(57)【要約】【課題】微細パターンを精度良く形成するめっき基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明にかかるめっき基板１００の製造方法は、無電解めっき法によりめっき基板を製造する方法であって、基板１０上に所定のパターン以外の領域に触媒層３２を設ける工程と、第１の金属を含む第１の無電解めっき液に基板を浸漬することにより、基板上に当該第１の金属を析出させて所定のパターンの第１の金属層３４を設ける工程と、第２の金属を含む第２の無電解めっき液に基板を浸漬することにより、第１の金属層の上面に当該第２の金属を析出させて第２の金属層３７を設ける工程と、を含み、第１の金属のイオン化傾向は、第２の金属のイオン化傾向より大きい。【選択図】図１１
2008007840.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無電解めっき法によりめっき基板を製造する方法であって、
（ａ）基板上に所定のパターン以外の領域に触媒層を設ける工程と、
（ｂ）第１の金属を含む第１の無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、前記基板上に当該第１の金属を析出させて前記所定のパターンの第１の金属層を設ける工程と、
（ｃ）第２の金属を含む第２の無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、前記第１の金属層の上面に当該第２の金属を析出させて第２の金属層を設ける工程と、
を含み、
前記第１の金属のイオン化傾向は、前記第２の金属のイオン化傾向より大きい、めっき基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記工程（ｃ）では、前記第１の金属と前記第２の金属とが置換する置換めっき法によって第２の金属が析出した後に、無電解めっき法により第２の金属が析出する、めっき基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記工程（ｃ）では、前記第１の金属層の表面を露出した状態で、前記基板を前記第２の無電解めっき液に浸漬する、めっき基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記第１の金属はニッケルであり、前記第２の金属は銅である、めっき基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２の無電解めっき液は、還元剤としてホルマリンを含む、めっき基板の製造方法。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記触媒層は、パラジウムを含む、めっき基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、
前記工程（ｂ）を行った後、所定の期間内に前記工程（ｃ）を行う、めっき基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、
前記工程（ｂ）と前記工程（ｃ）との間に前記基板を水洗する工程をさらに含む、めっき基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、
前記工程（ａ）は、
基板上に前記所定のパターンのレジスト層を設ける工程と、
界面活性剤またはシラン系カップリング剤を含む触媒吸着層を前記基板上に設ける工程と、
前記触媒吸着層上に触媒層を設ける工程と、
前記レジスト層を除去することにより、前記所定のパターンの触媒吸着層および触媒層を除去する工程と、
を含む、めっき基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、
前記工程（ａ）は、
基板上に所定のパターンの領域にレジスト層を設ける工程と、
界面活性剤またはシラン系カップリング剤を含む触媒吸着層を前記基板上に設ける工程と、
前記レジスト層を除去することにより、前記所定のパターンの触媒吸着層を除去する工程と、
前記基板上の触媒吸着層上に触媒層を設ける工程と、
を含む、めっき基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項９または１０において、
前記触媒吸着層は、カチオン系界面活性剤を含む、めっき基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項９ないし１１のいずれかにおいて、
前記工程（ｂ）の後に、前記触媒吸着層および前記触媒層を除去する工程を含む、めっき基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかにおいて、
