(57)【要約】【課題】反射部の光の反射特性を活用すると共に、発光素子を封止する封止材の上面形状を適切に制御する。【解決手段】表面が粗面である多孔質材から構成され貫通孔を有する反射部１００と、貫通孔の一端を塞ぎ発光素子１２０を搭載する搭載部１１０とを備える発光装置を製造するにあたり、反射部１００の粗面における凹部内に塗布物質を塗布する塗布工程と、塗布工程において凹部内に塗布した塗布物質から焼成により凹部内形成物１０６を凹部内に生成する焼成工程と、焼成工程において焼成した反射部１００の貫通孔の一端が発光素子１２０を搭載した搭載部１１０によって塞がれることにより形成される窪みに流動性を有する封止材１３４を充填する封止工程とを備える。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面が粗面である多孔質材から構成され貫通孔を有する反射部と、前記貫通孔の一端を塞ぎ発光素子を搭載する搭載部と、を備える発光装置を製造するにあたり、
前記反射部の前記粗面に塗布物質を塗布し、前記粗面の凹部内に塗布物質を浸入させる塗布工程と、
前記塗布工程において前記凹部内に浸入した前記塗布物質から、焼成により凹部内形成物を前記凹部内に生成する焼成工程と、
前記焼成工程において焼成した前記反射部の前記貫通孔の一端が前記発光素子を搭載した前記搭載部によって塞がれることにより形成される窪みに、流動性を有する封止材を充填する封止工程とを備える発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記塗布物質は、有機ケイ素化合物から構成される請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記多孔質材は、セラミックであり、
前記凹部は、前記セラミックの開気孔である請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記塗布工程において前記凹部内に浸入する前記塗布物質が、シリコーンオイルであり、
前記凹部内形成物が前記シリコーンオイルの焼成により生成される無機材である請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記焼成工程は、前記シリコーンオイルを５００℃から１０００℃の温度で焼成する請求項４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記封止工程は、前記窪みに充填された前記封止材を硬化する硬化工程を有する請求項１から５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
表面が粗面である多孔質材から構成され、貫通孔を有する反射部と、
前記貫通孔の一端を塞ぎ発光素子を搭載する搭載部と、
前記反射部の前記粗面における凹部内に形成される凹部内形成物と、
前記反射部の前記貫通孔内に充填され、前記発光素子を封止する封止部とを備える発光装置。
【請求項８】
前記多孔質材は、セラミックであり、
前記凹部は、前記セラミックの開気孔である請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記凹部内形成物は、前記反射部に塗布された塗布物質が前記開気孔に浸入し、浸入した前記塗布物質の焼成により前記開気孔内に生成される無機材である請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記凹部内形成物は、前記発光素子が発する光に対して透過性を有する請求項７から９のいずれか１項に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子が発する光を反射する反射部を有する発光装置及び発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）等の発光素子を備える発光装置において、発光素子を搭載するパッケージにセラミック製のパッケージを用いる形態について知られている。
