(57)【要約】【課題】変調信号が流れる電極内で表皮効果による電流分布の偏りが発生しても、光導波路に均一かつ十分な電界を印加できるようした導波路型光変調器を提供する。【解決手段】導波路型光変調器１Ａは、例えば半導体材料で構成された基板５に、光が伝送される光導波路２Ａが形成される。また、光導波路２Ａを伝送される光を変調する変調電界を印加する信号伝送導体３Ａが、基板５に形成される。信号伝送導体３Ａは、光導波路２Ａと重なる位置に形成され、光導波路２Ａの延在方向に対して所定の角度で傾斜して、幅方向の端面が光導波路２Ａを横切っており、変調信号の周波数が上昇することで、表皮効果による電流分布の偏りが発生しても、電界が印加される位置が光導波路２Ａの幅方向に移動して、光導波路２Ａに均一かつ十分な電界が印加される。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成され、光が伝送される光導波路と、
前記光導波路を伝送される光を変調する変調電界を印加する電極とを備えた導波路型光変調器において、
前記電極は、前記光導波路と重なる位置で前記基板に形成され、前記光導波路の延在方向に対して所定の角度で傾斜して、幅方向の端面が前記光導波路を横切る信号伝送導体を備えた
ことを特徴とする導波路型光変調器。
【請求項２】
前記信号伝送導体と同一面で、前記信号伝送導体の両側もしくは片側に、前記信号伝送導体に対して所定の隙間を開けて対向する導体を配置した
ことを特徴とする請求項１記載の導波路型光変調器。
【請求項３】
前記導体が接地導体である
ことを特徴とする請求項２記載の導波路型光変調器。
【請求項４】
前記信号伝送導体は、前記光導波路を伝送される光の進行方向と同じ方向に電気信号が供給される進行波型電極である
ことを特徴とする請求項１記載の導波路型光変調器。
【請求項５】
前記信号伝送導体は、前記光導波路に対して蛇行して延在する
ことを特徴とする請求項１記載の導波路型光変調器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、変調信号が流れる信号伝送導体の下方に光導波路を配置し、信号伝送導体から光導波路に電界を印加して光変調を行う導波路型光変調器に関する。詳しくは、光導波路内での光の進行方向に対して、角度を付けて信号伝送導体を配置することで、光導波路内での電界強度分布の偏りを抑制できるようにしたものである。
【背景技術】
【０００２】
レーザダイオード（ＬＤ）等から出射された光を変調する外部変調器として、従来より、電気光学効果あるいは半導体の電界吸収効果を利用する導波路型光変調器が提案されている。
【０００３】
図５は、従来の導波路型光変調器の一例を示す構成図である。導波路型光変調器１００Ａは、図５（ａ）に示すように、例えば半導体材料で構成される基板１０１に、信号伝送導体１０２と光導波路１０３を備える。
【０００４】
従来の導波路型光変調器１００Ａでは、マイクロストリップライン型の電極構造で信号伝送導体１０２を形成した構成が主流であり、信号伝送導体１０２の下方に配置される光導波路１０３に電界を印加することで、光導波路１０３の光透過強度を変化させ、光変調を行っている。
【０００５】
このようなマイクロストリップライン型の電極構造を有する導波路型光変調器では、通信速度の高速化等に伴って変調信号の周波数が上昇して、変調信号の周波数帯域がマイクロ波〜ミリ波帯となると、表皮効果により電流分布の偏りが発生する。
【０００６】
表皮効果とは、高周波電流が導体を流れるときに、導体の表面に電流が集中する現象で、導波路型光変調器において、表皮効果により信号伝送導体内で電流分布の偏りが発生すると、信号伝送導体から電界が印加される光導波路内部を進行する被変調光が受ける電界分布が偏ってしまい、一様な変調を実現することはできない。
【０００７】
ここで、表皮効果によって導体内部で電流分布の偏りが発生した場合において、電流の流れる深さを表皮深さと呼び、表皮深さδは、以下に示す（１）式で表される。
【０００８】
【数１】
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【０００９】
