(57)【要約】【課題】フォトレジストからなる柱状スペーサをアレイ基板側に設けた、光漏れが生じ難い半透過型液晶表示パネル及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の半透過型液晶表示パネル１０Ａは、マトリクス状に配置された複数の走査線及び信号線１３と、走査線及び信号線１３により区画されるそれぞれの位置に形成された画素電極１８と、画素電極１８の下面に部分的に形成された反射板１６とを備えたアレイ基板ＡＲ１と、アレイ基板ＡＲ１とカラーフィルタ基板の間に形成された複数のフォトレジストからなる柱状スペーサ２０と、を備え、前記柱状スペーサ２０はアレイ基板ＡＲ１側に形成され、前記反射板１６の画素電極１８によって被覆されていない部分は、前記柱状スペーサ２０と同じ材料で形成された前記柱状スペーサ２０より高さが低いオーバーコート層２１で被覆されていることを特徴とする。【選択図】図２
2008233139.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の走査線及び信号線と、前記走査線及び信号線により区
画されるそれぞれの位置に形成された画素電極と、前記画素電極の下面に部分的に形成さ
れた反射板とを備えたアレイ基板と、前記アレイ基板と対向するように設けられたカラー
フィルタ基板と、前記アレイ基板とカラーフィルタ基板の間に形成された複数のフォトレ
ジストからなる柱状スペーサと、を備え、
前記柱状スペーサはアレイ基板側に形成され、前記反射板の画素電極によって被覆され
ていない部分は、前記柱状スペーサと同じ材料で形成された前記柱状スペーサより高さが
低いオーバーコート層で被覆されていることを特徴とする半透過型液晶表示パネル。
【請求項２】
前記オーバーコート層は前記柱状スペーサと一体化されていることを特徴とする請求項
１に記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項３】
前記オーバーコート層は前記走査線、信号線及び画素電極の表面全体を被覆するように
形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項４】
前記オーバーコート層は前記柱状スペーサと別個に形成されていることを特徴とする請
求項１に記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項５】
以下の（１）〜（４）の工程を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の
半透過型液晶表示パネルの製造方法。
（１）基板上にマトリクス状に配置された複数の走査線及び信号線と、前記走査線及び信
号線により区画されるそれぞれの位置に形成された画素電極と、前記画素電極の下面に部
分的に形成された反射板とを備えたアレイ基板を用意する工程、
（２）前記アレイ基板の表面に所定厚さのフォトレジスト層を形成する工程、
（３）ハーフトーンマスクを用い、前記ハーフトーンマスクの半透光性部分によって前記
オーバーコート層形成部分を露光処理するとともに、前記柱状スペーサ形成部分に所定の
露光処理を行う工程、
（４）前記フォトレジスト層を現像することによって前記柱状スペーサ及びオーバーコー
ト層を形成する工程。
【請求項６】
以下の（１）〜（５）の工程を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の
半透過型液晶表示パネルの製造方法。
（１）基板上にマトリクス状に配置された複数の走査線及び信号線と、前記走査線及び信
号線により区画されるそれぞれの位置に形成された画素電極と、前記画素電極の下面に部
分的に形成された反射板とを備えたアレイ基板を用意する工程、
（２）前記アレイ基板の表面に所定厚さのフォトレジスト層を形成する工程、
（３）第１のマスクを用いて前記柱状スペーサ形成部分に対して第１回目の露光を行う工
程、
（４）第２のマスクを用いて前記柱状スペーサ形成部分及びオーバーコート層形成部分に
対して第２回目の露光を行う工程、
（５）前記フォトレジスト層を現像することによって前記柱状スペーサ及びオーバーコー
ト層を形成する工程。
【請求項７】
