(57)【要約】【課題】信号電荷の転送改善を実現することができる電荷転送装置の製造方法及びＣＣＤ固体撮像装置の製造方法を提供する。【解決手段】転送電極上に形成したＳｉＮ層１５をフォトレジスト２１で被覆した状態でサイドウォール１６を形成するエッチング処理を行なう。その後、フォトレジストを除去し、転送電極上に形成したＳｉＮ層１５を残した状態のままで酸化処理を行なって受光部に対応する領域に酸化物層を形成する。【選択図】図２
2008270526.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号電荷を転送する電荷転送部が形成された半導体基板上に導電体層を形成する工程と、
該導電体層にパターニングを行なって、前記電荷転送部に転送パルスを印加する転送電極を形成する工程と、
該転送電極を絶縁層で被覆した状態で酸化処理を行なう工程とを備える
電荷転送装置の製造方法。
【請求項２】
受光部と、該受光部に蓄積された信号電荷を転送する電荷転送部が設けられた半導体基板上に導電体層を形成する工程と、
該導電体層にパターニングを行なって、前記受光部から信号電荷を読み出す際に読み出し電圧を印加する読み出し電極を形成すると共に前記電荷転送部に転送パルスを印加する転送電極を形成する工程と、
前記読み出し電極及び前記転送電極を絶縁層で被覆する工程と、
前記転送電極上に形成した前記絶縁層をマスク材で被覆した状態でエッチング処理を行なって、露出している前記絶縁層を除去すると共に前記転送電極の側面に前記絶縁層から成るサイドウォールを形成する工程と、
前記マスク材を除去した後に、前記半導体基板表面に酸化物層を形成する工程とを備える
固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電荷転送装置の製造方法及び固体撮像装置の製造方法に関する。詳しくは、特にＣＣＤエリアセンサの水平転送レジスタやＣＣＤリニアセンサの転送レジスタ、さらにはＣＣＤ遅延素子の転送レジスタとして用いて好適な電荷転送装置の製造方法及びこうした電荷転送装置を利用した固体撮像装置の製造方法に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
図４は従来のＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）固体撮像装置を説明するための模式的な平面図であり、図５は従来のＣＣＤ固体撮像装置の水平転送レジスタの最終出力段（図４中符合ａで示す領域）を説明するための模式的な断面図である。
【０００３】
従来のＣＣＤ固体撮像装置は、シリコン基板１００内に、マトリクス状に配列された複数の受光部１０１、この受光部に隣接して設けられ、受光部で取り込んだ信号電荷を読み出す読み出しゲート１０２、読み出しゲートに隣接して設けられ、読み出しゲートによって読み出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送レジスタ１０３、垂直転送レジスタにより転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタ１０４及び受光部の読み出しゲートとは逆側に設けられ、混色を抑制するチャネルストップ領域１０５が形成されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
水平転送レジスタに転送された信号電荷は、水平転送レジスタ上の転送電極（Ｈ１，Ｈ２，ＬＨ）に転送クロックを印加することで出力方向へ転送される。具体的には、図５（ａ）中符合Ｈ１で示す転送電極に図６中符合Ｈφ１で示す転送クロックを印加し、図５（ａ）中符号Ｈ２で示す転送電極に図６中符合Ｈφ２で示す転送クロックを印加し、図５（ａ）中符号ＬＨで示す転送電極（以下、「ＬＨ電極」と称する。）に図６中符合ＬＨφで示す転送クロックを印加し（一般的にはＨφ１の振幅／Ｈφ２の振幅は３〜５Ｖ程度であり、Ｈφ１とＨφ２とは逆位相となり、Ｈφ１とＬＨφとは同一の転送クロックとなる。）、水平転送レジスタのポテンシャルを上下させることで、出力方向（図５の場合には右方向から左方向）に信号電荷が転送されることとなる。
