(57)【要約】【課題】改良された電荷受容特性を有する光導電体を提供する。【解決手段】支持基材、および前記支持基材と接している層を含む光導電体であって、前記層が、少なくとも１つの光発生顔料と、少なくとも１つの電荷輸送成分と、テトラフルオロジヒドロキシアントラキノンのキレート剤がそこに付着している金属酸化物とを含む光導電体である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基材、および前記支持基材と接している層を含む光導電体であって、
前記層が、少なくとも１つの光発生顔料と、少なくとも１つの電荷輸送成分と、テトラフルオロジヒドロキシアントラキノンのキレート剤がそこに付着している金属酸化物とを含むことを特徴とする光導電体。
【請求項２】
請求項１に記載の光導電体であって、前記キレート剤が、
【化１】
2008276225.tif 000016
であることを特徴とする光導電体。
【請求項３】
請求項１に記載の光導電体であって、前記電荷輸送成分が、
【化２】
2008276225.tif 000017
（式中、Ｘは、アルキル、アルコキシ、アリール、およびハロゲンを含む群から選択される。）であることを特徴とする光導電体。
【請求項４】
請求項１に記載の光導電体であって、前記光発生顔料対前記金属酸化物対前記キレート剤対前記電荷輸送成分の比が、約２／１０／０．１／４５から約５／４０／５／１０であることを特徴とする光導電体。
【請求項５】
請求項１に記載の光導電体であって、前記キレート剤が、１，２，３，４−テトラフルオロ−５，８−ジヒドロキシアントラキノンであり、前記金属酸化物が、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、およびＭｏＯ３のうちの少なくとも１つであることを特徴とする光導電体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、大まかには画像形成部材、光受容体、光導電体などを対象とする。
【背景技術】
【０００２】
多くの画像形成部材、光受容体、光導電体などが提案されている。
【０００３】
【特許文献１】米国特許第７，０３７，６３１号明細書
【特許文献２】米国特許第６，９１３，８６３号明細書
【特許文献３】米国特許第４，２６５，９９０号明細書
【特許文献４】米国特許第３，１２１，００６号明細書
【特許文献５】米国特許第６，２５５，０２７号明細書
【特許文献６】米国特許第６，１７７，２１９号明細書
【特許文献７】米国特許第６，１５６，４６８号明細書
【特許文献８】米国特許第５，５２１，３０６号明細書
【特許文献９】米国特許第５，４８２，８１１号明細書
【特許文献１０】米国特許第５，４７３，０６４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
改良された電荷受容特性を有する光導電体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、支持基材、および前記支持基材と接している層を含む光導電体であって、前記層が、少なくとも１つの光発生顔料と、少なくとも１つの電荷輸送成分と、およびテトラフルオロジヒドロキシアントラキノンのキレート剤がそこに付着（ａｔｔａｃｈ）している金属酸化物とを含む光導電体である。
【０００６】
また、前記光導電体において、前記キレート剤が、
【化１】
2008276225.tif 000002
であることが好ましい。
【０００７】
また、前記光導電体において、前記電荷輸送成分が、
【化２】
2008276225.tif 000003
（式中、Ｘは、アルキル、アルコキシ、アリール、およびハロゲンを含む群から選択される。）であることが好ましい。
【０００８】
また、前記光導電体において、前記光発生顔料対前記金属酸化物対前記キレート剤対前記電荷輸送成分の比が、約２／１０／０．１／４５から約５／４０／５／１０であることが好ましい。
【０００９】
また、前記光導電体において、前記キレート剤が、１，２，３，４−テトラフルオロ−５，８−ジヒドロキシアントラキノンであり、前記金属酸化物が、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、およびＭｏＯ３のうちの少なくとも１つであることが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本開示は、より具体的には、単層のフレキシブルなベルト状画像形成部材、または基板のような任意の支持媒体と、その上の、１つまたは複数の光発生顔料（ｐｈｏｔｏｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ  ｐｉｇｍｅｎｔ）、１つまたは複数の電荷輸送成分、および、例えば、テトラフルオロジヒドロキシアントラキノンのようなアントラキノンのキレート剤をそこに塗布してある金属酸化物を含む単層と、任意の接着剤層と、任意のホールブロッキング層もしくはアンダーコート層と、任意のオーバーコーティング層とを含むデバイスを対象とする。本明細書において複数の実施形態に示されている光受容体は、優れた電荷受容特性を有しており、その電荷漏洩は、最低限となっており、実施形態によっては実質的に無視される。また、複数の実施形態において、支持基材上に溶着した単層の活性層を備えた光導電体は、優れた耐摩耗性、延長された寿命を保有し、スクラッチにより、例えば、出力された最終印刷物上にスクラッチが見える望ましくない印刷の不出来を生じ得る部材表面の画像形成部材のスクラッチが除去または最小化されている。さらに、複数の実施形態において、本明細書に開示されている画像形成部材は、多数の例において、優れた低いＶｒ（残留電位）を持ち、適切な場合のＶｒサイクルアップの実質的な防止；高感度；許容できる低画像ゴースト特性；低いバックグラウンドおよび／または最低限の電荷不足スポット（ｃｈａｒｇｅ  ｄｅｆｉｃｉｅｎｔ  ｓｐｏｔ：ＣＤＳ）；および望ましいトナー洗浄性を可能にする。
【００１１】
本開示の範囲に同様に含まれるのは、本明細書で説明されているようにマイナスに帯電させることができる光導電体により画像形成および印刷をする方法である。
【００１２】
