(57)【要約】【課題】犠牲層の除去が容易な薄膜圧電共振子およびその製造方法を提供する。【解決手段】支持基板１６内に空洞３１を形成する工程と、支持基板１６の一面から空洞３１に至る部分を犠牲層１７に転換する工程と、空洞３１を覆うように第１電極１３を犠牲層１７上に形成し、空洞３１上の第１電極１３上に圧電性薄膜１４を形成し、圧電性薄膜１４を覆うように犠牲層１７上に第２電極１５を形成する工程と、犠牲層１７を選択的にエッチングするエッチング液３４を空洞３１内に浸入させ、空洞３１の内側から空洞３１上の犠牲層１７をエッチングし、空洞３１上に第１電極１３、圧電性薄膜１４および第２電極１５をそれぞれ残置する工程と、を具備する。【選択図】図３
2008131356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板内に空洞を形成する工程と、
前記支持基板の一面から前記空洞に至る部分を犠牲層に転換する工程と、
前記空洞を覆うように第１電極を前記犠牲層上に形成し、前記空洞上の前記第１電極上に圧電性薄膜を形成し、前記圧電性薄膜を覆うように前記犠牲層上に第２電極を形成する工程と、
前記犠牲層を選択的にエッチングするエッチング材を前記空洞内に浸入させ、前記空洞の内側から前記空洞上の前記犠牲層をエッチングし、前記空洞上に前記第１電極、前記圧電性薄膜および前記第２電極をそれぞれ残置する工程と、
を具備することを特徴とする薄膜圧電共振子の製造方法。
【請求項２】
前記支持基板がシリコン基板であり、
前記空洞を形成する工程は、前記シリコン基板に複数のトレンチを形成し、前記シリコン基板を水素雰囲気中で熱処理し、前記トレンチを横方向につなげることにより行い、
前記犠牲層に転換する工程は、前記シリコン基板の一面を熱酸化し、第１のシリコン酸化膜を形成することにより行い、
前記犠牲層をエッチングする工程は、前記空洞を取り囲むように、前記第１のシリコン酸化膜に前記シリコン基板に達する深さのトレンチを形成し、前記トレンチにポリシリコンを埋め込んでバリア膜を形成し、前記第１のシリコン酸化膜上に、前記バリア膜の内側に沿った複数の開口を有する保護膜を形成し、前記保護膜の開口から前記エッチング材を浸入させることにより行うことを特徴とする請求項１に記載の薄膜圧電共振子の製造方法。
【請求項３】
前記第１のシリコン酸化膜上に、更に第２のシリコン酸化膜を形成することを特徴とする請求項２に記載の薄膜圧電共振子の製造方法。
【請求項４】
前記複数のトレンチを、矩形状、クロスバー状、クロスバーおよび額縁状のいずれかの形状に配置することを特徴とする請求項２に記載の薄膜圧電共振子の製造方法。
【請求項５】
底部のサイズが上部のサイズより小さい凹部を有する基板と、
前記凹部を覆うように前記基板上に形成された第１電極と、
前記凹部の前記第１電極上に形成された圧電性薄膜と、
前記圧電性薄膜を覆うように前記基板上に形成された第２電極と、
を具備することを特徴とする薄膜圧電共振子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜圧電共振子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯通信端末などに用いられる高周波フィルタとして、下部電極と上部電極とで圧電性薄膜を挟持し、圧電性薄膜の機械的振動を阻害しないようにキャビティを有する基板に形成された薄膜圧電共振子（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）が知られている。
【０００３】
従来の代表的な薄膜圧電共振子の製造方法は、シリコン基板上に異方性エッチングにより凹部を形成し、シリコン基板上にエッチングしやすい犠牲層を形成し、犠牲層の表面をシリコン基板面が露出するまで研磨して、犠牲層を凹部に埋め込む。
【０００４】
次に、犠牲層上に、下部電極、圧電性薄膜および上部電極を順に堆積して圧電励振部を形成し、犠牲層に達するまで下部電極、圧電性薄膜および上部電極に穴をあけ、選択エッチングにより犠牲層を除去することにより、キャビティを有する基板に薄膜圧電共振子を形成していた。
【０００５】
然しながら、下部電極、圧電性薄膜および上部電極の積層構造を形成した後に、犠牲層をエッチングするには、通常強酸や強アルカリなどを用いた長時間の処理が必要であり、圧電励振部がダメージを受けてしまうという問題がある。
【０００６】
このダメージによって、特に圧電体薄膜の結晶性が損なわれて電気機械結合係数Ｋｔ２が小さくなり、品質係数Ｑ値が著しく低下するなどの問題が生じる。
【０００７】
また、予めシリコン基板上にトランジスタなどを作りこんだＩＣに、薄膜圧電共振子を作成する場合、トランジスタなどにもダメージを与える恐れがある。
