(57)【要約】【課題】マルチ画素構造を有する大型の液晶表示装置における表示画像のざらつきを低減する。  【解決手段】画素は、第１〜第４液晶容量（ＣＬＣ−Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）と、第１〜第４補助容量（ＣＣＳ−Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）を有し、第１〜第４副画素電極には、それぞれ第１〜第４トランジスタを介して、ソースバスラインＳｎから共通の表示信号電圧が供給され、第１〜第４トランジスタはゲートバスラインＧｍから供給される共通の走査信号電圧によって制御され、第１〜第４補助容量対向電極はそれぞれ、互いに電気的に独立な第１〜第４補助容量配線（ＣＳ−Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）に接続されており、少なくともある中間階調を表示するための表示信号電圧が供給されたときに、第１〜第４液晶容量に印加される実効電圧が、２種類、３種類および４種類の内から選択され得るように構成されている。【選択図】図１
2008158286.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行および列を有するマトリクス状に配列された複数の画素を備え、
前記複数の画素のそれぞれは、対向電極と、液晶層と、前記液晶層を介して前記対向電極に対向する第１、第２、第３および第４副画素電極と、前記第１、第２、第３および第４副画素電極のそれぞれに対応して設けられた第１、第２、第３および第４トランジスタとを有し、
前記対向電極、前記液晶層と、前記第１、第２、第３および第４副画素電極とが、それぞれ、第１、第２、第３および第４液晶容量を形成し、
前記第１、第２、第３および第４副画素電極にそれぞれ電気的に接続された第１、第２、第３および第４補助容量電極と、絶縁層と、前記絶縁層を介して前記第１、第２、第３および第４補助容量電極とそれぞれ対向する第１、第２、第３および第４補助容量対向電極とが、第１、第２、第３および第４補助容量を形成し、
前記第１、第２、第３および第４副画素電極には、それぞれ前記第１、第２、第３および第４トランジスタを介して、ソースバスラインから共通の表示信号電圧が供給され、
前記第１、第２、第３および第４トランジスタはゲートバスラインから供給される共通の走査信号電圧によって制御され、
前記第１、第２、第３および第４補助容量対向電極はそれぞれ、互いに電気的に独立な第１、第２、第３および第４補助容量配線に接続されており、
少なくともある中間階調を表示するための表示信号電圧が供給されたときに、前記第１、第２、第３および第４液晶容量に印加される実効電圧が、２種類、３種類および４種類の内から選択され得るように構成されている、液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１、第２、第３および第４副画素電極は、列方向に沿ってこの順に配列されており、
前記第１、第２、第３および第４補助容量対向電極はそれぞれ、前記第１、第２、第３および第４補助容量配線が前記第１、第２、第３および第４副画素電極と重なる部分によって形成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１および第２トランジスタはゲートバスライン第１支線に接続されており、前記第３および第４トランジスタはゲートバスライン第２支線に接続されており、前記ゲートバスライン第１支線および第２支線は、前記複数の画素を含む表示領域外で互いに接続されている、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記少なくともある中間階調を表示するための表示信号電圧が供給されたときに、前記第１および第４液晶容量に印加される実効電圧は互いに等しく、前記第２および第３液晶容量に印加される実効電圧は互いに異なり、かつ、前記第１および第４液晶容量に印加される実効電圧とも異なる、請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記少なくともある中間階調を表示するための表示信号電圧が供給されたときに、前記第１および第４液晶容量に印加される実効電圧は、前記第２および第３液晶容量に印加される実効電圧の一方よりも大きく、かつ、他方よりも小さい、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第２補助容量配線に供給される第２補助容量対向電圧と、前記第３補助容量配線に供給される第３補助容量対向電圧とは、それぞれ振動波形を含み、前記振動波形は、振幅が互いに等しく、かつ、位相が互いに逆であって、
前記第１補助容量配線に供給される第１補助容量対向電圧および前記第４補助容量配線に供給される第４補助容量対向電圧はいずれも、前記振動波形の前記振幅の中央値を有する電圧である、請求項４または５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記中央値を有する電圧は、前記対向電極に印加される対向電圧と実質的に等しい、請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記少なくともある中間階調を表示するための表示信号電圧が供給されたときに、前記第１、第２、第３および第４液晶容量に印加される実効電圧は互いに異なる、請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記少なくともある中間階調を表示するための表示信号電圧が供給されたときに、前記第１および第４液晶容量に印加される実効電圧は、前記第２および第３液晶容量に印加される実効電圧の一方よりも大きく、かつ、他方よりも小さい、請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１補助容量配線に供給される第１補助容量対向電圧と、前記第４補助容量配線に供給される第４補助容量対向電圧とは、それぞれ振動波形を含み、前記振動波形は、振幅が互いに等しい第１振幅を有し、かつ、位相が互いに逆であって、
前記第２補助容量配線に供給される第２補助容量対向電圧と、前記第３補助容量配線に供給される第３補助容量対向電圧とは、それぞれ振動波形を含み、前記振動波形は、振幅が互いに等しい第２振幅を有し、かつ、位相が互いに逆であって、
