(57)【要約】【課題】新規な構造を有するアクチュエータを提供する。【解決手段】本願のアクチュエータは、圧電体層の上下に電極層を有し、一端又は両端が基板に支持されている駆動アームと、信号線とを有する。そして、駆動アームが、基板と一部の層を共有しており、信号線が、駆動アームとねじれの関係になるように駆動アーム上に架橋されているものである。このように駆動アームが基板と一部の層を共有するような構成となれば、弾性層として機能するだけではなく、基板に支持部を別途形成するより強度を高くすることができる。さらに、信号線は、駆動アームより上に形成されるので、圧電体層の形成の影響がほとんど無くなり、信号線に適切な材料（例えばＡｕやＡｌなど）を用いることができるようになる。【選択図】図１
2008167508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体層の上下に電極層を有し、一端又は両端が基板に支持されている駆動アームと、
信号線と、
を有し、
前記駆動アームが、前記基板と一部の層を共有しており、
前記信号線が、前記駆動アームとねじれの関係になるように前記駆動アーム上に架橋されている
アクチュエータ。
【請求項２】
前記駆動アームが、前記電極層に印加される電圧によって前記圧電体層に従って前記信号線に近接するように駆動される
請求項１記載のアクチュエータ。
【請求項３】
グランド線が前記信号線に平行又は実質的に平行に架橋されている
請求項１記載のアクチュエータ。
【請求項４】
前記駆動アームにおける前記圧電体層の上面の電極層が、前記信号線と近接する部分とそれ以外の部分とに切断されており、
前記駆動アームにおける前記圧電体層の下面の電極層と前記信号線とでシャント型スイッチが構成される
請求項１記載のアクチュエータ。
【請求項５】
圧電体層の上下に電極層を有し、両端が基板に支持されている駆動アームと、
信号線と、
を有し、
前記駆動アームが、前記基板の穴を一部を覆っており、
前記信号線が、前記駆動アームとねじれの関係になるように前記駆動アーム上に架橋されている
アクチュエータ。
【請求項６】
基板上に下部電極層と圧電層と上部電極層とを形成するステップと、
前記下部電極層と前記圧電体層と前記上部電極層と前記基板の一部の層とを有する駆動アーム部を上側からのエッチングによって形成するエッチング・ステップと、
前記エッチング後、上部に犠牲層を形成するステップと、
前記駆動アーム部とねじれの関係となるように前記犠牲層の上に信号線を形成するステップと、
前記基板の下側から、前記駆動アーム部における、前記基板の一部の層を残し且つ前記駆動アーム部を上下に駆動可能なように穴を形成するステップと、
前記犠牲層を除去するステップと、
を含む、アクチュエータ製造方法。
【請求項７】
前記エッチング・ステップが、
前記駆動アーム部の前記上部電極層及び前記圧電層のうち前記信号線に近接する部分とそれ以外の部分に切断するステップ
を含む請求項６記載のアクチュエータ製造方法。
【請求項８】
前記基板上に、前記下部電極層を形成する前に、絶縁層を形成するステップ
をさらに含む請求項６記載のアクチュエータ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気式微少機械装置（ＭＥＭＳ：Micro Electro Mechanical Systems）におけるアクチュエータ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特開２０００−１４９７５０号公報には、マイクロマシンスイッチのオフ時のアイソレーション特性を向上させるための技術が開示されている。具体的には、互いに近接配置された少なくとも２本の分布定数線路のそれぞれと先端部が対向するように各分布定数線路の上方に配置されかつ導電体を含む可動子と、静電力により可動子を変位させて各分布定数線路に接触させる駆動手段とを備え、可動子の少なくとも１つの先端部の面積は、この先端部と対向する分布定数線路の先端部の面積よりも小さい。
