(57)【要約】【課題】基板との接合面におけるレジストの剥離性を損うことなく、レジスト層の少なくとも最表面部分の重合率、炭素−炭素結合密度が増加し、エッチング耐性を高めることができるレジストパターンの表面改質方法及びインプリント方法並びに磁気記録媒体及び該磁気記録媒体の製造方法の提供。【解決手段】  凹凸パターン形成後のレジスト層に電離性放射線及び遠紫外光のいずれかを照射し、該レジスト層の少なくとも最表面部分の炭素−炭素結合密度を増加させるレジストパターンの表面改質方法である。モールド構造体の凹凸部をレジスト層に押し付けて該レジスト層に凹凸パターンを転写する転写工程と、前記凹凸パターン形成後のレジスト層に電離性放射線及び遠紫外光のいずれかを照射して、該レジスト層の少なくとも最表面部分の炭素−炭素結合密度を増加させて表面改質する表面改質工程とを含むインプリント方法である。【選択図】図２
2008310878.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸パターン形成後のレジスト層に電離性放射線及び遠紫外光のいずれかを照射し、該レジスト層の少なくとも最表面部分の炭素−炭素結合密度を増加させることを特徴とするレジストパターンの表面改質方法。
【請求項２】
電離性放射線が、電子線である請求項１に記載のレジストパターンの表面改質方法。
【請求項３】
モールド構造体の凹凸部をレジスト層に押し付けて該レジスト層に凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターン形成後のレジスト層に電離性放射線及び遠紫外光のいずれかを照射して、該レジスト層の少なくとも最表面部分の炭素−炭素結合密度を増加させて表面改質する表面改質工程と、を含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項４】
電離性放射線が、電子線である請求項３に記載のインプリント方法。
【請求項５】
請求項３から４のいずれかに記載のインプリント方法を用いて磁気記録媒体を製造することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の磁気記録媒体の製造方法により製造されたことを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジストパターンの表面改質方法及びインプリント方法、並びに磁気記録媒体及び該磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高速性及びコスト性に優れたハードディスクドライブが、ストレージ機器の主力として、携帯電話、小型音響機器、ビデオカメラ等のポータブル機器に搭載され始め、より一層の小型かつ大容量化という要求に応えるために、記録密度を向上させる技術が求められている。
ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体の高性能化、及び磁気ヘッド幅の狭小化という手法が用いられてきたが、データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響（クロストーク）、及び熱揺らぎの影響が無視できなくなり、磁気ヘッドの狭小化などによる面記録密度の向上には限界があった。
【０００３】
そこで、前記クロストークによるノイズを解決する手段として、ディスクリートトラックメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている（特許文献１〜２参照）。このディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減したものである。
【０００４】
また、前記熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている（特許文献３参照）。
【０００５】
前記ディスクリートトラックメディア及びパターンドメディアを製造する際には、特許文献４に開示されたように、レジストパターン形成用モールド（以下、「モールド」と称することもある）を用いて、表面に磁性層を具備した磁気記録媒体用基板上に形成されたレジスト層に所望のパターンを転写するインプリント法がある。
【０００６】
前記インプリント法を用いて、ハードディスク、光ディスク等の情報記録媒体を得る場合、インプリントプロセスにて形成された有機物レジストパターンをマスクとして、ウェットエッチング方式、又はドライエッチング方式によって、微細パターン加工が行われる。前記ウェットエッチング方式は、生産性が高く、有機物レジストパターンを用い、最適なエッチング液を選択することで、磁性層の選択エッチングが可能である。しかし、コンタミコントロールが困難であり、かつエッチングが等方的に進むため、非常に微細なパターンを加工する際には不向きである。
