(57)【要約】      （修正有）【課題】セラミックを含む複数の絶縁層を積層してなり、基板本体の裏面に広い面積を占める導体層を有し、金属メッキ後の反りが少ない配線基板を提供する。【解決手段】セラミックを含む絶縁層ｓ１，ｓ２１〜ｓ２３を積層してなる基板本体２の厚み方向における表面３と裏面４との中間に、仮想の平面を中間平面Ｆとした時に、中間平面Ｆから表面３側に位置し、且つ含有するセラミックの平均粒径が他の絶縁層ｓ２１〜ｓ２３よりも大きな第１絶縁層ｓ１と、中間平面Ｆから表面３側に位置し、且つ第１絶縁層ｓ１と他の絶縁層ｓ２１との間に形成され、平面視で第１絶縁層ｓ１の表面における面積の５０％以上を占める単一の内部導体層６と、裏面４に形成され、かかる裏面４の面積の５０％以上を占める単一の裏面導体層８と、表面３に形成され、各々の表面に金属メッキ層１１，１２が形成され、且つ裏面導体層８よりも小さな複数の表面導体層５とを含む配線基板１。【選択図】図１
2008270751.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックを含む複数の絶縁層を積層してなり、表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体の厚み方向における表面と裏面との中間に位置する仮想の平面を中間平面としたときに、当該中間平面から基板本体の表面側に位置し、且つ含有するセラミックの平均粒径が他の絶縁層よりも大きな第１絶縁層と、
上記中間平面から基板本体の表面側に位置し、且つ上記第１絶縁層と他の絶縁層との間に形成され、平面視で第１絶縁層の表面における面積の５０％以上を占める単一の内部導体層と、
上記基板本体の裏面に形成され、かかる裏面の面積の５０％以上を占める単一の裏面導体層と、
上記裏面導体層の表面に形成された金属メッキ層と、
上記基板本体の表面に形成され、且つ表面に金属メッキ層が形成されており、上記裏面導体層よりも小さな複数の表面導体層と、を含む、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記基板本体の表面あるいは第１絶縁層の表面における外周辺に沿って、平面視が矩形を呈する枠形導体層が形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の複数の前記配線基板を縦横に隣接して配置した製品領域と、
少なくとも上記製品領域の外周における何れか一辺に沿って位置し、セラミックを含む複数の前記絶縁層からなる耳部と、を備えている、
ことを特徴とする多数個取り基板。
【請求項４】
前記耳部には、前記製品領域の外周を囲む四辺に沿って位置し、かかる耳部における表面または前記第１絶縁層の表面に平面視が矩形を呈する外側枠形導体層が形成されている、
ことを特徴とする請求項３に記載の多数個取り基板。
【請求項５】
前記製品領域に配置された配線基板ごとの基板本体の表面あるいは第１絶縁層の表面における外周辺に沿って、それぞれ平面視が矩形を呈する枠形導体層が形成されている、
ことを特徴とする請求項３または４に記載の多数個取り基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックを含む複数の絶縁層からなり且つ反りが少ない配線基板、および複数のかかる配線基板を含む多数個取り基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
焼成後の反りをコントロールするため、半導体素子が搭載される上層に、アルミナ粒の平均粒径が他よりも大きいセラミックグリーンシートを、上層と反対側の下層に、アルミナ粒の平均粒径が他よりも小さいセラミックグリーンシートを、用いて積層し且つ焼成する、多層セラミック回路基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
