(57)【要約】【課題】エッチングパターンの線幅がウェハ面内で均一に形成されるように、熱板の温度設定を行う。【解決手段】露光後ベーク装置の熱板は、複数の熱板領域に分割されており、各熱板領域毎に温度設定できる。熱板の各熱板領域には、熱板面内の温度を調整するための温度補正値がそれぞれ設定できる。先ず、フォトリソグラフィー処理が終了し、その後エッチング処理が終了したウェハのエッチングパターンの線幅を測定する。そのウェハ面内の線幅測定結果から、線幅の面内ばらつきを示す多項式関数の係数を算出する。次に、線幅補正量と温度補正値との関数である関係モデルＦを用いて、前記多項式関数の係数が零に近づくような熱板の各領域の温度補正値を算出する。算出された各温度補正値に熱板の各領域の温度を設定する。【選択図】図９
2008270541.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置して熱処理する熱処理板の温度設定方法であって、
前記熱処理板は、複数の領域に区画され、当該領域毎に温度設定可能であり、
さらに前記熱処理板の各領域毎に、熱処理板の面内温度を調整するための温度補正値が設定可能であり、
前記熱処理板における熱処理を含む一連のフォトリソグラフィー処理と、その後のエッチング処理が終了した基板について基板面内のエッチングパターンの状態を測定する工程と、
エッチングパターンの状態の補正量と熱処理板の温度補正値との関数を用いて、前記基板面内のエッチングパターンの状態の測定結果から、熱処理板の各領域の温度補正値を算出する工程と、
算出された各温度補正値により前記熱処理板の各領域の温度を設定する工程と、を有することを特徴とする、熱処理板の温度設定方法。
【請求項２】
前記熱処理板の一つの領域の温度を1℃変化させた場合の基板面内のエッチングパターンの状態の変化量を各領域毎に求め、それらの結果を行列で表して前記関数が作成されていることを特徴とする、請求項１に記載の熱処理板の温度設定方法。
【請求項３】
前記熱処理板の一つの領域の温度を1℃変化させた場合の前記各領域の基板面内のエッチングパターンの状態の変化量を多項式関数により表し、その多項式関数の各項の係数を行列で表して前記関数が作成されていることを特徴とする、請求項２に記載の熱処理板の温度設定方法。
【請求項４】
前記熱処理は、フォトリソグラフィー処理において露光処理後で現像処理前に行われる加熱処理であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の熱処理板の温度設定方法。
【請求項５】
前記エッチングパターンの状態は、エッチングパターンの線幅、膜厚又は側壁角度の少なくともいずれかであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の熱処理板の温度設定方法。
【請求項６】
基板を載置して熱処理する熱処理板の温度設定装置であって、
前記熱処理板は、複数の領域に区画され、当該領域毎に温度設定可能であり、
さらに前記熱処理板の各領域毎に、熱処理板の面内温度を調整するための温度補正値が設定可能であり、
前記熱処理板における熱処理を含む一連のフォトリソグラフィー処理と、その後のエッチング処理が終了した基板について測定された基板面内のエッチングパターンの状態から、エッチングパターンの状態の補正量と熱処理板の温度補正値との関数を用いて、熱処理板の各領域の温度補正値を算出し、当該算出された各温度補正値により前記熱処理板の各領域の温度を設定することを特徴とする、熱処理板の温度設定装置。
【請求項７】
前記熱処理板の一つの領域の温度を1℃変化させた場合の基板面内のエッチングパターンの状態の変化量を各領域毎に求め、それらの結果を行列で表して前記関数が作成されていることを特徴とする、請求項６に記載の熱処理板の温度設定装置。
【請求項８】
前記熱処理板の一つの領域の温度を1℃変化させた場合の前記各領域の基板面内のエッチングパターンの状態の変化量を多項式関数により表し、その多項式関数の各項の係数を行列で表して前記関数が作成されていることを特徴とする、請求項７に記載の熱処理板の温度設定装置。
【請求項９】
前記熱処理は、フォトリソグラフィー処理において露光処理後で現像処理前に行われる加熱処理であることを特徴とする、請求項６〜８のいずれかに記載の熱処理板の温度設定装置。
【請求項１０】
前記エッチングパターンの状態は、エッチングパターンの線幅、膜厚又は側壁角度の少なくともいずれかであることを特徴とする、請求項６〜９のいずれかに記載の熱処理板の温度設定装置。
【請求項１１】
請求項１〜５のいずれかに記載の熱処理板の温度設定方法を温度設定装置によって実行させるために、当該温度設定装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱処理板の温度設定方法、熱処理板の温度設定装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィー工程では、例えばウェハの加工膜上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光後にレジスト膜内の化学反応を促進させる加熱処理（露光後ベーク）、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、この一連のフォトリソグラフィー処理によりウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。その後、ウェハはエッチング処理され、加工膜に所定のエッチングパターンが形成される。
