(57)【要約】      （修正有）【課題】重合用触媒として有用な希土類金属錯体を提供する。【解決手段】式（１）2008120733.tif 000008（式中、Ｌｎは第３族金属原子又はランタノイド金属原子（ただし、サマリウム、イッテルビウムを除く）を表し、Ｒ１〜Ｒ８は同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、等を表し、Ｒ１〜Ｒ８の隣接する基はそれぞれ任意に結合して環を形成していてもよく、ｍ個のＸは同一又は相異なり、モノアニオン配位子を表し、ｎ個のＹは同一又は相異なり中性配位子を表し、ｍは０〜３までの整数を表し、ｎは０〜３までの整数を表す。）で示される希土類金属錯体。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）
2008120733.tif 000005
（式中、Ｌｎは第３族金属原子又はランタノイド金属原子（ただし、サマリウム、イッテルビウムを除く）を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素原子数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜２０の炭化水素を有するシリル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基、炭素原子数７〜２０のアラルキルオキシ基又は炭素原子数１〜２０の炭化水素を有するアミノ基を表し、
ここで、Ｒ１〜Ｒ８において、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基及び炭化水素は、ハロゲン原子で置換されていてもよい、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８の隣接する基はそれぞれ任意に結合して環を形成していてもよく、ｍ個のＸは同一又は相異なり、モノアニオン配位子を表し、ｎ個のＹは同一又は相異なり中性配位子を表し、ｍは０〜３までの整数を表し、ｎは０〜３までの整数を表す。）
で示される希土類金属錯体。
【請求項２】
Ｌｎがスカンジウム又はイットリウムである請求項１に記載の希土類金属錯体。
【請求項３】
式（２）
2008120733.tif 000006
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、前記と同じ意味を表す。）
で示される置換もしくは無置換のビスフェノール配位子と式（３）
2008120733.tif 000007
（式中、Ｌｎ、Ｘ、Ｙ、ｍ及びｎは前記と同じ意味を表し、Ｒ９及びＲ１０はそれぞれ炭素原子数１〜２０の炭化水素を有するシリル基で置換されていてもよいアルキル基又は、炭素原子数１〜２０の炭化水素を有するアミノ基で置換されていてもよいアラルキル基を表す。）
で示される希土類金属化合物とを反応させることを特徴とする請求項１に記載の式（１）で示される希土類金属錯体の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の式（１）で示される希土類金属錯体を含有することを特徴とするオレフィン重合用触媒成分。
【請求項５】
請求項４に記載のオレフィン重合用触媒成分と、下記化合物（Ａ）及び／又は下記化合物（Ｂ）とを接触させて得られるオレフィン重合用触媒。
化合物（Ａ）：下記（Ａ１）〜（Ａ３）からなる群から選ばれる１種以上のアルミニウム化合物
（Ａ１）：式（Ｅ１）ａＡｌＺ（３−ａ）で表される有機アルミニウム化合物；
（Ａ２）：式｛−Ａｌ（Ｅ２）−Ｏ−｝ｂで表される構造を有する環状のアルミノキサン；
（Ａ３）：式Ｅ３｛−Ａｌ（Ｅ３）−Ｏ−｝ｃＡｌ（Ｅ３）２で表される構造を有する線状のアルミノキサン
（式中、ａは０＜ａ≦３を満足する数を表し、ｂは２以上の整数を表し、ｃは１以上の整数を表す。Ｅ１、Ｅ２及びＥ３はそれぞれ炭素原子数１〜２０の炭化水素基を表し、複数のＥ１、複数のＥ２及び複数のＥ３はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。Ｚは水素原子又はハロゲン原子を表し、複数のＺは互いに同じであっても異なっていてもよい。）
化合物（Ｂ）：下記（Ｂ１）〜（Ｂ３）からなる群から選ばれる１種以上のホウ素化合物
（Ｂ１）：式  ＢＱ１Ｑ２Ｑ３で表されるホウ素化合物；
（Ｂ２）：式  Ｇ＋（ＢＱ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４）−で表されるホウ素化合物；
（Ｂ３）：式  （Ｌ１−Ｈ）＋（ＢＱ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４）−で表されるホウ素化合物
（式中、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子を表し、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３及びＱ４はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基、置換シリル基、アルコキシ基又は２置換アミノ基を表し、Ｇ＋は無機又は有機のカチオンを表し、Ｌ１は中性ルイス塩基を表す。）
【請求項６】
請求項５に記載のオレフィン重合用触媒の存在下、オレフィンを重合させるオレフィン重合体の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載のオレフィン重合用触媒の存在下、エチレンとα−オレフィンとを共重合させるエチレン−α−オレフィン共重合体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、希土類金属錯体、オレフィン重合用触媒及びオレフィン重合体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
２分子のフェノールが硫黄原子で架橋された配位子（以下ビスフェノール配位子と称す）を有する第４族金属錯体は、種々のオレフィン重合触媒成分として利用されている化合物である（例えば特許文献１および２参照）。しかし中心金属が第３族金属またはランタノイド金属（以下、第３族金属とランタノイド金属を合わせて希土類金属と称す）である錯体については、オレフィン重合用触媒として用いられた例は知られていない。
このようなビスフェノール配位子を有する金属錯体としては、サマリウム錯体が１，２−ジオールの選択的アシル化反応触媒として知られている（例えば、非特許文献１参照）。また、発光材料の研究としてサマリウム錯体、イットリウム錯体、ユーロピウム錯体およびイッテルビウム錯体が知られているように、ビスフェノール配位子が希土類金属に対して２分子以上結合した錯体を形成することが知られており（例えば、非特許文献２参照）、希土類金属とビスフェノール配位子が１対１で形成する希土類金属錯体を得ることは容易でなかった。
【特許文献１】特開平６−１３６０４８号公報
【特許文献２】特開平６−１３６０４９号公報
【非特許文献１】Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．２００２，２０５，２１５．
【非特許文献２】Ｄａｌｔｏｎ  Ｔｒａｎｓ．２００４，３７４８．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、オレフィン重合用触媒成分として利用することが可能な新規な希土類金属錯体、オレフィン重合用触媒及びオレフィン重合体の製造方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは、上記課題を解決するため、鋭意検討した結果、オレフィンを重合させることが可能な触媒成分として有用な希土類金属錯体を見出し、本発明に至った。
すなわち本発明は、
［１］：式（１）
2008120733.tif 000002
（式中、Ｌｎは第３族金属原子又はランタノイド金属原子（ただし、サマリウム、イッテルビウムを除く）を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素原子数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜２０の炭化水素を有するシリル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基、炭素原子数７〜２０のアラルキルオキシ基又は炭素原子数１〜２０の炭化水素を有するアミノ基を表し、
ここで、Ｒ１〜Ｒ８において、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基及び炭化水素は、ハロゲン原子で置換されていてもよい、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８の隣接する基はそれぞれ任意に結合して環を形成していてもよく、ｍ個のＸは同一又は相異なり、モノアニオン配位子を表し、ｎ個のＹは同一又は相異なり中性配位子を表し、ｍは０〜３までの整数を表し、ｎは０〜３までの整数を表す。）
で示される希土類金属錯体；
［２］：式（２）
2008120733.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、前記と同じ意味を表す。）
で示される置換もしくは無置換のビスフェノール配位子と式（３）
2008120733.tif 000004
（式中、Ｌｎ、Ｘ、Ｙ、ｍ及びｎは前記と同じ意味を表し、Ｒ９及びＲ１０は炭素原子数１〜２０の炭化水素を有するシリル基で置換されていてもよいアルキル基又は、炭素原子数１〜２０の炭化水素を有するアミノ基で置換されていてもよいアラルキル基を表す。）
で示される希土類金属化合物とを反応させることを特徴とする請求項１に記載の式（１）で示される希土類金属錯体の製造方法；
［３］：式（１）で示される希土類金属錯体からなるオレフィン重合用触媒成分；
［４］：該オレフィン重合用触媒成分と、下記化合物（Ａ）及び／又は下記化合物（Ｂ）とを接触させて得られるオレフィン重合用触媒。
