(57)【要約】【課題】１枚のウェハ上に異なるトランジスタ特性を有するサンプルウェハの製造方法を提供すること。【解決手段】ウェハ１０上の所定領域に高濃度のＮ型不純物が注入されたチャネル領域３３、低濃度のＮ型不純物が注入されたチャネル領域３４、高濃度のＰ型不純物が注入されたチャネル領域３１、低濃度のＰ型不純物が注入されたチャネル領域３２を形成することで、チャネル領域３２及びチャネル領域３３が形成された第１領域Ａ１と、チャネル領域３２及びチャネル領域３４が形成された第２領域Ａ２と、チャネル領域３２及びチャネル領域３３が形成された第３領域Ａ３と、チャネル領域３１及びチャネル領域３３が形成された第４領域Ａ４を形成する。【選択図】図２
2008270419.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の露光ショット内に形成された第１及び第２のレジストパターンをマスクとして、それぞれ第１導電型及び第２導電型の第１及び第２のチャネル領域を形成し、
前記第１の露光ショットとは異なる第２の露光ショット内に形成された第３及び第４のレジストパターンをマスクとして、それぞれ前記第１導電型及び前記第２導電型の第３及び第４のチャネル領域を形成するサンプルウェハの製造方法であって、
前記第１のチャネル領域及び前記第３のチャネル領域の不純物濃度と、前記第２のチャネル領域及び第４のチャネル領域の不純物濃度のうち、少なくとも一方の不純物濃度が異なっていることを特徴とするサンプルウェハの製造方法。 
【請求項２】
前記第１のチャネル領域及び前記第４のチャネル領域のうち、同一導電型のチャネル領域は、同一のマスクを使用した露光ショットを使用して形成する
ことを特徴とする請求項１記載のサンプルウェハの製造方法。 
【請求項３】
ウェハの表面の第１領域に形成されたレジストに対して複数の露光ショットを打ち分け、現像により形成された前記第１領域のレジストパターンをマスクにして第１導電型の不純物イオンを前記ウェハに注入し、前記第１領域に複数の第１導電型の第１チャネル領域を形成する第１ステップと、
前記ウェハ表面の前記第１領域とは異なる第２領域に形成されたレジストに対して複数の露光ショットを打ち分け、現像により形成された前記第２領域のレジストパターンをマスクにして前記第１導電型の不純物イオンを前記ウェハに注入し、前記第２領域に、前記第１チャネル領域とは異なる不純物濃度を有する複数の前記第１導電型の第２チャネル領域を形成する第２ステップと、
前記ウェハの表面の第３領域に形成されたレジストに対して複数の露光ショットを打ち分け、現像により形成された前記第３領域のレジストパターンをマスクにして前記第１導電型とは異なる第２導電型の不純物イオンを前記ウェハに注入し、前記第３領域に複数の第２導電型の第３チャネル領域を形成する第３ステップと、
前記ウェハ表面の前記第３領域とは異なる第４領域に形成されたレジストに対して複数の露光ショットを打ち分け、現像により形成された前記第４領域のレジストパターンをマスクにして前記第２導電型の不純物イオンを前記ウェハに注入し、前記第４領域に、前記第３チャネル領域とは異なる不純物濃度を有する複数の前記第２導電型の第４チャネル領域を形成する第４ステップとを有するサンプルウェハの製造方法。 
【請求項４】
前記第１領域及び前記第２領域は、前記ウェハ上の第１の線分で区画される２つの領域であり、前記第３領域及び前記第４領域は、前記ウェハ上で前記第１の線分と交わる第２の線分で区画される２つの領域である
ことを特徴とする請求項３記載のサンプルウェハの製造方法。 
【請求項５】
前記第１の線分と前記第２の線分とは直交する
ことを特徴とする請求項４記載のサンプルウェハの製造方法。 
【請求項６】
前記ウェハの表面を３つの平行な線分で区画して第５領域乃至第８領域とし、前記第５領域に前記第１ステップ及び前記第３ステップを実施し、前記第６領域に前記第２ステップ及び前記第４ステップを実施し、前記第７領域に前記第１ステップ及び前記第４ステップを実施し、前記第８領域に前記第２ステップ及び前記第３ステップを実施する
