(57)【要約】【課題】処理可能な被処理物が制限されることなく、処理効率を向上させることができる放電装置およびそれを製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】誘電体１の容量結合によって誘電体１に配設された２極の電極２，３間で放電させるために、放電側とは逆側の誘電体１の面に電極２，３をともに配設して構成する。放電側とは逆側の誘電体１の面に電極２，３をともに配設するので、従来のように電極を互いに対向させて放電させずに、電極２，３から誘電体１側へと放電する。したがって、従来のように互いに対向した電極間にワークを置く必要がなく、処理可能なワークＷが制限されることがない。また、従来のように互いに対向した電極間にワークを置く必要がないので、両電極２，３を配設した誘電体１にワークＷを近接させることができ、処理効率を向上させることができる。【選択図】図３
2008186832.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体の容量結合によって前記誘電体に配設された２極の電極間で放電させる放電装置であって、放電側とは逆側の誘電体の面に前記２極の電極をともに配設することを特徴とする放電装置。
【請求項２】
請求項１に記載の放電装置において、前記２極の電極の少なくとも１つを絶縁体で覆うことを特徴とする放電装置。
【請求項３】
請求項２に記載の放電装置において、前記絶縁体はモールド材であって、前記２極の電極の少なくとも１つをモールド封止することを特徴とする放電装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の放電装置において、前記誘電体の放電側とは逆側から放電側に気体を通すように構成することを特徴とする放電装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の放電装置において、放電はプラズマ放電であって、プラズマ放電によってプラズマを発生させることを特徴とする放電装置。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の放電装置において、放電は酸素中での放電であって、酸素中の放電によってオゾンを発生させることを特徴とする放電装置。
【請求項７】
誘電体の容量結合によって前記誘電体に配設された２極の電極間で放電させる放電装置を製造する方法であって、放電側とは逆側の誘電体の面に前記２極の電極をともに配設して放電装置を製造することを特徴とする放電装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の放電装置の製造方法において、前記２極の電極の少なくとも１つを絶縁体で覆うように、２極の電極を配設した前記誘電体上に積層して放電装置を製造することを特徴とする放電装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の放電装置の製造方法において、前記絶縁体はモールド材であって、前記２極の電極を配設した前記誘電体上に液体状のモールドを封入して固化させることで、２極の電極の少なくとも１つをモールド封止して誘電体上にモールド材からなる絶縁体を積層して放電装置を製造することを特徴とする放電装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７から請求項９のいずれかに記載の放電装置の製造方法において、気体を通す貫通孔を前記誘電体に設け、放電側とは逆側の誘電体の面に前記２極の電極をともに配設して放電装置を製造することを特徴とする放電装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の放電装置の製造方法において、前記貫通孔に合わせて仕切りを前記誘電体上に設け、前記２極の電極を配設した誘電体上に液体状のモールドを前記仕切りに沿って封入して固化させることで、２極の電極の少なくとも１つをモールド封止して、貫通孔以外の箇所で誘電体上にモールド材からなる絶縁体を積層して放電装置を製造することを特徴とする放電装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、２極の電極間で放電させる放電装置およびそれを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、放電装置として、例えばプラズマ放電によってプラズマを発生させるプラズマ発生装置や、酸素中の放電によってオゾン（Ｏ３）を発生させるオゾン発生装置などがある。また、放電を利用した所定の処理として、例えばプラズマ放電によって発生したプラズマを利用したプラズマ処理や、酸素中の放電によって発生したオゾンを利用したオゾン処理などがある。プラズマ放電を利用したプラズマ処理を例に採って説明する。
