(57)【要約】【課題】基板上の所定位置にシール部を確実に形成して、液晶表示パネルの狭額縁化及び狭ギャップ化を図る。【解決手段】互いに対向して配置されたアクティブマトリクス基板２０ａ及び対向基板３０ａと、アクティブマトリクス基板２０ａ及び対向基板３０ａの間に設けられた液晶層２５と、アクティブマトリクス基板２０ａ及び対向基板３０ａの間で液晶層２５を囲むように設けられたシール部２４とを備えた液晶表示パネル５０ａであって、アクティブマトリクス基板２０ａには、表面を平坦化するための第１オーバーコート膜１２が設けられ、第１オーバーコート膜１２の表面には、シール部２４に沿って延び、シール部２４を内部に配置するための溝１２ａが設けられている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向して配置された第１基板及び第２基板と、
上記第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層と、
上記第１基板及び第２基板の間で上記液晶層を囲むように設けられたシール部とを備えた液晶表示パネルであって、
上記第１基板及び第２基板の少なくとも一方には、表面を平坦化するための平坦化膜が設けられ、
上記平坦化膜の表面には、上記シール部に沿って延び、該シール部を内部に配置するための溝が設けられていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
請求項１に記載された液晶表示パネルにおいて、
上記第１基板は、複数の画素電極がマトリクス状に設けられたアクティブマトリクス基板であり、
上記第２基板は、共通電極が設けられた対向基板であることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項３】
請求項１に記載された液晶表示パネルにおいて、
上記シール部には、上記液晶層の厚さと上記平坦化膜の溝の深さとの和を粒径とする球状のスペーサーが含まれていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項４】
互いに対向して配置された第１基板及び第２基板と、
上記第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層と、
上記第１基板及び第２基板の間で上記液晶層を囲むように設けられたシール部とを備えた液晶表示パネルを製造する方法であって、
上記第１基板及び第２基板の少なくとも一方は、表面を平坦化するための平坦化膜を有しており、
上記平坦化膜の表面に上記シール部を内部に配置するための溝を形成する溝形成工程と、
上記溝形成工程で形成された平坦化膜の溝に上記シール部が重畳するように上記第１基板及び第２基板を貼り合わせる貼り合わせ工程とを備えることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載された液晶表示パネルの製造方法において、
上記シール部を形成するために、上記第１基板又は第２基板に対し、シール材を吐出して描画するシール材描画工程を備えることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載された液晶表示パネルの製造方法において、
上記シール材描画工程では、上記溝形成工程で形成された平坦化膜の溝の内部に、上記シール材を描画することを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項７】
請求項４に記載された液晶表示パネルの製造方法において、
上記貼り合わせ工程では、上記シール部が形成される領域の内側に上記液晶層を構成する液晶材料を滴下供給することを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネル及びその製造方法に関し、特に、液晶表示パネルの狭額縁化及び狭ギャップ化に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルは、互いに対向して配置される一対の基板を枠状に形成されたシール部を介して貼り合わせると共に、それらの基板間におけるシール部の内側に液晶材料を封入して液晶層を形成することにより製造される。
【０００３】
例えば、特許文献１には、少なくともストライプ状透明電極と配向膜が形成された２枚のガラス基板を、配向膜が内側になるように向かい合わせ、周辺にシール材でシール（上記シール部に対応）を形成し、内部に液晶を封止し、且つシールに設けられた液晶注入口を樹脂にて封止してなる液晶表示パネルにおいて、ガラス基板が少なくとも液晶注入口が設けられた辺のシールから外方にはギャップが形成されないように構成された液晶表示パネルが開示されている。そして、これによれば、液晶注入時の気泡の混入を防止でき、さらに液晶注入後の液晶注入口近傍に残った液晶の洗浄除去を容易にすることができる、と記載されている。