前記第１振幅は前記第２振幅よりも小さい、請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１、第２、第３および第４液晶容量のぞれぞれは、第１、第２、第３および第４副画素を構成し、前記第１、第２、第３および第４副画素の面積は互いに等しい、請求項８から１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関し、特に、広視野角特性を有する大型の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、高精細、薄型、軽量および低消費電力等の優れた特長を有する平面表示装置であり、近年、表示性能の向上、生産能力の向上および他の表示装置に対する価格競争力の向上に伴い、市場規模が急速に拡大している。
【０００３】
特に、インプレイン・スイッチング・モード（ＩＰＳモード、特許文献１参照）およびマルチドメイン・バーティカル・アラインド・モード（ＭＶＡモード、特許文献２参照）は、表示面を斜め方向から観測した場合に表示コントラスト比が著しく低下する、あるいは表示階調が反転する、などの問題は起こらない広視野角モードの液晶表示装置として、液晶テレビに用いられている。
【０００４】
液晶表示装置の表示品位の改善が進む状況下において、今日では視野角特性の問題点として、正面観測時のγ特性と斜め観測時のγ特性が異なる点、すなわちγ特性の視角依存性の問題が新たに顕在化してきた。ここで、γ特性とは表示輝度の階調依存性であり、γ特性が正面方向と斜め方向で異なるということは、階調表示状態が観測方向によって異なることとなるため、写真等の画像を表示する場合や、またＴＶ放送等を表示する場合に特に問題となる。
【０００５】
このγ特性の視野角依存性は、ＩＰＳモードよりもＭＶＡモードにおいて顕著である。一方、ＩＰＳモードは、ＭＶＡモードに比べて正面観測時のコントラスト比の高いパネルを生産性良く製造することが難しい。これらの点から、特にＭＶＡモードの液晶表示装置におけるγ特性の視角依存性を改善することが望まれる。
【０００６】
そこで本出願人は、特許文献３に、１つの画素を明るさの異なる複数の副画素に分割することによりγ特性の視角依存性、とりわけ白浮特性を改善することができる液晶表示装置および駆動方法を開示している。本明細書においてこのような表示あるいは駆動を面積階調表示、面積階調駆動、マルチ画素表示またはマルチ画素駆動などと呼ぶことがある。
【０００７】
特許文献３には、１つの画素（Ｐ）内の複数の副画素（ＳＰ）ごとに補助容量（ＣＳ）を設け、補助容量を構成する補助容量対向電極（補助容量配線に接続されている）を副画素ごとに電気的に独立とし、補助容量対向電極に供給する電圧（補助容量対向電圧またはＣＳ信号電圧という。）を変化させることによって、容量分割を利用して、複数の副画素の液晶層に印加される実効電圧を異ならせる液晶表示装置が開示されている。
【０００８】
図１０を参照しながら、特許文献３に記載されている液晶表示装置２００の画素分割構造を説明する。ここでは、スイッチング素子としてＴＦＴを有する液晶表示装置を例示する。
【０００９】
画素１０は、副画素１０ａ、１０ｂに分割されており、副画素１０ａ、１０ｂは、それぞれＴＦＴ１６ａ、ＴＦＴ１６ｂ、および補助容量（ＣＳ）２２ａ、２２ｂが接続されている。ＴＦＴ１６ａおよびＴＦＴ１６ｂのゲ−ト電極は走査線（ゲートバスライン、Ｇバスラインと表記することもある。）１２に接続され、ソース電極は共通の（同一の）信号線（ソースバスライン、Ｓバスラインと表記することもある。）１４に接続されている。補助容量２２ａ、２２ｂは、それぞれ補助容量配線（ＣＳバスライン）２４ａおよび補助容量配線２４ｂに接続されている。補助容量２２ａおよび２２ｂは、それぞれ副画素電極１８ａおよび１８ｂに電気的に接続された補助容量電極と、補助容量配線２４ａおよび２４ｂに電気的に接続された補助容量対向電極と、これらの間に設けられた絶縁層（不図示）によって形成されている。補助容量２２ａおよび２２ｂの補助容量対向電極は互いに独立しており、それぞれ補助容量配線２４ａおよび２４ｂから互いに異なる補助容量対向電圧（ＣＳ信号電圧）が供給され得る構造を有している。
【００１０】
次に、液晶表示装置２００の２つの副画素１０ａおよび１０ｂの液晶層に互いに異なる実効電圧を印加することができる原理について図を用いて説明する。
【００１１】
図１１に、液晶表示装置２００の１画素分の等価回路を模式的に示す。電気的な等価回路において、それぞれの副画素ＳＰ−Ａ（１０ａ）およびＳＰ−Ｂ（１０ｂ）の液晶容量をそれぞれ液晶容量ＣＬＣ−Ａ（１３ａ）およびＣＬＣ−Ｂ（１３ｂ）として表している。液晶容量ＣＬＣ−ＡおよびＣＬＣ−Ｂは、それぞれ、副画素電極１８ａおよび１８ｂと、液晶層と、対向電極（副画素電極１８ａおよび１８ｂに対して共通）によって形成されている。
【００１２】
ここでは、液晶容量ＣＬＣ−ＡおよびＣＬＣ−Ｂの静電容量値は同一の値ＣＬＣ（Ｖ）とする。ＣＬＣ（Ｖ）の値は、副画素ＳＰ−Ａ、ＳＰ−Ｂの液晶層に印加される実効電圧（Ｖ）に依存する。また、各副画素ＳＰ−ＡおよびＳＰ−Ｂの液晶容量にそれぞれ独立に接続されている補助容量ＣＣＳ−Ａ（２２ａ）およびＣＣＳ−Ｂ（２２ｂ）の静電容量値は同一の値ＣＣＳとする。
【００１３】
副画素ＳＰ−Ａの液晶容量ＣＬＣ−Ａと補助容量ＣＣＳ−Ａの一方の電極は副画素ＳＰ−Ａを駆動するために設けたＴＦＴ−Ａ（１６ａ）のドレイン電極に接続されており、液晶容量ＣＬＣ−Ａの他方の電極は対向電極であり、補助容量ＣＣＳ−Ａの他方の電極は補助容量配線ＣＳ−Ａ（２４ａ）に接続されている。副画素ＳＰ−Ｂの液晶容量ＣＬＣ−Ｂと補助容量ＣＣＳ−Ｂの一方の電極は副画素ＳＰ−Ｂを駆動するために設けたＴＦＴ−Ｂ（１６ｂ）のドレイン電極に接続されており、液晶容量ＣＬＣ−Ｂの他方の電極は対向電極であり、補助容量ＣＣＳ−Ｂの他方の電極は補助容量配線ＣＳ−Ｂ（２４ｂ）に接続されている。ＴＦＴ−ＡおよびＴＦＴ−Ｂのゲート電極はいずれもＧバスライン（走査線）１２に接続されており、ソース電極はいずれもＳバスライン（信号線）１４に接続されている。
【００１４】
図１２（ａ）〜（ｆ）に液晶表示装置２００を駆動する際の各電圧のタイミングを模式的に示す。
【００１５】
