(57)【要約】【課題】平坦性に優れ且つ厚みの薄い平坦化膜を有する画像表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】表面に凹凸を有する回路層２を基板１上に形成する工程と、感光性樹脂ペーストを、その上面が平坦になるまで回路層２上に塗布し、硬化することにより平坦化膜前駆体３’を形成する工程と、平坦化膜前駆体３’の上面略全体を露光し、現像することにより平坦化膜３を形成する工程と、を経て画像表示装置を製造する。【選択図】図４
2008158423.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹凸を有する回路層を基板上に形成する工程と、
感光性樹脂ペーストを、その上面が平坦になるまで前記回路層上に塗布し、硬化することにより平坦化膜前駆体を形成する工程と、
前記平坦化膜前駆体の上面略全体を露光し、現像することにより平坦化膜を形成する工程と、を含む画像表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記平坦化膜前駆体の上面の膜厚差は、０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記平坦化膜の一部を露光し、現像することにより、該平坦化膜を厚み方向に貫くコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールの内壁に、前記回路層と電気的に接続されるコンタクト用導体を形成する工程と、前記平坦化膜上に前記回路層とコンタクト用導体を介して電気的に接続される発光素子を形成する工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記発光素子が、有機発光層を含んで構成されることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項５】
表面に凹凸を有する回路層を基板上に形成する工程と、
粘度が５〜５０ｃｐｓの感光性樹脂ペーストをスピンコート法により前記回路層上に塗布し、硬化することにより平坦化膜前駆体を形成する工程と、
前記平坦化膜前駆体の上面を、前記感光性樹脂ペーストの塗布位置から放射状に漸次露光量が少なくなるように露光して、現像することにより平坦化膜を形成する工程と、を含む画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置の製造方法に関し、なかでも、薄膜トランジスタなどから構成される回路層を有したアクティブマトリクス型の画像表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
画像表示装置として、基板上に形成された回路層と、該回路層を被覆する平坦化膜と、該平坦化膜上に形成される発光素子とから構成されたものが従来から知られている。
【０００３】
回路層は、薄膜トランジスタや配線導体を含んで構成されており、その表面には回路層を構成する各構成部材の厚みの差による凹凸が形成されている。平坦化膜は回路層を被覆するようにしてその表面が平坦状になるように形成されている。このように表面が平坦化された平坦化膜上に発光素子を形成することにより回路層の表面における凹凸の影響が低減され、発光素子を良好な状態で形成することができ、例えば、発光効率の低下防止などを図ることができる。
【特許文献１】特開２００１−２０３０８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
平坦化膜は、樹脂ペーストをスピンコーターなどで塗布した後、露光により固化することにより形成されるが、樹脂ペーストの塗布量が少なく厚みが比較的薄い場合には、平坦化膜の表面に回路層の凹凸の影響が現れてしまい、平坦性に劣り、平坦化膜の機能が十分に発揮されない。
【０００５】
一方、平坦化膜の表面における平坦性を向上させるためには、樹脂ペーストの塗布量を増やして平坦化膜の厚みを十分に厚くすればよい。しかしながら、平坦化膜の厚みを厚くした場合、平坦性は向上するものの電気特性等の観点から好ましくない。例えば、平坦化膜の材料となる樹脂は外部からの水分を吸収しやすく、平坦化膜の厚みが厚くなるほど多くの水分を吸収することとなり画像表示装置の特性劣化を招いたり、平坦化膜を厚み方向に貫くコンタクトホールの深さが深くなりすぎることにより、コンタクトホールの内面に例えば金属蒸着によりコンタクト用導体を形成した際、コンタクトホールの途中でコンタクト用導体が途切れてしまい、導通不良が発生するなどの不具合が発生しやすくなる。
