(57)【要約】【課題】第１版上に均一な膜厚の導電性薄膜を形成することが可能なパターン形成方法および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置を提供する。【解決手段】第１版１０上に、脂肪酸または脂肪族アミンにて表面修飾された導電性粒子と溶媒とを含む液組成物を塗布することで、導電性膜Ｄを形成する第１工程と、表面側に凹凸パターンを有する第２版２０を、第１版１０の導電性膜Ｄの形成面側に押圧し、第２版２０の凸部２０ａの頂面に、導電性膜の不要なパターン（第１のパターン）を転写して除去することで、第１版１０上に導電性パターンＤ’（第２のパターン）を形成する第２工程と、第１版１０の導電性パターンＤ’の形成面側を、被転写基板の表面に押圧することで、被転写基板の表面に導電性パターンＤ’を転写する第３工程とを有することを特徴とするパターン形成方法および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置である。【選択図】図１
2008270245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１版上に、脂肪酸または脂肪族アミンにて表面修飾された導電性粒子と有機溶剤とを含む液組成物を塗布することで、導電性膜を形成する第１工程と、
表面側に凹凸パターンを有する第２版を、前記第１版の前記導電性膜の形成面側に押圧し、当該第２版の凸部の頂面に、前記導電性膜の第１のパターンを転写して除去することで、前記第１版上に当該第１のパターンを反転させた第２のパターンを形成する第２工程と、
前記第１版の前記第２のパターンの形成面側を、被転写基板の表面に押圧することで、当該被転写基板の表面に前記第２のパターンを転写する第３工程とを有する
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１記載のパターン形成方法において、
前記導電性粒子は銀ナノ粒子である
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
請求項１記載のパターン形成方法において、
前記導電性粒子はオレイン酸にて表面修飾されている
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
請求項１記載のパターン形成方法において、
前記有機溶剤は非極性溶剤である
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項５】
基板上に、ソース・ドレイン電極、ゲート絶縁膜およびゲート電極がこの順またはこれと逆の順に積層され、ソース・ドレイン電極の上層側または下層側に半導体層を備えた半導体装置の製造方法において、
前記ソース・ドレイン電極または前記ゲート電極を形成する工程では、
第１版上に、脂肪酸または脂肪族アミンにて表面修飾された導電性粒子と有機溶剤とを含む液組成物を塗布することで、導電性膜を形成する第１工程と、
表面側に凹凸パターンを有する第２版を、前記第１版の前記導電性膜の形成面側に押圧し、当該第２版の凸部の頂面に、前記導電性膜の第１のパターンを転写して除去することで、前記第１版上に当該第１のパターンを反転させた第２のパターンを形成する第２工程と、
前記第１版の前記第２のパターンの形成面側を下地層の表面に押圧し、当該下地層の表面に前記第２のパターンを転写することで、前記ソース・ドレイン電極または前記ゲート電極を形成する第３工程とを行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
基板上に、ソース・ドレイン電極、ゲート絶縁膜およびゲート電極がこの順またはこれと逆の順に積層され、ソース・ドレイン電極の上層側または下層側に半導体層を備えた半導体装置において、
前記ソース・ドレイン電極または前記ゲート電極は、
第１版上に、脂肪酸または脂肪族アミンにて表面修飾された導電性粒子と有機溶剤とを含む液組成物を塗布することで、導電性膜を形成する第１工程と、
