(57)【要約】      （修正有）【課題】ケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）の分野に関し、特にスラリー消費を低減する溝を有するＣＭＰパッドを提供する。【解決手段】使用中の研磨パッドの回転によって与えられる理想軌跡を有する研磨媒体と併せて使用するための研磨パッド１００であって、研磨パッドは、複数の溝１０８を含有する研磨面を有する研磨層を含む。複数の溝は、それぞれの少なくとも一部分において、パッドを使用する際の研磨媒体の軌跡の関数として決定される形状および方向を有する。【選択図】図１
2008207322.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用中の研磨パッドの回転によって与えられる理想軌跡を有する研磨媒体と併せて使用するための研磨パッドであって、
（ａ）研磨媒体の存在下で磁性基材、光学基材および半導体基材の少なくとも一つを研磨するために構成され、研磨中に環状の研磨トラックを有する円形の研磨面を含む研磨層と；
（ｂ）研磨層に形成され、研磨トラック内に配設される直交部分を有し、直交部分が、直交部分に沿って理想流体軌跡と直交するための長さを有しかつ全体的な長さに沿って形作られる、少なくとも一つの溝と
を含む研磨パッド。
【請求項２】
研磨トラックが、幅を有し、直交部分が、幅の少なくとも５０%を横断する、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項３】
直交部分が、研磨トラックの幅の少なくとも７５%を横断する、請求項２記載の研磨パッド。
【請求項４】
研磨面の周囲にわたって円周方向に直交部分を反復することによって部分的に画定される複数の溝を含む、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項５】
複数の溝が、研磨面の周囲にわたって一定の角ピッチで円周方向に直交部分を反復することによって部分的に画定される、請求項４記載の研磨パッド。
【請求項６】
直交部分の形状が式
【化１】
2008207322.tif 000020
によって定義され、ここで、ｒＯが研磨パッドの同心円中心からの初期半径方向位置であり、θが軌跡角度である、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項７】
研磨パッドであって、
（ａ）研磨媒体の存在下で磁性基材、光学基材および半導体基材の少なくとも一つを研磨するために構成される研磨層と；
（ｂ）研磨層に形成され、研磨トラック内に配設される直交部分を有し、直交部分が式
【化２】
2008207322.tif 000021
に従って長さを有しかつ形作られ、ここで、ｒＯが研磨パッドの同心円中心からの初期半径方向位置であり、θが軌跡角度である、少なくとも一つの溝と
を含む研磨パッド。
【請求項８】
研磨面が、研磨中、幅を有する研磨トラック、幅の少なくとも５０%を横断する直交部分を含む、請求項７記載の研磨パッド。
【請求項９】
研磨面の周囲にわたって一定の角ピッチで円周方向に直交部分を反復することによって部分的に画定される複数の溝を含む、請求項７記載の研磨パッド。
【請求項１０】
研磨媒体とともに使用するための回転研磨パッドを作製する方法であって、：
研磨媒体のための軌跡を決定する工程と；
回転研磨パッドに形作られる溝の溝形状および溝方向を、研磨媒体のための軌跡の関数として決定する工程と；
溝形状および溝方向を有する複数の溝を回転研磨パッドに形成する工程と
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、ケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）の分野に関する。特に、本発明は、スラリー消費を低減する溝を有するＣＭＰパッドを導出することに関する。
【０００２】
半導体ウェーハ上での集積回路および他の電子機器の製造においては、導体、半導体および絶縁体材料の多数の層をウェーハ上に堆積させ、エッチングする。これらの材料の薄い層は、幾多もの堆積技術によって堆積させることができる。最新のウェーハ加工で一般的な堆積技術としては、物理蒸着法（ＰＶＤ）（スパッタリングとしても知られる）、化学蒸着法（ＣＶＤ）、プラズマ増強化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ）および電気化学的めっき法がある。一般的なエッチング技術としては、とりわけ、湿式および乾式の等方性および異方性エッチングがある。
