(57)【要約】      （修正有）【課題】従来と同等の厚み、強度、耐圧を保ったまま、コンデンサの容量に関係した陽極箔表面積を飛躍的に増大する。【解決手段】金属箔表面上に誘電率を有する弁金属粒子及び／又はセラミック粒子を主成分とした金属粒子及びセラミック粒子が堆積された構造を有する電極箔であって，エアロゾルチャンバーの製膜室内にアルミニウム箔を配置し，アルミニウム粉末をエアロゾル化し，前記エアロゾル化されたアルミニウム粉末を前記製膜室内に配置されたアルミニウム箔に噴射し，前記アルミニウム箔上にアルミニウム粒子を堆積させることにより製造される。【選択図】図２
2008270524.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔表面上に誘電率を有する弁金属粒子及び／又はセラミック粒子を主成分とした金属粒子及びセラミック粒子が堆積された構造を有する電極箔。
【請求項２】
請求項１において，
前記金属粒子及び／又はセラミック粒子の堆積はエアロゾルデポジションを用いて形成されていることを特徴とする電極箔。
【請求項３】
エアロゾルチャンバーの製膜室内にアルミニウム箔を配置し，
アルミニウム粉末をエアロゾル化し，
前記エアロゾル化されたアルミニウム粉末を前記製膜室内に配置されたアルミニウム箔に噴射し，前記アルミニウム箔上にアルミニウム粒子を堆積させる
ことを特徴とする電極膜の製造方法。
【請求項４】
表面がエッチング処理されたアルミニウム箔をエアロゾルチャンバーの製膜室内に配置し，
セラミック粉末をエアロゾル化し，
前記エアロゾル化されたセラミック粉末を前記製膜室内に配置されたアルミニウム箔に噴射し，前記アルミニウム箔上にセラミック粒子を堆積させる
ことを特徴とする電極膜の製造方法。
【請求項５】
表面がエッチング処理されたアルミニウム箔をエアロゾルチャンバーの製膜室内に配置し，
アルミニウム粉末とセラミック粉末の混合物をエアロゾル化し，
前記エアロゾル化されたアルミニウム粉末とセラミック粉末の混合物を前記製膜室内に配置されたアルミニウム箔に噴射し，前記アルミニウム箔上にアルミニウム粒子とセラミック粒子を堆積させる
ことを特徴とする電極膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，電解コンデンサの陽極箔に適した電極箔及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般にアルミ電解コンデンサ用電極箔は,９８％以上の高純度なアルミニウムを圧延し箔状にしたものを出発材料として製造されている。アルミニウムを溶解させる酸またはアルカリ溶液中で,公知の直流電解エッチング法,交流電解エッチング方法または,双方交互に使用して，アルミニウム箔の表面上に無数のピットを形成させ,実質の表面積を拡大させ，静電容量を大きくしたものを使用している。
【０００３】
かかるエッチング方法により，単位面積当たりの倍率は数百倍,おおよそ３００倍から４００倍になる。
【０００４】
電解コンデンサは，誘電体層が極めて薄い酸化皮膜層からなるので，電極の単位面積あたりの静電容量値が高く，小形で大容量のものが得られるのが特長である。一方，電子機器の小形化に伴い，電解コンデンサに対しても更なる小形，大容量化が求められている。
【０００５】
前記のようにエッチング処理により単位面積の容量を大きくしようとすると，アルミニウム箔全体がエッチングピットに覆われてしまい，電極箔が脆くなり，電極箔強度の低下を引き起こしてしまう。
【０００６】
これに対する一方法として箔強度を保持しながら電極箔の表面積を大きく取るために，アルミニウム箔の厚さを厚くしたものをエッチングし，単位面積当たりの容量を大きくしている。
【０００７】
この方法では，単位面積の容量は大きくなるが，前記の電極箔を用いて，一般的な巻回型電解コンデンサを作成すると， 電極箔の厚さが厚いため，使用できる電極箔の長さに制限が発生し，ケースに収納できない素子が形成されてしまう。
