(57)【要約】【課題】媒体対向面となる面を研磨することによって形成される媒体対向面を所望の位置に正確に形成できるようにする。【解決手段】１枚の基板に対して複数の磁気ヘッドの構成要素が形成されて、ヘッド予定部１０１が複数列に配列された磁気ヘッド用基礎構造物が作製され、この基礎構造物が切断され、複数のヘッド予定部１０１が互いに分離されて、複数の磁気ヘッドが作製される。基礎構造物を切断することによって形成された面が研磨されて、研磨面が形成され、この研磨面は、媒体対向面の目標位置に達するように研磨される。磁気ヘッド用基礎構造物は、それぞれ研磨面の位置を検出する第１ないし第４の抵抗素子６，４２ａ，６０，５２ａを備えている。第３および第４の検出素子６０，５２ａは、第１および第２の抵抗素子６，４２ａとは媒体対向面に垂直な方向にずれた位置に配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体に記録された情報を再生する再生素子と、
前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記記録媒体に情報を記録する記録素子とを備えた磁気ヘッドの製造方法であって、
基板に対して複数組の前記再生素子および記録素子を形成して、それぞれ後に前記磁気ヘッドとなるヘッド予定部が複数列に配列された磁気ヘッド用基礎構造物を作製する工程と、
前記基礎構造物を切断することによって複数の前記ヘッド予定部を互いに分離して、複数の磁気ヘッドを作製する工程とを備え、
前記基礎構造物を作製する工程は、前記基板の上面との間の距離が互いに異なるように前記再生素子と記録素子を配置し、
前記磁気ヘッドを作製する工程は、前記基礎構造物を切断することによって形成された面を研磨して研磨面を形成すると共に、前記研磨面が媒体対向面の目標位置に達して前記媒体対向面となるように前記研磨面の研磨を行うことによって、前記媒体対向面を形成する工程を含み、
前記基礎構造物を作製する工程は、前記基板の上面との間の距離が互いに異なるように配置され、それぞれ前記研磨面の位置を検出するために用いられると共に、前記研磨面が前記基板の上面に対してなす角度を検出するために用いられる第１および第２の検出素子と、前記第１および第２の検出素子とは前記媒体対向面に垂直な方向にずれた位置に配置され、且つ前記基板の上面との間の距離が互いに異なるように配置され、それぞれ前記研磨面の位置を検出するために用いられると共に、前記研磨面が前記基板の上面に対してなす角度を検出するために用いられる第３および第４の検出素子とを形成する工程を含み、
前記媒体対向面を形成する工程は、前記第１および第２の検出素子を用いて検出される前記研磨面の位置、および前記研磨面が前記基板の上面に対してなす角度と、前記第３および第４の検出素子を用いて検出される前記研磨面の位置、および前記研磨面が前記基板の上面に対してなす角度とを監視しながら前記研磨面の研磨を行って、前記媒体対向面を形成することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第１ないし第４の検出素子は、いずれも、前記研磨面の位置の変化に応じて抵抗値が変化する抵抗素子であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第３および第４の検出素子は、前記第１および第２の検出素子に比べて、前記媒体対向面の目標位置から離れた位置に配置されることを特徴とする請求項１または２記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第１ないし第４の検出素子は、いずれも前記磁気ヘッドに残らない位置に配置されることを特徴とする請求項３記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第１および第２の検出素子は、それらの一部が前記磁気ヘッドに残る位置に配置されることを特徴とする請求項３記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記再生素子は、磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記再生素子は、前記第１の検出素子を兼ねていることを特徴とする請求項６記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第１ないし第４の検出素子のうちの少なくとも１つは、前記研磨面に露出する第１および第２の指標を含み、前記研磨面の位置の変化に応じて、前記研磨面における前記第１の指標の幅と第２の指標の幅の一方は減少し、他方は増加することを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記記録素子は、前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、前記媒体対向面に配置された端面を有するトラック幅規定部を含み、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層とを有することを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記磁気ヘッドは、垂直磁気記録方式に用いられることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体に記録された情報を再生する再生素子と、
前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記記録媒体に情報を記録する記録素子とを備えた磁気ヘッドを製造するために用いられる磁気ヘッド用基礎構造物であって、
基板と、
それぞれ後に前記磁気ヘッドとなるヘッド予定部が複数列に配列されるように、前記基板に対して形成された複数組の前記再生素子および記録素子とを備え、
前記再生素子と記録素子は、前記基板の上面との間の距離が互いに異なるように配置され、
前記磁気ヘッド用基礎構造物は、前記磁気ヘッドを作製する際に、複数の前記ヘッド予定部が互いに分離されるように切断され、前記基礎構造物を切断することによって形成された面が研磨されて研磨面が形成される共に、前記研磨面が媒体対向面の目標位置に達して前記媒体対向面となるように前記研磨面が研磨されるものであり、
前記磁気ヘッド用基礎構造物は、更に、前記基板の上面との間の距離が互いに異なるように配置され、それぞれ前記研磨面の位置を検出するために用いられると共に、前記研磨面が前記基板の上面に対してなす角度を検出するために用いられる第１および第２の検出素子と、前記第１および第２の検出素子とは前記媒体対向面に垂直な方向にずれた位置に配置され、且つ前記基板の上面との間の距離が互いに異なるように配置され、それぞれ前記研磨面の位置を検出するために用いられると共に、前記研磨面が前記基板の上面に対してなす角度を検出するために用いられる第３および第４の検出素子とを備えたことを特徴とする磁気ヘッド用基礎構造物。
【請求項１２】
前記第１ないし第４の検出素子は、いずれも、前記研磨面の位置の変化に応じて抵抗値が変化する抵抗素子であることを特徴とする請求項１１記載の磁気ヘッド用基礎構造物。
【請求項１３】
前記第３および第４の検出素子は、前記第１および第２の検出素子に比べて、前記媒体対向面の目標位置から離れた位置に配置されていることを特徴とする請求項１１または１２記載の磁気ヘッド用基礎構造物。
【請求項１４】
前記第１ないし第４の検出素子は、いずれも前記磁気ヘッドに残らない位置に配置されていることを特徴とする請求項１３記載の磁気ヘッド用基礎構造物。
【請求項１５】
前記第１および第２の検出素子は、それらの一部が前記磁気ヘッドに残る位置に配置されていることを特徴とする請求項１３記載の磁気ヘッド用基礎構造物。
【請求項１６】
前記再生素子は、磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１１記載の磁気ヘッド用基礎構造物。
【請求項１７】
前記再生素子は、前記第１の検出素子を兼ねていることを特徴とする請求項１６記載の磁気ヘッド用基礎構造物。
【請求項１８】
前記第１ないし第４の検出素子のうちの少なくとも１つは、前記研磨面に露出する第１および第２の指標を含み、前記研磨面の位置の変化に応じて、前記研磨面における前記第１の指標の幅と第２の指標の幅の一方は減少し、他方は増加することを特徴とする請求項１１記載の磁気ヘッド用基礎構造物。
【請求項１９】
前記記録素子は、前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、前記媒体対向面に配置された端面を有するトラック幅規定部を含み、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層とを有することを特徴とする請求項１１ないし１８のいずれかに記載の磁気ヘッド用基礎構造物。
【請求項２０】
前記磁気ヘッドは、垂直磁気記録方式に用いられることを特徴とする請求項１１ないし１９のいずれかに記載の磁気ヘッド用基礎構造物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録媒体に情報を記録するために用いられる磁気ヘッドの製造方法、ならびに磁気ヘッドを製造するために用いられる磁気ヘッド用基礎構造物（substructure）に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録再生装置における記録方式には、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがある。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現することが可能であると言われている。
【０００３】
一般的に、長手磁気記録方式と垂直磁気記録方式のいずれにおいても、磁気ヘッドとしては、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを、基板上に積層した構造のものが用いられる。
【０００４】
また、長手磁気記録方式と垂直磁気記録方式のいずれにおいても、記録ヘッドは、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層とを備えている。磁極層は、例えば、一端部が記録媒体に対向する媒体対向面に配置されたトラック幅規定部と、このトラック幅規定部の他端部に連結され、トラック幅規定部よりも大きな幅を有する幅広部とを有している。トラック幅規定部は、ほぼ一定の幅を有している。
【０００５】
高記録密度化のために、記録ヘッドには、トラック幅の縮小、すなわち媒体対向面における磁極層の端面の幅の縮小と、記録特性の向上が求められる。記録特性の向上とは、例えば、重ね書きの性能を表わすオーバーライト特性の向上である。トラック幅が小さくなるとオーバーライト特性は低下するので、トラック幅が小さくなるほど、オーバーライト特性の一層の向上が必要となる。ここで、媒体対向面に垂直な方向についてのトラック幅規定部の長さをネックハイトと呼ぶ。このネックハイトが小さいほど、オーバーライト特性が向上する。
【０００６】
ところで、磁気ヘッドの製造過程では、１枚の基板（ウェハ）に対して、それぞれ磁気ヘッドとなる多数の磁気ヘッド素子が形成される。多数の磁気ヘッド素子が形成された基板は、媒体対向面となる面が現れるように切断される。そして、この面が研磨されて、媒体対向面が形成される。
【０００７】
特許文献１には、ウェハ内に、互いに反対向きに配置された第１および第２の三角形を形成しておき、この第１および第２の三角形を用いて、ＭＲセンサのハイト（ＭＲセンサの媒体対向面に垂直な方向についての長さ）を計算する技術が記載されている。この技術では、ウェハ処理前（研磨前）の媒体対向面における第１の三角形の底辺の幅と、ウェハ処理前の媒体対向面における第２の三角形の上部の幅と、研磨後の媒体対向面における第１の三角形の底辺の幅と、研磨後の媒体対向面における第２の三角形の上部の幅とを用いて、ＭＲセンサのハイトを計算する。
【０００８】
また、特許文献２には、磁気ヘッドを製造するために用いられる基礎構造物に、媒体対向面が形成されたときにトラック幅規定部の端面の位置に応じて抵抗値が異なる抵抗素子を設け、ＭＲ素子と抵抗素子の各抵抗値を監視しながら、媒体対向面となる面を研磨する技術が記載されている。また、特許文献２には、磁気ヘッドを製造するために用いられる基礎構造物に、媒体対向面が形成されたときにＭＲ素子の端部の位置に応じて抵抗値が異なる第１の抵抗素子と、媒体対向面が形成されたときにトラック幅規定部の端面の位置に応じて抵抗値が異なる第２の抵抗素子とを設け、第１および第２の抵抗素子の各抵抗値を監視しながら、媒体対向面となる面を研磨する技術が記載されている。
【０００９】
【特許文献１】米国特許第５，７４２，９９５号明細書
【特許文献２】特開２００６−２１６２１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ここで、磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。この製造方法では、まず、１枚の基板に対して、複数の磁気ヘッドの構成要素を形成して、それぞれ後に磁気ヘッドとなるヘッド予定部が複数列に配列された磁気ヘッド用基礎構造物を作製する。次に、磁気ヘッド用基礎構造物を切断して、１列に配列された複数のヘッド予定部を含むヘッド集合体を作製する。次に、磁気ヘッド用基礎構造物を切断することによってヘッド集合体に形成された１つの面を研磨して、ヘッド集合体に含まれる各ヘッド予定部に対して、媒体対向面を形成する。次に、媒体対向面に浮上用レールを形成する。次に、複数のヘッド予定部が互いに分離されるようにヘッド集合体を切断して、複数の磁気ヘッドを形成する。
【００１１】
次に、ヘッド集合体を研磨して媒体対向面を形成する方法の一例について説明する。この方法では、ヘッド集合体に含まれる複数のＭＲ素子の抵抗値を検出しながら、複数のヘッド予定部におけるＭＲハイトが等しくなるように、ヘッド集合体の研磨を行う。なお、ＭＲハイトとは、媒体対向面に垂直な方向についてのＭＲ素子の長さを言う。
【００１２】
