(57)【要約】【課題】簡単な方法で被転写層を転写先基板に転写することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、第１基板（転写元基板）上に配置された被転写層１２と水溶性の材料からなる第２基板（第１転写先基板２０）とを水溶性接着剤（接着剤層２３）を用いて接着する工程と、被転写層１２を前記第１基板から剥離する工程と、被転写層１２の第１基板から剥離した面を第３基板（第２転写先基板３０）に接着する工程と、第２基板２０及び水溶性接着剤（接着剤層２３）を水に溶解して除去する工程とを含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に配置された被転写層と水溶性の材料からなる第２基板とを水溶性接着剤を用いて接着する工程と、
前記被転写層を前記第１基板から剥離する工程と、
前記被転写層の前記第１基板から剥離した面を第３基板に接着する工程と、
前記第２基板及び前記水溶性接着剤を水に溶解して除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２基板は、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコールに変性基を導入したもの、又は、他の単量体単位を含んだポリビニルアルコール系樹脂、及びこれらに可塑剤等を含有したポリビニルアルコール組成物であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記水溶性接着剤は、ポリビニルアルコール又はポリビニルアルコール系共重合体を主成分とするポリビニルアルコール系組成物であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記水溶性接着剤は、ポリビニルピロリドン又はビニルピロリドン共重合体を主成分とするポリビニルピロリドン系組成物であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記被転写層と前記第２基板とを前記水溶性接着剤で接着する前に、前記第２基板の表面に微細な凹凸を形成するための表面処理を施すことを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写技術を用いた半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄型、軽量で自由に折り曲げることのできるフレキシブルデバイスの開発が進められている。例えば、電子ペーパーに代表されるフレキシブルディスプレイは、携帯時の軽さに加え、衝撃に対する吸収や、手に馴染む柔軟性など、ユビキタス社会の一役を担う電子機器となり得るものである。このような電子機器としては、例えば特許文献１に開示されるように、可撓性を有するプラスチック基板上に転写技術を用いて薄膜トランジスタ等の薄膜素子を転写したものが知られている。
【０００３】
従来の転写工程では、まず転写元基板であるガラス基板上に剥離層を形成し、その上に通常のプロセスを用いて被転写層である薄膜素子を形成する。そして、転写元基板と転写先基板であるプラスチック基板とを接着剤により接着し、光、熱等により剥離層と転写元基板との密着力を弱め、転写先基板へ被転写層を転写する。プラスチック基板への転写は２回以上の転写工程を用いて行われる場合もある。例えば特許文献１では、転写元基板から第１転写先基板であるガラス基板へ被転写層を転写し、その後、第２転写先基板であるプラスチック基板へ転写を行う。これにより、転写元基板上に積層したのと同じ積層関係で転写先基板上に転写を行うことができる。
【０００４】
ここで、２回以上の転写工程を行う場合には、剥離工程を複数回にわたって行うため、処理時間が長くなり、被転写層へのダメージも大きくなる。例えば、剥離工程には通常レーザ照射が用いられるが、レーザ照射は大掛かりな装置が必要である上、処理工程に長時間を要する。また、レーザ光の光や熱で被転写層がダメージを受けるため、複数回にわたる処理は被転写層の動作を不安定にさせ、歩留まりも低下させる。
【０００５】
この問題を解決するために、特許文献２には、第１転写先基板にプラスチック基板を用い、これを有機溶剤で除去する方法が開示されている。この方法ではまず、転写元基板と第１転写先基板とを接着し、転写元基板上に形成した被転写層をレーザ照射によって剥離する。そして、被転写層を第１転写先基板上に転写した後、第１転写先基板と第２転写先基板とを接着し、第１転写先基板を特定有機溶剤で溶解、除去する。これにより、第２転写先基板上に被転写層を転写することができる。
【特許文献１】特開２００４−３２７８３６号公報
