(57)【要約】【課題】垂直磁気記録媒体において、ディスクリートトラックの形成精度向上と、優れた浮上性とを実現し、高トラック密度を実現する。【解決手段】垂直磁気記録媒体１は、非磁性基板１０上に、軟磁性下地層１１と、中間層１２と、磁性を有する結晶粒子とそれを取り巻く酸化物を主成分とする非磁性結晶粒界から構成された第１の記録層１３と、Coを主成分とし酸化物を含まない第２の記録層１４とを備え、情報を記録する記録トラック部１８と、隣接する記録トラックの間に設けられたガードバンド部１７を有する。ガードバンド部１７の幅ｄは30 nm以下である。また、ガードバンド部１７の第２の記録層１４の膜厚ｔ３が、記録トラック部１８のｔ２よりも小さく、記録トラック部１８の第１の記録層１３の厚さｔ１と第２の記録層１４の厚さｔ２の和(ｔ１＋ｔ２)と、ガードバンド部１７の(ｔ１＋ｔ３)との差が5nm以上12nm以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に、少なくとも軟磁性下地層と、磁性を有する結晶粒子とそれを取り巻く酸化物を主成分とする非磁性結晶粒界から構成された第１の記録層と、Ｃｏを主成分とし酸化物を含まない第２の記録層とを備え、情報を磁気的に記録する記録トラック部と、隣接する記録トラック部の間に設けられたガードバンド部を有する垂直磁気記録媒体において、前記ガードバンド部の第２の記録層の膜厚ｔ３が、前記記録トラック部の第２の記録層の膜厚ｔ２よりも小さく、ガードバンド部の幅ｄが３０ｎｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第１の記録層の膜厚ｔ１が８ｎｍ以上２０ｎｍ以下、前記第２の記録層の膜厚ｔ２が５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、前記記録トラック部の第１の記録層の膜厚ｔ１と第２の記録層の膜厚ｔ２の和(ｔ１＋ｔ２)と、前記ガードバンド部の第１の記録層の膜厚ｔ１と第２の記録層の膜厚ｔ３の和(ｔ１＋ｔ３)との差が３ｎｍ以上１２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第１の記録層の膜厚ｔ１が８ｎｍ以上２０ｎｍ以下、前記第２の記録層の膜厚ｔ２が５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、前記ガードバンド部の第２の記録層の膜厚ｔ３が２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第１の記録層の飽和磁化をＭＳ１、前記第２の記録層の飽和磁化をＭＳ２とした場合、前記ガードバンド部のＭＳ２×ｔ３／ＭＳ１×ｔ１が０．１以下であり、前記記録トラック部のＭＳ２×ｔ２／ＭＳ１×ｔ１が０．２５以上であることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記ガードバンド部は、Ｓｉ酸化物、Ａｌ酸化物あるいはＴｉ酸化物で形成されていることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
非磁性基板上に、少なくとも軟磁性下地層と、磁性を有する結晶粒子とそれを取り巻く酸化物を主成分とする非磁性結晶粒界から構成された第１の記録層と、Ｃｏを主成分とし酸化物を含まない第２の記録層とが積層され、情報を磁気的に記録する記録トラック部と、隣接する記録トラック部の間に設けられたガードバンド部を有する垂直磁気記録媒体において、前記第１の記録層の膜厚ｔ１が８ｎｍ以上２０ｎｍ以下、前記第２の記録層の膜厚ｔ２が５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、前記ガードバンド部の幅ｄが３０ｎｍ以下で深さｔ４が１２ｎｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記ガードバンド部の底部は前記第１の記録層の表面であることを特徴とする請求項６記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記ガードバンド部は前記第２の記録層を貫通し、前記第１の記録層に達していることを特徴とする請求項６記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
非磁性基板上に、少なくとも軟磁性下地層と、磁性を有する結晶粒子とそれを取り巻く酸化物を主成分とする非磁性結晶粒界から構成された第１の記録層と、Ｃｏを主成分とし酸化物を含まない第２の記録層とを備え、情報を磁気的に記録する記録トラック部と、隣接する記録トラック部の間に設けられたガードバンド部を有し、前記ガードバンド部の第２の記録層の膜厚ｔ３が、前記記録トラック部の第２の記録層の膜厚ｔ２よりも小さく、ガードバンド部の幅ｄが３０ｎｍ以下である垂直磁気記録媒体と、
