(57)【要約】【課題】多数の画素からなる変調手段の全ての描画点の位置を示す全画素座標データを短時間で取得し、生産性の向上を図る。【解決手段】多数の画素から一部の画素を間引いた残りの第１間引済画素の描画点の位置を測定して詳細測定座標データＰ１を取得し、その詳細測定座標データＰ１を補間して全ての画素の第１全画素座標データＲ１を取得し、第１間引済画素からさらに一部の画素を間引いた残りの第２間引済画素の描画点の位置を測定して第１簡易測定座標データＱ１を取得し、第１簡易測定座標データＱ１と詳細測定座標データＰ１のうち第２間引済画素の詳細測定座標データＰ１との関係に基づいて詳細測定座標データＰ１を補正して第１補正済詳細測定座標データＰ１−１を取得し、その第１補正済詳細測定座標データＰ１−１を補間して第２全画素座標データＲ１−１を取得する。【選択図】図１１
2008233006.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射された光を変調して描画面上に描画点を形成する多数の画素からなる変調手段により前記描画面上に形成された前記描画点の位置を示す全画素座標データを時間の経過に伴って複数回取得する描画位置取得方法において、
前記多数の画素から一部の画素を間引いた残りの第１間引済画素の描画点の位置を測定して該第１間引済画素の詳細測定座標データを取得し、
該取得した詳細測定座標データを補間して全ての画素の描画点の位置を示す第１全画素座標データを取得し、
該第１全画素座標データを取得した後所定のタイミングで、下記（１）、（２）、（３）を繰り返して順次第ｎ全画素座標データを取得することを特徴とする描画位置取得方法。
（１）前記第１間引済画素からさらに一部の画素を間引いた残りの第２間引済画素の描画点の位置を測定して第ｎ−１（ｎは２以上の整数）簡易測定座標データを取得する
（２）該取得した第ｎ−１簡易測定座標データと前記詳細測定座標データのうち前記第２間引済画素の詳細測定座標データとの関係に基づいて前記詳細測定座標データを補正して第ｎ−１補正済詳細測定座標データを取得する
（３）該取得した第ｎ−１補正済詳細測定座標データを補間して第ｎ全画素座標データを取得する
【請求項２】
入射された光を変調して描画面上に描画点を形成する多数の画素からなる変調手段により前記描画面上に形成された前記描画点の位置を示す全画素座標データを時間の経過に伴って複数回取得する描画位置取得方法において、
前記多数の画素から一部の画素を間引いた残りの第１間引済画素の描画点の位置を測定して詳細測定座標データを取得し、
該取得した詳細測定座標データを補間して全ての画素の描画点の位置を示す第１全画素座標データを取得し、
該第１全画素座標データを取得した後所定のタイミングで、下記（１）、（２）を繰り返して順次第ｎ全画素座標データを取得することを特徴とする描画位置取得方法。
（１）前記第１間引済画素からさらに一部の画素を間引いた残りの第２間引済画素の描画点の位置を測定して第ｎ（ｎは２以上の整数）簡易測定座標データを取得する
（２）該取得した第ｎ簡易測定座標データと第ｎ−１簡易測定座標データ（ただし、第１簡易測定座標データは前記詳細測定座標データのうち前記第２間引済画素の詳細測定座標データとする）との関係に基づいて第ｎ−１全画素座標データを補正して第ｎ全画素座標データを取得する
【請求項３】
入射された光を変調して描画面上に描画点を形成する多数の画素からなる変調手段により前記描画面上に形成された前記描画点の位置を示す全画素座標データを時間の経過に伴って複数回取得する描画位置取得方法において、
前記多数の画素から一部の画素を間引いた残りの第１間引済画素の描画点の位置を測定して詳細測定座標データを取得し、
該取得した詳細測定座標データを補間して全ての画素の描画点の位置を示す第１全画素座標データを取得し、
該第１全画素座標データを取得した後所定のタイミングで、下記（１）、（２）を繰り返して順次第ｎ全画素座標データを取得することを特徴とする描画位置取得方法。
（１）前記第１間引済画素からさらに一部の画素を間引いた残りの第２間引済画素の描画点の位置を測定して第ｎ（ｎは２以上の整数）簡易測定座標データを取得する
（２）該取得した第ｎ簡易測定座標データと前記詳細測定座標データのうち前記第２間引済画素の詳細測定座標データとの関係に基づいて第１全画素座標データを補正して第ｎ全画素座標データを取得する
【請求項４】
前記変調手段を、前記画素を矩形状に多数配列したものとし、
前記第２間引済画素を、前記変調手段の４角近傍に配置された画素とすることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の描画位置取得方法。
【請求項５】
前記変調手段を複数備えたものとし、
前記第２間引済画素を、隣接する前記変調手段の描画領域のつなぎ部付近を描画する画素とすることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の描画位置取得方法。
【請求項６】
前記変調手段を複数備えたものとするとともに、該複数の変調手段を前記描画面に対して相対的に移動させるものとし、
隣接する前記変調手段の前記第２間引済画素の位置を前記変調手段の移動方向についてほぼ一致させることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の描画位置取得方法。
【請求項７】
前記画素の描画点の位置の測定を、２つ以上の平行でないスリットを用いて行うことを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の描画位置取得方法。
【請求項８】
前記スリットを１枚のガラスに多数形成し、該スリットを透過した光を検出部により検出することを特徴とする請求項７記載の描画位置取得方法。
【請求項９】
入射された光を変調して描画面上に描画点を形成する多数の画素からなる変調手段を前記描画面に対して相対的に移動させるとともに、該移動に応じて前記変調手段により前記描画面上に前記描画点を順次形成して画像を描画する描画方法において、
請求項１から８いずれか１項記載の描画位置取得方法を用いて前記全画素座標データを取得し、
前記画像の描画を行う際の前記描画面上における前記画素の描画点の描画軌跡の情報を取得し、
前記全画素座標データと前記描画軌跡情報に基づいて前記画像の元の画像データから前記画素毎の描画点データを取得し、
該取得した描画点データに基づいて前記画素により描画点を形成することを特徴とする描画方法。
【請求項１０】
入射された光を変調して描画面上に描画点を形成する多数の画素からなる変調手段により前記描画面上に形成された前記描画点の位置を示す全画素座標データを時間の経過に伴って複数回取得する描画位置取得装置において、
前記多数の画素から一部の画素を間引いた残りの第１間引済画素の描画点の位置を測定して該第１間引済画素の詳細測定座標データを取得し、該取得した詳細測定座標データを補間して全ての画素の描画点の位置を示す第１全画素座標データを取得し、該第１全画素座標データを取得した後所定のタイミングで、下記（１）、（２）、（３）を繰り返して順次第ｎ全画素座標データを取得する歪み量取得手段を備えたことを特徴とする描画位置取得装置。
（１）前記第１間引済画素からさらに一部の画素を間引いた残りの第２間引済画素の描画点の位置を測定して第ｎ−１（ｎは２以上の整数）簡易測定座標データを取得する
（２）該取得した第ｎ−１簡易測定座標データと前記詳細測定座標データのうち前記第２間引済画素の詳細測定座標データとの関係に基づいて前記詳細測定座標データを補正して第ｎ−１補正済詳細測定座標データを取得する
（３）該取得した第ｎ−１補正済詳細測定座標データを補間して第ｎ全画素座標データを取得する
【請求項１１】
入射された光を変調して描画面上に描画点を形成する多数の画素からなる変調手段により前記描画面上に形成された前記描画点の位置を示す全画素座標データを時間の経過に伴って複数回取得する描画位置取得装置において、
前記多数の画素から一部の画素を間引いた残りの第１間引済画素の描画点の位置を測定して詳細測定座標データを取得し、該取得した詳細測定座標データを補間して全ての画素の描画点の位置を示す第１全画素座標データを取得し、該第１全画素座標データを取得した後所定のタイミングで、下記（１）、（２）を繰り返して順次第ｎ全画素座標データを取得する歪み量取得手段を備えたことを特徴とする描画位置取得装置。
（１）前記第１間引済画素からさらに一部の画素を間引いた残りの第２間引済画素の描画点の位置を測定して第ｎ（ｎは２以上の整数）簡易測定座標データを取得する
（２）該取得した第ｎ簡易測定座標データと第ｎ−１簡易測定座標データ（ただし、第１簡易測定座標データは前記詳細測定座標データのうち前記第２間引済画素の詳細測定座標データとする）との関係に基づいて第ｎ−１全画素座標データを補正して第ｎ全画素座標データを取得する
【請求項１２】
入射された光を変調して描画面上に描画点を形成する多数の画素からなる変調手段により前記描画面上に形成された前記描画点の位置を示す全画素座標データを時間の経過に伴って複数回取得する描画位置取得装置において、
前記多数の画素から一部の画素を間引いた残りの第１間引済画素の描画点の位置を測定して詳細測定座標データを取得し、該取得した詳細測定座標データを補間して全ての画素の描画点の位置を示す第１全画素座標データを取得し、該第１全画素座標データを取得した後所定のタイミングで、下記（１）、（２）を繰り返して順次第ｎ全画素座標データを取得する歪み量取得手段を備えたことを特徴とする描画位置取得装置。