【０００３】
プラズマ処理として、例えばプラズマ中に被処理物（ワーク）を置いてワークに対してエッチングを行うプラズマエッチングや、蒸着させたい物質をプラズマ化してワークに蒸着させて堆積させるプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)や、ワークの濡れ性を向上させるためにワークに対して洗浄を行うプラズマ洗浄などがある。
【０００４】
プラズマ処理装置としては、図１１に示すように、チャンバーＣ内を真空にする、あるいはアルゴン（Ａｒ）やヘリウム（Ｈｅ）などの希ガスを減圧させてチャンバーＣに入れた状態で電極Ｅからの放電によってプラズマＰＭを発生させる装置が一般的である。プラズマ処理を行う場合には、チャンバーＣ内にワークＷを置いてワークＷに対して処理を施す。
【０００５】
図１１に示すようなかかる装置では、電極Ｅに印加する電源は、２．４５ＧＨｚなどに代表されるマイクロ波や１３．５６MHｚのＲＦ(Radio Frequency)波のような高周波電源が必要である。マイクロ波の場合には導波管が、ＲＦ波の場合にはマッチング回路がそれぞれ必要である。したがって、コストもかかり、装置としてもおおがかりになってしまう。
【０００６】
そこで、図１２に示すように、互いに対向した２極の電極Ｅ間に誘電体バリアＤを配設した装置が提示されている（例えば、特許文献１〜７参照）。この誘電体バリアＤを配設することで、誘電体バリアＤが容量結合されて、２極の電極Ｅ間で放電させることが可能になる。
【０００７】
プラズマ処理を行う場合には、図１２（ａ）のように誘電体バリアＤ間にワークＷを置いてワークＷに対して処理を施す、あるいは図１２（ｂ）のように希ガスあるいは窒素ガスＧＡＳを流入させて流入側とは逆側からプラズマＰＭを噴射させてワークＷに作用させる。この図１２のような装置では、図１１のような高周波電源が必要でなく、１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ程度の交流電源でよい。また、大気圧下でプラズマ放電させることが可能である。
【特許文献１】特開２００６−１２０７３９号公報（第１−８頁、図１−４）
【特許文献２】特開２００６−０９２８１３号公報（第１−９頁、図１）
【特許文献３】特開２００５−０９３３４４号公報（第１−１０頁、図１−６）
【特許文献４】特開２００４−３１１２５６号公報（第１−９頁、図１−５）
【特許文献５】特開２００４−１０３２５１号公報（第１，３−７頁、図１）
【特許文献６】特開２００３−３４７０９９号公報（第１−５頁、図１，２）
【特許文献７】特開２００３−０２４７７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、電極間の距離は最大でも５ｍｍ程度なので、５ｍｍを超して電極間の距離を形成すると、プラズマ処理が行えなくなる。したがって、図１２（ａ）のような装置では、最大でも５ｍｍ程度である電極Ｅ間の距離よりも厚みのあるワークＷに対して処理することができずに、処理可能なワークが制限される。図１２（ｂ）のような装置の場合には、ワークＷの厚みによらずプラズマ処理を行うことができるが、ポイントでしか処理することができず、図１２（ａ）と比較すると処理効率が低くなる。また、窒素ガスの場合にはプラズマＰＭの噴射口からワークＷまでの作用距離が５ｍｍ程度であるので、効率良く処理することができない。
【０００９】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理可能な被処理物が制限されることなく、処理効率を向上させることができる放電装置およびそれを製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、誘電体の容量結合によって前記誘電体に配設された２極の電極間で放電させる放電装置であって、放電側とは逆側の誘電体の面に前記２極の電極をともに配設することを特徴とするものである。
【００１１】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、誘電体の容量結合によって誘電体に配設された２極の電極間で放電させるために、放電側とは逆側の誘電体の面に上述した２極の電極をともに配設して構成する。放電側とは逆側の誘電体の面に２極の電極をともに配設するので、従来のように電極を互いに対向させて放電させずに、２極の電極から誘電体側へと放電する。したがって、従来のように互いに対向した電極間に被処理物を置く必要がなく、処理可能な被処理物が制限されることがない。また、従来のように互いに対向した電極間に被処理物を置く必要がないので、両電極を配設した誘電体に被処理物を近接させることができ、処理効率を向上させることができる。
