(57)【要約】【課題】反射部のコントラス比を向上させる。【解決手段】半透過型液晶表示装置であって、各々のサブピクセルは、画素電極が、透過部と反射部とで共有し、対向電極が、前記透過部と前記反射部とで夫々独立しており、前記対向電極に印加される電圧は、前記透過部と前記反射部とで異なっており、前記透過部は、電圧を印加しない状態で黒表示となるノーマリブラック特性を有し、前記反射部は、電圧を印加しない状態で白表示となるノーマリホワイト特性を有し、前記反射部における前記液晶層の厚さは、前記透過部における前記液晶層の厚さよりも厚い。【選択図】図５
2008020669.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶層とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、各々が透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有し、
前記複数のサブピクセルの各々のサブピクセルは、前記一対の基板のうちの一方の基板上に形成された画素電極及び対向電極を有し、
前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する半透過型液晶表示装置であって、
前記各々のサブピクセルは、前記画素電極が、前記透過部と前記反射部とで共通であり、前記対向電極が、前記透過部と前記反射部とで夫々独立しており、
前記対向電極に印加される電圧は、前記透過部と前記反射部とで異なっており、
前記透過部は、電圧を印加しない状態で黒表示となるノーマリブラック特性を有し、
前記反射部は、電圧を印加しない状態で白表示となるノーマリホワイト特性を有し、
前記反射部における前記液晶層の厚さは、前記透過部における前記液晶層の厚さよりも厚いことを特徴とする半透過型液晶表示装置。
【請求項２】
前記透過部には、段差形成層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項３】
前記反射部には、位相差板が設けられていないことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項４】
前記液晶層は、ネガ型液晶であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちの何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項５】
前記液晶層は、ポジ型液晶であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちの何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項６】
前記一対の基板のうちの一方の基板側に第１の偏光板、前記一対の基板のうちの他方の基板側に第２の偏光板が夫々配置され、
前記第１及び前記第２の偏光板の各々の偏光軸が直交し、
前記液晶層の液晶初期配光軸と、前記第１の偏光板あるいは前記第２の偏光板のうちの一方の偏光板の偏光軸とが一致していることを特徴とする請求項１乃至請求項５のうちの何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項７】
前記各々のサブピクセル内において、前記透過部あるいは前記反射部のうちの一方の前記対向電極に印加される電位は、前記画素電極に印加される電位よりも高い電位で、前記透過部あるいは前記反射部のうちの他方の前記対向電極に印加される電位は、前記画素電極に印加される電位よりも低い電位であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のうちの何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項８】
隣接する２つの表示ラインを、一方の表示ラインと他方の表示ラインとするとき、前記一方の表示ラインの前記各々のサブピクセルにおける前記反射部の前記対向電極と、前記他方の表示ラインの前記各サブピクセルにおける前記透過部の前記対向電極とは、共通の電極であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のうちの何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項９】
前記対向電極は、面状の電極であり、
前記面状の対向電極上に形成された層間絶縁膜を有し、
前記画素電極は、前記層間絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のうちの何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１０】
前記画素電極は、面状の電極であり、
前記面状の画素電極上に形成された層間絶縁膜を有し、
前記対向電極は、前記層間絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のうちの何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１１】
前記反射部における前記液晶層の厚さをｄｒ、前記透過部における前記液晶層の厚さをｄｔとするとき、１．３≦ｄｒ／ｄｔ≦２を満足することを特徴とする請求項１乃至請求項１０のうちの何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１２】
前記反射部における前記液晶層の厚さをｄｒ、前記透過部における前記液晶層の厚さをｄｔとするとき、１．５≦ｄｒ／ｄｔ≦１．６を満足することを特徴とする請求項１１に記載の半透過型液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半透過型液晶表示装置に係り、特に、ＩＰＳ方式の半透過型液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
１サブピクセル内に、透過部と反射部とを有する半透過型液晶表示装置が携帯機器用のディスプレイとして使用されている。
これらの半透過型液晶表示装置においては、一対の基板間に挟持される液晶に対して、一対の基板の基板平面に垂直な方向に電界を印加して、液晶を駆動する縦電界方式が用いられている。また、透過部と反射部との特性を合せるために、透過部と反射部とで段差を設け、さらに偏光板と液晶層の間に位相差板を設置している。
