(57)【要約】【課題】微細凹凸の反射防止構造を具備した光学デバイスを簡便に製造できる金型を提供する。【解決手段】本発明の光学デバイス製造用金型１５は、基材表面に微細凹凸構造が形成された光学デバイスの製造に用いられる金型であり、ＷＣ粒子（硬質粒子）１０とＷＣ粒子１０を固着する金属バインダ１２とを含み、光学デバイスの基材に対して微細凹凸構造を転写する転写部１５ｂにおいて、ＷＣ粒子１０が部分的に金型の表面に露出していることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材表面に微細凹凸構造が形成された光学デバイスの製造に用いられる金型であって、
硬質粒子を粉末状の金属バインダに混合し、焼成することにより、前記金属バインダを固化し、前記硬質粒子を前記金属バインダに固着し、少なくとも前記基材に対して前記微細凹凸構造を転写する転写部において前記硬質粒子が部分的に前記金型の表面に露出していることを特徴とする光学デバイス製造用金型。
【請求項２】
前記硬質粒子がＷ合金を含む高硬度材料からなり、前記金属バインダがＮｉ、Ｃｏ、又はこれらのうち少なくとも一方を主成分とする合金を含む金属材料からなることを特徴とする請求項１に記載の光学デバイス製造用金型。
【請求項３】
前記硬質粒子がＷＣ粒子であり、前記金属バインダがＮｉ又はＣｏであることを特徴とする請求項２に記載の光学デバイス製造用金型。
【請求項４】
前記転写部の表面に離型膜が形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光学デバイス製造用金型。
【請求項５】
基材表面に微細凹凸構造が形成された光学デバイスの製造に用いられる金型の製造方法であって、
硬質粒子と金属バインダとの混合物を焼結容器に入れて加熱することで金型用基材を作製する工程と、
前記金型用基材の表面の少なくとも一部の領域について、前記金属バインダを選択的に除去して前記硬質粒子を金型用基材の表面に露出させる工程と、
を有することを特徴とする光学デバイス製造用金型の製造方法。
【請求項６】
前記硬質粒子を金型用基材の表面に露出させる工程において、少なくとも前記硬質粒子を露出させる領域を８００℃以上に加熱することを特徴とする請求項５に記載の光学デバイス製造用金型の製造方法。
【請求項７】
前記硬質粒子を金型用基材の表面に露出させる工程において、少なくとも前記硬質粒子を露出させる領域に前記金属バインダを選択的に除去するエッチング処理を施すことを特徴とする請求項５に記載の光学デバイス製造用金型の製造方法。
【請求項８】
前記硬質粒子を金型用基材の表面に露出させる工程において、前記金型用基材の表面から前記硬質粒子の平均粒径の略１／２の深さまで前記金属バインダを除去することを特徴とする請求項５から７のいずれか１項に記載の光学デバイス製造用金型の製造方法。
【請求項９】
前記硬質粒子を金型用基材の表面に露出させる工程の後、前記金型用基材の表面に離型膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項５から８のいずれか１項に記載の光学デバイス製造用金型の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学デバイス製造用金型とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
レンズ素子や表示装置の基板等の光学デバイスに備えられる反射防止構造の形成方法としては、基材であるガラスにエッチング処理を施して微細な凹凸を形成する手法が一般的である（例えば特許文献１，２参照）。しかしながら、エッチングによる加工工程は複雑であり、製造コストの上昇を招く。一方、所定の平面形状のガラス製品を簡便に得る方法として、ガラスプレフォームを金型に配置して溶融させることで成形する方法も知られている（例えば特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００１−２７２５０５号公報
【特許文献２】特開２００５−３３１８６８号公報
【特許文献３】特開昭５８−０８４１３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献３記載の金型を用いる方法によれば、ガラス表面に簡便に形状を転写でき、製造性、製造コストの面で有利である。しかしながら、光学特性に優れる反射防止構造を得るためには、ガラスの表面に微細かつ緻密な凹凸構造を形成する必要があり、これと同様の微細凹凸構造が形成された金型を用意する必要がある。
