(57)【要約】【課題】焼成時に反りを防止することができる積層セラミック配線板を提供すること。【解決手段】本発明の積層セラミック配線板１Ａは、複数のセラミック基板が積層されてなる多層セラミック基板２と、多層セラミック基板２のうちの１層または２層以上のセラミック基板２に形成されている１個または２個以上のビア５Ａと、多層セラミック基板２の厚さ方向における中央面を対称面としてビア５Ａと対称の位置にビア５Ａと同程度の体積を有して形成されている１個または２個以上の反り防止ビア６Ａとを備えている。【選択図】図１
2008186919.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック基板を積層させてなる多層セラミック基板と、
前記多層セラミック基板のうちの１層または２層以上のセラミック基板に形成されているビアと、
前記多層セラミック基板の厚さ方向における中央面を対称面として前記ビアと対称の位置に前記ビアと同程度の体積を有して形成されている反り防止ビアと
を備えていることを特徴とする積層セラミック配線板。
【請求項２】
前記反り防止ビアの形状は、前記中央面を対称面として前記ビアの形状と鏡面対称に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミック配線板。
【請求項３】
前記反り防止ビアは、前記ビアの高さよりも低く形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミック配線板。
【請求項４】
前記ビアおよび前記反り防止ビアは、円錐台状に形成されているとともに、前記ビアおよび前記反り防止ビアの大底面同士または小底面同士を対向させて配置されている
ことを特徴とする請求項３に記載の積層セラミック配線板。
【請求項５】
前記反り防止ビアの高さは、前記ビアの高さの１／２倍程度になっており、
前記反り防止ビアの大底面および小底面は、前記ビアの大底面および小底面のそれぞれ２倍程度の面積となっている
ことを特徴とする請求項４に記載の積層セラミック配線板。
【請求項６】
複数のセラミック基板を積層させてなる多層セラミック基板と、
前記多層セラミック基板のうちの１層または２層以上のセラミック基板に形成されている１個または２個以上のビアと、
前記多層セラミック基板の厚さ方向における中央面を対称面として前記ビアと対称の位置の周囲に１個または２個以上配置されているとともに、総体積が前記ビアと同程度の体積となるように形成されている反り防止ビアと
を備えていることを特徴とする積層セラミック配線板。
【請求項７】
前記ビアおよび前記反り防止ビアは、円錐台状に形成されているとともに、前記ビアおよび前記反り防止ビアの大底面同士または小底面同士を対向させて配置されている
ことを特徴とする請求項６に記載の積層セラミック配線板。
【請求項８】
前記ビアおよび前記反り防止ビアは、同一形状または相似形に形成されている
ことを特徴とする請求項７に記載の積層セラミック配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック配線板に係り、特に、複数のビアを有する積層ＬＴＣＣ（低温焼成セラミック）配線板に好適に利用できる積層セラミック配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、積層セラミック配線板は、電極およびビアを有する焼成前のセラミック配線板を積層させて焼成することにより形成されている。セラミック配線板のセラミック基板は焼成時に収縮するが、金属製の電極やビアはセラミック基板と比較してほとんど収縮変化が見られないため、電極およびビアの形成密度に応じて各層のセラミック配線板の収縮率が異なり、積層セラミック配線板が反り返ってしまう。