(57)【要約】【課題】本発明は、前加工が施された分割予定面に、分割のための充分な応力を加えることができると共に、基板上の構成物を損なう可能性を抑制することができる基板の分割方法、半導体装置の製造方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明による基板の分割方法は、複数の部材が区画形成された基板をそれぞれの部材に分割する基板の分割方法であって、基板に設定された分割予定面に、連続する凹部又は間隔を隔てて連なる複数の凹部を形成する、凹部形成工程と、凹部又は複数の凹部に液状体を充填する、液状体充填工程と、充填された液状体を膨張させる、膨張工程と、を有することを特徴とする。半導体装置の製造方法、及び電気光学装置の製造方法は、当該基板の分割方法を用いる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の部材が区画形成された基板をそれぞれの前記部材に分割する基板の分割方法であって、
前記基板に設定された分割予定面に、連続する凹部又は間隔を隔てて連なる複数の凹部を形成する、凹部形成工程と、
前記凹部又は前記複数の凹部に液状体を充填する、液状体充填工程と、
充填された前記液状体を膨張させる、膨張工程と、を有することを特徴とする基板の分割方法。
【請求項２】
前記膨張工程において、前記液状体を加熱して前記液状体の温度を上昇させることによって膨張させることを特徴とする請求項１に記載の基板の分割方法。
【請求項３】
前記膨張工程において、前記液状体を加熱して前記液状体を気化させることによって前記液状体を膨張させることを特徴とする、請求項１に記載の基板の分割方法。
【請求項４】
前記膨張工程において、前記液状体にレーザ光を照射することで、前記液状体を温度上昇又は気化させることによって、前記液状体を膨張させることを特徴とする、請求項２又は３に記載の基板の分割方法。
【請求項５】
前記膨張工程において、発熱体を前記凹部又は前記複数の凹部の開口部に当接又は近接させることによって、前記液状体を温度上昇又は気化させて膨張させることを特徴とする、請求項２又は３に記載の基板の分割方法。
【請求項６】
前記液状体は、冷却膨張性を有する液状体であって、前記膨張工程において、前記液状体を冷却することによって前記液状体を膨張させることを特徴とする、請求項１に記載の基板の分割方法。
【請求項７】
前記液状体は、固化することで膨張する特性を有する液状体であって、前記膨張工程において、前記液状体を冷却して凝固させることによって前記液状体を膨張させることを特徴とする、請求項１に記載の基板の分割方法。
【請求項８】
前記凹部形成工程は、カッタを用いて、前記分割予定面に沿って溝を形成する工程であることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板の分割方法。
【請求項９】
前記凹部形成工程は、前記基板の内部における前記分割予定面の部分を含む領域にレーザ光を集光させることにより、前記基板の内部において、前記分割予定面の部分を含む領域に改質領域を形成する工程であることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板の分割方法。
【請求項１０】
前記液状体充填工程において、前記液状体を液滴として任意の位置に向けて吐出可能な液滴吐出装置を用いて、前記液状体を前記凹部又は前記複数の凹部に供給することを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の基板の分割方法。
【請求項１１】
前記液状体充填工程において、前記液状体を任意の位置に向けて供給可能なディスペンサ装置を用いて、前記液状体を前記凹部又は前記複数の凹部に供給することを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の基板の分割方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の基板の分割方法を用いて、半導体装置が区画形成されたウェハをそれぞれの前記半導体装置に分割することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の基板の分割方法を用いて、電気光学装置が区画形成された電気光学装置基板をそれぞれの前記電気光学装置に分割することを特徴とする、電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の基板の分割方法を用いて、電気光学装置を構成する電気光学基板が区画形成されたマザー電気光学基板をそれぞれの前記電気光学基板に分割することを特徴とする、電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の部材が区画形成された基板をそれぞれの部材に分割する基板の分割方法、並びに当該基板の分割方法を用いる半導体装置の製造方法、及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、複数の半導体集積回路などが区画形成された基板又はウェハなどの基材を、区画形成された半導体集積回路などの境界において分割することによって、半導体集積回路などを有する個々のチップを形成する、半導体装置などの製造方法が知られている。このような製造方法などにおける分割方法としては、分割予定面に沿って割れ目を入れるような前加工を行い、力を加えることで、当該割れ目などをきっかけにして分割を行う分割方法が用いられている。
【０００３】
分割するための力は、例えば、分割するべき基板などを、割れ目などが形成された面を外側にして反らせることによって、割れ目などが形成された面側に引張応力が加わるようにすることで、基板などに加える。基板などに力を加える際に、当該基板に力を作用させるための接触部分では、力が加わることで当該部分に形成された半導体集積回路などが損なわれる可能性があった。特許文献１には、分割溝が形成された基板（板状体）の分割予定面（分割予定部）の上面を、力を作用させるための接触部分とすることによって、形成された半導体集積回路などに影響を与えることなく、基板（板状体）を曲面状に反らせて分割する方法が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２８１３２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、装置の小型軽量化が進み、分割するべき基板などが薄くなることによって、分割に必要な引張応力を生じさせるためには、基板を曲面状に反らせる曲率半径を小さくすることが必要になってきた。このため、多数の半導体集積回路などが形成された基板などにおいては、両端が当接して円筒状になる程まで曲げることが必要になり、反らせることによって充分な応力を発生させることが非常に困難であるという課題があった。また、半導体集積回路などが形成された部分を含む分割予定面以外の部分も小さい曲率半径で曲げられることから、当該部分や当該部分に形成された半導体集積回路などが損なわれる可能性があるという課題もあった。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するものであり、前加工が施された分割予定面に、分割のための充分な応力を加えることができると共に、基板上の構成物を損なう可能性を抑制することができる基板の分割方法、半導体装置の製造方法、及び電気光学装置の製造方法を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による基板の分割方法は、複数の部材が区画形成された基板をそれぞれの部材に分割する基板の分割方法であって、基板に設定された分割予定面に、連続する凹部又は間隔を隔てて連なる複数の凹部を形成する、凹部形成工程と、凹部又は複数の凹部に液状体を充填する、液状体充填工程と、充填された液状体を膨張させる、膨張工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る基板の分割方法によれば、連続する凹部又は複数の凹部に充填された液状体は、膨張工程において膨張させられることによって、凹部の壁を押圧して、当該凹部を拡張するように作用する力を、基板に加える。これにより、溝又は複数の凹部が押し広げられるため、当該凹部を起点として、基板を分割することができる。また、力は凹部の壁のみに作用する。これにより、基板の凹部以外の部分には殆ど力が加えられないため、凹部以外の部分や当該部分に形成された例えば半導体集積回路などが、力を受けて変形することによって損なわれる可能性を極めて小さくすることができる。
【０００９】
本発明において、基板の分割方法は、膨張工程において、液状体を加熱して液状体の温度を上昇させることによって膨張させることが好ましい。
【００１０】
この基板の分割方法によれば、力を作用させるように液状体を膨張させるためには、熱を液状体に伝えるだけでよい。熱を液状体に伝えるためには、熱源を液状体に接触させることは必ずしも必要としないため、狭い凹部に入った液状体も容易に膨張させることができる。
【００１１】
本発明において、基板の分割方法は、膨張工程において、液状体を加熱して液状体を気化させることによって液状体を膨張させることが好ましい。
【００１２】
この基板の分割方法によれば、液状体が気化することで、体積が急激に増加して、凹部の壁面に大きな力を加えることができる。
【００１３】
本発明において、基板の分割方法は、膨張工程において、液状体にレーザ光を照射することで、液状体を温度上昇又は気化させることによって、液状体を膨張させることが好ましい。
【００１４】
この基板の分割方法によれば、レーザ光は狭い領域に精度良く照射することが可能であるため、液状体を加熱する際に、液状体が配置された凹部以外の部分に影響を与えることを抑制することができる。
【００１５】
本発明において、基板の分割方法は、膨張工程において、発熱体を凹部又は複数の凹部の開口部に当接又は近接させることによって、液状体を温度上昇又は気化させて膨張させることが好ましい。
【００１６】
この基板の分割方法によれば、液状体を加熱するために、発熱体を凹部の開口部に当接又は接近させる。液状体が配置された凹部及びその近傍以外の部分には、発熱体が接近しないため、液状体を加熱する際に、液状体が配置された凹部以外の部分に影響を与えることを抑制することができる。