【０００３】
係るセラミック製のパッケージとして、発光素子を実装したベース体に形成したテーパ状の開口に下地剤を塗布して、塗布した下地剤の表面に反射性物質を更に塗布した発光ダイオード用のパッケージについて記載されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
特許文献１に記載のパッケージでは、下地剤の表面に反射面を設けることにより、発光ダイオードの輝度を向上させている。
【特許文献１】特開２００６−６００７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載のパッケージでは、下地剤と反射性物質とをそれぞれ塗布するので、製造工程が増加する。
また、発光素子が発した光を発光装置の外部に取り出す光取り出し効率は反射性物質の反射率に依存している。したがって、反射性物質が塗布された状態においては、セラミック製のベース体自体の反射特性を活用することが困難である。
ここで、反射部をなすベース体に下地剤及び反射性物質を塗布せずに、ベース体自体の反射特性を活かすことが考えられる。しかし、この構成では、パッケージに封止材を充填する際に、多孔質材であり粗面状であるセラミック表面の凹部に封止材が浸入するので、封止材の上面形状の制御が困難である。
【０００６】
本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、反射部の光の反射特性を活用すると共に、発光素子を封止する封止材の上面形状を適切に制御することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明においては、表面が粗面である多孔質材から構成され貫通孔を有する反射部と、貫通孔の一端を塞ぎ発光素子を搭載する搭載部と、を備える発光装置を製造するにあたり、反射部の粗面に塗布物質を塗布し、粗面の凹部内に塗布物質を浸入させる塗布工程と、塗布工程において凹部内に浸入した塗布物質から、焼成により凹部内形成物を凹部内に生成する焼成工程と、焼成工程において焼成した反射部の貫通孔の一端が発光素子を搭載した搭載部によって塞がれることにより形成される窪みに、流動性を有する封止材を充填する封止工程とを備える発光装置の製造方法が提供される。
【０００８】
また、塗布物質は、有機ケイ素化合物から構成されてもよい。そして、多孔質材は、セラミックであり、凹部は、セラミックの開気孔であってもよい。更に、塗布工程において凹部内に浸入する塗布物質が、シリコーンオイルであり、凹部内形成物がシリコーンオイルの焼成により生成される無機材であってもよい。そして、焼成工程は、シリコーンオイルを５００℃から１０００℃の温度で焼成することが好ましい。更には、封止工程は、窪みに充填された封止材を硬化する硬化工程を有してもよい。
【０００９】
また、本発明においては、表面が粗面である多孔質材から構成され、貫通孔を有する反射部と、貫通孔の一端を塞ぎ発光素子を搭載する搭載部と、反射部の粗面における凹部内に形成される凹部内形成物と、反射部の貫通孔内に充填され、発光素子を封止する封止部とを備える発光装置が提供される。
【００１０】
ここで、多孔質材は、セラミックであり、凹部は、セラミックの開気孔であってよい。そして、凹部内形成物は、反射部に塗布された塗布物質が開気孔に浸入し、浸入した塗布物質の焼成により開気孔内に生成される無機材であってよい。更に、凹部内形成物は、発光素子が発する光に対して透過性を有していてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、反射部の光の反射特性を活用できると共に、発光素子を封止する封止材の上面形状を適切に制御できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の縦断面図を示す。また、図２は、本発明の第１の実施の形態に係る反射面の一部を拡大した模式図を示す。
【００１３】
（発光装置１０の構成）