水平転送レジスタ内を転送された信号電荷は、フローティング・ディフュージョン（ＦＤ）に転送され、ＦＤに転送された信号電荷は出力回路にて電荷量に応じた電圧に変換された後、リセットゲートＲＧに図６中符合ＲＧφで示すリセットゲート電圧が印加されることでリセットゲートドレインＲＤに掃き捨てられることとなる。
こうした一連の動作を行なうことによって、図６中符合Ｘで示す様な固体撮像装置の出力信号を得ることができる。
【０００５】
以下、上記したＣＣＤ固体撮像装置の転送電極及び読み出しゲートの製造方法について図７〜図９を用いて説明を行なう。
先ず、シリコン基板１００表面にＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により約３０ｎｍ厚の酸化物層１１１を形成し、酸化物層１１１の上層にＬＰＣＶＤ法により約４０ｎｍ厚のＳｉＮ層１１２を形成し、ＳｉＮ層１１２の上層にＬＰＣＶＤ法により約１０ｎｍ厚の酸化物層１１３を形成する。更に、酸化物層１１３の上層にＬＰＣＶＤ法により約２００ｎｍ厚のＰＤＡＳ（リンドープアモルファスシリコン）層１１４を形成し、ＰＤＡＳ層１１４の上層にＡＰＣＶＤ（Ａｔｏｍｏｓｐｈｉｃ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により約１７０ｎｍの酸化物層１１５を形成し、酸化物層１１５の上層にＬＰＣＶＤ法により約２０ｎｍ厚のＳｉＮ層１１６を形成する（図７（ａ）参照。）。
【０００６】
次に、汎用のエッチング技術を用いて、転送電極の形成領域に形成した酸化物層１１５及びＳｉＮ層１１６に開口部１１７を形成する（図７（ｂ）参照。）。続いて、全面にＬＰＣＶＤ法により約１７０ｎｍ厚の酸化物層１１８を形成した後に（図７（ｃ）参照。）、エッチング処理を施してサイドウォール１１９を形成する（図７（ｄ）参照。）。
【０００７】
次に、汎用のエッチング技術を用いて、転送電極の形成領域に形成したＰＤＡＳ層１１４に開口部１２０を形成する（図７（ｅ）参照。）。続いて、全面にＬＰＣＶＤ法により約３０ｎｍ厚の酸化物層１２１を形成し、酸化物層１２１の上層にＬＰＣＶＤ法により約１２５ｎｍ厚のＳｉＮ層１２２を形成する（図８（ｆ）参照。）。次に、汎用のエッチング技術を用いて、酸化物層１１５の上層に形成されたＳｉＮ層１１６、酸化物層１２１及びＳｉＮ層１２２のエッチング除去を行う（図８（ｇ）参照。）。
【０００８】
続いて、汎用のエッチング技術を用いて、読み出しゲートの形成領域に形成したＰＤＡＳ層１１４及び酸化物層１１５に開口部１２３を形成する（図８（ｈ）参照。）。なお、ここでの開口部１２３が受光部に対応する領域（図中符合Ａで示す領域）となる。
【０００９】
次に、全面にＬＰＣＶＤ法により約３０ｎｍ厚の酸化物層１２４を形成し、酸化物層１２４の上層にＬＰＣＶＤ法により約７０ｎｍ厚のＳｉＮ層１２５を形成する（図８（ｉ）参照。）。その後、エッチング処理を施してサイドウォール１２６を形成する（図８（ｊ）参照。）。なお、この時に受光部に対応する領域のＳｉＮ層１１２及び酸化物層１１３についてもエッチング除去を行う。
【００１０】
次に、酸化処理を行なって受光部に対応する領域に約２０ｎｍ厚の酸化物層を形成しなおす。即ち、サイドウォール１２６を形成すると共にＳｉＮ層１１２及び酸化物層１１３の除去を行う上述のエッチング処理の際に受光部に対応する領域に形成された酸化物層１１１についてもエッチングの影響を受けていることが考えられるために、酸化処理を行なって改めて酸化物層を形成するのである（図９（ｋ）参照。）。
【００１１】
次に、受光部に対応する領域の一部にＬＰＣＶＤ法により約３０ｎｍ厚のＳｉＮ層１２７を形成し（図９（ｌ）参照。）、全面にＬＰＣＶＤ法により約４０ｎｍ厚の酸化物層１２８を形成する（図９（ｍ）参照。）。その後、スパッタリング法により受光部に対応する領域に開口部１２９が設けられた約２００ｎｍ厚のタングステン層１３０を形成することによって、転送電極及び読み出しゲートを製造することができる（図９（ｎ）参照。）。
