(57)【要約】【課題】タッチダウンヒータパワー（ＴＤＰ）の値を用いて、ヒータの設定値を決定する場合に、ヘッドや媒体が損傷する可能性を低下させることを課題とする。【解決手段】磁気ディスク装置は、温度条件として設定された各設定温度についてＴＤＰ値を測定し、設定温度ごとに測定された各ＴＤＰ値間の相関関係に基づいて算出された換算式と、ある一設定温度について測定されたＴＤＰ値とを用いて、ＴＤＰ値の測定時とは異なる他の設定温度についてのＴＤＰ値をそれぞれ予測算出する。【選択図】        図１
2008310904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッドおよび記憶媒体を備えた記憶装置において、当該記憶媒体の領域を複数に分割した分割領域ごとに、ヘッドと記憶媒体の間のスペーシングを調節するためのヒータ設定値を決定する制御を行う制御装置であって、
前記スペーシングを調節するための温度条件として少なくとも一つは設定される設定温度について、前記ヘッドと前記記憶媒体とが接触した時の各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定する出力値測定制御と、
前記設定温度ごとに予め測定された各接触時出力値間の相関関係から算出された換算式と、前記出力値測定制御により得られた各接触時出力値とを用いて、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値をそれぞれ予測算出する予測算出制御と、
前記出力値測定制御により得られた各接触時出力値、および前記予測算出制御により得られた各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定するヒータ設定値決定制御と、
を実行することを特徴とする制御装置。
【請求項２】
前記出力測定制御は、前記温度条件として設定された少なくとも二つの設定温度についての各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定し、
前記予測算出制御は、前記出力値測定制御により得られた各接触時出力値の各設定温度間おける相関関係を用いた直線補間により、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値を予測算出し、
前記ヒータ設定値決定制御は、前記出力値測定制御により得られた各接触時出力値、および前記予測算出制御により予測算出された各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定することを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記出力値測定制御は、前記温度条件として設定された全ての設定温度についての各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定し、
前記予測算出制御は、前記換算式および／または前記直線補間により、前記出力値測定制御により測定することができなかった接触時出力値を予測算出することを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項４】
ヘッドおよび記憶媒体を備え、当該記憶媒体の領域を複数に分割した分割領域ごとに、ヘッドと記憶媒体との間のスペーシングを調節するためのヒータ設定値を決定する記憶装置であって、
前記スペーシングを調節するための温度条件として少なくとも一つは設定される設定温度について、ヘッドと記憶媒体とが接触した時の各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定する出力値測定部と、
前記設定温度ごとに予め測定された各接触時出力値間の相関関係から算出された換算式と、前記出力値測定部により測定された各接触時出力値とを用いて、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値をそれぞれ予測算出する予測算出部と、
前記出力値測定部により測定された各接触時出力値、および前記予測算出部により予測算出された各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定するヒータ設定値決定部と、
を備えたことを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
前記出力値測定部は、前記温度条件として設定された少なくとも二つの設定温度についての各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定し、
前記予測算出部は、前記出力値測定部により測定された各接触時出力値の各設定温度間おける相関関係を用いた直線補間により、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値を予測算出し、
前記ヒータ設定値決定部は、前記出力値測定部により測定された各接触時出力値、および前記予測算出部により予測算出された各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定することを特徴とする請求項４に記載の記憶装置。
【請求項６】
前記出力値測定部は、前記温度条件として設定された全ての設定温度についての各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定し、
前記予測算出部は、前記換算式および／または前記直線補間により、前記出力値測定部により測定することができなかった接触時出力値を予測算出することを特徴とする請求項４に記載の記憶装置。
【請求項７】
ヘッドおよび記憶媒体を備え、当該記憶媒体の領域を複数に分割した分割領域ごとに、ヘッドと記憶媒体との間のスペーシングを調節するためのヒータ設定値を決定するようにして構成された記憶装置の製造方法であって、
前記スペーシングを調節するための温度条件として少なくとも一つは設定される設定温度について、ヘッドと前記記憶媒体とが接触した時の各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定する出力値測定ステップと、
前記設定温度ごとに予め測定された各接触時出力値間の相関関係から算出された換算式と、前記出力値測定ステップにより測定された各接触時出力値とを用いて、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値をそれぞれ予測算出する予測算出ステップと、
前記出力値測定ステップにより測定された各接触時出力値、および前記予測算出ステップにより予測算出された各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定するヒータ設定値決定ステップと、
を含んだことを特徴とする記憶装置製造方法。
【請求項８】
ヘッドおよび記憶媒体を備えた記憶装置において、当該記憶媒体の領域を複数に分割した分割領域ごとに、ヘッドと記憶媒体との間のスペーシングを調節するためのヒータ設定値を決定する処理をコンピュータに実行させるヒータ設定値決定プログラムであって、
前記スペーシングを調節するための温度条件として少なくとも一つは設定される設定温度について、前記ヘッドと前記記憶媒体とが接触した時の各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定する出力値測定手順と、
前記設定温度ごとに予め測定された各接触時出力値間の相関関係から算出された換算式と、前記出力値測定手順により測定された各接触時出力値とを用いて、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値をそれぞれ予測算出する予測算出手順と、