図１２（ａ）は、Ｓバスライン１４の電圧波形Ｖｓ、図１２（ｂ）はＣＳバスラインＣＳ−Ａの電圧波形Ｖｃｓａ、図１２（ｃ）はＣＳバスラインＣＳ−Ｂの電圧波形Ｖｃｓｂ、図１２（ｄ）はＧバスライン１２の電圧波形Ｖｇ、図１２（ｅ）は副画素電極１８ａの電圧波形Ｖｌｃａ、図１２（ｆ）は、副画素電極１８ｂの電圧波形Ｖｌｃｂをそれぞれ示している。また、図中の破線は対向電極の電圧波形ＣＯＭＭＯＮ（Ｖｃｏｍ）を示している。
【００１６】
以下、図１２（ａ）〜（ｆ）を用いて図１１の等価回路の動作を説明する。
【００１７】
時刻Ｔ１のときＶｇの電圧がＶｇＬからＶｇＨに変化することにより、ＴＦＴ−ＡとＴＦＴ−Ｂが同時に導通状態（オン状態）となり、副画素電極１８ａおよび１８ｂにＳバスライン１４の電圧Ｖｓが伝達され、副画素ＳＰ−Ａの液晶容量ＣＬＣ−Ａおよび副画素ＳＰ−Ｂの液晶容量ＣＬＣ−Ｂに充電される。同様にそれぞれの副画素の補助容量ＣＣＳ−ＡおよびＣＣＳ−ＢにもＳバスライン１４からの充電がなされる。
【００１８】
次に、時刻Ｔ２のときＧバスライン１２の電圧ＶｇがＶｇＨからＶｇＬに変化することにより、ＴＦＴ−ＡとＴＦＴ−Ｂが同時に非導通状態（ＯＦＦ状態）となり、副画素ＳＰ−Ａ、ＳＰ−Ｂおよび補助容量ＣＣＳ−Ａ、ＣＣＳ−Ｂは全て、Ｓバスライン１４と電気的に絶縁される。なお、この直後ＴＦＴ−Ａ、ＴＦＴ−Ｂの有する寄生容量等の影響による引き込み現象のために、それぞれの副画素電極の電圧Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂは概ね同一の電圧Ｖｄだけ低下し、
Ｖｌｃａ＝Ｖｓ−Ｖｄ
Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ−Ｖｄ
となる。また、このとき、それぞれのＣＳバスラインの電圧Ｖｃｓａ、Ｖｃｓｂは
Ｖｃｓａ＝Ｖｃｏｍ−Ｖａｄ
Ｖｃｓｂ＝Ｖｃｏｍ＋Ｖａｄ
である。
【００１９】
時刻Ｔ３で、補助容量ＣＣＳ−Ａに接続されたＣＳバスラインＣＳ−Ａの電圧ＶｃｓａがＶｃｏｍ−ＶａｄからＶｃｏｍ＋Ｖａｄに変化し、補助容量Ｃｓｂに接続されたＣＳバスラインＣＳ−Ｂの電圧ＶｃｓｂがＶｃｏｍ＋ＶａｄからＶｃｏｍ−Ｖａｄに２倍のＶａｄだけ変化する。ＣＳバスラインＣＳ−ＡおよびＣＳ−Ｂのこの電圧変化に伴い、それぞれの副画素電極の電圧Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂは
Ｖｌｃａ＝Ｖｓ−Ｖｄ＋２×Ｋｃ×Ｖａｄ
Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ−Ｖｄ−２×Ｋｃ×Ｖａｄ
へ変化する。但し、Ｋｃ＝ＣＣＳ／（ＣＬＣ（Ｖ）＋ＣＣＳ）である。×は乗算を表す。
【００２０】
時刻Ｔ４では、ＶｃｓａがＶｃｏｍ＋ＶａｄからＶｃｏｍ−Ｖａｄへ、ＶｃｓｂがＶｃｏｍ−ＶａｄからＶｃｏｍ＋Ｖａｄへ、２倍のＶａｄだけ変化し、Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂもまた、
Ｖｌｃａ＝Ｖｓ−Ｖｄ＋２×Ｋｃ×Ｖａｄ
Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ−Ｖｄ−２×Ｋｃ×Ｖａｄ
から、
Ｖｌｃａ＝Ｖｓ−Ｖｄ
Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ−Ｖｄ
へ変化する。
【００２１】
時刻Ｔ５では、ＶｃｓａがＶｃｏｍ−ＶａｄからＶｃｏｍ＋Ｖａｄへ、ＶｃｓｂがＶｃｏｍ＋ＶａｄからＶｃｏｍ−Ｖａｄへ、２倍のＶａｄだけ変化し、Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂもまた、
Ｖｌｃａ＝Ｖｓ−Ｖｄ
Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ−Ｖｄ
から、
Ｖｌｃａ＝Ｖｓ−Ｖｄ＋２×Ｋｃ×Ｖａｄ
Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ−Ｖｄ−２×Ｋｃ×Ｖａｄ
へ変化する。
【００２２】
Ｖｃｓａ、Ｖｃｓｂ、Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂは、水平走査期間（水平書き込み時間）１Ｈの整数倍の間隔毎に上記Ｔ４、Ｔ５における変化を交互に繰り返す。従って、それぞれの副画素電極の電圧Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂの実効的な値は、
Ｖｌｃａ＝Ｖｓ−Ｖｄ＋Ｋｃ×Ｖａｄ
Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ−Ｖｄ−Ｋｃ×Ｖａｄ
となる。
【００２３】
よって、副画素ＳＰ−Ａ、ＳＰ−Ｂの液晶層１３ａおよび１３ｂに印加される実効電圧Ｖ１、Ｖ２は、
Ｖ１＝Ｖｌｃａ−Ｖｃｏｍ
Ｖ２＝Ｖｌｃｂ−Ｖｃｏｍ
すなわち、
Ｖ１＝Ｖｓ−Ｖｄ＋Ｋｃ×Ｖａｄ−Ｖｃｏｍ
Ｖ２＝Ｖｓ−Ｖｄ−Ｋｃ×Ｖａｄ−Ｖｃｏｍ
となる。
【００２４】
従って、副画素ＳＰ−ＡおよびＳＰ−Ｂのそれぞれの液晶層１３ａおよび１３ｂに印加される実効電圧の差ΔＶ１２（＝Ｖ１−Ｖ２）は、ΔＶ１２＝２×Ｋｃ×Ｖａｄ（但し、Ｋｃ＝ＣＣＳ／（ＣＬＣ（Ｖ）＋ＣＣＳ））となり、互いに異なる電圧を印加することができる。
【００２５】
図１３にＶ１とＶ２の関係を模式的に示す。図１３からわかるように、液晶表示装置２００では、Ｖ１の値が小さいほどΔＶ１２の値が大きい。このように、Ｖ１の値が小さいほどΔＶ１２の値が大きくなるので、とりわけ白浮特性を改善することができる。
【００２６】
また、特許文献３に記載されているマルチ画素構造を高精細または大型の液晶テレビに適用する場合、振動電圧の振動の周期が表示パネルの高精細化あるいは大型化に伴って短くなるため、振動電圧発生のための回路の作製が困難になる（高価になる）、消費電力が増加する、あるいはＣＳバスラインの電気的な負荷インピーダンスによる波形鈍りの影響が大きくなるが、特許文献４に記載されているように、電気的に互いに独立な複数のＣＳ幹線を設け、各ＣＳ幹線に複数のＣＳバスラインを接続することによって、ＣＳバスラインを介して補助容量対向電極に印加する振動電圧の振動の周期を長くすることできる。
【００２７】
特許文献３および４の内容の全てを参考のために本明細書に援用する。