上記製造方法によれば、焼成後の多層セラミック回路基板は、その中央部が上向きに持ち上がるように反っているため、その後かかる中央部が自重の影響で垂れ下がることで、上記回路基板全体の反りを少なくすることが可能である。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１９０２２８号公報（第１〜４頁、図１〜６）
【０００４】
ところで、セラミックを含む複数の絶縁層からなり、表面および裏面を有する基板本体のかかる裏面に広い面積を占める裏面導体層を有する形態の配線基板では、焼成された後の上記裏面導体層の表面に、金属メッキ層が形成される。かかる金属メッキ層は、当該裏面導体層に対しその中央部に向かって求心的に圧縮応力を加えるように作用する。このため、前記多層セラミック回路基板の製造方法のように、焼成後に中央部が表面の上方に持ち上がるように反っていると、上記金属メッキを被覆した際、特に当該メッキを厚く形成した場合に、更に上記反りが大きくなることがある、という問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、セラミックを含む複数の絶縁層を積層してなり、表面および裏面を有する基板本体のかかる裏面に広い面積を占める裏面導体層を有し、且つ金属メッキ後の反りが少ない配線基板、および複数のかかる配線基板を含む多数個取り基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、焼成後に配線基板の基板本体における中央部が裏面側に下がるように反らせ、裏面導体層の表面に金属メッキした際に前記反りが矯正されるような構造の基板本体を用いる、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板（請求項１）は、セラミックを含む複数の絶縁層を積層してなり、表面および裏面を有する基板本体と、かかる基板本体の厚み方向における表面と裏面との中間に位置する仮想の平面を中間平面としたときに、当該中間平面から基板本体の表面側に位置し、且つ含有するセラミックの平均粒径が他の絶縁層よりも大きな第１絶縁層と、上記中間平面から基板本体の表面側に位置し、且つ上記第１絶縁層と他の絶縁層との間に形成され、平面視で第１絶縁層の表面における面積の５０％以上を占める単一の内部導体層と、上記基板本体の裏面に形成され、かかる裏面の面積の５０％以上を占める単一の裏面導体層と、かかる裏面導体層の表面に形成された金属メッキ層と、上記基板本体の表面に形成され、且つ表面に金属メッキ層が形成されており、上記裏面導体層よりも小さな複数の表面導体層と、を含む、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、焼成時には、仮想の中間平面から基板本体の表面側に位置する第１絶縁層と内部導体層とによる焼成収縮が、基板本体の裏面に形成された裏面導体層の焼成収縮よりも大きくなるため、中央部が裏面側に下がるように基板本体が反っていた。しかし、大きな面積の裏面導体層および複数の表面導体層に金属メッキ層が被覆された際に、かかる金属メッキ層が生じた裏面導体層をその中央部に向かって圧縮する求心的な応力により、上記反りの方向と反対方向の応力が基板本体の内部に生じたことで、上記反りを矯正ないし解消している。従って、基板本体およびその表・裏面に反りがないか、極く僅かに抑制された配線基板を提供することができる。
【０００８】
尚、前記「セラミックを含む」とは、セラミック以外にガラス成分を含有しても良いし、アルミナなどのセラミックを主成分とする形態も含む。
また、前記「第１絶縁層」は、その含有するアルミナなどのセラミックの平均粒径が、他の絶縁層（後述する実施形態では、第２絶縁層と称する）よりも大きいことを示す相対的な呼称である。
更に、前記セラミックの平均粒径は、前記絶縁層における所定倍率の矩形断面において、かかる断面の中心を通る仮想の垂直線の長さ、水平線の長さ、および左右対称な一対の対角線の長さの合計をＬとし、前記４つの各線と交差するセラミック粒子の総個数をＮとした際に、Ｌ／Ｎによって算出される。
