(57)【要約】【課題】量産性を十分に向上させ得る機能層の形成方法を提供する。【解決手段】スパッタリング装置における一対の電極間に所定のパルス状電圧Ｖを印加することで機能層形成用材料をスパッタリングして情報媒体用基材に機能層を形成する際に、パルス状電圧Ｖの１周期（時間Ｔ１）に占めるスパッタリングに有効となる電圧を付与する時間（時間Ｔ３）の時間割合が６５％未満となるようにパルス状電圧Ｖを一対の電極間に印加する。また、上記の機能層形成用材料としてのＡｌのターゲットを使用すると共に、ＡｒおよびＮ２の混合ガスを反応性ガスとして使用して、上記の機能層としてのＡｌＮ薄膜を形成する。【選択図】図３
2008186516.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング装置における一対の電極間に所定のパルス状電圧を印加することで機能層形成用材料をスパッタリングして情報媒体用基材に機能層を形成する際に、前記パルス状電圧の１周期に占める前記スパッタリングに有効となる電圧を付与する時間割合が６５％未満となるように当該パルス状電圧を前記一対の電極間に印加する機能層の形成方法。
【請求項２】
前記機能層形成用材料としてのＡｌのターゲットを使用すると共に、Ｎ２を反応性ガスとして使用して、前記機能層としてのＡｌＮ薄膜を形成する請求項１記載の機能層の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング法によって反射層、情報層および防水層等の機能層を情報媒体用基材に形成する機能層の形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の機能層の形成方法として、両面記録型光ディスク（以下、「光ディスク」ともいう）の製造に際して静止対向型のＤＣスパッタリング装置（以下、「スパッタリング装置」ともいう）を用いたスパッタリング処理によって各種機能層を形成する方法が特開２００２−３１２９８０号公報に開示されている。この光ディスクの製造方法では、まず、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなるターゲットを設置した真空チャンバ内にディスク基板を移動させる。次いで、真空チャンバ内を真空引きすると共に、不活性ガス（一例として、Ａｒガス）を導入しつつ、負電極（この例では、ターゲット）および正電極（この例では、パレット）の間にプラズマ放電用ＤＣ高圧電源からパルス状の直流電圧を印加する。この際には、両電極の間に生じた磁界に起因して真空チャンバ内にグロー放電が発生し、このグロー放電によってイオン化したＡｒガスがターゲットをスパッタリングする。この結果、ターゲットの表面からディスク基板の表面に向かってターゲット材料が飛散して堆積する。これにより、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる第１の誘電体層がディスク基板の表面に形成される。
【０００３】
次いで、ＳｂＴｅ合金からなるターゲットを設置した真空チャンバ内にディスク基板を移動させてスパッタリング処理を実行する。これにより、ＳｂＴｅ合金からなる相変化記録層が第１の誘電体層の上に形成される。続いて、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなるターゲットを設置した真空チャンバ内にディスク基板を移動させてスパッタリング処理を実行する。これにより、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる第２の誘電体層が相変化記録層の上に形成される。次に、ＡｌＣｕ合金からなるターゲットを設置した真空チャンバ内にディスク基板を移動させてスパッタリング処理を実行する。これにより、ＡｌＣｕ合金からなる第１の反射層が第２の誘電体層の上に形成される。以上の各スパッタリング処理によって、第１の誘電体層、相変化記録層、第２の誘電体層および第１の反射層からなる第１の情報信号層がディスク基板の上に形成される。次いで、スパッタリング装置から搬出したディスク基板に対して第１の情報信号層を覆うようにして紫外線硬化樹脂をスピンコートすることで保護層を形成する。この後、上記の手順と同様にして各層を形成したディスク基板を用意して、両ディスク基板を保護層側が内側になるように接着層を介して貼り合わせる。これにより、光ディスクが完成する。