【０００３】
また、特開２００５−３０２７１１号公報には、アクチュエータ及びこれを用いたスイッチの駆動速度の高速化および低駆動電圧化のための技術が開示されている。具体的には、少なくとも表面が絶縁化された基板と、この基板に少なくとも１カ所が支持された駆動アームと、基板および駆動アームにそれぞれ対向する位置に設けられた静電用電極と、この静電用電極に電圧を印加する第１の電圧印加手段とを備え、駆動アームに対してさらに圧電体層の上下面に電極を有する圧電駆動電極を設け、この圧電駆動電極に電圧を印加する第２の電圧印加手段を設けた構成としたものである。
【０００４】
さらに、特開２００３−２１７４２１号公報には、高周波信号の切り替えを行うマイクロマシンスイッチにおいて、スイッチ機構の構成が簡単で且つ高周波信号を効率良く遮断することで、低消費電力且つ高信頼性を実現するための技術が開示されている。より具体的には、基板上に形成された信号線路導体と、高周波信号の通過を遮断する駆動短絡機構と、制御信号を与えることにより駆動短絡機構を変位させる駆動手段である圧電体とを備え、圧電体に制御信号として電圧を印加することで、信号線路導体と接地導体とが駆動短絡機構底面の導電層を介して短絡し、高周波信号を効率良く遮断することができるというものである。
【特許文献１】特開２０００−１４９７５０号公報
【特許文献２】特開２００５−３０２７１１号公報
【特許文献３】特開２００３−２１７４２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上で述べたいずれの従来技術も、信号線は基板上に接して形成されている。また、いずれも少なくとも一端が基板上に新たに形成された支持部によって支持されているアーム部を用いている。さらに、特開２０００−１４９７５０号公報以外は圧電体を用いており、当該圧電帯の層は、信号線の層より上に設けられている。
【０００６】
このような従来技術では、基板上に新たに形成された支持部によってアームが支持されるので、その強度に問題が生じやすい。また、基板上に信号線を形成する場合には、信号線自体の形成は問題がないが、圧電体の層を形成する際には非常に高温となるため、信号線の材料が制限的になるという問題がある。すなわち、信号線の特性が悪くなる可能性がある。または、製造プロセスを工夫する必要がある。
【０００７】
従って、本発明の目的は、アームの支持部分の強度を向上させる新規な構造を有するアクチュエータを提供することである。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、信号線に適切な材料を用いることが可能となる新規な構造を有するアクチュエータを提供することである。
【０００９】
さらに、本発明の他の目的は、上記のような新規な構造を有するアクチュエータの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の態様に係るアクチュエータは、圧電体層の上下に電極層を有し、一端又は両端が基板に支持されている駆動アームと、信号線とを有する。そして、駆動アームが、基板と一部の層を共有しており、信号線が、駆動アームとねじれの関係になるように駆動アーム上に架橋されているものである。
【００１１】
このように駆動アームが基板と一部の層を共有するような構成となれば、弾性層として機能するだけではなく、基板に支持部を別途形成するより強度を高くすることができる。さらに、信号線は、駆動アームより上に形成されるので、圧電体層の形成の影響がほとんど無くなり、信号線に適切な材料（例えばＡｕやＡｌなど）を用いることができるようになる。
【００１２】
また、駆動アームが、電極層に印加される電圧によって圧電体層に従って信号線に近接するように駆動されるようにしてもよい。なお、信号線と圧電体層の上面の電極層との間に静電気力が働く場合もある。
