(57)【要約】【課題】保磁力を高く維持しながら書き込み性を向上させることができ、好ましくはＲｕの使用量を低減することができる垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置を提供する。【解決手段】シード層５ａは、結晶構造が面心立方構造（ｆｃｃ）の合金から構成されている。そして、シード層５ａの表面のミラー指数は（１１１）面となっている。更に、シード層５ａ内では、隣り合う原子の中心同士の間隔が約２．７０Åとなっている。Ｒｕの結晶構造は稠密六方構造（ｈｃｐ）であり、そのａ軸の長さは約２．７０Åである。更に、Ｒｕ層５ｂの表面のミラー指数は（０００２）面となっている。従って、シード層５ａを構成する結晶の稠密面とＲｕ層５ｂを構成するＲｕの稠密面とが平行になっていると共に、シード層５ａ及びＲｕ層５ｂの間で、最近接原子の中心間の距離がほぼ一致している。【選択図】図１
2008276863.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成されたシード層と、
前記シード層上に直接形成されたＲｕ又はＲｕ合金層と、
前記Ｒｕ又はＲｕ合金層上に形成された記録層と、
を有し、
前記シード層は、それを構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離と前記Ｒｕ又はＲｕ合金層を構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離との相違が２％以下である合金から構成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成されたシード層と、
前記シード層上に直接形成された記録層と、
を有し、
前記シード層は、それを構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離と前記記録層を構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離との相違が２％以下である合金から構成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記記録層を構成する結晶の構造は稠密立方構造であり、
前記シード層を構成する結晶の構造は面心立方構造であることを特徴とする請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記記録層を構成する結晶の（０００２）面が前記シード層を構成する結晶の（１１１）面と平行になっていることを特徴とする請求項３に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記シード層は、ＮｉＰｔ又はＮｉＰｄからなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
軟磁性裏打ち層を形成する工程と、
前記軟磁性裏打ち層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上にＲｕ又はＲｕ合金層を直接形成する工程と、
前記Ｒｕ又はＲｕ合金層上に記録層を形成する工程と、
を有し、
前記シード層として、それを構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離と前記Ｒｕ又はＲｕ合金層を構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離との相違が２％以下である合金層を形成することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
軟磁性裏打ち層を形成する工程と、
前記軟磁性裏打ち層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に記録層を直接形成する工程と、
を有し、
前記シード層として、それを構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離と前記記録層を構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離との相違が２％以下である合金層を形成することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記記録層を構成する結晶の構造を稠密立方構造とし、
前記シード層を構成する結晶の構造を面心立方構造とすることを特徴とする請求項６又は７に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記シード層として、ＮｉＰｔ層又はＮｉＰｄ層を形成することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体と、
前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録及び再生を行う磁気ヘッドと、