（１）前記第１間引済画素からさらに一部の画素を間引いた残りの第２間引済画素の描画点の位置を測定して第ｎ（ｎは２以上の整数）簡易測定座標データを取得する
（２）該取得した第ｎ簡易測定座標データと第ｎ−１簡易測定座標データ（ただし、第１簡易測定座標データは前記詳細測定座標データのうち前記第２間引済画素の詳細測定座標データとする）との関係に基づいて第１全画素座標データを補正して第ｎ全画素座標データを取得する
【請求項１３】
前記変調手段が、前記画素を矩形状に多数配列したものであり、
前記第２間引済画素が、前記変調手段の４角近傍に配置された画素であることを特徴とする請求項１０から１２いずれか１項記載の描画位置取得装置。
【請求項１４】
前記変調手段を複数備え、
前記第２間引済画素が、隣接する前記変調手段の描画領域のつなぎ部付近を描画する画素であることを特徴とする請求項１０から１３いずれか１項記載の描画位置取得装置。
【請求項１５】
前記変調手段を複数備え、該複数の変調手段が前記描画面に対して相対的に移動するものであり、
隣接する前記変調手段の前記第２間引済画素の位置が前記変調手段の移動方向についてほぼ一致していることを特徴とする請求項１０から１３いずれか１項記載の描画位置取得装置。
【請求項１６】
前記画素の描画点の位置の測定を行う２つ以上の平行でないスリットを備えたことを特徴とする請求項１０から１５いずれか１項記載の描画位置取得装置。
【請求項１７】
前記スリットが１枚のガラスに多数形成されており、
前記スリットを透過した光を検出する光検出部を備えたことを特徴とする請求項１６記載の描画位置取得装置。
【請求項１８】
入射された光を変調して描画面上に描画点を形成する多数の画素からなる変調手段を前記描画面に対して相対的に移動させるとともに、該移動に応じて前記変調手段により前記描画面上に前記描画点を順次形成して画像を描画する描画装置において、
請求項１０から１７いずれか１項記載の描画位置取得装置と、
前記画像の描画を行う際の前記描画面上における前記画素の描画点の描画軌跡の情報を取得する描画軌跡情報取得部と、
前記描画位置取得装置により取得された前記全画素座標データと前記描画軌跡情報取得部により取得された前記描画軌跡情報に基づいて前記画像の元の画像データから前記画素毎の描画点データを取得する描画点データ取得部とを備え、
前記変調手段が、前記描画点データ取得部により取得された描画点データに基づいて前記画素により描画点を形成するものであることを特徴とする描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入射された光を変調して描画面上に描画点を形成する多数の画素からなる変調手段により描画面上に形成された描画点の位置を示す全画素座標データを時間の経過に伴って複数回取得する描画位置取得方法および装置並びに描画方法および装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）といった空間光変調素子等を利用して、画像データに応じて変調された光ビームにより、被露光部材上に画像露光を行う露光装置の開発が進められている。
【０００３】
このＤＭＤは、例えば制御信号に応じて反射面の角度が変化する多数のマイクロミラーをシリコン等の半導体基板上に２次元的に配列したミラーデバイスであり、各メモリセルに蓄えた電荷による静電気力でマイクロミラーの反射面の角度を変化させるよう構成されている。
【０００４】
上記のようなＤＭＤを用いた露光装置においては、例えば、レーザビームを出射する光源から出射されたレーザビームをレンズ系でコリメートし、このレンズ系の略焦点位置に配置されたＤＭＤの複数のマイクロミラーでそれぞれレーザビームを反射して複数のビーム出射口から各ビームを出射する露光ヘッドを用い、さらに露光ヘッドのビーム出射口から出射された各ビームを１画素毎に１つのレンズで集光させるマイクロレンズアレイ等の光学素子を持つレンズ系により感光材料（被露光部材）の露光面上にスポット径を小さくして結像し、解像度の高い画像露光を行う。
【０００５】
そして、この露光装置においては、画像データ等に応じて生成した制御信号に基づいてＤＭＤのマイクロミラーの各々を制御装置でオンオフ制御してレーザビームを変調し、変調されたレーザビームを露光面上に照射して露光する。
【０００６】
そして、この露光装置においては、露光面に感光材料（フォトレジスト等）を配置し、露光装置の複数の露光ヘッドからそれぞれ感光材料上にレーザビームが照射されて結像されたビームスポットの位置を感光材料に対して相対的に移動させながら、各々のＤＭＤを画像データに応じて変調することにより、感光材料上にパターン露光が施される。
【０００７】
ここで、上記のような露光装置においては、例えば基板上に高精度に回路パターンを露光する処理に利用する場合、露光ヘッドの照明光学系や結像光学系に用いられるレンズがディストーションと呼ばれる固有の歪み特性を有しているため、ＤＭＤの全マイクロミラーにより構成された反射面と、露光面上における投影像とが正確な相似の関係にならず、露光面上の投影像がディストーションにより変形して位置ずれを生じ設計された回路パターンに厳密に一致しない場合がある。
【０００８】
そこで、上記のようなディストーションを補正する方法が提案されている。たとえば、特許文献１においては、露光面の端部に、くの字型のスリットとこのスリットを透過した光を検出するフォトセンサとを設け、ＤＭＤの各マイクロミラーから射出され、くの字型のスリットを通過したレーザビームを検出するとともに、その検出時点における露光面の位置を測定することにより、ＤＭＤの各マイクロミラーのビームスポット位置を測定し、このビームスポット位置情報と、ＤＭＤの各マイクロミラーの反射面の位置情報とから、これらの相対的な位置ずれを算出し、この位置ずれに基づいて画像データを補正することによってディストーションを補正する方法が提案されている。
【特許文献１】特開２００５−３１６４０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載の方法を用いてＤＭＤの全てのマイクロミラーのビームスポット位置を測定するようにしたのでは測定時間が非常に長くなってしまう。特に、マイクロミラーの数が多くなった場合や露光ヘッドの数が多くなった場合には、測定の所要時間が露光装置としての生産性を低下させるため大きな問題となってくる。
【００１０】
また、上記のようなディストーションや露光ヘッド間の相対的位置関係は経時変化するので、ＤＭＤのマイクロミラーのビームスポット位置も経時的に順次取得する必要があり、できるだけ短時間で取得することが望ましい。
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑み、生産性の低下を招くことなく、全てのマイクロミラーのビームスポット位置を取得することができる描画位置取得方法および装置並びに描画方法および装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の描画位置取得方法は、入射された光を変調して描画面上に描画点を形成する多数の画素からなる変調手段により描画面上に形成された描画点の位置を示す全画素座標データを時間の経過に伴って複数回取得する描画位置取得方法において、多数の画素から一部の画素を間引いた残りの第１間引済画素の描画点の位置を測定してその第１間引済画素の詳細測定座標データを取得し、その取得した詳細測定座標データを補間して全ての画素の描画点の位置を示す第１全画素座標データを取得し、その第１全画素座標データを取得した後所定のタイミングで、下記（１）、（２）、（３）を繰り返して順次第ｎ全画素座標データを取得することを特徴とする。
【００１３】
（１）第１間引済画素からさらに一部の画素を間引いた残りの第２間引済画素の描画点の位置を測定して第ｎ−１（ｎは２以上の整数）簡易測定座標データを取得する
（２）上記取得した第ｎ−１簡易測定座標データと詳細測定座標データのうち第２間引済画素の詳細測定座標データとの関係に基づいて詳細測定座標データを補正して第ｎ−１補正済詳細測定座標データを取得する
（３）上記取得した第ｎ−１補正済詳細測定座標データを補間して第ｎ全画素座標データを取得する        
本発明の第２の描画位置取得方法は、入射された光を変調して描画面上に描画点を形成する多数の画素からなる変調手段により描画面上に形成された描画点の位置を示す全画素座標データを時間の経過に伴って複数回取得する描画位置取得方法において、
多数の画素から一部の画素を間引いた残りの第１間引済画素の描画点の位置を測定して詳細測定座標データを取得し、その取得した詳細測定座標データを補間して全ての画素の描画点の位置を示す第１全画素座標データを取得し、その第１全画素座標データを取得した後所定のタイミングで、下記（１）、（２）を繰り返して順次第ｎ全画素座標データを取得することを特徴とする。
【００１４】
（１）第１間引済画素からさらに一部の画素を間引いた残りの第２間引済画素の描画点の位置を測定して第ｎ（ｎは２以上の整数）簡易測定座標データを取得する
（２）上記取得した第ｎ簡易測定座標データと第ｎ−１簡易測定座標データ（ただし、第１簡易測定座標データは詳細測定座標データのうち第２間引済画素の詳細測定座標データとする）との関係に基づいて第ｎ−１全画素座標データを補正して第ｎ全画素座標データを取得する
