(57)【要約】【課題】スループットの向上及び装置の低コスト化を図る。【解決手段】所定の照明位置に位置するレチクルＲに形成されたパターンを介して基板を露光する露光装置であって、レチクルＲを保持して、少なくとも前記照明位置と該照明位置とは異なる所定の搬入位置との間で移動可能なステージＲＳＴと、前記搬入位置に位置する前記ステージ上に前記レチクルＲを搬入する搬入アーム７３を有する搬入装置と、前記搬入位置に位置するレチクルＲの一部を検出する検出装置ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＲ１，ＳＲ２とを備えて構成される。【選択図】図７
2008131018.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の照明位置に位置するマスクに形成されたパターンを介して基板を露光する露光装置であって、
前記マスクを保持して、少なくとも前記照明位置と該照明位置とは異なる所定の搬入位置との間で移動可能なステージと、
前記搬入位置に位置する前記ステージ上に前記マスクを搬入する搬入部材を有する搬入装置と、
前記搬入位置に位置する前記マスクの一部を検出する検出装置と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記検出装置は、前記搬入位置に位置する前記搬入部材で保持された前記マスクの前記一部を検出するセンサ、及び前記センサと前記搬入部材で保持された前記マスクの前記一部とを光学的に接続する検出光学系を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記検出装置は、前記搬入位置に位置する前記ステージで保持された前記マスクの前記一部を検出するセンサ、及び前記センサと前記ステージで保持された前記マスクの前記一部とを光学的に接続する検出光学系を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記検出装置は、前記センサと前記マスクの他の一部とを光学的に接続するとともに、前記検出光学系の一部と重複する光路を有する他の検出光学系を含み、
前記検出光学系はその光路を選択的に遮断する第１シャッターを含み、
前記他の検出光学系はその光路を選択的に遮断する第２シャッターを含み、
前記第１シャッター及び前記第２シャッターを排他的に作動させることにより、前記マスクの前記一部又は前記他の一部を選択的に検出するようにしたことを特徴とする請求項２又は３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記検出装置は、前記センサと前記マスクの他の一部とを光学的に接続するとともに、前記検出光学系の一部と重複する光路を有する他の検出光学系を含み、
前記検出光学系は前記マスクの前記一部を照明する第１照明装置を含み、
前記他の検出光学系は前記マスクの前記他の一部を照明する第２照明装置を含み、
前記第１照明装置及び前記第２照明装置を排他的に作動させることにより、前記マスクの前記一部又は前記他の一部を選択的に検出するようにしたことを特徴とする請求項２又は３に記載の露光装置。
【請求項６】
前記検出装置は、
前記搬入位置に位置する前記搬入部材で保持された前記マスクの前記一部を検出する第１センサ、及び前記第１センサと前記搬入部材で保持された前記マスクの前記一部とを光学的に接続する第１検出光学系を有するとともに、
前記搬入位置に位置する前記ステージで保持された前記マスクの前記一部を検出する第２センサ、及び前記第２センサと前記ステージで保持された前記マスクの前記一部とを光学的に接続する第２検出光学系を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項７】
前記第１検出光学系は前記第２検出光学系よりも低倍率に設定されることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記搬入装置は、前記第１センサによる検出結果に基づく前記マスクの所定の基準に対する位置ズレ誤差を相殺するように、前記搬入部材の位置を調整した後に、該マスクを前記ステージに渡すことを特徴とする請求項６又は７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記検出装置は、前記搬入位置に位置する前記搬入部材で保持された前記マスクの前記一部を検出するとともに、前記搬入位置に位置する前記ステージで保持された前記マスクの前記一部を検出するセンサを有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記検出装置は、前記センサが前記搬入位置に位置する前記搬入部材で保持された前記マスクの前記一部を検出する場合には所定の低倍率に、前記センサが前記ステージで保持された前記マスクの前記一部を検出する場合には所定の高倍率に設定する倍率切替機構を含む検出光学系を有することを特徴とする請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記搬入装置は、前記センサによる前記搬入部材で保持された前記マスクの前記一部についての検出結果に基づく前記マスクの所定の基準に対する位置ズレ誤差を相殺するように、前記搬入部材の位置を調整した後に、該マスクを前記ステージに渡すことを特徴とする請求項９又は１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記検出装置が検出する前記マスクの前記一部は、該マスク上に形成されたアライメントマークであることを特徴とする請求項１〜１１の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項１３】
少なくとも所定の処理位置と該処理位置とは異なる所定の搬入位置との間で移動可能なステージと、
前記搬入位置に位置する前記ステージ上に物体を搬入する搬入部材を有する搬入装置と、
前記搬入位置に位置する前記物体の一部を検出する検出装置と、
を備えることを特徴とする物体搬送装置。
【請求項１４】