を有することを特徴とする磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ等に使用される垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、パーソナルコンピュータ及びゲーム機等の記録媒体として、ハードディスク等の磁気記録媒体が多用されている。また、磁気記録媒体の高密度化も進められており、垂直磁気記録媒体に関する研究が行われている。
【０００３】
垂直磁気記録媒体には、磁気記録層及び軟磁性裏打ち層が設けられており、これらの間には、ノイズを低減するためにこれらを互いに磁気的に分離する非磁性の中間層が設けられている。非磁性の中間層としては、主にＲｕ層が形成されている。また、Ｒｕ層と軟磁性裏打ち層との間に、Ｔａ層、Ｐｔ層、Ｐｄ層、Ｔｉ層、ＮｉＦｅ層、ＮｉＦｅＣｒ層又はＮｉＣｒ層等がシード層として形成されたものもある。
【０００４】
垂直磁気記録媒体の記録密度の向上等のためには、磁気記録層を構成する物質の結晶が揃って保磁力が高くなっていることが重要である。例えば、ＣｏＰｔのミラー指数が磁気記録層の表面において（０００２）面に揃っていることが重要である。そして、このためには、磁気記録層の直下に位置する中間層の結晶性の向上が不可欠である。そこで、従来の垂直磁気記録媒体では、Ｒｕ層の厚さは２０ｎｍ以上となっている。しかし、Ｒｕは高価な金属であり、コスト低減のためにその使用量の低減が求められている。
【０００５】
その一方で、垂直磁気記録媒体の開発においては、書き込み性（Writability）の向上も重要である。ここで、書き込み性とは、データの書き換えをどれだけ正確に行うことができるかを示す指標である。しかしながら、従来の垂直磁気記録媒体では十分な書き込み性を得ることが困難である。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−３２７００６号公報
【特許文献２】特開２００６−１５５８６５号公報
【特許文献３】特開２００６−３０９９２５号公報
【特許文献４】特開２００４−３４８８４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、保磁力を高く維持しながら書き込み性を向上させることができ、好ましくはＲｕの使用量を低減することができる垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明者は、上記課題を解決すべく、鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【０００９】
本発明に係る垂直磁気記録媒体には、軟磁性裏打ち層と、前記軟磁性裏打ち層上に形成されたシード層と、前記シード層上に直接形成されたＲｕ又はＲｕ合金層と、前記Ｒｕ又はＲｕ合金層上に形成された記録層と、が設けられている。そして、前記シード層は、それを構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離と前記Ｒｕ又はＲｕ合金層を構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離との相違が２％以下である合金から構成されている。
【００１０】
本発明に係る磁気記録装置には、上述の垂直磁気記録媒体が設けられている。更に、前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録及び再生を行う磁気ヘッドが設けられている。
【００１１】
本発明に係る垂直磁気記録媒体の製造方法では、軟磁性裏打ち層を形成し、その後、前記軟磁性裏打ち層上にシード層を形成する。次に、前記シード層上にＲｕ又はＲｕ合金層を直接形成する。次いで、前記Ｒｕ又はＲｕ合金層上に記録層を形成する。そして、前記シード層として、それを構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離と前記Ｒｕ又はＲｕ合金層を構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離との相違が２％以下である合金層を形成する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、軟磁性裏打ち層と記録層との間に、最近接原子同士の中心間距離が適切に規定されたシード層が介在している。このため、Ｒｕ又はＲｕ合金層を厚く形成せずとも記録層の保磁力を高く保つことができる。従って、保磁力を高く維持しながら書き込み性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。
【００１４】
（第１の実施形態）
先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る垂直磁気記録媒体の構造を示す断面図である。
【００１５】
第１の実施形態では、図１に示すように、円板状の基板１上に、アモルファス強磁性層２、スペーサ層３及びアモルファス強磁性層４が積層されている。そして、アモルファス強磁性層２、スペーサ層３及びアモルファス強磁性層４から軟磁性裏打ち層１１が構成されている。
【００１６】
基板１としては、例えば、プラスチック基板、結晶化ガラス基板、強化ガラス基板、Ｓｉ基板、アルミニウム合金基板等が用いられる。
