(57)【要約】      （修正有）【課題】光再構成ゲートアレイにおける光再構成時間の短縮をシステム全体の消費電力を抑制しながら実行できる光再構成ゲートアレイの再構成制御装置を提供する。【解決手段】複数のレーザ11,〜,1nがアレイ状に配列された再生光照射手段のレーザアレイ１と、この各レーザ光の照射により再構成回路パターンに対応する予め格納された記録情報の光パターンを射出するホログラムメモリ２と、複数の論理演算セルを各種の論理演算回路に再構成する光再構成型ゲートアレイ３と、再生光照射制御手段４で構成したので、高速に光再合成が必要な場合とより多くの再構成回路パターンが必要な場合とを適宜切替えて制御でき、光再構成ゲートアレイにおける光再構成時間の短縮をシステム全体の消費電力を抑制しながら実行できると共に、光再構成ゲートアレイの用途に応じて、再構成回路パターン数と光再構成速度とを任意に適宜選択して構成できる。【選択図】図１
2008131578.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生光を各々発光する複数の発光部がアレイ状に配列され、当該複数の発光部からの各再生光を照射する再生光照射手段と、
前記再生光照射手段に対向配設され、前記各再生光の照射により再構成回路パターンに対応する予め格納された記録情報の光パターンを射出する光学的メモリ手段と、
前記光学的メモリ手段から射出された光パターンの照射によりアレイ状に配列された複数の論理演算セルを各種の論理演算回路に再構成する光再構成型ゲートアレイと、
前記光学的メモリ手段に予め格納された記録情報の記録態様に対応した複数の再生光を当該記録情報の記録領域に発光部が照射するように制御する再生光照射制御手段とを備えることを
特徴とする光再構成ゲートアレイの再構成制御装置。
【請求項２】
前記請求項１に記載の光再構成ゲートアレイの再構成制御装置において、
前記再生光照射制御手段が、光学的メモリ手段に予め格納された複数の記録情報の各記録態様に対応した複数の再生光を当該複数の記録情報の各記録領域に発光部から照射させ、
当該照射により光学的メモリ手段から射出される複数の光パターンで前記光再構成型ゲートアレイの一又は複数の論理演算回路を再構成することを
特徴とする光再構成ゲートアレイの再構成制御装置。
【請求項３】
前記請求項１又は２に記載の光再構成ゲートアレイの再構成制御装置において、
前記再生光照射制御手段が、記録情報に対応した複数の再生光を発光する複数の発光部の範囲内で増加又は減少させることを
特徴とする光再構成ゲートアレイの再構成制御装置。
【請求項４】
再生光照射制御手段の複数アレイ状に配列される発光部から光学的メモリ手段に再生光を照射し、当該光学的メモリ手段から光パターンを再生して光再構成型ゲートアレイに照射して各種の論理演算回路を再構成する光再構成ゲートアレイの再構成制御方法において、
前記光学的メモリ手段に予め格納された記録情報の記録態様に対応した複数の再生光を当該記録情報の記録領域に再生光照射手段の複数の発光部が照射し、前記記録情報の記録領域から単一の光パターンを再生して光再構成型ゲートアレイに照射することを
特徴とする光再構成ゲートアレイの再構成制御方法。
【請求項５】
前記請求項５に記載の光再構成ゲートアレイの再構成制御方法において、
前記光学的メモリ手段に予め格納された複数の記録情報の各記録態様に対応した複数の再生光を当該複数の記録情報の各記録領域に再構成照射手段の複数の発光部が照射し、
前記複数の記録情報の各記録領域から複数の光パターンを再生して光再構成型ゲートアレイに照射し、
前記光再構成型ゲートアレイの一又は複数の論理演算回路を再構成することを
特徴とする光再構成ゲートアレイの再構成制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光再構成型ゲートアレイに各種の論理演算回路を再構成する光再構成ゲートアレイの再構成制御装置に関し、特に再構成する速度を任意に設定及び制御することができる光再構成ゲートアレイの再構成制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の光再構成ゲートアレイの再構成制御装置として特開２００２−３５３３１７号公報（以下、特許文献１）、特開２００５−５１０５９号公報（以下、特許文献２）及び社団法人電子情報通信学会論文「複数のＶＣＳＥＬを用いたＯＤＲＧＡの再構成速度改善」（宮野元嗣、渡邊実、小林史典）（以下、非特許文献１）に各々開示されるものがあった。前記特許文献１及び２の光再構成ゲートアレイの再構成制御装置における概略構成図を図６に示し、また非特許文献の従来技術の概略構成図を図７に示す。