【０００８】
これに対して、ＳＯＮ（Silicon On Nothing）技術を用いて、シリコン基板に空洞を形成した薄膜圧電共振子が知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００９】
特許文献１に開示された薄膜圧電共振子は、ＳＯＮ技術を用いて形成された空洞を有する半導体あるいは絶縁体基板と、空洞上の基板表面上に形成された下部電極と、第１電極上に形成された圧電性薄膜と、圧電性薄膜上に形成された上部電極とを具備している。
【００１０】
更に、複数の空洞を形成し、複数の下部電極下に位置する基板表面から空洞に至る部分の厚さを、それぞれ異ならしめて、それぞれ異なる共振周波数の薄膜圧電共振子を得ている。
【００１１】
然しながら、特許文献１に開示された薄膜圧電共振子は、ＳＯＮ技術を用いて形成された空洞上に基板表面から空洞に至る部分を残置し、基板表面部の厚さを含めて共振部を形成している。  
その結果、基板表面部の厚さのバラツキなどにより、共振特性が変動するという問題がある。また、基板は絶縁性の基板に限られるという問題がある。
【特許文献１】特開２００３−２８９２３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、犠牲層の除去が容易な薄膜圧電共振子およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様の薄膜圧電共振子の製造方法は、支持基板内に空洞を形成する工程と、前記支持基板の一面から前記空洞に至る部分を犠牲層に転換する工程と、前記空洞を覆うように第１電極を前記犠牲層上に形成し、前記空洞上の前記第１電極上に圧電性薄膜を形成し、前記圧電性薄膜を覆うように前記犠牲層上に第２電極を形成する工程と、前記犠牲層を選択的にエッチングするエッチング材を前記空洞内に浸入させ、前記空洞の内側から前記空洞上の前記犠牲層をエッチングし、前記空洞上に前記第１電極、前記圧電性薄膜および前記第２電極をそれぞれ残置する工程と、を具備することを特徴としている。
【００１４】
本発明の一態様の薄膜圧電共振子は、底部のサイズが上部のサイズより小さい凹部を有する基板と、前記凹部を覆うように前記基板上に形成された第１電極と、前記凹部の前記第１電極上に形成された圧電性薄膜と、前記圧電性薄膜を覆うように前記基板上に形成された第２電極と、を具備することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、犠牲層の除去が容易な薄膜圧電共振子およびその製造方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１７】
図１は本発明の実施例１に係る薄膜圧電共振子を示す図で、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施例の薄膜圧電共振子（以後、ＦＢＡＲとも言う）１０は、底部１１ａのサイズＬ１が上部１１ｂのサイズＬ２より小さい凹部１１を有する基板１２と、凹部１１を覆うように基板１２上に形成された第１電極１３（以後、下部電極という）と、凹部１１の第１電極１３上に形成された圧電性薄膜１４と、圧電性薄膜１４を覆うように基板１２上に形成された第２電極１５（以後、上部電極という）とを具備している。
【００１９】
本明細書において、圧電性薄膜１４を覆う上部電極１５とは、圧電性薄膜１４の全面を覆う場合だけでなく、製造工程でフォトリソグラフィ法によるパターン合わせ精度に起因して圧電性薄膜１４の外周の一部が露出している場合も含んでいる。
【００２０】
下部電極１３は、例えば厚さ０．３μｍ程度のアルミニウムである。上部電極１５は、例えば厚さ０．３μｍ程度のモリブデンである。  
圧電性薄膜１４は、例えば厚さ１．５μｍ程度の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）多結晶である。
【００２１】
凹部１１の上部１１ｂは、圧電性薄膜１４の機械的振動を阻害しないためのキャビティとしての機能を有している。  
凹部１１の底部１１ａは、上部１１ｂを事後的に形成するための作業部としての機能を有している。
【００２２】
基板１２は、支持基板１６と、支持基板１６上に形成された犠牲層１７とを有している。支持基板１６は、例えばシリコン基板である。支持基板１６の中央部に、凹部１１の底部１１ａとなる矩形状の凹部が形成されている。  
犠牲層１７は、例えば厚さが１μｍ程度のシリコン酸化膜である。凹部１１を取り囲むように形成された額縁状のバリア膜１８、例えばポリシリコン膜によって仕切られた内側の犠牲層１７が除去され、バリア膜１８の外側の犠牲層１７が残置されて、凹部１１の上部１１ｂとなる矩形状の開口が形成されている。