【００１７】
本発明において、基板の分割方法は、液状体が、冷却膨張性を有する液状体であって、膨張工程において、液状体を冷却することによって液状体を膨張させることが好ましい。
【００１８】
この基板の分割方法によれば、力を作用させるように液状体を膨張させるためには、液状体を冷却するだけでよい。冷却するために熱を液状体から奪うためには、冷却装置を液状体に接触させることは必ずしも必要としないため、狭い凹部に入った液状体も容易に膨張させることができる。
【００１９】
本発明において、基板の分割方法は、液状体が、固化することで膨張する特性を有する液状体であって、膨張工程において、液状体を冷却して凝固させることによって液状体を膨張させることが好ましい。
【００２０】
この基板の分割方法によれば、液状体が凝固することで、体積が急激に増加して、凹部の壁面に大きな力を加えることができる。また、液状体が凝固することで流動性が乏しくなることから、凹部から流出する可能性が小さくなるため、膨張した流動体が凹部から出ることで力が凹部の壁に作用することなく無駄になることを抑制して、効率良く力を作用させることができる。
【００２１】
本発明において、基板の分割方法は、凹部形成工程が、カッタを用いて、分割予定面に沿って溝を形成する工程であることが好ましい。
【００２２】
この基板の分割方法によれば、カッタを用いて溝を形成することによって、液状体を配置する凹部を形成すると同時に、基板を当該分割予定面で分割され易くすることができる。
【００２３】
本発明において、基板の分割方法は、凹部形成工程が、基板の内部における分割予定面の部分を含む領域にレーザ光を集光させることにより、基板の内部において、分割予定面の部分を含む領域に改質領域を形成する工程であることが好ましい。
【００２４】
この基板の分割方法によれば、液状体を配置する凹部を形成するために、分割予定面の部分を含む領域にレーザ光を集光させることにより、当該部分に改質領域を形成する。改質領域を分割予定面に沿って形成し、当該改質領域を起点にして加工対象物を切断する方法は、切断屑を殆ど生ずることがなく、正確で凹凸が少ない分断面が得られる。従って、凹部を形成するためにレーザ光を集光させることによって改質領域を形成することにより、正確で凹凸が少ない分断面を形成することができる。
【００２５】
本発明において、基板の分割方法は、液状体充填工程において、液状体を液滴として任意の位置に向けて吐出可能な液滴吐出装置を用いて、液状体を凹部又は複数の凹部に供給することが好ましい。
【００２６】
この基板の分割方法によれば、液滴吐出装置を用いて、液滴を略正確に凹部の位置に着弾させることができる。着弾した液滴は、着弾した位置で濡れ広がるが、その範囲は液滴の体積などで定まる範囲に限定され、液滴の体積などを適宜制御することで適切な大きさにすることができる。液滴の大きさ及び着弾させる液滴の数を調整することで、配置する液状体の量を調整することもできる。従って、液状体を、凹部内に充填させるのに必要な量を配置することができると共に、不要な部分に液状体を配置することを抑制することができる。
【００２７】
本発明において、基板の分割方法は、液状体充填工程において、液状体を任意の位置に向けて供給可能なディスペンサ装置を用いて、液状体を凹部又は複数の凹部に供給することが好ましい。
【００２８】
この基板の分割方法によれば、ディスペンサ装置を用いて、液状体を正確に略凹部の位置に配置することができる。配置された液状体は、配置された位置で濡れ広がるが、その範囲は、配置された液状体の体積などで定まる範囲に限定され、配置する液状体の体積などを適宜制御することで適切な大きさにすることができる。従って、液状体を、凹部内に充填させるのに必要な量を配置することができると共に、不要な部分に液状体を配置することを抑制することができる。
【００２９】
本発明による半導体装置の製造方法は、上記した基板の分割方法を用いて、半導体装置が区画形成されたウェハをそれぞれの半導体装置に分割することを特徴とする。
【００３０】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、基板の分割予定面に形成された凹部以外の部分には殆ど力が加えられないため、凹部以外の部分や当該部分に形成された例えば半導体集積回路などが、力を受けて変形することによって損なわれる可能性を極めて小さくすることができる基板の分割方法を用いる。これにより、ウェハを個別の半導体装置に分割する際に、ウェハの分割予定面以外の部分が損なわれる可能性を極めて小さくすることができるため、分割作業に起因して半導体装置が損なわれる可能性を極めて小さくすることができる。
【００３１】
本発明による電気光学装置の製造方法は、上記した基板の分割方法を用いて、電気光学装置が区画形成された電気光学装置基板をそれぞれの電気光学装置に分割することを特徴とする。
【００３２】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、電気光学装置基板をそれぞれの電気光学装置に分割する際に、基板の分割予定面に形成された凹部以外の部分には殆ど力が加えられないため、凹部以外の部分や当該部分に形成された例えば半導体集積回路などが、力を受けて変形することによって損なわれる可能性を極めて小さくすることができる基板の分割方法を用いる。これにより、電気光学装置基板をそれぞれの電気光学装置に分割する際に、電気光学装置基板の分割予定面以外の部分が損なわれる可能性を極めて小さくすることができるため、分割作業に起因して電気光学装置が損なわれる可能性を極めて小さくすることができる。
【００３３】
本発明による電気光学装置の製造方法は、上記した基板の分割方法を用いて、電気光学装置を構成する電気光学基板が区画形成されたマザー電気光学基板をそれぞれの電気光学基板に分割することを特徴とする。
【００３４】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、マザー電気光学基板をそれぞれの電気光学基板に分割する際に、基板の分割予定面に形成された凹部以外の部分には殆ど力が加えられないため、凹部以外の部分や当該部分に形成された例えば半導体集積回路などが、力を受けて変形することによって損なわれる可能性を極めて小さくすることができる基板の分割方法を用いる。これにより、マザー電気光学基板をそれぞれの電気光学基板に分割する際に、マザー電気光学基板の分割予定面以外の部分が損なわれる可能性を極めて小さくすることができるため、分割作業に起因して電気光学基板が損なわれる可能性を極めて小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明に係る基板の分割方法、半導体装置の製造方法、及び電気光学装置の製造方法の一実施形態について図面を参照して、説明する。なお、以下の説明に用いる図面は、各部材及び各層を認識可能な大きさとするために、各部材及び各層の縮尺を適宜変更している。
【００３６】
（第一の実施形態）
本実施形態は、基板の分割方法、及び半導体装置の製造方法の一例として、半導体装置を構成する半導体チップを製造する工程において、半導体装置を構成する半導体素子及び配線を有する集積回路が区画形成されたウェハを、個別の半導体チップに分割する工程で用いられる分割方法を例に説明する。
【００３７】
＜ウェハの構成＞
最初に、集積回路が区画形成されたウェハ１Ａの構成について説明する。集積回路は、シリコンウェハ上に半導体プロセスを用いて形成される。図１は、ウェハの形状を示す平面図である。図１に示すように、ウェハ１Ａには、半導体装置を構成する半導体素子及び配線を有する集積回路が区画形成されており、図１に二点鎖線で示した仮想の区画線３で囲まれたそれぞれのチップ部１ａ（図で網点を付した部分）に、１台の半導体装置に相当する集積回路が形成されている。ウェハ１Ａには、１個の半導体チップ１に相当するチップ部１ａが、３７個所形成されている。３７個所のチップ部１ａを総称して、チップ領域４と表記し、チップ領域４の外周側の部分を、外周部６と表記する。区画線３を外周部６に延長した仮想線を境界線３ａと表記する。区画線３を含む断面においてチップ領域４を分割することによって、ウェハ１Ａから半導体チップ１を分離可能となるが、チップ領域４は外周部６によって箍をはめられたようになっているため、半導体チップ１の分離は容易ではない。区画線３を含む断面におけるチップ領域４の分割に併せて、境界線３ａを含む断面において外周部６を分割することによって、ウェハ１Ａから半導体チップ１を容易に分離できるようになる。ウェハ１Ａが基板又はウェハに相当する。区画線３又は境界線３ａを一端とするウェハ１Ａの断面が分割予定面に相当する。
【００３８】
＜スクライブ溝形成装置＞
次に、ウェハ１Ａなどの分割対象物にスクライブ溝を形成するために用いられるスクライブ溝形成装置について、図２を参照して説明する。図２は、スクライブ溝形成装置の概略構成を示す説明図である。図２（ａ）は、スクライブ溝形成装置の全体構成を示す説明図であり、図２（ｂ）は、カッタを支持するヘッド周りの構成を示す説明図である。
【００３９】
図２（ａ）に示すように、スクライブ溝形成装置５は、互いに直交する方向をそれぞれＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向としたとき、ＸＹ平面上に分割対象物Ｗを保持するステージ１０と、分割対象物Ｗにスクライブ溝を形成するためのカッタ１２と、このカッタ１２をＺ軸方向に移動可能に支持するヘッド１１と、を有している。また、スクライブ溝形成装置５には、Ｘ軸方向にヘッド１１を移動させるＸ軸方向駆動機構１４と、Ｙ軸方向にヘッド１１を移動させるＹ軸方向駆動機構１５と、ＸＹ平面内でステージ１０を回転させる回転駆動装置（図示省略）とが構成されている。
【００４０】
Ｘ軸方向駆動機構１４として、Ｘ軸方向に延在するボールねじ１６、及びボールねじ１６を回転駆動するモータ（図示省略）が配置されている一方、ヘッド１１が搭載されたベース１８には、ボールねじ１６に螺合するねじ１８ａ（図２（ｂ）参照）が形成されている。この構成によって、ボールねじ１４を回転させることにより、ベース１８に搭載されたヘッド１１と共にカッタ１２がＸ軸方向に移動する。また、Ｙ軸方向駆動機構１５として、Ｙ軸方向に延在するボールねじ２１、及びボールねじ２１を回転駆動するモータ（図示省略）が配置されている一方、ボールねじ２１に螺合するねじ（図示省略）が形成されたスライダ２２が、当該ねじをボールねじ２１に螺合させて、ボールねじ２１に支持されている。この構成によって、ボールねじ２１を回転させることにより、スライダ２２がＹ軸方向に移動することで、ベース１８に搭載されたヘッド１１と共にカッタ１２がＹ軸方向に移動する。