（１）式において、σは誘電率で、本例では金（Ａｕ）を例にしている。
【００１０】
図６は、電極近傍での電磁界の分布のシミュレーション例で、シミュレーションの条件として、金で構成したマイクロストリップライン型の電極１０４に、周波数が６０ＧＨｚの電気信号を流した場合を例とし、図６（ａ）は、電極近傍での電界分布を模式的に示し、図６（ｂ）は、電極近傍での磁界分布を模式的に示す。
【００１１】
また、図７は、表皮深さと信号周波数の関係を示すグラフで、本例では電極を金で構成した場合を例にしている。
【００１２】
電極１０４を流れる電気信号の周波数の上昇に伴って、表皮効果により電極１０４のエッジ部分等に電流が集中することで、図６（ａ）に示すように、電極１０４のエッジ部分から電界が強く分布されることが判る。また、信号周波数の上昇に伴って、図７に示すように、表皮深さが浅くなっていくことが判る。
【００１３】
図８は、電極直下における表皮効果による電界強度分布の一例を示すグラフである。図８において、表皮効果により電極１０４内部で電流が集中する領域の大体の範囲を、二点鎖線で囲んだ領域Ｋで示す。
【００１４】
グラフＧ１１は、電極１０４の直下のある深さｄ１における電界強度分布を示し、グラフＧ１２は、深さｄ１より深い深さｄ２における電界強度分布を示し、グラフＧ１３は、深さｄ２より深い深さｄ３における電界強度分布を示す。
【００１５】
電極１０４の直下の所定の領域Ｌに光導波路を設置した場合、図８に示すように、表皮効果により電極１０４のエッジ部分等の領域Ｋに電流が集中すると、電極直下の中央部分（ｘ＝０付近）では、電界強度が非常に弱くなってしまう。
【００１６】
図９は、電極の幅と電界強度の関係を示すシミュレーション例で、図９（ａ）は、シミュレーションの条件を示す。本例では、電極１０４の幅Ｗを１μｍ〜４μｍまで１μｍ単位で変えた場合に、電極１０４の直下の幅６μｍの範囲における所定の深さでの電界強度分布を計算したものである。
【００１７】
電極１０４を金で構成した場合、信号周波数が６０ＧＨｚでの表皮深さは、図７に示すように０．３５μｍ程度である。これにより、図９（ｂ）に示すように、電極１０４の幅Ｗを１μｍとしても、表皮効果による電界強度分布の偏りを回避することは困難である。
【００１８】
また、電極１０４の幅Ｗを広くすると、図９（ｂ）〜図９（ｅ）に示すように、表皮効果による電界強度分布の偏りが大きくなり、電極直下の中央部分での電界強度が弱くなる。
【００１９】
更に、６０ＧＨｚ未満の周波数においても、表皮効果により電極のエッジ部分への電流の集中が発生するので、光導波路の幅が数μｍである場合は同様の問題が生じる。
【００２０】
以上のように、導波路型光変調器では、変調信号としてミリ波帯の電気信号を用いる場合には、表皮深さを考慮した電極形状でなければ、導波路内に均一な電界を印加することはできない。
【００２１】
また、図５（ａ）に示すようなマイクロストリップライン型の電極構造を有した信号伝送導体では、図６（ａ）に示すように、電極周辺の電界は電極のエッジ部分から放射状に拡がって分布するため、光導波路の存在する限られた立体角部分に印加できる電界強度は相対的に弱いものとなる。
【００２２】
この他に、従来の導波路型光変調器としては、図５（ｂ）に示すように、信号伝送導体１０２の両側に接地導体１０５を形成したコプレーナウェーブガイド型の電極構造を有した導波路型光変調器１００Ｂが提案されている。
【００２３】
このようなコプレーナウェーブガイド型の電極構造を有した導波路型光変調器１００Ｂでは、インピーダンス整合による透過特性の向上を主な目的としており、信号伝送導体では、信号周波数の上昇に伴って表皮効果による電流分布の集中が発生する。このため、電界強度分布の偏りを解消することはできない。
【００２４】
更に、コプレーナウェーブガイド型の電極構造を有し、変調信号（マイクロ波）が流れる電極に広幅領域と狭幅領域を形成した導波路型光変調器も提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【００２５】