ことを特徴とする請求項３記載のサンプルウェハの製造方法。 
【請求項７】
前記第１ステップ及び前記第２ステップの複数の露光ショットは同一のマスクを使用して行い、前記第３ステップ及び前記第４ステップの複数の露光ショットは同一のマスクを使用して行う
ことを特徴とする請求項３記載のサンプルウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はサンプルウェハの製造方法に関し、特に異なる特性を有するサンプルトランジスタを形成するためのサンプルウェハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ウェハに形成するＮチャンネルトランジスタ、Ｐチャンネルトランジスタの不純物濃度を決定する場合、ウェハ毎に、閾値制御用の不純物チャネルドープ量（ウェルの不純物イオンドープ量）をコントロールすることで、トランジスタ水準を作り分けていた。
【０００３】
図７は、従来のサンプルウェハの製造方法を示すフローチャートである。先ず、ウェハ上にレジストを塗布し（ステップＳ１０１）、所定の領域を露光し、次いで現像する（ステップＳ１０２）。そして、形成されたレジストパターンをマスクに例えばＰ型イオンを注入し（ステップＳ１０３）、レジストを除去する（ステップＳ１０４）。そして、再度レジストを塗布し（ステップＳ１０５）、露光し、次いで現像し（ステップＳ１０６）、Ｎ型イオンを注入して（ステップＳ１０７）、最後にレジストを除去する（ステップＳ１０８）。
【０００４】
ここで、水準の異なるトランジスタは別々のウェハに形成する。すなわち、図１に示すように、ＮチャンネルトランジスタのＯＮ電流が小さく、ＰチャンネルトランジスタのＯＮ電流が大きい特性（Ｔｒ１）を有するウェハと、ＮチャンネルトランジスタのＯＮ電流が大きく、ＰチャンネルトランジスタのＯＮ電流が大きい特性（Ｔｒ２）を有するウェハと、ＮチャンネルトランジスタのＯＮ電流が大きく、ＰチャンネルトランジスタのＯＮ電流が小さい特性（Ｔｒ３）を有するウェハと、ＮチャンネルトランジスタのＯＮ電流が小さく、ＰチャンネルトランジスタのＯＮ電流が小さい特性（Ｔｒ４）を有するウェハを形成し、リーク電流やスイッチング特性などが所望の値で得られた場合に、これらの中間値を有する（Ｔｒ５）チャネルドープ量を推定する。
【非特許文献１】ミード，Ｃ．（Ｍｅａｄ，Ｃａｒｖｅｒ）著、臼井  支朗・米津  宏雄  訳、アナログＶＬＳＩと神経システム、株式会社凸版：付録ＣＭＯＳ製作方法
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この場合、Ｐ型不純物イオンが高濃度にドープされたトランジスタ及びＮ型不純物イオンが低濃度にドープされたトランジスタを有するウェハと、Ｐ型不純物イオンが高濃度にドープされたトランジスタ及びＮ型不純物イオンが高濃度にドープされたトランジスタを有するウェハと、Ｐ型不純物イオンが低濃度にドープされたトランジスタ及びＮ型不純物イオンが低濃度にドープされたトランジスタを有するウェハと、Ｐ型不純物イオンが低濃度にドープされたトランジスタ及びＮ型不純物イオンが高濃度にドープされたトランジスタを有するウェハを形成する必要がある。
【０００６】
しかしながら、このような水準パターンの形成方法では、各水準毎にウェハを用意するため、基板同士のばらつきを抑制することが困難である。さらに、上述の例では４つであるが、水準数だけのウェハが必要となるため、拡散枚数が多くなり、コストが高くなると共に、異なるサンプルウェハを評価するために、テスタ使用時間が長くなり、テストにも時間がかかるという問題点がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明にかかるサンプルウェハの製造方法は、第１の露光ショット内に形成された第１及び第２のレスジストパターンをマスクとして、それぞれ第１導電型及び第２導電型の第１及び第２チャネル領域を形成し、前記第１の露光ショットとは異なる第２の露光ショット内に形成された第３及び第４のレジストパターンをマスクとして、それぞれ前記第１導電型及び前記第２導電型の第３及び第４チャネル領域を形成する前記第１及び第３のチャネル領域のいずれか一方、及び／又は前記第２及び第４のチャネル領域のいずれか一方が、他方とは不純物濃度が異なっているものである。
