(57)【要約】【課題】金属スペーサを用いて金属配線の特性向上及びオーバラップマージンを改善できる多層金属配線の形成方法を提供する。【解決手段】下層上に第１金属配線を形成する段階、前記第１金属配線を含む下層上に第１絶縁膜を形成する段階、前記第１絶縁膜をエッチングして前記第１金属配線の高さより低いように段差を形成する段階、前記第１絶縁膜上の第１金属配線の側壁に金属スペーサを形成する段階、前記金属スペーサを含む下層上に平坦化膜を形成する段階、前記平坦化膜をエッチングして前記第１金属配線が露出するようにコンタクト孔を形成する段階、及び、前記コンタクト孔を介して第１金属配線とコンタクトする第２金属配線を形成する段階を備えることを特徴とする。【選択図】図２６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下層上に第１金属配線を形成する段階、前記第１金属配線を含む下層上に第１絶縁膜を形成する段階、前記第１絶縁膜をエッチングして前記第１金属配線の高さより低いように段差を形成する段階、前記第１絶縁膜上の第１金属配線の側壁に金属スペーサを形成する段階、前記金属スペーサを含む下層上に平坦化膜を形成する段階；前記平坦化膜をエッチングして前記第１金属配線が露出するようにコンタクト孔を形成する段階、及び、前記コンタクト孔を介して第１金属配線とコンタクトする第２金属配線を形成する段階を備えることを特徴とする半導体装置の多層金属配線の形成方法。
【請求項２】
前記第１絶縁膜はウェットエッチング工程によってエッチングすることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の多層金属配線の形成方法。
【請求項３】
前記第１絶縁膜はドライエッチング工程によってエッチングすることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の多層金属配線の形成方法。
【請求項４】
前記第１絶縁膜のドライエッチング工程時、第１金属配線とのエッチング選択比を高める為にフレオンガスを用いるか、或いはＣＯ、Ｏ２、Ａｒ、Ｈｅ等の希釈ガスを混合して用いることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の多層金属配線の形成方法。
【請求項５】
前記第１絶縁膜として低温のＰＥＣＶＤ酸化膜が用いられることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の多層金属配線の形成方法。
【請求項６】
前記第１絶縁膜としてシリコンを多量含有した酸化膜が用いられることを特徴とする、請求項５記載の半導体装置の多層金属配線の形成方法。
【請求項７】
前記第１絶縁膜としてＭＯＣＶＤ酸化膜が用いられることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置の多層金属配線の形成方法。
【請求項８】
前記平坦化膜の形成工程は、下層上に平坦化特性の優秀な第２絶縁膜を形成する段階、及び、前記第２絶縁膜上に第３絶縁膜を形成する段階を備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の多層金属配線の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の多層金属配線の形成方法に関し、詳しくは、金属スペーサを用いて金属配線の特性向上及びオーバラップマージンを改善できる多層金属配線の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の高集積化に伴う微細パターン形成時に、線幅が低減するにつれてオーバラップマージンの確保が重要になっている。
【０００３】
図１乃至図６は従来の半導体装置の多層金属配線の形成方法を説明するための工程断面図である。
【０００４】
図１を参照して、第１金属配線膜１２が形成された基板または絶縁膜の様な下層１１上に絶縁膜１３を形成後、前記第１金属配線膜１２が露出するように前記絶縁膜１３をエッチングして、金属プラグが形成されるコンタクト孔１３’を形成する。
【０００５】
コンタクト孔１３’を形成後、図２に示すように、前記コンタクト孔１３’が埋め込まれるようにプラグ用金属膜１４を蒸着し、図３に示すように、前記プラグ用金属膜１４を化学的・機械的研磨法（ＣＭＰ）を用いてエッチングしてプラグ１４’を形成する。
【０００６】
次いで、図４に示すように、金属プラグ１４’を形成後、電気伝導度の高いアルミニウムの様な第２金属配線用金属膜１５を基板全面に渡って蒸着する。図５に示すように、第２金属配線用金属膜１５上に感光膜１６を塗布してからパターニングし、前記パターニングした感光膜１６をマスクとして前記第２金属配線用金属膜１５をエッチングすると、図６に示すような第２金属配線１７が形成される。
【０００７】
図７乃至図１０は従来における、半導体装置の多層金属配線の、他の形成方法を説明するための工程断面図である。
【０００８】
先ず、図７に示すように、基板または絶縁膜の様な下層２１上に第１金属配線２２を形成し、図８に示すように、金属配線のための絶縁工程を行う。すなわち、ステップカバリージと絶縁特性の優秀な第１絶縁膜２３を前記第１金属配線２２を含む下層２１上に形成する。第１絶縁膜２３上に平坦化の容易な第２絶縁膜２４を蒸着後、最終的に第３絶縁膜２５を蒸着する。
