(57)【要約】【課題】製造工程数を増加させることなく気泡を捕捉可能にした液晶装置および液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】素子形成面１１ａに積層される層間絶縁層２０は、複数のスイッチング素子Ｓｗを覆い、各スイッチング素子Ｓｗの第二上部電極Ｐ２と対向する位置にコンタクトホールＨ１を有する。また、層間絶縁層２０は、各コンタクトホールＨ１のＹ方向両側であって対向遮光層と対向する位置に、それぞれ素子形成面１１ａまでを貫通する複数のトラップホールＨ２を有する。【選択図】図３
2008233459.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板と対向基板との間に液晶層を有する液晶装置であって、
前記対向基板と対向する前記素子基板の一側面に形成される複数のスイッチング素子と
、
前記一側面に積層されて前記複数のスイッチング素子の各々を覆う絶縁層と、
前記絶縁層に積層されて前記複数のスイッチング素子の各々に対応する複数の画素電極
と、
前記素子基板と前記対向基板の少なくともいずれか一方に設けられて、前記素子基板の
法線方向から見て前記複数の画素電極の各々の周囲を遮光する遮光層と、を備え、
前記絶縁層は、
前記スイッチング素子と対向する領域に凹設されて、前記スイッチング素子と、前記ス
イッチング素子に対応する前記画素電極とを接続する第一の孔と、
前記遮光層と対向する領域であって、かつ、前記スイッチング素子と対向する領域を除
く領域に凹設されて、前記液晶層に開口する第二の孔と、を備えること、
を特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記絶縁層は、複数の前記第二の孔を有し、
複数の前記第二の孔の各々は、前記第一の孔よりも大きい口径を有すること、
を特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の液晶装置であって、
前記第二の孔は、前記第一の孔よりも深い孔であること、
を特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の液晶装置であって、
前記素子基板は、前記一側面に一方向に配列される複数の配線を有し、
前記絶縁層は、前記複数の配線と対向する領域を除く領域に前記第二の孔を有すること
、
を特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の液晶装置であって、
前記画素電極は、前記第二の孔を含む前記絶縁層の領域に積層されて前記第二の孔の内
側面に沿って形成され前記第二の孔を開口させること、
を特徴とする液晶装置。
【請求項６】
素子基板と対向基板との間に液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、
前記対向基板と対向する前記素子基板の一側面に複数のスイッチング素子を形成する工
程と、
前記一側面に前記複数の複数のスイッチング素子の各々を覆う絶縁層を積層する工程と
、
前記複数のスイッチング素子の各々に対向する前記絶縁層の領域に第一の孔を穿孔する
工程と、
前記複数の第一の孔の各々を介して対応する前記スイッチング素子に接続する複数の画
素電極を前記絶縁層に積層する工程と、
前記素子基板と前記対向基板の少なくともいずれか一方に、前記素子基板の法線方向か
ら見て前記複数の画素電極の各々の周囲を遮光する遮光層を形成する工程と、を備え、
前記第一の孔を穿孔する工程は、
前記遮光層と対向する領域であって、かつ、前記スイッチング素子と対向する領域を除
く領域に前記液晶層に開口する第二の孔を穿孔すること、
を特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記絶縁層は、感光性材料からなる層であって、
前記第一の孔を穿孔する工程は、前記絶縁層を露光し、現像して前記第一の孔と前記第
二の孔を同時に形成すること、
を特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置および液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一対の基板に挟まれる液晶分子の配向方向を画素ごとに制御し、液晶層を