【０００８】
さらに，積層型固体電解コンデンサの場合，その形状の性質上高さの制約があり，むやみに高さを高く出来ない。前述の強度を落とした箔では，積層時の溶接条件が容易に設定できず，溶接後の強度にも問題がでてくる。
【０００９】
このために，容量を大きくしようとすると，積層枚数を増やすか，厚い電極箔を使用せざるを得なくなり，コンデンサの高さ寸法が大きくなってしまう。
【００１０】
上記の一般的従来技術に加え，巻回型電解コンデンサの場合は，合成容量によって容量が算出される点に着目して，特許文献１に記載のように，基材表面に金属窒化物の蒸着皮膜を形成して容量増大を図る方法が知られている。あるいは，特許文献２に記載のように陰極にカーボンを物理的に接触させた箔を用いて，陰極側の容量をキャンセルし，陽極側の容量のみを合成容量に反映させることにより容量増大を図る方法が提案されている。
【特許文献１】特開平２−１１７１２３号公報
【特許文献２】特許第３，８７５，７０５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら，これらの従来方法を用いても，今後市場から要求される更なる大容量化に対しては，現状と同等の厚み，強度および耐圧を保った上で，大容量が実現できる陽極材料がなければ，十分対応できる電解コンデンサを得ることができない。
【００１２】
したがって，本発明の目的は，従来と同等の厚み，強度，耐圧を保ったまま，コンデンサの容量に関係した陽極箔表面積を飛躍的に増大し得る陽極箔に適した電極箔の構造とその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するために，本発明に従う電極箔は，金属箔表面上に誘電率を有する弁金属粒子及び／又はセラミック粒子を主成分とした金属粒子及びセラミック粒子が堆積された構造を有することを特徴とする。
【００１４】
さらに，前記金属粒子及び／又はセラミック粒子の堆積はエアロゾルデポジションを用いて形成されていることを特徴とする。
【００１５】
また，上記の目的を達成するために，本発明に従う電極箔の製造方法は，エアロゾルチャンバーの製膜室内にアルミニウム箔を配置し，アルミニウム粉末をエアロゾル化し，前記エアロゾル化されたアルミニウム粉末を前記製膜室内に配置されたアルミニウム箔に噴射し，前記アルミニウム箔上にアルミニウム粒子を堆積させることを特徴とする。
【００１６】
好ましくは，このようにアルミニウム箔の表面上若しくは，アルミニウム箔の表面を電解エッチングして得られたエッチング箔の表面上に，誘電率を有する超微細粉を高速の気体中に均一拡散させ、前記の気体を対象物である金属箔または,エッチド箔表面に噴射させ,超微細粉の成形膜を形成させた後, 微細粉の一つ一つをエッチングすることにより，従来のアルミニウム単体のエッチド箔に比べ, 同じ厚さの箔においてアルミニウムの表面積を大きくできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に，図面に従い本発明の実施の形態例を説明する。
【００１８】
図１は，本発明に従う電極箔を陽極箔として適用する実施例としての巻回型電解コンデンサの構造を示す概略図である。
【００１９】
図１において，（ａ）は外観であり，（ｂ）は外装（金属ケース）１０を外して透視状に内部を観察した図である。封口体（絶縁樹脂）１１に陽極電極リード１２，陰極電極リード１３が固定されている。
【００２０】
巻回されたコンデンサ素子２０が，外装（金属ケース）１０内で，封口体（絶縁樹脂）１１に固定され，陽極電極リード１２，陰極電極リード１３が，それぞれ，本発明に従う電極箔を使用する陽極箔２１と，陰極箔２２に電気的に接続されている。
【００２１】
陽極箔２１と陰極箔２２が，セパレータである電解紙２３を介して円筒形に巻回され，終端部が巻き止めテープ２４で固定されて巻回状態が維持されている。
【００２２】
