(57)【要約】【課題】  二重構造マスクを用いることなく、かつ磁区制御膜の厚さの制御が容易な磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  (a)基板上に、導電材料からなる下部電極を形成し、(b)その上に、磁気抵抗効果膜を形成する。(c)磁気抵抗効果膜の上に、スペーサ膜を形成し、(d)その上に、研磨耐性膜を形成する。(e)再生素子を配置すべき領域の両側の研磨耐性膜及びスペーサ膜を、同一のエッチングガスを用いてエッチングする。(f)工程ｅでエッチングされた領域内の磁気抵抗効果膜をエッチングする。(g)基板表面を、絶縁膜で覆う。(h)その上に、磁区制御膜を堆積させる。(i)磁区制御膜及び絶縁膜を、研磨耐性膜が露出するまで研磨することにより、工程ｅ及びｆでエッチングされた凹部内に、磁区制御膜及び絶縁膜を残す。(j)研磨耐性膜及びスペーサ膜を除去する。(k)再生素子を配置すべき領域に残っている磁気抵抗効果膜の上に、該磁気抵抗効果膜と電気的に接続される上部電極を形成する。【選択図】  図１−２
2008204588.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板上に、導電材料からなる下部電極を形成する工程と、
（ｂ）前記下部電極の上に、磁界によって電気抵抗を変化させる磁気抵抗効果膜を形成する工程と、
（ｃ）前記磁気抵抗効果膜の上に、スペーサ膜を形成する工程と、
（ｄ）前記スペーサ膜の上に、該スペーサ膜とは異なる材料からなる研磨耐性膜を形成する工程と、
（ｅ）再生素子を配置すべき領域の両側の前記研磨耐性膜及びスペーサ膜を、同一のエッチングガスを用いてエッチングする工程と、
（ｆ）前記工程ｅでエッチングされた領域内の前記磁気抵抗効果膜をエッチングする工程と、
（ｇ）前記工程ｆにおけるエッチング後の表面を、絶縁膜で覆う工程と、
（ｈ）前記工程ｅ及びｆでエッチングされた凹部内に充填されるように、基板上に、磁性材料からなる磁区制御膜を堆積させる工程と、
（ｉ）前記磁区制御膜及び絶縁膜を、前記研磨耐性膜が露出するまで研磨することにより、前記工程ｅ及びｆでエッチングされた凹部内に、該磁区制御膜及び絶縁膜を残す工程と、
（ｊ）前記研磨耐性膜及びスペーサ膜を除去する工程と、
（ｋ）前記再生素子を配置すべき領域に残っている磁気抵抗効果膜の上に、該磁気抵抗効果膜と電気的に接続される上部電極を形成する工程と
を有する磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記スペーサ膜は、前記研磨耐性膜よりも厚い請求項１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記スペーサ膜及び研磨耐性膜は、前記工程ｅのエッチング条件で該スペーサ膜をエッチングしたときの反応生成物の沸点が、同一条件で該研磨耐性膜をエッチングしたときの反応生成物の沸点よりも高い材料で形成されている請求項１または２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記研磨耐性膜がＴａで形成され、前記スペーサ膜が酸化シリコンで形成されている請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記工程ｂと工程ｃとの間に、さらに、前記磁気抵抗効果膜の上に、前記スペーサ膜とはエッチング耐性の異なる材料からなるキャップ膜を形成する工程を含み、
前記工程ｆが、工程ｅでエッチングされた領域内の前記キャップ膜をエッチングする工程を含み、