主磁極と、該主磁極を励磁するためのコイルと、前記主磁極のトレーリング側に配置されたトレーリングシールドと、前記主磁極のリーディング側に配置された再生素子とを備える磁気ヘッドと、
を有することを特徴とする磁気記録装置。
【請求項１０】
前記垂直磁気記録媒体の第１の記録層の膜厚ｔ１が８ｎｍ以上２０ｎｍ以下、第２の記録層の膜厚ｔ２が５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、記録トラック部の第１の記録層の膜厚ｔ１と第２の記録層の膜厚ｔ２の和(ｔ１＋ｔ２)と、ガードバンド部の第１の記録層の膜厚ｔ１と第２の記録層の膜厚ｔ３の和(ｔ１＋ｔ３)との差が３ｎｍ以上１２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項９に記載の磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体および前記媒体を搭載した磁気記録装置に係り、特に、ディスクリートトラックを有する垂直磁気記録媒体および磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置を中心とした磁気記録装置の適用範囲の拡大に伴い、さらなる小型、大容量化が要求されている。この要求に答えるため、これらの装置に用いられる磁気記録媒体における記録密度の向上は必須である。
線記録密度を高める技術として、従来の面内磁気記録方式にかわり、垂直磁気記録方式が広く用いられるようになった。垂直磁気記録方式は、記録媒体の磁化を媒体面に垂直に、かつ隣り合う記録ビット内の磁化が互いに反平行になるように記録ビットを形成する方式である。垂直磁気記録方式では、磁化遷移領域での反磁界が小さいため面内磁気記録方式に比べて急峻な磁化遷移領域が形成され、高密度で磁化が安定する。したがって、面内磁気記録方式と比較して、同じ記録分解能を得るために膜厚を大きくして磁性粒子体積を大きくすることができ、記録された磁化の経時的な減衰、すなわち熱減磁を抑制できる。さらに単磁極ヘッドと、垂直記録層と軟磁性下地層を備えた垂直磁気記録媒体との組み合わせにおいて高い記録磁界が得られ、垂直記録層に磁気異方性エネルギーの高い材料を選択することが可能となり、熱減磁をさらに抑制することができる。
【０００３】
垂直磁気記録方式に用いられる媒体の磁気記録層としては、結晶粒の周囲を酸化物や窒化物などの非磁性化合物で取り囲んだグラニュラ構造が提案されている。例えば、特許文献１には、CoCrPt合金を主体としてSi酸化物を含有し、かつ、そのSiの含有量がSi原子に換算して8at.%以上16at.%以下であるような記録層であって、その記録層をArガス圧0.133Pa以上2.66Pa以下としたチャンバ内でスパッタリングにより製造する方法が開示されている。また、非特許文献１には、厚さ160nmのCo-Ta-Zrからなる軟磁性下地層上に、Ta/Ru中間層を介してCo-Cr-Pt-Si-Oからなる記録層を形成し、記録層中の酸素濃度を15%程度とした場合に保磁力が最大となり、SN比が向上することが報告されている。
【０００４】
これらの技術は、非磁性の酸化物を結晶粒界に偏析させて磁性粒子を磁気的に孤立させることにより、SN比を向上させるのが目的である。しかし、高SN比と熱安定性とを両立するためには、磁性粒子の磁気異方性を大きくする必要があり、この場合保磁力が高くなりすぎて単磁極ヘッドによる記録が困難になるという問題があった。
【０００５】
この問題を解決するために、酸化物を結晶粒界に偏析させたグラニュラ構造の記録層に、酸化物を含まないCo系合金層を積層した構造が提案されている。例えば、特許文献２にはCoを主成分とするとともにCrを含み酸化物を含まない層と、Coを主成分とするとともにPt及び酸化物を含んだ層とからなる垂直磁気記録層の構成が開示されている。酸化物を含む層の酸化物の含有量としてはCoとCrとPtの総量に対して3 mol%以上12 mol%以下が好ましく、より好ましくは5 mol%以上10 mol%以下であることが記載されている。上記範囲以上の場合には酸化物が磁性粒子中に残留し、磁性粒子の結晶配向性を損ね、磁性粒子の上下に酸化物が析出して磁性粒子が柱状構造をとらなくなるために好ましくないことが記載されている。また、軟磁性層の膜厚としては50nmから400nmの範囲が好ましく、軟磁性下地層の飽和磁束密度を0.6T以上とし、軟磁性下地層の飽和磁束密度Bs(T)と膜厚t(nm)の積Bs・tを20(T・nm)以上とすることが好ましいことが記されている。実施例には膜厚100nmのCoNbZr軟磁性下地層を有する垂直磁気記録媒体を単磁極ヘッドと組み合わせて評価した結果、オーバーライト特性が向上すると共にS/N比も向上することが記載されている。
