(57)【要約】【課題】無線認識ＩＣタグチップの開発および生産を効率よく行うことのできる技術を提供する。【解決手段】半導体チップ領域２の外郭の角部にあたる４つの部分を、Ｘ軸方向またはＹ軸方向に対して所望の傾きを有するような形状に形成し、さらに、半導体チップ領域２を半導体ウエハから切り出すための分離領域３のうち、Ｘ軸方向に沿って延びる第１分割領域３ｘとＹ軸方向に沿って延びる第２分割領域３ｙとが交わる交差領域３ａに、半導体チップ領域２よりも平面の面積が小さく、平面形状が四角形の無線認識ＩＣタグチップ領域４を、その４つの辺がＸ軸方向およびＹ軸方向に対して所望の傾きを有するように配置し、半導体チップ領域２と無線認識ＩＣタグチップ領域４とを共通の露光マスクを用いて形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの主面に、第１半導体チップ領域と、前記第１半導体チップ領域よりも平面の面積が小さい平面矩形状の第２半導体チップ領域とを共通の露光マスクを用いて形成する工程を有し、
前記第１半導体チップ領域は、第１の辺と、前記第１の辺に対して交差する第２の辺と、前記第１の辺に対向し、かつ前記第２の辺に対して交差する第３の辺と、前記第２の辺に対向し、かつ前記第１の辺に対して交差する第４の辺とを有しており、
前記第１半導体チップ領域の前記第１の辺と前記第２の辺との交差部、前記第２の辺と前記第３の辺との交差部、前記第３の辺と前記第４の辺との交差部、および前記第４の辺と前記第１の辺との交差部にあたる各々の部分は、前記第１の辺および前記第２の辺に対して所望の傾きを有するような形状に形成されており、
前記第２半導体チップ領域は、前記第１半導体チップ領域を前記半導体ウエハから切り出すための分割領域のうち、前記第１半導体チップ領域の前記第１の辺に沿って延びる第１分割領域と、前記第１半導体チップ領域の前記第２の辺に沿って延びる第２分割領域とが交わる領域に形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第１半導体チップ領域の前記第１の辺と前記第２の辺との交差部、前記第２の辺と前記第３の辺との交差部、前記第３の辺と前記第４の辺との交差部、および前記第４の辺と前記第１の辺との交差部にあたる４つの部分の前記所望の傾きの角度が、４５度であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２半導体チップ領域は、その平面における４つの辺が、前記第１半導体チップ領域の前記第１の辺および前記第２の辺に対して所望の傾きを有するように配置されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、前記第２半導体チップ領域の前記所望の傾きの角度が、４５度であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２半導体チップ領域の平面形状は、１辺が１０〜５０μｍの四角形であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２半導体チップ領域に形成される第２半導体チップは、無線により電波エネルギーを受けて動作することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２半導体チップ領域に形成される第２半導体チップは、無線により電波エネルギーを受けて動作し、１２８ビット以下の読み出し専用メモリ回路を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２半導体チップ領域に形成される第２半導体チップは、無線により電波エネルギーを受けて動作し、前記第２半導体チップの表面に形成された電極および裏面に形成された電極により動作することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
半導体ウエハの主面に、第１半導体チップ領域と、前記第１半導体チップ領域よりも平面の面積が小さい平面矩形状の第２半導体チップ領域と、前記第２半導体チップ領域よりも平面の面積が小さい、平面形状が四角形から成る第３半導体チップ領域とを共通の露光マスクを用いて形成する工程を有し、
前記第１半導体チップ領域は、第１の辺と、前記第１の辺に対して交差する第２の辺と、前記第１の辺に対向し、かつ前記第２の辺に対して交差する第３の辺と、前記第２の辺に対向し、かつ前記第１の辺に対して交差する第４の辺とを有しており、