前記工程ｊにおいて、前記スペーサ膜を除去する際に、前記キャップ膜をエッチングストッパとして利用する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ヘッドの製造方法に関し、特に再生素子の両側に磁区制御膜を配置した磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図３Ａ〜図３Ｄを参照して、下記の特許文献１に開示された磁気ヘッドの製造方法について説明する。
【０００３】
図３Ａに示すように、基板１００の上に、スピンバルブ膜等の磁気抵抗効果膜１０１を形成する。磁気抵抗効果膜１０１の上に、レジストパターン１０２ａとアルミナ膜１０２ｂとからなるオーバハング形状の二層構造マスク１０２を形成する。図３Ｂに示すように、二層構造マスク１０２で覆われていない領域の磁気抵抗効果膜１０１を、イオンミリングにより除去する。二層構造マスク１０２の下方に、磁気抵抗効果膜１０１が残る。
【０００４】
図３Ｃに示すように、磁気抵抗効果膜１０１の両側の基板１００の表面、及び二層構造マスク１０２の上面を、硬質磁性膜（ハード膜）１１０で覆う。さらに、ハード膜１１０の上に、電極膜１１１を堆積させる。図３Ｄに示すように、レジストパターン１０２ａを剥離する。このとき、その上に堆積しているアルミナ膜１０２ｂ、ハード膜１１０、及び電極膜１１１も除去（リフトオフ）される。このようにして、基板１００の一部の領域上に、磁気抵抗効果膜１０１を配置し、その両側にハード膜１１０を配置することができる。
【０００５】
上記方法では、二重構造マスク１０２の上に堆積しているハード膜１１０及び電極膜１１１をリフトオフするために、二重構造マスク１０２をオーバハング形状にする必要がある。最終的に基板１００の上に残る磁気抵抗効果膜１０１の幅は、二重構造マスク１０２の寸法に依存する。二重構造マスク１０２の土台となるマスクパターン１０２ａの幅は、磁気抵抗効果膜１０１の幅よりも狭くしなければならない。マスクパターン１０２ａの幅を狭くすると、二重構造マスク１０２の機械的強度が低下してしまうため、磁気抵抗効果膜１０１の幅を１００ｎｍ以下にすることが困難である。さらに、リフトオフによるバリの発生が避けられないため、再現性よく所望の素子形状を得ることが困難である。
【０００６】
図３Ａ〜図３Ｄに示した磁気ヘッドにおいては、電流が、磁気抵抗効果膜１０１を、その面内方向に流れる。電流が磁気抵抗効果膜に対して垂直方向に流れる垂直通電型（ＣＰＰ：Current Perpendicular to the Plane）構造を採用する場合には、ハード膜１１０に代えて絶縁膜が用いられ、電極膜１１１に代えて、硬磁性材料からなる磁区制御膜が用いられる。
【０００７】
二重構造マスク及びリフトオフ法を用いないで、磁気抵抗効果膜をパターニングする方法が、下記の特許文献２に開示されている。図４Ａ〜図４Ｅを参照して、特許文献２に開示された方法を用いて、垂直通電型磁気ヘッドを製造する方法について説明する。
【０００８】
図４Ａに示すように、基板１５０の上に、下部電極１５１及び磁気抵抗効果膜１５２を順番に形成する。磁気抵抗効果膜１５２の、再生素子を配置すべき領域を、レジストパターン１５５で覆う。
【０００９】
図４Ｂに示すように、レジストパターン１５５をマスクとして、磁気抵抗効果膜１５２をエッチングする。残された磁気抵抗効果膜１５２の両側に、下部電極１５１が露出する。図４Ｃに示すように、下部電極１５１の露出した表面、磁気抵抗効果膜１５２の側面、及びレジストパターン１５５の表面を、絶縁膜１６０で覆う。絶縁膜１６０の上に、磁区制御膜１６１を堆積させる。
【００１０】
図４Ｄに示すように、レジストパターン１５５が露出するまで化学機械研磨（ＣＭＰ）を行う。図４Ｅに示すように、レジストパターン１５５を除去して、磁気抵抗効果膜１５２を露出させる。露出した磁気抵抗効果膜１５２の上に、上部電極を形成する。
【００１１】
この方法では、二重構造マスクを用いないため、磁気抵抗効果膜１５２の幅を１００ｎｍ以下にすることが容易である。
