(57)【要約】【課題】半透過型液晶表示装置の液晶注入工程を行う際に、液晶の位置による液晶の不均一をなくすことができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一特徴による液晶表示装置は、第１基板と、第１基板上に形成され、透明電極及び該透明電極の一部の上に形成される反射電極を含む複数の画素電極と、第１基板に対向する第２基板と、第１基板及び第２基板の間に滴下法で注入される液晶層と、反射電極と対応する位置に形成される複数の有機絶縁膜パターンと、を備える。本発明によれば、半透過液晶表示装置の反射領域と透過領域のセル間隔を調節する有機絶縁膜パターンの配置及び形態を調整して液晶を滴下注入法で注入する場合、液晶を均一で迅速に拡散させてセル間隔を均一にし、液晶表示装置に染みなどの不良を防止することができる。【選択図】図７
2008186016.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板上に形成され、透明電極及び該透明電極の一部の上に形成される反射電極を含む複数の画素電極と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に注入される液晶層と、
前記反射電極と対応する位置に形成される複数の有機絶縁膜パターンと、を備え、
前記有機絶縁膜パターンは、行方向に２つの画素電極ずつ互いに隣接して形成され、行方向に２つの画素電極が周期的に繰り返されて配置されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記液晶層は、滴下法で注入されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記有機絶縁膜パターンは、前記画素電極の短い一辺と同一な長さの一辺を含む四角形態の平面模様を有することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記透明電極及び前記反射電極が共に形成される領域における液晶層の厚さは、前記透明電極のみ形成される領域における液晶層の厚さの約１／２であることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記有機絶縁膜パターンは前記第１基板上に形成され、前記画素電極は前記第１基板及び前記有機絶縁膜パターン上に形成されることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記有機絶縁膜パターンの表面は凹凸構造を有し、前記画素電極は前記有機絶縁膜パターンの凹凸構造に沿って屈曲していることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記有機絶縁膜パターンは、前記第２基板上に形成されることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記液晶表示装置は、行方向に伸びる複数のゲート線と、該ゲート線から上または下に拡張される複数のゲート電極を有し、前記画素電極と電気的に接続される複数の薄膜トランジスタとをさらに備え、
前記ゲート線及び前記薄膜トランジスタは行方向に２つずつ互いに近く隣接して配置され、この配置は行方向に一定に繰り返され、
前記薄膜トランジスタは前記有機絶縁膜パターンの下に配置されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記反射電極の平面積は、前記透明電極平面積の約５０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記有機絶縁膜パターンは、前記透明電極に対応する位置に配置されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
第１基板と、
前記第１基板上に形成され、透明電極及び該透明電極の一部の上に形成される反射電極を含む複数の画素電極と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に注入される液晶層と、
前記反射電極と対応する位置に形成される複数の有機絶縁膜パターンと、を備え、
前記有機絶縁膜パターンは、前記画素電極の長い一辺及び短い一辺より各々短い長辺及び短辺を有する平面形態であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
前記液晶層は、滴下法で注入されることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記透明電極及び前記反射電極が共に形成される領域における液晶層の厚さは、前記透明電極のみ形成される領域における液晶層の厚さの約１／２であることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記有機絶縁膜パターンは、前記画素電極より小さい辺を有する多角形形態の平面形態を有することを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記有機絶縁膜パターンは、長方形または直三角形の平面形態を有することを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記有機絶縁膜パターンは前記第１基板上に形成され、前記画素電極は前記第１基板及び前記有機絶縁膜パターン上に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記有機絶縁膜パターンの表面は凹凸構造を有し、前記画素電極は前記有機絶縁膜パターンの凹凸構造に沿って屈曲していることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記有機絶縁膜パターンは、前記第２基板上に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記反射電極の平面積は、前記透明電極の平面積の約５０％以上であることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記有機絶縁膜パターンは、行方向に一定に配置され、行方向に１つの画素電極が周期的に繰り返されて配置されることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記液晶表示装置は、行方向に伸び、複数のゲート電極を含む複数のゲート線と、列方向に伸び、複数のソース電極を含む複数のデータ線と、前記画素電極と電気的に接続されるドレイン電極、前記ゲート電極、及び前記ソース電極を三端子として有する複数の薄膜トランジスタとをさらに備え、
前記ゲート線は行方向に２つずつ互いに近く隣接して配置され、前記データ線は列方向に２つずつ互いに近く隣接して配置され、そして前記薄膜トランジスタは行方向と列方向に２つずつ、全て４個ずつ互いに近く隣接して配置され、
前記薄膜トランジスタは前記有機絶縁膜パターンの下に配置されることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記有機絶縁膜パターンは、前記透明電極に対応する位置に配置されることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
第１基板上に複数の有機絶縁膜パターンと、透明電極及び該透明電極の一部の上に形成される反射電極を含む複数の画素電極を有する複数の薄膜層とを形成して第１表示板を形成する段階と、
第２基板上に複数の薄膜層を形成して第２表示板を形成する段階と、
前記第１表示板周囲に閉曲線模様で封印材を配置する段階と、
前記第１表示板上に液晶を滴下する段階と、
前記第１表示板と対向するように前記第２表示板を整列する段階と、
前記対向する第１表示板と前記第２表示板とを接合する段階と、
前記接合された第１表示板及び第２表示板の間に配置される封印材を硬化する段階と、を有し、
前記有機絶縁膜パターンは、前記反射電極と対応する領域に形成され、行方向に２つの画素電極ずつ互いに隣接して形成され、行方向に２つの画素電極が周期的に繰り返されて配置されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２４】
第１基板上に複数の有機絶縁膜パターンを含む複数の薄膜層を形成して第１表示板を形成する段階と、
第２基板上に透明電極及び該透明電極の一部の上に形成される反射電極を含む複数の画素電極を有する複数の薄膜層を形成して第２表示板を形成する段階と、
前記第１表示板周囲に閉曲線模様で封印材を配置する段階と、
前記第１表示板上に液晶を滴下する段階と、
前記第１表示板と対向するように前記第２表示板を整列する段階と、
前記対向する第１表示板と前記第２表示板とを接合する段階と、
前記接合された第１表示板及び第２表示板の間に配置された封印材を硬化する段階と、を有し、
