(57)【要約】【課題】例えば、液晶装置における開口率低下を抑制する。【解決手段】中継層９３は、第２層間絶縁層４２の上面４２ａから第２層間絶縁層４２の端面４２ｂ及び下部容量電極７１の端面７１ｂに延びている。中継層９３は、コンタクトホール８５を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１は、中継層９３と共に高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。したがって、液晶装置１によれば、非開口領域に形成された下部容量電極７１と、中継層９３との接続領域を小さく、或いはまったく無くすことが可能である。【選択図】図８
2008158424.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１導電膜と、
前記第１導電膜上に形成されており、前記第１導電膜の一の端面が臨む側に向かって臨む他の端面を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜の上面から前記一の端面及び前記他の端面に延びるように形成されており、前記一の端面を介して前記第１導電膜と相互に電気的に接続された第２導電膜と
を備えたことを特徴とする接続構造。
【請求項２】
基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、
前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して設けられる複数の画素の夫々に形成された画素電極と、
前記複数の画素のうち互いに隣接する画素の夫々の開口領域を隔てる非開口領域に形成され、且つ前記画素電極に電気的に接続されており、前記開口領域に臨む一の端面を有する第１導電膜と、
前記第１導電膜上に形成されており、前記開口領域に臨む他の端面を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上から前記一の端面及び前記他の端面に延びるように形成されており、前記一の端面を介して前記第１導電膜に電気的に接続された第２導電膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記第２導電膜は、前記第１導電膜及び前記画素電極を電気的に中継する島状の中継層であり、前記第２導電膜のうち前記絶縁膜上に延びる部分は前記データ線と同層に形成されていること
を特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１導電膜は、半導体膜であり、
前記第２導電膜は、前記半導体膜に接するチタン膜を含んでいること
を特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第２導電膜は、前記チタン膜より高い導電率を有する金属膜と、前記金属膜を保護する保護膜とを有していること
を特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線の交差に対応して設けられる複数の画素のうち互いに隣接する画素の夫々の開口領域を隔てる非開口領域に第１導電膜を形成する第１工程と、
前記第１導電膜を覆うように絶縁膜を形成する第２工程と、
前記第１導電膜の一の端面が前記開口領域に向かって露出するように前記絶縁膜を除去する第３工程と、
前記絶縁膜上から、前記第３工程において露出した前記絶縁膜の他の端面、及び前記一の端面に延び、且つ前記一の端面を介して前記第１導電膜に電気的に接続される第２導電膜を形成する第４工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記第３工程において、前記絶縁膜をドライエッチングによって除去すること
を特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、
前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して設けられる複数の画素の夫々に形成された画素電極と、
前記複数の画素のうち互いに隣接する画素の開口領域を互いに隔てる非開口領域に形成された導電層のうち前記基板上の互いに重ならない第１領域及び第２領域の夫々において、前記導電層の各々一部を構成する第１部分及び第２部分と、
前記第１領域及び前記第２領域を隔てる領域を介して前記第１領域の側から前記第２領域の側に臨み、且つ前記第１領域から前記第２領域に向かって前記第１部分の上面に近づくように前記第１部分の上面に対して傾斜した第１傾斜面を有しており、前記第１領域のうち前記隔てる領域側に延びる第１部分領域において前記第１部分が露出するように前記第１部分上に形成された第１絶縁部と、
前記隔てる領域を介して前記第２領域の側から前記第１領域の側に臨み、且つ前記第２領域から前記第１領域に向かって前記第２部分の上面に近づくように前記第２部分の上面に対して傾斜した第２傾斜面を有しており、前記第２領域のうち前記隔てる領域側に延びる第２部分領域において前記第２部分が露出するように前記第１絶縁部と同層に形成された第２絶縁部と、
前記第１絶縁部の上面から前記第１傾斜面及び前記第１部分の上面に延びる第１導電膜と、
前記第２絶縁部の上面から前記第２傾斜面及び前記第２部分の上面に延びており、前記第１導電膜に供給される電位と異なる電位を有する第２導電膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
前記導電層は、半導体層であり、
前記半導体層のうち前記隔てる領域に延びる部分は、チャネル領域部であり、
前記第１部分は、前記チャネル領域部からみて前記データ線側に電気的に接続されたデータ線側導電部であり、
前記第２部分は、前記チャネル領域部からみて前記画素電極側に電気的に接続された画素電極側導電部であること
を特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第１導電膜及び前記第２導電膜の夫々は、前記半導体層に接するチタン膜を含んでいること
を特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記第１導電膜及び前記第２導電膜は、前記チタン膜より高い導電率を有する金属膜と、前記金属膜を保護する保護膜とを有していること
を特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線の交差に対応して形成される画素電極が設けられる複数の画素のうち互いに隣接する画素の夫々の開口領域を互いに隔てる非開口領域となるべき領域において、前記非開口領域のうち前記基板上で互いに重ならない第１領域及び第２領域の夫々に位置する第１部分及び第２部分を含む導電層を形成する第１工程と、
前記導電層上に絶縁層を形成する第２工程と、
前記第１領域において前記第１部分が露出するように前記絶縁層を貫通しており、前記第１領域及び前記第２領域を隔てる領域を介して前記第１領域の側から前記第２領域の側に臨み、且つ前記第１領域から前記第２領域に向かって前記第１部分の上面に近づくように前記第１部分の上面に対して傾斜した第１内壁面を有する第１穴部を形成する第３工程と、
前記第２領域において前記第２部分が露出するように前記絶縁膜を貫通しており、前記隔てる領域を介して前記第２領域の側から前記第１領域の側に臨み、且つ前記第２領域から前記第１領域に向かって前記第２部分の上面に近づくように前記第２部分の上面に対して傾斜した第２内壁面を有する第２穴部を形成する第４工程と、
前記絶縁膜の上面から、前記第１部分のうち前記第１穴部に露出する第１露出部、及び前記第２部分のうち前記第２穴部に露出する第２露出部の夫々に延びる導電膜を形成する第５工程と、
前記隔てる領域、前記第１領域のうち前記隔てる領域に近い側に延びる領域、及び前記第２領域のうち前記隔てる領域に近い側に延びる領域において、前記導電膜及び前記絶縁膜を除去する第６工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第６工程において、前記絶縁膜及び前記導電膜に噴射するガスのガス比を調整可能なドライエッチング法を用いて、前記絶縁膜及び前記導電膜を選択的に除去すること
を特徴とする請求項１３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
前記導電層は、半導体層であり、
前記半導体層のうち前記隔てる領域に延びる部分は、チャネル領域部であり、
前記第１部分は、前記チャネル領域部からみて前記データ線側に電気的に接続されたデータ線側導電部であり、
前記第２部分は、前記チャネル領域部からみて前記画素電極側に電気的に接続された画素電極側導電部であり、
前記第６工程において、前記データ線側導電部及び前記画素電極側導電部の夫々は、前記半導体層の下層側に延びる部分がエッチングされないようにエッチングストッパーとして兼用されること
