(57)【要約】【課題】ダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法であって、簡便な方法によって湾曲した回路基板をフィルム貼り付け用ステージ及びボンディングステージに効果的に固定する。【解決手段】回路基板３５を吸着するボンディングステージ２４の基板吸着面２４ａに真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅを設ける。真空装置によって真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅの空気を吸引しながら、ボンディングアーム１５の先端に取り付けられたダイ取り付け用コレット１６で回路基板３５を押し下げる。回路基板３５に少なくとも１つの真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅの上面をシールさせることによって他の真空吸着キャビティの上面を連鎖的にシールさせ、全ての真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅの上面を回路基板３５でシールして回路基板３５をボンディングステージ２４に吸着させる。【選択図】図１６
2008270591.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板を吸着する基板吸着面に少なくとも１つの真空吸着キャビティを有するボンディングステージと、半導体ダイをボンディング対象に取り付けるダイ取り付け用コレットと、を備えるダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法であって、
回路基板が少なくとも１つの真空吸着キャビティをシールするように、ダイ取り付け用コレットによって湾曲回路基板をボンディングステージに向かって押し下げること、
を特徴とするダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法。
【請求項２】
回路基板を吸着する基板吸着面に少なくとも１つの真空吸着キャビティを有するボンディングステージと、半導体ダイをボンディング対象に取り付けるダイ取り付け用コレットと、回路基板を吸着する基板吸着面に少なくとも１つの真空吸着キャビティを有するフィルム貼り付け用ステージと、半導体ダイ接合用フィルムをボンディング対象に貼り付けるフィルム貼り付け用コレットと、を備え、半導体ダイ接合用フィルムを介して半導体ダイをボンディング対象に接合するダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法であって、
回路基板が少なくとも１つの真空吸着キャビティをシールするように、フィルム貼り付け用コレットによって湾曲回路基板をフィルム貼り付け用ステージに向かって押し下げること、
を特徴とするダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法。
【請求項３】
請求項２に記載のダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法であって、
フィルム貼り付け用コレットの先端面の大きさは、半導体ダイの周縁に配置された電極パッド領域の内側にある中央領域よりも小さく、
回路基板に半導体ダイを多段積層接合する際に、フィルム貼り付け用コレットによって湾曲回路基板上に一段又は多段に取り付けられている半導体ダイの最上段にある半導体ダイの中央領域を介して湾曲回路基板をフィルム貼り付け用ステージに向かって押し下げること、
を特徴とするダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法。
【請求項４】
請求項２又は３に記載のダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法であって、
回路基板に半導体ダイを多段積層接合する際に、ダイ取り付け用コレットによって湾曲回路基板上に一段又は多段に取り付けられている半導体ダイの最上段にある半導体ダイ上に貼り付けられている半導体ダイ接合用フィルムを介して湾曲回路基板をボンディングステージに向かって押し下げること、
を特徴とするダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法。
【請求項５】
請求項４に記載のダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法であって、
ダイ取り付け用コレットの先端面の大きさは、半導体ダイの周縁に配置された電極パッド領域の内側にある中央領域よりも小さく、
半導体ダイの中央領域に貼り付けられた半導体ダイ接合用フィルムを介して湾曲回路基板をボンディングステージに向かって押し下げること、
を特徴とするダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載のダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法であって、ボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに向かって湾曲回路基板を押し下げた後、
回路基板がボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに真空吸着されているかどうかを確認する真空吸着状態確認工程と、
真空吸着状態確認工程において、真空吸着状態の確認ができなかった場合に湾曲回路基板を押し下げるＸＹ方向の位置を変更し、変更位置にダイ取り付け用コレット又はフィルム貼り付け用コレットを移動させた後、再度ボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに向かって湾曲回路基板を押し下げる再押し下げ工程と、
を有することを特徴とするダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法。
【請求項７】
回路基板を吸着する基板吸着面に少なくとも１つの真空吸着キャビティを有するボンディングステージと、半導体ダイをボンディング対象に取り付けるダイ取り付け用コレットと、回路基板を吸着する基板吸着面に少なくとも１つの真空吸着キャビティを有するフィルム貼り付け用ステージと、半導体ダイ接合用フィルムを回路基板に貼り付けるフィルム貼り付け用コレットと、を備え、半導体ダイ接合用フィルムを介して半導体ダイをボンディング対象に接合するダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法であって、
ボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージ上に搬送された湾曲回路基板の位置を確認した後、各ステージに接続されている真空装置を起動する回路基板セット工程と、
回路基板セット工程の後に、湾曲回路基板を押し下げるＸＹ方向の位置を設定する回路基板押し下げ位置設定工程と、
回路基板押し下げ位置設定工程によって設定したＸＹ方向の位置にダイ取り付け用コレット又はフィルム貼り付け用コレットを移動させるコレット移動工程と、
回路基板が少なくとも１つの真空吸着キャビティをシールするように、ダイ取り付け用コレット又はフィルム貼り付け用コレットによって湾曲回路基板をボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに向かって押し下げる押し下げ工程と、
押し下げ工程の後、回路基板がボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに真空吸着されているかどうかを確認する真空吸着状態確認工程と、
真空吸着状態確認工程において、真空吸着状態の確認ができなかった場合に湾曲回路基板を押し下げるＸＹ方向の位置を変更し、変更位置にダイ取り付け用コレット又はフィルム貼り付け用コレットを移動させた後、再度ボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに向かって湾曲回路基板を押し下げる再押し下げ工程と、
を有することを特徴とするダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法。
【請求項８】
回路基板を吸着する基板吸着面に少なくとも１つの真空吸着キャビティを有するボンディングステージと、半導体ダイをボンディング対象に取り付けるダイ取り付け用コレットと、回路基板を吸着する基板吸着面に少なくとも１つの真空吸着キャビティを有するフィルム貼り付け用ステージと、半導体ダイ接合用フィルムをボンディング対象に貼り付けるフィルム貼り付け用コレットと、制御部を含むコンピュータと、を備え、半導体ダイ接合用フィルムを介して半導体ダイをボンディング対象に接合するダイボンダの制御部に実行させる湾曲回路基板の固定プログラムであって、
ボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージ上に搬送された湾曲回路基板の位置を確認した後、各ステージに接続されている真空装置を起動する回路基板セット処理手順と、
回路基板セット処理手順の後に、湾曲回路基板を押し下げるＸＹ方向の位置を設定する回路基板押し下げ位置設定処理手順と、
回路基板押し下げ位置設定処理手順によって設定したＸＹ方向の位置にダイ取り付け用コレット又はフィルム貼り付け用コレットを移動させるコレット移動処理手順と
回路基板が少なくとも１つの真空吸着キャビティをシールするように、ダイ取り付け用コレット又はフィルム貼り付け用コレットによって湾曲回路基板をボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに向かって押し下げる押し下げ処理手順と、
