(57)【要約】【課題】浮上量制御用ヒータを備えた磁気ヘッドスライダにおいて、ヒータの端子部とリード部を別の工程で作成するため、端子部とリード部の重なるところで膜同士の拡散による抵抗の増加が発生し、熱損失を増大させる。発熱部で所定の発熱量が得られなくなると、想定した浮上量の低減（制御）が困難となる。【解決手段】磁気ヘッドスライダ１は、スライダ１ａの空気流出端面８に形成された磁気記録再生素子２とヒータ１１とを有する。ヒータ１１は、発熱部１１ａと、端子部１１ｂと、リード部１１ｃを有し、端子部１１ｂとリード部１１ｃの重なっている部分の間に膜拡散防止膜１１ｄを有する。また、リード部１１ｃの端部とスタッド１７下部の下部シールド用シード膜（ＮｉＦｅ）１６の間に拡散防止膜１１ｅを有する。拡散防止膜１１ｄ、１１ｂはＴａ膜であり、厚さは、５ｎｍ以上、望ましくは１０ｎｍ以上である。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スライダと、
該スライダの空気流出端面に形成された磁気ヘッドと、
該磁気ヘッドの近傍に設けられ、発熱部と、該発熱部の両端から延伸する端子部と、該端子部に積層されたリード部とを有するヒータと、
該ヒータのリード部の端部にシード膜を介して設けられたスタッドと、を有し、
前記端子部とリード部の間と、前記リード部とシード膜の間に拡散防止膜を有することを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【請求項２】
前記拡散防止膜のシート抵抗が、前記発熱部及び端子部よりも低いことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項３】
前記拡散防止膜の熱膨張係数が、前記端子部及びリード部よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項４】
前記発熱部と端子部はＮｉＣｒ又はＮｉＦｅからなり、前記リード部はＣｕ又はＡｕからなり、前記拡散防止膜はＴａ、Ｃｒ及びＮｉＣｒのいずれかからなることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項５】
前記端子部の膜厚は約１００〜２００ｎｍであり、前記リード部の膜厚は約１５０〜２５０ｎｍであり、前記拡散防止膜の膜厚は約５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項４記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項６】
前記リード部の抵抗値は、前記発熱部と端子部の抵抗値の１／５以下であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項７】
前記発熱部と端子部の抵抗値は約２００〜６００Ωであり、前記リード部の抵抗値は約３〜６０Ωであることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項８】
スライダと、
該スライダの空気流出端面に形成された磁気ヘッドと、
該磁気ヘッドの近傍に設けられ、発熱部と、該発熱部の両端から延伸する端子部と、該端子部の下部に設けられたリード部とを有するヒータと、
該ヒータの端子部の端部にシード膜を介して設けられたスタッドと、を有し、
前記リード部と端子部の間と、前記端子部とシード膜の間に拡散防止膜を有することを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【請求項９】
前記発熱部と端子部はＮｉＣｒ又はＮｉＦｅからなり、前記リード部はＣｕ又はＡｕからなり、前記拡散防止膜はＴａ、Ｃｒ及びＮｉＣｒのいずれかからなることを特徴とする請求項８記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項１０】