このような導波路型光変調器では、電極に広幅領域と狭幅領域を交互に形成すると共に、対向する電極との間隔を調整することで、電極の電気抵抗を各領域毎に変化させてインピーダンス整合を行い、変調効率を確保している。
【００２６】
但し、電極に広幅領域と狭幅領域を形成しても、信号周波数の上昇に伴って表皮効果による電流分布の集中が発生する。このため、光導波路の直下に配置した光導波路では、中央部分に印加される電界強度が弱くなり、電界強度分布の偏りを解消することはできない。
【００２７】
【特許文献１】特開２００３−２９５１４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
上述したように、従来の導波路型光変調器では、信号周波数の上昇に伴って、電極内で表皮効果による電流分布の集中が発生すると、光導波路内での電界強度分布が偏り、均一かつ十分な電界を印加できないという問題があった。
【００２９】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、変調信号が流れる電極内で表皮効果による電流分布の偏りが発生しても、光導波路に均一かつ十分な電界を印加できるようした導波路型光変調器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
上述した課題を解決するため、本発明の導波路型光変調器は、基板に形成され、光が伝送される光導波路と、光導波路を伝送される光を変調する変調電界を印加する電極とを備えた導波路型光変調器において、電極は、光導波路と重なる位置で基板に形成され、光導波路の延在方向に対して所定の角度で傾斜して、幅方向の端面が光導波路を横切る信号伝送導体を備えたことを特徴とする。
【００３１】
本発明の導波路型光変調器では、信号伝送導体を流れる変調信号の周波数が上昇することで、表皮効果により信号伝送導体のエッジ部分等に電流が集中した場合、光導波路において電界が印加される位置は、光導波路内での光の進行方向に垂直な方向に移動する。
【００３２】
従って、信号伝送導体内での電流分布が偏っても、光導波路では幅方向の全域に亘って十分な電界が印加される。これにより、信号伝送導体の下方に配置される光導波路で、表皮効果による電界強度分布の偏りが顕著になる周波数帯域であっても、光導波路内を伝送される被変調光に対して均一かつ十分な強度の電界が印加され、被変調光が光導波路内のどの位置に入射しても、確実に変調が行われる。
【００３３】
なお、信号伝送導体の両側あるいは片側に接地または非接地の導体を所定の形状で配置することで、電界の拡がりを閉じ込める効果が得られ、電界強度を増加させることが可能となる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の導波路型光変調器によれば、信号伝送導体を流れる変調信号の周波数が上昇することで、表皮効果により信号伝送導体のエッジ部分等に電流が集中し、信号伝送導体近傍における電界の強度分布に偏りが生じる場合でも、光導波路では幅方向の全域に亘って十分な電界が印加される。これにより、変調信号の周波数を上昇させても、光信号の確実な変調が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面を参照して本発明の導波路型光変調器の実施の形態について説明する。
【００３６】
＜第１の実施の形態の導波路型光変調器の構成例＞
図１及び図２は、第１の実施の形態の導波路型光変調器の一例を示す構成図で、図１（ａ）は、第１の実施の形態の導波路型光変調器１Ａの平面図、図１（ｂ）は、導波路型光変調器１ＡのＡ−Ａ断面図、図１（ｃ）は、導波路型光変調器１Ａの導波路層を示すＢ−Ｂ断面図である。また、図２は、導波路型光変調器１Ａの斜視図である。
【００３７】
第１の実施の形態の導波路型光変調器１Ａは、電気光学効果あるいは半導体の電界吸収効果を利用した外部変調器で、光信号が伝送される光導波路２Ａと、光導波路２Ａに変調電界を印加する信号伝送導体３Ａと、信号伝送導体３Ａの特性インピーダンスの調整と電界分布の調整を行う面状導体４Ａを基板５に備える。