液晶表示装置として、ＩＰＳ方式の液晶表示装置が知られており、このＩＰＳ方式の液晶表示装置では、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）とを同じ基板上に形成し、画素電極と対向電極とによって電界を発生させて液晶を基板平面内で回転させることにより、明暗のコントロールを行っている。そのため、斜めから画面を見た際に表示像の濃淡が反転しないという特徴を有する。
この特徴を活かすために、ＩＰＳ方式の液晶表示装置を用いて、半透過型液晶表示装置を構成することが、例えば、下記特許文献１などで提案されている。
【０００３】
しかしながら、ＩＰＳ方式の液晶表示装置を用いて、半透過型液晶表示装置を構成した場合に、位相差板を使用しないと、例えば、透過部がノーマリブラックの場合、反射部がノーマリホワイトとなり、透過部と反射部で明暗が逆転するという問題点があった。
そこで、前述の問題点を解決するために、本出願人は、新規な画素構造を有する半透過型液晶表示装置を、既に出願済みである（下記特許文献２参照）。
この既に出願済みの半透過型液晶表示装置では、透過部が、ノーマリブラック特性（電圧を印加しない状態で黒表示）となり、反射部が、ノーマリホワイト特性（電圧を印加しない状態で白表示）となっている。
そこで、この既に出願済みの半透過型液晶表示装置では、各サブピクセルの画素構造として、透過部と反射部とで共通する画素電極に対して、対向電極を透過部と反射部とでそれぞれ独立させ、それぞれ異なる基準電圧（対向電圧またはコモン電圧）を印加することにより、透過部と反射部で明暗が逆転するのを防止している。
【０００４】
なお、本願発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
下記特許文献１には、「光反射部である領域Ａにおいて光は液晶層を２回通過するのに対し、光透過部である領域Ｂにおいて１回通過することによる光透過率の差異による不都合を回避するため、該領域Ｂにおいては１次の複屈折モードにし、領域Ａにおいては２次の複屈折モードにするように構成されている。」旨の記載がある。また、「１次の複屈折モードを用いる領域Ｂの液晶層に対して２次の複屈折モードを用いる領域Ａの液晶層の厚さは約３倍、すなわち２．５倍から３．５倍程度とすることによって、それら各領域の表示を最適なものとすることができる。」旨の記載もある。
【特許文献１】特開２００３−２０７７９５号公報
【特許文献２】特願２００５−３２２０４９号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述したように、既に出願済みの半透過型液晶表示装置では、反射部がノーマリホワイト特性であるため、黒を表示するためには液晶に電界を印加して液晶を駆動しなければならないため、完全な黒にすることは難しい。よって、黒表示時の輝度がノーマリブラックの場合に比べて高くなりやすく、反射部のコントラスト比が低下することが想定される。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、反射部がノーマリホワイト特性であるＩＰＳ方式の半透過型液晶表示装置において、反射部のコントラスト比を向上させることが可能となる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶層とを有する液晶表示パネルを備え、前記液晶表示パネルは、各々が透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有し、前記複数のサブピクセルの各々のサブピクセルは、前記一対の基板のうちの一方の基板上に形成された画素電極及び対向電極を有し、前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する半透過型液晶表示装置であって、前記各々のサブピクセルは、前記画素電極が、前記透過部と前記反射部とで共通であり、前記対向電極が、前記透過部と前記反射部とで夫々独立しており、前記対向電極に印加される電圧は、前記透過部と前記反射部とで異なっており、前記透過部は、電圧を印加しない状態で黒表示となるノーマリブラック特性を有し、前記反射部は、電圧を印加しない状態で白表示となるノーマリホワイト特性を有し、前記反射部における前記液晶層の厚さは、前記透過部における前記液晶層の厚さよりも厚くなっている。
（２）（１）において、前記透過部には、段差形成層が設けられている。
（３）（１）又は（２）において、前記反射部には、位相差板が設けられていない。
（４）（１）乃至（３）の何れかにおいて、前記液晶層は、ネガ型液晶である。
（５）（１）乃至（３）の何れかにおいて、前記液晶層は、ポジ型液晶である。
【０００７】
（６）（１）乃至（５）の何れかにおいて、前記一対の基板のうちの一方の基板側に第１の偏光板、前記一対の基板のうちの他方の基板側に第２の偏光板が夫々配置され、
前記第１及び前記第２の偏光板の各々の偏光軸が直交し、
前記液晶層の液晶初期配光軸と、前記第１の偏光板あるいは前記第２の偏光板のうちの一方の偏光板の偏光軸とが一致している。
（７）（１）乃至（６）の何れかにおいて、前記各々のサブピクセル内において、前記透過部あるいは前記反射部のうちの一方の前記対向電極に印加される電位は、前記画素電極に印加される電位よりも高い電位で、前記透過部あるいは前記反射部のうちの他方の前記対向電極に印加される電位は、前記画素電極に印加される電位よりも低い電位である。
（８）（１）乃至（７）の何れかにおいて、隣接する２つの表示ラインを、一方の表示ラインと他方の表示ラインとするとき、前記一方の表示ラインの前記各々のサブピクセルにおける前記反射部の前記対向電極と、前記他方の表示ラインの前記各サブピクセルにおける前記透過部の前記対向電極とは、共通の電極である。
【０００８】
（９）（１）乃至（８）の何れかにおいて、前記対向電極は、面状の電極であり、
前記面状の対向電極上に形成された層間絶縁膜を有し、
前記画素電極は、前記層間絶縁膜上に形成されている。
（１０）（１）乃至（８）の何れかにおいて、前記画素電極は、面状の電極であり、
前記面状の画素電極上に形成された層間絶縁膜を有し、
前記対向電極は、前記層間絶縁膜上に形成されている。
（１１）（１）乃至（１０）の何れかにおいて、前記反射部における前記液晶層の厚さをｄｒ、前記透過部における前記液晶層の厚さをｄｔとするとき、１．３≦ｄｒ／ｄｔ≦２を満足する。