【００２３】
バリア膜１８の内側のコーナにある液浸入孔１９は、バリア膜１８の内側の犠牲層１７を、犠牲層１７を選択的にエッチングするエッチング材、例えばフッ酸系のエッチング液により除去したときに、事後的に生じたものである。
【００２４】
即ち、バリア膜１８の内側のコーナから、犠牲層１７のエッチングを開始し、犠牲層１７の下端部までエッチングが進むと、凹部１１の底部１１ａにエッチング液が浸入し、バリア膜１８の内側の犠牲層１７を下面側からエッチングできる構造になっている。
【００２５】
凹部１１の底部１１ａのサイズＬ１と深さＤ１の比を適切に設定することにより、凹部１１の底部１１ａに浸入したエッチング液が、バリア膜１８の内側のコーナから底部１１ａの中心部にすばやく流入するので、犠牲層１７の厚さ方向のエッチングが一気に進行し、犠牲層１７のエッチングを短時間で完了させることが可能である。
【００２６】
従って、底部１１ａのサイズＬ１は上部１１ｂのサイズＬ２より小さいことが必要であり、Ｌ１とＬ２との差の１／２が液浸入孔１９のサイズ程度になるように設定することが望ましい。
【００２７】
実験によれば、底部１１ａのサイズＬ１が１００μｍ程度の場合に、深さＤ１は３０μｍ程度が適当であり、上部１１ｂのサイズＬ２は１２０μｍ程度が適当である。  
これにより、バリア膜１８の内側の犠牲層１７のエッチング時間は、凹部１１の底部１１ａを有しない場合に比べて、１／１０以下に短縮される見込みが得られた。
【００２８】
次に、薄膜圧電共振子１０の製造方法について、図２および図３を用いて具体的に説明する。図２および図３は本実施例の製造方法を順に示す断面図で、図１のクランク状のＢ−Ｂ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図である。
【００２９】
始めに、周知のＳＯＮ技術を用いて支持基板１６内に空洞を形成する。  
即ち、図２（ａ）に示すように、支持基板１６にリソグラフィ法、およびＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法により、密に配置された複数のトレンチ３０を形成する。複数のトレンチ３０は、矩形状に配列されている。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に示すように、水素雰囲気中で熱処理を行い、支持基板１６の内部でトレンチ３０が球状に丸まろうとし、トレンチ３０が横方向につながって、空洞３１が形成される。  
ここで、支持基板１６の表面から空洞３１に至る部分の厚さＴおよび空洞３１の高さＨは、トレンチ３０の半径ｒと深さｈおよびトレンチ３０の間隔ｄにより凡そ決定される。
【００３１】
次に、図２（ｃ）に示すように、支持基板１６の表面をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により研磨して、支持基板１６の表面から空洞３１に至る部分の厚さＴ１を１μｍ程度に薄くする。  
これにより、支持基板１６の表面直下に空洞３１が形成される。
【００３２】
次に、支持基板１６の表面を熱酸化することにより、支持基板１６の表面から空洞３１に至る部分がシリコンから第１のシリコン酸化膜になり、犠牲層１７に転換される。  
これにより、基板１２が、支持基板１６と支持基板１６上に形成された犠牲層１７とを有し、空洞３１が凹部１１の底部１１ａになる。
【００３３】
次に、図３（ａ）に示すように、空洞３１を取り囲むように、犠牲層１７から支持基板１６に至るトレンチを形成し、ＣＶＤ（chemical vapor Deposition）法およびＣＭＰ法によりトレンチにポリシリコン膜を埋め込む。  
これにより、空洞３１を取り囲む額縁状のバリア膜１８が形成される。
【００３４】
次に、図３（ｂ）に示すように、空洞３１を覆うように基板１２の犠牲層１７上に下部電極１３を形成し、空洞３１上の下部電極１３に圧電性薄膜１４を形成し、圧電性薄膜１４を覆うように基板１２の犠牲層１７上に上部電極１５を形成する。
【００３５】
次に、図３（ｃ）に示すように、バリア膜１８の内側のコーナに、開口３２を有する保護膜３３、例えばレジストを形成する。
【００３６】
次に、図３（ｄ）に示すように、基板１２を、犠牲層１７を選択的にエッチングするエッチング液３４、例えばフッ酸系のエッチング液に浸して、開口３２から浸入したエッチング液３４により、開口３２の底部に露出している犠牲層１７のエッチングを開始する。
【００３７】
