(57)【要約】【課題】パターン毎に必要な位置精度、欠陥レベル等の要求特性を考慮してパターンを形成することで、製造コストを削減可能なフォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】半導体集積回路装置の設計データに対し演算を施して描画データを作成する。半導体集積回路装置の各種パターンに要求される複数の要求特性に応じて、描画データを複数のパターンデータに分類して出力する。分類されたパターンデータに適したフォトマスク描画装置を選択する。選択されたフォトマスク描画装置を用いてパターンデータに従った描画パターンを形成する。描画パターンに従ってフォトマスク上にパターンを形成する。半導体集積回路装置のパターンの要求特性を考慮してフォトマスク上のパターンの検査の必要性を判断し、検査が必要であると判断されたフォトマスク上のパターンに対して検査を行なう。【選択図】図１
2008233355.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路装置の設計データに対し演算を施して描画データを作成する工程と、
前記半導体集積回路装置の各種パターンに要求される複数の要求特性に応じて、前記描画データを複数のパターンデータに分類して出力する工程と、
分類された前記パターンデータに適したフォトマスク描画装置を選択する工程と、
選択された前記フォトマスク描画装置を用いて、前記パターンデータに従った描画パターンを形成する工程と、
前記描画パターンに従ってフォトマスク上にパターンを形成する工程と、
前記半導体集積回路装置のパターンの前記要求特性を考慮して、前記フォトマスク上のパターンの検査の必要性を判断する工程と、
検査が必要であると判断された前記フォトマスク上のパターンに対して検査を行なう工程と、
を備えた、フォトマスクの製造方法。
【請求項２】
前記半導体集積回路装置のパターンの要求特性は、当該パターンの用途、加工精度、位置精度、欠陥レベルのいずれかを含む、請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項３】
前記設計データに対して演算を施して検査データを作成する工程と、
前記検査データを、欠陥レベルに応じた複数の検査データに分類して出力する工程と、
分類して出力された前記検査データを用いて前記フォトマスク上のパターンの検査を行なう工程と、
前記検査により検出された欠陥を修正する工程と、
をさらに備えた、請求項１または請求項２に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項４】
前記半導体集積回路装置のパターンの要求特性に応じて前記パターンデータのデータタイプを指定し、
前記描画データを出力する際に、前記データタイプにより前記パターンデータを識別する、請求項１から請求項３のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項５】
前記半導体集積回路装置のパターンに要求される欠陥レベルに応じて前記検査データのデータタイプを指定し、
前記フォトマスク上のパターンの検査を行なう際に、前記データタイプにより前記検査データを識別する、請求項３に記載のフォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクの製造方法に関し、特に、半導体素子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ：Ｃｈａｒｇｅ− Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）や薄膜磁気ヘッドなどのマイクロデバイスを製造する際に行われるフォトリソグラフィ工程で使用可能なフォトマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体集積回路製品を製造する際には、投影光学系を介してフォトマスクのパターン像をフォトレジストが塗布されたウェハやガラスプレートなどの上に投影する投影露光装置が使用されている。
【０００３】
半導体集積回路製品には、多くの種類のパターンがある。半導体集積回路製品自体のパターン以外にも、マーク/スクライブＴＥＧパターン、ダミーパターン等が存在し、それぞれ重要な役割を担っている。