【００４１】
さらに、図２（ｂ）に示すように、スクライブ溝形成装置５には、ステージ１０に載置された分割対象物Ｗに対するヘッド１１のＺ軸方向における相対位置を調整するＺ軸方向駆動機構２３が構成されている。Ｚ軸方向駆動機構２３として、ベース１８に固定されたパルスモータ２４と、パルスモータ２４の駆動軸に固定されており、パルスモータ２４によって回転可能であって、Ｚ軸方向に延在するボールねじ２５が配置されている。一方、ヘッド１１には、ボールねじ２５に螺合するねじ１１ａが形成されている。この構成により、パルスモータ２４によってボールねじ２５を回転させることで、ヘッド１１と共にカッタ１２がＺ軸方向に移動する。
【００４２】
カッタ１２は、周知のスクライブ溝形成用のカッタであって、算盤玉のような形状をしており、プランジャ１２Ａの先端にＸ，Ｙ平面に平行に固定された軸に回動自在に支持されている。プランジャ１２Ａは、ヘッド１１のシリンダ部１１ｂに、Ｚ軸回り方向に回動自在に嵌合している。この構成によって、カッタ１２の方向を、カッタ１２と分割対象物Ｗとの相対移動方向に合致させることができる。カッタ１２の方向が相対移動方向に合致することで、接触したカッタ１２と分割対象物Ｗとの相対移動に追従して、カッタ１２が軸回りに回動する。
【００４３】
このように構成したスクライブ溝形成装置５を用いて、以下の手順で分割対象物Ｗにスクライブ溝を形成する。最初に、ステージ１０の上に分割対象物Ｗを載置する。次に、Ｘ軸方向駆動機構１４及びＹ軸方向駆動機構１５によって、分割対象物Ｗの分割予定面に対向する位置にカッタ１２を移動させる。次に、Ｚ軸方向駆動機構２３を用いてカッタ１２を支持するヘッド１１を下降させることによって、カッタ１２を分割対象物Ｗの分割予定面の位置に当接させる。このとき、分割対象物Ｗの材質などに拠って、適切な押付け力が得られるような高さまで下降させる。このカッタ１２が分割対象物Ｗに当接した状態を保ちながら、Ｘ軸方向駆動機構１４又はＹ軸方向駆動機構１５によって、カッタ１２と分割対象物Ｗとを分割予定面の延在方向に相対移動させることによって、分割予定面に沿ったスクライブ溝を形成する。
【００４４】
＜ディスペンサ装置＞
次に、スクライブ溝に液状体を配置するのに用いるディスペンサ装置３０について図３を参照して説明する。図３は、ディスペンサ装置の概略構成を示す外観斜視図である。
【００４５】
図３に示すように、ディスペンサ装置３０は、液状体を吐出するディスペンサ３１を有するディスペンサ機構部３２と、ディスペンサ３１から吐出された液状体の吐出対象である分割対象物Ｗを載置するワーク載置台３３Ａを有するワーク機構部３３と、ディスペンサ３１への液状体の供給を行う液状体供給部３４と、ディスペンサ３１の保守を行うためのメンテナンス装置部３５と、を備えている。また、これら各機構部等を総括的に制御するディスペンサ装置制御部３６を備えている。
【００４６】
さらに、ディスペンサ装置３０は、床上に設置された複数の支持脚３８ａと、支持脚３８ａの上側に設置された定盤３８とを備えている。定盤３８の上側には、ワーク機構部３３が定盤３８の長手方向（Ｘ軸方向）に延在するように配設されている。ワーク機構部３３の上方には、定盤３８に固定された２本の支持柱で支持されているディスペンサ機構部３２が、ワーク機構部３３と直交する方向（Ｙ軸方向）に延在するように配設されている。また、定盤３８の傍らには、ディスペンサ機構部３２のディスペンサ３１に連通する供給管を有する液状体供給部３４の液状体タンクなどが配置されている。ディスペンサ機構部３２の一方の支持柱の近傍には、メンテナンス装置部３５がワーク機構部３３と並んでＸ軸方向に配設されている。さらに、定盤３８の下側に、ディスペンサ装置制御部３６が収容されている。
【００４７】
ディスペンサ機構部３２は、ディスペンサ３１を有するディスペンサユニット３１Ａと、ディスペンサユニット３１Ａを図示省略したＺ軸移動機構を介してＺ軸方向に移動可能に支持するディスペンサキャリッジ３７とを有する。ディスペンサ機構部３２は、ディスペンサキャリッジ３７をＹ軸方向に移動させることで、ディスペンサ３１をＹ軸方向に自在に移動させる。また、移動した位置に保持する。ワーク機構部３３は、ワーク載置台３３ＡをＸ軸方向に移動させることで、ワーク載置台３３Ａに載置された分割対象物ＷをＸ軸方向に自在に移動させる。また、移動した位置に保持する。
【００４８】
このように、ディスペンサ３１は、Ｙ軸方向の吐出位置まで移動して停止し、下方にある分割対象物ＷのＸ軸方向の移動に同調して、液状体を吐出する。ディスペンサ装置３０は、Ｘ軸方向に移動する分割対象物Ｗと、Ｙ軸方向に移動するディスペンサ３１とを相対的に制御することにより、分割対象物Ｗの上の任意の位置に液状体を供給することが可能である。
【００４９】
＜ウェハの分割＞
次に、図１を参照して説明したウェハ１Ａを半導体チップ１に分割する工程について、図４及び図５を参照して説明する。図４は、ウェハを半導体チップに分割する工程を示すフローチャートであり、図５は、ウェハを半導体チップに分割する過程を示す模式断面図である。図５（ａ），（ｃ）及び（ｅ）は、分割予定面に沿った断面の断面図であり、図５（ｂ），（ｄ）及び（ｆ）から（ｈ）は、分割予定面に直交する断面の断面図である。
【００５０】
最初に、図４のステップＳ１では、ウェハ１Ａの区画線３及び境界線３ａの位置にスクライブ溝を形成する。上述したように、区画線３又は境界線３ａの位置が、分割予定面３０ａ（図５（ｂ）参照）の位置である。スクライブ溝は、上述したスクライブ溝形成装置５を用いて形成する。図２を参照して説明したように、最初に、区画線３及び境界線３ａの方向がスクライブ溝形成装置５のＸ軸方向又はＹ軸方向に一致するように、ステージ１０の上にウェハ１Ａを載置する。次に、Ｘ軸方向駆動機構１４及びＹ軸方向駆動機構１５によって、ウェハ１Ａの分割予定面の一端に相当する区画線３又は境界線３ａに対向する位置にカッタ１２を移動させる。次に、Ｚ軸方向駆動機構２３を用いてカッタ１２を支持するヘッド１１を下降させることによって、カッタ１２を区画線３又は境界線３ａの位置に当接させる。
【００５１】
カッタ１２のウェハ１Ａへの押圧力を、ウェハ１Ａの材料に応じて適切に設定することによって、図５（ａ）及び（ｂ）にｈで示した深さで、カッタ１２がウェハ１Ａに押し込まれる。また、カッタ１２が押し込まれた切込の先端からは、分割予定面３０ａに沿って、図５（ａ）及び（ｂ）にｖで示した長さで、クラック４０が形成される。このカッタ１２がウェハ１Ａに深さｈだけ押し込まれた状態を保ちながら、図５（ａ）に示した矢印ａの方向にカッタ１２を相対移動させることによって、分割予定面３０ａに沿って、スクライブ溝４１及びクラック４０が形成される。矢印ａの方向は、分割予定面３０ａの延在方向であり、区画線３又は境界線３ａの延在方向であって、ウェハ１Ａは、区画線３又は境界線３ａの延在方向がスクライブ溝形成装置５のＸ軸方向又はＹ軸方向に一致するようにセットされている。矢印ａの方向の相対移動は、Ｘ軸方向駆動機構１４又はＹ軸方向駆動機構１５を用いて、実行される。
【００５２】
次に、図４のステップＳ２では、スクライブ溝４１に水４４を配置する。スクライブ溝４１に水４４を配置することによって、スクライブ溝４１に連続するクラック４０にも水４４が配置される。スクライブ溝４１が、連続する凹部に相当し、クラック４０が、連続する凹部又は間隔を隔てて連なる複数の凹部に相当し、水４４が、液状体に相当する。
【００５３】
水４４の配置は、上述したディスペンサ装置３０を用いて実行する。図３を参照して説明したように、最初に、スクライブ溝４１の方向がディスペンサ装置３０のＸ軸方向又はＹ軸方向に一致するように、ワーク載置台３３Ａの上にウェハ１Ａを載置する。次に、ディスペンサ機構部３２及びワーク機構部３３によって、ウェハ１Ａに形成されたスクライブ溝４１に対向する位置にディスペンサ３１を移動させる。
【００５４】
次に、図５（ｃ）及び（ｄ）に示したように、スクライブ溝４１に対向するディスペンサ３１から水４４を吐出しながら、図５（ｃ）に示した矢印ａの方向にディスペンサ３１を相対移動させる。これにより、図５（ｅ）及び（ｆ）に示したように、水４４が、スクライブ溝４１に充填されるように配置される。配置されてスクライブ溝４１に浸入した水４４は、スクライブ溝４１の底に連通しており、スクライブ溝４１の底から分割予定面３０ａに沿って形成されているクラック４０にも滲入する。
【００５５】
図５（ａ）又は（ｃ）に示した矢印ａの方向は、スクライブ溝４１の延在方向であり、ウェハ１Ａは、スクライブ溝４１の延在方向がディスペンサ装置３０のＸ軸方向又はＹ軸方向に一致するようにセットされており、矢印ａの方向の相対移動は、ディスペンサ機構部３２又はワーク機構部３３を用いて、実行される。
【００５６】
次に、図４のステップＳ３では、スクライブ溝４１及びクラック４０に配置された水４４を加熱することによって、ウェハ１Ａを個別の半導体チップ１に分割する。水４４の加熱は、図５（ｇ）に示したように、高温の加熱端子４６を、スクライブ溝４１の開口に接触させることによって、実行する。加熱された水４４は、温度が上昇して体積膨張、又は気化する。水４４が体積膨張又は気化することによって、図５（ｇ）に矢印Ｆで示したように、スクライブ溝４１及びクラック４０を押し広げる方向の力が、スクライブ溝４１及びクラック４０の壁面に加えられる。加えられた力によって、図５（ｈ）に示したように、ウェハ１Ａが分割予定面３０ａの部分で分割される。スクライブ溝４１の延在方向の加熱端子４６の長さは、スクライブ溝４１の延在方向の一部に対応する長さであってもよいが、単一のスクライブ溝４１及び当該スクライブ溝４１に連なるクラック４０には、力を同時に加える方が加えた力を効率的に作用させることができるため、スクライブ溝４１の全長にわたって同時に接触可能な長さであることが好ましい。
【００５７】
全ての区画線３及び境界線３ａの位置の分割予定面３０ａの部分で分割することによって、ウェハ１Ａが、個別の半導体チップ１に分割される。ステップＳ３を実行して、ウェハ１Ａを半導体チップ１に分割する工程を終了する。
