(57)【要約】【課題】無線中継装置などに用いられ、基板に表面実装タイプの高周波リレーが搭載されて、複数のアンプやアッテネータを選択したり、アンプやアッテネータとスルーラインとを切換えたりするような用途に使用される高周波モジュールにおいて、ジャンパー線やコネクタ等を不要とし、低コストで、良好な高周波特性を得るようにする。【解決手段】高周波リレー用基板の機能を主基板５０と副基板５２とに分割し、副基板５２のパターンＬ２ａによって、主基板５０側のリレーの駆動信号のパターンＬ１０を跨いで、リレー１ａ，１ｂのコモン端子Ｐ２を反対側の端子Ｐ０へ位置変換を行う。【選択図】図１
2008192410.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波リレーが搭載され、信号経路の切換えに使用される表面実装タイプの高周波リレー用基板において、
該高周波リレー用基板を主基板と副基板とに分割して、該高周波リレー用基板に形成されるべきパターンを、その少なくとも一部が立体交差するように前記主基板と副基板とに分割形成することで、該高周波リレーの端子位置変換を行うことを特徴とする高周波リレー用基板。
【請求項２】
高周波リレーが搭載され、信号経路の切換えに使用される表面実装タイプの高周波リレー用基板において、
該高周波リレー用基板を主基板と副基板とに分割して、一方の端部側において、一直線上に配置される高周波リレーの端子を、前記副基板の高周波リレー側の表面に形成されたパターンによって、他方の端部側まで引回し形成することを特徴とする高周波リレー用基板。
【請求項３】
前記副基板は、高周波リレー側の表面には、前記高周波リレーの一方の端部側において一直線上に配置される端子を、他方の端部側まで引回し形成する短手方向のパターンを有し、前記副基板の主基板側の表面には、略中央部において長手方向にパターンの非形成領域を有し、主基板上には、前記非形成領域に対応した前記長手方向の駆動信号のパターンを有することを特徴とする請求項１または２記載の高周波リレー用基板。
【請求項４】
前記高周波リレーは、挿入実装タイプのリレーであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波リレー用基板。
【請求項５】
前記高周波リレーおよび主基板のインピーダンスに適合して、前記副基板のインピーダンスが設定されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の高周波リレー基板。
【請求項６】
前記請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波リレー用基板を用い、
前記高周波リレーは、一方の端部側において一直線上に配置される３つの固定接点の端子を有し、両端の個別接点の一方がノーマリーコンタクトの接点となり、他方がノーマリーオフの接点となり、そのノーマリーコンタクトの接点とノーマリーオフの接点とが相互に逆に設けられた高周波リレーを一対として搭載することを特徴とする高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話の無線中継装置などに用いられる高周波リレー用基板およびそれを用いる高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
前記高周波リレーは、本件出願人による特許文献１を始め、多数提案されている。図７は、その高周波リレー１の典型的な構造を示す分解斜視図である。この高周波リレー１は、大略的に、接点機構１１に、その接点機構１１を駆動する駆動機構２１が並列に配置されて構成されている。前記接点機構１１は、シールドボックス１２内に可動接点１３，１４が設けられ、その可動接点１３，１４が前記駆動機構２１によって参照符号Ｘ方向に変位駆動されることで、固定接点１５，１６；１６，１７と接触／離反し、高周波信号の切換えを行う。したがって、前記可動接点１３，１４が中心導体、シールドボックス１２が外部導体とした同軸線路を構成する。前記可動接点１３，１４は、前記駆動機構２１によって変位駆動される駆動部材１８，１９にそれぞれ保持されている。前記各固定接点１５，１６，１７は、シールドボックス１２内で電気的に絶縁されて立設され、前記可動接点１３，１４とは反対側が、基台２０の裏面から突出して、端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３となる。