【００３８】
導波路型光変調器１Ａは、本例では半導体の電界吸収効果を利用するために、基板５が半導体材料で構成される。基板５は、例えば半導体多重量子井戸活性層（ＭＱＷ活性層）により導波路層５１ａが作製されて、光導波路２Ａが形成される。また、基板５は、導波路層５１ａの上層にクラッド層５１ｂを介して電極層５１ｃが作製されて、信号伝送導体３Ａと面状導体４Ａが形成される。
【００３９】
光導波路２Ａは、クラッド層５１ｂより屈折率が若干高く構成され、光が閉じ込められて伝送される。なお、半導体の電界吸収効果とは、量子井戸構造に電界を印加することにより、伝導帯と価電子帯のエネルギー準位差（バンドギャップ）が変化し、光の吸収量が変化する現象で、光導波路２Ａに電界が印加されると、光導波路２Ａの光透過強度が変化して光変調が行われる。
【００４０】
ここで、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸を、図１及び図２に示す方向とし、Ｚ軸に沿った基板５の一方の端部を入力側端部５２ａ、他方の端部を出力側端部５２ｂとすると、光導波路２Ａは、基板５の入力側端部５２ａから出力側端部５２ｂまで、Ｘ−Ｚ平面に沿ってＺ軸方向に直線状に延在する。そして、光導波路２Ａは、基板の入力側端部５２ａに一方の端面が露出して入射部２１ａが形成され、出力側端部５２ｂに他方の端面が露出して出射部２１ｂが形成される。
【００４１】
信号伝送導体３Ａは電極の一例で、基板５の入力側端部５２ａから出力側端部５２ｂまで、光導波路２Ａの延在方向（Ｚ軸）に対してＸ−Ｚ平面に沿って斜めに延在し、クラッド層５１ｂ（バッファー層）を介して光導波路２Ａと重なる。信号伝送導体３Ａにおいて、Ｘ軸に沿った幅方向の端面３１Ｌと端面３１Ｒは互いに平行な形状で、信号伝送導体３Ａの幅は、光導波路２Ａの幅より狭く構成される。
【００４２】
信号伝送導体３Ａでは、変調信号が高周波になると、表皮効果によって幅方向の端面３１Ｌと端面３１Ｒのエッジ部分に電流が集中する。このため、光導波路２Ａと信号伝送導体３Ａとの間の角度θは、信号伝送導体３Ａの端面３１Ｌと端面３１Ｒが、光導波路２Ａを幅方向に横切る角度に設定される。
【００４３】
これにより、信号伝送導体３Ａは、基板５の入力側端部５２ａから出力側端部５２ｂへ向かうに従い、光導波路２Ａに対する位置が、光導波路２Ａ内をＺ軸に沿って伝送される光の進行方向に垂直なＸ軸方向に変化する。
【００４４】
従って、表皮効果によって信号伝送導体３Ａのエッジ部分に電流が集中した場合に、光導波路２Ａにおいて電界が印加される位置は、光導波路２Ａ内での光の進行方向に垂直なＸ軸方向に移動することになる。
【００４５】
よって、信号伝送導体３Ａに変調信号を流すと、光導波路２Ａでは、信号伝送導体３Ａのエッジ部分に電流が集中しても、幅方向の全域に亘って十分な電界が印加され、光信号が光導波路２Ａ内のどの位置に入射しても変調が行われるようになっている。
【００４６】
なお、信号伝送導体３Ａの入力側端部５２ａ側には、図示しない信号線を接続可能とする幅広形状とした入力部３２ａが形成されると共に、信号伝送導体３Ａの出力側端部５２ｂ側には、図示しない信号線を接続可能とする幅広形状とした出力部３２ｂが形成される。
【００４７】
上述した信号伝送導体３Ａの形状と配置は、表皮効果により信号伝送導体３Ａのエッジ部分に集中した電流を効率良く利用するために、変調信号で使用する周波数での表皮深さと、信号伝送導体３Ａのインピーダンスに応じて決定される。
【００４８】
面状導体４Ａは電極の一例で、信号伝送導体３Ａの一方の端面３１Ｌと対向する側と、他方の端面３１Ｒと対向する側の双方あるいは一方に形成され、面状導体４Ａを接地する構成では、コプレーナウェーブガイド型の電極構造となる。なお、面状導体４Ａは非接地でも良い。
【００４９】
信号伝送導体３Ａと対向する面状導体４Ａの端面４１は、光導波路２Ａの延在方向に対して斜めに延在する信号伝送導体３Ａに合わせて傾斜し、面状導体４Ａは、信号伝送導体３Ａに対して所定の隙間４２を開けて対向している。
【００５０】
