(57)【要約】【課題】パターンの設計データの作成および修正を、半導体装置の製造プロセスやパターン設計プロセス上の要請に沿って効率良く、かつ、均一に行うことができるパターン作成方法を提供する。【解決手段】半導体装置内に形成されるパターンの設計データのうち第１のデザインルール１によるチェックが済んだデータを修正指針５に基づいて修正し、再び第１のデザインルールチェックにかける。ルール１に違反していないデータをパターン作成用設計データとして出力するとともにルール１に違反しているデータをルール１よりも許容範囲の広い第２のデザインルール４によるチェックにかける。ルール４に違反していないデータをパターン作成用設計データとして出力するとともに、ルール４に違反しているデータをルール４を満足するように設計し直すか、ルール４に違反しているデータがルール４を満足するように修正指針５を調整する。【選択図】      図１
2008186076.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置内に形成されるパターンの設計データのうち第１のデザインルールチェックが済んだ設計データを、前記半導体装置の設計上の要請および前記半導体装置の製造プロセス上の要請のうちの少なくとも一方を満たす基準で規定された修正指針に基づいて修正し、
この修正された前記設計データを再び前記第１のデザインルールチェックにかけ、
この再度の前記第１のデザインルールチェックにかけられた前記修正済み設計データのうち前記第１のデザインルールに違反していない前記修正済み設計データを実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして出力するとともに、前記第１のデザインルールに違反している前記修正済み設計データを抽出して前記第１のデザインルールよりも許容範囲の広い第２のデザインルールチェックにかけ、
この第２のデザインルールチェックにかけられた前記修正済み設計データのうち前記第２のデザインルールに違反していない前記修正済み設計データを前記パターン作成用設計データとして出力するとともに、前記第２のデザインルールに違反している前記修正済み設計データを抽出して前記第２のデザインルールを満足するように前記パターンを設計し直すか、あるいは前記第２のデザインルールに違反している前記修正済み設計データが前記第２のデザインルールを満足するように前記修正指針を調整する、
ことを特徴とするパターン作成方法。
【請求項２】
半導体装置内に形成されるパターンの設計データのうち第１のデザインルールチェックが済んだ設計データの中から前記半導体装置の設計上の要請および前記半導体装置の製造プロセス上の要請のうちの少なくとも一方を満たさない箇所の設計データの一部を選択するとともに、この選択された設計データの一部を前記各要請のうちの少なくとも一方を満たす基準で規定された修正指針に基づいて修正し、
この修正された前記設計データを再び前記第１のデザインルールチェックにかけ、
この再度の前記第１のデザインルールチェックにかけられた前記修正済み設計データが前記第１のデザインルールに違反していない場合には前記修正済み設計データを実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして出力するとともに、前記第１のデザインルールに違反している場合には前記第１のデザインルールを逸脱する修正候補パターンを少なくとも１つ発生させ、
この発生させられた前記修正候補パターンに対する前記第１のデザインルールからの逸脱の程度を評価した第３のデザインルールを参照して前記第１のデザインルールからの逸脱の程度が最も小さい前記修正候補パターンを選択するとともに、この選択された前記修正候補パターンの設計データを前記第１のデザインルールよりも許容範囲の広い第２のデザインルールチェックにかけ、
この第２のデザインルールチェックにかけられた前記修正候補パターンの設計データが前記第２のデザインルールに違反していない場合には前記修正候補パターンの設計データに対する前記第２のデザインルールチェックを終了するとともに、前記第２のデザインルールに違反している場合には前記修正候補パターンの設計データを修正不適当パターンの設計データとして前記パターン作成用設計データから除外し、
前記各要請のうちの少なくとも一方を満たさない前記箇所の前記設計データの一部を選択する工程から前記修正候補パターンの前記設計データに対する前記第２のデザインルールチェックを終了する工程または前記修正候補パターンの前記設計データを前記パターン作成用設計データから除外する工程までを、前記箇所の前記設計データのうち選択されていない残りの全ての前記設計データについて繰り返し行う、
ことを特徴とするパターン作成方法。
【請求項３】
半導体装置内に形成されるパターンの設計データについて、前記半導体装置の設計上の要請および前記半導体装置の製造プロセス上の要請のうちの少なくとも一方を満たす基準で規定された修正指針に基づく修正を施す前の設計データと、前記修正指針に基づく修正が施された後の設計データとの差分を抽出し、
この抽出された差分について図形ごとに群分けして少なくとも１つの群領域を作成するとともに、この群領域の中から１つの群領域を選択して前記修正の前後における前記図形を分類し、
この分類された図形群に基づいて前記修正の前後における前記図形同士を対応付けるとともに、この対応付けられた前記修正の前後における前記図形のエッジ部同士を対応付け、
この対応付けられた前記エッジ部同士の前記修正の前後における移動に対して前記修正指針に基づく修正ルールチェックをかけ、
この修正ルールチェックにかけられた前記修正後の前記図形の前記エッジ部の設計データが前記修正ルールに違反していない場合には前記修正後の前記図形の前記エッジ部の前記設計データに対する前記修正ルールチェックを終了するとともに、前記修正ルールに違反している場合には前記修正後の前記図形の前記エッジ部の前記設計データを修正違反パターンの設計データとして実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データから除外し、
前記修正を施す前の前記設計データと前記修正が施された後の前記設計データとの差分を抽出する工程から前記修正後の前記図形の前記エッジ部の前記設計データに対する前記修正ルールチェックを終了する工程または前記修正後の前記図形の前記エッジ部の前記設計データを前記パターン作成用設計データから除外する工程までを、前記半導体装置内に形成される前記パターンの前記設計データのうち残りの前記設計データの全てについて繰り返し行う、
ことを特徴とするパターン検証方法。
【請求項４】
コンピュータに、請求項１に記載のパターン作成方法、請求項２に記載のパターン作成方法、および請求項３に記載のパターン検証方法のうちの少なくとも１つを実行させることを特徴とするパターン作成・検証プログラム。
【請求項５】
請求項１に記載のパターン作成方法、請求項２に記載のパターン作成方法、請求項３に記載のパターン検証方法、および請求項４に記載のパターン作成・検証プログラムのうちの少なくとも１つを用いてパターンが形成された半導体基板を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置のパターンの設計データを取り扱う技術に係り、特にパターンのデータ設計に係る一連の工程を効率良く、かつ、均一に処理するパターン作成方法、パターン検証方法、パターン作成・検証プログラム、およびそれらを用いて半導体装置を効率良く製造する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の微細化や高集積化が著しい。これに伴って、デザインルールを遵守して設計したパターンの設計データにプロセスシミュレーションを実施した結果、光近接効果補正（Optical proximity correction：ＯＰＣ）や超高解像度技術（Resolution Enhanced Technology：ＲＥＴ）処理等を施しているにも拘らず、パターン同士が想定外の箇所で接続されたり、切り離されたり、あるいはパターンのライン幅やスペース幅が規定された条件を満たしていなかったりするなどのプロセス危険箇所が散見されるようになった。これらのプロセス危険箇所について、デザインルール（Design Rule：ＤＲ）、プロセス近接効果補正（Process proximity correction：ＰＰＣ）パラメータ、および半導体製造プロセスパラメータのうちの少なくとも１つを繰り返し最適化することにより、設計パターンやレイアウトの変更指針を作成し、作成された変更指針に基づいて設計パターンやレイアウトの修正を部分的に行う方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
そして、このように設計パターンやレイアウトを部分的に修正した結果が正しいか否かを検証する方法については、既に幾つかの方法がある。例えば、デザインルールを満たしているか否かについては、デザインルールチェック（Design Rule Check：ＤＲＣ）を行うことにより自動的に検証することができる。また、プロセス上予測される危険箇所が無くなっているか否かについては、プロセスシミュレータなどを用いたプロセスルールチェック（Process Rule Check：ＰＲＣ）により自動的に検証することができる。
【０００４】
しかしながら、たとえこれらの検証方法を用いても、入力した設計データに関しては、修正指針に基づいて正しく修正されたか否かを検証することはできない。すなわち、デザインルールチェックやプロセスルールチェックなどを行った結果、これらについて違反が無く、かつ、修正結果がデザインルールを満たし、さらに予測されるプロセス危険箇所が無くなっていたとしても、設計者が意図するパターンやレイアウトに比べて不必要に大きな修正量で修正されてしまっているおそれなどは検出することができない。また、前述した修正方法では設計ターゲット自体を修正してしまうため、一般的な検証で行う「ターゲットとの比較」による検証を行うことができず、修正の正しさを示すことが困難である。
【０００５】
また、歩留まり向上などの要請により、プロセス上の危険を回避することを優先してデザインルールを一部凌駕してパターンやレイアウトを修正するケースも発生し得る。このような場合、部分的にデザインルール違反を含む修正指針に基づいてパターンやレイアウトを修正した結果、想定外の修正を施した箇所や致命的な修正を施した箇所については、プロセスルールチェックで検出されなければ、それらの修正箇所を検出することはできない。
【０００６】
このように、今までの技術では、パターン設計プロセスの初期に入力されるパターンの設計データや設計レイアウトに想定外の修正を施した場合には、それらの修正箇所を自動的に検出することはできない。このため、修正箇所を一点一点目視で検証する工程が必要であり、パターン設計プロセスに多大な時間とコストが掛かっていた。その上、擬似エラーか、あるいは真性エラーかの判断の基準が検証者に依存することになるので、均一な品質のマスクデータを作成することが困難であった。
【特許文献１】特開２００５−１８１５２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明においては、パターンの設計データの作成および修正を、半導体装置の製造プロセスやパターン設計プロセス上の要請に沿って効率良く、かつ、均一に行うことができるパターン作成方法を提供する。また、このパターン作成方法により作成および修正されたパターンの正しさを効率良く、かつ、均一に検証することができるパターン検証方法を提供する。また、これらのパターン作成方法およびパターン検証方法をコンピュータに実行させることができるパターン作成・検証プログラムを提供する。さらに、これらのパターン作成方法、パターン検証方法、およびプログラムのうちの少なくとも一つを用いてパターンが高い精度で形成された半導体装置を効率良く製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係るパターン作成方法は、半導体装置内に形成されるパターンの設計データのうち第１のデザインルールチェックが済んだ設計データを、前記半導体装置の設計上の要請および前記半導体装置の製造プロセス上の要請のうちの少なくとも一方を満たす基準で規定された修正指針に基づいて修正し、この修正された前記設計データを再び前記第１のデザインルールチェックにかけ、この再度の前記第１のデザインルールチェックにかけられた前記修正済み設計データのうち前記第１のデザインルールに違反していない前記修正済み設計データを実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして出力するとともに、前記第１のデザインルールに違反している前記修正済み設計データを抽出して前記第１のデザインルールよりも許容範囲の広い第２のデザインルールチェックにかけ、この第２のデザインルールチェックにかけられた前記修正済み設計データのうち前記第２のデザインルールに違反していない前記修正済み設計データを前記パターン作成用設計データとして出力するとともに、前記第２のデザインルールに違反している前記修正済み設計データを抽出して前記第２のデザインルールを満足するように前記パターンを設計し直すか、あるいは前記第２のデザインルールに違反している前記修正済み設計データが前記第２のデザインルールを満足するように前記修正指針を調整する、ことを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の他の態様に係るパターン作成方法は、半導体装置内に形成されるパターンの設計データのうち第１のデザインルールチェックが済んだ設計データの中から前記半導体装置の設計上の要請および前記半導体装置の製造プロセス上の要請のうちの少なくとも一方を満たさない箇所の設計データの一部を選択するとともに、この選択された設計データの一部を前記各要請のうちの少なくとも一方を満たす基準で規定された修正指針に基づいて修正し、この修正された前記設計データを再び前記第１のデザインルールチェックにかけ、この再度の前記第１のデザインルールチェックにかけられた前記修正済み設計データが前記第１のデザインルールに違反していない場合には前記修正済み設計データを実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして