(57)【要約】      （修正有）【課題】配線基板に実装された電子部品と、電子部品を封止するシリカのフィラーを含有した封止樹脂とを備えた半導体装置の製造方法に関し、電磁波を遮断するシールド機能を有した半導体装置のコストを低減することのできる半導体装置の製造方法を提供。【解決手段】グラウンド端子３８を有した配線基板１１と、配線基板１１に実装された電子部品である半導体チップ１２及び受動部品１４，１５と、半導体チップ１２及び受動部品１４，１５を封止するシリカのフィラーを含有した封止樹脂１９と、を備えた半導体装置１０の製造方法であって、封止樹脂１９の表面に存在するシリカのフィラーをフッ化水素水溶液により溶解させ、その後、めっき法により、封止樹脂１９の表面にグラウンド端子３８と電気的に接続されたシールド層２１を形成した。【選択図】図６
2008192978.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラウンド端子を有した配線基板と、前記配線基板に実装された電子部品と、前記電子部品を封止するシリカのフィラーを含有した封止樹脂と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記封止樹脂の表面に存在する前記シリカのフィラーをフッ化水素水溶液により溶解させるシリカ溶解工程と、
前記シリカ溶解工程後に、めっき法により、前記封止樹脂の表面に前記グラウンド端子と電気的に接続されたシールド層を形成するシールド層形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記シリカ溶解工程の前に、前記封止樹脂の表面を洗浄する洗浄工程をさらに設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に配線基板に実装された電子部品と、電子部品を封止するシリカのフィラーを含有した封止樹脂とを備えた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、電磁波を遮断する機能を有した電磁波吸収シートを備えた半導体装置（図１参照）がある。
【０００３】
図１は、従来の半導体装置の断面図である。
【０００４】
図１を参照するに、従来の半導体装置１００は、配線基板１０１と、電子部品である半導体チップ１０３及び受動部品１０４，１０５と、封止樹脂１０７と、電磁波吸収シート１０８とを有する。
【０００５】
配線基板１０１は、基板本体１１１と、基板本体１１１を貫通するように設けられた貫通ビア１１３〜１１５と、基板本体１１１の上面１１１Ａに設けられた配線パターン１１７〜１１９と、基板本体１１１の下面１１１Ｂに設けられた外部接続用パッド１２１〜１２３とを有する。
【０００６】
貫通ビア１１３は、その一方の端部が配線パターン１１７と接続されており、他方の端部が外部接続用パッド１２１と接続されている。貫通ビア１１４は、その一方の端部が配線パターン１１８と接続されており、他方の端部が外部接続用パッド１２２と接続されている。貫通ビア１１５は、その一方の端部が配線パターン１１９と接続されており、他方の端部が外部接続用パッド１２３と接続されている。
【０００７】
半導体チップ１０３は、基板本体１１１の上面１１１Ａに接着されている。半導体チップ１０３は、金属ワイヤ１０９Ａの一方の端部と接続された電極パッド１２５Ａと、金属ワイヤ１０９Ｂの一方の端部と接続された電極パッド１２５Ｂとを有する。金属ワイヤ１０９Ａの他方の端部は、配線パターン１１７と接続されており、金属ワイヤ１０９Ｂの他方の端部は、配線パターン１１８と接続されている。つまり、半導体チップ１０３は、配線基板１０１に対してワイヤボンディング接続されている。
【０００８】
受動部品１０４は、配線パターン１１８上に設けられている。受動部品１０４は、配線パターン１１８と電気的に接続されている。受動部品１０５は、配線パターン１１９上に設けられている。受動部品１０５は、配線パターン１１９と電気的に接続されている。
【０００９】
封止樹脂１０７は、半導体チップ１０３、受動部品１０４，１０５、及び金属ワイヤ１０９Ａ，１０９Ｂを封止するように、基板本体１１１の上面１１１Ａに設けられている。封止樹脂１０７の上面１０７Ａは、平坦な面とされている。封止樹脂１０７は、耐湿性に優れ、熱膨張係数が小さいという特性を有することが好ましい。このような特性を実現するために、封止樹脂１０７を構成する樹脂に対して７０％程度のシリカのフィラーが含有されている。このようなシリカのフィラーを多く含有した封止樹脂１０７の表面は、従来の樹脂表面の粗化処理（例えば、過マンガン酸エッチングによる処理）により粗化することが困難である（シリカ含有量が多く粗化形状を制御できない）。そのため、封止樹脂１０７の表面に金属膜を形成することはできない。
