(57)【要約】【課題】基材と蒸発材の熱膨張差により両材の境界部に生じる残留応力による蒸発材の剥離や割れの発生を抑制すると共に、両材の十分な密着性を確保する。【解決手段】筒状の基材２の外周面に蒸発材３を被覆してなるＰＶＤ用筒状ターゲット１において、基材２と蒸発材３の境界部４は、角部を丸めて形成される凸形状と凹形状の双方又は何れか一方の形状からなる噛合部５を有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状の基材の外周面に蒸発材を被覆してなるＰＶＤ用筒状ターゲットにおいて、
前記基材と蒸発材の境界部は、角部を丸めて形成される凸形状と凹形状の双方又は何れか一方の形状からなる噛合部を有していることを特徴とするＰＶＤ用筒状ターゲット。
【請求項２】
前記噛合部は、前記基材の周方向に亘って形成される凸条部と凹条部の双方又は何れか一方を備えていることを特徴とする請求項１に記載のＰＶＤ用筒状ターゲット。
【請求項３】
前記噛合部は、前記基材の軸方向に凸条部と凹条部を交互に連続してなる蛇腹状に形成されていることを特徴とする請求項２に記載のＰＶＤ用筒状ターゲット。
【請求項４】
前記噛合部は、凸条部に凹条部を隣接してなるねじ状に形成されていることを特徴とする請求項２に記載のＰＶＤ用筒状ターゲット。
【請求項５】
前記凹条部のピッチを１ｍｍ以上２０ｍｍ以下とし、凸条部の頂部と凹条部の底部間の間隔を０.５ｍｍ以上５ｍｍ以下とし、前記基材の軸心に対し凸条部と凹条部とを連結する斜面の傾斜角度を８０°以下とし、凸条部の頂部及び凹条部の底部の曲率半径を０.５ｍｍ以上に設定していることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載のＰＶＤ用筒状ターゲット。
【請求項６】
前記噛合部は、前記基材の外周面に複数の凸条部を備え、隣り合う凸条部と凸条部の間が平坦であることを特徴とする請求項１に記載のＰＶＤ用筒状ターゲット。
【請求項７】
前記噛合部は、前記基材の一方の端部から他方の端部に亘って形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れかに記載のＰＶＤ用筒状ターゲット。
【請求項８】
前記噛合部は、前記基材の外周面に点在する複数の凹部を備えてディンプル形状となっていることを特徴とする請求項１に記載のＰＶＤ用筒状ターゲット。
【請求項９】
前記複数の凹部は、１ｍｍ以上２０ｍｍ以下のピッチで基材の外周面に形成され、該外周面上での径を１ｍｍ以上１０ｍｍ以下とし、該外周面からの深さを０.５ｍｍ以上５ｍｍ以下に設定していることを特徴とする請求項８に記載のＰＶＤ用筒状ターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリングや真空アーク蒸着等のＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition：物理蒸着法）に使用されるＰＶＤ用筒状ターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、Ｆｅやステンレス材からなる筒状の基材の外周面に、熱間等方圧加圧法（ＨＩＰ法）によりＣｒ等の蒸発材を接合（焼結）してなるＰＶＤ用筒状ターゲットが知られている。この種のＰＶＤ用筒状ターゲットにおいては、基材と蒸発材との熱膨張係数（熱膨張率）の差によりＨＩＰ処理の降温過程で基材が蒸発材よりも大きく収縮するため、蒸発材と基材の間に割れや剥離が発生していた。この現象はＰＶＤ用筒状ターゲットの全長や直径が小さい場合には顕在化し難いが、大型のＰＶＤ用筒状ターゲットにおいては目立つものとなる。
【０００３】
この様なＰＶＤ用筒状ターゲットを例えばＰＶＤ装置に組み込んで使用すると、使用中の温度上昇に伴い、基材と蒸発材との間に前記熱膨張係数の差に起因するずれがＰＶＤ用筒状ターゲットの軸方向に発生し、使用できない状態となるという問題があった。