を特徴とする請求項１３に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば絶縁層の上側及び下側の夫々の側に設けられた導電膜を相互に電気的に接続する接続構造、及びそのような接続構造を応用して画素電極及び配線等の導電膜が電気的に接続された電気光学装置、並びにその製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜で構成された画素電極は、該画素電極の下層側に形成された中継層にコンタクトホールを介して電気的に接続される。コンタクトホールを介して中継層及び画素電極を電気的に接続した場合、画素における開口領域を広げることが困難になる技術的問題点がある。より具体的には、例えば不透明な中継層及び画素電極をコンタクトホールを介して電気的に接続するためには、中継層の一部が画素電極に重なることになるため、画素のうち実質的に光を透過させることが可能な開口領域の面積が中継層によって狭められることになる。また、画素を透過すべき光を遮る配線、遮光膜、半導体素子等の非光透過要素が形成された領域にコンタクトホールを形成する際には、例えばコンタクトホールが形成される絶縁層部分を除去するために２種類のマスク間の位置合わせを考慮したマージンを確保して設計する必要がある。したがって、マージンを確保する分、画素における非開口領域の割合が大きくなり、画素における開口率（即ち、画素に占める開口領域の割合）を上げることによって表示性能を向上させることが困難となる問題点がある。
【０００３】
このような問題点を解決するための手段の一例として、特許文献１は、絶縁膜を介して互いに異なる層に形成された２つの導電パターンを狭い領域で接続できる接続構造を開示している。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−３９３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示された技術によれば、２つの導電パターンのうち一方の導電パターンより下層側に導電パターンの上面に接続用導電膜が延びているため、その分接続用導電膜のサイズが大きくなってしまう。したがって、下層側の導電パターン、接続用導電膜のうち当該導電パターンの上面に延びる部分が占める面積によって画素の開口領域が狭められてしまう問題点がある。
【０００６】
他方、画素電極に画像信号を供給するために画素毎に設けられた画素スイッチング用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域の夫々をコンタクトホールを介してデータ線側及び画素電極側の各配線部に接続した場合、これら配線部の電位の相違に応じて、これら配線部間に結合容量が生じてしまう。配線間に生じた結合容量によれば、電気光学装置の動作時において、横クロストーク等の表示不良を発生させてしまう問題点がある。
【０００７】
よって、本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、開口率を高めることができ、高品位の画像表示を可能とする電気光学装置及びその製造方法、並びに、そのような電気光学装置に応用可能な接続構造を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の発明に係る接続構造は上記課題を解決するために、基板上に形成された第１導電膜と、前記第１導電膜上に形成されており、前記第１導電膜の一の端面が臨む側に向かって臨む他の端面を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の上面から前記一の端面及び前記他の端面に延びるように形成されており、前記一の端面を介して前記第１導電膜と相互に電気的に接続された第２導電膜とを備える。
【０００９】
本発明の第１の発明に係る接続構造によれば、絶縁膜は第１導電膜上に形成されており、第１導電膜の一の端面が臨む側に向かって、絶縁膜の他の端面が臨んでいる。即ち、一の端面及び他の端面は、絶縁膜及び第１導電膜からみて同じ側に臨んでいる。尚、他の端面は、一の端面と区別するために便宜的に用いた表現であって、絶縁膜の端面のうち第１導電膜の一の端面が臨む側に臨む端面を意味する。このような一の端面及び他の端面は、相互に同一平面上に位置していてもよいし、他の端面が一の端面を基準として一の端面が臨む側に突出していてもよい。言い換えれば、一の端面は、当該一の端面が臨む側に向かって他の端面より突出していなければよい。
【００１０】
第２導電膜は、絶縁膜の上面から一の端面及び他の端面に延びるように形成されている。より具体的には、第２導電膜は、基板の基板面に対して交わる方向に沿って延びる一の端面及び他の端面に連続的に延びる導電膜として形成されている。第２導電膜は、一の端面を介して第１導電膜と相互に電気的に接続されている。より具体的には、一の端面及び他の端面が相互に同一平面上に延びる位置関係にある場合には、一の端面及び他の端面に沿って延びるように第２導電膜が形成されていることによって、当該第２導電膜は第１導電膜のうち一の端面に接していることになる。また、一の端面より他の端面が一の端面が臨む側に突出している場合にも、第１導電膜のうち第２導電膜が接する部分は一の端面となる。
【００１１】
このように第１導電膜と電気的に接続された第２導電膜は、絶縁膜の上面から一の端面に延びているため、絶縁膜を介して互いに異なる層に形成された第１導電膜及び第２導電膜が一の端面を介して相互に電気的に接続されている。
【００１２】
したがって、本発明の第１の発明に係る接続構造によれば、第１導電膜の一の端面が臨む側に向かって絶縁膜から第１導電膜を突出され、当該第１導電膜の上面に延びるように第２導電膜を形成する場合に比べて、第１導電膜が絶縁膜より突出していない分、第１導電膜及び第２導電膜を含む接続領域のサイズを小さくできる。
【００１３】
よって、本発明の第１の発明に係る接続構造によれば、例えば基板上において、絶縁膜を介して互いに異なる層に形成された回路部或いは配線部を相互に電気的に接続できると共に、当該接続領域のサイズを小さくできるため、基板上の制限されたスペースに形成された回路構成のサイズを小さくできる。本発明の第１の発明に係る接続構造は、特に、基板上において各種回路部を形成するためのスペースが制限される場合、或いは各種回路部が形成される基板サイズの小型化が要求される場合、或いは多層構造によって回路部の平面的なサイズを小型化する場合に有効な接続手段になる。
【００１４】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して設けられる複数の画素の夫々に形成された画素電極と、前記複数の画素のうち互いに隣接する画素の夫々の開口領域を隔てる非開口領域に形成され、且つ前記画素電極に電気的に接続されており、前記開口領域に臨む一の端面を有する第１導電膜と、前記第１導電膜上に形成されており、前記開口領域に臨む他の端面を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上から前記一の端面及び前記他の端面に延びるように形成されており、前記一の端面を介して前記第１導電膜に電気的に接続された第２導電膜とを備える。
【００１５】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置によれば、例えば、データ線から画素電極へ画像信号が制御され、所謂アクティブマトリクス方式によって画像が表示される。尚、画像信号は、例えば、データ線及び画素電極間に電気的に接続されたトランジスタがオンオフされることによって、所定のタイミングでデータ線からトランジスタを介して画素電極に供給される。画素電極は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる透明電極であり、データ線及び走査線の交差に対応して、基板上において表示領域となるべき領域にマトリクス状に複数設けられている。
【００１６】
第１導電膜は、複数の画素のうち互いに隣接する画素の夫々の開口領域を隔てる非開口領域に形成され、且つ画素電極に電気的に接続されている。ここで、「開口領域」とは、実質的に光が透過する画素内の領域であり、例えば、画素電極が形成される領域であって、透過率の変更に応じて液晶等の電気光学物質を抜けてきた出射光の階調を変化させることが可能となる領域である。換言すれば、「開口領域」とは、画素に集光される光が光を透過させない、或いは光透過率が透明電極に比べて相対的に小さい配線、遮光膜、及び各種素子等の遮光体で遮られることがない領域を意味する。「非開口領域」とは、表示に寄与する光が透過しない領域を意味し、例えば画素内に非透明な配線或いは電極、若しくは各種素子等の遮光体が配設されている領域を意味する。
【００１７】
第１導電膜は、開口領域に臨む一の端面を有している。ここで、「一の端面が臨む」とは、開口領域に直接面することをいうのではなく、後述する第２導電膜を介して開口領域に面することをいう。
【００１８】
絶縁膜は、第１導電膜上に形成されており、開口領域に臨む他の端面を有している。「他の端面」は、一の端面と区別するために便宜的に用いた表現であり、絶縁膜が有する端面のうち開口領域に臨む端面を意味する。一の端面及び他の端面は、相互に同一平面上に位置していてもよいし、他の端面が一の端面を基準として一の端面が臨む側に突出していてもよい。言い換えれば、一の端面は、当該一の端面が臨む側に向かって他の端面より突出していなければよい。
【００１９】
第２導電膜は、絶縁膜上から一の端面及び他の端面に延びるように形成されている。このような第２導電膜は、例えば、絶縁膜の上面から一の端面及び他の端面に延びるように形成されている。より具体的には、第２導電膜は、基板の基板面に対して交わる方向に沿って延びる一の端面及び他の端面に連続的に延びる導電膜として形成されている。
【００２０】
