(57)【要約】【課題】耐ノイズ性を向上させるとともに、光センサの他機種への展開が容易であって、開発に要する時間およびコストを低減できるようにする。【解決手段】フォトダイオード、増幅回路および発振回路を内蔵するベアチップ３と、増幅回路に接続されるカップリングコンデンサ４と、発振回路の発振周波数を規定する発振周波数用抵抗５を、パッケージ用基板２に実装して透明樹脂で封止して光センサ用受光パッケージ１を構成し、二次実装基板９に実装している。【選択図】図３
2008192874.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光素子および該受光素子から得られる受光信号を増幅する増幅回路を内蔵するベアチップと、前記増幅回路に接続されるコンデンサとが、パッケージ用基板に実装されて樹脂で封止され、該樹脂の少なくとも前記受光素子の受光光路部分が、光透過性を有しており、
かつ、前記受光素子は、投光素子の投光に基づく光を受光するものであって、前記コンデンサは、前記受光信号に対し、前記投光素子を駆動する投光信号に応じた周波数の信号を通過させる周波数フィルタを構成するものである、
ことを特徴とする光センサ用受光パッケージ。
【請求項２】
前記ベアチップは、発振回路を内蔵し、前記パッケージ用基板には、前記発振回路に接続されて該発振回路の発振周波数を規定する抵抗が実装される請求項１に記載の光センサ用受光パッケージ。
【請求項３】
前記パッケージ用基板には、前記増幅回路に接続される出力抵抗が実装される請求項２に記載の光センサ用受光パッケージ。
【請求項４】
前記コンデンサおよび前記抵抗の少なくとも一方が、前記パッケージ用基板に埋め込み実装される請求項２または３に記載の光センサ用受光パッケージ。
【請求項５】
前記ベアチップの電極端子と前記パッケージ基板の電極端子とが、ボンディングワイヤによって接続され、前記樹脂が、光透過性樹脂である請求項２〜４のいずれか１項に記載の光センサ用受光パッケージ。
【請求項６】
前記パッケージ用基板には、前記受光素子の受光光路となる貫通孔が形成され、前記ベアチップは、前記受光素子の受光領域が前記貫通孔に臨むようにフリップチップ実装され、前記受光光路部分が、光透過性のアンダーフィル樹脂で封止される請求項２ないし４のいずれか１項に記載の光センサ用受光パッケージ。
【請求項７】
前記パッケージ用基板には、該パッケージ用基板に実装される前記コンデンサおよび抵抗の少なくとも一方の使用の可否に応じて、端子を選択できるように配線が形成されている請求項２〜６のいずれか１項に記載の光センサ用受光パッケージ。
【請求項８】
前記請求項１〜７のいずれか１項に記載の光センサ用受光パッケージが実装された実装基板を備えることを特徴とする光センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受光素子を内蔵した光センサ用の受光パッケージおよびそれを用いた光センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
光センサ、例えば、光電センサでは、近年、その高機能化、小型化に伴って、受光回路にフォトＩＣを使用したものが頻繁に用いられるようになっている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
かかるフォトＩＣは、一般に、受光素子としてのフォトダイオード、フォトダイオードからの受光信号を増幅する増幅回路、増幅回路の出力を閾値と比較するコンパレータ、コンパレータの出力に基づいて、物体の有無などの判定を行うとともに、投光のタイミング等の制御を行う信号処理回路、基準クロックを生成する発振回路、センサ出力を与える出力回路、および、投光信号生成部などの機能を内蔵している。
【０００４】
増幅回路は、初段のアンプと二段目のアンプとを備え、これらアンプは、ローパスフィルタとしての機能を有し、この増幅回路に、カップリングコンデンサを接続してハイパスフィルタを構成し、受光信号に含まれるノイズ成分を除去している。また、基準クロックを生成する発振回路の発振周波数は、該発振回路に接続される発振周波数用抵抗によって規定される。
【０００５】
このようにフォトＩＣでは、ハイパスフィルタを構成するためのカップリングコンデンサおよび発振回路の発振周波数を規定する発振周波数用抵抗が、必要になる。
【０００６】