発光装置１０は、貫通孔１０１を有する反射部１００と、反射部１００の貫通孔１０１の一端に設けられる搭載部１１０と、搭載部１１０に搭載されるサブマウント１６２と、サブマウント１６２に搭載される発光素子１２０と、反射部１００及び発光素子１２０を封止する封止部１３０と、封止部１３０内に分散される蛍光体１４０とを備える。また、サブマウント１６２は、発光素子１２０の一の電極と接合する第１電極パターン１５５と、発光素子１２０の他の電極と接合する第２電極パターン１５７とを有する。
【００１４】
更に、搭載部１１０は、第１ワイヤ１５４を介して第１電極パターン１５５と電気的に接続する第１ビアホール１５１と、第１ビアホール１５１と電気的に接続する第１電極１５０と、第２ワイヤ１５６を介して第２電極パターン１５７と電気的に接続する第２ビアホール１５３と、第２ビアホール１５３と電気的に接続する第２電極１５２と、サブマウント１６２と接する部分に設けられる放熱部１６０とを有する。
【００１５】
反射部１００は、貫通孔１０１と、貫通孔１０１の内周面である反射面１０２とを有する。本実施形態において、反射部１００は、多孔質材としてのセラミックであるアルミナから主として構成される。アルミナの密度等の物性は、反射部１００の形状を維持する強度を有すると共に、後述する反射面１０２の反射率が所定の反射率を維持する範囲で設定される。なお、セラミックは、チタニア、ジルコニア、又は酸化亜鉛等の白色のセラミックであってもよい。
【００１６】
表面が粗面である反射面１０２は、搭載部上面１１２の法線の方向に対して所定の角度で、貫通孔１０１の一端から貫通孔１０１の他端に向かって傾斜している。具体的には、反射面１０２は、貫通孔１０１の一端から貫通孔１０１の開口に向かって拡がった形状である。搭載部上面１１２と平行な断面における貫通孔１０１の形状は、円形状である。そして、反射部１００の反射面１０２の表面には、アルミナの開気孔により凹部１０４が形成されている。なお、搭載部上面１１２と平行な断面における貫通孔１０１の形状は、楕円形状または多角形状であってもよい。
【００１７】
また、図２に示すように、凹部１０４は、その内部に無機材としての凹部内形成物１０６が形成されている。本実施形態において、凹部内形成物１０６は、シリコーンオイルを焼成することによりシリコーンオイルから生成される無機材としてのガラスである。なお、凹部１０４は、粗面であるアルミナ表面の開気孔及び開気孔以外の陥没した部分を含む。
【００１８】
搭載部１１０は、搭載部上面１１２から第１ビアホール１５１を介して搭載部下面１１４に至る第１電極１５０と、搭載部上面１１２から第２ビアホール１５３を介して搭載部下面１１４に至る第２電極１５２とを有する。搭載部１１０は、アルミナのセラミックから主として構成される。アルミナの密度等の物性は、搭載部１１０の形状及び強度を維持する範囲で設定される。なお、搭載部１１０を構成するセラミックも、反射部１００と同様に、チタニア、ジルコニア、又は酸化亜鉛等の白色を有するセラミックであってもよい。また、搭載部１１０は樹脂であってもよい。
【００１９】
搭載部上面１１２と平行な断面における搭載部１１０の形状、すなわち、搭載部１１０の横断面の形状は略四角形状である。また、搭載部上面１１２と平行な断面における搭載部１１０の形状は、略円形状又は多角形状であってもよい。ここで、反射部１００及び搭載部１１０はそれぞれ、金型成形により形成される。そして、反射部１００と搭載部１１０とを接着させて一体化することにより、搭載部１１０は、貫通孔１０１の一端を塞ぐ。これにより、反射部１００と搭載部１１０とで窪みが形成され、搭載部１１０は反射面１０２に囲まれた窪み内の搭載部上面１１２に、発光素子１２０を搭載する。
【００２０】
また、反射部１００と搭載部１１０とを、グリーンシート積層法を用いて形成してもよい。例えば、所定の形状に打ち抜いたセラミックシートを積層して焼結する。そして、積層したセラミックシートを焼結して得られたセラミックを分断することにより、反射部１００と搭載部１１０とを形成してもよい。更に、他の実施の形態においては、反射部１００と搭載部１１０とを一体成形して、一体成形後に焼結してもよい。なお、反射部１００と搭載部１１０とからなる発光装置１０は、表面実装型、チップオンボード型、またはサイドビュー型のいずれであってもよい。