【０００３】
そして、中央の固定接点１６（端子Ｐ２）は、前記可動接点１３，１４の何れとも接触できる共通接点となる。一方、両端の固定接点１５，１７（端子Ｐ１，Ｐ３）は、それぞれ前記可動接点１３，１４とだけ接触できる個別接点となる。さらに、固定接点１５は駆動機構２１の非駆動時に可動接点１３が接触して固定接点１６に接続されるノーマリーコンタクト（ＮＣ）の接点となり、固定接点１７は駆動機構２１の非駆動時に可動接点１４が離反して固定接点１６から遮断されるノーマリーオフ（ＮＯ）の接点となっている。前記各固定接点１５，１６，１７の端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３間には、接地端子Ｐ４，Ｐ５が設けられている。
【０００４】
前記駆動機構２１は、電磁石２２と変位部材２３とを備えて構成される。電磁石２２は、コイル２４の巻回されたボビン２５内に鉄心２６が挿通されるとともに、その鉄心２６の一方の端部と他方の端部との間に、継鉄２７によって磁路が形成されて構成されている。前記コイル２４の各端部は、外部から励磁電流が与えられる端子Ｐ６，Ｐ７にそれぞれ接続されている。
【０００５】
一方、前記変位部材２３は、前記駆動部材１８，１９を介して可動接点１３，１４を支持するカード３１と、前記カード３１の一端に設けられる磁石３２と、その磁石３２の両端にそれぞれ接触し、前記鉄心２６を挟み込む一対の接極子３３，３４と、前記カード３１の他端から延びる一対の平衡ばね３５，３６と、その平衡ばね３５，３６の他端を前記基台２０に取付ける平衡ばね保持板３７とを備えて構成される。したがって、前記電磁石２２が消磁／励磁することで、カード３１は、平衡ばね３５，３６部分が変形して前記Ｘ方向に変位し、前記可動接点１３，１４を変位駆動することができる。前記基台２０内に、前記固定接点１５，１６，１７、シールドボックス１２および電磁石２２を収納し、電磁石２２上に変位部材２３を搭載した後、筐体３８が被せられる。
【０００６】
上述のように構成される高周波リレー１は、たとえば前記携帯電話の無線中継装置などにおいて、図８（ａ）で示すように複数のアンプＡ，Ｂを選択したり、図８（ｂ）で示すようにアンプＡとスルーラインＬとを切換えたりするような信号経路の切換えに使用される。そこで、そのような信号切換えの高周波モジュールを実現しようとすると、図９のようになる。この高周波モジュール４１は、表面実装タイプの高周波リレー用基板４２を使用し、前記高周波リレー１を２つ、アンプＡを１つ備えて構成され、前記図８（ｂ）で示すようにアンプＡとスルーラインＬとを切換えるものである。
【０００７】
なお、前記図７で示す高周波リレー１は、挿入実装タイプの高周波リレーであり、表面実装タイプへは、図１０で示すように端子Ｐ１〜Ｐ７をＬ字に曲折し、必要な長さに切断した後、前記高周波リレー用基板４２のランドに搭載し、リフロー半田などによって取付けられる。
【特許文献１】実公平７−２４７６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、このような高周波モジュール４１では、前記コイル２４を駆動する信号線４３，４４が共通接点の端子Ｐ２への高周波信号のパターン４５，４６を跨いで（クロスして）しまい、信号線４３，４４として、ジャンパー線やコネクタなどを用いた基板外の迂回経路が必要となり（図９の例では、信号線４３，４４はジャンパー線）、コストが高く、また高周波特性が劣化するという問題がある。同様に、アンプＡが介在され、ノーマリーコンタクトの接点（前記固定接点１５）同士を接続する高周波信号のパターン４７，４８とノーマリーオフの接点（前記固定接点１７）同士を接続する高周波信号のパターン４９もクロスしてしまい、信号線４０（ジャンパー線）による迂回経路が必要となっている。
【０００９】
