(57)【要約】【課題】本発明は、コイル部品に関し、高インピーダンスを得られ、高周波特性に優れたコイル部品を提供することを目的とする。【解決手段】コモンモードフィルタ１は、スパイラル状に形成されたコイル導体３３、３５と、コイル導体３３、３５が埋め込まれた絶縁層７と、コイル導体３３、３５の内周側の絶縁層７を開口した開口部４２と、開口部４２の側壁上のみに形成された側壁磁性膜４７とを有する。コモンモードフィルタ１は、開口部４２を埋め込んで形成された磁性層４１をさらに有し、側壁磁性膜４７の透磁率は、磁性層４１の透磁率よりも高い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパイラル状に形成されたコイル導体と、
前記コイル導体が埋め込まれた絶縁層と、
前記コイル導体の内周側の前記絶縁層を開口した開口部と、
前記開口部の側壁上のみに形成された側壁磁性膜と
を有することを特徴とするコイル部品。
【請求項２】
請求項１記載のコイル部品であって、
前記側壁磁性膜は、前記開口部の底面上にさらに形成されていること
を特徴とするコイル部品。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のコイル部品であって、
前記開口部を埋め込んで形成された磁性層をさらに有し、
前記側壁磁性膜の透磁率は、前記磁性層の透磁率よりも高いこと
を特徴とするコイル部品。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のコイル部品であって、
前記絶縁層を挟持する上下磁性基板をさらに有すること
を特徴とするコイル部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コイル部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器の内部回路に実装されるコイル部品には、フェライトコアに銅線を巻回した巻線型や、フェライト等の磁性体シート表面にコイル導体パターンを形成して当該磁性体シートを積層した積層型や、薄膜形成技術を用いて絶縁膜と金属薄膜のコイル導体とを交互に形成した薄膜型が知られている。近年では、電子機器の小型化や高性能化が急速に進んでおり、これに伴い、コイル部品の小型化や高性能化が強く望まれている。薄膜型のコイル部品では、コイル導体を薄膜化することで１ｍｍ以下のチップサイズのコイル部品が市場に供給されている。薄膜型のコイル部品では、コイル導体の内周側の絶縁層を開口して開口部を形成し、当該開口部を埋め込んでコア（磁性層）が形成されていることが多い。コアは閉磁路を形成するために形成される。コアは、例えば樹脂に磁性粉を混合して形成される。
【０００３】
周波数５００ＭＨｚ以上、特にＧＨｚ帯の高周波用途のコイル部品は、高インピーダンスを有すること、及び優れた高周波特性を有することが求められている。高インピーダンスや優れた高周波特性を得る方法として、コアに含まれる磁性粉の粒径を小さくすることや、コアの透磁率を高くすること等が考えられる。しかしながら、磁性粉の粒径を小さくすること及びコアの透磁率を高くすることには限界がある。従って、従来のコイル部品は、高インピーダンス及び優れた高周波特性を得られ難いという問題がある。
【０００４】
【特許文献１】特許第３８０７４３８号公報
【特許文献２】特開平９−２２３６３６号公報
【特許文献３】特開平７−３３５４４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、高インピーダンスを得られ、高周波特性に優れたコイル部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的は、スパイラル状に形成されたコイル導体と、前記コイル導体が埋め込まれた絶縁層と、前記コイル導体の内周側の前記絶縁層を開口した開口部と、前記開口部の側壁上のみに形成された側壁磁性膜とを有することを特徴とするコイル部品によって達成される。
【０００７】
上記本発明のコイル部品であって、前記側壁磁性膜は、前記開口部の底面上にさらに形成されていることを特徴とする。
【０００８】
上記本発明のコイル部品であって、前記開口部を埋め込んで形成された磁性層をさらに有し、前記側壁磁性膜の透磁率は、前記磁性層の透磁率よりも高いことを特徴とする。
【０００９】