【００１２】
【特許文献１】特開平１１−１８５２２３号公報
【特許文献２】特開２００４−３４２１５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
図４Ａ〜図４Ｅに示した方法では、図４ＤのＣＭＰ工程における研磨量によって磁区制御膜１６１の厚さが決定される。研磨量は、研磨時間によって制御される。このため、磁区制御膜１６１の厚さの精度を高めることが困難である。
【００１４】
本発明の目的は、二重構造マスクを用いることなく、かつ磁区制御膜の厚さの制御が容易な磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の一観点によると、
（ａ）基板上に、導電材料からなる下部電極を形成する工程と、
（ｂ）前記下部電極の上に、磁界によって電気抵抗を変化させる磁気抵抗効果膜を形成する工程と、
（ｃ）前記磁気抵抗効果膜の上に、スペーサ膜を形成する工程と、
（ｄ）前記スペーサ膜の上に、該スペーサ膜とは異なる材料からなる研磨耐性膜を形成する工程と、
（ｅ）再生素子を配置すべき領域の両側の前記研磨耐性膜及びスペーサ膜を、同一のエッチングガスを用いてエッチングする工程と、
（ｆ）前記工程ｅでエッチングされた領域内の前記磁気抵抗効果膜をエッチングする工程と、
（ｇ）前記工程ｆにおけるエッチング後の表面を、絶縁膜で覆う工程と、
（ｈ）前記工程ｅ及びｆでエッチングされた凹部内に充填されるように、基板上に、磁性材料からなる磁区制御膜を堆積させる工程と、
（ｉ）前記磁区制御膜及び絶縁膜を、前記研磨耐性膜が露出するまで研磨することにより、前記工程ｅ及びｆでエッチングされた凹部内に、該磁区制御膜及び絶縁膜を残す工程と、
（ｊ）前記研磨耐性膜及びスペーサ膜を除去する工程と、
（ｋ）前記再生素子を配置すべき領域に残っている磁気抵抗効果膜の上に、該磁気抵抗効果膜と電気的に接続される上部電極を形成する工程と
を有する磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
磁区制御膜のパターニングにリフトオフ法を用いないため、二重構造マスクを採用する必要がない。また、スペーサ膜の厚さを調整することにより、磁区制御膜を所望の厚さに設定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１Ａ〜図１Ｊを参照して、実施例による磁気ヘッドの製造方法について説明する。図１Ａ〜図１Ｊは、磁気記録媒体に対向する浮上面に平行な断面を示す。浮上面をｘｙ面とし、トレーリング方向をｘ軸、磁気記録媒体の法線方向をｚ軸とするｘｙｚ直交座標系を定義する。
【００１８】
図１Ａに示すように、基板１の上に下部電極２を形成する。基板１は、アルミニウムチタンカーバイド等で形成されている。下部電極２は、ＮｉＦｅで形成され、その厚さは５０〜１００ｎｍである。下部電極２は、例えばめっき法により形成する。
【００１９】
下部電極２の上に、エッチング耐性膜３、磁気抵抗効果膜４、キャップ膜５、スペーサ膜６、及び研磨耐性膜７を順番に、スパッタリングにより成膜する。エッチング耐性膜３は、例えばタンタル（Ｔａ）で形成され、その厚さは５ｎｍである。磁気抵抗効果膜４として、例えば巨大磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ膜）、またはトンネル磁気抵抗効果膜（ＴＭＲ膜）が用いられ、その厚さは、例えば２０〜３０ｎｍである。
【００２０】
