(57)【要約】【課題】外部電極をメッキレスとした場合であっても、実装時のハンダ食われを抑止できる。【解決手段】積層型チップバリスタ１では、外部電極５１にＡｇを含有させることにより、外部電極５１の低抵抗化及び低融点化が図られている。また、外部電極５１の主成分をＰｔとすることにより、外部電極５１にＮｉやＳｎなどのメッキ層を形成しなくても、ハンダバンプ５３によるハンダ食われを好適に抑止できる。外部電極５１にメッキ層を形成しないことは、積層型チップバリスタ１の製造時における工程数の削減を実現し、製造コストの低減化にも寄与する。さらに、内部電極対２１の主成分をＰｄとすることで、内部電極対２１と外部電極５１との良好なコンタクトが得られ、高周波に対する積層型チップバリスタ１のＥＳＲ特性が向上すると共に、個体ごとのＥＳＲばらつきも低減される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
バリスタ素体と、
前記バリスタ素体の内部に形成され、少なくともその一部同士が互いに対向する内部電極対と、
前記内部電極対と電気的に接続され、実装用ハンダが直接ハンダ付けされるメッキレスの外部電極とを備え、
前記外部電極は、Ｐｔを主成分としてＡｇを含有していることを特徴とするバリスタ素子。
【請求項２】
前記内部電極対は、Ｐｄを主成分としていることを特徴とする請求項１記載のバリスタ素子。
【請求項３】
前記外部電極における前記Ａｇの含有量は、前記Ｐｔの含有量に対して０．５原子量％〜２０原子量％であることを特徴とする請求項２記載のバリスタ素子。
【請求項４】
前記バリスタ素体は、ＺｎＯを主成分とし、ＰｒとＣａとを含有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載のバリスタ素子。
【請求項５】
バリスタ素体と、
前記バリスタ素体の内部に形成され、少なくともその一部同士が互いに対向する内部電極対と、
前記バリスタ素体の表面に形成され、前記内部電極対と電気的に接続された外部電極とを備え、
前記外部電極は、Ｐｔを主成分としてＡｇを含有する導電性ペーストを前記表面に焼き付けることによって形成され、焼き付けられた前記導電性ペーストの外表面が、当該外部電極の外表面となっていることを特徴とするバリスタ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バリスタ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
バリスタ素子は、例えば特許文献１に記載のバリスタ素子のように、バリスタ素体の内部にその一部が対向するように配置される内部電極対を有し、バリスタ素体の両端部に、内部電極対と電気的に接続された外部電極を有している。かかるバリスタ素子の外部電極の材料としては、比抵抗が小さい、低融点、低コストといった観点からＡｇが多用されているが、Ａｇそのものではハンダ付けの際に液体化したハンダに溶け込んでしまう、いわゆるハンダ食われが生じ易い。そこで、従来のバリスタ素子では、外部電極を覆うようにＮｉやＳｎといったメッキ層を形成することにより、基板等への実装時におけるハンダ付け性を確保している。
【特許文献１】特開２００５−５１０５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述した従来のバリスタ素子では、メッキ層を形成する分、製造工程が複雑化するという問題がある。また、外部電極の形状によっては、外部電極を完全に覆うようにメッキ層を形成することが難しい場合もあり、この結果、バリスタ素子を実装する際にハンダ食われが生じてしまうことも考えられる。
【０００４】
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、外部電極をメッキレスとした場合であっても、実装時のハンダ食われを抑止できるバリスタ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題の解決のため、本発明に係るバリスタ素子は、バリスタ素体と、バリスタ素体の内部に形成され、少なくともその一部同士が互いに対向する内部電極対と、内部電極対と電気的に接続され、実装用ハンダが直接ハンダ付けされるメッキレスの外部電極とを備え、外部電極は、Ｐｔを主成分としてＡｇを含有していることを特徴としている。