本発明の電極箔を使用する電解コンデンサは，陽極箔となるアルミニウム箔を電解エッチングして得られたエッチド電極箔を使用した従来構成の電解コンデンサより，さらなる高容量を実現させるものである。
【００２３】
そして，特徴として，本発明に従う電極箔は，従来の金属箔もしくは，これをエッチングして得られたエッチド金属箔の表面上に，１００nm〜１００μmの範囲内の粒径の金属の超微細粉又は，前記金属の超微細粉及び，又は１０以上の高誘電率を有する酸化物，窒化物，炭化物から成る超微細粉，あるいは弁金属類の表面を酸化させた超微細粉であって，５００nm以下の粒径の超微細粉を高速の気体中に均一拡散させ，前記の気体を対象物であるエッチド電極箔表面に噴射させ，超微細粉の成形膜を形成させた構造を有する。
【００２４】
上記の弁金属粒子は, 弁金属アルミニウム及びその化合物, チタン及びその化合物, タンタル及びその化合物, ニオブ及びその化合物のいずれかを少なくともひとつ以上を含むものである。
【００２５】
上記の構造により，従来のアルミニウム箔単体のエッチド電極箔に比べ， 同じ厚さの電極箔においてアルミニウムの表面積を拡大させた電極箔を得ることができる。さらに，追加的に，前記のエッチド電極箔表面に形成された超微細粉の成形膜を電解エッチングしても良い。
【００２６】
これらの処理により従来のアルミニウム箔単体のエッチド電極箔に比べ，本発明により同じ厚さの電極箔においてアルミニウムの表面積を更に拡大させた電極箔を得ることができる。
【００２７】
かかる本発明に従う電極箔の特徴的構成により，陽極箔として用いることにより小型で大容量の電解コンデンサを提供することが可能である。
【００２８】
以下に，かかる本発明に従う電極箔構成とその製造方法の特徴を実施例に基づき，詳細に説明する。
【００２９】
[第１の実施例]
(通常のアルミニウム箔にアルミニウム微粒子を成膜する実施例)
図２は，本発明に従う第１の実施例の電極箔の製造方法の手順を示すフロー図である。フローの左側に処理ステップに対応して状態図を示している。
【００３０】
４０μm厚の圧延法による純度９９％アルミニウム箔２１を用意した（ステップＳ１：状態Ｉ）。
【００３１】
用意されたアルミニウム箔２１に対し，エアロゾルデポジションチャンバーで表面処理を以下のように実施した。図３は，エアロゾルデポジションチャンバーの概略構成例を示す図である。
【００３２】
製膜室３０３内にＸ，Ｙ方向に移動可能のステージ３０４を有し，これにステップＳ１で用意した圧延アルミニウム箔２１を貼り付け配置した（ステップＳ２）。
【００３３】
製膜室３０３内は，真空ポンプ３０６で真空に引き，予め１０Ｐａ以下に減圧した（ステップＳ３）。
【００３４】
一方，平均粒径８μmの弁金属であるＡｌ粉末を主成分とする原料粉末３００をエアロゾル発生容器３０１Ａに入れ，振動器３０１Ｂによりエアロゾル発生容器３０１Ａ全体に超音波を加え, 約１５０度で加熱しながら,３０分間真空脱気して, 粉末表面に形成した水分を除去する前処理を施した（ステップＳ４）。
【００３５】
エアロゾル発生器３０１Ａに高純度ヘリウムガス(ガス圧: ２kg/ｃｍ２, ガス流量:１０ｌ/min.) ３０２を導入し, 前処理を施した原料粉末３００をエアロゾル化した（ステップＳ５）。
【００３６】
次に,このエアロゾルを，配管を通してノズル３０５により製膜室３０３に送り込む。ノズル３０５は, 内側にらせん状の溝を形成したものを使用した。内側にらせん状の溝を有したノズル３０５から基板アルミニウム箔２１に向けて, ３分間噴射を行った（ステップＳ６）。この時のチャンバー中の圧力は５００Ｐａと一定とされた。
【００３７】
このようにして，アルミニウム微粒子によるエアロゾルデポジションにより基板アルミニウム箔２１上面に形成されたＡｌ膜２０１Ａは,２０μｍの厚みであった（状態II：アルミニウム微粒子によるエアロゾルデポジション）。
【００３８】
なお，以上の要領で基板アルミニウム箔２１の両面にアルミニウム膜を形成することも可能である。
