(57)【要約】【課題】モジュールの小型化に伴う入出力間のアイソレーション特性の悪化を防止することが可能な高周波モジュールを提供する。【解決手段】複数の電極からなる弾性表面波フィルタ２１０と入力側半導体スイッチ２２０と出力側半導体スイッチ２３０とを組み合わせた高周波モジュール２００において、弾性表面波フィルタの電極のうち入力側半導体スイッチに接続される電極を接地する第１の接地端子２４０と、弾性表面波フィルタの電極のうち出力側半導体スイッチに接続される電極を接地する接地端子２５０と、入力側半導体スイッチを接地する接地端子２６０と、出力側半導体スイッチを接地する接地端子２７０と、をそれぞれ独立して設けることを特徴とする。入出力間の距離が小さくなっても、第１〜第４の接地端子をそれぞれ独立して設けることによってアイソレーション特性の悪化を防止することが可能である。【選択図】図５
2008167288.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極からなる弾性表面波フィルタと入力側半導体スイッチと出力側半導体スイッチとを組み合わせた高周波モジュールにおいて、
前記弾性表面波フィルタの電極のうち前記入力側半導体スイッチに接続される電極を接地する第１の接地端子と、
前記弾性表面波フィルタの電極のうち前記出力側半導体スイッチに接続される電極を接地する第２の接地端子と、
前記入力側半導体スイッチを接地する第３の接地端子と、
前記出力側半導体スイッチを接地する第４の接地端子と、
を備え、
前記第１〜第４の接地端子のうち、少なくとも一の接地端子は他の接地端子と独立して設けることを特徴とする、高周波モジュール。
【請求項２】
複数の電極からなる弾性表面波フィルタと入力側半導体スイッチと出力側半導体スイッチとを組み合わせた高周波モジュールにおいて、
前記弾性表面波フィルタの電極のうち前記入力側半導体スイッチに接続される電極を接地する第１の接地端子と、
前記弾性表面波フィルタの電極のうち前記出力側半導体スイッチに接続される電極を接地する第２の接地端子と、
前記入力側半導体スイッチを接地する第３の接地端子と、
前記出力側半導体スイッチを接地する第４の接地端子と、
をそれぞれ独立して設けることを特徴とする、高周波モジュール。
【請求項３】
複数の電極からなる弾性表面波フィルタと入力側半導体スイッチと出力側半導体スイッチとを組み合わせた高周波モジュールにおいて、
前記弾性表面波フィルタの電極のうち前記入力側半導体スイッチに接続される電極と前記出力側半導体スイッチとを接地する第１の接地端子と、
前記弾性表面波フィルタの電極のうち前記出力側半導体スイッチに接続される電極と前記入力側半導体スイッチとを接地する第２の接地端子と、
をそれぞれ独立して設けることを特徴とする、高周波モジュール。
【請求項４】
複数の電極からなる弾性表面波フィルタと入力側半導体スイッチと出力側半導体スイッチとを組み合わせた高周波モジュールにおいて、
前記弾性表面波フィルタの電極のうち前記入力側半導体スイッチに接続される電極と前記出力側半導体スイッチに接続される電極とを接地する第１の接地端子と、
前記入力側半導体スイッチを接地する第２の接地端子と、
前記出力側半導体スイッチを接地する第３の接地端子と、
をそれぞれ独立して設けることを特徴とする、高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は携帯電話などの無線端末に用いられる高周波モジュールにかかり、特に、ＲＦスイッチとＲＦフィルタの小型・高性能化が要求される高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などの無線端末では、現在多数の無線通信方式が存在している。近年、１つの無線端末で複数の無線通信方式での送受信を行う、いわゆるソフトウエア無線の開発が盛んになっている（日経エレクトロニクス２００６年１月３０日号（非特許文献１））。かかる無線端末のフロントエンド部分においては、マルチバンドに対応した自在に組み替え可能な、いわゆる「リコンフィギュラブルＲＦ」と呼ばれる回路が特に注目されている。
【０００３】