＜第１の実施の形態の導波路型光変調器の動作例＞
次に、各図を参照して、第１の実施の形態の導波路型光変調器１Ａの動作について説明する。
【００５１】
導波路型光変調器１Ａは、図示しないレーザダイオード（ＬＤ）等から出射したレーザ光が、光導波路２Ａの入射部２１ａに入射する。光導波路２Ａに入射部２１ａから入射した変調前のレーザ光である被変調光は、光導波路２ＡをＺ軸に沿った矢印Ｅ１方向に伝送される。
【００５２】
一方、導波路型光変調器１Ａは、信号伝送導体３Ａの入力部３２ａに、電気信号である変調信号が入力する。信号伝送導体３Ａに入力部３２ａから入力した変調信号は、信号伝送導体３Ａを被変調光と同じ矢印Ｅ２方向に進行し、信号伝送導体３Ａの下部に位置する光導波路２Ａに変調電界を印加して、信号伝送導体３Ａの出力部３２ｂで終端される。
【００５３】
このように、導波路型光変調器１Ａでは、光導波路２Ａにおける光の進行方向と、信号伝送導体３Ａにおける変調信号の進行方向が同じ向きであり、導波路型光変調器１Ａは、進行波型の光変調器である。
【００５４】
光導波路２Ａは、信号伝送導体３Ａから変調電界が印加されると、変調信号に応じて本例では光の吸収量が変化する。これにより、光導波路２Ａを伝送される被変調光は変調され、変調光が光導波路２Ａの出射部２１ｂから出力される。
【００５５】
上述したように、信号伝送導体３Ａは、光導波路２Ａの延在方向に対して所定の角度θでＸ−Ｚ平面に沿って斜めに延在しており、光の進行方向（Ｚ軸）と電磁界の進行方向を角度θだけ異ならせている。
【００５６】
これにより、変調信号が高周波で、表皮効果によって信号伝送導体３Ａのエッジ部分に電流が集中した場合でも、光導波路２Ａにおいて電界が印加される位置は、光導波路２Ａ内での光の進行方向に垂直なＸ軸方向に移動する。従って、信号伝送導体３Ａのエッジ部分に電流が集中しても、光導波路２Ａでは幅方向の全域に亘って十分な電界が印加され、被変調光が光導波路２Ａ内のどの位置に入射しても、確実に変調が行われる。
【００５７】
また、信号伝送導体３Ａの両側に、所定の隙間４２を開けて配置した面状導体４Ａにより、信号伝送導体３Ａから光導波路２Ａに印加される電界が、光導波路２Ａが存在する狭い範囲に閉じ込められ、光導波路２Ａに印加される電界強度が高められる。
【００５８】
更に、信号伝送導体３Ａの両側に配置される面状導体４Ａが、所望のインピーダンスを有する形状とすることで、信号伝送導体３Ａの特性インピーダンスが調整される。これにより、信号伝送導体３Ａに入力部３２ａや出力部３２ｂが形成されることで、信号伝送導体３Ａの幅が異なる等、電極形状や電極位置に変化があっても、インピーダンスが整合される。
【００５９】
図３は、光導波路中心部分での電界強度の時間変化を示すグラフで、実線で示すグラフＧ１は、本発明を適用した電極（信号伝送導体）による電界強度の変化を示し、一点鎖線で示すグラフＧ２は、比較例として、従来形状の電極による電界強度の変化を示す。
【００６０】
図５に示すような従来形状の電極を使用した導波路型光変調器では、変調信号が高周波になって、表皮効果でエッジ部分に電流が集中すると、光導波路の中心部分では、十分な電界強度を得ることができていない。
【００６１】
これに対して、本発明が適用された信号伝送導体３Ａを使用した導波路型光変調器１Ａでは、表皮効果で信号伝送導体３Ａのエッジ部分に電流が集中しても、光導波路２Ａにおいて電界が印加される位置は、光導波路２Ａ内での光の進行方向に対して垂直なＸ軸方向に移動するので、光導波路２Ａの中心（ｘ＝０）付近での電界強度が大幅に向上していることが判る。
【００６２】
このように、本発明が適用された信号伝送導体３Ａを使用した導波路型光変調器１Ａでは、電界を印加させる領域を、光導波路２Ａの幅に合わせて広い範囲で変化させることで、表皮効果を利用した効率の良い電界供給が可能となる。また、信号伝送導体３Ａの両側に設置された面状導体４Ａによる電界の閉じ込め効果によって、大幅に電界強度を増加することが可能となる。
【００６３】