押し下げ処理手順の後、回路基板がボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに真空吸着されているかどうかを確認する真空吸着状態確認処理手順と、
真空吸着状態確認処理手順において、真空吸着状態の確認ができなかった場合に湾曲回路基板を押し下げるＸＹ方向の位置を変更し、変更位置にダイ取り付け用コレット又はフィルム貼り付け用コレットを移動させた後、再度ボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに向かって湾曲回路基板を押し下げる再押し下げ処理手順と、
を有することを特徴とする湾曲回路基板の固定プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイボンダにおける湾曲した回路基板をボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに吸着、固定する方法及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板に半導体ダイを接合するダイボンダは、搬送されてくる回路基板をボンディングステージの上面に真空吸着固定した状態で半導体ダイのボンディングを行う。一方、近年の半導体パッケージの薄型化の要求、高機能要求及び製造効率化の要求から、回路基板の薄板化、大型化が進むと共に、ダイの多層装着、いわゆるスタッキングが多用されるようになってきている（例えば特許文献１参照）。回路基板が薄くなると回路基板自体に湾曲あるいは反りが生じてしまい、ボンディングステージで回路基板を吸着して真空固定することができず、ダイボンディングができなくなる場合があった。また、近年多く用いられている多段装着の場合には、半導体ダイを接合することによって回路基板に反りが発生するので、装着段数が多くなってくるほど回路基板の反りが大きくなり、ボンディングステージに吸着することが困難で、ダイボンディングができなくなるという場合があった。
【０００３】
また、近年、半導体ダイを回路基板に接合する際に、熱圧着フィルムを回路基板に貼り付けた後、その熱圧着フィルムの上から半導体ダイを圧着、加熱して半導体ダイを回路基板に接合する方法が用いられている（例えば、特許文献１参照）。この方法によって半導体ダイを多段積層する際には、半導体ダイの上に熱圧着フィルムを貼り付け、その上から更に半導体ダイを圧着、加熱するようにして多段積層していく。回路基板あるいは下段の半導体ダイの上に半導体ダイを密着して接合させるためには、回路基板上あるいは半導体ダイの上に薄い熱圧着フィルムを一様に貼り付けることが必要である。そのため、熱圧着フィルムは、ダイボンディングを行うボンディングステージと同様に回路基板をフィルム貼り付け用ステージに真空吸着固定した状態で貼り付けられる。半導体ダイを多段積層する場合には、装着段数が多くなってくるにつれて回路基板の湾曲が大きくなってくるので、フィルム貼り付け用ステージにおいても回路基板が吸着できず、ダイボンディングができなくなるという場合があった。
【０００４】
このように湾曲した回路基板あるいは、半導体ダイが装着されて湾曲した回路基板をボンディングステージ等に確実に吸着固定する方法として、内部に真空吸引孔を備えた吸着筒をボンディングステージに貫通させて上下に移動させる吸着固定装置がある。これは、半導体ダイが装着されて湾曲した回路基板がボンディングステージに搬送されてきたら、吸着筒を回路基板に当たるように上昇させて、内部の真空吸引孔によって回路基板を吸着し、この吸着筒を下降させて基板吸着面の真空吸引孔で回路基板を吸着固定するものである（例えば、特許文献２参照）。また、ボンディングステージの貫通孔にベロー型の真空グリッパを上下に可動するように取り付けて回路基板を基板吸着面に引き込む方法がある（例えば、特許文献３参照）。
【０００５】
一方、回路基板に半導体ダイを接合する場合や、回路基板上に接合した半導体ダイの上に半導体ダイを積層接合する場合に回路基板あるいは回路基板上の半導体ダイを加熱することが必要な場合がある。ところが、特許文献２、３に示す従来技術の回路基板の吸着機構は、ボンディングステージ下部に吸着筒や真空グリッパを上下させる上下動機構を備えているためボンディングステージ下部に加熱機構を取り付けられず、ボンディングと加熱を同時に行うボンディング装置には用いることができないという問題があった。
【０００６】
このため、回路基板をボンディングステージの下からボンディングステージ上に引き込むのではなく、回路基板の上面からボンディングステージに回路基板を押し下げる方法が提案されている。例えば、図２０に示されているように、フレームフィーダ１７に沿ってボンディングステージ２４の上に搬送された湾曲した回路基板３５に、回路基板３５の上面の配設されたエアノズル７１から空気を吹き付けて回路基板３５をボンディングステージ２４の基板吸着面２４ａに押し下げて、真空吸引孔２７によって回路基板３５を吸着固定する方法がある（例えば、特許文献２参照）。また、図２１に示されているように、半導体ダイ２５が装着された回路基板３５の両側をグリッパエレメント７３ａ，７３ｂで挟んで両側に引っ張って平らにすると共に、回路基板３５をボンディングステージ２４に押しつけるようグリッパ７３を下動させる。そして、回路基板３５をボンディングステージ２４の基板吸着面２４ａに押し付けて、真空吸引孔２７によって吸着固定する方法がある（例えば、特許文献４参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−６５９９号公報
【特許文献２】特開２０００−１３８２５３号公報
【特許文献３】特開２００１−２０３２２２号公報
【特許文献４】特開２００１−１７６９１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、図２０に示された従来技術では、空気を上面から吹き付けると、すでに半導体ダイ２５と回路基板３５との間に接続されているワイヤ３４が風圧で曲がってしまい、ワイヤ３４同士が接触してしまうという問題があった。また、図２１に示された従来技術では、ボンディングステージ２４の下部にグリッパの駆動機構を配設する必要はないものの、ボンディングステージ２４の横に大きな駆動機構を取り付ける必要があることから装置が大型、複雑になってしまうという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、ダイボンダにおいて、簡便な方法によって湾曲した回路基板をボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに効果的に固定することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法は、回路基板を吸着する基板吸着面に少なくとも１つの真空吸着キャビティを有するボンディングステージと、半導体ダイをボンディング対象に取り付けるダイ取り付け用コレットと、を備えるダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法であって、回路基板が少なくとも１つの真空吸着キャビティをシールするように、ダイ取り付け用コレットによって湾曲回路基板をボンディングステージに向かって押し下げること、を特徴とする。
【００１１】
本発明のダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法は、回路基板を吸着する基板吸着面に少なくとも１つの真空吸着キャビティを有するボンディングステージと、半導体ダイをボンディング対象に取り付けるダイ取り付け用コレットと、回路基板を吸着する基板吸着面に少なくとも１つの真空吸着キャビティを有するフィルム貼り付け用ステージと、半導体ダイ接合用フィルムをボンディング対象に貼り付けるフィルム貼り付け用コレットと、を備え、半導体ダイ接合用フィルムを介して半導体ダイをボンディング対象に接合するダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法であって、回路基板が少なくとも１つの真空吸着キャビティをシールするように、フィルム貼り付け用コレットによって湾曲回路基板をフィルム貼り付け用ステージに向かって押し下げること、を特徴とする。
【００１２】
本発明のダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法において、フィルム貼り付け用コレットの先端面の大きさは、半導体ダイの周縁に配置された電極パッド領域の内側にある中央領域よりも小さく、回路基板に半導体ダイを多段積層接合する際に、フィルム貼り付け用コレットによって湾曲回路基板上に一段又は多段に取り付けられている半導体ダイの最上段にある半導体ダイの中央領域を介して湾曲回路基板をフィルム貼り付け用ステージに向かって押し下げること、としても好適であるし、回路基板に半導体ダイを多段積層接合する際に、ダイ取り付け用コレットによって湾曲回路基板上に一段又は多段に取り付けられている半導体ダイの最上段にある半導体ダイ上に貼り付けられている半導体ダイ接合用フィルムを介して湾曲回路基板をボンディングステージに向かって押し下げること、としても好適であるし、ダイ取り付け用コレットの先端面の大きさは、半導体ダイの周縁に配置された電極パッド領域の内側にある中央領域よりも小さく、半導体ダイの中央領域に貼り付けられた半導体ダイ接合用フィルムを介して湾曲回路基板をボンディングステージに向かって押し下げること、としても好適であるし、ボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに向かって湾曲回路基板を押し下げた後、回路基板がボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに真空吸着されているかどうかを確認する真空吸着状態確認工程と、真空吸着状態確認工程において、真空吸着状態の確認ができなかった場合に湾曲回路基板を押し下げるＸＹ方向の位置を変更し、変更位置にダイ取り付け用コレット又はフィルム貼り付け用コレットを移動させた後、再度ボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに向かって湾曲回路基板を押し下げる再押し下げ工程と、を有すること、としても好適である。