前記第１半導体チップ領域の前記第１の辺と前記第２の辺との交差部、前記第２の辺と前記第３の辺との交差部、前記第３の辺と前記第４の辺との交差部、および前記第４の辺と前記第１の辺との交差部にあたる各々の部分は、前記第１の辺および前記第２の辺に対して所望の傾きを有するような形状に形成されており、
前記第２半導体チップ領域は、前記第１半導体チップ領域を前記半導体ウエハから切り出すための分割領域のうち、前記第１半導体チップ領域の前記第１の辺に沿って延びる第１分割領域と、前記第１半導体チップ領域の前記第２の辺に沿って延びる第２分割領域とが交わる領域に形成されており、
前記第３半導体チップ領域は、前記第１分割領域と前記第２分割領域とが交わる領域以外の前記第１分割領域、前記第２分割領域、または前記第１分割領域と前記第２分割領域との両領域に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記第１半導体チップ領域の前記第１の辺と前記第２の辺との交差部、前記第２の辺と前記第３の辺との交差部、前記第３の辺と前記第４の辺との交差部、および前記第４の辺と前記第１の辺との交差部にあたる４つの部分の前記所望の傾きの角度が、４５度であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記第２半導体チップ領域は、その平面における４つの辺が、前記第１半導体チップ領域の前記第１の辺および前記第２の辺に対して所望の傾きを有するように配置されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、前記第２半導体チップ領域の前記所望の傾きの角度が、４５度であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記第２半導体チップ領域の平面形状は、１辺が１０〜５０μｍの四角形であり、前記第３半導体チップ領域の平面形状は、１辺が１〜５０μｍの四角形であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記第２半導体チップ領域に形成される第２半導体チップおよび前記第３半導体チップ領域に形成される第３半導体チップは、無線により電波エネルギーを受けて動作することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記第２半導体チップ領域に形成される第２半導体チップおよび前記第３半導体チップ領域に形成される第３半導体チップは、無線により電波エネルギーを受けて動作し、１２８ビット以下の読み出し専用メモリ回路を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記第２半導体チップ領域に形成される第２半導体チップおよび前記第３半導体チップ領域に形成される第３半導体チップは、無線により電波エネルギーを受けて動作し、前記第２半導体チップは、前記第２半導体チップの表面に形成された電極および裏面に形成された電極により動作し、前記第３半導体チップは、前記第３半導体チップの表面に形成された電極および裏面に形成された電極により動作することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、無線により認識を行う無線認識ＩＣ（Integrated Circuit）タグチップの製造に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
無線認識ＩＣタグ（無線ＩＣタグ、ＩＣタグ、無線タグ、電子タグ、ＩＤタグ等とも呼ばれる）はＩＤ（Identification）情報が埋め込まれた個体認識素子であり、電磁界や電波などを用いた近距離の無線通信によって情報をやりとりするＲＦＩＤ（Radio Frequency Identification）の一種である。例えば人または物のＩＤ情報を書き込んだ無線認識ＩＣタグを商品等に貼り付けることにより、コンピュータが商品等の位置、状況等を知ることが可能となることから、様々な分野での活用が期待されている。
【０００３】