上述のような媒体対向面を形成する方法によれば、ＭＲハイトが所望の値になるように媒体対向面を形成することができる。従って、この方法では、媒体対向面のうち、ＭＲ素子の端部が露出した部分は、所望の位置に配置される。そして、この方法では、媒体対向面が基板の上面に対してなす角度が９０°であれば、媒体対向面のうち、トラック幅規定部の端面が露出した部分も、所望の位置に配置される。その結果、ネックハイトも所望の値になる。
【００１３】
しかしながら、従来、媒体対向面が基板の上面に対してなす角度は９０°からずれる場合があった。その原因は、例えば、ヘッド集合体を研磨する際にヘッド集合体を支持する治具とヘッド集合体との位置ずれである。媒体対向面が基板の上面に対してなす角度が９０°からずれた場合には、媒体対向面のうち、ＭＲ素子の端部が露出した部分は所望の位置に配置されていても、媒体対向面のうち、トラック幅規定部の端面が露出した部分は、所望の位置からずれて配置されてしまう。その結果、ネックハイトは所望の値からずれてしまう。
【００１４】
前述のように、ネックハイトが所望の値からずれると、トラック幅も所望の値からずれてしまう場合がある。このように、従来は、媒体対向面のうち、トラック幅規定部の端面が露出した部分が所望の位置からずれて配置されて、ネックハイトやトラック幅が所望の値からずれる場合があり、その結果、磁気ヘッドの歩留りが低下するという問題点があった。
【００１５】
特許文献１に記載された技術では、ＭＲハイトを計算することはできるが、上記の問題点を解決することはできない。
【００１６】
特許文献２に記載された技術によれば、媒体対向面となる研磨面が基板の上面に対してなす角度を検出することが可能となり、その結果、媒体対向面を所望の位置に正確に形成することが可能になる。
【００１７】
ところで、ＭＲ素子の抵抗値や特許文献２に記載された抵抗素子の抵抗値を監視して、研磨面の位置を検出する場合には、以下のような問題点があった。すなわち、ＭＲ素子や抵抗素子の抵抗値は、媒体対向面に垂直な方向についてのＭＲ素子や抵抗素子の長さに反比例する。そのため、媒体対向面に垂直な方向についてのＭＲ素子や抵抗素子の長さが大きいときには、研磨面の位置の変化に対するＭＲ素子や抵抗素子の抵抗値の変化は小さく、媒体対向面に垂直な方向についてのＭＲ素子や抵抗素子の長さが小さくなってくると、研磨面の位置の変化に対するＭＲ素子や抵抗素子の抵抗値の変化が大きくなる。そのため、研磨面が媒体対向面の目標位置から遠いとき、例えば研磨面と媒体対向面の目標位置との距離が１μｍよりも大きいときには、研磨面と媒体対向面の目標位置との距離や、研磨面が基板の上面に対してなす角度を精度よく検出することが困難であった。その結果、例えば、研磨面が媒体対向面の目標位置から遠いときに、研磨面が基板の上面に対してなす角度が９０°から大きくずれてしまい、その後、上記角度を修正することができなくなる場合が生じる。
【００１８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、媒体対向面となる面を研磨することによって媒体対向面を形成する場合において、媒体対向面を所望の位置に正確に形成でき、且つ媒体対向面となる研磨面の位置が媒体対向面の目標位置から遠いときにおいても、研磨面と媒体対向面の目標位置との距離や研磨面が基板の上面に対してなす角度を精度よく検出できるようにした磁気ヘッドの製造方法および磁気ヘッド用基礎構造物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の製造方法によって製造される磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体に記録された情報を再生する再生素子と、媒体対向面に配置された端面を有し、記録媒体に情報を記録する記録素子とを備えている。
【００２０】
本発明の磁気ヘッドの製造方法は、基板に対して複数組の再生素子および記録素子を形成して、それぞれ後に磁気ヘッドとなるヘッド予定部が複数列に配列された磁気ヘッド用基礎構造物を作製する工程と、基礎構造物を切断することによって複数のヘッド予定部を互いに分離して、複数の磁気ヘッドを作製する工程とを備えている。基礎構造物を作製する工程は、基板の上面との間の距離が互いに異なるように再生素子と記録素子を配置する。磁気ヘッドを作製する工程は、基礎構造物を切断することによって形成された面を研磨して研磨面を形成すると共に、研磨面が媒体対向面の目標位置に達して媒体対向面となるように研磨面の研磨を行うことによって、媒体対向面を形成する工程を含んでいる。
【００２１】
基礎構造物を作製する工程は、基板の上面との間の距離が互いに異なるように配置され、それぞれ研磨面の位置を検出するために用いられると共に、研磨面が基板の上面に対してなす角度を検出するために用いられる第１および第２の検出素子と、第１および第２の検出素子とは媒体対向面に垂直な方向にずれた位置に配置され、且つ基板の上面との間の距離が互いに異なるように配置され、それぞれ研磨面の位置を検出するために用いられると共に、研磨面が基板の上面に対してなす角度を検出するために用いられる第３および第４の検出素子とを形成する工程を含んでいる。
【００２２】
また、媒体対向面を形成する工程は、第１および第２の検出素子を用いて検出される研磨面の位置、および研磨面が基板の上面に対してなす角度と、第３および第４の検出素子を用いて検出される研磨面の位置、および研磨面が基板の上面に対してなす角度とを監視しながら研磨面の研磨を行って、媒体対向面を形成する。
【００２３】
本発明の磁気ヘッド用基礎構造物は、磁気ヘッドを製造するために用いられるものである。磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体に記録された情報を再生する再生素子と、媒体対向面に配置された端面を有し、記録媒体に情報を記録する記録素子とを備えている。
【００２４】
本発明の磁気ヘッド用基礎構造物は、基板と、それぞれ後に磁気ヘッドとなるヘッド予定部が複数列に配列されるように、基板に対して形成された複数組の再生素子および記録素子とを備えている。再生素子と記録素子は、基板の上面との間の距離が互いに異なるように配置されている。また、磁気ヘッド用基礎構造物は、磁気ヘッドを作製する際に、複数のヘッド予定部が互いに分離されるように切断され、基礎構造物を切断することによって形成された面が研磨されて研磨面が形成される共に、研磨面が媒体対向面の目標位置に達して媒体対向面となるように研磨面が研磨されるものである。
【００２５】
また、磁気ヘッド用基礎構造物は、更に、基板の上面との間の距離が互いに異なるように配置され、それぞれ研磨面の位置を検出するために用いられると共に、研磨面が基板の上面に対してなす角度を検出するために用いられる第１および第２の検出素子と、第１および第２の検出素子とは媒体対向面に垂直な方向にずれた位置に配置され、且つ基板の上面との間の距離が互いに異なるように配置され、それぞれ研磨面の位置を検出するために用いられると共に、研磨面が基板の上面に対してなす角度を検出するために用いられる第３および第４の検出素子とを備えている。
【００２６】
本発明の磁気ヘッドの製造方法または磁気ヘッド用基礎構造物において、第１ないし第４の検出素子は、いずれも、研磨面の位置の変化に応じて抵抗値が変化する抵抗素子であってもよい。
【００２７】
また、本発明の磁気ヘッドの製造方法または磁気ヘッド用基礎構造物において、第３および第４の検出素子は、第１および第２の検出素子に比べて、媒体対向面の目標位置から離れた位置に配置されてもよい。この場合、第１ないし第４の検出素子は、いずれも磁気ヘッドに残らない位置に配置されてもよい。あるいは、第１および第２の検出素子は、それらの一部が磁気ヘッドに残る位置に配置されてもよい。
【００２８】
また、本発明の磁気ヘッドの製造方法または磁気ヘッド用基礎構造物において、再生素子は、磁気抵抗効果素子であってもよい。この場合、再生素子は、第１の検出素子を兼ねていてもよい。
【００２９】
また、本発明の磁気ヘッドの製造方法または磁気ヘッド用基礎構造物において、第１ないし第４の検出素子のうちの少なくとも１つは、研磨面に露出する第１および第２の指標を含み、研磨面の位置の変化に応じて、研磨面における第１の指標の幅と第２の指標の幅の一方は減少し、他方は増加するものであってもよい。
【００３０】
また、本発明の磁気ヘッドの製造方法または磁気ヘッド用基礎構造物において、記録素子は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、媒体対向面に配置された端面を有するトラック幅規定部を含み、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層とを有していてもよい。
【００３１】
また、本発明の磁気ヘッドの製造方法または磁気ヘッド用基礎構造物において、磁気ヘッドは、垂直磁気記録方式に用いられるものであってもよい。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の磁気ヘッドの製造方法または磁気ヘッド用基礎構造物によれば、第１および第２の検出素子を用いて検出される研磨面の位置、および研磨面が基板の上面に対してなす角度と、第３および第４の検出素子を用いて検出される研磨面の位置、および研磨面が基板の上面に対してなす角度とを監視しながら研磨面の研磨を行って、媒体対向面を形成することができる。これにより、本発明によれば、媒体対向面となる面を研磨することによって媒体対向面を形成する場合において、媒体対向面を所望の位置に正確に形成でき、且つ研磨面の位置が媒体対向面の目標位置から遠いときにおいても、研磨面と媒体対向面の目標位置との距離や研磨面が基板の上面に対してなす角度を精度よく検出することが可能になるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図２および図３を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る製造方法および磁気ヘッド用基礎構造物を用いて製造される磁気ヘッドの構成について説明する。ここでは、磁気ヘッドの一例として、垂直磁気記録方式用の磁気ヘッドを挙げる。図２は磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図３は磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、図３は媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。また、図３において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。
【００３４】
図２に示したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面４０を備えている。また、図２および図３に示したように、磁気ヘッドは、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１と、この基板１の上に配置されたアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる下部シールド層３と、この下部シールド層３の上に配置された絶縁膜である下部シールドギャップ膜４と、この下部シールドギャップ膜４の上に配置されたＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である上部シールドギャップ膜７とを備えている。
【００３５】
ＭＲ素子５は、記録媒体に記録された情報を再生する。ＭＲ素子５は、媒体対向面４０に配置された端面を有している。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＭＲ素子５は、本発明における再生素子に対応する。
【００３６】
磁気ヘッドは、更に、上部シールドギャップ膜７の上に順に配置された第１の上部シールド層８、非磁性層９および第２の上部シールド層１０を備えている。第１の上部シールド層８および第２の上部シールド層１０は、磁性材料によって形成されている。非磁性層９は、アルミナ等の非磁性材料によって形成されている。下部シールド層３から第２の上部シールド層１０までの部分は、再生ヘッドを構成する。
【００３７】
磁気ヘッドは、更に、第２の上部シールド層１０の上に配置された絶縁層１１および連結層１２を備えている。絶縁層１１は、アルミナ等の絶縁材料によって形成されている。絶縁層１１には、媒体対向面４０から離れた位置において、開口部が形成されている。連結層１２は、絶縁層１１の開口部が形成された位置において、第２の上部シールド層１０の上に配置されている。連結層１２は、磁性材料によって形成されている。
【００３８】
磁気ヘッドは、更に、絶縁層１１の上に配置されたコイル１３と、コイル１３の巻線間および周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１４とを備えている。コイル１３は、平面渦巻き形状をなしている。また、コイル１３は、銅等の導電材料によって形成されている。絶縁層１４は、例えばフォトレジストによって形成されている。
【００３９】
磁気ヘッドは、更に、絶縁層１４を覆うように配置された非磁性材料よりなる収容層１５を備えている。収容層１５は、上面で開口し、後述する磁極層を収容する溝部１５ａを有している。収容層１５の材料としては、例えば、アルミナ、シリコン酸化物（ＳｉＯＸ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）のいずれかを用いることができる。
【００４０】
磁気ヘッドは、更に、非磁性導電材料よりなり、収容層１５の上面の上に配置された非磁性導電層１７を備えている。非磁性導電層１７は、貫通する開口部１７ａを有し、この開口部１７ａの縁は、収容層１５の上面における溝部１５ａの縁の真上に配置されている。非磁性導電層１７の材料としては、例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、ＮｉＣｒ、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＷＳｉ２、ＴａＳｉ２、ＴｉＳｉ２、ＴｉＮ、ＴｉＷのいずれかを用いることができる。