【００２１】
また、第１電極１５０及び第２電極１５２は、例えば、アルミニウム又は金等の金属から主として構成される。搭載部上面１１２に形成される第１電極１５０と搭載部下面１１４に形成される第１電極１５０とは、第１ビアホール１５１を介して電気的に接続される。また、搭載部上面１１２に形成される第２電極１５２と搭載部下面１１４に形成される第２電極１５２とは、第２ビアホール１５３を介して電気的に接続される。
【００２２】
また、搭載部１１０は、熱伝導率が搭載部１１０を構成する材料の熱伝導率より高い材料から構成される放熱部１６０を有する。放熱部１６０は、搭載部１１０の中央付近に設けられる。そして、放熱部１６０と搭載部上面１１２の表面とは、平坦面を形成する。放熱部１６０は、例えば、熱伝導率の高い窒化アルミニウムから主として構成される。また、放熱部１６０は、窒化珪素、炭化珪素等のセラミック、又は銅などの金属、若しくは銅などの金属とセラミックとの複合材料から主として構成されてもよい。
【００２３】
サブマウント１６２は、発光素子１２０の電極と接合する第１電極パターン１５５及び第２電極パターン１５７を有する。サブマウント１６２は、電気絶縁性を有すると共に熱伝導率に優れる材料、例えば窒化アルミニウムから主として構成され、略直方体形状を有する。また、サブマウント１６２は、放熱部１６０と接した状態で搭載部上面１１２に搭載される。係る場合において、サブマウント１６２には発光素子１２０が予め搭載される。なお、サブマウント１６２は、電気絶縁性を有すると共に熱伝導性に優れる他のセラミックから主として構成されてもよい。
【００２４】
発光素子１２０は、近紫外領域（波長：３００ｎｍから４００ｎｍ）の波長域の少なくとも一部を含む光を発する発光ダイオード（ＬＥＤ）である。本実施形態においては、発光素子１２０は、ＧａＮ系化合物半導体を有するＬＥＤである。発光素子１２０は、具体的には、順電圧が３．５Ｖ、順電流が３５０ｍＡの場合におけるピーク波長が４０５ｎｍ及び半値幅が１２ｎｍであるフリップチップ型のＬＥＤである。なお、ＬＥＤのピーク波長は３５０ｎｍから４５０ｎｍの範囲であってもよい。そして、本実施形態においては、発光素子１２０の平面寸法は、例えば、縦寸法及び横寸法がそれぞれ１ｍｍとなるよう設計される。なお、発光素子１２０の平面寸法はこれに限られない。例えば、発光素子１２０の平面寸法は、縦寸法及び横寸法がそれぞれ３５０μｍとなるよう設計されてもよい。
【００２５】
また、発光素子１２０は、青色領域の波長を含む光を発するＧａＮ系化合物半導体を有するＬＥＤであってもよい。また、ＬＥＤは、フェイスアップ型のＬＥＤであってもよい。更に、他の実施の形態においてＬＥＤは、緑色光領域、赤色光領域、又は赤外光領域の波長を含む光を発するＧａＰ系化合物半導体、ＧａＡｓ系化合物半導体、又はＩｎＰ系化合物半導体であってもよい。また、更に他の実施の形態においては、複数のＬＥＤが搭載部１１０に搭載されてもよい。
【００２６】
発光素子１２０は、フリップチップボンディングにより、サブマウント１６２が有する第１電極パターン１５５及び第２電極パターン１５７と電気的に接続された状態で搭載される。すなわち、発光素子１２０に設けられたｐ電極とｎ電極とが、それぞれの極性と適合する第１電極パターン１５５又は第２電極パターン１５７にそれぞれ電気的に接続される。第１電極パターン１５５及び第２電極パターン１５７は、それぞれアルミニウム又は金等の金属を含む材料から構成される。
【００２７】
そして、第１電極パターン１５５は、第１電極１５０と第１ワイヤ１５４を介して電気的に接続される。また、第２電極パターン１５７は、第２電極１５２と第２ワイヤ１５６を介して電気的に接続される。なお、第１ワイヤ１５４及び第２ワイヤ１５６は、例えば、直径が２５μｍの金ワイヤから主として構成される。
【００２８】