【００５８】
以下に、第一の実施形態の効果を記載する。第一の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）スクライブ溝４１及びクラック４０に配置された水４４は、加熱されることにより、膨張又は気化してその体積が膨張させられることによって、スクライブ溝４１及びクラック４０の壁を押圧して、スクライブ溝４１及びクラック４０を拡張するように作用する力を、ウェハ１Ａに加える。これにより、スクライブ溝４１及びクラック４０が押し広げられるため、当該スクライブ溝４１及びクラック４０を起点として、ウェハ１Ａを分割することができる。
【００５９】
（２）スクライブ溝４１及びクラック４０に配置された水４４が膨張することによる力は、スクライブ溝４１及びクラック４０の壁のみに作用するため、ウェハ１Ａのスクライブ溝４１及びクラック４０以外の部分には殆ど力が加えられない。これにより、スクライブ溝４１が形成された分割予定面の部分や当該部分に形成された例えば半導体集積回路などが、力を受けて変形することによって損なわれる可能性を極めて小さくすることができる。
【００６０】
（３）水４４をスクライブ溝４１及びクラック４０に配置するために、ディスペンサ装置３０を用いる。ディスペンサ装置３０は、分割対象物Ｗの上の任意の位置に、任意の量の液状体を供給することが可能である。従って、水４４を、スクライブ溝４１及びクラック４０に充填させるのに必要な量を配置することができると共に、スクライブ溝４１及びクラック４０以外の部分に、不要な水４４が配置されることを抑制することができる。
【００６１】
（４）スクライブ溝４１及びクラック４０に配置された水４４を加熱するために、加熱端子４６を用いる。加熱端子４６を用いることで、加熱端子４６の近傍のみを加熱することができるため、スクライブ溝４１及びクラック４０の近傍以外のウェハ１Ａの部分が加熱されることに起因して損なわれる可能性を小さくすることができる。
【００６２】
（第二の実施形態）
次に、本発明に係る基板の分割方法、半導体装置の製造方法、及び電気光学装置の製造方法の第二の実施形態について説明する。本実施形態は、電気光学装置の一例である液晶表示装置を構成する液晶表示パネルを製造する工程において、液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を切断して、個別の液晶表示パネルに分割する工程で用いられる分割方法を例に説明する。
【００６３】
＜レーザ加工装置＞
最初に、本実施形態でマザー基板（図１０参照）を液晶表示パネル（図９参照）に分割する際に、連続する凹部又は間隔を隔てて連なる複数の凹部に相当する改質領域を形成するために用いるレーザ加工装置４５について、図６を参照して説明する。図６は、レーザ加工装置の構成を示す模式図である。
【００６４】
図６に示すように、レーザ加工装置４５は、レーザ光源５１と、ダイクロイックミラー５２と、集光レンズ５３と、Ｚ軸スライド機構５４と、撮像装置５９と、ステージ５０と、回動機構５５と、Ｘ軸スライド機構５７と、Ｙ軸スライド機構５６と、機台５８と、を備えている。
【００６５】
レーザ光源５１は、例えばイットリウム−アルミニウム−ガーネットにネオジウムをドープした結晶をレーザ媒質として用いるＮｄ：ＹＡＧレーザであり、レーザ光源５１の励起方式は、ＬＤ励起である。後述するが、本実施形態においてレーザ加工の対象となる分割対象物であるマザー素子基板１８１（図１０又は図１３参照）は、石英ガラスで形成されている。石英ガラスからなるマザー素子基板１８１などに改質層を形成するために、レーザ光は、Ｎｄ：ＹＡＧ−ＴＨＧ（第３高調波）を発振させて用いる。レーザ光源５１から射出されたレーザ光は、ダイクロイックミラー５２で反射され、集光レンズ５３によって分割対象物Ｗの内部に集光される。集光レンズ５３はＺ軸スライド機構５４から延びたスライドアーム５４ａによって支持されており、Ｚ軸スライド機構５４は、ステージ５０に載置された分割対象物Ｗに対して集光レンズ５３を相対的に移動させてレーザ光の集光位置を分割対象物Ｗの厚み方向（図６のＺ軸方向）で移動させる。撮像装置５９は、ダイクロイックミラー５２を挟んで集光レンズ５３と反対側に位置しており、分割対象物Ｗの像などを撮影する。
【００６６】
機台５８は、レーザ加工装置４５を構成する各機構などを支持する枠体である。Ｘ軸スライド機構５７を構成するＸ軸スライド台５７ｂが機台５８に固定されており、Ｘ軸スライド機構５７を構成するＸ軸スライダ５７ａが、Ｘ軸方向に摺動自在且つ固定可能にＸ軸スライド台５７ｂと係合している。Ｙ軸スライド機構５６を構成するＹ軸スライド台５６ｂがＸ軸スライダ５７ａに固定されており、Ｙ軸スライド機構５６を構成するＹ軸スライダ５６ａが、Ｙ軸方向に摺動自在且つ固定可能にＹ軸スライド台５６ｂと係合している。回動機構５５を構成する回動機構台５５ｂがＹ軸スライダ５６ａに固定されており、回動機構５５を構成する回動テーブル５５ａが、Ｚ軸回りに回動自在且つ固定可能に回動機構台５５ｂと係合している。Ｘ軸スライダ５７ａ、Ｙ軸スライダ５６ａ、回動テーブル５５ａは、それぞれＸ軸スライド台５７ｂ、Ｙ軸スライド台５６ｂ、回動機構台５５ｂとの間に構成されたサーボモータ（図示省略）によって駆動される。
【００６７】
ステージ５０は、回動テーブル５５ａに固定されており、分割対象物Ｗを載置するために用いられる。ステージ５０に載置された分割対象物Ｗは、ステージ５０に構成された例えば吸引装置で吸引されて、ステージ５０に固定される。ステージ５０に固定された分割対象物Ｗは、回動機構５５によって、Ｚ軸回りに回動可能であり、集光レンズ５３に対するＸ軸とＹ軸とに平行な方向（以降、「平面方向」とも表記する。）の姿勢が調整される。さらに、ステージ５０に固定された分割対象物Ｗは、Ｘ軸スライド機構５７と、Ｙ軸スライド機構５６とによって、Ｘ軸とＹ軸とに平行な平面方向に移動され、分割対象物Ｗの任意の部位が集光レンズ５３に対向する位置に移動される。ステージ５０に載置され固定された分割対象物Ｗの厚さ方向がＺ軸方向となる。
【００６８】
レーザ加工装置４５は、上記各構成を制御する制御部としてのメインコンピュータ６０を備えている。メインコンピュータ６０は、ＣＰＵや各種メモリーの他に撮像装置５９が撮像した画像情報を処理する画像処理部６４を有している。撮像装置５９は、同軸落射型光源とＣＣＤ（固体撮像素子）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から射出した可視光は、集光レンズ５３を透過して焦点を結ぶ。
【００６９】
また、メインコンピュータ６０には、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する入力部６５とレーザ加工時の各種情報を表示する表示部６６とが接続されている。そして、レーザ光源５１の出力やパルス幅、パルス周期を制御するレーザ制御部６１と、Ｚ軸スライド機構５４を駆動して集光レンズ５３のＺ軸方向の位置を制御するレンズ制御部６２とが接続されている。さらに、回動機構５５と、Ｘ軸スライド機構５７と、Ｙ軸スライド機構５６とを駆動するサーボモータ（図示省略）を制御するステージ制御部６３が接続されている。
【００７０】
集光レンズ５３をＺ軸方向に移動させるＺ軸スライド機構５４には、移動距離を検出可能な位置センサが内蔵されており、レンズ制御部６２は、この位置センサの出力を検出して集光レンズ５３のＺ軸方向の位置を制御可能となっている。従って、撮像装置５９の同軸落射型光源から射出した可視光の焦点が分割対象物Ｗの表面と合うように集光レンズ５３をＺ軸方向に移動させれば、分割対象物Ｗの厚みを計測することが可能である。また、分割対象物Ｗの表面から任意の位置に集光レンズ５３の集光位置を合わせることも可能である。
【００７１】
＜改質領域の形成＞
ここで、レーザ加工の一例である多光子吸収による改質領域１４０（図７参照）の形成について、説明する。分割対象物Ｗが当てられた光に対して透過性を有する材料からなっていても、当該材料の吸収のバンドギャップＥｇよりも光子のエネルギｈνが非常に大きいと吸収が生じる。この吸収を多光子吸収と言う。多光子吸収を分割対象物Ｗの内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギが熱エネルギに転化することで、分割対象物Ｗの内部に微小クラックが形成される。あるいは、レーザ光のパルス幅を極めて短くして、多光子吸収を分割対象物Ｗの内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギが熱エネルギに転化せずに、イオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。本実施形態では、これらの微小クラック形成領域や屈折率変化領域を改質領域１４０と呼ぶ。
【００７２】
パルスレーザ光によって改質領域１４０を形成する場合、１パルスのレーザ光で１個の改質領域１４０を形成する。集光位置を分割対象物Ｗの平面方向に移動させながら当該改質領域１４０を形成することで、分割対象物Ｗの平面方向に連続して、又は若干の間隔を隔てて並ぶ、改質領域１４０の列を形成する。この改質領域１４０の列を、以降、改質層１４２（図７参照）と表記する。集光位置を分割対象物Ｗの厚さ方向に移動して、形成されている改質層１４２と分割対象物Ｗの平面方向において重なる位置にさらに改質層１４２を形成することで、改質層１４２が積層して改質領域１４０が面状に並んだ領域を形成する。この改質領域１４０が面状に並んだ領域を、以降、改質帯１４４（図７参照）と表記する。改質帯１４４が形成された分割対象物Ｗは、加えられた力が微小な力であっても、改質帯１４４をきっかけとして割れが発生し、当該改質帯１４４の部分で容易に分割される。
【００７３】
＜改質帯の形成＞
次に、レーザ加工装置４５を用いて、分割対象物Ｗに改質帯１４４を形成する工程について、図７を参照して説明する。図７は、分割対象物に改質帯を形成する工程を示す分割対象物の模式断面図である。
【００７４】
最初に、図７（ａ）に示したように、レーザ光を、分割対象物Ｗのレーザ光の入射面の反対側の面の近傍に集光することで改質領域１４０を形成する。図７に示したレンズ５３ａは、集光レンズ５３を構成する対物レンズである。改質領域１４０の形成と並行して、Ｙ軸スライド機構５６によって分割対象物Ｗを矢印ａの方向に移動することで、改質領域１４０が連続した、又は連なった改質層１４２を形成する。
