(57)【要約】【課題】不良が発生する前に不良の発生を予測できる電子機器の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板の表面上に形成された複数の電極に、チップの複数のバンプを異方性導電膜を介してそれぞれ圧着することにより、ガラス基板にチップを実装して、ＬＣＤを作製する（ステップＳ１、Ｓ２）。次に、ＬＣＤをチップが実装されたガラス基板の非実装面側から撮像して電極の画像を取得し、この電極の画像を使用して、各電極について異方性導電膜中の導電性粒子に押圧されて形成された圧痕の個数を計測する（ステップＳ４）。次に、ガラス基板全体について、電極毎の圧痕数の平均値及び標準偏差を算出する（ステップＳ６）。次に、この平均値及び標準偏差に基づいて、電極毎の圧痕数が基準値未満となる確率を算出する（ステップＳ７）。そして、この確率が所定値以上である場合に、警報を発信する（ステップＳ８、Ｓ９）。【選択図】図１
2008232754.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板の表面上に形成された複数の電極に電子部品の複数の端子を異方性導電膜を介してそれぞれ圧着することにより、前記透明基板に前記電子部品を実装する工程と、
前記電子部品が実装された透明基板を裏面側から撮像して前記電極の画像を取得する工程と、
前記電極の画像を使用して、前記電極のそれぞれについて前記異方性導電膜中の導電性粒子に押圧されて形成された圧痕の個数を計測する工程と、
前記透明基板全体について、前記電極毎の圧痕数の平均値及び標準偏差を算出する工程と、
前記平均値及び前記標準偏差に基づいて、前記電極毎の圧痕数が基準値未満となる確率を算出する工程と、
を備えたことを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項２】
前記電極の画像を取得する工程は、
前記電子部品が実装された透明基板を裏面側から見た光学像を微分干渉顕微鏡によって形成し、前記光学像を撮像装置によって撮像することにより、前記電子部品が実装された透明基板の画像を取得する工程と、
前記画像に前記電極の形状を表すデータをマッチングさせて、前記画像における前記電極に相当する領域を検出する工程と、
を有し、
前記圧痕の個数を計測する工程は、
前記電極に相当する領域に前記圧痕の参照画像をマッチングさせて圧痕候補領域を抽出する工程と、
前記圧痕候補領域のうち、前記圧痕候補領域内における濃淡値の差が設定値以上であるものを圧痕領域として抽出する工程と、
前記電極に相当する領域のそれぞれにおける前記圧痕領域の個数をカウントする工程と、
を有することを特徴とする請求項１記載の電子機器の製造方法。
【請求項３】
前記透明基板全体における前記電極毎の圧痕数の分布が正規分布に従っているか否かを検定する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の電子機器の製造方法。
【請求項４】
前記確率が所定値以上である場合に警報を発信する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の電子機器の製造方法。
【請求項５】
前記電子機器の製造因子毎に前記電極毎の圧痕数の平均値及び標準偏差を算出する工程と、
前記製造因子毎に算出した平均値及び標準偏差に基づいて、前記電極毎の圧痕数が前記基準値未満となる確率を算出する工程と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の電子機器の製造方法。
【請求項６】