【特許文献２】特開２００１−１８９４６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２に記載されたプラスチック基板の材料であるアクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂は有機溶剤に対して溶解しにくい材料であるため、プラスチック基板を溶解するのに大量の有機溶剤が必要となり、処理工程に長時間を要する。また、大量の有機溶剤が必要になることから、環境に対する悪影響も懸念される。さらに、有機溶剤を用いることで、プラスチック基板中のイオン性不純物が有機溶剤中に溶け出し、被転写層の動作に悪影響を及ぼすという問題もある。以上のような背景から、環境に与える影響が少なく、より簡単な方法で転写基板に被転写層を転写する方法が求められていた。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、簡単な方法で被転写層を転写先基板に転写することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、このような半導体装置を備えることにより、低コストで信頼性に優れた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明の半導体装置の製造方法は、第１基板上に配置された被転写層と水溶性の材料からなる第２基板とを水溶性接着剤を用いて接着する工程と、前記被転写層を前記第１基板から剥離する工程と、前記被転写層の前記第１基板から剥離した面を第３基板に接着する工程と、前記第２基板及び前記水溶性接着剤を水に溶解して除去する工程とを含むことを特徴とする。この方法によれば、第２基板及び接着剤がそれぞれ水溶性プラスチック基板及び水溶性接着剤からなるため、第３基板から第２基板を除去する際に、第２基板及び接着剤層を水で容易に除去することができる。そのため、有機溶剤で溶解させる場合に比べて安価で環境に与える影響も少ない。また、被転写層の剥離工程を第２基板及び水溶性接着剤を水で除去することにより行うため、被転写層へのダメージが少なく、工程も簡単になる。以上のように、本発明によれば、低コストで信頼性に優れた半導体装置及び電子機器を提供することができる。
【０００９】
ここで、本発明において「被転写層」とは、薄膜トランジスタ、ダイオード、抵抗、インダクタ、キャパシタ、その他能動素子、受動素子を問わない単体の素子、一定の機能を奏するように素子が集積され配線された集積回路等の回路（チップ）、さらに複数の素子の組み合わせからなる回路の一部、集積回路等の回路を１以上組み合わせて一定の機能を奏するように構成された装置の全部又は一部を意味し、被転写層の構成や形状、大きさに限定はない。
【００１０】
また、本発明において「水溶性」とは、水に対して容易に溶解することのできるものをいい、例えば容易に水との水素結合が可能な官能基を多数含んでいるものが採用される。かかる官能基としては、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基等が挙げられる。このような官能基を持つ水溶性プラスチック基板としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコールの共重合体が挙げられる。また、水溶性接着剤としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピロリドンの共重合体、ピロリドンの誘導体ポリマー、ピロリドン誘導体の共重合体が多く含まれているような接着剤が挙げられる。
【００１１】
また、本発明において被転写層の転写回数は２回に限られない。第１基板は転写元基板であっても良く、転写先基板であっても良い。すなわち、「被転写層が配置された第１基板」とは、被転写層が形成された転写元基板又は被転写層が転写された転写先基板の双方を含む概念である。なお、「転写元基板」とは被転写層が１つ又は２つ以上集積して形成される基板をいい、「転写先基板」とは被転写層が転写される対象をいう。転写元基板及び転写先基板は必ずしも平板である必要はなく、球状等の部材であっても良い。また、転写元基板及び転写先基板は必ずしも剛性を有している必要はなく、可撓性を有するフィルムのように剛性を有しないものでも良い。
【００１２】
本発明においては、前記第２基板は、ポリビニルアルコール、ポリビニルアルコールに変性基を導入したもの、又は、他の単量体単位を含んだポリビニルアルコール系樹脂、及びこれらに可塑剤等を含有したポリビニルアルコール組成物であることが望ましい。この方法によれば、冷水に対しても容易に第２基板を溶解させることができるため、被転写層へのダメージが更に少なくなり、信頼性に優れた電子機器が提供できる。なお、ポリビニルアルコールは一般に酢酸ビニルをケン化して製造され、ケン化度が水溶性に大きく影響を与えるため、水へ速やかに溶解させるためにケン化度を８０％〜９７％にすることが望ましい。
【００１３】