無線認識ＩＣタグは、無線認識ＩＣタグの内部に情報を記憶し、電波の送受信を行う無線認識ＩＣタグチップと、電波を受けたり送信したりするアンテナとから構成されている。無線認識ＩＣタグの情報を読み出したり書き込んだりするためには、無線を使用する。そのため、無線認識ＩＣタグを使った無線システムは、無線認識ＩＣタグ、無線認識ＩＣタグに向けて電波を送信したり受信したりするアンテナ、電波をコントロールするリーダ・ライタ、リーダ・ライタを制御するフロントエンドシステム等から構成される。
【０００４】
ほとんどの無線認識ＩＣタグはバッテリを搭載せず、リーダ・ライタが発する電波を受信し、電磁誘導などの仕組みで電流を発生させる。すなわち、リーダ・ライタが発する電波によって無線認識ＩＣタグチップの回路内に微量な電力を発生させ、その電力で情報を処理し、リーダ・ライタに情報を送信している。従って、バッテリを搭載しないこと、さらには搭載される無線認識ＩＣタグチップが１ｍｍ角以下のチップサイズで形成できることから、無線認識ＩＣタグの小型化、薄型化を図ることができる。
【０００５】
なお、例えば特開平５−１９０６８１号公報（特許文献１）には、ゲートアレイ集積回路等が形成されるウエハのダイシング用の切断領域に多数のテスト素子を形成し、ゲートアレイ集積回路本体ＬＳＩが形成されるべき所定の本体領域ならびに切断領域の一部にテスト素子を用いるためのテストパッドおよび結合配線をマスタースライスによって選択的に形成する技術が開示されている。
【０００６】
また、例えば特開２００５−５７２０３号公報（特許文献２）には、ウエハおよび各ＩＣチップのそれぞれに個別識別情報を通信可能とするマイクロチップを同じウエハプロセスによって形成することにより、ウエハおよびＩＣチップの個別識別情報を容易に取得することを可能とし、さらに個別識別情報が書込まれた部分が脱落等によって失われることを防止することを可能とする技術が開示されている。
【特許文献１】特開平５−１９０６８１号公報
【特許文献２】特開２００５−５７２０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、上記無線認識ＩＣタグの開発、生産には以下の課題があることを本発明者は見出した。
【０００８】
本発明者は、チップサイズが５０μｍ角以下の超小型の無線認識ＩＣタグチップを開発している。しかし、無線認識ＩＣタグチップ内の回路素子の高集積化および微細化とともに、リソグラフィ工程で使用される露光マスクの枚数および１枚当たりのコストが増加する傾向にある。特に、近年、その傾向は顕著となっており、露光マスクの費用が無線認識ＩＣタグチップの開発に掛かる費用において大きな比率を占めるようになっている。しかも、無線認識ＩＣタグチップの開発においては、回路修正が多く、回路を修正するたびに新たな露光マスクが必要となるため、当然開発費用が増大する上、開発期間が長期になり納期短縮が難しくなってきている。したがって、超小型の無線認識ＩＣタグチップを、如何にして安くまた短い期間で開発するかが重要な課題となっている。
【０００９】
本発明の目的は、ＩＣタグチップの開発および生産を効率よく行うことのできる技術を提供することにある。
【００１０】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１２】
本発明は、半導体ウエハの主面に、半導体チップ領域と、半導体チップ領域よりも小さいＩＣタグチップ領域とを共通の露光マスクを用いて形成する工程を有し、上記半導体チップ領域は、第１の辺と、第１の辺に対して交差する第２の辺と、第１の辺に対向し、かつ第２の辺に対して交差する第３の辺と、第２の辺に対向し、かつ第１の辺に対して交差する第４の辺とを有しており、上記半導体チップ領域の第１の辺と第２の辺との交差部、第２の辺と第３の辺との交差部、第３の辺と第４の辺との交差部、および第４の辺と第１の辺との交差部にあたる各々の部分は、第１の辺および第２の辺に対して所望の傾きを有するような形状に形成されており、上記ＩＣタグチップ領域は、半導体チップ領域を半導体ウエハから切り出すための分割領域のうち、半導体チップ領域の第１の辺に沿って延びる第１分割領域と、半導体チップ領域の第２の辺に沿って延びる第２分割領域とが交わる領域に形成されているものである。
【００１３】