【特許文献１】特開２００２−３１２９８０号公報（第１１−２４頁、第１−１７図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、従来の機能層の形成方法には、以下の問題点がある。すなわち、従来の形成方法では、スパッタリング法によって両誘電体層、相変化記録層および反射層等（以下、区別しないときには「機能層」ともいう）を形成している。この場合、スパッタリング法によって各種の機能層を形成する際に、負電極および正電極の間に印加するパルス状電圧の１周期に占めるスパッタリングに有効となる電圧を付与する時間（以下、「スパッタリング有効時間」ともいう）の時間割合を大きくする（すなわち、パルス状電圧の１周期に占めるスパッタリングに有効とはならない電圧を付与する時間（以下、「リバースタイム」ともいう）の時間割合を小さくする）ことで、スパッタリングレート（単位時間当りにおける材料の堆積量）を向上させて量産性を向上させることができる。しかしながら、出願人は、量産性の向上（スパッタリングレートの向上）を目的としてパルス状電圧の１周期に占めるスパッタリング有効時間の時間割合を過剰に大きくしたとき（リバースタイムの時間割合を過剰に小さくしたとき）に、ターゲットの表面に微小欠陥（ターゲット表面の荒れ）が多数発生するのを見出した。
【０００５】
この場合、ターゲットの表面に微小欠陥が発生した状態においては、イオン化した不活性ガスがターゲットをスパッタリングしたときに、ターゲットからの材料の飛散が微小欠陥によって阻害される。これに起因して、微小欠陥の発生部位に対向する部位と、微小欠陥が発生していない部位に対向する部位とでスパッタリング処理の対象体に堆積する材料の厚みにばらつきが生じる結果、均一な厚みの層を形成するのが困難となる。したがって、量産性の向上を目的としてスパッタリングレートを向上させているにも拘わらず、厚みが不均一な層が多数製造されることで、結果として、良品の光ディスクの量産性が悪化するという問題が発生する。
【０００６】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、量産性を十分に向上させ得る機能層の形成方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成すべく本発明に係る機能層の形成方法は、スパッタリング装置における一対の電極間に所定のパルス状電圧を印加することで機能層形成用材料をスパッタリングして情報媒体用基材に機能層を形成する際に、前記パルス状電圧の１周期に占める前記スパッタリングに有効となる電圧を付与する時間割合が６５％未満となるように当該パルス状電圧を前記一対の電極間に印加する。
【０００８】
また、本発明に係る機能層の形成方法は、前記機能層形成用材料としてのＡｌのターゲットを使用すると共に、Ｎ２を反応性ガスとして使用して、前記機能層としてのＡｌＮ薄膜を形成する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る機能層の形成方法では、１周期に占めるスパッタリングに有効となる電圧を付与する時間割合が６５％未満のパルス状電圧を一対の電極間に印加することで機能層形成用材料をスパッタリングして情報媒体用基材に機能層を形成する。この場合、本発明に係る機能層の形成方法では、一例として、機能層形成用材料としてのＡｌのターゲットを使用すると共に、Ｎ２を反応性ガスとして使用して、機能層としてのＡｌＮ薄膜を形成する。したがって、本発明に係る機能層の形成方法によれば、数多くの機能層（ＡｌＮの層）を形成したとしても機能層形成用材料のターゲット（Ａｌで構成されたターゲット）の表面に微小欠陥が多数発生することなく、これにより、全域において均一な厚みの機能層を形成することができる。この結果、スパッタリングレートが低いにも拘わらず、不良品の製造数を十分に減らすことができるため、情報媒体の量産性を十分に向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明に係る機能層の形成方法の最良の形態について、添付図面を参照して説明する。
【００１１】