開口３２の底部に露出している犠牲層１７が、犠牲層１７の下端部までエッチングされると、開口３２と空洞３１とが繋がり、エッチング液３４が空洞３１内に浸入するので、バリア膜１８の内側の犠牲層１７が一気にエッチングされる。
【００３８】
これにより、凹部１１の上部１１ｂが形成されるとともに、空洞３１上に下部電極１３、圧電性薄膜１４および上部電極１５が残置される。  
次に、保護膜３３を除去することにより、図１に示す薄膜圧電性共振子１０が得られる。
【００３９】
以上説明したように、本実施例では、予め犠牲層１７の下に作業部として機能する空洞３１を形成し、エッチング液３４を空洞３１に浸入させて、犠牲層１７を下面側から厚さ方向にエッチングしている。
【００４０】
その結果、犠牲層１７を短時間でエッチングすることができるので、特に圧電性薄膜１４にダメージを与えない。従って、犠牲層１７の除去が容易な薄膜圧電共振子１０およびその製造方法が得られる。
【実施例２】
【００４１】
図４は本発明の実施例２に係る薄膜圧電共振子を示す図で、図４（ａ）はその平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。
【００４２】
本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。  
本実施例が実施例１と異なる点は、第１のシリコン酸化膜の上に第２のシリコン酸化膜が形成された厚い犠牲層を有することにある。
【００４３】
即ち、図４に示すように、本実施例の薄膜圧電共振子４０の犠牲層４１は、支持基板１６の上に形成された厚さ１μｍ程度の第１のシリコン酸化膜４２と、第１のシリコン酸化膜４２の上に形成された厚さ３μｍ程度の第２のシリコン酸化膜４３とを具備している。
【００４４】
犠牲層４１はトータルの厚さが４μｍ程度なので、犠牲層４１を形成してから犠牲層４１をエッチングするまでの間の工程で、ストレスや衝撃などにより、製造途中の薄膜圧電共振子４０が破損する恐れのない十分な機械的強度を有している。  
比較として、犠牲層４１が第１のシリコン酸化膜４２だけの場合には、機械的強度が不足し、薄膜圧電共振子が破損する恐れがある。
【００４５】
次に、薄膜圧電共振子４０の製造方法について説明する。図５は、薄膜圧電共振子４０の製造工程を順に示す図で、図４のＤ−Ｄ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。
【００４６】
図５（ａ）に示すように、図２（ａ）乃至図２（ｃ）と同様にして、第１のシリコン酸化膜４２を形成した後、第１のシリコン酸化膜４２上に第２のシリコン酸化膜４３として、例えばＣＶＤ法により厚さ３μｍのＴＥＯＳ（Tetra ethyl Ortho Silicate）膜を形成する。
【００４７】
次に、図５（ｂ）に示すように、図３（ａ）乃至図３（ｃ）と同様にして、バリア膜１８を形成し、下部電極１３、圧電性薄膜１４および上部電極１５を形成する。更に、開口３２を有する保護膜３３を形成する。
【００４８】
次に、図５（ｃ）に示すように、図３（ｄ）と同様にして、バリア膜１８の内側の第１のシリコン酸化膜４２と第２のシリコン酸化膜４３を有する犠牲層４１をエッチングする。  
次に、保護膜３３を除去することにより、図４に示す薄膜圧電性共振子４０が得られる。
【００４９】
以上説明したように、本実施例では、犠牲層４１を厚くしたので、犠牲層４１の機械的強度が向上し、製造途中の薄膜圧電共振子４０が破損する恐れがない利点がある。
【００５０】
更に、ＣＶＤ法により厚い第２のシリコン酸化膜４３を形成しているので、シリコン基板上にトランジスタなどを作りこんだＩＣに薄膜圧電共振子を作成する場合にも、容易に適応できる利点がある。
【００５１】
一方、第１のシリコン酸化膜４２の膜厚は、ＣＶＤ法により第２のシリコン酸化膜４３を形成する工程に支障の無い範囲内であれば、１μｍより薄くても構わない。  
従って、支持基板１６の表面から空洞３１に至る部分を熱酸化する時間を短縮することも可能である。
【実施例３】
【００５２】
図６は本発明の実施例３に係る薄膜圧電共振子を示す図で、図６（ａ）はその平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＥ−Ｅ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。
【００５３】
本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。  
本実施例が実施例１と異なる点は、凹部の底部の形状を矩形状からクロスバー状にしたことにある。
【００５４】
即ち、図６に示すように、本実施例の薄膜圧電共振子５０の凹部５１は、クロスバー状の底部５１ａと矩形状の上部１１ｂとを具備している。  