前記出力値測定手順により測定された各接触時出力値、および前記予測算出手順により予測算出された各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定するヒータ設定値決定手順と、
をコンピュータに実行させることを特徴とするヒータ設定値決定プログラム。
【請求項９】
前記出力値測定手順は、前記温度条件として設定された少なくとも二つの設定温度についての各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定し、
前記予測算出手順は、前記出力値測定手順により測定された各接触時出力値の各設定温度間おける相関関係に基づいた直線補間により、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値を予測算出し、
前記ヒータ設定値決定手順は、前記出力値測定手順により測定された各接触時出力値、および前記予測算出手順により予測算出された各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定することを特徴とする請求項８に記載のヒータ設定値決定プログラム。
【請求項１０】
前記出力値測定手順は、前記温度条件として設定された全ての設定温度についての各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定し、
前記予測算出手順は、前記換算式および／または前記直線補間により、前記出力値測定手順により測定することができなかった接触時出力値を予測算出することを特徴とする請求項８に記載のヒータ設定値決定プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、記憶媒体とヘッドとの間の間隔（スペーシング）を調節するためのヒータ設定値を決定する処理を実行する記憶装置の制御装置、当該制御装置を搭載した記憶装置、当該記憶装置において実行される処理をコンピュータに実行させるヒータ設定値決定プログラム、および記憶装置製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気ディスク装置において、搭載されたヘッド、ディスクなどの媒体の位置および装置内の温度ごとに、ディスクとヘッドとの間の間隔（スペーシング）を制御する技術が存在する。例えば、特許文献１では、磁気ディスク装置内の温度に応じてヘッドのスペーシングを調節し、ディスクとヘッドとの距離を一定に保つ方法が開示されている。
【０００３】
ところで、磁気ディスク装置においては、製品出荷前に、搭載されたヘッド、ディスクなどの媒体の位置および装置内の温度ごとに、スペーシングを調節するヒータの設定値をあらかじめ決定するが、その際に、ヘッドとディスクとを接触させた時（タッチダウン時）に計測される出力値、いわゆる、タッチダウンヒータパワー（ＴＤＰ）の値を用いて、ヒータの設定値を決定する技術が存在する。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１６４３８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記したタッチダウンヒータパワー（ＴＤＰ）の値を用いて、ヒータの設定値を決定する技術では、ヘッドや媒体が損傷する可能性が高いという問題点があった。
【０００６】
すなわち、タッチダウンヒータパワー（ＴＤＰ）を測定するためには、少なからずヘッドと媒体を接触させる必要がある。そのため、ヘッドが浮上するディスクなどの媒体上の位置および装置内の温度ごとに、タッチダウンヒータパワーを計測する場合には、必然的に、ヘッドと媒体を接触させる回数が多くなるので、ヘッドや媒体を損傷させる可能性が高いという問題点があった。
【０００７】
そこで、この発明は、上述した従来技術の課題を解決するためになされたものであり、タッチダウンヒータパワー（ＴＤＰ値）の値を用いて、ヒータの設定値を決定する場合に、ヘッドや媒体が損傷する可能性を低下させることが可能な記憶装置の制御装置、当該制御装置を搭載した記憶装置、当該記憶装置において実行される処理をコンピュータに実行させるヒータ設定値決定プログラム、および記憶装置製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明は、ヘッドおよび記憶媒体を備えた記憶装置において、当該記憶媒体の領域を複数に分割した分割領域ごとに、ヘッドと記憶媒体の間のスペーシングを調節するためのヒータ設定値を決定する制御を行う制御装置であって、前記スペーシングを調節するための温度条件として少なくとも一つは設定される設定温度について、前記ヘッドと前記記憶媒体とが接触した時の各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定する出力値測定制御と、前記設定温度ごとに予め測定された各接触時出力値間の相関関係から算出された換算式と、前記出力値測定制御により得られた各接触時出力値とを用いて、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値をそれぞれ予測算出する予測算出制御と、前記出力値測定制御により得られた各接触時出力値、および前記予測算出制御により得られた各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定するヒータ設定値決定制御と、を実行することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、ヘッドおよび記憶媒体を備え、当該記憶媒体の領域を複数に分割した分割領域ごとに、ヘッドと記憶媒体との間のスペーシングを調節するためのヒータ設定値を決定する記憶装置であって、前記スペーシングを調節するための温度条件として少なくとも一つは設定される設定温度について、ヘッドと記憶媒体とが接触した時の各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定する出力値測定部と、前記設定温度ごとに予め測定された各接触時出力値間の相関関係から算出された換算式と、前記出力値測定部により測定された各接触時出力値とを用いて、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値をそれぞれ予測算出する予測算出部と、前記出力値測定部により測定された各接触時出力値、および前記予測算出部により予測算出された各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定するヒータ設定値決定部と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、ヘッドおよび記憶媒体を備えた記憶装置において、当該記憶媒体の領域を複数に分割した分割領域ごとに、ヘッドと記憶媒体との間のスペーシングを調節するためのヒータ設定値を決定する処理をコンピュータに実行させるヒータ設定値決定プログラムであって、前記スペーシングを調節するための温度条件として少なくとも一つは設定される設定温度について、前記ヘッドと前記記憶媒体とが接触した時の各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定する出力値測定手順と、前記設定温度ごとに予め測定された各接触時出力値間の相関関係から算出された換算式と、前記出力値測定手順により測定された各接触時出力値とを用いて、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値をそれぞれ予測算出する予測算出手順と、前記出力値測定手順により測定された各接触時出力値、および前記予測算出手順により予測算出された各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定するヒータ設定値決定手順と、をコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００１１】