【特許文献１】特公昭６３−２１９０７号公報
【特許文献２】特開平１１−２４２２２５号公報
【特許文献３】特開２００４−６２１４６号公報（米国特許第６９５８７９１号明細書）
【特許文献４】ＷＯ２００６／０７０８２９Ａ１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
本出願人は、特許文献３および４に記載されているマルチ画素技術を適用した液晶表示装置を備えた大型の液晶テレビを市販している。これまでは、各画素を輝度が異なる２つの副画素（すなわち明副画素および暗副画素）で構成した２分割構造を採用していたが、表示面の大型化およびγ特性の視角依存性のさらなる改善のためには、２分割では不十分であることがわかった。具体的には、表示装置の大型化に伴い１つの画素サイズが大きくなると、中間調を表示した際に、明副画素と暗副画素との市松状の配列が表示のざらつきとして視認されるという問題がある。
【００２９】
また、２分割構造においては、２つの副画素のＶ−Ｔカーブ（電圧−輝度（表示階調）曲線）を重ね合わせることによって、γ特性の視角依存性を平均化するものであるため、斜め視角におけるγ特性曲線が滑らかに変化せず、くびれが生じる。そのために、斜め視角から表示画像を観察したときに、不自然に観察されるという問題がある。
【００３０】
本発明は上記の問題の少なくとも１つを解決するためになされたものであり、その目的のひとつは、マルチ画素構造を有する大型の液晶表示装置における表示画像のざらつきを低減することにある。また、本発明の他の目的は、γ特性の視角依存性をさらに向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
本発明の液晶表示装置は、行および列を有するマトリクス状に配列された複数の画素を備え、前記複数の画素のそれぞれは、対向電極と、液晶層と、前記液晶層を介して前記対向電極に対向する第１、第２、第３および第４副画素電極と、前記第１、第２、第３および第４副画素電極のそれぞれに対応して設けられた第１、第２、第３および第４トランジスタとを有し、前記対向電極、前記液晶層と、前記第１、第２、第３および第４副画素電極とが、それぞれ、第１、第２、第３および第４液晶容量を形成し、前記第１、第２、第３および第４副画素電極にそれぞれ電気的に接続された第１、第２、第３および第４補助容量電極と、絶縁層と、前記絶縁層を介して前記第１、第２、第３および第４補助容量電極とそれぞれ対向する第１、第２、第３および第４補助容量対向電極とが、第１、第２、第３および第４補助容量を形成し、前記第１、第２、第３および第４副画素電極には、それぞれ前記第１、第２、第３および第４トランジスタを介して、ソースバスラインから共通の表示信号電圧が供給され、前記第１、第２、第３および第４トランジスタはゲートバスラインから供給される共通の走査信号電圧によって制御され、前記第１、第２、第３および第４補助容量対向電極はそれぞれ、互いに電気的に独立な第１、第２、第３および第４補助容量配線に接続されており、少なくともある中間階調を表示するための表示信号電圧が供給されたときに、前記第１、第２、第３および第４液晶容量に印加される実効電圧が、２種類、３種類および４種類の内から選択され得るように構成されていることを特徴とする。画素の分割数を２〜４のいずれにするかは、前記第１、第２、第３および第４補助容量配線に供給するＣＳ電圧を調整する、あるいは、予め用意した複数のＣＳ電圧から適宜選択することによって行われ得る。
【００３２】
第１から第４液晶容量に印加する実効電圧を互いに異ならせる、すなわち４つの液晶容量に印加する実効電圧を４種類とすることによって、４つの副画素（４分割構造）が構成される。また、４つの液晶容量に印加する実効電圧を３種類とすることによって、３つの副画素（３分割構造）が構成され、４つの液晶容量に印加する実効電圧を２種類とすることによって２つの副画素（２分割構造）が構成される。３分割構造や４分割構造を採用すれば、従来の２分割構造に比べて、当然に、ざらつきが低減されるとともに、γ特性の視角依存性も改善される。２種類の実効電圧を印加する２分割構造を採用した場合においても、同じ実効電圧が印加される液晶容量が２つずつ存在しているので、これらを空間的に交互に配置することによって、ざらつきを低減することができる。
【００３３】
ある実施形態において、前記第１、第２、第３および第４副画素電極は、列方向に沿ってこの順に配列されており、前記第１、第２、第３および第４補助容量対向電極はそれぞれ、前記第１、第２、第３および第４補助容量配線が前記第１、第２、第３および第４副画素電極と重なる部分によって形成されている。
【００３４】
ある実施形態において、前記第１および第２トランジスタはゲートバスライン第１支線に接続されており、前記第３および第４トランジスタはゲートバスライン第２支線に接続されており、前記ゲートバスライン第１支線および第２支線は、前記複数の画素を含む表示領域外で互いに接続されている。
【００３５】
ある実施形態において、前記少なくともある中間階調を表示するための表示信号電圧が供給されたときに、前記第１および第４液晶容量に印加される実効電圧は互いに等しく、前記第２および第３液晶容量に印加される実効電圧は互いに異なり、かつ、前記第１および第４液晶容量に印加される実効電圧とも異なる。
【００３６】
ある実施形態において、前記少なくともある中間階調を表示するための表示信号電圧が供給されたときに、前記第１および第４液晶容量に印加される実効電圧は、前記第２および第３液晶容量に印加される実効電圧の一方よりも大きく、かつ、他方よりも小さい。
【００３７】
ある実施形態において、前記第２補助容量配線に供給される第２補助容量対向電圧と、前記第３補助容量配線に供給される第３補助容量対向電圧とは、それぞれ振動波形を含み、前記振動波形は、振幅が互いに等しく、かつ、位相が互いに逆であって、前記第１補助容量配線に供給される第１補助容量対向電圧および前記第４補助容量配線に供給される第４補助容量対向電圧はいずれも、前記振動波形の前記振幅の中央値を有する電圧である。
【００３８】
ある実施形態において、前記中央値を有する電圧は、前記対向電極に印加される対向電圧と実質的に等しい。
【００３９】
ある実施形態において、前記少なくともある中間階調を表示するための表示信号電圧が供給されたときに、前記第１、第２、第３および第４液晶容量に印加される実効電圧は互いに異なる。