出力するとともに、前記第１のデザインルールに違反している場合には前記第１のデザインルールを逸脱する修正候補パターンを少なくとも１つ発生させ、この発生させられた前記修正候補パターンに対する前記第１のデザインルールからの逸脱の程度を評価した第３のデザインルールを参照して前記第１のデザインルールからの逸脱の程度が最も小さい前記修正候補パターンを選択するとともに、この選択された前記修正候補パターンの設計データを前記第１のデザインルールよりも許容範囲の広い第２のデザインルールチェックにかけ、この第２のデザインルールチェックにかけられた前記修正候補パターンの設計データが前記第２のデザインルールに違反していない場合には前記修正候補パターンの設計データに対する前記第２のデザインルールチェックを終了するとともに、前記第２のデザインルールに違反している場合には前記修正候補パターンの設計データを修正不適当パターンの設計データとして前記パターン作成用設計データから除外し、前記各要請のうちの少なくとも一方を満たさない前記箇所の前記設計データの一部を選択する工程から前記修正候補パターンの前記設計データに対する前記第２のデザインルールチェックを終了する工程または前記修正候補パターンの前記設計データを前記パターン作成用設計データから除外する工程までを、前記箇所の前記設計データのうち選択されていない残りの全ての前記設計データについて繰り返し行う、ことを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明のまた他の態様に係るパターン検証方法は、半導体装置内に形成されるパターンの設計データについて、前記半導体装置の設計上の要請および前記半導体装置の製造プロセス上の要請のうちの少なくとも一方を満たす基準で規定された修正指針に基づく修正を施す前の設計データと、前記修正指針に基づく修正が施された後の設計データとの差分を抽出し、この抽出された差分について図形ごとに群分けして少なくとも１つの群領域を作成するとともに、この群領域の中から１つの群領域を選択して前記修正の前後における前記図形を分類し、この分類された図形群に基づいて前記修正の前後における前記図形同士を対応付けるとともに、この対応付けられた前記修正の前後における前記図形のエッジ部同士を対応付け、この対応付けられた前記エッジ部同士の前記修正の前後における移動に対して前記修正指針に基づく修正ルールチェックをかけ、この修正ルールチェックにかけられた前記修正後の前記図形の前記エッジ部の設計データが前記修正ルールに違反していない場合には前記修正後の前記図形の前記エッジ部の前記設計データに対する前記修正ルールチェックを終了するとともに、前記修正ルールに違反している場合には前記修正後の前記図形の前記エッジ部の前記設計データを修正違反パターンの設計データとして実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データから除外し、前記修正を施す前の前記設計データと前記修正が施された後の前記設計データとの差分を抽出する工程から前記修正後の前記図形の前記エッジ部の前記設計データに対する前記修正ルールチェックを終了する工程または前記修正後の前記図形の前記エッジ部の前記設計データを前記パターン作成用設計データから除外する工程までを、前記半導体装置内に形成される前記パターンの前記設計データのうち残りの前記設計データの全てについて繰り返し行う、ことを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明のまた他の態様に係るパターン作成・検証プログラムは、コンピュータに、本発明に係るパターン作成方法およびパターン検証方法のうちの少なくとも１つを実行させることを特徴とするものである。
【００１２】
さらに、本発明のさらに他の態様に係る半導体装置の製造方法は、本発明に係るパターン作成方法、パターン検証方法、およびパターン作成・検証プログラムのうちの少なくとも１つを用いてパターンが形成された半導体基板を用いることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様に係るパターン作成方法によれば、パターンの設計データの作成および修正を、半導体装置の製造プロセスやパターン設計プロセス上の要請に沿って効率良く、かつ、均一に行うことができる。
【００１４】
また、本発明の他の態様に係るパターン検証方法によれば、本発明に係るパターン作成方法により作成および修正されたパターンの正しさを効率良く、かつ、均一に検証することができる。
【００１５】
また、本発明のまた他の態様に係るパターン作成・検証プログラムによれば、本発明に係るパターン作成方法およびパターン検証方法のうちの少なくとも１つをコンピュータに実行させることができる。
【００１６】
さらに、本発明のさらに他の態様に係る半導体装置の製造方法によれば、本発明に係るパターン作成方法、パターン検証方法、およびパターン作成・検証プログラムのうちの少なくとも一つを用いてパターンが高い精度で形成された半導体装置を効率良く製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明に係る各実施形態を図面を参照しつつ説明する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
先ず、本発明に係る第１実施形態について図１および図２を参照しつつ説明する。本実施形態においては、半導体装置内に形成されるパターンを実際に形成するのに先立ってパターンのプロセス危険箇所を自動修正する際に、デザインルールの一部を凌駕して修正した箇所の設計データの正しさを人手に頼ることなく自動的にチェックすることにより、当該修正箇所を効率的にチェックすることができる技術について説明する。それとともに、デザインルールの一部を凌駕するような修正を含む適正なパターンの設計データを容易に作成することができる技術についても説明する。以下、具体的かつ詳細に説明する。
【００１９】
先ず、図１に示す本実施形態に係る危険箇所修正フローを参照しつつ、本実施形態に係るパターン作成方法について説明する。
【００２０】
先ず、図１に示すように、本実施形態に係るパターン作成方法を実行するのに先立って、図示しない半導体装置内に形成されるパターンの設計データの正しさを確かめるための第１のデザインルール（Design Rule：ＤＲ）としての初期のデザインルール１を本実施形態に係る第１の設計データ自動修正ツール２に入力する。この第１の設計データ自動修正ツール２は、後述するステップ１（Ｓ１）〜ステップ８（Ｓ８）に係る各処理を実行する。
【００２１】
また、初期のデザインルール１を第１の設計データ自動修正ツール２に入力するのに併せて、前記設計データのうち初期のデザインルール１による１回目のデザインルールチェック（Design Rule Check：ＤＲＣ）が済んだエラー除去済みの設計データ３も第１の設計データ自動修正ツール２に入力する。それとともに、初期のデザインルール１よりも許容範囲の広い第２のデザインルールとしての次善策デザインルール４も、併せて第１の設計データ自動修正ツール２に入力する。この次善策デザインルール４においては、初期のデザインルール１において余裕を持って見込んでいるプロセスマージンが、最新プロセスにおける余裕分を極力省いた最低限の量に設定されているものとする。さらには、半導体装置の設計上の要請および半導体装置の製造プロセス上の要請のうちの少なくとも一方の要請を満たす基準で規定された修正指針５も、併せて第１の設計データ自動修正ツール２に入力する。この後、第１の設計データ自動修正ツール２を用いて本実施形態に係るパターン作成方法を実行する。
【００２２】
先ず、第１の設計データ自動修正ツール２に入力されたエラー除去済みの設計データ３を修正指針５に基づいて自動修正する。これをステップ１（Ｓ１）とする。
【００２３】
次に、ステップ１において修正が施された設計データを再び初期のデザインルール１によるチェックにかける。これをステップ２（Ｓ２）とする。
【００２４】
なお、この初期のデザインルール１では、例えば第１および第２の２つのルールを規定する。具体的には、第１のルールとしては、図示しない配線パターンの太さまたは幅を１００ｎｍ以上と規定する。それとともに、図示しない配線パターン同士の間隔である配線スペースパターンを１００ｎｍ以上と規定する。また、第２のルールとしては、図示しないコンタクトパターンのＸ方向またはＹ方向に沿った両側フリンジの大きさを２０ｎｍ以上と規定する。すなわち、コンタクトパターンの左右方向または上下方向に沿った両側のフリンジの大きさを２０ｎｍ以上と規定する。
【００２５】
次に、ステップ２において２回目の初期のデザインルールチェックにかけられた修正済み設計データが初期のデザインルール１を満足しているか否かについて判定する。これをステップ３（Ｓ３）とする。
【００２６】
そして、ステップ３において修正済み設計データの中に初期のデザインルール１に違反していないと判定された箇所が見つかった場合には、その違反していない箇所の修正済み設計データを実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして出力する。これをステップ４（Ｓ４）とする。
【００２７】
これに対して、ステップ３において修正済み設計データの中に初期のデザインルール１に違反していると判定された箇所が見つかった場合には、その違反している箇所の修正済み設計データを抽出する。これをステップ５（Ｓ５）とする。
【００２８】
次に、ステップ５において抽出された初期のデザインルール１に違反している箇所の修正済み設計データを次善策デザインルール４によるチェックにかける。これをステップ６（Ｓ６）とする。
【００２９】
なお、この次善策デザインルール４では、例えば第３および第４の２つのルールを規定する。これら第３および第４の各ルールは、前述したように、初期のデザインルール１において規定された第１および第２の各ルールよりも許容範囲が広く設定されている。具体的には、前記第１のルールに対応する第３のルールとしては、図示しない配線パターンの太さまたは幅を９０ｎｍ以上と規定する。それとともに、図示しない配線パターン同士の間隔である配線スペースパターンを１００ｎｍ以上と規定する。また、前記第２のルールに対応する第４のルールとしては、図示しないコンタクトパターンのＸ方向またはＹ方向に沿った片側のフリンジの大きさを２０ｎｍ以上と規定する。すなわち、コンタクトパターンの左右方向または上下方向に沿った片側のフリンジの大きさを２０ｎｍ以上と規定する。
【００３０】
次に、ステップ６において次善策デザインルールチェックにかけられた修正済み設計データが次善策デザインルール４を満足しているか否かについて判定する。これをステップ７（Ｓ７）とする。
【００３１】
そして、ステップ７において修正済み設計データの中に次善策デザインルール４に違反していないと判定された箇所が見つかった場合には、前述したステップ４に進んでその違反していない箇所の修正済み設計データを実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして出力する。この際、次善策デザインルール４を満たす修正済み設計データには、修正したパターンの座標、違反しているデザインルールの内容、および適用した次善策デザインルール４を添付する。
【００３２】
これに対して、ステップ７において修正済み設計データの中に次善策デザインルール４に違反していると判定された箇所が見つかった場合には、その違反している箇所の修正済み設計データを抽出してその箇所のパターンを次善策デザインルール４を満足するように再設計する。あるいは、次善策デザインルール４に違反している箇所の修正済み設計データが次善策デザインルール４を満足するように修正指針５を再調整する。これをステップ８（Ｓ８）とする。
【００３３】
この後、図示を伴う具体的かつ詳細な説明は省略するが、ステップ４において出力された初期のデザインルール１に違反していない修正済み設計データ、ステップ７において出力された次善策デザインルール４に違反していない修正済み設計データ、およびステップ８において次善策デザインルール４を満足するように再設計された修正済み設計データを、所定の後工程に向けて出荷する。例えば、それら各修正済み設計データは、実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして図示しないマスクパターン作成ラインに向けて送り出される。
【００３４】
以上で、本実施形態に係るパターン作成方法を終了とする。なお、このパターン作成方法は、半導体集積回路の設計パターンを作成するための半導体集積回路の設計レイアウト作成方法とも称することができる。
【００３５】
次に、図２を参照しつつ、本実施形態に係るパターン作成装置６の構成について説明する。このパターン作成装置６は、具体的には前述した本実施形態に係るパターン作成方法を実行するための装置である。
【００３６】
図２に示すように、パターン作成装置６は、コンピュータ（ＣＰＵ）としての装置本体部７およびその周辺機器から構成されている。装置本体部７には、周辺機器としての表示装置８、入力装置９、主記憶装置１０、および入出力部としてのネットワークインターフェース１１が接続されている。主記憶装置１０には、前述した第１の設計データ自動修正ツール２や、本実施形態に係るパターン作成・検証プログラムが入力装置９やネットワークＩ／Ｆ１１を介して格納される。また、装置本体部７には、同じく周辺機器として、第１のデザインルールデータベースとしての初期デザインルールデータベース１２、第２のデザインルールデータベースとしての次善策デザインルールデータベース１３、修正指針データベース１４、図形データ記憶装置１５、および解析結果記憶装置１６が接続されている。初期デザインルールデータベース１２には、前述した初期のデザインルール１がデータとして格納される。同様に、次善策デザインルールデータベース１３には、前述した次善策デザインルール４がデータとして格納される。同様に、修正指針データベース１４には、前述した修正指針５がデータとして格納される。
【００３７】
また、図２に示すように、装置本体部７の内部には、図形格納部１７、図形演算部１８、第１図形解析部１９、第２図形解析部２０、修正結果判定部２１、および修正結果格納部２２が設けられている。第１図形解析部１９の内部には、さらに第１デザインルールチェック部１９ａおよび第１解析結果抽出部１９ｂが設けられている。同様に、第２図形解析部２０の内部にも、第２デザインルールチェック部２０ａおよび第２解析結果抽出部２０ｂが設けられている。