【０００３】
例えば上述の露光後ベークなどの加熱処理は、通常加熱処理装置で行われている。加熱処理装置は、ウェハを載置して加熱する熱板を備えている。熱板には、例えば給電により発熱するヒータが内蔵されており、このヒータによる発熱により熱板は所定温度に調整されている。
【０００４】
上述の加熱処理における熱処理温度は、例えばウェハ上に形成されるレジストパターンの線幅に大きな影響を与える。そこで、加熱時のウェハ面内の温度を厳格に制御するために、上述の加熱処理装置の熱板は、複数の領域に分割され、各領域毎に独立したヒータが内蔵され、各領域毎に温度調整されている。
【０００５】
また、上記熱板の各領域の温度調整を、総て同じ設定温度で行うと、例えば各領域の熱抵抗などの相違により、熱板上のウェハ面内の温度がばらつき、この結果、レジストパターンの線幅がばらつくことが知られている。このため、熱板の各領域の設定温度は、温度補正（温度オフセット）され、この各領域の温度補正値は、熱板に載置されたウェハの面内温度が均一になるように設定されていた（特許文献１参照）。
【０００６】
しかし、従来のようにウェハの面内温度が揃うように温度補正値を設定しても、実際には、十分にレジストパターンの線幅が均一に形成されなかった。そこで、実際に形成されるレジストパターンの線幅のウェハ面内の平均値が所定の目標線幅値に近づくように熱板の温度補正を行うことが提案されている（特許文献２参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−１４３８５０号公報
【特許文献２】特開２００６−２２２３５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述のようにレジストパターンの線幅のウェハ面内の平均値を所定の目標線幅に近づけるようにしても、エッチング処理後の最終的な加工膜の線幅がウェハ面内でばらつく場合がある。最終的な加工膜の線幅がばらつくと、結局所望の回路パターンが形成されない。
【０００９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、エッチング処理後のエッチングパターンの線幅などの状態を基板面内で均一にすることをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するための本発明は、基板を載置して熱処理する熱処理板の温度設定方法であって、前記熱処理板は、複数の領域に区画され、当該領域毎に温度設定可能であり、さらに前記熱処理板の各領域毎に、熱処理板の面内温度を調整するための温度補正値が設定可能であり、前記熱処理板における熱処理を含む一連のフォトリソグラフィー処理と、その後のエッチング処理が終了した基板について基板面内のエッチングパターンの状態を測定する工程と、エッチングパターンの状態の補正量と熱処理板の温度補正値との関数を用いて、前記基板面内のエッチングパターンの状態の測定結果から、熱処理板の各領域の温度補正値を算出する工程と、算出された各温度補正値により前記熱処理板の各領域の温度を設定する工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、エッチングパターンの状態の補正量と熱処理板の温度補正値との関数を用いて、熱処理板の各領域の温度補正値が算出されて設定されるので、最終的に形成されるエッチングパターンの基板面内の均一性を向上できる。
【００１２】
上記熱処理板の温度設定方法において、前記熱処理板の一つの領域の温度を1℃変化させた場合の基板面内のエッチングパターンの状態の変化量を各領域毎に求め、それらの結果を行列で表して前記関数が作成されるようにしてもよい。
【００１３】
また、前記熱処理板の一つの領域の温度を1℃変化させた場合の前記各領域の基板面内のエッチングパターンの状態の変化量を多項式関数により表し、その多項式関数の各項の係数を行列で表して前記関数が作成されるようにしてもよい。
【００１４】
前記熱処理は、フォトリソグラフィー処理において露光処理後で現像処理前に行われる加熱処理であってもよい。また、前記エッチングパターンの状態は、エッチングパターンの線幅、膜厚又は側壁角度の少なくともいずれかであってもよい。
【００１５】
