(57)【要約】【課題】テープの縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制できる転写テープを提供することを目的としている。【解決手段】転写テープは、基材となるノンメタリックテープ１１と、上記ノンメタリックテープの一方の表面に形成された接着剤層１２またはダイアタッチフィルムと、上記ノンメタリックテープの一方または他方の表面に形成され、上記ノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層１３とを具備する。【選択図】図１
2008120947.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材となるノンメタリックテープと、
前記ノンメタリックテープの一方の表面に形成された接着剤層またはダイアタッチフィルムと、
前記ノンメタリックテープの一方または他方の表面に形成され、前記ノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と
を具備することを特徴とする転写テープ。
【請求項２】
第１のノンメタリックテープと、
前記第１のノンメタリックテープの一方の表面に接着され、前記第１のノンメタリックテープと共に基材となる第２のノンメタリックテープと、
前記第１のノンメタリックテープと前記第２のノンメタリックテープとの間に介在され、前記第１，第２のノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と、
前記第１または第２のノンメタリックテープの一方の表面に形成された接着剤層またはダイアタッチフィルムと
を具備することを特徴とする転写テープ。
【請求項３】
基材となるノンメタリックテープと、
前記ノンメタリックテープの一方の表面に形成されたダイアタッチフィルムと、
前記ノンメタリックテープと前記ダイアタッチフィルムとの間に介在され、前記ノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と、
前記ノンメタリックテープと前記ダイアタッチフィルムとの間の前記収縮防止メタル層以外の領域に介在される接着剤層と
を具備することを特徴とする転写テープ。
【請求項４】
半導体ウェーハ中に半導体素子を形成する工程と、
前記半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってハーフカット・ダイシングして素子形成面に溝を形成する工程と、
前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に表面保護テープを貼り付ける工程と、
前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面を、少なくとも前記溝に達する深さまで除去して個々の半導体チップに分割する工程と、
前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面に転写テープを貼り付けた後、前記表面保護テープを剥がす工程と、
前記転写テープから前記半導体チップをピックアップする工程とを具備し、
前記転写テープは、
基材となるノンメタリックテープと、
前記ノンメタリックテープの一方の表面に形成され、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面に貼り付けられる接着剤層またはダイアタッチフィルムと、
前記ノンメタリックテープの一方または他方の表面に形成され、前記ノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層とを備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体ウェーハ中に半導体素子を形成する工程と、
前記半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってハーフカット・ダイシングして素子形成面に溝を形成する工程と、
前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に表面保護テープを貼り付ける工程と、
前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面を、少なくとも前記溝に達する深さまで除去して個々の半導体チップに分割する工程と、
前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面に転写テープを貼り付けた後、前記表面保護テープを剥がす工程と、
前記転写テープから前記半導体チップをピックアップする工程とを具備し、
前記転写テープは、
第１のノンメタリックテープと、
前記第１のノンメタリックテープの一方の表面に形成され、前記第１のノンメタリックテープと共に基材となる第２のノンメタリックテープと、
前記第１のノンメタリックテープと前記第２のノンメタリックテープとの間に介在され、前記第１，第２のノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と、
前記第１または第２のノンメタリックテープの一方の表面に形成され、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面に貼り付けられる接着剤層またはダイアタッチフィルムとを備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＤＢＧ（Dicing Before Grinding）技術におけるウェ−ハの裏面研削後の搬送用に使用される転写テープ（ダイアタッチフィルムも含む）及びこの転写テープを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、カード状の薄いパッケージに実装するため、あるいは複数の半導体チップを積層して実装面積を削減するために、半導体チップの薄厚化が望まれている。しかし、素子形成の終了したウェーハの裏面を研削して薄厚化し、ダイシングして個々の半導体チップに分割すると、ウェーハが割れたり裏面チッピングが発生したりする。また、薄いウェーハはハンドリングが難しく、製造装置間の搬送時にも破損する恐れがある。
【０００３】
このようなウェーハの割れや裏面チッピングを極力減らすために、ＤＢＧ技術（先ダイシング法）が採用されている。ＤＢＧでは、ウェーハの主表面（素子形成面側）から所定の深さに切り込み（溝）を入れた後、ウェーハの裏面を研削及び研磨することにより個片化と薄厚化を同時に行う（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
ところで、ＤＢＧにおけるウェ−ハの裏面研削後の搬送用に使用される転写テープ（ダイアタッチフィルムも含む）には、通常、ノンメタリックテープが使用されている。しかしながら、ノンメタリックテープは、その材料特性からテープが縮み、搬送時にチップが互いに干渉してチッピング（欠け）を起こす。また、テープが伸縮するとチップの整列性を確保するのが難しくなり、チップの蛇行現象が発生し、ダイボンディングのためのピックアップ工程で認識不良を引き起こす。
【０００５】