前記有機絶縁膜パターンは、前記反射電極と対応する領域に形成され、行方向に２つの画素電極ずつ互いに隣接して形成され、行方向に２つの画素電極が周期的に繰り返されて配置されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２５】
第１基板上に複数の有機絶縁膜パターンと、透明電極及び該透明電極の一部の上に形成される反射電極を含む複数の画素電極を有する複数の薄膜層とを形成して第１表示板を形成する段階と、
第２基板上に複数の薄膜層を形成して第２表示板を形成する段階と、
前記第１表示板周囲に閉曲線模様で封印材を配置する段階と、
前記第１表示板上に液晶を滴下する段階と、
前記第１表示板と対向するように前記第２表示板を整列する段階と、
前記対向する第１表示板と前記第２表示板とを接合する段階と、
前記接合された第１表示板及び第２表示板の間に配置された封印材を硬化する段階と、を有し、
前記有機絶縁膜パターンは、前記反射電極と対応する領域に形成され、前記画素電極の長い一辺及び短い一辺より各々短い長辺及び短辺を有する多角形の平面形態であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２６】
第１基板上に複数の有機絶縁膜パターンを含む複数の薄膜層を形成して第１表示板を形成する段階と、
第２基板上に透明電極及び該透明電極の一部の上に形成される反射電極を含む複数の画素電極を有する複数の薄膜層を形成して第２表示板を形成する段階と、
前記第１表示板周囲に閉曲線模様で封印材を配置する段階と、
前記第１表示板上に液晶を滴下する段階と、
前記第１表示板と対向するように前記第２表示板を整列する段階と、
前記対向する第１表示板と前記第２表示板とを接合する段階と、
前記接合された第１表示板及び第２表示板の間に配置された封印材を硬化する段階と、を有し、
前記有機絶縁膜パターンは、前記反射電極と対応する領域に形成され、前記画素電極の長い一辺及び短い一辺より各々短い長辺及び短辺を有する多角形の平面形態であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記有機絶縁膜パターンは、長方形または直三角形の平面形態を有することを特徴とする請求項２５または２６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記液晶表示装置は複数の画素を含み、前記有機絶縁膜パターンは４個の画素ごとに互いに隣接して配置されることを特徴とする請求項２５または２６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半透過型液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に液晶表示装置は電界生成電極と偏光板が備えられた一対の表示板の間に位置した液晶層を含む。電界生成電極は液晶層に電界を生成し、このような電界の強さが変化することによって液晶分子の配列が変化する。例えば、電界が印加された状態で液晶層の液晶分子はその配列を変化させて液晶層を通る光の偏光を変化させる。偏光板は偏光された光を適切に遮断または透過させて明るいまたは暗い領域を作り出して所望の映像を表示する。
【０００３】
液晶表示装置は自ら発光できない受光型表示装置であるので、別個に備えられた後光装置のランプから出る光を、液晶層を通過させたり、自然光などの外部から入る光を、液晶層を一担通過させ再び反射して液晶層を再び通過させたりする。前者の場合を透過型液晶表示装置と言い、後者の場合を反射型液晶表示装置と言うが、後者の場合は主に中小型表示装置に使用される。また、環境に応じて後光装置を使用したり外部光を使用したりする半透過型または反射−透過型液晶表示装置が開発されて主に中小型表示装置に適用される。
【０００４】
半透過型液晶表示装置の場合、各画素に透過領域と反射領域を有するが、透過領域では液晶表示装置の背面から入射した光が液晶層を通過して前面に出て表示を行う。反射領域では前面から入った光が液晶層に入り、その後、反射電極によって反射されて液晶層を再び通過して前面に出ることによって表示を行う。
このように、透過領域では光が液晶層を１回通過し、反射領域では２回通過する。このような液晶層の通過回数の差は表示される光の明るさに影響を与えて表示される画面の色調に影響を与える。
したがって、これを解消するために透過領域と反射領域の液晶層の厚さ、即ち、セル間隔を異ならせて形成することが一般的であり、反射領域に有機絶縁膜パターンを形成して透過領域でのセル間隔を反射領域でのセル間隔の２倍にする。
【０００５】
一方、一般的な液晶表示装置の製造工程は表示板製造工程、配向処理、対向する表示板の間に液晶を封入する液晶セル工程、そしてドライバーＩＣの付着及びバックライト装着などを行うモジュール工程に分類される。
このような液晶表示装置の製造工程で液晶セル工程は液晶を注入する方法に応じて真空注入法と滴下注入法などに区分される。
【０００６】
真空注入法による液晶セル工程は、まず、２つの表示板のうちの１つの表示板の周囲に液晶注入口を有する封印材を印刷する。次いで、両基板を整列した後、熱圧着工程によって２つの表示板を熱硬化性封印材で接合する。次に、液晶と接合された表示板を真空槽に入れて封印材で形成された液晶注入口を液晶に浸してセル内部に液晶を注入した後、注入された液晶が漏れないように液晶注入口を封入する。
【０００７】
滴下注入法による液晶セル工程は、２つの表示板に配向膜塗布及び配向処理を実施し、両基板のうちのいずれか１つの基板周囲に閉曲線模様で封印材を形成した後、基板上部に液晶を滴下する。次いで、両基板を整列して接合した後、封印材を硬化させる。
【０００８】
このうち、真空注入法の場合には２つの表示板を接合し、液晶を注入して再び液晶注入口を封入する複数の段階を経るため製造時間が長く、その結果製造費用が増加する。したがって、真空注入法よりは滴下注入法がより経済的である。
【０００９】
しかし、半透過型液晶表示装置の場合には、液晶を滴下注入法で注入する場合、反射領域に形成されている有機絶縁膜パターンによる表示板表面の段差によって滴下された液晶が遅く不均一に拡散することがある。また、このような液晶の不均一な拡散によってセル間隔が均一でないこともあり、液晶内に気泡などが発生する可能性もあり、その結果液晶表示装置に染みなどの不良が発生することがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、半透過型液晶表示装置の液晶注入工程を行う際に、液晶の位置による液晶の不均一をなくすことができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するためになされた本発明の一特徴による液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板上に形成され、透明電極及び該透明電極の一部の上に形成される反射電極を含む複数の画素電極と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に注入される液晶層と、前記反射電極と対応する位置に形成される複数の有機絶縁膜パターンと、を備え、前記有機絶縁膜パターンは、行方向に２つの画素電極ずつ互いに隣接して形成され、行方向に２つの画素電極が周期的に繰り返されて配置される。
前記液晶層は、滴下法で注入することができる。
前記有機絶縁膜パターンは、前記画素電極の短い一辺と同一な長さの一辺を含む四角形態の平面模様を有することができる。
前記透明電極及び前記反射電極が共に形成される領域における液晶層の厚さは、前記透明電極のみ形成されている領域における液晶層の厚さの約１／２であり得る。
前記有機絶縁膜パターンは前記第１基板上に形成され、前記画素電極は前記第１基板及び前記有機絶縁膜パターン上に形成され得る。
前記有機絶縁膜パターンの表面は凹凸構造を有し、前記画素電極は前記有機絶縁膜パターンの凹凸構造に沿って屈曲していてもよい。
前記有機絶縁膜パターンは、前記第２基板上に形成することができる。
前記液晶表示装置は、行方向に伸びる複数のゲート線と、該ゲート線から上または下に拡張される複数のゲート電極を有し、前記画素電極と電気的に接続される複数の薄膜トランジスタをさらに備えることができる。前記ゲート線及び前記薄膜トランジスタは行方向に２つずつ互いに近く隣接して配置されて行方向に一定に繰り返され得る。前記薄膜トランジスタは前記有機絶縁膜パターンの下に配置されてもよい。
前記反射電極の平面積は、前記透明電極の平面積の約５０％以下であってもよい。
前記有機絶縁膜パターンは、前記透明電極に対応する位置に配置することができる。
【００１２】