したがって、従来の積層セラミック配線板においては、各層のセラミック配線板の収縮率を均等にするため、セラミック配線板に形成された電極の対称位置に反り防止用の電極が平板状に形成されていた（特許文献１を参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２２９０９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の積層セラミック配線板１０１においては、図５に示すように、電極１０３の対称位置にある反り防止用の電極１０４と比較してビア１０５は局部的に体積が大きいため、ビア１０５の対称位置に反り防止用の電極１０４を設けても多層セラミック基板１０２の反りを効果的に防止することができなかった。
【０００５】
そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、焼成時に反りを防止することができる積層セラミック配線板を提供することを本発明の目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前述した目的を達成するため、本発明の積層セラミック配線板は、その第１の態様として、複数のセラミック基板を積層させてなる多層セラミック基板と、前記多層セラミック基板のうちの１層または２層以上のセラミック基板に形成されているビアと、前記多層セラミック基板の厚さ方向における中央面を対称面として前記ビアと対称の位置に前記ビアと同程度の体積を有して形成されている反り防止ビアとを備えていることを特徴としている。
【０００７】
第１の態様の積層セラミック配線板によれば、ビアの対称位置にビアと同体積の反り防止ビアが配置されているため、多層セラミック基板の厚さ方向に対して多層セラミック基板の収縮率が対称になるように近づけることができる。
【０００８】
本発明の第２の態様の積層セラミック配線板は、第１の態様の積層セラミック配線板において、前記反り防止ビアの形状は、前記中央面を対称面として前記ビアの形状と鏡面対称に形成されていることを特徴としている。
【０００９】
第２の態様の積層セラミック配線板によれば、多層セラミック基板の厚さ方向に対して多層セラミック基板の収縮率を完全に対称にすることができる。
【００１０】
本発明の第３の態様の積層セラミック配線板は、第１の態様の積層セラミック配線板において、反り防止ビアは、ビアの高さよりも低く形成されていることを特徴としている。
【００１１】
第３の態様の積層セラミック配線板によれば、通常はビアの高さがセラミック配線板の厚さと同等であるが、反り防止ビアの高さをビアよりも低くしているため、ビアが形成されたセラミック基板と反り防止ビアが形成されたセラミック基板とを直接積層させてもビアと反り防止ビアとが電気的に接続されてしまうことを防止することができる。
【００１２】
本発明の第４の態様の積層セラミック配線板は、第３の態様の積層セラミック配線板において、ビアおよび反り防止ビアは、円錐台状に形成されているとともに、ビアおよび反り防止ビアの大底面同士または小底面同士を対向させて配置されていることを特徴としている。
【００１３】
第４の態様の積層セラミック配線板によれば、大底面と小底面とを対向させるよりも多層セラミック基板の収縮率を多層セラミック基板の厚さ方向に対称に近づけやすくすることができる。
【００１４】
本発明の第５の態様の積層セラミック配線板は、第４の態様の積層セラミック配線板において、反り防止ビアの高さは、ビアの高さの１／２倍程度になっており、反り防止ビアの大底面および小底面は、ビアの大底面および小底面のそれぞれ２倍程度の面積となっていることを特徴としている。
【００１５】
第５の態様の積層セラミック配線板によれば、反り防止ビアの体積をビアの体積と同等に維持しながら反り防止ビアの形状をビアの形状に近似させることができるため、高さを異ならせても多層セラミック基板の収縮率を多層セラミック基板の厚さ方向に対称に近づけやすくすることができる。
