(57)【要約】【課題】記録ヘッド部の上部磁極の形成をより好適に行うことが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】感光性レジスト層３９上に、細幅部２６ｂの形状に沿って抜かれた第一マスク層４２を設けるステップと、感光性レジスト層３９上に、テーパ部２６ｃの形状に沿って抜かれた第二マスク層４４を設けるステップとを有し、第二マスク層４４は、抜かれた部分４４ａの先端２６ｅ側の終端４４ｂが、細幅部２６ｂとテーパ部２６ｃとの境界２６ｄの対応位置ｘよりも、前記後端側に位置するよう形成される。【選択図】図２
2008033980.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部磁極と、
先端側から後端側に向かって上方に盛り上がる段差を有する絶縁層と、
アペックス部、該アペックス部の先端側に形成された細幅部、および、該アペックス部の後端側に形成され、後端に向かうにつれて拡幅するテーパ部を有する上部磁極とが積層されてなる薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
前記絶縁層形成後、該絶縁層上に感光性レジスト層を形成するステップと、
前記感光性レジスト層上に、前記細幅部の形状に沿って抜かれた第一マスク層を設けるステップと、
前記感光性レジスト層上に、前記テーパ部の形状に沿って抜かれた第二マスク層を設けるステップとを有し、
前記第二マスク層は、前記抜かれた部分の前記先端側の終端が、前記細幅部と前記テーパ部との境界の対応位置よりも、前記後端側に位置するよう形成されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
下部磁極と、
先端側から後端側に向かって上方に盛り上がる段差を有する絶縁層と、
アペックス部、該アペックス部の先端側に形成された細幅部、および、該アペックス部の後端側に形成され、後端に向かうにつれて拡幅するテーパ部を有する上部磁極とが積層されてなる薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
前記絶縁層形成後、該絶縁層上に感光性レジスト層を形成するステップと、
前記感光性レジスト層上に、前記細幅部の形状に沿って抜かれた第一マスク層を設けるステップと、
前記感光性レジスト層上に、前記テーパ部の形状に沿って抜かれた第二マスク層を設けるステップとを有し、
前記第一マスク層の前記抜かれた部分は、前記細幅部と前記テーパ部との境界の対応位置の近傍における幅が、前記上部磁極の幅よりも幅狭となるよう形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記感光性レジスト層における前記第一マスク層から露出する部分を露光し、該第一マスク層を除去した後、前記第二マスク層を設けることを特徴とする請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第一マスク層の前記抜かれた部分は、前記境界の対応位置の近傍において、前記後端側に向かって徐々に幅狭となるテーパ状に形成されていることを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第一マスク層の前記抜かれた部分は、前記境界の対応位置の近傍において、前記後端側に向かって段階的に幅狭となる階段状に形成されていることを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、下部磁極とコイルと上部磁極とを有する記録ヘッド部を備える薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に、薄膜磁気ヘッドの一例が記載されている。図１２は、特許文献１に記載された、記録ヘッド部１０と再生ヘッド部１２とを有する薄膜磁気ヘッドの構成の説明図である。図１２は、薄膜磁気ヘッドを浮上面側から見た図である。
薄膜磁気ヘッドは、セラミックからなるウエハー基板１３上に、アルミナ等からなる絶縁層１４が形成され、絶縁層１４上にはニッケル鉄等よりなる下部シールド層１５が形成されている。下部シールド層１５上にはアルミナ等よりなる絶縁層１６が積層され、絶縁層１６上にはニッケル鉄等よりなるＳＡＬ層１７が積層され、ＳＡＬ層１７上にはタンタル、チタンなどよりなるスペーサ層１８が形成されている。
【０００３】
スペーサ層１８上には一対のリード端子１９、２０が積層され、スペーサ層１８上であって、リード端子１９、２０の間には、ニッケル鉄からなるＭＲ層２１が積層されている。リード端子１９、２０上およびＭＲ層２１上にはアルミナ等からなる絶縁層２２が積層されている。絶縁層２２上にはニッケル鉄等よりなる上部シールド層２３が積層されている。