前記製造因子は、前記電子部品の種類、前記透明基板の種類、又は前記電子部品の実装に用いた装置であることを特徴とする請求項５記載の電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器の製造方法に関し、特に、透明基板に異方性導電膜を介して電子部品が実装された電子機器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）を製造する際には、２枚のガラス基板を液晶層を介して貼り合わせた後、一方のガラス基板の非表示領域に、ＬＣＤの駆動回路が形成されたチップを実装して、ＬＣＤを作製している。そして、このチップの実装は、ガラス基板の表面に形成された電極に、異方性導電膜（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）を介してチップのバンプを圧着することにより行っている。異方性導電膜とは、熱硬化性樹脂膜中に多数の導電性粒子を分散させたものであり、膜厚方向に加圧することにより導電性粒子が相互に接触して膜厚方向には導電性を実現するが、膜面方向には導電性粒子間に樹脂が介在して絶縁性を保持するものである。ガラス基板上に形成された電極とチップのバンプとを異方性導電膜を介して接続することにより、微細な周期で配列された電極及びバンプを、隣の電極又はバンプと短絡させることなく相互に接続することができる。
【０００３】
このとき、チップがガラス基板に良好に実装されているか否かは、ガラス基板の裏面側から電極を観察することによって検査することができる。すなわち、ガラス基板の電極にチップのバンプが異方性導電膜を介して圧接されると、電極に異方性導電膜の導電性粒子が押し付けられることにより、電極の裏面、すなわち、ガラス基板に接している面に、微小な凸状部が圧痕として形成される。そこで、電極の裏面を微分干渉顕微鏡で観察することにより、この圧痕を検出する。そして、電極毎に圧痕数をカウントし、圧痕数が基準値未満となった電極を、接続不良と判定することができる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
しかしながら、上述の従来の方法では、実際に接続不良となった電極を発見することはできるものの、接続不良が発生する前に、その発生を予測することは不可能である。そして、電極の接続不良が実際に発生すると、この電極が形成されたＬＣＤはリペア工程に送らざるを得なくなり、追加のコストが発生してしまう。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２２７２１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、不良が発生する前に不良の発生を予測できる電子機器の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、透明基板の表面上に形成された複数の電極に電子部品の複数の端子を異方性導電膜を介してそれぞれ圧着することにより、前記透明基板に前記電子部品を実装する工程と、前記電子部品が実装された透明基板を裏面側から撮像して前記電極の画像を取得する工程と、前記電極の画像を使用して、前記電極のそれぞれについて前記異方性導電膜中の導電性粒子に押圧されて形成された圧痕の個数を計測する工程と、前記透明基板全体について、前記電極毎の圧痕数の平均値及び標準偏差を算出する工程と、前記平均値及び前記標準偏差に基づいて、前記電極毎の圧痕数が基準値未満となる確率を算出する工程と、を備えたことを特徴とする電子機器の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、不良が発生する前に不良の発生を予測できる電子機器の製造方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。  
先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。  
本実施形態においては、電子機器としてＬＣＤを製造する例を説明する。  
先ず、本実施形態において使用する製造設備について説明する。  
図１は、本実施形態における製造ラインを例示する図であり、  
図２は、図１に示す圧痕検査装置を例示する正面図である。
【００１０】