更に、転写テープとしてダイアタッチフィルム（Die Attach Film）を使用した場合、転写後にダイアタッチフィルムを切断する必要がある。この際、チップの整列性が確保されていないと、ダイシングブレードでの切断が不可能であり、高価なレーザ切断装置の導入が必要となってコストアップを免れない。
【特許文献１】特開昭６１−１１２３４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、テープの縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共に、チップの整列性を確保できる転写テープを提供することにある。
【０００７】
また、チップの整列性を確保でき、ダイボンディングのピックアップでの認識不良を低減できると共に、ダイシングブレードで直線的に切断できる転写テープを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の一態様によると、基材となるノンメタリックテープと、前記ノンメタリックテープの一方の表面に形成された接着剤層またはダイアタッチフィルムと、前記ノンメタリックテープの一方または他方の表面に形成され、前記ノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層とを具備する転写テープが提供される。
【０００９】
この発明の他の一態様によると、第１のノンメタリックテープと、前記第１のノンメタリックテープの一方の表面に接着され、前記第１のノンメタリックテープと共に基材となる第２のノンメタリックテープと、前記第１のノンメタリックテープと前記第２のノンメタリックテープとの間に介在され、前記第１，第２のノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と、前記第１または第２のノンメタリックテープの一方の表面に形成された接着剤層またはダイアタッチフィルムとを具備する転写テープが提供される。
【００１０】
この発明の更に他の一態様によると、基材となるノンメタリックテープと、前記ノンメタリックテープの一方の表面に形成されたダイアタッチフィルムと、前記ノンメタリックテープと前記ダイアタッチフィルムとの間に介在され、前記ノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と、前記ノンメタリックテープと前記ダイアタッチフィルムとの間の前記収縮防止メタル層以外の領域に介在される接着剤層とを具備する転送テープが提供される。
【００１１】
この発明の別の一態様によると、半導体ウェーハ中に半導体素子を形成する工程と、前記半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってハーフカット・ダイシングして素子形成面に溝を形成する工程と、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に表面保護テープを貼り付ける工程と、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面を、少なくとも前記溝に達する深さまで除去して個々の半導体チップに分割する工程と、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面に転写テープを貼り付けた後、前記表面保護テープを剥がす工程と、前記転写テープから前記半導体チップをピックアップする工程とを具備し、前記転写テープは、基材となるノンメタリックテープと、前記ノンメタリックテープの一方の表面に形成され、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面に貼り付けられる接着剤層またはダイアタッチフィルムと、前記ノンメタリックテープの一方または他方の表面に形成され、前記ノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層とを備える半導体装置の製造方法が提供される。
【００１２】
この発明の更に別の一態様によると、半導体ウェーハ中に半導体素子を形成する工程と、前記半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってハーフカット・ダイシングして素子形成面に溝を形成する工程と、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に表面保護テープを貼り付ける工程と、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面を、少なくとも前記溝に達する深さまで除去して個々の半導体チップに分割する工程と、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面に転写テープを貼り付けた後、前記表面保護テープを剥がす工程と、前記転写テープから前記半導体チップをピックアップする工程とを具備し、前記転写テープは、第１のノンメタリックテープと、前記第１のノンメタリックテープの一方の表面に形成され、前記第１のノンメタリックテープと共に基材となる第２のノンメタリックテープと、前記第１のノンメタリックテープと前記第２のノンメタリックテープとの間に介在され、前記第１，第２のノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と、前記第１または第２のノンメタリックテープの一方の表面に形成され、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面に貼り付けられる接着剤層またはダイアタッチフィルムとを備える半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
この発明によれば、テープの縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共に、チップの整列性を確保できる転写テープが得られる。
【００１４】
また、チップの整列性を確保でき、ダイボンディングのピックアップでの認識不良を低減できると共に、ダイシングブレードで直線的に切断できる転写テープを用いた半導体装置の製造方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。  
［第１の実施形態］
図１及び図２はそれぞれ、この発明の第１の実施形態に係る転写テープについて説明するための平面図及び断面図である。この第１の実施形態の転写テープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィン（polyolefin）テープ１１の一方の表面に、このポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３を設け、他方の表面（裏面）に接着剤層１２を形成した構成になっている。
【００１６】
上記収縮防止メタル層１３は、ポリオレフィンテープ１１を貼る方向（図示矢印Ａ）と平行な方向に沿って延設された金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３の幅は０．５μｍ程度からウェーハサイズに相当する任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３の厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
