(57)【要約】      （修正有）【課題】有機ＥＬ素子用材料として有用な発光性金属錯体を提供する。【解決手段】下記構造の金錯体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。2008120942.tif 000032（式中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、Ｃ1〜Ｃ40のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ40のアルケニル基、Ｃ1〜Ｃ40のアルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ40のアリールオキシ基、Ｃ1〜Ｃ40のアルキルチオ基、Ｃ6〜Ｃ40のアリールチオ基、Ｃ6〜Ｃ40のアリール基、またはＣ3〜Ｃ40のヘテロアリール基であり、Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ40のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ40のアルケニル基、Ｃ6〜Ｃ40のアリール基、Ｃ3〜Ｃ40のヘテロアリール基であり、Ｑは窒素、燐または砒素である。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記構造の金錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【化１】
2008120942.tif 000029
（式中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルケニル基、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリールチオ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基、またはＣ3〜Ｃ40の置換もしくは無置換のヘテロアリール基であり、Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルケニル基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基、Ｃ3〜Ｃ40の置換もしくは無置換のヘテロアリール基であり、Ｑは窒素、燐または砒素である。）
【請求項２】
下記構造の金錯体を単独もしくは混合物の成分として含有する発光材料。
【化２】
2008120942.tif 000030
（式中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルケニル基、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリールチオ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基、またはＣ3〜Ｃ40の置換もしくは無置換のヘテロアリール基であり、Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルケニル基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基、Ｃ3〜Ｃ40の置換もしくは無置換のヘテロアリール基であり、Ｑは窒素、燐または砒素である。）
【請求項３】
陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む１層または複数層からなる有機薄膜層が挟持されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、下記構造の金錯体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化３】
2008120942.tif 000031
（式中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルケニル基、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリールチオ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基、またはＣ3〜Ｃ40の置換もしくは無置換のヘテロアリール基であり、Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルケニル基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基、Ｃ3〜Ｃ40の置換もしくは無置換のヘテロアリール基であり、Ｑは窒素、燐または砒素である。）
【請求項４】
請求項３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光性金属錯体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関するもので、さらに詳しくは、特定の金錯体を発光材料として用いることで、特に高効率な発光が得られる有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子はキャリア注入型の発光素子であり、液晶やプラズマディスプレイに次ぐ次世代のフラットパネルディスプレイとして近年大変注目されており、一部実用化もされている。有機ＥＬ素子では、キャリアの再結合によって生じる励起子には１重項と３重項の２種類が存在する。電子と正孔の再結合が無秩序に起こり、単純なスピン統計に従うとすれば、その生成比は１重項：３重項＝１：３となるはずであり、１重項励起子に比べ３重項励起子は３倍量生成していることになる。ここで、１重項励起子からの発光は蛍光、３重項励起子からの発光はりん光と呼ばれている。
ところで、有機ＥＬで頻繁に用いられる従来型の蛍光色素は、３重項からの放射失活過程はスピン禁制のため非常に遅く、室温では無輻射遷移（熱失活）に打ち勝つことができず、室温でりん光発光を観測することはほとんどない。従って、有機ＥＬ素子内でキャリア再結合によって生成された３重項励起子は、熱的に失活してしまい、発光に寄与しないことになる。このように、１重項のみを利用する蛍光型有機ＥＬ素子の内部量子収率の上限は２５％と言われている。これに光取出し効率などを加味して、実際に外部に取出せる光に換算すると、外部量子収率（ｅｘＱＥ）の上限は約５％と言われている。