【００１２】
【特許文献１】特願平１０−１４４９０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上記した従来のＣＣＤ固体撮像装置の転送電極及び読み出しゲートの製造方法では、酸化処理を行なって受光部に対応する領域に酸化物層を形成する際に（図９（ｋ）参照。）、転送電極間ギャップが広がってしまう。具体的には、酸化処理前の転送電極間ギャップ（図９（ｊ）中符合ｄ１で示す距離）よりも酸化処理後の転送電極間ギャップ（図９（ｋ）中符合ｄ２で示す距離）が広くなってしまうのである。
そして、転送電極間ギャップが広がると、図１０中符合Ｘで示す様に、水平転送レジスタに局所的に転送パルスが印加され難い領域が形成されることとなり、信号電荷の水平転送が悪化し、充分な転送時間を確保できない場合には信号電荷の水平転送残りが生じて、結果として混色を招くことになってしまう。
【００１４】
更に、酸化処理を行なって受光部に対応する領域に酸化物層を形成する際に、図９（ｋ）中符合ｄ３で示す様に、ＰＤＡＳ層１１４が侵食されてＰＤＡＳ層１１４と酸化物層１１３との接触面積が低減することとなる。ここで、実質的に信号電荷の水平転送に寄与しているＰＤＡＳ層１１４と酸化物層１１３との接触面積が低減すると、転送電極間ギャップが広くなった場合と同様に、水平転送レジスタに局所的に転送パルスが印加され難い領域が形成されることとなり、信号電荷の水平転送が悪化し、充分な転送時間を確保できない場合には信号電荷の水平転送残りが生じて、結果として混色を招くことになってしまう。
【００１５】
即ち、上記した従来のＣＣＤ固体撮像装置の転送電極及び読み出しゲートの製造方法では、酸化処理を行なって受光部に対応する領域に酸化物層を形成する際に、転送電極間ギャップが広がると共にＰＤＡＳ層１１４が侵食されることに起因して信号電荷の水平転送が悪化してしまうのである。
【００１６】
なお、近年はＣＣＤ固体撮像装置の小型化及び多画素化が進んでおり、それに伴って１画素当たりのサイズが小さくなり、結果として転送電極の小型化されているが故に、酸化処理を行なうことによる転送電極間ギャップの広がりやＰＤＡＳ層の侵食は今まで以上に深刻な問題となり得る。
【００１７】
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、信号電荷の転送改善を実現することができる電荷転送装置の製造方法及び固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記の目的を達成するために、本発明に係る電荷転送装置の製造方法では、信号電荷を転送する電荷転送部が形成された半導体基板上に導電体層を形成する工程と、該導電体層にパターニングを行なって、前記電荷転送部に転送パルスを印加する転送電極を形成する工程と、該転送電極を絶縁層で被覆した状態で酸化処理を行なう工程とを備える。
【００１９】
ここで、転送電極を絶縁層で被覆した状態で酸化処理を行なうために、酸化処理の際に転送電極同士の間隙の拡大を抑制することができると共に転送電極の侵食を抑制することができる。
【００２０】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る固体撮像装置の製造方法では、受光部と、該受光部に蓄積された信号電荷を転送する電荷転送部が設けられた半導体基板上に導電体層を形成する工程と、該導電体層にパターニングを行なって、前記受光部から信号電荷を読み出す際に読み出し電圧を印加する読み出し電極を形成すると共に前記電荷転送部に転送パルスを印加する転送電極を形成する工程と、前記読み出し電極及び前記転送電極を絶縁層で被覆する工程と、前記転送電極上に形成した前記絶縁層をマスク材で被覆した状態でエッチング処理を行なって、露出している前記絶縁層を除去すると共に前記転送電極の側面に前記絶縁層から成るサイドウォールを形成する工程と、前記マスク材を除去した後に、前記半導体基板表面に酸化物層を形成する工程とを備える。