前記第１回目の露光及び第２回目の露光を露光装置内で行うことを特徴とする請求項６
に記載の半透過型液晶表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セルギャップ調整用のフォトレジストからなる柱状スペーサをアレイ基板側
に設けた、光漏れが生じ難い半透過型液晶表示パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の携帯機器に使用される液晶表示パネルとしては、透過型及び反射型の性質を併せ
持つ半透過型液晶表示パネルが多く使用されるようになっている。この半透過型液晶表示
装置は、一つの画素内に透明電極を備えた透過部と反射層を備えた反射部を有しており、
暗い場所においてはバックライトを点灯して画素領域の透過部を利用して画像を表示し、
明るい場所においてはバックライトを点灯することなく反射部において外光を利用して画
像を表示しているため、常時バックライトを点灯する必要がなくなるので、消費電力を大
幅に低減させることができるという利点を有している。
【０００３】
一方、液晶表示パネルにおいては、それぞれの画素電極及び対向電極間の間隔、すなわ
ち液晶層の厚さ（セルギャップ）を一定とするため、スペーサが必要である。このスペー
サとして、フォトレジストからなる柱状スペーサを使用すると、一方の基板と一体化して
形成でき、しかも高さを一定にできるとともに表示領域を避けて配置することができるた
めに、表示画質が良好となるという利点を有している。
【０００４】
半透過型液晶表示パネルにおいても、例えば下記特許文献１及び２にも開示されている
ように、フォトレジストからなる柱状スペーサを使用することが行われている。この柱状
スペーサはカラーフィルタ基板側（下記特許文献１参照）に設けることも、アレイ基板側
（下記特許文献２参照）に設けることもできる。
【特許文献１】特開２００２−  ７２２２０号公報
【特許文献２】特開２００４−２２６６１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、半透過型液晶表示パネルのアレイ基板における反射部は、透明なＩＴＯ
（Indium Thin Oxide）等からなる画素電極の下部に例えばアルミニウムないしアルミニ
ウム合金からなる反射板が形成されている。この反射板は、画素電極の周辺部からの光漏
れを防止するため、通常画素電極と同じかそれよりも僅かに大きく形成されている。
【０００６】
一方、フォトレジストの現像液には通常アルカリ性溶液が使用されるが、半透過型液晶
表示パネルのアレイ基板の表面にフォトレジストからなる柱状スペーサを形成する場合、
露光されたフォトレジストをアルカリ性の現像液内に浸漬して現像する必要がある。
【０００７】
しかしながら、現像時には、反射板が現像液と接触してしまうので反射板と画素電極と
が同時にアルカリ性の現像液に接触してしまうため、反射板と画素電極との間に電池反応
が起こり、反射板が溶解してしまう。この反射板の溶解量が多いと、反射板が画素電極の
周縁よりも内側へ後退し、バックライトからの光が漏れて点灯欠陥を生じてしまう。
【０００８】
発明者等は上述のような半透過型液晶表示パネルの問題点を解決すべく種々実験を重ね
た結果、フォトレジストからなる柱状スペーサの現像時に反射板が現像液に接触しない構
成となすことによって解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至ったのである。す
なわち、本発明は、フォトレジストからなる柱状スペーサの現像時に反射板がエッチング
されることを抑制し、反射部での光り漏れが防止された、表示画質が良好な半透過型液晶
表示パネル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を解決するため、本発明の液晶表示パネルは、マトリクス状に配置された複数
の走査線及び信号線と、前記走査線及び信号線により区画されるそれぞれの位置に形成さ
れた画素電極と、前記画素電極の下面に部分的に形成された反射板とを備えたアレイ基板
と、前記アレイ基板と対向するように設けられたカラーフィルタ基板と、前記アレイ基板
とカラーフィルタ基板の間に形成された複数のフォトレジストからなる柱状スペーサと、