上記目的を達成するためになされた本発明の他の特徴による液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板上に形成され、透明電極及び該透明電極の一部の上に形成される反射電極を含む複数の画素電極と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に注入される液晶層と、前記反射電極と対応する位置に形成される複数の有機絶縁膜パターンと、を備え、前記有機絶縁膜パターンは、前記画素電極の長い一辺及び短い一辺より各々短い長辺及び短辺を有する平面形態である。
前記液晶層は、滴下法で注入することができる。
前記透明電極及び前記反射電極が共に形成される領域における液晶層の厚さは、前記透明電極のみ形成される領域における液晶層の厚さの約１／２であってもよい。
前記有機絶縁膜パターンは、前記画素電極より小さい辺を有する多角形形態の平面形態を有することができる。
前記有機絶縁膜パターンは、長方形または直三角形の平面形態を有することができる。
前記有機絶縁膜パターンは前記第１基板上に形成され、前記画素電極は前記第１基板及び前記有機絶縁膜パターン上に形成されてもよい。
前記有機絶縁膜パターンの表面は凹凸構造を有し、前記画素電極は前記有機絶縁膜パターンの凹凸構造に沿って屈曲していてもよい。
有機絶縁膜パターンは、前記第２基板上に形成されてもよい。
前記反射電極の平面積は、前記透明電極の平面積の約５０％以上であり得る。
前記有機絶縁膜パターンは、行方向に一定に配置され、行方向に１つの画素電極が周期的に繰り返されて配置され得る。
前記液晶表示装置は、行方向に伸び、複数のゲート電極を含む複数のゲート線と、列方向に伸び、複数のソース電極を含む複数のデータ線と、前記画素電極と電気的に接続されるドレイン電極、前記ゲート電極、及び前記ソース電極を三端子として有する複数の薄膜トランジスタをさらに備えることができる。前記ゲート線は行方向に２つずつ互いに近く隣接して配置され、前記データ線は列方向に２つずつ互いに近く隣接して配置され、前記薄膜トランジスタは行方向と列方向に２つずつ、全て４個ずつ互いに近く隣接して配置され得る。前記薄膜トランジスタは前記有機絶縁膜パターンの下に配置されてもよい。
前記有機絶縁膜パターンは、前記透明電極に対応する位置に配置することができる。
【００１３】
上記目的を達成するためになされた本発明の一特徴による液晶表示装置の製造方法は、第１基板上に複数の有機絶縁膜パターンと、透明電極と透明電極の一部の上に形成される反射電極を含む複数の画素電極を含む複数の薄膜層とを形成して第１表示板を形成する段階と、第２基板上に複数の薄膜層を形成して第２表示板を形成する段階と、前記第１表示板周囲に閉曲線模様で封印材を配置する段階と、前記第１表示板上に液晶を滴下する段階と、前記第１表示板と対向するように前記第２表示板を整列する段階と、前記対向する第１表示板と前記第２表示板とを接合する段階と、前記接合された第１表示板及び第２表示板の間に配置された封印材を硬化する段階と、を有し、前記有機絶縁膜パターンは、前記反射電極と対応する領域に形成され、行方向に２つの画素電極ずつ互いに隣接して形成され、行方向に２つの画素電極が周期的に繰り返される。
【００１４】
上記目的を達成するためになされた本発明の他の特徴による液晶表示装置の製造方法は、第１基板上に複数の有機絶縁膜パターンを含む複数の薄膜層を形成して第１表示板を形成する段階と、第２基板上に透明電極及び該透明電極の一部の上に形成される反射電極を含む複数の画素電極を有する複数の薄膜層を形成して第２表示板を形成する段階と、前記第１表示板周囲に閉曲線模様で封印材を配置する段階と、前記第１表示板上に液晶を滴下する段階と、前記第１表示板と対向するように前記第２表示板を整列する段階と、前記対向する第１表示板と前記第２表示板とを接合する段階と、前記接合された第１表示板及び第２表示板の間に配置された封印材を硬化する段階と、を有し、前記有機絶縁膜パターンは、前記反射電極と対応する領域に形成され、行方向に２つの画素電極ずつ互いに隣接して形成され、行方向に２つの画素電極が周期的に繰り返されて配置される。
【００１５】
また、上記目的を達成するためになされた本発明の他の特徴による液晶表示装置の製造方法は、第１基板上に複数の有機絶縁膜パターンと、透明電極及び該透明電極の一部の上に形成される反射電極を含む複数の画素電極を有する複数の薄膜層とを形成して第１表示板を形成する段階と、第２基板上に複数の薄膜層を形成して第２表示板を形成する段階と、前記第１表示板周囲に閉曲線模様で封印材を配置する段階と、前記第１表示板上に液晶を滴下する段階と、前記第１表示板と対向するように前記第２表示板を整列する段階と、前記対向する第１表示板と前記第２表示板とを接合する段階と、前記接合された第１表示板及び第２表示板の間に配置された封印材を硬化する段階と、を有し、前記有機絶縁膜パターンは、前記反射電極と対応する領域に形成され、前記画素電極の長い一辺及び短い一辺より各々短い長辺及び短辺を有する多角形の平面である。
【００１６】
さらに、上記目的を達成するためになされた本発明の他の特徴による液晶表示装置の製造方法は、第１基板上に複数の有機絶縁膜パターンを含む複数の薄膜層を形成して第１表示板を形成する段階と、第２基板上に透明電極及び該透明電極の一部の上に形成される反射電極を含む複数の画素電極を有する複数の薄膜層を形成して第２表示板を形成する段階と、前記第１表示板周囲に閉曲線模様で封印材を配置する段階と、前記第１表示板上に液晶を滴下する段階と、前記第１表示板と対向するように前記第２表示板を整列する段階と、前記対向する第１表示板と前記第２表示板とを接合する段階と、前記接合された第１表示板及び第２表示板の間に配置された封印材を硬化する段階と、を有し、前記有機絶縁膜パターンは、前記反射電極と対応する領域に形成され、前記画素電極の長い一辺及び短い一辺より各々短い長辺及び短辺を有する多角形の平面形態である。
前記有機絶縁膜パターンは、長方形または直三角形の平面形態を有することができる。
前記液晶表示装置は複数の画素を含み、前記有機絶縁膜パターンは４個の画素ごとに互いに隣接して配置されてもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、半透過液晶表示装置の反射領域と透過領域のセル間隔を調節する有機絶縁膜パターンの配置及び形態を調整することで、液晶を滴下注入法で注入する場合、液晶が均一且つ急速に拡散してセル間隔を均一にし、液晶表示装置に染みなどの不良を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の半透過型液晶表示装置及びその製造方法を実施するための最良の形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１９】
図面では、多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似の部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“直上”にあるとする時には中間に他の部分がないことを意味する。
【００２０】
図１は、本発明の実施例１による液晶表示装置の配置図であり、図２及び図３は、各々図１に示した液晶表示装置をＩＩ−ＩＩ線及びＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【００２１】
本実施例による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板１００と、これと対向する共通電極表示板２００、そしてこれらの間に挿入される液晶分子を含む液晶層３からなる。
【００２２】
まず、薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁物質からなる（第１）基板１１０上に複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成される。
【００２３】
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に横方向に伸びる。各ゲート線１２１は上に突き出した複数のゲート電極１２４と他の層または外部駆動回路との接続のために面積の広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は基板１１０上に付着される可撓性印刷回路フィルム（図示せず）上に装着することができ、基板１１０上に直接装着することもでき、基板１１０に集積することもできる。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積される場合、ゲート線１２１が延長されてこれと直接接続されるようにすることができる。
【００２４】
維持電極線１３１は、所定の電圧の印加を受け、ゲート線１２１とほぼ平行に伸びる。各維持電極線１３１は、隣接した２つのゲート線１２１の間に位置し、２つのゲート線１２１のうちの下側のゲート線に近い。維持電極線１３１は上下に拡張された維持電極１３７を含む。しかし、維持電極線１３１の模様及び配置は多様に変更することができる。