また、前記「中間平面」とは、前記基板本体の厚み方向において、その表面と裏面との中間に位置し、かかる基板本体の中心を含む仮想の平面である。
更に、前記「単一の」とは、複数に分割されることなく連続し、且つ平面視でほぼベタ状にして形成されている形態を示す。
また、内部導体層と裏面導体層とを５０％以上としたのは、これらの前記面積率が５０％未満では、焼成時において焼成中の積層体に対し、これらの平面方向に沿った焼成収縮による圧縮応力を生じ難く成り得るためである。
更に、表面導体層には、パッドまたは所定パターンの配線層が含まれる。
加えて、前記金属メッキ層は、例えば、Ｎｉメッキ層およびＡｕメッキ層からなり、何れも電解メッキによって形成される。
【０００９】
また、本発明には、前記基板本体の表面あるいは第１絶縁層の表面における外周辺に沿って、平面視が矩形を呈する枠形導体層が形成されている、配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、焼成時には、前記第１絶縁層、内部導体層、およびに枠形導体層よる焼成収縮が、基板本体の裏面に形成された裏面導体層の焼成収縮よりも大きくなり、中央部が裏面側に下がるように基板本体が反るが、前記裏面導体層および複数の表面導体層に金属メッキ層が被覆された際に、かかる金属メッキ層が生じた裏面導体層をその中央部に向かって圧縮する求心的な応力により、上記反りの方向と反対方向の応力が基板本体の内部に生じて、上記反りが矯正ないし解消された配線基板を提供できる。
【００１０】
一方、本発明の多数個取り基板（請求項３）は、複数の前記配線基板を縦横に隣接して配置した製品領域と、少なくともかかる製品領域の外周における何れか一辺に沿って位置し、セラミックを含む複数の絶縁層からなる耳部と、を備えている、ことを特徴とする。
これによれば、反りの少ない基板本体を有する複数の配線基板を、縦横に隣接して併有する形態として、提供することが可能となる。
【００１１】
付言すれば、本発明には、セラミック粒子を含む複数の第２グリーンシートと、前記セラミック粒子よりも平均粒径が大きなセラミック粒子を含む第１グリーンシートと、を形成する工程と、最上層となる第２グリーンシートの表面に複数の表面導体を形成し、最下層となる第２グリーンシートの裏面にかかる裏面の５０％以上を占める単一の裏面導体層を形成し、上記第１グリーンシートの表面にかかる表面の５０％以上を占める単一の中間導体層を形成する工程と、上記最上層となる第２グリーンシートと、最下層となる第２グリーンシートとの間で且つ前者の表面と後者の裏面との中間面よりも前者の表面側に、上記第１グリーンシートを挟んで、係ると第１グリーンシートと複数の第２グリーンシートとを積層して、未焼成の積層体を形成する工程と、かかる積層体を焼成する工程と、かかる焼成により得られた焼成済みの基板本体の表面に位置する複数の表面導体層、およびかかる基板本体の裏面に位置する単一の裏面導体層との表面に、金属メッキ層を被覆する工程と、を含む、配線基板の製造方法も含まれ得る。
【００１２】
前記配線基板の製造方法による場合、焼成時には、中央部が裏面側に凸形となるように基板本体が反るが、裏面導体層および表面導体層に金属メッキ層が被覆された際には、上記反りの方向と反対方向の応力が生じ、上記反りを矯正ないし解消する。その結果、基板本体およびその表・裏面に反りがなすか、極く僅かに抑制された配線基板を確実に製造することが可能となる。
尚、前記製造方法は、複数の前記配線基板を縦横に隣接して配置した製品領域と、少なくともかかる製品領域の外周における何れか一辺に沿って位置し、セラミックを含む複数の絶縁層からなる耳部と、を備えた多数個取り基板の形態として実施することも可能である。
【００１３】
また、本発明には、前記耳部は、前記製品領域の外周を囲む四辺に沿って位置し、かかる耳部における表面または前記第１絶縁層の表面に平面視が矩形を呈する外側枠形導体層が形成されている、多数個取り基板（請求項４）も含まれる。