【０００９】
続いて、図９に示すように、第３絶縁膜２５上に感光膜２６を形成後、図１０に示すように、これをマスクとして前記第１絶縁膜２３乃至第３絶縁膜２５をエッチングして、前記第１金属配線２２が露出すようにコンタクト孔を形成する。前記コンタクト孔を介して前記第１金属配線２２とコンタクトする第２金属配線２７を形成する。
【特許文献１】特開平８−３７２３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、前記従来の半導体装置の多層金属配線の形成方法は、次のような問題点がある。すなわち、図１〜図６に示す、金属プラグを用いる方法は、第２金属配線を形成するためのエッチング工程後、図６に示すＲ部分のように金属ストリンガ（ＳＴＲＩＮＧＥＲ）が、チップ（ｔｉｐ）形状に形成されて素子の特性を低下させるだけでなく、欠陥の要因となって、生産歩留まりを低下させる。
【００１１】
また、上記の方法は、下層に形成された第１金属配線と絶縁膜上に形成された第２金属配線との間にパターン重畳度のマージンが低下し、パターンサイズが低減されるほど工程余裕度が小さくなり、生産歩留まり及び素子特性が低下する。
【００１２】
一方、図７〜図１０に示す他の従来の方法においては、素子の高集積化に伴い、金属配線のラインとスペースが小さくなることで、金属配線の絶縁のための絶縁膜の形成工程時に、図１１（ａ）に示すボイド２８が発生する。このようなボイド２８は、後続の熱処理工程時、絶縁膜の持上げ現象によって素子の致命的な欠陥を誘発する。
【００１３】
また、上記の方法は、コンタクト孔を形成するための写真エッチング工程時、ミスアライメントが発生すれば、この感光膜をマスクとするコンタクト孔を形成してから第２金属配線を形成する時、図１１（ｂ）に示すようにオーバラップマージンが低下し、これにより素子の電気特性が低下する。さらに、感光膜を形成するための工程マージンがないため量産性が低下する。
【００１４】
本発明は前記問題を解決するためになされたものであって、金属スペーサを用いてオーバラップマージン及び金属配線の特性を向上できる金属プラグを備える半導体装置の多層金属配線の形成方法を提供することにその目的がある。
【００１５】
また、他の目的は、金属スペーサを用いて金属絶縁膜の平坦化を向上させ、ボイドの発生を防止できると共に、充分な工程マージンを確保できる半導体装置の多層金属配線の形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的を達成するために、本発明は、下層上に第１金属配線を形成する段階；前記第１金属配線を含む下層上に第１絶縁膜を形成する段階；前記第１絶縁膜をエッチングして前記第１金属配線の高さより低いように段差を形成する段階；前記第１絶縁膜上の第１金属配線の側壁に金属スペーサを形成する段階；前記金属スペーサを含む下異部層上に平坦化膜を形成する段階；前記平坦化膜をエッチングして前記第１金属配線が露出するようにコンタクト孔を形成する段階；及び前記コンタクト孔を介して第１金属配線とコンタクトする第２金属配線を形成する段階を備えることを特徴とする。
【００１７】
前記第１絶縁膜はウェットエッチング工程またはドライエッチング工程によってエッチングされる。前記絶縁膜のドライエッチング工程時、第１金属配線とのエッチング選択比を高める為にフレオンガスを用いるか、或いはＣＯ、Ｏ２、Ａｒ、Ｈｅ等の希釈ガスを混合して用いる。
【００１８】
前記第１絶縁膜としては、低温のＰＥＣＶＤ酸化膜として、シリコンを多量含有した酸化膜か、或いはＭＯＣＶＤ酸化膜が用いられる。
【００１９】
前記平坦化膜の形成工程は、下層上に平坦化特性の優秀な第２絶縁膜を形成する段階；及び前記第２絶縁膜上に第３絶縁膜を形成する段階を備える。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の半導体装置の多層金属配線の形成方法によれば、第１金属配線またはプラグの側壁に金属スペーサを形成後、第２金属配線を形成することにより、配線間の充分なオーバラップマージンを確保でき、これにより素子の配線特性を向上できる利点がある。
【００２１】
また、金属スペーサ形成後の平坦化工程を容易に行うことができ、ボイドの発生を防止して歩留まりを向上できる利点がある。
【００２２】
しかも、金属スペーサの形成によって充分な工程マージンを確保できるので、歩留まりを向上でき、かつ、高集積素子を容易に製作できるという様々な優れた利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付図面に基づき、本発明の好適実施例を詳細に説明する。図１２乃至図１９は本発明の一実施例による半導体装置の多層金属配線を形成するための工程断面図である。
【００２４】
図１２を参照して、第１金属配線３２が形成された基板または絶縁膜の様な下層３１上に絶縁膜３３を形成後、前記第１金属配線３２が露出するように前記絶縁膜３３をエッチングして、金属プラグの形成されるコンタクト孔３３’を形成する。
【００２５】
