(57)【要約】【課題】装置外への光漏れ、特に光透過性のパネル基板に侵入した光がその基板端部から外部へ漏れることを無くして発光面から光を有効且つ効率よく導光させることができるバックライトを提供すること。【解決手段】導電性材料からなるカソード電極６と、カソード電極６の表面に形成されたカーボンナノチューブ７Ａと、を備えたカソード基板５と、光透過性材料上に形成された透明導電性材料からなるアノード電極１３と、アノード電極１３の表面に形成された電子が衝突すると可視光を発する蛍光体層１４と、を備えたアノード基板１２と、を備え、カソード基板５及びアノード基板１２は、カーボンナノチューブ７Ａと蛍光体層１４とが一定間隔を隔てて対向するように貼り合わされていると共に、カソード基板５及びアノード基板１２間に真空雰囲気が形成されており、アノード基板１２の外周側壁面は光反射部材１５で覆われている。【選択図】  図１
2008204680.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性材料からなるカソード電極と、前記カソード電極の表面に形成されたカーボンナ
ノチューブと、を備えたカソード基板と、光透過性材料上に形成された透明導電性材料か
らなるアノード電極と、前記アノード電極の表面に形成された電子が衝突すると可視光を
発する蛍光体層と、を備えたアノード基板と、を備え、
前記カソード基板及びアノード基板は、前記カーボンナノチューブと前記蛍光体層とが
一定間隔を隔てて対向するように貼り合わされていると共に、前記カソード基板及びアノ
ード基板間に真空雰囲気が形成されており、前記アノード基板の外周側壁面は光反射部材
で覆われていることを特徴とするバックライト。
【請求項２】
前記カソード基板は、光透過性材料で形成されていると共に、前記基板の外周側壁面及
び背面は光反射部材で覆われていることを特徴とする請求項１に記載のバックライト。
【請求項３】
前記光反射部材は白色の樹脂材、アルミニウム又は銀からなるシート材料であることを
特徴とする請求項１又は２に記載のバックライト。
【請求項４】
前記カソード基板には放熱板が装着されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
かに記載のバックライト。
【請求項５】
前記放熱板は、銅板、銅合金板、アルミニウム板、アルミニウム合金板のいずれかであ
ることを特徴とする請求項４に記載のバックライト。
【請求項６】
前記光反射部材は、アルミニウム板又はアルミニウム合金板からなる、放熱部材を兼ね
ていることを特徴とする請求項２に記載のバックライト。
【請求項７】
表示パネルと、請求項１〜６のいずれかのバックライトとが一体に結合されていること
を特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はバックライト及びこのバックライトを用いた表示装置に関し、より詳しくは、
フィールド・エミッション・ディスプレイ（Field Emission Display）型のバックライト
、及びこのバックライトを用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般の電子・電気機器の表示装置として、フラットタイプの表示パネルが多く使用され
ているが、その大部分は液晶パネルが使用されている。この液晶パネルは、液晶が非発光
体であるため、暗所においては表示画像が見え難くなることから、表示画面を照明するバ
ックライトが設けられている。
【０００３】
このバックライトは、光源として冷陰極蛍光管或いは発光ダイオードなどが使用され、
その構造は直下型及びエッジライト型に大別できる。直下型のバックライトは液晶パネル
の背面に複数の光源を並設配置して液晶パネルを照明し、一方、エッジライト型のバック
ライトは液晶パネルの背面に導光板を配置し、導光板の側面に光源を配設して液晶パネル
を照明するものである。このうち、直下型のバックライトを備えた液晶表示装置は、例え
ば下記特許文献１に記載されている。
【０００４】
図４は直下型バックライトを備えた公知の液晶表示装置の断面図である。この液晶表示
装置２０は、ケース２４内に複数本の冷陰極蛍光管２５が収容され、このケース２４の開
口に光拡散シートや調光シートからなる光学シート２６が装着されたバックライト２２と
、２枚のガラス基板２１ａ、２１ｂ間にシール枠が介在されて内部に液晶が封入され、そ
れぞれの基板表面に偏光板２３ａ、２３ｂが設けられた液晶パネル２１とを有している。