本発明の第３の描画位置取得方法は、入射された光を変調して描画面上に描画点を形成する多数の画素からなる変調手段により描画面上に形成された描画点の位置を示す全画素座標データを時間の経過に伴って複数回取得する描画位置取得方法において、多数の画素から一部の画素を間引いた残りの第１間引済画素の描画点の位置を測定して詳細測定座標データを取得し、その取得した詳細測定座標データを補間して全ての画素の描画点の位置を示す第１全画素座標データを取得し、その第１全画素座標データを取得した後所定のタイミングで、下記（１）、（２）を繰り返して順次第ｎ全画素座標データを取得することを特徴とする。
【００１５】
（１）第１間引済画素からさらに一部の画素を間引いた残りの第２間引済画素の描画点の位置を測定して第ｎ（ｎは２以上の整数）簡易測定座標データを取得する
（２）上記取得した第ｎ簡易測定座標データと詳細測定座標データのうち第２間引済画素の詳細測定座標データとの関係に基づいて第１全画素座標データを補正して第ｎ全画素座標データを取得する
また、上記第１から第３の描画位置取得方法においては、変調手段を、画素を矩形状に多数配列したものとし、第２間引済画素を、変調手段の４角近傍に配置された画素とすることができる。
【００１６】
また、変調手段を複数備えたものとし、第２間引済画素を、隣接する変調手段の描画領域のつなぎ部付近を描画する画素とすることができる。
【００１７】
また、変調手段を複数備えたものとするとともに、その複数の変調手段を描画面に対して相対的に移動させるものとし、隣接する変調手段の第２間引済画素の位置を変調手段の移動方向についてほぼ一致させるようにすることができる。
【００１８】
また、画素の描画点の位置の測定を、２つ以上の平行でないスリットを用いて行うようにすることができる。
【００１９】
また、スリットを１枚のガラスに多数形成し、そのスリットを透過した光を検出部により検出するようにすることができる。
【００２０】
本発明の描画方法は、入射された光を変調して描画面上に描画点を形成する多数の画素からなる変調手段を描画面に対して相対的に移動させるとともに、その移動に応じて変調手段により描画面上に描画点を順次形成して画像を描画する描画方法において、上記第１から第３の描画位置取得方法を用いて全画素座標データを取得し、画像の描画を行う際の描画面上における画素の描画点の描画軌跡の情報を取得し、全画素座標データと描画軌跡情報に基づいて画像の元の画像データから画素毎の描画点データを取得し、その取得した描画点データに基づいて画素により描画点を形成することを特徴とする。
【００２１】
本発明の第１の描画位置取得装置は、入射された光を変調して描画面上に描画点を形成する多数の画素からなる変調手段により描画面上に形成された描画点の位置を示す全画素座標データを時間の経過に伴って複数回取得する描画位置取得装置において、多数の画素から一部の画素を間引いた残りの第１間引済画素の描画点の位置を測定してその第１間引済画素の詳細測定座標データを取得し、その取得した詳細測定座標データを補間して全ての画素の描画点の位置を示す第１全画素座標データを取得し、その第１全画素座標データを取得した後所定のタイミングで、下記（１）、（２）、（３）を繰り返して順次第ｎ全画素座標データを取得する歪み量取得手段を備えたことを特徴とする。
【００２２】
（１）第１間引済画素からさらに一部の画素を間引いた残りの第２間引済画素の描画点の位置を測定して第ｎ−１（ｎは２以上の整数）簡易測定座標データを取得する
（２）上記取得した第ｎ−１簡易測定座標データと詳細測定座標データのうち第２間引済画素の詳細測定座標データとの関係に基づいて詳細測定座標データを補正して第ｎ−１補正済詳細測定座標データを取得する
（３）上記取得した第ｎ−１補正済詳細測定座標データを補間して第ｎ全画素座標データを取得する
本発明の第２の描画位置取得装置は、入射された光を変調して描画面上に描画点を形成する多数の画素からなる変調手段により描画面上に形成された描画点の位置を示す全画素座標データを時間の経過に伴って複数回取得する描画位置取得装置において、多数の画素から一部の画素を間引いた残りの第１間引済画素の描画点の位置を測定して詳細測定座標データを取得し、その取得した詳細測定座標データを補間して全ての画素の描画点の位置を示す第１全画素座標データを取得し、その第１全画素座標データを取得した後所定のタイミングで、下記（１）、（２）を繰り返して順次第ｎ全画素座標データを取得する歪み量取得手段を備えたことを特徴とする。
【００２３】
（１）第１間引済画素からさらに一部の画素を間引いた残りの第２間引済画素の描画点の位置を測定して第ｎ（ｎは２以上の整数）簡易測定座標データを取得する
（２）上記取得した第ｎ簡易測定座標データと第ｎ−１簡易測定座標データ（ただし、第１簡易測定座標データは詳細測定座標データのうち第２間引済画素の詳細測定座標データとする）との関係に基づいて第ｎ−１全画素座標データを補正して第ｎ全画素座標データを取得する
本発明の第３の描画位置取得装置は、入射された光を変調して描画面上に描画点を形成する多数の画素からなる変調手段により描画面上に形成された描画点の位置を示す全画素座標データを時間の経過に伴って複数回取得する描画位置取得装置において、多数の画素から一部の画素を間引いた残りの第１間引済画素の描画点の位置を測定して詳細測定座標データを取得し、その取得した詳細測定座標データを補間して全ての画素の描画点の位置を示す第１全画素座標データを取得し、その第１全画素座標データを取得した後所定のタイミングで、下記（１）、（２）を繰り返して順次第ｎ全画素座標データを取得する歪み量取得手段を備えたことを特徴とする。
【００２４】
（１）第１間引済画素からさらに一部の画素を間引いた残りの第２間引済画素の描画点の位置を測定して第ｎ（ｎは２以上の整数）簡易測定座標データを取得する
（２）上記取得した第ｎ簡易測定座標データと第ｎ−１簡易測定座標データ（ただし、第１簡易測定座標データは詳細測定座標データのうち第２間引済画素の詳細測定座標データとする）との関係に基づいて第１全画素座標データを補正して第ｎ全画素座標データを取得する
また、上記第１から第３の描画位置取得装置においては、変調手段を、画素を矩形状に多数配列したものとし、第２間引済画素を、変調手段の４角近傍に配置された画素とすることができる。
【００２５】
また、変調手段を複数備えたものとし、第２間引済画素を、隣接する変調手段の描画領域のつなぎ部付近を描画する画素とすることができる。
【００２６】
また、変調手段を複数備えたものとするとともに、その複数の変調手段が描画面に対して相対的に移動するものとし、隣接する変調手段の第２間引済画素の位置を変調手段の移動方向についてほぼ一致させるようにすることができる。
【００２７】
また、画素の描画点の位置の測定を行う２つ以上の平行でないスリットを備えるようにすることができる。
【００２８】
また、スリットを１枚のガラスに多数形成し、スリットを透過した光を検出する光検出部を備えたものとすることができる。
【００２９】
本発明の描画装置は、入射された光を変調して描画面上に描画点を形成する多数の画素からなる変調手段を描画面に対して相対的に移動させるとともに、その移動に応じて変調手段により描画面上に描画点を順次形成して画像を描画する描画装置において、上記第１から第３の描画位置取得装置と、画像の描画を行う際の描画面上における画素の描画点の描画軌跡の情報を取得する描画軌跡情報取得部と、描画位置取得装置により取得された全画素座標データと描画軌跡情報取得部により取得された描画軌跡情報に基づいて画像の元の画像データから画素毎の描画点データを取得する描画点データ取得部とを備え、変調手段が、描画点データ取得部により取得された描画点データに基づいて画素により描画点を形成するものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の第１から第３の描画位置取得方法および装置によれば、変調手段の全ての画素について描画点の位置を測定することなく、間引いた画素の画素位置を測定した詳細測定座標データおよび簡易測定座標データに基づいて全ての画素の全画素座標データを求めるようにしたので、測定する画素の数を大幅に減らすことができるので、生産性の低下を招くことなく、全画素座標データを短時間で取得することができる。
【００３１】
また、経時変化で起こりやすい複数の変調手段間の相対的位置関係の変化を短時間で求めることができるので、生産性を招くことなく高精度な描画品質を維持できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、図面を参照して本発明の描画装置の一実施形態を用いた露光装置について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態を用いた露光装置の概略構成を示す斜視図である。
【００３３】
［露光装置の構成］
図１に示すように、露光装置１０は、いわゆるフラットベッド型に構成したものであり、４本の脚部材１２Ａに支持された基台１２と、この基台１２上に設けられた図中Ｙ方向に移動し、例えばプリント基板（ＰＣＢ）、カラーの液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やプラズマ・ディスプレイ・パネル（ＰＤＰ）といったガラス基板の表面に感光材料を形成したもの等である感光材料１１を載置固定して移動する移動ステージ１４と、マルチビームをレーザ光として射出する光源ユニット１６と、このマルチビームを、所望の画像データに基づき空間変調し、マルチビームの波長領域に感度を有する感光材料１１に、この変調されたマルチビームを露光ビームとして照射する露光ヘッドユニット１８と、移動ステージ１４の移動に伴って露光ヘッドユニット１８に供給する変調信号を画像データから生成する制御ユニット２０とを備えている。
