(57)【要約】【課題】複数の電源を備えることなく、従って、より安価に、しかも、より容易にウェーハ等の被研磨対象物面内での研磨速度の均一性を確保しつつ、低研磨圧力領域で、より高速で研磨を行うことができるようにする。【解決手段】電源２５４の一方の極に接続される複数の分割電極２５６ａ〜２５６ｃからなる第１の電極２５６を有し、研磨パッド１０１を保持する研磨テーブル１００と、研磨対象物を保持して研磨パッドの研磨面に押圧するトップリング１と、電源２５４の他方の極に接続されて研磨対象物の導電膜に給電する第２の電極２８６と、導電膜の残留膜厚に対応する信号を検知する検知部２７４と、可変抵抗２６８ａ〜２６８ｃを介して電源２５４の一方の極と各分割電極２５６ａ〜２５６ｃを個別に接続する可変抵抗ユニット２７０と、検知部２７０からの信号を元に可変抵抗ユニット２７０の各可変抵抗２６８ａ〜２６８ｃを制御する制御部２８０を有する。【選択図】図４
2008192908.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源の一方の極に接続される複数の分割電極からなる第１の電極を有し、研磨パッドを保持する研磨テーブルと、
導電膜を有する研磨対象物を保持し、該研磨対象物を前記研磨パッドの研磨面に押圧するトップリングと、
電源の他方の極に接続されて研磨対象物の導電膜に給電する第２の電極と、
前記研磨パッドの前記研磨面に電解液を供給する電解液供給部と、
前記導電膜の残留膜厚に対応する信号を検知する検知部と、
前記分割電極の数と同じ数の可変抵抗を有し、該各可変抵抗を介して前記電源の一方の極と前記各分割電極を個別に接続する可変抵抗ユニットと、
前記研磨対象物と前記研磨面とを相対移動させる移動機構と、
前記検知部からの信号を元に前記可変抵抗ユニットの各可変抵抗を制御する制御部を有することを特徴とする複合電解研磨装置。
【請求項２】
前記分割電極は、前記研磨テーブルの回転中心を中心とした同心円状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の複合電解研磨装置。
【請求項３】
前記各可変抵抗の抵抗値は、０．１〜１０Ωの範囲で変更できることを特徴とする請求項１または２記載の複合電解研磨装置。
【請求項４】
前記検知部は、渦電流センサであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の複合電解研磨装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記導電膜の下層のバリア膜が研磨対象物の中心部から外周部の順に露出するように該導電膜の研磨量を制御することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の複合電解研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合電解研磨装置に関し、特に半導体ウェーハ等の基板表面に形成された導電性材料（金属）を電気化学的作用と機械的作用を組合せて研磨するのに使用される複合電解研磨装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の配線形成プロセスとして、絶縁膜内に設けたトレンチやビアホール等の配線用凹部内に配線金属を埋込むようにした、いわゆるダマシンプロセスが使用されつつある。このダマシンプロセスは、基板上のＳｉＯ２、ＳｉＯＦ、ＳｉＯＣまたはいわゆるＬｏｗ−ｋ材等からなる絶縁膜（層間絶縁膜）内に配線用凹部を形成し、次いで配線用凹部を含む絶縁膜全表面に、チタン、タンタル、タングステン、ルテニウム及び／またはそれらの合金等からなるバリア膜を形成し、バリア膜の表面にアルミニウム、銅、銀、金、タングステンまたはそれらの合金からなる配線金属膜を形成して配線用凹部内に配線金属を埋込み、その後、配線用凹部以外に形成された余分な配線金属膜及びバリア膜を除去することにより一般に行われる。現状の高速デバイスでは、配線金属として、銅ないしその合金を採用することが一般的であり、また絶縁膜としては、いわゆるＬｏｗ−ｋ材を採用する方向にある。
【０００３】
ダマシンプロセスにおける配線用凹部の形成はドライエッチング等により、バリア膜の形成はＰＶＤ、ＣＶＤまたはＡＬＤ等のドライプロセスにより行われることが多い。配線金属膜の形成方法としては、電解めっきまたは無電解めっきなどのウェットプロセス、ＰＶＤ、ＣＶＤまたはＡＬＤ等のドライプロセスが挙げられるが、電解めっきで形成することが広く行われている。バリア膜の導電性が低い場合に電解めっきで配線金属膜を形成する際には、バリア膜の成膜に連続して該バリア膜の表面に給電用のシード膜を事前に形成しておくことが広く行われている。余分な配線金属膜及びバリア膜の除去は、一般に、化学機械的研磨（ＣＭＰ）、電解研磨、複合電解研磨などのいわゆる平坦化法で行われる。
【０００４】
図１は、半導体装置における銅配線形成例を工程順に示す。図１（ａ）に示すように、半導体素子を形成した半導体基材３０１上の導電層３０１ａの上に、例えばＳｉＯ２やＬｏｗ−ｋ材からなる絶縁膜３０２を堆積し、この絶縁膜３０２の内部に、例えばリソグラフィ・エッチング技術によりビアホール３０３とトレンチ３０４を形成し、その上にＴａもしくはＴａＮ等からなるバリア膜３０５、更にその上に電解めっきの給電膜としてのシード膜３０６をスパッタリング等により形成する。
【０００５】
そして、図１（ｂ）に示すように、半導体基板Ｗの表面に銅めっきを施すことで、半導体基板Ｗのビアホール３０３及びトレンチ３０４内に銅を充填させるとともに、絶縁膜３０２上に配線金属膜としての銅膜３０７を堆積させる。その後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）等により、絶縁膜３０２上の銅膜３０７、シード膜３０６及びバリア膜３０５を除去して、ビアホール３０３及びトレンチ３０４に充填させた銅膜３０７の表面と絶縁膜３０２の表面とをほぼ同一平面にする。これにより、図１（ｃ）に示すように、絶縁膜３０２の内部にシード膜３０６と銅膜３０７からなる配線３０８を形成する。
【０００６】
半導体デバイスの配線形成工程において、層間絶縁膜の低誘電率化に伴うＬｏｗ−ｋ材料の導入と共に、研磨時におけるＬｏｗ−ｋ材料の破壊や剥離といったＬｏｗ−ｋ材料へのダメージ低減が課題となり、その中で研磨工程の低圧化がその一つの解とされている。これまでＣＭＰに代表される半導体ウェーハの研磨においては、ウェーハ面内における研磨速度の均一性は、主に研磨圧力をウェーハ面内で均一になるよう調整したり、研磨時のウェーハと研磨パッドの相対速度を均一にしたりすることにより確保されてきた。
