(57)【要約】【課題】２層型位相シフト膜の膜厚を薄くし、膜中の欠陥低減とフォトマスクとしてのパターン解像度の改善を可能とすること。【解決手段】透過率調整膜中を伝播する光の位相シフト量（透過率調整膜中を伝播した光の位相変化量δ＝φｔと、露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を透過率調整膜と同じ「厚さ」（距離）だけ伝播した光の位相変化量δ０＝φ０の位相差δφｔ＝φｔ−φ０）と位相調整膜中を伝搬する光の位相シフト量（位相調整膜中を伝播した光の位相変化量δ＝φｐと、露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を位相調整膜と同じ「厚さ」（距離）だけ伝播した光の位相変化量δ０＝φ０の位相差δφｐ＝φｐ−φ０）の「符号」が「同符号」となるように「２層型」の位相シフト膜を設計することとした。これにより、位相シフト膜の薄膜化が図られ、膜中欠陥が抑制され、かつ、パターン解像度を改善することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に透光部と半透光部とを有するハーフトーン型位相シフトマスクであって、
前記半透光部には位相調整膜と透過率調整膜を積層させた位相シフト膜が設けられており、
前記透過率調整膜中を伝播した光の位相変化量δ＝φｔと露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を前記透過率調整膜と同じ距離だけ伝播した光の位相変化量δ０＝φ０の位相差δφｔ（＝φｔ−φ０）と、前記位相調整膜中を伝播した光の位相変化量δ＝φｐと露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を前記位相調整膜と同じ距離だけ伝播した光の位相変化量δ０＝φ０の位相差δφｐ（＝φｐ−φ０）が、δφｔ＞０かつδφｐ＞０、または、δφｔ＜０かつδφｐ＜０であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項２】
前記透光部を透過した光と前記半透光部を透過した光の位相差が実質的にπラジアン（１８０°）である請求項１に記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項３】
前記位相調整膜の消衰係数ｋが０．３以下、前記透過率調整膜の消衰係数ｋが０．５以上であることを特徴とする請求項１または２に記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項４】
前記位相調整膜は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物の少なくとも１種からなる光学膜である請求項１乃至３の何れか１項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項５】
前記透過率調整膜は、金属とシリコンを含有し、これに少なくとも酸素または窒素を有する光学膜である請求項１乃至４の何れか１項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項６】
前記透過率調整膜と前記位相調整膜は、同一のエッチング媒体でエッチング可能な光学膜である請求項１乃至５の何れか１項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路等の製造などに用いられるハーフトーン型の位相シフトマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ又はＶＬＳＩ等の半導体集積回路の製造をはじめとして、広範囲な用途に用いられているフォトマスクは、例えば、透光性基板上にクロムを主成分とする遮光膜が形成されたフォトマスクブランクを用い、この遮光膜に紫外線や電子線等を露光光とするフォトリソグラフィ法により所定のパターンを形成したものである。近年では、半導体集積回路の高集積化等の市場要求に伴ってパターンの微細化が急速に進行し、露光工程でのレジスト解像度を高めるための露光波長の短波長化やレンズの開口数の増大により対応がなされてきた。
【０００３】