前記検出装置は、前記搬入位置に位置する前記搬入部材で保持された前記物体の前記一部を検出するセンサを有することを特徴とする請求項１３に記載の物体搬送装置。
【請求項１５】
前記検出装置は、前記搬入位置に位置する前記ステージで保持された前記物体の前記一部を検出するセンサを有することを特徴とする請求項１３又は１４に記載の物体搬送装置。
【請求項１６】
前記検出装置は、前記搬入位置に位置する前記搬入部材で保持された前記物体の前記一部を検出するとともに、前記搬入位置に位置する前記ステージで保持された前記物体の前記一部を検出するセンサを有することを特徴とする請求項１３に記載の物体搬送装置。
【請求項１７】
前記物体は、パターンが形成されたマスクであることを特徴とする請求項１３〜１６の何れか一項に記載の物体搬送装置。
【請求項１８】
前記物体は、マスクに形成されたパターンが転写される感光基板であることを特徴とする請求項１３〜１６の何れか一項に記載の物体搬送装置。
【請求項１９】
マスクを搬送部材で保持して所定の搬入位置まで搬送する第１搬送工程と、
前記搬入位置で前記搬送部材で保持された前記マスクの一部を検出する第１検出工程と、
前記第１検出工程による検出結果に基づく前記マスクの所定の基準に対する位置ズレ誤差を相殺するように、前記搬送部材の位置を微調整する第１位置調整工程と、
前記搬送部材で保持された前記マスクを、前記搬入位置から所定の照明位置に搬送するステージに受け渡す受渡工程と、
を含むことを特徴とするマスク搬送方法。
【請求項２０】
前記搬入位置で前記ステージ上に載置された前記マスクの前記一部を検出する第２検出工程と、
前記第２検出工程による検出結果に基づく前記マスクの所定の基準に対する位置ズレ誤差が予め決められた所定値未満である場合に、前記第２検出工程による検出結果に基づく前記マスクの所定の基準に対する位置ズレ誤差を相殺するように、前記ステージの位置を微調整する第２位置調整工程と、
を更に含むことを特徴とする請求項１９に記載のマスク搬送方法。
【請求項２１】
前記搬入位置で前記ステージ上に載置された前記マスクの前記一部を検出する第２検出工程と、
前記第２検出工程による検出結果に基づく前記マスクの所定の基準に対する位置ズレ誤差が予め決められた所定値以上である場合に、前記ステージで保持された前記マスクを前記搬送部材に受け戻す受戻工程と、
を更に含み、
前記受戻工程の後に、前記第１検出工程及び前記受渡工程を再度実施するようにしたことを特徴とする請求項１９に記載のマスク搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクのパターンを介して基板等を露光する露光装置、該露光装置に用いて特に好適な物体搬送装置及びマスク搬送方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の製造工程の１つであるフォトリソグラフィ工程においては、露光処理、現像処理、及び各種のウエハ処理が繰り返し行われる。露光処理は、露光装置を用いてマスクやレチクルに形成されたパターンを、フォトレジスト等の感光剤が塗布されたウエハ（感光基板）に転写する処理であり、現像処理は露光処理を終えたウエハ上の感光剤を現像してウエハ上にレジストパターンを形成する処理である。ウエハ処理は、例えばレジストパターンの形状にウエハをエッチングする処理、ウエハに不純物をドープする処理、ウエハ上に配線を形成する処理、その他の処理である。露光処理、現像処理、及び各種のウエハ処理を行うことによりウエハ上には１つの層（レイヤ）が形成される。一般的に半導体素子は、複数のレチクルを交換しながら露光処理、現像処理、及び各種のウエハ処理を数回〜数十回程度繰り返し行い、複数のレイヤを重ね合わせることにより製造される。このため、露光処理に用いられる露光装置は、複数のレチクルを収納するレチクル収納装置からレチクルを自動的にレチクルステージ上に搬送するレチクル搬送装置を備えている。
【０００３】
レチクル搬送装置は、レチクルを保持して搬送する搬送アームを備えており、レチクルは搬送アームによりレチクルステージとの所定の受渡位置（搬出入位置）まで搬送され、該受渡位置で搬送アームからレチクルステージ上に受け渡される。次いで、レチクルステージが移動されて、該レチクルが所定の照明位置に搬送される。該照明位置でレチクル上に形成されたマーク（アライメントマーク）が検出装置により検出され、該検出結果に基づいて該レチクルの位置及び姿勢が微調整された後に、ウエハ等の基板に対する露光処理に供される。照明位置におけるレチクルの位置及び姿勢の検出は、レチクルに形成されたマークを検出することにより行なわれる。マークの位置を計測するアライメント系としては、検出光束として露光光や露光光と同一の波長光を用いるものが一般的であり、例えば、露光光をレチクル上のマークに照射し、反射光をＣＣＤカメラなどで撮像し、得られた画像データを画像処理してマーク位置を計測するＶＲＡ(Visual Reticle Alignment)方式のセンサ等が知られている。
【０００４】
ところで、レチクル搬送装置では、レチクルをその位置及び姿勢が適正な状態で搬送アームで保持させるため、レチクルの外形基準で機械的に位置及び姿勢を調整し、又はレチクルの外形若しくはアライメントマークを光学的に検出してその位置及び姿勢を調整した上で、搬送アームで保持させるようにしている。しかしながら、搬送アームによりレチクルステージとの間の受渡位置までレチクルが搬送される途中で、レチクルの搬送アームに対する相対的な位置関係が変化し、あるいは当該受渡位置において搬送アームの位置決めの機械的誤差等により、レチクルステージとの相対的な位置関係が変化する場合がある。また、レチクルステージを含む露光装置の本体部（露光本体部）は露光精度の向上の観点から高性能の除振装置上に支持する必要があるが、レチクル搬送装置をも当該除振装置上に設置することは、コスト的に不利であるとともに、レチクル搬送装置の各部の動作に伴う振動が露光本体部に伝達されることは好ましくないこと等から、一般に露光本体部とレチクル搬送装置とは、互いに振動伝達が分離した状態、即ち、それぞれ異なるベース部材（支持体）上に設置されているのが一般的である。従って、レチクル搬送装置のレチクル搬送アームから露光本体部のレチクルステージへ該レチクルを受け渡す時の両者の振動状態が相互に無関係であり、この振動状態の相違に基づき、レチクルステージへのレチクルの投入再現性が悪化する。