前記コンタクト孔３３’を形成後、図１３に示すように、前記コンタクト孔３３’が埋め込まれるようにプラグ用金属膜３４としてステップカバリージの良いタングステン膜を蒸着し、図１４に示すように、前記プラグ用金属膜３４を化学的・機械的研磨法（ＣＭＰ）を用いてエッチングしてプラグ３４’を形成する。
【００２６】
次いで、図１５に示すように金属プラグ３４’を形成後、酸化膜ターゲットエッチング、則ちブランケットエッチングを行い、前記プラグ３４’の高さより低くなるように前記絶縁膜３３をエッチングする。このとき、エッチングする絶縁膜の厚さによって第１金属配線３２と後続の第２金属配線の接触面の面積が調整される。
【００２７】
図１６に示す様に、金属スペーサ用金属膜３５を下層上に蒸着後、ブランケットエッチングして前記絶縁膜３３上のプラグ３４’の側壁にスペーサ３６を図１７に示す様に形成する。前記スペーサの大きさは蒸着されるスペーサ用金属膜３５の厚さによって調整可能である。続いて、図１８に示すように、電気伝導度の高いアルミニウムの様な第２金属配線用金属膜３７を基板全面に渡って蒸着し、この第２金属配線用金属膜３７上に感光膜３８を塗布してからパターニングし、前記パターニングした感光膜３８をマスクとして前記金属膜３７をエッチングすると、図１９に示すような第２金属配線３９が形成される。このとき、プラグ３４’と第２金属配線３９の金属膜との間のエッチング選択比を調整して、不要なスペーサ、すなわちプラグ３４’と第２金属配線３９とオーバーラップされない部分の絶縁膜３３上のプラグの側壁に形成されたスペーサを除去する。
【００２８】
前記のような本発明の一実施例による半導体装置の多層金属配線の形成方法によれば、金属プラグの側壁に金属スペーサを形成することで、第２金属配線とプラグの接触面積が増加して接触抵抗が減少する。これにより、従来の第２金属配線のためのエッチング工程後、金属ストリンガの残存問題が解決され、これにより素子の特性を改善でき、第２金属配線とプラグとの間のオーバラップマージンを向上させることができる。
【００２９】
図２０乃至図２３は、本発明の他の実施例による半導体装置の多層金属配線の形成方法を説明するための工程断面図である。
【００３０】
図２０に示すように、基板または絶縁膜の様な下層４１上に第１金属配線用金属膜を蒸着後、エッチングして第１金属配線４２を形成し、図２１に示すように金属配線の絶縁のために、基板全面に渡り、ステップカバリージが良く、絶縁特性が優秀な絶縁膜、例えば低温（３００−５００℃）のＰＥＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）酸化膜であるシリコンを多量含有した酸化膜（Ｓｉ−ｒｉｃｈ  ｏｘｉｄｅ）を第１絶縁膜４３に蒸着する。前記第１絶縁膜４３としてＭＯＣＶＤ（ｍｅｔａｌ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いた酸化膜が用いられる。
【００３１】
図２２に示すように、前記絶縁膜４３をドライまたはウェットエッチング工程によってエッチングする。このとき、前記絶縁膜４３は、前記第１金属配線４２と段差が生ずるように、前記第１金属配線４２の高さより低くエッチングする。前記絶縁膜４３を感光膜なしにドライエッチングすることができ、かつ感光膜を用いたドライエッチング工程によってエッチングすることもできる。前記絶縁膜４３のドライエッチング時、前記第１金属配線４２及び絶縁膜４３間のエッチング選択比を向上させる為に、フレオンガス（ＣＨＦ３、ＣＦ４、ＣＨ３Ｆ、Ｃ２Ｆ６）を用いるか、或いはＣＯ、Ｏ２、Ａｒ、Ｈｅなどの希釈ガスと混合して用いる。
【００３２】
図２３に示すように、金属スペーサ４４を基板全面に渡って蒸着した後、図２４に示すように、金属スペーサ４４と前記絶縁膜４３のエッチング選択比を用いたドライエッチング工程により、前記絶縁膜４３上の前記第１金属配線４２の側壁に金属スペーサ４４を形成する。
【００３３】
図２５に示すように、金属スペーサ４４を形成後、平坦化のために平坦化特性の優秀な第２絶縁膜４５を基板全面に渡って形成した後、その上に第３絶縁膜４６を形成して基板表面を平坦化する。
【００３４】
続いて、第３絶縁膜４６上に感光膜４７を形成後、その下の第２絶縁膜４５と第３絶縁膜４６をエッチングして、図２６に示すようなコンタクト孔を形成する。このコンタクト孔を形成後、コンタクト孔を介して前記第１金属配線４２とコンタクトされる第２金属配線４８を形成する。
【００３５】
前記のように、本発明の他の実施例による半導体装置の多層金属配線の形成方法によれば、前記第１絶縁膜を蒸着後、前記第１金属配線と段差が生ずるようにエッチングすることで、後続の平坦化工程が容易となり、かつボイドの発生を防止できる。
【００３６】
また、前記絶縁膜上の第１金属配線の側壁に金属スペーサを形成することで、コンタクト孔の形成時、ミスアライメントが発生しても金属スペーサを介して第１金属配線４２と第２金属配線４８が相互コンタクトされることが分かる。これにより、前記コンタクト孔の形成のための感光膜の形成工程時に、工程マージンを確保することができる。
【００３７】
尚、本発明は、本実施例に限られるものではない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】従来における半導体装置の多層配線形成工程を説明するための断面図である。