【００７５】
上述したように、レーザ光の光源であるレーザ光源５１は、ＬＤ励起のＮｄ：ＹＡＧレーザである。本実施形態では、波長３５５ｎｍの第３高調波を用いる。後述するが、本実施形態の液晶表示パネル８０（図９参照）を構成する基板は、石英ガラス基板が用いられる。石英ガラス基板に対して波長３５５ｎｍのレーザ光を用いて形成される改質領域は、微小なクラックが形成された微小クラック形成領域となる。
【００７６】
１層の改質層１４２の形成が終了したところで、集光位置を分割対象物Ｗの厚さ方向に移動して、その位置において同様に改質層１４２を形成することで、分割対象物Ｗの厚さ方向に改質層１４２を積層する。最後に、図７（ｂ）に示したように、レーザ光を、分割対象物Ｗのレーザ光の入射面の近傍に集光して改質領域１４０を形成すると共に、分割対象物Ｗを矢印ａの方向に移動することで、入射面の近傍に改質層１４２を形成して、図７（ｃ）及び（ｄ）に示したように、分割対象物Ｗの断面の略全面に改質領域１４０を連ねた改質帯１４４を形成する。なお、図７（ｄ）は、図７（ａ）から（ｃ）に示した断面と直交する断面を示す断面図である。分割対象物Ｗに、改質帯１４４を挟んだ両側を互いに分離するように力を加えることで、改質帯１４４の部分が分断され、概ね改質帯１４４を構成する改質領域１４０の中心を通る面を切断面として、分割対象物Ｗが切断される。
【００７７】
＜液滴吐出装置＞
次に、改質帯１４４に液状体を配置するのに用いる液滴吐出装置７０について、図８を参照して説明する。図８は、液滴吐出装置の概略構成を示す外観斜視図である。
【００７８】
図８に示すように、液滴吐出装置７０は、液状体を吐出する吐出ヘッド７１を有するヘッド機構部７２と、吐出ヘッド７１から吐出された液状体の液滴の吐出対象である分割対象物Ｗを載置するワーク載置台７３Ａを有するワーク機構部７３と、吐出ヘッド７１への液状体の供給を行う液状体供給部（図示省略）と、吐出ヘッド７１の保守を行うためのメンテナンス装置部７５と、を備えている。また、これら各機構部等を総括的に制御する吐出装置制御部７６を備えている。
【００７９】
さらに、液滴吐出装置７０は、液滴吐出装置７０を構成する上記した各部などを設置するための定盤７８を備えている。定盤７８の上側には、ワーク機構部７３が定盤７８のＹ軸方向に延在するように配設されている。ワーク機構部７３の上方には、定盤７８に固定された２本の支持柱で支持されているヘッド機構部７２が、ワーク機構部７３と直交する方向（Ｘ軸方向）に延在するように配設されている。ヘッド機構部７２の一方の支持柱の近傍には、メンテナンス装置部７５が配設されている。一方、液状体供給部や、吐出装置制御部７６は、定盤７８の傍らに配設されている。
【００８０】
ヘッド機構部７２は、吐出ヘッド７１を有する吐出ヘッドユニット７１Ａと、吐出ヘッドユニット７１Ａを図示省略したＺ軸移動機構を介してＺ軸方向に移動可能に支持するヘッドキャリッジ７７とを有する。ヘッド機構部７２は、ヘッドキャリッジ７７をＸ軸方向に移動させることで、吐出ヘッド７１をＸ軸方向に自在に移動させる。また、移動した位置に保持する。ワーク機構部７３は、ワーク載置台７３ＡをＹ軸方向に移動させることで、ワーク載置台７３Ａに載置された分割対象物ＷをＹ軸方向に自在に移動させる。また、移動した位置に保持する。
【００８１】
液滴吐出装置７０は、これらの構成によって、吐出ヘッド７１が、Ｘ軸方向の吐出位置まで移動して停止し、下方にある分割対象物ＷのＹ軸方向の移動に同調して、液状体の液滴を吐出する。液滴吐出装置７０は、Ｙ軸方向に移動する分割対象物Ｗと、Ｘ軸方向に移動する吐出ヘッド７１とを相対的に制御することにより、分割対象物Ｗの上の任意の位置に液状体を供給することが可能である。
【００８２】
次に、レーザ加工装置４５を用いて改質領域１４０（改質帯１４４）を形成し、液滴吐出装置７０を用いて液状体を供給することによって分割する分割対象物Ｗの一例である、マザー基板１８０（図１０参照）について説明する。マザー基板１８０には、液晶表示パネル８０（図９参照）が区画形成されている。また、レーザ加工装置４５を用いたレーザスクライブ方法を用いて当該マザー基板１８０を分割（切断）して個々の液晶表示パネル８０に分離する工程について説明する。
【００８３】
＜液晶表示パネル＞
最初に、液晶表示パネル８０について説明する。図９は、液晶表示パネルの構造を示す概略図である。図９（ａ）は、液晶表示パネルについて、各構成要素と共に対向基板側から見た概略平面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ線に沿う概略断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００８４】
図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、液晶表示パネル８０は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子８３を有する素子基板８１と、対向電極８６を有する対向基板８２と、シール材層８４を形成するシール材によって接着された素子基板８１と対向基板８２との隙間に充填された液晶８５とを備えている。素子基板８１は対向基板８２より一回り大きく、素子基板８１が対向基板８２から額縁状に張り出した状態となっている。
【００８５】
素子基板８１は、厚さおよそ１．２ｍｍの石英ガラス基板を用いており、その表面には画素を構成する画素電極（図示省略）と、３端子のうちの一つの端子が画素電極に接続されたＴＦＴ素子８３が形成されている。ＴＦＴ素子８３の残りの２端子は、画素電極を囲んで互いに絶縁状態で格子状に配置されたデータ線（図示省略）と走査線（図示省略）とに接続されている。データ線は、Ｙ軸方向に引き出されて端子部９０においてデータ線駆動回路部８９に接続されている。走査線は、Ｘ軸方向に引き出され、左右の額縁領域に形成された２つの走査線駆動回路部９３，９３に個々に接続されている。データ線駆動回路部８９の入力側配線である配線９２ａ及び走査線駆動回路部９３の入力側配線である配線９２ｂは、端子部９０に沿って配列した実装端子９１にそれぞれ接続されている。端子部９０とは反対側の額縁領域には、２つの走査線駆動回路部９３，９３を繋ぐ配線９２ｃが設けられている。
【００８６】
対向基板８２は、厚みおよそ１．０ｍｍの透明なガラス基板を用いており、共通電極としての対向電極８６が設けられている。対向電極８６は、対向基板８２の四隅に設けられた上導通端子９４ａ（図１２（ａ）参照）と、配線９６（図１２（ａ）参照）を介して接続されている。上導通端子９４ａは、上下導通部９４を介して素子基板８１側に設けられた下導通端子９４ｂ（図１３（ａ）参照）と導通している。下導通端子９４ｂには、配線９２ｄが接続されており、当該配線９２ｄも端子部９０に設けられた実装端子９１に接続されている。
【００８７】
画素とデータ線と走査線とデータ線駆動回路部８９と実装端子９１と走査線駆動回路部９３と配線９２ａ，９２ｂ，９２ｃ，９２ｄと下導通端子９４ｂとを総称して、下セルパターン９７ｂと表記する（図１３（ａ）参照）。対向電極８６と上導通端子９４ａと配線９６とを総称して、上セルパターン９７ａと表記する（図１２（ａ）参照）。配線９２ａ，９２ｂ，９２ｃ，９２ｄを総称して、配線９２とも表記する。
【００８８】
液晶８５に面する素子基板８１の表面及び対向基板８２の表面には、それぞれ配向膜８８，８７が形成されている。上述したように、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてあり、液晶８５の層は対向基板８２などと同程度の厚さに描いてあるが、実際は、数ミクロン程度の厚さのものが多く用いられている。
【００８９】
液晶表示パネル８０は、外部駆動回路と電気的に繋がる中継基板が実装端子９１に接続される。そして、外部駆動回路からの入力信号が各データ線駆動回路部８９及び走査線駆動回路部９３に入力されることにより、ＴＦＴ素子８３が画素電極ごとにスイッチングされ、画素電極と対向電極８６との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。
【００９０】
なお、液晶表示パネル８０においては、使用する液晶８５の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置される（図示省略）。また、液晶表示パネル８０をカラー表示用として構成する場合には、対向基板８２において、素子基板８１の各画素電極に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜と共に形成する。液晶表示パネル８０が、部材又は電気光学装置に相当する。
【００９１】
＜液晶表示パネルマザー基板＞
次に、液晶表示パネル８０が区画形成されたマザー基板１８０について説明する。図１０は、液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を示す概略図である。図１０（ａ）は、対向基板側から見た概略平面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った概略断面図である。
【００９２】
図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、マザー基板１８０は、マザー素子基板１８１とマザー対向基板１８２とが接着されて形成されている。マザー素子基板１８１には、複数の素子基板区画８１ａが、区画形成されている。一つの素子基板区画８１ａが、一つの液晶表示パネル８０の素子基板８１に相当する。マザー対向基板１８２には、複数の対向基板区画８２ａが、区画形成されている。一つの対向基板区画８２ａが、一つの液晶表示パネル８０の対向基板８２に相当する。マザー素子基板１８１とマザー対向基板１８２とは、素子基板区画８１ａと対向基板区画８２ａとの位置関係が、液晶表示パネル８０における素子基板８１と対向基板８２との位置関係となるように、シール材層８４を形成するシール材によって貼り合わされている。シール材層８４によって囲まれたマザー素子基板１８１とマザー対向基板１８２との隙間には、液晶８５が充填されている。
【００９３】