底部５１ａのクロスバーの交差部のサイズＬ３は上部１１ｂのサイズＬ２より小さく設定されている。
【００５５】
バリア膜１８の内側のコーナから、犠牲層１７のエッチングを開始し、犠牲層１７の下端部までエッチングが進むと、エッチング液は凹部５１の底部５１ａのクロスバーの先端に浸入し、クロスバーの交差部まで浸入していく。
【００５６】
バリア膜１８の内側では、クロスバー状の底部５１ａ上の犠牲層１７は下面側からエッチングされ、クロスバー状の底部５１ａで仕切られた三角形状の犠牲層１７は２側面からエッチングされる構造になっている。
【００５７】
凹部５１の底部５１ａをクロスバー状にしたことにより、凹部５１の底部５１ａ上の犠牲層１７の面積が差小さくなり、支持基板１６と接触している犠牲層１７の面積が大きくなる。
【００５８】
その結果、犠牲層１７が１μｍ程度と薄くても、犠牲層１７を形成してから犠牲層１７をエッチングするまでの間の工程で、製造途中の薄膜圧電共振子５０が破損する恐れをなくすことが可能である。
【００５９】
図７は薄膜圧電共振子５０の製造工程を順に示す図で、図７（ａ）および図７（ｂ）はその平面図、図７（ｃ）はその断面図である。
【００６０】
図７（ａ）に示すように、シリコン基板（支持基板）１６にクロスバー状に密に配置された複数のトレンチ５２を形成する。クロスバーの先端は、凹部５１の内側のコーナに相当する位置に配置されている。
【００６１】
次に、図７（ｂ）に示すように、シリコン基板１６を水素雰囲気中で熱処理することにより、トレンチ５２の配置パターンに対応したクロスバー状の空洞５３が形成される。空洞５３が凹部５１の底部５１ａとなる。
【００６２】
次に、開口３２（図示せず）からエッチング液３４を空洞５３内に浸入させると、エッチング液３４は、クロスバー状の空洞５３の先端部５３ａからクロスバー状の空洞５３の交差部５３ｂに向かって浸入していく。
【００６３】
その結果、図７（ｃ）に示すように、先にクロスバー状の空洞５３上の犠牲層１７が下面側からエッチングされ、次にクロスバー状の空洞５３で仕切られた三角形状の犠牲層１７が矢印５５に示すように２側面からエッチングされる。
【００６４】
以上説明したように、本実施例では、凹部５１がクロスバー状の底部５１ａを有しているので、支持基板１６と接触している犠牲層１７の面積が増加し、製造途中の薄膜圧電共振子５０が破損する恐れがない利点がある。
【００６５】
ここでは、底部５１ａがクロスバー状である場合について説明したが、犠牲層１７とエッチング液３４との接触面積を増やす形状であれば特に限定されず、例えば十字状としても構わない。
【実施例４】
【００６６】
図８は本発明の実施例４に係る薄膜圧電共振子を示す図で、図８（ａ）はその平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＦ−Ｆ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。
【００６７】
本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。  
本実施例が実施例１と異なる点は、凹部の底部の形状をクロスバーとクロスバーの先端を順に結んだ額縁状にしたことにある。
【００６８】
即ち、図８に示すように、本実施例の薄膜圧電共振子６０の凹部６１は、クロスバーとクロスバーの先端を順に結んだ額縁状の底部６１ａと矩形状の上部１１ｂとを具備している。  
底部６１ａのクロスバーの交差部のサイズＬ３は上部１１ｂのサイズＬ２より小さく設定され、底部６１ａの額縁のサイズＬ４は上部１１ｂのサイズＬ２より小さく設定されている。
【００６９】
バリア膜１８の内側のコーナから、犠牲層１７のエッチングを開始し、犠牲層１７の下端部までエッチングが進むと、エッチング液はクロスバーの先端から凹部６１の底部６１ａに浸入し、短時間でクロスバーの交差部および額縁の中間部まで浸入していく。
【００７０】
バリア膜１８の内側では、クロスバーおよび額縁状の底部６１ａ上の犠牲層１７は下面側からエッチングされ、クロスバーおよび額縁状の底部６１ａに仕切られた三角形状の犠牲層１７は３側面からエッチングされる構造になっている。
【００７１】
凹部６１の底部６１ａをクロスバーおよび額縁状にしたことにより、凹部６１の底部６１ａ上の犠牲層１７の面積が減少し、支持基板１６と接触している犠牲層１７の面積が増加する。
【００７２】
その結果、犠牲層１７が１μｍ程度と薄くても、犠牲層１７を形成してから犠牲層１７をエッチングするまでの間の工程で、製造途中の薄膜圧電共振子６０が破損する恐れがなくなるとともに、犠牲層１７のエッチングに要する時間を短縮することが可能である。
