(57)【要約】      （修正有）【課題】EUV露光装置においてはセンサ基板であるガラスの透過率が低いため使用できず、遮光膜の形状を維持することが難しいと言う問題があった。本発明は計測精度の劣化を抑制できるセンサを提供する。【解決手段】EUV露光装置に用いられるセンサ２１は、少なくとも一つの開口１６を有する遮光膜１７と、遮光膜の開口より入射した電磁波（波長１ｎｍ〜１０００ｎｍ）を所定信号に変換する変換部材２２とを備えている。遮光膜の一方の面は、変換部材に密着して形成されている。【選択図】図３
2008192987.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置に用いられるセンサであって、
少なくとも一つの開口を有する遮光膜と、
前記遮光膜の開口より入射した電磁波（波長１ｎｍ〜１０００ｎｍ）を所定信号に変換する変換部材とを備え、
前記遮光膜の一方の面が前記変換部材に密着して形成されているセンサ。
【請求項２】
前記変換部材の前記遮光膜が形成される面が実質的に平面である請求項１記載のセンサ。
【請求項３】
前記変換部材は、入射した光を別の波長の光に変換する波長変換部材を含む請求項１又は２記載のセンサ。
【請求項４】
前記波長変換部材はシンチレータを含む請求項３記載のセンサ。
【請求項５】
前記波長変換部材で変換された光を受光する受光装置を備える請求項３又は４記載のセンサ。
【請求項６】
前記遮光膜の開口の内面は、前記変換部材と接する面の開口の大きさが前記変換部材とは接しない面の開口よりも大きくなるように傾斜している請求項１〜５のいずれか一項記載のセンサ。
【請求項７】
前記受光装置は、前記波長変換部材によって波長が変換された光が入射する受光光学系と、
前記受光光学系を介した前記光に応じた電気信号を出力する光電変換素子とを含み、
前記遮光膜の開口の内面は、前記受光光学系の開口数に応じて傾斜している請求項５記載のセンサ。
【請求項８】
前記変換部材は、前記遮光膜の開口より入射した光を電気信号に変換可能な光電変換素子を含む請求項１又は２記載のセンサ。
【請求項９】
前記開口の内面間に前記変換部材の一部が配置されている請求項１〜８のいずれか一項記載のセンサ。
【請求項１０】
前記センサに向かう光の波長を選択する波長選択部材を更に備える請求項１〜９のいずれか一項記載のセンサ。
【請求項１１】
前記遮光膜の光が入射する面の平面度が１０００ｎｍＰ−Ｖ以下である請求項１〜１０のいずれか一項記載のセンサ。
【請求項１２】
基板を露光する露光装置であって、
投影光学系を通過した光が入射するように配置された請求項１〜１１のいずれか一項記載のセンサを備えた露光装置。
【請求項１３】
前記センサは前記センサに入射した光に応じた信号を出力する出力部を備え、
前記出力部からの出力信号に基づいて、前記露光装置に備えられる投影光学系の光学特性を計測する処理装置を備える請求項１２記載の露光装置。
【請求項１４】
前記露光装置は極端紫外光を用いて基板を露光する請求項１２又は１３記載の露光装置。
【請求項１５】
請求項１２〜１４のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１６】
センサの製造方法であって、
入射した光を所定信号に変換して出力可能な変換部材の表面に遮光膜を形成することと、
前記遮光膜を加工して、前記遮光膜の一部に、開口を形成することと、を含む製造方法。
【請求項１７】
前記開口の内面が傾斜するように前記開口が形成される請求項１６記載の製造方法。
【請求項１８】
センサの製造方法であって、
入射した光を所定信号に変換して出力可能な変換部材の表面の一部に凸部を形成することと、
前記凸部を含む前記変換部材の表面に遮光膜を形成することと、
前記遮光膜を加工して、前記遮光膜に形成される開口の内面間に前記変換部材の一部を配置することと、を含む製造方法。
【請求項１９】
前記遮光膜の加工は、前記遮光膜の研磨を含む請求項１８記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサ、露光装置、デバイスの製造方法、及びセンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置は、マスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系を備えている。例えば下記特許文献に開示されているように、露光装置は、投影光学系の空間像を計測するためのセンサを備えている。そのセンサは、投影光学系より射出され、ガラス部材上に形成された遮光膜のスリット状の開口を通過した露光光をガラス部材を介して受光する。
【特許文献１】米国特許公開２００２−０４１３７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、デバイスパターンの更なる微細化の要求に対応するために、露光光として極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）光を用いるＥＵＶ露光装置が案出されている。極端紫外光は、ガラス部材を透過しないため、センサは極端紫外光を受光することが困難となる。そのため、例えばガラス部材を省略することが考えられる。ところが、ガラス部材を省略すると、遮光膜を支持する部材が無くなるので、遮光膜の形状を維持することが困難となる可能性がある。その場合、センサの計測精度が劣化する可能性がある。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、計測精度の劣化を抑制できるセンサを提供することを目的とする。また、計測精度の劣化が抑制されたセンサの検出結果を用いて基板を良好に露光できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイスの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、計測精度の劣化を抑制できるセンサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、露光装置（ＥＸ）に用いられるセンサであって、少なくとも一つの開口（１６）を有する遮光膜（１７）と、遮光膜（１７）の開口（１６）より入射した電磁波（波長１ｎｍ〜１０００ｎｍ）を所定信号に変換する変換部材（２２）とを備え、遮光膜（１７）の一方の面が変換部材（２２）に密着して形成されているセンサ（７）が提供される。