【００１０】
電磁波吸収シート１０８は、封止樹脂１０７の上面１０７Ａに貼り付けられている。電磁波吸収シート１０８は、接着テープ上に設けられた樹脂に初透磁率の高い金属のフィラーを含有させたシートである。電磁波吸収シート１０８は、電磁波を遮断する機能を有する。
【００１１】
図２〜図５は、従来の半導体装置の製造工程を示す図である。図２〜図５において、従来の半導体装置１００と同一構成部分には同一符号を付す。
【００１２】
図２〜図５を参照して、従来の半導体装置１００の製造方法について説明する。始めに、図２に示す工程では、周知の手法により、配線基板１０１を形成する。次いで、図３に示す工程では、半導体チップ１０３を配線１１７，１１８にワイヤボンディング接続すると共に、受動部品１０４を配線１１８に実装し、さらに受動部品１０５を配線１１９に実装する。
【００１３】
次いで、図４に示す工程では、半導体チップ１０３、受動部品１０４，１０５、及び金属ワイヤ１０９Ａ，１０９Ｂを封止する封止樹脂１０７を形成する。次いで、図５に示す工程では、封止樹脂１０７の上面１０７Ａに電磁波吸収シート１０８を貼り付ける。これにより、電磁波を遮断する機能を有した半導体装置１００が製造される（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００２−１７６２８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、電磁波吸収シート１０８は、高価であるため、電磁波吸収シート１０８を用いることにより、半導体装置１００のコストが増加してしまうという問題があった。
【００１５】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、電磁波を遮断するシールド機能を有した半導体装置のコストを低減することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の一観点によれば、グラウンド端子を有した配線基板と、前記配線基板に実装された電子部品と、前記電子部品を封止するシリカのフィラーを含有した封止樹脂と、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記封止樹脂の表面に存在する前記シリカのフィラーをフッ化水素水溶液により溶解させるシリカ溶解工程と、前記シリカ溶解工程後に、めっき法により、前記封止樹脂の表面に前記グラウンド端子と電気的に接続されたシールド層を形成するシールド層形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１７】
本発明によれば、封止樹脂の表面に存在するシリカのフィラーをフッ化水素水溶液により溶解させることにより、封止樹脂の表面を粗化することが可能となる。これにより、電磁波吸収シートよりも安価なめっき法により、粗化された封止樹脂の表面にグラウンド端子と電気的に接続されたシールド層を形成することが可能となるため、半導体装置のコストを低減することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、電磁波を遮断するシールド機能を有した半導体装置のコストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００２０】
（第１の実施の形態）
図６は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【００２１】
図６を参照するに、第１の実施の形態の半導体装置１０は、配線基板１１と、電子部品である半導体チップ１２及び受動部品１４，１５と、金属ワイヤ１６，１７と、封止樹脂１９と、シールド層２１とを有する。
【００２２】
配線基板１１は、基板本体２３と、貫通ビア２５〜２７と、配線パターン３１〜３３と、外部接続用パッド３５〜３７と、グラウンド端子３８とを有する。
【００２３】
基板本体２３は、板状とされたコア基板である。基板本体２３には、貫通孔３４Ａ〜３４Ｃが形成されている。基板本体２３としては、例えば、ガラスエポキシ基板を用いることができる。
【００２４】
