(57)【要約】【課題】配線が曲がった箇所での配線の密着性を向上した配線基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】配線基板が，基板と，互いに異なる方向を向いて配置される第１，第２の配線と，前記所定の層内に配置されて前記第１，第２の配線を接続し，かつ所定の曲線からなる辺を有する曲線部と，前記曲線部から突出し，第１の突出部材と，この第１の突出部材から突出し，かつこの第１の突出部材より小さい第２の突出部材と，を含む突出部と，を有する接続部と，を具備する。【選択図】図１
2008192954.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と，
前記基板上の所定の層内に，互いに異なる方向を向いて配置される第１，第２の配線と，
前記所定の層内に配置されて前記第１，第２の配線を接続し，かつ所定の曲線からなる辺を有する曲線部と，前記曲線部から突出し，第１の突出部材と，この第１の突出部材から突出し，かつこの第１の突出部材より小さい第２の突出部材と，を含む第１の突出部と，を有する接続部と，
を具備することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１，第２の配線が略直交する
ことを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１の突出部が，前記第２の突出部材から突出し，かつこの第２の突出部材より小さい第３の突出部材をさらに有する
ことを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１，第２の突出部材が，略多角形状である
ことを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１，第２の配線，および前記接続部上に配置される層間絶縁層と，
前記層間絶縁層上に配置され，上方から見て前記第１の配線と交差する第３の配線と，
をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項６】
前記第１，第３の配線の少なくとも一方が，前記第１，第３の配線が交差する領域に，第２の突出部をさらに有する
ことを特徴とする請求項５記載の配線基板。
【請求項７】
基板上に導体層を形成するステップと，
前記形成される導体層をエッチングして，互いに異なる方向を向いて配置される第１，第２の配線と，前記第１，第２の配線を接続し，かつ所定の曲線からなる辺を有する曲線部と，前記曲線部から突出し，第１の突出部材と，この第１の突出部材から突出し，かつこの第１の突出部材より小さい第２の突出部材と，を含む突出部と，を有する接続部と，を形成するステップと，
を具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に配線が配置される配線基板が用いられている（特許文献１参照）。
ここで，基板上に配置される配線は直線状のみとは限らず，例えば，Ｌ字型に曲がっている場合がある。この場合，直交する配線が互いに接続されたことになる。
【特許文献１】特開２００６−１４７９７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら，配線が曲がった箇所では基板と配線間での密着が弱く成り易い。密着が弱くなると，配線が基板から剥がれ，配線の断線等配線基板の不良の原因となる。
上記に鑑み，本発明は配線が曲がった箇所での配線の密着性を向上した配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一態様に係る配線基板は，基板と，前記基板上の所定の層内に，互いに異なる方向を向いて配置される第１，第２の配線と，前記所定の層内に配置されて前記第１，第２の配線を接続し，かつ所定の曲線からなる辺を有する曲線部と，前記曲線部から突出し，第１の突出部材と，この第１の突出部材から突出し，かつこの第１の突出部材より小さい第２の突出部材と，を含む第１の突出部と，を有する接続部と，を具備することを特徴とする。
【０００５】