【００２１】
ここで、転送電極上に形成した絶縁層をマスク材で被覆した状態でエッチング処理を行なって、露出している絶縁層を除去すると共に転送電極の側面に絶縁層から成るサイドウォールを形成しているために、エッチング処理の際に転送電極上に形成した絶縁層が除去されることはない。そして、転送電極上に形成した絶縁層を残存させた状態で半導体基板表面に酸化物層を形成するために、酸化物層を形成する際に転送電極同士の間隙の拡大を抑制することができると共に転送電極の侵食を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２２】
上記した本発明の電荷転送装置の製造方法及び固体撮像装置の製造方法では、酸化処理の際に転送電極同士の間隙の拡大を抑制することができると共に転送電極の侵食を抑制することができるために、信号電荷の転送残しを低減することができ、信号電荷の転送改善が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
図１〜図３は本発明を適用した固体撮像装置の製造方法の一例であるＣＣＤ固体撮像装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【００２４】
本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置の製造方法では、先ず、シリコン基板表面にＬＰＣＶＤ法により約３０ｎｍ厚の酸化物層１を形成し、酸化物層１の上層にＬＰＣＶＤ法により約４０ｎｍ厚のＳｉＮ層２を形成し、ＳｉＮ層２の上層にＬＰＣＶＤ法により約１０ｎｍ厚の酸化物層３を形成する。更に、酸化物層３の上層にＬＰＣＶＤ法により約２００ｎｍ厚のＰＤＡＳ層４を形成し、ＰＤＡＳ層４の上層にＡＰＣＶＤ法により約１７０ｎｍ厚の酸化物層５を形成し、酸化物層５の上層にＬＰＣＶＤ法により約２０ｎｍ厚のＳｉＮ層６を形成する（図１（ａ）参照。）。
【００２５】
なお、「シリコン基板表面にＬＰＣＶＤ法により約３０ｎｍ厚の酸化物層１を形成し、酸化物層１の上層にＬＰＣＶＤ法により約４０ｎｍ厚のＳｉＮ層２を形成し、ＳｉＮ層２の上層にＬＰＣＶＤ法により約１０ｎｍ厚の酸化物層３を形成し、更に、酸化物層３の上層にＬＰＣＶＤ法により約２００ｎｍ厚のＰＤＡＳ層４を形成する工程」は、「半導体基板上に導電体層を形成する工程」の一例である。
【００２６】
次に、汎用のエッチング技術を用いて、転送電極の形成領域に形成した酸化物層５及びＳｉＮ層６に開口部７を形成する（図１（ｂ）参照。）。続いて、全面にＬＰＣＶＤ法により約１７０ｎｍ厚の酸化物層８を形成した後に（図１（ｃ）参照。）、エッチング処理を施してサイドウォール９を形成する（図１（ｄ）参照。）。
【００２７】
次に、汎用のエッチング技術を用いて、転送電極の形成領域に形成したＰＤＡＳ層４に開口部１０を形成する（図１（ｅ）参照。）。続いて、全面にＬＰＣＶＤ法により約３０ｎｍ厚の酸化物層１１を形成し、酸化物層１１の上層にＬＰＣＶＤ法により約１２５ｎｍ厚のＳｉＮ層１２を形成する（図２（ｆ）参照。）。次に、汎用のエッチング技術を用いて、酸化物層５の上層に形成されたＳｉＮ層６、酸化物層１１及びＳｉＮ層１２のエッチング除去を行う（図２（ｇ）参照。）。
【００２８】
ここで、「転送電極の形成領域に形成したＰＤＡＳ層４に開口部１０を形成する工程」は、「導電体層にパターニングを行なって、電荷転送部に転送パルスを印加する転送電極を形成する工程」の一例である。
【００２９】
続いて、汎用のエッチング技術を用いて、読み出しゲートの形成領域に形成したＰＤＡＳ層４及び酸化物層５に開口部１３を形成する（図２（ｈ）参照。）。なお、ここでの開口部１３が受光部に対応する領域（図中符合Ａで示す領域）となる。
【００３０】