透過する光の偏光状態を変調させて所望の画像を表示する。液晶装置は、液晶層に気泡が
発生する場合、気泡の領域において光の偏光状態が変調不能になり、黒点や輝点などの表
示不良を来たす。こうした気泡は、液晶装置の製造工程における機械的衝撃や熱的ストレ
ス、あるいは、高温条件下における液晶装置の長期使用によって不可避的に発生する。
【０００３】
そこで、液晶装置においては、従来から、上記表示不良を解消させるための提案がなさ
れている。
特許文献１は、カラーフィルタと遮光膜の上に積層される平坦化膜にエッチングを施し
、遮光膜上の領域にのみ凹溝を設ける。そして、遮光膜によって遮光される領域において
、液晶層の厚みを拡張させる。これによれば、遮光膜上を通過する気泡が凹溝に捕らわれ
るため、気泡による黒点や輝点が遮光膜の遮光により回避される。特許文献２は、シール
材の内側に枠状の凹溝を設け、非表示領域に沿って液晶層の厚みを拡張させる。これによ
れば、非表示領域で発生する気泡、または、表示領域で発生し非表示領域に移動する気泡
が凹溝に捕らわれるため、気泡による黒点や輝点を表示不能にできる。
【特許文献１】特開１１−３４４７１５号公報
【特許文献２】特開２００５−１８９５９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１および特許文献２は、いずれも平坦化膜に凹溝を形成するため、別途フォト
リソグラフィ工程やエッチング工程が必要になる。この結果、液晶装置の製造工程数を増
加させて、その生産性を損なう問題を招いていた。
【０００５】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、製造工程数を
増加させることなく気泡を捕捉可能にした液晶装置および液晶装置の製造方法を提供する
ことである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の液晶装置は、素子基板と対向基板との間に液晶層を有する液晶装置であって、
前記対向基板と対向する前記素子基板の一側面に形成される複数のスイッチング素子と、
前記一側面に積層されて前記複数のスイッチング素子の各々を覆う絶縁層と、前記絶縁層
に積層されて前記複数のスイッチング素子の各々に対応する複数の画素電極と、前記素子
基板と前記対向基板の少なくともいずれか一方に設けられて、前記素子基板の法線方向か
ら見て前記複数の画素電極の各々の周囲を遮光する遮光層と、を備え、前記絶縁層は、前
記スイッチング素子と対向する領域に凹設されて、前記スイッチング素子と、前記スイッ
チング素子に対応する前記画素電極とを接続する第一の孔と、前記遮光層と対向する領域
であって、かつ、前記スイッチング素子と対向する領域を除く領域に凹設されて、前記液
晶層に開口する第二の孔と、を備える。
【０００７】
本発明の液晶装置によれば、第一の孔は、スイッチング素子と画素電極との間の電気的
接続を確保するためのコンタクトホールとして機能する。第二の孔は、液晶層に発生する
気泡を開口に捕獲する。また、遮光層は、第二の孔の領域を遮光する、すなわち、気泡の
捕獲される領域を遮光する。そして、これら第一の孔と第二の孔とが、共通する絶縁層に
形成される。
【０００８】
したがって、コンタクトホールを形成する工程において、第二の孔を形成させることが
できる。この結果、気泡を捕獲するための凹溝を別途形成する場合に比べて、液晶装置の
製造工程を削減させることができる。よって、液晶装置の製造工程数を増加させることな
く気泡を捕捉可能にした液晶装置を提供することができる。
【０００９】
この液晶装置において、前記絶縁層は、複数の前記第二の孔を有し、複数の前記第二の
孔の各々は、前記第一の孔よりも大きい口径を有する構成が好ましい。
この液晶装置によれば、素子基板は、第二の孔の数量分だけ、より多くの気泡を捕獲さ
せることができる。また、素子基板は、第二の孔の口径が大きくなる分だけ、よりサイズ
の大きい気泡を捕獲させることができる。したがって、液晶装置の表示不良を、より確実
に解消させることができる。
