(57)【要約】【課題】  ビアホール導体が絶縁基体の表面から大きく突出することのない実装性の良好な寸法精度の高い多層回路基板を得ることのできる多層回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】  本発明は、グリーンシート積層体１の上側および下側に前記グリーンシート積層体の積層方向に垂直な方向の焼成収縮を抑制するための焼成収縮抑制シート５を重ね合わせて焼成した後に焼成収縮抑制シート５を取り除く工程とを含む多層回路基板の製造方法において、少なくとも表層に配置されるグリーンシート１ａに貫通孔を形成し、該貫通孔に平均粒子径が１〜５μｍの金属粉末を含むビアホール導体用ペーストを充填し、表層に配置されるグリーンシートの上面の少なくとも貫通孔を覆う位置に、ビアホール導体用ペースト２に含まれる金属粉末の平均粒子径の１／１０以下の平均粒子径を有する金属粉末を含む表面配線層用ペースト３を被着形成することを特徴とする。【選択図】  図１
2008186908.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層からなる絶縁基体の表面に表面配線層が形成され、前記絶縁基体の内部に前記表面配線層に接続されたビアホール導体が形成された多層回路基板の製造方法であって、
焼成後に複数の絶縁層となる複数のグリーンシートを形成する工程と、
少なくとも表層に配置されるグリーンシートに貫通孔を形成し、該貫通孔に平均粒子径が１〜５μｍの金属粉末を含むビアホール導体用ペーストを充填する工程と、
少なくとも表層に配置される前記グリーンシートの上面の少なくとも前記貫通孔を覆う位置に、前記ビアホール導体用ペーストに含まれる金属粉末の平均粒子径の１／１０以下の平均粒子径を有する金属粉末を含む表面配線層用ペーストを被着形成する工程と、
前記貫通孔に前記ビアホール導体用ペーストが充填されるとともに前記上面に前記表面配線層用ペーストが被着形成されたグリーンシートを表層として、前記複数のグリーンシートを積層したグリーンシート積層体を形成する工程と、
前記グリーンシート積層体の上側および下側に前記グリーンシート積層体の積層方向に垂直な方向の焼成収縮を抑制するための焼成収縮抑制シートを重ね合わせて焼成した後に前記焼成収縮抑制シートを取り除く工程と
を含むことを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記ビアホール導体用ペーストに含まれる金属粉末と前記表面配線層用ペーストに含まれる金属粉末との主成分が同じであることを特徴とする請求項１に記載の多層回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、グリーンシート積層体の上側および下側に焼成収縮抑制シートを重ね合わせて、グリーンシート積層体のＸ−Ｙ方向の焼成収縮を抑制する多層回路基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、高集積化が進むＩＣやＬＳＩ等の半導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや各種電子部品が搭載される混成集積回路装置等に適用される多層回路基板としては、アルミナ焼結体を絶縁基体としたものが多く用いられてきた。そして、近年においては、配線層の低抵抗化が要求されており、１０５０℃程度で溶融するＣｕ、Ａｇ、Ａｕ等の低抵抗導体を主成分とした配線層を絶縁基体と同時焼成できるように、１０５０℃以下の低温で焼結が可能であるガラスセラミック焼結体が絶縁基体として用いられるようになってきている。
【０００３】
ガラスセラミック焼結体は一般的にガラスとセラミックスとを組み合わせることにより得られるものであるが、そのなかでもガラスとして結晶化ガラスを用いることにより、所望の特性をもつ結晶を析出させ、種々の特性を有するガラスセラミック焼結体が得られることから、近年では重点的に研究が行われている。
【０００４】
このような多層回路基板を形成する具体的方法としては、ガラスセラミック原料粉末、有機バインダーに溶剤を添加して調製したスラリーをドクターブレード法などによってシート状に成形し、得られたグリーンシートにスルーホールを打ち抜き加工し、該スルーホールにＣｕ、Ａｇ、Ａｕ等を主成分とする導体ペーストを充填する。同時にグリーンシート上にＣｕ、Ａｇ、Ａｕ等を主成分とする導体ペーストを配線パターン状にスクリーン印刷法などで印刷形成し、または電解銅箔もしくは圧延銅箔を所望のパターンに成形後、グリーンシートに圧着する。その後、これらのグリーンシートを複数枚加圧積層し、８００〜１０００℃で焼成することにより、多層回路基板が作製される。
