(57)【要約】【課題】ダミー端子によるコンデンサマイクロホンの浮遊容量を減らすことにより、回路基板に設けられる回路特性の悪影響を抑制することができるコンデンサマイクロホンを提供することにある。【解決手段】コンデンサマイクロホンでは、回路基板２３は、導通部５０と、領域Ｐ１〜Ｐ３に位置するレジスト５２の部分を有するようにし、各部がコンデンサ部を保持する保持部材の脚部と接触される。導通部５０は銅箔にて形成されるとともに、領域Ｐ１〜Ｐ３に位置するレジスト５２は絶縁部材にて形成される。【選択図】図３
2008131192.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動膜と極板とが対向配置されてなるコンデンサ部と、前記コンデンサ部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子と、前記インピーダンス変換素子を実装する回路基板と、前記コンデンサ部と上記回路基板とを接続する接続部材とを備えたコンデンサマイクロホンにおいて、
前記接続部材は、前記回路基板と接触するための複数の接触端子を有し、
前記回路基板は、前記複数の接触端子のいずれかと接触する導通部と前記複数の接触端子のうち前記導通部に接触していない接触端子のいずれかに接触する載置部とをそれぞれ１個以上有し、
前記導通部は導電部材にて形成されるとともに、前記載置部は絶縁部材にて形成されていることを特徴とするコンデンサマイクロホン。
【請求項２】
前記導通部と、前記載置部とは、前記回路基板上で同じ高さとなるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項３】
前記導通部は前記インピーダンス変換素子と導通していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項４】
前記載置部の絶縁部材は、前記回路基板表面に形成された導電パターンの一部を覆うレジストと共通の材質であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載のコンデンサマイクロホン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ等の機器に用いられるコンデンサマイクロホンに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のコンデンサマイクロホンとしては、例えばエレクトレットコンデンサマイクロホンがある。エレクトレットコンデンサマイクロホンは、振動膜と同振動膜に対向配置されてなる極板とからなるエレクトレットコンデンサ部と、回路基板に実装されたインピーダンス変換素子とを備えている。前記インピーダンス変換素子は、前記エレクトレットコンデンサ部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するためのものである。そして、前記エレクトレットコンデンサ部とインピーダンス変換素子との導通を図るために、リード線や、或いは、特許文献１に記載されているように、コイルバネ端子が設けられている。
【０００３】
前記コイルバネ端子を利用した場合、特許文献１に記載されているように、接着やリード線の接続のための半田付け等が不要になり、製品のバラツキが解消される利点がある。しかし、コイルバネ端子の場合はバネの伸縮スペースを多く必要とするため、近年の小型化、薄型化に対応しがたくなっている。そこで、近年では、上記リード線や、コイルバネ端子に代えて、金属製の板ばねを利用したエレクトレットコンデンサマイクロホンも提案されている。板ばねは、エレクトレットコンデンサ部の極板に対して当接して均一な圧接力を得るための当接部と、同当接部に一体に連結されるとともに回路基板に接触する複数の脚部とを備えた構成とされている。そして、前記複数の脚部のうち、１つの脚部は回路基板の表面に接続端子として設けられた導電パターンを介して前記インピーダンス変換素子に電気的に接続されるとともに、残りの脚部は回路基板の表面にダミー端子として設けられた複数の導体パターンにそれぞれ接触するようにされている。
【特許文献１】特開２００３−１８９３９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、従来は回路基板に設けられたダミー端子は導体であるため、浮遊容量が大きくなり、コンデンサマイクロホンの回路基板の回路特性に悪影響を及ぼす問題があった。
