(57)【要約】【課題】封止用樹脂組成物によって半導体素子が封止されてなる樹脂封止型半導体装置であって、模造が困難となるように模造防止機能が付与された樹脂封止型半導体装置を提供すること。【解決手段】封止用樹脂組成物によって半導体素子が封止されてなる樹脂封止型半導体装置であって、前記封止用樹脂組成物が蓄光材料を少なくとも含有するもの。【選択図】図２
2008186886.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
封止用樹脂組成物によって半導体素子が封止されてなる樹脂封止型半導体装置であって、
前記封止用樹脂組成物が少なくとも蓄光材料を含有することを特徴とする模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
封止用樹脂組成物によって半導体素子が封止されてなる樹脂封止型半導体装置であって、
前記封止用樹脂組成物が黒色以外に着色されたものであって、その表面にレーザーマーキングが施されていることを特徴とする模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
封止用樹脂組成物によって半導体素子が封止されてなる樹脂封止型半導体装置であって、
（１）前記封止用樹脂組成物が黒色以外に着色されたものであること、（２）前記封止用樹脂組成物が蓄光材料を含有するものであること、（３）前記封止用樹脂組成物の特定表面が梨地あるいは特異地とされ、前記特定表面以外の残部表面が光沢地あるいは前記特異地とは異なる特異地とされたものであること、（４）内側表面の特定部位に凹部または凸部が形成された成形用金型を用いて前記封止用樹脂組成物の封止が行われたものであること、（５）前記封止用樹脂組成物の表面にレーザーマーキングが施されたものであること、および、（６）前記封止用樹脂組成物が切断または研磨され、その切断面または研磨面が露出されたものであること、の中から選ばれる少なくとも３つの模造防止手段が施されていることを特徴とする模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は封止用樹脂組成物によって半導体素子が封止されてなる樹脂封止型半導体装置に係り、特に模造防止機能が付与された樹脂封止型半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置は主に産業用途に用いられており、その模造は手間がかかる割には得られる利益が少なかった。しかしながら、産業用途以外の用途、例えば一般者が使用する銀行カード、交通カード、遊技カードを始めとする決済カード等に使用されるものについては、模造による利益が多く、多額となる。特に、遊技用であるパチンコ業界における出玉管理用のＲＡＭデバイスの模造等については法外の利益が得られる。
【０００３】
このような半導体装置における模造防止手段に関しては、紙幣における模造防止手段が参考となる。本来、紙幣は兌換紙幣であり、額面の等価金貨もしくは銀貨と交換可能なものである。故に、紙幣は発行された時から、模造される宿命を持っているともいえる。当初の紙幣においては、印刷柄、サイン、印字等による模造防止手段が採用されていた。その後、特殊紙の使用、微細印刷、すかし、隠し文字の印字等による模造防止手段が採用されるようになった。さらに、近年では、金属片のすき込み、一部ホログラフィー化、特定波長に反応する特殊インクの使用等による模造防止手段が採用されるようになっている。
【０００４】
実際の半導体装置における模倣防止手段としては、セラミック製パッケージを用いる半導体装置において、該セラミック製パッケージの表面にレーザ光線を照射して、製造者名、ユーザー名、その他の情報をマーク表示する手段が挙げられる。また、単にレーザ光線を照射しただけではセラミック面に対するマーク表示のコントラストが低いことから、例えばセラミック製パッケージの表面に耐熱性白色塗料を配した後、この耐熱性白色塗料にレーザ光線を照射して下地であるセラミック面を露出させることによりコントラストを上げることが行われている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平０８−２１３４９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
現在、半導体装置の模造に対処するため、上記したようなレーザ光線の照射によるマーク表示を始めとする様々な模造防止手段が検討されている。しかし、未だ半導体装置の模造を確実に防止できる模造防止手段は見出せていないのが実情である。本発明は、上記したような課題を解決するためになされたものであって、模造を困難とする模造防止機能が付与された樹脂封止型半導体装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置は、封止用樹脂組成物によって半導体素子が封止されてなるものであって、前記封止用樹脂組成物が少なくとも蓄光材料を含有することを特徴とするものである。