一方、前記ドライエッチング方式は、ウェットエッチング方式に比べて、コンタミコントロールが容易であり、かつ反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）の場合、最適な反応ガスを選択することで、磁性層のエッチングが可能である。しかし、これまでの検討から、磁性層をエッチングするための反応ガスとしては、結局、塩素系、又はＮＨ３＋ＣＯ等のカルボニル系化合物を用いるプロセスに限られている。
また、磁性層をドライエッチングする方法として、上記反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）以外にＡｒガスを用いたイオンビームエッチングなどを用いることができる。しかし、前記イオンビームエッチングでは、磁性層を加工するプロセスで化学反応性の高いエッチャント、あるいは物理的破壊方式を用いるため、対プロセス耐性の高いレジスト層が必要であるが、有機物からなるレジスト層は、ドライエッチング耐性が低く、エッチングレートの低い磁性層のパターン形成が困難である。
【０００７】
前記課題を解決するため、金属膜をマスクとする方法も提案されているが、磁性層加工後の基板からのマスク層の除去が困難であること、工程数が多くなるなどの問題点があるのが現状である。
【０００８】
【特許文献１】特開昭５６−１１９９３４号公報
【特許文献２】特開平２−２０１７３０号公報
【特許文献３】特開平３−２２２１１号公報
【特許文献４】特開２００４−２２１４６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、凹凸パターン形成後のレジスト層に電離性放射線及び遠紫外光のいずれかを照射することにより、基板との接合面におけるレジストの剥離性を損うことなく、レジスト層の少なくとも最表面部分の炭素−炭素結合密度が増加し、エッチング耐性を高めることができるレジストパターンの表面改質方法、及びインプリント方法、並びに該インプリント法を用いた磁気記録媒体及び該磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  凹凸パターン形成後のレジスト層に電離性放射線及び遠紫外光のいずれかを照射し、該レジスト層の少なくとも最表面部分の炭素−炭素結合密度を増加させることを特徴とするレジストパターンの表面改質方法である。
＜２＞  電離性放射線が、電子線である前記＜１＞に記載のレジストパターンの表面改質方法である。
＜３＞  モールド構造体の凹凸部をレジスト層に押し付けて該レジスト層に凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターン形成後のレジスト層に電離性放射線及び遠紫外光のいずれかを照射して、該レジスト層の少なくとも最表面部分の炭素−炭素結合密度を増加させて表面改質する表面改質工程と、を含むことを特徴とするインプリント方法である。
＜４＞  電離性放射線が、電子線である前記＜３＞に記載のインプリント方法である。
＜５＞  前記＜３＞から＜４＞のいずれかに記載のインプリント方法を用いて磁気記録媒体を製造することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
＜６＞  前記＜５＞に記載の磁気記録媒体の製造方法により製造されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
＜７＞  ディスクリート型磁気記録媒体、及びパターンドメディア型磁気記録媒体の少なくともいずれかである前記＜６＞に記載の磁気記録媒体である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、凹凸パターン形成後のレジスト層に電離性放射線及び遠紫外光のいずれかを照射することにより、基板との接合面におけるレジストの剥離性を損うことなく、レジスト層の少なくとも最表面部分の重合率、炭素−炭素結合密度が増加し、エッチング耐性を高めることができるレジストパターンの表面改質方法、及びインプリント方法、並びに磁気記録媒体及び該磁気記録媒体の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（レジストパターンの表面改質方法及びインプリント方法）
本発明のレジストパターンの表面改質方法は、凹凸パターン形成後のレジスト層に電離性放射線及び遠紫外光のいずれかを照射し、該レジスト層の少なくとも最表面部分の炭素−炭素結合密度を増加させる。