（１２）（１１）において、前記反射部における前記液晶層の厚さをｄｒ、前記透過部における前記液晶層の厚さをｄｔとするとき、１．５≦ｄｒ／ｄｔ≦１．６を満足する。
【発明の効果】
【０００９】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明によれば、反射部がノーマリホワイト特性であるＩＰＳ方式の半透過型液晶表示装置において、反射部のコントラスト比を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
［本発明の前提となる半透過型液晶表示装置］
図２２及び図２３は、本発明の前提となる半透過型液晶表示装置に係る図であり、図２２は、サブピクセルの電極構造を示す平面図、図２３は、透過部の対向電極と反射部の対向電極に印加する基準電圧を示す図である。但し、透過部３０は、ノーマリホワイト特性であり、反射部３１は、ノーマリブラック特性である。
図２２において、３０は、透過型液晶表示パネルを構成する透過部、３１は、反射型液晶表示パネルを構成する反射部である。
そこで、１サブピクセル内で、画素電極（ＰＩＸ）は共通であるが、対向電極（ＣＴ）が、透過部３０と、反射部３１とでそれぞれ独立している。即ち、対向電極（ＣＴ）が、透過部用と、反射部用に２分割される。そして、反射部３１の対向電極（ＣＴ）上には反射電極（ＲＡＬ）が形成される。
なお、図２２では、隣接する２つの表示ラインの、一方の表示ライン（図２２のＡで示すサブピクセルを有する表示ライン）における反射部３１の対向電極（ＣＴ）と、他方の表示ライン（図２２のＢで示すサブピクセルを有する表示ライン）における透過部３０の対向電極（ＣＴ）とを共通の電極で構成した場合を図示している。また、図２２の矢印Ｃが走査方向を示す。
【００１１】
そして、図２３に示すように、１サブピクセル内で、透過部３０の対向電極（ＣＴ）と、反射部３１の対向電極（ＣＴ）には異なる基準電圧が印加される。
例えば、図２２のＡで示すサブピクセルでは、透過部３０の対向電極（ＣＴ）には、Ｈｉｇｈレベル（以下、Ｈレベル）の基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｈ）が印加され、反射部３１の対向電極（ＣＴ）には、Ｌｏｗレベル（以下、Ｌレベル）の基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｌ）が印加される。
また、この図２２のＡで示すサブピクセルでは、画素電極（ＰＩＸ）に、透過部３０で見た場合には負極性で、反射部３１で見た場合には正極性の映像電圧（Ｖ−ＰＸ）が印加されている。尚、ここでいう負極性とは、画素電極（ＰＩＸ）の電位が対向電極（ＣＴ）の電位よりも低いことを意味しており、画素電極（ＰＩＸ）の電位が０Ｖよりも大きいか小さいかは問わない。同様に、ここでいう正極性とは、画素電極（ＰＩＸ）の電位が対向電極（ＣＴ）の電位よりも高いことを意味しており、画素電極（ＰＩＸ）の電位が０Ｖよりも大きいか小さいかは問わない。
【００１２】
同様に、図２２のＢで示すサブピクセルでは、透過部３０の対向電極（ＣＴ）には、Ｌレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｌ）が印加され、反射部３１の対向電極（ＣＴ）には、Ｈレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｈ）が印加される。また、この図２２のＢで示すサブピクセルでは、画素電極（ＰＩＸ）に、透過部３０で見た場合には正極性で、反射部３１で見た場合には負極性の映像電圧（Ｖ−ＰＸ）が印加されている。
ここで、画素電極（ＰＩＸ）に印加される映像電圧（Ｖ−ＰＸ）は、Ｈレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｈ）と、Ｌレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｌ）との間の電位である。
したがって、図２２のＡ、Ｂで示すサブピクセルにおいては、透過部３０では、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差（図２３のＶａ）が大きくなり、反射部３１では、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差（図２３のＶｂ）が小さくなる。
そのため、図２３に示した電位が印加されている場合は、透過部３０では、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差Ｖａが大きいので明るくなる。このとき、反射部３１では、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差Ｖｂが小さいので、同様に明るくなる。
そして、透過部３０において、画素電極（ＰＩＸ）の電位（映像信号の電位）を図２３とは異なる電位に変化させ、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差Ｖａをさらに大きくすると、反射部３１において、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差Ｖｂがさらに小さくなるので、透過部３０および反射部３１は、ともに、より明るくなる。
【００１３】
逆に、透過部３０において、画素電極（ＰＩＸ）の電位（映像信号の電位）を図２３とは異なる電位に変化させ、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差Ｖａを小さくすると、反射部３１において、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差Ｖｂが大きくなるので、透過部３０および反射部３１は、ともに暗くなる。
このように、１サブピクセル内で、対向電極（ＣＴ）を、透過部用と、反射部用に２分割し、透過部３０の対向電極（ＣＴ）と、反射部３１の対向電極（ＣＴ）とに、それぞれ逆極性の基準電圧（尚、ここでいう逆極性とは、一方がＨレベルの時に他方がＬレベルとなることを意味している。）を印加するようにしたので、透過部３０と反射部３１で明暗が逆転するのを防止することができる。すなわち、透過部３０がノーマリブラックで、反射部３１がノーマリホワイトであるにもかかわらず、反射部３１の対向電極（ＣＴ）に印加される電圧を工夫することにより、明暗逆転の問題を解決している。
【００１４】
［実施例１］
図１−１は、本発明の実施例１の半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。