を備え、前記柱状スペーサはアレイ基板側に形成され、前記反射板の画素電極によって被
覆されていない部分は、前記柱状スペーサと同じ材料で形成された前記柱状スペーサより
高さが低いオーバーコート層で被覆されていることを特徴とする。
【００１０】
かかる構成の半透過型液晶表示パネルによれば、反射板の画素電極によって被覆されて
いない部分はオーバーコート層で被覆されているので、フォトレジストからなる柱状スペ
ーサ及びオーバーコート層の現像時に反射板が露出することがない。そのため、反射板と
画素電極の間にアルカリ性の現像液が介在することがなく、反射板と画素電極との間に電
池作用が生じることがないため、反射板がエッチングされることがなくなる。したがって
、本発明の半透過型液晶表示パネルによれば、従来例のような反射板がエッチングされて
後退することによって生じるバックライトからの光り漏れを防止することができ、点灯欠
陥の発生を抑制することができる。
【００１１】
しかも、オーバーコート層の高さは柱状スペーサの高さよりも低くなっているため、配
向膜を形成する際に配向剤液だまりが生じたり配向不良が生じたりすることが少なくなり
、しかも、液晶の注入速度が遅くなることも少なくなる。
【００１２】
また、本発明の半透過型液晶表示パネルにおいては、前記オーバーコート層は前記柱状
スペーサと一体化されているものとすることができる。
【００１３】
かかる態様の半透過型液晶表示パネルによれば、オーバーコート層と柱状スペーサの間
に隙間がないため、現像時に現像液が反射板と画素電極との間に浸入し難くなるので、反
射板がエッチングされることがより少なくなる。
【００１４】
また、本発明の半透過型液晶表示パネルにおいては、前記オーバーコート層は前記走査
線、信号線及び画素電極の表面全体を被覆するように形成されていてもよい。
【００１５】
かかる態様の半透過型液晶表示パネルによれば、オーバーコート層が剥がれ難くなると
ともにセルギャップが均一になるので、信頼性が高くしかも表示画質が良好な半透過型液
晶表示パネルが得られる。
【００１６】
また、本発明の半透過型液晶表示パネルにおいては、前記オーバーコート層は前記柱状
スペーサと別個に形成されていてもよい。
【００１７】
かかる態様の半透過型液晶表示パネルによれば、柱状スペーサを必ずしもオーバーコー
ト層の近傍に配置する必要がなくなるので、柱状スペーサ及びオーバーコート層の配置の
自由度が増加する。
【００１８】
更に、上記目的を達成するため、本発明の上記いずれかに記載の半透過型液晶表示パネ
ルの製造方法は、以下の（１）〜（４）の工程を含むことを特徴とする。
（１）基板上にマトリクス状に配置された複数の走査線及び信号線と、前記走査線及び信
号線により区画されるそれぞれの位置に形成された画素電極と、前記画素電極の下面に部
分的に形成された反射板とを備えたアレイ基板を用意する工程、（２）前記アレイ基板の
表面に所定厚さのフォトレジスト層を形成する工程、（３）ハーフトーンマスクを用い、
前記ハーフトーンマスクの半透光性部分によって前記オーバーコート層形成部分を露光処
理するとともに、前記柱状スペーサ形成部分に所定の露光処理を行う工程、（４）前記フ
ォトレジスト層を現像することによって前記柱状スペーサ及びオーバーコート層を形成す
る工程。
【００１９】
この半透過型液晶表示パネルの製造方法においては、フォトレジストがポジ型であるか
ネガ型であるかによって用いるハーフトーンマスクの光透過性部分及び遮光性部分のパタ
ーンは逆になる。すなわち、ポジ型のフォトレジストを使用する場合、柱状スペーサ形成
部分のパターンは光透過性部分として形成されており、フォトレジストを残さない部分の
パターンは遮光性部分として形成されているハーフトーンマスクが使用される。逆に、ネ
ガ型のフォトレジストを使用する場合、柱状スペーサ形成部分のパターンは遮光性部分と
して形成されており、フォトレジストを残さない部分のパターンは光透過性部分として形
成されているハーフトーンマスクが使用される。
【００２０】
かかる態様の半透過型液晶表示パネルの製造方法によれば、一度の露光で上記のような
効果を奏する半透過型液晶表示パネルを製造することができるようになる。
【００２１】
また、上記目的を達成するため、本発明の上記いずれかに記載の半透過型液晶表示パネ
