(57)【要約】【課題】高速アクセスあるいは省電力などの様々な要求（使用用途）に適応できる不揮発性記憶装置あるいはメモリコントローラを提供する。具体的には、フラッシュメモリの同時アクセス数（バンク数）を適応的に変更可能な不揮発性記憶装置を実現すること。【解決手段】メモリコントローラ１１３内部に切替レジスタ１０５を設け、アクセス装置１００が当該レジスタを書き換えることによって不揮発性メモリ１１４の同時アクセス数を変更する。あるいは、不揮発性メモリ１１４内部に切替レジスタ１０５を設け、アクセス装置１００の指示に応じてメモリコントローラ１１３が当該レジスタを書き換えることによって不揮発性メモリ１１４の同時アクセス数を変更してもよい。また、予め不揮発性記憶装置１１５内の不揮発性記憶デバイス（ＲＯＭ１０４等）に記憶しておき、起動時にこれを読み出して切替レジスタ１０５に設定するようにしてもよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出すメモリコントローラであって、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記外部のアクセス装置によって逐次設定される切替レジスタとを有し、
前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とするメモリコントローラ。
【請求項２】
前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項１記載のメモリコントローラ。
【請求項３】
前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項２記載のメモリコントローラ。
【請求項４】
不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性の主記憶メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記外部のアクセス装置によって逐次設定される切替レジスタを有し、
前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項５】
前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項４記載の不揮発性記憶装置。
【請求項６】
前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項５記載の不揮発性記憶装置。
【請求項７】
アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記外部のアクセス装置によって逐次設定される切替レジスタを有し、
前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶システム。
【請求項８】
前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項７記載の不揮発性記憶システム。
【請求項９】
前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項８記載の不揮発性記憶システム。
【請求項１０】
不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行うと共に前記外部のアクセス装置の指示に基づき前記不揮発性メモリの内の前記切替レジスタに所定の値を設定する読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段とを有し、
前記不揮発性メモリは、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項１１】
前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項１０記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１２】
前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項１１記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１３】
アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、
前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行うと共に前記外部のアクセス装置の指示に基づき前記不揮発性メモリの内の前記切替レジスタに所定の値を設定する読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段とを有し、
前記不揮発性メモリは、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶システム。
【請求項１４】
前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項１３記載の不揮発性記憶システム。
【請求項１５】
前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項１４記載の不揮発性記憶システム。
【請求項１６】
外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出すメモリコントローラであって、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリと、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、
前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とするメモリコントローラ。
【請求項１７】
前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項１６記載のメモリコントローラ。
【請求項１８】
前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項１７記載のメモリコントローラ。
