(57)【要約】【課題】簡単かつ確実に、多孔質体の孔部内に導電性粒子を充填することが可能な粒子充填体の製造方法を提供すること。【解決手段】粒子充填体２０を製造するにあたり、多孔質体１０の表面に粉末状の導電性粒子１２を散布した後、導電性粒子１２を、磁力発生手段１４からの磁力により多孔質体１０側に引きつけつつ、擦り切り手段１６により多孔質体１０の表面を擦り切り、多孔質体１０の孔部１８内に導電性粒子１２を充填する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質体の表面に粉末状の導電性粒子を散布した後、前記導電性粒子を磁力により前記多孔質体側に引きつけつつ、擦り切り手段により多孔質体表面を擦り切り、前記多孔質体の孔部内に導電性粒子を充填する粒子充填体の製造方法。
【請求項２】
前記多孔質体は、多数の孔部を有する多孔質膜、または、多数の孔部を有する型であることを特徴とする請求項１に記載の粒子充填体の製造方法。
【請求項３】
前記多孔質膜は、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、この有機溶媒に可溶な高分子と、界面活性剤とを少なくとも含む高分子溶液をキャストした支持体を相対湿度５０％以上の雰囲気下に存在させることにより形成されていることを特徴とする請求項２に記載の粒子充填体の製造方法。
【請求項４】
前記多孔質膜は、多数の凸部を有する型を、高分子製の平坦な膜表面に押しつけることにより形成されていることを特徴とする請求項２に記載の粒子充填体の製造方法。
【請求項５】
前記型は、電鋳型または光造形型であることを特徴とする請求項４に記載の粒子充填体の製造方法。
【請求項６】
実質的に、前記孔部一つにつき、前記導電性粒子を一つずつ充填することを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の粒子充填体の製造方法。
【請求項７】
下記（１）〜（２）の条件を満たすことを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の粒子充填体の製造方法。
（１）前記孔部の開口径／前記導電性粒子の粒径：１〜１．８
（２）前記孔部の深さ／前記導電性粒子の粒径  ：０．５〜１
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粒子充填体の製造方法に関し、さらに詳しくは、異方性導電膜などに用いて好適な粒子充填体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、様々な産業分野において、多孔質体の孔部内に機能性物質を充填したものが、各種の用途に使用されている。
【０００３】
例えば、電気、電子機器等の分野では、多孔質膜の孔部内に導電性粒子を充填し、これの両面に接着層を形成したものが、異方性導電膜として使用されている。
【０００４】
この異方性導電膜は、導電性粒子による膜厚方向の導電性と、多孔質膜による膜面方向の絶縁性とにより、全体として異方導電性を発現することができる。そのため、回路基板の回路パターンとＩＣチップとの接続など、狭ピッチに配列された導体を有する部材同士を電気的および機械的に接続する際に好適に用いられている。
【０００５】
ここで、多孔質膜などの多孔質体に導電性粒子を充填する技術としては、例えば、特許文献１には、ガラス基板上に多孔質膜（孔径５μｍ）を固定するとともに、膜面と一定距離隔てて別のガラス基板を配置し、膜面とガラス基板との間に形成された隙間に、Ａｇ粒子（平均粒径５０ｎｍ）の水分散液を注入した後、ガラス基板をスライド移動させることにより、孔部内にＡｇ粒子群を充填する技術が開示されている。
【０００６】
また例えば、特許文献２には、多数の貫通孔（直径８μｍ）を有するコアフィルム上に導電性粒子（粒径６μｍ）を散布した後、フィルムに超音波振動を与えることにより、貫通孔内に導電性粒子を充填する技術が開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−２３３０１９号公報
【特許文献２】特開２００３−１３０２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の粒子充填技術は、何れも以下の点で問題があった。
【０００９】
すなわち、前者の粒子充填技術は、湿式法である。そのため、多孔質膜の材質によっては、粒子を分散させる溶媒により多孔質膜が侵される（膜の溶解、膨潤など）ことがあった。
【００１０】
また、多孔質膜と溶媒の相性と、溶媒の粒子分散性とが一致するとも限らず、粒子分散性が悪い溶媒であっても使用せざるを得なくなる。そのため、粒子の充填率を高めるため、何度もスライド操作を繰り返さなければならないことがあった。
【００１１】
また、前者の粒子充填技術は、孔部に比較して遙かに小さい粒子を充填する場合には、分散液中における粒子の凝集をそれほど気にしなくても良い。
【００１２】
ところが、孔部とほぼ同じ大きさの粒子を充填する場合には、粒子を単一分散させた分散液を使用する必要がある。粒子を単一分散させるには、粒子の濃度を薄くしなければならず、１回のスライド操作で孔部内に粒子を充填することが難しかった。
【００１３】
一方、後者の粒子充填技術は、実際には、孔部内に粒子が入る確率が低いと考えられる。また、連続生産時に、ライン上でフィルムを超音波振動させるのも難しいのではないかと思われる。
【００１４】
そこで、本発明は、簡単かつ確実に、多孔質体の孔部内に導電性粒子を充填することが可能な粒子充填体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明に係る粒子充填体の製造方法は、多孔質体の表面に粉末状の導電性粒子を散布した後、上記導電性粒子を磁力により上記多孔質体側に引きつけつつ、擦り切り手段により多孔質体表面を擦り切り、上記多孔質体の孔部内に導電性粒子を充填することを要旨とする。
【００１６】
上記多孔質体としては、多数の孔部を有する多孔質膜、または、多数の孔部を有する型を好適に適用することができる。
【００１７】
ここで、上記多孔質膜は、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、この有機溶媒に可溶な高分子と、界面活性剤とを少なくとも含む高分子溶液をキャストした支持体を相対湿度５０％以上の雰囲気下に存在させることにより形成されていると良い。
【００１８】
また、上記多孔質膜は、多数の凸部を有する型を、高分子製の平坦な膜表面に押しつけることにより形成されていても良い。
【００１９】
この場合、上記多数の凸部を有する型は、電鋳型または光造形型であると良い。
【００２０】
また、上記製造方法は、実質的に、上記孔部一つにつき、上記導電性粒子を一つずつ充填するのが好ましい。
【００２１】
また、上記製造方法は、下記（１）〜（２）の条件を満たしていると良い。