最初に、本発明に係る機能層の形成方法に従って機能層が形成された光ディスク１０、および光ディスク１０の製造に際して機能層を形成するスパッタリング装置１の構成について、図面を参照して説明する。
【００１２】
図１に示す光ディスク１０は、本発明に係る機能層の形成方法に従って機能層が形成された情報媒体の一例である追記型のＢＤ（Blu-ray Disc：登録商標）であって、反射層１２、情報層１３、防水層１４および光透過層１５がディスク基材１１の一面（同図における上面）にこの順で形成されている。また、光ディスク１０の中心部には、光ディスク１０を記録再生装置等に装着するための装着用中心孔１０ａが形成されている。ディスク基材１１は、本発明における情報媒体用基材の一例であって、ポリカーボネート等の樹脂材料を用いて円板状に射出成形されている。反射層１２は、本発明における機能層の一例であって、一例として、Ａｇ合金等の金属材料をターゲットとして用いたスパッタリング法によって薄膜状に形成されている。
【００１３】
情報層１３は、一例として第１の金属材料層および第２の金属材料層が一対の誘電体層によって挟まれるようにしてそれぞれスパッタリング法によって形成されて（図示せず）、図示しない記録再生装置によってレーザービームが照射されることで記録データを記録可能に構成されている。この場合、第１の金属材料層、第２の金属材料層および一対の誘電体層の４つの層は、それぞれが本発明における機能層に相当する。防水層１４は、本発明における機能層の他の一例であって、例えば大気中の水分が情報層１３内に侵入するのを阻止する層として機能すると共に、光ディスク１０に対するレーザービームの照射に起因して情報層１３等に生じる熱を放熱する放熱層としても機能する。また、防水層１４は、後述するように、その屈折率が２．００程度となるように、図２に示すスパッタリング装置１によって形成されたＡｌＮの薄膜で構成されている。
【００１４】
光透過層１５は、ディスク基材１１上に形成された反射層１２、情報層１３防水層１４を保護すると共に記録データの記録再生時にレーザービームを透過させる光路として機能する。この場合、光透過層１５は、図示しないスピンコート装置によって紫外線硬化型の樹脂材料をスピンコートして硬化させることによって、その厚みが１００μｍ程度となるように形成されている。なお、光透過層１５の形成方法は、スピンコート法に限定されるものではなく、その厚みが１００μｍ程度の樹脂フィルムを防水層１４の表面に接着層を介して貼付することで光透過層１５を形成する方法を採用することもできる。
【００１５】
一方、スパッタリング装置１は、いわゆる「ＤＣマグネトロンスパッタリング装置」であって、本発明に係る機能層の形成方法に従って上記の光ディスク１０における反射層１２、情報層１３および防水層１４等の各機能層を形成可能に構成されている。なお、本発明についての理解を容易とするために、防水層１４の形成方法を例に挙げて本発明に係る機能層の形成方法を以下に説明する。このスパッタリング装置１は、図２に示すように、真空容器２、基材保持部３、真空ポンプ４、ガス供給部５、カソード電極６、アノード電極７、電源部８および制御部９を備えている。真空容器２は、防水層１４等の薄膜（機能層）を形成する形成対象物（この例では、ディスク基材１１）を保持する基材保持部３と、カソード電極６およびアノード電極７と、薄膜（この例では、防水層１４）の形成材料であるターゲット２０とを収容可能な大きさに構成されている。この場合、防水層１４の形成に際しては、上記のターゲット２０として、Ａｌのターゲットが使用される。
【００１６】
真空ポンプ４は、制御部９からの制御信号Ｓ１に従い、真空容器２内の空気を排気して真空容器２内を真空状態に維持する。ガス供給部５は、制御部９からの制御信号Ｓ２に従い、不活性ガス（一例として、ＡｒおよびＮ２の混合ガス）を真空容器２内に供給する。カソード電極６およびアノード電極７は、本発明における一対の電極に相当し、相互に絶縁されると共に、電源部８にそれぞれ接続されている。電源部８は、制御部９からの制御信号Ｓ３に従い、カソード電極６およびアノード電極７の間にパルス状電圧Ｖを印加する。
【００１７】
