(57)【要約】【課題】ポールロックアップを発生させずに書き込み能力の向上を達成できる垂直磁気記録ヘッドを得る。【解決手段】記録媒体との対向面に露出するポールストレート部と該ポールストレート部からハイト方向奥側に向かってトラック幅方向に広がるフレア部とを有する主磁極層、及び該主磁極層と平面視では重なり合い磁気的に接続する補助ヨーク層とを備えた垂直磁気記録ヘッドであって、前記補助ヨーク層は、前記記録媒体との対向面側から同ハイト方向奥側に向かってトラック幅方向に広がるフレア部を備え、前記補助ヨーク層のフレア部は、前記主磁極層のフレア部よりもハイト方向奥側に位置し、前記主磁極層のフレア部は、フレア角を前記補助ヨーク層のフレア角よりも大なる角度に形成した。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体との対向面に露出するポールストレート部と該ポールストレート部からハイト方向奥側に向かってトラック幅方向に広がるフレア部とを有する主磁極層、及び該主磁極層と平面視では重なり合い磁気的に接続する補助ヨーク層を備えた垂直磁気記録ヘッドであって、
前記補助ヨーク層は、前記記録媒体との対向面側から同ハイト方向奥側に向かってトラック幅方向に広がるフレア部を備え、
前記補助ヨーク層のフレア部は、前記主磁極層のフレア部よりもハイト方向奥側に位置し、
前記主磁極層のフレア部は、フレア角が前記補助ヨーク層のフレア角よりも大なる角度に形成されていること、を特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記補助ヨーク層のフレア角は４５゜以上７０゜より小さく形成されている垂直磁気記録ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記主磁極層のフレア部は、ポールストレート部と接続された、ハイト方向奥側に向かって第１フレア角でトラック幅方向に広がる第１フレア部と、該第１フレア部と接続された、ハイト方向奥側に向かって第２フレア角でトラック幅方向に広がる第２フレア部とを有し、前記第２フレア角は前記補助ヨーク層のフレア角よりも大きい垂直磁気記録ヘッド。
【請求項４】
請求項３記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記第１フレア角は前記第２フレア角よりも小さく、かつ前記補助ヨーク層のフレア角以下である垂直磁気記録ヘッド。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記記録媒体との対向面で非磁性層を間に挟んで前記主磁極層に積層されたリターンパス層を有し、前記主磁極層は、ハイト方向奥側に向かって該主磁極層のポールストレート部及びフレア部と一体に形成された基部を有し、前記補助ヨーク層は、ハイト方向奥側に向かって該補助ヨーク層のフレア部と一体に形成された基部を有し、該補助ヨーク層の基部のトラック幅方向の幅が前記主磁極層の基部のトラック幅方向の幅よりも広く形成されている垂直磁気記録ヘッド。
【請求項６】
請求項５記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記主磁極層の基部の幅をＷ１、前記補助ヨーク層の基部の幅をＷ２とすると、
１．５×Ｗ１≦Ｗ２
を満足する垂直磁気記録ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録媒体に垂直磁界を与えて記録動作する垂直磁気記録ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直磁気記録ヘッドは、周知のように、記録媒体との対向面で非磁性層を間に挟んで積層した主磁極層及びリターンパス層と、この主磁極層及びリターンパス層に記録磁界を与えるコイル層とを有している。記録媒体との対向面に露出する主磁極層の面積はリターンパス層の同面積よりも十分小さく、主磁極層とリターンパス層はハイト方向奥側で磁気的に接続されている。主磁極層は、記録媒体に対して強い記録磁界を局所的に印加できるように、記録媒体との対向面に露出するポールストレート部と、該ポールストレート部のハイト方向奥側に接するフレア部とを有している。コイル層を通電すると、主磁極層とリターンパス層の間に記録磁界が誘導され、この記録磁界は主磁極層の媒体対向面に露出する先端面から記録媒体のハード膜に垂直に入射し、同記録媒体のソフト膜を通ってリターンパス層に戻る。これにより、主磁極層との対向部分で磁気記録がなされる。