（１）前記孔部の開口径／前記導電性粒子の粒径：１〜１．８
（２）前記孔部の深さ／前記導電性粒子の粒径  ：０．５〜１
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る粒子充填体の製造方法では、多孔質体の表面に粉末状の導電性粒子を散布した後、導電性粒子を磁力により多孔質体側に引きつけつつ、擦り切り手段により多孔質体表面を擦り切る。
【００２３】
そのため、湿式法のように、多孔質体の耐溶剤性や、分散液中の粒子の分散状態などを心配する必要がなく、乾式法によって、比較的簡単に孔部内に導電性粒子を充填することができる。
【００２４】
また、磁力による多孔質体への引きつけ力と、擦り切り手段による孔部への物理的な押し込み力により、孔部内に確実に導電性粒子を充填することができる。そのため、孔部とほぼ同じ大きさの導電性粒子も効率良く充填しやすい。
【００２５】
この際、多孔質体の表面に付着している導電性粒子、凝集してしまい孔部内に充填されなかった導電性粒子、孔部内に充填された導電性粒子に静電気等が原因で付着している導電性粒子などは、擦り切り時に強制的に除去することができる。
【００２６】
ここで、上記多孔質体が、多数の孔部を有する多孔質膜である場合には、その粒子充填体を、例えば、異方性導電膜などに利用することができる。一方、上記多孔質体が、多数の孔部を有する型である場合には、型の孔部に充填した導電性粒子を別体に転写するための転写型などとして利用することができる。
【００２７】
また、上記多孔質膜が、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、この有機溶媒に可溶な高分子と、界面活性剤とを少なくとも含む高分子溶液をキャストした支持体を相対湿度５０％以上の雰囲気下に存在させることにより形成されている場合、この多孔質膜は、ハニカム状に狭ピッチに配列した孔部を有している。そのため、ハニカム状に狭ピッチに導電性粒子が配列した粒子充填膜が得られる。
【００２８】
また、上記多孔質膜が、多数の凸部を有する型を、高分子製の平坦な膜表面に押しつけることにより形成されている場合、この多孔質膜は、凸部の規則的な配置が任意に設定されることで、孔部の規則性や孔部間の距離などが任意に設定されている。
【００２９】
そのため、導電性粒子の規則性や導電性粒子間の距離など、設計自由度が高い粒子充填膜が得られる。また、熱硬化性樹脂を利用できるなど、膜を形成する高分子の選択幅も広くなる。
【００３０】
この際、上記型が、電鋳型または光造形型である場合には、微細な凸部を形成する自由度が高くなる。そのため、上記効果を得やすくなる。
【００３１】
また、実質的に、孔部一つにつき、導電性粒子が一つずつ充填されている場合には、これを例えば、異方性導電膜に用いた際に、接続信頼性が向上するなどの利点がある。
【００３２】
また、孔部の開口径／導電性粒子の粒径との比が１〜１．８の範囲内、孔部の深さ／導電性粒子の粒径との比が０．５〜１の範囲内にある場合には、孔部一つにつき、導電性粒子を一つずつ充填させやすくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本実施形態に係る粒子充填体の製造方法（以下、「本製造方法」という。）について詳細に説明する。
【００３４】
図１に、本製造方法による手順の概略を示す。図２に、本製造方法により得られる粒子充填体の模式的な断面図の一例を示す。
【００３５】
本製造方法は、概略以下の手順を有している。すなわち、図１（ａ）に示すように、先ず、多孔質体１０の表面に粉末状の導電性粒子１２を散布する。
【００３６】
そして、図１（ｂ）に示すように、多孔質体１０の導電性粒子１２の散布面と反対側に、磁力発生手段１４を設置する。
【００３７】
その後、図１（ｃ）に示すように、散布された導電性粒子１２を磁力により多孔質体１０側に引きつけつつ、擦り切り手段１６により多孔質体表面を擦り切る。
【００３８】
これにより、図２に示すように、多孔質体１０の孔部１８内に導電性粒子１２が充填された粒子充填体２０が得られる。
【００３９】
以下、本製造方法の具体的な内容について詳細に説明する。
【００４０】
本製造方法において、多孔質体は、導電性粒子を充填するための孔部をその表面に有しており、磁力を遮断しない材質のものであれば、その形状は特に限定されるものではない。
【００４１】
図１および図２では、多孔質体として、例えば、膜、平板などの平面体の表面に孔部を有する場合について例示している。他にも、上記多孔質体は、例えば、ロールなどの曲面体の表面に孔部を有するものであっても良い。
【００４２】
上記多孔質体としては、具体的には、多数の孔部を有する多孔質膜、多数の孔部を有する型などを例示することができる。また、多孔質膜の場合、その材質としては、各種樹脂、ゴムなどの高分子を適用することができる。一方、型の場合、各種金属（合金含む）、セラミックス、高分子などを適用することができる。本製造方法は、乾式法であるため、多孔質体の耐溶剤性などを考慮する必要がなく、多孔質体の材質を選択する自由度が高い。
【００４３】
本製造方法は、製品の構造の全部または一部として取り込まれる粒子充填体を製造することもできるし、製品中には含まれないが、その製品の製造時に使用する粒子充填体を製造することもできる方法である。
【００４４】
例えば、上記多孔質体が多孔質膜である場合には、得られた粒子充填体を、例えば、異方性導電膜、導通テストに供する検査膜、感圧センサなどに利用することができる。
【００４５】
また、上記多孔質体が型である場合には、型の孔部に充填した導電性粒子を別体に転写するための転写型などとして利用することができる。
【００４６】
上記多孔質体が有する孔部は、貫通孔であっても良いし、非貫通孔であっても良い。また、上記孔部は、貫通孔および非貫通孔の両方を有していても良い。多孔質体の形状などを考慮して適宜選択することができる。例えば、膜、平板などの平面体であれば、貫通孔、非貫通孔の何れも選択可能である。ロールなどの曲面体であれば、非貫通孔を選択すると良い。
【００４７】
また、上記孔部の形状としては、具体的には、例えば、四角柱、三角柱などの多角柱状、四角錐、三角錐などの角錐状、円柱状、略球状（球には、球が潰れた状態なども含む、以下同じ）、略半球状などを例示することができる。好ましくは、孔部に充填された導電性粒子が脱落しにくいなどの観点から、多角柱状、円柱状、略球状、略半球状などの形状が良い。
【００４８】
また、上記孔部は、例えば、格子状、千鳥状、ハニカム状、縞状など規則的に配列されて形成されていても良いし、ランダムに形成されていても良い。好ましくは、粒子充填体の利用価値が高くなるなどの観点から、上記孔部は、規則的に配列されていると良い。なお、上記規則的な配列は、傾斜されていても良い。例えば、粒子充填体を異方性導電膜として利用する場合、実装するＩＣチップのバンプの配列に対して、孔部に充填された導電性粒子の規則的な配列が角度を持って圧着されるように、孔部の規則的な配列を予め傾けるなどした場合には、導電性粒子の捕捉性などを向上させやすくなるなどの利点がある。
