(57)【要約】【課題】迅速な研磨速度を有し、且つ、研磨における銅／タンタル選択性が向上することで、ディッシングが少なく平坦性が向上したＬＳＩの作製を可能とする金属用研磨液を提供する。【解決手段】半導体デバイスの化学的機械的平坦化に使用される金属用研磨液であって、オクタノール／水分配係数の対数値（ｌｏｇＰ）が−０．８５以下である有機酸、並びにｌｏｇＰが１以上である１，２，３−トリアゾール誘導体を含有することを特徴とする金属用研磨液。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスの化学的機械的平坦化に使用される金属用研磨液であって、オクタノール／水分配係数の対数値（ｌｏｇＰ）が−０．８５以下である有機酸、並びにｌｏｇＰが１以上である１，２，３−トリアゾール誘導体を含有することを特徴とする金属用研磨液。
【請求項２】
前記有機酸がアミノ酸及び／又はグリコール酸誘導体であることを特徴とする請求項１に記載の金属用研磨液。
【請求項３】
前記１，２，３−トリアゾール誘導体が、分子内にアリール基を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の金属用研磨液。
【請求項４】
前記金属研磨液が、半導体デバイスの化学的機械的平坦化において、主として銅配線の研磨に用いられることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の金属用研磨液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの製造に関するものであり、特に半導体デバイスの配線工程における金属用研磨液に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路（以下ＬＳＩと記す）で代表される半導体デバイスの開発においては、高集積化・高速化のため、配線の微細化と積層化による高密度化・高集積化が求められている。このための技術として、絶縁性薄膜（ＳｉＯ２など）や配線に用いられる金属薄膜を研磨し、基板の平滑化や配線形成時の余分な金属薄膜の除去を行う化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、以下ＣＭＰと記す）等の種々の術が用いられてきている。
ＣＭＰの一般的な方法は、円形の研磨定盤（プラテン）上に研磨パッドを貼り付け、研磨パッド表面を研磨液で浸して、パッドに基板（ウェハ）の表面を押しつけ、その裏面から所定の圧力（研磨圧力）を加えた状態で、研磨定盤及び基板の双方を回転させ、発生する機械的摩擦により基板の表面を平坦化するものである。
ＣＭＰに用いる金属用研磨溶液は、一般には砥粒（例えばアルミナ、シリカ）と酸化剤（例えば過酸化水素、過硫酸）とを含むものであって、酸化剤によって金属表面を酸化し、その酸化皮膜を砥粒で除去することで研磨していると考えられている。
【０００３】
しかしながら、このような固体砥粒を含む金属用研磨液を用いてＣＭＰを行うと、研磨傷（スクラッチ）、研磨面全体が必要以上に研磨される現象（シニング）、研磨金属面が平面状ではなく、中央のみがより深く研磨されて皿状のくぼみを生ずる現象（ディッシング）、金属配線間の絶縁体が必要以上に研磨されたうえ、複数の配線金属面表面が皿状の凹部を形成する現象（エロージョン）などが発生することがある。
このような従来の固体砥粒における問題点を解決するために、砥粒を含まず、過酸化水素／リンゴ酸／ベンゾトリアゾール／ポリアクリル酸アンモニウムおよび水からなる金属用研磨液が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。この方法によれば、半導体基体の凸部の金属膜が選択的にＣＭＰされ、凹部に金属膜が残されて所望の導体パターンが得られるものの、従来の固体砥粒を含むよりもはるかに機械的に柔らかい研磨パッドとの摩擦によってＣＭＰが進むため、十分な研磨速度が得難いという問題点を有している。
【０００４】
一方、更なる高性能化を目指し、配線用の金属として、従来汎用のタングステンやアルミニウムに代えて、配線抵抗の低い銅を用いたＬＳＩが開発されるようになった。高密度化を目指す配線の微細化に伴って、銅配線の導電性や電子マイギュレート耐性などの向上が必要となり、それに伴って高純度銅に銀などの第３成分を微量添加した銅合金を用いることも検討されはじめてきている。同時に、これらの高精細で高純度の材料を汚染させることなく高生産性を発揮し得る高速金属研磨手段が求められている。
【０００５】
また、最近は生産性向上のため、ＬＳＩ製造時のウェハ径を大型化しており、現在は直径２００ｍｍ以上が汎用されており、３００ｍｍ以上の大きさでの製造も開始され始めてきた。このような大型化に伴い、ウェハ中心部と周辺部とでの研磨速度の差が大きくなり、面内均一性に対する改善要求が強くなってきている。
銅及び銅合金に対して機械的研磨手段をもたない化学研磨方法としては、溶解作用のみによる化学研磨方法も知られている（例えば、特許文献２参照。）。しかしながら、凸部の金属膜が選択的に化学的機械的に研磨されるＣＭＰに比べ、ディッシングなどの発生による問題が発生しやすく平坦性の確保が課題となっている。
その他にも研磨面の段差平坦化を目的として、研磨パッドの劣化を抑える化学機械研磨用水系分散体（例えば、特許文献３参照。）や、ウエハ表面を修正するのに有用なイミノジ酢酸とその塩から選ばれるキレート剤を含有する加工液（例えば、特許文献４参照。）、α−アミノ酸を含有する化学機械研磨組成物（例えば、特許文献５参照。）などが提案されている。
これらの技術により、銅配線における研磨性能の向上が見られるが、銅配線のバリア金属としてしばしば用いられるタンタルやその合金類は、銅に比較して硬質であるため、配線近傍の平滑化に際しては、銅／タンタル選択性を有する研磨液の実現が望まれているのが現状である。
【特許文献１】特開２００１−１２７０１９公報
【特許文献２】特開昭４９−１２２４３２号公報。
【特許文献３】特開２００１−２７９２３１公報。
