(57)【要約】【課題】  キャリヤヘッドへの基板移送及びキャリヤヘッドからの基板移送をスピードアップし且つその移送中の腐食を減少させるように構成されたロードカップを提供する。【解決手段】  本発明の一実施形態によれば、基板を支持するように構成された上部表面を有するペデスタルと、上記ペデスタルの上記上部表面に高速度液体ストリームを噴射するように構成された少なくとも１つの噴射ポートとを備え、上記液体ストリームは、上記基板を上記ペデスタルの上記上部表面に接触させることなく、上記ペデスタルに上記基板を固定するように構成された非接触型基板ホルダが提供される。【選択図】      図３
2008270818.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持するように構成された上部表面を有するペデスタルと、
上記ペデスタルの上記上部表面に高速度液体ストリームを噴射するように構成された１つ以上の噴射ポートと、
を備え、上記液体ストリームは、上記基板を上記ペデスタルの上記上部表面に接触させずに、上記ペデスタルに上記基板を固定するように構成された、非接触型基板ホルダ。
【請求項２】
上記少なくとも１つの噴射ポートは、上記上部表面に開口している、請求項１に記載の非接触型基板ホルダ。
【請求項３】
上記基板の存在を検出するように構成されたセンサを更に備えた、請求項１に記載の非接触型基板ホルダ。
【請求項４】
上記センサは、圧力トランスデューサである、請求項３に記載の非接触型基板ホルダ。
【請求項５】
上記センサは、上記基板が上記上部表面の方へ引っ張られる領域に配置される、請求項３に記載の非接触型基板ホルダ。
【請求項６】
基板を移送する方法において、
第１の基板ホルダを使用して上記基板を保持するステップと、
第２の基板ホルダの支持表面に液体ストリームを流すステップと、
上記第２の基板ホルダの上記支持表面に形成された上記液体ストリームに上記基板の表面を接触させるステップと、
上記第１の基板ホルダから上記基板を自由にするステップと、
上記基板を上記第２の基板ホルダに接触させずに、上記液体ストリームを使用して上記第１の基板ホルダから上記基板を引っ張るステップと、
を備えた方法。
【請求項７】
上記液体ストリームを流すステップは、脱イオン水又は洗浄溶液を流す段階を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項８】
上記第２の基板ホルダの上記支持表面に配設された圧力センサを使用して、上記基板の存在を検出するステップを更に含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
上記液体ストリームを流すステップは、上記第２の基板ホルダの上記支持表面に形成された１つ以上の噴射ポートから高速度液体を噴射する段階を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
上記第１の基板ホルダは、研磨システムに使用されるキャリヤヘッドである、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
上記第１の基板ホルダは、基板を移送するように構成されたロボットである、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
基板をチャックするための方法において、
ペデスタルの支持表面に液体ストリームを流し、上記液体ストリームが上記ペデスタルの上記支持表面に液体ベッドを形成するようにするステップと、
上記液体ベッド上に上記基板の表面を配置し、上記基板が上記液体ストリームと実質的に平行となり、上記基板の上記表面が上記ペデスタルの上記支持表面に接触しないようにするステップと、
を備えた方法。
【請求項１３】
上記液体ストリームは、脱イオン水又は洗浄溶液を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
上記液体ストリームを流すステップは、上記ペデスタルの上記支持表面に形成された少なくとも１つの噴射ポートから高速度液体を噴射する段階を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
