(57)【要約】【課題】光取出し効率の向上のうえで好ましい凹凸を基板表面に形成しつつ、該基板表面上にＧａＮ系半導体からなるＬＥＤ構造を形成してなる、ＧａＮ系発光ダイオード素子を提供すること。【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオード素子１０は、基板１１とＧａＮ系半導体１２とを有し、基板１１の表面には光を散乱可能な凹凸が形成された領域１１Ａが部分的に設けられており、ＧａＮ系半導体１２は、基板１１の表面の凹凸が形成されていない領域１１Ｂ上から凹凸が形成された領域１１Ａ上にラテラル成長したＧａＮ系半導体結晶膜を含んでいる。好ましい製造方法では、鏡面研磨された表面を有する基板の前記表面の一部をエッチング処理して光を散乱可能な凹凸を形成し、ＧａＮ系半導体結晶膜を前記凹凸が形成されていない領域上から前記凹凸が形成された領域上にラテラル成長させる。【選択図】図１
2008270689.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成されたＧａＮ系半導体とを有し、
前記基板の表面には光を散乱可能な凹凸が形成された領域が部分的に設けられており、
前記ＧａＮ系半導体は、前記基板の表面の前記凹凸が形成されていない領域上から前記凹凸が形成された領域上にラテラル成長したＧａＮ系半導体結晶膜を含んでいる、
ＧａＮ系発光ダイオード素子。
【請求項２】
前記凹凸がランダムエッチングマスクを用いたエッチング処理によって形成された凹凸である、請求項１に記載のＧａＮ系発光ダイオード素子。
【請求項３】
前記凹凸に含まれる凸部が錐体状である、請求項１または２に記載のＧａＮ系発光ダイオード素子。
【請求項４】
前記凹凸の高低差が０．１μｍ〜３μｍである請求項１〜３のいずれかに記載のＧａＮ系発光ダイオード素子。
【請求項５】
鏡面研磨された表面を有する基板の前記表面の一部をエッチング処理して光を散乱可能な凹凸を形成する工程と、ＧａＮ系半導体結晶膜を前記基板の表面の前記凹凸が形成されていない領域上から前記凹凸が形成された領域上にラテラル成長させる工程と、を有するＧａＮ系発光ダイオード素子の製造方法。
【請求項６】
前記エッチング処理が、ランダムエッチングマスクを用いたエッチング処理である、請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記エッチング処理が、ドライエッチング装置を用いてエッチングとデポジションが同時に生じるように行うエッチング処理である、請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記凹凸に含まれる凸部が錐体状である、請求項５〜７のいずれかに記載の製造方法。
【請求項９】
前記凹凸の高低差が０．１μｍ〜３μｍである請求項５〜８のいずれかに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学式ＡｌａＩｎｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）で表されるＧａＮ系半導体を用いて発光ダイオード構造（以下、「ＬＥＤ構造」ともいう。）を形成してなるＧａＮ系発光ダイオード素子と、その製造方法に関し、とりわけ、光を散乱可能な凹凸を表面に形成した基板の上にＧａＮ系半導体からなるＬＥＤ構造を形成してなるＧａＮ系発光ダイオード素子と、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮ系発光ダイオード素子において、基板の表面に光を散乱させるための凹凸を形成して、光の取出し効率を向上させることが行われている（特許文献１〜３）。凹凸形成の一方法として、加工しようとする基板の表面上に微細な粒子状物をランダムに堆積し、この粒子状物をマスク（ランダムエッチングマスク）として用いて該表面をエッチング処理する方法がある。かかるエッチング処理の一形態として、ドライエッチング装置を用いて、エッチングとデポジションが同時に生じるようにして行う基板表面のエッチング処理が知られている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００６−１００５１８号公報