【００１０】
この液晶装置において、前記第二の孔は、前記第一の孔よりも深い孔であることが好ま
しい。
この液晶装置によれば、素子基板は、第二の孔の数量分だけ、より多くの気泡を捕獲さ
せることができる。また、素子基板は、第二の孔の口径が大きくなる分だけ、よりサイズ
の大きい気泡を捕獲させることができる。したがって、液晶装置の表示不良を、より確実
に解消させることができる。
【００１１】
この液晶装置において、前記素子基板は、前記一側面に一方向に配列される複数の配線
を有し、前記絶縁層は、前記複数の配線と対向する領域を除く領域に前記第二の孔を有す
る構成であってもよい。
【００１２】
この液晶装置によれば、第二の孔は、複数の配線の各々を露出させることなく、絶縁層
によって確実に被覆させることができる。したがって、複数の配線の各々は、第二の孔の
数量やサイズに関わらず、その電気的特性を維持させることができる。
【００１３】
この液晶装置において、前記画素電極は、前記第二の孔を含む前記絶縁層の領域に積層
されて前記第二の孔の内側面に沿って形成され前記第二の孔を開口させる構成が好ましい
。
【００１４】
この液晶装置によれば、画素電極が第二の孔を含む領域に積層される場合であっても、
第二の孔は閉塞されない。したがって、第二の孔の位置、数量、サイズに関わらず、画素
電極の配置位置やサイズを規定させることができる。この結果、画素電極は、第二の孔の
位置、数量、サイズに関わらず、その設計の自由度を維持させることができる。
【００１５】
本発明の液晶装置の製造方法は、素子基板と対向基板との間に液晶層を有する液晶装置
の製造方法であって、前記対向基板と対向する前記素子基板の一側面に複数のスイッチン
グ素子を形成する工程と、前記一側面に前記複数の複数のスイッチング素子の各々を覆う
絶縁層を積層する工程と、前記複数のスイッチング素子の各々に対向する前記絶縁層の領
域に第一の孔を穿孔する工程と、前記複数の第一の孔の各々を介して対応する前記スイッ
チング素子に接続する複数の画素電極を前記絶縁層に積層する工程と、前記素子基板と前
記対向基板の少なくともいずれか一方に、前記素子基板の法線方向から見て前記複数の画
素電極の各々の周囲を遮光する遮光層を形成する工程と、を備え、前記第一の孔を穿孔す
る工程は、前記遮光層と対向する領域であって、かつ、前記スイッチング素子と対向する
領域を除く領域に前記液晶層に開口する第二の孔を穿孔する。
【００１６】
本発明の液晶装置によれば、第二の孔は、液晶層に発生する気泡をその開口に捕獲する
。第二の孔は、スイッチング素子と画素電極とを接続するための第一の孔、すなわち、コ
ンタクトホールを形成する工程において形成される。したがって、気泡を捕獲するための
凹溝を別途形成する場合に比べて、液晶装置の製造工程を削減させることができる。よっ
て、液晶装置の製造工程数を増加させることなく気泡を捕捉可能にした液晶装置を提供す
ることができる。
【００１７】
この液晶装置の製造方法において、前記絶縁層は、感光性材料からなる層であって、前
記第一の孔を穿孔する工程は、前記絶縁層を露光し、現像して前記第一の孔と前記第二の
孔を同時に形成する構成であってもよい。
【００１８】
この液晶装置の製造方法によれば、第一の孔と第二の孔とを、共通する露光・現像工程
によって形成することができる。したがって、第一の孔と第二の孔とを、より高い相対的
な位置精度の下で形成させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図８に従って説明する。まず、液晶装置
としての液晶表示装置１０について説明する。図１は、液晶表示装置１０を示す斜視図で
ある。
【００２０】
図１において、液晶表示装置１０は、素子基板１１と対向基板１２とを有し、これら素
子基板１１と対向基板１２とが、四角枠状のシール材１３によって貼り合わされて、その
間隙に液晶ＬＣを封入する。液晶ＬＣは、透過する光の偏光状態を変調して所望の画像を
対向基板１２の上面に表示させる。素子基板１１および対向基板１２としては、例えば、
光透過性の無アルカリガラスや樹脂基板を用いることができる。
【００２１】
素子基板１１は、対向基板１２と対向する面（以下単に、素子形成面１１ａという。）