表面側に凹凸パターンを有する第２版を、前記第１版の前記導電性膜の形成面側に押圧し、当該第２版の凸部の頂面に、前記導電性膜の第１のパターンを転写して除去することで、前記第１版上に当該第１のパターンを反転させた第２のパターンを形成する第２工程と、
前記第１版の前記第２のパターンの形成面側を下地層の表面に押圧し、当該下地層の表面に前記第２のパターンを転写する第３工程とを行うことにより形成される
ことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置に関し、特には、導電性パターンの形成方法およびこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法ならびに薄膜トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示ディスプレイ等の画像表示装置の分野において、回路形成のために多種の導電性材料が使用されている。近年、これらの用途では、高密度化、高精細化がすすみ、導電性材料を含め配線形成方法にも高い解像度性や信頼性が求められている。
【０００３】
従来、電気・電子部品に装着される電極基板の分野において、高い解像度性を必要とする場合には、主として、フォトリソグラフィー法により、所定基板上に回路パターンを形成することが多く採用されている。
【０００４】
フォトリソグラフィー法を用いた回路パターンの形成は、基板上にスパッタリング法等で導電性膜を形成し、導電性膜上にレジスト材料（感光性樹脂）を成膜し、露光・現像を行いレジストパターンを形成した後、このレジストパターンをマスクに用いたエッチングにより、レジストパターンから露出された不要な部分の導電性膜を除去する。その後、レジストパターンを除去することで、所望の回路パターンを形成する。上記フォトリソグラフィー法によれば、非常に微細な回路パターンを高解像度で形成することが可能となる。
【０００５】
しかしながら工程数が非常に多く煩雑であるだけでなく、露光、現像、乾燥等を遂行する一連のフォトリソグラフィー工程は、設備の精度や環境管理が非常に高度なものとなり、大規模なものとなりうる。
【０００６】
また、スパッタリング法により導電性膜を形成する場合には、成膜条件として高温処理が必要であることから、基板に対する熱負担が非常に大きくなり、当然基板の熱膨張や熱による劣化が発生することになる。このため、フォトリソグラフィー法により基板上に回路パターンを形成する場合には、基板の選択が非常に制約される状況になっている。また、上記エッチング工程において、ウェットエッチングを行う場合には、エッチング液に基板が浸漬されるため、基板や金属膜の下地層等、前工程にて作製された箇所へダメージを与えることにつながってしまう。
【０００７】
そこで、フォトリソグラフィー法を用いずに微細なパターンを形成する方法として、表面がシリコーンゴムにて被覆されたブランケットとよばれる第１版の表面に、インキ（樹脂）を全面塗布して薄膜を形成した後、表面側に凹凸パターンを有する第２版を、第１版の薄膜形成面側に押圧することで、第２版の凸部の頂面に上記薄膜の不要なパターンを転写して除去し、第１版の表面に残存した薄膜パターン（樹脂パターン）を被転写基板上に転写する印刷法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
また、金属粒子と水性溶媒と水溶性樹脂とを含む導電性インク組成物を用いて、上記特許文献１に記載された印刷法により、導電性パターンを形成する方法が開示されている（
例えば、特許文献２参照）
【０００９】
ここで、上記印刷法を、半導体装置の回路パターンの形成に適用する場合には、電子機器の薄型化にともない、回路パターンの厚みは薄い方が好ましいことから、５００ｎｍ以下の膜厚の上記回路パターンを形成する必要がある。このため、上記第１版上に塗布成膜される導電性膜自体を薄膜化することが要求されている。
【００１０】
【特許文献１】特開平１１−５８９２１号公報