【００４９】
また、孔部の開口径、孔部の深さは、孔部に充填する導電性粒子の粒径を考慮して適宜選択することができる。また、孔部の開口中心間距離は、粒子充填体の用途などを考慮して適宜選択することができる。
【００５０】
本製造方法では、孔部深さ方向に導電性粒子が積み重ならないように、導電性粒子を充填するのが好ましい。換言すれば、ほぼ同一平面内に存在するように、導電性粒子を孔部内に充填するのが好ましい。より好ましくは、孔部一つにつき、導電性粒子を一つずつ充填するのが良い。
【００５１】
孔部一つにつき、導電性粒子を一つずつ充填しやすくなるなどの観点から、孔部の開口径／導電性粒子の粒径の比の上限は、好ましくは、１．８以下、より好ましくは、１．６以下、さらにより好ましくは、１．５以下にあると良い。一方、孔部の開口径／導電性粒子の粒径の比の下限は、好ましくは、１以上、より好ましくは、１．１以上、さらにより好ましくは、１．２以上にあると良い。
【００５２】
また、上記孔部の深さ／導電性粒子の粒径の比の上限は、好ましくは、１以下、より好ましくは、０．９５以下、さらにより好ましくは、０．９以下にあると良い。一方、孔部の深さ／導電性粒子の粒径の比の下限は、好ましくは、０．５以上、より好ましくは、０．６以上、さらにより好ましくは、０．７以上にあると良い。
【００５３】
この際、上記孔部の開口径、孔部の深さ、導電性粒子の粒径は、得られる粒子充填体の用途などにもよるが、基本的には、何れもμｍオーダーであると良い。
【００５４】
例えば、粒子充填体を異方性導電膜の用途に用いる場合、被接続物が有する導体の幅やピッチなどによっても異なるが、上記導電性粒子の粒径の上限は、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、７μｍ以下、さらにより好ましくは、５μｍ以下から選択すると良い。一方、上記導電性粒子の粒径の下限は、好ましくは、１μｍ以上、より好ましくは、２μｍ以上、さらにより好ましくは、３μｍ以上から選択すると良い。
【００５５】
なお、上記孔部の開口径は、多孔質体表面をレーザー顕微鏡で観察し、任意に選択した孔部１０個について測定した各開口部分の直径の平均値である。上記孔部の深さとは、任意に選択した孔部１０個についてレーザー顕微鏡で測定した深さの平均値である。上記導電性粒子の粒径とは、粒度分布測定装置（セイシン企業製、「ＰＩＴＡ−１」）にて測定した平均粒径である。
【００５６】
上記多孔質体は、種々の方法を用いて準備することができる。例えば、上記多孔質体が高分子よりなる多孔質膜である場合には、（１）水と混ざらず、揮発する有機溶媒中に高分子を溶かし、この高分子溶液をキャストした支持体を、高湿度雰囲気下に存在させる方法（結露による水滴を利用する方法）、（２）各種高分子製の平坦な膜表面に多数の凸部を有する型を押しつける方法、（３）同膜表面をドリル加工、レーザー加工、化学的、物理的エッチングなどして孔部を形成する方法、（４）フォトリソグラフィ法、光造形法などを利用して孔部を有する多孔質膜を形成する方法などを例示することができる。
【００５７】
このうち、ハニカム状に狭ピッチに配列した孔部を有する多孔質膜を準備できるなどの観点からは、（１）の方法が好ましい。また、孔部の規則性や孔部間の距離などが任意に設定された多孔質膜を比較的簡単に準備できるなどの観点からは、（２）〜（４）の方法が好ましく、より好ましくは（２）の方法である。以下、これら（１）、（２）の方法について順に説明する。
【００５８】
上記（１）方法によれば、概ね以下の原理によって上記多孔質膜が自発的に形成される。
【００５９】
すなわち、支持体の表面に、所定塗布厚で膜状に形成された高分子溶液は、溶液中の有機溶媒が蒸発する際に潜熱を奪われる。そのため、温度が下がった高分子溶液の表面には、雰囲気中の水蒸気が凝結して形成された微小な水滴群が付着する。付着した水滴群は、潜熱によって高分子溶液内に生じた対流やキャピラリーフォースなどにより輸送、集積され、最終的には最密充填される。その後、最密充填された水滴群が蒸発すると、自己組織化的に配列した水滴群を鋳型として、ハニカム構造を有する多孔質膜が形成される。
【００６０】
このようにして形成された多孔質膜は、貫通孔、非貫通孔の何れの孔部を有している場合であっても、基本的には、ほぼ次のようなハニカム構造を有している。
【００６１】
すなわち、孔部は、ハニカム状に配列されており、隣接する各孔部同士は、隔壁により離間されている。また、これら孔部は、水滴を鋳型として形成されることから、その内壁面が、外側方向に向かって略球面状に湾曲されている（水滴表面に由来するため、孔部の開口径より孔部の内径の方が大きくなっている）。また、それ故、隔壁は、隣接する各孔部の内壁面同士が最も近接する付近に、膜面付近よりも肉厚の薄いくびれ部を有している。
【００６２】
なお、上記ハニカム構造は、通常、機械的な加工などを用いて作製することが困難な構造である。そのため、上記ハニカム構造を有することは、水滴を利用した成膜法を使用していることの有力な根拠の一つとなる。
【００６３】
上記（１）の多孔質膜の形成方法としては、より具体的には、例えば、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、この有機溶媒に可溶な高分子と、界面活性剤とを少なくとも含む高分子溶液をキャストした支持体を相対湿度５０％以上の雰囲気下に存在させる方法などを好適に用いることができる。
【００６４】
この場合、上記疎水性および揮発性を有する有機溶媒としては、具体的には、例えば、クロロホルム、塩化メチレンなどのハロゲン化物、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトンなどのケトン類などを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【００６５】
上記高分子としては、具体的には、例えば、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマールなどのポリビニルアセタール系樹脂；ポリスルホン；ポリエーテルスルホン；ポリフェニレンサルファイド；ポリイミド；ポリアミドイミド；ポリエーテルイミド；ポリエーテルエーテルケトン；ポリエステル；ポリアミド；；ポリフェニレンエーテル；ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂；ゴム；熱可塑性エラストマーなどを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。
【００６６】
上記ポリイミドとしては、より具体的には、例えば、シロキサン成分を重合成分として含むポリイミドなどを例示することができる。