【００１３】
さらに、グランド線が信号線に平行又は実質的に平行に架橋されるようにしてもよい。このようにすれば、信号線の信号特性が改善される。
【００１４】
また、駆動アームにおける圧電体層の上面の電極層が、信号線と近接する部分とそれ以外の部分とに切断されており、駆動アームにおける圧電体層の下面の電極層と信号線とでシャント型スイッチが構成されるようにしてもよい。下面の電極層において信号線と近接する部分と信号線とでコンデンサが構成され、駆動アームが信号線と離れていればコンデンサの容量が小さくなって、信号が信号線を通過するためスイッチがＯＮとなり、駆動アームが信号線に近接すると、コンデンサの容量が大きくなって、信号線の信号がグランドに流れてしまいスイッチがＯＦＦとなる。
【００１５】
本発明の第２の態様に係るアクチュエータは、圧電体層の上下に電極層を有し、両端が基板に支持されている駆動アームと、信号線とを有する。そして、駆動アームが、基板の穴を一部を覆っており、信号線が、駆動アームとねじれの関係になるように駆動アーム上に架橋されているものである。
【００１６】
このように駆動アームの両端が基板に支持されているため強度を高くすることができる。さらに、信号線は、駆動アームより上に形成されるので、圧電体層の形成の影響がほとんど無くなり、信号線に適切な材料を用いることができるようになる。
【００１７】
本発明の第３の態様に係るアクチュエータ製造方法は、基板上に下部電極層と圧電層と上部電極層とを形成するステップと、下部電極層と圧電体層と上部電極層と基板の一部の層とを有する駆動アーム部を上側からのエッチングによって形成するエッチング・ステップと、エッチング後、上部に犠牲層を形成するステップと、駆動アーム部とねじれの関係となるように犠牲層の上に信号線を形成するステップと、基板の下側から、駆動アーム部における、基板の一部の層を残し且つ駆動アーム部を上下に駆動可能なように穴を形成するステップと、犠牲層を除去するステップとを含む。
【００１８】
このようにすれば、上で述べたような構造のアクチュエータを製造することができる。また、基板の穴を下側から形成し、駆動アームが基板の一部の層を有するようになるため、基板の一部の層が弾性層として機能し、さらに駆動アームの支持強度が高くなる。さらに、犠牲層を用いて信号線が既に形成されている駆動アーム上に架橋されるので、駆動アームに含まれる圧電体層形成の影響をほとんど無くすることができ、信号線に適切な材料を用いることができるようになる。
【００１９】
また、エッチング・ステップが、駆動アーム部の上部電極層及び圧電層のうち信号線に近接する部分とそれ以外の部分に切断するステップを含むようにしてもよい。このようにすれば、適切に駆動アームを信号線に近接させて、例えばシャント型スイッチとして機能させることができるようになる。
【００２０】
また、基板上に、下部電極層を形成する前に、絶縁層を形成するステップをさらに含むようにしてもよい。表面が導電性の基板（例えばＳｉ）を用いる場合には、絶縁層を生成して電気的に絶縁するものである。
【００２１】
本発明に係るアクチュエータ及びアクチュエータ製造方法は、様々な態様にて実施可能であり、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、アームの支持部分の強度を向上させる新規な構造を有するアクチュエータが実現される。
【００２３】
また、本発明の他の側面によれば、信号線に適切な材料を用いることが可能となる新規な構造を有するアクチュエータが実現される。
【００２４】
