(57)【要約】【課題】低照度領域における光検出の追従性を向上させることができる表示装置を提供する。【解決手段】表示パネルを照光する照光部と、外光を検知する光センサ、及び所定の基準電圧が充電されるとともに前記光センサの漏れ電流によって充電された電圧が降下するコンデンサを有する光検知部と、前記コンデンサに充電されている充電電圧を、当該コンデンサへの充電開始時点から所定の読み取り時間が経過した時点で読み取る光センサ読み取り部と、該光センサ読み取り部の出力値に基づいて前記照光部を制御する制御部とを備える。そして、前記光検知部を複数設け、当該複数の光検知部の各コンデンサへの充電開始時点が所定時間ずつずらし、前記光センサ読み取り部は、前記各コンデンサに対する前記読み取り時間を等しく設定する。【選択図】図７
2008158025.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置において、
表示パネルを照光する照光部と、
外光を検知する光センサと、所定の基準電圧が充電されるとともに当該光センサの漏れ
電流によって充電された電圧が降下するコンデンサと、を有する光検知部と、
前記コンデンサに充電されている充電電圧を、当該コンデンサへの充電開始時点から所
定の読み取り時間が経過した時点で読み取る光センサ読み取り部と、
該光センサ読み取り部の出力値に基づいて前記照光部を制御する制御部と、
を備え、
前記光検知部が複数設けられるとともに各コンデンサへの充電開始時点が所定時間ずつ
異なっており、
前記光センサ読み取り部は、前記複数の光検出部の各コンデンサに充電されている各充
電電圧を、当該各コンデンサへの充電開始時点から夫々等しい読み取り時間が経過した時
点で読み取ることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記光検知部がＮ個（Ｎは２以上の整数）設けられており、前記複数の光検出部の各コ
ンデンサへの充電開始時点が、前記コンデンサへの充電開始時点から次の充電開始時点ま
での１放電期間の１／Ｎ期間ずつ異なっていることを特徴とする請求項１に記載の表示装
置。
【請求項３】
前記光センサ読み取り部は、前記読み取り時間を、低照度領域の光照射時に読み取った
充電電圧が暗基準値以下となる時間に設定していることを特徴とする請求項１又は２に記
載の表示装置。
【請求項４】
前記光センサ読み取り部は、前記コンデンサに充電されている充電電圧を、当該コンデ
ンサへの充電開始時点から次の充電開始時点までの１放電期間内の異なるタイミングで複
数回読み取ることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記光センサ読み取り部は、前記複数の読み取りタイミングとして、少なくとも低照度
領域の光照射時に読み取った充電電圧が暗基準値以下となるタイミングと、高照度領域の
光照射時に読み取った充電電圧が明基準値以上となるタイミングとを設定していることを
特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記光センサ読み取り部は、前記充電電圧の読み取り動作が与える前記コンデンサの放
電特性への影響を抑制する非破壊型読み取り部を有することを特徴とする請求項４又は５
に記載の表示装置。
【請求項７】
前記光センサ読み取り部は、前記複数の光検知部から読み取った各充電電圧のうち最適
電圧を選択する選択部を有し、前記最適電圧に基づく出力を行うことを特徴とする請求項
１乃至６の何れか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特にバックライトやフロントライト等の光源を有する表示装
置において、外光の明るさに応じて自動的に光源の明るさを制御することができる表示装
置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の表示装置として、液晶表示パネルの基板上にＴＦＴ光センサを設け、当該光セン
サの光リーク電流を検出することにより周囲の明るさを検出し、バックライト輝度を調整
するというものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
また、低照度から高照度にわたる高精度な検出を確保するために、異なる分光感度特性
を有する光検出部を複数個設けるものが知られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−１２４４８４号公報
【特許文献２】特開２００３−２９２３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、ＴＦＴ光センサは、光が当たらないときはゲートオフ領域において僅かな暗
電流が流れ、一方、光が当たるとその光の強さ（明るさ）に応じて大きな漏れ電流が流れ
る、所謂光リーク特性を有している。そして、このような特性をもつＴＦＴ光センサは、
例えば、図１４に示すような検知回路に組み込まれて使用される。
この検知回路は、図１４に示すように、ＴＦＴ光センサのドレイン電極ＤLとソース電
極ＳLとの間にコンデンサＣが並列接続され、ソース電極ＳLとコンデンサＣの一方の端子
とがスイッチ素子ＳＷを介して基準電圧源に接続され、更に、ＴＦＴ光センサのドレイン
電極ＤL及びコンデンサＣの他方の端子が接地された構成を有している。
【０００４】
この検知回路の動作は、先ず、ＴＦＴ光センサのゲート電極ＧLに一定の逆バイアス電
圧（例えば−１０Ｖ）を印加しておき、スイッチ素子ＳＷをオンして一定の基準電圧Ｖｓ
（例えば＋２Ｖ）をコンデンサＣの両端に印加し、所定時間後にこのスイッチ素子ＳＷを
オフにする。これにより、コンデンサＣの両端には、ＴＦＴ光センサの周囲の明るさに応
じて、時間とともに低下するソース電圧、すなわち充電電圧が得られる。したがって、ス
イッチ素子ＳＷをオフにしてから所定時間後にコンデンサＣの両端の充電電圧を測定すれ
ば、ＴＦＴ光センサの周囲の明るさを検知することができる。
【０００５】
しかしながら、この検知回路では、周囲の明暗によって光検知の感度が左右されてしま
う。図１５及び図１６は、光センサへの充電電圧と読み出し時間、すなわち検出時間との
関係を示した光照射時の放電曲線（光リーク特性）を示したものである。
この光リーク特性によれば、暗所、例えば３０〜３００Ｌｘの低照度領域においては、