【特許文献４】特表２００２−５３８２８４公報。
【特許文献５】特開２００３−５０７８９４公報。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、ＬＳＩの生産性を高めるために、銅金属及び銅合金を原料とする配線のより迅速な研磨を実現するＣＭＰスラリーが求められているという背景に基づいて行なわれたものである。
したがって本発明の目的は、迅速な研磨速度を有し、且つ、研磨における銅／タンタル選択性が向上することで、ディッシングが少なく平坦性が向上したＬＳＩの作製を可能とする金属用研磨液を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の金属用研磨液に係る問題点について、本発明者は鋭意検討した結果、下記金属用研磨液を用いることによって上記問題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は下記の通りである。
【０００８】
＜１＞  半導体デバイスの化学的機械的平坦化に使用される金属用研磨液であって、オクタノール／水分配係数の対数値（ｌｏｇＰ）が−０．８５以下である有機酸、並びにｌｏｇＰが１以上である１，２，３−トリアゾール誘導体を含有することを特徴とする金属用研磨液。
＜２＞  前記有機酸がアミノ酸及び／又はグリコール酸誘導体であることを特徴とする上記＜１＞に記載の金属用研磨液。
＜３＞  前記１，２，３−トリアゾール誘導体が、分子内にアリール基を有することを特徴とする上記＜１＞又は＜２＞に記載の金属用研磨液。
＜４＞  前記金属研磨液が、半導体デバイスの化学的機械的平坦化において、主として銅配線の研磨に用いられることを特徴とする上記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の金属用研磨液。
【発明の効果】
【０００９】
半導体デバイスの製造における化学的機械的研磨に用いる研磨液として、本発明の金属用研磨液を使用することにより、化学的機械的研磨速度が向上し、且つ、研磨における銅／タンタル選択性が向上し、ディッシングの発生が少なく平坦性が向上したＬＳＩの作製を可能とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
≪金属用研磨液≫
本発明の金属用研磨液は、ｌｏｇＰが−０．８５以下の有機酸（以下、「特定有機酸」ともいう。）及びｌｏｇＰが１以上である１，２，３−トリアゾール誘導体（以下、「特定１，２，３−トリアゾール誘導体」ともいう。）を含有することを特徴とする。
本発明の金属用研磨液は、上記構成としたことにより、半導体デバイスの製造における化学的機械的研磨に用いたときに研磨速度が向上し、研磨における銅／タンタル選択性が向上し、ディッシングの発生が少なく、平坦性をも向上したＬＳＩの作製を可能とすることができる。
また、このことから、ＬＳＩにおける、コロージョン、スクラッチ、シニング、エロージョンなどの研磨の局部的な不均一に伴う欠陥の発生が低レベルに維持されるという効果をも奏するものである。
以下、本発明の金属用研磨液に関し、まず、ｌｏｇＰ値及び前記金属用研磨液の構成成分について説明する。
【００１１】
（ｌｏｇＰ値）
ｌｏｇＰ値は、分配係数Ｐ（Ｐａｒｔｉｔｉｏｎ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）の常用対数を意味する。ｌｏｇＰ値は、ある有機化合物が油と水の２相系の平衡でどのように分配されるかを定量的な数値で表した物性値であり、その値が０を挟んでプラス側に大きくなると油溶性が増し、マイナス側で絶対値が大きくなると水溶性が増す。
本発明において、ｌｏｇＰ値は、以下に説明する計算で求めた値を用いる。すなわち、米国Ｐｏｍｏｎａ大学のＣ．Ｈａｎｓｃｈ、Ａ．ＬｅｏらのＭｅｄｃｈｅｍプロジェクトによって開発されたｌｏｇＰ（＝ｌｏｇ（Ｃｏｉｌ／Ｃｗａｔｅｒ）；Ｃｏｉｌ＝油相中のモル濃度、Ｃｗａｔｅｒ＝水相中のモル濃度）値を推算するプログラムで求めた値である。このプログラムはＨａｎｓｃｈ−Ｌｅｏのフラグメント法に基づいており、化学構造を部分構造（フラグメント）に分割し、そのフラグメントに与えられた分配係数の常用対数（ｌｏｇＰ）の寄与分を合計することによりｌｏｇＰ値を推算するものであり、詳細はＣ．Ｈａｎｓｃｈ＆Ａ．ＬｅｏＳｕｂｓｔｉｔｕｅｎｔ  Ｃｏｎｓｔａｎｔｓ  Ｆｏｒ  Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  ｉｎ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  ＢｉｏｌｏｇｙやＡ．Ｊ．ＬｅｏＣａｌｃｕｌａｔｉｎｇ  ｌｏｇＰｏｃｔ  ｆｒｏｍ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，９３，１５８１−１３０６，１９９３）等の文献に記載されている。
【００１２】
（有機酸）
本発明における有機酸は、ｌｏｇＰが−０．８５以下の有機酸であり、研磨速度の観点から、好ましくはｌｏｇＰが−０．８５以下のアミノ酸及び／又はグリコール酸である。
本発明で用いるｌｏｇＰが−０．８５以下の有機酸として、具体的には、α―アミノ酸、β―アミノ酸が好ましい。
【００１３】
以下に、本発明における有機酸の具体例（Ａ−１〜Ａ−１６）を示すが、本発明は以下に限定されるものではない。
【００１４】
【化１】
2008192729.tif 000002
【００１５】
本発明において、前記特定有機酸は１種単独で用いても、複数を併用して用いてもよい。
【００１６】
本発明の金属用研磨液において、上記特定有機酸の添加量は、研磨に使用する際の金属用研磨液の１Ｌ中、０．０００５〜０．５ｍｏｌとすることが好ましく、０．００５ｍｏｌ〜０．３ｍｏｌとすることがより好ましく、０．０１ｍｏｌ〜０．１ｍｏｌとすることが特に好ましい。