この発明の目的は、ダミー端子によるコンデンサマイクロホンの浮遊容量を減らすことにより、回路基板に設けられる回路特性の悪影響を抑制することができるコンデンサマイクロホンを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、振動膜と極板とが対向配置されてなるコンデンサ部と、前記コンデンサ部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子と、前記インピーダンス変換素子を実装する回路基板と、前記コンデンサ部と上記回路基板とを接続する接続部材とを備えたコンデンサマイクロホンにおいて、
前記接続部材は、前記回路基板と接触するための複数の接触端子を有し、
前記回路基板は、前記複数の接触端子のいずれかと接触する導通部と前記複数の接触端子のうち前記導通部に接触していない接触端子のいずれかに接触する載置部とをそれぞれ１個以上有し、前記導通部は導電部材にて形成されるとともに、前記載置部は絶縁部材にて形成されていることを特徴とするコンデンサマイクロホンを要旨とするものである。
【０００６】
請求項１の発明によれば、回路基板は各接触端子と接触する導通部と載置部とをそれぞれ１個以上有し、前記導通部が導電部材にて形成されるとともに、ダミー端子として使用される前記載置部が絶縁部材にて形成されていることにより、コンデンサマイクロホンの浮遊容量が減らされ、回路基板に設けられる回路特性の悪影響が抑制される。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１において、前記導通部と、前記載置部とは、前記回路基板上で同じ高さとなるように形成されていることを特徴とする。
請求項２の発明によれば、導通部と前記載置部とが回路基板上で同じ高さに形成されているため、接続部材の座りが良くなって、コンデンサ部と回路基板に設けられる回路との導通が安定して確保できるため、コンデンサマイクロホンのマイク特性が安定する。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２において、前記導通部は前記インピーダンス変換素子と導通していることを特徴とする。
請求項３の発明によれば、インピーダンス変換素子を含む回路特性に関して、請求項１又は請求項２の効果を奏する。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項において、前記載置部の絶縁部材は、前記回路基板表面に形成された導電パターンの一部を覆うレジストと共通の材質であることを特徴とする。
【００１０】
請求項４の発明によれば、載置部の絶縁部材が回路基板表面に形成された導電パターンの一部を覆うレジストと共通の材質であることにより載置部と回路基板表面に形成された導電パターンの一部を覆うレジストとを同時形成することができ、載置部の形成のコストを低減することができる。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように、この発明によればダミー端子によるコンデンサマイクロホンの浮遊容量を減らすことができるとともに回路基板に設けられる回路特性の浮遊容量による悪影響を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に、この発明の実施形態を、図１〜図４を参照して説明する。
図１及び図２に示すように、この実施形態のコンデンサマイクロホン２１の筐体２２は、実装基板としての平板状の回路基板２３と、枠体としての四角枠状の筐体基枠２４と、トップカバーとしての平板状のトップ基板２５とを積層して、接着シート２７Ａ，２７Ｂにより一体に固定した構造となっている。前記回路基板２３，筐体基枠２４及びトップ基板２５はエポキシ樹脂等の樹脂製の電気絶縁体により構成されている。本実施形態では、前記部材はガラス布基材エポキシ樹脂にて構成されているが、エポキシ樹脂に限定されるものではない。図４（ａ）に示すように回路基板２３の上面（なお、表面ともいう）には導電部材としての銅箔よりなる導電パターン２３ａ，２３ｂ，２３ｃが形成されている。なお、図３、図４（ａ）においては、説明の便宜上、導電パターン２３ａ，２３ｂ，２３ｃはハッチングで示されている。
【００１３】
