(57)【要約】【課題】  スペーサーを用いることなく積層体の巻き取りにおける癒着を抑制することができる高分子フィルム積層体の製造方法を提供すること。【解決手段】  好適な実施形態の高分子フィルム積層体の製造方法は、金属箔上に高分子フィルムの前駆体からなる前駆体層が形成された積層体を巻き取り、巻き取り体を得る第１工程と、巻き取り体を熱処理して、金属箔上に高分子フィルムが形成された高分子フィルム積層体を得る第２工程とを有する。第１工程においては、積層体として、巻き取り方向と交差する方向の両端部にこの巻き取り方向に沿ってエンボスが形成された金属箔上に前駆体層が形成されたものを用い、この積層体をエンボスが形成された領域が重なるように巻き取る。【選択図】  図２
2008207386.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔上に高分子フィルムの前駆体からなる前駆体層が形成された積層体を巻き取り、巻き取り体を得る第１工程と、
前記巻き取り体を熱処理して、前記金属箔上に高分子フィルムが形成された高分子フィルム積層体を得る第２工程と、を有し、
前記第１工程における前記積層体として、巻き取り方向と交差する方向の両端部にこの巻き取り方向に沿ってエンボスが形成された積層体を用い、該積層体を前記エンボスが形成された領域が重なるように巻き取る、ことを特徴とする高分子フィルム積層体の製造方法。
【請求項２】
前記積層体の前記エンボスが形成された領域の厚さが、０．１〜３ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の高分子フィルム積層体の製造方法。
【請求項３】
前記エンボスが、半球状の凸部及び／又は凹部によって構成されることを特徴とする請求項１又は２記載の高分子フィルム積層体の製造方法。
【請求項４】
前記前駆体層は、前記積層体における前記エンボスが形成された領域以外の領域に形成されている、ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の高分子フィルム積層体の製造方法。
【請求項５】
前記高分子フィルムが、液晶ポリエステルから構成される、ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の高分子フィルム積層体の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の製造方法によって得ることのできる高分子フィルム積層体。
【請求項７】
請求項６記載の高分子フィルム積層体を用いたフレキシブル配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子フィルム積層体及びその製造方法、並びに、高分子フィルム積層体を用いたフレキシブル配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル配線板（以下、「ＦＰＣ」と略す）は、可撓性を有し、空間的な自由度が大きいことから、高密度の実装が可能であり、そのため、配線、ケーブル又はコネクター機能を有する複合部品等として種々の電子機器に用いられている。近年、電子機器は、小型・軽量化が進められており、これに対応するため、電子機器に搭載されるＦＰＣにも小型化及びこれに伴う回路の微細化が要求されている。
【０００３】
ＦＰＣは、金属箔上に高分子フィルム層が形成された高分子フィルム積層体を用い、金属箔を回路化して得られたものが一般的である。この場合、回路の微細化を達成するためには、金属箔と高分子フィルム層との接着性が高いことが求められる。かかる観点からは、高分子フィルム積層体としては、ポリイミド、ポリイミドベンゾオキサゾール、ポリアミドイミド等の高分子フィルム層をキャスト成膜により製造した、いわゆる２層ＦＣＣＬが多く用いられている。また最近では、芳香族液晶ポリエステルを含む樹脂層を有する液晶ポリエステルフィルム積層体が、樹脂層が低吸水性であり、絶縁性や高周波特性等の電気絶縁性にも優れることから、ＦＰＣ用途に適した材料として検討されている（特許文献１参照）。
【０００４】
ここで、上述したような高分子フィルム積層体の製造においては、いったん高分子フィルムの前駆体からなる層を形成した後に、熱処理を施すことによって高分子フィルム層を完成させるという操作が行われることが多い。例えば、上記２層ＦＣＣＬの場合、ポリイミド、ポリイミドベンゾオキサゾール、ポリアミドイミド等の前駆体からなる層を形成した後に、熱処理によりイミド閉環反応を生じさせることによって高分子フィルム層を形成する（特許文献２参照）。また、液晶ポリエステルフィルム積層体の場合も、いったん液晶ポリエステル層を形成した後に、特性向上のために更に熱処理が施される（特許文献３参照）。
【０００５】
一方、上述したような高分子フィルム積層体は、保管や搬送の容易さの観点からロールの形態で供給されることが望まれる。そこで、効率的な高分子フィルム積層体の製造方法として、まずは高分子フィルムの前駆体層を備える積層体の状態でロール化した後に、得られたロールを熱処理して、前駆体層から高分子フィルム層を形成する方法が知られている。ただし、この場合、ロールの状態で熱処理を行うと、巻き取られた積層体同士で癒着が生じてしまうおそれがあるため、スペーサーを挟みながら巻き取ることが行われている（特許文献４参照）。
【０００６】
スペーサーを用いて巻き取りを行う場合、高分子フィルムの前駆体層の全面が覆われるようにスペーサーを配置してしまうと、今度は高分子フィルムとスペーサーとの癒着が生じたり、またスペーサーの表面形状が高分子フィルムに転写されてしまったりといった新たな問題が発生する。このような不都合を回避するために、両端部分にのみ布帛状物からなるスペーサーを配置して巻き取りを行う方法が提案されている。この布帛状物からなるスペーサーとしては、セルロース繊維、ガラス繊維、カーボン繊維、アラミド繊維、アルミナ繊維、ポリベンゾオキサゾール繊維、金属繊維、金属細線等から作られる織布、不織布、或いは、耐熱素材からなる貫通孔を有する多孔質体等が提案されている（特許文献５参照）。
【特許文献１】特開２００５−３４２９８０号公報
【特許文献２】特開昭６２−２１２１４０号公報
【特許文献３】特開２００６−０８８４２６号公報
【特許文献４】特開平０４−０８４４８８号公報