本発明の目的は、低コストで、良好な高周波特性を得ることができる高周波リレー用基板およびそれを用いる高周波モジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の高周波リレー用基板は、高周波リレーが搭載され、信号経路の切換えに使用される表面実装タイプの高周波リレー用基板において、該高周波リレー用基板を主基板と副基板とに分割して、該高周波リレー用基板に形成されるべきパターンを、その少なくとも一部が立体交差するように前記主基板と副基板とに分割形成することで、該高周波リレーの端子位置変換を行うことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の高周波リレー用基板は、高周波リレーが搭載され、信号経路の切換えに使用される表面実装タイプの高周波リレー用基板において、該高周波リレー用基板を主基板と副基板とに分割して、一方の端部側において、一直線上に配置される高周波リレーの端子を、前記副基板の高周波リレー側の表面に形成されたパターンによって、他方の端部側まで引回し形成することを特徴とする。
【００１２】
上記の構成によれば、無線中継装置などに用いられ、高周波リレーが搭載されて、複数のアンプやアッテネータを選択したり、アンプやアッテネータとスルーラインとを切換えたりするような信号経路の切換えに使用される表面実装タイプの高周波リレー用基板において、該高周波リレー用基板の機能を主基板と副基板とに分割して、前記副基板を高周波リレーの底面に介在（半田付け）することで、該高周波リレーの端子位置変換を行う。詳しくは、該高周波リレー用基板に形成されるべきパターンを主基板と副基板とに分割形成し、高周波信号のパターンとリレーの駆動信号とのパターンや、高周波信号のパターン同士の少なくとも一部を立体交差させる。これによって、高周波リレーの一方の端部側において一直線上に配置される端子の内、任意の端子を、前記副基板における該高周波リレー側の表面に形成されたパターンによって、主基板側に形成されたパターンを跨いで他方の端部側まで引回すことで、前記端子位置変換を行うことができる。
【００１３】
したがって、高周波リレーの各端子と前記アンプなどの素子との間の接続を主基板上のパターンのみによって行うことができ、該高周波リレー用基板に、ジャンパー線やコネクタなどを用いた基板外の迂回経路が不要となり、低コストで、良好な高周波特性を得ることができる。
【００１４】
さらにまた、本発明の高周波リレー用基板では、前記副基板は、高周波リレー側の表面には、前記高周波リレーの一方の端部側において一直線上に配置される端子を、他方の端部側まで引回し形成する短手方向のパターンを有し、前記副基板の主基板側の表面には、略中央部において長手方向にパターンの非形成領域を有し、主基板上には、前記非形成領域に対応した前記長手方向の駆動信号のパターンを有することを特徴とする。
【００１５】
上記の構成によれば、副基板における主基板側の表面に形成された短手方向のパターンによって前記端子位置変換を行うことができ、かつその短手方向のパターンは主基板側の長手方向の駆動信号のパターンを跨いでいるので、前記端子位置変換の影響を駆動信号のパターンの引き回しに与えることはない。こうして、該高周波リレー用基板に、ジャンパー線やコネクタなどを用いた基板外の迂回経路を不要にすることができる。
【００１６】
また、本発明の高周波リレー用基板では、前記高周波リレーは、挿入実装タイプのリレーであることを特徴とする。
【００１７】
上記の構成によれば、高周波リレー用基板が挿入実装タイプであるときに使用される挿入実装タイプのリレーを前記副基板に挿入することで、該副基板による端子位置変換と同時に、表面実装タイプのリレーに変換することができる。
【００１８】
したがって、挿入実装タイプのリレーを表面実装タイプのこの高周波リレー用基板に使用することができ、挿入実装タイプと表面実装タイプとで高周波リレーを共用化して、低コスト化を図ることができる。
【００１９】
さらにまた、本発明の高周波リレー用基板は、前記高周波リレーおよび主基板のインピーダンスに適合して、前記副基板のインピーダンスが設定されることを特徴とする。
【００２０】
上記の構成によれば、副基板のスルーホールにおける導電層、導体パターン、半田付けパターンの厚みや幅、およびそれらのＧＮＤパターンとの距離、さらには基板本体の誘電率や厚さが異なることで、該副基板におけるインピーダンスが変化するので、そのインピーダンスを高周波リレーおよび主基板のインピーダンスに適合して変化する。たとえば、高周波リレーと主基板とのインピーダンスのずれを緩和するようなインピーダンスに設定する。また、インピーダンスの異なる該副基板を複数種類用意しておき、所望とするインピーダンスに対応した物を使用するようにしてもよい。
