(57)【要約】【課題】一対の放熱板の間に半導体素子を挟み込み、これらをモールド樹脂で封止してなる両面放熱型の半導体装置において、両放熱板の間にてモールド樹脂にボイドが発生するのを極力防止する。【解決手段】互いの内面３ａ、４ａにて対向する第１の放熱板３と第２の放熱板４との間に、半導体素子１、２を挟み込み、これら両放熱板３、４および半導体素子１、２を包み込むようにモールド樹脂７で封止するとともに、両放熱板３、４の外面３ｂ、４ｂをモールド樹脂７から露出させてなる半導体装置１００において、第１の放熱板３および第２の放熱板４のそれぞれに、内面３ａ、４ａから外面３ｂ、４ｂまで貫通する貫通穴１１を設けている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いの内面（３ａ、４ａ）にて対向する第１の放熱板（３）と第２の放熱板（４）との間に、半導体素子（１、２）を挟み込み、
これら両放熱板（３、４）および半導体素子（１、２）を包み込むようにモールド樹脂（７）で封止するとともに、前記両放熱板（３、４）における前記内面（３ａ、４ａ）とは反対側の外面（３ｂ、４ｂ）を前記モールド樹脂（７）から露出させてなる半導体装置において、
前記両放熱板（３、４）が対向している部位において前記両放熱板（３、４）の少なくとも一方の放熱板には、当該少なくとも一方の放熱板の前記内面（３ａ、４ａ）から前記外面（３ｂ、４ｂ）まで貫通する貫通穴（１１）が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記貫通穴（１１）は、前記両放熱板（３、４）のいずれか一方の放熱板にのみ設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記貫通穴（１１）は、前記両放熱板（３、４）の両方の放熱板に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の放熱板（３）に設けられた前記貫通穴（１１）と、前記第２の放熱板（４）に設けられた前記貫通穴（１１）とは、同じ位置にあることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子（１、２）は前記第１の放熱板（３）と前記第２の放熱板（４）との間に複数個挟まれており、
前記貫通穴（１１）は、これら複数個の半導体素子（１、２）において隣り合う半導体素子（１、２）の間に位置するように設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記貫通穴（１１）は、当該貫通穴（１１）が設けられている前記放熱板（３、４）の前記内面（３ａ、４ａ）から前記外面（３ｂ、４ｂ）に向かって拡がるテーパ形状をなすものであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記貫通穴（１１）は、当該貫通穴（１１）が設けられている前記放熱板（３、４）の前記内面（３ａ、４ａ）と前記外面（３ｂ、４ｂ）との間に位置する中間部が絞られた鼓形状をなすものであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の放熱板の間に半導体素子を挟み込み、これらをモールド樹脂で封止してなる両面放熱型の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の半導体装置としては、互いの内面にて対向する第１の放熱板と第２の放熱板との間に、半導体素子を挟み込み、これら両放熱板および半導体素子を、成形金型に投入してモールド樹脂で包み込むように封止してなるものが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
そして、このような半導体装置においては、第１の放熱板および第２の放熱板のそれぞれにおける内面とは反対側の面である外面が、モールド樹脂から露出しており、それによって、半導体素子からの熱は、第１の放熱板と第２の放熱板から放熱されるようになっている。つまり、半導体素子の表裏両面からの放熱を可能としており、いわゆる両面放熱型の半導体装置となっている。
【０００４】