【０００７】
図２に一般的なＣＭＰにおける研磨速度の研磨圧力依存性を示す。図２に示すように、低研磨圧力領域において、研磨速度は、研磨圧力の増加に伴って急激に増加する。しかし、ある一定の研磨圧力で、研磨速度は変極点を持ち、研磨圧力が変極点を超えると、研磨速度の増加率が小さくなるのが一般である。これまでの一般的な研磨条件（例えば、２〜３ｐｓｉ）では、図２の変極点よりも若干研磨圧力が大きい状態であり、これにより、高研磨速度かつウェーハ面内での研磨圧力の均一性が高い（研磨圧力に対する研磨速度の増加率が小さい）状態での研磨が行われてきた。
【０００８】
しかし、低研磨圧力領域（１．０ｐｓｉ（７０ｈＰａ）以下）では、研磨圧力に対する研磨速度の増加率が大きいため、（１）研磨速度の低下が大きい、（２）研磨圧力の僅かな変化に対する研磨速度の変化が大きい、ことが問題となる。従って、これらの問題を克服することが低圧力領域での研磨の実現に繋がる。これに対する一つの解として、電解作用を組合せた複合電解研磨がある。この複合電解研磨における研磨速度は、一定研磨圧力条件下で、印加電圧に依存して増加する特徴があり、低研磨圧力での高研磨速度が可能とされている。
【０００９】
また、ウェーハ面内での研磨速度の均一性を確保するため、ウェーハに対向して同心円状に配置された複数の電極を備え、この各電極が独立に制御される電力供給部（電源）を有するようにすることで、研磨時におけるウェーハ面内での印加電圧に分布を持たせることが提案されている（特許文献１〜３参照）。
【特許文献１】特開２００３−１９３３００号公報
【特許文献２】特開２００３−２７８０００号公報
【特許文献３】米国特許第６８４８９７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、ウェーハに対向して同心円状に配置された複数の電極を備え、この各電極が独立に制御される電力供給部（電源）を有するようにすると、電源は一般に高価であるため、電源の増加に伴って、コストの増大に繋がるばかりでなく、制御が複雑化してしまう。
【００１１】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、複数の電源を備えることなく、従って、より安価に、しかも、より容易にウェーハ等の被研磨対象物面内での研磨速度の均一性を確保しつつ、低研磨圧力領域で、より高速で研磨を行うことができるようにした複合電解研磨装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１に記載の発明は、電源の一方の極に接続される複数の分割電極からなる第１の電極を有し、研磨パッドを保持する研磨テーブルと、導電膜を有する研磨対象物を保持し、該研磨対象物を前記研磨パッドの研磨面に押圧するトップリングと、電源の他方の極に接続されて研磨対象物の導電膜に給電する第２の電極と、前記研磨パッドの前記研磨面に電解液を供給する電解液供給部と、前記導電膜の残留膜厚に対応する信号を検知する検知部と、前記分割電極の数と同じ数の可変抵抗を有し、該各可変抵抗を介して前記電源の一方の極と前記各分割電極を個別に接続する可変抵抗ユニットと、前記研磨対象物と前記研磨面とを相対移動させる移動機構と、前記検知部からの信号を元に前記可変抵抗ユニットの各可変抵抗を制御する制御部を有することを特徴とする複合電解研磨装置である。
【００１３】
これにより、研磨時に、第１の電極の各分割電極と該各分割電極と対面する導電膜との間を流れる電流（または各分割電極と該各分割電極と対面する導電膜との間に印加される電圧）を、電源と各分割電極との間に介装した各可変抵抗を個別に制御して調整することで、複数の電源を備えることなく、従って、より安価に、被研磨対象物面内での研磨速度の均一性を確保しつつ、低研磨圧力領域で、より高速で研磨を行うことができる。しかも、電源と各分割電極との間に介装した各可変抵抗を制御する方が、複数の電源を個別に制御するよりも制御が容易である。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、前記分割電極は、前記研磨テーブルの回転中心を中心とした同心円状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の複合電解研磨装置である。
請求項３に記載の発明は、前記各可変抵抗の抵抗値は、０．１〜１０Ωの範囲で変更できることを特徴とする請求項１または２記載の複合電解研磨装置である。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、前記検知部は、渦電流センサであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の複合電解研磨装置である。
研磨対象物の導電膜の膜厚変化やバリア膜露出の状態は、渦電流の変化をセンシングすることでモニタ可能であり、この変化をフィードバックして、可変抵抗ユニットの各可変抵抗を個別に制御することで、導電膜の残留膜厚の制御や、バリア膜露出開始後のトレンチ等に埋込まれた導電膜（配線金属膜）が過剰に研磨されることを防止することができる。
【００１６】
請求項５に記載の発明は、前記制御部は、前記導電膜の下層のバリア膜が研磨対象物の中心部から外周部の順に露出するように該導電膜の研磨量を制御することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の複合電解研磨装置である。
これにより、電気的に絶縁された状態で導電膜をバリア膜上に残留させることなく、導電膜の下層のバリア膜を露出させることが可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、研磨時に、第１の電極の各分割電極と該各分割電極と対面する導電膜との間を流れる電流（または各分割電極と該各分割電極と対面する導電膜との間に印加される電圧）を、電源と各分割電極との間に介装した各可変抵抗を個別に制御して調整することができる。従って、複数の電源を備えることなく、より安価に、被研磨対象物面内での研磨速度の均一性を確保しつつ、低研磨圧力領域で、より高速で研磨を行うことができ、しかも、電源と各分割電極との間に介装した各可変抵抗を、複数の電源を個別に制御するよりも、容易に制御することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。以下の例では、研磨対象物としての基板のバリア膜表面に形成した、配線を形成する銅膜（及びシード膜）を除去して、バリア膜を露出させるようにした例を示す。