そこで、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させるために、３重項励起子を利用することが提唱され、ベンゾフェノン誘導体やランタニド錯体が検討されたが、内部量子収率は蛍光色素に及ばないものであった。その後、ｄ−ブロックの遷移金属を用いる検討がなされ、白金のポルフィリン錯体（ＰｔＯＥＰ）を用いたりん光ＥＬ素子（赤色発光）が発表されたが、依然として蛍光色素と同程度の内部量子収率であった（非特許文献１）。しかし、その後、オルトメタル型イリジウム錯体（緑色発光）が報告され、緑色発光で２６ｃｄ／Ａ、１９ｌｍ／Ｗ、ｅｘＱＥ＝７．５％が達成され（非特許文献２）、蛍光色素の内部量子収率限界を越えるりん光型ＥＬ素子が実現された。これらｄ−ブロック遷移金属錯体の特徴は、中心金属として第５周期以降の重金属を用いていることであり、これによりスピン−軌道相互作用が大きくなり（重原子効果）、本来スピン禁制であるはずの３重項−１重項遷移が許容遷移になり、高効率のりん光発光を室温で観測することができるようになった。
【０００３】
これを機に多くのイリジウム錯体が研究されてきたが、特に青色発光に関しては、発光効率と素子寿命の両方を兼ね備えた実用レベルのイリジウム錯体はこれまで報告例がなく、青色発光を示す高性能なりん光錯体が待ち望まれていた。イリジウム錯体の多くは、その発光起源が金属―配位子電荷移動遷移（3ＭＬＣＴ）に基づくため、発光色を制御するためには配位子と中心金属の双方の電子軌道を微妙に制御しなければならないが、これらの電子軌道は互いに少しずつ混成しているため（非特許文献３）、独立に制御するのが難しいことが原因のひとつとして挙げられる。
一方、イリジウム以外の金属を用いた発光性金属錯体の研究もこれまで多くなされてきた。たとえば、白金（非特許文献４〜１３）、オスミウム（非特許文献１４〜１７）、ルテニウム（非特許文献１８〜１９）などがあるが、いずれも高効率な発光は実現できていない。
また、イリジウム以外の金属としては、ｄ10金属、中でも金錯体が特に注目され、これまでいくつか報告されてきた（特許文献１〜１０及び非特許文献２０〜３７）。ｄ10金属の場合、熱失活の原因となるｄ−ｄ遷移が存在しないため、他の金属に比べ高効率で発光しやすいことが知られているが、それでもなお発光効率は実用領域に達しておらず、高効率で発光する金錯体が望まれていた。また、これらの公知文献に記載される化合物の多くは金アセチリド構造を有しているため、衝撃による爆発の危険性があり、安全性の面からも実用的な発光性錯体とは言い難い。更に、これらの公知文献で開示されている金錯体の発光起源は、金属内ｄ軌道遷移（3ＭＣ）や配位子−金属電荷移動遷移（3ＬＭＣＴ）に基づいていおり、金属のｄ軌道が関与しているため、発光色の制御が困難であるという欠点を有していた。
【０００４】
特に、金錯体を用いたエレクトロルミネッセンス素子に関しては、以下のような錯体が開示されているが、いずれも発光効率が低く、実用性な発光性錯体は得られていなかった。
【化１】
2008120942.tif 000002
（非特許文献２０）
【０００５】
【化２】
2008120942.tif 000003
（非特許文献２１）
【０００６】
【化３】
2008120942.tif 000004
（特許文献７）
【化４】
2008120942.tif 000005
（特許文献８）
【化５】
2008120942.tif 000006
（特許文献９）
【０００７】
発光色の制御を容易にするためには、配位子内3π−π*遷移（3ＬＣ）を利用する手法がある。この場合、金属のｄ軌道は光学遷移に関与せず、配位子の分子構造のみによって発光色が決定されるため、発光色の制御が容易であるという特長を有している。このとき中心金属は、重原子核に基づくスピン−軌道相互作用により配位子の3π−π*発光遷移を部分的に許容遷移に変えるという役割を果たしている。
そのような金錯体の例としては、下記構造を有する金錯体の発光例が特許文献９及び非特許文献３７に記載されているが、金にハロゲン原子が結合しているために、発光効率が低いという問題をかかえていた。
【化６】
2008120942.tif 000007
【０００８】
一方、ハロゲンではなく炭素または窒素が金と結合した錯体も報告されているが（非特許文献２３〜３６）、これらの錯体の発光特性については、これまで知られていなかった。
【化７】
2008120942.tif 000008
（非特許文献２３）
【０００９】
【化８】
2008120942.tif 000009
（非特許文献２４）
【００１０】
【化９】
2008120942.tif 000010
（非特許文献２５および２６）
【００１１】
【化１０】
2008120942.tif 000011
（非特許文献２７）
【００１２】
【化１１】
2008120942.tif 000012
（非特許文献２８）
【００１３】
【化１２】
2008120942.tif 000013
（非特許文献２９）
【００１４】
【化１３】
2008120942.tif 000014
（非特許文献３０）
【００１５】
【化１４】
2008120942.tif 000015
（非特許文献３１〜３３）
【００１６】
【化１５】
2008120942.tif 000016
（非特許文献３４）
【００１７】
【化１６】
2008120942.tif 000017
（非特許文献３５および３６）
【００１８】
【特許文献１】国際公開第２００６/０４５２３５号パンフレット
【特許文献２】特開２００６−０８３３５３号公報
【特許文献３】特開２００５−３３２７４７号公報
【特許文献４】国際公開第２００５/１０８４０４号パンフレット
【特許文献５】特開２００４−１７５７９９号公報
【特許文献６】特開２００４−１５８２９７号公報
【特許文献７】特開２００６−２１３６７３号公報
【特許文献８】特開２００６−２１９４７４号公報
【特許文献９】特開２００４−３４６３１２号公報
【特許文献１０】特開２００６−０３６７２０号公報
【非特許文献１】Nature, 395, 151 (1998)
【非特許文献２】Appl. Phys. Lett., 75, 4 (1999)
【非特許文献３】J. Phys. Chem. A., 106, 1634 (2002)
【非特許文献４】Inorg. Chem., 38, 4046 (1999)
【非特許文献５】Inorg. Chem., 41, 3055 (2002)
【非特許文献６】Inorg. Chem., 42, 8609 (2003)
【非特許文献７】J. Amer. Chem. Soc., 127, 28 (2005)
【非特許文献８】Inorg. Chem., 44, 1332 (2005)
