(57)【要約】【課題】ＬＥＲやＬＷＲが良好な凹部または凸部を有する凹凸パターンを形成し得るパターン描画方法を提供する。【解決手段】基材上の樹脂層に描画用ビームを照射して露光領域Ａ０を露光して露光パターンを描画する際に、描画用ビームの中心位置を樹脂層に対して第１の方向（矢印Ｒの向き）に沿って相対的に移動させつつ第１の方向と交差する第２の方向（左右方向）において所定のピッチＰ１〜Ｐ５で隣り合う照射領域Ａａ１〜Ａａ６のうちの１つに描画用ビームを照射するビーム照射処理を照射領域Ａａ１〜Ａａ６に対して実行して露光領域Ａ０を露光する描画方法であって、露光領域Ａ０のうちの１つを露光する際に、照射領域Ａａ１〜Ａａ６のうちの第２の方向における両端部の照射領域Ａａ１，Ａａ６と、隣り合う照射領域Ａａ２，Ａａ５とのピッチＰ１，Ｐ５について、各照射領域Ａａ１〜Ａａ６の各々のピッチＰ１〜Ｐ５を平均した長さよりも短くする。【選択図】図９
2008033131.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の上に形成された樹脂層に描画用ビームを照射して露光領域を露光することで当該樹脂層に露光パターンを描画する際に、前記描画用ビームの中心位置を前記樹脂層に対して第１の方向に沿って相対的に移動させつつ当該第１の方向と交差する第２の方向において所定のピッチで隣り合う複数の照射領域のうちの１つに当該描画用ビームを照射するビーム照射処理を当該各照射領域に対して実行して前記露光領域を露光するパターン描画方法であって、
前記露光領域のうちの１つを露光する際に、前記複数の照射領域のうちの前記第２の方向における少なくとも一方の端部の当該照射領域と当該端部の照射領域に隣り合う当該照射領域との前記ピッチについて、当該複数の照射領域の各々の前記ピッチを平均した長さよりも短く規定して前記描画用ビームを照射するパターン描画方法。
【請求項２】
前記複数の照射領域のうちの前記第２の方向における両端部において、前記端部の照射領域と当該端部の照射領域に隣り合う前記照射領域との前記ピッチを前記平均した長さよりも短く規定して前記描画用ビームを照射する請求項１記載のパターン描画方法。
【請求項３】
前記基材を回転させつつ前記樹脂層に前記描画用ビームを照射することで、当該基材の回転方向を前記第１の方向とし、かつ、当該回転方向と直交する方向を前記第２の方向として前記露光パターンを描画する請求項１または２記載のパターン描画方法。
【請求項４】
情報媒体におけるデータトラックパターン用の露光パターンを前記露光パターンとして描画する請求項１から３のいずれかに記載のパターン描画方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のパターン描画方法に従って前記露光パターンを描画した前記樹脂層を現像処理して凹凸パターンを形成し、当該凹凸パターンを所定の手順に従ってスタンパー形成用材料に転写してスタンパーを製造するスタンパー製造方法。
【請求項６】
基材の上に形成された樹脂層に描画用ビームを照射するビーム照射部と、前記樹脂層に前記描画用ビームを照射させて露光領域を露光することで当該樹脂層に露光パターンを描画する際に当該描画用ビームの中心位置を当該樹脂層に対して第１の方向に沿って相対的に移動させつつ当該第１の方向と交差する第２の方向において所定のピッチで隣り合う複数の照射領域のうちの１つに前記ビーム照射部を制御して当該描画用ビームを照射させるビーム照射処理を当該各照射領域に対して実行して前記露光領域を露光する制御部とを備えたパターン描画装置であって、
前記制御部は、前記露光領域のうちの１つを露光する際に、前記複数の照射領域のうちの前記第２の方向における少なくとも一方の端部の当該照射領域と当該端部の照射領域に隣り合う当該照射領域との前記ピッチについて、当該複数の照射領域の各々の前記ピッチを平均した長さよりも短く規定して前記ビーム照射部に前記描画用ビームを照射させるパターン描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光パターンを複数回のビーム照射処理によって描画するパターン描画方法およびパターン描画装置、並びに描画した露光パターンを用いてスタンパーを製造するスタンパー製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種のパターン描画方法として、スレーブ媒体にサーボパターン等を磁気的に転写するためのマスター担体（磁気転写用マスター担体）の製造に際してマスター担体の凸パターン（マスター担体における凸部の平面パターン）に対応する露光パターンを描画する描画方法が特開２００３−９１８０６号公報に開示されている。この描画方法では、まず、ガラス等の円板上にフォトレジストをスピンコートすることによってフォトレジストの層（以下、「レジスト層」ともいう）を形成する。次いで、レジスト層に電子ビームを照射することによってサーボパターン等を描画する。この際に、この製造方法では、円板を回転させつつ、その有効描画径がトラック幅よりも小さい電子ビームをレジスト層に照射することにより、例えばマスター担体における凸部が形成される領域を円板の半径方向において複数の領域に分割して露光することでサーボパターン等を描画する。
【０００３】
具体的には、図１７に示すように、レジスト層が形成された円板を矢印Ｒの向きに回転させると共に、例えば描画処理の開始後の１回転目において、電子ビームの照射を開始すべき開始位置Ｓ１ｘが電子銃の下方に位置した際に電子銃を制御して電子ビームの照射を開始させ、電子ビームの照射を停止すべき停止位置Ｅ１ｘが電子銃の下方に位置した際に電子銃を制御して電子ビームの照射を停止させる。これにより、照射領域Ａａ１ｘに対する電子ビームの照射が完了して、その中央部の単位露光領域Ａｂ１ｘにおいて、ドーズ量（単位面積当りの電子ビームの照射量）が所定の露光レベル（後述する現像処理によってレジスト層が消失し得る程度の電子ビームの照射量）を超えた状態となる。
【０００４】
次いで、レジスト層に対する電子ビームの照射位置（照射する電子ビームの中心位置）が例えば単位露光領域Ａｂ１ｘよりも外周側（同図における右側）となるようにビーム偏向部によって電子ビームを偏向しつつ、円板の２回転目において電子銃の下方に開始位置Ｓ２ｘが位置した際に電子ビームの照射を開始させ、電子銃の下方に停止位置Ｅ２ｘが位置した際に電子ビームの照射を停止させる。これにより、照射領域Ａａ２ｘに対する電子ビームの照射が完了して、その中央部の単位露光領域Ａｂ２ｘにおいてドーズ量が所定の露光レベルを超えた状態となる。
【０００５】
また、円板の３回転目以降においては、上記の２回転目のときと同様にして、レジスト層に対する電子ビームの照射位置が外周側となるようにビーム偏向部によって電子ビームを偏向しつつ、電子銃の下方に開始位置Ｓ３ｘ〜Ｓ６ｘが位置した際に電子ビームの照射を開始させ、電子銃の下方に停止位置Ｅ３ｘ〜Ｅ６ｘが位置した際に電子ビームの照射を停止させる。これにより、照射領域Ａａ３ｘ〜Ａａ６ｘに対する電子ビームの照射が完了して、単位露光領域Ａｂ３ｘ〜Ａｂ６ｘにおいてドーズ量が所定の露光レベルを超えた状態となる。以上により、複数の単位露光領域Ａｂ１ｘ〜Ａｂ６ｘからなる１つの露光領域Ａ０ｘについての露光が完了する。
【０００６】
この場合、この描画方法では、上記の１つの露光領域Ａ０ｘの露光に際して円板が６回転する間において、レジスト層に対して照射する電子ビームのビーム電流を一定のレベルに維持している。したがって、図１８に示すように、上記の例における１回転目から６回転目までの各回転毎のドーズ量は、実線Ｌ１ｘ，Ｌ６ｘ、破線Ｌ２ｘ，Ｌ５ｘ、一点鎖線Ｌ３ｘおよび二点鎖線Ｌ４ｘで示すように、電子ビームの中心位置が相対的に通過する中心線Ｃ１ｘ〜Ｃ６ｘ（以下、区別しないときには「中心線Ｃｘ」ともいう）の位置において互いに等しい最大量となり、かつ、各中心線Ｃｘからの半径方向における距離が等しい位置において互いに等しくなる。なお、図１７では、描画原理についての理解を容易とするために、電子ビームの非照射領域にも中心線Ｃｘを描いている。
