(57)【要約】【課題】プラズマ表面処理に起因する不具合を防止することで、長期に亘って良好な発光特性を得る有機エレクトロルミネッセンス装置を提供する。【解決手段】基板Ｐ上に、画素領域を囲む隔壁構造５０と、隔壁構造５０内に臨む画素電極４１と、画素電極４１上に配置される有機発光層４０と、有機発光層４０を覆う陰極５４と、を有する有機エレクトロルミネッセンス装置１である。隔壁構造５０は、無機材料で構成される無機隔壁５０Ｂと、有機材料で構成される有機隔壁５０Ａとの積層構造から構成されており、有機隔壁５０Ａの表面が無機材料で構成された無機保護膜４４で覆われる。【選択図】図３
2008270117.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、画素領域を囲む隔壁構造と、該隔壁構造内に臨む画素電極と、該画素電極上に配置される有機発光層と、該有機発光層を覆う陰極と、を有する有機エレクトロルミネッセンス装置において、
前記隔壁構造は、無機材料で構成される無機隔壁と、有機材料で構成される有機隔壁との積層構造から構成されており、
前記有機隔壁の表面が無機材料で構成された無機保護膜で覆われることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記無機保護膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＡｌＯ、ＡｌＮ、及びＡｌ２Ｏ３のいずれかを主体として構成されることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記無機保護膜の膜厚が、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記有機発光層は気相法によって形成されたものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記有機隔壁の内側面が、断面視テーパ形状の傾斜面をなすことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、バックライト等の光源を必要としない自発光素子を備えた表示装置としてエレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子）を備えた有機ＥＬ装置が注目されている。有機ＥＬ装置は、スイッチング素子として例えばＴＦＴ素子が基板上に設けられ、このＴＦＴ素子による凹凸を緩和する平坦化層上に設けられた画素電極と陰極との間に有機発光層を挟持した構成を有している。画素電極は各画素領域に対応して設けられている。そのため、有機ＥＬ装置には、隣接する画素領域間における画素電極の接触、或いは画素電極及び陰極の接触を防止するための隔壁が形成される（例えば、特許文献１参照）。このような隔壁の形成材料としては、上記の平坦化層の形成材料と同様のアクリル樹脂やポリイミド等が用いられる。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ装置の製造工程では、前記画素電極上に有機発光層を形成するに先立ち、画素電極表面の汚れを除去する表面処理としてプラズマ処理を行う。画素電極は、例えばＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）から構成されている。このようなプラズマ処理を行うと、上記の隔壁を構成するアクリル樹脂やポリイミドの一部がエッチングされることでＩＴＯ（画素電極）上に異物が付着し、ＩＴＯ表面が汚染されることで発光特性が低下するおそれがある。そこで、隔壁を構成する有機材料を改良することで、プラズマ処理に起因する不具合の防止を図った技術がある（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平５−２７５１７２号公報
【特許文献２】特開２００５−２１６７１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、画素電極表面の汚れを良好に除去するためにはより強いプラズマ処理を行事が望ましい。しかしながら、上述した特許文献２に開示される隔壁材料は有機材料から構成されているため、依然としてプラズマ耐性に限度があり、十分なプラズマ耐性を有するとは言い難かった。その結果、プラズマ処理の強さを抑えることでＩＴＯ表面の洗浄処理が不十分となったり、反対に隔壁に対しプラズマ耐性以上の処理が施されることでＩＴＯ表面が汚染されることで、発光特性が低下するおそれがあった。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、プラズマ表面処理に起因する不具合を防止することで、長期に亘って良好な発光特性を得る有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板上に、画素領域を囲む隔壁構造と、該隔壁構造内に臨む画素電極と、該画素電極上に配置される有機発光層と、該有機発光層を覆う陰極と、を有する有機エレクトロルミネッセンス装置において、前記隔壁構造は、無機材料で構成される無機隔壁と、有機材料で構成される有機隔壁との積層構造から構成されており、前記有機隔壁の表面が無機材料で構成された無機保護膜で覆われることを特徴とする。