したがって、本発明によれば、媒体とヘッドの間のスペーシングを調節するための温度条件として少なくとも一つは設定される設定温度（例えば、室温など基準となる設定温度）について、各ヘッドと記録媒体とが接触した時の各接触時出力値（タッチダウンヒータパワー）を分割領域ごとに測定し、設定温度ごとに予め測定された各接触時出力値間の相関関係から算出された換算式と、実際に測定された各接触時出力値とを用いて、各接触時出力値の実測時とは異なる他の設定温度（例えば、室温より高い設定温度および低い設定温度）についての各接触時出力値をそれぞれ予測算出し、測定された各接触時出力値および予測算出された各接触時出力値を用いてヒータ設定値を決定するので、タッチダウンヒータパワー（ＴＤＰ値）の値を用いて、ヒータの設定値を決定する場合に、タッチダウンヒータパワー計測に要する時間を短縮できるだけでなく、ヘッドと媒体を接触させる回数を減らすことができ、ヘッドや媒体が損傷する可能性を低下させることができる。
【００１２】
また、本発明は、上記の発明において、前記出力測定制御は、前記温度条件として設定された少なくとも二つの設定温度についての各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定し、前記予測算出制御は、前記出力値測定制御により得られた各接触時出力値の各設定温度間おける相関関係を用いた直線補間により、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値を予測算出し、前記ヒータ設定値決定制御は、前記出力値測定制御により得られた各接触時出力値、および前記予測算出制御により予測算出された各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明は、上記の発明において、前記出力値測定部は、前記温度条件として設定された少なくとも二つの設定温度についての各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定し、前記予測算出部は、前記出力値測定部により測定された各接触時出力値の各設定温度間おける相関関係を用いた直線補間により、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値を予測算出し、前記ヒータ設定値決定部は、前記出力値測定部により測定された各接触時出力値、および前記予測算出部により予測算出された各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、上記の発明において、前記出力値測定手順は、前記温度条件として設定された少なくとも二つの設定温度についての各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定し、前記予測算出手順は、前記出力値測定手順により測定された各接触時出力値の各設定温度間おける相関関係を用いた直線補間により、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値を予測算出し、前記ヒータ設定値決定手順は、前記出力値測定手順により測定された各接触時出力値、および前記予測算出手順により予測算出された各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定することを特徴とする。
【００１５】
したがって、本発明によれば、記録媒体の分割領域ごとに、温度条件として設定された少なくとも二つの設定温度（例えば、室温と室温より低い設定温度）について各接触時出力値を測定し、測定された各接触時出力値の各設定温度間おける相関関係に基づいた直線補間により、各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度（室温より高い設定温度）についての各接触時出力値を予測算出し、測定された各接触時出力値および予測算出された各接触時出力値を用いてヒータ設定値を決定するので、ヘッドと媒体を接触させる回数を極力減らすことができ、ヘッドや媒体を損傷させる可能性を低下させることができる。
【００１６】
また、本発明は、上記の発明において、前記出力値測定制御は、前記温度条件として設定された全ての設定温度についての各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定し、前記予測算出制御は、前記換算式および／または前記直線補間により、前記出力値測定制御により測定することができなかった接触時出力値を予測算出することを特徴とする。
【００１７】
また、本発明は、上記の発明において、前記出力値測定部は、前記温度条件として設定された全ての設定温度についての各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定し、前記予測算出部は、前記換算式および／または前記直線補間により、前記出力値測定部により測定することができなかった接触時出力値を予測算出することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明は、上記の発明において、前記出力値測定手順は、前記温度条件として設定された全ての設定温度についての各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定し、前記予測算出手順は、前記換算式および／または前記直線補間により、前記出力値測定手順により測定することができなかった接触時出力値を予測算出することを特徴とする。
【００１９】
したがって、本発明によれば、記録媒体の分割領域ごとに、温度条件として設定された全ての設定温度について各接触時出力値を測定し、設定温度ごとに予め測定された各接触時出力値間の相関関係から算出された換算式、および／または実測された各接触時出力値の各設定温度間おける相関関係に基づいた直線補間により、測定することができなかった接触時出力値を予測算出するので、測定することができなかったタッチダウンヒータパワーを得ることができるとともに、該当するヘッドおよび記録媒体の分割領域におけるヒータ設定値を得ることができる。
【００２０】
また、本発明は、ヘッドおよび記憶媒体を備え、当該記憶媒体の領域を複数に分割した分割領域ごとに、ヘッドと記憶媒体との間のスペーシングを調節するためのヒータ設定値を決定するようにして構成された記憶装置の製造方法であって、前記スペーシングを調節するための温度条件として少なくとも一つは設定される設定温度について、ヘッドと前記記憶媒体とが接触した時の各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定する出力値測定ステップと、前記設定温度ごとに予め測定された各接触時出力値間の相関関係から算出された換算式と、前記出力値測定ステップにより測定された各接触時出力値とを用いて、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値をそれぞれ予測算出する予測算出ステップと、前記出力値測定ステップにより測定された各接触時出力値、および前記予測算出ステップにより予測算出された各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定するヒータ設定値決定ステップと、を含んだことを特徴とする。
