(57)【要約】【課題】主磁極の形状をなまることなく形成することができることで、主磁極先端部のコア幅や両側面の角度、および主磁極のネックハイトを、ばらつきが少なく安定的に形成できる磁気記録ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】磁気記録ヘッドの主磁極１０の形状に抜かれた、熱可塑性材料から成るレジスト層３０を形成するレジストパターン形成工程と、レジスト層３０の表面３０ｃを硬化させる硬化処理工程と、硬化処理工程後に、レジスト層３０を加熱ベークして一旦流動化させるベーク工程と、レジスト層３０の抜かれた箇所３０ａに主磁極１０の材料を充填することで主磁極１０を形成する主磁極形成工程とを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録ヘッドの主磁極の形状に抜かれた、熱可塑性材料から成るレジスト層を形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジスト層の表面を硬化させる硬化処理工程と、
該硬化処理工程後に、前記レジスト層を加熱ベークして一旦流動化させるベーク工程と、
前記レジスト層の前記抜かれた箇所に主磁極の材料を充填することで主磁極を形成する主磁極形成工程とを含むことを特徴とする磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記硬化処理工程は、前記レジスト層にプラズマを照射することで、レジスト層の表面を硬化させることを特徴とする請求項１記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記プラズマ照射時のガス圧は、０．５〜５０パスカルであることを特徴とする請求項２記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記プラズマのバイアスパワーは、５〜５０Ｗであることを特徴とする請求項２または３記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記硬化処理工程は、前記レジスト層に紫外線を照射することで、レジスト層の表面を硬化させることを特徴とする請求項１記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録ヘッドの主磁極の形状に抜かれた、熱可塑性樹脂から成るレジスト層を形成し、レジスト層を加熱ベークして一旦流動化させ、レジスト層の前記抜かれた箇所に主磁極の材料を充填することで主磁極を形成する磁気記録ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に、従来の磁気記録ヘッドの製造方法が開示されている。特許文献１に記載された従来の垂直磁気記録型の磁気記録ヘッドの製造方法の工程を、図５の説明図に示す。図５は、製造工程上の磁気記録ヘッドの主磁極の先端部の近傍部を、浮上面側から見た断面図である。
図５（ａ）は、絶縁層２６を成膜した後、絶縁層２６の表面に密着層１２を成膜し、次いで揮発性金属層１１を成膜した状態を示す。密着層１２は揮発性金属層１１を絶縁層２６の表面に密着させるためのものである。密着層１２は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｂ等をスパッタリングあるいは蒸着して形成される。
【０００３】
揮発性金属層１１を形成する材料として、Ｒｕ（ルテニウム）を使用する。揮発性金属層１１は、ルテニウム金属をスパッタリングあるいは蒸着して形成する。揮発性金属層１１はめっきシード層として使用するものである。
【０００４】
図５（ｂ）は、次に、揮発性金属層１１の表面にレジスト層３０を形成した状態を示す。ワークの表面にレジストをコーティングし、主磁極を形成するパターンにしたがってレジストを露光および現像し、主磁極の形状に対応して抜かれた凹部３０ａを形成する。凹部３０ａは、主磁極の先端部の対応箇所については、断面形状が逆台形状となるように形成される。凹部３０ａの内底面には、ルテニウムからなる揮発性金属層１１が露出する。
【０００５】
レジスト層３０を形成した後、レジストに親水処理を施す。図５（ｃ）は、親水処理としてレジストにＯ２プラズマ処理を施している状態を示す。