【０００７】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置によれば、例えば有機発光層を形成するに際して、画素電極表面をプラズマ処理により洗浄した場合でも、有機隔壁の表面を覆う無機保護膜によって有機隔壁にプラズマダメージが及ぶことが防止される。よって、有機隔壁の形成材料の一部がプラズマ処理によってエッチングされて、その一部が異物として画素電極表面に付着することで画素電極が汚染されることがない。したがって、画素電極上に有機発光層が良好に形成されたものとなり、長期に亘り良好な発光特性を得ることのできる有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することができる。
【０００８】
また、上記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記無機保護膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＡｌＯ、ＡｌＮ、及びＡｌ２Ｏ３のいずれかを主体として構成されるのが好ましい。
この構成によれば、上述したようなプラズマ処理を行った際でも、有機隔壁にダメージが及ぶのを良好に防止できる。
【０００９】
また、上記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記無機保護膜の膜厚が、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるのが好ましい。
この構成によれば、無機保護膜の膜厚が５０ｎｍ以上となっているので、十分なプラズマ耐性を得ることができる。また、無機保護膜の膜厚が２００ｎｍ以下となっているので、膜厚が厚すぎることで無機保護膜に割れが生じてしまうのを抑制できる。
【００１０】
また、上記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記有機発光層は気相法によって形成されたものであることが好ましい。
この構成によれば、上述したように洗浄処理による汚染が防止された画素電極上に、例えば蒸着法等の気相法により有機発光層を良好に形成できるので、信頼性が高く良好な発光特性を得るものを提供できる。
【００１１】
また、上記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記有機隔壁の内側面が、断面視テーパ形状の傾斜面をなすのが好ましい。
この構成によれば、例えば有機発光層が蒸着法を用いることで基板全面に形成される場合に、有機隔壁の内側面がテーパ形状となっているので、有機隔壁内側面と有機発光層との密着性が高いものとなる。よって、有機発光層上に形成される陰極も上記テーパ形状の内側面に沿って形成されることで断線が発生するのを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（有機エレクトロルミネッセンス装置）
以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置と称す）に係る一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。図１は本実施形態の有機ＥＬ装置の回路構成図、図２は、同有機ＥＬ装置における各画素領域の平面構造を示す図であって陰極や有機発光層を取り除いた状態を示す図である。また図３は、有機ＥＬ装置の断面構成を示す概略図である。
【００１３】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１は、複数の走査線３１と、これら走査線３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線３２と、これら信号線３２に並列に延びる複数の共通給電線３３とがそれぞれ配線されたもので、走査線３１及び信号線３２の各交点に画素領域７１が設けられて構成されたものである。
【００１４】
信号線３２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路７２が設けられている。一方、走査線３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を備える走査側駆動回路７３が設けられている。また、画素領域７１の各々には、走査線３１を介して走査信号（電力）がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）４２と、このスイッチング用ＴＦＴ４２を介して信号線３２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ４３と、この駆動用ＴＦＴ４３を介して共通給電線３３に電気的に接続したときに共通給電線３３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）４１と、この画素電極４１と陰極５４との間に挟み込まれる有機発光層４０と、が設けられている。そして、前記画素電極４１と陰極５４と、有機発光層４０とによって発光素子が構成されている。