【特許文献１】特開平６−２７３７６５号公報（段落〔００２０〕〜〔００２５〕、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
これらの液晶表示装置のうち、直下型のバックライトを備えたものは、液晶パネル平面
側の空間を利用し、この空間に冷陰極蛍光管或いは発光ダイオードなどを適宜の数だけ配
設することができるため、比較的高輝度のものを簡単に作製することができる。しかしな
がら、例えば、冷陰極蛍光管の本数を多くするとそれに比例して消費電力が多くなり、発
熱量も増大し、例えば光学シートを構成する個々のシート材がこの熱の影響を受けて変形
し、これらのシート材にシワ及び撓み等が発生して表示画像が見え難くなるという恐れが
ある。また、冷陰極蛍光管は所定の太さ（例えば外径２〜８ｍｍ）及び長さを有する管状
体であるので、装置内に組み込む際には相当の収容スペースが必要となり、表示装置の薄
型化、小型・軽量化に限界がある。
【０００６】
また、エッジライト型バックライトは、直下型のものと比すると薄型に形成できるもの
の、導光板を備えている点及び光源が導光板の側面に設けられている点以外は直下型とほ
ぼ同一の構造であるので、直下型と同様に装置の小型・軽量化が難しいという問題点が潜
在している。また、冷陰極蛍光管が導光板の側面という限られた空間にしか配置できない
ので、おのずと冷陰極蛍光管の数量も制約を受け、高輝度化には限界がある。
【０００７】
近年、この種の液晶表示装置は、携帯端末機器に代表されるように様々な機器に使用さ
れ、その使用範囲が更に拡大されている。その一方で、この種の装置製造メーカに対して
は各種の仕様要求、例えば、薄型化、小型・軽量化、高輝度・低消費電力化及び長寿命・
メンテナンスフリー化等の要求がなされている。このような要求を満たすためには、バッ
クライトの光源はより小型、高輝度及び低消費電力、更に長寿命のものが必要となり、ま
た薄型・小型化及びメンテナンスフリー化に対しては、液晶パネルとバックライトとの一
体化が必要になっている。
【０００８】
ところが、光源としてこれまで使用されてきた冷陰極蛍光管を使用すると、寿命が短く
しかも発熱量が多くなるので、これらの要求を満たすことができない。更に、従来の直下
型バックライトを使用した液晶表示装置では複数枚の光学シートが使用されるが、これら
の複数枚の光学シートを積層・配設する際に、光学シートを構成するそれぞれのシート材
の伸縮率が異なることから、各シート間には空隙が必要となる。そのため、従来の直下型
バックライトを使用した液晶表示装置では、バックライトと液晶パネルとを例えば接着剤
等を使用した永久的な一体結合が困難である。エッジライト型バックライトにおいても、
同様に輝度不足を補うためのプリズムシート等の光学シートが配設されるので、バックラ
イトと液晶パネルとの一体化は困難である。
【０００９】
本発明はこのような従来技術が抱える課題を解決するためになされたものであって、本
発明の目的は、薄型化及び小型化が容易で、光漏れがなく、発光面から光を有効且つ効率
よく導光させることができるバックライトを提供することにある。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、上記バックライトが組み込まれた表示装置を提供すること
にある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記第１の目的を達成するため、本発明のバックライトは、導電性材料からなるカソー
ド電極と、前記カソード電極の表面に形成されたカーボンナノチューブと、を備えたカソ
ード基板と、光透過性材料上に形成された透明導電性材料からなるアノード電極と、前記
アノード電極の表面に形成された電子が衝突すると可視光を発する蛍光体層と、を備えた
アノード基板と、を備え、前記カソード基板及びアノード基板は、前記カーボンナノチュ
ーブと前記蛍光体層とが一定間隔を隔てて対向するように貼り合わされていると共に、前
記カソード基板及びアノード基板間に真空雰囲気が形成されており、前記アノード基板の
外周側壁面は光反射部材で覆われていることを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、貼り合わされた基板の外周側壁面が光反射部材で覆われているので、
カソード及びアノード基板間で発生する可視光が光反射部材で反射されて内部へ戻されて
