(57)【要約】【課題】  撮像装置の感度特性に基づいて照射する光の波長を選択することができない場合、良質な画像を取得することができない場合がある。【解決手段】  検査光を生体部位に出射し、生体部位からの反射光を受光して撮像する生体情報取得デバイスＤ１であって、検査光を生成する発光装置４ａと、複数の画素ＰＸを含む撮像領域Ｒ２を有し、検査光の波長とは異なる波長の光に対してより高い感度を有する撮像装置３１と、入力された検査光を、撮像装置３１の感度が高くなるように、検査光の波長とは異なる波長の光に変換し、撮像領域Ｒ２に出力する波長変換素子６０と、を備える。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査光を生体部位に出射し、生体部位からの反射光又は透過光を受光して撮像する生体情報取得デバイスであって、
前記検査光を生成する発光装置と、
複数の画素を含む撮像領域を有し、前記検査光の波長とは異なる波長の光に対してより高い感度を有する撮像装置と、
入力された前記検査光を、前記撮像装置の感度が高くなるように、前記検査光の波長とは異なる波長の光に変換し、前記撮像領域に出力する波長変換素子と、
を備える生体情報取得デバイス。
【請求項２】
前記撮像装置は、前記検査光の波長よりも短い波長の光に対してより高い感度を有し、
前記波長変換素子は、入力された前記検査光を前記検査光の波長よりも短い波長の光に変換し、前記撮像領域に出力することを特徴とする請求項１記載の生体情報取得デバイス。
【請求項３】
前記検査光は、７００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内の波長の光であることを特徴とする請求項２記載の生体情報取得デバイス。
【請求項４】
前記撮像装置は、複数の前記画素に対応して、絶縁基板上に互いに離間して形成された複数の半導体層を含むとともに、７００ｎｍよりも短い波長の光に対して最も高い感度を有することを特徴とする請求項３記載の生体情報取得デバイス。
【請求項５】
前記波長変換素子は、前記検査光を吸収し、前記検査光とは異なる波長の光を放出する活性元素を含む板状のガラスであることを特徴とする請求項１記載の生体情報取得デバイス。
【請求項６】
複数の前記画素に対応して設けられる複数のレンズを有するレンズアレイをさらに備え、
前記レンズアレイに含まれる複数の前記レンズは、板状部材としての前記波長変換素子の第１面上に形成されることを特徴とする請求項１記載の生体情報取得デバイス。
【請求項７】
複数の前記レンズの各集光箇所に対応して形成された複数の開口を有する遮光層をさらに備え、
当該遮光層は、板状部材としての前記波長変換素子の第２面上に形成されることを特徴とする請求項６記載の生体情報取得デバイス。
【請求項８】
検査光を生体部位に出射し、生体部位からの反射光又は透過光を受光して撮像する生体情報取得デバイスであって、
前記検査光を生成する発光装置と、
生体部位から反射又は透過された前記検査光を撮像装置の画素に集光する複数のレンズを有するレンズアレイと、
複数の前記レンズの各集光箇所に対応して配置された複数の開口を有する遮光層と、
前記開口を通過して入射される前記検査光を光電変換する複数の画素を含む撮像領域を有し、前記検査光の波長とは異なる波長の光に対してより高い感度を有する撮像装置と、
入力された前記検査光を、前記撮像装置の感度が高くなるように、前記検査光の波長とは異なる波長の光に変換し、前記撮像領域に出力する波長変換素子と、    
を備える生体情報取得デバイス。
【請求項９】
前記撮像装置は、前記検査光の波長よりも波長が短い光に対してより高い感度を有し、
前記波長変換素子は、入力された前記検査光を前記検査光の波長よりも短い波長の光に変換し、前記撮像領域に出力することを特徴とする請求項８記載の生体情報取得デバイス。
【請求項１０】
前記検査光は、７００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内の波長の光であることを特徴とする請求項９記載の生体情報取得デバイス。
【請求項１１】
前記撮像装置は、複数の前記画素に対応して、絶縁基板上に互いに離間して形成された複数の半導体層を含むとともに、７００ｎｍよりも短い波長の光に対して最も高い感度を有することを特徴とする請求項１０記載の生体情報取得デバイス。
【請求項１２】
前記波長変換素子は、前記検査光を吸収し、前記検査光とは異なる波長の光を放出する活性元素を含む板状のガラスであることを特徴とする請求項８記載の生体情報取得デバイス。
【請求項１３】
前記レンズアレイに含まれる複数の前記レンズは、板状部材としての前記波長変換素子の第１面上に形成されることを特徴とする請求項８記載の生体情報取得デバイス。
【請求項１４】
前記遮光層は、板状部材としての前記波長変換素子の第２面上に形成されることを特徴とする請求項１３記載の生体情報取得デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、生体情報取得デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
現代の情報化社会においては、個人の所有物や情報に対するセキュリティー技術が重要視されている。クレジットカードの利用、銀行預金の預け入れ等、エントランスでの個人認証に際して、本人確認の手段として署名、暗証番号、あるいは指紋照合等を用いるシステムが開発されている。その中で、利便性及び機密性に優れた個人認証技術として、生体部位における情報（生体情報）を用いた個人認証技術（いわゆるバイオメトリクス個人認証技術）が注目されている。
【０００３】
バイオメトリクス個人認証技術としては、指紋、虹彩、音声、顔、静脈を利用したものが検討されている。顔や音声による認証は認証率が高くない。従って、顔や音声による認証技術の実用化には、まだ時間が必要である。他方、静脈を利用した個人認証においては、生体の内部情報を利用しているため、生体データの偽装が困難であり、高いセキュリティーを確保することができる。
【０００４】
ヒトの指の静脈パターンに基づいて固体認証を行う場合には、一般的に近赤外領域の波長の光（以下、単に近赤外線と呼ぶ）が用いられる。なぜなら、近赤外線は、生体を構成する水に対しては透過率が高く、静脈を流れる赤血球に含まれるヘモグロビン（Ｈｂ）に対しては透過率が低いからである。よって、近赤外線をヒトの所定部位に照射し、所定部位からの反射光を画像化することにより、所定部位における静脈のパターン情報を取得することができる。
