(57)【要約】【課題】耐電圧特性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、ｐｎ接合面７を有する半導体基体１と、半導体基体１の第１表面１ｃに形成されているアノード電極３と、第１絶縁膜５とを備える。半導体基体１は、第１表面１ｃに連続して形成され、ｐｎ接合面７の延びる方向に対して傾斜するように形成されている第１傾斜面４ａと、第１傾斜面４ａに連続する端面４ｂとを有する。第１絶縁膜５は、第１傾斜面４ａおよび端面４ｂを覆うように配置されている。半導体基体１は、先端部に第１傾斜面４ａから突出するように形成されている突出部８を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型領域と第２導電型領域との接合面を有する半導体基体と、
前記半導体基体の第１表面に形成されている第１電極と、
膜状に形成されている第１絶縁膜と
を備え、
前記半導体基体は、前記第１表面に連続して形成され、前記接合面の延びる方向に対して傾斜するように形成されている第１傾斜面と、
前記第１傾斜面に連続する端面と
を有し、
前記第１絶縁膜は、前記第１傾斜面の先端部および前記端面の少なくとも一部を覆うように形成され、
前記半導体基体は、前記接合面が前記第１傾斜面に到達するように形成され、
前記半導体基体は、前記先端部に前記第１傾斜面から突出するように形成されている突出部を有する、半導体装置。
【請求項２】
前記第１導電型領域は、不純物濃度が前記第２導電型領域の不純物濃度よりも大きくなるように形成され、
前記第１傾斜面は、前記第１導電型領域から前記第２導電型領域に向かって、前記半導体基体の断面積が徐々に大きくなるように形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
第２電極を備え、
前記半導体基体は、前記第１表面の側と反対側の第２表面を有し、
前記第２電極は、前記第２表面に配置され、
前記半導体基体は、前記第２表面に連続して形成され、前記接合面の延びる方向に対して傾斜するように形成されている第２傾斜面を有し、
前記第１傾斜面および前記第２傾斜面のうち、少なくとも一方の傾斜面に前記突出部が形成されている、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
第２電極を備え、
前記半導体基体は、前記第１表面の側と反対側の第２表面を有し、
前記第２電極は、前記第２表面に配置され、
前記第２表面は、前記端面まで平面状に延びるように形成されている、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１絶縁膜の少なくとも一部を覆うように形成され、膜状に形成されている第２絶縁膜を備える、請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基体の端部に傾斜面を形成する傾斜面形成工程と、
前記傾斜面の先端部および前記半導体基体の端面の少なくとも一部を絶縁膜で覆う工程と
を含み、
前記傾斜面形成工程は、前記先端部に外側に向かって突出するように突出部を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記傾斜面形成工程は、前記半導体基体の端部の一部を除去することにより、前記傾斜面を形成する工程と、
前記傾斜面の表面の一部を除去することにより、前記突出部を形成する工程と
を含む、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、半導体基体の一方の表面に第１電極が形成され、一方の表面と反対側の表面に第２電極が形成される装置がある。このような半導体装置には、ダイオードやサイリスタなどが含まれる。半導体基体の内部には、ｐ型領域とｎ型領域とが形成される。半導体基体の内部には、ｐ型領域とｎ型領域の境界であるｐｎ接合面が形成される。
【０００３】
