(57)【要約】【課題】静電的に作製されたプリントまたはコピーの上でのゴースティングの出現を最小化するかまたは回避する電子写真画像形成部材を提供する。【解決手段】基材、およびフタロシアニン顔料と相溶性バインダと溶媒とを含む電荷発生層を含み、前記電荷発生層が、前記溶媒を蒸発させた後で２８ｎｍ以下の平均顔料粒子分離距離を有している、電子写真画像形成部材である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子写真画像形成部材であって、
基材、および
フタロシアニン顔料と相溶性バインダと溶媒とを含む電荷発生層を含み、
前記電荷発生層が、前記溶媒を蒸発させた後で２８ｎｍ以下の平均顔料粒子分離距離を有している、電子写真画像形成部材。
【請求項２】
前記顔料が約５０〜５００ｎｍの範囲の平均粒径を有し、前記顔料対前記バインダの重量比が少なくとも２０／８０である、請求項１に記載の電子写真画像形成部材。
【請求項３】
前記顔料がクロロガリウムフタロシアニンである、請求項１に記載の電子写真画像形成部材。
【請求項４】
４７〜５２μＡの範囲を含む転写電流を使用した画像形成系で使用したときに、前記電子写真画像形成部材が最小のゴースティングを示す、請求項１に記載の電子写真画像形成部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示される実施態様は、電子写真（electrophotography）に関し、より詳しくは電子写真画像形成部材（electrophotographic imaging member）に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真（electrophotographic）画像形成部材の電荷発生層を形成させるのに、細かい顔料粒子を使用することは公知である。富士ゼロックス（Fuji Xerox）の特許文献１には、０．３μｍ以下の一次粒径を有するフタロシアニン結晶が記載されている。富士ゼロックス（Fuji Xerox）の特許文献２の実施例には、０．１４μｍ〜０．３６μｍの範囲のフタロシアニン顔料粒径を有する電荷発生層が開示されている。
【０００３】
電子写真（xerographic）画像形成においては、「ゴースティング（ghosting）」という用語は、（作製方法に依存するが）媒体の同一のシートまたは後続の（１枚または複数の）シートの上のどこかに、かすかではあるがはっきりと見えるオリジナルの画像の類似物が現れる状態を記述するために使用される用語である。そのために、ゴースティングを最小限に抑えるための各種の方法が採用されてきた。それらの方法のいくつかでは、電子写真（xerographic）のハードウェアを対象として、たとえば消去ランプまたは消去コロトロンを追加している。ある種の方法では、構成要素の間隔、タイミング、消去波長、またはパラメータ設定値に関連した電子写真（xerographic）プロセスパラメータを対象としている。
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５，３５８，８１３号明細書
【特許文献２】米国特許第５，６８８，６１９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
静電的に作製されたプリントまたはコピーの上でのゴースティングの出現を最小化するかまたは回避する、さらなるプリント方法および電子写真（electrophotographic）製品が開発できれば、有用であろう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一つの実施態様は、基材、ならびにフタロシアニン顔料、相溶性バインダ、および溶媒を含む電荷発生層を含む電子写真（electrophotographic）画像形成部材である。その電荷発生層は、その溶媒を除去した後での平均顔料粒子分離距離が２８ｎｍ以下、好ましくは２５ｎｍ以下である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
電子写真（electrophotographic）画像形成部材の電荷発生層における顔料粒子分離距離を短くすることによって、プリントゴースティングを低下させることが可能となることが見出された。顔料粒子分離距離を短くすることは、顔料／バインダ重量比を増やすか、および／または小さな顔料粒径を使用することによって達成できる。そのようにして得られる（１層または複数の）電荷発生層は、電荷易動度が高くなり、その結果プリントゴースティングが低下する。いくつかのケースにおいては、電荷発生層と電荷輸送層との間の界面、および／または電荷発生層とアンダーコート層との間の界面における、電荷易動度もまた向上する。
【０００８】