本発明の一態様に係る配線基板の製造方法は，基板上に導体層を形成するステップと，前記形成される導体層をエッチングして，互いに異なる方向を向いて配置される第１，第２の配線と，前記第１，第２の配線を接続し，かつ所定の曲線からなる辺を有する曲線部と，前記曲線部から突出し，第１の突出部材と，この第１の突出部材から突出し，かつこの第１の突出部材より小さい第２の突出部材と，を含む突出部と，を有する接続部と，を形成するステップと，を具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば，配線が曲がった箇所での配線の密着性を向上した配線基板およびその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下，図面を参照して，本発明の実施の形態を詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
図１〜図３はそれぞれ，本発明の第１実施形態に係る配線基板１００を表す上面図，側面図，および一部拡大図である。
配線基板１００は，基板１１０，絶縁層１２０，下地層１３０，配線層１４０が順に積層されている。
【０００８】
基板１１０は，シリコン等の半導体から構成できる。
絶縁層１２０は，例えば，酸化物，窒化物，樹脂等の絶縁体からなり，基板１１０と配線層１４０を電気的に絶縁する。
【０００９】
下地層１３０は，例えば，金属等の導電体からなる下地パターン１３１を有する。下地層１３０は，絶縁層１２０上に配線層１４０を形成する際の基礎として用いられる。例えば，配線層１４０を電気メッキで形成する場合，下地層１３０はメッキのための電極として機能する。なお，下地パターン１３１は，後述の配線パターン１４１と略同一形状である。
【００１０】
配線層１４０には，金属等の導電体から構成される配線パターン１４１が配置される。
配線パターン１４１は，直線部１４２，接続部１４３が組み合わされて構成される。直線部１４２は，略直線状（かつ略矩形状）の導電体から構成される。接続部１４３は，異なる方向に配置される直線部１４２を接続するための部材であり，曲線部１４４，突出部１４５に区分できる。
この配線パターン１４１では，３つの直線部１４２が２つの接続部１４３で接続される。また，接続部１４３で接続される直線部１４２は互いに直交する。但し，直線部１４２は，互いに異なる方向を向いていれば足り，必ずしも直交することは要しない。
【００１１】
図３の一対の基準線Ｌ０は，曲線部１４４，突出部１４５を区分する境界を示している。また，一対の基準線Ｌ１は，突出部１４５の頂点を結ぶ曲線である。一対の基準線Ｌ０の間隔が配線の幅Ｗに対応する。基準線Ｌ０，Ｌ１の間隔が突出部１４５の最大突出幅ΔＷに対応する。
【００１２】
曲線部１４４は，略並行かつ略曲線形状の辺を有する。突出部１４５の辺は，コッホ曲線から構成される。即ち，接続部１４３の辺は全体として曲線形状であり，かつコッホ曲線からなる突出部１４５が配置される。
【００１３】
コッホ曲線は，フラクタル曲線の一種であり，次のように，三角形の辺に，より小さな三角形を付加する操作を無限にくりかえしてできる曲線である（1つの線分を三等分し, その中央の部分を折れ線でおきかえる操作を無限に繰り返した極限）。即ち，三角形の各辺の中央に，その辺の長さの３分の１の長さの辺を有する三角形を付ける。できた図形の各辺にまた３分の１の長さの辺の三角形を付ける。これをくりかえして，小さな三角形を付けてゆく。
【００１４】
理論上，コッホ曲線は，無限個の頂点を有し，辺の長さの合計も無限となる。このため，突出部１４５の形状が複雑化する。このため，突出部１４５の形成時にエッチング液等による過剰なエッチングが制限される。この結果，絶縁層１２０から配線パターン１４１が剥がれ難くなる。
【００１５】
突出部１４５は，異なる大きさの第１，第２，第３，…の突出部材から構成されると考えることができる。即ち，突出部１４５は，最大突出幅ΔＷに対応する第１の突出部材を有する。この第１の突出部材の辺に，第１の突出部材より小さい第２の突出部材が配置される。さらに，第２の突出部材の辺に，第２の突出部材より小さい第３の突出部材が配置される。理論上は，第ｎの突出部材の辺に，第ｎの突出部材より小さい第（ｎ＋１）の突出部材が配置されることになる（ｎ：整数）。本実施形態では，これら第ｎの突出部材は，三角形である。但し，第ｎの突出部材は，直線状の辺を有する形状（三角形等の多角形），曲線状の辺を有する形状の何れでも差し支えない。