前記リード部の膜厚は約１５０〜２５０ｎｍであり、前記端子部の膜厚は約１００〜２００ｎｍであり、前記拡散防止膜の膜厚は約５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項９記載の磁気ヘッドスライダ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置の高記録密度化を実現するためのスライダ構造に係わり、特に磁気ディスクと磁気ヘッドの距離を調整する機能を持った浮上量調整スライダに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置は、回転する磁気ディスクと、磁気ヘッドを構成する磁気記録再生素子を搭載しサスペンションによって支持されたスライダを有し、スライダが相対的に磁気ディスク上を走行して磁気記録再生素子により磁気ディスクに対して磁気情報の読み書きを行う。スライダは空気潤滑軸受として空気のくさび膜効果によって浮上し、磁気ディスクとスライダが直接は固体接触しないようになっている。磁気ディスク装置の高記録密度化とそれによる装置の大容量化、あるいは小型化を実現するためには、磁気記録再生素子と磁気ディスクの距離、すなわちスライダ浮上量を縮め、線記録密度を上げることが有効である。
【０００３】
従来からスライダ浮上量の設計においては、加工ばらつきや使用環境気圧差、使用環境温度差等による浮上量低下を見込み、最悪条件でもスライダとディスクが接触しないように、浮上量マージンを設けてきた。ヘッド個体毎に、または使用環境に応じて浮上量を調整する機能を有するスライダを実現すれば上記マージンを廃することができ、スライダとディスクの接触は防ぎつつ磁気記録再生素子と磁気ディスクの距離を大幅に縮めることができる。
【０００４】
特許文献１には、誘導型薄膜磁気ヘッドの下部磁極と上部磁極の間に薄膜抵抗体を設け、必要に応じて通電して発熱させることにより磁極先端部を熱膨張により突出させ、磁極先端部と磁気ディスク面との間隙を小さくする技術が記載されている。特許文献２には、ヒータの発熱部のシート抵抗をリード部のシート抵抗より高くすることにより、リード部よりも発熱部の発熱量を大きくする技術が記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２０６３５号公報
【特許文献２】特開２００４−３３５０６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
薄膜磁気ヘッドにおけるヒータの発熱部及びリード部は、薄膜形成プロセスにより形成される。一般的には、発熱部を形成し、次に発熱部の導通部にリード部の一端が重なるようにリード部を形成する。このとき、発熱部の導通部とリード部を直接重ねるため、膜の拡散により抵抗値を変動させる要因が有る。発熱部の導通部とリード部の重なるところで膜拡散により抵抗が増大しヒータの抵抗が増加すると、リード部での熱損失が増大するため、発熱部で所定の発熱量が得られなくなる。また、ヒータの抵抗が変化することは、想定したスライダ浮上量の低減効果が得られないことを意味する。上記従来の技術では、ヒータの膜拡散に起因する抵抗の変化に対する考慮がなされていない。
【０００７】
本発明の目的は、スライダの浮上量を調整するために設けたヒータの、抵抗変化を少なくすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の代表的な磁気ヘッドスライダは、スライダの空気流出端面に形成された磁気ヘッドと、磁気ヘッドの近傍に設けられ、発熱部と、発熱部の両端から延伸する端子部と、端子部に積層されたリード部とを有するヒータと、ヒータのリード部の端部にシード膜を介して設けられたスタッドと、を有し、
ヒータの端子部とリード部の間と、リード部とシード膜の間に拡散防止膜を有する。
前記発熱部と端子部はＮｉＣｒ又はＮｉＦｅからなり、前記リード部はＣｕ又はＡｕからなり、前記拡散防止膜はＴａ、Ｃｒ及びＮｉＣｒのいずれかからなる。
前記端子部の膜厚は約１００〜２００ｎｍであり、前記リード部の膜厚は約１５０〜２５０ｎｍであり、前記拡散防止膜の膜厚は約５ｎｍ以上、望ましくは１０ｎｍ以上である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、浮上量調整機能を有する磁気ヘッドスライダにおいて、ヒータの抵抗変化を少なくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の一実施例による磁気ヘッドスライダおよびこれを用いた磁気ディスク装置について、図面を用いて以下に説明する。