【０００４】
絶縁層１４、下部シールド層１５、絶縁層１６、ＳＡＬ層１７、スペーサ層１８、ＭＲ層２１、リード端子１９、２０、絶縁層２２、上部シールド層２３により、データの再生を行う再生ヘッド部１２を構成する。
【０００５】
上部シールド層２３上にはアルミナ等よりなる絶縁層２４が積層されている。
絶縁層２４内にはコイル２５が設けられ、また絶縁層２４上には上部磁極２６が積層されている。上部磁極２６上にはアルミナ等からなる保護層２７が積層されている。
上部シールド層２３、絶縁層２４、コイル２５、上部磁極２６、保護層２７等により、磁気ディスクにデータを記録する記録ヘッド部１０が構成される。
なお、上部シールド層２３は、記録ヘッド部１０の下部磁極を兼用する。
【０００６】
図１３は、記録ヘッド部１０の横断面図である。この図面により、記録ヘッド部１０の構造をさらに詳細に説明する。図１３においては、左側の端面が浮上面となっている。
前記上部シールド層を兼ねた下部磁極２３上に、ニッケル鉄からなる下部磁極端部２３ａがめっきによって形成される。この下部磁極端部２３ａは、厚さが６〜７μｍ程度と、かなり厚いものなので、スパッタリングによっては形成できず、電解めっきによって形成される。
【０００７】
下部磁極端部２３ａの凹部２３ｂ内の下部磁極２３上にアルミナ等からなる絶縁層２８がスパッタリングによって形成され、この絶縁層２８上にコイル２５がめっきによって形成される。
そして、コイル２５を覆って、レジストが凹部２３ｂ内に充填され絶縁層２９が形成される。
絶縁層２９が下部磁極端部２３ａと面一になるようにラッピングによって平坦化される。
【０００８】
次いで、下部磁極端部２３ａの、書き込み先端部側となる表面（ギャップ層を介して上部磁極２６と対向することとなる表面）に、下部磁極端部２３ａよりも透磁率の高い材料、例えばＣｏＦｅＮｉ（コバルトニッケル鉄）よりなる高透磁率層３０を形成する。この高透磁率層３０は、電解めっきでは形成し難く、スパッタリングによって形成され、厚さは０．５μｍ程度と薄いものである。
【０００９】
次いで、高透磁率層３０、絶縁層２９の表面に、ＳｉＯ２等の絶縁膜からなるギャップ層３１が形成される。
次に、絶縁層２９とこれに隣接する高透磁率層３０の一部とにわたって、ギャップ層３１上に、レジストにより絶縁層３２が形成される。
レジストの粘度を所要のものに調整することによって、先端側が高透磁率層（下部磁極端部２３ａの一部）３０に向けて低くなるテーパ―面に形成された烏口部３３を有する絶縁層３２が形成される。絶縁層３２の烏口部３３により、下部磁極端部２３ａ側から後端側に向かって上方に盛り上がる段差が形成される。
【００１０】
次いで、感光性レジスト層（図示せず）によりギャップ層３１および絶縁層３２を覆い、フォトリソグラフィ法により感光性レジスト層を露光現像することで、感光性レジスト層の一部を上部磁極の形状に抜いた後、電解めっきにより、その抜いた箇所に上部磁極２６を形成する。
詳しくは、前記感光性レジスト層は、その表面上に、上部磁極２６の形状に沿って抜かれたマスク層が形成され、マスク層から露出する部分（上部磁極２６に対応する部分）が、露光されて除去される。そして、その除去された部分に、電解めっきにより上部磁極２６が形成される。
上部磁極２６には、絶縁層３２の烏口部３３の形状に倣って、磁極端２６ｅ（先端）側から後端側に向かって上方に盛り上がるアペックス部２６ａが形成される。
【００１１】
さらに、感光性レジスト層を除去した後、保護層２７（図１２参照）が形成されて薄膜磁気ヘッドに形成される。
【００１２】
さて、上部磁極２６を、図１３における上方から見た図を、図１４に示す。図１４に示すように、上部磁極２６は、アペックス部２６ａから磁極端２６ｅ（先端）側に、細幅部２６ｂが形成され、アペックス部２６ａから磁極端２６ｅの他端（後端）側には、細幅部２６ｂから他端（後端）に向かうにしたがって徐々に拡幅するテーパ部２６ｃが形成される。すなわち、細幅部２６ｂとテーパ部２６ｃとの間には、当該薄膜磁気ヘッドの薄膜の積層方向（図１３の上下方向）の段差（アペックス部２６ａ）がある。なお、この段差の高さは、一般的に１μｍ程度である。
【００１３】
このアペックス部２６ａによる段差により、前記フォトリソグラフィの工程において感光性レジスト層に露光する際、細幅部２６ｂとテーパ部２６ｃとの両方にフォーカスを合わせることができない。そこで、アペックス部２６ａを挟む細幅部２６ｂとテーパ部２６ｃとで、別々のマスクを用いて別々に露光処理が行われている。
【００１４】
すなわち、まず、図１５（ａ）に示すように、感光性レジスト層上に、細幅部２６ｂの形状に沿って抜かれた第一マスク層３４（斜線のハッチングで示す）を設け、第一マスク層３４上から、感光性レジスト層の露出部４０ａを露光し、続いて感光性レジスト層上から第一マスク層３４を除去する。