ＧＭＲ膜は、反強磁性材料からなるピニング層、強磁性材料からなるピンド層、非磁性中間層、及びフリー層が積層された積層構造を有する。ＴＭＲ膜は、ＧＭＲ膜の非磁性中間層に代えて、トンネル電流が流れる程度の厚さを持つトンネル絶縁層を有する。ピニング層には、ＭｎＰｔ、ＭｎＰｔＰｄ、ＭｎＩｒ、ＭｎＦｅ、ＭｎＮｉ、ＮｉＯ等が用いられる。ピンド層及びフリー層には、ＮｉＦｅ合金、またはＦｅＣｏ合金等が用いられる。ピニング層とピンド層とが交換相互作用を及ぼし合うことにより、ピンド層の磁化方向が固定される。フリー層の磁化方向は、外部磁場の影響によって変化する。ＴＭＲ膜のトンネル絶縁層には、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＴｉＯ、ＭｇＯ、ＨｆＯ等が用いられる。ＧＭＲ膜の非磁性中間層には、Ｃｕが用いられる。
【００２１】
キャップ膜５は、ルテニウム（Ｒｕ）で形成され、その厚さは例えば１０ｎｍである。スペーサ膜６は、酸化シリコンで形成され、その厚さは例えば５０〜１００ｎｍである。研磨耐性膜７は、Ｔａで形成され、その厚さは例えば２０〜３０ｎｍである。エッチング耐性膜３は、磁気抵抗効果膜４とはエッチング耐性の異なる材料で形成されており、キャップ膜５は、スペーサ膜６とはエッチング耐性の異なる材料で形成されている。
【００２２】
図１Ｂに示すように、研磨耐性膜７の表面のうち、再生素子を形成すべき領域（再生素子形成領域）１１を覆い、その両側の表面を露出させるレジストパターン１０を形成する。再生素子形成領域１１の幅（ｙ軸方向の寸法）は、例えば４０〜７０ｎｍである。
【００２３】
図１Ｃに示すように、レジストパターン１０をエッチングマスクとして、研磨耐性膜７及びスペーサ膜６を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングして凹部を形成する。ＲＩＥの条件は、例えば下記の通りである。
・エッチングガス  ＣＦ４とＡｒとの混合ガス
・ガス圧  １．５Ｐａ
・バイアス電力  ２００Ｗ
・ソース電力  ２０Ｗ
・研磨耐性膜７のエッチングレート  ０．８５ｎｍ／ｓ
・スペーサ膜６のエッチングレート  ０．７８ｎｍ／ｓ
この条件でのキャップ膜５のエッチングレートは、約０．０７ｎｍ／ｓであり、研磨耐性膜７及びスペーサ膜６のエッチングレートに比べて十分遅い。このため、キャップ膜５を、エッチングストッパとして利用することができる。キャップ膜５をエッチングストッパとして利用するために、キャップ膜５のエッチングレートが、スペーサ膜６のエッチングレートの１０〜１５％以下の条件でスペーサ膜６をエッチングすることが好ましい。スペーサ膜６のエッチング後、レジストパターン１０を剥離する。
【００２４】
図１Ｄに示すように、研磨耐性膜７及びスペーサ膜６をマスクとして、キャップ膜５及び磁気抵抗効果膜４を、ＲＩＥによりエッチングする。ＲＩＥの条件は、例えば下記の通りである。
・エッチングガス  ＣＯとＮＨ３との混合ガス
・ガス圧  ０．２Ｐａ
・バイアス電力  ８００Ｗ
・ソース電力  ２００Ｗ
・キャップ膜５のエッチングレート  ０．２５ｎｍ／ｓ
この条件でのエッチング耐性膜３のエッチングレートは０．０３６ｎｍ／ｓであり、キャップ膜５及び磁気抵抗効果膜４のエッチングレートに比べて十分遅い。このため、エッチング耐性膜３をエッチングストッパとして利用することができる。エッチング耐性膜３をエッチングストッパとして利用するために、エッチング耐性膜３のエッチングレートが、磁気抵抗効果膜４の最も基板側の材料のエッチングレートの１０〜１５％以下の条件で磁気抵抗効果膜４をエッチングすることが好ましい。なお、エッチング耐性膜３に、Ｔａに代えてＴｉを用いてもよい。
【００２５】
図１Ｅに示すように、基板全面を覆うように、絶縁膜１５をスパッタリングにより形成する。絶縁膜１５は、例えばＡｌ２Ｏ３で形成され、その厚さは８〜１０ｎｍである。絶縁膜１５の上に、磁区制御膜１８をスパッタリングにより形成する。磁区制御膜１８の厚さは、研磨耐性膜７の上面からエッチング耐性膜３の上面まで達する凹部の深さ以上とする。磁気制御膜１８には、ＣｏＣｒＰｔ等の硬質磁性材料が用いられる。
