(57)【要約】【課題】感光性レジスト等を使用せず、生産性を低下させることなく微細で十分な膜厚の導電性パターンを精度良く形成することができる導電性パターンの形成方法および基板製造装置を提供する。【解決手段】導電性パターンに対応するパターンが形成されたマスク１１を用い、基板１にマスク１１を介してレーザ光１２を照射して溝を形成する溝形成工程と、溝形成工程後に基板１を撥液化する撥液化処理工程と、撥液化処理工程において撥液化した基板１の溝を親液化する親液化処理工程と、親液化処理工程において親液化した溝１に導電性材料液の液滴を吐出して導電性パターンを形成する導電体形成工程と、を有し、親液化処理工程において、溝にマスク１１を介してレーザ光１２を照射する。【選択図】図３
2008192952.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に導電性パターンを形成する導電性パターンの形成方法であって、
前記導電性パターンの形状が描かれたパターンが形成されたマスクを介して、前記基板にレーザ光を照射することにより、前記導電性パターンの形状の溝を形成する溝形成工程と、
前記溝形成工程において溝が形成された前記基板を撥液化する撥液化処理工程と、
前記マスクを介して前記レーザ光を照射することにより、前記撥液化処理工程において撥液化された前記基板の溝を親液化する親液化処理工程と、
前記親液化処理工程において親液化された前記溝に、導電性材料液の液滴を吐出して前記導電性パターンを形成する導電体形成工程と、
を有することを特徴とする導電性パターンの形成方法。
【請求項２】
前記親液化処理工程における前記レーザ光のパワー密度が前記溝形成工程における前記レーザ光のパワー密度よりも小であることを特徴とする請求項１記載の導電性パターンの形成方法。
【請求項３】
前記撥液化処理工程の前に、前記基板を洗浄する洗浄工程を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の導電性パターンの形成方法。
【請求項４】
前記溝形成工程の前に、前記基板の撥液化処理を行う前撥液化処理工程を有することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の導電性パターンの形成方法。
【請求項５】
レーザ光を照射するレーザ照射部と、プラズマ表面処理を行うプラズマ処理部と、導電性材料液の液滴を吐出する液滴吐出部と、前記基板を固定する基板固定部と、を備え、
前記レーザ照射部と前記プラズマ処理部と液滴吐出部との間を、前記基板固定部が移動可能に設けられていることを特徴とする導電性パターン形成装置。
【請求項６】
請求項１記載の導電性パターンの形成方法によって形成された導電性パターンを備えていることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性パターンの形成方法および形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、インクジェット方式を用いて基板上に微細な配線等を形成する導電性パターンの形成方法が知られている。このような導電性パターンの形成方法として、基板上にフォトリソグラフィ法、転写法、または印刷法によってバンクを形成し、インクジェット方式によって吐出された導電性材料液をバンクと基板とで形成された凹部に収容するものが知られている。（例えば、特許文献１参照）。また、レーザ光の照射によって基板上に溝パターンを形成し、溝パターンに沿って導電性材料液を配置するものが知られている（例えば、特許文献２参照）。これらの導電性パターンの形成方法においては、導電性材料液を効率よく配置するために、前者においては導電性材料液を配置する基板表面を親液化すると共にバンクの表面を撥液化処理し、後者においては導電性材料液を配置する溝パターンに親液化処理が施されると共に基板表面に撥液化処理が施されている。
【特許文献１】特開２００３−３１７９４５号公報