上記ペデスタルの上記支持表面に配設された圧力センサを使用して、上記基板の存在を感知するステップを更に含む、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
発明の分野
[0001]本発明の実施形態は、一般的に、基板を移送するための装置及び方法に係る。
【０００２】
関連技術の説明
[0002]サブミクロン・マルチレベル・メタリゼーションは、次世代の超大規模集積（ＵＬＳＩ）のための重要な技法の１つである。この技法の中心に位置するマルチレベル相互接続は、コンタクト、ビア、トレンチ及びその他の特徴部を含む高アスペクト比特徴部に形成される相互接続特徴部の平坦化を必要としている。
【０００３】
[0003]平坦化は、一般に、化学機械研磨（ＣＰＵ）及び／又は電気化学機械堆積（ＥＣＭＰ）を使用して行われる。平坦化方法は、典型的に、研磨すべき表面が露出されるようにして、基板をキャリヤヘッドに取り付けることを必要としている。それから、キャリヤヘッドによって支持された基板は、回転研磨パッドに対して置かれる。基板を保持しているキャリヤヘッドは、回転され、基板と研磨パッド表面との間に付加的な運動を与えることができる。平坦化処理を助けるため、回転研磨表面へ研磨溶液が通常供給される。
【０００４】
[0004]平坦化処理中、基板は、一般的に、例えば、キャリヤヘッド上の膜と基板の裏側との間に真空カップを形成することにより、基板の裏側でキャリヤヘッド上に固定される。平坦化処理の前又は後で、基板をキャリヤヘッドへ移送したりキャリヤヘッドから移送したりするため、ロードカップが一般的に使用される。
【０００５】
[0005]現在の技術状態においては、ロードカップは、基板を保持し、基板をキャリヤヘッドへ移送したりキャリヤヘッドから移送したりするように構成された基板支持手段、例えば、支持フィンガーを有することができる。キャリヤヘッドから基板をアンロードするとき、その膜は、通常、その膜と基板の裏側との間の真空カップを自由にするため膨張される。そのとき、基板は、重力の作用により、キャリヤヘッドからロードカップへと下方に落下する。図１は、現在の技術状態のロードカップに使用されている基板ホルダを概略的に例示している。キャリヤヘッド１０は、基板１２をそこに固定するように構成された膜１１を有する。その膜１１は、基板１２がキャリヤヘッド１０に「吸引」されないように、膨張される。複数の支持フィンガー１４を有する基板ホルダ１５は、キャリヤヘッド１０の下に配置され、基板１２が重力の作用によりキャリヤヘッド１０から落下するときにその基板１２を捕らえるようになっている。このような移送処理中、基板１２の被処理表面１３は、空気又は他の処理環境に対して曝される。その被処理表面１３は、一般的に、研磨ステーションの研磨溶液でウエット状態とされる。銅構造体の如き構造体は、ウエット状態において空気に曝されるとき、容易に腐食する。
【０００６】
[0006]現在の技術状態におけるロードカップは、幾つかの限界を有している。第一に、基板をキャリヤヘッドからアンロードするに要する時間が、比較的に長く予測できないものである。何故ならば、重力が作用するのを受動的に待っているものであるからである。第二に、アンロード中に、アンロードすべき基板が一般的にはウエット状態とされ、大気に曝され、その結果として、その被処理表面が腐食してしまう。
【０００７】
[0007]従って、増大され且つ予測できる割合で、しかも腐食を減少させて、基板を移送するための装置及び方法が必要とされている。
【発明の概要】
【０００８】
[0008]本発明は、一般的に、基板移送システムに係る。特に、本発明は、キャリヤヘッドへの基板移送及びキャリヤヘッドからの基板移送をスピードアップし且つその移送中の腐食を減少させるように構成されたロードカップに係る。
【０００９】
[0009]本発明の一実施形態によれば、基板を支持するように構成された上部表面を有するペデスタルと、上記ペデスタルの上記上部表面に高速度液体ストリームを噴射するように構成された少なくとも１つの噴射ポートとを備え、上記液体ストリームは、上記基板を上記ペデスタルの上記上部表面に接触させることなく、上記ペデスタルに上記基板を固定するように構成された非接触型基板ホルダが提供される。