に、一方向に沿って延びる複数の走査線１５を有する。各走査線１５は、それぞれ素子基
板１１に実装される走査線駆動回路１６（図１参照）に接続されている。走査線駆動回路
１６は、表示データに基づいて各走査線１５に対応する走査信号を生成し、複数の走査線
１５の中から所定の走査線１５を所定のタイミングで選択駆動し、選択した走査線１５に
走査信号を出力する。
【００２２】
ここで、走査線１５の延びる方向をＹ方向とし、Ｙ方向と直交する方向をＸ方向という
。
図２は、素子基板１１の一つの面であって、対向基板１２と対向する面を示す平面図で
ある。図３は、図２のＡ−Ａ断面図である。
【００２３】
図２において、各走査線１５には、それぞれ複数のスイッチング素子Ｓｗが接続されて
いる。各スイッチング素子Ｓｗは、それぞれ第一素子Ｓｗ１と第二素子Ｓｗ２によって構
成されている。第一素子Ｓｗ１および第二素子Ｓｗ２は、それぞれ非線形抵抗素子として
機能するＴＦＤ（Thin Film Diode ）素子であり、共通する下部電極ＰＣと、その下部電
極ＰＣを覆う共通の絶縁層ＤＣとを有する。また、第一素子Ｓｗ１は、絶縁層ＤＣに積層
されて走査線１５に接続される第一上部電極Ｐ１を有し、第二素子Ｓｗ２は、絶縁層ＤＣ
に積層される第二上部電極Ｐ２を有する。下部電極ＰＣとしては、タンタルを用いること
ができ、絶縁層ＤＣとしては、タンタル酸化物を用いることができ、第一上部電極Ｐ１お
よび第二上部電極Ｐ２としては、例えば、クロム（Cr ）を用いることができる。
【００２４】
すなわち、第一素子Ｓｗ１および第二素子Ｓｗ２は、電気的に逆向きの２つのＴＦＤ素
子を直列に接続する、いわゆるバック・ツー・バック方式のスイッチング素子である。ス
イッチング素子Ｓｗは、走査線駆動回路１６が走査線１５に走査信号を入力するとき、第
一素子Ｓｗ１の第一上部電極Ｐ１から第二素子Ｓｗ２の第二上部電極Ｐ２に走査信号を出
力する。
【００２５】
各走査線１５のＸ方向には、それぞれ走査線１５に沿って延びる複数の素子側遮光層１
７が形成されている。各素子側遮光層１７は、それぞれ光を遮光する遮光性材料によって
形成されて、素子基板１１が透過する光の一部をＹ方向に沿うライン状に遮光する。各素
子側遮光層１７は、それぞれ素子形成面１１ａの内縁において共通線１８に共通接続され
る。共通線１８は、素子側遮光層１７と同じく、光を遮光する遮光性材料によって形成さ
れて、素子側遮光層１７と電気的に同じ電位（例えば、接地電位）を有する。素子側遮光
層１７および共通線１８としては、例えば、スイッチング素子Ｓｗに含まれる遮光材料、
例えば、下部電極ＰＣに含まれるタンタル、絶縁層ＤＣに含まれるタンタル酸化物、第一
および第二上部電極Ｐ１，Ｐ２に含まれるクロムなどを用いることができる。
【００２６】
走査線１５、スイッチング素子Ｓｗ、および素子側遮光層１７の上側には、素子基板１
１の略全面を覆う層間絶縁層２０が積層されている。層間絶縁層２０は、絶縁材料からな
る光透過性の薄膜層であり、走査線１５、スイッチング素子Ｓｗ、および、素子側遮光層
１７の各々を電気的に絶縁させて、その表面を平坦化する。層間絶縁層２０としては、例
えば、アクリル樹脂などの光透過性の感光樹脂を用いることができる。
【００２７】
層間絶縁層２０は、スイッチング素子Ｓｗごとに第二上部電極Ｐ２まで貫通する複数の
コンタクトホールＨ１を有する。また、層間絶縁層２０は、各コンタクトホールＨ１のＹ
方向両側に、それぞれ複数の円形孔（以下単に、トラップホールＨ２という。）を有する
。各トラップホールＨ２は、それぞれコンタクトホールＨ１よりも大きく、かつ、異なる
ホール径を有する。また、各トラップホールＨ２は、素子形成面１１ａまでを貫通する円
形孔であって、コンタクトホールＨ１よりも大きいホール深さを有する。そして、各トラ
ップホールＨ２は、それぞれ走査線１５上、スイッチング素子Ｓｗ上、および、素子側遮
光層１７上を除く領域に形成されて、これら走査線１５、スイッチング素子Ｓｗ、および
、素子側遮光層１７との接続を確実に回避する。各トラップホールＨ２は、それぞれコン
タクトホールＨ１を形成するためのフォトリソ工程において同時に形成される。
【００２８】