【特許文献２】特開２００６−１３５０９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来の導電性パターンの形成方法では、前者においては基板上にバンクを形成する際に感光性レジスト等のレジストを使用する必要がある。レジストを使用すると、レジストに対して導電性材料液中に分散したAg等がマイグレーション（Migration）を起こし配線基板としての信頼性を低下させるという課題がある。また、後者においてはレジストを使用せずレーザ光によって溝を形成することができる点で優れているが、溝の形成時に基板のレーザ加工によって発生する飛散物等、所謂デブリ（debris）が基板表面に付着し、基板表面の撥液性を低下させてしまうという課題がある。基板表面の撥液性が低下すると、溝に収容された導電性材料液が基板表面に溢れ、微細な配線等の導電性パターンを十分な膜厚で精度よく形成することが困難である。
【０００４】
そこで、この発明は、感光性レジスト等を使用せず、生産性を低下させることなく微細で十分な膜厚の導電性パターンを精度良く形成することができる導電性パターンの形成方法および導電性パターン形成装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するために、本発明の導電性パターンの形成方法は、基板に導電性パターンを形成する導電性パターンの形成方法であって、前記導電性パターンの形状が描かれたパターンが形成されたマスクを介して、前記基板にレーザ光を照射することにより、前記導電性パターンの形状の溝を形成する溝形成工程と、前記溝形成工程において溝が形成された前記基板を撥液化する撥液化処理工程と、前記マスクを介して前記レーザ光を照射することにより、前記撥液化処理工程において撥液化された前記基板の溝を親液化する親液化処理工程と、前記親液化処理工程において親液化された前記溝に、導電性材料液の液滴を吐出して前記導電性パターンを形成する導電体形成工程と、を有することを特徴とする。
このようにすることで、溝形成工程において基板表面の撥液性が低下しても、続く撥液化処理によって基板表面の撥液性を回復させることができる。また、レーザ光によって加工された溝の親液性は撥液化処理によって失われるが、撥液化処理工程に続く親液化処理工程において溝にレーザ光を照射することで、溝の親液性を回復することができる。これにより、導電体形成工程において溝に導電性材料液を収容する際に、内部には溝の内部の親液性によって溝の導電性材料液が濡れ広がると共に基板表面の撥液性によって導電性材料液が基板表面に溢れ出すことを防止することができる。よって、溝の内部に導電性パターンを十分な膜厚で精度よく形成することができる。また、溝の親液化工程においては、溝形成時に用いたマスクを利用して溝にレーザ光を照射するので、溝形成工程と同様のマスクを用い、同様の手順で溝の内部のみに親液化処理を行うことができ、新たに別の方法で溝を親液化する場合と比較して、生産性を低下させることなく容易に溝の親液化処理を行うことができる。また、溝の形成時に用いたマスクと同一のマスクを用いてレーザ光を照射して溝を親液化するので、従来よりも溝のパターンに対する親液化のずれが少なく、溝の近傍における基板表面の撥液性が損なわれることがない。したがって、導電性材料液が基板表面に溢れ出ることが防止されるので、導電性パターンの形成精度が向上し、高精度の導電性パターンを形成することができる。
【０００６】
また、本方法発明では、前記親液化処理工程における前記レーザ光のパワー密度が前記溝形成工程における前記レーザ光のパワー密度よりも小であることが望ましい。
このようにすることで、撥液化工程において形成された撥液層のみを除去し、基板がレーザ光によって加工されることを防止できるので、デブリの発生を防止して基板表面の撥液性を損なうことなく溝を親液化することができる。
【０００７】
また、本方法発明では、前記撥液化処理工程の前に、前記基板を洗浄する洗浄工程を有することが望ましい。
このようにすることで、基板を洗浄して溝の形成時に基板に付着したデブリを取り除くことができる。また、洗浄工程に続く撥液化処理工程において、洗浄されデブリが取り除かれた基板に撥液化処理を行うことができ、基板の撥液性を回復させると共に撥液性をより向上することができる。
【０００８】
また、本方法発明では、前記溝形成工程の前に、前記基板の撥液化処理を行う前撥液化処理工程を有することが望ましい。
このようにすることで、溝形成時にデブリが基板表面に付着することを抑制できる。また、基板表面に付着したデブリを洗浄工程でより容易に除去することができる。
【０００９】