本発明は、半導体ウエハの主面に、半導体チップ領域と、半導体チップ領域よりも小さい第１ＩＣタグチップ領域と、上記第１ＩＣタグチップ領域よりも小さい第２ＩＣタグチップ領域とを共通の露光マスクを用いて形成する工程を有し、上記半導体チップ領域は、第１の辺と、第１の辺に対して交差する第２の辺と、第１の辺に対向し、かつ第２の辺に対して交差する第３の辺と、第２の辺に対向し、かつ第１の辺に対して交差する第４の辺とを有しており、上記半導体チップ領域の第１の辺と第２の辺との交差部、第２の辺と第３の辺との交差部、第３の辺と第４の辺との交差部、および第４の辺と第１の辺との交差部にあたる各々の部分は、第１の辺および第２の辺に対して所望の傾きを有するような形状に形成されており、上記第１ＩＣタグチップ領域は、半導体チップ領域を半導体ウエハから切り出すための分割領域のうち、半導体チップ領域の第１の辺に沿って延びる第１分割領域と、半導体チップ領域の第２の辺に沿って延びる第２分割領域とが交わる領域に形成されており、上記第２ＩＣタグチップ領域は、第１分割領域と第２分割領域とが交わる領域以外の第１分割領域、第２分割領域、または第１分割領域と第２分割領域との両領域に形成されているものである。
【発明の効果】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１５】
半導体ウエハの主面に半導体チップ領域を形成する際、半導体チップ領域を半導体ウエハから切り出すための分割領域に、ＩＣタグチップ領域を形成することにより、ＩＣタグチップの開発または生産を効率よく行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本実施の形態において、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００１７】
また、本実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、本実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、本実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１８】
また、本実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１９】
（実施の形態１）
本実施の形態１による半導体ウエハの主面における無線認識ＩＣタグチップ領域の配置例を図１および図２を用いて説明する。図１は無線認識ＩＣタグチップ領域が形成された半導体ウエハの平面図、図２は図１のＡ領域の拡大平面図である。
【００２０】
図１および図２に示すように、半導体結晶から成る半導体ウエハ１の主面には、ＩＣが形成された半導体チップ領域（第１半導体チップ領域）２が、複数個配置されている。半導体チップ領域２は、第１の辺（図１中の左下半導体チップ領域２に例示する（１）の辺）と、第１の辺に対して交差する第２の辺（同様に図１中に例示する（２）の辺）と、第１の辺に対向（ここでは平行）し、かつ第２の辺に対して交差する第３の辺（同様に図１中に例示する（３）の辺）と、第２の辺に対向（ここでは平行）し、かつ第３の辺に対して交差する第４の辺（同様に図１中に例示する（４）の辺）とを有している。図１および図２では、上記第１の辺および第３の辺に沿う方向をＸ軸方向とし、上記第２の辺および第４の辺に沿う方向をＹ軸方向としている。なお、特に限定されるものではないが、上記Ｘ軸方向と上記Ｙ軸方向とは直交している。
【００２１】
これら半導体チップ領域２の周囲には分割領域（チップ境界線）３が設けられている。この分割領域３は、Ｘ軸方向（すなわち半導体チップ領域２の第１の辺および第３の辺に沿う方向）に沿って延びる第１分割領域３ｘと、Ｙ軸方向（すなわち第２の辺および第４の辺に沿う方向）に沿って延びる第２分割領域３ｙとから成り、各々の半導体チップ領域２に回路パターンを形成した後、半導体ウエハ１から１個１個の半導体チップ領域２を切り出す（分離する）ための切り代である。分割領域３の幅は、例えば１００μｍ以下である。
【００２２】
本実施の形態１では、半導体ウエハ１に設けられた分割領域３において、Ｘ軸方向に沿って延びる第１分割領域３ｘとＹ軸方向に沿って延びる第２分割領域３ｙとが交わる領域３ａ（以下の説明において、単に分割領域３の交差領域３ａと記す）に、無線認知機ＩＣタグチップ領域（第２半導体チップ領域）４を配置する。無線認識ＩＣチップ領域４には、無線認識ＩＣタグチップが形成されている。この無線認識ＩＣタグチップは、有価証券や各種金券などの紙媒体に適用することを考慮して開発された、電池なしで動作する無線タグ用の超小型のＩＣチップである。
【００２３】
