(57)【要約】 【課題】  書き換え耐久性に優れた相変化記録型の光情報記録媒体を提供する。【解決手段】  基板上に設けられる相変化材料からなる記録層と、記録層の光が入射する側の面に接して設けられる第１界面層と、記録層の光が入射する側と反対側の面に接して設けられる第２界面層と、を備え、記録層は、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅを頂点とする三角組成図上の座標により示される下記４点（Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２）に囲まれた範囲内の組成比を有する相変化材料からなり、第１界面層と第２界面層の少なくとも１層は、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｏを含有する情報記録媒体が提供される。  Ａ１（Ｂｉ２、Ｇｅ４７．８、Ｔｅ５０．２）  Ａ２（Ｂｉ８、Ｇｅ４１．２、Ｔｅ５０．８）  Ｂ１（Ｂｉ８、Ｇｅ４６、Ｔｅ４６）  Ｂ２（Ｂｉ４、Ｇｅ４８、Ｔｅ４８）（但し、三角組成図上の座標は原子％である。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
光照射により情報が記録・再生される情報記録媒体であって、
基板上に設けられる相変化材料からなる記録層と、
前記記録層の、前記光が入射する側の面に接して設けられる第１界面層と、
前記記録層の、前記光が入射する側と反対側の面に接して設けられる第２界面層と、を備え、
前記記録層は、
ビスマス（Ｂｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）及びテルル（Ｔｅ）を含有し、
前記第１界面層と前記第２界面層の少なくとも１層は、
ジルコニウム（Ｚｒ）、クロム（Ｃｒ）及び酸素（Ｏ）を含有し、
且つ、当該記録層は、
前記ビスマス（Ｂｉ）、前記ゲルマニウム（Ｇｅ）及び前記テルル（Ｔｅ）を頂点とする三角組成図上の座標により示される下記４点（Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２）に囲まれた範囲内の組成比を有する前記相変化材料からなることを特徴とする情報記録媒体。
Ａ１（Ｂｉ２、Ｇｅ４７．８、Ｔｅ５０．２）
Ａ２（Ｂｉ８、Ｇｅ４１．２、Ｔｅ５０．８）
Ｂ１（Ｂｉ８、Ｇｅ４６、Ｔｅ４６）
Ｂ２（Ｂｉ４、Ｇｅ４８、Ｔｅ４８）
（但し、三角組成図上の座標は原子％である。）
【請求項２】
前記第１界面層は、
酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）及び酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２Ｏ３）を含有し、
前記酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２Ｏ３）の含有量が、３０モル％〜７０モル％の範囲で、当該酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２Ｏ３）を含有することを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記第１界面層は、
当該第１界面層の層厚が３ｎｍ〜８ｎｍであることを特徴とする請求項１〜２記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記第２界面層は、
酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）及び酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２Ｏ３）を含有し、
前記酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２Ｏ３）の含有量が、４０モル％〜８０モル％の範囲で、当該酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２Ｏ３）を含有することを特徴とする請求項１〜３記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記第２界面層は、
当該第２界面層の層厚が２ｎｍ〜６ｎｍであることを特徴とする請求項１〜４記載の情報記録媒体。
【請求項６】
開口数（ＮＡ）０．６５以上の集光用対物レンズにより絞り込まれた波長（λ）４１０ｎｍ以下の光を照射することにより情報が記録・再生されることを特徴とする請求項１〜５記載の情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光情報記録媒体に関し、より詳しくは、書き換え耐久性に優れた書き換え型光情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、マルチメディア化に伴い、大量のデータの配布や長期保存に適した情報記録媒体として、光情報記録媒体（光ディスク）が注目されている。この光ディスクには、製造時にスタンピングされた情報の再生のみ可能な再生専用型ディスク、色素等からなる記録膜を設けて一回だけ記録可能な追記型ディスク、光磁気記録方式や相変化記録方式によりデータの書き換え消去が何度も可能な書き換え型ディスクが知られている。