これによれば、複数の配線基板が配置された前記製品領域の反りが、矯正ないし解消されことに起因して、かかる製品領域の外周を囲む耳部を裏面側に反らせようとする内部応力を、前記外側枠形導体層の焼成収縮による上記製品領域の中心部側に向かう応力により、解消ないし低減することが可能となる。従って、製品領域および耳部の双方に反りが皆無であるか、極くに抑制された多数個取り基板とすることができる。
【００１４】
更に、本発明には、前記製品領域に配置された配線基板ごとの基板本体の表面あるいは第１絶縁層の表面における外周辺に沿って、それぞれ平面視が矩形を呈する枠形導体層が形成されている、多数個取り基板（請求項５）も含まれる。
これによれば、焼成時に、前記配線基板ごとの第１絶縁層およびに内部導体層よる焼成収縮、あるいはこれらにを加えた耳部の外側枠形導体層による焼成収縮に対し、更に枠形導体層による焼成収縮が加わる。このため、前記裏面導体層および複数の表面導体層に金属メッキ層を被覆した際に、かかる金属メッキ層が生じる裏面導体層をその中央部に向かって圧縮する求心的な応力を、一層確実に抑制ないし低減して、製品領域に反りが少ないか、あるいは製品領域および耳部の双方に反りが少ない多数個取り基板とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明による一形態の配線基板１を示す垂直断面図である。
配線基板１は、図１に示すように、表面３および裏面４を有する基板本体２と、その表面３の周辺部に形成された複数のパッド（表面導体層）５と、基板本体２の内部に形成された内部導体層６と、基板本体２の裏面４に形成された裏面導体層８と、を備えている。
基板本体２は、ガラス−アルミナ（セラミック）からなり、アルミナ粒の平均粒径が約３．６μｍと比較的大きく且つ厚みが１２５μｍの第１絶縁層ｓ１と、その上下両面に積層され、上記同様のガラス−アルミナからなり、アルミナ粒の平均粒径が約３．０μｍと比較的小さく且つ厚みがそれぞれ１２５μｍの第２絶縁層（他の絶縁層）ｓ２１〜ｓ２３とからなっている。
尚、基板本体２の表面３と裏面４との中間には、仮想の中間平面Ｆが位置し、この中間平面Ｆは、基板本体２では、第１絶縁層ｓ１と第２絶縁層ｓ２２との間に位置している。また、第１絶縁層ｓ１および第２絶縁層ｓ２１〜ｓ２３に含有されているガラス成分とアルミナとの比は、６：４ないし４：６の範囲である。
【００１６】
図１に示すように、基板本体２の中間平面Ｆから表面３側であって、第１絶縁層ｓ１と最上層の第２絶縁層ｓ２１との間には、平面視で第１絶縁層ｓ１の表面における面積の５０％以上を占める比較的面積の広いベタ状の内部導体層６が形成されている。かかる単一の内部導体層６は、厚みが約４０μｍのＡｇ層からなり、例えば、接地層または電源層として利用される。
また、第１絶縁層ｓ１と最上層の第２絶縁層ｓ２１との間で且つ上記内部導体層６の周囲には、第１絶縁層ｓ１の外周辺に沿って平面視が矩形（正方形または長方形）を呈する枠形導体層１４が、電気的に独立して形成されている。尚、該枠形導体層１４は、前記同様の厚みのＡｇからなり、基板本体２の表面３の外周辺に沿った上記と同じ位置に形成して良い。
【００１７】
更に、基板本体２の表面３形成された複数のパッド５は、図１中のＸ部分の拡大図で示すように、厚みが約１５μｍのＡｇ層９、その表面に形成された厚みが約５〜９μｍのＮｉメッキ層（金属メッキ層）１１、および最表層に形成され厚みが約０．１〜０．３μｍのＡｕメッキ層（金属メッキ層）１２からなっている。
加えて、基板本体２の裏面４には、その面積の５０％以上を占める比較的広い面積の裏面導体層８が形成されている。かかる単一の裏面導体層８は、図１中のＹ部分の部分拡大図で示すように、厚みが約１５μｍのＡｇ層１０と、その表面に順次形成された上記同様のＮｉメッキ層１１およびＡｕメッキ層１２とからなっている。かかる裏面導体層８は、接地層または信号層として利用される。