【００３４】
この露光装置１０では、移動ステージ１４の上方に感光材料１１を露光するための露光
ヘッドユニット１８を配置する。この露光ヘッドユニット１８には、複数の露光ヘッド２６を設置する。各露光ヘッド２６には、光源ユニット１６からそれぞれ引き出されたバンドル状光ファイバ２８を接続する。
【００３５】
この露光装置１０には、基台１２を跨ぐように門型フレーム２２が設けられており、その両面にそれぞれ一対の位置検出センサ２４が取り付けられている。この位置検出センサ２４は、移動ステージ１４の通過を検知したときの検出信号を制御ユニット２０に供給する。
【００３６】
この露光装置１０では、基台１２の上面に、ステージ移動方向に沿って延びた２本のガイド３０が設置されている。この２本のガイド３０上には、移動ステージ１４が往復移動可能に装着される。この移動ステージ１４は、図示しないリニアモータによって、例えば、１０００ｍｍの移動量を４０ｍｍ／秒といった比較的低速の一定速度で移動されるよう構成される。
【００３７】
この露光装置１０では、固定された露光ヘッドユニット１８に対して、移動ステージ１４に載置された被露光部材である感光材料（基板）１１を移動しながら、走査露光する。
【００３８】
図２に示すように、露光ヘッドユニット１８の内部にはｍ行ｎ列（例えば、２行４列）の略マトリックス状に配列された複数（例えば、８個）の露光ヘッド２６が設置される。
【００３９】
露光ヘッド２６による露光エリア３２は、例えば走査方向を短辺とする矩形状に構成される。この場合、感光材料１１には、その走査露光の移動動作に伴って露光ヘッド２６毎に帯状の露光済み領域３４が形成される。
【００４０】
また、図２に示すように、帯状の露光済み領域３４が走査方向と直交する方向に隙間無く並ぶように、ライン状に配列された各行の露光ヘッド２６の各々は、配列方向に所定間隔（露光エリアの長辺の自然数倍）ずらして配置されている。このため、例えば第１行目の露光エリア３２と第２行目の露光エリア３２との間の露光できない部分は、第２行目の露光エリア３２により露光する。
【００４１】
図４に示すように、各露光ヘッド２６は、それぞれ入射された光ビームを画像データに応じて画素毎に変調する空間光変調素子として、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）３６を備えている。このＤＭＤ３６は、データ処理手段とミラー駆動制御手段を備えた制御ユニット２０に接続されている。
【００４２】
この制御ユニット２０のデータ処理手段では、入力された画像データに基づいて、各露光ヘッド２６毎にＤＭＤ３６の制御すべき領域内の各マイクロミラーを駆動制御する制御信号を生成する。また、ＤＭＤコントローラとしてのミラー駆動制御手段では、画像データ処理部で生成した制御信号に基づいて、各露光ヘッド２６毎にＤＭＤ３６における各マイクロミラーの反射面の角度を制御する。なお、この反射面の角度の制御に付いては後述する。
【００４３】
各露光ヘッド２６におけるＤＭＤ３６の光入射側には、前述した図１に示すように、紫外波長領域を含む一方向に延在したマルチビームをレーザ光として射出する照明装置である光源ユニット１６からそれぞれ引き出されたバンドル状光ファイバ２８が接続される。
【００４４】
光源ユニット１６は、図示しないがその内部に、複数の半導体レーザチップから射出されたレーザ光を合波して光ファイバに入力する合波モジュールが複数個設置されている。各合波モジュールから延びる光ファイバは、合波したレーザ光を伝搬する合波光ファイバ
であって、複数の光ファイバが１つに束ねられてバンドル状の光ファイバ２８として形成される。
【００４５】
図４に示すように、各露光ヘッド２６におけるＤＭＤ３６の光入射側には、バンドル状光ファイバ２８の接続端部から出射されたレーザ光をＤＭＤ３６に向けて反射するミラー４２が配置されている。
【００４６】
ＤＭＤ３６は、図６に示すように、ＳＲＡＭセル（メモリセル）３８上に、微小ミラー（マイクロミラー）３７が支柱により支持されて配置されたものであり、画素（ピクセル）を構成する多数の（例えば、６００個×８００個）の微小ミラーを格子状に配列したミラーデバイスとして構成されている。各ピクセルには、最上部に支柱に支えられたマイクロミラー３７が設けられており、マイクロミラー３７の表面にはアルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。
【００４７】
また、マイクロミラー３７の直下には、図示しないヒンジ及びヨークを含む支柱を介して通常の半導体メモリの製造ラインで製造されるシリコンゲートのＣＭＯＳのＳＲＡＭセル３８が配置されており、全体はモノリシック（一体型）に構成されている。
【００４８】
ＤＭＤ３６のＳＲＡＭセル３８にデジタル信号が書き込まれると、支柱に支えられたマイクロミラー３７が、対角線を中心としてＤＭＤ３６が配置された基板側に対して±ａ度（例えば±１０度）の範囲で傾けられる。図７（Ａ）は、マイクロミラー３７がオン状態である＋ａ度に傾いた状態を示し、図７（Ｂ）は、マイクロミラー３７がオフ状態である−ａ度に傾いた状態を示す。従って、画像信号に応じて、ＤＭＤ３６の各ピクセルにおけるマイクロミラー３７の傾きを、図６に示すように制御することによって、ＤＭＤ３６に入射された光はそれぞれのマイクロミラー３７の傾き方向へ反射される。
【００４９】
なお、図６には、ＤＭＤ３６の一部を拡大し、マイクロミラー３７が＋ａ度又は−ａ度に制御されている状態の一例を示す。それぞれのマイクロミラー３７のオンオフ（ｏｎ／ｏｆｆ）制御は、ＤＭＤ３６に接続された制御ユニット２０によって行われるもので、オン状態のマイクロミラー３７により反射された光は露光状態に変調され、ＤＭＤ３６の光出射側に設けられた投影光学系（図４参照）へ入射する。またオフ状態のマイクロミラー３７により反射された光は非露光状態に変調され、光吸収体（図示省略）に入射する。
【００５０】
また、ＤＭＤ３６は、その短辺方向が走査方向と所定角度（例えば、角度０．１°〜０．５°）を成すように僅かに傾斜させて配置するのが好ましい。図５（Ａ）はＤＭＤ３６を傾斜させない場合の各マイクロミラーによる反射光像（露光ビーム）４８の走査軌跡を示し、図５（Ｂ）はＤＭＤ３６を傾斜させた場合の露光ビーム４８の走査軌跡を示している。
【００５１】
ＤＭＤ３６には、長手方向（行方向）に沿ってマイクロミラー３７が多数個（例えば、８００個）配列されたマイクロミラー列が、短手方向に多数組（例えば、６００組）配列されているが、図５（Ｂ）に示すように、ＤＭＤ３６を傾斜させることにより、各マイクロミラー３７による露光ビーム４８の走査軌跡（走査線）のピッチＰ２が、ＤＭＤ３６を傾斜させない場合の走査線のピッチＰ１より狭くなり、解像度を大幅に向上させることができる。一方、ＤＭＤ３６の傾斜角は微小であるので、ＤＭＤ３６を傾斜させた場合の走査幅Ｗ２と、ＤＭＤ３６を傾斜させない場合の走査幅Ｗ１とは略同一である。
【００５２】
次に、露光ヘッド２６におけるＤＭＤ３６の光反射側に設けられる投影光学系（結像光学系）について説明する。図４に示すように、各露光ヘッド２６におけるＤＭＤ３６の光反射側に設けられる投影光学系は、ＤＭＤ３６の光反射側の露光面にある感光材料１１上に光源像を投影するため、ＤＭＤ３６の側から感光材料１１へ向って順に、レンズ系５０，５２、マイクロレンズアレイ５４、対物レンズ系５６，５８の各露光用の光学部材を配置して構成する。
【００５３】
ここで、レンズ系５０，５２は拡大光学系として構成されており、ＤＭＤ３６により反射される光線束の断面積を拡大することで、感光材料１１上のＤＭＤ３６により反射された光線束による露光エリア３２（図２に図示）の面積を所要の大きさに拡大している。
【００５４】
図４に示すように、マイクロレンズアレイ５４は、光源ユニット１６から各光ファイバ２８を通じて照射されたレーザ光を反射するＤＭＤ３６の各マイクロミラー３７に１対１で対応する複数のマイクロレンズ６０が一体的に成形されたものであり、各マイクロレンズ６０は、それぞれレンズ系５０，５２を透過した各レーザビームの光軸上にそれぞれ配置されている。
【００５５】
このマイクロレンズアレイ５４は、矩形平板状に形成され、各マイクロレンズ６０を形成した部分には、それぞれアパーチャ６２を一体的に配置する。このアパーチャ６２は、各マイクロレンズ６０に１対１で対応して配置された開口絞りとして構成する。
【００５６】
図４に示すように、対物レンズ系５６，５８は、例えば、等倍光学系として構成されている。また感光材料１１は、対物レンズ系５６，５８の後方焦点位置に配置される。なお、投影光学系における各レンズ系５０，５２，対物レンズ系５６，５８は、図４においてそれぞれ１枚のレンズとして示されているが、複数枚のレンズ（例えば、凸レンズと凹レンズ）を組み合せたものであっても良い。
【００５７】
ここで、上述のように構成された露光装置１０では、露光ヘッド２６の投影光学系における各レンズ系５０，５２や対物レンズ系５６，５８等が有するディストーションや、露光ヘッド２６で露光処理する際に種々の要因で描画に歪みを生じる。そして、その歪み量は経時変化するものである。そこで、本実施形態の露光装置１０においては、この歪み量を時間の経過にともなって順次取得し、その歪み量を補正することによって適切な描画を行う。
【００５８】
まずは、上記のような歪み量を取得する方法について説明する。
【００５９】
本実施形態の露光装置１０には、上記のような歪み量を取得する歪み量取得手段の一部として図３及び図７に示すように、その移動ステージ１４の搬送方向上流側に、照射されたビーム位置を検出するためのビーム位置検出手段が配置されている。