【００１７】
アモルファス強磁性層２及び４としては、Ｆｅ、Ｃｏ及び／又はＮｉを含むアモルファス状態の強磁性層（軟磁性層）が形成されている。更に、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｐｄ及び／又はＴａが含まれていてもよい。これらの元素が含まれていると、Ｆｅ、Ｃｏ及び／又はＮｉのみを含有する場合よりも、アモルファス強磁性層２及び４のアモルファス状態が安定したり、磁気特性が向上したりする。更に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｈｆ及び／又はＣが含まれていてもよい。特に、記録磁界の集中を考慮すると、飽和磁束密度Ｂｓが１．０Ｔ以上の軟磁性材料の層であることが好ましい。また、高転送レートでの書き込み性を考慮すると、高周波透磁率が高いことが好ましい。具体的には、例えば、ＦｅＣｏＢ層、ＦｅＳｉ層、ＦｅＡｌＳｉ層、ＦｅＴａＣ層、ＣｏＺｒＮｂ層、ＣｏＣｒＮｂ層、ＮｉＦｅＮｂ層等が挙げられる。アモルファス強磁性層２及び４は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）等により形成することができる。ＤＣスパッタ法を採用する場合、チャンバ内を、例えば０．５Ｐａ〜２ＰａのＡｒ雰囲気とする。また、アモルファス強磁性層２及び４の厚さは、例えば５ｎｍ〜２５ｎｍとする。
【００１８】
スペーサ層３としては、例えばＲｕ、Ｃｕ及び／又はＣｒ等を含む非磁性金属層が形成されている。更に、Ｒｈ及び／又はＲｅ等の希土類金属が含まれていてもよい。スペーサ層３は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）等により形成することができる。ＤＣスパッタ法を採用する場合、チャンバ内を、例えば０．５Ｐａ〜２ＰａのＡｒ雰囲気とする。また、スペーサ層３の厚さは、アモルファス強磁性層２とアモルファス強磁性層４との間で反平行の磁気結合が形成される厚さ（例えば０．３ｎｍ〜３ｎｍ）となっている。つまり、アモルファス強磁性層２及び４の磁化の方向が互いに反対向きとなっており、アモルファス強磁性層２及び４の間に反強磁性的な結合が現れている。また、アモルファス強磁性層２の飽和磁化をＭｓ2、厚さｔ2とし、アモルファス強磁性層４の飽和磁化をＭｓ4、厚さｔ4とすると、「Ｍｓ2×ｔ2＝Ｍｓ4×厚さｔ4」の関係が成り立つ。従って、軟磁性裏打ち層１１の残留磁化はゼロである。
【００１９】
更に、本実施形態では、軟磁性裏打ち層１１上に、シード層５ａ及びＲｕ層５ｂがこの順で形成されている。そして、シード層５ａ及びＲｕ層５ｂから中間層５が構成されている。
【００２０】
シード層５ａは、結晶構造が面心立方構造（ｆｃｃ）の合金から構成されている。そして、本実施形態では、シード層５ａの表面のミラー指数は（１１１）面となっている。更に、シード層５ａ内では、隣り合う原子の中心同士の間隔が約２．７０Åとなっている。このような合金としては、ＮｉＰｔ、ＮｉＰｄ及びＰｄＰｔ等が挙げられる。また、これらにＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｃｒ、Ｂ、Ｚｒ、Ｔａ及び／又はＮｂ等が添加されてもよい。これらが添加されていると、相が安定しやすくなったり、結晶粒が微細になりやすかったり、腐食が生じにくかったり、スパッタ速度が高くなったりする。但し、添加量は１５原子％未満であることが好ましい。シード層５ａは、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）等により形成することができる。シード層５ａを構成する合金として、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＮｉＡｕ、ＣｕＡｕ及びＣｕＡｌ等も挙げられる。
【００２１】
Ｒｕの結晶構造は稠密六方構造（ｈｃｐ）であり、そのａ軸の長さは約２．７０Åである。更に、本実施形態では、Ｒｕ層５ｂの表面のミラー指数は（０００２）面となっている。従って、本実施形態では、シード層５ａを構成する結晶の稠密面とＲｕ層５ｂを構成するＲｕの稠密面とが平行になっていると共に、シード層５ａ及びＲｕ層５ｂの間で、最近接原子の中心間の距離がほぼ一致している。なお、Ｒｕ層５ｂは、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）等により形成することができる。ＤＣスパッタ法を採用する場合、チャンバ内を、例えば０．５Ｐａ〜８ＰａのＡｒ雰囲気とする。
【００２２】
Ｒｕ層５ｂ上には、記録層６が形成されている。記録層６としては、例えばＣｏ及びＰｔを主成分とする強磁性層が形成されている。更に、Ｃｒ、Ｂ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＣｒＯ2、ＣｒＯ、Ｃｕ、Ｔｉ及び／又はＮｂ等が含まれていてもよい。具体的には、ＣｏＣｒＰｔの結晶粒がＳｉＯ2により分離されて構成された層等が用いられる。また、記録層６が複数の層から構成されていてもよい。記録層６は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）等により形成することができる。ＤＣ／ＲＦスパッタ法を採用する場合、チャンバ内を、例えば０．５Ｐａ〜６ＰａのＡｒ雰囲気とする。この場合、酸素を２％〜５％含有するガスを使用する。また、記録層６の厚さは、例えば８ｎｍ〜２０ｎｍとする。