【請求項１９】
不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリと、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、
前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項２０】
前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項１９記載の不揮発性記憶装置。
【請求項２１】
前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項２０記載の不揮発性記憶装置。
【請求項２２】
アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリと、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、
前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶システム。
【請求項２３】
前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項２２記載の不揮発性記憶システム。
【請求項２４】
前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項２３記載の不揮発性記憶システム。
【請求項２５】
不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、リードオンリーメモリＲＯＭもしくは所定の物理ブロック内に特別領域を有し、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記不揮発性メモリ内の前記リードオンリーメモリ若しくは前記特別領域に記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、
前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項２６】
前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項２５記載の不揮発性記憶装置。
【請求項２７】
前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項２６記載の不揮発性記憶装置。
【請求項２８】
アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、リードオンリーメモリＲＯＭもしくは所定の物理ブロック内に特別領域を有し、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記不揮発性メモリ内の前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、
前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶システム。
【請求項２９】
前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項２８記載の不揮発性記憶システム。
【請求項３０】
前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項２９記載の不揮発性記憶システム。
【請求項３１】
不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリとを有し、
前記読み書き制御手段は、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定し、
前記不揮発性メモリは、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項３２】
前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項３１記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３３】
前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項３２記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３４】
アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリとを有し、
前記読み書き制御手段は、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定し、
前記不揮発性メモリは、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶システム。
【請求項３５】
前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項３４記載の不揮発性記憶システム。
【請求項３６】
前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項３５記載の不揮発性記憶システム。
【請求項３７】
不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、リードオンリーメモリもしくは所定の物理ブロック内に特別領域を有し、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段とを有し、
前記読み書き制御手段は、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定し、
前記不揮発性メモリは、前記リードオンリーメモリ若しくは前記特別領域に記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定すると共に、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項３８】