化合物（Ａ）：下記（Ａ１）〜（Ａ３）からなる群から選ばれる１種以上のアルミニウム化合物
（Ａ１）：式（Ｅ１）ａＡｌＺ（３−ａ）で表される有機アルミニウム化合物；
（Ａ２）：式｛−Ａｌ（Ｅ２）−Ｏ−｝ｂで表される構造を有する環状のアルミノキサン；
（Ａ３）：式Ｅ３｛−Ａｌ（Ｅ３）−Ｏ−｝ｃＡｌ（Ｅ３）２で表される構造を有する線状のアルミノキサン
（式中、ａは０＜ａ≦３を満足する数を表し、ｂは２以上の整数を表し、ｃは１以上の整数を表す。Ｅ１、Ｅ２及びＥ３はそれぞれ炭素原子数１〜２０の炭化水素基を表し、複数のＥ１、複数のＥ２及び複数のＥ３はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。Ｚは水素原子又はハロゲン原子を表し、複数のＺは互いに同じであっても異なっていてもよい。）
化合物（Ｂ）：下記（Ｂ１）〜（Ｂ３）からなる群から選ばれる１種以上のホウ素化合物
（Ｂ１）：式  ＢＱ１Ｑ２Ｑ３で表されるホウ素化合物；
（Ｂ２）：式  Ｇ＋（ＢＱ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４）−で表されるホウ素化合物；
（Ｂ３）：式  （Ｌ１−Ｈ）＋（ＢＱ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４）−で表されるホウ素化合物
（式中、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子を表し、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３及びＱ４はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基、置換シリル基、アルコキシ基又は２置換アミノ基を表し、Ｇ＋は無機又は有機のカチオンを表し、Ｌ１は中性ルイス塩基を表す。）；
及び、
［５］：該オレフィン重合用触媒の存在下、オレフィンを重合させるオレフィン重合体の製造方法
を提供するものである。
【発明の効果】
【０００５】
本発明により得られる新規な希土類金属錯体は、例えば、オレフィンの重合反応の触媒として有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明について詳細に説明する。
【０００７】
前記式（１）で示される希土類金属錯体（以下、希土類金属錯体（１）と略す。）においてＬｎで示される第３族金属原子又はランタノイド金属原子としては、スカンジウム、イットリウムおよびランタノイドなどが例示され、好ましくはスカンジウム、イットリウムが挙げられる。ここでランタノイドとは元素の周期律表で原子番号５７のランタンから原子番号７１のルテチウムまでの１５元素を表す。
【０００８】
置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８において、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが例示され、好ましくは塩素原子が挙げられる。
【０００９】
置換基Ｒ１〜Ｒ８において、炭素原子数１〜２０のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、アミル基、ｎ−ヘキシル基、ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、及びｎ−エイコシル基が例示され、好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、アミル基等が挙げられる。
置換基Ｒ１〜Ｒ８において、ハロゲン置換の炭素原子数１〜２０のアルキル基の具体例としては、これらのアルキル基が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子などのハロゲン原子で置換されたものが例示される。
【００１０】
置換基Ｒ１〜Ｒ８において、炭素原子数６〜２０のアリール基の具体例としては、フェニル基、２−トリル基、３−トリル基、４−トリル基、２，３−キシリル基、２，４−キシリル基、２，５−キシリル基、２，６−キシリル基、３，４−キシリル基、３，５−キシリル基、２，３，４−トリメチルフェニル基、２，３，５−トリメチルフェニル基、２，３，６−トリメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、２，３，４，５−テトラメチルフェニル基、２，３，４，６−テトラメチルフェニル基、２，３，５，６−テトラメチルフェニル基、ペンタメチルフェニル基、エチルフェニル基、ｎ−プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ｎ−ブチルフェニル基、ｓｅｃ−ブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｎ−ペンチルフェニル基、ネオペンチルフェニル基、ｎ−ヘキシルフェニル基、ｎ−オクチルフェニル基、ｎ−デシルフェニル基、ｎ−ドデシルフェニル基、ｎ−テトラデシルフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基などが例示され、好ましはフェニル基が挙げられる。
置換基Ｒ１〜Ｒ８において、ハロゲン置換の炭素原子数６〜２０のアリール基の具体例としては、これらのアリール基が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子などのハロゲン原子で置換されたものが例示される。
【００１１】
置換基Ｒ１〜Ｒ８において、炭素原子数７〜２０のアラルキル基の具体例としては、ベンジル基、（２−メチルフェニル）メチル基、（３−メチルフェニル）メチル基、（４−メチルフェニル）メチル基、（２，３−ジメチルフェニル）メチル基、(２，４−ジメチルフェニル)メチル基、(２，５−ジメチルフェニル)メチル基、(２，６−ジメチルフェニル)メチル基、(３，４−ジメチルフェニル)メチル基、(４，６−ジメチルフェニル)メチル基、(２，３，４−トリメチルフェニル)メチル基、(２，３，５−トリメチルフェニル)メチル基、(２，３，６−トリメチルフェニル)メチル基、(３，４，５−トリメチルフェニル)メチル基、(２，４，６−トリメチルフェニル)メチル基、(２，３，４，５−テトラメチルフェニル)メチル基、(２，３，４，６−テトラメチルフェニル)メチル基、(２，３，５，６−テトラメチルフェニル)メチル基、(ペンタメチルフェニル)メチル基、(エチルフェニル)メチル基、(ｎ−プロピルフェニル)メチル基、(イソプロピルフェニル)メチル基、(ｎ−ブチルフェニル)メチル基、(ｓｅｃ−ブチルフェニル)メチル基、(ｔｅｒｔ−ブチルフェニル)メチル基、(ｎ−ペンチルフェニル)メチル基、(ネオペンチルフェニル)メチル基、(ｎ−ヘキシルフェニル)メチル基、(ｎ−オクチルフェニル)メチル基、(ｎ−デシルフェニル)メチル基、(ｎ−デシルフェニル)メチル基、ナフチルメチル基、アントラセニルメチル基などが例示され、好ましくはベンジル基が挙げられる。
置換基Ｒ１〜Ｒ８において、ハロゲン置換の炭素原子数７〜２０のアラルキル基の具体例としてはこれらのアラルキル基が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子あるいはヨウ素原子などのハロゲン原子で置換されたものが例示される。
【００１２】
置換基Ｒ１〜Ｒ８において、炭化水素を有するシリル基の炭化水素としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基などの炭素原子数１〜１０のアルキル基、フェニル基などのアリール基などが例示される。かかる炭素原子数１〜２０の炭化水素で置換されたシリル基の具体例としては、メチルシリル基、エチルシリル基、フェニルシリル基などの炭素原子数１〜２０の一置換シリル基、ジメチルシリル基、ジエチルシリル基、ジフェニルシリル基などの炭素原子数１〜２０の炭化水素を有する二置換シリル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−プロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリ−ｓｅｃ−ブチルシリル基、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルシリル基、トリ−イソブチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチル−ジメチルシリル基、トリ−ｎ−ペンチルシリル基、トリ−ｎ−ヘキシルシリル基、トリシクロヘキシルシリル基、トリフェニルシリル基などの炭素原子数１〜２０の炭化水素を有する三置換シリル基などが例示され、好ましくはトリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基が挙げられる。
これらの置換シリル基を構成する炭化水素基としては、上記のような炭化水素基のほかにフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子で置換された炭化水素基が例示される。
【００１３】
置換基Ｒ１〜Ｒ８において、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、ノナデシルオキシ基、ｎ−エイコシルオキシ基などが例示され、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が挙げられる。
ハロゲン置換の炭素原子数１〜２０のアルコキシ基の具体例としては、これらのアルコキシ基が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子などのハロゲン原子で置換されたものが例示される。
【００１４】