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、計測精度の劣化が抑制される。
【０００８】
本発明の第２の態様に従えば、基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、投影光学系（ＰＬ）を通過した光が入射するように配置された上記態様のセンサ（７）を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、基板を良好に露光できる。
【００１０】
本発明の第３の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いて基板（Ｐ）を露光することと、露光された基板（Ｐ）を現像することと、を含むデバイスの製造方法が提供される。
【００１１】
本発明の第３の態様によれば、基板を良好に露光できる露光装置を用いてデバイスを製造できる。
【００１２】
本発明の第４の態様に従えば、センサの製造方法であって、入射した光を所定信号に変換して出力可能な変換部材（２２）の表面に遮光膜（１７）を形成することと、遮光膜（１７）を加工して、遮光膜（１７）の一部に、開口（１６）を形成することと、を含む製造方法が提供される。
【００１３】
本発明の第４の態様によれば、計測精度の劣化を抑制できるセンサを製造できる。
【００１４】
本発明の第５の態様に従えば、センサの製造方法であって、入射した光を所定信号に変換して出力可能な変換部材（２２）の表面の一部に凸部（２２Ｔ）を形成することと、凸部（２２Ｔ）を含む変換部材（２２）の表面に遮光膜（１７）を形成することと、遮光膜（１７）を加工して、遮光膜（１７）に形成される開口（１６）の内面（２８）間に変換部材（２２）の一部を配置することと、を含む製造方法が提供される。
【００１５】
本発明の第５の態様によれば、計測精度の劣化を抑制できるセンサを製造できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、計測精度の劣化を抑制でき、基板を良好に露光できる。したがって、所望の性能を有するデバイスを製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１８】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、パターンが形成されたマスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ１と、デバイスを形成するための基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、マスクステージ１及び基板ステージ２の位置情報を計測するレーザ干渉計３Ｍ、３Ｐを含む干渉計システム３と、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出システム４と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置５とを備えている。
【００１９】
本実施形態の露光装置ＥＸは、極端紫外光で基板Ｐを露光するＥＵＶ露光装置である。極端紫外光は、例えば波長５〜５０ｎｍ程度の軟Ｘ線領域の電磁波である。以下の説明において、極端紫外光を適宜、ＥＵＶ光、と称する。
【００２０】
基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材上に感光材（レジスト）等の膜が形成されたものを含む。マスクＭは、基板Ｐ上に投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。本実施形態では、露光光ＥＬとしてＥＵＶ光が用いられ、マスクＭは、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を有する反射型マスクである。反射型マスクの多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層膜を含む。露光装置ＥＸは、多層膜が形成されたマスクＭの反射面（パターン形成面）を露光光（ＥＵＶ光）ＥＬで照明し、そのマスクＭで反射した露光光ＥＬで基板Ｐを露光する。
【００２１】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、少なくとも露光光ＥＬが通過する所定空間を真空状態に調整する真空システムを有するチャンバ装置６を備えている。
【００２２】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書等に開示されているような、投影光学系ＰＬの空間像を計測する空間像計測システム７を備えている。本実施形態においては、空間像計測システム７の少なくとも一部は、基板ステージ２に設けられている。
【００２３】
照明系ＩＬは、複数の光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４を含み、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層膜を含む。照明系ＩＬにより照明され、マスクＭの反射面で反射した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬの物体面側から投影光学系ＰＬに入射する。投影光学系ＰＬは図示するように専用の真空チャンバによって各光学素子を囲むように構成しても良いが、専用の真空チャンバを用いなくてもよい。また、各光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４は不図示の鏡筒に固定されている。