【０００６】
このバリスタ素子では、外部電極にＡｇを含有させることにより、外部電極の低抵抗化及び低融点化が図られている。また、外部電極の主成分をＰｔとすることにより、外部電極にメッキ層を形成しなくても、実装用ハンダによるハンダ食われを好適に抑止できる。外部電極にメッキ層を形成しないことは、バリスタ素子の製造時における工程数の削減を実現し、製造コストの低減化にも寄与する。
【０００７】
また、内部電極対は、Ｐｄを主成分としていることが好ましい。この場合、バリスタ素体に外部電極を形成する際に、内部電極対に含まれるＰｄが外部電極との界面側に移動し、外部電極に含まれるＡｇとの間で相互拡散する。これにより、内部電極対と外部電極との良好なコンタクトが得られ、その結果、特に高周波に対するバリスタ素子のＥＳＲ（等価直列抵抗）特性が向上すると共に、個体ごとのＥＳＲばらつきも低減される。
【０００８】
また、外部電極におけるＡｇの含有量は、Ｐｔの含有量に対して０．５原子量％〜２０原子量％であることが好ましい。Ａｇの含有量を上記範囲とすることで、バリスタ素子のＥＳＲ特性を好適なものとし、かつ実装用ハンダによるハンダ食われをより確実に抑止できる。
【０００９】
また、バリスタ素体は、ＺｎＯを主成分とし、ＰｒとＣａとを含有していることが好ましい。この場合、バリスタ素体に外部電極を形成する際に、バリスタ素体に含まれるＰｒとＣａとが外部電極との界面側に移動し、外部電極に含まれるＰｔとの間で相互拡散する。これにより、バリスタ素体と外部電極との界面及び界面付近にＰｒとＰｔとの化合物及びＣａとＰｔとの化合物が形成される。そして、これらの化合物によりアンカー効果が生じ、バリスタ素体と外部電極との接合強度の向上が図られる。
【００１０】
また、本発明に係るバリスタ素子は、バリスタ素体と、バリスタ素体の内部に形成され、少なくともその一部同士が互いに対向する内部電極対と、バリスタ素体の表面に形成され、内部電極対と電気的に接続された外部電極とを備え、外部電極は、Ｐｔを主成分としてＡｇを含有する導電性ペーストを表面に焼き付けることによって形成され、焼き付けられた導電性ペーストの外表面が、当該外部電極の外表面となっていることを特徴としている。
【００１１】
このバリスタ素子では、Ｐｔを主成分としてＡｇを含有する導電性ペーストを焼き付けることにより、外部電極の外表面が構成されている。これにより、外部電極にメッキ層を形成しなくても、実装用ハンダによるハンダ食われを好適に抑止できる。外部電極にメッキ層を形成しないことは、バリスタ素子の製造時における工程数の削減を実現し、製造コストの低減化にも寄与する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係るバリスタ素子によれば、外部電極をメッキレスとした場合であっても、実装時のハンダ食われを抑止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながら、本発明に係るバリスタ素子の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１４】
［第１実施形態］
図１及び図２は、本発明の第１実施形態に係る積層型チップバリスタの構成を示す斜視図である。また、図３は、図１におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面構成を示す図であり、図４は、図３におけるＩＶ−ＩＶ線に沿う断面構成を示す図である。図５は、図４におけるＶ−Ｖ線に沿う断面構成を示す図である。
【００１５】
図１〜図５に示す積層型チップバリスタ１は、特にノートパソコンや携帯電話機などの小型電子機器に対する高密度実装への要求を満足すべく、実装面側に設けたハンダバンプをリフローすることによって実装基板（図示せず）に実装する、いわゆるＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）パッケージ対応タイプのバリスタ素子である。
【００１６】
同図に示すように、積層型チップバリスタ１は、略直方体形状のバリスタ素体１１と、バリスタ素体１１の一面１３側に設けられた２つの接続導体４１と、バリスタ素体１１において一面１３と反対の実装面１５側に設けられた４つの外部電極５１とを備えている。
【００１７】
