(57)【要約】【課題】  フォトダイオード領域に到達する光の減衰を防止し、パシベーション膜の膜厚ばらつきによる感度低下を改善したCMOSイメージセンサを提供する。【解決手段】  フォトダイオード領域上のパシベーション膜に対し、SOGあるいはレジストコーティング後にパシベーション膜の表面層をSOGあるいはレジストごとエッチバックすることによりパシベーション膜表面の凹凸を除去し、光学的に平坦化させるようにした。これにより反射、吸収、散乱、干渉からなる光の減衰を防止し、さらにパシベーション膜の膜厚ばらつきによる感度低下を改善した。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトダイオードおよびMOSトランジスタなどの素子を同一シリコン基板上に構成するCMOSイメージセンサにおいて、前記フォトダイオード領域上の中間絶縁膜と、前記中間絶縁膜に開口されたコンタクト孔を介して前記フォトダイオード領域と接合している金属配線と、前記金属配線の上では膜厚が薄く、前記金属配線の無い領域の上では膜厚が厚い、エッチバックされたパシベーション膜とを具備し、前記パシベーション膜は光学的に平坦であることを特徴とするCMOSイメージセンサ。
【請求項２】
半導体基板上に中間絶縁膜を形成する工程と、
金属配線を形成する工程と、
前記半導体基板の全面にパシベーション膜を堆積する工程と、
前記パシベーション膜表面にＳＯＧを塗布してからエッチバックし前記パシベーション膜の表面層を平坦化する工程と、
を有するCMOSイメージセンサの製造方法。
【請求項３】
半導体基板上に中間絶縁膜を形成する工程と、
金属配線を形成する工程と、
前記半導体基板の全面にパシベーション膜を堆積する工程と、
前記パシベーション膜表面にレジストを塗布してからエッチバックし前記パシベーション膜の表面層を平坦化する工程と、
を有するCMOSイメージセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像情報を読み取り電送する装置、ファクシミリ、イメージスキャナ、電子カメラに用いられるCMOSイメージセンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図３は従来のCMOSイメージセンサの一例を示す回路図である。CMOSイメージセンサのセンサ回路１０では、PN接合を用いたフォトダイオード１２に、フォトダイオード１２を適当な電圧にリセットするためのスイッチング素子であるリセットトランジスタ１１と、フォトダイオード１２で蓄積された光電荷を増幅するための増幅回路１３が結線されている。
【０００３】
リセットトランジスタ１１をONしフォトダイオード１２を十分にリセットさせるリセット動作とリセットトランジスタ１１をOFFし一定時間フォトダイオード１２に光電荷を蓄積させる蓄積動作と増幅回路１３をONしフォトダイオード１２に蓄積された光電荷を増幅して読み出す読み出し動作で、連続的に光情報を読み取ることができる構成となっている。
【０００４】
読み出し動作後に増幅された信号を一時的に記憶することも、保持容量２１と２つのスイッチトランジスタ２２Ａと２２Ｂからなる保持回路２０を用いて行うことができる。
【０００５】
読み出し動作中にスイッチトランジスタ２２ＡをONし、増幅回路１３により保持容量２１へ信号を電荷として貯え、スイッチトランジスタ２２ＡをOFFした後、任意の保持時間後にスイッチトランジスタ２２ＢをONし保持容量２１から読み出すことができる。
【０００６】
リセット、蓄積、読み出しの一連の動作を複数のフォトダイオードに対して一括に処理することで保持回路から個別に任意に読み出すことが可能である。
【０００７】
図４は従来のCMOSイメージセンサのフォトダイオード部の一例を示す模式的断面図である。P型シリコン基板１上にN-well領域２およびLOCOS酸化膜３が形成されている。またN-well領域２内にはこれよりもN型不純物濃度の高いN+領域４が形成されている。P型シリコン基板１およびN-well領域２、N+領域４上には中間絶縁膜５が形成されており、メタル配線６がN+領域４に接続されている。さらに中間絶縁膜５およびメタル配線６上にはパシベーション膜７が形成されている。パシベーション膜７上に光学層を形成することでさらに光透過性を向上させた例もある。（例えば特許文献を参照）