前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項３７記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３９】
前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項３８記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４０】
アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、リードオンリーメモリもしくは所定の物理ブロック内に特別領域を有し、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段とを有し、
前記読み書き制御手段は、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定し、
前記不揮発性メモリは、前記リードオンリーメモリ若しくは前記特別領域に記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定すると共に、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶システム。
【請求項４１】
前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項４０記載の不揮発性記憶システム。
【請求項４２】
前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項４１記載の不揮発性記憶システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、書き換え可能な不揮発性メモリを備えた不揮発性記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
書き換え可能な不揮発性メモリを備えた不揮発性記憶装置は、半導体メモリカードを中心にその需要が広まっている。また半導体メモリカードを使った不揮発性記憶システムは、デジタルスチルカメラやパーソナルコンピュータ等を中心にその需要が広まっている。半導体メモリカードには様々な種類のカードがあり、例えばＳＤ（セキュアデジタル）メモリカードは、主記憶部であるフラッシュメモリと、それを制御するメモリコントローラＬＳＩとから構成されている。メモリコントローラＬＳＩは、デジタルスチルカメラ本体等のアクセス装置からの読み書き指示に応じて、フラッシュメモリに対する読み書き制御を行うデバイスである。主記憶部であるフラッシュッメモリは、代表的なものにＮＡＮＤタイプやＡＮＤタイプがあるが、ひとつのメモリチップ内に、消去単位である物理ブロックが複数存在しており、またひとつの物理ブロック内に、書き込み単位であるページが複数存在している。
【０００３】
近年、フラッシュメモリの低コスト化のニーズに伴い、物理ブロックサイズの大きなフラッシュメモリが主流になってきており、データ書き換え時におけるブロック間コピー（退避処理）のデータサイズが大きい為、退避処理に要する時間も増加し、記録パフォーマンス低下が著しくなってきている。更に言えば、物理ブロックサイズとして１２８ｋＢｙｔｅ以上のものが主流になりつつあり、アクセス装置の通常の書き込み単位であるクラスタサイズ（例えば１６ｋＢｙｔｅ）より物理ブロックサイズの方が大きいため、ひとつのクラスタの書き換えにおいても、退避処理が発生してしまい、特に動画などのストリーム記録が困難となる。
【０００４】
それを解決するために、フラッシュメモリチップ自体の機能として、様々な高速アクセス機能が提案されている。例えば、特許文献１に示すようなマルチバンク機能である。これは、同時に複数のブロックに書き込み／読み出し／消去ができる機能である。
【特許文献１】特開２００１−２６６５７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、同時に書き込む数を増やすことによってアクセス速度が速くなるが、同時にアクティブとなるブロック数が増えるので、消費電力が増すといった別の課題も出てくる。アプリケーションによっては、電力を要しても高速アクセスを要求するもの、例えば業務用ムービカメラなどの用途がある反面、一方では、低速アクセスでも良いので電力を出来るだけ抑えたいもの、例えば携帯電話といったように、使用用途によってメモリカードに対する要求が異なる。従来はこれらの用途毎に最適なメモリカードを開発していたが、用途毎の開発は、開発費用面あるいは製造コスト面において、コストアップの要因となっていた。
【０００６】
本発明は、要求の異なる様々な使用用途に適応できる不揮発性記憶装置、あるいはメモリコントローラを提供することを目的とする。具体的には、フラッシュメモリの同時アクセス数（バンク数）を適応的に変更可能な不揮発性記憶装置を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的を達成するために本発明の不揮発性記憶装置は、下記の４種類の手段をとるものである。
【０００８】
１）メモリコントローラ内部に切替レジスタを設け、アクセス装置が当該レジスタを書き換えることによってフラッシュメモリの同時アクセス数を変更する。
【０００９】
２）フラッシュッメモリチップ内部に切替レジスタを設け、アクセス装置の指示に応じてメモリコントローラが当該レジスタを書き換えることによってフラッシュメモリの同時アクセス数を変更する。
【００１０】
３）メモリコントローラ内部に切替レジスタを設け、また不揮発性記憶装置内の不揮発性記憶手段、即ちメモリコントローラ内のＲＯＭやフラッシュメモリ内のＲＯＭあるいはフラッシュメモリ自体に予めフラッシュメモリの同時アクセス数を記憶しておき、起動時に、メモリコントローラが当該不揮発性記憶手段からフラッシュメモリの同時アクセス数を当該レジスタに設定することにより、フラッシュメモリの同時アクセス数を変更する。
【００１１】