図１に示すように、本実施形態において使用するＬＣＤの製造ライン１においては、実装機２、圧痕検査装置３及び搬送手段４が設けられている。実装機２は、透明基板としての２枚のガラス基板が液晶層を介して貼り合わされた液晶パネルのうち、一方のガラス基板２１に、異方性導電膜２２を介して電子部品としてのチップ２３を実装して、ＬＣＤ２４を作製する。また、圧痕検査装置３は、実装機２によって作製されたＬＣＤ２４において、チップ２３がガラス基板２１に良好に実装されているか否かを検査する。更に、搬送手段４は、ＬＣＤ２４を実装機２から圧痕検査装置３まで搬送する。なお、図１においては、チップ２３が実装されない方のガラス基板及び液晶層は、図示を省略されている。
【００１１】
図２に示すように、圧痕検査装置３においては、検査台１１が設けられており、検査台１１上には、ＸＹステージ１２が設けられている。ＸＹステージ１２は、検査対象物であるＬＣＤ２４が載置され、このＬＣＤ２４を相互に直交する２方向に独立に移動させて、水平面上の一定領域内における任意の位置に位置させる。
【００１２】
ＸＹステージ１２の上方には、微分干渉顕微鏡１３が設けられている。微分干渉顕微鏡１３には光源（図示せず）が設けられており、この光源が白色光を出射する。そして、微分干渉顕微鏡１３の光学系が、この白色光を僅かに横ずれした２つの平行光に分離し、これらの平行光をＸＹステージ１２上に載置されたＬＣＤ２４に対して照射する。そして、ＬＣＤ２４によって反射された光を相互に干渉させることにより、検査対象面の微小な凹凸を濃淡差（コントラスト差）に変換した像を形成する。
【００１３】
微分干渉顕微鏡１３には、撮像装置としてＣＣＤ（Charge-Coupled Device：電荷結合素子）カメラ１４が取り付けられている。ＣＣＤカメラ１４は、微分干渉顕微鏡１３によって形成された像を撮像して、画像を取得する。
【００１４】
また、微分干渉顕微鏡１３には、クリーニング装置１５が取り付けられている。クリーニング装置１５は、ガラス基板２１の裏面に付着した汚れ又はゴミなどの異物を除去するものである。クリーニング装置１５は、例えば、回転及び平行移動するブラシ、又は、エアを吐出若しくは吸引するノズルなどによって構成されている。ＸＹステージ１２、微分干渉顕微鏡１３、ＣＣＤカメラ１４及びクリーニング装置１５は、検査台１１上の設けられたカバー１６内に収納されている。
【００１５】
一方、検査台１１の下部には、制御装置１７が収納されている。制御装置１７は、ＸＹステージ１２、微分干渉顕微鏡１３、ＣＣＤカメラ１４及びクリーニング装置１５の動作を制御すると共に、ＣＣＤカメラ１４が取得した画像が入力され、この画像を記憶し、この画像に対して後述する画像処理を施し、更に後述する統計処理を行って、ＬＣＤ２４の実装状態を評価するものである。
【００１６】
制御装置１７には、ＣＣＤカメラ１４から入力された画像、この画像に対して画像処理を施した後の画像、上述の統計処理によって得られた数値などのデータを一時的に記憶するＲＡＭ（Random Access Memory：ランダムアクセスメモリ）、前述の画像処理及び統計処理を実行するための各種のプログラム及び固定データなどが記憶されたＨＤＤ（Hard Disk Drive：ハードディスクドライブ）、ＨＤＤに記憶されたプログラム及び固定データを用いてＲＡＭに記憶されたデータに対して上述の画像処理及び統計処理を行うＣＰＵ（Central Processing Unit：中央処理装置）、並びに、入力されたデータの一部及びＣＰＵによる演算結果を検査対象物であるＬＣＤ２４と関連付けて記録する記録部が設けられている。ＨＤＤに記憶されたプログラム及び固定データの具体的な内容については、後述する。
【００１７】
また、検査台１１上には、端末装置１８が設けられている。端末装置１８は、制御装置１７から出力されたデータを表示すると共に、制御装置１７に対して命令などを入力するものである。
【００１８】
次に、本実施形態に係るＬＣＤの製造方法について説明する。  
図３は、本実施形態において製造するＬＣＤを例示する断面図であり、  
図４は、本実施形態に係るＬＣＤの製造方法を例示するフローチャート図であり、  