置換基Ｒ１〜Ｒ８において、炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、３−メチルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、２，３−ジメチルフェノキシ基、２，４−ジメチルフェノキシ基、２，５−ジメチルフェノキシ基、２，６−ジメチルフェノキシ基、３，４−ジメチルフェノキシ基、３，５−ジメチルフェノキシ基、２，３，４−トリメチルフェノキシ基、２，３，５−トリメチルフェノキシ基、２，３，６−トリメチルフェノキシ基、２，４，５−トリメチルフェノキシ基、２，４，６−トリメチルフェノキシ基、３，４，５−トリメチルフェノキシ基、２，３，４，５−テトラメチルフェノキシ基、２，３，４，６−テトラメチルフェノキシ基、２，３，５，６−テトラメチルフェノキシ基、ペンタメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ｎ−プロピルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ｎ−ブチルフェノキシ基、ｓｅｃ−ブチルフェノキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、ｎ−ヘキシルフェノキシ基、ｎ−オクチルフェノキシ基、ｎ−デシルフェノキシ基、ｎ−テトラデシルフェノキシ基、ナフトキシ基、アントラセノキシ基などの炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基などが例示される。又はハロゲン置換の炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基の具体例としては、上記炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基がフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子で置換されたものが例示される。
【００１５】
置換基Ｒ１〜Ｒ８において、炭素原子数７〜２０のアラルキルオキシ基の具体例としては、ベンジルオキシ基、(２−メチルフェニル)メトキシ基、(３−メチルフェニル)メトキシ基、(４−メチルフェニル)メトキシ基、(２，３−ジメチルフェニル)メトキシ基、(２，４−ジメチルフェニル)メトキシ基、(２，５−ジメチルフェニル)メトキシ基、(２，６−ジメチルフェニル)メトキシ基、(３，４−ジメチルフェニル)メトキシ基、(３，５−ジメチルフェニル)メトキシ基、(２，３，４−トリメチルフェニル)メトキシ基、(２，３，５−トリメチルフェニル)メトキシ基、(２，３，６−トリメチルフェニル)メトキシ基、(２，４，５−トリメチルフェニル)メトキシ基、(２，４，６−トリメチルフェニル)メトキシ基、(３，４，５−トリメチルフェニル)メトキシ基、(２，３，４，５−テトラメチルフェニル)メトキシ基、(２，３，４，６−テトラメチルフェニル)メトキシ基、(２，３，５，６−テトラメチルフェニル)メトキシ基、(ペンタメチルフェニル)メトキシ基、(エチルフェニル)メトキシ基、(ｎ−プロピルフェニル)メトキシ基、(イソプロピルフェニル)メトキシ基、(ｎ−ブチルフェニル)メトキシ基、(ｓｅｃ−ブチルフェニル)メトキシ基、(ｔｅｒｔ−ブチルフェニル)メトキシ基、(ｎ−ヘキシルフェニル)メトキシ基、(ｎ−オクチルフェニル)メトキシ基、(ｎ−デシルフェニル)メトキシ基、ナフチルメトキシ基、アントラセニルメトキシ基などが例示され、好ましくはベンジルオキシ基が挙げられる。
ハロゲン置換の炭素原子数７〜２０のアラルキルオキシ基の具体例としては、これらのアラルキルオキシ基がフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子で置換されたものが例示される。
【００１６】
置換基Ｒ１〜Ｒ８において、炭素原子数１〜２０の炭化水素を有するアミノ基とは、２つの炭化水素を有するアミノ基であって、ここで炭化水素としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基などの炭素原子数１〜２０のアルキル基、フェニル基などのアリール基などが例示され、これらの置換基は互いに結合して環を形成していてもよい。かかる炭素原子数１〜２０の炭化水素を有するアミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ジ−イソブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルイソプロピルアミノ基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、ジ−ｎ−オクチルアミノ基、ジ−ｎ−デシルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビストリメチルシリルアミノ基、ビス−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルアミノ基、ピロリル基、ピロリジニル基、ピペリジニル基、カルバゾリル基、ジヒドロインドリル基、ジヒドロイソインドリル基などが例示され、好ましくはジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ピロリジニル基、ピペリジニル基等が挙げられる。
これらの置換アミノ基を構成する炭化水素としては、上記のような炭化水素基のほかにフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子で置換された炭化水素基が例示される。
【００１７】
置換基Ｒ１〜Ｒ８のうち隣接する２つの置換基は、任意に結合して環を形成していてもよい。
【００１８】
置換基Ｒ１〜Ｒ８のうち隣接する２つの置換基が結合して形成される環としては、炭素原子数１〜２０の炭化水素を有する、飽和もしくは不飽和の炭化水素環などが例示される。その具体例としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環などが例示される。
【００１９】
本発明の希土類金属錯体（１）としては、例えば、（２，２’−チオ−４，４’−ジメチル−６，６’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（トリメチルシリルメチル）スカンジウム、（２，２’−チオジフェノキシ）（トリメチルシリルメチル）スカンジウム、（２，２’−チオ−４，４’，６，６’−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（トリメチルシリルメチル）スカンジウム、（２，２’−チオ−４，４’，６，６’−テトラメチルジフェノキシ）（トリメチルシリルメチル）スカンジウム、（２，２’−チオ−６，６’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（トリメチルシリルメチル）スカンジウム、（２，２’−チオ−４，４’−ジメチル−６，６’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）スカンジウム、（２，２’−チオジフェノキシ）（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）スカンジウム、（２，２’−チオ−４，４’，６，６’−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）スカンジウム、（２，２’−チオ−４，４’，６，６’−テトラメチルジフェノキシ）（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）スカンジウム、（２，２’−チオ−６，６’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）スカンジウム
【００２０】
（２，２’−チオ−４，４’−ジメチル−６，６’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（トリメチルシリルメチル）イットリウム、（２，２’−チオジフェノキシ）（トリメチルシリルメチル）イットリウム、（２，２’−チオ−４，４’，６，６’−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（トリメチルシリルメチル）イットリウム、（２，２’−チオ−４，４’，６，６’−テトラメチルジフェノキシ）（トリメチルシリルメチル）イットリウム、（２，２’−チオ−６，６’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（トリメチルシリルメチル）イットリウム、（２，２’−チオ−４，４’−ジメチル−６，６’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）イットリウム、（２，２’−チオジフェノキシ）（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）イットリウム、（２，２’−チオ−４，４’，６，６’−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）イットリウム、（２，２’−チオ−４，４’，６，６’−テトラメチルジフェノキシ）（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）イットリウム、（２，２’−チオ−６，６’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）イットリウム
【００２１】