【００３９】
ついで，不活性ガス中で前記アルミニウムの(融点+100℃)以下の温度である３００℃で焼鈍し，堆積アルミニウム金属粒子を緻密化させる焼結前処理を行った。この箔を塩酸, 硝酸,ＡlＣl３水溶液中で電流密度０．２Ａ/ｍ２ (５０Ｈｚ)で８分間，電解処理を行い，粗面化処理（エッチング）を行った（ステップＳ７）。このエッチング処理により微細空洞層２０１Ｂが形成された（状態III）。
【００４０】
その後,アジピン酸アンモニウム水溶液中で化成処理を行った（ステップＳ８）。
【００４１】
かかる処理により，微細空洞層２０１Ｂの形成により表面積が拡大し，且つステップＳ８における化成処理により微細空洞層２０１Ｂの表面２０１Ｃが酸化され，大きな誘電率の誘電体酸化皮膜層２００が，基板アルミニウム箔２１の表面に形成された（状態IＶ）。
【００４２】
上記図３の処理フローにより形成された誘電体酸化皮膜層２００に対し，所定電圧２０Ｖに到達後３０分の時点での漏れ電流を測定した。また, 膜の引張強度を測定した。
【００４３】
このときの引張強度は幅１cm, 長さ５cmの試験片を切り出し, 引張試験機で１０mm/minで引っ張り, 破断強度が１．５kg/cm(厚さでノーマライズせず,試験片の二次元形状で規定)以上であれば合格とする測定を行った。
【００４４】
[第２実施例]
(エッチングされたアルミニウム箔にアルミニウム微粒子を成膜する実施例)
図４は，本発明に従う第２の実施例の電極箔の製造方法の手順を示すフロー図である。ここで，上記図２のフローに従う第１の実施例では，電極箔として圧延法による９９％の厚み４０μｍの基板アルミニウム箔２１を使用した例を説明したが，更に，第２の実施例として，図５Ａに示すように従来技術においても使用されていた予めエッチング処理された粗面（エッチド面）２０１を有するエッチドアルミニウム箔を使用した。
【００４５】
すなわち，圧延法による９９％アルミニウム箔４０μｍ厚を不活性ガス中で３００℃で焼鈍し,前処理を行った。この箔を塩酸, 硝酸,ＡlＣl３水溶液中で電流密度０．２Ａ/ｍ２(５０Ｈｚ)で８分間 電解処理を行い, 粗面化処理を行った。これにより，図５Ａのアルミニウム箔断面に示されるエッチド面２０１を有するアルミニウム箔２１が得られた（ステップＳ１）。
【００４６】
次いで，粗面化されたアルミニウム箔に対して, 先に第１の実施例について説明した図２の処理フローと同様に，ステップＳ２からステップＳ８の処理を行った。但し，図２のステップＳ７のエッチング処理は省略して，実施した。
【００４７】
以上の要領で箔両面にアルミニウム膜を形成することも可能である。
【００４８】
図５Ｂは，上記処理により得られる，予めエッチング処理された粗面２０１上にエアロゾルデポジションによりアルミニウム微粒子を堆積した層２０２の断面を模式的に示している。
【００４９】
第１実施例に対すると同様に，所定電圧２０Ｖに到達後３０分の時点での漏れ電流を測定した。引張強度は幅１cm, 長さ５cmの試験片を切り出し, 引張試験機で１０mm/minで引っ張り, 破断強度が１．５kg/cm(厚さでノーマライズせず,試験片の二次元形状で規定)以上であれば合格とする。また，膜箔の引張強度を測定した。
【００５０】
[第３実施例]
(エッチングされたアルミニウム箔にセラミック微粒子を成膜する実施例)
図６は，本発明に従う第３の実施例の電極箔の製造方法の手順を示すフロー図である。第２の実施例と同様に，圧延法による９９％アルミニウム箔４０μｍ厚を不活性ガス中で３００℃で焼鈍し,前処理を行った。この箔を塩酸, 硝酸,ＡlＣl３水溶液中で電流密度０．２Ａ/ｍ２(５０Ｈｚ)で８分間 電解処理を行い, 粗面化処理を行った。これにより，図５Ａの粗面（エッチド面）２０１を有するエッチドアルミニウム箔２１が得られた（ステップＳ１）。
【００５１】
エッチドアルミニウム箔２１（図５Ａ参照）に対し，図２に示したエアロゾルデポジションチャンバーで表面処理を図６のフローに従い，以下のように実施した。