【００１５】
このような構成のもとに、走査線３１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ４２がオンとなると、そのときの信号線３２の電位（電力）が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用ＴＦＴ４３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ４３のチャネルを介して共通給電線３３から画素電極４１に電流（電力）が流れ、さらに有機発光層４０を通じて陰極５４に電流が流れることにより、有機発光層４０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００１６】
次に、図２に示す画素領域７１の平面構造をみると、画素領域７１は、平面視略矩形状の画素電極４１の四辺が、信号線３２、共通給電線３３、走査線３１及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。画素電極４１はドレイン電極３６に導電接続されることで駆動用ＴＦＴ４３に電気的に接続されたものとなっている。
【００１７】
（断面構造）
また図３に示す画素領域７１の断面構造をみると、基板Ｐ上に駆動用ＴＦＴ４３が設けられており、駆動用ＴＦＴ４３を覆って形成された第一、及び第二層間絶縁膜２３，２４上に発光素子２００が配設されている。この発光素子２００は、基板Ｐ上に立設されたバンク構造（隔壁構造）５０の内部に臨む画素電極４１と、この画素電極４１上に配置される有機発光層４０と、この有機発光層４０を覆う陰極５４とを有して構成される。また、前記バンク構造５０は各画素領域７１を区画した（囲んだ）状態に基板Ｐ上に形成されている。
【００１８】
前記基板Ｐとしては、本実施形態のようなトップエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、有機ＥＬ発光素子２００が配設される側から光を外部に取り出す構成であることから、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化等の絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）等が挙げられる。
【００１９】
基板Ｐ上に設けられる前記駆動用ＴＦＴ４３は、半導体層２１に形成されたソース領域４３、ドレイン領域４３ｂ、及びチャネル領域４３ｃと、半導体層表面に形成されたゲート絶縁膜２２を介してチャネル領域４３ｃに対向するゲート電極４３Ａとを主体として構成されている。半導体層２１及びゲート絶縁膜２２を覆う第一層間絶縁膜２３が形成されており、この第一層間絶縁膜２３を貫通して半導体層２１に達するコンタクトホール３４，３５内に、それぞれドレイン電極３６、ソース電極３８が埋設され、各々の電極はドレイン領域４３ｂ、ソース領域４３に導電接続されている。第一層間絶縁膜２３の上層には、第二層間絶縁膜２４が形成されており、この第二層間絶縁膜２４に貫設されたコンタクトホール３９に画素電極４１の一部が埋設されている。そして画素電極４１とドレイン電極３６とが導電接続されることで、駆動用ＴＦＴ４３と画素電極４１（発光素子２００）とが電気的に接続されている。なお、前記第一、第二層間絶縁膜２３，２４は前記駆動用ＴＦＴ４３、又は前記ドレイン電極３６、及びソース電極３８によって基板Ｐ上に生じる凹凸を平坦化する平坦化層を兼ねている。
【００２０】
また、バンク構造５０はＳｉＯ２やＳｉＮ等の絶縁性無機材料からなる無機バンク（無機隔壁）５０Ｂと、上記第一、第二層間絶縁膜２３，２４の形成材料と同様にアクリルやポリイミド等の有機材料からなる有機バンク（有機隔壁）５０Ａとの積層構造から構成されている。具体的には、前記無機バンク５０Ｂは画素電極４１の側面及び上端部を覆うように前記第二層間絶縁膜２４上に形成され、画素電極４１の一部（上面）を露出させるとともに、各画素領域７１に対応して配置される画素電極４１間を絶縁している。
【００２１】
そして、無機バンク５０Ｂは第二層間絶縁膜２４の一部を露出させた状態に形成されている。また、前記有機バンク５０Ａは、無機バンク５０Ｂから露出した第二層間絶縁膜２４、及び無機バンク５０Ｂの一部を覆った状態に形成されている。なお、有機バンク５０Ａの膜厚としては、２〜３μｍ程度に設定するのが望ましい。
【００２２】
また、有機バンク５０Ａの表面を覆うようにして、ＳｉＮ等の無機材料で構成される無機保護膜４４が設けられている。この無機保護膜４４の膜厚としては、５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度に設定するのが望ましい。
【００２３】