【０００４】
なお、ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ  Ｅｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｇｒｏｕｐ）とは、トランジスタ構造や回路方式の検証、性能の把握などを目的に試作する要素回路のことである。
【０００５】
ダミーパターンは、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）やドライエッチングプロセスにおいて、ＬＳＩ（大規模集積回路）チップやウエハ面内の均一性を向上させるために、ＬＳＩチップの内外の余ったスペースに導入されるものである。このダミーパターンは、その面積密度（占有率）が、所定の範囲内でありさえすれば、その必要な機能は満たされるので、形状や大きさは任意でよい。逆に、いたずらに複雑な形状や配置である必然性はないので、いくつかの大きさの矩形パターンを用意し、ＬＳＩ製品の各モジュールのみならずＬＳＩ製品の内外に挿入されてきた。また、ＬＳＩ製品の機能や性能には影響しないが、均一性向上効果があるので、ＬＳＩの各モジュールや素子の特性のバラツキをなくすことができるので、現在では、ＬＳＩ製造プロセスにおいて安定性や信頼性を確保する上で不可欠なパターンとなっている。
【０００６】
一般にＬＳＩ製品の外側には、ＬＳＩチップをダイシングするための所定の間隔が必要である。このような製品として不要な領域には、サイドモニタ、アライメントマーク、解像力チャート等のスクライブＴＥＧが入っており、ＬＳＩ製品を製造する際の仕上がり具合をモニタしている。これらのスクライブＴＥＧは、ＬＳＩ製品自体の構成としてはあまり意味があるとはいえない。しかし、製造装置が正常に稼動しているかどうかを管理し、もし異常が発生した場合、それを即座に検出し、他の製品への被害の拡大を防いだり、可能なら救済ややり直しをするために必要である。したがって、実際のＬＳＩ製造プロセスにおいては不可欠なパターンとなっている。
【０００７】
これらのパターンをさらに細かく用途の観点から分類すると、半導体集積回路パターン上には、下記の表１のような様々なパターンが存在する。なお、下記表１において、「解像限界評価」は、解像限界を評価するためのパターンのことであり、「スクライブＴＥＧ」は、上述の要素回路パターンのことであり、「マーク大」や「マーク小」は、大小様々なマークパターンのことであり、「間接周辺」や「直接周辺」は、それぞれ周辺回路のパターンのことであり、「メモリセル」はメモリセルのパターンのことであり、「Ｓｔｄセル」は、スタンダードセルパターンのことであり、「アナログ」は、アナログ回路のパターンのことであり、「ＩＯ電源ＧＮＤ」は、入出力（Ｉｎｐｕｔ／Ｏｕｔｐｕｔ）用配線パターン、電源線用配線パターン、接地線用配線パターンのことである。
【０００８】
【表１】
2008233355.tif 000003
【０００９】
表１に示すパターンは、工程毎に同じフォトマスク上に共存しているわけであるが、必要とされる加工精度、位置精度、欠陥レベルはそれぞれ異なっている。例えば、ダミーパターンの場合は加工精度も位置精度も欠陥レベルも低くてよいが、メモリセルパターンの場合は加工精度も位置精度も欠陥レベルも高くなければならない。他方、解像限界を評価するパターンの場合、加工精度は特に高い必要はあるが、位置精度と欠陥レベルはともに低くてもよい。
【００１０】
従来のフォトマスクの製造プロセスでは、上記のように様々なパターンが同じマスク上に共存していても、それぞれのパターンに適した精度を選択することができなかった。そのため、要求精度の最も高いものに合わせて全パターンを描画せざるを得ず、たとえば加工精度も位置精度も欠陥レベルも低くていいはずのダミーパターンも、他のパターンと同様に、高精度に描画や欠陥検査をされてしまっていた。その結果、フォトマスクの納期が遅延したり、製造コストが増大するという問題があった。
【００１１】
それに対し、たとえば特開２００４−３６１５０７号公報に記載のフォトマスクの製造方法では、描画データの大きさ等によって必要とされる加工精度に応じて、加工精度の異なるフォトマスク描画装置を使い分けている。当該手法により、上記従来の製造プロセスと比較すれば、フォトマスクの工期短縮および製造コスト低減が可能となる。