図４（ａ）に示すように導電パターン２３ａは、第１端部が回路基板２３上面において、長手方向の一端部寄りに、かつ、短手方向の一側端部寄りに位置するとともに、第２端部５１が回路基板２３上面において中央部寄りに延出されている。そして、導電パターン２３ａの第１端部は、導通部５０とされている。
【００１４】
ここで、回路基板２３上面において、回路基板２３の厚み方向に貫通する中心軸Ｏ（図４（ａ）参照）に対してそれぞれ直交する短手方向の軸をｘ軸とし、長手方向の軸をｙ軸という。
【００１５】
そして、回路基板２３上面において、ｘ軸を対称軸とする前記導通部５０とは線対称の領域Ｐ１及びｙ軸を対称軸とする導通部５０の線対称の領域Ｐ２、及び中心軸Ｏを中心点とした導通部５０の点対称の領域Ｐ３は、導電パターンが設けられていない領域（以下、無導電パターン領域という）に含まれている。なお、無導電パターン領域とは、回路基板２３上面において、前記導電パターン２３ｃに囲まれるとともに、導電パターン２３ａ、２３ｂを除外した領域である。導電パターン２３ｂは、本実施形態では、複数（本実施形態では４個）設けられている。
【００１６】
前記導電パターン２３ｃは、アース用の導電パターンであって、筐体基枠２４の枠形状に相対するように枠状に設けられている。導電パターン２３ａ，２３ｂは、部品接続のための導電パターンであって、電源入力用や値信号取り出し用となっている。
【００１７】
又、図３、図４（ｂ）に示すように、導電パターン２３ａ〜２３ｃの一部の上面及び無導電パターン領域において、領域Ｐ１及〜Ｐ３を含む面はレジスト５２にて覆われている。なお、説明の便宜上、図４（ｂ）においては、レジスト５２はハッチングで図示されている。
【００１８】
レジスト５２は、絶縁部材として例えばエポキシ樹脂等からなるが、この材質に限定されるものではなく、絶縁性の合成樹脂であればよい。又、レジスト５２は、その全体（すなわち領域Ｐ１〜Ｐ３を含む全体）に亘って同一の膜厚に形成されるとともに導通部５０と同じ厚みとされている。すなわち、領域Ｐ１〜Ｐ３に位置するレジスト５２の部分と、導通部５０とは回路基板２３上面を基準として同じ高さ（すなわち、厚み）となるようにされている。導通部５０とレジスト５２の厚みは、通常２０μｍ〜４０μｍ程度に設定されている。なお、本実施形態における導通部５０とレジスト５２の厚みは、３０μｍに設定されている。レジスト５２において、導通部５０に近辺は切り欠き５２ａが形成されて導通部５０を露出するようにされている。又、レジスト５２において、導電パターン２３ａの第２端部５１、各導電パターン２３ｂの一端部、及び、導電パターン２３ｃの一部に対応した部分には窓５２ｂが設けられて、当該部分が窓５２ｂを介して露出されている。
【００１９】
又、導電パターン２３ｃの枠状の周部は、レジスト５２にて覆われていない露出部分とされて筐体基枠２４と相対する。
又、図４（ｃ）に示すように回路基板２３下面（なお、裏面ともいう）には銅箔よりなる複数の導電パターン２３ｄ，２３ｅ（図１には、１つの導電パターン２３ｄのみ図示されている。）が形成されている。なお、図４（ｃ）においては、説明の便宜上、導電パターン２３ｄ，２３ｅはハッチングで示されている。
【００２０】
そして、回路基板２３には、複数のスルーホール２３ｇが設けられるとともに、同スルーホール２３ｇの内周に図示しないに導電層が形成されている。そして、同複数のスルーホールのうち、いくつかのスルーホール２３ｇの導電層を介して、前記導電パターン２３ｃは、回路基板２３下面の導電パターン２３ｄに対して接続される。導電パターン２３ｄにおいては、その一部がアース端子となる。
【００２１】
又、同複数のうち、残りのいくつかのスルーホールの導電層を介して、導電パターン２３ａ，２３ｂは回路基板２３下面に設けられた信号出力端子（図示しない）や電源入力端子（図示しない）に接続される導電パターン２３ｅに対して接続されている。
【００２２】
なお、回路基板２３内には、図１に示すように銅箔よりなる中間層２３ｆが設けられ、導電パターン２３ｃと，導電パターン２３ｄ間を電気接続するスルーホール２３ｇに電気的に接続されている。
【００２３】
又、回路基板２３上には、筐体２２内に設けられた電装部品としてのインピーダンス変換素子を構成する電界効果トランジスタ２６が実装されている。電界効果トランジスタ２６は、導電パターン２３ａの第２端部５１と、複数の導電パターン２３ｂのうち、いくつかの導電パターン２３ｂの一端に電気的に接続されている。