レジストにＯ２プラズマ処理を施すと、レジスト層３０の表面が疎水性から親水性に変化するとともに、凹部３０ａが形成された部位については、凹部３０ａの底面に露出する揮発性金属層１１のルテニウムが酸化されてＲｕＯ４となり、このＲｕＯ４が揮発して凹部３０ａの内側面３０ｂに揮発物１１ａとして付着する。
【０００６】
レジストパターン３０に親水処理を施した後、揮発性金属層１１をめっき給電層として電解めっきを施し、凹部３０ａ内に磁性膜（高飽和磁束密度膜）３２を盛り上げるように形成する。図５（ｄ）が、磁性膜３２をめっきにより形成した状態を示す。
【０００７】
図５（ｅ）は、磁性膜３２を形成した後、レジストパターン３０を除去した状態を示す。レジストパターン３０は化学的に溶解して除去することができる。レジストパターン３０を除去する際に、凹部３０ａの内側面３０ｂに付着した揮発物（ＲｕＯ４）もレジストパターン３０とともに除去される。
【０００８】
レジストパターン３０を除去した後、イオンミリングにより、絶縁層２６の表面に露出している部位の揮発性金属層１１と密着層１２とを除去する。図５（ｆ）に揮発性金属層１１と密着層１２の不要部位を除去し、絶縁層２６上に磁性膜３２から成る主磁極（先端部１０ａ）が形成された状態を示す。
特許文献１には記載されていないが、この後、磁性膜３２の外面をミリングしてスリミングし、磁性膜３２全体をアルミナ層で覆い、そのアルミナ層とともに磁性膜３２の上面を研磨して平坦化することで、主磁極を完成させる。
【０００９】
このように、垂直磁気記録型の磁気記録ヘッドにおいて、主磁極の先端部１０ａの断面形状を逆台形状に形成するのは、いわゆるサイドトラックイレーズを防ぐためである。もし主磁極の先端部１０ａの浮上面に露出する端面の形状が、逆台形状でなく長方形状に形成されていると、磁気ディスク（磁気記録媒体）のトラック方向とのスキュー角によって、先端部の端面の角の部分で、サイドトラックが消去されてしまう（サイドトラックイレーズが生じてしまう）のである。
【００１０】
さて、特許文献１には記載されていないが、前述のレジストパターン３０における、主磁極の先端部１０ａとなる磁性膜３２の断面形状を、図５に示したように断面形状が逆台形状となるように形成するために、レジストを加熱ベークする技術が用いられることがある。その工程について図６を用いて説明する。
【００１１】
まず、図６（ａ），（ｂ）に示すように、熱可塑性材料（熱可塑性樹脂）から成るフォトレジスト層３０を露光現像して、主磁極の形状に対応して抜かれた凹部３０ａを形成する（図５（ｂ）の工程に対応）。
続いて、この製造工程の磁気記録ヘッドを加熱することでレジスト層３０を加熱ベークする（ベーク工程）。これにより、熱可塑性材料（熱可塑性樹脂）から成るレジスト層３０は流動化して、図６（ｃ）に示すように表面張力によって断面形状が丸みを帯びた形状となり、凹部３０ａの内側面３０ｂは、底部から開口部に向かって次第に拡がるテーパ状に形成される。
そして、図６（ｄ）に示すように、その凹部３０ａ内を揮発性金属層１１を給電層とした電解めっきで充填することで、主磁極となる磁性膜３２を形成する。
これにより、主磁極の先端部１０ａの断面形状を、ほぼ逆台形状に形成することができる。
【００１２】
【特許文献１】特開２００６−３２２０５４号公報（第２図、段落００１２−００１９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
さて、従来の、レジスト層３０を加熱ベークすることで、レジスト層３０の主磁極先端部の対応部分（凹部３０ａ）の逆台形状を形成する従来方法において、ベーク工程でレジスト層３０を加熱して流動化させると、レジスト層３０の形状がなまってしまう。つまり、レジスト層３０が流動化することで、レジスト層３０の、主磁極の形状に抜かれた箇所（凹部３０ａ）の角の部分が丸みを帯びるようになまってしまい、その結果、そこに充填されて形成される主磁極の形状もなまって形成されてしまう。
【００１４】
したがって、図６（ｄ）に示したように、主磁極の先端部１０ａ（磁性膜３２）の両側面１０ｂが、直線状に形成されずに丸みを帯びた形状となってしまい、これに対して前記スリミングの処理を施すため、スリミング加工後の主磁極先端部１０ａのコア幅や両側面１０ｂの角度が安定しない（ばらつく）という課題がある。
