(57)【要約】【課題】本発明は、圧電体層と電極層の双方との密着性を良好にして両者の電気接続性を維持し、かつ電力損失を最小限に止めながら高温使用下での信頼性を向上させることができる圧電デバイスを提供することを目的とするものである。【解決手段】本発明の圧電デバイスは、圧電体層６および上部電極層１０に接するように圧電体層６と上部電極層１０の間に形成された上部密着層９を備え、この上部密着層９をα相とβ相が混在したタングステンで構成された第１のタングステン層７と、α相からなるタングステンで構成された第２のタングステン層８とで構成し、かつ第１のタングステン層７を圧電体層６と接するように構成したものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板上に形成された下部電極層と、この下部電極層上に形成された圧電体層と、この圧電体層上に形成された上部電極層と、前記圧電体層および前記下部電極層に接するように前記圧電体層と前記下部電極層の間に形成された下部密着層または前記圧電体層および前記上部電極層に接するように前記圧電体層と前記上部電極層の間に形成された上部密着層のいずれか一方もしくは両方とを備え、前記上部密着層および前記下部密着層をα相とβ相が混在したタングステンで構成された第１のタングステン層と、α相からなるタングステンで構成された第２のタングステン層とで構成し、かつ前記第１のタングステン層を前記圧電体層と接するように構成した圧電デバイス。
【請求項２】
基板上に下部電極層を形成する工程と、この下部電極層上に圧電体層を形成する工程と、この圧電体層上に上部電極層を形成する工程と、前記下部電極層を形成した後であって前記圧電体層を形成する前に前記圧電体層および前記下部電極層に接するように前記圧電体層と前記下部電極層の間に下部密着層を形成する工程または前記圧電体層を形成した後であって前記上部電極層を形成する前に前記圧電体層および前記上部電極層に接するように前記圧電体層と前記上部電極層の間に上部密着層を形成する工程のいずれか一方もしくは両方の工程とを備え、前記上部密着層および前記下部密着層を形成する工程をα相とβ相が混在したタングステンで構成された第１のタングステン層を形成する工程と、α相からなるタングステンで構成された第２のタングステン層を形成する工程とで構成し、かつ前記第１のタングステン層を前記圧電体層と接するように形成した圧電デバイスの製造方法。
【請求項３】
基板と、この基板上に形成された下部電極層と、この下部電極層上に形成された圧電体層と、この圧電体層上に形成された上部電極層と、前記圧電体層および前記下部電極層に接するように前記圧電体層と前記下部電極層の間に形成された下部密着層または前記圧電体層および前記上部電極層に接するように前記圧電体層と前記上部電極層の間に形成された上部密着層のいずれか一方もしくは両方とを備え、前記上部密着層および前記下部密着層における前記圧電体層と接する部分をα相とβ相が混在したタングステンで構成し、かつ前記圧電体層から遠ざかるにしたがってβ相のタングステンの割合を減らし、さらに前記上部電極層または前記下部電極層と接する部分をα相からなるタングステンで構成した圧電デバイス。
【請求項４】
基板上に下部電極層を形成する工程と、この下部電極層上に圧電体層を形成する工程と、この圧電体層上に上部電極層を形成する工程と、前記下部電極層を形成した後であって前記圧電体層を形成する前に前記圧電体層および前記下部電極層に接するように前記圧電体層と前記下部電極層の間に下部密着層を形成する工程または前記圧電体層を形成した後であって前記上部電極層を形成する前に前記圧電体層および前記上部電極層に接するように前記圧電体層と前記上部電極層の間に上部密着層を形成する工程のいずれか一方もしくは両方の工程とを備え、前記上部密着層および前記下部密着層を形成する工程を前記圧電体層と接する部分にα相とβ相が混在したタングステンを形成し、かつ前記圧電体層から遠ざかるにしたがってβ相のタングステンの割合を減らし、さらに前記上部電極層または前記下部電極層と接する部分にα相からなるタングステンを形成する工程にした圧電体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、角速度センサをはじめとする慣性センサやインクジェットプリンタ用ヘッドなどとして用いられる圧電デバイスおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