上記本発明のコイル部品であって、前記絶縁層を挟持する上下磁性基板をさらに有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、高インピーダンスを得られ、高周波特性に優れたコイル部品を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の一実施の形態によるコイル部品について図１乃至図９を用いて説明する。本実施の形態では、コイル部品として、平衡伝送方式における電磁妨害の原因となるコモンモード電流を抑制するコモンモードフィルタを例にとって説明する。まず、コモンモードフィルタ１の構成について図１を用いて説明する。図１は、コイル導体３３、３５の中心軸を含む平面で切断したコモンモードフィルタ１の断面を示している。
【００１２】
コモンモードフィルタ１は、対向配置された薄板直方体状の２つの磁性基板（上下磁性基板）３、５間に薄膜及び磁性層４１を積層して形成した直方体状の外形を有している。図１に示すように、コモンモードフィルタ１は、磁性基板３、５間に、それぞれスパイラル状に形成されたコイル導体３３、３５と、コイル導体３３、３５が埋め込まれた絶縁層７と、コイル導体３３、３５の内周側の絶縁層７を開口した開口部４２と、開口部４２の側壁上のみに形成された側壁磁性膜４７とを有している。
【００１３】
絶縁層７は、磁性基板３上に薄膜形成技術を用いて順次形成された絶縁膜７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅで構成されている。コイル導体３３、３５の内周側には絶縁膜７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅを開口して開口部４２が形成されている。コイル導体３３、３５を挟んでコイル導体３３、３５の外周側には絶縁膜７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅを開口して２つの開口部４４が形成されている。開口部４２、４４は、磁性基板３、５の基板面法線方向に見て、コモンモードフィルタ１の長辺方向に並列している。なお、開口部４４は、磁性基板３、５の基板面法線方向に見て、コモンモードフィルタ１の例えば角部４箇所に形成されていてもよい。なお、開口部４２、４４下部の絶縁膜７ａが絶縁膜７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅと同様に開口されていてもよい。
【００１４】
コイル導体３５は、絶縁膜７ｃを介してコイル導体３３の直上に形成され、コイル導体３３に対向配置されている。コイル導体３３及びコイル導体３５は、ほぼ同様のスパイラル状に形成されている。なお、本願では、同一平面内に形成された螺旋をスパイラルと呼ぶ。コイル導体３３及びコイル導体３５は、磁性基板３、５の基板面に平行な異なる平面内にそれぞれ形成されている。コイル導体３３及びコイル導体３５は、同一方向に巻きまわされており、例えば磁性基板５側から磁性基板３、５の基板面法線方向に見て反時計回りに巻き回されている。コイル導体３３は絶縁膜７ｂ上に形成されている。コイル導体３５は絶縁膜７ｃ上に形成されている。
【００１５】
開口部４２の側壁上には、側壁磁性膜４７が形成されている。側壁磁性膜４７は、開口部４２内の絶縁膜７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅに接触している。側壁磁性膜４７は、例えばニッケル鉄（ＮｉＦｅ）、コバルト鉄（ＣｏＦｅ）、コバルトジルコニウムタンタル（ＣｏＺｒＴａ）又はコバルトニッケル鉄（ＣｏＮｉＦｅ）等の相対的に高透磁率を有する形成材料で形成されている。側壁磁性膜４７は、絶縁膜７ｅを形成した後に、めっき法又はスパッタリング法等の薄膜形成技術を用いて形成される。
【００１６】
側壁磁性膜４７は開口部４２の側壁上のみに形成され、絶縁膜７ａの下部や絶縁膜７ｅ上には形成されていない。従って、側壁磁性膜４７はコイル導体３３の下部及びコイル導体３５の上部には形成されておらず、コイル導体３３の下面及びコイル導体３５の上面と対向配置されていない。また、側壁磁性膜４７は、開口部４２、４４の底面上や、開口部４４の側壁上（開口部４４内の絶縁膜７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅ上）にも形成されていない。
【００１７】
コモンモードフィルタ１は、開口部４２、４４を埋め込んで形成された磁性層４１を有している。磁性層４１は絶縁膜７ｅ上にも形成され、絶縁膜７ｅの上面を覆っている。磁性層４１は、ポリイミド樹脂にフェライトの磁性粉（磁紛）を混入した複合フェライトで形成されている。側壁磁性膜４７の透磁率は磁性層４１の透磁率よりも高い。磁性層４１及び側壁磁性膜４７は、コイル導体３３とコイル導体３５との相互間の磁気結合度を改善すると共にコモンインピーダンスを増加させてインピーダンス特性を向上させるために形成されている。
