(57)【要約】【課題】誘電特性のある素体の端子電極付近での電歪効果による機械的歪みを抑制することが可能な積層コンデンサを提供すること。【解決手段】積層コンデンサのコンデンサ素体Ｌ１には、誘電体層１０を挟んで対向するように第１及び第２の内部電極２０、３０が配置されている。第１の内部電極２０は、スリット状の非容量形成領域２８と容量形成領域２６ａ、２６ｂとを含む主電極部分２２と、引き出し電極部分２４とを有する。非容量形成領域２８と引き出し電極部分２４とは、第１の方向から見たときに、非容量形成領域２８と引き出し電極部分２４とが、コンデンサ素体Ｌ１の第１の側面に平行で且つ第１の方向に直交する第２の方向で重なりを有するように設定されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電特性を有する素体と、
前記素体の少なくとも一部を挟んで第1の方向に対向するように該素体に配置された第１及び第２の内部電極と、
前記素体の外表面のうち前記第1の方向に平行な第１の面に配置されると共に、前記第１の内部電極に接続される第１の端子電極と、
前記素体の外表面に配置されると共に、前記第２の内部電極に接続される第２の端子電極と、を備え、
前記第１の内部電極が、静電容量の形成に寄与しない非容量形成領域と前記第２の内部電極と協働して静電容量を形成する容量形成領域とを含む主電極部分と、該主電極部分を前記第１の端子電極に接続する引き出し電極部分と、を有し、
前記第１の面に平行で且つ前記第１の方向に直交する第２の方向において、前記第１の端子電極の長さが前記第１の面の長さに比して小さく設定されると共に前記引き出し電極部分の長さが前記主電極部分の長さに比して小さく設定されており、
前記非容量形成領域と前記引き出し電極部分との位置は、前記第１の方向から見たときに、前記非容量形成領域と前記引き出し電極部分とが前記第２の方向で重なりを有するように設定されていることを特徴とする積層コンデンサ。
【請求項２】
前記第１の内部電極において、前記主電極部分と前記引き出し電極部分とが接しており、
前記非容量形成領域が、前記主電極部分と前記引き出し電極部分との境界部に接するように配置されることを特徴とする請求項１記載の積層コンデンサ。
【請求項３】
前記非容量形成領域が、前記第１の内部電極の前記主電極部分に開口部状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の積層コンデンサ。
【請求項４】
前記非容量形成領域が、前記第１の内部電極の前記主電極部分にスリット状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の積層コンデンサ。
【請求項５】
前記第２の端子電極は、前記素体の外表面のうち前記第１の方向に平行な第２の面に配置され、
前記第２の内部電極が、静電容量の形成に寄与しない非容量形成領域と前記第１の内部電極と協働して静電容量を形成する容量形成領域とを含む主電極部分と、該主電極部分を前記第２の端子電極に接続する引き出し電極部分と、を有し、
前記第２の面に平行で且つ前記第１の方向に直交する第３の方向において、前記第２の端子電極の長さが前記第２の面の長さに比して小さく設定されると共に前記第２の内部電極の前記引き出し電極部分の長さが前記第２の内部電極の前記主電極部分の長さに比して小さく設定されており、
前記第２の内部電極の前記非容量形成領域と前記第２の内部電極の前記引き出し電極部分との位置は、前記第１の方向から見たときに、前記非容量形成領域と前記引き出し電極部分とが前記第３の方向で重なりを有するように設定されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項記載の積層コンデンサ。
【請求項６】
前記第１の内部電極の前記非容量形成領域と前記第２の内部電極の前記非容量形成領域とが前記素体の前記少なくとも一部を挟んで対向するように、前記第１及び第２の内部電極が配置されることを特徴とする請求項５記載の積層コンデンサ。
【請求項７】
前記第１及び第２の内部電極は、前記第１の方向に沿って、それぞれ複数ずつ交互に配置されており、
前記第１及び第２の内部電極のうち前記第１の方向で最も外側に配置された内部電極と該内部電極に対向する前記素体の外表面との間隔に対する前記第２の方向における前記第１の端子電極の長さの比が、０．４より大きく且つ８．０より小さいことを特徴とする請求項１〜６の何れか一項記載の積層コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層コンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の積層コンデンサとして、誘電特性を示す素体と複数の内部電極とを有する素体と、当該素体に形成された複数の端子電極とを備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−１４８１７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、誘電特性のある素体の端子電極付近での電歪効果による機械的歪みを抑制することが可能な積層コンデンサを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
ところで、誘電特性のある素体を備える積層コンデンサに電圧を印加すると、電歪効果により素体に印加電圧に応じた大きさの機械的歪みが生じてしまうという問題がある。特に、交流電圧を印加した場合、積層コンデンサには振動が生じてしまう。積層コンデンサを基板等に実装した場合に、こうした機械的歪みが発生すると、歪みによる振動の伝播により、基板において音鳴りが発生してしまう。
【０００５】
そこで、本発明者は、積層コンデンサを基板等に実装した際に発生する音鳴りを低減することについて鋭意検討を行った。その結果、本発明者は、音鳴りは積層コンデンサを実装する基板等と積層コンデンサとの接触部分、すなわち基板のランド電極等と積層コンデンサの端子電極との接触部分で発生するとの知見を得るに至った。本発明者は、当該知見に基づきさらなる検討を重ねた結果、素体の端子電極近傍の領域に加わる電界を抑制（すなわち、電圧を抑制）することで、電歪効果による素体の機械的歪みの端子電極への影響が抑制されるとの新たな事実を見出すに至った。
【０００６】
このような検討結果を踏まえ、本発明による積層コンデンサは、誘電特性を有する素体と、素体の少なくとも一部を挟んで第１の方向に対向するように該素体に配置された第１及び第２の内部電極と、素体の外表面のうち第１の方向に平行な第１の面に配置されると共に、第１の内部電極に接続される第１の端子電極と、素体の外表面に配置されると共に、第２の内部電極に接続される第２の端子電極と、を備え、第１の内部電極が、静電容量の形成に寄与しない非容量形成領域と第２の内部電極と協働して静電容量を形成する容量形成領域とを含む主電極部分と、該主電極部分を第１の端子電極に接続する引き出し電極部分と、を有し、第１の面に平行で且つ第１の方向に直交する第２の方向において、第１の端子電極の長さが第１の面の長さに比して小さく設定されると共に引き出し電極部分の長さが主電極部分の長さに比して小さく設定されており、非容量形成領域と引き出し電極部分との位置は、第１の方向から見たときに、非容量形成領域と引き出し電極部分とが第２の方向で重なりを有するように設定されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る積層コンデンサでは、第１の内部電極の主電極部分が非容量形成領域を含み、当該非容量形成領域は、第１の方向から見たときに、引き出し電極部分と第２の方向で重なりを有するような位置に配置されている。電歪効果は電圧が加えられた誘電体領域において発生する。したがって、引き出し電極部分に影響する電歪の効果は非容量形成領域の分だけ小さくなる。これにより、素体の電歪効果によって第１の端子電極が受ける影響が低減され、この積層コンデンサでは第１の端子電極付近での電歪効果による機械的歪みを抑制することが可能となる。また、この積層コンデンサでは、第２の方向において、第１の端子電極の長さが第１の面の長さに比して小さく設定されている。このため、電歪効果によって歪んだ素体に第１の端子電極が引っ張られたとしても、コンデンサを実装する基板等に影響を与える面積を小さくできる。さらに、第２の方向において、第１の端子電極に接続する引き出し電極部分の長さが主電極部分の長さに比して小さく設定されている。これにより、第１の端子電極の第２の方向における長さを小さくすることが可能となる。
【０００８】
第１の内部電極において、主電極部分と引き出し電極部分とが接しており、非容量形成領域が、主電極部分と引き出し電極部分との境界部に接するように配置されることが好ましい。非容量形成領域が引き出し電極部分に近いほど、素体の電歪効果によって第１の端子電極が受ける影響が低減される。その結果、積層コンデンサでは第１の端子電極付近での電歪効果による機械的歪みをさらに抑制することが可能となる。
【０００９】
非容量形成領域が、第１の内部電極の主電極部分に開口部状に形成されていてもよい。あるいは、非容量形成領域が、第１の内部電極の主電極部分にスリット状に形成されていてもよい。
【００１０】
第２の端子電極は、素体の外表面のうち第１の方向に平行な第２の面に配置され、第２の内部電極が、静電容量の形成に寄与しない非容量形成領域と第１の内部電極と協働して静電容量を形成する容量形成領域とを含む主電極部分と、該主電極部分を第２の端子電極に接続する引き出し電極部分と、を有し、第２の面に平行で且つ第１の方向に直交する第３の方向において、第２の端子電極の長さが第２の面の長さに比して小さく設定されると共に第２の内部電極の引き出し電極部分の長さが第２の内部電極の主電極部分の長さに比して小さく設定されており、第２の内部電極の非容量形成領域と第２の内部電極の引き出し電極部分との位置は、第１の方向から見たときに、非容量形成領域と引き出し電極部分とが第３の方向で重なりを有するように設定されていることが好ましい。
【００１１】
この場合、素体の電歪効果によって第２の端子電極が受ける影響も低減され、第１の端子電極付近だけでなく第２の端子電極付近での電歪効果による機械的歪みをも抑制することが可能となる。
【００１２】
また、この場合、第１の内部電極の非容量形成領域と第２の内部電極の非容量形成領域とが素体の少なくとも一部を挟んで対向するように、第１及び第２の内部電極が配置されることが好ましい。
【００１３】
このように一方の内部電極の非容量形成領域が他方の内部電極の非容量形成領域と対向することで、積層コンデンサの静電容量が低減してしまうことを効率良く抑制することができる。