図１−２は、図１−１に示す画素電極、対向電極、反射電極のみを取り出して示す図である。また、図１−２において、Ａ，Ｂの点線枠で示す部分がそれぞれ１サブピクセルを示す。
図１−２に示すように、本実施例１でも、１サブピクセル内で、画素電極（ＰＩＸ）は共通であるが、対向電極（ＣＴ）が、透過部３０と、反射部３１とでそれぞれ独立している。即ち、対向電極（ＣＴ）が、透過部用と、反射部用に２分割される。そして、反射部３１の対向電極（ＣＴ）上には反射電極（ＲＡＬ）が形成される。
なお、図１−２では、隣接する２つの表示ラインの、一方の表示ライン（図１−２のＡで示すサブピクセルを有する表示ライン）における反射部３１の対向電極（ＣＴ）と、他方の表示ライン（図１−２のＢで示すサブピクセルを有する表示ライン）における透過部３０の対向電極（ＣＴ）とを共通の電極で構成した場合を図示している。また、図１−２の矢印Ｃが走査方向を示す。
画素電極（ＰＩＸ）は、連結部５３と、連結部５３の両側に形成される透過部用の櫛歯電極５１と、反射部用の櫛歯電極５２とで構成される。そして、連結部５３の領域に後述するコンタクトホールが形成される。
また、対向電極（ＣＴ）の相対向する辺には、コンタクトホールを形成するための凹部５４が設けられる。
【００１５】
図２は、図１−１のＡ−Ａ’線に沿った断面構造を示す要部断面図、
図３は、図１−１のＢ−Ｂ’線に沿った断面構造を示す要部断面図、
図４は、図１−１のＣ−Ｃ’線に沿った断面構造を示す要部断面図、
図５は、図１−１のＥ−Ｅ’線、および図１−１のＦ−Ｆ’線に沿った断面構造を示す要部断面図、
図６は、図１−１に示す支柱スペーサの断面構造を示す要部断面図である。
図５において、（ａ）は、図１−１のＥ−Ｅ’線に沿った断面構造、即ち、透過部３０の断面構造を示し、（ｂ）は、図１−１のＦ−Ｆ’線に沿った断面構造、即ち、反射部３１の断面構造を示す。
以下、図５及び図６を用いて、本実施例１の半透過型液晶表示装置の全体構造について説明する。
本実施例１では、図５に示すように、多数の液晶分子を含む液晶層（ＬＣ）を挟んで、一対のガラス基板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）が設けられる。ここで、ガラス基板（ＳＵＢ２）の主表面側が観察側となっている。
反射部３１（図５の（ｂ））のガラス基板（ＳＵＢ２）側には、ガラス基板（ＳＵＢ２）から液晶層に向かって順に、ブラックマトリクス（図示せず）およびカラーフィルタ（ＦＩＲ）、絶縁膜１８、配向膜（ＯＲ２）が形成される。また、反射部３１のガラス基板（ＳＵＢ２）側には、図６に示すように、絶縁膜１８と配向膜（ＯＲ２）との間に支柱スペーサ（ＳＰ）が形成されている。
なお、透過部３０（図５の（ａ））のガラス基板（ＳＵＢ２）側の構成は、絶縁膜１８と配向膜（ＯＲ２）との間に、段差形成層（ＭＲ）が形成される以外は、支柱スペーサ（ＳＰ）を除いて反射部３１と同じである。ここで、ガラス基板（ＳＵＢ２）の外側には偏光板（ＰＯＬ２）が形成される。
【００１６】
また、透過部３０（図５の（ａ））のガラス基板（ＳＵＢ１）側には、ガラス基板（ＳＵＢ１）から液晶層に向かって順に、層間絶縁膜（１１〜１６）、対向電極（ＣＴ）、層間絶縁膜１７、画素電極（ＰＩＸ）、配向膜（ＯＲ１）が形成される。
なお、反射部３１（図５の（ｂ））のガラス基板（ＳＵＢ１）側の構成は、対向電極（ＣＴ）と層間絶縁膜１７の間に反射電極（ＲＡＬ）が形成される以外は、透過部３０と同じである。ここで、ガラス基板（ＳＵＢ１）の外側にも偏光板（ＰＯＬ１）が形成される。
なお、図２〜図６において、Ｄは映像線（ソース線ともいう）、Ｇは走査線（ゲート線ともいう）、Ｐｏｌｙ−Ｓｉは半導体層、ＤＤは薄膜トランジスタのドレイン電極、ＣＨ１〜ＣＨ３はコンタクトホール、ＥＦＳは電気力線である。
画素電極（ＰＩＸ）および対向電極（ＣＴ）は、例えば、ＩＴＯ（Ｉndium Ｔin Ｏxide）等の透明導電膜で構成される。
また、対向電極（ＣＴ）は面状に形成され、さらに、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）とが、層間絶縁膜１７を介して重畳しており、これによって保持容量を形成している。
また、反射電極（ＲＡＬ）は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）の金属膜で構成されるが、これに限らず、例えば、下層のモリブデン（Ｍｏ）と、上層のアルミニウム（Ａｌ）の２層構造であってもよい。
【００１７】
段差形成層（ＭＲ）は、透過部３０における光の光路長が、λ／２波長相当の光路長となるように、透過部３０の液晶層（ＬＣ）のセルギャップ長（ｄｔ）を調整するためのものである。支柱スペーサ（ＳＰ）は、反射部３１における光の光路長が、片道で３・λ／４波長相当の光路長（往復だと３λ／２波長相当）となるように、反射部３１の液晶層（ＬＣ）のセルギャップ長（ｄｒ）を調整するためのものである。なお、透過部３０と反射部３１には、位相差板が設けられていない。
本実施例のように、１サブピクセル内で、透過部３０と反射部３１とで対向電極（ＣＴ）を分割すると、互いに印加される電圧が異なるため、相対向する対向電極（ＣＴ）の隙間（あるいは、切れ目）１０には、画素電極（ＰＩＸ）では制御できない電界が発生する。
これは、例えば、黒表示時において、相対向する対向電極（ＣＴ）の隙間１０の近傍の透過部３０に光漏れ箇所を作り、結果として、透過部３０のコントラストを低下させる。
そこで、相対向する対向電極（ＣＴ）の隙間１０の上に、画素電極（ＰＩＸ）をオーバーラップさせることで、相対向する対向電極（ＣＴ）の隙間１０においても、液晶の駆動は画素電極（ＰＩＸ）と、相対向する対向電極（ＣＴ）との間の電界で制御でき、光漏れを抑制することができる。
【００１８】
図５に示すように、透過部３０には段差形成層（ＭＲ）が設けられており、反射部３１のセルギャップ長（ｄｒ）が透過部３０のセルギャップ長（ｄｔ）よりも大きく、即ち反射部３１における液晶層（ＬＣ）の厚さが透過部３０における液晶層（ＬＣ）の厚さよりも厚くなっている。
透過部３０のセルギャップ長（ｄｔ）は、白表示時の着色と透過効率との兼ね合いから、実効的な液晶のリターデーションがλ／２（波長λ＝５５０ｎｍ）前後となるように設定する。
