(57)【要約】【課題】半導体装置の歩留り及び品質を向上を図る。【解決手段】ベースフィルム３１の上に複数の配線３２が形成され、半導体チップ２０の電極２２に対応して露出して配置された配線３２の接続部３６を有するテープ基板３０における接続部３６と、半導体チップ２０の複数の電極２２とを電気的に接続するインナリードボンディングを行う。この際に、テープ基板３０を、複数の配線３２それぞれにおける延在方向の接続部３６から外側箇所が、テープ基板３０の厚さ方向Ｈに対して、接続部３６よりベースフィルム３１側に曲げ加工された状態（曲げ加工部Ｍ）にしておく。これにより、インナリードボンディング後にテープ基板３０と半導体チップ２０が接触してしまう、所謂エリアショートを防止することができる。したがって、製品の歩留りを向上させることができると共に、製品の品質を向上させることができる。【選択図】図８
2008192932.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ベースフィルムの上に複数の配線が形成され、半導体チップの電極に対応して露出して配置された前記配線の接続部を有するテープ基板を準備する工程と、
（ｂ）主面に複数の電極が形成された半導体チップを準備する工程と、
（ｃ）前記複数の配線それぞれにおける延在方向の前記接続部から外側箇所が、前記テープ基板の厚さ方向に対して、前記接続部より前記ベースフィルム側に曲げ加工された前記テープ基板における前記複数の配線の接続部と、前記半導体チップの複数の電極とを電気的に接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記曲げ加工は、前記複数の配線それぞれにおける延在方向の前記接続部から外側箇所で前記半導体チップの主面の周縁部をまたぐ領域に施されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程の前に、予め前記曲げ加工をしておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程で、前記テープ基板を、前記複数の配線それぞれにおける延在方向の前記接続部から外側箇所が前記半導体チップから離れる方向に曲げ加工すると共に、前記テープ基板の複数の配線の接続部と前記半導体チップの複数の電極とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程で、前記ベースフィルムに対して前記複数の配線が上側になるようにして前記テープ基板を下側から支持し、前記複数の電極が形成された主面が下側になるようにして前記半導体チップを前記テープ基板上に配置して、前記テープ基板の複数の配線それぞれの接続部と前記半導体チップの複数の電極とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、テープ基板を備えた半導体装置の製造方法に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＯＦ用フィルムのインナリードと半導体チップ上のバンプとを電気的に接続し、該接続部を封止材で封止した半導体装置で、ＣＯＦ用フィルムのインナリードは絶縁性フィルム上に半導体チップ上のバンプに対応する間隔でインナリードを形成し、半導体チップの特定のバンプに対応するインナリードにインナリードと半導体チップ上のバンプとの位置合わせ用パターンを付加した技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３１６２３号公報（図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
例えば、液晶パネル等に搭載される半導体装置として、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）等のフレキシブルなテープ基板を備える半導体装置がある。このＣＯＦの製造過程においては、テープ基板のベースフィルム上に形成された複数のインナリード（配線）と半導体チップの主面に形成された複数のバンプ（電極）とを電気的に接続するインナリードボンディング工程があり、当該工程はインナリードボンダを用いて行われる。
【０００４】
前記インナリードボンダを用いたインナリードボンディングでは、まず、半導体チップを、複数のバンプが形成された主面を上向きにしてボンディングステージ上に配置する。また、半導体チップの上側にテープ基板を、複数のインナリードを下向きにして当該テープ基板の周囲のみを保持した状態で配置する。そして、当該テープ基板の上からボンディングツールを押し当ててボンディングを行い、テープ基板のインナリードと半導体チップのバンプとを電気的に接続する。