【特許文献５】特開２００５−１３１９１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した従来技術のようにスペーサーを適用することで、巻き取りによる積層体同士の癒着を低減することができる。ただし、スペーサーを用いる場合には、高分子フィルムの前駆体層を備える積層体とともにスペーサーを巻き取るため、スペーサーの位置あわせや熱処理後のスペーサーの分離等が必要となり、高分子フィルム積層体の製造工程が煩雑となることも少なくなかった。また、スペーサーを用いるぶん、熱処理に必要な熱量が増大するため、スペーサーの種類によっては熱処理の効率が悪くなる場合もあった。
【０００８】
そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、金属箔上に高分子フィルムの前駆体層が形成された積層体を巻き取り、これを熱処理することによって高分子フィルム積層体を得る製造方法において、スペーサーを用いることなく積層体の巻き取りにおける癒着を抑制することができる高分子フィルム積層体の製造方法を提供することを目的とする。本発明はまた、このような製造方法によって得られた高分子フィルム積層体、及び、この高分子フィルム積層体を用いたフレキシブル配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の高分子フィルム積層体の製造方法は、金属箔上に高分子フィルムの前駆体からなる前駆体層が形成された積層体を巻き取り、巻き取り体を得る第１工程と、巻き取り体を熱処理して、金属箔上に高分子フィルムが形成された高分子フィルム積層体を得る第２工程とを有し、第１工程において、積層体として巻き取り方向と交差する方向の両端部にこの巻き取り方向に沿ってエンボスが形成された積層体を用い、この積層体をエンボスが形成された領域が重なるように巻き取ることを特徴とする。
【００１０】
積層体において、エンボスが形成された領域（エンボス形成領域）は、エンボスが形成されていない領域よりも実質的に厚さが大きくなっている。そして、上記本発明の製造方法においては、エンボスの形成領域が重なり合うように積層体を巻き取ることから、エンボス形成領域がそれ自体の厚みによって従来のスペーサーのように機能することができる。したがって、本発明の製造方法によれば、エンボスを形成しない場合と比べて積層体同士の癒着を防止することができる。
【００１１】
本発明の高分子フィルム積層体の製造方法においては、積層体のエンボス形成領域の厚さが０．１〜３ｍｍであることが好ましい。こうすれば、通常形成される高分子フィルムの前駆体層の厚さよりもエンボス形成領域の厚みを確実に大きくでき、巻き取りによってこれと隣り合うようになった積層体同士の接触を大幅に抑制することが可能となる。
【００１２】
ここで、「エンボス形成領域の厚さ」とは、エンボスを構成している凹凸パターンの凸部の頂点を結んだ面と凹部の頂点を結んだ面との間の距離をいう。凸部又は凹部ごとに高さが異なる場合は、上記の面間の距離のうちの最小値が上述した条件（０．１〜３ｍｍ）を満たすようにすることが好ましい。
【００１３】
また、エンボスは、半球状の凸部及び／又は凹部によって構成されると好ましい。このような半球状の凹凸から構成されるエンボスは、巻き取りによる厚さ方向にかかる圧力にも十分に耐えることができることから、積層体同士の癒着を防止するスペーサーとしてより確実に機能することができる。
【００１４】
さらに、金属箔上に前駆体層が形成された積層体において、前駆体層は、積層体のエンボスが形成された領域以外の領域に形成されていることが好ましい。これは、前記体層が形成されている部分にエンボスを施すと、エンボスの形状等によっては前駆体層が剥離し易くなることがあるためである。このような剥離が生じると、剥離物が積層体を汚染してしまうおそれがあるが、上記のようにエンボス形成領域以外に前駆体層が形成されることで、かかる不都合を防止することができる。また、通常、金属箔の形成領域は、熱処理後に切断等されて除去されることが多い。したがって、エンボス形成領域以外に前駆体層を形成することで、エンボス形成領域の切断とともにこの部分の前駆体層が除去されることがなくなり、これにより高分子フィルムの原料を節約することができる。
【００１５】
また、本発明の高分子フィルム積層体の製造方法においては、高分子フィルムは、液晶ポリエステルから構成されるものであると好ましい。液晶ポリエステルは、特に癒着を生じ易いほか、癒着による形状や特性変化を生じ易いため、癒着を低減できる上記本発明の製造方法において特に好適である。
【００１６】
本発明はまた、上記本発明の製造方法によって得られた高分子フィルム積層体を提供する。さらに、本発明は、かかる本発明の高分子フィルム積層体を用いたフレキシブル配線板を提供する。これらの高分子フィルム積層体及びフレキシブル配線板は、上記本発明の製造方法を経て得られたものであるため、高分子フィルムが製造時の癒着による影響を殆ど受けておらず、良好な形状及び特性を有する高分子フィルムを備えるものとなる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、金属箔上に高分子フィルムの前駆体層が形成された積層体を巻き取り、これを熱処理することによって高分子フィルム積層体を得る製造方法において、スペーサーを用いることなく積層体の巻き取りにおける癒着を防止することができる高分子フィルム積層体の製造方法を提供することが可能となる。また、このような製造方法を経て得られ、良好な形状及び特性を有する高分子フィルムを備える高分子フィルム積層体及びフレキシブル配線板を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、必要に応じて図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明する。
［高分子フィルム積層体］
【００１９】
まず、本発明の好適な実施形態に係る製造方法によって得られる高分子フィルム積層体の構成について説明する。図１は、好適な実施形態の高分子フィルム積層体の断面構成を模式的に示す図である。図示されるように、高分子フィルム積層体１は、金属箔２上に高分子フィルム４が積層された構成を有している。
【００２０】