本発明においては、前記水溶性接着剤は、ポリビニルアルコール又はポリビニルアルコール系共重合体を主成分とするポリビニルアルコール系組成物であることが望ましい。或いは、前記水溶性接着剤は、ポリビニルピロリドン又はビニルピロリドン共重合体を主成分とするポリビニルピロリドン系組成物であることが望ましい。この方法によれば、冷水に対しても容易に水溶性接着剤を溶解させることができるため、被転写層へのダメージが更に少なくなり、信頼性に優れた半導体装置及び電子機器が提供できる。
【００１４】
本発明においては、前記被転写層と前記第２基板とを前記水溶性接着剤で接着する前に、前記第２基板の表面に微細な凹凸を形成するための表面処理を施すことが望ましい。本発明の場合、第２基板と接着剤はいずれも水溶性のものに限定されるため、材料選択の幅が狭く、材料によっては両者の接着力が十分でない場合もある。しかし、本発明のように第２基板の表面に微小な凹凸を形成した場合には、第２基板の表面積が大きくなり、第２基板等の材料の如何に拘わらず水溶性接着剤との間で十分な接着力を確保できる。なお、上記表面処理としては、機械的に表面に凹凸をつける方法、又はプラズマ処理等の方法が採用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではない。下記の実施形態において、各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００１６】
図１〜図４は本発明の半導体装置の一実施形態であるアクティブマトリクス方式の電気光学パネル用基板の製造方法の説明図である。該電気光学パネル用基板は電子機器の一実施形態である電気光学パネルの素子基板として用いられるものである。図１〜図４では電気光学パネル用基板の製造工程に必要な構成要素のみを記載し、カラーフィルタ等の付帯的な構成要素については省略する。
【００１７】
図１（ａ）に示すように、本実施形態の電気光学パネル用基板の製造方法では、まず転写元基板１０上に剥離層１１及び被転写層１２を形成する。転写元基板１０には、ガラス、石英、プラスチック等の透光性を備えた基板が用いられる。転写元基板１０は、被転写層１２を転写前後で変わらず維持できるものであれば良く、可撓性を有するフィルムのように剛性を有しないものでも良い。ただし、被転写層１２のプロセス温度に耐え得るような耐熱性を備えていることが必要である。例えば、被転写層１２を形成する際の最高温度をＴｍａｘとしたとき、歪点（ガラス転移温度Ｔｇ又は軟化点）がＴｍａｘ以上のものを用いることが望ましい。低温ポリシリコン半導体層を備えた被転写層１２を形成する場合には、歪点が３５０℃以上であることが好ましく、５００℃以上であることがより好ましい。
【００１８】
剥離層１１はエネルギーの付与によって層内又は界面において剥離（以下、「層内剥離」又は「界面剥離」という）を生じるような性質を有するものであり、好ましくは、光の照射により剥離層１１を構成する物質の原子間又は分子間の結合力が消失又は減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離又は界面剥離に至るものが良い。光の照射により剥離層１１から気体が放出され、分離効果が発現される場合もある。すなわち、剥離層１１に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、剥離層１１が光を吸収して一瞬気体となり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。剥離層１１としては、アモルファスシリコン、水素含有アモルファスシリコン、窒素含有アモルファスシリコン、水素含有合金、窒素含有合金、多層膜、セラミックス、金属、有機高分子材料等、特許文献１に開示されるような公知の材料を用いることができる。
【００１９】
被転写層１２は、例えば薄膜トランジスタその他の能動素子や受動素子又はそれらの組み合わせからなる回路である。被転写層１２は、個々の素子であったり、集積回路等の独立した機能を有するチップであったり、さらに両者の中間の独立した機能は奏しないが他の素子や回路と組み合わせることにより独立して機能する回路の部分であったりする。したがって、その構造やサイズに限定はない。被転写層１２は同じ機能の素子又は回路を複数形成する場合の他、異なる機能の素子又は回路を複数形成したり、異なる種類の素子又は回路をそれぞれ複数個ずつ形成したりしても良い。
【００２０】
いずれにせよ、被転写層１２は同一基板上に形成されるものであるため、同様な製造プロセスで製造可能なものである。このような薄膜素子の例として、薄膜トランジスタの他、薄膜ダイオードや、シリコンＰＩＮ接合からなる光電変換素子（光センサ、太陽電池）、シリコン抵抗素子、その他の薄膜半導体デバイス、電極、スイッチング素子、メモリ、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー（ピエゾ薄膜セラミックス等）、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクタ、抵抗、キャパシタ、薄膜高透磁材料及びそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルタ、反射膜、ダイクロイックミラー等がある。