【００２５】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１はアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などで作ることができる。しかし、これらは物理的性質の異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することもできる。このうちの１つの導電膜は信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗の低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで作られる。これとは異なって、他の導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）及びＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどで作られる。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート線１２１及び維持電極線１３１はこの他にも多様な金属または導電体で作ることができる。
【００２６】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は基板１１０面に対して傾き、その傾斜角は約３０°乃至約８０°であるのが好ましい。
【００２７】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などで作られたゲート絶縁膜１４０が形成される。
【００２８】
ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは略してａ−Ｓｉとも言う）または多結晶シリコンなどで作られた複数の線状の半導体１５１が形成される。線状の半導体１５１は主に縦方向に伸び、ゲート電極１２４に向かって伸びて出た複数の突出部１５４を含み、突出部１５４から拡張部１５７が伸びている。線状の半導体１５１はゲート線１２１及び維持電極線１３１付近で幅が広くなり、これらを幅広く覆っている。
【００２９】
半導体１５１上には複数の線状及び島状の抵抗性接触（オーミックコンタクト）部材が形成される。抵抗性接触部材はリンなどのｎ型不純物が高濃度でドーピングされるｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で作ることもでき、シリサイドで作ることもできる。線状の抵抗性接触部材は複数の突出部１６３を有し、この突出部１６３と島状の抵抗性接触部材１６５は対をなして半導体１５１の突出部１５４上に配置される。
【００３０】
半導体（１５１、１５４、１５７）と抵抗性接触部材の側面もまた基板１１０面に対して傾き、傾斜角は３０°乃至８０°程度である。
【００３１】
抵抗性接触部材及びゲート絶縁膜１４０上には複数のデータ線１７１と、これから分離する複数のドレイン電極１７５が形成される。
【００３２】
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向に伸びてゲート線１２１と交差する。各データ線１７１はゲート電極１２４に向かって伸びる複数のソース電極１７３と他の層または外部駆動回路との接続のために面積の広い端部１７９を含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は基板１１０上に付着される可撓性印刷回路フィルム（図示せず）上に装着することができ、基板１１０上に直接装着することもでき、基板１１０に集積することもできる。データ駆動回路が基板１１０上に集積される場合、データ線１７１が伸びてこれと直接接続できる。
【００３３】
ドレイン電極１７５は、データ線１７１と分離され、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。各ドレイン電極１７５は面積の広い一側の端部１７７と棒状の他側の端部を有する。広い端部１７７は維持電極１３７と重なり、棒状の端部は曲がったソース電極１７３で一部囲まれている。
【００３４】
１つのゲート電極１２４、１つのソース電極１７３及び１つのドレイン電極１７５は半導体１５１の突出部１５４と共に１つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャンネルはソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の突出部１５４に形成される。
【００３５】
データ線１７１及びドレイン電極１７５はモリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなどの耐火性金属またはこれらの合金で作られるのが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としてはクロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ線１７１及びドレイン電極１７５はこの他にも多様な金属または導電体で作ることができる。
【００３６】
データ線１７１及びドレイン電極１７５もまた、その側面が基板１１０面に対して３０°乃至８０°程度の傾斜角で傾くのが好ましい。
【００３７】
抵抗性接触部材は、その下の半導体（１５１、１５４、１５７）とその上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。大部分の所では線状の半導体１５１がデータ線１７１より狭いが、上述のようにゲート線１２１と接する部分で幅が広くなって表面のプロファイルを緩やかにしてデータ線１７１が断線することを防止する。半導体１５４には、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間をはじめとして、データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われずに露出した部分がある。
【００３８】
データ線１７１、ドレイン電極１７５及び露出した半導体（１５４、１５７）部分の上には保護膜１８０が形成される。
【００３９】
保護膜１８０は、無機絶縁物または有機絶縁物などで作られ、表面が平坦であってもよい。無機絶縁物の例としては窒化シリコンと酸化シリコンがある。有機絶縁物は感光性を有することができ、その誘電定数は約４．０以下であるのが好ましい。しかし、保護膜１８０は有機膜の優れた絶縁特性を生かしながら、露出した半導体（１５４、１５７）部分に対して害にならないように下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することができる。
【００４０】
保護膜１８０の一部の上には有機絶縁膜パターン１８７が形成される。
【００４１】
有機絶縁膜パターン１８７は、４．０以下の誘電定数を有するのが好ましく、感光性を有してもよく、その表面には凹凸が形成される。
【００４２】
保護膜１８０及び有機絶縁膜パターン１８７にはデータ線１７１の端部１７９とドレイン電極１７５を各々露出する複数の接触孔（コンタクトホール）（１８２、１８５）が形成され、保護膜１８０、有機絶縁膜パターン１８７、そしてゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出する複数の接触孔１８１が形成される。
【００４３】
保護膜１８０上には複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材（８１、８２）が形成される。
【００４４】
各画素電極１９１の一部は有機絶縁膜パターン１８７の凹凸に沿って屈曲し、透明電極１９２及びその上の反射電極１９４を含む。透明電極１９２はＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で作られ、反射電極１９４はアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属で作られる。しかし、反射電極１９４はアルミニウム、銀、またはその合金などの低抵抗反射性上部膜（図示せず）とモリブデン系金属、クロム、タンタル及びチタニウムなどのＩＴＯまたはＩＺＯと接触特性のよい下部膜（図示せず）の二重膜構造を有することができる。
【００４５】
反射電極１９４は透明電極１９２の一部の上にのみ存在して透明電極１９２の他の部分を露出し、反射電極１９４が形成される部分は有機絶縁膜パターン１８７が形成される部分に位置する。有機絶縁膜パターン１８７は画素電極１９１の短い一辺と同一な長さの一辺を含む四角形態の平面模様を有する。
【００４６】