【００１８】
図１に示すように、各パッド５には、最上層の第２絶縁層ｓ２１を貫通するビア導体ｖが接続され、これを介して前記内部導体層６にも導通されている。また、各パッド５は、中間平面Ｆよりも裏面４側の第２絶縁層ｓ２２，ｓ２３を貫通するビア導体ｖを介して、第２絶縁層ｓ２２，ｓ２３間に形成された所定パターンを呈する複数の配線層７や、裏面導体層８とも導通されている。
尚、上記ビア導体ｖや配線層７もＡｇからなり、個々の配線層７は、第２絶縁層ｓ２３の表面における面積が約５〜１０％である。また、第１絶縁層ｓ１と第２絶縁層ｓ２２との間には、上記同様の面積率の図示しない配線層を、中間平面Ｆとほぼ同一平面に形成しても良く、かかる配線層も上記ビア導体ｖを介して、内部導体層６や配線層７などと導通させても良い。
【００１９】
以上のような配線基板１によれば、基板本体２の焼成時には、前記中間平面Ｆから基板本体２の表面３側に位置する第１絶縁層ｓ１、内部導体層６、および枠形導体層１４による焼成収縮が、基板本体２の裏面４に形成された裏面導体層８となるＡｇ層（１０）の焼成収縮よりも大きくなるため、中央部が裏面４側に凸形になるように基板本体２が反っている。しかし、大きな裏面導体層４および複数のパッド５の表面にＮｉメッキ層１１およびＡｕメッキ層１２を被覆した際に、裏面導体層８をその中央部に向かって圧縮する求心的な応力によって、上記反りの方向と反対方向の圧縮応力が基板本体２の内部に生じ、上記反りが矯正ないし解消されている。従って、基板本体２およびその表・裏面３，４に反りがないか、極く僅かに抑制された配線基板１となっている。このため、後工程において、例えば、かかる配線基板１をダイの表面に容易に負圧吸着させることが可能となる。
【００２０】
図２は、複数の前記配線基板１を縦横に隣接して併有する多数個取り基板２０の概略を示す垂直断面図である。
多数個取り基板２０は、図２に示すように、平面視で複数の前記配線基板１を縦横に隣接して配置した製品領域ｐａと、かかる製品領域ｐａの外周における４辺に沿って位置し、且つガラス−アルミナ（セラミック）からなって前記第１絶縁層ｓ１および第２絶縁層ｓ２１〜ｓ２３からなる耳部ｍと、を備えている。互いに隣接する配線基板１，１間、および外周の配線基板１と耳部ｍとの間は、図２中の一点鎖線で示す仮想の切断予定面Ｃによって、区画されている。
【００２１】
上記耳部ｍには、製品領域ｐａの外周を囲む四辺に沿って、該耳部ｍにおける第１絶縁層ｓ１の表面に、平面視が矩形の外側枠形導体層１６が形成されている。かかる外側枠形導体層１６も、前記同様の厚みのＡｇからなり、電気的に独立しているほか、耳部ｍの外側面に形成される次述するメッキ用電極と製品領域ｐａ内に位置する各配線基板１の裏面導体層８などとの間を導通するメッキ配線（図示せず）の一部としても使用され得る。
尚、耳部ｍの外側面には、各配線基板１のパッド５や裏面導体層８にＮｉメッキおよびＡｕメッキを施すためのメッキ用電極（図示せず）が形成されている。
上記多数個取り基板２０によれば、反りの少ない基板本体２を有する複数の配線基板１を、縦横に隣接して併有し、且つ反りの少ない耳部ｍを備える形態として提供することができる。
【００２２】
前記配線基板１は、以下のようにして製造した。
予め、平均粒径が約３．０μｍのアルミナ粉末、ガラス粒子、有機系バインダ、および溶剤を所定量ずつ配合して、セラミックスラリを形成し、これをドクターブレード法によりシート状に成形することで、図３に示すように、３つの第２グリーンシートｇ２１〜ｇ２３を形成した。
また、平均粒径が約３．６μｍのアルミナ粉末、ガラス粒子、有機系バインダ、および溶剤を所定量ずつ配合して、セラミックスラリを形成し、上記同様に成形して、第１グリーンシートｇ１を形成した。