【００３８】
次に、本実施形態に係るパターン作成・検証プログラムについて説明する。このパターン作成・検証プログラムは、具体的には、前述した本実施形態に係るパターン作成方法を実現するためのプログラムである。より具体的には、このパターン作成・検証プログラムは、パターン作成装置６を作動させてその機能を発揮させることにより、本実施形態に係るパターン作成方法をパターン作成装置６に実行させるものである。
【００３９】
先ず、パターン作成装置６を用いて本実施形態に係るパターン作成方法を実行するのに先立って、本実施形態に係るパターン作成・検証プログラムおよび前述した第１の設計データ自動修正ツール２を予め装置本体部７に読み込ませる。第１の設計データ自動修正ツール２は、実質的に本実施形態に係るパターン作成・検証プログラムの一部を構成するか、もしくは本実施形態に係るパターン作成・検証プログラムと一体となってパターン作成装置６を作動させるプログラムである。これらパターン作成・検証プログラムおよび第１の設計データ自動修正ツール２は、通常、例えば磁気ディスクや光ディスク、あるいは半導体メモリ等の記録媒体２３に記録されている。したがって、記録媒体２３を入力装置９にかけることにより、記録媒体２３に記録されているパターン作成・検証プログラムおよび第１の設計データ自動修正ツール２を装置本体部７に一旦読み取らせる。この後、装置本体部７に読み取られたパターン作成・検証プログラムおよび第１の設計データ自動修正ツール２を、例えばハードディスクなどからなる主記憶装置１０に記憶させる。
【００４０】
次に、主記憶装置１０に保存されたパターン作成・検証プログラムおよび第１の設計データ自動修正ツール２を、装置本体部７内の図示しないキャッシュメモリ等の補助記憶部に読み込む。
【００４１】
次に、初期デザインルールデータベース１２に保存されている初期のデザインルール１を初期デザインルールデータベース１２から読み出して、装置本体部７内に記憶されている第１の設計データ自動修正ツール２に入力する。同様に、次善策デザインルールデータベース１３に保存されている次善策デザインルール４を次善策デザインルールデータベース１３から読み出して、装置本体部７内に記憶されている第１の設計データ自動修正ツール２に入力する。また同様に、修正指針データベース１４に保存されている修正指針５を修正指針データベース１４から読み出して、装置本体部７内に記憶されている第１の設計データ自動修正ツール２に入力する。
【００４２】
また、これらの入力に併せて、初期のデザインルール１に基づく１回目のデザインルールチェックが済んだエラー除去済みの設計データ３も、装置本体部７内に記憶されている第１の設計データ自動修正ツール２に入力する。このエラー除去済みの設計データ３の第１の設計データ自動修正ツール２への入力は、パターン作成・検証プログラムおよび第１の設計データ自動修正ツール２を装置本体部７に読み込ませた場合と同様の方法で行えばよい。すなわち、エラー除去済みの設計データ３が予め記録された図示しない所定の記録媒体を入力装置９にかけて装置本体部７に読み込ませることにより、装置本体部７内に記憶されている第１の設計データ自動修正ツール２にエラー除去済みの設計データ３を入力する。ハードウェア的には、エラー除去済みの設計データ３は図形格納部１７に格納される。
【００４３】
この後、本実施形態のパターン作成・検証プログラムを起動させて装置本体部７等を作動させることにより、前述したステップ１（Ｓ１）〜ステップ８（Ｓ８）をパターン作成装置６に実行させる。より具体的には、本実施形態のパターン作成方法の主要な工程は、後述するように本実施形態のパターン作成・検証プログラムによって作動するパターン作成装置６が発揮する機能のうち第１の設計データ自動修正ツール２によって制御される機能により実現される。
【００４４】
先ず、第１の設計データ自動修正ツール２に入力されたエラー除去済みの設計データ３を修正指針５に基づいて自動修正する、ステップ１（Ｓ１）を装置本体部７に実行させる。具体的には、先ず、図形演算部１８が図形格納部１７に格納されたエラー除去済みの設計データ３を読み出す。続けて、図形演算部１８は、読み出したエラー除去済みの設計データ３に対して修正指針５に基づいて所定の修正を施す。そして、この修正結果は修正結果格納部２２に格納される。
【００４５】
次に、ステップ１において修正が施された設計データを再び初期のデザインルール１に基づいてチェックする、ステップ２（Ｓ２）を装置本体部７に実行させる。なお、この２回目の初期デザインルールチェックにおいてチェックの基準となるパターンやレイアウトの第１の図形データは、図形データ記憶装置１５に記憶されている。このため、このステップ２を行うに際しては、先ず、第１図形解析部１９内の第１デザインルールチェック部１９ａが、第１の基準図形データを図形データ記憶装置１５から読み出す。それとともに、第１デザインルールチェック部１９ａは、修正指針５に基づく修正が施されたエラー除去済みの設計データ３を修正結果格納部２２から読み出す。この後、第１デザインルールチェック部１９ａは、修正指針５に基づく修正が施されたエラー除去済みの設計データ３を、第１の基準図形データと比較しつつ初期のデザインルール１に基づいてチェックする。
【００４６】
次に、ステップ２において２回目の初期のデザインルールチェックにかけられた修正済み設計データが初期のデザインルール１を満足しているか否かについて判定する、ステップ３（Ｓ３）を装置本体部７に実行させる。このステップ３も、具体的には第１デザインルールチェック部１９ａが行う。ただし、修正結果判定部２１にこのステップ３を行わせる設定としてもよい。
【００４７】
そして、ステップ３において修正済み設計データの中に初期のデザインルール１に違反していないと第１デザインルールチェック部１９ａが判定した箇所が見つかった場合には、その違反していない箇所の修正済み設計データを実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして出力する、ステップ４（Ｓ４）を第１図形解析部１９に実行させる。具体的には、初期のデザインルール１に違反していない箇所の修正済み設計データを、第１図形解析部１９が図形格納部１７から修正結果格納部２２に一旦移動させて格納する。
【００４８】
これに対して、ステップ３において修正済み設計データの中に初期のデザインルール１に違反していると第１デザインルールチェック部１９ａが判定した箇所が見つかった場合には、その違反している箇所の修正済み設計データを抽出する、ステップ５（Ｓ５）を第１図形解析部１９に実行させる。具体的には、初期のデザインルール１に違反している箇所の修正済み設計データを、第１図形解析部１９内の第１解析結果抽出部１９ｂが抽出して一旦保持する。
【００４９】
次に、ステップ５において抽出された初期のデザインルール１に違反している箇所の修正済み設計データを次善策デザインルール４によるチェックにかける、ステップ６（Ｓ６）を装置本体部７に実行させる。このステップ６は、具体的には第２図形解析部２０が行う。この第２図形解析部２０は、前述したように第２デザインルールチェック部２０ａおよび第２解析結果抽出部２０ｂを有しており、第１図形解析部１９と同様の内部構造からなる。また、この次善策デザインルールチェックにおいてチェックの基準となるパターンやレイアウトの第２の図形データは、前述した初期デザインルールチェックにおいて用いる第１の図形データと同様に、図形データ記憶装置１５に記憶されている。
【００５０】
このため、このステップ６を行うに際しては、先ず、第２図形解析部２０内の第２デザインルールチェック部２０ａが、第２の基準図形データを図形データ記憶装置１５から読み出す。それとともに、第２デザインルールチェック部２０ａは、ステップ５において抽出された初期のデザインルール１に違反している箇所の修正済み設計データを第１図形解析部１９内の第１解析結果抽出部１９ｂから受け取る。この後、第２デザインルールチェック部２０ａは、初期のデザインルール１に違反している箇所の修正済み設計データを、第２の基準図形データと比較しつつ次善策デザインルール４に基づいてチェックする。
【００５１】
次に、ステップ６において次善策デザインルールチェックにかけられた修正済み設計データが次善策デザインルール４を満足しているか否かについて判定する、ステップ７（Ｓ７）を装置本体部７に実行させる。このステップ７は、具体的には第２デザインルールチェック部２０ａが行う。ただし、修正結果判定部２１にこのステップ７を行わせる設定としてもよい。
【００５２】
そして、ステップ７において修正済み設計データの中に次善策デザインルール４に違反していないと第２デザインルールチェック部２０ａが判定した箇所が見つかった場合には、第２図形解析部２０に前述したステップ４を実行させる。すなわち、第２図形解析部２０が、違反していない箇所の修正済み設計データを実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして出力する。具体的には、次善策デザインルール４に違反していない箇所の修正済み設計データを、第２図形解析部２０がその内部の第２デザインルールチェック部２０ａから修正結果格納部２２に一旦移動させて格納する。
【００５３】
これに対して、ステップ７において修正済み設計データの中に次善策デザインルール４に違反していると第２デザインルールチェック部２０ａが判定した箇所が見つかった場合には、図形演算部１８にステップ８（Ｓ８）を実行させる。具体的には、先ず、第２図形解析部２０内の第２解析結果抽出部２０ｂが、違反している箇所の修正済み設計データを第２デザインルールチェック部２０ａから抽出する。続けて、この第２デザインルールチェック部２０ａから抽出した修正済み設計データを第２解析結果抽出部２０ｂが図形演算部１８に送る。この後、図形演算部１８は、第２解析結果抽出部２０ｂから送られて来た修正済み設計データに相当する箇所のパターンを、次善策デザインルール４を満足するように再設計する。あるいは、次善策デザインルール４に違反している箇所の修正済み設計データが次善策デザインルール４を満足するように、図形演算部１８が修正指針５を再調整する。
【００５４】
この後、図示を伴う具体的かつ詳細な説明は省略するが、ステップ４において修正結果格納部２２に格納された初期のデザインルール１に違反していない修正済み設計データ、ステップ７において修正結果格納部２２に格納された次善策デザインルール４に違反していない修正済み設計データ、およびステップ８において次善策デザインルール４を満足するように再設計された修正済み設計データを、所定の後工程に向けて出荷する作業を装置本体部７に実行させる。例えば、装置本体部７は、修正結果格納部２２に格納されたそれら各修正済み設計データを、実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとしてネットワークインターフェース１１を介して図示しないマスクパターン作成ラインに向けて送り出す。
【００５５】
以上で、本実施形態に係るパターン作成・検証プログラム、このプログラムにより実行されるパターン作成装置６のパターン作成・検証機能、および本実施形態に係るパターン作成・検証プログラムにより作動されるパターン作成装置６を用いて実現されるパターン作成方法を終了とする。
【００５６】
以上説明したように、この第１実施形態によれば、半導体装置内の配線パターンや素子のレイアウトなどに関する設計データに対して、人手を介することなく設計上の要請あるいは製造プロセス上の要請に沿って自動的に修正を施して、適正な設計データを効率的に作成することができる。特に、半導体装置の製造工程におけるプロセスマージンが少ない箇所の配線パターンや素子のレイアウトの設計データに対して、設計上の要請あるいは製造プロセス上の要請を満たすように自動修正を施して、適正な設計データを効率的に作成することができる。これにより、設計上の要請あるいは製造プロセス上の要請を満たす適正な修正を施した設計データを作成するためのターン・アラウンド・タイム（Turn Around Time：ＴＡＴ）を短縮することができるとともに、そのような修正済み設計データを作成する際に掛かるコストを削減することができる。
【００５７】
また、この第１実施形態においては、より厳しい基準で設定された初期のデザインルール１およびこの初期のデザインルール１よりも緩い基準で設定された次善策デザインルール４の２種類のデザインルールを用意する。そして、修正済みの設計データが初期のデザインルール１を満たさない場合でも、次善策デザインルール４を満たせばよい設定とする。これにより、修正済み設計データの作成工程における歩留まりの大きな低下を回避して、その歩留まりを向上させることができる。
【００５８】
これに対して、従来の技術において、自動修正前の設計データにはデザインルールチェックの結果では違反箇所が無かったが、実際にパターン作成を行う前のプロセスシミュレーションによりショートエラーの危険箇所があると予測されたとする。そして、修正が必要とされているそのような危険箇所を修正指針に基づいて自動修正したにも拘わらず、デザインルールで設定されている配線の太さ約１００ｎｍを割り込む箇所が発生したとする。それとともに、コンタクトと配線とのフリンジの両側の余白を約２０ｎｍとする設定も満たしていなかったとする。このような設計データは通常のデザインルールに違反しているため、このままでは出荷することができない。このような場合、従来は設計技術者、プロセス技術者、あるいはデバイス技術者などが修正箇所を目視で検証した上でサイン・オフした後、設計データを出荷していた。しかし、このような方法では、修正の良、不良について人間の主観的な判定が加わるので判定基準が一定しない上、人手による手作業を要するために検証に多大な時間を費やすこととなる。
【００５９】
すなわち、従来の技術では、設計上の要請あるいは製造プロセス上の要請を満たす適正な修正を施した設計データを作成するためのターン・アラウンド・タイムを短縮したり、あるいはそのような修正済み設計データの作成に掛かるコストを削減したりすることが、実質的に殆ど不可能である。また、従来の技術では、修正の良、不良についての判定基準が人間の主観的な判定に委ねられて不安定であるため、修正済み設計データの作成工程における歩留まりの変動は避けられない。したがって、従来の技術では、修正済み設計データの作成工程において歩留まりを常に向上させることは、実質的に殆ど不可能である。