即ち、有機酸の添加量を０．５ｍｏｌ以下とすることにより、エッチングの抑制がし易くなり、また０．０００５ｍｏｌ以上とすることにより、本発明の充分な効果を得やすくなることから好ましい。
【００１７】
（１，２，３−トリアゾール誘導体）
本発明で用いる１，２，３−トリアゾール誘導体はディッシングの抑制の観点から、ｌｏｇＰが１以上と水溶性が低いことが特徴である。前記１，２，３−トリアゾール誘導体は、好ましくはアリール基を置換基とする１，２，３−トリアゾール誘導体である。
【００１８】
前記アリール基としては、好ましくはフェニル基、ナフチル基、アンスルニル基であり、更に好ましくはフェニル基、ナフチル基である。
前記アリール基は、１，２，３−トリアゾール環に直接結合していても、また、連結基を介して結合していてもよい。また、１，２，３−トリアゾール環への結合位置は特に限定されない。
前記連結基としては、メチレン、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン、プロピレン基等が挙げられ、中でもメチレン、エチレン、トリメチレンが好ましい。
【００１９】
これら１，２，３−トリアゾール誘導体は、さらに上記アリール基以外の置換基を有してもよい。これら置換基としては、例えば、アルキル基（中でも、炭素数１〜６が好ましく、炭素数１〜３がより好ましい。）、アルケニル基（中でも、炭素数２〜６が好ましく、炭素数２〜４がより好ましい。）、アルキニル基（中でも、炭素数２〜６が好ましく、炭素数２〜４がより好ましい。）、アルコキシ基（中でも、炭素数１〜６が好ましく、炭素数１〜３がより好ましい。）、ヒドロキシ基、スルホニル基、アミノ基、カルボキシ基またはその塩、別のアリール基、ヘテロ環基（置換する位置は問わない）が挙げられる。
前記アリール基以外の置換基は、トリアゾール環及び前記アリール基に結合していてもよい。
【００２０】
また、上記置換基の２つが共同して環を形成することもできる。
【００２１】
以下に、本発明における１，２，３−トリアゾール誘導体の好適な具体例（Ｂ−１〜Ｂ−４，Ｂ−８〜Ｂ−９）を示すが、本発明は以下に限定されるものではない。
【００２２】
【化２】
2008192729.tif 000003
【００２３】
上記化合物は市販品を購入して使用してもよいし、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  （２００５）  ４９８３−４９８７を参考に合成してもよい。すなわち、任意のアルキンとＭｅＯＰＥＧ（メトキシポリエチレングリコール）に保持したアジドをトルエン中で加熱した後、得られた生成物をギ酸で処理することで得られる。
【００２４】
上記の１，２，３−トリアゾール誘導体の添加量は、総量として、研磨に使用する際の金属用研磨液（即ち、水または水溶液で希釈する場合は希釈後の研磨液。以降の「研磨に使用する際の研磨液」も同意である。）の１Ｌ中、０．０００１〜１．０ｍｏｌが好ましく、より好ましくは０．００１〜０．５ｍｏｌ、更に好ましくは０．０１〜０．１ｍｏｌである。
１，２，３−トリアゾール誘導体の添加量は、研磨に使用する際の研磨液１Ｌ中１．０ｍｏｌ以下とすることにより、酸化剤及びこれらの化合物の劣化（無効化、分解）を防止しやすく、また、０．０００１ｍｏｌ以上とすることにより、研磨速度及び研磨における銅／タンタル選択性が向上し易い点で好ましい。
【００２５】
（有機酸と１，２，３−トリアゾール誘導体の組み合わせ）
本発明において、前記有機酸と１，２，３−トリアゾール誘導体の組合せは、研磨速度と、ディッシングを両立させる観点から、有機酸のｌｏｇＰと１，２，３−トリアゾール誘導体のｌｏｇＰとの比（有機酸／１，２，３−トリアゾール誘導体）が−１．２以上−０．６以下であることが好ましく、−１．１以上−０．７以下であることがより好ましい。
有機酸と１，２，３−トリアゾール誘導体の組み合わせは、ｌｏｇＰの比（有機酸／１，２，３−トリアゾール誘導体）が−１．２以上−０．６以下であり、かつ、特定有機酸が前記アミノ酸及び／又はグリコール酸であることが好ましい。
また、有機酸と１，２，３−トリアゾール誘導体の組み合わせは、ｌｏｇＰの比（有機酸／１，２，３−トリアゾール誘導体）が−１．２以上−０．６以下であり、かつ、特定トリアゾール誘導体が前記例示化合物であることが好ましい。
本発明において、特定有機酸及び特定１，２，３−トリアゾール誘導体の好適な例としては、それぞれの好ましい例の組み合わせがより好ましい。
【００２６】
本発明の金属用研磨液は、構成成分として前記本発明のにおける前記特定の有機酸及び前記特定の１，２，３−トリアゾール誘導体のそれぞれを少なくとも１種を含有する他は、特に限定されず、必要に応じて、酸化剤と溶媒／分散媒とを含有することが好ましい。
本発明の金属用研磨液は、本発明の効果を損なわない限りにおいては、公知の金属用研磨液に用いられる化合物を目的に応じて選択して用いることができる。
一般に金属用研磨液には、上記の必須成分、酸化剤、溶媒／分散媒のほかに、不動態膜形成剤、上記以外の有機酸、砥粒が含むことができる。本発明においては必ずしも砥粒を入れなくてもよい。
本発明の金属用研磨液は、さらに他の成分を含有してもよく、好ましい成分としては例えば芳香環を有する化合物、界面活性剤、水溶性ポリマー、及び各種添加剤を挙げることができる。金属用研磨液には、各成分を単独で用いても、２種以上添加してもよい。
【００２７】
本発明の「金属用研磨液」は、研磨に使用する際の研磨液（即ち、必要により希釈された研磨液）のみならず、金属用研磨液の濃縮液を含んでいる。濃縮液または濃縮された研磨液とは、研磨に使用する際の研磨液よりも、溶質の濃度が高く調製された研磨液を意味し、研磨に使用する際に、水または水溶液などで希釈して、研磨に使用されるものである。希釈倍率は、一般的には１〜２０体積倍である。
本明細書において「濃縮」及び「濃縮液」とは、使用状態よりも「濃厚」及び「濃厚な液」を意味する慣用表現にしたがって用いており、蒸発などの物理的な濃縮操作を伴う一般的な用語の意味とは異なる用法で用いている。
【００２８】