【０００７】
また、図１７に示すように、この描画方法では、上記の１つの露光領域Ａ０ｘの露光に際して円板が６回転する間において、上記の各中心線Ｃ１ｘ〜Ｃ６ｘが円板の半径方向において等しい距離だけ離間するように電子ビームの偏向量を調整している。この結果、照射領域Ａａ１ｘ〜Ａａ６ｘの各ピッチＰｘ（すなわち、中心線Ｃ１ｘ〜Ｃ６ｘの各ピッチ）が互いに等しくなる。したがって、図１８に破線Ｌ７ｘで示すように、露光領域Ａ０ｘにおける半径方向の中央部（中心線Ｃ２ｘ〜Ｃ５ｘの近傍）では、照射領域Ａａ１ｘ〜Ａａ６ｘの各両端部が重なっていることでそのドーズ量が高いレベルとなっている。これに対して、露光領域Ａ０ｘにおける半径方向の両端部（中心線Ｃ１ｘ，Ｃ６ｘの近傍）では、照射領域Ａａ１ｘ，Ａａ６ｘに対する他の照射領域の重なりが少ない分だけそのドーズ量が低いレベルとなっている。
【０００８】
次に、描画処理が完了した円板を現像処理することでレジスト層に凹部（凹凸パターン）を形成する。この際には、上記の単位露光領域Ａｂ１ｘ〜Ａｂ６ｘの部位（露光領域Ａ０ｘ）において円板上からレジスト層が消失することによって凹部が形成され、円板上に凹凸パターンが形成される。続いて、凹凸パターンの形成面に導電層を形成した後に電鋳処理を実行して金属製の基板を製作する。この際には、現像処理によって円板上（レジスト層）に形成された凹凸パターンがスタンパー形成用の金属材料に転写されて、平面形状が上記の露光領域Ａ０ｘとほぼ等しい凸部が形成される。この後、基板に転写された凹凸パターンを覆うようにして磁性層を形成することにより、マスター担体が完成する。
【特許文献１】特開２００３−９１８０６号公報（第２−５頁、第１−４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、従来の描画方法には、以下の問題点がある。すなわち、従来の描画方法では、露光パターンの描画に際して１つの露光領域Ａ０ｘを露光する際に、レジスト層に対して照射する電子ビームのビーム電流を一定のレベルに維持すると共に、電子ビームの中心位置が相対的に通過する各中心線Ｃｘを円板の半径方向において等しい距離だけ離間させるように照射領域Ａａ１ｘ〜Ａａ６ｘの各ピッチＰｘを規定している。この場合、レジスト層に対して照射される電子ビームは、その強度（すなわち、ドーズ量）がビーム中心をピークとするガウシアン分布となっている。したがって、この電子ビームの照射によって露光パターンが描画されたレジスト層では、例えば図１８に実線Ｌ１ｘ，Ｌ６ｘ等で示すように、描画処理時に電子ビームの中心位置が通過した中心線Ｃ１ｘ，Ｃ６ｘから離間するほどドーズ量が緩やかに低下する。この結果、同図に破線Ｌ７ｘで示すように、露光領域Ａ０ｘの半径方向における両端部（中心線Ｃ１ｘ，Ｃ６ｘの近傍）において、中心線Ｃ１ｘ，Ｃ６ｘから離間するほど露光の度合いが緩やかに低下する傾向がある。
【００１０】
一方、描画処理が完了した円板に対する現像処理に際しては、現像液中の各部において、現像液の濃度や温度に僅かなばらつきが生じる。このため、現像処理時において現像液に円板を浸したときには、ドーズ量が等しい部位であっても現像処理の進行度合いが相違することがある。したがって、円板上の所定の部位では、図１８に示すレベルＺａｘよりもドーズ量が低いレベルの部位においてレジスト層が円板上に残存すると共にレベルＺａｘよりもドーズ量が高いレベルの部位においてレジスト層が円板上から消失し、円板上の他の部位では、レベルＺｂｘよりもドーズ量が低いレベルの部位においてレジスト層が円板上に残存すると共にレベルＺｂｘよりもドーズ量が高いレベルの部位においてレジスト層が円板上から消失することとなる。
【００１１】
この場合、露光領域Ａ０ｘにおける半径方向の両端部では、前述したように、中心線Ｃｘから離間するほど露光の度合いが緩やかに低下している。したがって、円板の回転方向に沿ってある程度の長さを有する露光領域Ａ０ｘにおいては、ドーズ量がレベルＺａｘよりも高いレベルの部位においてレジスト層が円板上から消失する箇所では、その半径方向の幅が幅Ｈａｘとなり、ドーズ量がレベルＺｂｘよりも高いレベルの部位においてレジスト層が円板上から消失する箇所では、その半径方向の幅が幅Ｈｂｘとなる。このため、現像処理によって露光領域Ａ０ｘの部位に形成される凹部のＬＥＲ（Line Edge Roughness ）やＬＷＲ（Line Width Roughness）が悪化する。このように、従来の描画方法には、そのＬＥＲやＬＷＲが良好な凹凸パターンを形成するのが困難であるという問題点が存在する。
【００１２】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、ＬＥＲやＬＷＲが良好な凹部または凸部を有する凹凸パターンを形成し得るパターン描画方法およびパターン描画装置、並びにＬＥＲやＬＷＲが良好な凹部または凸部を有する凹凸パターンが形成されたスタンパーを製造し得るスタンパーの製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成すべく本発明に係るパターン描画方法は、基材の上に形成された樹脂層に描画用ビームを照射して露光領域を露光することで当該樹脂層に露光パターンを描画する際に、前記描画用ビームの中心位置を前記樹脂層に対して第１の方向に沿って相対的に移動させつつ当該第１の方向と交差する第２の方向において所定のピッチで隣り合う複数の照射領域のうちの１つに当該描画用ビームを照射するビーム照射処理を当該各照射領域に対して実行して前記露光領域を露光するパターン描画方法であって、前記露光領域のうちの１つを露光する際に、前記複数の照射領域のうちの前記第２の方向における少なくとも一方の端部の当該照射領域と当該端部の照射領域に隣り合う当該照射領域との前記ピッチについて、当該複数の照射領域の各々の前記ピッチを平均した長さよりも短く規定して前記描画用ビームを照射する。
【００１４】
なお、本明細書における「露光領域」とは、ポジ型のレジスト等で樹脂層が形成されている場合においては、露光パターンの描画を完了した後の現像処理によって基材上から消失する領域と一致する領域を意味し、ネガ型のレジスト等で樹脂層が形成されている場合においては、現像処理によって基材上に残留する領域と一致する領域を意味する。つまり、「露光領域」とは、各照射領域に対する描画用ビームの照射によって現像処理時に消失または残留する程度の露光レベル（ドーズ量）となる領域を意味する。また、本明細書における「照射領域のピッチ」とは、隣り合う照射領域の第２の方向における中心の間の長さ、すなわち、各照射領域に対して描画用ビームを照射する際に電子ビームの中心位置が相対的に通過する中心線の間隔を意味する。さらに、「第２の方向で隣り合う照射領域」には、２つの照射領域における第２の方向の各々の端部または全域が重なり合っている状態、および２つの照射領域における第２の方向の各々の端部が接している状態がこれに含まれる。また、「電子ビームの中心位置を樹脂層に対して第１の方向に沿って相対的に移動させる」との構成には、樹脂層が形成されている基材を移動させる構成と、基材を移動させることなく電子ビームの中心位置を移動させる構成と、電子ビームの中心位置および基材の双方を移動させる構成とが含まれる。
【００１５】
また、本発明に係るパターン描画方法は、前記複数の照射領域のうちの前記第２の方向における両端部において、前記端部の照射領域と当該端部の照射領域に隣り合う前記照射領域との前記ピッチを前記平均した長さよりも短く規定して前記描画用ビームを照射する。
【００１６】
さらに、本発明に係るパターン描画方法は、前記基材を回転させつつ前記樹脂層に前記描画用ビームを照射することで、当該基材の回転方向を前記第１の方向とし、かつ、当該回転方向と直交する方向を前記第２の方向として前記露光パターンを描画する。
【００１７】
また、本発明に係るパターン描画方法は、情報媒体におけるデータトラックパターン用の露光パターンを前記露光パターンとして描画する。
【００１８】