金型には超硬などのサーメットや、ＳｉＣなどのセラミックス、シリコンウエハなどが用いられるが、加工性、耐久性の面から超硬が用いられることが多い。しかし、超硬材料に上述した微細凹凸構造を形成するのは極めて困難である。例えばエッチングを用いる場合は、超硬に含まれるＷＣ（タングステン炭化物）とバインダとのエッチングレートの差異から意図した形状に加工することができない。また、超硬材料は機械加工が非常にしづらく、切削加工は勿論のこと、研削加工でも上記微細凹凸構造の形成は極めて困難である。
【０００４】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、微細凹凸の反射防止構造を具備した光学デバイスを簡便に製造できる金型とその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の光学デバイス製造用金型は、上記課題を解決するために、基材表面に微細凹凸構造が形成された光学デバイスの製造に用いられる金型であって、硬質粒子を粉末状の金属バインダに混合し、焼成することにより、前記金属バインダを固化し、前記硬質粒子を前記金属バインダに固着し、少なくとも前記基材に対して前記微細凹凸構造を転写する転写部において前記硬質粒子が部分的に前記金型の表面に露出していることを特徴とする。
本発明の金型は、光学デバイスの反射防止構造の形成に好適な微細凹凸構造を光学デバイス用の基材に転写できる転写部を具備した金型である。そして、本発明では、転写部を硬質粒子と金属バインダとを含む構成とするとともに、転写部の微細凹凸構造を当該転写部の表面に露出させた硬質粒子により形成したものとなっている。このような構成としたことで、微細凹凸構造を極めて容易に金型表面に形成可能になっている。また、硬質粒子の粒径や配置密度、転写部表面における露出の度合いを調整することで、容易に微細凹凸構造の形状を調整することができ、光学特性が最適化された光学デバイスを簡便に製造することができる。
【０００６】
前記硬質粒子がＷ合金を含む高硬度材料からなり、前記金属バインダがＮｉ、Ｃｏ、又はこれらのうち少なくとも一方を主成分とする合金を含む金属材料からなることが好ましい。このような構成とすることで、硬質粒子により形成される凸状部分の硬度を高めて転写精度を向上させることができる。また金属バインダがＮｉ、Ｃｏ等からなるものであることで、金型の製造における硬質粒子を転写部表面に露出させる工程で、硬質粒子に対する金属バインダの選択性が高くなるので、金属バインダのみを選択的に除去して容易に硬質粒子を露出させることができるようになる。
【０００７】
前記硬質粒子がＷＣ粒子であり、前記金属バインダがＮｉ又はＣｏであることが好ましい。このような材質の組み合わせとすることで、金属バインダによる硬質粒子の良好な結合性を得られることから信頼性に優れた金型となり、また金属バインダのみを容易に選択除去できることから優れた製造性を得られるとともに、転写部の表面形状の最適化も容易になる。
【０００８】
前記転写部の表面に離型膜が形成されていることが好ましい。このような構成とすることで、本発明の金型を用いた光学デバイスの製造において、成形後の光学デバイスの脱離が容易になり、また成形時の加熱によって金型の構成成分（特に金属バインダのＮｉやＣｏ）が光学デバイスに拡散して光学特性や信頼性に不具合を生じさせるのを効果的に防止することができる。このような離型膜としては、Ｐｔ−Ｉｒ膜等の貴金属合金膜や、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜等を形成することが好ましい。
【０００９】
次に、本発明の光学デバイス製造用金型の製造方法は、基材表面に微細凹凸構造が形成された光学デバイスの製造に用いられる金型の製造方法であって、硬質粒子と金属バインダとの混合物を焼結容器に入れて加熱することで金型用基材を作製する工程と、前記金型用基材の表面の少なくとも一部の領域について、前記金属バインダを選択的に除去して前記硬質粒子を金型用基材の表面に露出させる工程と、を有することを特徴とする。