【００２６】
図１Ｆに示すように、研磨耐性膜７の上面よりも上方に堆積している磁区制御膜１８及び絶縁膜１５を、ＣＭＰにより除去する。このＣＭＰは、Ｔａからなる研磨耐性膜７の研磨レートが、磁区制御膜１８及び絶縁膜１５の研磨レートに比べて十分遅い条件で行う。例えば、研磨耐性膜７の研磨レートが、磁区制御膜１８及び絶縁膜１５の研磨レートの１％以下になる条件で行う。
【００２７】
図１Ｇに示すように、研磨耐性膜７及びスペーサ膜６を、ＲＩＥにより選択的に除去する。ＲＩＥの条件は、図１Ｃに示した工程で、研磨耐性膜７及びスペーサ膜６をエッチングする条件と同一である。これにより、キャップ膜５が露出する。
【００２８】
図１Ｈに示すように、再生素子形成領域１１及びその両側をフォトレジストによりマスクして、その他の領域のキャップ膜５、及び磁気抵抗効果膜４を除去する。このエッチングは、イオンミリングにより行う。このとき、絶縁膜１５及び磁区制御膜１８の外側の縁の近傍領域もエッチングされる。残された磁区制御膜１８よりも外側に、エッチング耐性膜３が露出する。
【００２９】
図１Ｈの工程でエッチング工程で用いたフォトレジスト膜を残した状態で、図１Ｉに示すように、磁区制御膜１８よりも外側の領域のエッチング耐性膜３の上に、Ａｌ２Ｏ３からなる絶縁膜２０をスパッタリングにより形成する。このとき、フォトレジスト膜の上にも、絶縁膜が堆積する。絶縁膜２０の成膜後、フォトレジスト膜と、その上に堆積している絶縁膜とを、リフトオフ法により除去する。
【００３０】
図１Ｊに示すように、全面に、ＮｉＦｅからなる上部電極２２を、スパッタリングまたは鍍金により形成する。上部電極２２は、再生素子形成領域１１において、キャップ膜５を介して磁気抵抗効果膜４に電気的に接続される。
【００３１】
上記実施例においては、再生素子を構成する磁気抵抗効果膜４の幅（ｙ軸方向の寸法）が、図１Ｂに示したレジストパターン１０の寸法で決定される。二重構造マスクを用いる必要がないため、磁気抵抗効果膜４の幅が１００ｎｍ未満になっても、容易に磁気抵抗効果膜４のパターニングを行うことができる。
【００３２】
また、上記実施例では、図１Ｆに示したＣＭＰ工程において、研磨耐性膜７が研磨ストッパとして機能するため、磁区制御膜１８の厚さの制御が容易である。
【００３３】
図１Ｃに示した研磨耐性膜７のエッチング時に、反応生成物としてＴａＦ５が発生し、スペーサ膜６のエッチング時に、反応生成物としてＳｉＦ４が発生する。ＴａＦ５の沸点は２２９℃、融点は９７〜２３０℃であるため、エッチング時にＴａＦ５が凹部の側壁に付着しやすい。これに対し、ＳｉＦ４の沸点は−８６℃、融点は−９５．７〜−７７℃であるため、エッチング時にガスとして排気される。
【００３４】
実施例においては、研磨耐性膜７が十分薄いため、側壁に付着しやすいＴａＦ５の生成を抑制することができる。スペーサ膜６のエッチング時には、側壁に付着するような反応生成物が発生しないため、スペーサ膜６を厚くすることが可能である。スペーサ膜６の厚さを調節することにより、磁区制御膜１８を所望の厚さに設定することが可能になる。
【００３５】
磁区制御膜１８は、磁気抵抗効果膜４のフリー層に静磁界を印加し、その磁化方向が一方向に揃うように磁区制御を行う。磁区制御膜１８を所望の厚さに設定することができるため、フリー層に所望の大きさの静磁界を印加することが可能になる。
【００３６】
側壁に付着しやすい反応生成物の発生を抑制するために、研磨耐性膜７及びスペーサ膜６の材料として、図１Ｃに示した工程のエッチング条件でスペーサ膜６をエッチングしたときの反応生成物の沸点（蒸気圧）が、研磨耐性膜７をエッチングした時の反応生成物の沸点（蒸気圧）より高いものを選択することが好ましい。ここで、「沸点」とは、外圧が１気圧の条件下における沸点を意味する。一例として、上記実施例のように、ＣＦ４等のフッ素系ガスを用いてエッチングする場合、研磨耐性膜７にＴａを用い、スペーサ膜６にＳｉＯ２を用いればよい。