また、本発明に係るスタンパー製造方法は、上記のいずれかのパターン描画方法に従って前記露光パターンを描画した前記樹脂層を現像処理して凹凸パターンを形成し、当該凹凸パターンを所定の手順に従ってスタンパー形成用材料に転写してスタンパーを製造する。
【００１９】
また、本発明に係るパターン描画装置は、基材の上に形成された樹脂層に描画用ビームを照射するビーム照射部と、前記樹脂層に前記描画用ビームを照射させて露光領域を露光することで当該樹脂層に露光パターンを描画する際に当該描画用ビームの中心位置を当該樹脂層に対して第１の方向に沿って相対的に移動させつつ当該第１の方向と交差する第２の方向において所定のピッチで隣り合う複数の照射領域のうちの１つに前記ビーム照射部を制御して当該描画用ビームを照射させるビーム照射処理を当該各照射領域に対して実行して前記露光領域を露光する制御部とを備えたパターン描画装置であって、前記制御部は、前記露光領域のうちの１つを露光する際に、前記複数の照射領域のうちの前記第２の方向における少なくとも一方の端部の当該照射領域と当該端部の照射領域に隣り合う当該照射領域との前記ピッチについて、当該複数の照射領域の各々の前記ピッチを平均した長さよりも短く規定して前記ビーム照射部に前記描画用ビームを照射させる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係るパターン描画方法およびパターン描画装置によれば、基材の上に形成された樹脂層に描画用ビームを照射して露光領域を露光することで樹脂層に露光パターンを描画する際に、描画用ビームの中心位置を樹脂層に対して第１の方向に沿って相対的に移動させつつ第１の方向と交差する第２の方向において所定のピッチで隣り合う複数の照射領域のうちの１つに描画用ビームを照射するビーム照射処理を各照射領域に対して実行して露光領域を露光すると共に、露光領域のうちの１つを露光する際に、複数の照射領域のうちの第２の方向における少なくとも一方の端部の照射領域とその端部の照射領域に隣り合う照射領域とのピッチについて、複数の照射領域の各々のピッチを平均した長さよりも短く規定して描画用ビームを照射することにより、露光領域における少なくとも一方の端部において、ドーズ量のレベルが低下する度合い、すなわち、樹脂層の露光量が低下する度合いを急峻にすることができる。これにより、基材上の各部において現像処理の進行度合いにばらつきが生じたとしても、露光領域の部位に形成される凹部（樹脂層がポジ型レジスト等の場合）または凸部（樹脂層がネガ型レジスト等の場合）における少なくとも一方の辺のＬＥＲを悪化させることなく、直線的に形成することができる。したがって、この描画方法に従って例えばデータトラックパターンを描画することにより、データ記録トラック間のガードバンド部（トラック間凹部）、または、データ記録トラックの少なくとも一方の辺の直線性（ＬＥＲ）が良好なデータトラックパターンを形成し得る凹凸パターンを形成することができる。
【００２１】
また、本発明に係るパターン描画方法によれば、複数の照射領域のうちの第２の方向における両端部において、端部の照射領域とその端部の照射領域に隣り合う照射領域とのピッチを上記の平均した長さよりも短く規定して描画用ビームを照射することにより、基材上の各部において現像処理の進行度合いにばらつきが生じたとしても、露光領域の部位に形成される凹部、または、凸部の第２の方向における両辺のＬＥＲを悪化させることなく、直線的に形成することができる。したがって、この描画方法に従って例えばデータトラックパターンを描画することにより、データ記録トラック間のガードバンド部（トラック間凹部）、または、データ記録トラックにおける幅方向の両辺のＬＥＲが良好となる結果、ガードバンド部またはデータ記録トラックのＬＷＲが良好なデータトラックパターンを形成し得る凹凸パターンを形成することができる。
【００２２】
さらに、本発明に係るパターン描画方法によれば、基材を回転させつつ樹脂層に描画用ビームを照射することで、基材の回転方向を第１の方向とし、かつ、回転方向と直交する方向を第２の方向として露光パターンを描画することにより、基材を回転させることなく露光パターンを描画する描画方法と比較して基材の全域に露光パターンを描画するのに要する時間を十分に短縮することができると共に真円度の高い露光パターンを描画することができる。
【００２３】
また、本発明に係るパターン描画方法によれば、情報媒体におけるデータトラックパターン用の露光パターンを上記の露光パターンとして描画することにより、現像処理によって形成される凹部または凸部のＬＥＲを悪化させることなく、基材の回転方向に沿った長さが長いガードバンド部（トラック間凹部）用の露光パターン、または、データ記録トラック用の露光領域を精度良く形成する（露光する）ことができる。
【００２４】
また、本発明に係るスタンパー製造方法によれば、上記のいずれかのパターン描画方法に従って露光パターンを描画した樹脂層を現像処理して凹凸パターンを形成し、凹凸パターンを所定の手順に従ってスタンパー形成用材料に転写してスタンパーを製造することにより、このスタンパーを用いることで、回転方向に沿った辺のＬＥＲが良好な（ガードバンド部としてのトラック間凹部、または、データ記録トラックのＬＥＲが良好な）データトラックパターンを有する情報媒体（磁気ディスク）を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照して、本発明に係るパターン描画方法、パターン描画装置およびスタンパー製造方法の最良の形態について説明する。
【００２６】
最初に、本発明に係るパターン描画方法に従ってパターンを描画する電子ビーム描画装置１の構成について、図面を参照して説明する。
【００２７】
図１に示す電子ビーム描画装置（以下、「描画装置」ともいう）１は、本発明におけるパターン描画装置に相当し、Ｘ−Ｙ移動機構２、ターンテーブル（回転機構）３、ビーム発生部４、ブランキング制御部５、ビーム成形部６、ビーム偏向部７、制御部８および記憶部９を備えて、ビーム発生部４から電子ビームＥＢ（本発明における描画用ビームの一例）を出力して情報媒体製造用の露光パターンＰ（図３参照）を加工対象体１０に描画可能に構成されている。この場合、加工対象体１０は、スタンパー２０（図１５参照）を製造するための凹凸パターン１５（図１４参照）を形成する形成用板材であって、図２に示すように、円板状のシリコン基板１１（本発明における基材）の表面に樹脂層１２（一例として、電子ビーム感光性を有するポジ型レジストを塗布することで形成したレジスト層）が形成されている。
【００２８】
また、加工対象体１０を用いて製造されるスタンパー２０は、図１６に示す磁気ディスク３０を製造するための原盤であって、後述するように、描画装置１によって加工対象体１０の樹脂層１２に形成された露光パターンＰを現像することで形成した凹凸パターン１５（図１４参照）をスタンパー形成用材料に転写することにより、図１５に示すように、凹凸パターン１５における各凹部１５ｂに対応する複数の凸部２５ａと、凹凸パターン１５における各凸部１５ａに対応する複数の凹部２５ｂとを有する凹凸パターン２５が形成されている。
【００２９】
さらに、スタンパー２０を使用して製造される磁気ディスク３０は、本発明における情報媒体の一例であるディスクリートトラック型のパターンド媒体であって、記録再生ヘッドやモータなどと共に筐体内（図示せず）に収容されて、磁気記録装置（ハードディスクドライブ）を構成する。この磁気ディスク３０は、図１６に示すように、軟磁性層３２、中間層３３および磁性層３４が基材３１の上にこの順で形成されて、磁性層３４に形成された各凸部３５ａおよび各凹部３５ｂによってデータトラックパターンおよびサーボパターン等の凹凸パターン３５が形成されて垂直記録方式による記録データの記録が可能に構成されている。この場合、この磁気ディスク３０では、スタンパー２０の凹凸パターン２５における各凹部２５ｂに対応して複数の凸部３５ａが形成されると共に、凹凸パターン２５における各凸部２５ａに対応して複数の凹部３５ｂが形成されている。
【００３０】