【００１９】
図３は、本発明に係る複合電解研磨装置を備えた基板処理装置の配置構成を示す平面図である。この基板処理装置は、例えば、図１（ｂ）に示すように、表面に銅めっきを施すことで、ビアホール３０３及びトレンチ３０４内に銅を充填させるとともに、絶縁膜３０２上に配線金属膜としての銅膜３０７を堆積させた基板（研磨対象物）Ｗを用意し、この基板の表面に、図１（ｂ）にＡ−Ａ線で示す位置まで研磨処理を施して、絶縁膜３０２上の導電膜としての銅膜３０７（及びシード膜３０６）を除去し、これによって、バリア膜３０５を露出させるのに使用される。そして、更に絶縁膜３０２上のバリア膜３０５を除去することで、図１（ｃ）に示すように、絶縁膜３０２の内部にシード膜３０６と銅膜３０７からなる配線３０８が形成される。
【００２０】
この基板処理装置は、配線金属膜（導電膜）としての銅膜３０７を有する多数の基板Ｗ（図１（ｂ）参照）をストックする基板カセット２０４を収容するロード・アンロードステージを備えている。ロード・アンロードステージ内の各基板カセット２０４に到達可能となるように、走行機構２００の上に２つのハンドを有した搬送ロボット２０２が配置されている。走行機構２００にはリニアモータからなる走行機構が採用されている。リニアモータからなる走行機構を採用することにより、大口径化し重量が増した基板の高速且つ安定した搬送ができる。
【００２１】
搬送ロボット２０２の走行機構２００を対称軸に、基板カセット２０４とは反対側に２台の乾燥ユニット２１２が配置されている。各乾燥ユニット２１２は、搬送ロボット２０２のハンドが到達可能な位置に配置されている。また２台の乾燥ユニット２１２の間で、搬送ロボット２０２が到達可能な位置に、４つの基板載置台を備えた基板ステーション２０６が配置されている。
【００２２】
各乾燥ユニット２１２と基板ステーション２０６に到達可能な位置に搬送ロボット２０８が配置されている。乾燥ユニット２１２と隣接するように、搬送ロボット２０８のハンドが到達可能な位置に洗浄ユニット２１４が配置されている。搬送ロボット２０８のハンドの到達可能な位置にロータリトランスポータ２１０が配置され、このロータリトランスポータ２１０と基板受渡し可能な位置に、本発明の実施の形態における複合電解研磨装置２５０が２台配置されている。この例では、複合電解研磨装置２５０を２台備え、この内の一方を銅膜３０７（及びシード膜３０６）の第１の研磨に、他方を第２の研磨にそれぞれ個別に使用するようにしている。
【００２３】
基板処理装置は、研磨前、あるいは研磨後に洗浄及び乾燥処理を経た基板表面における膜の膜厚等の表面状態を測定する測定部としてのＩＴＭ（In-line  Thickness  Monitor）２２４を備えている。つまり、図３に示すように、走行機構２００の延長線上には、搬送ロボット２０２が研磨後の基板を基板カセット２０４内に収納する前、もしくは搬送ロボット２０２が研磨前の基板を基板カセット２０４から取出した後（In-line）に、光学的手段による基板表面へ入射し反射した光学信号により、半導体ウェーハ等の基板表面の研磨状態を測定するＩＴＭ（測定部）２２４が配置されている。
【００２４】
各複合電解研磨装置２５０は、研磨テーブル１００、トップリング１、研磨テーブル１００の研磨パッド１０１（図４参照）に電解液を供給する電解液供給ノズル１０２、研磨テーブル１００の研磨パッド１０１のドレッシングを行うためのドレッサー２１８及びドレッサー２１８を洗浄するための水槽２２２を有している。
【００２５】
図４は、複合電解研磨装置２５０の要部を示す。図４に示すように、トップリング１は、自在継手部１０を介してトップリング駆動軸１１に接続されており、トップリング駆動軸１１は、トップリングヘッド１１０に固定されたトップリング用エアシリンダ１１１に連結されている。トップリング用エアシリンダ１１１によってトップリング駆動軸１１は上下動し、トップリング１の全体を昇降させるとともに、トップリング本体２の下端に固定されたリテーナリング３を研磨テーブル１００に押圧する。トップリング用エアシリンダ１１１は、レギュレータＲＥ１を介して圧縮空気源１２０に接続されており、レギュレータＲＥ１によって、トップリング用エアシリンダ１１１に供給される加圧空気の空気圧等の流体圧力を調整することができる。これにより、リテーナリング３が研磨パッド１０１を押圧する押圧力を調整することができる。
【００２６】
トップリング駆動軸１１は、キー（図示せず）を介して回転筒１１２に連結されている。回転筒１１２は、その外周部にタイミングプーリ１１３を備えている。トップリングヘッド１１０には、回転駆動部としてのトップリング用モータ１１４が固定されており、タイミングプーリ１１３は、タイミングベルト１１５を介してトップリング用モータ１１４に設けられたタイミングプーリ１１６に接続されている。従って、トップリング用モータ１１４を回転駆動することによって、タイミングプーリ１１６、タイミングベルト１１５及びタイミングプーリ１１３を介して回転筒１１２及びトップリング駆動軸１１が一体に回転し、トップリング１が回転する。トップリングヘッド１１０は、フレーム（図示せず）に固定支持されたトップリングヘッドシャフト１１７によって支持されている。
【００２７】
次に、トップリング１について、図５及び図６を用いてより詳細に説明する。図５は、トップリング１を示す縦断面図、図６は、図５に示すトップリング１の底面図である。図５に示すように、トップリング１は、内部に収容空間を有する円筒容器状のトップリング本体２と、トップリング本体２の下端に固定されたリテーナリング３を備えている。トップリング本体２は、例えば金属やセラミックス等の強度及び剛性が高い材料から形成されている。リテーナリング３は、例えば剛性の高い樹脂材又はセラミックス等から形成されている。
【００２８】
トップリング本体２は、円筒容器状のハウジング部２ａと、ハウジング部２ａの円筒部の内側に嵌合される環状の加圧シート支持部２ｂと、ハウジング部２ａの上面の外周縁部に嵌合された環状のシール部２ｃとを備えている。トップリング本体２のハウジング部２ａの下面に固定されているリテーナリング３の下部は内方に突出している。なお、リテーナリング３をトップリング本体２と一体的に形成してもよい。
【００２９】