４）フラッシュッメモリチップ内部に切替レジスタを設け、また不揮発性記憶装置内の不揮発性記憶手段、即ちメモリコントローラ内のＲＯＭやフラッシュメモリ内のＲＯＭあるいはフラッシュメモリ自体に予めフラッシュメモリの同時アクセス数を記憶しておき、起動時に、メモリコントローラが当該不揮発性記憶手段からフラッシュメモリの同時アクセス数を当該レジスタに設定することにより、フラッシュメモリの同時アクセス数を変更する。
【発明の効果】
【００１２】
上記１）及び２）の解決手段においては、アクセス装置の指示に応じて、フラッシュメモリの同時アクセス数を制御できる、即ち高速アクセス性を優先するか、あるいは省電力性を優先するかを、使用用途に応じて簡単に切り替えることができる。また、上記３）及び４）の解決手段においては、不揮発性記憶装置内に予め記憶された切替情報に応じて、フラッシュメモリの同時アクセス数を制御できる、即ち高速アクセス性を優先するか、あるいは省電力性を優先するかを、使用用途に応じて簡単に切り替えることができる。いずれの場合も、使用用途毎に最適な不揮発性記憶装置を開発する必要がなく、開発費用面あるいは製造コスト面で有益な技術である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
前述した解決手段において、上述の１）に関する発明は、請求項１〜９に対応する。また２）に関する発明は、請求項１０〜１５に対応する。また３）に関する発明は、請求項１６〜３０に対応する。また４）に関する発明は、請求項３１〜４２に対応する。
【００１４】
本発明の請求項１〜３に係る発明は、不揮発性記憶装置内のメモリコントローラに関する発明であり、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出すメモリコントローラであって、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記外部のアクセス装置によって逐次設定される切替レジスタを有し、前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。
【００１５】
この構成により、アクセス装置が、コントローラ内部に設けられた切替レジスタに逐次所定のパラメータを設定し、メモリコントローラ内の読み書き制御手段が前記パラメータ値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。
【００１６】
また、本発明の請求項４〜６に係る発明は、不揮発性記憶装置に関する発明であり、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記外部のアクセス装置によって逐次設定される切替レジスタを有し、前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。
【００１７】
この構成により、アクセス装置が、コントローラ内部に設けられた切替レジスタに逐次所定のパラメータを設定し、メモリコントローラ内の読み書き制御手段が前記パラメータ値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。
【００１８】
また、本発明の請求項７〜９に係る発明は、不揮発性記憶装置を用いた不揮発性記憶システムに関する発明であり、アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記外部のアクセス装置によって逐次設定される切替レジスタを有し、前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。
【００１９】
この構成により、アクセス装置が、コントローラ内部に設けられた切替レジスタに逐次所定のパラメータを設定し、メモリコントローラ内の読み書き制御手段が前記パラメータ値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。
【００２０】
また、本発明の請求項１０〜１２に係る発明は、不揮発性記憶装置に関する発明であり、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行うと共に前記外部のアクセス装置の指示に基づき前記不揮発性メモリの内の前記切替レジスタに所定の値を設定する読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段とを有し、前記不揮発性メモリは、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。
【００２１】
この構成により、アクセス装置が指定したパラメータに基づき、メモリコントローラ内の読み書き制御手段が不揮発性メモリ内部に設けられた切替レジスタを設定し、不揮発性メモリが切替レジスタに設定された値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。
【００２２】
また、本発明の請求項１３〜１５に係る発明は、不揮発性記憶装置を用いた不揮発性記憶システムに関する発明であり、アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行うと共に前記外部のアクセス装置の指示に基づき前記不揮発性メモリの内の前記切替レジスタに所定の値を設定する読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段とを有し、前記不揮発性メモリは、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。
【００２３】
この構成により、アクセス装置が指定したパラメータに基づき、メモリコントローラ内の読み書き制御手段が不揮発性メモリ内部に設けられた切替レジスタを設定し、不揮発性メモリが切替レジスタに設定された値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。
【００２４】
また、本発明の請求項１６〜１８に係る発明は、不揮発性記憶装置内のメモリコントローラに関する発明であり、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出すメモリコントローラであって、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリと、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。