かかる問題を解決すべく、例えば特許文献１には、基材の外周面に凸部又は凹部を形成することにより、両材の軸心方向のずれを規制することとしたＰＶＤ用筒状ターゲットが開示されている。
また、特許文献２や特許文献３には、蒸発材と基材の間にこれら両材の拡散を抑制する中間層を介在させ、これにより基材と蒸発材間の剥離や割れの発生を抑制することとしたＰＶＤ用筒状ターゲットが開示されている。
【特許文献１】特開平７−１７３６２２号公報
【特許文献２】特開平９−１９５０３９号公報
【特許文献３】特開平５−２３０６４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記引用文献２や引用文献３のＰＶＤ用筒状ターゲットを形成するにつき、蒸発材として２種類以上の元素で構成されるＣｒＢ等の材料を採用すると、該材料は基材を構成するＦｅや中間層として用いられるＮｉ等に比して熱膨張係数が著しく小さいため、材料間の熱膨張差によりＨＩＰ処理後やＰＶＤ作業時にＰＶＤ用筒状ターゲット内に極めて大きな応力が残留し、これによって蒸発材に割れや剥離が発生してしまうという問題があった。
また、前記ＣｒＢの如き材料は極めて脆く、上記引用文献１の如き角ばっている角部を有する凸部又は凹部においては、該角部に応力が集中することにより容易に蒸発材に割れや剥離を生じてしまうという問題もある。
【０００５】
そこで、本発明は、基材と蒸発材の熱膨張差により両材の境界部に生じる残留応力による蒸発材の剥離や割れの発生を抑制することができると共に、両材の十分な密着性を確保することができるＰＶＤ用筒状ターゲットを提供するようにしたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため、本発明においては以下の技術的手段を講じた。
即ち、本発明における課題解決のための技術的手段は、筒状の基材の外周面に蒸発材を被覆してなるＰＶＤ用筒状ターゲットにおいて、前記基材と蒸発材の境界部は、角部を丸めて形成される凸形状と凹形状の双方又は何れか一方の形状からなる噛合部を有していることを特徴としている。
これによれば、角部が曲面により構成されることとなり、角部への残留応力の集中を排除することができるので、応力集中に起因する蒸発材の剥離や割れを抑制することができる。また、噛合部を介して両材が噛み合った状態となるため、両材の熱膨張係数に差があったとしても、両材の密着性が確保されることとなる。
【０００７】
また、前記噛合部は、前記基材の周方向に亘って形成される凸条部と凹条部の双方又は何れか一方を備えていることが好ましい。
これにより、両材の境界部の密着性がＰＶＤ用筒状ターゲットの周方向に亘って確保されることとなる。
また、前記噛合部は、前記基材の軸方向に凸条部と凹条部を交互に連続してなる蛇腹状に形成されていることが好ましい。
これによれば、基材の外周面に凸条部と凹条部を形成する加工を容易に行うことができ、基材の製造コストを抑えることができる。
【０００８】
また、前記噛合部は、凸条部に凹条部を隣接してなるねじ状に形成されていることが好ましい。
これによれば、蒸発材の一部に該蒸発材の内周から外周に亘る割れが発生する場合にも、該割れは凸条部又は凹条部に沿って進展することとなり、割れがＰＤＶ用筒状ターゲットの周方向に円環状に繋がってしまうことを防止することができる。このため、割れにより蒸発材が二分してしまう虞はない。
また、上述の如き効果を良好に得るべく、前記凹条部のピッチを１ｍｍ以上２０ｍｍ以下とし、凸条部の頂部と凹条部の底部間の間隔を０.５ｍｍ以上５ｍｍ以下とし、前記基材の軸心に対し凸条部と凹条部とを連結する斜面の傾斜角度を８０°以下とし、凸条部の頂部及び凹条部の底部の曲率半径を０.５ｍｍ以上に設定していることが好ましい。
【０００９】
また、前記噛合部は、前記基材の外周面に複数の凸条部を備え、隣り合う凸条部と凸条部の間が平坦であることが好ましい。
これによれば、少数の凸条部を形成することで必要な部位の密着性を向上させることができるとともに、加工工数を低減することができる。