また、本発明の導電性パターン形成装置は、レーザ光を照射するレーザ照射部と、プラズマ表面処理を行うプラズマ処理部と、導電性材料液の液滴を吐出する液滴吐出部と、前記基板を固定する基板固定部と、を備え、前記レーザ照射部と前記プラズマ処理部と液滴吐出部との間を、前記基板固定部が移動可能に設けられていることを特徴とする。
このように構成することで、まずレーザ照射部においてレーザ光によって基板に溝を形成し、次にプラズマ処理部において基板表面に付着したデブリを洗浄した後、同じくプラズマ処理部において基板の撥液化処理を行い、再びレーザ照射部においてレーザ光によって溝の親液化処理を行い、次いで液滴吐出部において基板の溝に導電性材料液の液滴を吐出する、という一連の工程を、基板が固定された基板固定部を各処理部に適宜移動させることで、連続して行うことができる。したがって、各工程を行う際に個々の装置を別々に設け基板の移動と固定を繰り返す場合と比較して、生産性を著しく向上させることができる。
【００１０】
また、本発明の配線基板は、上述の導電性パターンの形成方法によって形成された導電性パターンを備えていることを特徴とする。
このように構成することで、基板上の溝の内部に十分な膜厚で導電性パターンが形成されるので、配線の電気抵抗を低下させ高性能の配線基板を得ることができる。また、高精度の導電性パターンが形成されるので、配線密度の高い配線基板を得ることができる。また、導電性パターン形成時の生産性を向上させることができるので、配線基板の生産性を向上させ、製造コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
＜第一実施形態＞
次に、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
図１に示すように、基板１は、例えば、電気光学装置等に用いられるＦＰＣ（可撓性印刷配線）基板等の回路基板であり、表示装置等の駆動回路２への信号を入力する入力配線３、および駆動回路２から表示装置等へ信号を出力する出力配線４が形成されている。入力配線３には比較的幅の広い信号配線が使用されているが、出力配線４は線幅及び配線間隔が非常に狭い微細なパターンを有している。ここで、出力配線４の線幅および配線間隔は、例えば、それぞれ約７μｍ以下である。また、基板１は、例えば、ポリイミド、エポキシ、液晶ポリマー等の樹脂材料によって形成され、入力配線３および出力配線４は、例えば、金、銀、銅、パラジウム、ニッケル等の導電性材料によって形成されている。
【００１２】
〔導電性パターン形成装置〕
図２に示すように、導電性パターン形成装置１００には、レーザ光を照射するレーザ照射部１０と、プラズマ表面処理を行うプラズマ処理部２０と、導電性材料液の液滴を吐出する液滴吐出部３０とが隣接して設けられている。また、基板固定部４０のテーブル４１には基板１を固定する図示しない基板固定機構が設けられている。基板固定部４０の基部４２は駆動軸４３に設けられたネジに螺合されている。駆動軸４３は、図示しないモータ等の駆動装置および制御部等によって自在に回転制御可能となっている。基板固定部４０の下部には、レーザ照射部１０、プラズマ処理部２０、および液滴吐出部３０の設置方向に沿ってレール４４が設けられている。基板固定部４０はレール４４上をスライド可能に設けられた支持部４５によってレール４４上に支持され、レーザ照射部１０とプラズマ処理部２０と液滴吐出部３０との間を自在に移動可能に設けられている。また、レール４４は接地された状態となっている。
【００１３】
レーザ照射部１０は、対向する基板固定部４０に固定された基板１に向けて、図３（ａ）に示すように、マスク１１を介してレーザ光１２を照射可能に構成されている。マスク１１には、図１に示す出力配線４の微細な配線パターンを拡大したパターンが形成されている。ここで、マスク１１は、例えば、石英等によって形成され、パターンはクロム等によって形成されている。マスク１１の基板１側には縮小光学系が設けられている。縮小光学系は、投影されたパターンを、例えば、１／４に縮小可能な４倍結像レンズ１３を備えている。また、レーザ照射部１０はレーザビームスポット１４が基板１上をＸ方向およびＹ方向に走査できるように、マスク１１およびレーザ照射部１０のそれぞれにＸ軸方向駆動軸、Ｙ軸方向駆動軸が設けられ、それぞれＸ方向およびＹ方向に移動可能に設けられている。また、レーザ照射部１０はレーザ光１２のパワー密度を制御する制御装置を備えている。
【００１４】
