(57)【要約】【課題】光利用効率と色再現性を満足させることが可能な積層型の固体撮像素子を提供する。【解決手段】主として赤色の波長域の光を吸収してこれに応じた信号電荷を発生するＲ光電変換層５３と、主として緑色の波長域の光を吸収してこれに応じた信号電荷を発生するＧ光電変換層５１と、主として青色の波長域の光を吸収してこれに応じた信号電荷を発生するＢ光電変換層５２とを半導体基板上に積層してなる固体撮像素子５であって、Ｇ光電変換層５１が最も上に積層され、その吸収ピーク波長における吸収率が１．０を最大としたときに、１．０よりも低い。【選択図】図２
2008186830.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主として赤色の波長域の光を吸収してこれに応じた信号電荷を発生するＲ光電変換層と、主として緑色の波長域の光を吸収してこれに応じた信号電荷を発生するＧ光電変換層と、主として青色の波長域の光を吸収してこれに応じた信号電荷を発生するＢ光電変換層とを半導体基板上に積層してなる固体撮像素子であって、
前記Ｇ光電変換層が最も上に積層され、その吸収ピーク波長における吸収率が１．０を最大としたときに、それよりも低い固体撮像素子。
【請求項２】
請求項１記載の固体撮像素子であって、
前記Ｇ光電変換層の吸収ピーク波長における吸収率が０．５〜０．８の範囲にある固体撮像素子。
【請求項３】
請求項１又は２記載の固体撮像素子であって、
前記Ｇ光電変換層の吸収ピーク波長が５３３ｎｍ〜５４７ｎｍの範囲にある固体撮像素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記Ｒ光電変換層と前記Ｂ光電変換層のそれぞれの吸収ピーク波長が、ｓＲＧＢに基づく理想の波長よりも前記Ｇ光電変換層の吸収ピーク波長側にずれている固体撮像素子。
【請求項５】
請求項４記載の固体撮像素子であって、
前記Ｒ光電変換層の吸収ピーク波長が５７５ｎｍ〜６０５ｎｍの範囲にあり、
前記Ｂ光電変換層の吸収ピーク波長が４４５ｎｍ〜４７８ｎｍの範囲にある固体撮像素子。
【請求項６】
請求項４又は５記載の固体撮像素子であって、
前記Ｒ光電変換層の吸収スペクトルの半値巾が６５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲にある固体撮像素子。
【請求項７】
請求項６記載の固体撮像素子であって、
前記Ｂ光電変換層の吸収スペクトルの半値巾が５０ｎｍ〜１１０ｎｍの範囲にある固体撮像素子。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記半導体基板上に、前記Ｂ光電変換層、前記Ｒ光電変換層、前記Ｇ光電変換層がこの順に積層された固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として赤色（Ｒ）の波長域（波長が約５５０ｎｍ〜約７００ｎｍまでの範囲）の光を吸収してこれに応じた信号電荷を発生するＲ光電変換層と、主として緑色（Ｇ）の波長域（波長が約４５０ｎｍ〜約６１０ｎｍまでの範囲）の光を吸収してこれに応じた信号電荷を発生するＧ光電変換層と、主として青色（Ｂ）の波長域（波長が約３８０ｎｍ〜約５２０ｎｍまでの範囲）の光を吸収してこれに応じた信号電荷を発生するＢ光電変換層とを半導体基板上に積層してなる固体撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤ型やＣＭＯＳ型のイメージセンサに代表される単板式カラー固体撮像素子では、光電変換する受光部の配列上に３種または４種の色フィルタをモザイク状に配置している。これにより、各受光部から色フィルタに対応した色信号が出力され、これ等の色信号を信号処理することでカラー画像が生成される。
【０００３】
しかし、モザイク状に色フィルタを配列したカラー固体撮像素子は、原色の色フィルタの場合、およそ入射光の２／３が色フィルタで吸収されてしまうため、光利用効率が悪く、感度が低いという問題がある。また、各受光部で１色の色信号しか得られないため、解像度も悪く、特に、偽色が目立つという問題もある。
【０００４】
