(57)【要約】【課題】水滴を利用して形成した多孔質膜を使用しつつ、かつ、導通性能を向上させることが可能な異方性導電膜、また、その製造方法を提供すること。【解決手段】ハニカム状に配列された多数の孔部を有し、孔部の内壁面が外側方向に湾曲されている多孔質膜と、多孔質膜の孔部内に保持された導電性粒子と、多孔質膜の片面に形成された接着層とを有し、多孔質膜が、残存水酸基量が２２ｍｏｌ％超〜３０ｍｏｌ％未満の範囲内にあるポリビニルアセタール系樹脂より形成されている異方性導電膜とする。上記多孔質膜は、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、上記ポリビニルアセタール系樹脂と、界面活性剤とを少なくとも含む高分子溶液をキャストした支持体を相対湿度５０％以上の雰囲気下に存在させることにより好適に形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハニカム状に配列された多数の孔部を有し、前記孔部の内壁面が外側方向に湾曲されている多孔質膜と、
前記多孔質膜の孔部内に保持された導電性粒子と、
前記多孔質膜の片面に形成された接着層とを有し、
前記多孔質膜は、残存水酸基量が２２ｍｏｌ％超〜３０ｍｏｌ％未満の範囲内にあるポリビニルアセタール系樹脂より形成されていることを特徴とする異方性導電膜。
【請求項２】
前記導電性粒子は、前記多孔質膜に融着されていることを特徴とする請求項１に記載の異方性導電膜。
【請求項３】
前記導電性粒子は、ほぼ同一平面内に存在することを特徴とする請求項１または２に記載の異方性導電膜。
【請求項４】
前記多孔質膜は、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、残存水酸基量が２２ｍｏｌ％超〜３０ｍｏｌ％未満の範囲内にあるポリビニルアセタール系樹脂と、界面活性剤とを少なくとも含む高分子溶液をキャストした支持体を相対湿度５０％以上の雰囲気下に存在させることにより形成されたものであることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の異方性導電膜。
【請求項５】
ハニカム状に配列された多数の孔部を有し、前記孔部の内壁面が外側方向に湾曲されている、残存水酸基量が２２ｍｏｌ％超〜３０ｍｏｌ％未満の範囲内にあるポリビニルアセタール系樹脂よりなる多孔質膜を形成する工程と、
前記多孔質膜の孔部内に導電性粒子を充填する工程と、
前記導電性粒子を充填した膜の片面に接着層を形成する工程と、
を有することを特徴とする異方性導電膜の製造方法。
【請求項６】
前記多孔質膜の形成は、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、残存水酸基量が２２ｍｏｌ％超〜３０ｍｏｌ％未満の範囲内にあるポリビニルアセタール系樹脂と、界面活性剤とを少なくとも含む高分子溶液をキャストした支持体を相対湿度５０％以上の雰囲気下に存在させることによることを特徴とする請求項５に記載の異方性導電膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方性導電膜およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化、小型化などに伴い、狭ピッチに配列された導体を有する部材間を電気的および機械的に接続する必要性が増大している。このような必要性が生ずる場合としては、例えば、液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）の分野において、駆動ＩＣチップを搭載したＴＡＢ（Tape Automated Bonding）の電極と液晶パネルの電極とを接続する場合や、液晶パネルの電極上に裸の駆動ＩＣチップ（ベアーチップ）を直接接続する（Chip On Glass:ＣＯＧ）場合などが挙げられる。
【０００３】
上記接続においては、一般に、膜厚方向に導電性を示し、かつ、膜面方向に絶縁性を示す異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film：ＡＣＦ）が使用されることが多い。
【０００４】
上記異方性導電膜としては、例えば、本件出願人による特許文献１には、疎水性を示し、かつ、揮発する有機溶媒中に高分子を溶解し、この高分子溶液をキャストした支持基板を高湿度条件下に存在させることにより多孔質膜を形成し、この多孔質膜の孔部内に導電性粒子を充填した後、膜の両面を接着層により被覆した３層構造の異方性導電膜が開示されている。
【０００５】
上記多孔質膜の形成手法によれば、概略、有機溶媒が蒸発する際の潜熱によって液膜表面に結露による水滴が生じ、これが自己組織化的に最密にパッキングした後、水滴群が蒸発することにより、ハニカム状に配列した多数の孔部を有する多孔質膜が形成される。
【０００６】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ２００５／０９６４４２号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の３層構造の異方性導電膜は、以下の点で改良すべき点があることが判明した。
【０００８】
すなわち、例えば、ＩＣチップと回路パターンとの間に、３層構造の異方性導電膜を介在させ、これらを熱圧着すると、ＩＣチップの電極であるバンプと回路パターンとの間にある接着層が流動排除される。また、両者の間に導電性粒子が挟持される。そしてこの状態を保ったまま、ＩＣチップと回路パターンとが接着されることにより、ＩＣチップと回路パターンとが、電気的および機械的に接続される。
【０００９】
ところが、本発明者らのこれまでの研究成果によれば、圧着条件などにもよるが、圧着後、接続すべき導体間に捕捉される導電性粒子数が少なくなる場合があることが判明した。
【００１０】
これは、接着層の流動に伴い、多孔質膜が崩れ、当該膜から導電性粒子が流出してしまうためであると考えられる。この種の現象は、回路パターン側など、接着層が流動排除されるスペースが少ない側で生じやすい。
【００１１】
そのため、せっかく導電性粒子を規則的に配置した異方性導電膜を作製しても、圧着時に導電性粒子の規則性が乱れてしまい、これ以上、導通性能を向上させることが困難であった。
【００１２】
また、水滴を利用して多孔質膜を形成する場合、規則的に配列した孔部を安定して形成するためには、液膜表面に結露による水滴群を安定して生じさせる必要がある。そのため、これまで、疎水性の高分子材料を使用するのが通常であった。
【００１３】
したがって、ガラス基板や回路パターンなど、親水性材料よりなる被接続物との接着力を確保するため、疎水性の多孔質膜の両面に接着層を形成せねばならなかった。それ故、水滴を利用して形成した多孔質膜を使用しつつ、上記問題を回避するのは困難な状況にあった。
【００１４】
本発明は、上記問題点を鑑みてなされたもので、水滴を利用して形成した多孔質膜を使用しつつ、かつ、導通性能を向上させることが可能な異方性導電膜、また、その製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明に係る異方性導電膜は、ハニカム状に配列された多数の孔部を有し、上記孔部の内壁面が外側方向に湾曲されている多孔質膜と、上記多孔質膜の孔部内に保持された導電性粒子と、上記多孔質膜の片面に形成された接着層とを有し、上記多孔質膜は、残存水酸基量が２２ｍｏｌ％超〜３０ｍｏｌ％未満の範囲内にあるポリビニルアセタール系樹脂より形成されていることを要旨とする。
【００１６】
ここで、上記導電性粒子は、多孔質膜に融着されていると良い。
【００１７】
また、上記導電性粒子は、ほぼ同一平面内に存在すると良い。
【００１８】
また、上記多孔質膜は、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、残存水酸基量が２２ｍｏｌ％超〜３０ｍｏｌ％未満の範囲内にあるポリビニルアセタール系樹脂と、界面活性剤とを少なくとも含む高分子溶液をキャストした支持体を相対湿度５０％以上の雰囲気下に存在させることにより形成されたものであると良い。