【００２１】
したがって、本発明によれば、スペーシングを調節するための温度条件として少なくとも一つは設定される設定温度（例えば、室温など基準となる設定温度）について、ヘッドと記憶媒体とが接触した時の各接触時出力値（タッチダウンヒータパワー）を前記分割領域ごとに測定し、設定温度ごとに予め測定された各接触時出力値間の相関関係から算出された換算式と、測定された各接触時出力値とを用いて、各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度（例えば、室温より高い設定温度および低い設定温度）についての各接触時出力値をそれぞれ予測算出し、測定された各接触時出力値および予測算出された各接触時出力値を用いてヒータ設定値を決定するので、タッチダウンヒータパワー（ＴＤＰ値）の値を用いて、ヒータの設定値を決定する場合に、タッチダウンヒータパワー計測に要する時間を短縮できるだけでなく、ヘッドと媒体を接触させる回数を減らすことができ、ヘッドや媒体が損傷する可能性を低下させるとともに、良品率を高め、信頼度の高い記憶装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、ヘッドのスペーシングを調節するための温度条件として少なくとも一つは設定される設定温度（例えば、室温など基準となる設定温度）について、各ヘッドと記憶媒体とが接触した時の各接触時出力値（タッチダウンヒータパワー）を前記分割領域ごとに測定し、設定温度ごとに予め測定された各接触時出力値間の相関関係から算出された換算式と、測定された各接触時出力値とを用いて、各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度（例えば、室温より高い設定温度および低い設定温度）についての各接触時出力値をそれぞれ予測算出し、測定された各接触時出力値および予測算出された各接触時出力値を用いてヒータ設定値を決定するので、タッチダウンヒータパワー（ＴＤＰ値）の値を用いて、ヒータの設定値を決定する場合に、精度の高いヒータ設定値の設定が可能となるとともに、タッチダウンヒータパワー計測に要する時間を短縮できるだけでなく、ヘッドと媒体を接触させる回数を減らすことができ、ヘッドや媒体を損傷する可能性を低下させることができる。また、本発明を記憶装置に適用した場合には、製品出荷前にヘッドや媒体を損傷する可能性を低下させることが可能である結果、製品の信頼度および歩留まりを向上させることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に添付図面を参照して、この発明に係る制御装置、記憶装置、ヒータ設定値決定プログラムおよび記憶装置製造方法の実施例を詳細に説明する。なお、以下では、本発明の一実施形態として、本発明に係るヒータ設定値決定プログラムを適用した磁気ディスク装置を実施例１として説明した後に、本発明に含まれる他の実施形態を他の実施例として説明する。
【実施例１】
【００２４】
以下に詳述する実施例１では、実施例１に係る磁気ディスク装置の概要および特徴、磁気ディスク装置の構成および処理を順に説明し、最後に実施例１による効果を説明する。
【００２５】
［磁気ディスク装置の概要および特徴（実施例１）］
まず、図１を用いて、実施例１に係る磁気ディスク装置の概要および特徴を説明する。図１は、実施例１に係る磁気ディスク装置の概要および特徴を説明するための図である。
【００２６】
図１に示すように、実施例１に係る磁気ディスク装置において、工場からの製品出荷前の製造工程として、ヘッドスライダに搭載されるヘッド(素子部)と記憶媒体(厳密には磁気記録膜)との間隔(スペーシング) を設計目標のスペーシングになるようにヒータのスペーシングを調節すべく、ヒータ設定値の調整を行う。
【００２７】
まず、ヒータを停止して、ヒータが駆動していない場合のスペーシングを測定する。ヒータ停止時におけるスペーシングを測定する為に、ヒータにより突出させたヘッドと媒体を接触させる。そして、接触時出力値であるタッチダウンヒータパワーを測定する。
【００２８】
次に、磁気ディスク装置は、複数備えている各ヘッドについて、ディスクの領域をいくつかに分割した分割領域（例えば、「内」、「中」、「外」）ごとに、各ヘッドのスペーシングを調節するための温度条件として設定された一設定温度（例えば、「中温（ＴＮ）：３０℃」）について、ヘッドとディスクとが接触した時のタッチダウンヒータパワー（以下、適宜「ＴＤＰ」と記載する）をリード時またはライト時の双方について測定する。
【００２９】
なお、ライト動作時などのライト素子が動作している時は、ライト素子がコイルを備えている理由でライト素子自身が発熱体となり、ヒータの役割を一部担っている。リード素子はＭＲ素子であるので、ヒータの機能をなさない。ゆえに、ライト動作時とリード動作時で、スペーシング測定用のヒータの設定値は異なるため、それぞれ測定する。
【００３０】
また、分割領域は内周、中周、外周の３ゾーンには限定されず、より細かく区切ってもよい。さらに、ヒータ設定値を求めるにあたり、3つの分割領域を細かく分割したゾーン（例えば30ゾーン）にする為に直線補間や近似式などで補間を行なって細かく制御しても良い。ゆえに、より高精度なヒータ制御が可能になり、厳密なヘッドの浮上制御ができる。
【００３１】
さらに、各分割領域の特定の試験領域を使用しても良いが、通常のデータ領域を利用して、所定のデータのライト動作及びリード動作を行って測定を実施しても良い。
【００３２】
上述してきたように、実施例１に係る磁気ディスク装置は、記憶媒体とヘッドとの間の間隔（スペーシング）を調節するためのヒータ設定値を決定することを概要とする。そして、以下に説明するように、ヒータの設定値を決定する場合に、ヘッドや媒体が損傷する可能性を低下させることが可能である点に主たる特徴がある。
【００３３】
すなわち、実施例１に係る磁気ディスク装置は、各ヘッドのスペーシングを調節するための温度条件として装置内に設定された各設定温度についてＴＤＰ値を測定し、設定温度ごとに測定された各ＴＤＰ値間の相関関係に基づいて算出された換算式と、ある一設定温度について測定されたＴＤＰ値とを用いて、ＴＤＰ値の測定時とは異なる他の設定温度についてのＴＤＰ値をそれぞれ予測算出する。
【００３４】
ここで、設定温度ごとに測定された各ＴＤＰ値間の相関関係に基づいて算出される換算式は、例えば、図２に例示するように、各ヘッド、ディスクの各分割領域および各設定温度を適宜変更しつつ測定した、例えば、８７４サンプルの各ＴＤＰ値を解析して得られるものである。すなわち、図２に示すように、設定温度ごとに測定された各ＴＤＰ値は、ヘッドの種類やディスクの各分割領域によらず、低温（ＴＬ）で測定されたＴＤＰ値と中温（ＴＮ）で測定されたＴＤＰ値との間の変化量、および中温（ＴＮ）で測定されたＴＤＰ値と高温（ＴＨ）で測定されたＴＤＰ値との間の変化量が同様の変化量を示すという相関関係が得られる。
【００３５】
また、同図に示すように、高温（ＴＨ）の設定温度で測定したＴＤＰ値と中温（ＴＮ）の設定温度で測定したＴＤＰ値との相関関係に基づいて算出される換算式は、ｙ＝０．９０２ｘ−１３．６６６（ベース値）となる。また、中温（ＴＮ）の設定温度で測定したＴＤＰ値と低温（ＴＬ）の設定温度で測定したＴＤＰ値との相関関係に基づいて算出される換算式は、ｙ＝０．９１２９ｘ−２９．０２３となる。
【００３６】
したがって、例えば、あるヘッドについて、ディスクの分割領域（例えば、「内」、「中」、「外」の各ゾーン）ごとに、中温（ＴＮ）：３０℃について測定したＴＤＰ値と、上述した換算式とを用いて、ディスクの分割領域ごとに、高温（ＴＨ）および低温（ＴＬ）のＴＤＰ値をそれぞれ予測算出することができる。