これにより、変調信号が信号伝送導体３Ａを通過する際に発生する損失が軽減できるため、高周波及び広帯域化が実現でき、更に、短い伝送距離で十分な電界を印加できるため、光変調器としての素子サイズの小型化も実現できる。
【００６４】
＜第１の実施の形態の導波路型光変調器の変形例＞
図４は、第１の実施の形態の導波路型光変調器の変形例を示す構成図である。信号伝送導体である電極が、光の進行方向に対して有する角度によって決定される電磁界の進行方向と、光導波路による光進行方向の角度差は単一である必要はなく、図４（ａ）に示す導波路型光変調器１Ｂのように、光導波路２Ａを幅方向に横切って直線状に蛇行した形状の信号伝送導体３Ｂとしても良い。
【００６５】
また、図４（ｂ）に示す導波路型光変調器１Ｃのように、光導波路２Ａを幅方向に横切って曲線状に蛇行した形状の信号伝送導体３Ｃとしても良い。このように、信号伝送導体を蛇行した形状とすることで、エッジ部分に集中した電流を、光導波路２Ａに対して効果的に印加することができる。
【００６６】
また、図４（ａ）に示すように、信号伝送導体３Ｃを直線状に蛇行させることで、面状電極４Ｂとの隙間を変化させ、インピーダンス整合を行う。これに対して、図４（ｂ）に示すように、信号伝送導体３Ｃを曲線状に蛇行させることで、面状電極４Ｃとの隙間を一定として、インピーダンス整合を行うと共に、電界の閉じ込め効果を強くする。
【００６７】
更に、図４（ｃ）に示す導波路型光変調器１Ｄのように、信号伝送導体３Ｄの両側に面状導体４Ｄを形成する構成でも良いし、図４（ｄ）に示す導波路型光変調器１Ｅのように、信号伝送導体３Ｅの両側に面状導体を形成しない構成、図示しないが、信号伝送導体の片側に面状導体を形成する構成としても良い。また、図示しないが、信号伝送導体の幅を全長に亘って一定とした構成でも良い。
【００６８】
このように、光と電磁界の進行方向を変化させることで、表皮効果によって電極の表皮に集中した電流を光の進行方向と垂直な軸上（Ｘ軸上）で移動させる形態であれば、本発明の範疇である。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明は、光ファイバ通信等で使用される外部変調器に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】第１の実施の形態の導波路型光変調器の一例を示す構成図である。
【図２】第１の実施の形態の導波路型光変調器の一例を示す構成図である。
【図３】光導波路中心部分での電界強度の時間変化を示すグラフである。
【図４】第１の実施の形態の導波路型光変調器の変形例を示す構成図である。
【図５】従来の導波路型光変調器の一例を示す構成図である。
【図６】電極近傍での電磁界の分布のシミュレーション例である。
【図７】表皮深さと信号周波数の関係を示すグラフである。
【図８】電極直下における表皮効果による電界強度分布の一例を示すグラフである。
【図９】電極の幅と電界強度の関係を示すシミュレーション例である。
【符号の説明】
【００７１】
１Ａ・・・導波路型光変調器、２Ａ・・・光導波路、２１ａ・・・入射部、２１ｂ・・・出射部、３Ａ・・・信号伝送導体、３１Ｌ・・・端面、３１Ｒ・・・端面、３２ａ・・・入力部、３２ｂ・・・出力部、４Ａ・・・面状導体、５・・・基板、５１ａ・・・導波路層、５１ｂ・・・クラッド層、５１ｃ・・・電極層、５２ａ・・・入力側端部、５２ｂ・・・出力側端部
【図１】
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【図２】
2008020727.tif 000005
【図３】
2008020727.tif 000006
【図４】
2008020727.tif 000007
【図５】
2008020727.tif 000008
【図６】
2008020727.tif 000009
【図７】
2008020727.tif 000010
【図８】
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【図９】
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