そこで、斯かる問題を克服するために、信号読出回路が形成された半導体基板の上に３層の光電変換層を積層する構造の積層型固体撮像素子が研究・開発されている（例えば、下記の特許文献１，２）。この積層型固体撮像素子は、例えば、光入射面から順次、Ｂ，Ｇ，Ｒの光に対して信号電荷（電子，正孔）を発生する光電変換層を重ねた受光部構造を備え、しかも各受光部毎に、各光電変換層で発生した信号電荷を独立に読み出すことができる信号読み出し回路が設けられる。
【０００５】
斯かる構造の撮像素子の場合、入射光が殆ど光電変換されて読み出され、可視光の利用効率は１００％に近く、しかも各受光部でＲ，Ｇ，Ｂの３色の色信号が得られるため、高感度で、高解像度（偽色が目立たない）の良好な画像が生成できる。
【０００６】
【特許文献１】特表２００２−５０２１２０号公報
【特許文献２】特開２００２−８３９４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
銀塩カメラに用いられるカラーフィルムや単板式の固体撮像素子については、良好な色再現性を確保するための分光感度設計に関しては豊富な知見があるが、上述した積層型固体撮像素子については、その光利用効率の高さを活かしつつ、色再現性を満足させることのできる理想的な分光感度に関する知見はなかった。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、光利用効率と色再現性を満足させることが可能な積層型の固体撮像素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の固体撮像素子は、主として赤色の波長域の光を吸収してこれに応じた信号電荷を発生するＲ光電変換層と、主として緑色の波長域の光を吸収してこれに応じた信号電荷を発生するＧ光電変換層と、主として青色の波長域の光を吸収してこれに応じた信号電荷を発生するＢ光電変換層とを半導体基板上に積層してなる固体撮像素子であって、前記Ｇ光電変換層が最も上に積層され、その吸収ピーク波長における吸収率が１．０を最大としたときに、それよりも低い。
【００１０】
本発明の固体撮像素子は、前記Ｇ光電変換層の吸収ピーク波長における吸収率が０．５〜０．８の範囲にある。
【００１１】
本発明の固体撮像素子は、前記Ｇ光電変換層の吸収ピーク波長が５３３ｎｍ〜５４７ｎｍの範囲にある。
【００１２】
本発明の固体撮像素子は、前記Ｒ光電変換層と前記Ｂ光電変換層のそれぞれの吸収ピーク波長が、ｓＲＧＢに基づく理想の波長よりも前記Ｇ光電変換層の吸収ピーク波長側にずれている。
【００１３】
本発明の固体撮像素子は、前記Ｒ光電変換層の吸収ピーク波長が５７５ｎｍ〜６０５ｎｍの範囲にあり、前記Ｂ光電変換層の吸収ピーク波長が４４５ｎｍ〜４７８ｎｍの範囲にある。
【００１４】
本発明の固体撮像素子は、前記Ｒ光電変換層の吸収スペクトルの半値巾が６５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲にある。
【００１５】
本発明の固体撮像素子は、前記Ｂ光電変換層の吸収スペクトルの半値巾が５０ｎｍ〜１１０ｎｍの範囲にある。
【００１６】
本発明の固体撮像素子は、前記半導体基板上に、前記Ｂ光電変換層、前記Ｒ光電変換層、前記Ｇ光電変換層がこの順に積層されている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、光利用効率と色再現性を満足させることが可能な積層型の固体撮像素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１９】
発明者は、以下のシミュレーションモデルによって、光利用効率と色再現性を満足させることが可能な積層型の固体撮像素子の各光電変換層の特性を見出した。
図１は、シミュレーションモデルに用いた撮像システムの構成を示した図である。