なお、金属用研磨液の濃縮液作製時に添加する成分の内、室温での水に対する溶解度が５質量％未満のものの配合量は、濃縮液を５℃に冷却した際の析出を防止する点で、室温での水に対する溶解度の２倍以内とすることが好ましく、１．５倍以内とすることがより好ましい。
【００２９】
以下、本発明の金属研磨液に用いうる前記以外の構成成分について説明する。
（酸化剤）
本発明の金属用研磨液は、研磨対象の金属を酸化できる化合物（酸化剤）を含有することが好ましい。
具体的には、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、オゾン水および銀（ＩＩ）塩、鉄（ＩＩＩ）塩が挙げられるが、過酸化水素がより好ましく用いられる。
酸化剤の添加量は、研磨に使用する際の金属用研磨液の１Ｌ中、０．００３ｍｏｌ〜８ｍｏｌとすることが好ましく、０．０３ｍｏｌ〜６ｍｏｌとすることがより好ましく、０．１ｍｏｌ〜４ｍｏｌとすることが特に好ましい。即ち、酸化剤の添加量は、金属の酸化が十分で高いＣＭＰ速度を確保する点で０．００３ｍｏｌ以上が好ましく、研磨面の荒れ防止の点から８ｍｏｌ以下が好ましい。
【００３０】
（砥粒）
本発明の金属用研磨液は砥粒を含有することができる。
好ましい砥粒としては、例えば、シリカ（沈降シリカ、フュームドシリカ、コロイダルシリカ、合成シリカ）、セリア、アルミナ、チタニア、ジルコニア、ゲルマニア、酸化マンガン、炭化ケイ素、ポリスチレン、ポリアクリル、ポリテレフタレートなどが挙げられる。特に、コロイダルシリカを用いると、本発明の顕著な効果が得られ、好ましい。
【００３１】
砥粒の添加量としては、使用する際の金属用研磨液１Ｌ中に０．０１〜２０質量％が好ましく、０．０５〜２０質量％がより好ましく、特に０．２〜５質量％が好ましい。
研磨速度の向上とウエハ面内の研磨速度のばらつきの低減における充分な効果を得る上で０．０１質量％以上が好ましく、ＣＭＰによる研磨速度が飽和するため、２０質量％以下が好ましい。
【００３２】
また、砥粒は平均粒径５〜１０００ｎｍが好ましく、１０〜２００ｎｍがより好ましく、５〜２００ｎｍが好ましく、特に平均粒径２０〜７０ｎｍの砥粒を用いると本発明の効果が顕著に得られ、好ましい。
【００３３】
〔他の有機酸〕
本発明の研磨液には、上記の（ｌｏｇＰ）が−０．８５以下である有機酸であるアミノ酸もしくはグリコール酸誘導体に加え、他の有機酸を併用することができる。
有機酸としては、本発明の効果を阻害しない範囲において、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２−メチル酪酸、ｎ−ヘキサン酸、３，３−ジメチル酪酸、２−エチル酪酸、４−メチルペンタン酸、ｎ−ヘプタン酸、２−メチルヘキサン酸、ｎ−オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸および乳酸等が挙げられる。
【００３４】
他の有機酸の添加量は、研磨に使用する際の金属用研磨液の１Ｌ中、０．０００５〜０．５ｍｏｌとすることが好ましく、０．００５ｍｏｌ〜０．３ｍｏｌとすることがより好ましく、０．０１ｍｏｌ〜０．１ｍｏｌとすることが特に好ましい。即ち、酸の添加量は、エッチングの抑制の点から０．５ｍｏｌ以下が好ましく、充分な効果を得る上で０．０００５ｍｏｌ以上が好ましい。
【００３５】
〔１，２，３−トリアゾール誘導体以外の芳香環を有する化合物〕
また、本発明の金属用研磨液には、上記の水溶性の低い１，２，３−トリアゾール誘導体以外に酸化剤の劣化を抑制し、且つ、金属表面に不動態膜を形成し、研磨速度を制御する不動態膜形成剤としての機能を有する化合物、具体的には、１，２，３−トリアゾール誘導体以外の芳香環を有する化合物（以下、単に「芳香環を有する化合物」ともいう。）を併用してもよい。
芳香環を有する化合物とは、ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香環を有する、好ましくは分子量２０〜６００の化合物であり、例えば、テトラゾール類及びその誘導体またはアントラニル酸類及びその誘導体、アミノトルイル酸、キナルジン酸、以下のようなアゾール類が挙げられ、例えば、ベンゾトリアゾール、４−ヒドロキシベンゾトリアゾール、４−カルボキシ−１Ｈ−ベンゾトリアゾールブチルエステル、トリルトリアゾール、ナフトトリアゾールテトラゾール、テトラゾール酢酸、テトラゾールカルボン酸、テトラゾールプロピオン酸、フェニルテトラゾール、メチルテトラゾールなどが高いＣＭＰ速度と低いエッチング速度を両立する上で好ましい。
【００３６】
上記の芳香環を有する化合物の添加量は、総量として、研磨に使用する際の金属用研磨液（即ち、水または水溶液で希釈する場合は希釈後の研磨液。以降の「研磨に使用する際の研磨液」も同意である。）の１Ｌ中、０．０００１〜１．０ｍｏｌが好ましく、より好ましくは０．００１〜０．５ｍｏｌ、更に好ましくは０．０１〜０．１ｍｏｌである。
すなわち、芳香環を有する化合物の添加量は、酸化剤及びこれらの化合物の劣化（無効化、分解）防止の点から研磨に使用する際の研磨液１Ｌ中１．０ｍｏｌ以下が好ましく、充分な効果を得る上で０．０００１ｍｏｌ以上が好ましい。
【００３７】
（界面活性剤及び／又は親水性ポリマー等）
本発明の研磨液は、界面活性剤及び／又は親水性ポリマーを含有することができる。
界面活性剤と親水性ポリマーは、いずれも被研磨面の接触角を低下させる作用を有して、均一な研磨を促す作用を有する。用いられる界面活性剤や親水性ポリマーとしては、以下の群から選ばれたものが好適である。