【００２４】
照明系ＩＬは、光源８からの露光光ＥＬでマスクＭを照明する。本実施形態の光源８は、レーザ励起型プラズマ光源であって、ハウジング９と、レーザ光を射出するレーザ装置１０と、キセノンガス等のターゲット材料をハウジング９内に供給する供給部材１１とを含む。レーザ装置１０から射出され、集光光学系１２で集光されたレーザ光は、供給部材１１の先端から射出されるターゲット材料に照射される。レーザ光が照射されたターゲット材料は、プラズマ化してＥＵＶ光を含む光（露光光ＥＬ）を発生する。供給部材１１の先端で発生した光は、コンデンサ１３によって集光される。コンデンサ１３を介した光は、ハウジング９の外側に配置されているコリメータミラー１４に入射する。なお、光源は、放電型プラズマ光源や他の光源でもよい。
【００２５】
マスクステージ１は、マスクＭを保持しながら、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ１は、マスクＭの反射面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。マスクステージ（マスクＭ）の位置情報は、干渉計システム３のレーザ干渉計３Ｍによって計測される。レーザ干渉計３Ｍは、マスクステージ１に設けられた計測ミラー１Ｒを用いて、マスクステージ１のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、マスクステージ１に保持されているマスクＭの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹに関する位置情報）は、不図示のフォーカス・レベリング検出システムによって検出される。制御装置５は、レーザ干渉計３Ｍの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置を制御する。
【００２６】
投影光学系ＰＬは、複数の光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４を含み、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層膜を含む。投影光学系ＰＬの物体面側から投影光学系ＰＬに入射した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬの像面側に射出され、基板Ｐに入射する。露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像は、投影光学系ＰＬを介して、感光材の膜が形成された基板Ｐに投影される。
【００２７】
基板ステージ２は、基板Ｐを保持しながら、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向に移動可能である。本実施形態においては、基板ステージ２は、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ステージ２（基板Ｐ）の位置情報は、干渉計システム３のレーザ干渉計３Ｐによって計測される。レーザ干渉計３Ｐは、基板ステージ２に設けられた計測ミラー２Ｒを用いて、基板ステージ２のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹに関する位置情報）は、フォーカス・レベリング検出システム４によって検出される。制御装置５は、レーザ干渉計３Ｐの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システム４の検出結果に基づいて、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置を制御する。
【００２８】
本実施形態のフォーカス・レベリング検出システム４は、例えば米国特許第５,４４８,３３２号、米国特許第６,３２７,０２５号等に記載されているような、所謂、斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムである。フォーカス・レベリング検出システム４は、基板Ｐの表面に対して傾斜した方向から検出光を照射する照射器４Ａと、基板Ｐの表面で反射した検出光を受光可能な受光器４Ｂとを備えており、基板Ｐの表面の面位置情報を検出可能である。
【００２９】
基板Ｐの表面が最良結像面Ｚｏに配置されている場合、フォーカス・レベリング検出システム４は、所定状態（零レベル状態）の信号を出力する。換言すれば、基板Ｐの表面と最良結像面Ｚｏとが合致しているときに、所定状態の信号が出力されるように、フォーカス・レベリング検出システム４の状態が調整（キャリブレーション）されている。最良結像面Ｚｏは、投影光学系ＰＬの像面を含む。
【００３０】
次に、空間像計測システム７について説明する。図２は、空間像計測システム７を示す図である。空間像計測システム７は、投影光学系ＰＬの空間像を計測するものであって、投影光学系ＰＬから射出する光束を受光可能なスリット状の開口１６を有する遮光膜１７を含む計測部材（スリット板）１８と、計測部材１８からの光を受光する受光装置１９とを備えている。
【００３１】
本実施形態においては、計測部材１８は、基板ステージ２に配置されており、投影光学系ＰＬから射出する光束を受光可能な位置に移動可能である。
【００３２】
受光装置１９は、計測部材１８からの光が入射する受光光学系２０と、受光光学系２０を介した光に応じた電気信号を出力する光電変換素子を含む光センサ２１とを有する。光センサ（光電変換素子）２１は、フォトマル、フォトダイオード、及びＭＣＰ等で形成可能である。本実施形態においては、受光光学系２０の複数の光学素子の一部が基板ステージ２に配置され、一部は基板ステージ２の外側に配置される。光センサ２１は、基板ステージ２の外側に配置されており、計測部材１８からの光は、受光光学系２０によって、光センサ２１に送られる。なお、受光光学系２０の全て及び光センサ２１を基板ステージ２に配置する事も可能である。
【００３３】