このような半導体装置において、半導体基体の表面での電界強度を緩和するために、ｐｎ接合面が到達する半導体基体の表面を、ｐｎ接合面に対して傾斜するように形成する場合がある。この半導体装置の構造は、ベベル構造またはべべリングと言われる。
【０００４】
ベベル構造には、ｐｎ接合の不純物濃度の低い側から高い側に向かうにつれて接合面積が増加するポジベベル構造が含まれる。または、逆に、不純物濃度の低い側から高い側に向かうにつれて接合面積が減少するネガベベル構造が含まれる。ベベル構造を採用することにより耐電圧を高くすることができる。ベベル構造は、高耐電圧の半導体装置に好適に用いられる。
【０００５】
特開昭６１−１５８１７１号公報においては、１つのｐｎ接合と、このｐｎ接合が露呈するベベル面とを有する半導体基板と、半導体基板にろう材層を介して１つの主面が接着される熱緩衝板とからなる半導体装置において、少なくともろう材層を残して熱緩衝板の１つの主面が露出しないようにベベル面が加工されている半導体装置が開示されている。
【０００６】
特開平３−１２６２２６号公報においては、支持板にｐｎ接合部を含む半導体基板が固着され、この半導体基板の上面に電極を設けてなる半導体素子を低速回転させ、この半導体素子の回転軸と平行な回転軸に軸方向断面が台形状の砥石を取付け、この砥石を半導体素子の回転軸の回転方向と逆回転方向に高速回転させながら半導体基板の側面に近づけて、この側面を支持板側の一部を残してｐｎ接合部に対しポジベベルになるよう切削する半導体素子のベベル形成方法が開示されている。
【０００７】
特開平１−１５２６６８号公報においては、半導体基体の半導体基板の側面にシグマベベル形状を有し、少なくとも一方のベベル末端のエッジ部がパッシベーション材で覆われる半導体装置の製造の際に、パッシベーション材を被膜後、半導体基板面に垂直な側壁をもつ型の中に入れ、絶縁性保護材を半導体基体周辺の空間に注入し、固化したのちに型を取外す半導体装置の製造方法が開示されている。
【０００８】
特開平７−１４７３９３号公報においては、半導体基板周縁部のベベル領域を酸エッチングして加工歪み層を除去した後、高圧水銀ランプにより紫外線照射し、非接触の樹脂塗布装置でポリイミド樹脂を塗布し、さらにシリコン樹脂の注型により樹脂枠を形成する半導体装置の製造方法が開示されている。
【特許文献１】特開昭６１−１５８１７１号公報
【特許文献２】特開平３−１２６２２６号公報
【特許文献３】特開平１−１５２６６８号公報
【特許文献４】特開平７−１４７３９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
半導体基体の端部に傾斜面を有し、ベベル構造が採用されている半導体装置においては、ｐｎ接合面がベベル構造の傾斜面に到達する場合がある。たとえば、ネガベベル構造を有する半導体装置の多くは、ｐｎ接合面が傾斜面に到達する。
【００１０】
ベベル構造を有する半導体装置においては、半導体基体の傾斜面が形成されている端部に絶縁性を確保するために絶縁膜が配置される。しかしながら、半導体基体の傾斜面の先端部の角部において、絶縁膜が薄くなってしまうという問題があった。たとえば、ベベル構造部の傾斜面の先端部において、絶縁膜の厚さが０μｍ以上１μｍ以下になってしまうという問題があった。
【００１１】
このため、半導体装置を製造した後に行なう性能試験のうち、電圧印加試験において、耐電圧が低くなってしまうという問題があった。または、耐電圧に大きなばらつきが生じるという問題があった。
【００１２】
本発明は、耐電圧特性に優れた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に基づく半導体装置は、第１導電型領域と第２導電型領域との接合面を有する半導体基体と、上記半導体基体の第１表面に形成されている第１電極と、膜状に形成されている第１絶縁膜とを備える。上記半導体基体は、上記第１表面に連続して形成され、上記接合面の延びる方向に対して傾斜するように形成されている第１傾斜面と、上記第１傾斜面に連続する端面とを有する。上記第１絶縁膜は、上記第１傾斜面の先端部および上記端面の少なくとも一部を覆うように形成されている。上記半導体基体は、上記接合面が上記第１傾斜面に到達するように形成されている。上記半導体基体は、上記先端部に上記第１傾斜面から突出するように形成されている突出部を有する。