【００２４】
前記筐体基枠２４は、上下両端に開口部を有し、図１に示すようにその上下両端面及び外側面には銅箔よりなる連続した金属層としての導電パターン２４ａ，２４ｂ，２４ｃが形成されている。導電パターン２４ａ，２４ｂは、図２に示すように筐体基枠２４の上下両開口部周縁に対して環状に設けられている。
【００２５】
導電パターン２４ｃは、筐体基枠２４の外側面において、同筐体基枠２４の４つの角部の外側面を除いた部分に設けられた凹部２４ｉに導電ペーストが塗布されること、若しくは、銅箔メッキ等の金属箔メッキを施すことにより形成され、導電パターン２４ａ，２４ｂを電気的に接続する。又、下面側の導電パターン２４ｂは図１に示すように回路基板２３上の前記導電パターン２３ｃを介して回路基板２３下面の導電パターン２３ｄに対して接続されている。凹部２４ｉ内は、エポキシ樹脂等の絶縁性合成樹脂により充填されて充填部２４ｊが形成されている。
【００２６】
図１、図２に示すように筐体基枠２４の下部の開口部周縁は、前記導電パターン２３ｃの外方に配置された四角環状の接着シート２７Ａにより前記回路基板２３に対して一体に接着固定されている。そして、回路基板２３上の前記電界効果トランジスタ２６の電装部品が、この筐体基枠２４内に収容配置されている。
【００２７】
図１に示すように前記トップ基板２５の上下両面には銅箔等よりなる導電パターン２５ａ，２５ｂが形成されている。トップ基板２５には、外部から音を取り込むための音孔２８が形成されている。
【００２８】
図１、図２に示すように筐体基枠２４の上部の開口部周縁は、前記導電パターン２４ａの外方に配置された四角環状の接着シート２７Ｂにより前記トップ基板２５が一体に接着固定されている。このようにして、筐体基枠２４の上部の開口部周縁はトップ基板２５に対してスペーサ２９、振動膜３０を介して一体に連結されている。
【００２９】
図１及び図２に示すように、前記筐体基枠２４とトップ基板２５との間には、絶縁性フィルムからなる環状のスペーサ２９が挟持固定されている。又、スペーサ２９は導電パターン２４ａに対して導電性接着剤により接着されている。スペーサ２９の上面にはＰＰＳ（ポリフェニレンサルファィド）フィルム等の絶縁性を有する合成樹脂薄膜よりなる振動膜３０が接着により張設されており、その振動膜３０の下面には金蒸着よりなる導電層３０ａが形成されている。
【００３０】
振動膜３０及びスペーサ２９には図示しないスルーホールが設けられ、導電層３０ａは、同スルーホールに充填された導電ペースト、及びスペーサ２９と筐体基枠２４（正確にはスペーサ２９と導電パターン２４ａ）間の導電性接着剤（図示しない）を介して導電パターン２４ａと導通可能にされている。
【００３１】
図１に示すように、前記トップ基板２５には複数のスルーホール３６が形成され、それらのスルーホール３６の内周面には前記導電パターン２５ａ，２５ｂと連続する導電パターン２５ｃが設けられている。また、スルーホール３６内には導電性接着剤３７ａが充填され、この導電性接着剤３７ａと前記導電パターン２５ｃとにより導電部３７が形成されている。この導電部３７は前記振動膜３０の下面を折り返して形成された折返し部３０ｂ（図１参照）の導電層３０ａと電気接続されている。なお、スルーホール３６内の導電性接着剤３７ａは充填されなくても導電パターン２５ｃが形成されていればよく、又、スルーホール３６内の導電パターン２５ｃが形成されていない場合は、導電性接着剤３７ａを充填するのみでもよい。なお、導電パターン２５ｃと導電性接着剤３７ａとが両方形成されることで導電性やシールド性は向上する。
【００３２】
そして、トップ基板２５の導電パターン２５ａ，２５ｂは、導電部３７、導電層３０ａ，前述した振動膜３０に設けられた図示しないスルーホールの導電ペースト、スペーサ２９と導電パターン２４ａ間の導電性接着剤、及び筐体基枠２４上の導電パターン２４ａ〜２４ｃを介して回路基板２３上の前記アース端子に至る導電路が形成されている。
【００３３】
筐体基枠２４内において、振動膜３０の下面にはスペーサ２９を介在させて極板としてのバックプレート３１が対向配置されている。このバックプレート３１は、ステンレス鋼板からなるバックプレート本体３１ａの上面にＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフィルム３１ｂが貼着されて構成されている。そのフィルム３１ｂにはコロナ放電等による分極処理が施されており、この分極処理によりフィルム３１ｂはエレクトレット層を構成している。本実施形態では、前記バックプレート３１は背極を構成しており、この実施形態のコンデンサマイクはバックエレクトレットタイプで構成されている。
