(57)【要約】【課題】良質な電子部品にクラック等を発生させることなく、スクリーングを簡便に行なうことが可能な電子部品の製造方法を提供すること。【解決手段】被検査体７の端子電極５，６を、誘電体層２を構成する誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる。直流電源１１に接続された通電プローブ１３を端子電極５，６それぞれに接触させて、通電プローブ１３に通電する。これにより、端子電極５，６にも通電され、端子電極５，６は自らが有する電気抵抗により発熱する。そして、被検査体７の端子電極５，６を、誘電体層２を構成する誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、被検査体７の絶縁抵抗ＩＲを測定する。絶縁抵抗ＩＲは、端子電極５，６に測定プローブを接触させ、測定プローブ間に直流電源から直流電圧を印加して、端子電極５，６間に通電し、測定器により測定する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体材料を含む素体と、前記素体の外表面に配置された端子電極と、を有する電子部品の製造方法であって、
前記端子電極に通電プローブを接触させて、前記通電プローブに通電することにより、前記端子電極を前記誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる工程と、
前記端子電極を前記誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、前記端子電極に測定プローブを接触させて、前記測定プローブに通電することにより、前記電子部品の電気的特性を測定し、該電気的特性に基づいて前記電子部品の良否を判定する工程と、を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記通電プローブと前記測定プローブとを前記端子電極に接触させた状態で前記通電プローブに通電することにより、前記端子電極を前記誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させ、
前記通電プローブと前記測定プローブとを前記端子電極に接触させた状態で前記測定プローブに通電することにより、前記電子部品の電気的特性を測定することを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記端子電極が、第１の電極層と、前記第１の電極層よりも電気抵抗が高い第２の電極層とを含んでいることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
誘電体材料を含む素体と、前記素体の外表面に配置された端子電極と、を有する電子部品の製造方法であって、
前記端子電極に発熱体を接触させることにより、前記端子電極を前記誘電体材料のキュリー温度以上の温度に加熱する工程と、
前記端子電極を前記誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、前記端子電極に測定プローブを接触させて、前記測定プローブに通電することにより、前記電子部品の電気的特性を測定し、該電気的特性に基づいて前記電子部品の良否を判定する工程と、を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記発熱体と前記測定プローブとを前記端子電極に接触させた状態で前記端子電極を前記誘電体材料のキュリー温度以上の温度に加熱し、
前記通電プローブと前記測定プローブとを前記端子電極に接触させた状態で前記測定プローブに通電して前記電子部品の電気的特性を測定することを特徴とする請求項４に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記電気的特性として絶縁抵抗を測定することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
誘電体材料を含む素体と、前記素体の外表面に配置された端子電極と、を有する電子部品の製造方法であって、
前記端子電極に通電することにより、前記端子電極を前記誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる工程と、
前記端子電極を前記誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、前記電子部品の電気的特性を測定し、該電気的特性に基づいて前記電子部品の良否を判定する工程と、を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法、特に、電子部品をスクリーニングする工程を含む製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘電体材料を含む素体と当該素体の外表面に配置された端子電極とを備える電子部品の製造方法として、端子電極に測定プローブを接触させた状態で測定プローブに通電して電子部品の電気的特性を測定し、測定された電気的特性に基づいて電子部品の良否を判定する（スクリーニング）工程を備えるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−２２７８２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、この種の誘電体材料は、常温では、電歪現象を伴う。このため、常温にて電子部品の電気的特性を測定する場合、電子部品に印加する電圧の大きさによっては、上記電歪現象により、内部構造欠陥のない良質な電子部品までクラック等を発生させてしまう懼れがある。