カップリングコンデンサを、フォトＩＣに内蔵しようとすると、その容量の関係上、チップサイズが大きくなり、歩留まりの低下やコストアップを招くという難点がある。また、ＩＣ内に抵抗を設ける場合には、ポリシリコンを成長させて不純物をドーピングして所望の抵抗値を得るために、ポリシリコンの厚さバラツキや不純物の拡散量により抵抗値のバラツキが大きくなるといった難点がある。
【０００７】
このため、フォトＩＣを用いた従来の光電センサでは、図２４に示すように、フォトＩＣ５０を内蔵したパッケージ５１と、カップリングコンデンサ５２と、発振周波数用抵抗５３と、その他の周辺回路部品５４は、二次実装基板５５に実装している。
【特許文献１】特開２００５−３０３２６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来では、上述のように、フォトＩＣ５０を内蔵したパッケージ５１と、カップリングコンデンサ５２や発振周波数用抵抗５３とを、二次実装基板５５に実装しているために、パッケージ５１内のベアチップであるフォトＩＣ５０の電極と、カップリングコンデンサ５２や発振周波数用抵抗５３の端子との間の配線長が長く、耐ノイズ性が低下し、このため、図２５に示すように、シールド５６を設けていた。
【０００９】
また、同じフォトＩＣを使用した場合でも周囲の部品の影響によって、耐ノイズ性が変化するという課題があった。
【００１０】
例えば、最適な耐ノイズ設計によって得られた図２６（ａ）の構造から、例えば、図２６（ｂ）に示すように配線５７を追加して配線パターンを変更したり、図２６（ｃ）のように周辺の回路部品５４−１，５４−２の定数を変更したり、更に、図２６（ｄ）に示すように部品位置および配線パターンを変更すると、耐ノイズ性が変化するために、ノイズ評価が必要となる。
【００１１】
このため、従来では、図２７に示すように、回路設計および基板設計の後に、実機での耐ノイズ評価を行い、耐ノイズ評価が、満足できないときには、再度、部品の定数や配線パターンを変更して回路設計、基板設計を行なって耐ノイズ評価を行なう必要があり、したがって、同じフォトＩＣを使用しても光電センサの各機種毎に、最適な耐ノイズ設計が必要となり、機種開発に時間を要し、コストが高くなるといった課題がある。
【００１２】
本発明は、上述のような点に鑑みて為されたものであって、耐ノイズ性を向上させるとともに、光センサの他機種への展開が容易であって、開発に要する時間およびコストを低減できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
（１）本発明の光センサ用受光パッケージは、受光素子および該受光素子から得られる受光信号を増幅する増幅回路を内蔵するベアチップと、前記増幅回路に接続されるコンデンサとが、パッケージ用基板に実装されて樹脂で封止され、該樹脂の少なくとも前記受光素子の受光光路部分が、光透過性を有しており、かつ、前記受光素子は、投光素子の投光に基づく光を受光するものであって、前記コンデンサは、前記受光信号に対し、前記投光素子を駆動する投光信号に応じた周波数の信号を通過させる周波数フィルタを構成するものである。
【００１４】
ことを特徴とする光センサ用受光パッケージ。
【００１５】
ベアチップは、少なくとも受光素子および該受光素子からの信号を増幅する増幅回路を内蔵するものである。
【００１６】
受光素子は、投光素子の投光に基づく光を受光するものであり、投光素子からの投光そのものを受光するものであってもよいし、その反射光を受光するものであってもよい。
【００１７】
前記増幅回路を、二段のアンプで構成し、アンプは、ローパスフィルタとしての機能を有し、該増幅回路に接続されるコンデンサによって、ハイパスフィルタを構成するのが好ましい。
【００１８】
ローパスフィルタは、受光素子からの受光信号に対して、投光素子を駆動する投光信号に応じた周波数の信号を含む低域成分を通過させ、ハイパスフィルタは、投光素子を駆動する投光信号に応じた周波数の信号を含む高域成分を通過させるのが好ましい。
【００１９】
パッケージ用基板とは、受光素子および増幅回路を内蔵するベアチップのパッケージ用の基板であり、インターポーザあるいは一次実装基板と称することもできる。
【００２０】
本発明の光センサ用受光パッケージによると、ベアチップが実装される基板と同一のパッケージ用基板（一次実装基板）に、増幅回路に接続されるカップリングコンデンサといったコンデンサが実装されるので、フォトＩＣのベアチップを内蔵したパッケージが実装される二次実装基板に、カップリングコンデンサを実装する従来例に比べて、ベアチップとカップリングコンデンサとの間の配線長を短くすることが可能となり、耐ノイズ性が向上する。