【特許文献１】特開２００４−３６１５０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、特開２００４−３６１５０７号公報では、パターンの大きさに注目して描画データを分類することに主眼を置いていため、位置精度や欠陥レベルに関する考慮が十分にはなされていなかった。
【００１３】
たとえば、位置精度に着目して表１に記載の各設計パターンを並べ替えると、表２のようになる。
【００１４】
【表２】
2008233355.tif 000004
【００１５】
この表２に示すように、アライメントマーク（表２の「マーク小」）の加工寸法は、パターン寸法としては比較的大きいが、高い加工精度や位置精度が求められる。そのため、特開２００４−３６１５０７号公報のように単純にパターンの大きさだけで設計パターンを分類してしまうと、アライメントマークとメモリセルが別々に描画され、重ね合わせ誤差が増す等の不具合が発生する。
【００１６】
一方、解像限界評価パターンは、解像限界を見極めるためのパターンであり、製品と共存してもよいが、製品の一部を構成しているわけではないので位置精度は低くてもよい。しかし、通常の製品以上に微細なパターンが含まれており、特に高い加工精度が求められる。そのため、解像限界評価パターンに合わせた特に高い解像力を持った描画装置を選択すると、描画コストが増加してしまうという問題点がある。
【００１７】
次に、欠陥検査の必要性という観点から、設計パターンを並べ替えると、表３のようになる。
【００１８】
【表３】
2008233355.tif 000005
【００１９】
ダミーパターンやグローバルアライメントマーク（表３の「マーク大」）の場合、多少パターンに欠陥があっても、プロセス上も性能上も信頼性上も問題とはならない。このように要求される欠陥レベルが低いダミーパターンの場合、実際には欠陥検査をする必要がない。それにもかかわらず、従来のプロセスでは、ダミーパターンといえども、欠陥が発見された場合には、マスクを再作製していた。これは、無駄な操作であり、必要以上の製造コストかかかる点で問題であった。
【００２０】
以上のように、従来のプロセスでは複数の要求特性を考慮して描画パターン形成やパターン検査等の各プロセスが行なわれていなかったため、各プロセス中に無駄な作業が残存し、結果としてフォトマスクの工期遅延や製造コストの増大を充分に抑制できているとはいい難い状況であった。
【００２１】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたもので、パターン毎に必要な加工精度、位置精度、欠陥レベル等の複数の要求特性を考慮してパターンを形成することで、製造コストを削減可能なフォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明に係るフォトマスクの製造方法は、次の各工程を備える。半導体集積回路装置の設計データに対し演算を施して描画データを作成する。半導体集積回路装置の各種パターンに要求される複数の要求特性に応じて、描画データを複数のパターンデータに分類して出力する。分類されたパターンデータに適したフォトマスク描画装置を選択する。選択されたフォトマスク描画装置を用いて、パターンデータに従った描画パターンを形成する。描画パターンに従ってフォトマスク上にパターンを形成する。半導体集積回路装置のパターンの要求特性を考慮して、フォトマスク上に形成されたパターンの検査の必要性を判断する。検査が必要であると判断されたパターンに対して検査を行なう。
【発明の効果】
【００２３】
本発明では、半導体集積回路装置の各種パターンに要求される複数の要求特性に応じて描画データを複数のパターンデータに分類し、該パターンデータに適したフォトマスク描画装置を選択してパターンを形成するので、たとえば必要以上の精度でパターンを形成するといった事態を高い確率で回避することができる。また、本発明では、半導体集積回路装置のパターンの要求特性を考慮してフォトマスク上に形成されたパターンの検査の必要性をも判断するので、不必要な検査や修正をも回避することができる。したがって、フォトマスクの製造コストを削減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図１〜図９を用いて、本発明の実施の形態におけるフォトマスクの製造方法について説明する。