【００２５】
この構成により、起動時において、メモリコントローラ内のリードオンリーメモリに予め記憶されたパラメータが自動的に切替レジスタに設定され、メモリコントローラ内の読み書き制御手段が前記パラメータ値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。
【００２６】
また、本発明の請求項１９〜２１に係る発明は、不揮発性記憶装置に関する発明であり、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリと、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。
【００２７】
この構成により、起動時において、メモリコントローラ内のリードオンリーメモリに予め記憶されたパラメータが自動的に切替レジスタに設定され、メモリコントローラ内の読み書き制御手段が前記パラメータ値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。
【００２８】
また、本発明の請求項２２〜２４に係る発明は、不揮発性記憶装置を用いた不揮発性記憶システムに関する発明であり、アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリと、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。
【００２９】
この構成により、起動時において、メモリコントローラ内のリードオンリーメモリに予め記憶されたパラメータが自動的に切替レジスタに設定され、メモリコントローラ内の読み書き制御手段が前記パラメータ値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。
【００３０】
また、本発明の請求項２５〜２７に係る発明は、不揮発性記憶装置に関する発明であり、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、リードオンリーメモリもしくは所定の物理ブロック内に特別領域を有し、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記不揮発性メモリ内の前記リードオンリーメモリ若しくは前記特別領域に記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。
【００３１】
この構成により、起動時において、不揮発性メモリ内のリードオンリーメモリ若しくは所定の物理ブロック内の特別領域内に予め記憶されたパラメータが自動的に切替レジスタに設定され、メモリコントローラ内の読み書き制御手段が前記パラメータ値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。
【００３２】
また、本発明の請求項２８〜３０に係る発明は、不揮発性記憶装置を用いた不揮発性記憶システムに関する発明であり、アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、リードオンリーメモリもしくは所定の物理ブロック内に特別領域を有し、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記不揮発性メモリ内の前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。
【００３３】
この構成により、起動時において、不揮発性メモリ内のリードオンリーメモリ若しくは所定の物理ブロック内の特別領域内に予め記憶されたパラメータが自動的に切替レジスタに設定され、メモリコントローラ内の読み書き制御手段が前記パラメータ値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。
【００３４】
また、本発明の請求項３１〜３３に係る発明は、不揮発性記憶装置に関する発明であり、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリとを有し、前記読み書き制御手段は、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定し、前記不揮発性メモリは、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。
【００３５】
この構成により、起動時において、メモリコントローラ内のリードオンリーメモリに予め記憶されたパラメータが自動的に切替レジスタに設定され、不揮発性メモリが前記パラメータ値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。
【００３６】
また、本発明の請求項３４〜３６に係る発明は、不揮発性記憶装置を用いた不揮発性記憶システムに関する発明であり、アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリＲＯＭとを有し、前記読み書き制御手段は、前記リードオンリーメモリＲＯＭに記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定し、前記不揮発性メモリは、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。
【００３７】
この構成により、起動時において、メモリコントローラ内のリードオンリーメモリに予め記憶されたパラメータが自動的に切替レジスタに設定され、不揮発性メモリが前記パラメータ値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。
【００３８】
