(57)【要約】【課題】配線パターンに対してアクティブ面が下向きとなるようにしてフェイスダウンの状態で電気的に接続されてなる電子部品を、前記配線パターン間に介在する絶縁部材中に埋設するとともに実装されてなる電子部品実装配線板において、加熱処理などに伴って発生する応力に起因して前記電子部品や前記絶縁部材が破壊してしまうのを防止し、前記電子部品内蔵配線板の歩留まりを向上させる。【解決方法】電子部品のアクティブ面と相対向して位置する裏面の少なくとも一部に、電子部品内蔵配線板を構成する少なくとも一対の配線パターンを構成する材料と同じ材料からなる密着層を形成し、前記電子部品及び前記一対の配線パターン間に存在する絶縁部材間の密着性を向上させる。【選択図】図１
2008270479.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一対の配線パターンと、
前記少なくとも一対の配線パターン間に介在する絶縁部材と、
前記少なくとも一対の配線パターン間において、前記絶縁部材中に埋設されるとともに、アクティブ面が下向きとなるようなフェイスダウンの状態で、前記少なくとも一対の配線パターンに対して電気的に接続されてなる電子部品と、
前記電子部品の、前記アクティブ面と相対向して位置する裏面の少なくとも一部に形成された、前記少なくとも一対の配線パターンを構成する材料と同じ材料からなる密着層と、
を具えることを特徴とする、電子部品実装配線板。
【請求項２】
前記電子部品の前記裏面上において、前記電子部品と前記密着層との間に形成された接着層を具えることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品実装配線板。
【請求項３】
前記密着層の、前記電子部品側に向いた面と相対向する面が粗化されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の電子部品実装配線板。
【請求項４】
前記少なくとも一対の配線パターンは複数の配線パターンであり、前記複数の配線パターンの内、一対の配線パターンがそれぞれ前記絶縁部材の表面及び裏面上に設けられ、残りの配線パターンが前記絶縁部材中に埋設され、前記複数の配線パターンの少なくとも一部同士及び前記複数配線パターンの少なくとも一部と前記電子部品とが複数の層間接続体で電気的機械的に接続されてなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の電子部品実装配線板。
【請求項５】
前記複数の層間接続体の少なくとも１つは、前記絶縁部材の厚さ方向に一致する軸を有し、前記軸方向の径が前記絶縁部材の厚さ方向で変化することを特徴とする、請求項４に記載の電子部品実装配線板。
【請求項６】
前記密着層をグランド電位とし、前記密着層に対して電磁シールド機能を付与したことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一に記載の電子部品実装配線板。
【請求項７】
前記電子部品はシリコンを主原料とする半導体部品であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一に記載の電子部品実装配線板。
【請求項８】
前記配線パターン及び前記密着層を構成する前記材料は銅であることを特徴とする、請求項７に記載の電子部品実装配線板。
【請求項９】
前記接着層は、Ｔｉ、Ｎｉ、及びＣｒからなる群より選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする、請求項７又は８に記載の電子部品実装配線板。
【請求項１０】
少なくとも一対の配線パターンと、この一対の配線パターン間に介在する絶縁部材中に埋設されるようにしてアクティブ面が下向きとなるようにしてフェイスダウンの状態で電気的に接続されてなる電子部品とを具える電子部品実装配線板において、
前記電子部品の、前記アクティブ面と相対向して位置する裏面の少なくとも一部に、前記少なくとも一対の配線パターンを構成する材料と同じ材料からなる密着層を形成し、前記電子部品及び前記絶縁部材間の密着性を向上させることを特徴とする、電子部品実装配線板における電子部品の剥離防止方法。
【請求項１１】
前記電子部品の前記裏面上において、前記電子部品と前記密着層との間に接着層を形成することを特徴とする、請求項１０に記載の電子部品実装配線板における電子部品の剥離防止方法。
【請求項１２】