【０００６】
また、垂直磁気記録媒体に情報を記録する磁気ヘッドにおいて、記録磁界勾配を向上させるために、従来の単磁極型ヘッドの構造に、少なくとも主磁極のトラック方向トレーリング側に非磁性のギャップ層を介して磁気シールドが設けられた構造を有する磁気ヘッドが提案されている。以下ではこの磁気シールドをトレーリングシールドと呼び、トレーリングシールドを設けた記録ヘッドをトレーリングシールド型記録ヘッドと呼ぶ。例えば特許文献３あるいは特許文献４にトレーリングシールド型記録ヘッドの例が開示されている。トレーリングシールド型記録ヘッドは、記録磁界強度は低下するものの、記録磁界勾配を高めることができるため、上記の垂直磁気記録媒体との組み合わせにおいて、さらに高い線記録密度を実現できる。
【０００７】
ところで、上記の垂直磁気記録方式の採用による線記録密度の向上と同時に、トラック密度を増加して面記録密度を向上する努力も行われている。しかし、トラックの間隔の狭小化に伴い、隣接するトラックに記録された磁気的情報が互いに干渉し合い、その境界領域の磁化遷移領域がノイズとなって、ＳＮ比が低下する問題が顕在化している。また、記録ヘッドから発生する磁界分布に起因する記録トラック端部の書きにじみ（フリンジ）が顕著となり、隣接するトラックの磁気的情報を消去する問題がある。
【０００８】
上記の問題を解決する方法として、ディスクリートトラック技術が注目されている。例えば特許文献５において、磁性部材でつくられた情報を磁気的に記録する記録トラック部と、互いに隣接する前記記録トラック部間に非磁性の材料でつくられたガードバンド部を備え、前記ガードバンド部材の下方領域には、磁性部材が存在しないか、前記記録トラック部をなす磁性部材の厚みとは異なる厚みの磁性部材が設けられることを特徴とする磁気ディスク媒体が開示されている。ただし、特許文献５において、上記ガードバンド部の磁性部材の厚さの範囲に関する記述がなく、ガードバンド部の磁性部材をすべて除去した場合に効果が得られることを示している。
【０００９】
また、特許文献６には、トラック間隔130 nm以下、磁性層の厚さtが6 nm以上18 nm以下、記録トラック部の幅Dが50 nm以上で、ガードバンド部の幅dと磁性層厚tとの比d/tが5/2以上であり、媒体表面を酸化物により平滑化したディスクリートトラック媒体が開示されている。上記の範囲において、ガードバンド部における表面酸化物の充填率を100 %とすることが可能であることを示している。
【００１０】
【特許文献１】特開2002-342908号公報
【特許文献２】特開2004-310910号公報
【特許文献３】米国特許出願公開第2002/0176214号明細書
【特許文献４】特開2005-190518号公報
【特許文献５】特開平9-97419号公報
【特許文献６】特開2006-155863号公報
【非特許文献１】IEEE Transactions on Magnetics, Vol.40, No.4, July 2004, pp. 2498-2500, “Role of Oxygen Incorporation in Co-Cr-Pt-Si-O Perpendicular Magnetic Recording Media.”
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記特許文献５、特許文献６に開示されているディスクリート媒体の製造方法において、反応性イオンエッチングなどを用いてガードバンド部の磁性部材を除去し、ディスクリートトラックを形成している。この場合、ディスク全体にわたってガードバンド部の幅のばらつきを抑制しながら磁性部材全部を除去することは非常に困難であり、そのばらつきによってディスク装置におけるヘッドのトラッキング性能、およびSN比が劣化する。また、ガードバンド部の磁性部材除去の際、除去された磁性部材が記録トラック部の端部に再付着し、記録トラック部の磁性部材の端部が劣化する。さらに、上記特許文献２のようなグラニュラ層と酸化物を含まない層の積層構造とした垂直磁気記録媒体において上記のディスクリートトラック製造方法を適用した場合、２つの磁性層の磁性部材のエッチング選択比が異なるため、ガードバンド部の形成は困難となる。さらに上記積層構造の媒体は、膜厚が20 nm前後と大きいため、ガードバンド部に酸化物を充填させるためには、少なくともガードバンド幅を50 nm程度まで大きくする必要があり、トラック間隔の狭小化が困難となる。
【００１２】
本発明の目的は、ガードバンド部の幅のばらつきが少なく、高トラック密度の垂直磁気記録媒体を提供することである。