【特許文献１】特開平５−６１０５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、液晶表示パネルを構成する一対の基板の間に液晶材料を注入する方法としては、液晶材料を注入するための液晶注入口を有する枠状のシール材が印刷された一方の基板と他方の基板とを貼り合わせた後に、その液晶注入口より液晶材料を注入する真空注入法が従来より用いられてきたが、この真空注入法では、特に、大型の液晶表示パネルを製造する場合、液晶材料の注入に要する時間が長くなってしまうので、一方の基板にシール材を液晶注入口のない枠状に描画し、その枠状に描画されたシール材の内側に液晶材料を滴下した後に、その一方の基板と他方の基板とを貼り合わせる滴下貼り合わせ法が実用化されている。なお、本明細書では、描画又は印刷されたシール材を硬化させたものをシール部と表現している。
【０００５】
ここで、上記滴下貼り合わせ法では、例えば、水平方向に移動しながらノズル先端から液状材料を吐出するように構成されたディスペンサーなどの描画装置を用いてシール材を描画するので、その描画装置の描画精度によって、基板上におけるシール材（シール部）の位置がずれるおそれがある。
【０００６】
具体的に、図８は、従来の液晶表示パネル１５０の断面図である。
【０００７】
この液晶表示パネル１５０では、アクティブマトリクス基板１２０及び対向基板１３０が、アクティブマトリクス基板１２０の有機平坦化膜１１２上で表示領域Ｄの周囲の額縁領域Ｆに枠状に形成されたシール部１２４を介して貼り合わせられている。そして、液晶表示パネル１５０では、上記描画装置の描画精度によって、シール部１２４の位置がアクティブマトリクス基板１２０の有機平坦膜１１２上でずれるおそれがある。
【０００８】
ところで、近年、液晶表示パネルでは、シール部１２４が配置する額縁領域Ｆの幅を狭くする狭額縁化、及び液晶層１２５を低電圧で駆動させるためにアクティブマトリクス基板１２０及び対向基板１３０の間隔を狭くする狭ギャップ化の要望が高まっているので、シール材を描画する際の吐出量を少なくして、シール材の線幅を狭くしたり、シール材の横断面積を小さくすることが考えられる。しかしながら、シール材の吐出量が少なくなると、シール材が描画中に途切れて断線するおそれがある。さらに、上記のように、描画装置の描画精度によって、シール材の位置ずれが発生するおそれもあるので、狭額縁化及び狭ギャップ化が進む液晶表示パネルでは、基板上の所定位置にシール部を形成することが益々困難になってきている。
【０００９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板上の所定位置にシール部を確実に形成して、液晶表示パネルの狭額縁化及び狭ギャップ化を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、互いに対向して配置された第１基板及び第２基板の少なくとも一方に設けられた平坦化膜の表面に、シール部を内部に配置するための溝が設けられるようにしたものである。
【００１１】
具体的に本発明に係る液晶表示パネルは、互いに対向して配置された第１基板及び第２基板と、上記第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層と、上記第１基板及び第２基板の間で上記液晶層を囲むように設けられたシール部とを備えた液晶表示パネルであって、上記第１基板及び第２基板の少なくとも一方には、表面を平坦化するための平坦化膜が設けられ、上記平坦化膜の表面には、上記シール部に沿って延び、該シール部を内部に配置するための溝が設けられていることを特徴とする。
【００１２】
上記の構成によれば、シール部が平坦化膜の表面に形成された溝の内部に配置するので、シール部を形成するためのシール材が幅方向に拡がろうとしても、平坦化膜の溝の側壁によってシール材の幅方向の動きが抑制される。そのため、シール部が平坦化膜の溝に沿って形成されるので、液晶表示パネルを構成する基板上の所定位置にシール部が確実に形成される。
【００１３】
また、シール部が平坦化膜の溝の内部に配置するので、シール材の吐出量が従来と同じ量であっても、シール部の幅が小さくなる。さらに、シール部が基板上の所定位置に確実に形成されることにより、例えば、シール部の直線性が向上するので、液晶表示パネルを分断する際のマージンが小さくなる。これらのことにより、液晶表示パネルの額縁領域が狭く設計されるので、液晶表示パネルの狭額縁化が可能になる。
【００１４】
さらに、シール部が平坦化膜の溝の内部に配置するので、シール材の吐出量が従来と同じ量であっても、第１基板及び第２基板の間隔が狭くなり、液晶表示パネルの狭ギャップ化が可能になる。
【００１５】
