が低下する虞があるからである。
【００４７】
続いて、図６に示したように、保護層３５上の全面に対して赤色転写層３６Ｒ−１を、例えば真空蒸着により形成する。次いで、真空状態を保ったまま、図７に示したように、ガラスなどからなる対向基板１００を、赤色転写層３６Ｒ−１に対向するように近接または密着させた状態で、対向基板１００の側からレーザ光Ｌを照射する。レーザ光Ｌとしては、例えば波長８００ｎｍの半導体レーザ光を用いることができ、照射条件としては例えば０．３ｍＷ／μｍ2 、スキャン速度５０ｍｍ／ｓとすることができる。これにより、図８に示したように赤色対応領域４０Ｒに赤色転写層３６Ｒを形成する。
【００４８】
最後に、保護層３５上の全面に、赤色転写層３６Ｒを覆うようにして、例えば真空蒸着により緑色転写層３６Ｇを形成することにより、図２に示したドナー基板２を得ることができる。
【００４９】
次に、素子形成用基板３の形成方法について、図９および図１０を参照して説明する。
【００５０】
まず、図９（Ａ）に示したように、駆動用基板１０上に、例えばスパッタリング法により、第１電極１１を形成したのち、例えばフォトリソグラフィによるパターニング後、エッチングにより所定の形状に成形する。なお、駆動用基板１０には、図示しないＴＦＴ素子やゲート線、ソース線などの配線が配置されているため、これらを平坦化させる平坦化絶縁膜を形成し、この平坦化絶縁膜にコンタクトホールを形成し、駆動用基板１０と第１電極１１とが電気的に接続されるようにする。
【００５１】
続いて、図９（Ｂ）に示したように、駆動用基板１０の全面に対して、例えばスピンコート法により感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により第１電極１１に対応する部分に開口部を設けた形状に成形したのち、焼成して絶縁膜１２を形成する。
【００５２】
続いて、図１０に示したように、形成した第１電極１１および絶縁膜１２を覆うように、例えば蒸着法により、正孔注入層１３および正孔輸送層１４を順次成膜することにより、赤色素子形成領域１０Ｒ−１と、緑色素子形成領域１０Ｇ−１と、青色素子形成領域１０Ｂ−１とを有する素子形成用基板３を形成する。
【００５３】
次に、ドナー基板２を用いた転写方法について、図１１〜図１４を参照して説明する。
【００５４】
図１１に示したように、ドナー基板２の表面側（赤色転写層３６Ｒおよび緑色転写層３６Ｇが形成されている側）と駆動用基板１０上の素子形成領域とが対向するように配置して、ドナー基板２の裏面側からレーザ光Ｌを照射する。このとき、ドナー基板２の赤色対応領域４０Ｒ、緑色対応領域４０Ｇおよび青色対応領域４０Ｂが、それぞれ、素子形成用基板３の赤色素子形成領域１０Ｒ−１、緑色素子形成領域１０Ｇ−１および青色素子形成領域１０Ｂ−１に対応するように位置合わせする。このようにして、赤色転写層３６Ｒと、緑色転写層３６Ｇのうち青色対応領域４０Ｂ以外の部分とを素子形成用基板３に一括転写する。これにより、図１２に示したように、赤色素子形成領域１０Ｒ−１には赤色混合層１５Ｒが形成されると同時に、緑色素子形成領域１０Ｇ−１には緑色単色層１５Ｇが形成される。
【００５５】
続いて、図１３に示したように、例えば蒸着法により、基板全面に対して青色共通層１５Ｂを形成する。こののち、例えば真空蒸着法により、電子注入層１６と第２電極１７とを順次形成する。このようにして、駆動基板１０上に、赤色有機発光素子１０Ｒ、緑色有機発光素子１０Ｇおよび青色有機発光素子１０Ｂを形成する。
【００５６】
以上のようにして、赤色有機発光素子１０Ｒ、緑色有機発光素子１０Ｇおよび青色有機発光素子１０Ｂを形成したのち、これらの上に保護膜１８を形成する。このとき、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法またはＣＶＤ法が好ましい。また、第２電極１７を大気に暴露することなく、第２電極１７の形成と連続的に行うことが好ましい。大気中の水分や酸素により、赤色有機発光素子１０Ｒ、緑色有機発光素子１０Ｇおよび青色有機発光素子１０Ｂが劣化してしまうのを抑制することができるからである。更に、赤色有機発光素子１０Ｒ、緑色有機発光素子１０Ｇおよび青色有機発光素子１０Ｂの輝度の低下を防止するため、保護膜１８の成膜温度は常温に設定することが好ましく、保護膜１８の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。