開示されているのは、本明細書に示されている多くの利点を備えた画像形成部材であり、その利点というのは、例えば約２，５００，０００回の画像形成サイクルのような延長された運転の寿命；例えば本明細書に開示されている金属酸化物で加工処理した混合物を含まない類似の部材と比較して改良されている電荷受容特性；優れた電気特性；安定した電気特性；少ない画像ゴースト；低いバックグラウンドおよび／または最低限の電荷不足スポット（ＣＤＳ）；いくつかの溶媒にさらしたときの電荷輸送層の亀裂に対する耐性；優れた表面特性；改良された耐摩耗性；多くのトナー組成物との相容性；画像形成部材のスクラッチ特性の回避または最小化；既知のＰＩＤＣ（Ｐｈｏｔｏ−Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｃｕｒｖｅ）（光放電曲線）の発生によって示される多数の画像形成サイクルにわたっての実質的に横ばい状態または変化のない一定したＶｒ（残留電位）などである。
【００１３】
本開示の態様は、支持基材と、その上の適当なポリマバインダ中に適宜分散している光発生成分および電荷輸送成分ならびに例えばテトラフルオロジヒドロキシアントラキノンのキレート剤により処理された金属酸化物を含む層とを含む画像形成部材；活性層の厚さが、約１から約２５ミクロン、１から約２０ミクロン、１から約１０ミクロンの光伝導性部材；帯電部品、現像部品、転写部品、および定着部品を含有する電子写真画像形成装置であって、本明細書に示す単層の光導電性画像形成部材を含有する装置；処理した金属酸化物が、約０．１から約３０重量パーセント、または約１から約１０重量パーセントの量で存在する光導電体；活性な単層が、約１０から約９５重量パーセントの量で存在する光発生顔料を含有する部材；活性な単層が、不活性なポリマバインダを含有する部材；バインダが、約５０から約９０重量パーセントの量で存在し、すべての層成分の合計が約１００パーセントである部材；活性層光発生顔料が、約３７０から約９５０ナノメートルの波長の光を吸収するヒドロキシガリウムフタロシアニンである部材；支持基材が金属を含む導電性基材を含む画像形成部材；導電性基材が、アルミニウム、アルミめっきを施したポリエチレンテレフタレートまたはチタンめっきを施したポリエチレンテレフタレートである画像形成部材；樹脂バインダが、ポリエステル類、ポリビニルブチラール類、ポリカーボネート類、ポリスチレン−ｂ−ポリビニルピリジン、およびポリビニルホルマール類のような既知の適当なポリマからなる群から選択される画像形成部材；活性単層光発生顔料が、メタルフリーのフタロシアニンである画像形成部材；単層電荷輸送配合物が、
【化３】
2008276225.tif 000004
（式中、Ｘは、アルキル、アルコキシ、およびハロゲン、例えばメチル、クロライドなど、からなる群から選択される。）を含む画像形成部材または光導電体；アルキルおよびアルコキシが約１から約１５個の炭素原子を含有する画像形成部材；アルキルが、約１から約５個の炭素原子を含有する画像形成部材；アルキルがメチルである画像形成部材；単層電荷輸送配合物が、
【化４】
2008276225.tif 000005
（式中、ＸおよびＹは、独立に、アルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲン、またはそれらの混合物であり、例えば、アルキルおよびアルコキシは、約１から約１５個の炭素原子を含有する。）を含む画像形成部材；アルキルが、約１から約５個の炭素原子を含有する画像形成部材；および樹脂バインダが、ポリカーボネート類およびポリスチレンからなる群から選択される画像形成部材；クロロガリウムフタロシアニン、またはガリウムフタロシアニン前駆物質をそのヒドロキシガリウムフタロシアニンを強酸に溶解して加水分解し、次いで得られた溶解した前駆物質を塩基性水性媒体中で再沈殿させ、生成したイオン種を水で洗浄して除去し、得られた水およびヒドロキシガリウムフタロシアニンを含む水性スラリーを濃縮してウェットケーキとし、乾燥してそのウェットケーキから水を除去し、得られた乾燥顔料をヒドロキシガリウムフタロシアニンの生成を引き起こす第２の溶媒の添加を伴う混合に供することによって調製されるＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンを含む光導電体；Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンが、Ｘ線回折装置による、ブラッグ角（２θ＋／−０．２°）７．４°、９．８°、１２．４°、１６．２°、１７．６°、１８．４°、２１．９°、２３．９°、２５．０°、２８．１°での測定で大きなピークを持ち、７．４°で最大のピークを持つ画像形成部材；画像形成部材を約４００から約９５０ナノメートルの波長の光に露光する画像形成方法；単層が約５から約２５ミクロンの厚さのものである部材；光発生成分の量が、約０．０５重量パーセントから約２０重量パーセントであり、光発生顔料が、約１０重量パーセントから約８０重量パーセントのポリマバインダ中に分散している部材；活性層の厚さが約１から約１１ミクロンである部材；光発生成分および電荷輸送成分がポリマバインダ中に含まれている部材；バインダが、約５０から約９０重量パーセントの量で存在し、層成分の合計が約１００パーセントであり、光発生樹脂バインダが、ポリエステル類、ポリビニルブチラール類、ポリカーボネート類、ポリスチレン−ｂ−ポリビニルピリジン、およびポリビニルホルマール類からなる群から選択される部材；光発生成分が、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン、またはクロロガリウムフタロシアニンであり、電荷輸送配合物が、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｏ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−���ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン分子のホール輸送であり、樹脂バインダが、ポリカーボネート類およびポリスチレンからなる群から選択される画像形成部材；基材上のコーティングとして含まれるブロッキング層、およびそのブロッキング層上にコートされている接着剤層を備えた光伝導性画像形成部材；画像形成部材上に静電潜像を発生するステップ、その潜像を現像するステップ、その現像した静電画像を適当な基材に転写し、定着するステップを含む画像形成の着色方法；支持基材上に含まれる単層であって、光発生顔料、ホール輸送成分、樹脂バインダ、およびテトラフルオロジヒドロキシアントラキノンのキレート剤をそこに付着している金属酸化物の混合物を含む層；支持基材、およびその基材に接している層であって、少なくとも１つの光発生顔料、少なくとも１つの電荷輸送成分、およびテトラフルオロジヒドロキシアントラキノンのキレート剤をそこに付着している金属酸化物を含む層を含む部材；支持基材、およびその基材に接している活性層であって、少なくとも１つの光発生顔料、少なくとも１つの電荷輸送成分、および金属酸化物とテトラフルオロジヒドロキシアントラキノンのキレート剤との混合物を含む層を含む光導電体；ならびに少なくとも１つの光発生顔料、少なくとも１つの電荷輸送成分、少なくとも１つのポリマバインダ、および金属酸化物とアントラキノンのキレート剤との混合物を含むマイナスに帯電する光導電体に関する。