ここで、従来では、放熱板に接合された半導体素子をモールド樹脂で封止する工程において、樹脂注入時の空気の巻きこみを防ぐため、樹脂の成形条件を調節したり、成形金型において樹脂を注入するゲート位置を調整する手法や、成形金型にエアベントを設けて空気を抜けやすくする手法が、一般に行われている。
【特許文献１】特開２００５−１３６０１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載されているような２枚の放熱板に半導体素子が挟まれた構造の半導体装置においては、樹脂注入時の空気の巻きこみによって、両放熱板の間のモールド樹脂にボイドが発生しやすい。特に、両放熱板の間に、半導体素子が２素子以上実装されるような構造では、これら２素子の間にて空気が抜け切れず、ボイドとして残りやすい。
【０００６】
また、大型のモールドパッケージ（たとえば５０ｍｍ×４０ｍｍ×６ｍｍ程度以上）では、樹脂の硬化時間を考慮して、早く注入を行う必要があるため、樹脂を注入するゲートを複数設ける場合がある。しかし、この場合、樹脂が合流するところで空気が閉じ込められてしまい、最終的にボイドとなるという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、一対の放熱板の間に半導体素子を挟み込み、これらをモールド樹脂で封止してなる両面放熱型の半導体装置において、両放熱板の間にてモールド樹脂にボイドが発生するのを極力防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は、両放熱板（３、４）が対向している部位において両放熱板（３、４）の少なくとも一方の放熱板に、当該少なくとも一方の放熱板の内面（３ａ、４ａ）から外面（３ｂ、４ｂ）まで貫通する貫通穴（１１）を設けたことを特徴とする。
【０００９】
それによれば、樹脂封止時において、両放熱板（３、４）の間に入り込む樹脂の中に、空気が入り込んでも、両放熱板（３、４）の間から貫通穴（１１）を介して当該空気を排出できるため、両放熱板（３、４）の間にてモールド樹脂（７）にボイドが発生するのを極力防止することができる。また、貫通穴（１１）にモールド樹脂（７）が食い込むことにより放熱板（３、４）とモールド樹脂（７）との密着強度を向上させることが可能となる。
【００１０】
ここで、貫通穴（１１）は、両放熱板（３、４）が対向する部位において、両放熱板（３、４）のいずれか一方の放熱板にのみに設けられていてもよいし（後述の図９参照）、両方に設けられていてもよい（後述の図２、図５、図７、図８等参照）。
【００１１】
また、両放熱板（３、４）の両方に貫通穴（１１）を設けた場合、樹脂封止時に両放熱板（３、４）の間から樹脂中の空気をスムーズに排出するという点を考慮すれば、第１の放熱板（３）に設けられた貫通穴（１１）と、第２の放熱板（４）に設けられた貫通穴（１１）とは、同じ位置にあること（後述の図２等参照）が好ましい。
【００１２】
また、半導体素子（１、２）を、第１の放熱板（３）と第２の放熱板（４）との間に複数個挟み、貫通穴（１１）を、これら複数個の半導体素子（１、２）において隣り合う半導体素子（１、２）の間に位置するように設けてもよい（後述の図２等参照）。
【００１３】
複数個の半導体素子（１、２）が存在する場合、隣り合う半導体素子（１、２）間ではボイドが発生しやすいが、当該半導体素子（１、２）間に貫通穴（１１）を設ければ、この半導体素子（１、２）間にて樹脂中の空気を排出しやすくなる。
【００１４】
また、貫通穴（１１）としては、当該貫通穴（１１）が設けられている放熱板（３、４）の内面（３ａ、４ａ）から外面（３ｂ、４ｂ）に向かって拡がるテーパ形状をなすものや（後述の図５参照）、放熱板（３、４）の内面（３ａ、４ａ）と外面（３ｂ、４ｂ）との間に位置する中間部が絞られた鼓形状をなすもの（後述の図７参照）にできる。
【００１５】
モールド樹脂（７）と放熱板（３、４）との密着性を考慮すれば、貫通穴（１１）をこれらのテーパ形状や鼓形状とすることが好ましい。