【特許文献２】特開２００３−２１８３８３号公報
【特許文献２】特開２００５−３５４０２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
発光ダイオード素子の光取出し効率の向上という観点から、基板の表面に形成する凹凸には、（イ）ＬＥＤ構造を構成する層状のＧａＮ系半導体の層方向に平行な平坦面部分を有さないこと、また、（ロ）形状の周期性が低いこと、が望まれる。ランダムエッチングマスクを用いたエッチング処理によれば、かかる性質を備えた凹凸を好ましく形成することができる。しかしながら、かかる凹凸を形成した基板の表面上には、エピタキシャル成長によってＧａＮ系半導体の単結晶層を形成することが難しいという問題、つまり、ＬＥＤ構造を形成することが難しいという問題がある。
【０００４】
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであり、その主な目的は、光取出し効率の向上のうえで好ましい凹凸を基板表面に形成しつつ、該基板表面上にＧａＮ系半導体からなるＬＥＤ構造を形成してなる、ＧａＮ系発光ダイオード素子を提供することである。本発明は、また、かかるＧａＮ系発光ダイオード素子の好ましい製造方法を提供することを、ひとつの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するための好適な手段として、次の発明を開示する。
（１）基板と、該基板上に形成されたＧａＮ系半導体とを有し、前記基板の表面には光を散乱可能な凹凸が形成された領域が部分的に設けられており、前記ＧａＮ系半導体は、前記基板の表面の前記凹凸が形成されていない領域上から前記凹凸が形成された領域上にラテラル成長したＧａＮ系半導体結晶膜を含んでいる、ＧａＮ系発光ダイオード素子。
（２）前記凹凸がランダムエッチングマスクを用いたエッチング処理によって形成された凹凸である、前記（１）に記載のＧａＮ系発光ダイオード素子。
（３）前記凹凸に含まれる凸部が錐体状である、前記（１）または（２）に記載のＧａＮ系発光ダイオード素子。
（４）前記凹凸の高低差が０．１μｍ〜３μｍである前記（１）〜（３）のいずれかに記載のＧａＮ系発光ダイオード素子。
（５）鏡面研磨された表面を有する基板の前記表面の一部をエッチング処理して光を散乱可能な凹凸を形成する工程と、ＧａＮ系半導体結晶膜を前記基板の表面の前記凹凸が形成されていない領域上から前記凹凸が形成された領域上にラテラル成長させる工程と、を有するＧａＮ系発光ダイオード素子の製造方法。
（６）前記エッチング処理が、ランダムエッチングマスクを用いたエッチング処理である、前記（５）に記載の製造方法。
（７）前記エッチング処理が、ドライエッチング装置を用いてエッチングとデポジションが同時に生じるように行うエッチング処理である、前記（６）に記載の製造方法。
（８）前記凹凸に含まれる凸部が錐体状である、前記（５）〜（７）のいずれかに記載の製造方法。
（９）前記凹凸の高低差が０．１μｍ〜３μｍである前記（５）〜（８）のいずれかに記載の製造方法。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の実施形態に係るＧａＮ系発光ダイオード素子は、光取出し効率の向上のうえで好ましい凹凸を基板表面に有し、該基板表面上にＧａＮ系半導体からなるＬＥＤ構造を形成したものであるため、高い発光効率を示し、照明用途や表示用途をはじめとする、高出力が要求される各種の用途に、好適に用いることができる。
【０００７】
本発明の実施形態に係るＧａＮ系発光ダイオード素子の製造方法によれば、光取出し効率の向上のうえで好ましい凹凸を基板表面に有し、該基板表面上にＧａＮ系半導体からなるＬＥＤ構造が形成されたＧａＮ系発光ダイオード素子を、容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の好適な一実施形態に係るＧａＮ系発光ダイオード素子は、基板と、該基板上に形成されたＧａＮ系半導体とを有し、前記基板の表面には光を散乱可能な凹凸が形成された領域が部分的に設けられており、前記ＧａＮ系半導体は、前記基板の表面の前記凹凸が形成されていない領域上から前記凹凸が形成された領域上にラテラル成長したＧａＮ系半導体結晶膜を含んでいる。