【０００５】
生体情報を取得する装置としては、特許文献１記載のものが知られている。特許文献１記載の撮像装置では、光源（１００）、支持台（３００）、画像認証部（２００）を積層させている。
【特許文献１】特開２００１−１１９００８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、画像の品質を高めるためには、撮像装置の波長感度特性を考慮して照射する光の波長を決定すると良い。しかしながら、上述のように、静脈パターンを撮像しようとする場合には、生体を構成する水に対して透過率が高く、静脈を流れる赤血球に含まれるヘモグロビン（Ｈｂ）に対しては透過率が低い近赤外線を用いる必要がある。撮像装置によっては、近赤外線に対する感度が不十分であるため、良質な画像を取得することができない場合がある。
【０００７】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、撮像装置の波長感度特性に基づいて照射する光の波長を選択することができない場合であっても、より良質な画像を取得することができるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明にかかる生体情報取得デバイスは、検査光を生体部位に出射し、生体部位からの反射光又は透過光を受光して撮像する生体情報取得デバイスであって、（１）前記検査光を生成する発光装置と、（２）複数の画素を含む撮像領域を有し、前記検査光の波長とは異なる波長の光に対してより高い感度を有する撮像装置と、（３）入力された前記検査光を、前記撮像装置の感度が高くなるように、前記検査光の波長とは異なる波長の光に変換し、前記撮像領域に出力する波長変換素子と、を備える。
【０００９】
波長変換素子は、撮像装置の感度が高くなるように、検査光の波長をシフトさせる。そして、波長がシフトされた光が撮像装置の撮像領域に入力される。従って、撮像装置の波長感度特性に基づいて照射する光の波長を選択することができない場合であっても、より良質な画像を取得することができる。
【００１０】
前記撮像装置は、前記検査光の波長よりも短い波長の光に対してより高い感度を有し、前記波長変換素子は、入力された前記検査光を前記検査光の波長よりも短い波長の光に変換し、前記撮像領域に出力する、とよい。一般的な撮像装置を用いて生体情報取得デバイスを実現することができる。
【００１１】
前記検査光は、７００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内の波長の光である、とよい。静脈認証に適した生体情報デバイスを実現できる。
【００１２】
前記撮像装置は、複数の前記画素に対応して、絶縁基板上に互いに離間して形成された複数の半導体層を含むとともに、７００ｎｍよりも短い波長の光に対して最も高い感度を有する、とよい。一般的な撮像装置を用いて生体情報取得デバイスを実現することができる。
【００１３】
前記波長変換素子は、前記検査光を吸収し、前記検査光とは異なる波長の光を放出する活性元素を含む板状のガラスである、と良い。一般的な波長変換素子を用いて生体情報取得デバイスを実現することができる。
【００１４】
複数の前記画素に対応して設けられる複数のレンズを有するレンズアレイをさらに備え、前記レンズアレイに含まれる複数の前記レンズは、板状部材としての前記波長変換素子の第１面上に形成される、とよい。レンズアレイを備えることによって、より高い精度で生体情報を取得することができる。また、波長変換素子がレンズ形成用の基板を兼ねるため、デバイスの厚みが増加することも抑制される。
【００１５】
複数の前記レンズの各集光箇所に対応して形成された複数の開口を有する遮光層をさらに備え、当該遮光層は、板状部材としての前記波長変換素子の第２面上に形成される、とよい。遮光層を備えることによって、より高い精度で生体情報を取得することができる。また、波長変換素子が遮光層形成用の基板を兼ねるため、デバイスの厚みが増加することも抑制される。
【００１６】
本発明にかかる生体情報取得デバイスは、検査光を生体部位に出射し、生体部位からの反射光又は透過光を受光して撮像する生体情報取得デバイスであって、（１）前記検査光を生成する発光装置と、（２）生体部位から反射又は透過された前記検査光を撮像装置の画素に集光する複数のレンズを有するレンズアレイと、（３）複数の前記レンズの各集光箇所に対応して配置された複数の開口を有する遮光層と、（４）前記開口を通過して入射される前記検査光を光電変換する複数の画素を含む撮像領域を有し、前記検査光の波長とは異なる波長の光に対してより高い感度を有する撮像装置と、（５）入力された前記検査光を、前記撮像装置の感度が高くなるように、前記検査光の波長とは異なる波長の光に変換し、前記撮像領域に出力する波長変換素子と、を備える。
【００１７】
波長変換素子は、撮像装置の感度が高くなるように、検査光の波長をシフトさせる。そして、波長がシフトされた光が撮像装置の撮像領域に入力される。従って、撮像装置の波長感度特性に基づいて照射する光の波長を選択することができない場合であっても、より良質な画像を取得することができる。また、レンズアレイ及び遮光層を備えることにより、より高い精度で生体情報を取得することができる。
【００１８】
前記撮像装置は、前記検査光の波長よりも波長が短い光に対してより高い感度を有し、前記波長変換素子は、入力された前記検査光を前記検査光の波長よりも短い波長の光に変換し、前記撮像領域に出力する、とよい。一般的な撮像装置を用いて生体情報取得デバイスを実現することができる。
【００１９】
前記検査光は、７００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内の波長の光である、とよい。静脈認証に適した生体情報デバイスを実現できる。
【００２０】
前記撮像装置は、複数の前記画素に対応して、絶縁基板上に互いに離間して形成された複数の半導体層を含むとともに、７００ｎｍよりも短い波長の光に対して最も高い感度を有する、と良い。一般的な撮像装置を用いて生体情報取得デバイスを実現することができる。
【００２１】
前記波長変換素子は、前記検査光を吸収し、前記検査光とは異なる波長の光を放出する活性元素を含む板状のガラスである、と良い。一般的な波長変換素子を用いて生体情報取得デバイスを実現することができる。