さらに、本発明の他の側面によれば、上記のような新規な構造を有するアクチュエータの製造方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１に本発明の一実施の形態に係るアクチュエータの斜視概要図を示す。例えばＳｉの基板１の表面は、ＳｉＯ2の絶縁層が形成されている。そして、その上には、例えばＰｔ／Ｔｉによるグランド２ａ及び２ｂが形成されている。このグランド２ａ及び２ｂの層は、基板１に設けられている穴５上に架橋されており且つ以下で述べる駆動アーム４にも含まれている。グランド２ａ及び２ｂは、駆動アーム４上に架橋される信号線３に対するコプレナー構造を形成するように、信号線３と平行に突出した部分が設けられている。駆動アーム４は、グランド２ａ及び２ｂの下に基板１の一部の層と、グランド２ａ及び２ｂの層と、当該グランド２ａ及び２ｂの上にＰＺＴ（Pb(ZrTi)O3）等の圧電体層と、上部電極層とを含む。基板１の一部の層は、弾性層として機能する。そして、駆動アーム４は、コンデンサ部４ｃと、コンデンサ部４ｃとヒンジ部４ｅを介して接続される第１のカンチレバー４ａと、同じくコンデンサ部４ｃとヒンジ部４ｄを介して接続される第２のカンチレバー４ｂとを有しており、基板１の穴５を架橋するように設けられている。コンデンサ部４ｃは、信号線３とでコンデンサを構成する。コンデンサ部４ｃは、第１及び第２のカンチレバー４ａ及び４ｂと同様の層構成を有するが、ヒンジ部４ｅ及び４ｄにおいて圧電層と上部電極層とが切断されている。ヒンジ部４ｅ及び４ｄにおいては、圧電層の下の下部電極層（＝グランド２ａ及び２ｂ）及び基板１の一部の層には穴が形成されているが、これはヒンジの機能を有効に果たすためである。
【００２６】
信号線３は、例えばＡｕで構成され、駆動アーム４と垂直方向でねじれの関係になるよう駆動アーム４のコンデンサ部４ｃ及び穴５の上に架橋されている。通常状態では、コンデンサ部４ｃの上部電極層と信号線３との間は５μｍ程度の距離離れている。
【００２７】
図２（ａ）及び（ｂ）に、図１に示したアクチュエータの駆動アーム４方向の概略断面図を示す。図２（ａ）は、定常状態を表している。駆動アーム４は、弾性層として機能する基板１の一部の層１ａ、１ｂ及び１ｃと、グランド層２ａ、２ｂ及び２ｃと、ＰＺＴである圧電体層６ａ、６ｂ及び６ｃと、上部電極層８ａ、８ｂ及び８ｃとを有する。基板１の一部の層１ａ、１ｂ及び１ｃとグランド層２ａ、２ｂ及び２ｃとは、基板１の表面に形成された絶縁層で接している。また、駆動アーム４は、基板１の一部の層１ａと、グランド層２ａと、圧電体層６ａと、上部電極層８ａとで構成される第１のカンチレバー４ａと、基板１の一部の層１ｂと、グランド層２ｂと、圧電体層６ｂと、上部電極層８ｂとで構成される第２のカンチレバー４ｂと、基板１の一部の層１ｃと、グランド層２ｃと、圧電体層６ｃと、上部電極層８ｃとで構成されるコンデンサ部４ｃとに分けられる。第１のカンチレバー４ａとコンデンサ部４ｃとは、基板１の一部の層１ａ及びグランド層２ａと、基板１の一部の層１ｃ及びグランド層２ｃとの間に形成されているヒンジ部４ｅで接続されている。すなわち、圧電体層及び上部電極層は切断されている。同様に、第２のカンチレバー４ｂとコンデンサ部４ｃとは、基板１の一部の層１ｂ及びグランド層２ｂと、基板１の一部の層１ｃ及びグランド層２ｃとの間に形成されているヒンジ部４ｄで接続されている。ここでも、圧電体層及び上部電極層は切断されている。信号線３とコンデンサ部４ｃの上部電極層８ｃとの距離Ｌは、およそ５μｍである。また、圧電体層６ａ、６ｂ及び６ｃの厚さは、およそ１μｍである。この状態では、信号線３に信号がそのまま流れる。すなわち、アクチュエータをスイッチとすると、ＯＮの状態である。
【００２８】
ここで、駆動アーム４を駆動させる場合には、グランド層２ａ及び２ｂを接地する又はそれらに負電圧を印加し、上部電極層８ａ及び８ｂに正電圧を印加する。そうすると、図２（ａ）に示すように、圧電体層６ａ及び６ｂに、駆動アーム４の、基板１における支持部方向（水平方向）に、縮む力が生じる。また、グランド層２ａ及び２ｂを接地する又はそれらに負電圧を印加しているので、グランド層２ｃについても負電圧が印加されたことになり、圧電体層６ｃを介して対向する上部電極層８ｃにも正電圧が励起される。ここで、信号線３に負電圧を印加する。そうすると、静電力（引力）が、コンデンサ部４ｃの上部電極層８ｃと、信号線３との間に発生する。