図３は、計測部材１８を示す側断面図、図４は、計測部材１８を上方から見た平面図である。なお、図３では、受光装置１９を簡略して示している。計測部材１８は、光学部材２２と、光学部材２２の表面に形成され、スリット状の開口１６を有する遮光膜１７とを備えている。遮光膜１７の一方の面は、光学部材２２の表面に密着するように形成されている。遮光膜１７が形成される光学部材２２の表面は、実質的に平面である。遮光膜１７の表面を含む計測部材１８の表面（上面）は、ＸＹ平面とほぼ平行な平面であり、基板ステージ２に保持される基板Ｐの表面とほぼ同じ高さになるように配置される。ＥＵＶ光が入射する計測部材１８の上面（遮光膜１７の表面）は、基準面２３を形成する。本実施形態においては、計測部材１８の上面（遮光膜１７の表面）の平面度が、Ｐ−Ｖ値で、１０００ｎｍ以下である。ここで、Ｐ−Ｖ値とは測定範囲内での最も高い点（peak）と最も低い点（valley）との差である。
【００３４】
遮光膜１７の表面、及び遮光膜１７の一部に形成された開口１６は、投影光学系ＰＬに対向可能である。また、図４に示すように、本実施形態のスリット状の開口１６は、Ｙ軸方向に長い形状を有する。なお、図３及び図４には、スリット状の開口１６が１つだけ示されているが、Ｘ軸方向に複数形成してもよい。複数のスリット状の開口１６によって、ライン・アンド・スペースパターンが形成される。また、図示は省略するが、遮光膜１７には、Ｘ軸方向に長いスリット状の開口や、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向に４５度傾いた方向に長いスリット状の開口を１つまたは複数形成してもよい。
【００３５】
光学部材２２は、開口１６の内側に入射面２４を有し、入射面２４より入射したＥＵＶ光を所定信号に変換して出力する。光学部材２２は、遮光膜１７の開口１６より入射した電磁波（波長１ｎｍ〜１０００ｎｍ）を所定信号に変換可能である。光学部材２２は、入射した光を別の波長の光に変換する波長変換部材を含む。本実施形態においては、光学部材２２は、入射したＥＵＶ光を別の波長の光ＬＵに変換可能なシンチレータである。受光装置１９は、シンチレータ２２で変換された光ＬＵを受光する。
【００３６】
本実施形態のシンチレータ２２は、フッ化カリウム（ＣａＦ２）を主成分とし、ユウロピウム（Ｅｕ）をドープしたものである。フッ化カリウムを含むシンチレータ２２は、入射したＥＵＶ光を、光センサ２１が受光可能（検知可能）な波長の光ＬＵ（例えば可視光）に変換し、出力できる。シンチレータ２２は、入射したＥＵＶ光の強度（光量）に応じた光量の光ＬＵを出力する。
【００３７】
なお、シンチレータ２２としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）を主成分とするものであってもよい。イットリウム・アルミニウム・ガーネットを含むシンチレータ２２であっても、入射したＥＵＶ光を光センサ２１が検知可能な波長の光に変換し、出力できる。
【００３８】
また、シンチレータ２２としては、ＹＡＧ、ＣａＦ２にＥｕをドープしたものに限られず、ＬＳＯ、ＹＡＰにＣｅをドープしたもの、ＺｎＳにＡｇをドープしたもの、ＬｉＩにＥｕをドープしたものであってもよい。これらの材料は、単体で用いることもできるし、少なくとも２種類を組み合わせて用いることもできる。
【００３９】
本実施形態においては、遮光膜１７は、クロム（Ｃｒ）で形成されている。なお、遮光膜１７は、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びタンタル（Ｔａ）の少なくとも１つで形成されていてもよい。
【００４０】
本実施形態においては、シンチレータ２２の表面に遮光膜１７が密着するように形成されている。本実施形態においては、シンチレータ２２の表面に、遮光膜１７が直接的に接触しているが、シンチレータ２２と遮光膜１７との間に他の物質、例えば薄膜が形成されていても良い。例えば、後述するような波長選択フィルムがシンチレータ２２と遮光膜１７との間に配置されていてもよい。
【００４１】
投影光学系ＰＬより射出されたＥＵＶ光が計測部材１８の上面に照射され、入射面２４に入射すると、シンチレータ２２は、その入射したＥＵＶ光を、光センサ１７が検知可能な波長の光信号に変換する。シンチレータ２２から出力された光は、受光光学系２０に入射する。受光光学系２０を通過した光は、光センサ２１に入射する。光センサ２１は、受光光学系２０を介したシンチレータ２１からの光（光量）に応じた電気信号を出力する。図３に示すように、光センサ２１は、増幅器２５を介して制御装置５に接続されており、光センサ２１から出力される電気信号は、増幅器２５で処理されて、制御装置５に供給される。制御装置５は、シンチレータ２２から出力された光信号に基づいて出力される受光装置１９からの出力信号（電気信号）に基づいて、投影光学系ＰＬの空間像を計測する。
【００４２】
次に、図５の模式図を参照しながら、計測部材１８を製造する方法の一例について説明する。図５（Ａ）に示すように、シンチレータ２２が用意され、図５（Ｂ）に示すように、そのシンチレータ２２の表面に遮光膜１７が形成される。遮光膜１７は、例えばスパッタリング法等、所定の成膜方法で形成される。次に、図５（Ｃ）に示すように、遮光膜１７の表面に感光材の膜２６が形成される。そして、例えば電子線等によって、開口１６に応じて、感光材の膜２２の所定領域を露光し、現像処理することによって、図５（Ｄ）に示すように、感光材の膜２６の一部が除去される。その後、エッチング処理することによって、図５（Ｅ）に示すように、遮光膜１７の一部が除去される。その後、感光材の膜２６を除去することによって、図５（Ｆ）に示すように、本実施形態に係る計測部材１８が形成される。
【００４３】
次に、図６及び図７を参照しながら、空間像計測システム７を用いた露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。以下の説明においては、空間像計測システム７を用いて、フォーカス・レベリング検出システム４のキャリブレーションを実行する場合を例にして説明する。
【００４４】