【０００３】
材料層が逐次に堆積され、エッチングされるにつれ、ウェーハの表面が非平坦になる。後続の半導体加工（フォトリソグラフィーなど）は、ウェーハが平坦面を有することを要するため、ウェーハを定期的に平坦化する必要がある。望ましくない表面トポグラフィーならびに表面欠陥、たとえば粗面、凝集した材料、結晶格子の損傷、スクラッチおよび汚染された層または材料を除去するためには平坦化が有用である。
【０００４】
ケミカルメカニカルプラナリゼーションまたはケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）は、半導体ウェーハおよび他の加工物を平坦化するために使用される一般的な技術である。二軸回転研磨機を使用する従来のＣＭＰでは、ウェーハキャリヤまたは研磨ヘッドがキャリヤアセンブリに取り付けられる。研磨ヘッドはウェーハを維持し、研磨機内で研磨パッドの研磨層と接する状態に位置させる。研磨パッドは、平坦化されるウェーハの直径の二倍よりも大きい直径を有する。研磨中、研磨パッドおよびウェーハは各同心円中心を中心に回転し、ウェーハが研磨層と係り合う。ウェーハの回転軸は、研磨パッドの回転軸からウェーハの半径よりも大きい距離だけオフセットし、パッドの回転がパッドの研磨層上に環状の「ウェーハトラック」を描き出す。ウェーハの唯一の運動が回転である場合、ウェーハトラックの幅はウェーハの直径に等しい。しかし、一部の二軸研磨機では、ウェーハは、その回転軸に対して垂直な平面で振動する。この場合、ウェーハトラックの幅は、振動による変位を考慮する量だけウェーハの直径よりも広くなる。キャリヤアセンブリは、ウェーハと研磨パッドとの間に制御可能な圧力を提供する。研磨中、スラリーまたは他の研磨媒体が研磨パッド上に流され、ウェーハと研磨層との間の隙間に流し込まれる。ウェーハ表面は、研磨層および表面上の研磨媒体の化学的かつ機械的動作によって研磨され、平坦化される。
【０００５】
ＣＭＰの際の研磨層、研磨媒体およびウェーハ表面の間の相互作用は、研磨パッド設計の最適化に向けた取り組みのなか、ますます研究されている。長年にわたる研磨パッド開発の大部分は、経験的性質のものであった。研磨面または研磨層の設計の多くは、スラリー利用度および研磨均一性を高めると主張されるさまざまな空隙のパターンおよび溝配置をこれらの層に提供することに集中してきた。長年にわたり、多様な溝および空隙のパターンおよび配置が具現化されてきた。先行技術による溝パターンは、とりわけ、半径方向、同心円、デカルトグリッド状およびらせん状を含む。先行技術による溝配置形態は、すべての溝の幅および深さがすべての溝にわたって均一である配置形態ならびに溝の幅または深さが溝ごとに異なる配置形態を含む。
【０００６】
実際のところ、大部分の溝パターンは、さまざまな溝特性、たとえば、例として溝曲率および溝断面に対するスラリー流動の反応についての推論的判断に基づいている。これらの特性は、多くの場合、計量供給されるスラリーの移転を、回転する研磨機によって生じる求心力の影響下に置くうえで重要な役割を果たす。溝方向がより円形からより半径方向に変化するにつれ、計量供給されるスラリーの外方向への移転が増加する。例として、半径方向の溝は、液体を完全に研磨パッド外に導出する流路のように動作することにより、計量供給されるスラリーの半径方向の流出を最大にすることができる。この流出は、研磨パッドとウェーハ表面との間の接点における過度な加熱を許すことにより、研磨工程に負の効果を及ぼし、研磨性能の不足およびパッド磨耗の増大といった問題を引き起こす。
【０００７】
研磨パッドは広範な溝パターンを有するものの、これらの溝パターンの有効性は、パターンごとおよび研磨工程ごとに異なる。研磨パッドの設計者は、先行の研磨パッド設計に対し、研磨パッドをより有効かつ有用に作製する溝パターンを常に追求している。
【０００８】
発明の記述
【０００９】