たとえば３０〜４０μＡの転写電流を有する画像形成系においてゴースティングの問題を起こすことなく使用されている顔料−バインダ系を、より高い転写電流たとえば４６〜５２μＡを有する画像形成系において使用するときに、その電荷易動度が、電子写真（electrophotographic）画像形成部材層から電荷をタイミング良く移動させるに充分なほど高くないと、ゴースティングの問題が発生するであろう。ゴースティングの問題を克服するためには、顔料粒子分離距離を短くすればよいということが見出された。この発見によって、従来からの画像形成装置で使用するように構成された顔料−バインダ系を、より高い転写電流で運転される新しい画像形成装置で、画像ゴースティングの傾向を高めることなく、使用するのに採用することが可能となる。より高い転写電流が必要とされるのは一般的に、重質媒体（heavy weight media）へのトナー転写、高湿（Ａ−ゾーン）環境における運転、および処理量を増やした場合のプロセス速度の上昇の場合である。いくつかの機器では、上述のような条件の変化に対して、転写電流を自動的に調節する。
【０００９】
本明細書で使用するとき、「基材（substrate）」という用語は、多層化された電子写真（electrophotographic）画像形成部材の基層を指す。本明細書においては、「電荷発生層（charge generating layer）」という用語は、電子写真（electrophotographic）画像形成部材の電荷発生物質を含む１層または一連の層を指す。本明細書で使用するとき、「ゴースティング（ghosting）」という用語は、媒体の同一または後続の１枚または複数のシートの上で、オリジナルの画像の近傍に、望ましくない影または第二の画像が生成することを指す。本明細書で使用するとき、商業的に許容される「ゴースティング」レベルとは、ゴースト固着試験（ghost fixture test）によって測定して、−４から＋４までの間のプリントゴースティングレベルを指す。ゴーストレベルにおける符号は、画像ゴースティングが正であるか、負であるかを意味しており、その絶対値はその大きさを表しているが、レベルがゼロということは、目に見えるゴースティングが存在しないことを表している。本明細書で使用するとき「感光性（photosensitivity）」という用語は、放射エネルギーの作用に対する感度を指す。「電荷易動度（charge mobility）」とは、感光体の層を通過する電荷の移動速度である。
【００１０】
本明細書で使用するとき、「平均顔料粒子分離距離（average pigment particle separation distance）」という用語は、バインダ中に実質的に均質に分散された顔料粒子の平均分離距離を指す。分離距離とは、一つの顔料粒子の周辺部から隣接した顔料粒子の周辺部までの距離である。平均顔料粒子分離距離を測定するための一つの方法は、後に示す式１を使用して計算することによる。本明細書においては、「顔料直径（pigment diameter）」という用語は、顔料粒子が球であると仮定して、動的光散乱法（ＤＬＳ）によって測定した顔料粒子の有効径を指す。
【００１１】
本開示においては、「相溶性（compatible）」という用語は、バインダ中で顔料が均質な分散体を形成できるような、異種の顔料とバインダの物理的および化学的な相溶性を指す。本明細書で使用するとき、画像形成系において「使用される」電子写真（electrophotographic）画像形成部材は、商業的生産、評価および／または試験において使用することができる。本明細書で使用するとき、「プリンタ」という用語には、各種の目的のために、印刷出力することが可能な、デジタルコピー機、製本機、ファクシミリ機、複合機能機など各種の装置が含まれる。
【００１２】
図１を参照すると、電子写真（electrophotographic）画像形成部材１０は、導電性表面またはコーティング１４を有する軟質または硬質の基材１２を有する。任意層である正孔阻止層１６を、表面またはコーティング１４に塗布してもよい。使用する場合には、その正孔阻止層１６は、隣接する電子写真（electrophotographic）画像形成層１８と下側にある表面またはコーティング１４との間の、正孔に対する電子的バリアを形成することができる。任意層である接着層２０を正孔阻止層１６に塗布してもよい。
【００１３】
１層または複数の電子写真（electrophotographic）画像形成層１８を、接着層２０、阻止層１６または基材表面またはコーティング１４の上に形成させる。層１８は、電荷発生機能と電荷輸送機能の両方が可能な単一の層であってもよいし、あるいはたとえば電荷発生層２２と電荷輸送層２４のような多重層が含まれていてもよい。電荷発生層２２は、導電性表面またはコーティング１４に塗布することもできるし、あるいは基材１２と電荷発生層２２との間の他の表面上に塗布することもできる。電荷発生層２２は通常、阻止層１６または任意の接着層２０の上に塗布する。電荷輸送層２４を通常は、電荷発生層２２の上に形成させる。しかしながら、電荷輸送層２４の上に電荷発生層２２を位置させることも可能である。