【００１４】
第１及び第２の内部電極は、第１の方向に沿って、それぞれ複数ずつ交互に配置されており、第１及び第２の内部電極のうち第１の方向で最も外側に配置された内部電極と該内部電極に対向する素体の外表面との間隔に対する第２の方向における第１の端子電極の長さの比が、０．４より大きく且つ８．０より小さいことが好ましい。
【００１５】
この場合、素体において、第１の方向で最も外側に配置された内部電極と、該内部電極に対向する素体の外表面との間の領域には、第１及び第２の内部電極によって電圧が加えられない。そのため、この領域では、第１及び第２の内部電極によって加えられる電圧に起因した電歪効果が発生しない。そして、第１の方向で最も外側に配置された内部電極と該内部電極に対向する素体の外表面との間の間隔と、第１の端子電極の第２の方向における長さとの関係が、比によって規定されている。そのため、積層コンデンサの機械的歪みが実装基板等に伝搬することを好適に抑制することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、誘電特性のある素体の端子電極付近での電歪効果による機械的歪みを抑制することが可能な積層コンデンサを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して、好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
（第１実施形態）
【００１８】
図１〜図４及び図１１に基づいて、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１の構成について説明する。図１は、本実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図２は、本実施形態に係る積層コンデンサに含まれる素体の分解斜視図である。図３は、本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。図４は、本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。図１１は、本実施形態に係る積層コンデンサ断面構成を説明するための図である。なお、図３及び図４において、断面のハッチングは省略している。
【００１９】
積層コンデンサＣ１は、図１に示すように、直方体状をしたコンデンサ素体Ｌ１と、コンデンサ素体Ｌ１の外表面に配置された第１の端子電極１及び第２の端子電極２とを備える。コンデンサ素体Ｌ１は、相対向する長方形状の第１の主面Ｌ１ａ及び第２の主面Ｌ１ｂと、相対する第１の側面（第１の面）Ｌ１ｃ及び第２の側面（第２の面）Ｌ１ｄと、相対向する第３の側面Ｌ１ｅ及び第４の側面Ｌ１ｆとを含んでいる。第１及び第２の側面Ｌ１ｃ、Ｌ１ｄは、第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ間を連結するように第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの長辺方向に伸びている。第３及び第４の側面Ｌ１ｅ、Ｌ１ｆは、第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ間を連結するように第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの短辺方向に伸びている。
【００２０】
コンデンサ素体Ｌ１の第１の側面Ｌ１ｃには、第１の端子電極１が配置されている。コンデンサ素体Ｌ１の第２の側面Ｌ１ｄには、第２の端子電極２が配置されている。第１及び第２の端子電極１、２は、例えば、導電性金属粉末及びガラスフリットを含む導電性ペーストをコンデンサ素体Ｌ１の対応する外表面の付与し、焼き付けることによって形成される。必要に応じて、焼き付けられた電極の上にめっき層が形成されることもある。
【００２１】
コンデンサ素体Ｌ１は、図２に示されるように、複数（本実施形態では５層）の誘電体層１０と、複数（本実施形態では２層）の第１の内部電極２０と、複数（本実施形態では２層）の第２の内部電極３０とを有している。したがって、コンデンサ素体Ｌ１は、誘電特性を有する。
【００２２】
各誘電体層１０は、第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂに平行な方向に伸びており、第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの対向方向に積層されている。各誘電体層１０は、例えば誘電体セラミックを含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。実際の積層コンデンサＣ１では、各誘電体層１０は、誘電体層１０の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００２３】
第１の内部電極２０と第２の内部電極３０とは、コンデンサ素体Ｌ１の一部である一つの誘電体層１０を挟んで第1の方向に対向するように配置されている。すなわち、第１の内部電極２０と第２の内部電極３０とは、コンデンサ素体Ｌ１において、誘電体層１０の積層方向、すなわち第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの対向方向に誘電体層１０を間に挟んで交互に配置されている。
【００２４】
したがって、第１の端子電極１が配置された第１の側面Ｌ１ｃ、及び第２の端子電極２が配置された第２の側面Ｌ１ｄは、第１の内部電極２０と第２の内部電極３０とが対向する方向、すなわち第１の方向に平行である。
【００２５】
第１の内部電極２０は、主電極部分２２と、引き出し電極部分２４とを含んでいる。主電極部分２２は、容量形成領域２６ａ、２６ｂと非容量形成領域２８とを含む。第１の内部電極２０は、導電性ペーストの焼結体から構成される。
【００２６】
容量形成領域２６ａ、２６ｂは、それぞれ長方形状を呈しており、第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの長辺方向に沿って並んで配列されている。
【００２７】
非容量形成領域２８は、主電極部分２２において第２の側面Ｌ１ｄ側から第１の側面Ｌ１ｃ側に向かって伸び、容量形成領域２６ａと容量形成領域２６ｂとを二分するスリット状に形成されている。非容量形成領域２８は、主電極部分２２の第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの長辺方向における中央付近に位置している。また、スリット状に形成された非容量形成領域２８には導電性ペーストの焼結体は存在せず、非容量形成領域２８は静電容量の形成に寄与しない。
【００２８】
引き出し電極部分２４は、主電極部分２２から第１の側面Ｌ１ｃに向けて伸びており、第１の側面Ｌ１ｃまで引き出されている。引き出し電極部分２４は、第１の端子電極１に電気的且つ物理的に接続されている。これにより、主電極部分２２は、そして第１の内部電極２０は、第１の端子電極１に電気的に接続されることとなる。
【００２９】
引き出し電極部分２４は、主電極部分２２の容量形成領域２６ａ、２６ｂ及び非容量形成領域２８のすべてと接している。非容量形成領域２８は、主電極部分２２の容量形成領域２６ａ、２６ｂと引き出し電極部分２４との境界部に接するように配置されている。
【００３０】
第２の内部電極３０は、主電極部分３２と、引き出し電極部分３４とを含んでいる。主電極部分３２は、容量形成領域３６ａ、３６ｂと非容量形成領域３８とを含む。第２の内部電極３０は、導電性ペーストの焼結体から構成される。
【００３１】
容量形成領域３６ａ、３６ｂは、それぞれ長方形状を呈しており、第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの長辺方向に沿って並んで配列されている。
【００３２】
非容量形成領域３８は、主電極部分３２において第１の側面Ｌ１ｃ側から第２の側面Ｌ１ｄ側に向かって伸び、容量形成領域３６ａと容量形成領域３６ｂとを二分するスリット状に形成されている。非容量形成領域３８は、主電極部分３２の第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの長辺方向における中央付近に位置している。また、スリット状に形成された非容量形成領域３８には導電性ペーストの焼結体は存在せず、非容量形成領域３８は静電容量の形成に寄与しない。
【００３３】
引き出し電極部分３４は、主電極部分３２から第２の側面Ｌ１ｄに向けて伸びており、第２の側面Ｌ１ｄまで引き出されている。引き出し電極部分３４は、第２の端子電極２に電気的且つ物理的に接続されている。これにより、主電極部分３２は、そして第２の内部電極３０は、第２の端子電極２に電気的に接続されることとなる。
【００３４】
引き出し電極部分３４は、主電極部分３２の容量形成領域３６ａ、３６ｂ及び非容量形成領域３８のすべてと接している。非容量形成領域３８は、主電極部分３２の容量形成領域３６ａ、３６ｂと引き出し電極部分３４との境界部に接するように配置されている。
【００３５】
第１及び第２の内部電極２０、３０は、第１の内部電極２０の容量形成領域２６ａと第２の内部電極３０の容量形成領域３６ａとが、さらに第１の内部電極２０の容量形成領域２６ｂと第２の内部電極３０の容量形成領域３６ｂとが何れも、コンデンサ素体Ｌ１の少なくとも一部である１つの誘電体層１０を挟んで対向するように配置されている。したがって、第１の内部電極２０の容量形成領域２６ａ、２６ｂと第２の内部電極３０の容量形成領域３６ａ、３６ｂとは協働して静電容量を形成する。
【００３６】
さらに、第１及び第２の内部電極２０、３０は、第１の内部電極２０の非容量形成領域２８と第２の内部電極３０の非容量形成領域３８とがコンデンサ素体Ｌ１の少なくとも一部である１つの誘電体層１０を挟んで対向するように配置されている。
【００３７】
ここで、第１の側面Ｌ１ｃに平行で且つ第１の方向に直交する方向を第２の方向とする。図３では、第２の方向をｘ方向として表す。図３は、図１の積層コンデンサのIII−III矢印断面を模式的に表す図であり、第１の内部電極２０の上面と誘電体層１０とが積層されている箇所で切断した図である。
【００３８】
図３に示すように、第２の方向における第１の端子電極１の長さｄ１１は、第２の方向における第１の側面Ｌ１ｃの長さｄ１２に比して小さく設定されている。すなわち、ｄ１１＜ｄ１２が成立する。さらに、図３に示すように、第２の方向における第１の内部電極２０の引き出し電極部分２４の長さｄ１３は、第２の方向における第１の内部電極２０の主電極部分２２の長さｄ１４に比して小さく設定されている。すなわち、ｄ１３＜ｄ１４が成立する。また、本実施形態では、ｄ１３＜ｄ１１＜ｄ１４＜ｄ１２が成立している。