【００２５】
本実施の形態におけるフォトマスクの製造方法は、概ね図１に示すような各工程を備える。
【００２６】
図１に示すように、まず半導体集積回路装置の設計データを作成する。この設計データに対し演算を行なうことによってフォトマスク毎の描画データを作成する。該描画データの大きさ、形状、用途などによって必要とされる加工精度、位置精度、欠陥レベル等の複数の要求特性に応じて描画データを分類して分離出力する。この分類された各描画データに適したフォトマスク描画装置を選択し、選択されたフォトマスク描画装置で各描画データに従って描画パターンを形成する。この描画パターンに従ってフォトマスク上にパターンを形成する。そして、半導体集積回路装置のパターンの要求特性を考慮して、フォトマスク上に形成されたパターンの検査の必要性を判断し、検査の必要なものについてパターン検査を行ない、修正が必要なものについて適宜修正を行なう。このようなプロセスを経てフォトマスクを作製した後、フォトマスクを出荷する。
【００２７】
以下、図２〜図９を用いて本発明の各実施の形態についてより具体的に説明する。図２は、本発明の実施の形態１におけるフォトマスク製造プロセスを説明するためのフロー図である。
（実施の形態１）
図２に示すように、まず、製品仕様に基づき各種パターンを含む半導体集積回路のパターンを設計する。この設計データに対し、レイヤ演算や図形演算等の演算を施してフォトマスク毎の描画データを作成する。
【００２８】
ここで、「レイヤ演算」とは、異なるレイヤ（Layer）/データタイプ（Datatype）の図形群同士の間で図形演算をすることをいう。また「図形演算」とは、同じレイヤ/データタイプを持つ図形同士での、オーバーサイズ、アンダーサイズ、図形分割、図形合併（ＯＲ）、重なり抽出（ＡＮＤ）などの演算をいう。
【００２９】
なお、レイアウト図形の一つ一つは、その属性としてレイヤやデータタイプを持っており、上記の演算結果に新たなレイヤ/データタイプを設定することができる。また、レイヤとデータタイプは独立に設定できる属性なので、両者を２次元的に組み合わせて使うこともできる。
【００３０】
上記の描画データを、図２に示すように、用途、加工精度、位置精度、欠陥レベル等の各パターンの要求特性に応じて、ｎ個（複数個）の描画データ（パターンデータ）に分類して分離出力する。このとき、上記４つの全ての要求特性に応じて描画データを複数のパターンデータに分類してもよいが、４種類以上の要求特性、上記４種類の要求特性の中の２つまたは３つの要求特性に応じて、描画データを複数のパターンデータに分類してもよい。
【００３１】
上記のようにして描画データを作成する一方で、スパッタリング法などを用いて、石英基板などの透明基板上にＣｒ膜などの遮光膜を形成する。この遮光膜上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストに上記描画データに従ったパターン（描画パターン）の描画を行なう。そして、現像を行ってレジストパターンを形成する。該レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングすることにより、描画データに従った形状の遮光膜パターンをフォトマスク上に形成することができる。
【００３２】
本実施の形態１では、複数種類のフォトマスク描画装置、たとえば解像度（加工精度、位置精度、欠陥レベル）の異なるフォトマスク描画装置を準備し、描画データに従ったパターンの描画を行なう際に、分類されたパターンデータに適した解像度のフォトマスク描画装置を選択する。そして、選択されたフォトマスク描画装置でパターンデータに従ってパターンを描画する。
【００３３】
たとえば低い解像度で形成可能な第１パターン（描画パターン）と、該第１パターンよりも高い解像度で形成することが必要な第２パターン（描画パターン）と、該第ｎ−１（２以上の整数）パターンよりも高い解像度で形成することが必要な第ｎ（３以上の整数）パターン（描画パターン）とが含まれる場合、次のようにして第１〜第ｎパターンを形成すればよい。
【００３４】