ＲＦスイッチ（Radio Frequency Switch）およびＲＦフィルタ（Radio Frequency Filter）は、無線通信機器のフロントエンド部において、ＲＦ信号を直接スイッチング・フィルタリングするものであり、現在の無線端末には必須の部品である。ＲＦスイッチの大部分は半導体で作製される。以下、半導体で作製されたＲＦスイッチを半導体スイッチともいう。また、ＲＦフィルタは小型・高性能化が容易な弾性表面波フィルタが数多く採用されている。
【０００４】
【非特許文献１】日経エレクトロニクス２００６年１月３０日号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、「リコンフィギュラブルＲＦ」においても、ＲＦスイッチおよびＲＦフィルタは非常に重要な部品であり、近年の小型化・高性能化の要求に対応するために、ＲＦスイッチとＲＦフィルタのそれぞれを小型化することが必要である。また、ＲＦスイッチとＲＦフィルタを組み合わせて高周波モジュール化することで、更に小型化する方式も考えられている。しかし、小型化・モジュール化を行うことで、入出力間の距離は必然的に小さくしなければならず、それに伴って入出力間のアイソレーション特性が悪化するという問題が発生する。
【０００６】
本発明は、上記背景技術が有する問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、ＲＦスイッチとＲＦフィルタを組み合わせて高周波モジュール化することで小型化することができるとともに、入出力間のアイソレーション特性を良好に保つことの可能な、新規かつ改良された高周波モジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点によれば、複数の電極からなる弾性表面波フィルタと入力側半導体スイッチと出力側半導体スイッチとを組み合わせた高周波モジュールが提供される。本発明の高周波モジュールは、前記弾性表面波フィルタの電極のうち前記入力側半導体スイッチに接続される電極を接地する第１の接地端子と、前記弾性表面波フィルタの電極のうち前記出力側半導体スイッチに接続される電極を接地する第２の接地端子と、前記入力側半導体スイッチを接地する第３の接地端子と、前記出力側半導体スイッチを接地する第４の接地端子と、を備える。そして、前記第１〜第４の接地端子のうち、少なくとも一の接地端子は他の接地端子と独立して設ける（切り分ける）ことを特徴とする（請求項１）。
【０００８】
かかる構成によれば、弾性表面波フィルタと半導体スイッチを組み合わせて高周波モジュール化することで小型化を行うことが可能であり、さらに、小型化により入出力間の距離が小さくなっても、第１〜第４の接地端子のうち少なくとも一の接地端子を他の接地端子と独立して設けることによって、モジュールの小型化に伴う入出力間のアイソレーション特性の悪化を防止することが可能である。
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の第２の観点によれば、複数の電極からなる弾性表面波フィルタ（２１０）と入力側半導体スイッチ（２２０）と出力側半導体スイッチ（２３０）とを組み合わせた高周波モジュール（２００）が提供される。本発明の高周波モジュールは、前記弾性表面波フィルタの電極のうち前記入力側半導体スイッチに接続される電極を接地する第１の接地端子（２４０）と、前記弾性表面波フィルタの電極のうち前記出力側半導体スイッチに接続される電極を接地する第２の接地端子（２５０）と、前記入力側半導体スイッチを接地する第３の接地端子（２６０）と、前記出力側半導体スイッチを接地する第４の接地端子（２７０）と、をそれぞれ独立して設けることを特徴とする（請求項２）。
【００１０】
かかる構成によれば、弾性表面波フィルタ（２１０）と半導体スイッチ（２２０、２３０）を組み合わせて高周波モジュール化することで小型化を行うことが可能であり、さらに、小型化により入出力間の距離が小さくなっても、第１〜第４の接地端子（２４０〜２７０）をそれぞれ独立して設けることによって、モジュールの小型化に伴う入出力間のアイソレーション特性の悪化を防止することが可能である。