【００１７】
上記転写テープは、半導体装置の製造工程において、例えば次のように用いられる。すなわち、半導体ウェーハ中に半導体素子を形成し、この半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってハーフカット・ダイシングして素子形成面に溝を形成した後、半導体素子の形成面に表面保護テープを貼り付ける。引き続き、半導体素子の形成面の裏面を、少なくとも上記溝に達する深さまで研削して個片化と薄厚化を行う。その後、半導体ウェーハにおける半導体素子の形成面の裏面に上記転写テープの接着剤層１２を貼り付け、表面保護テープを剥がす。以降は、上記転写テープから半導体チップをピックアップし、ダイボンディングやワイヤボンディングなどのマウント工程、パッケージへの封止工程などを経て半導体装置を完成する。
【００１８】
上記のような構成の転写テープによれば、収縮防止メタル層１３により、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
【００１９】
よって、この転写テープを用いた半導体装置の製造方法は、ダイボンディングのピックアップでの認識不良を低減できると共に、ダイシングブレードで直線的に切断できる。
【００２０】
（転写テープの変形例１）
図３は、上記図１及び図２に示した転写テープの変形例１を示す断面図である。この転写テープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に接着剤層１２を形成し、このポリオレフィンテープ１１と接着剤層１２との間に、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３を介在させた構成になっている。
【００２１】
このような構成であっても、収縮防止メタル層１３により、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
【００２２】
（転写テープの変形例２）
図４は、上記図１及び図２に示した転写テープの変形例２を示す平面図である。この転写テープは、プリカットテープに適用したものであり、ウェーハと同じ外形並びにサイズにカットして用いられる。収縮防止メタル層１３はウェーハ１０の中心を横切るように延設された金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。収縮防止メタル層１３の幅は０．５μｍ程度からウェーハサイズに相当する任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３の厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
【００２３】
このような構成でも、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを上記収縮防止メタル層１３により抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
【００２４】
［第２の実施形態］
図５は、この発明の第２の実施形態に係る転写テープの平面図である。この第２の実施形態の転写テープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３を設け、このポリオレフィンテープ１１の他方の表面に接着剤層１２を形成した構成になっている。
【００２５】
上記転写テープは、収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３がポリオレフィンテープ１１を貼る方向Ａと平行な方向に沿って延設された３本の金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。上記収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３間の距離は、ポリオレフィンテープ１１の収縮の影響を受けない距離に設定されている。図５では３本の収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３を設けているが、２本でも良く、４本以上でも構わない。
【００２６】
上記金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３の幅は０．５μｍ程度以上から任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３の厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
【００２７】
上記のような構成の転写テープによれば、収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３により、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
【００２８】
（転写テープの変形例３）
上記転写テープは、図３と同様に、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に接着剤層１２を形成し、このポリオレフィンテープ１１と接着剤層１２との間に、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３を介在させた構成にすることもできる。
【００２９】
（転写テープの変形例４）
図６は、上記図５に示した転写テープの変形例を示す平面図である。この転写テープは、プリカットテープに適用したものであり、ウェーハと同じ外形並びにサイズにカットして用いられる。収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３はウェーハ１０を横切るように延設された３本の金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。上記収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３間の距離は、ポリオレフィンテープ１１の収縮の影響を受けない距離に設定されている。図６では３本の収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３を設けているが、２本でも良く、４本以上でも構わない。
【００３０】
この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができる。また、単一元素の金属ではなく、種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３の幅は０．５μｍ程度以上から任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３の厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
【００３１】
このような構成であっても、収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３により、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
【００３２】
［第３の実施形態］