【００６０】
これに対して、本実施形態では、前述したようにパターン作成・検証プログラムによってパターン作成装置６を作動させて、人手を介さないパターン作成・検証工程をコンピュータに実行させることができる。これにより、パターンやレイアウトの設計データの作成、修正、検証などを、半導体装置の製造プロセスやパターン設計プロセス上の要請に沿って効率良く、かつ、均一に行うことができる。
【００６１】
なお、パターン作成・検証プログラムおよび第１の設計データ自動修正ツール２は、必ずしも記録媒体２３に記録されている必要は無い。パターン作成・検証プログラムおよび第１の設計データ自動修正ツール２は、図２に示すように、ＬＡＮやインターネット等の電気通信回線２４を介してパターン作成装置６に接続されている外部の各種コンピュータ２５や記憶装置２５等に保存されていても構わない。例えば、パターン作成・検証プログラムおよび第１の設計データ自動修正ツール２は、一連の半導体装置の製造プロセス全体を管理するホストコンピュータ等のパターン作成装置６よりも上位のコンピュータ２５やサーバー２５等に保存されていても構わない。この場合には、パターン作成・検証プログラムおよび第１の設計データ自動修正ツール２は、電気通信回線２４およびネットワークインターフェース１１を介して外部コンピュータ２５や外部記憶装置２５から装置本体部７に一旦読み取らせた後、主記憶装置１０に記憶させればよい。また、電気通信回線２４は、有線あるいは無線の別を問わない。
【００６２】
同様に、エラー除去済みの設計データ３も、電気通信回線２４およびネットワークインターフェース１１を介して装置本体部７に読み込ませても構わない。このような方法によっても、エラー除去済みの設計データ３を図形格納部１７に格納したり、あるいは装置本体部７内に記憶されている第１の設計データ自動修正ツール２に入力したりすることができる。
【００６３】
また、前述した第１および第２の各図形解析部１９，２０による解析結果は、随時、解析結果記憶装置１６に格納される。具体的には、前述したステップ２，４，５，６の結果は、随時、解析結果記憶装置１６に格納される。
【００６４】
さらに、前述したステップ１〜ステップ８までの各工程は、表示装置８によりリアルタイムで、随時、確認することができる。
【００６５】
（第２の実施の形態）
次に、本発明に係る第２実施形態について図３〜図５を参照しつつ説明する。なお、前述した第１実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。
【００６６】
本実施形態においては、第１実施形態で用いた第１および第２の２つのデザインルールに加えて、さらに第３のデザインルールを用いる。以下、具体的かつ詳細に説明する。
【００６７】
先ず、図３に示す危険箇所修正フローを参照しつつ、本実施形態に係るパターン作成方法について説明する。本実施形態に係るパターン作成方法は、デザインルールをその必要性に応じて遵守して危険箇所を修正することを特徴とする。
【００６８】
先ず、図３に示すように、本実施形態に係るパターン作成方法を実行するのに先立って、初期のデザインルール１、この初期のデザインルール１による１回目のデザインルールチェックが済んだエラー除去済みの設計データ３、次善策デザインルール４、および修正指針５を、本実施形態に係る第２の設計データ自動修正ツール３１に入力する。この第２の設計データ自動修正ツール３１は、後述するステップ１１（Ｓ１１）〜ステップ１８（Ｓ１８）および第１実施形態において説明したステップ４（Ｓ４）に係る各処理を実行する。ここまでは、前述した第１実施形態と略同様である。本実施形態においては、初期のデザインルール１および次善策デザインルール４に加えて、これら各デザインルール１，４とは異なる第３のデザインルール３２をさらに第２の設計データ自動修正ツール３１に入力する。この後、第２の設計データ自動修正ツール３１を用いて本実施形態に係るパターン作成方法を実行する。
【００６９】
本実施形態においては、後述するように、第２の設計データ自動修正ツール３１に入力されたエラー除去済みの設計データ３が２回目の初期のデザインルールチェックに違反している場合には、初期のデザインルール１を逸脱する図示しない修正候補パターンを少なくとも１つ発生させる。そして、この発生させられた修正候補パターンに対する初期のデザインルール１からの逸脱の程度を評価した第３のデザインルールとしての評価点付きデザインルール３２を参照して、初期のデザインルール１からの逸脱の程度が最も小さい修正候補パターンを選択する。
【００７０】
先ず、第２の設計データ自動修正ツール３１に入力された全てのエラー除去済みの設計データ３について、後述するステップ１２（Ｓ１２）〜ステップ１７（Ｓ１７）ないしはステップ１８（Ｓ１８）の各処理が済んだか否かについて判定する。これをステップ１１（Ｓ１１）とする。当然のことながら、１回目のステップ１１においてはステップ１２〜ステップ１８の各処理は１回も済んでいない。したがって、少なくとも１回目のステップ１１においては、ステップ１２〜ステップ１８の各処理が済んだか否かについての判定を行う必要はない。この場合、１回目のステップ１１は実質的に実行せずに、直ちに次のステップ１２に進めばよい。
【００７１】
次に、第２の設計データ自動修正ツール３１に入力されたエラー除去済みの設計データ３の中から修正すべき危険箇所の設計データを一点選択する。具体的には、１回目の初期のデザインルールチェックが済んだエラー除去済みの設計データ３の中から半導体装置の設計上の要請および半導体装置の製造プロセス上の要請のうちの少なくとも一方を満たさない箇所の設計データの一部を選択する。これをステップ１２（Ｓ１２）とする。
【００７２】
次に、ステップ１２において選択された設計データを修正指針５に基づいて自動修正する。これをステップ１３（Ｓ１３）とする。
【００７３】
次に、ステップ１３において修正が施された設計データを再び初期のデザインルール１によるチェックにかける。そして、この２回目の初期のデザインルールチェックにかけられた修正済み設計データが初期のデザインルール１を満足しているか否かについて判定する。これをステップ１４（Ｓ１４）とする。
【００７４】
そして、ステップ１４において２回目の初期のデザインルールチェックにかけられた修正済み設計データが初期のデザインルール１に違反していないと判定された場合には、前述した第１実施形態と同様にステップ４に進む。すなわち、その初期のデザインルール１に違反していないと判定された修正済み設計データを、実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして出力する。
【００７５】
これに対して、ステップ１４において２回目の初期のデザインルールチェックにかけられた修正済み設計データが初期のデザインルール１に違反していると判定された場合には、その初期のデザインルール１に違反していると判定された修正済み設計データに代わる新たな設計データを作成する。具体的には、初期のデザインルール１を逸脱する修正候補パターンの設計データを少なくとも１つ発生させる。本実施形態においては、初期のデザインルール１を逸脱する修正候補パターンの設計データとして、初期のデザインルール１を凌駕する修正レイアウト候補の設計データを複数個発生させる。これをステップ１５（Ｓ１５）とする。
【００７６】
次に、ステップ１５において発生させられた各修正レイアウト候補の設計データの中から初期のデザインルール１からの逸脱の程度が最も小さい修正レイアウト候補の設計データを選択する。この際、各修正レイアウト候補に対する初期のデザインルール１からの逸脱の程度を示す、初期のデザインルール１を凌駕する大きさを評価した評価点付きデザインルール３２を参照する。これをステップ１６（Ｓ１６）とする。
【００７７】
図４には、評価点付きデザインルール３２の一例を表にして示す。評価点付きデザインルール３２は、具体的には図４に示すように、各修正レイアウト候補としての複数のカテゴリーのデザインルールからなる。そして、評価点付きデザインルール３２を構成する各ルールには、それらのカテゴリーごとにデザインルール拡張（extend）の可否、デザインルール拡張の限度、デザインルールを遵守する際の優先順位、および拡張したデザインルールを遵守する際の優先順位等が設定されている。初期のデザインルール１を凌駕して修正された修正レイアウト候補は、このような構成からなる評価点付きデザインルール３２に基づいて採点される。
【００７８】
本実施形態では、評価点付きデザインルール３２は、例えばＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆの６つのカテゴリーのデザインルールからなる。そして、それらＡ〜Ｆの各デザインルールに対して、デザインルールを凌駕しても良いか否かの可否が表されている。具体的には、Ａ〜Ｆの各デザインルールに対して、デザインルールを拡張（extend）しても良いか否かが、ＯＫあるいはＮＧとして表されている。そして、デザインルールを拡張しても良いデザインルールに対しては、それらの限度も具体的な数値を用いて表されている。また、デザインルールを拡張しても良いか否かに拘わらず、デザインルールを遵守する際の優先順位がＡ〜Ｆの各デザインルールに対して１点〜１０点までの点数で表されている。さらに、デザインルールを拡張しても良いデザインルールに対しては、その拡張したデザインルールを遵守する際の優先順位が１点〜１０点までの点数で表されている。この拡張したデザインルールの遵守点は、初期のデザインルール１からの逸脱の程度が小さい程高得点が付けられる。すなわち、拡張したデザインルールは、初期のデザインルール１を凌駕する大きさが小さい程高い評価が与えられる。
【００７９】
ステップ１６においては、先ず、このような評価点付きデザインルール３２を参照して、複数のカテゴリーのデザインルールの中からデザインルールを拡張しても良いデザインルールを選択する。続けて、デザインルールを拡張しても良いデザインルールの中から、遵守点が最高点の修正レイアウト候補を選択する。本実施形態では、先ず、図４に示すＡ〜Ｆの各デザインルールのうち、デザインルールを拡張しても良いデザインルールＣ，Ｄ，Ｆを選択する。続けて、これら各デザインルールＣ，Ｄ，Ｆのうち、遵守点が１点であるデザインルールＤよりも高い２点であるデザインルールＣおよびデザインルールＦを修正レイアウト候補として選択して採用する。
【００８０】
次に、ステップ１６において選択された修正レイアウト候補の設計データを次善策デザインルール４によるチェックにかける。そして、この次善策デザインルールチェックにかけられた修正レイアウト候補の設計データが次善策デザインルール４を満足しているか否かについて判定する。これをステップ１７（Ｓ１７）とする。
【００８１】
そして、ステップ１６において採用された修正レイアウト候補の設計データがステップ１７において次善策デザインルール４に違反していないと判定された場合には、その設計データを実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして採用して次善策デザインルールチェックを終了する。この後、前述したステップ１１に戻り、次の修正候補の処理へ進む。
【００８２】
これに対して、ステップ１６において採用された修正レイアウト候補の設計データがステップ１７において次善策デザインルール４に違反していると判定された場合には、その設計データをパターン作成用設計データから除外して次善策デザインルールチェックを終了する。また、この場合には、パターン作成用設計データから除外された修正レイアウト候補の設計データを、修正不適当パターンの設計データとして修正不能箇所リストに追加する。これをステップ１８（Ｓ１８）とする。この後、前述したステップ１１に戻り、次の修正候補の処理へ進む。
【００８３】
以後、第２の設計データ自動修正ツール３１に入力された全ての初期のデザインルール１によるチェックが済んだ設計データ３のうち、１回目のステップ１２において選択されなかった残りの全ての設計データ３に対して、前述したステップ１１〜ステップ１７ないしはステップ１８までの各処理を繰り返し実行する。そして、第２の設計データ自動修正ツール３１に入力された全てのエラー除去済みの設計データ３に対してステップ１１〜ステップ１７ないしはステップ１８までの各処理を施したことをステップ１１において確認した後、前述したステップ４に進む。すなわち、ステップ１４において初期デザインルール１を満足していると判定された修正済み設計データ、およびステップ１７において次善策デザインルール４を満足していると判定された修正レイアウト候補の設計データを、実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして出力する。
【００８４】
この後、図示を伴う具体的かつ詳細な説明は省略するが、前述した第１実施形態と同様に、ステップ４において実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして出力された設計データを、図示しないマスクパターン作成ラインに向けて送り出す。以上で、本実施形態に係るパターン作成方法を終了とする。
【００８５】
次に、図５を参照しつつ、本実施形態に係るパターン作成装置３３の構成について説明する。このパターン作成装置３３は、具体的には前述した本実施形態に係るパターン作成方法を実行するための装置である。
【００８６】
図５に示すように、パターン作成装置３３は、前述した第１実施形態のパターン作成装置６と略同じ構成からなる。ただし、パターン作成装置６の装置本体部７と異なり、パターン作成装置３３の装置本体部３４の内部には、第１図形解析部１９および第２図形解析部２０に加えてさらに第３図形解析部３５が設けられている。そして、この第３図形解析部３５の内部には、修正レイアウト候補発生部３５ａおよび修正レイアウト候補評価部３５ｂが設けられている。また、パターン作成装置６と異なり、パターン作成装置３３の装置本体部３４には、周辺機器として、初期デザインルールデータベース１２および次善策デザインルールデータベース１３に加えて、さらに第３のデザインルールデータベースとしての評価点付きデザインルールデータベース３６が接続されている。本実施形態のパターン作成装置３３のその他の構成は、第１実施形態のパターン作成装置６と略同様である。