【００２３】
そして、記録層６上に、保護層７が形成されている。保護層７としては、例えばアモルファスカーボン層、水素化カーボン層、窒化カーボン層又は酸化アルミニウム等が形成されている。保護層７は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）等により形成することができる。ＤＣスパッタ法を採用する場合、チャンバ内を、例えば０．５Ｐａ〜２ＰａのＡｒ雰囲気とする。また、保護層７の厚さは、例えば１ｎｍ〜５ｎｍとする。
【００２４】
このように構成された垂直磁気記録媒体に対しては、図２に示すような磁気ヘッドを用いて、データの書き込み（記録）及び読み出し（再生）が行われる。垂直磁気記録媒体用の磁気ヘッド２１には、書き込み用の主磁極２２、補助磁極２３及びコイル２４が設けられている。また、読み出し用の磁気抵抗効果素子２５及びシールド２６も設けられている。補助磁極２３は、磁気抵抗効果素子２５に対するシールドとしても機能する。そして、データの書き込み時には、コイル２４に電流が流され、主磁極２２及び補助磁極２３を経由する磁束２７が形成される。この時、主磁極２２から出た磁束２７は記録層６を貫通した後、軟磁性裏打ち層１１を経由した上で補助磁極２３に戻ってくる。従って、記録層６の磁化が記録ビット毎に、それに垂直な２方向のいずれか（上方向又は下方向）に磁束の向きに応じて変化する。
【００２５】
そして、本実施形態では、上述のように、Ｒｕ層５ｂの下に、表面のミラー指数が（１１１）面で、かつ、隣り合う原子の中心同士の間隔が約２．７０Åである面心立方構造の合金からなるシード層５ａが設けられている。従って、本実施形態では、Ｒｕ層５ｂを従来のものほど厚くせずとも、Ｒｕ層５ｂの表面のミラー指数が（０００２）面に揃っている。そして、Ｒｕ層５ｂの薄膜化に伴って良好な書き込み性を得ることができる。また、Ｒｕ層５ｂの薄膜化により、記録層６を構成する結晶粒の微細化等の効果も得られる。更に、Ｒｕの使用量が低減されるため、コストを低減することもできる。
【００２６】
このように、本実施形態によれば、シード層５ａが形成されているためにＲｕ層５ｂの配向性が高くなり、Ｒｕ層５ｂを厚くなくとも記録層６の配向性も高くなり、高い保磁力が得られる。従って、Ｒｕ層５ｂを厚くする必要がないため、良好な書き込み性を得ることができる。即ち、本実施形態によれば、高い保磁力を確保しながら書き込み性を向上することができる。また、Ｒｕの使用量を低減することも可能である。
【００２７】
なお、シード層５ａの厚さは、例えば１ｎｍ〜５ｎｍとすることが好ましい。シード層５ａの厚さが１ｎｍ未満であると、Ｒｕ層５ｂの配向が揃い難い場合がある。一方、シード層５ａの厚さが５ｎｍあればＲｕ層５ｂの配向性は十分なものとなる。また、Ｒｕ層５ｂの厚さは、例えば５ｎｍ〜２０ｎｍとすることが好ましい。Ｒｕ層５ｂの厚さが５ｎｍ未満であると、ノイズの低減が不十分となる場合がある。一方、Ｒｕ層５ｂの厚さが２０ｎｍを超えると、十分な書き込み性が得られない場合がある。Ｒｕ層５ｂの代わりに、結晶構造が稠密六方構造の、Ｒｕを主成分とするＲｕ−Ｘ合金（Ｘ＝Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ及び／又はＭｎ）の層が形成されていてもよい。
【００２８】
また、円板状の基板１の代わりに、テープ状のフィルムを基体として用いてもよい。この場合、基体の材料としては、ポリエステル（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、耐熱性に優れたポリイミド（ＰＩ）等が挙げられる。
【００２９】
ここで、シード層５ａを構成する合金の例であるＮｉＰｔ及びＮｉＰｄの組成と最近接原子の中心間の距離との関係について説明する。図３は、ＮｉＰｔ及びＮｉＰｄの組成と、最近接原子の中心間距離及びＲｕとのミスマッチとの関係とを示すグラフである。左側の縦軸がＮｉＰｔ及びＮｉＰｄの（１１１）面における最近接原子の中心間距離を示し、右側の縦軸がＲｕの（０００２）面とのミスマッチを示している。
【００３０】
図３に示すように、ＮｉＰｔの場合（●及び■）には、Ｐｔの割合が６０原子％程度のときに、中心間距離が約２．７０Åとなり、ミスマッチが約０％となる。また、ＮｉＰｄの場合（○及び□）には、Ｐｄの割合が７５原子％程度のときに、中心間距離が約２．７０Åとなり、ミスマッチ（中心間距離の相違の割合）が約０％となる。従って、これらの割合が最も好ましいといる。但し、ミスマッチが完全に０％である必要はなく、２％以下であればＲｕ層５ｂの（０００２）面の配向は十分なものになる。例えば、ＮｉＰｔの場合には、Ｐｔの割合が４０原子％〜７０原子％程度であることが特に好ましく、ＮｉＰｄの場合には、Ｐｄの割合が５０原子％〜９０原子％程度であることが特に好ましい。