一方、反射部３１のセルギャップ長（ｄｒ）は、反射部３１がノーマリホワイトであることから白表示時の反射部着色がセルギャップ長（ｄｔ）に依存しないため、黒表示時の反射率が低くなる（＝反射コントラスト比が高くなる）ところで決定する。反射コントラスト比が高くなる実効的な液晶のリターデーションは、λ／４，３・λ／４前後でピークとなる。反射部３１のセルギャップ長（ｄｒ）が狭いと配光膜のアンカリングの影響を受けるため、面内均一な液晶分子の回転は得られない。そのため、反射コントラスト比は、実効的な液晶のリターデーションが片道で３・λ／４前後の時に、λ／４前後の時よりも高くなる。
透過部３０及び反射部３１がともにノーマリブラック表示の場合、白表示時の着色の問題から透過部３０及び反射部３１のセルギャップ長（ｄｔ，ｄｒ）を大きくできない。これに対し、本実施例１のように、透過部３０がノーマリブラックで、反射部３１がノーマリホワイトである場合、白表示時の反射部３１の液晶層（ＬＣ）にはリターデーションが発生しないため、着色を気にせず反射部３１のセルギャップ長（ｄｒ）を大きくすることができる。
ノーマリホワイトでセルギャップ長が変化しても、白表示時に着色が変化しない理由は、ノーマリホワイトでは、白表示時に液晶を駆動しておらず、光は液晶から偏光状態の変化を受けないため、セルギャップ長が変化しても常に着色のない白の表示ができるからである。これに対して、ノーマリブラックでは、液晶を駆動させて白を表示するので、最適セルギャップ長が存在する。
【００１９】
前述した、透過部３０のセルギャップ長（ｄｔ）と反射部３１のセルギャップ長（ｄｒ）との関係を整理すると、反射部３１の片道のセルギャップ長（３・λ／４）＞透過部３０のセルギャップ長（λ／２前後）となる。これを実現するために、本実施例１では、透過部３０に段差形成層（ＭＲ）を設け、「反射部３１のセルギャップ長（ｄｒ）＞透過部３０のセルギャップ長（ｄｔ）」となるように、即ち「反射部３１における液晶層（ＬＣ）の厚さ＞透過部３０における液晶層（ＬＣ）の厚さ」となるようにしている。
反射部３１のセルギャップ長（ｄｒ）を大きくすると、黒表示時において、反射部３１の液晶分子が面内ほぼ均一に回転するため（セルギャップ長（ｄｒ）が大きいと液晶分子の回転は配向膜アンカリングの影響を受けず、面内均一となるため）、反射率を低くできる。従って、本実施例１のように、「反射部３１のセルギャップ長（ｄｒ）＞透過部３０のセルギャップ長（ｄｔ）」とすることにより、反射部３１の黒反射率を低くできるため、反射部３１のコントラスト比を向上させることが可能となる。
【００２０】
図２〜図５における各部の製造方法について説明する。まず先に、ガラス基板（ＳＵＢ１）側の各部の製造について説明する。なお、（１）より前の工程は通常と同じなので省略する。
（１）映像線（Ｄ）、薄膜トランジスタのドレイン電極（ＤＤ）、層間絶縁膜１５；
映像線（Ｄ）と薄膜トランジスタのドレイン電極（ＤＤ）を形成するために、下層Ｔｉ、中間層Ａｌ、上層Ｔｉを形成、パタン加工する。その後に、ＣＶＤによりＳｉＮ膜を２００ｎｍの厚さに形成して層間絶縁膜１５とする。
（２）層間絶縁膜１６；
層間絶縁膜１５を成膜した後に、感光性樹脂を塗布し、所望のパタンが描かれたホトマスクをマスクに露光し、アルカリ現像液で部分的にレジストを除去する。このとき、コンタクトホール（ＣＨ２）に相当する箇所のレジストを除去する。
樹脂の焼成条件により、基板表面の凹凸を制御でき、本実施例１ではコンタクトホール部を除く基板表面が概略平坦になるように焼成条件を２３０℃、６０分とした。
さらに、層間絶縁膜１６の膜厚は、焼成後で約１．８μｍ（画素電極表面平坦部（コンタクトホール部以外））としている。
【００２１】
（３）対向電極（ＣＴ）；
アモルファスＩＴＯ（７７ｎｍ）をスパッタ形成した後、感光性レジストを塗布する。所望のパタンが描かれたホトマスクをマスクに露光し、アルカリ現像液で部分的にレジストを除去する（ポジ型のレジストの場合は、露光された部分が除去される）。レジストのパタンをマスクに、ＩＴＯをエッチングするエッチング液（例えば、蓚酸）で除去する。本実施例においては、相対向する対向電極（ＣＴ）の間に、コンタクトホール（ＣＨ３）が位置するようにパタンは工夫されている。
その後、レジスト剥離液（例えば、ＭＥＡ（モノエタノールアミン））でレジストを除去する。最後に、次の工程で形成する反射電極（ＲＡＬ；上層ＡｌＳｉ／下層ＭｏＷ）の加工時に使用する酸液により、アモルファスＩＴＯが溶解されないように、２３０℃、６０分の熱処理を実施し、結晶化させた。
【００２２】
（４）反射電極（ＲＡＬ）；
下層ＭｏＷ（５０ｎｍ）、上層ＡｌＳｉ（１５０ｎｍ）の順に、スパッタ形成したのち、感光性レジストを塗布する。所望のパタンが描かれたホトマスクをマスクに露光し、アルカリ現像液で部分的にレジストを除去する（ポジ型のレジストの場合は、露光された部分が除去される）。レジストのパタンをマスクに、ＩＴＯをエッチングするエッチング液（例えば、蓚酸）で除去する。
その後、レジスト剥離液（例えば、ＭＥＡ（モノエタノールアミン））でレジストを除去する。本実施例では、コンタクトホール（ＣＨ３）の近傍において、一方の対向電極（ＣＴ）のみ反射電極（ＲＡＬ）が形成されるようにレジストパタンを工夫している。
（５）層間絶縁膜１７；
層間絶縁膜１６と同じ方法で形成される。但し、本実施例においては、コンタクトホール（ＣＨ２）の内側にも層間絶縁膜１７を形成し、この層間絶縁膜１７に孔を開け、そのパタンを利用して下層の層間絶縁膜１５を加工してコンタクトホール（ＣＨ３）を形成する。層間絶縁膜１５の加工は、（ＳＦ６＋Ｏ２）またはＣＦ４のガスでドライエッチングした。
【００２３】
（６）画素電極（ＰＩＸ）；
ＩＴＯ（７７ｎｍ）をスパッタ形成したのち、感光性レジストを塗布し、所望のパタンが描かれたホトマスクをマスクに露光し、アルカリ現像液で部分的にレジストを除去する（ポジ型のレジストの場合は、露光された部分が除去される）。レジストのパタンをマスクに、ＩＴＯエッチング液（例えば、蓚酸）で除去する。その後、レジスト剥離液（例えば、ＭＥＡ（モノエタノールアミン））でレジストを除去する。画素電極（ＰＩＸ）は、対向電極（ＣＴ）の上に櫛歯状のパタンで形成した。
次に、図６を用いて、ガラス基板（ＳＵＢ２）側の各部の製造について説明する。なお、ガラス基板（ＳＵＢ２）側の製造においては、反射部３１のセルギャップ長を透過部３０のセルギャップ長よりも大きくするため、カラーフィルタ（ＦＩＲ）加工後に段差形成層（ＭＲ）を設けたので、そのことについて触れる。それ以外の工程は通常と同じなので省略する。
【００２４】
（７）段差形成層（ＭＲ）；