【００８７】
次に、本実施形態に係るパターン作成・検証プログラムについて説明する。このパターン作成・検証プログラムは、具体的には、前述した本実施形態に係るパターン作成方法を実現するためのプログラムである。より具体的には、このパターン作成・検証プログラムは、パターン作成装置３３を作動させてその機能を発揮させることにより、本実施形態に係るパターン作成方法をパターン作成装置３３に実行させるものである。
【００８８】
先ず、前述した第１実施形態と同様に、パターン作成装置３３を用いて本実施形態に係るパターン作成方法を実行するのに先立って、本実施形態に係るパターン作成・検証プログラムおよび第２の設計データ自動修正ツール３１を予めパターン作成装置３３の装置本体部３４に読み込ませる。第２の設計データ自動修正ツール３１は、第１実施形態の第１の設計データ自動修正ツール２と同様に、実質的に本実施形態に係るパターン作成・検証プログラムの一部を構成するか、もしくは本実施形態に係るパターン作成・検証プログラムと一体となってパターン作成装置３３を作動させるプログラムである。パターン作成・検証プログラムおよび第２の設計データ自動修正ツール３１は、それらが記録されている記録媒体２３を入力装置９にかけることにより、装置本体部３４に一旦読み取られる。そして、装置本体部３４に読み取られたパターン作成・検証プログラムおよび第２の設計データ自動修正ツール３１は、例えば主記憶装置１０に記憶される。この後、主記憶装置１０に保存されたパターン作成・検証プログラムおよび第２の設計データ自動修正ツール３１は、装置本体部３４内の図示しないキャッシュメモリ等の補助記憶部に読み込まれる。
【００８９】
次に、前述した第１実施形態と同様に、初期デザインルールデータベース１２から初期のデザインルール１を読み出して、装置本体部３４内に記憶されている第２の設計データ自動修正ツール３１に入力する。同様に、次善策デザインルールデータベース１３から次善策デザインルール４を読み出して第２の設計データ自動修正ツール３１に入力する。同様に、修正指針データベース１４から修正指針５を読み出して第２の設計データ自動修正ツール３１に入力する。また、これらの入力に併せて、第１実施形態と同様の方法により初期のデザインルール１に基づく１回目のデザインルールチェックが済んだエラー除去済みの設計データ３を図形格納部１７に格納するとともに第２の設計データ自動修正ツール３１に入力する。さらに、本実施形態においては、評価点付きデザインルールデータベース３６に保存されている評価点付きデザインルール３２を評価点付きデザインルールデータベース３６から読み出して、第２の設計データ自動修正ツール３１に入力する。
【００９０】
この後、本実施形態のパターン作成・検証プログラムを起動させて装置本体部３４等を作動させることにより、前述したステップ１１（Ｓ１１）〜ステップ１７（Ｓ１７）ないしはステップ１８（Ｓ１８）、およびステップ４（Ｓ４）をパターン作成装置３３に実行させる。より具体的には、本実施形態のパターン作成方法の主要な工程は、後述するように本実施形態のパターン作成・検証プログラムによって作動するパターン作成装置３３が発揮する機能のうち第２の設計データ自動修正ツール３１によって制御される機能により実現される。
【００９１】
先ず、第２の設計データ自動修正ツール３１に入力された全てのエラー除去済みの設計データ３について前述したステップ１２〜ステップ１７ないしはステップ１８の各処理が済んだか否かについて判定する、ステップ１１（Ｓ１１）を装置本体部３４に実行させる。このステップ１１は、例えば修正結果判定部２１に実行させる設定とすればよい。
【００９２】
具体的には、先ず、修正結果判定部２１が図形格納部１７に格納されたエラー除去済みの設計データ３を読み出す。続けて、修正結果判定部２１は、図形格納部１７から読み出した全てのエラー除去済みの設計データ３についてステップ１２〜ステップ１７ないしはステップ１８の各処理が済んだか否かについて判定する。当然のことながら、１回目のステップ１１においてはステップ１２〜ステップ１８の各処理は１回も済んでいない。したがって、少なくとも１回目のステップ１１においては、修正結果判定部２１はステップ１２〜ステップ１８の各処理が済んだか否かについての判定を行う必要はない。この場合、本実施形態のパターン作成・検証プログラムは、修正結果判定部２１に１回目のステップ１１を実質的に実行させることなく、直ちに次のステップ１２を装置本体部３４に実行させればよい。
【００９３】
次に、第２の設計データ自動修正ツール３１に入力されたエラー除去済みの設計データ３の中から修正すべき危険箇所の設計データを一点選択する、ステップ１２（Ｓ１２）を装置本体部３４に実行させる。このステップ１２も、例えば修正結果判定部２１に実行させる設定とすればよい。具体的には、ステップ１１において修正結果判定部２１が図形格納部１７から読み出したエラー除去済みの設計データ３の中から、半導体装置の設計上の要請および半導体装置の製造プロセス上の要請のうちの少なくとも一方を満たさない箇所の設計データの一部を修正結果判定部２１に選択させる。
【００９４】
次に、ステップ１２において選択された設計データを修正指針５に基づいて自動修正する、ステップ１３（Ｓ１３）を装置本体部３４に実行させる。具体的には、先ず、ステップ１２において修正結果判定部２１が選択した設計データを、図形演算部１８が受け取る。続けて、図形演算部１８は、修正結果判定部２１から受け取った設計データ３に対して修正指針５に基づいて所定の修正を施す。そして、この修正結果は修正結果格納部２２に格納される。
【００９５】
次に、ステップ１３において修正が施された設計データを再び初期のデザインルール１によるチェックにかけて修正済み設計データが初期のデザインルール１を満足しているか否かについて判定する、ステップ１４（Ｓ１４）を装置本体部３４に実行させる。
【００９６】
具体的には、先ず、前述した第１実施形態と同様に、第１図形解析部１９内の第１デザインルールチェック部１９ａが、第１の基準図形データを図形データ記憶装置１５から読み出す。それとともに、第１デザインルールチェック部１９ａは、修正指針５に基づく修正が施されたエラー除去済みの設計データ３を修正結果格納部２２から読み出す。続けて、第１デザインルールチェック部１９ａは、修正指針５に基づく修正が施されたエラー除去済みの設計データ３を、第１の基準図形データと比較しつつ初期のデザインルール１に基づいてチェックする。この後、第１デザインルールチェック部１９ａは、２回目の初期のデザインルールチェックにかけられた修正済み設計データが初期のデザインルール１を満足しているか否かについて判定する。
【００９７】
そして、ステップ１４において２回目の初期のデザインルールチェックにかけられた修正済み設計データが初期のデザインルール１に違反していないと第１デザインルールチェック部１９ａが判定した場合には、前述した第１実施形態と同様に、修正済み設計データを実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして出力する、ステップ４（Ｓ４）を装置本体部３４に実行させる。具体的には、初期のデザインルール１に違反していない修正済み設計データを、第１図形解析部１９が図形格納部１７から修正結果格納部２２に一旦移動させて格納する。
【００９８】
これに対して、ステップ１４において２回目の初期のデザインルールチェックにかけられた修正済み設計データが初期のデザインルール１に違反していると第１デザインルールチェック部１９ａが判定した場合には、その初期のデザインルール１に違反していると判定された修正済み設計データに代わる新たな設計データを作成する、ステップ１５（Ｓ１５）を装置本体部３４に実行させる。具体的には、初期のデザインルール１を逸脱する修正候補パターンの設計データを、第３図形解析部３５内の修正レイアウト候補発生部３５ａに少なくとも１つ発生させる。本実施形態においては、初期のデザインルール１を逸脱する修正候補パターンの設計データとして、初期のデザインルール１を凌駕する修正レイアウト候補の設計データを修正レイアウト候補発生部３５ａに複数個発生させる。なお、修正結果判定部２１にこのステップ１４を行わせる設定としてもよい。
【００９９】
次に、ステップ１５において発生させられた各修正レイアウト候補の設計データの中から初期のデザインルール１からの逸脱の程度が最も小さい修正レイアウト候補の設計データを選択する、ステップ１６（Ｓ１６）を装置本体部３４に実行させる。
【０１００】
具体的には、先ず、第３図形解析部３５内の修正レイアウト候補評価部３５ｂに、前述した図４に示す評価点付きデザインルール３２を参照させつつ、複数のカテゴリーのデザインルールの中からデザインルールを拡張しても良いデザインルールを選択させる。続けて、修正レイアウト候補評価部３５ｂに、デザインルールを拡張しても良いデザインルールの中から遵守点が最高点の修正レイアウト候補を選択させる。本実施形態では、前述したように、図４に示すＡ〜Ｆの各デザインルールのうち、デザインルールを拡張しても良いデザインルールＣ，Ｄ，Ｆを修正レイアウト候補評価部３５ｂに選択させる。続けて、これら各デザインルールＣ，Ｄ，Ｆのうち、遵守点が１点であるデザインルールＤよりも高い２点であるデザインルールＣおよびデザインルールＦを、修正レイアウト候補として修正レイアウト候補評価部３５ｂに選択させて採用させる。
【０１０１】
次に、ステップ１６において選択された修正レイアウト候補の設計データを次善策デザインルール４によるチェックにかけて次善策デザインルール４を満足しているか否かについて判定する、ステップ１７（Ｓ１７）を装置本体部３４に実行させる。
【０１０２】
具体的には、前述した第１実施形態のステップ６と同様に、先ず、第２図形解析部２０内の第２デザインルールチェック部２０ａが、第２の基準図形データを図形データ記憶装置１５から読み出す。それとともに、第２デザインルールチェック部２０ａは、ステップ１６において選択された修正レイアウト候補の設計データを修正レイアウト候補評価部３５ｂから受け取る。この後、第２デザインルールチェック部２０ａは、ステップ１６において選択された修正レイアウト候補の設計データを、第２の基準図形データと比較しつつ次善策デザインルール４に基づいてチェックする。
【０１０３】
そして、ステップ１６において採用された修正レイアウト候補の設計データが次善策デザインルール４に違反していないと第２デザインルールチェック部２０ａがステップ１７において判定した場合には、前述したステップ４（Ｓ４）を装置本体部３４に実行させる。すなわち、装置本体部３４は、ステップ１７において第２デザインルールチェック部２０ａが次善策デザインルール４に違反していないと判定した修正レイアウト候補の設計データを、実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして採用して次善策デザインルールチェックを終了する。具体的には、次善策デザインルール４に違反していない修正レイアウト候補の設計データを、第２図形解析部２０がその内部の第２デザインルールチェック部２０ａから修正結果格納部２２に一旦移動させて格納する。この後、前述したステップ１１に戻り、次の修正候補の処理に進む。すなわち、次の修正候補に対しても、装置本体部３４に再び前述したステップ１１〜ステップ１７を実行させる。
【０１０４】
これに対して、ステップ１６において採用された修正レイアウト候補の設計データが次善策デザインルール４に違反していると第２デザインルールチェック部２０ａがステップ１７において判定した場合には、前述したステップ１８（Ｓ１８）を装置本体部３４に実行させる。すなわち、装置本体部３４は、ステップ１７において第２デザインルールチェック部２０ａが次善策デザインルール４に違反していると判定した修正レイアウト候補の設計データを、パターン作成用設計データから除外するとともに修正不適当パターンの設計データとして修正不能箇所リストに追加して次善策デザインルールチェックを終了する。具体的には、第２図形解析部２０が、パターン作成用設計データから除外された修正レイアウト候補の設計データに処理済みあるいは不採用などの認識コードを付した後、この設計データを図形格納部１７に格納されている未処理のエラー除去済みの設計データ３と区別して図形格納部１７に格納する。この後、前述したステップ１１に戻り、次の修正候補の処理に進む。すなわち、次の修正候補に対しても、装置本体部３４に再び前述したステップ１１〜ステップ１７ないしはステップ１８を実行させる。なお、修正結果判定部２１にこのステップ１７を行わせる設定としてもよい。
【０１０５】
以後、第２の設計データ自動修正ツール３１に入力された全ての初期のデザインルール１によるチェックが済んだ設計データ３のうち、１回目のステップ１２において選択されなかった残りの全ての設計データ３に対して、装置本体部３４により前述したステップ１１〜ステップ１７ないしはステップ１８までの各処理を繰り返し実行させる。そして、第２の設計データ自動修正ツール３１に入力された全てのエラー除去済みの設計データ３に対してステップ１１〜ステップ１７ないしはステップ１８までの各処理を施したことを、修正結果判定部２１がステップ１１において確認した後、前述したステップ４を装置本体部３４に実行させる。すなわち、装置本体部３４に、違反していない箇所の修正済み設計データを実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして出力させる。
【０１０６】
この後、図示を伴う具体的かつ詳細な説明は省略するが、第１実施形態と同様に、ステップ１４において修正結果格納部２２に格納された初期デザインルール１を満足していると判定された修正済み設計データ、およびステップ１７において修正結果格納部２２に格納された次善策デザインルール４を満足していると判定された修正レイアウト候補の設計データを、所定の後工程に向けて出荷する作業を装置本体部３４に実行させる。例えば、装置本体部３４は、それら修正結果格納部２２に格納された各修正済み設計データを、実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとしてネットワークインターフェース１１を介して図示しないマスクパターン作成ラインに向けて送り出す。
【０１０７】