【００３７】
各ＴＤＰ値を予測算出した後、実施例１に係る磁気ディスク装置は、実際に測定された各ＴＤＰ値（例えば、ディスクの分割領域ごとに中温（ＴＮ）の設定温度で測定した各ＴＤＰ値）、および予測算出された各ＴＤＰ値（ディスクの分割領域ごとに高温（ＴＨ）および低温（ＴＬ）の設定温度で予測算出された各ＴＤＰ値）を用いてヒータ設定値を決定する。
【００３８】
すなわち、図２に示すように、複数のサンプルから求められたＴＤＰ値には温度間に高い相関性が認められ、この相関性に基づいた換算式を用いることによって信頼性の高いＴＤＰ値を予測算出することができ、信頼性の高いヒータ設定値を得ることができる。
【００３９】
例えば、ディスクとヘッドとの間の距離が特定の距離となるように、ディスクの領域をいくつかに分割した分割領域（例えば、「内」、「中」、「外」の各ゾーン）および設定温度ごとに、各ＴＤＰ値から所定の値を戻した値をヒータ設定値として決定する。このようにして決定されたヒータ設定値からなるテーブルを作成して、装置内部に備えられたメモリに格納する。なお、ライト時のＴＤＰ値を用いてヒータ設定値を決定する際には、ライト電流によるヘッドの膨張が加味される。
【００４０】
このようなことから、実施例１に係る磁気ディスク装置は、上述した主たる特徴の如く、タッチダウンヒータパワー（ＴＤＰ）の値を用いて、ヒータの設定値を決定する場合に、タッチダウンヒータパワー計測に要する時間を短縮できるだけでなく、ヘッドと媒体を接触させる回数を減らすことができ、ヘッドや媒体を損傷する可能性を低下させることが可能である。
【００４１】
［磁気ディスク装置の構成（実施例１）］
次に、図３を用いて、実施例１に係る磁気ディスク装置の構成を説明する。図３は、実施例１に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。同図に示すように、この磁気ディスク装置１は、ホストＩＦ制御部２、バッファ制御部３、バッファメモリ４、フォーマット制御部５、リードチャネル６、ヘッドＩＣ７、ＭＰＵ８、メモリ９、不揮発性メモリ１０、サーボ制御部１１、ＶＣＭ（ヴォイスコイルモータ）１２、ＳＰＭ（スピンドルモータ）１３、ヘッド１４およびディスク１５、図示しない温度計を備えて構成され、所定の構成部がコモンバス１６を介して接続されている。
【００４２】
実施例１に係る磁気ディスク装置の主要な構成部について以下に簡単に説明する。ホストＩＦ制御部２は、ホストなどの外部装置との間でやり取りする各種情報等に関する通信を制御する。バッファ制御部３は、バッファメモリ４のバッファ容量を制御する。バッファメモリ４は、ホストＩＦ制御部２を介してホストなどの外部装置との間でやり取りする情報等を一時的に記憶する。フォーマット制御回路５は、データの読み出し時に、リードチャネル６から受け取ったデジタルデータのエラーチェック等を行ってデータの読み出しを制御する。リードチャネル６は、データの読み出し時にヘッドＩＣ７から受け取るヘッドからの信号について処理を行ってデジタルデータを生成する。ヘッドＩＣは、ＭＰＵからの制御に基づいて、ヘッド１４に備えられたヒータの出力を制御する。ＭＰＵ８は、磁気ディスク装置１の主制御を行う。メモリ９および不揮発メモリ１０は、制御用データや制御用プログラムを記憶する。サーボ制御回路１１は、ＶＣＭ１２やＳＰＭ１３の動作を制御する。ヘッド１４は、ライト素子、リード素子およびヒータを含んで構成され、ディスク１５に対するリードおよびライトを行う。ディスク１５は、金属またはガラス製の円盤状の基板に磁性膜などを形成して構成され、記憶領域に所定のデータを記録する。
【００４３】
そして、ヘッドＩＣ７、ＭＰＵ８およびメモリ９が本発明に密接に関連する。すなわち、ヘッドＩＣ７は、ＭＰＵから受け付けたヒータ設定値に基づいて、ヘッド１４に備えられたヒータの出力を制御することによりヘッド１４のスペーシングを調整する。
【００４４】
メモリ９は、ＭＰＵ８による各種処理に必要な制御用データや制御用プログラムを記憶する記憶部であり、具体的には、ヒータ設定値決定プログラム９−１と、ＴＤＰ値データ９−２と、ヒータ設定値テーブル９−３とを備える。
【００４５】
ヒータ設定値決定プログラム９−１は、ＭＰＵ８により実行されるヒータ設定値決定処理に関する処理手順を規定したプログラムを記憶して構成される。ＴＤＰ値データ９−２は、ＭＰＵ８によるヒータ設定値決定処理において測定された各ＴＤＰ値や、予測算出された各ＴＤＰ値を記憶して構成される。ヒータ設定値テーブル９−３は、図４にその一例を示すが、ディスク１５の領域をいくつかに分割した分割領域（例えば、「内」、「中」、「外」の各ゾーン）および装置内温度ごとに、ＭＰＵ８により決定されたヒータ設定値を記憶して構成される。なお、ヒータ設定値テーブル９−３は、各ヘッドについて、ライト時およびリード時のものがそれぞれ記憶される。
【００４６】
ＭＰＵ８は、ヒータ設定値決定プログラム９−１をメモリ９から読み出してヒータ設定値決定処理を実行する。具体的に説明すると、ＭＰＵ８は、各ヘッド１４について、ディスク１５の領域をいくつかに分割した分割領域（例えば、「内」、「中」、「外」の各ゾーン）ごとに、各ヘッドの浮上量を調節するための温度条件として設定された設定温度（例えば、「中温（ＴＮ）：３０℃」）について、各ヘッド１４とディスク１５とが接触した時のＴＤＰ値をリード時またはライト時の双方について測定する。より詳細には、ＭＰＵ８は、ヘッドＩＣ７によってヘッド内のヒータを起動させつつ、温度条件として装置内に設定された設定温度についてディスク１５のゾーンごとに、ヘッド１４とディスク１５とが実際に接触した時のＴＤＰ値（リードまたはライト時のヘッドからの出力電圧値）を測定する。
【００４７】
そして、ＭＰＵ８は、装置内に設定された設定温度ごとに予め測定された各ＴＤＰ値間の相関関係に基づいて算出された換算式（図２参照）と、ある一設定温度について測定されたＴＤＰ値とを用いて、ＴＤＰ値の実測時とは異なる他の設定温度についてのＴＤＰ値を、ディスク１５の分割領域ごとにそれぞれ予測算出する。すなわち、図２に示すように、設定温度ごとに測定された各ＴＤＰ値は、ヘッドの種類やディスクの各分割領域によらず、低温（ＴＬ）で測定されたＴＤＰ値と中温（ＴＮ）で測定されたＴＤＰ値との間の変化量、および中温（ＴＮ）で測定されたＴＤＰ値と高温（ＴＨ）で測定されたＴＤＰ値との間の変化量が同一の変化量を示すという相関関係が得られるので、この相関関係に基づいて算出した換算式を用いて、実測を行っていない他の設定温度でのＴＤＰ値をディスク１５の分割領域ごとに予測して算出する趣旨である。
【００４８】
また、図２に示すように、高温（ＴＨ）の設定温度で測定したＴＤＰ値と中温（ＴＮ）の設定温度で測定したＴＤＰ値との相関関係に基づいて算出される換算式は、ｙ＝０．９０２ｘ−１３．６６６（ベース値）となる。同様に、中温（ＴＮ）の設定温度で測定したＴＤＰ値と低温（ＴＬ）の設定温度で測定したＴＤＰ値との相関関係に基づいて算出される換算式は、ｙ＝０．８８７２ｘ−３０．６８７となる。
【００４９】
ＭＰＵ８は、例えば、あるヘッドについて、ディスク１５の分割領域（例えば、「内」、「中」、「外」の各ゾーン）ごとに、中温（ＴＮ）：３０℃について測定したＴＤＰ値と、上述した換算式とを用いて、ディスク１５の分割領域ごとに、高温（ＴＨ）および低温（ＴＬ）のＴＤＰ値をそれぞれ予測算出する。そして、ＭＰＵ８は、例えば、ディスク１５の分割領域ごとに、中温（ＴＮ）：３０℃について測定した各ＴＤＰ値と、予測算出した高温（ＴＨ）および低温（ＴＬ）の各ＴＤＰ値とをメモリ９にＴＤＰ値データ９−２として格納する。