また、本発明の請求項３７〜３９に係る発明は、不揮発性記憶装置に関する発明であり、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、リードオンリーメモリもしくは所定の物理ブロック内に特別領域を有し、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段とを有し、前記読み書き制御手段は、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定し、前記不揮発性メモリは、前記リードオンリーメモリ若しくは前記特別領域に記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定すると共に、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。
【００３９】
この構成により、起動時において、不揮発性メモリ内のリードオンリーメモリ若しくは所定の物理ブロック内の特別領域内に予め記憶されたパラメータが自動的に切替レジスタに設定され、不揮発性メモリが前記パラメータ値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。
【００４０】
また、本発明の請求項４０〜４２に係る発明は、不揮発性記憶装置を用いた不揮発性記憶システムに関する発明であり、アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、リードオンリーメモリもしくは所定の物理ブロック内に特別領域を有し、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段とを有し、前記読み書き制御手段は、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定し、前記不揮発性メモリは、前記リードオンリーメモリ若しくは前記特別領域に記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定すると共に、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。
【００４１】
この構成により、起動時において、不揮発性メモリ内のリードオンリーメモリ若しくは所定の物理ブロック内の特別領域内に予め記憶されたパラメータが自動的に切替レジスタに設定され、不揮発性メモリが前記パラメータ値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。
【００４２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
【００４３】
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に於ける不揮発性記憶装置の実施方法を示したブロック図である。図１において、１００はメモリコントローラ１１３を介して不揮発性メモリ１１４にユーザデータ（以降、単にデータとする）の読み書き命令と論理アドレスの送信とデータの送受信を行うアクセス装置、１０１はホストＩ／Ｆ部、１０２はメモリコントローラ１１３内全体の制御を行うＣＰＵ、１０３はＣＰＵ１０２のワーク用ＲＡＭ、１０４はＣＰＵ１０２が実行するプログラムを格納したリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、１０５は切替レジスタ、１０６はアクセス装置１００から転送された各種データを記憶するバッファ、１０７はアドレスビット制御部、１０８はＳＲＡＭ、１０９は不揮発性メモリ１１４内において消去単位である物理ブロックの状態、即ち有効なデータが記憶されているかどうか等のステータスフラグを記憶する物理領域管理テーブル、１１０はアクセス装置１００が転送した論理アドレスを不揮発性メモリ１１４内の物理アドレスに変換する論理物理変換テーブル、１１１は物理領域管理テーブル１０９と論理物理変換テーブル１１０に基づいて不揮発性メモリ１１４のアドレスを管理するアドレス管理情報制御部、１１２は不揮発性メモリ１１４の読み書き等を行う読み書き制御部、１１３は構成要素の１０１から１１２をまとめたメモリコントローラ、１１４はフラッシュメモリ等で実現した不揮発性メモリ、１１５はメモリコントローラ１１３と不揮発性メモリ１１４をまとめた不揮発性記憶装置である。
【００４４】
図２は、不揮発性メモリ１１４のアクセス形態を示した説明図である。同図（Ａ）は高速モード時でのアクセス形態を表す。一方（Ｂ）は省電力モード時でのアクセス形態を表す。図２において物理ブロック０〜Ｍが８個のバンク（Ｂ０〜Ｂ７）に均等に配列されており、各バンクは独立に読み書き及び消去できる。バンクＢ０〜Ｂ３をプレーン０，バンクＢ４〜Ｂ７をプレーン１とする。不揮発性メモリ１１４はメモリコントローラ１１３とＩ／Ｏバス及び各種制御ラインで接続されている。
【００４５】
図３は、アドレスビット制御部１０７を示した回路図である。図３において、３００及び３０１はセレクタである。
【００４６】
図４は、メモリコントローラ１１３内部のアドレスと不揮発性メモリ１１４内部でのアドレスの関係を表したビットマップである。同図（Ａ）は高速モード時での関係であり、（Ｂ）は省電力モード時での関係を表す。
【００４７】
表１は、不揮発性メモリ１１４のアドレスマップを示す表である。表１において、Ｉ／Ｏ１〜Ｉ／Ｏ８は８ビットのＩ／Ｏバスのビット配列を表す。１ｓｔＣｙｃｌｅから５ｔｈＣｙｃｌｅはメモリコントローラ１１３が不揮発性メモリ１１４にアドレス指定する際の順番を表し、１ｓｔＣｙｃｌｅから順にアドレス指定することとなる。ＣｏｌｕｍｎＡｄｄｒｅｓｓは物理ブロックを構成するページ内の各バイトを指定するアドレスである。なおページはデータ領域が２ｋＢｙｔｅ、管理領域が６４Ｂｙｔｅ、合計２１１２Ｂｙｔｅからなる。ＲｏｗＡｄｄｒｅｓｓは各ページを指定するアドレスであり、通常Ａ１４〜Ａ１２の３ビット分はバンクＢ０〜Ｂ７を指定する。具体的には、表２に示す関係となる。
【００４８】
【表１】
2008033379.tif 000003
【００４９】
【表２】
2008033379.tif 000004
【００５０】