また、前記噛合部は、前記基材の一方の端部から他方の端部に亘って形成されていることが好ましい。
これによれば、前記残留応力を基材の一方の端部から他方の端部に亘るＰＶＤ用筒状ターゲットの全体に分散させることができ、より効果的に蒸発材の剥離や割れの発生を抑制することができる。
【００１０】
また、ＰＶＤ用筒状ターゲットの全長に亘って両材の密着性を確保することができる。
さらに、前記噛合部は、前記基材の外周面に点在する複数の凹部を備えてディンプル形状となっていることが好ましい。
これによれば、凹部は点在して連続的ではないため、基材の外周面を被覆して形成される蒸発材の内周面には凸部が点在して形成され、蒸発材に割れが発生した場合にも、該割れの進展は凸部に妨げられることにより効果的に抑制されることとなる。
また、かかる効果を良好に得るべく、前記複数の凹部は、１ｍｍ以上２０ｍｍ以下のピッチで基材の外周面に形成され、該外周面上での径を１ｍｍ以上１０ｍｍ以下とし、該外周面からの深さを０.５ｍｍ以上５ｍｍ以下に設定していることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基材と蒸発材の熱膨張差により両材の境界部に生じる残留応力による蒸発材の剥離や割れの発生を抑制することができると共に、両材の十分な密着性を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
図１は本発明に係るＰＶＤ用筒状ターゲット１の第１実施形態を示しており、該ＰＶＤ用筒状ターゲット１は、円筒状の基材２と、該基材２の外周面を覆う蒸発材（ターゲット材）３とからなる。基材２は断面円形の中空体からなる。また、基材２と蒸発材３の境界部４には、角部を丸めて形成される凹凸形状の噛合部５が形成されている。
蒸発材３は、ＰＶＤ法によりワークに被膜を形成すべき皮膜形成材により形成されており、ＨＩＰ処理により基材２の外周面に所定厚さを有する層として一体接合されている。
【００１３】
本実施の形態においては、基材２としてステンレス材（ＳＵＳ）を採用し、蒸発材３としてＣｒＢを採用しているが、基材２としてＦｅ又はＦｅ系材料を採用することも可能であるし、蒸発材３として、ＣｒＡｌ、ＣｒＮ、ＣｒＢＳｉ、ＣｒＢＴｉ、ＣｒＢＶ、ＴｉＢ、ＴｉＳｉ、ＴｉＡｌＶ、ＴｉＡｌＳｉ、Ｎ、ＴｉＮ、Ｂ4Ｃ、ＢＮ、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｃ等を採用することも可能である。
噛合部５は、基材２の外周面に形成される雄ねじ状部５ａと蒸発材３の内周面に形成される雌ねじ状部５ｂとをＰＶＤ用筒状ターゲット１の一方の端部から他方の端部に亘って備えている。雄ねじ状部５ａは、角部を丸めて基材の周方向に亘って形成される基材側凸条部（凸条部）６と基材側凹条部（凹条部）７とを基材２の軸方向に交互に連続して雄ねじ状に形成されている。また、雌ねじ状部５ｂは、基材側凸条部６に対向する蒸発材側凹条部８と基材側凹条部７を埋める蒸発材側凸条部９とを蒸発材３の軸方向に交互に連続して雌ねじ状に形成されている。
【００１４】
なお、本実施の形態のＰＶＤ用筒状ターゲット１は、直径Ａ＝１４０ｍｍ、長さＢ＝６００ｍｍの外形寸法を有している。また、図２に示す如く、基材側凹条部７のピッチＰを５ｍｍ、基材側凹条部７の底部と基材側凸条部６の頂部間の間隔である深さＤを１ｍｍ、隣接する基材側凸条部６の頂部と基材側凹条部７の底部とを結ぶ直線の中心を通って基材２の軸心に平行な直線Ｌに対する基材側凸条部６と基材側凹条部７を連結する斜面の傾斜角度θAを３２°、基材側凸条部６及び基材側凹条部７の頂部の曲率半径Ｒを１.３ｍｍとしている。
【００１５】
本実施形態のＰＶＤ用筒状ターゲット１は以上の構成からなる。次に、該ＰＶＤ用筒状ターゲット１の製造方法について説明する。
先ず、断面中実の棒体からなる基材素材の外周に噛合部５の雄ねじ状部５ａとなる基材側凸条部６及び基材側凹条部７をねじ状に形成する。