制御部９は、スパッタリング装置１を総括的に制御する。具体的には、制御部９は、後述するようにして、真空ポンプ４を制御して真空容器２内を真空状態に維持させると共に、ガス供給部５を制御して真空容器２内に不活性ガスを供給させる。また、制御部９は、後述するようにして、電源部８を制御することにより、パルス状電圧Ｖの１周期に占めるスパッタリングに有効となる電圧を付与する時間（スパッタリング有効時間）の時間割合が６５％未満の所望値、言い替えれば、スパッタリングに有効とはならない電圧を付与する時間（リバースタイム）の時間割合（すなわち、スパッタリングに有効な電圧を付与しない時間の時間割合）が３５％以上の所望値となるように調整させてパルス状電圧をカソード電極６およびアノード電極７の間に印加させる。
【００１８】
次に、スパッタリング装置１による防水層１４の形成方法（光ディスク１０の製造方法）について、図面を参照して説明する。なお、ディスク基材１１に対する反射層１２や情報層１３の形成処理（スパッタリング処理）は既に完了しているものとする。
【００１９】
スパッタリング法によって防水層１４等を形成する際には、前述したように、スパッタリング装置１におけるカソード電極６およびアノード電極７の間に印加するパルス状電圧Ｖの１周期（図３における時間Ｔ１）に占めるスパッタリング有効時間（図３における時間Ｔ３）の時間割合を大きくする（すなわち、パルス状電圧Ｖの１周期（時間Ｔ１）に占めるリバースタイム（図３における時間Ｔ２）の時間割合を小さくする）ことで、スパッタリングレートを向上させることができる。しかしながら、前述したように、パルス状電圧Ｖの１周期に占めるスパッタリング有効時間の時間割合を過剰に大きくしたとき（すなわち、パルス状電圧Ｖの１周期に占めるリバースタイムの時間割合を過剰に小さくしたとき）には、ターゲット２０の表面に微小欠陥（ターゲット２０の表面の荒れ）が多数発生するのが出願人によって見出されている。
【００２０】
この場合、出願人は、後述するようにしてカソード電極６およびアノード電極７に各種時間割合のパルス状電圧Ｖを印加して防水層１４を形成したところ、パルス状電圧Ｖの１周期に占めるスパッタリング有効時間の時間割合（時間Ｔ１に占める時間Ｔ３の時間割合）が６５％以上のときに、ターゲット２０の表面に多数の微小欠陥が生じ、時間割合が５５％以上６５％未満の範囲内のときに、ターゲット２０の表面に発生する微小欠陥の数が少数となることを見出した。したがって、このスパッタリング装置１による防水層１４の形成に際して、制御部９は、一例として、１２０ＫＨｚのパルス状電圧Ｖにおいて時間割合が６４％となるように電源部８を制御する。
【００２１】
具体的には、まず、防水層１４を形成するディスク基材１１（情報層１３の形成が完了しているディスク基材１１）を真空容器２内の基材保持部３にセットすると共に、Ａｌで構成されたターゲット２０をカソード電極６上（アノード電極７間）にセットする。次いで、図示しない操作部を操作してスパッタリング処理の開始を指示する。この際に、制御部９は、真空ポンプ４に対して制御信号Ｓ１を出力することで真空容器２内の空気を排気させた後に、ガス供給部５に対して制御信号Ｓ２を出力することで真空容器２内に不活性ガス（一例として、Ａｒ：３０ｓｃｃｍ＋Ｎ２：４０ｓｃｃｍの混合ガス）を供給させる。なお、真空容器２内に供給するＡｒおよびＮ２の混合比率は、上記の例に限定されるものではなく、例えば、「Ａｒ：８ｓｃｃｍ＋Ｎ２：３０ｓｃｃｍ」や「Ａｒ：２０ｓｃｃｍ＋Ｎ２：３０ｓｃｃｍ」等の混合比率を採用することもできる。このような混合比率のいずれを採用した場合においても、後述するようにして、その屈折率が１．９０から２．１０の範囲内の防水層１４を形成することができる。
【００２２】
次いで、制御部９は、電源部８に対して制御信号Ｓ３を出力することでカソード電極６およびアノード電極７の間に上記のようにスパッタリング有効時間の時間割合を調整したパルス状電圧Ｖを印加させる。この際に、カソード電極６およびアノード電極７の間に印加されているパルス状電圧Ｖによって真空容器２内にプラズマが発生し、このプラズマによってＡｒおよびＮ２の混合ガスがイオン化される。これにより、真空容器２内においてイオン化したＡｒおよびＮ２がターゲット２０に向けて高速移動してターゲット２０の表面に衝突することにより、金属原子（ターゲット２０を構成しているＡｌ）が、弾き飛ばされて、ディスク基材１１の表面にＡｌＮとして堆積（付着）する。続いて、制御部９は、予め規定された時間（防水層１４の形成に要する時間）が経過した時点において、電源部８に制御信号Ｓ３を出力してパルス状電圧Ｖの供給を停止させる。これにより、ディスク基材１１の表面にＡｌＮからなる防水層１４が形成される。