本発明のインプリント方法は、転写工程と、表面改質工程とを含み、硬化工程、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
本発明のレジストパターンの表面改質方法は、本発明の前記インプリント方法における表面改質工程として用いられる。
以下、本発明のインプリント方法の説明を通じて、本発明のレジストパターンの表面改質方法の詳細についても明らかにする。
【００１３】
＜転写工程＞
前記転写工程は、モールド構造体の凹凸部をレジスト層に押し付けて該レジスト層に凹凸パターンを転写する工程である。
【００１４】
前記モールド構造体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、円板状の基板と、該基板の一方の表面に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有してなり、更に必要に応じてその他の構成を有してなる。
前記モールド構造体の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、石英、金属、及び樹脂のいずれかの材料が好適である。
前記金属としては、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ等の各種金属、又はこれらの合金を用いることができる。これらの中でも、Ｎｉ、Ｎｉ合金が特に好ましい。
前記樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、低融点フッ素樹脂などが挙げられる。
【００１５】
ここで、図１は、前記モールド構造体の一実施形態における構成を示す部分斜視図である。
図１に示すように、モールド構造体１は、円盤状をなす基板２の一方の表面２ａ（以下、基準面２ａということがある）に、複数の凸部３ａ及び凹部３ｂが同心円状に形成されてなる。この場合、凸部３ａと、複数の凸部３ａ間に形成された凹部３ｂとを総称して凹凸部３とする。
また、前記基板２の厚みは、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。前記基板の厚みが、０．１ｍｍ未満であると、加工対象物とモールドとが密着時にモールド側に撓みが発生し、均一な密着状態を確保できない可能性があり、１０ｍｍを超えると、加工対象物とモールドとが密着時にモールドの弾性変形が小さいため、加工対象物が大きく変形し該加工対象物が破損し、或いは局所的に圧力が印加された状態となり、パターン破損が発生することがある。
また、前記同心円の半径方向（凸部３ａが列設されている方向；配列方向）における凹部３ｂの断面形状は、例えば、矩形をなしている。
なお、前記凹部３ｂの配列方向における断面形状は、矩形に限られず、目的に応じて、後述するエッチング工程を制御することにより、任意の形状を選択することができる。
本発明において、前記「断面（形状）」とは、特に断りがない限り、前記同心円の半径方向（凸部３ａが列設されている方向）における断面（形状）を指す。
【００１６】
前記レジスト層におけるレジスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばノボラック類、スチレン類、（ポリ）ヒドロキシスチレン類、（メタ）アクリレート類を含有する芳香族化合物含有重合体、ビニル基を含有する芳香族化合物含有重合体、又はこれらの共重合体、エポキシ樹脂、無機ガラス樹脂、有機ガラス樹脂、などが挙げられる。
【００１７】
−硬化工程−
次に、レジスト層にモールド構造体を押し当てる際には、系を前記レジスト液のガラス転移温度（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、レジスト層が前記ジスト液のガラス転移温度よりも低下することによりレジスト層が硬化する。なお、加熱又はＵＶ光を照射してレジスト層を硬化させてもよい。
【００１８】
＜表面改質工程＞
前記表面改質工程は、前記凹凸パターン形成後のレジスト層に電離性放射線及び遠紫外光のいずれかを照射して、該レジスト層の少なくとも最表面部分の炭素−炭素結合密度を増加させて表面改質する工程である。
前記表面改質はレジスト層の最表面部分を含む表面部分について行う。該表面改質をレジスト層の全体、特に基板との接合面部分についても表面改質を行うと、基板とレジスト層との剥離性が低下してしまうことがある。
【００１９】