フォーカス・レベリング検出システム４のキャリブレーションを実行するために、制御装置５は、図６に示すように、投影光学系ＰＬからの露光光ＥＬが照射可能な位置に計測部材１８の基準面（上面）２３を配置する。マスクステージ１には、投影光学系ＰＬの空間像を計測するためのパターンを有するマスクＭが保持されており、制御装置５は、そのマスクＭを露光光ＥＬで照明する。マスクＭのパターンの像は、投影光学系ＰＬを介して、投影光学系ＰＬの像面側に配置されている計測部材１８の上面２３に投影される。本実施形態においては、図４に示したように、計測部材１８の上面２３には、Ｙ軸方向に長く、Ｘ軸方向に所定間隔で複数配置されるラインパターン（ライン・アンド・スペースパターン）の像が投影される。
【００４５】
制御装置５は、パターンの像を計測部材１８に投影した状態で、基板ステージ２をＸＹ平面内の所定方向に移動する。本実施形態においては、制御装置５は、基板ステージ２をＸ軸方向に移動する。これにより、パターンの像に対して、計測部材１８の開口１６がＸ軸方向に走査される。開口１６の内側の入射面２４に入射したＥＵＶ光は、シンチレータ２２によってＥＵＶ光とは異なる波長の光ＬＵに変換され、受光光学系２０を介して、光センサ２１に入射する。光センサ２１は、パターンの像に対する計測部材１８のＸ軸方向への移動に同期した信号を出力する。
【００４６】
制御装置５は、基板ステージ２をＺ軸方向に動かしながら、上述の動作、すなわちパターンの像に対して開口１６をＸ軸方向に走査する動作を複数回繰り返す。投影光学系ＰＬの像面（最良結像面）Ｚｏと基準面２３とが合致したとき、光センサ２１で受光される露光光ＥＬのコントラストが最大となる。換言すれば、光センサ２１で受光する光のコントラストが最大となるＺ軸方向の基準面２３の位置が、投影光学系ＰＬの像面（最良結像面）Ｚｏとなる。
【００４７】
図７は、光センサの出力信号の一例を示す図である。図７に示すように、投影光学系ＰＬの像面（最良結像面）Ｚｏと基準面２３とが合致していないとき、光センサ２１から出力される信号強度ＳＧ１の値及び振幅は小さく、投影光学系ＰＬの像面（最良結像面）Ｚｏと基準面２３とが合致したとき、光センサ２１から出力される信号強度ＳＧ２の値及び振幅は大きくなる。制御装置５は、光センサ２１から出力される信号強度に基づいて、投影光学系ＰＬの像面Ｚｏの位置を検出できる。
【００４８】
このように、制御装置５は、空間像計測システム７を用いて、投影光学系ＰＬの像面（最良結像面）Ｚｏの位置を検出できる。そして、制御装置７は、最良結像面Ｚｏに配置されている基準面２３の位置をフォーカス・レベリング検出システム４で検出し、その基準面２３を検出したときの受光器４Ｂから出力される信号が所定状態（零レベル状態）となるように、受光器４Ｂに設けられている所定の光学素子（例えば平行平面板）を動かす。これにより、フォーカス・レベリング検出システム４が投影光学系ＰＬの像面（最良結像面）Ｚｏに配置されている基板Ｐの表面を検出したとき、受光器４Ｂより所定状態（零レベル状態）の信号を出力することができる。
【００４９】
なお、ここでは、空間像計測システム７を用いて、フォーカス・レベリング検出システム４をキャリブレーションする場合を例にして説明したが、例えば米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書等に開示されているように、空間像計測システム７は、計測部材１８からの光に基づいて、投影光学系ＰＬの各種収差を計測することができる。また、パターンの像に対して開口１６をＸ軸方向に走査することによって出力される空間像計測システム７の出力信号から、マスクステージ１と基板ステージ２との位置合わせを行ってもよい。
【００５０】
以上説明したように、本実施形態によれば、シンチレータ２２によって、ＥＵＶ光を別の波長の光ＬＵに変換できるので、受光装置１９は、シンチレータ２２に入射するＥＵＶ光に応じてそのシンチレータ２２から出力される光ＬＵを受光できる。したがって、制御装置５は、受光装置１９の受光結果に基づいて、投影光学系ＰＬの光学特性を良好に計測でき、その計測結果を用いて、例えばフォーカス・レベリング検出システム４のキャリブレーション、あるいは投影光学系ＰＬの光学特性の調整等、基板Ｐを良好に露光するための処理を実行できる。したがって、基板Ｐを良好に露光できる。
【００５１】
そして、本実施形態においては、遮光膜１７がシンチレータ２２で支持されているので、遮光膜１７の開口１６が変形したり、遮光膜１７の上面を含む基準面２３が変形したりすることを抑制できる。したがって、その計測部材１８を用いて、投影光学系ＰＬの光学特性を精度良く計測したり、フォーカス・レベリング・検出システム４のキャリブレーションを良好に実行したりすることができる。
【００５２】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００５３】
図８は、第２実施形態に係る計測部材１８を示す図である。図８において、計測部材１８は、シンチレータ２２と、そのシンチレータ２２の表面に形成された開口１６を有する遮光膜１７とを備えている。本実施形態においては、投影光学系ＰＬとシンチレータ２２との間に、ＥＵＶ光以外の波長の光がシンチレータ２２に入射することを抑制する波長選択部材２７が配置される。本実施形態においては、計測部材１８には、波長選択部材２７として、入射面２４及び遮光膜１７の表面を覆うように波長選択フィルムが配置されている。波長選択フィルム２７は、例えばジルコニウム（Ｚｒ）で形成可能である。本実施形態においては、一例として、厚み５０ｎｍのジルコニウムの膜が形成されている。
【００５４】
光源８は、極端紫外領域のスペクトルを有する光（ＥＵＶ光）のみならず、紫外領域、可視領域、及び赤外領域のスペクトルを有する光も発生する可能性がある。以下の説明において、紫外領域、可視領域、及び赤外領域等、極端紫外領域以外のスペクトルを有する光を適宜、非露光光、と称する。すなわち、光源８から射出される光は、極端紫外領域（軟Ｘ線領域）の電磁波（光）であるＥＵＶ光（露光光）と、ＥＵＶ光以外の波長を有する非露光光とを含む。
【００５５】