【００１４】
本発明に基づく半導体装置の製造方法は、半導体基体の端部に傾斜面を形成する傾斜面形成工程と、上記傾斜面の先端部および上記半導体基体の端面の少なくとも一部を絶縁膜で覆う工程とを含む。上記傾斜面形成工程は、上記傾斜面の先端部に外側に向かって突出するように突出部を形成する工程を含む。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、耐電圧特性に優れた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（実施の形態１）
図１から図７を参照して、実施の形態１における半導体装置について説明する。本実施の形態においては、半導体装置のうちダイオードを例に採り上げて説明する。本実施の形態における半導体装置は、半導体基体の端部に両面ベベル構造を有する。
【００１７】
本実施の形態における半導体装置は、圧接型半導体装置である。圧接型半導体装置は、一の表面および他の表面のそれぞれに電極が形成され、これらの電極を挟みこんで圧接した状態で使用する装置である。本実施の形態においては、半導体基体の一の表面にアノード電極が形成され、一の表面と反対側の他の表面にカソード電極が形成されている。
【００１８】
図１に、本実施の形態における半導体装置の端部の概略断面図を示す。図１は、半導体装置の端部の概略断面図である。本実施の形態における半導体装置は、半導体基体１を備える。本実施の形態における半導体基体１は、板状に形成されている。半導体基体１の表裏の主面には電極が配置されている。半導体基体としては、板状に限られず任意の形態を採用することができる。たとえば、半導体基体は棒状に形成することができる。
【００１９】
半導体基体１は、第１導電型領域としてｐ型領域と、第２導電型領域としてｎ型領域とを含む。本実施の形態においては、ｐ型領域としてｐ+領域１ａと、ｎ型領域としてのｎ領域１ｂとが形成されている。本実施の形態においては、ｐ+領域１ａの不純物濃度は、ｎ領域１ｂの不純物濃度よりも高くなるように形成されている。
【００２０】
ｐ+領域１ａとｎ領域１ｂとの間には、領域同士の境界部であるｐｎ接合面７が形成されている。本実施の形態におけるｐｎ接合面７は、平面状に形成されている。本実施の形態においては、ｐｎ接合面７は、半導体基体１の主面とほぼ平行になるように形成されている。
【００２１】
本実施の形態における半導体装置は、一の電極としてのアノード電極３を備える。アノード電極３は、半導体基体１の第１表面１ｃに配置されている。第１表面１ｃは、半導体基体１の一方の主面である。第１表面１ｃは、平面状に形成されている。
【００２２】
本実施の形態における半導体装置は、他の電極としてのカソード電極２を備える。カソード電極２は、半導体基体１の第２表面１ｄに配置されている。第２表面１ｄは、半導体基体１の他方の主面である。第２表面１ｄは、平面状に形成されている。第２表面１ｄは、第１表面１ｃの側と反対側の表面である。
【００２３】
本実施の形態におけるカソード電極２およびアノード電極３は、それぞれが導電性を有する材料で形成されている。本実施の形態におけるカソード電極２およびアノード電極３は、アルミニウムで形成されている。
【００２４】
本実施の形態における半導体基体１は、先端に向かって厚さが徐々に薄くなるように形成されているベベル構造部４を有する。ベベル構造部４は、半導体基体１の端部に形成されている。ベベル構造部４は、第１傾斜面４ａを有する。第１傾斜面４ａは、第１表面１ｃの外側に形成されている。第１傾斜面４ａは、第１表面１ｃに対して傾斜するように形成されている。第１傾斜面４ａは、ｐｎ接合面７の延びる方向に対して傾斜するように形成されている。
【００２５】