第２グリーンシートｇ２１〜ｇ２３は、それぞれ厚みが約１３０μｍで、含有するアルミナ（セラミック成分）とガラス成分との重量比が６：４であり、追って前記第２絶縁層ｓ２１〜ｓ２３となる。一方、第１グリーンシートｇ１も上記と同じ厚みおよび重量比で、追って前記第１絶縁層ｓ１となる。
【００２３】
先ず、図３に示すように、第１グリーンシートｇ１および第２グリーンシートｇ２１〜ｇ２３の所定の位置に対し、パンチングを施して、ビアホールｈを形成し、これらにＡｇ粉末、有機系バインダ、および溶剤を所定量ずつ配合した導電性のペーストを充填して、ビア導体ｖを形成した。尚、図３では、第１グリーンシートｇ１を貫通するビアホールｈおよびビア導体ｖを省略した。
次いで、第２グリーンシートｇ２１の上面、第１グリーンシートｇ１の上面、および、第２グリーンシートｇ２３の上・下面に、上記同様の導電性のペーストを約１５〜４０μｍの厚みで印刷して、未焼成の複数のＡｕ層９、ベタ状の内部導体層６、枠形導体層１４、配線層７、およびベタ状のＡｕ層１０を形成した。
この際、内部導体層６は、第１グリーンシートｇ１の上面（表面）の５０％以上を占め、Ａｕ層１０は、第２グリーンシートｇ２３の下面（裏面）の５０％以上を占めるよう形成された。
【００２４】
次に、図３中の矢印で示すように、第２グリーンシートｇ２１、第１グリーンシートｇ１、および第２グリーンシートｇ２２，ｇ２３の順で、これらを厚み方向に沿って積層し且つ圧着した。その結果、図４に示すように、第１グリーンシートｇ１および第２グリーンシートｇ２１〜ｇ２３からなり、表面３および裏面４を有する基板本体２を備えた未焼成の積層体ＧＳが形成された。かかる積層体ＧＳの基板本体２の厚み方向における表面３と裏面４との中間は、第１グリーンシートｇ１と第２グリーンシートｇ２２との境界面であり、且つ図４中の一点鎖線で示すように、基板本体２の重心を含む仮想の中間平面Ｆが位置している。
かかる未焼成の積層体ＧＳを、焼成炉内に挿入し、所定の温度帯で焼成した。その結果、図５に示すような焼成済みの積層体ＳＳが得られた。
【００２５】
図５に示すように、焼成済みの積層体ＳＳは、前記第１グリーンシートｇ１が焼成されたガラス−アルミナの第１絶縁層ｓ１と、その上下に位置し且つ前記第２グリーンシートｇ２１〜ｇ２３が焼成されたガラス−アルミナの第２絶縁層（他の絶縁層）ｓ２１〜ｓ２３とが一体となった基板本体２を有する。しかも、かかる基板本体２は、図５に示すように、その表面３の中央部が裏面４側に凹むと共に、裏面４の中央部が下向きに凸形状に膨んでおり、側面視で緩やかなほぼＵ字形を呈するように反っている。
かかる焼成後の基板本体２の反りは、前記焼成時において、中間平面Ｆから基板本体２の表面３側に位置する第１グリーンシートｇ１および内部導体層６の焼成収縮による内部応力が、基板本体２の裏面４に位置するＡｇ層１０の焼成収縮による圧縮応力よりも大きかったことに起因していた、ものと推定される。
【００２６】
即ち、第１グリーンシートｇ１に含有されていたアルミナ粉末の平均粒径は、第２グリーンシートｇ２１〜ｇ２３に含有されていたアルミナ粉末の平均粒径よりも大きいため、第１グリーンシートｇ１の内部では、比較的大粒のアルミナ粉末の間に位置するガラス成分などの体積（量）が、第２グリーンシートｇ２１〜ｇ２３に比べて、比較的多くなっていた。このため、第１グリーンシートｇ１の焼成収縮量（率）が、第２グリーンシートｇ２１〜ｇ２３の焼成収縮量よりも大きくなると共に、隣接する内部導体層６および枠形導体層１４の焼成収縮量と相俟って、基板本体２の中間平面Ｆから表面３側に、中央部が凹み且つ周辺部を持ち上げるような内部応力が生じた。かかる内部応力が、平面視で内部導体層６とほぼ同じ面積である裏面４側のＡｇ層１０による焼成収縮量に打ち勝ったことで、前記のような反りが基板本体２に生じた、ものと推定される。
【００２７】
そして、前記反りを有する基板本体２の表面３に位置する複数のＡｇ層９と、裏面４に位置するベタ状のＡｇ層１０との表面に対し、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキを順次施して、それぞれ厚みが５〜７μｍのＮｉメッキ層１１、および厚みが０．１〜０．３μｍのＡｕメッキ層１２を形成した。