【００２９】
上部電極層８ａ及び８ｂとグランド層２ａ及び２ｂとの間に印加する電圧と、信号線３に印加する負電圧とを適切に調整することによって、図２（ｂ）のように、信号線３とコンデンサ部４ｃの上部電極層８ｃとの距離がｎｍレベルまで近接するようにすることができる。なお、ＰＺＴの圧電体層６ｃは誘電体として機能するので、コンデンサ部４ｃの容量（具体的には、信号線３とグランド層２ｃとの間の容量）は増加して、信号線３が交流的に接地される形となる。すなわち、信号線３には信号は流れず、スイッチの状態はＯＦＦとなる。また、ヒンジ部４ｄ及び４ｅによって、適切な形でコンデンサ部４ｃが信号線３に近接するようになる。
【００３０】
図２（ｂ）から図２（ａ）に戻す場合には、印加した電圧を元に戻せばよい。そうすると、基板１の一部の層１ａ及び１ｂの弾性力によって元の状態に戻る。
【００３１】
以上のような動作を行うことによって、アクチュエータは、シャント型スイッチとして機能するようになる。なお、駆動アーム４における第１のカンチレバー４ａの付け根及び第２のカンチレバー４ｂの付け根は、全てが積層して形成されたわけではなく、基板１の一部の層を共有しているため、全て積層して支持部を形成する場合に比して強度は強くなる。また、この基板１の一部の層については、弾性層としても機能しており、部材が有効利用されている。さらに、信号線にはＡｕやＡｌといった低抵抗で融点の低い材料を用いることができる。以下の製造方法の説明において詳しく述べるが、圧電体層６の影響を受けないように構成できるため、Ｐｔ／Ｔｉなどの融点が高いが抵抗も高い素材を用いずに、信号線として適切な材料を選択して用いることができる。
【００３２】
次に、図３乃至図９を用いて図１及び図２に示したようなアクチュエータの製造方法を説明する。なお、左側に示す断面図Ａは、図１において点線Ａで切断した面を示し、右側に示す断面図Ｂは、図１において点線Ｂで切断した面を示す。
【００３３】
図３（ａ）に示すように、表面にＳｉ層１０１、当該表面のＳｉ層１０１より下にＳｉＯ2層１０２、そしてＳｉＯ2層１０２の下にＳｉ層１０３が形成されているＳＯＩ（Silicon On Insulator）ウエハを用いる。そして、図３（ｂ）に示すように、水又は酸素雰囲気中で、ＳＯＩウエアの上下面の表面を熱酸化させてＳｉＯ2層１０４及び１０５を形成する。このＳｉＯ2層１０４は、図１に示した、基板１の表面の絶縁層である。その後、図３（ｃ）に示すように、スパッタによって圧電体層の下部電極層となるＰｔ／Ｔｉ層１０６をＳｉＯ2層１０４の上に形成する。
【００３４】
そして、図３（ｄ）に示すように、ＳＯＩウエアを回転させ、ＰＺＴゾルゲルの成膜を１μｍ程度行って、ＰＺＴ圧電体層１０７をＰｔ／Ｔｉ層１０６の上に形成する。この際７００℃程度の熱を加えることとなるので、Ｐｔ／Ｔｉ層１０６には融点の高い材料を用いなければならない。次に、図３（ｅ）に示すように、再度スパッタによって圧電体層の上部電極となるＰｔ／Ｔｉ層１０８をＰＺＴ圧電体層１０７の上に形成する。ここまでは、断面図Ａ及び断面図Ｂ共に変わりない。
【００３５】
次に、フォトレジストを塗布し、フォトマスクを透過させて露光し、感光したレジストを現像し、感光した又は感光しなかった部分のレジストを除去して、図４（ａ）に示すように、Ｐｔ／Ｔｉ層１０８及びＰＺＴ圧電体層１０７をエッチングするためのレジスト層１０９を形成する。断面図Ａでは、第１及び第２のカンチレバー４ａ及び４ｂと、コンデンサ部４ｃとを切断するため、２つの溝１１０ａ及び１００ｂが形成される。一方、断面図Ｂでは、第１のカンチレバー４ａの部分のみを残すように、一カ所のみレジスト層１０９が形成される。
【００３６】