図２に磁気ディスク装置５０の構成を示す。ベース５１に固定されたスピンドルモータの回転軸５２に磁気ディスク５３が装着され、回転駆動される。ピボット５４にアクチュエータ・アーム５５が軸支され、アクチュエータ・アーム５５の一端にはサスペンション５６が取り付けられ、他端には、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）５７を構成するコイル（図示せず）が取り付けられている。サスペンション５６の先端には磁気ヘッドスライダ１が取り付けられている。ベース５１にはランプ機構５８が設けられており、磁気ディスク５３の外周側に位置している。ランプ機構５８は磁気ヘッドスライダ１のアンロード時に、リフトタブ５９が乗り上げるスロープが形成されている。
【００１１】
ＶＣＭ５７のコイルに通電することによりアクチュエータ・アーム５５に回転トルクが発生し、アクチュエータ・アーム５５に取り付けられているサスペンション５６が磁気ディスク５３の半径方向に移動される。この回転動作によりサスペンション５６の先端に取り付けられている磁気ヘッドスライダ１が、磁気ディスク５３の半径方向位置の任意のトラックに位置付けされ、データの記録、再生を行う。磁気ヘッドスライダ１のアンロード時には、リフトタブ５９がランプ機構５８のスロープに乗り上げるように移動され、ロード時は、ランプ機構５８に待機中の状態から、磁気ディスク５３の記録面にロードされる。
【００１２】
磁気ヘッドスライダ１は空気潤滑軸受として空気のくさび膜効果によって浮上し、磁気ディスク５３と直接は固体接触しないようになっている。磁気ヘッドスライダ１の浮上量は１０ｎｍ程度あるいは１０ｎｍ以下である。なお、ここではロード・アンロード機構を備えた装置を示したが、装置停止中は磁気ヘッドスライダ１が磁気ディスク５３のある特定の領域で待機するコンタクト・スタート・ストップ方式の磁気ディスク装置でも良い。また磁気記録方式は、面内記録でも垂直記録でもどちらでも良い。
【００１３】
図３に磁気ヘッドスライダ１の拡大図を示す。磁気ヘッドスライダ１は、アルミナとチタンカーバイドの焼結体に代表されるセラミック材料の基板部分（スライダ）１ａと、薄膜磁気ヘッド部分１ｂからなる。スライダ１ａは、長さ１．２５ｍｍ、幅１．０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのほぼ直方体形状をしており、浮上面６、空気流入端面７、空気流出端面８、両側の側面、背面の計６面から構成される（このスライダは、ピコ・スライダと呼ばれる）。スライダの寸法は、質量低減による位置決め精度の向上や低コスト化等のため、長さ０．８５ｍｍ、幅０．７ｍｍ、厚さ０．２３ｍｍとすることもできる（フェムト・スライダと呼ばれる）。浮上面６にはイオンミリングやエッチングなどのプロセスによって微細な段差で構成されるステップ軸受が設けられており、磁気ディスクと対向して空気圧力を発生し、背面に負荷される荷重を支える空気軸受の役目を果たしている。
【００１４】
浮上面６には、実質的に平行な３種類の段差が形成されている。最もディスクに近いレール面６ａ、レール面６ａより約１００ｎｍ乃至２００ｎｍ深いステップ軸受面である浅溝面６ｂ、レール面６ａより約１μｍ深くなっている深溝面６ｃの３種類である。ディスクが回転することで生じる空気流が、空気流入端面７側のステップ軸受面である浅溝面６ｂからレール面６ａへ進入する際に、先すぼまりの流路によって圧縮され、正の空気圧力を生じる。一方、レール面６ａや浅溝面６ｂから深溝面６ｃへ空気流が進入する際には流路の拡大によって、負の空気圧力が生じる。なお、図３では溝の深さを強調して示してある。
【００１５】
磁気ヘッドスライダ１は空気流入端面７側の浮上量が空気流出端面８側の浮上量より大きくなるような姿勢で浮上するように設計されている。従って流出端近傍の浮上面がディスクに最も接近する。流出端近傍では、レール面６ａが周囲の浅溝面６ｂ、深溝面６ｃに対して突出しているので、スライダのピッチ姿勢およびロール姿勢が一定限度を超えて傾かない限り、レール面６ａが最もディスクに近づくことになる。磁気ヘッドを構成する磁気記録再生素子２は、レール面６ａの薄膜ヘッド部分１ｂに属する部分に形成されている。サスペンションから押し付けられる荷重と、浮上面６で生じる正負の空気圧力とがうまくバランスし、磁気記録再生素子２からディスクまでの距離を１０ｎｍ程度の適切な値に保つよう、浮上面６の形状が設計されている。なお、ここでは浮上面６が実質的に平行な３種類の面６ａ、６ｂ、６ｃから構成される二段ステップ軸受浮上面のスライダについて説明したが、４種類以上の平行な面から構成されるステップ軸受浮上面のスライダでも良い。