前記基板は、光透過性基板であり、
前記所定のパターンは、１次元または２次元の周期的なパターンであり、
前記周期的なパターンの間隔は、可視光の波長以下である、めっき基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高速化・高密度化に伴い、基板上に金属層を有するめっき基板の製造方法としてアディティブ法が注目を集めている。アディティブ法では、基板上に設けたフォトレジストをパターニングしてめっきレジストを形成し、めっきレジストの開口部にめっき処理を行うことにより金属層を析出させる方法が知られている。
【特許文献１】特開平１０−６５３１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、微細パターンを精度良く形成するめっき基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明にかかるめっき基板の製造方法は、
無電解めっき法によりめっき基板を製造する方法であって、
（ａ）基板上に所定のパターン以外の領域に触媒層を設ける工程と、
（ｂ）第１の金属を含む第１の無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、前記基板上に当該第１の金属を析出させて前記所定のパターンの第１の金属層を設ける工程と、
（ｃ）第２の金属を含む第２の無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、前記第１の金属層の上面に当該第２の金属を析出させて第２の金属層を設ける工程と、
を含み、
前記第１の金属のイオン化傾向は、前記第２の金属のイオン化傾向より大きい。
【０００５】
このように、触媒層の形成領域と金属層の形成領域とを異なる領域にすることにより、微細なめっき粒子を基板上に吸着させることができる。即ち、めっき粒子を析出させる領域と、吸着させる領域とを異ならせることによって、微細なめっき粒子であっても基板上に安定的に吸着させることができる。したがって、微細パターンの金属層を形成することができる。
【０００６】
また、基板を第２の無電解めっき液に浸漬したときに、まず、イオン化傾向の差により、第１段階のめっき反応として置換めっき反応が起こる。その後、第２の金属で第１の金属層が覆われたときに、無電解めっき反応が開始して第２の金属をさらに析出させることができる。
【０００７】
本発明にかかるめっき基板の製造方法において、
前記工程（ｃ）では、前記第１の金属と前記第２の金属とが置換する置換めっき法によって第２の金属が析出した後に、無電解めっき法により第２の金属が析出することができる。
【０００８】
本発明にかかるめっき基板の製造方法において、
前記工程（ｃ）では、前記第１の金属層の表面を露出した状態で、前記基板を前記第２の無電解めっき液に浸漬することができる。
【０００９】
本発明にかかるめっき基板の製造方法において、
前記第１の金属はニッケルであり、前記第２の金属は銅であることができる。
【００１０】
本発明にかかるめっき基板の製造方法において、
前記第２の無電解めっき液は、還元剤としてホルマリンを含むことができる。
【００１１】
本発明にかかるめっき基板の製造方法において、
前記触媒層は、パラジウムを含むことができる。
【００１２】
本発明にかかるめっき基板の製造方法において、
前記工程（ｂ）を行った後、所定の期間内に前記工程（ｃ）を行うことができる。
【００１３】
本発明にかかるめっき基板の製造方法において、
前記工程（ｂ）と前記工程（ｃ）との間に前記基板を水洗する工程をさらに含むことができる。
【００１４】
本発明にかかるめっき基板の製造方法において、
前記工程（ａ）は、
基板上に前記所定のパターンのレジスト層を設ける工程と、
界面活性剤またはシラン系カップリング剤を含む触媒吸着層を前記基板上に設ける工程と、
前記触媒吸着層上に触媒層を設ける工程と、
前記レジスト層を除去することにより、前記所定のパターンの触媒吸着層および触媒層を除去する工程と、
を含むことができる。
【００１５】
本発明にかかるめっき基板の製造方法において、
前記工程（ａ）は、
基板上に所定のパターンの領域にレジスト層を設ける工程と、
界面活性剤またはシラン系カップリング剤を含む触媒吸着層を前記基板上に設ける工程と、
前記レジスト層を除去することにより、前記所定のパターンの触媒吸着層を除去する工程と、
前記基板上の触媒吸着層上に触媒層を設ける工程と、
を含むことができる。
【００１６】
本発明にかかるめっき基板の製造方法において、
前記触媒吸着層は、カチオン系界面活性剤を含むことができる。
【００１７】
本発明にかかるめっき基板の製造方法において、
前記工程（ｂ）の後に、前記触媒吸着層および前記触媒層を除去する工程を含むことができる。