図１５に示すように、コンデンサの放電量が少ないので、所定時間経った時点での放電電
圧の差が極めて小さく、この領域における電圧差を検知することは極めて難しい。この課
題は、コンデンサ容量を小さくして放電速度を速くすることで改善されるが、そうすると
、明所、例えば３０００〜１００００Ｌｘの高照度領域における光リーク特性は、図１６
に示すように、上記と同じ時間経った時点での放電電圧の差が極めて小さくなるので、こ
の領域における電圧差の検知が難しくなる。
【０００６】
したがって、このような検知回路では、明所での感度を上げようとすると暗所の感度が
低下し、反対に暗所での感度を上げようとすると明所での感度が低下してしまい、結局、
これらはトレードオフの関係となって明暗によって検知感度が左右されてしまうことにな
る。
そこで、周囲の明暗と光リークとの関係から、明所では光リークによる放電速度が速く
なり、一方、暗所では光リークによる放電速度が遅くなる現象に着目し、この放電速度に
応じて、読み取り検知のタイミングを変更することで、明暗に左右されずに高感度に光検
知を行うことが考えられている。
【０００７】
しかしながら、この場合、低照度領域における読み取り検知のタイミングを、高照度領
域における読み取り検知のタイミングに対して遅らせることになり、低照度領域における
光検知にある程度の時間を要するため、低照度領域において照度変化があった場合の光検
出の追従性が悪い。
そこで、本発明は、低照度領域における光検出の追従性を向上させることができる表示
装置を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、第１の発明に係る表示装置は、表示装置において、
表示パネルを照光する照光部と、
外光を検知する光センサと、所定の基準電圧が充電されるとともに当該光センサの漏れ
電流によって充電された電圧が降下するコンデンサと、を有する光検知部と、
前記コンデンサに充電されている充電電圧を、当該コンデンサへの充電開始時点から所
定の読み取り時間が経過した時点で読み取る光センサ読み取り部と、
該光センサ読み取り部の出力値に基づいて前記照光部を制御する制御部と、
を備え、
前記光検知部が複数設けられるとともに各コンデンサへの充電開始時点が所定時間ずつ
異なっており、
前記光センサ読み取り部は、前記複数の光検出部の各コンデンサに充電されている各充
電電圧を、当該各コンデンサへの充電開始時点から夫々等しい読み取り時間が経過した時
点で読み取ることを特徴としている。
【０００９】
これにより、光検知部を１つしか設けない場合と比較して、一定期間内における検知回
数を増やす、言い換えると光検知の周期を短縮することができ、外光の照度変化に対する
追従性を向上させることができる。したがって、例えば、読み取り時間の比較的長い低照
度検出用の光検知部を複数設け、これら光検知部の充電タイミングを所定時間ずらすこと
によって、低照度領域の光検知においても、外光の照度変化に対する追従性を向上させて
照光部の制御を適切に行うことができる。
【００１０】
また、第２の発明は、第１の発明において、前記光検知部がＮ個（Ｎは２以上の整数）
設けられており、前記複数の光検出部の各コンデンサへの充電開始時点が、前記コンデン
サへの充電開始時点から次の充電開始時点までの１放電期間の１／Ｎ期間ずつ異なってい
ることを特徴としている。
これにより、光検知部を１つしか設けない場合と比較して、一定期間内における検知回
数を２倍とし、光検知の周期を半分に短縮することができる。したがって、例えば、低照
度検出用の光検知部を２つ設け、これら２つの光検知部の充電タイミングを１放電期間の
１／２期間ずつずらすことによって、低照度領域の光検知において、外光の照度変化に対
する追従性を確実に向上させることができる。
【００１１】
さらに、第３の発明は、第１又は第２の発明において、前記光センサ読み取り部は、前
記読み取り時間を、低照度領域の光照射時に読み取った充電電圧が暗基準値以下となる時
間に設定していることを特徴としている。
これにより、低照度検出用の光検知部を複数設けることができ、低照度領域における光
検知において、外光の照度変化に対する追従性を向上させることができる。
【００１２】
また、第４の発明は、第１又は第２の発明において、前記光センサ読み取り部は、前記
コンデンサに充電されている充電電圧を、当該コンデンサへの充電開始時点から次の充電
開始時点までの１放電期間内の異なるタイミングで複数回読み取ることを特徴としている
。
これにより、低照度領域の光検知の周期を短縮して、外光の照度変化に対する追従性を
向上させることができると共に、任意の照度領域における光検知が可能となる。
【００１３】
さらにまた、第５の発明は、第４の発明において、前記光センサ読み取り部は、前記複
数の読み取りタイミングとして、少なくとも低照度領域の光照射時に読み取った充電電圧
が暗基準値以下となるタイミングと、高照度領域の光照射時に読み取った充電電圧が明基
準値以上となるタイミングとを設定していることを特徴としている。
これにより、低照度から高照度までの広範囲に亘って高感度の光検知が可能となる。
【００１４】
また、第６の発明は、第４又は第５の発明において、前記光センサ読み取り部は、前記
充電電圧の読み取り動作が与える前記コンデンサの放電特性への影響を抑制する非破壊型
読み取り部を有することを特徴としている。
これにより、非破壊型読み取り部として、例えば、光検知部から光センサ読み取り部ま
での間に入力インピーダンスの高いアンプを設け、光センサからアンプへ殆ど電流が流れ
ないようにすることで、充電電圧の読み取り動作がコンデンサの放電曲線に与える影響を
小さくすることができ、複数回の読み取り動作において、高精度な読み取り値を得ること
ができる。
【００１５】
さらに、第７の発明は、第１乃至第６の何れか１つの発明において、前記光センサ読み
取り部は、前記複数の光検知部から読み取った各充電電圧のうち最適電圧を選択する選択
部を有し、前記最適電圧に基づく出力を行うことを特徴としている。
これにより、正確な光検知を行うことができたデータのみに基づいて照光部を制御する
ことができ、より高精度な制御を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は本実施形態の表示装置としての液晶表示装置１の構成を示すブロック図である。