【０００５】
これらの要因のため、レチクルステージ上に載置されたレチクルの位置及び姿勢が必ずしも適正でない場合があった。レチクルステージ上のレチクルの位置及び姿勢が適正でないと、照明位置に搬送され、検出装置によりマークが検出される際に、検出装置のセンサの視野内に該マークが入らない場合を生じ、リロード（レチクルをレチクル搬送装置まで一旦戻して、レチクル搬送装置内の位置等の調整機構で再調整した後に、再度レチクルステージに搬入する処理）を行う必要があり、スループットの低下を招く。また、これをなるべく避けるためには、照明位置において、高倍率センサでファイン計測を実施する前に、マークを低倍率センサでラフ計測してその位置等を微調整するラフアライメント（サーチアライメント）を行う場合があるが、照明位置における検出装置の構造が複雑化し、照明位置における検出装置は通常露光光（例えば、紫外光）を照明光として用いるため、高コスト化を招くとともに、アライメントマークが検出可能であっても、レチクルステージのストロークとの関係で、その位置調整を行うことができない場合には、やはりリロードが生じるという問題がある。
【０００６】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、スループットの向上及び装置の低コスト化を図ることを目的とする。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によると、所定の照明位置に位置するマスクに形成されたパターンを介して基板を露光する露光装置であって、前記マスクを保持して、少なくとも前記照明位置と該照明位置とは異なる所定の搬入位置との間で移動可能なステージと、前記搬入位置に位置する前記ステージ上に前記マスクを搬入する搬入部材を有する搬入装置と、前記搬入位置に位置する前記マスクの一部を検出する検出装置と、を備える露光装置が提供される。前記搬入位置に位置する前記マスクには、前記搬入位置に位置する前記搬入部材で保持された前記マスク、及び前記搬入位置に位置する前記ステージで保持された前記マスクのうちの一方又は双方が含まれる。
【０００８】
本発明では、マスクの搬入位置で該マスクの一部を検出するようにしたので、前記搬入位置に位置する前記搬入部材で保持された前記マスクの一部を検出するようにすれば、該検出結果に基づいて該搬入部材の位置及び姿勢の少なくとも一方を調整して前記マスクステージに該マスクを渡すことができ、該マスクの該マスクステージに対する相対位置関係がより適切となり、リロードが生じることを少なくすることが可能である。また、前記搬入位置に位置する前記ステージで保持された前記マスクの一部を検出するようにすれば、前記搬入部材からの前記マスクステージに対するマスクの投入再現性に基づく誤差を該搬入位置で検出することができ、該投入再現性に基づく誤差を該マスクステージの位置及び姿勢の少なくとも一方を調整した上で前記照明位置まで搬送することができ、前記照明位置において低倍率のサーチ計測等を行うことなく、高倍率のファイン計測を実施することが可能になるとともに、当該誤差が大きい場合には、マスクを前記照明位置に移動させる動作を行う前に前記搬入位置から直ちにリロード処理に入ることが可能になる。
【０００９】
なお、本発明の他の目的やこれを実現するための構成等は、以下に説明する実施形態において明らかになる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、リロードを生じることが少なくなり、あるいはリロードが必要な場合であってもマスクの搬入位置からリロードの動作に入ることができるので、スループットを向上することができるとともに、照明位置において低倍率のサーチ計測等の実施を省略することが可能となるので、照明位置における検出装置等の構成を簡略化でき、装置の低コスト化を図ることができるようになるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図１は、本発明の実施形態に係る露光装置の全体構成を模式的に示す正面図である。この露光装置は、投影光学系ＰＬに対してレチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとを同期移動させつつレチクルＲに形成されたパターンをウエハＷ上に逐次転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置である。なお、以下の説明においては、図中にＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。図１中に示すＸＹＺ直交座標系は、ＸＹ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直上方向に設定される。Ｙ軸に沿う方向がスキャン方向（走査方向）である。
【００１２】
図１において、照明光学系ＩＬは、ＡｒＦエキシマレーザ光源（波長１９３ｎｍ）等の光源から射出されるレーザ光の断面形状をＸ方向に伸びるスリット状に整形するとともに、その照度分布を均一化して照明光として射出する。なお、本実施形態では、光源としてＡｒＦエキシマレーザ光源を備える場合を例に挙げて説明するが、これ以外にｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を射出する超高圧水銀ランプ、又はＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ（波長１５７ｎｍ）、その他の光源を用いることができる。
【００１３】
レチクルＲを吸着保持するレチクルステージＲＳＴ上の一端にはレーザ干渉計ＩＦＲからの測長用ビームＢＭｒが照射される移動鏡ＭＲｒが固定されている。レチクルＲの位置決めは、レチクルステージＲＳＴを光軸ＡＸと垂直なＸＹ平面内で並進移動及び微小回転させる駆動系ＤＲによって行われる。この駆動系ＤＲは、レチクルＲのパターンをウエハＷ上に転写する際には、レチクルステージＲＳＴを一定速度でＹ方向に走査する。レチクルステージＲＳＴの上方には、レチクルＲの周辺の２箇所に形成されたレチクルアライメント用のマークＲＭ（図３（Ｃ）参照）を光電検出するアライメント系ＯＢ１，ＯＢ２が設けられている。アライメント系ＯＢ１，ＯＢ２の検出結果は、レチクルＲを照明光学系ＩＬ又は投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対して所定の精度で位置決めするために使用される。