【００１６】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１８】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置１００の概略平面構成を示す図であり、図２は、図１中のＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。この半導体装置１００は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。
【００１９】
図１、図２に示されるように、本半導体装置１００は、平面的に配置された２個の半導体素子１、２を備える。たとえば、第１の半導体素子１はＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）１であり、第２の半導体素子２は、ＦＷＤ（フライホイールダイオード）２である。
【００２０】
そして、これら両半導体素子１、２の両面は、半導体素子１、２の電極および放熱部材として機能する一対の放熱板３、４にて挟まれている。これら放熱板３、４は、一般的なリードフレーム材料などよりなるもので、たとえば、銅合金にニッケルメッキを施した板材により構成されている。
【００２１】
ここで、一対の放熱板３、４は、互いの内面３ａ、４ａにて対向するように配置されているが、図２において、一対の放熱板３、４のうち上側に位置する放熱板３を、第１の放熱板３とし、下側に位置する放熱板４を、第２の放熱板４とする。また、各放熱板３、４において、内面３ａ、４ａとは反対側の面である外面３ｂ、４ｂは放熱面として構成されている。
【００２２】
ここでは、両放熱板３、４は平面略矩形の板であるが、第１の放熱板３は、第２の放熱板４よりも一回り大きな平面サイズを有するものであり、第１の放熱板３の周辺部が第２の放熱板４の端部からはみ出している。
【００２３】
そして、図２に示されるように、第１の放熱板３と第２の放熱板４とが重なり合って両内面３ａ、４ａ同士が正対している領域Ｒ１が、両放熱板３、４が対向している部位Ｒ１であり、第１の放熱板３の周辺部が第２の放熱板４の端部からはみ出している領域Ｒ２が、両放熱板３、４が対向していない部位Ｒ２である。
【００２４】
そして、両半導体素子１、２は、これら両放熱板３、４の内面の間に挟まれており、両半導体素子１、２の一面と第１の放熱板３の内面３ａとの間は、はんだ５によって電気的・熱的に接続されている。また、両半導体素子１、２の他面と第２の放熱板４との間には、ブロック体６が介在している。
【００２５】
このブロック体６は、電気導電性、熱伝導性に優れた矩形ブロック状のもので、通常銅からなるが、モリブデンなどを用いてもよい。そして、各半導体素子１、２とブロック体６との間、および、ブロック体６と第２の放熱板４の内面との間は、それぞれ、はんだ５によって電気的・熱的に接続されている。
【００２６】
ここで、上記の各部を接続するはんだ５は、一般的な半導体装置の分野にて採用されるはんだ材料とすることができ、たとえば、すず−銅合金系はんだなどの鉛フリーはんだを採用することができる。
【００２７】
そして、図１、図２に示されるように、本実施形態の半導体装置１００においては、一対の放熱板３、４およびこれに挟み込まれた半導体素子１、２、ブロック体６が、モールド樹脂７にて封止されている。このモールド樹脂７はエポキシ樹脂などの通常のモールド材料よりなり、成形金型を用いた樹脂成形によって作製されたものである。
【００２８】
また、図１に示されるように、一対の放熱板３、４のそれぞれにおいて外面３ｂ、４ｂが、モールド樹脂７から露出している。これにより、本半導体装置１００は、第１および第２の半導体素子１、２の両面のそれぞれにて、第１の放熱板３、第２の放熱板４を介した放熱が行われる両面放熱型の構成となっている。
【００２９】
また、一対の放熱板３、４は、はんだ５やブロック体６を介して、両半導体素子１、２の各面の図示しない電極に電気的に接続されている。たとえば、第１の放熱板３、第２の放熱板４は、それぞれ、第１の半導体素子１としてのＩＧＢＴ１のコレクタ側の電極および第２の半導体素子２としてのＦＷＤ２のカソード側の電極、ＩＧＢＴのエミッタ側の電極およびＦＷＤのアノード側の電極となるものである。
【００３０】
そして、図示しない端子が、第１の放熱板３および第２の放熱板４のそれぞれと一体に形成されており、各放熱板３、４はこの端子を介して外部と電気的に接続できるようになっている。