本発明の一つの態様では、使用中の研磨パッドの回転によって与えられる理想軌跡を有する研磨媒体と併せて使用するための研磨パッドであって、：研磨媒体の存在下で磁性基材、光学基材および半導体基材の少なくとも一つを研磨するために構成され、研磨中に環状の研磨トラックを有する円形の研磨面を含む研磨層と；研磨層に形成され、研磨トラック内に配設される直交部分を有し、直交部分が、直交部分に沿って理想流体軌跡と直交するための長さを有しかつ全体的な長さに沿って形作られる、少なくとも一つの溝とを含む研磨パッドである。
【００１０】
本発明のもう一つの態様では、研磨パッドであって、：研磨媒体の存在下で磁性基材、光学基材および半導体基材の少なくとも一つを研磨するために構成される研磨層と；研磨層に形成され、研磨トラック内に配設される直交部分を有し、直交部分が式
【００１１】
【化３】
2008207322.tif 000003
に従って長さを有しかつ形作られ、ここで、ｒＯが研磨パッドの同心円中心からの初期半径方向位置であり、θが軌跡角度である、少なくとも一つの溝とを含む研磨パッドである。
【００１２】
本発明のさらにもう一つの態様では、研磨媒体とともに使用するための回転研磨パッドを作製する方法であって、：研磨媒体のための軌跡を決定する工程と；回転研磨パッドに形作られる溝の溝形状および溝方向を、研磨媒体のための軌跡の関数として決定する工程と；溝形状および溝方向を有する複数の溝を回転研磨パッドに形成する工程とを含む方法である。
【００１３】
発明の詳細な説明
図面を参照すると、図１および３は、本開示に従って作製される研磨パッド１００の一つの実施態様を例示する。後に論じるように、研磨パッド１００は、その設計のやり方において、スラリーなどの研磨媒体（図示せず）が外方向に移転する傾向を、使用中の研磨パッド１００の回転によって研磨媒体に与えられる求心力のために妨げる。一般に、研磨パッド１００は、溝１０８が存在しない場合であれば、研磨パッドが使用中に回転するにつれて研磨媒体が進むであろう移動の平均経路を画定する流体軌跡１１６（図３）の関数として、少なくとも部分的に決定される溝形状１１２（図３）をそれぞれ有する複数の溝１０８を含有する研磨面１０４を含む。より詳細には、溝形状１１２のすべてまたは一部分および研磨パッド１００の回転向きに対するその方向の選択により、対応する各溝１０８が流体軌跡１１６と直交する。このように、溝１０８またはその部分が流体軌跡１１６と直交し、研磨面１０４にわたって流れ、研磨パッド１００から流れ出る研磨媒体にとって有意な妨害を提供し、それにより、研磨媒体のパッド上での保持時間を増加させる。保持時間の増加に応じて研磨媒体の消費が低下し、そのため、運転コストが低下する。溝１０８のさまざまな例示的な形態の詳細は、後に記述する。
【００１４】
図１および図２を参照すると、研磨パッド１００は、研磨面１０４を形成する研磨層１２０（図２）を含むことができる。一つの例では、研磨層１２０は、研磨層１２０と一体で形成することができる、または研磨層１２０と別個に形成することができるバッキング層１２４で支持することができる。ここでもまた、図１を参照すると、研磨パッド１００は、通常、円形のディスク形状を有し、研磨面１０４は同心円中心Ｏおよび円形の外周１２８を有する。後者は、半径Ｒｐａｄで例示されるように、Ｏからの半径方向距離に配設することができる。研磨層１２０は、被研磨物品、たとえば、とりわけ半導体ウェーハ、コンピュータハードドライブのディスクなどの磁気媒体物品または屈折レンズ、反射レンズ、平面反射板もしくは透明平面物品などの光学部品を研磨するために好適な任意の材料から作製することができる。研磨層１２０のための材料の例は、例示のためであって限定するものではないが、さまざまなポリマープラスチック、たとえば、とりわけポリウレタン、ポリブタジエン、ポリカーボネートおよびポリメチルアクリレートを含む。
【００１５】
複数の溝１０８は、それぞれ、任意の好適なやり方、たとえばフライス加工、成形などによって研磨層１２０に形成することができる。一つの例では、溝１０８は、相互に個別に形成され、同心円中心Ｏの周囲にわたって一定のピッチで反復的に配置される。加えて、複数の溝１０８をそれぞれ所望のとおりに溝断面形状１３２（図２）で形成し、特定の組み合わせの設計基準に合致させることができる。一つの例では、複数の溝１０８は、それぞれ、溝断面形状１３２ａで示されるように、矩形の断面形状を有することができる。もう一つの例では、溝１０８は、それぞれ、その長さに沿って異なる溝断面１３２を有することができる。さらにもう一つの例では、断面形状１３２は、溝１０８ごとに異なることができる。当業者は、設計者が研磨パッド、たとえば研磨パッド１００に提供することができる溝断面形状１３２の広範囲にわたるさまざまな応用を認識する。