【０００６】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、平坦性に優れ且つ厚みの薄い平坦化膜を有する画像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明の画像表示装置の製造方法は、表面に凹凸を有する回路層を基板上に形成する工程と、感光性樹脂ペーストを、その上面が平坦になるまで前記回路層上に塗布し、硬化することにより平坦化膜前駆体を形成する工程と、前記平坦化膜前駆体の上面略全体を露光し、現像することにより平坦化膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【０００８】
また本発明の画像表示装置の製造方法は、前記平坦化膜前駆体の上面の膜厚差は、０．１μｍ以下であることを特徴とするものである。
【０００９】
また本発明の画像表示装置の製造方法は、前記平坦化膜の一部を露光し、現像することにより、該平坦化膜を厚み方向に貫くコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールの内壁に、前記回路層と電気的に接続されるコンタクト用導体を形成する工程と、前記平坦化膜上に前記回路層とコンタクト用導体を介して電気的に接続される発光素子を形成する工程と、をさらに含むことを特徴とするものである。
【００１０】
また本発明の画像表示装置の製造方法は、前記発光素子が、有機発光層を含んで構成されることを特徴とするものである。
【００１１】
また本発明の画像表示装置の製造方法は、表面に凹凸を有する回路層を基板上に形成する工程と粘度が５〜５０ｃｐｓの感光性樹脂ペーストをスピンコート法により前記回路層上に塗布し、硬化することにより平坦化膜前駆体を形成する工程と、前記平坦化膜前駆体の上面を、前記感光性樹脂ペーストの塗布位置から放射状に漸次露光量が少なくなるように露光して、現像することにより平坦化膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、感光性樹脂ペーストを、その上面が平坦になるまで回路層上に塗布し、硬化することにより平坦化膜前駆体を形成した後、平坦化膜前駆体の上面略全体を露光、現像し、平坦化膜前駆体の上部を除去することにより、平坦性に優れ且つ厚みの薄い平坦化膜となすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明にかかる画像表示装置の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。本実施形態では、画像表示装置として有機ＥＬ装置を例に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【００１４】
図１は、本発明の製造方法により作製した有機ＥＬ装置の部分断面図であり、隔壁８で仕切られる約１画素分の領域を示している。なお本実施形態の有機ＥＬ装置は、上面側（有機電界発光素子部側）から光を取り出すトップエミッション型構造を採用している。
【００１５】
図１に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置は、基板１、基板１の上面側に形成される回路層２、回路層２の上面側に形成される平坦化膜３を含んで構成されるものである。また、平坦化膜３の上面には発光素子４が形成されており、この発光素子４は、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかを発光する機能を有している。
【００１６】
基板１は、例えばプラスチックやガラスを用いることができるが、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置はトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置であるため、透光性を有しない基板を採用することもできる。
【００１７】
基板１上に形成される回路層２は、発光素子４の駆動制御等を行うための薄膜トランジスタやコンデンサ等の各種回路素子から構成されている。この回路層２は、例えば、従来周知のフォトエッチングプロセスを経て形成されるものである。
【００１８】
回路層２は、構成部材ごとの厚みが異なるためその表面に凹凸が形成されている。具体的には、基板１の上面１aを基準としたときの回路層２の最も厚い部分の厚みと、最も薄い部分の厚みとの差は約１μｍである。
【００１９】