一方、Ｘ−Ｙ移動機構２は、制御部８の制御に従い、ターンテーブル３によって回転させられる加工対象体１０の回転面に沿ってターンテーブル３を移動させる。ターンテーブル３は、加工対象体１０を載置可能に構成されて制御部８の制御下で加工対象体１０を回転させる。ビーム発生部４は、ブランキング制御部５と相俟って本発明におけるビーム照射部を構成して、加工対象体１０における樹脂層１２に露光パターンＰを描画するための電子ビームＥＢを生成して出力する。ブランキング制御部５は、制御部８の制御に従ってビーム発生部４による電子ビームＥＢの出力をオン／オフ制御する。ビーム成形部６は、ビーム成形レンズおよびアパーチャ（図示せず）などを備えて、ビーム発生部４によって出力された電子ビームＥＢを成形（細径化）する。
【００３１】
この場合、この描画装置１では、その有効描画径がデータ記録トラック間のガードバンド部としてのトラック間凹部（データトラックパターンにおいて半径方向において隣り合う２つの凸部３５ａ，３５ａ間の凹部３５ｂ）の幅よりも十分に小さい電子ビームＥＢを照射することにより、後述するように、凹部３５ｂに対応する凹部を形成する領域と一致する各露光領域Ａ０（図３参照：本発明における「露光領域のうちの１つ」）の全域が露光されるように、加工対象体１０の半径方向において複数回に分けて電子ビームＥＢを照射する。なお、電子ビーム感光性を有するネガ型レジストで加工対象体１０の樹脂層１２を形成する場合には、磁気ディスク３０の凸部３５ａに対応する凸部を形成する領域と一致する各露光領域Ａ０の全域が露光されるように、加工対象体１０の半径方向において複数回に分けて電子ビームＥＢを照射する。
【００３２】
ビーム偏向部７は、ビーム成形部６によって成形された電子ビームＥＢを制御部８の制御に従って偏向することにより、樹脂層１２に対する電子ビームＥＢの照射位置（電子ビームＥＢの中心位置を相対的に通過させる位置）を変化させる。制御部８は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３と共に加工対象体１０を移動させると共に、ターンテーブル３を制御して加工対象体１０を回転させる。また、制御部８は、ビーム発生部４、ブランキング制御部５およびビーム偏向部７を制御することにより、ターンテーブル３によって回転させられている加工対象体１０の樹脂層１２における所定位置に電子ビームＥＢを照射させる。記憶部９は、加工対象体１０に描画する露光パターンＰの描画手順を特定可能な描画手順データＤＰを記憶する。この場合、描画手順データＤＰには、ブランキング制御部５に対して電子ビームＥＢの照射を開始させるタイミング、電子ビームＥＢの照射を停止させるタイミング、およびビーム偏向部７に対して電子ビームＥＢを偏向させる量（後述する照射領域Ａａ１〜Ａａ６のピッチＰ１〜Ｐ５）などを特定可能なデータを含んで構成されている。
【００３３】
次いで、上記のスタンパー２０を製造する方法について、図面を参照して説明する。
【００３４】
まず、一例として、直径６インチのシリコン基板１１の一面にベーク処理後の厚みが８０ｎｍ程度となるように電子線描画用レジスト（ポジ型レジスト：一例として、日本ゼオン株式会社製「ＺＥＰ５２０Ａ」をスピンコートすることによってシリコン基板１１の上に樹脂層（レジスト層）１２を形成する。次いで、塗布した樹脂層１２に対して１８０℃で５分間に亘ってベーク処理を実行する。これにより、図２に示す加工対象体１０が完成する。続いて、樹脂層１２の形成面を上向きにして加工対象体１０を描画装置１のターンテーブル３上に載置すると共に、スタンパー２０の凹凸パターン２５における各凸部２５ａの平面パターン（図３に示すデータトラックパターンＰｔやサーボパターンＰｓ：露光パターンＰ）を加工対象体１０の樹脂層１２に描画する。
【００３５】
具体的には、描画開始が指示された際に、制御部８は、Ｘ−Ｙ移動機構２を制御してターンテーブル３を移動させて、例えば露光パターンＰを描画すべき円環状の領域における最内周部位をビーム発生部４の下方に位置させる。次いで、制御部８は、ターンテーブル３を制御して一例として、１０４．１７ｍｍ／秒の線速度一定の条件で加工対象体１０を回転させると共に、記憶部９に記憶されている描画手順データＤＰに従い、ビーム発生部４、ブランキング制御部５およびビーム偏向部７を制御してターンテーブル３上の加工対象体１０（樹脂層１２）に向けて電子ビームＥＢを照射させる。
【００３６】
この際に、加工対象体１０が回転している状態において電子ビームＥＢが照射されることにより、電子ビームＥＢの中心位置が樹脂層１２に対してその回転方向（本発明における「第１の方向」）に沿って相対的に移動する。また、制御部８は、電子ビームＥＢを加工対象体１０の半径方向（本発明における「第２の方向」）に偏向させることにより、半径方向において隣り合う複数の照射領域Ａａ１〜Ａａ６（図９参照）に電子ビームＥＢを順次照射して露光パターンＰを描画する。
【００３７】
具体的には、制御部８は、加工対象体１０の半径方向において隣り合う複数の単位露光領域Ａｂ１〜Ａｂ６（図９参照）が順次露光されることにより、スタンパー２０の凹凸パターン２５における各凸部２５ａを形成する領域である露光領域Ａ０の全域が露光されるように電子ビームＥＢを照射させる。このため、制御部８は、各単位露光領域Ａｂ１〜Ａｂ６を露光するための各照射領域Ａａ１〜Ａａ６の半径方向におけるピッチを規定して（言い替えれば、加工対象体１０の各回転目毎の電子ビームＥＢの中心位置を規定して）所定のビーム電流に調整した電子ビームＥＢを加工対象体１０に対して照射させる。
【００３８】
また、制御部８は、図３に示すように、サーボパターンＰｓの描画領域において加工対象体１０の各回転毎に互いに等しいピッチＰ０で電子ビームＥＢを偏向して照射する。言い替えれば、制御部８は、サーボパターンＰｓを描画する際の電子ビームＥＢの照射時において、サーボパターンＰｓを構成する露光領域Ａ０を露光するための各照射領域の半径方向におけるピッチを互いに等しいピッチＰ０に規定して電子ビームＥＢを照射する。なお、同図における破線Ｃは、加工対象体１０の各回転毎に照射する電子ビームＥＢの中心位置が通過する線、すなわち、電子ビームＥＢが照射される照射領域における半径方向の中心線を表している。この場合、同図および後に参照する図４〜９，１１では、描画原理についての理解を容易とするために、電子ビームＥＢの非照射領域にも破線Ｃ（中心線Ｃ１〜Ｃ６）を描いている。
【００３９】
一方、制御部８は、データトラックパターンＰｔの描画領域において、露光領域Ａ０における半径方向の両端部では、図５，９に示すように、短いピッチＰ１，Ｐ５（実際には、両ピッチＰ１，Ｐ５はゼロ）で電子ビームを偏向して照射すると共に、露光領域Ａ０における半径方向の中央部では、図６〜８に示すように、長いピッチＰ２〜Ｐ４で電子ビームＥＢを偏向して照射する。言い替えれば、制御部８は、データトラックパターンＰｔを描画する際の電子ビームＥＢの照射時において、データトラックパターンＰｔを構成する露光領域Ａ０を露光するための各照射領域のうちの内周側端部および外周側端部におけるそれぞれ２つの照射領域については、その半径方向におけるピッチを短いピッチＰ１，Ｐ５（この例では、ゼロ）に規定して電子ビームＥＢを照射する。また、データトラックパターンＰｔを構成する露光領域Ａ０を露光するための各照射領域のうちの上記の両端部の照射領域を除く照射領域（半径方向において隣り合う各照射領域のうちの中央部の照射領域）については、その半径方向におけるピッチを長いピッチＰ２〜Ｐ４に規定して電子ビームＥＢを照射する。
【００４０】