【００４０】
ある実施形態において、前記少なくともある中間階調を表示するための表示信号電圧が供給されたときに、前記第１および第４液晶容量に印加される実効電圧は、前記第２および第３液晶容量に印加される実効電圧の一方よりも大きく、かつ、他方よりも小さい。
【００４１】
ある実施形態において、前記第１補助容量配線に供給される第１補助容量対向電圧と、前記第４補助容量配線に供給される第４補助容量対向電圧とは、それぞれ振動波形を含み、前記振動波形は、振幅が互いに等しい第１振幅を有し、かつ、位相が互いに逆であって、
前記第２補助容量配線に供給される第２補助容量対向電圧と、前記第３補助容量配線に供給される第３補助容量対向電圧とは、それぞれ振動波形を含み、前記振動波形は、振幅が互いに等しい第２振幅を有し、かつ、位相が互いに逆であって、前記第１振幅は前記第２振幅よりも小さい。
【００４２】
ある実施形態において、前記第１、第２、第３および第４液晶容量のぞれぞれは、第１、第２、第３および第４副画素を構成し、前記第１、第２、第３および第４副画素の面積は互いに等しい。
【発明の効果】
【００４３】
本発明によると、マルチ画素構造を有する大型の液晶表示装置における表示画像のざらつきを低減することが出来る。さらに、マルチ画素構造の分割数を３以上とすることによって、γ特性の視角依存性をさらに向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、図面を参照して本発明による実施形態の液晶表示装置の構成および動作を説明する。
【００４５】
図１は、本発明による実施形態の液晶表示装置の１つの画素の等価回路図である。本実施形態の液晶表示装置は、行および列を有するマトリクス状に配列された複数の画素を備えており、図１には、ｍ行ｎ列の画素の等価回路を示している。
【００４６】
画素は、第１、第２、第３および第４液晶容量（ＣＬＣ−Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）と、第１、第２、第３および第４補助容量（ＣＣＳ−Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）を有している。Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの記号は、列方向における位置に対応し、この順に配列されている。液晶容量ＣＬＣ−Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄのそれぞれは、第１、第２、第３および第４副画素電極と、対向電極と、液晶層によって形成されている。液晶層は、誘電異方性が負のネマチック液晶材料から形成されており、電圧が印加されていない状態（絶対値がしきい値電圧よりも小さい電圧が印加されている状態）において、基板面に対して略垂直に配向（典型的にはプレチルト角が８５°以上）する垂直配向型液晶層である。各副画素の構成は図１１に示した従来技術と同じであるので説明を簡略にする。
【００４７】
第１、第２、第３および第４副画素電極は、互いに電気的に独立しており、それぞれ第１、第２、第３および第４トランジスタ（ＴＦＴ−Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）を介して、ソースバスラインＳｎから共通の表示信号電圧が供給される。また、第１、第２、第３および第４トランジスタ（ＴＦＴ−Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）はゲートバスラインＧｍから供給される共通の走査信号電圧によって制御される。ここでは、ゲートバスラインＧｍは２本のゲートバスライン支線Ｇｍ−Ｂ１およびＧｍ−Ｂ２に分割されており、ＴＦＴ−ＡおよびＢのゲート電極は支線Ｇｍ−Ｂ１に接続されており、ＴＦＴ−ＣおよびＤのゲート電極は支線Ｇｍ−Ｂ２に接続されている。Ｇｍ−Ｂ１とＧｍ−Ｂ２との接続は、特に限定されないが、複数の画素を含む表示領域外（すなわち、額縁領域）で互いに接続されることが好ましい。こうすることで、ゲートドライバの数が増加することを防ぐことができる。
【００４８】
また、第１、第２、第３および第４補助容量（ＣＣＳ−Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のそれぞれは、第１、第２、第３および第４副画素電極にそれぞれ電気的に接続された第１、第２、第３および第４補助容量電極と、絶縁層（例えば、各ＴＦＴのゲート絶縁層を構成する無機絶縁膜と同じ膜で形成される）と、絶縁層を介して第１、第２、第３および第４補助容量電極とそれぞれ対向する第１、第２、第３および第４補助容量対向電極とによって構成されている。第１、第２、第３および第４補助容量対向電極はそれぞれ、互いに電気的に独立な第１、第２、第３および第４補助容量配線（ＣＳバスラインＣＳ−Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）に接続されている。例えば、ＣＳバスラインＣＳ−Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄが、それぞれ第１、第２、第３および第４副画素電極と重なる部分によって、第１、第２、第３および第４補助容量対向電極を形成することができる（図９参照）。それぞれの補助容量に求められる容量値の大きさに応じて、各副画素電極と重なるＣＳバスラインＣＳ−Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの部分の幅を変化させればよい。
【００４９】
このような構成を有する液晶表示装置は、各ＣＳバスラインＣＳ−Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに供給する補助容量対向電圧（ＣＳ信号電圧）を調整することによって、ＣＬＣ−Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに印加される実効電圧が、２種類、３種類および４種類の内から選択され得る。すなわち、画素の分割数を２〜４のいずれにするかは、ＣＳバスラインＣＳ−Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに供給するＣＳ電圧を調整することによって選択され得る。例えば、予め用意した複数のＣＳ電圧から適宜選択することによって行ってもよい。
