(57)【要約】【課題】  半導体スイッチング素子において実現される小型化および大電流化の利点を受けることができ、はんだ流れによる問題を生じない給配電経路を備ええるパワーモジュール、その製造方法および素子接続用バスバーを提供する。【解決手段】  このパワーモジュール１０では、素子接続用バスバー５は、その一方で半導体スイッチング素子３にはんだ接合し、他方で給配電用導体２１にはんだ接合しており、素子接続用バスバー５において、はんだ接合部９は、その周りを表面被覆層７で囲まれていることを特徴とする。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電力と交流電力との電力変換のために用いられ、給配電用導体、半導体スイッチング素子および前記半導体スイッチング素子の接続のための素子接続用バスバーを備えるパワーモジュールにおいて、
前記素子接続用バスバーは、その一方で前記半導体スイッチング素子にはんだ接合し、他方で前記給配電用導体にはんだ接合しており、
前記素子接続用バスバーにおいて、前記はんだ接合部は、その周りを表面被覆層で囲まれていることを特徴とする、パワーモジュール。
【請求項２】
前記素子接続用バスバーの表面被覆層は、前記はんだ接合部を囲むように枠状に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のパワーモジュール。
【請求項３】
前記素子接続用バスバーの表面被覆層は、はんだ接合部に対応する開口部以外の表面を覆っていることを特徴とする、請求項１または２に記載のパワーモジュール。
【請求項４】
前記表面被覆層が、電気絶縁体で形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のパワーモジュール。
【請求項５】
前記素子接続用バスバーは、前記半導体スイッチング素子に接続する素子側平坦部と、前記給配電導体に接続する給配電側平坦部との間に、段差を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のパワーモジュール。
【請求項６】
直流電力と交流電力との電力変換のためのパワーモジュールにおいて、給配電用導体と半導体スイッチング素子とを接続するために用いられる素子接続用バスバーであって、
一方の平坦部と他方の平坦部との間に段差を設け、
前記一方および／または他方の平坦部の同じ面に、一つの領域を囲むように表面被覆層が形成されていることを特徴とする、素子接続用バスバー。
【請求項７】
前記素子接続用バスバーの表面被覆層は、前記一つの領域を囲むように枠状に形成されていることを特徴とする、請求項６に記載の素子接続用バスバー。
【請求項８】
前記素子接続用バスバーの表面被覆層は、前記一つの領域に対応する開口部以外の表面を覆うように形成されていることを特徴とする、請求項６または７に記載の素子接続用バスバー。
【請求項９】
前記素子接続用バスバーの表面被覆層が、電気絶縁体で形成されていることを特徴とする、請求項６〜８のいずれかに記載の素子接続用バスバー。
【請求項１０】
前記素子接続用バスバーは、めっき処理された金属で形成され、その金属の熱膨張係数が、純銅の熱膨張係数と同じか、または小さいことを特徴とする、請求項５〜７のいずれかに記載の素子接続用バスバー。
【請求項１１】
直流電力と交流電力との電力変換のために用いられ、給配電用導体、半導体スイッチング素子および前記半導体スイッチング素子の接続のための素子接続用バスバーを備えるパワーモジュールの製造方法において、
前記素子接続用バスバーの一つまたは複数のはんだ接合部を囲むように表面被覆層を設ける工程と、
前記半導体スイッチング素子および前記給配電導体を所定の位置関係に固定する工程と、
前記半導体スイッチング素子および給配電用導体のはんだ接合箇所に溶融はんだを配置して、前記素子接続用バスバーの両方の端のはんだ接合部をそれぞれの前記溶融はんだに接近させて、前記半導体スイッチング素子および給配電用導体に、その素子接続用バスバーをはんだ接合する工程とを備えることを特徴とする、パワーモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自動車用モータへの電力供給に用いられるパワーモジュール、その製造方法および素子接続用バスバーに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