【０００５】
しかしながら、当該インナリードボンダを用いたインナリードボンディングでは、フレキシブルなテープ基板の周囲のみ保持した状態でボンディングを行うため位置ズレなどが起こり易く、ボンディング安定性が悪いという問題がある。また、インナリードボンディングを行う際には、カメラを用いて半導体チップとテープ基板との位置合わせを行うが、インナリードボンダを用いた場合、構造上、カメラがテープ基板の上方に配置されており、テープ基板及び半導体チップのそれぞれを個別に認識した後、双方を重ね合わせて認識して位置を確認するという複数のステップを必要とし、作業効率が悪いという問題もある。さらに、近年の電極の狭ピッチ化に伴い、位置合わせにおいて高い精度が要求されるが、当該位置合わせ方法では、テープ基板と半導体チップを重ね合わせた状態で半導体チップを認識する際、テープ基板越しに半導体チップを見ることになり、このように半導体チップを認識し難い状態では位置合わせ精度の確保が難しいという問題もある。
【０００６】
これに対して、フリップチップボンダを用いてインナリードボンディングを行うという方法がある。この方法では、まず、テープ基板を、複数のインナリードを上向きにしてボンディングステージ上に固定配置する。また、テープ基板の上側に半導体チップを、複数のバンプが形成された主面を下向きにして配置する。そして、当該半導体チップの上からボンディングツールを押し当ててボンディングを行い、テープ基板のインナリードと半導体チップのバンプとを電気的に接続する。
【０００７】
このように、フリップチップボンダを用いたインナリードボンディングでは、フレキシブルなテープ基板がボンディングステージ上に固定された状態でボンディングを行うため位置ズレなどが起こり難く、ボンディング安定性が増す。また、フリップチップボンダは上側及び下側を同時に認識できるカメラを備えており、当該カメラをテープ基板と半導体チップの間に挿入して上側の半導体チップと下側のテープ基板を同時に認識して位置を確認するため、１ステップで位置確認ができ、作業効率が向上する。さらに、当該位置合わせ方法ではテープ基板と半導体チップを直接認識し、テープ基板越しに半導体チップを見るようなことがないため、テープ基板及び半導体チップを認識し易く、電極の狭ピッチ化にも対応できる位置合わせ精度を確保することができる。
【０００８】
ところで、インナリードボンディングを行ったテープ基板と半導体チップにおいて、テープ基板のインナリードが半導体チップの端部に接触してしまう、所謂エリアショートという不具合が生じることがある。これは、インナリードボンディング後、上側に位置するテープ基板がその自重により下側に位置する半導体チップの端部付近で垂れ下がって双方が接触してしまったり、インナリードボンディングにおいてテープ基板と半導体チップとを圧着させる際に、テープ基板が半導体チップ側に曲げられてしまったりすることにより生じるものである。
【０００９】
フリップチップボンダを用いたインナリードボンディングを行った場合には、当該インナリードボンディング後に、テープ基板と半導体チップの上下位置を逆にして次の工程に搬送する際などに、テープ基板が垂れ下がってきてエリアショートが起こってしまうことがある。また、インナリードボンディングにおけるボンディングツールの押し当て方によってはテープ基板が半導体チップ側に曲がってしまう可能性もあり、これもエリアショートを引き起こす原因となる。
【００１０】
そこで、本発明者は、フリップチップボンダを用いたインナリードボンディングにおいて、所謂エリアショートを起こさないようにする技術を検討し、本発明に至った。
【００１１】
なお、特許文献１には、インナリードボンディングにおけるエリアショート及びエリアショートを防止する方法に関する記載は一切ない。
【００１２】
本発明の目的は、エリアショートを防止して、製品の歩留りを向上させることができる技術を提供することにある。
【００１３】
また、本発明の他の目的は、製品の品質を向上させることができる技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１６】
すなわち本発明は、ベースフィルム上に複数の配線が形成され、半導体チップの電極に対応して露出して配置された配線の接続部を有するテープ基板の準備工程と、主面に複数の電極が形成された半導体チップの準備工程と、配線夫々における延在方向の接続部から外側箇所が基板厚さ方向に対して接続部よりベースフィルム側に曲げ加工されたテープ基板における接続部と半導体チップの電極とを電気的に接続する工程を有するものである。