前記密着層の、前記電子部品側に向いた面と相対向する面を粗化することを特徴とする、請求項１０又は１１に記載の電子部品実装配線板における電子部品の剥離防止方法。
【請求項１３】
前記少なくとも一対の配線パターンは複数の配線パターンであり、前記複数の配線パターンの内、一対の配線パターンがそれぞれ前記絶縁部材の表面及び裏面上に設けられ、残りの配線パターンが前記絶縁部材中に埋設され、前記複数の配線パターンの少なくとも一部同士及び前記複数配線パターンの少なくとも一部と前記電子部品とが複数の層間接続体で電気的機械的に接続されてなることを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれか一に記載の電子部品実装配線板における電子部品の剥離防止方法。
【請求項１４】
前記電子部品はシリコンを主原料とする半導体部品であることを特徴とする、請求項１０〜１３のいずれか一に記載の電子部品実装配線板における電子部品の剥離防止方法。
【請求項１５】
前記配線パターン及び前記密着層を構成する前記材料は銅であることを特徴とする、請求項１４に記載の電子部品実装配線板における電子部品の剥離防止方法。
【請求項１６】
前記接着層は、Ｔｉ、Ｎｉ、及びＣｒからなる群より選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする、請求項１４又は１５に記載の電子部品実装配線板における剥離防止方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線パターンに対してアクティブ面が下向きとなるようにしてフェイスダウンの状態で電気的に接続されてなる電子部品を、前記配線パターン間に介在する絶縁部材中に埋設するとともに実装されてなる電子部品実装配線板、及びその電子部品実装配線板内に実装されてなる前記電子部品の剥離を防止する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高性能化・小型化の流れの中、回路部品の高密度、高機能化が一層求められている。かかる観点より、回路部品を搭載したモジュールにおいても、高密度、高機能化への対応が要求されている。このような要求に答えるべく、現在では配線板を多層化することが盛んに行われている。
【０００３】
このような多層化配線板においては、複数の配線パターンを互いに略平行となるようにして配置し、前記配線パターン間に絶縁部材を配し、半導体部品などの電子部品は前記絶縁部材中に前記配線パターンの少なくとも１つに電気的に接続するようにして埋設するとともに、前記絶縁部材間を厚さ方向に貫通した層間接続体（ビア）を形成し、前記複数の配線パターンを互いに電気的に接続するようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−１９７８４９号
【０００４】
しかしながら、このような電子部品内蔵配線板においては、その製造工程におけるリフローなどの加熱処理中に発生する応力などによって、前記電子部品が破壊したり、前記絶縁部材が破壊したりするという問題が生じていた。この結果、前記電子部品内蔵配線板の歩留まりが低下してしまっていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、配線パターンに対してアクティブ面が下向きとなるようにしてフェイスダウンの状態で電気的に接続されてなる電子部品を、前記配線パターン間に介在する絶縁部材中に埋設するとともに実装されてなる電子部品実装配線板において、加熱処理などに伴って発生する応力に起因して前記電子部品や前記絶縁部材が破壊してしまうのを防止し、前記電子部品内蔵配線板の歩留まりを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成すべく、本発明は、
少なくとも一対の配線パターンと、
前記少なくとも一対の配線パターン間に介在する絶縁部材と、
前記少なくとも一対の配線パターン間において、前記絶縁部材中に埋設されるとともに、アクティブ面が下向きとなるようなフェイスダウンの状態で、前記少なくとも一対の配線パターンに対して電気的に接続されてなる電子部品と、
前記電子部品の、前記アクティブ面と相対向して位置する裏面の少なくとも一部に形成された、前記少なくとも一対の配線パターンを構成する材料と同じ材料からなる密着層と、
を具えることを特徴とする、電子部品実装配線板に関する。
【０００７】
また、本発明は、