図２に示すように、第１パターンについては、解像度の低い第１フォトマスク描画装置を用いて、第１描画データに従ってフォトマスク上の第１領域に形成する。この第１パターンに従ってエッチングなどを行なうことで上述のようにフォトマスク上に第１遮光パターンを形成することができる。第２パターンについては、第１フォトマスク描画装置より解像度の高い第２フォトマスク描画装置を用いて、第２描画データに従ってフォトマスク上の第２領域に形成すればよい。この第２パターンに従ってエッチングなどを行なうことでフォトマスク上に第２遮光パターンを形成することができる。第ｎパターンについては、第ｎ−１フォトマスク描画装置より解像度の高い第ｎフォトマスク描画装置を用いて、第ｎ描画データに従ってフォトマスク上の第ｎ領域に形成すればよい。この第ｎパターンに従ってエッチングなどを行なうことでフォトマスク上に第ｎ遮光パターンを形成することができる。
【００３５】
次に、各パターンの要求特性を考慮して各遮光パターンの検査の必要性を判断する。図２の例では、第１遮光パターンと第ｎ遮光パターンについては検査は不要であり、第２遮光パターンについてのみ検査が必要となる。
【００３６】
そこで、本実施の形態１では、第２遮光パターンに対してのみ欠陥検査を行なう。たとえば第２描画データと実際に形成された第２遮光パターンとを比較して欠陥の有無を検出する等の手法で、第２描画データを用いて第２遮光パターンの欠陥検査を行なうことができる。そして、欠陥検査で検出された欠陥を修正し、欠陥修正後にフォトマスクを出荷する。
【００３７】
他方、第１遮光パターンと第ｎ遮光パターンについては、パターンに欠陥があったとしても性能等の面で実質的に問題がないので、検査装置へ描画データを送付することなくそのままフォトマスクを出荷する。これにより、第１遮光パターンと第ｎ遮光パターンに対しては不必要である欠陥検査プロセスや欠陥修正プロセスを省略することができ、フォトマスクの製造プロセスの簡略化および製造コスト低減を行なえる。
【００３８】
上記の製造方法を採用することにより、様々なパターンに求められる解像度に応じた描画装置を使ってマスクパターンを描画することができる。つまり、加工精度に応じて解像度の異なるフォトマスク描画装置を適切に使い分けることができる。たとえば、精度があまり要求されない大面積のパターン（最小寸法が所定値以上のパターン）については低精度のフォトマスク描画装置を使用してパターンを形成し、最小寸法の小さい微細パターンや輪郭パターンのように高い寸法精度が要求されるパターンについては高精度のフォトマスク描画装置を使用してパターンを形成し、特に高い精度が要求される解像限界のパターン（最小寸法が所定値以下のパターン）については特に高い精度のフォトマスク描画装置を使用してパターンを形成することができる。
【００３９】
精度の低い描画装置は安価で精度の高い描画装置は高価であるため、全てのパターンを高精度のフォトマスク描画装置を使用して形成する場合と比較して、各パターンに要求される精度を維持した上で、高価な描画装置の使用時間を短縮できる。また、精度の低い描画装置は処理速度が速い。したがって、全体として、フォトマスクの工期を短縮し、またフォトマスクの製造コストをも削減することができる。
【００４０】
ところで、電子の帯電現象は、大面積のパターンにおいて顕在化するので、微細パターンや輪郭パターンの描画を、大面積のパターンよりも先に行っておくことが好ましい。それにより、加工精度に敏感な微細パターンや輪郭パターンが、大面積のパターンに帯電した電荷からのクーロン反発力の影響を受けるのを抑制することができる。その結果、微細パターンや輪郭パターンの寸法精度を向上することができる。
【００４１】
一般的に電子線描画装置は接地する等のドリフト対策が講じられているが、電子線描画装置の部品に絶縁体を全く使わないことはほぼ不可能である。よって、長い時間電子線を照射し続けると、描画装置の一部が帯電し、ドリフトが起きてしまう場合がある。そこでフォトマスク描画装置を複数台使用することにより、１台あたりの描画時間を短縮することができるので、電子線描画時のドリフトの影響も低減することができる。それにより、大面積のパターンの寸法精度をも向上することができる。
【００４２】