【００３９】
また、第１の内部電極２０において、非容量形成領域２８と引き出し電極部分２４との位置は、第１の方向から見たときに、すなわち図３の断面図において、非容量形成領域２８と引き出し電極部分２４とが第２の方向（ｘ方向）で重なりを有するように設定されている
【００４０】
第２の側面Ｌ１ｄに平行で且つ第１の方向に直交する方向を第３の方向とする。図４では、第３の方向をｙ方向として表す。図４は、図１の積層コンデンサのIV−IV矢印断面図であり、第１の内部電極２０の上面と誘電体層１０とが積層されている箇所で切断した図である。
【００４１】
図４に示すように、第３の方向における第２の端子電極２の長さｄ２１は、第３の方向における第２の側面Ｌ１ｄの長さｄ２２に比して小さく設定されている。すなわち、ｄ２１＜ｄ２２が成立する。さらに、図４に示すように、第３の方向における第２の内部電極３０の引き出し電極部分３４の長さｄ２３は、第３の方向における第２の内部電極３０の主電極部分３２の長さｄ２４に比して小さく設定されている。すなわち、ｄ２３＜ｄ２４が成立する。また、本実施形態では、ｄ２３＜ｄ２１＜ｄ２４＜ｄ２２が成立している。
【００４２】
また、第２の内部電極３０において、非容量形成領域３８と引き出し電極部分３４との位置は、第１の方向から見たときに、すなわち図４の断面図において、非容量形成領域３８と引き出し電極部分３４とが第３の方向（ｙ方向）で重なりを有するように設定されている。
【００４３】
図１１は、図１の積層コンデンサのXI−XI矢印断面図である。コンデンサ素体Ｌ１は、第１の方向において、複数の第１及び第２の内部電極２０、３０の外側に第１及び第２の外層部１１、１２を有する。第１の外層部１１は、第１の方向のうち第２の主面Ｌ１ｂ側に位置する。第２の外層部１２は、第１の方向のうち第１の主面Ｌ１ａ側に位置する。
【００４４】
具体的には、第１の外層部１１は、コンデンサ素体Ｌ１において、複数の第１及び第２の内部電極２０、３０のうち最も第２の主面Ｌ１ｂ側に位置する第２の内部電極３０の第１の方向での位置から第２の主面Ｌ１ｂに至るまでの領域に相当する。したがって、第１の外層部１１の第１の方向における長さは、複数の第１及び第２の内部電極２０、３０のうち第１の方向の第２の主面Ｌ１ｂ側で最も外側に配置された内部電極である第２の内部電極３０と、該第２の内部電極３０に対向するコンデンサ素体Ｌ１の外表面である第２の主面Ｌ１ｂとの間隔ｄ１５に相当する。
【００４５】
積層コンデンサＣ１では、第１の外層部１１の第１の方向での長さｄ１５に対する第２の方向（図１１におけるｘ方向）における第１の端子電極１の長さｄ１１の比は、０．４より大きく且つ８．０より小さい。すなわち、以下の式（１）で表される関係が成り立つ。
０．４＜ｄ１１／ｄ１５＜８．０      …（１）
【００４６】
また、第２の外層部１２は、コンデンサ素体Ｌ１において、複数の第１及び第２の内部電極２０、３０のうち最も第１の主面Ｌ１ａ側に位置する第１の内部電極２０の第１の方向での位置から第１の主面Ｌ１ａに至るまでの領域に相当する。したがって、第２の外層部１２の第１の方向における長さは、複数の第１及び第２の内部電極２０、３０のうち第１の方向の第１の主面Ｌ１ａ側で最も外側に配置された内部電極である第１の内部電極２０と、該第１の内部電極２０に対向するコンデンサ素体Ｌ１の外表面である第１の主面Ｌ１ａとの間隔ｄ１６に相当する。
【００４７】
積層コンデンサＣ１では、第２の外層部１２の第１の方向での長さｄ１６に対する第２の方向（図１１におけるｘ方向）における第１の端子電極１の長さｄ１１の比は、０．４より大きく且つ８．０より小さい。すなわち、以下の式（２）で表される関係が成り立つ。
０．４＜ｄ１１／ｄ１６＜８．０      …（２）
【００４８】
積層コンデンサＣ１では、第１の内部電極２０の主電極部分２２が非容量形成領域２８を含む。電歪効果は電圧が加えられた誘電体領域において発生する。したがって、端子電極１、２を基板のランド電極等に接続して積層コンデンサに電圧をかけ、第１及び第２の内部電極２０、３０間に電圧が加わる場合であっても、主電極部分２２にスリット状に形成された非容量形成領域２８に加わる電圧は抑制される。その上、この非容量形成領域２８は、第１の方向から見たときに、引き出し電極部分２４と第２の方向（図３のｘ方向）で重なりを有するような位置に配置されている。以上のことから理解されるように、引き出し電極部分２４に影響するコンデンサ素体Ｌ１の電歪の効果は非容量形成領域２８の分だけ小さくなる。その結果、コンデンサ素体Ｌ１の電歪効果によって第１の端子電極１が受ける影響が低減され、積層コンデンサＣ１では第１の端子電極１付近での電歪効果による機械的歪みを抑制することが可能となる。
【００４９】
さらに、積層コンデンサＣ１では、第２の内部電極３０の主電極部分３２も非容量形成領域３８を含み、この非容量形成領域３８は、第１の方向から見たときに、引き出し電極部分３４と第３の方向（図４のｙ方向）で重なりを有するような位置に配置されている。そのため、コンデンサ素体Ｌ１の電歪効果によって第２の端子電極２が受ける影響も低減され、積層コンデンサＣ１では第２の端子電極２付近での電歪効果による機械的歪みを抑制することも可能となる。
【００５０】
したがって、積層コンデンサＣ１を基板等に実装し、電圧を加えた場合であっても、基板等において発生する音鳴りは抑制される。
【００５１】
非容量形成領域が引き出し電極部分に近いほど、コンデンサ素体の電歪効果によって端子電極が受ける影響は低減される。これに対し、積層コンデンサＣ１では、第１の内部電極２０において、主電極部分２２と引き出し電極部分２４とが接しており、非容量形成領域２８は、主電極部分２２と引き出し電極部分２４との境界部に接するように配置されている。そのため、積層コンデンサＣ１では第１の端子電極１付近での電歪効果による機械的歪みをより一層抑制することが可能となる。
【００５２】
さらに、積層コンデンサＣ１では、第２の内部電極３０においても、主電極部分３２と引き出し電極部分３４とが接しており、非容量形成領域３８は、主電極部分３２と引き出し電極部分３４との境界部に接するように配置されている。そのため、積層コンデンサＣ１では第２の端子電極２付近での電歪効果による機械的歪みをも、より一層抑制することが可能である。
【００５３】
また、積層コンデンサＣ１では、第１及び第２の内部電極２０、３０が、第１の内部電極２０の非容量形成領域２８と第２の内部電極３０の非容量形成領域３８とが誘電体層１０を挟んで対向するように配置されている。非容量形成領域が容量形成領域と対向してしまうと、容量形成領域のうち非容量形成領域と対向する部分において静電容量の形成に寄与できなくなってしまう。したがって、積層コンデンサＣ１のように、各内部電極２０、３０の非容量形成領域２８、３８同士が対向することで、積層コンデンサＣ１の静電容量の低減を効率良く抑制することができる。
【００５４】
加えて、誘電体層１０がセラミックグリーンシートの焼結体からなり、内部電極２０、３０が導電性ペーストの焼結体からなる場合、誘電体層１０と内部電極２０、３０とが積層された箇所より、誘電体層１０同士が積層された箇所の方が密着度が高くなる。そのため、誘電体層１０が露出するように非容量形成領域２８、３８が形成されている積層コンデンサＣ１では、非容量形成領域２８、３８同士が対向するように積層されていることによって、第１及び第２の内部電極２０、３０と誘電体層１０との層間の密着性が良好になる。
【００５５】
また、コンデンサ素体Ｌ１における層間の密着性が高まると、コンデンサ素体Ｌ１内での機械的歪みの伝達が抑制される。そのため、積層コンデンサＣ１では、コンデンサ素体Ｌ１全体の機械的歪みを抑制するとともに、第１及び第２の端子電極１、２付近での機械的歪みをより一層抑制することが可能である。
【００５６】
また、積層コンデンサＣ１では、第２の方向において、第１の端子電極１の長さｄ１１が第１の側面Ｌ１ｃの長さｄ１２に比して小さく設定されている。このため、電歪効果によって歪んだコンデンサ素体Ｌ１に第１の端子電極１が引っ張られたとしても、積層コンデンサＣ１を実装する基板等に影響を与える面積を小さくすることができる。
【００５７】
また、積層コンデンサＣ１では、第２の方向において、第１の端子電極１に接続する引き出し電極部分２４の長さｄ１３が主電極部分２２の長さｄ１４に比して小さく設定されている。これにより、第１の端子電極１の第２の方向における長さｄ１１を小さくすることが可能となる。
【００５８】
さらに、積層コンデンサＣ１では、第３の方向において、第２の端子電極２の長さｄ２１が第２の側面Ｌ１ｄの長さｄ２２に比して小さく設定されている。このため、電歪効果によって歪んだコンデンサ素体Ｌ１に第２の端子電極２が引っ張られたとしても、積層コンデンサＣ１を実装する基板等に影響を与える面積を小さくすることができる。
【００５９】
また、積層コンデンサＣ１では、第３の方向において、第２の端子電極２に接続する引き出し電極部分３４の長さｄ２３が主電極部分３２の長さｄ２４に比して小さく設定されている。これにより、第２の端子電極２の第３の方向における長さｄ２１を小さくすることが可能となる。
【００６０】
積層コンデンサＣ１では、第１の外層部１１が、第１の方向で、コンデンサ素体Ｌ１に含まれる複数の第１及び第２の内部電極２０、３０の外側に位置する。したがって、第１の外層部１１には、第１及び第２の内部電極２０、３０によって電圧が加えられない。そのため、第１の外層部１１では、第１及び第２の内部電極によって加えられる電圧に起因した電歪効果が発生しない。そして、積層コンデンサＣ１では、式（１）を満たすような（すなわち、ｄ１１／ｄ１５が８．０より小さくなるような）第１の外層部１１の長さｄ１５が確保される。このように、積層コンデンサＣ１は、電歪効果によって発生するコンデンサ素体の第１の外層部１１と第２の外層部１２との間での振動を吸収するのに十分な長さの第１の外層部１１を有している。そのため、例えば第２の主面Ｌ１ｂが基板等に接するように積層コンデンサＣ１を基板等に実装する場合であっても、第１及び第２の内部電極２０、３０によって加えられる電圧に起因するコンデンサ素体Ｌ１の電歪効果の影響が、実装基板等に伝搬することが好適に抑制される。したがって、積層コンデンサＣ１を基板等に実装し、電圧を加えた場合であっても、基板等において発生する音鳴りは好適に抑制される。
【００６１】