【０００８】
本発明においては、同一ウェハに異なる不純物濃度のチャネル領域を形成するため、同一ウェハに異なる水準のトランジスタを形成することが可能となる。よって、基板間のばらつきをなくし、またコストも低減することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、１枚のウェハ上に異なるトランジスタ特性を有するサンプルウェハの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
実施の形態１．
【００１１】
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、横軸にＮチャンネルトランジスタのＯＮ電流をとり、縦軸にＰチャンネルトランジスタのＯＮ電流をとって、トランジスタの特性を示す図である。グラフ左上の点Ｔｒ１は、ＮｃｈトランジスタのＯＮ電流が小さく、ＰｃｈトランジスタのＯＮ電流が大きいトランジスタ特性を示す。このような特性を得るためには、ウェルに対するＮ型不純物イオンのドープ量（チャネルドーズ量）が低い、すなわちＮ型不純物イオンのドープ量が低いチャネル領域を有するトランジスタと、ウェルに対するＰ型不純物のドープ量が高い、すなわちＰ型不純物イオンのドープ量が高いチャネル領域を有するトランジスタとからなるウェハを用意する必要がある。右上の点Ｔｒ２は、Ｎｃｈ、ＰｃｈのいずれのＯＮ電流も大きいトランジスタ特性を示し、このような特性を得るためには、Ｎ型、Ｐ型のいずれの不純物ドープ量が高いチャネル領域のトランジスタを有するウェハを用意する必要がある。
【００１２】
右下の点Ｔｒ３は、ＮｃｈトランジスタのＯＮ電流が大きく、ＰｃｈトランジスタのＯＮ電流が小さいトランジスタ特性を示す。このような特性を有するトランジスタは、Ｎ型不純物イオンのドープ量が高いチャネル領域を有するトランジスタと、Ｐ型不純物のドープ量が低いチャネル領域を有するトランジスタを有するウェハを用意する必要がある。左下の点Ｔｒ４は、ＮｃｈトランジスタのＯＮ電流が小さく、ＰｃｈトランジスタのＯＮ電流が小さいトランジスタ特性を示す。このような特性を有するトランジスタは、Ｎ型不純物イオンのドープ量が低いチャネル領域のトランジスタと、Ｐ型不純物のドープ量が低いチャネル領域のトランジスタを有するウェハを用意する必要がある。
【００１３】
このような４つの水準（特性）のトランジスタを形成し、スイッチング速度、リーク電流等を検査し、所望の特性が得られた場合は、これらの特性のセンタ、図１では、符号Ｔｒ５で示す特性を示すチャネル領域を有するトランジスタを形成するよう不純物ドープ量を決定する。ここで、従来は、特性Ｔｒ１〜Ｔｒ４を満たすチャネル領域のトランジスタをそれぞれ形成したサンプルウェハ、本例では４つのサンプルウェハを製造していたのに対し、本実施の形態においては、特性Ｔｒ１〜Ｔｒ４を満たすチャネル領域のトランジスタを一枚のウェハに形成する。このことにより、ウェハ間のばらつきをなくしウェハ面内傾向のみを考慮すればよいサンプルウェハを得ることができる。以下では、このようなチャネル領域の形成方法につて説明する。
【００１４】
図２は、本発明の実施の形態１にかかるサンプルウェハの製造方法を示す図である。図３は、サンプルの製造工程を示すフローチャートである。
【００１５】