【００２１】
また、受光信号からノイズを除去する周波数フィルタを構成するためのカップリングコンデンサを、受光用のベアチップと共に、ベアチップのパッケージ、すなわち、フォトＩＣのパッケージ内に一体化して耐ノイズ性が良好なフィルタ機能を持たせることができるので、かかるフィルタ機能を有する当該光センサ用受光パッケージを、光センサの各機種で共通化して用いることができ、他機種への展開が容易となる。
【００２２】
（２）本発明の光センサ用受光パッケージの一つの実施形態では、前記ベアチップは、発振回路を内蔵し、前記パッケージ用基板には、前記発振回路に接続されて該発振回路の発振周波数を規定する抵抗が実装されている。
【００２３】
この実施形態によると、ベアチップが実装される基板と同一のパッケージ用基板（一次実装基板）に、ベアチップに内蔵された発振回路の発振周波数を規定する発振周波数用抵抗が実装されるので、フォトＩＣのベアチップを内蔵したパッケージが実装される二次実装基板に、発振周波数用抵抗を実装する従来例に比べて、ベアチップと発振周波数用抵抗との間の配線長を短くすることが可能となり、耐ノイズ性が一層向上する。
【００２４】
また、ベアチップに内蔵されている発振回路の発振周波数、すなわち、ベアチップに内蔵されている回路の動作の基準となる周波数を規定する抵抗を、ベアチップと共に、ベアチップのパッケージ、すなわち、フォトＩＣのパッケージ内に一体化して耐ノイズ性が良好な発振周波数生成機能を持たせることができるので、上記フィルタ機能と相俟って、当該光センサ用受光パッケージを、光センサの各機種で共通化して用いることができ、他機種への展開が一層容易となる。
【００２５】
しかも、フィルタ機能および発振周波数生成機能は、パッケージ用基板（一次実装基板）とは別の二次実装基板に、カップリングコンデンサや発振周波数用抵抗が実装される従来例に比べて、耐ノイズ性が向上しているとともに、当該光センサ用受光パッケージ内でその機能が完結しているので、光センサの他機種へ展開する際の耐ノイズ設計が、従来に比べて簡素化できることになり、開発時間およびコストの低減を図ることができる。
【００２６】
（３）上記（２）の実施形態では、前記パッケージ用基板には、前記増幅回路に接続される出力抵抗が実装されている。
【００２７】
（４）上記（２）または（３）の実施形態では、前記コンデンサおよび前記抵抗の少なくとも一方が、前記パッケージ用基板に埋め込み実装されている。
【００２８】
この実施形態によると、パッケージ用基板に、コンデンサや抵抗を内蔵させて耐ノイズ性を向上させることができる。
【００２９】
（５）上記（２）〜（４）のいずれか実施形態では、前記ベアチップの電極端子と前記パッケージ基板の電極端子とが、ボンディングワイヤによって接続され、前記樹脂が、光透過性樹脂である。
【００３０】
この実施形態によると、光透過性樹脂で封止されるベアチップの上面を受光面としてベアチップに内蔵された受光素子で受光することができる。
【００３１】
（６）上記（２）〜（４）のいずれか実施形態では、前記パッケージ用基板には、前記受光素子の受光光路となる貫通孔が形成され、前記ベアチップは、前記受光素子の受光領域が前記貫通孔に臨むようにフリップチップ実装され、前記受光光路部分が、光透過性のアンダーフィル樹脂で封止されている。
【００３２】
この実施形態によると、パッケージ用基板にフリップチップ実装されるベアチップの下面の受光領域を、パッケージ用基板の貫通孔から臨ませて受光することができる。
【００３３】
（７）上記（２）〜（６）のいずれかの実施形態では、前記パッケージ用基板には、該パッケージ用基板に実装される前記コンデンサおよび抵抗の少なくとも一方の使用の可否に応じて、端子を選択できるように配線が形成されている。
【００３４】
この実施形態によれば、パッケージ用基板に実装されている抵抗やコンデンサを使用するか否かに応じて、接続用の端子を選択すればよく、端子の選択によって、例えば、パッケージ用基板に実装されている抵抗に代えて、二次実装基板の可変抵抗を使用するといったことが可能となる。
【００３５】
（８）本発明の光センサは、本発明に係る光センサ用受光パッケージが実装された実装基板を備えている。
【００３６】