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明の第３の観点によれば、複数の電極からなる弾性表面波フィルタ（３１０）と入力側半導体スイッチ（３２０）と出力側半導体スイッチ（３３０）とを組み合わせた高周波モジュール（３００）が提供される。本発明の高周波モジュールは、前記弾性表面波フィルタの電極のうち前記入力側半導体スイッチに接続される電極と前記出力側半導体スイッチとを接地する第１の接地端子（３４０）と、前記弾性表面波フィルタの電極のうち前記出力側半導体スイッチに接続される電極と前記入力側半導体スイッチとを接地する第２の接地端子（３５０）と、をそれぞれ独立して設けることを特徴とする（請求項３）。
【００１２】
かかる構成によれば、弾性表面波フィルタ（３１０）と半導体スイッチ（３２０、３３０）を組み合わせて高周波モジュール化することで小型化を行うことが可能であり、さらに、小型化により入出力間の距離が小さくなっても、第１、第２の接地端子（３４０、３５０）をそれぞれ独立して設けることによって、モジュールの小型化に伴う入出力間のアイソレーション特性の悪化を防止することが可能である。
【００１３】
上記課題を解決するため、本発明の第４の観点によれば、複数の電極からなる弾性表面波フィルタ（４１０）と入力側半導体スイッチ（４２０）と出力側半導体スイッチ（４３０）とを組み合わせた高周波モジュール（４００）において、前記弾性表面波フィルタの電極のうち前記入力側半導体スイッチに接続される電極と前記出力側半導体スイッチに接続される電極とを接地する第１の接地端子（４４０）と、前記入力側半導体スイッチを接地する第２の接地端子（４５０）と、前記出力側半導体スイッチを接地する第３の接地端子（４６０）と、をそれぞれ独立して設けることを特徴とする（請求項４）。
【００１４】
かかる構成によれば、弾性表面波フィルタ（４１０）と半導体スイッチ（４２０、４３０）を組み合わせて高周波モジュール化することで小型化を行うことが可能であり、さらに、小型化により入出力間の距離が小さくなっても、第１〜第３の接地端子（４４０〜４６０）をそれぞれ独立して設けることによって、モジュールの小型化に伴う入出力間のアイソレーション特性の悪化を防止することが可能である。
【００１５】
なお上記において、構成要素に付随して括弧書きで記した参照符号は、説明の便宜のために、後述の実施形態および図面における対応する構成要素を一例として記したに過ぎず、本発明がこれに限定されるものではない。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように、本発明によれば、ＲＦスイッチとＲＦフィルタを組み合わせて高周波モジュール化することで小型化することができるとともに、接地端子を独立して設けることによって、入出力間のアイソレーション特性を良好に保つことが可能である。なお、具体的なアイソレーション特性やその他の本発明の優れた効果については、以下の発明を実施するための最良の形態の説明においても説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に添付図面を参照しながら、本発明にかかる高周波モジュールの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１８】
まず、以下に説明する各実施形態の基本的な概念について説明する。
【００１９】
図１は、一般的な高周波モジュールの構成を示す説明図である。
図１に示した高周波モジュール１０は、複数の電極からなる弾性表面波フィルタ１１と、入力端子ＩＮに接続される入力側半導体スイッチ１２と、出力端子ＯＵＴに接続される出力側半導体スイッチ１３とを組み合わせた高周波モジュールである。そしてさらに、弾性表面波フィルタ１１、入力側半導体スイッチ１２および出力側半導体スイッチ１３を接地するための接地端子（ＧＮＤ）１４を含んで構成されている。
【００２０】
図１に示した高周波モジュール１０の構成では、弾性表面波フィルタ１１、入力側半導体スイッチ１２および出力側半導体スイッチ１３に対して、高周波モジュール接地端子１５が共通化されており、また、高周波モジュール接地端子１５は、所定のインダクタンス値を有するワイヤまたはバンプを介して、接地端子１４（ＧＮＤ）に接続されており、図２に示したように、入出力間のフィードスルー特性が悪化するという問題があった。
【００２１】
そこで、以下の各実施形態においては、弾性表面波フィルタの電極を接地する接地端子（ＧＮＤ）と、半導体スイッチの接地端子（ＧＮＤ）のうち、少なくとも一の接地端子を他の接地端子と独立して設けることで、入出力間のフィードスルー特性を改善する。