そして、図４（ｂ）に示すように、エッチングでレジスト層１０９が形成されていない部分のＰｔ／Ｔｉ層１０８及びＰＺＴ圧電体層１０７が削られ、その後レジスト層１０９が除去される。次に、下部電極層であるＰｔ／Ｔｉ層１０６と、ＳｉＯ2層１０４と、Ｓｉ層１０１と、ＳｉＯ2層１０２とを加工するために、フォトレジストを塗布し、フォトマスクを透過させて露光し、感光したレジストを現像し、感光した又は感光しなかった部分のレジストを除去して、図４（ｃ）に示すように、レジスト層１１１を形成する。なお、断面図Ａでは、上部全面にレジスト層１１１が形成されるが、断面図Ｂでは、第１のカンチレバー４ａを分離するために、溝１１２ａ及び１１２ｂとが形成される。
【００３７】
その後、図４（ｄ）に示すように、エッチングで、レジスト層１１１が形成されていない部分のＰｔ／Ｔｉ層１０６と、ＳｉＯ2層１０４と、Ｓｉ層１０１と、ＳｉＯ2層１０２とが削られ、その後レジスト層１１１が除去される。図４（ｄ）の段階まで進むと、第１及び第２のカンチレバー４ａ及び４ｂと、コンデンサ部４ｃの基本形状が完成したことになる。すなわち、図５に示すように、グランド２ａ及び２ｂと、第１及び第２のカンチレバー４ａ及び４ｂと、コンデンサ部４ｃは、ほぼ完成している。但し、穴５はまだ形成されていない。なお、ヒンジ部４ｄ及び４ｅについてはここでは説明を省略している。このヒンジ部４ｄ及び４ｅを形成するためには、図４（ｃ）の段階で断面図Ａにもレジストが形成されない部分が適切に形成される必要がある。
【００３８】
次に、Ａｕの信号線３を形成する前段階として、図４（ｅ）に示すように、溝１１０ａ及び１１０ｂと、溝１１２ａ及び１１２ｂとに埋め込み用レジスト１１３を塗布する。そして、信号線３を架橋させるために、フォトレジストを塗布し、フォトマスクを透過させて露光し、感光したレジストを現像し、感光した又は感光しなかった部分のレジストを除去して、図６（ａ）に示すように、犠牲層１１４を形成する。犠牲層１１４は、図１に示した距離Ｌを実現するための厚みを有する。その後、図６（ｂ）に示すように、犠牲層１１４の上に、スパッタで、Ａｕ層１１５を形成する。Ａｕ層１１５のうちＡｕ層１１５ａのみが信号線として用いられる。他の犠牲層１１４の上に形成されたＡｕ層１１５は不要である。従って、フォトレジストを塗布し、フォトマスクを透過させて露光し、感光したレジストを現像し、感光した又は感光しなかった部分のレジストを除去して、図６（ｃ）に示すように、Ａｕ層１１５ａの上部にのみレジスト層１１６を形成する。そして、エッチングにより、図６（ｄ）に示すように、不要なＡｕ層１１５を除去する。例えば、残ったＡｕ層１１５ａの上部のレジストを仮に除去すると、図７に示すような状態となる。「仮」としたように、実際にはレジスト層１１６が上部に乗っているので、Ａｕ層１１５ａが見えるわけではない。
【００３９】
次に、裏面のＳｉＯ2層１０５の下に、フォトレジストを塗布し、フォトマスクを透過させて露光し、感光したレジストを現像し、感光した又は感光しなかった部分のレジストを除去して、図８（ａ）に示すように、レジスト層１１７を形成する。そして、下部からエッチングを行って、図８（ｂ）に示すように、レジスト層１１７が形成されていない部分における、ＳｉＯ2層１０５、Ｓｉ層１０３と、ＳｉＯ2層１０２とを削り取る。
【００４０】
削り取った後は、裏から見ると、例えば図９に示すように、窪みの底に、駆動アーム４とその周りに埋め込み用レジスト１１３とが見える状態であるが、まだ穴５は形成できていない状態になる。
【００４１】
その後、埋め込み用レジスト１１３と、犠牲層１１４と、レジスト層１１６と、レジスト層１１７とを除去し、超臨界乾燥を実施すると、図８（ｃ）に示すように、完成する。すなわち、断面図Ａでは、信号線３が架橋され、基板１のＳｉＯ2層１０４及びＳｉ層１０１とを基板１と駆動アーム４とが共有し、駆動アーム４の支持部分１２０は、積層した部分はあっても、基本的には基板１そのものであるから、強度も従前の積み上げ式のものより高くなっている。さらに、信号線３にはＡｕ（Ａｌでも可）という信号線に適した材料を用いることができる。これは、高温が必要なＰＺＴ圧電体層１０７を形成した後に別途形成できるためである。断面図Ｂでは、穴５が形成され、駆動アーム４が上下に駆動可能となっているのが分かる。