貫通ビア２５は、貫通孔３４Ａに設けられている。貫通ビア２５は、その一方の端部が配線パターン３１と接続されており、他方の端部が外部接続用パッド３５と接続されている。貫通ビア２６は、貫通孔３４Ｂに設けられている。貫通ビア２６は、その一方の端部が配線パターン３２と接続されており、他方の端部が外部接続用パッド３６と接続されている。貫通ビア２７は、貫通孔３４Ｃに設けられている。貫通ビア２７は、その一方の端部が配線パターン３３と接続されており、他方の端部が外部接続用パッド３７と接続されている。
【００２５】
配線パターン３１は、貫通ビア２５の形成位置に対応する部分の基板本体２３の上面２３Ａに設けられている。配線パターン３１は、貫通ビア２５と接続されている。配線パターン３２は、貫通ビア２６の形成位置に対応する部分の基板本体２３の上面２３Ａに設けられている。配線パターン３２は、貫通ビア２６と接続されている。配線パターン３３は、貫通ビア２７の形成位置に対応する部分の基板本体２３の上面２３Ａに設けられている。配線パターン３３は、貫通ビア２７と接続されている。
【００２６】
外部接続用パッド３５は、貫通ビア２５の形成位置に対応する部分の基板本体２３の下面２３Ｂに設けられている。外部接続用パッド３５は、貫通ビア２５と接続されている。外部接続用パッド３５は、貫通ビア２５を介して、配線パターン３１と電気的に接続されている。
【００２７】
外部接続用パッド３６は、貫通ビア２６の形成位置に対応する部分の基板本体２３の下面２３Ｂに設けられている。外部接続用パッド３６は、貫通ビア２６と接続されている。外部接続用パッド３６は、貫通ビア２６を介して、配線パターン３２と電気的に接続されている。
【００２８】
外部接続用パッド３７は、貫通ビア２７の形成位置に対応する部分の基板本体２３の下面２３Ｂに設けられている。外部接続用パッド３７は、貫通ビア２７と接続されている。外部接続用パッド３７は、貫通ビア２７を介して、配線パターン３３と電気的に接続されている。
【００２９】
グラウンド端子３８は、グラウンド電位とされた端子であり、基板本体２３の上面２３Ａに設けられている。グラウンド端子３８は、シールド層２１と接続されている。
【００３０】
半導体チップ１２は、基板本体２３の上面２３Ａに接着されている。半導体チップ１２は、半導体基板（図示せず）と、半導体基板に形成された集積回路（図示せず）と、集積回路と電気的に接続された電極パッド４１，４２とを有する。電極パッド４１は、金属ワイヤ１６を介して、配線パターン３１と電気的に接続されており、電極パッド４２は、金属ワイヤ１７を介して、配線パターン３２と電気的に接続されている。つまり、半導体チップ１２は、配線基板１１に対してワイヤボンディング接続されている。
【００３１】
受動部品１４は、配線パターン３２上に固定されており、配線パターン３２と電気的に接続されている。受動部品１５は、配線パターン３３上に固定されており、配線パターン３３と電気的に接続されている。受動部品１４，１５としては、例えば、チップ抵抗、チップコンデンサ、水晶振動子等を用いることができる。
【００３２】
金属ワイヤ１６は、その一方の端部が電極パッド４１と接続されており、他方の端部が配線パターン３１と接続されている。金属ワイヤ１７は、その一方の端部が電極パッド４２と接続されており、他方の端部が配線パターン３２と接続されている。
【００３３】
封止樹脂１９は、半導体チップ１２、受動部品１４，１５、及び金属ワイヤ１６，１７を封止するように、基板本体２３の上面２３Ａ側に設けられている。封止樹脂１９の上面１９Ａは、平坦な面とされている。封止樹脂１９は、グラウンド端子３８の上面を露出する開口部４４を有する。封止樹脂１９は、吸湿性に優れた特性や熱膨張係数が小さいという特性を有することが好ましい。このような特性を実現するために、封止樹脂１９を構成する樹脂に対して７０％程度のシリカのフィラーが含有されている。封止樹脂１９を構成する樹脂としては、例えば、フェノール系硬化型樹脂を用いることができる。シールド層２１の形成領域に対応する封止樹脂１９の表面（具体的には、封止樹脂１９の上面１９Ａ及び開口部４４を構成する封止樹脂１９の面）は、フッ化水素水溶液によりシリカのフィラーが溶解されており、粗化されている（図１３参照）。封止樹脂１９は、例えば、トランスファーモールド法により形成することができる。
【００３４】