【００３１】
次に、本願発明者が実際に行った実験の内容及び結果について説明する。
【００３２】
（第１の実験）
第１の実験では、１８種類の試料を作製した。いずれの試料においても、ガラス基板上に、アモルファス強磁性層２として厚さが２５ｎｍのＦｅＣｏＺｒＴａ層を形成し、スペーサ層３として厚さが０．５ｎｍのＲｕ層を形成し、アモルファス強磁性層４として厚さが２５ｎｍのＦｅＣｏＺｒＴａ層を形成した。また、その上にアモルファス状のＴａ層（厚さ：３ｎｍ）を形成した。そして、Ｔａ層上に、試料毎に異なる材料からなる層（厚さ：５ｎｍ）を形成し、その上にＲｕ層５ｂを形成した。Ｒｕ層５ｂの形成に当たっては、厚さが１０ｎｍのＲｕ層を２層形成した。更に、Ｒｕ層５ｂ上に磁性層６として厚さが１１ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2層を形成し、その上に保護層７としてカーボン層を形成した。
【００３３】
そして、各試料のＸ線回折によりＲｕの（０００２）面のΔθ50の値を求めた。Ｒｕの（０００２）面のピーク（２θ）は、Ｃｕターゲットを用いた場合４２．２６°に現れ、Δθ50の値は４２．２６°における半値幅である。この結果を図４に示す。図４の横軸には、各試料においてＴａ層とＲｕ層５ｂとの間に形成された層の材料を示している。
【００３４】
図４に示すように、Ｎｉ60Ｐｔ40、Ｎｉ40Ｐｔ60、Ｎｉ30Ｐｄ70、Ｎｉ60Ｐｄ40及びＮｉ70Ｐｄ30の５つの試料においてΔθ50の値が特に低くなった。このことは、これらの試料においてＲｕの（０００２）面の配向が良好であることを示している。
【００３５】
（第２の実験）
第２の実験では、シード層５ａを構成するＮｉＰｔの組成と記録層６の保磁力との関係について調査した。また、ＮｉＰｔの組成とＭ−Ｈ曲線の保磁力における傾きα（４π×ｄＭ／ｄＨ）との関係についても調査した。これらの結果を図５及び図６に示す。
【００３６】
図５に示すように、Ｎｉ含有量が２０原子％〜８０原子％の場合に高い保磁力が得られ、３０原子％〜６０原子％の場合により高い保磁力が得られ、４０原子％〜６０原子％の場合に特に高い保磁力が得られた。また、図６に示すように、Ｎｉ含有量が４０原子％〜６０原子％の場合に傾きαの値が小さくなり、３０原子％〜６０原子％の場合により傾きαがより小さくなり、４０原子％〜６０原子％の場合に傾きαが特に小さくなった。傾きαの値は、記録層６を構成するＣｏＣｒＰｔの結晶粒が分離されている程度（結晶粒の微細さの程度）を示しており、傾きαの値が小さいほど分離の程度が大きく好ましい。
【００３７】
（第３の実験）
第３の実験では、シード層５ａを構成するＮｉＰｔの組成及びシード層５ａの厚さと書き込み性（Writability）との関係について調査した。この結果を図７に示す。この書き込み性は、１２４ｋＢＰＩ（キロバイト／インチ）で書き込んだ場合に読み取られる信号と４９５ｋＢＰＩで書き込んだ場合に読み取られる信号との比から評価した。そして、この値が−４０ｄＢに近いほど、書き込み性が良好であるといえる。なお、いずれの試料においても、ガラス基板上に、アモルファス強磁性層２として厚さが２５ｎｍのＦｅＣｏＺｒＴａ層を形成し、スペーサ層３として厚さが０．５ｎｍのＲｕ層を形成し、アモルファス強磁性層４として厚さが２５ｎｍのＦｅＣｏＺｒＴａ層を形成した。また、その上にアモルファス状のＴａ層（厚さ：３ｎｍ）を形成した。そして、Ｔａ層上に、試料毎に厚さ及び組成が異なるシード層５ａを形成し、その上に厚さが２０ｎｍのＲｕ層５ｂを形成した。更に、Ｒｕ層５ｂ上に磁性層６として厚さが１１ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2層及びＣｏＣｒＰｔＢ層をこの順で形成し、その上に保護層７として厚さが３ｎｍのカーボン層を形成した。
【００３８】
図７に示すように、ＮｉＰｔからなるシード層５ａでは、その厚さが厚いほど、書き込み性が良好になるという結果が得られた。
【００３９】
（第４の実験）
第４の実験では、シード層５ａを構成するＮｉＰｔの組成及びシード層５ａの厚さと書き込み幅（ＷＣＷ：write core width）との関係について調査した。この結果を図８に示す。書き込み幅は、情報を正確に記録することができるトラックの幅を示しており、この値が小さいほど、高いトラック密度での記録が可能であることを示す。
【００４０】
図８に示すように、ＮｉＰｔからなるシード層５ａでは、その厚さが厚いほど、書き込み幅が狭くなるという結果が得られた。
【００４１】
（第５の実験）
第５の実験では、シード層５ａを構成するＮｉＰｔの組成及びシード層５ａの厚さとＳ／Ｎ比との関係について調査した。なお、書き込み密度は１２４ｋＢＰＩ及び４９５ｋＢＰＩの２種類とした。これらの結果を図９及び図１０に示す。図９は書き込み密度を４９５ｋＢＰＩとしたときの結果を示し、図１０は書き込み密度を１２４ｋＢＰＩとしたときの結果を示している。
【００４２】
図９及び図１０に示すように、ＮｉＰｔからなるシード層５ａでは、その厚さが厚いほど、Ｓ／Ｎ比が大きくなるという結果が得られた。
【００４３】
（第６の実験）