ここでは、液晶表示装置１として半透過型液晶表示装置を例示する。また、図２は、図１
のＸ−Ｘ線で切断した断面図である。
この液晶表示装置１は、図１及び図２に示すように、透明な絶縁性を有する材料、例え
ばガラス基板からなり、表面に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を搭載したアクティブマト
リクス基板（以下、ＴＦＴ基板という）２と、表面にカラーフィルタ等が形成されたカラ
ーフィルタ基板（以下、ＣＦ基板という）２５との間に液晶層１４が形成された構成を有
している。このうちＴＦＴ基板２は、その表示領域ＤＡにゲート線４及びソース線５がマ
トリクス状に形成されており、ゲート線４とソース線５とで囲まれる部分に画素電極１２
が形成され、ゲート線４とソース線５との交差部に画素電極１２と接続されたスイッチン
グ素子としてのＴＦＴが形成されている（図３、図４参照）。なお、符号ＬＳは光検知部
であって、後述するように表示領域ＤＡ内の外周縁部に設けられている。これらの配線、
ＴＦＴ及び画素電極は、図２においてこれらを模式的に第１構造物３として示し、具体的
な構成は、図３や図４に示し後述する。
【００１７】
ＴＦＴ基板２は、図１に示すように、その短辺部に液晶表示装置１を駆動するための図
示しない画像供給装置と接続するためのフレキシブル配線基板ＦＰＣが設けられ、このフ
レキシブル配線基板ＦＰＣを通して画像供給装置から導出されたデータ線及び制御線がド
ライバＩＣに接続されている。そして、液晶を駆動するＶＣＯＭ信号、ソース信号、ゲー
ト信号等の信号は、ドライバＩＣ内で生成されて、それぞれＴＦＴ基板２上のコモン線１
１、ソース線５及びゲート線４に供給される。
【００１８】
また、ＴＦＴ基板２の四隅には、複数のトランスファ電極１０ａ〜１０ｄが設けられて
いる。これらのトランスファ電極１０ａ〜１０ｄは、コモン線１１を介して互いに直接接
続ないしはドライバＩＣ内で互いに接続されている。各トランスファ電極１０ａ〜１０ｄ
は、後述する対向電極２６と電気的に接続され、ドライバＩＣから出力される対向電極電
圧が対向電極２６に印加されるようになっている。
【００１９】
ＣＦ基板２５は、ガラス基板の表面にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）等の複数色からな
るカラーフィルタと、ブラックマトリクスとが形成されている。このＣＦ基板２５は、Ｔ
ＦＴ基板２に対向配置されるとともに、ブラックマトリクスが少なくともＴＦＴ基板２の
ゲート線４やソース線５に対応する位置に配置され、このブラックマトリクスによって区
画された領域にカラーフィルタが設けられている。これらカラーフィルタ等は、図２にお
いて模式的に第２構造物２７として示す。また、このＣＦ基板２５には、更に酸化インジ
ウム、酸化スズ等で構成された透明電極からなる対向電極２６が設けられており、この対
向電極２６は、表示領域ＤＡ全体に亘って形成されている。
【００２０】
シール材６は、ＴＦＴ基板２の表示領域ＤＡの周囲に図示しない注入口を除いて塗布さ
れている。また、両基板を接続するコンタクト材１０Ａは、例えば表面に金属メッキが施
された導電性粒子と熱硬化性樹脂とから構成されている。そして、ＴＦＴ基板２とＣＦ基
板２５との張り合わせは、以下の手順で行われる。
まず、ＴＦＴ基板２を第１のディスペンサ装置にセットしてシール材６を所定パターン
で塗布し、次に、ＴＦＴ基板２を第２のディスペンサ装置にセットしてコンタクト材１０
Ａを各トランスファ電極１０ａ〜１０ｄ上に塗布する。その後、ＴＦＴ基板２の表示領域
ＤＡにスペーサ１５を均一に散布し、ＣＦ基板２５のシール材６やコンタクト材１０Ａが
当接する部分に仮止め用接着剤を塗布する。その後、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板２５とを貼
り合わせ、仮止め用接着剤を硬化させて仮止めが完了する。そして、仮止めされた両基板
２、２５を加圧しながら加熱処理すると、シール材６及びコンタクト材１０Ａの熱硬化性
樹脂が硬化し、空の液晶表示パネルが完成する。この空の液晶表示パネル内に図示しない
注入口から液晶１４を注入し、この注入口を封止材で塞ぐと半透過型の液晶表示装置１が
完成する。なお、ＴＦＴ基板２の下方には、図示しない周知の光源（あるいは照光部）、
導光板、拡散シート等を有するバックライトないしはサイドライトが配置されている。
【００２１】
次に、ゲート線４とソース線５とで囲まれた領域によって構成される画素構成について
図３及び図４を参照して説明する。ここで、図３は液晶表示装置のＣＦ基板を透視して表
した１画素分の平面図であり、図４は図３のＡ−Ａ断面図である。
ＴＦＴ基板２は、その表示領域ＤＡ上にアルミニウムやモリブデン等の金属からなる複
数のゲート線４が略等間隔で平行に形成されている。また、隣り合うゲート線４間の略中
央にはゲート線４と同時に補助容量線１６が平行に形成され、ゲート線４からはＴＦＴの
ゲート電極Ｇが延設されている。更に、ＴＦＴ基板２上には、ゲート線４、補助容量線１
６及びゲート電極Ｇを覆うようにして窒化シリコンや酸化シリコンなどからなるゲート絶
縁膜１７が積層されている。
【００２２】
ゲート電極Ｇの上には、ゲート絶縁膜１７を介して非晶質シリコンや多結晶シリコンな
どからなる半導体層１９が形成され、また、ゲート絶縁体１７上には、アルミニウムやモ
リブデン等の金属からなる複数のソース線５がゲート線４と直交するようにして形成され
、このソース線５からはＴＦＴのソース電極Ｓが延設され、このソース電極Ｓは半導体層
１９と接触している。更にまた、ソース線５及びソース電極Ｓと同一の材料で且つ同時形
成されたドレイン電極Ｄがゲート絶縁膜１７上に設けられており、このドレイン電極Ｄも
半導体層１９と接触している。
【００２３】
このように、ＴＦＴは、ゲート電極Ｇ、ゲート絶縁膜１７、半導体層１９、ソース電極
Ｓ、ドレイン電極Ｄによって構成されている。そして、このＴＦＴはそれぞれの画素に形
成されている。
また、この構成では、ドレイン電極Ｄと補助容量線１６とによって各画素の補助容量を
形成することになる。また、これらのソース線５、ＴＦＴ、ゲート絶縁膜１７を覆うよう
にして、例えば、無機絶縁材料からなる保護絶縁膜１８が積層され、この保護絶縁膜１８
上に、有機絶縁膜からなる層間膜２０が積層されている。この層間膜２０の表面は、反射