圧電デバイスの一種である角速度センサは、カメラやビデオカメラの手ブレ防止システムに用いられたり、車両等のナビゲーションシステムや車両制御に用いられたりしており、その検出原理としては圧電デバイスをＸ軸方向に振動させておき、Ｙ軸方向を中心とする角速度が印加されるとコリオリの力によってＺ軸方向に圧電デバイスが撓むことを利用したものである。
【０００３】
このような角速度センサは、柱状または音叉形状の圧電体に電極を形成するタイプのものが用いられていたが、近年の小型化の流れの中で、柱状または音叉形状の非圧電体に、下部電極、圧電体、上部電極を形成するタイプのものも開発されてきた。
【０００４】
具体的には、音叉形状に加工されたＳｉからなる基板表面にＳｉＯ2が形成され、その上に密着層としてのＴｉ層が、このＴｉ層上に下部電極としてのＰｔ／Ｔｉ層が、このＰｔ／Ｔｉ層上に配向制御層としてのＰＬＭＴ層が、このＰＬＭＴ層上に圧電体層としてのＰＺＴ層が、このＰＺＴ層の上に密着層としてのＴｉ層が、このＴｉ層の上に上部電極としてのＡｕ層がそれぞれ形成されているものが知られている（特許文献１参照）。
【０００５】
また、圧電振動子の分野においては、振動子を圧電体で構成し、そしてこの圧電体の対向する２面にそれぞれ電極を形成し、この電極の下地層としてタングステンを用いたものも知られている。この圧電振動子は、共振周波数の調整のために電極をレーザトリミングする際に、電極のみならず圧電体までトリミングしてしまうのを防止するために、電極の下地層として高融点金属であるタングステンを用いているものである（特許文献２参照）。
【０００６】
さらに、半導体分野の技術であるが、半導体基板にＴ字型電極を形成するために、半導体基板上にα相とβ相が混在したタングステンと、その上にα相タングステンを形成してからエッチングで加工するものも知られている。この技術は、α相タングステンと、β相タングステンのエッチング速度の違いに着目し、エッチング速度が速いα相とβ相が混在したタングステンを下側に、エッチング速度が遅いα相タングステンを上側に形成してＴ字型電極を得るものである（特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００３−２２７７１９号公報
【特許文献２】特開昭５８−１８８９１６号公報
【特許文献３】特開昭６４−３０２７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、圧電デバイスの一例としての角速度センサは、車の人が乗り降りするキャビンのみならず、エンジンルームでの使用がなされるようになってきた。エンジンルームの中でもエンジンに近い場所は非常に高温になるため、高温に対する信頼性がより一層要求されるようになってきた。
【０００８】
上記した特許文献１に記載の従来の角速度センサは、上記したエンジン近傍のような高温下において使用されると、圧電体層と上部電極層との間に形成された密着層としてのＴｉ層のＴｉと、圧電体層を構成するＰＺＴとの間で拡散が生じ、圧電体層の界面の誘電率や比抵抗が時間経過と共に変動してしまい、検出感度が変動してしまう。
【０００９】
また、特許文献２に記載された圧電振動子は、電極の下地層としてタングステンを用いているが、この下地層が２層である旨の記載はないため１層であると考えられる。α相のタングステンは比抵抗が低いが、ＰＺＴとの密着性に劣り、またβ相のタングステンは比抵抗が高い。したがって、この構造のタングステンの下地層を特許文献１に記載の角速度センサに適用しても、上部電極層の剥離のおそれが生じたり、あるいは高抵抗による電力損失が生じるという課題を有してしまう。
【００１０】
さらに、特許文献３に記載されたタングステン電極は、半導体基板上に直接形成された電極であって圧電体層と上部電極との密着性を向上させるものではない。