第２導電膜は、一の端面を介して第１導電膜と相互に電気的に接続されている。より具体的には、一の端面及び他の端面が相互に同一平面上に延びる位置関係にある場合には、一の端面及び他の端面に沿って延びるように第２導電膜が形成されていることによって、当該第２導電膜は第１導電膜の一の端面に接していることになる。また、一の端面より他の端面が一の端面が臨む側に突出している場合にも、第１導電膜のうち第２導電膜が接する部分は一の端面となる。
【００２１】
このように第１導電膜と電気的に接続された第２導電膜は、絶縁膜上から一の端面に延びているため、絶縁膜を介して互いに異なる層に形成された第１導電膜及び第２導電膜が一の端面を介して相互に電気的に接続されている。
【００２２】
したがって、本発明の第２の発明に係る電気光学装置によれば、非開口領域に形成された第１導電膜のうち開口領域に突出する部分のサイズを小さく、或いはまったく無くすことが可能であり、第１導電膜を開口領域に突出させることによって第１導電膜及び第２導電膜の接続領域を確保する場合に比べて、第１導電膜を開口領域に延ばすことによって拡げられる非開口領域のサイズを小さくできる。
【００２３】
よって、本発明の第１の発明に係る電気光学装置によれば、基板上において、画素電極に電気的に接続された第２導電膜と、当該第２導電膜と異なる層に形成された第１導電膜とを電気的に接続するための接続領域を小さくでき、画素の開口率（即ち、画素において開口領域が占める割合）を大きくすることが可能である。このような本発明の第１の発明に係る電気光学装置によれば、開口率を高めることができることによって、画像を表示する表示性能を向上させることが可能である。
【００２４】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記第２導電膜は、前記第１導電膜及び前記画素電極を電気的に中継する島状の中継層であり、前記第２導電膜のうち前記絶縁膜上に延びる部分は前記データ線と同層に形成されていてもよい。
【００２５】
この態様によれば、第２導電膜は、例えば各画素に設けられた画素電極の画像信号を供給できるように非開口領域において画素毎に形成されている。このような第２導電膜は、データ線と同層に形成されており、データ線及び第２導電膜となるべき導電膜を共通の膜形成工程によって形成した後、当該導電膜をデータ線及び第２導電膜の夫々の形状にパターニングすることによって形成される。したがって、データ線を形成する工程とは別の工程によって第２導電膜を形成する場合に比べて、電気光学装置の製造プロセスを簡略化できる。
【００２６】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第１導電膜は、半導体膜であり、前記第２導電膜は、前記半導体膜に接するチタン膜を含んでいてもよい。
【００２７】
この態様によれば、ポリシリコン等の半導体膜で第２導電膜が構成されている場合、チタン膜によって第２導電膜及び第１導電膜のオーミック接触させることが可能であり、第１導電膜及び第２導電膜の接続抵抗を低減できる。
【００２８】
この態様では、前記第２導電膜は、前記チタン膜より高い導電率を有する金属膜と、前記金属膜を保護する保護膜とを有していてもよい。
【００２９】
この態様によれば、前記チタン膜より高い導電率を有する金属膜によって第２導電膜の導電率を高めつつ、金属膜は酸化されることによる金属膜の電気抵抗が増大することを保護膜によって防止できる。このような金属膜としては、例えばアルミニウム（ＡＬ）を用いることができ、保護膜としては窒化チタン（ＴｉＮ）を用いることができる。第２導電膜は、例えば、第１導電膜に接触する側から順にチタン膜、窒化チタン膜、アルミニウム膜、及び窒化チタン膜が積層された多層構造を有している。
【００３０】
本発明の第３の発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線の交差に対応して設けられる複数の画素のうち互いに隣接する画素の夫々の開口領域を隔てる非開口領域に第１導電膜を形成する第１工程と、前記第１導電膜を覆うように絶縁膜を形成する第２工程と、前記第１導電膜の一の端面が前記開口領域に向かって露出するように前記絶縁膜を除去する第３工程と、前記絶縁膜上から、前記第３工程において露出した前記絶縁膜の他の端面、及び前記一の端面に延び、且つ前記一の端面を介して前記第１導電膜に電気的に接続される第２導電膜を形成する第４工程とを備える。
【００３１】
本発明の第３の発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、第１工程及び第２工程によって第１導電膜及び絶縁膜が形成された後、第３工程において第１導電膜の一の端面が開口領域に向かって露出するように汎用の膜除去法を用いて絶縁膜が除去される。
【００３２】
第４工程において、第２導電膜が、絶縁膜上から、第３工程において露出した絶縁膜の他の端面、及び一の端面に延びように形成される。加えて、第２導電膜は、一の端面を介して第１導電膜に電気的に接続されるように、例えば第１導電膜と一の端面で接触するように形成される。
【００３３】
したがって、本発明の第３の発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、上述した本発明の第２の発明に係る電気光学装置と同様に、開口領域を狭める非開口領域のサイズを低減でき、表示性能の高い電気光学装置を製造できる。
【００３４】
この態様では、前記第３工程において、前記絶縁膜をドライエッチングによって除去してもよい。
【００３５】
この態様によれば、ウェットエッチング法を用いる場合に比べて、第１導電膜のうち一の端面のみが露出するように絶縁膜を選択的に除去できる。
【００３６】
本発明の第４の発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して設けられる複数の画素の夫々に形成された画素電極と、前記複数の画素のうち互いに隣接する画素の開口領域を互いに隔てる非開口領域に形成された導電層のうち前記基板上の互いに重ならない第１領域及び第２領域の夫々において、前記導電層の各々一部を構成する第１部分及び第２部分と、前記第１領域及び前記第２領域を隔てる領域を介して前記第１領域の側から前記第２領域の側に臨み、且つ前記第１領域から前記第２領域に向かって前記第１部分の上面に近づくように前記第１部分の上面に対して傾斜した第１傾斜面を有しており、前記第１領域のうち前記隔てる領域側に延びる第１部分領域において前記第１部分が露出するように前記第１部分上に形成された第１絶縁部と、前記隔てる領域を介して前記第２領域の側から前記第１領域の側に臨み、且つ前記第２領域から前記第１領域に向かって前記第２部分の上面に近づくように前記第２部分の上面に対して傾斜した第２傾斜面を有しており、前記第２領域のうち前記隔てる領域側に延びる第２部分領域において前記第２部分が露出するように前記第１絶縁部と同層に形成された第２絶縁部と、前記第１絶縁部の上面から前記第１傾斜面及び前記第１部分の上面に延びる第１導電膜と、前記第２絶縁部の上面から前記第２傾斜面及び前記第２部分の上面に延びており、前記第１導電膜に供給される電位と異なる電位を有する第２導電膜とを備える。
【００３７】
本発明の第４の発明に係る電気光学装置によれば、上述した本発明の第２の発明に係る電気光学装置と同様に、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料を用いて構成された画素電極へデータ線から画像信号が制御され、所謂アクティブマトリクス方式によって画像が表示される。
【００３８】
第１部分及び第２部分は、複数の画素のうち互いに隣接する画素の開口領域を互いに隔てる非開口領域に形成された導電層のうち基板上の互いに重ならない第１領域及び第２領域の夫々に位置しており、導電層の各々一部を構成する。したがって、第１部分及び第２部分の夫々は、非開口領域の第１領域及び第２領域に延びる導電層のうち第１領域及び第２領域の夫々の領域に延びる部分である。
【００３９】
第１絶縁部は、第１領域及び第２領域を隔てる領域を介して第１領域の側から第２領域の側に臨み、且つ第１領域から第２領域に向かって第１部分の上面に近づくように第１部分の上面に対して傾斜した第１傾斜面を有している。加えて、第１絶縁部は、第１領域のうち隔てる領域側に延びる第１部分領域において第１部分が露出するように第１部分上に形成されている。ここで、「第１部分領域」は、第１領域の一部を占める領域であって、第１領域からみて第１領域及び第２領域を互いに隔てる領域側を占める領域である。
【００４０】
第２絶縁部は、第１領域及び第２領域を互いに隔てる領域を介して第２領域の側から第１領域の側に臨み、且つ第２領域から第１領域に向かって第２部分の上面に近づくように第２部分の上面に対して傾斜した第２傾斜面を有している。加えて、第２領域のうち隔てる領域側に延びる第２部分領域において第２部分が露出するように第１絶縁部と同層に形成されている。したがって、第１絶縁部及び第２絶縁部は、例えば、これら絶縁部が形成される層に第１領域から第２領域に渡って連続的に絶縁膜を形成した後、当該絶縁膜のうち第１領域及び第２領域を相互に隔てる領域に延びる部分を選択的に除去することによって形成される。
【００４１】
第１導電膜は、第１絶縁部の上面から第１傾斜面及び第１部分の上面に延びている。したがって、第１導電膜は、第１部分に電気的に接続されている。
【００４２】