【００１４】
キレート化合物の例は、例えば、
【化５】
2008276225.tif 000006
により表すことができ、より具体的には、ここでこのキレート化合物は、１，２，３，４−テトラフルオロ−５，８−ジヒドロキシアントラキノン（ＴＦＱ）である。キレート剤の例としては、キノン類、例えば、キニザリン、アリザリン、アミド類、例えば、カルボキサミド類（−ＣＯＮＨ２）およびスルホンアミド類（−ＳＯ２ＮＨ２）が挙げられ；カルボキサミド類としては、乳酸アミド、グリコールアミド、スクシンアミド、オキサミド、ホルムアミド、アセトアミド、ベヘンアミド、２，２−ジエトキシアセトアミド、アクリルアミド、ベンズアミド、グルクロンアミド、イソニコチンアミド、ナイアシンアミド、ピラジンカルボキサミド、ジアミドが挙げられ、スルホンアミド類としては、５−（ジメチルアミノ）−１−ナフタレンスルホンアミド、シクロプロパンスルホンアミドが挙げられ；多数のその他の適当な既知のキレート剤としては、β−ジケトン類、例えばアセチルアセトンおよび２，４−ヘプタンジオンなど、ケトエステル類、例えばアセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセト酢酸プロピルおよびアセト酢酸ブチルなど、ヒドロキシルカルボン酸類、例えば酪酸、サリチル酸およびマレイン酸など、ヒドロキシルカルボン酸エステル類、例えば酪酸メチル、サリチル酸エチルおよびマレイン酸エチルなど、ケトアルコール類、例えば４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンなど、アミノアルコール類、例えばトリエタノールアミンなど、およびそれらの混合物、より具体的には、物質を含有するβ−ヒドロキシケトンまたはβ−ジケトン、特に小さい分子のβ−ヒドロキシケトン類またはβ−ジケトン類、例えば４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、アセチルアセトン、アセト酢酸エチルなどが挙げられる。
【００１５】
キレート剤の具体例としては、キノン分子、例えばアリザリン、キニザリン、アミドポリマ、および分子、例えば以下の代表的な式／構造の乳酸アミド、オキサミド、スクシンアミド、またはそれらの混合物が挙げられる。
【００１６】
【化６】
2008276225.tif 000007
【化７】
2008276225.tif 000008
【化８】
2008276225.tif 000009
【００１７】
β−ヒドロキシケトン類またはβ−ジケトン類は、ポリマ分子または小分子であり得る。その小分子の例は、それぞれ、
【化９】
2008276225.tif 000010
【化１０】
2008276225.tif 000011
【化１１】
2008276225.tif 000012
【化１２】
2008276225.tif 000013
のβ−ヒドロキシケトン類またはβ−ジケトン類、例えば４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、アセチルアセトン、アセト酢酸エチルなどである。キレート剤の前記金属酸化物に対する割合は、重量で約０．０１パーセントから２０パーセント、より好ましくは約０．１から約１０重量パーセントである。複数の実施形態において、活性層は、さらにポリマバインダを含み、光発生顔料対金属酸化物対ポリマ対キレート剤の比は、約２／１０／３０／０．０１から約５／４０／５０／５であり；活性層はさらにポリマバインダを含有し、光発生顔料対金属酸化物対ポリマ対キレート剤対電荷輸送成分の比は、約２／１０／４８／０．１／４５から約５／４０／４０／５／１０であり；光発生顔料対金属酸化物対キレート剤対電荷輸送成分の比は、約２／１０／０．１／４５から約５／４０／５／１０である。このキレート剤は、複数の実施形態において、金属酸化物の表面に存在または付着しており、それは例えばキレート剤の吸収スペクトルの変化によって示される。複数の実施形態において、活性層は、約５から約５０重量パーセントの量で電荷輸送成分を含む。
【００１８】
金属酸化物の例としては、既知のチタンの酸化物のような適当な金属酸化物が挙げられ、より具体的には金属酸化物の例は、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｏＯ３、および上記のそれら金属の複合体の酸化物である。複数の実施形態における金属酸化物は、例えば、１００キログラム／ｃｍ２の充填圧力、５０パーセント湿度、および室温において約１０４から約１０１０Ωｃｍまで変化する粉体体積抵抗（ｐｏｗｄｅｒ  ｖｏｌｕｍｅ  ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）を有する。また、ＴｉＯ２のような金属酸化物は、表面処理されているか処理しないで使用するかのいずれであってもよい。表面処理剤としては、ラウリン酸アルミニウム、アルミナ、ジルコニア、シリカ、シラン、メチコン、ジメチコン、メタリン酸ナトリウム、およびこれらの混合物が挙げられるが、それらに限定はされない。複数の実施形態における、存在する金属酸化物の量は、例えば、重量で約０．１パーセントから約８０パーセント、より具体的には約１から約４０重量パーセントである。
【００１９】