【００６７】
上記ポリアミドイミドとしては、より具体的には、例えば、シロキサン成分を重合成分として含むポリアミドイミドや、環式炭化水素基（脂環式炭化水素基および／または芳香族炭化水素基）を有するジイソシアネート成分またはジアミン成分と、酸無水物、多価カルボン酸、酸クロリドなどの酸成分とを重合成分として含むポリアミドイミド、このポリアミドイミドにポリカプロラクトンなどのポリエステルなどが共重合されたものなどを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。
【００６８】
上記ゴムとしては、より具体的には、例えば、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、イソプレンゴム、ブチルゴム、ウレタンゴム、アクリルゴム、シリコーンゴム、クロルスルホン化ポリエチレン、エピクロルヒドリンゴム、ニトリルゴム、水素化ニトリルゴム、フッ素ゴム、クロロプレンゴム、エチレン・プロピレン・ジエン３元共重合体、天然ゴムなどを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。
【００６９】
上記熱可塑性エラストマーとしては、より具体的には、例えば、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ウレタン系熱可塑性エラストマー、エステル系熱可塑性エラストマー、アミド系熱可塑性エラストマー、シリコーン系熱可塑性エラストマー、フッ素系熱可塑性エラストマーなどを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。
【００７０】
上記界面活性剤は、主として、高分子溶液の表面上に付着する水滴群を安定化させるなどの目的で添加されるものである。基本的には、疎水的な部位と親水的な部位とを合わせ持った化合物である。
【００７１】
上記界面活性剤としては、具体的には、例えば、親水性のアクリルアミドポリマーを主鎖骨格とし、疎水性側鎖としてドデシル基など、親水性側鎖としてラクトース基もしくはカルボキシル基などを併せもつポリマー、または、ヘパリンやデキストラン硫酸などのアニオン性多糖と４級の長鎖アルキルアンモニウム塩とのポリイオン性錯体などを例示することができる。これらは１種または２種以上併用することができる。
【００７２】
上記高分子溶液中に含まれる高分子の濃度の上限は、結露する水滴の保持性などの観点から、好ましくは、１重量％以下、より好ましくは、０．５重量％以下、さらにより好ましくは、０．４重量％以下である。
【００７３】
一方、上記高分子溶液中に含まれる高分子の濃度の下限は、水滴結露時間などの観点から、好ましくは、０．０１重量％以上、より好ましくは、０．１重量％以上、さらにより好ましくは、０．２重量％以上である。
【００７４】
また、上記界面活性剤の含有量の上限は、結露する水滴の保持性などの観点から、高分子量に対して、好ましくは、１倍量以下、より好ましくは、１／２倍量以下、さらにより好ましくは、１／４倍量以下である。
【００７５】
一方、上記界面活性剤の含有量の下限は、結露する水滴の保持性などの観点から、高分子量に対して、好ましくは、１／３０倍量以上、より好ましくは、１／２０倍量以上、さらにより好ましくは、１／１５倍量以上である。
【００７６】
上記高分子溶液をキャストする支持体の材料は、上記高分子溶液による液膜の形成に影響を及ぼさない一方、当該溶液に含まれる有機溶媒や各種の添加剤などにより、変質したり、腐食したりしない材料であれば、特に限定されるものではない。支持体の材料としては、具体的には、例えば、ガラス、金属、シリコンウェハーなどの無機材料、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエーテルケトン、フッ素樹脂などの高分子材料、水、流動パラフィンなどの液体などを例示することができる。
【００７７】
上記支持体の形状は、特に限定されるものではなく、上記高分子溶液による液膜をその表面で安定して保持できるような形状であれば良い。通常は、例えば、板状、フィルム状などの平面状のものを好適に用いることができる。
【００７８】
上記高分子溶液を支持体上にキャストする際の塗布厚は、例えば、上記高分子の濃度、溶液の粘度などを考慮して、水滴群が貫通孔、非貫通孔を形成できるように適宜調節することができる。
【００７９】
上記高分子溶液をキャストした支持体は、相対湿度５０％以上、好ましくは、５０％〜９５％の気体雰囲気下に存在させることが望ましい。相対湿度が上記範囲内にあれば、十分な結露を生じさせやすいためである。
【００８０】
この際、相対湿度５０％以上の雰囲気下中で上記高分子溶液を支持体上にキャストしても良いし、予め高分子溶液をキャストした支持体を相対湿度５０％以上の雰囲気下に置いても良い。また、相対湿度５０％以上の気体を高分子溶液に、上方または斜め方向から吹きかけるなどしても良い。
【００８１】
雰囲気中の気体、吹きかける気体としては、具体的には、例えば、アルゴンガス、窒素ガスなどの不活性ガス、空気などを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。好ましくは、コスト的に有利な空気（大気）を用いると良い。
【００８２】
この方法では、膜の形成条件を適宜調整することにより、貫通孔、非貫通孔の何れについても形成可能である。貫通・非貫通を決する膜の形成条件としては、具体的には、例えば、高分子溶液の塗布厚（キャスト量）、高分子溶液に含まれる当該樹脂の濃度、相対湿度などを例示することができる。
【００８３】
より具体的には、例えば、高分子溶液の塗布厚（キャスト量）を厚くする（多くする）、高分子溶液に含まれる当該樹脂の濃度を高くする、相対湿度を低くするなどの調整を行えば、非貫通孔が形成されやすくなる。その逆の調整を行えば、貫通孔が形成されやすくなる。
【００８４】
これらのうち、簡単かつ効果的に、貫通・非貫通を決することができる条件は、高分子溶液の塗布厚（キャスト量）、高分子溶液に含まれる当該高分子の濃度である。
【００８５】
なお、形成した多孔質膜が貫通孔、非貫通孔の何れを有しているかを確認するには、膜の表面を観察し、孔部内に支持体が露出しているか否かを確認したり、支持体から膜を剥離し、膜の裏面を観察したりするなどすれば良い。
【００８６】
上記（１）の多孔質膜の形成方法では、膜形成時に、有機溶媒の蒸発や、水滴群の蒸発を促進させるなどのため、必要に応じて、多孔質膜の形成に影響を及ぼさない範囲内で、加熱、乾燥などを行っても良い。
【００８７】
次に、上記（２）の多孔質膜の形成方法について説明する。
【００８８】
この方法では、多数の凸部を有する型を、高分子製の平坦な膜（以下、「平膜」ということがある。）表面に押しつける。
【００８９】
これにより、平膜表面に、上記型が有する凸部に対応した孔部を多数形成することができる。なお、凸部の形状は、多角柱状、円柱状など、上記孔部の形状を形成可能な形状を適宜選択すれば良い。