【００１０】
[0010]本発明の別の実施形態は、基板を移送するための方法において、第１の基板ホルダを使用して上記基板を保持し、第２の基板ホルダの支持表面に液体ストリームを流し、上記基板の表面を、上記第２の基板ホルダの上記支持表面に形成された上記液体ストリームと接触させ、上記第１の基板ホルダから上記基板を自由にさせ、上記基板を上記第２の基板ホルダに接触させることなく、上記液体ストリームを使用して上記第１の基板ホルダから上記基板を引っ張ることを含むような方法に関する。
【００１１】
[0011]本発明の更に別の実施形態は、基板をチャッキングするための方法において、ペデスタルの支持表面上に液体ベッドを形成する液体ストリームを流し、上記液体ベッド上に上記基板の表面を配置することを含み、上記基板の上記表面は、上記液体ストリームと実質的に平行であり、上記基板の上記表面は、上記ペデスタルの上記支持表面と接触しないようにする方法に関する。
【００１２】
[0012]本発明の前述した特徴を詳細に理解できるように、幾つかを添付図面に例示する実施形態に関して、簡単に概要を前述した本発明について、以下により詳細に説明する。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態のみを例示するものであり、従って、本発明の範囲をそれに限定するものではなく、本発明は、その他の均等な効果を発揮できる種々の実施形態を包含し得る。
【詳細な説明】
【００１３】
[0020]本発明は、一般的に、基板を移送するための装置及び方法に関するものであり、特に、化学機械研磨（ＣＭＰ）システム又は電気化学機械研磨（ＥＣＭＰ）システムにおけるロードカップとキャリヤヘッドとの間の基板移送に関する。
【００１４】
[0021]図２は、研磨システム１００の部分断面図を例示している。この研磨システム１００は、研磨ステーション１０２、キャリヤヘッド１０４及びロードカップ１１０を備えている。研磨ステーション１０２は、研磨材を配設した回転プラテン１０６を備える。キャリヤヘッド１０４は、移送機構１１８によってベース１２６に結合され、研磨ステーション１０２の上方に支持されている。移送機構１１８は、研磨材１１６の上又はロードカップ１１０の上（点線で示される）にキャリヤヘッド１０４を選択的に配置するように適応される。キャリヤヘッド１０４は、基板１４６を保持するように構成された膜１５０を備える。このようなキャリヤヘッド１０４の詳細な説明については、「CarrierHead with a Flexible Membrane for a Chemical Mechanical Polishing」と題する米国特許第６，１８３，３５４号明細書、及び２００５年２月８日に出願された米国特許出願第１１／０５４，１２８号であって、現在では特許付与されている「Multi-chamberCarrier Head with a Flexible Membrane」と題する米国特許第７，００１，２５７号明細書になされており、これら明細書の記載は、ここに援用される。
【００１５】
[0022]ロードカップ１１０は、一般的に、基板に接触せずに基板を支持するように構成されたペデスタルアセンブリ１２８を含む。ペデスタルアセンブリ１２８は、アクチュエータ１３３に結合されるシャフト１３６によって支持されている。ロードカップ１１０とキャリヤヘッド１０４との間で基板を移送するときには、キャリヤヘッド１０４は、一般的に、点線で示すように、ロードカップ１１０の上方へと回転させられる。膜１５０は、基板１４６を自由にするため膨張され、そのとき、基板１４６は、ロードカップ１０４によって捕らえられる。
【００１６】
[0023]本発明の一実施形態では、ペデスタルアセンブリ１２８は、基板をチャッキングするため高速度液体ストリームからの引張り力を使用する非接触型基板ホルダである。
【００１７】
[0024]図３は、本発明の一実施形態による非接触型基板ホルダ２００を概略的に例示している。この非接触型基板ホルダ２００は、液体ストリームで形成された液体ベッドを使用して基板を固定するように構成されている。この非接触型基板ホルダ２００は、図２の研磨システム１００のペデスタルアセンブリ１２８として使用することができる。