【０００４】
本発明は、良質な電子部品にクラック等を発生させることなく、スクリーングを簡便に行なうことが可能な電子部品の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る電子部品の製造方法は、誘電体材料を含む素体と、素体の外表面に配置された端子電極と、を有する電子部品の製造方法であって、端子電極に通電プローブを接触させて、通電プローブに通電することにより、端子電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる工程と、端子電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、端子電極に測定プローブを接触させて、測定プローブに通電することにより、電子部品の電気的特性を測定し、該電気的特性に基づいて電子部品の良否を判定する工程と、を備えることを特徴とする。
【０００６】
本発明に係る電子部品の製造方法では、通電プローブを通して端子電極に通電することにより、端子電極が有する電気抵抗を利用して、端子電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる。このとき、素体も、略キュリー温度以上の温度となる。そして、端子電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、すなわち素体が略キュリー温度以上の温度である状態で、測定プローブに通電して電子部品の電気的特性を測定する。このため、素体に含まれる誘電体材料に電歪現象が起こり難く、測定プローブに通電して電子部品の電気的特性を測定する際に、良質な電子部品までクラック等を発生させてしまうことはない。
【０００７】
ところで、素体（電子部品）を加熱する手法として、炉や恒温槽等を用いることが考えられる。炉や恒温槽等を用いて素体を加熱する場合、設備が大型化すると共に、素体を効率良く加熱することが難しい。これに対して、本発明では、端子電極に通電することにより端子電極を発熱させて、端子電極が配置されている素体を加熱している。したがって、炉や恒温槽等を用いて電子部品を加熱するものに比して、素体を効率良く加熱することができると共に、素体を加熱した状態で簡便に電気的特性を測定することができる。また、本発明では、スクリーニングのための設備が大型化することもない。
【０００８】
好ましくは、通電プローブと測定プローブとを端子電極に接触させた状態で通電プローブに通電することにより、端子電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させ、通電プローブと測定プローブとを端子電極に接触させた状態で測定プローブに通電することにより、電子部品の電気的特性を測定する。この場合、通電プローブと測定プローブとを交互に接触させる必要がなく、端子電極の発熱及び電気的特性の測定をより一層簡便に行なうことができる。
【０００９】
好ましくは、端子電極が、第１の電極層と、第１の電極層よりも電気抵抗が高い第２の電極層とを含んでいる。この場合、第２の電極層が存在することにより、端子電極を効率良く発熱させることができる。この結果、素体を速やかに且つより一層効率良く加熱することができる。
【００１０】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、誘電体材料を含む素体と、素体の外表面に配置された端子電極と、を有する電子部品の製造方法であって、端子電極に発熱体を接触させることにより、端子電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に加熱する工程と、端子電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、端子電極に測定プローブを接触させて、測定プローブに通電することにより、電子部品の電気的特性を測定し、該電気的特性に基づいて電子部品の良否を判定する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る電子部品の製造方法では、端子電極に発熱体を接触させることにより、端子電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に加熱する。このとき、素体も、略キュリー温度以上の温度となる。そして、端子電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、すなわち素体が略キュリー温度以上の温度である状態で、測定プローブに通電して電子部品の電気的特性を測定する。このため、素体に含まれる誘電体材料に電歪現象が起こり難く、測定プローブに通電して電子部品の電気的特性を測定する際に、良質な電子部品までクラック等を発生させてしまうことはない。