【非特許文献９】Jpn. J. Appl. Phys., 44, L500 (2005)
【非特許文献１０】Organomet., 24, 619 (2005)
【非特許文献１１】Inorg. Chem., 44, 9690 (2005)
【非特許文献１２】Inorg. Chem., 44, 4442 (2005)
【非特許文献１３】Inorg. Chem., 45, 137 (2006)
【非特許文献１４】Organomet., 22, 4938 (2003)
【非特許文献１５】Organomet., 23, 3745 (2004)
【非特許文献１６】Chem. Eur. J., 10, 6255 (2004)
【非特許文献１７】Inorg. Chem., 44, 4287 (2005)
【非特許文献１８】Inorg. Chem., 44, 3215 (2005)
【非特許文献１９】Adv. Mater., 17, 1059 (2005)
【非特許文献２０】Adv. Mater., 11, 852 (1999)
【非特許文献２１】Appl. Phys. Lett., 74, 1361 (1999)
【非特許文献２２】Chem. Commun., 2906 (2005)
【非特許文献２３】J. Chem. Soc., 3220 (1962)
【非特許文献２４】J. Amer. Chem. Soc., 91, 6151 (1969)
【非特許文献２５】J. Organomet. Chem., 61, 441 (1973)
【非特許文献２６】J. Amer. Chem. Soc., 96, 6140 (1974)
【非特許文献２７】J. Organomet. Chem., 690, 4833 (2005)
【非特許文献２８】J. Organomet. Chem., 182, 449 (1979)
【非特許文献２９】Organometallics, 19, 290 (2000)
【非特許文献３０】J. Organomet. Chem., 338, 269 (1988)
【非特許文献３１】Gazz. Chim. Ital., 113, 105 (1983)
【非特許文献３２】Gazz. Chim. Ital., 112, 5 (1982)
【非特許文献３３】J. Organomet. Chem., 244, 165 (1983)
【非特許文献３４】Organometallics, 8, 1067 (1989)
【非特許文献３５】Organometallics, 19, 5628 (2000)
【非特許文献３６】Inorg. Chem., 40, 4271 (2001)
【非特許文献３７】Inorg. Chem., 44, 1157 (2005)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明は、有機ＥＬ素子用材料として有用な発光性金属錯体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明は、下記構造の金錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を提供する。
【化１７】
2008120942.tif 000018
（式中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルケニル基、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリールチオ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基、またはＣ3〜Ｃ40の置換もしくは無置換のヘテロアリール基であり、Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルケニル基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基、Ｃ3〜Ｃ40の置換もしくは無置換のヘテロアリール基であり、Ｑは窒素、燐または砒素である。）
【００２１】
また、本発明は、下記構造の金錯体を単独もしくは混合物の成分として含有する発光材料を提供する。
【化１８】
2008120942.tif 000019
（式中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルケニル基、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリールチオ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基、またはＣ3〜Ｃ40の置換もしくは無置換のヘテロアリール基であり、Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルケニル基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基、Ｃ3〜Ｃ40の置換もしくは無置換のヘテロアリール基であり、Ｑは窒素、燐または砒素である。）
【００２２】
また、本発明は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む１層または複数層からなる有機薄膜層が挟持されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、下記構造の金錯体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【化１９】
2008120942.tif 000020
（式中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルケニル基、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリールチオ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基、またはＣ3〜Ｃ40の置換もしくは無置換のヘテロアリール基であり、Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルケニル基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基、Ｃ3〜Ｃ40の置換もしくは無置換のヘテロアリール基であり、Ｑは窒素、燐または砒素である。）
さらに、本発明は前記有機ＥＬ素子を有する装置を提供する。
【発明の効果】
【００２３】