このように表面に凹凸を有する回路層２を覆うようにして平坦化膜３が形成されている。この平坦化膜３は、例えば、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂などの樹脂材料から成り、回路層２を被覆するようにしてその表面が平坦状になるように形成されている。特に、本発明の製造方法により作製された有機ＥＬ装置によれば、平坦性に優れ、且つ厚みの薄い平坦化膜３となすことができる。具体的には、平坦化膜３の上面の膜厚差は、０．１μｍ以下であり、基板１の上面１aから平坦化膜３の上面３aまでの厚みは、３μｍ以下にすることができる。なお、本発明における膜厚差とは平坦化膜３の厚い部分と薄い部分との膜厚差のことであり、例えば、膜厚測定器を用いて測定できる。従来の製造方法で同様の膜厚差を有する平坦化膜を形成するには、平坦化膜の厚みを十分に厚くせざるを得ないが、本発明の製造方法によれば、膜厚が薄く且つ平坦性に優れた平坦化膜３となすことができるので、かかる平坦化膜３上に形成される発光素子４は歪み等が少ないものとなる。同時に平坦化膜３の膜厚が薄くなるため、平坦化膜３が吸収する水分の量が減少し、発光素子４などの劣化を防止して有機ＥＬ装置の長寿命化を図ることができる。さらに平坦化膜３を貫くようにして形成されるコンタクトホール５の深さが浅くなるため、コンタクトホール５の内面に、例えば、金属蒸着によりコンタクト用導体７を形成した際、コンタクトホール５の内面全体にわたって満遍なく良好な状態で金属が蒸着しやすくなり、導通不良の発生を少なくすることができる。また、画像表示装置を低背化することができるという利点もある。
【００２０】
かかる平坦化膜３の上面には発光素子４が形成されている。発光素子４は、下部電極４ａと、下部電極４ａ上に形成される有機発光層４ｂと、有機発光層４ｂ上に形成される上部電極４ｃとから構成されるものである。
【００２１】
この有機ＥＬ装置では、下部電極４ａがコモン電極となっており、隣接する画素領域の下部電極同士は電気的に接続されている。下部電極４ａは、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金等を用いて、従来周知のフォトリソグラフィー法等により所定のパターンに形成される。なお、本実施形態においては、下部電極４ａが陽極（アノード）として機能している。
【００２２】
下部電極４ａ上に形成される有機発光層４ｂは、有機系材料を発光体として用いた発光層を含んで構成され、単層構造もしくは多層構造のいずれも採用することができる。例えば、有機発光層４ｂが発光層のみからなる単層構造では、発光層が正孔輸送特性と電子輸送特性とを兼ね備えた材料からなり、その材料中に発光材料をドープする方法や、発光材料自体に電化輸送特性が付与された材料を用いる方法等を採用することができる。このような単層構造は、素子形成プロセスを簡略化できることから、有機ＥＬ装置の生産性を向上させることができる。一方、有機発光層４ｂの構造として多層構造を採用する場合、発光層に加え、正孔輸送層、正孔注入層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層等を任意に選択して設けることができる。
【００２３】
また下部電極４ａ上の所定箇所には層間絶縁膜６が設けられている。層間絶縁膜６は、発光素子４の形成領域を除く領域、上部電極４ｃとコンタクト用導体７との接続部分を除く領域に全面的に形成されている。層間絶縁膜６は、その一部が有機発光層４ｂの下面外縁部に潜り込むような形で下部電極４ａと有機発光層４ｂとの間に介在されている。このように層間絶縁膜６を形成することによって下部電極４ａと上部電極４ｃとの短絡を防止することができる。層間絶縁膜６の材料としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ等）、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＮｘ等）等の無機材料、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、シリコン樹脂等の有機材料を用いることができる。
【００２４】
また各画素間の境界部に位置する層間絶縁膜６上には、隔壁８が形成されている。隔壁８は断面形状が逆テーパ状となっている。この隔壁８は画素間の境界に沿って形成されており、この隔壁８によって上部電極４ｃが隣接する画素の他の上部電極４ｃと分離されている。
【００２５】
この上部電極４ｃは、陰極（カソード）として機能するものである。本実施形態では、トップエミッション型の有機ＥＬ装置を採用しているため、上部電極４ｃは光を透過する電極材料を使用する。光透過性の電極材料としては、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の透明金属材料が使用できる。また、本来透明ではないＣａやＭｇ、Ａｇ等の金属材料であっても極めて薄く被着させることにより、光を透過させることができるためこれらの材料を使用してもよい。