層間絶縁層２０の上側には、各スイッチング素子Ｓｗに対応する複数の画素電極２１が
積層されている。各画素電極２１は、透明導電材料からなる光透過性の透明電極であって
、Ｘ方向とＹ方向に沿うマトリックス状に配列されている。
【００２９】
図３において、各画素電極２１は、それぞれコンタクトホールＨ１の内側面の全体を被
覆し、対応する第二上部電極Ｐ２に接続する。各画素電極２１は、それぞれ走査線１５が
走査信号を入力するとき、対応する第二素子Ｓｗ２の第二上部電極Ｐ２からコンタクトホ
ールＨ１を介して対応する走査信号受ける。
【００３０】
各画素電極２１は、各トラップホールＨ２がそれぞれコンタクトホールＨ１よりも大き
いホール径を有するため、それぞれ対応するトラップホールＨ２の開口を閉塞することな
く、各トラップホールＨ２にそれぞれ開口を保持させる。また、各画素電極２１は、各ト
ラップホールＨ２がコンタクトホールＨ１よりも大きいホール深さを有するため、コンタ
クトホールＨ１に応じた凹部よりも深い凹部を形成する。また、各画素電極２１は、各ト
ラップホールＨ２がそれぞれ走査線１５、スイッチング素子Ｓｗ、および、素子側遮光層
１７上を除く領域に形成されるため、それぞれ走査線１５、スイッチング素子Ｓｗ、およ
び、素子側遮光層１７との間に層間絶縁層２０を介在させる。画素電極２１としては、例
えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide ：インジウム錫酸化物）を用いることができる。
【００３１】
図３において、各画素電極２１の上側には、各画素電極２１の略全体を覆う配向膜ＯＦ
１が形成されている。配向膜ＯＦ１は、配向性高分子からなる樹脂膜であって、ラビング
処理などの配向処理が施されている。配向膜ＯＦ１は、素子基板１１の最表面を構成し、
接触する液晶分子の配向方向を規定する。配向膜ＯＦ１は、コンタクトホールＨ１および
トラップホールＨ２の内側面の全体を被覆し、素子基板１１の最表面において、コンタク
トホールＨ１およびトラップホールＨ２にその開口を保持させる。
【００３２】
液晶ＬＣの内部に気泡Ｂが発生するとき、素子基板１１の最表面に沿って移動する気泡
Ｂは、コンタクトホールＨ１の開口およびトラップホールＨ２の開口に捕獲される。この
際、各トラップホールＨ２は、それぞれホール径やホール深さがコンタクトホールＨ１よ
りも大きく、かつ、複数のサイズを有する分だけ、捕獲する気泡Ｂのサイズや数量の範囲
を拡大させる。なお、素子基板１１の最表面においては、隣接する画素電極２１の間に対
応する領域にも凹部が形成されるが、コンタクトホールＨ１やトラップホールＨ２の深さ
に比べて非常に浅いため、気泡Ｂを捕獲するには十分ではない。
【００３３】
図４は、対向基板１２の一つの面であって、素子基板１１と対向する面を示す平面図で
ある。図５は、図４のＢ−Ｂ断面図である。
図４および図５において、対向基板１２は、素子基板１１と対向する面（以下単に、対
向面１２ａという。）に、Ｙ方向に沿って延びる複数の対向遮光層２５を有する。各対向
遮光層２５は、それぞれ光を遮光する遮光性材料によって形成されて、対向基板１２が透
過する光の一部をＸ方向に沿うライン状に遮光する。すなわち、各対向遮光層２５は、各
素子側遮光層１７との協働によってブラックマトリックスとして機能し、表示画像のコン
トラストを向上させる。
【００３４】
各対向遮光層２５は、それぞれＸ方向に隣接する画素電極２１（図４における二点鎖線
）を跨ぐ領域であって、かつ、各コンタクトホールＨ１および各トラップホールＨ２と対
向する領域に形成されている。これによって、各対向遮光層２５は、それぞれコンタクト
ホールＨ１およびトラップホールＨ２が気泡Ｂを捕獲するとき、その気泡Ｂの領域を視認
不能にする。
【００３５】
対向基板１２は、対向遮光層２５を除く対向面１２ａの領域に、Ｘ方向に沿って延びる
複数のカラーフィルタＣＦを有する。各カラーフィルタＣＦは、それぞれ対向基板１２が
透過する光をＸ方向に沿って同色（例えば、赤色の光、緑色の光、あるいは、青色の光）
に変換する。
【００３６】
対向遮光層２５およびカラーフィルタＣＦの上側には、対向基板１２の略全面を覆うオ