【００１６】
本発明の第６の態様の積層セラミック配線板は、複数のセラミック基板を積層させてなる多層セラミック基板と、前記多層セラミック基板のうちの１層または２層以上のセラミック基板に形成されている１個または２個以上のビアと、前記多層セラミック基板の厚さ方向における中央面を対称面として前記ビアと対称の位置の周囲に１個または２個以上配置されているとともに、総体積が前記ビアと同程度の体積となるように形成されている反り防止ビアとを備えていることを特徴としている。
【００１７】
第６の態様の積層セラミック配線板によれば、総体積がビアと同等の反り防止ビアがビアの対称位置でなく対称位置の周囲に配置されているため、ビアが形成されたセラミック基板と反り防止ビアが形成されたセラミック基板とを直接積層させてもビアと反り防止ビアとを電気的に接続させることなく、多層セラミック基板の厚さ方向に対して多層セラミック基板の収縮率を対称に近づけることができる。
【００１８】
本発明の第７の態様の積層セラミック配線板は、第６の態様の積層セラミック配線板において、ビアおよび反り防止ビアは、円錐台状に形成されているとともに、ビアおよび反り防止ビアの大底面同士または小底面同士を対向させて配置されていることを特徴としている。
【００１９】
第７の態様の積層セラミック配線板によれば、大底面と小底面とを対向させるよりも多層セラミック基板の収縮率を多層セラミック基板の厚さ方向に対称に近づけやすくすることができる。
【００２０】
本発明の第８の態様の積層セラミック配線板は、第７の態様の積層セラミック配線板において、ビアおよび反り防止ビアは、同一形状または相似形に形成されていることを特徴としている。
【００２１】
第８の態様の積層セラミック配線板によれば、ビアと反り防止ビアとを電気的に接続させることなく、多層セラミック基板の厚さ方向に対して多層セラミック基板の収縮率を対称に近づけることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の積層セラミック配線板によれば、多層セラミック基板の厚さ方向に対して多層セラミック基板の収縮率を対称にする近似または同等になるので、焼結時に積層セラミック配線板の反りを防止することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図を用いて、本発明の積層セラミック配線板をその３つの実施形態により説明する。
【００２４】
はじめに、図１を用いて、第１の実施形態の積層セラミック配線板１Ａを説明する。
【００２５】
図１は、第１の実施形態の積層セラミック配線板１Ａを示している。第１の実施形態の積層セラミック配線板１Ａは、図１に示すように、多層セラミック基板２、電極３、反り防止電極４、ビア５Ａおよび反り防止ビア６Ａを備えており、表面に形成された電極３に半導体チップ７が実装されている。
【００２６】
多層セラミック基板２は複数のセラミック基板２Ａ〜２Ｄを積層させてなる。このセラミック基板２Ａ〜２ＤはいわゆるＬＴＣＣ基板であり、セラミック粉末にガラス粉末を混合して得た粉末に有機系バインダおよび溶剤を加えてスラリーを生成し、そのスラリーを平板状に成膜することにより得たグリーンシートを焼結することにより形成されている。グリーンシートの焼結工程は、グリーンシートに電極３、反り防止電極４、ビア５Ａおよび反り防止ビア６Ａを形成して各層のグリーンシートを積層させてから行なわれる。積層枚数は積層セラミック配線板１Ａの仕様によって異なるが、第１の実施形態の積層セラミック配線板１Ａにおいては４枚のセラミック基板２Ａ〜２Ｄが積層されている。
【００２７】