【００１２】
また、本発明では、発熱体を接触させることにより端子電極を加熱して、端子電極が配置されている素体を加熱している。したがって、炉や恒温槽等を用いて電子部品を加熱するものに比して、素体を効率良く加熱することができると共に、素体を加熱した状態で簡便に電気的特性を測定することができる。また、本発明では、スクリーニングのための設備が大型化することもない。
【００１３】
好ましくは、発熱体と測定プローブとを端子電極に接触させた状態で端子電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に加熱し、通電プローブと測定プローブとを端子電極に接触させた状態で測定プローブに通電して電子部品の電気的特性を測定する。この場合、発熱体と測定プローブとを交互に接触させる必要がなく、端子電極の加熱及び電気的特性の測定をより一層簡便に行なうことができる。
【００１４】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、誘電体材料を含む素体と、素体の外表面に配置された端子電極と、を有する電子部品の製造方法であって、端子電極に通電することにより、端子電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる工程と、端子電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、電子部品の電気的特性を測定し、該電気的特性に基づいて電子部品の良否を判定する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る電子部品の製造方法では、端子電極に通電することにより、端子電極が有する電気抵抗を利用して、端子電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる。このとき、素体も、略キュリー温度以上の温度となる。そして、端子電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、すなわち素体が略キュリー温度以上の温度である状態で、測定プローブに通電して電子部品の電気的特性を測定する。このため、素体に含まれる誘電体材料に電歪現象が起こり難く、測定プローブに通電して電子部品の電気的特性を測定する際に、良質な電子部品までクラック等を発生させてしまうことはない。
【００１６】
また、本発明では、端子電極に通電することにより端子電極を発熱させて、端子電極が配置されている素体を加熱している。したがって、炉や恒温槽等を用いて電子部品を加熱するものに比して、素体を効率良く加熱することができると共に、素体を加熱した状態で簡便に電気的特性を測定することができる。また、本発明では、スクリーニングのための設備が大型化することもない。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、良質な電子部品にクラック等を発生させることなく、スクリーングを簡便に行なうことが可能な電子部品の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１９】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る製造方法が適用される積層セラミックスコンデンサの断面図である。この積層セラミックスコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極３とが交互に複数積層された略直方体の素体４（積層体）と、この素体４の積層方向に交わる方向の両端面に形成された各端子電極５，６とを備えている。
【００２０】
誘電体層２は、電歪特性を有する例えば、ＢａＴｉＯ３系、Ｂａ(Ｔｉ，Ｚｒ)Ｏ３系、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３系などの誘電体材料からなり、内部電極３に挟まれる誘電体層２の厚みは、例えば、１８．５μｍに薄層化されている。内部電極３は、誘電体材料の種類により異なるが、Ｎｉ、Ｃｕなどの卑金属材料やＰｔ，Ａｇなどの貴金属材料からなり、誘電体層２を介して対向配置される。この対向配置される各内部電極３は、各々別々の各側面に引き出され各端子電極５，６に電気的に接続される。各端子電極５，６は多層化されており、素体４に接する部分では、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ、Ａｇ−Ｐｄなどを用い、その外側にはＮｉ−Ｓｎなどのめっきが施される。
【００２１】
続いて、図２を参照して、第１実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法について説明する。図２は、第１実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法のフローを示す図である。
【００２２】
積層セラミックスコンデンサ１の製造においては、まず、誘電体層２を形成するためのセラミックスペースト、内部電極３を形成するための内部電極ペーストをそれぞれ準備する。
【００２３】