【００１２】
また、請求項７に記載の発明は、誘電体の容量結合によって前記誘電体に配設された２極の電極間で放電させる放電装置を製造する方法であって、放電側とは逆側の誘電体の面に前記２極の電極をともに配設して放電装置を製造することを特徴とするものである。
【００１３】
［作用・効果］請求項７に記載の発明によれば、放電側とは逆側の誘電体の面に２極の電極をともに配設して放電装置を製造するので、従来のように電極を互いに対向させて放電させずに、２極の電極から誘電体側へと放電する放電装置を実現することができる。その結果、処理可能な被処理物が制限されることなく、処理効率を向上させることができる放電装置を実現することができる。
【００１４】
上述したこれらの発明において、２極の電極の少なくとも１つを絶縁体で覆うのが好ましい（請求項２に記載の発明）。具体的には、２極の電極の少なくとも１つを絶縁体で覆うように、２極の電極を配設した誘電体上に積層して放電装置を製造するのが好ましい（請求項８に記載の発明）。２極の電極の少なくとも１つを絶縁体で覆うことで、両電極間に絶縁体が介在することになって、誘電体の放電側とは逆側（すなわち電極側）の面に放電するのを防止することができる。
【００１５】
２極の電極の少なくとも１つを絶縁体で覆う一例は、２極の電極の少なくとも１つをモールド封止することである（請求項３に記載の発明）。具体的には、２極の電極を配設した誘電体上に液体状のモールドを封入して固化させることで、２極の電極の少なくとも１つをモールド封止して誘電体上にモールド材からなる絶縁体を積層して放電装置を製造することである（請求項９に記載の発明）。もちろん、２極の電極の少なくとも１つを絶縁体で覆う例は、請求項３，９に記載の発明に限定されない。陶磁器・ガラス・セメントなどに代表される、無機物質を原料として焼結された焼結物（例えば炭素ケイ素や窒化ケイ素）に導電粒子を埋め込んで、導電粒子を電極とするとともに焼結物を絶縁体として構成してもよい。
【００１６】
上述したこれらの発明では、真空中で放電させてもよいし、気体を通して放電させてもよい。気体を通して放電させる場合には、誘電体の放電側とは逆側から放電側に気体を通すように構成する（請求項４に記載の発明）。具体的には、気体を通す貫通孔を誘電体に設け、放電側とは逆側の誘電体の面に２極の電極をともに配設して放電装置を製造する（請求項１０に記載の発明）。気体としては、アルゴン（Ａｒ）やヘリウム（Ｈｅ）などに代表される希ガス、窒素ガスや空気などがある。
【００１７】
誘電体に貫通孔を設ける場合には、上述した請求項９に記載の発明と同様に、モールド材を用いて製造することが可能である。すなわち、上述した貫通孔に合わせて仕切りを誘電体上に設け、２極の電極を配設した誘電体上に液体状のモールドを上述した仕切りに沿って封入して固化させることで、２極の電極の少なくとも１つをモールド封止して、貫通孔以外の箇所で誘電体上にモールド材からなる絶縁体を積層して放電装置を製造することが可能である（請求項１１に記載の発明）。
【００１８】
放電はプラズマ放電であって、プラズマ放電によってプラズマを発生させるタイプ（請求項５に記載の発明）でもよいし、放電は酸素中での放電であって、酸素中の放電によってオゾンを発生させるタイプ（請求項６に記載の発明）でもよい。したがって、前者のタイプの場合には、放電装置として、プラズマ放電によってプラズマを発生させるプラズマ発生装置や、プラズマ放電によって発生したプラズマを利用したプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に適用することができる。後者のタイプの場合には、放電装置として、酸素中の放電によってオゾンを発生させるオゾン発生装置や、酸素中の放電によって発生したオゾンを利用したオゾン処理を行うオゾン処理装置に適用することができる。
【発明の効果】
【００１９】
この発明に係る放電装置およびそれを製造する方法によれば、誘電体の容量結合によって誘電体に配設された２極の電極間で放電させるために、放電側とは逆側の誘電体の面に上述した２極の電極をともに配設するので、従来のように電極を互いに対向させて放電させずに、２極の電極から誘電体側へと放電する。したがって、処理可能な被処理物が制限されることがなく、処理効率を向上させることができる。
【実施例】
【００２０】