ーバーコートＯＣが積層されている。オーバーコートＯＣは、絶縁材料からなる光透過性
の薄膜層であり、その表面を平坦化する。オーバーコートＯＣとしては、例えば、アクリ
ル樹脂、ポリイミド樹脂などの光透過性樹脂を用いることができる。
【００３７】
オーバーコートＯＣの上側には、Ｘ方向に沿って延びる複数のデータ線２６が積層され
ている。各データ線２６は、それぞれ透明導電材料からなる光透過性の透明電極であって
、Ｘ方向に沿う帯状に形成されている。各データ線２６は、それぞれＸ方向に連続する画
素電極２１と対向する位置に形成されて、素子基板１１に実装されるデータ線駆動回路２
７（図１参照）に接続されている。データ線駆動回路２７は、表示データに基づいて各デ
ータ線２６に対応するデータ信号を生成し、各データ信号をそれぞれ対応するデータ線２
６に所定のタイミングで入力する。
【００３８】
図５において、各データ線２６の上側には、各データ線２６の略全体を覆う配向膜ＯＦ
２が形成されている。配向膜ＯＦ２は、配向性高分子からなる樹脂膜であって、ラビング
処理などの配向処理が施されている。配向膜ＯＦ２は、対向基板１２の最表面を構成し、
接触する液晶分子の配向方向を規定する。
【００３９】
そして、画素電極２１に走査信号が入力されて、対向するデータ線２６にデータ信号が
入力されるとき、データ線２６と走査線１５との間の電位差に応じてスイッチング素子Ｓ
ｗがオン状態になる。スイッチング素子Ｓｗがオン状態になると、対応する画素電極２１
上の液晶ＬＣが、画素電極２１を透過する光の偏光状態を変調する。偏光状態の変調され
る光は、対応するカラーフィルタＣＦによって有色の光に変換されて対向基板１２にフル
カラーの画像を表示する。この際、液晶表示装置１０は、液晶ＬＣの内部に発生する気泡
ＢがコンタクトホールＨ１の開口およびトラップホールＨ２の開口に捕獲されるため、気
泡Ｂに起因する表示画質の劣化を回避させることができる。
【００４０】
次に、上記液晶表示装置１０の製造方法について以下に説明する。図６〜図８は、それ
ぞれ素子基板１１の製造工程を示す工程図である。
図６において、まず、素子基板１１に、走査線１５、スイッチング素子Ｓｗ、および、
素子側遮光層１７を形成する。すなわち、スパッタリング法を用いて素子形成面１１ａの
全体にタンタル層を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いて下部電極ＰＣに対応するレジ
ストパターンをタンタル層の上に積層する。そして、レジストパターンをマスクにしてタ
ンタル層にエッチングを施し下部電極ＰＣを形成する。また、陽極酸化法を用いて下部電
極ＰＣを陽極酸化し、下部電極ＰＣを覆う絶縁層ＤＣを形成する。
【００４１】
次いで、スパッタリング法を用いて絶縁層ＤＣを含む素子形成面１１ａの全面にクロム
層を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いて走査線１５、第一上部電極Ｐ１、第二上部電
極Ｐ２、および、素子側遮光層１７に対応するレジストパターンをクロム層の上に積層す
る。そして、レジストパターンをマスクにしてクロム層にエッチングを施し走査線１５、
第一上部電極Ｐ１、第二上部電極Ｐ２、および、素子側遮光層１７を形成する。
【００４２】
素子基板１１に、走査線１５、スイッチング素子Ｓｗ、および、素子側遮光層１７を形
成すると、これらを覆う素子形成面１１ａの全面に、層間絶縁層２０を積層する。すなわ
ち、塗布法を用いて素子形成面１１ａの全面に光透過性の感光性樹脂を塗布し乾燥させる
ことによって層間絶縁層２０を形成する。
【００４３】
図７において、層間絶縁層２０を積層すると、層間絶縁層２０にフォトリソグラフィを
施し、コンタクトホールＨ１とトラップホールＨ２を形成する。すなわち、コンタクトホ
ールＨ１に対応する領域を露光する工程において、同時に、トラップホールＨ２に対応す
る領域を露光する。そして、コンタクトホールＨ１を現像する工程において、同時に、ト
ラップホールＨ２を現像する。これによって、トラップホールＨ２を形成するためのフォ
トリソ工程やエッチング工程を別途行うことなくトラップホールＨ２を形成することがで
きる。
【００４４】