画素電極１９１は、接触孔１８５を通じてドレイン電極１７５と物理的、電気的に接続され、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９１は共通電圧の印加を受ける共通電極表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成して画素電極１９１及び共通電極２７０の２つの電極間の液晶層３の液晶分子の方向を決める。このように決められた液晶分子の方向に応じて液晶層３を通過する光の偏光が変わる。画素電極１９１と共通電極２７０はキャパシタ（以下、“液晶キャパシタ”と言う）を構成して薄膜トランジスタが遮断された後にも印加された電圧を維持する。
【００４７】
薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００及び液晶層３などを含む半透過型液晶表示装置は、透明電極１９２及び反射電極１９４によって各々定義される透過領域ＴＡ及び反射領域ＲＡに区画することができる。具体的には、有機絶縁膜パターン１８７の上下に位置する部分は反射領域ＲＡとなる。本実施例による液晶表示装置の反射領域ＲＡは全画素電極１９１の約５０％未満であってもよい。つまり、液晶表示装置の各画素で透過領域ＴＡが反射領域ＲＡより広くてもよい。
【００４８】
透過領域ＴＡでは液晶表示装置の背面、即ち、薄膜トランジスタ表示板１００側から入射した光が液晶層３を通過して前面、即ち、共通電極表示板２００側に出ることによって表示を行う。反射領域ＲＡでは前面から入った光が液晶層３に入って、反射電極１９４によって反射されて液晶層３を再び通過して前面に出ることによって表示を行う。この時、反射電極１９４の屈曲は光の乱反射を誘導して画面に物体が映る現象を防止する。
【００４９】
透過領域ＴＡには有機絶縁膜パターン１８７がないので、透過領域ＴＡでの液晶層３の厚さ、またはセル間隔ｄが反射領域ＲＡでのセル間隔（ｄ／２）より大きい。特に、透過領域ＴＡでのセル間隔が反射領域ＲＡでのセル間隔の２倍であるのが好ましい。
【００５０】
一方、薄膜トランジスタは有機絶縁膜パターン１８７及び反射電極１９４の下に配置されて液晶表示装置の開口率を高めることができる。
【００５１】
画素電極１９１及びこれと電気的に接続されるドレイン電極１７５は維持電極線１３１と重なる。画素電極１９１及びこれと電気的に接続されるドレイン電極１７５が維持電極線１３１と重なってなすキャパシタを“ストレージキャパシタ”と言い、ストレージキャパシタは液晶キャパシタの電圧維持能力を強化する。
【００５２】
接触補助部材（８１、８２）は各々接触孔（１８１、１８２）を通ってゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と接続される。接触補助部材（８１、８２）はゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
【００５３】
次に、共通電極表示板２００について説明する。
【００５４】
透明なガラスまたはプラスチックなどの絶縁物質からなる（第２）基板２１０上に遮光部材２２０が形成される。遮光部材２２０は黒色層とも言い、画素電極１９１と対向する複数の開口領域を定義する一方、画素電極１９１の間の光漏れを防止する。
【００５５】
基板２１０上にはまた複数の色フィルター２３０が形成され、遮光部材２２０で囲まれた開口領域内に大部分入るように配置される。色フィルター２３０は画素電極１９１に沿って縦方向に長く伸びて帯を構成することができる。各色フィルター２３０は赤色、緑色及び青色の三原色など、基本色のうちの１つを表示することができる。
【００５６】
図示してはいないが、本発明の実施例による液晶表示装置の色フィルター２３０の厚さは位置に応じて異なり得るが、透過領域ＴＡに配置される色フィルター２３０の厚さは反射領域ＲＡに配置される色フィルター２３０の厚さより厚くてもよい。また、透過領域ＴＡに配置される色フィルター２３０の平均厚さは反射領域ＲＡに配置される色フィルター２３０の平均厚さの約２倍であってもよい。
【００５７】
上述のように、半透過型液晶表示装置の場合、各画素に透過領域ＴＡと反射領域ＲＡをおくが、透過領域ＴＡでは光が色フィルターを一回のみ通過し、反射領域ＲＡでは２回通過する。このような色フィルターの通過回数の差は表示される画面の色相色調に影響を与えることがある。しかし、本発明の実施例による液晶表示装置の場合には、透過領域ＴＡに配置される色フィルター２３０の平均厚さが反射領域ＲＡに配置される色フィルター２３０の平均厚さより約２倍厚いので、このような光の通過回数による色調の差を補償することができる。
【００５８】
色フィルター２３０及び遮光部材２２０上には有機物質などからなる蓋膜２５０が形成される。蓋膜２５０は光孔を充填し、色フィルター２３０の表面を平坦にして保護する役割を果たす。
【００５９】
蓋膜２５０上にはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質からなる共通電極２７０が形成される。
【００６０】
以下、図４乃至図６を参照して本発明の実施例２による液晶表示装置について詳細に説明する。図４は、本発明の実施例２による液晶表示装置の配置図であり、図５及び図６は、各々図４に示した液晶表示装置をＶ−Ｖ線及びＶＩ−ＶＩ線に沿って切断した断面図である。
【００６１】
本実施例による液晶表示装置の層状構造は上述した実施例１による液晶表示装置と類似している。
【００６２】
まず、薄膜トランジスタ表示板１００を参照すると、基板１１０上に複数のゲート電極１２４及び端部１２９を含む複数のゲート線１２１と複数の維持電極１３７を含む複数の維持電極線１３１が形成される。ゲート線１２１及び維持電極線１３１上にはゲート絶縁膜１４０、突出部１５４を含む複数の線状の半導体１５１、突出部１６３を含む複数の線状の抵抗性接触部材及び複数の島状の抵抗性接触部材１６５が順次に形成される。
【００６３】
抵抗性接触部材上には複数のソース電極１７３及び端部１７９を含む複数のデータ線１７１及び複数のドレイン電極１７５が形成され、その上に保護膜１８０が形成される。保護膜１８０は無機絶縁物質からなる下部保護膜１８０ｐと有機絶縁物質からなる上部保護膜１８０ｑを含む。上部保護膜１８０ｑの表面は凹凸構造を有する。保護膜１８０は複数の接触孔（１８１、１８２、１８５）を有し、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数の接触孔１８１が形成される。
【００６４】
上部保護膜１８０ｑ上には複数の画素電極１９１が形成される。画素電極１９１は透明電極１９２と反射電極１９４を含む。反射電極１９４は透明電極１９２の一部の上に形成される。画素電極１９１は上部保護膜１８０ｑの凹凸構造に沿って屈曲している。
【００６５】
次に、共通電極表示板２００を参照すると、基板２１０上に複数の遮光部材２２０、複数の色フィルター２３０、蓋膜２５０、そして共通電極２７０が形成される。蓋膜２５０は有機絶縁膜パターン２５１を含む。
【００６６】
しかし、図１乃至図３に示した液晶表示装置とは異なって、液晶表示装置の透過領域ＴＡと反射領域ＲＡのセル間隔を調節するための有機絶縁膜パターン２５１が共通電極表示板２００に形成される。また、上記実施例１による液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板１００に形成される有機絶縁膜パターン１８７を含まない。この時、有機絶縁膜パターン２５１は図１乃至図３に示した有機絶縁膜パターン１８７と同一な平面形態を有する。
【００６７】
有機絶縁膜パターン２５１は薄膜トランジスタ表示板１００の反射電極１９４に対応する位置に形成される。したがって、透過領域ＴＡでのセル間隔ｄは反射領域ＲＡでのセル間隔（ｄ／２）より約２倍大きい。
【００６８】
次に、先に説明した実施例１、２による液晶表示装置の有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）について図７を参照してさらに詳しく説明する。図７は、図１乃至図３または図４乃至図６に示した液晶表示装置の複数の画素を示す配置図である。
【００６９】
図７を参照すると、液晶表示装置は行方向に伸びる複数のゲート線１２１を含み、２つのゲート線１２１が互いに近く隣接して配置され、この配置は行方向に一定に（所定の間隔で）繰り返される。また、液晶表示装置は複数の画素を含み、ゲート線１２１から上または下に拡張されるゲート電極１２４を含む各画素の薄膜トランジスタＴは各有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）の下に配置されて行方向に２つの画素ずつ互いに隣接して形成され、２つの画素をひとかたまりとして周期的に繰り返すように配置される。
【００７０】
液晶表示装置は複数の画素を含み、各画素の有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）は行方向に２つの画素ずつ互いに隣接して形成される。また、行方向に２つの画素が周期的に繰り返されるように配置される。上述のように、本実施例による液晶表示装置で有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）の上下に位置する反射領域ＲＡは透過領域ＴＡより狭い。