【００２１】
したがって、端子位置の変更だけでなく、インピーダンスも適合させることができる。
【００２２】
また、本発明の高周波モジュールは、前記の高周波リレー用基板を用い、前記高周波リレーは、一方の端部側において一直線上に配置される３つの固定接点の端子を有し、両端の個別接点の一方がノーマリーコンタクトの接点となり、他方がノーマリーオフの接点となり、そのノーマリーコンタクトの接点とノーマリーオフの接点とが相互に逆に設けられた高周波リレーを一対として搭載することを特徴とする。
【００２３】
上記の構成によれば、前記高周波リレーとして、一方の端部側において一直線上に配置される３つの固定接点の端子を有し、かつ内部の可動接点が、中央の共通接点に対して両端の個別接点の一方を接続する際に他方を離反する相反動作を行うことで、一方の個別接点がノーマリーコンタクトの接点となり、他方の個別接点がノーマリーオフの接点となる高周波リレーを用いる高周波モジュールにおいて、高周波リレーに、ノーマリーコンタクトの接点とノーマリーオフの接点とが相互に逆に設けられた２種類の物を用意し、それらを一対として使用する。
【００２４】
したがって、１つの信号経路を２つに分岐して、異なるアンプを通したり、アンプとスルーラインとを選択したりした後、再び合流させて１つの信号経路に接続する場合に、２つの高周波リレーのノーマリーコンタクトの接点同士およびノーマリーオフの接点同士が相互に対向することになり、前記分岐した２つの信号経路を相互に交差させなくすることができ、ジャンパー線やコネクタなどを用いた基板外の迂回経路が不要となる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の高周波リレー用基板は、以上のように、無線中継装置などに用いられ、高周波リレーが搭載されて、複数のアンプやアッテネータを選択したり、アンプやアッテネータとスルーラインとを切換えたりするような信号経路の切換えに使用される表面実装タイプの高周波リレー用基板において、該高周波リレー用基板の機能を主基板と副基板とに分割して、前記副基板を高周波リレーの底面に介在することで、該高周波リレーの端子位置変換を行う。
【００２６】
それゆえ、高周波リレーの各端子と前記アンプなどの素子との間の接続を主基板上のパターンのみによって行うことができ、該高周波リレー用基板に、ジャンパー線やコネクタなどを用いた基板外の迂回経路が不要となり、低コストで、良好な高周波特性を得ることができる。
【００２７】
さらにまた、本発明の高周波リレー用基板は、以上のように、前記副基板が、高周波リレー側の表面には前記高周波リレーの一方の端部側において一直線上に配置される端子を他方の端部側まで引回し形成する短手方向のパターンを有し、主基板側の表面には略中央部において長手方向にパターンの非形成領域を有し、主基板上には、前記非形成領域に対応した前記長手方向の駆動信号のパターンを有する。
【００２８】
それゆえ、前記のように該高周波リレー用基板に、ジャンパー線やコネクタなどを用いた基板外の迂回経路を不要にすることができる。
【００２９】
また、本発明の高周波リレー用基板は、以上のように、前記高周波リレーを、挿入実装タイプのリレーとする。
【００３０】
それゆえ、副基板に挿入することで、端子位置変換と同時に、表面実装タイプのリレーに変換することができ、挿入実装タイプのリレーを表面実装タイプのこの高周波リレー用基板に使用することができ、挿入実装タイプと表面実装タイプとで高周波リレーを共用化して、低コスト化を図ることができる。
【００３１】
さらにまた、本発明の高周波リレー用基板は、以上のように、副基板のスルーホールにおける導電層、導体パターン、半田付けパターンの厚みや幅、およびそれらのＧＮＤパターンとの距離、さらには基板本体の誘電率や厚さが異なることで、該副基板におけるインピーダンスが変化するので、そのインピーダンスを高周波リレーおよび主基板のインピーダンスに適合して変化する。
【００３２】
それゆえ、端子位置の変更だけでなく、インピーダンスも適合させることができる。
【００３３】