【０００５】
一方、近年においては、多層回路基板の高密度化が進むのに伴い、寸法の高精度化に対する要求も強くなっている。これに対応するための基板寸法精度向上もまた重要な技術の一つとなっている。しかしながら、上述した方法で製作される多層回路基板は、焼成により体積が４０〜５０％程度収縮する。このときの多層回路基板の積層方向に垂直な方向（Ｘ−Ｙ方向）における収縮率（１方向において平均１５〜２０％程度）のばらつきが配線層の位置ばらつきとなり、基板寸法精度が悪くなっていた。なお、ここでいう収縮率は、焼成前の寸法から焼成後の寸法を減じた値を焼成前の寸法で除した値で定義されるものである。
【０００６】
そこで、基板の寸法精度を向上させる方法として、ガラスとセラミックスとを含むグリーンシートを積層したグリーンシート積層体の上下両面に、グリーンシートよりも焼結温度の高い無機材料粉末を含む収縮抑制層を形成し、収縮抑制層が焼結しない温度で焼成した後、収縮抑制層を剥離削除する方法により、グリーンシート積層体のＸ−Ｙ方向の収縮を抑制することで、得られた基板の寸法精度を高くできることが知られている（特許文献１を参照。）。
【特許文献１】特許第２５５４４１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の方法では、焼成時におけるグリーンシート積層体のＸ−Ｙ方向の収縮が抑制されることから、グリーンシート積層体の積層方向（Ｚ方向）への収縮が大きくなる。
【０００８】
ところが、グリーンシートの貫通孔に充填されるビアホール導体としての導体ペースト（ビアホール導体用ペースト）は、Ｘ−Ｙ方向の収縮が抑制されるグリーンシートと比べてＸ−Ｙ方向の収縮が大きくなる。これは、グリーンシートが液相焼結するのに対して、ビアホール導体用ペーストおよび表面配線層用ペーストは固相焼結するからである。
【０００９】
グリーンシートは、ガラスが軟化流動することによってセラミックスが再配列するという液相焼結により焼結する。この際、グリーンシート側のガラスが少量収縮抑制層側へ移動することにより、グリーンシートと収縮抑制層との間の接着力が強まるため、グリーンシートに対するＸ−Ｙ方向の収縮抑制効果は大きい。
【００１０】
一方、ビアホール導体用ペーストおよび表面配線層用ペーストは、ペーストに含まれる金属粒子同士が固相焼結することにより焼結する。そのため、同じ金属粒子を用いているビアホール導体用ペーストと表面配線層用ペーストとの間の接着力は強いが、収縮抑制層と表面配線層用ペーストとの間の接着力は、グリーンシートと収縮抑制層との間の接着力と比較して弱い。また、表面配線層用ペーストは金属粒子が固相焼結することにより、収縮抑制層との接着部の凹凸が減少し、表面配線層用ペーストと収縮抑制層との間の摩擦力が減少するため、収縮抑制層の表層配線層用ペーストへの収縮抑制効果は弱くなる。したがって、Ｘ−Ｙ方向の収縮を抑制されているグリーンシートと比べて、ビアホール導体用ペーストのＸ−Ｙ方向の収縮が大きくなる。
【００１１】
このため、ビアホール導体用ペーストが本来の体積収縮量だけ収縮しようとすると、Ｚ方向の収縮はグリーンシートの収縮ほど大きくなることはなく、ビアホール導体用ペーストが焼成されてなるビアホール導体が多層回路基板の表面から大きく突出してしまい、これに搭載される電子部品の実装性が低下するという問題が発生していた。
【００１２】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、ビアホール導体が絶縁基体の表面から大きく突出することのない実装性の良好な寸法精度の高い多層回路基板を得ることのできる多層回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、複数の絶縁層からなる絶縁基体の表面に表面配線層が形成され、前記絶縁基体の内部に前記表面配線層に接続されたビアホール導体が形成された多層回路基板の製造方法であって、焼成後に複数の絶縁層となる複数のグリーンシートを形成する工程と、少なくとも表層に配置されるグリーンシートに貫通孔を形成し、該貫通孔に平均粒子径が１〜５μｍの金属粉末を含むビアホール導体用ペーストを充填する工程と、少なくとも表層に配置される前記グリーンシートの