【００１９】
一方、本発明に係る異方性導電膜の製造方法は、ハニカム状に配列された多数の孔部を有し、上記孔部の内壁面が外側方向に湾曲されている、残存水酸基量が２２ｍｏｌ％超〜３０ｍｏｌ％未満の範囲内にあるポリビニルアセタール系樹脂よりなる多孔質膜を形成する工程と、上記多孔質膜の孔部内に導電性粒子を充填する工程と、上記導電性粒子を充填した膜の片面に接着層を形成する工程とを有することを要旨とする。
【００２０】
この際、上記多孔質膜の形成は、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、残存水酸基量が２２ｍｏｌ％超〜３０ｍｏｌ％未満の範囲内にあるポリビニルアセタール系樹脂と、界面活性剤とを少なくとも含む高分子溶液をキャストした支持体を相対湿度５０％以上の雰囲気下に存在させることによると良い。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る異方性導電膜は、ハニカム状に配列された多数の孔部を有し、孔部の内壁面が外側方向に湾曲されている多孔質膜と、多孔質膜の孔部内に保持された導電性粒子と、高分子膜の片面に形成された接着層とを有しており、上記多孔質膜は、残存水酸基量が特定範囲内にあるポリビニルアセタール系樹脂より形成されている。
【００２２】
そのため、上記異方性導電膜は、水滴を利用して形成した多孔質膜を使用しつつ、かつ、導通性能を向上させることができる。
【００２３】
すなわち、上記多孔質膜を形成するポリビニルアセタール系樹脂は、残存水酸基量が上記上限値で規定される。この場合、ポリビニルアセタール系樹脂の親水性の度合いが高くなりすぎず、これを原料にして水滴を利用した多孔質膜の形成方法を行っても、安定して成膜を行うことができる。そのため、水滴を利用して形成されるハニカム構造を有する多孔質膜の採用が可能となる。
【００２４】
また、上記多孔質膜を形成するポリビニルアセタール系樹脂は、残存水酸基量が上記下限値で規定される。この場合、ポリビニルアセタール系樹脂の親水性の度合いが低くなりすぎず、多孔質膜自体が、被接続物との良好な接着性を発揮できる。そのため、多孔質膜の両面に接着層を形成する必要がなくなり、多孔質膜の片面に接着層を形成した２層構造の採用が可能となる。
【００２５】
上記導通性能が向上する理由としては、２層構造を採用可能になったことで、圧着時に、接着層の流動に伴う多孔質膜の崩れ、これに起因する導電性粒子の流出を抑制することができ、より多くの導電性粒子を、当初の規則的な配列をほぼ維持したまま被接続物の導体間に捕捉することが可能になること、多孔質膜自体が有する接着性と接着層とにより、多くの導電性粒子を挟持した状態のまま、被接続物間を機械的に接続することが可能なことなどが考えられる。
【００２６】
なお、上記異方性導電膜は、片面に接着層を有しているので、例えば、ＩＣチップのバンプなど、比較的高い突起状導体を有する被接続物との間でも、良好な電気的および機械的接続を図ることができる。
【００２７】
ここで、上記導電性粒子が多孔質膜に融着されている場合には、導電性粒子と多孔質膜との密着性が高まる。そのため、異方性導電膜の製造時に、導電性粒子が脱落し難くなり、ハンドリング性に優れる。
【００２８】
また、多孔質膜に保持されている多数の導電性粒子が、ほぼ同一平面内に存在している場合には、積み重なった導電性粒子同士の接触によらずに、膜厚方向の導通を確保することができる。そのため、導電性粒子同士の接触抵抗がなくなり、その分、導通性能の向上に寄与する。また、圧着時に積み重なった導電性粒子が導体間から弾き出され、絶縁性を悪化させる心配も無くなる。
【００２９】
一方、本発明に係る異方性導電膜の製造方法は、ハニカム状に配列された多数の孔部を有し、孔部の内壁面が外側方向に湾曲されている、残存水酸基量が２２ｍｏｌ％超〜３０ｍｏｌ％未満の範囲内にあるポリビニルアセタール系樹脂よりなる多孔質膜を形成する工程と、多孔質膜の孔部内に導電性粒子を充填する工程と、導電性粒子を充填した膜の片面に接着層を形成する工程とを有する。そのため、上記作用効果を奏する異方性導電膜を得ることができる。
【００３０】
上記多孔質膜の形成が、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、残存水酸基量が２２ｍｏｌ％超〜３０ｍｏｌ％未満の範囲内にあるポリビニルアセタール系樹脂と、界面活性剤とを少なくとも含む高分子溶液をキャストした支持体を相対湿度５０％以上の雰囲気下に存在させることによる場合には、水滴に由来して形成され、かつ、ハニカム状に配列した多数の孔部を有する、ハニカム構造の多孔質膜を得やすい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本実施形態に係る異方性導電膜（以下、「本ＡＣＦ」ということがある。）本実施形態に係る異方性導電膜の製造方法（以下、「本製造方法」という。）について詳細に説明する。
【００３２】
１．本ＡＣＦ
図１に、本ＡＣＦの模式的な断面図の一例を示す。本ＡＣＦ１０は、多孔質膜１２と、導電性粒子１４と、接着層１６とを有している。
【００３３】
本ＡＣＦ１０は、多孔質膜１２と接着層１６との２層構造であり、多孔質膜１２自体が有する接着性と接着層１６とにより、被接続物間を接着することができる。
【００３４】
（多孔質膜）
本ＡＣＦにおいて、多孔質膜は、ポリビニルアセタール系樹脂より形成されている。
【００３５】
上記ポリビニルアセタール系樹脂は、基本的には、ポリビニルアルコールを各種アルデヒドでアセタール化したものである。上記多孔質膜は、１種または２種以上のポリビニルアセタール系樹脂により形成されていても良い。
【００３６】
上記アセタール化に用いるアルデヒドとしては特に限定されず、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ブチルアルデヒド、プロピルアルデヒドなどのアセタール化できるアルデヒドであればどのようなアルデヒドを用いてもよい。
【００３７】
上記ポリビニルアセタール系樹脂としては、具体的には、例えば、ガラス、金属などとの接着性が良好である、入手がしやすいなどの観点から、ポリビニルブチラール系樹脂、ポリビニルホルマール系樹脂などが好ましい。特に好ましくは、ポリビニルブチラール系樹脂である。
【００３８】
ここで、多孔質膜を形成するポリビニルアセタール系樹脂は、その残存水酸基量が、２２ｍｏｌ％超〜３０ｍｏｌ％未満の範囲内にある。
【００３９】
上記ポリビニルアセタール系樹脂は、基本的には、親水性材料であるが、上記残存水酸基量によってその親水性の度合が異なる。本ＡＣＦにおいて、上記残存水酸基量は、後述する水滴を利用してハニカム構造の多孔質膜を成膜する際の成膜性、本ＡＣＦ使用時における被接続物との接着性の両方を確保するのに関与する物性である。
【００４０】
本ＡＣＦは、多孔質膜を形成するポリビニルアセタール系樹脂の残存水酸基量を上記範囲内とすることで、多孔質膜の成膜性と被接着物との接着性とのバランスに優れている。
【００４１】
上記残存水酸基量の下限は、接着性がより向上するなどの観点から、好ましくは、２３ｍｏｌ％以上、より好ましくは、２４ｍｏｌ％以上、さらにより好ましくは、２４．５ｍｏｌ％以上であると良い。
【００４２】
一方、上記残存水酸基量の上限は、水滴を利用した多孔質膜の成膜性がより向上するなどの観点から、好ましくは、２９．５ｍｏｌ％以下、より好ましくは、２９ｍｏｌ％以下、さらにより好ましくは、２８．５ｍｏｌ％以下であると良い。
【００４３】
上記残存水酸基量が２２ｍｏｌ％以下になると、親水性の度合が低くなって接着性が低下し、圧着後に剥離する傾向が見られる。また、上記残存水酸基量が３０ｍｏｌ％以上になると、親水性の度合が高くなり、水滴を利用して、規則性の良好なハニカム構造の多孔質膜を成膜し難くなる傾向が見られる。
【００４４】