ＴｉＯ２の例としては、石原産業から市販されているＰＴ−４０１Ｍ；ＳＴＲ−６０Ｎ（商標）（表面処理なしで、粉体体積抵抗が約９×１０５Ωｃｍ）（堺化学工業から市販）、ＦＴＬ−１００（商標）（表面処理なしで、粉体体積抵抗が約３×１０５Ωｃｍ）（石原産業から市販）、ＳＴＲ−６０（商標）（Ａｌ２Ｏ３コートしてあり、粉体体積抵抗が約４×１０６Ωｃｍ）（堺化学工業から市販）、ＴＴＯ−５５Ｎ（商標）（表面処理なしで、粉体体積抵抗が約５×１０５Ωｃｍ）（石原産業から市販）、ＴＴＯ−５５Ａ（商標）（Ａｌ２Ｏ３コートしてあり、粉体体積抵抗が約４×１０７Ωｃｍ）（石原産業から市販）、ＭＴ−１５０Ｗ（商標）（メタリン酸ナトリウムをコートしてあり、粉体体積抵抗が約４×１０４Ωｃｍ）（テイカから市販）、およびＭＴ−１５０ＡＷ（商標）（表面処理なしで、粉体体積抵抗が約１×１０５Ωｃｍ）（テイカから市販）が挙げられる。
【００２０】
基材層の厚さは、経済的考察、電気的特性などを含む多くの要因に依存し、したがって、この層は、実質的な厚さが、例えば約３００から約７００ミクロンのような３００ミクロンを超えるもの、または最低限の厚さのものであり得る。複数の実施形態において、この層の厚さは、約７５ミクロンから約３００ミクロン、または約１００ミクロンから約１５０ミクロンである。
【００２１】
基材は、不透明または実質的に透明であってよく、任意の適当な材料を含むことができる。したがって、基材は、無機または有機組成物などの非導電性または導電性材料の層を含むことができる。非導電性材料としては、薄いウェブ板としての柔軟性のある、ポリエステル類、ポリカーボネート類、ポリアミド類、ポリウレタン類などを含むこの目的に対して既知の様々な樹脂を使用することができる。導電性基材は、例えばアルミニウム、ニッケル、スチール、銅などの任意の適当な金属、または上で説明したような、カーボン、金属粉末などの導電性物質を充填したポリマ材料、あるいは有機導電性材料であり得る。その電気絶縁性または導電性基材は、エンドレスのフレキシブルベルト、巻物、剛体シリンダ、シートなどの形態のものであり得る。基材の厚さは、望まれる強度および経済的考察を含む多くの要因に依存する。ドラムについては、本明細書に参照文献として載せられている同時係属中の出願書類に開示されているように、この層は、実質的な厚さが、例えば最大数センチメートルのものまたは１ミリメートル未満の最低限の厚さのものであり得る。同様に、フレキシブルベルトは、最終的な電子写真装置に悪影響がないことを条件として、実質的な厚さが、例えば、約２５０マイクロメートルのもの、または約５０マイクロメートル未満の最低限の厚さのものであり得る。
【００２２】
基材層が導電性ではない複数の実施形態において、その表面は導電性コーティングによって導電性にすることができる。その導電性コーティングは、光透過性、必要な柔軟性の程度、および経済的要因によって厚さがかなり広範に変動し得る。
【００２３】
基材の説明に役立つ実例は、本明細書に示されている通りであり、より具体的には、本開示の画像形成部材のために選択され、基材が不透明であるか実質的に透明であり得る層は、市販のポリマのＭＹＬＡＲ（登録商標）、チタンを含有するＭＹＬＡＲ（登録商標）のような無機または有機ポリマ材料を含めた絶縁材料の層、インジウムスズ酸化物またはその上に配置されているアルミニウムなどの半導体表面層、あるいはアルミニウム、クロム、ニッケル、黄銅などを含めた導電性材料を有する有機または無機材料の層などを含む。その基材は、フレキシブル、シームレス、または剛体であり得、多数の、プレート、円筒形ドラム、渦巻き状のもの、エンドレスのフレキシブルベルトなどの多くの異なる形態を持つことができる。複数の実施形態において、その基材は、シームレスのフレキシブルベルトの形をしている。場合によっては、特に基材がたわみ易い有機ポリマ材料である場合、その基材の裏側に、アンチカール層、例えばＭＡＫＲＯＬＯＮ（登録商標）として市販されているポリカーボネート材料をコートすることが望ましいかもしれない。
【００２４】
複数の実施形態における光発生成分は、多数の既知の光発生顔料、例えばＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンまたはクロロガリウムフタロシアニンの約５０重量パーセントと、ポリ（塩化ビニル−コ−酢酸ビニル）コポリマ、例えばＶＭＣＨ（Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌから市販）のような樹脂バインダの約５０重量パーセントとを含む。一般に、光発生顔料または顔料は、例えば、金属フタロシアニン類、メタルフリーフタロシアニン類、アルキルヒドロキシルガリウムフタロシアニン類、ヒドロキシガリウムフタロシアニン類、クロロガリウムフタロシアニン類などのハロガリウムフタロシアニン類、ペリレン類、特にビス（ベンズイミダゾ）ペリレン、チタニルフタロシアニン類など、より具体的には、バナジルフタロシアニン類、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン類、および無機成分、例えば、セレン、セレン合金、および三方晶系セレンなどである。光発生顔料は、樹脂バインダ中に分散させることができ、または別法では樹脂バインダの必要性はない。そのバインダ樹脂は、様々な適当量で、例えば、約１から約５０重量パーセント、より好ましくは約１から約１０重量パーセント存在し、その樹脂は、多数の既知のポリマ、例えば、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリエステル類、ポリカーボネート類、ポリ（塩化ビニル）、ポリアクリル酸エステル類およびポリメタクリル酸エステル類、塩化ビニルと酢酸ビニルのコポリマ、フェノール樹脂類、ポリウレタン類、ポリ（ビニルアルコール）、ポリアクリロニトリル、ポリスチレンなどから選択することができる。光発生顔料は、また、フィルム形成性ポリマバインダ中に分散された、セレンおよびセレンとヒ素、テルル、ゲルマニウムなどとの合金の非晶質フィルム；水素化した非晶質ケイ素；およびケイ素とゲルマニウム、炭素、酸素、窒素などとの化合物；結晶性セレンおよびその合金の無機顔料；ＩＩ族からＶＩ族の化合物；ならびに、キナクリドン類、多環式顔料、例えば、ジブロモアンサンスロン顔料、ペリレンおよびペリノンジアミン類、多核芳香族キノン類、ビス−、トリス−およびテトラキスアゾを含むアゾ顔料などの有機顔料を含むことができる。
【００２５】