【００１６】
突出部１４５の最大突出幅ΔＷが配線幅Ｗの３分の１以下であることが望ましい。接続部１４３の内側と外側に突出部１４５が配置されるため，突出部１４５が全配線幅に占める割合が大きすぎると剥がれやすくなるからである。
本実施形態では，配線パターン１４１の配線の幅が，直線部１４２，および接続部１４３で同一としている。但し，直線部１４２，接続部１４３で，配線の幅を変更することも可能である。
【００１７】
（配線基板１００の製造法）
以下，配線基板１００の製造方法を説明する。
図４は，配線基板１００を製造する手順を表すフロー図である。図５Ａ〜図５Ｅは，図４の手順で製造される配線基板１００を表す断面図である。なお，これらの断面図は，図１のＡ１−Ａ２に沿って切断した状態を表す。
【００１８】
（１）基板への下地層１３０の形成（ステップＳ１１，Ｓ１２，図５Ａ）
シリコン等の基板１１０を用意する。基板１１０の厚みは，例えば，２００〜８００μｍである。この基板１１０には必要に応じて絶縁層１２０が形成される。絶縁層１２０の厚みは，例えば，５０〜２０００ｎｍである。
基板１１０上に下地層１３０が形成される。電解めっき法により配線形成するために，まず導電性を付与する。
【００１９】
下地層１３０には，スパッタリング法等により形成された，例えば，銅，銀，金等の薄膜を用いることができる。また，下地層１３０を，このような薄膜と，クロム，チタン，窒化チタン，ニッケル等の密着膜との積層構造としてもよい。
このとき，薄膜，密着膜それぞれの厚さを，例えば，５０〜３５０ｎｍ，１０〜１００ｎｍの範囲で設定できる。この範囲より薄い場合，膜の均一性を保持するのが難しく，密着性の低下およびめっき給電時の不均一によるめっき分布の低下が発生する。この範囲より厚い場合，後のエッチングに時間を要する。通常，密着膜層の厚みは薄膜の厚みより薄い。密着膜を厚くした場合，配線層１４０と，その下にある層とをビアを介して電気的に接続する場合に，抵抗の増加による電気特性が低下する。
【００２０】
（２）配線パターン１４１の形成（ステップＳ１３，図５Ｂ〜図５Ｄ）
１）レジスト１８０のパターニング（図５Ｂ）
基板１１０上にレジスト１８０を塗布し，フォトマスクを用いて露光することで，パターニングする。この結果，レジスト１８０に開口部１８１が形成される。この開口部１８１は，配線パターン１４１を形成する型として機能する。
【００２１】
このとき，フォトマスクにフラクタルパターンを設けることで，コッホ曲線等のフラクタル形状を有する突出部１４５を形成できる。なお，フラクタル形状はコンピュータプログラムで簡単に形成出来るために，配線パターン１４１用のマスク形成やＥＢ描画が容易である。
【００２２】
２）電解めっき（図５Ｃ）
メッキ液を用いて，下地層１３０に給電し，開口部１８１内に，例えば，金属等の導電性材料を堆積することで（電解めっき法），配線パターン１４１が形成される。配線層の厚みは，例えば，２〜６μｍである。また，配線パターン１４１の線幅は，例えば，６〜２５μｍである。最大突出幅ΔＷは，例えば，１〜２μｍである。
３）レジスト１８０の除去（図５Ｄ）
溶媒等によって，レジスト１８０を溶解して除去する。
以上のようにして，下地層１３０上に配線パターン１４１が形成される。
【００２３】
（３）下地層１３０のパターニング（ステップＳ１４，図５Ｅ）
下地層１３０の不要な箇所を除去する。即ち，例えば，配線基板１００にウェットエッチングを施すことで，下地層１３０をパターニングし，配線パターン１４１と対応する形状とする。後述するように，配線パターン１４１の突出部１４５がフラクタル形状を有することで，下地層１３０の過剰なエッチングを防止し，配線パターン１４１の密着性の向上が図られる。
【００２４】