したがって、基板上の所定位置にシール部を確実に形成して、液晶表示パネルの狭額縁化及び狭ギャップ化を図ることが可能になる。
【００１６】
上記第１基板は、複数の画素電極がマトリクス状に設けられたアクティブマトリクス基板であり、上記第２基板は、共通電極が設けられた対向基板であってもよい。
【００１７】
上記の構成によれば、溝が形成される平坦化膜が、アクティブマトリクス基板における各画素電極の下地膜、又は、対向基板における共通電極の下地膜になるので、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【００１８】
上記シール部には、上記液晶層の厚さと上記平坦化膜の溝の深さとの和を粒径とする球状のスペーサーが含まれていてもよい。
【００１９】
上記の構成によれば、シール部に含まれるスペーサーによって、シール部における第１基板及び第２基板の間隔が液晶層の厚さよりも平坦化膜の溝の深さの分だけ大きくなるので、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【００２０】
また、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法は、互いに対向して配置された第１基板及び第２基板と、上記第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層と、上記第１基板及び第２基板の間で上記液晶層を囲むように設けられたシール部とを備えた液晶表示パネルを製造する方法であって、上記第１基板及び第２基板の少なくとも一方は、表面を平坦化するための平坦化膜を有しており、上記平坦化膜の表面に上記シール部を内部に配置するための溝を形成する溝形成工程と、上記溝形成工程で形成された平坦化膜の溝に上記シール部が重畳するように上記第１基板及び第２基板を貼り合わせる貼り合わせ工程とを備えることを特徴とする。
【００２１】
上記の方法によれば、貼り合わせ工程において、溝形成工程で形成された平坦化膜の溝にシール部が重畳するように第１基板及び第２基板を貼り合わせることにより、平坦化膜の溝の内部にシール部が配置するので、シール部を形成するためのシール材が幅方向に拡がろうとしても、平坦化膜の溝の側壁によってシール材の幅方向の動きが抑制される。そのため、シール部が平坦化膜の溝に沿って形成されるので、液晶表示パネルを構成する基板上の所定位置にシール部が確実に形成される。
【００２２】
また、シール部が平坦化膜の溝の内部に配置するので、シール材の吐出量が従来と同じ量であっても、シール部の幅が小さくなる。さらに、シール部が基板上の所定位置に確実に形成されることにより、例えば、シール部の直線性が向上するので、液晶表示パネルを分断する際のマージンが小さくなる。これらのことにより、液晶表示パネルの額縁領域が狭く設計されるので、液晶表示パネルの狭額縁化が可能になる。
【００２３】
さらに、シール部が平坦化膜の溝の内部に配置するので、シール材の吐出量が従来と同じ量であっても、第１基板及び第２基板の間隔が狭くなり、液晶表示パネルの狭ギャップ化が可能になる。
【００２４】
したがって、基板上の所定位置にシール部を確実に形成して、液晶表示パネルの狭額縁化及び狭ギャップ化を図ることが可能になる。
【００２５】
上記シール部を形成するために、上記第１基板又は第２基板に対し、シール材を吐出して描画するシール材描画工程を備えてもよい。
【００２６】
上記の方法によれば、シール材描画工程では、例えば、ディスペンサーなどの描画装置を用いてシール材を吐出して描画することになり、その描画装置の描画精度によって、基板上で描画されるシール材の位置がずれるおそれがあるので、本発明の作用効果が有効に奏される。
【００２７】
上記シール材描画工程では、上記溝形成工程で形成された平坦化膜の溝の内部に、上記シール材を描画してもよい。
【００２８】
上記の方法によれば、シール材描画工程において、シール材が平坦化膜の溝の内部に描画され、シール材の幅方向の動きが平坦化膜の溝の側壁によって抑制されるので、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【００２９】
上記貼り合わせ工程では、上記シール部が形成される領域の内側に上記液晶層を構成する液晶材料を滴下供給してもよい。
【００３０】
上記の方法によれば、第１基板及び第２基板を貼り合わせる際に、第１基板及び第２基板の間に液晶層を構成する液晶材料が封入される滴下貼り合わせ法において、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、互いに対向して配置された第１基板及び第２基板の少なくとも一方に設けられた平坦化膜の表面に、シール部を内部に配置するための溝が設けられているので、基板上の所定位置にシール部を確実に形成して、液晶表示パネルの狭額縁化及び狭ギャップ化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