部Ｒには微細な凹凸部が形成され、透過部Ｔは平坦となっている。なお、図４においては
、反射部Ｒにおける層間膜２０の凹凸部は省略している。
【００２４】
また、保護絶縁膜１８と層間膜２０とには、ＴＦＴのドレイン電極Ｄに対応する位置に
コンタクトホール１３が形成されている。さらに、それぞれの画素において、コンタクト
ホール１３上及び層間膜２０の表面の一部には、反射部Ｒに例えばアルミニウム金属から
なる反射電極Ｒ0が設けられ、この反射電極Ｒ0の表面及び透過部Ｔにおける層間部２０の
表面には例えばＩＴＯからなる画素電極１２が形成されている。
【００２５】
次に、光検知部ＬＳの構造について説明する。
図５は、光検知部ＬＳを構成する光センサ及びスイッチ素子の断面図である。
光検知部ＬＳを構成するＴＦＴ光センサ及びスイッチ素子ＳＷは、図５に示すように、
いずれもＴＦＴからなりＴＦＴ基板２上に形成されている。すなわち、ＴＦＴ基板２は、
その表面にＴＦＴ光センサのゲート電極ＧL、コンデンサＣの一方の端子Ｃ1及び一方のス
イッチ素子ＳＷを構成するゲート電極ＧSが形成され、これらの表面を覆うようにして窒
化シリコンや酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜１７が積層されている。
【００２６】
また、ＴＦＴ光センサのゲート電極ＧLの上及びスイッチ素子ＳＷを構成するＴＦＴの
ゲート電極ＧSの上には、それぞれゲート絶縁膜１７を介して非晶質シリコンや多結晶シ
リコンなどからなる半導体層１９L及び１９Sが形成されている。
また、ゲート絶縁体１７上には、アルミニウムやモリブデン等の金属からなるＴＦＴ光
センサのソース電極ＳL及びドレイン電極ＤL、一方のスイッチ素子ＳＷを構成するＴＦＴ
のソース電極ＳS及びドレイン電極ＤSがそれぞれの半導体層１９L及び１９Sと接触するよ
うに設けられている。
【００２７】
このうち、ＴＦＴ光センサのソース電極ＳL及びスイッチ素子ＳＷを構成するＴＦＴの
ドレイン電極ＤSは、互いに延長されて接続されてコンデンサＣの他方の端子Ｃ2が形成さ
れている。更に、ＴＦＴ光センサ、コンデンサＣ及びＴＦＴからなるスイッチ素子ＳＷの
表面を覆うようにして、例えば、無機絶縁材料からなる保護絶縁膜１８が積層されており
、また、ＴＦＴからなるスイッチ素子ＳＷの表面には、外部光の影響を受けないようにす
るために、ブラックマトリクス２１が被覆されている。
【００２８】
さらに、この光検知部ＬＳが配設された向かい側のＣＦ基板２５上には、図２に示すよ
うに、光検知部ＬＳと対向する位置まで対向電極２６が延設され、光検知部ＬＳを構成す
るＴＦＴ光センサのドレイン電極ＤL及びコンデンサＣのグラウンド端子ＧＲ側の他方の
端子Ｃ2が、この対向電極２６にトランスファ電極１０ｂを介して接続されている。
この構造の光検知部ＬＳは、図６に示すように、ＴＦＴ光センサのドレイン電極ＤLと
ソース電極ＳLとの間にコンデンサＣが並列接続され、ソース電極ＳLとコンデンサＣの一
方の端子とがスイッチ素子ＳＷを介して基準電圧源に接続され、更に、ＴＦＴ光センサの
ドレイン電極ＤL及びコンデンサＣの他方の端子が対向電極（ＶＣＯＭ）に接続された構
成となる。
【００２９】
このような構成により、所定期間毎にスイッチ素子ＳＷがオン状態となると、基準電圧
源から所定の基準電圧Ｖｓ（例えば、＋２Ｖ）がコンデンサＣに印加されて充電される。
この充電により、コンデンサＣの両端には基準電圧Ｖｓと対向電極電圧ＶＣＯＭ間の電位
差が掛かって充電されるが、ゲート電極ＧLには逆極性のゲート電圧ＧＶが印加されてゲ
ートオフされているので、スイッチ素子ＳＷをオフ状態とすると、ＴＦＴ光センサへ光が
照射されることにより生じる漏れ電流によって、この充電電圧が低下する。
【００３０】
そして、コンデンサＣへの充電タイミングから所定の読み取り時間後に、コンデンサＣ
に充電された電圧を読み取り（検知し）、この検知出力によって、バックライト等の制御
が可能となる。
ここで、本実施形態では、図６に示す光検知部ＬＳと構成が等しい複数の光検知部ＬＳ
１〜ＬＳ３が設けられているものとする。なお、以下の説明においては、各光検知部ＬＳ
ｎ（ｎ＝１，２，３，…）に設けられたスイッチ素子（図６のＳＷに相当）をＳＷｎ、コ
ンデンサ（図６のＣに相当）をＣｎと称する。
【００３１】
図７は、バックライト制御回路の詳細な構成を示すブロック図である。また、図８は、
低照度照射時におけるタイミングチャートである。
この図７に示すように、バックライト制御回路は、低照度検出用の２つの光検知部ＬＳ
１及びＬＳ２と、高照度検出用の１つの光検知部ＬＳ３とから得られる複数のアナログ情
報を取得すると共に、これらの読み取り値のうち最適値を選択して出力する読み取り部３
１と、読み取り部３１の出力値を後述する所定の基準値とを比較する比較部３２と、該比
較部３２の結果に基づいてバックライト３４を制御するＢ／Ｌ制御部３３とを備えている
。
【００３２】
読み取り部３１は、各光検知部ＬＳ１〜ＬＳ３のスイッチ素子ＳＷ１〜ＳＷ３のオン／
オフ制御を行って、各光検知部ＬＳ１〜ＬＳ３のコンデンサＣ１〜Ｃ３への充電を行う。
このとき、光検知部ＬＳ１とＬＳ２との充電タイミングは、図８に示すように、所定時間
（ここでは、光検知部ＬＳ１及びＬＳ２の１放電期間（１ＦL）の１／２）ずれているも
のとする。また、光検知部ＬＳ３の充電タイミングは、光検知部ＬＳ１及びＬＳ２の充電
タイミングと等しく、その１放電期間（１ＦH）は、光検知部ＬＳ１及びＬＳ２の１放電
期間（１ＦL）の半分となっている。ここで、１放電期間とは、コンデンサＣｎへの充電
開始時点から次の充電開始時点までの期間であり、本実施形態では、例えば、ＦL＝０．
０５［ｓ］、ＦH＝０．０２５［ｓ］に設定する。
【００３３】
また、この読み取り部３１は、図７のスイッチＳＷLSの切り替えを行って、所定のタイ
ミング毎に光検知部ＬＳ１又はＬＳ２のコンデンサＣ１又はＣ２に充電されている充電電
圧を交互に読み取ると共に、所定のタイミングで光検知部ＬＳ３のコンデンサＣ３に充電
されている充電電圧を読み取る。
このとき、光検知部ＬＳ１及びＬＳ２に対しては、充電開始時点から比較的長い読み取
り時間ＴL（例えば、０．０３ｓ）が経過した時点で充電電圧を読み取り、光検知部ＬＳ
３に対しては、充電開始時点から比較的短い読み取り時間ＴH（例えば、０．００５ｓ）