次に、基材素材を有底円筒状のカプセルに収容する。このとき、カプセルの軸心と基材素材の軸心を一致又は略一致させておくことが望ましい。そして、該カプセルと基材素材の間に蒸発材３を充填し、該カプセルを真空密閉した後、ＨＩＰ処理により蒸発材３を焼結させると共に基材素材に接合させる。これにより、蒸発材３に基材素材の基材側凸条部６及び基材側凹条部７に対応して蒸発材側凸条部９及び蒸発材側凹条部８が形成されて雌ねじ状部５ｂが構成され、両材２、３の境界部４に噛合部５が形成されることとなる。
【００１６】
該ＨＩＰ処理後、基材素材の中心部に冷却水路用の貫通穴２ａを加工することにより基材２を形成し、両端と外周を所定の形状に仕上げ加工を施すことにより、ＰＶＤ用筒状ターゲット１を完成する。
上述の如く噛合部５を形成するにつき、雄ねじ状部５ａを形成する基材側凸条部６及び基材側凹条部７の寸法関係は以下の如く規定される。
基材側凹条部７のピッチＰを１ｍｍ〜２０ｍｍの範囲に設定することとする。また、該ピッチＰを２ｍｍ〜１０ｍｍの範囲に設定することがより好適であり、４ｍｍ〜７ｍｍの範囲に設定することが最も好ましい。
【００１７】
図３に示す如く、基材側凸条部６及び基材側凹条部７は、軸心廻りに高速回転させると共に軸心方向に自動送りとした基材素材の外周面に切削刃１０ａを有する工具１０を押し付けて基材素材を削り込むことにより形成される。このため、ピッチＰを１ｍｍ未満とすると加工工数が増す一方、その後に蒸発材３を接合したときの密着効果を十分に得ることができない。
また、ピッチＰを２０ｍｍより大きいものとすると、工具１０の切削刃１０ａと基材素材との接触面積が大きなものとなって基材素材の回転に対する抵抗が増し、これによって加工速度が鈍化する。
【００１８】
また、ピッチＰを２０ｍｍより大きいものとすると、ＨＩＰ処理によって蒸発材３を接合する際に生じる残留応力をＰＶＤ用筒状ターゲット１全体に分散させることができず、基材２の外周を凹凸状とするにも拘わらず残留応力が局部的に作用することとなって蒸発材３に割れが生じてしまう結果を招来する虞がある。
例えば全長数十ｃｍのＰＶＤ用筒状ターゲット（本実施の形態においては６０ｃｍ）に対し基材側凹条部７のピッチＰを数ｃｍとすると、ＰＶＤ用筒状ターゲットの長手方向に数個〜数十個の基材側凸条部６及び基材側凹条部７が列ぶこととなる。また、基材２として採用されるステンレス材の熱膨張係数１７.３×１０-6／Ｋであり、蒸発材３として採用されるＣｒＢの熱膨張係数はステンレス材の熱膨張係数よりも一桁程度小さいことが知見されている。これらを組み合わせてＰＶＤ用筒状ターゲット１を形成すると、両材２、３の熱膨張差により該両材２、３の境界部４に発生する内部応力が大きなものとなる。加えて、ＣｒＢは極めて脆い材料である。
【００１９】
したがって、上記数個〜十数個程度の基材側凸条部６及び基材側凹条部７では、基材側凸条部６（基材側凹条部７）一個当たりで受け持つ応力が大きなものとなり、これによって該基材側凸条部６の近傍から蒸発材３に割れが生じる可能性が大きなものとなるのである。このため、軸方向の長さを数十ｃｍとするＰＶＤ用筒状ターゲットで応力を分散させるのには少なくとも該ＰＶＤ用筒状ターゲットの長手方向に数十個の基材側凸条部６及び基材側凹条部７を列べる必要があり、ピッチＰを２０ｍｍよりも大きなものとした大きな凹凸形状では応力を分散させ難い。また、たとえピッチＰを２０ｍｍよりも大きなものとした大型の凹凸とした場合に応力を分散させる効果が多少みられるとしても、図１に示す基材側凹条部７を埋める蒸発材側凸条部９の割合が増す。ＰＶＤ法においては、蒸発材３の蒸発が蒸発材側凹条部８に到達する前に蒸発工程を終了するので、該蒸発材側凸条部９の増加は蒸発材３の無駄に繋がり、現実的ではない。
【００２０】
以上により、基材素材の加工の容易性や両材間の境界部４に生じる残留応力の効果的に分散させるべく、ピッチＰを１ｍｍ〜２０ｍｍの範囲に設定することとしている。
また、図２に示す如く、基材側凸条部６の頂部と基材側凹条部７の底部の間の間隔を深さＤとすると、該深さＤは０.５ｍｍ〜５ｍｍの範囲とされ、より好適には０.８ｍｍ〜３ｍｍの範囲とされる。最も好ましくは１ｍｍ〜２ｍｍの範囲とされる。