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図１は、実施例に係るプラズマ処理装置の概略平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａの矢視断面図であり、図３は、実施例に係るプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理の一態様を示す概略断面図である。なお、本実施例では、放電を利用した所定の処理として、プラズマ放電によって発生したプラズマを利用したプラズマ処理を例に採って説明するとともに、放電装置として、そのプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を例に採って説明する。また、図１では、モールド材の図示を省略している。
【００２１】
本実施例では、プラズマ処理装置は、図２の断面図に示すように、誘電体１を備えており、放電側とは逆側の誘電体１の面に２極の電極２，３をともに配設している。本実施例では、誘電体１を、アルミナ（酸化アルミニウム）基板、あるいは陶磁器・ガラス・セメントなどに代表される、無機物質を原料として焼結された焼結物（例えば炭素ケイ素や窒化ケイ素）で形成された基板で形成している。また、電極２，３を、銀（Ａｇ）あるいは白金（Ｐｔ）メッキが施された導体で形成している。誘電体１は、本発明における誘電体に相当し、電極２，３は、本発明における２極の電極に相当する。
【００２２】
本実施例では、電極２，３をともに絶縁体で覆うように、電極２，３を配設した誘電体１上にモールド材４を積層している。本実施例では、このモールド材４を、シリコーン系のゴムや樹脂で形成しており、１０ｋＶ／ｍｍ以上（〜２０ｋＶ／ｍｍ）の耐電圧材料で形成するのが好ましい。モールド材４は、本発明における絶縁体に相当し、本発明におけるモールド材にも相当する。
【００２３】
本実施例では、図１の平面図および図２の断面図に示すように、電極２，３部分以外の箇所で誘電体１に貫通孔５を設けている。この貫通孔５は、誘電体１の放電側とは逆側（すなわち電極２，３側）から放電側に気体（図２、図３では「ＧＡＳ」）を通すための孔である。この貫通孔５は、図２に示すように、誘電体１のみならず、それに積層されたモールド材４にわたって貫通している。貫通孔５を介して、誘電体１の放電側とは逆側（すなわち電極２，３側）から放電側に通す気体としては、アルゴン（Ａｒ）やヘリウム（Ｈｅ）などに代表される希ガス、窒素ガスや空気などである。気体については大気圧であってもよいし、減圧させてもよい。空気の大気圧であっても２．７４ｋＶ／ｍｍである。耐電圧の差によって、グロー放電を開始しプラズマが発生する。なお、減圧環境、希ガス使用時等では、上述した２．７４ｋＶ／ｍｍよりも耐電圧が低下するので、より放電しやすくプラズマを容易に発生させることができる。貫通孔５は、本発明における貫通孔に相当する。
【００２４】
電極２，３を、図１、図２に示すように、１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚで電圧振幅が１５ｋＶ程度の交流電源６に電気的に接続している。２極の電極２，３を一対としたときに、本実施例では、図１に示すように、各々の電極２，３が誘電体１の基板全面にわたって配設されるように複数対の電極２，３を設けている。各々の電極２を電極７に電気的に接続するとともに、電極７を交流電源６に電気的に接続することで、電極７を介して電極２を交流電源６に電気的に接続している。また、各々の電極３を電極８に電気的に接続するとともに、電極８を交流電源６に電気的に接続することで、電極８を介して電極３を交流電源６に電気的に接続している。なお、交流電源６は、図４に示すようなパルス波を出力するパルス波電源であってもよいし、図５に示すようなサイン波（正弦波）を出力するサイン波電源であってもよい。
【００２５】
このようなプラズマ処理装置では、図３に示すように、誘電体１の放電側に被処理物（ワーク）Ｗを近接させて、放電側に気体を通した状態で放電させる。具体的には、貫通孔５を介して、誘電体１の放電側とは逆側から放電側に気体を通す。このとき、ワークＷは誘電体１の放電側に近接しているので、誘電体１とワークＷとの間に気体空間、いわゆる「エアカーテン」ができる。そのエアカーテンの状態で各々の電極２，３に交流電源６から電圧を印加する。各々の電極２，３に電圧が印加することでプラズマ放電して、そのプラズマ放電によってプラズマＰＭが発生する。そして、ワークＷに対してプラズマ処理を施す。
【００２６】
プラズマ処理については、特に限定されない。例えば、プラズマＰＭ中にワークＷを置いてワークＷに対してエッチングを行うプラズマエッチングにも適用できるし、蒸着させたい物質をプラズマ化してワークＷに蒸着させて堆積させるプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)にも適用できるし、ワークＷの濡れ性を向上させるためにワークＷに対して洗浄を行うプラズマ洗浄に適用してもよい。その他にも、レジストなどの不要になった膜をプラズマＰＭにより灰化（Ashing）することにより除去するプラズマアッシングに適用してもよい。