【０００３】
前記特許文献１に記載の発明に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置は、論理演算セル及びこの論理演算セルの演算プログラムを設定するプログラム設定用の受光素子を平面状のチップ上に搭載した光再構成型ゲートアレイ３を再構成するに際し、前記光再構成型ゲートアレイ３に対向配設された光学的メモリ手段であるホログラムメモリ２にレーザアレイ１からレーザ光１ａを照射して再生光を射出し、この再生光を前記プログラムに応じた光信号の光パターン２ａとして光再構成型ゲートアレイ３の受光素子の各々に同時に照射する構成である。
【０００４】
このように光再構成型ゲートアレイ３の平面状のチップ上に搭載された多数の受光素子に光信号の光パターン２ａを同時に照射することにより、光再構成型ゲートアレイ３の論理演算セルを論理演算回路として再構成できることとなる。
【０００５】
また、特許文献２に記載の発明に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置は、光再構成型ゲートアレイ３の上面に配設された光学的メモリ手段であるホログラムメモリ２、このホログラムメモリ２に再生照明光のレーザ光１ａを照射する再生光照射手段である面発光レーザからなるレーザアレイ１、及びこのレーザアレイ１の再生照射光であるレーザ光１ａの制御を行う再生光照射制御回路４を備えている。
【０００６】
レーザアレイ１は、ホログラムメモリ２に記録された光パターン２ａに関する情報を再生するための再生照射光を発振する光源である。レーザアレイ１の照射面には、ホログラムメモリ２に対する再生照射光の照射角を制御するための照射角制御部５０が設けられている。再生照明光であるレーザ光１ａの照射角は、光再構成型ゲートアレイ３の動作と同期して時間的に切り換えられる。再生照明光であるレーザ光１ａの照射角の制御は、再生光照射制御回路４により照射角制御部１ａを制御することにより行われる。
【０００７】
レーザアレイ１によりホログラムメモリ２に照射された再生照明光のレーザ光１ａは、ホログラムメモリ２を通過して再生光の光パターン２ａとなる。この際、ホログラムメモリ２にホログラムとして記録されたマスクパターンを再生し、再生光は光パターン２ａを形成する。この光パターンが光再構成型ゲートアレイ３に照射される。光再構成型ゲートアレイ３は光パターン２ａに対して光電変換を行い、光パターン２ａに対応した論理演算回路の再構成を行う。
【０００８】
また、非特許文献１に記載の発明は、光学的メモリ手段２を擬似的に形成する二つの面発光レーザ２１、２２からのレーザ光を光学系２３を介して単一のＶＬＳＩで形成される光再構成型ゲートアレイ３を光再構成する構成である。この構成により光再構成型ゲートアレイ３のフォトダイオードにより多くの光量のレーザ光を照射することができるため、再構成速度の改善が可能となった。
【０００９】
前記構成の発明では、光再構成型ゲートアレイ３に４bitアップダウンカウンタを実装したＶＬＳＩとして構成し、この４bitアップダウンカウンタの駆動を単一の面発光レーザ２１（又は２２）による照射の場合と、二つの面発光レーザ２１、２２による照射の場合とを比較した。単一の面発光レーザ２１（又は２２）の照射の場合が５８０［μｓｅｃ］（又は１３４０［μｓｅｃ］）であるのに対し、二つの面発光レーザ２１、２２の場合は３４０［μｓｅｃ］となり、二つの面発光レーザ２１、２２の場合が光再構成の速度を短縮できたことを確認している。
【００１０】
前記各光再構成ゲートアレイの再構成制御装置は、いずれも光再構成型ゲートアレイ３のＶＬＳＩへ並列的に高速な書込みが可能であり、多数（例えば、１００程度）の再構成回路パターンを光学的メモリ手段２に格納して保有できる利点を有する。