なお、上記残存水酸基量は、ＩＲ測定により、ビニルアルコールに由来する水酸基量（ｍｏｌ％）と、残存アセチル基に由来するアセチル基量（ｍｏｌ％）とについて予め吸光度を用いた検量線を求めておき、実際のサンプルを測定して、上記検量線から算出することができる（ＪＩＳＫ６７２８に準拠）。
【００４５】
本ＡＣＦにおいて、上記多孔質膜は、ハニカム状に配列された多数の孔部を有し、孔部の内壁面が外側方向に湾曲されたハニカム構造を有している。
【００４６】
ここで、上記孔部は、膜厚方向に貫通する貫通孔であっても良いし、膜厚方向に貫通しない非貫通孔であっても良い。また、上記孔部は、貫通孔と非貫通孔との両方を有していても良い。好ましくは、非貫通孔であると良い。
【００４７】
本ＡＣＦの製造時に、導電性粒子が脱落し難くなりハンドリング性に優れる、本ＡＣＦ圧着時に、接着層形成面側と反対面側から導電性粒子が流出し難くなり、導通性能を高めやすくなるなどの利点があるからである。
【００４８】
上記孔部の内壁面の湾曲形状としては、具体的には、例えば、略球面状（厚み方向に潰れた略球面状なども含む）などを好適な形状として例示することができる。
【００４９】
なお、上記ハニカム構造は、通常、機械的な加工などを用いて作製することが困難な構造である。そのため、上記ハニカム構造を有することは、後述する水滴を利用した成膜法を使用していることの有力な根拠の一つとなる。
【００５０】
上記孔部の開口径は、異方導電の信頼性を高めるなどの観点から、例えば、被接続物が有する複数の導体の間隔のうち、最も狭いものよりも小さく、かつ、上記孔部の間隔は、被接続物が有する複数の導体（例えば、ＩＣチップのバンプ、プリント配線板の回路パターンなど）の幅のうち、最も狭いものよりも小さいことが望ましい。
【００５１】
この場合、好ましくは、上記孔部の開口径は、被接続物が有する複数の導体の間隔のうち、最も狭いものの１／２以下、かつ、上記孔部の間隔は、被接続物が有する複数の導体の幅のうち、最も狭いものの１／２以下であると良い。
【００５２】
なお、上記孔部の開口径とは、多孔質膜表面をレーザー顕微鏡で観察し、任意に選択した孔部１０個について測定した各開口部分の直径の平均値をいう。また、上記孔部の間隔とは、多孔質膜表面をレーザー顕微鏡で観察し、任意に選択した隣接する孔部の開口縁部間１０箇所について測定した各開口縁部間の距離の平均値をいう。
【００５３】
このような多孔質膜は、水と混ざらず、揮発する有機溶媒中に、上記ポリビニルアセタール系樹脂を溶かし、この高分子溶液をキャストした支持体を、高湿度雰囲気下に存在させる方法を用いて好適に形成することができる。詳しくは、本製造方法の項にて後述する。
【００５４】
上記多孔質膜の膜厚は、充填する導電性粒子の粒径、膜強度、製造時のハンドリング性などを考慮して決定することができる。
【００５５】
上記多孔質膜の膜厚の上限は、好ましくは、上記導電性粒子の粒径の３／２倍以下、より好ましくは、上記導電性粒子の粒径の１倍以下、さらにより好ましくは、上記導電性粒子の粒径の２／３倍以下であると良い。
【００５６】
一方、上記多孔質膜の膜厚の下限は、好ましくは、上記導電性粒子の粒径の１／１０倍以上、より好ましくは、上記導電性粒子の粒径の１／５倍以上、さらにより好ましくは、上記導電性粒子の粒径の１／３倍以上であると良い。
【００５７】
上記多孔質膜の膜厚が上記範囲内にある場合には、導電性粒子の充填時に、膜厚方向に導電性粒子が積み重なって充填され難くなる。また、被接続物が有する導体（ＩＣチップのバンプなど）が導電性粒子を押し潰す際に、多孔質膜がそれを阻害し難い。そのため、導電性粒子が捕捉されやすくなり、膜厚方向の導通性能も向上させやすくなるからである。
【００５８】
（導電性粒子）
本ＡＣＦにおいて、導電性粒子は、上記多孔質膜が有する多数の孔部内に保持されている。
【００５９】
上記導電性粒子の形態としては、具体的には、例えば、略球状（断面が略楕円形状のものも含む）、略柱状、紡錘状、針状などを例示することができる。好ましくは、本ＡＣＦの製造時に孔部内に導電性粒子を充填しやすい、膜面方向の絶縁信頼性に優れる、均等に圧縮されやすいなどの観点から、導電性粒子の形態は、略球状であると良い。
【００６０】
上記導電性粒子は、本ＡＣＦの使用時に、膜厚方向を電気的に接続可能な導電性を備えておれば良い。
【００６１】
上記導電性粒子としては、具体的には、例えば、その表面から中心部まで導電性物質で満たされている粒子、高分子粒子の表面に１層または２層以上の導電性層が被覆されている粒子などを例示することができる。
【００６２】
好ましくは、後者の粒子を用いると良い。加圧により粒子が弾性変形しやすいため、本ＡＣＦの使用時に、被接続物が有する導体との接触面積が大きくなり、膜厚方向の導通性を確保しやすくなるからである。
【００６３】
より具体的には、例えば、前者の粒子の例として、金属粒子、カーボン粒子などを、後者の粒子の例として、樹脂粒子の表面に１層または２層以上の金属めっき層（電解めっき、無電解めっきなど）やスパッタ層などを有する粒子などを例示することができる。
【００６４】
上記導電性物質、導電性層に適用可能な金属としては、具体的には、例えば、金、銀、白金属（白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミニウム、イリジウム）、ニッケル、銅、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、カドミウムなどの金属、錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−鉛−銀合金などの２種以上の金属で構成される合金などを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。
【００６５】
上記高分子粒子に適用可能な高分子としては、具体的には、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリアルキレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、（メタ）アクリル酸エステル重合体、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体やジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のジビニルベンゼン系重合体などを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。なお、上記（メタ）アクリル酸エステルは、必要に応じて架橋されていても良い。
【００６６】
好ましくは、（メタ）アクリル酸エステル重合体、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体やジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のジビニルベンゼン系重合体などである。
【００６７】
さらに、本ＡＣＦでは、上記導電性粒子の表面に、ＴｉＯ２などの絶縁性の酸化物や上記高分子などによる絶縁層が１層または２層以上被覆された粒子を用いても良い。もっとも、上記絶縁層は、本ＡＣＦの圧着時に、少なくとも電極などの導体に接した部分が破壊されて導通可能になる厚さとされている必要がある。このような粒子を用いた場合には、電極などの導体に接しない部分は絶縁層が破壊し難いため、膜面方向の絶縁性を向上させやすい。
【００６８】
上記導電性粒子の粒径は、上記多孔質膜の孔部の開口径、孔部の深さ、被接続物が有する導体の幅やピッチなどを考慮して決定することができる。
【００６９】
上記導電性粒子の粒径の上限は、具体的には、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、７μｍ以下、さらにより好ましくは、５μｍ以下などである。
【００７０】
一方、上記導電性粒子の粒径の下限は、具体的には、好ましくは、１μｍ以上、より好ましくは、２μｍ以上、さらにより好ましくは、３μｍ以上などである。