図１に示す撮像システムは、被写体となるマクベスチャート１と、マクベスチャート１をＤ６５光で照明する光源２と、マクベスチャート１を撮影するための固体撮像素子５と、固体撮像素子５の前面に設けられた赤外域の光をカットするＩＲカットフィルタ４と、ＩＲカットフィルタ４とカラーチャート１との間に配置された撮影光学系３と、固体撮像素子５から出力される撮像信号のホワイトバランスを調整する演算処理を行うＷＢ回路６と、ＷＢ回路６の出力信号を補正するＭＴＸ回路７と、ＭＴＸ回路７で補正後の信号に基づく画像を表示するためのｓＲＧＢに対応したモニタ８と、モニタ８に表示されるマクベスチャート画像とマクベスチャート１との色差を演算する色差演算部９と、モニタ８に表示されるマクベスチャート画像の輝度Ｓ／Ｎを演算するＳ／Ｎ演算部１０とからなる。
【００２０】
図２は、図１に示す固体撮像素子５の１画素分の断面構成を示した図である。固体撮像素子５は、２４色のマクベスチャートを撮影するために、図２に示す画素が二次元状に少なくとも２４個並べられたものとする。
図２に示すように、固体撮像素子５は、図示しない半導体基板上に積層されたＢ光電変換層（以下、B層という）５３と、Ｂ層５３上に積層されたＲ光電変換層（以下、R層という）５２と、R層５２上に積層されたG光電変換層（以下、G層という）５１とを含む構成となっている。ＩＲカットフィルタ４上方から入射したマクベスチャート１のナンバーｎのチャートからの反射光のうちのＧ光は、Ｇ層５１で吸収され、ここでＧ光に応じたＧ信号電荷が発生し、Ｇ層５１を透過した光のうちのＲ光はＲ層５２で吸収され、ここでＲ光に応じたＲ信号電荷が発生し、Ｒ層５２を透過した光のうちのＢ光はＢ層５３で吸収され、ここでＢ光に応じたＢ信号電荷が発生する。そして、Ｒ信号電荷に応じた撮像信号Srnと、Ｇ信号電荷に応じた撮像信号Sgnと、Ｂ信号電荷に応じた撮像信号Sbnとが外部に出力されるものとしている。
【００２１】
固体撮像素子５の１画素を構成するR層５２、G層５１、B層５３の各々の分光感度Sr(λ)、Sg(λ)、Sb(λ)は、以下の数１の式によって表される。
【００２２】
【数１】
2008186830.tif 000003
【００２３】
R層５２、G層５１、B層５３の各々の吸収係数スペクトルをαr(λ)、αg(λ)、αb(λ)とし、それぞれがガウス分布であると仮定すると、以下の数２の式に示すように、数１に示した各層の吸収スペクトルA添え字(λ)と透過スペクトルT添え字(λ)は、添え字で示した層の吸収係数スペクトルα(λ)の吸収ピーク波長λ0と、添え字で示した層の吸収係数スペクトルα(λ)の層厚tと、添え字で示した層の吸収係数スペクトルα(λ)の半値巾HWとをパラメータとして記述することができる。つまり、各層のλ0,t,HWを調整することで、各層の吸収スペクトルA(λ)を調整することができる。
【００２４】
【数２】
2008186830.tif 000004
【００２５】
又、固体撮像素子５から出力される信号は以下の数３の式で示される。
【００２６】
【数３】
2008186830.tif 000005
【００２７】
本シミュレーションでは、固体撮像素子５内で発生するランダムノイズのみを検討対象とし、出力信号Srnに含まれるノイズをNrnとし、出力信号Sgnに含まれるノイズをNgnとし、出力信号Sbnに含まれるノイズをNbnとする。
【００２８】
WB回路６では、出力信号SrnにゲインGrを乗じて出力信号Swrnを得る処理と、出力信号SgnにゲインGgを乗じて出力信号Swgnを得る処理と、出力信号SbnにゲインGbを乗じて出力信号Swbnを得る処理とを行う。WB回路６では、出力信号Swrn、Swgn、Swbnが、完全拡散白色板撮像に対してSwrn=Swgn=Swbn=一定値となるようWBケ゛インGr、Gg、Gbを設定する。この結果、WB回路６から出力されるノイズは数４の式で与えられる。
【００２９】
【数４】
2008186830.tif 000006
【００３０】
MTX回路７では、３×３のマトリクス係数を用いた以下の数５に示す演算を行って出力信号Swrn,Swgn,Swbnを補正し、補正後の出力信号SRn,SGn,SBnをモニタ８とS/N演算部１０に出力する。本シミュレーションでは、マクベスチャート１自身と、固体撮像素子５でマクベスチャート１を撮像したときに得られるマクベスチャート画像との各色の色差ΔE*abのRMS値（二乗和の平方根）が最小になるようマトリックス係数を決定する。
【００３１】
【数５】
2008186830.tif 000007
【００３２】
この結果、MTX回路７の出力信号に含まれるノイズは数６の式で与えられる。