モータは、電気エネルギーを機械エネルギーに変換する機能を有し、化石燃料から機械エネルギーを取り出すエンジンとともに、各種の交通手段に用いられている。交通手段のうち、自動車にはエンジン車が圧倒的に多く用いられてきたが、化石燃料の高騰や、地球温暖化防止のためのＣＯ2排出量の抑制運動の高まりなどを背景に、電気自動車やハイブリッド自動車の使用台数が増大し、とくにハイブリッド自動車はその単位燃料当りの走行距離が高いために飛躍的にその台数を増やしている。
【０００３】
交通手段に用いられるモータに限らず、モータに供給される電力は、各種電力変換装置によって電力の形態を変換される場合が多い。このとき、モータには大きな電力が供給されるので、電力変換装置も大きな電力を扱うことになり、電力変換装置自体の電力損失を減らし、効率のよい電力変換を行うことが求められる。電力変換装置には、オンオフを繰り返すスイッチとして動作する半導体デバイス、すなわちスイッチング素子が用いられるが、スイッチング素子は、オン抵抗が存在し、スイッチング時にタイムラグが生じるため、スイッチング素子では、電力の消費はゼロではなく、ロスとして熱が発生する。
【０００４】
スイッチング素子は電力変換装置の重要な部分を占めるが、電力変換装置にはスイッチング素子のほかに、そのスイッチング素子の動作を制御する、マイコンやマイコンにモータの回転状態の情報を知らせるセンサなどを含む制御部が備えられる。一般に機械装置に用いられるモータには小型化、高性能化が求められるが、とくに交通手段では上記電力変換装置またはモータなどに対する小型化、大容量化（大電流化）の要求が厳しい。このため、スイッチング素子を対象に、従来のシリコン素子の大容量化とともに、ＳｉＣやＧａＮを用いて大電流化をはかる研究開発が推進されている。このようなスイッチング素子において実現される小型化、大電流化の利点を受けるためには、スイッチング素子の使用環境を形成する電力給配電経路の大電流容量化を実現する必要がある。
【０００５】
現状、スイッチング素子を配列してモータに３相交流電力を供給するパワーモジュールにおいて、スイッチング素子と、給電側端子および配電側端子とは、ワイヤで接続するのが普通であり、大電流化に応じて本数を増やして対応している。このため１つのスイッチング素子に数本から十数本のワイヤが並列に接続されることが、普通に行われている。現状、スイッチング素子の表面で、上記ワイヤとの接続に利用できる箇所はほとんど使い尽くされているといってもよい情況にある。上記のようにスイッチング素子の小型化および大電流化が実現すると、大電流に対応して接続すべきワイヤの本数は増えるのにもかかわらず、ワイヤを接続できるスイッチング素子の面積は減少することになる。
【０００６】
パワーモジュールの小型化および大電流化は、従来より精力的に行われているが、現在、ハイブリッド車等で直面している問題は、小型化のレベルなど質的に新しい段階に入っており、旧来の技術の組み合わせでは対応できないのが実情である。旧来の技術のなかで一般的なものをあげると、パワーモジュール全体をコンパクトにしながら回路インダクタンスおよび配線抵抗の低減をはかるのに、スイッチング素子と給配電バスバーとの接続を、長ねじで絶縁層を介在させて加圧体を上からバスバーおよび半導体チップに押し付けるようにして締結する方法が提案されている（特許文献１）。この方法によれば、全体をコンパクトなものにしながら回路インダクタンスおよび配線抵抗を低くすることができる。また、ゲート配線付きバスバーを用いてゲート電極にゲート配線を接続し、かつ表面の主電極を回路端子に接続する方法が提案されている（特許文献２）。この方法によれば、構成の小型化、簡素化を通して、製造の容易性、コスト低減等を得ることができる。
【特許文献１】特開２００２−９５２６８号公報
【特許文献２】特開２００５−１５０１５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記の素子接続用のバスバーは、どちらの方法も、はんだ接合する際のはんだ流れによる位置ずれ、すなわち位置精度のばらつきを考慮していない。上述のように、現在、ハイブリッド自動車の電力変換装置の配線にはボンディングワイヤが用いられているが、将来の大電力化を考えると、大電流密度に対応できるバスバー接続が妥当である。バスバーを半導体チップの電極に接続する場合、はんだを使用して接続するが、実装面積の制約があるためバスバーの位置決めの精度が重要となる。とくに上記の文献に開示された方法では、バスバーを半導体チップの電極に接続する際、圧接によって接続を実現しようとし、はんだ流れによる精度不良を考慮していない。すなわちはんだ接合を行うとき、バスバー表面にはんだが濡れ広がったり、接合部位が過剰になったりして、所望の位置決めができないだけでなく、所定のはんだ厚さも得られないという問題を考慮していない。