【発明の効果】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１８】
ベースフィルムの上に複数の配線が形成され、半導体チップの電極に対応して露出して配置された配線の接続部を有するテープ基板における接続部と、半導体チップの複数の電極とを電気的に接続する際に、テープ基板を、複数の配線それぞれにおける延在方向の接続部から外側箇所が、テープ基板の厚さ方向に対して、接続部よりベースフィルム側に曲げ加工された状態にしておくことで、所謂エリアショートを防止することができる。すなわち、インナリードボンディング後にテープ基板と半導体チップが接触してしまうことを防止することができる。したがって、製品の歩留りを向上させることができると共に、製品の品質を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２０】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００２１】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２３】
（実施の形態）
図１は本発明の実施の形態の半導体装置（ＣＯＦ）の構造の一例を示す平面図、図２は図１に示す半導体装置のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す部分断面図、図３は図１に示す半導体装置の組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図、図４は図１に示す半導体装置に用いられるテープ基板における曲げ加工前の構造を示す平面図、図５は図４に示すテープ基板のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造を示す部分断面図である。また、図６は図１に示す半導体装置の組み立てにおけるインナリードボンディングの位置合わせ時の構造の一例を示す部分断面図、図７は図１に示す半導体装置の組み立てにおけるインナリードボンディングの熱圧着前の構造の一例を示す部分断面図、図８は図１に示す半導体装置の組み立てにおけるインナリードボンディングの熱圧着時の構造の一例を示す部分断面図である。また、図９は図１に示す半導体装置の組み立てにおける封止工程での樹脂充填方法の一例を示す部分断面図、図１０は図１に示す半導体装置の組み立て手順の第１変形例を示す製造プロセスフロー図、図１１は図１に示す半導体装置の組み立て手順の第２変形例を示す製造プロセスフロー図である。
【００２４】
図１及び図２に示す本実施の形態の半導体装置（ＣＯＦ１０）は、半導体チップ２０がフィルム状のテープ基板３０にインナリードボンディングによって接続された半導体装置である。本実施の形態では前記半導体装置の一例として、主に、ＬＣＤドライバに搭載されるＣＯＦ１０を取り上げて説明する。
【００２５】
図１及び図２に示すＣＯＦ１０の構成について説明する。本実施の形態のＣＯＦ１０は、主面２１にＡｕバンプ等の複数のバンプ（電極）２２が形成された半導体チップ２０と、当該半導体チップ２０と電気的に接続されたフレキシブルなフィルム状のテープ基板３０とを有している。
【００２６】
前記テープ基板３０は、基材がポリイミド樹脂等からなるベースフィルム３１上に、銅合金等からなる複数の配線（リード）３２を備える構造となっている。また、テープ基板３０における、後述するスプロケット孔３５が形成された対向する両側の端部３０ａ，３０ｂと、これらと直交する方向の両側の端部３０ｃ，３０ｄ及び前記半導体チップ２０を搭載するチップ搭載領域３３を除く範囲には、複数の配線３２を保護するための絶縁膜であるソルダレジスト３４が形成されている。すなわち、テープ基板３０は、図２に示すように、下から順にベースフィルム３１、複数の配線３２、ソルダレジスト３４が積層された構造となっている。さらに、テープ基板３０の両側の端部３０ａ，３０ｂには、ＣＯＦ１０の製造時の搬送等に使用されるスプロケット孔３５が並んで形成されている。
【００２７】
また、当該複数の配線３２は、前記チップ搭載領域３３からテープ基板３０の対向する両側の端部３０ｃ，３０ｄに向けて延在する構造になっている。すなわち、複数の配線３２は、絶縁膜であるソルダレジスト３４から露出した複数の接続部３６が配置されたチップ搭載領域３３から、テープ基板３０のＣＯＦ組み立て時の送り方向（スプロケット孔３５の配列方向）Ｚに平行な方向の両側端部である、対向する両側の端部３０ｃ，３０ｄに向けて延在している。
【００２８】