【００１４】
通常は電子写真（electrophotographic）画像形成層１８の上にオーバーコート２６を塗布して、電子写真（electrophotographic）画像形成部材１０の耐久性を改良する。オーバーコート２６の設計では、画像形成部材に耐摩耗性および画像流れ抵抗性（image deletion resistance）を与えながらも、コーティングプロセスにおいてはその下にある層の化学的および／または物理的性質に悪影響が出ず、かつ得られる画像形成部材の電気的な性質に悪影響が出ないようにする。それら多様な要件を満たすためには、オーバーコート２６のために適切な成分を選択することが重要である。
【００１５】
画像形成部材の基材１２は軟質であっても、あるいは硬質であってもよく、必要とされる機械的および電気的性質を有する、各種適切な有機または無機物質が含まれていてよい。それは完全に導電性物質で形成されていてもよいし、または、たとえばポリエステル、ポリエステルコーティングされたチタンのような無機または有機ポリマ材料を含む絶縁物質、半導体的表面層を有する有機または無機物質たとえばインジウムスズ酸化物の層、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン合金、あるいはアルミニウム以外の各種導電性もしくは絶縁性物質であってもよいし、または、アルミニウム、半透明アルミニウム、クロムニッケル、黄銅、銅、ニッケル、クロム、ステンレス鋼、カドミウム、銀、金、ジルコニウム、ニオブ  タンタル、バナジウム  ハフニウム、チタン、タングステン、インジウム、スズ、金属酸化物、導電性プラスチックおよびゴムなどの、導電性物質だけで作られていてもよい。基板層が導電性でないような実施態様においては、その表面に、導電性コーティングを設けて、導電性を付与する。そのコーティングは典型的には（必須という訳ではない）、約２０〜約７５０オングストロームの厚みを有する。
【００１６】
任意層の正孔阻止層１６には、必要とされる機械的および電気的性質を有する各種適切な有機または無機物質が含まれる。正孔阻止層１６は、たとえばポリビニルブチラール、エポキシ樹脂、ポリエステル類、ポリシロキサン類、ポリアミド類、ポリウレタン類などのポリマで構成されていてもよいし、あるいは、窒素含有シロキサンまたは窒素含有チタン化合物、たとえば、トリメトキシシリルプロピレンジアミン、加水分解トリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン、Ｎ−ベータ−（アミノエチル）ガンマ−アミノ−プロピルトリメトキシシラン、イソプロピル  ４−アミノベンゼンスルホニル、ジ（ドデシルベンゼンスルホニル）チタネート、イソプロピル  ジ（４−アミノベンゾイル）イソステアロイルチタネート、イソプロピル  トリ（Ｎ−エチルアミノエチルアミノ）チタネート、イソプロピル  トリアントラニルチタネート、イソプロピル  トリ（Ｎ，Ｎ−ジメチル−エチルアミノ）チタネート、チタン−４−アミノベンゼンスルホネートオキシアセテート、チタン  ４−アミノベンゾエートイソステアレートオキシアセテート、［Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）４］ＣＨ３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、（ガンマ−アミノブチル）メチルジエトキシシラン、［Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）３］ＣＨ３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、（ガンマ−アミノプロピル）−メチルジエトキシシラン、ビニルヒドロキシルエステルおよびビニルヒドロキシアミドポリマ（ここで、そのヒドロキシル基は部分的に変性されてベンゾエートおよびアセテートエステルとなっていて、次いでその変性ポリマが他の非変性ビニルヒドロキシエステルおよびアミド非変性ポリマとブレンドされている）、アルキルアクリルアミドグリコレートアルキルエーテル含有ポリマ、コポリマのポリ（メチルアクリルアミドグリコレートメチルエーテル−コ−メタクリル酸２−ヒドロキシエチル）、酸化亜鉛、酸化チタン、シリカ、ポリビニルブチラール、およびフェノール樹脂などであってもよい。阻止層は多くの場合連続であって、通常約２５マイクロメートル未満、より具体的には約０．５〜約１０マイクロメートルの厚みを有する。
【００１７】