ｐｎ接合面７は、第１傾斜面４ａに到達するように形成されている。本実施の形態における第１傾斜面４ａは、ｐ+領域１ａからｎ領域１ｂに向かって半導体領域が徐々に広くなるように形成されている。本実施の形態における第１傾斜面４ａは、ネガベベル面である。
【００２６】
本実施の形態におけるｐｎ接合面７は、半導体基体１の先端部の角部の近傍に到達するように形成されている。第１傾斜面４ａは、ｐｎ接合面７に対して傾斜するように形成されている。第１表面１ｃは、ｐｎ接合面７とほぼ平行に延びるように形成されている。ベベル構造部４は、端面４ｂを有する。端面４ｂは、ｐｎ接合面７の延びる方向に対してほぼ垂直に延びるように形成されている。
【００２７】
ベベル構造部４は、第２傾斜面４ｃを有する。第２傾斜面４ｃは、第１傾斜面４ａの反対側に形成されている。第２傾斜面４ｃは、第２表面１ｄの外側に形成されている。第２傾斜面４ｃは、第２表面１ｄに対して傾斜するように形成されている。第２傾斜面４ｃは、ｐｎ接合面７の延びる方向に対して傾斜するように形成されている。
【００２８】
本実施の形態における半導体装置は、第１絶縁膜５を備える。第１絶縁膜５は、膜状に形成されている。本実施の形態における第１絶縁膜５は、樹脂で形成されている。第１絶縁膜５は、たとえば、ポリイミドワニスやシリコンゴムなどの絶縁性を有する材料で形成されている。第１絶縁膜５は、半導体基体１の表面に配置されている。第１絶縁膜５は、ベベル構造部４の表面に沿って形成されている。第１絶縁膜５は、第１傾斜面４ａ、端面４ｂおよび第２傾斜面４ｃを覆うように形成されている。
【００２９】
本実施の形態における半導体装置は、保護部材６を備える。本実施の形態における保護部材６は、シリコンで形成されている。保護部材６は、ベベル構造部４を覆うように形成されている。保護部材６は、第１絶縁膜５を覆うように形成されている。
【００３０】
図２に、本実施の形態における半導体基体の先端部の拡大概略断面図を示す。図２は、ベベル構造部の先端部の拡大概略断面図である。図２は、図１におけるＡ部の拡大概略断面図である。
【００３１】
本実施の形態における半導体基体１は、第１傾斜面４ａの先端部に第１傾斜面４ａから突出するように形成されている突出部８を有する。突出部８は、外側に向かって突出するように形成されている。突出部８は、ベベル構造部４の先端に形成されている。突出部８は、半導体基体１の縁に沿って形成されている。半導体基体１の縁に沿って凹部９が形成されていることにより、突出部８が形成されている。本実施の形態における半導体装置は、ｐｎ接合面７が突出部８の近傍に到達する。
【００３２】
本実施の形態における半導体装置は、ベベル構造部の先端部において絶縁膜が薄くなることを抑制することができ、耐電圧を高くすることができる。または、半導体装置の耐電圧のばらつきを小さくすることができる。
【００３３】
次に、図３から図５を参照して、本実施の形態における半導体装置の製造方法を説明する。図３から図５は、それぞれの工程における半導体基体の概略断面図である。
【００３４】
図３は、本実施の形態における半導体装置の製造方法の第１工程説明図である。半導体基体１に、ｐ+領域１ａおよびｎ領域１ｂを形成する。たとえば、ｎ型半導体基体にｐ型不純物をドーピングすることにより半導体基体１を形成する。
【００３５】
次に、半導体基体１の角部を除去して傾斜面を形成する面取り工程を行なう。面取り工程は、たとえば、砥石により半導体基体の角部を研削する。本実施の形態における面取り工程においては、半導体基体１の第１表面１ｃおよび第２表面１ｄの両面について一部を除去することにより行なう。面取り工程においては、たとえば、半導体基体１の端面における除去する深さが約８０μｍになるように角部を除去する。
【００３６】
図４に、本実施の形態における半導体装置の製造方法の第２工程説明図を示す。面取り工程を行なうことにより、半導体基体１の端部にベベル構造部４が形成される。ベベル構造部４は、第１傾斜面４ａおよび第２傾斜面４ｃを含む。ｐｎ接合面７は、第１傾斜面４ａに到達する。第１傾斜面４ａは、ネガベベル面になる。本実施の形態におけるｐｎ接合面７は、ネガベベリング面の角部付近に到達している。