【００２１】
被転写層１２は、マトリクス状に配置された複数の画素スイッチング素子を含む画素回路と、該画素回路の周囲に配置されたデータ線駆動回路及び走査線駆動回路等の周辺駆動回路とを含む一組の薄膜素子を備えている。本実施形態の場合、画素スイッチング素子と周辺駆動回路は低温ポリシリコン半導体層を含む薄膜トランジスタを備えている。そして、これらが同一基板上に一体に形成されることにより周辺駆動回路内蔵型の電気光学パネルが構成されるようになっている。
【００２２】
次に、図１（ｂ）に示すように、第１転写先基板２０上に接着剤層２３を形成する。第１転写先基板２０には、ポリビニルアルコール等の水溶性プラスチック基板が用いられる。第１転写先基板２０は、転写後に形態を保持することができ、被転写層１２を転写前後で変わらず維持できるものであれば良く、可撓性を有するフィルムのように剛性を有しないものでも良い。
【００２３】
水溶性プラスチック基板としては、ポリビニルアルコールの他、他の単量単位を含むポリビニルアルコール等が挙げられる。ポリビニルアルコールは、一般に酢酸ビニルをケン化して製造され、ケン化度が水溶性に大きく影響を与えるため、水へ速やかに溶解させるために、ケン化度を８０％〜９７％にすることが好ましい。また、重合度とケン化度とを組み合わせ、適宜工程に合わせて溶解度を調整することが望ましい。ポリビニルアルコールを水に速やかに溶解させるために、変性基の導入を行ったり、可塑剤を添加する等したものを用いても良い。また、接着剤層２３との接着力を向上させるために、接着剤層２３との界面に微細な凹凸を形成するための表面処理を行うことが望ましい。かかる表面処理としては、コロナ処理等が挙げられる。
【００２４】
第１転写先基板２０は、被転写層１２が形成される転写元基板１０に比べて耐熱性や耐食性に劣るものでも良い。転写元基板１０と異なり、第１転写先基板２０に要求される特性、特に耐熱性は、被転写層形成の際の温度条件に依存しないからである。したがって、被転写層１２を形成する際の最高温度をＴｍａｘとしたとき、歪点（ガラス転移温度Ｔｇ又は軟化点）がＴｍａｘ以下のものを用いることができる。
【００２５】
接着剤層２３には、水溶性の接着剤が用いられる。該接着剤としては、電子デバイスを保持でき、電子デバイスを汚染しないものであれば良く、特に限定されるものではない。該接着剤としては、容易に水との水素結合が可能な官能基が多く含まれていれば良く、適宜目的に合わせた接着剤が選択される。かかる官能基としては、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、かかる官能基を有する接着剤としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピロリドンの共重合体、ピロリドンの誘導体のポリマー又はピロリドン誘導体の共重合体が多く含まれているような接着剤等が挙げられる。なお、ポリビニルアルコールの接着剤としては、特開平６−６５４６３号公報及び特開２００２−３７９６７号公報に記載されたポリビニルアルコールフィルムが望ましい。これらのポリビニルアルコールフィルムは、強度が強く、高湿度環境下で粘着せず、さらに冷水に速やかに溶解することができる。
【００２６】
接着剤の種類としては、反応性硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、光硬化型接着剤（紫外線硬化型接着剤等）、嫌気硬化型接着剤、湿熱硬化型接着剤、その他の各種硬化型接着剤を用いることができる。転写元基板１０としてガラス基板等の透光性基板を用いる場合には、工程の簡便さ及び被転写層１２への影響が少ないことから、紫外線硬化型の接着剤を用いることが好ましい。紫外線硬化型の接着剤を用いる場合は、被転写層１２への影響を軽減する為に転写先基板側から紫外線を照射することが好ましい。
【００２７】
次に、図２（ａ）に示すように、転写元基板１０と第１転写先基板２０とを接着剤層２３を介して重ね合わせる（貼り合わせる）。そして、図２（ｂ）に示すように、第１転写先基板２０側から紫外線４１を照射して接着剤層２３を硬化する。硬化処理は接着剤層２３の種類によって定める。本実施形態の場合、接着剤層２３として紫外線硬化型の接着剤を用いるため硬化処理として紫外線照射を行うが、熱硬化型接着剤を用いた場合には基板全体の温度を上げたり、レーザ光やマイクロ波を照射したりして一部の温度を上昇させて接着剤層２３を順次硬化していく。
【００２８】