ルの製造方法は、以下の（１）〜（５）の工程を含むことを特徴とする。
（１）基板上にマトリクス状に配置された複数の走査線及び信号線と、前記走査線及び信
号線により区画されるそれぞれの位置に形成された画素電極と、前記画素電極の下面に部
分的に形成された反射板とを備えたアレイ基板を用意する工程、（２）前記アレイ基板の
表面に所定厚さのフォトレジスト層を形成する工程、（３）第１のマスクを用いて前記柱
状スペーサ形成部分に対して第１回目の露光を行う工程、（４）第２のマスクを用いて前
記柱状スペーサ形成部分及びオーバーコート層形成部分に対して第２回目の露光を行う工
程、（５）前記フォトレジスト層を現像することによって前記柱状スペーサ及びオーバー
コート層を形成する工程。
【００２２】
この半透過型液晶表示パネルの製造方法においても、フォトレジストがポジ型であるか
ネガ型であるかによって第１及び第２のマスクの光透過性部分及び遮光性部分のパターン
は逆になる。すなわち、ポジ型のフォトレジストを使用する場合、柱状スペーサ形成部分
が光透過性部分として形成されている第１マスク、柱状スペーサ形成部分及びオーバーコ
ート層形成部分が光透過性部分として形成されている第２のマスクが使用される。逆に、
ネガ型のフォトレジストを使用する場合、柱状スペーサ形成部分が遮光性部分として形成
されている第１マスク、柱状スペーサ形成部分及びオーバーコート層形成部分が遮光性部
分として形成されている第２のマスクが使用される。
【００２３】
かかる態様の半透過型液晶表示パネルの製造方法によれば、２個のマスク及び二度の露
光が必要であるが、ハーフトーンマスクのような特殊なマスクを使用せずに一度の現像処
理で上記のような効果を奏する本発明の半透過型液晶表示パネルを製造することができる
ようになる。
【００２４】
また、本発明の半透過型液晶表示パネルの製造方法は、上記半透過型液晶表示パネルの
製造方法において、前記第１回目の露光及び第２回目の露光を露光装置内で行うことを特
徴とする。
【００２５】
かかる態様の半透過型液晶表示パネルの製造方法によれば、露光装置内に配置した２種
類のマスクを使い分けることにより連続的に高速度で所定の露光を行うことができ、しか
も一度の現像処理で上記のような効果を奏する本発明の半透過型液晶表示パネルを製造す
ることができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明に係る半透過型液晶表示パネル及びその製造方法の具体例を図面を参照し
て詳細に説明する。ただし、以下に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するための
液晶表示パネル及びその製造方法を例にとり説明するものであって、本発明をこれに特定
することを意図するものではなく、特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく
種々の変形例にも等しく適用し得るものである。
【００２７】
なお、図１は実施例１の半透過型液晶表示パネルにおけるアレイ基板の数画素分の平面
図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に対応する模式断面図である。また、図３は実施例１の
柱状スペーサの形成方法を説明する概略図である。
【実施例１】
【００２８】
実施例１に係る半透過型液晶表示パネル１０Ａのアレイ基板ＡＲ１は、図１及び図２に
示すように、透明基板１１上に、マトリクス状に設けられた複数の走査線１２及び信号線
１３と、これらの走査線１２及び信号線１３で囲まれた領域とこれらの走査線１２及び信
号線１３の表面を被覆する層間膜１４を備えている。そして、層間膜１４の表面には、反
射部１５に例えばアルミニウム金属からなる反射板１６が形成され、反射板１６の表面及
び透過部１７の層間膜１４の表面には例えばＩＴＯ（Indium Thin Oxide)からなる画素電
極１８が形成されている。なお、反射部１５の層間膜１４の表面は反射光を拡散光とする
ために微細な凹凸が形成されているが、この凹凸は図示省略してある。
【００２９】
この反射板１６は、層間膜１４の表面全体に亘ってアルミニウム金属膜を形成した後、