任意層の接着層２０には、たとえば、ポリエステル類、ポリアリーレート類、ポリウレタン類、コポリエステル−ポリカーボネート樹脂が含まれていてよい。その接着層は、たとえば、乾燥後で約０．０１マイクロメートル〜約２マイクロメートル、別な実施態様においては約０．０３マイクロメートル〜約１マイクロメートルの厚みを有していてよい。
【００１８】
電荷発生層２２には、バインダ中に分散された顔料を含む電荷発生物質が含まれる。顔料粒子が連続相バインダ中に球形粒子として「最密充填」モードで均質に分散されており、かつボイド空間が存在しない、すなわちバインダ分子が空間を完全に充填していると仮定すると、平均的な顔料粒子分離距離は、次式で計算することができる。
【００１９】
［数１］
2008276235.tif 000002
式１
［式中、χＰは顔料の重量分率であり、ρＰは顔料の密度であり、ρＢはバインダの密度であり、ｄはその顔料粒子の平均直径である。］
【００２０】
これから判るように、粒径を小さくするか、および／または顔料／バインダ比を大きくすることによって、顔料粒子分離距離が短くなる。図２に、この概念を示している。
【００２１】
以下の表１に、感光体の電荷発生層の中で使用することが可能な顔料−バインダ系の密度と粒径の予測値を示す。各種の顔料重量分率の場合の顔料粒子の分離距離Δは、式１を用いて計算した。
【００２２】
【表１】
2008276235.tif 000003
【００２３】
表１において、粒子間距離（interparticle distance）Ｄは、一つの粒子の中心から隣接する粒子の中心までの距離である。表１から判るように、粒子分離距離は、顔料の重量分率を上げることによって短くすることができるが、このことは、同一の粒径を有するが顔料重量分率が異なっている例、たとえば例Ａと例Ｉなどの比較から明らかである。粒子の分離距離もまた、粒径を小さくすることにより短くすることができるが、このことは、例Ａ〜Ｈを互いに比較するか、あるいは例Ｉ〜Ｐを互いに比較すれば判る。
【００２４】
顔料粒子の粒子〜粒子間の分離距離を短くすると、電荷発生層の内部、ならびに電荷発生層と隣接する層との間での電荷輸送効率が向上する。少なくともいくつかのケースにおいては、顔料粒子の粒子〜粒子間の分離距離を短くすることによりさらに、電荷発生層とアンダーコート層との間の界面、および／または電荷発生層と電荷輸送層との間の界面における電荷輸送効率もまた向上すると考えられる。
【００２５】
電荷発生層を形成させるために使用できる好適な顔料としては、成膜性ポリマバインダ中に分散された、ガリウムフタロシアニンなどのフタロシアニン顔料、ポリ環状キノン顔料、アゾ顔料、ジブロモアンタントロン（dibromoanthanthrone）、スクアリリウム顔料、キナクリドン類、ジブロモアンタントロン顔料、ベンズイミダゾールペリレン、ペリレン顔料、アズレニウム顔料、置換２，４−ジアミノ−トリアジン類など、ならびにそれらの組合せおよび混合物が挙げられるが、これらに限定される訳ではない。多層の光発生層組成物は、光導電層が光発生層の性質を向上または抑制する場合に使用することができる。このタイプの構成の例は、本発明の譲受人に譲渡された米国特許第４，４１５，６３９号明細書に記載されている。所望によりその他の好適な光発生顔料を使用してもよい。本発明の譲受人に譲渡された米国特許第６，６４５，６８７号明細書および米国特許第６，４９２，０８０号明細書には、バインダ中に分散されたクロロガリウムフタロシアニン顔料のブレンド物を形成させるためのプロセスについての記載がある。それらの顔料粒子は典型的には、ＤＬＳによって測定して、約５０ｎｍ〜約５００ｎｍ、または約１００ｎｍ〜約３００ｎｍ、または約１５０ｎｍ〜約２５０ｎｍの粒径を有している。一般的には、２種の顔料をブレンドして使用する場合には、それらは、（９５：５）から（５：９５）まで、または（７０：３０）から（３０：７０）までの重量比で組み合わせる。３種の顔料を組み合わせる場合には、それぞれの顔料を１〜９８％の量で使用することができる。
【００２６】
顔料粒子のサイズは、ミリングによって小さくすることができる。本発明の譲受人に譲渡された米国特許第５，３５８，８１３号明細書および米国特許第５，６８８，６１９号明細書には、クロロガリウムフタロシアニン粒子を乾式摩砕させて、小さな粒径を有する顔料粒子を形成させるための、非限定的な例が与えられている。粒径を小さくするためのその他の方法としては、湿式摩砕（分散）たとえばボールミリング法、アトリターミリング法、ダイノミリング法、ナノマイザ法、カビプロ（Cavipro）法などが挙げられる。
【００２７】