セラミックスペーストは、誘電体層２を構成する誘電体材料の原料に有機ビヒクルなどを混合・混錬して得ることができる。誘電体材料の原料としては、例えば、誘電体材料が上述したような各種の複合酸化物系材料である場合は、当該複合酸化物に含まれる各金属原子の酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などの組み合わせが挙げられる。
【００２４】
有機ビヒクルは、バインダー及び溶剤を含むものである。バインダーとしては、例えば、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂などが挙げられる。また、溶剤としては、例えば、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン、キシレン、エタノール、メチルエチルケトンなどの有機溶剤が挙げられる。
【００２５】
また、セラミックスペーストは、上記以外に各種分散剤、可塑剤、誘電体、ガラスフリット、絶縁体などが必要に応じて含有されていてもよい。
【００２６】
内部電極ペーストは、内部電極３を構成するための導電材料と有機ビヒクルとを混合・混錬したものである。導電材料としては、上述したような金属材料を用い、球状やリン片状などの種々の形状のものを適用できる。また、内部電極ペースト中には、必要に応じて無機化合物を適量含有させることが好ましい。これにより、後述する焼成時において、セラミックスグリーンシート及び内部電極ペースト層の体積変化の差を小さくして、これに起因する応力の発生を低減することができる。その結果、この応力に基づくクラックや反りなどの不具合を抑制することが可能となる。
【００２７】
有機ビヒクルは、バインダー及び溶剤を含むものである。バインダーとしては、例えば、エチルセルロース、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリオレフィン、ポリウレタン、ポリスチレン、またはこれらの共重合体などが挙げられる。溶剤としては、例えば、テルピネオール、ブチルカルビトール、ケロシン、アセトンなどが挙げられる。
【００２８】
内部電極ペースト中には、適宜、可塑剤を含有させてもよい。可塑剤としては、例えば、フタル酸ベンジルブチル（ＢＢＰ）などのフタル酸エステル、アジピン酸、リン酸エステル、グリコール類などが適用できる。
【００２９】
続いて、上述したセラミックスペースト及び内部電極ペーストを準備した後、まず、例えば、ＰＥＴなどからなるキャリアシート上にセラミックスペーストをドクターブレード法などの公知の方法でセラミックスグリーンシートを形成する（ステップＳ１：シート成形工程）。そして、セラミックスグリーンシート上に内部電極ペーストをスクリーン印刷法などの公知の方法で複数の内部電極パターンを形成する（ステップＳ３：内部電極形成工程）。
【００３０】
続いて、内部電極パターンが形成されたセラミックスグリーンシートを所定の大きさに揃えて所定の枚数で積層し、積層方向から加圧してグリーン積層体を得る（ステップＳ５：積層・プレス工程）。そして、グリーン積層体を切断機で所定の大きさのチップに切断しグリーンチップを得る（ステップＳ７：切断工程）。
【００３１】
続いて、グリーンチップから、各部に含まれるバインダーを除去した後（脱バインダー）、このグリーンチップを焼成する（ステップＳ９：焼成工程）。この焼成により、セラミックスグリーンシートから誘電体層２が、また、内部電極ペースト層から内部電極３がそれぞれ形成された素体４が得られる。脱バインダーは、グリーンチップを、空気中、又は、Ｎ２及びＨ２の混合ガスなどの還元雰囲気中で、２００〜６００℃程度に加熱することにより行うことができる。また、焼成は、脱バインダー後のグリーンチップを、例えば、還元雰囲気下で１１００〜１３００℃程度に加熱することにより行うことができる。そして、かかるグリーンチップの焼成後、得られた焼成物に、必要に応じて８００〜１１００℃、２〜１０時間保持するアニール処理を施す。
【００３２】
続いて、素体４の両端部に導電性ペーストを塗布して焼付けし、さらにめっきを施すことにより端子電極５，６を形成する（ステップＳ１１：端子電極形成工程）。導電性ペーストは、Ｃｕを主成分とする金属粉末にガラスフリット及び有機ビヒクルを混合したものを用いることができる。金属粉末は、Ｎｉ、Ａｇ−ＰｄあるいはＡｇを主成分とするものであってもよい。めっきは、Ｎｉ，Ｓｎ，Ｎｉ−Ｓｎ合金，Ｓｎ−Ａｇ合金，Ｓｎ−Ｂｉ合金などの金属めっきを施すことができる。また、金属めっきは、例えば、ＮｉとＳｎとで２層以上形成した多層構造としても良い。以上により、図１に示されるような構成の複数の積層セラミックスコンデンサ１が得られる。
【００３３】
続いて、得られた積層セラミックスコンデンサ１（被検査体）について、電気的特性の検査をする（ステップＳ１３：電気的特性（絶縁抵抗）検査工程）。電気的特性の検査は、得られた被検査体が所定の電気的特性を備えているかを検査するものであり、被検査体の電気的特性を測定し、測定された電気的特性に基づいて被検査体の良否を判定する。電気的特性が不良であると判断された被検査体は除外され、当該検査によりスクリーニングされた被検査体のみ他の検査工程に移ることになる。電気的特性の検査には、例えば、積層セラミックスコンデンサの規格（ＪＩＳ規格など）に基づく、耐電圧検査、絶縁抵抗検査、静電容量検査、静電正接検査などがある。