【００１８】
本発明にかかるめっき基板の製造方法において、
前記基板は、光透過性基板であり、
前記所定のパターンは、１次元または２次元の周期的なパターンであり、
前記周期的なパターンの間隔は、可視光の波長以下であることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
１．めっき基板の製造方法
図１〜図１０は、第１の実施の形態にかかるめっき基板１００（図１１参照）の製造方法を示す図である。本実施の形態では、無電解めっきを適用してめっき基板を製造する。
【００２１】
（１）まず、基板１０を用意する。基板１０は、図１に示すように絶縁基板であってもよい。後述する工程により絶縁基板上に金属層を形成することによって、配線基板を製造することができる。あるいは、基板１０は、可視光を透過する光透過性基板（例えば透明基板）であってもよい。後述する工程により光透過性基板上に金属層を形成することによって、たとえば偏光板のような光学素子基板を製造することができる。
【００２２】
また基板１０は、有機系基板（例えばプラスチック材、樹脂基板）であってもよいし、無機系基板（例えば石英ガラス、シリコンウエハ、酸化物層）であってもよい。プラスチック材としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネイト、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。基板１０は、単層のみならず、ベース基板上に少なくとも１層の絶縁層が形成されている多層のものも含む。本実施の形態では、基板１０上に金属層を形成する。また基板１０の表面には、凹凸がないことが好ましく、たとえば凹凸の高さが１０ｎｍ未満であることが望ましい。
【００２３】
ついで、基板１０上に所定のパターンのレジスト層２２を形成する。レジスト（図示せず）を基板１０の上面に塗布した後、リソグラフィ法により該レジストをパターニングすることにより、図１に示すように、レジスト層２２を形成することができる。ここで所定のパターンは、金属層３４、３７（図１１参照）の形成を所望する領域の形状であって、任意の形状とすることができる。
【００２４】
（２）次に、基板１０を洗浄する。基板１０の洗浄は、ドライ洗浄でもよいし、ウエット洗浄でもよいが、ドライ洗浄がより好ましい。ドライ洗浄にすることによって、剥離等のレジスト層２２に与えるダメージを防止することができる。
【００２５】
ドライ洗浄は、図２に示すように、真空紫外線ランプを用いて、窒素雰囲気下において、３０秒〜９００秒間、真空紫外線を照射して行うことができる。基板１０を洗浄することによって、基板１０の表面に付着している油脂などの汚れを除去することができる。また、基板１０およびレジスト層２２の表面を撥水性から親水性に変化させることができる。また、基板１０の液中表面電位が負電位であれば、基板１０の洗浄により均一な負電位面を形成することができる。
【００２６】
ウエット洗浄は、例えば、基板１０をオゾン水（オゾン濃度１０ｐｐｍ〜２０ｐｐｍ）に室温状態で５分〜３０分程度浸漬することで行うことができる。またドライ洗浄は、真空紫外線ランプ（波長１７２ｎｍ、出力１０ｍＷ、試料間距離１ｍｍ）を用いて、窒素雰囲気下において、３０秒〜９００秒間、真空紫外線を照射して行うことができる。
【００２７】
（３）次に、界面活性剤またはシラン系カップリング剤を含む触媒吸着層２４を基板１０上に形成する。
【００２８】
まず、図３に示すように、界面活性剤またはシラン系カップリング剤を溶解した触媒吸着溶液１４に基板１０を浸漬する。基板１０の表面の液中表面電位が負電位の場合には、カチオン系界面活性剤を適用することが好ましい。カチオン系界面活性剤は、他の界面活性剤に比べて基板１０に吸着しやすいからである。
【００２９】
カチオン系界面活性剤としては、例えば、アミノシラン系成分を含む水溶性界面活性剤や、アルキルアンモニウム系の界面活性剤（例えば、セチルトリメチルアンモニウムクロリド、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチルジメチルアンモニウムブロマイド等）などを用いることができる。
【００３０】
触媒吸着溶液１４に含まれるシラン系カップリング剤としては、たとえばヘキサメチルジシラザンを用いることができる。浸漬時間は、例えば、１分〜１０分程度とすることができる。
【００３１】
次いで、触媒吸着溶液１４から基板１０を取り出し、超純水で洗浄する。その後、基板１０を、例えば、室温下で自然乾燥、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去した後、９０℃〜１２０℃のオーブン内に１０分〜１時間程度放置して乾燥させる。以上の工程により、図４に示すように、触媒吸着層２４を基板１０に設けることができる。このとき、界面活性剤としてカチオン系界面活性剤を適用した場合には、基板１０の液中表面電位は吸着前よりも正電位側にシフトしている。