【００７１】
なお、上記導電性粒子の粒径は、粒度分布測定装置（セイシン企業製、「ＰＩＴＡ−１」）にて測定した平均粒径である。また、本ＡＣＦは、上記した導電性粒子を１種または２種以上含んでいても良い。
【００７２】
本ＡＣＦにおいて、上記導電性粒子は、当該導電性粒子と多孔質膜との間に隙間を有した状態で、多孔質膜に保持されていても良いし、当該導電性粒子と多孔質膜とが密着した状態で、多孔質膜に保持されていても良い。
【００７３】
本ＡＣＦの製造時などに、導電性粒子が脱落し難く、ハンドリング性に優れるなどの観点から、当該導電性粒子と多孔質膜とは密着していると良い。より好ましくは、上記効果に優れるなどの観点から、当該導電性粒子と多孔質膜とは融着していると良い。
【００７４】
上記導電性粒子は、上記多孔質膜の両面に導電性粒子の一部が露出された状態で保持されていても良いし、上記多孔質膜の何れか一方面に導電性粒子の一部が露出された状態で保持されていても良い。
【００７５】
導電性粒子が露出されている場合には、露出面側に配置される被接続物の導体と接触しやすくなる。そのため、導通性を確保しやすくなる。
【００７６】
好ましくは、上記効果に優れるなどの観点から、上記導電性粒子は、多孔質膜膜の少なくとも一方面から、その一部を突出させた状態で保持されていると良い。
【００７７】
また、上記導電性粒子が、接着層形成面と反対側の膜面に、その一部を露出させずに、多孔質膜に保持されている場合には、本ＡＣＦの製造時に、導電性粒子が脱落し難くなるため、ハンドリング性に優れる。
【００７８】
なお、上記導電性粒子は、多孔質膜の両面に露出されない状態で、保持されていても構わない。
【００７９】
本ＡＣＦでは、多数の導電性粒子は、ほぼ同一平面（多孔質膜の膜面とほぼ平行な面）内に存在すると良い。この場合には、膜厚方向に複数の導電性粒子が積み重ならない。そのため、膜厚方向の導通に、導電性粒子同士の接触抵抗が関与せず、導通性能を向上させやすくなる。また、圧着時に積み重なった導電性粒子が導体間から弾き出され、絶縁性を悪化させる心配も無くなる。
【００８０】
なお、上記導電性粒子同士の間隔は、用いた多孔質膜の孔部の間隔によって、主に決定される。
【００８１】
（接着層）
本ＡＣＦは、上記多孔質膜の片面に接着層を有している。強固な機械的接続を得るなどの観点から、接着層は１層あった方が良いからである。
【００８２】
上記接着層材料は、被接続物との接着性、絶縁性を有するものであれば、何れのものでも使用することができる。
【００８３】
上記接着層材料としては、各種の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂やゴムなどを用いることができる。具体的には、例えば、エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ビスマレイミドトリアジン系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、フェノキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、シアネート系樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリフェニレンオキシド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアセタール系樹脂、ポリビニルアセタール系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリビニル系樹脂などの熱可塑性樹脂、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ビニル基、アミノ基、エポキシ基などの官能基を１種または２種以上含むゴムやエラストマーなどを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。
【００８４】
上記熱硬化性樹脂としては、被接続物との密着性に優れるなどの観点から、具体的には、例えば、エポキシ系樹脂などを好適に用いることができる。
【００８５】
また、上記接着層材料は、上記熱硬化性樹脂を半硬化させたプリプレグとされていても良い。この場合には、例えば、被接続物が有する複数の導体間の隙間に接着層が流動排除されやすくなる。また、被接続物との密着性も高まる。
【００８６】
上記接着層材料は、８５℃における弾性率（熱硬化するものは熱硬化前）が、好ましくは、１ＭＰａ以上、より好ましくは、７ＭＰａ以上であると良い。また、２１０℃における弾性率（熱硬化するものは熱硬化後）が、好ましくは、１．５ＭＰａ以上、より好ましくは、２．５ＭＰａ以上であると良い。
【００８７】
弾性率が上記範囲内であれば、導電性粒子の保持力が良好であり、多孔質膜の動きも少なく、導電性粒子が一層流出し難いからである。
【００８８】
なお、上記８５℃の弾性率は、その高分子よる試料（直径２０ｍｍ、厚み４００μｍ）を作製し、応力制御型レオメータ（例えば、ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン（株）製、「ＡＲ５００」などが上市されている。）を使用して、昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚ、圧縮歪み０．１％の測定条件にて、２０℃から１８０℃までの弾性率を測定して求まる値である。
【００８９】
一方、上記２１０℃の弾性率は、その高分子による試料（幅５ｍｍ、長さ３０ｍｍ、厚み２ｍｍ）を２１０℃、５ＭＰａで６分間熱圧着したサンプルを作製し、動的粘弾性測定装置（例えば、株式会社ユービーエム製、「Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００Ｆ」などが上市されている。）を使用して、昇温速度３℃／分、周波数１５Ｈｚ、歪み０．０５％（自動調整）、自動静荷重、チャック間隔２０ｍｍの測定条件にて、３０℃〜２３０℃までの弾性率を測定して求まる値である。
【００９０】
上記接着層の厚みは、接着層と接着する被接続物が有する導体（ＩＣチップのバンプなど）の高さ、被接続物同士（ＩＣチップと回路パターンなど）の間に生じる隙間量などを考慮して決定することができる。
【００９１】
上記接着層の厚みの上限は、好ましくは、接着層と接着する被接続物が有する導体の高さの３倍以下、より好ましくは、２倍以下、さらにより好ましくは、１．７５倍以下であると良い。
【００９２】
上記接着層の厚みの下限は、好ましくは、接着層と接着する被接続物が有する導体の高さの１倍以上、より好ましくは、１．２倍以上、さらにより好ましくは、１．３倍以上であると良い。
【００９３】
この際、上記接着層の厚みは、被接続物同士の間に生じる隙間を埋めやすくなるなどの観点から、上記多孔質膜の膜厚よりも厚くなるように選択すると良い。  
【００９４】
２．本製造方法
本製造方法は、多孔質膜形成工程と、粒子充填工程と、接着層形成工程とを有している。
【００９５】
（多孔質膜形成工程）
本製造方法において、多孔質膜形成工程は、ハニカム状に配列された多数の孔部を有し、上記孔部の内壁面が外側方向に湾曲されている、残存水酸基量が２２ｍｏｌ％超〜３０ｍｏｌ％未満の範囲内にあるポリビニルアセタール系樹脂よりなる多孔質膜を形成する工程である。
【００９６】
ここで、上記多孔質膜は、水と混ざらず、揮発する有機溶媒中に、上記ポリビニルアセタール系樹脂を溶かし、この高分子溶液をキャストした支持体を、高湿度雰囲気下に存在させる方法を用いて好適に形成することができる。
【００９７】
この方法によれば、概ね以下の原理によって上記多孔質膜が自発的に形成される。
【００９８】
すなわち、支持体の表面に、所定塗布厚で膜状に形成された高分子溶液は、溶液中の有機溶媒が蒸発する際に潜熱を奪われる。そのため、温度が下がった高分子溶液の表面には、雰囲気中の水蒸気が凝結して形成された微小な水滴群が付着する。付着した水滴群は、潜熱によって高分子溶液内に生じた対流やキャピラリーフォースなどにより輸送、集積され、最終的には最密充填される。その後、最密充填された水滴群が蒸発すると、自己組織化的に配列した水滴群を鋳型として、ハニカム構造を有する多孔質膜が形成される。