【００１３】
本発明のダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法は、回路基板を吸着する基板吸着面に少なくとも１つの真空吸着キャビティを有するボンディングステージと、半導体ダイをボンディング対象に取り付けるダイ取り付け用コレットと、回路基板を吸着する基板吸着面に少なくとも１つの真空吸着キャビティを有するフィルム貼り付け用ステージと、半導体ダイ接合用フィルムを回路基板に貼り付けるフィルム貼り付け用コレットと、を備え、半導体ダイ接合用フィルムを介して半導体ダイをボンディング対象に接合するダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法であって、ボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージ上に搬送された湾曲回路基板の位置を確認した後、各ステージに接続されている真空装置を起動する回路基板セット工程と、回路基板セット工程の後に、湾曲回路基板を押し下げるＸＹ方向の位置を設定する回路基板押し下げ位置設定工程と、回路基板押し下げ位置設定工程によって設定したＸＹ方向の位置にダイ取り付け用コレット又はフィルム貼り付け用コレットを移動させるコレット移動工程と、回路基板が少なくとも１つの真空吸着キャビティをシールするように、ダイ取り付け用コレット又はフィルム貼り付け用コレットによって湾曲回路基板をボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージ向かって押し下げる押し下げ工程と、押し下げ工程の後、回路基板がボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに真空吸着されているかどうかを確認する真空吸着状態確認工程と、真空吸着状態確認工程において、真空吸着状態の確認ができなかった場合に湾曲回路基板を押し下げるＸＹ方向の位置を変更し、変更位置にダイ取り付け用コレット又はフィルム貼り付け用コレットを移動させた後、再度ボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに向かって湾曲回路基板を押し下げる再押し下げ工程と、を有することを特徴とする。
【００１４】
本発明の湾曲回路基板の固定プログラムは、回路基板を吸着する基板吸着面に少なくとも１つの真空吸着キャビティを有するボンディングステージと、半導体ダイをボンディング対象に取り付けるダイ取り付け用コレットと、回路基板を吸着する基板吸着面に少なくとも１つの真空吸着キャビティを有するフィルム貼り付け用ステージと、半導体ダイ接合用フィルムをボンディング対象に貼り付けるフィルム貼り付け用コレットと、制御部を含むコンピュータと、を備え、半導体ダイ接合用フィルムを介して半導体ダイをボンディング対象に接合するダイボンダの制御部に実行させる湾曲回路基板の固定プログラムであって、ボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージ上に搬送された湾曲回路基板の位置を確認した後、各ステージに接続されている真空装置を起動する回路基板セット処理手順と、回路基板セット処理手順の後に、湾曲回路基板を押し下げるＸＹ方向の位置を設定する回路基板押し下げ位置設定処理手順と、回路基板押し下げ位置設定処理手順によって設定したＸＹ方向の位置にダイ取り付け用コレット又はフィルム貼り付け用コレットを移動させるコレット移動処理手順と回路基板が少なくとも１つの真空吸着キャビティをシールするように、ダイ取り付け用コレット又はフィルム貼り付け用コレットによって湾曲回路基板をボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに向かって押し下げる押し下げ処理手順と、押し下げ処理手順の後、回路基板がボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに真空吸着されているかどうかを確認する真空吸着状態確認処理手順と、真空吸着状態確認処理手順において、真空吸着状態の確認ができなかった場合に湾曲回路基板を押し下げるＸＹ方向の位置を変更し、変更位置にダイ取り付け用コレット又はフィルム貼り付け用コレットを移動させた後、再度ボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに向かって湾曲回路基板を押し下げる再押し下げ処理手順と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、ダイボンダにおいて、簡便な方法によって湾曲した回路基板をボンディングステージ又はフィルム貼り付け用ステージに効果的に固定することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明のダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法の好適な実施形態について説明する。湾曲回路基板の固定方法の実施形態について説明する前に、ダイボンダの構成について図面を参照しながら説明する。
【００１７】
図１及び図２に示すように、ダイボンダ１０は、半導体ダイ接合用熱圧着フィルムの貼り付けのために回路基板３５を吸着固定するフィルム貼り付け用ステージ２２と、回路基板３５又は、すでにボンディングされた半導体ダイ２５の上に半導体ダイ接合用の熱圧着フィルム２３を貼り付けるフィルム貼り付けへッド１１と、フィルム貼り付けへッド１１をＸＹ方向に駆動するＸＹテーブル４１と、半導体ダイ２５の取り付けのために回路基板３５を吸着固定するボンディングステージ２４と、熱圧着フィルム２３の上から半導体ダイ２５を熱圧着するボンディングへッド１４と、ボンディングへッド１４をＸＹ方向に駆動するＸＹテーブル４２と、回路基板３５をフィルム貼り付け用ステージ２２とボンディングステージ２４とに供給するフレームフィーダ１７と、熱圧着フィルムテープ５９を切断して熱圧着フィルム２３とするカッタ６０と、カッタ６０に熱圧着フィルムテープ５９を搬送する熱圧着フィルム搬送装置５１と、ダイシングしたウエハを保持するウエハホルダ１８を備えている。以下、回路基板３５の送り方向をＸ方向、水平面内にあるＸ方向と直角方向をＹ方向、上下方向をＺ方向として説明する。
【００１８】
フィルム貼り付けへッド１１は、ＸＹ平面内で自在に移動でき、先端にフィルム貼り付け用コレット１３が取り付けられたフィルム貼り付けアーム１２を備えている。また、フィルム貼り付けへッド１１の内部には、フィルム貼り付けアーム１２の先端をＺ方向に移動させるＺ方向モータを備えている。フィルム貼り付けアーム１２の先端のフィルム貼り付け用コレット１３は、フィルム貼り付けへッド１１のＸＹ方向の移動とＺ方向モータによってＸＹＺ方向に自在に移動することができるように構成されている。
【００１９】
ボンディングへッド１４もフィルム貼り付けへッド１１と同様に、ＸＹ平面内で自在に移動でき、先端にダイ取り付け用コレット１６が取り付けられたボンディングアーム１５を備えている。ボンディングへッド１４の内部には、ボンディングアーム１５の先端をＺ方向に移動させるＺ方向モータを備えている。ボンディングアーム１５の先端のダイ取り付け用コレット１６は、ボンディングへッド１４のＸＹ方向の移動とＺ方向モータによってＸＹＺ方向に自在に移動することができるように構成されている。
【００２０】
フレームフィーダ１７は、ダイボンダ１０のＸ方向に延びて対向して配置された２本の溝型のガイドレールと図示しないリードフレーム搬送装置を備えている。そしてフレームフィーダ１７の一端には回路基板３５をフレームフィーダ１７に供給するフレームローダ２０を備え、他の一端にはダイボンディングが終了した回路基板３５をフレームフィーダ１７から取り出すフレームアンローダ２１を備えている。
【００２１】
図１及び図２に示すように、フィルム貼り付けへッド１１のＹ方向位置にはフレームフィーダ１７を挟んで熱圧着フィルム搬送装置５１とカッタ６０とが備えられている。熱圧着フィルム搬送装置５１は、熱圧着フィルムテープ５９を案内するガイド５３と、熱圧着フィルムテープ５９を吸着して引き出す引き出しアーム５６と、引き出された熱圧着フィルムテープ５９を吸着保持する保持基板５５と、を備えている。また、図１及び図２に示すように、カッタ６０は、ガイド５３と保持基板５５のフィルム貼り付けへッド１１の反対側に設けられ、ガイド５３と保持基板５５との間で熱圧着フィルムテープ５９を切断し、熱圧着フィルム２３とするように構成されている。
【００２２】
図１及び２に示すように、ボンディングへッド１４のＹ方向位置にはフレームフィーダ１７を挟んでウエハホルダ１８が設けられている。ウエハホルダ１８にはダイ突き上げユニット１９が備えられている。ダイ突き上げユニット１９は、ウエハホルダ１８に保持されたウエハの中の１つの半導体ダイ２５を突き上げて、他の半導体ダイ２５との間に高低差を持たせ、ダイ取り付け用コレット１６がその１つの半導体ダイ２５を吸着することができるようにする装置である。
【００２３】