【０００７】
本発明の他の模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置は、封止用樹脂組成物によって半導体素子が封止されてなるものであって、前記封止用樹脂組成物が黒色以外に着色されたものであって、その表面にレーザーマーキングが施されていることを特徴とするものである。
【０００８】
本発明のさらに他の模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置は、封止用樹脂組成物によって半導体素子が封止されてなるものであって、（１）前記封止用樹脂組成物が黒色以外に着色されたものであること、（２）前記封止用樹脂組成物が蓄光材料を含有するものであること、（３）前記封止用樹脂組成物の特定表面が梨地あるいは特異地とされ、前記特定表面以外の残部表面が光沢地あるいは前記特異地とは異なる特異地とされたものであること、（４）内側表面の特定部位に凹部または凸部が形成された成形用金型を用いて前記封止用樹脂組成物の封止が行われたものであること、（５）前記封止用樹脂組成物の表面にレーザーマーキングが施されたものであること、および、（６）前記封止用樹脂組成物が切断または研磨され、その切断面または研磨面が露出されたものであること、の中から選ばれる少なくとも３つの模造防止手段が施されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、封止用樹脂組成物によって半導体素子が封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、封止用樹脂組成物に蓄光材料を含有させる模造防止手段を施すことによって、あるいは、黒色以外に着色された封止用樹脂組成物にレーザーマーキングを行う模造防止手段を施すことによって、または、特定の７種の模造防止手段の中から選ばれる少なくとも３つの模造防止手段を施すことによって、該樹脂封止型半導体装置の模造を困難とし、決済カード等に好適に用いられるものとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明について詳細に説明する。まず、本発明の模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置に適用される個々の模造防止手段について説明する。以下では、まず主として封止用樹脂組成物の組成に関連する（１）〜（２）の模造防止手段について説明し、その後に他の（３）〜（６）の模造防止手段について説明する。
【００１１】
（１）封止用樹脂組成物を黒色以外に着色する模造防止手段。
この模造防止手段は、封止用樹脂組成物を黒色以外に着色することによって模造を困難とするものである。すなわち、通常、半導体素子の封止に用いられる封止用樹脂組成物はカーボン等を含有するため黒色である。なお、特殊用途には黒色以外のものも用いられている。例えば、フォトカプラの封止には白色材料が、トランジスタの陽負極の違いを区別するためには緑色材料が、コンデンサ用には褐色材料がそれぞれ用いられている。これら以外の用途については黒色であるため、封止用樹脂組成物を黒色以外に着色することで、模造が困難となり、また真性品と模造品との判別も容易となる。なお、後述する（５）の封止用樹脂組成物の表面にレーザーマーキングを施す模造防止手段を併用することで、該レーザーマーキング部分が上記着色に用いられる着色剤の成分に由来して独特の発色をするため、模造をより困難なものとすることができる。
【００１２】
図１は、封止用樹脂組成物を黒色以外に着色した樹脂封止型半導体装置の一例を模式的に示したものである。図１に示す樹脂封止型半導体装置１は一例としてSIP(Single Inline Package)を示したものであり、ダイパッド２上に半導体チップ３が搭載され、この半導体チップ３の図示しない外部接続電極とリードフレーム４とがボンディングワイヤ５によって電気的に接続されている。さらに、ダイパッド２、半導体チップ３、リードフレーム４およびボンディングワイヤ５が封止用樹脂組成物１０によって封止されている。そして、この封止用樹脂組成物１０が黒色以外に着色されている。
【００１３】
封止用樹脂組成物１０の着色は着色剤を含有させることにより行うことができ、着色剤としては公知の染料、顔料を用いることができる。染料、顔料は封止用樹脂組成物中に単独で含有させてもよいし、両方を含有させてもよい。
【００１４】
染料としては、例えばアゾ染料、アントラキノン染料、インジゴイド染料、硫化染料、トリフェニルメタン染料、ピラゾロン染料、スチルベン染料、ジフェニルメタン染料、キサンテン染料、アリザリン染料、アクリジン染料、キノンイミン染料（アジン染料、オキサジン染料、チアジン染料）、チアゾール染料、メチン染料、ニトロ染料、ニトロソ染料等が挙げられる。