【００３４】
以下、図３及び図４を参照して、絶縁抵抗検査工程について、詳細に説明する。絶縁抵抗検査以外の各工程については、既知であるため、詳細な説明は省略する。図３及び図４は、絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【００３５】
まず、被検査体７の端子電極５，６を、誘電体層２を構成する誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる。ここでは、図３に示されるように、直流電源１１に接続された通電プローブ１３を端子電極５，６それぞれに接触させて、通電プローブ１３に通電する。これにより、端子電極５，６にも通電され、端子電極５，６は自らが有する電気抵抗により発熱する。
【００３６】
端子電極５，６への通電は、端子電極５，６が誘電体層２を構成する誘電体材料のキュリー温度以上の温度となるまで行う。端子電極５，６の熱は、誘電体層２に直接的に伝わり、あるいは内部電極３を通して間接的に伝わり、誘電体層２も略キュリー温度以上の温度に加熱される。誘電体材料のキュリー温度は、示差走査熱量測定（Differential scanning calorimetry）等によって測定することができる。
【００３７】
端子電極５，６の温度が誘電体層２を構成する誘電体材料のキュリー温度以上であるか否かは、温度測定器を用いて端子電極５，６の温度を測定することにより確認することができる。また、端子電極５，６の電気抵抗等から誘電体層２を構成する誘電体材料のキュリー温度以上となる温度まで端子電極５，６を発熱させるための電力を予め求めておき、直流電源１１から予め求めた電力を供給することにより、端子電極５，６の温度が誘電体層２を構成する誘電体材料のキュリー温度以上であるとしてもよい。
【００３８】
そして、被検査体７の端子電極５，６を、誘電体層２を構成する誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、被検査体７の絶縁抵抗ＩＲを測定する。絶縁抵抗ＩＲは、図４に示されるように、端子電極５，６に測定プローブ１５を接触させ、測定プローブ１５間に直流電源１７，１９から直流電圧を印加して、測定プローブ１５間、すなわち端子電極５，６間に通電し、測定器２１により測定する。
【００３９】
直流電圧を印加するステップは、第１のステップと、第２のステップとを含む。第１のステップでは、定格電圧の１０倍程度の直流電圧Ｖ１（Ｖ／μｍ）を印加する。次に、第２のステップでは、第１のステップの後に、定格電圧の３〜５倍程度の直流電圧Ｖ２（Ｖ）を印加する。
【００４０】
第１実施形態では、電源装置として直流電源１７，１９を備え、直流電源１７，１９を切り替え回路２３によって切り替えることにより、第１のステップ及び第２のステップを実行する例を示している。第１のステップでは、切り替え回路２３の可動接片２３ａを、接点２３ｂに接触させ、直流電源１７の直流電圧Ｖ１を、端子電極５，６間に印加する。印加時間は、例えば、１０ｍｓｅｃ〜１．０ｓｅｃの範囲（好ましくは、１０ｍｓｅｃ〜２０ｍｓｅｃの範囲）に設定することができる。
【００４１】
第２のステップでは、第１のステップの終了後、切り替え回路２３の可動接片２３ａを、接点２３ｃに接触させ、直流電源１９の直流電圧Ｖ２を、端子電極５，６間に印加する。印加時間は、例えば、１０ｍｓｅｃ〜１．０ｓｅｃの範囲（好ましくは、１０ｍｓｅｃ〜２０ｍｓｅｃの範囲）に設定することができる。
【００４２】
第１のステップで印加される直流電圧Ｖ１は、上述したように、定格電圧の１０倍程度の電圧（例えば、２０〜４０（Ｖ／μｍ）の範囲内の電圧）とされている。この程度の電圧であれば、隣り合う内部電極３に挟まれる誘電体層２に欠陥が存在する場合、この欠陥を顕在化させ、それによる絶縁抵抗ＩＲの低下から、不良品としてスクリーニングすることができる。
【００４３】
第１のステップで印加される直流電圧Ｖ１が低すぎる（例えば、２０（Ｖ／μｍ未満）場合は、充分なスクリーニングがなされないため、サーマル評価及び信頼性評価において、クラックや不良品が発生する。第１のステップで印加される直流電圧Ｖ１が高すぎる（例えば、４０（Ｖ／μｍ）より高い）場合は、過電圧となり、製品に内部クラックなどのダメージが残り、サーマル評価及び信頼性評価において、クラックや不良品が発生する。
【００４４】
第２のステップで印加される直流電圧Ｖ２は、上述したように、定格電圧の３〜５倍程度の電圧とされている。直流電圧Ｖ２が定格電圧の３倍未満の場合は、第２のステップによる信頼性評価が不十分になる。直流電圧Ｖ２が定格電圧の５倍を超えると過電圧になる。これにより、使用期間中に寿命劣化の虞のある被検査体７を、前以て選別除去し、信頼性を保証することができる。
【００４５】
続いて、電気的特性（絶縁抵抗）検査工程によりスクリーニングされた被検査体について、その外観を検査（ステップＳ１５：外観検査工程）する。外観検査は、カメラや目視により被検査体の外観に欠けた部分などが存在しないかを確認するものである。外観検査によりスクリーニングされた良品被検査体が積層セラミックスコンデンサとして、出荷されることとなる。
【００４６】