本発明の光センサによると、従来例に比べて耐ノイズ性が向上し、他機種への展開が容易となる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によると、ベアチップが実装される基板と同一のパッケージ用基板（一次実装基板）に、カップリングコンデンサや発振周波数用抵抗を実装してパッケージ内に一体化できるので、二次実装基板に、カップリングコンデンサや発振周波数用抵抗を実装する従来例に比べて、ベアチップとカップリングコンデンサや発振周波数用抵抗との間の配線長を短くすることが可能となり、耐ノイズ性が向上する。
【００３８】
また、受光信号からノイズを除去する周波数フィルタを構成するためのカップリングコンデンサ、あるいは、ベアチップに内蔵された回路の基準となる発振周波数を規定する発振周波数用抵抗を、パッケージ内に一体化しているので、耐ノイズ性が良好なフィルタ機能および発振周波数生成機能を有する当該光センサ用受光パッケージを、光センサの各機種で共通化して用いることができ、他機種への展開が容易になるとともに、耐ノイズ設計が簡素化される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、図面によって、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
【００４０】
（実施形態１）
図１は、本発明の一つの実施形態に係る光センサ用受光パッケージを示す斜視図である。
【００４１】
この実施形態の光センサ用受光パッケージ１は、パッケージ用基板としてのインターポーザ２には、ベアチップであるフォトＩＣ３だけではなく、表面実装部品であるコンデンサ４および抵抗５が実装されており、光透過性樹脂６によって封止されている。この光透過性樹脂６は、例えば、波長４００ｎｍから９００ｎｍの領域の光の透過率が６０％以上の特性を有している。
【００４２】
フォトＩＣ３は、受光素子としてのフォトダイオードを内蔵しており、このフォトＩＣ３の上面には、受光領域３ａが形成されている。
【００４３】
コンデンサ４は、フォトＩＣ３に内蔵されている後述の増幅回路に接続されてハイパスフィルタを構成するカップリングコンデンサである。
【００４４】
抵抗５は、フォトＩＣ３に内蔵されている後述の発振回路に接続されて該発振回路の発振周波数を規定する抵抗である。
【００４５】
インターポーザ２の電極パッドとフォトＩＣ３の電極端子とは、ボンディングワイヤ７によって接続されており、コンデンサ４および抵抗５は、例えば、半田によってインターポーザ２に実装されている。なお、半田に限らず、銀ペーストなど別の金属材料を用いて接合してもよい。
【００４６】
図２は、かかる光センサ用受光パッケージ１の製造工程を示す図である。
【００４７】
先ず、インターポーザ２に半田を印刷し（Ｓ１）、コンデンサ４および抵抗５を、インターポーザ２にマウントし（Ｓ２）、リフロによって接合する（Ｓ３）。
【００４８】
次に、フォトＩＣ３を、インターポーザ２にダイボンディングし（Ｓ４）、フォトＩＣ３の電極端子とインターポーザ２の電極パッドとをボンディングワイヤによって結線し（Ｓ５）、透明な封止樹脂でモールドし（Ｓ６）、個別のパッケージにダイシングして検査を行って光センサ用受光パッケージが完成する（Ｓ７〜Ｓ９）。
【００４９】
かかる光センサ用受光パッケージ１は、図３に示すように、周辺回路部品８が実装された二次実装基板９に、一次実装基板であるインターポーザ２を介して実装される。
この図３では、二次実装基板９は、片面実装の例を示しているが、図４に示すように、両面実装としてもよい。
【００５０】
すなわち、図５に示すように、二次実装基板９の一方の面（Ａ面）に、半田を印刷し（Ｓ１）、コンデンサや抵抗などの周辺回路部品８および光センサ用受光パッケージ１をマウントし（Ｓ２）、リフロによって接合し（Ｓ３）、外観検査をしてＡ面実装が終了する（Ｓ４）。
【００５１】
次に、二次実装基板９の他方の面（Ｂ面）に、半田を印刷し（Ｓ５）、コンデンサや抵抗などの周辺回路部品８およびパッケージ部品２６をマウントし（Ｓ６）、リフロによって接合し（Ｓ７）、外観検査をしてＢ面実装が終了して両面実装が完成する（Ｓ９）。
このように片面実装あるいは両面実装された二次実装基板９は、図６に示すように、コード２７が半田付けされ、前後のケース２８，２９に挿入されてレンズ３０と共に一体成形される。
【００５２】
図７は、光センサ用受光パッケージ１を備える本発明の光電センサ１０のブロック図であり、上述の構成に対応する部分には、同一の参照符号を付す。
【００５３】