特定構造の金錯体を有機ＥＬ素子用材料として用いることで、高効率で素子寿命が長い有機ＥＬ素子を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明で用いる金錯体は、下記構造の金錯体である。
【化２０】
2008120942.tif 000021
ここで、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルケニル基、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリールチオ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基、またはＣ3〜Ｃ40の置換もしくは無置換のヘテロアリール基であり、Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルケニル基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基、Ｃ3〜Ｃ40の置換もしくは無置換のヘテロアリール基であり、Ｑは窒素、燐または砒素である。
【００２５】
好ましくは、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、またはＣ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基であり、Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ2〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルケニル基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基であり、Ｑは燐または砒素である。
より好ましくは、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基であり、Ｒ4は、Ｃ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基であり、Ｑは燐または砒素である。
さらに好ましくは、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、Ｃ6〜Ｃ20の置換もしくは無置換のアリール基であり、Ｒ4はＣ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基、Ｃ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基であり、Ｑは燐または砒素である。
さらにより好ましくは、Ｒ1〜Ｒ4のうち少なくともひとつが縮合多環芳香族であり、Ｑが燐である。
【００２６】
Ｒ1〜Ｒ4のＣ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキル基は、直鎖、分岐鎖または環状のいずれであってもよく、それらの具体例としては、メチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル、２−エチルヘキシル、３，７−ジメチルオクチル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ノルボルニル、トリフルオロメチル、トリクロロメチル、ベンジル、α，α−ジメチルベンジル、２−フェニルエチル、１−フェニルエチルなどが挙げられる。好ましくは、Ｃ1〜Ｃ10の置換もしくは無置換のアルキル基であり、具体的にはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、tert−ブチル、シクロヘキシルなどである。
Ｒ1〜Ｒ4のＣ2〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルケニル基は、直鎖、分岐鎖または環状のいずれであってもよく、それらの具体例としては、ビニル、プロペニル、ブテニル、オレイル、エイコサペンタエニル、ドコサヘキサエニル、２，２−ジフェニルビニル、１，２，２−トリフェニルビニル、２−フェニル−２−プロペニルなどが挙げられる。好ましくは、Ｃ2〜Ｃ10の置換もしくは無置換のアルケニル基であり、具体的にはビニル、２，２−ジフェニルビニルなどである。
【００２７】
Ｒ1〜Ｒ3のＣ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルコキシ基は、直鎖、分岐鎖または環状のいずれであってもよく、それらの具体例としては、メトキシ、エトキシ、１−プロピルオキシ、２−プロピルオキシ、１−ブチルオキシ、２−ブチルオキシ、sec−ブチルオキシ、tert−ブチルオキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、オクチルオキシ、デシルオキシ、ドデシルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、シクロプロピルオキシ、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ、１−アダマンチルオキシ、２−アダマンチルオキシ、ノルボルニルオキシ、トリフルオロメトキシ、ベンジロキシ、α，α−ジメチルベンジロキシ、２−フェニルエトキシ、１−フェニルエトキシなどが挙げられる。好ましくは、Ｃ1〜Ｃ10の置換もしくは無置換のアルコキシ基であり、具体的にはメトキシ、エトキシ、tert−ブチルオキシなどである。
Ｒ1〜Ｒ3のＣ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアルキルチオ基は、直鎖、分岐鎖または環状のいずれであってもよく、それらの具体例としては、メチルチオ、エチルチオ、１−プロピルチオ、２−プロピルチオ、１−ブチルチオ、２−ブチルチオ、sec−ブチルチオ、tert−ブチルチオ、ペンチルチオ、ヘキシルチオ、オクチルチオ、デシルチオ、ドデシルチオ、２−エチルヘキシルチオ、３，７−ジメチルオクチルチオ、シクロプロピルチオ、シクロペンチルチオ、シクロヘキシルチオ、１−アダマンチルチオ、２−アダマンチルチオ、ノルボルニルチオ、トリフルオロメチルチオ、ベンジルチオ、α，α−ジメチルベンジルチオ、２−フェニルエチルチオ、１−フェニルチルチオなどが挙げられる。好ましくは、Ｃ1〜Ｃ10の置換もしくは無置換のアルキルチオ基であり、具体的にはメチルチオ、エチルチオ、tert−ブチルチオなどである。
【００２８】