【００２２】
前記レンズアレイに含まれる複数の前記レンズは、板状部材としての前記波長変換素子の第１面上に形成される、とよい。波長変換素子がレンズ形成用の基板を兼ねるため、デバイスの厚みが増加することも抑制される。
【００２３】
前記遮光層は、板状部材としての前記波長変換素子の第２面上に形成される、とよい。波長変換素子が遮光層形成用の基板を兼ねるため、デバイスの厚みが増加することも抑制される。
【発明の効果】
【００２４】
撮像装置の波長感度特性に基づいて照射する光の波長を選択することができない場合であっても、より良質な画像を取得することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。なお、各実施の形態は、説明の便宜上、簡略化されている。図面は簡略的なものであるから、図面の記載を根拠として本発明の技術的範囲を狭く解釈してはならない。図面は、もっぱら技術的事項の説明のためのものであり、図面に示された要素の正確な大きさ等は反映していない。同一の要素には、同一の符号を付し、重複する説明は省略するものとする。上下左右といった方向を示す言葉は、図面を正面視した場合を前提として用いるものとする。
【００２６】
〔第１の実施の形態〕
第１の実施の形態について、図１乃至図６を用いて説明する。図１は、生体情報取得デバイスＤ１の概略的な斜視図である。図２は、生体情報取得デバイスＤ１の概略的な上面図である。図３は、図２のＸ−Ｘ間の生体情報取得デバイスＤ１の概略的な端面図である（バンドパスフィルタ３４から上の部分に限る）。図４は、図１のＡ点側から生体情報取得デバイスＤ１をみた概略的な説明図である。図５は、図１のＢ点側から生体情報取得デバイスＤ１をみた概略的な説明図である。なお、図４及び図５では、説明の便宜上、Ａ点又はＢ点から生体情報取得デバイスＤ１をみた概略的な断面図も合わせて図示している。図６は、ＴＦＴセンサーの感度特性が向上することを説明するための説明図である。図７に、ＴＦＴセンサー３１の概略的な断面図である。
【００２７】
図１に示すように、生体情報取得デバイスＤ１は、配線基板３０、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）センサー（撮像装置）３１、波長変換部材（波長変換素子）６０、光チャネル分離層３２、マイクロレンズアレイ３３、バンドパスフィルタ３４、光照射デバイスＬＥａ、ＬＥｂを備える。
【００２８】
生体情報取得デバイスＤ１は、次のように動作する。光照射デバイスＬＥａ及びＬＥｂから、生体情報取得デバイスＤ１の表面領域Ｒ１上に載せられる指（図３乃至図５で図示する）に向けて、検査光が出射される。なお、検査光は、近赤外領域の波長（波長：７００ｎｍ〜１０００ｎｍ）の光である。ここでは、検査光の波長は、７６０ｎｍである。検査光は、指内における反射を受けて、バンドパスフィルタ３４の主面３４ａの表面領域Ｒ１に入射される。表面領域Ｒ１に入射された検査光は、バンドパスフィルタ３４、マイクロレンズアレイ３３、光チャネル分離層３２、波長変換部材６０をこの順で通過し、ＴＦＴセンサー３１の撮像領域Ｒ２の画素で受光される。ＴＦＴセンサー３１の各画素では、検出された検査光が光電変換される。そして、ＴＦＴセンサー３１からは、画像信号が出力される。なお、検査光は、指内の静脈で吸収される。よって、ＴＦＴセンサー１から得られる画像には、検査されたヒトの静脈パターンが現れる。このようにして取得された画像（画像情報）を利用して、検査されたヒトが、あらかじめ設定された特定のヒトであるのかが、後続の処理回路等により判断される。
【００２９】
なお、表面領域Ｒ１は、指（生体部位）から反射された検査光が入射される生体情報取得デバイスＤ１の表面領域である。ここでは、表面領域Ｒ１は、バンドパスフィルタ３４の主面３４ａと一致する。
【００３０】
次に、図２に、生体情報取得デバイスＤ１の上面の概略的な構成を示す。図２に示すように、表面領域Ｒ１を挟んで、光照射デバイスＬＥａと光照射デバイスＬＥｂとが対向して配置されている。
【００３１】
図２に示すように、光照射デバイスＬＥａは、遮光板２ａ上に、ライトガイド３ａ、発光ダイオード（発光装置）４ａ、発光ダイオード５ａを有する。
【００３２】
ライトガイド３ａは、上面視形状が五辺形状の板状部材である。また、ライトガイド３ａは、検査光に対して実質的に透明な部材（透過率９０％以上。ここでは、透過率９９％）であり、ポリイミド等の樹脂材料から構成される。
【００３３】
また、ライトガイド３ａは、光入射面３ａ２、光反射面３ａ３、光反射面３ａ４、光入射面３ａ５を側面に有する。光入射面３ａ２及び光入射面３ａ５は、ｘ軸を長手方向として、ｘ軸に沿って延びる平坦な面である。光入射面３ａ２には、発光ダイオード５ａが接着剤１１を介して取り付けられる。光入射面３ａ５には、発光ダイオード４ａが接着剤１１を介して取り付けられる。換言すると、光入射面３ａ２には発光ダイオード５ａが接着剤１１を介して光結合され、光入射面３ａ５には発光ダイオード４ａが接着剤１１を介して光結合される。
【００３４】
なお、接着剤１１は、検査光に対して高い透過率を有し、検査光に対して実質的に透明である。従って、光入射面と発光ダイオードとの間で、良好な光結合を確保することができる。また、発光ダイオード４ａ、５ａは、モノリシックの半導体素子がパッケージされた素子である。発光ダイオード４ａ、５ａは、電流が与えられることにより近赤外線（波長：７６０ｎｍ）を発光する。
【００３５】
光出射面３ａ１は、表面領域Ｒ１上に載せられる指（図３乃至図５で図示する）に臨む側面である。光出射面３ａ１は、ｚ軸を長手方向としてｚ軸に沿って延びる平坦な面である。光反射面３ａ３及び光反射面３ａ４は、光出射面３ａ１に対向する側面である。光反射面３ａ３及び光反射面３ａ４も、ｚ軸を長手方向としてｚ軸に沿って延びる平坦な面である。光反射面３ａ３は、光入射面３ａ２からｚ軸に沿って延びるに従って、光出射面３ａ１から離れる。光反射面３ａ３は、光入射面３ａ５からｚ軸に沿って延びるに従って、光出射面３ａ１から離れる。
【００３６】
光照射デバイスＬＥｂのライトガイド３ｂの構成は、光照射デバイスＬＥａのライトガイド３ａの構成と略等しい。すなわち、光出射面３ｂ１が光出射面３ａ１に対応し、光入射面３ｂ２が光入射面３ａ２に対応し、光反射面３ｂ３が光反射面３ａ３に対応し、光反射面３ｂ４が光反射面３ａ４に対応し、光入射面３ｂ５が光入射面３ａ５に対応する。