シールド層２１は、粗化処理された封止樹脂１９の表面に設けられている。シールド層２１は、ビア部４６と、シールド層本体４７とを有する。ビア部４６は、開口部４４に設けられている。ビア部４６の下端部は、グラウンド端子３８と接続されており、ビア部４６の上端部は、シールド層本体４７と接続されている。シールド層本体４７は、粗化処理された封止樹脂１９の上面１９Ａに設けられている。シールド層本体４７は、ビア部４６と一体的に構成されており、ビア部４６を介して、グラウンド端子３８と電気的に接続されている。これにより、シールド層本体４７は、グラウンド電位とされている。シールド層２１は、半導体チップ１２及び受動部品１４，１５が放出する電磁波を遮断すると共に、半導体装置１０の外部に存在する他の装置（図示せず）から放出された電磁波を遮断して、他の装置から放出された電磁波により半導体チップ１２及び受動部品１４，１５が悪影響を受けることを防止するためのものである。
【００３５】
シールド層２１の材料としては、例えば、電磁波を遮断する特性を有する金属を用いることができ、具体的には、導電性の高い金属（体積抵抗率が３×１０−８Ω・ｍ以下）や初透磁率の高い金属（初透磁率が１５０以上の金属）を用いるとよい。
【００３６】
導電性の高い金属としては、例えば、Ｃｕ等を用いることができる。また、初透磁率の高い金属としては、例えば、Ｎｉ等を用いることができる。
【００３７】
シールド層２１は、無電解めっき法、或いは無電解めっき法と電解めっき法とを組み合わせた方法により形成することができる。具体的なシールド層としては、例えば、無電解めっき法により形成されたＮｉ膜又はＣｕ膜、或いは、無電解めっき法により形成したＮｉ膜上に電解めっき法により形成されたＣｕ膜を積層させた積層膜等を用いることができる。
【００３８】
シールド層２１としてＮｉ膜を用いた場合、シールド層本体４７の厚さＭ１は、例えば、０．５μｍとすることができる。また、シールド層２１としてＮｉ膜／Ｃｕ積層膜を用いた場合、シールド層本体４７の厚さＭ１は、例えば、２．０μｍとすることができる。この場合、Ｎｉ膜の厚さは、例えば、１．０μｍとすることができ、Ｃｕ膜の厚さは、例えば、１．０μｍとすることができる。
【００３９】
本実施の形態の半導体装置によれば、粗化処理された封止樹脂１９にめっき法により形成されたシールド層２１を設けることにより、高価な電磁波吸収シート１０８を備えた従来の半導体装置１００（図１参照）と比較して、半導体装置１０のコストを低減することができる。
【００４０】
図７〜図１５は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図７〜図１５において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４１】
図７〜図１５を参照して、第１の実施の形態の半導体装置１０の製造方法について説明する。始めに、図７に示す工程では、半導体装置１０が形成される半導体装置形成領域Ａを複数有した基板５１を準備する。複数の半導体装置形成領域Ａ間は、切断領域Ｂにより分離されている。基板５１は、後述する図１５に示す工程において、切断領域Ｂに対応する部分を切断されることにより、複数の基板本体２３（図６参照）となる。基板５１としては、例えば、ガラスエポキシ基板を用いることができる。
【００４２】
次いで、図８に示す工程では、周知の手法により、半導体装置形成領域Ａに対応する部分の基板５１に、貫通孔３４Ａ〜３４Ｃ、貫通ビア２５〜２７、配線パターン３１〜３３、外部接続用パッド３５〜３７、及びグラウンド端子３８を形成する。これにより、複数の半導体装置形成領域Ａに対応する部分の基板５１に、配線基板１１に相当する構造体が形成される。
【００４３】
次いで、図９に示す工程では、半導体装置形成領域Ａに対応する部分の基板５１の上面５１Ａに半導体チップ１２を接着し、半導体チップ１２を配線パターン３１，３２にワイヤボンディング接続（ワイヤ１６，１７により接続）すると共に、受動部品１４を配線パターン３２に実装し、受動部品１５を配線パターン３３に実装する。
【００４４】
次いで、図１０に示す工程では、図９に示す構造体の上面側全体を覆うように、平坦な上面１９Ａを有した封止樹脂１９を形成する。これにより、複数の半導体装置形成領域Ａに設けられた半導体チップ１２、受動部品１４，１５、ワイヤ１６，１７、及びグラウンド端子３８が封止される。封止樹脂１９は、例えば、トランスファーモールド法により形成することができる。封止樹脂１９は、耐湿性に優れたモールド樹脂であり、封止樹脂１９を構成する樹脂に対して７０％程度のシリカのフィラーが含有されている。封止樹脂１９を構成する樹脂としては、例えば、フェノール系硬化型樹脂を用いることができる。
【００４５】