接着剤層２３を硬化させたら、図３（ａ）に示すように、転写元基板１０側から剥離層１１（図１（ａ）参照）に対して光４２を照射し、剥離層１１の密着力を弱める。剥離層１１は光４２が照射されると剥離（層内剥離又は界面剥離）を生じる。層内剥離又は界面剥離が生じる原理は、剥離層１１の構成材料にアブレーションが生じること、また剥離層１１に含まれるガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものである。
【００２９】
ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した剥離層１１の構成材料が光化学的又は熱的に励起され、その表面や内部の原子又は分子の結合が切断されて放出することをいい、主に剥離層１１の構成材料の全部又は一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、前記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。剥離層１１が層内剥離を生じるか界面剥離を生じるか又はその両方であるかは、剥離層１１の組成やその他種々の要因に左右され、その要因の１つとして、照射される光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。
【００３０】
照射する光４２としては、剥離層１１に層内剥離又は界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでも良く、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α波、β波、γ波）等が挙げられる。中でも剥離層１１の剥離（アブレーション）を生じさせ易く、且つ高精度の局部照射が可能である点でレーザ光が好ましい。レーザ光はコヒーレント光であり、転写下基板１０を介して剥離層１１に高出力パルス光を照射して高精度で所望部分に剥離を生じさせるのに好適である。したがって、レーザ光の使用によって容易に且つ確実に被転写層１２を剥離させることができる。
【００３１】
レーザ光を発生させる装置としては、各種気体レーザ、固体レーザ（半導体レーザ）等が挙げられるが、エキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ２レーザ、ＣＯレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が好適に用いられる。レーザ光としては、波長１００ｎｍ〜３５０ｎｍを有するレーザ光が望ましい。このように短波長のレーザ光を用いることにより、光照射精度が高められると共に剥離層１１における剥離を効果的に行うことができる。かかるレーザ光としてはエキシマレーザを用いることができる。エキシマレーザであれば転写元基板１０に温度上昇を殆ど生じさせることなく極めて短時間に剥離層１１にアブレーションを生じさせることができ、被転写層１２の劣化、損傷を防止できる。
【００３２】
剥離層１１の結合力を弱めたら、転写元基板１０と第１転写先基板２０とを引き離す力を加え、転写元基板１０を第１転写先基板２０から剥離する。剥離後、転写された被転写層１２の底面又は転写した第１転写先基板２０の表面に剥離層１１の残渣が付着している場合がある。この残渣を完全に取り除く方法としては、例えば洗浄、エッチング、アッシング、研磨等の方法又はこれらを組み合わせた方法の中から適宜選択して採用することができる。
【００３３】
第１転写先基板２０に被転写層１２を転写したら、図３（ｂ）に示すように、第２転写先基板３０と第１転写先基板２０とを対向させ、接着剤層３２を介して２枚の基板２０，３０を重ね合わせる。
【００３４】
第２転写先基板３０には、ガラス、石英、プラスチック、ステンレス等の基板が用いられる。第２転写先基板３０は、転写後に形態を保持することができ、被転写層１２を転写前後で変わらず維持できるものであれば良く、可撓性を有するフィルムのように剛性を有しないものでも良い。また紙や木等を用いても良い。第２転写先基板３０及び被転写層１２には、接着剤層３２との接着力を向上させるために、接着剤層３２との界面に微細な凹凸を形成するための又は親水性基を表面に導入するための表面処理を行うことが望ましい。かかる表面処理としては、プラズマ処理等が挙げられる。
【００３５】
第２転写先基板３０は、被転写層１２が形成される転写元基板１０に比べて耐熱性や耐食性に劣るものでも良い。転写元基板１０と異なり、第２転写先基板３０に要求される特性、特に耐熱性は、被転写層形成の際の温度条件に依存しないからである。したがって、被転写層１２を形成する際の最高温度をＴｍａｘとしたとき、歪点（ガラス転移温度Ｔｇ又は軟化点）がＴｍａｘ以下のものを用いることができる。
【００３６】