複数の実施形態において、活性層成分のための母体として選択することができるポリマバインダ材料の例は、熱可塑性および熱硬化性樹脂、例えば、ポリカーボネート類、ポリエステル類、ポリアミド類、ポリウレタン類、ポリスチレン類、ポリアリールシラノール類、ポリアリールスルホン類、ポリブタジエン類、ポリスルホン類、ポリシラノールスルホン類、ポリエチレン類、ポリプロピレン類、ポリイミド類、ポリメチルペンテン類、ポリ（フェニレンスルフィド）類、ポリ（酢酸ビニル）、ポリシロキサン類、ポリアクリル酸エステル類、ポリビニルアセタール類、ポリアミド類、ポリイミド類、アミノ樹脂、フェニレンオキシド樹脂、テレフタル酸樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリスチレンとアクリロニトリルのコポリマ、ポリ（塩化ビニル）、塩化ビニルと酢酸ビニルのコポリマ、アクリル酸エステルコポリマ、アルキッド樹脂、セルロースフィルム形成要素（ｃｅｌｌｕｌｏｓｉｃ  ｆｉｌｍ  ｆｏｒｍｅｒｓ）、ポリ（アミドイミド）、スチレンブタジエンコポリマ、塩化ビニリデン−塩化ビニルコポリマ、酢酸ビニル−塩化ビニリデンコポリマ、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ（ビニルカルバゾール）などである。これらのポリマは、ブロックコポリマ、ランダムコポリマまたは交互コポリマであり得る。価値のあるポリマバインダ材料の具体例は、ポリカーボネート類、ポリアリーレート類、アクリレートポリマ類、ビニルポリマ類、セルロースポリマ類、ポリエステル類、ポリシロキサン類、ポリアミド類、ポリウレタン類、ポリ（シクロオレフィン）類、エポキシ樹脂、およびそれらのランダムまたは交互コポリマ；より具体的には、ポリカーボネート類、例えばポリ（４，４’−イソプロピリデン−ジフェニレン）カーボネート（ビスフェノール−Ａ−ポリカーボネートとも呼ばれる）、ポリ（４，４’−シクロヘキシリジンジフェニレン）カーボネート（ビスフェノール−Ｚ−ポリカーボネートとも呼ばれる）、ポリ（４，４’−イソプロピリデン−３，３’−ジメチル−ジフェニル）カーボネート（ビスフェノール−Ｃ−ポリカーボネートとも呼ばれる）などである。複数の実施形態において、電気的に不活性なバインダは、約２０，０００から約１００，０００の分子量、または約５０，０００から約１００，０００が好ましい分子量Ｍｗのポリカーボネートを含む。一般に、輸送層は、約１０から約７５重量パーセントの電荷輸送材料、より具体的には、約３５パーセントから約５０パーセントのこの材料を含有する。
【００２６】
光発生顔料は、樹脂バインダ組成物中に様々な量で存在する。しかしながら、一般に、約５重量パーセントから約９０重量パーセントの光発生顔料が、約１０重量パーセントから約９５重量パーセントの樹脂バインダ中に分散しているか、または約２０重量パーセントから約５０重量パーセントの光発生顔料が、約８０重量パーセントから約５０重量パーセントの樹脂バインダ組成物中に分散している。一実施形態においては、約５０重量パーセントの光発生顔料が、約５０重量パーセントの樹脂バインダ組成物中に分散している。
【００２７】
複数の実施形態において、適当な既知の接着剤層を光導電体中に含めることができる。代表的な接着剤層材料としては、例えば、ポリエステル類、ポリウレタン類などが挙げられる。接着剤層の厚さは、変動させることができ、複数の実施形態において、例えば、約０．０５マイクロメートル（５００オングストローム）から約０．３マイクロメートル（３，０００オングストローム）である。接着剤層は、ホールブロッキング層に、スプレー、ディップコーティング、ロールコーティング、巻き線型ロッドコーティング、グラビアコーティング、バードアプリケータコーティングなどによって堆積させることができる。堆積したコーティングの乾燥は、例えば、オーブン乾燥、赤外線乾燥、空気乾燥などによって達成することができる。
【００２８】
通常はホールブロッキング層と光発生層とに接しているかそれらの間に置かれている任意の接着層として、コポリエステル類、ポリアミド類、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリウレタン、およびポリアクリロニトリルを含む既知の様々な物質を選択することができる。この層は、例えば、厚さが約０．００１ミクロンから約１ミクロン、または約０．１ミクロンから約０．５ミクロンのものである。場合によって、この層は、有効な適当量の、例えば、約１から約１０重量パーセントの導電性および非導電性の粒子、例えば酸化亜鉛、二酸化チタン、窒化ケイ素、カーボンブラックなどを含有し、例えば、本開示の複数の実施形態において、さらなる望ましい電気特性および光学特性を提供することができる。
【００２９】
本開示の画像形成部材のための任意のホールブロッキング層またはアンダーコート層は、既知のホールブロッキング成分、例えば、アミノシラン類、ドープした金属酸化物、ＴｉＳｉ、チタン、クロム、亜鉛、スズなどの金属酸化物など；フェノール化合物およびフェノール樹脂の混合物、または２つのフェノール樹脂の混合物、ならびに場合によってはＳｉＯ２などのドーパントを含めた多数の成分を含有することができる。フェノール化合物は、通常少なくとも２つのフェノール基を含有するビスフェノールＡ（４，４’−イソプロピリデンジフェノール）、ビスフェノールＥ（４，４’−エチリデンビスフェノール）、ビスフェノールＦ（ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン）、ビスフェノールＭ（４，４’−（１，３−フェニレンジイソプロピリデン）ビスフェノール）、ビスフェノールＰ（４，４’−（１，４−フェニレンジイソプロピリデン）ビスフェノール）、ビスフェノールＳ（４，４’−スルホニルジフェノール）、およびビスフェノールＺ（４，４’−シクロヘキシリデンビスフェノール）；ヘキサフルオロビスフェノールＡ（４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフェノール）、レゾルシノール、ヒドロキシキノン、カテキンなどである。
【００３０】