【００４１】
磁気ヘッドは、更に、溝部１５ａ内に配置された非磁性膜２０、研磨停止層２３および磁極層２４を備えている。非磁性膜２０は、溝部１５ａの表面に接するように配置されている。磁極層２４は、溝部１５ａの表面から離れるように配置されている。研磨停止層２３は、非磁性膜２０と磁極層２４の間に配置されている。磁極層２４は、溝部１５ａの表面に近い位置に配置された第１層２４１と、溝部１５ａの表面から遠い位置に配置された第２層２４２とを有している。
【００４２】
磁気ヘッドは、更に、非磁性導電層１７の周辺において、収容層１５の上に配置された被覆層２６を備えている。被覆層２６、非磁性導電層１７、非磁性膜２０、研磨停止層２３および磁極層２４の上面は平坦化されている。
【００４３】
非磁性膜２０の材料としては、例えば絶縁材料または半導体材料を用いることができる。非磁性膜２０の材料としての絶縁材料としては、例えばアルミナ、シリコン酸化物（ＳｉＯＸ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）のいずれかを用いることができる。非磁性膜２０の材料としての半導体材料としては、例えば多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンを用いることができる。
【００４４】
研磨停止層２３は、非磁性導電材料によって形成されている。研磨停止層２３の材料としては、例えば、非磁性導電層１７と同じものを用いることができる。
【００４５】
第１層２４１と第２層２４２は、いずれも磁性材料によって形成されている。第１層２４１の材料としては、例えば、ＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅのいずれかを用いることができる。第２層２４２の材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。
【００４６】
磁気ヘッドは、更に、非磁性導電層１７および磁極層２４の上面の上に配置されたギャップ層２７を備えている。ギャップ層２７には、媒体対向面４０から離れた位置において、開口部が形成されている。ギャップ層２７の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｔａ、Ｗ、ＮｉＢ等の非磁性金属材料でもよい。
【００４７】
磁気ヘッドは、更に、シールド層２８を備えている。シールド層２８は、ギャップ層２７の上に配置された第１層２８Ａと、この第１層２８Ａの上に配置された第２層２８Ｃと、ギャップ層２７の開口部が形成された位置において磁極層２４の上に配置されたヨーク層２８Ｂと、このヨーク層２８Ｂの上に配置された連結層２８Ｄと、第２層２８Ｃと連結層２８Ｄを連結するように配置された第３層２８Ｅとを有している。第１層２８Ａ、ヨーク層２８Ｂ、第２層２８Ｃ、連結層２８Ｄおよび第３層２８Ｅは、いずれも磁性材料によって形成されている。これらの層２８Ａ〜２８Ｅの材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅのいずれかを用いることができる。
【００４８】
磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、ヨーク層２８Ｂの周囲に配置された非磁性層２９を備えている。非磁性層２９の一部は、第１層２８Ａの側方に配置されている。非磁性層２９は、例えば、アルミナや塗布ガラス等の無機絶縁材料によって形成されている。あるいは、非磁性層２９は、非磁性金属材料よりなる層とその上に配置された絶縁材料よりなる層とで構成されていてもよい。この場合、非磁性金属材料としては、例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｒ、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｐｄ、Ｈｆ等の高融点金属が用いられる。
【００４９】
磁気ヘッドは、更に、ヨーク層２８Ｂおよび非磁性層２９の上面のうちの後述するコイルが配置される領域の上に配置された絶縁層３０と、この絶縁層３０の上に配置されたコイル３１と、このコイル３１の巻線間およびコイル３１の周囲に配置された絶縁層３２と、コイル３１および絶縁層３２の上に配置された絶縁層３４を備えている。コイル３１は、平面渦巻き形状をなしている。コイル３１の一部は、第２層２８Ｃと連結層２８Ｄの間を通過している。コイル３１は、銅等の導電材料によって形成されている。第２層２８Ｃ、連結層２８Ｄ、コイル３１および絶縁層３２の上面は平坦化されている。絶縁層３２は、例えばフォトレジストによって形成されている。絶縁層３０，３４は、例えばアルミナによって形成されている。
【００５０】
コイル１３からシールド層２８の第３層２８Ｅまでの部分は、記録ヘッドを構成する。図示しないが、磁気ヘッドは、更に、シールド層２８を覆うように形成された保護層を備えている。
【００５１】
以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面４０と再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドと記録ヘッドは、基板１の上に積層されている。再生ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの後側（スライダにおける空気流入端側）に配置され、記録ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。
【００５２】
再生ヘッドは、再生素子としてのＭＲ素子５と、媒体対向面４０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および第１の上部シールド層８と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と第１の上部シールド層８との間に配置された上部シールドギャップ膜７と、再生ヘッドと記録ヘッドとを互いにシールドするための第２の上部シールド層１０と、第１の上部シールド層８と第２のシールド層１０との間に配置された非磁性層９とを備えている。
【００５３】
記録ヘッドは、コイル１３、収容層１５、非磁性導電層１７、非磁性膜２０、研磨停止層２３、磁極層２４、ギャップ層２７、シールド層２８およびコイル３１を備えている。コイル１３，３１は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。なお、図３では、第２の上部シールド層１０が、連結層１２および後述する磁性層２４１Ｐを介してシールド層２８に対して磁気的に連結されている。しかし、連結層１２を設けずに、第２の上部シールド層１０とシールド層２８とを互いに磁気的に分離してもよい。また、コイル１３は、記録ヘッドにおける必須の構成要素ではなく、設けられていなくてもよい。
【００５４】
磁極層２４は、媒体対向面４０に配置された端面を有し、コイル３１によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。コイル３１と磁極層２４は、本発明における記録素子に対応する。再生素子としてのＭＲ素子５と、記録素子としてのコイル３１および磁極層２４は、基板１の上面との間の距離が互いに異なるように配置されている。
【００５５】
シールド層２８は、媒体対向面４０に配置された端部を有し、媒体対向面４０から離れた位置において磁極層２４に連結されている。ギャップ層２７は、非磁性材料よりなり、磁極層２４とシールド層２８との間に設けられている。
【００５６】
媒体対向面４０において、シールド層２８の端面は、磁極層２４の端面に対して、ギャップ層２７の厚みによる所定の間隔を開けて記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置されている。コイル３１の少なくとも一部は、磁極層２４とシールド層２８との間に、磁極層２４およびシールド層２８に対して絶縁された状態で配置されている。
【００５７】
磁極層２４は、収容層１５の溝部１５ａ内に、非磁性膜２０および研磨停止層２３を介して配置されている。非磁性導電層１７は、収容層１５の上面の上に配置されている。非磁性導電層１７は、貫通する開口部１７ａを有し、この開口部１７ａの縁は、収容層１５の上面における溝部１５ａの縁の真上に配置されている。非磁性導電層１７の厚みは、例えば２０〜６０ｎｍの範囲内である。非磁性膜２０の厚みは、例えば１０〜５０ｎｍの範囲内である。研磨停止層２３の厚みは、例えば４０〜７０ｎｍの範囲内である。
【００５８】
磁極層２４は、溝部１５ａの表面に近い位置に配置された第１層２４１と、溝部１５ａの表面から遠い位置に配置された第２層２４２とを有している。第１層２４１の厚みは、例えば５０〜７０ｎｍの範囲内である。
【００５９】
シールド層２８は、ギャップ層２７に隣接するように配置された第１層２８Ａと、第１層２８Ａにおけるギャップ層２７とは反対側に配置された第２層２８Ｃと、ギャップ層２７の開口部が形成された位置において磁極層２４の上に配置されたヨーク層２８Ｂと、このヨーク層２８Ｂの上に配置された連結層２８Ｄと、第２層２８Ｃと連結層２８Ｄを連結するように配置された第３層２８Ｅとを有している。第２層２８Ｃは、媒体対向面４０とコイル３１の少なくとも一部との間に配置されている。
【００６０】
第１層２８Ａは、媒体対向面４０に配置された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有している。第２層２８Ｃも、媒体対向面４０に配置された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有している。第１層２８Ａの第２の端部は、スロートハイトＴＨを規定する。すなわち、図３に示したように、第１層２８Ａのうち、ギャップ層２７を介して磁極層２４と対向する部分における第１の端部と第２の端部との間の最短距離がスロートハイトＴＨとなる。また、スロートハイトＴＨは、例えば０．１〜０．３μｍの範囲内である。また、第２層２８Ｃのうち、ギャップ層２７および第１層２８Ａを介して磁極層２４と対向する部分における第１の端部と第２の端部との間の最短距離は、例えば０．５〜０．８μｍの範囲内である。また、第１層２８Ａおよびヨーク層２８Ｂの厚みは、例えば０．３〜０．８μｍの範囲内である。第２層２８Ｃおよび連結層２８Ｄの厚みは、例えば２．０〜２．５μｍの範囲内である。第３層２８Ｅの厚みは、例えば、２．０〜３．０μｍの範囲内である。コイル３１の厚みは、第２層２８Ｃの厚み以下であり、例えば、２．０〜２．５μｍの範囲内である。
【００６１】
ここで、図２および図４を参照して、磁極層２４の形状について詳しく説明する。図４は、本実施の形態に係る磁気ヘッド用基礎構造物の主要部分を示す斜視図である。磁気ヘッド用基礎構造物は、本実施の形態に係る磁気ヘッドを製造するために用いられるものである。磁気ヘッド用基礎構造物の構成については後で詳しく説明する。図４に示したように、磁極層２４は、一端部が媒体対向面４０に配置され、一定の幅を有するトラック幅規定部２４Ａと、このトラック幅規定部２４Ａの他端部に連結され、トラック幅規定部２４Ａよりも大きな幅を有する幅広部２４Ｂとを有している。幅広部２４Ｂの幅は、例えば、トラック幅規定部２４Ａとの境界位置ではトラック幅規定部２４Ａの幅と等しく、媒体対向面４０から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。ここで、媒体対向面４０に垂直な方向についてのトラック幅規定部２４Ａの長さをネックハイトＮＨと呼ぶ。ネックハイトＮＨは、例えば０．１〜０．３μｍの範囲内である。
【００６２】
また、図２に示したように、媒体対向面４０に配置されたトラック幅規定部２４Ａの端面は、基板１に近い第１の辺Ａ１と、第１の辺Ａ１とは反対側の第２の辺Ａ２と、第１の辺Ａ１の一端と第２の辺Ａ２の一端とを結ぶ第３の辺Ａ３と、第１の辺Ａ１の他端と第２の辺Ａ２の他端とを結ぶ第４の辺Ａ４とを有している。第２の辺Ａ２は、トラック幅を規定する。媒体対向面４０に配置されたトラック幅規定部２４Ａの端面の幅は、第１の辺Ａ１に近づくに従って小さくなっている。
【００６３】
第２の辺Ａ２の長さ、すなわちトラック幅は、例えば０．０８〜０．１２μｍの範囲内である。磁極層２４の厚みは、例えば０．２０〜０．３０μｍの範囲内である。また、第３の辺Ａ３と第４の辺Ａ４がそれぞれ基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、例えば、５°〜１２°の範囲内とする。ギャップ層２７の厚みは、例えば、３０〜６０ｎｍの範囲内である。
【００６４】
本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。記録ヘッドにおいて、コイル３１は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。磁極層２４およびシールド層２８は、コイル３１が発生する磁界に対応した磁束を通過させる磁路を形成する。磁極層２４は、コイル３１によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。シールド層２８は、磁気ヘッドの外部から磁気ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む。これにより、外乱磁界が磁極層２４に集中して取り込まれることによって記録媒体に対して誤った記録が行なわれることを防止することができる。
【００６５】
また、本実施の形態では、媒体対向面４０において、シールド層２８の端面は、トラック幅規定部２４Ａの端面に対して、ギャップ層２７による所定の小さな間隔を開けて記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。記録媒体に記録されるビットパターンの端部の位置は、媒体対向面４０における磁極層２４のギャップ層２７側の端部の位置によって決まる。シールド層２８は、磁極層２４の媒体対向面４０側の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込むことにより、この磁束が記録媒体に達することを阻止する。これにより、記録媒体に既に記録されているビットパターンにおける磁化の方向が上記磁束の影響によって変化することを防止することができる。これにより、本実施の形態によれば、線記録密度を向上させることができる。