【００２６】
上部電極４ｃはコンタクトホール５の内面に設けたコンタクト用導体７を通じて回路層２と電気的に接続されている。
【００２７】
また上部電極４ｃの上には封止膜９が設けられている。封止膜９は、少なくとも上部電極４ｃを被覆し、発光素子４を水分や外気から保護している。この封止膜９は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＮ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮ等）、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＮｘ等）等の無機材料からなり、従来周知の蒸着、スパッタ、ＣＶＤ等により形成される。
【００２８】
封止膜９上には、封止基板１０が設けられている。封止基板１０と基板１とは、シール材（図示せず）を介して接合されている。シール材は、全ての画素領域を取り囲むように基板１の外周に沿って環状に形成されており、基板１、封止基板１０、およびシール材で囲まれた空間内に各画素に設けた発光素子４が封止されることになる。封止基板１０は、例えば、プラスチックやガラス等の透光性の基板により形成される。また、シール材は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂、ポリイミド樹脂等を用いて形成される。
【００２９】
つぎに上述した有機ＥＬ装置の製造方法について、図２〜図５を参照ながら説明する。
【００３０】
まず図２に示すように、表面に凹凸を有する回路層２を基板１上に形成する。基板１は、例えばプラスチックやガラスなどからなり、マトリクス状に配置された複数の画素領域を有している。かかる基板１上に形成される回路層２は、発光素子４の駆動制御等を行うためのものであり、薄膜トランジスタやコンデンサ等の各種回路素子、および回路素子同士を接続する配線導体から構成されている。より具体的には、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、半導体層１３、ドレイン電極１４、ソース電極１５、パシベーション膜１６などから構成されるものである。この回路層２は、従来周知のフォトエッチングプロセスを経て形成されるものである。すなわち、金属材料、感光性樹脂材料、半導体材料等を用いて、成膜、露光、現像、エッチング等を繰り返し行うことによって、所定の回路素子から構成される回路層２が形成される。
【００３１】
回路層２は、構成部材ごとの厚みが異なるためその表面に凹凸が形成されている。例えば、基板１の上面を基準としたときの回路層２の最も厚い部分の厚みと、最も薄い部分の厚みとの差は約１μｍである。
【００３２】
次に図３に示すように感光性樹脂ペーストを、その上面３’aが十分な平坦性を有する厚みになるまで回路層上に塗布し、硬化することにより平坦化膜前駆体３’を形成する。感光性樹脂ペーストは、例えば、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂などを主成分とする感光性材料を用いて、例えば、従来周知のスピンコート法、スリットコート法、インクジェット法などにより所定厚みに形成される。ここで平坦化膜前駆体３’の上面３’aにおける膜厚差は、０．１μｍ以下であることが好ましい。平坦化膜前駆体３’の上面の膜厚差が０．１μｍ以下の範囲にあることにより、つづく工程で平坦化膜前駆体３’を露光、現像することにより形成される平坦化膜３の上面の膜厚差もほぼ０．１μｍ以下にすることができる。このような膜厚差を有する平坦化膜前駆体３’を形成するには、粘度５〜５０ｃｐｓの感光性樹脂ペーストを用いて、平坦化膜前駆体３’の基板１の上面１aからの厚みＴ３が、回路層２の最も厚い部分の厚さＴ１と回路層２の最も薄い部分の厚さＴ２との差ΔＴの２倍以上、より好ましくは３倍以上とすればよい。
【００３３】
次に図４に示すように、平坦化膜前駆体３’の上面３ａの略全体を露光し、現像することによって図５に示す平坦化膜３を形成する。本実施形態では、スリットマスク、ハーフトーンマスクなど露光量の調整が可能なマスク２０を用いて露光を行っている。スリットマスクとは、回折パターンを用いて露光量を調整可能としたマスクであり、露光装置の解像限界値よりも微細な間隔を有するストライプ状のパターンをマスク上に多数配置したものが使用できる。露光装置の解像限界値よりも微細なパターンとすることで、平坦化膜前駆体３’はストライプ状には露光されず、スリット部分を通過した露光光は、通過前の露光量よりも少ない露光量で平均的に露光される。またハーフトーンマスクとは、所定の透過率を有する材料を用いてマスクを形成することにより露光量を調整できるようにしたマスクであり、露光光の波長に対する透過率がわかっている材料を用いて厚みを調整しながらマスクを形成することによって、露光光に対し任意の透過率を有するマスクとすることができる。本実施形態ではスリットマスクを用いており、コンタクトホール５が形成される部分には、ほぼ１００％透過した光Ｌ２が露光され、それ以外の略全面には、比較的弱い光Ｌ１が露光されることとなる。