【００２３】
この場合、カソード電極６およびアノード電極７の間に印加するパルス状電圧Ｖにおけるスパッタリング有効時間の時間割合が５５％以上６５％未満の範囲内となるように調整したことで、複数枚のディスク基材１１に対して防水層１４を形成した後においても、ターゲット２０の表面に発生する微小欠陥の数が極く小数となっている。したがって、微小欠陥によってターゲットからの材料の飛散が阻害されることなく、ターゲット２０の全域からほぼ起因一に材料を飛散させることが可能となっている。この結果、新品または使用時間が極く短いターゲット２０を使用して形成した防水層１４と、複数枚のディスク基材１１に防水層１４を形成した後のターゲット２０（使用時間が長いターゲット２０）を使用して形成した防水層１４との双方において、ディスク基材１１の全域に亘って均一な厚みで、その屈折率が１．９０から２．１０の範囲内（この例では、２．００）の防水層１４を形成することが可能となっている。
【００２４】
次いで、防水層１４の形成が完了したディスク基材１１をスピンコート装置にセットして紫外線硬化型の樹脂材料をスピンコートして硬化させる。これにより、防水層１４の上に光透過層１５を形成する。これにより、図１に示すように、光ディスク１０が完成する。
【００２５】
次に、カソード電極６およびアノード電極７の間に印加するパルス状電圧Ｖにおけるスパッタリング有効時間の時間割合と、ターゲット２０の表面に発生する微小欠陥の数との関係について、図面を参照して説明する。
【００２６】
まず、カソード電極６およびアノード電極７の間に印加するパルス状電圧Ｖの条件（周波数およびスパッタリング有効時間の時間割合）を変更して、上記の光ディスク１０における防水層１４の形成時と同様にして、図４，５に示す実施例１〜７の防水層および比較例１〜６の防水層を形成した。この場合、スパッタリング装置１としては、一例として、日本エリコン社製の「ＤＶＤ−ＳＰＲＩＮＴＥＲ」を使用した。また、各実施例および各比較例の防水層の形成時におけるスパッタ条件は、以下の通りである。
成膜電力：２．０ｋＷ
成膜時間：７．８秒
不活性ガス：「Ａｒ：３０ｓｃｃｍ＋Ｎ２：４０ｓｃｃｍの混合ガス」
成膜立ち上がり時間（Ｒａｍｐ  Ｔｉｍｅ）：０．１秒
さらに、各実施例および各比較例の防水層の形成時に印加したパルス状電圧Ｖの条件は、以下の通りである。
【００２７】
［実施例１］  パルス状電圧Ｖの１周期に占めるスパッタリング有効時間の時間割合が６４．０％となるように（リバースタイムが３．０μｓとなるように）調整した１２０ＫＨｚのパルス状電圧Ｖをカソード電極６およびアノード電極７の間に印加して防水層を形成した。
【００２８】
［実施例２］  パルス状電圧Ｖの１周期に占めるスパッタリング有効時間の時間割合が６０．４％となるように（リバースタイムが３．３μｓとなるように）調整した１２０ＫＨｚのパルス状電圧Ｖをカソード電極６およびアノード電極７の間に印加して防水層を形成した。
【００２９】
［実施例３］  パルス状電圧Ｖの１周期に占めるスパッタリング有効時間の時間割合が５８．０％となるように（リバースタイムが３．５μｓとなるように）調整した１２０ＫＨｚのパルス状電圧Ｖをカソード電極６およびアノード電極７の間に印加して防水層を形成した。
【００３０】
［実施例４］  パルス状電圧Ｖの１周期に占めるスパッタリング有効時間の時間割合が５５．６％となるように（リバースタイムが３．７μｓとなるように）調整した１２０ＫＨｚのパルス状電圧Ｖをカソード電極６およびアノード電極７の間に印加して防水層を形成した。
【００３１】
［実施例５］  パルス状電圧Ｖの１周期に占めるスパッタリング有効時間の時間割合が６０．８％となるように（リバースタイムが２．９μｓとなるように）調整した１３５ＫＨｚのパルス状電圧Ｖをカソード電極６およびアノード電極７の間に印加して防水層を形成した。
【００３２】
［実施例６］  パルス状電圧Ｖの１周期に占めるスパッタリング有効時間の時間割合が５９．５％となるように（リバースタイムが３．０μｓとなるように）調整した１３５ＫＨｚのパルス状電圧Ｖをカソード電極６およびアノード電極７の間に印加して防水層を形成した。
【００３３】