第６の実験では、シード層５ａを構成するＮｉＰｔの組成及びシード層５ａの厚さと記録層６の保磁力との関係について調査した。この結果を図１１に示す。
【００４４】
図１１に示すように、ＮｉＰｔからなるシード層５ａでは、その厚さが厚いほど、保磁力が大きくなるという結果が得られた。
【００４５】
（第７の実験）
第７の実験では、シード層５ａを構成するＮｉＰｔの組成及びシード層５ａの厚さとＭ−Ｈ曲線の保磁力における傾きαとの関係について調査した。この結果を図１２に示す。
【００４６】
図１２に示すように、ＮｉＰｔからなるシード層５ａでは、その厚さが厚いほど、傾きαが小さくなるという結果が得られた。
【００４７】
（第８の実験）
第８の実験では、シード層５ａを構成するＮｉＰｔの組成及びシード層５ａの厚さと磁化反転のための核生成磁場（nucleation field）との関係について調査した。この結果を図１３に示す。
【００４８】
図１３に示すように、ＮｉＰｔからなるシード層５ａでは、その厚さが厚いほど、核生成磁場が小さくなるという結果が得られた。
【００４９】
（第９の実験）
第９の実験では、シード層５ａを構成するＮｉＰｔの組成及びシード層５ａの厚さと飽和磁場との関係について調査した。この結果を図１４に示す。
【００５０】
図１４に示すように、ＮｉＰｔからなるシード層５ａでは、その厚さが厚いほど、飽和磁場が大きくなるという結果が得られた。
【００５１】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図１５は、本発明の第２の実施形態に係る垂直磁気記録媒体の構造を示す断面図である。
【００５２】
第２の実施形態では、図１５に示すように、アモルファス強磁性層４と記録層６との間にシード層５ｃが形成されている。シード層５ｃは、結晶構造が面心立方構造（ｆｃｃ）の合金から構成されている。そして、本実施形態では、シード層５ｃの表面のミラー指数は（１１１）面となっている。更に、シード層５ｃ内では、隣り合う原子の中心同士の間隔が約２．６７Åとなっている。このような合金としては、ＮｉＰｔ、ＮｉＰｄ及びＰｄＰｔ等が挙げられる。また、これらにＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｃｒ、Ｂ、Ｚｒ、Ｔａ及び／又はＮｂ等が添加されてもよい。これらが添加されていると、相が安定しやすくなったり、結晶粒が微細になりやすかったり、腐食が生じにくかったり、スパッタ速度が高くなったりする。但し、添加量は１５原子％未満であることが好ましい。シード層５ｃは、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）等により形成することができる。
【００５３】
記録層６を構成する結晶の構造は稠密六方構造（ｈｃｐ）であり、そのａ軸の長さは約２．６７Åとなっている。更に、本実施形態では、記録層６の表面のミラー指数は（０００２）面となっている。従って、本実施形態では、シード層５ｃを構成する結晶の稠密面と記録層６を構成する結晶の稠密面とが平行になっていると共に、シード層５ｃ及び記録層６の間で、最近接原子の中心間の距離がほぼ一致している。このような記録層６としては、第１の実施形態と同様に、例えばＣｏ及びＰｔを主成分とする強磁性層が形成されている。
【００５４】
図１６は、ＣｏＰｔ中のＰｔの割合と、そのａ軸及びｃ軸の長さとの関係を示すグラフである。図１６に示すように、記録層６を構成する結晶の格子定数は、その組成を調整することにより制御することができる。本実施形態では、Ｐｔの割合が２１原子％程度のＣｏＰｔが記録層６の主成分となっている。一方、シード層５ｃは、例えばＮｉ50Ｐｔ50又はＮｉ40Ｐｄ60から構成されている。図３に示すように、Ｎｉ50Ｐｔ50の最近接原子の中心間距離は約２．６７Åであり（●及び■）、Ｎｉ40Ｐｄ60の最近接原子の中心間距離も約２．６７Åである（○及び□）。
【００５５】
シード層５ｃは、軟磁性裏打ち層１１と記録層６とを互いに磁気的に分離する。つまり、シード層５ｃは中間層としても機能する。他の構成は第１の実施形態の構成と同様である。
【００５６】
このような第２の実施形態によれば、Ｒｕ層５ｂを用いずとも、記録層６の表面のミラー指数が（０００２）面に揃っている。そして、Ｒｕ層５ｂの省略に伴って良好な書き込み性を得ることができる。従って、第２の実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００５７】
なお、シード層５ｃの厚さは、例えば１ｎｍ〜２０ｎｍとすることが好ましい。シード層５ｃの厚さが１ｎｍ未満であると、記録層６の配向が揃い難い場合及びノイズの低減が不十分となる場合がある。一方、シード層５ｃの厚さが２０ｎｍを超えると、十分な書き込み性が得られない場合がある。
【００５８】
ここで、上述の実施形態に係る垂直磁気記録媒体を備えた磁気記録装置の一例であるハードディスクドライブについて説明する。図１７は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の内部の構成を示す図である。
【００５９】