【００１５】
また、図７（主磁極を積層方向上方から見た図）に示すように、主磁極１０において、先端部１０ａとヨーク部１０ｃとの境界であるネック部１０ｄも丸みを帯びるようになまってしまい、主磁極１０のネックハイト（先端部１０ａの長さ、すなわちネック部１０ｄから浮上面までの長さ）がばらついて、記録性能が安定しないという課題がある。
【００１６】
本発明は上記課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、主磁極の形状をなまることなく形成することができることで、主磁極先端部のコア幅や両側面の角度、および主磁極のネックハイトを、ばらつきが少なく安定的に形成できる磁気記録ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法は、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、磁気記録ヘッドの主磁極の形状に抜かれた、熱可塑性材料から成るレジスト層を形成するレジストパターン形成工程と、前記レジスト層の表面を硬化させる硬化処理工程と、該硬化処理工程後に、前記レジスト層を加熱ベークして一旦流動化させるベーク工程と、前記レジスト層の前記抜かれた箇所に主磁極の材料を充填することで主磁極を形成する主磁極形成工程とを含むことを特徴とする。
これによれば、レジスト層の表面が硬化されているため、ベーク工程においてレジスト層の表面を除く中身のみが流動化するため、従来方法に比較して、レジスト層の角部の形状がなまりにくくなり、したがって主磁極の形状のなまりを抑えることができる。この結果、主磁極先端部の断面形状における両側面を直線状に形成できるために、主磁極先端部のコア幅や両側面の角度をばらつきが少なく安定的に形成でき、また、ネック部の形状のなまりも抑えられるから、ネックハイトをばらつきが少なく安定的に形成できる。
【００１８】
さらに、前記硬化処理工程は、前記レジスト層にプラズマを照射することで、レジスト層の表面を硬化させることを特徴とする。
さらに、前記プラズマ照射時のガス圧は、０．５〜５０パスカルであることを特徴とする。
また、前記プラズマのバイアスパワーは、５〜５０Ｗであることを特徴とする。
これによれば、レジスト層の表面を好適に硬化させることができる。
【００１９】
また、前記硬化処理工程は、前記レジスト層に紫外線を照射することで、レジスト層の表面を硬化させることを特徴とする。
これによれば、レジスト層の表面を好適に硬化させることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法によれば、主磁極の形状をなまることなく形成することができることで、主磁極先端部のコア幅や両側面の角度、および主磁極のネックハイトを、ばらつきが少なく安定的に形成できる。したがって、安定した記録性能をもつ磁気記録ヘッドを製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法を実施するための最良の形態を説明する。
図１は、垂直磁気記録型の薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
この薄膜磁気ヘッドは、磁気記録ヘッドとして主磁極１０、トレーリングシールド１３、リターンヨーク１４および記録用コイル１６を備え、磁気再生ヘッドとして、ＭＲ素子２０、上部シールド２２および下部シールド２４を備える。
上部シールド２２と主磁極１０との間にはアルミナからなる絶縁層２６が設けられ、主磁極１０とコイル１６との間、コイル１６とリターンヨーク１４との間、ＭＲ素子２０と上部シールド２２および下部シールド２４との間もアルミナ等からなる絶縁層が設けられている。
【００２２】
薄膜磁気ヘッドは、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ基板上に、シールド層２２、２４やＭＲ素子２０、主磁極１０、コイル１６、リターンヨーク１４等を、順次、積層するように成膜し、所定のパターンにパターニングして形成される。
垂直磁気記録型の磁気記録ヘッドでは、記録媒体に対向する主磁極１０の先端部１０ａの端面は、磁気再生ヘッド側が幅狭で、リターンヨーク側が幅広となる逆台形状に形成される。