【００１５】
また、顔料としては、例えば有機系顔料と無機系顔料が挙げられ、有機系顔料としては、天然有機顔料、合成有機顔料が挙げられる。天然有機顔料としては、植物性顔料、動物性顔料および鉱物性顔料が挙げられ、合成有機顔料としては、染付レーキ顔料、溶性アゾ顔料、不溶性アゾ顔料、縮合アゾ顔料、アゾ錯塩顔料、フタロシアニン顔料、縮合多還顔料および蛍光顔料等が挙げられる。また、無機系顔料としては、天然無機顔料および合成無機顔料が挙げられ、天然無機顔料としては土系顔料、焼成土、鉱物性顔料等が挙げられる。合成無機顔料としては、例えば酸化物顔料、水酸化物顔料、硫化物顔料、珪酸塩顔料、燐酸塩顔料、炭酸塩顔料、金属粉顔料および炭素顔料等が挙げられる。
【００１６】
本発明に用いられる具体的な着色剤としては、カーボンブラック、チタンホワイト、酸化鉄等が好適なものとして挙げられる。これらのものの好ましい含有量は、封止用樹脂組成物の全体中、カーボンブラックが０．１重量％以下、チタンホワイトが３重量％以上１５重量％以下、酸化鉄が０．５重量％以上５重量％以下である。
【００１７】
（２）封止用樹脂組成物に蓄光材料を含有させる模造防止手段。
この模造防止手段は、樹脂封止型半導体装置における封止用樹脂組成物に蓄光材料を含有させるものである。封止用樹脂組成物に蓄光材料を含有させることで模造が困難となり、また暗所において発光するため、真性品と模造品との判別も容易となる。
【００１８】
図２は、封止用樹脂組成物に蓄光材料を含有させた樹脂封止型半導体装置の一例を模式的に示したものである。図２に示す樹脂封止型半導体装置１は、基本的な構造は図１に示す樹脂封止型半導体装置１と同様であるが、封止用樹脂組成物１０に蓄光材料２１が含有されている点が異なるものである。
【００１９】
蓄光材料２１としては、公知の蓄光材料を用いることができ、例えばアルミン酸ストロンチウム、アルミン酸カルシウム、硫化亜鉛、硫化カルシウム等からなるものが挙げられる。蓄光材料の平均粒径は特に限定されるものではないが、例えば平均粒径２μｍ以上６０μｍ以下であるものが好ましい。このような蓄光材料２１としては市販されているものを用いることができ、例えば商品名Ｇ−３００、ＧＬＬ−３００、Ｖ−３００（根本特殊化学社製）等を用いることができる。
【００２０】
封止用樹脂組成物に上記（１）〜（２）の模造防止手段を施すには、硬化させる前の封止用樹脂組成物の調製の際に、上記（１）〜（２）の模造防止手段に係る成分、すなわち（１）の模造防止手段については黒色以外の着色剤を、（２）の模造防止手段については蓄光材料を、それぞれ配合すればよい。
【００２１】
上記着色剤および蓄光材料の配合量については必ずしも限定されるものではないが、封止用樹脂組成物の全体中、着色剤については、上記したようにカーボンブラックの場合には０．１重量％以下、チタンホワイトの場合には３重量％以上１５重量％以下、また酸化鉄の場合には０．５重量％以上５重量％以下、それ以外のものについては一般に０．１重量％以上５重量％以下とすることが好ましく、蓄光材料については、２重量％以上３０重量％以下とすることが好ましい。着色剤または蓄光材料の配合量が上記下限値未満の場合、十分な模造防止機能、すなわち着色あるいは発光を得られないおそれがある。
【００２２】
また、封止用樹脂組成物の調製に用いられる上記（１）〜（２）の模造防止手段に係る成分以外の成分としては、一般的な半導体素子の封止に用いられる公知の封止用樹脂組成物の調製に用いられるものと同様の成分を用いることができる。このような成分としては、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤および無機充填剤が挙げられる。
【００２３】
エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素変性エポキシ樹脂、脂環型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。
【００２４】
フェノール樹脂硬化剤としては、上記エポキシ樹脂のエポキシ基と反応し得るフェノール性水酸基を分子中に２個以上有するものであれば、特に制限されることなく使用することができる。具体的には、フェノール、アルキルフェノール等のフェノール類とホルムアルデヒドまたはパラホルムアルデヒドとを反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等、これらの変性樹脂、例えばエポキシ化もしくはブチル化したノボラック型フェノール樹脂等、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、パラキシレン変性フェノール樹脂、フェノール類とベンズアルデヒド、ナフチルアルデヒド等との縮合物、トリフェノールメタン化合物、多官能型フェノール樹脂等が挙げられる。これらは、１種を単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。