電極３および反り防止電極４は、各層のセラミック基板２Ａ〜２Ｄの表面上において、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなどの導電性に優れた金属を用いて、半導体チップ７および積層セラミック配線板１Ａに接続される外部回路（図示せず）の接続状況に適合させた配線パターン状に形成されている。また、第１の実施形態の積層セラミック配線板１Ａにおいては４枚のセラミック基板２Ａ〜２Ｄが積層されているため、２層目のセラミック基板２Ｂと３層目のセラミック基板２Ｃとの境界面（すなわち中央面）を対称面として電極３および反り防止電極４がそれぞれ対称位置に配置されている。
【００２８】
反り防止電極４は他の電極３と導通させて用いても良いし、ダミー電極として用いても良い。そのため、反り防止電極４が他の電極３と導通している限りにおいては、対称位置にある電極３と反り防止電極４との区別はない。積層セラミック配線板１Ａの反りを効果的に防止するため、対称位置にある電極３および反り防止電極４は、鏡面対称形状に形成されていることが好ましい。
【００２９】
ビア５Ａおよび反り防止ビア６Ａは、各層のセラミック基板２Ａ〜２Ｄの内部において、電極３および反り防止電極４と同様の金属を用いて、電極３同士の間または電極３と反り防止電極４との間を接続するように複数形成されている。また、これらビア５Ａおよび反り防止ビア６Ａは、２層目のセラミック基板２Ｂと３層目のセラミック基板２Ｃとの境界面（すなわち中央面）を対称面として、それぞれ対称位置（同一軸上）に配置されている。
【００３０】
反り防止用ビア５Ａは電極３または反り防止電極４と導通させて用いても良いし、ダミービア５Ａとして用いても良い。そのため、反り防止用ビア５Ａが電極３または電極３と導通している反り防止電極４に導通している限りにおいては、対称位置にあるビア５Ａと反り防止ビア６Ａとの区別はない。
【００３１】
また、第１の実施形態において、ビア５Ａはポンチを用いて円錐台状に形成されており、反り防止ビア６Ａはビア５Ａと同程度の体積を有して形成されている。反り防止ビア６Ａの形状としては、円柱形、直方形、円錐形、角錐形、円錐台形、角錐台形などの立体形を選択することができるが、中央面を対称面としたビア５Ａの鏡面対称形状である円錐台形であることが好ましい。なお、ビア５Ａの高さはセラミック基板２Ａ〜２Ｄの１層の厚さと同等であるため、同一層のセラミック基板２Ａ〜２Ｄにビア５Ａおよび反り防止ビア６Ａは形成されていない。
【００３２】
次に、図１を用いて、第１の実施形態の積層セラミック配線板１Ａの作用を説明する。
【００３３】
積層セラミック配線板１Ａにおける多層セラミック基板２は、電極３、反り防止電極４、ビア５Ａおよび反り防止ビア６Ａの体積および形成位置によって収縮率および収縮位置が異なる。第１の実施形態の積層セラミック配線板１Ａにおいては、２層目のセラミック基板２Ｂと３層目のセラミック基板２Ｃとの境界面（すなわち中央面）を対称面としてビア５Ａの対称位置にビア５Ａと同体積の反り防止ビア６Ａが配置されている。そのため、多層セラミック基板２の厚さ方向に対して多層セラミック基板２の収縮率を対称に近づけることができるので、焼結時に積層セラミック配線板１Ａの反りを抑制することができる。また、反り防止電極４の配置による作用も反り防止ビア６Ａの配置による作用と同様である。
【００３４】
特に、第１の実施形態においては、２層目のセラミック基板２Ｂと３層目のセラミック基板２Ｃとの境界面（すなわち中央面）を対称面として反り防止ビア６Ａの形状がビア５Ａの鏡面対称形状（いずれも円錐台形）に形成されている。そのため、多層セラミック基板２の厚さ方向に対して多層セラミック基板２の収縮率を完全に対称にすることができるので、焼結時に積層セラミック配線板１Ａの反りを防止することができる。
【００３５】
次に、図２を用いて、第２の実施形態の積層セラミック配線板１Ｂを説明する。
【００３６】