電荷発生層において使用するのに好適なバインダとしては以下のものが挙げられる（これらに限定される訳ではない）。熱可塑性および熱硬化性樹脂、たとえばポリカーボネート類、ポリエステル類、たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリウレタン類、たとえばポリ（テトラメチレン  ヘキサメチレンジウレタン）、ポリスチレン類、たとえばポリ（スチレン−コ−無水マレイン酸）、ポリブタジエン類、たとえばポリブタジエン−グラフト−ポリ（アクリル酸メチル−コ−アクリロニトリル）、ポリスルホン類、たとえばポリ（１，４−シクロヘキサンスルホン）、ポリアリールエーテル類、たとえばポリ（フェニレンオキシド）、ポリアリールスルホン類、たとえばポリ（フェニレンスルホン）、ポリエーテルスルホン類、たとえばポリ（フェニレンオキシド−コ−フェニレンスルホン）、ポリエチレン類、たとえばポリ（エチレン−コ−アクリル酸）、ポリプロピレン類、ポリメチルペンテン類、ポリフェニレンスルフィド類、ポリ酢酸ビニル類、ポリビニルブチラール類、ポリシロキサン類、たとえばポリ（ジメチルシロキサン）、ポリアクリレート類、たとえばポリ（アクリル酸エチル）、ポリビニルアセタール類、ポリアミド類、たとえばポリ（ヘキサメチレンアジパミド）、ポリイミド類、たとえばポリ（ピロメリットイミド）、アミノ樹脂、たとえばポリ（ビニルアミン）、フェニレンオキシド樹脂、たとえばポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンオキシド）、テレフタル酸樹脂、フェノキシ樹脂、たとえばポリ（ヒドロキシエーテル）、エポキシ樹脂、たとえばポリ［（ｏ−クレジルグリシジルエーテル）−コ−ホルムアルデヒド］、フェノール樹脂、たとえばポリ（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール−コ−ホルムアルデヒド）、ポリスチレンとアクリロニトリルのコポリマ類、ポリ塩化ビニル類、ポリビニルアルコール類、ポリ−Ｎ−ビニルピロリジノン類、酢酸ビニルコポリマ類、アクリレートコポリマ類、塩化ビニルと酢酸ビニルとのコポリマ類、カルボキシル変性塩化ビニル／酢酸ビニルコポリマ類、ヒドロキシル変性塩化ビニル／酢酸ビニルコポリマ類、カルボキシル変性およびヒドロキシル変性塩化ビニル／酢酸ビニルコポリマ類、アルキド樹脂、セルロース系塗膜形成材、ポリ（アミドイミド）、スチレン−ブタジエンコポリマ類、塩化ビニリデン−塩化ビニルコポリマ類、酢酸ビニル−塩化ビニリデンコポリマ類、スチレン−アルキド樹脂、ポリビニルカルバゾール類など、ならびにそれらの組合せが挙げられる。これらのポリマは、ブロックコポリマ、ランダムコポリマ、あるいは交互コポリマなどであってもよい。
【００２８】
好適なバインダとしては、ターポリマおよびテトラポリマが挙げられる。バインダとして使用することが可能なターポリマの例を非限定的に挙げれば、塩化ビニルと酢酸ビニルとマレイン酸の反応生成物である。一つの実施態様においては、そのターポリマは、ターポリマのための反応剤の全重量を基準にして、約８０重量パーセント〜約８７重量パーセントの塩化ビニル、約１２重量パーセント〜約１８重量パーセントの酢酸ビニル、および約２重量パーセントまでのマレイン酸、いくつかの実施態様においては約０．５重量パーセント〜約２重量パーセントのマレイン酸の反応混合物から形成される。好適なバインダについてのさらなる記述が、米国特許出願公開第２００６／０２５７７６８号明細書にある。
【００２９】
顔料対バインダの重量比は、使用される顔料およびバインダのタイプに依存する。フタロシアニン顔料とビニル樹脂バインダとの系の場合、顔料対バインダの比率は典型的には、約（２０：８０）から約（９５：５）まで、または約（２０：８０）から約（９０：１０）まで、または約（４０：６０）から約（８０：２０）まで、または約（５０：５０）から約（７０：３０）までの間であるが、必ずしもこれらの範囲でなくてもよい。
【００３０】
通常、顔料は溶媒中に分散される。使用されるその特定のバインダを溶解させるには、各種適切な溶媒を使用することができる。典型的な低沸点溶媒としては、アルキレンハライド類、アルキルケトン類、アルコール類、エーテル類、エステル類、およびそれらの混合物などが挙げられるが、これらに限定される訳ではない。好適な溶媒の具体例としては、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、塩化メチレン、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、メチルエチルケトン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、およびそれらの組合せが挙げられる。相互に組み合わせたり、低沸点溶媒と組み合わせて使用したりすることが可能な好適な高沸点溶媒としては、アルキレンハライド類、アルキルケトル類、アルコール類、エーテル類、エステル類、芳香族化合物およびそれらの混合物などが挙げられる。好適な溶媒の具体例としては、酢酸ｎ−ブチル（ＮＢＡ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、シクロヘキサノン、トルエン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン、１，２，４−トリクロロベンゼン、前述の溶媒の１種または複数の混合物などが挙げられる。ＣｌＧａＰｃ顔料およびカルボキシル変性塩化／酢酸ビニルコポリマバインダと組み合わせるのに特に有用な溶媒のいくつかは、キシレンおよび酢酸ｎ−ブチルである。