【００９０】
上記型としては、具体的には、例えば、金型、樹脂型などを用いることができる。より具体的には、例えば、微細な凸部を形成する自由度が高いなどの観点から、電鋳型、光造形型などを好適に用いることができる。
【００９１】
とりわけ、上記型が電鋳型である場合には、型の耐熱性に優れる。一方、上記型が光造形型である場合には、比較的安価に大面積の型を準備することができ、より大面積の粒子充填膜を製造しやすい。
【００９２】
上記電鋳型の材質は、特に限定されるものではない。通常、ニッケル、銅、アルミニウム、クロム、錫、金、銀、白金やパラジウム等の白金属、これらを１種以上含有する合金などを用いることができる。また、上記光造形型の材質は、特に限定されるものではない。通常、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ＡＢＳ樹脂、オキセタン系樹脂などを用いることができる。
【００９３】
なお、電鋳型の母型は、例えば、フォトリソグラフィ法、光造形法、インクジェット法、レーザー加工などを利用して準備すれば良い。
【００９４】
また、上記平膜は、上記平膜を形成する高分子材料を適当な固形分量、粘度となるように調製した塗液を、コーターなどの公知の塗工手段を用いて基材上に塗工し、必要に応じて乾燥させる方法、上記平膜を形成する高分子材料を平坦な膜状にプレス成形する方法などにより準備することができ、特に限定されるものではない。
【００９５】
上記押しつけ時における加圧力は特に限定されることはない。高分子の種類、孔部の形成性、平膜強度、平膜の膜厚などを考慮して選択すれば良い。通常、０．０１〜１ＭＰａ程度である。
【００９６】
また、上記押しつけ時に加熱を行っても良く、その場合、加熱温度は特に限定されることはない。加熱温度は、使用する高分子の種類、型の耐熱性などによっても異なるが、好ましくは、高分子のガラス転移温度＋２０℃〜＋４０℃程度の温度を選択すると良い。平膜に孔部を形成しやすくなるからである。
【００９７】
一方、例えば、上記多孔質体が型である場合には、型材表面をドリル加工、レーザー加工、化学的、物理的エッチングなどして孔部を形成する方法、フォトリソグラフィ法、光造形法などを利用して、孔部を有する型を形成する方法などを用い、当該多孔質の型を準備することができる。
【００９８】
上記型としては、具体的には、例えば、金型、樹脂型などを用いることができる。より具体的には、例えば、微細な孔部を形成する自由度が高いなどの観点から、電鋳型、光造形型などを好適に用いることができる。
【００９９】
とりわけ、上記型が電鋳型である場合には、型の耐熱性に優れる。一方、上記型が光造形型である場合には、比較的安価に大面積の型を準備することができ、より大面積の粒子充填体を製造しやすい。
【０１００】
上記電鋳型の材質は、特に限定されるものではない。通常、ニッケル、銅、アルミニウム、クロム、錫、金、銀、白金やパラジウム等の白金属、これらを１種以上含有する合金などを用いることができる。また、上記光造形型の材質は、特に限定されるものではない。通常、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ＡＢＳ樹脂、オキセタン系樹脂などを用いることができる。
【０１０１】
なお、電鋳型の母型は、例えば、フォトリソグラフィ法、光造形法、インクジェット法、レーザー加工などを利用して準備すれば良い。
【０１０２】
本製造方法では、以上のようにして準備した多孔質膜などの多孔質体の表面に粉末状の導電性粒子を散布することになる。なお、多孔質体の表面に導電性粒子を広げることができれば、散布手段は何れの方法を用いても良く、特に限定されるものではない。
【０１０３】
ここで、導電性粒子としては粉末状のものを用いる。つまり、本製造方法では、溶剤などにわざわざ導電性粒子を分散させる必要がない。
【０１０４】
上記導電性粒子としては、具体的には、例えば、略球状（断面が略楕円形状のものも含む）、略柱状、紡錘状、針状などを例示することができる。好ましくは、多孔質体の孔部内に導電性粒子を充填しやすいなどの観点から、略球状であると良い。
【０１０５】
上記導電性粒子は、導電性とともに磁性を有しておれば、何れの構造、材質のものであっても適用することができる。
【０１０６】
上記導電性粒子としては、具体的には、例えば、その表面から中心部まで導電性物質で満たされている粒子、高分子粒子の表面に１層または２層以上の導電性層が被覆されている粒子などを例示することができる。
【０１０７】
好ましくは、後者の粒子を用いると良い。加圧により粒子が弾性変形しやすいため、得られた粒子充填体を、例えば、異方性導電膜に用いた場合に、圧着使用時に、被接続物が有する導体との接触面積が大きくなり、膜厚方向の導通性を確保しやすくなるからである。
【０１０８】
より具体的には、例えば、前者の粒子の例として、金属粒子、カーボン粒子などを、後者の粒子の例として、樹脂粒子の表面に１層または２層以上の金属めっき層（電解めっき、無電解めっきなど）やスパッタ層などを有する粒子などを例示することができる。
【０１０９】
上記導電性物質、導電性層に適用可能な金属としては、具体的には、例えば、金、銀、白金属（白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミニウム、イリジウム）、ニッケル、銅、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、カドミウムなどの金属、錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−鉛−銀合金などの２種以上の金属で構成される合金などを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。
【０１１０】
上記高分子粒子に適用可能な高分子としては、具体的には、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリアルキレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、（メタ）アクリル酸エステル重合体、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体やジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のジビニルベンゼン系重合体などを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。なお、上記（メタ）アクリル酸エステルは、必要に応じて架橋されていても良い。
【０１１１】