【０００３】
光ディスクからのデータの再生及び光ディスクへのデータの記録は、いずれもレーザ光を用いて行う。入射レーザ光は、対物レンズを用いて光ディスク上に集光し、光スポットを回折限界にまで絞り込む。このときの光スポットの径は、レーザ光の波長をλ、対物レンズの開口数をＮＡとすると、λ／ＮＡに比例した値となる。近年、光ディスクの大容量化が求められているが、これらの要求に応えるには、この光スポットをさらに小径化し、記録データを高密度化することが必要となる。例えば、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）のレーザ波長λが７８０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡが０．４５であるのに対し、ＤＶＤでは、波長λを６５０ｎｍ或いは６３５ｎｍ、開口数ＮＡを０．６とすることで、高密度化を行っている。さらに、次世代の光ディスクにおいては、光スポットをさらに絞り込んで高密度化を実現するために、波長λを４００ｎｍ程度、開口数ＮＡを０．６超とした光ディスクシステムが提案されている。
【０００４】
一例を挙げると、ＨＤ  ＤＶＤは、これら次世代光ディスクの一つであり、波長λを４０５ｎｍ、開口数ＮＡを０．６５としたシステムを用いている。ＨＤ  ＤＶＤは、大別して、再生専用型のＨＤ  ＤＶＤ−ＲＯＭ、追記型のＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ、書き換え型のＨＤ  ＤＶＤ−ＲＷとＨＤ  ＤＶＤ−ＲＡＭの四種類の光ディスクが提案されているが、特に、ＨＤ  ＤＶＤ−ＲＷは、片面二層３０ＧＢの記録容量を、比較的容易な製造プロセスで実現できるとして期待されている。ＨＤ  ＤＶＤ−ＲＷでは、記録膜の片面二層化による高容量化を実現するために、相変化方式の半透明記録膜が形成された基板と、従来とは逆順に積層された相変化方式の記録膜が形成された基板とを、互いに記録膜を向かい合わせる形態で貼り合せる製造方法が検討されている。また、トラッキング案内溝の溝部と溝間のうち一方のみに記録を行うグルーブ記録方式が採用されており、サーボ特性の安定性を確保しやすい。
【０００５】
ＨＤ  ＤＶＤ−ＲＷのような相変化記録方式の記録膜は、通常、Ｇｅ−Ｓｂ−ＴｅやＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅなどを主成分とする相変化材料からなる記録層の両面を、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体２層で挟み込み、さらに光入射側の反対側に金属反射層を設けた構造となっている。ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体は、特に熱伝導率の低い透明材料であるため、断熱効果により、レーザ光による相変化記録層への熱記録を容易にする役割がある。しかしながら、相変化記録方式の光ディスクは、データの書き換え消去が何度も行われ、しかも、記録時の高パワーレーザ照射が何度も繰り返されるため、加熱されたＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層から、硫化物成分が相変化記録層へ拡散しやすい。このような硫化物成分の相変化記録層への拡散を防ぐために、例えば、波長λ６５５ｎｍ対応の相変化型光ディスクにおいて、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ相変化記録層とＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層の間に、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ界面層を設け、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ相変化記録層とＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体を直接接触させない等の対策が報告されている（特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１８２００５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
相変化記録方式の光ディスクの場合は、誘電体層として、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体が主に使われている。相変化記録方式の光ディスクは、データの書き換え消去が何度も行われ、しかも、記録時の高パワーレーザ照射が何度も繰り返されるため、加熱されたＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層から、硫化物成分が相変化記録層へ拡散しやすい。
【０００８】