そのホールブロッキング層は、例えば、約２０重量パーセントから約８０重量パーセント、より具体的には約５５重量パーセントから約６５重量パーセントの金属酸化物、例えばＴｉＯ２のような成分；約２０重量パーセントから約７０重量パーセント、より具体的には約２５重量パーセントから約５０重量パーセントのフェノール樹脂；約２重量パーセントから約２０重量パーセント、より具体的には約５重量パーセントから約１５重量パーセントの好ましくは少なくとも２つのフェノール基を含有するフェノール化合物、例えばビスフェノールＳ、および約２重量パーセントから約１５重量パーセント、より具体的には約４重量パーセントから約１０重量パーセントの積層材抑制ドーパント（ｐｌｙｗｏｏｄ  ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ  ｄｏｐａｎｔ）、例えばＳｉＯ２、を含むことができる。ホールブロッキング層コーティング分散物は、例えば、以下のように調製することができる。金属酸化物／フェノール樹脂分散物を、当該分散物中の金属酸化物のメジアン粒径が約１０ナノメートル未満まで、例えば、約５から約９ナノメートルになるまで、ボールミル処理またはダイノミル処理することによってまず調製する。任意のホールブロッキング層を、その基材に塗布することができる。
【００３１】
単層中に存在する電荷輸送成分および分子としては、多数の既知物質、例えば、アリールアミン類、より具体的には、次式の分子
【化１３】
2008276225.tif 000014
（式中、Ｘは、アルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲン、またはそれらの混合物、特にＣｌおよびＣＨ３からなる群から選択されるそのような置換基である。）、および次式の分子
【化１４】
2008276225.tif 000015
（式中、ＸおよびＹは、独立に、アルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲン、またはそれらの混合物である。）が挙げられる。
【００３２】
アルキルおよびアルコキシは、例えば、１個から約２５個までの炭素原子、より具体的には、１個から約１２個までの炭素原子を含有し、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、およびそれらに対応するアルコキシドである。アリールは、６個から約３６個までの炭素原子を含有することができ、例えば、フェニルなどである。ハロゲンとしては、クロライド、ブロマイド、アイオダイドおよびフルオライドが挙げられる。置換アルキル、置換アルコキシ、および置換アリールも、複数の実施形態において選択することができる。
【００３３】
具体的なアリールアミン類の例としては、アルキルが、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシルなどからなる群から選択されるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（アルキルフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４’−ジアミン；ハロ置換基が、クロロ置換基であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（ハロフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン；Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｏ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミンなどが挙げられる。
【００３４】
特にポリマまたは樹脂バインダが選択される場合の電荷輸送分子の例としては、例えば、１−フェニル−３−（４’−ジエチルアミノスチリル）−５−（４”−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリンなどのピラゾリン類；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｏ−トリル−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−テルフェニル］−４，４”−ジアミンなどのアリールアミン類；Ｎ−フェニル−Ｎ−メチル−３−（９−エチル）カルバジルヒドラゾン、および４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，２−ジフェニルヒドラゾンなどのヒドラゾン類；および２，５−ビス（４−Ｎ，Ｎ’−ジエチルアミノフェニル）−１，２，４−オキサジアゾールなどのオキサジアゾール類、スチルベン類などが挙げられる。しかしながら、複数の実施形態において、高いスループットを有するプリンタなどの装置のサイクルアップ（ｃｙｃｌｅ−ｕｐ）を最小限にするかまたは避けるために、電荷輸送層は、ジまたはトリアミノ−トリフェニルメタンを実質的に含んではならない（約２パーセント未満）。
【００３５】
例えば、改良された側方電荷移動（ｌａｔｅｒａｌ  ｃｈａｒｇｅ  ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）（ＬＣＭ）抵抗を可能にするために当該単層に適宜組み込む成分または材料の例としては、ヒンダードフェノール酸化防止剤、例えばテトラキスメチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロ桂皮酸）メタン（ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）１０１０、Ｃｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌから市販）、ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）など、およびＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＢＨＴ−Ｒ、ＭＤＰ−Ｓ、ＢＢＭ−Ｓ、ＷＸ−Ｒ、ＮＷ、ＢＰ−７６、ＢＰ−１０１、ＧＡ−８０、ＧＭおよびＧＳ（住友化学工業から市販）、ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）１０３５、１０７６、１０９８、１１３５、１１４１、１２２２、１３３０、１４２５ＷＬ、１５２０Ｌ、２４５、２５９、３１１４、３７９０、５０５７および５６５（Ｃｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｉｅｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓから市販）、およびＡＤＥＫＡ  ＳＴＡＢ（商標）ＡＯ−２０、ＡＯ−３０、ＡＯ−４０、ＡＯ−５０、ＡＯ−６０、ＡＯ−７０、ＡＯ−８０およびＡＯ−３３０（旭電化工業から市販）を含むその他のヒンダードフェノール酸化防止剤；ＳＡＮＯＬ（商標）ＬＳ−２６２６、ＬＳ−７６５、ＬＳ−７７０およびＬＳ−７４４（ＳＮＫＹＯ  ＣＯ．