まず、ウェハ１０全面にレジストを塗布する（ステップＳ１）。その後、Ｐ型用のマスクを使用して領域２０で示す露光ショットを打ち分け、レジストを現像してレジストパターンを形成する（ステップＳ２）。この際のレジストパターンは、本実施の形態においては、ウェハ１０における線分Ｌ１で区画されるウェハ上の２の領域のうち、下半分に形成する。そして、このウェハの下半分に形成されたレジストパターンをマスクとして高濃度Ｐ型不純物イオンを照射する。この場合、例えば不純物にはボロンを使用することができ、不純物濃度は例えば１．５×１０１３（ｃｍ−２）程度とすることができる。こうして高濃度のＰ型チャネル領域３１を形成する（図２（ａ）、ステップＳ３）。高濃度のＰ型イオンを注入することによって、ウェハの下半分には、後述するように、低閾値のＰＭＯＳトランジスタを形成することができる。最後にウェハ全体のレジストを除去する（図２、Ｓ４参照）。
【００１６】
次に、ウェハ全面にレジストを塗布する（ステップＳ５）。その後、その後、上記高濃度Ｐ型チャネル領域３１を形成した際と同一のＰ型用マスクを使用して領域２０で示す露光ショットを打ち分け、レジストを現像してレジストパターンを形成する（ステップＳ６）。この際のレジストパターンは、本実施の形態においては、ウェハ１０における線分Ｌ１で区画されるウェハ上の２の領域のうち、上半分に形成する。そして、このウェハの上半分に形成されたレジストパターンをマスクとして低濃度Ｐ型不純物イオンを照射する。この場合、例えば不純物にはボロンを使用することができ、不純物濃度が８×１０１２（ｃｍ−２）とすることができる。こうして低濃度のＰ型チャネル領域３２を形成する（図２（ｂ）、ステップＳ７）。低濃度のＰ型イオンを注入することによって、ウェハの上半分には、後述するように、高閾値のＰＭＯＳトランジスタを形成することができる。最後にレジストを除去する（ステップＳ８）。これにより、ウェハの上半分及び下半分には、それぞれ、高濃度Ｐ型チャネル領域３１及び低濃度Ｐ型チャネル領域３２が形成される。
【００１７】
次に、ウェハ全面にレジストを塗布する（ステップＳ９）。その後、Ｎ型用のマスクを使用して領域２０で示す露光ショットを打ち分け、レジストを現像してレジストパターンを形成する（ステップＳ１０）。この際のレジストパターンは、本実施の形態においては、ウェハ１０における線分Ｌ２で区画されるウェハ上の２の領域のうち、左半分に形成する。なお、本実施の形態においては、線分Ｌ１と線分Ｌ２とは直交するものとして説明するが、線分Ｌ１と線分Ｌ２とは交わればよく、これに限るものではない。そして、このウェハの左半分に形成されたレジストパターンをマスクとして高濃度Ｎ型不純物イオンを照射する。この場合、例えば不純物にはリンを使用することができ、不純物濃度は２．２×１０１３（ｃｍ−２）とすることができる。こうして高濃度のＮ型チャネル領域３３を形成する（図２（ｃ）、ステップＳ１１）。高濃度のＮ型イオンを注入することによって、ウェハの左半分には、後述するように低閾値のＮＭＯＳトランジスタを形成することができる。最後にレジストを除去する（ステップＳ１２）。
【００１８】
次に、ウェハ全面にレジストを塗布する（ステップＳ１３）。その後、上記高濃度Ｎ型チャネル領域３３を形成した際と同一のＮ型用マスクを使用して領域２０で示す露光ショットを打ち分け、レジストを現像してレジストパターンを形成する（ステップＳ１４）。この際のレジストパターンは、本実施の形態においては、ウェハ１０における線分Ｌ２で区画されるウェハ上の２の領域のうち、右半分に形成する。そして、このウェハの右半分に形成されたレジストパターンをマスクとして低濃度Ｍ型不純物イオンを照射する。この場合、例えば不純物にはリンを使用することができ、不純物濃度は１．５×１０１３（ｃｍ−２）とすることができる。こうして低濃度のＮ型チャネル領域３４を形成する（図２（ａ）、ステップＳ１５）。低濃度のＮ型イオンを注入することによって、ウェハの右半分には、後述するように高閾値のＮＭＯＳトランジスタを形成することができる。最後にレジストを除去する（ステップＳ１６）。
【００１９】