光源８から射出された非露光光は、照明系ＩＬの各光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４、マスクＭ、及び投影光学系ＰＬの各光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４を介して、投影光学系Ｐの像面側に配置された計測部材１８に到達する可能性がある。非露光光のうち、特に可視光成分は、空間像計測システム７に対するノイズ成分として作用する可能性がある。例えば、非露光光がシンチレータ２２を通過し、受光装置１９に入射すると、空間像計測システム７の計測精度が劣化する可能性がある。
【００５６】
本実施形態においては、露光光（ＥＵＶ光）ＥＬを通過させ、非露光光の通過を遮ることができる波長選択フィルム２７が配置されているので、非露光光がシンチレータ２２に入射することを抑制できる。したがって、空間像計測システム７の計測精度が劣化することを抑制できる。
【００５７】
なお、本実施形態においては、露光光（ＥＵＶ光）ＥＬを通過させ、非露光光の通過を遮ることができるジルコニウムの膜を配置しているが、露光光（ＥＵＶ光）ＥＬを通過させ、非露光光の通過を遮ることができる機能を有する材料でれば、任意の材料を使用可能である。また、波長選択部材は、計測部材１８の上面に接続（密着）されている必要は無く、計測部材１８から離れた状態で、投影光学系ＰＬと計測部材１８との間に配置されていてもよい。
【００５８】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００５９】
図９は、第３実施形態に係る計測部材１８Ｂを示す図である。図９において、計測部材１８Ｂは、シンチレータ２２と、そのシンチレータ２２の表面に形成された開口１６を有する遮光膜１７とを備えている。図９に示すように、本実施形態においては、遮光膜１７の開口１６の内面２８が傾斜している。具体的には、遮光膜１７の開口１６の内面２８は、シンチレータ２２と接する遮光膜１７の下面の開口の大きさが、シンチレータ２２とは接しない上面の開口よりも大きくなるように傾斜している。
【００６０】
遮光膜１７の開口１６の内面２８は、受光光学系２０の開口数（物体側開口数）ＮＡに応じて傾斜している。すなわち、内面２８は、受光光学系２０の物体側開口数ＮＡに応じた傾斜角度θ２８を有する。ここで、内面２８の傾斜角度θ２８は、受光光学系２０の光軸ＡＸと内面２８とがなす角度である。本実施形態では、受光光学系２８の光軸ＡＸとＺ軸とが平行である。
【００６１】
受光光学系２０の物体側開口数ＮＡは、受光光学系２０に入射する光線束の最大錐角(物点から入射瞳径に対して張る角)の半角θの正弦と、物体周囲の媒質の屈折率ｎとの積で表される（ＮＡ＝ｎｓｉｎθ）が、本実施形態においては、内面２８の傾斜角度θ２８が、受光光学系２０の最大錐角θよりも大きくなるように、その内面２８の傾斜角度θ２８が設定されている。
【００６２】
本実施形態においては、受光光学系２０の最大錐角θと内面２８の傾斜角度θ２８とが合致するように、開口１６の内面２８が形成されている。
【００６３】
また、本実施形態においては、開口１６の内面２８同士の間に、シンチレータ２２の一部が配置されている。シンチレータ２２の表面の一部には凸部２２Ｔが形成されており、その凸部２２Ｔが開口１６の内面２８間に配置されている。本実施形態においては、開口１６の内面２８と、その内面２８間に配置されるシンチレータ２２の凸部２２Ｔの側面とが密着するように、遮光膜１７及びシンチレータ２２の形状が設定されている。また、本実施形態においては、遮光膜１７の上面と内面２８間のシンチレータ２２の凸部２２Ｔの上面とが同一平面内に配置されている（面一である）。
【００６４】
内面２８の傾斜角度θ２８を受光光学系２０の最大錐角θよりも大きくすることで、投影光学系から射出され、開口１６の上端に入射した光を開口１６の下端まで良好に到達させることができる。ここで、開口１６の上端は、遮光膜１７のうち、シンチレータ２２に接触しない上面の開口であり、開口１６の下端は、遮光膜１７のうち、シンチレータ２２に接触する下面の開口である。
【００６５】
スリット状の開口１６の幅が狭くなり、開口１６の高さ（Ｚ軸方向の大きさ）に対して開口１６の幅（Ｘ軸方向の大きさ）が小さくなると、開口１６の上端から入射した光は、開口１６の下端に到達するまでに減衰し、十分な光量が得られなくなる可能性がある。内面２８を傾斜させず、光軸ＡＸに対する角度が０度に近いと、光量が減衰する現象が生じる可能性が高くなる。その場合、シンチレータ２２から出力される光の光量も減衰し、光センサ２１から出力される信号強度も減衰する。その場合、空間像計測システム７の計測精度が劣化する。
【００６６】
内面２８の傾斜角度θ２８を受光光学系２０の最大錐角θよりも大きくすることで、開口１６の上端に入射した光は、大きく減衰することなく、開口１６の下端まで良好に到達できる。
【００６７】
また、内面２８の傾斜角度θ２８を受光光学系２０の最大錐角θよりも大きくし過ぎると、遮光膜１７の厚みが薄くなる部分が増すこととなる。投影光学系ＰＬからの露光光又は非露光光の一部が、その遮光膜１７の薄い部分を通過し、シンチレータ２２に入射した場合、ノイズ成分として作用する可能性がある。
【００６８】
そのため、光の減衰を抑え、且つ、遮光膜１７の遮光機能を維持するために、受光光学系２０の最大錐角θと内面２８の傾斜角度θ２８とが合致させることが望ましい。
【００６９】
なお、本実施形態では説明を簡単にするため、シンチレータ２２における屈折率とシンチレータより下の空間における屈折率が同一であると仮定して説明した。この屈折率差を考慮すると、ｎ２ｓｉｎθ＝ｎ１ｓｉｎθ２となる角度θ２と内面２８の傾斜角度θ２８とが同じか、傾斜角度θ２８の方が大きくなるように内面２８を形成すれば良い。なお、ｎ１はシンチレータの屈折率であり、ｎ２はシンチレータよりも下の空間における屈折率（本実施形態では１）である。
【００７０】