，Ｌｔｄ．から市販）、ＴＩＮＵＶＩＮ（登録商標）１４４および６２２ＬＤ（Ｃｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｉｅｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓから市販）、ＭＡＲＫ（商標）ＬＡ５７、ＬＡ６７、ＬＡ６２、ＬＡ６８およびＬＡ６３（旭電化工業から市販）、およびＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＴＰＳ（住友化学工業から市販）などのヒンダードアミン酸化防止剤；ＳＵＭＩＬＩＺＥＲ（商標）ＴＰ−Ｄ（住友化学工業から市販）などのチオエーテル酸化防止剤；ＭＡＲＫ（商標）２１１２、ＰＥＰ−８、ＰＥＰ−２４Ｇ、ＰＥＰ−３６、３２９ＫおよびＨＰ−１０などのホスファイト酸化防止剤；ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン（ＢＤＥＴＰＭ）、ビス−［２−メチル−４−（Ｎ−２−ヒドロキシエチル−Ｎ−エチル−アミノフェニル）］−フェニルメタン（ＤＨＴＰＭ）などのその他の分子、などが挙げられる。酸化防止剤の重量パーセントは、約０から約２０、約１から約１０、または約３から約８重量パーセントである。
【実施例】
【００３６】
＜比較例１＞
顔料分散物を、クロロガリウムフタロシアニン（ＣｌＧａＰＣ）顔料粒子の１．３キログラム、およびＵｎｉｏｎ  Ｃａｒｂｉｄｅから市販されている塩化ビニルと酢酸ビニルのコポリマ（ＶＭＣＨ）の８６７グラムを、酢酸ｎ−ブチルの１０．６７キログラムおよびキシレンの５．３キログラム中で、直径１ミリメートルの酸化ジルコニウムのボール４５キログラムにより約３６から約７２時間混練して調製した。得られた混練試料を次に細孔の大きさが２０マイクロメートルのナイロンフィルタで濾過し、分散物１５．３キログラムを採取した。次に、得られた電荷発生分散物を、キシレン１２．９キログラムと酢酸ブチル５．５キログラムの追加の溶媒でさらに希釈した。別に、電荷輸送層溶液を、三菱化学から入手したポリ（４，４’−ジフェニル−１，１’−シクロヘキサンカーボネート）の５．５グラムを、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（メチルフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４’−ジアミンの４．４グラムと、テトラヒドロフランの３１．２グラムおよびトルエンの７．８グラムと混合して調製した。この混合物をその固体が溶解するまでガラス瓶中で振とうした。
【００３７】
３．５ミルの厚さを有する２軸配向ポリエチレンナフタレート基材（ＫＡＬＥＤＥＸ（商標）２０００）上にコートした０．０２マイクロメートルの厚さのチタン層を用意し、その上にグラビアアプリケータで、３−アミノ−プロピルトリエトキシシランの５０グラム、水の４１．２グラム、酢酸の１５グラム、変性アルコールの６８４．８グラム、およびヘプタンの２００グラムを含有する溶液を塗布することにより単層の光導電体を調製した。この層を、次にコータの強制空気乾燥器中１３５℃で約５分間乾燥した。得られたブロッキング層は５００オングストロームの乾燥厚さを有した。
【００３８】
活性な一体化された単一の光導電／電荷輸送層を次に調製し、上記の基材／ホールブロッキング層上に溶着した。その層は、光発生顔料、電荷輸送化合物、および樹脂バインダを含有しており、以下のように作製した。
【００３９】
４オンスガラス瓶に、既知のポリカーボネートＩＵＰＩＬＯＮ（商標）２００（ＰＣＺ−２００）またはＰＯＬＹＣＡＲＢＯＮＡＴＥ  Ｚ（商標）（２０，０００の重量平均分子量、三菱ガス化学から市販）の０．４５グラム、およびテトラヒドロフランの５０ミリリットルを導入して、光発生顔料分散物を調製した。この溶液にヒドロキシガリウムフタロシアニン（Ｖ型）の２．４グラムと、直径１／８インチ（３．２ミリメートル）のステンレススチールのペレットの３００グラムを加えた。この混合物を次にボールミルに８時間かけた。その後、ＰＣＺ−２００の２．２５グラムをテトラヒドロフランの４６．１グラム中に溶解し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン分散物に加えた。得られた分散物を、次いで、琥珀色のガラス瓶に、１：１の重量比のＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンとＭＡＫＲＯＬＯＮ５７０５（登録商標）（Ｆａｒｂｅｎｆａｂｒｉｋｅｎ  Ｂａｙｅｒ  Ａ．Ｇ．から市販されている約５０，０００から約１００，０００の分子量平均を有する既知のポリカーボネート樹脂）を導入して生じさせた電荷輸送化合物と混合した。得られた混合物を次に塩化メチレンに溶解して１５パーセントの固形分を含有する溶液を形成した。
【００４０】
その後、上記のようにして形成された混合物を、基材／ホールブロッキング層にバードアプリケータにより塗布して、３１ミクロンの厚さを有する活性層を形成した。ブロッキング層を持つ基材の一端に沿った約１０ミリメートル幅のストリップを、下地のストリップ層による適切な電気接触を助けるために意図的にコートしないままにして、それは後から塗布した。
【００４１】
＜実施例１＞
活性なマイナス帯電した単層を以下のように調製した以外は比較例１の方法を繰り返すことによって光導電体を調製した。
【００４２】
ＰＴ−４０１Ｍ  ＴｉＯ２の３．３グラムおよび１，２，３，４−テトラフルオロ−５，８−ジヒドロキシアントラキノンの０．０７グラムを、重量比７０／３０のＴＨＦ／トルエンの４６．８グラム中で約２時間混合した。混合物の色が暗黄色から暗赤色に変化し、キノンがＴｉＯ２表面に付着したことを示した。次に、既知のポリカーボネートであるポリ（４，４’−ジフェニル−１，１’−シクロヘキサンカーボネート）シクロヘキシルポリカーボネート（Ｍｗ：３０，０００〜８０，０００）ＩＵＰＩＬＯＮ（商標）Ｚ−５００、またはＰＯＬＹＣＡＲＢＯＮＡＴＥ  Ｚ（商標）（ＰＣＺ５００）の６．３４グラム、および０．４〜０．６ミリメートルのＺｒＯ２／ＳｉＯ２ビーズの１３０グラムを加え、その混合物を１３０ｒｐｍで６時間混練した。その後、クロロガリウムフタロシアニン（ＣｌＧａＰＣ）の０．２６グラムを加え、混練を一晩中、約８０ｒｐｍで、約１８時間〜約２１時間続けた。材料間の重量比は、ＣｌＧａＰＣ／ＴｉＯ２／ＰＣＺ５００／ＴＦＱ＝２／２５／４８／０．５である。その分散物を次に４０μｍのナイロン布で濾過し、Ｎ，Ｎ’−ビス（メチルフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４’−ジアミンの３．３グラムをその濾液に加え、溶解させ、続いて基材／ホールブロッキング層にコートした。得られた単層光導電体の厚さは、渦電流式膜厚計（Ｅｄｄｙ  ｃｕｒｒｅｎｔ  ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  ｇａｕｇｅ）により測定して約３２μｍであった。