【００２２】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について説明する。
図３は、本実施形態にかかる高周波モジュールの構成を示す説明図である。
【００２３】
本実施形態にかかる高周波モジュール１００は、図３に示したように、複数の電極からなる弾性表面波フィルタ１１０と、入力端子ＩＮに接続される入力側半導体スイッチ１２０と、出力端子ＯＵＴに接続される出力側半導体スイッチ１３０とを組み合わせた高周波モジュールである。そしてさらに、弾性表面波フィルタ１１０を接地するための接地端子（ＧＮＤ）１４０、１５０と、入力側半導体スイッチ１２０を接地するための接地端子（ＧＮＤ）１６０と、出力側半導体スイッチ１３０を接地するための接地端子（ＧＮＤ）１７０と、を含んで構成されている。
【００２４】
弾性表面波フィルタ１１０は、図３に示したように、電極１１２、１１４、１１６、１１８により構成される。一般に、弾性表面波フィルタ（Surface Acoustic Wave Filter：ＳＡＷフィルタとも称される。）は、携帯電話やその他の電化製品において、多種の電波信号の中から自分宛の必要な信号だけを取り出すデバイスである。ものの表面が振動を伝える現象のことを「弾性表面波（ＳＡＷ）」とよび、弾性表面波フィルタはこの弾性表面波を利用して、空間を飛び交う電波の中から必要な周波数の電波だけを選びだすデバイスである。
【００２５】
電極１１２、１１４は、「ＩＤＴ（Inter-digital Transducer）」または「すだれ状電極」などと称されるものであり、所定の周期で電極が作製されて、弾性表面波を伝搬する。電極１１２は、入力側半導体スイッチ１２０に接続され、電極１１４は、出力側半導体スイッチ１３０に接続される。また、電極１１２は接地端子１４０により接地され、電極１１４は接地端子１５０により接地される。
【００２６】
電極１１６、１１８は、反射器と呼ばれる電極パターンであり、電極１１２、１１４と同じ周期で作製すると、電極１１２、１１４の両側に伝播する弾性表面波が、反射器１１６、１１８で反射されて同位相で強め合い、１００％近い反射波となって戻っていくことで、共振子を形成する。
【００２７】
入力側半導体スイッチ１２０は、半導体で作製されたＲＦスイッチであり、高周波モジュール１００の入力端子ＩＮに接続される。入力側半導体スイッチ１２０は、１または２以上の切り替え手段（トランジスタ等）を含んで構成され、入力端子ＩＮから入力される信号を切り替えて弾性表面波フィルタ１１０に送る。
【００２８】
出力側半導体スイッチ１３０は、半導体で作製されたＲＦスイッチであり、高周波モジュール１００の出力端子ＯＵＴに接続される。出力側半導体スイッチ１３０は、入力側半導体スイッチ１２０と同様に、１または２以上の切り替え手段（トランジスタ等）を含んで構成され、弾性表面波フィルタ１１０からの信号を切り替えて出力端子ＯＵＴに送る。
【００２９】
各接地端子１４０、１５０、１６０、１７０は、ワイヤ（またはバンプ）１４２、１５２、１６２、１７２を含んで構成される。各ワイヤ１４２、１５２、１６２、１７２のインダクタンス値は、例えば０．２ｎＨ〜５ｎＨ程度である。従来の接地端子を共通にした構成では、接地端子にワイヤを設けることにより特性の劣化等の不具合が発生していたが、本実施形態では、各接地端子１４０、１５０、１６０、１７０を独立して設けることで、各接地端子１４０、１５０、１６０、１７０にそれぞれワイヤ１４２、１５２、１６２、１７２を設けても特性の劣化等の不具合が発生しない。
【００３０】
（第１の実施形態の効果）
以上のように、本実施形態にかかる高周波モジュール１００では、接地端子（ＧＮＤ）１４０、１５０、１６０、１７０をそれぞれ独立して設けている。かかる構成によれば、接地端子（ＧＮＤ）が共通化されていないことから、図４に示したように、数百ＭＨｚ以上の高周波領域において、入出力間のフィードスルー特性が改善される。図４では、ワイヤのインダクタンス値が０．７ｎＨ程度の場合において、同じワイヤーインダクタンス値０．７ｎＨ程度の図２の場合と比較して、周波数１．８ＧＨｚにおいて数十ｄＢ以上特性改善する。このように入出力間のフィードスルー特性を改善することで、フィルタの帯域外減衰量特性が良好となり、小型・高性能な高周波モジュールおよびこれを用いた無線端末（携帯電話など）が実現できる。