【００７１】
ここで、本発明の一実施例による液晶表示装置の製造方法について図８乃至図１０を参照して説明する。
【００７２】
図８を参照すると、基板１１０上にゲート線、データ線、薄膜トランジスタ、有機絶縁膜パターン、画素電極などを含む薄膜層１１１を形成して薄膜トランジスタ表示板１００を完成し、薄膜トランジスタ表示板１００周囲に閉曲線模様で封印材（図示せず）を配置する。次に、図９に示すように薄膜トランジスタ表示板１００上に液晶３０を滴下する。次に、図１０に示すように、共通電極などを含む薄膜層２１１が形成される共通電極表示板２００を液晶３０が滴下された薄膜トランジスタ表示板１００と互いに対向するように配置した後、接合する。この時、滴下された液晶３０は２つの表示板（１００、２００）の間に一定に拡散する。接合された薄膜トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００の２つの表示板を硬化して封印材を硬化することで液晶表示装置を形成する。
【００７３】
本実施例による液晶表示装置の製造方法では薄膜トランジスタ表示板１００上に液晶を滴下し、共通電極表示板２００を上に配置して接合した。しかし、本発明の他の実施例による液晶表示装置の製造方法では共通電極表示板２００上に液晶を滴下し、薄膜トランジスタ表示板１００を上に配置して接合することもできる。この時、液晶表示装置の反射領域ＲＡと透過領域ＴＡの間のセル間隔を調節するための有機絶縁膜パターン１８７は薄膜トランジスタ表示板１００に形成されず、共通電極表示板２００に形成される有機絶縁膜パターン２５１を含むことができる。
【００７４】
しかし、上述した２つの実施例１、２による液晶表示装置の場合、図７に示したように液晶を滴下する表示板（１００、２００）に形成される有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）は行方向に２つの画素ずつ互いに隣接して形成される。また、行方向に２つの画素が周期的に繰り返すように配置され、有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）が形成される反射領域ＲＡは画素電極１９１が形成される領域の約５０％未満であり得る。つまり、本実施例による液晶表示装置の透過領域ＴＡは反射領域ＲＡより広くてもよい。
【００７５】
したがって、本発明の一実施例による液晶表示装置の製造方法で有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）を有するそれぞれの表示板（１００、２００）上に滴下された液晶３０は従来の有機絶縁膜パターンが１つの画素列ごとに繰り返される液晶表示装置に比べて有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）の段差による影響を与える周期が長く、反射領域ＲＡが透過領域ＴＡより面積が狭くて段差による影響が少ないために滴下された液晶３０がさらに速く均一に拡散することができる。
【００７６】
以下、図１１乃至図１３そして図１４乃至図１６を参照して本発明の実施例３、４による液晶表示装置について詳細に説明する。図１１は、本発明の実施例３による液晶表示装置の配置図であり、図１２及び図１３は、各々図１１に示した液晶表示装置をＸ−Ｘ線及びＸＩ−ＸＩ線に沿って切断した断面図であり、図１４は、本発明の実施例４による液晶表示装置の配置図であり、図１５及び図１６は、各々図１４に示した液晶表示装置をＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線及びＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿って切断した断面図である。
【００７７】
まず、図１１乃至図１３を参照すると、本実施例による液晶表示装置の層状構造は上述した実施例１による液晶表示装置と類似している。
【００７８】
本実施例による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板１００と、これと対向している共通電極表示板２００、そしてこれらの間に挿入される液晶分子を含む液晶層３からなる。
【００７９】
まず、薄膜トランジスタ表示板１００を見ると、基板１１０上に複数のゲート電極１２４及び端部１２９を含む複数のゲート線１２１と複数の維持電極１３７を含む複数の維持電極線１３１が形成される。ゲート線１２１及び維持電極線１３１上にはゲート絶縁膜１４０、突出部１５４を含む複数の線状の半導体１５１、突出部１６３を含む複数の線状の抵抗性接触部材及び複数の島状の抵抗性接触部材１６５が順次に形成される。
【００８０】
抵抗性接触部材上には複数のソース電極１７３及び端部１７９を含む複数のデータ線１７１及び複数のドレイン電極１７５が形成され、その上に保護膜１８０が形成される。保護膜１８０の一部の上には有機絶縁膜パターン１８７が形成される。有機絶縁膜パターン１８７の表面は凹凸構造を有する。
【００８１】
保護膜１８０及び有機絶縁膜パターン１８７上には複数の画素電極１９１が形成される。画素電極１９１は透明電極１９２と反射電極１９４を含む。反射電極１９４は透明電極１９２の一部の上に形成され、有機絶縁膜パターン１８７上に配置される。画素電極１９１は有機絶縁膜パターン１８７の凹凸構造に沿って屈曲している。
【００８２】
次に、共通電極表示板２００を見ると、基板２１０上に複数の遮光部材２２０、複数の色フィルター２３０、蓋膜２５０、そして共通電極２７０が形成される。
【００８３】
しかし、図１乃至図３または図４乃至図６に示した液晶表示装置とは異なって、液晶表示装置の透過領域ＴＡと反射領域ＲＡのセル間隔を調節するための有機絶縁膜パターン１８７は画素電極１９１の長い辺のうちの１つに近く形成され、画素電極の幅と高さより短い長方形形状の平面模様を有する。また、本実施例による液晶表示装置の有機絶縁膜パターン１８７は薄膜トランジスタ表示板１００の反射電極１９４に対応する位置に形成される。したがって、透過領域ＴＡでのセル間隔ｄは反射領域ＲＡでのセル間隔（ｄ／２）より約２倍大きい。
【００８４】
また、本実施例による液晶表示装置は上述の液晶表示装置とは異なって、有機絶縁膜パターン１８７が形成される反射領域ＲＡは全体画素電極が形成される領域の約５０％以上であり得る。つまり、透過領域ＴＡより反射領域ＲＡが広くてもよい。
【００８５】
次に、図１４乃至図１６を参照すると、本実施例による液晶表示装置の層状構造は上述した図１１乃至図１３に示した実施例３による液晶表示装置と類似している。
【００８６】
薄膜トランジスタ表示板１００を見ると、基板１１０上に複数のゲート電極１２４及び端部１２９を含む複数のゲート線１２１と複数の維持電極１３７を含む複数の維持電極線１３１が形成され、ゲート線１２１及び維持電極線１３１上にはゲート絶縁膜１４０、突出部１５４を含む複数の線状の半導体１５１、突出部１６３を含む複数の線状の抵抗性接触部材及び複数の島状の抵抗性接触部材１６５が順次に形成される。抵抗性接触部材上には複数のソース電極１７３及び端部１７９を含む複数のデータ線１７１及び複数のドレイン電極１７５が形成され、その上に保護膜１８０が形成される。保護膜１８０は無機絶縁物質からなる下部保護膜１８０ｐと有機絶縁物質からなる上部保護膜１８０ｑを含む。上部保護膜１８０ｑの表面は凹凸構造を有する。保護膜１８０は複数の接触孔（１８１、１８２、１８５）を有し、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数の接触孔１８１が形成される。
【００８７】
上部保護膜１８０ｑ上には複数の画素電極１９１が形成される。画素電極１９１は透明電極１９２と反射電極１９４を含む。反射電極１９４は透明電極１９２の一部の上に形成される。画素電極１９１は上部保護膜１８０ｑの凹凸構造に沿って屈曲している。
【００８８】
次に、共通電極表示板２００を見ると、基板２１０上に複数の遮光部材２２０、複数の色フィルター２３０、蓋膜２５０、そして共通電極２７０が形成される。蓋膜２５０は有機絶縁膜パターン２５１を含む。
【００８９】
しかし、図１１乃至図１３に示した液晶表示装置とは異なって、液晶表示装置の透過領域ＴＡと反射領域ＲＡのセル間隔を調節するための有機絶縁膜パターン２５１が共通電極表示板２００に形成される。また、上記実施例３による液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板１００に形成される有機絶縁膜パターン１８７を含まない。
【００９０】
有機絶縁膜パターン２５１は薄膜トランジスタ表示板１００の反射電極１９４に対応する位置に形成される。したがって、透過領域ＴＡでのセル間隔ｄは反射領域ＲＡでのセル間隔（ｄ／２）より約２倍大きい。