本発明の他の目的は、垂直磁気記録媒体を搭載した磁気記録装置において、面記録密度を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の代表的な垂直磁気記録媒体は、非磁性基板上に、少なくとも軟磁性下地層と、磁性を有する結晶粒子とそれを取り巻く酸化物を主成分とする非磁性結晶粒界から構成された第１の記録層と、Coを主成分とし酸化物を含まない第２の記録層とを備え、情報を磁気的に記録する記録トラック部と、隣接する記録トラックの間に設けられたガードバンド部を有する垂直磁気記録媒体において、前記ガードバンド部の第２の記録層の膜厚t3が、前記記録トラック部の第２の記録層の膜厚t2よりも小さく、ガードバンド部の幅dが30nm以下であることを特徴とする。
前記記録トラック部の第１の記録層の厚さt1と第２の記録層の厚さt2の和(t1+t2)と、ガードバンド部の第１の記録層の厚さt1と第２の記録層の厚さt3の和(t1+t3)との差が3nm以上12nm以下であることが望ましい。
本発明の代表的な磁気記録装置は、前記垂直磁気記録媒体を搭載し、さらに主磁極と、主磁極を励磁するためのコイルと、主磁極のトレーリング側に配置されたトレーリングシールドと、主磁極のリーディング側に配置された再生素子とを備える磁気ヘッドを搭載することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、垂直磁気記録媒体において、ガードバンド部の幅のばらつきが少なくなり、高トラック密度を実現することができる。また、磁気記録装置において面記録密度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明の垂直磁気記録媒体、および磁気記録装置の実施例について説明する。
実施例１による垂直磁気記録媒体の断面構造の模式図を図１に示す。垂直磁気記録媒体１は非磁性基板１０上に軟磁性下地層１１と、非磁性の中間層１２と、酸化物を含む第１の記録層１３と、酸化物を含まない第２の記録層１４と、保護層１５が積層された磁気記録媒体基材１６と、その上に積層された媒体保護層１９と、媒体保護層１９に塗布された潤滑層２０とを有する。第２の記録層１４にはガードバンド部１７が設けられ、非磁性の酸化物層２１が充填されている。隣接するガードバンド部１７の間が記録トラック部１８を構成している。第２の記録層１４の膜厚をｔ２とした場合、ガードバンド部１７の深さｔ４はｔ２以下であり、ガードバンド部１７の下部に第２の記録層１４が膜厚ｔ３だけ残っている。ガードバンド部１７の幅ｄは30nm以下であり、深さｔ４は3nm〜12nmであり、膜厚ｔ３は約2nm以下である。ガードバンド部１７の下部に第２の記録層１４を残しているのは、ガードバンド部１７を形成するための凹部の深さを浅くし、凹部に酸化物を完全に充填させるためである。ガードバンド部１７下部の第２の記録層１４の膜厚ｔ３は、ガードバンド部１７の下部において記録ヘッドからの磁界による磁化反転が困難になる程度に設定されている。
【００１６】
図２に、上記垂直磁気記録媒体１の記録トラック部１８とガードバンド部１７に要求される磁気特性を示す。図２の横軸は第１の記録層１３の飽和磁化ＭＳ１と膜厚ｔ１の積と、第２の記録層１４の飽和磁化ＭＳ２と膜厚ｔ２の積との比である。縦軸はオーバーライト(dB)である。図２は、記録トラック部１８において、磁気ヘッドからの磁界による磁化反転を容易にし、オーバーライトを-25dB以下にする必要があり、そのためには、ＭＳ２×ｔ２／ＭＳ１×ｔ１≧０．２５を満足する記録層１３，１４を作製する必要があることを示している。また、ガードバンド部１７において、記録ヘッドからの磁界による磁化反転を困難にして、オーバーライトを-5dB以上にする必要があり、そのためには、ＭＳ２×ｔ２／ＭＳ１×ｔ１≦０．１を満足する記録層１３，１４を作製する必要があることを示している。
【００１７】
次に図３を参照して上記垂直磁気記録媒体１の製造方法の概略について説明する。
まず、図３（Ａ）に示すように、非磁性基板１０上に軟磁性下地層１１、非磁性の中間層１２、酸化物を含むグラニュラ記録層（第１の記録層）１３、酸化物を含まない第２の記録層１４、保護層１５を順次形成し、磁気記録媒体基材１６とする。
続いて、図３（Ｂ）に示すように、磁気記録媒体基材１６の保護層１５上に、レジスト２を塗布する。
続いて、図３（Ｃ）に示すように、所望の間隔の記録トラック部、ガードバンド部を形成するために凹凸加工された金型（スタンパ）３をレジスト２に密着し、高圧でプレスして、ガードバンド部を形成する部分のレジストを除去する（以降インプリント工程と呼ぶ）。
続いて、図３（Ｄ）に示すように、レジスト２をマスクとして、イオンミリング等を用いて、ガードバンド部を形成する部分の保護層１５を除去する。