【００３３】
【数６】
2008186830.tif 000008
【００３４】
モニタ８に出力信号SRn、SGn、BGnが入力したとき、モニタ８上に表示されるマクベスチャート画像の色度点XYZは以下の数７の式で与えられる。
【００３５】
【数７】
2008186830.tif 000009
【００３６】
色差演算部９では、モニタ８上に表示されたマクベスチャート画像のXYZ色度座標と、マクベスチャート１自身のXYZ色度座標との色差をCIELAB色空間で求める。色差ΔE*abは以下の数８の式によって求める。色差演算部９での演算により、マクベスチャート１の２４色の各々について色差ΔE*abが得られる。
【００３７】
【数８】
2008186830.tif 000010
【００３８】
S/N演算部１０では、sYCC空間における輝度S/Nを演算する。MTX回路７の出力信号SRn,SGn,SBnからsYCC空間への変換は数９の式で与えられる。
【００３９】
【数９】
2008186830.tif 000011
【００４０】
よって、MTX回路７の出力信号に含まれるノイズ信号Nwrno,Nwgno,NwbnoからsYCC空間への変換は数１０の式で与えられる。
【００４１】
【数１０】
2008186830.tif 000012
【００４２】
このため、マクベスチャート１のナンバーｎを撮影したときの輝度S/Nは、Y/Ynoiseによって求まる。
【００４３】
このような構成のシミュレーションモデルにおいて、R層５２、G層５１、B層５３の各々の吸収スペクトルA(λ)を決定する３つのパラメータλ0,HW,tのうち、「半値巾HW及び層厚tを固定値とし、ピーク波長λ0を微小量変化させては、２４個の色差ΔE*abのRMS値（＝平均色差ΔE）が最小となるようにMTX回路７のマトリクス係数を最適化する」という作業を繰り返した。この結果を図３に示す。
【００４４】
図３(a)は、あるピーク波長λ0に設定したときの吸収スペクトルAg(λ)の吸収ピーク波長（横軸）と、そのピーク波長λ0でマトリクス係数を最適化して得られた平均色差ΔE（縦軸）との関係を示した図である。図３(b)は、あるピーク波長λ0に設定したときの吸収スペクトルAr(λ)の吸収ピーク波長（横軸）と、そのピーク波長λ0でマトリクス係数を最適化して得られた平均色差ΔE（縦軸）との関係を示した図である。図３(c)は、あるピーク波長λ0に設定したときの吸収スペクトルAb(λ)の吸収ピーク波長（横軸）と、そのピーク波長λ0でマトリクス係数を最適化して得られた平均色差ΔE（縦軸）との関係を示した図である。
【００４５】
更に、R層５２、G層５１、B層５３の各々の吸収スペクトルA(λ)を決定する３つのパラメータλ0,HW,tのうち、「ピーク波長λ0及び層厚tを固定値とし、半値巾HWを微小量変化させては、２４個の色差ΔE*abのRMS値（＝平均色差ΔE）が最小となるようにMTX回路７のマトリクス係数を最適化する」という作業を繰り返した。この結果を図４に示す。
【００４６】
図４(a)は、ある半値巾HWに設定したときの吸収スペクトルAg(λ)の半値巾（横軸）と、その半値巾HWでマトリクス係数を最適化して得られた平均色差ΔE（縦軸）との関係を示した図である。図４(b)は、ある半値巾HWに設定したときの吸収スペクトルAr(λ)の半値巾（横軸）と、その半値巾HWでマトリクス係数を最適化して得られた平均色差ΔE（縦軸）との関係を示した図である。図４(c)は、ある半値巾HWに設定したときの吸収スペクトルAb(λ)の半値巾（横軸）と、その半値巾HWでマトリクス係数を最適化して得られた平均色差ΔE（縦軸）との関係を示した図である。
【００４７】
更に、G層５１の吸収スペクトルAg(λ)を決定する３つのパラメータλ0,HW,tのうち、「ピーク波長λ0及び半値巾HWを固定値とし、層厚tを微小量変化させては、２４個の色差ΔE*abのRMS値（＝平均色差ΔE）が最小となるようにMTX回路７のマトリクス係数を最適化する」という作業を繰り返した。この結果を図５に示す。
【００４８】