陰イオン界面活性剤として、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル塩、リン酸エステル塩が挙げられ、カルボン酸塩として、石鹸、Ｎ−アシルアミノ酸塩、ポリオキシエチレンまたはポリオキシプロピレンアルキルエーテルカルボン酸塩、アシル化ペプチド；スルホン酸塩として、アルキルスルホン酸塩、アルキルベンゼン及びアルキルナフタレンスルホン酸塩、ナフタレンスルホン酸塩、スルホコハク酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩、Ｎ−アシルスルホン酸塩；硫酸エステル塩として、硫酸化油、アルキル硫酸塩、アルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレン又はポリオキシプロピレンアルキルアリルエーテル硫酸塩、アルキルアミド硫酸塩；リン酸エステル塩として、アルキルリン酸塩、ポリオキシエチレン又はポリオキシプロピレンアルキルアリルエーテルリン酸塩を挙げることができる。
【００３８】
陽イオン界面活性剤として、脂肪族アミン塩、脂肪族４級アンモニウム塩、塩化ベンザルコニウム塩、塩化ベンゼトニウム、ピリジニウム塩、イミダゾリニウム塩が挙げられ、両性界面活性剤として、カルボキシベタイン型、アミノカルボン酸塩、イミダゾリニウムベタイン、レシチン、アルキルアミンオキサイドを挙げることができる。
非イオン界面活性剤として、エーテル型、エーテルエステル型、エステル型、含窒素型が挙げられ、エーテル型として、ポリオキシエチレンアルキルおよびアルキルフェニルエーテル、アルキルアリルホルムアルデヒド縮合ポリオキシエチレンエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテルが挙げられ、エーテルエステル型として、グリセリンエステルのポリオキシエチレンエーテル、ソルビタンエステルのポリオキシエチレンエーテル、ソルビトールエステルのポリオキシエチレンエーテルが挙げられ、エステル型として、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、グリセリンエステル、ポリグリセリンエステル、ソルビタンエステル、プロピレングリコールエステル、ショ糖エステルが挙げられ、含窒素型として、脂肪酸アルカノールアミド、ポリオキシエチレン脂肪酸アミド、ポリオキシエチレンアルキルアミド等が例示される。また、フッ素系界面活性剤などが挙げられる。
【００３９】
さらに、親水性ポリマーとしては、ポリエチレングリコール等のポリグリコール類：アルギン酸等の多糖類；ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸アンモニウム塩等のカルボン酸含有ポリマー；ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等のビニル系ポリマ；
コハク酸アミド等のアミド等が挙げられる。
その他、親水性化合物としては、シクロヘキサノール等も挙げられる。
【００４０】
なお、上記のものは、酸もしくはそのアンモニウム塩の方が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物等による汚染がなくて望ましい。
上記例示化合物の中でもシクロヘキサノール、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリビニルアルコール、コハク酸アミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマーがより好ましい。
【００４１】
これらの界面活性剤や親水性ポリマーの重量平均分子量としては、５００〜１０００００が好ましく、特には２０００〜５００００が好ましい。
【００４２】
界面活性剤及び／又は親水性ポリマーの添加量は、総量として、研磨に使用する際の金属用研磨液の１Ｌ中、０．００１〜１０ｇとすることが好ましく、０．０１〜５ｇとすることがより好ましく、０．１〜３ｇとすることが特に好ましい。
【００４３】
（ｐＨ調整剤）
本発明の金属用研磨液は、所定のｐＨとすべく、アルカリ／酸又は緩衝剤を添加されることが好ましい。
アルカリ／酸又は緩衝剤としては、水酸化アンモニウム及びテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドなどの有機水酸化アンモニウム、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミンなどのようなアルカノールアミン類などの非金属アルカリ剤、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムなどのアルカリ金属水酸化物、硝酸、硫酸、りん酸などの無機酸、炭酸ナトリウムなどの炭酸塩、リン酸三ナトリウムなどのリン酸塩、ホウ酸塩、四ホウ酸塩、ヒドロキシ安息香酸塩等を好ましく挙げることができる。特に好ましいアルカリ剤として水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム及びテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドである。
【００４４】
アルカリ／酸又は緩衝剤の添加量としては、ｐＨが好ましい範囲に維持される量であればよく、研磨に使用する際の金属用研磨液の１Ｌ中、０．０００１ｍｏｌ〜１．０ｍｏｌとすることが好ましく０．００３ｍｏｌ〜０．５ｍｏｌとすることがより好ましい。
研磨に使用する際の金属用研磨液のｐＨは３〜１２が好ましく、より好ましくは４〜９であり、特に５〜８が好ましい。この範囲において本発明の金属液は特に優れた効果を発揮する。
【００４５】
（キレート剤）
本発明の金属用研磨液は、混入する多価金属イオンなどの悪影響を低減させるために、必要に応じてキレート剤を含有していてもよい。キレート剤としては、カルシウムやマグネシウムの沈澱防止剤である汎用の硬水軟化剤やその類縁化合物を用いることができ、必要に応じてこれらを２種以上併用しても良い。
キレート剤の添加量は混入する多価金属イオンなどの金属イオンを封鎖するのに充分な量であれば良く、例えば、研磨に使用する際の金属用研磨液の１Ｌ中、０．０００３ｍｏｌ〜０．０７ｍｏｌになるように添加する。
【００４６】
〔配線金属原材料〕