【００５０】
ここで、換算式を用いてＴＤＰ値を予測算出する場合に、磁気ディスク装置１に設定される仕様の一例を図５に示す。また、図２に示す換算式のベース値を微調整する場合に、磁気ディスク装置１に設定される仕様の一例を図６に示す。
【００５１】
各ＴＤＰ値データを予測算出した後、ＭＰＵ８は、メモリ９からＴＤＰ値データ９−２を読み出して、実際に測定された各ＴＤＰ値（例えば、ディスク１５の分割領域ごとに中温（ＴＮ）の設定温度で測定した各ＴＤＰ値）、および予測算出された各ＴＤＰ値（ディスク１５の分割領域ごとに高温（ＴＨ）および低温（ＴＬ）の設定温度で予測算出された各ＴＤＰ値）を用いてヒータ設定値を決定する。
【００５２】
例えば、ＭＰＵ８は、ディスク１５とヘッド１４との間の距離が特定の距離となるように、ディスク１５の領域をいくつかに分割した分割領域であるディスク１５のゾーンおよび設定温度ごとに、各ＴＤＰ値から所定の値を戻した値(BV)をヒータ設定値として決定する。そして、各設定温度を装置内温度として、各ディスクのゾーンおよび各装置内温度ごとに決定されたヒータ設定値からなるヒータ設定値テーブル（図４参照）を作成してメモリ９に格納する。なお、ライト時のＴＤＰ値を用いてヒータ設定値を決定する際には、ライト電流によるヘッド膨張の影響を加味する。また、各ヘッドについて、ライト時およびリード時のヒータ設定値テーブルをそれぞれ作成する。
【００５３】
具体例として、ヒータ設定値は下記の式により求められる。リードヒータパワーPwr= TDP+a・BV+b(aは補償係数、bはその他の調整値)。ライトヒータパワーPww= TDP+c・BV+d・Iw+e(cは補償係数、d・Iwはライト用調整値、ｅはその他の調整値)。
【００５４】
また、上記により求められたヒータ設定値をさらに近似計算などすることにより、3つの分割領域以上のゾーン毎に、例えば30ゾーンに細密化してヒータ設定値を求めて、ヒータ設定値テーブルを作成しても良い。
【００５５】
このようにして作成されたヒータ設定値テーブルが最終的に磁気ディスク装置の記憶部(ディスクもしくは不揮発性メモリなど)に通常動作時用のリードヒータパワーやライトヒータパワーの初期値として格納される。
【００５６】
［磁気ディスク装置による処理（実施例１）］
続いて、図７を用いて、実施例１に係る磁気ディスク装置の処理を説明する。図７は、実施例１に係る磁気ディスク装置の処理の流れを示すフローチャートである。
【００５７】
同図に示すように、磁気ディスク装置１のＭＰＵ８は、各ヘッドについて、ディスク１５の領域をいくつかに分割した分割領域（例えば、「内」、「中」、「外」）ごとに、各ヘッドのスペーシングを調節するための温度条件として設定された設定温度（例えば、「中温（ＴＮ）：３０℃」）について、各ヘッドと記憶媒体とが接触した時のＴＤＰ値を測定する（ステップＳ７０１）。
【００５８】
そして、ＭＰＵ８は、温度条件として設定された各設定温度についてＴＤＰ値を測定し、設定温度ごとに測定された各ＴＤＰ値間の相関関係に基づいて算出された換算式（図２参照）と、ある一設定温度について測定されたＴＤＰ値とを用いて、ＴＤＰ値の実測時とは異なる他の設定温度についてのＴＤＰ値をそれぞれ予測算出する（ステップＳ７０２）。
【００５９】
すなわち、ＭＰＵ８は、例えば、あるヘッドについて、ディスクの分割領域（例えば、「内」、「中」、「外」）ごとに、中温（ＴＮ）：３０℃について測定したＴＤＰ値と、上述した換算式とを用いて、ディスクの分割領域ごとに、高温（ＴＨ）および低温（ＴＬ）のＴＤＰ値をそれぞれ予測算出する。そして、ＭＰＵ８は、例えば、ディスクの分割領域ごとに、中温（ＴＮ）：３０℃について測定した各ＴＤＰ値と、予測算出した高温（ＴＨ）および低温（ＴＬ）の各ＴＤＰ値とをＴＤＰ値データ９−２としてメモリ９に格納する。
【００６０】
各ＴＤＰ値データを予測算出した後、ＭＰＵ８は、メモリ９からＴＤＰ値データ９−２を読み出して、実際に測定された各ＴＤＰ値（例えば、ディスクの分割領域ごとに中温（ＴＮ）の設定温度で測定した各ＴＤＰ値）、および予測算出された各ＴＤＰ値（ディスクの分割領域ごとに高温（ＴＨ）および低温（ＴＬ）の設定温度で予測算出された各ＴＤＰ値）を用いてヒータ設定値を決定する（ステップＳ７０３）。
【００６１】
例えば、ＭＰＵ８は、ディスク１５とヘッド１４との間の距離が特定の距離となるように、ディスク１５の領域をいくつかに分割した分割領域であるディスクのゾーンおよび設定温度ごとに、各ＴＤＰ値から所定の値を戻した値をヒータ設定値として決定する。そして、各設定温度を装置内温度として置き換えて、各ディスクのゾーンおよび各装置内温度に対応したヒータ設定値からなるヒータ設定値テーブル（図４参照）を作成してメモリ９に格納する。
【００６２】
［実施例１による効果］
上述してきたように、実施例１によれば、各ヘッドのスペーシングを調節するための温度条件として少なくとも一つは設定される設定温度（例えば、室温など基準となる中温（ＴＮ）の設定温度）について、各ヘッドと記憶媒体とが接触した時のタッチダウンヒータパワー（ＴＤＰ値）を分割領域ごとに測定し、設定温度ごとに予め測定された各ＴＤＰ値間の相関関係から算出された換算式と、実際に測定された各ＴＤＰ値とを用いて、各ＴＤＰ値の実測時とは異なる他の設定温度（例えば、高温（ＴＨ）および低温（ＴＬ）の設定温度）についての各ＴＤＰ値をそれぞれ予測算出し、実測された各ＴＤＰ値および予測算出された各ＴＤＰ値を用いてヒータ設定値を決定するので、ＴＤＰ値を用いてヒータの設定値を決定する場合に、ＴＤＰ値計測に要する時間を短縮できるだけでなく、ヘッドと媒体を接触させる回数を減らすことができ、ヘッドや媒体が損傷する可能性を低下させることができる。
【００６３】
また、上記の実施例１では、中温（ＴＮ）：３０℃について測定したＴＤＰ値と、上述した換算式とを用いて、ディスクの分割領域ごとに、高温（ＴＨ）および低温（ＴＬ）のＴＤＰ値をそれぞれ予測算出する場合を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＴＤＰ値の実測数を適宜変更して実行することができる。
【実施例２】
【００６４】
さて、これまで本発明の実施例１について説明したが、本発明は上述した実施例以外にも、種々の異なる形態にて実施されてよいものである。そこで、以下では、本発明に含まれる他の実施例を説明する。
【００６５】
（１）直線補間により他の設定温度でのＴＤＰ値を予測算出
上記の実施例１では、設定温度ごとに予め測定された各ＴＤＰ値間の相関関係から算出された換算式と、実際に測定された各ＴＤＰ値とを用いて、ＴＤＰ値の実測時とは異なる他の設定温度での各ＴＤＰ値を予測算出する場合を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００６６】
すなわち、ＭＰＵ８は、少なくとも二つの設定温度についての各ＴＤＰ値をディスク１５の分割領域（例えば、「内」、「中」、「外」の各ゾーン）ごとに測定し、実測された各ＴＤＰ値の各設定温度間おける相関関係を用いた直線補間により、各ＴＤＰ値の測定時とは異なる他の設定温度についての各ＴＤＰ値を予測算出するようにしてもよい。
【００６７】
例えば、図８に例示するように、ＭＰＵ８は、あるヘッドについて、低温、中温および高温のうち、いずれか二つの設定温度についての各ＴＤＰ値を実測し、各ヘッド、各ディスクの分割領域および各設定温度を適宜変更しつつ測定した、例えば、２８０サンプルの各ＴＤＰ値（あるいは、各ＴＤＰ値の平均値）を解析して得られる相関関係に基づいた直線補間により、他の一設定温度でのＴＤＰ値をディスクの分割領域ごとにそれぞれ算出する。
【００６８】