次いで、図１１に示す工程では、封止樹脂１９にグラウンド端子３８の上面を露出する開口部４４を形成する。このとき、封止樹脂１９の表面（具体的には、封止樹脂１９の上面１９Ａ及び開口部４４を構成する封止樹脂１９の面）及び／又はグラウンド端子３８上には、開口部４４を加工する際に発生した樹脂残渣５３が残る。開口部４４は、例えば、レーザ加工やドリル加工等の方法により形成することができる。
【００４６】
次いで、図１２に示す工程では、洗浄液により、封止樹脂１９の表面及びグラウンド端子３８上に残った樹脂残渣５３と封止樹脂１９の表面に形成された自然酸化膜とを除去し、続いて、中和液により封止樹脂１９の表面及びグラウンド端子３８上に残留した洗浄液を除去する（洗浄工程）。具体的には、例えば、過マンガン酸ナトリウム（濃度：６０ｇ／Ｌ）と水酸化ナトリウム（濃度：４０ｇ／Ｌ）とを純水に溶かした洗浄液を８０℃に加熱し、この加熱した洗浄液に図１１に示す構造体を１０分間浸漬させることにより、樹脂残渣５３を除去する。その後、硫酸（濃度：５０ｍｌ／Ｌ）とグリオキザール（濃度：７ｍｌ／Ｌ）と純水とを混合させた中和液を３５℃に加熱し、この加熱した中和液に上記洗浄処理された図１１に示す構造体を５分間浸漬させることにより、封止樹脂１９の表面及びグラウンド端子３８上の残留物を除去する。
【００４７】
このように、シールド層２１を形成する前に上記説明した洗浄処理を行うことにより、樹脂残渣５３が除去されるため、シールド層２１とグラウンド端子３８との間の導通を十分に確保することができる。また、上記洗浄処理を行うことにより、シリカのフィラーを覆っている樹脂が除去されるため、後述する図１３に示す工程において、封止樹脂１９の表面に存在するシリカのフィラーを溶解しやすくなる。
【００４８】
次いで、図１３に示す工程では、フッ化水素水溶液により、封止樹脂１９の表面（具体的には、封止樹脂１９の上面１９Ａ及び開口部４４を構成する封止樹脂１９の面）に存在するシリカのフィラーを溶解して、封止樹脂１９の表面を粗化させる（シリカ溶解工程）。具体的には、例えば、純水により１０wt％の濃度に希釈されたフッ化水素水溶液（温度は、例えば、２３℃）に、図１２に示す構造体を５分〜１０分浸漬させることにより、封止樹脂１９の表面に存在するシリカのフィラーを溶解させる。
【００４９】
このように、フッ化水素水溶液を用いて封止樹脂１９の表面に存在するシリカのフィラーを溶解することにより、シールド層２１が形成される封止樹脂１９の表面を粗化することが可能となる。これにより、無電解めっき法を用いて、封止樹脂１９の表面に直接金属膜を形成することができる。
【００５０】
次いで、図１４に示す工程では、めっき法により、開口部４４を充填すると共に、封止樹脂１９の上面１９Ａを覆うように金属膜を析出成長させることにより、ビア部４６及びシールド層本体４７からなるシールド層２１を形成する（シールド層形成工程）。上記金属膜を構成する金属としては、例えば、電磁波を遮断する特性を有した金属を用いることができ、具体的には、導電性の高い金属（体積抵抗率が３×１０−８Ω・ｍ以下）や初透磁率の高い金属（初透磁率が１５０以上の金属）を用いるとよい。導電性の高い金属としては、例えば、Ｃｕ等を用いることができる。また、初透磁率の高い金属としては、例えば、Ｎｉ等を用いることができる。
【００５１】
具体的には、シールド層２１は、例えば、図１３に示す構造体の封止樹脂１９の表面に、自然酸化膜が形成されることを防止する酸化膜形成防止処理や触媒の付与処理等の周知の無電解めっき前処理を行った後、無電解めっき法により、封止樹脂１９の表面１９ＡにＮｉ膜を析出成長させることにより形成する。この場合、シールド層本体４７の厚さＭ１は、例えば、０．５μｍとすることができる。また、必要に応じて、無電解めっき法により形成されたＮｉ膜上に、電解めっき法によりＮｉ膜をさらに形成してもよい。
【００５２】
なお、シールド層２１を膜種の異なる積層膜としてもよい。具体的には、例えば、無電解めっき法により封止樹脂１９の表面に厚さ０．５μｍのＮｉ膜を形成し、その後、電解めっき法によりＮｉ膜上に厚さ１．０μｍのＣｕ膜を形成することにより、シールド層２１を構成してもよい。この場合、Ｎｉ膜の厚さは、例えば、１．０μｍとすることができ、Ｃｕ膜の厚さは、例えば、１．０μｍとすることができる。
【００５３】
このように、封止樹脂１９の表面にめっき法によりシールド層２１を形成することにより、高価な電磁波吸収シート１０８を備えた従来の半導体装置１００（図１参照）と比較して、半導体装置１０のコストを低減することができる。
【００５４】