さらに、上述のように、欠陥検査をする必要のあるパターンのみについて欠陥修正を行なうことにより、検査の必要性のないパターンに対する処理を省略することができる。従来例のようにパターン毎の欠陥検査の必要性の有無にかかわらず検出された欠陥を全て修正していた状況に比べると、検査に要する時間を短縮することができる。その上、不必要な修正をしなくてもいいので、修正頻度も少なくて済む。これらも、マスク製造コストの削減や、製造工期の短縮に寄与し得る。
【００４３】
次に、図５〜図９を用いて、本実施の形態１において使用可能なフォトマスク描画システムおよび各種描画装置について説明する。
【００４４】
図５に、フォトマスク描画システム１のブロック図を示す。図５に示すように、フォトマスク描画システム１は、複数の描画データに従ってフォトマスク上にパターンの描画を行なうものであり、演算・制御部２と、第１、第２…第ｎフォトマスク描画装置３ａ，３ｂ…３ｎと、搬送手段４とを備える。
【００４５】
演算・制御部２は、描画データの作成、分類、検査の必要性を含む各種判断、フォトマスク描画装置の選択、各フォトマスク描画装置の動作制御等の様々な演算や制御等を行なう。
【００４６】
上記演算・制御部２は、たとえば図形演算部と、記憶部と、描画装置選択部と、検査要否判断部と、動作制御部とを備える。上記図形演算部は、設計データに対し演算を行って複数の描画データを作成する。記憶部は、設計データや、図形演算部によって作成された各種描画データや、パターンの要求特性等の各種データや、様々なソフト等を格納する。描画装置選択部は、各描画データに対し適したフォトマスク描画装置を選択する。検査要否判断部は、半導体集積回路装置の各種パターンの要求特性に鑑み、遮光パターンの検査の必要性を判断する。動作制御部は、描画データを転送するとともに各フォトマスク描画装置の動作制御を行なう。
【００４７】
フォトマスク描画装置としては、図６に示すタイプのレーザ描画装置１０や、図９に示すタイプの電子ビーム（ＥＢ）描画装置２０等の各種描画装置を使用可能である。
【００４８】
図６に示すレーザ描画装置１０は、レーザ発振機１１と、拡大レンズ系１２と、ビーム成形機１３と、縮小レンズ系１４とを備える。
【００４９】
レーザ発振機１１から出射されたレーザ光は、拡大レンズ系１２で拡大された後、ビーム成形機１３で形状を制御される。該ビーム成形機１３は、同時に不要な迷光がフォトマスク（被露光基板）１５に照射されるのを抑制する機能をも有する。ビーム成形機１３で形状を制御されたレーザ光は、縮小レンズ系１４で縮小された後、フォトマスク１５に照射される。該レーザ光によりフォトマスク１５上においてパターンの描画を行なうことができる。
【００５０】
レーザ描画装置１０は、図７に示すように、位相シフタを有しないビーム成形機１３を備えるものであるので、加工精度（解像度）は比較的低いものであるといえる。それに対し、ビーム成形機１３に、図８に示す位相シフタ１６を設けることで、レーザ描画装置１０の加工精度を高めることができ、レーザ描画装置１０を、解像度の高い超解像レーザ描画装置として使用することができる。上記のように位相シフタ１６を設けることにより、ビームが通過する領域の周辺部のみ位相を反転させることができ、微細なパターンを描画することができる。
【００５１】
電子ビーム描画装置の構造例を図９に示す。図９に示す電子ビーム描画装置２０は、可変成形レンズ部と、集束偏向レンズ部とを備える。より詳しくは、電子ビーム描画装置２０は、ＬａＢ６電子銃２１と、第１成形アパーチャ２２と、第１成形レンズ２３と、第１成形偏向器２４と、第２成形レンズ２５と、第２成形アパーチャ２６と、縮小レンズ２７と、ブランキング電極２８と、偏向器２９と、集束レンズ３０とを備える。
【００５２】
ＬａＢ６電子銃２１で形成される電子ビームは、可変成形レンズ部で成形された後、集束偏向レンズ部で集束および／または偏向され、フォトマスク３２の描画フィールド３１に照射される。
【００５３】
電子ビーム描画装置では、加速電圧によって加工精度（解像度）が決定される。加速電圧が低いと加工精度（解像度）が低くなり、加速電圧が高いと加工精度（解像度）が高くなる。よって、加工精度が低くてもよい場合には、たとえば２０〜３０ｋｅＶ程度の低い加速電圧の電子ビーム描画装置を使用し、高い加工精度が要求される場合には、５０〜１００ｋｅＶ程度の高い加速電圧の電子ビーム描画装置を使用すればよい。
【００５４】