また、無線認識ＩＣタグチップ領域４は、前述した半導体チップ領域２よりも平面の面積が小さく、平面形状が、例えば１辺が１０〜５０μｍの四角形から成る。従って、分割領域３の幅が５０〜１００μｍであれば、分離領域３の交差領域３ａに無線認識ＩＣタグチップ領域４を配置することが可能である。
【００２４】
しかし、分割領域３の幅が５０μｍを過ぎて小さくなると、無線認識ＩＣタグチップ領域４を分割領域３の交差領域３ａに形成することが難しくなる。そこで、半導体チップ領域２の外郭の角部、すなわち半導体チップ領域２の第１の辺と第２の辺との交差部、第２の辺と第３の辺との交差部、第３の辺と第４の辺との交差部、および第４の辺と第１の辺との交差部にあたる各々の部分（４つの部分）を、Ｘ軸方向またはＹ軸方向に対して所望の傾きを有するような形状に形成する。すなわち、半導体チップ領域２の分割後に、半導体ウエハ１から切り出された個々の半導体チップの４隅はテーパ状に形成される。さらに、無線認識ＩＣタグチップ領域４を、その４つの辺がＸ軸方向およびＹ軸方向に対して所望の傾きを有するように配置する。
【００２５】
このように、半導体チップ領域２の外郭の角部にあたる上記４つの部分を、Ｘ軸方向またはＹ軸方向に対して所望の傾きを有するような形状に形成し、さらに、無線認識ＩＣタグチップ領域４を、その４つの辺がＸ軸方向およびＹ軸方向に対して所望の傾きを有するように配置することによって、分離領域３の幅が５０μｍを過ぎて小さい場合でも、無線認識ＩＣタグチップ領域４を分離領域３の交差領域３ａに容易に配置することができる。
【００２６】
特に、半導体チップ領域２の外郭の角部にあたる上記４つの部分のＸ軸方向またはＹ軸方向に対する傾きを、例えばＸ軸方向に対する角度（例えば図２中のθ１）で表すと、その傾きは４５度を中心値とする周辺範囲が最も好適と考えられる（他の条件によってはこの範囲に限定されないことはもとよりである）。また、無線認識ＩＣタグチップ領域４の４つの辺のＸ軸方向またはＹ軸方向に対する傾きを、例えばＸ軸方向に対する角度（例えば図２中のθ２）で表すと、その傾きは４５度を中心値とする周辺範囲が最も好適と考えられる（他の条件によってはこの範囲に限定されないことはもとよりである）。
【００２７】
次に、本実施の形態１による半導体チップ領域２および無線認識ＩＣタグチップ領域４を形成するリソグラフィ工程について説明する。
【００２８】
半導体ウエハ１の主面に、前述したように配置される半導体チップ領域２と無線認識ＩＣタグチップ領域４とを形成するリソグラフィ工程においては、共通の露光マスクが用いられる。ここでの「共通の露光マスク」とは、半導体チップ領域２と無線認識ＩＣタグチップ領域４とを同時に露光することのできる露光マスクを言う。なお、半導体チップ領域２に形成される回路パターンと無線認識ＩＣタグチップ領域４に形成される回路パターンとは異なるものであるため、半導体チップ領域２の回路パターンを形成するためのみのリソグラフィ工程、または無線認識ＩＣタグチップ領域４の回路パターンを形成するためのみのリソグラフィ工程もある。従って、この共通の露光マスクには、半導体チップ領域２に回路パターンを形成するためのパターンと、無線認識ＩＣタグチップ領域４に回路パターンを形成するためのパターンとが描画された露光マスク、半導体チップ領域２に回路パターンを形成するためのマスクパターンのみが描画された露光マスク、無線認識ＩＣタグチップ領域４に回路パターンを形成するためのマスクパターンのみが描画された露光マスクが含まれる。
【００２９】
次に、本実施の形態１による半導体チップ領域２および無線認識ＩＣタグチップ領域４を半導体ウエハ１から切り出すダイシング工程について説明する。
【００３０】
無線認識ＩＣタグチップが開発品である場合は、半導体ウエハ１の状態で無線認識ＩＣタグチップの特性を評価し、その後、例えばダイシング・ソーと呼ばれるダイヤモンド微粒を貼り付けた極薄の円形刃を用いて第１分割領域３ｘおよび第２分割領域３ｙに沿って半導体ウエハ１を切断し、１個１個の半導体チップ領域２に切り分ける。上記円形刃の厚さは、例えば５０μｍ程度である。しかし、このダイシング方法では、分割領域３の交差領域３ａに形成された無線認識ＩＣタグチップ領域４は破壊されてしまう。そこで、例えば１μｍ以下のレーザ波長を用いたレーザ加工（例えばレーザアニーリング（Laser Annealing）加工、レーザアブレーション（Ablation）加工、ステルスダイシング（Stealth Dicing）加工等）を行い、半導体ウエハ１から半導体チップ領域２および無線認識ＩＣタグチップ領域４を切り出してもよい。上記レーザ光を用いたダイシング方法では、半導体チップ領域２の外郭および無線認識ＩＣタブチップ領域４の外郭に沿って分割領域３にレーザ光を照射することにより、無線認識ＩＣタグチップ領域４の回路パターンを破壊することなく、半導体チップ領域２および無線認識ＩＣタグチップ領域４を切り出すことができる。