バリスタ素体１１は、電圧非直線特性（以下、「バリスタ特性」と記す）を有する複数のバリスタ層が積層された積層体として構成され、例えば縦１ｍｍ、横１ｍｍ、厚さ０．５ｍｍに設定されている。実際の積層型チップバリスタ１では、複数のバリスタ層は、互いの境界が視認できない程度に一体化されている。
【００１８】
バリスタ層は、１層当たりの厚さが例えば５μｍ〜６０μｍとなっている。バリスタ層は、ＺｎＯを主成分とし、副成分として希土類元素であるＰｒと、アルカリ土類金属元素であるＣａとを含んでいる。また、バリスタ層は、他の副成分として例えばＣｏ、Ｃｒ，Ｓｉ，Ｋ、Ａｌなどを含んでいる。各バリスタ層におけるＺｎＯの含有量は特に限定されないが、好ましくは、バリスタ層全体の材料を１００原子量％とした場合、６９．０原子量％〜９９．８原子量％とされる。
【００１９】
このようなバリスタ素体１１の内部には、４対の内部電極対２１が２行×２列のマトリクス状に配置されている。各内部電極対２１は、略矩形状をなす第１の内部電極２３及び第２の内部電極３３によって構成され、例えば厚さ０．５μｍ〜５μｍに設定されている。第１の内部電極２３は、バリスタ層の面内方向に延在しており、第１の内部電極２３の一端は、バリスタ素体１１の一面１３に露出し、第１の内部電極２３の他端は、バリスタ素体１１の実装面１５から所定の距離だけ内側に位置している。
【００２０】
第２の内部電極３３は、第１の内部電極２３と略平行に配置されており、第２の内部電極３３の一端は、バリスタ素体１１の実装面１５に露出し、第２の内部電極３３の他端は、バリスタ素体１１の一面１３から所定の距離だけ内側に位置している。すなわち、図３及び図５に示すように、第１の内部電極２３と第２の内部電極３３とは、バリスタ素体１１の側面側から見て互い違いに配置されており、その略半分の領域が互いに対向した状態となっている。
【００２１】
また、第１の内部電極２３と第２の内部電極３３との間には、少なくとも一層のバリスタ層が介在しており、第１の内部電極２３と第２の内部電極３３とは、互いに電気的に絶縁されている。第１の内部電極２３と第２の内部電極３３とは、Ｐｄを主成分としており、副成分として例えばＡｇを含んでいる。
【００２２】
接続導体４１は、図１及び図３に示すように、例えば長辺０．８ｍｍ、短辺０．４ｍｍ、厚み２μｍの略長方形状をなし、バリスタ素体１１の一面１３側に形成されている。各接続導体４１は、４つの内部電極対２１のうち、バリスタ層の積層方向に並んで位置する２つの内部電極対２１の第１の内部電極２３がバリスタ素体１１の一面１３に露出した部分を覆っている。これにより、上述した第１の内部電極２３，２３同士は、接続導体４１を介して互いに電気的に接続されている。接続導体４１は、Ｐｔを主成分とし、副成分として例えばＡｇが含まれている。
【００２３】
外部電極５１は、図２及び図４に示すように、例えば一辺が０．４ｍｍ、厚み２μｍの略正方形状をなし、内部電極対２１に対応するように、２行×２列のマトリクス状にバリスタ素体１１の実装面１５側に配置されている。各外部電極５１は、内部電極対２１の第２の内部電極３３がバリスタ素体１１の実装面１５に露出した部分をそれぞれ覆っている。これにより、外部電極５１と第２の内部電極３３とは、互いに電気的に接続されている。
【００２４】
この外部電極５１は、接続導体４１と同様の材料によって形成され、Ｐｔを主成分とし、副成分としてＡｇを含んでいる。また、Ａｇの含有量は、Ｐｔの含有量に対して０．５原子量％〜２０原子量％となっており、より好ましくは、１．０原子量％〜１０原子量％となっている。各外部電極５１は、従来の積層型チップバリスタとは異なり、ＮｉやＳｎといったメッキ層が形成されないメッキレスの外部電極であり、図２及び図３に示すように、外部電極５１の裏側の略中央部分には、半球状のハンダバンプ（実装用ハンダ）５３が形成されるハンダ形成部５２がそれぞれ設けられている。
【００２５】
上述した積層型チップバリスタ１では、バリスタ層において第１の内部電極２３と第２の内部電極３３とが対向する領域が、バリスタ特性を発現する。したがって、積層型チップバリスタ１では、図６に示すように、直列で接続される２つのバリスタＢが二対存在することとなる。
【００２６】
続いて、図７及び図８を参照しながら、積層型チップバリスタ１の製造方法について説明する。図７は、積層型チップバリスタの製造手順を示すフローチャートであり、図８は、積層型チップバリスタが製造される様子を示す図である。