【特許文献２】特開２００６−２７８８４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、特許文献１に記載された印刷法を回路パターンの形成に適用する場合には、樹脂中に金属粒子を分散させるため、液粘度が上昇してしまい、オフセット印刷法に適切な粘度（５０ｃｐｓ〜５００ｃｐｓ）に調整することが困難になる。このため、導電性膜を薄く形成することは難しい。また、第１版の表面を構成するシリコーンゴムは、一般的に撥液性を呈することから、第１版上の全面に樹脂を全面に均一に塗布することが難しく、また、樹脂の乾燥性が悪いと、被転写基板への転写性が悪くなる、という問題がある。
【００１２】
また、特許文献２に記載された印刷法では、上述したように、撥液性を呈するシリコーンゴムからなる第１版上に、水性溶媒を含む導電性インク組成物を塗布しても撥液されてしまい、均一な膜厚の導電性膜を形成することは難しい。このため、微細で精密な導電性パターンを安定して形成することが難しい、という問題がある。
【００１３】
上述したような課題を解決するために、本発明は、第１版上に均一な膜厚の導電性薄膜を形成することが可能なパターン形成方法および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述したような目的を達成するために、本発明のパターン形成方法は、次のような工程を順次行うものである。まず、第１工程では、第１版上に、脂肪酸または脂肪族アミンにて表面修飾された導電性粒子と有機溶剤とを含む液組成物を塗布することで、導電性膜を形成する工程を行う。次に、第２工程では、表面側に凹凸パターンを有する第２版を、上記第１版の導電性膜の形成面側に押圧し、第２版の凸部の頂面に、導電性膜の第１のパターンを転写して除去することで、第１版上に第１のパターンを反転させた第２のパターンを形成する工程を行う。第３工程では、第１版の第２のパターンの形成面側を、被転写基板の表面に押圧することで、被転写基板の表面に第２のパターンを転写する工程を行うことを特徴としている。
【００１５】
このようなパターン形成方法によれば、脂肪酸または脂肪族アミンにて表面修飾された導電性粒子と有機溶剤とを含む液組成物を用いることで、表面修飾された導電性粒子の有機溶剤への分散性が高くなる。このような液組成物を用いたパターン形成方法によれば、上記導電性粒子の分散安定性を確保するためのバインダーを添加しなくてもよく、液組成物の低粘度化が図れる。これにより、第１版上に均一な膜厚の導電性薄膜が形成される。よって、被転写基板の表面に微細で精密な膜厚の薄い導電性パターンを安定して形成することが可能となる。
【００１６】
また、本発明における半導体装置の製造方法およびこの製造方法により得られる半導体装置は、上述したパターン形成方法を半導体装置のソース・ドレイン電極またはゲート電極の形成方法に適用したことを特徴としている。このような半導体装置の製造方法および半導体装置によれば、第１版上に均一な膜厚の導電性薄膜が形成されることで、微細で精密な膜厚の薄いソース・ドレイン電極またはゲート電極を安定して形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
以上、説明したように、本発明のパターン形成方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法ならびに半導体装置によれば、被転写基板の表面に微細で精密な膜厚の薄い導電性パターンを安定して形成することができることから、印刷法により、半導体装置の微細な電極パターンを形成することができ、半導体装置の製造工程を簡略化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１９】
本発明のパターン形成法に係わる実施の形態の一例を、ボトムゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタからなる半導体装置の製造方法を例にとり、図１の製造工程断面図によって説明する。本実施形態においては、上記薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極の形成に本発明のパターン形成方法を適用する。
【００２０】