【００９１】
本実施例による液晶表示装置は図１１乃至図１３に示した液晶表示装置のように有機絶縁膜パターン２５１が形成される反射領域ＲＡは透過領域ＴＡより広くてもよい。そして、有機絶縁膜パターン２５１は図１１乃至図１３に示した有機絶縁膜パターン１８７と同一な平面形態を有する。
【００９２】
次に、上述した実施例３、４による液晶表示装置の有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）について図１７及び図１８を参照してより詳しく説明する。図１７及び図１８は図１１乃至図１３または図１４乃至図１６に示した液晶表示装置の複数の画素を示す配置図である。
【００９３】
図１７を参照すると、本発明の実施例による液晶表示装置は複数の画素を含み、各画素の有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）の平面模様は、画素電極の長い辺のうちの１つに近く形成され、画素電極より狭い幅を有する長方形形状である。また、有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）は行方向に１つの画素が周期的に同一な位置で繰り返されるように配置される。上述のように、本実施例による液晶表示装置で有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）の上下に位置する反射領域ＲＡは透過領域ＴＡより広くてもよい。
【００９４】
本実施例による有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）は同一な位置に１つの画素行ごとに繰り返すように形成され、有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）が形成される領域の広さは画素電極１９１が形成される領域の広さより狭い。しかし、図１７に示したように、各画素電極１９１の幅と高さより短い長方形の形態を有することによって、本発明の一実施例による液晶表示装置の製造方法で滴下された液晶３０は液晶表示装置の列方向と行方向へ同時に移動することができる。
【００９５】
図１８を参照すると、液晶表示装置は行方向に伸びる複数のゲート線１２１と列方向に伸びる複数のデータ線１７１を含むが、２つのゲート線１２１が互いに近く隣接して配置され、２つのデータ線１７１が互いに近く隣接して配置されて、この配置は行と列方向に一定に（所定の間隔で）繰り返される。液晶表示装置は複数の画素を含み、各画素の有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）は行方向と列方向に各々２つずつ、即ち、全て４個の画素ずつ互いに隣接して配置される。
【００９６】
また、ゲート線１２１から上または下に拡張されるゲート電極１２４とデータ線１７１から左右に拡張されるソース電極１７３を含む各画素の薄膜トランジスタＴもやはり各有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）の下に配置されて行方向と列方向に各々２つずつ、即ち、全て４個の画素ずつ互いに隣接して配置される。
【００９７】
本実施例による有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）では、有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）が形成される領域の広さは画素電極１９１が形成される領域の広さより狭い。しかし、図１８に示したように、各画素電極１９１の幅と高さより短い長方形の形態で有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）を４個の画素ずつ互いに隣接するように配置することで、本発明の一実施例による液晶表示装置の製造方法で滴下された液晶３０は液晶表示装置の列方向と行方向へ同時に移動することができ、また急速に移動することができる。
【００９８】
したがって、有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）が形成される反射領域ＲＡは有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）が形成されていない透過領域ＴＡより広くてもよく、有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）による段差が存在するが、滴下された液晶３０は容易に移動できるので液晶３０が速く均一に拡散することができる。
【００９９】
以下、図１９乃至図２１そして図２２乃至図２４を参照して本発明の実施例５、６による液晶表示装置について詳細に説明する。図１９は本発明の実施例５による液晶表示装置の配置図であり、図２０及び図２１は各々図１９に示した液晶表示装置をＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線及びＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿って切断した断面図であり、図２２は本発明の実施例６による液晶表示装置の配置図であり、図２３及び図２４は各々図２２に示した液晶表示装置をＸＸ−ＸＸ線及びＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿って切断した断面図である。
【０１００】
まず、図１９乃至図２１を参照すると、本実施例による液晶表示装置の層状構造は図１１乃至図１３に示した実施例３による液晶表示装置と類似している。
【０１０１】
本実施例による液晶表示装置は薄膜トランジスタ表示板１００と、これと対向する共通電極表示板２００、そしてこれらの間に挿入される液晶分子を含む液晶層３からなる。
【０１０２】
まず、薄膜トランジスタ表示板１００を見ると、基板１１０上に複数のゲート電極１２４及び端部１２９を含む複数のゲート線１２１と複数の維持電極１３７を含む複数の維持電極線１３１が形成される。ゲート線１２１及び維持電極線１３１上にはゲート絶縁膜１４０、突出部１５４を含む複数の線状の半導体１５１、突出部１６３を含む複数の線状の抵抗性接触部材及び複数の島状抵抗性接触部材１６５が順次に形成される。
【０１０３】
抵抗性接触部材上には複数のソース電極１７３及び端部１７９を含む複数のデータ線１７１及び複数のドレイン電極１７５が形成され、その上に保護膜１８０が形成される。保護膜１８０の一部の上には有機絶縁膜パターン１８７が形成される。有機絶縁膜パターン１８７の表面は凹凸構造を有する。
【０１０４】
保護膜１８０及び有機絶縁膜パターン１８７上には複数の画素電極１９１が形成される。画素電極１９１は透明電極１９２と反射電極１９４を含む。反射電極１９４は透明電極１９２の一部の上に形成され、有機絶縁膜パターン１８７上に配置される。画素電極１９１は有機絶縁膜パターン１８７の凹凸構造に沿って屈曲している。
【０１０５】
次に、共通電極表示板２００を見ると、基板２１０上に複数の遮光部材２２０、複数の色フィルター２３０、蓋膜２５０、そして共通電極２７０が形成される。
【０１０６】
しかし、図１１乃至図１３に示した液晶表示装置とは異なって、液晶表示装置の透過領域ＴＡと反射領域ＲＡのセル間隔を調節するための有機絶縁膜パターン１８７は直三角形形態の平面模様を有し、直三角形の長い辺は画素電極の長い辺より短く、直三角形の短い辺は画素電極の短い辺より短い。
【０１０７】
本実施例による液晶表示装置は、図１１乃至図１３に示した液晶表示装置のように有機絶縁膜パターン１８７が形成される反射領域ＲＡは全体画素電極が形成される領域の約５０％以上であってもよく、透過領域ＴＡより反射領域ＲＡが広くてもよい。
【０１０８】
次に、図２２乃至図２４を参照すると、本実施例による液晶表示装置の層状構造は上述した図１４乃至図１６に示した実施例４による液晶表示装置と類似している。
【０１０９】
薄膜トランジスタ表示板１００を見ると、基板１１０上に複数のゲート電極１２４及び端部１２９を含む複数のゲート線１２１と複数の維持電極１３７を含む複数の維持電極線１３１が形成され、ゲート線１２１及び維持電極線１３１上にはゲート絶縁膜１４０、突出部１５４を含む複数の線状の半導体１５１、突出部１６３を含む複数の線状の抵抗性接触部材及び複数の島状の抵抗性接触部材１６５が順次に形成される。抵抗性接触部材上には複数のソース電極１７３及び端部１７９を含む複数のデータ線１７１及び複数のドレイン電極１７５が形成され、その上に保護膜１８０が形成される。保護膜１８０は無機絶縁物質からなる下部保護膜１８０ｐと有機絶縁物質からなる上部保護膜１８０ｑを含む。上部保護膜１８０ｑの表面は凹凸構造を有する。保護膜１８０は複数の接触孔（１８１、１８２、１８５）を有し、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数の接触孔１８１が形成される。