次に、図１５（ｂ）に示すように、感光性レジスト層上に、テーパ部２６ｃの形状に沿って抜かれた第二マスク層３６（斜線のハッチングで示す）を設け、第二マスク層３６上から、感光性レジスト層の露出部４０ｂを露光し、続いて、感光性レジスト層上から第二マスク層３６を除去する。
そして、感光性レジスト層を現像して、感光性レジスト層の露光された部分４０ａ，４０ｂ（すなわち上部磁極２６の対応部分）を除去する。
【００１５】
【特許文献１】特開２００４−９５０２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
薄膜磁気ヘッドの製造方法の前記フォトリソグラフィ法の工程において、第一マスク層３４の抜かれた部分３４ａと、第二マスク層３６の抜かれた部分３６ａとには、図１６に示すように、互いに共通する部分３８がある。この共通する部分３８（重なりしろ）は、上部磁極２６の対応位置で、露光されていない部分がないようにするために必要である。
【００１７】
しかしながら、感光性レジスト層のこの共通する部分３８においては、二回の露光が行われるから、上部磁極２６に対応する他の箇所に比較して、露光量が多くなる。これにより、感光性レジスト層を現像する際、図１７に示すように、細幅部２６ｂとテーパ部２６ｃとの境界２６ｄの対応箇所において、上部磁極の本来の理想的な形状（図１７の破線部）よりも感光性レジスト層が幅広に除去される。言い換えれば、上部磁極２６は、境界２６ｄの近傍において、磁極端２６ｅと他端（後端）とを結ぶ方向に直交する方向の幅が、本来の理想的な形状（図１７の破線部）の幅よりも若干幅広に形成される。
【００１８】
記録ヘッド部１０において、テーパ部２６ｃと細幅部２６ｂとの境界２６ｄから磁極端２６ｅまでの長さ（すなわち細幅部２６ｂの長さ）は、その記録性能に影響を与えるが、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法で製造された薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極２６の、境界２６ｄの近傍における幅が幅広に形成されるから、細幅部２６ｂの長さが本来の長さよりも短くなった状態となって理想的な記録性能が得られないとともに、記録性能がばらつきやすいという課題がある。
【００１９】
本発明は上記課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、記録ヘッド部の上部磁極の形成をより好適に行うことで、記録性能に優れるとともに、製品毎の記録性能のばらつきの少ない薄膜磁気ヘッドを製造することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、下部磁極と、先端側から後端側に向かって上方に盛り上がる段差を有する絶縁層と、アペックス部、該アペックス部の先端側に形成された細幅部、および、該アペックス部の後端側に形成され、後端に向かうにつれて拡幅するテーパ部を有する上部磁極とが積層されてなる薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記絶縁層形成後、該絶縁層上に感光性レジスト層を形成するステップと、前記感光性レジスト層上に、前記細幅部の形状に沿って抜かれた第一マスク層を設けるステップと、前記感光性レジスト層上に、前記テーパ部の形状に沿って抜かれた第二マスク層を設けるステップとを有し、前記第二マスク層は、前記抜かれた部分の前記先端側の終端が、前記細幅部と前記テーパ部との境界の対応位置よりも、前記後端側に位置するよう形成されることを特徴とする。
これによれば、第二マスク層の前記終端が細幅部とテーパ部との境界の対応位置よりも前記後端側に位置することで、露光が二回行われる箇所の近傍において、第一および第二マスク層の抜かれた部分（すなわち露光される部分）が、上部磁極の幅よりも幅狭となるよう形成される。これにより、感光性レジスト層の露光が二回行われる箇所において、現像時に感光性レジスト層の抜かれる部分がマスク層の抜かれた箇所よりも幅広に形成される現象と相殺されて、上部磁極が本来の理想的な形状に近く形成される。
【００２１】
また、下部磁極と、先端側から後端側に向かって上方に盛り上がる段差を有する絶縁層と、アペックス部、該アペックス部の先端側に形成された細幅部、および、該アペックス部の後端側に形成され、後端に向かうにつれて拡幅するテーパ部を有する上部磁極とが積層されてなる薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記絶縁層形成後、該絶縁層上に感光性レジスト層を形成するステップと、前記感光性レジスト層上に、前記細幅部の形状に沿って抜かれた第一マスク層を設けるステップと、前記感光性レジスト層上に、前記テーパ部の形状に沿って抜かれた第二マスク層を設けるステップとを有し、前記第一マスク層の前記抜かれた部分は、前記細幅部と前記テーパ部との境界の対応位置の近傍における幅が、前記上部磁極の幅よりも幅狭となるよう形成されていることを特徴とする。