【００５２】
製膜室３０３内のＸ，Ｙ方向に移動可能のステージ３０４にステップＳ１で用意した圧延アルミニウム箔２１を貼り付け配置した（ステップＳ２）。
【００５３】
製膜室３０３内は，真空ポンプ３０６で真空に引き，予め１０Ｐａ以下に減圧した（ステップＳ３）。
【００５４】
一方，平均粒径１００ｎｍのチタン酸バリウムからなる超微粒子セラミックを原料粉末３００としてエアロゾル発生容器３０１Ａに入れ，振動器３０１Ｂによりエアロゾル発生容器３０１Ａ全体に超音波を加え, 約１５０度で加熱しながら,３０分間真空脱気して, 粉末表面に形成した水分を除去する前処理を施した（ステップＳ４）。
【００５５】
エアロゾル発生器３０１Ａに高純度ヘリウムガス(ガス圧: ２kg/ｃｍ２, ガス流量:１０ｌ/min.) ３０２を導入し, 前処理を施した原料粉末３００をエアロゾル化した（ステップＳ５）。
【００５６】
次に,このエアロゾルを，配管を通してノズル３０５により製膜室３０３に送り込む。ノズル３０５は, 内側にらせん状の溝を形成したものを使用した。内側にらせん状の溝を有したノズル３０５から基板アルミニウム箔２１に向けて, ３分間噴射を行った（ステップＳ６）。この時のチャンバー中の圧力は５００Ｐａと一定とされた。
【００５７】
このようにして，アルミニウム微粒子によるエアロゾルデポジションにより基板アルミニウム箔２１上面に形成されたセラミック（チタン酸バリウム）膜は，２μｍの厚みであった。
【００５８】
なお，以上の要領で基板アルミニウム箔２１の両面にセラミック膜を形成することも可能である。
【００５９】
ついで，不活性ガス中で前記アルミニウムの(融点+100℃)以下の温度である５００℃で焼鈍し，堆積アルミニウム金属粒子を緻密化させる焼結前処理を行った。 
【００６０】
ついで，アジピン酸アンモニウム水溶液中で化成処理を行った（ステップＳ８）。
【００６１】
この第３実施例においても図２のステップＳ７のエッチング処理は省略して，実施した。
【００６２】
上記図６の処理フローにより形成された誘電体酸化皮膜層２００に対し，所定電圧２０Ｖに到達後３０分の時点での漏れ電流を測定した。また, 膜の引張強度を測定した。
【００６３】
このときの引張強度は幅１cm, 長さ５cmの試験片を切り出し, 引張試験機で１０mm/minで引っ張り, 破断強度が１．５kg/cm(厚さでノーマライズせず,試験片の二次元形状で規定)以上であれば合格とする測定を行った。
【００６４】
[第４実施例]
(エッチングされたアルミニウム箔にセラミック微粒子とアルミニウム微粒子の混合物を成膜する実施例)
図７は，本発明に従う第４の実施例の電極箔の製造方法の手順を示すフロー図である。上記第２，第３の実施例と同様に，圧延法による９９％アルミニウム箔４０μｍ厚を不活性ガス中で３００℃で焼鈍し,前処理を行った。この箔を塩酸, 硝酸,ＡlＣl３水溶液中で電流密度０．２Ａ/ｍ２(５０Ｈｚ)で８分間 電解処理を行い, 粗面化処理を行った。これにより，図５Ａの粗面２０１を有するアルミニウム箔２１が得られた（ステップＳ１）。
【００６５】
エッチドアルミニウム箔２１（図５Ａ参照）に対し，図２に示したエアロゾルデポジションチャンバーで表面処理を図７のフローに従い，以下のように実施した。
【００６６】
製膜室３０３内のＸ，Ｙ方向に移動可能のステージ３０４にステップＳ１で用意した圧延アルミニウム箔２１を貼り付け配置した（ステップＳ２）。
【００６７】
製膜室３０３内は，真空ポンプ３０６で真空に引き，予め１０Ｐａ以下に減圧した（ステップＳ３）。
【００６８】
一方，平均粒径１００ｎｍのチタン酸バリウムからなる超微粒子セラミックと平均粒径８μｍの超微粒子アルミニウム粉末の混合物を原料粉末３００としてエアロゾル発生容器３０１Ａに入れ，振動器３０１Ｂによりエアロゾル発生容器３０１Ａ全体に超音波を加え, 約１５０度で加熱しながら,３０分間真空脱気して, 粉末表面に形成した水分を除去する前処理を施した（ステップＳ４）。