【００３１】
また、図示しないが、モールド樹脂７の内部にてＩＧＢＴ１の周囲には、放熱板３、４とは別体のリードフレームからなる制御端子が設けられている。この制御端子は、ＩＧＢＴ１のゲート端子や各種の検査用端子などとして構成されるものであり、モールド樹脂７内において、図示しないボンディングワイヤを介して、ＩＧＢＴ１と電気的に接続されている。
【００３２】
このような構成において、第２の放熱板４と半導体素子１、２との間に介在するブロック体６は、このＩＧＢＴ１と上記制御端子とのワイヤボンディングを行うにあたって、上記ワイヤの高さを維持するために、ＩＧＢＴ１のワイヤボンディング面と第２の放熱板４との間の高さを確保している。
【００３３】
また、図２に示されるように、第２の放熱板４の内面４ａのうちはんだ５が設置される領域の外周には、このはんだ５の広がりを防止するための溝であるはんだ溝１０が設けられている。このはんだ溝１０は、それぞれ対応するブロック体６の平面サイズよりも一回り大きな環状の溝として構成されている。
【００３４】
このような半導体装置１００において、本実施形態では、図１、図２に示されるように、第１の放熱板３には、第１の放熱板３の内面３ａから外面３ｂまで貫通する貫通穴１１が設けられており、また、第２の放熱板４にも、第２の放熱板４の内面４ａから外面４ｂまで貫通する貫通穴１１が設けられている。
【００３５】
つまり、両放熱板３、４の両方に、それぞれ厚さ方向に貫通する貫通穴１１が設けられている。ここで、貫通穴１１は、上記図２に示した両放熱板３、４が対向している部位Ｒ１において、両放熱板３、４に設けることが必須であり、両放熱板３、４が対向していない部位Ｒ２には、貫通穴１１は設けても設けなくてもよい。
【００３６】
このような貫通穴１１は、放熱板３、４にプレス加工などを施すことにより形成されるものである。ここでは、図１に示されるように、貫通穴１１の開口形状は円形、すなわち丸穴形状としている。
【００３７】
また、本実施形態では、図２に示されるように、この貫通穴１１の内部にモールド樹脂７が充填されている。つまり、貫通穴１１にモールド樹脂７が入り込んでいる。ここでは、貫通穴１１の深さ方向の全体にモールド樹脂７が入り込んでいるが、貫通穴１１の内面３ａ側から深さ方向の途中部分まで、モールド樹脂７が入り込んだものであってもよいし、貫通穴１１にモールド樹脂７が入り込んでいなくてもよい。
【００３８】
また、図２に示されるように、第１の放熱板３に設けられた貫通穴１１と第２の放熱板４に設けられた貫通穴１１とは、互いに正対する位置に設けられている。つまり、貫通穴１１は、互いの放熱板３、４において同じ位置に設けられている。
【００３９】
そして、本実施形態では、半導体素子１、２は、第１の放熱板３と第２の放熱板４との間に２個挟まれているが、第１の放熱板３および第２の放熱板４に設けられた各貫通穴１１は、隣り合う２個の半導体素子１、２の間に位置している。具体的には、図１中の一点鎖線Ａ−Ａが当該２個の半導体素子１、２を結ぶ仮想直線に相当するが、貫通穴１１は、隣り合う２個の半導体素子１、２間にて当該仮想直線上に位置する。
【００４０】
次に、上記半導体装置１００の製造方法について、図３を参照して述べる。図３は、本製造方法における樹脂封止工程を示す概略断面図である。まず、上記図１、図２においてモールド樹脂７が無いもの、すなわち、モールド樹脂７によって樹脂封止されるワークＷ（図３参照）を作製する。
【００４１】
このワークＷは、第１の放熱板３、半導体素子１、２、ブロック体６、第２の放熱板４を、はんだ５を介して積層し接合するとともに、上記制御端子とＩＧＢＴ１との間でワイヤボンディングを行うことにより、作製される。
【００４２】
次に、このワークＷをモールド樹脂７により封止する。この樹脂封止は、一般的なトランスファーモールド法に用いられる成形金型を用いて行われる。なお、図３では、樹脂注入の途中の状態が示されているが、当該成形金型は省略してある。この成形金型は、半導体装置１００におけるモールド樹脂７の外形に実質的に一致した形状のキャビティを有するもので、このキャビティ内にワークＷをセットし、樹脂充填を行う。
【００４３】