続いて、図３（Ｅ）に示すように、反応性イオンエッチング、イオンミリング等を用いて、ガードバンド部を形成する部分の第２の記録層１４の一部を除去して凹部を形成する。このとき、凹部における記録層１４のエッチング深さが3nm以上12nm以下になるように、工程を調整する。
続いて、図３（Ｆ）に示すように、凹部にスパッタ法、スピンコート法等の方法を用いて酸化物層２１を充填する。
続いて、図３（Ｇ）に示すように、ポリッシュ、エッチング等の方法により、図３（Ｄ）〜（Ｆ）に示した工程で生じた媒体面表面の凹凸を平滑化し、ガードバンド部１７を形成する。
続いて、図３（Ｈ）に示すように、平滑化した面に媒体保護層１９をスパッタ法やＣＶＤ法などを用いて堆積した後、媒体保護層１９の上に液体潤滑層２０を塗布する。
【００１８】
次に、上記製造方法の詳細について説明する。
非磁性基板１０にはAl-Mg合金などの非磁性金属や、結晶化ガラス、アモルファスガラス、Si、樹脂などの材料を用いることができる。本実施例１においては、直径63.5 mmのガラス基板を用いた。
【００１９】
軟磁性下地層１１にはFe、Co、Niを含む軟磁性材料を用いることができ、CoTaZr合金、CoNbZr合金、FeCoB合金などを用いることができる。また、複数の軟磁性薄膜の間に非磁性薄膜を挿入し、各軟磁性薄膜が非磁性薄膜を介して強磁性、または反強磁性的に結合した多層膜構造とすることで、軟磁性下地層から発生する磁気的ノイズを低減することができる。本実施例１では、FeCoTaZr合金を30 nmと、Ruを0.7 nmと、FeCoTaZr合金を30 nmとを、スパッタ法によりに順次形成し、軟磁性下地層１１を三層からなる構成とした。軟磁性下地層１１の膜厚は、記録を行う際に十分なオーバーライト特性が得られる範囲内で選択すればよく、10 nmから300 nmの範囲であれば問題ない。軟磁性下地層１１の下に、FeMnや、IrMnのような、軟磁性下地層１１の磁区を固定するための磁区制御層を設けた構造を用いても良い。
【００２０】
中間層１２は、第１の記録層１３の結晶配向性や結晶粒径を制御し、結晶粒間の交換結合を制御する役割を果たす。中間層１２の膜厚、構成、材料は、上記効果が得られる範囲で設定すればよく、特に本実施例１の膜厚、構成、材料に限定するものではない。実施例１においては、膜厚5 nmのNiWと、膜厚20 nmのRuとを順次形成した。
上記中間層構成においてNiW層の役割はRu層の結晶粒径の制御と、膜面垂直方向のc軸配向性を高めることである。これが満足される範囲で膜厚を設定すればよく、3 nm から10 nm程度の値が望ましい。NiWの代わりに、NiCr、NiCrW、NiVなどを用いることができる。また、面心立方格子（fcc）構造を有するPd、Pt、Cuやこれらを含有する合金、NiFeなどの強磁性fcc材料を用いても良く、NiTaなどのアモルファス構造を有する材料を用いてもよい。
Ru層の役割は第１の記録層１３の結晶粒径、結晶配向性の制御と結晶粒間の交換結合の低減である。これが満足される範囲で膜厚を設定すればよく、3 nm から30 nm程度の値が望ましい。また、Ruの代わりにRuを含む合金や、RuにSiO2などの酸化物を含有させたものを用いても良い。
【００２１】
第１の記録層１３は、Coを主成分とし、少なくともCrとPtと、酸化物とを含む合金であり、CoCrPtB合金、CoCrPtMo合金、CoCrPtNb合金、CoCrPtTa合金と、Si酸化物、Ta酸化物、Nb酸化物、Ti酸化物、Cr酸化物などからなるグラニュラ膜を用いることができる。これらの酸化物を粒界に偏析させることで、低ノイズのグラニュラ層を形成できる。また、第１の記録層１３は、異方性エネルギー、結晶粒間の交換結合の制御を目的として、異なる組成、または異なる酸化物からなる複数のグラニュラ層で構成してもよい。第１の記録層１３の膜厚は十分なオーバーライト特性と、良好なSN比と、熱安定性とが満足される範囲内で設定すればよく、8 nmから20 nm程度の値が望ましい。第１の記録層１３のCr濃度としては7 at.%から18 at.%程度の値を用いると、低ノイズ性と熱安定性を両立できるので好ましい。第１の記録層１３の飽和磁化としては300 kA/mから650 kA/m程度の値を用いると、低ノイズ性と熱安定性を両立できるので好ましい。本実施例１においては、第１の記録層１３はCoCrPt合金とSiO2とを含有するターゲットを用い、アルゴンと酸素の混合ガスを用いてスパッタ法により形成した。第１の記録層１３の膜厚は14 nmとした。第１の記録層１３の組成(at.%)は、次の通りである。
【００２２】
(Co+Cr+Pt):(Si+O)=83.4:16.6，
Co：Cr：Pt=60.6:14.1:25.3，
O/Si=3.2