【００３２】
（４）次に、触媒層３１を基板１０上に形成する。まず、図５に示すように、触媒溶液３０に基板１０を浸漬する。触媒溶液３０は、無電解めっきの触媒として機能する触媒成分を含む。触媒成分としては、たとえばパラジウムを用いることができる。
【００３３】
たとえば、以下の手順により触媒溶液３０を作製することができる。
（４ａ）純度９９．９９％のパラジウムペレットを塩酸と過酸化水素水と水との混合溶液に溶解させ、パラジウム濃度が０．１〜０．５ｇ／ｌの塩化パラジウム溶液とする。
（４ｂ）上述した塩化パラジウム溶液をさらに水と過酸化水素水で希釈することによりパラジウム濃度を０．０１〜０．０５ｇ／ｌとする。
（４ｃ）水酸化ナトリウム水溶液等を用いて、塩化パラジウム溶液のｐＨを４．５〜６．８に調整する。
【００３４】
触媒溶液３０に浸漬した後、基板１０を水洗してもよい。水洗は、純水によって行われることができる。この水洗によって、触媒の残渣が後述する無電解めっき液に混入するのを防止することができる。
【００３５】
以上の工程により、触媒層３１が形成される。触媒層３１は、図６に示すように、基板１０およびレジスト層２２上の触媒吸着層２４の上面に形成される。
【００３６】
（５）次に、基板１０上のレジスト層２２を除去する。具体的には、図７に示すように、所定のパターンのレジスト層２２を除去する。ここでレジスト層２２は、たとえばアセトン等を用いて除去することができる。レジスト層２２上に設けられた触媒吸着層２４および触媒層３１もレジスト層２２とともに除去される。これにより、所定のパターン以外の領域のみに触媒吸着層２６および触媒層３２を形成することができる。
【００３７】
（６）次に、所定のパターンの第１の金属層３４を形成する。言い換えれば、基板１０上の触媒層３２が形成されていない領域に第１の金属層３４を形成する。具体的には、第１の金属を含む第１の無電解めっき液に基板１０を浸漬させることによって、触媒層３２が形成されていない領域に第１の金属層３４を析出させることができる。ここで第１の無電解めっき液は、基板１０上にめっき粒子として析出する際、めっき粒子の平均粒径が２０ｎｍ〜５０ｎｍになるように調整されることが好ましい。このような第１の無電解めっき液は、ｐＨ、温度、調整時間等をかえることにより調整することができる。また第１の無電解めっき液への基板１０の浸漬時間が一定時間以上になると、めっき粒子の平均粒径が５０ｎｍより大きくなってしまうため、浸漬時間は、一定時間以内であることが好ましい。
【００３８】
第１の金属は、後述する第２の金属のイオン化傾向より大きいイオン化傾向を有し、たとえばニッケルであることができる。無電解めっき液としては、酸性で使用するタイプとアルカリ性で使用するタイプがあるが、第１の無電解めっき液の一例としては酸性で使用するタイプのものを適用する。第１の無電解めっき液は、上述した第１の金属と、還元剤および錯化剤等を含む。具体的には、無電解めっき液としては、硫酸ニッケル６水和物または塩化ニッケル６水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることができる。例えば、硫酸ニッケル６水和物を含む無電解めっき液（温度７０〜８０℃）に基板１０を１０秒〜１０分程度浸漬することによって、２０ｎｍ〜１００ｎｍの厚みを有するニッケル層を形成することができる。
【００３９】
こうして、図８に示すように、基板１０上の触媒層３２の上面に第１の金属層３４を形成することができる。
【００４０】
第１の無電解めっき液に浸漬した後、基板１０を水洗してもよい。水洗は、純水によって行われてもよいし、水蒸気によって行われてもよいし、純水及び水蒸気の双方を用いて行われてもよい。この水洗によって、第１の無電解めっき液の残渣が後述する第２の無電解めっき液に混入するのを防止することができる。また、水洗後、基板１０に熱処理を施すことによって乾燥してもよい。これによって第１の金属層３４の基板１０に対する密着性を向上させることができる。
【００４１】
（７）次に、第１の金属層３４上に第２の金属層３７を析出させる。具体的には、第１の金属層３４を露出させた状態で、基板１０を、第２の金属を含む第２の無電解めっき液３８に浸漬させることによって、第１の金属層３４上に第２の金属層３７を析出させることができる（図１１参照）。
【００４２】