図２は、第２の実施形態の積層セラミック配線板１Ｂを示している。第２の実施形態の積層セラミック配線板１Ｂは、図２に示すように、多層セラミック基板２、電極３、反り防止電極４、ビア５Ｂおよび反り防止ビア６Ｂを備えており、表面に形成された電極３に半導体チップ７が実装されている。第１の実施形態との相違点は反り防止ビア６Ｂの形状にあるため、反り防止ビア６Ｂについてのみ説明する。
【００３７】
第２の実施形態の反り防止ビア６Ｂは、２層目のセラミック基板２Ｂと３層目のセラミック基板２Ｃとの境界面（すなわち中央面）を対称面としてビア５Ｂの対称位置にビア５Ｂと同程度の体積を有して形成されている。また、この反り防止ビア６Ｂは、ビア５Ｂの形状と同じ円錐台状に形成されており、ビア５Ｂおよび反り防止ビア６Ｂの小底面５Ｂａ、６Ｂａを対向させて配置されている。しかし、第１の実施形態と異なり、反り防止ビア６Ｂの高さはビア５Ｂの高さと同等でなく、その高さよりも低くなっている。
【００３８】
ビア５Ｂおよび反り防止ビア６Ｂの形状が円錐台形であって、ビア５Ｂおよび反り防止ビア６Ｂにおける円錐台の大底面５Ｂｂ、６Ｂｂの半径をａとし、その小底面５Ｂａ、６Ｂａの半径をｂとし、その高さをｈとすると、反り防止ビア６Ｂの高さがビア５Ｂの高さと異なる場合、以下の式を用いて反り防止ビア６Ｂの体積をビア５Ｂの体積と同等にする。
【００３９】
Ｖ＝（ａ２＋ｂ２＋ａｂ）×πｈ／３  ・・・（数式１）
また、円錐台における大底面５Ｂｂ、６Ｂｂの面積をＳ１とし、その小底面５Ｂａ、６Ｂａの面積をＳ２とし、その高さをｈとすると、ビア５Ｂおよび反り防止ビア６Ｂの高さが前述と同様の場合において、以下の式を用いて反り防止ビア６Ｂの体積をビア５Ｂの体積と同等にする。
【００４０】
Ｖ＝｛Ｓ１＋Ｓ２＋√（Ｓ１×Ｓ２）｝×ｈ／３  ・・・（数式２）
例えば、図２に示すように、反り防止ビア６Ｂの高さがビア５Ｂの高さの１／２倍程度にした場合、反り防止ビア６Ｂの大底面６Ｂｂはビア５Ｂの大底面５Ｂｂの２倍程度の面積となり、反り防止ビア６Ｂの小底面６Ｂａはビア５Ｂの小底面５Ｂａの２倍程度の面積となる。なお、図２に示すように、ビア５Ｂの高さは１枚のセラミック基板２の厚さよりも高く形成されていても良い。
【００４１】
次に、図２を用いて、第２の実施形態の積層セラミック配線板１Ｂの作用を説明する。
【００４２】
第２の実施形態の積層セラミック配線板１Ｂにおいては、図２に示すように、ビア５Ｂの対称位置にビア５Ｂと同体積の反り防止ビア６Ｂが配置されている。そのため、多層セラミック基板２の厚さ方向に対して多層セラミック基板２の収縮率を対称に近づけることができる。また、ビア５Ｂおよび反り防止ビア６Ｂは、円錐台状に形成されているとともに、ビア５Ｂおよび反り防止ビア６Ｂの小底面５Ｂａ、６Ｂａを対向させて配置されている。そのため、ビア５Ｂおよび反り防止ビア６Ｂの傾斜方向が軸方向に対称となり、ビア５Ｂの大底面５Ｂｂと反り防止ビア６Ｂの小底面６Ｂａとを対向させるよりも多層セラミック基板２の収縮率を多層セラミック基板２の厚さ方向に対称に近づけやすくすることができる。
【００４３】
特に、第２の実施形態の積層セラミック配線板１Ｂにおいては、反り防止ビア６Ｂは、ビア５Ｂの高さよりも低く形成されている。反り防止ビア６Ｂの高さがビア５Ｂの高さと異なると形状の対称性がなくなる。そのため、反り防止ビア６Ｂの高さがビア５Ｂの高さと同等の第１の実施形態と比較すると、ビア５Ｂの周辺におけるセラミック基板（例えば、２層目のセラミック基板２Ｂ）２の収縮率とビア５Ｂの対称位置におけるセラミック基板（例えば、３層目のセラミック基板２Ｃ）２の収縮率とを近づけることが難しくなる。
【００４４】
しかし、通常、ビア５Ｂの高さはセラミック基板２の厚さと同等であることが多い。このことを考慮すると、反り防止ビア６Ｂの高さをビア５Ｂよりも低くすることにより、ビア５Ｂが形成されたセラミック基板（例えば、２層目のセラミック基板２Ｂ）と反り防止ビア６Ｂが形成されたセラミック基板（例えば、３層目のセラミック基板２Ｃ）とを直接積層させても、ビア５Ｂと反り防止ビア６Ｂとが電気的に接続されてしまうことを防止することができる。ビア５Ｂと反り防止ビア６Ｂとの電気的接続を防止することができれば反り防止ビア６Ｂの配置の自由度が向上するため、ビア５Ｂ、電極３および反り防止電極４の配置を自由に行なうことができる。