第２の記録層１４を構成する、Coを主成分とし酸化物を含まない層を構成する材料としては、CoCr合金、CoCrB合金、CoCrMo合金、CoCrNb合金、CoCrTa合金、CoCrPtB合金、CoCrPtMo合金、CoCrPtNb合金、CoCrPtTa合金などを用いることができる。また、第２の記録層１４は、第１の記録層１３との交換結合の制御を目的として、異なる組成、材料からなる複数の層で構成してもよい。第２の記録層１４の膜厚は、第１の記録層１３との組み合わせにおいて、十分なオーバーライト特性と、良好なSN比と、熱安定性とが満足される範囲内で設定すればよく、5 nmから10 nm程度の値が望ましい。本実施例１においては、65at.%Co-22.4at.%Cr-12.6at.%Ptターゲットを用いてスパッタ法により膜厚8 nmの第２の記録層１４を形成した。
【００２３】
保護層１５は、レジスト２を塗布してディスクリートトラックを形成する工程において、第２の記録層１４の腐食を防止する目的で形成する。本実施例においては、化学的気相成膜法(CVD法)により厚さ2nmのDLC(ダイアモンドライクカーボン)膜を形成した。
【００２４】
磁気記録媒体基体１６上に塗布するレジスト２は広く工業的に使用されているフォトレジスト等を使用することができる。スピンコートなどを用いて薄く均一に塗布し、オーブンで焼成して不要な有機溶剤などを除去する。
【００２５】
スタンパ３は、金属板に電子線描画などの方法を用いて微細なトラックパターンを形成したものであり、材料としては所望のトラックパターンの形成が容易であること、およびインプリント工程に耐えうる硬度、耐久性が必要である。本実施例１においては、Niスタンパを使用したが、前述の目的に合致するものであれば材料は問わない。
【００２６】
インプリント工程によりトラックパターンが形成されたレジスト２をマスクとして、イオンミリング等によりガードバンド部の保護層１５を除去する。ガードバンド部の保護層１５を除去した後、第２の記録層１４のエッチング工程に反応性イオンエッチングを用いる場合、例えば一酸化炭素とアンモニアの混合雰囲気によるイオンエッチング等が利用できる。また、前記保護層１５の除去の工程と同時に第２の記録層１４をイオンミリングにより除去してもよい。本実施例１においては、イオンミリングを用いて保護層１５および第２の記録層１４の除去を同時に行った。
【００２７】
上記の工程により、ガードバンド部の第２の記録層１４の膜厚ｔ３を記録トラック部の膜厚ｔ２よりも小さくすることによって、ガードバンド部において記録ヘッドの磁界による磁化反転が困難となり、隣接する記録トラックへの磁気的干渉が抑制される。その結果、トラック間隔の狭小化が可能となる。図４に、本実施例１の磁気記録媒体基体１６において第２の記録層１４の膜厚ｔ２を変化させたときの、オーバーライトの変化を示す。ここで磁気記録媒体基体１６はディスクリートトラック加工を行わず、保護層１５を4 nmとして、直接液体潤滑剤２０を塗布して評価した。オーバーライトは、20.8kfr/mmの下地パターン上に3.5kfr/mmのパターンを上書きした後の、下地パターンの残留出力の、上書き前の出力に対する比と定義し、dBを単位として表した。オーバーライトの数値が小さいほど、記録層の磁化反転が容易であることを表す。図４の結果により、本実施例１において記録トラック部の第２の記録層１４の膜厚ｔ２を5nmから10nm、好ましくは6 nmから8 nm、ガードバンド部の第２の記録層１４の膜厚ｔ３を2 nm以下とすることで上記の発明の効果が得られることを見いだした。
【００２８】
上記の工程において、ガードバンド部の第１の記録層１３の一部がエッチングにより除去されても問題はないが、エッチングされた磁性部材の再付着による特性の劣化を回避するために、第１の記録層１３のエッチング量はできるだけ小さい方が望ましい。また、30 nm以下のガードバンド幅ｄにおいて酸化物２１をガードバンド部１７を形成する凹部に充填するためには、凹部のエッチング深さは12 nm以下であることが望ましい。したがって、上記実施例１では、ガードバンド部の下に第２の記録層１４を約2 nm残したが、ガードバンド部の第２の記録層１４を全てエッチングにて除去し、ガードバンド部の底部を第１の記録層１３の表面に一致させても良いし、第１の記録層１３に僅かに食い込んだ位置としても良い。
【００２９】
上記の工程の後、酸素プラズマによるアッシング等により、レジスト２を除去し、ガードバンド部１７を形成する凹部に酸化物層２１を形成する。酸化物層２１の形成方法として、Si酸化物、Al酸化物、Ti酸化物等の材料を、スパッタリング法等を用いて堆積するほか、スピンコート法などによりスピンオングラス(SOG)等を塗布してもよい。このとき、酸化物層２１を、ガードバンド部の凹部を隙間無く充填する必要がある。本実施例１においては、スパッタ法によりSiO2酸化物層２１を形成した。