【００１８】
磁性層４１上には接着層１１が形成され、接着層１１には磁性基板５が接着されている。磁性基板３、５は、絶縁層７、コイル導体３３、３５、磁性層４１、側壁磁性膜４７及び接着層１１を挟持している。
【００１９】
絶縁膜７ａ上には不図示の下部リード線が形成されている。下部リード線の一端部は絶縁膜７ｂに形成された不図示のビアホールを介してコイル導体３３の内周側端部に接続されている。絶縁膜７ｄ上には不図示の上部リード線が形成されている。上部リード線の一端部は絶縁膜７ｄに形成された不図示のビアホールを介してコイル導体３５の内周側端部に接続されている。上部及び下部リード線の他端部はコモンモードフィルタ１の同一側面部に露出している。コイル導体３３、３５の外周側端部は、当該側面の対向面側に露出している。側面部に露出した下部リード線を覆って、不図示の第１外部電極が当該側面部上に形成されている。側面部に露出した上部リード線を覆って、不図示の第２外部電極が当該側面部上に形成されている。対向面側に露出したコイル導体３３の外周側端部を覆って、不図示の第３外部電極が当該対向面上に形成されている。対向面側に露出したコイル導体３５の外周側端部を覆って、不図示の第４外部電極が当該対向面上に形成されている。第１外部電極は第３外部電極と対向配置され、第２外部電極は第４外部電極と対向配置されている。下部リード線の他端部は第１外部電極に接続されている。コイル導体３３の内周側端部は下部リード線を介して第１外部電極に電気的に接続されている。コイル導体３３の外周側端部は第３外部電極に接続されている。上部リード線の他端部は第２外部電極に接続されている。コイル導体３５の内周側端部は上部リード線を介して第２外部電極に電気的に接続されている。コイル導体３５の外周側端部は第４外部電極に接続されている。
【００２０】
磁性基板３、５は焼結フェライト、複合フェライト等の磁性材料で形成されている。絶縁膜７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅはそれぞれポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の絶縁性に優れ加工性のよい材料を塗布して所定形状にパターニングして形成されている。コイル導体３３、３５並びに上部及び下部リード線は、電気伝導性及び加工性に優れたＣｕ、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等を成膜して所定形状にパターンニングして形成されている。絶縁膜７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅの膜厚並びに上部及び下部リード線の厚さは、例えば５〜１０μｍである。コイル導体３３、３５の厚さは、例えば１５〜２５μｍである。側壁磁性膜４７の膜厚は、例えば０．０５〜２．００μｍである。絶縁膜７ｅ上部の磁性層４１の厚さは、例えば０．０５〜２．００μｍである。
【００２１】
次に、本実施の形態によるコモンモードフィルタ１の動作について説明する。コイル導体３３、３５を通電することにより、図１に示すように、コイル導体３３、３５の中心軸を含む断面において、磁性基板３、絶縁膜７ａ、開口部４２内の磁性層４１、接着層１１、磁性基板５、接着層１１、開口部４４内の磁性層４１、絶縁膜７ａをこの順（又は逆順）に通る磁路（磁気回路）Ｍ１が形成される。また、磁性基板３、絶縁膜７ａ、側壁磁性膜４７、磁性層４１、接着層１１、磁性基板５、接着層１１、開口部４４内の磁性層４１、絶縁膜７ａをこの順（又は逆順）に通る磁路Ｍ２が磁路Ｍ１と同時に形成される。絶縁膜７ａ及び接着層１１は非磁性であるが数μｍ程度の薄膜なので、この部分で磁力線の漏洩は殆ど発生せず、磁路Ｍ１、Ｍ２はほぼ閉磁路と看做すことができる。このように、コモンモードフィルタ１では閉磁路が複数の磁路Ｍ１、Ｍ２で構成されている。
【００２２】
開口部４２内に磁性層４１のみが形成され側壁磁性膜４７が形成されていないコモンモードフィルタでは、開口部４２内の磁性層４１を通る磁路Ｍ１のみが形成され、側壁磁性膜４７を通る磁路Ｍ２は形成されない。当該コモンモードフィルタにおいて高いコモンモードインピーダンスや優れた高周波特性を得る方法として、磁性層４１に含まれるフェライトの粒径を小さくすることや磁性層４１の透磁率を高くすることが考えられる。しかしながら、磁性層４１に含まれるフェライトの粒径を小さくすることや磁性層４１の透磁率を高くすることには限界があるため、磁性層４１のみが形成されたコモンモードフィルタでは高いコモンモードインピーダンス及び優れた高周波特性を得ることには限界がある。