【００２５】
フェノール樹脂硬化剤は、通常、上記エポキシ樹脂が有するエポキシ基数（ａ）とこのフェノール樹脂硬化剤が有するフェノール性水酸基数（ｂ）との比（ａ）／（ｂ）が０．６５〜１．５となる範囲で配合されることが好ましく、０．８〜１．２となる範囲で配合されることがより好ましい。
【００２６】
硬化促進剤としては、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、ジブチルフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン等の有機ホスフィン化合物、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７（ＤＢＵ）、トリエチルアミン、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等のアミン化合物、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−エニル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４、５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられる。
【００２７】
無機充填剤としては、必ずしも限定されるものではないが、溶融シリカ、結晶シリカが好適なものとして挙げられる。また、このような溶融シリカ、結晶シリカは不純物濃度が低いことが好ましく、平均粒径が１〜４０μｍ程度のものが好ましい。この無機充填剤は、封止用樹脂組成物中に８０〜９５重量％配合することが好ましい。一般に、無機充填剤の配合量が組成物全体の８０重量％に満たないと、難燃性や耐湿信頼性が低下する。逆に、９５重量％を超えると、組成物の流動性が著しく低下し、成形性、充填性が不良となる。
【００２８】
また、封止用樹脂組成物の調製には上記各成分の他、この種の組成物に一般に配合されるシランカップリング剤、合成ワックス、天然ワックス、直鎖脂肪族の金属塩、酸アミド、エステル類等の離型剤、カーボンブラック等の着色剤、ゴム系やシリコーン系ポリマー等の低応力付与剤、２，６−ジブチル−４−メチルフェノール等の酸化防止剤等を、必要に応じて用いることができる。
【００２９】
以下に、上記（２）の蓄光材料を含有させる模造防止手段を採用する場合の封止用樹脂組成物の調製例を示す。
・エポキシ樹脂  １００ｇ（１０ｗｔ％）；ＥＤＣＮ１９５ＸＬ（住友化学社製）
・フェノール樹脂  ５０ｇ（５ｗｔ％）；ＢＲＧ５７７（昭和高分子社製）
・イミダゾール触媒  １０ｇ（１ｗｔ％）；２４４ＭＺ（四国化成工業）
・カルナバワックス  ３０ｇ（３ｗｔ％）
・溶融シリカ  ７８０ｇ（７８ｗｔ％）；球状溶融シリカ（平均粒径２０μｍ）
・蓄光材料  ２５ｇ（２．５ｗｔ％）；Ｇ３００（根本特殊工業化学社製）
・カーボン  ５ｇ（０．５ｗｔ％）
【００３０】
このような封止用樹脂組成物を成形材料として調製するにあたっては、上記したようなエポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤および無機充填剤等に加え、上記（１）〜（２）の模造防止手段に係る成分を配合し、ミキサー等によって十分に混合した後、熱ロールやニーダ等により溶融混練し、冷却後適当な大きさに粉砕する。そして、低圧トランスファー法等を用い、この成形材料により半導体素子を封止することにより、上記（１）〜（２）の各模造防止手段が施された樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
【００３１】
次に、封止用樹脂組成物の組成に関連する上記（１）〜（２）の模造防止手段以外の模造防止手段について説明する。
【００３２】
（３）封止用樹脂組成物の特定表面を梨地あるいは特異地とし、この特定表面以外の残部表面を光沢地あるいは該特異地とは異なる特異地とする模造防止手段。
この模造防止手段は、樹脂封止型半導体装置における封止用樹脂組成物の特定表面を梨地あるいは特異地とし、この特定表面以外の残部表面を光沢地あるいは該特異地とは異なる特異地とすることで、従来の樹脂封止型半導体装置のように封止用樹脂組成物の略全表面を同一の表面状態としたものに比べ、模造を困難なものとすることができる。なお、梨地とは、梨の表面のようなザラザラとした質感となるように表面処理されたものを指し、特異地とは、光沢地および梨地以外の地模様とされたものを指す。
【００３３】