（２，２’−チオ−４，４’−ジメチル−６，６’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（トリメチルシリルメチル）ルテチウム、（２，２’−チオジフェノキシ）（トリメチルシリルメチル）ルテチウム、（２，２’−チオ−４，４’，６，６’−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（トリメチルシリルメチル）ルテチウム、（２，２’−チオ−４，４’，６，６’−テトラメチルジフェノキシ）（トリメチルシリルメチル）ルテチウム、（２，２’−チオ−６，６’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（トリメチルシリルメチル）ルテチウム、（２，２’−チオ−４，４’−ジメチル−６，６’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）ルテチウム、（２，２’−チオジフェノキシ）（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）ルテチウム、（２，２’−チオ−４，４’，６，６’−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）ルテチウム、（２，２’−チオ−４，４’，６，６’−テトラメチルジフェノキシ）（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）ルテチウム、（２，２’−チオ−６，６’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）ルテチウムなどが挙げられ、スカンジウム、ルテチウム及びイットリウムを、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムとしたものも同様に例示される。
【００２２】
かかる希土類金属錯体（１）に、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、トリメチルホスフィンなどが付加したものも同時に例示される。
【００２３】
希土類金属錯体（１）は、式（２）で示される置換もしくは無置換のビスフェノール配位子（以下、ビスフェノール配位子（２）と略す。）と式（３）で示される希土類金属化合物（以下、希土類金属化合物（３）と略す。）とを反応させることによって製造することができる。
【００２４】
置換基Ｒ９及びＲ１０における炭素原子数１〜２０の炭化水素を有するケイ素原子で置換されていてもよいアルキル基における炭素原子数１〜２０の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、アミル基、ｎ−ヘキシル基、ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、及びｎ−エイコシル基が例示され、好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、アミル基等が挙げられる。
【００２５】
置換基Ｒ９及びＲ１０における炭素原子数１〜２０の炭化水素を有するケイ素原子で置換されていてもよいアルキル基としては、例えば、トリメチルシリルメチル基、トリエチルシリルメチル基、トリイソプロピルシリルメチル基、トリ−ｎ−ブチルシリルメチル基、ｔ−ブチルジメチルシリルメチル基などが挙げられ、好ましくはトリメチルシリルメチル基が挙げられる。
【００２６】
置換基Ｒ９及びＲ１０における炭素原子数１〜２０の炭化水素を有するアミノ基で置換されているアラルキル基における炭素原子数１〜２０の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、アミル基、ｎ−ヘキシル基、ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、及びｎ−エイコシル基が例示され、好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、アミル基等が挙げられる。
【００２７】
置換基Ｒ９及びＲ１０における炭素原子数１〜２０の炭化水素を有するアミノ基で置換されているアラルキル基としては、例えば、ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル基、ｏ−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノベンジル基などが挙げられ、好ましくはｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル基が挙げられる。
【００２８】
ビスフェノール配位子（２）は例えば、公知の技術（例えば、非特許文献１参照）に従って、製造することができる。
【００２９】
かかるビスフェノール配位子（２）としては、例えば、２，２’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−チオビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−チオビス（４，６−ジメチル−ブチルフェノール）、２，２’−チオビス（４−メチル−６−フェニルフェノール）、２，２’−チオビス（４−メトキシ−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−チオビス（４−クロロ−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−チオビス（４−フェニル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−チオビス（４−メチル−６−トリメチルシリルフェノール）、２，２’−チオビスナフトールなどが挙げられ、この中でも２，２’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−チオビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−チオビス（４，６−ジメチル−ブチルフェノール）が好ましい。
【００３０】
希土類金属錯体（１）及び希土類金属化合物（３）において、置換基Ｘで表されるモノアニオン性配位子としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ネオペンチル基、フェニル基、ネオペンチリデン基、メトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、フェノキシ基、ベンジル基、アミド基、ホスフィノ基、トリメチルシリルメチル基、ｏ−ジメチルアミノベンジル基があげられ、好ましくはメチル基、トリメチルシリルメチル基、ｏ−ジメチルアミノベンジル基が挙げられる。
【００３１】
また、ｍが２の場合、二つのＸは互いに結合するか、一緒になってジアニオン性配位子を形成していてもよい。
【００３２】
希土類金属錯体（１）及び希土類金属化合物（３）において、置換基Ｙで表される中性配位子としては、オレフィン類、芳香族化合物類、エーテル類、スルフィド類、アミン類、ニトリル類、ホスフィン類又はホスフィンオキサイド類などが挙げられ、好ましくはエーテル類又はアミン類が挙げられる。
Ｙで示される中性配位としては、具体的にはエチレン、プロピレン、１−ブテン、シクロオクタジエン、スチレン、ベンゼン、トルエン、ナフタレン、アントラセン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、ジメチルスルフィド、チオフェン、テトラヒドロチオフェン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、エチルジイソプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、アセトニトリル、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィンオキサイド、トリフェニルホスフィンオキサイドなどが挙げられ、好ましくはテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、トリメチルホスフィンなどが挙げられる。
【００３３】
ＸとＹは結合して、多座配位子を形成していてもよい。
多座配位子として具体的にはｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル基が挙げられる。
【００３４】
ｍは０〜３の整数を表し、１〜２が好ましく、１がより好ましい。ｎは０〜３の整数を表し、１〜３が好ましい。
【００３５】
かかる希土類金属化合物（３）としては、公知の手法（例えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９７８，１００，８０６８．又は、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍ．１９７３，１２６．）に準じ合成することができる．
【００３６】
かかる希土類金属化合物（３）としては、例えば、トリス（トリメチルシリルメチル）スカンジウム、トリス（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）スカンジウム等をあげることができ、またこれらの化合物のジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミンの付加体であってもよい。また、スカンジウムをイットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、ルテチウムとしたものも同様に挙げられる。より好ましくは、トリス（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）スカンジウム、トリス（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）ルテチウムが挙げられる。
【００３７】
ビスフェノール配位子（２）と希土類金属化合物（３）とを反応させる方法においては、通常、希土類金属化合物（３）を溶媒に加えた後、ビスフェノール配位子（２）を加えることによって行うことができる。
【００３８】
希土類金属化合物（３）の使用量は、ビスフェノール配位子（２）１モルあたり、通常、０．５〜３モル、好ましくは０．７〜１．５モルである。
【００３９】
反応温度は、通常、−１００℃から溶媒の沸点までであり、好ましくは−８０℃から６０℃の範囲である。