【０００８】
本発明は、半導体スイッチング素子において実現される小型化および大電流化の利点を受けることができ、給配電経路の電気接続箇所において、はんだ接合性に優れた接合部を備えるパワーモジュール、その製造方法および素子接続用バスバーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のパワーモジュールは、直流電力と交流電力との電力変換のために用いられ、給配電用導体、半導体スイッチング素子および半導体スイッチング素子の接続のための素子接続用バスバーを備えるパワーモジュールである。このパワーモジュールでは、素子接続用バスバーは、その一方で半導体スイッチング素子にはんだ接合し、他方で給配電用導体にはんだ接合しており、素子接続用バスバーにおいて、はんだ接合部は、その周りを表面被覆層で囲まれていることを特徴とする。
【００１０】
ここで表面被覆層は、はんだ濡れ性の低い材料、たとえばはんだレジスト等により形成される。この構成によれば、所定のはんだ接合部（開口部）の周りは表面被覆層で覆われるため、はんだ流れは表面被覆層において防止され、位置精度が確保される。
【００１１】
また、素子接続用バスバーの表面被覆層は、はんだ接合部を囲むように枠状に形成されてもよい。この構成により、表面被覆層に必要な材料の量を少なくして、表面被覆層形成工程も簡単化することができる。
【００１２】
また、上記の素子接続用バスバーの表面被覆層は、はんだ接合部に対応する開口部以外の表面を覆うように形成してもよい。これによれば、比較的簡単に表面被覆層を形成することができる。
【００１３】
また、上記の素子接続用バスバーの表面被覆層は、電気絶縁体で形成されてもよい。この構成により、絶縁機能を持つ素子接続用バスバーを用いてパワーモジュールを形成することができる。
【００１４】
上記の素子接続用バスバーは、半導体スイッチング素子に接続する素子側平坦部と、給配電導体に接続する給配電側平坦部との間に、段差を有することができる。この構成により、給配電用導体の上面と半導体スイッチング素子の表面電極とが、高さ位置を異にすることがあっても、高さ位置の差を上記段差によって調整して、接続箇所において平坦部同士が接続される状態を確保することができる。
【００１５】
本発明の素子接続用バスバーは、直流電力と交流電力との電力変換のためのパワーモジュールにおいて、給配電用導体と半導体スイッチング素子とを接続するために用いられる素子接続用バスバーである。この素子接続用バスバーは、一方の平坦部と他方の平坦部との間に段差を設け、一方および／または他方の平坦部の同じ面に、一つの領域を囲むように表面被覆層が形成されていることを特徴とする。
【００１６】
ここで表面被覆層は、はんだ濡れ性の低い材料、たとえばはんだレジスト等により形成される。上記の素子接続用バスバーは、はんだ接合部に対応する領域（開口部）の周りが表面被覆層で覆われるため、はんだ流れは表面被覆層において防止され、位置精度が確保される。
【００１７】
また、上記の素子接続用バスバーの表面被覆層は、一つの領域を囲むように枠状に形成されてもよい。この構成により、表面被覆層に必要な材料の量を少なくして、表面被覆層形成工程も簡単化することができる。
【００１８】
また、上記の素子接続用バスバーの表面被覆層は、一つの領域に対応する開口部以外の表面を覆うように形成してもよい。これにより、表面被覆層の不要部分を細かく除去するなどの工程がなくなり、比較的簡単に表面被覆層を形成することができる。
【００１９】
また、上記の素子接続用バスバーの表面被覆層は、電気絶縁体で形成されていてもよい。この構成により、絶縁機能を持つ素子接続用バスバーを用いてパワーモジュールを形成することができる。
【００２０】
また、上記の素子接続用バスバーは、めっき処理された金属で形成され、その金属の熱膨張係数が、純銅の熱膨張係数と同じか、または小さい構成とすることができる。これにより、上記金属層の熱膨張係数が小さいので、半導体スイッチング素子との間に大きな熱応力が生じにくい。