本発明においては、研磨する対象である半導体が、銅金属及び／又は銅合金からなる配線を持つＬＳＩであることが好ましく、特には銅合金が好ましい。更には、銅合金の中でも銀を含有する銅合金が好ましい。銅合金に含有される銀含量は、４０質量％以下が好ましく、特には１０質量％以下、さらには１質量％以下が好ましく、０．００００１〜０．１質量％の範囲である銅合金において最も優れた効果を発揮する。
【００４７】
〔配線の太さ〕
本発明においては、研磨する対象である半導体が、例えばＤＲＡＭデバイス系ではハーフピッチで０．１５μｍ以下で特には０．１０μｍ以下、更には０．０８μｍ以下、一方、ＭＰＵデバイス系では０．１２μｍ以下で特には０．０９μｍ以下、更には０．０７μｍ以下の配線を持つＬＳＩであることが好ましい。これらのＬＳＩに対して、本発明の研磨液は特に優れた効果を発揮する。
【００４８】
〔バリア金属〕
本発明においては、半導体が銅金属及び／または銅合金からなる配線と層間絶縁膜との間に、銅の拡散を防ぐ為のバリア層を設けることが好ましい。バリア層としては低抵抗のメタル材料がよく、特にはＴｉＮ、ＴｉＷ、Ｔａ、ＴａＮ、Ｗ、ＷＮが好ましく、中でもＴａ、ＴａＮが特に好ましい。
【００４９】
〔研磨方法〕
金属用研磨液は、濃縮液であって使用する際に水を加えて希釈して使用液とする場合、または、各成分が次項に述べる水溶液の形態でこれらを混合し、必要により水を加え希釈して使用液とする場合、あるいは使用液として調製されている場合がある。本発明の金属用研磨液を用いた研磨方法は、いずれの場合にも適用でき、研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて研磨する研磨方法である。
研磨する装置としては、被研磨面を有する半導体基板等を保持するホルダーと研磨パッドを貼り付けた（回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある）研磨定盤を有する一般的な研磨装置が使用できる。研磨パッドとしては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。研磨条件には制限はないが、研磨定盤の回転速度は基板が飛び出さないように２００ｒｐｍ以下の低回転が好ましい。被研磨面（被研磨膜）を有する半導体基板の研磨パッドへの押しつけ圧力は、５〜５００ｇ／ｃｍ２であることが好ましく、研磨速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、１２〜２４０ｇ／ｃｍ２であることがより好ましい。
前記押さえ圧力７５ｇ／ｃｍ２以下で研磨するための金属用研磨液としては、１，２，３−トリアゾール誘導体としてｌｏｇＰが１以上のトリアゾール誘導体と有機酸としてｌｏｇＰが−０．８５以下のアミノ酸、グリコール酸誘導体を併用し、有機酸のｌｏｇＰと１，２，３−トリアゾール誘導体のｌｏｇＰの比（有機酸／１，２，３−トリアゾール誘導体）が−１．２以上−０．６以下であり、かつ１，２，３−トリアゾール誘導体を１．０ｍｍｏｌ／Ｌ以下添加することが、研磨速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦性を満足するため、好ましい。
【００５０】
研磨している間、研磨パッドには金属用研磨液をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に研磨液で覆われていることが好ましい。研磨終了後の半導体基板は、流水中で良く洗浄した後、スピンドライヤ等を用いて半導体基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させる。本発明の研磨方法では、希釈する水溶液は、次ぎに述べる水溶液と同じである。水溶液は、予め酸化剤、酸、添加剤、界面活性剤のうち少なくとも１つ以上を含有した水で、水溶液中に含有した成分と希釈される金属用研磨液の成分を合計した成分が、金属用研磨液を使用して研磨する際の成分となるようにする。水溶液で希釈して使用する場合は、溶解しにくい成分を水溶液の形で配合することができ、より濃縮した金属用研磨液を調製することができる。
【００５１】
濃縮された金属用研磨液に水または水溶液を加え希釈する方法としては、濃縮された金属用研磨液を供給する配管と水または水溶液を供給する配管を途中で合流させて混合し、混合し希釈された金属用研磨液を研磨パッドに供給する方法がある。混合は、圧力を付した状態で狭い通路を通して液同士を衝突混合する方法、配管中にガラス管などの充填物を詰め液体の流れを分流分離、合流させることを繰り返し行う方法、配管中に動力で回転する羽根を設ける方法など通常に行われている方法を採用することができる。
【００５２】
金属用研磨液の供給速度は１０〜１０００ｍｌ／ｍｉｎが好ましく、研磨速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、１７０〜８００ｍｌ／ｍｉｎであることがより好ましい。
【００５３】
濃縮された金属用研磨液を水または水溶液などにより希釈し、研磨する方法としては、金属用研磨液を供給する配管と水または水溶液を供給する配管を独立に設け、それぞれから所定量の液を研磨パッドに供給し、研磨パッドと被研磨面の相対運動で混合しつつ研磨する方法である。または、１つの容器に、所定量の濃縮された金属用研磨液と水または水溶液を入れ混合してから、研磨パッドにその混合した金属用研磨液を供給し、研磨をする方法がある。
【００５４】
本発明の別の研磨方法は、金属用研磨液が含有すべき成分を少なくとも２つの構成成分に分けて、それらを使用する際に、水または水溶液を加え希釈して研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて研磨する方法である。
例えば、酸化剤を１つの構成成分（Ａ）とし、酸、添加剤、界面活性剤及び水を１つの構成成分（Ｂ）とし、それらを使用する際に水または水溶液で構成成分（Ａ）と構成成分（Ｂ）を希釈して使用する。