【００２７】
次に、本実施例に係るプラズマ処理装置の具体的な製造方法について、図６を参照して説明する。図６は、実施例に係るプラズマ処理装置の製造工程の概略断面図である。
【００２８】
上述したアルミナ基板あるいは炭素ケイ素や窒化ケイ素基板で形成された誘電体１に、フォトリソグラフィ技術や印刷塗布技術等によって、図１に示すような電極２，３をパターン形成する。そして、図６（ａ）に示すように、電極２，３部分以外の箇所に誘電体１に、気体を通す貫通孔５を設ける。なお、先に、貫通孔５を誘電体１に設け、その後に、電極２，３をパターン形成してもよい。
【００２９】
図６（ｂ）に示すように基板の両端部分に仕切り１１を設けるとともに、貫通孔５に合わせて中空状の円筒形の仕切り１２を誘電体１上に設ける。なお、先に、仕切り１１，１２を設け、その後に、電極２，３をパターン形成して、貫通孔５を誘電体１に設けてもよい。その誘電体１上に液体状のシリコーン系のゴムあるいは樹脂を仕切り１１，１２に沿って封入して固化させる。このように固化させることで、図６（ｃ）に示すように、２極の電極２，３をともにモールド封止して、貫通孔５以外の箇所で誘電体１上にモールド材４からなる絶縁体を積層する。仕切り１１，１２のうち仕切り１２は、本発明における仕切りに相当する。
【００３０】
固化後、図６（ｄ）に示すように、仕切り１１，１２を取り外すことで、本実施例に係るプラズマ処理装置が製造される。なお、仕切り板１１，１２を必ずしも取り外す必要はなく、仕切り板１１，１２をプラズマ処理装置の一部構成としてもよい。
【００３１】
上述の構成を備えた本実施例に係るプラズマ処理装置によれば、誘電体１の容量結合によって誘電体１に配設された２極の電極２，３間で放電させるために、放電側とは逆側の誘電体１の面に上述した２極の電極２，３をともに配設して構成する。放電側とは逆側の誘電体１の面に２極の電極２，３をともに配設するので、従来のように電極を互いに対向させて放電させずに、図２、図３に示すように、２極の電極２，３から誘電体１側へと放電する。したがって、従来のように互いに対向した電極間にワークを置く必要がなく、処理可能なワークＷが制限されることがない。また、従来のように互いに対向した電極間にワークを置く必要がないので、両電極２，３を配設した誘電体１にワークＷを近接させることができ、処理効率を向上させることができる。
【００３２】
また、誘電体１が面状になっておりプラズマＰＭを広範囲にわたって発生させることができる。したがって、従来のような図１２（ｂ）のような装置でポイントでしか処理できないということもなく、広範囲にわたってプラズマ処理を行うことができ、処理効率を向上させることができるという効果をも奏する。また、従来のような対向した電極や誘電体が必要でないので、実施例のように誘電体１が１つのみで済むという効果をも奏する。
【００３３】
本実施例では、２極の電極２，３をともに絶縁体で覆っている。具体的には、電極２，３をともに覆うように、電極２，３を配設した誘電体１上にモールド材４を積層している。このように、２極の電極２，３を絶縁体で覆うことで、図２、図３に示すように、両電極２，３に絶縁体が介在することになって、誘電体１の放電側とは逆側（すなわち電極２，３側）に放電するのを防止することができる。
【００３４】
本実施例では、電極２，３を絶縁体で覆うためにモールド封止している。具体的には、電極２，３を配設した誘電体１に液体状のモールド（本実施例ではシリコーン系のゴムあるいは樹脂）を封入して固化させることで、電極２，３をモールド封止して誘電体１上にモールド材４からなる絶縁体を積層している。
【００３５】
特に、本実施例では、気体を通して放電させるために、誘電体１の放電側とは逆側から放電側に気体を通すように構成している。具体的には、気体を通す貫通孔５を誘電体１に設け、放電側とは逆側の誘電体１の面に電極２，３をともに配設している。誘電体１のみならず、モールド材４にもわたって貫通孔５を貫通させるために、貫通孔５に合わせて中空状の円筒形の仕切り１２を誘電体１上に設け、電極２，３を配設した誘電体１上に液体状のモールド（本実施例ではシリコーン系のゴムあるいは樹脂）を上述した仕切り１２に沿って封入して固化させることで、電極２，３をモールド封止して、貫通孔５以外の箇所で誘電体１上にモールド材４からなる絶縁体を積層している。
【００３６】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００３７】
（１）上述した実施例では、放電装置として、プラズマ処理装置を例に採って説明したが、ワークを置かずに、プラズマを発生させるプラズマ発生装置にも適用することができる。