【００３０】
酸化物層２１形成後の媒体表面平滑加工には、Chemical Mechanical Polish (CMP)やイオンミリング、プラズマエッチング等が使用できる。本実施例１においては、フッ素系ガスを用いて、プラズマエッチングにより記録トラック部１８の保護層１５が露出するまで平滑化処理を行った。
【００３１】
媒体表面平滑加工の後、磁気記録媒体の浮上性、耐衝撃性を確保するため、媒体保護膜１９を形成する。ここで、記録、再生時の磁気ヘッド−記録層間距離が小さいことが高密度記録実現に有効であるため、平滑加工後の記録トラック部１８の保護層１５の厚さと、媒体保護膜１９の厚さの和を5 nm以下にするのが望ましい。本実施例１においては、媒体保護膜１９として、CVD法によりDLC膜を2 nm形成した。
【００３２】
潤滑剤２０としては、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。
【００３３】
次に、上記の工程により作製した垂直磁気記録媒体１の、記録再生特性を評価した。
使用した磁気ヘッドは図５に示すように、トレーリングシールド型記録ヘッド５１と、GMR再生ヘッド５８からなる複合型ヘッド５０を用いた。記録ヘッド５１において、主磁極５２の先端部の幾何学的なトラック幅は90nmとした。主磁極５２とトレーリングシールド５３間の距離５４は50nmとした。トレーリングギャップ５４を介し、主磁極５２に対向するトレーリングシールド５３の媒体対向面（ABS）からの高さは100nmとした。主磁極５２はヨーク５５に接続され、ヨーク５５と副磁極５６との間にコイル５７が配置されている。GMR再生ヘッド５８は、上下の磁気シールド５９の間にGMR膜６０が設けられたもので、GMR膜６０の幾何学的なトラック幅は70nmとした。
【００３４】
記録再生特性は市販の垂直磁気記録装置に用いられている信号処理回路を搭載したスピンスタンドを用いて評価を行った。39.4 kbits/mmの線記録密度で記録トラック部にデータを記録して、108ビットのデータを読み出したときの（誤りビット数）/（読み出しビット数）をビット誤り率（BER）とした。また、所定の記録トラック部にデータを記録後、隣接する記録トラック部の全周にわたり10000回記録（ダミーライト）を行い、再び所定の記録トラック部で測定したBERを、隣接トラック干渉後のBER（BER_ATI）とした。BERとBER_ATIの比が小さいほど、隣接するトラックからの磁気的干渉が小さいことを意味する。
【００３５】
浮上安定性は、スピンスタンドの磁気ヘッド支持部にアコースティックエミッションセンサ(AEセンサ)を設置し、磁気ヘッド−記録媒体間隔が7nmとなるように磁気ヘッド５０を浮上走行させたとき、磁気ヘッド５０と垂直磁気記録媒体１の接触時に発生するAEセンサの信号の有無により判定した。
【００３６】
図６に実施例１、２、３および比較例１、２、３、４の垂直磁気記録媒体の作製条件および記録再生特性、浮上安定性の結果を示す。実施例について、第１の記録層１３の層厚を14 nmとし、記録トラック部１８の幅Dを90 nm、ガードバンド部１７の幅dを30 nmとした。第２の記録層１４の膜厚ｔ２を8 nm、ガードバンド部１７の記録層１４のエッチング深さを5 nmとしたものを実施例１、12 nmとしたものを実施例２とした。また、第２の記録層１４の膜厚ｔ２を5 nm、ガードバンド部１６の記録層１４のエッチング深さを3 nmとしたものを実施例３とした。実施例と同様の工程により磁気記録媒体基体１６を作製後、ガードバンド形成工程を行わず、媒体保護膜１９と、潤滑層２０とを形成したものを比較例１とした。ガードバンド幅dを30 nmとし、ガードバンド部１６の記録層１４のエッチング深さを22 nm、すなわちガードバンド部１７の第１の記録層１３、第２の記録層１４をすべてエッチングしたものを比較例２とした。ガードバンド部１７の幅dを60 nm、記録トラック部１８の幅Dを60 nmとして、ガードバンド部１７の第１の記録層１３、第２の記録層１４をすべてエッチングしたものを比較例３とした。第１の記録層１３の膜厚ｔ１を12 nm、第２の記録層１４の膜厚ｔ２を０とし、記録トラック部１８の幅Dを90 nm、ガードバンド部１７の幅dを30 nmとして、ガードバンド部１７の第１の記録層１３をすべてエッチングしたものを比較例４とした。
【００３７】
実施例１、２、３において、浮上性、BER、BER_ATIともすべて良好な結果が得られた。特に実施例１、３において、エッチング量が3 nm から5 nmと非常に小さく、ガードバンド形成工程の時間を大幅に削減できた。比較例１において、ガードバンド部を形成しない場合、隣接するトラックへの記録によってデータが消去され、BER_ATIが著しく劣化した。比較例２において、ガードバンド幅に対するエッチング深さが大きく、酸化物層２１の充填が不十分となり、浮上安定性が著しく悪化し、記録再生特性を評価することができなかった。比較例３において、記録トラック部１８の幅Dが小さくなり、SN比が劣化したためBERが劣化した。比較例４において、第２の記録層１４を形成しなかったため、記録が困難となり、BERが著しく劣化した。