金属箔１は、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル等の金属からなる箔、薄膜、シート状フィルム等から構成されるものである。高分子フィルム積層体１をＦＰＣに用いる場合は、金属箔１としては、導電性とコストの観点から銅箔が好ましい。この金属箔１は、短手方向の幅が１５０〜１５００ｍｍ程度であり、長手方向の幅が１〜６０００ｍ程度のものが好適であるが、高分子フィルム積層体１に求められるサイズに応じて適宜変更することができる。
【００２１】
高分子フィルム４は、フィルムを形成し得る高分子化合物によって構成され、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドベンゾオキサゾール、液晶ポリエステル等の樹脂材料から構成されるものが好適である。なかでも、ＦＰＣに適用する場合、低吸水性であり、電気絶縁性にも優れることから液晶ポリエステルが好ましい。
【００２２】
高分子フィルム積層体１における金属箔２の厚さは、３〜７０μｍが好ましく、９〜３５μｍがより好ましい。また、高分子フィルム４の厚さは、その成膜性や機械特性を良好にする観点からは、１〜５００μｍ程度であると好ましく、更に取り扱い性を良好にする観点からは、１〜２００μｍであるとより好ましい。
【００２３】
ここで、高分子フィルム４を構成する好適な材料である液晶ポリエステルについてより具体的に説明する。
【００２４】
液晶ポリエステルとしては、繰り返し単位に芳香環を含む芳香族液晶ポリエステルが好ましく、溶媒に可溶な芳香族液晶ポリエステルがより好ましい。このような芳香族液晶ポリエステルとしては、例えば、特開２００４−２６９８７４号公報や特開２００５−３４２９８０号公報に開示された、ハロゲン化フェノールや非プロトン溶媒に可溶な芳香族液晶ポリエステルが例示できる。なかでも、後述する高分子フィルム積層体１の製造方法への適用が容易な、非プロトン溶媒に可溶な芳香族液晶ポリエステルが好ましい。
【００２５】
非プロトン溶媒に可溶な芳香族液晶ポリエステルとしては、芳香族ヒドロキシカルボン酸、芳香族ジオール、芳香族ジアミン、水酸基を有する芳香族アミン、芳香族ジカルボン酸等を原料化合物としてそれぞれ誘導される構造単位を有するものが挙げられる。
【００２６】
特に、良好な液晶性を発現する観点からは、芳香族液晶ポリエステルは、芳香族ヒドロキシカルボン酸から誘導される下記式（１）で表される構造単位、芳香族ジオール、芳香族ジアミン及び水酸基を有する芳香族アミンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物から誘導される下記式（２）で表される構造単位、芳香族ジカルボン酸から誘導される下記式（３）で表される構造単位、及び、芳香族ジカルボン酸から誘導される下記式（４）で表される構造単位を組み合わせて有するものが好適である。なお、芳香族液晶ポリエステルは、上記（１）〜（４）で表される構造単位をそれぞれ２種以上有していてもよい。
（１）  −Ｏ−Ａｒ１−ＣＯ−
（２）  −Ｘ−Ａｒ２−Ｙ−
（３）  −ＣＯ−Ａｒ３−ＣＯ−
（４）  −ＣＯ−Ａｒ４−Ｚ−Ａｒ５−ＣＯ−
【００２７】
上記式中、Ａｒ１は、１，４−フェニレン、２，６−ナフチレン及び４，４’−ビフェニレンからなる群から選ばれる少なくとも１種の基であり、Ａｒ２は、１，４−フェニレン、１，３−フェニレン及び４，４’−ビフェニレンからなる群から選ばれる少なくとも１種の基である。また、Ｘ、Ｙはそれぞれ−Ｏ−又は−ＮＨ−で表される基である。Ａｒ３は、１，４−フェニレン、１，３−フェニレン及び２，６−ナフチレンからなる群から選ばれる少なくとも１種の基である。Ａｒ４及びＡｒ５は、それぞれ独立に、１，４−フェニレン、２，６−ナフチレン及び４，４’−ビフェニレンからなる群から選ばれる少なくとも１種の基である。さらに、Ｚは、−Ｏ−、−ＳＯ２−及び−ＣＯ−で表される基からなる群から選ばれる少なくも１種の基である。
【００２８】
ここで、上記（１）の構造単位としては、例えば、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸、４−ヒドロキシ−４’−ビフェニルカルボン酸等に由来する構造単位が挙げられる。なかでも、２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸由来の構造単位が好ましい。また、上記式（２）の構造単位としては、例えば、３−アミノフェノール、４−アミノフェノール、１，４−フェニレンジアミン、１，３−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４−ヒドロキシ−４’−ビフェニルアルコール等に由来する構造単位が挙げられる。なかでも、芳香族液晶ポリエステル製造時の反応性の観点から、４−アミノフェノール由来の構造単位が好ましい。
【００２９】
上記式（３）の構造単位としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸等に由来する構造単位が挙げられる。なかでも、溶媒への溶解性を向上させる観点からは、イソフタル酸由来の構造単位が好ましい。さらに、上記式（４）の構造単位としては、例えば、ジフェニルエーテル−４，４’−ジカルボン酸、ジフェニルスルフォン−４，４’−ジカルボン酸、ベンゾフェノン−４，４’−ジカルボン酸等に由来する構造単位が挙げられる。なかでも、良好な反応性が得られ、しかも低コスト化が可能であることから、ジフェニルエーテル−４，４’−ジカルボン酸由来の構造単位が好ましい。
【００３０】
上記式（１）〜（４）の構造単位を含む芳香族液晶ポリエステルは、これらの構造単位を次に示すような割合で有していることが好ましい。すなわち、式（１）の構造単位の割合は、全構造単位に対して３０〜８０モル％であると好ましく、３５〜６５モル％であるとより好ましく、４０〜５５モル％であるとさらに好ましい。このような割合で式（１）の構造単位を有していると、芳香族液晶ポリエステルの溶媒への溶解性が良好となり、後述する製造方法に好適な溶液キャスト法に適用し易くなる。また、液晶性が良好に維持されるようになる。
【００３１】
また、式（２）の構造単位の割合は、全構造単位に対して１０〜３５モル％であると好ましく、１７．５〜３２．５モル％であるとより好ましく、２２．５〜３０．０モル％であると更に好ましい。このような割合を満たすと、芳香族液晶ポリエステルの溶媒への溶解性が良好となるほか、優れた液晶性も得られるようになる。
【００３２】