Ｒ1〜Ｒ4のＣ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリール基の具体例としては、フェニル、２−トリル、４−トリル、４−トリフルオロメチルフェニル、４−メトキシフェニル、４−シアノフェニル、２−ビフェニリル、３−ビフェニリル、４−ビフェニリル、ターフェニリル、３，５−ジフェニルフェニル、３，４−ジフェニルフェニル、ペンタフェニルフェニル、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル、フルオレニル、１−ナフチル、２−ナフチル、９−アントリル、２−アントリル、９−フェナントリル、１−ピレニル、クリセニル、ナフタセニル、コロニルなどが挙げられる。好ましくは、Ｃ6〜Ｃ20の置換もしくは無置換のアリール基であり、具体的にはフェニル、４−ビフェニリル、１−ナフチル、２−ナフチル、９−フェナントリルなどである。
Ｒ1〜Ｒ3のＣ6〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリールオキシ基の具体例としては、前記アリール基が酸素を介して結合した置換基が挙げられる。好ましくは、Ｃ6〜Ｃ20の置換もしくは無置換のアリールオキシ基であり、具体的にはフェノキシ、ナフトキシ、フェナントリルオキシなどである。
Ｒ1〜Ｒ3のＣ1〜Ｃ40の置換もしくは無置換のアリールチオ基の具体例としては、前記アリール基が硫黄を介して結合した置換基が挙げられる。好ましくは、Ｃ6〜Ｃ20の置換もしくは無置換のアリールチオ基であり、具体的にはフェニルチオ、４−トリルチオ、ナフチルチオ、フェナントリルチオなどである。
Ｒ1〜Ｒ4のＣ3〜Ｃ40の置換もしくは無置換のヘテロアリール基の具体例としては、フラン、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ピラゾール、ベンズピラゾール、トリアゾール、オキサジアゾール、ピリジン、ピラジン、トリアジン、キノリン、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、カルバゾールなどが挙げられる。好ましくは、Ｃ3〜Ｃ20の置換もしくは無置換のヘテロアリール基であり、具体的にはフラン、チオフェン、ピリジンなどである。
【００２９】
本発明で用いることのできる金錯体の具体例を以下に示すが、前記金錯体はこれらの例示化合物に限定されるものではない。
【化２１】
2008120942.tif 000022
【００３０】
【化２２】
2008120942.tif 000023
【００３１】
【化２３】
2008120942.tif 000024
【００３２】
以下に本発明で用いることのできる金錯体の合成経路を以下に示す。
【化２４】
2008120942.tif 000025
【００３３】
まず、３級ホスフィン類とＡｕＣｌ（ＳＭｅ2）またはＨＡｕＣｌ4を反応させ、塩化金錯体を合成する。この場合、ハロゲン元素は後にＲ4によって置換されるので、塩素だけではなく臭素、沃素なども用いることができ、そのときは出発原料をＡｕＢｒ（ＳＭｅ2）やＨＡｕＢｒ4などに変更すればよい。次に、塩化金錯体にグリニャール試薬または有機リチウム試薬を反応させることにより目的の金錯体を合成することができる。
このようにして合成した金錯体は、室温、大気中で安定なため、必要に応じてカラムクロマトグラフィや再結晶などによって精製することができる。また構造の確認には、中心金属がｄ10の閉殻構造をしているため各種核磁気共鳴（1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ、31Ｐ−ＮＭＲ）を用いることができ、必要に応じて元素分析、Ｘ線構造解析などによっても確認することができる。
【００３４】
本発明における有機ＥＬ素子の素子構造は、電極間に有機層を１層あるいは２層以上積層した構造であり、その例として（陽極／発光層／陰極）、（陽極／正孔注入または輸送層／発光層／電子注入または輸送層／陰極）、（陽極／正孔注入または輸送層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入または輸送層／陰極）、あるいは（陽極／正孔注入／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極）等の構造が挙げられる。本発明における金錯体は上記のどの有機層に用いられてもよく、他の正孔輸送材料、発光材料、電子輸送材料にドープさせることも可能である。
【００３５】
正孔注入／輸送材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層または発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層または電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、オリゴアリーレン類、オリゴチオフェン類、ベンジジン型トリフェニルアミン類、スチリルアミン型トリフェニルアミン類、スターバースト型トリフェニルアミン類、テトラシアノテトラアザトリフェニレン類と、それらの重合体、およびポリビニルカルバゾール、ポリシランなどの高分子、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（ＰＡＮＩ／ＣＳＡ）などに代表される導電性高分子等の高分子材料、酸化ゲルマニウム、酸化モリブデン等に代表される無機酸化物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３６】
本発明の有機ＥＬ素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、芳香族三級アミン誘導体もしくはフタロシアニン誘導体である。芳香族三級アミン誘導体の具体例は、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン等、もしくはこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体の具体例は、Ｈ2Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ2ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体およびナフタロシアニン誘導体であるが、これらに限定されるものではない。
【００３７】