前記電離性放射線とは、波長が短く、強いエネルギーを持ち、原子に付属している電子を引き離す能力、いわゆる電離作用を有する放射線のことをいい、典型的には、α線、β線、γ線、Ｘ線、紫外線、電子線などが挙げられる。前記電離性放射線は、具体的には、荷電をもつ粒子線であって、それ自体が直接、原子の軌道電子あるいは分子に束縛された電子に電気的な力を及ぼして電離を起こさせる直接電離性放射線（荷電粒子放射線）と、Ｘ線、ガンマ線などの電磁波あるいは電荷を持たない中性子線により、原子あるいは原子核との相互作用を介して荷電粒子線を発生させ、二次的に発生した荷電粒子線によって電離を起こさせる間接電離性放射線とがある。これらの中でも、電子線が特に好ましい。
前記遠紫外光（ＤＵＶ）とは、波長２２０ｎｍ〜３２０ｎｍの紫外光を意味する。
【００２０】
前記電離性放射線の照射条件については、レジスト層の材料などにより異なり一概には規定できないが、電離性放射線の加速電圧は２５ｋＶ〜６５ｋＶが好ましい。
前記遠紫外線の照射条件については、波長２２０ｎｍ〜３２０ｎｍの光源により６５０ｍＷ／ｃｍ２以上の照射エネルギーを照射することが好ましい。
前記電離性放射線及び遠紫外光のいずれかの上記照射条件などを適宜調整することにより、基板との接合面におけるレジスト剥離性を損うことなく、レジスト層の少なくとも最表面部分の重合率、炭素−炭素結合密度を高めることができ、ドライエッチング耐性を向上させることができる。
ここで、前記炭素−炭素結合密度が増加していることは、例えば水素原子及び酸素原子含有官能基のピーク強度を測定し、該ピーク強度の電離性放射線及び遠紫外光のいずれかの照射による減少により、炭素−炭素結合密度が増加したことを測定することができる。また、前記ピーク強度をレジストパターンの深さ方向に測定することで、炭素−炭素結合密度のレジスト厚み方向の分布を求めることができる。
【００２１】
本発明の表面改質方法は、本発明の前記インプリント方法におけるポストキュアプロセスである表面改質工程として好適に用いられ、本発明のインプリント方法は、以下に説明する磁気記録媒体の製造方法に特に好適に用いられる。
【００２２】
（磁気記録媒体の製造方法）
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、本発明の前記インプリント方法を用いて磁気記録媒体を製造する方法である。
以下、ディスクリートトラックメディア、パターンドメディア等の磁気記録媒体を作製する製造方法の一例について図面を参照して説明する。
【００２３】
図２のＡに示すように、アルミニウム、ガラス、シリコン、石英、又はシリコン等の磁気記録媒体様基板４０上に、Ｆｅ又はＦｅ合金、Ｃｏ又はＣｏ合金等の磁性層５０と、ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のインプリントレジスト液を塗布してなるレジスト層２４とをこの順に有する磁気記録媒体に対して、表面に凹凸パターンが形成されたモールド構造体１を押し当てる。
【００２４】
次に、図２のＢに示すように、レジスト層２４にモールド構造体１を押し当てた際には、系を前記インプリントレジスト液のガラス転移温度（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、レジスト層２４が前記インプリントレジスト液のガラス転移温度よりも低下することにより硬化する。また、必要に応じて加熱又はＵＶ照射により硬化処理を行ってもよい。これにより、モールド構造体１上に形成された凹凸パターンがレジスト層２４に転写される。
【００２５】
次に、図２のＣに示すように、モールド構造体１を剥離すると、レジスト層２４に凹凸パターンが形成される。
ここで、凹凸パターン形成後のレジスト層に対し本発明の前記表面改質方法を行い、レジスト層の少なくとも最表面部分を表面改質する。具体的には、凹凸パターン形成後のレジスト層に電離性放射線及び遠紫外光のいずれかを照射し、該レジスト層の少なくとも最表面部分の炭素−炭素結合密度を増加させる。
【００２６】
次に、図２のＤに示すように、凹凸パターンが形成されたレジスト層２４をマスクにして、ドライエッチングを行い、レジスト層２４に形成された凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を磁性層５０に形成する。
前記ドライエッチングとしては、磁性層に凹凸形状を形成できるものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチング、などが挙げられる。これらの中でも、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が特に好ましい。