【００２７】
まず、バリスタ層を構成する主成分であるＺｎＯと、副成分であるＰｒ、Ｃａと、その他の副成分であるＣｏ、Ｃｒ，Ｓｉ，Ｋ、Ａｌとを所定の割合で混合し、バリスタ材料を調整する（ステップＳ１０１）。調整後、バリスタ材料に、有機バインダ、有機溶剤、有機可塑剤等を加え、ボールミル等を用いて２０時間程度の混合・粉砕を行ことにより、スラリーを得る。
【００２８】
次に、例えばドクターブレード法を用いることにより、例えばポリエチレンテレフタラートからなるフィルム（図示しない）上にスラリーを塗布し、これを乾燥して厚さ３０μｍ程度の膜を形成する。こうして得られた膜をフィルムから剥離することで、グリーンシートを得る（ステップＳ１０３）。
【００２９】
次に、グリーンシートに第１の内部電極２３に対応する電極部分を複数形成する（ステップＳ１０５）。同様にして、異なるグリーンシートに第２の内部電極３３に対応する電極部分を複数形成する（ステップＳ１０５）。第１の内部電極２３及び第２の内部電極３３に対応する電極部分は、Ｐｄを主成分とする金属粉末、有機バインダ、有機溶剤等を混合した導電性ペーストを、例えばスクリーン印刷によってグリーンシート上に印刷し、これを乾燥させることによって形成する。
【００３０】
次に、電極部分が形成されたグリーンシートと、電極部分が形成されていないグリーンシートとを所定の順序で重ねてシート積層体を形成する（ステップＳ１０７）。そして、シート積層体をチップ単位に切断することにより、分割された複数のグリーン体ＬＳ１（図８参照）を得る（ステップＳ１０９）。
【００３１】
得られたグリーン体ＬＳ１では、第１の内部電極２３に対応する電極部分ＥＬ１が形成されたグリーンシートＧＳ１と、第２の内部電極３３に対応する電極部分ＥＬ２が形成されたグリーンシートＧＳ２と、電極部分ＥＬ１，ＥＬ２が形成されていないグリーンシートＧＳ３とが順次積層されている。なお、グリーンシートＧＳ３は、必要に応じて複数層積層してもよい。
【００３２】
次に、例えば１８０℃〜４００℃の温度で０．５時間〜２４時間程度グリーン体ＬＳ１を加熱処理し、脱バインダを行う。さらに、例えば８５０℃〜１４００℃の温度で０．５時間〜８時間程度グリーン体ＬＳ１を焼成する（ステップＳ１１１）。この焼成により、グリーンシートＧＳ１〜ＧＳ３がバリスタ層となり、電極部分ＥＬ１，ＥＬ２がそれぞれ第１の内部電極２３及び第２の内部電極３３となり、バリスタ素体１１を得る。
【００３３】
バリスタ素体１１が完成した後、次に、バリスタ素体１１の一面１３及び実装面１５に接続導体４１及び外部電極５１をそれぞれ形成する（ステップＳ１１３）。より具体的には、接続導体４１及び外部電極５１の形成にあたり、まず、Ｐｔを主成分としてＡｇを含む金属粉末に、ガラスフリット、有機バインダ、有機溶剤を混合した導電性ペーストを用意する。導電性ペーストにおけるＡｇの含有量は、Ｐｔの含有量に対して０．５原子量％〜２０原子量％とし、より好ましくは、１．０原子量％〜１０原子量％とする。また、ガラスフリットには、Ｂ、Ｂｉ、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｂａ、Ｐｒ、Ｚｎ、Ｐｂのうちの少なくとも一種が含まれる。
【００３４】
次に、用意した導電性ペーストを、例えばスクリーン印刷によってバリスタ素体１１の一面１３に印刷し、これを乾燥させることによって、接続導体４１に対応する導体部分を形成する。また、同様の手法により、対応する第２の内部電極３３に接するように導電性ペーストをバリスタ素体１１の実装面１５に印刷し、これを乾燥させることによって、外部電極５１に対応する導体部分を形成する。
【００３５】
そして、形成した導体部分を例えば９００℃で焼き付けることにより、各導体部分がそれぞれ接続導体４１及び外部電極５１となる。従来のように、外部電極５１の表面にＮｉやＳｎといったメッキ層の形成は行わず、焼き付けられた導電性ペーストの外表面は、そのまま外部電極５１の外表面となる。この後、公知の形成方法により、外部電極５１のハンダ形成部５２にハンダバンプ５３をそれぞれ形成すると、上述した積層型チップバリスタ１が完成する。
【００３６】