このハードディスクドライブ１００のハウジング１０１には、回転軸１０２に装着されて回転する磁気ディスク１０３と、磁気ディスク１０３に対して情報記録及び情報再生を行う磁気ヘッドが搭載されたスライダ１０４と、スライダ１０４を保持するサスペンション１０８と、サスペンション１０８が固着されてアーム軸１０５を中心に磁気ディスク１０３表面に沿って移動するキャリッジアーム１０６と、キャリッジアーム１０６を駆動するアームアクチュエータ１０７とが収容されている。磁気ディスク１０３として、上述の実施形態に係る垂直磁気記録媒体が用いられている。
【００６０】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００６１】
（付記１）
軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成されたシード層と、
前記シード層上に直接形成されたＲｕ又はＲｕ合金層と、
前記Ｒｕ又はＲｕ合金層上に形成された記録層と、
を有し、
前記シード層は、それを構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離と前記Ｒｕ又はＲｕ合金層を構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離との相違が２％以下である合金から構成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【００６２】
（付記２）
軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成されたシード層と、
前記シード層上に直接形成された記録層と、
を有し、
前記シード層は、それを構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離と前記記録層を構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離との相違が２％以下である合金から構成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【００６３】
（付記３）
前記記録層を構成する結晶の構造は稠密立方構造であり、
前記シード層を構成する結晶の構造は面心立方構造であることを特徴とする付記１又は２に記載の垂直磁気記録媒体。
【００６４】
（付記４）
前記記録層を構成する結晶の（０００２）面が前記シード層を構成する結晶の（１１１）面と平行になっていることを特徴とする付記３に記載の垂直磁気記録媒体。
【００６５】
（付記５）
前記シード層は、Ｎｉ、Ｐｔ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも２種を含む合金からなることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【００６６】
（付記６）
前記シード層は、ＮｉＰｔ又はＮｉＰｄからなることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【００６７】
（付記７）
前記シード層中のＮｉの含有量は、２０原子％乃至８０原子％であることを特徴とする付記６に記載の垂直磁気記録媒体。
【００６８】
（付記８）
前記シード層中のＮｉの含有量は、３０原子％乃至６０原子％であることを特徴とする付記７に記載の垂直磁気記録媒体。
【００６９】
（付記９）
前記シード層中のＮｉの含有量は、４０原子％乃至６０原子％であることを特徴とする付記８に記載の垂直磁気記録媒体。
【００７０】
（付記１０）
前記シード層は、ＣｕＰｄ、ＣｕＰｔ、ＮｉＡｕ、ＣｕＡｕ及びＣｕＡｌからなる群から選択された１種からなることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【００７１】
（付記１１）
前記記録層は、Ｃｏ及びＰｔを含有することを特徴とする付記１乃至１０のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【００７２】
（付記１２）
軟磁性裏打ち層を形成する工程と、
前記軟磁性裏打ち層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上にＲｕ又はＲｕ合金層を直接形成する工程と、
前記Ｒｕ又はＲｕ合金層上に記録層を形成する工程と、
を有し、
前記シード層として、それを構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離と前記Ｒｕ又はＲｕ合金層を構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離との相違が２％以下である合金層を形成することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００７３】
（付記１３）
軟磁性裏打ち層を形成する工程と、
前記軟磁性裏打ち層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上に記録層を直接形成する工程と、
を有し、