これによれば、露光が二回行われる箇所の近傍において、第一マスク層の抜かれた部分の幅が、上部磁極の幅よりも幅狭となるよう形成されている。これにより、感光性レジスト層の露光が二回行われる箇所において、現像時に感光性レジスト層の抜かれる部分がマスク層の抜かれた箇所よりも幅広に形成される現象と相殺されて、上部磁極が本来の理想的な形状に近く形成される。
【００２２】
さらに、前記感光性レジスト層における前記第一マスク層から露出する部分を露光し、該第一マスク層を除去した後、前記第二マスク層を設けることを特徴とする。
【００２３】
また、前記第一マスク層の前記抜かれた部分は、前記境界の対応位置の近傍において、前記後端側に向かって徐々に幅狭となるテーパ状に形成されていることを特徴とする。
【００２４】
また、前記第一マスク層の前記抜かれた部分は、前記境界の対応位置の近傍において、前記後端側に向かって段階的に幅狭となる階段状に形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、記録ヘッド部の上部磁極の形成をより好適に行うことで、記録性能に優れるとともに、製品毎の記録性能のばらつきの少ない薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を実施するための最良の形態を説明する。
なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法で製造される薄膜磁気ヘッドの全体的な構成は、図１２に示した薄膜磁気ヘッドと同じであるから、その説明は省略する。
【００２７】
また、下記の通り、その記録ヘッド部１０の全体的な構成は、図１３に示した記録ヘッド部１０の構成と同じであり、記録ヘッド部１０の全体的な形成方法は、背景技術で示した方法と同様である。
【００２８】
図１３は、記録ヘッド部１０の横断面図である。この図面により、記録ヘッド部１０の構造をさらに詳細に説明する。図１３においては、左側の端面が浮上面となっている。
前記上部シールド層を兼ねた下部磁極２３上に、ニッケル鉄からなる下部磁極端部２３ａがめっきによって形成される。この下部磁極端部２３ａは、厚さが６〜７μｍ程度と、かなり厚いものなので、スパッタリングによっては形成できず、電解めっきによって形成される。
【００２９】
下部磁極端部２３ａの凹部２３ｂ内の下部磁極２３上にアルミナ等からなる絶縁層２８がスパッタリングによって形成され、この絶縁層２８上にコイル２５がめっきによって形成される。
そして、コイル２５を覆って、レジストが凹部２３ｂ内に充填され絶縁層２９が形成される。
絶縁層２９が下部磁極端部２３ａと面一になるようにラッピングによって平坦化される。
【００３０】
次いで、下部磁極端部２３ａの、書き込み先端部側となる表面（ギャップ層を介して上部磁極２６と対向することとなる表面）に、下部磁極端部２３ａよりも透磁率の高い材料、例えばＣｏＦｅＮｉ（コバルトニッケル鉄）よりなる高透磁率層３０を形成する。この高透磁率層３０は、電解めっきでは形成し難く、スパッタリングによって形成され、厚さは０．５μｍ程度と薄いものである。
【００３１】
次いで、高透磁率層３０、絶縁層２９の表面に、ＳｉＯ２等の絶縁膜からなるギャップ層３１が形成される。
次に、絶縁層２９とこれに隣接する高透磁率層３０の一部とにわたって、ギャップ層３１上に、レジストにより絶縁層３２が形成される。
レジストの粘度を所要のものに調整することによって、先端側が高透磁率層（下部磁極端部２３ａの一部）３０に向けて低くなるテーパ―面に形成された烏口部３３を有する絶縁層３２が形成される。絶縁層３２の烏口部３３により、下部磁極端部２３ａ（先端）側から他端（後端）側に向かって上方に盛り上がる段差が形成される。
【００３２】
次いで、感光性レジスト層（図示せず）によりギャップ層３１および絶縁層３２を覆い、フォトリソグラフィ法により感光性レジスト層を露光現像することで、感光性レジスト層の一部を上部磁極の形状に抜いた後、電解めっきにより、その抜いた箇所に上部磁極２６を形成する。
詳しくは、前記感光性レジスト層は、その表面上に、上部磁極２６の形状に沿って抜かれたマスク層が形成され、マスク層から露出する部分（上部磁極２６に対応する部分）が、露光されて除去される。そして、その除去された部分に、電解めっきにより上部磁極２６が形成される。
上部磁極２６には、絶縁層３２の烏口部３３の形状に倣って、磁極端２６ｅ（先端）側から他端（後端）側に向かって上方に盛り上がるアペックス部２６ａが形成される。