ここで、直線補間を用いてＴＤＰ値を予測算出する場合に、磁気ディスク装置１に設定される仕様の一例を図９に示す。また、各温度で実測したＴＤＰ値の内、例えば、高温において実測されたＴＤＰ値が誤検出されたものである場合には、低温および中温において実測されたＴＤＰ値の直線補完により予測算出されたＴＤＰ値と、上記の実施例１で説明した換算式を用いて予測算出されたＴＤＰ値とを用いて、誤検出された高温のＴＤＰ値を補正するようにしてもよい。ＴＤＰ値の補正方法について、磁気ディスク装置１に設定される仕様の一例を図１０に示す。
【００６９】
このようにして得られる各ＴＤＰを用いて、ＭＰＵ８は、上記の実施例１と同様にヒータ設定値を決定する。
【００７０】
このようなことから、ディスク１５の分割領域ごとに、温度条件として設定された少なくとも二つの設定温度（低温、中温および高温のうち、いずれか二つの設定温度）について各ＴＤＰ値を測定し、測定された各ＴＤＰ値の各設定温度間おける相関関係に基づく直線補間により、各ＴＤＰ値の実測時とは異なる他の設定温度についての各ＴＤＰ値を予測算出し、測定された各ＴＤＰ値および予測算出された各ＴＤＰ値を用いてヒータ設定値を決定するので、ヘッドと媒体を接触させる回数を極力減らすことができ、ヘッドや媒体を損傷する可能性を低下させることができる。
【００７１】
なお、ＴＤＰ値の実測数に応じて、上記の実施例１で説明した換算式と、上述した直線補間と併用してＴＤＰ値を予測算出するようにしてもよい。
【００７２】
（２）実測できなかったＴＤＰ値を予測算出
また、上記の実施例１において、ディスク１５の分割領域ごとに、温度条件として設定された全ての設定温度について各ＴＤＰ値を測定し、設定温度ごとに予め測定された各ＴＤＰ値間の相関関係から算出された換算式、および／または実測された各接触時出力値の各設定温度間おける相関関係に基づいた直線補間により、測定することができなかった接触時出力値を予測算出するようにしてもよい。
【００７３】
つまり、タッチダウンの回数は増えてしまうが、正確性を期する趣旨である。その際に、実測のタッチダウンヒータパワーからヒータ設定値を求めた値に誤差が大きい場合で、実測のタッチダウンパワーの測定がエラーしている可能性がある場合には、予測計算されたタッチダウンヒータパワーに基づいてヒータ設定値を求める。このようにすることで、タッチダウンのやり直しを避けることができ、相関性の高いタッチダウンヒータパワーの予測計算で求めた値を使用することでより精度の高いヒータ設定値を求めることができる。
【００７４】
このようなことから、測定することができなかったＴＤＰ値を得ることができるとともに、該当するヘッドおよびディスク１５の分割領域におけるヒータ設定値を得ることができる。
【００７５】
（３）外部装置からヒータ設定値決定処理を制御
また、例えば、図１１に示すように、製造設備や評価設備などの外部装置がホストＩＦ制御部２を介してＭＰＵ８にアクセスし、上記の実施例１で説明したヒータ設定値決定処理を制御するようにしてもよい。
【００７６】
このようなことから、各磁気ディスク装置にヒータ設定値決定処理を実行するための機能を備えることなく、ヒータ設定値決定処理を実行するための機能を備えた外部装置によって、各磁気ディスク装置にヒータ設定値を設定することができる。
【００７７】
（４）装置構成等
また、図３に示した磁気ディスク装置１の各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。すなわち、磁気ディスク装置１の分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず、例えば、メモリ９と不揮発性メモリ１０とを統合した一つの記憶部を備えるなど、その全部または一部を、各種の負荷や使用状況などに応じて、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することができる。さらに、磁気ディスク装置１のＭＰＵ８にて行なわれる各処理機能（ヒータ設定値決定処理）は、その全部または任意の一部が、ＭＰＵ８、ＭＣＵあるいはＣＰＵにて解析実行されるプログラムにて実現され、あるいは、ワイヤードロジックによるハードウェアとして実現され得る。
【００７８】
また、磁気ディスク装置に限定されず、熱磁気記憶装置や光磁気記憶装置などにおいても応用可能である。
【００７９】
（付記１）ヘッドおよび記憶媒体を備えた記憶装置において、当該記憶媒体の領域を複数に分割した分割領域ごとに、ヘッドと当該記憶媒体の間のスペーシングを調節するためのヒータ設定値を決定する制御を行う制御装置であって、
前記スペーシングを調節するための温度条件として少なくとも一つは設定される設定温度について、前記ヘッドと前記記憶媒体とが接触した時の各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定する出力値測定制御と、
前記設定温度ごとに予め測定された各接触時出力値間の相関関係から算出された換算式と、前記出力値測定制御により得られた各接触時出力値とを用いて、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値をそれぞれ予測算出する予測算出制御と、
前記出力値測定制御により得られた各接触時出力値、および前記予測算出制御により得られた各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定するヒータ設定値決定制御と、
を実行することを特徴とする制御装置。
【００８０】
（付記２）前記出力測定制御は、前記温度条件として設定された少なくとも二つの設定温度についての各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定し、
前記予測算出制御は、前記出力値測定制御により得られた各接触時出力値の各設定温度間おける相関関係を用いた直線補間により、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値を予測算出し、
前記ヒータ設定値決定制御は、前記出力値測定制御により得られた各接触時出力値、および前記予測算出制御により予測算出された各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定することを特徴とする付記１に記載の制御装置。
【００８１】
（付記３）前記出力値測定制御は、前記温度条件として設定された全ての設定温度についての各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定し、
前記予測算出制御は、前記換算式および／または前記直線補間により、前記出力値測定制御により測定することができなかった接触時出力値を予測算出することを特徴とする付記１に記載の制御装置。
【００８２】
（付記４）ヘッドおよび記憶媒体を備え、当該記憶媒体の領域を複数に分割した分割領域ごとに、ヘッドと記憶媒体との間のスペーシングを調節するためのヒータ設定値を決定する記憶装置であって、
前記スペーシングを調節するための温度条件として少なくとも一つは設定される設定温度について、ヘッドと記憶媒体とが接触した時の各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定する出力値測定部と、
前記設定温度ごとに予め測定された各接触時出力値間の相関関係から算出された換算式と、前記出力値測定部により測定された各接触時出力値とを用いて、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値をそれぞれ予測算出する予測算出部と、