前記シード層として、それを構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離と前記記録層を構成する結晶の最近接原子同士の中心間距離との相違が２％以下である合金層を形成することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００７４】
（付記１４）
前記記録層を構成する結晶の構造を稠密立方構造とし、
前記シード層を構成する結晶の構造を面心立方構造とすることを特徴とする付記１２又は１３に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００７５】
（付記１５）
前記記録層を構成する結晶の（０００２）面を前記シード層を構成する結晶の（１１１）面と平行にすることを特徴とする付記１４に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００７６】
（付記１６）
前記シード層として、Ｎｉ、Ｐｔ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも２種を含む合金層を形成することを特徴とする付記１２乃至１５のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００７７】
（付記１７）
前記シード層として、ＮｉＰｔ層又はＮｉＰｄ層を形成することを特徴とする付記１２乃至１５のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００７８】
（付記１８）
前記記録層として、Ｃｏ及びＰｔを含有するものを形成することを特徴とする付記１２乃至１７のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００７９】
（付記１９）
付記１乃至１１のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体と、
前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録及び再生を行う磁気ヘッドと、
を有することを特徴とする磁気記録装置。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る垂直磁気記録媒体の構造を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る垂直磁気記録媒体の使用方法を示す図である。
【図３】ＮｉＰｔ及びＮｉＰｄの組成と、最近接原子の中心間距離及びＲｕとのミスマッチとの関係とを示すグラフである。
【図４】第１の実験の結果を示すグラフである。
【図５】第２の実験の結果を示すグラフである。
【図６】同じく、第２の実験の結果を示すグラフである。
【図７】第３の実験の結果を示すグラフである。
【図８】第４の実験の結果を示すグラフである。
【図９】第５の実験の結果を示すグラフである。
【図１０】同じく、第５の実験の結果を示すグラフである。
【図１１】第６の実験の結果を示すグラフである。
【図１２】第７の実験の結果を示すグラフである。
【図１３】第８の実験の結果を示すグラフである。
【図１４】第９の実験の結果を示すグラフである。
【図１５】本発明の第２の実施形態に係る垂直磁気記録媒体の構造を示す断面図である。
【図１６】ＣｏＰｔ中のＰｔの割合と、そのａ軸及びｃ軸の長さとの関係を示すグラフである。
【図１７】ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の内部の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００８１】
１：基板
２、４：アモルファス強磁性層
３：スペーサ層
５：中間層
５ａ、５ｃ：シード層
５ｂ：Ｒｕ層
６：記録層
７：保護層
１１：軟磁性裏打ち層
１００：ＨＤＤ
１０１：ハウジング
１０２：回転軸
１０３：磁気ディスク（垂直磁気記録媒体）
１０４：スライダ
１０５：アーム軸
１０６：キャリッジアーム
１０７：アームアクチュエータ
１０８：サスペンション
【図１】
2008276863.tif 000003
【図２】
2008276863.tif 000004
【図３】
2008276863.tif 000005
【図４】
2008276863.tif 000006
【図５】
2008276863.tif 000007
【図６】
2008276863.tif 000008
【図７】
2008276863.tif 000009
【図８】
2008276863.tif 000010
【図９】
2008276863.tif 000011
【図１０】
2008276863.tif 000012
【図１１】
2008276863.tif 000013
【図１２】
2008276863.tif 000014
【図１３】
2008276863.tif 000015
【図１４】
2008276863.tif 000016
【図１５】
2008276863.tif 000017
【図１６】
2008276863.tif 000018
【図１７】
2008276863.tif 000019