【００１６】
ここでもまた、図３を参照すると、図示された流体軌跡１１６は、研磨面１０４が疎水性などの疎流体性であり、溝１０８または運動に対する他の構造的妨害を含まない場合であれば、水などの流体が研磨パッド１００の回転の影響下で横断するであろう理想的な軌跡である。以下の数学的展開は、この理想的な軌跡に基づいている。しかし、実際のパッド表面上における研磨媒体の真の軌跡は、理想的な軌跡では考慮されないさまざまな要因、たとえば研磨媒体粘度および表面張力の影響のため、理想軌跡と異なることができることが認められる。その結果、流体軌跡１１６は、研磨パッド１００およびパッドの回転によって与えられる物理的な力に媒体が反応するにつれ、所与の研磨媒体の真の軌跡も表す。しかし、本開示の基礎となる概念の解説を簡略にするため、妨害なしの理想軌跡のみのための数学を後に詳細に提示する。これは、必ずしも本開示が以下の数学に従って配列される溝形状のみを対象とすることを意味するものではない。むしろ、本開示は、同等の溝なしパッドの回転中における実際の流体軌跡に適応することを意図しており、これらの軌跡が以下の理想軌跡の数学的モデルによって画定されるかどうかを問わない。
【００１７】
便宜上、流体軌跡１１６は、点１３６（ｒ、θ）など、半径方向位置ｒおよび軌跡角度θを示す極座標を有する複数の点によって画定することができる。これらの点は、理想的な研磨媒体が研磨パッド１００の角速度Ωｐの影響下において研磨面１０４上を外方向に進むにつれ、理想的な研磨媒体のパターンを画定する。この例では、流体軌跡１１６は、研磨媒体の半径方向位置ｒが同心円中心Ｏに関して増加するにつれ、角変位Δθが変動する。
【００１８】
概して、研磨媒体は、半径方向位置ｒが同心円中心Ｏに関して増加するにつれ、連続的に加速する。流体軌跡１１６は、媒体が同心円中心Ｏから外方向に移動するにつれ、研磨媒体の角速度ｖｒに関連させることができる。角速度ｖｒは、式１に示すように、時間ｔに関して測定される同心円中心Ｏからの半径方向位置ｒの変化として記述することができる。
【００１９】
【化４】
2008207322.tif 000004
【００２０】
研磨パッド１００が一定の角速度Ωｐで回転するにつれて研磨媒体に与えられる求心力により、研磨媒体が研磨面１０４（ここでもまた、数学的モデルの簡略化のため、溝なし、平滑かつ疎流体性であるものと想定する）に沿って外方向に移動するにつれ、研磨媒体の加速ａが引き起こされることは容易に理解される。加速ａは式２で表現される。
【００２１】
【化５】
2008207322.tif 000005
この加速は、同心円中心Ｏからの半径方向位置ｒの増加とともに増加する。加速が増加すると結果的に角速度ｖｒが増加することになり、これは、式２を積分し、初期角速度ｖｒを与えることなく研磨媒体を研磨面１０４上に計量供給する場合に発生するであろう初期角速度値ｖｒ＝０を適用することによって決定することができる。結果を以下の式３に示す。
【００２２】
【化６】
2008207322.tif 000006
【００２３】
時間ｔに関する半径方向位置ｒの変動は、式４に示すように、式１および３を結合することによって記述することができ、これを分離および積分して式５に示す結果を提供することができ、Ｃは積分定数である。
【００２４】
【化７】
2008207322.tif 000007
【００２５】
【化８】
2008207322.tif 000008
さらに、半径方向位置ｒの変動は、式６および７に示すように、時間ｔに関して測定される角変位Δθの変動と関連付けることができる。
【００２６】
【化９】
2008207322.tif 000009
【００２７】
【化１０】
2008207322.tif 000010
【００２８】
この式、すなわち式７を変形し、式８に示すように、ｒ＝ｒ０時の境界条件Δθ＝０を適用することにより、半径方向位置ｒの変化に伴う角変位Δθの変動を画定することができる。式８によって記述される角変位Δθの変動は、半径方向位置ｒが同心円中心Ｏに関して増加するにつれ、回転する理想的な研磨面１０４上において連続的な加速下で外方向に進む研磨媒体のパターンを提供することができる。