【００４０】
反応は、通常、反応に対して不活性な溶媒中で行われる。かかる溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素系溶媒；ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサンなどのエーテル系溶媒；ヘキサメチルホスホリックアミド、ジメチルホルムアミドなどのアミド系溶媒；アセトニトリル、プロピオニトリル、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの極性溶媒；ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒といった非プロトン性溶媒などが例示される。かかる溶媒はそれぞれ単独もしくは２種以上を混合して用いられ、その使用量は、ビスフェノール配位子（２）１重量部あたり、通常、１〜２００重量部、好ましくは３〜５０重量部である。
【００４１】
反応終了後、得られた反応混合物から通常の方法、例えば、生成した沈殿を濾別後、濾液を濃縮して希土類金属錯体（１）を析出させた後、これを濾取する方法などによって目的の希土類金属錯体（１）を得ることができる。
【００４２】
〔オレフィン重合用触媒〕
本発明のオレフィン重合用触媒は、希土類金属錯体（１）をオレフィン重合用触媒成分とするオレフィン重合用触媒であり、希土類金属錯体（１）と他の共触媒成分とを接触させて得られる。該オレフィン重合用触媒としては、希土類金属錯体（１）と下記化合物（Ａ）及び／又は下記化合物（Ｂ）とを接触させて得られるオレフィン重合用触媒が挙げられる。
化合物（Ａ）：下記（Ａ１）〜（Ａ３）からなる群から選ばれる１種以上のアルミニウム化合物
（Ａ１）：式Ｅ１ａＡｌＺ（３−ａ）で表される有機アルミニウム化合物
（Ａ２）：式｛−Ａｌ（Ｅ２）−Ｏ−｝ｂで表される構造を有する環状のアルミノキサン
（Ａ３）：式Ｅ3｛−Ａｌ（Ｅ３）−Ｏ−｝ｃＡｌ（Ｅ３）２で表される構造を有する線状のアルミノキサン
（式中、ａは０＜ａ≦３を満足する数を表し、ｂは２以上の整数を表し、ｃは１以上の整数を表す。Ｅ１、Ｅ２及びＥ３は炭素原子数１〜２０の炭化水素基を表し、複数のＥ１、複数のＥ２及び複数のＥ３はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。Ｚは水素原子又はハロゲン原子を表し、Ｚが複数ある場合、複数のＺは互いに同じであっても異なっていてもよい。）
化合物（Ｂ）：下記（Ｂ１）〜（Ｂ３）からなる群から選ばれる１種以上のホウ素化合物
（Ｂ１）：式  ＢＱ１Ｑ２Ｑ３で表されるホウ素化合物
（Ｂ２）：式  Ｇ＋（ＢＱ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４）−で表されるホウ素化合物
（Ｂ３）：式  （Ｌ１−Ｈ）＋（ＢＱ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４）−で表されるホウ素化合物
（式中、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子を表し、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３及びＱ４はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基、置換シリル基、アルコキシ基又は二置換アミノ基を表し、Ｇ＋は無機又は有機のカチオンを表し、Ｌ１は中性ルイス塩基を表す。）
【００４３】
（Ａ１）：式Ｅ１ａＡｌＺ（３−ａ）で表される有機アルミニウム化合物としては、例えば、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウム；ジメチルアルミニウムクロライド、ジエチルアルミニウムクロライド、ジプロピルアルミニウムクロライド、ジイソブチルアルミニウムハクロライド、ジヘキシルアルミニウムクロライド等のジアルキルアルミニウムクロライド；メチルアルミニウムジクロライド、エチルアルミニウムジクロライド、プロピルアルミニウムジクロライド、イソブチルアルミニウムジクロライド、ヘキシルアルミニウムジクロライド等のアルキルアルミニウムジクロライド；ジメチルアルミニウムハイドライド、ジエチルアルミニウムハイドライド、ジプロピルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアルミニウムハイドライド、ジヘキシルアルミニウムハイドライド等のジアルキルアルミニウムハイドライド等が挙げられる。好ましくは、トリアルキルアルミニウムであり、より好ましくは、トリエチルアルミニウム又はトリイソブチルアルミニウムである。
【００４４】
（Ａ２）：式｛−Ａｌ（Ｅ２）−Ｏ−｝ｂで表される構造を有する環状のアルミノキサン又は（Ａ３）：式Ｅ３｛−Ａｌ（Ｅ３）−Ｏ−｝ｃＡｌ（Ｅ３）２で表される構造を有する線状のアルミノキサンにおけるＥ２及びＥ３としては、例えば、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、ノルマルペンチル基、ネオペンチル基等のアルキル基が挙げられる。ｂは２以上の整数であり、ｃは１以上の整数である。好ましくは、Ｅ２及びＥ３はそれぞれ独立にメチル基又はイソブチル基であり、ｂは２〜４０であり、ｃは１〜４０である。
【００４５】
上記のアルミノキサンは各種の方法で作られる。その方法については特に限定はなく、公知の方法に準じて作ればよい。例えば、トリアルキルアルミニウム（例えば、トリメチルアルミニウムなど）を適当な有機溶剤（ベンゼン又は脂肪族炭化水素など）に溶かした溶液を水と接触させて作る。また、トリアルキルアルミニウム（例えば、トリメチルアルミニウムなど）を、結晶水を含んでいる金属塩（例えば、硫酸銅水和物など）に接触させて作る方法などが挙げられる。
【００４６】
（Ｂ１）：式ＢＱ１Ｑ２Ｑ３で表されるホウ素化合物において、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子である。Ｑ１〜Ｑ３は、好ましくは、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素原子数１〜２０の炭化水素基、炭素原子数１〜２０のハロゲン化炭化水素基、炭素原子数１〜２０の置換シリル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基又は炭素原子数２〜２０の２置換アミノ基であり、より好ましくは、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０の炭化水素基又は炭素原子数１〜２０のハロゲン化炭化水素基である。
【００４７】
（Ｂ１）：式ＢＱ１Ｑ２Ｑ３で表されるホウ素化合物としては、例えば、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン、トリス（２，３，５，６−テトラフルオロフェニル）ボラン、トリス（２，３，４，５−テトラフルオロフェニル）ボラン、トリス（３，４，５−トリフルオロフェニル）ボラン、トリス（２，３，４−トリフルオロフェニル）ボラン、フェニルビス（ペンタフルオロフェニル）ボラン等があげられ、好ましくは、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボランである。
【００４８】
（Ｂ２）：式Ｇ＋（ＢＱ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４）−で表されるホウ素化合物において、Ｇ＋は無機又は有機のカチオンであり、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子であり、Ｑ１〜Ｑ４は上記の（Ｂ１）におけるＱ１〜Ｑ３と同様である。
【００４９】
（Ｂ２）：Ｇ＋（ＢＱ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４）−で表されるホウ素化合物において、無機のカチオンであるＧ＋には、例えば、フェロセニウムカチオン、アルキル置換フェロセニウムカチオン、銀陽イオンなどが、有機のカチオンであるＧ＋には、例えば、トリフェニルメチルカチオンなどが挙げられる。また、（ＢＱ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４）−としては、例えば、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（２，３，５，６−テトラフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（２，３，４，５−テトラフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（３，４，５−トリフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（２，２，４−トリフルオロフェニル）ボレート、フェニルビス（ペンタフルオロフェニル）ボレ−ト、テトラキス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレートなどが挙げられる。
【００５０】
（Ｂ２）：式Ｇ＋（ＢＱ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４）−で表されるホウ素化合物としては、例えば、フェロセニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、１，１’−ジメチルフェロセニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、銀テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルメチルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルメチルテトラキス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレートなどをあげることができ、好ましくは、トリフェニルメチルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートである。