上面の少なくとも前記貫通孔を覆う位置に、前記ビアホール導体用ペーストに含まれる金属粉末の平均粒子径の１／１０以下の平均粒子径を有する金属粉末を含む表面配線層用ペーストを被着形成する工程と、前記貫通孔に前記ビアホール導体用ペーストが充填されるとともに前記上面に前記表面配線層用ペーストが被着形成されたグリーンシートを表層として、前記複数のグリーンシートを積層したグリーンシート積層体を形成する工程と、前記グリーンシート積層体の上側および下側に前記グリーンシート積層体の積層方向に垂直な方向の焼成収縮を抑制するための焼成収縮抑制シートを重ね合わせて焼成した後に前記焼成収縮抑制シートを取り除く工程とを含むことを特徴とする多層回路基板の製造方法である。
【００１４】
ここで、前記ビアホール導体用ペーストに含まれる金属粉末と前記表面配線層用ペーストに含まれる金属粉末との主成分が同じであるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、焼成収縮抑制シートを用いて多層回路基板を製造するにあたり、表面配線層用ペーストの焼成収縮開始温度を低くすることができ、表面配線層用ペーストの焼成収縮終了後にビアホール導体用ペーストの焼成収縮を開始させることができる。したがって、Ｘ−Ｙ方向の焼成収縮を絶縁層と同じ程度に抑制し、主にＺ方向に収縮させたビアホール導体を得ることができる。この製造方法により得られた多層回路基板は、ビアホール導体が表面から大きく突出することなく、絶縁性、実装性が良好なものとなる。
【００１６】
特に、ビアホール導体用ペーストに含まれる金属粉末と表面配線層用ペーストに含まれる金属粉末との主成分が同じである場合には、とビアホール導体用ペーストと表面配線層用ペーストとの焼成収縮の開始温度（収縮挙動）を異ならせるように制御しやすくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の実施形態を、図面を用いて説明する。    
図１は本発明の多層回路基板の製造方法の説明図であって、グリーンシート積層体の上側および下側に焼成収縮抑制シートを重ね合わせた状態を示している。
【００１８】
本発明は、複数の絶縁層からなる絶縁基体の表面に表面配線層が形成され、絶縁基体の内部に表面配線層に接続されたビアホール導体が形成された多層回路基板の製造方法である。
【００１９】
まず、焼成後に絶縁層となる複数のグリーンシート（１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ）を形成する。グリーンシート（１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ）を形成する原料としては、ガラス粉末３０〜８０質量％、セラミック粉末２０〜７０質量％の割合で調合したものを用いることが好ましく、これらの原料を用いれば低温で焼成できるガラスセラミックスからなる絶縁層を形成することができる。
【００２０】
ガラス粉末としては、少なくともＳｉＯ２を含み、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも１種以上を含有したものであって、例えば、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示す）等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、Ｂａ系ガラス、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。これらのガラスとしては、焼成処理することによっても非晶質ガラスであるもの、また焼成処理によって、リチウムシリケート、クォーツ、クリストバライト、エンスタタイト、コ−ジェライト、ムライト、アノ−サイト、セルジアン、スピネル、ガ−ナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライト、ディオプサイドやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種類を析出するもののどちらも使用可能である。
【００２１】
具体例として、ＳｉをＳｉＯ２換算で２５〜４５質量％、ＡｌをＡｌ２Ｏ３換算で１０〜２５質量％、ＭｇをＭｇＯ換算で１０〜２４質量％、ＢをＢ２Ｏ３換算で５〜２０質量％、ＺｎをＺｎＯ換算で５〜２０質量％、およびＣａをＣａＯ換算で０．５〜４質量％からなる結晶性ガラスが望ましい。