この製造方法によれば、反射防止構造に好適な微細凹凸構造を光学デバイス用の基材に高精度に転写できる金型を短時間に低コストで製造することができる。従来の超硬を用いた金型では、加工自体が困難であり、また超硬の構成成分の硬度の差異により正確な加工が困難であったところ、本発明では、金属バインダの選択除去により硬質粒子を露出させて転写部の微細凹凸構造を形成するので、所望の表面形状を極めて容易に得ることができる。また、転写部における加工主体は硬質粒子であることから耐熱性及び耐久性に優れた金型を製造することができる。
【００１０】
前記硬質粒子を金型用基材の表面に露出させる工程において、少なくとも前記硬質粒子を露出させる領域を８００℃以上に加熱することを特徴とする。この製造方法によれば、金属バインダの選択除去を容易に実施することができる。また、加熱時間の調整により硬質粒子の露出度合いを調整することができ、これにより転写形状の調整を容易に行うことができる。
【００１１】
前記硬質粒子を金型用基材の表面に露出させる工程において、少なくとも前記硬質粒子を露出させる領域に前記金属バインダを選択的に除去するエッチング処理を施すことを特徴とする。この製造方法では、金属バインダを除去するエッチング速度の調整が容易かつ正確に行えるので、転写形状の調整を容易かつ高精度に行えるようになる。
【００１２】
前記硬質粒子を金型用基材の表面に露出させる工程において、前記金型用基材の表面から前記硬質粒子の平均粒径の略１／２の深さまで前記金属バインダを除去することを特徴とする。この製造方法によれば、硬質粒子の脱落を防止しつつ微細凹凸構造における凸部の高さを確保でき、優れた反射防止構造を形成できる転写部を得られる。
【００１３】
前記硬質粒子を金型用基材の表面に露出させる工程の後、前記金型用基材の表面に離型膜を形成する工程を有することが好ましい。この製造方法によれば、成形後の光学デバイスの脱離が容易になり、また成形時の加熱によって金型の構成成分（特に金属バインダのＮｉやＣｏ）が光学デバイスに拡散して光学特性や信頼性に不具合を生じさせるのを効果的に防止することができる金型を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（光学デバイス製造用金型の製造方法）
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明に係る光学デバイス製造用金型の製造工程を示す工程図である。
【００１５】
本発明に係る光学デバイス製造用金型を製造するには、まず、図１（ａ）に示すように、粒径が例えば０．３μｍ程度に揃えられたＷＣ粒子（硬質粒子）１０と、ＷＣ粒子１０を固着させるための金属バインダとなるＮｉ粉１１とを用意する。その後、ＷＣ粒子１０とＮｉ粉１１とを所定の比率で混合する。Ｎｉ粉１１はＷＣ粒子１０を固着させるの十分な量を含んでいれば足りるので、Ｎｉ粉１１は混合物全体に対して５重量％程度含まれていれば本発明に係る金型を製造することが可能である。
【００１６】
なお、金属バインダとなるＮｉ粉１１に代えてＣｏ粉を用いてもよい。あるいは、Ｎｉ又はＣｏの合金を用いてもよい。
また、硬質粒子としては、ＷＣ単体の粒子のほか、ＷＣを主成分とする硬質合金（超硬等）を用いることができる。所望の粒径と粒度を有し、後述する工程で金属バインダの選択除去が可能になる程度の高い硬度を有する金属粒子であれば本発明に係る金型を構成する硬質粒子として適用が可能である。
【００１７】
次に、得られた混合物を焼結容器２０に入れて加熱焼結することで、図１（ｂ）に示すような金型用基材１５Ａを得る。焼結容器２０としては、任意の形状のものを用いることができるが、金型用基材１５Ａのうち転写型が形成される部位にあたる焼結容器２０の壁面については、平滑処理が施されていることが好ましい。正確な転写型形状を得られるようにするためである。金型用基材１５Ａを得るための焼結条件は、例えば真空焼結炉を用いて１４００℃、１時間程度である。
【００１８】
得られた金型用基材１５Ａは、図１（ｂ）に示すように、多数のＷＣ粒子１０を金属バインダ１２により結合させた構造を備えたものとなる。本実施形態の場合、金型用基材１５Ａの図示上側の主面１５ａが、焼結容器２０の平滑処理された内壁面により平滑な表面となっており、かかる主面１５ａに微細凹凸構造を転写するための転写面を形成する。