【０００３】
垂直磁気記録ヘッドでは、記録密度を向上させるとともにスキュー時のフリンジング発生を防止するために、非磁性層の上に形成する主磁極層のポールストレート部（媒体対向面に露出する部分）を、媒体対向面側から見た形状が非磁性絶縁層側で幅狭となる台形形状（ベベル形状）とすることが提案されている（特許文献１、２）。しかし、垂直磁気記録ヘッドでは、書き込み電流を流していないときに主磁極層、補助ヨーク層の磁区が記録媒体に対して垂直に向くことで、記録媒体に記録したデータを消してしまう、ポールロックアップ現象を発生してしまう。このポールロックアップ現象を防止する方法として、主磁極層のポールチップのトレーリング側の面をトラック中心に対して非対称形状とするものが提案されている（特許文献３）。
【特許文献１】特開２００２-１９７６１1号公報
【特許文献２】特開２００３-２４２６０８号公報
【特許文献３】特開２００６-３２３８９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ポールチップが非対称形状であると、トラック中心に対して左右の磁界強度、分布が不均等になってしまう。
【０００５】
本発明は、前記従来の課題に鑑みてなされたもので、ポールロックアップを発生させずに書き込み能力の向上を達成できる垂直磁気記録ヘッドを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
かかる課題を解決する本発明は、記録媒体との対向面に露出するポールストレート部と該ポールストレート部からハイト方向奥側に向かってトラック幅方向に広がるフレア部とを有する主磁極層、及び該主磁極層と平面視では重なり合い磁気的に接続する補助ヨーク層を備えた垂直磁気記録ヘッドであって、前記補助ヨーク層は、前記記録媒体との対向面側から同ハイト方向奥側に向かってトラック幅方向に広がるフレア部を備え、前記補助ヨーク層のフレア部は、前記主磁極層のフレア部よりもハイト方向奥側に位置し、前記主磁極層のフレア部はフレア角が前記補助ヨーク層のフレア角よりも大なる角度に形成されていること、に特徴を有する。
【０００７】
前記補助ヨーク層のフレア角は４５゜以上７０゜より小さく形成することが好ましい。
【０００８】
本発明の垂直磁気記録ヘッドにあっては、前記主磁極層のフレア部が、ポールストレート部と接続された、ハイト方向奥側に向かって第１フレア角でトラック幅方向に広がる第１フレア部と、該第１フレア部と接続された、ハイト方向奥側に向かって第２フレア角でトラック幅方向に広がる第２フレア部とを有する場合は、前記第２フレア角を前記補助ヨーク層のフレア角よりも大きくすることを特徴とする。さらに、前記第１フレア角は、前記第２フレア角よりも小さく、かつ前記補助ヨーク層のフレア角以下とすることが好ましい。
【０００９】
本発明の垂直磁気記録ヘッドは、前記記録媒体との対向面で非磁性層を間に挟んで前記主磁極層に積層されたリターンパス層を有し、前記主磁極層は、ハイト方向奥側に向かって該主磁極層のポールストレート部及びフレア部と一体に形成された基部を有し、前記補助ヨーク層は、ハイト方向奥側に向かって該補助ヨーク層のフレア部と一体に形成された基部を有し、前記補助ヨーク層の基部のトラック幅方向の幅が前記主磁極層の基部のトラック幅方向の幅よりも広く形成されていることが好ましい。