別の観点による本発明は、基板を載置して熱処理する熱処理板の温度設定装置であって、前記熱処理板は、複数の領域に区画され、当該領域毎に温度設定可能であり、さらに前記熱処理板の各領域毎に、熱処理板の面内温度を調整するための温度補正値が設定可能であり、前記熱処理板における熱処理を含む一連のフォトリソグラフィー処理と、その後のエッチング処理が終了した基板について測定された基板面内のエッチングパターンの状態から、エッチングパターンの状態の補正量と熱処理板の温度補正値との関数を用いて、熱処理板の各領域の温度補正値を算出し、当該算出された各温度補正値により前記熱処理板の各領域の温度を設定することを特徴とする。
【００１６】
前記熱処理板の温度設定装置において、前記熱処理板の一つの領域の温度を1℃変化させた場合の基板面内のエッチングパターンの状態の変化量を各領域毎に求め、それらの結果を行列で表して前記関数が作成されていてもよい。
【００１７】
また、前記熱処理板の一つの領域の温度を1℃変化させた場合の前記各領域の基板面内のエッチングパターンの状態の変化量を多項式関数により表し、その多項式関数の各項の係数を行列で表して前記関数が作成されていてもよい。
【００１８】
前記熱処理は、フォトリソグラフィー処理において露光処理後で現像処理前に行われる加熱処理であってもよい。また、前記エッチングパターンの状態は、エッチングパターンの線幅、膜厚又は側壁角度の少なくともいずれかであってもよい。
【００１９】
別の観点による本発明は、上記熱処理板の温度設定方法を温度設定装置によって実行させるために、当該温度設定装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、エッチングパターンの基板面内の均一性が向上するので、歩留まりが向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる熱処理板の温度設定装置が備えられた塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図であり、図２は、塗布現像処理システム１の正面図であり、図３は、塗布現像処理システム１の背面図である。
【００２２】
塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば外部から塗布現像処理システム１に対して複数枚のウェハＷをカセット単位で搬入出するためのカセットステーション２と、フォトリソグラフィー処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション４とを一体に接続した構成を有している。
【００２３】
カセットステーション２には、カセット載置台１０が設けられ、当該カセット載置台１０には、複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置できる。カセットステーション２には、搬送路１１上をＸ方向に沿って移動可能なウェハ搬送装置１２が設けられている。ウェハ搬送装置１２は、カセットＣに収容されたウェハＷの配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、カセットＣ内の複数枚のウェハＷに対して選択的にアクセスできる。またウェハ搬送装置１２は、鉛直方向の軸周り（θ方向）に回転可能であり、後述する処理ステーション３の第３の処理装置群Ｇ３の各処理装置に対してアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００２４】
処理ステーション３は、複数の処理装置が多段に配置された、例えば５つの処理装置群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。処理ステーション３のＸ方向負方向（図１中の下方向）側には、カセットステーション２側からインターフェイスステーション４側に向けて第１の処理装置群Ｇ１と、第２の処理装置群Ｇ２が順に配置されている。処理ステーション３のＸ方向正方向（図１中の上方向）側には、カセットステーション２側からインターフェイスステーション４側に向けて第３の処理装置群Ｇ３、第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理装置群Ｇ３と第４の処理装置群Ｇ４の間には、第１の搬送装置２０が設けられている。第１の搬送装置２０は、第１の処理装置群Ｇ１、第３の処理装置群Ｇ３及び第４の処理装置群Ｇ４内の各処理装置に対し選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。第４の処理装置群Ｇ４と第５の処理装置群Ｇ５の間には、第２の搬送装置２１が設けられている。第２の搬送装置２１は、第２の処理装置群Ｇ２、第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５内の各処理装置に対して選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００２５】
図２に示すように第１の処理装置群Ｇ１には、ウェハＷに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置、例えばウェハＷ上にレジスト液を塗布するレジスト塗布装置３０〜３４が下から順に５段に重ねられている。第２の処理装置群Ｇ２には、液処理装置、例えばウェハＷに現像液を供給して現像処理する現像処理装置４０〜４４が下から順に５段に重ねられている。また、第１の処理装置群Ｇ１及び第２の処理装置群Ｇ２の最下段には、各処理装置群Ｇ１、Ｇ２内の前記液処理装置に各種処理液を供給するためのケミカル室５０、５１がそれぞれ設けられている。