【００２３】
図２は、磁気記録ヘッドの主磁極１０を形成する工程を示す説明図である。図２は図１のＡ部分を端面方向から見た状態を示す。
なお、図２中のめっきシード層１５は、背景技術で示した図５の揮発性金属層１１に対応する。なお、本発明においては、めっきシード層１５は必ずしも揮発性金属で形成する必要はない。また、めっきシード層１５の下層の構造および製法は、図５（ａ）に示した絶縁層２６および密着層１２の構成と同様であるため説明を省略する。
【００２４】
（レジストパターン形成工程）
図２（ａ），（ｂ）に示すように、めっきシード層１５の表面に、熱可塑性樹脂（熱可塑性材料）から成るレジスト層３０を形成する。具体的には、ワークの表面にフォトレジストをコーティングし、主磁極を形成するパターンにしたがってレジストを露光および現像し（フォトリソグラフィ法）、主磁極の形状に対応して抜かれた凹部３０ａを形成する。
【００２５】
（硬化処理工程）
続いて、レジスト層３０の表面を硬化させる硬化処理工程を行う。
本実施の形態の硬化処理工程では、レジスト層３０にプラズマを照射することで、レジスト層３０の表面３０ｃを硬化させる（図２（ｃ）参照）。
【００２６】
プラズマ照射に使用するガスは、Ｏ２、ＣＦ４を採用できる。または、Ｎ２、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅなどの不活性ガスを採用してもよい。また、プラズマの生成は、例えば容量結合方式、周波励起容量結合方式、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）ＲＩＥ方式、または磁場励起容量結合方式等、任意の方式を採用できる。
【００２７】
このプラズマ照射時のガス圧は０．５〜５０パスカル、温度は１８〜４０℃、バイアスパワーは５〜５０Ｗとすることが望ましい。
本願発明者は、Ｏ２プラズマを用いた実験の結果、ガス圧やバイアスパワーを上記範囲より高くすると、酸素ラジカルによりレジスト層３０の上面が主に硬化されて、レジスト層３０の凹部３０ａ（抜かれた箇所）の内側面３０ｂは上面に比較して硬化されにくいことを確認した。一方、ガス圧およびバイアスパワーを、上記範囲程度に低く抑えることにより、レジスト層３０の上面と凹部３０ａの内側面３０ｂとが、比較的均一に硬化できることを確認した。
【００２８】
なお、硬化処理工程は、レジスト層３０の表面を硬化するものであれば任意の手段を採用でき、特にプラズマ照射によるものに限定されるものではない。
例えば、プラズマ照射に替えて、レジスト層３０に紫外線照射を行って、レジスト層３０の表面を硬化させてもよい。この場合、照射する紫外線の波長は、１９３〜４３６ｎｍに設定すると好適である。
【００２９】
（ベーク工程）
硬化処理工程の後、レジスト層３０を加熱ベークして一旦流動化させるベーク工程を行う。
ベーク工程では、製造工程の磁気記録ヘッドを加熱することでレジスト層３０を加熱ベークする。これにより、熱可塑性材料（熱可塑性樹脂）から成るレジスト層３０の中身は流動化し、他方、レジスト層３０の表面３０ｃは硬化されているために流動化しない。これにより、図２（ｄ）に示すように、凹部３０ａは、その内側面３０ｂは平面状（断面直線状）の形状を保ったまま、底部から開口部に向かって次第に拡幅するテーパ形状となる。すなわち、従来のように丸みを帯びた形状になまるのを防ぐことができる。
なお、ベーク工程におけるレジスト層３０の加熱温度は、レジスト層３０の材質にもよるが、１２０〜１６０℃程度に設定すると好適である。
【００３０】
（主磁極形成工程）
続いて、レジスト層３０の凹部３０ａ（抜かれた箇所）に主磁極の材料を充填することで主磁極を形成する。
【００３１】
具体的には、めっきシード層１５をめっき給電層として電解めっきを施し、凹部３０ａ内に磁性膜（高飽和磁束密度膜）３２を盛り上げるように形成する。図２（ｅ）が、磁性膜３２をめっきにより形成した状態を示す。
続いて、図２（ｆ）に示すようにレジスト層３０を除去し、図２（ｇ）に示すようにめっきシード層１５を除去して絶縁層２６を露出させるとともに、磁性膜３２の外面をミリングしてスリミングし、図２（ｈ）に示すように磁性膜３２全体をアルミナ層３４で覆い、図２（ｉ）に示すようにそのアルミナ層とともに磁性膜３２の上面を研磨して平坦化することで、主磁極を完成させる。