トップリング本体２のハウジング部２ａの中央部上方には、上述したトップリング駆動軸１１が配設されており、トップリング本体２とトップリング駆動軸１１とは自在継手部１０により連結されている。この自在継手部１０は、トップリング本体２及びトップリング駆動軸１１とを互いに傾動可能とする球面軸受け機構と、トップリング駆動軸１１の回転をトップリング本体２に伝達する回転伝達機構とを備えており、トップリング本体２のトップリング駆動軸１１に対する傾動を許容しつつ、トップリング駆動軸１１の押圧力及び回転力をトップリング本体２に伝達する。
【００３０】
球面軸受け機構は、トップリング駆動軸１１の下面の中央に形成された球面状凹部１１ａと、ハウジング部２ａの上面の中央に形成された球面状凹部２ｄと、両凹部１１ａ，２ｄ間に介装された、セラミックスのような高硬度材料からなるベアリングボール１２とから構成されている。回転伝達機構は、トップリング駆動軸１１に固定された駆動ピン（図示せず）とハウジング部２ａに固定された被駆動ピン（図示せず）とから構成される。トップリング本体２が傾いても被駆動ピンと駆動ピンは相対的に上下方向に移動可能であるため、これらは互いの接触点をずらして係合して、回転伝達機構がトップリング駆動軸１１の回転トルクをトップリング本体２に確実に伝達する。
【００３１】
トップリング本体２及びトップリング本体２に一体に固定されたリテーナリング３の内部に画成された空間内には、トップリング１によって保持される半導体ウェーハ等の基板Ｗに当接する弾性パッド４と、環状のホルダーリング５と、弾性パッド４を支持する概略円盤状のチャッキングプレート６とが収容されている。弾性パッド４は、その外周部がホルダーリング５と該ホルダーリング５の下端に固定されたチャッキングプレート６との間に挟み込まれており、チャッキングプレート６の下面を覆っている。これにより弾性パッド４とチャッキングプレート６との間には空間が形成されている。
【００３２】
ホルダーリング５とトップリング本体２との間には弾性膜からなる加圧シート７が張設されている。加圧シート７は、一端をトップリング本体２のハウジング部２ａと加圧シート支持部２ｂとの間に挟み込み、他端をホルダーリング５の上端部５ａとストッパ部５ｂとの間に挟み込んで固定されている。トップリング本体２、チャッキングプレート６、ホルダーリング５、及び加圧シート７によって、トップリング本体２の内部に圧力室２１が形成されている。図５に示すように、圧力室２１には、チューブやコネクタ等からなる流体路３１が連通されており、圧力室２１は、流体路３１内に設置されたレギュレータＲＥ２を介して圧縮空気源１２０に接続されている。なお、加圧シート７は、例えばエチレンプロピレンゴム（ＥＰＤＭ）、ポリウレタンゴム、シリコンゴムなどの強度及び耐久性に優れたゴム材によって形成されている。
【００３３】
なお、加圧シート７がゴムなどの弾性体からなり、加圧シート７をリテーナリング３とトップリング本体２との間に挟み込んで固定した場合には、弾性体としての加圧シート７の弾性変形によってリテーナリング３の下面において好ましい平面が得られなくなってしまう。従って、これを防止するため、この例では、別部材として加圧シート支持部２ｂを設けて、加圧シート７をトップリング本体２のハウジング部２ａと加圧シート支持部２ｂとの間に挟み込んで固定している。
【００３４】
なお、特願平８−５０９５６号（特開平９−１６８９６４号公報）や特願平１１−２９４５０３号に記載されているように、リテーナリング３をトップリング本体２に対して上下動可能としたり、リテーナリング３をトップリング本体２とは独立に押圧可能な構造としたりすることもでき、このような場合には、必ずしも上述した加圧シート７の固定方法が用いられるとは限らない。
【００３５】
弾性パッド４とチャッキングプレート６との間に形成される空間の内部には、弾性パッド４に当接する当接部材としてのセンターバッグ８（中心部当接部材）及びリングチューブ９（外側当接部材）が設けられている。この例においては、図５及び図６に示すように、センターバッグ８は、チャッキングプレート６の下面の中心部に配置され、リングチューブ９は、このセンターバッグ８の周囲を取り囲むようにセンターバッグ８の外側に配置されている。なお、弾性パッド４、センターバッグ８及びリングチューブ９は、加圧シート７と同様に、例えばエチレンプロピレンゴム（ＥＰＤＭ）、ポリウレタンゴム、シリコンゴム等の強度及び耐久性に優れたゴム材によって形成されている。
【００３６】
チャッキングプレート６と弾性パッド４との間に形成される空間は、上記センターバッグ８及びリングチューブ９によって複数の空間に区画されており、これによりセンターバッグ８とリングチューブ９の間には圧力室２２が、リングチューブ９の外側には圧力室２３がそれぞれ形成されている。
【００３７】
センターバッグ８は、弾性パッド４の上面に当接する弾性膜８１と、弾性膜８１を着脱可能に保持するセンターバッグホルダー８２（保持部）とから構成されている。センターバッグホルダー８２にはねじ穴８２ａが形成されており、このねじ穴８２ａにねじ５５を螺合させることにより、センターバッグ８がチャッキングプレート６の下面の中心部に着脱可能に取付けられている。センターバッグ８の内部には、弾性膜８１とセンターバッグホルダー８２とによって中心部圧力室２４が形成されている。
【００３８】
同様に、リングチューブ９は、弾性パッド４の上面に当接する弾性膜９１と、弾性膜９１を着脱可能に保持するリングチューブホルダー９２（保持部）とから構成されている。リングチューブホルダー９２にはねじ穴９２ａが形成されており、このねじ穴９２ａにねじ５６を螺合させることにより、リングチューブ９がチャッキングプレート６の下面に着脱可能に取付けられている。リングチューブ９の内部には、弾性膜９１とリングチューブホルダー９２とによって中間部圧力室２５が形成されている。
【００３９】
圧力室２２，２３、中心部圧力室２４及び中間部圧力室２５には、チューブやコネクタ等からなる流体路３３，３４，３５，３６がそれぞれ連通されており、各圧力室２２〜２５は、それぞれの流体路３３〜３６内に設置されたレギュレータＲＥ３，ＲＥ４，ＲＥ５，ＲＥ６を介して、供給源としての圧縮空気源１２０に接続されている。なお、上記流体路３１，３３〜３６は、トップリング駆動軸１１の上端部に設けられたロータリジョイント（図示せず）を介して、各レギュレータＲＥ２〜ＲＥ６に接続されている。
【００４０】