また、本発明の高周波モジュールは、以上のように、前記高周波リレーとして、一方の端部側において一直線上に配置される３つの固定接点の端子を有し、かつ内部の可動接点が、中央の共通接点に対して両端の個別接点の一方を接続する際に他方を離反する相反動作を行うことで、一方の個別接点がノーマリーコンタクトの接点となり、他方の個別接点がノーマリーオフの接点となる高周波リレーを用いる高周波モジュールにおいて、高周波リレーに、ノーマリーコンタクトの接点とノーマリーオフの接点とが相互に逆に設けられた２種類の物を用意し、それらを一対として使用する。
【００３４】
それゆえ、１つの信号経路を２つに分岐して、異なるアンプを通したり、アンプとスルーラインとを選択したりした後、再び合流させて１つの信号経路に接続する場合に、２つの高周波リレーのノーマリーコンタクトの接点同士およびノーマリーオフの接点同士が相互に対向することになり、前記分岐した２つの信号経路を相互に交差させなくすることができ、ジャンパー線やコネクタなどを用いた基板外の迂回経路が不要となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の一形態に係る高周波モジュール５１の構造を示す図である。この高周波モジュール５１は、前述の図９で示す高周波モジュール４１と同様に、２つの高周波リレー１ａ，１ｂ、１つのアンプＡおよび高周波リレー用基板５０を備えて構成され、前記図８（ｂ）で示すようにアンプＡとスルーラインＬとを切換えるものである。
【００３６】
注目すべきは、この高周波モジュール５１では、高周波リレー用基板５０は表面実装タイプの基板であり、またその機能の一部が前記高周波リレー１ａ，１ｂの底面に半田付けされる副基板５２に分割され、該高周波リレー用基板５０は主基板となっていることである。また、前記高周波リレー１ａ，１ｂは、前述の図７で示す高周波リレー１と同様に挿入実装タイプのリレーであり、前記副基板５２を介在することで、後述するように共通接点の端子Ｐ２の端子位置を変換するとともに、表面実装タイプに変換することである。
【００３７】
図２は前記副基板５２の上面図であり、図３はその底面図である。この副基板５２の基板本体５３は、たとえばガラスエポキシ、ガラスフッ素タイプの樹脂、或いはセラミックから成り、前記各端子Ｐ１〜Ｐ７が挿通されるスルーホールＨ１〜Ｈ７が穿設されている。前記スルーホールＨ１〜Ｈ７は、内周面に導電層を有し、上面または底面の少なくとも一方において、そのスルーホールＨ１〜Ｈ７の周囲に形成される導体パターンと電気的に接続されている。スルーホールＨ１〜Ｈ３，Ｈ６，Ｈ７は、対応する導体パターンＬ１〜Ｌ３，Ｌ６，Ｌ７を介して、前記基板本体５３の端面に形成される半田付けパターンにＦ１〜Ｆ３，Ｆ６，Ｆ７にそれぞれ接続される。前記シールドボックス１２の接地端子Ｐ４，Ｐ５に対応した導体パターンは、ＧＮＤパターン５４に接続される。基板本体５３の上面側において、前記導体パターンＬ１〜Ｌ３，Ｌ６，Ｌ７を除き、できるだけこのＧＮＤパターン５４が形成されている。基板本体５３の表裏両面におけるＧＮＤパターン５４は、多数のスルーホールＨ０によって相互に接続されている。
【００３８】
そして、この副基板５２は、リレー１ａ，１ｂおよび主基板である高周波リレー用基板５０のインピーダンスに適合して、インピーダンスが設定される。具体的には、スルーホールＨ１〜Ｈ７における導電層、導体パターンＬ１〜Ｌ３，Ｌ６，Ｌ７、半田付けパターンＦ１〜Ｆ３，Ｆ６，Ｆ７の厚みや幅、およびそれらのＧＮＤパターン５４との距離、さらには基板本体５３の誘電率や厚さが異なることで、該副基板５２におけるインピーダンスが変化するので、そのインピーダンスをリレー１ａ，１ｂおよび前記高周波リレー用基板５０のインピーダンスに適合して変化する。たとえば、リレー１ａ，１ｂと高周波リレー用基板５０とのインピーダンスのずれを緩和するようなインピーダンスに設定する。また、インピーダンスの異なる該副基板５２を複数種類用意しておき、所望とするインピーダンスに対応した物を使用するようにしてもよい。たとえば、テレビジョンチューナにおいてテレビジョン信号の切換えに使用される場合には７５Ω、前記無線中継装置の混合経路や分岐経路で使用される場合には５０Ωである。
【００３９】