なお、対向する両側の端部３０ｃ，３０ｄの一方の端部３０ｄ側には、ＣＯＦ１０の複数の外部端子３７が一部の配線３２と接続された状態で並んで配置されている。また、前記複数の配線３２の接続部３６は、前記半導体チップ２０の複数のバンプ２２の配列に対応するように形成されており、インナリードボンディングによって両者を熱圧着してフリップチップ接続させることで、半導体チップ２０とテープ基板３０とを電気的に接続させる構造となっている。
【００２９】
また、テープ基板３０は、図２に示すように、複数の配線３２それぞれにおける延在方向の接続部３６から外側箇所が、テープ基板３０の厚さ方向Ｈに対して、接続部３６よりベースフィルム３１側に所定角度で曲げ加工された曲げ加工部Ｍを有している。
【００３０】
また、前記半導体チップ２０と前記テープ基板３０との間及び半導体チップ２０の周囲には、熱硬化性のエポキシ樹脂等の樹脂からなる樹脂封止部４０を有しており、半導体チップ２０及び当該半導体チップ２０とテープ基板３０との接続箇所を封止し、保護している。
【００３１】
次に、本実施の形態の半導体装置（ＣＯＦ１０）の製造方法を、図３〜図９を用いて説明する。ここでは、ＬＣＤドライバに搭載されるＣＯＦ１０を一例として取り上げて説明する。
【００３２】
まず、図３に示すステップＳ１のテープ準備を行う。すなわち、図４及び図５に示すような、複数の配線３２を備えるフラットかつフレキシブルなフィルム状のテープ基板３０を準備する。ここで、当該テープ基板３０は、基材がポリイミド樹脂等からなるベースフィルム３１上に、銅合金等からなる複数の配線（リード）３２を備える構造となっている。また、当該複数の配線３２は、半導体チップ２０の複数のバンプ２２と対応するようにチップ搭載領域３３に形成されたそれぞれの接続部３６からテープ基板３０の両側の端部３０ｃ，３０ｄに向けて延在する構造になっている。さらに、両側の端部３０ｃ，３０ｄの一方の端部３０ｄ側には、複数の外部端子３７が一部の配線３２と接続された状態で並んで配置されている。
【００３３】
また、テープ基板３０における端部３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄとチップ搭載領域３３を除く範囲には、複数の配線３２を保護するための絶縁膜であるソルダレジスト３４が形成されており、その結果、テープ基板３０は、図５に示すように、下から順にベースフィルム３１、複数の配線３２、ソルダレジスト３４が積層されたフラットなフィルム構造となっている。
【００３４】
なお、図４には半導体装置（ＣＯＦ１０）１個分のテープ基板３０を図示しているが、実際は複数のテープ基板３０が、ＣＯＦ組み立て時の送り方向（スプロケット孔３５の配列方向）Ｚに沿って繋がったテープ状態で半導体装置の組み立てが行われており、テープ基板３０の端部３０ｃ，３０ｄでそれぞれのテープ基板３０が繋がっている。
【００３５】
次に、ステップＳ２のチップ準備を行う。すなわち、図６に示すように、主面２１にＡｕバンプ等の複数のバンプ（電極）２２が形成された半導体チップ２０を準備する。
【００３６】
その後、フリップチップボンダを用いてステップＳ３のインナリードボンディング（曲げ加工＆インナリードボンディング）を行い、半導体チップ２０とテープ基板３０とを電気的に接続する。インナリードボンディングでは、まず、図６に示すように、１００℃程度に温度調節されたボンディングステージ５１上にテープ基板３０を配置する。ここでは、ベースフィルム３１が下側、ソルダレジスト３４が上側になるようにし、かつチップ搭載領域３３がボンディングステージ５１の中央に位置するように、テープ基板３０をボンディングステージ５１上に配置する。フリップチップボンダを用いてテープ基板３０をボンディングステージ５１上に配置することにより、テープ基板３０を安定した状態で配置することができ、インナリードボンディングのボンディング安定性が確保できる。
【００３７】
ここで、ボンディングステージ５１は全てがフラットな形状ではなく、他の部分より高さが高くなるように段差形状に形成された段差部５４を有している。そして、テープ基板３０のチップ搭載領域３３がボンディングステージ５１の中央、すなわち段差部５４上に位置するようにテープ基板３０を配置すると、テープ基板３０におけるチップ搭載領域３３の周辺部位は当該段差分だけベースフィルム３１側に垂れ下がるようになっている。そして、ステップＳ３では、インナリードボンディングを行うと同時に、段差部５４から所定の長さだけ離れた箇所のテープ基板３０をテープ基板押え部５２で上方から押さえるようになっている。このテープ基板押え部５２とボンディングステージ５１の段差部５４により、テープ基板３０の複数の配線３２それぞれにおける延在方向の接続部３６から外側箇所に、テープ基板３０の厚さ方向Ｈに対して接続部３６よりベースフィルム３１側に所定角度の曲げ加工（フォーミング）を施して曲げ加工部Ｍを形成する。すなわち、テープ基板３０を、複数の配線３２それぞれにおける延在方向の接続部３６から外側箇所が半導体チップ２０から離れる方向に曲げ加工する。