が経過した時点で充電電圧を読み取るものとする。
【００３４】
そして、このようにして取得した複数の読み取り値のうち、図示しない選択部で最適値
例えば第１基準値（明基準値に相当）以上かつ第２基準値（暗基準値に相当）以下の条件
を満たす読み取り値を選択し、これを比較部３２に出力する。ここで、第１基準値は、例
えば充電電圧の１０％に設定し、第２基準値は、例えば充電電圧の９０％に設定する。
比較部３２は、読み取り部３１から入力されるアナログ情報をＡ／Ｄ変換して照度デー
タとし、これを所定の照度閾値と比較して、その結果をＢ／Ｌ制御部３３に出力する。こ
こで、上記照度閾値は、外光の照度が、バックライト３４を点灯（又は消灯）すべきであ
る照度であるか否かを判断できる程度の値に設定する。
【００３５】
Ｂ／Ｌ制御部３３は、比較部３２での比較結果をもとに、バックライト３４を点灯（又
は消灯）すべきか否かを判定する。具体的には、照度データが前記照度閾値より小さい（
明るい）場合にはバックライト３４を消灯し、照度データが前記照度閾値より大きい（暗
い）場合にはバックライト３４を点灯すべきであると判定する。そして、その判定結果に
基づいて、バックライト３４のオン／オフ制御を行う。
【００３６】
図７において、読み取り部３１が光センサ読み取り部に対応し、比較部３２及びＢ／Ｌ
制御部３３が制御部に対応し、バックライト３４が照光部に対応している。
次に、本発明における第１の実施形態の動作について説明する。
今、低照度（例えば、１００Ｌｘ）の外光がＴＦＴ光センサに照射されているものとす
る。このとき、図８の時刻ｔ１で、読み取り部３１が光検知部ＬＳ２及びＬＳ３のスイッ
チ素子ＳＷ２及びＳＷ３をオン状態とし、光検知部ＬＳ２及びＬＳ３のコンデンサＣ２及
びＣ３に夫々基準電圧Ｖｓを充電する。そして、その後、読み取り部３１がスイッチ素子
ＳＷ２及びＳＷ３をオフ状態に切り替え、ＴＦＴ光センサに上記外光が照射されることに
より生じる漏れ電流によって、コンデンサＣ２及びＣ３に充電された充電電圧がそれぞれ
同じ放電特性で低下する。
【００３７】
このとき、各コンデンサＣ１〜Ｃ３の充電電圧と読み取り時間（検出時間）との関係が
図９に示すようになっているものとすると、１００Ｌｘの低照度の外光が照射されたとき
の放電特性は、図９のαに示す曲線となる。
その後、読み取り部３１は、コンデンサＣ３への充電開始から読み取り時間ＴH（例え
ば、０．００５ｓ）経過後の時刻ｔ２で、コンデンサＣ３の充電電圧を読み取る。このと
き、図９のαに示すように、ＴＦＴ光センサの光リーク電流が小さく、電圧降下量が極め
て小さい。コンデンサＣ３の充電電圧は第２基準値より大きく、第１基準値以上かつ第２
基準値以下の条件を満たしていないことから、読み取り部３１は、この読み取り値を光検
知の出力として採用することはない。
【００３８】
そして、コンデンサＣ２への充電開始（時刻ｔ２）から１／２放電期間（例えば、０．
０２５ｓ）経過後の時刻ｔ３では、読み取り部３１が光検知部ＬＳ１及びＬＳ３のスイッ
チ素子ＳＷ１及びＳＷ３をオン状態とし、光検知部ＬＳ１及びＬＳ３のコンデンサＣ１及
びＣ３に夫々基準電圧Ｖｓを充電する。そして、その後、読み取り部３１がスイッチ素子
ＳＷ１及びＳＷ３をオフ状態に切り替え、ＴＦＴ光センサに上記外光が照射されることに
より生じる漏れ電流によって、コンデンサＣ１及びＣ３に充電された充電電圧がそれぞれ
上述した放電特性で低下する。また、コンデンサＣ２は放電を継続する。
【００３９】
その後、読み取り部３１は、コンデンサＣ２への充電開（時刻ｔ２）から読み取り時間
ＴL（例えば、０．０３ｓ）経過後の時刻ｔ４で、コンデンサＣ２の充電電圧を読み取る
。このとき、図９のαに示すように、コンデンサＣ２の充電電圧は、第１基準値以上かつ
第２基準値以下の条件を満たす値となっている。一方、この時刻ｔ４で読み取ったコンデ
ンサＣ３の充電電圧は、上記基準範囲内にない。したがって、読み取り部３１は、上記基
準範囲内にある光検知部ＬＳ２からの読み取り値を採用し、これを比較部３２に出力する
。
【００４０】
比較部３２では、読み取り部３１から入力されるアナログ情報をＡ／Ｄ変換して照度デ
ータとし、これを照度閾値と比較する。ここで、ＴＦＴ光センサに照射されている外光は
、低照度の光であることから、照度データが照度閾値より大きくバックライト３４を点灯
すべきであると判定するため、Ｂ／Ｌ制御部３３で、バックライト３４のオン制御が行わ
れる。
【００４１】
また、時刻ｔ５では、光検知部ＬＳ２及びＬＳ３のコンデンサＣ２及びＣ３に夫々基準
電圧Ｖｓが充電され、その後、ＴＦＴ光センサに上記外光が照射されることにより生じる
漏れ電流によって、コンデンサＣ２及びＣ３に充電された充電電圧がそれぞれ上述した放
電特性で低下する。また、コンデンサＣ１は放電を継続する。
その後、読み取り部３１は、コンデンサＣ１への充電開始（時刻ｔ３）から読み取り時
間ＴL経過後の時刻ｔ６で、コンデンサＣ１の充電電圧を読み取る。このとき、コンデン
サＣ１の充電電圧は上記基準範囲内となっており、一方、コンデンサＣ３の充電電圧は上
記基準値範囲内にない。したがって、読み取り部３１は、上記基準範囲内にある光検知部
ＬＳ１からの読み取り値を採用し、これに基づいてバックライト３４のオン制御が行われ
る。
【００４２】
このように、低照度検出用の２つの光検知部ＬＳ１及びＬＳ２を設け、これらのコンデ
ンサＣ１及びＣ２への充電タイミングをずらすことにより、低照度検出用の光検知部を１
つのみしか設けない場合と比較して、一定期間内における低照度の検出回数を擬似的に増
やす（２倍とする）ことができる。その結果、低照度検出用の光検知部と、高照度検出用
の光検知部とで、光検知のサンプリング周期を等しくすることができる。
【００４３】
一方、中〜高照度（例えば、１０００Ｌｘ）の外光がＴＦＴ光センサに照射されている
ものとすると、図１０の時刻ｔ１１で、読み取り部３１が光検知部ＬＳ２及びＬＳ３のス
イッチ素子ＳＷ２及びＳＷ３をオン状態とし、光検知部ＬＳ２及びＬＳ３のコンデンサＣ
２及びＣ３に夫々基準電圧Ｖｓを充電する。そして、その後、読み取り部３１がスイッチ
素子ＳＷ２及びＳＷ３をオフ状態に切り替え、ＴＦＴ光センサに上記外光が照射されるこ
とにより生じる漏れ電流によって、コンデンサＣ２及びＣ３に充電された充電電圧がそれ
ぞれ同じ放電特性で低下する。
【００４４】