【００１６】
図３に示した磁気ヘッドスライダ１を空気流出端面８側から見た図を図４に示し、磁気記録再生素子２が形成された薄膜磁気ヘッド部分１ｂの断面拡大図として図４のＸ−Ｘ線断面を図５に示し、発熱抵抗体用中継端子３０の断面拡大図として図４のＹ−Ｙ線断面を図６に示す。ヒータ（発熱抵抗体）１１を空気流出端面８側から見た図として図５のＺ−Ｚ線断面を図１Ｂに示す。
【００１７】
図１Ｂ、図４、図５、図６を用いて本発明の一実施例による磁気ヘッドスライダ１の薄膜磁気ヘッド部分１ｂの構成を説明する。図５に示すように、薄膜磁気ヘッド部分１ｂには基板部分（スライダ）１ａ上に薄膜プロセスを用いて磁気再生素子２ｂと磁気記録素子２ａとからなる磁気記録再生素子２が形成されている。また、薄膜磁気ヘッド部分１ｂの一部を加熱して熱膨張により突出させ、磁気記録再生素子２の浮上量を調整するためのヒータ（発熱抵抗体）１１が基板部分１ａと磁気再生素子２ｂとの間に形成されている。そして、発熱抵抗体１１および磁気記録再生素子２を覆うように硬質保護膜３１が形成されている。
【００１８】
磁気ヘッドスライダ１の浮上量調整の応答速度をできるだけ早くし、発熱抵抗体１１の発熱による磁気再生素子２ｂへの影響を少なくするためには、発熱抵抗体１１を基板部分（スライダ）１ａと磁気再生素子２ｂとの間に設け、発熱抵抗体１１の先端部は磁気再生素子２ｂから後退した位置に配置するのが良い。
【００１９】
図４を参照するに、磁気ヘッドスライダ１の空気流出端面８には、磁気記録素子２ａと導通接触して形成された引き出し線３ａ（図４では２本のうち１本だけが見えている）を外部に電気的に接続するための記録用中継端子４、磁気再生素子２ｂの電極と導通接触して形成された引き出し線３ｂを外部に電気的に接続するための再生用中継端子５、発熱抵抗体１１と導通接触して形成されたスタッド１７（図６参照）を外部に電気的に接続するための発熱抵抗体用中継端子３０が形成されている。なお、磁気記録再生素子２、引き出し線３ａ、３ｂの上部には硬質保護膜３１が形成されているが、硬質保護膜３１は透明であるため、図４では磁気記録再生素子２、引き出し線３ａ、３ｂが空気流出端面８に見えている。
【００２０】
次に製造工程に従って磁気ヘッドを構成する磁気記録再生素子２およびヒータ（発熱抵抗体）１１の構成を説明する。図５に示すように、基板部分（スライダ）１ａ上にアルミナ等からなる下地絶縁膜９を形成し、下地絶縁膜９上に金属膜の薄膜抵抗体からなる発熱抵抗体１１を形成する。図１Ｂに発熱抵抗体１１を空気流出端面８側から見た構成を示すが、発熱抵抗体１１は金属膜の薄膜抵抗体を蛇行させて形成した発熱部１１ａと、発熱部１１ａから延伸する端子部１１ｂと、端子部１１ｂの上に積層されたリード部１１ｃとで構成されている。発熱抵抗体１１については後で詳細に説明する。
【００２１】
続いて、図５に示すように、発熱抵抗体１１の上部にアルミナ等からなる絶縁膜１２を形成し、絶縁膜１２上にシード膜１６を介して下部シールド膜１８を形成し、ＣＭＰ加工により下部シールド膜１８の上面を平坦化する。平坦化した下部シールド膜１８の上にアルミナ等からなる下部ギャップ膜１９を形成し、さらに、磁気センサである磁気抵抗効果型素子（以下ＭＲ素子と呼ぶ）２０と、ＭＲ素子２０の磁気信号を電気信号として引き出すための一対の電極２１（図４参照）を形成する。続いて、アルミナ等からなる上部ギャップ膜２２、上部シールド膜２３を形成し、ＣＭＰ加工により上部シールド膜２３の上面を平坦化する。平坦化した上部シールド膜２３の上にアルミナ等からなる上部シールド絶縁膜２４を形成する。これで発熱抵抗体１１および磁気再生素子２ｂの形成が終了する。
【００２２】