さらに、式（３）の構造単位及び式（４）の構造単位の合計の割合は、全構造単位に対して３５〜１０モル％であると好ましく、１７．５〜３２．５モル％であるとより好ましく、２２．５〜３０．０モル％であると更に好ましい。なお、芳香族液晶ポリエステルが、式（４）の構造単位を有する場合は、当該構造単位は、全構造単位に対して少なくとも１モル％以上含まれることが好ましく、１〜３５モル％含まれるとより好ましく、１０〜３０モル％含まれると更に好ましく、１５〜２５モル％含まれると一層好ましい。
【００３３】
さらにまた、式（２）の構造単位の含有割合と、式（３）の構造単位及び式（４）の構造単位の合計の含有割合とは、［式（２）の構造単位の含有割合／（式（３）の構造単位と式（４）の構造単位（４）の合計の含有割合）］で表した場合（各構造単位の含有割合の単位はモル％）に、０．８５〜１．２５を満たすと好ましく、１に近いことが特に好ましい。このような条件を満たすようにすると、芳香族液晶ポリエステルの重合度が良好となる傾向にある。
【００３４】
芳香族液晶ポリエステルは、上述したような各構造単位に誘導される化合物（モノマー）を、特開２００２−２２０４４４号公報、特開２００２−１４６００３号公報等に記載された公知の方法で重合することによって製造することができる。上記式（１）〜（４）の構造単位を有する芳香族液晶ポリエステルを得るには、例えば、まず、式（１）の構造単位の原料化合物である芳香族ヒドロキシカルボン酸におけるフェノール性水酸基、及び、式（２）の構造単位の原料化合物である芳香族ジオール、芳香族ジアミン又は水酸基を有する芳香族アミンにおけるフェノール性水酸基やアミノ基を、過剰量の脂肪酸無水物と反応させてアシル化し、アシル化物を生じさせる。次いで、得られたアシル化物と、式（３）及び（４）の構造単位の原料化合物である芳香族ジカルボン酸との間でエステル交換・アミド交換（重縮合）反応を生じさせて溶融重合することにより、芳香族液晶ポリエステルを得ることができる。
【００３５】
アシル化反応においては、脂肪酸無水物の添加量を、原料化合物が有しているフェノール性水酸基とアミノ基の合計に対して１．０〜１．２倍当量とすることが好ましく、１．０５〜１．１倍当量とすることがより好ましい。脂肪酸無水物の添加量がこの範囲であると、続くエステル交換・アミド交換反応の際にアシル化物やその原料化合物の昇華が生じ難くなり、反応系が閉塞してしまうといった不都合を避けることができる。その結果、得られる芳香族液晶ポリエステルの着色を大幅に少なくできる傾向にある。アシル化反応は、１３０〜１８０℃で５分間〜１０時間行うことが好ましく、１４０〜１６０℃で１０分間〜３時間行うことがより好ましい。
【００３６】
アシル化反応に用いる脂肪酸無水物としては、例えば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、無水イソ酪酸、無水吉草酸、無水ピバル酸、無水２エチルヘキサン酸、無水モノクロル酢酸、無水ジクロル酢酸、無水トリクロル酢酸、無水モノブロモ酢酸、無水ジブロモ酢酸、無水トリブロモ酢酸、無水モノフルオロ酢酸、無水ジフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、無水グルタル酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、無水β−ブロモプロピオン酸などが挙げられ、これらは２種類以上を組み合わせて用いてもよい。取り扱い性やコストの観点からは、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸又は無水イソ酪酸が好ましく、無水酢酸がより好ましい。
【００３７】
アシル化反応に続くエステル交換・アミド交換反応においては、アシル化物のアシル基の合計が、芳香族ジカルボン酸のカルボキシル基の合計の０．８〜１．２倍当量とすることが好ましい。また、エステル交換・アミド交換反応は、例えば、４００℃まで０．１〜５０℃／分の割合で昇温しながら生じさせることが好ましく、３５０℃まで０．３〜５℃／分の割合で昇温しながら生じさせるとより好ましい。なお、反応時には、平衡を移動させて芳香族液晶ポリエステルの生成を有利にするため、副生する脂肪酸や未反応の脂肪酸無水物を、蒸発させる等によって反応系から取り除くことが好ましい。
【００３８】
上述したような芳香族液晶ポリエステルの製造におけるアシル化反応、エステル交換・アミド交換反応は、触媒の存在下で行ってもよい。こうすれば反応を温和な条件で効率よく行うことができ、芳香族液晶ポリエステルの製造をより良好に行うことができる。触媒としては、ポリエステルの重合用の触媒として用いられるものを適用でき、なかでも、酢酸マグネシウム、酢酸第一錫、テトラブチルチタネート、酢酸鉛、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、三酸化アンチモン等の金属塩触媒や、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、Ｎ−メチルイミダゾール等の有機化合物触媒などが好ましい。特に、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、Ｎ−メチルイミダゾール等の窒素原子を２個以上含む複素環状化合物が好ましい。これらの触媒を用いる場合、触媒は、反応前に投入するが、例えば、アシル化反応で用いた触媒は、反応後に除去せずにそのままエステル交換・アミド交換反応に用いてもよい。
【００３９】
また、エステル交換・アミド交換反応による重縮合は、溶融重合により行うことができるが、溶融重合と固相重合とを併用してもよい。固相重合は、溶融重合工程からポリマーを抜き出し、これを粉砕してパウダー状もしくはフレーク状にした後、公知の固相重合方法を適用することにより行うことができる。例えば、窒素などの不活性雰囲気下、２０〜３５０℃で、１〜３０時間固相状態で熱処理する方法が挙げられる。また、固相重合は、攪拌しながら行ってもよく、攪拌することなく静置した状態で行ってもよい。なお、適当な攪拌機構を備えることにより、溶融重合と固相重合とを同一の反応槽で行うこともできる。固相重合後、得られた芳香族液晶ポリエステルは、公知の方法によりペレット化し、その後成形してもよい。
【００４０】
芳香族液晶ポリエステルの製造は、例えば、回分装置、連続装置等を用いて行うことができる。そして、上述したような製造方法によって、非プロトン溶剤に可溶な芳香族液晶ポリエステルを得ることができる。