【００２３】
一方、本実施の形態によるコモンモードフィルタ１では、開口部４２内に磁性層４１に加えて側壁磁性膜４７が形成されているので、側壁磁性膜４７を通る磁路Ｍ２が磁路Ｍ１に加えて形成される。よって、閉磁路は複数の磁路Ｍ１、Ｍ２で構成される。側壁磁性膜４７の透磁率は磁性層４１の透磁率よりも高いので、磁路Ｍ２は磁路Ｍ１と比較して高透磁率の磁路となる。よって、コモンモードフィルタ１は、磁性層４１のみが形成されたコモンモードフィルタと比較して、閉磁路の磁気抵抗が低下し、閉磁路を通る磁束が増加する。従って、コモンモードフィルタ１は、磁性層４１のみが形成されたコモンモードフィルタと比較して、磁路Ｍ１のみでは得られない高いコモンモードインピーダンスが得られる。また、コモンモードフィルタ１は、磁性層４１のみが形成されたコモンモードフィルタと比較して、高周波帯域におけるコモンモードインピーダンス特性やディファレンシャルモード信号減衰特性等の高周波性能（高周波特性）が向上し、ディファレンシャルモード信号伝送特性におけるカットオフ周波数（ｆｃ）が高くなる。
【００２４】
特許文献１には、コイルと、コイル内に形成したスルーホール部と、多層磁性層とを有し、スルーホール部の内壁と、コイルの上面及び下面とに多層磁性層を配置したインダクタンス部品が開示されている。コイルはコイル絶縁材内に埋設され、コイルの上面及び下面に配置された多層磁性層はコイル絶縁材上に形成されている。多層磁性層は、磁性層と絶縁層とが交互に積層して構成される。磁性層は主組成がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうちのうち少なくとも一つを有している。磁性層はＦｅ等で形成されているので、比抵抗が低くなっている。また、コイルも比抵抗の低い形成材料で形成される。よって、磁性層は電極として機能するので、特許文献１に開示されたインダクタンス部品では、コイルの上面に配置された磁性層と、コイルと、それらに挟まれたコイル絶縁材とでキャパシタ（浮遊容量）が形成される。また、コイルの下面に配置された磁性層と、コイルと、それらに挟まれたコイル絶縁材とでキャパシタ（浮遊容量）が形成される。従って、磁性層とコイルとの間のコイル絶縁材が相対的に薄い場合には、当該浮遊容量が相対的に大きくなる。高周波帯域では当該浮遊容量がインダクタンス部品の特性に与える影響が大きくなるので、当該浮遊容量が相対的に大きい場合にはインダクタンス部品の高周波性能が悪くなる。従って、特許文献１に開示されたインダクタンス部品は高周波用途としては好適ではない。また、当該浮遊容量を低減するために磁性層とコイルとの間とのコイル絶縁材を厚く形成すると、インダクタンス部品の低背化が困難となる。
【００２５】
一方、本実施の形態によるコモンモードフィルタ１では、側壁磁性膜４７は開口部４２の側壁上のみに形成され、コイル導体３３の下部及びコイル導体３５の上部には磁性膜が形成されていない。よって、コモンモードフィルタ１では、コイル導体３３の下部に形成された磁性膜とコイル導体３３との間、及びコイル導体３５の上部に形成された磁性膜とコイル導体３５との間に浮遊容量が形成されることはない。従って、コモンモードフィルタ１は、特許文献１に開示されたインダクタンス部品と異なり、磁性膜とコイル導体３３、３５との間に形成される浮遊容量が高周波性能を悪くすることはない。従って、コモンモードフィルタ１は優れた高周波性能を得られ、高周波用途として好適である。また、磁性膜とコイル導体３３、３５との間に形成させる浮遊容量を減少させるために絶縁膜７ａ、７ｂ、７ｄ、７ｅを厚く形成する必要がないので、コモンモードフィルタ１は低背化を実現できる。
【００２６】
このように、コモンモードフィルタ１は高いコモンモードインピーダンスを得られ、かつ優れた高周波特性を得られる。
【００２７】
次に、本実施の形態によるコイル部品の製造方法についてコモンモードフィルタ１を例にとって図１乃至図８を用いて説明する。図２乃至図８は、コイル導体３３、３５の中心軸を含む平面で切断したコモンモードフィルタ１の製造工程断面図である。コモンモードフィルタ１はウェハ上に同時に多数形成されるが、図１乃至図８は１個のコモンモードフィルタ１を示している。なお、図１に示したコモンモードフィルタ１の構成要素と同一の作用・機能を奏する構成要素には同一の符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００２８】