図４は、前記副基板５２の製造方法を説明するための平面図である。この副基板５２は小型（たとえば、１５×９．６ｍｍ）であり、そこでこの図４で示すように、大きな基板５５において複数の副基板５２を一体で作製した後、参照符号５６で示すミシン目に沿って個別に切離すことで該副基板５２が作製される。具体的には、前記大きな基板５５に、ドリルなどで前記スルーホールＨ１〜Ｈ７の穿設を行い、続いて、金属メッキ、スパッタ、印刷などによってその内周面へ導電層の形成を形成するとともに、導体パターンＬ１〜Ｌ３，Ｌ６，Ｌ７を形成する。この時、前記半田付けパターンＦ１〜Ｆ３，Ｆ６，Ｆ７となる部分にもスルーホールおよび導電層を形成しておき、前記ミシン目５６に沿って分割することで、その外周縁の導電層が外部に露出し、該副基板５２の端面に形成された前記半田付けパターンＦ１〜Ｆ３，Ｆ６，Ｆ７として使用することができる。このようにして作製することで、半田付けパターンＦ１〜Ｆ３，Ｆ６，Ｆ７の作成を簡略化することができる。
【００４０】
図５は、上述のようにして作製された副基板５２を高周波リレー１ａ，１ｂに取付ける工程を説明するための斜視図である。図５（ａ）は、前記図７と同様に挿入実装型リレー１を示し、図５（ｃ）ならびに図１で示す表面実装型リレーとするには、先ず図５（ｂ）で示すように、前記基台２０の底部から延びた端子Ｐ１〜Ｐ７を、副基板５２より短い長さ、たとえばスルーホールＨ１〜Ｈ７の深さの２／３程度にカットする。一方、副基板５２には、前記スルーホールＨ１〜Ｈ７内に、前記の長さの端子Ｐ１〜Ｐ７が挿入されてもはみ出さない程度に半田ペーストが充填される。その後、両者が組合わせられて、リフロー炉において半田付けされることで、前記端子Ｐ１〜Ｐ３，Ｐ６，Ｐ７と対応する半田付けパターンＦ１〜Ｆ３，Ｆ６，Ｆ７およびＧＮＤ端子とＧＮＤパターン５４とが電気的に接続されるとともに、高周波リレー１ａ，１ｂと副基板５２とが機械的に接合され、表面実装型リレーとなる。
【００４１】
したがって、副基板５２を高周波リレー用基板５０と高周波リレー１ａ，１ｂとの間に介在することで、前記共通接点の端子Ｐ２の位置変換とともに、挿入実装タイプの高周波リレー１ａ，１ｂを表面実装タイプに変換することができ、しかもその変換を行うにあたって、前記図１０で示すように端子Ｐ１〜Ｐ７を屈曲させた場合に生じるようなストレスの発生を防止することができる。これによって、高周波リレー１ａ，１ｂの基台２０と筐体３８との接合部や、前記端子Ｐ１〜Ｐ７が圧入される基台２０の端子孔の周囲等にクラックが生じ、気密性が損なわれてしまうことを防止することができ、信頼性を向上することができる。また、挿入実装タイプと表面実装タイプとで高周波リレー１ａ，１ｂを共用化して、低コスト化を図ることができる。さらにまた、端子レスのため、包装・輸送での端子変形がない。
【００４２】
また、副基板５２のリレー１側の面にできるだけＧＮＤパターン５４を形成することで、前記シールドボックス１２とＧＮＤパターン５４との距離が近くなる。これに対して、図１０の曲折形成の場合には、曲げ治具の関係で、高周波リレー用基板５０に形成されているＧＮＤパターンとの間に、その曲折部分の寸法、たとえば０．７〜１ｍｍが必要になる。したがって、高周波リレー１ａ，１ｂの底面を直ぐＧＮＤパターン５４に対向させることで、ＶＳＷＲ、インサーションロス、アイソレーション、インピーダンスマッチングなどの高周波特性を向上することができ、高周波リレーに好適である。
【００４３】
さらにまた、図２および図３を参照して、副基板５２において、高周波リレー１ａ，１ｂの一方の端部側において一直線上に配置される端子Ｐ１〜Ｐ５の内、前記共通接点の端子Ｐ２は、スルーホールＨ２の周囲から、副基板５２の高周波リレー１ａ，１ｂ側の表面（図２の上面）に形成された短手方向のパターンＬ２ａによって、他方の端部側まで引回され、端面の半田付け端子Ｆ２を経て、主基板５０側の表面（図３の底面）に折り返されて、コモン端子Ｐ０に接続される。一方、前記副基板５２の主基板５０側の表面（図３の底面）には、略中央部において長手方向にパターンの非形成領域５９を有し、これに対して、主基板５０上には、前記非形成領域５９に対応した前記長手方向の駆動信号のパターンＬ１０が形成される。
【００４４】
したがって、前記パターンＬ２ａとパターンＬ１０とは、立体交差によって、相互に接触することなく直交し、こうして共通接点の端子Ｐ２の端子位置を変換することができる。これによって、前記図９で示すようなジャンパー線４３，４４を不要にすることができ、低コストで、良好な高周波特性を得ることができる。
【００４５】