第２の金属は、上述した第１の金属のイオン化傾向より小さいイオン化傾向を有し、たとえば銅であることができる。第２の無電解めっき液の一例としてはアルカリ性で使用するタイプのものを適用する。第２の無電解めっき液３８は、上述した第２の金属と、還元剤および錯化剤等を含む。還元剤としては、たとえばホルマリンを適用できる。ホルマリンを還元剤として用いると、たとえば第１の金属としてのニッケルは、ホルマリンによって還元されないため、無電解めっき液３８中に溶出したニッケルが無電解めっき反応により析出するのを抑えることができる。また第２の無電解めっき液３８は、たとえば６５℃〜８５℃に加熱して用いてもよい。また、基板１０を、第２の金属を含む第２の無電解めっき液３８に浸漬させるのは、第１の金属層を形成してから、所定の期間内であることが好ましい。所定の期間は、乾燥工程の有無等の条件によって変わってくるが、発明者らの実験によれば４８時間以内であれば、下記のめっき反応が開始することが確認された。
【００４３】
上述した第２の無電解めっき液３８を用いることにより、２段階の反応が起こる。まず、１段階目の反応としては、図９に示すように、第１の金属層３４表面において、以下の置換めっき反応が起こる。
【００４４】
Ｍ１＋Ｍ２＋→Ｍ１＋＋Ｍ２
〔Ｍ１は第１の金属、Ｍ２は第２の金属〕
この置換めっき反応は、第１の金属層３４を第２の金属層３６が完全に覆うまで続く。その後、２段階目の反応として、図１０に示すように、第２の金属層３６の表面において無電解めっき反応が起こり、第２の金属層３６上に第２の金属が析出して、さらに厚くなった第２の金属層３７が形成される。第１の金属層３４と第２の金属層３７の全体の膜厚は、たとえば２００ｎｍとすることができる。
【００４５】
以上の工程により、図１１に示すように、めっき基板１００を形成することができる。本実施の形態にかかるめっき基板１００の製造方法では、第２の金属層３６を形成するときに、置換めっき反応によって第２の金属を析出させているため、第２の金属を析出させるための触媒層を形成する必要がない。よって、触媒層を設ける工程を省略することでき、工程数を削減することができる。また、置換めっき反応によって、第１の金属（ニッケル等）を導電率特性に優れた第２の金属（銅等）に置換することができる。
【００４６】
また、一般に銅の無電解めっき液はアルカリ性であるが、アルカリ溶液中において触媒吸着層が溶解して、触媒層が基板から剥離してしまうことがある。そこで、本実施の形態によれば、まず、触媒吸着層が溶解しない溶液、たとえば中性または酸性の第１の無電解めっき液を用いて第１の金属層を析出させて触媒吸着層を覆った後に、たとえばアルカリ性の第２の無電解めっき液を用いて第２の金属層を析出させることができる。このように、予め第１の金属層を形成することによって、第２の無電解めっき液が触媒吸着層を溶解する溶液であっても、基板から触媒層や金属層が剥離するのを防止することができ、信頼性の高いめっき基板を形成することができる。
【００４７】
また、本実施の形態にかかるめっき基板１００の製造方法において、第１の金属のイオン化傾向は、第２の金属のイオン化傾向より大きい。これにより、第２の金属が第１の金属層上に析出することができる。また、一般にイオン化傾向の大きい金属ほど酸化されやすいため、第２の金属層で第１の金属層を覆うことによって、形成された配線が酸化するのを抑制することができる。
【００４８】
次に、変形例にかかるめっき基板の製造方法について説明する。図１１は、変形例にかかるめっき基板１１０を模式的に示す断面図である。変形例にかかるめっき基板１１０の製造方法では、第２の金属層３７を形成した後に、触媒層３２および触媒吸着層２６を除去する。具体的には、金属層３７の形成後に、触媒層３２および触媒吸着層２６を、たとえば真空紫外線を照射し、水洗することによって、除去してもよい。これにより、めっき基板１１０は、たとえば信頼性の高い配線基板として機能することができる。
【００４９】
２．めっき基板
上述した方法により製造されためっき基板１００について、図１３を用いて説明する。図１３は、本実施の形態にかかるめっき基板１００を模式的に示す斜視図である。めっき基板１００は、基板１０と当該基板１０の上方に形成された第２の金属層３７とを含む。第２の金属層３７は、所定のパターンを有する。所定のパターンは、たとえば１次元または２次元の周期的なパターンであることができる。めっき基板１００は、光透過性基板上に所定のパターンを有することにより、偏光板等の光学素子基板として機能することができる。たとえば図１３に示すように、めっき基板１００は、一定の間隔ｂと一定の幅ａの直線状の金属層がＸ軸方向に繰り返し設けられている１次元の周期的なパターン（ストライプ形状）であることができる。周期方向（Ｘ軸方向）における幅ａが可視光の波長以下であり、かつ基板１０が光透過性基板からなる場合には、めっき基板１００は、偏光板として機能することができる。
【００５０】