【特許文献１】特開２００２−３５３３１７号公報
【特許文献２】特開２００５−５１０５９号公報
【非特許文献１】社団法人電子情報通信学会論文「複数のＶＣＳＥＬを用いたＯＤＲ                    ＧＡの再構成速度改善」（宮野元嗣、渡邊実、小林史典）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
前記背景技術に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置は以上のように各々構成されており、文献１及び２の各発明のいずれにおいても、光学的メモリ手段２に対して単一の光を照射して再生光の光パターン２ａを光学的メモリ手段２から光再構成型ゲートアレイ３へ照射させていることから、単一の光の光量に応じた光再構成の速度となり、レーザアレイ１の発光光量を増大しない限り光再構成の時間を短縮できないという課題を有する。この光再構成速度を短縮するためにレーザアレイ１の発光光量を増大させると、システム全体の消費電力が増大すると共に、システムのコストアップという課題を有する。
【００１２】
また、非特許文献１の発明は、光再構成型ゲートアレイ３への照射する再生光の光量を増大させるために面発光レーザ２１、２２からの二つの再生光を光学系２３により幾何光学的に合成させているものであり、レーザアレイ１の発光光量を増大させることを前提とするものであることから、システム全体の消費電力を増大させると共に、システムを大幅にコストアップさせるという課題を有する。
【００１３】
本発明は、前記課題を解消するためになされたもので、光再構成ゲートアレイにおける光再構成時間の短縮をシステム全体の消費電力を抑制しながらコストアップすることなく実行できる光再構成ゲートアレイの再構成制御装置を提供することを目的とする。また、本発明は、光再構成ゲートアレイの用途に応じて、再構成回路パターン数と光再構成速度とを任意に適宜選択して構成できる光再構成ゲートアレイの再構成制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置は、再生光を発光する複数の発光部がアレイ状に配列され、当該複数の発光部からの各再生光を照射する再生光照射手段と、前記再生光照射手段に対向配設され、前記各再生光の照射により再構成回路パターンに対応する予め格納された記録情報の光パターンを射出する光学的メモリ手段と、前記光学的メモリ手段から射出された光パターンの照射によりアレイ状に配列された複数の論理演算セルを各種の論理演算回路に再構成する光再構成型ゲートアレイと、前記光学的メモリ手段に予め格納された記録情報の記録態様に対応した複数の再生光を当該記録情報の記録領域に発光部が照射するように制御する再生光照射制御手段とを備えるものである。
【００１５】
本発明に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置は必要に応じて、再生光照射制御手段が、光学的メモリ手段に予め格納された複数の記録情報の各記録態様に対応した複数の再生光を当該複数の記録情報の各記録領域に発光部から照射させ、当該照射により光学的メモリ手段から射出される複数の光パターンで前記光再構成型ゲートアレイの一又は複数の論理演算回路を再構成するものである。
【００１６】
本発明に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置は必要に応じて、再生光照射制御手段が、記録情報に対応した複数の再生光を発光する複数の発光部の範囲内で増加又は減少させるものである。
【００１７】
本発明に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御方法は、再生光照射制御手段の複数アレイ状に配列される発光部から光学的メモリ手段に再生光を照射し、当該光学的メモリ手段から光パターンを再生して光再構成型ゲートアレイに照射して各種の論理演算回路を再構成する光再構成ゲートアレイの再構成制御方法において、前記光学的メモリ手段に予め格納された記録情報の記録態様に対応した複数の再生光を当該記録情報の記録領域に再生光照射手段の複数の発光部が照射し、前記記録情報の記録領域から単一の光パターンを再生して光再構成型ゲートアレイに照射するものである。