さらに、積層コンデンサＣ１では、ｄ１１／ｄ１５が８．０より小さくなるように、第１の端子電極１の第２の方向での長さｄ１１が規定されている。そのため、電歪効果によって歪んだコンデンサ素体Ｌ１に第１の端子電極１が引っ張られたとしても、積層コンデンサＣ１を実装する基板等に影響を与える面積を小さくすることができる。その結果、積層コンデンサＣ１では、電歪効果の影響で振動等する場合であっても、実装基板等にその振動が伝わることが好適に抑制されている。
【００６２】
加えて、積層コンデンサＣ１では、ｄ１１／ｄ１５が０．４より大きくなるように、第１の端子電極１の第２の方向での長さｄ１１が規定されている。そのため、積層コンデンサＣ１では、積層コンデンサＣ１で発生する電歪効果の影響が実装基板等に伝搬することを抑制しつつ、第１の端子電極１と基板等との好適な接続を実現することが可能である。これにより、積層コンデンサＣ１では、第１の端子電極１と実装基板等との間で接続不良が発生することが抑制される。
【００６３】
また、積層コンデンサは一般にその大きさが規格によって規定されているため、内部電極を含まない外層部の大きさが大きくなるとその分だけ静電容量が低減してしまう。これに対し、積層コンデンサＣ１では、ｄ１１／ｄ１５が０．４より大きくなるように、第１の外層部１１の第１の方向における長さｄ１５が規定されている。そのため、積層コンデンサＣ１では、第１の外層部１１の大きさによる静電容量の低減が好適に抑制されている。
【００６４】
また、積層コンデンサＣ１では、第２の外層部１２が、コンデンサ素体Ｌ１に含まれる複数の第１及び第２の内部電極２０、３０の外側に位置する。したがって、第２の外層部１２には、第１及び第２の内部電極２０、３０によって電圧が加えられない。そのため、第２の外層部１２では、電歪効果の発生が抑制される。積層コンデンサＣ１では、式（２）を満たすような（すなわち、ｄ１１／ｄ１６が８．０より小さくなるような）第２の外層部１２の長さｄ１６が確保される。このように、積層コンデンサＣ１は、電歪効果によって発生するコンデンサ素体の第１の外層部１１と第２の外層部１２との間での振動を吸収するのに十分な長さの第２の外層部１２を有している。そのため、例えば第１の主面Ｌ１ａが基板等に接するように積層コンデンサＣ１を実装する場合であっても、第１及び第２の内部電極２０、３０によって加えられる電圧に起因するコンデンサ素体Ｌ１の電歪効果の影響が、実装基板等に伝搬することを好適に抑制することができる。したがって、積層コンデンサＣ１を基板等に実装し、電圧を加えた場合であっても、基板等において発生する音鳴りは好適に抑制される。
【００６５】
さらに、積層コンデンサＣ１では、ｄ１１／ｄ１６が８．０より小さくなるように、第１の端子電極１の第２の方向での長さｄ１１が規定されている。そのため、電歪効果によって歪んだコンデンサ素体Ｌ１に第１の端子電極１が引っ張られたとしても、積層コンデンサＣ１を実装する基板等に影響を与える面積を小さくすることができる。その結果、積層コンデンサＣ１では、電歪効果の影響で振動等する場合であっても、実装基板等にその振動が伝わることが好適に抑制されている。
【００６６】
加えて、積層コンデンサＣ１では、ｄ１１／ｄ１６が０．４より大きくなるように、第１の端子電極１の第２の方向での長さｄ１１が規定されている。そのため、積層コンデンサＣ１では、積層コンデンサＣ１で発生する電歪効果の影響が実装基板等に伝搬することを抑制しつつ、第１の端子電極１と基板等との好適な接続を実現することが可能である。これにより、積層コンデンサＣ１では、第１の端子電極１と実装基板等との間で接続不良が発生することが抑制される。
【００６７】
また、積層コンデンサは一般にその大きさが規格によって規定されているため、内部電極を含まない外層部の大きさが大きくなるとその分だけ静電容量が低減してしまう。これに対し、積層コンデンサＣ１では、ｄ１１／ｄ１６が０．４より大きくなるように、第２の外層部１２の第１の方向における長さｄ１６が規定されている。そのため、積層コンデンサＣ１では、第２の外層部１２の大きさによる静電容量の低減が好適に抑制されている。
【００６８】
なお、本実施形態では、第１の外層部１１が式（１）を、第２の外層部１２が式（２）を満たしているが、式（１）又は式（２）の何れか一方のみが満たされていても、あるいは双方ともが満たされていなくてもよい。
【００６９】
また、複数の第１及び第２の内部電極２０、３０のうち第１の方向の第２の主面Ｌ１ｂ側で最も外側に配置された内部電極である第２の内部電極３０と該第２の内部電極３０に対向するコンデンサ素体Ｌ１の外表面である第２の主面Ｌ１ｂとの間隔に対する、第２の方向における第２の端子電極２の長さの比が、０．４より大きく且つ８．０より小さいことがより好ましい。また、複数の第１及び第２の内部電極２０、３０のうち第１の方向の第１の主面Ｌ１ａ側で最も外側に配置された内部電極である第１の内部電極２０と該第１の内部電極２０に対向するコンデンサ素体Ｌ１の外表面である第１の主面Ｌ１ａとの間隔に対する、第２の方向における第２の端子電極２の長さの比が、０．４より大きく且つ８．０より小さいことがより好ましい。この場合、コンデンサ素体Ｌ１の電歪効果による機械的歪みが第２の端子電極２を介して実装基板等に伝搬することを好適に抑制することが可能となる。
（第２実施形態）
【００７０】
図５を参照して、第２実施形態に係る積層コンデンサについて説明する。第２実施形態に係る積層コンデンサは、第１及び第２の内部電極の主電極部分に含まれる非容量形成領域の形状の点で第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と相違する。図５は、第２実施形態に係る積層コンデンサに含まれるコンデンサ素体の分解斜視図である。
【００７１】
第２実施形態に係る積層コンデンサは、その図示を省略するが、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と同じく、コンデンサ素体Ｌ１と、第１の端子電極１と、第２の端子電極２とを備える。コンデンサ素体Ｌ１は、図５に示されるように、複数（本実施形態では、５層）の誘電体層１０と、複数（本実施形態では２層）の第１の内部電極２０と、複数（本実施形態では２層）の第２の内部電極３０とを有している。
【００７２】
第１の内部電極２０は、主電極部分２２と、引き出し電極部分２４とを含んでいる。主電極部分２２は、容量形成領域２６と複数（本実施形態では、２つ）の非容量形成領域２８ａ、２８ｂとを含む。２つの非容量形成領域２８ａ、２８ｂは、第１の側面Ｌ１ｃと第２の側面Ｌ１ｄとの対向方向に沿って、並んで配置されている。
【００７３】
容量形成領域２６は、略長方形状を呈している。非容量形成領域２８ａは、第１の内部電極２０の主電極部分２２に長方形状の開口部として形成されている。非容量形成領域２８ａは、主電極部分２２の引き出し電極部分２４との境界部から、第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの短辺方向における容量形成領域２６の中央付近にまで伸びるように形成されている。
【００７４】
非容量形成領域２８ｂは、スリット状に形成されている。非容量形成領域２８ｂは、主電極部分２２において第２の側面Ｌ１ｄ側から第１の側面Ｌ１ｃ側に向かって伸びるように形成されている。ただし、非容量形成領域２８ｂのスリットは、非容量形成領域２８ａにまでは達しない。非容量形成領域２８ａ、２８ｂは何れも、主電極部分２２の第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの長辺方向における中央付近に位置している。
【００７５】
引き出し電極部分２４は、主電極部分２２から第１の側面Ｌ１ｃに向けて伸びており、第１の側面Ｌ１ｃまで引き出されている。引き出し電極部分２４は、第１の端子電極１に電気的且つ物理的に接続されている。これにより、主電極部分２２は、そして第１の内部電極２０は、第１の端子電極１に電気的に接続されることとなる。引き出し電極部分２４は、主電極部分２２の容量形成領域２６及び非容量形成領域２８ａの双方と接している。
【００７６】
第２の内部電極３０は、主電極部分３２と、引き出し電極部分３４とを含んでいる。主電極部分３２は、容量形成領域３６と複数（本実施形態では、２つ）の非容量形成領域３８ａ、３８ｂとを含む。
【００７７】
容量形成領域３６は、略長方形状を呈している。非容量形成領域３８ａは、第２の内部電極３０の主電極部分３２に長方形状の開口部として形成されている。非容量形成領域３８ａは、主電極部分３２の引き出し電極部分３４との境界部から、第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの短辺方向における容量形成領域３６の中央付近にまで伸びるように形成されている。
【００７８】
非容量形成領域３８ｂは、スリット状に形成されている。非容量形成領域３８ｂは、主電極部分３２において第１の側面Ｌ１ｃ側から第２の側面Ｌ１ｄ側に向かって伸びるように形成されている。ただし、非容量形成領域３８ｂのスリットは、非容量形成領域３８ａにまでは達しない。非容量形成領域３８ａ、３８ｂは何れも、主電極部分３２の第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの長辺方向における中央付近に位置している。
【００７９】
引き出し電極部分３４は、主電極部分３２から第２の側面Ｌ１ｄに向けて伸びており、第２の側面Ｌ１ｄまで引き出されている。引き出し電極部分３４は、第２の端子電極２に電気的且つ物理的に接続されている。これにより、主電極部分３２は、そして第２の内部電極３０は、第２の端子電極２に電気的に接続されることとなる。引き出し電極部分３４は、主電極部分３２の容量形成領域３６及び非容量形成領域３８ａの双方と接している。
【００８０】
第１及び第２の内部電極２０、３０は、第１の内部電極２０の容量形成領域２６と第２の内部電極３０の容量形成領域３６とが、コンデンサ素体Ｌ１の少なくとも一部である１つの誘電体層１０を挟んで対向するように配置されている。したがって、第１の内部電極２０の容量形成領域２６と第２の内部電極３０の容量形成領域３６とは協働して静電容量を形成する。
【００８１】
さらに、第１及び第２の内部電極２０、３０は、第１の内部電極２０の非容量形成領域２８ａと第２の内部電極３０の非容量形成領域３８ｂとが、さらに第１の内部電極２０の非容量形成領域２８ｂと第２の内部電極３０の非容量形成領域３８ａとが、それぞれコンデンサ素体Ｌ１の少なくとも一部である１つの誘電体層１０を挟んで対向するように配置されている。
【００８２】