封止部１３０は、所定の粒径の蛍光体１４０と蛍光体１４０を封止部１３０中に分散させる分散剤とを有する。本実施形態において、蛍光体１４０は、発光素子１２０から発せられる近紫外領域の光により励起されると、それぞれ赤色領域、緑色領域及び青色領域の可視光を発する３種の蛍光体である。例えば、赤色領域の可視光を発する蛍光体１４０は、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ（ＹＯＳ：Ｅｕ）である。また、緑色領域の可視光を発する蛍光体１４０は、３（Ｂａ，Ｍｇ，Ｅｕ，Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３  （ＢＡＭ：Ｅｕ、Ｍｎ）である。また、青色領域の可視光を発する蛍光体１４０は、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｅｕ）１０（ＰＯ４）６・Ｃｌ２である。また、蛍光体１４０は、例えば、ＹＡＧ蛍光体、ケイ酸塩蛍光体、又は窒化物蛍光体であってもよい。更に、蛍光体１４０は、これらの蛍光体が、予め定められた比率で混合された混合物であってもよい。なお、蛍光体１４０は、封止部１３０の下部、すなわち搭載部１１０に搭載されている発光素子１２０の側に沈降させてもよい。
【００２９】
そして、封止部１３０は、反射部１００の貫通孔１０１内に充填され、発光素子１２０を覆う。具体的には、搭載部１１０によって貫通孔１０１の一端が塞がれて形成された窪みに流動性を有する封止材としてのシリコーン樹脂を充填して、充填したシリコーン樹脂を所定の温度で硬化させて封止部１３０は形成される。
【００３０】
（発光装置１０の動作）
発光素子１２０には、第１電極１５０及び第２電極１５２を介して電力が供給される。例えば、直流電源装置（図示しない）の出力端子の極性と、発光素子１２０のｐ電極と電気的に接続されている第１電極パターン１５５及び発光素子１２０のｎ電極と電気的に接続されている第２電極パターン１５７のそれぞれの極性とを合わせて、発光素子１２０に電圧を印加する。そして、電圧が印加された発光素子１２０に電流が流れ、発光素子１２０は近紫外領域にピーク波長をもつ光を発する。
【００３１】
発光素子１２０から発せられた近紫外光の一部は、封止部１３０内の蛍光体１４０により青色領域から赤色領域の可視光に変換される。そして、封止部１３０の外部に発光素子１２０から発せられた光及び蛍光体１４０によって変換された光が出射される。このとき、反射面１０２は、発光素子１２０が発した光及び蛍光体１４０によって変換された光を反射する。
【００３２】
そして、図２に示すように、凹部１０４の内部には、凹部内形成物１０６が存在する。なお、凹部内形成物１０６は、反射部１００に塗布された塗布物質としてのシリコーンオイルが開気孔に浸入して、浸入したシリコーンオイルの焼成により開気孔内に生成した無機材である。具体的には、凹部内形成物１０６はガラスである。凹部内形成物１０６は、発光素子１２０が発光した光及び蛍光体１４０において変換された光に対して透過性を有する。そして、凹部内形成物１０６を透過した光は、凹部１０４の表面にて貫通孔の内側へ向かって反射される。
【００３３】
図３の（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る反射部を構成するアルミナに照射した光の波長に対する光の反射率のグラフを示す。また、図３の（ｂ）は、従来の反射部を構成する樹脂に照射した光の波長に対する光の反射率のグラフを示す。
【００３４】
従来の反射部は、無機フィラーとして硫酸バリウムを含有する樹脂材料（具体的には、変性ナイロン）から構成されている。この樹脂材料から構成される反射部における光の反射率は、４００ｎｍ以上の波長の光に比べて４００ｎｍ以下の波長の光について大幅に低下する。図３の（ｂ）に示すように、この樹脂材料においては、波長３５０ｎｍの光の反射率は１０％未満である。