次いで、図１５に示す工程では、切断領域Ｂに対応する部分のシールド層本体４７、封止樹脂１９、及び基板５１を切断する。これにより、複数の半導体装置１０が製造される。
【００５５】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、フッ化水素水溶液により、封止樹脂１９の表面に存在するシリカのフィラーを溶解させて、封止樹脂１９の表面を粗化し、その後、電磁波吸収シート１０８よりも安価なめっき法により、粗化された封止樹脂１９の表面にシールド層２１を形成することにより、電磁波吸収シート１０８を備えた従来の半導体装置１００（図１参照）と比較して、半導体装置１０のコストを低減することができる。
【００５６】
（第２の実施の形態）
図１６は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図１６において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００５７】
図１６を参照するに、第２の実施の形態の半導体装置６０は、第１の実施の形態の半導体装置１０の構成にさらに、ビルドアップ樹脂６１とアンテナパターン６２とを設けた以外は、半導体装置１０と同様に構成される。
【００５８】
ビルドアップ樹脂６１は、シールド層２１の上面２１Ａを覆うように設けられている。ビルドアップ樹脂６１には、シールド層２１の上面２１Ａの一部を露出する開口部６３が形成されている。ビルドアップ樹脂６１は、従来の樹脂表面の粗化処理（具体的には、例えば、過マンガン酸エッチング処理）が可能な樹脂である。ビルドアップ樹脂６１の表面（具体的には、ビルドアップ樹脂６１の上面６１Ａ及び開口部６３を構成するビルドアップ樹脂６１の面）は、粗化されている。
【００５９】
アンテナパターン６２は、粗化処理されたビルドアップ樹脂６１の表面に設けられている。アンテナパターン６２は、ビア部６４と、アンテナパターン本体６５とを有する。ビア部６４は、粗化処理された開口部６３に設けられている。ビア部６４の下端部は、シールド層２１と接続されており、ビア部６４の上端部は、アンテナパターン本体６５と接続されている。アンテナパターン本体６５は、粗化処理されたビルドアップ樹脂６１の上面６１Ａを覆うように設けられている。アンテナパターン本体６５は、ビア部４６と一体的に構成されている。アンテナパターン６２の材料としては、金属を用いることができ、具体的には、例えば、Ｃｕを用いることができる。アンテナパターン６２は、例えば、めっき法、真空蒸着法、スパッタ法等の方法により形成することができる。また、アンテナパターン６２の材料としてＣｕを用いた場合、アンテナパターン本体６５の厚さＭ２は、例えば、１．０μｍとすることができる。
【００６０】
本実施の形態の半導体装置によれば、封止樹脂１９に直接設けられたシールド層２１上に、ビッドアップ樹脂６１とアンテナパターン６２とを積層させることにより、半導体装置６０の実装密度を向上させることができる。
【００６１】
（第３の実施の形態）
図１７は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図１７において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００６２】
図１７を参照するに、第３の実施の形態の半導体装置７０は、第１の実施の形態の半導体装置１０に設けられたシールド層２１の代わりにシールド層７１を設けると共に、さらにビルドアップ樹脂７２と、開口部７３と、ビア７５と、配線パターン７６と、電子部品７８とを設けた以外は半導体装置１０と同様に構成される。
【００６３】
シールド層７１は、封止樹脂１９の表面（具体的には、封止樹脂１９の上面１９Ａ及び開口部４４を構成する封止樹脂１９の面）に設けられている。シールド層７１は、第１の実施の形態で説明したシールド層２１に設けられたシールド層本体４７の代わりに、シールド層本体８２を設けた以外はシールド層２１と同様に構成される。シールド層本体８２は、第１の実施の形態で説明したシールド層本体４７に、封止樹脂１９の上面１９Ａの一部を露出する開口部７１Ａを設けた以外はシールド層本体４７と同様に構成される。開口部７１Ａは、シールド層本体８２を貫通するように形成されている。開口部７１Ａは、ビア７５を通過させるためのものであり、開口部７１Ａの直径はビア７５の直径よりも大きくなるように形成されている。
【００６４】