フォトリソグラフィ法によって所定のパターンとなるようにエッチングすることにより作
製される。この反射板１６は、反射板１６と走査線１２及び信号線１３との間からの光漏
れを防止するため、反射部１５において平面視で僅かに走査線１２及び信号線１３と重複
するように形成されている。
【００３０】
また、画素電極１８は、反射板１６の表面及び層間膜の露出面全体を被覆するようにＩ
ＴＯからなる薄膜を形成した後、フォトリソグラフィ法によって所定のパターンとなるよ
うにエッチングすることにより形成される。この際、画素電極１８は、透過部１７におい
ては走査線１２及び信号線１３と僅かに重複するように形成されると共に、反射部１５に
おいては反射板よりも僅かに小さく形成される。
【００３１】
次いで、実施例１の半透過型液晶表示パネル１０Ａにおいては、数サブ画素毎、例えば
Ｒ、Ｇ、Ｂの３種類のカラーフィルタ層を使用する場合においては３サブ画素毎に、反射
部１５側に柱状スペーサ２０が形成される。なお、この柱状スペーサ２０の形成位置は当
業者が任意に設定し得る。そして、反射板１６の表面が露出しないようにするため、反射
板１６の画素電極１８によって被覆されていない部分は、柱状スペーサ２０と同じ材料で
一体に形成された、柱状スペーサ２０より高さが低いオーバーコート層２１で被覆されて
いる。
【００３２】
この柱状スペーサ２０及びオーバーコート層２１の形成方法を図３を用いて説明する。
まず、層間膜１４の表面に反射板１６及び画素電極１８を形成したアレイ基板ＡＲ１を用
意し、このアレイ基板ＡＲ１の表面全体に亘って所定厚さのフォトレジスト層２５を形成
する。このフォトレジスト層２５の厚さは、予め定めたセルギャップと同じ高さに形成さ
れる。
【００３３】
次いで、所定パターンのハーフトーンマスク２６を用いて所定時間露光する。このハー
フトーンマスク２６は、光透過性部分２７と、半透光性部分２８と、遮光性部分２９とを
備えている。このうち半透光性部分２８は所定の光透過性を備えている。例えば、フォト
レジスト層２５がポジ型のレジストからなる場合、光透過性部分２７は柱状スペーサ２０
のパターンを備え、半透光性部分２８はオーバーコート層２１のパターンを備えている。
ネガ型のフォトレジストを使用する場合は、遮光性部分２９が柱状スペーサ２０のパター
ンを備え、半透光性部分２８はオーバーコート層２１のパターンを備えている。なお、以
下ではポジ型のレジストを使用するものとして説明する。
【００３４】
このハーフトーンマスク２６を用いてポジ型のフォトレジスト層２５の露光を行うと、
図３に示したように、光透過性部分２７を透過した光によって露光されたフォトレジスト
層２５が完全に感光したとき、半透光性部分２８を透過した光によって露光されたフォト
レジスト層２５は部分的にしか感光しない。その後にフォトレジスト層２５をアルカリ性
の現像液を用いて現像すると、同時に柱状スペーサ２０及びオーバーコート層２１が形成
されるが、現像が進行すると画素電極１８が露出する。しかしながら、反射板１６はオー
バーコート層２１によって覆われているため、現像液が反射板１６と画素電極１８との間
を短絡することがない。
【００３５】
したがって、現像時に反射板１６と画素電極１８との間に電池作用が生じることがない
ため、反射板１６が浸食されることがなく、従来例のように反射板１６が現像液によって
浸食されることにより生じる光漏れが生じなくなる。この実施例１のハーフトーンマスク
２６を使用した柱状スペーサ２０及びオーバーコート層２１の製造方法によれば、１回の
露光で柱状スペーサ２０及びオーバーコート層２１を形成することができるため、製造効
率が非常に良好となる。
【００３６】
なお、実施例１の半透過型液晶表示パネル１０Ａとしては、柱状スペーサ２０及びオー
バーコート層２１とが一体化されたものを作製した例を示したが、柱状スペーサ２０とオ
ーバーコート層２１は別体となるようにしてもよい。また、ここではポジ型のフォトレジ
スト層２５を用いた例を示したが、ネガ型のフォトレジスト層を用いることもできる。こ
の場合、ハーフトーンマスクとして、図３に示したハーフトーンマスク２６において光透
過性部分２７と遮光性部分２９との配置が逆に設けられたものを使用すればよい。
【００３７】
［比較例］