しかしながら、露光波長の短波長化は装置や材料のコスト増大を招く結果となるという問題がある。また、レンズの開口数の増大は解像度の向上という利点の反面、焦点深度の減少を招く結果、プロセスの安定性が低下し、製品の歩留まりに悪影響を及ぼすという問題がある。このような問題の解決に対して有効なパターン転写法のひとつに「位相シフトマスク」をフォトマスクとして用いる「位相シフト法」が知られている。
【０００４】
図１は、位相シフト法で用いられる位相シフトマスク（ハーフトーン型位相シフトマスク）の例を説明するための断面図で、図１（Ａ）は位相シフト部が単層の「単層型」（例えば特許文献１）、図１（Ｂ）は位相シフト部を位相調整膜と透過率調整膜の２層構造とした「２層型」（例えば特許文献２）の位相シフトマスクを示している。なお、「２層型」の位相シフトマスクは、短波長露光（露光波長が２００ｎｍ以下）用のフォトマスクとして有用であることが知られており（特許文献３）、例えば特許文献４には、同一の媒質でエッチング可能な透過率調整膜と位相調整膜を組み合わせた構成の「２層型」位相シフトマスクが開示されており、透過率調整膜を金属シリサイドを含む膜とし、位相調整膜をＳＯＧで形成したものが記載されている。
【０００５】
これらの位相シフトマスクには、露光光に対して透明な基板１の一方主面上に、基板１の主面が露出している領域（透光部：Ａ）と、位相シフト膜２がパターニングされた領域（半透光部：Ｂ）とが形成され、これらの領域を透過した光は、透光部Ａの透過光の位相（φ０）と半透光部Ｂの透過光の位相（φ０+π）とで位相差が概ねπ（１８０°）であり、パターン境界部分における透光部と半透光部との透過光同士の干渉により回折によるコントラストの低下を改善し、転写像のコントラストを向上させることが可能となる。なお、「２層型」の位相シフト膜２は、位相調整膜２ａと透過率調整膜２ｂの２層が積層されている。
【０００６】
このような位相シフトマスクに関連しては、透明基板と位相シフト膜との間にエッチングストッパとしてのクロム膜を設ける構成（特許文献５）や遮光膜中を透過してきた光の位相をほぼ零にするために位相遅延膜と位相進行膜を積層させて遮光膜を形成する構成（特許文献６）なども提案されている。
【特許文献１】特開平７−１４０６３５号公報
【特許文献２】特開平４−１３６８５４号公報
【特許文献３】特開２００５−０８４６８２号公報
【特許文献４】特開平６−８３０２７号公報
【特許文献５】特開２００１−３３７４３６号公報
【特許文献６】特開２００６−２１５２９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一般に、「２層型」の位相シフト膜には、透過率調整膜としてはクロム膜や金属シリサイド膜などが、位相調整膜としては窒化珪素膜や酸化ケイ素膜などが用いられ、所定の位相差を得るための全膜厚は、位相調整膜単独で位相シフト膜を構成した場合に比較して厚くなる。しかし、位相シフト膜が厚くなると、その成膜中にパーティクルやハーフピンホールなどの欠陥が増大したり、パターニングを施した後には、露光時にパターン側面から漏れ出てくる所定の位相差と異なる光が多くなり、透光部と半透光部の境界領域で本来の位相差を生じさせることが困難となるといった問題が生じる。特に、位相調整用にＳｉＯ２のような高透過率の材料を用いた場合には、その屈折率が小さいために、所定の位相差を得ようとすると必然的にその膜厚を厚くする必要があるため、上記問題は深刻となる。
【０００８】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、その目的とするところは、「２層型」の位相シフト膜の膜厚を薄くし、これにより、膜中の欠陥低減とフォトマスクとしてのパターン解像度の改善を可能とすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
かかる課題を解決するために、本発明は、透明基板上に透光部と半透光部とを有するハーフトーン型位相シフトマスクであって、前記半透光部には位相調整膜と透過率調整膜を積層させた位相シフト膜が設けられており、前記透過率調整膜中を伝播した光の位相変化量δ＝φｔと露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を前記透過率調整膜と同じ距離だけ伝播した光の位相変化量δ０＝φ０の位相差δφｔ（＝φｔ−φ０）と、前記位相調整膜中を伝播した光の位相変化量δ＝φｐと露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を前記位相調整膜と同じ距離だけ伝播した光の位相変化量δ０＝φ０の位相差δφｐ（＝φｐ−φ０）が、δφｔ＞０かつδφｐ＞０、または、δφｔ＜０かつδφｐ＜０であることを特徴とする。