このように構成された、ダイボンダ１０のボンディング動作について簡単に説明する。熱圧着フィルム搬送装置５１によってガイド５３から保持基板５５の上に引き出された熱圧着フィルムテープ５９は、カッタ６０によって切断され、保持基板５５の上に熱圧着フィルム２３が形成される。一方、フレームローダ２０から供給された回路基板３５はフレームフィーダ１７によってフィルム貼り付け用ステージ２２の位置までＸ方向に送られてくる。送られてきた回路基板３５はフィルム貼り付け用ステージ２２に吸着固定される。回路基板３５が吸着固定されると、フィルム貼り付けへッド１１はフィルム貼り付けコレット１３をＸＹＺ方向に動作させて熱圧着フィルム２３を保持基板５５の上からピックアップし、回路基板３５の所定の位置に貼り付ける。全ての位置への熱圧着フィルム２３の貼り付けが終了すると、回路基板３５はフィルム貼り付け用ステージからリリースされ、フレームフィーダ１７によってボンディングステージ２４の位置までＸ方向に送られる。送られてきた回路基板３５はボンディングステージ２４に吸着固定される。回路基板３５が吸着固定されると、ボンディングへッド１４はダイ取り付け用コレット１６をＸＹＺ方向に動作させて、ダイ突き上げユニット１９によって突き上げられた半導体ダイ２５をウエハホルダ１８上のウエハからピックアップし、回路基板３５の熱圧着フィルム２３の上に圧着する。この際、回路基板３５は加熱されており熱圧着フィルム２３の接合用樹脂が溶けて半導体ダイ２５は回路基板３５の上に固定される。前述の動作を繰り返し行い回路基板３５に搭載すべき半導体ダイ２５を全て搭載した後に、半導体ダイ２５が固定された回路基板３５はフレームフィーダ１７によってフレームアンローダ２１に搬送され、取り出されて次の半導体製造工程に送られる。
【００２４】
以上説明したダイボンダ１０における湾曲回路基板の固定方法について説明する。以下の説明では各図におけるＸＹＺの方向は図１、図２で説明したＸＹＺの方向と同一方向である。また、図１、図２で説明したのと同様の部位には同様の符号を付して説明は省略する。
【００２５】
図３に示すように本実施形態のダイボンダ１０はＸＹテーブル４１，４２の上に設置されたフィルム貼り付けへッド１１とボンディングへッド１４とを備え、フィルム貼り付けへッド１１とボンディングへッド１４とはそれぞれフィルム貼り付けアーム１２、ボンディングアーム１５を備えている。フィルム貼り付けアーム１２の先端には、半導体ダイ接合用の熱圧着フィルム２３をボンディング対象である回路基板３５又は回路基板３５の上に接合された半導体ダイ２５に貼り付けるフィルム貼り付け用コレット１３が取り付けられ、ボンディングアーム１５の先端には、半導体ダイ２５をボンディング対象である回路基板３５又は回路基板３５の上に接合された半導体ダイ２５に取り付けるダイ取り付け用コレット１６が取り付けられている。各ＸＹテーブル４１，４２と各ヘッド１１，１４は各移動機構４３，４４を構成し、各移動機構４３，４４は各ＸＹテーブル４１，４２によって各ヘッド１１，１４を水平面内(ＸＹ面内)で自在な位置に移動することができ、これに取り付けられたフィルム貼り付けアーム１２、ボンディングアーム１５をＺ方向に駆動させることによって、フィルム貼り付けアーム１２、ボンディングアーム１５の先端に取り付けられた各コレット１３，１６をＸＹＺの方向に自在に移動させることができる。各ＸＹテーブル４１，４２には各コレット１３，１６の先端のＸＹ方向の位置を検出するＸＹ位置検出手段３６が備えられている。このＸＹ位置検出手段３６はフィルム貼り付けへッド１１、ボンディングへッド１４の所定個所のＸＹ座標位置を検出し、この所定個所と各コレット１３，１６の先端とのＸＹ方向の距離を補正することによって各コレット１３，１６の先端のＸＹ位置を検出するものである。ＸＹ位置検出手段３６は電気式、光学式などの非接触式のものでもよいし、機械式の接触式であってもよい。また、ＸＹ位置検出手段３６は各コレット１３，１６の先端のＸＹ位置を測定できれば、フィルム貼り付けへッド１１、ボンディングへッド１４の所定個所のＸＹ位置の測定値を補正せず、直接各コレット１３，１６の先端位置を測定するＸＹ位置センサであってもよい。更に、ＸＹ位置検出手段３６はリニアスケールであってもよい。フィルム貼り付けへッド１１，ボンディングへッド１４には各コレット１３，１６の先端にかかる荷重を検出する荷重センサ３２が備えられている。また、フィルム貼り付けへッド１１、ボンディングヘッド１４には各コレット１３，１６と半導体ダイ２５と半導体ダイ接合用の熱圧着フィルム２３と回路基板３５の画像の撮像を行う撮像手段４０が取り付けられている。
【００２６】
回路基板３５を吸着固定するフィルム貼り付け用ステージ２２及びボンディングステージ２４は図示しないダイボンダフレームに取り付けられている。フィルム貼り付け用ステージ２２及びボンディングステージ２４の両側には回路基板３５をガイド、搬送するフレームフィーダ１７が固定されており、フレームフィーダ１７の近傍には回路基板３５を挟みこんで所定の位置へ移動させる回路基板位置出しクランプ機構３０が取り付けられている。フィルム貼り付け用ステージ２２及びボンディングステージ２４にはそれぞれ、回路基板３５によって上面がシールされることによって真空状態となる複数の真空吸着キャビティ２８が形成され、真空吸着キャビティ２８の下部には真空吸引孔２７が開けられている。真空吸引孔２７は真空配管３３によって真空装置２６に接続されている。そして、フィルム貼り付け用ステージ２２及びボンディングステージ２４の近傍には、それぞれ真空吸着キャビティ２８の圧力を検出する圧力センサ２９が取り付けられている。圧力センサ２９は連続的に測定圧力信号を出力するものでもよいし、所定の圧力に達した時に信号を出力する圧力スイッチでもよい。圧力センサ２９は各真空吸着キャビティ２８の圧力を検出するように複数取り付けてもよいし、真空吸着キャビティ２８の下の真空吸引孔２７に取り付けてもよいし、真空装置２６と真空吸引孔２７を接続している真空配管３３の一箇所あるいは複数個所に取り付けてもよい。また、フィルム貼り付け用ステージ２２及びボンディングステージ２４の下部には真空吸着した半導体ダイ２５が装着された回路基板３５を加熱するヒートブロック３１が取り付けられている。
【００２７】
各移動機構４３，４４は移動機構インターフェース９０に接続され、各へッド１１，１４に設けられた各ＸＹ位置検出手段３６はＸＹ位置検出手段インターフェース９１に接続され、各へッド１１，１４に設けられた各荷重センサ３２は荷重センサインターフェース８９に接続され、各へッド１１，１４にはデジタルイメージセンサを備える各撮像手段４０が設けられ、各撮像手段４０は撮像手段インターフェース８８に接続され、回路基板位置出しクランプ機構３０は回路基板位置出しクランプ機構インターフェース８７に接続され、各ステージ２２，２４の各圧力センサ２９は圧力センサインターフェース８６に接続され、真空装置２６は真空装置インターフェース８４に接続され、各ステージ２２，２４に設けられた各ヒートブロック３１はヒートブロックインターフェース８５に接続されている。そして、各インターフェースはデータバス８２を介してダイボンダ１０の制御を行う制御部８１に接続されている。制御部８１は内部に制御用のＣＰＵを含み、データバス８２には制御用データを記憶している記憶部８３が接続されている。制御部８１と、各インターフェース８４〜９１と、記憶部８３とデータバス８２とはコンピュータ８０を構成する。上記の各インターフェース８４〜９１は各へッド１１，１４に１つずつ設けられていてもよいし、各へッド１１，１４にそれぞれ共通のインターフェースとしても良い。更に、制御部８１も各へッド１１，１４に共通で１つ設けられるように構成しても良いし、各へッド１１，１４にそれぞれ設けられるように構成してもよい。
【００２８】
図４及び図５を参照しながら、上記のダイボンダ１０のフィルム貼り付け用ステージ２２及びボンディングステージ２４回りについて詳しく説明する。図４に示すようにフィルム貼り付け用ステージ２２及びボンディングステージ２４はフレームフィーダ１７の間に配設された四角い平板ブロックである。そして、フィルム貼り付け用ステージ２２及びボンディングステージ２４の基板吸着面２２ａ，２４ａ中央のＹ方向中心線３８上に並んだ複数の真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅが形成されている。真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅはＹ方向中心線３８とＸ方向中心線３９の双方に対して略４５度の傾きをもって交差したＸ型の四角断面溝であり、その各中心点に真空吸引孔２７ａ〜２７ｅが開けられている。上記の真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅのＸ型の溝の長さは回路基板３５に装着される半導体ダイ２５の対角線長さより少し短い長さとなっている。真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅの溝の断面形状は四角に限らず、半円形など他の形状でもよい。また、平面形状は回路基板３５を効率的に吸着できるよう真空吸引孔２７ａ〜２７ｅの中心から放射状に形成された溝であればＸ型に限らず十字形状や星型形状などであってもよい。半導体ダイ接合用の熱圧着フィルム２３の貼り付けにおいては、回路基板３５の半導体ダイ２５の取り付け中心位置がフィルム貼り付け用ステージ２２のＹ方向中心線３８上に来るように回路基板３５の位置がセットされる。回路基板３５のこの位置をフィルム貼り付け位置という。また、半導体ダイ２５のボンディングにおいては回路基板３５の半導体ダイ２５の取り付け位置の中心がボンディングステージ２４のＹ方向中心線３８上に来るように回路基板３５の位置がセットされる。回路基板３５のこの位置をボンディング位置という。
【００２９】