【００１８】
本発明に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御方法は必要に応じて、光学的メモリ手段に予め格納された複数の記録情報の各記録態様に対応した複数の再生光を当該複数の記録情報の各記録領域に再構成照射手段の複数の発光部が照射し、前記複数の記録情報の各記録領域から複数の光パターンを再生して光再構成型ゲートアレイに照射し、前記光再構成型ゲートアレイの一又は複数の論理演算回路を再構成するものである。
【発明の効果】
【００１９】
このように本発明においては、複数の発光部がアレイ状に配列されてなる再生光照射手段から再生光を複数発光し、この複数発光された再生光の照射により光学的メモリ手段が予め格納された記録情報の光パターンを射出し、この射出された光パターンの照射によりアレイ状に複数の論理演算セルを配列してなる光再構成型ゲートアレイが各種の論理演算回路に再構成され、この再構成を光学的メモリ手段に予め格納された記録情報の記録態様に対応した複数の再生光を当該記録情報の記録領域に発光部が照射するように再生光照射制御手段が制御するようにしているので、高速に光再構成が必要な場合とより多くの再構成回路パターンが必要な場合とを適宜切替えて制御できることとなり、光再構成ゲートアレイにおける光再構成時間の短縮をシステム全体の消費電力を抑制しながらコストアップすることなく実行できると共に、光再構成ゲートアレイの用途に応じて、再構成回路パターン数と光再構成速度とを任意に適宜選択して構成できるという効果を奏する。
【００２０】
このように本発明においては、再生光照射制御手段が、光学的メモリ手段に予め格納された複数の記録情報の各記録態様に対応した複数の再生光を当該複数の記録情報の各記録領域に発光部から照射させ、当該照射により光学的メモリ手段から射出される複数の光パターンで前記光再構成型ゲートアレイの一又は複数の論理演算回路を再構成するようにしているので、複数の光パターンで光再構成型ゲートアレイの論理演算セルをより大きな光量で論理演算回路に再構成できることとなり、光再構成の時間を大幅に短縮して再構成速度を高速化できる。
【００２１】
また、本発明においては、記録情報に対応した複数の再生光を発光する複数の発光部の範囲内で再生光照射制御手段が増加又は減少させるようにしているので、光再構成ゲートアレイの用途に応じて、再構成回路パターン数と光再構成速度とを任意に適宜選択して構成できるという効果を有する。
【００２２】
また、本発明においては、再生光照射制御手段の複数アレイ状に配列される発光部から光学的メモリ手段に再生光を照射し、当該光学的メモリ手段から光パターン再生光を再生して光再構成型ゲートアレイに照射して各種の論理演算回路を再構成する際に、光学的メモリ手段に予め格納された記録情報の記録態様に対応した複数の再生光を当該記録情報の記録領域に再生光照射手段の複数の発光部が照射し、前記記録情報の記録領域から単一の光パターン生成光を再生して光再構成型ゲートアレイに照射するようにしているので、高速に光再合成が必要な場合とより多くの再構成回路パターンが必要な場合とを適宜切替えて制御できることとなり、光再構成ゲートアレイにおける光再構成時間の短縮をシステム全体の消費電力を抑制しながらコストアップすることなく実行できると共に、光再構成ゲートアレイの用途に応じて、再構成回路パターン数と光再構成速度とを任意に適宜選択して構成できるという効果を奏する。
【００２３】
このように本発明においては、光学的メモリ手段に予め格納された複数の記録情報の各記録態様に対応した複数の再生光を当該複数の記録情報の各記録領域に再構成照射手段の複数の発光部が照射し、前記複数の記録情報の各記録領域から複数の光パターンを再生して光再構成型ゲートアレイに照射し、前記光再構成型ゲートアレイの一又は複数の論理演算回路を再構成するようにしているので、複数の光パターンで光再構成型ゲートアレイの論理演算セルをより大きな光量で論理演算回路に再構成できることとなり、光再構成の時間を大幅に短縮して再構成速度を高速化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