【００７３】
図９は薄膜圧電共振子６０の製造工程を順に示す図で、図９（ａ）および図９（ｂ）はその平面図、図９（ｃ）はその断面図である。  
図９（ａ）に示すように、シリコン基板（支持基板）１６にクロスバーおよび額縁状に密に配置された複数のトレンチ６２を形成する。クロスバーの先端は、凹部５１の内側のコーナに相当する位置に配置されている。
【００７４】
次に、図９（ｂ）に示すように、シリコン基板１６を水素雰囲気中で熱処理することにより、トレンチ６２の配置パターンに対応したクロスバーおよび額縁状の空洞６３が形成される。空洞６３が凹部６１の底部６１ａとなる。
【００７５】
次に、開口３２（図示せず）からエッチング液３４を空洞６３内に浸入させると、エッチング液３４は、クロスバーおよび額縁状の空洞６３の先端部６３ａからクロスバーの交差部６３ｂおよび額縁の中間部６３ｃに向かって浸入していく。
【００７６】
その結果、図９（ｃ）に示すように、先にクロスバーおよび額縁状の空洞６３上の犠牲層１７が下面側からエッチングされ、次にクロスバーおよび額縁状の空洞６３に仕切られた三角形状の犠牲層１７が矢印６５に示すように３側面からエッチングされる。
【００７７】
以上説明したように、本実施例では、凹部６１がクロスバーおよび額縁状の底部６１ａを有しているので、支持基板１６と接触している犠牲層１７の面積が増加し、製造途中の薄膜圧電共振子６０が破損する恐がなくなるとともに、犠牲層１７のエッチングに要する時間を短縮できる利点がある。
【００７８】
ここでは、底部６１ａがクロスバーおよび額縁状である場合について説明したが、犠牲層１７とエッチング液３４との接触面積を増やす形状であれば特に限定されず、例えばクロスバーおよびリング状としても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の実施例１に係る薄膜圧電共振子を示す図で、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図。
【図２】本発明の実施例１に係る薄膜圧電共振子の製造工程を順に示す断面図。
【図３】本発明の実施例１に係る薄膜圧電共振子の製造工程を順に示す断面図。
【図４】本発明の実施例２に係る薄膜圧電共振子を示す図で、図２（ａ）はその平面図、図２（ｂ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図。
【図５】本発明の実施例２に係る薄膜圧電共振子の製造工程を順に示す断面図。
【図６】本発明の実施例３に係る薄膜圧電共振子を示す図で、図６（ａ）はその平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＥ−Ｅ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図。
【図７】本発明の実施例２に係る薄膜圧電共振子の製造工程を順に示す図。
【図８】本発明の実施例３に係る薄膜圧電共振子を示す図で図８（ａ）はその平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＦ−Ｆ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図。
【図９】本発明の実施例３に係る薄膜圧電共振子の製造工程を順に示す図。
【符号の説明】
【００８０】
１０、４０、５０、６０  薄膜圧電共振子
１１、５１、６１  凹部
１１ａ、５１ａ、６１ａ  底部
１１ｂ  上部
１２  基板
１３  下部電極（第１電極）
１４  圧電性薄膜
１５  上部電極（第２電極）
１６  支持基板
１７、４１  犠牲層
１８  バリア膜
１９  液浸入孔
３０、５２、６２  トレンチ
３１、５３、６３  空洞
３２  開口
３３  保護膜
３４  エッチング液
４２  第１のシリコン酸化膜
４３  第２のシリコン酸化膜
【図１】
2008131356.tif 000003
【図２】
2008131356.tif 000004
【図３】
2008131356.tif 000005
【図４】
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【図５】
2008131356.tif 000007
【図６】
2008131356.tif 000008
【図７】
2008131356.tif 000009
【図８】
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【図９】
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