実施例１では現像時に反射板１６が露出しないようにするためにオーバーコート層２１
を形成した例を示したが、比較例の半透過型液晶表示パネル１０Ｂとしては従来例のよう
にオーバーコート層を形成しないで柱状スペーサを形成した。この比較例の半透過型液晶
表示パネル１０Ｂの柱状スペーサ近傍の構成を図４を用いて説明する。なお、図４は図２
に対応する模式断面図であり、実施例１の半透過型液晶表示パネル１０Ａと同一の構成部
分には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。また、比較例の半透過型液
晶表示パネルにおけるアレイ基板の数画素分の平面図は、オーバーコート層が存在しない
以外は図１に示したものと実質的に相違はないので、図示省略する。
【００３８】
比較例１の柱状スペーサ２０の形成は次のようにして行う。まず、層間膜１４の表面に
反射板１６及び画素電極１８を形成したアレイ基板ＡＲ２を用意し、このアレイ基板ＡＲ
２の表面全体に亘って所定厚さのポジ型のフォトレジスト層２５を形成する。このフォト
レジスト層２５の厚さは、予め定めたセルギャップ幅と同じ高さに形成される。ここまで
の工程は実施例１の場合と同一である。
【００３９】
次いで、所定パターンのマスクを用いて所定時間露光するが、この所定パターンのマス
クは、実施例１で使用したハーフトーンマスク２６において半透光性部分２８が遮光性部
分となったものを使用する。すなわち、比較例で使用する所定パターンのマスクは、柱状
スペーサ２０の形成部のみ光透過性部分となっており、他の部分は全て遮光性部分である
。
【００４０】
フォトレジスト層２５を露光後にアルカリ性の現像液で現像すると、柱状スペーサ２０
は正常な形状に形成されるが、現像が進行すると反射板１６と画素電極１８が共に現像液
に露出する。そうすると反射板１６と画素電極１８とがアルカリ性の現像液を介して短絡
された状態となるため、反射板１６と画素電極１８との間に電池反応が生じてしまう。
【００４１】
しかも、ＩＴＯ等からなる画素電極はアルカリ性の現像液には不溶性であるが、アルカ
リ性の現像液の濃度は高いため、アルミニウム金属等からなる反射板１６は電池反応によ
って急速に溶解してしまう。そのため、図４において参照符号Ｘで示したように、反射板
１６は画素電極１８の周縁部よりも内側にまで後退してしまうことがある。この後退量が
大きいと、画素電極１８は光透過性であるから、画素電極１８と走査線１２ないし信号線
１３との間に反射板１６によって遮光されていない部分が生じ、この部分から光漏れする
ようになってしまう。この光漏れは点灯欠陥として現れ、表示画質の低下につながる。
【実施例２】
【００４２】
実施例２の半透過型液晶表示パネルを図５及び図６を用いて説明する。なお、図５は実
施例２の半透過型液晶表示パネルにおけるアレイ基板の数画素分の平面図であり、図６は
図５のＢ−Ｂ線に対応する模式断面図である。
【００４３】
実施例２の半透過型液晶表示パネル１０Ｃとしては、オーバーコート層２１を走査線１
２、信号線１３及び画素電極１８の表面全体を被覆するように形成した以外は実施例１の
半透過型液晶表示パネル１０Ａの場合と同様である。したがって、実施例１の半透過型液
晶表示パネル１０Ａと同一の構成部分には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省
略する。
【００４４】
また、この実施例２の半透過型液晶表示パネル１０Ｃにおける柱状スペーサ２０及びオ
ーバーコート層２１は、実施例１で使用したハーフトーンマスク２６において遮光性部分
２９を半透光性部分２８としたもの（図３参照）を用いることにより、実施例１の場合と
同様の工程によって作製することができる。そのため、その具体的製造方法についての説
明は省略する。
【００４５】
この実施例２の半透過型液晶表示パネル１０Ｃによれば、オーバーコート層２１はアレ
イ基板ＡＲ３の表面全体に亘って形成されているため、オーバーコート層２１が剥がれ難
くなるとともにセルギャップが均一になるので、信頼性が高くしかも表示画質が良好な半
透過型液晶表示パネル１０Ｃが得られる。
【実施例３】
【００４６】
実施例３の半透過型液晶表示パネルとしては、実施例１の半透過型液晶表示パネル１０