以上のように構成された、本発明の実施の形態における、不揮発性記憶装置について、以下図１〜４及び表１を用いて、その動作について説明する。基本的な読み書き制御やアドレス管理制御については一般的に知られている動作と同様であるので、特徴的な動作についてのみ説明する。特徴的な構成要件は切替レジスタ１０５とアドレスビット制御部１０７である。切替レジスタ１０５はアクセス装置１００が指定するパラメータを一時的に記憶するものであり、例えばＳＲＡＭやフリップフロップなどの回路素子で実現することができる。電源ＯＮ直後、即ち起動時においては、切替レジスタ１０５は値０にリセットされた状態となっている。この値は、読み書き制御部１１２内のアドレスビット制御部１０７に転送され、セレクタ３００と３０１のセレクト入力Ｓに入力される。セレクト入力Ｓは値０の時にＡ入力を、値１の時にＢ入力を選択するものとする。従って起動時においては、セレクタ３００はａ［３０：１５］を選択し、セレクタ３０１はａ１４を選択し、それぞれ表１に示した不揮発性メモリのＲｏｗＡｄｄｒｅｓｓのＡ［３０：１５］及びＡ１４に設定される。ａ［１３：１２］は切替レジスタ１０５のパラメータ値に関わらず、常にＡ［１３：１２］に接続されることになる。図４（Ａ）は前述した動作に対応したアドレスの関係図である。即ちメモリコントローラ１１３でのアドレスａ［３０：１２］は、そのまま不揮発性メモリ１１４内部でのアドレス（ＲｏｗＡｄｄｒｅｓｓ）のＡ［３０：１２］に対応する。図２（Ａ）は前述した動作に対応したアクセス形態を表したものである。即ちメモリコントローラ１１３がアドレスの小さい方から大きい方に順にアクセスした場合は、破線矢印で示したアクセス順となる。従って起動時において、アクセス装置１００が切替レジスタ１０５に何も設定しない場合は、図２（Ａ）に示したように、８バンク全てを使用する形態でアクセスされることとなり、高速にアクセスすることが可能となる。但し、８個の物理ブロックを同時にアクセスすることになるので、消費電力（ピーク電力）が大きくなってしまう。
【００５１】
次に、起動後、アクセス装置１００が切替レジスタ１０５に値１を設定した場合について説明する。図３において、切替レジスタ１０５に設定されたパラメータ値（値１）がセレクタ３００及び３０１のセレクト入力Ｓに入力され、Ｂ入力を選択することとなる。セレクタ３００はａ［２９：１４］を選択し、セレクタ３０１はａ３０を選択し、それぞれ表１に示した不揮発性メモリのＲｏｗＡｄｄｒｅｓｓのＡ［３０：１５］及びＡ１４に設定される。ａ［１３：１２］は切替レジスタ１０５のパラメータ値に関わらず、常にＡ［１３：１２］に接続されることになる。図４（Ｂ）は前述した動作に対応したアドレスの関係図である。図２（Ｂ）は前述した動作に対応したアクセス形態を表したものである。即ちメモリコントローラ１１３がアドレスの小さい方から大きい方に順にアクセスした場合は、実線矢印で示したアクセス順となる。即ちメモリコントローラ１１３がアドレスの小さい方から順にアクセスした場合、４バンク毎に使用する形態でアクセスされることとなり、図２（Ａ）と比較すると低速ではあるが、同時にアクティブとなる物理ブロック数が少ない分、消費電力（ピーク電力）を小さく抑えることが可能となる。
【００５２】
なお、切替レジスタ１０５及びアドレスビット制御部１０７は不揮発性メモリ１１４内部にあっても構わない。この場合は、メモリコントローラ１１３はアクセス装置１００からの切替指定に応じて、不揮発性メモリ１１４内部の切替レジスタに所定のパラメータ値を設定する。不揮発性メモリ１１４は、メモリコントローラ１１３がメモリバスを介して指定したアドレスａ［３０：１２］に対して、その内部にあるアドレスビット制御部によって、図４に示すビット操作によってアドレスを変換することができる。
【００５３】
また、アクセス装置１００が、高速モード／省電力モードを切り替えるのではなく、予め不揮発性記憶装置１１５内の不揮発性記憶デバイス、例えばＲＯＭ１０４や不揮発性メモリ１１４のある物理ブロック内に、高速モード／省電力モードを切り替える為のパラメータ値を記憶しておき、起動時に当該パラメータを切替レジスタ１０５に読み込むようにしてもよい。また不揮発性メモリ１１４内部にＲＯＭを実装しておき、当該ＲＯＭにパラメータを記憶しておき、メモリコントローラ１１３からの指示に応じて当該ＲＯＭからパラメータを読み出すようにしてもよい。
【００５４】
なお、本発明の実施の形態においては、８バンク／４バンクの切替を説明したが、任意の数Ｘバンク／Ｙバンク（ＸはＹの倍数）に拡張することは比較的容易であり、本発明に含まれるものとする。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明にかかる不揮発性記憶装置は、使用用途、例えば高速性を重要視する用途、あるいは省電力を重視する用途等に応じて、適応的にフラッシュメモリのアクセス形態を簡単に切り替え制御できるものであり、静止画記録再生装置や動画記録再生装置等のポータブルＡＶ機器、あるいは携帯電話等のポータブル通信機器の記録媒体として有益である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施の形態に於ける不揮発性記憶装置の実施方法を示したブロック図
【図２】（Ａ）高速モード時における、不揮発性メモリ１１４のアクセス形態を示した説明図、（Ｂ）省電力モード時における、不揮発性メモリ１１４のアクセス形態を示した説明図
【図３】アドレスビット制御部１０７を示した回路図
【図４】（Ａ）高速モード時における、メモリコントローラ１１３内部のアドレスと不揮発性メモリ１１４内部のアドレスの関係を表したビットマップ図、（Ｂ）省電力モード時における、メモリコントローラ１１３内部のアドレスと不揮発性メモリ１１４内部のアドレスの関係を表したビットマップ図
【符号の説明】
【００５７】
１００    アクセス装置
１０１    ホストＩ／Ｆ部
１０２    ＣＰＵ
１０３、１０８    ＲＡＭ
１０４    ＲＯＭ
１０５    切替レジスタ
１０６    バッファ
１０７    アドレスビット制御部
１０９    物理領域管理テーブル
１１０    論理物理変換テーブル
１１１    アドレス管理情報制御部
１１２    読み書き制御部
１１３    メモリコントローラ
１１４    不揮発性メモリ（フラッシュメモリ等）
１１５    不揮発性記憶装置
【図１】
2008033379.tif 000005
【図２】
2008033379.tif 000006
【図３】
2008033379.tif 000007
【図４】
2008033379.tif 000008