以上のようにして、１つのウェハ１０を上下、左右の４領域に区画することで区画された４つの領域（以下、第１の領域Ａ１乃至第４の領域Ａ４という）に不純物のドープ量が異なるチャネル領域３１〜３４を形成する（図２（ｅ））。
【００２０】
すなわち、ウェハ１０上の第１の領域Ａ１には、低濃度のＰ型チャネル領域３２と高濃度のＮ型チャネル領域３３が形成される。従って、ウェハ１０上の第１の領域Ａ１には、高閾値のＰＭＯＳトランジスタと低閾値のＮＭＯＳトランジスタを形成することができる。
【００２１】
また、ウェハ１０上の第２の領域Ａ２には、低濃度のＰ型チャネル領域３２と低濃度のＮ型チャネル領域３４が形成される。従って、ウェハ１０上の第２の領域Ａ２には、高閾値のＰＭＯＳトランジスタと高閾値のＮＭＯＳトランジスタを形成することができる。
【００２２】
また、ウェハ１０上の第３の領域Ａ３には、高濃度のＰ型チャネル領域３１と高濃度のＮ型チャネル領域３３が形成される。従って、ウェハ１０上の第３の領域には、低閾値のＰＭＯＳトランジスタと、低閾値のＮＭＯＳトランジスタを形成することができる。
【００２３】
また、ウェハ１０上の第４の領域Ａ４には、高濃度のＰ型チャネル領域３１と低濃度のＮ型チャネル領域３４が形成される。従って、ウェハ１０上の第４の領域Ａ４には、低閾値のＰＭＯＳトランジスタと、高閾値のＮＭＯＳトランジスタを形成することができる。
【００２４】
以上のようにして、不純物ドープ量が異なるチャネル領域を形成した後、既知の半導体製造プロセスを用いて、Ｐチャネル、Ｎチャネルのトランジスタを作成する。この場合、上述したように、低閾値のＮＭＯＳトランジスタ、ＰＭＯＳトランジスタ及び高閾値のＮＭＯＳトランジスタ、ＰＭＯＳトランジスタを形成することができる。これらの各トランジスタのオン電流を測定するテスト等を実施し、上述したように、図１記載の方法でウェハの不純物ドープ量を決定する。
【００２５】
本実施の形態においては、同一ウェハ１０上に不純物ドープ量が異なるチャネル領域が形成される領域を４つ（Ａ１〜Ａ４）有するサンプルウェハを生成することができる。このため、同一のウェハの面内傾向のみを考慮した水準サンプルを作成することが可能となる。また、同一のウェハを使用するため、ゲート長寸法のウェハ間のバラツキを考慮する必要がなくなる。
【００２６】
さらに、４つの異なる閾値特性を有するトランジスタを一枚のウェハで作成することができるため、ウェハの拡散枚数を低減させることが可能となる。さらにまた、１回のウェハテストで水準特性の傾向を把握することが可能となる。なお、本実施の形態においては、特性Ｔｒ１乃至Ｔｒ４を有する４種類の領域を設けたが、例えばＰチャネルのみのトランジスタ、Ｎチャンネルのみのトランジスタからなる半導体装置を製造する場合は、上記の４つの領域ではなく、Ｐ型又はＮ型であって、不純物のドープ量が異なる複数種類のチャネル領域を一枚のウェハ上に領域を区画して形成したサンプルウェハを製造すればよい。
実施の形態２．
【００２７】
図４は、本実施の形態２にかかるサンプルウェハの製造工程における露光ショットによる露光方法を示す図である。なお、サンプルウェハの製造工程に関しては実施の形態１と同一であるため、その詳細な説明を省略する。実施の形態１では、ウェハ上に不純物ドープ量が異なるチャネル領域を有する第１〜第４の領域を形成したが、本実施の形態では、一枚のウェハを縞状に区画し、区画されたそれぞれの領域に異なるトランジスタ特性を有するようチャネル領域を形成する。
【００２８】
具体的には、まず、ウェハを複数の領域に区画する。本実施の形態では、３本の互いに平行な線分Ｌ１１、Ｌ１２及びＬ１３により、ウェハを４つの領域Ｂ１〜Ｂ４に区画するものとする。そして、区画された第１の領域Ｂ１にＰ型用のマスクを使用して、領域２０で示す複数の露光ショットを打ち分け、次いでレジストを現像してレジストパターンを形成する（図４（ａ））。そして形成されたレジストパターンをマスクに、例えば高濃度のＰ型イオンを注入して高濃度のＰ型チャネル領域３１を形成する。この場合、例えば不純物にはボロンを使用することができ、不純物濃度は例えば１．５×１０１３（ｃｍ−２）程度とすることができる。