（本発明の第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置をその方法と共に図１ないし図３に基づいて説明する。この図１は本実施形態に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置の全体概略構成図、図２は図１に記載の光再構成ゲートアレイの再構成制御装置におけるレーザアレイからホログラムメモリへのレーザ光照射態様図、図３は図２におけるホログラムメモリ端部領域へのレーザ光照射態様図を示す。
【００２５】
前記各図において本発明の第１の実施形態に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置は、レーザ光を発光する複数のレーザ１１、〜、１ｎがアレイ状に配列され、この複数のレーザ１１、〜、１ｎからの各レーザ光１０１ａ、〜、１３６ａを照射する再生光照射手段のレーザアレイ１と、前記レーザアレイ１に対向配設され、前記各レーザ光１０１ａ、〜、１３６ａの照射により再構成回路パターンに対応する予め格納された記録情報の光パターン２１ａを射出する光学的メモリ手段のホログラムメモリ２と、このホログラムメモリ２から射出された光パターン２１ａの照射によりアレイ状に配列された複数の論理演算セルを各種の論理演算回路に再構成する光再構成型ゲートアレイ３と、ホログラムメモリ２に予め格納された記録情報の記録態様に対応した複数の再生光を当該記録情報の記録領域２１にレーザ１１、〜、１ｎが照射するように制御する再生光照射制御手段４とを備える構成である。
【００２６】
前記レーザアレイ１は、アレイ状に配列されたレーザ１１、〜、１ｎのうち、ホログラムメモリ２の同一記録情報に対してレーザ光を照射する３６のレーザ１０１、〜、１３６が再生光のレーザ光を射出する構成である。なお、このレーザアレイ１は、前記背景技術と同様にＶＣＳＥＬ（Vertical-cavity Surface-emitting Laser）も用いることができ、この場合に各レーザ１１、〜、１ｎをマトリクス特定による発光制御とすることができる。
【００２７】
前記ホログラムメモリ２は、複数のレーザ１１、〜、１ｎから各々異なる入射角のレーザ光を多値多層に記録するボリュームホログラムを用いて構成できる。また、このホログラムメモリ２は、透過型ホログラム（例えば、リップマンホログラム）で構成したが、反射型ホログラムメモリを用いることもできる。このホログラムメモリ２には、前記異なる入射角のレーザ光の照射によって再構成される同一の再構成回路パターンが照射されるレーザ光の数に対して格納される。
【００２８】
次に、前記構成に基づく本実施形態に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置及びその方法の動作について説明する。
まず、図１及び図２に基づいて光再構成型ゲートアレイ３の中心近傍における論理演算セル３１について高速モードの光再構成を実行する。この場合に再生光照射制御回路４は、論理演算セル３１に対応するホログラムメモリ２の記録領域２１に格納された記録情報の記録態様に基づいてレーザアレイ１のレーザ１０１、〜、１３６を発光するように制御する。
【００２９】
このレーザアレイ１のレーザ１０１、〜、１３６が全て発光してレーザ光１０１ａ、〜、１３６ａを各々異なる入射角でホログラムメモリ２の記録領域２１に照射する。このレーザ光１０１ａ、〜、１３６ａは、各々がホログラムメモリ２の記録領域２１に予め格納されている同一の再構成回路パターンを個別独立して解析光の光パターンを重畳させた状態で単一の光パターン２１ａを射出させる。
【００３０】
前記重畳された単一の光パターン２１ａがレーザ１０１、〜、１３６から励起されるレーザ光１０１ａ、〜、１３６ａの総和の光量を有することから、この光パターン２１ａは光再構成型ゲートアレイ３の論理演算セル３１に照射されて、この論理演算セル３１を極めて高速に再構成できることとなる。
【００３１】
また、図３において、ホログラムメモリ２のコーナー部に位置する記録領域２１に対してレーザアレイ１のコーナー部分の複数の各レーザ１０１、〜、１３６がレーザ光１０１ａ、〜、１３６ａを各々異なる入射角で照射して重畳された光パターン２１ａを射出し、この光パターン２１ａにより高速に論理演算セル３１を再構成する。