このような積層型チップバリスタ１では、外部電極５１にＡｇを含有させることにより、外部電極５１の低抵抗化及び低融点化が図られている。また、外部電極５１の主成分をＰｔとすることにより、外部電極５１にＮｉやＳｎなどのメッキ層を形成せず、ハンダ形成部５２に直接ハンダバンプ５３を形成した場合であっても、ハンダバンプ５３による外部電極５１のハンダ食われを好適に抑止できる。外部電極５１にメッキ層を形成しないことは、積層型チップバリスタ１の製造時における工程数の削減を実現し、製造コストの低減化にも寄与する。
【００３７】
また、積層型チップバリスタ１では、内部電極対２１の主成分がＰｄとなっている。このため、バリスタ素体１１に外部電極５１を焼き付ける際に、内部電極対２１に含まれるＰｄが外部電極５１との界面側に移動し、外部電極５１に含まれるＡｇとの間で相互拡散する。これにより、内部電極対２１と外部電極５１との良好なコンタクトが得られ、その結果、特に高周波（例えば１ＧＨｚ）に対する積層型チップバリスタ１のＥＳＲを１Ω以下程度まで低減させることができると共に、個体ごとのＥＳＲばらつきも低減される。
【００３８】
さらに、外部電極５１におけるＡｇの含有量は、Ｐｔの含有量に対して０．５原子量％〜２０原子量％となっている。Ａｇの含有量がＰｔの含有量に対して０．５原子量％より小さいと、内部電極対２１に含まれるＰｄと外部電極５１に含まれるＡｇとの間の相互拡散が十分に生じず、ＥＳＲ特性の向上効果が十分に発揮されない場合がある。Ａｇの含有量がＰｔの含有量に対して２０原子量％より大きいと、ハンダバンプ５３によるハンダ食われが生じてしまう場合がある。したがって、外部電極５１におけるＡｇの含有量を上記範囲とすることにより、積層型チップバリスタ１のＥＳＲ特性を好適なものとし、かつハンダバンプ５３によるハンダ食われをより確実に抑止できる。
【００３９】
一方、バリスタ素体１１は、ＺｎＯを主成分とし、ＰｒとＣａとを含有している。このため、バリスタ素体１１に外部電極５１を焼き付ける際に、バリスタ素体１１に含まれるＰｒとＣａとが外部電極５１との界面側に移動し、外部電極５１に含まれるＰｔとの間で相互拡散する。これにより、バリスタ素体１１と外部電極５１との界面及び界面付近にＰｒとＰｔとの化合物及びＣａとＰｔとの化合物が形成される。そして、これらの化合物によりアンカー効果が生じ、バリスタ素体１１と外部電極５１との接合強度の向上が図られる。
【００４０】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態に係る積層型チップバリスタについて説明する。図９は、本発明の第２実施形態に係る積層型チップバリスタを示す断面図である。
【００４１】
同図に示すように、積層型チップバリスタ１００は、例えば縦１．６ｍｍ、横０．８ｍｍ、厚さ０．８ｍｍに設定された、いわゆる１６０８タイプの積層型チップバリスタである。この積層型チップバリスタ１００は、主として外部電極の構成が第１実施形態に係る積層型チップバリスタ１と異なっているが、内部電極対の配置数や接続導体を有していない点を除けば、各構成要素の組成などは第１実施形態に係る積層型チップバリスタ１と共通している。
【００４２】
すなわち、この積層型チップバリスタ１は、少なくとも一層のバリスタ層が介在した状態でその先端部分が互いに対向する第１の内部電極１０５及び第２の内部電極１０７からなる１対の内部電極対１０４と、バリスタ素体１０３の長手方向における両端面１０３ａを覆うように形成され、各端面１０３ａから露出する第１の内部電極１０５及び第２の内部電極１０７にそれぞれ電気的に接続されるメッキレスの外部電極１０９とを備えている。そして、外部電極１０９の略半分の領域は、ハンダ形成部１１０となっており、このハンダ形成部１１０にハンダフィレット１１１を直接形成することにより、基板Ｐへの積層型チップバリスタ１００の実装が行われる。
【００４３】
このような積層型チップバリスタ１００においても、バリスタ素体１０３は、ＺｎＯを主成分としてＰｒとＣａとを含有しており、内部電極対１０４は、Ｐｄを主成分としている。また、外部電極１０９は、Ｐｔを主成分としてＡｇを含有し、Ａｇの含有量は、Ｐｔの含有量に対して０．５原子量％〜２０原子量％（より好ましくは１．０原子量％〜１０原子量％）となっている。
【００４４】