ガラス基板（ＳＵＢ２）側に絶縁膜１８を形成した後、感光性レジストを塗布する。所望のパタンが描かれたホトマスクをマスクに露光し、アルカリ現像液で部分的にレジストを除去する（ポジ型感光性レジストの場合は、感光された部分が除去される）。レジストの焼成は大気下で２３０℃，６０分とする。段差形成層（ＭＲ）の厚さは、焼成後で１．５μｍとした。また、段差形成層（ＭＲ）は、透過部３０のみに形成する。
（８）支柱スペーサ（ＳＰ）；
段差形成層（ＭＲ）形成後に、感光性レジストを塗布する。所望のパタンが描かれたホトマスクをマスクに露光し、アルカリ現像液で部分的にレジストを除去する（ポジ型感光性レジストの場合は、感光された部分が除去される）。レジストの焼成は大気下で２３０℃，６０分とした。支柱スペーサ（ＳＰ）の高さは、焼成後で５．５μｍとした。
【００２５】
図７は、本実施例１の半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの等価回路を示す。
図７において、Ｄｎ、Ｄｎ＋１、Ｄｎ＋２は、それぞれｎ番目、（ｎ＋１）番目、（ｎ＋２）番目の映像線、Ｇｍ、Ｇｍ＋１は、それぞれｍ番目、（ｍ＋１）番目の走査線、ＣＴｋ、ＣＴｋ＋１、ＣＴｋ＋２は、それぞれｋ番目、（ｋ＋１）番目、（ｋ＋２）番目の対向電極、Ａは１サブピクセル、ＣＬＣＴは、透過部３０の液晶容量、ＣＬＣＲは、反射部３１の液晶容量である。
映像線（Ｄ）が延在する方向と、走査線（Ｇ）、対向電極（ＣＴ）が延在する方向は交差または直交する。また、対向電極（ＣＴ）は、ストライプ状に配置される。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極は映像線（Ｄ）に接続され、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のドレイン電極（ＤＤ）は画素電極（ＰＩＸ）に接続され、画素電極（ＰＩＸ）には、映像線（Ｄ）の電圧が、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を介して供給される。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極は、走査線（Ｇ）に接続され、走査線（Ｇ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオン、オフする。
本実施例では、１サブピクセル内において、透過部３０と反射部３１とで画素電極（ＰＩＸ）は共通ではあるが、対向電極（ＣＴ）は異なり、また、その電位も異なる。
【００２６】
走査線（Ｇｍ）の電圧が、Ｈｉｇｈレベルとなることにより、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がオンし、画素電極（ＰＩＸ（ｎ，ｋ））に映像電位が書き込まれる。
走査線（Ｇｍ）の電圧が、Ｌｏｗレベルとなった後も、Ｈｉｇｈレベルの間に書き込まれた電圧は、サブピクセル（ＰＸＬ）内に設けられた保持容量によって、次のフレームに、走査線（Ｇｍ）が、Ｈｉｇｈレベルとなるまで保持される。前述したように、保持容量は、面状に形成された対向電極（ＣＴ）と、画素電極（ＰＩＸ）と、対向電極（ＣＴ）と画素電極（ＰＩＸ）との間に形成される層間絶縁膜１７で構成される。
対向電極（ＣＴｋ）と、対向電極（ＣＴｋ＋１）の電圧レベルは、それぞれ異なっており、例えば、対向電極（ＣＴｋ）がＨレベルのとき、対向電極（ＣＴｋ＋１）はＬｏｗレベルとなる（但し、走査線（Ｇｍ）がＨレベルになる直前を除く）。
透過部３０の液晶分子（ＬＣ）は、対向電極（ＣＴｋ）と、画素電極（ＰＩＸ（ｎ，ｋ））の電位差により駆動され、反射部３１の液晶分子（ＬＣ）は、対向電極（ＣＴｋ＋１）と画素電極（ＰＩＸ（ｎ，ｋ））により駆動される。
本実施例１では、このようにして、透過部３０と反射部３１それぞれの液晶分子に印加する電圧を制御する。
図７に示すサブピクセル（（ＰＸＬ）（ｎ，ｋ））の電圧波形を図８に示す。なお、図８において、Ｖａは、透過部３０の画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差であり、Ｖｂは、反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差である。また、Ｈは１水平走査期間、Ｖは１垂直走査期間（フレーム期間）である。また、Ｇｍは走査信号、Ｄｎは映像信号、ＰＩＸ（ｎ，ｋ）は画素電極（ＰＩＸ）の電位、ＣＴｋ，ＣＴｋ＋１は対向電極（ＣＴ）の電位である。
【００２７】
ここで、本実施例１について更に説明すると、図５に示すように、ガラス基板ＳＵＢ１側には、透過部３０と反射部３１のリターデーション（Δｎ・ｄ）調整のため、段差形成層（ＭＲ）が形成されている。本実施例１では、透過部３０のセルギャップ長（ｄｔ）を４μｍとして、透過部３０のリターデーション（Δｎ・ｄ）を４００ｎｍ、反射部３１のセルギャップ長（ｄｒ）を５．５μｍとして、反射部３１のリターデーション（Δｎ・ｄ）を５５０ｎｍにした。ここで、Δｎは液晶の異方性屈折率（本実施例では、Δｎ＝０．１０）、ｄは液晶セルギャップ長である。また、液晶はネガ型を使用している。
なお、透過部３０では、ｄｔ＝４μｍ、Δｎ・ｄ＝４００ｎｍとしているが、実際は配向膜付近の液晶は動き難いので、実効的な液晶のリターデーションはλ／２（λ＝５５０ｎｍ）前後を満たしている。反射部３１についても同様である。
また、図５に示すように、ガラス基板（ＳＵＢ２）の外側（図では上側）には、偏光板（ＰＯＬ２）が配置され、ガラス基板（ＳＵＢ１）の外側（図では下側）には、偏光板（ＰＯＬ１）が配置されている。上側の偏光板（ＰＯＬ２）及び下側の偏光板（ＰＯＬ１）の各々の偏光軸と液晶の初期配向軸（ラビング軸）との関係は、上下どちらかの偏光板の偏光軸と液晶初期配向軸とが一致、上下偏光板の偏光軸は直交していればよく、これによりノーマリブラック表示を実現できる。本実施例１において、上側の偏光板（ＰＯＬ２）の偏光軸は、液晶の初期配向軸（ラビング軸）と一致させ１５度の方向とし、下側の偏光板（ＰＯＬ１）の偏光軸は、上側の偏光板（ＰＯＬ２）の偏光軸に直交させ１０５度の方向として、透過部３０をノーマリブラックの表示とする。なお、１５°、１０５°は、水平走査（走査線（Ｇ）の延在方向）を０°として反時計回りに測った角度で表している。
【００２８】
透過部３０及び反射部３１ともに、前述の軸設定であるため、ガラス基板（ＳＵＢ２）側から入射し、反射電極（ＲＡＬ）で反射した光は、液晶に電界を印加していないときは、その光路において液晶により偏光状態が変えられないため、上側の偏光板（ＰＯＬ２）を通過する。つまり、反射部３１はノーマリホワイトの表示となる。