【００１０】
好ましくは、前記透光部を透過した光と前記半透光部を透過した光の位相差が実質的にπラジアン（１８０°）である。
【００１１】
また、好ましくは、前記位相調整膜の消衰係数ｋが０．３以下、前記透過率調整膜の消衰係数ｋが０．５以上である。
【００１２】
前記位相調整膜は、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物の少なくとも１種からなる光学膜であり、前記透過率調整膜は、例えば、金属とシリコンを含有しこれに少なくとも酸素または窒素を有する光学膜である。
【００１３】
好ましくは、前記透過率調整膜と前記位相調整膜は、同一のエッチング媒体でエッチング可能な光学膜である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、透過率調整膜中を伝播する光の位相シフト量（透過率調整膜中を伝播した光の位相変化量δ＝φｔと、露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を透過率調整膜と同じ「厚さ」（距離）だけ伝播した光の位相変化量δ０＝φ０の位相差δφｔ＝φｔ−φ０）と位相調整膜中を伝搬する光の位相シフト量（位相調整膜中を伝播した光の位相変化量δ＝φｐと、露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を位相調整膜と同じ「厚さ」（距離）だけ伝播した光の位相変化量δ０＝φ０の位相差δφｐ＝φｐ−φ０）の「符号」が「同符号」となるように「２層型」の位相シフト膜を設計することとしたので、位相シフト膜の薄膜化が図られる。
【００１５】
その結果、成膜中に発生するパーティクルやハーフピンホール起因の欠陥が抑制され、かつ、露光時にパターン側面から漏れ出てくる所定の位相差と異なる光を低減できるために解像度を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明のハーフトーン型位相シフトマスクについて説明する。なお、以下では、本発明のものを「ハーフトーン型位相シフトマスク」として説明するが、透過率調整膜と位相調整膜が設けられた「フォトマスクブランク」もまた、同様の膜構造を有する。その意味で、本明細書において用いられる「ハーフトーン型位相シフトマスク」なる用語は、「ハーフトーン型位相シフトマスクブランク」をも包含し得るものである。
【００１７】
図２は、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの基本的な構成例を説明するための断面図で、露光光に対して透明な石英やフッ化カルシウムなどの基板１１の一方主面上に、透光部Ａと半透光部Ｂとが形成され、半透光部Ｂのみに、位相シフト膜となる透過率調整膜（層）１２ｂと位相調整膜（層）１２ａを積層させて形成する。なお、ここでは、透過率調整膜１２ｂと位相調整膜１２ａの厚みをそれぞれ、ｄｔおよびｄｐとしている。
【００１８】
上述したように、従来の「２層型」の位相シフト膜は、所定の位相差を得るための全膜厚が位相調整膜単独で位相シフト膜を構成した場合に比較して厚くなるが、この問題について本発明者が検討したところによれば、従来の「２層型」の位相シフト膜の設計においては、透過率調整膜中を伝播する光の位相シフト量（透過率調整膜中を伝播した光の位相変化量δ＝φｔと、露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を透過率調整膜と同じ「厚さ」（距離：ｄｔ）だけ伝播した光の位相変化量δ０＝φ０の位相差δφｔ＝φｔ−φ０）と位相調整膜中を伝搬する光の位相シフト量（位相調整膜中を伝播した光の位相変化量δ＝φｐと、露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を位相調整膜と同じ「厚さ」（距離：ｄｐ）だけ伝播した光の位相変化量δ０＝φ０の位相差δφｐ＝φｐ−φ０）の「符号」についての考慮が何らなされていなかったという点に原因があるとの結論に至った。