［高分子フィルム積層体の製造方法］
【００４１】
次に、好適な実施形態に係る高分子フィルム積層体の製造方法について説明する。好適な実施形態の高分子フィルム積層体の製造方法は、金属箔上に高分子フィルムの前駆体からなる前駆体層が形成された積層体を巻き取り、巻き取り体を得る第１工程と、巻き取り体を熱処理して、金属箔上に高分子フィルムが形成された高分子フィルム積層体を得る第２工程と、を有する。
【００４２】
図２は、第１工程において積層体を巻き取る工程を模式的に示す図である。図示されるように、第１工程においては、巻き取り方向に沿う両端部にエンボス３０が形成された積層体１０を巻き取り、巻き取り体１００を得る。
【００４３】
このような第１工程においては、まず、積層体１０を準備する。積層体１０は、金属箔２と、この金属箔２上に形成された高分子フィルムの前駆体からなる前駆体層１４とから構成される。金属箔２は、上述した高分子フィルム積層体１における金属箔２と同様である。この積層体１０には、第１工程における巻き取り方向と交差する方向の両端部のそれぞれに、この巻き取り方向に沿うように連続的にエンボス３０が形成されている。
【００４４】
積層体１０は、上述したような構成を有する金属箔２上に前駆体層１４が形成されたものである。この前駆体層１４は、熱処理によって上述した高分子フィルム４を形成し得る層である。例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドベンゾオキサゾール等の製造におけるイミド閉環を生じる前の前駆体化合物を含む層や、熱処理前の芳香族液晶ポリエステルを含む層から構成される。なお、前駆体層１４は、高分子フィルム４の前駆体化合物から構成される層には必ずしも限定されず、例えば、熱処理によって溶媒を除去するだけで高分子フィルム４となる層も前駆体層１４に含まれる。
【００４５】
積層体１０において、前駆体層１４は、図示のように金属箔２の全面に形成されていてもよいが、エンボス３０が形成されている領域を除く領域上に形成されていてもよい。後者の場合、エンボス３０の形成領域で特に生じ易い前駆体層１４の剥離が生じなくなり、剥離物による積層体１０の汚染を防止することができる。また、熱処理後には通常、エンボス３０の形成領域は除去されることになるが、これによる高分子フィルム４の無駄を少なくすることも可能となる。
【００４６】
上述した構成を有する積層体１０は、例えば、予め製造した前駆体層１４と金属箔２とをラミネートにより積層する方法や、前駆体層１４を形成するための溶液組成物を金属箔２上に流延する溶液キャスト法によって得ることができる。特に、後者の溶液キャスト法が好ましい。溶液キャスト法によれば、操作が容易となるのに加え、金属箔２と高分子フィルム４との接着性を良好にすることができる。溶液キャスト法においては、例えば、金属箔２上に溶液組成物を流延した後、溶液組成物中の溶媒を除去して前駆体層１４を形成し、これにより積層体１０を得る。
【００４７】
ここで、前駆体層１４の好適な製造方法である溶液キャスト法についてより詳細に説明する。溶液キャスト法に用いる溶液組成物としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドベンゾオキサゾールからなる高分子フィルム４を形成する場合、これらの前駆体であるポリアミック酸化合物を含む溶液が挙げられる。このような溶液組成物は、例えば、原料モノマーであるジアミンと酸二無水物をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）等に溶解した後、原料モノマー同士を反応させることによって得ることができる。
【００４８】
一方、液晶ポリエステルからなる高分子フィルム４を形成する場合、溶液組成物としては、上述した液晶ポリエステルを非プロトン性溶媒に溶解して得られたものが挙げられる。この溶液組成物としては、非プロトン性溶媒１００重量部に対して液晶ポリエステルを０．０１〜１００重量部溶解させたものが挙げられる。このような溶液組成物は、適度な溶液粘度を有することから、溶液キャスト法に適用した場合に均一な塗布が可能となる。
【００４９】
液晶ポリエステルを含む溶液組成物としては、特に、非プロトン性溶媒１００重量部に対して、液晶ポリエステルを１〜５０重量部含むものが好ましく、２〜４０重量部含むものがより好ましい。このような溶液組成物によれば、更に良好な作業性が得られるほか、コストの低減も図れるようになる。
【００５０】
非プロトン性溶媒としては、例えば、１−クロロブタン、クロロベンゼン、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、１，１，２，２−テトラクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル等のエステル系溶媒、γ―ブチロラクトン等のラクトン系溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒、トリエチルアミン、ピリジン等のアミン系溶媒、アセトニトリル、サクシノニトリル等のニトリル系溶媒、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド、テトラメチル尿素、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒、ニトロメタン、ニトロベンゼン等のニトロ系溶媒、ジメチルスルホキシド、スルホラン等のスルフィド系溶媒、ヘキサメチルリン酸アミド、トリ−ｎ−ブチルリン酸等のリン酸系溶媒などが挙げられる。
【００５１】
これらのなかでも、非プロトン性溶媒としては、ハロゲン原子を含まない溶媒が環境への負荷を少なくできることから好ましく、双極子モーメントが３以上５以下である溶媒が液晶ポリエステル（特に芳香族液晶ポリエステル）を良好に溶解できることからより好ましい。このような非プロトン性溶媒としては、具体的には、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド、テトラメチル尿素、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒、又は、γ−ブチロラクトン等のラクトン系溶媒が好ましく、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド又はＮ−メチルピロリドンが特に好ましい。なお、溶液組成物には、高分子フィルム積層体の製造を阻害しない程度に非プロトン性溶媒以外の溶媒が含まれていてもよい。