画質の点では、透過部３０と反射部３１の表示状態は一致させておくことが望ましい。つまり、透過部３０を黒表示する場合には、反射部３１も黒表示、透過部３０が白表示の場合には反射部３１も白表示が好ましい。
そこで、透過部３０と反射部３１で画素電極（ＰＩＸ）は共通とし、対向電極（ＣＴ）を、透過部３０の対向電極（ＣＴ）と、反射部３１の対向電極（ＣＴ）の２つに分割することで、透過部３０と反射部３１の液晶駆動を別々に制御している。
図５は、透過部３０の画素電極（ＰＩＸ）（５１）と対向電極（ＣＴ）には電界を発生させず、反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）（５２）と対向電極（ＣＴ）のみに電界を発生させることで、透過部３０と反射部３１ともに黒表示を実現させている状況を示す図である。
【００２９】
本発明の効果は、液晶表示シミュレータの結果より確認することができる。
図９、図１０に液晶表示シミュレータを使用して計算した反射部３１の光学特性を示す。反射部３１の櫛歯画素電極幅Ｗ，櫛歯電極間隔Ｌ，層間絶縁膜厚ｔ，セルギャップ長ｄｒの定義については、図１１（反射特性の計算モデル図）に示す。また、計算に使用した液晶の物性値を表１に示す。
但し、シミュレータの都合上、図１１とは異なり、反射電極（ＲＡＬ）の上に対向電極（ＣＴ）がある状態で計算したが、結果はどちらの場合も同じである。
【００３０】
【表１】
2008020669.tif 000003
【００３１】
図９は、Ｗ，Ｌをそれぞれ４μｍ、ｔを０．４μｍに固定した時の反射部３１の電圧（ｖ）−反射効率（ＲＥ）特性を示す。図９において、凡例のＧの後の数値はセルギャップ長（ｄｒ）を示す。図９に示すように、電圧（ｖ）を印加したときの反射効率（ＲＥ）は、セルギャップ長（ｄｒ）に依存して変化することがわかる。
図１０は、反射コントラストを（電圧５Ｖ以下で最大となる反射効率）／（電圧５Ｖ以下で最小となる反射効率）としたときの、セルギャップ長（ｄｒ）−反射コントラスト（ＲＣＲ）特性を示す。図１０に示すように、反射コントラスト（ＲＣＲ）のピークはセルギャップ長（ｄｒ）が２μｍ，５．５μｍにあり、５．５μｍのピークの方が高い。また、２つ目のピーク付近において、１つ目のピークよりも高い反射コントラストが得られるセルギャップ長（ｄｒ）の範囲は、４．６μｍ〜７．０μｍであることがわかる。
【００３２】
図１２，図１３に液晶表示シミュレータを使用して計算した透過部３０の光学特性を示す。透過部３０の櫛歯画素電極幅Ｗ，櫛歯電極間隔Ｌ，層間絶縁膜厚ｔ，セルギャップ長ｄｔの定義については、図１４（透過特性の計算モデル）に示す。また、計算に使用した液晶の物性値を表２に示す。
【００３３】
【表２】
2008020669.tif 000004
【００３４】
図１２は，Ｗ，Ｌをそれぞれ５μｍ，ｔを０．４μｍに固定した時の透過部３０の電圧（ｖ）−透過効率（ＴＥ）特性を示す。図１２において、凡例のＧの後の数値はセルギャップ長（ｄｔ）を示す。図１２に示すように、電圧（ｖ）を印加したときの透過効率（ＴＥ）はセルギャップ長（ｄｔ）に依存して変化することがわかる。
図１３は、（セルギャップ長（ｄｔ））−（５Ｖ時の透過効率（ＴＥ））特性としてまとめ直したものである。セルギャップ長（ｄｔ）が３．５〜４μｍの時に、透過効率（ＴＥ）がほぼ最大となっている。
【００３５】
白表示時における反射及び透過の色度座標（ＣＩＥのＸＹＺ表色系）とＢＬ光源の色度座標の差（以降これを色度差と称す）を求め、白表示時の着色具合を評価した。色度差が大きいほど着色が強いことを意味する。図１５はセルギャップ長による色度変化（セルギャップ長依存性）を示す図である（白表示：透過は電圧５Ｖ印加時，反射は電圧０Ｖ印加時）。透過部３０（Ｔ）の色度差（ＣＨＤ−ｘ，ｙ）はｘ（Ｔ），ｙ（Ｔ）ともに、セルギャップ長（ｄｇ）に依存しているのに対して、反射部３１（Ｒ）の色度差（ＣＨＤ−ｘ，ｙ）ｘ（Ｒ），ｙ（Ｒ）は依存してない。
一般的に、白表示時の着色回避策として、カラーフィルタ基板（対向基板）の透過スペクトルの調整が考えられるが、透過率及び反射率の著しい低下または色再現性の低下となるため、液晶層による着色を抑えることが根本対策となる。本計算例において、色度差がない透過部のセルギャップ長は、ｘ座標に着目して３．２μｍ，ｙ座標に着目して２．５μｍであることがわかる。
【００３６】
上記計算例から、透過部３０のセルギャップ長（ｄｔ）は、色度差を考慮して下限を２．５μｍ，透過効率を考慮して上限４μｍを設計範囲と定めた。本実施例１においては、セルギャップ長（ｄｔ）を３．５μｍとすることにした。
一方、反射部３１のセルギャップ長（ｄｒ）は、反射コントラスト比が高い範囲を考慮して、下限４．６μｍ，上限７．０μｍを設計範囲と定めた。本実施例１においては、セルギャップ長（ｄｒ）を５．５μｍとすることにした。
なお、前述の３．５μｍの透過部３０のセルギャップ長（ｄｔ）、下限４．６μｍ，上限７．０μｍの反射部３１のセルギャップ長（ｄｒ）から、反射部３１における液晶層（ＬＣ）の厚さをｄｒ、透過部３０における液晶層（ＬＣ）の厚さをｄｔとするとき、１．３≦ｄｒ／ｄｔ≦２を満足することが望ましく、更に１．５≦ｄｒ／ｄｔ≦１．６を満足することが望ましい。
透過部３０と反射部３１のセルギャップ長構成を実現するため、前述した通り、透過部３０に厚さが２μｍの段差形成層（ＭＲ）を形成し、また、反射部３１には、前述の通り、厚さが５．５μｍの支柱スペーサ（ＳＰ）を形成した。
【００３７】
［実施例２］
図１６乃至図２１は、本発明の実施例２の半透過型液晶表示装置に係る図であり、
図１６は、サブピクセルの電極構造を示す平面図、
図１７は、図１６のＧ−Ｇ’線に沿った断面構造を示す要部断面図、
図１８は、図１６のＨ−Ｈ’線に沿った断面構造を示す要部断面図、
図１９は、図１６のＪ−Ｊ’線に沿った断面構造を示す要部断面図、
図２０は、図１６のＫ−Ｋ’線、および図１６のＬ−Ｌ’線に沿った断面構造を示す要部断面図、
図２１は、図１６に示す支柱スペーサの断面構造を示す要部断面図である。
本実施例２の半透過型液晶表示装置は、基本的に前述の実施例１と同様の構成になっており、以下の点が異なっている。
即ち、実施例１では、図２乃至図４に示すように、面状の対向電極（ＣＴ）上に層間絶縁膜１７が形成され、この層間絶縁膜１７上に画素電極（ＰＩＸ）が形成されているが、本実施例２では、図１７乃至図２０に示すように、面状の画素電極（ＰＩＸ）上に層間絶縁膜１７が形成され、この層間絶縁膜１７上に対向電極（ＣＴ）が形成されている。そのため、反射電極（ＲＡＬ）は、画素電極（ＰＩＸ）上に形成される。