さらに、前記主磁極層の基部の幅をＷ１、前記補助ヨーク層の基部の幅をＷ２とすると、１．５×Ｗ１≦Ｗ２  を満足することがより好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、主磁極層のフレア角を補助ヨーク層のフレア角よりも大きくしたので、磁束を効率よく主磁極層の先端に集め、書き込み能力が大幅に改善されて高記録密度化を達成できる垂直磁気記録ヘッドを得ることができる。
請求項３記載発明によれば、主磁極層の第２フレア角が第１フレア角よりも大きいので、磁区制御により、不用意な書き込みであるポールロックアップを防止しつつ、磁束を効率よく主磁極層の先端に集め、主磁極層の先端からの書き込み能力を改善できる。
さらに請求項５記載発明によれば、主磁極層からリターンパス層への漏れ磁束が発生する対向面積が小さくなるため、磁束のロスが小さくなり、記録能力が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
添付の図面を参照して、本発明を説明する。各図において、Ｘ方向はトラック幅方向、Ｙ方向はハイト方向、Ｚ方向は垂直磁気記録ヘッドＨを構成する各層の積層方向であって、記録媒体Ｍの移動方向として定義される。
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態による垂直磁気記録ヘッドＨの積層構造をトラック幅方向から見て示す部分断面図である。垂直磁気記録ヘッドＨは、スライダ１００のトレーリング側断面に薄膜を積層してなる再生部Ｒと記録部Ｗを有し、記録媒体Ｍに垂直磁界Φを与え、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させることで記録動作する。記録媒体Ｍは、残留磁化の高いハード膜Ｍａを媒体表面側に、磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂをハード膜Ｍａよりも内側に有している。この記録媒体Ｍは、例えば円形ディスクであり、その円中心を回転軸心として、スピンドルモータによって回転させられる。スライダ１００はＡｌ2Ｏ3・ＴｉＣなどの非磁性材で形成されており、スライダ１００の媒体対向面Ｆが記録媒体Ｍに対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ１００が記録媒体Ｍの表面から浮上する。
【００１３】
スライダ１００のトレーリング側端面１００ｂには、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2などの無機材料による非磁性絶縁層１０１が形成され、この非磁性絶縁層１０１の上に、再生部Ｒが形成されている。再生部Ｒは、下部シールド層１０２と、上部シールド層１０５と、この下部シールド層１０２及び上部シールド層１０５の間を埋める無機絶縁層（ギャップ絶縁層）１０４と、この無機絶縁層１０４内に位置する再生素子１０３とを有している。再生素子１０３は、ＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの磁気抵抗効果素子である。
【００１４】
上部シールド層１０５の上には、コイル絶縁下地層１０６を介して、導電性材料により下層コイル１０７が形成されている。下層コイル１０７は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。下層コイル１０７の周囲には、非磁性絶縁層１０８が形成されている。
【００１５】
非磁性絶縁層１０８の上には、主磁極層１１０と、該主磁極層１１０に平面視で重なり合い磁気的に接続された補助ヨーク層１０９が形成されている。補助ヨーク層１０９は、主磁極層１１０よりも磁束飽和密度の低い磁性材料からなり、磁気的に主磁極層１１０に接続し、主磁極層１１０に磁束を導く機能を有する。主磁極層１１０は、平坦化された補助ヨーク層１０９と非磁性絶縁層１０８の上に、メッキ下地層を介して、Ｎｉ-Ｆｅ、Ｃｏ-Ｆｅ、Ｎｉ-Ｆｅ-Ｃｏなどの飽和磁束密度の高い強磁性材料で形成されている。主磁極層１１０の周囲には絶縁材料層１１１が形成され、主磁極層１１０の上には非磁性層である磁気ギャップ層１１３が形成されている。絶縁材料層１１１及び磁気ギャップ層１１３は、例えばＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｌ-Ｓｉ-Ｏなどの非磁性絶縁材料からなる。本実施の形態では、主磁極層１１０の下に補助ヨーク層１０９を配置しているが、主磁極層１１０の上に補助ヨーク層１０９を配置してもよい。