図３は、樹脂封止型半導体装置における封止用樹脂組成物の特定表面を梨地とし、それ以外の残部表面を光沢地とした例を模式的に示したものである。図３に示す樹脂封止型半導体装置１では、封止用樹脂組成物１０の上面１１および斜面１２を特定表面として梨地とし、それ以外の前面１３、背面１４、左右の両側面１５を残部表面として光沢地としたものである。
【００３４】
なお、図３に示す例では上面１１および斜面１２を特定表面として梨地としたが、梨地等とされる特定表面はこれら上面１１および斜面１２に限定されるものではなく、前面１３、背面１４、左右の両側面１５の中から選択される表面を特定表面としてもよい。また、図３に示す例では上面１１および斜面１２の２つの表面を特定表面としたが、例えば上面１１のみ、あるいは、斜面１２のみといったように１つの表面のみを特定表面としてもよいし、３つ以上の表面を特定表面としてもよい。さらに、図３に示す例では上面１１および斜面１２のそれぞれの全面を特定表面としたが、例えば上面１１の一部のみ、あるいは、斜面１２の一部のみといったように、各表面の一部のみを特定表面とすることもできる。
【００３５】
封止用樹脂組成物１０の特定表面を梨地等とし、それ以外の残部表面を光沢地等とする方法としては、例えば半導体素子３等を封止用樹脂組成物１０により封止する際に用いる成形用金型として、その内側表面のうち該樹脂封止型半導体装置１の梨地等となる特定表面との接触部分を梨地等の地模様としたものを用いる方法が挙げられる。このような成形用金型内に封止用樹脂組成物１０を充填して半導体素子３等の封止を行うことで、成形用金型の内側表面における梨地等の地模様を封止用樹脂組成物１０の特定表面に転写することができる。また、他の方法としては、内側表面に梨地等の地模様が形成されていない通常の成形用金型を用いて封止用樹脂組成物１０により半導体素子３等の封止を行った後、この封止後の封止用樹脂組成物１０の特定表面に公知の表面処理方法を用いて梨地等の地模様を形成する方法が挙げられる。
【００３６】
（４）特定部位に凹部または凸部が形成された成形用金型を用いて封止用樹脂組成物による封止を行う模造防止手段。
この模造防止手段は、半導体素子等を封止用樹脂組成物により封止する際に用いる成形用金型として、その内側表面の特定部位に凹部または凸部が形成されたものを用いて封止を行うものである。このように内側表面の特定部位に凹部または凸部が形成された成形用金型を用いて封止を行うことで、該成形用金型の凹部または凸部に対応する封止用樹脂組成物の部分に凸部または凹部を形成することができる。このように、樹脂封止型半導体装置における封止用樹脂組成物の部分に凸部または凹部を形成することで、従来の樹脂封止型半導体装置のように封止用樹脂組成物の表面全体を平坦としたものに比べ、模造を困難なものとすることができる。
【００３７】
図４は、樹脂封止型半導体装置における封止用樹脂組成物の表面に凹部を形成した樹脂封止型半導体装置の例を模式的に示したものである。図４に示す樹脂封止型半導体装置１は、封止用樹脂組成物１０の前面１３に垂直方向に延びる溝状の凹部２３を設けたものである。ここで、溝状の凹部２３は、前面１３の表面から、上面１１と斜面１２とが交差する交線に達する深さとされている。なお、このような凹部２３は、樹脂封止型半導体装置１の機能を害しない範囲において適宜形状、大きさ、深さ等を変更することができる。
【００３８】
このような樹脂封止型半導体装置１における凹部２３は、上記したように半導体素子３等を封止用樹脂組成物１０により封止する際に用いる成形用金型として、その内側表面の所定の位置に凸部が形成されたものを用いることによって製造することができる。
【００３９】
（５）封止用樹脂組成物の表面にレーザーマーキングを施す模造防止手段。
この模造防止手段は、樹脂封止型半導体装置における封止用樹脂組成物の表面にレーザーマーキングを施し、文字、記号等をマーク表示することによって、模造を困難とするものである。この模造防止手段は、上記（１）の封止用樹脂組成物を黒色以外に着色する模造防止手段と併用することで、さらに模造防止に効力を発揮する。すなわち、封止用樹脂組成物の色合わせ自体は費用と時間がかかるものの可能であるともいえる。しかし、このような黒色以外に着色された封止用樹脂組成物にレーザーマーキングを行うことで、該レーザーマーキングが行われた部分が着色に用いられた着色剤の成分に由来して独特の発色をするため、模造する場合には封止用樹脂組成物の色合わせに加え、レーザーマーキングによる発色についても色合わせを行わなければならず、模造を極めて困難なものとすることができる。
【００４０】
図５は、樹脂封止型半導体装置における封止用樹脂組成物の表面にレーザーマーキングを行った例を模式的に示したものである。図５に示す樹脂封止型半導体装置１は、その上面１１の端部にレーザーマーキングによるマーク表示２４が行われている。このようなレーザーマーキングによるマーク表示２４は、半導体素子３等を封止用樹脂組成物１０によって封止した後、この封止後の封止用樹脂組成物１０におけるマーク表示２４を行おうとする所望の部分にＹＡＧレーザ等の公知のレーザ光線を照射することにより行うことができる。