また、溶解度の低い添加剤を２つの構成成分（Ａ）と（Ｂ）に分け、酸化剤、添加剤及び界面活性剤を１つの構成成分（Ａ）とし、酸、添加剤、界面活性剤及び水を１つの構成成分（Ｂ）とし、それらを使用する際に水または水溶液を加え構成成分（Ａ）と構成成分（Ｂ）を希釈して使用する。この例の場合、構成成分（Ａ）と構成成分（Ｂ）と水または水溶液をそれぞれ供給する３つの配管が必要であり、希釈混合は、３つの配管を、研磨パッドに供給する１つの配管に結合し、その配管内で混合する方法があり、この場合、２つの配管を結合してから他の１つの配管を結合することも可能である。
なお、ここで、本発明に係る前記一般式（Ｉ）であらわされる化合物は、２つの構成成分のうち、有機酸とともに、（Ｂ）に添加することが溶液経時安定性の観点から好ましい。
【００５５】
例えば、溶解しにくい添加剤を含む構成成分と他の構成成分を混合し、混合経路を長くして溶解時間を確保してから、さらに水または水溶液の配管を結合する方法である。その他の混合方法は、上記したように直接に３つの配管をそれぞれ研磨パッドに導き、研磨パッドと被研磨面の相対運動により混合する方法、１つの容器に３つの構成成分を混合して、そこから研磨パッドに希釈された金属用研磨液を供給する方法である。上記した研磨方法において、酸化剤を含む１つの構成成分を４０℃以下にし、他の構成成分を室温から１００℃の範囲に加温し、且つ１つの構成成分と他の構成成分または水もしくは水溶液を加え希釈して使用する際に、混合した後に４０℃以下とするようにすることもできる。温度が高いと溶解度が高くなるため、金属用研磨液の溶解度の低い原料の溶解度を上げるために好ましい方法である。
【００５６】
酸化剤を含まない他の成分を室温から１００℃の範囲で加温して溶解させた原料は、温度が下がると溶液中に析出するため、温度が低下したその成分を用いる場合は、予め加温して析出したものを溶解させる必要がある。これには、加温し溶解した構成成分液を送液する手段と、析出物を含む液を攪拌しておき、送液し配管を加温して溶解させる手段を採用することができる。加温した成分が酸化剤を含む１つの構成成分の温度を４０℃以上に高めると酸化剤が分解してくる恐れがあるので、加温した構成成分とこの加温した構成成分を冷却する酸化剤を含む１つの構成成分で混合した場合、４０℃以下となるようにする。
【００５７】
また本発明においては、上述したように金属用研磨液の成分を二分割以上に分割して、研磨面に供給してもよい。この場合、酸化物を含む成分と酸を含有する成分とに分割して供給する事が好ましい。また、金属用研磨液を濃縮液とし、希釈水を別にして研磨面に供給してもよい。
【００５８】
〔パッド〕
研磨用のパッドは、無発泡構造パッドでも発泡構造パッドでもよい。前者はプラスチック板のように硬質の合成樹脂バルク材をパッドに用いるものである。また、後者は更に独立発泡体（乾式発泡系）、連続発泡体（湿式発泡系）、２層複合体（積層系）の３つがあり、特には２層複合体（積層系）が好ましい。発泡は、均一でも不均一でもよい。
更に研磨に用いる砥粒（例えば、セリア、シリカ、アルミナ、樹脂など）を含有したものでもよい。また、それぞれに硬さは軟質のものと硬質のものがあり、どちらでもよく、積層系ではそれぞれの層に異なる硬さのものを用いることが好ましい。材質としては不織布、人工皮革、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、ポリカーボネート等が好ましい。また、研磨面と接触する面には、格子溝／穴／同心溝／らせん状溝などの加工を施してもよい。
【００５９】
〔ウエハ〕
本発明の金属用研磨液でＣＭＰを行なう対象ウエハは、径が２００ｍｍ以上であることが好ましく、特には３００ｍｍ以上が好ましい。３００ｍｍ以上である時に顕著に本発明の効果を発揮する。
【実施例】
【００６０】
以下、実施例により本発明を説明する。本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００６１】
＜例示化合物Ｂ−１の合成＞
３−（４−メトキシフェニル）プロピオン酸  １．７６ｇ（１０ｍｍｏｌ）とメトキシポリエチレングリコール（以下、「ＭｅＯＰＥＧ」という。）に保持したアジド５ｇ（１．０ｍｍｏｌ）をトルエン４０ｍｌ中で加熱攪拌した後、エバポレーターで減圧濃縮し、エ―テルを加えた。
析出物を濾取し乾燥後、クロロホルム４ｍｌに溶解し、ギ酸４．５ｍｌを加えた。加熱還流後、エーテルを加え、析出物を濾別後、濾液を（飽和）炭酸水素ナトリウム水溶液で中和後、抽出した。抽出液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、例示化合物Ｂ−１を１７９ｍｇ（０．８２ｍｍｏｌ，収率８２％）得た。
【００６２】
得られた例示化合物Ｂ−１の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値  Ｍｏｌ．Ｗｔ．：２１９．２として、
計算値；  Ｃ  ５４．８  Ｈ  ４．１４（％）
実測値  Ｃ  ５５．１  Ｈ  ４．２（％）
【００６３】
＜例示化合物Ｂ−２の合成＞
１−エテニルベンゼン  １．０２ｇ（１０ｍｍｏｌ）とＭｅＯＰＥＧ保持したアジド５ｇ（１．０ｍｍｏｌ）をトルエン４０ｍｌ中で加熱攪拌した後、エバポレーターで減圧濃縮し、エ―テルを加えた。析出物を濾取し乾燥後、クロロホルム４ｍｌに溶解し、ギ酸４．５ｍｌを加えた。加熱還流後、エーテルを加え、析出物を濾別後、濾液を（飽和）炭酸水素ナトリウム水溶液で中和後、抽出した。抽出液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、例示化合物Ｂ−２を１０９ｍｇ（０．７５ｍｍｏｌ，収率７５％）得た。
【００６４】
得られた例示化合物Ｂ−２の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値  Ｍｏｌ．Ｗｔ．：１４５．１６として、
計算値  Ｃ  ６６．２  Ｈ  ４．８６（％）
実測値  Ｃ  ６７．０  Ｈ  ５．０（％）
【００６５】
＜例示化合物Ｂ−３の合成＞