【００１６】
磁気ギャップ層１１３上には、コイル絶縁下地層１１４を介して上層コイル１１５が形成されている。上層コイル１１５は下層コイル１０７と同様に、導電性材料によって複数本形成されている。上層コイル１１５は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。
【００１７】
前記下層コイル１０７と上層コイル１１５とは、ソレノイド状になるように、それぞれの図示Ｘ方向における図示されていない端部同士が電気的に接続され、主磁極層１１０または補助ヨーク層１０９を捲回している。コイル層（磁界発生手段）の形状は特にソレノイド形状に限定されるものではなく、例えばスパイラル形状でもよい。
【００１８】
上層コイル１１５の周囲には非磁性絶縁層１１６が形成され、この非磁性絶縁層１１６の上から磁気ギャップ層１１３上にかけて、パーマロイなどの強磁性材料によりリターンパス層（補助磁極層）１１８が形成されている。リターンパス層１１８は、対向面Ｆに露出する先端面１１８ａを有し、この対向面Ｆでギャップ間隔をあけて主磁極層１１０と対向している。リターンパス層１１８のハイト方向の奥側端部は、主磁極層１１０と接続する接続部１１８ｂである。磁気ギャップ層１１３上であって対向面Ｆから所定距離離れた位置には、無機または有機材料によってスロートハイト決め層１１７が形成されている。この対向面Ｆからスロートハイト決め層１１７の前端縁までの距離により、垂直磁気記録ヘッドＨのスロートハイトが規定される。リターンパス層１１８は、非磁性絶縁材料からなる保護層１１９で覆われている。
【００１９】
この垂直磁気記録ヘッドＨは、主磁極層１１０の第２フレア部１１０Ｃのフレア角α２と補助ヨーク層１０９のフレア部１０９Ｂのフレア角βとの関係に特徴を有するものである。以下、図２乃至図４を参照して、主磁極層１１０と補助ヨーク層１０９のフレア部１１０Ｂ、１１０Ｃ、１０９Ｂの形状及び関係について説明する。
【００２０】
主磁極層１１０は、図２に示されているように、記録媒体Ｍとの対向面Ｆ側から順に、一体に形成された、ポールストレート部１１０Ａ、第１フレア部１１０Ｂ、第２フレア部１１０Ｃ及び基部１１０Ｄを有している。第２フレア部１１０Ｃは、励磁の際、基部１１０Ｄに発生する磁区構造がトラック方向に向くように磁束を整えるための領域であり、第１フレア部１１０Ｂは、基部１１０Ｄ、第２フレア部１１０Ｃからポールストレート部１１０Ａに向かって記録磁界を絞り込むための領域である。第１フレア部１１０Ｂは、ポールストレート部１１０Ａからハイト方向奥側に向かって第１フレア角α１でトラック幅方向の寸法が広がって第２フレア部１１０Ｃに接続している。第２フレア部１１０Ｃは、第１フレア部１１０Ｂからハイト方向奥側（基部１１０Ｄ）に向かって第２フレア角α２でトラック幅方向の寸法が広がって基部１１０Ｄに接続している。ここで、α１＜α２である。
【００２１】
ポールストレート部１１０Ａは、記録媒体Ｍとの対向面Ｆに露出する先端面１１０ａを構成し、トラック幅方向の寸法が所定の書き込みトラック幅Ｔｗで形成され、ハイト方向の寸法が所定のネックハイトＮｈで形成されている。このポールストレート部１１０Ａは、その全長に渡って一様に、記録媒体Ｍとの対向面Ｆから見た断面形状が非磁性絶縁層１０８側で幅狭になる台形形状(ベベル形状)をなしている。このポールストレート部１１０Ａのベベル形状化により、スキュー角を付与したときの書き込みトラック幅Ｔｗを、断面形状を矩形状とした場合（ベベル形状化されていない場合）よりも小さくすることができる。
【００２２】