少なくとも一対の配線パターンと、この一対の配線パターン間に介在する絶縁部材中に埋設されるようにしてアクティブ面が下向きとなるようにしてフェイスダウンの状態で電気的に接続されてなる電子部品とを具える電子部品実装配線板において、
前記電子部品の、前記アクティブ面と相対向して位置する裏面の少なくとも一部に、前記少なくとも一対の配線パターンを構成する材料と同じ材料からなる密着層を形成し、前記電子部品及び前記絶縁部材間の密着性を向上させることを特徴とする、電子部品実装配線板における電子部品の剥離防止方法に関する。
【０００８】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討を実施した。その結果、配線パターンに対してアクティブ面が下向きとなるようにしてフェイスダウンの状態で電気的に接続されてなる電子部品を、前記配線パターン間に介在する絶縁部材中に埋設するとともに実装されてなる電子部品実装配線板において、加熱処理などに伴って発生する応力に起因して前記電子部品や前記絶縁部材が破壊してしまう原因が、前記電子部品と前記絶縁部材との密着力不足であることを見出した。
【０００９】
すなわち、前記電子部品は例えば主としてシリコンからなる半導体部品であるような場合でも、この半導体部品を埋設して実装するために使用する前記絶縁部材は、シリコンなどとの密着性を全く考慮することなく、前記電子部品実装配線板全体の強度のみを考慮することによって、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール系樹脂などにガラス繊維やアラミド繊維などを含有させたものを用いていた。したがって、前記半導体部品などの電子部品と前記絶縁部材との密着性が十分でなく、上述した加熱処理などが施されると、それによって前記電子部品と前記絶縁部材との間に界面剥離が生じてしまい、この剥離部分に対して水分が吸着するとともに膨張し、完全なデラミ状態となってしまうことを見出した。
【００１０】
この結果、上述したように電子部品の破壊や絶縁破壊を生ぜしめる結果となるとともに、その周辺に存在する層間接続部の破壊をも生ぜしめる結果となってしまい、目的とする電子部品実装配線板の製造歩留まりを低下させてしまう原因となっていた。
【００１１】
そこで、本発明者は、上述したような原因を鑑みて、電子部品内蔵配線板における電子部品とそれを埋設している絶縁部材との密着力を向上させるべく鋭意検討した。その結果、前記電子部品内蔵配線板を構成する配線パターンは、同じく前記電子部品内蔵配線板を構成する絶縁部材に接触して保持されていることから、前記配線パターン及び前記絶縁部材間は本来的にある程度高い密着力を介して接触しているという事実を見出し、さらに着目するに至った。
【００１２】
したがって、上述した事実に鑑み、本発明者は電子部品内蔵配線板を構成する電子部品において、同じく前記電子部品内蔵配線板を構成する絶縁部材と特に接触する面積が大きい、前記電子部品の、前記アクティブ面と相対向して位置する裏面の少なくとも一部に配線パターンを構成する材料と同じ材料からなる層を形成することによって、前記層が密着層として機能し、前記電子部品と前記絶縁部材との密着性が向上することを見出した。
【００１３】
換言すれば、本発明では、前記電子部品の、前記アクティブ面と相対向して位置する裏面の少なくとも一部に、前記少なくとも一対の配線パターンを構成する材料と同じ材料からなる密着層を形成するようにしているので、前記電子部品及び前記絶縁部材間の密着性を向上させることができ、これによって、前記電子部品及び前記絶縁部材間の密着力不足によって生じていた電子部品の破壊や絶縁破壊、及び層間接続体の破壊などを防止することができる。したがって、前記電子部品内蔵配線板の製造歩留まりを向上させることができる。
【００１４】
なお、本発明の一態様においては、前記電子部品の前記裏面上において、前記電子部品と前記密着層との間に形成された接着層を具えるようにすることができる。これによって、前記電子部品と前記密着層との密着性を向上させることができる。
【００１５】
また、本発明の一態様においては、前記密着層の、前記電子部品側に向いた面と相対向する面を粗化する。この場合、前記密着層の前記絶縁部材との接触面積が実質的に増大するので、前記密着層を介した前記電子部品と前記絶縁部材との密着性をさらに向上させることができる。したがって、上述した破壊や絶縁破壊、及び層間接続体の破壊などを防止することができ、前記電子部品内蔵配線板の製造歩留まりを向上させることができる。