【００３３】
《発明の実施形態１》
図１〜図７は、本発明に係る液晶表示パネル及びその製造方法の実施形態１を示している。具体的に、図１は、本実施形態の液晶表示パネル５０ａの平面図であり、図２は、図１中の領域Ａを拡大した部分拡大図である。また、図３は、液晶表示パネル５０ａの断面図であり、図４は、液晶表示パネル５０ａを構成するアクティブマトリクス基板２０ａの断面図である。
【００３４】
液晶表示パネル５０は、図１及び図３に示すように、第１基板として設けられたアクティブマトリクス基板２０ａと、第２基板としてアクティブマトリクス基板２０ａに対向するように設けられた対向基板３０ａと、アクティブマトリクス基板２０ａ及び対向基板３０ａの間に設けられた液晶層２５と、アクティブマトリクス基板２０ａ及び対向基板３０ａの間で液晶層２５を包囲するように枠状に設けられ、アクティブマトリクス基板２０ａ及び対向基板３０ａを互いに接合するためのシール部２４とを備えている。
【００３５】
アクティブマトリクス基板２０ａは、図３及び図４に示すように、絶縁基板１０ａと、絶縁基板１０ａ上に設けられた複数のゲート線１１を含む薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と称する）アレイ部と、そのＴＦＴアレイ部を覆うように表面を平坦化するための平坦化膜として設けられた第１オーバーコート膜１２と、第１オーバーコート膜１２上にマトリクス状に設けられた複数の画素電極１３と、各画素電極１３を覆うように設けられた配向膜１４ａとを備えている。
【００３６】
第１オーバーコート膜１２の表面には、図１〜図４に示すように、シール部２４に沿って延び、内部にシール部２４を配置するための溝１２ａが設けられている。
【００３７】
上記ＴＦＴアレイ部は、互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１と、各ゲート線１１と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線（不図示）と、各ゲート線１１及び各ソース線の交差部分にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴとを備えている。
【００３８】
上記ＴＦＴは、各ゲート線１１の側方に突出した部分であるゲート電極と、そのゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、そのゲート絶縁膜上でゲート電極に対応する位置に島状に設けられた半導体層と、その半導体層上で互いに対峙するように設けられたソース電極及びドレイン電極とを備えている。ここで、上記ソース電極は、上記ソース線の側方に突出した部分である。そして、上記ドレイン電極は、第１オーバーコート膜１２に形成されたコンタクトホール（不図示）を介して画素電極１３に電気的に接続されている。
【００３９】
対向基板３０ａは、図３に示すように、絶縁基板１０ｂと、絶縁基板１０ｂ上に格子状に設けられたブラックマトリクス１６と、ブラックマトリクス１６の各格子間にそれぞれ設けられ、例えば、赤色、緑色又は青色に着色された複数の着色層１７と、各着色層１７上でブラックマトリクス１６に重畳するように柱状に設けられたフォトスペーサー１５と、各着色層１７を覆うように表面を平坦化するための平坦化膜として設けられた第２オーバーコート膜１８と、第２オーバーコート膜１８上に設けられた共通電極１９と、共通電極１９を覆うように設けられた配向膜１４ｂとを備えている。
【００４０】
シール部２４は、例えば、ＵＶ硬化型や熱硬化及びＵＶ硬化併用型の樹脂などにより構成されている。
【００４１】
液晶層２５は、電気光学特性を有するネマチック液晶（液晶材料）などにより構成されている。
【００４２】
上記構成の液晶表示パネル５０ａでは、アクティブマトリクス基板２０ａの各画素電極１３、及び対向基板３０ａの各着色層１７によって、画像の最小単位である画素がそれぞれ構成されており、それらの画素がマトリクス状に配置されることによって表示領域Ｄが構成されている（図１及び図３参照）。なお、液晶表示パネル５０ａでは、表示領域Ｄの周囲が枠状の額縁領域Ｆになっている。
【００４３】
また、液晶表示パネル５０ａでは、各画素において、ゲート線１１からゲート信号がゲート電極に送られて、ＴＦＴがオン状態になったときに、ソース線からソース信号がソース電極に送られて、半導体層及びドレイン電極を介して、画素電極１３に所定の電荷が書き込まれる。このとき、アクティブマトリクス基板２０ａの各画素電極１３と対向基板３０ａの共通電極１９との間において電位差が生じ、液晶層２５に所定の電圧が印加される。そして、液晶表示パネル５０ａでは、液晶層２５に印加された電圧の大きさによって液晶層２５の配向状態を変えることにより、液晶層２５の光透過率を調整して画像が表示される。