【００３２】
さらに、ホログラムメモリ２の記録領域２１以外の記録領域２２、〜、２ｎは、前記背景技術として図６に記載する光再構成ゲートアレイの再構成制御装置と同様にレーザアレイ１の各レーザ１１、〜、１ｎ（１０１、〜、１３６を除く）とホログラムメモリ２の記録領域２２、〜、２ｎ（２１以外の領域；図示を省略）と光再構成型ゲートアレイ３の論理演算セル３２、〜、３ｎ（３１以外の論理演算セル；図示を省略）とを各対応付け、前記レーザ１１、〜、１ｎからレーザ光１ａを各々記録領域２２、〜、２ｎに照射し、この記録領域２２、〜、２ｎから各光パターン２ａが射出される。この各光パターン２ａが再生光として光再構成型ゲートアレイ３の論理演算セル３２、〜、３ｎに照射されて遅い速度で再構成が実行できることとなる。
【００３３】
（本発明の第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置をその方法と共に図４に基づいて説明する。この図４は第２の実施形態に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置の全体概略構成図を示す。
【００３４】
同図において本発明の第２の実施形態に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置は、前記レーザアレイ１、ホログラムメモリ２、光再構成型ゲートアレイ３及び再生光照射制御手段４を共通して備え、前記レーザアレイ１及びホログラムメモリ２が各々射出する各レーザ光１０１ａ、〜、１３６ａ、１３７ａ及び光パターン２１ａ、２２ａの照射態様を異にする構成である。
【００３５】
前記レーザアレイ１は、再生光照射制御手段４の制御によりホログラムメモリ２に予め格納された複数の記録情報（光パターン２１ａ、２２ａ）の各記録態様に対応したレーザ光１０１ａ、〜、１３６ａ及びレーザ光１３７ａを前記記録情報（光パターン２１ａ）の記録領域２１及び記録情報（光パターン２２ａ）の記録領域２２へ照射する。このレーザ光１０１ａ、〜、１３６ａ、１３７ａの各照射によりホログラムメモリ２の記録領域２１からは記録情報光パターン２１ａが射出されると共に、ホログラムメモリ２の記録領域２２からは光パターン２２ａが射出される。
【００３６】
前記ホログラムメモリ２は、射出した各光パターン２１ａ、２２ａを光再構成型ゲートアレイ３の論理演算セル３１に照射し、この論理演算セル３１を論理演算回路に光再構成する。
【００３７】
このように本実施形態に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置は、二つの光パターン２１ａ、２２ａを同一の論理演算セル３１に照射することにより、少なくとも二倍の光量で論理演算回路を再構成できることとなり、光再構成時間の短縮及び再構成速度を高速化できる。
【００３８】
なお、本実施形態に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置おいては、二つの光パターンをホログラムメモリ２から光再構成型ゲートアレイ３へ射出する構成としたが、ホログラムメモリ２から三つ以上の光パターンを光再構成型ゲートアレイ３へ射出する構成とすることもできる。
【００３９】
（本発明の他の実施形態）
本発明の他の実施形態に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置をその方法と共に、図５に基づいて説明する。この図５は本発明の他の実施形態に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置の全体概略構成図を示す。
【００４０】
同図において本実施形態に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置は、前記第１の実施形態の光再構成ゲートアレイの再構成制御装置と同様に、レーザアレイ１、ホログラムメモリ２、光再構成型ゲートアレイ３及び再生光照射制御回路４を備え、この構成に加え、レーザアレイ１の射出側に照射角度制御部５を備える構成である。この照射角度制御部５は、ホログラムメモリ２のレーザ１１、〜、１ｎに各々対応してマトリクス状に配設される偏向素子５１、〜、５ｎで形成され、この偏向素子５１、〜、５ｎを個別に独立して再生光照射制御回路４により制御される構成である。この偏向素子５１、〜、５ｎは、例えば偏向制御型の電気光学変調素子で構成することもできる。