このとき、１０００Ｌｘの中〜高照度の外光が照射されたときの放電特性は、図９のβ
に示す曲線となる。
その後、読み取り部３１は、コンデンサＣ３への充電開始から読み取り時間ＴH（例え
ば、０．００５ｓ）経過後の時刻ｔ１２で、コンデンサＣ１及びコンデンサＣ３の充電電
圧を読み取る。このとき、図９のβに示すように、コンデンサＣ３の充電電圧は上記基準
範囲内にあるが、この時点でのコンデンサＣ１の充電電圧は、充電開始から読み取り時間
ＴL（例えば、０．０３ｓ）経過後の充電電圧値であり、第１基準値より小さい値となっ
ていて上記基準範囲内にないことから、読み取り部３１は、光検知部ＬＳ３からの読み取
り値を光検知の出力として採用し、これを比較部３２に出力する。
【００４５】
比較部３２では、読み取り部３１から入力されるアナログ情報をＡ／Ｄ変換して照度デ
ータとし、これを照度閾値と比較する。ここで、ＴＦＴ光センサに照射されている外光は
、中〜高照度の光であることから、照度データが照度閾値より小さくバックライト３４を
消灯すべきであると判定するため、Ｂ／Ｌ制御部３３で、バックライト３４のオフ制御が
行われる。
【００４６】
このように、高照度領域における光検知の場合には、光検知部ＬＳ３の比較的早い読み
取りタイミングで光検知が行われる。
ところで、低照度検出用の光検知部と高照度検出用の光検知部とを１つずつ設け、明暗
に左右されずに高感度に光検知を行うために、低照度領域における読み取り検知のタイミ
ングを、高照度領域における読み取り検知のタイミングに対して遅らせた場合、低照度領
域における光検知にある程度の時間を要するため、低照度領域において照度変化があった
場合の光検出の追従性が悪い。
【００４７】
例えば、液晶表示装置を携帯電話に適用した場合など、携帯電話の液晶パネル表示にお
ける１フレーム期間（一般的に６０Ｈｚ、０．０１７ｓ程度）の周期で光センサを動作さ
せることが望ましい。
高照度領域（例えば、１０００Ｌｘ）における光検知の場合、図９のβにその放電特性
を示すように、光検知部のコンデンサへの充電開始後、その充電電圧値は上記１フレーム
期間内の比較的早い段階で基準範囲内まで低下するため、短い時間で光検知を行うことが
でき追従性が良い。
【００４８】
しかしながら、低照度領域（例えば、３０Ｌｘ）における光検知の場合、図９のγにそ
の放電特性を示すように、光検知部のコンデンサへの充電開始後、その充電電圧値は緩や
かに低下するため、充電電圧値が上記基準範囲内となるまでには比較的長い時間を要し、
上記１フレーム期間毎のタイミングで光検知を行うことが困難である。
これに対して、本実施形態では、低照度領域における光検知の周期を、高照度領域にお
ける光検知の周期と同じ周期まで早めることができるので、低照度領域において照度変化
があった場合にも適切に光検知を追従させて、バックライト制御を追従させることができ
る。
【００４９】
このように、上記第１の実施形態では、光検知部を複数設け、当該複数の光検知部の各
コンデンサへの充電開始時点を所定時間ずつずらすと共に、各光検知部の各コンデンサに
対する読み取り時間を等しくするので、光検知部を１つしか設けない場合と比較して、一
定期間内における検知回数を増やす、言い換えると光検知の周期を短縮することができ、
外光の照度変化に対する追従性を向上させることができる。
【００５０】
また、このとき、光検知部を２つ設け、当該各光検出部の各コンデンサへの充電開始時
点を、１放電期間の１／２期間ずつずらすので、光検知部を１つしか設けない場合と比較
して、一定期間内における検知回数を２倍とし、光検知の周期を半分に短縮することがで
きる。
さらに、当該複数の光検知部の読み取り時間を、低照度領域の光照射時に読み取った充
電電圧が暗基準値以下となる時間に設定しているので、低照度検出用の光検知部を複数設
けることができ、低照度領域における光検知において、外光の照度変化に対する追従性を
向上させることができる。
【００５１】
また、低照度検出用の複数の光検知部に加えて、読み取り時間の比較的早い高照度検出
用の光検知部を設けることで、低照度から高照度までの広範囲に亘った光検知が可能とな
る。そして、このとき、低照度領域における光検知の周期を、高照度領域における光検知
の周期と略等しい周期まで早めることができるので、明所及び暗所にかかわらず、外光の
照度変化に対する追従性を略等しくすることができる。
【００５２】
さらにまた、光センサ読み取り部は、複数の光検知部から読み取った充電電圧のうち最
適電圧を選択し、その最適電圧に基づく出力を行うので、正確な光検知を行うことができ
たデータのみに基づいて照光部を制御することができ、より高精度な制御を行うことがで
きる。
なお、上記第１の実施形態においては、低照度検出用の光検知部を２つ設ける場合につ
いて説明したが、３つ以上設けることもできる。これにより、より低照度領域における光
検知の周期を短縮することができるので、より照度変化への追従性を向上させることがで
きる。
【００５３】
次に、本発明における第２の実施形態について説明する。
この第２の実施形態は、光検知部を複数設け、各光検知部の充電タイミングを所定時間
ずらすと共に、各光検知部において、１放電期間内に複数回充電電圧を読み取るようにし
たものである。
図１１は、第２の実施形態におけるバックライト制御回路の詳細な構成を示すブロック
図である。また、図１２は、低照度照射時におけるタイミングチャートである。
【００５４】
この図１１に示すように、図７に示す第１の実施形態における光検知部ＬＳ１〜ＬＳ３
に代えて、前述した図６に示す光検知部ＬＳと構成が等しい２つの光検知部ＬＳ４及びＬ
Ｓ５を配設し、読み取り部３１を、光検知部ＬＳ４及びＬＳ５から所定のタイミングで充
電電圧値を読み取る読み取り部３５に置換し、読み取り部３５の前段に入力インピーダン
スの高いアンプ３６を設けたことを除いては、図７と同様の構成を有するため、構成の異
なる部分を中心に説明する。
【００５５】
読み取り部３５は、光検知部ＬＳ４及びＬＳ５のスイッチ素子ＳＷ４及びＳＷ５のオン
／オフ制御を行って、各光検知部ＬＳ４及びＬＳ５のコンデンサＣ４及びＣ５への充電を
行う。このとき、光検知部ＬＳ４とＬＳ５との充電タイミングは、図１２に示すように、
所定時間（ここでは、光検知部ＬＳ４及びＬＳ５の１放電期間（１ＦL）の１／２）ずれ
ているものとする。
【００５６】
また、この読み取り部３５は、図１１のスイッチＳＷLSの切り替えを行って、所定のタ