【００３７】
ここで、光照射デバイスＬＥａの機能について説明する。発光ダイオード４ａから出射された検査光は、接着剤１１を介して、ライトガイド３ａの光入射面３ａ５に入射され、ライトガイド３ａのコア層７ａ（図３を用いて後述する）に閉じ込められた状態で、ｚ軸に沿ってライトガイド３ａ内を伝播する。光入射面３ａ２に入射された検査光は、後述の光反射面３ａ３で反射され、光出射面３ａ１に案内される。なお、光入射面３ａ５に入射された検査光を、光出射面３ａ１に沿って伝播させることにより、ライトガイド３ａの全体の大きさを小さくすることができる。光出射面３ａ１は、指の側面に沿って、ある程度の幅を有するように設定されるからである。
【００３８】
発光ダイオード５ａから出射された検査光は、接着剤１１を介して、ライトガイド３ａの光入射面３ａ２に入射され、ライトガイド３ａのコア層７ａに閉じ込められた状態で、ｚ軸に沿ってライトガイド３ａ内を伝播する。光入射面３ａ２に入射された検査光は、後述の光反射面３ａ４で反射されて、光出射面３ａ１に案内される。なお、上述した場合と同様に、光入射面３ａ２に入射された検査光を、光出射面３ａ１に沿って伝播させることにより、ライトガイド３ａの全体の大きさを小さくすることができる。
【００３９】
ライトガイド３ａの光出射面３ａ１のコア層７ａからは、光出射面３ａ１の長手方向に沿って実質的に均一な強度の検査光が出射される。換言すると、ライトガイド３ａの光出射面３ａ１のコア層７ａからは、ｚ軸（ライトガイドを構成する層の積層方向に直交する軸）に沿って実質的に均一な強度の検査光が出射される。なお、実質的に均一な強度の検査光が出射される光出射面３ａ１の範囲（所定領域）は、光出射面３ａ１の幅と略等しい。
【００４０】
光出射面３ａ１の長手方向に沿って実質的に均一な強度の検査光が出射されるのは、光反射面３ａ３及び光出射面３ａ５のそれぞれに複数の反射面（不図示）が設けられているためである。換言すると、光反射面３ａ３及び光反射面３ａ５には、光出射面３ａ１の長手方向に沿って実質的に均一な強度の検査光が出射されるように、複数の反射面が配置されているからである。なお、光反射面３ａ３及び光反射面３ａ５に設けられる反射面は、ｙ軸（ライトガイドを構成する層の積層方向に一致する軸）に沿って延びる複数の溝１０をライトガイド３ａの光反射面３ａ３に設けることで形成するとよい。また、光反射面に設けられる複数の反射面の配置位置は、発光ダイオードの特性に応じて適宜設定されるものである。よって、光反射面３ａ３を、光入射面３ａ２から光反射面３ａ４に向けて外側に膨らむ円弧状に形成しても良い。同様に、光反射面３ａ４を、光入射面３ａ５から光反射面３ａ３に向けて外側に膨らむ円弧状に形成しても良い。
【００４１】
光照射デバイスＬＥｂの機能は、光照射デバイスＬＥａの機能と同様である。すなわち、発光ダイオード４ｂが発光ダイオード４ａに対応し、光入射面３ｂ５が光入射面３ａ５に対応し、光出射面３ｂ１が光出射面３ａ１に対応し、光反射面３ｂ３が光反射面３ａ３に対応する。また、発光ダイオード５ｂが発光ダイオード５ａに対応し、光入射面３ｂ２が光入射面３ａ２に対応し、光出射面３ｂ１が光出射面３ａ１に対応し、光反射面３ｂ４が光反射面３ａ４に対応する。
【００４２】
図３に、図２のＸ−Ｘ間の生体情報取得デバイスＤ１の概略的な構成図（バンドパスフィルタ３４から上の部分に限る）を示す。図３に示すように、バンドパスフィルタ３４の主面３４ａ上には、光照射デバイスＬＥａ及びＬＥｂが配置されている。
【００４３】
光照射デバイスＬＥａは、遮光板２ａの上にライトガイド３ａを有する。ライトガイド３ａは、ｙ軸に沿って、クラッド層（第１クラッド層）６ａ、コア層７ａ、クラッド層（第２クラッド層）８ａが積層された積層体として構成される。クラッド層６ａとクラッド層８ａの屈折率は等しい。クラッド層６ａ及びクラッド層８ａの屈折率は、ともにコア層７ａよりも低い。よって、効果的に伝播する検査光を閉じ込めることができる。
【００４４】
図３に示すように、光出射面３ａ１は、出射される検査光の出射方向を規定するためにテーパー状にカットされている。換言すると、ライトガイド３ａの表面領域Ｒ１側の端部には、表面領域Ｒ１に向かって、その上面からその下面に傾斜する面（表面領域Ｒ１上に載せられる指１００に望む面）が設けられている。つまり、ライトガイド３ａは、表面領域Ｒ１に近づくにつれて厚み（ｙ軸に沿う幅）が薄くなる先細りの端部を有する。テーパー状にカットされた端部に応じて、ライトガイド３ａの上面はライトガイド３ｂの下面よりも狭い。なお、かかる構成により、ヒトの指１００に対する物理的なストレスも緩和されている。
【００４５】
遮光板２ａは、上述のように、金属材料から構成された板状部材である。遮光板２ａは、発光ダイオード４ａ、５ａから出射される検査光に対して実質的に不透明である。遮光板２ａは、ライトガイド３ａの光出射面３ａ１よりも表面領域Ｒ１側に突出している部分を有する。ここでは、図３に示すように、遮光板２ａは、幅Ｗ３分だけ光出射面３ａ１より表面領域Ｒ１側に突出している部分を有する。このように突出した部分を遮光板２ａが有することにより、光出射面３ａ１から表面領域Ｒ１に向けて出射された検査光は、遮光板２ａにて反射される。よって、光出射面３ａ１から表面領域Ｒ１に直接検査光が入射されることが抑制される。なお、遮光板２ａも、ライトガイド３ａと同様に先細りの構成としてもよい。
【００４６】
なお、光照射デバイスＬＥｂのライトガイド３ｂの構成は、光照射デバイスＬＥａのライトガイド３ａの構成と略等しい。すなわち、クラッド層６ｂはクラッド層６ａに対応し、コア層７ｂはコア層７ａに対応し、クラッド層８ｂはクラッド層８ａに対応する。また、光照射デバイスＬＥｂの遮光板２ｂは、光照射デバイスＬＥａの遮光板２ａの構成と等しい。但し、遮光板２ｂは、幅Ｗ４分だけ光出射面３ｂ１から表面領域Ｒ１側に突出している部分を有する。尚、ここでは、幅Ｗ３と幅Ｗ４は実質的に等しい。
【００４７】
図３に模式的に示すように、光照射デバイスＬＥａの光出射面３ａ１のコア層７ａから出射された検査光は、ヒトの指１００の静脈１０１に吸収される。また、光照射デバイスＬＥｂの光出射面３ｂ１のコア層７ｂから出射された検査光は、ヒトの指１００の内部で反射され、表面領域Ｒ１に入射する。なお、図３の模式図からも明らかなように、光出射面３ａ１は、ヒトの指１００の側面に対向して配置される。