【００１８】
[0025]この非接触型基板ホルダ２００は、上部表面２０３を有するペデスタル２０１を備える。ペデスタル２０１には、その中心近くに、噴射ポート２０９が形成されている。この噴射ポート２０９は、ペデスタル２０１に形成されたチャネル２０４と流体連通している。チャネル２０４は、噴射ポート２０９を通して上部表面２０３上へと高速度で液体を送り出すように構成された流体源２１０に接続することができる。一実施形態では、流体は、噴射ポート２０９から、約５００ｃｃ／分と約２０００ｃｃ／分との間の流量で送り出される。一実施形態では、この噴射ポート２０９からの流量は、約１０００ｃｃ／分である。一実施形態では、インサート２０２がチャネル２０４に配設される。このインサート２０２は、液体ベッドが上部表面２０３に形成されるように、ペデスタル２０１の上部表面２０３と実質的に平行となるように噴射ポート２０９からの液体ストリームを方向付けるように構成されている。
【００１９】
[0026]動作中に、流体源２１０は、液体をチャネル２０４へと送り出す。その液体は、上部表面２０３上に液体ストリーム２０５を形成する。一実施形態では、この液体ストリーム２０５は、上部表面２０３の中心からその上部表面２０３の周辺へ向かって高速度で流れ、その上部表面２０３を覆う液体ベッドを形成する。この液体ストリームの流量及び液体ベッドの厚さは、基板２０８がペデスタル２０１の上方にチャッキングされるような範囲内に制御される。一実施形態では、液体ベッドの厚さは、噴射ポート２０９からの流量を制御することにより制御することができる。
【００２０】
[0027]基板２０８は、その基板２０８の表面２１１が液体ストリーム２０５に接触するように、液体ストリーム２０５の上部に置かれる。一実施形態では、基板２０８の表面２１１は、液体ストリーム２０５によって密閉される。表面２１１が液体ストリーム２０５と接触しているとき、その液体ストリーム２０５は、基板２０８を「引っ張り」、その基板２０８が液体ストリーム２０５によって形成された液体ベッド上にチャッキングされるが、ペデスタル２０１の上部表面２０３とは接触しないようにする、ことが立証されている。
【００２１】
[0028]噴射ポート２０９からの液体ストリーム２０５の如き高速度液体ストリームは、基板が上部表面２０３の如き支持表面に接近するにつれて増大するような引張り力を生成することが示されている。同時に、高い圧力を有する液体ストリームは、基板が支持表面により近づくにつれて増大するような押込み力を生成する。これらの押込み力と引張り力とは、噴射ポートの周りの異なる領域（従って、基板の異なる領域）に作用し、互いに平衡する。従って、噴射ポートからの高速度液体ストリームによって覆われる支持表面の上方に基板が配置されるとき、その基板は、絶えずその支持表面の方へ引っ張られているが、その支持表面には決して接触しない。
【００２２】
[0029]図３の曲線２２０は、液体ストリーム２０５によって基板２０８に加えられる力の分布を概略的に例示している。上方の方向は、押込み力を示し、下方の方向は、引張り力を示している。力の分布は、コンピュータシミュレーション及びベンチ測定に従っている。曲線２２０によって例示されるように、基板２０８は、噴射ポート２０９の真上では引っ張られ、噴射ポート２０９の直ぐ近くの領域では押し込まれており、その押込み領域から半径方向外側に延在する領域では引っ張られ、その引張り領域の外側では押し込まれている。
【００２３】
[0030]液体ストリーム２０５による基板２０８への引張り力に対する１つの説明は、ベルヌーイの原理によってなすことができ、このベルヌーイの原理は、理想液体の場合には、仕事がなされない状態で、速度が増大すると、圧力又は重力エネルギーが減少するというものである。この引張り力の別の説明は、運動量の原理によってなすことができ、この運動量の原理は、高運動量流体がより大きな体積へと膨張するにつれて、圧力が低下するというものである。
【００２４】