外部へ漏れることがなく、光透過性材料からなるアノード基板の発光面から効率よく光を
放出させることができる。また、カーボンナノチューブを用いることにより、このカーボ
ンナノチューブが保有する特性がこのバックライトの光源に反映されて、特に低消費電力
で高輝度及び長寿命のものとなる。
【００１３】
係る態様のバックライトにおいては、前記カソード基板は、光透過性材料で形成されて
いると共に、前記基板の外周側壁面及び背面は光反射部材で覆われていることが好ましい
。このような構成とすると、カソード基板の外周側壁面及び背面が光反射部材で覆われて
いるので、カソード基板側からの光漏れが無くなり、バックライト全体の発光効率が向上
する。
【００１４】
また、係る態様のバックライトにおいては、前記光反射部材は白色の樹脂材、アルミニ
ウム又は銀からなるシート材料であることが好ましい。このような構成とすると、光反射
部材としての白色の樹脂材からなるシート、アルミニウム又は銀からなるシートは、簡単
に入手できると共に、基板の外周側壁面への装着が接着剤等を使用することにより簡単に
貼付することができるようになる。
【００１５】
また、係る態様のバックライトにおいては、前記カソード基板には放熱板が装着されて
いることが好ましい。このような構成とすると、カソード基板の背面に放熱板を設けたの
で、バックライトで発生した熱を外部に逃がすことができるため、バックライト自体の温
度が過度に上昇しないようにすることができる。加えて、この発明のバックライトを液晶
表示パネルと組合せた際に、液晶表示パネルの過度の温度上昇を抑えることができる。
【００１６】
また、係る態様のバックライトにおいては、前記放熱板は、銅板、銅合金板、アルミニ
ウム板、アルミニウム合金板のいずれかであることが好ましい。このような構成とすると
、放熱板を銅板、銅合金板、アルミニウム板、アルミニウム合金板のような熱伝導性の良
好な肉厚のある金属板で形成したため、安価にかつ簡単に入手でき、しかも効率よく放熱
させることができるようになる。
【００１７】
また、係る態様のバックライトにおいては、前記光反射部材は、アルミニウム板又はア
ルミニウム合金板からなる、放熱部材を兼ねていると好ましい。このような構成とすると
、カソード基板の反射部材を放熱部材と兼用したので、バックライトの製造時の工数を増
やすことなく光反射性と放熱性の両方の効果を奏するようにできる。
【００１８】
また、上記第２の目的を達成するため、本発明の表示装置は、表示パネルと、前記のい
ずれかのバックライトとが一体に結合されていることを特徴とする。係る態様の表示装置
によれば、前記のいずれかのバックライトを使用することにより、従来の表示装置、例え
ば液晶表示パネルとの一体化が可能になり、その際、導光板等の光学シート類が不要とな
り、薄型・小型化した表示装置が得られる。加えて、バックライト側からの光漏れが少な
くなるため、明るい表示装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の技術思想を具体化するためのバックライト及び表示装置を例示するものであ
って、本発明をこれらのものに特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に
含まれるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。
【実施例１】
【００２０】
図１は本発明の実施例に係る液晶表示装置を液晶パネルとバックライトとに分解して示
した縦断面図である。
【００２１】
本実施例の液晶表示装置１は、液晶パネル２と、この液晶パネル２の真下に位置して接
着剤などで接合されるバックライト４と、液晶表示パネル２とバックライト４との間に配
設されるモアレ対策シート１７と、を有している。なお、モアレ対策シート１７は公知の
ものを使用するので詳細な説明は省略し、以下には図１を参照して、これらの液晶パネル
２及びバックライト４について詳述する。
【００２２】
液晶パネル２は、各種配線及びスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（Thin Fil
m Transistor、以下、「ＴＦＴ」という）が設けられたＴＦＴアレイ基板２ａと、各種配
線及びカラーフィルタが設けられたカラーフィルタ基板２ｂとを備え、ＴＦＴアレイ基板
２ａとカラーフィルタ基板２ｂとの間にシール枠が介在され貼り合わされた構成を有して
いる。
【００２３】