【００６０】
このビーム位置検出手段は、移動ステージ１４における搬送方向（走査方向）に沿って上流側の端縁部に一体的に取り付けたスリット板７０と、このスリット板７０の裏側に配置した光検出部（ディテクタ）としてのフォトセンサ７２とを有する。
【００６１】
このスリット板７０は、移動ステージ１４の幅方向全長の長さを持つ矩形長板状の石英ガラス板に遮光用の薄いクロム膜（クロムマスク、エマルジョンマスク）を形成し、このクロム膜の所定複数位置に、それぞれレーザビーム（光ビーム）を通過（透過）させるようＸ軸方向に向かって直角に開く「く」の字型部分のクロム膜をエッチング加工（例えばクロム膜にマスクしてスリットをパターニングし、エッチング液でクロム膜のスリット部分を溶出させる加工）により除去して形成した検出用スリット７４（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ等）を穿設する。
【００６２】
このように構成したスリット板７０は、石英ガラス製のため、温度変化による誤差を生じにくく、また遮光用の薄いクロム膜を利用することにより、ビーム位置を高精度で検出できる。
【００６３】
図８に示すように、「く」の字型の検出用スリット７４は、その搬送方向上流側に位置する所定長さを持つ直線状の第１スリット部７４ａと搬送方向下流側に位置する所定長さを持つ直線状の第２スリット部７４ｂとをそれぞれの一端部で直角に接続した形状の一組にして形成する。すなわち、第１スリット部７４ａと、第２スリット部７４ｂとは互いに直交するとともに、Ｙ軸（走行方向）に対して第１スリット部７４ａは１３５度、第２スリット部７４ｂは４５度の角度を有するように構成する。なお、本実施の形態では、走査方向をＹ軸にとり、これに直交する方向（露光ヘッド２６の配列方向）をＸ軸にとる。
【００６４】
なお、第１スリット部７４ａと、第２スリット部７４ｂとは、相互に所定の角度をなすように配置するものであれば良く、両者が交差する構成以外に、別々に離れて配置される構成であっても良い。
【００６５】
各検出用スリット７４直下の各所定位置には、それぞれ露光ヘッド２６からの光を検出するフォトセンサ７２（ＣＣＤ、ＣＭＯＳ又はフォトディテクタ等でも良い）を配置する。
【００６６】
図１及び図２に示すように、この露光装置１０に設けるビーム位置検出手段は、移動ステージ１４の搬送方向に沿った一方の側部に配置された、移動ステージ１４の位置を検出するためリニヤエンコーダ７６を備えている。
【００６７】
このリニヤエンコーダ７６は、一般に市販されているリニヤエンコーダを利用できる。このリニヤエンコーダ７６は、移動ステージ１４における搬送方向（走査方向）に沿った側部に一体的に取り付けた、光を透過する微細なスリット状の目盛りを等間隔で平面部分に形成した目盛り板７８と、この目盛り板７８を挟むように、基台１２に設けた図示しない固定フレームに固着された投光器８０及び受光器８２とを有する。
【００６８】
このリニヤエンコーダ７６は、投光器８０から測定用のビームを出射し、目盛り板７８の微細なスリット状の目盛りを透過した測定用のビームを裏側に配置された受光器８２で検出し、その検出信号を制御ユニット２０へ送信するように構成する。
【００６９】
このリニヤエンコーダ７６では、初期位置にある移動ステージ１４を移動操作したときに、移動ステージ１４と一体に移動する目盛り板７８によって投光器８０から出射された測定用のビームが断続的に遮断されて受光器８２へ入射される。
【００７０】
よって、この露光装置１０では、受光器８２で受光した回数を制御ユニット２０がカウントすることにより、移動ステージ１４の移動位置を制御ユニット２０が認識可能に構成する。
【００７１】
この露光装置１０では、制御ユニット２０に、歪み量取得手段の一部となる電気系の構成が設けられている。
【００７２】
この制御ユニット２０は使用者が指令を入力するためのスイッチ類を有する指示入力手段を持つと共に、図示しないが、歪み量取得手段の一部を兼ねる制御装置としてのＣＰＵ及びメモリを有する。この制御装置は、ＤＭＤ３６における各々のマイクロミラー３７を駆動制御可能に構成されている。
【００７３】
また、この制御装置は、リニヤエンコーダ７６の受光器８２の出力信号を受信し、各フォトセンサ７２からの出力信号を受信し、移動ステージ１４の位置とフォトセンサ７２からの出力状態とを関連付けた情報に基づき、画像データに対して歪み補正処理を行って、適切な制御信号を生成してＤＭＤ３６を制御すると共に、感光材料１１が載置された移動ステージ１４を走査方向に駆動制御する。
【００７４】
さらに、制御装置は、露光装置１０で露光処理する際に必要となる光源ユニット１６といった露光装置１０の露光処理動作全般に係わる各種装置の制御を行う。
【００７５】
次に、この露光装置１０に設けた歪み量取得手段において、検出用スリット７４とリニヤエンコーダ７６とを利用してビーム位置を検出する方法について説明する。
【００７６】
まず、この露光装置１０において、被測定画素である一つの特定画素Ｚ１を点灯したときの露光面上に実際に照射された位置を、検出用スリット７４とリニヤエンコーダ７６とを利用して特定する方法について説明する。
【００７７】
まず、制御装置は、移動ステージ１４を移動操作してスリット板７０の所定露光ヘッド２６用の所定検出用スリット７４を露光ヘッドユニット１８の下方に位置させる。
【００７８】
次に、制御装置は、所定のＤＭＤ３６における特定画素Ｚ１だけをオン状態（点灯状態）とするよう制御する。
【００７９】
さらに制御装置は、移動ステージ１４を移動制御することにより、図９（Ａ）に実線で示すように、検出用スリット７４が露光エリア３２上の所要位置（例えば原点とすべき位置）となるように移動させる。このとき、制御装置は、第１スリット部７４ａと、第２スリット部７４ｂとの交点を（Ｘ０，Ｙ０）と認識し、メモリに記憶する。なお図９（Ａ）では、Ｙ軸から反時計方向に回転する方向を正の角とする。
【００８０】
次に、制御装置は、移動ステージ１４を移動制御することにより、検出用スリット７４をＹ軸に沿って図９（Ａ）に向かって右方へ移動を開始させる。
【００８１】
そして、制御装置は、図９（Ａ）に向かって右方の想像線で示した位置を通過する際に図９（Ｂ）に例示するように点灯している特定画素Ｚ１からの光が第１スリット部７４ａを透過してフォトセンサ７２で検出されたときの出力信号の推移と、移動ステージ１
４の移動位置との関係から特定画素Ｚ１の位置情報を演算処理し、このときの第１スリット部７４ａと、第２スリット部７４ｂとの交点を（Ｘ０，Ｙ１１）として認識し、メモリに記憶する。
【００８２】
次に、制御装置は、移動ステージ１４を移動操作し、検出用スリット７４をＹ軸に沿って図９（Ａ）に向かって左方へ移動を開始させる。そして、制御装置は、図９（Ａ）に向かって左方の想像線で示した位置で、図９（Ｂ）に例示するように点灯している特定画素Ｚ１からの光が第１スリット部７４ａを透過してフォトセンサ７２で検出されたときの出力信号の推移と、移動ステージ１４の移動位置との関係から特定画素Ｚ１の位置情報を演算処理し、このときの第１スリット部７４ａと、第２スリット部７４ｂとの交点を（Ｘ０，Ｙ１２）として認識し、メモリに記憶する。
【００８３】
次に、制御装置は、メモリに記憶した、座標（Ｘ０，Ｙ１１）と（Ｘ０，Ｙ１２）とを読み出して、特定画素Ｚ１の座標を求め、実際の位置を特定するため下記式で演算を行う。ここで、特定画素Ｚ１の座標を（Ｘ１，Ｙ１）とすると、Ｘ１＝Ｘ０＋（Ｙ１１−Ｙ１２）／２で表され、Ｙ１＝（Ｙ１１＋Ｙ１２）／２で表される。
【００８４】
そして、ＤＭＤ３６における各被測定画素に対応した所定のマイクロミラー３７の反射面の位置情報と、検出用スリット７４とリニヤエンコーダ７６とを利用して検出された所定マイクロミラー３７から露光面（露光エリア３２）に投射された所定光ビームの露光点位置情報とから、これらの相対的な位置ずれをそれぞれ演算することにより、露光エリア３２の描画の歪み量（歪み状態）を求めることができる。
【００８５】
ここで、上記のようにして歪み量を取得する際、ＤＭＤ３６の全てのマイクロミラー３７の露光点位置情報を測定したのでは、その測定時間が長くなり、生産性の低下を招くことになる。また、歪み量は上述したように経時変化するものであるため、時間の経過にともなって順次取得する必要があるが、毎回全てのマイクロミラー３７の露光点位置情報を測定したのでは時間が長くなってしまい、やはり生産性の低下を招くことになる。また、上記のような歪み量だけでなく、露光ヘッド２６間の相対的な位置関係も経時変化するものであり、この相対的な位置関係も時間をかけることなく取得したい。
【００８６】
そこで、本実施形態の露光装置１０における歪み量の取得方法の第１の実施形態について説明する。
【００８７】
まず、第１の実施形態の歪み量取得方法においては、ＤＭＤ３６の全てのマイクロミラー３７の露光点の位置情報を取得するのではなく、図１０に示すように、ＤＭＤ３６の全てのマイクロミラー３７から一部のマイクロミラー３７を間引いた残りの第１間引済マイクロミラー群の露光点の位置情報を取得する。なお、図１０の白丸および黒丸が第１間引済マイクロミラー群を示している。
【００８８】
そして、この第１間引済マイクロミラー群の露光点位置情報を詳細測定座標データＰ１として取得する。そして、次に、図１１の表に示すように、詳細測定座標データＰ１を補間することによって全てのマイクロミラーの露光点位置情報である全画素座標データＲ１を取得する。そして、この全画素座標データＲ１に基づいて第１の時点における歪み量を取得する。なお、上記補間の方法としては、たとえば、線形補間などを行えばよいが、周知の補間の方法を採用することができる。また、図１１の表は、時系列に全画素座標データを順次取得していく際に取得するデータを順に並べたものである。