【００９９】
このようにして形成された多孔質膜は、貫通孔、非貫通孔の何れの孔部を有している場合であっても、基本的には、次のような立体構造を有している。
【０１００】
すなわち、孔部は、ハニカム状に配列されており、隣接する各孔部同士は、隔壁により離間されている。また、これら孔部は、水滴を鋳型として形成されることから、その内壁面が、外側方向に向かって略球面状に湾曲されている（水滴表面に由来するため、孔部の開口径より孔部の内径の方が大きくなっている）。また、それ故、隔壁は、隣接する各孔部の内壁面同士が最も近接する付近に、膜面付近よりも肉厚の薄いくびれ部を有している。
【０１０１】
上記多孔質膜の形成方法としては、より具体的には、例えば、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、上記ポリビニルアセタール系樹脂と、界面活性剤とを少なくとも含む高分子溶液をキャストした支持体を相対湿度５０％以上の雰囲気下に存在させる方法などを好適に用いることができる。
【０１０２】
この場合、上記疎水性および揮発性を有する有機溶媒としては、具体的には、例えば、クロロホルム、塩化メチレンなどのハロゲン化物、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトンなどのケトン類などを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【０１０３】
上記ポリビニルアセタール系樹脂の内容は、「１．本ＡＣＦ」で述べた通りであるので割愛するが、１種または２種以上併用することができる。
【０１０４】
上記界面活性剤は、主として、高分子溶液の表面上に付着する水滴群を安定化させるなどの目的で添加されるものである。基本的には、疎水的な部位と親水的な部位とを合わせ持った化合物である。
【０１０５】
上記界面活性剤としては、具体的には、例えば、親水性のアクリルアミドポリマーを主鎖骨格とし、疎水性側鎖としてドデシル基など、親水性側鎖としてラクトース基もしくはカルボキシル基などを併せもつポリマー、または、ヘパリンやデキストラン硫酸などのアニオン性多糖と４級の長鎖アルキルアンモニウム塩とのポリイオン性錯体などを例示することができる。これらは１種または２種以上併用することができる。
【０１０６】
上記高分子溶液中に含まれるポリビニルアセタール系樹脂の濃度の上限は、結露する水滴の保持性などの観点から、好ましくは、１重量％以下、より好ましくは、０．５重量％以下、さらにより好ましくは、０．４重量％以下である。
【０１０７】
一方、上記高分子溶液中に含まれるポリビニルアセタール系樹脂の濃度の下限は、水滴結露時間などの観点から、好ましくは、０．０１重量％以上、より好ましくは、０．１重量％以上、さらにより好ましくは、０．２重量％以上である。
【０１０８】
また、上記界面活性剤の含有量の上限は、結露する水滴の保持性などの観点から、ポリビニルアセタール系樹脂量に対して、好ましくは、１倍量以下、より好ましくは、１／２倍量以下、さらにより好ましくは、１／４倍量以下である。
【０１０９】
一方、上記界面活性剤の含有量の下限は、結露する水滴の保持性などの観点から、ポリビニルアセタール系樹脂量に対して、好ましくは、１／３０倍量以上、より好ましくは、１／２０倍量以上、さらにより好ましくは、１／１５倍量以上である。
【０１１０】
上記高分子溶液をキャストする支持体の材料は、上記高分子溶液による液膜の形成に影響を及ぼさない一方、当該溶液に含まれる有機溶媒や各種の添加剤などにより、変質したり、腐食したりしない材料であれば、特に限定されるものではない。支持体の材料としては、具体的には、例えば、ガラス、金属、シリコンウェハーなどの無機材料、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエーテルケトン、フッ素樹脂などの高分子材料、水、流動パラフィンなどの液体などを例示することができる。
【０１１１】
上記支持体の形状は、特に限定されるものではなく、上記高分子溶液による液膜をその表面で安定して保持できるような形状であれば良い。通常は、例えば、板状、フィルム状などの平面状のものを好適に用いることができる。
【０１１２】
上記高分子溶液を支持体上にキャストする際の塗布厚は、例えば、上記ポリビニルアセタール系樹脂の濃度、溶液の粘度などを考慮して、水滴群が貫通孔、非貫通孔を形成できるように適宜調節することができる。
【０１１３】
上記高分子溶液をキャストした支持体は、相対湿度５０％以上、好ましくは、５０％〜９５％の気体雰囲気下に存在させることが望ましい。相対湿度が上記範囲内にあれば、十分な結露を生じさせやすいためである。
【０１１４】
この際、相対湿度５０％以上の雰囲気下中で上記高分子溶液を支持体上にキャストしても良いし、予め高分子溶液をキャストした支持体を相対湿度５０％以上の雰囲気下に置いても良い。また、相対湿度５０％以上の気体を高分子溶液に、上方または斜め方向から吹きかけるなどしても良い。
【０１１５】
雰囲気中の気体、吹きかける気体としては、具体的には、例えば、アルゴンガス、窒素ガスなどの不活性ガス、空気などを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。好ましくは、コスト的に有利な空気（大気）を用いると良い。
【０１１６】
この方法では、膜の形成条件を適宜調整することにより、貫通孔、非貫通孔の何れについても形成可能である。貫通・非貫通を決する膜の形成条件としては、具体的には、例えば、高分子溶液の塗布厚（キャスト量）、高分子溶液に含まれる当該樹脂の濃度、相対湿度などを例示することができる。
【０１１７】
より具体的には、例えば、高分子溶液の塗布厚（キャスト量）を厚くする（多くする）、高分子溶液に含まれる当該樹脂の濃度を高くする、相対湿度を低くするなどの調整を行えば、非貫通孔が形成されやすくなる。その逆の調整を行えば、貫通孔が形成されやすくなる。
【０１１８】
これらのうち、簡単かつ効果的に、貫通・非貫通を決することができる条件は、高分子溶液の塗布厚（キャスト量）、高分子溶液に含まれる当該樹脂の濃度である。
【０１１９】
なお、形成した多孔質膜が貫通孔、非貫通孔の何れを有しているかを確認するには、膜の表面を観察し、孔部内に支持体が露出しているか否かを確認したり、支持体から膜を剥離し、膜の裏面を観察したりするなどすれば良い。
【０１２０】
上記多孔質膜の形成方法では、膜形成時に、有機溶媒の蒸発や、水滴群の蒸発を促進させるなどのため、必要に応じて、多孔質膜の形成に影響を及ぼさない範囲内で、加熱、乾燥などを行っても良い。
【０１２１】
（粒子充填工程）
本製造方法において、粒子充填工程は、上記多孔質膜の孔部内に上述した導電性粒子を充填する工程である。
【０１２２】
この工程では、孔部深さ方向に導電性粒子が積み重ならないように、導電性粒子を充填するのが好ましい。換言すれば、ほぼ同一平面内に存在するように、導電性粒子を孔部内に充填するのが好ましい。より好ましくは、導電性粒子を一つ一つ互いに離間させた状態にする観点から、孔部一つにつき、導電性粒子が一つずつ充填すると良い。
【０１２３】
上記導電性粒子の充填方法としては、具体的には、例えば、（１）導電性粒子自体またはその分散液を上記多孔質膜の表面上に広げた後、刷毛、ブラシ、ブレードなどで擦り切り、孔部内に導電性粒子を入れる方法、（２）導電性粒子自体またはその分散液を上記多孔質膜の表面上に広げた後、外部から磁力や振動を加え、孔部内に導電性粒子を入れる方法、（３）上記分散液中に上記多孔質膜を浸漬する方法、（４）上記多孔質膜の表面と一定距離離間させて板状部材を配置し、形成された隙間に、上記分散液を導入し、多孔質膜および／または板状部材をスライド移動させる方法、これらの組み合わせなどを例示することができる。
【０１２４】