無機保護膜４４の形成材料としては、上記のＳｉＮに限定されることはなく、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＡｌＯ、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３のいずれかを主体とするものを用いてもよい。
【００２４】
前記バンク構造５０の底部に臨まれる画素電極４１上に有機発光層４０と陰極５４とが積層され、発光素子２００が構成される。本実施形態では、前記有機発光層４０及び前記陰極５４がバンク構造５０（有機バンク５０Ａ）の上面を覆うようにして基板Ｐ全面に形成されている。なお、有機発光層４０は後述するように真空蒸着法（気相法）によって形成されたものである。
【００２５】
本実施形態では、前記有機発光層４０の形成材料としては、白色の蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の低分子材料を用いられ、例えば青色と橙色発光素子を積層した２発光層積層型白色素子や赤色、緑色、及び青色を積層した３発光層積層型白色素子等が用いられる。なお、図示しないものの、有機発光層４０は発光層に加えて、正孔注入／輸送層、及び電子注入／輸送層を含んで構成されている。この場合、正孔注入／輸送層、発光層及び電子注入／輸送層は、各層に好適な蒸着材料を周知の蒸着法に基づいて蒸着することによって形成される。
【００２６】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置１は、封止基板２７側から光を取り出す、所謂トップエミッション方式の有機ＥＬ装置である。
そのため、陰極５４は透明材料によって構成される。この陰極５４を形成する透明導電材料としてはインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）、アルミニウム薄膜、マグネシウム銀の薄膜等を用いることができる。具体的に本実施形態では、ＩＴＯを用いた。
また、画素電極４１は金属材料等の適宜な導電材料によって形成できる。本実施形態ではＩＴＯを主体として構成されている。なお、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１は、上述したようにトップエミッション方式の有機ＥＬ装置であることから、外部に光を効率的に取り出すことができるように、画素電極４１の下層側には例えばＡｌ等の光反射性を有する反射膜（図示せず）を設けている。
【００２７】
また、前記陰極５４の上層側には陰極保護層４５が形成されている。この陰極保護層４５を設けることで、製造プロセス時に陰極５４が腐食されるのを防止できる。また、陰極保護層４５は陰極５４の酸化も良好に防止できる。陰極保護層４５の形成材料としては、無機化合物、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン窒酸化物等のシリコン化合物が用いられる。
【００２８】
ところで、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１では、有機発光層４０、陰極５４、及び陰極保護層４５がバンク構造５０の上面、さらにはバンク構造５０の側面部を覆った状態に形成されている。
【００２９】
ここで、有機バンク５０Ａの内側面は、断面視テーパ形状をなす傾斜面となっている。この構成により、後述するように蒸着法により形成される有機発光層４０を有機バンク５０Ａの内側面に良好に付着させることができ、有機発光層４０及び有機バンク５０Ａは密着性の高い状態に形成される。さらに、有機発光層４０上に積層して形成される陰極５４も上記テーパ面に沿って形成されることにより断線の発生が防止されたものとなる。
【００３０】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置１では、基板Ｐと対向してカラーフィルタ基板２５が設けられている。このカラーフィルタ基板２５は、三原色の各色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）に対応するカラーフィルタ２６と遮光用のＢＭ（ブラックマトリクス）パターン２８とから構成されている。また、このカラーフィルタ基板２５は、基板Ｐ側の画素領域７１とカラーフィルタ２６とが対向するように設けられている。
【００３１】
また、カラーフィルタ基板２５上に封止基板２７が設けられている。この封止基板２７は例えばガラス等の透明性を有する材料からなるものである。なお、前記封止基板４８の内面側に凹部を設け、この凹部に水や酸素を吸収するゲッター剤（例えば、ＣａＯ、ＢａＯ等）４４を配置することで有機ＥＬ装置１内部に侵入した水又は酸素を吸収できるようにしてもよい。
【００３２】
ここで、前記有機ＥＬ装置１の製造方法を述べることで、この有機ＥＬ装置１によれば長期に亘って良好な発光特性を得ることのできる理由について説明する。
【００３３】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
以下、有機ＥＬ装置１の製造方法について図４を参照しつつ説明する。なお、以下の説明では、駆動用ＴＦＴ４３、及び画素電極４１等を形成する工程については、周知の工程と同様なので、これ以降の工程について詳しく説明する。