そのため、この硫化物成分の拡散に対する対策を万全にしない限り、十分な書き換え耐久性が得られない。この問題に対する解決策として、相変化記録層とＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層の間に界面層を設ける方法があるが、波長λ４００ｎｍ程度の光に対して、多くの誘電体材料は消衰係数を持つため、従来の波長λ６５０ｎｍ程度とは異なる材料開発が必要となることが問題となっている。
【０００９】
本発明は、このような技術的課題を解決すべくなされたものである。
即ち、本発明の目的は、書き換え耐久性に優れた相変化記録型の光情報記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
目的を達成するために、本発明においては、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅからなる相変化記録層に隣接して、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏから形成される界面層を設けている。
【００１１】
かくして本発明によれば、基板上に設けられる相変化材料からなる記録層と、記録層の光が入射する側の面に接して設けられる第１界面層と、記録層の光が入射する側と反対側の面に接して設けられる第２界面層と、を備え、記録層は、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅを頂点とする三角組成図上の座標により示される下記４点（Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２）に囲まれた範囲内の組成比を有する相変化材料からなり、第１界面層と第２界面層の少なくとも１層は、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｏを含有する情報記録媒体が提供される。
Ａ１（Ｂｉ２、Ｇｅ４７．８、Ｔｅ５０．２）
Ａ２（Ｂｉ８、Ｇｅ４１．２、Ｔｅ５０．８）
Ｂ１（Ｂｉ８、Ｇｅ４６、Ｔｅ４６）
Ｂ２（Ｂｉ４、Ｇｅ４８、Ｔｅ４８）
（但し、三角組成図上の座標は原子％である。）
【００１２】
第１界面層は、ＺｒＯ２及びＣｒ２Ｏ３を含有し、Ｃｒ２Ｏ３の含有量が、３０モル％〜７０モル％の範囲で、Ｃｒ２Ｏ３を含有することが望ましく、また、第１界面層は、層厚が３ｎｍ〜８ｎｍであることが望ましい。第２界面層は、ＺｒＯ２及びＣｒ２Ｏ３を含有し、Ｃｒ２Ｏ３の含有量が、４０モル％〜８０モル％の範囲で、Ｃｒ２Ｏ３を含有することが望ましく、また、第２界面層は、２ｎｍ〜６ｎｍであることが望ましい。
【００１３】
また、このような光情報記録媒体は、特に波長λ４００ｎｍ程度の記録再生光に対して充分な反射率が得られるとともに、開口数ＮＡ０．６超の集光用対物レンズで絞り込まれたエネルギー密度の高い光による加熱に対しても、硫化物成分の相変化記録層への拡散を原因とする書き換え耐久性の劣化を防ぐことが可能である。
【００１４】
即ち、本発明によれば、開口数（ＮＡ）０．６５以上の集光用対物レンズにより絞り込まれた波長（λ）４１０ｎｍ以下の光を照射することにより情報が記録・再生されることを特徴とする光情報記録媒体が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の光情報記録媒体によれば、書き換え耐久性に優れた相変化型光情報記録媒体が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（実施例）
【００１７】
以下に、実施例に基づき本実施の形態をさらに詳細に説明する。なお、本実施の形態は実施例に限定されるものではない。
【００１８】
本実施例では、ＨＤ  ＤＶＤ−ＲＷ  ｆｏｒ  ＤＬ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  ＤＶＤ  Ｒｅ−ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ  Ｄｉｓｃ  ｆｏｒ  Ｄｕａｌ  Ｌａｙｅｒ）に準ずる光情報記録媒体を作製した。光情報記録媒体は、厚さ０．５９ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート樹脂製のディスク基板２枚を、厚さ２５μｍの透明な接着層を介して貼り合わせた形状で、且つ、基板の接着層側に相変化記録方式の記録膜を形成した形態とした。光入射側のディスク基板にはＬａｙｅｒ  ０（Ｌ０）記録膜、光入射側の反対側のディスク基板にはＬａｙｅｒ  １（Ｌ１）記録膜を設けた。
【００１９】
作製した光情報記録媒体の評価は、ＨＤ  ＤＶＤ用ディスク評価装置（パルステックＯＤＵ−１０００）を用いて、Ｌ０記録膜，Ｌ１記録膜について、反射率，最適記録パワー，ＳｂＥＲ（Ｓｉｍｕｌａｔｅｄ  ｂｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  Ｒａｔｅ，エラーレートに相当する指標）を測定した。ここで用いたディスク評価装置において、レーザ光源の波長λは４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．６５、クロック周波数は６４．８ＭＨｚであり、ディスク回転速度は線速度６．６１ｍ／ｓと設定した。測定は、ディスク基板のトラッキング案内溝の凹部・凸部のうち光入射側に近いほうに対して行った。すなわち、Ｌ０記録膜についてはディスク基板の凹部に、Ｌ１記録膜についてはディスク基板の凸部に対して測定を行った。