図５は、本実施形態におけるＬＣＤの検査方法を例示するフローチャート図であり、
図６（ａ）乃至（ｅ）は、検査の各段階における画像を例示する図であり、  
図７は、横軸に電極毎の圧痕数をとり、縦軸に電極数をとって、電極毎の圧痕数の分布を例示するグラフ図であり、  
図８は、図７の一部拡大図である。
【００１９】
先ず、図３に示すように、液晶パネル、異方性導電膜２２及びチップ２３を準備する。液晶パネルは、２枚のガラス基板が液晶層（図示せず）を介して貼り合わされたものであり、一方のガラス基板２１の表面２１ａには、金属膜からなる複数の電極２５が形成されている。異方性導電膜２２においては、絶縁性、接着性及び熱硬化性を有する樹脂２２ａからなる膜中に、導電性粒子２２ｂが分散されている。異方性導電膜２２の膜厚は、例えば２０乃至３０ミクロン（μｍ）程度であり、導電性粒子２２ｂの直径は、例えば、３乃至４ミクロン程度である。チップ２３においては、端子としてバンプ２６が形成されている。なお、チップ２３の端子はバンプには限定されず、例えば、リードフレームでもよい。
【００２０】
一例では、液晶パネルにおいては、１枚のガラス基板２１に８乃至１０個のチップ２３が実装され、各チップ２３には２００乃至３００個のバンプ２６が形成されている。また、電極２５とバンプ２６とは１対１で接続される。従って、１枚のガラス基板２１に形成されている電極２５の数は、１６００乃至３０００個程度である。なお、図３においては、図を見易くするために、電極２５、チップ２３、バンプ２６は、それぞれ１個のみ図示されている。
【００２１】
そして、図４のステップＳ１に示すように、製造ライン１の実装機２が、ガラス基板２１の表面２１ａ上に電極２５を覆うように異方性導電膜２２を配置し、その上にチップ２３を配置する。このとき、実装機２は、チップ２３のバンプ２６がこのバンプ２６に接続される予定の電極２５の直上に位置するように、チップ２３を位置決めする。
【００２２】
次に、ステップＳ２に示すように、実装機２の圧着ツール（図示せず）が、チップ２３を加熱しながらガラス基板２１に向けて押圧する。これにより、バンプ２６と電極２５によって異方性導電膜２２がその膜厚方向に挟圧され、導電性粒子２２ｂがバンプ２６及び電極２５に接触する。また、樹脂２２ａがバンプ２６及び電極２５に接着されると共に熱硬化する。この結果、異方性導電膜２２によってバンプ２６が電極２５に熱圧着され、接着されると共に接続される。このとき、異方性導電膜２２における電極２５とバンプ２６によって挟まれた部分の膜厚は、例えば、２０乃至３０ミクロンとなる。これにより、チップ２３がガラス基板２１に実装されて、ＬＣＤ２４が作製される。
【００２３】
このとき、導電性粒子２２ｂが電極２５に押し付けられることにより、電極２５の裏面、すなわち、ガラス基板２１側の面に、微小な凸状の圧痕２７を形成する。圧痕２７は、電極２５に押し付けられた導電性粒子２２ｂの数だけ形成され、その高さは、例えば、数十ナノメートル程度である。なお、通常、電極２５の裏面には、圧痕２７以外の凸部２８も存在する。圧痕以外の凸部としては、例えば、異物及びバンプ２６の凹凸に起因するものなどがある。以下、圧痕２７と凸部２８とを総称して凸状部２９という。
【００２４】
次に、ステップＳ３に示すように、搬送手段４がＬＣＤ２４を圧痕検査装置３に搬送する。このとき、搬送手段４は、ＬＣＤ２４を、チップ２３が実装されたガラス基板２１が上側、すなわち、微分干渉顕微鏡１３側に配置され、このガラス基板２１におけるチップ２３の実装面（表面２１ａ）が下向きになるように、ＸＹステージ１２上に載置する。そして、ＸＹステージ１２が、ＬＣＤ２４を微分干渉顕微鏡１３の観察位置まで搬送する。これにより、検査対象物であるＬＣＤ２４が、検査位置まで搬送される。
【００２５】
次に、ステップＳ４に示すように、圧痕検査装置３がＬＣＤ２４の実装状態を検査する。このとき、各電極２５について圧痕２７の個数を計測する。以下、この検査方法をより詳細に説明する。
【００２６】