上述したチャッキングプレート６の上方の圧力室２１及び上記圧力室２２〜２５には、各圧力室に連通される流体路３１，３３〜３６を介して加圧空気等の加圧流体又は大気圧や真空が供給されるようになっている。図４に示すように、圧力室２１〜２５の流体路３１，３３〜３６上に配置されたレギュレータＲＥ２〜ＲＥ６によってそれぞれの圧力室に供給される加圧流体の圧力を調整することができる。これにより各圧力室２１〜２５の内部の圧力を各々独立に制御する又は大気圧や真空にすることができるようになっている。
【００４１】
このように、レギュレータＲＥ２〜ＲＥ６によって各圧力室２１〜２５の内部の圧力を独立に可変とすることにより、弾性パッド４を介して基板Ｗを研磨パッド１０１に押圧する押圧力を基板Ｗの部分（区画領域）毎に調整することができる。なお、場合によっては、これらの圧力室２１〜２５を真空源１２１に接続してもよい。
【００４２】
図４に示すように、複合電解研磨装置２５０の研磨テーブル１００の上面は、円板状の絶縁板２５２で覆われており、この絶縁板２５２の上面に、電源２５４の一方の極に接続される第１の電極（カソード）２５６が配置されている。この例では、第１の電極２５６は、同心円状に複数（３つ）に分割されたリング状の分割電極２５６ａ〜２５６ｃから構成されており、この分割電極２５６ａ〜２５６ｃの中心部には、円筒状のコア部２５８が配置されている。そして、コア部２５８と中心部に位置する分割電極２５６ａとの間、中心部に位置する分割電極２５６ａと中間部に位置する分割電極２５６ｂとの間、及び中間部に位置する分割電極２５６ｂと周縁部に位置する分割電極２５６ｃとの間には、リング状絶縁体２６０ａ〜２６０ｃがそれぞれ配置されている。これによって、各分割電極２５６ａ〜２５６ｃは、絶縁板２５２及びリング状絶縁体２６０ａ〜２６０ｃによって、互いに電気的に絶縁されている。
【００４３】
各分割電極２５６ａ〜２５６ｃは、各分割電極２５６ａ〜２５６ｃに個別に接続されて研磨テーブル１００の内部を延びる電極用導線２６２ａ〜２６２ｃ及び研磨テーブル１００の軸部に取付けた電極用スリップリング２６４ａ〜２６４ｃを通して、電源２５４から延びる給電用導線２６６ａ〜２６６ｃに個別に接続されている。この給電用導線２６６ａ〜２６６ｃの途中に、各給電用導線２６６ａ〜２６６ｃを個別に繋ぐ可変抵抗２６８ａ〜２６８ｃを有する可変抵抗ユニット２７０が介装されている。各可変抵抗２６８ａ〜２６８ｃは、その抵抗値を、例えば０．１〜１０Ωの範囲で変更できるようになっている。なお、スリップリングの代りに、ロータリコネクタを使用してもよい。このことは、以下同様である。
【００４４】
これにより、研磨時に、第１の電極２５６を構成する各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと該各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと対面する基板表面の導膜等の導電膜との間を流れる電流（または各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと該各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと対面する基板表面の導膜等の導電膜との間に印加される電圧）を、電源２５４と各分割電極２５６ａ〜２５６ｃとの間に介装した各可変抵抗２６８ａ〜２６８ｃを個別に制御して調整することができる。従って、複数の電源を備えることなく、より安価に、基板（被研磨対象物）面内での研磨速度の均一性を確保しつつ、低研磨圧力領域で、より高速で研磨を行うことができ、しかも、電源２５４と各分割電極２５６ａ〜２５６ｃとの間に介装した各可変抵抗２６８ａ〜２６８ｃを、複数の電源を個別に制御するよりも、容易に制御することができる。
【００４５】
第１の電極２５６、コア部２５８及びリング状絶縁体２６０ａ〜２６０ｃの上面は面一となっており、これらの上面は、その全域に亘って研磨パッド１０１で覆われており、この研磨パッド１０１の上面が研磨面となっている。そして、研磨テーブル１００の内部には、基板表面の銅膜等の絶縁膜の膜厚を測定する、例えば渦電流センサからなる膜厚検知センサ（検知部）２７４の基部が、該膜厚検知センサ２７４の上端面が第１の電極２５６の上面と面一となるように埋設されている。本膜厚検知センサは、絶縁体を介して電極内に配置されたり、又はリング状絶縁体内部に配置されることで、電極とは電気的に絶縁されている。この膜厚検知センサ２７４からの信号は、研磨テーブル１００の内部を延びるセンサ用導線２７６及び研磨テーブル１００の軸部１００ａの下端に設けたセンサ用スリップリング２７８を通して制御部２８０に入力され、この制御部２８０からの出力でレギュレータＲＥ３〜ＲＥ６及び可変抵抗ユニット２７０内の各可変抵抗２６８ａ〜２６８ｃが個別に制御される。
【００４６】
研磨テーブル１００の周囲を囲繞して、テーブルカバー２８２が配置され、このテーブルカバー２８２に取付けた支持部２８４に、電源２５４の他方の極に接続された円柱状の第２の電極（アノード）２８６が支持されている。第２の電極２８６は、トップリング１で保持した基板Ｗを下降させ、基板Ｗの表面（下面）を研磨パッド１０１の研磨面に接触させた時、この上面が基板Ｗの周縁部表面（下面）に接触して、基板Ｗの表面に形成した銅膜３０７（図１（ｂ）参照）等の導電膜に給電するためのものであり、この第２の電極２８６の上面は、研磨パッド１０１の上面（研磨面）とほぼ面一となっている。なお、第２の電極は、Ｐｔ、Ｃ等の不活性金属、ＳＵＳまたはＴｉ等のメタル表面にＰｔ等のめっきを施して構成され、また、円柱または球形状で回転しながら基板に接触するように構成されている。さらに、第２の電極は弾性部材を介して支持部２８４に支持されており、電極がフローティングするように構成されている。トップリング１は、トップリング１で保持した基板を、研磨パッド１０１の研磨面に、例えば７０ｈＰａ（約１ｐｓｉ）以下の研磨圧力で押付るように構成されている。
【００４７】
この例では、研磨位置において、トップリング１で保持した基板Ｗの一部が研磨テーブル１００の側方に食み出し、この研磨テーブル１００から食み出し部分で、トップリング１で保持した基板の下面に第２の電極２８６の上面が接触するようになっている。なお、第１の電極の外周に、該第１の電極と絶縁した状態でリング状に連続して延びるように第２の電極を配置し、第２の電極が、その一部において、トップリング１で保持した基板Ｗの下面の一部に接触したまま、研磨テーブルと一体に回転するようにしてもよい。また、パッド状の導電性部材によって第２の電極２８６を構成しても良い。