余分な下地層１３０（および密着膜層）はウェットエッチングおよびドライエッチングによって除去できる。ウェットエッチングでは該当する金属と，これを溶解可能な薬液との組み合わせが必要である。例えば，銅には硫酸，金にはヨウ素溶液，クロムにはアルカリ性過マンガン酸ナトリウム溶液，チタンには過酸化水素水，アンモニア水，およびＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸）溶液の混合溶液，ニッケルには塩化第二鉄溶液が挙げられる。またドライエッチングには，ハロゲンガスとアルゴンガスの混合ガスを用いても良い。
【００２５】
（比較例）
図６，図７は，本発明の比較例に係る配線基板１００ｘを表す上面図および断面図である。なお，この断面図は，図６のＢ１−Ｂ２に沿って切断した状態を表す。
配線基板１００ｘは，基板１１０，絶縁層１２０，下地層１３０ｘ，配線層１４０ｘが順に積層されてなる。
【００２６】
下地層１３０ｘは，下地パターン１３１１〜１３１３を有する。
配線層１４０ｘは，配線パターン１４１１〜１４１３を有する。
配線パターン１４１１〜１４１３はそれぞれ，接続部１４３１〜１４３３を有する。接続部１４３１〜１４３３はそれぞれ，角形状，曲線形状，およびフラクタル形状を有する。接続部１４３１は，２つの直線状の辺が直交する頂点を有する。接続部１４３２は，辺が曲線形状であり，頂点を有しない。接続部１４３３は，第１の実施形態の接続部１４３と対応する形状を有する。即ち，接続部１４３３の辺は全体として曲線形状であり，かつコッホ曲線からなる突出部が配置される。
【００２７】
図７に示されるように，接続部１４３１において，下地パターン１３１１の幅が配線パターン１４１１の幅より狭くなっている。この幅の相違は接続部１４３１が絶縁層１２０から剥がれる要因となる。
【００２８】
この幅の相違は，配線基板１００ｘの製造時に生じる。即ち，図４の手順で配線基板１００ｘを製造したときに，ステップＳ１４で下地層１３０ｘが過剰にエッチングされる。例えば，ウェットエッチング液は等方性のエッチング特性を有するため，配線パターン１４１１の側壁方向にもエッチングが進む（サイドエッチング）。この結果，下地パターン１３１１の幅が配線パターン１４１１の幅より狭くなる。
【００２９】
このサイドエッチングは，接続部１４３１が角形状であることに起因する。これに対して，配線パターン１４１２，１４１３では，それぞれの接続部１４３２，１４３３が角形状でないことから，サイドエッチングが抑制され，配線パターン１４１２，１４１３の幅と下地パターン１３１２，１３１３の幅がほぼ一致する。
【００３０】
配線パターン１４１２，１４１３は何れも，角等のエッチングが集中する箇所がないのでサイドエッチング量に大きな違いは生じ難い。ただし，下地の絶縁層１２０と接触している面積が多くなることから，配線パターン１４１２に比べて，配線パターン１４１３は剥離し難い。
【００３１】
（第２の実施の形態）
図８，図９はそれぞれ，本発明の第２実施形態に係る配線基板２００を表す上面図および側面図である。また，図１０は，交差する配線パターン２４１，２７１の交差部分を上から見た状態を表す上面図である。図１１は，配線パターン２４１の交差部分のみを表す上面図である。
【００３２】
配線基板２００は，基板２１０，絶縁層２２０，下地層２３０，配線層２４０，層間絶縁層２５０，下地層２６０，配線層２７０が順に積層されている。
【００３３】
基板２１０は，シリコン等の半導体から構成できる。
絶縁層２２０は，例えば，酸化物，窒化物，樹脂等の絶縁体からなり，基板２１０から下地層２３０および配線層２４０を電気的に絶縁する。
【００３４】
下地層２３０は，例えば，金属等の導電体からなる下地パターン２３１を有する。下地層２３０は，絶縁層２２０上に配線層２４０を形成する際の基礎として用いられる。例えば，配線層２４０を電気メッキで形成する場合，下地層２３０はメッキのための電極として機能する。下地パターン２３１は，後述の配線パターン２４１と略同一形状である。
【００３５】
配線層２４０には，金属等の導電体から構成される配線パターン２４１が配置される。