以上のように、第１実施形態では、通電プローブ１３を通して端子電極５，６に通電することにより、端子電極５，６が有する電気抵抗を利用して、誘電体層２を構成する誘電体材料のキュリー温度以上の温度に端子電極５，６を発熱させる。このとき、誘電体層２も、略キュリー温度以上の温度となる。そして、端子電極５，６を上記誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、すなわち誘電体層２が略キュリー温度以上の温度である状態で、測定プローブ１５間に通電して被検査体７（積層セラミックスコンデンサ１）の絶縁抵抗ＩＲを測定する。このため、誘電体層２を構成する誘電体材料に電歪現象が起こり難く、測定プローブ１５間に通電して絶縁抵抗ＩＲを測定する際に、良質な被検査体７までクラック等を発生させてしまうことはない。
【００４７】
ところで、被検査体７を加熱する手法として、炉や恒温槽等を用いることが考えられる。炉や恒温槽等を用いて被検査体７を加熱する場合、設備が大型化すると共に、被検査体７を効率良く加熱することが難しい。これに対して、第１実施形態では、端子電極５，６に通電することにより端子電極５，６を発熱させて、誘電体層２を加熱している。したがって、炉や恒温槽等を用いて被検査体７を加熱するものに比して、誘電体層２を効率良く加熱することができると共に、誘電体層２を加熱した状態で簡便に絶縁抵抗ＩＲを測定することができる。また、第１実施形態では、スクリーニングのための設備が大型化することもない。
【００４８】
次に、図５を参照して、第１実施形態の変形例を説明する。図５は、絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【００４９】
図５に示された変形例では、絶縁抵抗検査工程において、通電プローブ１３及び測定プローブ１５を共に端子電極５，６に接触させている。すなわち、通電プローブ１３及び測定プローブ１５を端子電極５，６に接触させた状態で通電プローブ１３に通電することにより、端子電極５，６を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させ、通電プローブ１３及び測定プローブ１５を端子電極５，６に接触させた状態で測定プローブ１５間に通電することにより、被検査体７の絶縁抵抗ＩＲを測定している。これにより、通電プローブ１３と測定プローブ１５とを交互に接触させる必要がなく、端子電極５，６の発熱及び絶縁抵抗ＩＲの測定をより一層簡便に行なうことができる。
【００５０】
第１実施形態及びその変形例では、図６に示されているように、被検査体７（積層セラミックスコンデンサ１）として、端子電極５，６が第１の電極層５ａ，６ａと、第１の電極層５ａ，６ａよりも電気抵抗が高い第２の電極層５ｂ，６ｂとを含んでいるものが好適である。この場合、第２の電極層５ｂ，６ｂが存在することにより、端子電極５，６を効率良く発熱させることができる。この結果、誘電体層２を速やかに且つより一層効率良く加熱することができる。第２の電極層５ｂ，６ｂは、金属酸化物層により構成することができる。
【００５１】
（第２実施形態）
図７を参照して、第２実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法について説明する。図７は、絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。第２実施形態に係る製造工程は、後述する絶縁抵抗検査工程を除いて第１実施形態に係る製造方法と同じであり、重複する工程については説明を省略する。
【００５２】
第２実施形態に係る絶縁抵抗検査工程では、まず、被検査体７の端子電極５，６を、誘電体層２を構成する誘電体材料のキュリー温度以上の温度に加熱する。ここでは、図７に示されるように、発熱体２５を端子電極５，６それぞれに接触させて、端子電極５，６を加熱する。発熱体２５は、電気ヒーター（図示せず）を有しており、上記誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱する。発熱体２５は、端子電極５，６が誘電体層２を構成する誘電体材料のキュリー温度以上の温度となるまで接触させておく。端子電極５，６の熱は、誘電体層２に直接的に伝わり、あるいは内部電極３を通して間接的に伝わり、誘電体層２も略キュリー温度以上の温度に加熱される。
【００５３】
そして、被検査体７の端子電極５，６を、誘電体層２を構成する誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、被検査体７の絶縁抵抗ＩＲを測定する。絶縁抵抗ＩＲは、第１実施形態と同じく、図４に示されるように、端子電極５，６に測定プローブ１５を接触させ、測定プローブ１５間に直流電源１７，１９から直流電圧を印加して、測定プローブ１５間、すなわち端子電極５，６間に通電し、測定器２１により測定する。
【００５４】
以上のように、第２実施形態では、端子電極５，６に発熱体２５を接触させることにより、誘電体層２を構成する誘電体材料のキュリー温度以上の温度に端子電極５，６を加熱する。このとき、誘電体層２も、略キュリー温度以上の温度となる。そして、端子電極５，６を上記誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、すなわち誘電体層２が略キュリー温度以上の温度である状態で、測定プローブ１５間に通電して被検査体７（積層セラミックスコンデンサ１）の絶縁抵抗ＩＲを測定する。このため、誘電体層２を構成する誘電体材料に電歪現象が起こり難く、測定プローブ１５間に通電して絶縁抵抗ＩＲを測定する際に、良質な被検査体７までクラック等を発生させてしまうことはない。