ＴＦＴアレイ基板２ａは、光透過性及び電気絶縁性を有する基材、例えばガラス基板で
形成されている。そして、この基板表面には、複数本のソース線及びゲート線が所定の間
隔をあけてマトリクス状に配線されており、ソース線とゲート線とで囲まれた領域のそれ
ぞれに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が設けられている。そして、このソース線とゲート線
で囲まれた領域は１画素を形成している。
【００２４】
一方、カラーフィルタ基板２ｂは、ＴＦＴアレイ基盤２ａと同じく光透過性及び電気絶
縁性を有する基材、例えばガラス基板で形成されている。そして、この基板表面には、Ｔ
ＦＴアレイ基板２ａに形成された各画素に対応するようにブラックマトリクス（図示省略
）でマトリクス状に区画されており、この区画された領域に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ
）からなるカラーフィルタがそれぞれ設けられ、これらを覆うように透明導電材からなる
共通電極が配設されている。なお、共通電極を形成する透明導電材には、例えば、ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）が使用されている。
【００２５】
液晶パネル２の組み立ては、ＴＦＴアレイ基板２ａ及びカラーフィルタ基板２ｂを互い
の表面が対向するように、シール材（図示省略）を用いて張り合わされることで内部に空
間を有する空の液晶パネルを形成する。次いで、この空間内に液晶が封入されてこの空間
を封止することで液晶パネル２の組み立てがなされる。また、このようにして組み立てら
れた液晶パネル２の各基板２ａ、２ｂの外面には、それぞれ偏光板３ａ、３ｂが設けられ
る。
【００２６】
バックライト４は、カーボンナノチューブを用いたフィールド・エミッション・ディス
プレイ（Carbon Nanotube-Field Emission Display、以下、「ＣＮＴ−ＦＥＤ」という）
型のものとして形成されている。
【００２７】
ＣＮＴ−ＦＥＤとして形成されたバックライト４は、カーボンナノチューブを電界放出
電子源として白色光を発光するものである。このバックライト４は、カソード電極６が設
けられたカソード基板５と、アノード電極１３が設けられたアノード基板１２とを備え、
これらの基板５、１２間にシール材１１を介在させて貼り合わせた構成を有している。
【００２８】
カソード基板５は、電気絶縁性を有する基材、例えば、ガラス、石英、アルミナ又はシ
リコン等で形成されている。このカソード基板５は、その表面の中央部が電子放出領域と
なっており、この電子放出領域には複数個の電子放出素子７Ａが形成されている。これら
の電子放出素子７Ａはカソード基板５上、詳しくは所定の間隔をあけてマトリクス状に配
列された絶縁層８及び複数本のゲート電極９で区画された領域に形成されている。
【００２９】
具体的には、カソード電極６が形成されたカソード基板５上に設けられた絶縁層８及び
ゲート電極９により区画された領域がゲートホール１０を形成しており、電子放出素子７
Ａは、このゲートホール１０の底部に形成されている。このカソード電極６は、例えば、
クロム、チタニウム、アルミニウム又はタングステン等の導電性金属からなり、カソード
基板５上に所定の間隔をあけてストライプ状に形成されている。
【００３０】
ゲート電極９は、それぞれのカソード線と交差（直交）するようにストライプ状に形成
されている。ゲートホール１０は絶縁層８に形成されている。これらのカソード電極６、
絶縁層８及びゲート電極９は、先ず、カソード基板５上にカソード電極６が形成されて、
その上に絶縁層８、ゲート電極９が設けられ、マスクなどを利用してゲートホール１０が
形成されるなどの一般的な半導体製造技術で形成されている。
【００３１】
電子放出素子７Ａは、多数のカーボンナノチューブで形成されている。このカーボンナ
ノチューブからなる電子放出素子７Ａは、カソード電極６上に触媒金属層７が設けられて
、この触媒金属層７上の垂直方向に多数成長形成されている。この触媒金属材には、例え
ば、コバルト、ニッケル、鉄、イットリウム又はこれらの合金が使用される。
【００３２】
このカーボンナノチューブからなる電子放出素子７Ａは、例えば、化学気相蒸着（Chem
ical Vapor Deposition、以下、「ＣＶＤ」という）法を用いて形成することができる。
原料としては、例えばアセチレンなどの炭化水素を含む反応ガスと水素又はアルゴンガス