導電性粒子を孔部内に物理的に押し込むので、導電性粒子をより確実に充填しやすい、充填させるのに要する時間が比較的短いなどの観点から、好ましくは、（１）の方法を用いるのが良い。より好ましくは、乾式で行うことができるなどの観点から、（１）の方法において粉末状の導電性粒子自体を用いるのが良い。さらに好ましくは、導電性粒子が孔部内に導入されやすくなるなどの観点から、（１）の方法において、導電性粒子を広げた面側と反対側から磁力により導電性粒子を多孔質膜に引きつけつつ、擦り切り手段により擦り切ると良い。なお、この場合には、導電性粒子としては、導電性とともに磁性を有しているものを用いれば良い。
【０１２５】
（接着層形成工程）
本製造方法において、接着層形成工程は、導電性粒子を充填した膜の片面に接着層を形成する工程である。
【０１２６】
この際、導電性粒子を保持した膜の両面が接着性を有する場合には、何れの面に接着層を形成しても良い。また、導電性粒子を保持した膜の片面が接着性を有する場合、その面とは反対側の面に接着層を形成することになる。
【０１２７】
上記接着層の形成方法としては、具体的には、例えば、上記接着層材料を適当な固形分量、粘度となるように調製した塗液を、コーターなどの公知の塗工手段を用いて塗工し、必要に応じて乾燥させる方法、予め作製しておいた膜状の接着層を積層して接合する方法などを例示することができる。
【０１２８】
本製造方法は、上記工程以外にも、以下に説明する付加的な工程を１つまたは２つ以上有していても良い。
【０１２９】
（加熱処理工程）
本製造方法は、上記多孔質膜形成工程と上記粒子充填工程との間、上記粒子充填工程と上記接着層形成工程との間、上記接着層形成工程の後の少なくとも何れかに、多孔質膜を形成するポリビニルアセタール系樹脂のガラス転移温度〜ガラス転移温度＋１００℃程度の温度で、多孔質膜を加熱処理する工程を有していても良い。
【０１３０】
上記水滴を利用した多孔質膜の形成方法によれば、隣接する各孔部同士の間に位置する隔壁は、隣接する水滴同士の隙間に入り込んだ高分子溶液により形成される。
【０１３１】
そのため、水滴と水滴とが最も近接するくびれ部付近は、特に、隔壁が薄くなる傾向がある。ときには、隣接する孔部同士を連通する連通孔がくびれ部に存在することもありうる。
【０１３２】
ところが、上記加熱処理工程を行った場合には、多孔質膜の隔壁のうち、肉厚の薄いくびれ部がいち早く軟化・溶融し、くびれ部に存在することがある連通孔が潰される。そのため、隣接する各孔部間の独立性を増大させることができる。また、隔壁の強度も向上させることができる。その後、この孔部同士の独立性が向上した多孔質膜の孔部内に導電性粒子を充填すれば、得られる異方性導電膜の膜面方向の絶縁信頼性を向上させることができる。
【０１３３】
この際、多孔質膜を加熱する時間は、上記温度範囲などとの兼ね合いで、適宜調整することが可能である。加熱時間が過度に長すぎると、多孔質膜が変形してしまう場合がある。一方、加熱時間が過度に短すぎると、孔部の独立性を向上させる効果が不十分になるなどの傾向が見られる。したがって、多孔質膜の加熱する際には、これらに留意すると良い。
【０１３４】
多孔質膜を加熱する方法は、接触式、非接触式の何れの加熱方法であっても良く、特に限定されるものではない。
【０１３５】
上記加熱方法としては、具体的には、例えば、上記温度に調温された加熱源と多孔質膜とを、直接または熱伝導可能な部材などを介した状態で、一定時間当接させる方法、当該加熱源と多孔質膜とを近接させる方法などを例示することができる。
【０１３６】
より具体的には、例えば、所定温度に調温されたホットプレートなどの加熱源上に、ガラス基板などを介して、多孔質膜を一定時間載置する方法などを例示することができる。
【０１３７】
ここで、上記加熱処理工程は、さらに、膜厚方向への多孔質膜の加圧を伴った加熱・加圧処理工程であっても良い。
【０１３８】
上記水滴を利用した多孔質膜の形成方法では、高分子溶液の表面上に結露した水滴は、浮島状に密集する。そして、この浮島状に密集した水滴群が輸送、集積されると、水滴群同士がぶつかり合った境界近辺に、膜厚方向の段差ないし凹凸が生じやすい。
【０１３９】
ところが、膜形成後、多孔質膜を加熱・加圧した場合には、多孔質膜表面に生じた段差ないし凹凸が均一化される。その後、上記粒子充填工程において、孔部に導電性粒子を充填しやすくなる。また、くびれ部に存在することがある膜面方向の連通孔も、加圧により潰されやすくなる。そのため、上記した隣接する各孔部間の独立化も図りやすくなる。
【０１４０】
多孔質膜を加圧する方法としては、具体的には、例えば、平坦面を有する板状部材により多孔質膜を挟持し、この状態を保持したまま、公知の加圧装置により直接あるいは介在部材を介して間接的に加圧する方法などを例示することができる。
【０１４１】
また、多孔質膜を加圧する圧力は、その膜を形成する樹脂の硬さ、くびれ部の肉厚、膜の加熱時間などを考慮して種々調節すれば良い。すなわち、膜形成過程において生じた段差を平坦にすることができる圧力であれば良い。多孔質膜を過度に加圧すると、膜の立体構造がくずれてしまう場合がある。一方、多孔質膜に対する加圧力が過度に少ないと、段差を平坦にし難い。したがって、多孔質膜を加圧する場合には、これらに留意すると良い。
【０１４２】
また、多孔質膜を加圧する場合、この加圧は、多孔質膜の加熱とほぼ同時に行っても良いし、加圧した多孔質膜を加熱しても、加熱した多孔質膜を加圧しても良い。すなわち、多孔質膜に対して少なくとも所望の熱および圧力が掛かった状態が得られれば、何れのタイミングで加圧しても良い。
【０１４３】
３．本ＡＣＦの使用方法
本ＡＣＦは、例えば、次のようにして使用することができる。
【０１４４】
図２に示すように、例えば、ＩＣチップ２２と基板２４上に形成された回路パターン２６との間に本ＡＣＦ１０を置き、図３に示すように、接着層１６が流動する温度で熱圧着する。そうすると、ＩＣチップ２２のバンプ２８と回路パターン２６との間にある接着層１６が流動排除される。また、バンプ２８と回路パターン２６との間に導電性粒子１４が挟持される。そして、多孔質膜１２が有する接着性と接着層１６とにより、導電性粒子１４を挟持した状態のまま、ＩＣチップ２２と回路パターン２６とが接着される。これにより、ＩＣチップ２２と回路パターン２６とは、電気的および機械的に接続される。
【０１４５】
ここで、本ＡＣＦは、接着層形成面側を加圧側とし、接着層形成面と反対側の膜表面を非加圧側として使用すると良い。
【０１４６】
例えば、ＩＣチップと回路パターンとを接続する場合、上記のとおり、通常、ＩＣチップ側が加圧側となり、回路パターン側が非加圧側となることが多い。
【０１４７】
回路パターン側は、バンプを有するＩＣチップ側と比較して、接着層が流れるスペースが少ない。そのため、こちら側に接着層がないことで、多孔質膜の崩れ、導電性粒子の流出をより抑制しやすくなり、当初の導電性粒子の配列を維持したまま接続しやすくなるからである。
【０１４８】
また、接着層側に、バンプを有するＩＣチップなど、比較的高さの高い導体を有する被接続物を接触させれば、導体間の隙間を接着層により満たしやすくなる。そのため、機械的な接続性を向上させやすくなるからである。
【実施例】
【０１４９】
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
【０１５０】
１．多孔質膜材料の選定
初めに、多孔質膜材料を選定するため、以下の簡易評価を行った。
【０１５１】
（成膜性評価）
残存水酸基量の異なる数種のポリビニルブチラール系樹脂と、ポリブタジエンゴムとを準備し、これらを用いて、水滴を利用して多孔質膜を形成し、その成膜性を評価した。
【０１５２】
ここで、使用したポリビニルブチラール系樹脂、ポリブタジエンゴムは、次の通りである。
・残存水酸基量が２０ｍｏｌ％のポリビニルブチラール系樹脂（積水化学工業（株）製、「エスレック  ＢＬ５」）
・残存水酸基量が２２ｍｏｌ％のポリビニルブチラール系樹脂（積水化学工業（株）製、「エスレック  ＢＬ−Ｓ」）