【００４２】
以上述べたような製造プロセスを実施することによって、図１及び図２で示したようなアクチュエータを製造することができる。なお、上で述べた各層は、特に触れなかった場合にはｎｍレベルの厚さとなる。
【００４３】
なお、図１及び図２の形状は一例であって、例えば図１０に示すような構造に変形することも可能である。図１０は、上面図である。具体的には、基板２１の上には圧電体層の下部電極層となるグランド２２が形成されており、グランド２２には接続のための電極２２ａが形成されている。なお、同じハッチングは同じ層を示している。さらにグランド２２の上には、圧電体層の上部電極層２４ｆが形成されており、駆動アーム２４は、第１のカンチレバー２４ａと、第２のカンチレバー２４ｂと、ヒンジ部２４ｄ及び２４ｅと、コンデンサ部２４ｃ（図１０では信号線２３によって隠れている）とを有する。なお、上部電極層２４ｆには、接続のための電極２４ｇが設けられ、また多少形状が異なるが、基本的には図１と同様である。一方、信号線２３は、駆動アーム２４と穴２５とを架橋するように形成されているが、左右には信号線２３と同様に、駆動アーム２４と穴２５とを架橋するようにグランド線２６及び２７が形成されている。このように、信号線２３とほぼ同じ形状でコプレナー構造を構成するようなグランド線２６及び２７を設けることによって、信号線２３における信号特性が良くなることが分かっている。
【００４４】
以上のような構成を採用することによって、従来存在していたアクチュエータよりも、強度を高くすることができ、さらに信号線に適切な材料を採用することも可能となる。さらに、これまで通常用いられてきた製造プロセスをそのまま応用して製造することができる。
【００４５】
以上本発明の一実施の形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、上で述べた駆動アームは、支持部が２カ所ある構造であったが、第１のカンチレバー又は第２のカンチレバーのみを用いるような構造とすることも可能である。
【００４６】
また、細かい構造は、全て同じでなければならないわけではない。ヒンジ部の構造は、他のヒンジ構造を採用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施の形態に係るアクチュエータの斜視概要図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、アクチュエータの動作を説明するための断面概要図である。
【図３】（ａ）乃至（ｅ）は、アクチュエータの製造方法を示す図である。
【図４】（ａ）乃至（ｅ）は、アクチュエータの製造方法を示す図である。
【図５】図４（ｄ）の段階の斜視概要図である。
【図６】（ａ）乃至（ｄ）は、アクチュエータの製造方法を示す図である。
【図７】図６（ｄ）の段階の仮想的な斜視概要図である。
【図８】（ａ）乃至（ｃ）は、アクチュエータの製造方法を示す図である。
【図９】図８（ｂ）の段階の斜視概要図である。
【図１０】他の実施の形態を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  基板    ２ａ，２ｂ  グランド
３  信号線    ４  駆動アーム
４ａ  第１のカンチレバー
４ｂ  第２のカンチレバー
４ｃ  コンデンサ部
４ｄ，４ｅ  ヒンジ部
５  穴    
【図１】
2008167508.tif 000003
【図２】
2008167508.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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