この実施形態の光電センサ１０は、投光部１１と、光センサ用受光パッケージ１とを備えており、光センサ用受光パッケージ１には、上述のように、フォトＩＣ３、コンデンサ４および抵抗５が内蔵されている。
【００５４】
フォトＩＣ３には、投光素子２１からの透過光又は反射光を受光する受光素子としてのフォトダイオード１２と、このフォトダイオード１２からの受光信号を増幅するプリアンプ１３およびメインアンプ１４と、メインアンプ１４の出力と閾値とを比較するコンパレータ１５と、基準クロックパルスに基づいて、投光タイミングの決定と受光タイミングの決定とコンパレータ出力の処理を行う信号処理回路１６と、前記基準クロックパルスを生成する発振回路１７と、信号処理回路１６からの信号を受けて投光部１１の投光回路２０に投光タイミングパルスを送出する投光信号生成部１８と、信号処理回路１６の出力に基づいて、センサ出力を与える出力回路１９とが内蔵されている。投光回路２０は、ＬＥＤ２１を駆動する。
【００５５】
光センサ用受光パッケージ１に内蔵されているコンデンサ４は、図３の二次実装基板９の配線３１を介してフォトＩＣ３のプリアンプ１３とメインアンプ１４との間に介装され、フォトＩＣ３内の抵抗と共にハイパスフィルタを構成し、ローパスフィルタとしての機能を有するアンプ１３，１４と、前記ハイパスフィルタとによって、特定の周波数の受光信号パルスを増幅して、図８に示す受光信号パルスを得るものである。
【００５６】
また、光センサ用受光パッケージ１に内蔵されている抵抗５は、インターポーザ２の配線を介してフォトＩＣ３の発振回路１７に接続され、発振回路１７で生成される基準クロックパルスの周波数を規定する。
【００５７】
信号処理回路１６は、この基準クロックパルスに基づいて、投光タイミングの決定と受光タイミングの決定とコンパレータ出力の処理を行うものであり、信号処理回路１６では、図９（ａ）に示される投光信号パルスと同図（ｂ）の受光信号パルスのタイミングを比較して判定する。
【００５８】
同じフォトＩＣ３を搭載する光電センサの全ての機種で、カップリングコンデンサであるコンデンサ４と、発振周波数を規定する抵抗５とが、必要になるが、この実施形態では、コンデンサ４および抵抗５を、光センサ用受光パッケージ１に内蔵させたので、この光センサ用受光パッケージ１を共通部品として他機種への搭載が容易となる。
【００５９】
また、コンデンサ４および抵抗５を、フォトＩＣ３と共に１パッケージ化することで、フォトダイオード１２が受光した光のなかで特定周波数の受光信号、すなわち、ＬＥＤ２１を駆動する投光信号パルスの周波数の受光信号を分離して信号処理回路１６に送る機能と、信号処理回路１６の駆動発振周波数を規定する機能を、光センサ用受光パッケージ１によって完結することができる。
【００６０】
更に、上述の図２４の従来例では、コンデンサ５２および抵抗５３を、実装基板（二次実装基板）５５に実装しているために、フォトＩＣのベアチップ５０の電極と、コンデンサ５２あるいは抵抗５３との間の配線長が長く、耐ノイズ性が低下し、上述のように、機種毎に、耐ノイズ性の評価が必要であった。
【００６１】
すなわち、従来例では、図１０に示すように、フォトＩＣのベアチップ５０の電極からコンデンサ５２あるいは抵抗５３の端子までの配線長は、ボンディングワイヤ６０のワイヤ長、インターポーザ６１の配線長、インターポーザ６１と実装基板５５との間の半田ボール６２の高さ、および、実装基板５５の配線長を加えたものになり、例えば、２ｍｍ程度であるのに対して、図１１に示す実施形態では、コンデンサ４あるいは抵抗５を、光センサ用受光パッケージ１に内蔵したので、フォトＩＣのベアチップ３の電極からコンデンサ４あるいは抵抗５の端子までの配線長は、ボンディングワイヤ７のワイヤ長にインターポーザ２の配線長を加えたものとなり、例えば、１ｍｍ程度と短くなる。
【００６２】
このように配線長が短くなるので、アンテナ比が低くなり、寄生容量も低下するため耐ノイズ性が向上する。これによって、従来必要であったシールドを不要とすることができ、実装容積を小さくして小型化を図ることができるとともに、シールドの組立工程が不要となり、コストの低減を図ることができる。
【００６３】
また、従来では、受光用のレンズと、フォトＩＣに内蔵された受光素子の受光面との光軸の調整は、二次実装基板に実装されたフォトＩＣのパッケージ、カップリングコンデンサおよび発振周波数用抵抗を覆うように配置されたシールドを介して行う必要があるのに対して、この実施形態では、シールドが不要であるので、受光用のレンズを、光センサ用受光パッケージに直接装着することができ、高い精度で光軸調整を行なうことが可能となる。