【００６６】
また、本実施の形態では、図２に示したように、媒体対向面４０に配置されたトラック幅規定部２４Ａの端面の幅は、第１の辺Ａ１に近づくに従って小さくなっている。これにより、本実施の形態によれば、スキューに起因した問題の発生を防止することができる。
【００６７】
次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法および磁気ヘッド用基礎構造物について説明する。図１は、本実施の形態に係る磁気ヘッド用基礎構造物における主要な構成要素の配置を示す説明図である。磁気ヘッド用基礎構造物は、複数列に配列されたヘッド予定部１０１を備えている。ヘッド予定部１０１は、後に磁気ヘッドとなる部分である。図１において、記号ＡＢＳは、媒体対向面４０の目標位置に配置された仮想の面を示している。本実施の形態では、面ＡＢＳに平行な方向、すなわち図１における水平方向についてのヘッド予定部１０１の並びを列と言う。
【００６８】
磁気ヘッド用基礎構造物は、更に、隣接する２つの列の間に配置された列間除去予定部１０２と、列内において隣接する２つのヘッド予定部１０１の間に配置された列内除去予定部１０３とを備えている。列間除去予定部１０２および列内除去予定部１０３は、いずれも、磁気ヘッドに残らない部分である。
【００６９】
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法は、１枚の基板に対して複数の磁気ヘッドの構成要素を形成することによって、ヘッド予定部１０１が複数列に配列された磁気ヘッド用基礎構造物を作製する工程と、この磁気ヘッド用基礎構造物を切断することによって複数のヘッド予定部１０１を互いに分離して、複数の磁気ヘッドを作製する工程とを備えている。以下、図５ないし図４０を参照して、磁気ヘッド用基礎構造物を作製する工程について詳しく説明する。
【００７０】
図５ないし図７は、磁気ヘッド用基礎構造物を作製する過程における一工程を示している。図５は、磁気ヘッド用基礎構造物を作製する過程の途中における積層体の、媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。図６は、積層体の、媒体対向面に平行な断面を示している。図７は、積層体の上面を示している。図６および図７において、（ａ）は後述する第３および第４の抵抗素子が形成される領域を表し、（ｂ）はヘッド予定部を表し、（ｃ）は後述する第１および第２の抵抗素子が形成される領域を表している。また、図７において、記号ＡＢＳは、媒体対向面の目標位置に配置された仮想の面を示し、記号ＡＣＰは、列間除去予定部１０２内に配置され、面ＡＢＳに平行な仮想の面を示している。図６において、（ａ）は面ＡＣＰにおける断面を表し、（ｂ）および（ｃ）は面ＡＢＳにおける断面を表している。
【００７１】
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、まず、図５および図６に示したように、基板１の上に、絶縁層２、下部シールド層３、下部シールドギャップ膜４を順に形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５と第１の抵抗素子６と第３の抵抗素子６０とを形成する。ＭＲ素子５は、面ＡＢＳを挟んで隣接するヘッド予定部１０１と列間除去予定部１０２の一部とにまたがるように配置される。図１に示したように、第１の抵抗素子６は、面ＡＢＳを挟んで隣接する列内除去予定部１０３と列間除去予定部１０２の一部とにまたがるように配置される。また、第３の抵抗素子６０は、列間除去予定部１０２のうち、列内除去予定部１０３に隣接する部分に配置される。第１の抵抗素子６と第３の抵抗素子６０は、例えば、列方向に見たとき交互に配置される。第１の抵抗素子６と第３の抵抗素子６０は、後述する研磨面が形成されたときに一部が研磨面に露出し、媒体対向面４０に垂直な方向についての研磨面の位置の変化に応じて抵抗値が変化するものである。第１の抵抗素子６は本発明における第１の検出素子に対応し、第３の抵抗素子６０は本発明における第３の検出素子に対応する。
【００７２】
抵抗素子６，６０の材料は、ある程度大きな抵抗率を有する導電材料であればよい。抵抗素子６，６０の材料は、ＭＲ素子５と同じ材料であってもよい。次に、図示しないが、ＭＲ素子５に接続される２つのリードと、第１の抵抗素子６に接続される２つのリードと、第２の抵抗素子６０に接続される２つのリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５、抵抗素子６，６０およびリードを覆うように、上部シールドギャップ膜７を形成する。次に、上部シールドギャップ膜７の上に、第１の上部シールド層８、非磁性層９、第２の上部シールド層１０および絶縁層１１を順に形成する。次に、連結層１２を形成すべき位置において、絶縁層１１を選択的にエッチングして、絶縁層１１に開口部を形成する。なお、連結層１２を設けない場合には、絶縁層１１に開口部を形成する必要はない。
【００７３】
次に、ヘッド予定部１０１において、例えばフレームめっき法によって、絶縁層１１の上にコイル１３を形成する。次に、コイル１３を覆うように絶縁層１４を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、絶縁層１１の開口部が形成された位置において、第２の上部シールド層１０の上に連結層１２を形成する。
【００７４】
また、第１の抵抗素子６が配置された列内除去予定部１０３とそれに隣接する列間除去予定部１０２の一部において、例えばフレームめっき法によって、絶縁層１１の上に、電極層４１Ａ，４１Ｂを形成する。また、第３の抵抗素子６０が配置された列間除去予定部１０２の一部とそれに隣接する列内除去予定部１０３において、例えばフレームめっき法によって、絶縁層１１の上に、電極層５１Ａ，５１Ｂを形成する。電極層４１Ａ，４１Ｂ，５１Ａ，５１Ｂは、導電材料によって形成される。電極層４１Ａ，４１Ｂ，５１Ａ，５１Ｂの材料を連結層１２と同じにして、連結層１２と電極層４１Ａ，４１Ｂ，５１Ａ，５１Ｂを同時に形成してもよい。なお、連結層１２および電極層４１Ａ，４１Ｂ，５１Ａ，５１Ｂを形成した後に、コイル１３および絶縁層１４を形成してもよい。
【００７５】
次に、積層体の上面全体の上に非磁性層１５Ｐを、例えば３〜４μｍの厚みに形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、連結層１２および電極層４１Ａ，４１Ｂ，５１Ａ，５１Ｂが露出するまで、非磁性層１５Ｐを研磨する。非磁性層１５Ｐは、後に溝部１５ａが形成されることにより収容層１５となる層である。次に、列内除去予定部１０３およびそれに隣接する列間除去予定部１０２の一部において、積層体の上面を、後に形成する絶縁層２２の厚み分だけエッチングする。
【００７６】
図７に示したように、電極層４１Ａは、面ＡＢＳから離れた位置に配置された幅広部４１Ａａと、この幅広部４１Ａａから面ＡＢＳに向けて延びる腕部４１Ａｂとを有している。同様に、電極層４１Ｂは、面ＡＢＳから離れた位置に配置された幅広部４１Ｂａと、この幅広部４１Ｂａから面ＡＢＳに向けて延びる腕部４１Ｂｂとを有している。幅広部４１Ａａ，４１Ｂａから遠い腕部４１Ａｂ，４１Ｂｂの各端部は、面ＡＢＳを含む領域において、所定の間隔を開けて対向するように配置されている。
【００７７】
また、電極層５１Ａは、面ＡＣＰから離れた位置に配置された幅広部５１Ａａと、この幅広部５１Ａａから面ＡＣＰに向けて延びる腕部５１Ａｂとを有している。同様に、電極層５１Ｂは、面ＡＣＰから離れた位置に配置された幅広部５１Ｂａと、この幅広部５１Ｂａから面ＡＣＰに向けて延びる腕部５１Ｂｂとを有している。幅広部５１Ａａ，５１Ｂａから遠い腕部５１Ａｂ，５１Ｂｂの各端部は、面ＡＣＰを含む領域において、所定の間隔を開けて対向するように配置されている。
【００７８】
図８ないし図１０は、次の工程を示す。図８は、積層体の、媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。図９は、積層体の、媒体対向面に平行な断面を示している。図１０は、積層体の上面を示している。図９および図１０における（ａ），（ｂ），（ｃ）は、図６および図７における（ａ），（ｂ），（ｃ）と同じ領域を表している。
【００７９】
この工程では、まず、例えばスパッタ法によって、非磁性層１５Ｐの上に、非磁性導電層１７を形成する。次に、非磁性導電層１７の上に、例えば１．０μｍの厚みのフォトレジスト層を形成する。次に、このフォトレジスト層をパターニングして、溝部１５ａと後述する抵抗層４２，５２とを形成するためのマスク１８を形成する。このマスク１８は、ヘッド予定部１０１およびそれに隣接する列間除去予定部１０２の一部においては、溝部１５ａに対応した形状の開口部を有している。また、マスク１８は、列内除去予定部１０３およびそれに隣接する列間除去予定部１０２の一部においては、抵抗層４２，５２を配置すべき領域にのみ配置されている。
【００８０】
次に、マスク１８を用いて、非磁性導電層１７を選択的にエッチングする。これにより、ヘッド予定部１０１およびそれに隣接する列間除去予定部１０２の一部においては、非磁性導電層１７に、貫通した開口部１７ａが形成される。この開口部１７ａは、後に形成される磁性層２４０の平面形状に対応した形状をなしている。磁性層２４０の一部は磁極層２４となる。また、非磁性導電層１７を選択的にエッチングすることにより、列内除去予定部１０３およびそれに隣接する列間除去予定部１０２の一部においては、残った非磁性導電層１７によって、抵抗層４２，５２が形成される。なお、図１０（ａ），（ｃ）では、分かりやすくするために、マスク１８を除いた状態を示している。
【００８１】
抵抗層４２は、電極層４１Ａ，４１Ｂの上面上の領域と腕部４１Ａｂ，４１Ｂｂの端部間における非磁性層１５Ｐの上の領域とを含む領域に配置されている。抵抗層４２は、面ＡＢＳを挟んで隣接する列内除去予定部１０３と列間除去予定部１０２の一部とにまたがるように配置された矩形の部分を含んでいる。この矩形の部分を、第２の抵抗素子４２ａとする。図１０では、分かりやすくするために、第２の抵抗素子４２ａを、ハッチングを付して示している。
【００８２】
抵抗層５２は、電極層５１Ａ，５１Ｂの上面上の領域と腕部５１Ａｂ，５１Ｂｂの端部間における非磁性層１５Ｐの上の領域とを含む領域に配置されている。抵抗層５２は、列間除去予定部１０２のうち、列内除去予定部１０３に隣接する部分において、面ＡＣＰを含む領域に配置された矩形の部分を含んでいる。この矩形の部分を、第４の抵抗素子５２ａとする。図１０では、分かりやすくするために、第４の抵抗素子５２ａを、ハッチングを付して示している。
【００８３】
第２の抵抗素子４２ａと第４の抵抗素子５２ａは、後述する研磨面が形成されたときに一部が研磨面に露出し、媒体対向面４０に垂直な方向についての研磨面の位置の変化に応じて抵抗値が変化するものである。第２の抵抗素子４２ａは本発明における第２の検出素子に対応し、第４の抵抗素子５２ａは本発明における第４の検出素子に対応する。本実施の形態では、非磁性導電層１７の開口部１７ａと第２の抵抗素子４２ａと第４の抵抗素子５２ａは、同時にパターニングされる。
【００８４】
次に、マスク１８を用いて、非磁性層１５Ｐを選択的にエッチングする。これにより、ヘッド予定部１０１およびそれに隣接する列間除去予定部１０２の一部においては、非磁性層１５Ｐのうち非磁性導電層１７の開口部１７ａから露出する部分がエッチングされて、非磁性層１５Ｐに溝部１５ａが形成される。また、列内除去予定部１０３およびそれに隣接する列間除去予定部１０２の一部においては、非磁性層１５Ｐのうちマスク１８によって覆われていない部分に溝部が形成される。次に、マスク１８を除去する。溝部１５ａが形成されることにより、非磁性層１５Ｐは収容層１５となる。非磁性導電層１７の開口部１７ａの縁は、収容層１５の上面における溝部１５ａの縁の真上に配置されている。
【００８５】
非磁性導電層１７と非磁性層１５Ｐのエッチングは、例えば、反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングを用いて行われる。非磁性層１５Ｐに溝部１５ａを形成するためのエッチングの際には、磁極層２４のトラック幅規定部２４Ａの両側部に対応する溝部１５ａの壁面が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度が、例えば５°〜１２°の範囲内になるようにする。
【００８６】
図１１ないし図１３は、次の工程を示す。図１１は、積層体の、媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。図１２は、積層体の、媒体対向面に平行な断面を示している。図１３は、積層体の上面を示している。図１２および図１３における（ａ），（ｂ），（ｃ）は、図６および図７における（ａ），（ｂ），（ｃ）と同じ領域を表している。
【００８７】
この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、非磁性膜２０を形成する。非磁性膜２０は、収容層１５の溝部１５ａ内にも形成される。非磁性膜２０は、例えば、スパッタ法または化学的気相成長法（以下、ＣＶＤと記す。）によって形成される。非磁性膜２０の厚みは、精度よく制御することができる。ＣＶＤを用いて非磁性膜２０を形成する場合には、特に、１原子層毎の成膜を繰り返すＣＶＤ、いわゆるアトミックレイヤーＣＶＤ（以下、ＡＬＣＶＤと記す。）を用いることが好ましい。この場合には、非磁性膜２０の厚みの制御をより精度よく行うことができる。また、ＡＬＣＶＤを用いて非磁性膜２０を形成する場合には、非磁性膜２０の材料としては、特にアルミナが好ましい。半導体材料を用いて非磁性膜２０を形成する場合には、特に、低温（２００℃程度）でのＡＬＣＶＤまたは低温での低圧ＣＶＤを用いて非磁性膜２０を形成することが好ましい。また、非磁性膜２０の材料としての半導体材料は、不純物をドープしない多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンであることが好ましい。