等の不活性ガスの混合ガスが用いられ、この上記触媒金属とを高温状態で化学反応させ、
カーボンナノチューブを成長させるものである。なお、このＣＶＤ法によるカーボンナノ
チューブの成長方法は、公知であるので詳細な説明は省略する。
【００３３】
この方法で形成されたカーボンナノチューブからなる電子放出素子７Ａは、触媒金属層
７上に単位面積当たり極めて高い密度で成長させることができる。そして、カーボンナノ
チューブの先端部は針状をなし、この針状先端部をチューブの長さ部分に比べて極めて小
さい直径、例えば数ｎｍ〜数十ｎｍ程度に形成できる。そのため、カーボンナノチューブ
からなる電子放出素子７Ａは、電子の電界放出効率が極めて良好となる。
【００３４】
一方、アノード基板１２は、光透過性及び電気絶縁性を有する基材、例えばガラス基板
で形成されている。このアノード基板１２の表面には、カソード基板５と対向する面にア
ノード電極１３が設けられ、その上に電子線励起型の蛍光体層１４が設けられている。ア
ノード電極１３は、ＩＴＯなどの透明な導電物質で形成されている。蛍光体層１４は、カ
ーボンナノチューブからなる電子放出素子７Ａから放出される電子が衝突して白色光を発
光する蛍光物質、例えば単波長白色光を発光する蛍光物質、或いは３波長白色光を発光す
る蛍光物質等が使用できる。
【００３５】
バックライト４の組み立ては、先ず、カソード基板５に形成されたカーボンナノチュー
ブからなる電子放出素子７Ａがアノード基板１２の蛍光体層１４と対向する向きに配設さ
れて、間にシール枠１１が介在され、これらの基板５、１２が貼り合されて内部に空間Ｓ
が形成される。次いで、この空間Ｓの内部が真空となるようにして密封される。この構成
のバックライトの空間Ｓの厚さは、例えば１００μｍ〜７００μｍ程度に形成できる。
【００３６】
次に、このＣＮＴ−ＦＥＤからなるバックライト４の動作を説明する。このカソード基
板５上のカソード電極６、ゲート電極９及びアノード基板１２上のアノード電極１３には
、不図示のカソード電極制御回路、ゲート電極制御回路及びアノード電極制御回路がそれ
ぞれ接続されて、所定の電圧が加えられようになっている。すなわち、カソード電極６に
はカソード電極制御回路から負電圧が、ゲート電極９にはゲート電極制御回路から正電圧
が、アノード電極１３にはアノード電極制御回路からゲート電極９よりも更に高い正電圧
がそれぞれ印加されている。
【００３７】
バックライト４の点灯は、例えば、カソード電極６にカソード電極制御回路から所定の
電圧を印加し、ゲート電極９にゲート電極制御回路から所定の電圧を印加する。これによ
り、カソード電極６とゲート電極８との間に電圧が印加され、これによってカーボンナノ
チューブからなる電子放出素子７Ａの先端部に電界が集中し、量子トンネル効果によって
電子がエネルギー障壁を突き抜けて真空中へ放出される。こうして放出された電子はアノ
ード電極１３に引き付けられてアノード基板１２側へ移動し、蛍光体層１４に衝突する。
その結果、蛍光体層１４に電子が衝突して、この蛍光体層から白色光が発光される。なお
、カーボンナノチューブからなる電子放出素子７Ａからの電子の放出量は、ゲート電極９
に印加する電圧によって制御できる。
【００３８】
このバックライト４からの可視光は、大半がアノード基板１２面から外方へ放出される
。しかしながら、一部の可視光がカソード基板５及びアノード基板１２内に侵入して、こ
れらの基板端部から外へ漏れることがある。以下、この光漏れ現象について図２を参照し
て説明する。
【００３９】
図２は図１のバックライトからの光導光路を説明した図である。カーボンナノチューブ
からなる電子放出素子７Ａから電子が放出されて、この電子が蛍光体層１４に衝突すると
、この蛍光体層１４を形成する蛍光体物質から可視光が発光される。しかし、この可視光
は、蛍光体層１４上で乱反射光として発光されるので、全ての光がアノード基板１２から
外部へ放出されることなく、その一部がカソード基板５及びアノード基板１２に侵入する
ことがある。
【００４０】
例えば、図２に示すように、この可視光がアノード基板１２に侵入すると、この光は、
アノード基板１２内で全反射されてあたかも光ファイバー内を光が伝達されるように基板
端部まで導光されてこの基板端部から光漏れが発生する。同じく、カソード基板５に光が
侵入するとアノード基板１２と同様に基板端へ導光されて端部から光漏れが発生する。更