【００２０】
（Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ相変化記録層の組成比の最適化）
まず初めに、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ相変化記録層の組成比がそれぞれ異なる光情報記録媒体を複数枚作製した。その目的は、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏを含有する界面層を用いた膜構造において、相変化記録層の結晶化速度を最適化し、良好な記録マーク形成により十分な媒体特性を得ることと、再結晶化による記録マークのシュリンクが原因となる記録パワー感度の悪化を防止することである。
【００２１】
ディスク基板は射出成型により形成し、溝ピッチ０．４μｍのスパイラル状のトラッキング案内溝を設けた。Ｌ０側のディスク基板上のトラッキング案内溝を形成した面側には、９層構造のＬ０記録膜として、ＺｎＳ−ＳｉＯ２第１誘電体層４２ｎｍ、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３系第１界面層６ｎｍ、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ相変化記録層８ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５第２界面層２ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２第２誘電体層８ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５保護層３ｎｍ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｃａ反射層１０ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５保護層２ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２第３誘電体層２３ｎｍを順にスパッタリング法によって形成した。Ｌ１側のディスク基板上のトラッキング案内溝を形成した面側には、７層構造のＬ１記録膜として、Ａｇ−Ｃｕ−Ｃａ第２反射層６０ｎｍ、Ａｌ−Ｎｉ第１反射層４０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２第２誘電体層２６ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５第２界面層２ｎｍ、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ相変化記録層１３ｎｍ、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３系第１界面層６ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２第１誘電体層５７ｎｍを順にスパッタリング法によって形成した。Ｌ０記録層，Ｌ１記録層とも、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ相変化記録層は、２種のターゲットによるコスパッタにより組成比を調整して形成した。但し、簡単のために、Ｌ０記録膜とＬ１記録膜において、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ相変化記録層は同じ組成比とした。ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３系第１界面層は組成比［（ＺｒＯ２）９７−（Ｙ２Ｏ３）３ｍｏｌ％］３０−（Ｃｒ２Ｏ３）７０ｍｏｌ％のターゲットを用いて形成した。ＺｒＯ２は、ターゲット製造時に、熱によって割れやすい材料であったので、Ｙ２Ｏ３添加により熱的に安定化されたＺｒＯ２系材料を用いた。Ｃｒ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５第２界面層及びＣｒ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５保護層は、組成比（Ｃｒ２Ｏ３）６０−（Ｔａ２Ｏ５）４０ｍｏｌ％のターゲットを用いた。ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層は、いずれも（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０ｍｏｌ％ターゲットを用いて形成した。記録膜形成後、Ｌ０記録膜及びＬ１記録膜の上に、接着剤として紫外線硬化樹脂をスピンコートによりそれぞれ塗布し、両ディスク基板を貼りあわせた後に、Ｌ０側から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させた。その後、レーザ光照射アニールにより、Ｌ１記録膜の内周部にＢＣＡ（Ｂｕｒｓｔ  Ｃｕｔｔｉｎｇ  Ａｒｅａ）のパターンを結晶化記録した後、Ｌ１記録膜及びＬ０記録膜の相変化記録層の残り全面を結晶化させ、ＨＤ  ＤＶＤ−ＲＷ  ｆｏｒ  ＤＬに準ずる光情報記録媒体を調製した。