前記イオンミリング法は、イオンビームエッチングとも言われ、イオン源にＡｒなどの不活性ガスを導入し、イオンを生成し、これをグリッドを通して加速して、試料基板に衝突させてエッチングするものである。前記イオン源としては、例えばカウフマン型、高周波型、電子衝撃型、デュオプラズマトロン型、フリーマン型、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）型、などが挙げられる。
前記反応性イオンエッチングでは、反応ガスとしては、塩素系、又はＮＨ３＋ＣＯ等のカルボニル系化合物を用いることができる。
【００２７】
次に、図２のＥに示すように、形成された凹部に非磁性材料７０を埋め込み、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護膜などを形成して磁気記録媒体１００を作製することができる。
前記非磁性材料としては、例えばＳｉＯ２、カーボン、アルミナ；ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー；円滑油などが挙げられる。
前記保護膜としては、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等が好ましく、該保護膜の上に更に潤滑剤層を設けてもよい。
【００２８】
本発明の磁気記録媒体の製造方法により製造された磁気記録媒体は、ディスクリート型磁気記録媒体及びパターンドメディア型磁気記録媒体の少なくともいずれかであることが好適である。
【実施例】
【００２９】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００３０】
（実施例１）
＜磁気記録媒体の作製＞
図２のＡに示すように、磁気記録媒体用基板（ガラス基板）４０上に、磁性層５０と、ノボラック類（ｍｒ−Ｉ  ７０００Ｅ、マイクロレジスト社製）を含むレジスト液を塗布してなるレジスト層２４とをこの順に有する磁気記録媒体に対して、１００ｎｍピッチの凹凸パターンが形成された石英製のモールド構造体１を押し当てた。
次に、図２のＢに示すように、レジスト層２４にモールド構造体１を押し当て、加圧し、凹凸パターンをレジスト層に転写後、３６５ｎｍ、１Ｊ／ｃｍ２のＵＶ照射を行い、レジスト層の凹凸パターンを硬化させた（転写工程及び硬化工程）。
次に、図２のＣに示すように、モールド構造体１を剥離することにより、レジスト層２４に凹凸パターンを形成した。
ここで、凹凸パターン形成後のレジスト層に対しＥＢ照射装置（ウシオ電機株式会社製、Ｍｉｎ−ＥＢ）を用いて、下記照射条件で電子線を照射し、凹凸パターン形成後のレジスト層の表面改質を行った（表面改質工程）。
−照射条件−
照射時間：３０秒間
管電流：１００μＡ
加速電圧：２５ｋＶ
【００３１】
次に、図２のＤに示すように、凹凸パターンが転写されたレジスト層２４をマスクにして、Ａｒガスを用いたイオンビームエッチングによりドライエッチングを行い、モールド構造体１上に形成されたパターン形状に基づく凹凸形状を磁性層５０に形成した。以上により、実施例１の磁気記録媒体を作製した。
【００３２】
（実施例２〜１０及び比較例２〜４）
実施例１において、表１に示すように、レジスト層材料、及び電子線照射条件を変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜１０及び比較例２〜４の磁気記録媒体を作製した。
【００３３】
（実施例１１〜１３及び比較例１）
実施例５において、表１に示すように、レジスト層材料、遠紫外線（超高圧ＵＶランプ、ＵＳＨ−５００ＳＣ）を用い、その照射条件を変えた以外は、実施例５と同様にして、実施例１１〜１３及び比較例１の磁気記録媒体を作製した。なお、実施例１１〜１３のいずれにおいても遠紫外線強度は１２２ｍＷ／ｃｍ２とした。
【００３４】
次に、実施例１〜１３及び比較例１〜４について、以下のようにして、炭素−炭素結合密度、剥離性、及びエッチング耐性を評価した。結果を表２に示す。
【００３５】
＜炭素−炭素結合密度の測定＞
Ｓｉ基板上に実施例１〜１３及び比較例１〜４で用いたレジスト液をスピンコートで厚み２００ｎｍに塗布し、実施例１〜１３及び比較例１〜４と同様にして評価用試料を作製した。この評価用試料をＸＰＳ（エックス線光電子分光、アルバック・ファイ社製、Ｑｕａｎｔｅｒａ）を用いて炭素−炭素結合密度を算出した。未処理状態でのＣ−Ｃ（ＢＩＣ−Ｃ）、Ｃ−Ｈ結合（ＢＩＣ−Ｈ）スペクトル強度を観測した。IＢＩＣ−Ｈに対するＢＩＣ−Ｃ強度比を算出し、電子線照射後の各強度をＡＩＣ−Ｃ、ＡＩＣ−Ｈとし、下記数式１より炭素−炭素密度を求めた。
＜数式１＞
｛ＡＩＣ−Ｃ／（ＡＩＣ−Ｃ＋ＡＩＣ−Ｈ）｝―｛ＢＩＣ−Ｃ／（ＢＩＣ−Ｃ＋ＢＩＣ−Ｈ）｝×１００