【００３１】
上記ステルスダイシング方式は、レーザ光を半導体ウエハの内部に照射して選択的に改質層（破砕層）を形成し、その改質層を分割起点として半導体ウエハを切断するダイシング方式である。この方式によれば、厚さ３０μｍ程度の極めて薄い半導体ウエハでも、物理的にストレスを与えずに直接切断できるので、チッピングを低減でき、半導体チップの抗折強度の低減を抑制することができる。また、半導体ウエハの厚さに関わらず、毎秒３００ｍｍ以上の高速ダイシングが可能なので、スループットを向上させることもできる。
【００３２】
無線認識ＩＣタグチップが生産品である場合は、例えば前述したレーザ加工を行うことにより、半導体ウエハ１から半導体チップ領域２および無線認識ＩＣタグチップ領域４を切り出すことができる。
【００３３】
ここで、分離領域３の幅が５０μｍ以上の半導体ウエハ１でも、半導体チップ領域２の外郭の角部にあたる上記４つの部分を、Ｘ軸方向またはＹ軸方向に対して所望の傾きを有するような形状に形成することが望ましい。これにより、無線認識ＩＣタグチップ領域４を切り出す際の切断幅の余裕ができて、半導体チップ領域２または無線認識ＩＣタグチップ領域４の損傷等を防ぐことができるという利点がある。
【００３４】
このように、半導体チップ領域２の外郭の角部にあたる上記４つの部分を、Ｘ軸方向またはＹ軸方向に対して所望の傾きを有するような形状に形成し、さらに、無線認識ＩＣタグチップ領域４を、その４つの辺がＸ軸方向およびＹ軸方向に対して所望の傾きを有するように配置することによって、分離領域３の交差領域３ａに、チップサイズが１０〜５０μｍ角の無線認識ＩＣタグチップ領域４を容易に配置することができる。従って、半導体チップ領域２を形成する際に、半導体チップ領域２の形成に使用する露光マスクを利用して無線認識ＩＣタグチップ領域４を分離領域３の交差領域３ａに形成することができるので、無線認識ＩＣタグチップ領域４を形成するための専用の開発用露光マスクまたは生産用露光マスクを作製する必要が無くなり、効率よく無線認識ＩＣタグチップを開発、生産することができる。
【００３５】
図３は無線認識ＩＣタグチップの内部の構成を示す説明図である。
【００３６】
無線認識ＩＣタグチップ４Ｃは、アンテナ５が接続されて動作するものであり、最小の無線認識ＩＣタグチップ４Ｃを実現するために簡潔な機能構成で設計されている。アンテナ５には、クロック回路６、ロードスイッチ回路７および整流回路８が接続されている。クロック回路６から抽出されたクロック信号はカウンタ回路９に入力される。カウンタ回路９の出力はデコーダ回路１０によってデコードされて、メモリ回路１１に入力し、メモリ回路１１のメモリセルを選択する。メモリ回路１１から選択されたメモリセルの出力情報はロードスイッチ回路７に入力されて、アンテナ５の入力インピーダンスを変化させる。
【００３７】
メモリ回路１１は１２８ビット以下の読み出し専用メモリ（ＲＯＭ（Read Only Memory））である。メモリ回路１１を読み出し専用メモリとすることにより、メモリセルの情報を製造段階において電子線描画法で書き込むことができるので、例えば書き込み回路が不要となり、無線認識ＩＣタグチップ４Ｃの面積を小さくすることができる。また、メモリ回路１１を１２８ビットとすることにより単純な組合せで１兆×１兆×１００兆という情報の膨大な組合せを実現することができる。従って、例えば無線認識ＩＣタグチップ４Ｃの認識番号によって世界中のデータベースと瞬時にリンクすることが可能となり、また、人と物とのネットワークサポートを必要とする多用なアプリケーション展開が可能となる。
【００３８】
図４は無線認識ＩＣタグチップを搭載する無線認識ＩＣタグの要部断面図、図５は無線認識ＩＣタグチップを搭載する無線認識ＩＣタグの要部平面図である。
【００３９】