【００３１】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態について説明する。
図５は、本実施形態にかかる高周波モジュールの構成を示す説明図である。図６は、図５の高周波モジュールの斜視図である。図７は、図５の高周波モジュールの平面図および側面図である。
【００３２】
本実施形態にかかる高周波モジュール２００は、図５〜図７に示したように、複数の電極からなる弾性表面波フィルタ２１０と、入力端子ＩＮに接続される入力側半導体スイッチ２２０と、出力端子ＯＵＴに接続される出力側半導体スイッチ２３０とを組み合わせた高周波モジュールである。そしてさらに、弾性表面波フィルタ２１０を接地するための接地端子（ＧＮＤ）２４０、２５０と、入力側半導体スイッチ２２０を接地するための接地端子（ＧＮＤ）２６０と、出力側半導体スイッチ２３０を接地するための接地端子（ＧＮＤ）２７０と、を含んで構成されている。
【００３３】
図６、図７に示したように、入力側半導体スイッチ２２０と出力側半導体スイッチ２３０は、同一の基板２３５上に作製することができる。基板２３５上には、図７に示したように、電極２１４と入力端子ＩＮとを接続するための入力側アクティブエリア２３５ａと、電極２１２と出力端子ＯＵＴとを接続するための出力側アクティブエリア２３５ｂが形成される。そして、入力側半導体スイッチ２２０および出力側半導体スイッチ２３０が作製された基板２３５に、弾性表面波フィルタ２１０を積載してモジュール化することで、小型化を図っている。
【００３４】
以下、高周波モジュール２００の構成要素について説明する。
【００３５】
弾性表面波フィルタ２１０は、図５〜図７に示したように、入力側半導体スイッチ２２０に接続されるｎ個の電極２１２（２１２−１、・・・、２１２−ｎ）と、出力側半導体スイッチ２３０に接続されるｎ個の電極２１４（２１４−１、・・・、２１４−ｎ）と、を含んで構成される。ｎは２以上の整数とする。
【００３６】
電極２１２、２１４は、上記実施形態と同様に、「ＩＤＴ（Inter-digital Transducer）」または「すだれ状電極」などと称されるものであり、所定の周期で電極が作製されて、弾性表面波を伝搬する。電極２１２は、図７に示したように、半導体スイッチが形成される基板２３５上に形成された入力側アクティブアリア２３５ａを介して、入力側半導体スイッチ２２０に接続される。また、電極２１４も同様に、基板２３５上に形成された出力側アクティブアリア２３５ｂを介して、出力側半導体スイッチ２３０に接続される。また、電極２１２は接地端子２４０により接地され、電極２１４は接地端子２５０により接地される。
【００３７】
電極２１６、２１８は、上記実施形態と同様に、反射器と呼ばれる電極パターンであり、ＩＤＴ（電極２１２、２１４）と同じ周期で作製すると、ＩＤＴの両側に伝播する弾性表面波が、反射器で反射されて同位相で強め合い、１００％近い反射波となって戻っていくことで、共振子を形成する。
【００３８】
入力側半導体スイッチ２２０は、半導体で作製されたＲＦスイッチであり、高周波モジュール２００の入力端子ＩＮに接続される。入力側半導体スイッチ２２０は、１または２以上のトランジスタを含んで構成され、入力端子ＩＮから入力される信号を切り替えて弾性表面波フィルタ２１０に送る。
【００３９】
出力側半導体スイッチ２３０は、半導体で作製されたＲＦスイッチであり、高周波モジュール２００の出力端子ＯＵＴに接続される。出力側半導体スイッチ２３０は、入力側半導体スイッチ２２０と同様に、１または２以上の切り替え手段（トランジスタ等）を含んで構成され、弾性表面波フィルタ２１０からの信号を切り替えて出力端子ＯＵＴに送る。
【００４０】
各接地端子２４０、２５０、２６０、２７０は、図５に示したように、ワイヤ（またはバンプ）２４２、２５２、２６２、２７２を含んで構成される。各ワイヤ２４２、２５２、２６２、２７２のインダクタンス値は、例えば０．２ｎＨ〜５ｎＨ程度である。従来の接地端子を共通にした構成では、接地端子にワイヤを設けることにより特性の劣化等の不具合が発生していたが、本実施形態では、各接地端子２４０、２５０、２６０、２７０を独立して設けることで、各接地端子２４０、２５０、２６０、２７０にそれぞれワイヤ２４２、２５２、２６２、２７２を設けても特性の劣化等の不具合が発生しない。