【００５７】
最後に、保護膜１８の上に、接着層２０を形成し、この接着層２０を間にして封止用基板３０を貼り合わせる。これにより、図１に示した表示装置１が完成する。
【００５８】
次に、本実施の形態のドナー基板２および表示装置１の作用、効果について説明する。
【００５９】
ドナー基板２では、図２に示したように、支持基板３０の表面側から順に、青色対応領域４０Ｂにパターニング形成された反射層３２Ａと、この反射層３２Ａを覆うようにして基板全面に形成された光熱変換層３４と、赤色対応領域４０Ｒにパターニング形成された反射層３２Ｂとを有していることにより、支持基板３０の表面側からレーザ光Ｌを照射した場合には、レーザ光Ｌは、赤色対応領域４０Ｒでは、照射されたレーザ光Ｌが反射層３２Ｂによって反射される一方、緑色対応領域４０Ｇおよび青色対応領域４０Ｂでは、レーザ光Ｌが光熱変換層３４によって吸収されて光熱変換される。よって、反射層３２Ｂよりも表面側に、赤色転写層３６Ｒ−１を形成し、この赤色転写層３６Ｒ−１に対向基板１００を貼り合わせて対向基板１００の側からレーザ光Ｌを照射することにより、赤色対応領域４０Ｒにおいてのみ、赤色転写層３６Ｒが残存する。一方、緑色対応領域４０Ｇおよび青色対応領域４０Ｂの赤色転写層３６Ｒ−１は対向基板１００に転写され、ドナー基板２上から除去される。
【００６０】
他方、ドナー基板２の支持基板３０の裏面側からレーザ光Ｌを照射した場合には、レーザ光Ｌは、青色対応領域４０Ｂでは反射層３２Ｂによって反射される一方、緑色対応領域４０Ｇおよび赤色対応領域４０Ｒでは、光熱変換層３４によって吸収されて光熱変換される。よって、支持基板３０の表面側に、赤色転写層３６Ｒを覆うようにして緑色転写層３６Ｇを基板全面に対して形成し、これらの転写層が形成されている面を素子形成用基板３に対向配置させて、ドナー基板２の支持基板３０の裏面側からレーザ光Ｌを照射することにより、青色対応領域４０Ｂにおいてのみ、緑色転写層３６Ｇが残存する。一方、赤色対応領域４０Ｒでは、赤色転写層３６Ｒと緑色転写層３６Ｇとが転写され、緑色対応領域４０Ｇでは、緑色転写層３６Ｇが転写される。これにより、素子形成用基板３の赤色素子形成領域１０Ｒ−１および緑色素子形成領域１０Ｇ−１には、それぞれ、赤色混合層１５Ｒおよび緑色単色層１５Ｇが一括に転写される。
【００６１】
このように、本実施の形態のドナー基板２を用いて転写を行うことにより、転写層のうち選択的な領域のみを一括して転写することができる。また、従来のようにレーザ光のスポット形状を成形して所定領域のみ選択的に照射するという複雑な工程は不要となり、レーザ光Ｌを成形せずに基板全面に対して照射しても、所望の領域のみを転写あるいは残存させることができる。従って、転写工数が削減されると共に、タクトタイムが短縮され、製造上の歩留りが向上する。
【００６２】
また、支持基板３０と反射層３２との間に、支持基板３０に対する反射層３２Ａの密着性を高める密着層３１Ａが形成されていることにより、反射防止層３３Ａや光熱変換層３４の形成時において、反射層３２Ａが支持基板３０から剥がれにくくなる。よって、所望のパターン構成を得易くなる。
【００６３】
例えば、支持基板３０をガラスにより構成し、反射層３２Ａ，３２Ｂを厚み１００ｎｍの銀合金、密着層３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃを厚み１０ｎｍのＩＴＯ、反射防止層３３Ａ，３３Ｂを厚み３４ｎｍ〜３５ｎｍのアモルファスシリコン、光熱変換層３４を厚み１００ｎｍのモリブデン、保護層３５を厚み１００ｎｍのＳｉＮxを用いて、パターニング形成し、図５に示したドナー基板を作製した。この作製したドナー基板を支持基板３０の表面側から観測した写真を図１４に示す。このように、一つの画素Ｐは、３つの領域にパターニングされており、それぞれ青色対応領域４０Ｂ、緑色対応領域４０Ｇおよび赤色対応領域４０Ｒに対応する。