【００４４】
次に、本実施形態の液晶表示パネル５０ａを製造する方法について説明する。本実施形態の製造方法は、アクティブマトリクス基板作製工程、対向基板作製工程、シール材描画工程及び貼り合わせ工程を備えている。
【００４５】
＜アクティブマトリクス基板作製工程＞
まず、ガラス基板などの絶縁基板１０ａの基板全体に、アルミニウムなどの金属膜を厚さ１５００Å程度でスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ゲート線１１及びゲート電極を形成する。
【００４６】
続いて、上記ゲート線１１及びゲート電極が形成された基板全体に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により窒化シリコン膜などを厚さ４０００Å程度で成膜し、ゲート絶縁膜を形成する。
【００４７】
さらに、上記ゲート絶縁膜が形成された基板全体に、ＣＶＤ法により真性アモルファスシリコン膜、及びリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜を、それぞれ、厚さ１５００Å及び４００Å程度で連続して成膜し、その後、フォトリソグラフィによりゲート電極上に島状にパターニングして、真性アモルファスシリコン層及びｎ＋アモルファスシリコン層からなる半導体層を形成する。
【００４８】
そして、上記半導体層が形成された基板全体に、チタンなどの金属膜を厚さ１５００Å程度でスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ソース線、ソース電極及びドレイン電極を形成する。
【００４９】
続いて、上記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして半導体層のｎ＋アモルファスシリコン層をエッチングすることにより、チャネル部をパターニングして、ＴＦＴを形成する。
【００５０】
さらに、上記ＴＦＴが形成された基板全体に、スピンコーティング法を用いて、感光性アクリル樹脂などの有機絶縁膜を厚さ３μｍ程度で成膜し、フォトリソグラフィにより、ドレイン電極上にコンタクトホール、及び額縁領域Ｆに溝１２ａをパターニングして、第１オーバーコート膜１２を形成する（溝形成工程）。
【００５１】
そして、第１オーバーコート膜１２が形成された基板全体に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を厚さ１０００Å程度でスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、画素電極１３を形成する。
【００５２】
最後に、画素電極１３が形成された基板全体に、印刷法により、ポリイミド樹脂を厚さ５００Å程度で塗布し、その後、ラビング処理を行うことにより、配向膜１４ａを形成する。
【００５３】
以上のようにして、アクティブマトリクス２０ａを作製することができる。
【００５４】
＜対向基板作製工程＞
まず、ガラス基板などの絶縁基板１０ｂの基板全体に、スパッタリング法により、例えば、クロム薄膜を厚さ１０００Å程度で成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ブラックマトリクス１６を形成する。
【００５５】
続いて、ブラックマトリクス１６の格子間のそれぞれに、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）又は青（Ｂ）に着色された感光性レジスト材料などを厚さ２μｍ程度で塗布した後に、フォトリソグラフィによりパターニングして、選択した色の着色層１７（例えば、Ｒ）を形成する。その後、他の２色についても同様な工程を繰り返すことにより、他の着色層１７（例えば、Ｇ及びＢ）を形成する。
【００５６】
さらに、各着色層１７が形成された基板全体に、スピンコーティング法を用いて、感光性アクリル樹脂などの有機絶縁膜を厚さ３μｍ程度で成膜した後に、フォトリソグラフィによりパターニングして、フォトスペーサー１５を形成する。
【００５７】
続いて、フォトスペーサー１５が形成された基板全体に、スピンコーティング法を用いて、感光性アクリル樹脂などの有機絶縁膜を厚さ１μｍ程度で成膜した後に、露光及び焼成して第２オーバーコート膜１８を形成する。
【００５８】
さらに、第２オーバーコート膜１８上に、スパッタリング法により、例えば、ＩＴＯ膜を厚さ１０００Å程度で成膜して、共通電極１９を形成する。
【００５９】
最後に、共通電極１９が形成された基板全体に、印刷法により、ポリイミド樹脂を厚さ５００Å程度で塗布し、その後、ラビング処理を行うことにより、配向膜１４ｂを形成する。
【００６０】