【００１４】
また、駆動系ＤＲは、後述する搬送アームからレチクルＲを受け取り又は搬送アームにレチクルＲを受け渡す際には、同図中−Ｙ方向側に設定された所定の受渡位置（搬出入位置）にレチクルステージＲＳＴを移動させ、アライメント系ＯＢ１，ＯＢ２によりレチクルＲのマークを計測する際には、受渡位置に対して同図中＋Ｙ方向側に設定された所定の照明位置（ＶＲＡ計測位置）にレチクルステージＲＳＴを移動させる。レチクルステージＲＳＴは、装置本体のコラム構造体の一部を構成する構造体ＣＬ１上に移動可能に保持され、駆動系ＤＲのモータ等も構造体ＣＬ１上に取り付けられる。また、レーザ干渉計ＩＦＲのビーム干渉部分（ビームスプリッタ等）も構造体ＣＬ１に取り付けられる。レーザ干渉計ＩＦＲは、レチクルステージＲＳＴ上の一端に取り付けられた移動鏡ＭＲｒに測長用ビームＢＭｒを投射し、その反射ビームを受光してレチクルＲの位置変化を計測する。
【００１５】
レチクルＲに形成されたパターンの像は、レチクルステージＲＳＴの直下に配置された投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上に１／４又は１／５の投影倍率で結像投影される。投影光学系ＰＬの鏡筒はコラム構造体の一部を構成する構造体ＣＬ３に固定され、この構造体ＣＬ３は複数本の支柱構造体ＣＬ２を介して構造体ＣＬ１を支持している。構造体ＣＬ３は、ウエハＷを載置してＸＹ平面に沿って２次元移動するウエハステージＷＳＴが搭載される構造体ＣＬ４上に取り付けられている。構造体ＣＬ４は、詳細図示は省略するが、例えば半導体工場の床面に配置されたフレームキャスタ上に複数（例えば、３個）の能動型防振台(AVIS:Active Vibration Isolation System)を介して支持されている。
【００１６】
ウエハステージＷＳＴには、図示省略するが、ウエハＷを真空吸着するウエハホルダと、このウエハホルダをＺ方向（光軸ＡＸ方向）に微小移動させるとともに微小傾斜させるレベリングテーブルとが設けられている。ウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内での移動座標位置とヨーイングによる微小回転量とは、レーザ干渉計ＩＦＷによって計測される。このレーザ干渉計ＩＦＷは、レーザ光源ＬＳからのレーザビームをウエハステージＷＳＴのレベリングテーブルに固定された移動鏡ＭＲｗと、投影光学系ＰＬの最下部に固定された固定鏡ＦＲｗとに投射し、各鏡ＭＲｗ、ＦＲｗからの反射ビームを干渉させてウエハステージＷＳＴの座標位置と微小回転量（ヨーイング量）とを計測する。
【００１７】
また、ウエハステージＷＳＴのレベリングテーブル上には、各種のアライメント系、フォーカスセンサ、及びレベリングセンサのキャリブレーションとベースライン量の計測とに用いられる基準板ＦＭも取り付けられている。この基準板ＦＭの表面には、露光波長の照明光のもとでレチクルＲのマークＲＭとともにアライメント系ＯＢ１，ＯＢ２で検出可能な基準マークが形成されている。なお、上記の各種のアライメント系としては、ウエハＷに形成されたアライメントマークの位置情報を計測するオフ・アクシス型のアライメントセンサを例示できる。また、フォーカスセンサは投影光学系ＰＬの像面に対するウエハＷの表面のずれ量を計測するセンサであり、レベリングセンサはウエハＷの表面の姿勢（傾斜）を計測するセンサである。ベースライン量とは、ウエハＷ上に投影されるレチクルのパターン像の基準位置（例えば、パターン像の中心位置）とアライメントセンサの計測視野中心との距離を示す量である。
【００１８】
図２は、本発明の実施形態に係るレチクル搬送装置の要部構成を示す斜視図である。レチクル搬送装置は、ＳＭＩＦ(Standard of Mechanical InterFace)型のレチクルケース（いわゆるスミフポッド）からレチクルＲを取り出して、所定の受渡位置に待機しているレチクルステージＲＳＴ上に搬送するとともに、レチクルＲＳＴ上のレチクルＲをレチクルケースに搬送する装置であり、図外のレチクルケースが載置される分離収納ユニット、搬送ロボット、異物検査ユニット、バッファ、メカプリユニット（メカニカル・プリアライメント・ユニット）６、及び旋回アーム７を含んで構成されている。
【００１９】
搬送対象であるレチクルＲは、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示されているように、透明ガラス基板の一方の面のパターン領域にクロム等を用いてパターンが形成されるとともに、塵又は埃等の異物がレチクル面に付着するのを防止する透明なペリクルＰＲが架設されているパターン領域ＰＡの外側であって、ペリクルＰＲが架設されている領域の内側には位置計測用のマークＲＭが２つ形成されている。図３に示すマークＲＭは大きさが異なる２つの正方形パターンと十字パターンとを組み合わせたものである。これらのマークＲＭは、アライメント系ＯＢ１，ＯＢ２を用いて、所定の照明位置（ＶＲＡ計測位置）において、レチクルステージＲＳＴ上におけるレチクルＲの位置及び姿勢（回転）を計測するときに用いられる。また、これらのマークＲＭは、後述するように、レチクルＲの受渡位置（搬出入位置）において、搬送アーム又はレチクルステージで保持されたレチクルＲの位置及び回転（姿勢）を計測するときにも用いられる。
【００２０】
図外のレチクル搬送ロボットは、ベース上に設置された多関節ロボットであり、収納分離ユニット、異物検査ユニット、バッファ、メカプリユニット６の間で、レチクルＲを適宜に搬送する。メカプリユニット６は、レチクルＲを下方から支持する複数の支持部６１を有するテーブル６０を備えている。また、メカプリユニット６は、固定ピン６８ａ，６８ｂと可動ピン６８ｃ，６８ｄとを備え、可動ピン６８ｃ，６８ｄをレチクルＲの２つの辺の各々に当接させて移動させ、レチクルＲの残りの２つの辺を固定ピン６８ａ，６８ｂに押圧することにより、レチクルＲのＸＹ面内における位置及び姿勢が機械的に補正される。