その結果、図６で示すように、基板本体２の表面３には、複数の前記パッド５が形成され、裏面４には、前記裏面導体層８が形成されて、前記配線基板１が得られた。かかる配線基板１は、図１で示したように、その基板本体２の表面３および裏面４がほとんど平坦面となっており、前記反りが解消されていた。
前記反りが解消したのは、前記メッキ時において、Ａｇ層１０の表面にＮｉメッキ層１１およびＡｕメッキ層１２を形成した際に、これらメッキ層１１，１２が、図６中の破線の矢印で示すように、メッキされた前記裏面導体層８に対し、その中央部に向かって求心的に圧縮する応力ｆを生じさせた、ことによるものと推定される。
【００２８】
以上のような配線基板１の製造方法によれば、基板本体２における仮想の中間平面Ｆよりも表面３側に、平均粒径の大きなアルミナ粉末を含有する第１グリーンシートｇ１、およびその上面で５０％以上を占めて形成した単一の内部導体層６、および枠形導体層１４によって、焼成した際に、後工程のメッキ時に生じる圧縮応力の方向と、反対向きの反りが与えられていた。これに対し、その後に、基板本体２の表面３に位置する複数のパッド５、および裏面４に位置する単一の裏面導体層８の表面に、Ｎｉメッキ層１１およびＡｕメッキ層１２をそれぞれ形成したことで、上記反りが矯正ないし解消され且つ平坦度の高い基板本体２を有する配線基板１とすることが可能となった。
尚、配線基板１の前記製造方法は、前記第１グリーンシートｇ１および第２グリーンシートｇ２１〜ｇ２３を、大版サイズのものとし、且つ前記各工程を行うことで、前記多数個取り基板２０を製造することも可能である。
【００２９】
図７は、前記配線基板１の変形形態の配線基板１ａを示す垂直断面図である。
配線基板１ａは、図７に示すように、前記同様の第１絶縁層ｓ１および第２絶縁層ｓ２１〜ｓ２３からなり、表面３および裏面４を有する基板本体２と、表面３の周辺部に形成された複数のパッド５と、裏面４に形成された裏面導体層８と、第１絶縁層ｓ１と第２絶縁層ｓ２１との間に形成された単一の内部導体層６と、を備えている。かかる配線基板１ａが前記配線基板１と相違するのは、最上層の第２絶縁層ｓ２１の厚みが第１絶縁層ｓ１や第２絶縁層ｓ２２，ｓ２３よりも薄肉であるため、基板本体２の厚み方向における表面３と裏面４との中間に位置する仮想の中間平面Ｆが、図７に示すように、第２絶縁層ｓ２２の内部で且つ第１絶縁層ｓ１寄りに位置していることである。更に、基板本体２の表面３における外周辺に沿って、前記同様の枠形導体層１４を形成したことである。
【００３０】
以上のような配線基板１ａによっても、基板本体２の焼成時に、前記中間平面Ｆから基板本体２の表面３側に位置する第１絶縁層ｓ１、内部導体層６、および枠形導体層１４による焼成収縮が、裏面４の裏面導体層８となるＡｇ層１０の焼成収縮よりも大きくなるため、表面３の中央部が裏面４側に下がるように基板本体２が反っている。しかし、その後で、裏面導体層８の表面にＮｉメッキ層１１およびＡｕメッキ層１２を被覆した際に、裏面４の中央部に向かって圧縮する求心的な応力により、上記反りが矯正ないし解消されている。従って、基板本体２およびその表・裏面３，４に反りがないか、極く僅かに抑制された配線基板１ａとすることができる。
【００３１】
図８は、前記配線基板１の応用形態の配線基板１ｂを示す垂直断面図である。
配線基板１ｂは、図８に示すように、上下一対の第１絶縁層ｓ１１，ｓ１２と、これらの間および上方に配置される比較的薄肉の第２絶縁層ｓ２１ａ，ｓ２１ｂと、比較的厚肉の第２絶縁層ｓ２２，ｓ２３とを積層し、表面３および裏面４を有する基板本体２を備えている。また、第１絶縁層ｓ１１，ｓ１２の上面（表面）には、これらの５０％以上の面積を占める単一の内部導体層６ａ，６ｂが形成されている。このうち、第１絶縁層ｓ１１の表面で且つ内部導体層６ａの周囲には、前記同様の枠形導体層１４が形成され、且つ基板本体２の表面３における外周辺に沿った位置にも、別の枠形導体層１４が形成されている。