一方、本実施形態の反射部１００を構成するアルミナにおいては、図３の（ａ）に示すように、波長３５０ｎｍから波長４００ｎｍの波長領域における反射率は９０％以上である。また、波長３００ｎｍから波長３５０ｎｍの波長領域における反射率についても、本実施形態のアルミナにおいては７５％以上である。
【００３５】
図４は、反射面の一部のＳＥＭ写真であり、（ａ）は、塗布物質を塗布する前（処理前）におけるＳＥＭ写真を示す。また、（ｂ）は、塗布物質を塗布して焼成した後（処理後）のＳＥＭ写真を示す。
【００３６】
図４の（ａ）を参照すると、セラミックから構成される反射面１０２の表面は、粗面であり、開気孔が存在する。図４の（ａ）に示すように、０．５μｍから２．０μｍ程度の大きさの開気孔が存在することが分かる。一方、図４の（ｂ）を参照すると、反射面１０２に塗布物質１０８を塗布して焼成した後、粗面部分の開気孔に凹部内形成物１０６としてのガラスが存在していることが分かる。
【００３７】
図５（ａ）は、搭載部と反射部とから形成される窪みにシリコーン樹脂を充填した場合の模式図を示す。図５（ｂ）は、窪みにシリコーン樹脂を充填した場合における沈下量の表を示す。更に、図６は、窪みにシリコーン樹脂を充填した場合におけるシリコーン樹脂の上面の変位量のグラフを示す。なお、図５（ａ）においては、説明を簡略化するためワイヤ及び電極パターン等は省略している。
【００３８】
ここで、沈下量２００は、窪みにシリコーン樹脂１３５を充填した時点のシリコーン樹脂１３５の上面２０４から、所定時間経過後のシリコーン樹脂１３５の上面２０４の最下部２０２までの距離として規定した。そして、窪みにシリコーン樹脂１３５を充填した時点を基準時「０分」として、所定の時間が経過するごとに沈下量２００を測定した。
【００３９】
なお、窪みに充填したシリコーン樹脂１３５は、ＳＣＲ−１０１１（信越化学社製）であり、粘度は０．８Ｐａ・ｓである。そして、測定条件は、２５℃、大気中である。また、反射部１００はアルミナから構成されており、当該アルミナの気孔率は８０％である。
【００４０】
図５（ｂ）及び図６を参照すると、反射部１００に塗布物質１０８を塗布して焼成した後（処理済：図６の（ｂ））の場合は、反射部１００に塗布物質１０８を塗布しない場合（未処理：図６（ａ））に比べて、沈下量２００が抑制された結果が得られた。具体的には、反射部１００が処理済みの場合におけるシリコーン樹脂１３５の沈下量２００は、反射部１００が未処理の場合におけるシリコーン樹脂１３５の沈下量２００の、６５分の１から７５分の１の範囲内の沈下量２００であった。
【００４１】
これは、反射部１００が未処理の場合、反射面１０２に存在する開気孔及び陥没部分が存在するので、シリコーン樹脂１３５が開気孔及び陥没部分に浸入していく。一方、反射部１００が処理済の場合は、開気孔及び陥没部分が凹部内形成物１０６を含んでいるので、反射部１００が未処理の場合に比べてシリコーン樹脂１３５が開気孔及び陥没部分に浸入する量が抑制される。したがって、処理済みの反射部１００の方が、未処理の反射部１００に比べて、沈下量２００を抑制できる。
【００４２】
（発光装置１０の製造方法）
図７（ａ）から図７（ｄ）は、第１の実施の形態に係る発光装置の製造方法の各工程を示す。
【００４３】
（塗布工程）
まず、貫通孔１０１を有すると共に、セラミックであるアルミナから構成される反射部１００と、貫通孔１０１の一端を塞いで発光素子１２０を搭載する搭載部１１０とをそれぞれ別個に準備する。そして、反射面１０２の凹部１０４としての開気孔に、塗布物質１０８としてシリコーンオイルを塗布する（図７（ａ））。なお、他の実施形態においては、反射部１００と搭載部１１０とを一体として準備して、反射部１００の反射面１０２と搭載部１１０の搭載部上面１１２とにシリコーンオイルを塗布してもよい。
【００４４】