次に、磁気記録素子２ａの構成について説明する。上部シールド絶縁膜２４上に下部磁極２５を形成し、その上にアルミナ等から成る磁気ギャップ膜２６を形成する。磁気ギャップ膜２６上に磁界を発生させるための電流を流すコイル２８及び、コイル２８を包む有機絶縁膜２９を形成する。続いてバック・ギャップ部で下部磁極２５と磁気的に接続された上部磁極２７を形成する。次に、以上の素子群を保護絶縁するためのアルミナ等からなる硬質保護膜３１を、成膜した素子全体を覆うように形成する。続いて、図４に示すように、硬質保護膜３１上にコイル２８へ電流を外部より供給するための記録用中継端子４と、再生信号を外部へ伝達するための再生用中継端子５を形成し、同時に、発熱抵抗体１１へ電流を外部から供給するための発熱抵抗体用中継端子３０を形成する。
【００２３】
発熱抵抗体用中継端子３０は、図６に示すようにスタッド１７上に形成する。スタッド１７は、発熱抵抗体１１のリード部端部上に銅をめっきして形成する。スタッド１７を形成するための開口は、各絶縁膜の形成時に形成しておく。記録用中継端子４および再生用中継端子５もそれぞれ引き出し線３ａ，３ｂの端部にスタッドを形成し、その上に形成する。
【００２４】
発熱抵抗体１１からの発熱でスライダの浮上量を制御するため、発熱部１１ａ及び端子部１１ｂとリード部１１ｃの抵抗値を高精度に制御する必要がある。ところが、発熱部１１ａ及び端子部１１ｂと、リード部１１ｃは別の工程で作成するため、端子部１１ｂとリード部１１ｃの重なるところでそれぞれの膜同士で拡散の現象が起きると、発熱抵抗体１１の抵抗値が大きくばらつくことになり、発熱部１１ａで所定の発熱量が得られなくなる。このことは、想定した浮上量の低減が不可能になり、薄膜磁気ヘッドとして機能を果たさないことにつながる。図１Ｂに示すように、発熱抵抗体１１の端子部１１ｂとリード部１１ｃの重なり率は、端子部１１ｂの面積の約９０％である（リード部１１ｃの面積に対しては１００％である）。このため、発熱抵抗体１１の端子部１１ｂとリード部１１ｃの間で膜拡散の現象が起きると大きな抵抗ばらつき、あるいは抵抗増加につながる。また、リード部１１ｃの端部とスタッド１７下部の下部シールド用シード膜１６（図１Ａ参照）の間で膜拡散の現象が起きると、これも発熱抵抗体１１の抵抗値ばらつきの原因となる。
【００２５】
そこで、端子部１１ｂとリード部１１ｃの膜拡散による抵抗ばらつきを低減するために、端子部１１ｂとリード部１１ｃのパターンとして重なっている部分の間に拡散防止膜１１ｄ（図１Ａ参照）を設け、また、リード部１１ｃの端部とスタッド１７下部の下部シールド用シード膜（ＮｉＦｅ）１６の膜拡散による抵抗ばらつきを低減するために、リード部１１ｃと下部シールド用シード膜１６の間に拡散防止膜１１ｅを設けることに着目した。
【００２６】
次に、発熱抵抗体１１の形成方法を図１Ａと図１Ｂを参照して説明する。図１Ａは、発熱抵抗体１１と、スタッド１７と、磁気記録再生素子２の関係がわかる位置で切断した断面図である。図１Ａでは、発熱抵抗体１１の端子部１１ｂとリード部１１ｃの積層部分が見えている。発熱抵抗体１１は薄膜プロセスを用いて形成する。下地絶縁膜９の上に、ＮｉＣｒの金属材料を用い、発熱部１１ａ、端子部１１ｂを形成する。厚さは約０．１５μｍ（１５０ｎｍ）である。なお、ＮｉＣｒに代えてＮｉＦｅ等でも良く、発熱部１１ａと端子部１１ｂとで材料を変えても構わない。次にＮｉＣｒの端子部１１ｂの上に、拡散防止膜１１ｄとしてＴａ膜を、５ｎｍ以上、望ましくは１０ｎｍ以上形成する。続いて拡散防止膜１１ｄの上に、比抵抗が発熱部１１ａより小さい金属材料であるＣｕのリード部１１ｃを形成する。厚さは約０．２０μｍ（２００ｎｍ）である。なお、Ｃｕに代えて、Ａｕ等でもよく、抵抗値は約５Ωである。次にＣｕのリード部１１ｃの上に、拡散防止膜１１ｅとしてＴａ膜を、５ｎｍ以上、望ましくは１０ｎｍ以上形成する。なお、拡散防止膜１１ｄ及び１１ｅは、発熱による損出を防ぐために、シート抵抗が端子部１１ｂより低いことが望ましく、また、発熱による変形を防止するために、熱膨張係数が端子部１１ｂ及びリード部１１ｃよりも小さい材料であることが望ましい。この要件を満たす材料としてＴａを選択したが、Ｔａに代えてＣｒ、ＮｉＣｒ等を用いることもできる。
【００２７】
発熱部１１ａは、幅が約４．５μｍの細線を、奥行き約６０μｍ、幅約６０μｍの領域に蛇行させ、間隙はアルミナで埋めて形成した。発熱部１１ａと端子部１１ｂの抵抗値は約５００Ωである。なお、リード部１１ｃの抵抗値は、発熱部１１ａと端子部１１ｂの１／５以下であることが望ましく、具体的には、発熱部１１ａと端子部１１ｂの抵抗値を、約２００〜６００Ωとした場合、リード部１１ｃの抵抗値は、約３〜６０Ωである。また、端子部１１ｂの膜厚は、約１００〜２００ｎｍであり、リード部１１ｃの膜厚は約１５０〜２５０ｎｍである。