ここで、「読み出しゲートの形成領域に形成したＰＤＡＳ層４及び酸化物層５に開口部１３を形成する工程」は、「導電体層にパターニングを行なって、受光部から信号電荷を読み出す際に読み出し電圧を印加する読み出し電極を形成する工程」の一例である。
【００３１】
次に、全面にＬＰＣＶＤ法により約３０ｎｍ厚の酸化物層１４を形成し、酸化物層１４の上層にＬＰＣＶＤ法により約７０ｎｍ厚のＳｉＮ層１５を形成する。更に、汎用のリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて転送電極の形成領域にフォトレジスト２１を成膜する（図２（ｉ）参照。）。続いて、転送電極の形成領域をフォトレジスト２１で被覆した状態でエッチング処理を施してサイドウォール１６を形成し、その後にフォトレジスト２１を除去する（図２（ｊ）参照。）。なお、この時に受光部に対応する領域のＳｉＮ層２及び酸化物層３についてもエッチング除去を行う。
【００３２】
ここで、「転送電極の形成領域をフォトレジスト２１で被覆した状態でエッチング処理を施してサイドウォール１６を形成する工程」は、「転送電極上に形成した絶縁層をマスク材で被覆した状態でエッチング処理を行なって、露出している絶縁層を除去すると共に転送電極の側面に絶縁層から成るサイドウォールを形成する工程」の一例である。
【００３３】
なお、本実施例では、転送電極の形成領域のＳｉＮ層１５の上にフォトレジスト２１を成膜し、フォトレジストをエッチングマスクとして機能させることで、サイドウォールを形成するためのエッチングを施した後にも転送電極の形成領域のＳｉＮ層１５が残存する場合を例に挙げて説明を行なっているが、後述する酸化処理の際に転送電極の形成領域が何らかのマスク材で被覆されていれば充分であり、必ずしもＳｉＮ層１５で被覆されている必要は無く、後述する酸化処理の前に転送電極の形成領域に絶縁材料から成るマスク材を形成しても良い。但し、サイドウォールを形成するにあたってＳｉＮ層１５を全面に形成するために、このＳｉＮ層１５をマスク材として機能させる方が工数低減等の観点からは好ましいと考えられる。
【００３４】
次に、酸化処理を行なって受光部に対応する領域に約２０ｎｍ厚の酸化物層を形成しなおす。即ち、上記した従来のＣＣＤ固体撮像装置の製造方法の場合と同様に、サイドウォール１６を形成すると共にＳｉＮ層２及び酸化物層３の除去を行う上述のエッチング処理の際に受光部に対応する領域に形成された酸化物層１についてもエッチングの影響を受けていることが考えられるために、酸化処理を行なって改めて酸化物層を形成するのである（図３（ｋ）参照。）。
【００３５】
ここで、「酸化処理を行なって受光部に対応する領域に約２０ｎｍの酸化物層を形成しなおす工程」は、「転送電極を絶縁層で被覆した状態で酸化処理を行なう工程」の一例であり、「マスク材を除去した後に、半導体基板表面に酸化物層を形成する工程」の一例でもある。
【００３６】
続いて、受光部に対応する領域の一部にＬＰＣＶＤ法により約３０ｎｍ厚のＳｉＮ層１７を形成し（図３（ｌ）参照。）、ＬＰＣＶＤ法により約４０ｎｍ厚の酸化物層１８を形成する（図３（ｍ）参照。）。その後、スパッタリング法により受光部に対応する領域に開口部１９が設けられた約２００ｎｍ厚のタングステン層２０を形成することによって、転送電極及び読み出しゲートを製造することができる（図３（ｎ）参照。）。
【００３７】
ここで、ＳｉＮ層１５は受光部に対応する領域に酸化物層を形成するための酸化処理時に転送電極を被覆して、転送電極間ギャップが広がることやＰＤＡＳ層が侵食することを抑制すれば充分であり、酸化処理後には転送電極上から除去されても良い。但し、転送電極上にＳｉＮ層１５が残存したとしても、特段の悪影響を及ぼさないと考えられるために、工数削減の観点からも本実施例ではＳｉＮ層１５は特に除去は行っていない。
【００３８】
また、本実施例では、ＣＣＤエリアセンサの水平転送レジスタの製造方法を例に挙げて説明を行ったが、本発明は必ずしもＣＣＤエリアセンサの水平転送レジスタに適用しなければならないというものではなく、ＣＣＤリニアセンサの転送レジスタやＣＣＤ遅延素子の転送レジスタについても用いることが可能である。