【００３４】
このように露光量の調整が可能なマスクを用いて露光、現像を行うことによって、コンタクトホール５を同時に形成することができる。すなわち、コンタクトホール５を形成する部分は、露光光がほぼ１００％透過するようにしておき、それ以外の部分は、露光光が所定の強度まで弱まるように、例えば、２０〜８０％の透過率となるようにしておく。このように露光することによって、続く現像工程において、露光光がほぼ１００％透過した部分では平坦化膜前駆体３’が厚み方向を貫くようにして除去されコンタクトホール５となり、それ以外の比較的弱い光が露光された部分では、平坦化膜前駆体３’の上部のみが除去されることとなる。このように露光量の調整ができるマスク２０を用いることにより、通常形成されるコンタクトホール５の形成工程において、平坦化膜前駆体３’の上部の除去を行うことができ、別途工程数を増やすことなく、平坦性に優れ且つ厚みの薄い平坦化膜３を形成することができる。
【００３５】
平坦化膜３を形成した後、発光素子４、層間絶縁膜６、隔壁８、封止膜９、封止基板１０を順次形成していく。まず先の工程で形成した平坦化膜３上にＡｌ，Ａｌ合金、Ａｇ，Ａｇ合金，Ｍｏ等の金属材料からなる導電性膜を形成し、従来周知のフォトリソグラフィー等の方法でパターニングを施すことにより、所定形状の下部電極４ａを形成する。続いて、下部電極４ａ上にＳｉ３Ｎ４，ＳｉＮｘ，ＳｉＮ，ＳｉＯ，ＳｉＯ２，ＳｉＮＯ等の無機材料あるいはアクリル樹脂、ノボラック樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料からなる絶縁膜を形成し、従来周知のフォトリソグラフィー等の方法で、所定の形状にパターニングすることにより、層間絶縁膜６を形成する。
【００３６】
その後、ネガレジストを塗布し、露光、現像を行うことによって隔壁８を形成する。
【００３７】
次に、発光素子４となる部分に対応した複数の開口を有するシャドウマスクを基板上に配置した状態で、有機材料を真空蒸着法等によって下部電極上に蒸着することにより有機発光層４ｂを形成し、しかる後、金属材料を真空蒸着法等により蒸着させることにより上部電極４ｃを形成する。ここで、隔壁８が存在するため上部電極４ｃとなる導電材料を蒸着した際に、この隔壁によって上部電極４ｃが分離されることにより上部電極４ｃが画素毎に分離されることとなる。なお隔壁８の上面にも上部電極４ｃは蒸着されるが（図示せず）、隔壁８のテーパ部分によって上部電極４ｃが分離される。
【００３８】
その後、Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＮｘ，ＳｉＮ，ＳｉＯ，ＳｉＯ２，ＳｉＮＯ等の無機材料を用いて、蒸着、スパッタ、ＣＶＤ法等により封止膜を形成する。
【００３９】
最後に全ての画素領域を取り囲むように基板１の外周に沿って環状のシール材を形成し(図示せず)、封止基板１０をシール材に接着させることにより製品としての有機ＥＬ装置が完成する。
【００４０】
次に、本発明の他の実施形態にかかる画像表示装置の製造方法について、図６〜図８をを用いて説明する。なお先に述べた実施形態と重複する部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００４１】
本実施形態では、図６に示すようにスピンコート法により、ノズル２１を基板１の中央の直上に位置させた状態で、感光性樹脂ペーストの塗布を行っている。感光性樹脂ペーストは、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂などの一般的な感光性材料であり、その粘度は５〜５０ｃｐｓである。また回転テーブル２２は駆動軸２３によって、５００〜２０００ｒｐｍの回転速度で回転させている。図７は感光性樹脂ペーストを塗布し、硬化した後の状態、すなわち、平坦化膜前駆体３’を形成した状態において、平坦化膜前駆体３’の膜厚分布を模式的に示す図であり、（ａ）は基板１を上面側から見たときの平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’線断面図である。図６（ａ）中に付した数字（４．０、３．９、３．８、３．