まず、図２に示すように、磁性基板３上にポリイミド樹脂を塗布して膜厚５〜１０μｍの絶縁膜７ａを形成する。絶縁膜７ａはスピンコート法、ディップ法、スプレー法又は印刷法等により形成される。次に、絶縁膜７ａを硬化する（キュア）。後程説明する各絶縁膜７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅは絶縁膜７ａと同様の方法で形成される。
【００２９】
次に、真空成膜法（蒸着法、スパッタリング法等）又はめっき法により全面にＣｕ等の金属層（不図示）を形成する。電極膜は導電性のある材料であればよいが、後程説明するめっき膜の形成材料と同一材料を用いることが望ましい。絶縁膜７ａと電極膜との密着性を向上させるためのバッファ膜として、電極膜の下層に例えばＣｒ（クロム）膜やＴｉ（チタン）膜等の接着層を形成してもよい。
【００３０】
次に、全面にレジストを塗布してレジスト層を形成し、必要に応じてレジスト層のプリベーク処理を行う。次に、下部リード線のパターンが描画されたマスクを介してレジスト層に露光光を照射して、レジスト層を露光する。次に、必要に応じて熱処理を行った後に、アルカリ現像液でレジスト層を現像する。アルカリ現像液としては、例えば、所定濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）が用いられる。
【００３１】
次に、現像工程から洗浄工程に移る。レジスト層中の現像液を洗浄液で洗浄し、レジスト層の現像溶解反応を停止させる。これにより、レジスト層が所定形状にパターニングされたレジストフレームが形成される。洗浄液としては、例えば純水が用いられる。洗浄が終了したら、洗浄液を振り切って乾燥させる。必要であれば磁性基板３を加熱して洗浄液を乾燥させてもよい。
【００３２】
次に、磁性基板３をめっき槽中のめっき液に浸漬して、レジストフレームを型にしてめっき処理を行い、レジストフレーム間にＣｕ等のめっき膜を形成する。次に、必要に応じて磁性基板３を水洗し乾燥させてから、有機溶剤を用いてレジストフレームを絶縁膜７ａから剥離する。次に、めっき膜をマスクにして、レジスト層の除去により露出した電極膜をドライエッチング（イオンミリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等）やウエットエッチングにより除去する。
【００３３】
これにより、不図示の下部リード線が絶縁膜７ａ上に形成される。下部リード線は、例えば５〜１０μｍの厚さに形成される。後程説明するコイル導体３３、３５及び上部リード線は、下部リード線と同様の方法で形成される。
【００３４】
次に、全面にポリイミド樹脂を塗布して膜厚５〜１０μｍの絶縁膜７ｂを形成する。次に、絶縁膜７ｂを露光、現像し、パターニングする。これにより、開口部４２、４４と、下部リード線の一端部を露出する不図示のビアホールとが絶縁膜７ｂに形成される。次に、絶縁膜７ｂを硬化する。
【００３５】
次に、真空成膜法又はめっき法により全面にＣｕ等の金属層（不図示）を形成する。次に、全面にレジストを塗布してレジスト層を形成し、必要に応じてレジスト層のプリベーク処理を行う。次に、コイル導体３３のパターンが描画されたマスクを介してレジスト層に露光光を照射して、レジスト層を露光する。次に、必要に応じて熱処理を行った後に、アルカリ現像液でレジスト層を現像する。次に、下部リード線の形成工程と同様の洗浄工程を行う。これにより、レジスト層が所定形状にパターニングされたレジストフレームが形成される。
【００３６】
次に、磁性基板３をめっき槽中のめっき液に浸漬して、レジストフレームを型にしてめっき処理を行い、レジストフレーム間にＣｕ等のめっき膜を形成する。次に、必要に応じて磁性基板３を水洗し乾燥させてから、有機溶剤を用いてレジストフレームを絶縁膜７ｂから剥離する。次に、めっき膜をマスクにして、レジスト層の除去により露出した電極膜をドライエッチング（イオンミリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等）やウエットエッチングにより除去する。
【００３７】
これにより、図３に示すように、電極膜及びめっき膜が積層されたコイル導体３３が絶縁膜７ｂ上に形成される。コイル導体３３の内周側端部は、絶縁膜７ｂに形成されたビアホールを介して下部リード線の一端部に接続される。コイル導体３３は、例えば１５〜２５μｍの厚さに形成される。
【００３８】
次に、図４に示すように、全面にポリイミド樹脂を塗布して膜厚５〜１０μｍの絶縁膜７ｃを形成する。次に、絶縁膜７ｃを露光、現像し、パターニングする。これにより、開口部４２、４４が絶縁膜７ｃに形成される。次に、絶縁膜７ｃを硬化する。
【００３９】