【００２２】
Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ相変化記録層について、さらに詳細には、ＧｅＴｅとＢｉ２Ｔｅ３の混合体に相当する組成比のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅターゲット、及び、ＧｅＴｅとＢｉの混合体に相当する組成比のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅターゲットを用いてのコスパッタ（もしくは、一方のターゲットによる通常のスパッタ）により形成した。具体的には、
Ｂｉ２．０Ｇｅ４７．５Ｔｅ５０．５ａｔ％ターゲットとＢｉ２．０Ｇｅ４９．０Ｔｅ４９．０ａｔ％ターゲットとの組合せで４種、
Ｂｉ４．０Ｇｅ４５．０Ｔｅ５１．０ａｔ％ターゲットとＢｉ４．０Ｇｅ４８．０Ｔｅ４８．０ａｔ％ターゲットとの組合せで４種、
Ｂｉ６．０Ｇｅ４２．５Ｔｅ５１．５ａｔ％ターゲットとＢｉ６．０Ｇｅ４７．０Ｔｅ４７．０ａｔ％ターゲットとの組合せで４種、
Ｂｉ８．０Ｇｅ４０．０Ｔｅ５２．０ａｔ％ターゲットとＢｉ８．０Ｇｅ４６．０Ｔｅ４６．０ａｔ％ターゲットとの組合せで４種、
Ｂｉ１０．０Ｇｅ３７．５Ｔｅ５２．５ａｔ％ターゲットとＢｉ１０．０Ｇｅ４５．０Ｔｅ４５．０ａｔ％ターゲットとの組合せで４種、
計２０種の光情報記録媒体を製作した。いずれの組合せにおいても、比率が１０：０，８：２，４：６，０：１０の４種となるように調整した。
【００２３】
測定の方法は、半径４０ｍｍ付近において、測定対象のトラックに２Ｔ〜１１Ｔのランダムパターンを１０回繰り返し記録し、さらに両隣接トラックに２Ｔ〜１１Ｔのランダムパターンを１０回繰り返し記録した後、測定対象のトラックに記録された信号を再生し、再生信号をイコライズ後に解析することにより、ＳｂＥＲを算出した。ＳｂＥＲ測定は、ランダムパターン繰り返し記録時のレーザ光のパワー（記録パワー及び消去パワー）を変化させて繰り返し行い、ＳｂＥＲ測定値が最も小さくなるように記録パワー及び消去パワーを最適化した。表１に、最適記録パワーとＳｂＥＲについての測定結果を示す。最適記録パワーが１３ｍＷ以下のものを“○”、それ以外を“×”、また、ＳｂＥＲが５．０×１０−６以下のものを“○”、それ以外を“×”と判定した。
【００２４】
【表１】
2008276850.tif 000002
【００２５】
表１の結果から、相変化記録層が、Ｂｉ２．０Ｇｅ４７．８Ｔｅ５０．２ａｔ％，Ｂｉ８．０Ｇｅ４１．２Ｔｅ５０．８ａｔ％，Ｂｉ８．０Ｇｅ４６．０Ｔｅ４６．０ａｔ％，Ｂｉ４．０Ｇｅ４８．０Ｔｅ４８．０ａｔ％の４点で囲まれる組成比範囲において、良好な記録パワー感度及びＳｂＥＲが得られた。
【００２６】
（ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３系第１界面層の組成比及び厚さの最適化）
次に、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３系第１界面層の組成比と層厚がそれぞれ異なる光情報記録媒体を複数枚作製した。組成比及び層厚を調整し、界面層の耐熱性を向上することで、優れた書き換え耐久性を得ることが主な目的であるが、Ｃｒ２Ｏ３が特に青色レーザ光に対して消衰係数を持つ材料であるため、十分な反射率が得られるようにＣｒ２Ｏ３含有量を適量に調整する目的もある。
【００２７】
ディスク基板は射出成型により形成し、溝ピッチ０．４μｍのスパイラル状のトラッキング案内溝を設けた。Ｌ０側のディスク基板上のトラッキング案内溝を形成した面側には、９層構造のＬ０記録膜として、ＺｎＳ−ＳｉＯ２第１誘電体層４２ｎｍ、第１界面層、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ相変化記録層８ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５第２界面層２ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２第２誘電体層８ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５保護層３ｎｍ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｃａ反射層１０ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５保護層２ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２第３誘電体層２３ｎｍを順にスパッタリング法によって形成した。