【００１６】
さらに、本発明の一態様においては、上記電子部品内蔵配線板は、前記少なくとも一対の配線パターンは複数の配線パターンであり、前記複数の配線パターンの内、一対の配線パターンがそれぞれ前記絶縁部材の表面及び裏面上に設けられ、残りの配線パターンが前記絶縁部材中に埋設され、前記複数の配線パターンの少なくとも一部同士及び前記複数配線パターンの少なくとも一部と前記電子部品とが複数の層間接続体で電気的機械的に接続されてなるように構成することができる。この場合においては、多層構造の電子部品内蔵配線板を提供することができ、このような構造において、前記電子部品及び前記絶縁部材の密着性を向上させることができる。
【００１７】
さらに、本発明の一態様においては、前記密着層をグランド電位とし、前記密着層に対して電磁シールド機能を付与する。この場合、前記密着層は電磁シールド層として機能するようになるので、前記電子部品が発生する電磁ノイズ及び外部からの電磁ノイズの影響を除去することができるようになる。
【発明の効果】
【００１８】
以上、本発明によれば、配線パターンに対してアクティブ面が下向きとなるようにしてフェイスダウンの状態で電気的に接続されてなる電子部品を、前記配線パターン間に介在する絶縁部材中に埋設するとともに実装されてなる電子部品実装配線板において、加熱処理などに伴って発生する応力に起因して前記電子部品や前記絶縁部材が破壊してしまうのを防止し、前記電子部品内蔵配線板の歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明のその他の特徴及び利点について、発明を実施するための最良の形態に基づいて説明する。
【００２０】
図１は、本発明の電子部品内蔵配線板の一例を示す断面構成図である。図１に示す電子部品内蔵配線板１０は、その表面及び裏面に位置し、互いに略平行な第１の配線パターン１１及び第２の配線パターン１２を有するとともに、その内側において、互いに略平行であるとともに、第１の配線パターン１１及び第２の配線パターンとも略平行な関係を保持する第３の配線パターン１３及び第4の配線パターン１４を有している。
【００２１】
第１の配線パターン１１及び第３の配線パターン１３の間には、第１の絶縁部材２１が配置され、第２の配線パターン１２及び第４の配線パターン１４の間には、第２の絶縁部材２２が配置されている。また、第３の配線パターン１３及び第４の配線パターン１４の間には、第３の絶縁部材２３が配置されている。さらに、第３の絶縁部材２３中には、電子部品３１が埋設され、接続部材３１Ａを介して第４の配線パターン１４に電気的に接続されている。
【００２２】
また、電子部品３１はアクティブ面３１１が下側を向くようにしていわゆるフェイスダウン方式で接続されている。電子部品３１と第３の絶縁部材２２との間にはアンダーフィル３３が充填されている。
【００２３】
また、図１に示す電子部品内蔵配線板１０においては、第３の絶縁部材２３中に第４の絶縁部材２４が介在している。そして、第４の絶縁部材２４の表面には第５の配線パターン１５が形成され、第４の絶縁部材２４の裏面には第６の配線パターン１６が形成されている。
【００２４】
第１の配線パターン１１と第３の配線パターン１３とは、第１の絶縁部材２１中を貫通するようにして形成されたバンプ４１によって電気的に接続され、第２の配線パターン１２と第４の配線パターン１４とは、第２の絶縁部材２２中を貫通するようにして形成されたバンプ４２によって電気的に接続されている。また、第３の配線パターン１３と第５の配線パターン１５とは、第３の絶縁部材２３の、前記パターン間に位置する部分を貫通するようにして形成されたバンプ４３によって電気的に接続され、第４の配線パターン１４と第６の配線パターン１６とは、第３の絶縁部材２３の、前記パターン間に位置する部分を貫通するようにして形成されたバンプ４４によって電気的に接続されている。
【００２５】
また、第５の配線パターン１５と第６の配線パターン１６とは、第４の絶縁部材２４に形成されたスルーホールの内壁部分に形成された内部導電体４５によって電気的に接続されている。これによって、第１の配線パターン１１〜第６の配線パターン１６は、バンプ４１〜４４及び内部導電体４５によって互いに電気的に接続されることになる。さらに、第４の配線パターン１４を介して、電子部品３１も前述した配線パターンと電気的に接続されることになる。
【００２６】