本発明における金錯体はＥＬ素子内において、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などに代表される各層に単独で用いることもできるが、各層を構成する有機材料と混合して用いることが好ましい。更に好ましくは、発光層のドーパントとして用いる形態であり、この場合の発光層ホスト材料としては、前記金錯体からホスト材料への逆電子移動を防止するため、前記金錯体よりも３重項エネルギーギャップが広い化合物であれば特に限定されない。特に好ましいホスト材料としては、ｍ−ジカルバゾリルベンゼン、４，４’−ジカルバゾリルビフェニルに代表されるカルバゾール誘導体、１，３−ビス（トリメチルシリル）ベンゼンに代表されるシリコン誘導体、１，３，５−トリス（３，５−ジフェニルフェニル）ベンゼンに代表されるオリゴアリーレン類、ポリビニルカルバゾールに代表される高分子化合物などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００３８】
電子注入／輸送材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層または発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することにより電荷注入性を向上させることもできる。
本発明の有機ＥＬ素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物もしくは含窒素ヘテロ環誘導体である。金属錯体化合物の具体例は、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３９】
また、含窒素ヘテロ誘導体は、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールなどのアゾール誘導体、フェナントロリン、バソフェナントロリン、バソクプロインなどのフェナントロリン誘導体、ビピリジン、アリール置換ピリジンなどのピリジン類が好ましい。具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−tert−ブチルフェニル）−５−( ４”−ビフェニル) １，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−( ５−フェニルオキサジアゾリル) ］ベンゼン、１，４−ビス［２−( ５−フェニルオキサジアゾリル) −４−tert−ブチルベンゼン］、２−（４’−tert−ブチルフェニル）−５−( ４”−ビフェニル) −１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−( ５−フェニルチアジアゾリル) ］ベンゼン、２−（４’−tert−ブチルフェニル）−５−(４”−ビフェニル) −１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−( ５−フェニルトリアゾリル)］ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４０】
電子注入層が絶縁体や半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも１つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。
具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ2Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ2Ｓ、Ｎａ2ＳｅおよびＮａＯが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、およびＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌおよびＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ2  、ＢａＦ2、ＳｒＦ2、ＭｇＦ2およびＢｅＦ2といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
また、電子輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の１種単独または２種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶または非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
【００４１】
さらに電子注入層は、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントを含有していてもよい。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元できる物質と定義される。したがって、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも１つの物質を好適に使用することができる。
また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）およびＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも１つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）、およびＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも１つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が２．９ｅＶのものが特に好ましい。
これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選択される少なくとも１つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、ＲｂまたはＣｓであり、最も好ましのは、Ｃｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントとして、これら２種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂあるいはＣｓとＮａとＫとの組み合わせであることが好ましい。Ｃｓを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
【００４２】
有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等およびそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。