マザー基板１８０から液晶表示パネル８０を切出すための切断面をそれぞれ、Ｈ素子切断面１８４、Ｖ素子切断面１８６、Ｈ対向切断面１８７、Ｖ対向切断面１８８と表記する。二点鎖線で示したＨ素子切断面１８４は、マザー素子基板１８１の切断面であり、図１０（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。二点鎖線で示したＶ素子切断面１８６は、マザー素子基板１８１の切断面であり、図１０（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。一点鎖線で示したＨ対向切断面１８７は、マザー対向基板１８２の切断面であり、図１０（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。一点鎖線で示したＶ対向切断面１８８は、マザー対向基板１８２の切断面であり、図１０（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。図１０に示した、１８４ａ，１８４ｂ，１８４ｃは、それぞれＨ素子切断面１８４であり、１８６ａ，１８６ｂ，１８６ｃは、それぞれＶ素子切断面１８６であり、１８７ａ，１８７ｂ，１８７ｃ，１８７ｄ，１８７ｅは、それぞれＨ対向切断面１８７であり、１８８ａ，１８８ｂ，１８８ｃ，１８８ｄ，１８８ｅは、それぞれＶ対向切断面１８８である。マザー基板１８０が、基板又は電気光学装置基板に相当する。
【００９４】
＜液晶表示パネルの形成＞
次に、液晶表示パネル８０を形成する工程について、図１１，１２，１３，１４，１５を参照して説明する。図１１は、液晶表示パネルを形成する工程を示すフローチャートである。ステップＳ１１及びステップＳ１２が、マザー対向基板１８２を形成する工程である。ステップＳ２１からステップＳ２５が、マザー素子基板１８１側を形成する工程であり、続いて実行されるステップＳ３１からステップＳ３６が、マザー素子基板１８１にステップＳ１１及びステップＳ１２で形成されたマザー対向基板１８２を貼り合わせてマザー基板１８０を形成し、当該マザー基板１８０を個別の液晶表示パネル８０に分割する工程である。
【００９５】
最初に、マザー対向基板１８２側の工程を説明する。図１１のステップＳ１１では、ガラスウェハ上に複数の上セルパターン９７ａ（図１２参照）を形成する。次に、ステップＳ１２では、上セルパターン９７ａの対向電極８６が形成された部分を覆う配向膜８７（図９（ｂ）参照）を形成する。ステップＳ１２を実行して、図１２に示すようなマザー対向基板１８２が形成される。
【００９６】
図１２は、マザー対向基板の形状を示す平面図である。図１２（ａ）は、液晶表示パネル一個分の上セルパターンの平面図であり、図１２（ｂ）は、複数の上セルパターンが形成されたマザー対向基板の平面図である。図１２（ａ）に示すように、上セルパターン９７ａは、分割されて対向基板８２（図９（ｂ）参照）を構成する領域であって、一点鎖線で示した方形の領域である対向基板区画８２ａに形成されている。
【００９７】
図１２（ｂ）に示すように、１枚のマザー対向基板１８２には、２８個の上セルパターン９７ａが形成されている。また、マザー対向基板１８２の外周側の、上セルパターン９７ａが形成されていない部分には、マザー対向基板１８２とマザー素子基板１８１とを基板の面方向で位置合わせするためのアライメントマーク（図示省略）が形成されている。マザー基板１８０を液晶表示パネル８０に分割する際には、図に一点鎖線で示したＨ対向切断面１８７及びＶ対向切断面１８８においてマザー対向基板１８２を分割することにより、マザー対向基板１８２を個別の対向基板８２に分割する。
【００９８】
次に、マザー素子基板１８１側の工程を説明する。図１１のステップＳ２１では、ガラスウェハ上に複数の下セルパターン９７ｂ（図１３参照）を形成する。次に、ステップＳ２２では、下セルパターン９７ｂの画素やデータ線や走査線が形成された画素領域９８（図１３（ａ）参照）を覆う配向膜８８（図９（ｂ）参照）を形成する。ステップＳ２２を実行することで、図１３に示すようなマザー素子基板１８１が形成される。
【００９９】
図１３は、マザー素子基板の形状を示す平面図である。図１３（ａ）は、液晶表示パネル一個分の下セルパターンの平面図であり、図１３（ｂ）は、複数の下セルパターンが形成されたマザー素子基板の平面図である。図１３（ａ）に示すように、下セルパターン９７ｂは、分割されて素子基板８１（図９（ｂ）参照）を構成する領域であって、二点鎖線で示した方形の領域である素子基板区画８１ａに形成されている。
【０１００】
図１３（ｂ）に示すように、１枚のマザー素子基板１８１には、２８個の下セルパターン９７ｂが形成されている。また、マザー素子基板１８１の外周側の、下セルパターン９７ｂが形成されていない部分には、マザー対向基板１８２とマザー素子基板１８１とを基板の面方向で位置合わせするためのアライメントマーク（図示省略）が形成されている。マザー基板１８０を液晶表示パネル８０に分割する際には、図に二点鎖線で示したＨ素子切断面１８４及びＶ素子切断面１８６においてマザー素子基板１８１を分割することにより、マザー素子基板１８１を個別の素子基板８１に分割する。
【０１０１】
次に、図１１のステップＳ２３では、それぞれの下セルパターン９７ｂにおいて、画素領域９８（図１３参照）の周囲のシール材層８４を形成する位置（図１０参照）に、シール材を配置する。シール材は、マザー対向基板１８２（対向基板８２）とマザー素子基板１８１（素子基板８１）とを接着する接着剤と、ギャップ材とで構成されている。ギャップ材は、球形の固体で、マザー対向基板１８２（対向基板８２）とマザー素子基板１８１（素子基板８１）とに挟持されることで、マザー対向基板１８２（対向基板８２）とマザー素子基板１８１（素子基板８１）との間のセルギャップを規定する。上述したように、液晶８５の層の厚み、即ちセルギャップは数ミクロンであり、ギャップ材は、セルギャップ値と同程度の直径をもつ、直径数ミクロンの球体である。
【０１０２】
次に、ステップＳ２４では、それぞれの下セルパターン９７ｂにおいて、シール材層８４の四角の下導通端子９４ｂを覆う位置に、上下導通部９４（図９参照）を形成する導通材を配置する。次に、ステップＳ２５では、それぞれの下セルパターン９７ｂにおいて、シール材層８４に囲まれた領域に、液晶８５を配置する。
【０１０３】
次に、ステップＳ３１では、液晶８５などが配置されたマザー素子基板１８１に、ステップＳ１２を実行して形成されたマザー対向基板１８２を貼り合わせる。ステップＳ３１を実行することによって、複数（本実施形態では２８個）の液晶表示パネル８０が区画形成されたマザー基板１８０が形成される。
【０１０４】
次に、ステップＳ３２では、マザー対向基板１８２及びマザー素子基板１８１のＨ対向切断面１８７、Ｖ対向切断面１８８、Ｈ素子切断面１８４、及びＶ素子切断面１８６に沿った領域に、改質帯１４４を形成する。改質帯１４４の形成は、上述したレーザ加工装置４５を用いて実施する。
【０１０５】
ステップＳ３２における、マザー対向基板１８２のＨ対向切断面１８７及びＶ対向切断面１８８に改質帯１４４を形成する工程について、図１４を参照して説明する。図１４は、Ｖ対向切断面に改質帯を形成する工程を示すマザー基板の模式断面図である。図１４（ａ）は、Ｖ対向切断面を含む断面の断面図であり、図１４（ｂ）は、Ｖ対向切断面と交差する断面の断面図である。
【０１０６】
図１４に示したように、マザー対向基板１８２の内部におけるＶ対向切断面１８８の部分を含む領域であって、マザー素子基板１８１に臨む面の近傍の領域にレーザ光を集光することで、改質領域１４０を形成する。改質領域１４０の形成と並行して、Ｙ軸スライド機構５６（図６参照）によってマザー基板１８０（マザー対向基板１８２）を矢印ａの方向に相対移動させることで、改質領域１４０が略連続して、又は一定の間隔を隔てて連なった改質層１４２を形成する。
【０１０７】
図７を参照して説明したように、形成した改質層１４２のＺ軸方向に積層させるように、さらに改質層１４２を形成することによって、Ｖ対向切断面１８８の略全面にわたって改質領域１４０が形成された改質帯４４８（図１５参照）を形成する。マザー対向基板１８２の面を区別するために、マザー対向基板１８２のマザー素子基板１８１と対向する面の反対側の面を表面と表記する。改質帯４４８の最も表面側の改質層１４２は、改質層１４２を構成する改質領域１４０が表面に露出しているように、即ち表面も改質されており、改質領域１４０が表面を含むように形成する。
【０１０８】
改質帯４４８の形成と同様に、改質領域１４０が略連続して、又は一定の間隔を隔てて連なった改質層１４２を形成し、さらに、改質層１４２を積層することによって、Ｈ対向切断面１８７の略全面にわたって改質領域１４０が形成された改質帯４４７（図１５参照）を形成する。
【０１０９】
さらに、マザー対向基板１８２における改質帯４４７及び改質帯４４８の形成と同様にして、マザー素子基板１８１のＨ素子切断面１８４又はＶ素子切断面１８６の略全面にわたって改質領域１４０が形成された、改質帯４４４又は改質帯４４６を形成する。マザー素子基板１８１の面を区別するために、マザー素子基板１８１のマザー対向基板１８２と対向する面の反対側の面を表面と表記する。マザー対向基板１８２の改質帯４４７及び改質帯４４８と同様に、マザー素子基板１８１の改質帯４４４及び改質帯４４６の最も表面側の改質層１４２は、改質層１４２を構成する改質領域１４０が表面に露出しているように、即ち表面も改質されており、改質領域１４０が表面を含むように形成する。改質領域１４０に形成されるクラックが、連続する凹部又は間隔を隔てて連なる複数の凹部に相当する。
【０１１０】
図１５は、改質帯が形成されたマザー基板に水を配置する工程を示すマザー基板の模式断面図である。図１５（ａ）は、Ｈ対向切断面と交差する断面の断面図であり、図１５（ｂ）は、Ｖ対向切断面と交差する断面の断面図である。Ｈ対向切断面１８７、及びＶ対向切断面１８８には、それぞれ改質帯４４７又は改質帯４４８が形成されており、Ｈ素子切断面１８４、又はＶ素子切断面１８６には、それぞれ改質帯４４４又は改質帯４４６が形成されている。
【０１１１】
次に、図１１のステップＳ３３では、マザー対向基板１８２の表面の、改質帯４４７が形成されたＨ対向切断面１８７、及び改質帯４４８が形成されたＶ対向切断面１８８の位置に水４４を配置する。上述したように、石英ガラス基板に対して波長３５５ｎｍのレーザ光を用いて形成される改質領域は、微小なクラックが形成された微小クラック形成領域であって、改質領域１４０は、微小なクラックを有する微小クラック形成領域である。マザー対向基板１８２の表面の改質帯４４７又は改質帯４４８の位置に水４４を配置することによって、改質帯４４８（改質領域１４０）の微小クラックに水４４が滲入する。改質領域１４０の微小クラックが、間隔を隔てて連なる複数の凹部に相当し、水４４が、液状体に相当する。