【００２１】
旋回アーム７は、旋回モータ７１、中心が旋回モータ７１の回転軸に取り付けられた旋回板７２、及び旋回板７２の両端部にそれぞれ取り付けられた２つの搬送アーム７３，７３とから概略構成されており、搬送アーム７３，７３の少なくとも一方でレチクルＲを保持してメカプリユニット６とレチクルステージＲＳＴとの間でレチクルＲを搬送する。これら旋回モータ７１、旋回板７２、及び搬送アーム７３は、上下駆動機構ＵＤによって一体的にＺ方向に移動可能に構成されている。旋回モータ７１の回転軸はＺ方向に平行な方向に設定され、搬送アーム７３，７３の一方と他方の中間位置に設定されている。搬送アーム７３は、一対のアーム部７４ａ，７４ｂを備えている。これらのアーム部７４ａ，７４ｂは、回転板７２の一端に取り付けられたスライダ７５によってそれぞれＸ方向に沿って平行移動可能に構成されている。スライダ７５は、アーム部７４ａ，７４ｂを互いに逆向きに同じ距離だけ移動させることで、アーム部７４ａ，７４ｂ間の間隔を変更して開閉動作をさせる。アーム部７４ａ，７４ｂは、レチクルＲを下方（−Ｚ方向）から支持するそれぞれ一対の支持部７８を有しており、これら支持部７８の上部には吸着口が設けられており、レチクルＲを選択的に真空吸着できるようになっている。
【００２２】
レチクルステージＲＳＴのほぼ中央部には、レチクルＲを透過した露光光を透過させる矩形形状の孔部８１が形成されており、この孔部８１のＸ方向における両端部にレチクルＲを載置する載置部８２が設けられている。載置部８２の各々にはレチクルＲを真空吸着するための吸着口８３が形成されている。また、孔部８１の四隅には、切欠部８４が形成されている。切欠部８４は、搬送アーム７３のアーム部７４ａ，７４ｂに設けられた支持部７８が載置部８２よりも下方（−Ｚ方向）に位置することを可能とするものである。
【００２３】
搬送アーム７３とレチクルステージＲＳＴとの間のレチクルＲの受渡位置の上方（＋Ｚ方向）には、搬送アーム７３上に載置されたレチクルＲのマークＲＭ、及びレチクルステージＲＳＴ上に載置されたレチクルＲのマークＲＭを光学的に検出するための検出装置ＳＬ，ＳＲが設けられている。この検出装置ＳＬ，ＳＲは、ミラー、ビームスプリッタ、レンズ等を有する検出光学系、レチクルＲのマークＲＭを照明する検出光を射出する白色ＬＥＤ等の光源、ＣＣＤ等の撮像素子、並びに撮像素子から出力される画像信号を画像処理する画像処理装置を備えて構成されている。
【００２４】
図４及び図５は、検出装置ＳＬ，ＳＲの構成の一例、及び受渡位置における光学的なプリアライメント処理を説明するための図である。検出装置ＳＬ，ＳＲは、撮像素子及び光源を有する４個のセンサＳＬ１，ＳＲ１，ＳＬ２，ＳＲ２、並びに検出光学系を構成するミラーＭＬ１，ＭＲ１、ビームスプリッタＭＬ２，ＭＲ２、及び不図示のコンデンサレンズやコリメートレンズ等のレンズを備えている。この例では、−Ｘ側（以下、左側ともいう）の検出装置ＳＬは、上段のセンサ（アーム上計測センサ）ＳＬ１、下段のセンサ（ステージ上計測センサ）ＳＬ２、全反射ミラーＭＬ１、ビームスプリッタＭＬ２を備えて構成され、＋Ｘ側（以下、右側ともいう）の検出装置ＳＲは、上段のセンサ（アーム上計測センサ）ＳＲ１、下段のセンサＳＲ２（ステージ上計測センサ）、全反射ミラーＭＲ１、ビームスプリッタＭＲ２を備えて構成されている。
【００２５】
図４に示されているように、左側上段のセンサＳＬ１が有する光源から＋Ｙ方向に射出された検出光は、ミラーＭＬ１で−Ｚ方向に反射され、ビームスプリッタＭＬ２を透過して、搬送アーム７３で保持されたレチクルＲの左側のマークＲＭに照射され、その反射光はビームスプリッタＭＬ２を透過して＋Ｚ方向に進行し、ミラーＭＬ１で−Ｙ方向に反射されて、左側上段のセンサＳＬ１が有する撮像素子に入射されることにより、レチクルＲの左側のマークＲＭの像が右側上段のセンサＳＬ１の撮像素子により検出される。同様に、右側上段のセンサＳＲ１が有する光源から＋Ｙ方向に射出された検出光は、ミラーＭＲ１で−Ｚ方向に反射され、ビームスプリッタＭＲ２を透過して、搬送アーム７３で保持されたレチクルＲの右側のマークＲＭに照射され、その反射光はビームスプリッタＭＲ２を透過して＋Ｚ方向に進行し、ミラーＭＲ１で−Ｙ方向に反射されて、右側上段のセンサＳＲ１が有する撮像素子に入射されることにより、レチクルＲの右側のマークＲＭの像が右側上段のセンサＳＲ１の撮像素子により検出される。
【００２６】
また、図５に示されているように、左側下段のセンサＳＬ２が有する光源から＋Ｙ方向に射出された検出光は、ビームスプリッタＭＬ２で−Ｚ方向に反射され、レチクルステージＲＳＴで保持されたレチクルＲの左側のマークＲＭに照射され、その反射光はビームスプリッタＭＬ２で−Ｙ方向に反射されて、左側下段のセンサＳＬ２が有する撮像素子に入射されることにより、レチクルＲの左側のマークＲＭの像が左側下段のセンサＳＬ２の撮像素子により検出される。同様に、右側下段のセンサＳＲ２が有する光源から＋Ｙ方向に射出された検出光は、ビームスプリッタＭＲ２で−Ｚ方向に反射され、レチクルステージＲＳＴで保持されたレチクルＲの右側のマークＲＭに照射され、その反射光はビームスプリッタＭＲ２で−Ｙ方向に反射されて、右側下段のセンサＳＲ２が有する撮像素子に入射されることにより、レチクルＲの右側のマークＲＭの像が右側下段のセンサＳＲ２の撮像素子により検出される。
【００２７】
なお、ここでは、各センサＳＬ１，ＳＬ２，ＳＲ１，ＳＲ２がそれぞれ光源を有するものとして、マークＲＭに対して反射照明を行うものについて例示したが、光源をレチクルステージＲＳＴ側に設けて、マークＲＭに対して透過照明を行うようにしてもよい。また、センサＳＬ１，ＳＬ２，ＳＲ１，ＳＲ２の倍率としては、全てを例えば２倍程度の倍率に設定することができる。但し、例えば、上段のセンサＳＬ１，ＳＲ１は２倍、下段のセンサＳＬ２，ＳＲ２を４倍というように、異ならせても勿論よい。
【００２８】