Ｌ１側のディスク基板上のトラッキング案内溝を形成した面側には、７層構造のＬ１記録膜として、Ａｇ−Ｃｕ−Ｃａ第２反射層６０ｎｍ、Ａｌ−Ｎｉ第１反射層４０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２第２誘電体層２６ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５第２界面層２ｎｍ、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ相変化記録層１３ｎｍ、第１界面層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２第１誘電体層５７ｎｍを順にスパッタリング法によって形成した。Ｌ０記録層，Ｌ１記録層とも、第１界面層は、（ＺｒＯ２）９７−（Ｙ２Ｏ３）３ｍｏｌ％ターゲット及びＣｒ２Ｏ３ターゲットによるコスパッタにより組成比を調整して形成、或いは、組成比（Ｃｒ２Ｏ３）６０−（Ｔａ２Ｏ５）４０ｍｏｌ％のターゲットを用いて形成した。但し、簡単のために、Ｌ０記録膜とＬ１記録膜において、第１界面層は同じ組成比かつ同じ層厚とした。ＺｒＯ２は、ターゲット製造時に、熱によって割れやすい材料であったので、Ｙ２Ｏ３添加により熱的に安定化されたＺｒＯ２系材料を用いた。Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ相変化記録層は、Ｂｉ４．０Ｇｅ４６．０Ｔｅ５０．０ａｔ％ターゲットを用いて形成した。Ｃｒ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５第２界面層及びＣｒ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５保護層は、組成比（Ｃｒ２Ｏ３）６０−（Ｔａ２Ｏ５）４０ｍｏｌ％のターゲットを用いた。ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層は、いずれも（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０ｍｏｌ％ターゲットを用いて形成した。記録膜形成後、Ｌ０記録膜及びＬ１記録膜の上に、接着剤として紫外線硬化樹脂をスピンコートによりそれぞれ塗布し、両ディスク基板を貼りあわせた後に、Ｌ０側から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させた。その後、レーザ光照射アニールにより、Ｌ１記録膜の内周部にＢＣＡ（Ｂｕｒｓｔ  Ｃｕｔｔｉｎｇ  Ａｒｅａ）のパターンを結晶化記録した後、Ｌ１記録膜及びＬ０記録膜の相変化記録層の残り全面を結晶化させ、ＨＤ  ＤＶＤ−ＲＷ  ｆｏｒ  ＤＬに準ずる光情報記録媒体を調製した。
【００２８】
測定の方法は、半径４０ｍｍ付近において、測定対象のトラックの両隣接トラックに２Ｔ〜１１Ｔのランダムパターンを１０回繰り返し記録した後、測定対象のトラックに２Ｔ〜１１Ｔのランダムパターンを所望の回数だけ繰り返し記録した後、測定対象のトラックに記録された信号を再生し、再生信号をイコライズ後に解析することにより、ＳｂＥＲを算出した。ＳｂＥＲ測定は、同一トラックにおいて、繰り返し記録回数１０回、１００回、１０００回、１万回について行い、５．０×１０−６以下となった最大の記録回数を、その光情報記録媒体の書き換え耐久回数とした。また、ＳｂＥＲ測定と同時に、同一トラックにおいて、反射率測定も行った。表２に、反射率と書き換え耐久回数についての測定結果を示す。反射率３．５％以上のものを“○”、それ以外を“×”、また、書き換え耐久回数１０００回以上のものを“○”、それ以外を“×”と判定した。
【００２９】
【表２】
2008276850.tif 000003
【００３０】
表２の結果から、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３系第１界面層について、Ｃｒ２Ｏ３含有量が３０〜７０ｍｏｌ％、厚さが３〜８ｎｍの範囲において、十分な反射率及び書き換え耐久性が得られた。
【００３１】
（ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３系第２界面層の組成比及び厚さの最適化）
続いて、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３系第２界面層の組成比及び層厚を調整するために、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３系第２界面層の組成比と層厚がそれぞれ異なる光情報記録媒体を複数枚作製した。組成比及び層厚を調整し、界面層の耐熱性を向上することで、優れた書き換え耐久性を得ることが主な目的であるが、第２界面層は、ヒートシンクである反射層に近いために、その組成比及び層厚を調整して相変化記録層の結晶核を制御することができるので、相変化記録層の結晶化速度を最適化し、良好な記録マーク形成により十分な媒体特性を得る目的もある。
【００３２】