【００２２】
このような結晶性ガラスを用いることにより、焼成後にガーナイト（ＺｎＯ・Ａｌ２Ｏ３）、エンスタタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ２）等の高熱膨張係数の結晶相が析出し、セラミック配線基板を高熱膨張化することが可能になる。
【００２３】
また、セラミック粉末としては、クォーツ、クリストバライト等のＳｉＯ２や、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、コージェライト、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシア等が好適に用いられる。これらのうち、高強度化、低コスト化等の点でアルミナが、また高熱膨張化の点でクォーツを用いることが好ましい。
【００２４】
上記の原料粉末を所定量秤量し、さらに有機バインダー、有機溶剤、および所望により可塑剤等を加えてスラリーを調製した後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法等の周知の成形法によりシート状に成形して厚さ１０〜５００μｍのグリーンシートを作製する。
【００２５】
次に、複数のグリーンシート（１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ）のうちの少なくとも表層に配置されるグリーンシート１ａに貫通孔を形成する。貫通孔は、レーザー、マイクロドリル、パンチングなどで、直径６０〜２００μｍ程度に形成される。
【００２６】
そして、貫通孔内に焼成後にビアホール導体となるビアホール導体用ペースト２を充填する。
【００２７】
ビアホール導体用ペースト２は、平均粒子径１〜５μｍの金粉末、銀粉末、銅粉末、アルミニウム粉末など金属粉末に、有機バインダー、有機溶剤を混合したものである。ここで、金属粉末の平均粒子径は貫通孔の直径に対して小さくする必要があり、実用的には５μｍ以下のものを用いることが良い。ただし、１μｍより小さくなると、ビアホール導体用ペースト２とグリーンシート１ａ〜１ｄとの焼成収縮挙動の差が大きく異なり、焼成後の絶縁層における貫通孔（スルーホール）壁面とビアホール導体との間に隙間が生じ、気密不良による多層回路基板の絶縁性が劣化する。そのため、ビアホール導体用ペースト２に用いる金属粉体の平均粒子径は１〜５μｍの範囲にあるものを用いることが良い。また、金属粉末の焼結開始温度を調節する目的で、アルミナ、シリカ等の無機酸化物でコーティングされた金属粉末を使用してもよい。さらに、ビアホール導体の焼結挙動の調整や、ガラスセラミックスとの接着強度の向上、ビアホール導体とガラスセラミックスとの熱膨張差を低減させるために、ガラス粉末が含まれていてもよく、ガラス粉末としては、ホウケイ酸系ガラス、ホウケイ酸亜鉛系ガラス、およびホウケイ酸鉛系ガラス等を例示できる。特に、８００〜１１００℃での金属粉末との同時焼成性に優れ、ガラスセラミックスからなる絶縁基体との接着強度を向上させることができるという点で、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｂ２Ｏ３系ガラスが好ましい。また、金属粉末、ガラス粉末以外にも、アルミナ、シリカ等のフィラー成分や、樹脂ビーズ等の有機成分を添加することにより、焼結挙動を調整することも可能である。ビアホール導体用ペースト２の粘度としては、貫通孔への充填性を考慮して、１００〜３５０Ｐａ・ｓであることが好ましい。
【００２８】
充填法としては、スクリーン印刷等が挙げられるが、特に限定はない。なお、上記貫通孔の形成およびビアホール導体用ペーストの充填は、表層に配置されるグリーンシート１ａに限定されるものではない。
【００２９】
続いて、複数のグリーンシート上に配線層用ペーストをスクリーン印刷法などによって被着形成する。ここで、グリーンシート積層体の表面に形成される配線層用ペースト（表面配線層用ペースト３）は、焼成されてシリコンチップやコンデンサ、プリント板等との半田接続端子の機能を有する表面配線層となる。また、グリーンシート積層体の内部に形成される配線層用ペースト（内部配線層用ペースト４）は、焼成されて内部配線層となる。これらの配線層用ペーストの塗布厚みは１２〜２２μｍ程度に形成され、焼成後の配線層厚みは１０〜１８μｍとなる。ここで、内部配線層用ペーストに含まれる金属粉末としては、ビアホール導体用ペーストに含まれる原料としての金属粉末と同じかまたはこれよりも小さい粒子径のものを採用できる。これに対し、表面配線層用ペーストに含まれる金属粉末としては、少なくとも貫通孔（スルーホール）を覆う位置に、ビアホール導体用ペーストに含まれる金属粉末の平均粒子径の１／１０以下の平均粒子径を有する金属粉末を用いることが重要である。