【００３８】
（２）上述した実施例では、放電装置は、プラズマ放電によってプラズマを発生させるタイプであったが、酸素中の放電によってオゾン（Ｏ３）を発生させるタイプでもよい。したがって、放電装置として、酸素中の放電によってオゾンを発生させるオゾン発生装置（オゾン発生用リアクタ）や、酸素中の放電によって発生したオゾンを利用したオゾン処理を行うオゾン処理装置に適用することができる。例えば、図７に示すように、純水が貯留されたタンク２１の上に電極２，３を配設した誘電体１を搭載し、貫通孔５を介して酸素（Ｏ２）を通した状態で放電することでオゾンが発生して、タンク２１に貯留された純水と反応させてオゾン水を精製してもよい。その他にも、通常に用いられるオゾン処理であれば、例えば消臭や殺菌や漂白や酸化などにも適用することができる。なお、プラズマ放電や酸素中の放電以外にも、放電を利用した所定の処理を行う装置などに適用することができる。
【００３９】
（３）上述した実施例では、誘電体１の放電側とは逆側（すなわち電極２，３側）に放電するのを防止するために電極２，３を絶縁体で覆ったが、必ずしも電極２，３を絶縁体で覆う必要はない。誘電体１の電極２，３側の放電が小さければ、電極２，３を絶縁体で覆わなくてもよい。ただ、実施例のように電極２，３を絶縁体で覆うのがより好ましい。
【００４０】
（４）上述した実施例では、２極の電極２，３をともに絶縁体で覆ったが、２極の電極２，３の少なくとも１つを絶縁体で覆うのであれば、電極２，３のいずれか一方を絶縁体で覆う必要はない。すなわち、図８に示すように、電極２，３のいずれか一方が絶縁体（図８ではモールド材４）で覆われなくても、両電極２，３に絶縁体が介在することになる。したがって、実施例と同様に、誘電体１の電極２，３側に放電するのを防止することができる。
【００４１】
（５）上述した実施例では、電極２，３を絶縁体で覆うためにモールド封止したが、これに限定されない。例えば、図９に示すように、陶磁器・ガラス・セメントなどに代表される、無機物質を原料として焼結された焼結物（例えば炭素ケイ素や窒化ケイ素）３１に導電粒子３２を埋め込んで、導電粒子３２を電極２，３とするとともに焼結物３１を絶縁体として構成してもよい。導電粒子３２から見て焼結物３１の薄い側で放電して、焼結物３１の厚い側で放電しにくくなる。また、焼結物３１の薄い側が実施例での誘電体１の機能をも果たす。したがって、図９の場合には、図面の下側でプラズマあるいはオゾンなどが発生するように焼結物３１および導電粒子３２を構成する。また、図１０に示すように、誘電体１上に図９に示す焼結物３１を積層して組み合わせてもよい。
【００４２】
（６）上述した実施例では、気体を通して放電させたが、真空中で放電してもよい。その場合には、上述した貫通孔は必ずしも必要でない。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】実施例に係るプラズマ処理装置の概略平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａの矢視断面図である。
【図３】実施例に係るプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理の一態様を示す概略断面図である。
【図４】パルス波の出力に関する概略図である。
【図５】サイン波（正弦波）の出力に関する概略図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、実施例に係るプラズマ処理装置の製造工程の概略断面図である。
【図７】変形例に係る放電装置（オゾン処理装置）の概略図である。
【図８】変形例に係る絶縁物（モールド材）の概略断面図である。
【図９】変形例に係る絶縁物（焼結物）の概略断面図である。
【図１０】さらなる変形例に係る絶縁物（焼結物）および誘電体を組み合わせた概略断面図である。
【図１１】従来のプラズマ処理装置の概略図である。
【図１２】（ａ）（ｂ）は、図１１とは別の従来のプラズマ処理装置の概略図である。
【符号の説明】
【００４４】
１  …  誘電体
２，３  …  電極
４  …  モールド材
５  …  貫通孔
１２  …  仕切り
ＰＭ  …  プラズマ
【図１】
2008186832.tif 000003
【図２】
2008186832.tif 000004
【図３】
2008186832.tif 000005
【図４】
2008186832.tif 000006
【図５】
2008186832.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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