［実施例７］  パルス状電圧Ｖの１周期に占めるスパッタリング有効時間の時間割合が５５．４％となるように（リバースタイムが３．３μｓとなるように）調整した１３５ＫＨｚのパルス状電圧Ｖをカソード電極６およびアノード電極７の間に印加して防水層を形成した。
【００３４】
［比較例１］  パルス状電圧Ｖの１周期に占めるスパッタリング有効時間の時間割合が７６．０％となるように（リバースタイムが２．０μｓとなるように）調整した１２０ＫＨｚのパルス状電圧Ｖをカソード電極６およびアノード電極７の間に印加して防水層を形成した。
【００３５】
［比較例２］  パルス状電圧Ｖの１周期に占めるスパッタリング有効時間の時間割合が７０．０％となるように（リバースタイムが２．５μｓとなるように）調整した１２０ＫＨｚのパルス状電圧Ｖをカソード電極６およびアノード電極７の間に印加して防水層を形成した。
【００３６】
［比較例３］  パルス状電圧Ｖの１周期に占めるスパッタリング有効時間の時間割合が６５．２％となるように（リバースタイムが２．９μｓとなるように）調整した１２０ＫＨｚのパルス状電圧Ｖをカソード電極６およびアノード電極７の間に印加して防水層を形成した。
【００３７】
［比較例４］  パルス状電圧Ｖの１周期に占めるスパッタリング有効時間の時間割合が７５．７％となるように（リバースタイムが１．８μｓとなるように）調整した１３５ＫＨｚのパルス状電圧Ｖをカソード電極６およびアノード電極７の間に印加して防水層を形成した。
【００３８】
［比較例５］  パルス状電圧Ｖの１周期に占めるスパッタリング有効時間の時間割合が７３．０％となるように（リバースタイムが２．０μｓとなるように）調整した１３５ＫＨｚのパルス状電圧Ｖをカソード電極６およびアノード電極７の間に印加して防水層を形成した。
【００３９】
［比較例６］  パルス状電圧Ｖの１周期に占めるスパッタリング有効時間の時間割合が６６．２％となるように（リバースタイムが２．５μｓとなるように）調整した１３５ＫＨｚのパルス状電圧Ｖをカソード電極６およびアノード電極７の間に印加して防水層を形成した。
【００４０】
また、各実施例および各比較例の条件に従って防水層を３００回程度形成した（防水層を３００層程度形成した）後におけるターゲット２０の表面を観察して、微小欠陥の存在を確認した。この場合、ターゲット２０の表面に生じた微小欠陥の数が５０個以下のものを「○」とし、５１個以上１００個以下の範囲内の微小欠陥が生じていたものを「△」とし、１０１個以上の微小欠陥が生じていたものを「×」として図４，５に示す。
【００４１】
図４，５に示すように、１周期に占めるスパッタリング有効時間の時間割合が６５％以上となるように調整したパルス状電圧Ｖをカソード電極６およびアノード電極７の間に印加して防水層を形成した場合（比較例１〜６の条件に従って防水層を形成した場合）には、３００回の防水層の形成が完了した時点において、ターゲット２０の表面に多数の微小欠陥が発生していた。具体的には、一例として、比較例１の条件に従って防水層を３００回連続して形成した時点におけるターゲット２０の表面には、図６に示すように、多数の微小欠陥が発生した。なお、同図および後に参照する図７では、微小欠陥の位置を黒色の点で示している。
【００４２】
これに対して、１周期に占めるスパッタリング有効時間の時間割合が６５％未満となるように調整したパルス状電圧Ｖをカソード電極６およびアノード電極７の間に印加して防水層を形成した場合（実施例１〜７の条件に従って防水層を形成した場合）には、３００回の防水層の形成が完了した時点においてもターゲット２０の表面に発生した微小欠陥の数が極く少数であった。具体的には、一例として、実施例１の条件に従って防水層を３００回連続して形成した時点におけるターゲット２０の表面の微小欠陥の発生数は、図７に示すように、上記の比較例１の場合よりも十分に少ない数となっている。
【００４３】
この場合、比較例１〜６の条件に従って防水層を形成したときには、パルス状電圧Ｖの時間割合が小さいことによってスパッタリングレートが向上している分だけ、単位時間当りに数多くの防水層を形成することができた。しかしながら、ターゲット２０の表面に数多くの微小欠陥が発生したことに起因して、３００回の形成処理のうちの後の段階の形成処理によって形成された１０１個以上の防水層において、その厚みに大きなばらつきが生じて数多くの不良品が発生した。この結果、スパッタリングレートが向上しているにも拘わらず、光ディスクの量産性が悪化した。