図１（ａ）に示すように、ブランケットとなる第１版１０は、ガラス基板１１とガラス基板１１上に設けられた例えばポリジメチルシラン（ＰＤＭＳ）層１２とを備えた平版で構成されている。この第１版１０は、例えばスピンコート法により、ガラス基板１１上にＰＤＭＳを塗布した後、加熱処理によりＰＤＭＳを硬化することで、作製され、ＰＤＭＳ層１２は、表面側が平坦に設けられている。
【００２１】
そして、本発明の特徴的な構成として、図１（ｂ）に示すように、例えばキャップコーティング法により、上記第１版１０上に、脂肪酸または脂肪族アミンにて表面修飾された導電性粒子と有機溶剤とを含む液組成物を塗布することで、導電性膜Ｄを形成する。ここで、脂肪酸または脂肪族アミンにて表面修飾された導電性粒子を含む液組成物は、有機溶剤への分散性が非常に高く、室温で放置しても１〜数週間の期間において、導電性粒子の沈降は確認されない。これにより、量産時における材料保管の観点からも十分な保存安定性が確保できる。また、有機溶剤への分散性が高いことで、従来から用いられてきた分散安定性を確保するための樹脂成分からなるバインダーを添加しなくてもよくなることから、液組成物の低粘度化を図ることができる。
【００２２】
ここで、背景技術で説明したように、薄膜トランジスタ等の半導体装置の回路パターン（配線パターン）を形成する場合には、回路パターンの膜厚が５００ｎｍ以下であることが要求されるが、このためには、第１版１０上に、導電性膜Ｄを乾燥膜厚５００ｎｍ以下となるように形成する必要がある。この膜厚はwetな状態では上記導電性粒子の濃度で規定され、例えば上記導電性粒子の濃度が１０ｗｔ％の場合には５ｕｍ以下の均一な膜厚で形成する。この場合、上記液組成物の粘度は、３０ｍＰａｓ以下であることが好ましく、粘度の下限値としては０．８ｍＰａｓ程度となる。なお、この下限値は使用する溶媒の粘度値によって規定される。
【００２３】
ここで、上記導電性粒子としては、金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケル、およびこれらの混合物を例示することができる。特に、導電性粒子として、銀ナノ粒子を用いることで、他の金属粒子を用いた場合よりも焼成温度を低くすることができるため、好ましい。上記導電性粒子としては、所謂、乾式法または湿式法のどちらで作成したものを用いてもよい。また、粒子径としては、５０ｎｍ以下、好ましくは１〜２０ｎｍ程度ものを好適に使用することができる。
【００２４】
また、上記導電性粒子を表面修飾する脂肪酸または脂肪族アミンとしては、炭素数１１〜２１までの化合物が分散安定性が高く、２５０℃以下での焼結にて導電性を示すこと、また材料入手が容易であること等の理由により、飽和脂肪族、不飽和脂肪族を問わず好適に用いられる。脂肪酸としては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、オレイン酸、ステアリン酸を用いることができ、脂肪族アミンとしては、例えば、炭素数が上記範囲の１級アミン、２級アミン、３級アミン、ジアミンまたはアミド化合物等のアミン誘導体を用いることができる。上記脂肪族アミンの具体例としては、オレイルアミンやステアリン酸アミドが挙げられる。
【００２５】
また、この導電性粒子を脂肪酸または脂肪族アミンにて表面修飾する方法としては、一般的に例示されている方法を適宜使用することが可能である。銀粒子を用いての具体例をここに記載すると、テトラヒドロキシフラン（ＴＨＦ）などの有機溶剤中に銀ナノ粒子を混合し、ヒドラジン化合物などの還元剤を添加、続いて所望の脂肪酸および脂肪族アミンを適量添加、加熱処理することで銀粒子表面に脂肪酸および脂肪族アミンを付着させる。
【００２６】
また、上記表面修飾された導電性粒子は、液組成物中に０．１ｗｔ％〜８０ｗｔ％、好ましくは５ｗｔ％〜２０ｗｔ％の割合で含有される。
【００２７】
そして、上述した中でもオレイン酸により表面修飾された銀ナノ粒子を含む液組成物を用いることで、第１版１０上に導電性膜Ｄを５００ｎｍ以下の均一な膜厚で形成することができ、また、後工程で行う、第２版への導電性膜Ｄの不要な転写を精度良く確実に行うことができるため、好ましい。
【００２８】