[0031]この引張り力に対する正確な説明については議論のあるところであるが、その物理的現象については議論の余地のないところである。一実施形態では、液体ストリームは、１つの噴射ポート当たり、約２０ポンドの引張り力を与えることができる。
【００２５】
[0032]一実施形態では、非接触型基板ホルダ２００は、基板の存在を検出するように構成された１つ以上のセンサを備えることができる。一実施形態では、センサ２０６ａがペデスタル２０１に配設され、その上部表面２０３での圧力を測定するように構成される。このセンサ２０６ａは、噴射ポート２０９の如き噴射ポートの引張り領域に配設することができる。別の実施形態では、センサ２０６ｂが、噴射ポートの中心近くに配設され、その上部表面２０３での圧力を測定するように構成される。基板が存在しないときには、センサ２０６ａ又は２０６ｂからの測定値は、ほぼ、環境圧力、例えば、大気圧である。基板がその非接触型基板ホルダ２００にチャッキングされているときには、センサ２０６ａ又は２０６ｂの測定値は、負圧を示す。何故ならば、引張り力が基板及び上部表面２０３へ加えられるからである。一実施形態では、センサ２０６は、圧力トランスデューサである。
【００２６】
[0033]従って、センサは、基板の存在によって生ぜしめられる正圧を測定するため、噴射ポートの押込み領域に配設することもできる。
【００２７】
[0034]センサ２０６ａ又は２０６ｂは、コントローラ２０７にも接続され、これらセンサ２０６ａ又は２０６ｂにより、基板が存在しているか否かをコントローラ２０７へ知らせることもできる。
【００２８】
[0035]この非接触型基板ホルダ２００に使用される液体は、基板表面に接触するに適した任意の液体溶液であってよい。一実施形態では、この液体は、脱イオン水（ＤＩ水）である。別の実施形態では、この液体は、洗浄溶液であってよい。
【００２９】
[0036]図４Ａから図４Ｄは、本発明の一実施形態による基板アンローディング方法を概略的に例示している。図４Ａから図４Ｄは、非接触型基板ホルダ２００を使用して、キャリヤヘッド３００に取り付けられた基板２０８をアンロードするところを概略的に例示している。
【００３０】
[0037]キャリヤヘッド３００は、支持表面３０２を有する本体３０１を備える。複数のディンプル３０３が支持表面３０２に形成されている。基板を固定するように構成された膜３０４が、支持表面３０２の周りに配設されている。この膜３０４は、膨張されたり収縮されたりする。膜３０４が収縮されるとき、複数の真空カップ３０５が基板２０８と膜３０４との間に形成され、基板２０８がその膜３０４に「吸引」される。膜３０４が膨張されるとき、それら真空カップ３０５が自由にされ、基板２０８は、もはやその膜３０４に固定されなくなる。
【００３１】
[0038]一般的に、キャリヤヘッド３００のようなキャリヤヘッドから基板をアンローディングするには、固定力、この場合には、膜３０４による真空吸引力を解除することが含まれる。真空力が解除された後は、膜３０４に固定されていた基板は、重力の作用の下で落下できるようになっている。しかしながら、基板が膜から落下するまでには比較的に長い時間がかかり、又、この時間は、基板毎に変化するものである。基板が落下するまでに比較的に長い時間が掛かってしまうと、スループットが減少されてしまうばかりでなく、基板が腐食及び汚染を受ける機会が増大してしまう。落下時間が変化するのでは、基板毎の不均一も生じてしまう。
【００３２】
[0039]本発明の実施形態によれば、アンローディング速度を増大し且つ基板間の均一性を与えるように、基板を積極的にアンローディングするための方法が提供される。
【００３３】
[0040]図４Ａに示されるように、基板２０８を膜３０４に固定したキャリヤヘッド３００は、非接触型基板ホルダ２００に接近している。噴射ポート２０９から噴射された液体ストリーム２０５により、ペデスタル２０１の上部表面２０３上に液体ベッドが形成されている。
【００３４】