【００３８】
この曲げ加工部Ｍは、インナリードボンディング後にテープ基板３０が半導体チップ２０の周縁部２３に接触せず、かつテープ基板３０の配線３２が折れ曲がって切れやすくならない程度の曲げであることが好ましい。本実施の形態では、半導体チップ２０のバンプ２２部分、すなわち接続部３６におけるベースフィルム３１の配線３２側の面から半導体チップ２０の主面２１までの距離（すなわち、接続部３６の配線３２とバンプ２２を合わせた長さ）が約２０μｍとなっており、曲げ加工した曲げ加工部Ｍ（本実施の形態では半導体チップ２０の周縁部２３付近）のベースフィルム３１の配線３２側の面から半導体チップ２０の主面２１までの距離は約３０μｍとなっている。すなわち、本実施の形態では、約１０μｍの曲げ加工を施している。
【００３９】
なお、テープ基板３０の曲げ加工部Ｍは、複数の配線３２それぞれにおける延在方向の接続部３６から外側箇所における半導体チップ２０の主面２１の周縁部２３、すなわち所謂エリアショートが生じる可能性のある箇所をまたぐ領域に施されている。また、テープ基板３０の曲げ加工部Ｍは、所謂エリアショートが生じる可能性のある箇所すべてに形成されており、本実施の形態ではテープ基板３０における半導体チップ２０の周囲４辺全ての対応する領域に形成されている。また、前記テープ基板押え部５２は、曲げ加工を施したい領域の外側に配置され、本実施の形態では、半導体チップ２０の周囲４辺全てに対向して設けられている。
【００４０】
しかし、これに限るものではなく、テープ基板３０の配線３２の状態などによっては、前記テープ基板３０の曲げ加工部Ｍは、半導体チップ２０の周囲のうちの１辺か２辺又は３辺のみに対応する領域に形成されても良い。その場合には、半導体チップ２０の周囲のうちの曲げ加工を施したい１辺か２辺又は３辺のみにテープ基板押え部５２が設けられていれば良い。
【００４１】
また、ステップＳ３においては、図６に示すように、テープ基板３０の上方に、主面２１を下側に向けて半導体チップ２０を配置し、続いて半導体チップ２０の各バンプ２２とこれらに対応するテープ基板３０の配線３２の接続部３６との位置が合うように半導体チップ２０とテープ基板３０との位置合わせを行う。ここでは、前記テープ基板３０と半導体チップ２０との間に、上方及び下方を同時に直接認識可能な上下視野カメラ６０を挿入し、上方レンズ６１で半導体チップ２０を直接認識し、それと同時に下方レンズ６２でテープ基板３０を直接認識して、位置合わせを行う。このように、上下視野カメラ６０で同時にテープ基板３０と半導体チップ２０を認識することができることにより、テープ基板３０と半導体チップ２０との位置合わせの時間を短縮することができる。また、上下視野カメラ６０を用いることによりテープ基板３０と半導体チップ２０を物越しではなく直接認識することができるため、精度良く認識することができる。
【００４２】
その後、上下視野カメラ６０をテープ基板３０と半導体チップ２０との間から取り出し、図７に示すように、位置合わせを行った半導体チップ２０の各バンプ２２とテープ基板３０の各配線３２の接続部３６とが当接するように半導体チップ２０をテープ基板３０上に下ろす。
【００４３】
その後、図８に示すように、半導体チップ２０の上方から、５００℃程度に温度調節されたボンディングツール５３をテープ基板３０に押し当てて、半導体チップ２０の各バンプ２２とテープ基板３０の配線３２の接続部３６とを熱圧着により接続する。
【００４４】
このようにフリップチップボンダを用いてインナリードボンディングを行った後、ステップＳ４に示すポッティング封止を行う。前記封止は、図９に示すように、ポッティングノズル７０から半導体チップ２０の各側面に沿って樹脂４０Ａを滴下し、半導体チップ２０の側面に沿ってポッティングノズル７０を移動させて側面とテープ基板３０との隙間から樹脂４０Ａを充填して浸透させていく。そして、充填された樹脂４０Ａが硬化して、図２に示す樹脂封止部４０となる。
【００４５】
その後、組み立てられたテープ状態のＣＯＦ１０をリールに巻き取って出荷する。なお、テープ状態のＣＯＦ１０を１個１個に切断し、トレイ等に収納して出荷する場合もある。
【００４６】