以上より、たとえば高い加工精度が要求されないパターンに対しては、図７に示すようなビーム成形機１３を有するレーザ描画装置や、２０ｋｅＶ程度の低い加速電圧の電子ビーム描画装置を使用することができる。それにより、安価で高速にパターンを描画することができる。このように高い加工精度があまり要求されない大きなパターンの描画に加工精度の低い描画装置を使用することで、要求される精度を維持しながら安価かつ高速でパターンを描画することができる。また、レーザ描画装置を使用する場合には、大気中での描画が可能であるので、真空チャンバが必要な電子ビーム描画装置よりも安価にパターンの描画を行なうことができる。なお、レーザ描画装置と電子ビーム描画装置とを組合せて使用してもよい。
【００５５】
搬送手段４は、第１〜第ｎフォトマスク描画装置３ａ〜３ｎ間でフォトマスクを搬送したり、検査装置にフォトマスクを搬送可能である。より詳しくは、搬送手段４は、第１〜第ｎフォトマスク描画装置３ａ〜３ｎのいずれかでパターンの描画が完了したフォトマスクを他の描画装置に搬送可能であり、またパターン形成後のフォトマスクを検査装置に搬送することも可能である。
（実施の形態２）
次に、図３および図４を用いて、本発明の実施の形態２について説明する。図３および図４は本発明の実施の形態２におけるフォトマスク製造プロセスを説明するためのフロー図である。
【００５６】
図３に示すように、本実施の形態２では、各パターンの用途、加工精度、位置精度に応じて分類された複数の描画データ（パターンデータ）に適した解像度のフォトマスク描画装置を選択し、この選択されたフォトマスク描画装置でパターンデータに従ってパターンを描画する。そして、実施の形態１の場合と同様に、描画パターンに従ってフォトマスク上に各種遮光パターンを形成する。
【００５７】
また、図４に示すように、設計データに対してレイヤ演算や図形演算を施してマスク毎の検査データを作成し、この検査データを、欠陥レベルに応じた複数の検査データに分類して分離出力する。そして、各パターンの要求特性を考慮して各遮光パターンの検査の必要性を判断し、検査の必要性のある遮光パターンについてのみ欠陥検査を行なう。このとき、本実施の形態２では、分類して出力された検査データを用いて遮光パターンの欠陥検査を行なうことができる。そして、この検査により検出された遮光パターンの欠陥を修正する。なお、欠陥検査をする必要がない場合には、実施の形態１の場合と同様に、検査装置へ検査データを送付する必要はない。
【００５８】
上記以外は、実施の形態１と基本的に同様であるので、重複説明は省略する。本実施の形態２の場合も、実施の形態１と同様に、様々なパターンに求められる解像度に応じた描画装置を使ってマスクパターンを描画できるので、フォトマスクの工期を短縮でき、かつフォトマスクの製造コストをも削減することができる。また、欠陥検査をする必要のあるパターンのみについて検査データを用いて欠陥修正を行なうので、検査の必要性のないパターンに対する処理を省略することができる。このことも、マスク製造コストの削減や製造工期の短縮に寄与する。
（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３について説明する。本実施の形態３では、パターンの要求特性に応じてパターンデータのデータタイプを指定し、描画データを分離出力する際に、データタイプによりパターンデータを識別可能とする。
【００５９】
より詳しくは、レイヤ演算後の出力データの作成時に、用途毎にデータタイプを指定しておく。たとえば用途を識別できるフラグ等の目印や指標を作り込んでおく。なお、用途以外の各種パターンの要求特性に関する目印や指標を予め作り込んでおいてもよい。
【００６０】
このようにパターンデータのデータタイプを指定することで、描画装置は、これらのデータを読み取る際に、特定のデータタイプが指定されている図形のみを選択的に読み取って描画することができる。これ以外の構成は、実施の形態１，２の場合と同様である。
【００６１】
上記のように描画データのレイヤ毎に、データタイプによって目印や指標を作り込んでおくことにより、描画装置は、要求特性に応じて、描画すべきデータを機械的に処理可能となる一方で、描画不要なデータを機械的にスキップすることができる。したがって、マスク描画工程の処理能力を向上することができ、工期短縮、コスト削減に有効である。
【００６２】