【００４８】
研磨パッド１０１は、この例では、全面には多数の貫通する貫通孔１０１ａを有するニッタ・ハース社製のＩＣ−１０００などの発泡ポリウレタン樹脂等から構成されている。これにより、この貫通孔１０１ａ内に流入する電解液を介して、第２の電極２８６に接続された基板Ｗの表面と第１の電極２５４と間に電流が流れて電解研磨が行われる。なお、全面に渡って貫通孔があれば、研磨パッド１０１全体は、格子状または円環状の溝が形成されたものであってもよい。また、例えば、ＰＶＡ樹脂といった連続気孔を有する研磨パッドのように、研磨パッド１０１自体に通液性があれば、必ずしも研磨パッド１０１に貫通孔が開いていなくてもよい。
電解液供給ノズル１０２は、図４に示すように、研磨パッド１０１の半径方向に沿って延びており、その長さ方向に沿った所定の間隔で複数の電解液供給口が設けられている。
【００４９】
次に、上記のように構成された複合電解研磨装置２５０の研磨時における動作について説明する。研磨時には、トップリング１の下面に基板Ｗを保持させるとともに、トップリング駆動軸１１に連結されたシリンダ１１１を作動させてトップリング１の下端に固定されたリテーナリング３を所定の押圧力で研磨テーブル１００の研磨パッド１０１の研磨面に押圧する。この状態で、圧力室２２，２３、中心部圧力室２４及び中間部圧力室２５にそれぞれ所定の圧力の加圧流体を供給し、基板Ｗを研磨テーブル１００の研磨パッド１０１の研磨面に押圧する。この時、基板Ｗは、その外周部で第２の電極２８６の上面に接触して、基板Ｗの表面に設けられた銅膜３０７（図１（ｂ）参照）等の導電膜への給電が可能となる。
【００５０】
そして、電源２５４を介して、第１の電極２５６を構成する各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと該各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと対面する基板Ｗの表面に設けられた銅膜３０７等の導電膜との間に可変抵抗２６８ａ〜２６８ｃを介して個別に制御した電圧を印加しながら、電解液供給ノズル１０２から電解液Ｑを流す。これにより、研磨パッド１０１に電解液Ｑが保持され、基板Ｗの導電膜の下面と研磨パッド１０１の研磨面との間に電解液Ｑが存在し、かつ研磨パッド１０１に設けた貫通孔１０１ａ内に流入した電解液を通して、第１の電極２５６と導電膜とを電気的に接続した状態で該導電膜の研磨が行われる。
【００５１】
ここで、基板Ｗの圧力室２２，２３の下方に位置する部分は、それぞれ圧力室２２，２３に供給される加圧流体の圧力で研磨面に押圧される。また、基板Ｗの中心部圧力室２４の下方に位置する部分は、センターバッグ８の弾性膜８１及び弾性パッド４を介して、中心部圧力室２４に供給される加圧流体の圧力で研磨面に押圧される。基板Ｗの中間部圧力室２５の下方に位置する部分は、リングチューブ９の弾性膜９１及び弾性パッド４を介して、中間部圧力室２５に供給される加圧流体の圧力で研磨面に押圧される。
【００５２】
従って、基板Ｗに加わる研磨圧力は、各圧力室２２〜２５に供給される加圧流体の圧力をそれぞれ制御することにより、基板Ｗの半径方向に沿った各部分毎に調整することができる。すなわち、制御部２８０が、レギュレータＲＥ３〜ＲＥ６によって、各圧力室２２〜２５に供給する加圧流体の圧力をそれぞれ独立に調整し、基板Ｗを研磨テーブル１００上の研磨パッド１０１に押圧する押圧力を基板Ｗの部分毎に調整している。このように、基板Ｗの部分（押圧領域）毎に研磨圧力が所望の値に調整された状態で、回転している研磨テーブル１００の上面の研磨パッド１０１に基板Ｗが押圧される。同様に、レギュレータＲＥ１によって、トップリング用エアシリンダ１１１に供給される加圧流体の圧力を調整し、リテーナリング３が研磨パッド１０１を押圧する押圧力を変更することができる。
【００５３】
このように、研磨中に、リテーナリング３が研磨パッド１０１を押圧する押圧力と、基板Ｗを研磨パッド１０１に押圧する押圧力を適宜調整することにより、基板Ｗの中心部（図６のＣ１）、中心部から中間部（Ｃ２）、外方部（Ｃ３）、そして周縁部（Ｃ４）、更には基板Ｗの外側にあるリテーナリング３の外周部までの各部分における研磨圧力の分布を所望の値とすることができる。
【００５４】
また、第１の電極２５６を構成する各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと該各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと対面する基板表面の導膜等の導電膜との間を流れる電流（または各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと該各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと対面する基板表面の導膜等の導電膜との間に印加される電圧）を、電源２５４と各分割電極２５６ａ〜２５６ｃとの間に介装した各可変抵抗２６８ａ〜２６８ｃを介して個別に制御して調整する。
【００５５】
このように、基板Ｗを同心の４つの円及び円環部分（Ｃ１〜Ｃ４）に区画し、それぞれの部分（押圧領域）を独立した押圧力で押圧し、かつ第１の電極２５６を複数の分割電極２５６ａ〜２５６ｃで構成し、各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと該各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと対面する基板表面の導膜等の導電膜との間を流れる電流（または各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと該各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと対面する基板表面の導膜等の導電膜との間に印加される電圧）を個別に調整することができる。研磨レートは、基板Ｗの研磨面に対する押圧力、及び第１の電極と導電膜との間を流れる電流値に依存するが、上述したように、各部分の押圧力と第１の電極の各部分を流れる電流値を制御することができるので、基板Ｗの表面の研磨すべき薄膜の膜厚に半径方向の分布があっても、基板全面に亘って研磨の不足や過研磨をなくすことができる。
【００５６】