【００２６】
例えば図３に示すように第３の処理装置群Ｇ３には、ウェハＷの加熱と冷却を行う熱処理装置６０、ウェハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置６１、及びウェハＷの加熱と冷却を行う熱処理装置６２〜６８が下から順に９段に重ねられている。
【００２７】
第４の処理装置群Ｇ４では、ウェハＷを熱処理する複数の熱処理装置、例えばレジスト塗布処理後にウェハＷを加熱処理するプリベーク装置７０〜７４及び現像処理後にウェハＷを加熱処理するポストベーク装置７５〜７９が下から順に１０段に重ねられている。なお、上記プリベーク装置７０〜７４及びポストベーク装置７５〜７９は、例えばウェハＷを載置する加熱板と冷却板を有し、加熱と冷却の両方を行うことができる。
【００２８】
第５の処理装置群Ｇ５では、ウェハＷを熱処理する複数の熱処理装置、例えば露光後にウェハＷを加熱処理する露光後ベーク装置８０〜８９が下から順に１０段に重ねられている。
【００２９】
図１に示すように第１の搬送装置２０のＸ方向正方向側には、複数の処理装置が配置されており、例えば図３に示すようにウェハＷを疎水化処理するためのアドヒージョン装置９０、９１が下から順に２段に重ねられている。図１に示すように第２の搬送装置２１のＸ方向正方向側には、例えばウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光処理装置９２が配置されている。
【００３０】
インターフェイスステーション４には、例えば図１に示すようにＸ方向に延伸する搬送路１００上を移動するウェハ搬送装置１０１と、バッファカセット１０２が設けられている。ウェハ搬送装置１０１は、Ｚ方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり、インターフェイスステーション４に隣接した露光装置と、バッファカセット１０２及び第５の処理装置群Ｇ５の各処理装置に対してアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００３１】
次に、上述した露光後ベーク装置８０〜８９の構成について説明する。例えば露光後ベーク装置８０は、図４に示すようにケーシング８０ａ内に、上側に位置して上下動自在な蓋体１３０と、下側に位置して蓋体１３０と一体となって処理室Ｋを形成する熱板収容部１３１を有している。
【００３２】
蓋体１３０は、下面が開口した略円筒形状を有している。蓋体１３０の上面中央部には、排気部１３０ａが設けられている。処理室Ｋ内の雰囲気は、排気部１３０ａから均一に排気される。
【００３３】
熱板収容部１３１の中央部には、熱処理板としての熱板１４０が設けられている。熱板１４０は、例えば略円盤状に形成されている。熱板１４０は、図５に示すように複数、例えば５つの熱板領域Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５に区画されている。熱板１４０は、例えば平面から見て中心部に位置して円形の熱板領域Ｒ１と、その周囲を円弧状に４等分した熱板領域Ｒ２〜Ｒ５に区画されている。
【００３４】
熱板１４０の各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５には、給電により発熱するヒータ１４１が個別に内蔵され、各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５毎に加熱できる。各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５のヒータ１４１の発熱量は、例えば温度制御装置１４２により調整されている。温度制御装置１４２は、各ヒータ１４１の発熱量を調整して、各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度を所定の設定温度に制御できる。温度制御装置１４２における温度設定は、例えば後述する温度設定装置１９０により行われる。
【００３５】
図４に示すように例えば熱板１４０の下方には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン１５０が設けられている。昇降ピン１５０は、昇降駆動機構１５１により上下動できる。熱板１４０の中央部付近には、熱板１４０を厚み方向に貫通する貫通孔１５２が形成されており、昇降ピン１５０は、熱板１４０の下方から上昇して貫通孔１５２を通過して、熱板１４０の上方に突出できる。
【００３６】
熱板収容部１３１は、例えば熱板１４０を収容して熱板１４０の外周部を支持する環状の支持部材１６０と、その支持部材１６０の外周を囲む略筒状のサポートリング１６１を備えている。
【００３７】