【００３１】
成膜性バインダ中に顔料粒子を分散させるには、各種適切な方法を使用することができる。典型的な分散方法としては、たとえば、ボールミリング法、ロールミリング法、垂直アトリタ中ミリング法、サンドミリング法、ダイノミルミリング法、カビプロミリング法、ナノマイザミリング法などが挙げられる。顔料のブレンド物を使用する場合には、それらの顔料粒子を組み合わせた後でバインダ溶液の中に分散させることも可能であるし、あるいは、個別にバインダ溶液中に分散させ、得られた分散体を所望の割合で組み合わせてコーティング用途に使用することも可能である。それらの分散体のブレンドは、各種適切な方法で実施すればよい。さらに、各種のタイプの顔料粒子とバインダ溶液の独立した濃縮混合物を最初にミリングしておき、後ほどコーティング混合物調製プロセスにおいてそれらを組み合わせ、さらなるバインダ溶液を用いて希釈してもよい。
【００３２】
電荷発生層を基材に塗布するには、各種適切な方法を用いることができる。典型的なコーティング方法としては、ディップコーティング法、ロールコーティング法、スプレコーティング法、ブレードコーティング法、ワイヤバーコーティング法、ビーズコーティング法、フローコーティング法、ロータリアトマイザ法、スロットコーティング法、ダイコーティング法などが挙げられる。これらの塗布方法では、広い範囲の固形分濃度のものが使用できる。本明細書で使用するとき、「固形分（solids）」という用語は、コーティング分散体の顔料粒子およびバインダ成分を指す。
【００３３】
付着させたコーティングの乾燥には、各種の好適な従来からの方法が使用できるが、それらはたとえば、オーブン乾燥法、赤外線照射乾燥法、空気乾燥法などである。
【００３４】
電荷発生層を電荷輸送層とは独立して形成させる場合には、その乾燥させた電荷発生層は典型的には（必須という訳ではない）、０．０５〜約５ミクロン、または約０．１〜約２ミクロン、または約０．１５〜約１ミクロンの範囲の厚みを有するが、その厚みがこれらの範囲の外側であってもよい。
【００３５】
画像形成部材のための公知のオーバーコートを、加水分解シリカゲル、架橋シリコーンまたはポリアミド類から形成させる。電荷輸送層の電気的性質を実質的に低下させることなく機械的性質においてある程度の改良を得るために、典型的なコーティングは薄く、通常１０ミクロン未満、典型的には２〜５ミクロンである。各種の好適な方法を用いて、オーバーコート層のコーティング混合物を混合し、次いで下層に塗布することができる。典型的な塗布方法の例を挙げれば、スプレ法、ディップコーティング法、ロールコーティング法、巻線ロッドコーティング法、スロットコーティング法、ダイコーティング法などがある。付着させたコーティングの乾燥は、各種好適な従来からの方法で実施できるが、そのような方法としてはたとえば、オーブン乾燥法、赤外線照射乾燥法、空気乾燥法などが挙げられる。乾燥させた本発明のオーバーコーティングは、画像形成の際に正孔を輸送することができ、またあまりにも高いフリーキャリヤ濃度を有さない方がよい。オーバーコートの中のフリーキャリヤ濃度は、暗失活（dark decay）を増加させる。
【実施例】
【００３６】
＜実施例１＞
アルミニウム基材（３０×４０４ｍｍ、粗削り）に、１．１５μｍのアンダーコート（ＵＣ）層、電荷発生（ＣＧ）層、電荷輸送（ＣＴ）層の順でディップコーティングすることにより、電子写真（electrophotographic）画像形成部材デバイスを調製した。そのアンダーコート層は、３成分タイプで、最終的な厚みは約１ミクロンであった。その電荷発生層は、ＣｌＧａＰｃタイプＢ顔料／ビニル樹脂／キシレン／酢酸ｎ−ブチルの分散体であったが、ここでＣｌＧａＰｃタイプＢ顔料対ビニル樹脂バインダ（ユーカー（ＵＣＡＲ，商標）ＶＭＣＨ、ダウ・ケミカル（Dow Chemical）製）の重量比は、６０／４０（デバイスａ）または５２／４８（デバイスｂ）であった。デバイスａにおいては、キシレン対酢酸ｎ−ブチルの重量比は、６０／４０であった。デバイスｂにおいては、キシレン対酢酸ｎ−ブチルの重量比は、６７／３３であった。その電荷発生層の厚みは、推定で約０．２〜０．３ミクロンであった。その電荷輸送層は、テトラヒドロフランとトルエンの溶媒混合物中の、ポリテトラフルオロエチレン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（アルキルフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ｍＴＢＤ）およびポリカーボネート樹脂（三菱化学（株）（Mitsubishi Chemical Co.）製、ＰＣＺ４００）の電荷輸送混合物から形成させた。少量のフッ素化界面活性剤ＧＦ３００を使用して、ＰＴＦＥ粒子を安定化させた。単一回のディップコーティングにより、その電荷輸送層を塗布し、１２０℃で４０分かけて乾燥させた。その電荷輸送層の乾燥厚みは２９ミクロンであった。