図７は、この発明の第３の実施形態に係る転写テープの平面図である。この第３の実施形態の転写テープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３Ａを設け、このポリオレフィンテープ１１の他方の表面に接着剤層１２を形成した構成になっている。
【００３３】
上記収縮防止メタル層１３Ａは、格子状の金属系物質の板、膜及び箔などで形成される。上記収縮防止メタル層１３Ａにおける格子間の距離は、ポリオレフィンテープ１１の収縮の影響を受けない距離に設定されている。
【００３４】
この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３Ａの格子の幅は０．５μｍ程度から任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３Ａの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
【００３５】
上記のような構成の転写テープによれば、収縮防止メタル層１３Ａにより、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
【００３６】
（転写テープの変形例５）
上記転写テープは、図３と同様に、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に接着剤層１２を形成し、このポリオレフィンテープ１１と接着剤層１２との間に、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３Ａを介在させた構成にすることもできる。
【００３７】
（転写テープの変形例６）
図８は、上記図７に示した転写テープの変形例を示す平面図である。この転写テープは、プリカットテープに適用したものであり、ウェーハと同じ外形並びにサイズにカットして用いられる。収縮防止メタル層１３Ａは、ウェーハ１０に対応する格子状の金属系物質の板、膜及び箔などで形成される。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。収縮防止メタル層１３Ａの幅は０．５μｍ程度から任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３Ａの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
【００３８】
このような構成であっても、収縮防止メタル層１３Ａにより、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
【００３９】
［第４の実施形態］
図９は、この発明の第４の実施形態に係る転写テープの平面図である。この第４の実施形態の転写テープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３Ｂを設け、このポリオレフィンテープ１１の他方の表面に接着剤層１２を形成した構成になっている。
【００４０】
上記収縮防止メタル層１３Ｂは、ウェーハの外周に沿った環状の金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。
【００４１】
この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３Ｂの幅は０．５μｍ程度以上の任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３Ｂの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
【００４２】
上記のような構成の転写テープによれば、収縮防止メタル層１３Ｂにより、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
【００４３】
（転写テープの変形例７）
上記転写テープは、図３と同様に、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に接着剤層１２を形成し、このポリオレフィンテープ１１と接着剤層１２との間に、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３Ｂを介在させた構成にすることもできる。
【００４４】
（転写テープの変形例８）
図１０は、上記図９に示した転写テープの変形例を示す平面図である。この転写テープは、プリカットテープに適用したものであり、ウェーハと同じ外形並びにサイズにカットして用いられる。収縮防止メタル層１３Ｂはウェーハの外周に沿った環状の金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３Ｂの幅は０．５μｍ程度以上の任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３Ｂの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
【００４５】
このような構成であっても、収縮防止メタル層１３Ｂにより、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
【００４６】
［第５の実施形態］
図１１は、この発明の第５の実施形態に係る転写テープの平面図である。この第５の実施形態の転写テープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３Ｃを設け、このポリオレフィンテープ１１の他方の表面に接着剤層１２を形成した構成になっている。
【００４７】
上記収縮防止メタル層１３Ｃは、ウェーハの外周に沿った円形の金属系物質の板、膜及び箔などで形成される。
【００４８】
この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３の厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
【００４９】
上記のような構成の転写テープによれば、収縮防止メタル層１３Ｃにより、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
【００５０】
（転写テープの変形例９）
上記転写テープは、図３と同様に、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に接着剤層１２を形成し、このポリオレフィンテープ１１と接着剤層１２との間に、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３Ｃを介在させて構成しても良い。
【００５１】
（転写テープの変形例１０）
図１２は、上記図１１に示した転写テープの変形例を示す平面図である。この転写テープは、プリカットテープに適用したものであり、ウェーハと同じ外形並びにサイズにカットして用いられる。収縮防止メタル層１３Ｃはウェーハの外周に沿った円形の金属系物質の板、膜及び箔などで形成される。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３Ｃの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
【００５２】
このような構成であっても、裏面研削工程の後において収縮防止メタル層１３により、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