先ず、図５のステップＳ４１に示すように、検査対象物であるＬＣＤ２４が検査位置、すなわち、微分干渉顕微鏡１３の観察位置まで搬送されたか否かを判断する。ＬＣＤ２４が検査位置に搬送されていなければ、ＸＹステージ１２を駆動してＬＣＤ２４の位置を調整し、再び、ＬＣＤ２４が検査位置に搬送されたか否かを判断する。ＬＣＤ２４が検査位置に搬送されていれば、ステップＳ４２に進む。
【００２７】
次に、ステップＳ４２及び図６（ａ）に示すように、ＬＣＤ２４の撮像を行う。すなわち、ＬＣＤ２４をチップ２３が実装されたガラス基板２１の非実装面側から見た光学像を微分干渉顕微鏡１３によって形成し、この光学像をＣＣＤカメラ１４によって撮像して、制御装置１７のＲＡＭに記憶する。これにより、ＬＣＤ２４の画像３１を取得する。なお、このとき、ガラス基板２１の裏面に汚れ又はゴミなどの異物が付着していれば、クリーニング装置１５がこの異物を除去する。
【００２８】
図６（ａ）に示すように、この画像３１には、電極２５の裏面が現れており、微分干渉顕微鏡１３の作用によって電極２５の裏面の凹凸が濃淡差に変換されることにより、凸状部２９が現れている。なお、この段階では、凸状部２９を導電性粒子２２ｂに起因する圧痕２７と導電性粒子２２ｂに起因しない凸部２８とに区別することはできない。
【００２９】
次に、ステップＳ４３及び図６（ｂ）に示すように、制御部１７のＣＰＵがＨＤＤに記憶されているマッチングプログラムを起動する。そして、ＨＤＤに記憶されている電極２５の形状を表すデータを、画像３１に対してパターンマッチングさせて、画像３１内における電極２５に相当する領域３２を検出する。これにより、電極位置が検出される。なお、電極２５の形状を表すデータは、例えば、ガラス基板２１のＣＡＤ（Computer Aided Design ：コンピュータ支援設計）データに基づいて作成されたものである。
【００３０】
次に、ステップＳ４４及び図６（ｃ）に示すように、制御部１７のＣＰＵがＨＤＤに記憶されている微分フィルタリングプログラムを起動して、領域３２に対して微分フィルタ処理を施す。これにより、電極２５の裏面の凹凸が強調され、凸状部２９が鮮明に表示される。
【００３１】
次に、ステップＳ４５及び図６（ｄ）に示すように、制御部１７のＣＰＵがＨＤＤに記憶されているマッチングプログラムを起動して、圧痕２７の参照画像である圧痕モデルを凸状部２９にパターンマッチングさせる。なお、圧痕モデルは、実際の圧痕を撮像した複数の画像を重ね合わせることにより作成されたものである。そして、凸状部２９に相当する領域のうち、マッチング率が所定値以上である領域を圧痕候補領域３３として抽出する。図６（ｄ）に示すように、画像３１においては、圧痕候補領域３３は、例えば、対象となる凸状部２９を囲む正方形の枠として表示される。
【００３２】
次に、ステップＳ４６及び図６（ｅ）に示すように、各圧痕候補領域３３について、圧痕候補領域３３内における濃淡値の最大値と最小値との差を求め、この差が設定値以上である場合は、この圧痕候補領域３３は圧痕２７を表す圧痕領域３４であると判定し、濃淡値の差が設定値未満である場合は、この圧痕候補領域３３は圧痕領域３４でないと判定する。この場合、この圧痕領域３４でない圧痕候補領域３３は、圧痕２７以外の凸部２８を表す領域ということになる。
【００３３】
次に、ステップＳ４７に示すように、制御部１７のＣＰＵがＨＤＤに記憶されているカウントプログラムを起動して、領域３２内における圧痕領域３４の個数をカウントする。このカウントされた個数が、この領域３２に相当する電極２５に発生した圧痕２７の個数となる。そして、このカウントされた圧痕２７の個数、すなわち、電極毎の圧痕数は、制御装置１７の記録部に記録される。
【００３４】
次に、ステップＳ４８に示すように、各電極２５について接続状態を評価する。具体的には、ある電極２５の圧痕数が基準値以上であれば、この電極２５には十分な数の導電性粒子２２ｂが圧着されており、接続状態は「良」であると判定する。一方、圧痕数が基準値未満であれば、導電性粒子２２ｂの圧着が不十分であり、接続状態は「不良」である判定する。一例では、基準値は４とする。従って、圧痕数が４以上の電極は「良」であり、３以下の電極は「不良」である。