【００４１】
次に、前記構成に基づく本実施形態に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置及びその方法の動作について説明する。
前記第１の実施形態と同様に、再生光照射制御回路４は論理演算セル３１に対応するホログラムメモリ２の記録領域２１に格納された記録情報の記録態様に基づいてレーザアレイ１のレーザ１０１、〜、１３６を発光するように制御する。このレーザアレイ１のレーザ１０１、〜、１３６は、全て発光してレーザ光１０１ａ、〜、１３６ａをレーザアレイ１の下面から垂直方向に射出させる。
【００４２】
また、前記再生光照射制御回路４は、偏向素子５１、〜、５ｎのうちレーザ１０１、〜、１３６に対応する偏向素子５０１、〜、５３６の偏向作用により前記垂直方向に射出されたレーザ光１０１ａ、〜、１３６ａを各々所定角度だけ偏向させてホログラムメモリ２の記録領域２１に集光照射する。
【００４３】
さらに、前記ホログラムメモリ２の中央部分以外の端部における記録領域２１について、又はこの記録領域２１以外の領域における記録領域２２、〜、２ｎについても前記第１の実施形態と同様に光再構成を実行することとなる。
【００４４】
なお、前記各実施形態においてはホログラムメモリ２の記録領域２１へ集中照射するレーザアレイ１のレーザ１０１、〜、１３６からレーザ光１０１ａ、〜、１３６ａは、中心光束を用いる構成としたが、各レーザ光１０１ａ、〜、１３６ａの拡散光の周辺領域光束を用いる構成とすることもできる。このように拡散光の周辺領域光束を用いる構成としたことから、レーザアレイ１のレーザ１１、〜、１ｎの利用効率を最大限に向上させることができると共に、レーザアレイ１の消費電力を極力削減できることとなる。
【００４５】
また、前記各実施形態に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置においては、レーザアレイ１よりレーザ光を射出する構成としたが、コヒーレント光又はインコヒーレント光を再生光照射手段より再生光として射出する構成とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置の再構成制御装置の全体概略構成図である。
【図２】図１に記載の光再構成ゲートアレイの再構成制御装置におけるレーザアレイからホログラムメモリへのレーザ光照射態様図である。
【図３】図２におけるホログラムメモリ端部領域へのレーザ光照射態様図動作フローチャート図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置の全体概略構成図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置の全体概略構成図である。
【図６】背景技術に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置の概略構成図である。
【図７】背景技術に係る光再構成ゲートアレイの再構成制御装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【００４７】
１    レーザアレイ
１ａ  レーザ光
１１、・・・、１ｎ、１０１、〜、１３６  レーザ
１０１ａ、〜、１３６ａ    レーザ光
２    ホログラムメモリ
２ａ  光パターン
２１、２２、〜、２ｎ  記録領域
２１ａ  光パターン
２３  光学系
３    光再構成型ゲートアレイ
３１、３２、〜、３ｎ  論理演算セル
４    再生光照射制御回路
５    照射角度制御部
５０  照射角制御部
５１、〜、５ｎ、５０１、〜、５３６  偏向素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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