【００５１】
（Ｂ３）：式（Ｌ１−Ｈ）＋（ＢＱ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４）−で表されるホウ素化合物において、Ｌ１は中性ルイス塩基であり、（Ｌ１−Ｈ）＋はブレンステッド酸であり、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子であり、Ｑ１〜Ｑ４は上記の（Ｂ１）におけるＱ１〜Ｑ３と同様である。
【００５２】
（Ｂ３）：式（Ｌ１−Ｈ）＋（ＢＱ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４）−で表されるホウ素化合物において、（Ｌ１−Ｈ）＋には、例えば、トリアルキル置換アンモニウム、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアニリニウム、ジアルキルアンモニウム、トリアリールホスホニウムなどがあげられ、（ＢＱ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４）−には、前述と同様のものが挙げられる。
【００５３】
（Ｂ３）：式（Ｌ１−Ｈ）＋（ＢＱ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４）−で表されるホウ素化合物としては、例えば、トリエチルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリプロピルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（ノルマルブチル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（ノルマルブチル）アンモニウムテトラキス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−２，４，６−ペンタメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレート、ジイソプロピルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジシクロヘキシルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（メチルフェニル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（ジメチルフェニル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなどをあげることができ、好ましくは、トリ（ノルマルブチル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート又はＮ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートである。
【００５４】
化合物（Ｂ）としては、通常、（Ｂ１）：式ＢＱ１Ｑ２Ｑ３で表されるホウ素化合物、（Ｂ２）：式Ｇ＋（ＢＱ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４）−で表されるホウ素化合物又は（Ｂ３）：式（Ｌ１−Ｈ）＋（ＢＱ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４）−で表されるホウ素化合物のいずれかを用いる。
【００５５】
オレフィン重合用触媒の製造での各触媒成分を接触させる方法においては、任意の２つの触媒成分を予め接触させて、その後もう一つの触媒成分を接触させてもよい。また、各触媒成分は重合反応装置中で接触させてもよく、各触媒成分を重合反応装置中に任意の順序で別々に投入してもよく、任意の２つ以上の触媒成分を予め接触させたものを投入してもよい。
【００５６】
各触媒成分の使用量としては、化合物（Ａ）（アルミニウム原子換算）／希土類金属錯体（１）のモル比は、通常０．１〜１００００、好ましくは５〜２０００である。化合物（Ａ）として（Ａ１）有機アルミニウム化合物を用いる場合、化合物（Ａ）／希土類金属錯体（１）のモル比は、より好ましくは０．３〜５００、さらに好ましくは０．５〜１００である。また、化合物（Ｂ）／希土類金属錯体（１）のモル比は、通常０．０１〜１００、好ましくは０．５〜１０である。
【００５７】
各触媒成分を溶液状態で使う場合の濃度については、希土類金属錯体（１）の濃度は、通常０．０００１〜５ミリモル／リットル、好ましくは、０．００１〜１ミリモル／リットルであり、化合物（Ａ）の濃度は、アルミニウム原子換算で、通常０．０１〜５００ミリモル／リットル、好ましくは、０．１〜１００ミリモル／リットルであり、化合物（Ｂ）の濃度は、通常０．０００１〜５ミリモル／リットル、好ましくは、０．００１〜１ミリモル／リットルである。
【００５８】
〔オレフィン重合体の製造方法〕
本発明のオレフィン重合体の製造方法は、希土類金属錯体（１）をオレフィン重合用触媒成分とするオレフィン重合用触媒の存在下、オレフィンを重合するものである。
【００５９】
重合に使用するオレフィンとしては、鎖状オレフィン、環状オレフィン等を用いることができ、１種類のオレフィンを用いて単独重合を行ってもよく、２種類以上のオレフィンを用いて共重合を行ってもよい。通常、該オレフィンとしては、炭素原子数２〜２０のオレフィンが用いられる。
【００６０】
鎖状オレフィンとしては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、３−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、３，３−ジメチル−１−ブテン、５−メチル−１−ヘキセン、３，３−ジメチル−１−ペンテンなどの炭素原子数３〜２０のα−オレフィン；１，５−ヘキサジエン、１，４−ヘキサジエン、１，４−ペンタジエン、１，５−ヘプタジエン、１，６−ヘプタジエン、１，６−オクタジエン、１，７−オクタジエン、１，７−ノナジエン、１，８−ノナジエン、１，８−デカジエン、１，９−デカジエン、１，１２−テトラデカジエン、１，１３−テトラデカジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、７−メチル−１，６−オクタジエン、３−メチル−１，４−ヘキサジエン、３−メチル−１，５−ヘキサジエン、３−エチル−１，４−ヘキサジエン、３−エチル−１，５−ヘキサジエン、３，３−ジメチル−１，４−ヘキサジエン、３，３−ジメチル−１，５−ヘキサジエンなどの非共役ジエン；１，３−ブタジエン、イソプレン、１，３−ヘキサジエン、１，３−オクタジエンなどの共役ジエンなどを挙げることができる。
【００６１】
環状オレフィンとしては、脂環族化合物として、ビニルシクロペンタン、ビニルシクロヘキサン、ビニルシクロヘプタン、ノルボルネン、５−メチル−２−ノルボルネン、５−エチル−２−ノルボルネン、５−ブチル−２−ノルボルネン、テトラシクロドデセン、トリシクロデセン、トリシクロウンデセン、ペンタシクロペンタデセン、ペンタシクロヘキサデセン、８−メチルテトラシクロドデセン、８−エチルテトラシクロドデセンなどのモノオレフィン；５−エチリデン−２−ノルボルネン、ジシクロペンタジエン、５−ビニル−２−ノルボルネン、ノルボルナジエン、５−メチレン−２−ノルボルネン、１，５−シクロオクタジエン、７−メチル−２，５−ノルボルナジエン、７−エチル−２，５−ノルボルナジエン、７−プロピル−２，５−ノルボルナジエン、７−ブチル−２，５−ノルボルナジエン、７−ペンチル−２，５−ノルボルナジエン、７−ヘキシル−２，５−ノルボルナジエン、７，７−ジメチル−２，５−ノルボルナジエン、７，７−メチルエチル−２，５−ノルボルナジエン、７−クロロ−２，５−ノルボルナジエン、７−ブロモ−２，５−ノルボルナジエン、７−フルオロ−２，５−ノルボルナジエン、７，７−ジクロロ−２，５−ノルボルナジエン、１−メチル−２，５−ノルボルナジエン、１−エチル−２，５−ノルボルナジエン、１−プロピル−２，５−ノルボルナジエン、１−ブチル−２，５−ノルボルナジエン、１−クロロ−２，５−ノルボルナジエン、１−ブロモ−２，５−ノルボルナジエン、５，８−エンドメチレンヘキサヒドロナフタレン、ビニルシクロヘキセンなどの非共役ジエン；１，３−シクロオクタジエン、１，３−シクロヘキサジエンなどの共役ジエンなどをあげることができる。また、芳香族化合物として、スチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ，ｐ−ジメチルスチレン、ｏ−エチルスチレン、ｍ−エチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、α−メチルスチレン、ジビニルベンゼンなどを挙げることができる。
【００６２】
オレフィンの共重合を行う場合のオレフィンの組み合わせとしては、例えば、エチレン／プロピレン、エチレン／１−ブテン、エチレン／１−ヘキセン、エチレン／プロピレン／１−ブテン、エチレン／プロピレン／１−ヘキセン、プロピレン／１−ブテン、プロピレン／１−ヘキセンなどの鎖状オレフィン／鎖状オレフィンの組み合わせ；エチレン／ビニルシクロヘキサン、エチレン／ノルボルネン、エチレン／テトラシクロドデセン、エチレン／５−エチリデン−２−ノルボルネン、プロピレン／ビニルシクロヘキサン、プロピレン／ノルボルネン、プロピレン／テトラシクロドデセン、プロピレン／５−エチリデン−２−ノルボルネン、エチレン／プロピレン／５−エチリデン−２−ノルボルネンなどの鎖状オレフィン／環状オレフィンの組み合わせなどをあげることができる。
【００６３】