【００５２】
上述したようなポリイミド等や芳香族液晶ポリエステルを含む溶液組成物には、製造時に副生又は混入等した微細な異物が含まれる場合があるが、このような異物はフィルター等によるろ過を行って除去してもよい。また、溶液組成物には、所望とする高分子フィルム４の特性を得るために、必要に応じて上記以外の成分を更に含んでもよい。他の成分としては、フィラーや熱可塑性樹脂が挙げられる。
【００５３】
フィラーとしては、例えば、エポキシ樹脂粉末、メラミン樹脂粉末、尿素樹脂粉末、ベンゾグアナミン樹脂粉末、スチレン樹脂等の有機系のフィラー、シリカ、アルミナ、酸化チタン、ジルコニア、カオリン、炭酸カルシウム、燐酸カルシウム、ホウ酸アルミニウム、チタン酸カリウム、硫酸マグネシウム、酸化亜鉛、炭化ケイ素、窒化ケイ素、ガラス繊維、アルミナ繊維等の無機系のフィラー等が挙げられる。
【００５４】
また、熱可塑性樹脂としては、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリフェニルエーテル及びその変性物、ポリエーテルイミド、グリシジルメタクリレートとポリエチレンの共重合体等のエラストマー等が挙げられる。
【００５５】
その他、溶液組成物は、カップリング剤、沈降防止剤、紫外線吸収剤、熱安定剤等の添加剤を更に含有していてもよい。
【００５６】
溶液キャスト法による積層体１０の製造においては、上述した溶液組成物を、金属箔２上に流延して塗布した後、溶液組成物中の溶媒を除去することにより高分子フィルムの前駆体からなる前駆体層１４を形成する。流延・塗布の方法としては、例えば、ローラーコート法、グラビアコート法、ナイフコート法、ブレードコート法、ロッドコート法、ディップコートター法、スプレイコート法、カーテンコート法、スロットコート法、スクリーン印刷法等が挙げられる。これらの中でも、制御が容易であり、膜厚を精度よく均一にできることから、ナイフコート法又はスロットコート法が好ましい。
【００５７】
塗布後の溶媒除去の方法は特に制限されないが、例えば、溶媒を蒸発させることによって行うことが好ましい。溶媒を蒸発させる方法としては、加熱、減圧、通風等の方法が挙げられる。なかでも、生産効率が良く、取り扱い性が良好であることから、加熱による蒸発が好ましく、通風しつつ加熱することにより蒸発させることがより好ましい。
【００５８】
溶媒の除去方法としては、具体的には、金属箔２上に溶液組成物が流延塗布された状態の積層体を、後述するような巻き取りの工程に誘導する途中で、この積層体を走行させながら加熱炉を通過させ、これによって溶媒を除去する方法が挙げられる。溶媒除去に要する温度や時間は特に制限されないが、例えば、温度は１６０℃以下とすることが好ましく、１５０℃以下とすることがより好ましく、１４０℃以下とすることが更に好ましい。温度が高すぎると、塗膜面に欠陥が生じる可能性がある。一方、温度が低すぎると、溶媒除去かかる時間が長くなり、生産性が低下するおそれがある。そのため、溶媒除去は、少なくとも６０℃以上で行うことが好ましい。
【００５９】
高分子フィルム４として芳香族液晶ポリエステルからなるものを形成する場合は、その前駆体層１４は、残存する溶媒量が１８重量％以下となるように溶媒の除去を行うことが好ましい。残存する溶媒量が１８重量％以下、好ましくは１５重量％以下とすれば、前駆体層１４は殆ど乾燥した状態となって、後述する熱処理前に積層体１０の接触が生じたとしても癒着が生じ難くなり、巻き取りの工程時の作業性が向上する傾向にある。
【００６０】
以下、ふたたび図２を参照して第１工程について説明する。積層体１０におけるエンボス３０の形成領域の幅は、積層体１０の巻き取り方向と交差する方向の幅に対して、合計で２〜３０％であると好ましく、５〜２０％であるとより好ましい。エンボス３０の形成領域の幅が小さすぎると、積層体１０の中央領域がたわんだりして巻き取り時の癒着を十分に防止できない可能性がある。一方、熱処理後には、エンボス３０の形成領域を切断により除去するので、癒着を十分に防止しつつ無駄を少なくする観点からは、エンボス３０の形成領域の幅は上述した上限値以下とすることが好ましい。この幅は、具体的には、通常の高分子フィルム積層体を形成するため積層体において、１０〜２００ｍｍであると好ましく、２０〜１５０ｍｍであるとより好ましく、５０〜１００ｍｍであると更に好ましい。
【００６１】
積層体１０におけるエンボス３０が形成された領域の厚さは、エンボス３０が形成されていない領域の積層体１０の厚さ、すなわち、金属箔２と前駆体層１４の合計の厚さよりも大きくされることになる。これにより、巻き取りの際の積層体１０の接触を防止することができ、これらの癒着を防止することが可能となる。
【００６２】
特に、積層体１０のエンボス３０の形成領域の厚さは、巻き取りによって隣り合う積層体１０同士の隙間が０．３ｍｍ以上、好ましくは０．５ｍｍ以上、更に好ましくは１ｍｍ以上とできる厚さであることが好ましい。こうすれば、積層体１０同士の癒着をより確実に防止できるようになる。このような条件を満たすためには、エンボス３０の形成領域の積層体１０の厚さが、エンボス３０の非形成領域よりも上記の隙間の値以上に厚くなるように設定することが好ましい。通常の厚さの高分子フィルム４を形成するための前駆体層１４を形成する場合は、積層体１０のエンボス３０の形成領域の厚さは、０．１〜３ｍｍであると好ましく、１〜２ｍｍであるとより好ましい。なお、上記のようにエンボス３０の形成領域に前駆体層１４が形成されていない場合は、金属箔２がエンボス３０によってこのような厚さの条件を満たすようにすることが好ましい。
【００６３】
積層体１０におけるエンボス３０は、この積層体１０に設けられた凹凸パターンによって構成されている。この凹凸パターンとしては、積層体１０の一定の基準面からの凸部及び凹部が繰り返し形成された形態、凸部又は凹部のみが連続して形成されている形態等、特に制限されない。なお、積層体１０における基準面には、当該積層体１０におけるエンボス３０が形成されていない領域の表面と同一の平面が該当する。
【００６４】