【００５０】
ＣＬＣ−Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに印加する実効電圧を互いに異ならせる、すなわち４つの液晶容量に印加する実効電圧を４種類とすることによって、４つの副画素（４分割構造）が構成される。また、４つの液晶容量に印加する実効電圧を３種類とすることによって、３つの副画素（３分割構造）が構成され、４つの液晶容量に印加する実効電圧を２種類とすることによって２つの副画素（２分割構造）が構成される。３分割構造や４分割構造を採用すれば、従来の２分割構造に比べて、当然に、ざらつきが低減されるとともに、γ特性の視角依存性も改善される。２種類の実効電圧を印加する２分割構造を採用した場合においても、同じ実効電圧が印加される液晶容量が２つずつ存在しているので、これらを空間的に交互に配置することによって、ざらつきを低減することができる。
【００５１】
なお、全ての階調電圧について、液晶容量に印加される実効電圧を異ならせる必要は必ずしもなく、最低階調（黒表示状態）および最高階調（白表示状態）においては、各液晶容量に同じ電圧が印加され、同じ輝度（階調）を表示してもよい。また、特にγ特性の視角依存性が大きい領域（ある中間調（例えば１００／２５５階調）よりも低い領域）においてのみ、マルチ画素駆動を行っても良い。
【００５２】
以下に、具体的に説明する。
【００５３】
まず、図２および図３を参照して、図１に示した画素構造を有する液晶表示装置を用いて３分割構造および４分割構造を得るための駆動方法を説明する。
【００５４】
図２は、３分割構造を得るための駆動方法を説明するための図であり、ゲート信号（Ｇａｔｅ信号）、ＣＳ信号（補助容量対向電圧）、および画素電圧（各副画素の液晶容量に印加される電圧）の波形を示す図である。一垂直走査期間（ここでは入力映像信号のフレームと同じ）に表示信号電圧の極性が反転し、且つ、行方向に隣接する画素間の極性が逆となる、典型的なドット反転駆動の場合を例示する。ｎフレーム（ｎＦ）では正極性書き込み、ｎ＋１フレーム（ｎ＋１  Ｆ）では負極性書き込みの場合を示す。ここでは特に示さない限り、「一垂直走査期間」とは、入力映像信号で規定される期間ではなく、液晶表示装置について規定される期間であり、ある画素に信号電圧が供給されてから、再び信号電圧が供給されるまでの期間である。例えば、ＮＴＳＣ信号の１フレームは３３．３ｍｓであるが、一般に液晶表示装置ではＮＴＳＣ信号の１／２フレーム＝１フィールド（１６．７ｍｓ）の期間内に全ての画素に信号電圧の書き込みを行っており、１６．７ｍｓが液晶表示装置の一垂直走査期間である。さらに、応答特性を改善する目的などのために倍速駆動を行う場合、液晶表示装置の一垂直走査期間は、さらに半分の８．４ｍｓとなる。また、各画素に供給される「信号電圧」とは、表示すべき階調に対応する電圧（階調電圧）に限られず、応答特性を改善するためのオーバーシュート電圧や、擬似インパルス駆動（黒挿入駆動）のための黒表示電圧など、画素に供給される全ての電圧を含むものとする。
【００５５】
図２に示したように、ゲート信号が立ち下がった後にＶＣＳ−ＢおよびＶＣＳ−Ｃの振幅が変化することによって、液晶容量に印加される電圧ＶＣＬＣ−ＢおよびＶＣＬＣ−Ｃが変化することは、上述の特許文献３に記載したとおりである。なお、ＣＳ信号の波形はここでは１０Ｈ（Ｈは一水平走査期間）ごとに振幅が変化する（周期が２０Ｈ）デューティ比１：１の矩形波を例示しているがこれに限られない（特許文献３および４参照）。
【００５６】
ここで、ＣＳ−Ｂに供給されるＶＣＳ−Ｂと、ＣＳ−Ｃに供給されるＶＣＳ−Ｃとは、それぞれ振動波形を含み、振動波形は、振幅が互いに等しく、かつ、位相が互いに逆である。一方、ＶＣＳ−ＡおよびＶＣＳ−Ｄの電圧値は、ＶＣＳ−ＢおよびＶＣＳ−Ｃの振動波形の振幅の中央値に対応し、この中央値は対向電極に印加される対向電圧と実質的に等しい。
【００５７】
ｎフレームでは正極性書き込みなので、ゲート信号が立ち下がった直後のＣＳ信号の振幅が増大するＶＣＳ−Ｂが供給される液晶容量ＣＬＣ−Ｂに印加される実効電圧が増大し、液晶容量ＣＬＣ−Ｂで構成される副画素ＳＰ−Ｂが明副画素となる。一方、振幅が減少するＶＣＳ−Ｃが供給される液晶容量ＣＬＣ−Ａに印加される実効電圧が減少し、液晶容量ＣＬＣ−Ｃで構成される副画素ＳＰ−Ｃが暗副画素となる。
【００５８】
一方、ＶＣＳ−ＡおよびＶＣＳ−Ｄはゲート信号が立ち下がった後に電圧の変化がなく一定の電圧値を有している。従って、液晶容量ＣＬＣ−Ａおよび液晶容量ＣＬＣ−ＤにはＳバスラインから供給された表示信号電圧に対応する所定の電圧が印加され、液晶容量ＣＬＣ−ＡおよびＣＬＣ−Ｄで構成される副画素ＳＰ−ＡおよびＳＰ−Ｄは表示信号電圧に対応する中間の輝度を呈する副画素となる。
【００５９】
このようにして、３分割画素構造が得られる。また、ｎ＋１フレームにおいてもこの輝度の関係（画素内における副画素の輝度順位）は維持されるとともに、各副画素の液晶容量に印加される電圧の極性が反転するので、長期間にわたってＤＣ電圧が印加されることを防止できる。
【００６０】
図３は、４分割構造を得るための駆動方法を説明するための図であり、ゲート信号（Ｇａｔｅ信号）、ＣＳ信号（補助容量対向電圧）、および画素電圧（各副画素の液晶容量に印加される電圧）の波形を示す図である。
【００６１】
図３に示したように、ゲート信号が立ち下がった後に各ＣＳ信号（ＶＣＳ−Ａ、ＶＣＳ−Ｂ、ＶＣＳ−Ｃ、ＶＣＳ−Ｄ）の振幅が変化することによって、各副画素の液晶容量に印加される電圧（ＶＣＬＣ−Ａ、ＶＣＬＣ−Ｂ、ＶＣＬＣ−Ｃ、ＶＣＬＣ−Ｄ）は、上述した特許文献３に記載したとおりである。
【００６２】
ここで、ＣＳ−Ａに供給されるＶＣＳ−ＡとＣＳ−Ｄに供給されるＶＣＳ−Ｄとは、それぞれ振動波形を含み、振動波形は、振幅が互いに等しい第１振幅を有し、かつ、位相が互いに逆である。ＣＳ−Ｂに供給されるＶＣＳ−ＢとＣＳ−Ｃに供給されるＶＣＳ−Ｃも、それぞれ振動波形を含み、この振動波形は、振幅が互いに等しい第２振幅を有し、かつ、位相が互いに逆である。第１振幅は第２振幅よりも小さく設定されている。
【００６３】