次に、レチクルＲのアライメントに関する一連の動作について、図６に示すフローチャートを参照して説明する。レチクル搬送装置のメカプリユニット６で機械的な位置及び姿勢調整が行われ、搬送アーム７３で保持されて、レチクルステージＲＳＴとの受渡位置に設定されたレチクルＲのマークＲＭが、上段のセンサＳＬ１，ＳＬ２により検出され、この検出結果に基づいて該マークＲＭの所定の基準に対する位置ズレ量が計測される（Ｓ１１）。次いで、計測された位置ズレ量が相殺されるように、搬送アーム７３ａの位置及び姿勢が補正される。この補正は、旋回アーム７の回転量及びスライダ７５のスライド量が微調整されることにより行われる（Ｓ１２）。
【００２９】
次いで、上下駆動機構ＵＤによって、搬送アーム７３を−Ｚ方向に移動させる。搬送アーム７３がレチクルステージＲＳＴに近接すると、搬送アーム７３の支持部７８による真空吸着が停止され、支持部７８がレチクルステージＲＳＴの切欠部８４内にそれぞれ配置される。支持部７８の上面がレチクルステージＲＳＴの載置部８２，８２の上面との高さ位置よりも低くなると、レチクルＲは搬送アーム７３の支持部７８による支持を離れて、レチクルステージＲＳＴの載置部８２，８２によって支持され、レチクルステージＲＳＴの載置部８２，８２の吸着口８３，８３によるレチクルＲの吸着保持が開始される。次いで、スライダ７５が一対のアーム部７４ａ，７４ｂとを互いの間隔が広がるよう移動させ、搬送アーム７３を開状態にし、上下駆動機構ＵＤによって、搬送アーム７３を＋Ｚ方向に移動させて所定の高さ位置に配置する。以上の動作によってレチクルＲが搬送アーム７３からレチクルステージＲＳＴに受け渡される（Ｓ１３）。
【００３０】
次いで、搬送アーム７３との受渡位置に位置されたレチクルステージＲＳＴに受け渡されたレチクルＲのマークＲＭが、下段のセンサＳＬ２，ＳＲ２により検出され、この検出結果に基づいて該マークＲＭの所定の基準に対する位置ズレ量が計測される（Ｓ１４）。次いで、Ｓ１４の計測が成功したか否かが判断される（Ｓ１５）。この判断は、センサＳＬ２，ＳＲ２の検出結果を画像処理して得られる信号の形状や強度等に基づいて、十分に高精度にマークＲＭの位置を検出できるか否かを判断することにより行われる。Ｓ１５で計測成功（ＹＥＳ）と判断された場合には、Ｓ１４で計測された位置ズレ量、即ちレチクルステージＲＳＴの目標値に対する補正量が、レチクルステージＲＳＴのＸＹ平面内における可動領域との関係で補正可能範囲であるか否かが判断される（Ｓ１６）。
【００３１】
この判断は、具体的には、センサＳＬ２，ＳＲ２の検出結果を画像処理して得られる信号から求められるマークの位置ズレ誤差と、ステージの補正可能範囲との関係で予め決められた所定値とを比較して、該所定値以上であるか、又は該所定値未満であるかを判断することにより行われる。レチクルステージＲＳＴの可動領域は、レチクルＲの搬送方向（受渡位置と照明位置とを結ぶ方向であり、この実施形態ではＹ方向）には当然に大きいので問題はないが、これと直交する方向（即ち、この実施形態ではＸ方向）若しくは回転方向にはあまり大きくないのが実情であるので、Ｓ１６ではＸ方向及び回転方向について、補正可能であるか否かを判断する。Ｓ１６で補正可能（ＹＥＳ）の場合には、レチクル駆動系ＤＲが駆動されて、所定の照明位置（ＶＲＡ計測位置）にレチクルＲを保持したレチクルステージＲＳＴが移動される（Ｓ１７）。このとき、当該補正量が加味されて、即ち当該照明位置への目標値を当該補正量で補正した値を目標位置としてレチクルステージＲＳＴの移動・位置決めが行われる。
【００３２】
レチクルＲが所定の照明位置に位置されたならば、図１に示すアライメント系ＯＢ１，ＯＢ２を用いてレチクルステージＲＳＴ上におけるレチクルＲの位置及び姿勢が計測され（Ｓ１８）、当該計測結果が補正量として、不図示の制御系のメモリに記憶保持される（Ｓ１９）。露光処理時には、この補正量に基づいて照明光学系ＩＬ又は投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対してレチクルＲが所定の精度で位置決めされるとともに、レチクルステージＲＳＴ上のレチクルＲとウエハステージＷＳＴとの相対的な位置合わせが行われる。
【００３３】
Ｓ１５で計測失敗（ＮＯ）の場合、又はＳ１６で補正量が補正可能範囲でない（ＮＯ）場合には、上述した搬送アーム７３からレチクルステージＲＳＴへのレチクルＲの搬入動作と逆の動作を行うことにより、レチクルステージＲＳＴから搬送アーム７３へレチクルＲを受け戻す搬出動作を行い（Ｓ２０）、Ｓ１１からＳ１６までの一連の動作を再実施するリロード処理が行われ、Ｓ１５，Ｓ１６で適正（ＹＥＳ）と判断された場合に、アライメント系ＯＢ１，ＯＢ２によるマーク計測が実施される（Ｓ１７〜Ｓ１９）。
【００３４】
レチクルＲのアライメント処理が完了すると、駆動系ＤＲによってレチクルステージＲＳＴが駆動されてレチクルＲが露光開始位置に配置されるとともに、ウエハステージＷＳＴが駆動されてこれに保持されたウエハＷのショット領域の１つが露光開始位置に配置される。そして、レチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴの加速が開始されて、ウエハステージＷＳＴの速度が最大速度Ｖｗに達するとともに、レチクルステージＲＳＴの速度が最大速度Ｖｒ＝Ｖｗ／α（αはレチクルＲからウエハＷへの投影倍率（例えば、α＝１／４又は１／５））に達した時点で照明光学系ＩＬから照明光が射出され、均一な照度分布を有する照明光がレチクルＲ上に照射され、投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上へのレチクルＲのパターン転写が開始される。
【００３５】
レチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴを最大速度で同期移動（走査）させている間は投影光学系ＰＬを介してレチクルＲのパターンが逐次ウエハＷ上の１つのショット領域に転写される。レチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴを一定時間走査してそのショット領域に対するレチクルＲのパターン転写が完了すると、照明光学系ＩＬからの照明光の射出が停止されるとともに、レチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴが減速される。以上の処理により１つのショット領域に対する露光処理が終了する。次いで、レチクルステージＲＳＴの移動方向を反転するとともにウエハステージＷＳＴを移動させて次に露光すべきショット領域を露光開始位置に配置し、次のショット領域に対する露光処理を行う。以上の動作がウエハＷ上に設定された全てのショット領域に対して繰り返して行われる。全てのショット領域が露光されると、ウエハステージＷＳＴ上のウエハＷが露光装置から搬出されるとともに、新たなウエハＷがウエハステージＷＳＴ上に搬送されて同様の露光処理が行われる。以上の処理を繰り返して、例えば１ロット分のウエハＷが露光される。
【００３６】
露光処理が終了すると、駆動系ＤＲによりレチクルステージＲＳＴが搬送アーム７３の下方（−Ｚ方向）の受渡位置に移動され、上述した搬出動作と同様の動作により、レチクルステージＲＳＴ上のレチクルＲが搬送アーム７３に受け戻される。次いで、旋回アーム７が駆動されて搬送アーム７３からメカプリユニット６にレチクルＲが搬送される。メカプリユニット６上のレチクルＲは、搬送ロボットにより、バッファ又は分離収納ユニットを介してレチクルケースに搬送される。
【００３７】
本実施形態によると、搬送アーム７３からレチクルＲをレチクルステージＲＳＴに搬入するに際して、所定の受渡位置において、搬送アーム７３で保持された状態のレチクルＲのマークＲＭを、上段のセンサＳＬ１，ＳＲ１で検出し、該検出結果に基づく誤差を相殺するように、該搬送アーム７３の位置及び姿勢を微調整した後に、レチクルステージＲＳＴにレチクルＲを受け渡すようにしているので、当該受渡位置において、搬送アームの位置決め誤差がある場合やレチクルＲの該搬送アームに対する保持状態が適正でない場合であっても、レチクルＲをレチクルステージＲＳＴ上に適切に載置することが可能となる。
【００３８】
また、これに加えて、当該受渡位置において、レチクルステージＲＳＴ上に載置された状態のレチクルＲを、下段のセンサＳＬ２，ＳＲ２で検出し、該検出結果に基づく誤差を補正しつつ、レチクルステージＲＳＴを所定の照明位置（ＶＲＡ計測位置）に移動させ、位置決めするようにしたので、搬送アーム７３からレチクルステージＲＳＴにレチクルＲを受け渡す際に生じる投入再現性に基づく不可避的な誤差（レチクルステージＲＳＴと搬送アーム７３が異なる振動系を有していることによる誤差）を有効に解消することができ、レチクルＲのマークＲＭをアライメント系ＯＢ１，ＯＢ２の計測視野に確実に位置させることが可能となる。その結果、レチクルＲを照明位置に設定した後に、マークＲＭがアライメント系ＯＢ１，ＯＢ２の計測視野に入らないことによるリロードの発生を少なくすることができ、スループットの向上を図ることができる。
【００３９】
また、下段のセンサＳＬ２，ＳＲ２によるレチクルステージＲＳＴ上のレチクルＲのマークＲＭの計測結果に基づいて、計測成功か否かを判断し（Ｓ１５）、加えて計測結果に基づく補正量がレチクルステージＲＳＴの可動範囲との関係における補正可能範囲であるか否かを判断し（Ｓ１６）、計測失敗又は補正可能範囲でない場合に、直ちにリロード処理（Ｓ２０，Ｓ１１〜Ｓ１６）を行うようにしたので、リロードが発生するような状況になったとしても、照明位置に移動させてからリロード処理が発生する場合と比較して、受渡位置と照明位置との間の往復移動に要する時間に相当する時間だけ、リロード処理に要する時間を短縮することができ、スループットを向上することができる。更に、照明位置において、アライメント系ＯＢ１，ＯＢ２の計測視野に確実にレチクルＲのマークＲＭを入れることができるので、アライメント系により高倍率のファイン計測を行う前に低倍率のラフ計測を行う必要がなくなり、ラフ計測用の撮像素子や光学系を設ける必要がなくなり、アライメント系の構成を簡略化することができる。照明位置におけるアライメント系は一般に露光光対応（即ち、紫外光等の短波長光対応）の光学素子等が用いられ、露光光対応の光学素子等は高額であるため、露光装置のコストを大幅に低減することができる。
【００４０】
なお、上述した実施形態では、上段のセンサＳＬ１，ＳＲ１による搬送アーム７３上でのマーク検出と、下段のセンサＳＬ２，ＳＲ２によるレチクルステージＲＳＴ上でのマーク検出とを、それぞれ行うようにしており、これらの相乗効果により、レチクルＲの正確な位置決めに伴う露光精度の向上やスループットの向上を実現できるが、何れか一方のみでも、上述した通りの効果を実現することができる。
【００４１】
次に、上述した実施形態のいくつかの変形例について説明する。上述した実施形態では、レチクルＲに形成された一対のマークＲＭのそれぞれに対応して、左側（−Ｘ側）のセンサＳＬ１，ＳＬ２と、右側（＋Ｘ側）のセンサＳＲ１，ＳＲ２を設けているが、図７〜図１０に示されているように、左右の一方を省略（ここでは、一例として、右側のセンサＳＲ１，ＳＲ２を省略）して、ハーフプリズムＭＬ３，ＭＬ４、及び全反射ミラーＭＲ３，ＭＲ４を同図に示す通り光路上に適宜に設けて、左側のセンサＳＬ１，ＳＬ２で、レチクルＲの左右のマークＲＭの双方を検出するようにしてもよい。この場合には、左右のマークＲＭが同時にセンサＳＬ１，ＳＬ２により検出されてしまうため、光路上にシャッターＳＴＬ，ＳＴＲを設けて、これらを排他的に作動させて、時間的に前後させて、左右のマークＲＭをそれぞれ検出する。また、このようなシャッターＳＴＬ，ＳＴＲを設けるのではなく、図１１及び図１２に示されているように、センサＳＬ１，ＳＬ２として、光源を有しないものを採用し、別の光源ＥＬＬ，ＥＬＲをレチクルステージＲＳＴ側に設けて、左右のマークＲＭのそれぞれを透過照明して、各検出光をセンサＳＬ１，ＳＬ２に入射させるようにしてもよい。この場合にも、左右のマークＲＭが同時にセンサＳＬ１，ＳＬ２により検出されてしまうため、左右の光源ＥＬＬ，ＥＬＲを排他的に作動（発光）させて、時間的に前後させて、左右のマークＲＭをそれぞれ検出する。
【００４２】