図８において、コンタクトホールＨ１とトラップホールＨ２を形成すると、層間絶縁層
２０の上に画素電極２１を積層する。すなわち、スパッタリング法を用いて層間絶縁層２
０の全体にＩＴＯ層を成膜し、ＩＴＯ層にエッチングを施して画素電極２１を形成する。
これによって、各画素電極２１と対応するスイッチング素子Ｓｗとを、コンタクトホール
Ｈ１を介して接続させることができる。また、各画素電極２１にそれぞれトラップホール
Ｈ２の開口を保持させることができる。
【００４５】
各画素電極２１を形成すると、各画素電極２１に共通する配向膜ＯＦ２を形成する。す
なわち、塗布法を用いて各画素電極２１の上側に配向性高分子を塗布し乾燥させ、ラビン
グ処理を施すことによって配向膜ＯＦ１を形成する。これによって、素子基板１１の最表
面において液晶分子を所定の方向に配列させることができ、配向膜ＯＦ１にコンタクトホ
ールＨ１およびトラップホールＨ２の開口を保持させることができる。
【００４６】
そして、配向膜ＯＦ２を形成すると、シール材１３を介して素子基板１１と対向基板１
２とを貼り合せるとともに、素子基板１１と対向基板１２との間に液晶ＬＣを封入させて
液晶表示装置１０を製造する。
【００４７】
次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態において、素子形成面１１ａに積層される層間絶縁層２０は、複数
のスイッチング素子Ｓｗを覆い、各スイッチング素子Ｓｗの第二上部電極Ｐ２と対向する
位置にコンタクトホールＨ１を有する。また、層間絶縁層２０は、各コンタクトホールＨ
１のＹ方向両側であって対向遮光層２５と対向する位置に、それぞれ素子形成面１１ａま
でを貫通する複数のトラップホールＨ２を有する。
【００４８】
したがって、素子基板１１は、各トラップホールＨ２によって、液晶ＬＣに発生する気
泡Ｂを捕獲させることができ、捕獲する気泡Ｂを遮光領域に保持させることができる。そ
して、素子基板１１は、コンタクトホールＨ１を形成する工程において、同時に各トラッ
プホールＨ２を形成させることができる。よって、気泡Ｂを捕獲するための凹溝を別途形
成する場合に比べて、液晶表示装置１０の製造工程を大幅に削減させることができる。こ
の結果、液晶表示装置１０の製造工程数を増加させることなく気泡Ｂを捕捉可能にした液
晶表示装置１０を提供することができる。
【００４９】
（２）上記実施形態において、各トラップホールＨ２は、それぞれコンタクトホールＨ
１よりも大きいホール径を有し、コンタクトホールＨ１よりも大きいホール深さを有する
。したがって、各トラップホールＨ２は、それぞれホール径が大きい分だけ、また、ホー
ル深さが大きい分だけ、より大きいサイズの気泡Ｂを捕獲させることができる。
【００５０】
（３）上記実施形態において、各トラップホールＨ２は、それぞれ走査線１５上、スイ
ッチング素子Ｓｗ上、および、素子側遮光層１７上を除く領域に形成される。したがって
、各トラップホールＨ２は、走査線１５上、スイッチング素子Ｓｗ上、および、素子側遮
光層１７の露出を回避させることができ、トラップホールＨ２の数量、サイズに関わらず
、走査線１５、スイッチング素子Ｓｗ、および、素子側遮光層１７の電気的特性を確保さ
せることができる。
【００５１】
（４）上記実施形態において、画素電極２１は、それぞれトラップホールＨ２を含む層
間絶縁層２０の領域においてトラップホールＨ２の内側面に沿って形成され、トラップホ
ールＨ２を液晶ＬＣに向けて開口させる。したがって、トラップホールＨ２の位置、数量
、サイズに関わらず、画素電極２１の配置位置やサイズを規定させることができる。この
結果、画素電極２１は、トラップホールＨ２の位置、数量、サイズに関わらず、その設計
の自由度を維持させることができる。
【００５２】
（５）上記実施形態において、各トラップホールＨ２は、それぞれコンタクトホールＨ
１を形成するためのフォトリソ工程において同時に形成される。したがって、各トラップ
ホールＨ２を、コンタクトホールＨ１と同じく、スイッチング素子Ｓｗや走査線１５に対
し高い位置精度の下で形成させることができる。
【００５３】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態において、トラップホールＨ２は円形孔である。これに限らず、例えば