なお、露光後ベーク装置８０は、例えば熱板１４０の隣に図示しない冷却板を有し、この冷却板上にウェハＷを載置して冷却できる。したがって、露光後ベーク装置８０は、加熱と冷却の両方を行うことができる。
【００３８】
露光後ベーク装置８１〜８９の構成については、露光後ベーク装置８０と同様であるので説明を省略する。
【００３９】
例えば図１に示すように塗布現像処理システム１と同じクリーンルーム内には、フォトリソグラフィー処理後に加工膜をエッチング処理するエッチング処理装置１７０が設けられている。
【００４０】
さらに、クリーンルーム内には、ウェハＷの加工膜に形成されたエッチングパターンの線幅を測定する線幅測定装置１７１が設けられている。
【００４１】
上記塗布現像処理システム１では、次のようなフォトリソグラフィー処理が行われている。先ず、図１に示すウェハ搬送装置１２によって、カセット載置台１０上のカセットＣ内から未処理のウェハＷが一枚ずつ取り出され、処理ステーション３に搬送される。ウェハＷは、処理ステーション３の第３の処理装置群Ｇ３に属する熱処理装置６０に搬送され、所定温度に温度調節される。その後ウェハＷは、第１の搬送装置２０によって例えばアドヒージョン装置９０に搬送され、アドヒージョン処理される。その後ウェハＷは、第１の搬送装置２０によって例えばレジスト塗布装置３０に搬送され、ウェハＷの加工膜上にレジスト液が塗布されて、レジスト膜が形成される。
【００４２】
レジスト塗布処理後、ウェハＷは、第１の搬送装置２０によって例えばプリベーク装置７１に搬送され、プリベーク処理される。続いてウェハＷは、第２の搬送装置２１によって周辺露光装置９２に搬送されて、周辺露光処理が施される。その後、ウェハＷは、インターフェイスステーション４のウェハ搬送装置１０１によって図示しない露光装置に搬送され、露光される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置１０１によって処理ステーション３の例えば露光後ベーク装置８０に搬送される。
【００４３】
露光後ベーク装置８０に搬入後、ウェハＷは、予め上昇して待機していた第１の昇降ピン１５０に受け渡される。その後、昇降ピン１５０が下降して、図４に示すようにウェハＷが熱板１４０上に載置されて加熱される。このとき、熱板１４０の各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５は、各々所定の温度に設定されており、ウェハ面内が所定の温度で加熱される。こうして、ウェハＷが所定時間加熱処理される。所定時間経過後、ウェハＷが熱板１４０から昇降ピン１５０により上昇され、ウェハＷの加熱処理が終了する。
【００４４】
露光後ベーク装置８０の加熱処理が終了した後、ウェハＷは、第２の搬送装置２１によって現像処理装置４０に搬送され、ウェハＷ上のレジスト膜が現像される。現像後、ウェハＷは、第２の搬送装置２１によってポストベーク装置７５に搬送されポストベークされる。その後ウェハＷは、第１の搬送装置２０によってトランジション装置６１に搬送され、ウェハ搬送装置１２によってカセットＣに戻されて、一連のフォトリソグラフィー処理が終了する。
【００４５】
その後、ウェハＷは、エッチング処理装置１７０に搬送され、レジストパターンをマスクとして下地の加工膜がエッチングされる。こうして、ウェハＷの加工膜にエッチングパターンが形成される。
【００４６】
ここで、上記露光後ベーク装置８０の熱板１４０の温度設定を行う温度設定装置１９０の構成について説明する。例えば温度設定装置１９０は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えた汎用コンピュータにより構成され、例えば図１に示すように塗布現像処理システム１のカセットステーション２に設けられている。
【００４７】
温度設定装置１９０は、例えば図６に示すように各種プログラムを実行する演算部２００と、例えば温度設定のための各種情報を入力する入力部２０１と、温度補正値を算出するための関数としての関係モデルＦなどの各種情報を格納するデータ格納部２０２と、温度設定のための各種プログラムを格納するプログラム格納部２０３と、熱板１４０の温度設定を変更するために温度制御装置１４２と通信する通信部２０４などを備えている。
【００４８】
データ格納部２０２には、例えばエッチングパターンの線幅の補正量と熱板１４０の温度補正値（温度オフセット値）との関数である関係モデルＦが記憶されている。関係モデルＦは、例えばウェハ面内の線幅の目標補正量ΔＣＤと各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値ΔＴとの相関を示し、次の関係式（１）
ΔＣＤ＝Ｆ・ΔＴ      （１）
を満たしている。
【００４９】
具体的には、関係モデルＦは、例えば１℃あたりに変動する線幅の面内ばらつきを示す所定の係数を用いて表された、図７に示すようなｎ行×ｍ列の行列である。
【００５０】