即ち、基板Ｗの表面の研磨すべき導電膜が、基板Ｗの半径方向の位置によって膜厚が異なっている場合であっても、上記各圧力室２２〜２５のうち、基板Ｗの表面の膜厚の厚い部分の上方に位置する圧力室の圧力を他の圧力室の圧力よりも高くすることにより、あるいは上記各分割電極２５６ａ〜２５６ｃのうち、基板Ｗの表面の膜厚の厚い部分と対面する分割電極（例えば給電電極２５６ａ）に給電する給電用導線（例えば給電用導線２６６ａ）に介装された可変抵抗（例えば可変抵抗２６８ａ）の抵抗値を他の可変抵抗（例えば可変抵抗２６８ｂ，２６８ｃ）の抵抗値より小さくして、この分割電極（例えば給電電極２５６ａ）により多くの電流が流ようにすることにより、更には、両者を組合せることにより、その部分の研磨レートを選択的に高めることができる。これにより、成膜時の膜厚分布に依存せずに基板Ｗの全面に亘って過不足のない研磨が可能となる。
【００５７】
ここで、基板Ｗの周縁部に起こる縁だれは、リテーナリング３の押圧力を制御することにより防止できる。また、基板Ｗの周縁部において研磨すべき膜の膜厚に大きな変化がある場合には、リテーナリング３の押圧力を意図的に大きく、あるいは、小さくすることで、基板Ｗの周縁部の研磨レートを制御することができる。なお、上記各圧力室２２〜２５に加圧流体を供給すると、チャッキングプレート６は上方向の力を受けるので、この例では、圧力室２１には流体路３１を介して圧力流体を供給し、各圧力室２２〜２５からの力によりチャッキングプレート６が上方に持ち上げられるのを防止している。
【００５８】
上述のようにして、トップリング用エアシリンダ１１１によるリテーナリング３の研磨パッド１０１への押圧力と、各圧力室２２〜２５に供給する加圧空気による基板Ｗの部分毎の研磨パッド１０１への押圧力、更には、第１の電極２５６を構成する複数の分割電極２５６ａ〜２５６ｃと該各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと対面する基板表面の導膜等の導電膜との間を流れる電流（または各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと該各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと対面する基板表面の導膜等の導電膜との間に印加される電圧）を適宜調整して基板Ｗの研磨が行われる。
【００５９】
なお、この例では、トップリング１として、レギュレータＲＥ２〜ＲＥ６によって、内部の圧力が独立に可変な圧力室２１〜２５を備えたものを使用して、より木目細かな制御を行えるようにした例を示しているが、例えばトップリングとして、独立に可変な圧力室を備えることなく、吸着等によって保持した基板を、研磨パッド１０１の研磨面に、例えば７０ｈＰａ（約１ｐｓｉ）以下の研磨圧力で一様に押付るようにしたものを使用してもよい。
【００６０】
次に、基板処理装置の動作について説明する。
先ず、図１（ｂ）に示す、表面に銅膜３０７を形成した基板Ｗを多数収容した基板カセット２０４をロード・アンロードステージに装着する。そして、１枚の基板を基板カセット２０４から搬送ロボット２０２で取出して基板ステーション２０６へ載置する。搬送ロボット２０８は、基板ステーション２０６から基板を受け取り、必要に応じて、基板を反転させた後、ロータリトランスポータ２１０に渡す。次に、ロータリトランスポータ２１０を水平に回転させ、このロータリトランスポータ２１０で支持した基板を、一方の複合電解研磨装置２５０のトップリング１で保持する。
【００６１】
そして、トップリング１で保持した基板を研磨テーブル１００の上方の研磨位置に移動させる。そして、下降させて、基板を研磨パッド１０１の研磨面に、約７０ｈＰａ（１ｐｓｉ）以下の所定の研磨圧力で押圧し、同時に研磨パッド１０１に電解液Ｑを供給しながら、第１の電極２５６を構成する各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと該各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと対面する基板の表面の銅膜３０７等の導電膜との間に、電源２５４を介して、電圧を印加して導電膜を研磨（第１の研磨）する。なお、基板を研磨パッド１０１で研磨している間は真空吸着等による基板の保持を解除してもよい。
【００６２】
この複合電解研磨装置２５０による第１の研磨によって、残留する導電膜、すなわち銅膜３０７（及びシード膜３０６）の平均膜厚が３００ｎｍ以下で、残留する銅膜３０７（及びシード膜３０６）の基板面内での膜厚分布が１５０ｎｍ以下となるように、渦電流センサ等の膜厚検知センサ２７４で銅膜３０７（及びシード膜３０６）の膜厚の基板面内分布を検知し、制御部２８０を介して、図６に示す各部分（押圧領域）Ｃ１〜Ｃ４における研磨圧力、及び第１の電極２５６を構成する複数の分割電極２５６ａ〜２５６ｃと該各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと対面する基板表面の導膜等の導電膜との間を流れる電流（または各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと該各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと対面する基板表面の導膜等の導電膜との間に印加される電圧）を可変抵抗ユニット２７０の各可変抵抗２６８ａ〜２６８ｃを介して調整しながら、該銅膜３０７（及びシード膜３０６）を研磨する。このように、配線等に与えるダメージが一般に少ない複合電解研磨を研磨処理に採用し、例えば、全体の研磨量の過半を占める配線用凹部以外に形成された配線金属膜の大部分の研磨除去を複合電解研磨で行うことで、研磨工程による配線構造に対するダメージを大きく低減することができる。
【００６３】
更に、研磨パッド１０１と基板Ｗとの相対運動速度を制御するようにしてもよい。研磨パッド１０１の回転速度は、例えば２０〜４０ｒｐｍの範囲で、基板Ｗの回転速度は、例えば５０〜１００ｒｐｍの範囲で制御される。基板Ｗを、必要に応じて、研磨パッド１０１と逆方向に回転させてもよく、また基板Ｗを、必要に応じて、研磨パッド１０１の半径方向に揺動させてもよい。
【００６４】
そして、一方の複合電解研磨装置２５０による第１の研磨を終了した基板を、必要に応じて、その被研磨面及び裏面を純水等で洗浄（リンス）し乾燥させた後、ロータリトランスポータ２１０を経由させて、他方の複合電解研磨装置２５０に搬送し、このトップリング１で保持する。第１の研磨を行った複合電解研磨装置２５０にあっては、この研磨パッド１０１の研磨面のドレッサー２１８によるコンディショニングを行って、次の研磨に備える。