【００５３】
［第６の実施形態］
図１３は、この発明の第６の実施形態に係る転写テープの平面図である。この第６の実施形態の転写テープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄを設け、このポリオレフィンテープ１１の他方の表面に接着剤層１２を形成した構成になっている。
【００５４】
上記収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄは、ポリオレフィンテープ１１を貼る方向Ａと平行な方向に沿って延設された金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。また、収縮防止メタル層１３−２Ｄには、破線で示すウェーハ１０のノッチ１４に対応する位置に切り欠き部（マーク）１５が形成されている。この切り欠き部１５は、裏面研削後の工程、特にマウント工程でウェーハの方向が重要になるため、ウェーハのノッチ１４に代えて検出することによりＸＹステージへ搭載する際の位置決めを容易化するものである。
【００５５】
上記金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄの幅は０．５μｍ程度以上から任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
【００５６】
上記のような構成の転写テープによれば、収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄにより、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制できると共にチップの整列性を確保できる。また、ウェーハ１０のノッチ１４に代えて収縮防止メタル層の切り欠き部１５を検出することによりＸＹステージへ搭載する際の位置決めを容易化できる。
【００５７】
（転写テープの変形例１１）
上記転写テープは、図３と同様に、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に接着剤層１２を形成し、このポリオレフィンテープ１１と接着剤層１２との間に、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄを介在させた構成にすることもできる。
【００５８】
（転写テープの変形例１２）
図１４は、上記図１３に示した転写テープの変形例を示す平面図である。この転写テープは、プリカットテープに適用したものであり、ウェーハ１０と同じ外形並びにサイズにカットして用いられる。収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄはウェーハを横切るように延設された金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄの幅は０．５μｍ程度以上から任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
【００５９】
このような構成であっても、収縮防止メタル層１３により、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。また、ウェーハのノッチ１４に代えて収縮防止メタル層の切り欠き部１５を検出することによりＸＹステージへ搭載する際の位置決めを容易化できる。
【００６０】
なお、本第６の実施形態と変形例６において、ウェーハ１０のノッチ１４と収縮防止メタル層１３−２Ｄの切り欠き部１５とが同じ位置に（重なって）配置されている例を示したが、必ずしも重なるように切り欠き部１５を形成する必要はなく、対応関係が認識できれば良い。
【００６１】
また、一方の収縮防止メタル層１３−２Ｄのみに切り欠き部１５を設けたが、収縮防止メタル層１３−１Ｄにも切り欠き部を設けて左右対称に配置しても良い。
【００６２】
更に、図１５及び図１６に示すように、ウェーハ１０のノッチ１４に対応する位置に金属系物質の板、膜、箔及び線などでマーク１６を形成し、ウェーハ１０のノッチ１４に代えて検出すれば、ＸＹステージへ搭載する際の位置決めを容易化することができる。この場合にも、ノッチ１４とマーク１６とを同じ位置に配置する必要はないのはもちろんである。
【００６３】
ウェーハ１０のノッチ１４と切り欠き部１５、ノッチ１４とマーク１６、ノッチ１４と金属系物質の板、膜、箔及び線などの位置関係を決めておけば、第１乃至第５の実施形態においても適用可能である。
【００６４】
更にまた、上記収縮防止メタル層は上述した第１乃至第６の実施形態の形状に限らず、正方形、長方形、三角形、四角形、五角形などの多角形、楕円などでも適用できる。
【００６５】
（転写テープの製造方法）
図１７乃至図１９はそれぞれ、上記図１及び図２に示した転写テープの製造方法について説明するための断面図である。まず、図１７に示すように、基材となるポリオレフィンテープ１１の一方の表面に、金属系物質からなる収縮防止メタル層１３を圧着または接着する。
【００６６】
次に、図１８に示すように、上記ポリオレフィンテープ１１の他方の表面（収縮防止メタル層１３を形成した表面の裏面）に、接着剤を塗布して接着剤層１２を形成する。
【００６７】
このようにして、ポリオレフィンテープ１１の一方の表面に収縮防止メタル層１３が形成され、他方の表面に接着剤層１２が形成された図１９に示すような転写テープを製造する。
【００６８】
なお、上記ポリオレフィンテープ１１の一方の表面に収縮防止メタル層１３を形成する際に、図２０に示すようにポリオレフィンテープ１１の一方の表面に金属系物質を印刷して収縮防止メタル層１３を形成しても良い。
【００６９】
また、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮防止メタル層１３を形成した面側に接着剤を塗布して接着剤層１２を形成しても良い。
【００７０】
更に、第１の実施形態に係る転写テープの製造方法を例にとって説明したが、基本的には第２乃至第６の実施形態に係る転写テープも同様にして形成できる。
【００７１】
（転写テープの製造方法の変形例１）
図２１乃至図２４はそれぞれ、上記図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法について説明するための断面図である。まず、図２１に示すように、基材となるポリオレフィンテープ１１の一方の表面に、金属系物質を圧着または接着する。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この金属系物質は、板、膜及び箔などであり、厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択する。
【００７２】
次に、図２２に示すように、上記金属系物質をエッチングして選択的に除去し、収縮防止メタル層１３を形成する。
【００７３】
その後、図２３に示すように、上記ポリオレフィンテープ１１の他方の表面（収縮防止メタル層１３を形成した表面の裏面）に、接着剤を塗布して接着剤層１２を形成する。
【００７４】
このようにして、ポリオレフィンテープ１１の一方の表面に収縮防止メタル層１３が形成され、他方の表面に接着剤層１２が形成された図２４に示すような転写テープを製造する。
【００７５】