次に、図１０の模式図を参照しながら、本実施形態に係る計測部材１８Ｂを製造する方法の一例について説明する。シンチレータ２２が用意され、図１０（Ａ）に示すように、そのシンチレータ２２の表面に感光材の膜２６Ｂが形成される。次に、図１０（Ｂ）に示すように、ナノインプリントリソグラフィ法を用いて、感光材の膜２６Ｂを、図９に示したような内面２８の形状（目標形状）に応じた形状に加工する。ナノインプリントリソグラフィ法（熱ナノインプリントリソグラフィ法）は、例えば石英等によってモールド（型）２９を形成し、対象物（ここでは感光材の膜２６Ｂ）とモールド２９とを、対象物２６Ｂのガラス転移温度以上に加熱する。そして、対象物２６Ｂとモールド２９とを押し付け、一定時間保持する。その後、対象物２６Ｂとモールド２９とを、対象物２６Ｂのガラス転移温度以下に冷却し、対象物２６Ｂとモールド２９とを離す。これにより、凸部２６Ｔを有する所望の形状の感光材の膜２６Ｂが形成される。なお、モールド２９と感光材の膜２６Ｂとを押し当てた状態で、モールド２９を介して感光材の膜２６Ｂに露光光を照射する、光ナノインプリントリソグラフィ法の手法を用いてもよい。
【００７１】
その後、エッチング処理を行うことによって、図１０（Ｃ）に示すように、シンチレータ２２の表面の一部に、凸部２２Ｔが形成される。図１０（Ｃ）に示すように、凸部２２Ｔの上面に感光材の膜２６Ｂが残るように、エッチング処理が行われる。
【００７２】
そして、図１０（Ｄ）に示すように、凸部２２Ｔを含むシンチレータ２２の表面に遮光膜１７が形成される。遮光膜１７は、感光材の膜２６Ｂの上面にも形成される。そして、感光材の膜２６Ｂが除去されることによって、凸部２２Ｔ上の遮光膜１７も除去され、図１０（Ｅ）に示すように、本実施形態に係る計測部材１８Ｂが形成される。
【００７３】
図１１は、本実施形態に係る計測部材１８Ｂを製造する方法の別の例を示す模式図である。シンチレータ２２が用意され、図１１（Ａ）に示すように、そのシンチレータ２２の表面に感光材の膜２６Ｂが形成される。次に、図１１（Ｂ）に示すように、ナノインプリントリソグラフィ法を用いて、感光材の膜２６Ｂを、図９に示したような内面２８の形状（目標形状）に応じた形状に加工する。図１１に示す例では、感光材の膜２６Ｂによって形成される凸部２６Ｔの先端が鋭角となるように、モールド２９Ｂの形状が設定されている。
【００７４】
ナノインプリントリソグラフィ工程が終了した後、エッチング処理を行うことによって、図１１（Ｃ）に示すように、シンチレータ２２の表面の一部に、凸部２２Ｔが形成される。シンチレータ２２の表面に形成された凸部２２Ｔの先端は、鋭角になる。
【００７５】
そして、図１１（Ｄ）に示すように、凸部２２Ｔを含むシンチレータ２２の表面に遮光膜１７が形成される。遮光膜１７は、シンチレータ２２の凸部２２Ｔの側面に密着するように形成される。そして、図１１（Ｅ）に示すように、遮光膜１７が加工される。遮光膜１７の加工は、ＣＭＰ装置３０を用いた研磨処理を含む。そして、遮光膜１７の厚み、スリット状の開口１６の幅等が所望の値になるまで、研磨処理が実行され、図１１（Ｆ）に示すように、本実施形態に係る計測部材１８Ｂが形成される。
【００７６】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００７７】
図１２は、第４実施形態に係る計測部材１８Ｃを示す図である。上述の第３実施形態と同様、本実施形態においても、遮光膜１７の開口１６の内面２８が、受光光学系２０の開口数ＮＡに応じて傾斜している。本実施形態においては、遮光膜１７の開口１６の内面２８同士の間には、シンチレータ２２は配置されていない。すなわち、本実施形態においては、シンチレータ２２の表面には凸部が無く、ほぼ平坦（平面）である。
【００７８】
本実施形態においても、開口１６の上端に入射した光は、大きく減衰することなく、開口１６の下端まで良好に到達できる。
【００７９】
図１３は、本実施形態に係る計測部材１８Ｃを製造する方法の一例を示す模式図である。シンチレータ２２が用意され、そのシンチレータ２２の表面に遮光膜１７が形成され、その遮光膜１７の表面に、感光材（フォトレジスト）の膜２６Ｃが形成される。そして、例えば電子線等によって感光材の膜２６Ｃが露光され、現像処理することによって、図１３（Ａ）に示すように、感光材の膜２６Ｃの一部が除去される。その後、ウエットエッチング処理することによって、図１３（Ｂ）に示すように、遮光膜１７の一部に、内面２８が傾斜する開口１６が形成される。その後、感光材の膜２６Ｃを除去することによって、図１３（Ｃ）に示すように、本実施形態に係る計測部材１８Ｃが形成される。
【００８０】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００８１】
図１４は、第５実施形態に係る計測部材１８Ｄを示す図である。本実施形態においては、計測部材１８Ｄは、ＥＵＶ光を電気信号に変換可能な光電変換素子３１と、その光電変換素子３１の上面に形成された開口１６を有する遮光膜１７とを備えている。光電変換素子３１は、例えばシリコンフォトダイオードを含む。
【００８２】
光電変換素子３１は、入射面２４Ｄより入射したＥＵＶ光に応じた電気信号を、増幅器２５Ｄを介して制御装置５に出力する。制御装置５は、光電変換素子３１からの出力に基づいて、投影光学系ＰＬの光学特性を計測可能である。
【００８３】
なお、第５実施形態に係る計測部材１８Ｄと、上述の第１〜第４実施形態の特徴部分と適宜組み合わせることができる。例えば、計測部材１８Ｄの遮光膜１７の開口１６の内面２８を傾斜させることによって、計測精度の劣化を抑制できる。
【００８４】
＜実験例＞
以下、本発明に係る計測部材と、従来のスリット部材との作用を比較した実験の結果について説明する。
【００８５】
図１５は、従来のスリット部材１１８を示す模式図である。比較対象である従来のスリット部材１１８は、膜１１７と、その膜１１７に形成されたスリット状の開口１１６とを有する。ここでは、膜１１７は、厚み３００ｎｍのタンタル（Ｔａ）の膜である。
【００８６】