ディスク基板は射出成型により形成し、溝ピッチ０．４μｍのスパイラル状のトラッキング案内溝を設けた。Ｌ０側のディスク基板上のトラッキング案内溝を形成した面側には、９層構造のＬ０記録膜として、ＺｎＳ−ＳｉＯ２第１誘電体層４２ｎｍ、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３系第１界面層６ｎｍ、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ相変化記録層８ｎｍ、第２界面層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２第２誘電体層８ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５保護層３ｎｍ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｃａ反射層１０ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５保護層２ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２第３誘電体層２３ｎｍを順にスパッタリング法によって形成した。Ｌ１側のディスク基板上のトラッキング案内溝を形成した面側には、７層構造のＬ１記録膜として、Ａｇ−Ｃｕ−Ｃａ第２反射層６０ｎｍ、Ａｌ−Ｎｉ第１反射層４０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２第２誘電体層２６ｎｍ、第２界面層、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ相変化記録層１３ｎｍ、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３系第１界面層６ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２第１誘電体層５７ｎｍを順にスパッタリング法によって形成した。Ｌ０記録層，Ｌ１記録層とも、第２界面層は、（ＺｒＯ２）９７−（Ｙ２Ｏ３）３ｍｏｌ％ターゲット及びＣｒ２Ｏ３ターゲットによるコスパッタにより組成比を調整して形成、或いは、組成比（Ｃｒ２Ｏ３）６０−（Ｔａ２Ｏ５）４０ｍｏｌ％のターゲットを用いて形成した。但し、簡単のために、Ｌ０記録膜とＬ１記録膜において、第２界面層は同じ組成比かつ同じ層厚とした。Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ相変化記録層は、Ｂｉ４．０Ｇｅ４６．０Ｔｅ５０．０ａｔ％ターゲットを用いて形成した。ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３系第１界面層は、組成比［（ＺｒＯ２）９７−（Ｙ２Ｏ３）３ｍｏｌ％］５０−（Ｃｒ２Ｏ３）５０ｍｏｌ％のターゲットを用いて形成した。ＺｒＯ２は、ターゲット製造時に、熱によって割れやすい材料であったので、Ｙ２Ｏ３添加により熱的に安定化されたＺｒＯ２系材料を用いた。Ｃｒ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５保護層は、組成比（Ｃｒ２Ｏ３）６０−（Ｔａ２Ｏ５）４０ｍｏｌ％のターゲットを用いた。ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層は、いずれも（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０ｍｏｌ％ターゲットを用いて形成した。記録膜形成後、Ｌ０記録膜及びＬ１記録膜の上に、接着剤として紫外線硬化樹脂をスピンコートによりそれぞれ塗布し、両ディスク基板を貼りあわせた後に、Ｌ０側から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させた。その後、レーザ光照射アニールにより、Ｌ１記録膜の内周部にＢＣＡ（Ｂｕｒｓｔ  Ｃｕｔｔｉｎｇ  Ａｒｅａ）のパターンを結晶化記録した後、Ｌ１記録膜及びＬ０記録膜の相変化記録層の残り全面を結晶化させ、ＨＤ  ＤＶＤ−ＲＷ  ｆｏｒ  ＤＬに準ずる光情報記録媒体を調製した。
【００３３】
測定の方法は、半径４０ｍｍ付近において、測定対象のトラックの両隣接トラックに２Ｔ〜１１Ｔのランダムパターンを１０回繰り返し記録した後、測定対象のトラックに２Ｔ〜１１Ｔのランダムパターンを所望の回数だけ繰り返し記録した後、測定対象のトラックに記録された信号を再生し、再生信号をイコライズ後に解析することにより、ＳｂＥＲを算出した。ＳｂＥＲ測定は、同一トラックにおいて、繰り返し記録回数１０回、１００回、１０００回、１万回について行い、５．０×１０−６以下となった最大の記録回数を、その光情報記録媒体の書き換え耐久回数とした。なお、繰り返し記録回数１０回の時点で、ＳｂＥＲが５．０×１０−７以下とならなかった光情報記録媒体は、書き換え耐久回数１０回未満であるものとした。表３に、繰り返し記録回数１０回のＳｂＥＲと書き換え耐久回数についての測定結果を示す。繰り返し記録回数１０回の５．０×１０−６以下のものを“○”、それ以外を“×”、また、書き換え耐久回数１万回以上のものを“◎”、１０００回以上のものを“○”、それ以外を“×”と判定した。
【００３４】
【表３】
2008276850.tif 000004
【００３５】
表２の結果から、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３系第１界面層について、Ｃｒ２Ｏ３含有量が４０〜８０ｍｏｌ％、厚さが２〜６ｎｍの範囲において、十分な反射率及び書き換え耐久性が得られた。