【００３３】
さらに、感光性レジスト層を除去した後、保護層２７（図１２参照）が形成されて薄膜磁気ヘッドに形成される。
【００３４】
さて、上部磁極２６を、図１３における上方から見た図を、図１４に示す。図１４に示すように、上部磁極２６は、アペックス部２６ａから磁極端２６ｅ（先端）側に、細幅部２６ｂが形成され、アペックス部２６ａから磁極端２６ｅの他端（後端）側には、細幅部２６ｂから他端（後端）に向かうにしたがって徐々に拡幅するテーパ部２６ｃが形成される。すなわち、細幅部２６ｂとテーパ部２６ｃとの間には、当該薄膜磁気ヘッドの薄膜の積層方向（図１３の上下方向）の段差（アペックス部２６ａ）がある。なお、この段差の高さは、一般的に１μｍ程度である。
【００３５】
このアペックス部２６ａによる段差により、前記フォトリソグラフィの工程において感光性レジスト層に露光する際、細幅部２６ｂとテーパ部２６ｃとの両方にフォーカスを合わせることができない。そこで、アペックス部２６ａを挟む細幅部２６ｂとテーパ部２６ｃとで、別々のマスクを用いて別々に露光処理が行われている。
【００３６】
すなわち、まず、図１（ａ）に示すように、感光性レジスト層３９上に、細幅部２６ｂの形状に沿って抜かれた第一マスク層４２を設け、第一マスク層４２上から、感光性レジスト層の露出部３９ａを露光し、続いて感光性レジスト層３９上から第一マスク層４２を除去する。
次に、図１（ｂ）に示すように、感光性レジスト層３９上に、テーパ部２６ｃの形状に沿って抜かれた第二マスク層４４を設け、第二マスク層４４上から、感光性レジスト層の露出部３９ｂを露光し、続いて、感光性レジスト層３９上から第二マスク層４４を除去する。
そして、感光性レジスト層３９を現像して、感光性レジスト層３９の露光された部分３９ａ，３９ｂ（すなわち上部磁極２６の対応部分）を除去する。
【実施例１】
【００３７】
本実施例１に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の特徴は、第二マスク層４４の、テーパ部２６ｃの対応箇所の抜かれた部分の形状にある。
図２に、本実施例１に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法で用いる第一マスク層４２および第二マスク層４４の形状を示す。
【００３８】
図２（ａ）に示すように、第一マスク層４２（斜線のハッチングで示す）には、上部磁極２６の細幅部２６ｂの形状に沿って抜かれた部分４２ａが形成される。この第一マスク層４２の抜かれた部分４２ａは、細幅部２６ｂの対応箇所から、テーパ部２６ｃの対応箇所にまで、細幅部２６ｂと等幅に延びて形成される。
なお、この点については従来の第一マスク層と変わらない。
【００３９】
図２（ｂ）に示すように、第二マスク層４４（斜線のハッチングで示す）には、上部磁極２６のテーパ部２６ｃの形状に沿って抜かれた部分４４ａが形成される。そして、抜かれた部分４４ａの磁極端２６ｅ（先端）側の終端４４ｂは、細幅部２６ｂとテーパ部２６ｃとの境界２６ｄの対応位置ｘよりも、磁極端２６ｅの他端（後端）側に位置するよう形成される。
【００４０】
これによれば、図３に示すように、第二マスク層４４の終端４４ｂが細幅部２６ｂとテーパ部２６ｃとの境界２６ｄの対応位置ｘよりも前記他端（後端）側に位置することで、露光が二回行われる箇所４６の近傍において、第一および第二マスク層４２，４４の抜かれた部分４２ａ，４４ａ（すなわち露光される部分）の一部が、上部磁極２６の幅（図３中の破線部）よりも幅狭となるよう形成される。これにより、感光性レジスト層３９の露光が二回行われる箇所４６において、現像時に感光性レジスト層３９の抜かれる部分がマスク層４２，４４の抜かれた箇所よりも幅広に形成される現象と相殺されて、上部磁極２６が本来の理想的な幅で形成される。
【００４１】
本実施例１に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における、現像後の感光性レジスト層を撮像した画像を図４（ａ）に、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における、現像後の感光性レジスト層を撮像した画像を図４（ｂ）に、それぞれ示す。図４（ａ），（ｂ）において、Ａは感光性レジスト層の表面であり、Ｂは感光性レジスト層が除去されて露出した絶縁層３２の表面であり、Ｃは、感光性レジスト層の表面Ａと絶縁層３２の表面Ｂとを結ぶ感光性レジスト層の斜面である。図４から分かるように、本実施例１に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法において現像された感光性レジスト層は、細幅部２６ｂとテーパ部２６ｃとの境界２６ｄの対応位置ｘの近傍において、露光が過度にかかったことによって感光性レジスト層が本来の上部磁極２６の外形よりも幅広に除去されることがなく、従来方法における感光性レジスト層と比較して、細幅部２６ｂとテーパ部２６ｃとの外形線の交点付近における角度がよりシャープに形成されている。