具体的には、図４に示すように、制御部８は、ターンテーブル３を制御して加工対象体１０を矢印Ｒの向きで線速度一定の条件で回転させつつ、データトラックパターンＰｔの露光領域Ａ０に対する電子ビームＥＢの照射を開始するタイミングが到来するまで待機する。なお、データトラックパターンＰｔを構成する１つの露光領域Ａ０が長尺であるため、同図および後に参照する図５〜９，１１では、加工対象体１０の回転方向に沿って長い露光領域Ａ０（データトラックパターンＰｔにおけるガードバンド部）の描画領域における回転方向の中間部の図示を省略し、その長さを短くして図示している。また、加工対象体１０の回転に伴い、電子ビームＥＢの照射を開始すべき開始位置Ｓ１がビーム発生部４の下方に位置した際には、制御部８は、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を開始させる。続いて、加工対象体１０の回転に伴い、電子ビームＥＢの照射を停止すべき停止位置Ｅ１がビーム発生部４の下方に位置した際には、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を停止させる。これにより、同図に破線で示す照射領域Ａａ１に対する電子ビームＥＢの照射が完了して、その中央部の単位露光領域Ａｂ１において、ドーズ量が所定の露光レベル（後述する現像処理によって樹脂層１２が消失するレベル）を超えた状態となる。
【００４１】
次いで、図５に示すように、電子ビームＥＢの照射を開始すべき開始位置Ｓ２がビーム発生部４の下方に位置した際には、制御部８は、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を開始させる。この際に、制御部８は、ビーム偏向部７を制御することにより、上記の照射領域Ａａ１に対する照射時における電子ビームＥＢの中心線Ｃ１と同一の中心線Ｃ２に対して電子ビームＥＢの中心位置を一致させるように電子ビームＥＢを偏向させて照射させる。続いて、電子ビームＥＢの照射を停止すべき停止位置Ｅ２がビーム発生部４の下方に位置した際には、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの照射を停止させる。この結果、上記の照射領域Ａａ１と一致する照射領域Ａａ２に対する電子ビームＥＢの照射が完了して、その中央部の単位露光領域Ａｂ２において、照射領域Ａａ１に対する電子ビームＥＢの照射と相俟ってドーズ量が所定の露光レベルを超えた状態となる（照射領域Ａａ１，Ａａ２のピッチＰ１がゼロの例）。これにより、照射領域Ａａ１に対する電子ビームＥＢの照射時に露光された単位露光領域Ａｂ１よりも広い単位露光領域Ａｂ２の露光が完了する。
【００４２】
なお、本明細書において参照する各図面では、本発明についての理解を容易とするために、半径方向において一致するように図示すべき中心線Ｃ１，Ｃ２および中心線Ｃ５，Ｃ６（図９参照）等を互いに離間させて図示している。また、本発明についての理解を容易とするために、図４，５に示す単位露光領域Ａｂ１の大きさ（広さ）と図５に示す単位露光領域Ａｂ２の大きさ（広さ）との比率を大きく誇張して図示している。
【００４３】
次いで、図６に示すように、制御部８は、ビーム発生部４の下方に開始位置Ｓ３が位置した際に電子ビームＥＢの照射を開始させ、ビーム発生部４の下方に停止位置Ｅ３が位置した際に電子ビームＥＢの照射を停止させる。この際に、制御部８は、ビーム偏向部７を制御することにより、上記の照射領域Ａａ１，Ａａ２に対する照射時における電子ビームＥＢの中心線Ｃ１，Ｃ２に対して、一例として、加工対象体１０の外周側に向けて１５ｎｍだけ変位させた中心線Ｃ３に対して電子ビームＥＢの中心位置を一致させるように電子ビームＥＢを偏向させて照射させる。この結果、上記の照射領域Ａａ１，Ａａ２よりも外周寄りの照射領域Ａａ３に対する電子ビームＥＢの照射が完了して、その中央部の単位露光領域Ａｂ３において、照射領域Ａａ１，Ａａ２に対する電子ビームＥＢの照射と相俟ってドーズ量が所定の露光レベルを超えた状態となる（照射領域Ａａ２，Ａａ３のピッチＰ２が１５ｎｍの例）。なお、同図および後に参照する図７〜９では、本発明についての理解を容易とするために、単位露光領域Ａｂ２〜Ａｂ６の大きさ（広さ）をほぼ同程度の大きさ（広さ）で図示している。
【００４４】
続いて、図７に示すように、制御部８は、ビーム発生部４の下方に開始位置Ｓ４が位置した際に電子ビームＥＢの照射を開始させ、ビーム発生部４の下方に停止位置Ｅ４が位置した際に電子ビームＥＢの照射を停止させる。この際に、制御部８は、ビーム偏向部７を制御することにより、上記の照射領域Ａａ３に対する照射時における電子ビームＥＢの中心線Ｃ３に対して、一例として、加工対象体１０の外周側に向けて１０ｎｍだけ変位させた中心線Ｃ４に対して電子ビームＥＢの中心位置を一致させるように電子ビームＥＢを偏向させて照射させる。この結果、上記の照射領域Ａａ３よりも外周寄りの照射領域Ａａ４に対する電子ビームＥＢの照射が完了して、その中央部の単位露光領域Ａｂ４において、照射領域Ａａ１〜Ａａ３に対する電子ビームＥＢの照射と相俟ってドーズ量が所定の露光レベルを超えた状態となる（照射領域Ａａ３，Ａａ４のピッチＰ３が１０ｎｍの例）。
【００４５】
次いで、図８に示すように、制御部８は、ビーム発生部４の下方に開始位置Ｓ５が位置した際に電子ビームＥＢの照射を開始させ、ビーム発生部４の下方に停止位置Ｅ５が位置した際に電子ビームＥＢの照射を停止させる。この際に、制御部８は、ビーム偏向部７を制御することにより、上記の照射領域Ａａ４に対する照射時における電子ビームＥＢの中心線Ｃ４に対して、一例として、加工対象体１０の外周側に向けて１５ｎｍだけ変位させた中心線Ｃ５に対して電子ビームＥＢの中心位置を一致させるように電子ビームＥＢを偏向させて照射させる。この結果、上記の照射領域Ａａ４よりも外周寄りの照射領域Ａａ５に対する電子ビームＥＢの照射が完了して、その中央部の単位露光領域Ａｂ５において、照射領域Ａａ１〜Ａａ４に対する電子ビームＥＢの照射と相俟ってドーズ量が所定の露光レベルを超えた状態となる（照射領域Ａａ４，Ａａ５のピッチＰ４が１５ｎｍの例）。
【００４６】
続いて、図９に示すように、制御部８は、ビーム発生部４の下方に開始位置Ｓ６が位置した際に電子ビームＥＢの照射を開始させ、ビーム発生部４の下方に停止位置Ｅ６が位置した際に電子ビームＥＢの照射を停止させる。この際に、制御部８は、ビーム偏向部７を制御することにより、上記の照射領域Ａａ５に対する照射時における電子ビームＥＢの中心線Ｃ５と同一の中心線Ｃ６に対して電子ビームＥＢの中心位置を一致させるように電子ビームＥＢを偏向させて照射させる。この結果、上記の照射領域Ａａ５と一致する照射領域Ａａ６に対する電子ビームＥＢの照射が完了して、その中央部の単位露光領域Ａｂ６において、照射領域Ａａ１〜Ａａ５に対する電子ビームＥＢの照射と相俟ってドーズ量が所定の露光レベルを超えた状態となる（照射領域Ａａ５，Ａａ６のピッチＰ５がゼロの例）。以上により、データトラックパターンＰｔを構成する１つの露光領域Ａ０についての露光が完了する。
【００４７】
この後、データトラックパターンＰｔを構成する他の露光領域Ａ０についても、上記のように、露光領域Ａ０における半径方向の両端部において照射領域Ａａのピッチが短くなるように（この例では、ゼロとなるように）偏向しつつ電子ビームＥＢを照射する。なお、実際には、露光パターンＰは、データトラックパターンＰｔおよびサーボパターンＰｓが加工対象体１０の回転方向に沿って交互に並ぶように構成されている。したがって、上記のデータトラックパターンＰｔ、または、サーボパターンＰｓに対応する１つの照射領域Ａａ（上記の例における照射領域Ａａ１〜Ａａ６のうちの１つ）に対する電子ビームＥＢの照射に続き、データトラックパターンＰｔに対応する複数の照射領域Ａａ（加工対象体１０の回転方向において並ぶ複数の照射領域Ａａ）に対する電子ビームＥＢの照射が順次実行される。これにより、加工対象体１０の一回転当りにおいて、データトラックパターンＰｔを構成する露光領域Ａ０を露光するための電子ビームＥＢの照射、およびサーボパターンＰｓを構成する露光領域Ａ０を露光するための電子ビームＥＢの照射が複数回実行される。
【００４８】