【００１１】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、圧電体層と電極の双方との密着性を良好にして両者の電気接続性を維持し、かつ電力損失を最小限に止めながら高温使用下での信頼性を向上させることができる圧電デバイスを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【００１３】
本発明の請求項１に記載の発明は、基板と、この基板上に形成された下部電極層と、この下部電極層上に形成された圧電体層と、この圧電体層上に形成された上部電極層と、前記圧電体層および前記下部電極層に接するように前記圧電体層と前記下部電極層の間に形成された下部密着層または前記圧電体層および前記上部電極層に接するように前記圧電体層と前記上部電極層の間に形成された上部密着層のいずれか一方もしくは両方とを備え、前記上部密着層および前記下部密着層をα相とβ相が混在したタングステンで構成された第１のタングステン層と、α相からなるタングステンで構成された第２のタングステン層とで構成し、かつ前記第１のタングステン層を前記圧電体層と接するように構成したもので、この構成によれば、前記上部密着層および前記下部密着層をα相とβ相が混在したタングステンで構成された第１のタングステン層と、α相からなるタングステンで構成された第２のタングステン層とで構成し、かつ前記第１のタングステン層を前記圧電体層と接するように構成しており、前記第１のタングステン層が前記圧電体層との密着性に優れているため、前記圧電体層と前記下部電極層または前記上部電極層との電気接続性を維持することができ、またα相は比抵抗が低いため、電力損失を最小限に止めることができ、さらにタングステンは高温下での拡散が少ないため、高温使用下での信頼性を向上させることができるという作用効果を有するものである。
【００１４】
本発明の請求項２に記載の発明は、基板上に下部電極層を形成する工程と、この下部電極層上に圧電体層を形成する工程と、この圧電体層上に上部電極層を形成する工程と、前記下部電極層を形成した後であって前記圧電体層を形成する前に前記圧電体層および前記下部電極層に接するように前記圧電体層と前記下部電極層の間に下部密着層を形成する工程または前記圧電体層を形成した後であって前記上部電極層を形成する前に前記圧電体層および前記上部電極層に接するように前記圧電体層と前記上部電極層の間に上部密着層を形成する工程のいずれか一方もしくは両方の工程とを備え、前記上部密着層および前記下部密着層を形成する工程をα相とβ相が混在したタングステンで構成された第１のタングステン層を形成する工程と、α相からなるタングステンで構成された第２のタングステン層を形成する工程とで構成し、かつ前記第１のタングステン層を前記圧電体層と接するように形成したもので、この製造方法によれば、前記上部密着層および前記下部密着層を形成する工程をα相とβ相が混在したタングステンで構成された第１のタングステン層を形成する工程と、α相からなるタングステンで構成された第２のタングステン層を形成する工程とで構成し、かつ前記第１のタングステン層を前記圧電体層と接するように構成しており、前記第１のタングステン層が前記圧電体層との密着性に優れているため、前記圧電体層と前記下部電極層または前記上部電極層との電気接続性を維持することができ、またα相は比抵抗が低いため、電力損失を最小限に止めることができ、さらにタングステンは高温下での拡散が少ないため、高温使用下での信頼性を向上させることができるという作用効果を有するものである。
【００１５】