【００４３】
＜比較例２＞
活性な単層を以下のように調製した以外は比較例１の方法を繰り返すことによって光導電体を調製した。
【００４４】
ＰＴ−４０１Ｍ  ＴｉＯ２の３．３グラムを、重量比７０／３０のＴＨＦ／トルエンの４６．８グラム中で約２時間混合した。次に、既知のポリカーボネートであるポリ（４，４’−ジフェニル−１，１’−シクロヘキサンカーボネート）シクロヘキシル（Ｍｗ：３０，０００〜８０，０００）ＩＵＰＩＬＯＮ（商標）Ｚ−５００、またはＰＯＬＹＣＡＲＢＯＮＡＴＥ  Ｚ（商標）（５０，０００の重量平均分子量、三菱ガス化学から市販）の６．３４グラム、および０．４〜０．６ミリメートルのＺｒＯ２／ＳｉＯ２ビーズの１３０グラムを加え、その混合物を１３０ｒｐｍで６時間混練した。その後、クロロガリウムフタロシアニンの０．２６グラムを加え、混練を一晩中、約８０ｒｐｍで、約１８時間〜約２１時間続けた。材料間の重量比は、ＣｌＧａＰＣ／ＴｉＯ２／ＰＣＺ５００＝２／２５／４８であった。その分散物を次に４０μｍのナイロン布で濾過し、Ｎ，Ｎ’−ビス（メチルフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４’−ジアミンの３．３グラムをその濾液に加え、溶解させ、続いて基材／ホールブロッキング層にコートした。得られた単層画像形成部材の厚さは、渦電流式膜厚計により測定して約３５μｍであった。
【００４５】
＜比較例３＞
活性な単層を、ＴｉＯ２の代わりに電子輸送分子を使用し、以下のようにキレート剤の存在なしで調製した以外は比較例１の方法を繰り返すことによって光導電体を調製した。
【００４６】
既知の電子輸送分子であるカルボキシフルオレノンマロニトリル（ＢＣＦＭ）の３．３グラムを、重量比７０／３０のＴＨＦ／トルエンの４６．８グラム中で約２時間混合した。次に、既知のポリカーボネートであるポリ（４，４’−ジフェニル−１，１’−シクロヘキサンカーボネート）ＩＵＰＩＬＯＮ（商標）Ｚ−５００、またはＰＯＬＹＣＡＲＢＯＮＡＴＥ  Ｚ（商標）（５０，０００の重量平均分子量、三菱ガス化学から市販）の６．３４グラム、クロロガリウムフタロシアニンの０．２６グラムおよび０．４〜０．６ミリメートルのＺｒＯ２／ＳｉＯ２ビーズの１３０グラムを得られた混合物に加え、続いて８０ｒｐｍで１８時間混練した。材料間の重量比は、ＣｌＧａＰＣ／ＢＣＦＭ／ＰＣＺ５００＝２／２５／４８であった。その分散物を次に４０μｍのナイロン布で濾過し、Ｎ，Ｎ’−ビス（メチルフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４’−ジアミンの３．３グラムをその濾液に加え、溶解させ、続いて上記比較例２の基材／ホールブロッキング層にコートした。得られた単層光導電体の厚さは、渦電流式膜厚計により測定して約２８μｍであった。
【００４７】
［電気特性試験］
上で調製した４個の光受容体デバイスを、１回の帯電−消去サイクルの後に１回の帯電−露光−消去サイクルが続くように順序付けたマイナス帯電した光放電サイクルを得るためのスキャナセット中で試験をした。そこでは、光強度を、サイクリングと共に付加的に増大して一連の光放電特性曲線を生じさせ、そこから様々な露光強度における感光性および表面電位を測定した。さらなる電気的特性を、表面電位を増大させていくつかの電圧対電荷密度曲線を生じさせる一連の帯電−消去サイクルにより得た。スキャナは、様々な表面電位における一定のマイナス電圧の帯電に設定されたスコロトロンを装備した。
【００４８】
比較例２の光導電体と比較した複数の実施形態において、上の実施例１の光導電性部材については既知のマイナス帯電ＰＩＤＣ曲線の発生によって測定されるように、多数の特性が改良されており、より具体的には、同じレベルの帯電において比較例２の光導電体より高い実施例１の光導電体の表面電位の電圧量により示されるように電荷受容性が改良されていた。２パーセントのＴＦＱをドープした単層光導電体の上記実施例１の物理的厚さは、パーマスコープ（ｐｅｒｍａｓｃｏｐｅ）により測定して約３４ミクロンであり、一方、比較例２の光導電体は約３５ミクロンの厚さであった。ＴＦＱドーピングなしで、比較例１の光導電体は、スコロトロンのＶスクリーン（Ｖｓｃｒｅｅｎ）を８００ボルト近くに設定したときでさえ、約３００ボルトに帯電することができるのみであった。対照的に２パーセントのＴＦＱドーピングをした単層光導電体については約６３５ボルトのＶｈｉｇｈが得られた。
【００４９】
実施例１のＴＦＱをドープしたＴｉＯ２／ＣｌＧａＰＣ単層デバイスについての感光性は、マイナス帯電で、２０５Ｖｃｍ２／エルグと測定された比較例１および２の量の２倍を超える約４５５Ｖｃｍ２／エルグであった。理論に制約されることを望むものではないが、実施例１の光導電体についての光誘起暗減衰（ｐｈｏｔｏｉｎｄｕｃｅｄ  ｄａｒｋ  ｄｅｃａｙ）に対する高い感度は、ＴｉＯ２のＣｌＧａＰＣ光発生顔料に対する増感効果およびＴＦＱキレート剤の使用に起因するものと考えられる。
【００５０】
実施例１の光導電体は、マイナス帯電の４５５Ｖｃｍ２／エルグの感光性を有しており、したがって、例えば優れた解像度を有しており望ましくない背景の付着物が実質的にない現像された静電像を可能にした。これに対して、比較例２および３の感光性は、それぞれ５０Ｖｃｍ２／エルグおよび２０Ｖｃｍ２／エルグの低い値のものであり、したがって、低い解像度と密度の静電気現像画像が得られた。
【００５１】
理論に制約されることを望むものではないが、実施例１の光導電体についての光誘起暗減衰に対する高い感度は、ＴｉＯ２のＣｌＧａＰＣ光発生顔料に対する増感効果およびＴＦＱキレート剤の使用に起因するものと考えられる。