【００３２】
さて、図３は、製造工程上のレジスト層３０、および主磁極１０を、積層方向上方から見たＳＥＭ画像であり、図３（ａ）〜（ｄ）は従来の磁気記録ヘッドの製造方法の製造工程における画像であり、図３（ｅ）〜（ｈ）は本実施の形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法の製造工程における画像である。
なお、図３の例において、レジスト層３０としては、ともに化学増幅型レジストを用いている。
またベーク工程では、ともに加熱温度を１５３℃とし、１８０秒間行った。
【００３３】
従来方法においては、図３（ｂ）に示すように、ベーク工程によってレジスト層３０の凹部３０ａの内側面３０ｂが丸みを帯びるとともに、底部から開口部に向かって大きく開き、なおかつ丸みを帯びてなまりが大きいことが分かる。
その後、親水処理としてのＯ２プラズマ照射を行う（図３（ｃ）参照）。この親水処理としてのＯ２プラズマ処理は、ガス圧１００パスカル、バイアスパワー１００Ｗ、温度２５℃で２０秒間行った。
続いて電解めっきを施して主磁極１０を形成する（図３（ｄ）参照）。
【００３４】
一方、本実施の形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法に基づけば、まず前記硬化処理工程を行い（図３（ｆ）参照）、その後にベーク工程を行う。この硬化処理としてのＯ２プラズマ処理は、ガス圧２０パスカル、バイアスパワー１０Ｗ、温度２５℃で２０秒間行った。続くベーク工程の際には、レジスト層３０の表面が硬化されているために、図３（ｇ）および図２（ｄ）に示すように、凹部３０ａの内側面３０ｂは、平面状（断面直線状）の形状を保ったまま、底部から開口部に向かって次第に拡幅するテーパ形状となる。すなわち、従来のように丸みを帯びた形状になまるのを防ぐことができる。
その後、電解めっきを施して主磁極１０を形成する（図３（ｈ）参照）。
【００３５】
本実施の形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法で形成した主磁極１０（図３（ｈ））は、従来方法で形成した主磁極１０（図３（ｄ））に比較して、ネック部１０ｄのなまりが小さく、シャープな形状に形成されていることが分かる。すなわち、実施の形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法によれば、主磁極の形状のなまりを抑えることができるから、本主磁極のネックハイトを、ばらつきが少なく安定的に形成できるという効果を奏する。
【００３６】
また、同様に、凹部３０ａの内側面３０ｂが、平面状（断面直線状）の形状を保ったまま、底部から開口部に向かって次第に拡幅するテーパ形状となる（図３（ｇ）および図２（ｄ）参照）。したがって、主磁極１０（磁性膜３２）の先端部１０ａの両側面１０ｂが従来のように丸みを帯びた形状になまるのを防ぐことができ、先端部１０ａの両側面１０ｂを平面状（断面直線状）に形成できる。よって、これに対して前記スリミングの処理を施した際に、スリミング加工後の主磁極先端部１０ａのコア幅や両側面１０ｂの角度のばらつきが生じにくいという効果を奏する。
【００３７】
なお、特許文献１には、レジストパターンに対して、Ｏ２プラズマ処理を施すことが記載されている（特許文献１  段落００１５  参照）。しかしながら、特許文献１記載のＯ２プラズマ処理は、あくまでめっきの親水処理を目的としているため、レジスト層の主磁極の断面形状を逆台形状とした状態で（特許文献１  段落００１４  参照）、主磁極のめっき工程の直前に行われるものである（特許文献１  段落００１７  参照）。すなわち、従来知られている方法は、レジスト層の主磁極先端部の対応位置の断面形状を逆台形状に形成した後（ベーク工程後）の、主磁極のめっき工程の直前に行われるものである。
対して、本願発明は、レジスト層を逆台形状に形成するためのベーク工程の前に、レジスト層の表面硬化の目的でＯ２プラズマ処理等の硬化処理工程を行うものであり、その目的の違いから、工程順序やプラズマの照射条件が従来とは異なるものである。
【００３８】