前記出力値測定部により測定された各接触時出力値、および前記予測算出部により予測算出された各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定するヒータ設定値決定部と、
を備えたことを特徴とする記憶装置。
【００８３】
（付記５）前記出力値測定部は、前記温度条件として設定された少なくとも二つの設定温度についての各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定し、
前記予測算出部は、前記出力値測定部により測定された各接触時出力値の各設定温度間おける相関関係を用いた直線補間により、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値を予測算出し、
前記ヒータ設定値決定部は、前記出力値測定部により測定された各接触時出力値、および前記予測算出部により予測算出された各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定することを特徴とする付記４に記載の記憶装置。
【００８４】
（付記６）前記出力値測定部は、前記温度条件として設定された全ての設定温度についての各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定し、
前記予測算出部は、前記換算式および／または前記直線補間により、前記出力値測定部により測定することができなかった接触時出力値を予測算出することを特徴とする付記４に記載の記憶装置。
【００８５】
（付記７）ヘッドおよび記憶媒体を備え、当該記憶媒体の領域を複数に分割した分割領域ごとに、ヘッドと記憶媒体との間のスペーシングを調節するためのヒータ設定値を決定するようにして構成された記憶装置の製造方法であって、
前記スペーシングを調節するための温度条件として少なくとも一つは設定される設定温度について、ヘッドと前記記憶媒体とが接触した時の各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定する出力値測定ステップと、
前記設定温度ごとに予め測定された各接触時出力値間の相関関係から算出された換算式と、前記出力値測定ステップにより測定された各接触時出力値とを用いて、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値をそれぞれ予測算出する予測算出ステップと、
前記出力値測定ステップにより測定された各接触時出力値、および前記予測算出ステップにより予測算出された各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定するヒータ設定値決定ステップと、
を含んだことを特徴とする記憶装置製造方法。
【００８６】
（付記８）ヘッドおよび記憶媒体を備えた記憶装置において、当該記憶媒体の領域を複数に分割した分割領域ごとに、ヘッドと記憶媒体との間のスペーシングを調節するためのヒータ設定値を決定する処理をコンピュータに実行させるヒータ設定値決定プログラムであって、
前記スペーシングを調節するための温度条件として少なくとも一つは設定される設定温度について、前記ヘッドと前記記憶媒体とが接触した時の各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定する出力値測定手順と、
前記設定温度ごとに予め測定された各接触時出力値間の相関関係から算出された換算式と、前記出力値測定手順により測定された各接触時出力値とを用いて、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値をそれぞれ予測算出する予測算出手順と、
前記出力値測定手順により測定された各接触時出力値、および前記予測算出手順により予測算出された各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定するヒータ設定値決定手順と、
をコンピュータに実行させることを特徴とするヒータ設定値決定プログラム。
【００８７】
(付記９)前記出力値測定手順は、前記温度条件として設定された少なくとも二つの設定温度についての各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定し、
前記予測算出手順は、前記出力値測定手順により測定された各接触時出力値の各設定温度間おける相関関係に基づいた直線補間により、当該各接触時出力値の測定時とは異なる他の設定温度についての各接触時出力値を予測算出し、
前記ヒータ設定値決定手順は、前記出力値測定手順により測定された各接触時出力値、および前記予測算出手順により予測算出された各接触時出力値を用いて、前記ヒータ設定値を決定することを特徴とする付記８に記載のヒータ設定値決定プログラム。
【００８８】
(付記１０)前記出力値測定手順は、前記温度条件として設定された全ての設定温度についての各接触時出力値を前記分割領域ごとに測定し、
前記予測算出手順は、前記換算式および／または前記直線補間により、前記出力値測定手順により測定することができなかった接触時出力値を予測算出することを特徴とする付記８に記載のヒータ設定値決定プログラム。
【産業上の利用可能性】
【００８９】
以上のように、本発明に係る制御装置、記憶装置、ヒータ設定値決定プログラムおよび記憶装置製造方法は、当該記憶媒体の領域を複数に分割した分割領域ごとに、ヘッドと記憶媒体との間のスペーシングを調節するためのヒータ設定値を決定する処理等に有用であり、特に、タッチダウンヒータパワー（ＴＤＰ値）の値を用いて、ヒータの設定値を決定する場合に、ヘッドや媒体が損傷する可能性を低下させることに適する。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】実施例１に係る磁気ディスク装置の概要および特徴を説明するための図である。
【図２】設定温度ごとに測定された各ＴＤＰ間の相関関係を示す図である。
【図３】実施例１に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【図４】実施例１に係るヒータ設定値テーブルの構成例を示す図である。
【図５】換算式を用いてＴＤＰ値を予測算出する場合に磁気ディスク装置に設定される仕様の一例を示す図である。
【図６】換算式のベース値を微調整する場合に磁気ディスク装置に設定される仕様の一例を示す図である。
【図７】実施例１に係る磁気ディスク装置の処理の流れを示すフローチャートである。
【図８】装置内の温度とＴＤＰ値の相関関係を示す図である。
【図９】直線補間を用いてＴＤＰ値を予測算出する場合に磁気ディスク装置に設定される仕様の一例を示す図である。
【図１０】ＴＤＰ値の補正方法について磁気ディスク装置に設定される仕様の一例を示す図である。
【図１１】実施例２に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００９１】
１  磁気ディスク装置
２  ホストＩＦ制御部
３  バッファ制御部
４  バッファメモリ
５  フォーマット制御部
６  リードチャネル
７  ヘッドＩＣ
８  ＭＰＵ
９  メモリ
１０  不揮発性メモリ
１１  サーボ制御部
１２  ＶＣＭ（ヴォイスコイルモータ）
１３  ＳＰＭ（スピンドルモータ）
１４  ヘッド
１５  ディスク
２０  外部装置
【図１】
2008310904.tif 000003
【図２】
2008310904.tif 000004
【図３】
2008310904.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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