図３に示されるように、ワークＷの一方の端部側からモールド樹脂７が充填されていき、ワークＷが封止されていく。このとき、本実施形態では、両放熱板３、４の間に入り込むモールド樹脂７の中に空気が入り込んでも、当該空気は、図３中の矢印に示されるように、両放熱板３、４の両方に設けられた貫通穴１１を介して、両放熱板３、４の間から追い出される。
【００４４】
そして、この樹脂封止工程の終了後、必要に応じて、両放熱板３、４の外面３ｂ、４ｂに付着した樹脂のバリを除去する工程などを行うことにより、本実施形態の半導体装置１００ができあがる。
【００４５】
ところで、本実施形態によれば、両面放熱型の半導体装置１００において、第１の放熱板３および第２の放熱板４のそれぞれに、内面３ａ、４ａから外面３ｂ、４ｂまで貫通する貫通穴１１を設けている。
【００４６】
そのため、樹脂封止時において、両放熱板３、４の間に入り込むモールド樹脂７の中に空気が入り込んでも、上述したように、貫通穴１１を介して当該空気を排出できる。そのため、両放熱板３、４の間にてモールド樹脂７への空気の巻き込みが防止され、ボイドの発生が極力防止される。
【００４７】
また、図２に示したように、この貫通穴１１にモールド樹脂７が食い込んだ状態となり、各放熱板３、４とモールド樹脂７との密着強度が向上する。つまり、本実施形態によれば、貫通穴１１がいわゆるロックホールの機能を果たすため、信頼性に優れた半導体装置１００が提供される。
【００４８】
また、本実施形態では、第１の放熱板３側の貫通穴１１と第２の放熱板４側の貫通穴１１とを同じ位置にあるものとしているため、樹脂封止時において両放熱板３、４の間からモールド樹脂７中の空気をスムーズに排出される。
【００４９】
また、本実施形態では、空気の巻きこみボイドが発生しやすい２個の半導体素子１、２に挟まれた領域に貫通穴１１を設けているため、当該半導体素子１、２間にてモールド樹脂７中の空気を、両放熱板３、４の間から排出しやすくなり、ボイドの発生を防止するという点で効果的である。
【００５０】
（第２実施形態）
図４は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置１０１の概略平面構成を示す図であり、図５は、図４中のＢ−Ｂ線に沿った概略断面図である。本実施形態は、上記第１実施形態に示した半導体装置において、貫通穴１１の形状を変形したものであり、貫通穴１１による効果は上記第１実施形態と同様に発揮される。
【００５１】
上記第１実施形態では、上記図１および図２に示したように、貫通穴１１は深さ方向の全体に渡って径が同一のストレートな穴形状であった。それに対して、本実施形態では、図４および図５に示されるように、貫通穴１１は、深さ方向に沿った断面形状がテーパ形状となっている。具体的には、貫通穴１１は、当該貫通穴１１が設けられている各放熱板３、４の内面３ａ、４ａから外面３ｂ、４ｂに向かって径が拡がっている。
【００５２】
このようなテーパ形状の貫通穴１１とすれば、上記図２に示したようなストレート形状の貫通穴１１に比べて、モールド樹脂７と放熱板３、４との密着強度が向上し、温度変化などによってモールド樹脂７の熱膨張・収縮が発生しても、モールド樹脂７の剥離を極力抑制することができる。
【００５３】
（第３実施形態）
図６は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置１０２の概略平面構成を示す図であり、図７は、図６中のＣ−Ｃ線に沿った概略断面図である。本実施形態も、上記第１実施形態に示した半導体装置において、貫通穴１１の形状を変形したものである。
【００５４】
図６および図７に示されるように、本実施形態では、貫通穴１１は、深さ方向に沿った断面形状がくびれた鼓形状をなしている。ここでは、貫通穴１１の鼓形状は、当該貫通穴１１が設けられている各放熱板３、４の内面３ａ、４ａと外面３ｂ、４ｂとの間に位置する中間部が絞られた形状となっている。
【００５５】
このような鼓形状の貫通穴１１は、たとえば、放熱板３、４の内面３ａ、４ａ側と外面３ｂ、４ｂ側の両面側からプレス加工を行うことにより形成される。そして、この場合も、モールド樹脂７と放熱板３、４との密着強度の向上が図れ、上記第２実施形態と同様の効果が発揮される。
【００５６】