次に、図５に示すように、コイル導体３３と同様の形成方法により、絶縁膜７ｃ上にコイル導体３５を形成する。コイル導体３５は、例えば１５〜２５μｍの厚さに形成される。
【００４０】
次に、全面にポリイミド樹脂を塗布して膜厚５〜１０μｍの絶縁膜７ｄを形成する。次に、絶縁膜７ｄを露光、現像し、パターニングする。これにより、開口部４２、４４と、コイル導体３５の内周側端部を露出する不図示のビアホールとが絶縁膜７ｄに形成される。次に、絶縁膜７ｄを硬化する。
【００４１】
次に、下部リード線と同様の形成方法により、絶縁膜７ｄ上に不図示の上部リード線を形成する。上部リード線の一端部は絶縁膜７ｄに形成されたビアホールを介してコイル導体３５の内周側端部に接続される。下部リード線は、例えば５〜１０μｍの厚さに形成される。
【００４２】
次に、図６に示すように、全面にポリイミド樹脂を塗布して膜厚５〜１０μｍの絶縁膜７ｅを形成する。次に、絶縁膜７ｅを露光、現像し、パターニングする。これにより、開口部４２、４４が絶縁膜７ｅに形成される。次に、絶縁膜７ｅを硬化する。以上の工程によって、絶縁膜７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅで構成された絶縁層７が形成される。コイル導体３３、３５並びに上部及び下部リード線は、絶縁層７内に埋め込まれる。
【００４３】
次に、スパッタリング法により全面に膜厚０．０５〜２．０μｍのＮｉＦｅ等の磁性膜を形成する。磁性膜は、開口部４２の側壁上及び底面上にも形成される。次に、全面にレジストを塗布してレジスト層を形成し、必要に応じてレジスト層のプリベーク処理を行う。次に、側壁磁性膜４７のパターンが描画されたマスクを介してレジスト層に光を照射して、レジスト層を露光する。次に、必要に応じて熱処理を行った後に、アルカリ現像液でレジスト層を現像する。次に、下部リード線の形成工程と同様の洗浄工程を行う。これにより、開口部４２の側壁上に形成された磁性膜を覆う枠状のレジストフレームが形成される。
【００４４】
次に、レジストフレームをエッチングマスクにして、磁性膜をドライエッチングやウエットエッチングにより除去する。これにより、図７に示すように、側壁磁性膜４７が開口部４２の側壁上に形成される。次に、有機溶剤を用いてレジストフレームを側壁磁性膜４７から剥離する。本実施の形態では側壁磁性膜４７の形成方法にスパッタリング法が用いられているが、めっき法が用いられてもよい。
【００４５】
次に、図８に示すように、樹脂にフェライトの磁性粉を混入した複合フェライトを開口部４２、４４に埋め込んで、磁性層４１を開口部４２、４４に形成する。磁性層４１は絶縁膜７ｅ上にも形成され、絶縁膜７ｅの上面を覆う。絶縁膜７ｅ上部の磁性層４１は、例えば０．０５〜２．０μｍの厚さに形成される。
【００４６】
次に、図１に示すように、磁性層４１上に接着剤を塗布して接着層１１を形成する。次いで、磁性基板５を接着層１１に固着する。次に、ウェハを切断してチップ状の個々のコモンモードフィルタ１に切断分離する。これにより、上部及び下部リード線の他端部がコモンモードフィルタ１の同一側面部に露出する。同時に、コイル導体３３、３５の外周側端部が当該側面の対向面側に露出する。次に、コモンモードフィルタ１を研磨して角部の面取りを行う。
【００４７】
次に、上部及び下部リード線並びにコイル導体３３、３５の露出部に、不図示の第１乃至第４外部電極を磁性基板３、５の対向面上に、基板面に直角で且つ磁性基板３、５を横切って形成する。下部リード線の他端部は第１外部電極に接続される。上部リード線の他端部は第２外部電極に接続される。コイル導体３３の外周側端部は第３外部電極に接続される。コイル導体３５の外周側端部は第４外部電極に接続される。こうして、図１に示すコモンモードフィルタ１が完成する。
【００４８】
以上説明したように、本実施の形態によるコモンモードフィルタ１の製造方法によれば、薄膜形成技術を用いて最上層の絶縁膜７ｅまでを形成した後、磁性層４１を開口部４２、４４に充填する前に、スパッタリング法又はめっき法等の薄膜形成技術を用いて、ＮｉＦｅ等の相対的に高透磁率を有する形成材料で形成された側壁磁性膜４７を開口部４２の側壁上に形成する。コモンモードフィルタ１の製造方法によれば、絶縁膜７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅと上部及び下部リード線とコイル導体３３、３５と同様に、薄膜形成技術を用いて側壁磁性膜４７を形成でき、絶縁膜７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅと上部及び下部リード線とコイル導体３３、３５と側壁磁性膜４７とを一連の薄膜形成工程で形成できる。本実施の形態によるコモンモードフィルタ１の製造方法によれば、高いコモンモードインピーダンスを得られ、高周波特性に優れたコモンモードフィルタ１を製造することができる。