【００４１】
（６）封止用樹脂組成物を切断または研磨し、その切断面または研磨面を露出させる模造防止手段。
この模造防止手段は、半導体素子を封止用樹脂組成物により封止した後、該封止用樹脂組成物の一部分を切断または研磨し、その切断面または研磨面を露出させるものである。半導体素子を封止した後の封止用樹脂組成物を切断または研磨して得られる切断面または研磨面を模造することは極めて困難であり、これにより模造を困難なものとすることができる。
【００４２】
図６は、樹脂封止型半導体装置における封止用樹脂組成物を切断し、その切断面を露出させた状態を模式的に示したものである。図６に示す樹脂封止型半導体装置１は、封止用樹脂組成物１０の上部側を切断し、その切断面１６を露出させたものである。なお、図中、点線で示した部分は切断により除去した部分である。
【００４３】
封止用樹脂組成物１０を切断、研磨する箇所は必ずしも限定されるものではなく、封止用樹脂組成物１０の形状や大きさにより、また内部に位置するダイパッド２、半導体チップ３、リードフレーム４およびボンディングワイヤ５等の機能を害しない範囲において適宜選択することができる。
【００４４】
このような封止用樹脂組成物１０の切断は、半導体素子３等を封止用樹脂組成物１０によって封止した後、回転するブレード等を使用して行うことができる。また、封止用樹脂組成物１０の研磨についても、半導体素子３等を封止用樹脂組成物１０によって封止した後、公知のデバイス研磨装置を用いて行うことができる。
【００４５】
次に、上記（１）〜（６）の模造防止手段が施されてなる本発明の模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置について説明する。
【００４６】
本発明の第１の模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置は、上記（２）の封止用樹脂組成物に蓄光材料を含有させる模造防止手段が施されたものである。なお、この第１の模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置は、特許請求の範囲の請求項１に記載された模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置に相当するものである。
【００４７】
図２は、本発明の第１の模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置を模式的に示したものである。図２に示す樹脂封止型半導体装置１は、封止用樹脂組成物１０に蓄光材料２１が含有されたものである。このようなものによれば、蓄光材料２１が含有されているため極めて模造が困難となり、また暗所において発光するため、真性品と模造品との判別も容易となる。
【００４８】
また、本発明の第２の模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置は、上記（１）の封止用樹脂組成物を黒色以外に着色する模造防止手段と、上記（５）の封止用樹脂組成物の表面にレーザーマーキングを施す模造防止手段とが施されたものである。なお、この第２の模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置は、特許請求の範囲の請求項２に記載された模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置に相当するものである。
【００４９】
本発明の第２の模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置によれば、黒色以外に着色された封止用樹脂組成物にレーザーマーキングが行われるため、該レーザーマーキングが行われた部分が着色に用いられた着色剤の成分に由来して独特の発色をし、模造する場合には封止用樹脂組成物の色合わせに加え、レーザーマーキングによる発色についても色合わせを行わなければならず、模造が極めて困難となる。
【００５０】
また、本発明の第３の模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置は、上記（１）〜（６）の模造防止手段のうち、３つ以上の模造防止手段が施されたものである。本発明の第３の模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置によれば、上記（１）〜（６）の模造防止手段のうち３つ以上の模造防止手段が施されているため、模造は極めて困難となる。
【００５１】
上記（１）〜（６）の模造防止手段の組み合わせは特に限定されるものではなく、所望とする模造の困難さや、樹脂封止型半導体装置の形状等にあわせ、適宜、模造防止手段の種類、数等を選択することができる。なお、一般に、施される模造防止手段の数が多くなればなるほど模造は困難となるため、模造を困難なものとするためには模造防止手段の数を多くすることが好ましい。