更に、基板本体２の表面３には、前記同様の複数のパッド５が形成され、裏面４には、裏面導体層８が形成されている。尚、上記内部導体層６ａ，６ｂは、何れか一方のみを形成したり、上下２層の枠形導体層１４も、何れか一方のみを形成した形態としても良い。
【００３２】
図８に示すように、裏面４側に位置する第２絶縁層ｓ２２，ｓ２３全体の厚みと、表面３側に位置する第２絶縁層ｓ２１ａ，ｓ２１ｂおよび第１絶縁層ｓ１１，ｓ１２全体の厚みとは、同じであるため、第１絶縁層ｓ１２と第２絶縁層ｓ２２との層間に、基板本体２の中心を含む仮想の中間平面Ｆが位置している。
以上のような配線基板１ｂによっても、基板本体２の焼成時に、前記中間平面Ｆから基板本体２の表面３側に位置する第１絶縁層ｓ１１，ｓ１２、内部導体層６ａ，６ｂ、および上下２層の枠形導体層１４による焼成収縮が、裏面４の裏面導体層８となるＡｇ層１０の焼成収縮よりも大きくなるため、中央部が裏面４側に下がるように基板本体２が反っている。しかし、その後、裏面４側の裏面導体層８の表面にＮｉメッキ層１１およびＡｕメッキ層１２を被覆した際に、その中央部に向かって圧縮する求心的な応力により、上記反りが矯正ないし解消されている。従って、基板本体２およびその表・裏面３，４に反りがないか、極く僅かに抑制された配線基板１ｂとすることができる。
【００３３】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記第１絶縁層および第２絶縁層（他の絶縁層）は、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウムなどのセラミック成分を主成分とするものとしても良い。
また、前記内部導体層６，６ａ，６ｂは、これらが形成される第１絶縁層の表面の５５％〜９０％の面積を占める形態としても良い。
更に、裏面導体層８は、基板本体２の裏面４の５０％以上から１００％の面積を占める形態としても良い。
また、前記基板本体２の表面３には、所定パターンを有する表面配線層（表面導体層）を形成しても良い。
加えて、前記配線基板１ａ，１ｂについても、これらを縦横に隣接して配置した製品領域ｐａと、かかる領域の外周を囲み且つ前記第１・第２絶縁層からなる耳部ｍと、を備えた多数個取り基板の形態としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明による一形態の配線基板を示す垂直断面図。
【図２】上記配線基板を複数個有する多数個取り基板の概略を示す断面図。
【図３】上記配線基板の一製造工程を示す概略図。
【図４】図３に続く製造工程を示す概略図。
【図５】図４に続く製造工程を示す概略図。
【図６】図５に続く製造工程を示す概略図。
【図７】上記配線基板の変形形態である配線基板を示す垂直断面図。
【図８】上記配線基板の応用形態である配線基板を示す垂直断面図。
【符号の説明】
【００３５】
１，１ａ，１ｂ…………配線基板
２…………………………基板本体
３…………………………表面
４…………………………裏面
５…………………………パッド（表面導体層）
６，６ａ，６ｂ…………内部導体層
８…………………………裏面導体層
１１………………………Ｎｉメッキ層（金属メッキ層）
１２………………………Ａｕメッキ層（金属メッキ層）
１４………………………枠形導体層
１６………………………外側枠形導体層
２０………………………多数個取り基板
ｓ１，ｓ１１，ｓ１２…第１絶縁層
ｓ２１〜ｓ２３…………第２絶縁層（他の絶縁層）
ｐａ………………………製品領域
ｍ…………………………耳部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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