第１フレア部１１０Ｂは、記録媒体Ｍとの対向面Ｆ側から見た断面形状が非磁性絶縁層１０８側で幅狭になる台形形状に形成されている。第１フレア部１１０Ｂの台形形状は、ポールストレート部１１０Ａとの接続部では該ポールストレート部１１０Ａの断面形状に一致し、ポールストレート部１１０Ａからハイト方向奥側に向かって該台形の長底辺の長さと短底辺の長さの比が１に近づくように徐々に変形して、第２フレア部１１０Ｃに接続している。第２フレア部１１０Ｃの基部１１０Ｄとの接続部における断面形状は、該基部１１０Ｄの断面形状と一致し、短形状（長底辺の長さと短底辺の長さの比が１に等しい状態）となっている。このように第１フレア部１１０Ｂから基部１１０Ｄまでトラック幅方向の寸法を広げることにより、磁区を適切に制御できる。そして、磁区制御によりポールロックアップを抑制できる主磁極構造となっている。
【００２３】
補助ヨーク層１０９は、ハイト方向前側端である先端部１０９Ａが第２フレア部１１０Ｃと重なっていて、この先端部１０９Ａからハイト方向後側に向かって、フレア角βでトラック幅方向の寸法が広がったフレア部１０９Ｂが形成され、フレア部１０９Ｂのハイト方向後側端部が基部１０９Ｃに接続している。この補助ヨーク層１０９のフレア角βは、第２フレア角α２よりも小さく、β＜α２  の関係を満足している。
【００２４】
さらに補助ヨーク層１０９のフレア部１０９Ｂ及び主磁極層１１０の第１、第２フレア部１１０Ｂ、１１０Ｃは、トレーリング側及びリーディング側から見てトラック幅方向中心線に対して左右対称に形成されている。
【００２５】
次に、図３（Ａ）乃至（Ｃ）及び図４を参照して、本発明の実施例１、２と比較例をそれぞれ比較して本発明の効果を説明する。ここでは、α１＝４０゜、α２＝７０゜として、フレア角βを検討している。図３（Ａ）は、比較例としてフレア角β′が９０゜の補助ヨーク層１０９′を示し、図３（Ｂ）はフレア角βが７０゜の補助ヨーク層１０９の実施例１を示し、図３（Ｃ）はフレア角βが４５゜の補助ヨーク層１０９の実施例２を示している。比較例では、α１＜α２＜βであるのに対して、実施例１、２ではフレア角βが第１フレア角α１及び第２フレア角α２より小さい。つまり実施例１、２は、主磁極層１１０の第２フレア角α２が補助ヨーク層１０９のフレア角βより大きいが、比較例は主磁極層１１０の第２フレア角α２より補助ヨーク層１０９′のフレア角β′が大きい。
【００２６】
なお、補助ヨーク層１０９のフレア部１０９Ｂは、主磁極層１１０の第２フレア部１１０Ｃよりもハイト方向奥側に位置する。しかも、平面視（トレーリング側またはリーディング側から見て）、補助ヨーク層１０９のフレア部１０９Ｂの輪郭は主磁極層１１０の第２フレア部１１０Ｃの輪郭内に収まるように形成されている。
【００２７】
以上の比較例、実施例１、２のように形成した主磁極層１１０及び補助ヨーク層１０９において、補助ヨーク層のフレア角を９０゜から７０゜、４５゜、さらに２０゜まで変化させた場合の記録媒体Ｍにおける磁界強度をシミュレートした結果を、下記表１と図４のグラフで示した。図４において、横軸はフレア角β、縦軸は磁界強度（Oe(×１０3／４π  A/m))である。
【００２８】
＜表１＞
フレア角β      90゜  70゜  45゜  20゜
最大磁界強度(Oe)    6479  6595  6627  6207
【００２９】
このシミュレーション結果によれば、最大磁界強度は、フレア角β＝９０゜からフレア角βが減少するにしたがって大きくなり、フレア角β＝４５゜で最大になった。そうして、フレア角βが４５゜より小さくなるにしたがって最大磁界強度は小さくなった。以上のシミュレーション結果から、フレア角βは、９０゜よりも小さい方が最大磁界強度が高くなることが分かり、フレア角βの範囲は４５゜≦β＜７０゜  が好ましいこと、すなわちフレア角βがフレア角α２より小さいことが好ましいことが分かる。ただし、フレア角α１よりフレア角βが小さいと、主磁極層１１０先端に磁束を集め難くなり、記録媒体Ｍにおける磁界強度が小さくなる。
【００３０】