【００３５】
そして、ガラス基板２１に形成された全ての電極２５の接続状態が「良」であれば、このＬＣＤ２４の実装状態は「良」であると判定し、接続状態が「不良」である電極２５が１つでもあれば、このＬＣＤ２４の実装状態は「不良」であると判定する。これにより、図４のステップＳ４に示すＬＣＤ２４の実装状態の検査が終了する。実装状態が「良」であると判定されたＬＣＤ２４は、完成品として出荷される。一方、実装状態が「不良」であると判定されたＬＣＤ２４は、リペア工程に搬送される。
【００３６】
次に、図４のステップＳ５に示すように、ガラス基板２１全体について、電極毎の圧痕数の分布の正規分布性を検定する。正規性の検定については、アンダーソン−ダーリング（Anderson-Darling）、ライアン−ジョイナー（Ryan-Joiner）、コルモゴロフ−スミルノフ（Kolmogorov-Smirnov）などの方法が提案されている。この方法により、あらかじめ設定した有意水準における圧痕数分布の正規性を検定することができる。
【００３７】
このとき、ガラス基板、異方性導電膜及びチップなどの部材が正常であり、実装機２などの実装装置も正常であり、圧着ツールの平行度、加圧時の温度及び加圧力などのプロセス条件も正常であれば、図７に示すように、電極毎の圧痕数の分布は略正規分布に従う。一方、検定の結果、正規性が棄却された場合には、部材、実装装置又はプロセス条件に何らかの異常が発生していると判断することができる。
【００３８】
そして、電極毎の圧痕数の分布について正規性が肯定された場合には、図４のステップＳ６に進み、制御装置１７のＣＰＵが、ガラス基板２１全体について、電極毎の圧痕数の平均値及び標準偏差を算出する。
【００３９】
次に、ステップＳ７に示すように、制御装置１７のＣＰＵが、ステップＳ６において算出した平均値及び標準偏差を使用して正規分布曲線３５を作成し、電極毎の圧痕数が基準値未満となる確率Ｐを算出する。この確率Ｐは制御装置１７の記録部に記憶する。
【００４０】
次に、ステップＳ８に示すように、確率Ｐが所定値、例えば、１×１０−４乃至１×１０−６の範囲にある値、以上であるか否かを判定する。そして、確率Ｐが所定値以上である場合には、ステップＳ９に進み、警報を発信する。この警報は、例えば、端末装置１８のディスプレイに表示される。また、これと共に、ＬＡＮ（Local Area Network：構内通信網）などを介して、警報を工程管理者に送信してもよい。これにより、ＬＣＤの製造工程が終了する。
【００４１】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。  
本実施形態においては、ＬＣＤ全体について電極毎の圧痕数を計測し、その平均値及び標準偏差を求め、これに基づいて、電極毎の圧痕数が基準値未満となる確率Ｐを算出している。これにより、圧痕数が基準値未満である電極、すなわち、接続状態が不良である電極が実際に発生しなくても、確率Ｐの値を監視することにより、電極の接続状態を定量的に把握することができる。この結果、チップの実装工程において、不良が発生する前に不良の発生を予測することができる。
【００４２】
例えば、ＬＣＤの製造プロセスにおいて、ガラス基板２１、異方性導電膜２２及びチップ２３などの部材、実装機２などの実装装置、実装機２における圧着ツールの平行度、加圧時の温度及び加圧力などのプロセス条件に異常が発生した場合には、電極の接続状態が悪化する。また、部材、実装装置又はプロセス条件などを変更した場合に、電極の接続状態が悪化しないかどうかを確認したい場合もある。このため、電極の接続状態の変化を継続的に把握することは、実装工程の管理上、極めて有益である。
【００４３】