以上で、本実施形態に係るパターン作成・検証プログラム、このプログラムにより実行されるパターン作成装置３３のパターン作成・検証機能、および本実施形態に係るパターン作成・検証プログラムにより作動されるパターン作成装置３３を用いて実現されるパターン作成方法を終了とする。
【０１０８】
以上説明したように、この第２実施形態によれば、前述した第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、この第２実施形態においては、第１実施形態と異なり、初期デザインルール１および次善策デザインルール４のみならず、デザインルール拡張（extend）の可否、デザインルール拡張の限度、デザインルールを遵守する際の優先順位、および拡張したデザインルールを遵守する際の優先順位等が設定された評価点付きデザインルール３２も参照する。これにより、初期のデザインルール１からの逸脱の程度が最も小さい修正レイアウトを迅速かつ容易に採用することができる。したがって、この第２実施形態によれば、パターンの設計データの作成および修正を、半導体装置の製造プロセスやパターン設計プロセス上の要請に沿ってより効率良く、かつ、より均一に行うことができる。
【０１０９】
（第３の実施の形態）
次に、本発明に係る第３実施形態について図６〜図１０を参照しつつ説明する。なお、前述した第１および第２の各実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。
【０１１０】
本実施形態は、予め与えられた半導体製造プロセスパラメータに対して最適な設計パターンを効率良くかつ、容易に作成する技術に係り、特に自動修正したパターンやレイアウトについてその修正方法の正しさを検証するとともに、パターンやレイアウトの設計データの品質を高めることができる技術に関する。以下、具体的かつ詳細に説明する。
【０１１１】
先ず、図５に示す自動修正された設計データの検証システムのフロー、ならびに図６〜図８を参照しつつ、本実施形態に係るパターン作成・検証方法について説明する。本実施形態に係るパターン作成・検証方法は、修正前後のパターンやレイアウトの図形の差分を利用することを特徴とする。以下の説明においては、パターンおよびレイアウトをまとめて単にパターンと称することとする。
【０１１２】
先ず、図５に示すように、本実施形態に係るパターン作成・検証方法を実行するのに先立って、図示しない半導体装置の内部に形成する所望のパターンの修正が施される前の設計データ４１、修正前設計データ４１に対応する修正が施された後の設計データ４２、および後述する修正ルールチェックに用いる修正指針に関する情報４３を本実施形態に係る自動修正検証システム４４に入力する。図７（ａ）には、修正前の各設計データ４１に対応する修正前の各パターン４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄを破線で囲んで示す。また、図７（ｂ）には、各修正前パターン４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄに対応する、修正後の各設計データ４２に対応する修正後の各パターン４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄを各修正前パターン４５に重ねて実線で囲んで示す。この後、自動修正検証システム４４を用いて本実施形態に係るパターン作成方法を実行する。自動修正検証システム４４は、後述するステップ２１（Ｓ２１）〜ステップ３１（Ｓ３１）に係る各処理を実行する。
【０１１３】
先ず、自動修正検証システム４４内において、修正の前後におけるパターンの設計データの差分（Exclusive OR：ＸＯＲ）を抽出する。具体的には、修正前設計データ４１に基づくパターンの図形と修正後設計データ４２に基づくパターンの図形との間で相違している部分の図形に関する設計データを抽出する。これをステップ２１（Ｓ２１）とする。図７（ｃ）には、各修正前パターン４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄと各修正後パターン４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄとの間の差分図形４７ａ，４７ｂ，４７ｃを打点部にて示す。
【０１１４】
次に、ステップ２１において抽出された差分図形４７ａ，４７ｂ，４７ｃの設計データを所定の基準ごとに群分け（グルーピング）して少なくとも１つの群領域（グルーピング領域）を作成する。このグルーピングの基準としては、例えば抽出された差分図形４７ａ，４７ｂ，４７ｃ同士の間隔などが用いられる。具体的には、抽出された差分図形４７ａ，４７ｂ，４７ｃ同士の間隔が所定の距離以下である場合には、それら各差分図形４７ａ，４７ｂ，４７ｃの設計データは同じグルーピング領域に入れられる設定とすればよい。これをステップ２２（Ｓ２２）とする。図８（ａ）には、グループ１〜グループ３までの３つのグルーピング領域４８ａ，４８ｂ，４８ｃを実線で囲んで示す。
【０１１５】
次に、自動修正検証システム４４に入力された全ての修正前設計データ４１および修正後設計データ４２について、前述したステップ２１およびステップ２２の各処理が、済んだか否かについて判定する。これをステップ２３（Ｓ２３）とする。当然のことながら、１回目のステップ２３においてはステップ２１およびステップ２２の各処理は１回しか済んでいない。したがって、少なくとも１回目のステップ２３においては、全ての修正前設計データ４１および修正後設計データ４２についてステップ２１およびステップ２２の各処理が済んだか否かについての判定を行う必要はない。この場合、１回目のステップ２３は実質的に実行せずに、直ちに次のステップ２４に進めばよい。
【０１１６】
次に、ステップ２２において作成されたグルーピング領域の中から１つのグルーピング領域を選択する。これをステップ２４（Ｓ２４）とする。
【０１１７】
次に、ステップ２４において選択されたグルーピング領域内で修正の前後における図形の設計データを所定の図形群ごとに分類（ソーティング）する。すなわち、作成された各グルーピング領域ごとに、修正の前後における図形の設計データを所定の図形群ごとにソーティングする。このソーティングのキーとしては、例えば同じグルーピング領域内に含まれる図形の面積、座標、および中心座標などが用いられる。これをステップ２５（Ｓ２５）とする。
【０１１８】
次に、ステップ２５においてソーティングされた所定の図形群に基づいて修正の前後における図形の設計データ同士を対応付ける。これをステップ２６（Ｓ２６）とする。この修正の前後における図形の設計データ同士を対応付ける方法としては、例えば前述したステップ２５と同様に、先ず、グルーピング領域内の図形の面積や座標をキーとして各図形の設計データをソーティングする。続けて、そのソーティングの順番に沿って各図形の設計データ同士を対応付ければよい。図８（ｂ）には、各修正前パターン４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄと各修正後パターン４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄとを、それら各パターン４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄ，４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄを構成する互いに分離された１つないしは３つの図形群４９ａ，４９ｂ，４９ｃ，４９ｄ，４９ｅ，４９ｆごとにソーティングして対応付けた状態を、各グルーピング領域４８ａ，４８ｂ，４８ｃごとに分けて模式的に示す。
【０１１９】
次に、ステップ２６において対応付けられた修正の前後における図形のエッジ部の設計データ同士を対応付ける。これをステップ２７（Ｓ２７）とする。図８（ｂ）には、各図形群４９ａ，４９ｂ，４９ｃ，４９ｄ，４９ｅ，４９ｆごとにソーティングして対応付けられた各修正前パターン４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄの各エッジ部と各修正後パターン４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄの各エッジ部との対応部分５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０ｆを太い実線で示す。
【０１２０】
次に、ステップ２７において対応付けられた各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０ｆ同士の修正の前後における移動に対して修正指針４３に基づく修正ルールチェックを行う。これをステップ２８（Ｓ２８）とする。この修正ルールチェックの項目としては、例えば各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０ｆを太めたり細めたりする際の修正量の最大値を違反しているか否か、各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０ｆを移動させる際の移動量の最大値を違反しているか否か、あるいは各修正後パターン４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄが各危険箇所ごとに修正指針を遵守しているか否か、などが挙げられる。図９には、ステップ２８における修正ルールチェックの対象となる各項目のうち、例えば各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０ｆの移動量を、各グルーピング領域４８ａ，４８ｂおよび各図形群４９ａ，４９ｂ，４９ｃごとに分類して示す。また、各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０ｆがどのようなカテゴリーに属しているかも併せて示す。図９では、各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０ｆをｈｓｐ１またはｈｓｐ２の２種類のカテゴリーに分類して示す。
【０１２１】
次に、ステップ２８において修正ルールチェックにかけられた各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０ｆが修正指針４３を満足しているか否かについて判定する。これをステップ２９（Ｓ２９）とする。例えば、このステップ２９においては、図９に示されている各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０ｆの実際の修正による移動量と修正指針４３に規定されている各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０ｆの最大移動量とを照合して、各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０ｆが修正指針４３に違反しているか否かについて判定する。
【０１２２】
そして、ステップ２８において修正ルールチェックにかけられた各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０がステップ２９において修正指針４３に違反していないと判定された場合には、各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０が適正に修正されているものとみなして修正ルールチェックを終了する。すなわち、ステップ２４において選択されたグルーピング領域内のパターン修正の正しさの検証を終了する。この後、前述したステップ２３に戻り、次のグルーピング領域の処理へ進む。
【０１２３】
これに対して、ステップ２８において修正ルールチェックにかけられた各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０の中にステップ２９において修正指針４３に違反していると判定された箇所があった場合には、その違反箇所をレポートアウトして修正ルールチェックを終了する。すなわち、ステップ２４において選択されたグルーピング領域内のパターン修正の正しさの検証を終了する。また、この場合には、違反箇所の設計データを実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データから除外するとともに、修正不違反パターンの設計データとして修正違反リストに追加する。これをステップ３０（Ｓ３０）とする。この後、前述したステップ２３に戻り、次のグルーピング領域の処理へ進む。
【０１２４】
以後、自動修正検証システム４４に入力された全ての修正前設計データ４１および修正後設計データ４２のうち、１回目のステップ２１およびステップ２２において差分図形の抽出およびグルーピング領域の作成がなされなかった残りの全ての修正前設計データ４１および修正後設計データ４２に対して、前述したステップ２３〜ステップ２９ないしはステップ３０までの各処理を繰り返し実行する。そして、自動修正検証システム４４に入力された全ての修正前設計データ４１および修正後設計データ４２に対してステップ２３〜ステップ２９ないしはステップ３０までの各処理を施したことをステップ２３において確認した後、次のステップ３１（Ｓ３１）に進む。すなわち、自動修正検証システム４４に入力された全ての修正前設計データ４１および修正後設計データ４２に対する修正ルールの検証を終了する。
【０１２５】
なお、図示を伴う具体的かつ詳細な説明は省略するが、ステップ２９において修正指針４３を満足していると判定された修正後設計データ４２は、前述した第１および第２の各実施形態と同様に、実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして出力される。そして、実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして出力された修正後設計データ４２は、マスクパターン作成ラインに向けて送り出される。以上で、本実施形態に係るパターン作成・検証方法を終了とする。
【０１２６】
次に、図１０を参照しつつ、本実施形態に係るパターン作成・検証装置５１の構成について説明する。このパターン作成・検証装置５１は、具体的には前述した本実施形態に係るパターン作成・検証方法を実行するための装置である。
【０１２７】