また、エンボス３０を構成している個々の凸部又は凹部の形状は、球面、双曲面、放物面、楕円面、偏球面等の曲面によって構成され、尖った部分を有していないことが好ましい。エンボス３０が曲面からなる凹凸パターンによって形成されていると、各凹凸が巻き取りによる加圧に対して十分に抗し得る強度を有するようになり、スペーサーとして良好に機能できるようになるほか、エンボス３０を形成する際の積層体１０のシワや破断、穴あき等も極めて生じ難くなるため、好適である。
【００６５】
なかでも、エンボス３０を構成する凸部及び／又は凹部は、それぞれ半球状の形状を有していることが好ましい。この凸部や凹部が半球状であると、巻き取り時におけるスペーサーとしての機能を特に良好に発揮できるようになる。ここで、好適な例のエンボス３０の形状を図３に基づいて説明する。
【００６６】
図３は、積層体１０におけるエンボス３０の形成領域の断面構造の好適な一例を模式的に示す図である。なお、同図では、説明の簡略化のため、積層体１０の積層構造は省略して示してある。図３に示すエンボス３０は、一定の基準面からの凸部及び凹部が交互に繰り返し形成された凹凸パターンによって構成されている。これらの凸部及び凹部は、それぞれ半球状の形状を有している。エンボス３０は、積層体１０における巻き取り方向、及び、この巻き取り方向と直交する方向の両方においてこのような断面形状を有していることが特に好ましい。
【００６７】
図３に示すエンボス３０を有する場合、このエンボス３０の形成領域の積層体１０の厚さは、エンボス３０を構成している凸部及び凹部それぞれの頂点の基準面からの距離ｈ、及び、積層体１０自体の厚さを合計した値となる。このようなエンボス３０においては、凸部又は凹部の基準面と交差している円形状部分の直径ｄは、上記ｈの２倍以上であると好ましく、２．５倍以上であると更に好ましい。このような凹凸パターンから形成されるエンボス３０によれば、積層体１０の巻き取りの際に金属箔のシワや破断、穴あき等を一層良好に低減することが可能となる。
【００６８】
このようなエンボス３０を有する積層体１０は、例えば、エンボス３０に対応する凹凸を成形面に有する型板やローラーの成形面を、積層体１０のエンボス３０の形成領域に押し付け、これらの凹凸パターンを積層体１０に転写することによって形成することができる。特に、後者のようなローラーを用いた方法の場合、積層体１０に対して連続的にエンボス３０を形成できることからより好ましい。
【００６９】
図４は、ローラーを用いて積層体１０にエンボスを形成する方法の好適な例を示す図である。同図も、説明の簡略化のため、積層体１０の積層構造は省略して示してある。この方法においては、積層体１０を、凹凸パターンが形成された成形面を両端に有するローラー２００とバックローラー２０２との間に挟む。そして、図示しないが、この積層体１０の巻き取り方向の端部を巻芯に固定し、巻芯を駆動させて積層体１０をかかる巻芯に巻き取る。このようにすると、積層体１０は巻き取られながらローラー２００とバックローラー２０２との間を通過することとなる。これにより、積層体１０の両端にローラー２００の凹凸が転写して連続的にエンボス３０を形成しながら、巻き取り体１００を形成することができる。このような方法においては、巻き取りの力だけを利用してもよく、ローラー２００やバックローラー２０２を巻き取りに合わせて適度に回転させてもよい。
【００７０】
この際、ローラー２００及びバックローラー２０２は、積層体１０の両面側から押し付けるようにすると、より確実にエンボス３０を形成することができることから好ましい。また、図４に示すように、ローラー２００の成形面と、バックローラー２０２の成形面とが互いに雌雄型となるようにすれば、深い凹凸を形成しても積層体１０の破断や穴あきが生じ難くなるため、より好ましい。
【００７１】
なお、エンボス３０の形成方法は必ずしも上記に限定されず、例えば、積層体１０に対してローラー２００やバックローラー２０２を移動させるようにしてエンボス３０を形成してもよい。また、ロール２００とバックローラー２０２とは、雌雄型の凹凸パターンを有する組み合わせに限られず、例えば、ローラー２００が凹凸パターンを有しており、バックローラー２０２はゴム等の弾性体からなるような組み合わせであってもよい。さらに、凹凸パターンを有するローラー２００のみを積層体１０に押し付けるようにしてもよい。
【００７２】
第１工程においては、上述のようにしてエンボス３０が形成された積層体１０を、このエンボス３０の形成領域が重なるようにして巻き取り、巻き取り体１００を得る。この場合、積層体１０におけるエンボス３０の形成領域の厚さは、エンボス３０の非形成領域の厚さよりも大きいため、この厚さの差によって、巻き取り後も積層体１０のエンボス３０が形成されていない部分同士は、互いに接触しないように隙間を有する状態で維持される。
【００７３】
なお、隣り合った積層体１０同士のエンボス３０の形状が一致する場合は、凹凸部分も完全に重なりあうため、上記のような隙間が形成されないことになるが、通常、巻取りが進むにつれて外周のサイズが徐々に変化することから、隣り合う積層体１０のエンボス３０の形状が一致することは殆どない。また、巻き取りの際の張力を制御することによっても、そのような状況は容易に回避することができる。
【００７４】
第１工程において、積層体１０の巻き取りは、その巻き取り方向の一端を所定の巻芯に固定し、この巻芯の周囲に巻き取られるようにして行うことができる。積層体１０を巻き取る際の速度は、巻き取り体１００の形状や積層体１０の寸法によって適宜調整することが好ましいが、例えば０．１〜１００ｍ／分の範囲とすることができる。また、巻き取りは、巻き取り部分を強制回転させて巻き取る方法や、巻き取り部分は自由回転できるようにしておき、巻き取り部分までの途中に適切なガイドロールを配置し、このガイドロールを回転させることによって、積層体１０を巻き取り部分に送り出す方法が挙げられる。なお、巻き取りの際には、積層体１０が大きくたわまないように、破断が生じたりエンボス３０が潰れたりしない程度の張力をかけてもよい。
【００７５】
巻き取りに用いる巻芯としては、その外径が好ましくは３０〜５００ｍｍφ、より好ましくは４０〜３００ｍｍφ、更に好ましくは５０〜２００ｍｍφ、特に好ましくは６０〜１５８ｍｍφのものを適用できる。また、巻芯と積層体１０とをあわせた熱処理前の巻き取り体１００の外径は、巻芯として６０〜１５８ｍｍφのものを用いた場合、好ましくは６０〜５００ｍｍφであり、より好ましくは９０〜４００ｍｍφである。巻芯の材質としては、熱処理条件に耐える耐熱性のほか、耐薬品性を有しており、しかも熱処理時に積層体１０とスペーサー３０の重量にも耐え得る強度を有するものが好ましい。このような巻芯の材質としては、鉄、銅、アルミニウム、チタン、ニッケルまたはこれらの合金等が挙げられる。特に、巻芯としては、Ａ５０５２、Ａ５０５６、Ａ５０８３等のマグネシウム系アルミニウム合金や、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０４Ｌ、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１６Ｌ等のステンレス等からなるものが好適である。