【００８８】
次に、連結層１２の上面の位置において、非磁性膜２０を選択的にエッチングして、非磁性膜２０に開口部を形成する。なお、連結層１２を設けない場合には、非磁性膜２０に開口部を形成する必要はない。
【００８９】
図１４ないし図１６は、次の工程を示す。図１４は、積層体の、媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。図１５は、積層体の、媒体対向面に平行な断面を示している。図１６は、積層体の上面を示している。図１５および図１６における（ａ），（ｂ），（ｃ）は、図６および図７における（ａ），（ｂ），（ｃ）と同じ領域を表している。
【００９０】
この工程では、まず、積層体の上面全体の上にフォトレジスト層を形成する。次に、このフォトレジスト層をパターニングして、マスク２１を形成する。このマスク２１は、抵抗素子４２ａ，５２ａの上方の位置に配置された２つの開口部を有している。次に、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層２２を、例えば０．３μｍの厚みに形成する。次に、マスク２１をリフトオフする。これにより、絶縁層２２は、抵抗素子４２ａ，５２ａの上方にのみ配置される。
【００９１】
図１７ないし図１９は、次の工程を示す。図１７は、積層体の、媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。図１８は、積層体の、媒体対向面に平行な断面を示している。図１９は、積層体の上面を示している。図１８および図１９における（ａ），（ｂ），（ｃ）は、図６および図７における（ａ），（ｂ），（ｃ）と同じ領域を表している。
【００９２】
この工程では、まず、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に研磨停止層２３を形成する。次に、連結層１２の上面の位置において、研磨停止層２３を選択的にエッチングして、研磨停止層２３に開口部を形成する。なお、連結層１２を設けない場合には、研磨停止層２３に開口部を形成する必要はない。次に、研磨停止層２３の上に磁性層２４１Ｐを形成する。この磁性層２４１Ｐは、後に磁極層２４の第１層２４１となる。磁性層２４１Ｐは、例えば、スパッタ法またはイオンビームデポジション法（以下、ＩＢＤと記す。）によって形成される。スパッタ法によって磁性層２４１Ｐを形成する場合には、コリメーションスパッタやロングスロースパッタを用いることが好ましい。
【００９３】
図２０ないし図２２は、次の工程を示す。図２０は、積層体の、媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。図２１は、積層体の、媒体対向面に平行な断面を示している。図２２は、積層体の上面を示している。図２１および図２２における（ａ），（ｂ），（ｃ）は、図６および図７における（ａ），（ｂ），（ｃ）と同じ領域を表している。
【００９４】
この工程では、まず、積層体の上面全体の上にフォトレジスト層を形成する。次に、このフォトレジスト層をパターニングして、フレーム２５を形成する。このフレーム２５は、溝部１５ａの上方の位置に配置された開口部と、抵抗素子４２ａの上方の位置に配置された開口部と、抵抗素子５２ａの上方の位置に配置された開口部とを有している。次に、フレームめっき法によって、フレーム２５の開口部内において、磁性層２４１Ｐの上に磁性層２４２Ｐを形成する。その際、磁性層２４１Ｐは、めっき用の電極として用いられる。磁性層２４２Ｐは、後に磁極層２４の第２層２４２となる。次に、フレーム２５を除去する。なお、フレーム２５において、抵抗素子４２ａ，５２ａの上方の位置には開口部を形成せずに、抵抗素子４２ａ，５２ａの上方に磁性層２４２Ｐを配置しなくてもよい。このようにして、磁極層２４となる磁性層２４１Ｐ，２４２Ｐは、溝部１５ａを埋め、且つその上面が研磨停止層２３の上面よりも上側に配置されるように形成される。
【００９５】
図２３ないし図２５は、次の工程を示す。図２３は、積層体の、媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。図２４は、積層体の、媒体対向面に平行な断面を示している。図２５は、積層体の上面を示している。図２４および図２５における（ａ），（ｂ），（ｃ）は、図６および図７における（ａ），（ｂ），（ｃ）と同じ領域を表している。
【００９６】
この工程では、まず、ヘッド予定部１０１およびそれに隣接する列間除去予定部１０２の一部において、収容層１５の上面の上に配置された非磁性導電層１７、非磁性膜２０、研磨停止層２３および磁性層２４１Ｐからなる積層体のうち、磁性層２４２Ｐの下に存在している部分以外の部分を、例えばイオンビームエッチングによって除去する。また、このとき同時に、列内除去予定部１０３およびそれに隣接する列間除去予定部１０２の一部において、研磨停止層２３および磁性層２４１Ｐからなる積層体のうち、磁性層２４２Ｐの下に存在している部分以外の部分を、例えばイオンビームエッチングによって除去する。このとき、抵抗素子４２ａ，５２ａは、その上方に配置されている非磁性膜２０および絶縁層２２によって保護される。次に、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる被覆層２６を、例えば１．０〜１．５μｍの厚みに形成する。
【００９７】
図２６ないし図２８は、次の工程を示す。図２６は、積層体の、媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。図２７は、積層体の、媒体対向面に平行な断面を示している。図２８は、積層体の上面を示している。図２７および図２８における（ａ），（ｂ），（ｃ）は、図６および図７における（ａ），（ｂ），（ｃ）と同じ領域を表している。
【００９８】
この工程では、例えばＣＭＰによって、研磨停止層２３が露出するまで被覆層２６、磁性層２４２Ｐおよび磁性層２４１Ｐを研磨する。これにより、ヘッド予定部１０１およびそれに隣接する列間除去予定部１０２の一部においては、磁性層２４１Ｐ，２４２Ｐのうち研磨停止層２３の上面の上に配置された部分が除去され、研磨停止層２３、磁性層２４１Ｐおよび磁性層２４２Ｐの上面が平坦化される。ＣＭＰによって被覆層２６、磁性層２４２Ｐおよび磁性層２４１Ｐを研磨する場合には、研磨停止層２３が露出した時点で研磨が停止するようなスラリー、例えばアルミナ系のスラリーを用いる。アルミナ系のスラリーを用いたＣＭＰによって被覆層２６、磁性層２４２Ｐおよび磁性層２４１Ｐを研磨する場合には、研磨停止層２３の材料としては、特にＴａまたはＲｕが好ましい。
【００９９】
図２９ないし図３１は、次の工程を示す。図２９は、積層体の、媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。図３０は、積層体の、媒体対向面に平行な断面を示している。図３１は、積層体の上面を示している。図３０および図３１における（ａ），（ｂ），（ｃ）は、図６および図７における（ａ），（ｂ），（ｃ）と同じ領域を表している。
【０１００】
この工程では、例えばイオンビームエッチングによって、研磨停止層２３および非磁性膜２０のうち、非磁性導電層１７の上に配置されている部分を除去すると共に、第１の磁性層２４１Ｐおよび第２の磁性層２４２Ｐの各一部をエッチングして、非磁性導電層１７、非磁性膜２０、研磨停止層２３、第１の磁性層２４１Ｐおよび第２の磁性層２４２Ｐの上面を平坦化する。このとき、抵抗素子４２ａ，５２ａは、その上方に配置されている非磁性膜２０および絶縁層２２によって保護される。以下、溝部１５ａ内の研磨停止層２３の上に配置された磁性層２４１Ｐ、磁性層２４２Ｐを、それぞれ磁性層２４１Ｑ、磁性層２４２Ｑとする。また、磁性層２４１Ｑと磁性層２４２Ｑとを合わせたものを磁性層２４０とする。
【０１０１】
なお、例えばイオンビームエッチングによって、研磨停止層２３のうち、非磁性導電層１７の上方に配置されている部分を除去した後、例えばＣＭＰによって、非磁性導電層１７が露出するまで被覆層２６、非磁性膜２０、研磨停止層２３、磁性層２４２Ｐおよび磁性層２４１Ｐを研磨して、非磁性導電層１７、非磁性膜２０、研磨停止層２３、第１の磁性層２４１Ｐおよび第２の磁性層２４２Ｐの上面を平坦化してもよい。
【０１０２】
また、研磨停止層２３と非磁性膜２０は、いずれも非磁性材料によって形成されているので、これらが非磁性導電層１７の上に配置されていてもトラック幅に影響はない。そのため、研磨停止層２３および非磁性膜２０のうち、非磁性導電層１７の上に配置されている部分を残しておいてもよいし、非磁性膜２０のうち、非磁性導電層１７の上に配置されている部分を残しておいてもよい。
【０１０３】
また、例えばイオンビームエッチングによって、非磁性導電層１７を除去すると共に、第１の磁性層２４１Ｐおよび第２の磁性層２４２Ｐの各一部をエッチングして、収容層１５、非磁性膜２０、研磨停止層２３、第１の磁性層２４１Ｐおよび第２の磁性層２４２Ｐの上面を平坦化してもよい。
【０１０４】
図３２ないし図３４は、次の工程を示す。図３２は、積層体の、媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。図３３は、積層体の、媒体対向面に平行な断面を示している。図３４は、積層体の上面を示している。図３３および図３４における（ａ），（ｂ），（ｃ）は、図６および図７における（ａ），（ｂ），（ｃ）と同じ領域を表している。この工程では、積層体の上面全体の上に、ギャップ層２７を形成する。
【０１０５】
図３５ないし図３７は、次の工程を示す。図３５は、積層体の、媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。図３６は、積層体の、媒体対向面に平行な断面を示している。図３７は、積層体の上面を示している。図３６および図３７における（ａ），（ｂ），（ｃ）は、図６および図７における（ａ），（ｂ），（ｃ）と同じ領域を表している。
【０１０６】
この工程では、まず、ヘッド予定部１０１では、ヨーク層２８Ｂを形成すべき位置において、ギャップ層２７を選択的にエッチングして、ギャップ層２７に開口部を形成する。このとき同時に、列内除去予定部１０３では、電極層４１Ａ，４１Ｂの幅広部４１Ａａ，４１Ｂａの上方の位置と、電極層５１Ａ，５１Ｂの幅広部５１Ａａ，５１Ｂａの上方の位置において、それぞれ、ギャップ層２７および非磁性膜２０を選択的にエッチングして、ギャップ層２７および非磁性膜２０に開口部を形成する。
【０１０７】
次に、ヘッド予定部１０１およびそれに隣接する列間除去予定部１０２の一部では、ギャップ層２７の上に第１層２８Ａを形成すると共に、ギャップ層２７の開口部が形成された位置において、磁性層２４０の上にヨーク層２８Ｂを形成する。また、列内除去予定部１０３では、ギャップ層２７および非磁性膜２０の開口部が形成された位置において、抵抗層４２の上に電極層４３Ａ，４３Ｂを形成し、抵抗層５２の上に電極層５３Ａ，５３Ｂを形成する。電極層４３Ａ，４３Ｂ，５３Ａ，５３Ｂは、導電材料によって形成される。電極層４３Ａ，４３Ｂ，５３Ａ，５３Ｂの材料は、第１層２８Ａおよびヨーク層２８Ｂと同じ材料であってもよい。また、第１層２８Ａ、ヨーク層２８Ｂおよび電極層４３Ａ，４３Ｂ，５３Ａ，５３Ｂは、フレームめっき法によって形成してもよいし、スパッタ法によって磁性層を形成した後、この磁性層を選択的にエッチングすることによって形成してもよい。
【０１０８】
図３８ないし図４０は、次の工程を示す。図３８は、積層体の、媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。図３９は、積層体の、媒体対向面に平行な断面を示している。図４０は、積層体の上面を示している。図３９よび図４０における（ａ），（ｂ），（ｃ）は、図６および図７における（ａ），（ｂ），（ｃ）と同じ領域を表している。
【０１０９】
この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、非磁性層２９を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層２８Ａおよびヨーク層２８Ｂが露出するまで非磁性層２９を研磨して、第１層２８Ａ、ヨーク層２８Ｂおよび非磁性層２９の上面を平坦化する。次に、例えばスパッタ法を用いて、積層体の上面全体の上に、絶縁層３０を、例えば０．２〜０．３μｍの範囲内の厚みで形成する。
【０１１０】
次に、ヘッド予定部１０１およびそれに隣接する列間除去予定部１０２の一部では、第２層２８Ｃおよび連結層２８Ｄを形成すべき位置において、絶縁層３０を選択的にエッチングして、絶縁層３０に開口部を形成する。このとき同時に、列内除去予定部１０３では、電極層４３Ａ，４３Ｂ，５３Ａ，５３Ｂの上方の位置において、絶縁層３０を選択的にエッチングして、絶縁層３０に開口部を形成する。
【０１１１】
次に、ヘッド予定部１０１において、例えばフレームめっき法によって、絶縁層３０の上にコイル３１を形成する。次に、ヘッド予定部１０１およびそれに隣接する列間除去予定部１０２の一部において、例えばフレームめっき法によって、第２層２８Ｃおよび連結層２８Ｄを形成する。なお、第２層２８Ｃおよび連結層２８Ｄを形成した後に、コイル３１を形成してもよい。また、列内除去予定部１０３において、例えばフレームめっき法によって、絶縁層３０の開口部が形成された位置において、電極層４３Ａ，４３Ｂ，５３Ａ，５３Ｂの上に電極層４４Ａ，４４Ｂ，５４Ａ，５４Ｂを形成する。電極層４４Ａ，４４Ｂ，５４Ａ，５４Ｂは、導電材料によって形成される。電極層４４Ａ，４４Ｂ，５４Ａ，５４Ｂの材料を、第２層２８Ｃおよび連結層２８Ｄと同じにして、第２層２８Ｃ、連結層２８Ｄおよび電極層４４Ａ，４４Ｂ，５４Ａ，５４Ｂを同時に形成してもよい。
【０１１２】