【００４８】
図４に、図１のＡ点側から生体情報取得デバイスＤ１をみた概略的な説明図を示す。図４にあわせて、図５に、図１のＢ点側から生体情報取得デバイスＤ１をみた概略的な説明図を示す。以下、図４及び図５を参照して説明する。
【００４９】
図４に示すように、配線基板３０の上面には、ＴＦＴセンサー３１、波長変換部材６０、光チャネル分離層３２、マイクロレンズアレイ３３、バンドパスフィルタ３４、光照射デバイスＬＥａ、ＬＥｂが、この順で配置される。配線基板３０の下面には、半導体集積回路３５、コネクタ３６が配置される。
【００５０】
光照射デバイスＬＥａ、ＬＥｂの構成は、上述したとおりである。但し、図４及び図５においては、遮光板２ａ及び遮光板２ｂの表面領域Ｒ１側の端部には、ライトガイド３ａ、３ｂと同様に、テーパー状にカットされている。かかる構成により、ヒトの指１００に対する物理的なストレスを緩和することができる。
【００５１】
バンドパスフィルタ３４は、検査光が含まれる近赤外領域の光（７００ｎｍ〜１０００ｎｍ、より好ましくは、７００ｎｍ〜８００ｎｍ）のみを通過させる板状の光学部材である。光照射デバイスＬＥａ、ＬＥｂは、バンドパスフィルタ３４の上面に固定される。
【００５２】
マイクロレンズアレイ３３は、バンドパスフィルタ３４の下層に配置される。マイクロレンズアレイ３３は、透明基板５０、レンズ５２、スペーサー層５１を有する。透明基板５０の上面には、ＴＦＴセンサー３１の各画素ＰＸに対応して、２次元状に配置された複数のレンズ５２と、バンドパスフィルタ３４を支持するためのスペーサー層とが配置される。透明基板５０及びレンズ５２は、検査光に対して、実質的に透明な材料から構成される。透明基板５０は、いわゆる石英基板である。レンズ５２は、透明基板５０に形成されたレジスト層が、グレイスケールマスクを用いたホトリソグラフィーにより部分的に除去されて形成される光学部材である。
【００５３】
光チャネル分離層３２は、マイクロレンズアレイ３３の下層に配置される。光チャネル分離層３２は、遮光膜４０、第１透明層４１、第２透明層４２、レジスト層（遮光層）４３を有する。
【００５４】
遮光膜４０は、通常の半導体プロセス技術（スパッタ、蒸着等）に基づいて、金属材料がマイクロレンズアレイ３３の下面に格子状に形成された層である。遮光膜４０は、ＴＦＴセンサー３１の各画素ＰＸに対応してマトリクス状に形成された複数の開口ＯＰ１を有する。尚、複数の開口ＯＰ１とは、光学的な意味での開口を意味する。ここでは、開口ＯＰ１には、第１透明層４１が充填されている。
【００５５】
第１透明層４１は、樹脂材料からなるレジスト層であって、検査光に対して実質的に透明である。第１透明層４１は、遮光膜４０が形成された後、通常のコート法（スピンコート法等）により、マイクロレンズアレイ３３の下面に形成される。
【００５６】
第２透明層４２は、第１透明層４１と同じ材料からなるレジスト層である。よって、第２透明層４２も、検査光に対して実質的に透明である。第２透明層４２は、複数のランド４２ａを有する。ランド４２ａは、通常のコート法（スピンコート法等）により、第１透明層４１の下面に第２透明層４２が形成された後、その第２透明層４２に格子状の溝が形成されることで形成される。つまり、格子状の溝が形成されることにより、互いに分離された複数のランド４２ａが形成される。分離されたランド４２ａは、ＴＦＴセンサー３１の各画素ＰＸに対応して２次元状に配置される。なお、ランドとは、溝により規定される島状の部分を意味する。各ランドは、互いに完全に分離されている必要はない。
【００５７】
分離されたランド４２ａの間には、レジスト層４３が充填される。また、第２透明層４２とＴＦＴセンサー３１との間にも、レジスト層４３が積層される。レジスト層４３は、検査光を吸収する材料（フタロシアニン等）を含むレジストであって、遮光層として機能する。レジスト層４３は、スピンコート法等に基づいて、第２透明層４２に形成された溝を充填するようにレジスト材料が塗布されることで形成される。そして、ホトリソグラフィーに基づいて、第２透明層４２の下面に塗布されたレジスト層４３には、マイクロレンズアレイ３３の各レンズ５２の集光箇所に対応するように複数の開口ＯＰ３が形成される。なお、開口ＯＰ３は、ＴＦＴセンサー３１の各画素ＰＸの配置位置にも対応する。開口ＯＰ２は、ＴＦＴセンサー３１の各画素ＰＸに対応して、２次元状に配置される。
【００５８】
本実施形態においては、波長変換部材６０がＴＦＴセンサー３１の上層（光チャネル分離層３２の下層）に配置される。波長変換部材６０は、近赤外領域の光を可視領域の光に変換する板状のガラス層であって、活性元素（Ｙｂ）がドープされている。ここでは、波長変換部材６０は、フッ化物微結晶を含む透明結晶化ガラス（商品名:ヤグラス）である。波長変換部材６０は、例えば、２２ＳｉＯ２−１０ＧｅＯ２−１５Ａｌ０１．５−３ＴｉＯ２−３９ＰｂＦ２−１０ＹｂＦ３−１ＥｒＦ３といった組成のガラスである。なお、波長変換部材６０は、上述のように板状の部材であって、互いに対向する一面及び他面を有する。
【００５９】
上述の活性元素は、近赤外線を吸収する。活性元素により近赤外線が吸収されると、エネルギー伝達が生じ、近赤外線よりも短波長な光（可視光線）が発光される。つまり、波長変換部材６０に入力された近赤外線は可視光線に変換されて波長変換部材６０から出力される。換言すると、生体部位から反射された検査光は、波長変換部材６０により、より短波長側にシフトされる。そして、ＴＦＴセンサー３１の撮像領域Ｒ２には、短波長にシフトされた光（可視光線）が入力される。後述するように、ＴＦＴセンサー３１は、近赤外領域の光よりも可視光領域の光に高い感度を有する。より感度が高い波長の光がＴＦＴセンサー３１に入力されることにより、ＴＦＴセンサー３１において光電変換される光量は増加され、ＴＦＴセンサー３１のＳ／Ｎが向上する。なお、波長変換部材６０は、希土類のアップコンバージョン蛍光を用いて波長変換を行うものである。
【００６０】
ＴＦＴセンサー３１は、波長変換部材６０の下層に配置される。ＴＦＴセンサー３１は、上面に複数の画素ＰＸが二次元状に配置された撮像領域Ｒ２を有する。各画素ＰＸは、レジスト層４３に形成された開口ＯＰ３に対応して配置される。よって、レンズ５２により集光された光は、効率的に画素ＰＸに入射される。
【００６１】