図５は図４に示したＹ方向中心線３８に沿ったフィルム貼り付け用ステージ２２及びボンディングステージ２４の断面図で、真空吸着キャビティ２８は溝の長手方向の断面を示してある。図５に示すように、フィルム貼り付け用ステージ２２及びボンディングステージ２４はベース３７の上に固定されたヒートブロック３１の上に重ねて固定されている。各真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅの中心の各真空吸引孔２７ａ〜２７ｅはフィルム貼り付け用ステージ２２及びボンディングステージ２４の内部で集合管に接続されてフィルム貼り付け用ステージ２２及びボンディングステージ２４からベース３７の下部に導かれている。そしてベース３７の下部において、真空配管３３が接続されている。各真空吸引孔２７ａ〜２７ｅはフィルム貼り付け用ステージ２２及びボンディングステージ２４の内部で集合管を構成せずにそれぞれフィルム貼り付け用ステージ２２又はボンディングステージ２４の下側に貫通し、各貫通部に真空配管３３が接続され、真空配管３３の途中で１つの集合管にまとめられて真空装置２６に接続されるように構成されていてもよい。真空装置２６はフィルム貼り付け用ステージ２２及びボンディングステージ２４で共通としても良いし、各ステージ２２，２４に対して１つずつ設けられていてもよい。
【００３０】
図６はダイ取り付け用コレット１６の詳細を示す図で、図６（ａ）はダイ取り付け用コレット１６の端面を示す平面図であり、図６（ｂ）は側断面図である。図６に示すように、ダイ取り付け用コレット１６は先端に半導体ダイ２５を吸着保持するための真空吸引孔１６ａと真空吸着キャビティ１６ｂとを備えている。真空吸引孔１６ａは図示しない真空装置に接続されている。真空吸着キャビティ１６ｂは略４５度の傾きをもって交差したＸ型の四角断面溝であり、その各中心点に真空吸引孔１６ａが開けられている。真空吸着キャビティ１６ｂの溝の断面形状は四角に限らず、半円形など他の形状でもよい。また、平面形状は半導体ダイ２５を効率的に吸着できるよう真空吸引孔１６ａの中心から放射状に形成された溝であればＸ型に限らず十字形状や星型形状などであってもよい。ダイ取り付け用コレット１６の先端面の大きさは、半導体ダイ２５の周縁に設けられた電極パッド２５ａのある周縁領域２５ｂの内側にある中央領域２５ｃよりも小さくなっており、半導体ダイ２５を回路基板３５に多段積層する場合でも、ダイ取り付け用コレット１６によって、先に回路基板３５に接合した半導体ダイ２５と回路基板３５との間を接続するワイヤを損傷しないよう構成されている。また、ダイ取り付け用コレット１６の先端は金属製としてもよいし、ボンディングの際に弾性変形して半導体ダイ２５を回路基板３５に押し付けられるようニトルブチルラバーなどの硬質ラバーによって構成するようにしてもよい。
【００３１】
図７（ａ）はフィルム貼り付け用コレット１３の端面を示す平面図であり、図７（ｂ）は側断面図である。図７に示すように、フィルム貼り付け用コレット１３もダイ取り付け用コレット１６と同様に先端に真空吸引孔１３ａと真空吸着キャビティ１３ｂとを備え、その先端面の大きさは、半導体ダイ２５の中央領域２５ｃよりも小さくなっている。
【００３２】
以下、図８〜図１８を参照しながら湾曲回路基板の固定方法、プログラムの動作について説明する。図８、図９は本実施形態の動作を表すフローチャートであり、図８〜１８は動作状態を示す説明図である。
【００３３】
ダイボンダ１０が起動されると、図1で示したフレームローダ２０から供給された回路基板３５はフレームフィーダ１７によってフィルム貼り付け用ステージ２２の位置までＸ方向に搬送されてくる。図１０に示すように、回路基板３５には、一段目の半導体ダイ２５が熱圧着フィルム２３を介して取り付けられており、半導体ダイ２５と回路基板３５との間はワイヤ３４によって接続されている。回路基板３５は薄い基板であることと、すでに一段目の半導体ダイ２５が接合されていることにより発生する反りのため、大きく湾曲し、フィルム貼り付け用ステージ２２の基板吸着面２２ａから大きく浮き上がった状態となっている。先端にフィルム貼り付け用コレット１３が取り付けられたフィルム貼り付けアーム１２は回路基板３５のフレームフィーダ１７によって構成されている搬送路から外れた待機位置にあり、先端のフィルム貼り付けコレット１３を上昇位置として待機している。本実施形態では貼り付けアーム１２の待機位置は先端のフィルム貼り付けコレット１３がフレームフィーダ１７の外側に来るような位置として説明するが、この待機位置はフィルム貼り付けコレット１３の先端が搬送されてくる湾曲した回路基板３５と干渉しなければ、両側のフレームフィーダ１７の間の領域であってもよい。また、ダイボンダ１０が起動されると、コンピュータ８０の制御部８１はヒートブロックインターフェース８５にフィルム貼り付け用ステージ２２のヒートブロック起動指令を出力し、これに従ってヒートブロックインターフェース８５は加熱源３１ａを起動してヒートブロック３１の加熱を開始する。ヒートブロック３１によってフィルム貼り付け用ステージは例えば、１００〜１２０℃に加熱される。加熱温度は使用される熱圧着フィルム２３の接合特性により変更される。
【００３４】
コンピュータ８０の制御部８１は、図８に示す、回路基板３５をフィルム貼り付け用ステージ２２に吸着固定するプログラムの動作を開始する。図８のステップＳ１０１に示すように、回路基板位置出しクランプ機構３０によって回路基板３５が移動されている際には、回路基板位置出しクランプ機構３０によって回路基板３５の位置が所定の位置に来ているかどうかが検出され、その検出信号は回路基板位置出しクランプ機構インターフェース８７によって制御部８１に入力可能な信号に変換されて、制御部８１に入力される。コンピュータ８０の制御部８１は、この信号によって図１１に示すように回路基板３５が、フィルム貼り付け位置に来ているかどうかを撮像手段４０により撮像された撮像データを撮像手段インターフェース８８を通じて検出する。
【００３５】
回路基板３５がフィルム貼り付け位置に達すると回路基板位置出しクランプ機構３０からフィルム貼り付け位置到達信号が発信され、この信号が回路基板位置出しクランプ機構インターフェース８７から制御部８１に入力される。図８のステップＳ１０２に示すように、コンピュータ８０の制御部８１は上記信号の入力によって、回路基板３５が所定のフィルム貼り付け位置に来たと判断して、搬送動作を停止する指令を図示しない搬送装置に出力し、回路基板３５はフィルム貼り付け位置に停止する。
【００３６】
次に、コンピュータ８０の制御部８１は、図８のステップＳ１０３に示すように真空装置２６を起動する。フィルム貼り付け位置に搬送された回路基板３５は図１０に示したように基板吸着面２２ａから大きく浮き上がっていることから、真空装置２６によって真空吸引孔２７ａ〜２７ｅの空気を吸引しても、真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅの圧力は真空とならず回路基板３５を吸着固定することはできない。このため、回路基板３５は浮き上がったままである。
【００３７】
図８のステップＳ１０４に示すように、コンピュータ８０の制御部８１は、予め記憶部８３に入力された回路基板３５のデータに基づいて、最適な回路基板３５のＸＹ方向の押し下げ位置を設定する。本実施形態では、押し下げ位置は回路基板３５の中央の半導体ダイ２５の中央位置に設定されている。これは、回路基板３５の中央位置は回路基板全体を一様にフィルム貼り付け用ステージ２２に押し下げることができること、半導体ダイ２５の中央部にはワイヤ３４が無いことから、押し下げ動作によって一段目の半導体ダイ２５の接続ワイヤ３４を損傷させることが無いこと、及び、真空吸着キャビティ２８ｃの中心に向かって真直ぐに回路基板３５を押し下げることができる位置なので、より効果的に回路基板３５の吸着を行うことができる位置であるためである。押し下げ位置は、真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅのいずれか１つをシールできれば回路基板３５の他の位置にある半導体ダイ２５の中央部の位置としてもよい。また、フィルム貼り付け用コレット１３の先端の大きさは、図６で説明した半導体ダイ２５の中央領域２５ｃの大きさよりも小さいので、フィルム貼り付け用コレット１３が半導体ダイ２５の中央領域２５ｃからはみ出なければ半導体ダイ２５の中央位置からずれた位置であっても良く、各半導体ダイ２５の構造に基づいた最適な位置に設定することができる。
【００３８】
回路基板３５の押し下げ位置が設定されると、図８のステップＳ１０５に示すように、コンピュータ８０の制御部８１は、その設定したＸＹ方向の位置にフィルム貼り付け用コレット１３の位置を移動させる指令を移動機構インターフェース９０に出力する。図３及び図１１に示すように、移動機構インターフェース９０はこの指令に基づいてＸＹテーブル４１を駆動して、フィルム貼り付けアーム１２の先端のフィルム貼り付け用コレット１３の位置が設定されたＸＹ方向の押し下げ位置に来るようにフィルム貼り付けへッド１１の移動を開始する。コンピュータ８０の制御部８１は、図８のステップＳ１０６に示すように、ＸＹ位置検出手段３６からの検出信号をＸＹ位置検出手段インターフェース９１から取得して、フィルム貼り付け用コレット１３の先端位置と設定された押し下げ位置との差を監視する。また、撮像手段４０によってフィルム貼り付け用コレット１３と半導体ダイ２５と回路基板３５との画像を撮像し、その画像データを撮像手段インターフェース８８によって制御部８１に入力し、制御部８１で画像処理によってフィルム貼り付け用コレット１３の先端位置を取得し、指令値との差を監視してもよい。そして、コンピュータ８０の制御部８１はこの差が閾値を越えたと判断すると、図８のステップＳ１０７に示すように、移動機構インターフェース９０にフィルム貼り付け用コレット１３の先端位置の移動を停止するような指令を出力する。移動機構インターフェース９０は、この指令によってフィルム貼り付けへッド１１の移動を停止して、フィルム貼り付け用コレット１３の先端位置のＸＹ方向の移動を停止する。フィルム貼り付け用コレット１３の移動が停止した時には、図１１に示すように、フィルム貼り付け用コレット１３の先端位置は、回路基板３５の中央の半導体ダイ２５の中央位置にきており、フィルム貼り付け用コレット１３の先端のＺ方向位置は回路基板３５又は、半導体ダイ２５から離れた上昇位置となっている。