【００１９】
すなわち、透過率調整膜は、透過率の調整効率を高めるためには消衰係数ｋの大きな材料で形成することが有利であるため、透過率調整膜中を伝播する光の位相シフト量と位相調整膜中を伝搬する光の位相シフト量の「符号」を考慮することなく「２層型」位相シフト膜を設計してしまうと、透過率調整膜中を伝播する光の位相シフト量と位相調整膜中を伝搬する光の位相シフト量が「逆符号」となり、その結果、所定の位相差を得るための全膜厚が位相調整膜単独で位相シフト膜を構成した場合に比較して厚くならざるを得ないのである。
【００２０】
そこで、本発明では、透過率調整膜中を伝播する光の位相シフト量と位相調整膜中を伝搬する光の位相シフト量の「符号」が「同符号」となるように、位相シフト膜を設計する。
【００２１】
図３は、透過率調整膜中を伝播する光の位相シフト量と位相調整膜中を伝搬する光の位相シフト量の「符号」について説明するための図である。位相調整膜１２ａ中を伝播した光の位相変化量がδ＝φｐ、露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を位相調整膜と同じ「厚さ」（距離：ｄｐ）だけ伝播した光の位相変化量がδ０＝φ０のときに、両位相変化量の差（位相差）はδφｐ＝φｐ−φ０で与えられる（図３（Ａ））。同様に、透過率調整膜１２ｂ中を伝播した光の位相変化量がδ＝φｔ、露光時にマスクのパターン面が接している媒質中を透過率調整膜と同じ「厚さ」（距離：ｄｔ）だけ伝播した光の位相変化量がδ０＝φ０のときに、両位相変化量の差（位相差）はδφｔ＝φｔ−φ０で与えられる。この場合、δφｐとδφｔは「正」または「負」の値をとり得るが、本発明ではこれを「同符号」（共に「正」、または共に「負」）とするのである。
【００２２】
つまり、光の振幅透過率ｔはｔ＝ｔ０ｅｘｐ（−ｉδ)と表記することができ、エネルギ透過率ＴはＴ＝ｔ・ｔ*（ｔ*はｔの複素共役）である。ここで、透過率調整膜や位相調整膜の膜厚（ｄ）に相当する「厚み」の上記媒質中（屈折率ｎ０）を波長λの光が伝播したときの位相変化δ０をδ０＝φ０とするとφ0＝２πｎ０ｄ／λとなるが、本発明においては、透過率調整膜中を伝播する光の位相シフト量（δφｔ＝φｔ−φ０）と位相調整膜中を伝搬する光の位相シフト量（δφｐ＝φｐ−φ０）が「同符号」となるように、それぞれの膜を設計するのである。特に、位相調整膜の屈折率が、露光時にマスクのパターン面が接している媒質の屈折率より大きいときは、δφｔ（＝φｔ−φ０）とδφｐ（＝φｐ−φ０）が何れも「正」となるように膜設計する。
【００２３】
透過率調整膜や位相調整膜は上記関係を満足するものであればよく、それぞれの膜は単層構造でも多層構造でもよい。また、膜中で組成変化をもたせるようにしてもよい。例えば、組成が均一な単層膜で透過率調整膜や位相調整膜を構成する場合には、これらの透過率調整膜の透過率（ｔｔ）や位相調整膜の透過率（ｔｐ）は次式で与えられる。
【００２４】
（数１）
tt=t0t・exp(-i・φt)
= tstttp・exp(-i・2πdtnt/λ)/[1+rstrtp・exp(-4πi・dtnt/λ)]
【００２５】
（数２）
tp=t0p・exp(-i・φｐ)
= ttptp0・exp(-i・2πdpnp/λ)/[1+rtprp0・exp(-4πi・dpnp/λ)]
【００２６】
ここで、ｉは虚数単位、ｄｔは透過率調整膜の膜厚、ｄｐは位相調整膜の膜厚、ｎｔは透過率調整膜の複素屈折率(屈折率ｎt＝ｎt0−ｉｋt0（ｎt0：屈折率、ｋto：消衰係数)、ｎpは位相調整膜の複素屈折率(屈折率ｎp＝ｎp0−ｉｋp0（ｎp0：屈折率、ｋpo：消衰係数)、ｔｓtは基板と透過率調整膜の界面での振幅透過率（エネルギ透過率Ｔst＝ｔSｔ・ｔSｔ*）、ｔtpは透過率調整膜と位相調整膜の界面での振幅透過率（エネルギ透過率Ｔtp＝ｔtp・ｔtp*）、ｔp0は位相調整膜と上記媒質の界面での振幅透過率（エネルギ透過率Ｔp0＝ｔp0・ｔp0*）、ｒｓtは基板と透過率調整膜の界面での振幅反射率、ｒtpは透過率調整膜と位相調整膜の界面での振幅反射率、そして、ｒｐ0は位相調整膜と上記媒質の界面での振幅反射率である。
【００２７】