なお、撮像領域Ｒ２は表面領域Ｒ１よりもｚ軸方向に沿う幅が広い。すなわち、撮像領域Ｒ２は表面領域Ｒ１と一致しない。このような場合であっても、撮像領域Ｒ２における表面領域Ｒ１に対応する部分を用いることにより、指１００から反射される検査光を画像化することができる。
【００６２】
配線基板３０は、ガラスエポキシ樹脂等から構成される配線基板であって、上述のように上下両面に素子が実装される。
【００６３】
なお、ＴＦＴセンサー３１の上面には、ＴＦＴセンサー３１の読み出し動作等を制御する駆動回路３７が配置される。ＴＦＴセンサー３１で取得された信号は、ワイヤー３８、配線基板３０の上面と下面とを接続する貫通電極３９、配線基板３０の下面に形成された配線を介して、半導体集積回路３５に連絡される。コネクタ３６は、生体情報取得デバイスＤ１と外部の信号処理回路との接続に関するインターフェイス部分を構成する。
【００６４】
半導体集積回路３５は、いわゆるＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）である。半導体集積回路３５では、所定の情報処理（例えば、取得した画像情報とあらかじめ記憶された画像情報の整合性の判断）が実行される。半導体集積回路３５における情報処理結果は、他の情報処理部（不図示）に連絡される。
【００６５】
また、図４に示すように、光照射デバイスＬＥａ、ＬＥｂからバンドパスフィルタ３４までの厚みは、１．７ｍｍ以下とすると良い。マイクロレンズアレイ３３からＴＦＴセンサー３１までの厚みは１．０ｍｍ以下とすると良い。このようにすると、光照射デバイスＬＥａ、ＬＥｂからＴＦＴセンサー３１までの厚みを３ｍｍ以下とすることができる。よって、非常に薄型化された生体情報取得デバイスを実現することができる。
【００６６】
なお、図４に示すように、表面領域Ｒ１のｘ軸に沿う幅を２５ｍｍとした。また、図５に示すように、表面領域Ｒ１のｚ軸に沿う幅を１５ｍｍとした。このような場合には、図４及び図５に模式的に示した通りに、指を表面領域Ｒ１上に載せると良い。この場合には、表面領域Ｒ１は、指により実質的に覆われる。従って、表面領域Ｒ１に入射する外乱光は抑制される。なお、この場合、各光照射デバイスＬＥａ、ＬＥｂの光出射面の長手方向は、指の側面に対向して配置される。よって、光出射面から出射された検査光を、高効率で、指に照射することができる。
【００６７】
次に、図４を用いて、生体情報取得デバイスＤ１の機能について説明する。図４に模式的に示すように、指１００の内部領域ＲＰで反射された検査光は、マイクロレンズアレイ３３のレンズ５２を介して、ＴＦＴセンサー３１の画素ＰＸに入射される。以下、順を追って説明する。なお、内部領域ＲＰは、指１００の下面から１ｍｍ程度の深さの領域である。
【００６８】
光照射デバイスＬＥａ、ＬＥｂの光出射面から出射された検査光は、ヒトの指１００に照射される。ヒトの指１００の内部では、内部の散乱体により検査光は反射されたりする。また、ヒトの指１００の内部の静脈で、検査光は吸収される。ヒトの指１００で反射された検査光は、表面領域Ｒ１に入射する。
【００６９】
表面領域Ｒ１に入射された検査光は、バンドパスフィルタ３４を通過する。なお、検査光以外の外乱光は、バンドパスフィルタ３４により効果的に遮断される。バンドパスフィルタ３４によってノイズ成分を遮断することができるため、より良質な画像を取得することができる。
【００７０】
バンドパスフィルタ３４を通過した検査光は、マイクロレンズアレイ３３に入射する。マイクロレンズアレイ３３では、透明基板５０の上面に配置された各レンズ５２によってＴＦＴセンサー３１の各画素ＰＸに集光される。
【００７１】
マイクロレンズアレイ３３のレンズ５２により集光された光は、光チャネル分離層３２に入射される。光チャネル分離層３２は、上述のように、ＴＦＴセンサー３１の各画素に対応して２次元状に配置された開口ＯＰ１及び開口ＯＰ３を有する。また、ＴＦＴセンサー３１の各画素に対応して２次元状に配置されたランド４２ａを有する。また、隣り合うランド４２ａの間には、レジスト層４３が充填される。また、ランド４２ａの下面にもレジスト層４３が形成される。レジスト層４３には近赤外線を吸収する顔料が含有されている。
【００７２】
このような構成により、光チャネル分離層３２は、マイクロレンズアレイ３３のレンズ５２からＴＦＴセンサー３１の画素ＰＸに至る光路（光チャネル）同士を分離する。レジスト層４３に入射した迷光は、効果的にレジスト層４３に含まれる顔料により吸収される。そして、光チャネル間で生じうるクロストーク（混信）は抑制される。なお、検査光は、レンズ５２から画素ＰＸに進むに従って集光されるから、開口ＯＰ３の開口幅は、開口ＯＰ１の開口幅よりも狭く設定されている。また、レジスト層４３に含まれる顔料は、レジスト層４３に開口ＯＰ３を形成させる工程（ホトリソグラフィー）で用いられる露光光を吸収しないものであるとよい。
【００７３】
本実施形態においては、上述のように、波長変換部材６０がＴＦＴセンサー３１の上層（光チャネル分離層３２の下層）に配置される。波長変換部材６０は、入力される検査光を可視光線（検査光の波長とは異なる波長の光）に変換し、ＴＦＴセンサー３１の撮像領域Ｒ２に出力する波長変換素子である。よって、生体部位から反射された検査光（波長:７６０ｎｍ）は、波長変換部材６０により、より短い波長の光（波長:６５０ｎｍ)）に変換される。換言すると、検査光の波長（７６０ｎｍ）は、短波長側の波長（６５０ｎｍ）にシフトされる。そして、この近赤外線よりも短い波長の光が、ＴＦＴセンサー３１の撮像領域Ｒ２に入力される。これにより、ＴＦＴセンサー３１で光電変換される光量は増加され、ＴＦＴセンサー３１のＳ／Ｎが向上する。なお、ＴＦＴセンサー３１は、可視光領域において十分な感度を有する撮像装置であって、波長６５０ｎｍ程度に最も高い感度を有する。波長変換部材６０の波長変換効率は高いほうが望ましい。
【００７４】
ここで、図６に、波長変換部材６０を配置したことの効果について説明する。図６に模式的に示すように、ＴＦＴセンサー３１の感度は、近赤外領域の光よりも可視領域の光にある。つまり、ＴＦＴセンサー３１の感度は、入射光の波長が長波長側になると急激に悪化する。他方、入射光の波長が短波長側になると改善する。ＴＦＴセンサー３１は、通常の半導体撮像装置（ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）、ＰＤＡ（Photodiode Array））よりも、近赤外線に対して十分な感度を有しない。