図１０に示すように、パターン作成・検証装置５１は、前述した第１実施形態のパターン作成装置６や第２実施形態のパターン作成装置３３と略同じ構成からなる。ただし、パターン作成装置６，３３の装置本体部７，３４と異なり、パターン作成・検証装置５１の装置本体部５２の内部には、修正結果判定部２１の代わりにグルーピング領域作成部５３および図形ソーティング部５４が設けられている。それとともに、パターン作成・検証装置５１の装置本体部５２の内部には、第１〜第３の各図形解析部１９，２０，３５の代わりに第４図形解析部５５が設けられている。そして、この第４図形解析部５５の内部には、図形対応付け部５５ａ、図形エッジ部対応付け部５５ｂ、修正ルールチェック部５５ｃ、および解析結果判定部５５ｄが設けられている。また、パターン作成装置６，３３と異なり、パターン作成・検証装置５１の装置本体部５２には、初期デザインルールデータベース１２、次善策デザインルールデータベース１３、および評価点付きデザインルールデータベース３６が設けられていない。本実施形態のパターン作成・検証装置５１のその他の構成は、第１および第２の各実施形態のパターン作成装置６，３３と略同様である。
【０１２８】
次に、本実施形態に係るパターン作成・検証プログラムについて説明する。このパターン作成・検証プログラムは、具体的には、前述した本実施形態に係るパターン作成・検証方法を実現するためのプログラムである。より具体的には、このパターン作成・検証プログラムは、パターン作成・検証装置５１を作動させてその機能を発揮させることにより、本実施形態に係るパターン作成・検証方法をパターン作成・検証装置５１に実行させるものである。
【０１２９】
先ず、前述した第１および第２の各実施形態と同様に、パターン作成・検証装置５１を用いて本実施形態に係るパターン作成・検証方法を実行するのに先立って、本実施形態に係るパターン作成・検証プログラムおよび自動修正検証システム４４を予めパターン作成・検証装置５１の装置本体部５２に読み込ませる。自動修正検証システム４４は、第１実施形態の第１の設計データ自動修正ツール２および第２実施形態の第２の設計データ自動修正ツール３１と同様に、実質的に本実施形態に係るパターン作成・検証プログラムの一部を構成するか、もしくは本実施形態に係るパターン作成・検証プログラムと一体となってパターン作成・検証装置５１を作動させるプログラムである。
【０１３０】
パターン作成・検証プログラムおよび自動修正検証システム４４は、それらが記録されている記録媒体２３を入力装置９にかけることにより、装置本体部５２に一旦読み取られる。そして、装置本体部５２に読み取られたパターン作成・検証プログラムおよび自動修正検証システム４４は、例えば主記憶装置１０に記憶される。この後、主記憶装置１０に保存されたパターン作成・検証プログラムおよび自動修正検証システム４４は、装置本体部５２内の図示しないキャッシュメモリ等の補助記憶部に読み込まれる。続けて、修正指針データベース１４から修正指針情報４３を読み出して自動修正検証システム４４に入力する。
【０１３１】
また、これらの入力に併せて、修正前設計データ４１および修正後設計データ４２を、装置本体部５２内に記憶されている自動修正検証システム４４に入力する。具体的には、第１および第２の各実施形態においてエラー除去済みの設計データ３を装置本体部７，３４に読み込ませた場合と同様に、修正前設計データ４１および修正後設計データ４２が予め記録された図示しない所定の記録媒体を入力装置９にかけて装置本体部５２に読み込ませる。これにより、装置本体部５２内に記憶されている自動修正検証システム４４に修正前設計データ４１および修正後設計データ４２を入力する。ハードウェア的には、修正前設計データ４１および修正後設計データ４２は図形格納部１７に格納される。
【０１３２】
この後、本実施形態のパターン作成・検証プログラムを起動させて装置本体部５２等を作動させることにより、前述したステップ２１（Ｓ２１）〜ステップ３１（Ｓ３１）をパターン作成・検証装置５１に実行させる。より具体的には、本実施形態のパターン作成・検証方法の主要な工程は、後述するように本実施形態のパターン作成・検証プログラムによって作動するパターン作成・検証装置５１が発揮する機能のうち自動修正検証システム４４によって制御される機能により実現される。
【０１３３】
先ず、自動修正検証システム４４内に入力された修正前設計データ４１と修正後設計データ４２との差分の設計データを抽出する、ステップ２１（Ｓ２１）を装置本体部５２に実行させる。具体的には、先ず、図形演算部１８が図形格納部１７に格納された修正前設計データ４１および修正後設計データ４２を読み出す。続けて、図形演算部１８は、読み出した修正前設計データ４１に基づく修正前パターン４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄと修正後設計データ４２に基づく各修正後パターン４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄとの間で相違している各差分図形４７ａ，４７ｂ，４７ｃの設計データを抽出する。
【０１３４】
次に、ステップ２１において抽出された差分図形４７ａ，４７ｂ，４７ｃの設計データを所定の基準ごとにグルーピングして少なくとも１つのグルーピング領域を作成する、ステップ２２（Ｓ２２）を装置本体部５２に実行させる。具体的には、先ず、図形演算部１８が抽出した各差分図形４７ａ，４７ｂ，４７ｃの設計データを、図形演算部１８からグルーピング領域作成部５３に渡す。続けて、グルーピング領域作成部５３は、図形演算部１８から受け取った各差分図形４７ａ，４７ｂ，４７ｃの設計データを所定の基準ごとにグルーピングして少なくとも１つのグルーピング領域を作成する。ここでは、前述したように、グルーピング領域作成部５３はグループ１〜グループ３までの３つのグルーピング領域４８ａ，４８ｂ，４８ｃを作成する。
【０１３５】
次に、自動修正検証システム４４に入力された全ての修正前設計データ４１および修正後設計データ４２について、前述したステップ２１およびステップ２２の各処理が、済んだか否かについて判定する、ステップ２３（Ｓ２３）を装置本体部５２に実行させる。このステップ２３は、例えば図形演算部１８およびグルーピング領域作成部５３のそれぞれに実行させる設定とすればよい。
【０１３６】
具体的には、先ず、図形演算部１８が図形格納部１７に格納された修正前設計データ４１および修正後設計データ４２を読み出す。続けて、図形演算部１８は、図形格納部１７から読み出した全ての修正前設計データ４１および修正後設計データ４２についてステップ２１の処理が済んだか否かについて判定する。当然のことながら、１回目のステップ２３においてはステップ２１の処理は１回も済んでいない。したがって、少なくとも１回目のステップ２３においては、図形演算部１８はステップ２１の処理が済んだか否かについての判定を行う必要はない。この場合、本実施形態のパターン作成・検証プログラムは、図形演算部１８およびグルーピング領域作成部５３に１回目のステップ２３を実質的に実行させることなく、直ちに次のステップ２４を装置本体部３４に実行させればよい。
【０１３７】
また、図形格納部１７から読み出した全ての修正前設計データ４１および修正後設計データ４２についてステップ２１の処理が済んだ場合には、当然のことながら図形演算部１８はこのステップ２３においてステップ２１の処理が済んだと判定する。しかし、たとえ全ての修正前設計データ４１および修正後設計データ４２についてステップ２１の処理が済んでいたとしても、図形演算部１８がステップ２１において抽出した全ての修正前設計データ４１と修正後設計データ４２との間の差分図形の設計データについてステップ２２の処理が済んでいるとは限らない。この場合には、このステップ２３の判定はグルーピング領域作成部５３に実行させればよい。すなわち、たとえステップ２３において図形演算部１８が“ＹＥＳ”の判定をしても、グルーピング領域作成部５３が“ＹＥＳ”の判定を下さなければ、自動修正検証システム４４に入力された全ての修正前設計データ４１および修正後設計データ４２について、ステップ２１およびステップ２２の各処理が済んだとは判定されない設定とすればよい。この場合も、本実施形態のパターン作成・検証プログラムは、直ちに次のステップ２４を装置本体部３４に実行させればよい。
【０１３８】
より具体的には、グルーピング領域作成部５３は、図形演算部１８がステップ２１において抽出した差分図形の設計データについてグルーピング領域を作成するごとに、ステップ２２の処理が済んだか否かについて判定する設定とする。そして、前述したように、ステップ２３においてたとえ自動修正検証システム４４に入力された全ての修正前設計データ４１および修正後設計データ４２について図形演算部１８によるステップ２１の処理が済んでいたとしても、抽出された全ての差分図形の設計データについてグルーピング領域作成部５３によるステップ２２の処理が済んでいない場合には、グルーピング領域作成部５３は“ＮＯ”の判定を下す。すなわち、ステップ２３における判定は“ＮＯ”となる。グルーピング領域作成部５３は、図形演算部１８がステップ２１において抽出した全ての差分図形の設計データについてグルーピング領域を作成し終わったことを確認した後、“ＹＥＳ”の判定を下す。すなわち、ステップ２３における判定は“ＹＥＳ”となる。このように、本実施形態では、図形演算部１８およびグルーピング領域作成部５３がともに“ＹＥＳ”の判定を下さない限り、ステップ２３における判定は“ＮＯ”となる設定とする。
【０１３９】
次に、ステップ２２において作成された各グルーピング領域４８ａ，４８ｂ，４８ｃの中から１つのグルーピング領域を選択する、ステップ２４を装置本体部５２に実行させる。このステップ２４も、ステップ２２と同様にグルーピング領域作成部５３に実行させればよい。
【０１４０】
次に、ステップ２４において選択されたグルーピング領域内で修正の前後における各図形４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄ，４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄの設計データを所定の図形群４９ａ，４９ｂ，４９ｃ，４９ｄ，４９ｅ，４９ｆごとにソーティングする、ステップ２５（Ｓ２５）を装置本体部５２に実行させる。具体的には、このステップ２５は、図形ソーティング部５４に実行させればよい。図形ソーティング部５４は、グルーピング領域作成部５３が作成して選択したグルーピング領域に含まれる修正前後の各パターン４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄ，４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄの設計データをグルーピング領域作成部５３から受け取った後、それら各パターン４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄ，４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄを構成する各図形の設計データを所定の図形群４９ａ，４９ｂ，４９ｃ，４９ｄ，４９ｅ，４９ｆごとにソーティングする。
【０１４１】
次に、ステップ２５においてソーティングされた修正の前後における各図形４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄ，４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄの設計データ同士を対応付ける、ステップ２６（Ｓ２６）を装置本体部５２に実行させる。具体的には、このステップ２６は、第４図形解析部５５内の図形対応付け部５５ａに実行させればよい。図形対応付け部５５ａは、先ず、図形ソーティング部５４がソーティングした各図形４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄ，４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄの設計データを図形ソーティング部５４から受け取った後、図形の面積や座標をキーとして各図形４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄ，４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄの設計データをソーティングする。続けて、図形対応付け部５５ａは、そのソーティングの順番に沿って各図形４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄ，４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄの設計データ同士を対応付ける。
【０１４２】
次に、ステップ２６において対応付けられた修正の前後における各図形４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄ，４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄのエッジ部の設計データ同士を対応付ける、ステップ２７（Ｓ２７）を装置本体部５２に実行させる。具体的には、このステップ２７は、第４図形解析部５５内の図形エッジ部対応付け部５５ｂに実行させればよい。図形エッジ部対応付け部５５ｂは、図形対応付け部５５ａが対応付けた各図形４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄ，４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄの設計データを図形対応付け部５５ａから受け取った後、各図形４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄ，４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄのエッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０ｆの設計データ同士を対応付ける。
【０１４３】