【００４４】
一方、実施例１〜７の条件に従って防水層を形成したときには、パルス状電圧Ｖの時間割合が大きいことによってスパッタリングレートが低下している分だけ、単位時間当り防水層を形成可能な数が少なくなっている。しかしながら、ターゲット２０の表面に発生する微小欠陥の数が少ないことに起因して、３００回の形成処理のすべてにおいて、形成された防水層の厚みにばらつきが生じることなく、すべての光ディスクが良品として製造された。この結果、スパッタリングレートが各比較例よりも低下しているにも拘わらず、光ディスクの量産性が十分に向上した。
【００４５】
このように、このスパッタリング装置１による防水層１４の形成方法（光ディスク１０の製造方法）では、１周期に占めるスパッタリングに有効となる電圧を付与する時間割合（スパッタリング有効時間の時間割合）が６５％未満のパルス状電圧Ｖをカソード電極６およびアノード電極７の間に印加することでＡｌ（機能層形成用材料）をスパッタリングしてディスク基材１１（情報媒体用基材）に防水層１４（機能層）を形成する。この場合、このスパッタリング装置１による防水層１４の形成方法（光ディスク１０の製造方法）では、一例として、本発明における機能層形成用材料としてのＡｌのターゲット２０を使用すると共に、ＡｒおよびＮ２の混合ガスを反応性ガスとして使用して、本発明における機能層としてのＡｌＮ薄膜（防水層１４）を形成する。したがって、このスパッタリング装置１による防水層１４の形成方法によれば、数多くの防水層１４（ＡｌＮの層）を形成したとしてもターゲット２０（Ａｌで構成されたターゲット）の表面に微小欠陥が多数発生することなく、これにより、全域において均一な厚みの防水層１４を形成することができる。この結果、スパッタリングレートが低いにも拘わらず、不良品の製造数を十分に減らすことができるため、光ディスク１０の量産性を十分に向上させることができる。
【００４６】
なお、本発明は上記の構成に限定されない。例えば、光ディスク１０の一例としてのＢＤにおける防水層１４の形成方法を例に挙げて説明したが、本発明における情報媒体は、ＢＤに限定されず、ＣＤやＤＶＤ等の各種光情報媒体や、ＭＯ等の各種光磁情報媒体がこれに含まれる。また、本発明における情報媒体は、追記型の情報媒体に限定されず、再生専用型または書き換え型の光情報媒体や光磁気情報媒体がこれに含まれる。さらに、本発明に係る機能層の形成方法に従って形成する機能層は防水層１４に限定されず、例えば、情報層１３を構成する各層、および反射層１２を本発明に係る機能層の形成方法に従って形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】光ディスク１０の構成を示す断面図である。
【図２】スパッタリング装置１の構成を示す構成図である。
【図３】カソード電極６およびアノード電極７の間に印加するパルス状電圧Ｖについて説明するための信号波形図である。
【図４】パルス状電圧Ｖ（１２０ＫＨｚ）の時間割合と、微小欠陥の発生および量産性との関係について説明するための説明図である。
【図５】パルス状電圧Ｖ（１３５ＫＨｚ）の時間割合と、微小欠陥の発生および量産性との関係について説明するための説明図である。
【図６】従来の製造方法（スパッタリング方法）に従って防水層を製造した際に生じる微小欠陥の状態を示すターゲット２０の平面図である。
【図７】本発明に係る製造方法（スパッタリング方法）に従って防水層を製造した際に生じる微小欠陥の状態を示すターゲット２０の平面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  スパッタリング装置
２  真空容器
５  ガス供給部
６  カソード電極
７  アノード電極
８  電源部
９  制御部
１０  光ディスク
１１  ディスク基材
１２  反射層
１３  情報層
１４  防水層
１５  光透過層
２０  ターゲット
Ｓ１〜Ｓ３  制御信号
Ｔ１〜Ｔ３  時間
Ｖ  パルス状電圧
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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