図１は、このように構成されたＧａＮ系発光ダイオード素子の構造例を示す断面図である。図１に示すＧａＮ発光ダイオード素子１０は、基板１１と、該基板上に形成されたＧａＮ系半導体１２とを有している。基板１１の、ＧａＮ系半導体１２が形成された側の表面は、光を散乱可能な凹凸が形成された領域である第１領域１１Ａと、鏡面状の平坦領域である第２領域１１Ｂとを有している。ＧａＮ系半導体１２は、基板１１側に設けられた基層部１２１と、その上に設けられたＬＥＤ構造形成部１２２とを有している。基層部１２１は、基板１１の表面を完全に覆っており、その上面は平坦面となっている。基層部１２１は、その一部に、基板表面の第２領域１１Ｂ上から第１領域１１Ａ上にラテラル成長したＧａＮ系半導体結晶膜を含んでいる。ＬＥＤ構造形成部１２２は、基層部１２１側から順に、第１導電型層１２２１と第２導電型層１２２２とを有している。第１導電型層１２２１と第２導電型層１２２２により、キャリア注入により発光し得るｐｎ接合が形成されている。第１導電型層１２２１には下部電極１３が形成され、第２導電型層１２２２には上部電極１４が形成されている。
【０００９】
ＧａＮ系発光ダイオード素子１０の各部の好ましい構成を説明する。
【００１０】
（基板）
基板１１は、ＧａＮ系半導体結晶のエピタキシャル成長に用い得る基板であればよく、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、スピネル、ＺｎＯ、ＮＧＯ（ＮｄＧａＯ３）、ＬＧＯ（ＬｉＧａＯ２）、ＬＡＯ（ＬａＡｌＯ３）、ＺｒＢ２、ＴｉＢ２などの材料からなる単結晶基板を好ましく用いることができる。これらの材料からなる単結晶層を、結晶成長面側に表層として有するテンプレート（多層構造の基板）であってもよい。単結晶基板であってもテンプレートであっても、基板１１は、当該素子から放出される光に対して透過性を有するものであることが好ましい。
【００１１】
基板表面の第１領域１１Ａの凹凸は、好ましくは、ランダムエッチングマスクを用いたエッチング処理により形成される凹凸である。即ち、基板の表面に微細な粒子状物をランダムに堆積し、この粒子状物をマスクとして用いて、該表面をエッチング処理することによって形成される凹凸である。このようにして形成される凹凸は形状の周期性が低くなるために、強い光散乱作用を示す。更に、この凹凸に含まれる凸部を錐体状とすると、該凹凸による光散乱作用を特に強くすることができる。これは、凹凸に含まれる、層状のＧａＮ系半導体１２の層方向に平行な平坦面が少なくなるからである。第１領域１１Ａにおける凹凸の高低差（凹部の底から見た凸部の頂の高さ）は、例えば、０．０５μｍ〜５μｍとすることができるが、好ましくは０．１μｍ〜３μｍであり、より好ましくは０．３μｍ〜１μｍである。凹凸の高低差が光の波長と比べて小さ過ぎると、光波と凹凸の相互作用が小さくなるため光散乱効果が弱くなる。凹凸の高低差を大きくし過ぎたときには、凸部と凹部の分布密度が低くなるために、光散乱効果が弱くなる。
【００１２】
基板１１の表面において第１領域１１Ａと第２領域１１Ｂとがなすパターンは、少なくともあるひとつの方向に沿って、第１領域１１Ａと第２領域１１Ｂとが交互に並ぶパターンとする。ひとつのパターンとして、第１領域と第２領域のそれぞれをストライプ状に形成し、平行かつ交互に並べたパターンが例示される。この場合、第２領域のストライプ幅は、例えば０．５μｍ〜２０μｍとすることができるが、好ましくは１μｍ〜１０μｍであり、より好ましくは２μｍ〜５μｍである。他のパターンとして、複数の孤立した島状の第１領域が、第２領域で隔てられたパターンや、その逆に、複数の孤立した島状の第２領域が、第１領域で隔てられたパターンが挙げられる。その他、複数の第１領域および第２領域を、あるひとつの点の周りを囲む環状に形成しつつ、交互に並べたパターンなどが例示される。いかなるパターンを採用する場合においても、基板の表面に占める第１領域１１Ａの面積比率は、好ましくは４０％〜９０％であり、より好ましくは５０％〜８５％であり、更に好ましくは６０％〜８０％である。第１領域１１Ａの面積比率が小さ過ぎると、該領域に形成された凹凸による光取出し効率の向上効果が十分に発揮されない。