【００２９】
【化１１】
2008207322.tif 000011
【００３０】
角変位Δθの変動は、式９に示すように、一般にｒ＝ｒ（θ）などの半径方向位置ｒに換算して表現することもできる。一つの例では、この式は、粘度および表面張力の作用を考慮せず、研磨媒体が研磨面１０４にわたって自由に移動する際の理想的な研磨媒体の経路、すなわち流体軌跡１１６を近似する。
【００３１】
【化１２】
2008207322.tif 000012
【００３２】
上記に照らし、研磨パッド１００（図１）のそれぞれの溝１０８の溝形状１１２を決定するための一つの手法は、先の式８および９によって画定されるような流体軌跡と直交する、それぞれの溝の少なくとも有意な部分を作製することである。このやり方において溝１０８を形作り、先に論じたように、移動のさまざまなパターンに対抗することによって研磨媒体の移動に抵抗する。
【００３３】
溝形状１１２など、流体軌跡１１６と直交する溝形状の式を決定するため、流体軌跡の勾配ｓを把握することは有益である。概して、流体軌跡１１６の勾配ｓは、極座標θ＝θ（ｒ）の関数として表現され、式１０に示すようになる。
【００３４】
【化１３】
2008207322.tif 000013
式８の流体軌跡１１６の導関数（式１０）を使用し、軌跡１１６の勾配ｓ（式１２）を決定することができる。
【００３５】
【化１４】
2008207322.tif 000014
【００３６】
【化１５】
2008207322.tif 000015
【００３７】
直交するため、溝形状１１２の勾配ｓ＊については、流体軌跡１１６上のすべての点において勾配ｓと勾配ｓ＊との積が−１となる必要がある。そのため、式１３によって画定される流体軌跡１１６と直交する溝形状１１２の勾配ｓ＊は、以下のようになる。
【００３８】
【化１６】
2008207322.tif 000016
【００３９】
式１３によって画定される溝形状１１２の勾配ｓ＊を式１０と併せて使用し、直交する曲線の導関数（式１４）を決定することができる。その後、式１４を分離および積分することにより、直交する軌跡θ＊＝θ＊（ｒ）（式１５）を求めることができる。
【００４０】
【化１７】
2008207322.tif 000017
【００４１】
【化１８】
2008207322.tif 000018
直交する軌跡は、ｒについて式１５を解くことにより、式１６に示すように、ｒ＊＝ｒ＊（θ）として表現することもできる。
【００４２】
【化１９】
2008207322.tif 000019
【００４３】
図３および図１を参照すると、対応する溝１０８の長さの少なくとも一部分において流体軌跡１１６と直交するように溝形状１１２（図３）が確定されると、図１に示すように、所望のように研磨パッド１００の周囲にわたって円周方向に溝を反復することができる。それぞれの溝が研磨パッド１００の中心的部分からパッドの外周まで及ぶ場合、最良の研磨媒体保持を実現することができるが、一部の実施態様では、溝の全体的な長さよりも短く流体軌跡との直交を作製する、換言すれば、４５〜１３５度の局所角度を形成することが望ましいことが認められる。しかし、一般に、それぞれの溝の直交部分が、ウェーハトラックの幅の少なくとも５０％まで及ぶことが望ましく、それは図１で１４０として図示される。例として、図１に示す溝１０８は、それぞれ、その全体的な長さに沿って流体軌跡１１６と直交する。
【００４４】
先に記述した原理を例示するため、図４〜７は、これらの原理を使用して作製することができる数多くの代替溝設計のうちの二つを例示する代替研磨パッド２００、３００を示す。まず、図４および５を参照すると、研磨パッド２００は、それぞれが流体軌跡２０８（図４）と無関係に形作られる内側部分２０４Ａを包含し、２００４年８月３１日にＭｕｌｄｏｗｎｅｙに対して発行され、参照により本明細書に組み入れられる米国特許第６，７８３，４３６号「Polishing Pad with Optimized Grooves and Method of Forming Same」に開示されている利点を有する複数の溝２０４（図５）を含む。複数の溝２０４（図５）は、それぞれ、流体軌跡と直交するように形作られる外側部分２０４Ｂも含む。この例では、複数の溝２０４の内側部分２０４Ａは、それぞれ、研磨パッド２００の同心円中心Ｏに近接する点から、ここではパッド半径の約３分の１である半径Ｒ１（図４）の点まで及ぶ。それぞれの溝２０４の直交する外側部分２０４Ｂは、半径Ｒ１の対応する各点から、この例では研磨パッド２００の半径全体である半径Ｒ２まで及ぶ。図５に見られるように、ウェーハトラック２１２の幅Ｗの約５分の４が、溝の直交する外側部分２０４Ｂを含む。