図２に示すプラズマ処理部２０は、内部に電源が接続され電圧を印加可能に設けられた印加側電極部を備えている。また、対向する基板固定部４０のテーブル４１は基部４２および支持部４５を介して接地されたレール４４に電気的に接続され、アース側電極部として機能するようになっている。また、基板固定部４０とプラズマ処理部２０との間には、図示しないカバーおよび排気装置が移動可能に設けられている。また、処理ガスとしてＯ２ガス、または、キャリアガスとしてＨｅを用い当該ＨｅガスにＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＣＣｌＦ３、ＳＦ６等のフッ素含有化合物ガスを混合させた混合ガスを供給するガス供給装置を備えている。
【００１５】
液滴吐出部３０は、対向する基板固定部４０に向けて液滴を吐出する液滴吐出ヘッドを内部に備えている。液滴吐出ヘッドにはＸ方向駆動軸とＹ方向駆動軸が設けられ、Ｘ方向駆動軸とＹ方向駆動軸に沿って自在に移動可能に設けられている。また、液滴吐出部３０の内部には液滴吐出ヘッドに、例えば、金、銀、銅、パラジウム、ニッケル等の導電性材料の微粒子が分散媒に分散された導電性材料液を供給する導電性材液供給部が備えられている。さらに、液滴吐出部３０の内部には基板１を加熱するためのヒータが設けられている。
【００１６】
〔導電性パターンの形成方法〕
次に、この導電性パターン形成装置１００を用いた導電性パターンの形成方法について説明する。図２に示すように、駆動軸４３を回転させると、基板固定部４０はレール４４上をレール４４の設置方向に沿って移動する。このとき駆動軸４３に接続されたモータの回転を制御部によって制御することで、基板固定部４０をレール４４上の任意の位置に自在に移動させ、位置決めすることができる。ここでは、予め撥液化処理され、表面に撥液層が形成された基板１を用いる。基板１は基板固定部４０のテーブル４１上に基板固定機構によって固定されている。
【００１７】
（溝形成工程）
まず、駆動軸４３を回転制御することで、基板固定部４０を基板１がレーザ照射部１０に対向する位置まで移動させる。次に、基板１の位置決めを行った後、レーザ照射部１０から、例えば、波長１９６ｎｍのエキシマレーザのレーザ光１２を、図３（ａ）に示すように、マスク１１を介して基板１に照射する。レーザ照射部１０から照射されたレーザ光１２は、図１に示す基板１の出力配線４に対応して、図３に示すマスク１１に形成されたパターンが、複数に分割された照射エリア１５ａを通過し、縮小光学系の４倍結像レンズ１３によって１／４に縮小され、基板１の照射エリア５ａに照射される。図１に示す基板１の照射エリア５ａの大きさは、例えば、約２ｍｍ×２ｍｍとなっている。なお、図３（ａ）〜図３（ｄ）において、マスク１１に形成された照射エリア１５ａ〜１５ｈおよび基板１の照射エリア５ａ〜５ｈは、図示都合上、一部省略して表している。
【００１８】
すなわち、図１に示す基板１の一の照射エリア５ａは、マスク１１に形成された一の照射エリア１５ａに対応し、マスク１１の照射エリア１５ａに形成されたパターンが１／４に縮小され、出力配線４を形成するための溝のパターンとして基板１の照射エリア５ａに形成される。このときレーザ光１２のパワー密度は、例えば、約１Ｊ／ｃｍ２で、連続して２０ショット照射する。これにより、図４に示すように、基板１の表面の撥液層６を除去すると共に、基板１に深さｄが約８μｍの溝７を形成することができる。このとき、基板１の表面には溝７の加工によって発生したデブリ８が付着する。また、形成された溝７は、底部の幅Ｗ１が約７μｍと狭く、開口部の幅Ｗ２が約１２μｍと広い、やや上部が広がった形状となっている
【００１９】
次に、図３（ｂ）に示すように、基板１を固定したままレーザ照射部１０およびマスク１１を−Ｘ方向に距離Ｄ／４移動させた後、マスクのみを−Ｘ方向に距離Ｄ移動させ、マスク１１の次の照射エリア１５ｂに形成されたパターンを介してレーザ光１２を照射して基板１の次の照射エリア５ｂに基板１の出力配線４に対応した溝を形成する。図３（ｃ）、図３（ｄ）に示すように、これを繰り返し、Ｘ方向の照射エリア５ｈの溝７の形成が終了したら、基板１を固定したままレーザ照射部１０およびマスク１１を＋Ｙ方向に距離Ｄ／４移動させた後、マスク１１のみを＋Ｙ方向に距離Ｄ移動させ、同様にレーザ光１２をマスク１１の照射エリア１６ｈに照射して基板１の照射エリア６ｈに溝７を形成する。そして、基板１を固定したままレーザ照射部１０およびマスク１１を、上記と同様に、それぞれ繰り返し＋Ｘ方向に移動させて行き、レーザビームスポット１４を基板１の＋Ｘ方向に移動させながら、基板１の照射エリア６ｈ〜６ａ毎に溝７の形成を行う。これを繰り返すことで、マスク１１に形成されたパターンが全て基板１側に溝７のパターンとして縮小されて形成される。