に、カソード基板５が光透過性材料で形成されていると、カソード基板５の背面からも光
漏れが発生する。更にまた、これらの基板を結合するシール材１１が光透過性材料である
と、このシール材１１からも光漏れが発生する。
【００４１】
そこで、このような光漏れを無くするために、図１に示すように、カソード及びアノー
ド基板５、１２を貼り合せた外周囲の壁面及びカソード基板５の背面を光反射部材１５で
覆う。この光反射部材１５には、白色の樹脂材からなる光反射テープ、アルミニウムや銀
からなる金属材からなる反射テープが接着剤を使用して貼付する。光反射部材１５にこの
ような反射テープを使用することにより、部材に簡単に貼付できる。
【００４２】
したがって、このバックライト４は、貼り合せたカソード及びアノード基板５、１２の
外周壁面及びカソード基板５の背面を光反射部材１５で覆うことにより、光の漏れ分を光
源内にリターンし、光量のロスを低減させ、光漏れを無くし発光面から効率よく光を放出
させることができる。
【００４３】
また、このバックライトは、カーボンナノチューブを電界放出電子源としているので、
このカーボンナノチューブが有する特性を有効に利用したものになる。すなわち、このカ
ーボンナノチューブは、触媒金属層上に単位面積当たり極めて高い密度、例えば、針状先
端部の直径を数ｎｍ〜数十ｎｍ程度に形成できるので、これらの先端部から極めて効率よ
く多くの電子を放出させることができる。しかも、この電子放出は、印加する電圧を低く
しても放出量が減少することがなく、消費電力も極めて少なくて済む。更に、このカーボ
ンナノチューブは極めて強靭のものであることから、磨耗が殆どなく長寿命のものとなる
。
【００４４】
したがって、このバックライトは、極めて高輝度の白色光を発光させることができると
共に長寿命等の利点を有するので、液晶パネル等と接着剤等を使用して永久的な一体化結
合が可能になる。
【実施例２】
【００４５】
実施例１のバックライト４は、装置内に熱が蓄積されることがある。このような熱が蓄
積されると、装置内の機材に悪影響を及ぼすことがある。そこで、以下には実施例２とし
て上述の点を改良したバックライト４Ａを有する液晶表示装置１Ａについて説明する。な
お、図３は本発明の実施例２に係る液晶表示装置を液晶パネルとバックライト装置とに分
解して示した縦断面図である。なお、図３においては、図１に示した構成と同一の部分に
は同一の参照符号を付与して、その詳細な説明は省略する。
【００４６】
本実施例２の液晶表示装置１Ａのバックライト４Ａは、カソード基板５の背面に設けた
光反射部材１５の上に放熱板１６を設けた点が実施例１の液晶表示装置１のバックライト
４と構成が相違している。この放熱板１６は、所定の肉厚を有する金属板を使用すること
ができる。この金属板は、光反射及び放熱機能を有するもの、例えば銅板、銅合金板、ア
ルミニウム板、アルミニウム合金板がよく、その板厚さは、製品厚さ・重量を配慮して５
．０ｍｍ以内がよい。
【００４７】
このような構成を採用することにより、カソード基板に設ける反射部材と放熱部材を兼
用できるため、別途カソード基板に反射部材を設け無くてもすむようになる。また、この
放熱用の金属板として光反射性が無いものを使用する場合は、光反射部材１５を設ける必
要がある。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】図１は実施例１に係る液晶表示装置を液晶パネルとバックライトとに分解して示した図である。
【図２】図２は図１のバックライトからの光導光路を説明した図である。
【図３】図３は実施例２に係る液晶表示装置を液晶パネルとバックライトとに分解して示した図である。
【図４】図４は従来技術の液晶表示装置の断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１、１Ａ…液晶表示装置、２…液晶パネル、２ａ…ＴＦＴ基板、２ｂ…カラーフィルタ基
板、３ａ、３ｂ…偏光板、４、４Ａ…バックライト、５…カソード基板、６…カソード電
極、７…触媒金属層、７Ａ…電子放出素子（カーボンナノチューブ）、１０…ゲートホー
ル、１１…シール枠、１２…アノード基板、１３…アノード電極、１４…蛍光体層、１５
…光反射部材、１６…放熱板、１７…モアレ対策シート
【図１】
2008204680.tif 000003
【図２】
2008204680.tif 000004
【図３】
2008204680.tif 000005
【図４】
2008204680.tif 000006