【００４５】
次に、図６および７を参照すると、研磨パッド３００は、図５の溝２０４と反対に構成される複数の溝３０４を含む。換言すれば、一般に非直交である部分から外方向に放射状に溝の直交部分を有するのではなく、研磨パッド３００（図７）のそれぞれの溝３０４の内側部分３０４Ａが、流体軌跡３０８（図６）と直交するように形作られ、外側部分３０４Ｂが流体軌跡との直交性とは無関係に形作られ、先に論じた米国特許第６，７８３，４３６号に開示されている利点を有する。この例では、直交する内側部分３０４Ａは、それぞれ、研磨パッド３００の同心円中心Ｏに近い半径Ｒ１’上の点から、この場合にはパッドの半径全体の約３分の２である半径Ｒ２’の点まで及ぶ。意図的には直交しない対応する各外側部分３０４Ｂは、半径Ｒ２’上の点から、研磨パッド３００の外周まで及ぶ。図７に容易に見てとれるように、ウェーハトラック３１２の幅Ｗ’の約３分の２は、溝３０４の直交する内側部分３０４Ａを含有する。
【００４６】
当業者によって理解されるように、図５の溝２０４の意図的には直交しない内側部分２０４Ａおよび図７の溝３０４の意図的には直交しない外側部分３０４Ｂは、らせん状の形状として示されているものの、そうである必要はない。例として、他の実施態様では、らせん状に形作られた溝を他の形状および方向の溝、たとえば、わずかながら列挙すれば直線で半径方向、わずかな湾曲で半径方向、ジグザグで半径方向、ジグザグで円周方向、波状で半径方向および波状で円周方向に置き換えることができる。溝の意図的には直交しない部分は、他のより単純な溝パターンの重層、たとえばデカルトグリッド状またはグリッドと円形もしくはらせん状パターンとの重層であることもできる。加えて、他の実施態様は、溝について他の配置形態全体を有することができる。例として、一部の実施態様は、図５および７の研磨パッド２００、３００のハイブリッドであることができる。換言すれば、代替実施態様は、関連する流体軌跡と直交するように形作られる中心的部分と、流体軌跡と意図的には直交しない内側および外側部分とをそれぞれが有する溝を含むことができる。
【００４７】
図８は、物品、たとえばウェーハ４０８を研磨するため、図１〜７の研磨パッド１００、２００、３００または本開示の他の研磨パッドの一つであることができる研磨パッド４０４とともに使用するのに好適な研磨機４００を例示する。研磨機４００は、研磨パッド４０４が取り付けられるプラテン４１２を含むことができる。プラテン４１２は、プラテンドライバ（図示せず）によって回転軸Ａ１を中心に回転可能である。研磨機４００は、さらに、プラテン４１２の回転軸Ａ１に対して平行かつ離間した回転軸Ａ２を中心に回転可能であり、研磨中にウェーハ４０８を支持するウェーハキャリヤ４２０を含むことができる。ウェーハキャリヤ４２０は、ウェーハ４０８が研磨パッド４０４の研磨面４２４に対してごくわずかに非平行な態様をとることができるようにするジンバル式リンク（図示せず）を備えることができ、その場合、回転軸Ａ１、Ａ２は相互に対してごくわずかに斜行していることができる。ウェーハ４０８は、研磨面４２４に面し、研磨中に平坦化される被研磨面４２８を含む。ウェーハキャリヤ４２０は、ウェーハ４０８を回転させ、研磨中に被研磨面とパッドとの間に所望の圧力が存在するよう下向きの力Ｆを提供して被研磨面４２４を研磨パッド４０４に押し当てるように適合されたキャリヤ支持アセンブリ（図示せず）によって支持することができる。研磨機４００は、研磨面４２４に研磨媒体４３６を供給するための研磨媒体導入口４３２を含むこともできる。
【００４８】