【００４９】
次に本実施の形態の変形例によるコイル部品について図９を用いて説明する。図９は、本変形例によるコイル部品としてのコモンモードフィルタ１０１であって、コイル導体３３、３５の中心軸を含む平面で切断したコモンモードフィルタ１０１の断面を示している。コモンモードフィルタ１では、側壁磁性膜４７が開口部４２の側壁上のみに形成されている。これに対し、コモンモードフィルタ１０１は、側壁磁性膜１４７が開口部４２の底面上にさらに形成されている点に特徴を有している。側壁磁性膜１４７は、開口部４２の側壁上及び底面上に形成されている。開口部４２の底面上に形成された側壁磁性膜１４７は、開口部４２内の絶縁膜７ａに接触している。
【００５０】
コモンモードフィルタ１０１では、コモンモードフィルタ１と同様に、開口部４２内に磁性層４１に加えて側壁磁性膜１４７が形成されているので、複数の磁路Ｍ１、Ｍ２が形成される。コモンモードフィルタ１０１では、磁路Ｍ１は非磁性である絶縁膜７ａに加えて、開口部４２の底面上に形成された側壁磁性膜１４７を通る。よって、コモンモードフィルタ１０１は、コモンモードフィルタ１と比較して、磁路Ｍ１を磁束が通りにくくなり、閉磁路を通る磁束が減少する。従って、コモンモードフィルタ１０１は、コモンモードフィルタ１より特性が若干劣る。
【００５１】
しかしながら、複数の磁路Ｍ１、Ｍ２が形成されるので、コモンモードフィルタ１０１は、磁性層４１のみが形成されたコモンモードフィルタと比較して、高いコモンモードインピーダンスを得られ、かつ優れた高周波特性を得られる。
【００５２】
本変形例によるコモンモードフィルタ１０１の製造方法について簡単に説明する。コモンモードフィルタ１の製造方法では側壁磁性膜４７を形成するためのレジストフレームの形状が枠状であるのに対して、コモンモードフィルタ１０１の製造方法では側壁磁性膜１４７を形成するためのレジストフレームの形状が柱状である点を除いて、コモンモードフィルタ１０１の製造方法はコモンモードフィルタ１の製造方法と同じである。
【００５３】
まず、コモンモードフィルタ１と同様の製造方法により、磁性基板３上に絶縁膜７ａ、下部リード線、絶縁膜７ｂ、コイル導体３３、絶縁膜７ｃ、コイル導体３５、絶縁膜７ｄ、上部リード線及び絶縁膜７ｅをこの順に形成する（図２乃至図６参照）。次に、全面に磁性膜を形成する。次に、開口部４２の側壁上及び底面上に形成された磁性膜を覆う柱状のレジストフレームを形成する。次に、レジストフレームをエッチングマスクにして、磁性膜をドライエッチングやウエットエッチングにより除去する。これにより、図９に示すように、側壁磁性膜１４７が開口部４２の側壁上及び底面上に形成される。次に、有機溶剤を用いてレジストフレームを側壁磁性膜１４７から剥離する。次に、コモンモードフィルタ１と同様の製造方法により、磁性層４１を形成し（図８参照）、接着層１１を形成し、磁性基板５を接着層１１に固着し、ウェハを切断してチップ状の個々のコモンモードフィルタ１０１に切断分離し、角部の面取りを行い、第１乃至第４外部電極を形成する。こうして、図９に示すコモンモードフィルタ１０１が完成する。
【００５４】
以上説明したように、コモンモードフィルタ１の製造方法では側壁磁性膜４７を形成するためのレジストフレームの形状を枠状とするのに対して、コモンモードフィルタ１０１の製造方法では側壁磁性膜１４７を形成するためのレジストフレームの形状を柱状とする。側壁磁性膜１４７は、側壁磁性膜４７よりも形成面積が大きい。よって、柱状のレジストフレームは、枠状のレジストフレームよりも形成面積が大きい。従って、柱状のレジストフレームは、枠状のレジストフレームよりもパターン形成が容易である。従って、コモンモードフィルタ１０１は、コモンモードフィルタ１と比較して、製造が容易である。
【００５５】
コモンモードフィルタ１、１０１が小型になる程、開口部４２も小さくなる。従って、コモンモードフィルタ１、１０１が小型になる程、枠状または柱状のレジストフレームも小さくなるが、柱状のレジストフレームは枠状のレジストフレームよりもパターン形成が容易である。よって、柱状のレジストフレームは枠状のレジストフレームよりも小型化が容易である。従って、コモンモードフィルタ１０１は、コモンモードフィルタ１と比較して、小型化が容易である。
【００５６】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