図４に示すように、無線認識ＩＣタグ１２は、無線認識ＩＣタグチップ４Ｃ、上側および下側支持基板１３ｕ，１３ｄ、上側および下側アンテナメタル１４ｕ，１４ｄ、表面および裏面電極１５ｕ，１５ｄなどから構成されている。上側支持基板１３ｕには上側アンテナメタル１４ｕが付着しており、下側支持基板１３ｄには下側アンテナメタル１４ｄが付着している。上側および下側支持基板１３ｕ，１３ｄは、例えばＰＥＴ（Polyethylenetelephtate）からなり、その厚さは、例えば１０μｍ程度である。上側および下側アンテナメタル１４ｕ，１４ｄは、例えばアルミニウムまたは銅などの金属膜からなり、その厚さは、例えば１０μｍ程度である。上側アンテナメタル１４ｕと下側アンテナメタル１４ｄとの間には、表面電極１５ｕと裏面電極１５ｄとを上下面に持つ無線認識ＩＣタグチップ４Ｃがサンドイッチ状に挟まれている。表面および裏面電極１５ｕ，１５ｄは、例えば金などの金属膜からなる。無線認識ＩＣタグチップ４Ｃの厚さは、例えば５μｍ程度である。
【００４０】
無線認識ＩＣタグチップ４Ｃの上面側に形成される表面電極１５ｕと上側アンテナメタル１４ｕとの接続、および無線認識ＩＣタグチップ４Ｃの下面側に形成される裏面電極１５ｄと下側アンテナメタル１４ｄとの接続は異方導電性接着剤により行う。この異方導電性接着剤はエポキシ樹脂の中に金粒子またはニッケル粒子を分散したものであり、加熱して加圧することによって１〜１０秒程度で上記接続を行うことができる。
【００４１】
無線認識ＩＣタグチップ４Ｃは、上側および下側アンテナメタル１４ｕ，１４ｄから無線によりエネルギーの供給を受け、また、無線によりデータの送受信を行う。アンテナ端子に接続するときは、無線認識ＩＣタグチップ４Ｃから２端子あれば充分であって、無線認識ＩＣタグチップ４Ｃの表面および裏面から端子が出ている。このような構成にすれば、単純な構造でアンテナを接続することができる。
【００４２】
さらに、図５に示すように、アンテナ（上側および下側アンテナメタル１４ｕ，１４ｄ）の形状を、例えば縦（図５中のＷ）１ｍｍ、横（図５中のＬ）６０ｍｍ程度の細長い矩形とすると、無線認識ＩＣタグチップ４Ｃの形状が、１辺が１０〜５０μｍの微小な四角形であることから、無線認識ＩＣタグチップ４Ｃは上側アンテナメタル１４ｕと下側アンテナメタル１４ｄとの間に充分に挟まれる形態となる。従って、両面電極（表面および裏面電極１５ｕ，１５ｄ）を備える無線認識ＩＣタグチップ４Ｃは、無線認識ＩＣタグチップ４Ｃの上下反転、横移動または回転等に対して許容度が大きくなるので、安定したアンテナ（上側および下側アンテナメタル１４ｕ，１４ｄ）との接続を行うことができる。また、無線認識ＩＣタグチップ４Ｃとアンテナ（上側および下側アンテナメタル１４ｕ，１４ｄ）との厳密な位置合わせが不要となるので、簡単な製造装置を用いて高速に無線認識ＩＣタグ１２を形成することが可能となる。
【００４３】
（実施の形態２）
本実施の形態２による半導体ウエハの主面における無線認識ＩＣタグチップ領域の配置例を図６〜図８を用いて説明する。図６〜図８は無線認識ＩＣタグチップ領域が形成された半導体ウエハの一部を拡大した要部平面図である。
【００４４】
前述の実施の形態１と相違する点は、分割領域３に回路バリエーションのある複数の無線認識ＩＣタグチップ領域が形成されていることである。すなわち、前述の実施の形態１では、分割領域３の交差領域３ａのみに無線認識ＩＣタグチップ領域４を配置した。しかしながら、本実施の形態２では、図６に示すように、分割領域３の交差領域３ａに、前述の実施の形態１において説明した無線認識ＩＣタグチップ領域４と同様の第１無線認識ＩＣタグチップ領域１６ａを配置し、さらに交差領域３ａではない第１分割領域３ｘに、第１無線認識ＩＣタグチップ領域１６ａとは互いに回路構成の異なる第２無線認識ＩＣタグチップ領域１６ｂ（第３半導体チップ）を配置する。第２無線認識ＩＣタグチップ領域１６ｂは、第１無線認識ＩＣタグチップ領域１６ａと同様に四角形であるが、第２無線認識ＩＣタグチップ領域１６ｂは、第１無線認識ＩＣタグチップ１６ａよりも平面の面積が小さく、平面形状が、例えば１辺が１〜５０μｍの四角形から成る。従って、第１分割領域３ｘに第２無線認識ＩＣタグチップ領域１６ｂを配置することが可能となる。
【００４５】
なお、ここでは、２つの第１および第２無線認識ＩＣタグチップ領域１６ａ，１６ｂを例示しているが、個数はこれに限定されないことは勿論である。例えば図７に示すように、交差領域３ａではない第１分割領域３ｘに、互いに回路構成が異なる複数の無線認識ＩＣタグチップ領域（例えば第２および第３無線認識ＩＣタグチップ領域１６ｂ，１６ｃ）を形成してもよい。あるいは、図８に示すように、交差領域３ａではない第１分割領域３ｘに、回路構成を同じとする複数の無線認識ＩＣタグチップ領域（例えば２つの第２無線認識ＩＣタグチップ領域１６ｂ）を形成してもよい。