第２導電膜は、第２絶縁部の上面から第２傾斜面及び第２部分の上面に延びている。第２導電膜は、第２部分に電気的に接続されている。加えて、第２導電膜は、第１導電膜に供給される電位と異なる電位を有している。したがって、電気光学装置の動作時には、第１導電膜及び第２導電膜間に結合容量が発生する。しかしながら、第１傾斜面及び第２傾斜面の夫々の距離がこれら傾斜面の傾斜に対応して拡がっていることによって、第１導電膜及び第２導電膜間の間隔を拡げることが可能であり、これら導電膜の距離が一定である場合に比べて、これら導電膜の電位の相違によって生じる結合容量を低減できる。
【００４３】
したがって、本発明の第４の発明に係る電気光学装置によれば、画素電極に電気的に接続された第２導電膜と、当該第２導電膜の電位と異なる電位が供給される第１導電膜との間に生じる結合容量を低減でき、画像信号の供給経路に生じる結合容量によって発生するクロストーク等の表示不良を低減することが可能である。
【００４４】
本発明の第４の発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記導電層は、半導体層であり、前記半導体層のうち前記隔てる領域に延びる部分は、チャネル領域部であり、前記第１部分は、前記チャネル領域部からみて前記データ線側に電気的に接続されたデータ線側導電部であり、前記第２部分は、前記チャネル領域部からみて前記画素電極側に電気的に接続された画素電極側導電部であってもよい。
【００４５】
この態様によれば、半導体層は、第１導電膜を介して画素電極に電気的に接続された画素スイッチング用素子の一例であるＴＦＴのチャネル領域部を含んでいる。第１部分は、例えば、チャネル領域部からみてデータ線側に電気的に接続されたデータ線側導電部であるソース領域部である。第２部分は、チャネル領域部からみて画素電極側に電気的に接続された画素電極側導電部であるドレイン領域部である。
【００４６】
この態様によれば、例えばソース領域部及びドレイン領域部の夫々に電気的に接続されたソース配線及びドレイン配線間に生じる結合容量を低減でき、当該結合容量に起因して生じるクロストーク等の表示不良を低減することが可能である。
【００４７】
この態様では、前記第１導電膜及び前記第２導電膜の夫々は、前記半導体層に接するチタン膜を含んでいてもよい。
【００４８】
この態様によれば、ポリシリコン等の半導体層と、チタン膜を含む第１導電膜及び第２導電膜とをオーミック接触させることが可能であり、第１導電膜及び第２導電膜と半導体層間の接続抵抗を低減できる。
【００４９】
この態様では、前記第１導電膜及び前記第２導電膜は、前記チタン膜より高い導電率を有する金属膜と、前記金属膜を保護する保護膜とを有していてもよい。
【００５０】
この態様によれば、チタン膜より高い導電率を有する金属膜によって第１導電膜及び第２導電膜の夫々の導電率を高めつつ、金属膜が酸化されることによって金属膜の電気抵抗が増大することを保護膜によって防止できる。このような金属膜としては、例えばアルミニウム（ＡＬ）を用いることができ、保護膜としては窒化チタン（ＴｉＮ）を用いることができる。第１及び第２導電膜は、例えば、第１及び第２部分の夫々に接触する側から順にチタン膜、窒化チタン膜、アルミニウム膜、及び窒化チタン膜が積層された多層構造を有している。
【００５１】
本発明の第５の発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線の交差に対応して形成される画素電極が設けられる複数の画素のうち互いに隣接する画素の夫々の開口領域を互いに隔てる非開口領域となるべき領域において、前記非開口領域のうち前記基板上で互いに重ならない第１領域及び第２領域の夫々に位置する第１部分及び第２部分を含む導電層を形成する第１工程と、前記導電層上に絶縁層を形成する第２工程と、前記第１領域において前記第１部分が露出するように前記絶縁層を貫通しており、前記第１領域及び前記第２領域を隔てる領域を介して前記第１領域の側から前記第２領域の側に臨み、且つ前記第１領域から前記第２領域に向かって前記第１部分の上面に近づくように前記第１部分の上面に対して傾斜した第１内壁面を有する第１穴部を形成する第３工程と、前記第２領域において前記第２部分が露出するように前記絶縁膜を貫通しており、前記隔てる領域を介して前記第２領域の側から前記第１領域の側に臨み、且つ前記第２領域から前記第１領域に向かって前記第２部分の上面に近づくように前記第２部分の上面に対して傾斜した第２内壁面を有する第２穴部を形成する第４工程と、前記絶縁膜の上面から、前記第１部分のうち前記第１穴部に露出する第１露出部、及び前記第２部分のうち前記第２穴部に露出する第２露出部の夫々に延びる導電膜を形成する第５工程と、前記隔てる領域、前記第１領域のうち前記隔てる領域に近い側に延びる領域、及び前記第２領域のうち前記隔てる領域に近い側に延びる領域において、前記導電膜及び前記絶縁膜を除去する第６工程とを備える。
【００５２】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、上述した本発明の第３の発明に係る電気光学装置と同様に、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料を用いて構成された画素電極へデータ線から画像信号が制御され、所謂アクティブマトリクス方式によって画像が表示される。
【００５３】
第１工程において、複数の画素のうち互いに隣接する画素の開口領域を互いに隔てる非開口領域に形成された導電層のうち基板上の互いに重ならない第１領域及び第２領域の夫々に位置する第１部分及び第２部分を含む導電層を基板上に構成する。第２工程において、絶縁膜は、導電層を覆うように形成されている。
【００５４】
第３工程において、第４工程に先んじて、或いは第４工程と共通の工程によって、第１領域において第１部分が露出するように絶縁層を貫通しており、第１領域及び第２領域を隔てる領域を介して第１領域の側から第２領域の側に臨み、且つ第１領域から第２領域に向かって第１部分の上面に近づくように第１部分の上面に対して傾斜した第１内壁面を有する第１穴部を形成する。
【００５５】
第４工程において、第３工程に先んじて、或いは第３工程と共通の工程によって、第２領域において第２部分が露出するように絶縁膜を貫通しており、隔てる領域を介して第２領域の側から第１領域の側に臨み、且つ第２領域から第１領域に向かって第２部分の上面に近づくように第２部分の上面に対して傾斜した第２内壁面を有する第２穴部を形成する。したがって、第３及び第４工程が終了した段階では、第１領域及び第２領域を互いに隔てる領域に、第１穴部及び第２穴部を形成する際に絶縁膜が除去されなかった部分が残っている。尚、第３及び第４工程の夫々は、第１穴部及び第２穴部を形成可能なように所定形状のレジストを介して所定領域に延びる絶縁膜を除去してもよいし、共通の工程によって第１穴部及び第２穴部を一括で形成することも可能である。
【００５６】
第５工程において、絶縁膜の上面から、第１部分のうち第１穴部に露出する第１露出部、及び第２部分のうち第２穴部に露出する第２露出部の夫々に延びる導電膜を形成する。このような導電膜は、導電材料からなる単層、或いは多層構造を有しており、絶縁膜を介して半導体層と相異なる層である絶縁膜の上面から第１穴部及び第２穴部の夫々に形成される。
【００５７】
第６工程では、第１領域及び第２領域を隔てる領域、第１領域のうち第１領域及び第２領域を隔てる領域に近い側に延びる領域、及び第２領域のうち第１領域及び第２領域を隔てる領域に近い側に延びる領域において、導電膜及び絶縁膜を除去する。したがって、第１内壁面及び第２内壁面の両端が規定された領域であって、第１領域及び第２領域を隔てる領域を含む領域では、絶縁膜が除去されている。このような場合、例えば、当該隔てる領域に延びる部分が除去された導電膜のうち、隔てる領域の一方の側に残った絶縁膜の上面から第１内壁面及び第１部分に渡って延びる部分と、隔てる領域の他方の側に残った絶縁膜の上面から第２内壁面及び第２部分に渡って延びる部分とが残った状態になり、これらの残った導電膜の間の間隔は、第１内壁面及び第２内壁面の傾斜に応じて拡げられることになる。
【００５８】
よって、本発明の第５の発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、これら残った導電膜間に生じる結合容量を、当該拡げられた導電膜の距離に応じて低減でき、クロストーク等の表示不良の発生が低減された電気光学装置を製造できる。
【００５９】
本発明の第５の発明に係る電気光学装置の製造方法の一の態様では、前記第６工程において、前記絶縁膜及び前記導電膜に噴射するガスのガス比を調整可能なドライエッチング法を用いて、前記絶縁膜及び前記導電膜を選択的に除去してもよい。
【００６０】
この態様によれば、ドライエッチング法によって絶縁膜及び導電膜を選択的に除去する際に、これら除去対象となる部分に供給するガスに含まれる成分の比率（即ち、ガス比）を調整することによって、絶縁膜および導電膜のうち第１領域及び第２領域を互いに隔てる領域に延びる部分のみを選択的に除去できる。
【００６１】
この態様では、前記導電層は、半導体層であり、前記半導体層のうち前記隔てる領域に延びる部分は、チャネル領域部であり、前記第１部分は、前記チャネル領域部からみて前記データ線側に電気的に接続されたデータ線側導電部であり、前記第２部分は、前記チャネル領域部からみて前記画素電極側に電気的に接続された画素電極側導電部であり、前記第６工程において、前記データ線側導電部及び前記画素電極側導電部の夫々は、前記半導体層の下層側に延びる部分がエッチングされないようにエッチングストッパーとして兼用されてもよい。