【００２９】
続いて、第２の領域Ｂ２を上記のＰ型チャネル領域３１の製造時と同一のマスクであるＰ型用のマスクを使用して複数の露光ショットを打ち分け、ついでレジストを現像してレジストパターンを形成する（図４（ｂ））。そして、形成されたレジストパターンをマスクに、例えば低濃度のＰ型イオンを注入して低濃度のＰ型チャネル領域３２を形成する。この場合、例えば不純物にはボロンを使用することができ、不純物濃度が８×１０１２（ｃｍ−２）とすることができる。
【００３０】
続いて、第３の領域Ｂ３を上記Ｐ型用マスクを使用して領域２０で示す複数の露光ショットを打ち分け、次いでレジストを現像してレジストパターンを形成する（図４（ｃ））。そして形成されたレジストパターンをマスクに、例えば高濃度のＰ型イオンを注入し、高濃度のＰ型チャネル領域３１を形成する。
【００３１】
さらに、第４の領域Ｂ４を上記Ｐ型用マスクを使用して、領域２０で示す複数の露光ショットを打ち分け、次いでレジストを現像してレジストパターンを形成する（図４（ｄ））。そして、形成されたレジストパターンをマスクに、例えば低濃度のＰ型イオンを注入し、低濃度のＰ型チャネル領域３２を形成する。
【００３２】
次に、第１の領域Ｂ１をＮ型用のマスクを使用し、領域２０で示す複数の露光ショットを打ち分け、次いでレジストを現像してレジストパターンを形成する（図４（ｅ））。そして、形成されたレジストパターンをマスクに、例えば低濃度のＮ型イオンを注入し、低濃度のＮ型チャネル領域３４を形成する。例えば不純物にはリンを使用することができ、不純物濃度は１．５×１０１３（ｃｍ−２）とすることができる。
【００３３】
続いて、第２の領Ｂ２を上記Ｎ型チャネル領域３４の製造時と同一マスクであるＮ型用マスクを使用し、領域２０で示す複数の露光ショットを打ち分け、次いでレジストを現像してレジストパターンを形成する（図４（ｆ））。そして、形成されたレジストパターンをマスクに、例えば高濃度のＮ型イオンを注入し、高濃度のＮ型チャネル領域３３を形成する。この場合、例えば不純物にはリンを使用することができ、不純物濃度は２．２×１０１３（ｃｍ−２）とすることができる。
【００３４】
続いて、第３の領域Ｂ３を上記Ｎ型用マスクを使用し、領域２０で示す複数の露光ショットを打ち分け、次いでレジストを現像してレジストパターンを形成する（図４（ｇ））。そして、形成されたレジストパターンをマスクに、例えば高濃度のＮ型イオンを注入し、高濃度のＮ型チャネル領域３３を形成する。
【００３５】
最後に、第４の領域Ｂ４を上記Ｎ型用マスクを使用し、領域２０で示す複数の露光ショットを打ち分け、次いでレジストを現像してレジストパターンを形成する（図４（ｈ））。そして、形成されたレジストパターンをマスクに、例えば低濃度のＮ型イオンを注入し、低濃度のＮ型チャネル領域３４を形成する。
【００３６】
このように、一つのウェハを縞状に区画し、区画されたそれぞれの領域（第１の領域Ｂ１〜第４の領域Ｂ４）に異なる不純物ドープ量のチャンネル領域を形成する。すなわち、ウェハ上の第１の領域Ｂ１には、高濃度のＰ型イオンと高濃度のＮ型イオンが注入される。従って、ウェハ上の第１の領域Ｂ１には、既知の半導体製造プロセスを用いて、低閾値のＰＭＯＳトランジスタと高閾値のＮＭＯＳトランジスタを形成することができる。
【００３７】
また、ウェハ上の第２の領域Ｂ２には、低濃度のＰ型イオンと高濃度のＮ型イオンが注入される。従って、ウェハ上の第１の領域には、既知の半導体製造プロセスを用いて、高閾値のＰＭＯＳトランジスタと低閾値のＮＭＯＳトランジスタを形成することができる。
【００３８】
また、ウェハ上の第３の領域Ｂ３には、高濃度のＰ型イオンと高濃度のＮ型イオンが注入される。従って、ウェハ上の第３の領域Ｂ３には、既知の半導体製造プロセスを用いて、低閾値のＰＭＯＳトランジスタと低閾値のＮＭＯＳトランジスタを形成することができる。
【００３９】