【００３４】
まず、図４（ａ）に示すように、ガラス基板等の基板Ｐ上に、駆動用ＴＦＴ４３、第一層間絶縁膜２３、第二層間絶縁膜２４を順に形成し、該第二層間絶縁膜２４に形成したコンタクトホール３９を介して、前記駆動用ＴＦＴ４３に対して電気的に接続された画素電極４１を形成した後、前記第二層間絶縁膜２４上に無機バンク５０Ｂを形成する。
【００３５】
無機バンク５０Ｂは、例えばＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等によって第二層間絶縁膜２４、画素電極４１の全面にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＮ等の無機物膜を形成し（本実施形態ではＳｉＯ２を用いた）、この無機膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより形成する。この無機バンク５０Ｂは、第二層間絶縁膜２４上、画素電極４１の周縁部（上端部及び側面部）上のみに設けられ、画素電極４１の中央部に位置する電極面は露出している。
【００３６】
次に、図４（ｂ）に示すように上記無機バンク５０Ｂ上に有機バンク５０Ａを形成する。有機バンク５０Ａは、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂を材料として用いることができる。有機バンク５０Ａは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂を溶媒に溶かしたものを、スピンコート、ディップコート等により塗布して形成する。そして、有機バンク５０Ａをフォトリソグラフ法によりパターニングして開口を設ける。有機バンク５０Ａの開口は、図３に示したように、無機バンク５０Ｂの開口よりやや広く形成する。このようにして無機バンク５０Ｂ上に有機バンク５０Ａを積層することで、基板Ｐ上にバンク構造５０が形成され、このバンク構造により画素領域７１が区画されるようになる。
【００３７】
（無機保護層の形成工程）
次に、図４（ｃ）に示すように有機バンク５０Ａの表面を覆う無機保護膜４４を形成する。具体的には、有機バンク５０Ａの形成領域が開口されたマスクを用いて、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等によりＳｉＮからなる無機膜を選択的に成膜することで前記無機保護膜４４を形成できる。なお、上述したようにＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＡｌＯ、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３のいずれかを主体とする他の無機材料を用いて無機保護膜４４を形成してもよい。
【００３８】
この無機保護膜４４の膜厚としては、５０〜２００ｎｍに設定するのが望ましい（本実施形態は５０ｎｍとした）。この理由としては、無機保護膜４４の膜厚が５０ｎｍよりも小さい場合、後述のプラズマ処理に対して十分な耐性を得ることが難しくなるためである。また、無機保護膜４４の膜厚が２００ｎｍ以上になると無機保護膜４４に割れが生じるおそれがあり、これにより後述するプラズマ処理に対して十分な耐性が得られなくなるためである。
【００３９】
続いて、図４（ｄ）に示すようにプラズマ処理を行う。このプラズマ処理は、画素電極４１の電極面を活性化するものであり、画素電極４１の電極面の表面洗浄を主な目的として行われる。
ところで、画素電極４１の表面洗浄が不十分である場合、この画素電極４１上に形成される有機発光層４０の平坦性が低下し、発光ムラが発生することで表示品位が低下するおそれがある。そのため、上記のプラズマ処理はできるだけプラズマパワーを強めるのが望ましい。上述したアクリル樹脂から形成されている有機バンク５０Ａは、プラズマ耐性が低いことからプラズマ処理によって、その一部が破壊（エッチング）されるおそれがある。
【００４０】
一方、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１は、上述したように有機バンク５０Ａの表面が無機保護膜４４によって覆われている。ここで、無機材料からなる無機保護膜４４は、上記プラズマ処理に対し十分な耐性を備えている。すなわち、この無機保護膜４４は上記プラズマ処理により破壊（エッチング）されることがない。よって、この無機保護膜４４の下層に設けられている有機バンク５０Ａにダメージが及ぶことがなく、画素電極４１の表面洗浄を良好に行うことができる。
【００４１】
（有機発光層の形成工程）
次に、図５（ａ）に示すように、画素電極４１、バンク構造５０の全面に有機発光層４０を例えば真空蒸着法により形成する。このとき、上記プラズマ処理による表面洗浄が良好に行われているため、画素電極４１上に有機機能層４０を平坦性が高い状態に形成することができる。また、バンク構造５０を構成する有機バンク５０Ａの内側面は、図２に示したように断面視テーパ形状の傾斜面となっている。そのため、有機発光層４０の形成材料が有機バンク５０Ａの内側面に沿って良好に付着させることができる。本実施形態では、正孔注入／輸送層、発光層、電子注入／輸送層を積層することで有機発光層４０を形成した。なお、正孔注入／輸送層、発光層及び電子注入／輸送層は、上述したような各層に好適な蒸着材料を周知の蒸着法に基づいて蒸着することによって形成される。