配線パターン２４１は，配線２４２，接続部２４３，および交差部２４６が組み合わされて構成される。配線２４２は，略直線状（かつ略矩形状）の導電体から構成される。接続部２４３は，異なる方向に配置される配線２４２を接続するための部材であり，第１の実施形態に係る接続部２４３と同様の形状を有する。交差部２４６は，後述の配線パターン２７１と交差する領域近傍に配置され，直線部２４７，突出部２４８に区分できる。直線部２４７は，略並行かつ略直線形状の辺を有する。突出部２４８の辺は，コッホ曲線から構成される。即ち，交差部２４６の辺は全体として曲線形状であり，かつコッホ曲線からなる突出部２４８が配置される。突出部２４８によって，後述の配線２７２の断線が防止される。なお，この詳細は後述する。
【００３６】
層間絶縁層２５０は，例えば，酸化物，窒化物，有機材料（例えば，有機感光性絶縁材料，有機非感光性絶縁材料）等の絶縁体からなり，配線層２４０，２７０を互いに絶縁する。層間絶縁層２５０には，配線パターン２４１，２７１を電気的に接続する。
層間絶縁層２５０に，配線パターン２４１，２７１を電気的に接続する導電性のビア２５１が配置される。
【００３７】
下地層２６０は，例えば，金属等の導電体からなる下地パターン２６１を有する。下地層２６０は，層間絶縁層２５０上に配線層２７０を形成する際の基礎として用いられる。例えば，配線層２７０を電気メッキで形成する場合，下地層２６０はメッキのための電極として機能する。下地パターン２６１は，後述の配線パターン２７１と略同一形状である。
【００３８】
配線層２７０には，金属等の導電体から構成される配線パターン２７１が配置される。
配線パターン２７１は，配線２７２，２７３を有する。
配線２７２は，略直線状（かつ略矩形状）の導電体から構成され，交差部２７４を有する。交差部２７４は，配線パターン２４１と交差する領域近傍に配置され，直線部２７５，およびコッホ曲線からなる突出部２７６に区分できる。
配線２７２は，接続部２７７を有する。接続部２７７は，ビア２５１によって，配線パターン２４１と接続される。
【００３９】
（配線２７２の断線の防止）
層間絶縁層２５０は，配線パターン２４１上に形成されることから，配線パターン２４１の辺の近傍に段差を有するのが通例である。この段差は配線２７２の断線の原因となる。即ち，配線２７２は，配線パターン２４１上を横切って配置されるため，この段差の近傍で断線する可能性がある。配線２７２と層間絶縁層２５０の熱膨張率の差が大きいと，配線２７２の断線の可能性がより大きくなる。
【００４０】
配線パターン２４１が突出部２４８，２７６を有することによって，配線２７２の断線のリスクを低減できる。この理由を以下（１），（２）に示す。
（１）理論上，コッホ曲線は，無限個の頂点を有し，辺の長さの合計も無限となる。このため，突出部２４８の形状が複雑化する。このため，突出部２４８の形成時にエッチング液の回り込みにより，その周辺部（先端部）にテーパが形成され（膜厚が次第に薄くなる），段差が緩和される。この結果，配線２７２に断線が発生し難くなる。この段差の緩和は突出部Ｔ１の存在に起因するものであり，突出部Ｔ１ａは基本的に関与しない。
【００４１】
図１２は，図１０のＣ１−Ｃ２で配線２４２，２７２を切断した状態を表す断面図である。配線２４２の突出部２４８がテーパを有し，配線２７２が傾斜を持って配線２４２上に配置される。既述のように，突出部２４８では，エッチング液の周り込み効果が大きくなり，配線２４２の膜厚が薄くなる。この結果，配線２７２に亀裂が入り難くなる。
【００４２】
（２）突出部２４８，２７６により，配線２４２，２７２の交差部２４６，２７４の形状が複雑になり，その辺の長さが長くなる。この結果，配線２７２の一部に亀裂が生じた場合に，配線２７２が断線する可能性が低減する。
【００４３】
（配線基板２００の製造法）
以下，配線基板２００の製造方法を説明する。
図１３は，配線基板２００を製造する手順を表すフロー図である。図１４Ａ〜図１４Ｄは，図１３の手順で製造される配線基板２００を表す断面図である。 
【００４４】
（１）基板２１０への配線パターン２４１等の形成（ステップＳ２１〜Ｓ２４，図１４Ａ）
このステップＳ２１〜Ｓ２４は，第１の実施形態の図４のステップＳ１１〜Ｓ１４と実質的に変わるところが無いので説明を省略する。
【００４５】
（２）基板２１０への層間絶縁層２５０の形成（ステップＳ２５，図１４Ｂ）
基板１１０に層間絶縁層２５０が形成される。即ち，絶縁体を成膜する。その後，層間絶縁層２５０に開口を形成し，導電性材料を充填してビア２５１を形成する。