【００２１】
本発明のパワーモジュールの製造方法は、直流電力と交流電力との電力変換のために用いられ、給配電用導体、半導体スイッチング素子および前記半導体スイッチング素子の接続のための素子接続用バスバーを備えるパワーモジュールの製造方法である。この製造方法は、素子接続用バスバーの一つまたは複数のはんだ接合部を囲むように表面被覆層を設ける工程と、半導体スイッチング素子および前記給配電導体を所定の位置関係に固定する工程とを備える。そして、半導体スイッチング素子および給配電用導体のはんだ接合箇所に溶融はんだを配置して、素子接続用バスバーの両方の端のはんだ接合部をそれぞれの溶融はんだに接近させて、半導体スイッチング素子および給配電用導体に、その素子接続用バスバーをはんだ接合する工程とを備えることを特徴とする。
【００２２】
ここで表面被覆層は、はんだ濡れ性の低い材料、たとえばはんだレジスト等により形成される。この構成によれば、所定のはんだ接合部（開口部）の周りは表面被覆層で覆われるため、はんだ流れは表面被覆層において防止され、位置精度が確保される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のパワーモジュールおよび素子接続用バスバーによれば、給配電経路の電気接続において、はんだ接合性を優れたものにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図１は、本発明の実施の形態におけるパワーモジュール１０を説明するための図である。このパワーモジュール１０は、ハイブリッド自動車のモータ配電用の端子である、Ｕ相端子、Ｖ相端子およびＷ相端子を有し、また発電機用の端子である、＋端子および−端子を有する。スイッチング素子としては、モータ用のスイッチング素子の３，３１と、発電機用のスイッチング素子３３とが配置される。モータ用スイッチング素子はＩＧＢＴ(  Insulated  Gate  Bipolar  Transistor  )３と、フリーホイールダイオード（  Free  Wheel  Diode  :  FWD  )３1とがある。本説明では、トランジスタおよびダイオードはいずれも半導体スイッチング素子と呼ぶこととする。これら半導体スイッチング素子３，３１，３３は、図示を省略した実装基板上等に実装され、その実装基板の下に放熱板６１が配置される。上記の半導体スイッチング素子３，３１，３３および実装基板等は、筐体６５に収納される。上記筐体６５内には、スイッチング素子の上に絶縁板を介在させて、上記スイッチング素子のゲート信号を制御する半導体素子等が実装された、図示しない制御信号用実装基板が配置される。上記放熱板６１の下にその放熱板６１に接するように、冷却媒体が流れる冷却媒体路６７が設けられる。冷却媒体には、不凍液であるエチレングリコール水溶液などを用いることができる。
【００２５】
図１において、３相交流モータへの配電端子Ｕ相、Ｖ相またはＷ相端子が設けられ、これら配電端子から交流電力が配電される。スイッチング素子３，３１は、給電端子のプラス側とマイナス側との間に、２つ直列に接続され、その間に配電端子Ｕ，Ｖ，Ｗが接続される。図２は、図１におけるＡの領域を拡大した図である。領域Ａに、高電位側のＩＧＢＴ３、ＦＷＤ３１、または低電位側のＩＧＢＴ３、ＦＷＤ３１が配置される。モータ用のＵ相配電領域には、領域Ａに相当する領域が全部で４つ配置されているが、上記のように電圧（高電位側および低電位側）による区分けが２種、そして大電流を流すため上記と同じものが並列に接続されることにより２種、計４つの領域が形成されることになる。並列に設けられる経路は２つに限られず、より大電流の場合は３つが並列に配置される。また、スイッチング素子において小型化、大電流化が実現したときは、スイッチング素子の容量に限定すれば、１つの経路だけでよい場合もある。
【００２６】
図２において、絶縁基板１の上に配線基板（金属板）２が配置され、その上にＩＧＢＴ３およびＦＷＤ３１が位置している。ＩＧＢＴ３およびＦＷＤ３１は、裏面に図示しないコレクタ電極（裏面電極）を有し、このコレクタ電極が金属板２にはんだ接合などにより接続されている。すなわちＩＧＢＴ３およびＦＷＤ３１の裏面電極と金属板２とは、導通状態にある。ＩＧＢＴ３の表面にはエミッタ電極３ａが露出し、またＦＷＤ３１の表面には表面電極３１ａが露出している。ＩＧＢＴ３の表面電極３ａおよび裏面電極と、ＦＷＤ３１の表面電極３１ａおよび裏面電極とは並列接続されている。すなわちＩＧＢＴ３の表面電極３ａとＦＷＤ３１の表面電極３１ａは回路配線上同電位であり、ＩＧＢＴ３の裏面電極とＦＷＤ３１の裏面電極は回路配線上同電位である。