なお、図１（ｂ）では、図面を見やすくするためにＷＣ粒子１０の図示を一部省略しているが、実際には金型用基材１５Ａ全体にＷＣ粒子１０が分布している構造である。金属バインダ１２の量が多ければＷＣ粒子１０が金属バインダ１２中に均一に分散した構造になり、金属バインダ１２の量が少なければＷＣ粒子１０が凝集した隙間に金属バインダ１２が充填された構造となる。
【００１９】
次に、金型用基材１５Ａを加熱炉等により８００℃以上に加熱することで、金型用基材１５Ａの表面部分に位置する金属バインダ（Ｎｉ）１２を選択的に除去する。これにより、図１（ｃ）に示すように、金属バインダ１２が除去された後にＷＣ粒子１０が露出して主面１５ａに対応する部位に転写部１５ｂが形成される。本実施形態の場合、加熱時間の調整により金属バインダ１２の除去深さｄを約０．１５μｍとしている。ＷＣ粒子１０の粒径がほぼ０．３μｍであるから、ＷＣ粒子１０はその粒径の半分程度が転写部１５ｂにおいて金型用基材１５Ａから突出する。その結果、ピッチ３００ｎｍ（０．３μｍ）、高さ１５０ｎｍ（０．１５μｍ）で多数の凸形状が形成された転写部１５ｂを金型用基材１５Ａの主面に形成することができる。
【００２０】
次に、図１（ｄ）に示すように、転写部１５ｂ上に離型膜１４を、Ｐｔ−Ｉｒ合金をスパッタ法等により成膜することで形成する。離型膜１４としては、上記の貴金属膜や貴金属合金膜、あるいはＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を形成することができる。離型膜１４を設けることで成形後の光学デバイスの金型からの取り出しが容易になる。
また離型膜１４は、転写部１５ｂのみならず、金型用基材１５Ａの表面のうち、金型のキャビティとなるすべての面に形成しておくことが好ましい。離型膜１４により金型のキャビティとなる面を覆っておくことで、成形時の加熱により金属バインダ１２の構成材料（Ｎｉ，Ｃｏ）が製品に拡散するのを防止することができる。
【００２１】
以上の工程により、本実施形態の光学デバイス製造用金型１５を得ることができる。この光学デバイス製造用金型１５は、ＷＣ粒子１０とＷＣ粒子１０を固着する金属バインダ１２とを含み、光学デバイス用の基材に対して微細凹凸構造を転写する転写部１５ｂにおいてＷＣ粒子１０が部分的に表面に露出しているものである。
【００２２】
なお、本実施形態では、金型用基材１５Ａの主面１５ａにおける金属バインダ１２の除去を、金型用基材１５Ａ全体の加熱により行うこととしたが、金型用基材１５Ａの主面１５ａのみを選択的に加熱することで金属バインダ１２の除去を行ってもよい。主面１５ａのみを選択的に加熱する方法を採用すれば、金型用基材１５Ａの他の表面における平滑性を維持することができ、反射防止構造を形成するための転写部１５ｂとその他の領域とで光学デバイスの表面仕上げを異ならせることも容易になる。
【００２３】
また、主面１５ａにおける金属バインダ１２の除去は、加熱処理に限られず、金型用基材１５Ａをエッチング処理に供することでも実施することができる。エッチング処理により金属バインダ１２を除去することとすれば、エッチング液の濃度やエッチングガスの組成比によるエッチング速度の調整によって極めて容易に転写部１５ｂにおける表面形状を調整することができる。
【００２４】
さらに、主面１５ａにおける金属バインダ１２の除去は、かかる主面１５ａに対する洗浄処理によっても行うことができる。ＮｉやＣｏからなる金属バインダ１２は、ＷＣ粒子１０に比して軟らかいため、主面１５ａにおいてブラシ等を摺動させて洗浄処理を行えば、金属バインダ１２が優先的に除去されてＷＣ粒子１０を主面１５ａに露出させることができる。
【００２５】
以上、図面を参照して詳細に説明したように、本実施形態の製造方法では、ＷＣ粒子１０とＮｉ粉１１との混合物を焼結して得た金型用基材１５Ａに加熱処理を施すことで金属バインダ１２の一部を除去し、これによりＷＣ粒子１０が金型用基材１５Ａの表面から突出するように露出している構成の転写部１５ｂを形成している。かかる製造方法によれば、金型用基材１５Ａに対する加熱処理やエッチング処理のみで微細凹凸構造である反射防止構造の形成に好適な転写形状を容易に得ることができるので、従来コスト高であった金型の製造プロセスを簡便なものとすることができる。
【００２６】