上記実施の形態では、対向配置された１組のコイル導体３３、３５を有するコモンモードフィルタ１、１０１を例に説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、コイル導体３３、３５のそれぞれに１つのコイル導体が並設された、２組のコイル導体を有するコモンモードフィルタアレイにも適用できる。当該コモンモードフィルタアレイでは、コイル導体３３、３５の内周側、及び並設された１組のコイル導体の内周側の絶縁層を開口した２つの開口部が形成され、２つの開口部それぞれの例えば側壁上のみに側壁磁性膜が形成される。また、例えば、並設された２組のコイル導体の間に１又は２以上のコイル導体をさらに追加して並設してもよい。これらのコモンモードフィルタアレイは、上記実施の形態と同様の効果を得られる。
【００５７】
また、上記実施の形態によるコイル部品はコモンモードフィルタ１、１０１を例に説明したが、本発明はこれに限らず、インダクタにも適用できる。例えば、上記実施の形態によるコモンモードフィルタ１の製造方法において、コイル導体３５、絶縁膜７ｄ、７ｅを形成する工程（図５及び図６参照）を省略することにより、開口部４２の側壁上のみに側壁磁性膜４７が形成され、磁性層４１をコアとして有するインダクタを製造することができる。当該インダクタは、コモンモードフィルタ１と同様に複数の磁路Ｍ１、Ｍ２が形成されるので、高インピーダンスを得られ、優れた高周波特性を得られる。また、本発明はトランスにも適用できる。
【００５８】
また、コモンモードフィルタ１において、コイル導体３３、３５の外周側に形成された開口部４４の側壁上にも側壁磁性膜４７が形成されていてもよい。当該コモンモードフィルタでは、開口部４２の側壁上に加えて開口部４４の側壁上にも側壁磁性膜４７が形成されている。よって、当該コモンモードフィルタは、コモンモードフィルタ１と比較して、磁路Ｍ２がより高透磁率の磁路となり、閉磁路の磁気抵抗が低下し、閉磁路を通る磁束が増加する。従って、当該コモンモードフィルタは、コモンモードフィルタ１と比較して、高いコモンモードインピーダンスを得られ、かつ優れた高周波特性を得られる。
【００５９】
また、コモンモードフィルタ１０１において、コイル導体３３、３５の外周側に形成された開口部４４の側壁上及び底面上（開口部４４内の絶縁膜７ａ上）にも側壁磁性膜１４７が形成されていてもよい。当該コモンモードフィルタでは、開口部４２の側壁上に加えて開口部４４の側壁上にも側壁磁性膜１４７が形成されている。よって、当該コモンモードフィルタは、コモンモードフィルタ１０１と比較して、磁路Ｍ２がより高透磁率の磁路となり、閉磁路の磁気抵抗が低下し、閉磁路を通る磁束が増加する。従って、当該コモンモードフィルタは、コモンモードフィルタ１０１と比較して、高いコモンモードインピーダンスを得られ、かつ優れた高周波特性を得られる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の一実施の形態によるコモンモードフィルタ１の断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態によるコモンモードフィルタ１の製造工程断面図（その１）である。
【図３】本発明の一実施の形態によるコモンモードフィルタ１の製造工程断面図（その２）である。
【図４】本発明の一実施の形態によるコモンモードフィルタ１の製造工程断面図（その３）である。
【図５】本発明の一実施の形態によるコモンモードフィルタ１の製造工程断面図（その４）である。
【図６】本発明の一実施の形態によるコモンモードフィルタ１の製造工程断面図（その５）である。
【図７】本発明の一実施の形態によるコモンモードフィルタ１の製造工程断面図（その６）である。
【図８】本発明の一実施の形態によるコモンモードフィルタ１の製造工程断面図（その７）である。
【図９】本発明の一実施の形態の変形例によるコモンモードフィルタ１０１の断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１、１０１  コモンモードフィルタ
３、５  磁性基板
７  絶縁層
７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅ  絶縁膜
１１  接着層
３３、３５  コイル導体
４１  磁性層
４２、４４  開口部
４７、１４７  側壁磁性膜
Ｍ１、Ｍ２  磁路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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