【０１１２】
水４４の配置は、上述した液滴吐出装置７０を用いて実行する。最初に、改質帯４４７又は改質帯４４８の延在方向が液滴吐出装置７０のＸ軸方向又はＹ軸方向に一致するように、また、マザー対向基板１８２が上側となるように、ワーク載置台７３Ａの上にマザー基板１８０を載置する。次に、ヘッド機構部７２及びワーク機構部７３によって、マザー対向基板１８２に形成された改質帯４４７又は改質帯４４８に対向する位置に吐出ヘッド７１を移動させる。
【０１１３】
図１５（ａ）及び（ｂ）に示したように吐出ヘッド７１は、改質帯４４８に対向する位置に位置している。次に、図１５（ａ）及び（ｂ）に示したように、改質帯４４８に対向する吐出ヘッド７１から水４４を液滴４４ａとして吐出しながら、図１５（ａ）に示した矢印ａの方向に、ワーク機構部７３によってマザー対向基板１８２（マザー基板１８０）を相対移動させる。これにより、マザー対向基板１８２の表面に着弾した液滴４４ａが集まった水４４が、改質帯４４８の表面側を覆うように配置される。配置された水４４は、改質帯４４８（改質領域１４０）の微小クラックに滲入する。
【０１１４】
同様にして、水４４が、改質帯４４７の表面側を覆うように配置して、改質帯４４７（改質領域１４０）の微小クラックにも滲入させる。マザー対向基板１８２に形成された全ての改質帯４４７及び改質帯４４８の表面側に、水４４を配置する。水４４が、液状体に相当する。
【０１１５】
次に、図１１のステップＳ３４では、改質帯４４７及び改質帯４４８のクラックに滲入した水４４を加熱して体積膨張又は気化させることによって、マザー対向基板１８２を、個別の対向基板８２に分割する。水４４の加熱は、レーザ光を水４４が滲入した改質領域１４０に集光させることによって実行する。レーザ光を照射させるためのレーザ加工装置としては、上述したレーザ加工装置４５と同様の装置を用いることができる。また、水４４の加熱は、単に加熱すればよいため、レーザマーカのようなスキャン速度が速いレーザ加工装置を用いることもできる。水４４を効率良く加熱するために、予め水４４を着色することによって、レーザ光を吸収し易くしておいてもよい。
【０１１６】
加熱された水４４が体積膨張又は気化することによって、図５（ｇ）を参照して説明したように、改質帯４４７及び改質帯４４８のクラックを押し広げる方向の力が、クラックの壁面に加えられる。加えられた力によって、マザー対向基板１８２が、分割予定面であるＨ対向切断面１８７及びＶ対向切断面１８８の部分において、個別の対向基板８２に分割される。微小なクラックに滲入した水４４が体積膨張又は気化することから、分割された対向基板８２間の隙間は大きくならないため、それぞれの対向基板８２は、マザー素子基板１８１の対応する素子基板区画８１ａに貼り合わされた状態が維持される。
【０１１７】
次に、図１１のステップＳ３５では、マザー素子基板１８１の表面の、改質帯４４４が形成されたＨ素子切断面１８４、及び改質帯４４６が形成されたＶ素子切断面１８６の位置に水４４を配置する。ステップＳ３５は、上記したステップＳ３３と同様にして実施する。配置された水４４は、改質帯４４４及び改質帯４４６（改質領域１４０）の微小クラックに滲入する。
【０１１８】
次に、ステップＳ３６では、改質帯４４４及び改質帯４４６のクラックに滲入した水４４を加熱して膨張又は気化させることによって、マザー素子基板１８１を、個別の素子基板８１に分割する。ステップＳ３６は、上記したステップＳ３４と同様にして実施する。加熱された水４４が体積膨張又は気化することによって加えられた力によって、マザー素子基板１８１が、分割予定面であるＨ素子切断面１８４及びＶ素子切断面１８６の部分において、個別の素子基板８１に分割される。マザー対向基板１８２は、既に個別の対向基板８２に分割されているため、マザー素子基板１８１が、個別の素子基板８１に分割されることによって、複数の液晶表示パネル８０が区画形成されたマザー基板１８０が、個別の液晶表示パネル８０に分割される。
なお、マザー対向基板１８２を個別の対向基板８２に分割する工程と、マザー素子基板１８１を個別の素子基板８１に分割する工程とは、実行する順序の違いによる差異は殆どないため、どちらを先に実行してもよい。ステップＳ３６を実行して、液晶表示パネル８０を形成する工程を終了する。
【０１１９】
以下に、第二の実施形態の効果を記載する。第二の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）改質帯４４４などの表面配置されたて改質領域１４０のクラックに滲入した水４４は、加熱されることにより、膨張又は気化してその体積が膨張させられることによって、クラックの壁を押圧して、クラックを拡張するように作用する力を、マザー対向基板１８２又はマザー素子基板１８１に加える。これにより、改質帯４４４などの改質領域１４０のクラックが押し広げられるため、改質帯４４４などの改質帯を起点として、マザー対向基板１８２又はマザー素子基板１８１を分割することができる。
【０１２０】
（２）改質領域１４０のクラックに滲入した水４４が膨張することによる力は、クラックの壁のみに作用するため、マザー対向基板１８２又はマザー素子基板１８１の改質帯４４４などの改質領域１４０以外の部分には殆ど力が加えられない。これにより、改質帯４４４などの改質帯が形成されたＨ対向切断面１８７などの分割予定面以外の、マザー対向基板１８２又はマザー素子基板１８１の部分や、マザー対向基板１８２又はマザー素子基板１８１に形成された、ＴＦＴ素子８３や対向電極８６やデータ線駆動回路部８９や配線９２やシール材層８４などが、力を受けて変形することによって損なわれる可能性を極めて小さくすることができる。
【０１２１】
（３）改質領域を分割予定面に沿って形成し、当該改質領域を起点にして加工対象物を切断する方法は、切断屑を殆ど生ずることがなく、正確で凹凸が少ない分断面が得られる。従って、分割のきっかけとなる部分として、レーザ加工装置４５を用いて、マザー対向基板１８２及びマザー素子基板１８１に改質帯４４４などの改質帯１４４を形成することにより、正確で凹凸が少ない分断面を有する、対向基板８２又は素子基板８１を備える好適な液晶表示パネル８０を形成することができる。
【０１２２】
（４）水４４を改質帯４４４などの改質帯１４４に配置するために、液滴吐出装置７０を用いる。液滴吐出装置７０は、液体を液滴として吐出して、分割対象物Ｗの上の任意の位置に液滴を着弾させることにより、当該位置に液体を供給することが可能である。液滴の大きさや数によって、配置する量を調整することも可能である。従って、水４４を、改質帯１４４に充填させるのに必要な量を配置することができると共に、改質帯１４４以外の部分に、不要な水４４が配置されることを抑制することができる。
【０１２３】
（５）改質帯４４４などの改質帯１４４に配置された水４４を加熱するために、レーザ加工装置を用いる。レーザ加工装置を用いることで、レーザ光が集光された部分の近傍のみを加熱することができる。これにより、改質帯４４４などの改質帯が形成されたＨ対向切断面１８７などの分割予定面以外の、マザー対向基板１８２又はマザー素子基板１８１の部分や、マザー対向基板１８２又はマザー素子基板１８１に形成された、ＴＦＴ素子８３や対向電極８６やデータ線駆動回路部８９や配線９２やシール材層８４などが、加熱されることによって損なわれる可能性を極めて小さくすることができる。
【０１２４】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明の実施形態は、前記実施形態に限らない。本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論であり、以下のように実施することもできる。
【０１２５】
（変形例１）前記実施形態においては、水４４を加熱することによって膨張させていたが、膨張させるために加熱することは必須ではない。水を４℃以下に冷却することで、体積膨張させたり凝固させたりすることによって、膨張させてもよい。この場合の水４４が、冷却膨張性を有する液状体、又は固化することで膨張する特性を有する液状体に相当する。
【０１２６】
冷却方法は特に制限されないが、加熱端子４６と同様の冷却端子をペルチェ素子と組合せた冷却装置などが使用できる。冷却端子とペルチェ素子とから成る冷却装置は小型化が容易であり、上述した加熱端子４６と同様に、冷却するべき液状体に近接させることによって、液状体の近傍のみを選択的に冷却することができる。ペルチェ素子は、加熱するための熱源としても用いることができる。
【０１２７】
（変形例２）前記実施形態においては、膨張させるための液状体として水４４を用いる方法を例に説明したが、液状体として水４４を用いることは必須ではない。凹部に滲入させること、及び滲入させた後膨張させることができる液状体であれば、どのような液状体であってもよい。
【０１２８】
（変形例３）前記第二の実施形態においては、電気光学装置の一例として、液晶表示パネル８０が区画形成されたマザー基板１８０を切断して、個別の液晶表示パネル８０に分割する工程で用いられる分割方法を例に説明したが、分割して形成する電気光学装置は液晶表示パネルに限らない。本発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置の製造にも適用できる。例えば、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスの製造にも本発明の適用が可能である。
【０１２９】
（変形例４）前記実施形態においては、分割対象物のウェハ１Ａはシリコン基板であり、マザー対向基板１８２及びマザー素子基板１８１は石英ガラス基板であったが、分割対象物は、シリコン基板や石英ガラス基板に限らない。本発明は、例えば、水晶から成る水晶基板や、パイレックス（登録商標）やネオセラム（登録商標）やＯＡ−１０から成る基板などにも適用することができる。
【０１３０】