しかしながら、従来の技術では、接続不良となった電極の発生によってしか、電極の接続状態を評価することができなかった。すなわち、１つ以上の電極が接続不良となったときに初めて、接続状態が悪化したことを検知することができた。ところが、上述の如く、通常、確率Ｐの値は例えば１×１０−４乃至１×１０−６以下であり、極めて小さい。このため、１枚のガラス基板２１に数千個の電極２５が形成されていても、１枚のガラス基板２１を検査したときに、接続不良と判定される電極２５が出現することは稀である。例えば、圧痕数の基準値が４である場合には、圧痕数が３以下である電極が不良と判定されるが、図８に示す例では、これに該当する電極の数（度数）は０である。また、接続不良の電極が少数発生しても、それが偶然によるものか何らかの原因によるものかの判定が難しい。
【００４４】
このため、統計的に有意なデータを得るためには、相当数のＬＣＤ２４を作製する必要があるが、実際に接続不良となる電極が発生したときには、異常の状況はかなり悪化していることが多い。従って、従来の技術では、異常の発生に対する対策が遅れてしまう。また、電極の接続不良が発生すると、リペアのためのコストが発生する。
【００４５】
これに対して、本実施形態によれば、実際に電極の接続不良が発生しなくても、上述の統計処理を行うことによって、確率Ｐの値を求めることができる。これにより、実際に接続不良となる電極が出現する程度まで接続状態が悪化していなくても、接続状態を定量的に評価することができる。この結果、実装工程の管理を正確に行うことが可能となる。そして、確率Ｐの値が所定値以上となったときには、警報を発信することにより、工程管理者の注意を喚起し、早期に対策を講じさせることができる。
【００４６】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。  
図９（ａ）乃至（ｆ）は、横軸にＬＣＤの製造日時をとり、縦軸に電極毎の圧痕数が基準値未満となる確率Ｐをとって、電極の接続状態の変化を例示するグラフ図であり、（ａ）及び（ｂ）はチップの種類毎に集計した場合を示し、（ｃ）及び（ｄ）はガラス基板の種類毎に集計した場合を示し、（ｅ）及び（ｆ）は使用した圧着ツール毎に集計した場合を示す。なお、図中に示す値Ｐ０は、警報を発信する際の基準となる所定値である。また、図中のプロットは、本実施形態の解析例を定性的に説明するための仮想データである。
【００４７】
本実施形態において使用する圧痕検査装置においては、図２に示す圧痕検査装置の構成に加えて、品質解析用のコンピュータが設けられている。この品質解析用のコンピュータは、制御装置１７に接続されており、各電極の圧痕数が、そのＬＣＤの製造日時、ガラス基板の種類、チップの種類及びこのチップの圧着に使用した圧着ツールなどのデータに関連付けて記憶される。
【００４８】
そして、この品質解析用のコンピュータは、例えば、実装したチップの種類毎に電極毎の圧痕数の平均値及び標準偏差を算出し、これに基づいて、チップの種類毎に確率Ｐを求める。そして、この結果を図９（ａ）及び（ｂ）のようなグラフにまとめ、可視化する。例えば図９（ａ）及び（ｂ）に示す例では、種類Ａのチップに接続されている電極では、確率Ｐは低い値を維持しており、接続状態は良好であるが、種類Ｂのチップに接続されている電極では、確率Ｐの値は増加しており、接続状態は悪化している。この結果から、種類Ｂのチップに異常が発生している可能性が高いことがわかる。また、近い将来、接続不良となる電極が発生する可能性も高いことがわかる。
【００４９】
また、品質解析用のコンピュータは、ガラス基板の種類毎にも、電極毎の圧痕数の平均値及び標準偏差を算出し、確率Ｐを求める。例えば図９（ｃ）及び（ｄ）に示す例では、種類Ｓのガラス基板についての確率Ｐと、種類Ｔのガラス基板についての確率Ｐとは、共に同程度の値となっている。この結果から、ガラス基板に異常が発生している可能性は低いことがわかる。
【００５０】
更に、品質解析用のコンピュータは、圧着ツール毎にも、電極毎の圧痕数の平均値及び標準偏差を算出し、確率Ｐを求める。例えば図９（ｅ）及び（ｆ）に示す例では、圧着ツールαを使用してチップのバンプに接続された電極では、確率Ｐは低い値を維持しており、接続状態は良好であるが、圧着ツールβを使用してチップのバンプに接続された電極では、確率Ｐはある時点から不連続的に増加している。この結果から、この時点において、圧着ツールβに不具合が発生したことが推定される。