好ましくは、（メタ）アクリル酸エステル重合体、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体やジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のジビニルベンゼン系重合体などである。
【０１１２】
さらに、本製造方法では、上記導電性粒子の表面に、ＴｉＯ２などの絶縁性の酸化物や上記高分子などによる絶縁層が１層または２層以上被覆された粒子を用いても良い。
【０１１３】
なお、本製造方法では、上記した導電性粒子を１種または２種以上併用しても構わない。また、上記導電性粒子の粒径などについては、上記多孔質体の孔部との関係において上述した通りである。
【０１１４】
本製造方法では、磁力により導電性粒子を多孔質体側へ引きつける。この際用いる磁力発生手段も特に限定されるものではない。具体的には、例えば、永久磁石、電磁石などを用いれば良い。これらは１種または２種以上併用しても構わない。
【０１１５】
この際、磁力発生手段は、多孔質体の導電性粒子の散布面と反対側に設置するのが好ましい。多孔質膜を介して導電性粒子に磁力を作用させることで、導電性粒子を多孔質膜側へ引きつけやすいからである。
【０１１６】
作用させる磁力は、導電性粒子の材質によっても異なる。基本的には、磁力が過度に小さすぎると、多孔質膜側へ導電性粒子を十分に引きつけることができず、粒子充填性が低下する傾向が見られる。一方、磁力が過度に大きすぎると、擦り切り手段による擦り切り時に、孔部内に導入されなかった導電性粒子などが十分に擦り切り難くなる傾向が見られる。よって、磁力発生手段による磁力は、これらの点に留意して選択すると良い。
【０１１７】
本製造方法では、上記のようにして、導電性粒子を磁力により多孔質膜側に引きつけた状態で、擦り切り手段により多孔質体表面を擦り切る。
【０１１８】
上記擦り切り手段は、多孔質体表面に導電性粒子を押しつけ、導電性粒子を擦り切ることができるものであれば、何れのものであっても用いることができる。上記擦り切り手段としては、具体的には、例えば、刷毛、ブラシ（金属製、樹脂製など）、ブレード、不織布、硝子繊維、硝子ビーズ（多孔質体表面に硝子ビーズを散布し、当該表面を転がすなどして使用）などを例示することができる。これらは１種または２種以上併用しても良い。
【０１１９】
なお、本製造方法では、上記擦り切りは、基本的には、一度行うだけで十分であるが、必要に応じて、複数回行うことを妨げるものではない。また、複数回擦り切りを行う場合には、それに合わせて上記導電性粒子の散布も複数回行っても良い。
【０１２０】
本製造方法によれば、上記操作により、磁力による多孔質体への引きつけ力と、擦り切り手段による孔部への物理的な押し込み力により、孔部内に確実に導電性粒子を充填することができる。また、孔部とほぼ同じ大きさの導電性粒子も効率良く充填しやすい。
【０１２１】
この際、多孔質体の表面に付着している導電性粒子、凝集してしまい孔部内に充填されなかった導電性粒子、孔部内に充填された導電性粒子に静電気等が原因で付着している導電性粒子などは、擦り切り時に強制的にほとんど除去することができる。
【０１２２】
もっとも、多孔質体の表面に付着している導電性粒子などの除去を確実なものにする観点から、上記擦り切り後、さらに、必要に応じて、粘着テープなどを用いて、多孔質体の表面に付着している導電性粒子などを除去する工程を追加しても良い。
【実施例】
【０１２３】
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
【０１２４】
１．粒子充填膜（実施例１〜３、比較例１〜５）および粒子充填型（実施例４〜５）の作製
（実施例１）
初めに、以下の要領で、多孔質膜を準備した。すなわち、ポリビニルブチラール系樹脂（積水化学工業（株）製、「エスレックＫＳ−３Ｚ」残存水酸基量：２５ｍｏｌ％）を０．２６ｗｔ％の濃度となるようにクロロホルムに溶解した液に、界面活性剤として、ドデシルアクリルアミドとカプロン酸との共重合体を、ポリビニルブチラール系樹脂に対して０．０２６ｗｔ％添加し、高分子溶液を調製した。
【０１２５】
次いで、温度２２℃、相対湿度５７％の雰囲気中にて、ガラス基板上に上記高分子溶液を塗布膜厚１１００μｍでキャストした。その後、エアポンプを用いて、上記と同温同湿度の空気（流量２Ｌ／ｍｉｎ）を、塗布液面へ２０°の角度から３０分間連続的に吹き付けた。
【０１２６】
その結果、クロロホルムの揮発とともに高分子溶液表面に結露による水滴群が付着し、これが最密充填した後、水滴群が蒸発することにより、ハニカム状に配列した多数の孔部（非貫通孔）を有する、ポリビニルブチラール系樹脂製の多孔質膜（膜厚５μｍ）が得られた。
【０１２７】
なお、得られた多孔質膜につき、孔部の開口径、孔部の深さ、隣接する孔部の開口中心間の距離を、レーザー顕微鏡（超深度カラー３Ｄ形状測定顕微鏡、キーエンス社製「ＶＫ−９５００」）により測定した結果、それぞれ５μｍ、４μｍ、６μｍであった。
【０１２８】
次に、ジビニルベンゼン系架橋樹脂よりなる粒子の表面に、Ｎｉめっき層、Ａｕめっき層が順に被覆された、粉末状の樹脂めっき粒子（積水化学工業（株）、「ミクロパールＡＵ−２０４」、平均粒径４μｍ）を、上記多孔質膜の孔部形成面上に散布した。
【０１２９】
次に、孔部形成面と反対側に設置した永久磁石（（株）西興産業製、フェライト磁石、１０００ガウス）にて、樹脂めっき粒子を多孔質膜に引きつけつつ、刷毛にて膜表面を１回擦り切り、孔部内に樹脂めっき粒子を導入した。
【０１３０】
なお、孔部が形成されていない多孔質膜表面に付着していた樹脂めっき粒子や、孔部に導入された樹脂めっき粒子に静電気力などで付着していた樹脂めっき粒子などは、上記擦り切りによりほとんど除去された。
【０１３１】
これにより、ポリビニルブチラール系樹脂製の多孔質膜の孔部内に樹脂めっき粒子が充填された実施例１に係る粒子充填膜を得た。なお、樹脂めっき粒子は、実質的に、孔部一つにつき一つずつ充填されていた。
【０１３２】
（実施例２）
以下の要領で、多孔質膜を準備した。すなわち、ポリブタジエンゴム（ＪＳＲ製、「ＲＢ８２０」）を０．２６ｗｔ％の濃度となるようにクロロホルムに溶解した液に、界面活性剤として、ドデシルアクリルアミドとカプロン酸との共重合体を、ポリブタジエンゴムに対して０．０２６ｗｔ％添加し、高分子溶液を調製した。
【０１３３】
次いで、温度２２℃、相対湿度５７％の雰囲気中にて、ガラス基板上に上記高分子溶液を塗布膜厚１１００μｍでキャストした。その後、エアポンプを用いて、上記と同温同湿度の空気（流量５Ｌ／ｍｉｎ）を、塗布液面へ４５°の角度から１５分間連続的に吹き付けた。
【０１３４】
その結果、実施例１と同様にして、ハニカム状に配列した多数の孔部（非貫通孔）を有する、ポリブタジエンゴム製の多孔質膜（膜厚５μｍ）が得られた。
【０１３５】
なお、得られた多孔質膜の孔部の開口径、孔部の深さ、隣接する孔部の開口中心間の距離は、それぞれ５μｍ、４μｍ、６μｍであった。
【０１３６】