【００２７】
基板１に沿うように給配電用導体２１が配置される。この給配電用導体は、プラス側給電導体（マイナス側給電導体）およびＵ相配電導体のいずれでもよい。すなわちバッテリと接続してパワーモジュールと直流電力のやりとりをする導電路またはモータ側と接続してパワーモジュールと交流電力のやりとりをする導電路である。回路の構成によっては、プラス側給電導体の代わりにマイナス側給電導体が対象となる場合がある。これら給配電用導体２１をバスバーと呼ぶことが多いが、本説明では給配電用導体と呼ぶこととする。また、ＩＧＢＴ３には、エミッタ電極３ａのほかにゲート電極など制御用端子が配置されているが、図２では、図示を省略している。以後の説明でも、制御用端子については説明を省略する。
【００２８】
図３は、本発明の実施の形態のパワーモジュールにおける素子接続用バスバーを示す平面図である。また図４は、図３におけるＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。図３および図４において、素子接続用バスバー５は、はんだ接合部である開口部５ｆを除いて表面被覆層７によりその表面が被覆されている点が重要である。半導体スイッチング素子３は、配線基板（金属板）２にはんだ９によりその裏面電極（図示せず）を接合させ、その表面電極３ａをはんだ層９により素子接続用バスバー５の平坦部にある開口部５ｆに接合させている。また、給配電用導体２１の側では、素子接続用バスバー５の平坦部にある開口部５ｆにおいてはんだ層９により給配電用導体２１と接合している。半導体スイッチング素子３の表面電極３ａの高さ位置と、給配電用導体２１の上面の高さ位置との相違は、素子接続用バスバー５の段差（立壁部）５ｄの高さによって調整される。
【００２９】
従来のように、スイッチング素子と素子接続用バスバーとを、何も設けない平坦な金属表面同士のままではんだ接合を行うと、素子接続用バスバー表面にはんだが濡れ広がったり、接合部位が過剰になったりして所望の位置決めができないだけでなく、所定のはんだ厚さも得られない問題が生じていた。本実施の形態では、素子接続用バスバー５において開口部５ｆの周りを、はんだレジスト等はんだ濡れ性の悪い材料の表面被覆層７で覆うため、はんだ流れが開口部５ｆを越えて表面被覆層７にまで浸入してくることがない（表面被覆層７にはじかれる）ため、上記のようなはんだ流れに起因する問題は防止され、高い位置精度を確保することができる。素子接合用バスバー５のはんだ接合部におけるはんだ層９の形状や大きさは、開口部５ｆの形状、大きさによって制御することができる。
【００３０】
次に、素子接続用バスバー５への表面被覆層７の形成方法について説明する。
（形成方法１）：素子接続用バスバー５を溶融状態の樹脂に浸漬し、樹脂層を全面に形成し、樹脂硬化後に機械加工によって不要部の樹脂層を削除する。
（形成方法２）：素子接続用バスバー５を溶融状態の樹脂に浸漬し、樹脂層を全面に形成し、樹脂硬化後に紫外線など各種の硬化性のレジストを塗布してレジストパターンを形成し、エッチングにより不要部の樹脂層を除去する。
（形成方法３）：素子接続用バスバー５の表面被覆が不要な領域に、予めマスキングを施して、素子接続用バスバーを溶融状態の樹脂に浸漬し、その後マスクを除去して樹脂層を硬化させる。硬化手段は、その樹脂の硬化因子（紫外線、熱など）に応じて行えばよい。
【００３１】
図５は、図３および図４の素子接続用バスバー５を下面側（開口部５ｆの側）から見た平面図である。開口部５ｆのみめっき処理等された金属面が露出し、他の部分ははんだレジストなどの表面被覆層７により被覆されている。表面被覆層７は、はんだ濡れ性の悪い材料であれば何でもよく、樹脂などが該当する。表面被覆層の形成方法はあとで詳しく説明するが、脱着可能なシートで開口部を覆っておいて溶融樹脂に浸漬して被覆するディップ処理や、全面樹脂層で覆い、開口部のみリソグラフィで露出させる等の方法を用いることができる。図５の素子接続用バスバー５において、表面被覆層７を絶縁性の高い材料で形成したままパワーモジュールに用いることにより、素子接続用バスバー５に絶縁機能を持たせることができる。