ここで、本実施形態において用いる塗布物質１０８は、有機ケイ素化合物である。有機ケイ素化合物としては、例えば、表面張力及び反射面１０２へ塗布性等の観点からシリコーンオイルを用いることが好ましい。すなわち、本実施形態においては、他の有機ケイ素化合物、例えば、シリコーン樹脂、シリコーンゴム、及びゲル状シリコーン等が示す表面張力よりも小さい表面張力を示すシリコーンオイルを用いることが好ましい。これは、反射面１０２に対するシリコーンオイルの濡れ性の良さ、及び反射面１０２に塗布する時におけるシリコーンオイルの反射面１０２上での拡がり易さにより、シリコーンオイルが凹部１０４内へ浸入しやすくなるからである。
また、シリコーンオイルには、ストレートシリコーンオイル（例えば、ジメチル系シリコーンオイル、メチルフェニル系シリコーンオイル等）と、変性シリコーンオイル（例えば、エポキシ変性シリコーンオイル、カルボキシ変性シリコーンオイル等）とが存在する。本実施形態においては、所望の特性に応じてストレートシリコーンオイルと変性シリコーンオイルのいずれかを選択することができる。
【００４５】
なお、他の実施の形態においては、塗布物質１０８は、焼成により無機材を生成する金属アルコキシドであってもよい。例えば、金属アルコキシドとして、焼成によりＳｉＯ２を生成するテトラエトキシシラン等を用いることができる。
【００４６】
（焼成工程）
次に、反射面１０２に塗布物質１０８を塗布した後、反射面１０２を含む反射部１００を焼成することにより、凹部内形成物１０６を凹部１０４内に生成する（図７（ｂ））。焼成は、大気雰囲気中、５００℃から１０００℃の温度で焼成する。好ましくは、８５０℃で反射部１００を焼成する。これにより、凹部１０４内に凹部内形成物１０６としての無機材、すなわち、本実施形態においてはガラスが生成する。なお、塗布物質１０８として金属アルコキシドを用いる場合、大気雰囲気で、１００℃から１４００℃の温度、好ましくは８００℃から１２００℃の温度で焼成してもよい。
【００４７】
（洗浄工程）
ここで、塗布物質１０８に含まれる有機成分の焼成により生じた炭化成分及びデブリを反射面１０２から除去することを目的として、焼成後の反射部１００を洗浄する。具体的には、焼成後の反射部１００の表面を、酸・アルカリ洗浄し、又は有機洗浄する。なお、洗浄工程においては超音波洗浄を併用してもよい。
【００４８】
（搭載工程）
続いて、搭載部１１０の所定の位置に、発光素子１２０が予め搭載されたサブマウント１６２を搭載する。そして、第１ワイヤ１５４を介して、発光素子１２０の電極と接合している第１電極パターン１５５と搭載部１１０の第１電極１５０とを電気的に接続する。同様にして、第２ワイヤ１５６を介して、発光素子１２０の電極と接合している第２電極パターン１５７と搭載部１１０の第２電極１５２とを電気的に接続する（図７（ｃ））。
【００４９】
（封止工程）
次に、反射部１００の貫通孔１０１の一端が、発光素子１２０を搭載した搭載部１１０によって塞がれることにより形成される窪みを、流動性を有する封止材１３４に蛍光体１４０を分散させて封止する（図７（ｄ））。封止材１３４は、本実施形態において、シリコーン樹脂１３５である。また、他の実施の形態においては、封止材１３４は、エポキシ樹脂又はガラスであってもよい。
【００５０】
（硬化工程）
続いて、窪みを封止した封止材１３４としてのシリコーン樹脂１３５を、所定の温度において所定の時間、所定の雰囲気下で加熱することにより硬化する。
【００５１】
（第１の実施の形態の効果）
本発明の第１の実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
【００５２】
反射面１０２に存在する開気孔及び陥没部分に凹部内形成物１０６が生成するので、窪みに充填するシリコーン樹脂１３５が開気孔及び陥没部分に浸入することを防止できる。これにより、封止部１３０の上面１４０の沈下量２００を所定の範囲内に収めて封止部１３０の上面１４０の形状を適切に制御できるので、封止部１３０の上面１４０の形状に応じた発光装置１０の光学設計に誤差が生じることを防止できる。
【００５３】