以降は、実施例１に係る粒子充填膜の作製と同様にして、ポリブタジエンゴム製の多孔質膜の孔部内に樹脂めっき粒子が充填された実施例２に係る粒子充填膜を得た。なお、樹脂めっき粒子は、実質的に、孔部一つにつき一つずつ充填されていた。
【０１３７】
（実施例３）
以下の要領で、多孔質膜を準備した。すなわち、アルコール可溶ポリアミド樹脂２３．３９重量部と、フェノキシ樹脂（東都化成（株）製、「ＥＦＲ−００１０Ｍ３０」）２５．１６重量部と、エポキシ樹脂（東都化成（株）製、「ＦＸ２８９ＥＫ７５」）４．９重量部と、エポキシ樹脂（東都化成（株）製、「ＦＸ３０５ＥＫ７０」）２．６７重量部と、メラミン樹脂（三和ケミカル（株）製、「ニカラックＭＸ−７５０」）１．３７重量部と、硬化剤（四国化成（株）製、「Ｃ１１Ｚ」）０．３８重量部と、硬化剤（三菱ガス化学（株）製、「Ｆ−ＴＭＡ」）０．５７重量部と、メタノール２４．２６重量部、トルエン４８．０５重量部、メチルセロソルブ６９．２重量部とを混合し、高分子溶液を調製した。
【０１３８】
次いで、コンマコーターを用い、ベース基材（ポリエチレンテレフタレート、厚み３８μｍ、リンテック（株）製「ＰＥＴ３８Ｘ」）の離型面に、上記高分子溶液を塗工した。
【０１３９】
次いで、この塗工層を１６０℃で９０秒間乾燥させ、ポリアミド樹脂とフェノキシ樹脂とを主成分とする樹脂よりなる平膜（厚み４μｍ）を形成した。その後、この平膜の表面に、セパレータ（ポリエチレンテレフタレート、厚み７５μｍ、リンテック（株）製、「ＰＥＴ７５Ｃ」）の離型面を合わせて巻き取った。
【０１４０】
これにより、ポリアミド樹脂とフェノキシ樹脂とを主成分とする樹脂製の平膜を用意した。
【０１４１】
次いで、千鳥状に配置された多数の凸部（凸部径５μｍ角、凸高さ３．５μｍの略角柱状、ピッチ＝隣接する凸部中心間の距離１０μｍ）を有する光造形型を準備した。
【０１４２】
次いで、セパレータを剥離して露出させた上記平膜の表面に、上記光造形型の凸面をプレス（加圧力０．１ＭＰａ、温度１３０℃）により押しつけた。
【０１４３】
その結果、千鳥状に配列した多数の孔部（非貫通孔）を有する、ポリアミド樹脂とフェノキシ樹脂とを主成分とする樹脂製の多孔質膜が得られた。
【０１４４】
なお、得られた多孔質膜の孔部の開口径、孔部の深さ、隣接する孔部の開口中心間の距離は、それぞれ５μｍ、３．５μｍ、１０μｍであった。また、上記多数の孔部は、全体が約８°傾けられた千鳥状に規則的に配列されていた。
【０１４５】
以降は、実施例１に係る粒子充填膜と同様にして、ポリアミド樹脂とフェノキシ樹脂とを主成分とする樹脂製の多孔質膜の孔部内に樹脂めっき粒子が充填された実施例３に係る粒子充填膜を得た。なお、樹脂めっき粒子は、実質的に、孔部一つにつき一つずつ充填されていた。
【０１４６】
（実施例４）
実施例１に係る粒子充填膜の作製において、多孔質膜に代えて、千鳥状に配置された多数の孔部（開口径５μｍ、孔部の深さ３．５μｍの略円柱状、ピッチ＝隣接する開口中心間の距離１０μｍ）を有するＮｉ電鋳型を準備し、この型の孔部形成面上に樹脂めっき粒子を散布した点以外は同様にして、Ｎｉ電鋳型の孔部内に樹脂めっき粒子が充填された実施例４に係る粒子充填型を得た。なお、樹脂めっき粒子は、実質的に、孔部一つにつき一つずつ充填されていた。
【０１４７】
（実施例５）
実施例１に係る粒子充填膜の作製において、多孔質膜に代えて、千鳥状に配置された多数の孔部（開口部５μｍ角、孔部の深さ３．５μｍの略角柱状、ピッチ＝隣接する開口中心間の距離１０μｍ）を有する光造形型を準備し、この型の孔部形成面上に樹脂めっき粒子を散布した点以外は同様にして、光造形型の孔部内に樹脂めっき粒子が充填された実施例４に係る粒子充填型を得た。なお、樹脂めっき粒子は、実質的に、孔部一つにつき一つずつ充填されていた。
【０１４８】
（比較例１）
実施例２と同様にして、ポリブタジエンゴム製の多孔質膜を準備した。
【０１４９】
次いで、ガラス基板上に固定された上記多孔質膜と一定距離隔てて他のガラス基板を配置し、多孔質膜と他の基板との隙間に、濃度３ｗｔ％の銀ナノ粒子の分散水溶液（日本ペイント製、「ファインスフィアＳＶＷ１０２」、銀ナノ粒子の平均粒径５０ｎｍ）を注入し、表面張力により保持させた。
【０１５０】
次いで、他のガラス基板を一定速度（５〜１０μｍ／ｓｅｃ）でスライド移動させ、ガラス基板同士を引き離した。
【０１５１】
これにより、ポリブタジエンゴム製の多孔質膜の各孔部内にそれぞれ多数の銀ナノ粒子が充填された比較例１に係る粒子充填膜を得た。
【０１５２】
（比較例２）
実施例２と同様にして、ポリブタジエンゴム製の多孔質膜を準備した。
【０１５３】
次いで、ガラス基板上に固定された上記多孔質膜と一定距離隔てて他のガラス基板を配置し、多孔質膜と他の基板との隙間に、樹脂めっき粒子（積水化学工業（株）、「ミクロパールＡＵ−２０４」、平均粒径４μｍ）の分散溶液（溶媒：エタノール、濃度１ｗｔ％）を注入し、表面張力により保持させた。
【０１５４】
次いで、他のガラス基板を一定速度（５〜１０μｍ／ｓｅｃ）でスライド移動させ、ガラス基板同士を引き離した。その後も、上記分散溶液の注入およびスライド移動を繰り返し、粒子充填動作を合計で１０回行った。
【０１５５】
これにより、ポリブタジエン製の多孔質膜の孔部内に樹脂めっき粒子が充填された比較例２に係る粒子充填膜を得た。
【０１５６】
（比較例３）
実施例１と同様にして、ポリビニルブチラール系樹脂製の多孔質膜を準備した。
【０１５７】
次いで、ガラス基板上に固定された上記多孔質膜と一定距離隔てて他のガラス基板を配置し、多孔質膜と他の基板との隙間に、樹脂めっき粒子（積水化学工業（株）、「ミクロパールＡＵ−２０４」、平均粒径４μｍ）の分散溶液（溶媒：エタノール、濃度１ｗｔ％）を注入し、表面張力により保持させた。
【０１５８】
次いで、他のガラス基板を一定速度（５〜１０μｍ／ｓｅｃ）でスライド移動させ、ガラス基板同士を引き離した。
【０１５９】
しかしながら、多孔質膜が溶解してしまい、粒子充填膜を作製することができなかった。
【０１６０】
（比較例４）
実施例１と同様にして、ポリビニルブチラール系樹脂製の多孔質膜を準備した。
【０１６１】
次いで、ガラス基板上に固定された上記多孔質膜と一定距離隔てて他のガラス基板を配置し、多孔質膜と他の基板との隙間に、樹脂めっき粒子（積水化学工業（株）、「ミクロパールＡＵ−２０４」、平均粒径４μｍ）の分散溶液（溶媒：ヘキサン、濃度０．５ｗｔ％）を注入し、表面張力により保持させた。
【０１６２】
次いで、他のガラス基板を一定速度（５〜１０μｍ／ｓｅｃ）でスライド移動させ、ガラス基板同士を引き離した。その後も、上記分散溶液の注入およびスライド移動を繰り返し、粒子充填動作を合計で２０回行った。
【０１６３】
これにより、ポリビニルブチラール系樹脂製の多孔質膜の孔部内に樹脂めっき粒子が充填された比較例４に係る粒子充填膜を得た。
【０１６４】
（比較例５）
実施例２と同様にして、ポリブタジエンゴム製の多孔質膜を準備した。