【００４５】
また、第２の実施形態においては、反り防止ビア６Ｂの高さはビア５Ｂの高さの１／２倍程度になっている。反り防止ビア６Ｂの高さをビア５Ｂの高さの１／２倍程度にしたのは、積層セラミック配線板１Ｂの焼成の際にビア５Ｂおよび反り防止ビア６Ｂの対向方向に積層セラミック配線板１Ｂが過圧縮され、ビア５Ｂおよび反り防止ビア６Ｂが電気的に接続してしまうことを効果的に防止するためである。また、反り防止ビア６Ｂの高さをビア５Ｂの高さの少なくとも１／２倍程度に設定すれば、ビア５Ｂの周辺におけるセラミック基板（例えば、２層目のセラミック基板２Ｂ）２の収縮率とビア５Ｂの対称位置におけるセラミック基板（例えば、３層目のセラミック基板２Ｃ）２の収縮率とを近づけることがさほど困難でないことが実験上明らかとなったからである。
【００４６】
反り防止ビア６Ｂの高さをビア５Ｂの高さの１／２倍程度に設定した場合、前述の数式１または数式２を用いると、反り防止ビア６Ｂの大底面６Ｂｂおよび小底面６Ｂａはビア５Ｂの大底面５Ｂｂおよび小底面５Ｂａのそれぞれ２倍程度の面積となる。これにより、反り防止ビア６Ｂの高さを変化させても反り防止ビア６Ｂの体積がビア５Ｂの体積と同等になるとともに、反り防止ビア６Ｂの形状がビア５Ｂの形状の相似形に近づくため、多層セラミック基板２の厚さ方向に対して多層セラミック基板２の収縮率を対称にすることが容易になる。
【００４７】
なお、図２に示すような２層分の高さのビア５Ｂの代わりに図４に示すような１層分の高さのビア５Ｄを２個同軸上に配列させた場合でも、図４に示すような２個の同軸上のビア５Ｄを図２に示すような２層分の高さのビア５Ｂと同様に考えれば高さが１／２程度であるため、図４に示す積層セラミック配線板１Ｄも第２の実施形態の効果と同様の効果を得られる。この場合は、反り防止ビア６Ｄの小底面の半径をビア５Ｄの小底面の半径の√２倍として、反り防止ビア６Ｄの大底面の半径をビア５Ｄの小底面の半径の√２倍とすることにより、反り防止ビア６Ｄの体積をビア５Ｄの体積と同一とすることができる。
【００４８】
次に、図３を用いて、第３の実施形態の積層セラミック配線板１Ｃを説明する。
【００４９】
図３は、第３の実施形態の積層セラミック配線板１Ｃを示している。第３の実施形態の積層セラミック配線板１Ｃは、図３に示すように、多層セラミック基板２、電極３、反り防止電極４、ビア５Ｃおよび反り防止ビア６Ｃを備えており、表面に形成された電極３に半導体チップ７が実装されている。第１の実施形態との相違点は反り防止ビア６Ｃの配置にあるため、反り防止ビア６Ｃについてのみ説明する。
【００５０】
ビア５Ｃおよび反り防止ビア６Ｃは円錐台状に形成されており、ビア５Ｃおよび反り防止ビア６Ｃの小底面５Ｃａ、６Ｃａを対向させて配置されている。第１の実施形態と異なり、第３の実施形態の反り防止ビア６Ｃは、ビア５Ｃが形成されていないセラミック基板２におけるビア５Ｃと対称の位置（言い換えるとビア５Ｃの同軸上）に配置されておらず、その対称位置（ビア５Ｃの同軸上）の周囲に１個または２個以上配置されている。また、１個または２個以上の反り防止ビア６Ｃの総体積は、ビア５Ｃの体積と同程度になるように形成されている。
【００５１】
反り防止ビア６Ｃの形状は、図３に示すように、ビア５Ｃと同一形状または相似形に形成されている。例えば、同軸上に配置された２個のビア５Ｃに対して２個の反り防止ビア６Ｃが配置された場合、それら２個の反り防止ビア６Ｃはそれら２個のビア５Ｃと同一形状に形成されている。また、図示はしないが、同軸上に配置された２個のビア５Ｃに対して２個以外の個数（１個または３個以上）の反り防止ビア６Ｃが配置された場合、それら反り防止ビア６Ｃはそれら２個のビア５Ｃの相似形に形成されている。同様にして、１個のビア５Ｃに対して２個以上の反り防止ビア６Ｃが配置された場合も２個以上の反り防止ビア６Ｃは１個のビア５Ｃの相似形に形成される。