具体的には、親水を目的としたプラズマ処理は、その目的から５０パスカル以上のガス圧が好ましく、プラズマ処理時間はめっき前のパターン内に残った現像後残渣を除去する時間程度でよい。
一方表面硬化を目的としたプラズマ処理では、０．５〜５０パスカルの低圧で行い、プラズマ処理時間は硬化の程度とベーク工程後の逆台形形状により決定される。このように低圧で処理を行うことによりコア幅の狭いレジストパターンの根元まで硬化することが可能になりベーク後も直線形状を保つことができる。
【実施例】
【００３９】
図４は、硬化処理工程におけるプラズマ照射条件を変えてベーク工程までを行ったレジスト層のＳＥＭ画像である。
図４（ａ）は、Ｏ２ガス圧を１パスカル、バイアスパワーを１０Ｗ、プラズマ照射時間を４２秒に設定した場合を示す。図４（ｂ）は、同様に、Ｏ２ガス圧を１パスカル、バイアスパワーを２０Ｗ、プラズマ照射時間を２２秒に設定した場合であり、図４（ｃ）は、Ｏ２ガス圧を２２パスカル、バイアスパワーを１０Ｗ、プラズマ照射時間を６０秒に設定した場合であり、図４（ｄ）は、Ｏ２ガス圧を２２パスカル、バイアスパワーを２０Ｗ、プラズマ照射時間を１３秒に設定した場合である。
なお、ベーク工程における加熱温度は、ともに１５７℃に設定し、処理時間はともに１８０秒とした。
また、レジスト層は、ともに化学増幅型ポジレジストを用いた。
【００４０】
図４（ａ）〜（ｄ）から分かるように、本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法によれば、凹部の内側面が、あまり丸みを帯びることなく、平面状（断面直線状）の形状を保ったまま、底部から開口部に向かって次第に拡幅するテーパ形状に形成される。
また、図４（ａ）〜（ｄ）の比較から分かるように、プラズマ処理時のガス圧やバイアスパワーを高くするほど、内側面の傾斜角度が大きく変化する。これらの条件は、所望される主磁極形状に応じて適宜設定するとよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】垂直磁気記録型の薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図２】本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法で主磁極を形成する工程を示す説明図である。
【図３】製造工程上のレジスト層、および主磁極のＳＥＭ画像であり、（ａ）〜（ｄ）は従来の磁気記録ヘッドの製造方法の製造工程における画像であり、（ｅ）〜（ｈ）は本実施の形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法の製造工程における画像である。
【図４】本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法で、硬化処理工程におけるプラズマ照射条件を変えてベーク工程までを行ったレジスト層のＳＥＭ画像である。
【図５】従来の磁気記録ヘッドの製造方法で主磁極を形成する工程を示す説明図である。
【図６】従来の磁気記録ヘッドの製造方法（ベーク工程を有するもの）で主磁極を形成する工程を示す説明図である。
【図７】従来の磁気記録ヘッドの製造方法で形成した主磁極の形状の説明図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０  主磁極
１０ａ  主磁極先端部
１０ｂ  主磁極先端部の両側面
１０ｃ  ヨーク部
１０ｄ  ネック部
１３  トレーリングシールド
１４  リターンヨーク
１５  めっきシード層
１６  コイル
２０  ＭＲ素子
２２  上部シールド
２４  下部シールド
２６  絶縁層
３０  レジスト層
３０ａ  凹部（抜かれた箇所）
３０ｂ  凹部の内側面
３０ｃ  レジスト層の表面
３２  磁性膜（主磁極）
３４  アルミナ層
【図１】
2008204526.tif 000003
【図５】
2008204526.tif 000004
【図２】
2008204526.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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