関係モデルＦは、例えば次のように作成されている。例えばウェハＷについて、熱板１４０の一つの熱板領域の温度設定を現状の設定から１℃上昇させた状態でフォトリソグラフィー処理とエッチング処理が行われ、その結果形成されたウェハ面内のエッチングパターンの線幅が測定される。この線幅測定は、各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５についてそれぞれ行われ、全部で６回の線幅測定が行われる。これらの線幅測定により、各熱板領域の温度設定を１℃上昇させた場合の、ウェハ面内のエッチングパターンの線幅変動量が検出される。このウェハ面内の線幅変動量は、例えば図８に示すようにｘ、ｙの２次元面内の等高線状の曲面として捉えられ、この曲面を多項式関数で表し、その多項式関数の係数ｆｋを関係モデルＦの行列の要素とする。
【００５１】
プログラム格納部２０３には、例えば関係モデルＦを用いて、エッチングパターンのウェハ面内の線幅測定結果から、熱板１４０の各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値ΔＴを算出する算出プログラムＰ１や、算出された温度補正値ΔＴに基づいて、温度制御装置１４２の既存の温度設定を変更する設定変更プログラムＰ２などが格納されている。なお、これらの温度設定プロセスを実現するための各種プログラムは、コンピュータ読み取り可能なＣＤなどの記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から温度設定装置１９０にインストールされたものであってもよい。
【００５２】
例えば算出プログラムＰ１は、例えば線幅測定結果から、必要な線幅補正量ΔＣＤを求める。例えばウェハ面内の測定線幅を多項式関数で表し、その多項式関数の係数ｆｋを求め、その係数ｆｋが零になるように係数ｆｋに−１を掛けたものを線幅補正量ΔＣＤとする。そして、算出プログラムＰ１は、線幅補正量ΔＣＤから、関係モデルＦを用いて各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の補正温度値ΔＴを算出できる。この際、補正温度値ΔＴは、関係式（１）を変形した次式（２）
ΔＴ＝Ｆ−１・ΔＣＤ      （２）
により、線幅補正量ΔＣＤから補正温度値ΔＴを算出できる。
【００５３】
次に、以上のように構成された温度設定装置１９０による温度設定プロセスについて説明する。図９は、かかる温度設定プロセスの主な工程を示すフロー図である。
【００５４】
先ず、塗布現像処理システム１において一連のフォトリソグラフィー処理が行われ、その後エッチング処理装置１７０においてエッチング処理が行われたウェハＷが、線幅測定装置１７１に搬入される。その線幅測定装置１７１では、ウェハＷの加工膜に形成されているエッチングパターンの線幅が測定される（図９の工程Ｓ１）。この際、例えば図１０に示すようにウェハ面内の複数の測定点Ｑの線幅が測定され、例えば熱板１４０の各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５に対応するウェハＷの全面に亘る線幅が求められる。
【００５５】
続いて、エッチングパターンのウェハ面内の線幅の測定結果が温度設定装置１９０に出力される。温度設定装置１９０では、例えばウェハ面内の線幅測定結果から、ウェハ面内の線幅のばらつきを多項式関数で表したときの係数ｆｋが算出される（図９の工程Ｓ２）。この係数ｆｋを零にすることによりウェハ面内の線幅のばらつきをなくすことができる。それ故、係数ｆｋに−１を掛けた線幅補正量ΔＣＤが算出される。そして、これらの線幅補正量ΔＣＤが、関係式（２）に代入され、関係モデルＦを用いて、各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値ΔＴ（ΔＴ１〜ΔＴ５）が算出される（図９の工程Ｓ３）。この計算により、例えば測定線幅における係数ｆｋが零になって線幅の面内ばらつきがなくなるような温度補正値ΔＴ１〜ΔＴ５が算出される。
【００５６】
その後、各温度補正値ΔＴ１〜ΔＴ５の情報が通信部２０４から温度制御装置１４２に出力され、温度制御装置１４２における熱板１４０の各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値が変更され、新たな設定温度に設定される（図９の工程Ｓ４）。
【００５７】
なお、これらの温度設定プロセスは、例えば温度設定装置１９０のプログラム格納部２０３に格納された各種プログラムを実行することにより実現される。
【００５８】
以上の実施の形態によれば、一連のフォトリソグラフィー処理とエッチング処理が終了したウェハＷについて、ウェハ面内のエッチングパターンの線幅が測定され、関係モデルＦを用いて、ウェハ面内の線幅測定結果から、露光後ベーク装置８０の各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値ΔＴが算出される。そして、当該温度補正値ΔＴにより、熱板１４０の各領域Ｒ１〜Ｒ５の温度設定が変更される。かかる場合、予め求められているエッチングパターンの線幅補正量ΔＣＤと温度補正値ΔＴの関数を用いて、最終的なエッチング結果に基づいて露光後ベークの温度設定が行われるので、最終的なエッチングパターンの線幅をウェハ面内で均一にすることができる。