３−フェニルプロピオル酸  １．４６ｇ（１０ｍｍｏｌ）とＭｅＯＰＥＧ保持したアジド５ｇ（１．０ｍｍｏｌ）をトルエン４０ｍｌ中で加熱攪拌した後、エバポレーターで減圧濃縮し、エ―テルを加えた。析出物を濾取し乾燥後、クロロホルム４ｍｌに溶解し、ギ酸４．５ｍｌを加えた。加熱還流後、エーテルを加え、析出物を濾別後、濾液を（飽和）炭酸水素ナトリウム水溶液で中和後、抽出した。抽出液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、例示化合物Ｂ−３を１３２ｍｇ（０．７ｍｍｏｌ，収率７０％）得た。
【００６６】
得られた例示化合物Ｂ−３の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値  Ｍｏｌ．Ｗｔ．：１８９．１７として、
計算値  Ｃ  ５７．１４    Ｈ  ３．７３（％）
実測値  Ｃ  ５７．９    Ｈ  ３．６（％）
【００６７】
＜例示化合物Ｂ−５の合成＞
エチニルシクロヘキサン  １．０８ｇ（１０ｍｍｏｌ）とＭｅＯＰＥＧ保持したアジド５ｇ（１．０ｍｍｏｌ）をトルエン４０ｍｌ中で加熱攪拌した後、エバポレーターで減圧濃縮し、エ―テルを加えた。析出物を濾取し乾燥後、クロロホルム４ｍｌに溶解し、ギ酸４．５ｍｌを加えた。加熱還流後、エーテルを加え、析出物を濾別ご、濾液を（飽和）炭酸水素ナトリウム水溶液で中和後、抽出した。抽出液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、例示化合物Ｂ−５を１０２ｍｇ（０．６７ｍｍｏｌ，収率６７％）得た。
【００６８】
得られた例示化合物Ｂ−５の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値  Ｍｏｌ．Ｗｔ．：１５１．２１として、
計算値  Ｃ  ６３．５    Ｈ  ８．６７（％）
実測値  Ｃ  ６４．０    Ｈ  ８．７（％）
【００６９】
＜例示化合物Ｂ−６の合成＞
１−（プロピ−２−ニル）ベンゼン  １．１６ｇ（１０ｍｍｏｌ）とＭｅＯＰＥＧ保持したアジド５ｇ（１．０ｍｍｏｌ）をトルエン４０ｍｌ中で加熱攪拌した後、エバポレーターで減圧濃縮し、エ―テルを加えた。析出物を濾取し乾燥後、クロロホルム４ｍｌに溶解し、ギ酸４．５ｍｌを加えた。加熱還流後、エーテルを加え、析出物を濾別ご、濾液を（飽和）炭酸水素ナトリウム水溶液で中和後、抽出した。抽出液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、例示化合物Ｂ−６を１１２ｍｇ（０．７０ｍｍｏｌ，収率７０％）得た。
【００７０】
得られた例示化合物Ｂ−６の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値  Ｍｏｌ．Ｗｔ．：１５９．１９として、
計算値  Ｃ  ６７．９    Ｈ  ５．７０（％）
実測値  Ｃ  ６８．２    Ｈ  ５．８（％）
【００７１】
＜実施例１＞
下記に示す処方により、金属用研磨液を調製し（金属用研磨液１）、実施例１の金属用研磨液を得た。この金属用研磨液を、下記の方法により研磨試験を行って評価した。
【００７２】
（金属用研磨液１）
過酸化水素（酸化剤）                                            ５ｇ／Ｌ
例示化合物Ａ−１（有機酸）                              ０．２ｍｏｌ／Ｌ
例示化合物Ｂ−１（１，２，３−トリアゾール誘導体）    ０．２ｍｍｏｌ／Ｌ
コロイダルシリカ（砥粒）                                        ９ｇ／Ｌ
純水を加えて全量                                            １０００ｍＬ
ｐＨ（アンモニア水と硝酸で調整）                                  ６．８
【００７３】
（研磨試験）
研磨パッド：  ＩＣ１４００ＸＹ−Ｋ  Ｇｒｏｏｖｅ（ロデール社）
研磨機：  ＬＧＰ−６１２（ＬａｐｍａＳｔｅｒＳＦＴ社）
押さえ圧力：  ７５ｇ／ｃｍ２
金属用研磨液供給速度：  ２００ｍｌ／ｍｉｎ
銅ブランケットウエハ：  厚さ１．４μｍの銅膜を形成したウエハ（２００ｍｍ）
タンタルブランケットウエハ：  厚さ１μｍのタンタル膜を形成したウエハ（２００ｍｍ）
パターンウエハ：  セマテック社製ＣＭＰ８５４パターンウエハ（２００ｍｍ）
研磨パッド／ウエハの回転数：９５／１２０ｒｐｍ
定盤温調：  ２０℃
【００７４】
（評価方法）
研磨速度：  銅またはタンタルブランケットウエハ面上の４９箇所に対し、金属膜のＣＭＰ前後での膜厚さを電気抵抗値から換算して、平均研磨速度を求めた。
ディッシング：  パターンウエハに対し、非配線部の銅が完全に研磨されるまでの時間に加えて、該時間の５０％に相当する時間研磨し、ラインアンドスペース部（ライン１００μｍ、スペース１００μｍ）のディッシングを触針式段差計で測定した。
上記研磨液を用いてＣＭＰを行って得られた研磨速度、ディッシング及び銅とタンタルの研磨速度比を下記表１に示した。
【００７５】
＜実施例２〜１３及び比較例１〜６＞
実施例１における金属用研磨液１の処方において、特定有機酸である例示化合物Ａ−１及びベンゾトリアゾール誘導体である例示化合物Ｂ−１を、それぞれ表１に記載の化合物とした他は、実施例１と同様にして実施例及び比較例の金属用研磨液を調製し、実施例１と同様に研磨試験を行った。結果を下記表１に併記する。
【００７６】
【表１】
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【００７７】
表１に示されるように、本発明で特定のｌｏｇＰ値を有する、有機酸及び１，２，３−トリアゾール誘導体を含有する本発明の金属用研磨液は、前記特定のｌｏｇＰ値から外れる有機酸及び１，２，３−トリアゾール誘導体を含有する研磨液に対して、研磨速度及びディッシングに優れることがわかる。また、銅とタンタルの研磨選択比が高いことが明らかとなった。