【００３９】
図８ステップＳ１０８に示すように、コンピュータ８０の制御部８１は、移動機構インターフェース９０にフィルム貼り付け用コレット１３の先端を下動させる指令を出力する。この指令にもとづいて移動機構インターフェース９０はフィルム貼り付けへッド１１に備えられているフィルム貼り付けアーム１２の駆動用のモータを駆動して、フィルム貼り付け用コレット１３の先端を下動させるような信号を出力する。そして、フィルム貼り付けへッド１１のモータが駆動され、フィルム貼り付けアーム１２が下動方向に回転を開始する。荷重センサ３２のフィルム貼り付け用コレット１３の先端の荷重検出信号は荷重センサインターフェース８９から制御部８１に入力される。コンピュータ８０の制御部８１は、図８のステップＳ１０９に示すように、この信号と所定のフィルム貼り付け用コレット１３の接地荷重との差を監視する。接地荷重は、フィルム貼り付け用コレット１３の先端が接地したときに検出される荷重で、通常のダイボンディングの際の半導体ダイの圧着荷重よりも小さい荷重である。
【００４０】
図１２に示すように、フィルム貼り付けアーム１２の下動によってフィルム貼り付け用コレット１３の先端が湾曲した回路基板３５に向かって下がり始める。そして、フィルム貼り付け用コレット１３の先端が半導体ダイ２５に当接する。この状態では、回路基板３５は基板吸着面２２ａから大きく浮き上がっており、この隙間を真空装置２６に向かって空気が流れるため、真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅはいずれもシールされず、回路基板３５を真空吸着できない。
【００４１】
コンピュータ８０の制御部８１はフィルム貼り付けアーム１２の下動中、荷重センサ３２からの入力信号によってフィルム貼り付け用コレット１３の先端にかかる荷重が所定の接地荷重以上になっているかどうかの監視を続ける。そして、コンピュータ８０の制御部８１は、図８のステップＳ１０９に示すように、荷重センサ３２からの入力信号と接地荷重との差が閾値を超えた場合にフィルム貼り付け用コレット１３が接地したと判断し、図８のステップＳ１１０に示すように、移動機構インターフェース９０にフィルム貼り付け用コレット１３の下動停止指令を出力する。移動機構４３はこの指令に基づいてフィルム貼り付けへッド１１のモータを停止させてフィルム貼り付けアーム１２の下動を停止し、フィルム貼り付け用コレット１３の下動を停止する。
【００４２】
このとき、図１３に示すように、フィルム貼り付け用コレット１３の先端の下動によって回路基板３５の中央部がフィルム貼り付け用ステージ２２の基板吸着面２２ａに押し下げられ、中央の半導体ダイ２５の下面の回路基板３５の一部が基板吸着面２２ａに当接すると共に、回路基板３５が真空吸着キャビティ２８ｃ上側の面に被さってきている。これによって真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅから真空装置２６への空気流路の一部が塞がれて真空装置２６への空気流量が少なくなり真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅ全体の圧力が低下してくる。そして、真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅ全体の圧力が大気圧よりも低くなってくると、大気圧によって回路基板３５はフィルム貼り付け用ステージ２２に押し付けられ始める。すると、回路基板３５の下面と基板吸着面２２ａとの隙間が一番小さくなっている真空吸着キャビティ２８ｃの周囲に回路基板３５の下面が密着して真空吸着キャビティ２８ｃの上面をシールする。これによって、回路基板３５の中央部は基板吸着面２２ａに吸着される。図１３に示すように、真空吸着キャビティ２８ａ，２８ｂ，２８ｄ，２８ｅの上の回路基板３５は、まだ基板吸着面２２ａから浮き上がっている状態である。しかし、真空吸着キャビティ２８ｃがシールされたことによって真空装置２６で吸引される空気流量が更に少なくなり、真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅ全体の圧力が更に低下してくる。これによって、真空吸着キャビティ２８ａ，２８ｂ，２８ｄ，２８ｅの上面にある回路基板３５は更に大気圧によってフィルム貼り付け用ステージ２２に強く押し付けられる。
【００４３】
そして、回路基板３５が真空吸着キャビティ２８ａ，２８ｂ，２８ｄ，２８ｅのいずれか１つの上面をシールすると、その真空吸着キャビティから真空装置２６に空気が流れなくなることから、真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅ全体の圧力が更に低下し、大気圧との圧力差が大きくなる。そして、圧力差が大きくなると回路基板３５を下に押し付ける力も大きくなり、連鎖的に周囲の真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅが回路基板３５によって次々にシールされる。そして全部の真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅが回路基板３５によってシールされると、回路基板３５が吸着ステージに完全に真空吸着される。このように、１つの真空吸着キャビティがシールされると真空吸着キャビティ全体の圧力が連鎖的に低下して、大気圧との圧力差によって一気に回路基板３５が基板吸着面２２ａに吸着される。全ての真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅが回路基板３５によってシールされると、図１４に示すように、回路基板３５は基板吸着面２２ａに吸着固定され、各真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅ、各真空吸引孔２７ａ〜２７ｅ、及び真空配管３３の圧力は略真空状態となる。本実施形態では回路基板３５の中央をフィルム貼り付け用コレット１３によって押し下げたが、回路基板３５の中央を押し下げるのではなく回路基板３５の端の真空吸着キャビィティ２８ａ上から順に２８ｂ，２８ｃ，２８ｄ，２８ｅの順に押し下げても好適である。
【００４４】
図８のステップＳ１１１に示すように、コンピュータ８０の制御部８１は圧力センサ２９の検出圧力を圧力センサインターフェース８６の圧力信号として取得し、その圧力と所定の真空圧力との差が所定の閾値を越えているかどうか判断する。そして、その差が所定の閾値を越えている場合には、コンピュータ８０の制御部８１は、各真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅは全て真空で回路基板３５はフィルム貼り付け用ステージ２２の上に吸着固定されたと判断する。
【００４５】
コンピュータ８０の制御部８１は回路基板３５の真空吸着状態を確認すると、移動機構インターフェース９０にフィルム貼り付け用コレット１３を上昇させて湾曲回路基板の固定プログラムを終了する。
【００４６】
一方、上記の圧力差が所定の閾値を越えていない場合には、コンピュータ８０の制御部８１は、いずれかの真空吸着キャビティがシールされずに空気を吸込んでいる状態となっており、回路基板３５は完全に吸着固定されていないと判断する。そして、回路基板３５の真空吸着状態を確認できなかった場合には、図８のステップＳ１１１に示すように、コンピュータ８０の制御部８１は、再度、回路基板３５の押し下げ動作を行う。
【００４７】
図８のステップＳ１１２に示すように、コンピュータ８０の制御部８１は、まず、所定の回数再押し下げ動作を行っているかどうかを判断する。所定の回数は、例えば、１回あるいは２回というような回数である。そして、すでに所定の回数だけ再押し下げ動作をしている場合には、コンピュータ８０の制御部８１は湾曲した回路基板３５の固定に動作エラーが発生したものと判断し、図８のステップＳ１１４に示すように、エラー停止処理を行い、ダイボンダ１０を停止させる。
【００４８】
図８のステップＳ１１２において、コンピュータ８０の制御部８１が、例えば一度も再押し下げ動作を行っていない場合のように、所定の回数の再押し下げ動作をしていない場合には、図８のステップＳ１１３に示すように、移動機構インターフェース９０にフィルム貼り付け用コレット１３の高さを上昇位置までリセットする指令を出力する。移動機構インターフェース９０はこの指令に従って、フィルム貼り付けへッド１１のモータを駆動して、フィルム貼り付けアーム１２を上昇させ、フィルム貼り付け用コレット１３の先端を初期状態の上昇位置にリセットする。そして、コンピュータ８０の制御部８１は、図８のステップＳ１０４に示すように、回路基板のＸＹ方向の押し下げ位置の設定を変更する。これは、前回の押し下げ位置の隣の半導体ダイ２５の中央位置に設定するようにしてもよい。また、各真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅそれぞれに圧力センサ２９を取り付けておき、一番圧力の高い真空吸着キャビティの近傍にある半導体ダイ２５の中央領域を押し下げるように設定しても良い。
【００４９】
そして、押し下げ位置の設定が終了したら、コンピュータ８０の制御部８１は、図８のステップＳ１０５に示すように、再度、移動機構４３によってフィルム貼り付け用コレット１３の先端位置を再設定された押し下げ位置に移動させて、図８のステップＳ１０８からステップＳ１１０に示すように再度押し下げ動作を行う。そして、図８のステップＳ１１１に示すように、真空吸着キャビティ２８の真空状態が確認されると、回路基板３５がフィルム貼り付け用ステージ２２に吸着されたと判断し、コンピュータ８０の制御部８１は、図８に示す湾曲回路基板の固定プログラムを終了する。