【００５２】
次に、図３を用いて、第３の実施形態の積層セラミック配線板１Ｃの作用を説明する。
【００５３】
第３の実施形態の積層セラミック配線板１Ｃにおいては、総体積がビア５Ｃと同等の反り防止ビア６Ｃがビア５Ｃの対称位置でなく対称位置の周囲に配置されている。そのため、ビア５Ｃが形成されたセラミック基板（２Ａ〜２Ｄ）と反り防止ビア６Ｃが形成されたセラミック基板（２Ａ〜２Ｄ）とを直接積層させてもビア５Ｃと反り防止ビア６Ｃとを電気的に接続することがなく、反り防止ビア６Ｃの配置の自由度が向上する。その結果、多層セラミック基板２の厚さ方向において多層セラミック基板２の収縮率を近づけることができるとともに、ビア５Ｃ、電極３および反り防止電極４の配置を自由に行なうことができる。
【００５４】
また、第３の実施形態の積層セラミック配線板１Ｃにおいては、ビア５Ｃおよび反り防止ビア６Ｃを円錐台状に形成し、ビア５Ｃおよび反り防止ビア６Ｃの小底面５Ｃａ、６Ｃａを対向させて配置している。ビア５Ｃおよび反り防止ビア６Ｃの形状の対称性により、ビア５Ｃと反り防止ビア６Ｃとの対向方向（すなわち厚さ方向）において多層セラミック基板２の収縮率を対称に近づけることができる。
【００５５】
ビア５Ｃおよび反り防止ビア６Ｃの形状の対称性を向上させるため、ビア５Ｃおよび反り防止ビア６Ｃは、同一形状または相似形に形成されていることが好ましい。これにより、ビア５Ｃと反り防止ビア６Ｃとを電気的に接続させることなく、多層セラミック基板２の厚さ方向において多層セラミック基板２の収縮率を同等にすることが容易となる。
【００５６】
すなわち、第１から第３の実施形態の積層セラミック配線板１Ａ〜１Ｃによれば、ビア５Ａ〜５Ｃと同体積の反り防止ビア６Ａ〜６Ｃをビア５Ａ〜５Ｃとの対称位置またはその周辺に配置することにより、積層セラミック配線板１Ａ〜１Ｃの厚さ方向に対して積層セラミック配線板１Ａ〜１Ｃの収縮率を対称にすることができるので、焼結時に積層セラミック配線板１Ａ〜１Ｃの反りを防止することができるという効果を奏する。
【００５７】
なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である。
【００５８】
例えば、図１から図４に示すように、第１から第３の実施形態の積層セラミック配線板１Ａ〜１Ｃにおいては、ビア５Ａ〜５Ｃおよび反り防止ビア６Ａ〜６Ｃの小底面５Ａａ〜５Ｃａ、６Ａａ〜６Ｃａを対向させて配置させている。しかし、他の実施形態においては、ビア５Ａ〜５Ｃおよび反り防止ビア６Ａ〜６Ｃの大底面５Ａｂ〜５Ｃｂ、６Ａｂ〜６Ｃｂを対向させて配置させても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】第１の実施形態の積層セラミック配線板を示す縦断面図
【図２】第２の実施形態の積層セラミック配線板を示す縦断面図
【図３】第３の実施形態の積層セラミック配線板を示す縦断面図
【図４】第２の実施形態の変形例の積層セラミック配線板を示す縦断面図
【図５】従来の積層セラミック配線板を示す縦断面図
【符号の説明】
【００６０】
１Ａ〜１Ｃ  積層セラミック配線板
２、２Ａ〜２Ｄ  セラミック基板
３  電極
４  反り防止電極
５Ａ〜５Ｃ  ビア
６Ａ〜６Ｃ  反り防止ビア
７  半導体チップ
【図１】
2008186919.tif 000003
【図２】
2008186919.tif 000004
【図３】
2008186919.tif 000005
【図４】
2008186919.tif 000006
【図５】
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