【００７６】
上述した第１工程によって巻き取り体１００を得た後、第２工程においてこの巻き取り体１００に熱処理を施す。かかる熱処理によって、前駆体層１４から高分子フィルム４が形成され、金属箔２上に高分子フィルム４が積層された高分子フィルム積層体１が得られる。
【００７７】
熱処理は、前駆体層１４から高分子フィルム４が適切に形成されるような条件で行うことが好ましい。例えば、ポリイミド等の高分子フィルム４を形成する場合は、その前駆体化合物であるポリアミック酸のイミド閉環反応が生じる程度の条件とし、高分子液晶ポリエステルからなる高分子フィルム４を形成する場合は、前駆体層１４から、引張強度や剥離強度等において十分な特性を有する高分子フィルム４が形成されるような条件とする。
【００７８】
具体的には、熱処理時の処理温度は、２００℃〜３５０℃の範囲が好ましい。この温度範囲の下限は、２５０℃であるとより好ましく、２８０℃であると更に好ましい。一方、処理温度の上限は３４０℃であるとより好ましく、３３０℃であると更に好ましい。また、熱処理の処理時間は、１０分〜１５時間の範囲とすることが好ましい。この処理時間の下限は、２０分であるとより好ましく、４０分であると更に好ましい。一方、処理時間の上限は、１２時間であるとより好ましく、１０時間であると更に好ましい。熱処理においては、金属箔２の酸化による劣化を防止する観点から、熱処理環境を窒素、アルゴン、ネオン等の不活性ガスで置換したり、あるいは真空としたりしてもよい。
【００７９】
第２工程による熱処理後には、巻き取り体１００を冷却し、この巻き取り体１００から高分子フィルム積層体１を繰り出し、必要に応じて切断や、エンボス３０の形成領域の切断による除去等を行うことで、図１に示したような構成を有する実用に即した形状の高分子フィルム積層体１が得られる。なお、高分子フィルム積層体１としてそのまま適用できる場合は、エンボス３０の形成領域は必ずしも切断・除去しなくてもよい。
【００８０】
また、高分子フィルム積層体１における高分子フィルム４の表面は、必要に応じて研磨を行ってもよいし、酸や酸化剤などの薬液で処理してもよい。その他、紫外線照射処理、プラズマ照射処理等の処理を適宜施してもよい。
【００８１】
上述した実施形態の高分子フィルム積層体１の製造方法によれば、第１工程において、両端部にエンボス３０が形成された積層体１０の巻き取りを行っているため、巻き取りによる積層体１０同士の接触を大幅に低減しながら巻き取りを行うことができ、隣り合う積層体１０同士の癒着が少ない高分子フィルム積層体１のロールを得ることができる。したがって、このようにして得られた高分子フィルム積層体１は、高分子フィルム４部分の癒着による変形や特性劣化等が少ない良好なものとなる。
【００８２】
なお、本発明の高分子フィルム積層体及びその製造方法は、上述した実施形態に限定されず、本発明の範囲内で適宜変更が可能である。例えば、高分子フィルム積層体１は、金属箔２と高分子フィルム４との２層構造に限られず、適宜、他の層を有するものであってもよい。
【００８３】
さらに、上述した実施形態では、積層体１０をその前駆体層１４が内側となるようにして巻き取ったが、これに限定されず、金属箔２が内側となるように巻き取ってもよい。上述したいずれの場合であっても、積層体１０のエンボス３０の形成領域が重なるように巻き取りを行うことにより、前駆体層１４が隣り合う積層体と接触するのを防止することができる。
【００８４】
上述した構成を有する本発明の高分子フィルム積層体は、屈曲性が高く、寸法が安定しており、しかも反りの発生が少ないといった特徴を有することから、種々の用途に適用できる。例えば、銅張積層板用のベースフィルム、ビルドアップ法等による半導体パッケージやマザーボード用の多層プリント基板用フィルム、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）用フィルム、テープオートメーテッドボンデリング用フィルム、タグテープ用フィルム、電子レンジ加熱用の包装フィルム、電磁波シールド用フィルム等が挙げられる。
【００８５】
なかでも、上述した特徴から、電子機器に搭載されるＦＰＣ用のフィルムとして好ましく適用される。本発明の高分子フィルム積層体を用いたＦＰＣとしては、例えば、高分子フィルム積層体１における金属箔２を回路に加工して得られ、高分子フィルム４からなる基板上に回路が形成された構成を有するものが挙げられる。なお、ＦＰＣ用途に用いる場合、高分子フィルムは、１０μｍ以上の厚さを有すると、高い絶縁性を発揮し得ることから好適である。
【００８６】
また、本発明の高分子フィルム積層体は、特に、高分子フィルムが液晶ポリエステルから構成される場合、高周波特性に優れ、また低吸水性を有するものとなる。したがって、この場合、高分子フィルム積層体は、高周波プリント配線基板、高周波ケーブル、通信機器回路、パッケージ用基板等の用途に好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】好適な実施形態の高分子フィルム積層体の断面構成を模式的に示す図である。
【図２】第１工程において積層体を巻き取る工程を模式的に示す図である。
【図３】積層体におけるエンボスの形成領域の断面構造の好適な一例を模式的に示す図である。
【図４】ローラーを用いて積層体にエンボスを形成する方法の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００８８】
１…高分子フィルム積層体、２…金属箔、４…高分子フィルム、１０…積層体、１４…前駆体層、３０…エンボス、１００…巻き取り体、２００…ローラー、２０２…バックローラー。
【図１】
2008207386.tif 000003
【図２】
2008207386.tif 000004
【図３】
2008207386.tif 000005
【図４】
2008207386.tif 000006