Ａと同一構成の柱状スペーサ２０及びオーバーコート層２１を、ハーフトーンマスクを使
用せず、それぞれパターンが異なる通常のマスクを２個用い、２回露光することにより作
製した。この実施例３の半透過型液晶表示パネル１０Ｄにおける柱状スペーサ２０及びオ
ーバーコート層２１の製造工程を図７を用いて説明する。なお、図７は実施例３の液晶表
示パネル１０Ｄにおける図１のＡ−Ａ線に対応する部分の模式断面図であり、実施例１の
半透過型液晶表示パネル１０Ａと同一の構成部分には同一の参照符号を付与してその詳細
な説明は省略する。
【００４７】
実施例３の柱状スペーサ２０の形成は次のようにして行う。まず、層間膜１４の表面に
反射板１６及び画素電極１８を形成したアレイ基板ＡＲ４(図示せず)を用意し、このアレ
イ基板ＡＲ４の表面全体に亘って所定厚さのポジ型のフォトレジスト層２５を形成する。
このフォトレジスト層２５の厚さは、予め定めたセルギャップ幅と同じ高さに形成される
。ここまでの工程は実施例１の場合と同一である。
【００４８】
次に、第１のマスク３０として柱状スペーサ２０の形成部分が光透過性部分３１、その
他の部分が遮光性部分３２となっているパターンのものを使用して第１回目の露光を行う
。このとき完全に柱状スペーサ２０を形成できるように十分に感光させる。その後、現像
せずに直ちに第２のマスク３３を用いて第２回目の露光を行う。この第２のマスク３３と
しては、柱状スペーサ２０及びオーバーコート層２１の形成部分が光透過性部分３４とな
っており、その他の部分が遮光性部分３５となっているパターンのものを使用する。この
とき、膜減りを考慮して露光量は少なくする。
【００４９】
この後に、実施例１の場合と同様にしてアルカリ性の現像液によって現像することによ
り、実施例１の半透過型液晶表示パネル１０Ａと同様の構成の柱状スペーサ２０及びオー
バーコート層２１を備えた半透過型液晶表示パネル１０Ｄが得られる。
【００５０】
なお、実施例３としては、ハーフトーンマスクを使用せず、それぞれパターンが異なる
通常のマスクを２個用い、２回露光することにより実施例１の半透過型液晶表示パネル１
０Ａと同一構成の柱状スペーサ２０及びオーバーコート層２１を作製した例を示したが、
２種類のマスクを持った露光装置を使用しても作製することができる。この場合は、露光
装置内にそれぞれ図７に示した第１のマスク３０及び第２のマスク３３に対応するパター
ンの２種類のマスクを内蔵させ、このマスクを交互に使い分けることにより露光装置内で
所定の露光処理を行えばよい。この露光装置内の露光は、連続的に高速度でおこなうこと
ができるので、処理時間の短縮に繋がる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】実施例１の半透過型液晶表示パネルにおけるアレイ基板の数画素分の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に対応する模式断面図である。
【図３】実施例１の柱状スペーサの形成方法を説明する概略図である。
【図４】比較例の図２に対応する柱状スペーサ形成部分の模式断面図である。
【図５】実施例２の半透過型液晶表示パネルにおけるアレイ基板の数画素分の平面図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ線に対応する模式断面図である。
【図７】実施例３の液晶表示パネルにおける図１のＡ−Ａ線に対応する部分の模式断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０Ａ〜１０Ｄ：半透過型液晶表示パネル、１１：透明基板、１２：走査線、１３：信号
線、１４：層間膜、１５：反射部、１６：反射板、１７：透過部、１８：画素電極、２０
：柱状スペーサ、２１：オーバーコート層、２５：フォトレジスト層、２６：ハーフトー
ンマスク、２７：光透過性部分、２８：半透光性部分、２９：遮光性部分、３０：第１の
マスク、３１：光透過性部分、３２：遮光性部分、３３：第２のマスク、３４：光透過性
部分、３５：遮光性部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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