ｎフレームでは正極性書き込みなので、ゲート信号が立ち下がった直後のＣＳ信号の振幅の増加が最大であるＶＣＳ−Ｂが供給される液晶容量ＣＬＣ−Ｂに印加される実効電圧が最大となり、液晶容量ＣＬＣ−Ｂで構成される副画素ＳＰ−Ｂが最も明るい副画素（明明副画素）となる。振幅の増加が小さいＶＣＳ−Ａが供給される液晶容量ＣＬＣ−Ａに印加される実効電圧が次に続き、液晶容量ＣＬＣ−Ａで構成される副画素ＳＰ−Ａが次に明るい副画素（明副画素）となる。振幅の減少が最大であるＶＣＳ−Ｃが供給される液晶容量ＣＬＣ−Ｃに印加される実効電圧が最小となり、液晶容量ＣＬＣ−Ｃで構成される副画素ＳＰ−Ｃが最も暗い副画素（暗暗副画素）となる。振幅の減少が小さいＶＣＳ−Ｄが供給される液晶容量ＣＬＣ−Ｄに印加される実効電圧が次に続き、液晶容量ＣＬＣ−Ｄで構成される副画素ＳＰ−Ｄが次に暗い副画素（暗副画素）となる。このようにして、４分割画素構造が得られる。また、ｎ＋１フレームにおいてもこの輝度の関係（画素内における副画素の輝度順位）は維持されるとともに、各副画素の液晶容量に印加される電圧の極性が反転するので、長期間にわたってＤＣ電圧が印加されることを防止できる。
【００６４】
次に、図４（ａ）および（ｂ）を参照して、２分割構造（２ＶＴ構造）とした場合の好ましい副画素の配列およびγ特性の視角依存性について説明する。
【００６５】
２分割構造とする場合であっても、本発明による実施形態の液晶表示装置は互いに電気的に独立な４つの液晶容量からなる４つの領域ＳＰ−Ａ、ＳＰ−Ｂ、ＳＰ−ＣおよびＳＰ−Ｄを有しているので、明副画素と暗副画素とを図４（ａ）に示したように交互に配置することが可能となる。従って、大型の表示装置（例えば５２型（画素配列ピッチ：行方向２００μｍ、列方向６００μｍ）を超える）において、中間調を表示した際に、明副画素と暗副画素との市松状の配列が表示のざらつきとして視認され難くなる。
【００６６】
なお、図４（ａ）に示した２分割構造を得るための駆動方法の説明は省略するが、例えば、図３においてＶＣＳ−ＡとＶＣＳ−Ｃとに同じＣＳ信号（例えば図３中のＶＣＳ−Ｂ）を供給し、ＶＣＳ−ＢとＶＣＳ−Ｄとに同じＣＳ信号（例えば図３中のＶＣＳ−Ｃ）を供給すればよい。
【００６７】
図４（ａ）に示したように、２つのＶＴ特性の重ね合わせを実現する２分割構造（２ＶＴ構造ともいう。）であっても、各副画素を空間的に２分割することによって、ざらつきを低減できるが、γ特性の視角依存性は、図４（ｂ）に示すように、本質的に従来の２分割構造と同じである。図４（ｂ）は、横軸が正面における階調で、縦軸が左右（偏光軸に平行または直交）における斜め視角（表示面法線から４５°）での階調を示すグラフである。２分割構造では、図４（ｂ）に示すように、１００／２５５階調付近に窪みが形成され、滑らかな変化が得られない。このγ特性の視角依存性を改善するためには、分割数を３以上とする必要がある。
【００６８】
次に、図５（ａ）および（ｂ）を参照して、３分割構造（３ＶＴ構造）とした場合の好ましい副画素の配列およびγ特性の視角依存性について説明する。
【００６９】
一般に、４つの液晶容量のうちの２つの液晶容量に印加する実効電圧を等しくし、他の２つの液晶容量に印加する実効電圧を互いに異ならせ、且つ、前記の２つの液晶容量に印加される実効電圧とも異ならせることによって得られる。
【００７０】
これらの関係を得る組み合わせの中でも、図５（ａ）に示す３分割構造が好ましい。図５（ａ）に示す３分割構造は、ＳＰ−Ａを構成するＣＬＣ−ＡおよびＳＰ−Ｄを構成するＣＬＣ−Ｄに印加される実効電圧は互いに等しく、ＳＰ−Ｂを構成するＣＬＣ−ＢおよびＳＰ−Ｃを構成するＣＬＣ−Ｃに印加される実効電圧は互いに異なり、かつ、ＣＬＣ−ＡおよびＣＬＣ−Ｄに印加される実効電圧とも異なるようにしている。さらに、ＣＬＣ−ＡおよびＣＬＣ−Ｄに印加される実効電圧は、ＣＬＣ−ＢおよびＣＬＣ−Ｃに印加される実行電圧の一方よりも大きく、かつ、他方よりも小さく設定されている。このように設定すると、明副画素がＳＰ−Ｃとなり、４つの副画素の内で画素の幾何学重心に最も近い副画素の一方が明副画素となるので、表示のざらつき感がさらに低下する。もちろん、ＳＰ−ＣとＳＰ−Ｂとを入れ替えても同じ効果が得られる。図５（ａ）に示した副画素配列を有する３分割構造は、図２を参照して説明した駆動方法によって実現できる。
【００７１】
３分割構造を採用すると、図５（ｂ）に示すγ特性の視角依存性が得られる。図５（ｂ）を図４（ｂ）と比較すれば明らかなように、１００／２５５階調付近の滑らかさが改善されている。なお、図５（ａ）に示した３分割構造においては、輝度の異なる副画素の面積は、明：暗：中の比であらわすと、１：１：２であった。これは各液晶容量ＣＬＣ−Ａ、Ｂ、ＣおよびＤを構成する副画素電極の面積を等しくしたからである。これに対し、図６（ａ）に示すように、中間の輝度を呈する副画素を構成するＣＬＣ−ＡおよびＤの副画素電極の面積を、明副画素および暗副画素をそれぞれ構成するＣＬＣ−ＢおよびＣの２分の１とし、副画素の面積が、明：暗：中の比で１：１：１とすると、図６（ｂ）に示すように、１００／２５５階調付近の滑らかさがさらに改善される。
【００７２】
次に、図７（ａ）および（ｂ）を参照して、４分割構造（４ＶＴ構造）とした場合の好ましい副画素の配列およびγ特性の視角依存性について説明する。
【００７３】
一般に、４分割構造は、４つの液晶容量に印加する実効電圧を等しくし、互いに異ならせることによって得られる。
【００７４】
これらの関係を得る組み合わせの中でも、図７（ａ）に示す４分割構造が好ましい。図７（ａ）に示す３分割構造は、ＣＬＣ−ＡおよびＣＬＣ−Ｄに印加される実効電圧は、ＣＬＣ−ＢおよびＣＬＣ−Ｃに印加される実効電圧の一方よりも大きく、かつ、他方よりも小さい。すなわち、ＳＰ−ＡおよびＳＰ−Ｂは最高輝度または最低輝度を呈する副画素でないことが好ましい。図７（ａ）では、ＳＰ−Ａを明副画素、ＳＰ−Ｂを暗暗副画素、ＳＰ−Ｃを明明副画素、ＳＰ−Ｄを暗副画素としているが、図３で説明したとおりＳＰ−ＢとＳＰ−Ｃとを入れ替えてもよいし、ＳＰ−ＡとＳＰ−Ｄとを入れ替えても良い。このように設定すると、４つの副画素の内で画素の幾何学重心に最も近い副画素の一方が明明副画素となるので、表示のざらつき感がさらに低下する。図７（ａ）に示した副画素配列を有する４分割構造は、図３を参照して説明した駆動方法によって実現できる。
【００７５】