【００４２】
また、図５（ａ）は、本実施例１に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により形成された上部磁極２６を撮像した画像であり、図５（ｂ）は、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法により形成された上部磁極を撮像した画像である。
図５から分かるように、従来の製造方法で形成された上部磁極（図５（ｂ））は、細幅部２６ｂとテーパ部２６ｃとの境界２６ｄの近傍（図１４参照）において、磁極端２６ｅと他端（後端）とを結ぶ方向に直交する方向の幅が、本来の理想的な形状の幅よりも若干幅広に形成されて、若干のカーブを描くよう形成されている。それに対し、本実施例１に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により形成された上部磁極（図５（ａ））は、細幅部２６ｂとテーパ部２６ｃとの境界２６ｄの近傍において、本来の上部磁極の外形よりも幅広に形成されることなく、従来方法で形成された上部磁極と比較して、細幅部２６ｂとテーパ部２６ｃとの外形線の交点付近における角度がよりシャープに形成されている。
【実施例２】
【００４３】
本実施例２に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の特徴は、第一マスク層４２の、細幅部２６ｂの対応箇所の抜かれた部分４２ａの形状にある。
本実施例２における記録ヘッド部１０の全体的な構成は、図１３に示した記録ヘッド部１０の構成と同じであり、記録ヘッド部１０の全体的な形成方法は、実施例１で示した方法と同様である。
図６に、本実施例２に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法で用いる第一マスク層４２および第二マスク層４４の形状を示す。
【００４４】
図６（ａ）に示すように、第一マスク層４２の抜かれた部分４２ａは、細幅部２６ｂとテーパ部２６ｃとの境界２６ｄの対応位置ｘの近傍において、磁極端２６ｅと他端（後端）とを結ぶ方向に直交する方向の幅が、上部磁極２６の幅よりも幅狭となるよう形成されている。
【００４５】
これによっても、実施例１と同様、感光性レジスト層の露光が二回行われる箇所５２（図７参照）において、現像時に感光性レジスト層の抜かれる部分がマスク層４２，４４の抜かれた箇所よりも幅広に形成される現象と相殺されて、上部磁極２６が本来の理想的な幅で形成される。
【実施例３】
【００４６】
図８，図９に、実施例３に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法で用いる第一マスク層４２および第二マスク層４４の形状を示す。
本実施例３における記録ヘッド部１０の全体的な構成は、図１３に示した記録ヘッド部１０の構成と同じであり、記録ヘッド部１０の全体的な形成方法は、実施例１で示した方法と同様である。
本実施例３に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の特徴は、実施例２と同様、第一マスク層４２の抜かれた部分４２ａの形状が、細幅部２６ｂとテーパ部２６ｃとの境界２６ｄの対応位置ｘの近傍において、磁極端２６ｅと他端（後端）とを結ぶ方向に直交する方向の幅が上部磁極２６の幅よりも幅狭となるよう形成されていることである。
実施例２との違いは、この抜かれた部分４２ａが、前記他端（後端）側に向かって徐々に幅狭となるテーパ状に形成されている点である。
【００４７】
これによっても、実施例２と同様、感光性レジスト層の露光が二回行われる箇所５４（図９参照）において、現像時に感光性レジスト層の抜かれる部分がマスク層４２，４４の抜かれた箇所よりも幅広に形成される現象と相殺されて、上部磁極２６が本来の理想的な幅で形成される。
【実施例４】
【００４８】
図１０，図１１に、実施例４に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法で用いる第一マスク層４２および第二マスク層４４の形状を示す。
本実施例４における記録ヘッド部１０の全体的な構成は、図１３に示した記録ヘッド部１０の構成と同じであり、記録ヘッド部１０の全体的な形成方法は、実施例１で示した方法と同様である。
本実施例４に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の特徴は、実施例２，３と同様、第一マスク層４２の抜かれた部分４２ａの形状が、細幅部２６ｂとテーパ部２６ｃとの境界２６ｄの対応位置ｘの近傍において、磁極端２６ｅと他端（後端）とを結ぶ方向に直交する方向の幅が上部磁極２６の幅よりも幅狭となるよう形成されていることである。