【００５９】
以上の実施の形態では、熱板１４０の一つの領域の温度を1℃変化させた場合のウェハ面内のエッチングパターンの線幅変化量を各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５毎に求め、それらの結果を行列で表して関係モデルＦが作成されている。また、その各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５のウェハ面内のエッチングパターンの線幅変化量を多項式関数により表し、その多項式関数の各項の係数を行列で表して関係モデルＦが作成されている。この結果、比較的簡単で、精度の高い関係モデルＦを作成できる。
【００６０】
また、フォトリソグラフィー処理の露光後ベークの温度は、最終的なエッチングパターンの線幅に大きな影響を与えるので、露光後ベーク装置８０の熱板１４０の温度をかかる方法により設定することにより、エッチングパターンの線幅を厳密に制御してウェハ面内の均一性を向上できる。
【００６１】
以上の実施の形態では、温度設定装置１９０において、エッチングパターンの線幅測定結果から線幅補正量ΔＣＤを算出していたが、その算出を他のコンピュータで行い、その線幅補正量ΔＣＤの算出結果を温度設定装置１９０に入力してもよい。かかる場合、温度設定装置１９０では、線幅補正量ΔＣＤから温度補正値ΔＴが算出され、その新たな温度補正値ΔＴの設定が行われる。
【００６２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００６３】
例えば以上の実施の形態では、関係モデルＦの関数を用いて温度補正値ΔＴを算出していたが、エッチングパターンの線幅補正量ΔＣＤと熱板１４０の温度補正値ΔＴとの関数であれば、他の関数であってもよい。
【００６４】
また、上記実施の形態において、温度設定された熱板１４０は、５つの領域に分割されていたが、その数は任意に選択できる。また、熱板１４０の分割領域の形状も任意に選択できる。
【００６５】
上記実施の形態では、エッチングパターンのウェハ面内の線幅に基づいて、露光後ベーク装置８０の熱板１４０の温度設定を行う例であったが、プリベークやポストベークなどの他の熱処理を行う熱板の温度設定や、ウェハＷを冷却する冷却処理装置の冷却板の温度設定を行う場合にも本発明は適用できる。
【００６６】
また、以上の実施の形態では、エッチングパターンのウェハ面内の線幅が均一になるように熱板の温度設定を行っていたが、線幅以外の他の状態、例えばエッチングパターンの溝の側壁角度（サイドウォールアングル）やエッチングパターンの膜厚がウェハ面内で均一になるように熱処理板の温度設定を行うようにしてもよい。この場合、例えば線幅測定装置１７１に、スキャトロメトリ（Scatterometry）法を用いてエッチングパターンの寸法を測定する光学式表面形状測定計を用いる。そして、当該光学式表面形状測定計により、エッチングパターンのウェハ面内のサイドウォールアングルや膜厚を測定し、それらがウェハ面内で均一になるようにプリベーク装置の熱板の温度設定を行うようにしてもよい。また、エッチングパターンの測定結果から、線幅が均一になるように露光後ベーク装置の熱板の温度設定を行いつつ、さらにサイドウォールアングルや膜厚が均一になるようにプリベーク装置の熱板の温度設定を行うようにしてもよい。さらに、本発明は、ウェハ以外の例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板を熱処理する熱処理板の温度設定にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は、基板を載置して熱処理する熱処理板の温度設定を行う際に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】露光後ベーク装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図５】露光後ベーク装置の熱板の構成を示す平面図である。
【図６】温度設定装置の構成を示すブロック図である。
【図７】関係モデルの一般式を示す説明図である。
【図８】ウェハ面内の線幅のばらつきを等高線状に示す模式図である。
【図９】温度設定プロセスを示すフロー図である。
【図１０】ウェハ面内の線幅の測定点を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６９】
１    塗布現像処理システム
８０  露光後ベーク装置
１７０  エッチング処理装置
１７１  線幅測定装置
１４０  熱板
１４２  温度制御装置
１９０  温度設定装置
Ｒ１〜Ｒ５  熱板領域
Ｆ    関係モデル
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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