（変形例５）前記第二の実施形態においては、凹部としての改質領域１４０を形成する対象として、石英ガラス基板であるマザー対向基板１８２及びマザー素子基板１８１を例に説明したが、改質領域１４０を形成する対象とする材料は石英ガラスに限らない。例えば、第一の実施形態において説明したウェハ１Ａを構成するシリコンから成るシリコン基板や、水晶から成る水晶基板や、パイレックス（登録商標）やネオセラム（登録商標）やＯＡ−１０から成る基板などにも適用することができる。
【０１３１】
（変形例６）前記第一の実施形態においては、圧接することによってスクライブ溝を形成するカッタ１２を備えるスクライブ溝形成装置５を用いて溝を形成していたが、カッタは圧接することによって溝を形成するものに限らない。加工対象物を研削又は切削することによって溝を形成するカッタを用いてもよい。
【０１３２】
図１６を参照して、砥石状のカッタ２１２を用いて溝２４０を形成する例について、概要を説明する。図１６は、砥石状のカッタを用いて溝を形成する状態を示す模式断面図である。図１６（ａ）は、分割予定面に沿った断面図であり、図１６（ｂ）は、分割予定面に直交する断面の断面図である。図１６（ａ）に示すように、カッタ２１２を矢印ｂの方向に回転させながら、ウェハ１Ａに対して矢印ａの方向に相対移動させることによって、溝２４０を形成する。切込量を適宜選択することによって、適切な深さの溝２４０を形成する。図１６（ｂ）に示すように、溝２４０は、分割予定面２４８に略平行な壁面を容易に形成することができる。溝２４０に配置された液状体が膨張することによる力は、分割予定面２４８に略平行な壁面に作用することによって、分割予定面２４８に略直角な方向にウェハ１Ａを押し広げるように作用するため、分割予定面２４８において効率良くウェハ１Ａを分割することができる。
【０１３３】
（変形例７）前記実施形態においては、ディスペンサ装置３０又は液滴吐出装置７０を用いて、スクライブ溝４１や改質領域１４０に水４４を配置していたが、液状体を配置するために、ディスペンサ装置又は液滴吐出装置を用いることは必須ではない。分割対象物が、液状体に濡れることで支障をきたすことがなければ、例えば、分割対象物全体を液状体に浸すなどの方法によって液状体を凹部に配置してもよい。
【０１３４】
（変形例８）前記実施形態においては、加熱端子４６を有する加熱装置又はレーザ加工装置を用いて、スクライブ溝４１や改質領域１４０に配置された水４４を加熱していたが、液状体を加熱するために、加熱端子やレーザ加工装置を用いて極所的に加熱することは必須ではない。例えば、分割対象物が高温に耐えられる材質であって、液状体より膨張係数が小さい材質であれば、環境を高温環境にするような加熱方法も採用できる。
【０１３５】
（変形例９）前記第二の実施形態においては、レーザ加工装置４５は、集光レンズ５３に対してステージ５０をＺ軸に直交する方向に移動することで、集光レンズ５３と、マザー対向基板１８２又はマザー素子基板１８１と、を相対移動させていたが、ステージ５０側を移動させることは必須ではない。集光レンズ５３側を移動することで、集光レンズ５３と、マザー対向基板１８２又はマザー素子基板１８１との相対移動を行ってもよい。
【０１３６】
（変形例１０）前記第二の実施形態においては、改質領域１４０を形成するために用いるレーザ光源５１は、イットリウム−アルミニウム−ガーネットにネオジウムをドープした結晶をレーザ媒質として用いるＮｄ：ＹＡＧレーザであったが、レーザ光源は他のレーザ媒質を用いるレーザ光源であってもよい。例えば、他のＹＡＧレーザやＹＬＦレーザやＹＶＯ４レーザなどを使用してもよい。Ｎｄ：ＹＡＧレーザも、第３高調波以外にも、Ｎｄ：ＹＡＧ基本波などを用いることができる。レーザ媒質や発振させるレーザ光は、改質領域を形成する対象の材質に合わせて適切なものを選択することが好ましい。
【０１３７】
（変形例１１）前記実施形態においては、レーザ加工装置４５は、マザー対向基板１８２又はマザー素子基板１８１に対する集光点のＺ軸方向の位置調整は、Ｚ軸スライド機構５４によって集光レンズ５３を移動することで行っていたが、集光レンズ５３を移動することは必須ではない。マザー対向基板１８２又はマザー素子基板１８１に対する集光点のＺ軸方向の位置調整は、ステージ５０をＺ軸方向に移動して調整してもよい。レーザ光源５１や集光レンズ５３を含むレーザ光照射装置が調整装置を持たなくて済むため、レーザ光照射装置が調整装置を持つ場合に比べてレーザ光照射装置全体を軽量小型にすることができる。
【０１３８】
（変形例１２）前記実施形態においては、改質層１４２は改質領域１４０を互いに略連接するように連ねて形成していたが、改質領域１４０が略連接することは必須ではない。小さい応力をかけて分割できれば、改質領域１４０を互いに間隔を隔てて連ねる構成であってもよい。間隔を隔てることで、改質領域１４０を略連接させる構成に比べて相対移動速度を速くして、加工速度を速くすることができる。
【０１３９】
（変形例１３）前記実施形態においては、改質帯は改質層１４２を互いに略連接するように積層して形成していたが、改質層１４２が略連接することは必須ではない。小さい応力をかけて分割できれば、改質層１４２を互いに間隔を隔てて積層する構成であってもよい。間隔を隔てることで、改質層１４２を略連接させる構成に比べて改質帯の形成に要する時間を短縮することができる。
【０１４０】
（変形例１４）前記第一の実施形態においては、加熱端子４６をウェハ１Ａに接触させることによって水４４を加熱していたが、加熱端子を分割対象物に接触させることは必須ではない。近接させるだけで充分な加熱が実行できる場合には、近接させて加熱する方法であってもよい。
【０１４１】
（変形例１５）前記第二の実施形態においては、液晶表示パネル８０が区画形成されたマザー基板１８０は、複数の素子基板８１が区画形成されたマザー素子基板１８１と、複数の対向基板８２が区画形成されマザー対向基板１８２とが接着されて形成されており、マザー基板１８０を分割することによって、素子基板８１及び対向基板８２を有する液晶表示パネル８０を形成している。しかし、液晶表示パネル８０が区画形成されたマザー基板が、マザー素子基板１８１と、マザー対向基板１８２とを有することは必須ではない。マザー素子基板１８１又はマザー対向基板１８２のいずれか一方を、予め、個別の素子基板８１又は対向基板８２に分割して、個別の素子基板８１又は対向基板８２を、それぞれ、マザー対向基板１８２又はマザー素子基板１８１に貼りつけることによって、液晶表示パネル８０が区画形成されたマザー基板を形成してもよい。
【０１４２】
予め個別の基板に分割するマザー基板は、当該基板を隙間なく区画形成することが可能となる。液晶表示パネル８０の場合は、素子基板８１に比べて対向基板８２の方が面積が小さいため、マザー対向基板１８２には、対向基板８２が隙間を隔てて区画形成されている。マザー対向基板を予め個別の対向基板８２に分割することによって、当該マザー対向基板は、対向基板８２を隙間なく区画形成することが可能となるため、マザー対向基板１８２より小さくすることができる。
【０１４３】
マザー素子基板又はマザー対向基板を予め個別の素子基板８１又は対向基板８２に分割する場合にも、本発明の基板の分割方法を適用することができる。この場合、予め分割するマザー素子基板又はマザー対向基板がマザー電気光学基板に相当し、分割して形成される素子基板８１又は対向基板８２が、電気光学基板に相当する。
【産業上の利用可能性】
【０１４４】
上述した実施形態においては、加工対象物の一例として、集積回路などが区画形成されたシリコン基板の分割方法、電気光学装置の一例である液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板の分割方法について説明したが、本発明による加工方法は様々な加工対象物の加工方法として利用できる。例えば、ガラス基板の切断に用いられるガラス基板分割方法、水晶発振器などの水晶基板の切断に用いられる水晶基板分割方法、ピエゾ素子などの圧電素子分割方法、プラスチック板分割方法、装置を構成する構成部材であってシリコン材料から成る構成部材が区画形成されたシリコン基板の分割方法などとして、利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４５】
【図１】ウェハの形状を示す平面図。
【図２】スクライブ溝形成装置の概略構成を示す説明図。
【図３】ディスペンサ装置の概略構成を示す外観斜視図。
【図４】ウェハを半導体チップに分割する工程を示すフローチャート。
【図５】ウェハを半導体チップに分割する過程を示す模式断面図。
【図６】レーザ加工装置の構成を示す模式図。
【図７】分割対象物に改質帯を形成する工程を示す分割対象物の模式断面図。
【図８】液滴吐出装置の概略構成を示す外観斜視図。
【図９】液晶表示パネルの構造を示す概略平面図及び概略断面図。
【図１０】液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を示す概略平面図及び概略断面図。
【図１１】液晶表示パネルを形成する工程を示すフローチャート。
【図１２】（ａ）液晶表示パネル一個分の上セルパターンの平面図。（ｂ）複数の上セルパターンが形成されたマザー対向基板の平面図。
【図１３】（ａ）液晶表示パネル一個分の下セルパターンの平面図。（ｂ）複数の下セルパターンが形成されたマザー素子基板の平面図。
【図１４】Ｖ対向切断面に改質帯を形成する工程を示すマザー基板の模式断面図。
【図１５】改質帯が形成されたマザー基板に水を配置する工程を示すマザー基板の模式断面図。
【図１６】砥石状のカッタを用いて溝を形成する状態を示す模式断面図。
【符号の説明】
【０１４６】
１…半導体チップ、１Ａ…ウェハ、３…区画線、５…スクライブ溝形成装置、３０…ディスペンサ装置、３０ａ…分割予定面、４０…クラック、４１…スクライブ溝、４４…水、４４ａ…液滴、４５…レーザ加工装置、４６…加熱端子、７０…液滴吐出装置、８０…液晶表示パネル、８１…素子基板、８２…対向基板、１４０…改質領域、１４２…改質層、１４４…改質帯、１８０…マザー基板、１８１…マザー素子基板、１８２…マザー対向基板、１８４…Ｈ素子切断面、１８６…Ｖ素子切断面、１８７…Ｈ対向切断面、１８８…Ｖ対向切断面、２１２…カッタ、２４０…溝、２４８…分割予定面、４４４，４４６，４４７，４４８…改質帯。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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