実施例２，３との違いは、この抜かれた部分４２ａが、前記他端（後端）側に向かって段階的に幅狭となる階段状に形成されている点である。
【００４９】
これによっても、実施例２と同様、感光性レジスト層の露光が二回行われる箇所５６（図１１参照）において、現像時に感光性レジスト層の抜かれる部分がマスク層４２，４４の抜かれた箇所よりも幅広に形成される現象と相殺されて、上部磁極２６が本来の理想的な幅で形成される。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の工程を示す説明図である。
【図２】本発明の実施例１に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における、第一マスク層および第二マスク層の抜かれた部分の形状を示す説明図である。
【図３】実施例１における第一マスク層と第二マスク層とを仮に重ね合わせた状態を示す説明図である。
【図４】（ａ）は実施例１に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における、現像後の感光性レジスト層を撮像した画像であり、（ｂ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における、現像後の感光性レジスト層を撮像した画像である。
【図５】（ａ）は実施例１に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における、上部磁極を撮像した画像であり、（ｂ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における、上部磁極を撮像した画像である。
【図６】本発明の実施例２に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における、第一マスク層および第二マスク層の抜かれた部分の形状を示す説明図である。
【図７】実施例２における第一マスク層と第二マスク層とを仮に重ね合わせた状態を示す説明図である。
【図８】本発明の実施例３に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における、第一マスク層および第二マスク層の抜かれた部分の形状を示す説明図である。
【図９】実施例３における第一マスク層と第二マスク層とを仮に重ね合わせた状態を示す説明図である。
【図１０】本発明の実施例４に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における、第一マスク層および第二マスク層の抜かれた部分の形状を示す説明図である。
【図１１】実施例４における第一マスク層と第二マスク層とを仮に重ね合わせた状態を示す説明図である。
【図１２】薄膜磁気ヘッドの構成を示す説明図である。
【図１３】記録ヘッド部の横断面図である。
【図１４】上部磁極の形状を示す説明図である。
【図１５】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における、第一マスク層および第二マスク層の抜かれた部分の形状を示す説明図である。
【図１６】従来方法における第一マスク層と第二マスク層とを仮に重ね合わせた状態を示す説明図である。
【図１７】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法で形成された上部磁極の形状を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０  記録ヘッド部
１２  再生ヘッド部
１３  ウエハー基板
２３  下部磁極
２５  コイル
２６  上部磁極
２６ａ  アペックス部
２６ｂ  細幅部
２６ｃ  テーパ部
２６ｄ  細幅部とテーパ部との境界
２６ｅ  磁極端（先端）
３２  絶縁層
３３  烏口部（段差）
３９  感光性レジスト層
３９ａ，３９ｂ  露出部（露光された部分）
４２  第一マスク層
４２ａ  抜かれた部分
４４  第二マスク層
４４ａ  抜かれた部分
４４ｂ  第二マスク層の抜かれた部分の磁極端側の終端
４６，５２，５４，５６  露光が二回行われる箇所
ｘ  細幅部とテーパ部との境界の対応位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図４】
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【図５】
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