【００６４】
また、このようにして作製したドナー基板の支持基板３０の表面側と裏面側とからレーザ光を照射した場合のレーザ光の波長に対する反射率を測定したので、その結果を図１５（Ａ）に示す。なお、図中のＡは図１５（Ｂ）に示したように、支持基板３０の裏面側からレーザ光Ｌを照射した場合の青色対応領域４０Ｂにおける反射率、Ｂは支持基板３０の裏面側からレーザ光Ｌを照射した場合の緑色対応領域４０Ｇにおける反射率、Ｃは支持基板３０の表面側からレーザ光Ｌを照射した場合の赤色対応領域４０Ｒおける反射率、Ｄは支持基板３０の表面側からレーザ光Ｌを照射した場合の緑色対応領域４０Ｇにおける反射率、Ｅは青色対応領域４０Ｂにおける反射率を示す。
【００６５】
図１５（Ａ）に示したように、レーザ光Ｌが照射される側に反射層３２Ａを有する場合（Ａ）と、レーザ光Ｌが照射される側に反射層３２Ｂを有する場合（Ｃ）については、反射率が高くなった。この結果は、支持基板３０の表面側からレーザ光Ｌを照射した場合、赤色対応領域４０Ｒでは、照射されたレーザ光が反射されて光熱変換層３４まで達しないことを示している。一方、支持基板３０の裏面側からレーザ光Ｌを照射した場合、青色対応領域４０Ｂでは、照射されたレーザ光が反射されて光熱変換層３４まで達しないことを示している。
【００６６】
他方、レーザ光Ｌが照射される側に、光熱変換層３４を有する場合（Ｂ，ＤおよびＥ）については、反射率が低くなった。この結果は、支持基板３０の表面側からレーザ光Ｌを照射した場合、緑色対応領域４０Ｇおよび青色対応領域４０Ｂでは、レーザ光Ｌが光熱変換層３４によって吸収されることを示している。一方、支持基板３０の裏面側からレーザ光Ｌを照射した場合、緑色対応領域４０Ｇおよび赤色対応領域４０Ｒでは、レーザ光Ｌが光熱変換層３４によって吸収されることを示している。
【００６７】
これらの結果より、支持基板３０の表面側と裏面側の、それぞれの方向からレーザ光Ｌを全面照射しても、選択的な領域について転写層を転写あるいは残存させることができることがわかる。また、反射層３２Ａと支持基板３０との間に、反射層３２Ａを剥がれにくくするための密着層３１Ａを設けたとしても、反射層３２Ａでは高反射率が維持されていることがわかる。特に、レーザ光Ｌの波長を７００ｎｍ以上とすると、ＡおよびＣにおける反射率を９０％以上確保しつつ、Ｂ，ＤおよびＥにおける反射率を１０％以下に抑えることができるため、所望の領域に精度良く転写することができるため好ましい。
【００６８】
また、赤色転写層３６Ｒおよび緑色転写層３６Ｇを一括転写したのちのドナー基板２に対して、再び赤色転写層３６Ｒおよび緑色転写層３６Ｇを形成することにより、繰り返し一括転写を行うことができるためリサイクルが可能となる。このため、支持基板３０がガラスなどの耐熱性や剛性を有する材料により構成されていることが好ましい。
【００６９】
また、表示装置１では、青色共通層１５Ｂが、赤色有機発光素子１０Ｒ、緑色有機発光素子１０Ｇおよび青色有機発光素子１０Ｂに共通して設けられていることにより、赤色有機発光素子１０Ｒが、赤色発光材料および緑色発光材料を含む混合層１５Ｒを有し、青色の発光層としての青色共通層１５Ｂが３色の素子に共通の層として形成されていることにより、各素子において、エネルギー準位の低い順にエネルギー遷移が起こる。よって、赤色有機発光素子１０Ｒでは赤色発光、緑色有機発光素子１０Ｇでは緑色発光、青色有機発光素子１０Ｂでは青色発光が、それぞれ支配的となる。従って、青色発光層を各素子に共通の層として形成することにより、従来のように発光色数と同じく三回の転写を行う必要がなくなり、転写回数を一回とすることができる。
【００７０】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、レーザ光を照射することにより転写する場合について説明したが、例えばランプなど他の輻射線を照射するようにしてもよい。
【００７１】