【００３０】
それぞれの導体ペーストに含まれる金属粉末の平均粒子径の関係をこのように設定することで、表面配線層用ペースト３の焼成収縮の終了後にビアホール導体用ペースト２の焼成収縮を開始させることができる。ビアホール導体用ペースト２の焼成収縮時にはすでに焼結した表面配線層用ペースト３（表面配線層）によってビアホール導体用ペースト２のＸ−Ｙ方向の収縮を抑制させることができる。このＸ−Ｙ方向の焼成収縮の抑制により、ビアホール導体用ペースト２が主にＺ方向へと収縮する。また、すでに焼結した表面配線層用ペースト３（表面配線層）によって蓋をされたようにもなる。したがって、焼成後のビアホール導体が表面から大きく突出することなく、実装性が良好なものとなる。
【００３１】
このようにして得られたグリーンシートを所定の積層順序に応じて複数積層してグリーンシート積層体１を形成する。具体的には、表面配線層用ペーストを被着形成したグリーンシート１ａを表層とする。グリーンシートの積層には、積み重ねられたグリーンシートに熱と圧力を加えて熱圧着する方法、有機バインダー、可塑剤、溶剤等からなる接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法等が採用可能である。
【００３２】
さらに、図１に示すように、グリーンシート積層体１の上側および下側に、グリーンシート積層体１の積層方向に垂直な方向（Ｘ−Ｙ方向）への焼成収縮を抑制するための焼成収縮抑制シート５を配置してこれらを重ね合わせる。具体的には、グリーンシート積層体１、焼成収縮抑制シート５を画像認識により位置合わせを行い、剛体プレス法または静水圧プレス法等を適用する。
【００３３】
焼成収縮抑制シート５は、グリーンシート積層体１の焼成後には取り除かれるものであって、例えばグリーンシート積層体１の焼成温度では焼結しないセラミック粉末を主成分とするグリーンシートを挙げることができる。具体的には、汎用性があり、安価なアルミナが最も適切である。さらに、多層回路基板の焼成過程においてグリーンシート積層体１と焼成収縮抑制シート５との親和性を高める為に、２０質量％以下の範囲でグリーンシートに含まれるガラス粉末と同じガラス粉末を含有しても良い。これにより、収縮抑制効果が更に高まり、より高寸法精度の多層回路基板を得ることができる。この焼成収縮抑制シート５を用い、焼成収縮抑制シート５の焼成収縮開始温度よりも低く、かつグリーンシート積層体１を焼結させる焼成温度でグリーンシート積層体１および焼成収縮抑制シート５を焼成することで、グリーンシート積層体１のＸ−Ｙ方向の焼成収縮を抑制することができる。
【００３４】
なお、この焼成収縮抑制シート５としては、焼成収縮しないもの（焼結体）も採用することができる。焼成収縮しないとは、例えばすでに焼結していてもはや焼成収縮しないことをいい、この焼成収縮抑制シート５としてはアルミナ焼結体や結晶化度が９９％以上と高く残留ガラスが少ない低温焼結基板や熱伝導性に優れる窒化珪素焼結体、窒化珪素燒結体、カーボン、タングステン焼結体などが挙げられる。この焼成収縮抑制シート５をグリーンシート積層体１に熱分解性に優れるアクリル樹脂などの粘性部材などを用いて貼り合わせることで、グリーンシート積層体１のＸ−Ｙ方向の焼成収縮を抑制させることができる。
【００３５】
そして、重ね合わせたグリーンシート積層体１と焼成収縮抑制シート５とを焼成する焼成工程へと移る。具体的には、有機成分を分解かつ消失させる脱脂処理を行ったあと、本焼成を行う。この本焼成工程において特に昇温速度の変化や、本焼成温度の保持以外に脱脂から本焼成までの中間温度で別途保持することにより、グリーンシート積層体１と焼成収縮抑制シート５がお互いの拘束力を高め、反りやうねりを低減することも可能である。
【００３６】