第２実施形態に係る積層コンデンサでは、第１の側面Ｌ１ｃに平行で且つ第１の方向に直交する第２の方向において、第１の端子電極１の長さは第２の方向における第１の側面Ｌ１ｃの長さに比して小さく設定されている。さらに、第２の方向における第１の内部電極２０の引き出し電極部分２４の長さは、第２の方向における第１の内部電極２０の主電極部分２２の長さに比して小さく設定されている。
【００８３】
また、第１の内部電極２０において、非容量形成領域２８ａ、２８ｂと引き出し電極部分２４との位置は、第１の方向から見たときに、非容量形成領域２８ａ、２８ｂと引き出し電極部分２４とが第２の方向で重なりを有するように設定されている。
【００８４】
第２実施形態に係る積層コンデンサでは、第２の側面Ｌ１ｄに平行で且つ第１の方向に直交する第３の方向において、第２の端子電極２の長さは、第３の方向における第２側面Ｌ１ｄの長さに比して小さく設定されている。さらに、第３の方向における第２の内部電極３０の引き出し電極部分３４の長さは、第３の方向における第２の内部電極３０の主電極部分３２の長さに比して小さく設定されている。
【００８５】
また、第２の内部電極３０において、非容量形成領域３８ａ、３８ｂと引き出し電極部分３４との位置は、第１の方向から見たときに、非容量形成領域３８ａ、３８ｂと引き出し電極部分３４とが第３の方向で重なりを有するように設定されている。
【００８６】
第２実施形態に係る積層コンデンサでは、第１の内部電極２０の主電極部分２２が非容量形成領域２８ａ、２８ｂを含み、この非容量形成領域２８ａ、２８ｂは、第１の方向から見たときに、引き出し電極部分２４と第２の方向で重なりを有するような位置に配置されている。そのため、コンデンサ素体Ｌ１の電歪効果によって第１の端子電極１が受ける影響が低減され、第２実施形態に係る積層コンデンサでは第１の端子電極１付近での電歪効果による機械的歪みを抑制することも可能となる。
【００８７】
さらに、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、第２の内部電極３０の主電極部分３２も非容量形成領域３８ａ、３８ｂを含み、この非容量形成領域３８ａ、３８ｂは、第１の方向から見たときに、引き出し電極部分３４と第３の方向で重なりを有するような位置に配置されている。そのため、コンデンサ素体Ｌ１の電歪効果によって第２の端子電極２が受ける影響も低減され、第２実施形態に係る積層コンデンサでは第２の端子電極２付近での電歪効果による機械的歪みを抑制することも可能となる。
【００８８】
したがって、第２実施形態に係る積層コンデンサを基板等に実装し、電圧を加えた場合であっても、基板等において発生する音鳴りは抑制される。
【００８９】
第２実施形態に係る積層コンデンサでは、第１の内部電極２０において、主電極部分２２と引き出し電極部分２４とが接しており、非容量形成領域２８ａは、主電極部分２２と引き出し電極部分２４との境界部に接するように配置されている。そのため、第２実施形態に係る積層コンデンサでは第１の端子電極１付近での電歪効果による機械的歪みをより一層抑制することが可能となる。
【００９０】
さらに、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、第２の内部電極３０においても、主電極部分３２と引き出し電極部分３４とが接しており、非容量形成領域３８ａは、主電極部分３２と引き出し電極部分３４との境界部に接するように配置されている。そのため、第２実施形態に係る積層コンデンサでは第２の端子電極２付近での電歪効果による機械的歪みをも、より一層抑制することが可能である。
【００９１】
また、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、第１及び第２の内部電極２０、３０が、第１の内部電極２０の非容量形成領域２８ａと第２の内部電極３０の非容量形成領域３８ｂとが、さらに第１の内部電極２０の非容量形成領域２８ｂと第２の内部電極３０の非容量形成領域３８ａとが、誘電体層１０を挟んで対向するように配置されている。したがって、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、静電容量の低減を効率良く抑制することができる。
【００９２】
加えて、誘電体層１０が露出するように非容量形成領域２８ａ、２８ｂ、３８ａ、３８ｂが形成されている第２実施形態に係る積層コンデンサでは、非容量形成領域２８ａ、３８ｂ同士及び非容量形成領域２８ｂ、３８ａ同士が対向するように積層されている。そのため、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、第１及び第２の内部電極２０、３０と誘電体層１０との層間の密着性が良好になる。
【００９３】
また、コンデンサ素体Ｌ１における層間の密着性が高まることにより、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、コンデンサ素体Ｌ１全体の機械的歪みを抑制するとともに、第１及び第２の端子電極１、２付近での機械的歪みをより一層抑制することが可能となる。
【００９４】
また、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、第２の方向において、第１の端子電極１の長さが第１の側面Ｌ１ｃの長さに比して小さく設定されている。このため、電歪効果によって歪んだコンデンサ素体Ｌ１に第１の端子電極１が引っ張られたとしても、第２実施形態に係る積層コンデンサを実装する基板等に影響を与える面積を小さくすることができる。
【００９５】
また、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、第２の方向において、第１の端子電極１に接続する引き出し電極部分２４の長さが主電極部分２２の長さに比して小さく設定されている。これにより、第１の端子電極１の第２の方向における長さを小さくすることが可能となる。
【００９６】
さらに、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、第３の方向において、第２の端子電極２の長さが第２の側面Ｌ１ｄの長さに比して小さく設定されている。このため、電歪効果によって歪んだコンデンサ素体Ｌ１に第２の端子電極２が引っ張られたとしても、第２実施形態に係る積層コンデンサを実装する基板等に影響を与える面積を小さくすることができる。
【００９７】
また、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、第３の方向において、第２の端子電極２に接続する引き出し電極部分３４の長さが主電極部分３２の長さに比して小さく設定されている。これにより、第２の端子電極２の第３の方向における長さを小さくすることが可能となる。
【００９８】
続いて、図６に基づいて、本実施形態の変形例について説明する。第２実施形態の変形例においては、第１及び第２の内部電極の主電極部分に含まれる非容量形成領域の数の点で、第２実施形態に係る積層コンデンサと相違する。図６は、本実施形態の変形例に係る積層コンデンサに含まれるコンデンサ素体の分解斜視図である。
【００９９】
本実施形態の変形例に係る積層コンデンサは、その図示を省略するが、上述した第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と同じく、コンデンサ素体Ｌ１と、第１の端子電極１と、第２の端子電極２とを備える。コンデンサ素体１は、図６に示されるように、複数の誘電体層１０と、複数の第１の内部電極２０と、複数の第２の内部電極３０とを有している。
【０１００】
第２実施形態の変形例に係る積層コンデンサの第１の内部電極２０の主電極部分２２は、容量形成領域２６と４つの非容量形成領域２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄとを含む。４つの非容量形成領域２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄは、第１の側面Ｌ１ｃと第２の側面Ｌ１ｄとの対向方向に沿って、この順に第１の側面Ｌ１ｃ側から並んで配置されている。非容量形成領域２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄは何れも、主電極部分２２の第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの長辺方向における中央付近に位置している。
【０１０１】
非容量形成領域２８ａは、第１の内部電極２０の主電極部分２２に四角形状の開口部として形成されている。非容量形成領域２８ａは、主電極部分２２の引き出し電極部分２４との境界部から第２の側面Ｌ１ｄ側に向かって伸びている。
【０１０２】
非容量形成領域２８ｂは、第１の内部電極２０の主電極部分２２に四角形状の開口部として形成されている。非容量形成領域２８ｂは、非容量形成領域２８ａより第２の側面Ｌ１ｄ側に形成されている。
【０１０３】
非容量形成領域２８ｃは、第１の内部電極２０の主電極部分２２に四角形状の開口部として形成されている。非容量形成領域２８ｃは、非容量形成領域２８ａ、２８ｂより第２の側面Ｌ１ｄ側に形成されている。
【０１０４】
非容量形成領域２８ｄは、スリット状に形成されている。非容量形成領域２８ｄは、主電極部分２２において第２の側面Ｌ１ｄ側から第１の側面Ｌ１ｃ側に向かって伸びるように形成されている。ただし、非容量形成領域２８ｄのスリットは、非容量形成領域２８ｃにまでは達しない。
【０１０５】
引き出し電極部分２４は、主電極部分２２から第１の側面Ｌ１ｃに向けて伸びており、第１の側面Ｌ１ｃまで引き出されている。引き出し電極部分２４は、第１の端子電極１に電気的且つ物理的に接続されている。これにより、主電極部分２２は、そして第１の内部電極２０は、第１の端子電極１に電気的に接続されることとなる。引き出し電極部分２４は、主電極部分２２の容量形成領域２６及び非容量形成領域２８ａの双方と接している。
【０１０６】
第２実施形態の変形例に係る積層コンデンサの第２の内部電極３０の主電極部分３２は、容量形成領域３６と４つの非容量形成領域３８ａ、３８ｂ、３８ｃ、３８ｄとを含む。４つの非容量形成領域３８ａ、３８ｂ、３８ｃ、３８ｄは、第１の側面Ｌ１ｃと第２の側面Ｌ１ｄとの対向方向に沿って、この順に第２の側面Ｌ１ｄ側から並んで配置されている。非容量形成領域３８ａ、３８ｂ、３８ｃ、３８ｄは何れも、主電極部分３２の第１及び第２の主面Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの長辺方向における中央付近に位置している。
【０１０７】