また、断面構造において、画素電極（ＰＩＸ）は対向電極（ＣＴ）の下層に位置しているため、コンタクトホールＣＨ３が形成されていない。
【００３８】
また、製造プロセスにおいて実施例１と異なる点は、実施例１の製造プロセスを参照すると、以下の２点である。
（１）対向電極（ＣＴ）の形成工程と、画素電極（ＰＩＸ）の形成工程との順番が入れ替わる。
（２）層間絶縁膜１７の形成で塗布以降の加工がない。
このように構成した本実施例２においても、前述の実施例１と同様に、反射部３１のコントラスト比を向上させることが可能である。
なお、前述の各実施例では、液晶層（ＬＣ）としてネガ型液晶について説明したが、本発明はこれに限定されず、ポジ型液晶においても適用可能であることは言うまでもない。ネガ型液晶は一般的に粘度が高いので、応答速度が遅い半面、面内の均一性は良いので、反射部３１において均一な黒が得られるという利点がある。ポジ型液晶は一般的に粘度が低いので、応答速度が速い。本発明では、反射部３１のセルギャップ長が大きいので、応答速度が遅くなりがちなので、応答速度を速くしたい場合はポジ型液晶を用いることが好ましい。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１−１】本発明の実施例１の半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。
【図１−２】図１−１に示す画素電極、対向電極、反射電極のみを取り出して示す図である。
【図２】図１−１のＡ−Ａ’線に沿った断面構造を示す要部断面図である。
【図３】図１−１のＢ−Ｂ’線に沿った断面構造を示す要部断面図である。
【図４】図１−１のＣ−Ｃ’線に沿った断面構造を示す要部断面図である。
【図５】図１−１のＥ−Ｅ’線、および図１−１のＦ−Ｆ’線に沿った断面構造を示す要部断面図である。
【図６】図１−１に示す支柱スペーサの断面構造を示す要部断面図である。
【図７】本発明の実施例１の半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの等価回路を示す図である。
【図８】図７に示すサブピクセル（（ＰＸＬ）（ｎ，ｋ））の電圧波形を示す図である。
【図９】液晶表示シミュレータを使用して計算した反射部の光学特性（電圧−反射効率特性）を示す図である。
【図１０】液晶表示シミュレータを使用して計算した反射部の光学特性（セルギャップ長−反射コントラスト特性）を示す図である。
【図１１】反射特性の計算モデル図である。
【図１２】液晶表示シミュレータを使用して計算した反射部の光学特性（電圧−透過効率特性）を示す図である。
【図１３】液晶表示シミュレータを使用して計算した反射部の光学特性（セルギャップ長−透過効率特性）を示す図である。
【図１４】透過特性の計算モデル図である。
【図１５】セルギャップ長による色度変化（セルギャップ長依存性）を示す図である。
【図１６】本発明の実施例２である半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。
【図１７】図１６のＧ−Ｇ’線に沿った断面構造を示す要部断面図である。
【図１８】図１６のＨ−Ｈ’線に沿った断面構造を示す要部断面図である。
【図１９】図１６のＪ−Ｊ’線に沿った断面構造を示す要部断面図である。
【図２０】図１６のＫ−Ｋ’線、および図１６のＬ−Ｌ’線に沿った断面構造を示す要部断面図である。
【図２１】図１６に示す支柱スペーサの断面構造を示す要部断面図である。
【図２２】本発明の前提となる半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。
【図２３】本発明の前提となる半透過型液晶表示装置において、透過部の対向電極と反射部の対向電極に印加する基準電圧を示す図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０  隙間
１１〜１７  層間絶縁膜
１８  絶縁膜
３０  透過部
３１  反射部
５１、５２  櫛歯電極
５３  連結部
ＣＴ  対向電極
ＣＨ１〜ＣＨ３  コンタクトホール
Ｄ  映像線（ソース線）
ＤＤ  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のドレイン電極
ＤＷ  幅広の部分
ＥＦＳ  電気力線
ＦＩＲ  カラーフィルタ
Ｇ  走査線（またはゲート線）
ＬＣ  液晶層
ＭＲ  段差形成層
ＯＲ１、ＯＲ２  配向膜
ＰＯＬ１、ＰＯＬ２  偏光板
ＰＩＸ  画素電極
Ｐｏｌｙ−Ｓｉ  半導体層
ＲＡＬ  反射電極
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２  ガラス基板
ＳＰ  支柱スペーサ
【図１−１】
2008020669.tif 000005
【図１−２】
2008020669.tif 000006
【図２】
2008020669.tif 000007
【図３】
2008020669.tif 000008
【図４】
2008020669.tif 000009
【図５】
2008020669.tif 000010
【図６】
2008020669.tif 000011
【図７】
2008020669.tif 000012
【図８】
2008020669.tif 000013
【図９】
2008020669.tif 000014
【図１０】
2008020669.tif 000015
【図１１】
2008020669.tif 000016
【図１２】
2008020669.tif 000017
【図１３】
2008020669.tif 000018
【図１４】
2008020669.tif 000019
【図１５】
2008020669.tif 000020
【図１６】
2008020669.tif 000021
【図１７】
2008020669.tif 000022
【図１８】
2008020669.tif 000023
【図１９】
2008020669.tif 000024
【図２０】
2008020669.tif 000025
【図２１】
2008020669.tif 000026
【図２２】
2008020669.tif 000027
【図２３】
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