第１領域１１Ａの面積比率を大きくし過ぎると、換言すれば、基板１１とＧａＮ系半導体１２との接触面積（≒第２領域の面積）を小さくし過ぎると、熱応力によって基板１１とＧａＮ系半導体１２との間で剥離が発生する恐れがある。また、いかなるパターンを採用する場合においても、基板表面における第１領域１１Ａと第２領域１１Ｂとの境界の全てを、該基板上にエピタキシャル成長するＧａＮ系半導体単結晶のＡ面に平行な方向に形成することが好ましい。そのように構成すると、第１領域１１Ａ上から第２領域１１Ｂ上へのＧａＮ系半導体結晶のラテラル成長が速くなるので、第１領域の面積を大きく設定した場合でも、広い第１領域上をＧａＮ系半導体結晶で覆うことが容易となる。
【００１３】
（基層部）
ＧａＮ系半導体１２の基層部１２１は、ＬＥＤ構造にとって必須の構成要素ではないが、この層を設けることで、その上に形成するＬＥＤ構造形成部１２２の結晶品質を改善し、ひいては、発光効率（内部量子効率）を改善することができる。そのためには、この基層部１２１は、厚さを１μｍ以上とすることが好ましく、２μｍ以上とすることがより好ましく、３μｍ以上とすることが更に好ましい。また、基層部１２１の結晶性を良好なものとするには、基板１１と基層部１２１との間にはバッファ層を介在させることが好ましく、更に、基層部１２１に不純物の添加を行わないことが好ましい。ただし、Ｍｇ（マグネシウム）の添加はＧａＮ系半導体結晶のラテラル成長を促進させる効果があるため、基板１１の表面の第１領域１１Ａの面積を大きく設定する場合には、基層部１２１の成長初期にＭｇを添加すると、広い第１領域上を覆って基層部１２１を形成することが容易となる。基板１１の第１領域１１Ａ上にラテラル成長したＧａＮ系半導体結晶膜は転移欠陥密度の低いものとなるので、その上に成長するＧａＮ系半導体結晶は特に高品質なものとなる。基層部１２１を構成するＧａＮ系半導体結晶の組成に限定はないが、ＬＥＤ構造形成部１２２の結晶性を高める目的からは、基層部１２１は数μｍ以上の膜厚を有するＧａＮ（窒化ガリウム）層を含むことが好ましい。その場合、基層部１２１はＧａＮ層のみからなるものであってもよい。また、基板１１と基層部１２１との界面で格子不整合に起因して発生する貫通転移が、基層部１２１内を上方に伝播するのを抑制するために、基層部１２１内に歪超格子構造を設けてもよい。
【００１４】
（ＬＥＤ構造形成部）
ＬＥＤ構造形成部１２２を構成する第１導電型層１２２１と第２導電型層は、いずれか一方がｎ型半導体を含む層であり、他方がｐ型半導体を含む層であればよい。好ましくは、先に成長させる第１導電型層１２２１を、ｎ型半導体を用いて形成する。第１導電型層１２２１と第２導電型層１２２２との接合部分に活性層を設けてダブルヘテロ構造を構成すると、発光効率が飛躍的に向上する。活性層は、好ましくは多重量子井戸構造とする。
【００１５】
（電極その他）
第１導電型層１２２１に形成する下部電極１３、第２導電型層１２２２に形成する上部電極１４の、材料、構造などについては、公知技術を適宜参照することができる。具体例を挙げると、ｎ型ＧａＮ系半導体の表面に形成する電極は、Ｔｉ（チタン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｗ（タングステン）、Ｖ（バナジウム）、Ｃｒ（クロム）などの単体、または、これらから選ばれる１種以上の金属を含む合金を用いて形成することができる。また、ｐ型ＧａＮ系半導体の表面に形成する電極は、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、白金族（Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｕ）、Ａｕ（金）などの単体、または、これらから選ばれる１種以上の金属を含む合金を用いて形成することができる。酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、酸化ガリウム、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム亜鉛酸化物）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化錫）などの導電性酸化物は、ｎ型ＧａＮ系半導体とｐ型ＧａＮ系半導体のいずれの表面に形成する電極にも使用できる。