また、第１の実施の形態においては、シリコーンオイルを反射面１０２に存在する開気孔及び陥没部分に浸入させた上で、焼成により開気孔及び陥没部分のシリコーンオイルからガラスを生成するので、開気孔及び陥没部分の深部をガラスで封止することができる。これにより、反射部１００を構成するセラミックの光の反射特性を活用することができる。従って、反射面１０２を構成するセラミックの表面における光の拡散反射を、発光装置１０の発光効率の向上に寄与させることができる。
【００５４】
また、凹部内形成物１０６は発光素子１２０が発する光に対して透過性を有するので、発光素子１２０が発した光は、凹部内形成物１０６が存在しない場合とほぼ同様に反射面１０２の粗面において反射される。これにより、反射部１００を構成するセラミックの光の反射特性をほぼそのまま活用することができる。
【００５５】
また、第１の実施の形態においては、反射部１００をセラミックから主として構成しているので、無機フィラーを含有する樹脂材料が反射する光よりも広い波長範囲の光を、当該樹脂材料よりも高い反射率で反射することができる。これにより本実施形態に係る発光装置１０は、演色性を大きく向上させることができる。
【００５６】
［第２の実施の形態］
図８は、第２の実施の形態に係る発光装置の断面図を示す。
【００５７】
第２の実施の形態は、図１に示した第１の実施の形態における発光素子をフェイスアップ型としたものであり、その他の構成は第１の実施の形態と同様である。
【００５８】
本実施形態に係る発光装置１１に搭載される発光素子１２１は、フェイスアップ型のＬＥＤである。例えば、発光素子１２１は、近紫外領域を含む光を発する。
【００５９】
発光素子１２１には、第１電極１５０及び第２電極１５２を介して電力が供給される。例えば、直流電源装置（図示しない）の出力端子の極性と、発光素子１２１のｐ電極に第１ワイヤ１５４を介して電気的に接続されている第１電極１５０、及び発光素子１２１のｎ電極に第２ワイヤ１５６を介して電気的に接続されている第２電極１５２のそれぞれの極性とを合わせて、発光素子１２１に電圧を印加する。そして、電圧が印加された発光素子１２１に電流が流れ、発光素子１２１は近紫外の波長領域を含む光を発する。
【００６０】
以上、発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】第１の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る反射面の一部を拡大した模式図である。
【図３】（ａ）は、反射部を構成するアルミナの波長に対する反射率のグラフであり、（ｂ）は、従来の反射部を構成する樹脂の波長に対する反射率のグラフである。
【図４】（ａ）は、塗布物質の塗布前の反射面のＳＥＭ写真であり、（ｂ）は、塗布物質を塗布して焼成した後の反射面のＳＥＭ写真である。
【図５】（ａ）は、窪みにシリコーン樹脂を充填した場合の模式図であり、（ｂ）は、窪みにシリコーン樹脂を充填した場合における沈下量の表である。
【図６】窪みにシリコーン樹脂を充填した場合における沈下量のグラフである。
【図７】（ａ）から（ｄ）は、第１の実施の形態に係る発光装置の各製造工程を示す図である。
【図８】第２の実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０、１１  発光装置
１００  反射部
１０１  貫通孔
１０２  反射面
１０４  凹部
１０６  凹部内形成物
１０８  塗布物質
１１０  搭載部
１１２  搭載部上面
１１４  搭載部下面
１２０、１２１  発光素子
１３０  封止部
１３４  封止材
１３５  シリコーン樹脂
１４０  蛍光体
１５０  第１電極
１５１  第１ビアホール
１５２  第２電極
１５３  第２ビアホール
１５４  第１ワイヤ
１５５  第１電極パターン
１５６  第２ワイヤ
１５７  第２電極パターン
１６０  放熱部
１６２  サブマウント
２００  沈下量
２０２  最下部
２０４  上面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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