まためっき基板は、たとえば幅ａが３０ｎｍ〜２００ｎｍであり、間隔ｂが２００ｎｍ以下であることができる。さらに幅ａと間隔ｂとの差が２０ｎｍ以下であることが好ましい。このようなサイズを所定のパターンとして規定することにより、触媒層３２の形成されていない領域に第１の金属層３４を形成することができる。即ち、幅ａが３０ｎｍ〜２００ｎｍであり、間隔ｂが２００ｎｍ以下であることにより、触媒層３２の形成領域と第１の金属層３４の形成領域との距離を短くし、触媒層３２上で析出しためっき粒子が触媒層３２の形成されていない領域まで確実に移動させることができる。また、幅ａと間隔ｂとの差が２０ｎｍ以下であることにより、所定のパターンの第１の金属層３４を析出させるために適切な量の触媒を含む触媒層３２を形成することができる。
【００５１】
３．本実施の形態にかかるめっき基板１００の製造方法では、触媒層３２が形成されていない領域に第１の金属層３４が形成されている。この機構については、以下のように想定される。無電解めっき反応は、無電解めっき液中の還元剤と金属イオンとの還元反応であり、金属イオンが還元剤から電子を受け取ることによりめっき粒子が析出する反応である。この反応は、触媒層３２に含まれる触媒によって促進されるため、主に触媒層３２の近傍で進行する。無電解めっき液中では、複数の金属イオンが集合体となって存在しているため、複数の金属原子の集合体であるめっき粒子が還元反応によって析出する。なお、複数の金属イオンの集合体の大きさは、第１の無電解めっき液のｐＨ、温度、時間等によって制御することができる。析出時のめっき粒子の平均粒径が、たとえば約２０ｎｍ〜５０ｎｍである場合には、めっき粒子は、触媒層３２近傍で生成された後に触媒層３２の形成されていない領域まで移動して基板１０に吸着する。即ち、めっき粒子は、触媒層３２付近で析出するが、触媒層３２付近ではさらに還元反応が継続するためエネルギー状態が不安定であり、一定以上の質量がなければ触媒層３２上で安定し、吸着することができない。したがってめっき粒子は、平均粒径が約２０ｎｍ〜５０ｎｍの場合には、触媒層３２上で安定することができず、基板１０上に移動して吸着する。よって、第１の金属層３４は、触媒層３２の形成されていない領域に形成されることができる。
【００５２】
４．電子デバイス
図１４は、本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法によって製造されるめっき基板を適用した電子デバイスの一例を示す。基板１０が絶縁基板である場合には、めっき基板１００は、配線基板として機能することができる。電子デバイス１０００は、配線基板としてのめっき基板１００と、集積回路チップ９０と、他の基板９２とを含む。
【００５３】
めっき基板１００に形成された配線パターンは、電子部品同士を電気的に接続するためのものであってもよい。めっき基板１００は、上述した製造方法によって製造される。図１４に示す例では、めっき基板１００には、集積回路チップ９０が電気的に接続され、めっき基板１００の一方の端部は、他の基板９２（例えば表示パネル）に電気的に接続されている。電子デバイス１０００は、液晶ディスプレイ装置、プラズマディスプレイ装置、ＥＬ（Electro luminescence）ディスプレイ装置などの表示装置であってもよい。
【００５４】
また、光学素子基板としてのめっき基板１００は、液晶ディスプレイ装置、プロジェクター装置等の偏光板として機能してもよい。
【００５５】
５．実験例
本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法によりめっき基板を形成した。
【００５６】
（１）ガラス基板上にフォトレジスト膜を形成し、その後直描方式により約２００ｎｍピッチで約１３０ｎｍ幅の直線状に露光、現像することにより、約７０ｎｍ幅の直線状のラインと約１３０ｎｍ間隔を有するストライプ状の開口部を有するフォトレジストパターンを形成した。
【００５７】
（２）このガラス基板を１ｃｍ角に切り出し、カチオン系界面活性剤溶液（テクニックジャパン（株）製ＦＰＤコンディショナー）に浸漬した。次いで、このガラス基板をパラジウム触媒溶液に浸漬した。その後、アセトン等の有機溶剤を用いてガラス基板上のフォトレジストを除去した。これにより、約１３０ｎｍ幅の直線状のラインと約７０ｎｍ間隔を有するストライプ状の触媒層が形成された。
【００５８】
（３）次に、触媒層が形成されたガラス基板を、８０℃のニッケル無電解めっき液（テクニックジャパン（株）製ＦＰＤニッケル）に３０秒間浸漬し、約１５０ｎｍ程度の厚み、約７０ｎｍ幅のニッケル金属層を形成した。
【００５９】
次いで、ガラス基板を十分に水洗し、１００〜１５０℃で１０分間焼成してニッケル金属層中の水分を蒸発させ、基板に対する密着性を向上させた。
【００６０】