深さＤを０.５ｍｍ未満とすると、該深さＤよりもＨＩＰ処理における基材２の収縮度合の方が大きなものとなって基材２と蒸発材３の噛み合い効果（密着効果）を十分に得ることができない虞がある。例えば、Ｃｒ(熱膨張係数α＝６.５×１０-6／Ｋ)と蒸発材３とし、Ｆｅ(熱膨張係数α＝１１.３×１０-6／Ｋ）を基材２としてＰＶＤ用筒状ターゲット１を製造するにつき、基材２の直径を５０ｍｍとすると、温度差５００℃での両材間の隙間は、（１１.３−６.５）×１０-6×５００×５０÷２＝０.０６ｍｍとなって約６０μｍとなる。
【００２１】
即ち、ＨＩＰ処理で昇温昇圧工程を経て蒸発材３を焼結した後、冷却工程（降温工程）において５００℃程度まで冷却した時点で加圧が解かれたとすると、その後、常温まで冷却している間に基材２と蒸発材３との間に６０μｍの隙間ができるのである。該隙間はＰＶＤ用筒状ターゲット１をＰＶＤ装置に取り付けて使用する際に両材２、３の軸方向のずれを招来することとなって有害である。
この様に隙間を生じた状態であっても両材２、３のずれを確実に防止するには、例えばブラスト等によって数μｍ〜数十μｍ程度の凹凸深さで基材の外周面を荒らすのみでは不十分であり、少なくとも前記隙間の５倍、望ましくは１０倍(数百μｍ)の凹凸深さが必要となる。
【００２２】
本実施の形態ではＦｅよりもさらに熱膨張係数の大きいステンレス材を基材２とし、Ｃｒよりもさらに熱膨張係数の小さいＣｒＢを蒸発材３として採用しており、前記隙間は熱膨張係数の差に比例して拡がることから、深さＤをより大きく設定する必要がある。
また、深さＤを０.５ｍｍ未満とすると、図４に示す如く基材２の軸方向の収縮に伴って基材２の基材側凸条部６が蒸発材３の蒸発材側凸条部９と擦れ合い、これによって蒸発材３がその軸心の径外方向に基材２からの押圧力ｆを受けることとなり（くさび効果）、蒸発材３に容易に割れが発生してしまう虞がある。
【００２３】
一方、深さＤを５ｍｍより大きなものとすると、加工工数の増大や加工速度の鈍化につながることとなって好ましくない。
また、図５に示す如く、ＨＩＰ処理の冷却工程により基材（基材素材）２は蒸発材３よりも大きく収縮するので、深さＤを５ｍｍ以上の大きなものとして設定すると、基材２の収縮により基材側凸条部６が蒸発材側凸条部９を強く押圧することとなり、これによって極めて脆い蒸発材側凸条部９に容易に割れが発生することとなって好ましくない。
以上のことから、基材２と蒸発材３のずれ防止、加工の容易性及びＨＩＰ処理時の収縮による割れの発生の抑制を図るべく、深さＤを０.５ｍｍ〜５ｍｍの範囲に設定することとしている。
【００２４】
また、図２中に一点鎖線で示す基材２の軸心に平行な直線に対する基材側凸条部６と基材側凹条部７とを連結する斜面の各位置での傾斜角度θは、上記深さＤとの関係によって設定される。該深さＤを上述の如く設定することに鑑みれば、傾斜角度θは、０°＜θ≦８０°の範囲とされ、より好適には０°＜θ≦６０°の範囲とされる。最も好ましくは０°＜θ≦４５°の範囲とされる。
また、基材側凸条部６及び基材側凹条部７の頂部の曲率半径Ｒも傾斜角度θと同様であって、該深さＤや傾斜角度θを上述の如く設定することに鑑みれば、曲率半径Ｒは０.５ｍｍ以上とされ、より好適には１ｍｍ以上とされる。最も好ましくは２ｍｍ以上とされる。
【００２５】
なお、この様に深さＤ、傾斜角度θ、曲率半径Ｒの範囲を設定可能であることに鑑みれば、互いに隣接する基材側凸条部６と基材側凹条部７とを正弦波状に形成することも可能であり、また、基材側凸条部６と基材側凹条部７の双方又は何れか一方の頂部を平坦に形成することも可能である。