【００７５】
図６に示すように、波長シフト前の光の波長７６０ｎｍに対するＴＦＴセンサー３１の感度（mA/W）よりも、波長シフト後の光の波長６５０ｎｍに対するＴＦＴセンサー３１の感度（mA/W）のほうが高い。すなわち、波長変換部材６０により、検査光の波長をＴＦＴセンサー３１の感度が高い短波長側にシフトさせることによって、ＴＦＴセンサー３１の感度を高めることができる。なお、図６は、説明の便宜のための模式的な図である。
【００７６】
ここで、より説明を明確にするため、図７に、ＴＦＴセンサー３１の概略的な断面図を示す。図７に示すように、ＴＦＴセンサー３１は、ダブルゲート構造の画素２１５を有する。なお、ＴＦＴセンサー３１は、図７に示された画素２１５を複数含む撮像領域Ｒ２を有する。画素２１５は、絶縁基板２１１、ボトムゲート電極２３１、ボトムゲート絶縁膜２３２、半導体層２３３、ブロッキング層２４０、ｎ＋シリコン層２３６、ソース電極（Ｓ）２３４、ドレイン電極（Ｄ）２３５、トップゲート絶縁膜２３７、トップゲート電極（ＴＧ）２３８、オーバーコート膜２３９を有する。
【００７７】
ボトムゲート電極（ＢＧ）２３１は、絶縁基板２１１上に形成される。ボトムゲート絶縁膜２３２は、ボトムゲート電極２３１を覆うように形成される。半導体層２３３は、ボトムゲート絶縁膜２３２上に形成される。ブロッキング層２４０は、半導体層２３３の上面中央に形成される。ｎ＋シリコン層２３６は、半導体層２３３の両端にそれぞれに形成される。ソース電極（Ｓ）２３４及びドレイン電極（Ｄ）２３５は、ｎ＋シリコン層２３６上にそれぞれ設けられる。トップゲート絶縁膜２３７は、ソース電極（Ｓ）２３４及びドレイン電極（Ｄ）２３５を覆うように形成される。トップゲート電極（ＴＧ）２３８は、トップゲート絶縁膜２３７上に形成される。オーバーコート膜２３９は、トップゲート電極（ＴＧ）２３８に形成される。
【００７８】
このように、ＴＦＴセンサー３１を構成する画素２１５は、絶縁基板上に形成された半導体層（半導体層２３３、ｎ＋シリコン層２３６）を含んで構成される。なお、ある画素の半導体層と他の画素の半導体層とは離間して形成される。このように、ＴＦＴセンサー３１は、シリコン基板等の半導体材料からなる基板を用いないため、通常のＣＣＤ等とは異なり、半導体層の深い部分で吸収される近赤外線に対する感度を十分に確保することは難しい。より強い近赤外線を生体部位に照射して、ＴＦＴセンサー３１の近赤外線に対する感度不足を解消することもできるが、発光ダイオードの消費電力が増加してしまう。
【００７９】
本実施形態においては、この点にかんがみて、上述のように、波長変換部材６０がＴＦＴセンサー３１の上層（光チャネル分離層３２の下層）に配置される。波長変換部材６０は、近赤外領域の光を可視領域の光に変換する波長変換部材である。これにより、ＴＦＴセンサー３１において光電変換される光量が増加され、ＴＦＴセンサー３１のＳ／Ｎ（Ｓｉｇｎａｌ／Ｎｏｉｓｅ）特性が向上される。なお、検査光は、波長変換部材６０によって、７００〜１０００ｎｍの範囲内の波長から５００〜７００ｎｍの範囲内の波長に変換されるとよい。
【００８０】
波長変換部材６０により短波長側にシフトされた光は、上述のＴＦＴセンサー３１の各画素において受光される。そして、ＴＦＴセンサー３１の各画素に蓄積された電荷は、順次ＴＦＴセンサー３１から読み出される。そして、後続の信号処理回路により処理される。
【００８１】
〔第２の実施の形態〕
第２の実施の形態について、図８乃至図１０を用いて説明する。図８は、第１の実施の形態における図４に相当する説明図で、図１のＡ点側から生体情報取得デバイスをみた概略的な説明図である。図９は、レンズモジュールに含まれる光チャネル分離層の製造方法の概略的な説明図である。図１０は、レンズモジュールに含まれるマイクロレンズアレイの製造方法の概略的な説明図である。
【００８２】
図８に示すように、本実施形態にかかる生体情報取得デバイスＤ２は、光チャネル分離層３２を形成するための基板として、透明基板５０に代えて、波長変換部材６０を用いている。同様に、複数のレンズ５２を形成するための基板として、透明基板５０に代えて、波長変換部材６０を用いている。従って、波長変換部材６０をさらに付加したとしても、生体情報取得デバイスＤ２の全体の厚みが増加することを抑制することができる。
【００８３】
なお、波長変換部材６０、レンズ５２、スペーサー層５１を含めて、マイクロレンズアレイ３３とする。光チャネル分離層３２とマイクロレンズアレイ３３とを含めて、レンズモジュールＬＭ１と呼ぶ。
【００８４】
ここで、図９及び図１０を用いて、レンズモジュールＬＭ１の製造方法について説明する。なお、図９は、マイクロレンズアレイ３３に含まれる波長変換部材６０の一面（第２面）に光チャネル分離層３２を形成する製造方法の説明図である。図１０は、マイクロレンズアレイ３３に含まれる波長変換部材６０の他面（第１面）に複数のレンズ５２を形成する製造方法の説明図である。
【００８５】
はじめに、図９を用いて、波長変換部材６０に光チャネル分離層３２を形成する製造方法について説明する。なお、図９には、図８と比較して、光チャネル分離層３２のより詳細な構成が開示されている。
【００８６】
まず、図９（ａ）に示すように、通常の薄膜パターン形成技術（スパッタ、蒸着など）に基づいて、波長変換部材６０の一面に格子状に遮光膜４０を形成する。
【００８７】
次に、図９（ｂ）に示すように、スピンコート等の一般的なコート法により、透明層４１を波長変換部材６０の一面に形成する。なお、上述のように、透明層４１は、通常のレジスト材料（樹脂材料）から構成される。よって、塗布される際、透明層４１は、所定の粘度を有する。波長変換部材６０の一面に透明層４１がコートされた後、その状態のものを加熱し、透明層４１を乾燥させる。
【００８８】
次に、図９（ｃ）に示すように、透明層４２を波長変換部材６０の一面に形成する。透明層４２は、透明層４１と同様に、通常のレジスト材料から構成される。よって、塗布される際の透明層４２は、所定の粘度を有する。そして、透明層４２が波長変換部材６０の一面にコートされた状態のものを加熱し、透明層４２を乾燥させる。
【００８９】
次に、図９（ｄ）に示すように、通常のプロセス技術に基づいて、格子状の溝４２ｂを透明層４２に形成する。格子状の溝４２ｂにより、透明層４２にはランド４２ａが形成される。
【００９０】