本実施の形態の半導体装置（ＣＯＦ１０）の製造方法によれば、まず、ベースフィルム３１の上に複数の配線（リード）３２が形成され、半導体チップ２０のバンプ（電極）２２に対応して露出して配置された配線３２の接続部３６を有するテープ基板３０を準備する。また、主面２１に複数のバンプ（電極）２２が形成された半導体チップ２０を準備する。そして、テープ基板３０における接続部３６と、半導体チップ２０の複数のバンプ（電極）２２とを電気的に接続する際に、テープ基板３０を、複数の配線３２それぞれにおける延在方向の接続部３６から外側箇所が、テープ基板３０の厚さ方向Ｈに対して、接続部３６よりベースフィルム３１側（半導体チップ２０から離れる方向）に曲げ加工された状態にしておく。これにより、半導体チップ２０の主面２１の周縁部２３と配線３２の接続部３６の外側箇所との距離が長くなるため、インナリードボンディング後にテープ基板３０と半導体チップ２０が接触してしまう、所謂エリアショートを防止することができる。したがって、製品の歩留りを向上させることができると共に、製品の品質を向上させることができる。
【００４７】
また、本実施の形態では、インナリードボンディングを行うのと同時にテープ基板３０に曲げ加工を施しているため、効率良く半導体装置の組み立て作業を行うことができる。
【００４８】
次に、本実施の形態の半導体装置（ＣＯＦ１０）の製造方法の第１変形例を、図１０を用いて説明する。ここでは、前記した製造方法と同様に、ＬＣＤドライバに搭載されるＣＯＦ１０を一例として取り上げて説明する。なお、前記した製造方法と同様の部位、工程等については同じ符号を付して説明を省略する。
【００４９】
まず、図３のステップＳ１と同様に、図１０に示すステップＳ１１のテープ準備を行う。
【００５０】
次に、図３のステップＳ２と同様に、ステップＳ１２のチップ準備を行う。
【００５１】
その後、ステップＳ１３の曲げ加工を行う。ここでは、まず、図６のボンディングステージ５１の段差部５４と同様の部位に、テープ基板３０を、ベースフィルム３１が下側、ソルダレジスト３４が上側になるように、かつテープ基板３０のチップ搭載領域３３が当該段差部５４と同様の部位上に位置するように配置する。そして、当該段差部５４と同様の部位から所定の長さだけ離れた箇所のテープ基板３０を、図６のテープ基板押え部５２と同様のツールで上方から押さえる。これらにより、前記した製造方法と同様に、テープ基板３０の複数の配線３２それぞれにおける延在方向の接続部３６から外側箇所に、テープ基板３０の厚さ方向Ｈに対して接続部３６よりベースフィルム３１側に所定角度の曲げ加工（フォーミング）を施して、前記した製造方法と同様の曲げ加工部Ｍを形成する。
【００５２】
その後、フリップチップボンダを用いてステップＳ１４のインナリードボンディングを行い、半導体チップ２０とテープ基板３０とを電気的に接続する。すなわち、テープ基板３０及び半導体チップ２０をフリップチップボンダの所定位置に配置して位置合わせを行い、ボンディングツール５３を押し当てて、半導体チップ２０の各バンプ２２とテープ基板３０の配線３２の接続部３６とを熱圧着により接続する。なお、このときのフリップチップボンダのボンディングステージ５１は、テープ基板３０の曲げ加工部Ｍの形状に合わせて前記段差部５４のような段差等が設けられているものとする。
【００５３】
このようにフリップチップボンダを用いてインナリードボンディングを行った後、図３のステップＳ４と同様に、ステップＳ１５に示すポッティング封止を行う。
【００５４】
その後、組み立てられたテープ状態のＣＯＦ１０をリールに巻き取って出荷する。または、テープ状態のＣＯＦ１０を１個１個に切断し、トレイ等に収納して出荷する。
【００５５】
この第１変形例では、インナリードボンディングを行う前にテープ基板３０に曲げ加工を施しておくため、確実に曲げ加工が行われたテープ基板３０のみに対してインナリードボンディングを行うことができる。したがって、製品の歩留りをさらに向上させることができると共に、製品の品質をさらに向上させることができる。
【００５６】
次に、本実施の形態の半導体装置（ＣＯＦ１０）の製造方法の第２変形例を、図１１を用いて説明する。ここでは、前記した製造方法と同様に、ＬＣＤドライバに搭載されるＣＯＦ１０を一例として取り上げて説明する。なお、前記した製造方法と同様の部位、工程等については同じ符号を付して説明を省略する。
【００５７】
まず、図１１に示すステップＳ２１の曲げ加工を行う。曲げ加工（フォーミング）を施して曲げ加工部Ｍを形成する方法は、第１変形例のステップＳ１３と同様である。
【００５８】
次に、ステップＳ２２のテープ準備を行う。この第２変形例におけるテープ準備工程は、テープ基板３０が既に曲げ加工されているものであること以外、図３のステップＳ１と同様である。
【００５９】
次に、図３のステップＳ２と同様に、ステップＳ２３のチップ準備を行う。