本実施の形態によれば、両材２、３間の境界部４に設けられた噛合部５を構成する基材２の基材側凸条部６及び基材側凹条部７と、蒸発材３の蒸発材側凸条部９及び蒸発材側凹条部８とが角部を丸めて形成されているため、これらの角部での応力集中が排除されることとなり、境界部４にて蒸発材３に容易に割れが発生する虞はない。また、基材２と蒸発材３は、噛合部５を介して噛み合った状態となっているので、ＨＩＰ処理時やＰＶＤ作業時の熱状態の変化により両材２、３が軸方向及び径方向に膨張又は収縮する場合にもこれら両材２、３の密着性は確保され、これによって両材２、３の軸方向へのずれ等が防止されることとなる。
【００２６】
また、基材２の基材側凸条部６及び基材側凹条部７がねじ状に形成されているため、蒸発材３の一部に該蒸発材３の内周から外周に亘る割れが発生する場合にも、該割れの進展は基材側凸条部６又は基材側凹条部７に沿うこととなり、割れがＰＶＤ用筒状ターゲット１の周方向に円環状に繋がってしまう虞はない。したがって、割れの発生により蒸発材３が二分してしまう虞はない。
図６及び図７は、本発明の第２実施形態である。本実施形態において、噛合部５は、基材２の軸方向に基材側凸条部６と基材側凹条部７を交互に連続して形成することにより蛇腹状とされている。これにより、両材２、３の境界部４の密着性がＰＶＤ用筒状ターゲット１の周方向に亘って確保されることはもちろん、基材２の加工が容易となり、基材２の低コスト化が図られるのである。即ち、上記第１実施形態の如く基材２の外周面に基材側凸条部６と基材側凹条部７とをねじ状に形成することとなると、基材素材の外周面に専用工具（図３に示す工具１０）を宛がい、この状態で基材素材を軸心廻りに回転させつつ軸方向に自動送りしながら彫設する工程が必要となる。しかし、該工程は複数種の専用工具を作業の進捗状況に応じて交換することが必要となり、専用工具や加工工数の増大を招来して極めて困難且つ手間がかかるものとなる。
【００２７】
これに対し、本実施形態の如く基材２の外周面に基材側凸条部６と基材側凹条部７とを蛇腹状に形成する場合には、基材素材を軸方向に自動送りする必要はなく、専用工具を外周面に宛がった状態で基材素材を軸心廻りに回転させることによって形成することができる。したがって、本実施形態によれば、基材２の外周面に基材側凸条部６と基材側凹条部７をねじ状に形成する上記第１実施形態に比して専用工具や加工工数を減らすことができ、上記第１実施形態よりも容易に基材２を形成することができる。
また、基材２の一端から他端に亘って基材側凸条部６及び基材側凹条部７をねじ状に形成すると、基材２の端部に角ばった角部が形成される虞があり、該角部を丸める工程が必要となって加工工数が増える一方、本実施形態によれば、かかる角ばった角部が基材２の端部に形成されることはなく、これによっても加工工数の削減が図られることとなる。
【００２８】
また、図８及び図９は、本発明の第３実施形態である。本実施形態において、噛合部５は、基材２にディンプル加工を施すことにより該基材２の外周面に互いの間隔を等間隔として点在する複数の凹部１２を備えてなる。各凹部１２はすり鉢状の窪みとして形成されており、該凹部１２の寸法関係は、図９に示す如く、凹部１２のピッチｌを１ｍｍ〜２０ｍｍとし、基材２の外周面上での直径ｒを１ｍｍ〜１０ｍｍとし、該外周面からの深さｄを０.５ｍｍ〜５ｍｍ、望ましくは１ｍｍ〜３ｍｍとして設定されている。
凹部１２のピッチｌを１ｍｍ未満とすると、基材２と蒸発材３の密着力が低下し基材２が蒸発材３から抜け落ちてしまう虞があり、該ピッチｌを２０ｍｍよりも大きなものとする場合にも基材２と蒸発材３の密着力が低下して蒸発材３に対して基材２ががたつく虞がある。一方、該ピッチｌを１ｍｍ〜２０ｍｍとすれば、この様な問題は生じないことを本願発明者らは知見している。
【００２９】
また、凹部１２の直径ｒを１ｍｍ未満又は１０ｍｍより大きなものとすると基材２と蒸発材３の密着力が低下し基材２が蒸発材３から抜け落ちてしまう虞がある一方、該直径ｒを１ｍｍ〜１０ｍｍとすれば、この様な問題は生じないことを本願発明者らは知見している。
また、凹部１２の深さｄを０.５ｍｍ未満とすると、基材２と蒸発材３の密着力が低下し基材２が蒸発材３から抜け落ちてしまう虞がある。また、該深さｄを５ｍｍよりも大きなものとすると、基材２と蒸発材３の密着性は向上するものの、基材２の加工工数が増えることとなり、コスト増を招来することとなって好ましくない。これに対し、該深さｄを０.５ｍｍ〜５ｍｍとすれば、この様な問題は生じないことを本願発明者らは知見している。