図５(a)は、G層をある層厚ｔに設定したときの吸収スペクトルAg(λ)の吸収ピーク波長における吸収率（横軸）と、その層厚ｔでマトリクス係数を最適化して得られた平均色差ΔE（縦軸）との関係を示した図である。図５(b)は、G層をある層厚ｔに設定したときの吸収スペクトルAg(λ)の吸収ピーク波長における吸収率（横軸）と、その層厚ｔでマトリクス係数を最適化したときのMTX回路７の出力信号のS/N（縦軸,正確には、理想的な撮像特性を有する単板式の撮像素子からの出力信号のS/Nを基準とした相対S/N）との関係を示した図である。
【００４９】
図３〜図５のシミュレーション結果によれば、平均色差ΔEを最も小さくすることができるのは、吸収スペクトルAg(λ)の吸収ピーク波長における吸収率を変化させた場合であることが分かる。図５に示すように、吸収スペクトルAg(λ)の吸収ピーク波長における吸収率が約０．６のときに、平均色差ΔEは最小値をとっているが、吸収率が低下するにしたがって、G層５１から得られる信号量が減少してしまうため、G層５１で発生するノイズが吸収光量に依存しないと仮定すると、吸収率が低くなるにしたがって相対S/Nは悪くなる結果となってしまう。モニタ５に表示されるマクベスチャート画像と、マクベスチャート１自身とを目視で比較したときに、その差異がほとんど識別できなくするためには、平均色差ΔEを約１．０以下にすることが好ましく、ある程度の感度を実現するためには、相対S/Nが−４〜−１の範囲であることが好ましい。このため、高感度と良好な色再現性とを両立させるには、吸収スペクトルAg(λ)の吸収ピーク波長における吸収率が、最大値の１．０よりも小さい約０．５〜約０．８の範囲にあることが最も重要な要件であると言える。
【００５０】
図３及び図４のシミュレーション結果から、以下の追加要件１〜６を加えることにより、色再現性を更に向上させられることが分かった。
（追加要件１）
平均色差ΔEの許容範囲の上限はΔE＝２．０付近である。このため、図３(a)の結果から、吸収スペクトルAg(λ)の吸収ピーク波長の好ましい範囲は、平均色差ΔEが２．０以下となる範囲、即ち、５３３ｎｍ〜５４７ｎｍとなる。
（追加要件２）
図６は、sRGB理想撮像特性を示す図である。このsRGB理想撮像特性から、吸収スペクトルAr(λ)の吸収ピーク波長は、その値を６０５ｎｍにした場合に、最も色再現性が良くなることが分かる。そこで、図３(b)を見ると、sRGB理想撮像特性に基づく理想的な値である６０５ｎｍのときのΔEよりも、その値を小さくすることができる波長の範囲（波長５７５ｎｍ〜６０５ｎｍの範囲）が存在している。つまり、追加要件２は、吸収スペクトルAr(λ)の吸収ピーク波長を波長５７５ｎｍ〜６０５ｎｍの範囲にすることであり、このようにすることで、sRGB理想撮像特性よりも色再現性を向上させることができる。
【００５１】
（追加要件３）
図６に示すsRGB理想撮像特性から、吸収スペクトルAb(λ)の吸収ピーク波長は、その値を４４５ｎｍにした場合に、最も色再現性が良くなることが分かる。そこで、図３(c)を見ると、sRGB理想撮像特性に基づく理想的な値である４４５ｎｍのときのΔEよりも、その値を小さくすることができる波長の範囲（波長４４５ｎｍ〜４７８ｎｍの範囲）が存在している。つまり、追加要件３は、吸収スペクトルAb(λ)の吸収ピーク波長を波長４４５ｎｍ〜４７８ｎｍの範囲にすることであり、このようにすることで、sRGB理想撮像特性よりも色再現性を向上させることができる。
【００５２】
追加要件３，４から注目すべきことは、吸収スペクトルAr(λ)の吸収ピーク波長と吸収スペクトルAb(λ)の吸収ピーク波長を、それぞれ、sRGB理想撮像特性に基づく理想的な値よりも吸収スペクトルAg(λ)の吸収ピーク波長側にずらすことで、良好な色再現性を確保できることである。
【００５３】
（追加要件４〜６）
図４に示すように、各光電変換層の吸収スペクトルA(λ)の半値巾についても、色再現性を考慮した好ましい範囲を設定することができる。図４(a)〜(c)の各々において、色再現性を許容できる範囲（平均色差ΔEが最小値からその最小値よりも５０％増加した値までの範囲）で最適な半値巾を規定すると、吸収スペクトルAg(λ)の半値巾は７０ｎｍ〜１２０ｎｍの範囲にあることが好ましく（追加要件４）、吸収スペクトルAr(λ)の半値巾は６５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲にあることが好ましく（追加要件５）、吸収スペクトルAb(λ)の半値巾は５０ｎｍ〜１１０ｎｍの範囲にあることが好ましい（追加要件６）。