また、上記表面修飾された導電性粒子を分散させる有機溶剤は、１種で用いても、２種以上の溶剤を必要に応じて混合して使用しても構わない。有機溶剤の中でも、特に、非極性溶剤は、液組成物中の導電性粒子の分散安定性を維持できるため、好ましく使用される。具体例を列挙すると、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、イソペンタン、イソヘキサン、イソオクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロペンタン等の炭化水素系溶剤が挙げられる。またトルエン、キシレン、メシチレンなどの芳香族系溶剤も好ましく使用することができる。また、有機溶剤を１種で用いる場合には、５０℃以上１５０℃以下の沸点を有する有機溶剤を用いることが好ましい。このような有機溶剤としては、８０．７℃の沸点を有するシクロヘキサンと、９８℃の沸点を有するヘプタンと、１１０．６℃の沸点を有するトルエンを用いることができる。
【００２９】
非極性溶剤の他に用いられる有機溶剤としては、エステル系溶剤、アルコ−ル系溶剤、ケトン系溶剤などを印刷性に応じて使用することが可能である。例えば、エステル系溶剤として、酢酸メチル、酢酸エチル、プロピオン酸エチル等が挙げられる。アルコ−ル系溶剤として、エタノ−ル、プロパノ−ル、イソプロパノ−ル等が挙げられる。ケトン系溶剤として、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等を列挙することができる。これらの溶剤は印刷性に好適に機能する。
【００３０】
上述したような液組成物の第１版１０上への塗布法としては、上記キャップコーティング法以外に、ロールコーティング法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、カーテンフローコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、グラビアコーティング法、エアナイフコーティング法、ドクターブレードコーティング法、スクリーンコーティング法、ダイコーティング法等を挙げることができる。塗布法については、ロール状、平版状等の第１版１０の形状に合わせて選択することが望ましい。上述した中でも、特にキャップコーティング法は、塗布特性に優れているため、好ましい。
【００３１】
次いで、図１（ｃ）に示すように、表面側に凹凸パターンを有する例えばガラス版からなる第２版２０を、上記第１版１０の導電性膜Ｄの形成面側に押圧する。上記凹凸パターンは、凸パターンが後述する導電性パターンの反転パターンとなるように形成される。この第２版２０の凹凸パターンを通常のフォトリソグラフィー技術を用いたエッチングにより形成することで、微細で精密な凹凸パターンを形成することができる。
【００３２】
ここで、第１版１０の表面よりも第２版２０の凸部２０ａの頂面の方が導電性膜Ｄとの密着性が高くなるように、第２版２０の表面は第１版１０の表面よりも表面張力が低い材質で構成される。これにより、図１（ｄ）に示すように、第２版２０を第１版１０の導電性膜Ｄの形成面側に押圧することで、凸部２０ａの頂面に導電性膜Ｄ（前記図１（ｃ）参照）の不要なパターン（第１のパターン）が転写され、第１版１０上に導電性パターンＤ’（第２のパターン）が形成される。この導電性パターンＤ’は上記凸部２０ａの頂面に転写されるパターンを反転させた形状となる。なお、凸部２０ａの頂面に転写された導電性膜Ｄのパターンは回収して再利用されることとする。
【００３３】
続いて、図２（ｅ）に示すように、第１版１０の導電性パターンＤ’の形成面側を、被転写基板３０の被転写面に押圧する。ここで、被転写基板３０は、シリコン基板からなる基板３１上にポリビニルフェノール（ＰＶＰ）からなる絶縁膜３２が設けられた構成となっている。このため、絶縁膜３２の表面３２ａが被転写面となる。ここでは、シリコン基板からなる基板３１に不純物イオンがハイドープされることで、基板３１がゲート電極を兼ねており、その上層に設けられた絶縁膜３２はゲート絶縁膜として構成されることとする。
【００３４】