・残存水酸基量が２５ｍｏｌ％のポリビニルブチラール系樹脂（積水化学工業（株）製、「エスレック  ＫＳ−３Ｚ」）
・残存水酸基量が２８ｍｏｌ％のポリビニルブチラール系樹脂（積水化学工業（株）製、「エスレック  ＢＬ−１０」）
・残存水酸基量が３０ｍｏｌ％のポリビニルブチラール系樹脂（積水化学工業（株）製、「エスレック  ＢＨ−６」）
・残存水酸基量が３３ｍｏｌ％のポリビニルブチラール系樹脂（積水化学工業（株）製、「エスレック  ＢＸ−３」）
・残存水酸基量が３６ｍｏｌ％のポリビニルブチラール系樹脂（積水化学工業（株）製、「エスレック  ＢＬ−２」）
・ポリブタジエンゴム（ＪＳＲ（株）製、「ＲＢ８２０」）
【０１５３】
なお、各ポリビニルブチラール系樹脂の残存水酸基量は、上記測定方法に基づき算出された値である。
【０１５４】
また、多孔質膜は以下の手順で作製した。すなわち、上記所定のポリビニルブチラール系樹脂を０．２６ｗｔ％の濃度となるようにクロロホルムに溶解した液に、界面活性剤として、ドデシルアクリルアミドとカプロン酸との共重合体を、ポリビニルブチラール系樹脂に対して０．０２６ｗｔ％添加し、高分子溶液を調製した。
【０１５５】
次いで、温度２２℃、相対湿度５７％の雰囲気中にて、φ９０ｍｍ（外径）のシャーレ上に上記高分子溶液を７ｍｌキャストした。その後、エアポンプを用いて、上記と同温同湿度の空気（流量２Ｌ／ｍｉｎ）を、液面へ２０°の角度から連続的に吹き付けた。
【０１５６】
３０分経過後、形成された膜を、マイクロスコープ（倍率４５０倍）にて観察した。そして、シャーレの底の全面積に対する、孔部の規則性および孔径が良好な部位の面積率（％）（以下、「成膜良好部の面積率」ということがある。）を求めた。
【０１５７】
（接着性評価）
次に、上記成膜性評価にて得られた各多孔質膜と、後述する手順とほぼ同様にして準備した接着層とを、孔部に導電性粒子を充填しない状態で貼り合わせることにより、各模擬膜を作製した。
【０１５８】
次いで、各模擬膜を、ＩＴＯによる回路パターンを形成したガラス基板と、金バンプを有するＩＣチップとの間に介在させ、これらを、温度２１０℃、加圧力８０ＭＰａ、圧着時間６０秒の条件で圧着した各サンプルを作製した。なお、この際、各模擬膜の接着層形成面側にＩＣチップを配置した。
【０１５９】
次いで、各サンプルの初期状態と、８０℃で２４時間加熱した後における剥離の発生状態を、マイクロスコープ（倍率４５０倍）にて確認した。
【０１６０】
そして、任意の５点を撮影し、撮影した面内の白もや部分が、初期と処理後と比較して増加した面積を実測し、撮影面積に対する、白もやの面積の比率を算出した。これに基づき、ＩＣチップの全面積に対する、剥離時に見られる白いもやの無い部分の面積率（％）（以下、「非剥離部の面積率」ということがある。）を求めた。
【０１６１】
図４に、使用したポリビニルブチラール系樹脂の残存水酸基量（ｍｏｌ％）と、上記非剥離部の面積率（％）（接着性）および成膜良好部の面積率（成膜性）との関係を示す。
【０１６２】
図４によれば、接着性と成膜性とはトレードオフの関係があるが、残存水酸基量が２２ｍｏｌ％超〜３０ｍｏｌ％未満の範囲内にある場合には、接着性と成膜性との両者のバランスに優れていることが確認できた。
【０１６３】
また、この結果から、残存水酸基量は、上記接着性と成膜性と密接な関係があるといえ、ポリビニルブチラール系樹脂と同系統の樹脂であるポリビニルホルマール系樹脂などのポリビニルアセタール系樹脂についても、同様の性質を有するものと推察される。
【０１６４】
２．実施例および比較例に係る異方性導電膜の作製
上記「１．多孔質膜材料の選定」における簡易評価により得られた知見に基づき、実際に異方性導電膜を作製した。
【０１６５】
（実施例１）
初めに、残存水酸基量が２５ｍｏｌ％であるポリビニルブチラール系樹脂（積水化学工業（株）製、「エスレックＫＳ−３Ｚ」）を０．２６ｗｔ％の濃度となるようにクロロホルムに溶解した液に、界面活性剤として、ドデシルアクリルアミドとカプロン酸との共重合体を、ポリビニルブチラール系樹脂に対して０．０２６ｗｔ％添加し、高分子溶液を調製した。
【０１６６】
次いで、温度２２℃、相対湿度５７％の雰囲気中にて、ガラス基板上に上記高分子溶液を塗布膜厚１１００μｍでキャストした。その後、エアポンプを用いて、上記と同温同湿度の空気（流量２Ｌ／ｍｉｎ）を、塗布液面へ２０°の角度から３０分間連続的に吹き付けた。
【０１６７】
その結果、クロロホルムの揮発とともに高分子溶液表面に結露による水滴群が付着し、これが最密充填した後、水滴群が蒸発することにより、ハニカム状に配列された多数の孔部（非貫通孔）を有し、孔部の内壁面が外側方向に湾曲されている、ポリビニルブチラール系樹脂製の多孔質膜（膜厚５μｍ）が得られた。
【０１６８】
なお、得られた多孔質膜につき、孔部の開口径、孔部の深さ、隣接する孔部の開口中心間の距離を、レーザー顕微鏡（超深度カラー３Ｄ形状測定顕微鏡、キーエンス社製「ＶＫ−９５００」）により測定した結果、それぞれ５μｍ、４μｍ、６μｍであった。
【０１６９】
次に、ジビニルベンゼン系架橋樹脂よりなる粒子の表面に、Ｎｉめっき層、Ａｕめっき層が順に被覆された、平均粒径４μｍの樹脂めっき粒子（積水化学工業（株）、「ミクロパールＡＵ−２０４」）を、上記多孔質膜の孔部形成面上に広げた。
【０１７０】
次いで、孔部形成面と反対側に設置した永久磁石（（株）西興産業製、フェライト磁石、１０００ガウス）にて、樹脂めっき粒子を多孔質膜に引きつけつつ、刷毛にて表面を擦り切り、孔部内に樹脂めっき粒子を導入した。
【０１７１】
なお、孔部が形成されていない多孔質膜表面に付着していた樹脂めっき粒子や、孔部に導入された樹脂めっき粒子に静電気力などで付着していた樹脂めっき粒子は、表面の擦り切りや、微粘着テープ（（株）きもと製、「ビエーフルＥＰ５０」）を用いることで除去されている。
【０１７２】
これにより、孔部内に樹脂めっき粒子が充填された多孔質膜を用意した。なお、樹脂めっき粒子は、実質的に、孔部一つにつき一つずつ充填されていた。樹脂めっき粒子は、多孔質膜の粒子導入面からその一部が僅かに突出しており、かつ、膜の裏面（粒子導入面と反対側の面）にその一部が露出されていない状態で膜に充填されていた。
【０１７３】
次に、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（大日本インキ（株）製、「エピクロンＨＰ７２００ＨＨ」）９０重量部と、ニトリルゴム（ＮＢＲ）（日本ゼオン（株）製、「ニポール１０７２Ｊ」）１０重量部と、硬化剤（旭化成ケミカルズ（株）製、「ノバキュアＨＸＡ３９３２ＨＰ」）１８７重量部とを、固形分量が４２％となるようにトルエンにて希釈し、接着剤溶液を調製した。
【０１７４】
次いで、コンマコーターを用い、連続的に供給されるベース基材（ポリエチレンテレフタレート、厚み３８μｍ、リンテック（株）製「ＰＥＴ３８Ｃ」）の離型面に、上記接着剤溶液を塗工した。
【０１７５】
次いで、この塗工層を１１０℃で９０秒間乾燥させ、接着層（厚み２０μｍ）を形成した。その後、この接着層の表面に、セパレータ（ポリエチレンテレフタレート、厚み３８μｍ、リンテック（株）製、「ＰＥＴ３８Ｂ」）の離型面を合わせて巻き取った。
【０１７６】
これにより、ベース基材とセパレータとの間に挟持された接着層を用意した。
【０１７７】
次いで、上記セパレータを剥離して露出させた接着層の表面と、樹脂めっき粒子を充填した多孔質膜の表面（粒子導入面側）とを重ね合わせ、これを貼り合わせた。
【０１７８】
以上により、樹脂めっき粒子を充填した膜の片面に接着層を形成した。
【０１７９】
上記の通りにして、ハニカム状に配列された多数の孔部を有し、孔部の内壁面が外側方向に湾曲されている、ポリビニルアセタール系樹脂（残存水酸基量割合２５ｍｏｌ％）製の多孔質膜と、多孔質膜の孔部内に保持された樹脂めっき粒子と、多孔質膜の片面に形成された接着層とを有する、実施例１に係る異方性導電膜を作製した。なお、上記多孔質膜は、膜自体が接着性を有している。
【０１８０】
（実施例２）