また本実施形態の光学デバイス製造用金型１５を用いれば、光学デバイス用の基材に対して転写部１５ｂの形状を転写することで反射防止構造を形成できるので、光学デバイスの製造工程を簡便なものとすることができ、低コストに光学デバイスを製造することができる。
【００２７】
また、転写部１５ｂにおける凹凸構造の調整についても、ＷＣ粒子１０の粒径の変更や、金属バインダ１２の除去深さｄの調整により極めて容易に行うことができ、反射防止構造における光学特性の最適化も極めて容易である。
【００２８】
（光学デバイスの製造工程）
上述した本実施形態の光学デバイス製造用金型１５は、液晶装置等の表示装置を構成するガラス基板の製造に用いることができる。
ここで、図２は、光学デバイス製造用金型１５を用いて、反射防止構造を有するガラス基板を製造する工程を示す図である。
【００２９】
まず、図２（ａ）に示すように、光学デバイスであるガラス基板を作製するための板状のガラス基材３０Ａを用意し、ガラス基材３０Ａの一面側を光学デバイス製造用金型１５の転写部１５ｂに当接させて配置する。
次に、図２（ｂ）に示すように、ガラス基材３０Ａと光学デバイス製造用金型１５とを５００〜７００℃程度に加熱するとともに、ガラス基材３０Ａと光学デバイス製造用金型１５とを密着させる方向に１〜５ＭＰａ程度に加圧する。すると、加熱により軟化したガラス基材３０Ａが転写部１５ｂの表面形状に倣って変形してガラス基材３０Ａと光学デバイス製造用金型１５とが密着する。
その後、ガラス基材３０Ａと光学デバイス製造用金型１５とを常温まで冷却し、光学デバイス製造用金型１５からガラス基材３０Ａを脱離させることで、ガラス基材３０Ａの一面側に微細凹凸形状の反射防止構造３０ｂが形成されたガラス基板３０が得られる。
【００３０】
また、本発明に係る光学デバイス製造用金型１５は、マイクロレンズを含むレンズ素子の作製にも対応できるものである。ここで、図３（ａ）は、光学デバイスであるレンズ素子の製造に好適な構成を具備した本発明に係る光学デバイス製造用金型１６の断面構成図である。図３（ｂ）は、光学デバイス製造用金型１６を用いて作製できるレンズ素子４０の断面構成図である。
【００３１】
レンズ素子製造に好適な光学デバイス製造用金型１６は、図３（ａ）に示すように、多数のＷＣ粒子１０を金属バインダ１２により結合させてなる構造は図１に示した光学デバイス製造用金型１５と同様であるが、本態様の光学デバイス製造用金型１６では、転写部１６ｂとして、作製するレンズ素子の凸形状と逆凹凸の凹部が形成されている。このような凹形状を成す転写部１６ｂは、図１に示した焼結容器２０に、レンズ素子の凸形状に対応する凸条部を設けておくことで容易に形成することができる。あるいは、焼結後の金型用基材を加工して転写部１６ｂにおける凹形状を形成してもよい。
図３（ａ）に示すように、転写部１６ｂにおいては、金属バインダ１２が選択的に除去されることでＷＣ粒子１０が、光学デバイス製造用金型１６の凹部内に突出している。
【００３２】
そして、図３（ａ）に示す光学デバイス製造用金型１６を用いてガラス基材の成形を行うことで、図３（ｂ）に示すように、ガラス基材４０Ａの一面側に凸形状のレンズ部４０Ｂが形成され、かつレンズ部４０Ｂの表面に微細な凹凸構造からなる反射防止構造４０ｂが形成されているレンズ素子４０を作製することができる。
このように、本発明に係る光学デバイス製造用金型において転写部の形状は平面形状に限定されるものではない。
【００３３】
図２に示したガラス基板３０は、例えば、図４に示すような電気光学装置に好適に用いることができる。図４は、本発明に係る光学デバイス製造用金型を用いて作製した光学デバイスであるガラス基板３０を具備した液晶装置（電気光学装置）の断面構成図である。
【００３４】
図４に示す液晶装置１００は、互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板３２と対向基板３６との間に、液晶層３４を挟持してなる構成である。ＴＦＴアレイ基板３２は、図３に示したガラス基板３０を基体としてなる。すなわち、一面側に反射防止構造が形成されたガラス基板を基体としており、本実施形態の場合、ＴＦＴアレイ基板３２の液晶層３４と反対側の主面３２ａに上述した反射防止構造が形成されている。
【００３５】