【００６９】
エアロゾル発生器３０１Ａに高純度ヘリウムガス(ガス圧: ２kg/ｃｍ２, ガス流量:１０ｌ/min.) ３０２を導入し, 前処理を施した原料粉末３００をエアロゾル化した（ステップＳ５）。
【００７０】
次に,このエアロゾルを，配管を通してノズル３０５により製膜室３０３に送り込む。ノズル３０５は, 内側にらせん状の溝を形成したものを使用した。内側にらせん状の溝を有したノズル３０５から基板アルミニウム箔２１に向けて, ３分間噴射を行った（ステップＳ６）。この時のチャンバー中の圧力は５００Ｐａと一定とされた。
【００７１】
このようにして，図８に示すように，セラミック微粒子２０２ａとアルミニウム微粒子２０２ｂによるエアロゾルデポジションにより基板アルミニウム箔２１上面に形成されたセラミック（チタン酸バリウム）−アルミニウム膜２００は，２０μｍの厚みであった。
【００７２】
なお，以上の要領で基板アルミニウム箔２１の両面にセラミック（チタン酸バリウム）セラミック−アルミニウム膜を形成することも可能である。
【００７３】
ついで，アジピン酸アンモニウム水溶液中で化成処理を行った（ステップＳ８）。
【００７４】
この第４実施例においても図２のステップＳ７のエッチング処理は省略して，実施した。
【００７５】
上記図７の処理フローにより形成された誘電体酸化皮膜層２００に対し，所定電圧２０Ｖに到達後３０分の時点での漏れ電流を測定した。また, 膜の引張強度を測定した。
【００７６】
このときの引張強度は幅１cm, 長さ５cmの試験片を切り出し, 引張試験機で１０mm/minで引っ張り, 破断強度が１．５kg/cm(厚さでノーマライズせず,試験片の二次元形状で規定)以上であれば合格とする測定を行った。
【００７７】
［比較例］
上記第１〜第４の実施例と比較する比較例を次のように実施した。
【００７８】
圧延法による９９％アルミニウム箔４０μｍ厚を不活性ガス中で３００℃で焼鈍し,前処理を行った。この箔を塩酸, 硝酸,ＡlＣl３水溶液中で電流密度０．２Ａ/ｍ２(５０Ｈｚ)で８分間 電解処理を行い,粗面化処理を行った。その後，アジピン酸アンモニウム水溶液中で化成処理を行った。
【００７９】
すなわち，比較例は，第１実施例の処理フローにおけるステップＳ２からＳ７のアルミニウム微粒子あるいは，セラミック微粒子による膜形成による粗面化処理を行っていない。
【００８０】
そして，所定電圧２０Ｖに到達後３０分の時点での漏れ電流を測定した。また, 膜の引張強度を測定した。
【００８１】
このときの引張強度は幅１cm, 長さ５cmの試験片を切り出し, 引張試験機で１０mm/minで引っ張り, 破断強度が１．５kg/cm(厚さでノーマライズせず,試験片の二次元形状で規定)以上であれば合格とする測定を行った。また，箔の引っ張り強度を測定した。
【００８２】
下の表１は，上記第１〜第４実施例と比較例を比べた表である。
【００８３】
表１において，従来のエッチングアルミニウム箔に本発明のエアロゾルデポジション法により堆積層を形成した箔である第２〜第４の実施例と，比較例を比較している。
【００８４】
第１〜第４の実施例の箔の引張強度は比較例より向上している。単位面積あたりの静電容量は比較例の４０μＦに対して，第２〜第４の実施例では１５０〜１８０μＦといずれも４倍程度となっている。
【００８５】
したがって，本発明により従来と比較して静電容量が４倍程度の電解コンデンサを提供することが可能となる。
【００８６】
エアロゾルデポジション法では皮膜耐電圧と容量の関係を考慮して，蓄積させる弁金属粒子の種類，配合比を調整することが可能であることも利点であり，もちろん一種類の弁金属のみを蓄積させても良い。
【００８７】
【表１】
2008270524.tif 000003
（付記１）
金属箔表面上に誘電率を有する弁金属粒子及び／又はセラミック粒子を主成分とした金属粒子及びセラミック粒子が堆積された構造を有する電極箔。