図１５に示したようなスリット部材１１８と、図９等を用いて説明した第３実施形態に係る計測部材１８Ｂとを比較する実験を行った。計測部材１８Ｂの内面２８の傾斜角度はθ２８は３３度であり、受光光学系２０の最大錐角θと同じ値である。また、従来のスリット部材１１８の開口１１６の幅と、本発明に係る計測部材１８Ｂの開口１６の上端の幅とは同じ値である。
【００８７】
図１６に、パターンの像に対する開口の位置と開口の透過率との関係についての結果を示す。開口の透過率は、開口の上端に入射する光の光量と、開口を通過し、開口の下端に到達した光の光量との比である。図１６に示すように、本発明に係る計測部材１８Ｂにおいては、ほぼ１００％の透過率を得ることができる。
【００８８】
図１７に、本発明に係る計測部材１８Ｂを用いたときの光センサから出力される信号強度と、比較例に係るスリット部材を用いたときの光センサから出力される信号強度との関係を示す。図１７に示すように、本発明に係る計測部材１８Ｂにおいては、高い信号強度を得ることができる。
【００８９】
なお、上述の各実施形態においては、計測部材が、投影光学系の空間像を計測するための計測部材である場合を例にして説明したが、例えば、投影光学系ＰＬから射出される露光光の強度、あるいは投影光学系ＰＬの透過率等を計測するために、上述の各実施形態で説明した計測部材を用いることができる。なおこの場合、開口はスリット状でなくてもよく、円形状等であってもよい。例えばシンチレータ２２に入射されるＥＵＶ光の強度（光量）と、その入射したＥＵＶ光に応じてシンチレータ２２から出力される光ＬＵの強度（光量）との関係（比）が既知である場合、露光光の強度を計測するための光センサは、投影光学系の像面側に配置された計測部材から発生する光の強度を光センサで検出することによって、上述の関係と検出結果とに基づいて、露光光ＥＬの強度を求めることができる。
【００９０】
また、上述の各実施形態においては、計測部材が、投影光学系の光学特性を計測するために用いられる場合を例にして説明したが、投影光学系の光学特性のみならず、露光装置ＥＸ内における各種の光学的な検出動作に使用可能である。
【００９１】
なお、上述の実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００９２】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００９３】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００９４】
また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。
【００９５】
また、本発明は、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００９６】
更に、例えば特開平１１−１３５４００号公報（対応国際公開第１９９９／２３６９２号パンフレット）、米国特許第６，８９７，９６３号等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
【００９７】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００９８】
なお、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【００９９】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１００】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１８に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態に従って、マスクのパターンの像で基板に露光し、露光した基板を現像する基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０１０１】
なお、上述のように本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述した全ての構成要素を適宜組み合わせて用いる事が可能であり、また、一部の構成要素を用いない場合もある。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す模式図である。
【図２】第１実施形態に係る空間像計測システムの一例を示す図である。
【図３】第１実施形態に係る計測部材を示す模式図である。
【図４】第１実施形態に係る計測部材を示す平面図である。
【図５】第１実施形態に係る計測部材の製造工程の一例を示す模式図である。
【図６】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す模式図である。
【図７】第１実施形態に係る空間像計測システムの計測信号の一例を示す図である。
【図８】第２実施形態に係る計測部材を示す模式図である。
【図９】第３実施形態に係る計測部材を示す模式図である。
【図１０】第３実施形態に係る計測部材の製造工程の一例を示す模式図である。
【図１１】第３実施形態に係る計測部材の製造工程の一例を示す模式図である。
【図１２】第４実施形態に係る計測部材を示す模式図である。
【図１３】第４実施形態に係る計測部材の製造工程の一例を示す模式図である。
【図１４】第５実施形態に係る計測部材を示す模式図である。
【図１５】比較例を示す図である。
【図１６】本実施形態に係る計測部材と比較例との比較結果を示す図である。
【図１７】本実施形態に係る計測部材と比較例との比較結果を示す図である。
【図１８】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
【０１０３】
５…制御装置、７…空間像計測システム、１６…開口、１７…遮光膜、１９…受光装置、２０…受光光学系、２１…光センサ、２２…シンチレータ、２７…波長選択部材、２８…内面、３１…光電変換素子、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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