非容量形成領域３８ａは、第２の内部電極３０の主電極部分３２に四角形状の開口部として形成されている。非容量形成領域３８ａは、主電極部分３２の引き出し電極部分３４との境界部から第１の側面Ｌ１ｃ側に向かって伸びている。
【０１０８】
非容量形成領域３８ｂは、第２の内部電極３０の主電極部分３２に四角形状の開口部として形成されている。非容量形成領域３８ｂは、非容量形成領域３８ａより第１の側面Ｌ１ｃ側に形成されている。
【０１０９】
非容量形成領域３８ｃは、第２の内部電極３０の主電極部分３２に四角形状の開口部として形成されている。非容量形成領域３８ｃは、非容量形成領域３８ａ、３８ｂより第１の側面Ｌ１ｃ側に形成されている。
【０１１０】
非容量形成領域３８ｄは、スリット状に形成されている。非容量形成領域３８ｄは、主電極部分３２において第１の側面Ｌ１ｃ側から第２の側面Ｌ１ｄ側に向かって伸びるように形成されている。ただし、非容量形成領域３８ｄのスリットは、非容量形成領域３８ｃにまでは達しない。
【０１１１】
引き出し電極部分３４は、主電極部分３２から第２の側面Ｌ１ｄに向けて伸びており、第２の側面Ｌ１ｄまで引き出されている。引き出し電極部分３４は、第２の端子電極２に電気的且つ物理的に接続されている。これにより、主電極部分３２は、そして第２の内部電極３０は、第２の端子電極２に電気的に接続されることとなる。引き出し電極部分３４は、主電極部分３２の容量形成領域３６及び非容量形成領域３８ａの双方と接している。
【０１１２】
第２実施形態の変形例に係る積層コンデンサの第１及び第２の内部電極２０、３０は、第１の内部電極２０の非容量形成領域２８ａと第２の内部電極３０の非容量形成領域３８ｄとが、さらに第１の内部電極２０の非容量形成領域２８ｂと第２の内部電極３０の非容量形成領域３８ｃとが、さらに第１の内部電極２０の非容量形成領域２８ｃと第２の内部電極３０の非容量形成領域３８ｂとが、さらに第１の内部電極２０の非容量形成領域２８ｄと第２の内部電極３０の非容量形成領域３８ａとが、それぞれコンデンサ素体Ｌ１の少なくとも一部である１つの誘電体層１０を挟んで対向するように配置されている。
【０１１３】
また、第１の内部電極２０において、非容量形成領域２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄと引き出し電極部分２４との位置は、第１の方向から見たときに、非容量形成領域２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄと引き出し電極部分２４とが第２の方向で重なりを有するように設定されている。
【０１１４】
また、第２の内部電極３０において、非容量形成領域３８ａ、３８ｂ、３８ｃ、３８ｄと引き出し電極部分３４との位置は、第１の方向から見たときに、非容量形成領域３８ａ、３８ｂ、３８ｃ、３８ｄと引き出し電極部分３４とが第３の方向で重なりを有するように設定されている。
【０１１５】
第２実施形態の変形例に係る積層コンデンサでも、第１の端子電極１付近での電歪効果による機械的歪みを抑制することも可能となる。さらに、第２の端子電極２付近での電歪効果による機械的歪みを抑制することも可能である。
【０１１６】
また、第２実施形態の変形例に係る積層コンデンサでは、第１及び第２の内部電極２０、３０が、第１の内部電極２０の非容量形成領域２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄと第２の内部電極３０の非容量形成領域３８ｄ、３８ｃ、３８ｂ、３８ａとが、誘電体層１０を挟んで対向するように配置されている。そのため静電容量の低減を効率良く抑制すると共に、第１及び第２の内部電極２０、３０と誘電体層１０との層間の密着性を良好にすることが可能となる。
【０１１７】
特に、第１及び第２の側面Ｌ１ｃ、Ｌ１ｄの対向方向における第１の内部電極２０の非容量形成領域２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄ間の容量形成領域２６は、第２の内部電極３０の容量形成領域３６と誘電体層１０を介して対向している。さらに、第１及び第２の側面Ｌ１ｃ、Ｌ１ｄの対向方向における第２の内部電極３０の非容量形成領域３８ａ、３８ｂ、３８ｃ、３８ｄ間の容量形成領域３６は、第１の内部電極２０の容量形成領域２６と誘電体層１０を介して対向している。そのため、第２実施形態の変形例に係る積層コンデンサでは、静電容量の低減をより一層効率良く抑制することが可能である。
【０１１８】
また、第２実施形態の変形例に係る積層コンデンサでは、電歪効果によって歪んだコンデンサ素体Ｌ１に第１又は第２の端子電極１、２が引っ張られたとしても、当該第１又は第２の端子電極１、２によって実装する基板等に影響を与える面積を小さくすることができる。
【０１１９】
また、第２実施形態に係る積層コンデンサでは、第１の端子電極１の第２の方向における長さ、及び第２の端子電極２の第３の方向における長さを小さくすることが可能となる。
（第３実施形態）
【０１２０】
図７〜図１０に基づいて、第３実施形態に係る積層コンデンサＣ２の構成について説明する。図７は、本実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図８は、本実施形態に係る積層コンデンサに含まれる素体の分解斜視図である。図９は、本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。図１０は、本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。なお、図９及び図１０において、断面のハッチングは省略している。
【０１２１】
積層コンデンサＣ２は、図７に示すように、直方体状をしたコンデンサ素体Ｌ２と、コンデンサ素体Ｌ２の外表面に配置された第１の端子電極１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ及び第２の端子電極２Ａ、２Ｂ。２Ｃ、２Ｄとを備える。コンデンサ素体Ｌ２は、相対向する長方形状の第１の主面Ｌ２ａ及び第２の主面Ｌ２ｂと、相対する第１の側面（第１の面）Ｌ２ｃ及び第２の側面Ｌ２ｄと、相対向する第３の側面Ｌ２ｅ及び第４の側面Ｌ２ｆとを含んでいる。第１及び第２の側面Ｌ２ｃ、Ｌ２ｄは、第１及び第２の主面Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ間を連結するように第１及び第２の主面Ｌ２ａ、Ｌ２ｂの長辺方向に伸びている。第３及び第４の側面Ｌ２ｅ、Ｌ２ｆは、第１及び第２の主面Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ間を連結するように第１及び第２の主面Ｌ２ａ、Ｌ２ｂの短辺方向に伸びている。
【０１２２】
コンデンサ素体Ｌ２の第１の側面Ｌ２ｃには、第１の端子電極１Ａ〜１Ｄが配置されている。第１の端子電極１Ａ〜１Ｄは、第１の側面Ｌ２ｃ上において、第３の側面Ｌ２ｅ側からこの順で配置されている。第１の端子電極１Ａは第１の側面Ｌ２ｃの第３の側面Ｌ２ｅ側の端部に、第１の端子電極１Ｄは第１の側面Ｌ２ｃの第４の側面Ｌ２ｆ側の端部に、それぞれ配置されている。
【０１２３】
コンデンサ素体Ｌ２の第２の側面Ｌ２ｄには、第２の端子電極２Ａ〜２Ｄが配置されている。第２の端子電極２Ａ〜２Ｄは、第２の側面Ｌ２ｄ上において、第３の側面Ｌ２ｅ側からこの順で配置されている。第２の端子電極２Ａは第２の側面Ｌ２ｄの第３の側面Ｌ２ｅ側の端部に、第２の端子電極２Ｄは第２の側面Ｌ２ｄの第４の側面Ｌ２ｆ側の端部に、それぞれ配置されている。
【０１２４】
第１及び第２の端子電極１Ａ〜１Ｄ、２Ａ〜２Ｄは、例えば、導電性金属粉末及びガラスフリットを含む導電性ペーストをコンデンサ素体Ｌ２の対応する外表面の付与し、焼き付けることによって形成される。必要に応じて、焼き付けられた電極の上にめっき層が形成されることもある。
【０１２５】
コンデンサ素体Ｌ２は、図８に示されるように、複数（本実施形態では５層）の誘電体層１０と、複数（本実施形態では２層）の第１の内部電極４０と、複数（本実施形態では２層）の第２の内部電極５０とを有している。したがって、コンデンサ素体Ｌ２は、誘電特性を有する。
【０１２６】
第１の内部電極４０と第２の内部電極５０とは、コンデンサ素体Ｌ２の一部である一つの誘電体層１０を挟んで対向するように配置されている。第１の端子電極１Ａ〜１Ｄが配置された第１の側面Ｌ２ｃ、及び第２の端子電極２Ａ〜２Ｄが配置された第２の側面Ｌ２ｄは、第１の内部電極４０と第２の内部電極５０とが対向する方向、すなわち第１の方向に平行である。
【０１２７】
第１の内部電極４０は、主電極部分４２と、引き出し電極部分４４ａ、４４ｂ、４４ｃ、４４ｄとを含んでいる。主電極部分４２は、容量形成領域４６ａ、４６ｂ、４６ｃと非容量形成領域４８ａ、４８ｂとを含む。第１の内部電極４０は、導電性ペーストの焼結体から構成される。
【０１２８】
容量形成領域４６ａ〜４６ｃは、それぞれ長方形状を呈しており、第１及び第２の主面Ｌ２ａ、Ｌ２ｂの長辺方向に沿って並んで配列されている。
【０１２９】
非容量形成領域４８ａは、主電極部分４２において第２の側面Ｌ２ｄ側から第１の側面Ｌ２ｃ側に向かって伸び、容量形成領域４６ａと容量形成領域４６ｂとの間に位置するスリットとして形成されている。非容量形成領域４８ｂは、主電極部分４２において第２の側面Ｌ２ｄ側から第１の側面Ｌ２ｃ側に向かって伸び、容量形成領域４６ｂと容量形成領域４６ｃとの間に位置するスリットとして形成されている。
【０１３０】
スリット状に形成された非容量形成領域４８ａ、４８ｂには導電性ペーストの焼結体は存在せず、非容量形成領域４８ａ、４８ｂは静電容量の形成に寄与しない。
【０１３１】
引き出し電極部分４４ａは、主電極部分４２の容量形成領域４６ａから第１の側面Ｌ２ｃに向けて伸びており、第１の側面Ｌ２ｃまで引き出されている。引き出し電極部分４４ａは、第１の端子電極１Ａに電気的且つ物理的に接続されている。これにより、主電極部分４２の容量形成領域４６ａは、そして第１の内部電極４０は、第１の端子電極１Ａに電気的に接続されることとなる。
【０１３２】
引き出し電極部分４４ｂは、主電極部分４２の容量形成領域４６ａ、４６ｂ及び非容量形成領域４８ａから第１の側面Ｌ２ｃに向けて伸びており、第１の側面Ｌ２ｃまで引き出されている。引き出し電極部分４４ｂは、第１の端子電極１Ｂに電気的且つ物理的に接続されている。これにより、主電極部分４２の容量形成領域４６ａ、４６ｂは、そして第１の内部電極４０は、第１の端子電極１Ｂに電気的に接続されることとなる。
【０１３３】