【００５１】
このように、本実施形態によれば、部材、実装装置又はプロセス条件等の因子毎に、電極毎の圧痕数の平均値及び標準偏差を求め、因子毎に確率Ｐを算出することにより、接続状態が悪化したときに、その原因の推定をサポートすることができる。この結果、原因の推定を迅速化することができ、早期に対策を講じることができる。また、実装工程の管理を標準化し、工程管理者の個人的な能力に依存することが少なくなる。本実施形態における上記以外の作用効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００５２】
なお、上述の例では、チップの種類毎、ガラス基板の種類毎、及び使用した圧着ツール毎に確率Ｐを求めたが、本実施形態はこれに限定されず、他の因子によってデータを分析してもよい。例えば、製造するＬＣＤの品種毎に電極毎の圧痕数の平均値及び標準偏差を算出し、確率Ｐを求めてもよい。また、上述の例では、確率Ｐの時間的な変化をグラフ化して表示する例を示したが、本実施形態はこれに限定されず、表示方法は任意である。
【００５３】
以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、工程の追加、削除、条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。また、前述の各実施形態においては、透明電極としてガラス基板を使用し、電子部品としてチップを使用して、電子機器としてのＬＣＤを製造する例を示したが、本発明はこれに限定されない。本発明は、透明基板に異方性導電膜を介して電子部品を実装することによって電子機器を製造する方法であれば、どのような方法にも適用することができる。特に、ＣＯＧ（Chip On Glass）の技術を用いた電子機器の製造方法に、好適に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の第１の実施形態における製造ラインを例示する図である。
【図２】図１に示す圧痕検査装置を例示する正面図である。
【図３】本実施形態において製造するＬＣＤを例示する断面図である。
【図４】本実施形態に係るＬＣＤの製造方法を例示するフローチャート図である。
【図５】本実施形態におけるＬＣＤの検査方法を例示するフローチャート図である。
【図６】（ａ）乃至（ｅ）は、検査の各段階における画像を例示する図である。
【図７】横軸に電極毎の圧痕数をとり、縦軸に電極数をとって、電極毎の圧痕数の分布を例示するグラフ図である。
【図８】図７の一部拡大図である。
【図９】（ａ）乃至（ｆ）は、横軸にＬＣＤの製造日時をとり、縦軸に電極毎の圧痕数が基準値未満となる確率Ｐをとって、電極の接続状態の変化を例示するグラフ図であり、（ａ）及び（ｂ）はチップの種類毎に集計した場合を示し、（ｃ）及び（ｄ）はガラス基板の種類毎に集計した場合を示し、（ｅ）及び（ｆ）は使用した圧着ツール毎に集計した場合を示す。
【符号の説明】
【００５５】
１  製造ライン、２  実装機、３  圧痕検査装置、４  搬送手段、１１  検査台、１２  ＸＹステージ、１３  微分干渉顕微鏡、１４  ＣＣＤカメラ、１５  クリーニング装置、１６  カバー、１７  制御装置、１８  端末装置、２１  ガラス基板、２１ａ  表面、２２  異方性導電膜、２２ａ  樹脂、２２ｂ  導電性粒子、２３  チップ、２４  ＬＣＤ、２５  電極、２６  バンプ、２７  圧痕、２８  凸部、２９  凸状部、３１  画像、３２  領域、３３  圧痕候補領域、３４  圧痕領域、３５  正規分布曲線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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