ビルドアップ樹脂７２は、開口部７１Ａを充填すると共に、シールド層本体８２の上面を覆うように設けられている。ビルドアップ樹脂７２は、従来の樹脂表面の粗化処理（具体的には、例えば、過マンガン酸エッチング処理）が可能な樹脂である。ビルドアップ樹脂７２の上面７２Ａは粗化されている。
【００６５】
開口部７３は、配線パターン３２と配線パターン７６とを電気的に接続するビア７５を配設するためのものである。開口部７３は、配線パターン３２と配線パターン７６との間に位置する部分の封止樹脂１９及びビルドアップ樹脂７２を貫通するように形成されている。開口部７３は、配線パターン３２の上面を露出している。開口部７３を構成する部分の封止樹脂１９の面及びビルドアップ樹脂７２の面は、粗化処理されている。
【００６６】
ビア７５は、開口部７３に設けられている。ビア７５の下端部は、配線パターン３２と接続されており、ビア７５の上端部は配線パターン７６と接続されている。これにより、配線パターン３２と配線パターン７６とは電気的に接続されている。
【００６７】
配線パターン７６は、ビア７５の形成位置に対応する部分のビルドアップ樹脂７２の上面７２Ａに設けられている。配線パターン７６は、ビア７５と一体的に構成されている。ビア７５及び配線パターン７６の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。ビア７５及び配線パターン７６は、例えば、めっき法により同時に形成することができる。
【００６８】
電子部品７８は、配線パターン７６に実装されている。電子部品７８は、配線パターン７６と電気的に接続されている。電子部品７８は、配線パターン７８及びビア７５を介して、配線パターン３２と電気的に接続されている。電子部品７８としては、例えば、半導体チップや受動部品等を用いることができる。受動部品としては、例えば、チップ抵抗、チップコンデンサ、水晶振動子等を用いることができる。
【００６９】
本実施の形態の半導体装置によれば、封止樹脂１９に直接設けられたシールド層２１上に、ビッドアップ樹脂７１と配線パターン７６とを積層させると共に、配線パターン７６に実装された電子部品７８を設けることにより、半導体装置７０の実装密度を向上させることができる。
【００７０】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明は、配線基板に実装された電子部品と、電子部品を封止するシリカのフィラーを含有した封止樹脂とを備えた半導体装置の製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】従来の半導体装置の断面図である。
【図２】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図３】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図４】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図５】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その８）である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その９）である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１７】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０，６０，７０  半導体装置
１１  配線基板
１２  半導体チップ
１４，１５  受動部品
１６，１７  金属ワイヤ
１９  封止樹脂
２１，７１  シールド層
２３  基板本体
１９Ａ，２１Ａ，２３Ａ，５１Ａ，６１Ａ，７２Ａ  上面
２３Ｂ  下面
２５〜２７  貫通ビア
３１〜３３，７６  配線パターン
３４Ａ〜３４Ｃ  貫通孔
３５〜３７  外部接続用パッド
３８  グラウンド端子
４１，４２  電極パッド
４４，６３，７１Ａ，７３  開口部
４６，６４  ビア部
４７，８２  シールド層本体
５１  基板
５３  樹脂残渣
６１，７２  ビルドアップ樹脂
６５  アンテナパターン本体
７５  ビア
７８  電子部品
Ａ  半導体装置形成領域
Ｂ  切断領域
Ｍ１，Ｍ２  厚さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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