【００４１】
（第２の実施形態の効果）
以上のように、本実施形態にかかる高周波モジュール２００では、接地端子（ＧＮＤ）２４０、２５０、２６０、２７０をそれぞれ独立して設けている。かかる構成によれば、接地端子（ＧＮＤ）が共通化されていないことから、図８に示したように、入出力間のフィードスルー特性が改善される。このように入出力間のフィードスルー特性を改善することで、フィルタの帯域外減衰量特性が良好となり、小型・高性能な高周波モジュールおよびこれを用いた無線端末（携帯電話など）が実現できる。
【００４２】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態について説明する。
図９は、本実施形態にかかる高周波モジュールの構成を示す説明図である。
【００４３】
本実施形態にかかる高周波モジュール３００は、図９に示したように、複数の電極からなる弾性表面波フィルタ３１０と、入力端子ＩＮに接続される入力側半導体スイッチ３２０と、出力端子ＯＵＴに接続される出力側半導体スイッチ３３０とを組み合わせた高周波モジュールである。そしてさらに、弾性表面波フィルタ３１０および入力側半導体スイッチ３２０を接地するための接地端子（ＧＮＤ）３４０と、弾性表面波フィルタ３１０および出力側半導体スイッチ３３０を接地するための接地端子（ＧＮＤ）３５０と、を含んで構成されている。
【００４４】
弾性表面波フィルタ３１０は、図９に示したように、入力側半導体スイッチ３２０に接続されるｎ個の電極３１２（３１２−１、・・・、３１２−ｎ）と、出力側半導体スイッチ３３０に接続されるｎ個の電極３１４（３１４−１、・・・、３１４−ｎ）と、を含んで構成される。ｎは２以上の整数とする。
【００４５】
電極３１２、３１４は、上記実施形態と同様に、「ＩＤＴ（Inter-digital Transducer）」または「すだれ状電極」などと称されるものであり、所定の周期で電極が作製されて、弾性表面波を伝搬する。電極３１２は、入力側半導体スイッチ３２０に接続され、電極３１４は、出力側半導体スイッチ３３０に接続される。また、電極３１２は接地端子３４０により接地され、電極３１４は接地端子３５０により接地される。
【００４６】
電極３１６、３１８は、上記実施形態と同様に、反射器と呼ばれる電極パターンであり、ＩＤＴ（電極３１２、３１４）と同じ周期で作製すると、ＩＤＴの両側に伝播する弾性表面波が、反射器で反射されて同位相で強め合い、１００％近い反射波となって戻っていくことで、共振子を形成する。
【００４７】
入力側半導体スイッチ３２０は、半導体で作製されたＲＦスイッチであり、高周波モジュール３００の入力端子ＩＮに接続される。入力側半導体スイッチ３２０は、１または２以上の切り替え手段（トランジスタ等）を含んで構成され、入力端子ＩＮから入力される信号を切り替えて弾性表面波フィルタ３１０に送る。
【００４８】
出力側半導体スイッチ３３０は、半導体で作製されたＲＦスイッチであり、高周波モジュール３００の出力端子ＯＵＴに接続される。出力側半導体スイッチ３３０は、入力側半導体スイッチ３２０と同様に、１または２以上の切り替え手段（トランジスタ等）を含んで構成され、弾性表面波フィルタ３１０からの信号を切り替えて出力端子ＯＵＴに送る。
【００４９】
各接地端子３４０、３５０は、図９に示したように、ワイヤ（またはバンプ）３４２、３５２を含んで構成される。各ワイヤ３４２、３５２のインダクタンス値は、例えば０．２ｎＨ〜５ｎＨ程度である。従来の接地端子を共通にした構成では、接地端子にワイヤを設けることにより特性の劣化等の不具合が発生していたが、本実施形態では、各接地端子３４０、３５０を独立して設けることで、各接地端子３４０、３５０にそれぞれワイヤ３４２、３５２を設けても、特性の劣化等の不具合を改善出来る。
【００５０】
（第３の実施形態の効果）
以上のように、本実施形態にかかる高周波モジュール３００では、接地端子（ＧＮＤ）３４０、３５０をそれぞれ独立して設けている。かかる構成によれば、接地端子（ＧＮＤ）が共通化されていないことから、図１０に示したように、数百ＭＨｚ以上の高周波領域において、入出力間のフィードスルー特性が改善される。このように入出力間のフィードスルー特性を改善することで、フィルタの帯域外減衰量特性が良好となり、小型・高性能な高周波モジュールおよびこれを用いた無線端末（携帯電話など）が実現できる。