【０１１０】
上部保護膜１８０ｑ上には複数の画素電極１９１が形成される。画素電極１９１は透明電極１９２と反射電極１９４を含む。反射電極１９４は透明電極１９２の一部の上に形成される。画素電極１９１は上部保護膜１８０ｑの凹凸構造に沿って屈曲している。
【０１１１】
次に、共通電極表示板２００を見ると、基板２１０上に複数の遮光部材２２０、複数の色フィルター２３０、蓋膜２５０、そして共通電極２７０が形成される。蓋膜２５０は有機絶縁膜パターン２５１を含む。
【０１１２】
しかし、図１９乃至図２１に示した液晶表示装置とは異なって、液晶表示装置の透過領域ＴＡと反射領域ＲＡのセル間隔を調節するための有機絶縁膜パターン２５１が共通電極表示板２００に形成される。この時、有機絶縁膜パターン２５１は図１９乃至図２１に示した有機絶縁膜パターン１８７と同一な平面形態を有する。また、薄膜トランジスタ表示板１００に形成される有機絶縁膜パターン１８７を含まない。
【０１１３】
本実施例による液晶表示装置のうちの有機絶縁膜パターン２５１が形成される反射領域ＲＡは透過領域ＴＡより広くてもよい。
【０１１４】
次に、上述した実施例５、６による液晶表示装置の有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）について図２５を参照してより詳細に説明する。図２５は図１９乃至図２１または図２２乃至図２４に示した液晶表示装置の複数の画素を示す配置図である。
【０１１５】
図２５を参照すると、本実施例による液晶表示装置は複数の画素を含み、各画素の有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）は直三角形形態の平面模様を有し、直三角形の長い辺は画素電極の長い辺より短く、直三角形の短い辺は画素電極の短い辺より短い。
【０１１６】
また、有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）は行方向に１つの画素を周期的に同一な位置で繰り返すように配置される。上述のように、本実施例による液晶表示装置で有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）の上下に位置する反射領域ＲＡは有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）が形成されていない画素電極１９１が占める透過領域ＴＡより広くてもよい。
【０１１７】
本実施例による有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）は同一な位置に１つの画素行ごとに繰り返すように形成され、有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）が形成される領域の広さは画素電極１９１が形成される領域の広さより狭い。しかし、図２５に示したように、各画素電極１９１の各辺より短い辺を有する直三角形の平面形態を有することによって、本発明の一実施例による液晶表示装置の製造方法で滴下された液晶３０は液晶表示装置の列方向と行方向へ同時に移動することができる。
【０１１８】
したがって、有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）が形成される反射領域ＲＡは有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）が形成されていない透過領域ＴＡより広くてもよく、有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）による段差が存在するが、滴下された液晶３０は容易に移動できるので、液晶３０が速く均一に拡散することができる。
【０１１９】
上述した実施例５、６による液晶表示装置は長方形または直三角の平面形態を有する有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）を含むが、有機絶縁膜パターン（１８７、２５１）の平面形態は画素電極の辺より小さい辺を有する多様な多角形形態を有することもできる。
【０１２０】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】本発明の実施例１による液晶表示装置の配置図である。
【図２】図１に示した液晶表示装置をＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図３】図１に示した液晶表示装置をＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図４】本発明の実施例２による液晶表示装置の配置図である。
【図５】図４に示した液晶表示装置をＶ−Ｖ線に沿って切断した断面図である。
【図６】図４に示した液晶表示装置をＶＩ−ＶＩ線に沿って切断した断面図である。
【図７】図１乃至図３または図４乃至図６に示した液晶表示装置の複数の画素を示す配置図である。
【図８】本発明の一実施例による液晶表示装置の製造方法によって薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を段階別に示す断面図である。
【図９】本発明の一実施例による液晶表示装置の製造方法によって薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を段階別に示す断面図である。
【図１０】本発明の一実施例による液晶表示装置の製造方法によって薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を段階別に示す断面図である。
【図１１】本発明の実施例３による液晶表示装置の配置図である。
【図１２】図１１に示した液晶表示装置をＸ−Ｘ線に沿って切断した断面図である。
【図１３】図１１に示した液晶表示装置をＸＩ−ＸＩ線に沿って切断した断面図である。
【図１４】本発明の実施例４による液晶表示装置の配置図である。
【図１５】図１４に示した液晶表示装置をＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図１６】図１４に示した液晶表示装置をＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿って切断した断面図である。
【図１７】図１１乃至図１３に示した液晶表示装置の複数の画素を示す配置図である。
【図１８】図１４乃至図１６に示した液晶表示装置の複数の画素を示す配置図である。
【図１９】本発明の実施例５による液晶表示装置の配置図である。
【図２０】図１９に示した液晶表示装置をＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図２１】図１９に示した液晶表示装置をＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図２２】本発明の実施例６による液晶表示装置の配置図である。
【図２３】図２２に示した液晶表示装置をＸＸ−ＸＸ線に沿って切断した断面図である。
【図２４】図２２に示した液晶表示装置をＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿って切断した断面図である。
【図２５】図１９乃至図２１または図２２乃至図２４に示した液晶表示装置の複数の画素を示す配置図である。
【符号の説明】
【０１２２】
３    液晶層
３０    液晶
８１、８２    接触補助部材
１００    薄膜トランジスタ表示板
１１０    （第１）基板
１１１、２１１    薄膜層
１２１    ゲート線
１２４    ゲート電極
１２９    ゲート線の端部
１３１    維持電極線
１３７    維持電極
１４０    ゲート絶縁膜
１５１    半導体
１５４    半導体の突出部
１５７    半導体の拡張部
１６３    抵抗性接触部材の突出部
１６５    島状の抵抗性接触部材
１７１    データ線
１７３    ソース電極
１７５    ドレイン電極
１７７    ドレイン電極の端部
１７９    データ線の端部
１８０    保護膜
１８０ｐ    下部保護膜
１８０ｑ    上部保護膜
１８１、１８２、１８５    接触孔
１８７、２５１    有機絶縁膜パターン
１９１    画素電極
１９２    透明電極
１９４    反射電極
２００    共通電極表示板
２１０    （第２）基板
２２０    遮光部材
２３０    色フィルター
２５０    蓋膜
２７０    共通電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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