【００３７】
また、スペーサ膜６を配置しても、研磨耐性膜７が相対的に厚い場合には、スペーサ膜６を配置する十分な効果が得られない。十分な効果を得るために、スペーサ膜６を研磨耐性膜７よりも厚くすることが好ましく、２倍以上の厚さとすることがより好ましい。
【００３８】
図２に、上記実施例による方法で作製した磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置の概略図を示す。ロータリアクチュエータ５４で支持されたサスペンションアーム５３の先端に、ジンバルと呼ばれる支持具でスライダ５２が取り付けられている。スライダ５２の端部に磁気ヘッド５１が取り付けられている。磁気ヘッド５１には、上記実施例による方法で製造される再生素子の他に、公知の方法で作製された記録素子も搭載されている。
【００３９】
磁気ヘッド５１は、磁気ディスク５０の表面から微小な高さだけ浮上している。磁気ディスク５０の表面に、同心円状の多数のトラック５５が画定されている。ロータリアクチュエータ５４を駆動してサスペンションアーム５３を旋回させることにより、磁気ヘッド５１を、磁気ディスク５０上の半径方向に関して異なる位置に移動させることができる。
【００４０】
実施例においては、磁気ヘッド５１の再生素子の幅（ｙ軸方向の寸法）を狭めることができるため、トラック幅を狭め、記録密度の向上を図ることが可能になる。
【００４１】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００４２】
上記実施例から、以下の付記に示された発明が導出される。
【００４３】
（付記１）
（ａ）基板上に、導電材料からなる下部電極を形成する工程と、
（ｂ）前記下部電極の上に、磁界によって電気抵抗を変化させる磁気抵抗効果膜を形成する工程と、
（ｃ）前記磁気抵抗効果膜の上に、スペーサ膜を形成する工程と、
（ｄ）前記スペーサ膜の上に、該スペーサ膜とは異なる材料からなる研磨耐性膜を形成する工程と、
（ｅ）再生素子を配置すべき領域の両側の前記研磨耐性膜及びスペーサ膜を、同一のエッチングガスを用いてエッチングする工程と、
（ｆ）前記工程ｅでエッチングされた領域内の前記磁気抵抗効果膜をエッチングする工程と、
（ｇ）前記工程ｆにおけるエッチング後の表面を、絶縁膜で覆う工程と、
（ｈ）前記工程ｅ及びｆでエッチングされた凹部内に充填されるように、基板上に、磁性材料からなる磁区制御膜を堆積させる工程と、
（ｉ）前記磁区制御膜及び絶縁膜を、前記研磨耐性膜が露出するまで研磨することにより、前記工程ｅ及びｆでエッチングされた凹部内に、該磁区制御膜及び絶縁膜を残す工程と、
（ｊ）前記研磨耐性膜及びスペーサ膜を除去する工程と、
（ｋ）前記再生素子を配置すべき領域に残っている磁気抵抗効果膜の上に、該磁気抵抗効果膜と電気的に接続される上部電極を形成する工程と
を有する磁気ヘッドの製造方法。
【００４４】
（付記２）
前記スペーサ膜は、前記研磨耐性膜よりも厚い付記１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【００４５】
（付記３）
前記スペーサ膜及び研磨耐性膜は、前記工程ｅのエッチング条件で該スペーサ膜をエッチングしたときの反応生成物の沸点が、同一条件で該研磨耐性膜をエッチングしたときの反応生成物の沸点よりも高い材料で形成されている付記１または２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【００４６】
（付記４）
前記研磨耐性膜がＴａで形成され、前記スペーサ膜が酸化シリコンで形成されている付記１乃至３のいずれか１項に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【００４７】