【００２８】
次に、拡散防止膜１１ｅと下地絶縁膜９の上に、絶縁膜１２を形成し、スタッド１７を形成する部分に開口部３３を形成する。続いて絶縁膜１２の上と、開口部３３に露出している拡散防止膜１１ｅの上に、下部シールド用シード膜（ＮｉＦｅ）１６を形成する。次に下部シールド用シード膜（ＮｉＦｅ）１６の上に、磁気記録再生素子２を形成し、開口部３３を除いて硬質保護膜３１を形成する。続いて、開口部３３にＣｕをめっきしてスタッド１７を形成する。続いて、空気流出端面８に露出するスタッド１７の上に発熱抵抗体用中継端子３０を形成する。
【００２９】
図７に拡散防止膜１１ｄ及び１１ｅの膜厚と発熱抵抗体１１の抵抗との関係を調査した結果を示す。横軸は拡散防止層１１ｄ、１１ｅそれぞれの膜厚であり、縦軸は発熱抵抗体１１の抵抗分布３σである。図７の結果より、拡散防止膜１１ｄ、１１ｅの膜厚を５ｎｍ以上、望ましくは１０ｎｍ以上とすることで、発熱抵抗体１１の抵抗分布３σの増加を防止できることがわかる。
【００３０】
上記実施例で説明したように、発熱抵抗体１１の発熱部１１ａ及び端子部１１ｂと、リード部１１ｃは別の工程で作成するが、端子部１１ｂとその上部に形成するリード部１１ｃの膜の間で拡散などによる抵抗を持たないことが重要である。また、リード部１１ｃの端部と、この上に形成する下部シールド用シード膜１６との間でも膜拡散による抵抗を持たないことが重要である。ここで、下部シールド用シード膜１６とスタッド１７との間でも膜拡散が生じるが、スタッド１７の体積が十分に大きいので、発熱抵抗体１１の抵抗値には影響しない。なお、本実施例では、先に発熱部１１ａと端子部１１ｂを形成し、端子部１１ｂの上にリード部１１ｃを形成したが、これは逆でも良く、リード部１１ｃを先に形成し、端子部１１ｂがリード部１１ｃに重なるように発熱部１１ａと端子部１１ｂを後で形成しても良い。この場合は、スタッド１７は、端子部１１ｂの端部にＴａ膜、シード膜１６を介して形成される。
【００３１】
以上の説明のとおり、上記実施例によれば、発熱抵抗体の抵抗値ばらつきの増加を防止することができる。したがって、発熱部で所定の発熱量を得ることができ、スライダの想定した浮上量の低減効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１Ａ】実施例による磁気ヘッドスライダを、発熱抵抗体と、スタッドと、磁気記録再生素子の関係がわかる位置で切断した断面図である。
【図１Ｂ】実施例による磁気ヘッドスライダのヒータの構成を示す平面図である。
【図２】実施例による磁気ヘッドスライダを搭載する磁気ディスク装置の上面図である。
【図３】実施例による磁気ヘッドスライダの斜視図である。
【図４】図３の磁気ヘッドスライダを空気流出端面側から見た図である。
【図５】図４のＸ−Ｘ線断面図である。
【図６】図４のＹ−Ｙ線断面である。
【図７】拡散防止膜の膜厚と発熱抵抗体の抵抗値の3σとの関係を調査した結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３３】
１…磁気ヘッドスライダ、
１ａ…スライダ、
１ｂ…薄膜磁気ヘッド部分、
２…磁気ヘッド（磁気記録再生素子）、
２ａ…磁気記録素子、
２ｂ…磁気再生素子、
３ａ…記録用引き出し線、
３ｂ…再生用引き出し線、
４…記録用中継端子、
５…再生用中継端子、
６…浮上面、
６ａ…レール面、
６ｂ…浅溝面、
６ｃ…深溝面、
７…空気流入端面、
８…空気流出端面、
９…下地絶縁膜、
１１…ヒータ（発熱抵抗体）、
１１ａ…発熱部、
１１ｂ…端子部、
１１ｃ…リード部、
１１ｄ，１１ｅ…拡散防止膜、
１２…絶縁膜、
１６…下部シールド用シード膜、
１７…スタッド、
１８…下部シールド、
２０…ＭＲ素子、
２２…上部シールド、
３０…発熱抵抗体用中継端子。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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