ガラス基板３０の液晶層３４側に、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等からなる複数の画素電極３１が配列形成されており、各々の画素電極３１に対応して画素スイッチング素子であるＴＦＴ（図示略）が形成されており、かかるＴＦＴを介して走査線やデータ線等の配線３１ａと接続されている。画素電極３１、配線３１ａ等を覆って配向膜４３が形成されている。
【００３６】
対向基板３６は、図３に示したガラス基板３０を基体としてなる。したがって対向基板３６の液晶層３４と反対側の主面３６ａにも反射防止構造が形成されている。ガラス基板３０の液晶層３４側には、遮光層３８と、共通電極３７と、配向膜３９とが形成されている。遮光層３８はＴＦＴアレイ基板３２上の画素電極３１を平面視で縁取る格子状に形成されている。
なお、図示は省略したが、ＴＦＴアレイ基板３２の主面３２ａの外側、及び対向基板３６の主面３６ａの外側には、それぞれ偏光板が配設されている。
【００３７】
上記構成を備えた液晶装置１００に入射する光は、ＴＦＴアレイ基板３２を透過して液晶層３４に入射し、液晶層３４で変調された後、対向基板３６を透過して液晶装置１００から射出される光となる。ここで、ＴＦＴアレイ基板３２の主面３２ａには反射防止構造が形成されているので、入射光はＴＦＴアレイ基板３２でほとんど反射されることなくＴＦＴアレイ基板３２に入射し、これを透過して液晶層３４に入射する。これにより、照明光の利用効率を高めることができ、明るい表示を得ることができる。また、本実施形態の場合、光射出側の面（表示面）となる対向基板３６の主面３６ａにも反射防止構造が形成されているので、外光が対向基板３６の表面で反射するのを防止することができる。したがって液晶装置１００によれば、良好な視認性を得ることができる。そして、液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板３２及び対向基板３６の基体に先のガラス基板３０を用いているので、その良好な反射防止機能により、従来に比しても明るく視認性に優れた表示が得られるようになっている。
【実施例】
【００３８】
本発明者は、先の実施形態に記載の製造方法により得られた光学デバイス製造用金型１５を用いて、反射防止構造を有するガラス基板（反射防止構造体）を作製した。具体的な作製手順は、図２を参照して説明したガラス基板の製造工程に準ずる。
【００３９】
まず、光学デバイス用のガラス基材３０Ａとしてパイレックス（登録商標）ガラスを用意し、光学デバイス製造用金型１５の転写部１５ｂに上記ガラス基材３０Ａを当接させて配置した。次に、ガラス基材３０Ａ及び光学デバイス製造用金型１５を６２０℃に加熱し、その後、ガラス基材３０Ａと光学デバイス製造用金型１５とを密着させるように３ＭＰａで加圧した。その後、常温まで冷却することでガラス基材３０Ａに転写部１５ｂの形状（ピッチ３００ｎｍ、高さ１５０ｎｍ）を転写した。以上の工程により実施例に係る光学デバイスを得た。
【００４０】
得られた光学デバイスの透過率を測定したところ、波長６００ｎｍの光で９４％であり、形状転写（反射防止処理）を行わなかったガラス基材の透過率（９１％）に対して３％の透過率上昇が確認された。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に係る光学デバイス製造用金型の製造工程を示す図。
【図２】光学デバイス製造用金型を用いたガラス基板の製造工程図。
【図３】光学デバイス製造用金型を用いたレンズ素子の製造方法を示す図。
【図４】図２に示した光学デバイスを備えた電気光学装置の一例を示す図。
【符号の説明】
【００４２】
１０  ＷＣ粒子（硬質粒子）、１１  Ｎｉ粉、１２  金属バインダ、１４  離型膜、１５，１６  光学デバイス製造用金型、１５ａ  主面、１５Ａ  金型用基材、１５ｂ，１６ｂ  転写部、３０  ガラス基板（光学デバイス）、３０Ａ，４０Ａ  ガラス基材、３０ｂ，４０ｂ  反射防止構造、４０  レンズ素子（光学デバイス）、４０Ｂ  レンズ部
【図１】
2008207981.tif 000003
【図２】
2008207981.tif 000004
【図３】
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【図４】
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