本発明の請求項３に記載の発明は、基板と、この基板上に形成された下部電極層と、この下部電極層上に形成された圧電体層と、この圧電体層上に形成された上部電極層と、前記圧電体層および前記下部電極層に接するように前記圧電体層と前記下部電極層の間に形成された下部密着層または前記圧電体層および前記上部電極層に接するように前記圧電体層と前記上部電極層の間に形成された上部密着層のいずれか一方もしくは両方とを備え、前記上部密着層および前記下部密着層における前記圧電体層と接する部分をα相とβ相が混在したタングステンで構成し、かつ前記圧電体層から遠ざかるにしたがってβ相のタングステンの割合を減らし、さらに前記上部電極層または前記下部電極層と接する部分をα相からなるタングステンで構成したもので、この構成によれば、前記上部密着層および前記下部密着層における前記圧電体層と接する部分をα相とβ相が混在したタングステンで構成し、かつ前記圧電体層から遠ざかるにしたがってβ相のタングステンの割合を減らし、さらに前記上部電極層または前記下部電極層と接する部分をα相からなるタングステンで構成しており、前記α相とβ相が混在したタングステンが前記圧電体層との密着性に優れているため、前記圧電体層と前記下部電極層または前記上部電極層との電気接続性を維持することができ、またα相は比抵抗が低いため、電力損失を最小限に止めることができ、さらにタングステンは高温下での拡散が少ないため、高温使用下での信頼性を向上させることができるという作用効果を有するものである。
【００１６】
本発明の請求項４に記載の発明は、基板上に下部電極層を形成する工程と、この下部電極層上に圧電体層を形成する工程と、この圧電体層上に上部電極層を形成する工程と、前記下部電極層を形成した後であって前記圧電体層を形成する前に前記圧電体層および前記下部電極層に接するように前記圧電体層と前記下部電極層の間に下部密着層を形成する工程または前記圧電体層を形成した後であって前記上部電極層を形成する前に前記圧電体層および前記上部電極層に接するように前記圧電体層と前記上部電極層の間に上部密着層を形成する工程のいずれか一方もしくは両方の工程とを備え、前記上部密着層および前記下部密着層を形成する工程を前記圧電体層と接する部分にα相とβ相が混在したタングステンを形成し、かつ前記圧電体層から遠ざかるにしたがってβ相のタングステンの割合を減らし、さらに前記上部電極層または前記下部電極層と接する部分にα相からなるタングステンを形成する工程にしたもので、この製造方法によれば、前記上部密着層および前記下部密着層を形成する工程を前記圧電体層と接する部分にα相とβ相が混在したタングステンを形成し、かつ前記圧電体層から遠ざかるにしたがってβ相のタングステンの割合を減らし、さらに前記上部電極層または前記下部電極層と接する部分にα相からなるタングステンを形成する工程にしており、前記α相とβ相が混在したタングステンが前記圧電体層との密着性に優れているため、前記圧電体層と前記下部電極層または前記上部電極層との電気接続性を維持することができ、またα相は比抵抗が低いため、電力損失を最小限に止めることができ、さらにタングステンは高温下での拡散が少ないため、高温使用下での信頼性を向上させることができるという作用効果を有するものである。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように本発明の圧電デバイスは、基板と、この基板上に形成された下部電極層と、この下部電極層上に形成された圧電体層と、この圧電体層上に形成された上部電極層と、前記圧電体層および前記下部電極層に接するように前記圧電体層と前記下部電極層の間に形成された下部密着層または前記圧電体層および前記上部電極層に接するように前記圧電体層と前記上部電極層の間に形成された上部密着層のいずれか一方もしくは両方とを備え、前記上部密着層および前記下部密着層をα相とβ相が混在したタングステンで構成された第１のタングステン層と、α相からなるタングステンで構成された第２のタングステン層とで構成し、かつ前記第１のタングステン層を前記圧電体層と接するように構成しており、前記第１のタングステン層が前記圧電体層との密着性に優れているため、前記圧電体層と前記下部電極層または前記上部電極層との電気接続性を維持することができ、またα相は比抵抗が低いため、電力損失を最小限に止めることができ、さらにタングステンは高温下での拡散が少ないため、高温使用下での信頼性を向上させることができるという優れた効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１９】
図１は本発明の一実施の形態における圧電デバイスの主要部の断面図である。
【００２０】