本発明では、透過率調整膜の膜厚（ｄｔ）に相当する「厚み」（距離）の上記媒質中を光が伝播したときの位相変化量をφｔ0として位相シフト量δφｔ＝φｔ-φｔ0としたときに、また、位相調整膜の膜厚（ｄｐ）に相当する「厚み」（距離）の上記媒質中を光が伝播したときの位相変化量をφｐ0として位相シフト量δφｐ＝φｐ-φｐ0としたときに、δφｔとδφｐが同符号となるように膜設計される。また、上述のとおり、特に上記媒質よりも位相調整膜の屈折率が大きい場合には、δφｔ＞０、δφｐ＞０を満足するように膜設計する。
【００２８】
一般に、膜の屈折率が上記媒質より大きく吸収係数が０に近い誘電体膜の場合はδφ＞０となり、また、膜の屈折率が上記媒質より小さい場合にはδφ＜０となる。
【００２９】
しかし、吸収係数の大きな膜では、膜厚によっては、膜の屈折率が上記媒質の屈折率より大きくてもδφ＜０となり得る。例えば、膜がある程度の吸収係数をもっていると、膜が厚くなるにしたがって、上式のδφは符号が「負」のままその絶対値が大きくなりある膜厚で極値となる。そして、さらに膜が厚くなると、δφの絶対値は小さくなり、ついには「正」の値をとるようになる。
【００３０】
位相調整膜や透過率調整膜を複数層の積層構造とする場合も、その膜設計は、上述の単層構造の場合と同様である。例えば、積層構造中での多重反射を無視できる場合には、当該積層構造を構成する各々の層の屈折率が上記媒質より大きくても、各々の層界面での位相変化（δφｉ）の合計（δφ＝Σδφｉ）が負の値となり、その絶対値が、多層構造と同じ「厚み」の上記媒質を伝播するときの位相変化よりも大きければδφ＜０の膜として機能し、逆のときはδφ＞０の膜として機能する。
【００３１】
したがって、これらを考慮し、位相調整膜と透過率調整膜のδφが同じ符号となるように膜設計する。なお、上記媒質や基板との接する層の複素屈折率（ｎｆ＝ｎ−ｉｋ）によっては膜内での多重反射が無視できない場合も生じ得るので、かかる場合には膜内での多重反射も考慮する必要がある。また、吸収係数が０でない場合は、界面での位相変化も考慮する必要がある。
【００３２】
図２に示した位相シフト膜とは逆に、基板側から、位相調整膜、透過率調整膜の順に積層させた場合には、上記式中で、添え字のｔとｐを逆にすればよい。基板上に位相調整膜、透過率調整膜の順に形成した場合には、膜中の欠陥を検出するのに有利であり、基板上に透過率調整膜、位相調整膜の順に形成した場合には、耐薬品性に優れたものとするのに有利である。
【００３３】
半透光部Ｂの光透過率は透光部Ａの１〜５０％程度であればよく、より好ましくは３〜３０％程度となるように調整する。このような光透過率調整により、半透光部Ｂを透過した後の露光光がレジストの感度以下の強度となるように調整される。
【００３４】
位相調整膜は透過率調整膜と合わせて位相差を所定の値（一般には、πラジアン（１８０°））となるようにするための層であり、透過率調整膜よりも高い透過率の膜である。たとえば、位相調整膜を消衰係数ｋが０．３以下の膜とし、透過率調整膜として消衰係数ｋが０．５以上の膜を用いる。
【００３５】
位相調整膜と透過率調整膜を同じ手法・条件でエッチング可能なものとした場合には、同一プロセスでエッチングやパターン形成ができるため、製造工程が単純化できる。逆に、両膜のエッチング特性を異ならせた場合には、一方の膜をエッチングマスクとして利用したり、エッチングストッパとして用いることができる。
【００３６】
例えば露光波長が１９３ｎｍの場合には、シリコンと窒素及び／又は酸素を含んだ膜を上記関係を満たすように設計し、また、透過率が高すぎない程度に窒素量や酸素量を調整することで、透過率調整膜とすることができる。また、このような膜に更に金属を含ませることとすると、透過率の調整が容易となる。
【００３７】
位相調整膜は、シリコン酸化物膜、シリコン窒化物膜、シリコン酸窒化物膜、あるいはこれらの膜にＭｏ，Ｔａ，Ｚｒなどの金属を透過率が低くなりすぎない程度に含んだ膜で形成することができる。
【００３８】
なお、一般的には、露光時にマスクのパターン面が接している媒質は空気や窒素ガスなどの屈折率が１の媒質であるが、マスクパターンを、屈折率が１よりも大きい媒質中に置いて（例えば、屈折率が大きい液体中などに浸漬して）露光するような場合にも、本発明は適用可能である。
【００３９】