【００３７】
先に示した式１を使用して、顔料粒子分離距離を計算すると、デバイスａでは２３ｎｍ、デバイスｂでは３０ｎｍであった。
【００３８】
図３に、本明細書においてはゴースト固着試験（ＧＦＴ：Goast Fixture Test）と呼ぶ、ゴースティング試験の結果を示す。通常の条件下で大量のプリントをさせる代わりに、このプリント試験は加速モードで実施した。この場合、その機械の第一バイアス転写ロールに供給する電流の大きさを、機械のための公称電力設定値（２６μＡ）から出発し、次いで徐々に上昇させて最高５２．５μＡになるよう、一連の所定値に調節した。そのバイアス転写ロールは、中間転写ベルト（ＩＴＢ）アセンブリの中に位置していて、ＩＴＢの裏側に接触して正電荷を供給することにより、感光体ドラムからＩＴＢへとトナーの転写を促進させる。転写電流を上昇させることによって、その電子写真（electrophotographic）画像形成部材についての高いストレス場条件下におけるゴースティング性能を試験したので、その結果、最小量のプリントしか必要としなかった。それぞれのレベルの転写電流で、予め定められたゴースティング文書をプリントさせ、次いでＩＱＦＡ（イメージ・クオリティ・アナリシス・ファシリティ（Image Quality Analysis Facility））画像解析システムにより解析するか、あるいは目視によりゴースティングレベルを決定するためのテンプレートと比較した。
【００３９】
図３に見られるように、ゴースト固着試験から、より高いＰ／Ｂ重量比を有するデバイス、すなわちデバイスａでは、最もストレスがかかった条件（stressed condition）、Ｊ−ゾーン（７０Ｆ、１０％Ｒ．Ｈ．）において、転写電流誘導ゴースティング（transfer current induced ghosting）が低下するということが判明した。図４から、ＣｌＧａＰｃタイプＢ／ビニル樹脂バインダの重量比が６０／４０であるデバイスａが、Ａ−ゾーン（８３Ｆ、８５％Ｒ．Ｈ．）ＨＭＴ試験（荷電および消去サイクルのハイパー・モード・試験（Hyper Mode Test））において良好なサイクリング性能を有しており、このことは、デバイスｂと実質的に同等であるということが判る。この図において、グラフの上側の線はＶｈｉｇｈを、下側の線はＶｒｅｓｉｄｕａｌを示している。これらの値はいずれも、サイクル試験期間全体にわたって安定であった。そのゴースティング試験は機械速度１９４ｍｍ／ｓで実施し、その結果６００，０００サイクルでのゴースティングレベルは−２であった。バックグラウンドプリント試験を５２ｍｍ／ｓで実施したが、試験の開始時では１の値であった。電荷欠陥スポット（charge deficient spot）（ＣＤＳ）試験を５２ｍｍ／ｓで実施したが、試験の開始時では０の値であった。プリントにおけるプライウッド現象（plywood phenomena）はまったく観察されなかった。
【００４０】
図５からは、デバイスａがＪ−ゾーンＨＭＴ試験においても良好なサイクリング性能を有していたことが判る。図５においては、グラフの上側の線はＶｈｉｇｈを、下側の線はＶｒｅｓｉｄｕａｌを示している。これらの値はいずれも、サイクル試験期間全体にわたって安定であった。そのゴースティング試験は機械速度１９４ｍｍ／ｓで実施し、その結果６００，０００サイクルでのゴースティングレベルは−３．５であった。バックグラウンドプリントおよびＣＤＳ試験の結果は、Ａ−ゾーンの場合の結果と同じであった。プリントにおけるプライウッド現象はまったく観察されなかった。
【００４１】
＜実施例２＞
実施例１と同様にして感光体デバイスをコーティングしたが、ただし、ＣｌＧａＰｃタイプＢに代えてＣｌＧａＰｃタイプＣを使用した。図６にＧＦＴ／ＩＱＦＴ試験の結果を示すが、これから、顔料対バインダの比がより高いデバイスでは、最もストレスが高い条件であるＪ−ゾーンにおいては、より低い顔料対バインダ比を有するデバイスよりも、転写電流誘導ゴースティングが低いことが判る。
【００４２】
＜実施例３＞
実施例１と同様にして感光体デバイスをコーティングしたが、ただし、電荷発生層に下記のような各種の分散体を使用した。
（３−１）ＣｌＧａＰｃタイプＣ／ＶＭＣＨ＝「６０／４０」、１８０ｍｍ／分、ＲＳＩ＝０．０２３：ＣｌＧａＰｃタイプＣ／ＶＭＣＨ／ＮＢＡ／キシレンＣＧ分散体、ＮＢＡ／キシレン＝５０／５０、７．５％固形分。