なお、バンプ４１〜４４及び内部導電体４５は、それぞれ層間接続体を構成する。
【００２７】
また、図１に示す電子部品内蔵配線板１０においては、電子部品３１のアクティブ面３１１と相対向する裏面３１２を覆うようにして密着層３２が形成されている。密着層３２は、上述した第１の配線パターン１１〜第６の配線パターン１６を構成する材料と同じ材料から構成する。特に、電子部品３１は、第３の絶縁部材２３中に埋設されているので、前述した配線パターンの内、特に第３の絶縁部材２３と接触した第３の配線パターン１３〜第６の配線パターン１６を構成する材料と同じ材料から構成する。
【００２８】
第１の配線パターン１１〜第６の配線パターン１６は、電子部品内蔵配線板１０を構成する各絶縁部材に対して接触し密着保持されているので、前記配線パターンを構成する材料と前記各絶縁部材とは相互にある程度高い密着性を有する。特に、第３の配線パターン１３〜第６の配線パターン１６は、電子部品３１が埋設されている絶縁部材２３と接触しており、これら配線パターンを構成する材料と絶縁部材２３を構成する材料とは相互に高い密着性を有する。
【００２９】
したがって、密着層３２の構成材料を第１の配線パターン１１〜第６の配線パターン１６、特に第３の配線パターン１３〜第６の配線パターン１６と同じ材料から構成することによって、密着層３２の、絶縁部材２１〜２４、特に第３の絶縁部材２３に対する密着力が向上する。結果として、電子部品３１は密着層３２を介して各絶縁部材、特に第３の絶縁部材２３との密着性が向上するようになる。このため、電子部品３１及び特に絶縁部材２３間の密着力不足によって生じていた電子部品３１の破壊や絶縁破壊、及び層間接続体４３の破壊などを防止することができ、電子部品内蔵配線板１０の製造歩留まりを向上させることができる。
【００３０】
一般に、第１の配線パターン１１〜第６の配線パターン１６を構成する材料は、銅、銀、金やアルミニウムなどの電気的良導体から構成される。また、第１の絶縁部材２１〜第４の絶縁部材２４を構成する材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール系樹脂などにガラス繊維やアラミド繊維などを含有させたものを用いることができる。上述のように、各配線パターンと各絶縁部材との密着保持の関係から、上述した材料同士は互いにある程度の密着性を有するようになるので、密着層３２を上述した配線パターンと同じ銅などから構成することによって、密着層３２と各絶縁部材、特に第３の絶縁部材２３との密着性が向上する。
【００３１】
なお、密着層３２は上述したような作用効果を奏すればその厚さなどについては特に限定されるものではないが、例えば０．１μｍ〜３５μｍとすることができる。さらに、密着層３２は、スパッタリング法や蒸着法、メッキ法などの汎用の膜形成手段を用いて形成することができる。
【００３２】
また、本例では、密着層３２を電子部品３１の裏面３１２の全体を覆うようにして形成しているが、上述した作用効果を奏する限り、必ずしも裏面３１２の全体を覆う必要はなく、その一部を覆うようにして形成することができる。なお、密着層３２を電子部品３１の裏面３１２上において形成するのは、（第３の）絶縁部材（２３）に対する電子部品３１２の接触が裏面３１２において大きくなり、かかる部分での剥離が顕著となるために、その分、密着力の向上が要求されるためである。
【００３３】
なお、特に電子部品３１を、シリコンを主原料とする半導体部品とする場合においては、上述した配線材料の内、特に銅などを好ましく用いることができる。
【００３４】
また、特に図中には示していないが、電子部品３１と密着層３２との間には、接着層を設けることもできる。密着層３２の特に第３の絶縁部材２３との密着力が向上しても、電子部品３１の構成材料と密着層３２の構成材料との相違によって、密着層２３と電子部品３１との密着力が低い場合は、密着層３２を設けたことによる上述した作用効果を十分に奏しない場合がある。しかしながら、上記接着層を設けることによって、電子部品３１と密着層３２との密着力を確保することができるので、上述したような不利益を被ることはない。
【００３５】
なお、前記接着層の厚さは、０．０１μｍ〜１５μｍとすることができる。また、前記接着層を構成する材料としては、Ｔｉ、Ｎｉ及びＣｒの少なくとも一種を用いることができる。
【００３６】