【００３９】
上記した本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置の製造方法では、読み出しゲートのサイドウォールを形成する際に、転送電極の形成領域をフォトレジストで被覆した状態でエッチング処理を施しているために、エッチング処理を施した後にも転送電極の形成領域にＳｉＮ層が残存する。ここで、転送電極の形成領域をＳｉＮ層によって被覆した状態で酸化処理を施しているために、酸化処理を行なったとしても転送電極間ギャップが広がることは無く、また、ＰＤＡＳ層が侵食されることも無い。そして、転送電極間ギャップが広がることが無く、また、ＰＤＡＳ層が侵食されることが無いために、水平転送レジスタに局所的に転送パルスが印加され難い。結果として信号電荷の水平転送が悪化することがなく、信号電荷の転送改善を実現することができる。
【００４０】
また、本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置の製造方法では、読み出しゲートのサイドウォールを形成する前段階で、転送電極の形成領域をフォトレジストで被覆するのみで信号電荷の転送改善を実現することができ、即ち、パターン化されたフォトレジストの成膜の必要はあるものの従来の製造方法と略同じ工数によって信号電荷の転送改善を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明を適用した固体撮像装置の製造方法の一例であるＣＣＤ固体撮像装置の製造方法を説明するための模式的な断面図（１）である。
【図２】本発明を適用した固体撮像装置の製造方法の一例であるＣＣＤ固体撮像装置の製造方法を説明するための模式的な断面図（２）である。
【図３】本発明を適用した固体撮像装置の製造方法の一例であるＣＣＤ固体撮像装置の製造方法を説明するための模式的な断面図（３）である。
【図４】従来のＣＣＤ固体撮像装置を説明するための模式的な平面図である。
【図５】従来のＣＣＤ固体撮像装置の水平転送レジスタの最終出力段を説明するための模式的な断面図である。
【図６】各転送クロックを説明するための模式図である。
【図７】従来のＣＣＤ固体撮像装置の転送電極及び読み出しゲートの製造方法を説明するための模式図（１）である。
【図８】従来のＣＣＤ固体撮像装置の転送電極及び読み出しゲートの製造方法を説明するための模式図（２）である。
【図９】従来のＣＣＤ固体撮像装置の転送電極及び読み出しゲートの製造方法を説明するための模式図（３）である。
【図１０】転送電極間ギャップが広がった場合の転送パルスの印加を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００４２】
１    酸化物層
２    ＳｉＮ層
３    酸化物層
４    ＰＤＡＳ層
５    酸化物層
６    ＳｉＮ層
７    開口部
８    酸化物層
９    サイドウォール
１０    開口部
１１    酸化物層
１２    ＳｉＮ層
１３    開口部
１４    酸化物層
１５    ＳｉＮ層
１６    サイドウォール
１７    ＳｉＮ層
１８    酸化物層
１９    開口部
２０    タングステン層
２１    フォトレジスト
【図１】
2008270526.tif 000003
【図２】
2008270526.tif 000004
【図３】
2008270526.tif 000005
【図４】
2008270526.tif 000006
【図５】
2008270526.tif 000007
【図６】
2008270526.tif 000008
【図７】
2008270526.tif 000009
【図８】
2008270526.tif 000010
【図９】
2008270526.tif 000011
【図１０】
2008270526.tif 000012