【００４２】
上記発光層の蒸着材料としては、例えばアントラセンやピレン、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、またはこれら低分子材料に、ルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、ＤＣＭ、ＤＣＪ、ペリノン、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザインダセン誘導体等をドープして用いることができる。
【００４３】
また、正孔注入／輸送層の蒸着材料としては、例えばスターバーストアミン、オリゴアミン、トリフェニルアミン系ポリマー等を用いることができる。また、電子注入／輸送層の蒸着材料としては、例えばオキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、及びヒドロキシキノリン誘導体の金属錯体を用いることができる。
【００４４】
次に、図５（ｂ）に示すように前記有機発光層４０を覆うように基板全面に陰極５４を形成する。陰極５４形成工程では、トップエミッション構造を実現するために、例えばイオンプレーティング法等の物理気相成長法により透明なＩＴＯを成膜する。あるいは、アルミニウムの薄膜、マグネシウム銀の薄膜を蒸着法で形成することで陰極５４を形成してもよい。
【００４５】
このとき、有機発光層４０は有機バンク５０Ａの表面に沿って均一な膜厚で形成されていることから、この有機発光層４０上に形成される陰極５４も均一な膜厚で形成することができる。
【００４６】
さらに、図５（ｃ）に示すように酸素や水分の影響による有機ＥＬ素子の劣化を防止するために、陰極５４上に、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン窒酸化物等のシリコン化合物等の無機化合物からなる陰極保護層４５を形成する。
この陰極保護層４５の形成方法としては、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等を例示することができる。
【００４７】
そして、カラーフィルタ基板２５を重ね合わせ、基板Ｐとカラーフィルタ基板２５とを貼り合わせ、封止樹脂を介して封止基板２７によって封止することにより、有機ＥＬ装置１が完成する。
【００４８】
以上述べたように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１によれば、有機発光層４０を形成するに際して、画素電極４１の表面をプラズマ処理により洗浄した場合でも、有機バンク５０Ａの表面を覆う無機保護膜４４によって有機バンク５０Ａがダメージを受けるのを防止できる。これにより、画素電極４１の表面が汚染されることがない。したがって、画素電極４１上に有機発光層４０が良好に形成されたものとなり、長期に亘り良好な発光特性を得ることができる有機ＥＬ装置となる。
【００４９】
（電子機器）
次に、本発明の有機ＥＬ装置に係る他の応用例として、有機ＥＬ装置を備えた電子機器について説明する。
図６は、携帯電話の表示部に本発明の有機ＥＬ装置を適用した例についての概略構成図である。同図に示す携帯電話３００は、上記実施形態の有機ＥＬ装置を小サイズの表示部３０１として備え、複数の操作ボタン３０２、受話口３０３、及び送話口３０４を備えて構成されている。
この携帯電話３００によれば、上述したようにプラズマ処理に起因する画素電極の汚染を防止することで、長期間に亘って信頼性の高い表示を得ることができる有機ＥＬ装置１を表示部３０１として備えているので、高品質なものを提供できる。
なお、上記各実施の形態の有機ＥＬ装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】有機ＥＬ装置の回路構成を示す図である。
【図２】画素領域の平面構造を示す図である。
【図３】有機ＥＬ装置の断面構成を示す概略図である。
【図４】有機ＥＬ装置の製造工程について説明するための図である。
【図５】図４に続く有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための図である。
【図６】電子機器の一実施形態に係る携帯電話の概略構成図である。
【符号の説明】
【００５１】
Ｐ…基板、１…有機エレクトロルミネッセンス装置、４０…有機発光層、４１…画素電極、４４…無機保護膜、５０…バンク構造（隔壁構造）、５０Ａ…有機バンク（有機隔壁）、５０Ｂ…無機バンク（無機隔壁）、５４…陰極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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