[0041]図４Ｂにおいて、キャリヤヘッド３００と非接触型基板ホルダ２００とは、互いの方に向かって移動している。これは、キャリヤヘッド３００を下降させることにより及び／又は非接触型基板ホルダ２００を上昇させることにより行うことができる。一実施形態では、キャリヤヘッド３００及び非接触型基板ホルダ２００は、キャリヤヘッド３００によって保持された基板２０８と非接触型基板ホルダ２００上の液体ストリーム２０５との間にギャップ３０７が維持されるように位置決めされる。一実施形態では、そのギャップ３０７は、約６ｍｍである。
【００３５】
[0042]図４Ｃにおいて、キャリヤヘッド３００及び非接触型基板ホルダ２００は、互いに対して静止したままとされている。膜３０４が膨張され、基板２０８は、液体ストリーム２０５の方へ押し込まれ、最終的には、液体ストリーム２０５からの引張り力により膜３０４から捕らえられることになる。一実施形態では、このような基板２０８のチャッキングを確認するため、センサ２０６ａ又は２０６ｂを使用することができる。
【００３６】
[0043]図４Ｄにおいて、キャリヤヘッド３００及び非接触型基板ホルダ２００は、互いに引き離され、基板２０８は、非接触型基板ホルダ２０８上にアンロードされことになる。
【００３７】
[0044]一実施形態では、図４Ｂ及び図４Ｃにおけるステップを結合することができる。キャリヤヘッド３００及び非接触型基板ホルダ２００は、基板２０８が液体ストリーム２０５に接触するがペデスタルの上部表面２０３には接触しないように、互いに対して移動される。膜３０４が膨張され、基板は、液体ストリーム２０５からの引張り力により膜３０４から捕らえられる。
【００３８】
[0045]キャリヤヘッド３００が研磨処理に使用される場合には、表面２１１は、一般的に、デバイスが形成されるところである、基板のデバイス側である。表面２１１は、研磨システムにおいて行われる処理により、通常、セミウエット状態であり、大気に曝されるとき腐食を受け易いものである。前述したようなアンローディングプロセスによれば、セミウエット状態の表面２１１が大気に曝される時間が制限され、従って、腐食が減少される。
【００３９】
[0046]図５Ａから図５Ｃは、本発明の一実施形態による基板ローディング方法を概略的に例示している。図５Ａから図５Ｃは、本発明の非接触型基板ホルダを使用してキャリヤヘッド上へ基板をローディングするところを概略的に例示している。
【００４０】
[0047]図５Ａは、キャリヤヘッド３００上へ基板２０８をローディングする前に、その基板２０８が非接触型基板ホルダ２００に吸着されるところを示している。その表面２１１、即ち、デバイス側は、液体ストリーム２０５に接触し、そこで密閉されている。
【００４１】
[0048]図５Ｂにおいて、キャリヤヘッド３００及び非接触型基板ホルダ２００は、互いの方へ向かって移動される。これは、キャリヤヘッド３００を下降させることにより及び／又は非接触型基板ホルダ２００を上昇させることにより行うことができる。キャリヤヘッド３００及び非接触型基板ホルダ２００は、基板２０８の裏面側が膜３０４に接触するような距離に位置決めされる。一実施形態では、膜３０４と基板２０８の裏面側２１２との間の気泡を取り除くため、膜３０４が先ず膨張させられる。それから、膜３０４は、収縮させられ、その膜３０４と基板２０８の裏面側との間に真空カップが生成される。
【００４２】
[0049]図５Ｃにおいて、液体ストリーム２０５が停止され、基板２０８がデチャッキングされる。このとき、基板２０８は、キャリヤヘッド３００にロードされることになる。キャリヤヘッド３００及び非接触型基板ホルダ２００は、互いから引き離される。
【００４３】
[0050]図６Ａは、本発明の一実施形態による基板ホルダ４００の側断面図を概略的に例示している。図６Ｂは、図６Ａの基板ホルダ４００の上面図を概略的に例示している。
【００４４】
[0051]この基板ホルダ４００は、液体ベッドを保持するように構成された支持表面４０３を有するペデスタル４０１を備える。このペデスタル４０１には、複数の噴射ポート４０４が形成されている。これら複数の噴射ポート４０４の各々は、基板２０８を支持するための液体ベッドを形成するため、支持表面４０３上へ高速度液体ストリームを流すように構成されている。
【００４５】
[0052]一実施形態では、ペデスタル４０１の周辺に、保持リップ４０９が形成される。この保持リップ４０９は、基板を半径方向において整列させるのに使用される。