このような製造方法であっても、上述した製造方法と実質的に同様な転写テープを製造できる。
【００７６】
なお、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮防止メタル層１３を形成した面側に接着剤を塗布して接着剤層１２を形成しても良い。
【００７７】
また、ここでは第１の実施形態に係る転写テープの製造方法を例にとって説明したが、基本的には第２乃至第６の実施形態に係る転写テープも同様にして形成できる。
【００７８】
（転写テープの製造方法の変形例２）
図２５乃至図２８はそれぞれ、転写テープの更に他の製造方法について説明するための断面図である。まず、図２５に示すように、基材となる第１，第２のポリオレフィンテープ１１−１，１１−２の間に、金属系物質からなる収縮防止メタル層１３を挟んで、図２６に示すように圧着または接着する。
【００７９】
次に、図２７に示すように、上記収縮防止メタル層１３を挟み込んだ第１，第２のポリオレフィンテープ１１−１，１１−２の一方の表面に、接着剤を塗布して接着剤層１２を形成する。
【００８０】
このようにして、収縮防止メタル層１３を挟み込んだ第１，第２のポリオレフィンテープ１１−１，１１−２の一方の表面に接着剤層１２を形成した図２８に示すような転写テープを製造する。
【００８１】
このような製造方法では、基材となる第１，第２のポリオレフィンテープ１１−１，１１−２に収縮防止メタル層１３を挟み込んだ転写テープを製造できる。
【００８２】
なお、上述した製造方法では、基材であるポリオレフィンテープが１層の場合と２層の場合を例にとって説明したが、図２９に示すように３層でも良く、必要に応じて４層以上積層して用いることもできる。
【００８３】
また、上記のような製造方法で形成した転写テープは、第１乃至第６の実施形態のいずれにも適用できる。
【００８４】
（転写テープの製造方法の変形例３）
図３０乃至図３２はそれぞれ、上記図１及び図２に示した転写テープの別の製造方法について説明するための断面図である。まず、図３０に示すように、基材となるポリオレフィンテープ１１の一方の表面に、金属系物質からなる収縮防止メタル層１３を圧着または接着する。
【００８５】
次に、図３１に示すように、上記ポリオレフィンテープ１１の他方の表面（収縮防止メタル層１３を形成した表面の裏面）に、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）１７を形成する。
【００８６】
このようにして、ポリオレフィンテープ１１の一方の表面に収縮防止メタル層１３が形成され、他方の表面にＤＡＦ１７が形成された図３２に示すような転写テープを製造する。
【００８７】
なお、上記ポリオレフィンテープ１１の一方の表面に収縮防止メタル層１３を形成する際に、図３３に示すようにポリオレフィンテープ１１の一方の表面に金属系物質を印刷して収縮防止メタル層１３を形成しても良い。
【００８８】
また、第１の実施形態に係る転写テープの製造方法を例にとって説明したが、基本的には第２乃至第６の実施形態に係る転写テープも同様にして形成できる。
【００８９】
（転写テープの製造方法の変形例４）
図３４乃至図３７はそれぞれ、上記図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法について説明するための断面図である。まず、図３４に示すように、基材となるポリオレフィンテープ１１の一方の表面に、金属系物質を圧着または接着する。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この金属系物質は、板、膜及び箔などであり、厚さは０．５μｍ程度からＤＡＦ１７に相当する値を選択する。
【００９０】
次に、図３５に示すように、上記金属系物質をエッチングして選択的に除去し、収縮防止メタル層１３を形成する。
【００９１】
その後、図３６に示すように、上記ポリオレフィンテープ１１の他方の表面（収縮防止メタル層１３を形成した表面の裏面）に、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）１７を形成する。
【００９２】
このようにして、ポリオレフィンテープ１１の一方の表面に収縮防止メタル層１３が形成され、他方の表面にＤＡＦ１７が形成された図３７に示すような転写テープを製造する。
【００９３】
このような製造方法であっても、上述した製造方法と同様な転写テープを製造できる。
【００９４】
なお、ここでは第１の実施形態に係る転写テープの製造方法を例にとって説明したが、基本的には第２乃至第６の実施形態に係る転写テープも同様にして形成できる。
【００９５】
（転写テープの製造方法の変形例５）
図３８乃至図４１はそれぞれ、転写テープの更に別の製造方法について説明するための断面図である。まず、図３８に示すように、基材となる第１，第２のポリオレフィンテープ１１−１，１１−２の間に、金属系物質からなる収縮防止メタル層１３を挟んで、図３９に示すように圧着または接着する。
【００９６】
次に、図４０に示すように、上記収縮防止メタル層１３を挟み込んだ第１，第２のポリオレフィンテープ１１−１，１１−２の一方の表面に、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）１７を形成する。
【００９７】
このようにして、ポリオレフィンテープ１１の一方の表面に収縮防止メタル層１３が形成され、他方の表面にＤＡＦ１７が形成された図４１に示すような転写テープを製造する。
【００９８】
このような製造方法では、基材となる第１，第２のポリオレフィンテープ１１−１，１１−２に収縮防止メタル層１３を挟み込んだ転写テープを製造できる。
【００９９】
なお、上述した製造方法では、基材であるポリオレフィンテープが１層の場合と２層の場合を例にとって説明したが、３層でも良く、必要に応じて４層以上積層して用いることもできる。
【０１００】
また、上記のような製造方法で形成した転写テープは、第１乃至第６の実施形態のいずれにも適用できる。
【０１０１】
（転写テープの製造方法の変形例６）
図４２乃至図４４はそれぞれ、上記図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法について説明するための断面図である。まず、図４２に示すように、基材となるポリオレフィンテープ１１の一方の表面に、金属系物質を圧着または接着する。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この金属系物質は、板、膜及び箔などであり、厚さは０．５μｍ程度からダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）１７に相当する値を選択する。
【０１０２】
その後、図４３に示すように、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮防止メタル層１３を形成した表面に、ＤＡＦ１７を形成する。
【０１０３】
このようにして、ポリオレフィンテープ１１とＤＡＦ１７との間に、収縮防止メタル層１３が挟み込まれた図４４に示すような転写テープを製造する。
【０１０４】
このような製造方法であっても、上述した製造方法と同様な転写テープを製造できる。
【０１０５】