この際に、この描画装置１では、サーボパターンＰｓを構成する露光領域Ａ０（図３参照）については、上記のデータトラックパターンＰｔを構成する露光領域Ａ０に対する電子ビームＥＢの照射時とは異なり、露光領域Ａ０を露光するための照射領域ＡａのピッチＰ０を一定の長さに規定して樹脂層１２に電子ビームＥＢを照射する。このように、ターンテーブル３を制御して加工対象体１０を回転させつつ、描画手順データＤＰに従って、Ｘ−Ｙ移動機構２およびビーム偏向部７を制御して加工対象体１０に対する電子ビームＥＢの照射位置（照射領域Ａａのピッチ）を調整すると共に、ブランキング制御部５を制御して電子ビームＥＢの射出をブランキング制御することにより、加工対象体１０の最外周領域まで電子ビームＥＢを順次照射してデータトラックパターンＰｔおよびサーボパターンＰｓを構成する各露光領域Ａ０内に潜像を形成する。これより、サーボパターンＰｓやデータトラックパターンＰｔ（露光パターンＰ）の描画処理が完了する。
【００４９】
この場合、この描画装置１による描画方法では、上記の１つの露光領域Ａ０の描画に際して円板が６回転する間において、樹脂層１２に対して照射する電子ビームのビーム電流を一定のレベルに維持している。したがって、図１０に示すように、上記の例における１回転目から６回転目までの各回転毎のドーズ量は、実線Ｌ１，Ｌ６、破線Ｌ２，Ｌ５、一点鎖線Ｌ３および二点鎖線Ｌ４で示すように、電子ビームの中心が通過する中心線Ｃ１〜Ｃ６（以下、区別しないときには「中心線Ｃ」ともいう）の位置において互いに等しい最大量となり、かつ、各中心線Ｃからの半径方向における距離が等しい位置において互いに等しくなる。
【００５０】
また、この描画装置１による描画方法では、データトラックパターンＰｔを構成する上記の１つの露光領域Ａ０の描画に際して、各照射領域Ａａ１〜Ａａ６のピッチＰ１〜Ｐ５を平均した長さ（この例では、８ｎｍ：（０ｎｍ＋１５ｎｍ＋１０ｎｍ＋１５ｎｍ＋０ｎｍ）／５）に対して、照射領域Ａａ１〜Ａａ６のうちの半径方向（本発明における第２の方向）における両端部において隣り合う照射領域Ａａ１，Ａａ２および照射領域Ａａ５，Ａａ６のピッチＰ１，Ｐ５（この例では、ゼロ）が短くなるように規定して電子ビームＥＢを走査させている。したがって、図１０に実線Ｌ７で示すように、中心線Ｃ１，Ｃ２の近傍や中心線Ｃ５，Ｃ６の近傍において２回に亘る電子ビームＥＢの照射によってドーズ量が比較的高いレベルとなっている。この結果、露光領域Ａ０における半径方向の中央部（中心線Ｃ３，Ｃ４の近傍）だけではなく、露光領域Ａ０における半径方向の両端部（中心線Ｃ１，Ｃ２および中心線Ｃ５，Ｃ６の近傍）においてもドーズ量が比較的高いレベルとなっている。
【００５１】
この場合、データトラックパターンＰｔを構成する露光領域Ａ０の半径方向における両端部においてドーズ量を高いレベルとするためには、上記の描画方法のように照射領域Ａａ１，Ａａ２に対して電子ビームＥＢを２回照射するのに代えて、例えば照射領域Ａａ１に対して（中心線Ｃ１に中心位置を一致させて）十分に高いビーム電流に調整した電子ビームＥＢを１回だけ照射する方法を採用することもできる。しかしながら、この方法を採用した場合には、電子ビームＥＢの強度（すなわち、ドーズ量）がビーム中心をピークとするガウシアン分布となることに起因して、露光領域Ａ０の両端部において中心線Ｃ１，Ｃ６から離間するほどドーズ量のレベルが緩やかに低下するため、従来の描画方法によって露光した露光領域Ａ０ｘと同様にして、露光領域Ａ０の両端部において樹脂層１２の露光の度合いが中心線Ｃ１，Ｃ６から離間するほど緩やかに低下する状態となる。
【００５２】
また、上記の描画装置１を含むこの種の描画装置では、ビーム発生部４から出力する電子ビームＥＢのビーム電流を変化させるのにある程度の時間を要する。このため、加工対象体１０の回転方向に沿ってデータトラックパターンＰｔおよびサーボパターンＰｓを交互に描画する場合において、データトラックパターンＰｔの描画時において電子ビームＥＢのビーム電流を高めるときには、そのデータトラックパターンＰｔに対して加工対象体１０の回転方向において隣接するサーボパターンＰｓについても同じレベルの高いビーム電流の電子ビームＥＢを照射しなくてはならない。したがって、図１１に示すように、サーボパターンＰｓのうちの例えばバーストパターン用の露光領域Ａ０を露光する際に、照射領域Ａａａ，Ａａｃ〜ＡａＮについては、低いビーム電流の電子ビームＥＢを照射し、照射領域Ａａｂについては、高いビーム電流の電子ビームＥＢを照射することとなる。
【００５３】
この場合、照射領域Ａａｂに高いビーム電流の電子ビームＥＢを照射したことでドーズ量が露光レベルとなる単位露光領域Ａｂｂは、照射領域Ａａａ，Ａａｃ〜ＡａＮに低いビーム電流の電子ビームＥＢを照射したことでドーズ量が露光レベルとなる単位露光領域Ａｂａ，Ａｂｃ〜ＡｂＮよりも回転方向および半径方向の双方に対して広くなる。このため、単位露光領域Ａｂｂの部位において露光領域Ａ０の回転方向に沿った長さが長くなり、単位露光領域Ａｂｂにおける回転方向の端部が他の単位露光領域Ａｂａ，Ａｂｃ〜ＡｂＮにおける回転方向の端部よりも突出する結果、露光領域Ａ０が変形して所望の形状とは相違する形状となり、これにより、半径方向に沿った両辺のＬＥＲが悪化する。したがって、このような露光領域Ａ０を有する露光パターンＰを用いて後述するように磁気ディスク３０を製造したときには、正常なバースト信号を得ることが困難となる。このため、データトラックパターンＰｔおよびサーボパターンＰｓが回転方向において交互に並ぶ露光パターンＰを描画する際には、その最内周から最外周までの全域において同レベルのビーム電流に調整した電子ビームＥＢを照射するのが好ましい。また、露光パターンＰの描画処理中において電子ビームＥＢのビーム電流を変化させた場合には、ビーム電流値にゆらぎが生じて正確な描画が困難となるため、このような観点からも、露光パターンＰを描画する際には、その最内周から最外周までの全域において同レベルのビーム電流に調整した電子ビームＥＢを照射するのが好ましい。
【００５４】
なお、データトラックパターンＰｔを構成する露光領域Ａ０の両端部だけではなく、全域において同レベルの高いビーム電流の電子ビームＥＢを照射する場合には、有効ビーム径が大径化されることに伴い、微細な露光パターンＰを描画するのが困難となる。また、照射する電子ビームＥＢのビーム電流を低く調整した状態で加工対象体１０の回転速度を低下させることで露光領域Ａ０の両端部におけるドーズ量を高いレベルとすることもできるが、この方法を採用した場合には、加工対象体１０の全域に対して露光パターンＰを描画するのに要する時間が長くなるという問題が発生する。
【００５５】
次いで、露光パターンＰの描画が完了した樹脂層１２に対する現像処理を実行する。具体的には、一例として、日本ゼオン株式会社製「ＺＥＤ−Ｎ５０」を現像液として用いて、この現像液を１８℃に維持した状態において、露光パターンＰの描画が完了した加工対象体１０を３０秒間に亘って浸漬する。また、イソプロピルアルコールをリンス液として用いて室温（一例として、２５℃）で１０秒間に亘ってリンス処理を実行する。これにより、上記の描画処理時にドーズ量が現像条件（現像液の濃度や温度等）の僅かなばらつきに起因してレベルＺａからレベルＺｂまでの範囲以上（所定の露光レベル以上）となっている部位、すなわち、露光パターンＰ（データトラックパターンＰｔおよびサーボパターンＰｓ）における露光領域Ａ０の部位において樹脂層１２がシリコン基板１１上から消失することにより、図１４に示すように、各露光領域Ａ０の部位に凹部１５ｂが形成されて、シリコン基板１１上にデータトラックパターンＰｔやサーボパターンＰｓに対応する凹凸パターン１５が形成される。
【００５６】
この場合、前述した描画装置１による露光パターンＰの描画方法では、露光領域Ａ０の半径方向における両端部において電子ビームＥＢを照射する照射領域Ａａのピッチを短くして露光パターンＰを描画したことにより、従来の描画方法によって露光パターンを描画したときと比較して、露光領域Ａ０の両端部におけるドーズ量の変化の度合いが急峻となっている。具体的には、図１２に実線Ｌ７で示すように、露光領域Ａ０の半径方向における両端部（中心線Ｃ１，Ｃ２および中心線Ｃ５，Ｃ６の近傍）において、中心線Ｃ１，Ｃ２および中心線Ｃ５，Ｃ６からの距離に応じてドーズ量のレベルが低下する度合いが、従来の描画方法による描画時の半径方向における両端部（破線Ｌ７ｘ参照）よりも急峻となっている。
【００５７】