実施例１に係る異方性導電膜の作製において、高分子溶液の調製時に、残存水酸基量が２５ｍｏｌ％であるポリビニルブチラール系樹脂に代えて、残存水酸基量が２８ｍｏｌ％であるポリビニルブチラール系樹脂（積水化学工業（株）製、「エスレック  ＢＬ−１０」）を用い、ハニカム構造の多孔質膜（膜厚５μｍ）を形成した点以外は同様にして、実施例２に係る異方性導電膜を作製した。
【０１８１】
なお、得られた多孔質膜の孔部の開口径、孔部の深さ、隣接する孔部の開口中心間の距離は、それぞれ５μｍ、４μｍ、６μｍであった。
【０１８２】
（比較例１）
クロロホルムにポリブタジエンゴム（ＪＳＲ製、「ＲＢ８２０」）を０．１ｗｔ％の濃度で溶解した液に、界面活性剤として、ドデシルアクリルアミドとカプロン酸との共重合体をポリブタジエンゴムに対して０．０１ｗｔ％添加し、高分子溶液を調製した。
【０１８３】
次いで、この高分子溶液を、相対湿度５０％の空気を連続的に吹き付けているガラス基板上に塗布膜厚１８００μｍでキャストし、クロロホルムを揮発させた。
【０１８４】
その結果、ハニカム状に配列された多数の孔部（非貫通孔）を有するポリブタジエンゴム製の多孔質膜（膜厚５μｍ）が得られた。この際、得られた多孔質膜の孔部の開口径、孔部の深さ、隣接する孔部の開口中心間の距離は、それぞれ５μｍ、４μｍ、６μｍであった。
【０１８５】
そして、実施例１に係る異方性導電膜の作製において、ポリビニルブチラール系樹脂製の多孔質膜に代えて、上記ポリブタジエンゴム製の多孔質膜を用いた点、接着層形成時に、樹脂めっき粒子が充填された多孔質膜の両面に、それぞれ接着層（但し、粒子導入面側の接着層２０μｍ、その反対面側の接着層２μｍ）を形成した点以外は同様にして、比較例１に係る異方性導電膜を作製した。
【０１８６】
なお、比較例１に係る異方性導電膜は、ポリブタジエンゴム製の多孔質膜の孔部内に樹脂めっき粒子が充填されており、この膜の両面に接着層が被覆された従来の３層構造である。
【０１８７】
（比較例２）
比較例１に係る異方性導電膜の作製において、樹脂めっき粒子の導入面と反対側を接着層で被覆しなかった点以外は同様にして、比較例２に係る異方性導電膜を作製した。
【０１８８】
この際、得られた多孔質膜の孔部の開口径、孔部の深さ、隣接する孔部の開口中心間の距離は、それぞれ５μｍ、４μｍ、６μｍであった。
【０１８９】
なお、比較例２に係る異方性導電膜は、ポリブタジエンゴム製の多孔質膜の孔部内に樹脂めっき粒子が充填されており、この膜の片面に接着層が被覆された２層構造である。
【０１９０】
３．各異方性導電膜の評価
上記作製した実施例および比較例に係る異方性導電膜につき、膜厚方向の導通性能および膜面方向の絶縁性能を評価した。
【０１９１】
（評価試料の作製）
すなわち、先ず、厚み０．７ｍｍのガラス基板表面に形成した回路パターン（材質ＩＴＯ、パターンピッチ３０μｍ、パターン幅２０μｍ）上に、異方導電性膜を載置し、温度１２０℃、回路パターン上に貼りつけた異方性導電膜の面積に対して加圧力０．２５ＭＰａ、圧着時間５秒の条件で、仮圧着した。
【０１９２】
次いで、仮圧着された異方性導電膜のセパレータを剥離した後、その上に、Ａｕバンプを有するＩＣチップ（バンプピッチ３０μｍ、バンプ幅２０μｍ）を、回路パターンとＡｕバンプとが相対峙するように載置した。
【０１９３】
次いで、この状態のまま、温度２１０℃、加圧力８０ＭＰａ、圧着時間６０秒の条件で、本圧着した。上記本圧着後、引き続き、温度５０℃、加圧力８０ＭＰａ、時間３０秒の条件で、冷却を行った。
【０１９４】
以上により、試料１〜試料２、比較試料１〜比較試料２を作製した。なお、試料および比較試料の番号は、実施例および比較例の番号と対応している。
【０１９５】
（膜厚方向の導通性能の評価）
得られた各試料につき、相対峙する回路パターン−Ａｕバンプ間の電気抵抗を、抵抗率計（ダイアインスツルメンツ製、「ロレスタＧＰ」）を用い、４端子４探針法により測定した。なお、各試料数は、それぞれＮ＝１０［個］であり、算術平均による平均値を算出し、これを膜厚方向の電気抵抗とした。
【０１９６】
（膜面方向の絶縁性能の評価）
得られた各試料につき、隣接する回路パターン間の電気抵抗を、テスターＴ２（ＡＮＤ社製、「ＡＤ５５２２」）を用いて測定した。なお、各試料数は、それぞれＮ＝１０［個］であり、電気抵抗が１０８Ω以上となる割合＝絶縁性確保率（％）を求めた。
【０１９７】
（評価結果）
表１に、実施例および比較例に係る異方性導電膜の評価結果をまとめて示す。
【０１９８】
【表１】
2008186760.tif 000003
【０１９９】
（考察）
表１を相対比較すると次のことが分かる。
【０２００】
すなわち、比較例１に係る異方性導電膜は、従来の３層構造である。そのため、他に比較して、膜厚方向の電気抵抗が大きかった。
【０２０１】
これは、回路パターン側の接着層の流動に伴い、多孔質膜が崩れて孔部から樹脂めっき粒子が流出してしまい、当初の規則的な配置が乱れ、回路パターンとバンプとの間に捕捉されるはずの樹脂めっき粒子が少なくなってしまったためであると推察される。
【０２０２】
また、比較例２に係る異方性導電膜は、比較例１と同様に、疎水性材料であるポリブタジエンゴムよりなる多孔質膜を用いたものであるが、接着層が１層である。そのため、接着層形成面と反対側の多孔質膜の表面は、全く接着性を有していない。それ故、回路パターンとバンプとの間に樹脂めっき粒子を圧縮挟持した状態で、両者を機械的に接続することができず、膜厚方向の電気抵抗が極めて大きく、絶縁性を示した。
【０２０３】
ここで、実施例１および実施例２では、何れも、水滴を利用して多孔質膜を形成するにあたり、親水性材料であるポリビニルブチラール系樹脂を用いて、従来の疎水性高分子を用いた場合とほぼ同様にして、ハニカム構造の多孔質膜を形成できている点が注目に値すると言える。その結果、本発明では、このハニカム構造の多孔質膜が有する規則的な孔部の配列を利用することができる。
【０２０４】
そして、実施例１および実施例２に係る異方性導電膜は、従来の３層構造の比較例１に係る異方性導電膜に比較して、導通性能を向上させることもできていることが分かる。
【０２０５】
この理由としては、２層構造を採用可能となったことで、圧着時に接着層の流動に伴う多孔質膜の崩れ、これに伴う樹脂めっき粒子の流出を抑制することができ、多くの樹脂めっき粒子を、当初の規則的な配列をほぼ保持したまま、回路パターンとバンプとの間に捕捉することができたこと、多孔質膜自体が有する接着性と接着層とにより、多くの樹脂めっき粒子を挟持した状態のまま、回路パターンとＩＣチップとの間を機械的に接続することができたことなどが挙げられる。
【０２０６】
したがって、これらの結果から、本発明に係る異方性導電膜およびその製造方法によれば、水滴を利用して形成した多孔質膜を使用しつつ、かつ、導通性能を向上させることが可能であることが確認できた。
【０２０７】
以上、本発明の一実施形態、一実施例について説明したが、本発明は上記実施形態、実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２０８】
【図１】本実施形態に係る異方性導電膜の模式的な断面図の一例である。
【図２】ＩＣチップと回路パターンとの間に本実施形態に係る異方性導電膜を介在させた状態を模式的に示した図である。
【図３】ＩＣチップと回路パターンとの間が本実施形態に係る異方性導電膜により接続された状態を模式的に示した図である。
【図４】ポリビニルブチラール系樹脂の残存水酸基量（ｍｏｌ％）と、上記非剥離部の面積率（％）（接着性）および成膜良好部の面積率（成膜性）との関係を示した図である。
【符号の説明】
【０２０９】
１０  ＡＣＦ
１２  多孔質膜
１４  導電性粒子
１６  接着層
２２  ＩＣチップ
２４  基板
２６  回路パターン
２８  バンプ
【図１】
2008186760.tif 000004
【図２】
2008186760.tif 000005
【図３】
2008186760.tif 000006
【図４】
2008186760.tif 000007