【００５２】
図７に示す樹脂封止型半導体装置は、上記（３）、（４）および（５）の模造防止手段を組み合わせて施したものである。すなわち、図７に示される樹脂封止型半導体装置１は、上面１１および斜面１２が特定表面として梨地とされ、それ以外の前面１３、背面１４、左右の両側面１５が残部表面として光沢地とされている点で、上記（３）の模造防止手段が施されたものである。また、上面１１には矩形状の平面形状を有する凹部２５が設けられており、この凹部２５は、内側表面に該凹部２５に対応する部位に凸部が形成された成形用金型を用いて封止を行うことにより形成されるものである点で、上記（４）の模造防止手段が施されたものである。さらに、凹部２５の底部２５ｂにはレーザーマーキングによるマーク表示２４が行われている点で、上記（５）の模造防止手段が施されたものである。
【００５３】
このような樹脂封止型半導体装置１は、例えば以下のようにして製造することができる。すなわち、半導体素子３等を封止用樹脂組成物１０によって封止する際に用いる成形用金型として、その内側表面のうち該樹脂封止型半導体装置１の上面１１および斜面１２に接触する部分が梨地とされ、さらに該矩形状の凹部２５に対応する部分に凸部が形成されたものを用いる。この成形用金型の内側表面に設けられる凸部は、例えばその表面が光沢地とされたものである。
【００５４】
このような成形用金型を用いて半導体素子３等を封止用樹脂組成物１０により封止することで、封止用樹脂組成物１０の上面１１および斜面１２には梨地模様が転写されると共に、該上面１１には矩形状の凹部２５が形成される。このとき、成形用金型の凸部の表面が光沢地とされているため、これに対応する封止用樹脂組成物１０の矩形状の凹部２５の底部２５ｂも光沢地となる。そして、この封止後の封止用樹脂組成物１０の矩形状の凹部２５の底部２５ｂにＹＡＧレーザ等の公知のレーザ光線を照射してレーザーマーキングを行うことで、マーク表示２４を行うことができる。
【００５５】
以上、上記（１）〜（６）の模造防止手段を３つ以上組み合わせて施す例について、図７に示される樹脂封止型半導体装置１を例に挙げて説明したが、上記（１）〜（６）の模造防止手段の組み合わせはこれらのものに限定されるものではなく、例えば図７に示すものにおいて、さらに封止用樹脂組成物１０を着色したり、封止用樹脂組成物１０中に蓄光材料２１を含有させたりすることもでき、所望とする模造の困難さ等にあわせて、適宜、模造防止手段の組み合わせや、組み合わせる数等を選択することができる。
【００５６】
また、上記した各説明においては樹脂封止型半導体装置としてSIP(Single Inline Package)を例に挙げて説明したが、本発明が適用される樹脂封止型半導体装置は必ずしもこのようなものに限定されるものではなく、例えばDIP(Dual Inline Package)、SOP(Small Outline Package)、TSOP(Thin Small Outline Package)、QFP(Quad Flat Package)、TQFP(Thin Quad Flat Package)、LQFP(Low Profile Quad Flat Package)等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】（１）の模造防止手段が適用された樹脂封止型半導体装置を模式的に示す外観図。
【図２】（２）の模造防止手段が適用された樹脂封止型半導体装置を模式的に示す外観図（本発明の第１の模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置を模式的に示す外観図）。
【図３】（３）の模造防止手段が適用された樹脂封止型半導体装置を模式的に示す外観図。
【図４】（４）の模造防止手段が適用された樹脂封止型半導体装置を模式的に示す外観図。
【図５】（５）の模造防止手段が適用された樹脂封止型半導体装置を模式的に示す外観図。
【図６】（６）の模造防止手段が適用された樹脂封止型半導体装置を模式的に示す外観図。
【図７】本発明の第３の模造防止機能を有する樹脂封止型半導体装置を模式的に示す外観図。
【符号の説明】
【００５８】
１…樹脂封止型半導体装置、２…ダイパッド、３…半導体チップ、４…リードフレーム、５…ボンディングワイヤ、１０…封止用樹脂組成物、１１…上面、１２…斜面、１３…前面、１４…背面、１５…側面、２１…蓄光材料、２３…凹部、２４…マーク表示、２５…凹部（２５ｂ…底部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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