図１において、基板１はＳｉからなる円板上のウェハを所定の形状に加工することによって得られたものであり、圧電デバイスの振動子に該当するものである。基板表面層２は基板１の表面に形成されたものであり、ＳｉＯ2からなるものである。中間層３は基板表面層２上に形成されたものであり、ＴｉまたはＴｉＯxからなるものである。下部電極層４は中間層３上に形成されたものであり、ＰｔおよびＴｉからなるものである。配向制御層５は、下部電極層４上に形成されたものであり、ＰＬＴ（ランタンを添加したチタン酸鉛）、ＰＬＭＴ（ランタンとマグネシウムを添加したチタン酸鉛）などで構成されているものである。圧電体層６は配向制御層５上に形成されたものであり、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）からなるものである。第１のタングステン層７は圧電体層６上に形成されたものであり、α相タングステンとβ相タングステンが混在しているもので構成されているものである。第２のタングステン層８は第１のタングステン層７上に形成されたものであり、α相タングステンで構成されているものである。上部密着層９は第１のタングステン層７および第２のタングステン層８から構成されているものである。上部電極層１０は上部密着層９上に形成されたものであり、Ａｕからなるものである。
【００２１】
以上のように構成された本発明の一実施の形態における圧電デバイスの製造方法について、以下に説明する。
【００２２】
最初にＳｉからなる基板１の表面を酸化させることにより基板１の表面にＳｉＯ2からなる基板表面層２を形成する。次に、前記基板表面層２上にＴｉをスパッタにより形成することにより、中間層３を形成する。このときのスパッタ条件によりＴｉが酸素と反応してＴｉＯxとなり、これにより中間層３を構成する物質もＴｉＯxになる。次に、前記中間層３上にＰｔおよびＴｉをスパッタにより形成し、下部電極層４を形成する。次に、前記下部電極層４上にＰＬＴまたはＰＬＭＴをスパッタにより形成して配向制御層５を形成する。次に、前記配向制御層５上にＰＺＴをスパッタにより形成して圧電体層６を形成する。次に、前記圧電体層６上にα相とβ相が混在しているタングステンをスパッタにより形成して第１のタングステン層７を形成する。次に、前記第１のタングステン層７上にα相のタングステンをスパッタにより形成して第２のタングステン層８を形成する。次に、前記第２のタングステン層８上にＡｕをスパッタにより形成して上部電極層１０を形成する。
【００２３】
以上のように構成され、かつ製造された本発明の一実施の形態における圧電デバイスは、第１のタングステン層７をα相とβ相が混在するタングステンで構成しているため、圧電体層６との密着性が向上するものである。この密着性が向上する理由は完全に解明された訳ではないが、以下の理由であると考えられる。
【００２４】
ＰＺＴの格子定数はＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉの配合率にもよるが約０．４０５ｎｍ近傍であり、一方、α相タングステンの格子定数は０．３１６ｎｍであって、両者の数値の差が大きいため密着性はよくないが、β相タングステンの格子定数は０．５０５ｎｍであるため、α相タングステンの格子定数とβ相タングステンの格子定数の中央の値とＰＺＴの格子定数とが非常に近い値になり、そのため、ＰＺＴに接する側からα相とβ相が混在したアモルファスあるいは微結晶のタングステン状態から整調作用で成長することにより第１のタングステン層７と圧電体層６との密着性が良好になっているものと考えられる。なお、α相とβ相が混在しているタングステンとα相のタングステンとの格子定数は異なっているが、両者は同じ物質であるため、密着力は高く、これにより、第１のタングステン層７と第２のタングステン層８との間の剥離が生じることは皆無に等しくなるものである。また、第１のタングステン層７と第２のタングステン層８とは２層でなくても連続的に変化した１層で設けても良いものである。
【００２５】