、トラップホールＨ２は、矩形孔であってもよく、あるいは、円錐孔であってもよい。す
なわち、トラップホールＨ２は、コンタクトホールＨ１と同じ工程によって層間絶縁層２
０に形成されて対向遮光層２５と対向する孔であればよく、その形状に限定されるもので
はない。
【００５４】
・上記実施形態において、トラップホールＨ２は、素子形成面１１ａまでを貫通する貫
通孔である。これに限らず、例えば、トラップホールＨ２は、層間絶縁層２０の深さ方向
の途中まで凹設される孔であってもよい。
【００５５】
・上記実施形態において、層間絶縁層２０は、感光性樹脂からなる絶縁層である。これ
に限らず、例えば、層間絶縁層２０は、シリコン酸化膜からなる絶縁層であってもよい。
なお、この際、コンタクトホールＨ１とトラップホールＨ２は、フォトリソグラフィ法を
用いて各ホールＨ１，Ｈ２に対応するレジストパターンを層間絶縁層２０の上に積層し、
レジストパターンをマスクにした層間絶縁層２０のエッチングによって形成する構成が好
ましい。この構成においても、コンタクトホールＨ１を形成する工程とトラップホールＨ
２を形成する工程とを、同一の工程にすることができる。
【００５６】
・上記実施形態において、スイッチング素子Ｓｗは、２つのＴＦＤ素子からなる素子で
あって、液晶表示装置１０は、バック・ツー・バック方式の液晶表示装置である。これに
限らず、スイッチング素子Ｓｗは、例えば、１つのＴＦＤ素子からなる素子であってもよ
い。あるいは、スイッチング素子Ｓｗは、ＴＦＴ（Thin Film Transistor ）素子であっ
て、液晶表示装置１０は、ＴＦＴ方式の液晶表示装置であってもよい。
【００５７】
・上記実施形態において、素子基板１１と対向基板１２は、それぞれ素子側遮光層１７
と対向遮光層２５を有し、素子側遮光層１７と対向遮光層２５との協働によってブラック
マトリックスを構成する。これに限らず、液晶表示装置１０は、例えば、対向基板１２に
のみ格子状の対向遮光層２５を設け、対向遮光層２５のみによってブラックマトリックス
を構成してもよい。この際、トラップホールＨ２は、Ｘ方向に沿う層間絶縁層２０の領域
に限らず、対向遮光層２５に対向してＹ方向に沿う層間絶縁層２０の領域に形成される構
成であってもよい。
【００５８】
・上記実施形態において、液晶表示装置１０は、透過型の液晶装置である。これに限ら
ず、液晶表示装置１０は、透過反射型の液晶装置であってもよい。
・上記実施形態において、素子基板１１と対向基板１２は、それぞれ走査線１５とデー
タ線２６を有し、スイッチング素子Ｓｗは、走査線１５に接続される。これに限らず、素
子基板１１と対向基板１２は、それぞれデータ線２６と走査線１５を有し、スイッチング
素子Ｓｗは、データ線２６に接続される構成でもよい。
【００５９】
・上記実施形態においては、液晶装置を液晶表示装置１０に具体化した。これに限らず
、例えば、液晶装置をライトバルブや空間光変調器として具体化してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明を具体化した液晶表示装置を示す斜視図。
【図２】同じく、素子基板の一部を示す要部平面図。
【図３】同じく、素子基板の一部を示す要部断面図。
【図４】同じく、対向基板の一部を示す要部平面図。
【図５】同じく、対向基板の一部を示す要部断面図。
【図６】同じく、液晶表示装置の製造方法を示す工程図。
【図７】同じく、液晶表示装置の製造方法を示す工程図。
【図８】同じく、液晶表示装置の製造方法を示す工程図。
【符号の説明】
【００６１】
Ｈ１…第一の孔としてのコンタクトホール、Ｈ２…第二の孔としてのトラップホール、Ｓ
ｗ…スイッチング素子、１０…液晶装置としての液晶表示装置、１１…素子基板、１２…
対向基板、１５…配線としての走査線、１７…素子側遮光層、２０…層間絶縁層、２１…
画素電極、２５…対向遮光層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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