【００８９】
次に、図１１の表に示すように、第１間引済マイクロミラー群からさらに一部のマイクロミラー３７を間引いた残りの第２間引済マイクロミラー群の露光点位置情報を簡易測定座標データＱ１として取得する。本実施形態においては、図１０の黒丸を第２間引済マイクロミラー群とする。つまり、各ＤＭＤ３６の４角のマイクロミラー３７を第２間引済マイクロミラー群とする。第２間引済マイクロミラー群としては、図１０に示すように、隣接する露光ヘッド２６のＤＭＤ３６の露光領域のつなぎ部付近を露光するマイクロミラー３７を採用することが望ましい。また、隣接する露光ヘッド２６のＤＭＤ３６の第２間引済マイクロミラー群の位置は、露光ヘッド２６の走査方向（図１０の矢印Ｙ方向）についてほぼ一致させることが望ましい。第２間引済マイクロミラー群を上記のように設定した場合には、露光ヘッド２６間の相対的な位置関係をより高精度に測定することができる。なお、第２間引済マイクロミラー群は、上記のように設定することが望ましいが、これに限るものではなく、その他のマイクロミラー３７を第２間引済マイクロミラー群としてもよい。
【００９０】
そして、上記簡易測定座標データＱ１と上記詳細測定座標データＰ１のうち第２間引済マイクロミラー群（黒丸）の詳細測定座標データＰ１との関係に基づいて詳細測定座標データＰ１を補正して補正済詳細測定座標データＰ１−１を取得する。なお、上記補正の方法としては、たとえば、シフト補正、回転補正や自由変形などを行うようにすればよい。
【００９１】
そして、上記のようにして取得した補正済詳細測定座標データＰ１−１を補間することによって全てのマイクロミラーの露光点位置情報である全画素座標データＲ１−１を取得する。そして、この全画素座標データＲ１−１に基づいて第２の時点の歪み量を取得する。
【００９２】
そして、次に、図１１の表に示すように、第２間引済マイクロミラー群の露光点位置情報を簡易測定座標データＱ２として取得する。
【００９３】
そして、上記簡易測定座標データＱ２と上記詳細測定座標データＰ１のうち第２間引済マイクロミラー群（黒丸）の詳細測定座標データＰ１との関係に基づいて詳細測定座標データＰ１を補正して補正済詳細測定座標データＰ１−２を取得する。
【００９４】
そして、上記のようにして取得した補正済詳細測定座標データＰ１−２を補間することによって全てのマイクロミラーの露光点位置情報である全画素座標データＲ１−２を取得する。そして、この全画素座標データＲ１−２に基づいて第３の時点の歪み量を取得する。
【００９５】
そして、図１１の表に示すように、簡易測定座標データＱｎの取得と、簡易測定座標データＱｎと詳細測定座標データＰ１のうちの第２間引済マイクロミラー群の詳細測定座標データＰ１との関係に基づく詳細測定座標データＰ１の補正と、補正済詳細測定座標データＰ１−ｎの補間とを繰り返して行うことによって全画素座標データＲ１−ｎを順次取得する。そして、この全画素座標データＲ１−ｎに基づいて第ｎ＋１の時点の歪み量を取得する。
【００９６】
そして、上記のような全画素座標データの取得を、たとえば、１日置きに行う。そして、次に、所定の日数経った時点において、再び、第１間引済マイクロミラー群の露光点位置情報を詳細測定座標データＰ２として取得する。そして、次に、図１１の表に示すように、詳細測定座標データＰ２を補間することによって全てのマイクロミラーの露光点位置情報である全画素座標データＲ２を取得する。そして、この全画素座標データＲ２に基づいて第ｎ＋２の時点における歪み量を取得する。
【００９７】
次に、図１１の表に示すように、第２間引済マイクロミラー群の露光点位置情報を簡易測定座標データＱ１として取得する。
【００９８】
そして、上記簡易測定座標データＱ１と上記詳細測定座標データＰ２のうち第２間引済マイクロミラー群（黒丸）の詳細測定座標データＰ２との関係に基づいて詳細測定座標データＰ２を補正して補正済詳細測定座標データＰ２−１を取得する。
【００９９】
そして、上記のようにして取得した補正済詳細測定座標データＰ２−１を補間することによって全てのマイクロミラーの露光点位置情報である全画素座標データＲ２−１を取得する。そして、この全画素座標データＲ２−１に基づいて第ｎ＋３の時点の歪み量を取得する。
【０１００】
そして、次に、図１１の表に示すように、第２間引済マイクロミラー群の露光点位置情報を簡易測定座標データＱ２として取得する。
【０１０１】
そして、上記簡易測定座標データＱ２と上記詳細測定座標データＰ２のうち第２間引済マイクロミラー群（黒丸）の詳細測定座標データＰ２との関係に基づいて詳細測定座標データＰ１を補正して補正済詳細測定座標データＰ２−２を取得する。
【０１０２】
そして、上記のようにして取得した補正済詳細測定座標データＰ２−２を補間することによって全てのマイクロミラーの露光点位置情報である全画素座標データＲ２−２を取得する。そして、この全画素座標データＲ２−２に基づいて第ｎ＋４の時点の歪み量を取得する。
【０１０３】
そして、図１１の表に示すように、簡易測定座標データＱｎの取得と、簡易測定座標データＱｎと詳細測定座標データＰ２のうちの第２間引済マイクロミラー群の詳細測定座標データＰ２との関係に基づく詳細測定座標データＰ２の補正と、補正済詳細測定座標データＰ２−ｎの補間とを繰り返して行うことによって全画素座標データＲ２−ｎを順次取得する。そして、この全画素座標データＲ２−ｎに基づいて第２ｎ＋２の時点の歪み量を取得する。
【０１０４】
そして、詳細測定座標データＰｍの取得は、たとえば、１週間置きに行うようにすればよい。
【０１０５】
第１の実施形態の歪み量取得方法においては、上記のようにして順次全画素座標データＲｍ−ｎを取得し、その全画素座標データＲｍ−ｎに基づいて歪み量が順次取得される。
【０１０６】
次に、本実施形態の露光装置１０における歪み量の取得方法の第２の実施形態について説明する。
【０１０７】
第２の実施形態の歪み量取得方法においては、まず、第１の実施形態の歪み量取得方法と同様に、第１間引済マイクロミラー群の露光点位置情報を詳細測定座標データＰ１として取得する。そして、次に、図１２の表に示すように、詳細測定座標データＰ１を補間することによって全てのマイクロミラーの露光点位置情報である全画素座標データＲ１を取得する。そして、この全画素座標データＲ１に基づいて第１の時点における歪み量を取得する。なお、図１２の表は、時系列に全画素座標データを順次取得していく際に取得するデータを順に並べたものである。
【０１０８】
次に、図１２の表に示すように、第１間引済マイクロミラー群からさらに一部のマイクロミラー３７を間引いた残りの第２間引済マイクロミラー群の露光点位置情報を簡易測定座標データＱ１として取得する。本実施形態においては、図１０の黒丸を第２間引済マイクロミラー群とする。つまり、各ＤＭＤ３６の４角のマイクロミラー３７を第２間引済マイクロミラー群とする。
【０１０９】
そして、上記簡易測定座標データＱ１と上記詳細測定座標データＰ１のうち第２間引済マイクロミラー群（黒丸）の詳細測定座標データＰ１との関係に基づいて全画素座標データＲ１を補正して全画素座標データＲ１−１を取得する。なお、上記補正の方法としては、たとえば、シフト補正、回転補正や自由変形などを行うようにすればよい。そして、この全画素座標データＲ１−１に基づいて第２の時点の歪み量を取得する。
【０１１０】
そして、次に、図１２の表に示すように、第２間引済マイクロミラー群の露光点位置情報を簡易測定座標データＱ２として取得する。
【０１１１】
そして、上記簡易測定座標データＱ２と上記簡易測定座標データＱ１との関係に基づいて上記全画素座標データＲ１−１を補正して全画素座標データＲ１−２を取得する。そして、この全画素座標データＲ１−２に基づいて第３の時点の歪み量を取得する。
【０１１２】
そして、図１２の表に示すように、簡易測定座標データＱｎの取得と、簡易測定座標データＱｎと簡易測定座標データＱｎ−１との関係に基づく全画素座標データＲ１−ｎ−１の補正とを繰り返して行うことによって全画素座標データＲ１−ｎを順次取得する。そして、この全画素座標データＲ１−ｎに基づいて第ｎ＋１の時点の歪み量を取得する。
【０１１３】
そして、上記のような全画素座標データの取得を、たとえば、１日置きに行う。そして、次に、所定の日数経った時点において、再び、第１間引済マイクロミラー群の露光点位置情報を詳細測定座標データＰ２として取得する。そして、次に、図１２の表に示すように、詳細測定座標データＰ２を補間することによって全てのマイクロミラーの露光点位置情報である全画素座標データＲ２を取得する。そして、この全画素座標データＲ２に基づいて第ｎ＋２の時点における歪み量を取得する。
【０１１４】
次に、図１２の表に示すように、第２間引済マイクロミラー群の露光点位置情報を簡易測定座標データＱ１として取得する。
【０１１５】
そして、上記簡易測定座標データＱ１と上記詳細測定座標データＰ２のうち第２間引済マイクロミラー群（黒丸）の詳細測定座標データＰ２との関係に基づいて全画素座標データＲ２を補正して全画素座標データＲ２−１を取得する。そして、この全画素座標データＲ２−１に基づいて第ｎ＋３の時点の歪み量を取得する。
【０１１６】
そして、次に、図１２の表に示すように、第２間引済マイクロミラー群の露光点位置情報を簡易測定座標データＱ２として取得する。
【０１１７】