なお、上記本発明の一実施の形態における圧電デバイスは、上部密着層９を形成したものであるが、下部電極層４と圧電体層６との間に下部密着層（図示せず）を形成することもできるものである。この場合には、下部電極層４上にα相タングステンからなる第２のタングステン層８を形成し、その上にα相とβ相とが混在したタングステンからなる第１のタングステン層７を形成し、さらにその上に圧電体層６を形成した構成になるものである。この場合、圧電体層６の配向は第１のタングステン層７に依存する割合が大きくなるため、圧電体層６としては配向の面で第１のタングステン層７と相性のよい物質を選択することが好ましい。あるいは、圧電体層６を２層とし、そしてこの圧電体層６のうち第１のタングステン層７と接触する方の下側の層に第１のタングステン層７と密着性のよい物質を選択し、かつこの下側の層の上部に形成される上側の層の配向を良好にするような物質を選択するのが良い。
【００２６】
また、前記下部密着層は、上部密着層９とともに形成することができるが、上部密着層９を形成せずに下部密着層だけを形成することもできる。
【００２７】
そしてまた、α相とβ相とが混在したタングステンの形成とα相のタングステンの形成は、成膜時の温度、成膜時のスパッタにおけるＡｒのガス圧力、ＲＦパワー等を制御することにより所定の相状態のタングステンが得られるものである。なお、α相とβ相とが混在したタングステンとα相のタングステンの連続的な形成は成膜途中で成膜時の温度、成膜時のスパッタにおけるＡｒのガス圧力、ＲＦパワー等を制御することにより、連続的に変化した層が得られるものである。
【００２８】
そして、本発明の一実施の形態における圧電デバイスは、角速度センサなどの慣性センサやインクジェットプリンタ用ヘッドなどへの適用が可能である。これらへの適用は公知の慣性センサやインクジェットプリンタ用ヘッドの技術に本発明を適用することにより、当業者においては実施可能となるものである。例えば、角速度センサへの適用は、前述した特開２００３−２２７７１９号公報を参酌すればよいものである。
【００２９】
以上のように本発明の一実施の形態における圧電デバイスは、基板１と、この基板１上に形成された下部電極層４と、この下部電極層４上に形成された圧電体層６と、この圧電体層６上に形成された上部電極層１０と、前記圧電体層６および前記下部電極層４に接するように前記圧電体層６と前記下部電極層４の間に形成された下部密着層または前記圧電体層６および前記上部電極層１０に接するように前記圧電体層６と前記上部電極層１０の間に形成された上部密着層９のいずれか一方もしくは両方とを備え、前記上部密着層９および前記下部密着層をα相とβ相が混在したタングステンで構成された第１のタングステン層７と、α相からなるタングステンで構成された第２のタングステン層８とで構成し、かつ前記第１のタングステン層７を前記圧電体層６と接するように構成しているものであり、そして前記第１のタングステン層７が前記圧電体層６との密着性に優れているため、前記圧電体層６と前記下部電極層４または前記上部電極層１０との電気接続性を維持することができ、またα相は比抵抗が低いため、電力損失を最小限に止めることができ、さらにタングステンは高温下での拡散が少ないため、高温使用下での信頼性を向上させることができるという効果を有するものである。
【００３０】
また、上記本発明の一実施の形態における圧電デバイスの製造方法は、基板１上に下部電極層４を形成する工程と、この下部電極層４上に圧電体層６を形成する工程と、この圧電体層６上に上部電極層１０を形成する工程と、前記下部電極層４を形成した後であって前記圧電体層６を形成する前に前記圧電体層６および前記下部電極層４に接するように前記圧電体層６と前記下部電極層４の間に下部密着層を形成する工程または前記圧電体層６を形成した後であって前記上部電極層１０を形成する前に前記圧電体層６および前記上部電極層１０に接するように前記圧電体層６と前記上部電極層１０の間に上部密着層９を形成する工程のいずれか一方もしくは両方の工程とを備え、前記上部密着層９および前記下部密着層を形成する工程をα相とβ相が混在したタングステンで構成された第１のタングステン層７を形成する工程と、α相からなるタングステンで構成された第２のタングステン層８を形成する工程とで構成し、かつ前記第１のタングステン層７を前記圧電体層６と接するように構成しており、そして前記第１のタングステン層７が前記圧電体層６との密着性に優れているため、前記圧電体層６と前記下部電極層４または前記上部電極層１０との電気接続性を維持することができ、またα相は比抵抗が低いため、電力損失を最小限に止めることができ、さらにタングステンは高温下での拡散が少ないため、高温使用下での信頼性を向上させることができるという効果を有するものである。