重合方法は、特に限定されるものではないが、例えば、脂肪族炭化水素（ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等）、芳香族炭化水素（ベンゼン、トルエン等）又はハロゲン化炭化水素（メチレンジクロライド等）を溶媒として用いる溶媒重合又はスラリー重合、ガス状のモノマー中での気相重合等が可能であり、連続式重合又は回分式重合のどちらでも可能である。
【００６４】
重合温度は、−５０℃〜３００℃の範囲を採り得るが、特に、−２０℃〜２５０℃の範囲が好ましい。重合圧力は、常圧〜９０ＭＰａが好ましい。重合時間は、一般的に、目的とする重合体の種類、反応装置によって適宜決定されるが、１分間〜２０時間の範囲を採ることができる。また、本発明は重合体の分子量を調節するために水素等の連鎖移動剤を添加することもできる。
【実施例】
【００６５】
以下、本発明を実験例によりさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実験例に限定されるものではない。
【００６６】
＜希土類金属錯体の製造＞
物性測定は次の方法で行った。
（１）プロトン核磁気共鳴スペクトル（１Ｈ−ＮＭＲ）
装置：日本電子社製  ＥＸ２７０、又は、Ｂｒｕｋｅｒ社製  ＤＰＸ−３００
試料セル：５ｍｍφチューブ
測定溶媒：ＣＤＣｌ３又はｔｏｌｕｅｎｅ−ｄ８
試料濃度：１０ｍｇ／０．５ｍＬ（ＣＤＣｌ３又ｔｏｌｕｅｎｅ−ｄ８）
測定温度：室温（約２５℃）
測定パラメータ：５ｍｍφプローブ、ＭＥＮＵＦ  ＮＯＮ、ＯＢＮＵＣ  1Ｈ、積算回数１６回
パルス角度：４５度
繰り返し時間：ＡＣＱＴＭ  ３秒、ＰＤ  ４秒
内部標準：ＣＤＣｌ３（７．２６ｐｐｍ）、ｔｏｌｕｅｎｅ−ｄ８（２．０９ｐｐｍ）
【００６７】
［実験例１］
「（２，２’−チオ−４，４’−ジメチル−６，６’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（トリメチルシリルメチル）スカンジウム（以下、スカンジウム錯体（１）と記す。）の合成」
＜トリス（トリメチルシリルメチル）スカンジウム（ＴＨＦ）２の合成＞
公知文献（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍ．１９７３，１２６．）に従いトリス（トリメチルシリルメチル）スカンジウム（ＴＨＦ）２を合成した。
＜スカンジウム錯体（１）の合成＞
窒素下、トリス（トリメチルシリルメチル）スカンジウム（ＴＨＦ）２（０．５０ｇ、１．１１ｍｍｏｌ）をヘキサン２２ｍＬに溶解させ、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−５，５’−ジメチルジフェニルスルフィド（０．４０ｇ、１．７９ｍｍｏｌ）を室温で加えた。室温で３時間攪拌を続けた。不溶物を濾過し、溶媒を減圧濃縮し、ペンタンを加えることにより、ＴＨＦが２分子付加したスカンジウム錯体（１）（０．１９ｇ、収率２６．５％）を淡黄色固体として得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ｔｏｌｕｅｎｅ−ｄ８、δｐｐｍ））：−０．０５（ｓ、２Ｈ）、０．４６（ｓ、９Ｈ）、１．２６（ｂｒ  ｓ、８Ｈ）、１．６２（ｓ、１８Ｈ）、２．１０（ｓ、６Ｈ）、３．７２（ｂｒ  ｓ、８Ｈ）、７．０４（ｓ、２Ｈ）、７．４１（ｓ、２Ｈ） 
【００６８】
［実験例２］
「（２，２’−チオ−４，４’−ジメチル−６，６’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）スカンジウム（以下、スカンジウム錯体（２）と記す。）の合成」
＜トリス（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）スカンジウムの合成＞
公知文献（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９７８，１００，８０６８．）に従いトリス（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）スカンジウムを合成した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ｔｏｌｕｅｎｅ−ｄ８、δｐｐｍ））：１．５８（ｓ、６Ｈ）、２．２８（ｓ、１８Ｈ）、６．７１−６．７８（ｍ、６Ｈ）、６．８５−６．９５（ｍ、６Ｈ）
質量スペクトル（ＥＩ−ＭＳ、ｍ／ｚ）：３１３（Ｍ＋−１３４）、２６８、１３４、９１、６５
＜スカンジウム錯体（２）の合成＞
窒素下、トリス（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）スカンジウム（０．８０ｇ、１．７９ｍｍｏｌ）をＴＨＦ９ｍＬに溶解させ、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−５，５’−ジメチルジフェニルスルフィド（０．６４ｇ、１．７９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン９ｍＬに溶液させた混合物を室温で加えた。室温で２０時間攪拌を続けた。溶媒を減圧濃縮し、ペンタンを加え、不溶物を濾過した。濾液を濃縮することにより、ＴＨＦが１分子付加したスカンジウム錯体（２）（０．３６ｇ、収率３３．２％）を白色固体として得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ｔｏｌｕｅｎｅ−ｄ８、δｐｐｍ））：１．２７（ｂｒ  ｓ、４Ｈ）、１．４７（ｓ、１８Ｈ）、１．４７（ｓ、２Ｈ）、２．１３（ｓ、６Ｈ）、２．６８（ｓ、６Ｈ）、３．６０（ｂｒ  ｓ、４Ｈ）、６．７４−６．８７（ｍ、２Ｈ）、６．９２−７．１０（ｍ、４Ｈ）、７．４２（ｓ、２Ｈ）
【００６９】
［実験例３］
「（２，２’−チオ−４，４’−ジメチル−６，６’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシ）（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）イットリウム（以下、イットリウム錯体（１）と記す。）の合成」
＜トリス（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）イットリウムの合成＞
塩化イットリウムを用いたこと以外は、トリス（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）スカンジウムの合成と同様の手法に従いトリス（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）イットリウムを合成した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ｔｏｌｕｅｎｅ−ｄ８、δｐｐｍ））：１．５４（ｓ、６Ｈ）、２．１１（ｓ、１８Ｈ）、６．５８−６．６６（ｍ、３Ｈ）、６．８０−６．８２（ｍ、３Ｈ）、６．９０−７．０３（ｍ、６Ｈ）
質量スペクトル（ＥＩ−ＭＳ、ｍ／ｚ）：３５７（Ｍ＋−１３４）、２６８、１３４、１２０、９１、６５
＜イットリウム錯体（１）の合成＞
窒素下、トリス（ｏ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンジル）イットリウム（０．８０ｇ、１．６３ｍｍｏｌ）をＴＨＦ８ｍＬに溶解させ、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−５，５’−ジメチルジフェニルスルフィド（０．５８ｇ、１．７９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン８ｍＬに溶液させた混合物を室温で加えた。室温で２０時間攪拌を続けた。溶媒を減圧濃縮し、ペンタンを加えることにより、ＴＨＦが３分子付加したイットリウム錯体（１）（１．０８ｇ、収率８３．２％）を白色固体として得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ｔｏｌｕｅｎｅ−ｄ８、δｐｐｍ））：１．３０（ｂｒ  ｓ、１２Ｈ）、１．４８（ｓ、１８Ｈ）、１．６６（ｓ、２Ｈ）、２．１５（ｓ、６Ｈ）、３．０１（ｓ、６Ｈ）、３．６３（ｂｒ  ｓ、１２Ｈ）、６．７５−７．０９（ｍ、６Ｈ）、７．５３（ｓ、２Ｈ）
【００７０】
＜エチレン−α−オレフィン共重合体の製造＞
【００７１】
物性測定は次の方法で行った。
【００７２】
（１）共重合体中の１−ヘキセン単位含有量（ＳＣＢ、単位：１／１０００Ｃ）
赤外分光光度計（Ｂｒｕｋｅｒ社製  ＥＱＵＩＮＯＸ５５）を用いて、赤外分光法により求めた。なお、ブチル分岐の特性吸収は、１３７８ｃｍ−１〜１３０３ｃｍ−１のピークを用い、１−ヘキセン単位含有量は、エチレン−１−ヘキセン共重合体１０００炭素当たりのブチル分岐数として表した。
【００７３】
（２）分子量及び分子量分布
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって、下記の条件で測定した。分子量分布は重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）で評価した。
装置：送液装置（ＬＣポンプ）Ｇｉｌｓｏｎ社製  Ｍｏｄｅｌ３０５（ポンプヘッド２５．ＳＣ）
カラム：ＰｏｌｙｍｅｒＬａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ社製  ＰＬｇｅｌ  Ｍｉｘｅｄ−Ｂ  １０μｍ（７．５ｍｍφ×３００ｍｍ）
測定温度：１６０℃
移動相：オルトジクロロベンゼン
試料濃度：共重合体１ｍｇ／１，２，４−トリクロロベンゼン１ｍＬ
流量：２ｍＬ／分
標準物質：（標準ＰＳ分子量）５，０００、１０，０５０、２８，５００、６５，５００、１８５，４００、４８３，０００、１，０１３，０００、３，３９０，０００
【００７４】
実験例１で得られたスカンジウム錯体（１）をオレフィン重合用触媒成分として、Ｓｙｍｙｘ社製ＰＰＲ（４８連オートクレーブ）を用いて下記重合条件によりエチレンと１−ヘキセンの共重合を行った。
【００７５】
「実験例４」