【００３４】
さらに、前記バックプレート３１は、筐体基枠２４の内周形状よりも小さな外周形状となる平面形ほぼ長円状をなすように形成されていて、それらの内外周面間には隙間Ｐが形成されている。バックプレート３１の中央部には前記振動膜３０の振動による空気移動を許容するための貫通孔３２が形成されている。このバックプレート３１は、フィルム３１ｂを貼着したステンレス鋼の板材をフィルム３１ｂ側から、すなわち、図２の上方側から下方側へ向かって打ち抜き刃（図示しない）により打ち抜いて形成される。
【００３５】
図１、図２に示すように、前記筐体基枠２４内において、バックプレート３１と回路基板２３との間にはバネ材よりなる保持部材３３が圧縮状態で介装され、この保持部材３３の弾性力によりバックプレート３１が振動膜３０の反対側からスペーサ２９の下面と当接する方向に加圧されている。これにより、振動膜３０とバックプレート３１との間に所定の間隔が保持されて、それらの間に所定の容量を確保したコンデンサ部が形成されている。保持部材３３は接続部材に相当する。
【００３６】
前記保持部材３３は、ステンレス鋼板の表裏両面に金メッキを施してなる板材を打ち抜き成形することにより形成され、ほぼ四角環状の枠部３３ａと、その枠部３３ａの四隅から下部両側方に向かって斜めに突出する４つの脚部３３ｂとを備えている。従って、枠部３３ａの下方における脚部３３ｂ間には空間Ｓが形成されている。そして、この実施形態においては、図１に示すように、回路基板２３上の前記電界効果トランジスタ２６が前記空間Ｓ内であって、各一対の脚部３３ｂ間に配置される。脚部３３ｂは接触端子に相当する。
【００３７】
前記保持部材３３の枠部３３ａの上面にはバックプレート３１の下面に当接する４つの球面状の突部としての接触部３４が突出形成されるとともに、各脚部３３ｂの先端下面には４つの球面状の突部としての接触部３５が突出形成されている。
【００３８】
複数の脚部３３ｂのうち、１つの各脚部３３ｂは導通部５０に対し接触部３５を介して接触され、残りの各脚部３３ｂは、前記回路基板２３上面において、無導電パターン領域に含まれる領域Ｐ１〜Ｐ３に位置するレジスト５２上面に対して接触部３５を介して接触されている。この領域Ｐ１〜Ｐ３に位置するレジスト５２の部分が載置部に相当する。
【００３９】
さて、このコンデンサマイクロホン２１において、音源からの音波がトップ基板２５の音孔２８を介して振動膜３０に至ると、その振動膜３０は音の周波数、振幅及び波形に応じて振動される。そして、振動膜３０の振動に伴って、振動膜３０とバックプレート３１との間隔が設定値から変化し、コンデンサ部のインピーダンスが変化する。このインピーダンスの変化が、インピーダンス変換素子により電圧信号に変換されて出力される。
【００４０】
本実施形態のコンデンサマイクロホン２１は、以下の特徴を有する。
（１）  本実施形態のコンデンサマイクロホン２１では、保持部材３３（接続部材）は、回路基板２３と接触するための複数の脚部３３ｂ（接触端子）を有するようにした。又、回路基板２３は、導通部５０と、領域Ｐ１〜Ｐ３に位置するレジスト５２の部分（載置部）を有するようにし、各部が前記各脚部３３ｂと接触されるようにした。そして、導通部５０は銅箔（導電部材）にて形成されるとともに、前記領域Ｐ１〜Ｐ３に位置するレジスト５２は絶縁部材にて形成されるようにした。
【００４１】
この結果、本実施形態のコンデンサマイクロホン２１は、領域Ｐ１〜Ｐ３に位置するレジスト５２の部分は、絶縁部材にて形成されるため、コンデンサマイクロホン２１の浮遊容量が減らされ、回路基板２３に設けられる回路特性の悪影響を抑制することができる。
【００４２】
（２）  本実施形態のコンデンサマイクロホン２１では、導通部５０と、領域Ｐ１〜Ｐ３に位置するレジスト５２の部分とは、回路基板２３上で同じ高さとなるように形成されている。この結果、本実施形態では、導通部５０と、領域Ｐ１〜Ｐ３に位置するレジスト５２の部分に脚部３３ｂにて接触する保持部材３３（接続部材）の座りが良くなり、コンデンサ部と回路基板２３に設けられる回路との導通が安定して確保できるため、コンデンサマイクロホン２１のマイク特性を安定させることができる。