【００３７】
次に、半導体基体の表面の破砕層を除去する破砕層除去工程を行なう。破砕層を除去する工程においては、たとえば、フッ酸と硝酸との混合液で半導体基体の端部をエッチングする化学処理を行なう。破砕層除去工程を行なうことにより、半導体基体の表面が除去されて、ｐｎ接合面７の欠陥や汚染部分が取除かれる。
【００３８】
図５に、本実施の形態における半導体装置の製造方法の第３工程説明図を示す。次に、たとえば超音波加工法を用いて、ベベル構造部４の表面を削ることにより、第１傾斜面４ａに凹部９を形成する。半導体基体１の縁に沿って凹部９を形成する。凹部９を形成することにより突出部８が形成される。超音波加工法は、被加工物に砥粒を配置して、工具に圧力を印加しながら超音波振動を加えて、微量ずつ被加工物の表面を除去していく方法である。本実施の形態においては、ネガベベル面の先端部に突出部を形成する。
【００３９】
次に、図１を参照して、半導体基体１のベベル構造部４に樹脂を塗布した後にベーキングを行なって第１絶縁膜５を形成する。このときに、第１傾斜面４ａの先端に突出部８が形成されているために、塗布した樹脂が流れてしまって突出部が形成されている角部で絶縁膜が薄くなることを抑制できる。すなわち、角部での絶縁膜厚さを厚くすることができる。この結果、半導体装置の耐電圧を向上させることができる。または、半導体装置の耐電圧のばらつきを小さくすることができる。
【００４０】
半導体装置の性能を試験する性能試験には、カソード電極とアノード電極に対して、逆の電圧を印加する電圧印加試験が含まれる。電圧印加試験においては、アノード電極に負の電圧を印加して、カソード電極に正の電圧を印加する。本実施の形態における半導体装置は、この電圧印加試験において高く安定した耐電圧を示す。電圧印加試験においては、交流電圧半波を印加する試験や、直流電圧を印加する試験が行なわれる。直流電圧を印加する試験は、交流電圧半波を印加する試験よりも厳しい試験となるが、本実施の形態における半導体装置は、安定した性能を発揮することができる。
【００４１】
このように、本実施の形態の製造方法においては、半導体基体の端部に傾斜面を形成する傾斜面形成工程を含む。傾斜面形成工程は、傾斜面の先端部に外側に向かって突出するように突出部を形成する工程を含む。この方法により、耐電圧特性に優れた半導体装置を製造することができる。
【００４２】
また、本実施の形態における傾斜面形成工程は、半導体基体の端部の一部を除去することにより傾斜面を形成する工程と、傾斜面の一部を除去することにより、突出部を形成する工程を含む。この方法により、容易にベベル構造部の角部に突出部を形成することができる。
【００４３】
図６に、本実施の形態における比較例としての半導体装置の端部の概略断面図を示す。比較例としての半導体装置においては、ベベル構造部４の第１傾斜面４ａの先端に、突起部が形成されていない。ベベル構造部４の周りには絶縁膜５が配置されている。
【００４４】
図７に、比較例としての半導体装置のベベル構造部の先端の拡大概略断面図を示す。図７は、図６におけるＢ部の拡大概略断面図である。ベベル構造部４の角部２０には、突起部は形成されていない。ｐｎ接合面７は、角部２０の近傍に到達している。このような構造においては、絶縁膜５を塗布するときに、絶縁膜５が角部２０で流れてしまい、角部２０の近傍で絶縁膜５の厚さが薄くなってしまう。この結果、耐電圧が低くなったり、製品による耐電圧のばらつきが大きくなってしまったりする。
【００４５】
また、ベベル構造部４において、角部２０が欠けてしまうことを抑制するために、角部２０の断面形状が円弧状に形成される場合がある。すなわち角部２０の断面形状が丸くなるように形成される場合がある。このような場合には、角部２０において、さらに絶縁膜５の取付きが悪くなって絶縁膜５が薄くなってしまう場合があった。
【００４６】
しかし、図１および図２を参照して、本実施の形態における半導体装置は、半導体基体１のベベル構造部４の角部に突出部８が形成されているため、先端部の角部において絶縁膜を厚くすることができる。