【００４６】
[0053]図６Ｂを参照するに、複数の噴射ポート４０４は、支持表面４０３に均一に分布されていて、それら複数の噴射ポート４０３から生成される引張り力がチャッキングすべき基板に対して均一に分布されるようにしている。
【００４７】
[0054]一実施形態では、噴射ポート４０４は、その噴射ポート４０４からの液体ストリームを方向付けるように構成されたインサート４０２を備える。流体供給チャネル４０５がペデスタル４０１に形成されている。この流体供給チャネル４０５は、液体源と流体連通している。一実施形態では、センサ４０６がインサート４０２に設けられる。このセンサ４０６は、基板の存在によって生ぜしめられる負圧を測定するように構成されている。
【００４８】
[0055]本発明の非接触型基板ホルダでもって平坦化処理を行うことについて説明したのであるが、当業者であれば、ウエット洗浄、電気めっき及び無電界めっきの如き任意の適当な処理において基板を保持し移送するのに、この非接触型基板ホルダを適用できるであろう。
【００４９】
[0056]本発明の種々な実施形態について前述してきたのであるが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他の更なる実施形態が考えうるのであり、本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって決定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】従来技術によるロードカップに使用される基板ホルダを概略的に示す。
【図２】本発明の一実施形態による平坦化システムを概略的に示す。
【図３】本発明の一実施形態による非接触型基板ホルダを概略的に示す。
【図４Ａ】本発明の一実施形態による基板アンローディング方法を概略的に示す。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態による基板アンローディング方法を概略的に示す。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態による基板アンローディング方法を概略的に示す。
【図４Ｄ】本発明の一実施形態による基板アンローディング方法を概略的に示す。
【図５Ａ】本発明の一実施形態による基板ローディング方法を概略的に示す。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態による基板ローディング方法を概略的に示す。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態による基板ローディング方法を概略的に示す。
【図６Ａ】本発明の一実施形態による基板ホルダの側断面図を概略的に示す。
【図６Ｂ】図６Ａの基板ホルダの上面図を概略的に示す。
【符号の説明】
【００５１】
１０…キャリヤヘッド、１１…膜、１２…基板、１３…被処理表面、１４…支持フィンガー、１５…基板ホルダ、１００…研磨システム、１０２…研磨ステーション、１０４…キャリヤヘッド、１０６…回転プラテン、１１０…ロードカップ、１１６…研磨材、１１８…移送機構、１２６…ベース、１２８…ペデスタルアセンブリ、１３３…アクチュエータ、１３６…シャフト、１４６…基板、１５０…膜、２００…非接触型基板ホルダ、２０１…ペデスタル、２０２…インサート、２０３…上部表面、２０４…チャネル、２０５…液体ストリーム、２０６ａ…センサ、２０６ｂ…センサ、２０７…コントローラ、２０８…基板、２０９…噴射ポート、２１０…流体源、２１１…表面、２１２…裏面側、２２０…曲線、３００…キャリヤヘッド、３０１…本体、３０２…支持表面、３０３…ディンプル、３０４…膜、３０５…真空カップ、３０７…ギャップ、４００…基板ホルダ、４０１…ペデスタル、４０２…インサート、４０３…支持表面、４０４…噴射ポート、４０５…チャネル、４０６…センサ、４０９…保持リップ
【図１】
2008270818.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【外国語明細書】
2008270818000001.pdf