【００６４】
また、従来の光電センサは１チップパッケージであるフォトＩＣと、カップリングコンデンサや発振周波数用抵抗とを、二次実装基板に実装していたために、他機種への展開には、上述の図２７に示すように、ノイズ評価を繰り返して設計する必要があった。
【００６５】
これに対して、この実施形態では、カップリングコンデンサおよび発振周波数用抵抗を、パッケージ内に一体化し、カップリングコンデンサを用いたフィルタ機能および発振周波数用抵抗を用いた発振周波数生成機能を、パッケージ内で完結するとともに、両機能の耐ノイズ性を向上させることで、ノイズ設計を完了することができ、図１２に示すように、耐ノイズ性の検討無しで他機種への展開が容易となる。これによって、新たな光センサの開発では、このパッケージを流用することによって、開発時間の短縮およびコストダウンを図ることができる。
【００６６】
この光センサ用受光パッケージの最適設計では、例えば、図１３（ａ）に示すようにコンデンサ４および抵抗５を、フォトＩＣ３のパッドの近くに配置して最短配線で設計するのが好ましいが、近くに配置できない場合には、図１３（ｂ）に示すように、グランドとなっているフォトＩＣ３の裏面に配線３２を設計してシールド機能が働くようにするのが好ましい。
【００６７】
また、この実施形態では、インターポーザ２に実装したコンデンサ４や抵抗５の導通試験などの検査を、図７に示すように、インターポーザ２の裏面に設けた端子３５，３６，３７，３８を利用して行えるように構成している。
【００６８】
（実施形態２）
図１４は、本発明の他の実施形態の光センサ用受光パッケージ１−１の斜視図であり、図１５は、その断面図であり、上述の実施形態に対応する部分には、同一の参照符号を付す。
【００６９】
この実施形態の光センサ用受光パッケージ１−１では、インターポーザ２−１には、貫通孔２−１ａが形成されている。このインターポーザ２−１に、フォトＩＣ３−１が、その下面の受光領域３−１ａが、前記貫通孔２−１ａに臨むようにフリップチップ実装されるとともに、上述の実施形態と同様に、コンデンサ４および抵抗５が、インターポーザ２−１に実装され、光透過性樹脂６および光透過性のアンダーフィル樹脂２２によって封止されている。
【００７０】
図１６は、かかる光センサ用受光パッケージ１−１の製造工程を示す図である。
【００７１】
先ず、インターポーザ２−１に半田を印刷し（Ｓ１）、コンデンサ４、抵抗５およびフォトＩＣ３−１を、インターポーザ２−１上にマウントし（Ｓ２）、リフロによって接合する（Ｓ３）。
【００７２】
次に、アンダーフィル樹脂２２を塗布し（Ｓ４）、透明な封止樹脂６でモールドし（Ｓ５）、個別のパッケージにダイシングして検査を行って光センサ用受光パッケージ１−１が完成する（Ｓ６〜Ｓ８）。
【００７３】
かかる光センサ用受光パッケージ１は、図１７に示すように、二次実装基板９−１に、一次実装基板であるインターポーザ２−１を介して実装される。この二次実装基板９−１にも、フォトＩＣ３−１の受光領域３−１ａの受光光路となる貫通孔２３が形成されている。その他の構成は、上述の実施形態と同様である。
【００７４】
この実施形態では、上述の実施形態のように、ワイヤボンディングによってフォトＩＣ３を、インターポーザ２に実装するのではなく、フリップチップ実装するので、フォトＩＣ３−１の電極からコンデンサ４あるいは抵抗５の端子までの配線長を一層短くすることができ、耐ノイズ性を一層向上させることができるとともに、光センサ用受光パッケージのサイズの小型化を図ることができる。
【００７５】
他の実施形態として、フォトＩＣ３−１の受光領域３−１ａの受光光路となるアンダーフィル樹脂２２のみを光透過性樹脂とし、光透過性樹脂６に代えて光透過性でない樹脂を用いてもよい。  
【００７６】
（実施形態３）
図１８は、本発明の更に他の実施形態の光センサ用受光パッケージ１−２を備える光電センサのブロック図であり、上述の図７に対応する部分には、同一の参照符号を付す。
【００７７】
上述の各実施形態では、光センサ用受光パッケージには、コンデンサ４および抵抗５を内蔵させたけれども、この実施形態では、更に、出力抵抗２４を内蔵させている。
【００７８】
このように、出力抵抗２４も光センサ用受光パッケージ１−２に内蔵することによって、配線長を短くし、耐ノイズ性を向上させることができる。
【００７９】