また、密着層３２の、電子部品３１側に向いた面と相対向する面３２Ａに対して粗化処理を行い、面３２Ａを粗化するようにすることができる。この場合、密着層３２の第３の絶縁部材２３との接触面積が実質的に増大するので、密着層３２を介した電子部品３１と第３の絶縁部材２３との密着性をさらに向上させることができる。したがって、上述した破壊や絶縁破壊、及び層間接続体の破壊などをさらに効果的に防止することができ、前記電子部品内蔵配線板の製造歩留まりをさらに向上させることができる。
【００３７】
なお、上記粗化処理は、例えばエッチング処理や黒化還元処理などを用いて実施することができる。エッチング処理を用いた粗化処理の場合は、たとえばメック（株）のＣＺ処理やアトテック社のマルチボンド処理などにより実施することが出来る。また、黒化還元処理は、所定の黒化還元処理剤を用いて行う。この場合、密着層３２の表面は酸化されて所定の酸化物からなる凹凸部が形成されるとともに、後の還元処理によって前記酸化物が還元され、前記凹凸部は元の密着層３２の構成材料から構成されることになる。結果として、密着層３２の表面が粗化されることになる。
【００３８】
上記のような操作を経ることにより、密着層３２の表面にはサブミクロンオーダの凹凸部が形成されることになり、粗化されることになる。
【００３９】
図２は、図１に示す電子部品内蔵配線板１０の変形例を示す断面構成図である。本例においては、図１に示す電子部品内蔵配線板１０の、密着層３２の面３２Ａが層間接続体４３を介して第３の配線パターン１３のグランドパターンに電気的に接続され、密着層３２の電位がグランド電位に保持されている。したがって、密着層３２に対して電磁シールド機能を付与することができ、密着層３２は電磁シールド層として機能するようになるので、電子部品３１が発生する電磁ノイズ及び外部からの電磁ノイズの影響を除去することができるようになる。
【００４０】
したがって、図２に示す電子部品内蔵配線板１０において、電子部品３１は、半導体部品、特にはＧＨｚ以上の周波数で駆動させる高周波ＩＣ部品などの、内外の電磁ノイズの影響を比較的顕著に受けやすい半導体部品において好適に用いることができる。
【００４１】
なお、本例では、密着層３２を第３の配線パターン１３のグランドパターンに接続することによってグランド電位に保持しているが、グランド電位に保持するに際してはその他の任意の方法を用いることができる。
【００４２】
また、本例においても電子部品３２の裏面３１２に密着層３２を設けているので、図１に関する例と同様に、密着層３２を設けたことによる作用効果を享受することができる。
【００４３】
次に、図１に示す電子部品内蔵配線板の製造方法について説明する。図３〜図１１は、図１に示す電子部品内蔵配線板の製造方法を示す工程図である。
【００４４】
最初に、図３に示すように、金属（例えば銅）箔５３上に例えばスクリーン印刷により、導電性材料からなる円錐状のバンプ６１を形成する。次いで、図４に示すように、バンプ６１が貫通するようにして絶縁層７１を形成する。次いで、図５に示すように、プリプレグ７１上に金属（例えば銅）箔５１を配置し、その後、加熱加圧プレスを実施してプリプレグ７１を硬化し、両面金属（銅）箔張り板を形成する。なお硬化したプリプレグ７１は、後の工程により図１に示す部品を内蔵した多層配線板の絶縁部材２１を構成する材料となる。
【００４５】
次いで、金属箔５３に対してフォトリソグラフィによるパターニングを施し、図６に示すように第３の配線パターン１３を形成する。次いで、図７に示すように、第３の配線パターン１３上に円錐状のバンプ６３を形成するとともに、バンプ６３が貫通するとともにそれを埋設するようにしてプリプレグ７３を形成する。
【００４６】
なお、上記工程におけるプリプレグ７３は後の加圧下による加熱操作において硬化して絶縁部材２３となり、バンプ６１及び６３は層間接続体４１及び４３となる。
【００４７】
さらに、図３〜図７と同様な工程を経ることにより、図８に示すような、硬化したプリプレグ７２の主面上に金属箔５２及び第４の配線パターン１４が形成されるとともに、プリプレグ７２を貫通するように設けられたバンプ６２が形成された積層体を作製する。なお硬化したプリプレグ７２は、後の工程により図１に示す部品を内蔵した多層配線板の絶縁部材２２を構成する材料となる。      
【００４８】