したがって、第１実施形態に係る積層型チップバリスタ１と同様に、外部電極１０９にメッキ層を形成しなくても、ハンダフィレット１１１によるハンダ食われを好適に抑止でき、積層型チップバリスタ１００の製造時における工程数の削減を実現し、製造コストの低減化も図られる。また、内部電極対１０４と外部電極１０９との良好なコンタクトが得られるので、高周波に対する積層型チップバリスタ１００のＥＳＲ特性が向上すると共に、個体ごとのＥＳＲばらつきも低減される。さらには、バリスタ素体１０３と外部電極１０９との接合強度の向上も達成される。
【００４５】
［評価実験］
最後に、本発明に係るバリスタ素子におけるハンダ食われの抑止効果、及びＥＳＲ特性の向上効果の評価実験について説明する。
【００４６】
この評価実験は、第１実施形態と同様のＢＧＡパッケージタイプの積層型チップバリスタのサンプルを１００個作製し、外部電極の主成分であるＰｔの含有量に対するＡｇの含有量を変えながら、ハンダ食われの発生の有無及びＥＳＲ特性の測定を行ったものである。なお、内部電極対はＰｄを主成分とし、バリスタ素体は、ＺｎＯを主成分としてＰｒとＣａとを含有させた。また、外部電極の焼き付け温度は、約９００℃とした。
【００４７】
図１０は、その実験結果を示す図である。図１０では、ハンダ食われの発生の有無について、作製した全てのサンプルにハンダ付けを行った後、Ｘ線による非破壊検査で外部電極とハンダバンプとの接合部分を観察し、外部電極とハンダバンプとの間にＡｇの溶け込みによる空隙が認められた場合にハンダ食われが生じていると判定した。そして、全てのサンプルについて一つもハンダ食われが認められなかった場合を「○」で示し、一つでもハンダ食われが認められた場合を「×」で示した。また、ＥＳＲ特性については、１ＧＨｚに対する抵抗値が１Ω以下であった場合を「○」で示し、１ＧＨｚに対する抵抗値が１Ωを超えた場合を「×」で示した。
【００４８】
この図１０から分かるように、外部電極の主成分であるＰｔに対するＡｇの含有量を０．１原子量％〜２０原子量％とした場合では、ハンダ食われの発生は認められなかった。また、Ａｇの含有量を２２原子量％以上とした場合には、ハンダ食われの発生が認められた。
【００４９】
一方、Ｐｔに対するＡｇの含有量を０．５原子量％以上とした場合では、１ＧＨｚに対する抵抗値が１Ω以下となり、いずれも場合もＥＳＲ特性の向上が認められた。また、Ｐｔに対するＡｇの含有量を０．３原子量％以下とした場合には、１ＧＨｚに対する抵抗値が１Ωを超え、ＥＳＲ特性の向上効果は認められなかった。
【００５０】
以上のことから、Ｐｔの含有量に対するＡｇの含有量を０．５原子量％〜２０原子量％とすることが、バリスタ素子におけるハンダ食われの抑止効果、及びＥＳＲ特性の向上効果の双方を実現する好適な範囲であることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る積層型チップバリスタを示す斜視図である。
【図２】図１とは異なる方向から見た積層型チップバリスタを示す斜視図である。
【図３】図１におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面構成を示す図である。
【図４】図３におけるＩＶ−ＩＶ線に沿う断面構成を示す図である。
【図５】図４におけるＶ−Ｖ線に沿う断面構成を示す図である。
【図６】図１に示した積層型チップバリスタの等価回路を示す図である。
【図７】積層型チップバリスタの製造手順を示すフローチャートである。
【図８】積層型チップバリスタが製造される様子を示す図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る積層型チップバリスタを示す断面図である。
【図１０】本発明に係るバリスタ素子におけるハンダ食われの抑止効果、及びＥＳＲ特性の向上効果の評価実験の結果を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１，１００…積層型チップバリスタ（バリスタ素子）、１１，１０３…バリスタ素体、１５…実装面（表面）、２１，１０４…内部電極対、２３，１０５…第１の内部電極、３３，１０７…第２の内部電極、５１，１０９…外部電極、５３…ハンダバンプ（実装用ハンダ）、１１１…ハンダフィレット（実装用ハンダ）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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