【００６２】
この態様によれば、導電層は、画素スイッチング用素子の一例であるＴＦＴのチャネル領域部を含む半導体層であり、第１部分及び第２部分の夫々は、例えばソース領域部及びドレイン領域部の夫々である。このようなソース領域部及びドレイン領域部の夫々は、エッチングストッパーとして兼用可能であるため、その下層側がエッチングによって除去されることを防止できる。
【００６３】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６４】
以下、図面を参照しながら、本発明の第１の発明に係る接続構造、本発明の第２及び第４の発明に係る電気光学装置、並びに、第３及び第５の発明に係る電気光学装置の製造方法の各実施形態を説明する。
【００６５】
＜第１実施形態＞
先ず、図１乃至図３を参照しながら、本発明の第１の発明に係る接続構造の実施形態を説明する。図１は、本実施形態に係る接続構造を断面図である。図２及び図３は、本実施形態に係る接続構造の比較例を示した断面図である。
【００６６】
図１において、本実施形態に係る接続構造６００は、第１導電膜５２０、絶縁膜５２１及び第２導電膜５２２を備えており、基板５００上の下地層５１０上に形成されている。
【００６７】
第１導電膜５２０は、所定のサイズを有するように下地層５１０上に汎用の膜形成法を用いて形成されている。絶縁膜５２１は、第１導電膜５２０上に形成されており、第１導電膜５２０の一の端面５２０ｂが臨む側（即ち、図中矢印で示したＹ方向）に向かって、他の端面５２１ｂが臨むように形成されている。したがって、端面５２０ｂ及び端面５２１ｂは、絶縁膜５２１及び第１導電膜５２０からみて同じ側であるＹ方向に向かって臨んでいる。端面５２０ｂ及び端面５２１ｂは、基板５００の基板面に交わる方向に沿って相互に同一平面上に位置している。尚、端面５２１ｂは、端面５２０ｂを基準としてＹ方向に沿って臨む側に突出していてもよい。言い換えれば、端面５２０ｂは、Ｙ方向に沿って端面５２１ｂより突出していなければよい。
【００６８】
第２導電膜５２２は、絶縁膜５２１の上面から端面５２０ｂ及び端面５２１ｂに延びるように形成されている。より具体的には、第２導電膜５２０は、基板５００の基板面に対して交わる方向（図中Ｚ方向）に沿って延びる端面５２０ｂ及び端面５２１ｂに連続的に延びる導電膜として形成されている。第２導電膜５２１は、端面５２０ｂのみを介して第１導電膜５２０と相互に電気的に接続されている。より具体的には、本実施形態に係る接続構造６００のように、端面５２０ｂ及び端面５２１ｂが相互に同一平面上に延びる位置関係にある場合には、端面５２０ｂ及び端面５２１ｂに沿って延びるように第２導電膜５２２が形成されていることによって、第２導電膜５２２は第１導電膜５２０について端面５２０ｂのみに接していることになる。
【００６９】
他方、図２に示す比較例に係る接続構造６０１によれば、絶縁膜５３１を貫通する穴部５８０から絶縁膜５３１の上面に渡って第２導電膜５３２が形成されており、第２導電膜５３２は、第１導電膜５３０の上面のうち穴部５８０に露出する領域を介して第１導電膜５３０に電気的に接続されている。したがって、接続構造６０１は、図１に示した接続構造６００に比べて、領域Ｒ１の大きさだけＹ方向に沿って接続構造６００よりサイズが大きくなってしまう。
【００７０】
図３に示す他の比較例に係る接続構造６０２によれば、第２導電膜５４２は、絶縁膜５４１を端面６４１ｂから、Ａ方向に沿って絶縁膜５４１から突出した第１導電膜５４０の上面５４０ａに延びている。したがって、接続構造６０２は、図１に示した接続構造６００に比べて、領域Ｒ２の大きさだけＹ方向に沿って接続構造６００よりサイズが大きくなってしまう。
【００７１】
このような比較例に係る接続構造に比べ、図１に示すように、接続構造６００によれば、第１導電膜５２０に電気的に接続された第２導電膜５２２が、絶縁膜５２１の上面から端面５２０ｂに延びているため、絶縁膜５２１を介して互いに異なる層に形成された第１導電膜５２０及び第２導電膜５２２が端面５２０ｂのみを介して相互に電気的に接続されている。
【００７２】
したがって、接続構造６００によれば、第１導電膜５２０がＹ方向に沿って絶縁膜５２１から突出され、当該第１導電膜５２０の上面に延びるように第２導電膜５２２が延びている場合に比べて、第１導電膜５２０が絶縁膜５２１よりＹ方向に沿って突出していない分、第１導電膜５２０及び第２導電膜５２２を含む接続構造６００のサイズをＹ方向に沿って小さくできる。
【００７３】
よって、接続構造６００によれば、基板５００上において、絶縁膜５２１を介して互いに異なる層に形成された回路部或いは配線部を相互に電気的に接続できると共に、当該接続構造６００のサイズを小さくできるため、基板５００上の制限されたスペースに形成された回路構成のサイズを小さくできる。特に、接続構造６００は、基板５００上において各種回路部を形成するためのスペースが制限される場合、或いは各種回路部が形成される基板サイズの小型化が要求される場合、また、多層構造によって回路部の平面的なサイズを小型化する場合に、互いに異なる層に形成された回路部等を相互に電気的に接続する際に有効な接続手段になる。
【００７４】
尚、端面５２０ｂより端面５２１ｂがＹ方向に沿って絶縁膜５２１から突出している場合にも、第１導電膜５２０のうち第２導電膜５２２が接する部分は端面５２０ｂのみとなり、接続構造６００のサイズを小さくできる。
【００７５】
＜第２実施形態＞
＜２−１：電気光学装置＞
次に、図４乃至図９を参照しながら、本発明の第２の発明に係る電気光学装置を説明する。図４は、本実施形態に係る電気光学装置の平面図であり、図５は、図４のＶ−Ｖ´断面図である。図６は、本実施形態に係る電気光学装置における複数の画素部の等価回路図である。図７は、本実施形態に係る電気光学装置における複数の画素部の平面図である。図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ´断面図である。図９は、中継層９３の構造を詳細に示した断面図である。
【００７６】
図４及び図５において、本実施形態に係る電気光学装置の一例である液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００７７】
図４において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００７８】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。引回配線９０には、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４に対して接地電位を供給するための接地電位線、接地電位よりも高い電位の電源電位ＶＤＤを供給するための電源線やクロック信号、制御信号などの各種信号を供給するための信号線などが含まれている。更に、引回配線９０には、対向電極２１に対して上下導通端子１０６を介して対向電極電位を供給するための対向電極電位線などが含まれている。
【００７９】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００８０】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００８１】
次に、図６を参照しながら、液晶装置１の画素部の電気的な接続構成を説明する。
【００８２】
図６において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の夫々には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置１の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００８３】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００８４】
液晶層５０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が電気的に接続されている。蓄積容量７０を構成する一方の電極は、画素電極９ａと電気的に接続されており、他方の電極は、固定電位を供給する容量線３００と電気的に接続されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００８５】
次に、図７乃至図９を参照しながら、液晶装置１が有する画素部の具体的な構成を説明する。尚、図７及び図８では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。この点については、後述する図９から図１４についても同様である。図７及び図８では、説明の便宜上、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。
【００８６】
図７において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられている。画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。即ち、走査線３ａは、Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線３ａと交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。走査線３ａ及びデータ線６ａが互いに交差する個所の夫々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００８７】