以上のようにして、対向基板３０ａを作製することができる。
【００６１】
＜シール材描画工程＞
例えば、ディスペンサーなどの描画装置を用いて、上記対向基板作製工程で作製された対向基板３０ａに対し、対向して配置されるアクティブマトリクス基板２０ａの第１オーバーコート膜１２の溝１２ａに重畳するように、シール材を枠状に吐出して描画する。
【００６２】
＜貼り合わせ工程＞
まず、上記シール材描画工程でシール材が描画された対向基板３０ａに対し、そのシール材の内側に液晶材料を滴下供給する。
【００６３】
続いて、上記液晶材料が滴下供給された対向基板３０ａと、上記アクティブマトリクス基板作製工程で作製されたアクティブマトリクス基板２０ａとを減圧下で、対向基板３０ａに描画されたシール材がアクティブマトリクス基板２０ａに形成された第１オーバーコート膜１２の溝１２ａに重畳するように貼り合わせた後に、その貼り合わせた両基板を大気圧に開放して、０．１ＭＰａ程度で加圧する。
【００６４】
さらに、上記貼り合わせられたアクティブマトリクス基板２０ａ及び対向基板３０ａの額縁領域Ｆに対し、アクティブマトリクス基板２０ａ側からＵＶ光を照射してシール材を仮硬化させた後に、１２０℃で１時間程度加熱してシール材を本硬化させてシール部２４を形成する。
【００６５】
以上のようにして、本実施形態の液晶表示装パネル５０ａを製造することができる。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネル５０ａ及びその製造方法によれば、貼り合わせ工程において、溝形成工程で形成された第１オーバーコート膜１２の溝１２ａにシール部２４を形成するためのシール材が重畳するようにアクティブマトリクス基板２０ａ及び対向基板３０ａを貼り合わせることにより、第１オーバーコート膜１２の溝１２ａの内部にシール部２４が配置するので、シール部２４を形成するためのシール材が幅方向に拡がろうとしても、第１オーバーコート膜１２の溝１２ａの側壁によってシール材の幅方向の動きが抑制される。そのため、シール部２４が第１オーバーコート膜１２の溝１２ａに沿って形成されるので、液晶表示パネル５０ａを構成するアクティブマトリクス基板２０ａ及び対向基板３０ａ上の所定位置にシール部２４を確実に形成することができる。
【００６７】
また、シール部２４が第１オーバーコート膜１２の溝１２ａの内部に配置するので、シール材の吐出量が従来と同じ量であっても、シール部２４の幅を小さくすることができる。さらに、上記のように、シール部１４が基板上の所定位置に確実に形成されることにより、例えば、シール部１４の直線性が向上するので、液晶表示パネル５０ａの周囲を分断する際のマージンが小さくなる。これらのことにより、液晶表示パネル５０ａの額縁領域Ｆが狭く設計することができるので、液晶表示パネルの狭額縁化を実現することができる。
【００６８】
さらに、シール部２４が第１オーバーコート膜１２の溝１２ａの内部に配置するので、シール材の吐出量が従来と同じ量であっても、アクティブマトリクス基板２０ａ及び対向基板３０ａの間隔を狭くすることができ、液晶表示パネルの狭ギャップ化を実現することができる。
【００６９】
したがって、本実施形態の液晶表示パネル５０ａ及びその製造方法によれば、基板上の所定位置にシール部を確実に形成して、液晶表示パネルの狭額縁化及び狭ギャップ化を図ることができる。
【００７０】
本実施形態においてシール部２４を形成する方法として例示したシール材を吐出して描画する方法では、ディスペンサーなどの描画装置の描画精度によってシール材の位置ずれが懸念されて本発明の作用効果が有効に奏されるものの、本発明は、シール材をスクリーン印刷などにより印刷する方法にも適用することできる。
【００７１】
また、本実施形態では、液晶材料を注入する方法として、シール材を枠状に描画して、そのシール材の内側に液晶材料を滴下する滴下貼り合わせ法を例示したが、本発明は、液晶注入口を有するシール材を枠状に描画又は印刷して、その液晶注入口より液晶材料を注入する真空注入法にも適用することができる。
【００７２】
さらに、本実施形態では、対向基板３０ａに対し、シール材を枠状に吐出して描画する方法を例示したが、シール材をアクティブマトリクス基板２０ａに対し、第１オーバーコート膜１２の溝１２ａの内部に描画してもよい。これによれば、シール材描画工程において、シール材の幅方向の動きを第１オーバーコート膜１２の溝１２ａの側壁によって抑制することができる。
【００７３】
《発明の実施形態２》
図５は、本実施形態の液晶表示パネル５０ｂを模式的に示した断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１〜図４と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００７４】