【００４６】
以下の１）〜４）に，層間絶縁層２５０およびビア２５１の形成手順の具体例を示す。
１）感光性絶縁材料を塗布し，所定のパターンで露光して現像することにより，開口を有する層間絶縁層２５０を形成する。感光性絶縁材料として，例えば，ベンゾシクロブテン，ポリイミド，フルオレン等の感光性絶縁材料を使用できる。層間絶縁層２５０の厚みは，例えば，４〜１５μｍである。
【００４７】
２）層間絶縁層２５０を覆うように，下地金属層，レジストパターンを順に形成する。下地金属層は，例えば，スパッタリング法等により形成できる。このような下地金属層の厚みは，例えば，５０〜３５０ｎｍの範囲で設定できる。
レジストパターンは，層間絶縁層２５０の開口に対応する開口を有する。
【００４８】
３）次いで，このジストパターンをマスクとし，下地金属層を給電層として電解めっきを行い，その後，レジストパターンを除去する。
これにより，層間絶縁層２５０の開口内に導電性物質が充填され，ビア２５１が形成される。
４）その後，層間絶縁層２５０上に存在している余分な下地金属層を除去する。これにより，基板２１０に層間絶縁層２５０，ビア２５１が形成される。
【００４９】
（３）配線パターン２７１，下地パターン２６１の形成，（ステップＳ２６〜S２８，図１４Ｃ〜図１４Ｄ）
このステップＳ２６〜Ｓ２８は，第１の実施形態の図４のステップＳ１１〜Ｓ１４と実質的に変わるところが無いので説明を省略する。
【００５０】
（その他の実施形態）
本発明の実施形態は上記の実施形態に限られず拡張，変更可能であり，拡張，変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る配線基板の上面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る配線基板の側面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る配線基板の一部拡大図である。
【図４】図１の配線基板を製造する手順を表すフロー図である。
【図５Ａ】図４の手順で製造される配線基板を表す断面図である。
【図５Ｂ】図４の手順で製造される配線基板を表す断面図である。
【図５Ｃ】図４の手順で製造される配線基板を表す断面図である。
【図５Ｄ】図４の手順で製造される配線基板を表す断面図である。
【図５Ｅ】図４の手順で製造される配線基板を表す断面図である。
【図６】本発明の比較例に係る配線基板の上面図である。
【図７】本発明の比較例に係る配線基板の側面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る配線基板の上面図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る配線基板の側面図である。
【図１０】交差する配線パターンの交差部分を上から見た状態を表す上面図である。
【図１１】配線パターンの交差部分のみを表す上面図である。
【図１２】図１０の配線を切断した状態を表す断面図である。
【図１３】図８の配線基板を製造する手順を表すフロー図である。
【図１４Ａ】図１３の手順で製造される配線基板を表す断面図である。
【図１４Ｂ】図１３の手順で製造される配線基板を表す断面図である。
【図１４Ｃ】図１３の手順で製造される配線基板を表す断面図である。
【図１４Ｄ】図１３の手順で製造される配線基板を表す断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１００  配線基板
１１０  基板
１２０  絶縁層
１３０  下地層
１３１  下地パターン
１４０  配線層
１４１  配線パターン
１４２  直線部
１４３  接続部
１４４  曲線部
１４５  突出部
【図１】
2008192954.tif 000003
【図２】
2008192954.tif 000004
【図３】
2008192954.tif 000005
【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１４Ｄ】
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