また、ドナー基板２が、支持基板３０の表面側に転写層が形成された構成を例に挙げて説明したが、これに限定されず、光熱変換層３４と、光熱変換層３４の支持基板３０の側にパターン化された反射層３２Ａと、光熱変換層３４の転写層が形成される側にパターン化された反射層３２Ｂとを有する構成であれば、本発明の効果は達成される。
【００７２】
また、表示装置１が上面発光型である場合について説明したが、これに限定されず、透過型あるいは下面発光型であってもよい。また、第２電極１７を、カソード電極として用いる場合について説明したが、アノード電極として用いるようにしてもよい。例えば、透過型の場合、第２電極をアノード電極として用いるときには、反射率の高い導電性材料により構成され、第２電極をカソード電極として用いるときには、仕事関数が小さく、かつ反射率の高い導電性材料により構成されるようにする。
【００７３】
また、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法，成膜条件およびレーザ光Ｌの照射条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法，成膜条件および照射条件としてもよい。
【００７４】
また、上記実施の形態では、赤色有機発光素子１０Ｒ，緑色有機発光素子１０Ｇおよび青色有機発光素子１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、第１電極１１と正孔注入層１３との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2 Ｏ3 ），ＩＴＯなどからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係るドナー基板の構成を表す断面図である。
【図３】図２に示したドナー基板の作製方法を工程順に表す断面図である。
【図４】図３に続く工程を表す断面図である。
【図５】図４に続く工程を表す断面図である。
【図６】図５に続く工程を表す断面図である。
【図７】図６に続く工程を表す断面図である。
【図８】図７に続く工程を表す断面図である。
【図９】素子形成用基板の形成方法を工程順に表す断面図である。
【図１０】素子形成用基板の構成を表す断面図である。
【図１１】図２に示したドナー基板を用いた転写工程を表す断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を表す断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を表す断面図である。
【図１４】転写層形成前のドナー基板を支持基板の表面側から撮影した写真である。
【図１５】図１４に示したドナー基板のレーザ光に対する反射率を説明するための図である。
【符号の説明】
【００７６】
１０Ｒ…赤色有機発光素子、１０Ｇ…緑色有機発光素子、１０Ｂ…青色有機発光素子、１…表示装置、２…ドナー基板、１０駆動用基板、１１…第１電極、１２…絶縁膜、１３…正孔注入層、１４…正孔輸送層、１５Ｒ…赤色混合層、１５Ｇ…緑色単色層、１５Ｂ…青色共通層、１６…電子注入層、１７…第２電極、１８…保護膜、１９…接着層、２０…封止用基板、３０…支持基板、３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ…密着層、３２Ａ，３２Ｂ…反射層、３３Ａ，３３Ｂ…反射防止層、３４…光熱変換層、３６Ｒ…赤色転写層、３６Ｇ…緑色転写層、４０Ｒ…赤色対応領域、４０Ｇ…緑色対応領域、４０Ｂ…青色対応領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2008270271.tif 000013
【図１２】
2008270271.tif 000014
【図１３】
2008270271.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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