【００４７】
本実施の形態においては、濃度の低い領域から濃度の高い領域に向けてｐｎ接合面に沿った断面積が小さくなる、いわゆるネガベベル構造を有する半導体装置である。ネガベベル構造を有する半導体装置の多くは、ｐｎ接合面が傾斜面に到達するために本発明の効果が顕著になる。
【００４８】
本実施の形態においては、ネガベベル構造を有する半導体装置を例に採り上げて説明したが、この形態に限られず、ポジベベル構造を有する半導体装置にも本発明を適用することができる。
【００４９】
また、本実施の形態においては、第１導電型領域としてｐ型領域が形成され、また第２導電型領域としてｎ型領域が形成されている例を取り挙げて説明したが、この形態に限られず、第１導電型領域としてｎ型領域が形成され、第２導電型領域としてｐ型領域が形成されていても構わない。
【００５０】
本実施の形態においては、破砕層除去工程においてウエットエッチングを行なっているが、この形態に限られず、たとえば、ドライエッチングを行なっても構わない。
【００５１】
本実施の形態においては、第１傾斜面および第２傾斜面のうち、一方の傾斜面に突出部が形成されているが、この形態に限られず、両方の傾斜面に突出部が形成されていても構わない。また、本実施の形態においては、半導体基体の端面全体を覆うように絶縁膜が配置されているが、絶縁膜は端面の一部を覆うように配置されていても構わない。
【００５２】
本実施の形態においては、ダイオードを例に取上げて説明したが、この形態に限られず、ベベル構造を有する任意の半導体装置に本発明を適用することができる。たとえば、サイリスタに本発明を適用することができる。本実施の形態においては、圧接型半導体装置を例に取上げて説明したが、この形態に限られず、ベベル構造を有する任意の半導体装置に本発明を適用することができる。
【００５３】
（実施の形態２）
図８および図９を参照して、実施の形態２における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、片面ネガベベル構造を有する。
【００５４】
図８は、本実施の形態における半導体装置の端部の拡大概略断面図である。本実施の形態における半導体装置は、半導体基体１を備える。半導体基体１は、端部にベベル構造部４を有する。本実施の形態におけるベベル構造部４は、第１傾斜面４ａと第３傾斜面４ｄとを有する。
【００５５】
第３傾斜面４ｄは、半導体基体１の端面である。第３傾斜面４ｄは、ｐｎ接合面７に対して傾斜するように形成されている。第３傾斜面４ｄは、半導体基体１の第１表面１ｃおよび第２表面１ｄに対して傾斜するように形成されている。
【００５６】
本実施の形態における半導体基体１の第２表面１ｄは、先端まで平面状に延びるように形成されている。ベベル構造部４は、表面４ｅを有する。表面４ｅは、第１傾斜面４ａの反対側に配置されている。表面４ｅは、半導体基体１の第２表面１ｄに含まれる。表面４ｅは、端面としての第３傾斜面４ｄまで延びている。
【００５７】
図９に、本実施の形態における半導体装置の先端部の概略断面図を示す。図９は、図８におけるＣ部の拡大概略断面図である。ｐｎ接合面７は、第１傾斜面４ａに到達している。ｐｎ接合面７は、第１傾斜面４ａの先端部に到達するように形成されている。半導体基体１は、先端部に突出部８を有する。突出部８は、外側に向かって飛び出すように形成されている。
【００５８】
本実施の形態における半導体装置は、第１傾斜面４ａの先端部において突出部８が形成されているため、ベベル構造部４の角部において第１絶縁膜５を厚くすることができる。この結果、優れた耐圧特性を有する半導体装置を提供することができる。
【００５９】
本実施の形態における半導体装置の製造方法においては、ベベル構造部を形成する面取り工程において、第１傾斜面４ａおよび第３傾斜面４ｄを形成する。この後に、ウエットエッチングなどの破砕層除去工程を行なう。この後に、超音波加工法等を用いて、傾斜面４ａの先端部に突出部８を形成する。