【００３１】
そしてまた、上記本発明の一実施の形態における圧電デバイスは、基板１と、この基板１上に形成された下部電極層４と、この下部電極層４上に形成された圧電体層６と、この圧電体層６上に形成された上部電極層１０と、前記圧電体層６および前記下部電極層４に接するように前記圧電体層６と前記下部電極層４の間に形成された下部密着層または前記圧電体層６および前記上部電極層１０に接するように前記圧電体層６と前記上部電極層１０の間に形成された上部密着層９のいずれか一方もしくは両方とを備え、前記上部密着層９および前記下部密着層における前記圧電体層６と接する部分をα相とβ相が混在したタングステンで構成し、かつ前記圧電体層６から遠ざかるにしたがってβ相のタングステンの割合を減らし、さらに前記上部電極層１０または前記下部電極層４と接する部分をα相からなるタングステンで構成しており、前記α相とβ相が混在しているタングステンが前記圧電体層６との密着性に優れているため、前記圧電体層６と前記下部電極層４または前記上部電極層１０との電気接続性を維持することができ、またα相は比抵抗が低いため、電力損失を最小限に止めることができ、さらにタングステンは高温下での拡散が少ないため、高温使用下での信頼性を向上させることができるという効果を有するものである。
【００３２】
さらに、上記本発明の一実施の形態における圧電デバイスの製造方法は、基板１上に下部電極層４を形成する工程と、この下部電極層４上に圧電体層６を形成する工程と、この圧電体層６上に上部電極層１０を形成する工程と、前記下部電極層４を形成した後であって前記圧電体層６を形成する前に前記圧電体層６および前記下部電極層４に接するように前記圧電体層６と前記下部電極層４の間に下部密着層を形成する工程または前記圧電体層６を形成した後であって前記上部電極層１０を形成する前に前記圧電体層６および前記上部電極層１０に接するように前記圧電体層６と前記上部電極層１０の間に上部密着層９を形成する工程のいずれか一方もしくは両方の工程とを備え、前記上部密着層９および前記下部密着層を形成する工程を前記圧電体層６と接する部分にα相とβ相が混在したタングステンを形成し、かつ前記圧電体層６から遠ざかるにしたがってβ相のタングステンの割合を減らし、さらに前記上部電極層１０または前記下部電極層４と接する部分にα相からなるタングステンを形成する工程にしており、かつ前記α相とβ相が混在したタングステンが前記圧電体層６との密着性に優れているため、前記圧電体層６と前記下部電極層４または前記上部電極層１０との電気接続性を維持することができ、またα相は比抵抗が低いため、電力損失を最小限に止めることができ、さらにタングステンは高温下での拡散が少ないため、高温使用下での信頼性を向上させることができるという効果を有するものである。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明に係る圧電デバイスおよびその製造方法は、圧電体層と下部電極層または上部電極層との電気接続性を維持することができ、かつ電力損失を最小限に止めながら高温使用下での信頼性を向上させることができるという効果を有するものであり、特に角速度センサ等の慣性力センサやインクジェットプリンタのヘッド等に適用して有用となるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施の形態における圧電デバイスの主要部の断面図
【符号の説明】
【００３５】
１  基板
２  基板表面層
３  中間層
４  下部電極層
５  配向制御層
６  圧電体層
７  第１のタングステン層
８  第２のタングステン層
９  上部密着層
１０  上部電極層
【図１】
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