（付記５）
前記工程ｂと工程ｃとの間に、さらに、前記磁気抵抗効果膜の上に、前記スペーサ膜とはエッチング耐性の異なる材料からなるキャップ膜を形成する工程を含み、
前記工程ｆが、工程ｅでエッチングされた領域内の前記キャップ膜をエッチングする工程を含み、
前記工程ｊにおいて、前記スペーサ膜を除去する際に、前記キャップ膜をエッチングストッパとして利用する付記１乃至４のいずれか１項に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【００４８】
（付記６）
前記工程ａとｂとの間に、さらに、前記下部電極の上に、前記磁気抵抗効果膜とはエッチング耐性の異なる材料からなるエッチング耐性膜を形成する工程を含み、
前記工程ｆにおいて、前記磁気抵抗効果膜をエッチングする際に、前記エッチング耐性膜をエッチングストッパとして利用する付記１乃至５のいずれか１項に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【００４９】
（付記７）
前記エッチング耐性膜が、ＴａまたはＴｉで形成されている付記６に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１−１】実施例による磁気ヘッドの製造方法を説明するための製造工程途中における磁気ヘッドの断面図である。
【図１−２】実施例による磁気ヘッドの製造方法を説明するための製造工程途中における磁気ヘッドの断面図である。
【図１−３】実施例による磁気ヘッドの製造方法を説明するための製造工程途中における磁気ヘッドの断面図である。
【図１−４】実施例による磁気ヘッドの製造方法で製造される磁気ヘッドの断面図である。
【図２】実施例による方法で作製される磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置の概略図である。
【図３】二重構造マスクを用いた従来の磁気ヘッドの製造方法を説明するための製造途中段階における磁気ヘッドの断面図である。
【図４−１】二重構造マスクを用いない従来の磁気ヘッドの製造方法を説明するための製造途中段階における磁気ヘッドの断面図である。
【図４−２】二重構造マスクを用いない従来の磁気ヘッドの製造方法を説明するための製造途中段階における磁気ヘッドの断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  基板
２  下部電極
３  エッチング耐性膜
４  磁気抵抗効果膜
５  キャップ膜
６  スペーサ膜
７  研磨耐性膜
１０  レジストパターン
１１  再生素子形成領域
１５  絶縁膜
１８  磁区制御膜
２０  絶縁膜
２２  上部電極
５０  磁気ディスク
５１  磁気ヘッド
５２  スライダ
５３  サスペンションアーム
５４  ロータリアクチュエータ
５５  トラック
１００  基板
１０１  磁気抵抗効果膜
１０２  二重構造マスク
１１０  ハード膜
１１１  電極膜
１５０  基板
１５１  下部電極
１５２  磁気抵抗効果膜
１５５  レジストパターン
１６０  絶縁膜
１６１  磁区制御膜
【図１−１】
2008204588.tif 000003
【図１−２】
2008204588.tif 000004
【図１−３】
2008204588.tif 000005
【図１−４】
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【図２】
2008204588.tif 000007
【図３】
2008204588.tif 000008
【図４−１】
2008204588.tif 000009
【図４−２】
2008204588.tif 000010