【００６０】
その他の構成、作用および効果については、実施の形態１と同様であるのでここでは説明を繰返さない。
【００６１】
（実施の形態３）
図１０および図１１を参照して、実施の形態３における半導体装置および半導体装置の製造方法について説明する。
【００６２】
図１０は、本実施の形態における半導体装置の端部の概略断面図である。本実施の形態における半導体装置は、両面ネガベベル構造を有する。本実施の形態における半導体装置は、ベベル構造部４の表面に配置される絶縁膜が二重に形成されている。
【００６３】
ベベル構造部４において、半導体基体１の表面に第１絶縁膜５が配置されている。第１絶縁膜５の表面には、第２絶縁膜１０が形成されている。第２絶縁膜１０は、膜状に形成されている。第２絶縁膜１０は、第１絶縁膜５の少なくとも一部を覆うように形成されている。第２絶縁膜１０は、ベベル構造部４の先端を覆うように形成されている。第２絶縁膜１０は、第１絶縁膜と同様の材料を用いることができる。
【００６４】
図１１に、本実施の形態におけるベベル構造の先端部の拡大概略断面図を示す。図１１は、図１０におけるＤ部の拡大概略断面図である。
【００６５】
本実施の形態における半導体装置は、絶縁膜を重ねて塗布することにより形成することができる。本実施の形態における半導体装置は、たとえば、第１絶縁膜５を塗布してベーキングを行なう。次に、第１絶縁膜５の表面に第２絶縁膜１０を塗布してベーキングを行なうことにより形成することができる。第１絶縁膜５および第２絶縁膜１０を合せた厚さは、たとえば３μｍ以上６μｍ以下の厚さにすることができる。または、絶縁膜を塗布した後にプリベーキングを行なうことを繰返すことによっても形成することができる。
【００６６】
本実施の形態における半導体装置は、第１絶縁膜５および第２絶縁膜１０を合せた絶縁膜全体の厚さを厚くすることができる。ベベル構造部の端部の絶縁膜を厚くすることができるため、耐電圧をより高くすることができる。
【００６７】
その他の構成、作用および効果については、実施の形態１または２と同様であるのでここでは説明を繰返さない。
【００６８】
上述のそれぞれの図において、同一または相当する部分には同一の符号を付している。
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】実施の形態１における半導体装置の端部の概略断面図である。
【図２】実施の形態１における半導体装置のベベル構造部の拡大概略断面図である。
【図３】実施の形態１における半導体装置の製造方法の第１工程説明図である。
【図４】実施の形態１における半導体装置の製造方法の第２工程説明図である。
【図５】実施の形態１における半導体装置の製造方法の第３工程説明図である。
【図６】実施の形態１における比較例としての半導体装置の端部の概略断面図である。
【図７】実施の形態１における比較例としての半導体装置のベベル構造部の拡大概略断面図である。
【図８】実施の形態２における半導体装置の端部の拡大概略断面図である。
【図９】実施の形態２における半導体装置のベベル構造部の先端の拡大概略断面図である。
【図１０】実施の形態３における半導体装置の端部の概略断面図である。
【図１１】実施の形態３における半導体装置のベベル構造部の先端の拡大概略断面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１  半導体基体、１ａ  ｐ+領域、１ｂ  ｎ領域、１ｃ  第１表面、１ｄ  第２表面、２  カソード電極、３  アノード電極、４  ベベル構造部、４ａ  第１傾斜面、４ｂ  端面、４ｃ  第２傾斜面、４ｄ  第３傾斜面、４ｅ  表面、５  第１絶縁膜、６  保護部材、７  ｐｎ接合面、８  突出部、９  凹部、１０  第２絶縁樹脂、２０  角部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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