（第４実施形態）
図８は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置１０３の概略断面構成を示す図である。両放熱板３、４の両方に貫通穴１１がある場合、上記実施形態のように互いの貫通穴１１が同じ位置でなくてもよく、図８に示されるように、互いの貫通穴１１が正対せずに異なる位置にあってもよい。
【００５７】
もちろん、この場合も、両放熱板３、４の間にてモールド樹脂７にボイドが発生するのを極力防止することができ、また、貫通穴１１のロックホール機能により放熱板３、４とモールド樹脂７との密着強度を向上させることが可能となる。
【００５８】
（第５実施形態）
図９は、本発明の第５実施形態に係る半導体装置１０４の概略断面構成を示す図である。上記各実施形態では、貫通穴１１は、両放熱板３、４の両方に設けられていたが、このように、両放熱板３、４のいずれか一方にのみ設けられていてもよい。
【００５９】
図９では、両放熱板３、４のうち第１の放熱板３にのみ貫通穴１１を設けている。もちろん、図示しないが、第２の放熱板４にのみ貫通穴１１を設けてもよい。本実施形態の場合も、貫通穴１１による空気排出機能およびロックホール機能が発揮され、ボイドの発生防止および樹脂密着強度の向上が可能となる。
【００６０】
（他の実施形態）
なお、貫通穴１１の開口形状は、上記各図に示したような丸穴形状に限定されるものではなく、楕円形の穴形状、多角形の穴形状、細長のスリット形状など、空気抜き用として機能するものであれば、どのような形状であってもよい。また、片方の放熱板について貫通穴１１を複数個設けてもよい。
【００６１】
また、一対の金属板３、４に挟まれる半導体素子としては、両面に配置される一対の金属板３、４を電極や放熱板として用いることが可能なものであれば、上記したＩＧＢＴ１やＦＷＤ２でなくてもよい。また、半導体素子は２個に限定されるものではなく、１個でもよいし、３個以上でもよい。
【００６２】
そして、半導体素子が３個以上ある場合は、貫通穴１１を、隣り合う半導体素子の間にそれぞれ設ければよい。貫通穴１１のサイズや個数は、製品の熱抵抗が許す範囲で大きく且つ多い方が有利である。
【００６３】
また、上述したように、ヒートシンクブロック６は、ＩＧＢＴ１と第２の金属板４との間に介在し、これら両部材１、４との間の高さを確保する役割を有するものであるが、可能であるならば、上記実施形態において、ヒートシンクブロック６は存在しないものであってもよい。つまり、半導体装置としては、一対の放熱板の間に半導体素子を挟み込んだ構成を有していればよい。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ概略断面図である。
【図３】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法における樹脂封止工程を示す概略断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の概略平面図である。
【図５】図４中のＢ−Ｂ概略断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る半導体装置の概略平面図である。
【図７】図６中のＣ−Ｃ概略断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。
【図９】本発明の第５実施形態に係る半導体装置の概略断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１…半導体素子としてのＩＧＢＴ、２…半導体素子としてのＦＷＤ、
３…第１の放熱板、３ａ…第１の放熱板の内面、３ｂ…第１の放熱板の外面、
４…第２の放熱板、４ａ…第２の放熱板の内面、４ｂ…第２の放熱板の外面、
７…モールド樹脂、１１…貫通穴。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2008186890.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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