したがって、加工対象体１０を現像液に浸漬した際の現像処理の進行度合いが加工対象体１０上の各部位において相違することに起因して、レベルＺａよりもドーズ量が高いレベルの部位において樹脂層１２が消失する部位と、レベルＺｂよりもドーズ量が高いレベルの部位において樹脂層１２が消失する部位とが生じたとしても、データトラックパターンＰｔを構成する露光領域Ａ０のＬＷＲや、回転方向に沿った両辺のＬＥＲが悪化する事態が回避される。具体的には、図１３に破線Ｌ７ｘで示すように、従来の描画方法に従って露光パターンを描画した場合には、露光領域Ａ０ｘの半径方向における両端部においてドーズ量のレベルが低下する度合いが緩やかとなる。この結果、レベルＺａｘよりもドーズ量が高いレベルの部位においてレジスト層が消失する部位と、レベルＺｂｘよりもドーズ量が高いレベルの部位においてレジスト層が消失する部位とが生じたときには、露光領域Ａ０ｘの幅が最小で幅Ｈａｘ、最大で幅Ｈｂｘのようにその差が大きくなっている。この結果、露光領域Ａ０ｘのＬＷＲおよびＬＥＲが悪化する。
【００５８】
これに対して、図１３に実線Ｌ７で示すように、上記の描画装置１によって露光パターンＰを描画した場合には、露光領域Ａ０の半径方向における両端部においてドーズ量のレベルが低下する度合いが従来の描画方法による描画時よりも急峻となる。この結果、レベルＺａよりもドーズ量が高いレベルの部位において樹脂層１２が消失する部位と、レベルＺｂよりもドーズ量が高いレベルの部位において樹脂層１２が消失する部位とが生じたとしても、露光領域Ａ０の幅が最小で幅Ｈａ、最大で幅Ｈｂのようにその差が十分に小さくなっている。この結果、露光領域Ａ０のＬＷＲおよびＬＥＲが従来の露光領域Ａ０ｘよりも良好となる。したがって、このような露光領域Ａ０を有する露光パターンＰを現像処理することで形成された上記の凹凸パターン１５では、各露光領域Ａ０の部位に形成された凹部１５ｂのＬＷＲおよびＬＥＲが良好となる。
【００５９】
具体的には、従来の描画方法に従って描画した露光パターンを現像して製作した凹凸パターンでは、データ記録トラックに対応する凸部の形成ピッチが１９０ｎｍのデータトラックパターンの部位において、ＬＥＲが５．８９ｎｍ（３σ）であった。これに対して、本発明に係るパターン描画方法に従って描画した露光パターンＰを現像した上記の凹凸パターン１５では、データ記録トラックに対応する凸部１５ａの形成ピッチが１９０ｎｍのデータトラックパターンの部位において、ＬＥＲが５．０３ｎｍ（３σ）であった。なお、上記の各ＬＥＲは、現像処理によって形成された凹部（露光領域に対応する部位）における幅方向（本発明における第２の方向）の端部の位置（端点）を複数箇所に亘って求めると共に、各端点が位置すべき仮想直線からの各端点のずれ量の分布について、その標準偏差σを算出し、その算出した値の３倍の値をＬＥＲとして算出した。また、上記の各ＬＥＲは、１０本の露光領域Ａ０（Ａ０ｘ）についての平均値である。
【００６０】
続いて、凹凸パターン１５の表面に例えば蒸着処理によって導電層を形成した後に（図示せず）、この導電層を電極として用いて電解メッキ処理（電鋳処理）を実行する。この際には、現像処理によってシリコン基板１１上（樹脂層１２）に形成された凹凸パターン１５が金属材料に転写されて、その平面形状が上記の露光領域Ａ０とほぼ等しい凸部が形成される（本発明における所定の手順の一例）。これにより、マスタースタンパーが完成する。この場合、加工対象体１０に対する現像処理によって形成された凹部１５ｂのＬＷＲおよびＬＥＲが良好であるため、この凹部１５ｂの部位に形成されたマスタースタンパーの凸部についても、そのＬＷＲおよびＬＥＲが良好となる。
【００６１】
この後、製造したマスタースタンパーをスタンパー形成用材料に転写してマスタースタンパーの凹凸パターンと凹凸位置関係が相反するマザースタンパーを製造し（図示せず）、製造したマザースタンパーをスタンパー形成用材料に転写することにより、図１５に示すように、マスタースタンパーの凹凸パターンと凹凸位置関係が一致し、かつマザースタンパーの凹凸パターンと凹凸位置関係が相反するスタンパー（チャイルドスタンパー）２０が製造される。この場合、前述したように、マスタースタンパーの凸部のＬＷＲおよびＬＥＲが良好であるため、この凸部に対応する凸部２５ａについても、そのＬＷＲおよびＬＥＲが良好となる。
【００６２】
なお、現像処理が完了した加工対象体１０を用いてスタンパー２０を製造する方法は、上記の例に限定されず、公知の各種製造方法を採用することができる。具体的には、例えば、凹凸パターンが形成された樹脂層１２をマスクとして用いてシリコン基板１１に対するエッチング処理を実行することでシリコン基板１１に凹凸パターンを形成し、この凹凸パターンを金属材料に転写することで上記のマスタースタンパーまたはスタンパー２０を製造する方法を採用することができる。
【００６３】
一方、上記の製造方法に従って製造したスタンパー２０を用いて磁気ディスク３０を製造する際には、一例として、まず、磁気ディスク３０を製造するための中間体（図示せず）における樹脂マスク層にスタンパー２０の凹凸パターン２５を押し付けることによって中間体の樹脂マスク層に凹凸パターン２５を転写する（インプリント法の実行）。この場合、中間体は、一例として、軟磁性層３２、中間層３３および磁性層３４が基材３１の上にこの順で形成されると共に、磁性層３４を覆うようにして金属マスク層および樹脂マスク層がこの順で形成されている。次いで、中間体からスタンパー２０を剥離した後に、樹脂マスク層に転写された凹凸パターンをマスクとして用いて金属マスク層に対するエッチング処理を実行する。これにより、樹脂マスク層に転写した凹凸パターンと平面形状が同様で凹凸位置関係が一致する凹凸パターンが金属マスク層に形成される。
【００６４】
続いて、金属マスク層に転写された凹凸パターンをマスクとして用いて磁性層３４に対するエッチング処理を実行する。これにより、図１６に示すように、金属マスク層に形成した凹凸パターンと平面形状が同様で凹凸位置関係が一致する凹凸パターン３５が磁性層３４に形成されて磁気ディスク３０が完成する。この場合、スタンパー２０における凸部２５ａのＬＷＲおよびＬＥＲが良好であるため、この凸部２５ａの部位に形成された凹部３５ｂについても、そのＬＷＲおよびＬＥＲが良好となる。
【００６５】
このように、この描画装置１によるパターンの描画方法によれば、シリコン基板１１の上に形成された樹脂層１２に電子ビームＥＢを照射して露光領域Ａ０を露光することで樹脂層１２に露光パターンＰを描画する際に、電子ビームＥＢの中心位置を樹脂層１２に対して加工対象体１０の回転方向（第１の方向）に沿って相対的に移動させつつ加工対象体１０の半径方向（回転方向と直交する方向：第２の方向）において所定のピッチで隣り合う複数の照射領域Ａａ１〜Ａａ６のうちの１つに電子ビームＥＢを照射するビーム照射処理を各照射領域Ａａ１〜Ａａ６に対して実行して露光領域Ａ０を露光すると共に、露光領域Ａ０のうちの１つを露光する際に、複数の照射領域Ａａ１〜Ａａ６のうちの半径方向（第２の方向）における少なくとも一方の端部の照射領域（この例では、照射領域Ａａ１，Ａａ６）と端部の照射領域に隣り合う照射領域（この例では、照射領域Ａａ２，Ａａ５）とのピッチＰ１，Ｐ５について、照射領域Ａａ１〜Ａａ６の各々のピッチＰ１〜Ｐ５を平均した長さよりも短く規定して電子ビームＥＢを照射することにより、露光領域Ａ０における半径方向の少なくとも一方の端部（この例では、両端部）において、ドーズ量のレベルが低下する度合い、すなわち、樹脂層１２の露光量が低下する度合いを急峻にすることができる。これにより、加工対象体１０の各部において現像処理の進行度合いにばらつきが生じたとしても、露光領域Ａ０の部位に形成される凹部１５ｂの半径方向における少なくとも一方の辺（この例では、両辺（内周側および外周側の両辺））のＬＥＲを悪化させることなく、直線的に形成することができる。したがって、この描画方法に従ってデータトラックパターンＰｔを描画することにより、例えばデータ記録トラック間のガードバンド部（トラック間凹部）の直線性（ＬＥＲ）が良好なデータトラックパターンを形成し得る凹凸パターン１５を形成することができる。