【００２０】
（洗浄工程）
次に、図２に示すように、溝７が形成された基板１がプラズマ処理部２０に対向する位置まで基板固定部４０を移動させて位置決めする（矢印Ａ）。次いで、プラズマ処理部２０と基板１との間にカバーを移動させ、ガス供給装置から処理ガスとしてＯ２ガスを供給し、印加側電極部に電圧を印加し、基板固定部４０のテーブル４１をアース側電極部として、大気雰囲気中でプラズマを放電させる。これにより、図５に示すように、基板１の表面を洗浄し基板１の表面に付着したデブリ８を取り除くことができる。また、同時に基板１の表面の撥液層６も除去される。このときのプラズマ表面処理の条件は、例えば、プラズマパワーが１００〜８００ｋＷ、Ｏ２ガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、基板温度が７０〜９０℃である。また、プラズマの放電に伴って生じた不要なガスは、カバーに設けられた排気装置によって排気される。
【００２１】
（撥液化処理工程）
次いで、図２に示すように、プラズマ処理部２０のガス供給装置によってＨｅガス等のパージガスを供給しつつ排気装置により排気を行って基板１とプラズマ処理部２０との間をパージする。その後、ガス供給装置によってＨｅガスにＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＣＣｌＦ３、ＳＦ６等のフッ素含有化合物ガスを混合させた混合ガスを供給し、印加側電極部に電圧を印加し、基板固定部４０のテーブル４１をアース側電極部として、大気雰囲気中でプラズマを放電させる。これにより、図６に示すように、溝７が形成され洗浄された基板１の表面に新たな撥液層６´が形成され、基板１の表面が撥液化される。このとき、溝７の内部も撥液化された状態となる。また、このときのプラズマ表面処理の条件は、例えば、プラズマパワーが１００〜８００ｋＷ、混合ガスの流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、基板温度が７０〜９０℃である。また、プラズマの放電に伴って生じた不要なガスは、カバーに設けられた排気装置によって排気される。
【００２２】
（親液化処理工程）
次に、図２に示すように、溝７が形成され撥液化処理された基板１がレーザ照射部１０に対向する位置まで基板固定部４０を移動させて位置決めする（矢印Ｂ）。次いで、溝形成工程と同様に、図３（ａ）〜図３（ｄ）に示すように、基板１を固定したままレーザ照射部１０およびマスク１１をそれぞれ移動させ、レーザ照射部１０から、例えば、波長１９６ｎｍのエキシマレーザのレーザ光１２を、マスク１１の各照射エリア１５ａ，１５ｂ…を介して基板１の各照射エリア５ａ，５ｂ…に順次照射する。これにより、図７に示すように、溝７の内部の撥液層６´が除去され、溝７の内部が親液化される。このときレーザ光１２のパワー密度は、例えば、約０．１Ｊ／ｃｍ２で、連続して２ショット照射する。このように、親液化処理工程におけるレーザ光１２のパワー密度を溝形成工程におけるレーザ光１２のパワー密度（約１Ｊ／ｃｍ２）よりも小としショット数を調整することで、溝７の内部の撥液層６´のみを除去することができる。したがって、基板１の加工に伴って発生するデブリ８の発生を防止して、基板１の表面の撥液性を損なうことなく、溝７の内部を親液化することができる。
【００２３】
（導電体形成工程）
次に、図２に示すように、表面が撥液化処理され溝７の内部が親液化処理された基板１が、液滴吐出部３０に対向する位置まで基板固定部４０を移動させて位置決めする（矢印Ｃ）。次いで、液滴吐出部３０の液滴吐出ヘッドを基板１に形成された溝７のパターンに沿って移動させながら、図８に示すように、液滴吐出ヘッドから基板１の溝７に向けて導電性材料液の液滴２１を吐出する。このとき、溝７の内部が親液化されているため、溝７の内部に配置された液滴２１は溝７に沿って容易に濡れ広がることができる。これにより、図９に示すように、導電性材料液を溝７に沿って均一に配置することができる。さらに、基板１の表面が撥液層６´によって撥液化されているため、導電性材料液２２が基板１の表面に溢れ出ることを防止することができる。これにより、導電性材料液２２を十分な膜厚Ｔで溝７の内部に配置することができる。