イミング毎に光検知部ＬＳ４又はＬＳ５のコンデンサＣ４又はＣ５に充電されている充電
電圧を、１放電期間内に２回ずつ読み取る。
そして、このようにして取得した複数の読み取り値のうち最適値、例えば、第１基準値
以上かつ第２基準値以下の条件を満たす読み取り値を採用し、これを比較部３２に出力す
る。
【００５７】
図１１において、読み取り部３５及びアンプ３６が光センサ読み取り部に対応し、アン
プ３６が非破壊型読み取り部に対応している。
次に、本発明における第２の実施形態の動作について説明する。
今、低照度（例えば、１００Ｌｘ）の外光がＴＦＴ光センサに照射されているものとす
る。このとき、図１２の時刻ｔ２１で、読み取り部３５が光検知部ＬＳ４のスイッチ素子
ＳＷ４をオン状態とし、光検知部ＬＳ４のコンデンサＣ４に基準電圧Ｖｓを充電する。そ
して、その後、読み取り部３５がスイッチ素子ＳＷ４をオフ状態に切り替え、ＴＦＴ光セ
ンサに上記外光が照射されることにより生じる漏れ電流によって、コンデンサＣ４に充電
された充電電圧が所定の放電特性で低下する。
【００５８】
このとき、コンデンサＣ４及びＣ５の充電電圧と読み取り時間（検出時間）との関係が
図９に示すようになっているものとすると、１００Ｌｘの低照度の外光が照射されたとき
の放電特性は、図９のαに示す曲線となる。
その後、読み取り部３５は、コンデンサＣ４への充電開始から読み取り時間ＴH（例え
ば、０．００５ｓ）経過後の時刻ｔ２２で、コンデンサＣ４の充電電圧を読み取る。この
とき、図９のαに示すように、ＴＦＴ光センサの光リーク電流が小さく、電圧降下量が極
めて小さい。コンデンサＣ４の充電電圧は第２基準値より大きく、基準範囲内にないこと
から、読み取り部３５は、この読み取り値を光検知の出力として採用することはない。
【００５９】
そして、時刻ｔ２３では、読み取り部３５が光検知部ＬＳ５のスイッチ素子ＳＷ５をオ
ン状態とし、光検知部ＬＳ５のコンデンサＣ５に基準電圧Ｖｓを充電する。そして、その
後、読み取り部３５がスイッチ素子ＳＷ５をオフ状態に切り替え、ＴＦＴ光センサに上記
外光が照射されることにより生じる漏れ電流によって、コンデンサＣ５に充電された充電
電圧が上述した放電特性で低下する。また、コンデンサＣ４は放電を継続する。
【００６０】
その後、読み取り部３５は、コンデンサＣ４への充電開始から読み取り時間ＴL（例え
ば、０．０３ｓ）経過後の時刻ｔ２４で、コンデンサＣ４の充電電圧を読み取る。このと
き、図９のαに示すように、コンデンサＣ４の充電電圧が基準範囲内にあることから、読
み取り部３５は、この読み取り値を光検知の出力として採用する。
ＴＦＴ光センサに照射されている外光は低照度の光であり、読み取り部３５で採用した
読み取り値をもとに得られる照度データは照度閾値より大きくなっているため、比較部３
２でバックライト３４を点灯すべきであると判定し、Ｂ／Ｌ制御部３３で、バックライト
３４のオン制御が行われる。
【００６１】
このように、光検知部ＬＳ４のコンデンサＣ４への充電が開始されてから次の充電が行
われるまでの１放電期間内に、異なるタイミングで２回の検知が行われる。このとき、読
み取り部３５の前段に入力インピーダンスの高いアンプ３６を設け、光検知部ＬＳ４から
アンプ３６へは殆ど電流が流れない構成としているため、読み取り部３５での読み取り動
作がコンデンサＣ４の放電曲線に与える影響は殆どない。したがって、１放電期間内に読
み取り動作を複数回実施しても、精度の良い読み取り値を得ることが可能となる。
【００６２】
その後、読み取り部３５は、時刻ｔ２３でのコンデンサＣ５への充電開始から読み取り
時間ＴH経過後の時刻ｔ２５で、コンデンサＣ５の充電電圧を読み取るが、このときの充
電電圧値は基準範囲内にないことから、この読み取り値を光検知の出力として採用するこ
とはない。
一方、時刻ｔ２３でのコンデンサＣ５への充電開始から読み取り時間ＴL経過後の時刻
ｔ２７で読み取るコンデンサＣ５の充電電圧値は、基準範囲内にあることから、読み取り
部３５は、この時刻ｔ２７での読み取り値を光検知の出力として採用する。
【００６３】
このように、低照度領域における光検知では、各光検知部からの２回目の読み取り値が
それぞれ光検知の出力として採用されることになる。そして、その光検知の周期は、光検
知部を１つしか設けない場合と比較して大幅に短縮されることとなり、一定期間内におけ
る低照度の検出回数を擬似的に増やす（２倍とする）ことができる。
一方、中〜高照度（例えば、１０００Ｌｘ）の外光がＴＦＴ光センサに照射されている
ものとすると、図１３の時刻ｔ３１で、読み取り部３５が光検知部ＬＳ４のスイッチ素子
ＳＷ４をオン状態とし、光検知部ＬＳ４のコンデンサＣ４に基準電圧Ｖｓを充電する。そ
して、その後、読み取り部３５がスイッチ素子ＳＷ４をオフ状態に切り替え、ＴＦＴ光セ
ンサに上記外光が照射されることにより生じる漏れ電流によって、コンデンサＣ４に充電
された充電電圧が所定の放電特性で低下する。
【００６４】
このとき、１０００Ｌｘの中〜高照度の外光が照射されたときの放電特性は、図９のβ
に示す曲線となる。
その後、読み取り部３５は、コンデンサＣ４への充電開始から読み取り時間ＴH経過後
の時刻ｔ３２で、コンデンサＣ４の充電電圧を読み取る。このとき、図９のβに示すよう
に、コンデンサＣ４の充電電圧が基準範囲内にあることから、読み取り部３５は、この読
み取り値を光検知の出力として採用する。
【００６５】
ＴＦＴ光センサに照射されている外光は中〜高照度の光であり、読み取り部３５で採用
した読み取り値をもとに得られる照度データは照度閾値より小さくなっているため、比較
部３２でバックライト３４を消灯すべきであると判定し、Ｂ／Ｌ制御部３３で、バックラ
イト３４のオフ制御が行われる。
そして、時刻ｔ３３では、読み取り部３５が光検知部ＬＳ５のスイッチ素子ＳＷ５をオ
ン状態とし、光検知部ＬＳ５のコンデンサＣ５に基準電圧Ｖｓを充電する。そして、その
後、読み取り部３５がスイッチ素子ＳＷ５をオフ状態に切り替え、ＴＦＴ光センサに上記
外光が照射されることにより生じる漏れ電流によって、コンデンサＣ５に充電された充電
電圧が上述した放電特性で低下する。また、コンデンサＣ４は放電を継続する。
【００６６】
その後、読み取り部３５は、コンデンサＣ４への充電開始から読み取り時間ＴL経過後
の時刻ｔ３４で、コンデンサＣ４の充電電圧を読み取る。このとき、図９のβに示すよう