【００３０】
本実施の形態によれば、基材２の外周に蒸発材３を接合するＨＩＰ処理時に両材２、３の熱膨張差により生じる残留応力がＰＶＤ用筒状ターゲット１の全体に分散されることとなる。
また、蒸発材３の内周面には、基材２の複数の凹部１２と対向する位置に凸部１３が形成されることとなる。該凸部１３は、厚さが厚いことによりそれ以外の部分よりも強度が大きい。これにより、基材２の凹部１２又は凹部１２間と対向する位置を起点として蒸発材３に割れが発生する場合、即ち、蒸発材３の凸部１３や凸部１３間を起点として割れが発生する場合にも、該割れは強度の大きい凸部１３に行き当たることによってその進展を妨げられることとなり、これによってさらなる割れの進展が抑制されるのである。
【００３１】
以上、本発明の実施の形態を詳述したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。例えば、図１０の如く基材２の長手方向中央部にのみ噛合部５を設ける場合や図１１の如く基材２の外周面の数箇所に基材側凸条部６を設け、隣り合う基材側凸条部６間を平坦とする場合にも、上記実施の形態と同様の効果を奏する。
また、図１２の如く基材２の周方向に凸部１４を所定のピッチで配備することにより、基材２の外周面を軸方向に凹凸形状とするばかりでなく周方向にも凹凸形状とする構成を採用することができる。
【００３２】
また、基材２の外周面に複数の凹部１２を不等間隔で配備する構成も採用も可能であり、凹部１２を凸部とする場合にも、本実施の形態と同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明に係るＰＶＤ用筒状ターゲットの第１実施形態の軸方向断面図である。
【図２】基材の要部を拡大して示す軸方向断面図である。
【図３】基材素材に凸条部及び凹条部を形成している状態を示す斜視図である。
【図４】境界部を拡大して示す軸方向断面図である。
【図５】境界部を拡大して示す他の軸方向断面図である。
【図６】本発明に係るＰＶＤ用筒状ターゲットの第２実施形態の軸方向断面図である。
【図７】ＰＶＤ用筒状ターゲットの斜視図である。
【図８】本発明に係るＰＶＤ用筒状ターゲットの第３実施形態の基材の斜視図である。
【図９】境界部を拡大して示す軸方向断面図である。
【図１０】本発明に係るＰＶＤ用筒状ターゲットの他の実施形態の軸方向断面図である。
【図１１】本発明に係るＰＶＤ用筒状ターゲットの他の実施形態の軸方向断面図である。
【図１２】本発明に係るＰＶＤ用筒状ターゲットの他の実施形態の径方向断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１      ＰＶＤ用筒状ターゲット
２      基材
３      蒸発材
４      境界部
５      噛合部
６      基材側凸条部
７      基材側凹条部
８      蒸発材側凹条部
９      蒸発材側凸条部
１２    凹部
１３    凸部
【図１】
2008007824.tif 000003
【図２】
2008007824.tif 000004
【図３】
2008007824.tif 000005
【図４】
2008007824.tif 000006
【図５】
2008007824.tif 000007
【図６】
2008007824.tif 000008
【図７】
2008007824.tif 000009
【図８】
2008007824.tif 000010
【図９】
2008007824.tif 000011
【図１０】
2008007824.tif 000012
【図１１】
2008007824.tif 000013
【図１２】
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