なお、他の実施形態として、図１９に示すように、二次実装基板の可変抵抗２５によって調整できるようにしてもよい。この場合、図２０に示すように、受光信号のパワーを変化させることができる。
【００８０】
また、図２１に示すように、レーザ光を用いたレーザトリミングによって、発振周波数を規定する抵抗などの抵抗値を調整したり、あるいは、インターポーザ２の配線パターンをレーザでカットして回路変更を行うようにしてもよい。
【００８１】
このようにレーザによって抵抗値や配線パターンをカットすることで、同一の光センサ用受光パッケージを、異なる機種に用いることができる。
【００８２】
（実施形態４）
図２２は、本発明の他の実施形態の光センサ用受光パッケージの斜視図であり、図２３は、その断面図である。
【００８３】
この実施形態では、インターポーザ２−３に、コンデンサ４および抵抗５を埋め込み実装、すなわち、内蔵させたものである。その他の構成は、上述の実施形態と同様である。
【００８４】
（その他の実施形態）
他の実施形態として、光センサ用受光パッケージに、シールドを追加してもよい。この場合、従来のシールドが、二次実装基板に実装されたフォトＩＣのパッケージ、カップリングコンデンサおよび発振周波数用抵抗を覆う必要があるのに対して、本発明では、当該光センサ用受光パッケージのみ覆うものであればよく、省スペース化を図ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明は、光電センサなどの光センサのパッケージとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明に係る光センサ用受光パッケージの斜視図である。
【図２】図１の光センサ用受光パッケージの製造工程を示す図である。
【図３】図１の光センサ用受光パッケージを二次実装基板に実装した状態を示す斜視図である。
【図４】両面実装基板を示す側面図である。
【図５】図４の両面実装基板の製造工程を示す図である。
【図６】光電センサの組み立て工程を示す図である。
【図７】光センサ用受光パッケージを備える光電センサのブロック図である。
【図８】受光信号の波形図である。
【図９】投光信号および受光信号の波形図である。
【図１０】従来例の配線長を説明するための図である。
【図１１】実施形態の配線長を説明するための図である。
【図１２】実施形態の設計手順を示す図である。
【図１３】配線設計を説明するための図である。
【図１４】本発明の他の実施形態の光センサ用受光パッケージの斜視図である。
【図１５】図１４の光センサ用受光パッケージの断面図である。
【図１６】図１４の光センサ用受光パッケージの製造工程を示す図である。
【図１７】図１４の光センサ用受光パッケージを二次実装基板に実装した状態の断面図である。
【図１８】本発明の他の実施形態のブロック図である。
【図１９】他の接続例を示す図１８に対応するブロック図である。
【図２０】受光感度の調整による受光信号の変化を示す波形図である。
【図２１】レーザトリミングを示す図である。
【図２２】本発明の更に他の実施形態の光センサ用受光パッケージの斜視図である。
【図２３】図２２の光センサ用受光パッケージの断面図である。
【図２４】従来例の斜視図である。
【図２５】従来例の斜視図である。
【図２６】従来例の課題を説明するための図である。
【図２７】従来例の設計手順を示す図である。
【符号の説明】
【００８７】
１，１−１，１−２，１−３                 光センサ用受光パッケージ
２，２−１，２−３                         インターポーザ
３                                         フォトＩＣ
４                                          コンデンサ
５                                          抵抗
６                                          光透過性樹脂
７                                          ボンディングワイヤ
９，９−１                                  二次実装基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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