【００５０】
図１５に示すように、回路基板３５がフィルム貼り付け用ステージ２２に吸着固定されると、回路基板３５と半導体ダイ２５はすでに加熱可能温度まで温度上昇されている下部のヒートブロック３１によって加熱され、熱圧着フィルム２３の貼り付けが可能な状態となる。コンピュータ８０の制御部８１は、別の熱圧着フィルム貼り付けプログラムを起動させて、フィルム貼り付け用コレット１３によって熱圧着フィルム２３を吸着してピックアップし、半導体ダイ２５の上に貼り付けていく。そして回路基板３５の熱圧着フィルム２３の貼り付けが必要な全ての部分に熱圧着フィルム２３の貼り付けが終了したら、フィルム貼り付け用ステージ２２の真空を解除する。真空が解除されると回路基板３５は再び上方向に沿った湾曲状態に戻る。コンピュータ８０の制御部８１は、フレームフィーダ１７によって湾曲した回路基板３５をボンディングステージ２４に移動させる。
【００５１】
コンピュータ８０の制御部８１は回路基板３５のボンディングステージ２４への移動を開始すると共に、図９に示す、ボンディングステージ２４への回路基板３５の吸着固定プログラムの動作を開始する。図９において、図８で説明したフィルム貼り付け用ステージ２２への回路基板３５の固定プログラムと同様の部分については、説明を省略する。図１６に示すように、回路基板３５には、一段目の半導体ダイ２５の上に二段目の半導体ダイ２５接合用の熱圧着フィルム２３が取り付けられていることから、回路基板３５の反りは先に説明したフィルム貼り付け用ステージ２２に移動してきた状態よりも幾分大きく、回路基板３５はボンディングステージ２４の基板吸着面２４ａから大きく浮き上がった状態となっている。先に説明したと同様に、先端にダイ取り付け用コレット１６が取り付けられたボンディングアーム１５は回路基板３５のフレームフィーダ１７によって構成されている搬送路から外れた待機位置にあり、先端のダイ取り付け用コレット１６は上昇位置となっている。また、ヒートブロック３１によってボンディングステージ２４は、例えば、２５０〜３００℃に加熱される。加熱温度は使用される熱圧着フィルム２３の接合特性により変更される。しかし、湾曲した回路基板３５はボンディングステージ２４から浮き上がった状態であり、ほとんど加熱されない状態となっている。
【００５２】
図９のステップＳ２０１に示すように、回路基板位置出しクランプ機構３０によって回路基板３５が移動されている際には、回路基板位置出しクランプ機構３０によって回路基板３５の位置が所定の位置に来ているかどうかが検出され、その検出信号は回路基板位置出しクランプ機構インターフェース８７によって制御部８１に入力可能な信号に変換されて、制御部８１に入力される。コンピュータ８０の制御部８１は、この信号によって図１１に示すように回路基板３５が、ボンディング位置に来ているかどうかを撮像手段４０により撮像された撮像データを撮像手段インターフェース８８を通じて検出する。
【００５３】
回路基板３５がボンディング位置に達すると回路基板位置出しクランプ機構３０からボンディング位置到達信号が発信され、この信号が回路基板位置出しクランプ機構インターフェース８７から制御部８１に入力される。図９のステップＳ２０２に示すように、コンピュータ８０の制御部８１は上記信号の入力によって、回路基板３５が所定のボンディング位置に来たと判断して、搬送動作を停止する指令を図示しない搬送装置に出力し、回路基板３５はボンディング位置に停止する。
【００５４】
次に、コンピュータ８０の制御部８１は、図９のステップＳ２０３に示すように真空装置２６を起動する。そして、図９のステップＳ２０４に示すように、コンピュータ８０の制御部８１は、最適な回路基板３５のＸＹ方向の押し下げ位置を設定する。本実施形態では、より効果的に回路基板３５を吸着固定させられるように、押し下げ位置は回路基板３５の中央の半導体ダイ２５上に貼り付けられた熱圧着フィルム２３の中央位置に設定されている。押し下げ位置は、真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅのいずれか１つをシールできれば回路基板３５の他の位置にある半導体ダイ２５中央領域の上の熱圧着フィルム２３の位置としてもよい。また、ダイ取り付け用コレット１６の先端の大きさは、図６で説明した半導体ダイ２５の中央領域２５ｃの大きさよりも小さいので、ダイ取り付け用コレット１６が半導体ダイ２５の中央領域２５ｃからはみ出なければ半導体ダイ２５の中央位置からずれた位置であっても良く、各半導体ダイ２５の構造に基づいた最適な位置に設定することができる。
【００５５】
回路基板３５の押し下げ位置が設定されると、図９のステップＳ２０５に示すように、コンピュータ８０の制御部８１は、その設定したＸＹ方向の位置にダイ取り付け用コレット１６の位置を移動させる指令を移動機構インターフェース９０に出力し、ＸＹテーブル４２を駆動して、ボンディングアーム１５の先端のダイ取り付け用コレット１６の位置を移動させる。コンピュータ８０の制御部８１は、図９のステップＳ２０６に示すように、ダイ取り付け用コレット１６の先端位置と設定された押し下げ位置との差を監視する。そして、コンピュータ８０の制御部８１はこの差が閾値を越えたと判断すると、図９のステップＳ２０７に示すように、ダイ取り付け用コレット１６の先端位置のＸＹ方向の移動を停止する。ダイ取り付け用コレット１６の移動が停止した時には、ダイ取り付け用コレット１６の先端位置は、回路基板３５の中央の半導体ダイ２５の中央位置にきており、ダイ取り付け用コレット１６の先端のＺ方向位置は回路基板３５又は、半導体ダイ２５から離れた上昇位置となっている。
【００５６】
図９ステップＳ２０８に示すように、コンピュータ８０の制御部８１は、ダイ取り付け用コレット１６の下動を開始する。そして、荷重センサ３２のダイ取り付け用コレット１６の先端の荷重検出信号は荷重センサインターフェース８９から制御部８１に入力され、コンピュータ８０の制御部８１は、図９のステップＳ２０９に示すように、この信号と所定のダイ取り付け用コレット１６の接地荷重との差を監視する。接地荷重は、ダイ取り付け用コレット１６先端が接地したときに検出される荷重で、通常のダイボンディングの際の半導体ダイ２５の圧着荷重よりも小さい荷重である。また、この荷重は、熱圧着フィルム２３を貼り付ける際の荷重よりも小さくしても好適である。熱圧着フィルム２３の貼り付け荷重よりも少ない荷重とすることによって回路基板３５の押し下げの際に熱圧着フィルム２３がダイ取り付け用コレット１６に付着することを防止することができるためである。
【００５７】
図１６に示すように、ボンディングアーム１５の下動によってダイ取り付け用コレット１６の先端が湾曲した回路基板３５に向かって下がり始める。コンピュータ８０の制御部８１はボンディングアーム１５の下動中、荷重センサ３２からの入力信号によってダイ取り付け用コレット１６の先端にかかる荷重が所定の接地荷重以上になっているかどうかの監視を続ける。ダイ取り付け用コレット１６が回路基板３５に接合された半導体ダイ２５上の熱圧着フィルム２３の押し下げを開始した状態では、回路基板３５はボンディングステージ２４から浮き上がっているので、その温度はあまり高くなく、熱圧着フィルム２３にダイ取り付け用コレット１６を押し付けても熱圧着フィルム２３が溶けてダイ取り付け用コレット１６に付着することなく押し下げを行うことができる。そして、コンピュータ８０の制御部８１は、図９のステップＳ２０９に示すように、荷重センサ３２からの入力信号と接地荷重との差が閾値を越えた場合にフィルム貼り付け用コレット１３が接地したと判断し、図９のステップＳ２１０に示すように、ダイ取り付け用コレット１６の下動を停止する。
【００５８】
ダイ取り付け用コレット１６によって回路基板３５が基板吸着面２４ａに押し下げられ、回路基板３５の下面と基板吸着面２４ａとの隙間が一番小さくなっている真空吸着キャビティ２８ｃの周囲に回路基板３５の下面が密着して真空吸着キャビティ２８ｃの上面をシールすると、続いて周囲の真空吸着キャビティ２８ａ，２８ｂ，２８ｄ，２８ｅが回路基板３５によって次々にシールされ、図１７に示すように、回路基板３５は基板吸着面２４ａに吸着固定され、各真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅ、各真空吸引孔２７ａ〜２７ｅ、及び真空配管３３の圧力は略真空状態となる。本実施形態では回路基板３５の中央をダイ取り付け用コレット１６によって押し下げたが、回路基板３５の中央を押し下げるのではなく回路基板３５の端の真空吸着キャビティ２８ａ上から順に２８ｂ，２８ｃ，２８ｄ，２８ｅの順に押し下げても好適である。
【００５９】
図９のステップＳ２１１に示すように、コンピュータ８０の制御部８１は回路基板３５の真空吸着状態を確認すると、ダイ取り付け用コレット１６を上昇させて湾曲回路基板の固定プログラムを終了する。
【００６０】
一方、上記の圧力差が所定の閾値を越えていない場合には、コンピュータ８０の制御部８１は、いずれかの真空吸着キャビティがシールされずに空気を吸込んでいる状態となっており、回路基板３５は完全に吸着固定されていないと判断する。そして、先に図８を参照して説明したように、回路基板３５の真空吸着状態を確認できなかった場合には、図９のステップＳ２１１に示すように、コンピュータ８０の制御部８１は、再度、回路基板３５の押し下げ動作を行う。
【００６１】