当業者が理解するように、研磨機４００は、他の部品（図示せず）、たとえばシステム制御装置、研磨媒体貯蔵および計量供給システム、加熱システム、すすぎシステムならびに研磨工程のさまざまな態様を制御するためのさまざまな制御、たとえば、とりわけ：（１）ウェーハ４０８および研磨パッド４０４の一方または両方の回転速度のためのスピード制御装置および選択装置、（２）パッドへの研磨媒体４３６の送り出しの速度および場所を異ならせるための制御装置および選択装置、（３）ウェーハと研磨パッドとの間に適用される力Ｆの大きさを制御するための制御装置および選択装置、ならびに（４）パッドの回転軸Ａ１に対するウェーハの回転軸Ａ２の場所を制御するための制御装置、作動装置および選択装置を含むことができる。当業者は、これらの部品を構築し、具現化する方法を認識し、したがって、当業者が本発明を認識し、実施するためのそれらの詳細な解説は不要である。
【００４９】
研磨中、研磨パッド４０４およびウェーハ４０８が各回転軸Ａ１、Ａ２を中心に回転し、研磨媒体４３６が研磨媒体導入口４３２から回転する研磨パッドの上に計量供給される。研磨媒体４３６は、研磨面４２４上に、ウェーハ４０８と研磨パッド４０４との間の隙間を含んで広がる。研磨パッド４０４およびウェーハ４０８は、通常、０．１rpm〜８５０rpmの間で選択されるスピードで回転するが、必ずしもそうである必要はない。力Ｆは、通常、ウェーハ４０８と研磨パッド４０４との間に０．１psi〜１５psi（６．９〜１０３kPa）の所望の圧力を誘発するように選択される大きさであるが、必ずしもそうである必要はない。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】図１は、本発明に従って作製される研磨パッドの平面図である。
【図２】図２は、図１の線２−２における図１の研磨パッドの拡大断面図である。
【図３】図３は、図１の研磨パッドの概略上面図であり、理想的な流体軌跡に対するパッド上の溝の一つの形状を例示する。
【図４】図４は、本発明に従って作製される代替研磨パッドの概略平面図であり、パッド上の溝の一つの形状を例示する。
【図５】図５は、図４の研磨パッドの平面図であり、研磨パッドの完全な形成を示す。
【図６】図６は、本発明に従って作製されるもう一つの代替研磨パッドの概略平面図であり、パッド上の溝の一つの形状を例示する。
【図７】図７は、図６の研磨パッドの平面図であり、研磨パッドの完全な形成を示す。
【図８】図８は、本発明に従った研磨システムの概略図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【外国語明細書】
1. Title of the Invention
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2. Detailed Description of the Invention
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3. Brief Description of the Drawings
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1. Claims
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2008207322.tif 000044
1. Abstract
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2. Representative Drawing
None
Fig. 1
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Fig. 2
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Fig. 3
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Fig. 4
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Fig. 5
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Fig. 6
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Fig. 7
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Fig. 8
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