（４）次に、ニッケル金属層（第１の金属層）の形成後３０分以内に、ガラス基板を液温８０℃、ｐＨ１２〜１３の銅無電解めっき液（日鉱マテリアル製ＫＣ５００）に３００秒間浸漬し、約１５０ｎｍ程度の厚み、約７０ｎｍ幅の銅金属層（第２の金属層）を形成した。
【００６１】
このように形成された金属層のＳＥＭ画像を図１５に示す。この金属層は、図１５に示すとおり、約７０ｎｍ幅の直線状のラインと約１３０ｎｍ間隔を有するストライプ状であった。また、得られためっき基板においては、銅の析出が確認された。これにより、パラジウム等の触媒をニッケル金属層上に付着させることなく、銅を析出させることができることが確認された。また、ガラス基板の裏面から当該ガラス基板を透過して銅色のラインが確認された。これにより、ニッケルが銅に置換する置換めっき反応が起こっていることが確認された。
【００６２】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば、上述した実施の形態では、予め基板上に所望のパターン領域以外の領域にレジスト層を設けて全面に触媒吸着層および触媒層を形成した後にレジスト層を除去することにより、触媒層を所定の領域に形成しているが、これにかえて、レジスト層を用いないで触媒層を形成してもよい。具体的には、たとえば触媒吸着層を基板全面に形成し、この触媒吸着層の一部を光分解して所望のパターン領域にのみ触媒吸着層を残す。これにより、触媒層は所望のパターン領域にのみ形成されることができる。触媒吸着層の光分解は、真空紫外線（ＶＵＶ；vacuum ultraviolet）を用いて行うことができる。光の波長を、例えば１７０ｎｍ〜２６０ｎｍとすることにより、原子間結合（例えば、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｆ、Ｃ−Ｃｌ、Ｃ−Ｏ、Ｃ−Ｎ、Ｃ＝Ｏ、Ｏ＝Ｏ、Ｏ−Ｈ、Ｈ−Ｆ、Ｈ−Ｃｌ、Ｎ−Ｈなど）を切断することができる。この波長帯域を用いることにより、イエロールームなどの設備が不要となり、例えば白色灯下で本実施形態に係る一連の工程を行うことができる。
【００６３】
また本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法を示す図。
【図２】本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法を示す図。
【図３】本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法を示す図。
【図４】本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法を示す図。
【図５】本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法を示す図。
【図６】本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法を示す図。
【図７】本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法を示す図。
【図８】本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法を示す図。
【図９】本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法を示す図。
【図１０】本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法を示す図。
【図１１】本実施の形態にかかるめっき基板を示す断面図。
【図１２】変形例にかかるめっき基板を示す断面図。
【図１３】本実施の形態にかかるめっき基板を示す斜視図。
【図１４】本実施の形態にかかるめっき基板を適用した電子デバイスの一例を示す図。
【図１５】実験例にかかるめっき基板のＳＥＭ画像を示す図。
【符号の説明】
【００６５】
１０  基板、１４  界面活性剤溶液、１８  光源、２０  光、２２  レジスト層、２４  界面活性剤層、２６  界面活性剤層、３０  触媒溶液、３１  触媒層、３２  触媒層、３４  第１の金属層、３６、３７  第２の金属層、３８  第２の無電解めっき液、９０  集積回路チップ、９２  他の基板、１００  めっき基板、１０００  電子デバイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１４】
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【図１３】
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【図１５】
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