本実施形態の主磁極層１１０は、第１フレア部１１０Ｂ及び第２フレア部１１０Ｃの２段階のフレア構造を有する形状で形成されているが、主磁極層形状は、例えば図５に示すような１段階のフレア構造を有するものであっても、３段階以上のフレア構造を有するものであってもよい。
【００３１】
１段階のフレア構造を有する第２実施形態を図５に示した。図５に示される１段階のフレア構造による主磁極層１２０は、記録媒体との対向面側から順に、一体に形成された、ポールストレート部１２０Ａ、フレア部１２０Ｂ及び基部１２０Ｃを有している。ポールストレート部１２０Ａは、記録媒体との対向面に露出する先端面１２０ａを構成し、トラック幅方向の寸法が所定の書込トラック幅Ｔｗで形成され、ハイト方向の寸法が所定のネックハイトＮｈで形成されている。このポールストレート部１２０Ａは、その全長に渡って一様に、記録媒体との対向面から見た断面形状が非磁性絶縁層１０８側で幅狭になる台形形状（ベベル形状）をなしている。フレア部１２０Ｂは、前記ポールストレート部１２０Ａと同じ形状、すなわち、記録媒体との対向面から見た断面形状が非磁性絶縁層１０８側で幅狭になる台形形状で形成されている。フレア部１２０Ｂの台形形状は、ポールストレート部１２０Ａとの接続部では該ポールストレート部１２０Ａの断面形状に一致し、ポールストレート部１２０Ａから基部１２０Ｃまでハイト方向奥側に向かって該台形の長底辺の長さと短底辺の長さの比が基部１２０Ｃとの接合部において１に等しくなるように徐々に変形する。
【００３２】
補助ヨーク層１０９は、図２、図３に示した第１実施形態と同様である。つまり、補助ヨーク層１０９は、ハイト方向前側端である先端部１０９Ａがフレア部１２０Ｂと平面視で重なっていて、この先端部１０９Ａからハイト方向後側に向かって、フレア角βでトラック幅方向の寸法が広がっている。この補助ヨーク層１０９のフレア角βは、フレア角αよりも小さく、β＜α  の関係を満足している。この第２実施形態において、フレア部１０９Ｂのフレア角βは、好ましくは、４５゜≦β＜７０゜である。
【００３３】
以上の第１、第２実施形態において、補助ヨーク層１０９、主磁極層１１０、１２０のフレア部１０９Ｂ、第１、第２フレア部１１０Ｂ、１１０Ｃ及びフレア部１２０Ｂは、トレーリング側及びリーディング側から見て（平面視）トラック幅方向中心線に対して左右対称に形成されている。補助ヨーク層１０９は、主磁極層１１０、１２０に対してトレーリング側、リーディング側のいずれの側に形成されてもよい。
【００３４】
第１、第２実施形態では、主磁極層１１０の基部１１０Ｄ、１２０Ｃの横幅（トラック方向幅）と補助ヨーク層１０９の基部１０９Ｃの横幅とを略等しく形成していた。つまり、図３（Ｃ）において、基部１１０Ｄのトラック幅方向の幅をＷ１、基部１０９Ｃのトラック幅方向の幅をＷ２とおくと、Ｗ１＝Ｗ２であった。かかる実施形態において、主磁極層１１０及び補助ヨーク層１０９をトラック幅方向中心線（図３（Ｃ）の切断線VI-VI）で縦断した断面図を図６に示した。この中央断面部分においては、主磁極層１１０とリターンパス層１１８との間にスロートハイト決め層１１７が介在するので、主磁極層１１０とリターンパス層１１８の対向面積が小さく、磁束の漏れは少ない。しかし、図３（Ｃ）の切断線VII-VIIで縦断した部分（図７）では、主磁極層１１０とリターンパス層１１８との間にはスロートハイト決め層１１７が介在せず、主磁極層１１０とリターンパス層１１８の距離が近いため、磁束の漏れ、ロスを生じやすい。
【００３５】
そこで本発明のさらに別の実施形態では、補助ヨーク層１０９の横幅（トラック幅方向の幅）を、平面視において主磁極層１３０の横幅よりも広く形成した。図８には、この実施形態の要部を平面視した図を示した。図９には、図８の切断線IX-IXに沿う縦断面図、図１０は図８の切断線X-Xに沿う縦断面図を示した。この主磁極層１３０は、基部１３０Ｄの幅が主磁極層１１０の基部１１０Ｄの幅より狭いが、ポールストレート部１３０Ａ第１、第２フレア部１３０Ａ、１３０Ｂの構成は、対応する主磁極層１１０のポールストレート部１１０Ａ、第１、第２フレア部１１０Ｂ、１１０Ｃの構成と同一である。