なお、ポリオレフィンテープ１１とＤＡＦ１７との間に、収縮防止メタル層１３と接着剤層１８を挟み込んで、図４５に示すような転写テープを形成しても良い。ここでは、接着剤層１２は収縮防止メタル層以外の領域に形成されている。
【０１０６】
また、ここでは第１の実施形態に係る転写テープの製造方法を例にとって説明したが、基本的には第２乃至第６の実施形態に係る転写テープも同様にして形成できる。
【０１０７】
（転写テープの製造方法の変形例７）
図４６乃至図４９はそれぞれ、転写テープの更に他の製造方法について説明するための断面図である。まず、図４６に示すように、基材となるポリオレフィンテープ１１の一方の表面に、金属系物質を圧着または接着する。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この金属系物質は、板、膜及び箔などであり、厚さは０．５μｍ程度からダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）１７に相当する値を選択する。
【０１０８】
次に、図４７に示すように、上記金属系物質をエッチングして選択的に除去し、収縮防止メタル層１３を形成する。
【０１０９】
その後、図４８に示すように、上記ポリオレフィンテープ１１の他方の表面（収縮防止メタル層１３を形成した表面の裏面）に、ＤＡＦ１７を形成する。
【０１１０】
このようにして、ポリオレフィンテープ１１とＤＡＦ１７との間に、収縮防止メタル層１３が挟み込まれた図４９に示すような転写テープを製造する。
【０１１１】
なお、この変形例の場合にも、図４５と同様に、ポリオレフィンテープ１１とＤＡＦ１７との間に、収縮防止メタル層１３と接着剤層１８を挟み込んで、図５０に示すような転写テープを形成しても良い。
【０１１２】
また、上記のような製造方法で形成した転写テープは、第１乃至第６の実施形態のいずれにも適用できる。
【０１１３】
［第７の実施形態］
次に、上記転写テープを用いた半導体装置の製造方法について、図５１の工程図により説明する。
【０１１４】
まず、周知の製造工程により、半導体ウェーハの主表面に種々の半導体素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。
【０１１５】
次に、上記素子形成が終了した半導体ウェーハの主表面（素子形成面側）をハーフカット・ダイシングし、ダイシングラインやチップ分割ラインに沿って、上記ウェーハの主表面側から裏面に達しない深さの溝、いわゆるハーフカット溝を形成する（ＳＴＥＰ２）。このハーフカット溝の形成には、例えばダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード及びレーザースクライバー等を用いる。切り込みの深さは、チップの最終仕上げ厚さよりも、およそ１０〜３０μｍ（少なくとも５μｍ）だけ深くする。どれだけ多めにするかは、ダイサーとグラインダーの精度により決まる。
【０１１６】
その後、上記ハーフカット・ダイシング済みの半導体ウェーハの素子形成面に上述した表面保護テープ（ＢＳＧテープ）を貼り付けてウェーハリングに装着する（ＳＴＥＰ３）。ＢＳＧテープを用いることにより、ウェーハの裏面を削り取り薄くする過程で、上記ＢＳＧテープによって半導体素子にダメージが入るのを防止できる。
【０１１７】
次に、上記ウェーハの裏面研削（ＳＴＥＰ４）を行う。裏面研削工程では、砥石のついたホイールを４０００〜７０００ｒｐｍの高速で回転させながらウェーハの裏面を所定の厚さに削って行く。上記砥石は、人工ダイヤモンドをフェノール樹脂で固めて成形したものである。この裏面研削工程は、２軸で行うことが多い。また、予め１軸で３２０〜６００番の砥石で荒削りした後、２軸で１５００〜２０００番の砥石で仕上げる方法もある。更には、３軸で研削する方法でも良い。そして、研削が溝に達すると、半導体ウェーハは個々の半導体チップに個片化される。半導体ウェーハが個片化されてからも裏面研削を続けて所定の厚さにすることにより、半導体チップの側面と裏面とが交わる位置に形成されたチッピングを除去することができる。
【０１１８】
引き続き、ウェットエッチング、プラズマエッチング、ポリッシング、バフ研磨、あるいはＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等により半導体チップの裏面に鏡面加工を施す。これによって、裏面研削の条痕を除去できるので、より抗折強度を高めることができる。
【０１１９】
上記裏面研削工程の終了後、半導体ウェーハにおける半導体素子の形成面の裏面に転写テープを貼り付け、上記ＢＳＧテープを剥がす。
【０１２０】
そして、転写テープに貼り付けられた半導体チップのピックアップ工程（ＳＴＥＰ５）、リードフレームやＴＡＢテープへのマウント工程（ＳＴＥＰ６）、パッケージへの封止工程（ＳＴＥＰ７）等の実装工程を経て半導体装置が完成される。
【０１２１】
上記第１乃至第４の実施形態と第６の実施形態の転写テープでは、接着剤層１２にＵＶ硬化型を用いれば、上記ピックアップ工程の前にＵＶ照射を行うことによって接着力を低下させ、半導体チップを転写テープから容易に隔離できる。
【０１２２】
このような半導体装置の製造方法によれば、裏面研削後の製造装置間の搬送時においてチップの干渉によるチッピングを抑制できる。また、チップの整列性を確保できるので、ダイボンディングのピックアップでの認識不良を低減できると共にダイシングブレードで直線的に切断できる。
【０１２３】
なお、上述した種々の実施形態では、ＤＢＧ技術を用いることを前提に説明したが、裏面研削を行ってからダイシングする製造方法の転写テープとして用いても良い。この場合には、テープの収縮に起因するウェーハの反りを抑制できる。また、ノッチの検出が容易に行えるようになるため製造工程の短縮も図れる。
【０１２４】
以上第１乃至第７の実施形態と種々の変形例を用いてこの発明の説明を行ったが、この発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で変形することが可能である。また、上記各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】この発明の第１の実施形態に係る転写テープについて説明するための平面図。
【図２】この発明の第１の実施形態に係る転写テープについて説明するための断面図。
【図３】図１及び図２に示した転写テープの変形例１を示す断面図。
【図４】図１及び図２に示した転写テープの変形例２を示す平面図。
【図５】この発明の第２の実施形態に係る転写テープの平面図。
【図６】図５に示した転写テープの変形例を示す平面図。
【図７】この発明の第３の実施形態に係る転写テープの平面図。
【図８】図７に示した転写テープの変形例を示す平面図。
【図９】この発明の第４の実施形態に係る転写テープの平面図。
【図１０】図９に示した転写テープの変形例を示す平面図。
【図１１】この発明の第５の実施形態に係る転写テープの平面図。
【図１２】図１１に示した転写テープの変形例を示す平面図。
【図１３】この発明の第６の実施形態に係る転写テープの平面図。
【図１４】図１３に示した転写テープの変形例を示す平面図。
【図１５】図１３に示した転写テープの他の変形例を示す平面図。
【図１６】図１３に示した転写テープの更に他の変形例を示す平面図。
【図１７】図１及び図２に示した転写テープの製造方法について説明するための断面図。
【図１８】図１及び図２に示した転写テープの製造方法について説明するための断面図。