この時の焼成温度は、焼成収縮抑制シート５が、グリーンシート積層体１の焼成温度では焼結しないセラミック粉末を主成分としたグリーンシートの場合は、グリーンシート積層体１の焼成収縮の終了温度以上であって焼成収縮抑制シート５の焼成収縮の開始温度未満であることが好ましい。また、焼成収縮抑制シート５が焼結体の場合であっても、グリーンシートの場合ほどの制約はないが、グリーンシート積層体１の焼成収縮の終了温度以上であって焼成収縮抑制シート５の焼成収縮の開始温度未満であることが好ましい。なお、ここでいう焼成収縮の開始温度とは、対象とする材料を単独で焼成した時に、０．３％体積収縮するときの温度で定義されるものである。また、ここでいう焼成収縮の終了温度とは、焼成前の状態から焼成終了後の状態までの収縮量に対し９０％以上収縮したときの温度をいう。体積収縮は、それぞれを単独でプレス成形し、ＴＭＡ（熱機械分析）により決定されるものである。このとき、それぞれは等方的に収縮するものとし、ＴＭＡの線収縮から体積収縮に換算する。
【００３７】
なお、焼成に先立って、所望によりグリーンシート積層体１を１００〜８００℃、特に４００〜７５０℃で加熱処理して内部の有機成分を分解除去するのがよい。また、８００〜１０００℃、特に８５０〜９５０℃で同時焼成するのが、十分に焼結させるとともに過焼結を防止するという点で好ましい。このとき、ビアホール導体用ペースト中の金属粉末としてＣｕを用いる場合は、Ｃｕの酸化を防止するという観点から、窒素雰囲気中で焼成を行うのが好ましい。
【００３８】
このようにして焼成工程が終了した後、通常は焼成後の多層回路基板の上面および下面に残留した焼成収縮抑制シート５は超音波洗浄、研磨、ウォータージェット、ケミカルブラスト、サンドブラスト、ウェットブラスト等の手法により除去され、多層回路基板を得ることができる。
【００３９】
焼成収縮抑制シート５によるビアホール導体用ペースト２のＸ−Ｙ方向の収縮抑制効果は、焼成収縮抑制シート５によるグリーンシート積層体１のＸ−Ｙ方向の収縮抑制効果よりも小さい。しかし、表面配線層用ペースト３の少なくとも貫通孔を覆う位置に含まれる金属粉末の平均粒子径が、ビアホール導体用ペースト２に含まれる金属粉末の平均粒子径よりもかなり微小、具体的には１／１０以下であることにより、少なくとも貫通孔を覆う位置の表面配線層用ペースト３の焼成収縮の終了後にビアホール導体用ペースト２の焼成収縮を開始させることができ、ビアホール導体用ペースト２のＸ−Ｙ方向の収縮を抑制させることができる。このＸ−Ｙ方向の焼成収縮の抑制により、ビアホール導体用ペースト２が主にＺ方向へと収縮することにより、ビアホール導体用ペースト２が表面から大きく突出することなく、実装性が良好なものとなる。
【００４０】
なお、ビアホール導体用ペースト２に含まれる金属粉末と表面配線層用ペースト３に含まれる金属粉末との主成分が同じであるのが好ましい。具体的には、主成分としては金、銀、銅、アルミニウムのうち少なくとも１種以上であり、特に価格および導通抵抗の観点から、銀または銅が好ましい。また、ビアホール導体用ペーストに含まれる金属粉末の主成分がＣｕ、Ａｇ、Ａｕ等からなる合金の場合には、同様に表面配線層用ペースト３にも合金が用いられるのが好ましい。なお、これらの主成分に対して電気抵抗を劣化させない範囲で、他の金属、酸化物、ガラス、セラミックス等の無機成分を含んでいても良い。
【００４１】
このように、主成分を同じくすることで、表面配線層用ペースト３とビアホール導体用ペースト２との焼成収縮の開始温度（収縮挙動）を異ならせるように制御しやすいからである。なお、主成分が異なっていたとしても、表面配線層用ペースト３とビアホール導体用ペースト２との焼成収縮の開始温度（収縮挙動）を異ならせるように制御できれば、必ずしも同じ主成分を用いなくても構わない。
【実施例】
【００４２】
まず、焼成後に絶縁層となるグリーンシートを形成するためのガラスセラミック材料として、４３．３質量％のＳｉＯ２、１２．９質量％のＡｌ２Ｏ３、１８．０質量％のＭｇＯ、１４．１質量％のＢａＯ、７．５質量％のＢ２Ｏ３、１．０質量％のＹ２Ｏ３、１．７質量％のＣａＯ、０．５質量％のＳｒＯ、１．０質量％のＺｒＯ２からなる６０質量％のガラスと、４０質量％のＡｌ２Ｏ３とから構成されるガラスセラミック材料を用意した。このガラスセラミック材料に、アクリル有機バインダー、可塑剤、有機溶剤を添加して、スラリーを作製し、ドクターブレード法により薄層化し、絶縁基板用のグリーンシートを作製した。このとき、グリーンシートの厚みを７４μｍとした。
【００４３】
また、平均粒子径が０．５μｍ、３．５μｍ、５．０μｍの銀粉末を準備し、銀粉末１００質量％に対して、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｂ２Ｏ３系ガラスを１２質量％添加し、有機バインダーとしてアクリル樹脂を、溶媒としてテルピネオールとジブチルフタレートの混合溶液（質量比で８０：２０）を添加、混錬してビアホール導体層用ペーストを作製した。