（３−２）ＣｌＧａＰｃタイプＣ／ＶＭＣＨ＝「６０／４０」、１６０ｍｍ／分、ＲＳＩ＝０．０２３：ＣｌＧａＰｃタイプＣ／ＶＭＣＨ／ＮＢＡ／キシレンＣＧ分散体、ＮＢＡ／キシレン＝５０／５０、７．５％固形分。
（３−３）ＣｌＧａＰｃタイプＣ／ＶＭＣＨ＝「６０／４０」、１８０ｍｍ／分、ＲＳＩ＝０．０３５（対照３として実施例２に同じ）：ＣｌＧａＰｃタイプＣ／ＶＭＣＨ／ＮＢＡ／キシレンＣＧ分散体、ＮＢＡ／キシレン＝６０／４０、７．５％固形分。
（３−Ｃ１）ＣｌＧａＰｃタイプＢ／ＶＭＣＨ＝「５２／４８」、１８０ｍｍ／分、ＲＳＩ＝０．０２２：ＣｌＧａＰｃタイプＢ／ＶＭＣＨ／ＮＢＡ／キシレンＣＧ分散体、ＮＢＡ／キシレン＝６７／３３、６．２％固形分［対照１］。
（３−Ｃ２）ＣｌＧａＰｃタイプＣ／ＶＭＣＨ＝「５２／４８」、１３０ｍｍ／分、ＲＳＩ＝０．０３０：ＣｌＧａＰｃタイプＣ／ＶＭＣＨ／ＮＢＡ／キシレンＣＧ分散体、ＮＢＡ／キシレン＝６７／３３、６．２％固形分［対照２］。
【００４３】
実験室で得られたＧＦＴ／ＩＱＡＦ試験の結果を図７に示す。図７から明らかなように、顔料／バインダ比が高いデバイスは、ストレスのかかった条件Ｊ−ゾーンにおいては転写電流ゴースティングが低下していた。
【００４４】
初期プリント試験を実施し、その初期プリント物についてゴースティング測定を行ない、それと共にプリントを繰り返して、５００プリントの後でゴースティング測定を行った。６０：４０の高い顔料対バインダ比を有するデバイスは、ストレスのかかった条件Ｊ−ゾーンおよびＡ−ゾーンのいずれにおいても、ゴースティングが低下していた。それらの試験結果を表２に示す。
【００４５】
【表２】
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【００４６】
表２の結果からも判るように、６０／４０の顔料対バインダ比を有する分散体から形成させた電荷発生層を有する感光体の方が、５２／４８の低い顔料対バインダ比を有するものの場合よりも、初期のゴースティングレベルと５００プリント後のゴースティングレベルが低い。本明細書において使用したゴースティング評点システムに従えば、ＪゾーンおよびＡゾーンの両方で＋４から−４までの間のゴースティングレベルであれば、受容可能である。図７から判るように、実施例３−１においては、平均ゴースティングレベル（Ｊ−ゾーン）は、３０〜５２．５μＡの試験範囲全体を通して−２より悪くはない。
【００４７】
相対散乱指数（relative scattering index）（ＲＳＩ）は、粒径の目安である。測定は、試験期間の開始時および数日後に再度実施した。ＲＳＩ値はそれらの測定の１回目と２回目の間では差がなかった。実施例３−１および３−２の粒径はいずれも充分に小さくて、Ａ−ゾーンにおいて受容可能なレベルのゴースティングが得られた。実施例３−１についてはＪ−ゾーンにおける試験も実施したが、受容可能なレベルのゴースティングを示すことが見出された。３−２に比較して粒径のより小さい実施例３−１においても、ゴースティングにおけるさらなる改良は得られなかった。
【００４８】
ここに開示された実施態様によって、通常の転写電流で運転するプリンタでは、そのゴースティングレベルが受容不能になるまでの時間をより長くすることができる。さらに、これらの実施態様では、高い転写電流、たとえば４７〜５２μＡの範囲のような転写電流でプリンタを運転した場合にも、受容可能なレベルのゴースティングを与える。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】多重層を有する電子写真（electrophotographic）画像形成部材の模式図である。
【図２】電荷発生層内の粒子分離距離Δを示した図である。
【図３】異なった顔料／バインダ比でＣｌＧａＰｃタイプＢ顔料を含む電荷発生層を有する感光体の場合の、各種の転写電流に対する平均ゴースティングレベル（Ｊ−ゾーン）を示すグラフである。
【図４】６０：４０の顔料対バインダ重量比を有する感光体のＨＭＴサイクリング性能（Ａ−ゾーン）を示すグラフである。
【図５】６０：４０の顔料対バインダ重量比を有する感光体のＨＭＴサイクリング性能（Ｊ−ゾーン）を示すグラフである。
【図６】いくつかの異なった顔料対バインダ重量比でＣｌＧａＰｃタイプＣ顔料を含む電荷発生層を有する感光体の場合の、各種の転写電流に対する平均ゴースティングレベル（Ｊ−ゾーン）を示すグラフである。
【図７】いくつかの異なった顔料対バインダ重量比でＣｌＧａＰｃタイプＢまたはＣｌＧａＰｃタイプＣ顔料を含む電荷発生層を有する感光体の場合の、各種の転写電流に対する平均ゴースティングレベル（Ｊ−ゾーン）を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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