に、コンデンサＣ４の充電電圧は略零となっているおり、第１基準値より小さいことから
、読み取り部３５は、この読み取り値を光検知の出力として採用することはない。
その後、読み取り部３５は、時刻ｔ３３でのコンデンサＣ５への充電開始から読み取り
時間ＴH経過後の時刻ｔ３５で、コンデンサＣ５の充電電圧を読み取り、この読み取り値
を光検知の出力として採用する。
【００６７】
一方、時刻ｔ３３でのコンデンサＣ５への充電開始から読み取り時間ＴL経過後の時刻
ｔ３７で読み取るコンデンサＣ５の充電電圧値は略零となっていることから、読み取り部
３５は、この時刻ｔ３７での読み取り値を光検知の出力として採用することはない。
このように、高照度領域における光検知では、各光検知部からの１回目の読み取り値が
それぞれ光検知の出力として採用されることになる。
【００６８】
すなわち、１回目の読み取りは放電時間の早い高照度領域の光検知を行うためものであ
り、２回目の読み取りは放電時間の遅い低照度領域の光検知を行うためのものである。こ
うして、低照度から高照度まで広範囲に亘った光検知が可能となる。
このように、上記第２の実施形態では、各コンデンサに充電されている充電電圧を、１
放電期間内の異なるタイミングで複数回読み取るので、低照度領域の光検知の周期を短縮
して、外光の照度変化に対する追従性を向上させることができると共に、任意の照度領域
における光検知が可能となる。
【００６９】
また、１放電期間内における複数の読み取りタイミングとして、少なくとも低照度領域
の光照射時に読み取った充電電圧が暗基準値以下となるタイミングと、高照度領域の光照
射時に読み取った充電電圧が明基準値以上となるタイミングとを設定するので、低照度か
ら高照度までの広範囲に亘って高感度の光検知が可能となる。
さらに、光センサ読み取り部の前段に入力インピーダンスの高いアンプを設けるので、
光センサからアンプへ殆ど電流が流れないようにして、充電電圧の読み取り動作がコンデ
ンサの放電曲線に与える影響を小さくすることができ、複数回の読み取り動作において、
高精度な読み取り値を得ることができる。
【００７０】
なお、上記第２の実施形態においては、光検知部を２つ設ける場合について説明したが
、３つ以上設けることもできる。これにより、光検知の周期を短縮することができるので
、低照度から高照度までの広範囲に亘ってより照度変化への追従性を向上させることがで
きる。
又、上記第２の実施形態においては、充電電圧の読み取りを１放電期間内に２回行う場
合について説明したが、３回以上行うこともできる。これにより、低照度〜高照度領域に
おける広範囲に亘って高感度の光検知を行うことができる。
【００７１】
なお、上記各実施形態においては、予め定めた明るさを境としてバックライトをオン／
オフ制御する場合について説明したが、バックライトを点灯するとき明るさと消灯すると
きの明るさとを変える（ヒステリシス特性を持たせる）こともできる。
また、上記各実施形態においては、本発明を半透過型液晶表示装置に適用する場合につ
いて説明したが、透過型液晶表示装置や反射型液晶表示装置に本発明を適用することも可
能である。この場合、反射電極Ｒ0を省略することで透過型液晶表示装置が得られ、反射
電極を画素電極１２の下部全体に亘って設けると反射型液晶表示装置が得られる。なお、
反射型液晶表示装置の場合には、バックライトないしはサイドライトに代えてフロントラ
イトを使用すればよい。
【００７２】
さらに、上記各実施形態においては、光センサとしてＴＦＴ光センサを適用する場合に
ついて説明したが、周知のフォトダイオード、フォトトランジスタ、フォトＴＦＴ、フォ
トＳＣＲ、光導電体、光電池など、任意の光−電気変換素子を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明における実施形態の液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した表示パネルを模式的に示した平面図ある。
【図２】図１のＸ−Ｘ断面図である。
【図３】液晶表示装置のＣＦ基板を透視して表して１画素分の平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ断面図である。
【図５】ＴＦＴ基板上の光センサ及びスイッチ素子の断面図である。
【図６】光検知部の回路図である。
【図７】バックライト制御の詳細な構成を示すブロック図である。
【図８】低照度照射時におけるタイミングチャートである。
【図９】光照射の放電特性を示す曲線図である。
【図１０】高照度照射時におけるタイミングチャートである。
【図１１】第２の実施形態におけるバックライト制御の詳細な構成を示すブロック図である。
【図１２】低照度照射時におけるタイミングチャートである。
【図１３】高照度照射時におけるタイミングチャートである。
【図１４】従来の検知回路の構成を示す回路図である。
【図１５】光リーク特性を示す図である。
【図１６】光リーク特性を示す図である。
【符号の説明】
【００７４】
１…液晶表示装置、２…ＴＦＴ基板、４…ゲート線、５…ソース線、１１…コモン線、
１２…画素電極、２５…ＣＦ基板、２６…対向電極、３１，３５…読み取り部、３２…比
較部、３３…Ｂ／Ｌ制御部、３５…バックライト、ＬＳ１〜ＬＳ５…光検知部、ＳＷ１〜
ＳＷ５…スイッチ素子、Ｃ１〜Ｃ５…コンデンサ、Ｖｓ…基準電圧
【図１】
2008158025.tif 000003
【図２】
2008158025.tif 000004
【図３】
2008158025.tif 000005
【図４】
2008158025.tif 000006
【図５】
2008158025.tif 000007
【図６】
2008158025.tif 000008
【図７】
2008158025.tif 000009
【図８】
2008158025.tif 000010
【図９】
2008158025.tif 000011
【図１０】
2008158025.tif 000012
【図１１】
2008158025.tif 000013
【図１２】
2008158025.tif 000014
【図１３】
2008158025.tif 000015
【図１４】
2008158025.tif 000016
【図１５】
2008158025.tif 000017
【図１６】
2008158025.tif 000018