液晶表示パネル５０ｂにおいて、アクティブマトリクス基板２０ｂでは、上記ＴＦＴアレイ部を覆うように設けられた第１オーバーコート膜１２（例えば、厚さ３μｍ）に対し、ドライエッチングによって、溝１２ａ（例えば、深さｄ＝２μｍ）が形成され、また、対向基板３０ｂでは、各着色層１７を覆うように設けられた第２オーバーコート膜１８が額縁領域Ｆにも形成されている。そして、液晶表示パネル５０ｂでは、シール部２４に液晶層２５の厚さｔ（例えば、３μｍ）と第１オーバーコート膜１２の溝１２ａの深さｄ（２μｍ）との和（５μｍ）を粒径とする球状のスペーサー２６が含まれている。なお、スペーサー２６は、プラスチック製のビーズやシリカなどのセラミック製のビーズなどにより構成されている。
【００７５】
《発明の実施形態３》
図６は、本実施形態の液晶表示パネル５０ｃの断面図である。
【００７６】
上記実施形態１及び２では、シール部２４を内部に配置するための溝がアクティブマトリクス基板２０ａ及び２０ｂ側にそれぞれ形成されていたが、本実施形態では、その溝が対向基板３０ｃ側に形成されている。
【００７７】
具体的に液晶表示パネル５０ｃでは、アクティブマトリクス基板２０ｃの第１オーバーコート膜１２の表面に溝が形成されていなく、対向基板３０ｃの第２オーバーコート膜１８が着色層１７と共に額縁領域Ｆまで延設され、その着色層１７及び第２オーバーコート膜１８の積層膜において、額縁領域Ｆのブラックマトリクス１６に重畳する部分に溝１８ａが形成されている。なお、額縁領域Ｆのブラックマトリクス１６は、表示領域Ｄを囲うように枠状に設けられている。
【００７８】
《発明の実施形態４》
図７は、本実施形態の液晶表示パネル５０ｄの断面図である。
【００７９】
上記実施形態１〜３では、シール部２４を内部に配置するための溝がアクティブマトリクス基板（２０ａ〜２０ｃ）及び対向基板（３０ａ〜３０ｃ）の一方にそれぞれ形成されていたが、本実施形態では、その溝がアクティブマトリクス基板２０ｄ及び対向基板３０ｄの双方に形成されている。
【００８０】
具体的に液晶表示パネル５０ｄでは、上記実施形態１のようにアクティブマトリクス基板２０ｄの第１オーバーコート膜１２の表面に溝１２ａが形成されていると共に、上記実施形態３のように対向基板３０ｄの第２オーバーコート膜１８が着色層１７と共に額縁領域Ｆまで延設され、その着色層１７及び第２オーバーコート膜１８の積層膜において、額縁領域Ｆのブラックマトリクス１６に重畳する部分に溝１８ａが形成されている。
【００８１】
本実施形態の液晶表示パネル５０ｄによれば、シール部２４が第１オーバーコート膜１２の溝１２ａ及び第２オーバーコート膜１８の溝１８ａの双方の内部に配置するので、シール材の吐出量が従来と同じ量であっても、シール部２４の幅をより小さくすることができ、液晶表示パネルのさらなる狭額縁化を実現することができる。さらに、アクティブマトリクス基板２０ｄ及び対向基板３０ｄの表示領域（アクティブ領域）における間隔を狭くすることもできるので、液晶表示パネルのさらなる狭ギャップ化を実現することができる。
【００８２】
なお、上記各実施形態では、アクティブマトリクス駆動型の液晶表示パネルを例示したが、本発明は、パッシブマトリクス駆動型の液晶表示パネルにも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
以上説明したように、本発明は、液晶表示パネルの狭額縁化に有効であるので、モバイル用途の液晶表示パネルなどについて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】実施形態１に係る液晶表示パネル５０ａの平面図である。
【図２】図１中の領域Ａを拡大した部分拡大図である。
【図３】液晶表示パネル５０ａの断面図である。
【図４】液晶表示パネル５０ａを構成するアクティブマトリクス基板２０ａの断面図である。
【図５】実施形態２に係る液晶表示パネル５０ｂの断面図である。
【図６】実施形態３に係る液晶表示パネル５０ｃの断面図である。
【図７】実施形態４に係る液晶表示パネル５０ｄの断面図である。
【図８】従来の液晶表示パネル１５０の平面図である。
【符号の説明】
【００８５】
１２      第１オーバーコート膜（平坦化膜）
１２ａ    溝
１３      画素電極
１８      第２オーバーコート膜（平坦化膜）
１８ａ    溝
１９      共通電極
２０ａ〜２０ｄ    アクティブマトリクス基板（第１基板）
２４      シール部（シール材）
２５      液晶層
２６      スペーサー
３０ａ〜３０ｄ    対向基板（第２基板）
５０ａ〜５０ｄ    液晶表示パネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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