そして、上記簡易測定座標データＱ２と上記簡易測定座標データＱ１との関係に基づいて全画素座標データＲ２−１を補正して全画素座標データＲ２−２を取得する。そして、この全画素座標データＲ２−２に基づいて第ｎ＋４の時点の歪み量を取得する。
【０１１８】
そして、図１２の表に示すように、簡易測定座標データＱｎの取得と、簡易測定座標データＱｎと簡易測定座標データＱｎ−１との関係に基づく全画素座標データＲ２−ｎ−１の補正とを繰り返して行うことによって全画素座標データＲ２−ｎを順次取得する。そして、この全画素座標データＲ２−ｎに基づいて第２ｎ＋２の時点の歪み量を取得する。
【０１１９】
そして、詳細測定座標データＰｍの取得を、たとえば、１週間置きに行い、上記と同様にして、全画素座標データＲｍ−ｎを順次取得する。
【０１２０】
第２の実施形態の歪み量取得方法においては、上記のようにして順次全画素座標データＲｍ−ｎを取得し、その全画素座標データＲｍ−ｎに基づいて歪み量が順次取得される。
【０１２１】
次に、本実施形態の露光装置１０における歪み量の取得方法の第３の実施形態について説明する。
【０１２２】
第３の実施形態の歪み量取得方法においては、まず、第１の実施形態の歪み量取得方法と同様に、第１間引済マイクロミラー群の露光点位置情報を詳細測定座標データＰ１として取得する。そして、次に、図１３の表に示すように、詳細測定座標データＰ１を補間することによって全てのマイクロミラーの露光点位置情報である全画素座標データＲ１を取得する。そして、この全画素座標データＲ１に基づいて第１の時点における歪み量を取得する。なお、図１３の表は、時系列に全画素座標データを順次取得していく際に取得するデータを順に並べたものである。
【０１２３】
次に、図１３の表に示すように、第１間引済マイクロミラー群からさらに一部のマイクロミラー３７を間引いた残りの第２間引済マイクロミラー群の露光点位置情報を簡易測定座標データＱ１として取得する。本実施形態においては、図１０の黒丸を第２間引済マイクロミラー群とする。つまり、各ＤＭＤ３６の４角のマイクロミラー３７を第２間引済マイクロミラー群とする。
【０１２４】
そして、上記簡易測定座標データＱ１と上記詳細測定座標データＰ１のうち第２間引済マイクロミラー群（黒丸）の詳細測定座標データＰ１との関係に基づいて全画素座標データＲ１を補正して全画素座標データＲ１−１を取得する。なお、上記補正の方法としては、たとえば、シフト補正、回転補正や自由変形などを行うようにすればよい。そして、この全画素座標データＲ１−１に基づいて第２の時点の歪み量を取得する。
【０１２５】
そして、次に、図１３の表に示すように、第２間引済マイクロミラー群の露光点位置情報を簡易測定座標データＱ２として取得する。
【０１２６】
そして、上記簡易測定座標データＱ２と上記詳細測定座標データＰ１のうち第２間引済マイクロミラー群（黒丸）の詳細測定座標データＰ１との関係に基づいて上記全画素座標データＲ１を補正して全画素座標データＲ１−２を取得する。そして、この全画素座標データＲ１−２に基づいて第３の時点の歪み量を取得する。
【０１２７】
そして、図１３の表に示すように、簡易測定座標データＱｎの取得と、簡易測定座標データＱｎと上記詳細測定座標データＰ１のうち第２間引済マイクロミラー群（黒丸）の詳細測定座標データＰ１との関係に基づく全画素座標データＲ１の補正とを繰り返して行うことによって全画素座標データＲ１−ｎを順次取得する。そして、この全画素座標データＲ１−ｎに基づいて第ｎ＋１の時点の歪み量を取得する。
【０１２８】
そして、上記のような全画素座標データの取得を、たとえば、１日置きに行う。そして、次に、所定の日数経った時点において、再び、第１間引済マイクロミラー群の露光点位置情報を詳細測定座標データＰ２として取得する。そして、次に、図１３の表に示すように、詳細測定座標データＰ２を補間することによって全てのマイクロミラーの露光点位置情報である全画素座標データＲ２を取得する。そして、この全画素座標データＲ２に基づいて第ｎ＋２の時点における歪み量を取得する。
【０１２９】
次に、図１３の表に示すように、第２間引済マイクロミラー群の露光点位置情報を簡易測定座標データＱ１として取得する。
【０１３０】
そして、上記簡易測定座標データＱ１と上記詳細測定座標データＰ２のうち第２間引済マイクロミラー群（黒丸）の詳細測定座標データＰ２との関係に基づいて全画素座標データＲ２を補正して全画素座標データＲ２−１を取得する。そして、この全画素座標データＲ２−１に基づいて第ｎ＋３の時点の歪み量を取得する。
【０１３１】
そして、次に、図１３の表に示すように、第２間引済マイクロミラー群の露光点位置情報を簡易測定座標データＱ２として取得する。
【０１３２】
そして、上記簡易測定座標データＱ２と上記詳細測定座標データＰ２のうち第２間引済マイクロミラー群（黒丸）の詳細測定座標データＰ２との関係に基づいて全画素座標データＲ２を補正して全画素座標データＲ２−２を取得する。そして、この全画素座標データＲ２−２に基づいて第ｎ＋４の時点の歪み量を取得する。
【０１３３】
そして、図１３の表に示すように、簡易測定座標データＱｎの取得と、簡易測定座標データＱｎと上記詳細測定座標データＰ２のうち第２間引済マイクロミラー群（黒丸）の詳細測定座標データＰ２との関係に基づく全画素座標データＲ２の補正とを繰り返して行うことによって全画素座標データＲ２−ｎを順次取得する。そして、この全画素座標データＲ２−ｎに基づいて第２ｎ＋２の時点の歪み量を取得する。
【０１３４】
そして、詳細測定座標データＰｍの取得を、たとえば、１週間置きに行い、上記と同様にして、全画素座標データＲｍ−ｎを順次取得する。
【０１３５】
第３の実施形態の歪み量取得方法においては、上記のようにして順次全画素座標データＲｍ−ｎを取得し、その全画素座標データＲｍ−ｎに基づいて歪み量が順次取得される。
【０１３６】
次に、１ヘッド内における描画の歪みと補正方法、画像への影響を示す。
【０１３７】
図１４（ａ）に示すように、光学系などに歪みのない状態であれば、ＤＭＤ３６に入力される画像データは図１４（ｂ）のように特に補正されず、そのまま感光材料１１上に出力されることで図１４（ａ）のように理想的な画像が描画される。
【０１３８】
しかし出射されたビームにより露光処理する際に温度や振動といった要因で変化する描画の歪みを１ヘッド内の画像において生じるような場合には、露光エリア３２に露光された画像９９は（補正しない画像をそのままＤＭＤ３６に入力すれば）図１４（ｃ）のように変形してしまい、このため補正が必要となる。
【０１３９】
そこで上記のようにして取得された歪み量に基づいて、図１４（ｆ）に示すようにＤＭＤ３６に入力される画像データを補正するようにすれば、図１４（ｅ）に示すように最終的に歪みのない正しい画像９９’が得られる。
【０１４０】
次に、上記露光装置１０において、移動ステージ１４を移動走査したときに、走査に付随する位置誤差を補正する方法について説明する。
【０１４１】
この露光装置１０では、移動ステージ１４を移動走査したときに、走査に付随する位置誤差を補正するために、移動ステージ１４の位置を検出する手段が設けられている。
【０１４２】
図１５に示すように、この移動ステージ１４の位置検出手段は、移動ステージ１４の走査方向に沿った一方の側面と、搬送方向後端の側面（スリット板７０を配置した側面）とに対応して配置されている。
【０１４３】
この移動ステージ１４の位置検出手段としては、移動ステージ１４の走査方向に沿った一側面に、レーザビーム反射用のミラー部材１０２が設置され、このミラー部材１０２に対向して所定間隔を開けた２箇所にそれぞれレーザビーム距離測定器１０４、１０６が設置されている。
【０１４４】
これら２個のレーザビーム距離測定器１０４、１０６は、各々が移動ステージ１４の走査方向に直交する方向（図に矢印Ｘで示す方向）についての距離を計測可能に構成されている。
【０１４５】
これと共に、所定間隔を開けて配置された２個のレーザビーム距離測定器１０４、１０６は、それぞれが検出したミラー部材１０２との間の各距離の差から移動ステージ１４の移動走査時に回転したときの回転角度を計測可能に構成されている。
【０１４６】
また、この移動ステージ１４の位置検出手段としては、移動ステージ１４の走査方向に直交する方向に沿った他側面（スリット板７０を配置した側面）の所定箇所に、レーザビーム反射用のミラー部材１０８が設置され、このミラー部材１０８に対向した所定位置にレーザビーム距離測定器１１０が配置されている。
【０１４７】
このように構成した移動ステージ１４の位置検出手段で移動ステージ１４の位置を計測する場合には、例えば露光装置１０のアライメント等の際に、移動ステージ１４を走査方向の最も上流側に移動させた位置から走査方向の最下流側位置に移動させる動作を行いながら、逐次各レーザビーム距離測定器１０４、１０６及びレーザビーム距離測定器１１０で移動ステージ１４の位置を測定して、移動ステージ１４の移動軌跡及び回転変動状態を検出する。
【０１４８】
すなわち、この移動ステージ１４の位置検出手段では、移動ステージ１４の搬送方向への移動位置をレーザビーム距離測定器１１０で検出し、各測定位置において各レーザビーム距離測定器１０４、１０６でそれぞれの位置を検出する動作を行う。
【０１４９】
これによりこの移動ステージ１４の位置検出手段では、検出した距離の計測値のデータ群を演算処理して、移動ステージ１４の走査方向への移動軌跡データと、移動ステージ１４の回転変化の推移データとを求め、この求められた結果を制御ユニット２０のメモリ領域に設定した走査状態テーブルに記憶する。
【０１５０】