また、ウェハ上の第４の領域Ｂ４には、低濃度のＰ型イオンと低濃度のＮ型イオンが注入される。従って、ウェハ上の第４の領域Ｂ４には、既知の半導体製造プロセスを用いて、高閾値のＰＭＯＳトランジスタと高閾値のＮＭＯＳトランジスタを形成することができる。そして、これらの各トランジスタのオン電流を測定するテストを実施し、上述したように、図１記載の方法でウェハの不純物ドープ量を決定する。
【００４０】
本実施の形態においても、実施の形態１と同様に、一枚のウェハを縞状に区画して複数の領域を設け、それぞれの領域に異なる不純物ドープ量のチャネル領域を形成することができる。これにより、一枚のウェハに異なるトランジスタ特性を有するサンプル品を作成することができ、同一のウェハの面内傾向のみを考慮した水準サンプルを作成することが可能となる。なお、さらに複数の領域に区画することも可能である。複数の領域に区画した場合、複数種類のイオン濃度でイオン注入を行なうことによって、さらに複数の異なるトランジスタ特性を有するサンプルウェハを生成することが可能となる。
【００４１】
なお、本発明は上述した実施の形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることは勿論である。例えば、異なる不純物ドープ量を有するチャネル領域を形成する領域は、図５に示すように同心円状としたり、図６に示すように格子状としたり、その他、横縞状とすることも可能である。
【００４２】
この場合、高濃度Ｐ型チャネル領域３１及び低濃度Ｎ型チャネル領域３４が形成される領域と、低濃度Ｐ型チャネル領域３２及び高濃度Ｎ型チャネル領域３３が形成される領域と、高濃度Ｐ型チャネル領域３１及び低濃度Ｎ型チャネル領域３３が形成される領域と、低濃度のＰ型チャネル領域３２及び低濃度のＮ型チャネル領域３４が形成される領域を、ウェハ一面に均一に配置するようにすることが好ましい。このようにすることで面内ばらつきを低減することができる。
【００４３】
また、Ｐチャンネルのみ、Ｎチャンネルのみの水準が必要な場合は、例えばウェハを２つに区画し、高不純物濃度のチャネル領域と低不純物濃度のチャネル領域を形成すればよい。この場合も、面内ばらつきを低減するために、複数の領域に区画し、高不純物濃度のチャネル領域と低不純物濃度のチャネル領域が均一に配置されるようにすることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】横軸にＮチャンネルトランジスタのＯＮ電流をとり、縦軸にＰチャンネルトランジスタのＯＮ電流をとって、トランジスタの特性を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかるサンプルウェハの製造方法を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態１にかかるサンプルの製造工程を示すフローチャートである。
【図４】本発明の実施の形態２にかかるサンプルウェハの製造方法を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態にかかるサンプルウェハの一例を示す図である。
【図６】同じく、本発明の実施の形態にかかるサンプルウェハの一例を示す図である。
【図７】従来のサンプルウェハの製造方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４５】
１０  ウェハ
２０  露光領域
３１、３２、３３、３４  チャネル領域
【図１】
2008270419.tif 000003
【図２】
2008270419.tif 000004
【図３】
2008270419.tif 000005
【図４】
2008270419.tif 000006
【図５】
2008270419.tif 000007
【図６】
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【図７】
2008270419.tif 000009