【０１６５】
以降は、実施例１に係る粒子充填膜の作製において、永久磁石を用いず、散布した樹脂めっき粒子を多孔質膜に引きつけずに擦り切りする操作を５回行った点以外は同様にして、比較例５に係る粒子充填膜を作製した。
【０１６６】
２．粒子充填膜の評価
上記作製した各粒子充填膜のうち、多孔質膜の材質がポリブタジエンゴム以外のもの（実施例１、実施例３、比較例４）については、粒子充填面側に、接着層（厚み２０μｍ）を貼り付け、各異方性導電膜とした。
【０１６７】
一方、上記作製した各粒子充填膜のうち、多孔質膜の材質がポリブタジエンゴムのもの（実施例２、比較例１、比較例２、比較例５）については、粒子充填面側に接着層（厚み２０μｍ）を、粒子充填面の反対側面に接着層（厚み２μｍ）をそれぞれ貼り付け、各異方性導電膜とした。
【０１６８】
なお、接着層は、ジシクロペンタジエン型エポキシ系樹脂（大日本インキ（株）製、「エピクロンＨＰ７２００ＨＨ」）９０重量部と、ニトリルゴム（ＮＢＲ）（日本ゼオン（株）製、「ニポール１０７２Ｊ」）１０重量部と、硬化剤（旭化成ケミカルズ（株）製、「ノバキュアＨＸＡ３９３２ＨＰ」）１８７重量部とを、固形分量が４２％となるようにトルエンにて希釈して調製した接着剤溶液を、コンマコーターを用い、ベース基材（ポリエチレンテレフタレート、厚み３８μｍ、リンテック（株）製「ＰＥＴ３８Ｃ」）の離型面に塗工し、１１０℃で９０秒間乾燥させることにより用意した。
【０１６９】
そして、上記作製した各異方性導電膜につき、膜厚方向の導通性能および膜面方向の絶縁性能を評価した。
【０１７０】
（評価試料の作製）
すなわち、先ず、厚み０．７ｍｍのガラス基板表面に形成した回路パターン（材質ＩＴＯ、パターンピッチ３０μｍ、パターン幅２０μｍ）上に、異方導電性膜を載置し、温度１１０℃、回路パターン上に貼りつけた異方性導電膜の面積に対して加圧力０．２５ＭＰａ、圧着時間５秒の条件で、仮圧着した。
【０１７１】
次いで、仮圧着された異方性導電膜の上に、Ａｕバンプを有するＩＣチップ（バンプピッチ３０μｍ、バンプ幅２０μｍ）を、回路パターンとＡｕバンプとが相対峙するように載置した。
【０１７２】
次いで、この状態のまま、温度２１０℃、加圧力８０ＭＰａ、圧着時間６０秒の条件で、本圧着した。上記本圧着後、引き続き、温度５０℃、加圧力８０ＭＰａ、時間５秒の条件で、冷却を行った。
【０１７３】
以上により、試料１〜３、比較試料１、２、４、５を作製した。なお、試料および比較試料の番号は、実施例および比較例の番号と対応している。
【０１７４】
（膜厚方向の導通性能の評価）
得られた各試料につき、相対峙する回路パターン−Ａｕバンプ間の電気抵抗を、抵抗率計（ダイアインスツルメンツ製、「ロレスタＧＰ」）を用い、４端子４探針法により測定した。なお、各試料数は、それぞれＮ＝５［個］であり、算術平均による平均値を算出し、これを膜厚方向の電気抵抗とした。
【０１７５】
（膜面方向の絶縁性能の評価）
得られた各試料につき、隣接する回路パターン間の電気抵抗を、テスターＴ２（ＡＮＤ社製、「ＡＤ５５２２」）を用いて測定した。なお、各試料数は、それぞれＮ＝５［個］であり、算術平均による平均値を算出し、これを膜面方向の電気抵抗とした。
【０１７６】
（評価結果）
表１に、各試料の評価結果をまとめて示す。
【０１７７】
【表１】
2008186762.tif 000003
【０１７８】
（考察）
表１を相対比較すると次のことが分かる。
【０１７９】
すなわち、比較試料１は、湿式法（スライド法）により、μｍオーダーの孔部内に、ｎｍオーダーの銀ナノ粒子を多数充填した比較例１に係る粒子充填膜を使用したものであるが、他に比較して、膜厚方向の電気抵抗が大きかった。これは、膜厚方向に銀ナノ粒子の接触抵抗が関与するため、その分他に比較して電気抵抗が大きくなったものと推察される。
【０１８０】
比較試料２は、湿式法（スライド法）により、μｍオーダーの孔部内に、μｍオーダーの樹脂めっき粒子を充填した比較例２に係る粒子充填膜を使用したものであるが、他に比較して、同程度の抵抗値を得るのに、スライド操作を１０回も繰り返す必要があった。これは、使用した粒子分散液中にて樹脂めっき粒子が凝集しやすいため、スライド操作で孔部内に粒子が充填され難かったためである。このことから、孔部の大きさとほぼ同程度の大きさを有する導電性粒子をスライド法により孔部に充填するのは、不利であることが分かる。
【０１８１】
比較試料４は、湿式法（スライド法）により、μｍオーダーの孔部内に、μｍオーダーの樹脂めっき粒子を充填した比較例４に係る粒子充填膜を使用したものであるが、比較試料２よりもさらにスライド操作が多く必要であった。これは、比較例４の多孔質膜が溶けない溶剤には、樹脂めっき粒子の分散性が悪く、比較例２の１／２倍程度の濃度でしか、樹脂めっき粒子を分散できなかったためである。このことから、スライド法は、粒子充填効率が悪いと言える。なお、比較例３の結果から分かるように、多孔質膜の材質によっては、粒子分散液の溶媒により溶解し、粒子の充填ができないことがあることも分かる。
【０１８２】
これらに対し、試料１〜試料３は、本発明の製造方法を適用して製造した実施例１〜３に係る粒子充填膜を用いている。
【０１８３】
そのため、湿式法のように、多孔質膜の耐溶剤性や、粒子分散液中の粒子の分散状態などを心配する必要がなく、乾式法によって、比較的簡単に、孔部とほぼ同じ大きさの導電性粒子を孔部内に確実に充填することができた結果、膜厚方向の導電性、膜面方向の絶縁性を確保することができた。
【０１８４】
なお、試料２と比較試料５とは、膜厚方向の電気抵抗が同等の値を示してるが、粒子充填膜の製造時における磁力作用の有無（試料１：有り、比較試料５：無し）、擦り切り回数（試料１：１回、比較試料５：５回）に差異がある。
【０１８５】
このことから、本発明の製造方法によれば、擦り切り時に磁力を作用させることで、より少ない操作で、孔部に導電性粒子を効率良く充填することができると言える。
【０１８６】
したがって、これらの結果から、本発明に係る粒子充填体の製造方法によれば、従来に比較して、簡単かつ確実に、多孔質体の孔部内に導電性粒子を充填して、粒子充填体を製造することができることが確認できた。
【０１８７】
以上、本発明の一実施形態、一実施例について説明したが、本発明は上記実施形態、実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１８８】
【図１】本実施形態に係る粒子充填体の本製造方法による手順の概略を示した図である。
【図２】本実施形態に係る粒子充填体の本製造方法により得られる粒子充填体の模式的な断面図の一例である。
【符号の説明】
【０１８９】
１０  多孔質体
１２  導電性粒子
１４  磁力発生手段
１６  擦り切り手段
１８  孔部
２０  粒子充填体
【図１】
2008186762.tif 000004
【図２】
2008186762.tif 000005