【００３６】
この実施形態では、図９から明らかなように、中央断面部分においては、主磁極層１３０とリターンパス層１１８との間にスロートハイト決め層１１７が介在するので、主磁極層１３０とリターンパス層１１８が対向する面積が小さく、磁束の漏れは少ない。さらに図１０から明らかなように、主磁極層１３０の幅方向の縁部においては、主磁極層１３０とリターンパス層１１８との間にスロートハイト決め層１１７が介在しないが、主磁極層１３０とリターンパス層１１８の距離が遠いため、磁束の漏れ、ロスが小さく、記録能力の向上が図られる。
【００３７】
この実施形態において、主磁極層１３０の基部１３０Ｄの幅をＷ１、補助ヨーク層１０９の基部１０９Ｃの幅をＷ２とおくと、Ｗ１＜Ｗ２  を満足するように形成する。好ましくは、１．５×Ｗ１≦Ｗ２  を満足させる。
この条件を満足すると、幅広い補助ヨーク層１０９の基部１０９Ｃでコイル（下層コイル１０７及び上層コイル１１５）からの発生磁界を集め、効率よく絞り込みつつ、主磁極層１３０よりリターンパス層１１８への漏れ磁束が少なく、磁束のロスが小さくなり、記録能力の向上が図られる。
【００３８】
図５に示した１段階のフレア部１２０Ｂを有する主磁極層１２０及び補助ヨーク層１０９も同様に、主磁極層１２０の基部１２０Ｃの幅をＷ１、補助ヨーク層１０９の基部１０９Ｃの幅をＷ２とおくと、Ｗ１＜Ｗ２  、より好ましくは、１．５×Ｗ１≦Ｗ２  となるように形成すれば、前記図８記載の実施形態と同様に磁束のロスが小さくなり、記録能力が向上するという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の一実施形態による垂直磁気記録ヘッドの積層構造を、トラック幅方向から見て示す部分断面図である。
【図２】図１の主磁極層（２段階フレア構造）及び補助ヨーク層の第１実施形態を示す斜視図である。
【図３】主磁極層と補助ヨーク層との関係をトレーリング側から見て示す図であって、（Ａ）は補助ヨーク層のフレア角βが９０゜の場合の比較例を示し、（Ｂ）は補助ヨーク層のフレア角が７０゜の実施例１を示し、（Ｃ）は補助ヨーク層のフレア角が４５゜の実施例２を示す図である。
【図４】補助ヨーク層のフレア角βを９０゜から２０゜まで変化させた場合の最大磁界強度をシミュレートした結果をグラフで示す図である。
【図５】本発明を、主磁極層が１段階フレア構造の垂直磁気記録ヘッドに適用した第２実施形態を示す斜視図である。
【図６】図３（Ｃ）の切断線VI-VIに沿う断面図である。
【図７】図３（Ｃ）の切断線VII-VIIに沿う断面図である。
【図８】補助ヨーク層１０９の横幅を、平面視において主磁極層１１０の横幅よりも広く形成した他の実施形態を示す、図３（Ｃ）同様の図である。
【図９】図８の切断線IX-IXに沿う断面図である。
【図１０】図８の切断線X-Xに沿う断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０８    非磁性絶縁層
１０９    補助ヨーク層
１０９Ｂ  フレア部
１０９Ｃ  基部
１１０    主磁極層
１１０Ａ  ポールストレート部
１１０Ｂ  第１フレア部
１１０Ｃ  第２フレア部
１１０Ｄ  基部
１１７    スロートハイト決め層
１１８    リターンパス層
１２０    主磁極層
１２０Ｃ  基部
１３０    主磁極層
１３０Ｃ  基部
Ｈ      垂直磁気記録ヘッド
Ｍ      記録媒体
Ｍａ    ハード膜
Ｍｂ    ソフト膜
Ｔｗ    トラック幅
α      フレア角
α１    第１フレア角
α２    第２フレア角
β      フレア角
Ｗ１    主磁極層の基部の幅
Ｗ２    補助ヨーク層の基部の幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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