次に、上記スペクトル強度をレジストパターンの深さ方向に測定することで、炭素−炭素結合密度のレジスト厚み方向の分布を求めた。なお、電子線又は遠紫外線処理時間により炭素-炭素結合密度を変化させて、厚み（深さ）方向１００ｎｍ、及び２００ｎｍでの値を測定した。
【００３６】
＜基板とレジストとの剥離性の評価＞
Ｓｉ基板上に実施例１〜１３及び比較例１〜４で用いたレジスト液をスピンコートで厚み２００ｎｍに塗布し、実施例１〜１３及び比較例１〜４と同様にして評価用試料を作製した。この評価用試料をフッ素系溶剤（日本ゼオン株式会社製、ゼオローラ）に３０分間浸漬した後、酸素アッシング処理を５分間実施した。処理後の試料に対してＴＯＦ−ＳＩＭＳ評価を実施した。Ｓｉピーク(ＩＳｉ)、ＣＨ３ピーク（ＩＣＨ３）強度を観測し、ＩＳｉ／ＩＣＨ３の値を算出し、下記基準で評価した。
〔評価基準〕
○：ＩＳｉ／ＩＣＨ３が０．１５未満
△：ＩＳｉ／ＩＣＨ３が０．１５以上０．３未満
×：ＩＳｉ／ＩＣＨ３が０．３以上
使用可能な範囲は“○”及び“△”である。
【００３７】
＜レジストパターンのエッチング耐性の評価＞
Ｓｉ基板上にＣｏ６８Ｃｒ２０Ｐｔ１２（原子％）をスパッタリング法により厚み５０ｎｍに形成した。得られたＣｏＣｒＰｔ膜上に実施例１〜１３及び比較例１〜４で用いたレジスト液をスプレーコート法で厚み１０００ｎｍになるように塗布して、実施例１〜１３及び比較例１〜４と同様にして評価用試料を作製した。未エッチング領域上にポリイミドテープ（厚み５０μｍ）を接着し、Ａｒガスを用いたイオンビームエッチングを実施した。エッチングにより形成された段差量（Δ）を接触式段差計（Ｖｅｃｃｏ社製、Ｄｅｋｔａｋ  ＩＩ）で測定し、同段差量をエッチング時間（Ｔ）で割る（Δ／Ｔ）ことでエッチングレートを算出した。レジスト層未形成の基材に対して同処理を実施して基準となるエッチングレート（ＳＥＲ）を算出した。そして、（Δ／Ｔ）／ＳＥＲを求め、下記基準で評価した。
〔評価基準〕
○：（Δ／Ｔ）／ＳＥＲが０．９未満
△：（Δ／Ｔ）／ＳＥＲが０．９以上１．４未満
×：（Δ／Ｔ）／ＳＥＲが１．４以上
実用上使用可能な範囲は“○”及び“△”である。
【００３８】
【表１】
2008310878.tif 000003
＊ノボラック類：ｍｒ−Ｉ  ７０００Ｅ（マイクロレジスト社製）
＊アクリレート類を含有する芳香族化合物含有重合体：ＰＡＫ０１（東洋合成工業株式会社製）
＊エポキシ系：ＳＵ−８（マイクロケム社製）
【００３９】
【表２】
2008310878.tif 000004
【００４０】
表１及び表２の結果から、電子線照射を実施した実施例１〜４は、遠紫外線照射を行わなかった比較例１に比べて炭素−炭素結合密度が増加していることが分かった。
また、電子線照射を実施した実施例５〜７は、電子線照射を行わなかった比較例２に比べて炭素−炭素結合密度が増加していることが分かった。
また、電子線照射を実施した実施例８〜１０は、電子線照射を行わなかった比較例３に比べて炭素−炭素結合密度が増加していることが分かった。
また、遠紫外線照射を実施した実施例１１〜１３は、電子線照射を行わなかった比較例２に比べて炭素−炭素結合密度が増加していることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明の表面改質方法を用いた本発明のインプリント方法は、基板との接合面におけるレジストの剥離性を損うことなく、レジスト層の少なくとも最表面部分の、重合率、炭素−炭素結合密度が増加し、エッチング耐性を高めることができるので、本発明の磁気記録媒体の製造方法に好適に適用される。
本発明の磁気記録媒体の製造方法により製造された磁気記録媒体は、ディスクリート型磁気記録媒体及びパターンドメディア型磁気記録媒体の少なくともいずれかに好適であり、例えば、コンピュータの外部記憶装置、民生用ビデオ記録装置等として広く使用されているハードディスク装置、などに設計して使用することができ、ハードディスク等の磁気ディスクに特に好適に設計して使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】図１は、モールド構造体の一例を示す部分斜視図である。
【図２】図２は、本発明の磁気記録媒体を製造する方法の一例を示す工程図である。
【符号の説明】
【００４３】
１      モールド構造体
２      基板
３      凹凸部
３ａ      凸部
３ｂ      凹部
２４      レジスト層
４０      磁気記録媒体用基板
５０      磁性層
７０      非磁性材料
１００      磁気記録媒体
【図１】
2008310878.tif 000005
【図２】
2008310878.tif 000006