【００４６】
また、第１および第２無線認識ＩＣタグチップ領域１６ａ，１６ｂのいずれかに形成された無線認識ＩＣタグチップを、半導体ウエハ１のＩＤチップとして活用することもできる。
【００４７】
また、図６、７および８では、第２無線認識ＩＣタグチップ領域１６ｂおよび第３無線認識ＩＣタグチップ領域１６ｃを、交差領域３ａではない、Ｘ軸方向に沿って延びる第１分割領域３ｘに形成した場合を例示したが、これらを交差領域３ａではない、Ｙ軸方向に沿って延びる第２分割領域３ｙに形成してもよく、あるいは交差領域３ａではない、Ｘ軸方向に沿って延びる第１分割領域３ｘとＹ軸方向に沿って延びる第２分割領域３ｙの両領域に形成してもよい。
【００４８】
このように、本実施の形態２によれば、半導体ウエハ１の分割領域３（分割領域３の交差領域３ａも含む）を活用することにより、互いに回路構成の異なる無線認識ＩＣタグチップ領域を１枚の半導体ウエハ１に複数個配置することができる。従って、半導体チップ領域２を形成する際に、半導体チップ領域２の形成に使用する露光マスクを利用して互いに回路構成の異なる複数種類の無線認識ＩＣタグチップ領域を分割領域３に形成することができるので、無線認識ＩＣタグチップ領域を形成するための専用の開発用マスクまたは生産用マスクを作製する必要が無くなり、効率よく無線認識ＩＣタグチップを開発、生産することができる。
【００４９】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５０】
例えば本実施の形態では、無線認識ＩＣタグチップの形成に本願発明を適用したが、これに限定されるものではなく、他の回路構成を有する１辺が５０μｍ以下の超小型の半導体チップの形成にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明の半導体装置の製造方法は、無線認識ＩＣタグチップのような超小型の半導体装置の開発および製品生産に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施の形態１による無線認識ＩＣタグチップ領域が形成された半導体ウエハの平面図である。
【図２】図１のＡ領域の拡大平面図である。
【図３】本発明の実施の形態１による無線認識ＩＣタグチップの内部の構成を示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１による無線認識ＩＣタグチップを搭載する無線認識ＩＣタグの要部断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１による無線認識ＩＣタグチップを搭載する無線認識ＩＣタグの要部平面図である。
【図６】本発明の実施の形態２による無線認識ＩＣタグチップ領域が形成された半導体ウエハの一部を拡大した要部平面図である。
【図７】本発明の実施の形態２による無線認識ＩＣタグチップ領域が形成された半導体ウエハの一部を拡大した要部平面図である。
【図８】本発明の実施の形態２による無線認識ＩＣタグチップ領域が形成された半導体ウエハの一部を拡大した要部平面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  半導体ウエハ
２  半導体チップ領域
３  分割領域
３ａ  分割領域の交差領域
３ｘ  第１分割領域
３ｙ  第２分割領域
４  無線認識ＩＣタグチップ領域
４Ｃ  無線認識ＩＣタグチップ
５  アンテナ
６  クロック回路
７  ロードスイッチ回路
８  整流回路
９  カウンタ回路
１０  デコーダ回路
１１  メモリ回路
１２  無線認識ＩＣタグ
１３ｕ  上側支持基板
１３ｄ  下側支持基板
１４ｕ  上側アンテナメタル
１４ｄ  下側アンテナメタル
１５ｕ  表面電極
１５ｄ  裏面電極
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ  無線認識ＩＣタグチップ領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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