【００５５】
第２実施形態では、発熱体２５を接触させることにより端子電極５，６を加熱して、誘電体層２を加熱している。したがって、炉や恒温槽等を用いて被検査体７を加熱するものに比して、誘電体層２を効率良く加熱することができると共に、誘電体層２を加熱した状態で簡便に絶縁抵抗ＩＲを測定することができる。また、第２実施形態では、スクリーニングのための設備が大型化することもない。
【００５６】
次に、図８を参照して、第２実施形態の変形例を説明する。図８は、絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【００５７】
図８に示された変形例では、絶縁抵抗検査工程において、発熱体２５及び測定プローブ１５を共に端子電極５，６に接触させている。すなわち、発熱体２５及び測定プローブ１５を端子電極５，６に接触させた状態で端子電極５，６を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に加熱し、発熱体２５及び測定プローブ１５を端子電極５，６に接触させた状態で測定プローブ１５間に通電することにより、被検査体７の絶縁抵抗ＩＲを測定している。これにより、発熱体２５と測定プローブ１５とを交互に接触させる必要がなく、端子電極５，６の加熱及び絶縁抵抗ＩＲの測定をより一層簡便に行なうことができる。
【００５８】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００５９】
第１及び第２実施形態では、電子部品の一例として積層セラミックスコンデンサの製造方法を説明したが、電歪効果を有する誘電体材料を用いる電子部品であれば、特に限定されるものではなく、例えば、積層アクチュエータなどの製造方法としても適用できる。
【００６０】
第１及び第２実施形態では、積層セラミックスコンデンサの製造方法として、積層型貫通コンデンサの製造方法にも適用できる。この場合、通電プローブ１３は信号用端子電極と接地用端子電極との少なくともいずれか一方の端子電極に接触させ、測定プローブ１５は信号用端子電極と接地用端子電極とにそれぞれ接触させる。また、発熱体２５は、信号用端子電極と接地用端子電極とのいずれの端子電極に接触させる。
【００６１】
第１及び第２実施形態では、絶縁抵抗検査工程において端子電極５，６を発熱あるいは加熱して端子電極５，６を誘電体材料のキュリー温度以上の温度としているが、絶縁抵抗検査工程以外の検査工程（例えば、耐電圧検査工程）において、端子電極５，６を発熱あるいは加熱して端子電極５，６を誘電体材料のキュリー温度以上の温度として検査を行ってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】第１実施形態に係る製造方法が適用される積層セラミックスコンデンサの一例を示す断面図である。
【図２】第１実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法のフローを示す図である。
【図３】第１実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法での絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【図４】第１実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法での絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【図５】第１実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法の変形例での絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【図６】第１実施形態に係る製造方法が適用される積層セラミックスコンデンサの一例を示す断面図である。
【図７】第２実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法での絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【図８】第２実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法の変形例での絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
１…積層セラミックスコンデンサ、２…誘電体層、３…内部電極層、４…積層体、５，６…端子電極、５ａ，６ａ…第１の電極層、５ｂ，６ｂ…第２の電極層、７…被検査体、１１，１７，１９…直流電源、１３…通電プローブ、１５…測定プローブ、２１…測定器、２５…発熱体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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