【図２】従来における半導体装置の多層配線形成工程を説明するための断面図である。
【図３】従来における半導体装置の多層配線形成工程を説明するための断面図である。
【図４】従来における半導体装置の多層配線形成工程を説明するための断面図である。
【図５】従来における半導体装置の多層配線形成工程を説明するための断面図である。
【図６】従来における半導体装置の多層配線形成工程を説明するための断面図である。
【図７】従来における、他の半導体装置の多層配線形成工程を説明するための断面図である。
【図８】従来における、他の半導体装置の多層配線形成工程を説明するための断面図である。
【図９】従来における、他の半導体装置の多層配線形成工程を説明するための断面図である。
【図１０】従来における、他の半導体装置の多層配線形成工程を説明するための断面図である。
【図１１】（ａ）（ｂ）は、従来における半導体装置の多層配線の形成時に発生するボイド及びミスアライメントを説明するための図である。
【図１２】本発明の一実施例による半導体装置の多層配線の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図１３】本発明の一実施例による半導体装置の多層配線の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図１４】本発明の一実施例による半導体装置の多層配線の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図１５】本発明の一実施例による半導体装置の多層配線の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図１６】本発明の一実施例による半導体装置の多層配線の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図１７】本発明の一実施例による半導体装置の多層配線の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図１８】本発明の一実施例による半導体装置の多層配線の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図１９】本発明の一実施例による半導体装置の多層配線の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図２０】本発明の他の実施例による半導体装置の多層配線の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図２１】本発明の他の実施例による半導体装置の多層配線の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図２２】本発明の他の実施例による半導体装置の多層配線の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図２３】本発明の他の実施例による半導体装置の多層配線の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図２４】本発明の他の実施例による半導体装置の多層配線の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図２５】本発明の他の実施例による半導体装置の多層配線の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図２６】本発明の他の実施例による半導体装置の多層配線の形成方法を説明するための工程断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
３１、４１  下層
３２、４２  第１金属配線
３３、４３、４５、４６  絶縁膜
３３’  コンタクト孔
３４、３７  金属膜
３４’  プラグ
３５  スペーサ用金属膜
３６  スペーサ
３８、４７  感光膜
３９、４８  第２金属配線
４４  金属スペーサ
【図１】
2008042219.tif 000003
【図２】
2008042219.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2008042219.tif 000015
【図１４】
2008042219.tif 000016
【図１５】
2008042219.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
2008042219.tif 000019
【図１８】
2008042219.tif 000020
【図１９】
2008042219.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
2008042219.tif 000023
【図２２】
2008042219.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
2008042219.tif 000026
【図２５】
2008042219.tif 000027
【図２６】
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