【００６０】
その後、フリップチップボンダを用いてステップＳ２４のインナリードボンディングを行い、半導体チップ２０とテープ基板３０とを電気的に接続する。すなわち、図１０のステップＳ１４と同様に、テープ基板３０及び半導体チップ２０をフリップチップボンダの所定位置に配置して位置合わせを行い、ボンディングツール５３を押し当てて、半導体チップ２０の各バンプ２２とテープ基板３０の配線３２の接続部３６とを熱圧着により接続する。
【００６１】
このようにフリップチップボンダを用いてインナリードボンディングを行った後、図３のステップＳ４と同様に、ステップＳ２５に示すポッティング封止を行う。
【００６２】
その後、組み立てられたテープ状態のＣＯＦ１０をリールに巻き取って出荷する。または、テープ状態のＣＯＦ１０を１個１個に切断し、トレイ等に収納して出荷する。
【００６３】
この第２変形例では、予め曲げ加工を施したテープ基板３０を用いてインナリードボンディングを行うため、確実に曲げ加工が行われたテープ基板３０のみに対してインナリードボンディングを行うことができる。したがって、製品の歩留りをさらに向上させることができると共に、製品の品質をさらに向上させることができる。
【００６４】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００６５】
例えば、前記実施の形態では、ボンディングステージ５１が段差部５４を有する段差形状となっている場合について説明したが、これに限るものではなく、ボンディングステージ５１の周囲が曲げ加工部Ｍの形状に沿ってなだらかな曲線形状等に形成されていても良い。さらに、適切な曲げ加工を施すことができるものであれば、ボンディングステージ５１とその周囲の形状が他の形状であっても良い。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、テープ基板を有する半導体装置の製造技術に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の実施の形態の半導体装置（ＣＯＦ）の構造の一例を示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体装置のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す部分断面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【図４】図１に示す半導体装置に用いられるテープ基板における曲げ加工前の構造を示す平面図である。
【図５】図４に示すテープ基板のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造を示す部分断面図である。
【図６】図１に示す半導体装置の組み立てにおけるインナリードボンディングの位置合わせ時の構造の一例を示す部分断面図である。
【図７】図１に示す半導体装置の組み立てにおけるインナリードボンディングの熱圧着前の構造の一例を示す部分断面図である。
【図８】図１に示す半導体装置の組み立てにおけるインナリードボンディングの熱圧着時の構造の一例を示す部分断面図である。
【図９】図１に示す半導体装置の組み立てにおける封止工程での樹脂充填方法の一例を示す部分断面図である。
【図１０】図１に示す半導体装置の組み立て手順の第１変形例を示す製造プロセスフロー図である。
【図１１】図１に示す半導体装置の組み立て手順の第２変形例を示す製造プロセスフロー図である。
【符号の説明】
【００６８】
１０    ＣＯＦ（半導体装置）
２０    半導体チップ
２１    主面
２２    バンプ（電極）
２３    周縁部
３０    テープ基板
３０ａ  端部
３０ｂ  端部
３０ｃ  端部
３０ｄ  端部
３１    ベースフィルム
３２    配線（リード）
３３    チップ搭載領域
３４    ソルダレジスト
３５    スプロケット孔
３６    接続部
３７    外部端子
４０    樹脂封止部
４０Ａ  樹脂
５１    ボンディングステージ
５２    テープ基板押え部
５３    ボンディングツール
５４    段差部
６０    上下視野カメラ
６１    上方レンズ
６２    下方レンズ
７０    ポッティングノズル
Ｈ    厚さ方向
Ｍ    曲げ加工部
Ｚ    送り方向（スプロケット孔の配列方向）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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