７）は、基板上面１ａを基準としたときの平坦化膜前駆体３’の厚みをμｍ単位で表したものである。同図に示すように、スピンコート法により感光性樹脂ペーストを塗布した場合、ノズル２１の直下領域（基板１の中央領域）で膜厚が厚く、その位置から放射状に膜厚が漸次薄くなる傾向にある。そこで本実施形態では、図８に示すマスク２０’を用いて露光を行っている。図８は、マスク２０’の遮光率の分布を模式的に示すものであり、図中に付した数字（５０％、５５％、６０％、６５％）は、遮光率を示すものである。同図に示すように基板１の中央領域に対応するマスク２０’の中央領域から外側に向かって漸次遮光率が大きくなるように調整している。かかるマスク２０’を用いることにより、基板１の中央領域から外側に向かって放射状に漸次露光量が少なくなるように露光を行うことができる。したがって、膜厚の一番厚い中央部分において露光量が最も多く、膜厚の一番薄い外周部で露光量が最も少なくなり、全体として厚みが均一になるように平坦化された平坦化膜３となすことができる。また、全体にわたって露光を行っているので、平坦化膜前駆体３’の上部が略全面にわたり除去され、膜厚の薄い平坦化膜３となる。これにより、平坦化膜３上に形成される発光素子４は歪み等が少ないものとなる。同時に平坦化膜３の膜厚が薄くなるため、平坦化膜３が吸収する水分の量が減少し、発光素子４などの劣化を防止して有機ＥＬ装置の長寿命化を図ることができる。さらに平坦化膜３を貫くようにして形成されるコンタクトホール５の深さが浅くなるため、コンタクトホール５の内面に、例えば、金属蒸着によりコンタクト用導体を形成した際、コンタクトホール５の内面全体にわたって満遍なく良好な状態で金属が蒸着しやすくなり、導通不良の発生を少なくすることができる。また、画像表示装置を低背化することができるという利点もある。
【００４２】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００４３】
上述した実施形態では、有機ＥＬ装置を例に説明したが、本発明は表面に凹凸を有する回路層上に平坦化膜を形成する種々の画像表示装置、例えば、液晶表示装置にも適用可能である。液晶表示装置の場合、平坦化膜３上に液晶層、及び液晶層を挟む電極層とが形成されることとなる。
【００４４】
また上述した実施形態では、コンタクトホール５と平坦化膜前駆体３’の上部除去作業とを同時に行ったが、別々の工程で行うようにしてもよい。
【００４５】
また上述した実施形態においては、環状のシール材により基板１と封止基板１０とを接合するようにしたが、基板１の上面側を全面的に覆う面状シールを用いて封止基板１０を接合するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の製造方法により作製した有機ＥＬ装置の断面図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる製造方法の一工程を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる製造方法の一工程を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる製造方法の一工程を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかる製造方法の一工程を示す断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態にかかる製造方法の一工程を示す断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態にかかる製造方法の一工程を示す平面図である。
【図８】本発明の他の実施形態にかかる製造方法において使用されるマスクの平面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１・・・基板
２・・・回路層
３・・・平坦化膜
４・・・発光素子
５・・・コンタクトホール
６・・・層間絶縁膜
７・・・コンタクト用導体
８・・・隔壁
９・・・封止膜
１０・・・封止基板
【図１】
2008158423.tif 000003
【図２】
2008158423.tif 000004
【図３】
2008158423.tif 000005
【図４】
2008158423.tif 000006
【図５】
2008158423.tif 000007
【図６】
2008158423.tif 000008
【図７】
2008158423.tif 000009
【図８】
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