【００２４】
次いで、液滴吐出部３０の内部に設けられたヒータにより基板１を加熱して導電性材料液２２の分散媒を蒸発させ乾燥させる。分散媒が蒸発し乾燥した後、溝７の内部に残された導電性材料の微粒子をさらに加熱して焼成することで、図１０および図１に示すように、連続した膜としての導電性パターン２３である出力配線４を形成することができる。ここで、形成された導電性パターン２３の膜厚は、例えば、約１μｍ弱となる。
【００２５】
以上説明したように、本実施の形態によれば、レーザ光１２によって基板１に溝７を形成するため、感光性レジスト等を使用する必要がない。したがって、マイグレーションを防止して信頼性の高い基板１を得ることができる。
また、レーザ光１２によって溝７を形成することで、レジストを用いる方法と比較して容易に深い溝７を形成することができる。加えて、溝７は底部の幅Ｗ１が狭く上部の幅Ｗ２が広い形状に形成される。さらに、基板１の表面が撥液化されているので、導電性材料液２２が基板１の表面に溢れ出ることを防止できる。これにより、溝７の内部により多くの導電性材料液２２を保持することが可能となる。したがって、より膜厚の厚い導電性パターン２３を形成することができ、導電性パターン２３の抵抗値を低下させ、品質を向上させることができる。
【００２６】
また、溝７の形成には縮小光学系を用いているので、基板１に形成される微細な導電性パターン２３が拡大されたパターンをマスク１１に形成し、そのパターンを縮小して基板１に転写することができる。したがって、基板１に精度よく微細な溝７のパターンを形成することができる。
また、溝７は上部の幅Ｗ２が底部の幅Ｗ１よりも広い形状に形成されているので、液滴吐出部によって吐出された導電性材料液２２の液滴２１を容易に溝７の内部に収容させることができる。また、溝７の底部の幅Ｗ１が狭くなっているので、体積が減少した焼成後の導電性パターン２３の幅は溝７の底部の幅Ｗ１の幅に略等しく、溝７の上部の幅Ｗ２に略等しい導電性材料液２２の幅よりも縮小される。したがって、導電性パターン２３同士の間隔を確保し、基板１の信頼性を向上させることができる。加えて、溝の形成時にチャンバーを用いたり、真空状態にしたりすることを必要としない。したがって、工程を単純化させ、生産性を向上し、製造におけるコストを低下させることができる。
【００２７】
また、溝７の親液化工程においては、溝７の形成に用いたレーザ照射部１０を利用し、溝７の形成時と同様の手順によって溝７のみを親液化することができる。したがって、新たに別の装置や方法で溝７を親液化する場合と比較して、工程数の増加を抑制し、より容易に溝７を親液化することができる。また、溝７の形成時に用いたマスク１１と同一のマスク１１を用いてレーザ光１２を照射して溝７を親液化するので、従来よりも溝７のパターンに対する親液化のずれが少なく、溝７の近傍における基板１表面の撥液性が損なわれることがない。したがって、導電性材料液２２が基板１表面に溢れ出ることが防止されるので、導電性パターン２３の形成精度が向上し、高精度の導電性パターン２３を形成することができる。
【００２８】
また、本実施の形態において説明した導電性パターン形成装置１００を用いることで、導電性パターン２３を形成する一連の工程を、基板１が固定された基板固定部４０を各処理部１０，２０，３０に適宜移動させることで、連続して行うことができる。したがって、各工程を行う際に個々の装置を別々に設け基板１の移動と固定を繰り返す場合と比較して、生産性を著しく向上させることができる。
【００２９】
したがって、本実施の形態によれば、感光性レジスト等を使用せず、生産性を低下させることなく微細で十分な膜厚の導電性パターン２３を精度良く形成することができる。
【００３０】
＜第二実施形態＞
次に、本発明の第二実施形態について、図１〜図１０を援用して説明する。上述の第一実施形態では、予め表面が撥液化処理された基板を用いたが、本実施の形態では撥液化処理されていない基板を用い、上述の第一実施形態において説明した溝形成工程の前に基板を撥液化処理する前撥液化処理工程を有する点で異なっている。その他の点は第一実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００３１】