図９のステップＳ２１２に示すように、コンピュータ８０の制御部８１は、所定の回数再押し下げ動作を行っているかどうかを判断した後、所定回数の再押し下げ動作を行っていない場合には、図９のステップＳ２１３に示すように、ダイ取り付け用コレット１６の先端を初期状態の上昇位置にリセットする。そして、コンピュータ８０の制御部８１は、図９のステップＳ２０４に示すように、回路基板のＸＹ方向の押し下げ位置の設定を変更し、図９のステップＳ２０５に示すように、再度、移動機構４４によってダイ取り付け用コレット１６の先端位置を再設定された押し下げ位置に移動させて、図９のステップＳ２０８からステップＳ２１０に示すように再度押し下げ動作を行う。そして、図９のステップＳ２１１に示すように、真空吸着キャビティ２８の真空状態が確認されると、回路基板３５がボンディングステージ２４に吸着されたと判断し、コンピュータ８０の制御部８１は、図９に示す湾曲回路基板の固定プログラムを終了する。
【００６２】
また、図９のステップＳ２１２に示すように、すでに所定回数の再押し下げ動作を行っている場合には、コンピュータ８０の制御部８１は湾曲した回路基板３５の固定の動作エラーが発生したものと判断し、図９のステップＳ２１４に示すように、エラー停止処理を行い、ダイボンダ１０を停止させる。
【００６３】
図１８に示すように、回路基板３５がボンディングステージ２４に吸着固定されると、回路基板３５と半導体ダイ２５はすでに加熱可能温度まで温度上昇されている下部のヒートブロック３１によって加熱され、半導体ダイ２５の接合が可能な状態となる。コンピュータ８０の制御部８１は、別のボンディングプログラムを起動させて、ダイ取り付け用コレット１６によって、熱圧着フィルム２３の上に半導体ダイ２５を圧着接合していく。そして回路基板３５の半導体ダイ２５の接合が必要な全ての部分に半導体ダイ２５の圧着接合が終了したら、ボンディングステージ２４の真空を解除し、フレームフィーダ１７によって回路基板３５をフレームアンローダ２１に移動させる。
【００６４】
以上説明した様に、本実施形態は、通常のダイボンダ１０に特殊な構造を付け加えることなく、制御プログラムを変更するだけで、簡単に湾曲した回路基板３５を効果的にフィルム貼り付け用ステージ２２及びボンディングステージ２４に真空吸着固定することができるという効果を奏する。また、下部に可動機構を配置することが必要ないことから回路基板の吸着と加熱を同時に行うことができ、ボンディング効率の向上を図ることが出来るという効果を奏する。
【００６５】
本実施形態は、先端の大きさが半導体ダイ２５の中央領域２５ｃよりも小さいフィルム貼り付け用コレット１３又はダイ取り付け用コレット１６によって湾曲した回路基板３５の押し下げを行うことから、回路基板３５に半導体ダイ２５を多段積層する場合でも、先に接合した半導体ダイ２５と回路基板３５とを接続するワイヤ３４を損傷させることなく回路基板３５をフィルム貼り付け用ステージ２２又はボンディングステージ２４に吸着固定することができるという効果を奏する。
【００６６】
本実施形態は、熱圧着フィルムを用いて半導体ダイ２５を回路基板３５に一段あるいは多段に接合するダイボンダにおいて、湾曲した回路基板３５の送りに応じてフィルム貼り付け用ステージ２２とボンディングステージ２４とを連続して押し下げることができ、回路基板３５を効率的に固定することができるという効果を奏する。更に、本実施形態では、回路基板３５が加熱される前にダイ取り付け用コレット１６によって熱圧着フィルム２３の面を押し下げるので、熱圧着フィルム２３が溶けてダイ取り付け用コレット１６に付着することなく回路基板３５のボンディングステージ２４への吸着固定をすることができるという効果を奏する。
【００６７】
本実施形態では、回路基板３５に下段の半導体ダイ２５よりも小さい大きさの半導体ダイ２５を多段積層する場合について説明したが、図１９に示すように回路基板３５の上にフィルムスペーサ４６を介して同様の大きさの半導体ダイ２５を積層していく場合でも、本実施形態を適用することができる。また、本実施形態では、一段目の半導体ダイ２５が回路基板３５に熱圧着フィルム２３を介して取り付けられている湾曲した回路基板３５をフィルム貼り付け用ステージ２２及びボンディングステージ２４に吸着、固定する場合について説明したが、本実施形態は半導体ダイ２５が取り付けられていない湾曲した回路基板３５をフィルム貼り付け用ステージ２２及びボンディングステージ２４に吸着、固定する場合にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】ダイボンダの構造を示す平面図である。
【図２】ダイボンダの構造を示す立面図である。
【図３】本発明の実施形態における湾曲した回路基板の固定方法及びプログラム実行するダイボンダの系統構成を示す図である。
【図４】図１に示すダイボンダのフィルム貼り付け用ステージ及びボンディングステージ上面を示す平面図である。
【図５】図１に示すダイボンダのフィルム貼り付け用ステージ及びボンディングステージの断面を示す図である。
【図６】図１に示すダイボンダのダイ取り付け用コレットの構成を示す説明図である。
【図７】図１に示すダイボンダのフィルム貼り付け用コレットの構成を示す説明図である。
【図８】本発明の実施形態における湾曲した回路基板をフィルム貼り付け用ステージに固定するプログラムのフローチャートである。
【図９】本発明の実施形態における湾曲した回路基板をボンディングステージに固定するプログラムのフローチャートである。
【図１０】湾曲回路基板がフィルム貼り付け用ステージにセットされた状態を示す説明図である。
【図１１】湾曲回路基板の押し下げ位置にフィルム貼り付け用コレットを移動させる状態を示す説明図である。
【図１２】フィルム貼り付け用コレットが湾曲回路基板の押し下げを開始する状態を示す説明図である。
【図１３】フィルム貼り付け用コレットが下動停止位置に達した時の湾曲回路基板の状態を示す説明図である。
【図１４】湾曲回路基板がフィルム貼り付け用ステージに吸着固定された状態を示す説明図である。
【図１５】フィルム貼り付け用ステージに吸着固定された回路基板に接合されている半導体ダイの上に半導体接合用の熱圧着フィルムを貼り付ける状態を示す説明図である。
【図１６】ダイ取り付け用コレットが湾曲回路基板の押し下げを開始する状態を示す説明図である。
【図１７】湾曲回路基板がボンディングステージに吸着固定された状態を示す説明図である。
【図１８】ボンディングステージに吸着固定された回路基板の半導体ダイ上に貼り付けられた熱圧着テープの上に二段目の半導体ダイを圧着する状態を示す説明図である。
【図１９】回路基板の上にフィルムスペーサを介して半導体ダイを積層する際の回路基板の吸着固定を示す説明図である。
【図２０】従来技術による回路基板の固定方法を示す図である。
【図２１】従来技術による回路基板の固定方法を示す図である。
【符号の説明】
【００６９】
１０  ダイボンダ、１１  フィルム貼り付けへッド、１２  フィルム貼り付けアーム、１３  フィルム貼り付け用コレット、１３ｂ  真空吸着キャビティ、１３ａ  真空吸引孔、１４  ボンディングヘッド、１５  ボンディングアーム、１６  ダイ取り付け用コレット、１６ａ  真空吸引孔、１６ｂ  真空吸着キャビティ、１６  ダイ取り付け用コレット、１７  フレームフィーダ、１８  ウエハホルダ、１９  ダイ突き上げユニット、２０  フレームローダ、２１  フレームアンローダ、２２  フィルム貼り付け用ステージ、２２ａ，２４ａ  基板吸着面、２３  熱圧着フィルム、２４  ボンディングステージ、２５  半導体ダイ、２５ａ  電極パッド、２５ｂ  周縁領域、２５ｃ  中央領域、２６  真空装置、２７  真空吸引孔、２７ａ-２７ｅ  真空吸引孔、２８  真空吸着キャビティ、２８ａ-２８ｅ  真空吸着キャビティ、２９  圧力センサ、３０  クランプ機構、３１  ヒートブロック、３１ａ  加熱源、３２  荷重センサ、３３  真空配管、３４  ワイヤ、３５  回路基板、３６  ＸＹ位置検出手段、３７  ベース、３８  Ｙ方向中心線、３９  Ｘ方向中心線、４０  撮像手段、４１，４２  ＸＹテーブル、４３，４４  移動機構、４６  フィルムスペーサ、５１  熱圧着フィルム搬送装置、５３  ガイド、５５  保持基板、５６  引き出しアーム、５９  熱圧着フィルムテープ、６０  カッタ、７１  エアノズル、７３  グリッパ、７３ａ，７３ｂ  グリッパエレメント、８０  コンピュータ、８１  制御部、８２  データバス、８３  記憶部、８４  真空装置インターフェース、８５  ヒートブロックインターフェース、８６  圧力センサインターフェース、８７  回路基板位置出しクランプ機構インターフェース、８８  撮像手段インターフェース、８９  荷重センサインターフェース、９０  移動機構インターフェース、９１  ＸＹ位置検出手段インターフェース。
【図１】
2008270591.tif 000003
【図２】
2008270591.tif 000004
【図３】
2008270591.tif 000005
【図４】
2008270591.tif 000006
【図５】
2008270591.tif 000007
【図６】
2008270591.tif 000008
【図７】
2008270591.tif 000009
【図８】
2008270591.tif 000010
【図９】
2008270591.tif 000011
【図１０】
2008270591.tif 000012
【図１１】
2008270591.tif 000013
【図１２】
2008270591.tif 000014
【図１３】
2008270591.tif 000015
【図１４】
2008270591.tif 000016
【図１５】
2008270591.tif 000017
【図１６】
2008270591.tif 000018
【図１７】
2008270591.tif 000019
【図１８】
2008270591.tif 000020
【図１９】
2008270591.tif 000021
【図２０】
2008270591.tif 000022
【図２１】
2008270591.tif 000023