４分割構造を採用すると、図７（ｂ）に示すγ特性の視角依存性が得られる。図７（ｂ）を図５（ｂ）と比較すれば明らかなように、１００／２５５階調付近の滑らかさがさらに改善されている。なお、図７（ａ）に示した４分割構造においては、輝度の異なる副画素の面積は、明明：明：暗暗：暗の比であらわすと、１：１：１：１であり、この面積比率が最も好ましい。なお、４分割構造になると、面積比によるγ特性の視角依存性にたいする影響は小さい。
【００７６】
また、上記の２分割構造および３分割構造においては、明副画素および暗副画素の液晶容量に印加される、前記Ｋｃ×Ｖａｄで決まる中間調での実効電圧差を±０．６Ｖとした例を示していたのに対し、ここでは、明明副画素および暗暗副画素の液晶容量に印加される中間調での実効電圧差を±０．７Ｖ、明副画素および暗副画素の液晶容量に印加される中間調での実効電圧差を±０．３Ｖとした例を説明した。分割数が多くなると、γ曲線がなめらかになるので、副画素間の実効電圧の差をおおきくすることが可能となり、それによって、さらにγ特性の視角依存性を改善することができる。
【００７７】
図４（ｂ）、図５（ｂ）、図６（ｂ）および図７（ｂ）において、γ特性の視角依存性を赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）ごとに示したが、青（Ｂ）の視角依存性が大きいことが分かる。これは、液晶層のリタデーション（副屈折率）の波長分散に起因する。
【００７８】
図８（ａ）および（ｂ）を参照して、この問題を解決するための方法を説明する。図８（ａ）は図４（ｂ）に対応する図であり、セルギャップ（液晶層の厚さ）をＲ画素、Ｇ画素およびＢ画素の全てについて３．４μｍとした場合の階調特性を示し、図８（ｂ）は青画素のセルギャップ（液晶層の厚さ）だけを３．０μｍとした場合のγ特性の視角依存性を示すグラフである。
【００７９】
図８（ａ）と（ｂ）との比較から明らかなように、青画素のセルギャップを３．０μｍと他の色画素のセルギャップよりも小さくすることによって、青画素のγ特性が他の色画素のγ特性に近づき、全体として、γ特性の視角依存性が改善される。ここでは、γ特性の変化がわかりやすいように、２分割構造について説明したが、青画素のセルギャップを他の色画素のセルギャップよりも小さくすることによって得られる効果は、画素の分割数に関係なく得られる。
【００８０】
図９に、図１に示した等価回路で表される画素構造を有する液晶表示装置の具体例を示す。図９には、本出願人が試作した１０８型液晶表示装置における行方に配列された３つの画素を模式的に示している。画素の配列ピッチは、行方向が４１３μｍ、列方向が１２４０μｍである。
【００８１】
この液晶表示装置は、垂直配向型の液晶層を備え、画素電極（副画素電極）に設けたスリットと、対向電極の液晶層側に設けた誘電体（樹脂）からなるリブによって、液晶分子が倒れる方向を規定するＭＶＡ型の液晶表示装置である。図１と同じ構成要素は同じ参照符号で示し、説明を省略する。
【００８２】
この液晶表示装置に、図３を参照して説明した駆動方法を適用することによって４分割構造（４ＶＴ構造）を得ることができる。４つの副画素ＳＰ−Ａ、ＳＰ−Ｂ、ＳＰ−ＣおよびＳＰ−Ｄのそれぞれにおいて、リブおよびスリットが「くの字」に複数平行に配列されており、液晶層に電圧を印加した際に、配向方向の異なる４つの液晶ドメインが各副画素領域に同じ面積で形成される。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明は大型の液晶表示装置、特に５２型を超える液晶表示装置の表示品位を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明による実施形態の液晶表示装置の１つの画素の等価回路図である。
【図２】３分割構造を得るための駆動方法を説明するための図であり、ゲート信号（Ｇａｔｅ信号）、ＣＳ信号（補助容量対向電圧）、および画素電圧（各副画素の液晶容量に印加される電圧）の波形を示す図である。
【図３】４分割構造を得るための駆動方法を説明するための図であり、ゲート信号（Ｇａｔｅ信号）、ＣＳ信号（補助容量対向電圧）、および画素電圧（各副画素の液晶容量に印加される電圧）の波形を示す図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、２分割構造（２ＶＴ構造）とした場合の好ましい副画素の配列およびγ特性の視角依存性を示す図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、３分割構造（３ＶＴ構造）とした場合の好ましい副画素の配列およびγ特性の視角依存性を示す図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）は、３分割構造（３ＶＴ構造）とした場合の他の好ましい副画素の配列およびγ特性の視角依存性を示す図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、４分割構造（４ＶＴ構造）とした場合の好ましい副画素の配列およびγ特性の視角依存性を示す図である。
【図８】（ａ）はセルギャップをＲ画素、Ｇ画素およびＢ画素の全てについて３．４μｍとした場合の階調特性を示すグラフであり、（ｂ）は青画素のセルギャップだけを３．０μｍとした場合のγ特性の視角依存性を示すグラフである。
【図９】本発明による実施形態の液晶表示装置の画素構造を模式的に示す図である。
【図１０】特許文献３に記載されている液晶表示装置２００の画素分割構造を説明するための図である。
【図１１】液晶表示装置２００の１画素分の等価回路を模式的に示す図である。
【図１２】（ａ）〜（ｆ）は、液晶表示装置２００を駆動する際の各電圧のタイミングを模式的に示す図である。
【図１３】液晶表示装置２００における副画素間の液晶層への印加電圧の関係を示す図である。
【符号の説明】
【００８５】
１０  画素
１０ａ、１０ｂ  副画素
１２  走査線（ゲートバスライン）
１４ａ、１４ｂ  信号線（ソースバスライン）
１６ａ、１６ｂ  ＴＦＴ
１８ａ、１８ｂ  副画素電極
２００  液晶表示装置
Ｐ  画素
ＳＰ−Ａ、ＳＰ−Ｂ、ＳＰ−Ｃ、ＳＰ−Ｄ  副画素
【図１】
2008158286.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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