【００８８】
（付記２）
付記１において，
前記金属粒子及び／又はセラミック粒子の堆積はエアロゾルデポジションを用いて形成されていることを特徴とする電極箔。
【００８９】
（付記３）
付記１において，
前記金属粒子は１００nmから１００μmの範囲内の粒径を有していることを特徴とする電極箔。
【００９０】
（付記４）
付記１において，
前記セラミック粒子は, 誘電率が１０以上の酸化物, 窒化物, 炭化物からなることを特徴とする電極箔。
【００９１】
（付記５）
付記１において，
前記セラミック粒子は粒径が５００nm以下であることを特徴とする箔。
【００９２】
（付記６）
付記１において，
前記弁金属粒子は, 弁金属アルミニウム及びその化合物, チタン及びその化合物, タンタル及びその化合物, ニオブ及びその化合物のいずれかを少なくともひとつ以上を含むことを特徴とする電極箔。
【００９３】
（付記７）
エアロゾルチャンバーの製膜室内にアルミニウム箔を配置し，
アルミニウム粉末をエアロゾル化し，
前記エアロゾル化されたアルミニウム粉末を前記製膜室内に配置されたアルミニウム箔に噴射し，前記アルミニウム箔上にアルミニウム粒子を堆積させる
ことを特徴とする電極膜の製造方法。
【００９４】
（付記８）
付記７において，
前記製膜室内に配置されるアルミニウム箔は，表面が電解エッチング処理により粗面化されていることを特徴とする電極箔。
【００９５】
（付記９）
付記７又は８において，
前記アルミニウム箔の前記アルミニウム粒子が堆積された面側をエッチング処理することを特徴とする電極箔。
【００９６】
（付記１０）
付記９において，
前記エッチング処理された前記アルミニウム粒子が堆積された面に対し更に化成処理を行うことを特徴とする電極箔。
【００９７】
（付記１１）
表面がエッチング処理されたアルミニウム箔をエアロゾルチャンバーの製膜室内に配置し，
セラミック粉末をエアロゾル化し，
前記エアロゾル化されたセラミック粉末を前記製膜室内に配置されたアルミニウム箔に噴射し，前記アルミニウム箔上にセラミック粒子を堆積させる
ことを特徴とする電極膜の製造方法。
【００９８】
（付記１２）
表面がエッチング処理されたアルミニウム箔をエアロゾルチャンバーの製膜室内に配置し，
アルミニウム粉末とセラミック粉末の混合物をエアロゾル化し，
前記エアロゾル化されたアルミニウム粉末とセラミック粉末の混合物を前記製膜室内に配置されたアルミニウム箔に噴射し，前記アルミニウム箔上にアルミニウム粒子とセラミック粒子を堆積させる
ことを特徴とする電極膜の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明に従う電極箔を陽極箔として適用する実施例としての巻回型電解コンデンサの構造を示す概略図である。
【図２】本発明に従う第１の実施例の電極箔の製造方法の手順を示すフロー図である。
【図３】エアロゾルデポジションチャンバーの概略構成例を示す図である。
【図４】本発明に従う第２の実施例の電極箔の製造方法の手順を示すフロー図である。
【図５】予めエッチング処理された粗面（エッチド面）を有するアルミニウム箔を説明する図である。
【図６】本発明に従う第３の実施例の電極箔の製造方法の手順を示すフロー図である。
【図７】本発明に従う第４の実施例の電極箔の製造方法の手順を示すフロー図である。
【図８】第４の実施例により基板アルミニウム箔上面に形成されたセラミック（チタン酸バリウム）−アルミニウム膜を説明する図である。
【符号の説明】
【０１００】
２１  陽極箔，アルミニウム箔
２２  陰極箔
３０  電解紙
３１  電解質
２０１Ａ  Ａｌ膜
２０１Ｂ  微細空洞層
２０１Ｃ  微細空洞層の表面（酸化層） 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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