上述のようにして制御ユニット２０の走査状態テーブルに記憶された、移動ステージ１４の移動走査に係わるデータは、露光装置１０で感光材料１１上へ走査露光する際に、例えば図１６（Ａ）に示すような移動ステージ１４の蛇行を補正する場合、又は図１６（Ｂ）に示すようなヨーイングも考慮した補正を行う場合に利用することができる。なお、ヨーイングとは、図１６（Ａ）に示すような移動ステージ１４の蛇行に移動ステージ１４の回転が加わったものである。
【０１５１】
このような移動ステージ１４のヨーイングが起こる場合には、移動ステージ１４の回転により、移動ステージ１４に載置した感光材料１１上の各マイクロミラー３７による露光ビーム４８の像の位置が変化するとともに、所定の露光タイミングピッチにおける移動ステージ１４の走査方向への移動距離が変化することになる。すなわち、ヨーイングが生じる場合には、移動ステージ１４が回転することにより局所的速度変動が生じるので、露光ビーム４８の像の位置変動および速度変動情報に応じて露光点データの数を変化させるように補正すればよい。なお、蛇行成分を０として回転成分のみを考慮してもよい。
【０１５２】
そして、この露光装置１０においては、上記のようにして取得した各露光ヘッド２６の各ＤＭＤ３６の全画素座標データと、走査状態テーブルに記憶された移動ステージ１４の走査方向への移動軌跡データおよび移動ステージ１４の回転変化の推移データとに基づいて、露光画像の露光を行う際の露光面上における各マイクロミラー３７の露光点の露光軌跡の情報を取得する。
【０１５３】
そして、図１７に例示する如く、露光画像の形状が所定の形状になるように、上記露光軌跡情報に基づいて各マイクロミラー３７に割り与える露光点データを画像データから取得する。
【０１５４】
そして、上記のようにして取得した露光点データに基づいてＤＭＤ３６により露光を行うことによって、描画の歪み状態や走査時の位置ずれを解消した正しい画像を得る。
【０１５５】
また、上記説明においては、移動ステージ１４の走査方向への移動軌跡データおよび移動ステージ１４の回転変化の推移データに基づいて、各マイクロミラー３７の露光点の露光軌跡の情報を取得するようにしたが、これに限らず、たとえば、感光材料１１の変形の具合に基づいて、実際の露光の際における感光材料１１上の各マイクロミラー３７の露光軌跡情報を取得するようにしてもよい。なお、露光軌跡情報の取得する方法や露光軌跡情報に基づいて各マイクロミラー３７の露光点データを取得する方法については、特開２００６−３０９２００に開示されている。
【０１５６】
［露光装置の動作］
次に、上述のように構成した露光装置１０の動作の概略について説明する。
【０１５７】
この露光装置１０に設けるファイバアレイ光源である光源ユニット１６は、図示しないが、レーザ発光素子の各々から発散光状態で出射した紫外線等のレーザビームをコリメータレンズによって平行光化して集光レンズによって集光し、マルチモード光ファイバのコアの入射端面から入射させて光ファイバ内を伝搬させ、レーザ出射部で１本のレーザビームに合波させてマルチモード光ファイバの出射端部に結合させた光ファイバ２８から出射する。
【０１５８】
この露光装置１０では、露光パターンに応じた画像データが、ＤＭＤ３６に接続された制御ユニット２０に入力され、制御ユニット２０内のメモリに一旦記憶される。この画像データは、画像を構成する各画素の濃度を２値（ドットの記録の有無）で表したデータである。この画像データは、制御ユニット２０がメモリ領域に設定した走査状態テーブルから読み出した各マイクロミラー３７の軌跡データ等に基づいて、各マイクロミラー３７に割り与える画像データを調整する手段等により適切に補正される。
【０１５９】
感光材料１１を表面に吸着した移動ステージ１４は、図示しない駆動装置により、ガイド３０に沿って搬送方向上流側から下流側に一定速度で移動される。移動ステージ１４が
門型フレーム２２の下を通過する際に、門型フレーム２２に取り付けられた位置検出センサ２４により感光材料１１の先端が検出されると、各マイクロミラー３７毎に取得された露光点データに基づいて、各露光ヘッド２６毎の制御信号が生成され、その生成された制御信号に基づいて各露光ヘッド２６毎に空間光変調素子（ＤＭＤ）３６のマイクロミラーの各々をＯＮ／０ＦＦ制御する。
【０１６０】
光源ユニット１６から空間光変調素子（ＤＭＤ）３６にレーザ光が照射されると、ＤＭＤ３６のマイクロミラーがＯＮ状態のときに反射されたレーザ光は、適正に補正された描画のための露光位置に結像される。このようにして、光源ユニット１６から出射されたレーザ光が画素毎にＯＮ／０ＦＦされて、感光材料１１が露光処理される。
【０１６１】
また、感光材料１１が移動ステージ１４と共に一定速度で移動されることにより、感光材料１１が露光ヘッドユニット１８によりステージ移動方向と反対の方向に走査され、各露光ヘッド２６毎に帯状の露光済み領域３４（図２に図示）が形成される。
【０１６２】
露光ヘッドユニット１８による感光材料１１の走査が終了し、位置検出センサ２４で感光材料１１の後端が検出されると、移動ステージ１４は、図示しない駆動装置により、ガイド３０に沿って搬送方向最上流側にある原点に復帰し、再度、ガイド３０に沿って搬送方向上流側から下流側に一定速度で移動される。
【０１６３】
また、本実施の形態に係る露光装置１０では、露光ヘッド２６に用いる空間光変調素子としてＤＭＤを用いたが、例えば、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）タイプの空間光変調素子（ＳＬＭ；Ｓｐｅｃｉａｌ  Ｌｉｇｈｔ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）や、電気光学効果により透過光を変調する光学素子（ＰＬＺＴ素子）や液晶光シャッタ（ＦＬＣ）等、ＭＥＭＳタイプ以外の空間光変調素子をＤＭＤに代えて用いることができる。また、階調を表現できる空間光変調素子を用いても良い。
【０１６４】
なお、ＭＥＭＳとは、ＩＣ製造プロセスを基盤としたマイクロマシニング技術によるマイクロサイズのセンサ、アクチュエータ、そして制御回路を集積化した微細システムの総称であり、ＭＥＭＳタイプの空間光変調素子とは、静電気力を利用した電気機械動作により駆動される空間光変調素子を意味している。
【図面の簡単な説明】
【０１６５】
【図１】本発明の描画装置の一実施形態を用いた露光装置の全体概略斜視図
【図２】露光ヘッドユニットの各露光ヘッドによって感光材料に露光する状態を示す概略斜視図
【図３】１つの露光ヘッドによって感光材料に露光する状態を示す概略斜視図
【図４】露光ヘッドの光学系の概略構成図
【図５】（Ａ）ＤＭＤを傾斜させない場合の各マイクロミラーによる露光ビームの走査軌跡を示す図、（Ｂ）ＤＭＤを傾斜させた場合の露光ビームの走査軌跡を示す図
【図６】ＤＭＤの概略構成を示す図
【図７】ＤＭＤの動作を説明するための図
【図８】一つの露光ヘッドによる露光エリアに対する検出用スリットを示す図
【図９】（Ａ）検出用スリットを利用して点灯している特定画素の位置を検出する状態を示す説明図、（Ｂ）点灯している特定画素をフォトセンサが検知したときの信号を示す図
【図１０】第１間引済マイクロミラー群および第２間引済マイクロミラー群を示す図
【図１１】露光装置における歪み量の取得方法の第１の実施形態を説明するための図
【図１２】露光装置における歪み量の取得方法の第２の実施形態を説明するための図
【図１３】露光装置における歪み量の取得方法の第３の実施形態を説明するための図
【図１４】描画の歪み補正を説明するための図
【図１５】移動ステージの位置検出手段を示す図
【図１６】（Ａ）移動ステージが蛇行する状態を示す図、（Ｂ）移動ステージがヨーイングする状態を示す図
【図１７】露光画像形状が所定形状となるように、各マイクロミラーに割り当てる画像データを調整して露光する状態を示す図
【符号の説明】
【０１６６】
１０  露光装置
１１  感光材料
１２  基台
１４  移動ステージ
１８  露光ヘッドユニット
２０  制御ユニット
２４  位置検出センサ
２６  露光ヘッド
３２  露光エリア
３７  マイクロミラー
４８  露光ビーム
７０  スリット板
７２  フォトセンサ
７４  検出用スリット
７６  リニヤエンコーダ
７８  目盛り板
８０  投光器
８２  受光器
１０２  ミラー部材
１０４  レーザビーム距離測定器
１０６  レーザビーム距離測定器
１０８  ミラー部材
１１０  レーザビーム距離測定器
【図１】
2008233006.tif 000003
【図２】
2008233006.tif 000004
【図３】
2008233006.tif 000005
【図４】
2008233006.tif 000006
【図５】
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【図６】
2008233006.tif 000008
【図７】
2008233006.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2008233006.tif 000012
【図１１】
2008233006.tif 000013
【図１２】
2008233006.tif 000014
【図１３】
2008233006.tif 000015
【図１４】
2008233006.tif 000016
【図１５】
2008233006.tif 000017
【図１６】
2008233006.tif 000018
【図１７】
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