走査線３ａ、データ線６ａ、蓄積容量７０、下側遮光膜１１ａ、中継層９３及びＴＦＴ３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線３ａ、蓄積容量７０、データ線６ａ、下側遮光膜１１ａ及びＴＦＴ３０は、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。
【００８８】
図７及び図８において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａ、及び走査線３ａの一部として形成されたゲート電極３ｂを含んで構成されている。
【００８９】
半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。したがって、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅは、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ｂをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００９０】
図５に示すように、ゲート電極３ｂは、走査線３ａの一部として形成されており、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。走査線３ａは、Ｘ方向に沿って延びる本線部分と共に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´のうち該本線部分が重ならない領域と重なるようにＹ方向に沿って延在する部分を有している。このような走査線３ａのうちチャネル領域１ａ´と重なる部分がゲート電極３ｂとして機能する。ゲート電極３ｂ及び半導体層１ａ間は、ゲート絶縁膜２（より具体的には、２層の絶縁膜２ａ及び２ｂ）によって絶縁されている。
【００９１】
下側遮光膜１１ａは、ＴＦＴ３０よりも下地絶縁膜１２を介して下層側に、格子状に設けられている。下側遮光膜１１ａは、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に延設されており、周辺領域において、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４に対して接地電位ＧＮＤを供給するための接地電位線と電気的に接続されている。
【００９２】
本実施形態では特に、下側遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。このため、下側遮光膜１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光からＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´及びその周辺を遮光できる。
【００９３】
下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００９４】
図８において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。
【００９５】
蓄積容量７０は、下部容量電極７１と上部容量電極３００ａが誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００９６】
上部容量電極３００ａは、容量線３００の一部として形成されている。容量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設されている。上部容量電極３００ａは、容量線３００を介して定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。上部容量電極３００ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能する。上部容量電極３００ａは、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。
【００９７】
本発明の第２の発明における「第１導電膜」の一例である下部容量電極７１は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極である。下部容量電極７１は、複数の画素のうち互いに隣接する画素の夫々の開口領域を隔てる非開口領域に形成されている。加えて、下部容量電極７１は、本発明の第２の発明における「第２導電膜」の一例である中継層９３を介して画素電極９ａに電気的に接続されており、第２層間絶縁層４２を介して互いに異なる層に形成された下部容量電極７１及び中継層９３が、下部容量電極７１の端面７１ｂのみを介して相互に電気的に接続されている。
【００９８】
中継層９３は、第２層間絶縁層４２の上面４２ａから第２層間絶縁層４２の端面４２ｂ及び下部容量電極７１の端面７１ｂに延びている。中継層９３は、コンタクトホール８５を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１は、中継層９３と共に高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。したがって、液晶装置１によれば、非開口領域に形成された下部容量電極７１と、中継層９３の接続領域を小さく、或いはまったく無くすことが可能である。より具体的には、図７及び図８に示すように、画素電極９ａが形成された画素の開口領域において、平面的に見て中継層９３が非開口領域から開口領域に突出する部分のサイズを小さく、或いはまったく無くすことが可能であり、下部容量電極７１を開口領域に突出させることによって下部容量電極７１及び中継層９３を電気的に接続する接続領域を確保する場合に比べて、下部容量電極７１を開口領域に延ばすことによって拡げられる非開口領域のサイズを小さくできる。加えて、中継層９３が下部容量電極７１のうち端面７１ｂにのみ接触しているため、コンタクトホールを介して下部容量電極７１及び中継層９３を電気的に接続する場合に比べて、コンタクトホールを形成するために確保する必要がある領域のマージンもなくすことができ、遮光性を有する下部容量電極７１及び中継層９３によって開口領域が狭められることを低減できる。
【００９９】
よって、液晶装置１によれば、画素電極９ａに電気的に接続された中継層９３と、第２層間絶縁膜４２を介して中継層９３と異なる層に形成された下部容量電極７１とを電気的に接続するための接続領域を小さくでき、画素の開口率を大きくすることが可能であり、液晶装置１の表示性能が高められている。
【０１００】
尚、端面４２ｂは、端面７１ｂを基準として開口領域側に突出していてもよい。言い換えれば、端面７１ｂは、開口領域に向かって端面４２ｂより突出していなければよい。このような場合でも、中継層９３を成膜する成膜条件を便宜設定することによって、端面７１ｂのみを介して中継層９３及び下部容量電極７１を電気的に接続できる。
【０１０１】
中継層９３は、層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａと同層に形成されている。データ線６ａ及び中継層９３は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を層間絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。従って、データ線６ａ及び中継層９３を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。
【０１０２】
下部容量電極７１は、導電性のポリシリコンから形成されている。よって、蓄積容量７０は、所謂ＭＩＳ（Metal−Insulator−Semiconductor）構造を有している。尚、下部容量電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての上部容量電極３００ａとＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは遮光膜としての機能も有する。
【０１０３】
ここで、図９（ａ）を参照しながら、中継層９３の構成を説明する。図９（ａ）において、中継層９３は、層間絶縁膜４２の側から順にチタン膜９３ａ、窒化チタン膜９３ｂ、アルミニウム膜９３ｃ、及び窒化チタン膜９３ｄが積層された多層構造を有している。
【０１０４】
このような中継層９３は、ポリシリコン等の半導体膜で構成される下部容量電極７１にオーミック接触できるため、中継層９３及び下部容量電極７１の接続抵抗が低減されている。加えて、中継層９３は、チタン膜９３ａより高い導電率を有するアルミニウム膜９３ｃによって導電率を高められている。また、中継層９３によれば、窒化チタン膜９３ｂ及び９３ｄによってアルミニウム膜９３ｃの酸化が防止され、中継層９３の電気抵抗が増大することを防止できる。尚、図９（ｂ）に示すように、中継層９３は、端面６１ｂより突出した端面７１ｃを有する下部容量電極７１に接続されていてもよい。
【０１０５】
再び図７及び図８において、誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【０１０６】