【００５１】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態について説明する。
図１１は、本実施形態にかかる高周波モジュールの構成を示す説明図である。
【００５２】
本実施形態にかかる高周波モジュール４００は、図１１に示したように、複数の電極からなる弾性表面波フィルタ４１０と、入力端子ＩＮに接続される入力側半導体スイッチ４２０と、出力端子ＯＵＴに接続される出力側半導体スイッチ４３０とを組み合わせた高周波モジュールである。そしてさらに、弾性表面波フィルタ４１０を接地するための接地端子（ＧＮＤ）４４０と、入力側半導体スイッチ４２０を接地するための接地端子（ＧＮＤ）４５０と、出力側半導体スイッチ４３０を接地するための接地端子（ＧＮＤ）４６０と、を含んで構成されている。
【００５３】
弾性表面波フィルタ４１０は、図１１に示したように、入力側半導体スイッチ４２０に接続されるｎ個の電極４１２（４１２−１、・・・、４１２−ｎ）と、出力側半導体スイッチ４３０に接続されるｎ個の電極４１４（４１４−１、・・・、４１４−ｎ）と、を含んで構成される。ｎは２以上の整数とする。
【００５４】
電極４１２、４１４は、上記実施形態と同様に、「ＩＤＴ（Inter-digital Transducer）」または「すだれ状電極」などと称されるものであり、所定の周期で電極が作製されて、弾性表面波を伝搬する。電極４１２は、入力側半導体スイッチ４２０に接続され、電極４１４は、出力側半導体スイッチ４３０に接続される。また、電極４１２は接地端子４４０により接地され、電極４１４は接地端子４５０により接地される。
【００５５】
電極４１６、４１８は、上記実施形態と同様に、反射器と呼ばれる電極パターンであり、ＩＤＴ（電極４１２、４１４）と同じ周期で作製すると、ＩＤＴの両側に伝播する弾性表面波が、反射器で反射されて同位相で強め合い、１００％近い反射波となって戻っていくことで、共振子を形成する。
【００５６】
入力側半導体スイッチ４２０は、半導体で作製されたＲＦスイッチであり、高周波モジュール４００の入力端子ＩＮに接続される。入力側半導体スイッチ４２０は、１または２以上の切り替え手段（トランジスタ等）を含んで構成され、入力端子ＩＮから入力される信号を切り替えて弾性表面波フィルタ４１０に送る。
【００５７】
出力側半導体スイッチ４３０は、半導体で作製されたＲＦスイッチであり、高周波モジュール４００の出力端子ＯＵＴに接続される。出力側半導体スイッチ４３０は、入力側半導体スイッチ４２０と同様に、１または２以上の切り替え手段（トランジスタ等）を含んで構成され、弾性表面波フィルタ４１０からの信号を切り替えて出力端子ＯＵＴに送る。
【００５８】
各接地端子４４０、４５０、４６０は、図１１に示したように、ワイヤ（またはバンプ）４４２、４５２、４６２を含んで構成される。各ワイヤ４４２、４５２、４６２のインダクタンス値は、例えば０．２ｎＨ〜５ｎＨ程度である。従来の接地端子を共通にした構成では、接地端子にワイヤを設けることにより特性の劣化等の不具合が発生していたが、本実施形態では、各接地端子４４０、４５０、４６０を独立して設けることで、各接地端子４４０、４５０、４６０にそれぞれワイヤ４４２、４５２、４６２を設けても、特性の劣化等の不具合を改善出来る。
【００５９】
（第４の実施形態の効果）
以上のように、本実施形態にかかる高周波モジュール４００では、接地端子（ＧＮＤ）４４０、４５０、４６０をそれぞれ独立して設けている。かかる構成によれば、接地端子（ＧＮＤ）が共通化されていないことから、図１２に示したように、数百ＭＨｚ以上の高周波領域において、入出力間のフィードスルー特性が改善される。このように入出力間のフィードスルー特性を改善することで、フィルタの帯域外減衰量特性が良好となり、小型・高性能な高周波モジュールおよびこれを用いた無線端末（携帯電話など）が実現できる。
【００６０】
以上、添付図面を参照しながら本発明にかかる高周波モジュールの好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００６１】