ここで、第２版２０の凸部２０ａの頂面よりも被転写面となる絶縁膜３２の表面３２ａが導電性パターンＤ’との密着性が高くなるように、絶縁膜３２は、第２版２０よりも表面張力が低い材質で構成される。これにより、第１版１０の導電性パターンＤ’の形成面側を、被転写基板３０の被転写面に押圧することで、図２（ｆ）に示すように、導電性パターンＤ’が絶縁膜３２の表面３２ａに転写される。この導電性パターンＤ’はソース・ドレイン電極３３となる。
【００３５】
これにより、印刷法によって、ソース・ドレイン電極３３が形成されるため、フォトリソグラフィー法により絶縁膜３２上に形成された導電性膜をパターニングしてソース・ドレイン電極３３を形成する場合と比較して、エッチングやレジストパターンの残存による絶縁膜３２の表面の荒れが防止される。よって、絶縁膜３２と半導体層３４との界面特性が向上し、トランジスタ特性を向上させることができる。
【００３６】
その後、例えばオーブンにて、加熱し、上記導電性パターンＤ’を焼結する。ここで、焼結後の導電性パターンＤ’の膜厚は、５００ｎｍ以下となる。この導電性パターンＤ’は、樹脂組成物等のバインダーが含有された液組成物を用いて形成された場合と比較して、コンタクト抵抗が低くなることが確認されている。また、焼結後の導電性パターンＤ’には、銀ナノ粒子に結合していたオレイン酸が残存するが、このオレイン酸の残存によってもコンタクト抵抗が低くなることが確認されている。
【００３７】
この後の工程は、通常の薄膜トランジスタの製造工程と同様に行う。すなわち、図２（ｇ）に示すように、例えばスピンコート法により、導電性パターンＤ’からなるソース・ドレイン電極３３を覆う状態で、絶縁膜３２上に、例えばトリイソプロピルシリルエチニルペンタセンからなる半導体層３４を形成する。
【００３８】
以上のようにして、基板（ゲート電極）３１上に、絶縁膜（ゲート絶縁膜）３２、ソース・ドレイン電極３３および半導体層３４がこの順に積層されたボトムゲート・ボトムトランジスタ型の薄膜トランジスタが製造される。
【００３９】
このようなパターン形成方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法ならびに半導体装置によれば、脂肪酸または脂肪族アミンにて表面修飾された導電性粒子と有機溶剤とを含む液組成物を用いることで、第１版１０上に均一な薄い膜厚の導電性膜Ｄが形成される。よって、被転写基板の表面に微細で精密な膜厚の薄い導電性パターンＤ’を安定して形成することが可能となる。したがって、印刷法により、半導体装置の微細なソース・ドレイン電極を形成することができ、半導体装置の製造工程を簡略化することができる。
【００４０】
なお、上述した実施形態では、ソース・ドレイン電極を形成する例について説明したが、例えば、絶縁性の基板上にゲート電極を形成する場合にも適用可能である。この場合には、被転写基板３０として、図３に示すように例えばポリエーテルスルホンからなるプラスチック基板４１を用い、実施形態と同様の方法により、プラスチック基板４１上に、導電性パターンＤ’を転写することで、ゲート電極４２を形成する。その後、ゲート絶縁膜４３、ソース・ドレイン電極４４、半導体層４５を、実施形態で図２を用いて説明したゲート絶縁膜３２、ソース・ドレイン電極３３、半導体層３４と同様に形成する。
【００４１】
さらに、上述したボトムゲート・ボトムコンタクト型のトランジスタ構造に限らず、他のトランジスタ構造の電極パターンを形成する場合にも適用可能である。さらには、薄膜トランジスタだけでなく、プリント配線板、ＲＦ−ＩＤタグ、様々なディスプレイ基板等他の電子素子の電極パターンの形成にも適用可能である。
【００４２】
さらに、本発明の具体的な実施例について、再び図１〜図２を用いて説明する。
【００４３】
＜実施例１＞
上記実施形態と同様に、ガラス基板１１上に、スピンコーターにてＰＤＭＳ（ダウ・コーニング社製商品名シルポット）を塗布し、加熱処理してＰＤＭＳを硬化させ、第１版１０（ブランケット）を作製した。次に、オレイン酸にて表面処理が施された銀ナノ粒子（平均粒子径１０ｎｍ）をシクロヘキサンを用いて５ｗｔ％になるように分散し、液組成物を調製した。次いで、スピンコーターにより、上記第１版１０上に、該液組成物を塗布することで、導電性膜Ｄを形成した。