次に、コイル３１の巻線間およびコイル３１の周囲に、例えばフォトレジストよりなる絶縁層３２を選択的に形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層３３を例えば４〜４．５μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層２８Ｃ、連結層２８Ｄ、コイル３１および電極層４４Ａ，４４Ｂ，５４Ａ，５４Ｂが露出するまで、絶縁層３３を研磨して、第２層２８Ｃ、連結層２８Ｄ、コイル３１、電極層４４Ａ，４４Ｂ，５４Ａ，５４Ｂおよび絶縁層３２，３３の上面を平坦化する。次に、コイル３１および絶縁層３２の上に絶縁層３４を形成する。
【０１１３】
次に、ヘッド予定部１０１およびそれに隣接する列間除去予定部１０２の一部において、例えばフレームめっき法によって、第３層２８Ｅを形成して、シールド層２８を完成させる。また、列内除去予定部１０３において、例えばフレームめっき法によって、電極層４４Ａ，４４Ｂ，５４Ａ，５４Ｂの上に電極層４５Ａ，４５Ｂ，５５Ａ，５５Ｂを形成する。電極層４５Ａ，４５Ｂ，５５Ａ，５５Ｂは、導電材料によって形成される。電極層４５Ａ，４５Ｂ，５５Ａ，５５Ｂの材料を、第３層２８Ｅと同じにして、第３層２８Ｅと電極層４５Ａ，４５Ｂ，５５Ａ，５５Ｂを同時に形成してもよい。
【０１１４】
次に、積層体の上面全体を覆うように保護層３５を形成する。次に、保護層３５の上に配線や端子等を形成する。ヘッド予定部１０１では、保護層３５の上に、ＭＲ素子５に接続される２つの端子と、コイル３１に接続される２つの端子とが形成される。第１の抵抗素子６と第２の抵抗素子４２ａが配置された列内除去予定部１０３では、保護層３５の上に、第１の抵抗素子６に接続される２つの端子と、電極層４３Ａ，４４Ａ，４５Ａおよび電極層４３Ｂ，４４Ｂ，４５Ｂを介して第２の抵抗素子４２ａに接続される２つの端子とが形成される。また、第３の抵抗素子６０と第４の抵抗素子５２ａが配置された列間除去予定部１０２の一部に隣接する列内除去予定部１０３では、保護層３５の上に、第３の抵抗素子６０に接続される２つの端子と、電極層５３Ａ，５４Ａ，５５Ａおよび電極層５３Ｂ，５４Ｂ，５５Ｂを介して第４の抵抗素子５２ａに接続される２つの端子とが形成される。
【０１１５】
このようにして、１枚の基板１に対して、複数組のＭＲ素子５、磁極層２４およびコイル３１を含む複数の磁気ヘッドの構成要素が形成されて、それぞれ後に磁気ヘッドとなるヘッド予定部１０１が複数列に配列された磁気ヘッド用基礎構造物が作製される。この磁気ヘッド用基礎構造物は、列間除去予定部１０２において切断される。そして、磁気ヘッド用基礎構造物を切断することによって形成された面を研磨して研磨面を形成すると共に、この研磨面が媒体対向面４０の目標位置に達して媒体対向面４０となるように研磨面の研磨を行うことによって、媒体対向面４０が形成される。また、磁気ヘッド用基礎構造物を切断することによって複数のヘッド予定部１０１が互いに分離されて、複数の磁気ヘッドが形成される。媒体対向面４０が形成されたときに、磁性層２４１Ｑ、磁性層２４２Ｑは、それぞれ第１層２４１、第２層２４２となる。
【０１１６】
図１に示したように、磁気ヘッド用基礎構造物は、複数のヘッド予定部１０１、複数の列間除去予定部１０２および複数の列内除去予定部１０３を備えている。一部の列内除去予定部１０３には、第１の抵抗素子６と、第１の抵抗素子６に接続された２つのリード１１１Ａ，１１１Ｂと、第２の抵抗素子４２ａを含む抵抗層４２とが設けられている。この列内除去予定部１０３において、保護層３５の上には、リード１１１Ａ，１１１Ｂに接続される２つの端子１１２Ａ，１１２Ｂと、抵抗層４２に接続される２つの端子１１３Ａ，１１３Ｂとが設けられている。なお、図１では、便宜上、第１の抵抗素子６と第２の抵抗素子４２ａを、異なる列内除去予定部１０３内に配置している。しかし、実際には、１つの列内除去予定部１０３内において、第１の抵抗素子６および第２の抵抗素子４２ａが上下に離れた位置に設けられている。
【０１１７】
また、他の一部の列内除去予定部１０３とそれに隣接する列間除去予定部１０２の一部には、第３の抵抗素子６０と、第３の抵抗素子６０に接続された２つのリード１２１Ａ，１２１Ｂと、第４の抵抗素子５２ａを含む抵抗層５２とが設けられている。この列内除去予定部１０３とそれに隣接する列間除去予定部１０２の一部において、保護層３５の上には、リード１２１Ａ，１２１Ｂに接続される２つの端子１２２Ａ，１２２Ｂと、抵抗層５２に接続される２つの端子１２３Ａ，１２３Ｂとが設けられている。なお、図１では、便宜上、第３の抵抗素子６０と第４の抵抗素子５２ａを、列間除去予定部１０２における互いに異なる部分に配置している。しかし、実際には、列間除去予定部１０２における同じ部分において、第３の抵抗素子６０および第４の抵抗素子５２ａが上下に離れた位置に設けられている。
【０１１８】
本実施の形態では、磁気ヘッド用基礎構造物において、第１ないし第４の抵抗素子６，４２ａ，６０，５２ａは、いずれも、磁気ヘッドに残らない位置に配置されている。
【０１１９】
なお、本実施の形態では、抵抗層４２，５２が非磁性導電層１７と同じ材料によって形成される。しかし、抵抗層４２，５２は、非磁性導電層１７と異なる材料によって形成してもよい。
【０１２０】
図４には、媒体対向面４０が形成された状態におけるヘッド予定部１０１と列内除去予定部１０３のそれぞれの主要部分を示している。図４に示したように、第１の抵抗素子６は、媒体対向面４０が形成されたときに一部が媒体対向面４０に露出する位置に配置され、媒体対向面４０が形成されたときに、媒体対向面４０に配置されたＭＲ素子５の端部の、媒体対向面４０に垂直な方向についての位置に応じて抵抗値が異なるものである。また、第２の抵抗素子４２ａは、媒体対向面４０が形成されたときに一部が媒体対向面４０に露出する位置に配置され、媒体対向面４０が形成されたときに、媒体対向面４０に配置されたトラック幅規定部２４Ａの端面の、媒体対向面４０に垂直な方向についての位置に応じて抵抗値が異なるものである。
【０１２１】
第１の抵抗素子６と基板１との間の距離は、トラック幅規定部２４Ａと基板１との間の距離よりも、ＭＲ素子５と基板１との間の距離に近い。本実施の形態では、特に、第１の抵抗素子６と基板１との間の距離は、ＭＲ素子５と基板１との間の距離と等しくなっている。同様に、第３の抵抗素子６０と基板１との間の距離は、トラック幅規定部２４Ａと基板１との間の距離よりも、ＭＲ素子５と基板１との間の距離に近い。本実施の形態では、特に、第３の抵抗素子６０と基板１との間の距離は、ＭＲ素子５と基板１との間の距離と等しくなっている。
【０１２２】
また、第２の抵抗素子４２ａと基板１との間の距離は、ＭＲ素子５と基板１との間の距離よりも、トラック幅規定部２４Ａと基板１との間の距離に近い。本実施の形態では、特に、第２の抵抗素子４２ａの上面と基板１との間の距離は、トラック幅規定部２４Ａの上面と基板１との間の距離とほぼ等しくなっている。同様に、第４の抵抗素子５２ａと基板１との間の距離は、ＭＲ素子５と基板１との間の距離よりも、トラック幅規定部２４Ａと基板１との間の距離に近い。本実施の形態では、特に、第４の抵抗素子５２ａの上面と基板１との間の距離は、トラック幅規定部２４Ａの上面と基板１との間の距離とほぼ等しくなっている。
【０１２３】
また、媒体対向面４０が形成された後の第２の抵抗素子４２ａの媒体対向面４０に配置された端面とその反対側の端面との間の距離は、媒体対向面４０が形成された後の第２の抵抗素子４２ａの抵抗値と対応関係があると共に、媒体対向面４０に垂直な方向についてのトラック幅規定部２４Ａの長さ、すなわちネックハイトＮＨとも対応関係がある。従って、媒体対向面４０が形成された後の第２の抵抗素子４２ａの抵抗値はネックハイトＮＨに対応している。すなわち、第２の抵抗素子４２ａの抵抗値からネックハイトＮＨを求めることができる。本実施の形態では、特に、第２の抵抗素子４２ａの媒体対向面４０に配置された端部とその反対側の端部との間の距離は、ネックハイトＮＨと等しくなっている。この場合、第２の抵抗素子４２ａの抵抗値は、実質的にネックハイトＮＨに反比例するので、簡単な計算式を用いて、第２の抵抗素子４２ａの抵抗値からネックハイトＮＨを求めることができる。
【０１２４】
以下、磁気ヘッド用基礎構造物を切断して複数の磁気ヘッドを作製する工程の具体的な一例について詳しく説明する。磁気ヘッドを作製する工程では、まず、図１に示した列間除去予定部１０２内の位置で磁気ヘッド用基礎構造物を切断して、１列に配列された複数のヘッド予定部１０１を含むヘッド集合体を作製する。次に、磁気ヘッド用基礎構造物を切断することによってヘッド集合体に形成された１つの面（面ＡＢＳに近い面）を研磨して研磨面を形成すると共に、この研磨面が媒体対向面４０の目標位置に達して媒体対向面４０となるように研磨面の研磨を行うことによって、ヘッド集合体に含まれる各ヘッド予定部１０１に対して媒体対向面４０を形成する。
【０１２５】
次に、ヘッド集合体を研磨して媒体対向面４０を形成する方法について説明する。この方法では、ヘッド集合体に含まれる複数のＭＲ素子５、第１の抵抗素子６、第２の抵抗素子４２ａ、第３の抵抗素子６０および第４の抵抗素子５２ａの各抵抗値を監視しながら、基礎構造物を切断することによって形成された面を研磨して、ＭＲ素子５、第１の抵抗素子６および第２の抵抗素子４２ａの各抵抗値がそれぞれ所定の値になるように媒体対向面４０を形成する。これにより、各ヘッド予定部１０１におけるＭＲハイト、スロートハイトＴＨおよびネックハイトＮＨが、それぞれ所望の値になるように制御される。
【０１２６】
図４１は、ヘッド集合体の研磨を行うための研磨装置の概略の構成を示す斜視図である。この研磨装置２５１は、テーブル２６０と、このテーブル２６０上に設けられた回転ラッピングテーブル２６１と、この回転ラッピングテーブル２６１の側方において、テーブル２６０上に設けられた支柱２６２と、この支柱２６２に対してアーム２６３を介して取り付けられた支持部２７０とを備えている。回転ラッピングテーブル２６１は、ヘッド集合体に含まれる各ヘッド予定部１０１における媒体対向面４０となる面に当接するラッピングプレート（定盤）２６１ａを有している。
【０１２７】
支持部２７０は、アーム２６３に連結された支持部本体２７７と、この支持部本体２７７の前方に配設されたベース部材２７２と、このベース部材２７２の前面に配設された治具保持部２７３と、この治具保持部２７３の前方位置に等間隔に配設された３本の荷重付加棒２７５Ａ，２７５Ｂ，２７５Ｃとを有している。治具保持部２７３には、治具２８０が固定されるようになっている。治具２８０には、断面が長円形の孔からなる３つの荷重付加部が設けられている。荷重付加棒２７５Ａ，２７５Ｂ，２７５Ｃの各下端部には、それぞれ、治具２８０の各荷重付加部（孔）に挿入される断面が長円形の頭部を有する荷重付加ピンが設けられている。各荷重付加ピンは、それぞれ図示しないアクチュエータによって、上下方向、左右方向（治具２８０の長手方向）および回転方向に駆動されるようになっている。
【０１２８】
治具２８０は、ヘッド集合体を保持する保持部を有している。この治具２８０では、３つの荷重付加部に対して種々の方向の荷重を付加することにより、保持部およびヘッド集合体が変形される。これにより、ヘッド集合体に含まれる複数のＭＲ素子５、第１の抵抗素子６および第２の抵抗素子４２ａの各抵抗値がそれぞれ目標値になるように媒体対向面４０を形成することが可能となる。
【０１２９】
図４２は、図４１における治具保持部２７３の近傍を示す斜視図、図４３は、治具保持部２７３に治具を固定した状態を示す正面図、図４４は、図４３の４４−４４線断面図である。治具保持部２７３は、保持部本体３３１と、この保持部本体３３１の前面の下端部近傍における左右方向の中央部に、前方に突出するように設けられた治具固定用ピン３３２と、保持部本体３３１の前面の下端部近傍における左右方向の端部近傍に、前方に突出するように設けられた回転防止用部材としてのガイドピン３３３，３３３とを有している。ガイドピン３３３，３３３は、大部分が円柱形状に形成され、先端部分は、先端側ほど径が小さくなるように形成されている。治具固定用ピン３３２には、先端側より、雌ねじが形成されている。そして、この治具固定用ピン３３２に、固定具としてのボルト３４０によって、治具２８０が固定されるようになっている。治具２８０の保持部には、ヘッド集合体３７０が取り付けられるようになっている。
【０１３０】
荷重付加棒２７５Ａ，２７５Ｂ，２７５Ｃの下端部には、直方体形状の荷重付加ブロック３３５Ａ，３３５Ｂ，３３５Ｃが固定されている。荷重付加ブロック３３５Ａ，３３５Ｂ，３３５Ｃの下端部近傍には、荷重付加ピン３３６Ａ，３３６Ｂ，３３６Ｃが回転自在に挿通される軸受部３３７が設けられている。また、荷重付加ブロック３３５Ｂには、治具固定用ピン３３２に対応する位置に、荷重付加ブロック３３５Ｂが上下方向および左右方向に所定の距離だけ移動可能なように治具固定用ピン３３２が挿通される孔３３８が形成されている。
【０１３１】
荷重付加ピン３３６Ａ，３３６Ｂ，３３６Ｃは、それぞれ、荷重付加ブロック３３５Ａ，３３５Ｂ，３３５Ｃの軸受部３３７を通って、先端側が荷重付加ブロック３３５Ａ，３３５Ｂ，３３５Ｃの前端面より突出している。荷重付加ピン３３６Ａ，３３６Ｂ，３３６Ｃの先端部には、それぞれ、直方体形状の頭部３３９Ａ，３３９Ｂ，３３９Ｃが形成されている。荷重付加ピン３３６Ａ，３３６Ｂ，３３６Ｃの後端部は、保持部本体３３１と荷重付加ブロック３３５Ａ，３３５Ｂ，３３５Ｃとの間に配置されたレバー３４１Ａ，３４１Ｂ，３４１Ｃの一端部に接合されている。レバー３４１Ａ，３４１Ｂ，３４１Ｃの他端部は、レバー３４１Ａ，３４１Ｂ，３４１Ｃを揺動させるためのシャフト３４２Ａ，３４２Ｂ，３４２Ｃの下端部に、回動可能に連結されている。
【０１３２】
荷重付加ブロック３３５Ａ，３３５Ｂ，３３５Ｃの上方の位置には、荷重付加棒２７５Ａ，２７５Ｂ，２７５Ｃを上下動可能および回転可能に支持する支持部材３４３Ａ，３４３Ｂ，３４３Ｃが設けられている。この支持部材３４３Ａ，３４３Ｂ，３４３Ｃの後端部には、駆動棒３４４Ａ，３４４Ｂ，３４４Ｃの先端部が接合されている。この駆動棒３４４Ａ，３４４Ｂ，３４４Ｃは、保持部本体３３１に設けられた軸受部３４５Ａ，３４５Ｂ，３４５Ｃを通って、後端側がベース部材２７２に導かれている。
【０１３３】