例えば、上記各実施形態では、弾性表面波フィルタの電極のうち入力側半導体スイッチに接続される電極を接地する接地端子と、弾性表面波フィルタの電極のうち出力側半導体スイッチに接続される電極を接地する接地端子と、入力側半導体スイッチを接地する接地端子と、出力側半導体スイッチを接地する接地端子のうち、少なくとも一の接地端子を他の接地端子と独立して設けるいくつかの例について説明した。本発明はこれら実施形態の例に限定されず、少なくとも一の接地端子を他の接地端子と独立して設けるように構成すればよい。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は携帯電話などの無線端末に用いられる高周波モジュールに利用可能であり、特に、ＲＦスイッチとＲＦフィルタの小型・高性能化が要求される高周波モジュールに利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】一般的な高周波モジュールの構成を示す説明図である。
【図２】図１の高周波モジュールのフィードスルー特性を示す説明図である。
【図３】高周波モジュール（第１の実施形態）の構成を示す説明図である。
【図４】図３の高周波モジュールのフィードスルー特性を示す説明図である。
【図５】高周波モジュール（第２の実施形態）の構成を示す説明図である。
【図６】図５の高周波モジュールの斜視図である。
【図７】図５の高周波モジュールの平面図および側面図である。
【図８】図５の高周波モジュールのフィードスルー特性を示す説明図である。
【図９】高周波モジュール（第３の実施形態）の構成を示す説明図である。
【図１０】図９の高周波モジュールのフィードスルー特性を示す説明図である。
【図１１】高周波モジュール（第４の実施形態）の構成を示す説明図である。
【図１２】図１１の高周波モジュールのフィードスルー特性を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６４】
１００  高周波モジュール（第１の実施形態）
１１０  弾性表面波フィルタ
１１２  電極（ＩＤＴ）
１１４  電極（ＩＤＴ）
１１６  電極（反射器）
１１８  電極（反射器）
１２０  入力側半導体スイッチ
１３０  出力側半導体スイッチ
１４０  接地端子
１４２  ワイヤ
１５０  接地端子
１５２  ワイヤ
２００  高周波モジュール（第２の実施形態）
２１０  弾性表面波フィルタ
２１２（２１２−１、・・・、２１２−ｎ）  電極（ＩＤＴ）
２１４（２１４−１、・・・、２１４−ｎ）  電極（ＩＤＴ）
２１６（２１６−１、・・・、２１６−ｎ）  電極（反射器）
２１８（２１８−１、・・・、２１８−ｎ）  電極（反射器）
２２０  入力側半導体スイッチ
２３０  出力側半導体スイッチ
２３５  基板
２３５ａ、２３５ｂ  アクティブエリア
２４０  接地端子
２４２  ワイヤ
２５０  接地端子
２５２  ワイヤ
２６０  接地端子
２６２  ワイヤ
２７０  接地端子
２７２  ワイヤ
３００  高周波モジュール（第３の実施形態）
３１０  弾性表面波フィルタ
３１２（３１２−１、・・・、３１２−ｎ）  電極（ＩＤＴ）
３１４（３１４−１、・・・、３１４−ｎ）  電極（ＩＤＴ）
３１６（３１６−１、・・・、３１６−ｎ）  電極（反射器）
３１８（３１８−１、・・・、３１８−ｎ）  電極（反射器）
３２０  入力側半導体スイッチ
３３０  出力側半導体スイッチ
３４０  接地端子
３４２  ワイヤ
３５０  接地端子
３５２  ワイヤ
４００  高周波モジュール（第４の実施形態）
４１０  弾性表面波フィルタ
４１２（４１２−１、・・・、４１２−ｎ）  電極（ＩＤＴ）
４１４（４１４−１、・・・、４１４−ｎ）  電極（ＩＤＴ）
４１６（４１６−１、・・・、４１６−ｎ）  電極（反射器）
４１８（４１８−１、・・・、４１８−ｎ）  電極（反射器）
４２０  入力側半導体スイッチ
４３０  出力側半導体スイッチ
４４０  接地端子
４４２  ワイヤ
４５０  接地端子
４５２  ワイヤ
４６０  接地端子
４６２  ワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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