【００４４】
一方、ガラス基板上にフォトレジスト（化薬マクロケム社製商品名ＳＵ−８）を、スピンコーターを用いて厚さ５μｍに塗布し、露光現像することで、表面側にラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）＝５μｍ（アスペクト比１：１）の凹凸パターンを形成し、ガラス版からなる第２版２０を作製した。
【００４５】
続いて、上記第２版２０を第１版１０の導電性膜Ｄの形成面側に押圧し、第２版２０の凸部２０ａに導電性膜Ｄの不要なパターン（第１のパターン）を転写して除去することで、第１版１０上に導電性パターンＤ’（第２のパターン）を形成した。
【００４６】
また、ＰＶＰ樹脂溶液（溶媒ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、濃度２０ｗｔ％）に、メラミンホルムアルデヒド樹脂からなる架橋剤を加えた溶液を、スピンコーターを用いて基板３１上に塗布することで、ＰＶＰからなる絶縁膜３２を形成した被転写基板３０を用意した。次いで、第１版１０の導電性パターンＤ’の形成面側を、被転写基板３０の被転写面３２ａに押圧することで、絶縁膜３２の表面に、導電性パターンＤ’を転写した。その後、導電性パターンＤ’を１８０℃で１時間オーブンで固着させ、銀ナノ粒子が焼結すると導電性を有する配線パターンが形成される。
【００４７】
この結果、図４（ａ）の領域Ｘの拡大写真である図４（ｂ）に示すように、Ｌ／Ｓ＝５μｍの導電性パターンＤ’が、問題なく形成されることが確認された。
【００４８】
（比較例１）
一方、上記実施例１に対する比較例１として、高分散性銀ナノ粒子が水溶性有機溶媒及び水溶媒により分散された液組成物（住友電気工業社製ＡＧＩＮ−Ｗ）を、実施例１と同様の第１版１０上に塗布し、第１版１０上に導電性パターンＤ’を形成した後、被転写基板３０に転写した。この結果、図５（ａ）に示すように、絶縁膜３２の表面に転写した導電性パターンＤ’は、第１版１０の表面に形成した導電製膜Ｄが第１版１０への接着性が強く、被転写基板３０に転写することができなかった。
【００４９】
（比較例２）
また、上記実施例１に対する比較例２として、銀ナノ粒子がアルコール系溶媒（極性溶媒）により分散された液組成物（住友金属鉱山社製ＤＣＧ-３１０-ＣＮ１０）を、実施例１と同様の第１版１０上に塗布した。この結果、図５（ｂ）に示すように、第１版１０の表面で、上記液組成物が凝集してしまい、第１版１０上に導電性膜Ｄを形成することが出来なかった。
【００５０】
（比較例３）
さらに、上記実施例１に対する比較例３として、表面にポリマー系の材料をコーティングした銀ベースの粒子がグリコール系溶媒（極性溶媒）により分散された液組成物（ＣＡＢＯＴ社製ＡＧ-ＩＪ-Ｇ-１００-Ｓ１）を用い、実施例１と同様の方法により、電極パターンを形成した。この結果、図５（ｃ）に示すように、絶縁膜３２の表面に転写した導電性パターンＤ’はパターンがつぶれてしまい、電極パターンを得ることができなかった。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法に係る実施形態を説明するための製造工程断面図（その１）である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法に係る実施形態を説明するための製造工程断面図（その２）である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法に係る実施形態を説明するための製造工程断面図（その２）である。
【図４】実施例１の光学顕微鏡写真である。
【図５】比較例１〜３の光学顕微鏡写真である。
【符号の説明】
【００５２】
１０…第１版、２０…第２版、２０ａ…凸部、３０…被転写基板、３１…基板、３２…絶縁膜（ゲート絶縁膜）、３３…ソース・ドレイン電極、３４…半導体層、Ｄ…導電性膜、Ｄ’…導電性パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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