【００６５】
そして、トップリング１で保持した基板を研磨テーブル１００の上方の研磨位置に移動させ、しかる後、下降させて、基板を研磨パッド１０１の研磨面に押圧し、同時に研磨パッド１０１に電解液Ｑを供給しながら、第１の電極２５６の各分割電極２５６ａ〜２５６ｃと基板の表面の銅膜３０７等の導電膜との間に電源２５４を介して電圧を印加して、第１の研磨で研磨されずに残った導電膜、つまりバリア膜３０５上の銅膜３０７（及びシード膜３０６）を研磨する。これによって、バリア膜３０５を露出させる。
【００６６】
この複合電解研磨装置２５０による研磨を、基板の中央部から外周部に向けて導電膜の研磨速度が小さくなる条件で行い、これによって、導電膜（銅膜３０７（及びシード膜３０６））の下層のバリア膜３０５が基板Ｗの中心部から外周部に向けって露出するように導電膜を研磨しながら、最終的に、バリア膜３０５上の導電膜を完全に研磨して除去する。このように、第２の研磨で、導電膜（銅膜３０７（及びシード膜３０６））の下層のバリア膜３０５が研基板の中心部から外周部に向けって露出するように該導電膜を研磨することで、研磨中に導電膜が電気的に絶縁された状態でバリア膜３０５の上に残り、この電気的に絶縁された導電膜が研磨されることなくバリア膜３０５上に残留することを防止することができる。この際の該導電膜の膜厚分布については、該渦電流センサの渦電流の経時変化と研磨テーブルの回転速度よりモニタリング可能であり、このモニタ結果と所望の膜厚分布に差が生じた場合は、本結果を各電極の抵抗値や研磨圧力にフィードバックさせることで膜厚分布を所望の膜厚分布に調整してもよい。
【００６７】
そして、複合電解研磨装置２５０による研磨を終了した基板を、ロータリトランスポータ２１０及び搬送ロボット２０８を経由させ、必要に応じて反転させた後、洗浄ユニット２１４に搬送する。研磨を行った複合電解研磨装置２５０にあっては、この研磨パッド１０１の研磨面のドレッサー２１８によるコンディショニングを行って、次の研磨に備える。
【００６８】
そして、洗浄ユニット２１４で、基板の表面の洗浄リンス処理を行い、洗浄リンス後の基板を搬送ロボット２０８で基板ステーション２０６に搬送して載置する。搬送ロボット２０２（または２０６）は、洗浄された基板を基板ステーション２０６から取出し、例えば上面洗浄のペンスポンジとスピンドライ機能を有する乾燥ユニット２１２に搬送し、この乾燥ユニット２１２で基板を洗浄し乾燥させる。そして、洗浄乾燥後の基板を搬送ロボット２０２により元の基板カセット２０４に戻す。
【００６９】
なお、バリア膜３０５上の導電膜（銅膜３０７（及びシード膜３０６））が完全に除去したか否かは、渦電流センサによる渦電流の変化をモニタリングし、これにより研磨終点を検出しても良い。また、導電膜とバリア膜との電極電位の差を利用して、参照電極を用いて電極電位の変化をモニタリングし、これにより研磨終点を検出しても良い。参照電極は研磨対象物近傍に存在することが好ましく、例えばトップリングのリテーナリング内又はリテーナリング外周、又は研磨テーブル側から研磨パッドの貫通孔を通して研磨対象物に近接させても良い。
【００７０】
なお、上記の例では、２台の複合電解研磨装置を備え、第１の研磨と第２の研磨として別の電解研磨装置で個別に行うようにした例を示しているが、例えば同じ電解液を使用し、研磨圧力及び／または第１の電極と第２の電極（導電膜）との間に印加する電圧を変えることで、第１の研磨と第２の研磨を行うことができる場合には、１台の複合電解研磨装置で第１の研磨と第２の研磨を連続して行うことができる。この際の該第１の研磨から該第２の研磨への切り替えについては、例えば渦電流センサで検出する渦電流の経時変化等の膜厚検知手段による結果を元に行っても良い。
【００７１】
また、研磨の対象となる研磨対象物として、半導体ウェーハ等の基板を用いているが、研磨対象物は、半導体ウェーハ等の基板に限定されないことは勿論である。
研磨パッドとして、絶縁性パッドを使用した例を示しているが、研磨パッドとして導電性パッドを使用し、この導電性パッドを電源の他方の極に直接または給電接点等を介して間接的に電気的に接続し、この導電性パッドを通して、給電するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】半導体装置における銅配線形成例を工程順に示す図である。
【図２】一般的なＣＭＰにおける研磨速度と研磨圧力との関係を示すグラフである。
【図３】本発明に係る複合電解研磨装置を備えた基板処理装置の配置構成を示す平面図である。
【図４】図３に示す基板処理装置に備えられている本発明の実施の形態の複合電解研磨装置の要部を示す縦断正面図である。
【図５】複合電解研磨装置のトップリングの縦断面図である。
【図６】複合電解研磨装置のトップリングの底面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１  トップリング
２  トップリング本体
３  リテーナリング
４  弾性パッド
２１〜２５  圧力室
１００  研磨テーブル
１０１  研磨パッド
１０１ａ  貫通孔
１０２  電解液供給ノズル
１２０  圧縮空気源
１２１  真空源
２０４  基板カセット
２０６  基板ステーション
２１０  ロータリトランスポータ
２１２  乾燥ユニット
２１４  洗浄ユニット
２１８  ドレッサー
２２４  ＩＴＭ
２５０  複合電解研磨装置
２５２  絶縁板
２５４  電源
２５６  第１の電極
２５６ａ〜２５６ｃ  分割電極
２６０ａ〜２６０ｃ  リング状絶縁体
２６２ａ〜２６２ｃ  電極用導線
２６４ａ〜２６４ｃ  電極用スリップリング
２６６ａ〜２６６ｃ  給電用導線
２６８ａ〜２６８ｃ  可変抵抗
２７０  可変抵抗ユニット
２７４  膜厚検知センサ
２７６  センサ用導線
２７８  センサ用スリップリング
２８０  制御部
２８２  テーブルカバー
２８６  第２の電極
３０５  バリア膜
３０６  シード膜（導電膜）
３０７  銅膜（導電膜）
３０８  配線
【図１】
2008192908.tif 000003
【図２】
2008192908.tif 000004
【図３】
2008192908.tif 000005
【図４】
2008192908.tif 000006
【図５】
2008192908.tif 000007
【図６】
2008192908.tif 000008