次いで、図８で得た積層体に対して、図９に示すように、第４の配線パターン１４上にアンダーフィル樹脂３３をディスペンサーなどにより塗布し、図１０に示すように、例えばフリップチップボンダーにより、予め接続用のバンプの形成された電子部品３２を搭載し、アンダーフィル樹脂３３を硬化させて、電子部品３２を第４の配線パターン１４上に電気的機械的に接続する。なお、電子部品３２の裏面３１２には予め上述したような汎用の膜形成手段によって、密着層３２を形成しておく。また、接着層を形成する場合においても、電子部品３２の裏面３１２と密着層３２との間に前記接着層を予め形成しておく。
【００４９】
また、密着層３２の面３２Ａに対して粗化処理を施す場合は、図１０に示すような状態で粗化処理を実施する。したがって、この場合においては、密着層３２の面３２Ａと同時に第４の配線パターン１４も粗化処理がなされることになる。
【００５０】
次いで、図１１に示すように、図７の工程で得た積層体および図１０の工程で得た積層体を、第５の配線パターン１５及び第６の配線パターン１６が形成されるとともに、スルーホール４５が形成された絶縁層７４及びこれと密着するようにして設けられるとともに、バンプ６４が貫通するようにして設けられたプリプレグ７３を介して、上下方向に加圧下加熱する。
【００５１】
この際、上述したプリプレグ７３は硬化して絶縁部材２３となるとともに、バンプ６１、６２、６３及び６４は層間接続体４１、４２、４３及び４４として形成される。また、絶縁層７４は絶縁部材２４となる。なお、プリプレグ７３の一部は流動化し、電子部品３２の周囲の空間を埋設して密着する状態で硬化することになる。
【００５２】
次いで、金属箔５１及び５２をフォトリソグラフィでパターニングし、第１の配線パターン１１及び第２の配線パターン１２を形成する。結果として、上述した工程を経ることにより、図１に電子部品内蔵配線板１０が形成されることになる。
【００５３】
なお、上述した製造方法はあくまで図１に示す電子部品内蔵配線板の一例を示したものであり、その他の方法を用いても同様に製造することができる。例えばＡＬＩＶＨなどの方法を当然に用いることもできる。ＡＬＩＶＨは、例えば「ビルドアップ多層プリント配線板技術（２０００年６月２０日、日刊工業新聞社発行）」などに記載されている公知の技術である。
【００５４】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。
【００５５】
例えば、上記具体例においては、絶縁部材を合計４層としているが、埋設すべき電子部品の数などに応じて適宜変化させることができる。例えば、２層とすることもできるし、５層以上とすることもできる。この場合、配線パターンの数は前記絶縁部材の数に応じて適宜に設定する。また、層間接続体に関しても上述したバンプや内部導電体などを適宜組み合わせて使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の電子部品内蔵配線板の一例を示す断面構成図である。
【図２】図１に示す電子部品内蔵配線板１０の変形例を示す断面構成図である。
【図３】図１に示す電子部品内蔵配線板の製造方法における一工程を示す図である。
【図４】同じく、図１に示す電子部品内蔵配線板の製造方法における一工程を示す図である。
【図５】同じく、図１に示す電子部品内蔵配線板の製造方法における一工程を示す図である。
【図６】同じく、図１に示す電子部品内蔵配線板の製造方法における一工程を示す図である。
【図７】同じく、図１に示す電子部品内蔵配線板の製造方法における一工程を示す図である。
【図８】同じく、図１に示す電子部品内蔵配線板の製造方法における一工程を示す図である。
【図９】同じく、図１に示す電子部品内蔵配線板の製造方法における一工程を示す図である。
【図１０】同じく、図１に示す電子部品内蔵配線板の製造方法における一工程を示す図である。
【図１１】同じく、図１に示す電子部品内蔵配線板の製造方法における一工程を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０  電子部品内蔵配線板
１１  第１の配線パターン
１２  第２の配線パターン
１３  第３の配線パターン
１４  第４の配線パターン
１５  第５の配線パターン
１６  第６の配線パターン
２１  第１の絶縁部材
２２  第２の絶縁部材
２３  第３の絶縁部材
２４  第４の絶縁部材
３１  電子部品
３２  密着層
３３  アンダーフィル樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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