【００４３】
（３）  又、本実施形態のコンデンサマイクロホン２１では、導通部５０は電界効果トランジスタ２６（インピーダンス変換素子）と導通するようにされている。この結果、本実施形態では電界効果トランジスタ２６を含む回路特性に関して、上記（１）又は（２）の効果を奏する。
【００４４】
（４）  又、本実施形態のコンデンサマイクロホン２１では、領域Ｐ１〜Ｐ３に位置するレジスト５２は、前記回路基板２３表面に形成された導電パターン２３ａ，２３ｂ，２３ｃの一部を覆うレジスト５２と共通の材質である。この結果、本実施形態では、領域Ｐ１〜Ｐ３に位置するレジスト５２の部分と、回路基板２３表面に形成された導電パターン２３ａ，２３ｂ，２３ｃの一部を覆うレジストとを同時形成することができ、領域Ｐ１〜Ｐ３に位置するレジスト５２の部分の形成のコストを低減することができる。
【００４５】
なお、この実施形態は、次のように変更して具体化することも可能である。
○  前記実施形態ではバックプレート本体３１ａをステンレス鋼板から構成したが、真鍮板で構成したり、チタン板等により構成してもよい。
【００４６】
○  振動膜３０をエレクトレット用の高分子フィルムにより構成したホイルエレクトレットタイプのコンデンサマイクロホンにおいてこの発明を具体化してもよい。
○  昇圧回路を有するチャージポンプ型のコンデンサマイクにおいてこの発明を具体化してもよい。このように構成した場合には、エレクトレット層に替えて、振動膜３０及びバックプレート３１に互いに対向する電極が設けられる。
【００４７】
○  前記実施形態の回路基板２３に実装されるインピーダンス変換素子は例示であり、静電容量の変動を検出できる公知のものであれば、アナログ／デジタルの何れの動作方法を採るものであっても適用できる。
【００４８】
○  前記実施形態では、保持部材３３の脚部３３ｂは４個としたが、３個でもよく、又、５個以上であってもよい。この場合、回路基板２３表面上には、１つの脚部３３ｂに対して接触されるとともに電界効果トランジスタ２６（インピーダンス変換素子）と導通する導通部５０を有する導体パターンを形成する。そして、回路基板２３表面上には、残りの脚部３３ｂに対応して接触する載置部を設けるようにする。
【００４９】
○  なお、導通部５０に接触する脚部３３ｂは１つである必要はなく、脚部３３ｂを３つ以上設けた場合、導通部５０を延出して、同導通部５０に対して２つの脚部３３ｂが接触するようにしてもよい。又、４つ以上の脚部３３ｂを保持部材３３に設けた場合においても、同様に導通部５０を延出して、同導通部５０に対して２つ、又は３つ等の脚部が同時に接続するようにしてもよい。
【００５０】
○  又、脚部３３ｂは、例えば、保持部材３３の枠部３３ａの長手方向（図４（ａ）ではｙ軸方向）の両端において、それぞれ一対の脚部を設けてもよい。この場合、各脚部３３ｂは、保持部材３３が安定するように前記長手方向とは直交する方向において長く延出形成した導通部５０と、載置部とにそれぞれ接触するようにする。
【００５１】
○  前記実施形態において、領域Ｐ１〜Ｐ３に位置するレジスト５２の部分は、導電パターン２３ａ〜２３ｃを覆う部分のレジスト５２と分離して設けても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施形態のコンデンサマイクロホンを示す断面図。
【図２】図１のコンデンサマイクロホンの分解斜視図。
【図３】回路基板２３表面上の導電パターンとレジストとの位置関係を示す説明図。
【図４】（ａ）は回路基板２３表面上の導電パターンの平面図、（ｂ）は導電パターンの平面図、（ｃ）は回路基板２３裏面上の導電パターンの平面図。
【符号の説明】
【００５３】
２１…コンデンサマイクロホン、２３…回路基板、
２６…電界効果トランジスタ（インピーダンス変換素子）、
３０…振動膜、
３１…バックプレート（極板：バックプレートと振動膜３０とによりコンデンサ部が構成されている。）
３３…保持部材（接続部材）
５０…導通部、
Ｐ１〜Ｐ３…領域（領域Ｐ１〜Ｐ３に位置するレジスト５２の部分が載置部に相当する）。
【図１】
2008131192.tif 000003
【図２】
2008131192.tif 000004
【図３】
2008131192.tif 000005
【図４】
2008131192.tif 000006