【００５４】
尚、これら追加要件１〜６は、これらのうちの少なくとも１つを上記重要な要件と組み合わせることで、重要な要件のみとした場合に比べて、良好な色再現性を実現することができる。
【００５５】
又、本シミュレーションでは、B層５３、R層５２、G層５１をこの順に積層した構成の固体撮像素子５を用いてシミュレーションしているが、B層５３とR層５２の位置を入れ替えた場合でも、上記要件を変えることなく適用可能である。
【００５６】
上述した各種要件を実現することができる各層の材料としては以下のようなものが挙げられる。
Ｒ層５２：スクアリリウム系化合物、クロコニウム系化合物、フタロシアニン系化合物、メロシアニン系化合物
Ｇ層５１：キナクリドン系化合物、メロシアニン系化合物
Ｂ層５３：メロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物
【００５７】
次に、パラメータλ0,HW,tを変化させて、固体撮像素子５の各層の吸収スペクトルA(λ)の組み合わせをあらゆるパターンで試した結果、平均色差ΔEが最も小さくなったパターンの結果を図７に示す。
【００５８】
図７(a)は、各層の吸収スペクトルA(λ)と透過スペクトルT(λ)を示した図である。図７(a)において、B-AbsがB層５３の吸収スペクトル、G-AbsがG層５１の吸収スペクトル、R-AbsがR層５２の吸収スペクトル、G-TransがG層５１の透過スペクトル、R-TransがR層５２の透過スペクトルである。図７(b)は、各層を図７(a)の特性にしたときのシステム全体の撮像特性を示した図である。図７(c)は、図７(a)の特性に設定したときの色差ΔE*abのマクベスチャート１のチャートナンバー毎の値を示した図である。
【００５９】
図７(c)の結果から平均色差ΔEを求めると、その値は０．５１０であった。この値は、色差がほとんど確認できないレベルであり、最適化された単板型の撮像素子と比べて遜色がない。図７(a)を見ると、G層５１の吸収ピーク波長での吸収率は、約０．６であり、上述した重要な要件を満たしていることが分かる。又、G層５１の吸収ピーク波長は５４０ｎｍ付近であり、追加要件１を満たしていることが分かる。又、R層５２の吸収ピーク波長は、５９０ｎｍ付近であり、追加要件２を満たしていることが分かる。又、B層５３の吸収ピーク波長は、４６０ｎｍ付近であり、追加要件３を満たしていることが分かる。又、G層５１の半値巾は約９５ｎｍであり、追加要件４を満たしていることが分かる。又、R層５２の半値巾は約９５ｎｍであり、追加要件５を満たしていることが分かる。又、B層５３の半値巾は約８０ｎｍであり、追加要件６を満たしていることが分かる。
【００６０】
このように、重要な要件と追加要件１〜６とを組み合わせることで、最適な色再現性を確保できることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】シミュレーションモデルに用いた撮像システムの構成を示した図
【図２】図１に示す固体撮像素子５の１画素分の断面構成を示した図
【図３】各層の吸収ピーク波長を変化させたときの平均色差ΔEの変化を示した図
【図４】各層の半値巾を変化させたときの平均色差ΔEの変化を示した図
【図５】G層の吸収ピーク波長での吸収率を変化させたときの平均色差ΔEの変化を示した図
【図６】sRGB理想撮像特性を示した図
【図７】シミュレーションモデルにおいて、平均色差ΔEが最小となったときの各層の特性を示した図
【符号の説明】
【００６２】
５１  G光電変換層
５２  R光電変換層
５３  B光電変換層
【図１】
2008186830.tif 000013
【図２】
2008186830.tif 000014
【図３】
2008186830.tif 000015
【図４】
2008186830.tif 000016
【図５】
2008186830.tif 000017
【図６】
2008186830.tif 000018
【図７】
2008186830.tif 000019