【００３８】
以上の説明のとおり、実施例１〜３による垂直磁気記録媒体によれば、ガードバンド部を形成する凹部の深さを浅くし、酸化物の充填を容易にすることにより、ガードバンド部の幅のばらつきが少なく、ガードバンドとして十分に機能するガードバンド部を有する垂直磁気記録媒体を安価に得ることができる。また、この垂直磁気記録媒体はガードバンド部の幅のばらつきが少ないので、高トラック密度を実現することができる。
【００３９】
次に、図７、図８を参照して上記実施例による垂直磁気記録媒体１を搭載した磁気記録装置（磁気ディスク装置）を説明する。図７は、媒体面から見た筐体内部を模式的に示している。図８は、媒体側面から見た筐体内部を模式的に示している。筐体４０内には上記実施例による垂直磁気記録媒体１、媒体１を支持、回転する手段としてのスピンドルモータ４６、媒体１に対して情報の記録および再生を行う磁気ヘッド５０を搭載したヘッドスライダ４２、ヘッドスライダ４２を先端に支持したヘッド・ジンバル・アッセンブリ４３、ヘッド・ジンバル・アッセンブリ４３を回転自在に支持する回転軸４４、回転軸４４を介してヘッド・ジンバル・アッセンブリ４３を回転させ、かつ磁気ヘッド５０の、垂直記録媒体１上での位置決めを行うボイスコイルモータ(VCM)４７およびプリアンプ４５が収納されている。磁気ヘッド５０は図５に示したものと同じタイプの複合型ヘッドであり、トレーリングシールド型記録ヘッド５１と、シールド型MR再生素子（GMR膜、TMR膜など）を用いた再生ヘッド５８とを含む。筐体４０の下部（外部）には、信号処理回路、ディスク回転制御回路、ヘッド位置決め制御回路などが実装されたパッケージボード４８が搭載されている。スピンドルモータ４６によって回転する媒体１上で、ヘッドスライダ４２が極低位置で浮上走行することにより、磁気ヘッド５０が媒体１の表面で近接対向する。ヘッド・ジンバル・アッセンブリ４３に取り付けられたVCM４７によって、磁気ヘッド５０を垂直磁気記録媒体１の任意の半径位置（トラック）に位置決めする。任意のトラックに磁気ヘッド５０が位置決めされた後、垂直磁気記録方式により情報が垂直磁気媒体１に記録される。
【００４０】
上記磁気記録装置は、高トラック密度の垂直磁気記録媒体１と、磁界勾配が急峻な磁気ヘッド５０を搭載することにより、高い面記録密度を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施例による垂直磁気記録媒体の断面構造を模式的に示した図である。
【図２】記録トラック部とガードバンド部に要求される磁気特性を示す図である。
【図３】本発明の実施例による垂直磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である。
【図４】本発明の実施例による垂直磁気記録媒体におけるオーバーライトと第２の記録層の層厚との関係を示す図である。
【図５】本発明の実施例による垂直磁気記録媒体の記録再生特性の評価に用いた磁気ヘッドの構成図である。
【図６】実施例及び比較例の記録再生特性及び浮上安定性の評価結果を示す図である。
【図７】本発明の実施例による垂直磁気記録媒体を搭載した磁気記録装置を媒体面から見た筐体内部を模式的に示す図である。
【図８】図７の磁気記録装置を媒体側面から見た筐体内部を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１…垂直磁気記録媒体、２…レジスト、３…スタンパ、１０…非磁性基板、１１…軟磁性下地層、１２…中間層、１３…第１の記録層、１４…第２の記録層、１５…保護層、１６…磁気記録媒体基体、１７…ガードバンド部、１８…記録トラック部、１９媒体保護層、２０…液体潤滑層、２１…酸化物層、４０…筐体、４２…ヘッドスライダ、４３…ヘッド・ジンバル・アッセンブリ、４４…回転軸、４５…プリアンプ、４６…スピンドルモータ、４７…ボイスコイルモータ、４８…パッケージボード、５０…磁気ヘッド、５１…トレーリングシールド型記録ヘッド、５２…主磁極、５３…トレーリングシールド、５４…トレーリングギャップ、５５…ヨーク、５６…副磁極、５７…コイル、５８…再生ヘッド、５９…シールド、６０…ＧＭＲ再生素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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