また、下部電極１３および上部電極１４のそれぞれには、外部電極との接続が容易となるように、表層としてＡｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｓｎ（錫）、Ｉｎ（インジウム）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｃｕ（銅）、Ｚｎ（亜鉛）などからなる層を設けることが好ましい。上部電極１４を、第２導電型層１２２２の上面を略全面的に覆う全面電極と、該全面電極の一部上に形成されるパッド電極とから構成してもよいが、その場合には、パッド電極に上記材料からなる表層を設ければよい。下部電極１３および上部電極１４と、外部電極との接続は、Ａｕなどからなるボンディングワイヤを用いて行うこともできるし、ハンダ、共晶合金、導電ペーストなどの導電性接合材料を用いて行うこともできる。好ましい実施形態では、上部電極１４を、導電性酸化物からなる透光性の全面電極と、その一部上に形成されるパッド電極とから構成したうえ、発光ダイオード素子１０をフリップチップ実装する。フリップチップ実装では、一般的に、導電性接合材料を用いて下部電極１３および上部電極１４を外部電極に接続する。
【００１６】
次に、図１に示すＧａＮ系発光ダイオード素子の製造方法の一例について説明する。
【００１７】
（基板の加工）
鏡面研磨された結晶成長面を有する、直径２インチのＣ面サファイア基板（片面研磨基板）を準備し、その結晶成長面側の表面に、フォトレジスト膜を、ライン幅２．５μｍ、スペース幅５μｍのライン・アンド・スペース・パターンに形成する。ライン方向（ストライプ状にパターニングするフォトレジスト膜の長手方向）は、サファイアの＜１１−２０＞方向とする。この方向は、Ｃ面サファイア基板上にエピタキシャル成長するＧａＮ系半導体結晶（Ｃ軸配向結晶）のＡ面に平行である。次に、この基板を反応性イオンエッチング装置のエッチングチャンバ内に装填し、基板の結晶成長面の、フォトレジスト膜で保護されていない部分を、エッチングとデポジションが同時に生じる条件を用いてエッチング処理する。より具体的には、エッチングガスとしてトリフルオロメタンを用い、チャンバ内圧力を１．５〜６．０Ｐａとし、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）電力を１５０〜６００Ｗとし、バイアス電圧を３００Ｗ〜５００Ｗとする。エッチング時間は１５分〜４０分とする。この処理によって、サファイア基板表面（フォトレジスト膜で保護していない部分）に、高さが０．３μｍ〜０．５μｍの円錐状凸部を１個／μｍ２〜７０個／μｍ２の密度で有する凹凸を形成することができる。凹凸の形状やサイズは、ＩＣＰ電力、バイアス電圧、チャンバ内圧力、エッチング時間を変化させることにより、変更することができる。処理後、基板を反応性イオンエッチング装置から取り出し、フォトレジスト膜を除去するとともに、有機洗浄を行う。
【００１８】
（ＧａＮ系半導体の形成）
結晶成長面を部分的に加工して凹凸を形成した上記基板の上に、ＭＯＶＰＥ（有機金属化合物気相成長）法を用いて、ＬＥＤ構造を備えたＧａＮ系半導体を形成する。より具体的には、まず、ＭＯＶＰＥ装置内に装着した基板を、水素気流中１１００℃に加熱してクリーニング処理する。次に、基板温度を下げて５００℃〜６５０℃とし、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、アンモニアを原料に用いて、Ａｌ（アルミニウム）の組成比がＧａ（ガリウム）の組成比よりも大きいＡｌＧａＮバッファ層を、約３０ｎｍの厚さに形成する。バッファ層形成後、アンモニアを基板上に供給しながら基板温度を１０００℃に上げ、続いて、ＴＭＧとアンモニアを原料に用いて、ＧａＮを約４μｍの厚さに形成する。このとき、基板上に供給するＴＭＧとアンモニアの供給量の比率は、ＧａＮ結晶のラテラル成長速度が十分に大きくなる比率に調節する。また、原料のキャリアガスには、水素ガスと窒素ガスを用いる。図２に、このようにして形成されるＧａＮ結晶の成長の様子を模式的に示す。図２（ａ）は、ＧａＮ結晶を成長させる前のサファイア基板２１の断面図であり、前工程で用いたストライプ状にパターニングしたフォトレジスト膜の長手方向に直交する断面を示している。