荷重付加棒２７５Ａ，２７５Ｂ，２７５Ｃは、それぞれ、ベース部材２７２内に設けられた図示しないアクチュエータによって上下方向に駆動されるようになっている。これにより、荷重付加ピン３３６Ａ，３３６Ｂ，３３６Ｃを上下方向に駆動することができる。このようにして、治具２８０の各荷重付加部に上下方向の荷重を付加することができる。
【０１３４】
また、駆動棒３４４Ａ，３４４Ｂ，３４４Ｃは、それぞれ、ベース部材２７２内に設けられた図示しない他のアクチュエータによって、回転方向に駆動されるようになっている。これにより、荷重付加ピン３３６Ａ，３３６Ｂ，３３６Ｃを左右方向に駆動することができる。このようにして、治具２８０の各荷重付加部に左右方向の荷重を付加することができる。
【０１３５】
また、シャフト３４２Ａ，３４２Ｂ，３４２Ｃは、ベース部材２７２内に設けられた図示しない更に他のアクチュエータによって上下方向に駆動されるようになっている。これにより、荷重付加ピン３３６Ａ，３３６Ｂ，３３６Ｃを回転方向に駆動することができる。このようにして、治具２８０の各荷重付加部に回転方向の荷重を付加することができる。
【０１３６】
また、支持部２７０の全体が、更に他のアクチュエータによって、図４４において符号３００で示す方向に駆動されるようになっている。これにより、治具２８０の下面がラッピングプレート２６１ａの上面に対してなす角度を変えることができる。このようにして、媒体対向面４０となる研磨面が基板１の上面に対してなす角度を変えることができる。
【０１３７】
図４５は、図４１に示した研磨装置の回路構成の一例を示すブロック図である。この研磨装置は、治具２８０の各荷重付加部にそれぞれ３方向の荷重を付加するための９つのアクチュエータ２９１〜２９９と、支持部２７０の全体を図４４において符号３００で示す方向に駆動するためのアクチュエータ２９０とを備えている。研磨装置は、更に、ヘッド集合体３７０に含まれる複数のＭＲ素子５および抵抗素子６，４２ａ，６０，５２ａの各抵抗値を監視してアクチュエータ２９０〜２９９を制御する制御装置２８６と、図示しないコネクタを介して、ヘッド集合体３７０内の複数のＭＲ素子５および抵抗素子６，４２ａ，６０，５２ａに接続され、これらのいずれかを選択的に制御装置２８６に接続するマルチプレクサ２８７とを備えている。
【０１３８】
この研磨装置では、制御装置２８６は、マルチプレクサ２８７を介してヘッド集合体３７０に含まれる複数のＭＲ素子５および抵抗素子６，４２ａ，６０，５２ａの各抵抗値を監視して、これらの各抵抗値がそれぞれ所定の値になるように、アクチュエータ２９０〜２９９を制御する。
【０１３９】
上述のようにして研磨によって形成された媒体対向面４０には、例えばエッチングによって、浮上用レールが形成される。その後、図１に示した列内除去予定部１０３の位置でヘッド集合体を切断することによって複数のヘッド予定部１０１を互いに分離して、複数の磁気ヘッドを作製する。
【０１４０】
なお、磁気ヘッド用基礎構造物を切断して複数の磁気ヘッドを作製する工程の具体的な内容は、上記の例に限らない。例えば、以下のようにして、磁気ヘッドを作製してもよい。まず、磁気ヘッド用基礎構造物を切断して、複数列に配列された複数のヘッド予定部１０１を含む第１のヘッド集合体を作製する。次に、この第１のヘッド集合体の一面を研磨して、１列のヘッド予定部１０１における媒体対向面４０を形成する。次に、媒体対向面４０が形成された１列のヘッド予定部１０１が分離されて第２のヘッド集合体となるように、第１のヘッド集合体を切断する。次に、複数のヘッド予定部１０１が互いに分離されるように、第２のヘッド集合体を切断して、複数の磁気ヘッドを作製する。
【０１４１】
次に、図４６ないし図４８を参照して、ヘッド集合体を研磨して媒体対向面４０を形成する工程について更に詳しく説明する。始めに、図４６を参照して、第１ないし第４の抵抗素子６，４２ａ，６０，５２ａの配置について説明する。図４６は、第１ないし第４の抵抗素子６，４２ａ，６０，５２ａの位置関係を示す説明図である。
【０１４２】
第１の抵抗素子６および第２の抵抗素子４２ａは、基板１の上面との間の距離が互いに異なるように配置され、それぞれ研磨面の位置を検出するために用いられると共に、研磨面が基板１の上面に対してなす角度を検出するために用いられる。特に、第１の抵抗素子６および第２の抵抗素子４２ａは、面ＡＢＳを挟んで隣接する列内除去予定部１０３と列間除去予定部１０２の一部とにまたがるように配置されている。第１の抵抗素子６および第２の抵抗素子４２ａは、特に、媒体対向面４０の位置、および媒体対向面４０が基板１の上面に対してなす角度を制御するために用いられる。
【０１４３】
第３の抵抗素子６０および第４の抵抗素子５２ａも、基板１の上面との間の距離が互いに異なるように配置され、それぞれ研磨面の位置を検出するために用いられると共に、研磨面が基板１の上面に対してなす角度を検出するために用いられる。第３の抵抗素子６０および第４の抵抗素子５２ａは、第１の抵抗素子６および第２の抵抗素子４２ａとは媒体対向面４０に垂直な方向にずれた位置に配置されている。すなわち、第３の抵抗素子６０および第４の抵抗素子５２ａは、第１の抵抗素子６および第２の抵抗素子４２ａに比べて、媒体対向面４０の目標位置、すなわち面ＡＢＳから離れた位置に配置されている。具体的には、第３の抵抗素子６０および第４の抵抗素子５２ａは、列間除去予定部１０２内において、面ＡＢＳに平行な面ＡＣＰを挟んで隣接する２つの領域にまたがるように配置されている。第３の抵抗素子６０および第４の抵抗素子５２ａは、研磨面が面ＡＣＰの近傍にあるときに、研磨面の位置、および研磨面が基板１の上面に対してなす角度を制御するために用いられる。
【０１４４】
抵抗素子６，４２ａ，６０，５２ａは、それぞれ、それらの一部が研磨面に露出したとき、媒体対向面４０に垂直な方向についての研磨面の位置の変化に応じて、媒体対向面４０に垂直な方向についてのそれらの長さが変化し、その結果、それらの抵抗値が変化する。抵抗素子６，４２ａ，６０，５２ａの抵抗値は、媒体対向面４０に垂直な方向についての抵抗素子６，４２ａ，６０，５２ａの長さに反比例する。そのため、研磨面の位置の変化に対する抵抗素子６，４２ａ，６０，５２ａの各抵抗値の変化は、抵抗素子６，４２ａ，６０，５２ａの長さが小さくなるほど、大きくなる。
【０１４５】
ここで、図４６に示したように、磁気ヘッド用基礎構造物において、抵抗素子６，４２ａの列内除去予定部１０３内に配置された端面と面ＡＢＳとの距離をＤ１とし、抵抗素子６０，５２ａの面ＡＢＳに近い端面と面ＡＣＰとの距離をＤ２とし、面ＡＢＳと面ＡＣＰとの距離をＤとする。Ｄ１は、研磨面が面ＡＢＳに近づいたときに、研磨面の位置の変化に対する抵抗素子６，４２ａの抵抗値の変化が十分大きくなるように設定される。同様に、Ｄ２は、研磨面が面ＡＣＰに近づいたときに、研磨面の位置の変化に対する抵抗素子６０，５２ａの抵抗値の変化が十分大きくなるように設定される。具体的には、Ｄ１，Ｄ２は、それぞれ、例えば０．４〜０．８μｍの範囲内の値に設定される。Ｄは、例えば１〜５μｍの範囲内であり、３〜４μｍの範囲内であることが好ましい。Ｄは、例えば、抵抗素子６，４２ａと抵抗素子６０，５２ａの位置のずれ量と等しい。抵抗素子６，４２ａの列間除去予定部１０２内に配置された端面と面ＡＢＳとの距離は、例えばＤ以上である。
【０１４６】
図４７は、ヘッド集合体を研磨する工程において、研磨面８０が面ＡＣＰに達した状態を表している。ヘッド集合体を研磨する工程では、図４７に示したように、研磨面８０は、面ＡＢＳよりも先に面ＡＣＰに近づく。このとき、研磨面８０の位置の変化に対する抵抗素子６０，５２ａの抵抗値の変化は、研磨面８０の位置の変化に対する抵抗素子６，４２ａの抵抗値の変化よりも大きい。従って、研磨面８０の位置が面ＡＣＰの近傍にあるときには、研磨装置は、抵抗素子６０，５２ａの各抵抗値に基づいて、研磨面８０の位置と、研磨面８０が基板１の上面に対してなす角度を、精度よく検出することができる。研磨装置は、制御装置２８６によって、抵抗素子６０，５２ａの各抵抗値を監視し、これらの各抵抗値がそれぞれ所定の値になるようにアクチュエータ２９０〜２９９を制御しながら研磨を行う。具体的には、研磨装置は、例えば、研磨面８０に露出した第３の抵抗素子６０の端面と面ＡＣＰとの距離と、研磨面８０に露出した第４の抵抗素子５２ａの端面と面ＡＣＰとの距離が一致するように、アクチュエータ２９０〜２９９を制御しながら研磨を行う。これにより、研磨面８０の位置が、第３および第４の抵抗素子６０，５２ａによって検出可能な範囲内にある限り、研磨面８０と媒体対向面４０の目標位置との距離を検出することが可能になると共に、研磨面８０が基板１の上面に対してなす角度を、所望の角度、例えば９０°になるように制御することが可能になる。
【０１４７】
図４８は、ヘッド集合体を研磨する工程において、研磨面８０が媒体対向面４０の目標位置である面ＡＢＳに達した状態を表している。ヘッド集合体を研磨する工程が進行すると、図４８に示したように、抵抗素子６０，５２ａはなくなる。しかし、このときには、研磨面８０は面ＡＢＳに十分近づいており、研磨面８０の位置の変化に対するＭＲ素子５および抵抗素子６，４２ａの各抵抗値の変化が十分大きくなっている。そのため、研磨装置は、ＭＲ素子５および抵抗素子６，４２ａの各抵抗値に基づいて、研磨面８０の位置と、研磨面８０が基板１の上面に対してなす角度を、精度よく検出することができる。研磨装置は、制御装置２８６によって、ＭＲ素子５および抵抗素子６，４２ａの各抵抗値を監視し、これらの各抵抗値がそれぞれ所定の値になるようにアクチュエータ２９０〜２９９を制御しながら研磨を行う。具体的には、研磨装置は、例えば、研磨面８０に露出したＭＲ素子５の端面と面ＡＢＳとの距離と、研磨面８０に露出した第１の抵抗素子６の端面と面ＡＢＳとの距離と、研磨面８０に露出した第２の抵抗素子４２ａの端面と面ＡＢＳとの距離が一致するように、アクチュエータ２９０〜２９９を制御しながら研磨を行う。研磨装置は、最終的には研磨面８０に露出したＭＲ素子５および抵抗素子６，４２ａの各端面の位置がいずれも面ＡＢＳに一致するように研磨を行う。これにより、媒体対向面４０を所望の位置に正確に形成できると共に、媒体対向面４０が基板１の上面に対してなす角度を、所望の角度、例えば９０°になるように制御することができる。
【０１４８】
なお、研磨面の位置が第１および第２の抵抗素子６，４２ａによって検出可能な範囲内にあるとき、研磨装置は、ＭＲ素子５の抵抗値は監視せずに、抵抗素子６，４２ａの各抵抗値のみを監視し、これらの各抵抗値がそれぞれ所定の値になるようにアクチュエータ２９０〜２９９を制御しながら研磨を行ってもよい。
【０１４９】
また、研磨面８０の位置が面ＡＣＰと面ＡＢＳの間にあって、且つ抵抗素子６０，５２ａが残っているときには、研磨装置は、第１ないし第４の抵抗素子６，４２ａ，６０，５２ａの各抵抗値がそれぞれ所定の値になるようにアクチュエータ２９０〜２９９を制御しながら研磨を行ってもよい。
【０１５０】
以上説明したように、本実施の形態によれば、ヘッド集合体を研磨する工程において、研磨面の位置が媒体対向面４０の目標位置から遠く、第１および第２の抵抗素子６，４２ａによっては研磨面と媒体対向面４０の目標位置との距離や研磨面が基板１の上面に対してなす角度を精度よく検出できないときであっても、第３および第４の抵抗素子６０，５２ａによって、研磨面と媒体対向面４０の目標位置との距離や研磨面が基板１の上面に対してなす角度を精度よく検出することが可能である。これにより、本実施の形態によれば、研磨面の位置が媒体対向面４０の目標位置から遠いときにおいても、研磨面と媒体対向面４０の目標位置との距離を把握しながら研磨を行うことができる。また、本実施の形態によれば、研磨面の位置が媒体対向面４０の目標位置から遠いときに、研磨面が基板１の上面に対してなす角度が９０°から大きくずれることを防止することができる。
【０１５１】
また、本実施の形態では、ヘッド集合体を研磨する工程において、ＭＲ素子５、第１の抵抗素子６および第２の抵抗素子４２ａの各抵抗値を監視しながら研磨面を研磨して、ＭＲ素子５、第１の抵抗素子６および第２の抵抗素子４２ａの各抵抗値がそれぞれ所定の値になるように媒体対向面４０を形成する。これにより、本実施の形態によれば、各ヘッド予定部１０１におけるＭＲハイト、スロートハイトＴＨおよびネックハイトＮＨが、それぞれ所望の値になるように、媒体対向面４０を所望の位置に正確に形成することができる。また、このようにして媒体対向面４０を形成することにより、図４に示した媒体対向面４０が基板１の上面に対してなす角度θを、所望の角度、例えば９０°になるように制御することができる。
【０１５２】
ところで、本実施の形態において、第２の抵抗素子４２ａの抵抗値はネックハイトＮＨに対応する。そのため、第２の抵抗素子４２ａと磁極層２４とを正確に位置合わせすることが重要になる。本実施の形態では、非磁性導電層１７の開口部１７ａと第２の抵抗素子４２ａは、同時にパターニングされる。従って、開口部１７ａと第２の抵抗素子４２ａとを正確に位置合わせすることができる。磁極層２４の形状および位置は、開口部１７ａの形状および位置によって決まる。これらのことから、本実施の形態によれば、第２の抵抗素子４２ａと磁極層２４とを正確に位置合わせすることができる。
【０１５３】
また、本実施の形態では、磁極層２４は、収容層１５の溝部１５ａ内に、非磁性膜２０および研磨停止層２３を介して配置される。従って、本実施の形態では、磁極層２４の形状は、溝部１５ａの形状によって決まる。このように、本実施の形態では、磁極層２４の側部をエッチングしないので、ネックハイトＮＨが所望の値よりも大きくなったり、磁極層２４の形状が所望の形状から大きく崩れたりすることがない。更に、本実施の形態では、前述のように、媒体対向面４０を所望の位置に正確に形成することができる。これらのことから、本実施の形態によれば、ネックハイトＮＨが小さい場合であっても、トラック幅を正確に決めることができる。
【０１５４】
また、本実施の形態によれば、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有し且つ幅の小さな磁極層２４を正確に形成することができる。
【０１５５】
また、本実施の形態では、収容層１５の溝部１５ａ内に、非磁性膜２０および研磨停止層２３を介して磁極層２４が配置される。そのため、本実施の形態によれば、トラック幅を規定するトラック幅規定部２４Ａの上面の幅を小さくすることが可能になる。