オートクレーブに窒素下で、トルエン５．０ｍＬ、１−ヘキセン６０μＬを仕込み、４０℃で安定させた後、エチレンを０．６０ＭＰａまで加圧し安定させた。ここに、アルミノキサン（東ソー・ファインケム社製  ＭＭＡＯ、５．８重量％Ａｌ）１００μｍｏｌ（Ａｌ原子換算値）、スカンジウム錯体（１）０．１０μｍｏｌを加え、３０分間重合した。重合の結果、分子量（Ｍｗ）＝２４１，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．６、共重合体中の１−ヘキセン単位含有量（ＳＣＢ）＝１のポリマーを触媒１ｍｏｌあたり、１時間あたり、１．１×１０６ｇ製造した。
【００７６】
「実験例５」
１−ヘキセンを５０μＬ、重合温度を７０℃に変更した以外は実験例４と同様に重合を行い、分子量（Ｍｗ）＝６３，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．５、共重合体中の１−ヘキセン単位含有量（ＳＣＢ）＝３２のポリマーを触媒１ｍｏｌあたり、１時間あたり、９．０×１０５ｇ製造した。
【００７７】
「実験例６」
オートクレーブに窒素下で、トルエン５．０ｍＬ、１−ヘキセン６０μＬを仕込み、４０℃で安定させた後、エチレンを０．６０ＭＰａまで加圧し安定させた。ここに、ＴＩＢＡのヘキサン溶液４０μＬ（関東化学社製、ＴＩＢＡ濃度１．０ｍｏｌ／Ｌ）、ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート０．３０μｍｏｌ、及びスカンジウム錯体（１）０．１０μｍｏｌを加え、３０分間重合した。重合の結果、分子量（Ｍｗ）＝３１，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．９のポリマーを触媒１ｍｏｌあたり、１時間あたり、１．８×１０６ｇ製造した。
【００７８】
「実験例７」
１−ヘキセンを５０μＬ、重合温度を７０℃に変更した以外は実験例６と同様に重合を行い、分子量（Ｍｗ）＝１０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．５、共重合体中の１−ヘキセン単位含有量（ＳＣＢ）＝１６のポリマーを触媒１ｍｏｌあたり、１時間あたり、７．７×１０６ｇ製造した。
【００７９】
「実験例８」
オートクレーブに窒素下で、トルエン５．０ｍＬ、１−ヘキセン６０μＬを仕込み、４０℃で安定させた後、エチレンを０．６０ＭＰａまで加圧し安定させた。ここに、ＴＩＢＡのヘキサン溶液４０μＬ（関東化学社製、ＴＩＢＡ濃度１．０ｍｏｌ／Ｌ）、トリフェニルメチルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート０．３０μｍｏｌ、及びスカンジウム錯体（１）０．１０μｍｏｌを加え、３０分間重合した。重合の結果、分子量（Ｍｗ）＝２８，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．７のポリマーを触媒１ｍｏｌあたり、１時間あたり、３．２×１０６ｇ製造した。
【００８０】
「実験例９」
１−ヘキセンを５０μＬ、重合温度を７０℃に変更した以外は実験例８と同様に重合を行い、分子量（Ｍｗ）＝５，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．４、共重合体中の１−ヘキセン単位含有量（ＳＣＢ）＝１４のポリマーを触媒１ｍｏｌあたり、１時間あたり、４．５×１０６ｇ製造した。
【００８１】
実験例２で得られたスカンジウム錯体（２）をオレフィン重合用触媒成分として、Ｓｙｍｙｘ社製ＰＰＲ（４８連オートクレーブ）を用いて下記重合条件によりエチレンと１−ヘキセンの共重合を行った。
【００８２】
「実験例１０」
オートクレーブに窒素下で、トルエン５．０ｍＬ、１−ヘキセン６０μＬを仕込み、４０℃で安定させた後、エチレンを０．６０ＭＰａまで加圧し安定させた。ここに、ＴＩＢＡのヘキサン溶液４０μＬ（関東化学社製、ＴＩＢＡ濃度１．０ｍｏｌ／Ｌ）、ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート０．３０μｍｏｌ、及びスカンジウム錯体（２）０．１０μｍｏｌを加え、３０分間重合した。重合の結果、分子量（Ｍｗ）＝１１，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．７のポリマーを触媒１ｍｏｌあたり、１時間あたり、３．８×１０６ｇ製造した。
【００８３】
「実験例１１」
オートクレーブに窒素下で、トルエン５．０ｍＬ、１−ヘキセン６０μＬを仕込み、４０℃で安定させた後、エチレンを０．６０ＭＰａまで加圧し安定させた。ここに、ＴＩＢＡのヘキサン溶液４０μＬ（関東化学社製、ＴＩＢＡ濃度１．０ｍｏｌ／Ｌ）、トリフェニルメチルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート０．３０μｍｏｌ、及びスカンジウム錯体（１）０．１０μｍｏｌを加え、３０分間重合した。重合の結果、分子量（Ｍｗ）＝１４，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝２．０のポリマーを触媒１ｍｏｌあたり、１時間あたり、２．０×１０６ｇ製造した。
【００８４】
＜エチレン単独重合体の製造＞
実験例１で得られたスカンジウム錯体（１）をオレフィン重合用触媒成分として、Ｓｙｍｙｘ社製ＰＰＲ（４８連オートクレーブ）を用いて下記重合条件によりエチレンの単独重合を行った。
【００８５】
「実験例１２」
オートクレーブに窒素下で、トルエン５．０ｍＬを仕込み、４０℃で安定させた後、エチレンを０．６０ＭＰａまで加圧し安定させた。ここに、アルミノキサン（東ソー・ファインケム社製  ＭＭＡＯ、５．８重量％Ａｌ）１００μｍｏｌ（Ａｌ原子換算値）、スカンジウム錯体（１）０．１０μｍｏｌを加え、３０分間重合した。重合の結果、ポリマーを触媒１ｍｏｌあたり、１時間あたり、１．２×１０６ｇ製造した。
【００８６】
「実験例１３」
メチルアルミノキサンの代わりに、ＴＩＢＡのヘキサン溶液４０μＬ（関東化学社製、ＴＩＢＡ濃度１．０ｍｏｌ／Ｌ）、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン０．３０μｍｏｌを用いた以外は実験例１２と同様に重合を行った。重合の結果、ポリマーを触媒１ｍｏｌあたり、１時間あたり、２．０×１０５ｇ製造した。
【００８７】
「実験例１４」
メチルアルミノキサンの代わりに、ＴＩＢＡのヘキサン溶液４０μＬ（関東化学社製、ＴＩＢＡ濃度１．０ｍｏｌ／Ｌ）、ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート０．３０μｍｏｌを用いた以外は実験例１２と同様に重合を行った。重合の結果、ポリマーを触媒１ｍｏｌあたり、１時間あたり、２．７×１０６ｇ製造した。
【００８８】
「実験例１５」
メチルアルミノキサンの代わりに、ＴＩＢＡのヘキサン溶液４０μＬ（関東化学社製、ＴＩＢＡ濃度１．０ｍｏｌ／Ｌ）、トリフェニルメチルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート０．３０μｍｏｌを用いた以外は実験例１２と同様に重合を行った。重合の結果、ポリマーを触媒１ｍｏｌあたり、１時間あたり、３．６×１０６ｇ製造した。
【００８９】
実験例２で得られたスカンジウム錯体（２）をオレフィン重合用触媒成分として、Ｓｙｍｙｘ社製ＰＰＲ（４８連オートクレーブ）を用いて下記重合条件によりエチレンの単独重合を行った。
【００９０】
「実験例１６」
オートクレーブに窒素下で、トルエン５．０ｍＬを仕込み、４０℃で安定させた後、エチレンを０．６０ＭＰａまで加圧し安定させた。ここに、アルミノキサン（東ソー・ファインケム社製  ＭＭＡＯ、５．８重量％Ａｌ）１００μｍｏｌ（Ａｌ原子換算値）、スカンジウム錯体（１）０．１０μｍｏｌを加え、３０分間重合した。重合の結果、ポリマーを触媒１ｍｏｌあたり、１時間あたり、６．０×１０５ｇ製造した。
【００９１】
「実験例１７」
メチルアルミノキサンの代わりに、ＴＩＢＡのヘキサン溶液４０μＬ（関東化学社製、ＴＩＢＡ濃度１．０ｍｏｌ／Ｌ）、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン０．３０μｍｏｌを用いた以外は実験例１２と同様に重合を行った。重合の結果、ポリマーを触媒１ｍｏｌあたり、１時間あたり、２．０×１０５ｇ製造した。
【００９２】
「実験例１８」
メチルアルミノキサンの代わりに、ＴＩＢＡのヘキサン溶液４０μＬ（関東化学社製、ＴＩＢＡ濃度１．０ｍｏｌ／Ｌ）、ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート０．３０μｍｏｌを用いた以外は実験例１２と同様に重合を行った。重合の結果、ポリマーを触媒１ｍｏｌあたり、１時間あたり、４．２×１０６ｇ製造した。
【００９３】
「実験例１９」
メチルアルミノキサンの代わりに、ＴＩＢＡのヘキサン溶液４０μＬ（関東化学社製、ＴＩＢＡ濃度１．０ｍｏｌ／Ｌ）、トリフェニルメチルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート０．３０μｍｏｌを用いた以外は実験例１２と同様に重合を行った。重合の結果、ポリマーを触媒１ｍｏｌあたり、１時間あたり、３．３×１０６ｇ製造した。
【００９４】
実験例３で得られたイットリウム錯体（１）をオレフィン重合用触媒成分として、Ｓｙｍｙｘ社製ＰＰＲ（４８連オートクレーブ）を用いて下記重合条件によりエチレンの単独重合を行った。
【００９５】
「実験例２０」
オートクレーブに窒素下で、トルエン５．０ｍＬを仕込み、４０℃で安定させた後、エチレンを０．６０ＭＰａまで加圧し安定させた。ここに、ＴＩＢＡのヘキサン溶液４０μＬ（関東化学社製、ＴＩＢＡ濃度１．０ｍｏｌ／Ｌ）、ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート０．３０μｍｏｌ、イットリウム錯体（１）０．１０μｍｏｌを加え、３０分間重合した。重合の結果、ポリマーを触媒１ｍｏｌあたり、１時間あたり、５．０×１０５ｇ製造した。