尚、下部容量電極７１を、上部容量電極３００ａと同様に金属膜から形成してもよい。即ち、蓄積容量７０を、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−金属膜の３層構造を有する、所謂ＭＩＭ（Metal−Insulator−Metal）構造を有するように形成してもよい。この場合には、ポリシリコン等を用いて下部容量電極７１を構成する場合に比べて、液晶装置の駆動時に、当該液晶装置全体で消費される消費電力を低減でき、且つ各画素部における素子の高速動作が可能になる。
【０１０７】
図８において、ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０よりも層間絶縁膜４２を介して上層側には、データ線６ａ及び中継層９３が設けられている。層間絶縁膜４１及び４２間には、絶縁膜６１が部分的に介在している。
【０１０８】
データ線６ａは、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄに、層間絶縁膜４１、絶縁膜６１及び層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。
【０１０９】
図８において、画素電極９ａは、データ線６ａよりも層間絶縁膜４３を介して上層側に形成されている。画素電極９ａは、下部容量電極７１、コンタクトホール８３及び８５、並びに中継層９３を介して半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。コンタクトホール８５は、層間絶縁層４３を貫通するように形成された孔部の内壁にＩＴＯ等の画素電極９ａを構成する導電材料が成膜されることによって形成されている。
【０１１０】
画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。本実施形態では、層間絶縁膜４３の上側表面は、ＣＭＰ等の平坦化処理が施されている。このため、例えば、画素電極９ａ上に設けられる配向膜表面に凹凸が生じるのを低減できる。これにより、液晶層５０（図２参照）における液晶分子の配向不良の発生を抑制できる。
【０１１１】
以上説明した画素部の構成は、図７に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されている。
【０１１２】
＜２−２：電気光学装置の製造方法＞
次に、図１０及び図１１を参照しながら、本発明の第３の発明に係る電気光学装置の製造方法を説明する。図１０及び図１１は、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な工程を示した要部工程断面図である。尚、本実施形態では、上述した液晶装置１を製造する場合を例に挙げ、下部容量電極７１及び中継層９３を相互に接続する接続構造を中心に説明するが、液晶装置１の他の部分も当該接続構造と平行して、或いは相前後して形成される。
【０１１３】
図１０（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上に、下側遮光膜１１ａ、下地絶縁膜１２、絶縁膜２ａ、第１層間絶縁膜４１、及び下部容量電極７１を順に形成する。次に、図１０（ｂ）に示すように、下部容量電極７１を覆うように絶縁膜６１及び第２層間絶縁膜４２を形成する。
【０１１４】
次に、図１０（ｃ）に示すように、下部容量電極７１の端面７１ｂが開口領域に向かって露出するように絶縁膜６１及び第２層間絶縁膜４２を除去する。絶縁膜６１及び第２層間絶縁膜４２を除去する際には、これら絶縁膜をドライエッチング法によって除去する。より具体的には、第２層間絶縁膜４２の上面４２ａに所定形状にパターニングされたレジスト７９を形成し、レジスト７９の上側からドライエッチング法を用いて絶縁膜６１及び第２層間絶縁膜４２をエッチングすることによって、端面７１ｂが露出する穴部１９７を形成できる。このようにドライエッチング法を用いることによって、ウェットエッチング法を用いる場合に比べて、下部容量電極７１のうち端面７１ｂのみが露出するように絶縁膜６１及び第２層間絶縁膜４２を選択的に除去できる。
【０１１５】
次に、図１１（ｄ）に示すように、レジスト７９を除去した後、第２層間絶縁膜４２の上側から、第２層間絶縁膜４２の端面４２ｂ及び絶縁膜６１の端面６１ｂに延びるように、即ち第２層間絶縁膜４２の上面４２ａから穴部１９７の内壁面に渡って延びるように、導電膜１９３を形成する。導電膜１９３は、端面７１ｂに接触している。次に、図１１（ｅ）に示すように、導電膜１９３、絶縁膜６１および第２層間絶縁膜４２のうち開口領域に延びる部分を除去することによって、端面７１ｂに電気的に接続された中継層９３が形成される。その後、順に第３層間絶縁膜４３及び画素電極９ａ等の構成要素を形成することによって液晶装置１が形成される。
【０１１６】
このように、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によれば、開口領域を狭める非開口領域のサイズを低減でき、表示性能の高い液晶装置１を製造できる。
【０１１７】
＜第３実施形態＞
＜３−１：電気光学装置＞
次に、図１２を参照しながら、本発明の第４の発明に係る電気光学装置の実施形態である液晶装置８００の構成を説明する。図１２は、本実施形態に係る液晶装置８００が有する画素部の構成を示す断面図である。尚、液晶装置８００は、液晶装置１と略同様の構成を有しているため、以下では、液晶装置８００の特徴となる部分を詳細に説明し、液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。また、本実施形態では、本発明の第４の発明における「導電層」の一例として、半導体層１ａを例にあげているため、本発明の第４の発明における「第１部分」及び「第２部分」の夫々として、「データ線側導電部」及び「画素電極側導電部」を例に挙げているが、第１部分及び第２部分は、これら導電部に限定されるものではなく、液晶装置等の電気光学装置に形成された導電層の各々一部を構成する部分であって、互いに異なる電位を有している部分であれば、後に詳細に説明するように本発明の第４の発明に係る電気光学装置に特有の作用効果が得られる。
【０１１８】
図１２において、液晶装置８００は、互いに隣接する画素の開口領域を互いに隔てる非開口領域に形成された本発明の第４の発明における「導電層」の一例である半導体層１ａのうちＴＦＴアレイ基板１０上の互いに重ならない第１領域Ｄ１及び第２領域Ｄ２の夫々において、半導体層１ａの各々一部を構成する本発明の第４の発明における「データ線側導電部」及び「画素電極側導電部」の夫々一例である高濃度ソース領域部１ｄ及び高濃度ドレイン領域部１ｅと、本発明の第４の発明に係る「第１絶縁部」の一例を構成する絶縁部４１ｐ１、２ａ１及び２ｂ１と、本発明の第４の発明に係る「第２絶縁部」の一例を構成する絶縁部４１ｐ２、２ａ２及び２ｂ２と、第１導電膜９１と、第２導電膜９２とを備えている。
【０１１９】
絶縁部４１ｐ１、２ａ１及び２ｂ１は、第１領域Ｄ１及び第２領域Ｄ２を隔てる領域を介して第１領域Ｄ１の側から第２領域Ｄ２の側に臨み、且つ第１領域Ｄ１から第２領域Ｄ２に向かって高濃度ソース領域部１ｄの上面に近づくように高濃度ソース領域部１ｄの上面に対して傾斜した第１傾斜面４１ｓ１を有しており、第１領域Ｄ１のうち第１領域Ｄ１及び第２領域Ｄ２を隔てる領域側（即ち、ゲート電極３ｂに重なる領域）に延びる第１部分領域Ｄ１ａにおいて高濃度ソース領域部１ｄが露出するように高濃度ソース領域部１ｄ上に形成されている。
【０１２０】
絶縁部４１ｐ２、２ａ２及び２ｂ２は、第１領域Ｄ１及び第２領域Ｄ２を隔てる領域を介して第２領域Ｄ２の側から第１領域Ｄ１の側に臨み、且つ第２領域Ｄ２から第１領域Ｄ１に向かって高濃度ドレイン領域部１ｅの上面に近づくように高濃度ドレイン領域部１ｅの上面に対して傾斜した第２傾斜面４１ｓ２を有しており、第２領域Ｄ２のうち第１領域Ｄ１及び第２領域Ｄ２を隔てる領域側に延びる第２部分領域Ｄ２ａにおいて高濃度ドレイン領域部１ｅが露出するように絶縁部４１ｐ１、２ａ１及び２ｂ１と同層に形成されている。
【０１２１】
第１導電膜９１は、絶縁部４１ｐ１の上面から第１傾斜面４１ｓ１及び高濃度ソース領域部１ｄの上面に延びている。第２導電膜９２は、絶縁部４１ｐ２の上面から第２傾斜面４１ｓ２及び高濃度ドレイン領域部１ｅの上面に延びており、第１導電膜９１に供給される電位と異なる電位を有している。
【０１２２】
したがって、液晶装置８００の動作時には、第１導電膜９１及び第２導電膜９２間に結合容量が発生する。しかしながら、第１傾斜面４１ｓ１及び第２傾斜面４１ｓ２の夫々の距離がこれら傾斜面の傾斜に対応して拡がっていることによって、第１導電膜４１ｓ１及び第２導電膜４１ｓ２間の間隔が拡がっており、これら導電膜の距離が一定である場合に比べて、これら導電膜の電位の相違によって生じる結合容量を低減できる。より具体的には、ＴＦＴ３０におけるソース−ドレイン間に生じる結合容量を低減できる。
【０１２３】
このような液晶装置８００によれば、画素電極９ａに電気的に接続された第２導電膜９２と、データ線６ａに電気的に接続された第１導電膜９１との間に生じる結合容量を低減でき、画像信号の供給経路に生じる結合容量によって発生するクロストーク等の表示不良を低減することが可能である。
【０１２４】