【００６６】
また、この描画装置１によるパターンの描画方法によれば、複数の照射領域Ａａ１〜Ａａ６のうちの第２の方向における一方の端部のみならず、両端部において、端部の照射領域Ａａ１，Ａａ６とその照射領域Ａａ１，Ａａ６に隣り合う照射領域Ａａ２，Ａａ５とのピッチを上記の平均した長さよりも短く規定して電子ビームＥＢを照射することにより、加工対象体１０上の各部において現像処理の進行度合いにばらつきが生じたとしても、露光領域Ａ０の部位に形成される凹部１５ｂの半径方向における両辺のＬＥＲを悪化させることなく、直線的に形成することができる。したがって、この描画方法に従って例えばデータトラックパターンＰｔを描画することにより、データ記録トラック間のガードバンド部（トラック間凹部）における幅方向の両辺のＬＥＲが良好となる結果、ガードバンド部のＬＷＲが良好なデータトラックパターンを形成し得る凹凸パターン１５を形成することができる。
【００６７】
さらに、この描画装置１によるパターンの描画方法によれば、加工対象体１０（シリコン基板１１）を回転させつつ樹脂層１２に電子ビームＥＢを照射することで、加工対象体１０の回転方向を本発明における第１の方向とし、かつ、加工対象体１０の半径方向（本発明における「回転方向と直交する方向」）を本発明における第２の方向として露光パターンＰを描画することにより、加工対象体１０を回転させることなく露光パターンＰを描画する描画方法と比較して加工対象体１０の全域に露光パターンＰを描画するのに要する時間を十分に短縮することができると共に真円度の高い露光パターンＰを描画することができる。
【００６８】
さらに、この描画装置１によるパターンの描画方法によれば、磁気ディスク３０におけるデータトラックパターン用の露光パターンＰ（データトラックパターンＰｔ）を本発明における露光パターンとして描画することにより、現像処理によって形成される凹部１５ｂのＬＥＲを悪化させることなく、加工対象体１０の回転方向に沿った長さが長いガードバンド部（トラック間凹部）用の露光領域Ａ０を精度良く形成する（露光する）ことができる。
【００６９】
また、上記のスタンパー２０の製造方法によれば、上記のパターン描画方法に従って露光パターンＰを描画した樹脂層１２を現像処理して凹凸パターン１５を形成し、凹凸パターン１５を所定の手順に従ってスタンパー形成用材料に転写してスタンパー２０を製造することにより、このスタンパー２０を用いることで、回転方向に沿った辺のＬＥＲが良好な（ガードバンド部としてのトラック間凹部のＬＥＲが良好な）データトラックパターンを有する磁気ディスク３０を製造することができる。
【００７０】
なお、本発明は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、上記の描画装置１では、データトラックパターンＰｔを構成する露光領域Ａ０の半径方向における両端部において照射領域ＡａのピッチＰ１，Ｐ５をゼロに規定して電子ビームＥＢを照射した（樹脂層１２上で一致する照射領域Ａａ１，Ａａ２および照射領域Ａａ５，Ａａ６に対して２回に亘って電子ビームＥＢを照射した）が、ピッチＰ１，Ｐ５については、上記の例におけるピッチＰ１〜Ｐ５を平均した長さよりも短い範囲内において適宜変更することができる。
【００７１】
また、上記の描画装置１では、加工対象体１０を回転させつつ電子ビームＥＢを照射することで露光領域Ａ０を露光しているが、本発明はこれに限定されず、加工対象体１０を回転させることなくＸ−Ｙ移動機構２上に固定した状態において、電子ビームＥＢを任意の方向に走査して各照射領域Ａａに電子ビームＥＢを順次照射して露光パターンＰを描画する方法を採用することもできる。さらに、本発明における描画用ビームは、前述した電子ビームＥＢに限定されず、イオンビーム等の各種の荷電粒子ビームを用いることができる。この際には、使用する描画用ビームに対して感光性を有する樹脂材料で樹脂層を形成すればよい。
【００７２】
さらに、本発明に係るパターン描画方法に従って描画したパターンを用いて製造する情報媒体は、磁気ディスク３０のような垂直記録方式の磁気ディスクだけではなく、面内記録方式の磁気ディスクも含まれる。加えて、磁気ディスクだけではなく、光ディスク（光記録媒体）の製造時にも本発明に係るパターン描画方法を好適に適用することができる。また、本発明に係るパターン描画方法に従って描画したパターンを用いて形成する凹凸パターンの用途は、磁気ディスク３０（スタンパー２０）のような情報媒体の製造への適用に限らず、例えば、半導体素子の製造時等に用いる凹凸パターンを形成する際にも適用することができる。これにより、例えば半導体素子を構成するパターンにおける直線状の一辺のＬＥＲが良好な半導体素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】電子ビーム描画装置１の構成を示すブロック図である。
【図２】加工対象体１０の断面図である。
【図３】本発明に係るパターン描画方法に従って描画する露光パターンＰの一例を示すパターン図である。
【図４】照射領域Ａａ１に対する電子ビームＥＢの照射手順について説明するための説明図である。
【図５】照射領域Ａａ２に対する電子ビームＥＢの照射手順について説明するための説明図である。
【図６】照射領域Ａａ３に対する電子ビームＥＢの照射手順について説明するための説明図である。
【図７】照射領域Ａａ４に対する電子ビームＥＢの照射手順について説明するための説明図である。
【図８】照射領域Ａａ５に対する電子ビームＥＢの照射手順について説明するための説明図である。
【図９】照射領域Ａａ６に対する電子ビームＥＢの照射手順について説明するための説明図である。
【図１０】上記の照射手順に従って電子ビームＥＢを照射した際の加工対象体１０の半径方向における各位置毎のドーズ量について説明するための説明図である。
【図１１】照射領域Ａａａ〜ＡａＮに対して他の描画方法で電子ビームＥＢを照射して露光領域Ａ０を露光する際の手順について説明するための説明図である。
【図１２】実施の形態に係る上記の照射手順に従って電子ビームＥＢを照射した際の加工対象体１０の半径方向における各位置毎のドーズ量と、従来の描画方法に従って電子ビームを照射した際の円板の半径方向における各位置毎のドーズ量との相違について説明するための説明図である。
【図１３】図１２において、現像処理時に樹脂層（レジスト層）が消失するドーズ量のレベルＺａ（Ｚａｘ），Ｚｂ（Ｚｂｘ）の部位を拡大した説明図である。
【図１４】露光パターンＰの描画処理を完了した樹脂層１２を現像処理した加工対象体１０の断面図である。
【図１５】スタンパー２０の断面図である。
【図１６】磁気ディスク３０の断面図である。
【図１７】従来の描画方法に従って照射領域Ａａ１ｘ〜Ａａ６ｘに電子ビームを照射して露光領域Ａ０ｘを露光する際の手順について説明するための説明図である。
【図１８】従来の描画方法に従って電子ビームを照射した際の円板の半径方向における各位置毎のドーズ量について説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００７４】
１  電子ビーム描画装置
２  Ｘ−Ｙ移動機構
３  ターンテーブル
４  ビーム発生部
５  ブランキング制御部
６  ビーム成形部
７  ビーム偏向部
８  制御部
９  記憶部
１０  加工対象体
１１  シリコン基板
１２  樹脂層
１５，２５，３５  凹凸パターン
１５ａ，２５ａ，３５ａ  凸部
１５ｂ，２５ｂ，３５ｂ  凹部
２０  スタンパー
３０  磁気ディスク
Ａ０  露光領域
Ａａ１〜Ａａ６  照射領域
Ａｂ１〜Ａｂ６  単位露光領域
Ｃ１〜Ｃ６  中心線
ＥＢ  電子ビーム
Ｐ  露光パターン
Ｐ０〜Ｐ５  ピッチ
Ｐｓ  サーボパターン
Ｐｔ  データトラックパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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