【００３２】
図５に示す素子接続用バスバー５の表面被覆層７は、開口部５ｆ以外の全面を被覆する全面被覆タイプであるが、全面被覆しなくてもよい。図６は、開口部５ｆを囲む枠部分だけに表面被覆層７を配置した例を示す図である（枠状の表面被覆層７で囲まれた中の領域も開口部５ｆと称することとする）。枠以外の部分（枠の外側の部分）は、開口部５ｆと同様にめっき処理された金属表面が露出している。このような枠状のめっき濡れ性の悪い表面被覆層７によっても、溶融はんだははじかれて、枠を越えることはなく、はんだ流れに起因する問題は防止され、高い寸法精度を得ることができる。
【００３３】
図７は、図４に対応する図であり、半導体スイッチング素子３の表面の高さが、給配電用導体２１の上面より低い場合の例を示す断面図である。このような場合にも、素子接続用バスバー５は導体側平坦部を長くして、問題なく対応することができる。素子接続用バスバー５では、はんだ接合部に対応する開口部５ｆを囲む表面をすべて表面被覆層７で覆うようにすることにより、大電流の導電路を確保した上で、はんだ流れに起因する接合箇所の位置精度不良などの不都合を防止することができる。さらに表面被覆層７を電気絶縁体で形成することにより、素子接続用バスバー５に電気絶縁機能を持たせることができる。
【００３４】
つぎに、表面被覆層７の材質について説明する。表面被覆層７には、はんだ接合時の高温に耐えられる、ポリイミド、エポキシ等に代表される耐熱性樹脂を用いることが好ましい。はんだ接合の後で表面被覆層７を除去する必要がある場合は、溶剤によって除去可能な耐熱性のレジスト等を用いるのがよい。また、封止材料としてシリコンゲル等を充填する場合には、シリコンゲルとお互いに反応することのない樹脂を使用することができる。
【００３５】
次に、素子接続用バスバー５の材質について説明する。素子接続用バスバー５は、はんだで接合できる金属、またははんだで接合できる金属のめっき層が形成された金属を用いるのがよい。大電流の導電路となるので、銅やアルミニウムなど電気伝導度の高い金属が望ましい。また、半導体スイッチング素子の使用温度に応じて、素子接続用バスバーと半導体スイッチング素子との間に発生する熱応力を軽減する必要があり、このため例えば、Ｃｕ−Ｍｏ合金やインバー合金のような熱膨張係数の小さい金属材料を用いることができる。
【００３６】
上記において、本発明の実施の形態および実施例について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態および実施例は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明のパワーモジュールでは、素子接続用バスバーに、はんだ濡れ性の悪い材料により開口部の周りに表面被覆層を設けるので、はんだは表面被覆層によりはじかれるため、素子接続用バスバーにより大電流の導電路を確保した上で、はんだ流れに起因する不都合を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態におけるパワーモジュールの概観図である。
【図２】図１のＡ領域の拡大図である。
【図３】本発明の実施の形態のパワーモジュールにおける素子接続用バスバーを示す平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。
【図５】図３の素子接続用バスバーを示す平面図である。
【図６】本発明のほかの素子接続用バスバーを例示する平面図である。
【図７】本発明の実施の形態のパワーモジュールにおける他の素子接続用バスバーを示す平面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１  絶縁性基板、２  配線基板（金属板）、３  半導体スイッチング素子、３ａ  表面電極、５  素子接続用バスバー、５ｄ  段差（立壁部）、５ｆ  開口部、７  表面被覆層、９  はんだ、１０  パワーモジュール、２１  給配電用導体、３１  ＦＷＤ、３１ａ  ＦＷＤの表面電極、３３  半導体スイッチング素子、６１  ヒートシンク（冷却板）、６４  絶縁層、６５  筐体、６７  冷却路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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