陰極に使用される導電性物質としては、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム等およびそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極および陰極は、必要があれば２層以上の層構成により形成されていても良い。
【００４３】
有機ＥＬ素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、ガラス基板および透明性樹脂フィルムがある。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。
【００４４】
本発明に係わる有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディップコート、キャスティング、ロールコート、フローコーティング、インクジェット等の湿式成膜法のいずれの方法も適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍから１０μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍから０．２μｍの範囲がさらに好ましい。
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、適切な溶媒に溶解または分散させて発光性有機溶液を調整し、薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどのハロゲン系炭化水素系溶媒や、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒、メタノールやエタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ヘキサン、オクタン、デカン、テトラリンなどの炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒等が挙げられる。なかでも、炭化水素系溶媒またはエーテル系溶媒が好ましい。また、これらの溶媒は単独で使用しても複数混合して用いてもよい。なお、使用可能な溶媒はこれらに限定されるものではない。また、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂およびそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂が挙げられる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等が挙げられる。
【００４５】
本発明により得られた有機ＥＬ素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。
本発明の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
【００４６】
本発明の有機ＥＬ素子は、高効率に青色でりん光発光するため、種々の製品に応用が可能である。応用例としては、表示装置、ディスプレイ、照明装置、プリンター光源、液晶表示装置のバックライトなどが挙げられ、標識、看板、インテリア等の分野にも適用できる。表示装置としては、省エネルギーや高視認性のフラットパネルディスプレイが挙げられる。また、プリンター光源としては、レーザービームプリンタの光源として使用することができる。また、本発明の素子を用いることで、装置体積を大幅に減少することもできる。照明装置やバックライトに関しては、本発明の有機ＥＬ素子を用いることで省エネルギー効果が期待できる。
【実施例】
【００４７】
実施例で用いた下記の金錯体Ａ〜Ｄは、公知文献（実験化学講座（第５版）２１巻、３７１ページ）に準じて合成した。
【化２５】
2008120942.tif 000026
【００４８】
また、比較例で用いた下記の金錯体Ｒは、公知文献（特開２００６−０３６７２０号公報および Inorg. Chem., 44, 1157 (2005) ）に従って合成した。
【化２６】
2008120942.tif 000027
【００４９】
（実施例１〜４）
錯体Ａ〜Ｄの室温・粉末状態における発光量子収率を測定した結果（励起波長３３７ｎｍ）、下記表１に示すように高効率に発光した。錯体Ａの発光スペクトルを図１に示す。
【表１】
2008120942.tif 000028
【００５０】
（実施例５）
錯体Ａを用いて、以下に示すように有機ＥＬ素子を作製した。２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。その基板の上に、スピンコート法で正孔注入層に用いるポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）を２０ｎｍの膜厚で成膜し、ついで錯体Ａおよびポリビニルカルバゾール（錯体Ａとポリビニルカルバゾールとの比率は１：９）の１ｗｔ％トルエン溶液を用いてＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの上に発光層をスピンコート法で成膜した。この時の膜厚は５０ｎｍであった。続いて、本基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、膜厚２０ｎｍのバソクプロイン（ＢＣＰ）、続いて膜厚２０ｎｍのトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ）を真空蒸着法により成膜した。このＡｌｑ膜は電子輸送層として機能する。更に、膜厚１ｎｍのフッ化リチウムを真空蒸着法により成膜し、電子注入層とした。最後にアルミニウム陰極を真空蒸着法により成膜し、有機ＥＬ素子を作製した。この素子にＡｌ電極をマイナス、ＩＴＯ電極をプラスにして直流電圧１２Ｖを印加したところ、発光ピーク４８０ｎｍで１００ｃｄ／ｍ2の高効率青緑色発光が観測された。
【００５１】
（比較例１）
錯体Ｒを用いた以外は実施例１と同様にして発光量子収率を測定したところ、粉末ではφ＝０．０１と低効率であった。また、錯体Ｒを用いた以外は実施例５と同様にして有機ＥＬ素子を作製して、素子特性を測定したところ、直流電圧１２Ｖ印加時に２１ｃｄ／ｍ2と低効率であった。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】錯体Ａの発光スペクトルである。
【図１】
2008120942.tif 000033