また、このようなハーフトーン型位相シフトマスクを作製するためのマスクブランクには、その表面に導電性を付与し、マスクを作製したときのパターン周辺部を遮光するための層となる金属膜を設けたり、エッチングマスク層や、エッチングストッパを設けてもよい。
【実施例】
【００４０】
図４は、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製造プロセスを説明するための図である。先ず、透明な石英からなる基板１１の上に、モリブデンシリサイドのターゲットをアルゴンと窒素と酸素の混合ガスでスパッタリングして１９３ｎｍにおける波長で屈折率２．３、消衰係数１．０の酸窒化モリブデンシリサイド膜１２Ｂを４５．３ｎｍ成膜した（図４（Ａ））。この酸窒化モリブデンシリサイド膜は透過率調整膜として機能する。
【００４１】
続いて、この酸窒化モリブデンシリサイド膜１２Ｂ上に、シリコンをターゲットとして、アルゴンと酸素との混合ガスでスパッタリングして酸化ケイ素膜１２Ａを７９ｎｍ成膜した（図４（Ｂ））。この酸化ケイ素膜は位相調整膜として機能する。このようにして位相シフトマスクブランクが得られる。
【００４２】
なお、酸窒化モリブデンシリサイド膜１２Ｂの厚みを４５．３ｎｍとし酸化ケイ素膜１２Ａの厚みを７９ｎｍとしたのは、半透過部（透過率調整膜と位相調整膜）の透過率を６％とし、半透光部の位相差が露光時のマスクのパターン面が接している媒質である空気中でπ（１８０°）となるようにするための選択の結果であるが、これらの膜の厚みや光学定数は、半透過部の透過率や位相差に応じて適宜設定される。
【００４３】
この酸化ケイ素膜１２Ａの上に電子ビーム用化学増幅型ポジレジスト１３を塗布してフォトリソグラフィにより所定のパターニングを行ってレジストマスクを形成し（図４（Ｃ））、このレジストパターン１３をマスクとして酸化ケイ素膜１２Ａと酸窒化モリブデンシリサイド膜１２Ｂをエッチングして、位相調整膜１２ａと透過率調整膜１２ｂを積層させた位相シフト膜１２（全膜厚は１２４．３ｎｍ）を得た（図４（Ｄ））。
【００４４】
そして、最後に、レジスト１３を除去して、所定のパターンを有するハーフトーン型位相シフトマスクを得た（図４（Ｅ））。このようにして得られたハーフトーン型位相シフトマスクは、位相シフト膜の薄膜化が図られた結果、成膜中に発生するパーティクルやハーフピンホール起因の欠陥が抑制され、かつ、露光時にパターン側面から漏れ出てくる所定の位相差と異なる光を低減できるために解像度を改善することができる。
【００４５】
なお、透過率調整膜中を伝播する光の位相シフト量と位相調整膜中を伝搬する光の位相シフト量の「符号」を考慮することなく透過率６％、位相差１８０°の２層型位相シフト膜を設計した場合には、例えば、透過率調整膜は２０ｎｍのシリコン膜となり、位相調整膜は２０４ｎｍの酸化ケイ素膜となって、位相シフト膜も全厚は２２４ｎｍとなる。つまり、上述の実施例の位相シフト膜の厚み（１２４．３ｎｍ）の概ね倍程度の厚みとなる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】位相シフト法で用いられる位相シフトマスクの構成例を説明するための断面図で、（Ａ）は位相シフト部が単層の「単層型」、（Ｂ）は位相シフト部が２層の「２層型」の位相シフトマスクである。
【図２】本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの基本的な構成例を説明するための断面図である。
【図３】透過率調整膜中を伝播する光の位相シフト量と位相調整膜中を伝搬する光の位相シフト量の「符号」について説明するための図である。
【図４】本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの作製プロセス例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４７】
１、１１  基板
２、１２  位相シフト膜
２ａ、１２ａ  位相調整膜
２ｂ、１２ｂ  透過率調整膜
１３  レジスト
【図１】
2008310091.tif 000003
【図２】
2008310091.tif 000004
【図３】
2008310091.tif 000005
【図４】
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