この断面を見ると、基板２１の結晶成長面には、凹凸が形成された第１領域２１Ａと、凹凸が形成されていない第２領域２１Ｂとが、交互に並んでいる。図２（ｂ）は成長初期の状態を示しており、ＧａＮ結晶２２が結晶成長面の第２領域上のみに形成されている（バッファ層の図示は省略している。図２（ｃ）（ｄ）も同じ。）。図２（ｃ）は成長を続けたところで、ＧａＮ結晶２２は、図２（ｂ）に示す状態から、更に縦方向およびラテラル方向に成長している。図２（ｄ）は図２（ｃ）の状態から更に成長を続けたところであり、ラテラル成長によって、隣接する２つの第２領域上から成長したＧａＮ結晶どうしがつながり、平坦な上面を有する層状のＧａＮ結晶２２がサファイア基板２１の結晶成長面全体を覆った状態が達成されている。
【００１９】
上記のようにして成長させたアンドープＧａＮ層の上に、ＳｉドープＧａＮからなるｎ型コンタクト層、アンドープＧａＮ障壁層とアンドープＩｎＧａＮ井戸層とからなる多重量子井戸構造の活性層、ＭｇドープＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層、ＭｇドープＡｌＧａＮからなるｐ型コンタクト層を、順次形成して積層し、基板とＧａＮ系半導体からなるウェハを得る。
【００２０】
（電極形成等）
上記ウェハに対して上部電極および下部電極を形成する。上部電極は、ＩＴＯ膜からなる全面電極と、その上の一部に形成したパッド電極とから構成する。下部電極は、ドライエッチングにより一部露出させたｎ型コンタクト層上に形成する。電極形成後、サファイア基板の下面（非研磨面）を研削および研磨して、基板の厚さを１００μｍまで減じたうえ、公知のスクライビング法を用いてウェハを分断し、チップ状の発光ダイオード素子を得る。
【００２１】
上記説明した製造方法では、基板表面に凹凸を形成するために、反応性イオンエッチング装置を用いて、エッチングとデポジションが同時に生じるように基板をエッチング処理しているが、この反応性イオンエッチング装置をプラズマエッチング装置に置き換えることも可能である。このような、ドライエッチング装置を用いてエッチングとデポジションが同時に生じるように基板をエッチング処理する方法では、エッチングガスおよび／または被加工物（基板）が、微細な粒子状のランダムエッチングマスクの原料となるものであるが、基板表面の凹凸加工の方法はこの方法に限定されるものではなく、ランダムエッチングマスクを予め形成したうえで、ドライエッチング処理する方法も採用可能である。その場合のランダムエッチングマスクの一例として、基板表面に蒸着法にてＡｕ薄膜（膜厚約５ｎｍ）を形成した後、基板温度を１８０℃程度に上昇させることにより薄膜をなしていたＡｕを凝集せしめて微粒子状としたものが挙げられる（特許文献３）。また、ランダムエッチングマスクは、粒子状物を堆積したものに限定されるものではなく、例えば、ブロックコポリマーを溶解した溶液を塗布してマスク材料層を形成した後、該マスク材料層をアニール処理して該ブロックコポリマーを相分離したものなどであってもよい（特許文献２）。これらのランダムエッチングマスクを用いる場合には、基板表面のうち、凹凸の形成を予定しない領域を保護膜で被覆したうえでランダムエッチングマスクの形成を行い、ドライエッチングによる加工を行う。この保護膜は、ランダムエッチングマスクを形成する工程およびその後のドライエッチング加工工程において、該保護膜で被覆した基板表面が変形して非鏡面となることを防止し得るものであればよい。
【００２２】
本発明は上記に明示的に記載した実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態に係るＧａＮ系発光ダイオード素子の構造を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るＧａＮ系発光ダイオード素子の製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００２４】
１０  ＧａＮ系発光ダイオード素子
１１  基板
１２  ＧａＮ系半導体
１３  下部電極
１４  上部電極
【図１】
2008270689.tif 000003
【図２】
2008270689.tif 000004