次に、ステップ２７において対応付けられた各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０ｆ同士の修正の前後における移動に対して修正指針４３に基づく修正ルールチェックを行う、ステップ２８（Ｓ２８）を装置本体部５２に実行させる。具体的には、このステップ２８は、第４図形解析部５５内の修正ルールチェック部５５ｃに実行させればよい。修正ルールチェック部５５ｃは、修正指針データベース１４から読み出した修正指針４３に基づいて前述した修正ルールチェックを行う。
【０１４４】
次に、ステップ２８において修正ルールチェックにかけられた各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０ｆが修正指針４３を満足しているか否かについて判定する、ステップ２９（Ｓ２９）を装置本体部５２に実行させる。具体的には、このステップ２８は、第４図形解析部５５内の解析結果判定部５５ｄに実行させればよい。解析結果判定部５５ｄは、修正ルールチェック部５５ｃにより修正ルールチェックにかけられた各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０ｆに対する修正が修正指針４３に違反しているか否かについて判定する。
【０１４５】
そして、ステップ２８において修正ルールチェックにかけられた各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０に対する修正が修正指針４３に違反していないと解析結果判定部５５ｄがステップ２９において判定した場合には、各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０が適正に修正されているものとみなして修正ルールチェック部５５ｃに修正ルールチェックを終了させる。すなわち、装置本体部５２は、ステップ２４において選択されたグルーピング領域内の各修正後パターン４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄの設計データを実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして採用して、ステップ２４において選択されたグルーピング領域内の各パターン４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄに対する修正の正しさの検証を終了する。具体的には、修正指針４３に違反していない各修正後パターン４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄの設計データを、第４図形解析部５５がその内部の解析結果判定部５５ｄから修正結果格納部２２に一旦移動させて格納する。この後、前述したステップ２３に戻り、次のグルーピング領域の処理へ進む。すなわち、次のグルーピング領域に対しても、装置本体部５２に再び前述したステップ２１〜ステップ２９を実行させる。
【０１４６】
これに対して、ステップ２８において修正ルールチェックにかけられた各エッジ部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０の中に修正指針４３に違反していると解析結果判定部５５ｄがステップ２９において判定した箇所があった場合には、その違反箇所をレポートアウトして修正ルールチェックを終了する、ステップ３０（Ｓ３０）を装置本体部５２に実行させる。すなわち、装置本体部５２は、ステップ２９において解析結果判定部５５ｄが修正指針４３に違反していると判定したエッジ部を含む修正後のパターンの設計データを、パターン作成用設計データから除外するとともに修正不適当パターンの設計データとして修正違反箇所リストに追加して、ステップ２４において選択されたグルーピング領域内の各パターン４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄに対する修正の正しさの検証を終了する。具体的には、第４図形解析部５５が、パターン作成用設計データから除外されたパターンの設計データに処理済みあるいは不採用などの認識コードを付した後、この設計データを図形格納部１７に格納されている未処理の各修正後設計データ４２と区別して図形格納部１７に格納する。この後、前述したステップ２３に戻り、次のグルーピング領域の処理へ進む。すなわち、次のグルーピング領域に対しても、装置本体部５２に再び前述したステップ２１〜ステップ２９ないしはステップ３０を実行させる。
【０１４７】
以後、自動修正検証システム４４に入力された全ての修正前設計データ４１および修正後設計データ４２のうち、１回目のステップ２１およびステップ２２において差分図形の抽出およびグルーピング領域の作成がなされなかった残りの全ての修正前設計データ４１および修正後設計データ４２に対して、装置本体部５２により前述したステップ２３〜ステップ２９ないしはステップ３０までの各処理を繰り返し実行させる。そして、自動修正検証システム４４に入力された全ての修正前設計データ４１および修正後設計データ４２に対してステップ２１〜ステップ２９ないしはステップ３０までの各処理を施したことを、図形演算部１８およびグルーピング領域作成部５３がステップ２３において確認した後、ステップ３１（Ｓ３１）を装置本体部３４に実行させる。すなわち、自動修正検証システム４４に入力された全ての修正前設計データ４１および修正後設計データ４２に対する修正ルールの検証を終了させる。
【０１４８】
この後、図示を伴う具体的かつ詳細な説明は省略するが、ステップ２９において修正結果格納部２２に格納された修正指針４３を満足していると判定された各修正後パターンの設計データ４２は、前述した第１および第２の各実施形態と同様に、実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとして出力される。そして、出力された各修正後パターンの設計データ４２を、所定の後工程に向けて出荷する作業を装置本体部５２に実行させる。例えば、装置本体部５２は、修正結果格納部２２に格納された各修正後パターンの設計データ４２を、実際のパターン作成に用いるパターン作成用設計データとしてネットワークインターフェース１１を介して図示しないマスクパターン作成ラインに向けて送り出す。
【０１４９】
以上で、本実施形態に係るパターン作成・検証プログラム、このプログラムにより実行されるパターン作成・検証装置５１のパターン作成・検証機能、および本実施形態に係るパターン作成・検証プログラムにより作動されるパターン作成・検証装置５１を用いて実現されるパターン作成方法を終了とする。
【０１５０】
以上説明したように、この第３実施形態によれば、前述した第１および第２の各実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態を第１および第２の各実施形態と組み合わせることにより、第１および第２の各実施形態に係るパターン作成方法により作成および修正されたパターンの正しさを効率良く、かつ、均一に検証することができる。ひいては、パターンの設計データの作成および修正を、半導体装置の製造プロセスやパターン設計プロセス上の要請に沿ってさらに効率良く、かつ、さらに均一に行うことができる。なお、ステップ２３およびステップ２９の判定は、図形演算部１８およびグルーピング領域作成部５３の代わりに解析結果判定部５５ｄに行わせる設定としてもよい。
【０１５１】
（第４の実施の形態）
次に、本発明に係る第４実施形態について図示を省略して説明する。なお、前述した第１〜第３の各実施形態と同一部分にはそれらをそのまま用いて説明する。
【０１５２】
本実施形態においては、前述した第１〜第３の各実施形態のうちの少なくとも一形態を用いて作成・検証されたパターンの設計データに基づいて露光マスクを作成する技術について図示を省略して説明する。
【０１５３】
先ず、前述した第１〜第３の各実施形態のうちの少なくとも一形態を用いて、所望のパターンの設計データを作成する。続けて、この設計データに基づいて図示しない露光マスクに露光パターンを形成する。これにより、所望の露光パターンを備える露光マスクを形成することができる。
【０１５４】
以上説明したように、この第４実施形態によれば、前述した第１〜第３の各実施形態のうち少なくとも１つの実施形態に係る技術を利用する。これにより、各種半導体素子や配線等の露光パターンを高い精度で効率良く、かつ、容易に露光マスクに形成することができる。このため、精度、信頼性、および品質等が向上された露光マスクを効率良く、かつ、容易に生産することができる。
【０１５５】
（第５の実施の形態）
次に、本発明に係る第５実施形態について図示を省略して説明する。なお、前述した第１〜第４の各実施形態と同一部分にはそれらをそのまま用いて説明する。
【０１５６】
本実施形態においては、前述した第４実施形態を用いて作成された露光マスクを用いて半導体装置を製造する技術について図示を省略して説明する。
【０１５７】
先ず、第４実施形態に係る露光マスクを用いて図示しない半導体基板上のレジスト膜に露光パターンを転写するとともに、レジスト膜を現像してレジストパターンをレジスト膜に形成する。続けて、レジスト膜に形成されたレジストパターンに沿ってレジスト膜の下方の被加工膜や半導体基板をエッチング等により加工する。これにより、被加工膜や半導体基板に所望のパターンを形成することができる。この後、パターンが形成された半導体基板を、トランジスタ製造工程、配線形成工程、ダイシング工程、チップマウンティング工程、ボンディング工程、およびモールディング工程等に流す。これにより、本実施形態に係る図示しない所望の半導体装置を得る。
【０１５８】
以上説明したように、この第５実施形態によれば、第４実施形態に係る露光マスクを用いてパターン露光を行う。これにより、パターンを高い精度で形成することができるので、微細な各種半導体素子や配線等を高い精度で効率良く、かつ、容易に半導体基板等の上に形成することができる。このため、パターンが高い精度で形成されており、性能、信頼性、品質、および歩留まり等が向上された高品質な半導体装置を効率良く、かつ、容易に製造することができる。
【０１５９】
なお、本発明に係るパターン作成方法、パターン検証方法、パターン作成・検証プログラム、および半導体装置の製造方法は、前述した第１〜第５の各実施形態には制約されない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、それらの構成、あるいは製造工程などの一部を種々様々な設定に変更したり、あるいは各種設定を適宜、適当に組み合わせて用いたりして実施することができる。
【０１６０】
例えば、第１〜第３の各実施形態に係るパターン作成・検証プログラムは、コンピュータであるパターン作成・検証装置６，３３，５１のそれぞれの本体部７，３４，５２に実行させることのできる状態で記録されていれば、その記録状態や記録形式は問われない。例えば、パターン作成・検証プログラムを記録した記録媒体２３としては、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤ、ＤＶＤ、およびＭＯ等の光ディスク、あるいは半導体メモリ等を用いることができる。また、パターン作成・検証プログラムは、例えば図２に示すように、通信媒体としてのＬＡＮやインターネット等の電気通信回線２４を介して各装置６，３３，５１に接続されている外部の各種コンピュータ２５や記憶装置２５等に保存されていても構わない。具体的には、パターン作成・検証プログラムは、一連の半導体装置の製造プロセス全体を管理するホストコンピュータ等のパターン作成・検証装置６，３３，５１よりも上位のコンピュータ２５やサーバー２５等に保存されていても構わない。この場合には、パターン作成・検証プログラムは、電気通信回線２４およびネットワークインターフェース１１を介して外部コンピュータ２５や外部記憶装置２５から装置本体部７，３４，５２に一旦読み取らせた後、主記憶装置１０に記憶させればよい。また、電気通信回線２４は、有線あるいは無線の別を問わない。
【０１６１】
また、前述した各コンピュータ７，３４，５２に接続されている主記憶装置１０にも、例えばフレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤ、ＤＶＤ、およびＭＯ等の光ディスク、あるいは半導体メモリ等、その内部に記録するデータやプログラムを適宜書き替え可能（更新可能）な記録媒体（記憶装置）を用いることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１６２】
【図１】第１実施形態に係るパターン作成方法をフローチャートにして示す図。
【図２】第１実施形態に係るパターン作成装置を簡略化して示すブロック図。
【図３】第２実施形態に係るパターン作成方法をフローチャートにして示す図。
【図４】第２実施形態に係るパターン作成方法で用いる第３のデザインルールを表にして示す図。
【図５】第２実施形態に係るパターン作成装置を簡略化して示すブロック図。
【図６】第３実施形態に係るパターン検証方法をフローチャートにして示す図。
【図７】第３実施形態に係るパターン検証工程を示す図。
【図８】第３実施形態に係るパターン検証工程を示す図。
【図９】第３実施形態に係るパターン検証方法で用いる修正ルールを表にして示す図。
【図１０】第３実施形態に係るパターン検証装置を簡略化して示すブロック図。
【符号の説明】
【０１６３】
１…初期のデザインルール（第１のデザインルール）、３…初期のデザインルールチェックが済んだ設計データ（第１のデザインルールチェックが済んだ設計データ）、４…次善策デザインルール（第２のデザインルール）、５…修正指針、３２…評価点付きデザインルール（第３のデザインルール）、４１…修正前のパターンの設計データ、４２…修正後のパターンの設計データ、４３…修正指針情報、４７ａ，４７ｂ，４７ｃ…修正前のパターンの設計データと修正後のパターンの設計データとの差分、４８ａ，４８ｂ，４８ｃ…グルーピング領域（群領域）、４９ａ，４９ｂ，４９ｃ，４９ｄ，４９ｅ，４９ｆ…グルーピング領域を作成する基準となる図形（群領域を作成する基準となる図形）、５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｅ，５０ｆ…修正の前後で対応付けされた図形のエッジ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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