【０１５６】
なお、本実施の形態において、第１の抵抗素子６を設けずに、ヘッド集合体に含まれる複数のＭＲ素子５および第２の抵抗素子４２ａの各抵抗値を監視しながら研磨面の研磨を行って、ＭＲ素子５および第２の抵抗素子４２ａの各抵抗値がそれぞれ所定の値になるように媒体対向面４０を形成してもよい。この場合も前述と同様の効果を得ることができる。この場合、ＭＲ素子５は、本発明における第１の検出素子を兼ねていることになる。
【０１５７】
［変形例］
図４９は、本実施の形態に係る磁気ヘッド用基礎構造物の変形例を示している。この変形例では、第１の抵抗素子６と第２の抵抗素子４２ａは、いずれも、面ＡＢＳを挟んで隣接するヘッド予定部１０１と列間除去予定部１０２の一部とにまたがるように配置されている。すなわち、第１の抵抗素子６と第２の抵抗素子４２ａは、いずれも、それらの一部が磁気ヘッドに残る位置に配置されている。第１の抵抗素子６に接続された２つのリード１１１Ａ，１１１Ｂは、ヘッド予定部１０１内に配置されている。抵抗層４２のうちの第２の抵抗素子４２ａ以外の部分もヘッド予定部１０１内に配置されている。また、リード１１１Ａ，１１１Ｂに接続される２つの端子１１２Ａ，１１２Ｂと、抵抗層４２に接続される２つの端子１１３Ａ，１１３Ｂも、ヘッド予定部１０１内に配置されている。
【０１５８】
また、変形例では、第３の抵抗素子６０と第４の抵抗素子５２ａは、いずれも、列間除去予定部１０２のうち、ヘッド予定部１０１に隣接する部分に配置されている。第３の抵抗素子６０に接続された２つのリード１２１Ａ，１２１Ｂは、面ＡＢＳを挟んで隣接するヘッド予定部１０１と列間除去予定部１０２の一部とにまたがるように配置されている。抵抗層５２のうちの第４の抵抗素子５２ａ以外の部分も、面ＡＢＳを挟んで隣接するヘッド予定部１０１と列間除去予定部１０２の一部とにまたがるように配置されている。また、リード１２１Ａ，１２１Ｂに接続される２つの端子１２２Ａ，１２２Ｂと、抵抗層５２に接続される２つの端子１２３Ａ，１２３Ｂは、ヘッド予定部１０１内に配置されている。
【０１５９】
変形例の磁気ヘッド用基礎構造物におけるその他の構成は、図３８ないし図４０に示した磁気ヘッド用基礎構造物と同様である。また、変形例の磁気ヘッド用基礎構造物を用いた磁気ヘッドの製造方法も、図３８ないし図４０に示した磁気ヘッド用基礎構造物を用いた磁気ヘッドの製造方法と同様である。
【０１６０】
［第２の実施の形態］
次に、図５０を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法および磁気ヘッド用基礎構造物について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッド用基礎構造物は、第１ないし第４の検出素子を備えていると共に、第１ないし第４の検出素子のうちの少なくとも１つが図５０に示した指標部４１０を有しているものである。すなわち、本実施の形態に係る磁気ヘッド用基礎構造物では、第１の実施の形態における第１ないし第４の抵抗素子６，４２ａ，６０，５２ａのうちの少なくとも１つの代わりに、図５０に示した指標部４１０が設けられている。指標部４１０が設けられる位置は、抵抗素子６，４２ａ，６０，５２ａと同様である。指標部４１０は、磁気ヘッドに残らない位置に配置されてもよいし、その一部が磁気ヘッドに残る位置に配置されてもよい。
【０１６１】
指標部４１０は、抵抗素子６，４２ａの代わりに設けられる場合には面ＡＢＳと交差する領域に配置され、抵抗素子６０，５２ａの代わりに設けられる場合には面ＡＣＰと交差する領域に配置される。
【０１６２】
図５０は、指標部４１０の構成の一例を示している。指標部４１０は、指標層４１１と指標規定部４１２とによって構成されている。また、指標部４１０は、複数の第１の指標４２１と、複数の第２の指標４２２と、２つの基準部４２３とを含んでいる。指標規定部４１２は、第１の指標４２１、第２の指標４２２および基準部４２３の外形を規定する部分である。指標部４１０のうち、指標規定部４１２以外の部分が指標層４１１になっている。第１の指標４２１、第２の指標４２２および基準部４２３は、それぞれ、指標層４１１の一部によって構成されている。指標規定部４１２は、例えば、指標層４１１に形成された溝部になっている。指標部４１０の全体の平面形状は、面ＡＢＳまたは面ＡＣＰに平行で且つ基板１の上面に平行な方向（図５０における水平方向）に長い矩形になっている。指標層４１１の材料としては、例えば、非磁性導電層１７と同じ材料を用いることができる。
【０１６３】
２つの基準部４２３は、指標部４１０における長手方向の両端の近傍に配置されている。指標規定部４１２は、２つの基準部４２３の間に配置されたジグザグ形状の部分（以下、ジグザグ部と言う。）４１３を含んでいる。第１の指標４２１と第２の指標４２２は、ジグザグ部４１３を挟んで互いに反対側に配置されている。第１の指標４２１は、ジグザグ部４１３よりも図５０における下方に配置されている。第２の指標４２２は、ジグザグ部４１３よりも図５０における上方に配置されている。また、指標部４１０の長手方向（図５０における水平方向）について見ると、第１の指標４２１と第２の指標４２２は交互に配置されている。
【０１６４】
ジグザグ部４１３は、面ＡＢＳまたは面ＡＣＰと交差する複数の直線部分４１３Ａと、直線部分４１３Ａの端部に接続された突出部分４１３Ｂとを含んでいる。突出部分４１３Ｂは、隣接する２つの直線部分４１３Ａの端部同士を接続している。隣接する２つの直線部分４１３Ａは、面ＡＢＳまたは面ＡＣＰに対して斜めに交差し、且つ互いに異なる方向に延びている。直線部分４１３Ａは、第１の指標４２１と第２の指標４２２において、面ＡＢＳまたは面ＡＣＰに対して斜めに交差する辺を規定する。突出部分４１３Ｂの役割は、フォトリソグラフィを利用して指標規定部４１２を形成する際に、直線部分４１３Ａにおける端部近傍の部分が湾曲することを防止することにある。
【０１６５】
第１の指標４２１と第２の指標４２２は、隣接する２つの直線部分４１３Ａの間に形成されている。第１の指標４２１と第２の指標４２２は、いずれも、面ＡＢＳまたは面ＡＣＰと平行に配置された底辺を有する二等辺三角形における頂点部分を面取りした形状をなしている。従って、第１の指標４２１と第２の指標４２２は、それぞれ、面ＡＢＳまたは面ＡＣＰに対して斜めに交差する、長さの等しい２つの辺を有している。この２つの辺は、上記の二等辺三角形における長さの等しい２つの辺に相当する。
【０１６６】
指標部４１０が抵抗素子６，４２ａの代わりに設けられる場合には、媒体対向面４０の目標位置すなわち面ＡＢＳにおいて、第１の指標４２１の幅と第２の指標４２２の幅が等しい。指標部４１０が抵抗素子６０，５２ａの代わりに設けられる場合には、面ＡＣＰにおいて第１の指標４２１の幅と第２の指標４２２の幅が等しい。基準部４２３は、面ＡＢＳまたは面ＡＣＰの位置における第１の指標４２１および第２の指標４２２の幅と等しく、媒体対向面４０に対して垂直な方向についての位置の変化に応じて変化しない幅を有している。また、基準部４２３は、面ＡＢＳまたは面ＡＣＰの位置と交差する位置に配置されている。
【０１６７】
本実施の形態では、ヘッド集合体を研磨する工程において、第１の指標４２１と第２の指標４２２は研磨面に露出する。そして、媒体対向面４０に垂直な方向についての研磨面の位置の変化に応じて、研磨面における第１の指標４２１の幅と第２の指標４２２の幅の一方は減少し、他方は増加する。従って、本実施の形態では、研磨面における第１の指標４２１の幅と第２の指標４２２の幅を観察することにより、研磨面の位置を検出することができる。そのため、指標部４１０は、第１の実施の形態における第１ないし第４の抵抗素子６，４２ａ，６０，５２ａのうちの少なくとも１つの代わりとして用いることができる。
【０１６８】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１６９】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、各実施の形態において、平面渦巻き形状のコイル１３，３１の代わりに、磁極層２４を中心にして螺旋状に配置されたコイルを設けてもよい。
【０１７０】
また、実施の形態では、基体側に再生ヘッドを形成し、その上に、記録ヘッドを積層した構造の磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【０１７１】
また、本発明は、垂直磁気記録方式用の磁気ヘッドに限らず、長手磁気記録方式用の磁気ヘッドにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッド用基礎構造物における主要な構成要素の配置を示す説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッド用基礎構造物の主要部分を示す斜視図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッド用基礎構造物を作製する過程の途中における積層体の断面図である。
【図６】図５に示した積層体の他の断面図である。
【図７】図５に示した積層体の平面図である。
【図８】図５に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。
【図９】図８に示した積層体の他の断面図である。
【図１０】図８に示した積層体の平面図である。
【図１１】図８に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。
【図１２】図１１に示した積層体の他の断面図である。
【図１３】図１１に示した積層体の平面図である。
【図１４】図１１に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。
【図１５】図１４に示した積層体の他の断面図である。
【図１６】図１４に示した積層体の平面図である。
【図１７】図１４に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。
【図１８】図１７に示した積層体の他の断面図である。
【図１９】図１７に示した積層体の平面図である。
【図２０】図１７に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。
【図２１】図２０に示した積層体の他の断面図である。
【図２２】図２０に示した積層体の平面図である。
【図２３】図２０に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。
【図２４】図２３に示した積層体の他の断面図である。
【図２５】図２３に示した積層体の平面図である。
【図２６】図２３に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。
【図２７】図２６に示した積層体の他の断面図である。
【図２８】図２６に示した積層体の平面図である。
【図２９】図２６に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。
【図３０】図２９に示した積層体の他の断面図である。
【図３１】図２９に示した積層体の平面図である。
【図３２】図２９に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。
【図３３】図３２に示した積層体の他の断面図である。
【図３４】図３２に示した積層体の平面図である。
【図３５】図３２に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。
【図３６】図３５に示した積層体の他の断面図である。
【図３７】図３５に示した積層体の平面図である。
【図３８】図３５に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。
【図３９】図３８に示した積層体の他の断面図である。
【図４０】図３８に示した積層体の平面図である。
【図４１】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法で使用される研磨装置の概略の構成を示す斜視図である。
【図４２】図４１における治具保持部の近傍を示す斜視図である。
【図４３】図４２における治具保持部に治具を固定した状態を示す正面図である。
【図４４】図４３の４４−４４線断面図である。
【図４５】図４１に示した研磨装置の回路構成の一例を示すブロック図である。
【図４６】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッド用基礎構造物における第１ないし第４の抵抗素子の位置関係を示す説明図である。
【図４７】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法におけるヘッド集合体を研磨する工程を示す説明図である。
【図４８】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法におけるヘッド集合体を研磨する工程を示す説明図である。
【図４９】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッド用基礎構造物の変形例を示す説明図である。
【図５０】本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッド用基礎構造物における指標部を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１７３】
１…基板、５…ＭＲ素子、６…第１の抵抗素子、１５…収容層、２４…磁極層、２７……ギャップ層、２８…シールド層、３１…コイル、４０…媒体対向面、４２…抵抗層、４２ａ…第２の抵抗素子、５２…抵抗層、５２ａ…第４の抵抗素子、６０…第３の抵抗素子、１０１…ヘッド予定部、１０２…列間除去予定部、１０３…列内除去予定部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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