引き出し電極部分４４ｃは、主電極部分４２の容量形成領域４６ｂ、４６ｃ及び非容量形成領域４８ｂから第１の側面Ｌ２ｃに向けて伸びており、第１の側面Ｌ２ｃまで引き出されている。引き出し電極部分４４ｃは、第１の端子電極１Ｃに電気的且つ物理的に接続されている。これにより、主電極部分４２の容量形成領域４６ｂ、４６ｃは、そして第１の内部電極４０は、第１の端子電極１Ｃに電気的に接続されることとなる。
【０１３４】
引き出し電極部分４４ｄは、主電極部分４２の容量形成領域４６ｄから第１の側面Ｌ２ｃに向けて伸びており、第１の側面Ｌ２ｃまで引き出されている。引き出し電極部分４４ｄは、第１の端子電極１Ｄに電気的且つ物理的に接続されている。これにより、主電極部分４２の容量形成領域４６ｄは、そして第１の内部電極４０は、第１の端子電極１Ｄに電気的に接続されることとなる。
【０１３５】
引き出し電極部分４４ａは、主電極部分４２の容量形成領域４６ａと接している。引き出し電極部分４４ｂは、主電極部分４２の容量形成領域４６ａ、４６ｂ及び非容量形成領域４８ａのすべてと接している。引き出し電極部分４４ｃは、主電極部分４２の容量形成領域４６ｂ、４６ｃ及び非容量形成領域４８ｂのすべてと接している。引き出し電極部分４４ｄは、主電極部分４２の容量形成領域４６ｃと接している。
【０１３６】
非容量形成領域４８ａは、主電極部分４２の容量形成領域４６ａ、４６ｂと引き出し電極部分４４ｂとの境界部に接するように配置されている。非容量形成領域４８ｂは、主電極部分４２の容量形成領域４６ｂ、４６ｃと引き出し電極部分４４ｃとの境界部に接するように配置されている。
【０１３７】
第２の内部電極５０は、主電極部分５２と、引き出し電極部分５４ａ、５４ｂ、５４ｃ、５４ｄとを含んでいる。主電極部分５２は、容量形成領域５６ａ、５６ｂ、５６ｃと非容量形成領域５８ａ、５８ｂとを含む。第２の内部電極５０は、導電性ペーストの焼結体から構成される。
【０１３８】
容量形成領域５６ａ〜５６ｃは、それぞれ長方形状を呈しており、第１及び第２の主面Ｌ２ａ、Ｌ２ｂの長辺方向に沿って並んで配列されている。
【０１３９】
非容量形成領域５８ａは、主電極部分５２において第２の側面Ｌ２ｄ側から第２の側面Ｌ２ｄ側に向かって伸び、容量形成領域５６ａと容量形成領域５６ｂとの間に位置するスリットとして形成されている。非容量形成領域５８ｂは、主電極部分５２において第２の側面Ｌ２ｄ側から第２の側面Ｌ２ｄ側に向かって伸び、容量形成領域５６ｂと容量形成領域５６ｃとの間に位置するスリットとして形成されている。
【０１４０】
スリット状に形成された非容量形成領域５８ａ、５８ｂには導電性ペーストの焼結体は存在せず、非容量形成領域５８ａ、５８ｂは静電容量の形成に寄与しない。
【０１４１】
引き出し電極部分５４ａは、主電極部分５２の容量形成領域５６ａから第２の側面Ｌ２ｄに向けて伸びており、第２の側面Ｌ２ｄまで引き出されている。引き出し電極部分５４ａは、第２の端子電極２Ａに電気的且つ物理的に接続されている。これにより、主電極部分５２の容量形成領域５６ａは、そして第２の内部電極５０は、第２の端子電極２Ａに電気的に接続されることとなる。
【０１４２】
引き出し電極部分５４ｂは、主電極部分５２の容量形成領域５６ａ、５６ｂ及び非容量形成領域５８ａから第２の側面Ｌ２ｄに向けて伸びており、第２の側面Ｌ２ｄまで引き出されている。引き出し電極部分５４ｂは、第２の端子電極２Ｂに電気的且つ物理的に接続されている。これにより、主電極部分５２の容量形成領域５６ａ、５６ｂは、そして第２の内部電極５０は、第２の端子電極２Ｂに電気的に接続されることとなる。
【０１４３】
引き出し電極部分５４ｃは、主電極部分５２の容量形成領域５６ｂ、５６ｃ及び非容量形成領域５８ｂから第２の側面Ｌ２ｄに向けて伸びており、第２の側面Ｌ２ｄまで引き出されている。引き出し電極部分５４ｃは、第２の端子電極２Ｃに電気的且つ物理的に接続されている。これにより、主電極部分５２の容量形成領域５６ｂ、５６ｃは、そして第２の内部電極５０は、第２の端子電極２Ｃに電気的に接続されることとなる。
【０１４４】
引き出し電極部分５４ｄは、主電極部分５２の容量形成領域５６ｄから第２の側面Ｌ２ｄに向けて伸びており、第２の側面Ｌ２ｄまで引き出されている。引き出し電極部分５４ｄは、第２の端子電極２Ｄに電気的且つ物理的に接続されている。これにより、主電極部分５２の容量形成領域５６ｄは、そして第２の内部電極５０は、第２の端子電極２Ｄに電気的に接続されることとなる。
【０１４５】
引き出し電極部分５４ａは、主電極部分５２の容量形成領域５６ａと接している。引き出し電極部分５４ｂは、主電極部分５２の容量形成領域５６ａ、５６ｂ及び非容量形成領域５８ａのすべてと接している。引き出し電極部分５４ｃは、主電極部分５２の容量形成領域５６ｂ、５６ｃ及び非容量形成領域５８ｂのすべてと接している。引き出し電極部分５４ｄは、主電極部分５２の容量形成領域５６ｃと接している。
【０１４６】
非容量形成領域５８ａは、主電極部分５２の容量形成領域５６ａ、５６ｂと引き出し電極部分５４ｂとの境界部に接するように配置されている。非容量形成領域５８ｂは、主電極部分５２の容量形成領域５６ｂ、５６ｃと引き出し電極部分５４ｃとの境界部に接するように配置されている。
【０１４７】
第１及び第２の内部電極４０、５０は、第１の内部電極４０の容量形成領域４６ａと第２の内部電極５０の容量形成領域５６ａとが、さらに第１の内部電極４０の容量形成領域４６ｂと第２の内部電極５０の容量形成領域５６ｂとが、さらに第１の内部電極４０の容量形成領域４６ｃと第２の内部電極５０の容量形成領域５６ｃとが、何れも、コンデンサ素体Ｌ２の少なくとも一部である１つの誘電体層１０を挟んで対向するように配置されている。したがって、第１の内部電極４０の容量形成領域４６ａ〜４６ｃと第２の内部電極５０の容量形成領域５６ａ〜５６ｃとは協働して静電容量を形成する。
【０１４８】
さらに、第１及び第２の内部電極４０、５０は、第１の内部電極４０の非容量形成領域４８ａと第２の内部電極５０の非容量形成領域５８ａとが、さらに第１の内部電極４０の非容量形成領域４８ｂと第２の内部電極５０の非容量形成領域５８ｂとが、それぞれコンデンサ素体Ｌ２の少なくとも一部である１つの誘電体層１０を挟んで対向するように配置されている。
【０１４９】
ここで、第１の側面Ｌ２ｃに平行で且つ第１の方向に直交する方向を第２の方向とする。図９では、第２の方向をｘ方向として表す。図９は、図７の積層コンデンサのIX−IX矢印断面を模式的に表す図であり、第１の内部電極４０の上面と誘電体層１０とが積層されている箇所で切断した図である。
【０１５０】
図９に示すように、第２の方向における第１の端子電極１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄそれぞれの長さｄ１１Ａ、ｄ１１Ｂ、ｄ１１Ｃ、ｄ１１Ｄは、第２の方向における第１の側面Ｌ２ｃの長さｄ１２に比して小さく設定されている。すなわち、ｄ１１Ｘ（１１Ｘ＝１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ）＜ｄ１２が成立する。さらに、図９に示すように、第２の方向における第１の内部電極４０の引き出し電極部分４４ａ、４４ｂ、４４ｃ、４４ｄそれぞれの長さｄ１３Ａ、ｄ１３Ｂ、ｄ１３Ｃ、ｄ１３Ｄは、第２の方向における第１の内部電極４０の主電極部分４２の長さｄ１４に比して小さく設定されている。すなわち、ｄ１３Ｘ（１３Ｘ＝１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄ）＜ｄ１４が成立する。
【０１５１】
また、第１の内部電極４０において、非容量形成領域４８ａと引き出し電極部分４４ｂとの位置は、第１の方向から見たときに、すなわち図９の断面図において、非容量形成領域４８ａと引き出し電極部分４４ｂとが第２の方向（ｘ方向）で重なりを有するように設定されている。さらに、第１の内部電極４０において、非容量形成領域４８ｂと引き出し電極部分４４ｃとの位置は、第１の方向から見たときに、非容量形成領域４８ｂと引き出し電極部分４４ｃとが第２の方向（ｘ方向）で重なりを有するように設定されている
【０１５２】
第２の側面Ｌ２ｄに平行で且つ第１の方向に直交する方向を第３の方向とする。図１０では、第３の方向をｙ方向として表す。図１０は、図７の積層コンデンサのX−X矢印断面図であり、第１の内部電極４０の上面と誘電体層１０とが積層されている箇所で切断した図である。
【０１５３】
図１０に示すように、第３の方向における第２の端子電極２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄそれぞれの長さｄ２１Ａ、ｄ２１Ｂ、ｄ２１Ｃ、ｄ２１Ｄは、第３の方向における第２の側面Ｌ２ｄの長さｄ２２に比して小さく設定されている。すなわち、ｄ２１Ｘ（２１Ｘ＝２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄ）＜ｄ２２が成立する。さらに、図１０に示すように、第３の方向における第２の内部電極５０の引き出し電極部分５４ａ、５４ｂ、５４ｃ、５４ｄそれぞれの長さｄ２３Ａ、ｄ２３Ｂ、ｄ２３Ｃ、ｄ２３Ｄは、第３の方向における第２の内部電極５０の主電極部分５２の長さｄ２４に比して小さく設定されている。すなわち、ｄ２３Ｘ（２３Ｘ＝２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ、２３Ｄ）＜ｄ２４が成立する。
【０１５４】
また、第２の内部電極５０において、非容量形成領域５８ａと引き出し電極部分５４ｂとの位置は、第１の方向から見たときに、すなわち図１０の断面図において、非容量形成領域５８ａと引き出し電極部分５４ｂとが第３の方向（ｙ方向）で重なりを有するように設定されている。さらに、第２の内部電極５０において、非容量形成領域５８ｂと引き出し電極部分５４ｃとの位置は、第１の方向から見たときに、非容量形成領域５８ａと引き出し電極部分５４ｂとが第３の方向（ｙ方向）で重なりを有するように設定されている。
【０１５５】
積層コンデンサＣ２では、第１の内部電極４０の主電極部分４２が非容量形成領域４８ａ、４８ｂを含む。したがって、端子電極１Ａ〜１Ｄ、２Ａ〜２Ｄを基板のランド電極等に接続して積層コンデンサＣ２に電圧をかけ、第１及び第２の内部電極４０、５０間に電圧を加える場合であっても、主電極部分４２にスリット状に形成された非容量形成領域４８ａ、４８ｂに加わる電圧は抑制される。その上、この非容量形成領域４８ａ、４８ｂは、第１の方向から見たときに、引き出し電極部分４４ｂ、４４ｃと第２の方向（図９のｘ方向）でそれぞれ重なりを有するような位置に配置されている。以上より、引き出し電極部分４４ａ〜４４ｄ（特に引き出し電極４４ｂ、４４ｃ）に影響するコンデンサ素体Ｌ２の電歪の効果は非容量形成領域４８ａ、４８ｂの分だけ小さくなる。その結果、コンデンサ素体Ｌ２の電歪効果によって第１の端子電極１Ａ〜１Ｄが受ける影響が低減され、積層コンデンサＣ２では第１の端子電極付近での電歪効果による機械的歪みを抑制することが可能となる。