また、注目すべきは、前記高周波リレー１ａと１ｂとは、基本的に図７で示す高周波リレー１の構造となっているが、リレー内部のシールド構造で、ノーマリーコンタクトの接点（図７の例では固定接点１５（端子Ｐ１））とノーマリーオフの接点（図７の例では固定接点１７（端子Ｐ３））とが相互に逆に設けられていることである。こうして２種類の高周波リレー１ａと１ｂを用意し、それらを一対として高周波モジュール５１に使用することで、ノーマリーコンタクトの接点（Ｐ１，Ｐ１’）同士およびノーマリーオフの接点（Ｐ３，Ｐ３’）同士が相互に対向することになり、分岐した２つの信号経路６１，６２を相互に交差させなくすることができ、これによっては前記図９で示すジャンパー線４０を不要にすることができる。
【００４６】
［実施の形態２］
図６は、本発明の実施の他の形態に係る高周波モジュールに用いられる副基板５２’の底面図である。この副基板５２’は前述の図２および図３で示す副基板５２に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。注目すべきは、この副基板５２’では、前記個別接点となる固定接点１５，１７の端子Ｐ１，Ｐ３を相互に入替えるべく、該端子Ｐ１，Ｐ３がそれぞれ挿入されるスルーホールＨ１，Ｈ３は、パターンＬ１’，Ｌ３’によって、共通接点となる固定接点１６の端子Ｐ２（スルーホールＨ２）を超えて、長手方向の反対側に引出され、その反対側に半田付けパターンＦ１’，Ｆ３’が形成されていることである。
【００４７】
したがって、前記ＧＮＤパターン５４の面積が減るとともに、スルーホールＨ０の数も減少するけれども、高周波リレーとしては、前述の図７で示す高周波リレー１に統一することができ、一層の低コスト化を図ることができる。
【００４８】
ここで、特表２００６−５２３００１号公報には、リレーの基台にパターンが形成されているが、そのパターンは、固定接点を成すものや、コイルへの給電線となるものであり、端子位置変換のために介挿される本発明の副基板５２，５２’とは、そのパターンの機能は全く異なるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施の一形態に係る高周波モジュールの構造を示す図である。
【図２】図１で示す高周波モジュールに用いられる副基板の上面図である。
【図３】図１で示す高周波モジュールに用いられる副基板の底面図である。
【図４】前記副基板の製造方法を説明するための斜視図である。
【図５】前記副基板を用いて、挿入実装型の高周波リレーを表面実装型リレーに変換する組立て工程を説明するための斜視図である。
【図６】本発明の実施の他の形態に係る高周波モジュールに用いられる副基板の底面図である。
【図７】挿入実装型の高周波リレーの典型的な構造例を示す分解斜視図である。
【図８】前記高周波リレーの使用例となる高周波モジュールを説明するための図である。
【図９】前記高周波モジュールの従来技術として考えられる構造を示す図である。
【図１０】挿入実装型の高周波リレーを表面実装する場合の従来技術を示す側面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１，１ａ，１ｂ    高周波リレー
１１    接点機構
１２    シールドボックス
１３，１４    可動接点
１５，１６，１７    固定接点
１８，１９    駆動部材
２０    基台
２１    駆動機構
２２    電磁石
２３    変位部材
２４    コイル
２５    ボビン
２６    鉄心
２７    継鉄
３１    カード
３２    磁石
３３，３４    接極子
３８    筐体
５０    高周波リレー用基板
５１    高周波モジュール
５２，５２’    副基板
５３    基板本体
５４    ＧＮＤパターン
５９    非形成領域
Ａ，Ｂ    アンプ
Ｆ１〜Ｆ３，Ｆ６，Ｆ７    半田付けパターン
Ｌ    スルーライン
Ｈ０〜Ｈ７    スルーホール
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ２ａ，Ｌ３，Ｌ６，Ｌ７    導体パターン
Ｌ１０  駆動信号のパターン
Ｐ０    コモン端子
Ｐ１〜Ｐ７    端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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