接着剤層３２の種類としては、反応性硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、光硬化型接着剤（紫外線硬化型接着剤等）、嫌気硬化型接着剤、その他の各種硬化型接着剤を用いることができる。具体的には、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、天然ゴム系接着剤、ポリウレタン系接着剤、フェノール系接着剤、酢酸ビニル系接着剤、シアノアクリレート系接着剤、ポリビニルアルコール系接着剤、ポリイミド系接着剤、ポリアミド系接着剤等を用いることができ、これらを目的に合わせて変性する等しても良い。
【００３７】
接着剤層３２には、非水溶性の接着剤を用いることが望ましい。後述のように図４（ａ）の工程で第１転写先基板２０及び接着剤層２３を水に溶解して除去するため、接着剤層３２に水溶性接着剤を用いると、第１転写先基板１０及び接着剤層２３を除去する際に接着剤層３２が同時に除去されてしまうからである。
【００３８】
第１転写先基板２０と第２転写先基板３０とを重ね合わせたら、図４（ａ）に示すように、第２転写先基板３０側から紫外線４３を照射して接着剤層３２を硬化する。硬化処理は接着剤層３２の種類によって定める。本実施形態の場合、接着剤層３２として紫外線硬化型の接着剤を用いるため硬化処理として紫外線照射を行うが、熱硬化型接着剤を用いた場合には基板全体の温度を上げたり、レーザ光やマイクロ波を照射したりして一部の温度を上昇させて接着剤層３２を順次硬化していく。
【００３９】
接着剤層３２を硬化させたら、図４（ｂ）に示すように、第１転写先基板２０及び接着剤層２３を水に溶解させて除去し、被転写層１２を表面に露出させる。第１転写先基板２０及び接着剤層２３を除去する方法としては、図４（ａ）で得られた第２転写先基板３０と第１転写先基板２０との積層体を水に浸す、又は流水をかける等の方法を用いることができる。
【００４０】
以上により、電気光学パネル用基板５０が完成する。電気光学パネル用基板５０は第２転写先基板３０上に被転写層１２を転写して形成されたものであり、複数のパネル領域を含む場合にはパネル領域毎に切断され、分割される。電気光学パネル用基板５０は電気光学パネルの素子基板として用いられる。例えば、電気光学パネルとして液晶装置を作製する場合には、電気光学パネル用基板と対向基板とを重ね合わせ、該基板間に液晶を注入する。電気光学パネル用基板５０の切断工程は電気光学パネルを作製する前又は作製した後に行うことができる。このようにして製造された電気光学パネルは、第２転写先基板３０としてプラスチック基板等の任意の基板が採用できるため、電子ペーパー等のフレキシブルな電子機器に適用できる。また、被転写層１２はガラス基板等の歪点の高い基板上に形成できるため、ポリシリコンプロセス等の比較的高いプロセス温度を必要とする薄膜素子を作製でき、高性能な電気光学パネルが提供できる。
【００４１】
以上説明したように、本実施形態においては、第１転写先基板２０及び接着剤層２３をそれぞれ水溶性プラスチック基板及び水溶性接着剤層としたため、第２転写先基板３０から第２転写先基板２０を剥離する際に、第２転写先基板２０及び接着剤層２３を水で容易に除去することができる。そのため、有機溶剤で溶解させる場合に比べて安価で環境に与える影響も少ない。また、被転写層１２の剥離工程を第１転写先基板２０及び水溶性接着剤層２３を水で除去することにより行うため、被転写層１２へのダメージが少なく、工程も簡単になる。さらに、有機溶剤を用いる場合に比べてイオン性不純物の溶け出しが少なくなるため、被転写層１２の動作も安定する。以上のように、本実施形態によれば、低コストで信頼性に優れた電気光学パネルを提供することができる。
【００４２】
なお、本実施形態では２回転写の場合について説明したが、転写回数は２回に限られない。３回以上の転写を行う場合についても本発明を適用できる。また本実施形態では、第１転写先基板２０と転写元基板１０とを重ね合わせる際に、第１転写先基板２０に接着剤層２３を配置したが、接着剤層２３は第１転写先基板２０又は転写元基板１０のいずれの基板に配置しても良い。同様に、第２転写先基板３０と第１転写先基板２０とを重ね合わせる際に、接着剤３２は第２転写先基板３０又は第１転写先基板１０のいずれの基板に配置しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】電気光学パネル用基板の製造方法の説明図である。
【図２】電気光学パネル用基板の製造方法の説明図である。
【図３】電気光学パネル用基板の製造方法の説明図である。
【図４】電気光学パネル用基板の製造方法の説明図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０…転写元基板（第１基板）、１２…被転写層、２０…第１転写先基板（第２基板）、２３…接着剤層、３０…第２転写先基板（第３基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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