【００４４】
また、グリーンシートに直径９０μｍの貫通孔をレーザーで形成し、上記のビアホール導体層用ペーストをスクリーン印刷法によりこの貫通孔に充填した。
【００４５】
さらに、平均粒子径が２．５μｍの銀粉末を準備し、銀粉末１００質量％に対して、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｂ２Ｏ３系ガラスを０．５質量％添加し、有機バインダーとしてアクリル樹脂を、溶媒としてテルピネオールとジブチルフタレートの混合溶液（質量比で８０：２０）を添加、混錬して内部配線層用ペーストを作製した。得られた内部配線層用ペーストを、スクリーン印刷法により、印刷した。
【００４６】
またさらに、平均粒子径が０．１μｍ、０．３μｍ、０．５μｍ、１．８μｍ、２．５μｍ、５．０μｍの銀粉末を準備し、銀粉末１００質量％に対して、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｂ２Ｏ３系ガラスを１質量％添加し、有機バインダーとしてアクリル樹脂を、溶媒としてテルピネオールとジブチルフタレートの混合溶液（質量比で８０：２０）を添加、混錬して表面配線層用ペーストを作製した。得られた表面配線層用ペーストを用いて、スクリーン印刷法により、貫通孔の直上に厚み２０μｍ、直径２００μｍとなるように被着形成した。
【００４７】
このようにして得られたグリーンシートを５層積層してグリーンシート積層体を作製した。
【００４８】
次に、焼成収縮抑制シートとして、平均粒径が３μｍのＡｌ２Ｏ３に、上記グリーンシート中のガラス成分と同じガラス成分を用いて、９０質量％のＡｌ２Ｏ３と１０質量％のガラスからなる厚さ１５０μｍのグリーンシートを作製した。なお、この焼成収縮抑制シート作製時の有機バインダー、可塑剤、溶媒等は焼成後に絶縁層となる上記ガラスセラミック材料からなるグリーンシートと同様とした。グリーンシート積層体と焼成収縮抑制シートとを画像認識により位置合わせを行い、剛体プレス法（４５℃、５ＭＰａ）で加圧積層した。
【００４９】
続いて、連続炉において重ね合わされたグリーンシート積層体および焼成収縮抑制シートの焼成を行った。焼成に際しては、重ね合わされたグリーンシート積層体および焼成収縮抑制シートをＡｌ２Ｏ３の台板上に載置して、有機バインダー等の有機成分を分解除去するために、これを大気中４００℃で脱バインダー処理し、さらに大気中９１０℃で焼成し、その後焼成収縮抑制シートをブラスト処理で除去し、多層回路基板を作製した。なお、焼成後の表面配線層の厚みは１５μｍであった。
【００５０】
焼成後の多層回路基板において、基板端部付近の表面の凹凸を３次元レーザー変位計で測定した。このとき、得られた測定データのうち、表層配線層の表面における最低点と最高点との差を突起高さと定義して測定した。なお、表１には８基板の結果における突起高さの最高値を記した。その結果を表１に示す。
【表１】
2008186908.tif 000003
【００５１】
表１より、本発明の多層回路基板の製造方法によって製造された試料Ｎｏ．１〜４においては、突起高さの最高値が１５μｍ以下であった。特に、試料Ｎｏ．１の表面配線層用ペーストに含まれる金属粉末のの平均粒子径がビアホール導体用ペーストに含まれる金属粉末の平均粒子径の５０分の１である場合、突起高さの最高値が４μｍと非常に良好であった。
【００５２】
一方、本発明の範囲外である多層回路基板の製造方法によって製造された試料Ｎｏ．５〜７については、突起高さが著しく上昇した。また、試料Ｎｏ．８のようにビアホール導体用ペーストに含まれる金属粉末が０．５μｍと小さいものは、ビアホール導体用ペーストのＸ−Ｙ方向の焼成収縮を抑制できずに、突起高さが著しく上昇した。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の多層回路基板の製造方法の説明図であって、グリーンシート積層体の上側および下側に焼成収縮抑制シートを重ね合わせた状態を示している。
【符号の説明】
【００５４】
１・・・グリーンシート積層体
１ａ〜１ｄ・・・グリーンシート
２・・・ビアホール導体用ペースト
３・・・表面配線層用ペースト
４・・・内部配線層用ペースト
５・・・焼成収縮抑制シート
【図１】
2008186908.tif 000004