【図１９】図１及び図２に示した転写テープの製造方法について説明するための断面図。
【図２０】図１及び図２に示した転写テープの製造方法の他の例について説明するための断面図。
【図２１】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例１）について説明するための断面図。
【図２２】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例１）について説明するための断面図。
【図２３】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例１）について説明するための断面図。
【図２４】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例１）について説明するための断面図。
【図２５】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例２）について説明するための断面図。
【図２６】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例２）について説明するための断面図。
【図２７】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例２）について説明するための断面図。
【図２８】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例２）について説明するための断面図。
【図２９】図１及び図２に示した転写テープの製造方法の更に他の例について説明するための断面図。
【図３０】図１及び図２に示した転写テープの別の製造方法（変形例３）について説明するための断面図。
【図３１】図１及び図２に示した転写テープの別の製造方法（変形例３）について説明するための断面図。
【図３２】図１及び図２に示した転写テープの別の製造方法（変形例３）について説明するための断面図。
【図３３】図１及び図２に示した転写テープの製造方法の別の例について説明するための断面図。
【図３４】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例４）について説明するための断面図。
【図３５】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例４）について説明するための断面図。
【図３６】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例４）について説明するための断面図。
【図３７】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例４）について説明するための断面図。
【図３８】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例５）について説明するための断面図。
【図３９】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例５）について説明するための断面図。
【図４０】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例５）について説明するための断面図。
【図４１】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例５）について説明するための断面図。
【図４２】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例６）について説明するための断面図。
【図４３】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例６）について説明するための断面図。
【図４４】図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法（変形例６）について説明するための断面図。
【図４５】図１及び図２に示した転写テープの製造方法の別の例について説明するための断面図。
【図４６】転写テープの更に他の製造方法（変形例７）について説明するための断面図。
【図４７】転写テープの更に他の製造方法（変形例７）について説明するための断面図。
【図４８】転写テープの更に他の製造方法（変形例７）について説明するための断面図。
【図４９】転写テープの更に他の製造方法（変形例７）について説明するための断面図。
【図５０】転写テープの製造方法の別の例について説明するための断面図。
【図５１】この発明の第７の実施形態に係る転写テープを用いた半導体装置の製造方法について説明するための工程図。
【符号の説明】
【０１２６】
１０…ウェーハ、１１…ポリオレフィンテープ、１２…接着剤層、１３，１３−１，１３−２，１３−３，１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３−１Ｄ，１３−２Ｄ…収縮防止メタル層、１４…ノッチ、１５…切り欠き部（マーク）、１６…マーク、１７…ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）、１８…接着剤層。
【図１】
2008120947.tif 000003
【図２】
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【図３】
2008120947.tif 000005
【図４】
2008120947.tif 000006
【図５】
2008120947.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2008120947.tif 000012
【図１１】
2008120947.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
2008120947.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
2008120947.tif 000024
【図２３】
2008120947.tif 000025
【図２４】
2008120947.tif 000026
【図２５】
2008120947.tif 000027
【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
2008120947.tif 000030
【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
2008120947.tif 000034
【図３３】
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【図３４】
2008120947.tif 000036
【図３５】
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【図３６】
2008120947.tif 000038
【図３７】
2008120947.tif 000039
【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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