（前撥液化処理工程）
まず、図２に示すように、基板固定機構によってテーブル４１上に基板１を固定した基板固定部４０を、駆動軸４３を回転制御することで、基板１がプラズマ処理部２０に対向する位置に移動させ位置決めする。次いで、上述の第一実施形態において説明した撥液化処理工程と同様に、ガス供給装置によってＨｅガスにＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＣＣｌＦ３、ＳＦ６等のフッ素含有化合物ガスを混合させた混合ガスを供給し、印加側電極部に電圧を印加し基板固定部４０のテーブル４１をアース側電極部として、大気雰囲気中でプラズマを放電させる。これにより、基板１の表面に撥液層６が形成された状態となる。その後、第一実施形態と同様に、溝形成工程、洗浄工程、撥液化処理工程、親液化処理工程、導電性パターン形成工程を経ることで基板１に導電性パターン２３を形成する。
【００３２】
これにより、上述の第一実施形態と同様の効果を得られるだけでなく、基板１の溝形成工程の前の前撥液化処理工程を基板１に導電性パターン２３を形成する一連の工程として組み込むことができる。したがって、生産性を必要以上に低下させることなく、予め撥液化処理されていない基板１を用いることができる。よって、基板１のコストを低減させることができる。また、基板１の表面が撥液化されるので、溝形成工程において表面に撥液化処理されていない基板を加工する場合と比較して、基板１の表面にデブリ８が付着するのを防止することができる。また、基板１の表面が撥液化されることにより基板１の洗浄工程においてデブリ８を除去しやすくできる。
【００３３】
尚、この発明は上述した実施形態に限られるものではなく、基板の洗浄工程においてエタノール等の液体を用いてスクラブ洗浄等を行ってもよい。基板の洗浄に用いる溶剤としては、水、ＩＰＡ等の他、基板を溶かさないものであればよい。また、超音波洗浄によって基板を洗浄してもよい。また、溝形成工程の後の撥液化処理工程で基板表面に十分な撥液性が得られるのであれば、基板の洗浄工程を省略してもよい。
また、前撥液化処理工程を行わず、撥液化処理されていない基板を用いてもよい。この場合、基板表面にデブリが付着しやすくなるが、洗浄工程によってデブリを除去することができる。あるいは、撥液化工程によって基板表面の撥液性を回復させることができる。
【００３４】
また、上述の実施形態では基板を固定してレーザ照射部およびマスクを移動させて基板にレーザ光を照射したが、レーザ照射部を固定して基板およびマスクを移動させるようにしてもよい。またレーザ光はエキシマレーザに限らず、ＹＡＧレーザ、半導体レーザ、ＣＯ２レーザ等を用いてもよい。
また、基板の材質はポリイミドに限らず、ガラス等他の材質の基板を使用することができる。石英ガラスを基板として用いる場合には、例えば、波長１５７ｎｍのＦ２レーザを用いて基板に溝を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第一実施形態における基板の平面図である。
【図２】本発明の第一実施形態における導電性パターン製造装置の構成図である。
【図３】本発明の第一実施形態における溝形成工程の説明図である。
【図４】本発明の第一実施形態における溝形成工程の説明図である。
【図５】本発明の第一実施形態における洗浄工程の説明図である。
【図６】本発明の第一実施形態における撥液化処理工程の説明図である。
【図７】本発明の第一実施形態における親液化処理工程の説明図である。
【図８】本発明の第一実施形態における導電体形成工程の説明図である。
【図９】本発明の第一実施形態における導電体形成工程の説明図である。
【図１０】本発明の第一実施形態における導電体形成工程の説明図である。
【符号の説明】
【００３６】
１  基板、７  溝、１０  レーザ照射部、１１  マスク、１２  レーザ光、２０  プラズマ処理部、２１  液滴、２２  導電性材料液、２３  導電性パターン、３０  液滴吐出部、４０  基板固定部、１００  導電性パターン形成装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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