また、上述した実施形態、即ち図４及び図５に示した構成では、受渡位置における搬送アーム７３上のレチクルＲのマークＲＭを計測する場合と、レチクルステージＲＳＴ上のレチクルＲのマークＲＭを計測する場合の高さ方向の相違を考慮して、上段のセンサＳＬ１，ＳＲ１と下段のセンサＳＬ２，ＳＲ２を互いの高さを相違させて上下に２段で配置して、それぞれでマークＲＭを検出するようにしたが、焦点深度の大きい検出光学系を採用して、上下方向１段で左右で一対のセンサで、搬送アーム７３上のレチクルＲとレチクルステージＲＳＴ上のレチクルＲの双方を検出するようにしてもよい。この場合において、検出光学系内に焦点位置を選択的に変更させる内焦式のオートフォーカス機構等を設けて、搬送アーム７３上のレチクルＲとレチクルステージＲＳＴ上のレチクルＲのそれぞれで焦点位置を適切に変更して、上下方向１段で左右で一対のセンサでマークＲＭを検出するようにしてもよい。また、センサを移動可能に構成して、センサ位置を変更することにより、焦点位置を適宜に変更させて検出するようにしてもよい。更に、これらと、上述した図７〜図１０又は図１１及び図１２に示した構成を組み合わせて、搬送アーム７３上のレチクルＲの左右のマークＲＭと、レチクルステージＲＳＴ上のレチクルＲの左右のマークＲＭの全てを単一のセンサで検出するようにしてもよい。また、これらの場合において、光路中に倍率切替機構を設けて、例えば、搬送アーム７３上のレチクルＲを計測する際には２倍に設定し、レチクルステージＲＳＴ上のレチクルＲを計測する場合は４倍に設定する等、両者で倍率を異ならせてもよい。
【００４３】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００４４】
例えば、上述した実施形態では、レチクルを受け渡す場合を例として説明したが、ウエハやガラスプレート等の感光基板を基板搬送装置と基板ステージとで受け渡す場合にも、同様に本発明を適用することができる。センサＳＬ１，ＳＬ２，ＳＲ１，ＳＲ２等によるレチクルＲの計測部位としては、上述したようにアライメントマークＲＭに限られず、レチクルＲの外形やその他の部位の特徴部分を計測するようにしてもよい。
【００４５】
また、上記実施形態においては、露光装置としてステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例に挙げて説明したが、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置に適用することも可能である。また、半導体素子の製造に用いられる露光装置だけでなく、液晶表示素子、プラズマディスプレイ、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ等）、及びマイクロマシン等の製造に用いられる露光装置、並びにレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。即ち本発明は、露光装置の露光方式や用途等に関係なく適用可能である。
【００４６】
更に、近時においては、国際公開第９９／４９５０４号パンフレット等に開示されているように、露光波長を実質的に短くし、かつ空気中に比べて焦点深度を大きく（広く）するため、投影光学系の下面とウエハ表面との間を水又は有機溶媒等の液体で局所的に満たした状態で露光する液浸型の露光装置が開発されているが、このような液浸型の露光装置にも本発明を適用することができる。液浸型の露光装置に本発明を適用した場合、上述したように、レチクルアライメント系ＯＢ１，ＯＢ２によりラフ計測を行う必要がないので、露光光（紫外光）の照射時間を該ラフ計測を行わない分だけ短縮することが可能である。液浸型の場合は各部に撥水膜（撥水コート）が施されており、撥水膜は紫外光の照射により劣化し、撥水性能が低下する結果、各種の計測や処理の誤差要因となり得るため、このような紫外光の照射時間を短縮することにより、その寿命を長くすることが可能であり、長期に渡って、高精度な露光処理を行うことができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施形態に係る露光装置の全体構成を模式的に示す正面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るレチクル搬送装置の要部構成を示す斜視図である。
【図３】レチクルの一例を示す図である。
【図４】本発明の実施形態のプリアライメント系の構成を示す図である。
【図５】本発明の実施形態のプリアライメント系の構成を示す図である。
【図６】本発明の実施形態のレチクルアライメント処理を示すフローチャートである。
【図７】本発明の実施形態のプリアライメント系の他の構成を示す図である。
【図８】本発明の実施形態のプリアライメント系の他の構成を示す図である。
【図９】本発明の実施形態のプリアライメント系の他の構成を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態のプリアライメント系の他の構成を示す図である。
【図１１】本発明の実施形態のプリアライメント系の更に他の構成を示す図である。
【図１２】本発明の実施形態のプリアライメント系の更に他の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
ＯＢ１，ＯＢ２…アライメント系、Ｒ…レチクル、ＲＭ…マーク、ＲＳＴ…レチクルステージ、７３…搬送アーム、ＳＬ１，ＳＬ２，ＳＲ１，ＳＲ２…センサ、ＭＬ１，ＭＲ１…ミラー、ＭＬ２，ＭＲ２…ビームスプリッタ。
【図１】
2008131018.tif 000003
【図２】
2008131018.tif 000004
【図３】
2008131018.tif 000005
【図４】
2008131018.tif 000006
【図５】
2008131018.tif 000007
【図６】
2008131018.tif 000008
【図７】
2008131018.tif 000009
【図８】
2008131018.tif 000010
【図９】
2008131018.tif 000011
【図１０】
2008131018.tif 000012
【図１１】
2008131018.tif 000013
【図１２】
2008131018.tif 000014