【特許文献１】特開２００１−６０６７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特に光強度の小さな光源を使用する場合、フォトダイオード領域上のパシベーション膜による光の吸収は避けらない。またフォトダイオード領域上に生成されるパシベーション膜のエッジ付近は平坦ではないので、その部分に入射される光は途中で屈折しフォトダイオード領域に到達するまでに光が減衰してしまう課題があった。これによりフォトダイオード領域に照射された光に対する電圧などの電気的な信号量、いわゆる感度の低下という課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明では以下に示す製造方法によりCMOSイメージセンサを構成した。CMOSイメージセンサ製造プロセスにおいて、パシベーション膜を生成した後SOGあるいはレジストをコーティングし、さらにパシベーション膜の表面層ごとコーティングした薄膜をエッチバックすることでパシベーション膜表面の凹凸を除去し、パシベーション膜が光学的に平坦なCMOSイメージセンサを構成した。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したように、本発明はフォトダイオード領域上のパシベーション膜を平坦化することにより反射、吸収、散乱、干渉からなる光の減衰を防止できる。また、これによりフォトダイオードを保護するパシベーション膜の表面が光学的に平坦化されるので、パシベーション膜の膜厚ばらつきの少ない高感度なフォトダイオードを実現できる。このようなフォトダイオードを搭載した高解像度のCMOSイメージセンサを高品質で安価に提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は本発明に係るCMOSイメージセンサにおけるフォトダイオード部の製造プロセスの概略を示す工程順の断面図である。プラズマCVD法により中間絶縁膜５およびメタル配線６上に生成したパシベーション膜７は、メタル密度の均一性が比較的悪いウェハエッジ付近でパシベーション膜７の膜厚ばらつきが特に大きく表面が平坦になりにくい。（図１（Ａ））そこで生成したパシベーション膜７上にSOG８をコーティングし、パシベーション膜７の表面を平坦化する。（図１（Ｂ））ただし、パシベーション膜７に対しSOG８は透過率、屈折率などが異なっており、そのままではフォトダイオード領域に到達する光量にむらができてしまうので、エッチバックによりSOG８およびパシベーション膜７の表面の一部を除去する。（図１（Ｃ）に示される灰色の部分）このようにして得られたパシベーション膜７は表面が平坦化されており、光学的にも一様（平坦）であるので、反射、吸収、散乱、干渉からなる光の減衰を防止でき、高感度なフォトダイオードを実現できる。（図１（Ｄ））
図２は本発明に係るCMOSイメージセンサのフォトダイオード部の実施例を示す模式的断面図である。P型シリコン基板１上にN-well領域２およびLOCOS酸化膜３が形成されている。またN-well領域２内にはN-well領域２のN型不純物濃度よりも高濃度のN+領域４が形成されている。P型シリコン基板１およびN-well領域２、N+領域４上には中間絶縁膜５が形成されており、メタル配線６が中間絶縁膜に形成されたコンタクト孔を介してN+領域４に接続されている。従来のCMOSイメージセンサのフォトダイオード領域では中間絶縁膜５およびメタル配線６上にパシベーション膜７が形成されるが、本発明のCMOSイメージセンサはフォトダイオード領域上のパシベーション膜が平坦化された構造をとっている。
【００１２】
フォトダイオード領域上のパシベーション膜に対し、SOGあるいはレジストコーティング後に表面層のパシベーション膜をSOGあるいはレジストごとエッチバックすることで表面の凹凸を除去し、パシベーション膜の表面を光学的に平坦化した。これにより反射、吸収、散乱、干渉からなる光の減衰を防止し、さらにエッジ付近のパシベーション膜の膜厚ばらつきによる感度低下を改善できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係るCMOSイメージセンサにおけるフォトダイオード部の製造プロセスの概略を示す工程順断面図である。
【図２】本発明に係るCMOSイメージセンサのフォトダイオード部の実施例を示す模式的断面図である。
【図３】従来のCMOSイメージセンサの一例を示す回路図である。
【図４】従来のCMOSイメージセンサのフォトダイオード部の一例を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
【００１４】
１    P型シリコン基板
２    N-well領域
３    LOCOS 酸化膜
４    N+領域
５    中間絶縁膜
６    メタル配線
７    パシベーション膜
８    SOGあるいはレジスト
１０  センサ回路
１１  リセットトランジスタ
１２  フォトダイオード
１３  増幅回路
２０  保持回路
２１  保持容量
２２Ａ  スイッチトランジスタ
２２Ｂ  スイッチトランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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