【０１５６】
さらに、積層コンデンサＣ２では、第２の内部電極５０の主電極部分５２も非容量形成領域５８ａ、５８ｂを含み、この非容量形成領域５８ａ、５８ｂは、第１の方向から見たときに、引き出し電極部分５４ｂ、５４ｃと第３の方向（図１０のｙ方向）でそれぞれ重なりを有するような位置に配置されている。そのため、コンデンサ素体Ｌ２の電歪効果によって第２の端子電極２Ａ〜２Ｄが受ける影響も低減され、積層コンデンサＣ２では第２の端子電極付近での電歪効果による機械的歪みを抑制することも可能となる。
【０１５７】
したがって、積層コンデンサＣ２を基板等に実装し、電圧を加えた場合であっても、基板等において発生する音鳴りは抑制される。
【０１５８】
非容量形成領域が引き出し電極部分に近いほど、コンデンサ素体の電歪効果によって端子電極が受ける影響は低減される。これに対し、積層コンデンサＣ２では、第１の内部電極４０において、主電極部分４２と引き出し電極部分４４ａ〜４４ｄとが接しており、非容量形成領域４８ａは主電極部分４２と引き出し電極部分４４ｂとの境界部に、非容量形成領域４８ｂは主電極部分４２と引き出し電極部分４４ｃとの境界部に、それぞれ接するように配置されている。そのため、積層コンデンサＣ２では第１の端子電極付近での電歪効果による機械的歪みをより一層抑制することが可能となる。
【０１５９】
さらに、積層コンデンサＣ２では、第２の内部電極５０においても、主電極部分５２と引き出し電極部分５４ａ〜５４ｄとが接しており、非容量形成領域５８ａは主電極部分５２と引き出し電極部分５４ｂとの境界部に、非容量形成領域５８ｂは主電極部分５２と引き出し電極部分５４ｃとの境界部に、それぞれ接するように配置されている。そのため、積層コンデンサＣ２では第２の端子電極付近での電歪効果による機械的歪みをも、より一層抑制することが可能である。
【０１６０】
また、積層コンデンサＣ２では、第１及び第２の内部電極４０、５０が、第１の内部電極４０の非容量形成領域４８ａと第２の内部電極５０の非容量形成領域５８ａとが、さらに第１の内部電極４０の非容量形成領域４８ｂと第２の内部電極５０の非容量形成領域５８ｂとが、それぞれ誘電体層１０を挟んで対向するように配置されている。したがって、積層コンデンサＣ２では、静電容量の低減を効率良く抑制することができると共に、第１及び第２の内部電極４０、５０と誘電体層１０との間の密着性を良好にすることが可能となる。
【０１６１】
また、積層コンデンサＣ２では、コンデンサ素体Ｌ２の層間の密着性が良好であるため、コンデンサ素体Ｌ２全体の機械的歪みが抑制されるとともに、第１及び第２の端子電極１Ａ〜１Ｄ、２Ａ〜２Ｄ付近での機械的歪みをより一層抑制することが可能となる。
【０１６２】
また、積層コンデンサＣ２では、第２の方向において、第１の端子電極１Ａ〜１Ｄの長さｄ１１Ａ〜ｄ１１Ｄが第１の側面Ｌ２ｃの長さｄ１２に比して小さく設定されている。このため、電歪効果によって歪んだコンデンサ素体Ｌ２に第１の端子電極１Ａ〜１Ｄが引っ張られたとしても、積層コンデンサＣ２を実装する基板等に影響を与える面積を小さくすることができる。
【０１６３】
また、積層コンデンサＣ２では、第２の方向において、第１の端子電極１Ａ〜１Ｄに接続する引き出し電極部分４４ａ〜４４ｄの長さｄ１３Ａ〜ｄ１３Ｄが主電極部分４２の長さｄ１４に比して小さく設定されている。これにより、第１の端子電極１Ａ〜１Ｄの第２の方向における長さｄ１１Ａ〜ｄ１１Ｄを小さくすることが可能となる。
【０１６４】
さらに、積層コンデンサＣ２では、第３の方向において、第２の端子電極２Ａ〜２Ｄの長さｄ２１Ａ〜ｄ２１Ｄが第２の側面Ｌ２ｄの長さｄ２２に比して小さく設定されている。このため、電歪効果によって歪んだコンデンサ素体Ｌ２に第２の端子電極２Ａ〜２Ｄが引っ張られたとしても、積層コンデンサＣ２を実装する基板等に影響を与える面積を小さくすることができる。
【０１６５】
また、積層コンデンサＣ２では、第３の方向において、第２の端子電極２Ａ〜２Ｄに接続する引き出し電極部分５４ａ〜５４ｄの長さｄ２３Ａ〜ｄ２３Ｄが主電極部分５２の長さｄ２４に比して小さく設定されている。これにより、第２の端子電極２Ａ〜２Ｄの第３の方向における長さｄ２１を小さくすることが可能となる。
【０１６６】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【０１６７】
例えば、誘電体層１０及び各内部電極２０、４０、３０、５０の積層数、並びに端子電極１、１Ａ〜１Ｄ、２、２Ａ〜２Ｄの数は、上記実施形態及び変形例での数に限られない。
【０１６８】
各内部電極２０、４０、３０、５０の容量形成領域２６、２６ａ、２６ｂ、４６ａ〜４６ｃ、３６，３６ａ、３６ｃ、５６ａ〜５６ｃ及び非容量形成領域２８、２８ａ〜２８ｄ、４８ａ、４８ｂ、３８、３８ａ〜３８ｄ、５８ａ、５８ｂの形状は、上記実施形態及び変形例での形状に限られない。各内部電極２０、４０、３０、５０の主電極部分２２、４２、３２、５２に含まれる容量形成領域２６、２６ａ、２６ｂ、４６ａ〜４６ｃ、３６，３６ａ、３６ｃ、５６ａ〜５６ｃ及び非容量形成領域２８、２８ａ〜２８ｄ、４８ａ、４８ｂ、３８、３８ａ〜３８ｄ、５８ａ、５８ｂの数は、上記実施形態及び変形例での数に限られない。
【０１６９】
また、各内部電極２０、４０、３０、５０の非容量形成領域２８、２８ａ〜２８ｄ、４８ａ、４８ｂ、３８、３８ａ〜３８ｄ、５８ａ、５８ｂは、主電極部分２２、４２、３２、５２と引き出し電極部分２４、３４、４４ａ〜４４ｄ、５４ａ〜５４ｄとの境界部に接していなくてもよい。また、第１の内部電極２０、４０の非容量形成領域２８、２８ａ〜２８ｄ、４８ａ、４８ｂと、第２の内部電極の非容量形成領域３８、３８ａ〜３８ｄ、５８ａ、５８ｂとが、第１の方向で対向していなくてもよい。
【０１７０】
また、第１及び第２の内部電極２０、４０、３０、５０の双方が非容量形成領域を含まず、片方（第１の内部電極）だけが含んでいてもよい。
【０１７１】
また、第２及び第３の実施形態に係る積層コンデンサにおいて、複数の第１及び第２の内部電極２０、４０、３０、５０のうち第１の方向の第２の主面Ｌ１ｂ、Ｌ２ｂ側で最も外側に配置された内部電極３０、５０と該内部電極３０、５０に対向するコンデンサ素体Ｌ１、Ｌ２の第２の主面Ｌ１ｂ、Ｌ２ｂとの間隔に対する、第１の方向における各第１の端子電極１、１Ａ〜１Ｄの長さの比が、０．４より大きく且つ８．０より小さくてもよい。また、第２及び第３の実施形態に係る積層コンデンサにおいて、複数の第１及び第２の内部電極２０、４０、３０、５０のうち第１の方向の第１の主面Ｌ１ａ、Ｌ２ａ側で最も外側に配置された内部電極２０、４０と該内部電極２０、４０に対向するコンデンサ素体Ｌ１、Ｌ２の第１の主面Ｌ１ａ、Ｌ２ａとの間隔に対する、第１の方向における各第１の端子電極１、１Ａ〜１Ｄの長さの比が、０．４より大きく且つ８．０より小さくてもよい。
【０１７２】
また、第２及び第３の実施形態に係る積層コンデンサにおいて、複数の第１及び第２の内部電極２０、４０、３０、５０のうち第１の方向の第２の主面Ｌ１ｂ、Ｌ２ｂ側で最も外側に配置された内部電極３０、５０と該内部電極３０、５０に対向するコンデンサ素体Ｌ１、Ｌ２の第２の主面Ｌ１ｂ、Ｌ２ｂとの間隔に対する、第２の方向における各第２の端子電極２、２Ａ〜２Ｄの長さの比が、０．４より大きく且つ８．０より小さくてもよい。また、第２及び第３の実施形態に係る積層コンデンサにおいて、複数の第１及び第２の内部電極２０、４０、３０、５０のうち第１の方向の第１の主面Ｌ１ａ、Ｌ２ａ側で最も外側に配置された内部電極２０、４０と該内部電極２０、４０に対向するコンデンサ素体Ｌ１、Ｌ２の第１の主面Ｌ１ａ、Ｌ２ａとの間隔に対する、第２の方向における各第２の端子電極２、２Ａ〜２Ｄの長さの比が、０．４より大きく且つ８．０より小さくてもよい。
【０１７３】
これらの場合、コンデンサ素体Ｌ１、Ｌ２の電歪効果による機械的歪みが第１又は第２の端子電極１、１Ａ〜１Ｄ、２、２Ａ〜２Ｄを介して実装基板等に伝搬することを好適に抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０１７４】
【図１】第１実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。
【図２】第１実施形態に係る積層コンデンサに含まれる素体の分解斜視図である。
【図３】第１実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。
【図４】第１実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。
【図５】第２実施形態に係る積層コンデンサに含まれるコンデンサ素体の分解斜視図である。
【図６】第２実施形態の変形例に係る積層コンデンサに含まれるコンデンサ素体の分解斜視図である。
【図７】第３実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。
【図８】第３実施形態に係る積層コンデンサに含まれる素体の分解斜視図である。
【図９】第３実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。
【図１０】第３実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。
【図１１】第１実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１７５】
Ｃ１、Ｃ２…積層コンデンサ、Ｌ１、Ｌ２…コンデンサ素体、１、１Ａ〜１Ｄ…第１の端子電極、２、２Ａ〜２Ｄ…第２の端子電極、１１…第１の外層部、１２…第２の外層部、２０、４０…第１の内部電極、２２、４２…主電極部分、２４、４４ａ〜４４ｄ…引き出し電極部分、２６、２６ａ、２６ｂ、４６ａ〜４６ｃ…容量形成領域、２８、２８ａ〜２８ｄ、４８ａ、４８ｂ…非容量形成領域、３０、５０…第２の内部電極、３２、５２…主電極部分、３４、５４ａ〜５４ｄ…引き出し電極部分、３６、３６ａ、３６ｂ、５６ａ〜５６ｃ…容量形成領域、３８、３８ａ〜３８ｄ、５８ａ、５８ｂ…非容量形成領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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