また、たとえば製品回路パターンとアライメントマークなどのように寸法は大小様々であっても、位置精度の観点から同じ描画装置で描画しなければならないケースがあるが、これらのデータタイプを指定しておくことで、確実にアライメントマークと製品のデータを同一の描画装置を使って描画することができる。この場合には、寸法差の大きいパターンの位置精度の向上に有効である。
（実施の形態４）
次に、本発明の実施の形態４について説明する。本実施の形態４では、パターンの欠陥レベルに応じて検査データのデータタイプを指定し、遮光パターンの検査を行なう際に、データタイプにより検査データを識別する。
【００６３】
より詳しくは、レイヤ演算後の出力データの作成時に、用途毎にデータタイプを指定しておく。たとえばデータタイプによって用途を識別できるフラグ等の目印や指標を作り込んでおく。なお、用途以外の各種パターンの要求特性に関する目印や指標を予め作り込んでおき、各データを識別可能としてもよい。
【００６４】
このようにパターンデータのデータタイプを指定することで、検査装置がこれらのデータを読み取る際に、特定のデータタイプが指定されている図形のみを選択的に読み取って検査することができる。これ以外の構成は、実施の形態１，２の場合と同様である。
【００６５】
上記のように描画データのレイヤ毎に、データタイプによって用途を識別できるフラグ等の指標を作り込んでおくことにより、検査装置は要求特性に応じて、検査すべきデータを機械的に処理する一方で、検査不要なデータを機械的にスキップすることができる。本実施の形態の場合には、欠陥検査工程の処理能力を向上することができ、工期短縮、コスト削減に有効である。
【００６６】
また、製品回路パターンとアライメントマーク等のように寸法は大小様々であっても、位置精度の観点から検査しなければならないケースがあるが、この場合でも本実施の形態の方式を採用すれば、アライメントマークと製品のデータを、ともに欠陥検査機を使って検査することができる。したがって、欠陥検査精度の向上に有効である。
【００６７】
以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、各実施の形態の構成を適宜組合せることも当初から予定している。また、今回開示した実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変形が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の実施の形態におけるフォトマスク製造プロセスを説明するためのフロー図である。
【図２】本発明の実施の形態１におけるフォトマスク製造プロセスを説明するためのフロー図である。
【図３】本発明の実施の形態２におけるフォトマスク製造プロセス中のマスク描画プロセスを説明するためのフロー図である。
【図４】本発明の実施の形態２におけるフォトマスク製造プロセス中のマスク検査プロセスを説明するためのフロー図である。
【図５】本発明の各実施の形態におけるフォトマスク製造プロセスに使用可能なフォトマスク描画システムを示すブロック図である。
【図６】レーザ描画装置の一例を示す概略構成図である。
【図７】ビーム成形機の一例を示す平面図である。
【図８】ビーム成形機の他の例を示す平面図である。
【図９】電子ビーム描画装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００６９】
１  フォトマスク描画システム、２  演算・制御部、３ａ  第１フォトマスク描画装置、３ｂ  第２フォトマスク描画装置、３ｎ  第ｎフォトマスク描画装置、４  搬送手段、１０  レーザ描画装置、１１  レーザ発振機、１２  拡大レンズ系、１３  ビーム成形機、１４  縮小レンズ系、１５，３２  フォトマスク、１６  位相シフタ、２０  電子ビーム描画装置、２１  ＬａＢ６電子銃、２２  第１成形アパーチャ、２３  第１成形レンズ、２４  第１成形偏向器、２５  第２成形レンズ、２６  第２成形アパーチャ、２７  縮小レンズ、２８  ブランキング電極、２９  偏向器、３０  集束レンズ、３１  描画フィールド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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