また、液晶装置８００では、第２実施形態に係る液晶装置１と同様に、第１導電膜９１及び第２導電膜９２の夫々は、高濃度ソース領域部１ｄ及び高濃度ドレイン領域部１ｅの夫々に接するチタン膜を含んでいてもよい。このようなチタン膜によれば、ポリシリコン等の半導体層１ａの各々一部を構成する高濃度ソース領域部１ｄ及び高濃度ドレイン領域部１ｅと、第１導電膜及９１及び第２導電膜９２の夫々とをオーミック接触させることが可能であり、第１導電膜９１及び第２導電膜９２と半導体層１ａ間の接続抵抗を低減できる。
【０１２５】
このような第１導電膜９１及び第２導電膜９２の夫々は、半導体層１ａの側から順にチタン膜、窒化チタン膜、アルミニウム膜、及び窒化チタン膜が積層された多層構造を有していてもよい。このような第１導電膜９１及び第２導電膜９２は、チタン膜より高い導電率を有するアルミニウム膜によって導電率を高められている。また、窒化チタン膜によってアルミニウム膜の酸化が防止され、第１導電膜９１及び第２導電膜９２の電気抵抗が増大することを防止可能である。
【０１２６】
＜３−２：電気光学装置の製造方法＞
次に、図１３及び図１４を参照しながら、本発明の第５の発明に係る電気光学装置の製造方法を説明する。図１３及び図１４は、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な工程を示した要部工程断面図である。本実施形態では、上述した液晶装置８００の製造方法を例に挙げる。
【０１２７】
図１３（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線の交差に対応して形成される画素電極９ａが設けられる複数の画素のうち互いに隣接する画素の夫々の開口領域を互いに隔てる非開口領域となるべき領域に半導体層１ａを形成する。半導体層１ａは、非開口領域のうちＴＦＴアレイ基板１０上で互いに重ならない第１領域Ｄ１及び第２領域Ｄ２の夫々に位置する高濃度ソース領域部１ｄ及び高濃度ドレイン領域部１ｅを含んでいる。尚、本実施形態では、説明を便宜上、半導体層１ａに既に高濃度ソース領域部１ｄ等の各領域部が形成されているが、ゲート電極３ｂを形成した後、半導体層１ａの所定の領域に選択的に所定の不純物を打ち込むことによってこれら領域部が形成されてもよい。
【０１２８】
次に、図１３（ｂ）に示すように、その一部がゲート絶縁膜となる絶縁膜２ａ及び２ｂを半導体層１ａ上に形成し、ゲート電極３ｂを形成する。その後、半導体層１ａを覆うように、ゲート絶縁膜３ｂ上に第２層間絶縁膜４２を形成する。
【０１２９】
次に、図１３（ｃ）に示すように、第１層間絶縁膜４１、絶縁膜２ａ及び２ｂを貫通するようにこれら絶縁膜をドライエッチング法を用いてエッチングすることによって第１穴部１４１ａ及び第２穴部１４１ｂを形成する。
【０１３０】
第１穴部１４１ａは、第１領域Ｄ１において高濃度ソース領域部１ｄが露出するように第１層間絶縁膜４１、絶縁膜２ａ及び２ｂを貫通しており、第１領域Ｄ１及び第２領域Ｄ２を隔てる領域を介して第１領域Ｄ１の側から第２領域Ｄ２の側に臨み、且つ第１領域Ｄ１から第２領域Ｄ２に向かって高濃度ソース領域部１ｄの上面に近づくように高濃度ソース領域部１ｄの上面に対して傾斜した、「第１内壁面」の一例である第２傾斜面を有している。
【０１３１】
第２穴部１４１ｂは、第２領域Ｄ２において高濃度ドレイン領域部１ｅが露出するように第１層間絶縁膜４１、絶縁膜２ａ及び２ｂを貫通しており、第１領域Ｄ１及び第２領域Ｄ２を隔てる領域を介して第２領域Ｄ２の側から第１領域Ｄ２の側に臨み、且つ第２領域Ｄ２から第１領域Ｄ１に向かって高濃度ドレイン領域部１ｅの上面に近づくように高濃度ドレイン領域部１ｅの上面に対して傾斜した「第２内壁面」の一例である第２傾斜面を有している。ここで、第１穴部１４１ａ及び第２穴部１４１ｂの夫々の底部は、高濃度ソース領域部１ｄ及び高濃度ドレイン領域部１ｅの夫々が露出した第１露出部１４２ａ及び第２露出部１４２ｂの夫々である。
【０１３２】
次に、図１４（ｄ）に示すように、第１層間絶縁膜４１の上面から、第１露出部１４２ａ及び第２露出部１４２ｂの夫々に延び、本発明の第５の発明における「導電膜」の一例を構成する導電膜１９１及び１９２を形成する。
【０１３３】
次に、図１４（ｅ）に示すように、第１領域Ｄ１及び第２領域Ｄ２を隔てる領域Ｄ３、第１領域Ｄ１のうち隔てる領域Ｄ３に近い側に延びる領域、及び第２領域Ｄ２のうち隔てる領域Ｄ３に近い側に延びる領域において、導電膜１９１及び１９２、並びに絶縁膜４１ｐ３を除去する。これら絶縁膜及び導電膜をエッチングする際には、これら絶縁膜及び導電膜に噴射するガスのガス比を調整可能なドライエッチング法を用いて、選択的に絶縁膜及び導電膜を除去する。このようなドライエッチング法によれば、除去対象となる部分に供給するガスに含まれる成分の比率（即ち、ガス比）を調整することによって、絶縁膜及び導電膜のうち隔てる領域Ｄ３に延びる部分のみを選択的に除去できる。
【０１３４】
加えて、このようなドライエッチング法を用いた場合でも、高濃度ソース領域部１ｄ及び高濃度ドレイン領域部１ｅの夫々は、半導体層１ａの下層側に延びる部分がエッチングされないようにエッチングストッパーとして兼用され、その下層側が除去されることを防止できる。
【０１３５】
このような工程を経て、図１４（ｆ）に示すように、第１傾斜面４１ｓ１及び第２傾斜面４１ｓ２の夫々に沿って絶縁部４１ｐ１及び４１ｐ２の夫々の上面から高濃度ソース領域部１ｄ及び高濃度ドレイン領域部１ｅの夫々の上面に延びる第１導電膜９１及び第２導電膜９３が形成される。その後、第２層間絶縁膜４２及び画素電極９ａ等の各部を形成することによって液晶装置８００が形成される。
【０１３６】
よって、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によれば、傾斜した導電膜に応じて第１導電膜９１及び第２導電膜９２間の距離を拡げることが可能であり、液晶装置８００の動作時に発生する結合容量を低減でき、クロストーク等の表示不良の発生が低減された電気光学装置を製造することが可能である。
【０１３７】
（電子機器）
次に、図１５を参照しながら、上述した電気光学装置を備えた電子機器を適用した場合を説明する。図１５は、上述した電気光学装置を備えた電子機器の一例であって、上述した液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタの構成例を示す平面図である。
【０１３８】
図１５に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【０１３９】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１４０】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１４１】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１４２】
尚、図１５を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１４３】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う接続構造、電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１４４】
【図１】第１実施形態に係る接続構造を断面図である。
【図２】第１実施形態に係る接続構造の比較例（その１）を示した断面図である。
【図３】第１実施形態に係る接続構造の比較例（その２）を示した断面図である。
【図４】第２実施形態に係る電気光学装置の平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ´断面図である。
【図６】第２実施形態に係る電気光学装置における複数の画素部の等価回路図である。
【図７】第２実施形態に係る電気光学装置における複数の画素部の平面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ´断面図である。
【図９】中継層の構造を詳細に示した断面図である。
【図１０】第２実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な工程を示した要部工程断面図（その１）である。
【図１１】第２実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な工程を示した要部工程断面図（その２）である。
【図１２】第３実施形態に係る電気光学装置が有する画素部の構成を示す断面図である。
【図１３】第３実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な工程を示した要部工程断面図（その１）である。
【図１４】第３実施形態に係る電気光学装置の製造方法の主要な工程を示した要部工程断面図（その２）である。
【図１５】本発明の第２又は第４の発明に係る電気光学装置を適用した電子機器の平面図である。
【符号の説明】
【０１４５】
１，８００・・・液晶装置、１ａ・・・半導体層、１ｄ・・・高濃度ソース領域部、１ｅ・・・高濃度ドレイン領域部、７１・・・下部容量電極、９１・・・第１導電膜、９２・・・第２導電膜、９３・・・中継層、４２・・・絶縁膜
【図１】
2008158424.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008158424.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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