次に、図９（ｅ）に示すように、通常のコート法に基づいて、レジスト層４３を波長変換部材６０の一面に塗布する。レジスト層４３は、あらかじめ、１００重量部のレジストに対して０．５重量部のフタロシアニンを混合したものである。なお、レジストにフタロシアニンを均一に分散させるためには、フタロシアニンを、あらかじめメチルエチルケトンなどの溶媒に１０％ｗｔ程度の濃度で分散させておくと良い。そして、透明層４２が波長変換部材６０の一面にコートされた状態のものを加熱し、透明層４２を乾燥させる。この工程により、透明層４２に形成された溝４２ｂは、レジスト層４３で埋められる。そして、透明層４２ａと透明層４２ｂとの部分が形成される。
【００９１】
次に、図９（ｆ）に示すように、通常のコート法に基づいて、レジスト層４３ｃを波長変換部材６０の一面に塗布する。レジスト層４３ｃは、フタロシアニンが混合されていないレジスト層である。そして、透明層４２ｃが波長変換部材６０の一面にコートされた状態のものを加熱し、透明層４２ｃを乾燥させる。これにより、上述のように、薬液からフタロシアニンが含有されている透明層４２ｂを保護する。
【００９２】
次に、図９（ｇ）に示すように、ホトマスクを用いて、レジスト層４３に開口ＯＰ３を形成する。レジスト４３ｂ及びレジスト４３ｃは、ネガ型のレジストであるため、開口ＯＰ３を形成する部分に露光光（ｇ線：４３６ｎｍ）を照射する。レジスト層４３ｂ及びレジスト層４３ｃでは、露光光による光化学反応が進行する。その後、レジスト層４３の表面に薬液（キシレン系有機溶剤等）を施し、現像処理をする。この現像処理により、レジスト層４３ｂ及びレジスト層４３ｃには、開口ＯＰ３が形成される。上述のように、現像処理の際、レジスト層４３ｃは、レジスト層４３ｂを保護する役割を果たす。
【００９３】
なお、遮光膜４０の形成と同時に、波長変換部材６０の周辺部分（不図示）に形成させたアライメントマークを用いることで、遮光膜４０と開口ＯＰ３との間のアライメントや遮光膜４０と透明層４２に形成される溝４２ｂとのアライメントの精度を確保できる。
【００９４】
次に、図１０を用いて、波長変換部材６０にレンズ５２を形成する工程について説明する。
【００９５】
まず、図１０（ａ）に示すように、図９（ｇ）の工程後のものを用意する。
【００９６】
次に、図１０（ｂ）に示すように、波長変換部材６０の他面に、通常のコート法に基づいて、ポジ型のレジスト層５２ｐを塗布する。そして、レジスト層５２ｐが波長変換部材６０の他面にコートされた状態のものを加熱し、レジスト層５２ｐを乾燥させる。
【００９７】
次に、図１０（ｃ）に示すように、複数のレンズ５２が形成されるように、グレイスケールマスクを用いてレジスト層５２ｐを露光し、現像処理を施す。なお、形成するレンズの開口ＯＰ１に対するアライメントは、上述のアライメントマークを用いると良い。
【００９８】
上述のように、波長変換部材６０を、レジスト層（遮光層）４３を含む光チャネル分離層３２の形成用の基板として用いる。また、波長変換部材６０を、複数のレンズ５２の形成用の基板として用いる。従って、波長変換部材６０を新たに付加したとしても、生体情報取得デバイスの厚み（ｙ軸に沿う幅）は増加しない。すなわち、本実施形態においては、第１の実施の形態において説明した効果に加えて、生体情報取得デバイスの装置の小型化を図ることができる。
【００９９】
〔その他の実施の形態〕
その他の実施の形態について、図１１及び図１２を用いて説明する。図１１は、第１の実施の形態の図４に相当する説明図で、図１のＡ点側から生体情報取得デバイスをみた概略的な説明図である。図１２は、第１の実施の形態の図４に相当する説明図で、図１のＡ点側から生体情報取得デバイスをみた概略的な説明図である。
【０１００】
図１１に示すように、生体情報取得デバイスＤ３は、マイクロレンズアレイ３３とバンドパスフィルタ３４との間に、波長変換部材６０を有する。このような構成であっても、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０１】
図１２に示すように、生体情報取得デバイスＤ４は、バンドパスフィルタ３４に代えて、波長変換部材６０を有する。このような構成であっても、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。但し、バンドパスフィルタ３４の効果自体は得ることはできない。
【０１０２】
本発明の技術的範囲は、上述の実施の形態に限定されない。バンドパスフィルタを設けるかどうかは任意である。マイクロレンズアレイや遮光層を設けることは必須ではない。波長変換素子としては、他の成分のガラス材料を用いることも可能である。撮像装置は、ＴＦＴセンサーに限定されず、他の一般的な固体撮像装置を用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】生体情報取得デバイスＤ１の概略的な斜視図である。
【図２】生体情報取得デバイスＤ１の概略的な上面図である
【図３】図２のＸ−Ｘ間の生体情報取得デバイスＤ１の概略的な端面図である（バンドパスフィルタ３４から上の部分に限る）
【図４】図１のＡ点側から生体情報取得デバイスＤ１をみた概略的な説明図（概略的な断面図も合わせて図示）である
【図５】図１のＢ点側から生体情報取得デバイスＤ１をみた概略的な説明図（概略的な断面図も合わせて図示）である。
【図６】ＴＦＴセンサーの感度特性が向上することを説明するための説明図である。
【図７】ＴＦＴセンサー３１の概略的な断面図である。
【図８】第２の実施の形態に係る説明図である。
【図９】レンズモジュールに含まれる光チャネル分離層の製造方法の概略的な説明図である。
【図１０】レンズモジュールに含まれるマイクロレンズアレイの製造方法の概略的な説明図である。
【図１１】その他の実施の形態にかかる説明図である。
【図１２】その他の実施の形態にかかる説明図である。
【符号の説明】
【０１０４】
Ｄ１        生体情報取得デバイス
４ａ、５ａ    発光ダイオード（発光装置）
ＰＸ        画素
Ｒ２        撮像領域
３１        ＴＦＴセンサー（撮像装置）
６０        波長変換部材（波長変換素子）
【図１】
2008167792.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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