(57)【要約】 【課題】  半導体装置を反転させて実装することによる製品特性の変動を防止でき、取り扱い性に優れた半導体装置を提供すること。【解決手段】  半導体装置１は、半導体素子１１と、この半導体素子１１を封止する樹脂１２と、半導体素子１１のゲート電極、ソース電極、ドレイン電極のいずれかにそれぞれ接続され、前記樹脂１２の裏面側から露出する第一のリード１３、第二のリード１４、第三のリード１５とを備える。第一のリード１３、第二のリード１４、第三のリード１５は、それぞれ樹脂１２の裏面側から樹脂１２の側面に沿って延びる延出部１３２Ａ，１４２Ａ，１５２Ａを有する。第一のリード１３の延出部１３２Ａおよび第二のリード１４の延出部１４２Ａは、前記側面において交差している。【選択図】 図１
2008270515.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
この半導体素子を封止する樹脂と、
前記半導体素子の一対の電極にそれぞれ接続され、前記樹脂の裏面側から露出する第一のリード、第二のリードとを備える半導体装置であって、
前記第一のリード、前記第二のリードは、それぞれ前記樹脂の裏面側から前記樹脂の側面に沿って延びる延出部を有し、
前記第一のリードの延出部および前記第二のリードの延出部は、前記側面において交差しており、
前記樹脂の表面側を上方、裏面側を下方とした場合、
前記樹脂の側面において、前記第一のリードの延出部の基端部の上方に、前記第二のリードの延出部の先端部が配置され、前記第二のリードの延出部の基端部の上方に前記第一のリードの延出部の先端部が配置されている半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記一対の電極とは異なる他の電極に接続される第三のリードを備え、
前記第三のリードの延出部は、前記第一のリードおよび前記第二のリードが交差する前記樹脂の側面、あるいは、前記側面と対向する側面に沿って配置され、
前記樹脂の前記側面側から見た際に、前記第三のリードの延出部の基端部は、前記第一のリードの延出部の基端部と、前記第二のリードの延出部の基端部との略中間に位置し、
前記第三のリードの延出部の先端部は、前記第一のリードの延出部の先端部と、前記第二のリードの延出部の先端部との略中間に位置する半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記各電極は、ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極のいずれかである半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記第一のリードには、ゲート電極およびソース電極のうちいずれか一方が接続され、前記第二のリードには、ゲート電極およびソース電極のうちいずれか他方が接続され、
前記第三のリードには、ドレイン電極が接続される半導体装置。
【請求項５】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記各電極は、ベース電極、エミッタ電極、コレクタ電極のいずれかである半導体装置。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第三のリードの延出部は、前記第一のリードおよび前記第二のリードが交差する前記樹脂の側面と対向する側面に沿って配置されている半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂の側面には、前記第一のリードの延出部および前記第二のリードの延出部のうち少なくとも一方のリードの延出部の厚みよりも深い第一の切欠き部が形成されており、
前記一方のリードの延出部は、前記第一の切欠き部に沿って配置される半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記樹脂の側面には、前記第一の切欠き部よりも浅く、かつ、他方のリードの延出部の厚みよりも深い第二の切欠き部が形成されており、
前記他方のリードの延出部は、前記第二の切欠き部に沿って配置される半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を樹脂により封止した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、樹脂封止型の半導体装置として、図４に示すような半導体装置１００が知られている（特許文献１参照）。
この半導体装置１００は、樹脂モールド部１０１からリード１０２を露出させたものである。露出したリード１０２を樹脂モールド部１０１の側面に沿って配置するとともに、さらに樹脂モールド部１０１の裏面の内側に折り曲げている。
このような半導体装置１００では、樹脂モールド部１０１の表面側を基板１０３に当接させて基板１０３に実装できるとともに、樹脂モールド部１０１の裏面側を基板１０３に当接させて基板１０３に実装できるとされている。
すなわち、図４（ａ）に示すように、半導体装置１００を裏面側から実装するとともに、１８０度反転させて、図４（ｂ）に示すように、半導体装置１００を表面側から実装することが可能であるとされている。
なお、図４において、符号１０４は半導体素子である。
【０００３】
【特許文献１】特開平０３−２５０６５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の半導体装置１００では、以下のような課題がある。
半導体装置１００では、半導体装置１００を表面側から実装した場合と、裏面側から実装した場合とでリード１０２の設置位置が異なってしまう。この様子を図５（ａ）、（ｂ）に示す。図５（ａ）、（ｂ）は、半導体装置１００を側面側から見た図である。
半導体装置１００では、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極それぞれにリードが接続されていると考えられる。このとき、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、一対のリード１０２、たとえば、ゲート電極に接続されたリード１０２（１０２Ｇ）と、ソース電極に接続されたリード１０２（１０２Ｓ）とは、樹脂モールド部１０１の側面に沿って互いに平行に配置されていると推測される。
半導体装置１００を１８０度反転させて実装させると、基板１０３に対し、例えば、ゲート電極に接続されたリード１０２（１０２Ｇ）の位置と、ソース電極に接続されたリード１０２（１０２Ｓ）の位置とが異なってしまう。
そのため、従来の半導体装置１００では、半導体装置１００を表面側から実装した場合と、裏面側から実装した場合とで製品特性が異なってしまい、半導体装置１００を１８０度反転させて実装することは、事実上困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、半導体素子と、この半導体素子を封止する樹脂と、前記半導体素子の一対の電極にそれぞれ接続され、前記樹脂の裏面側から露出する第一のリード、第二のリードとを備える半導体装置であって、前記第一のリード、第二のリードは、それぞれ前記樹脂の裏面側から前記樹脂の側面に沿って延びる延出部を有し、第一のリードの延出部および第二のリードの延出部は、前記側面において交差しており、前記樹脂の表面側を上方、裏面側を下方とした場合、前記樹脂の側面において、前記第一のリードの延出部の基端部の上方に、第二のリードの延出部の先端部が配置され、第二のリードの延出部の基端部の上方に第一のリードの延出部の先端部が配置されている半導体装置が提供される。
【０００６】
ここで、リードの延出部の基端部とは、延出部の樹脂裏面側の端部のことをいい、リードの延出部の先端部とは、延出部の樹脂表面側の端部のことをいう。
【０００７】
この発明によれば、樹脂の表面側を上方、裏面側を下方とした場合、樹脂の側面において、第一のリードの延出部の基端部の上方に、第二のリードの延出部の先端部が配置され、第二のリードの延出部の基端部の上方に第一のリードの延出部の先端部が配置されている。
すなわち、樹脂の側面において、第一のリードの延出部の基端部および第二のリードの延出部の基端部の位置関係と、第一のリードの延出部の先端部および第二のリードの延出部の先端部の位置関係とが反転している。
これにより、半導体装置を１８０度反転させて基板に実装しても、基板に対する第一のリード、第二のリードの位置が変化することがない。
そのため、半導体装置を反転させて実装することによる製品特性の変動を防止でき、取り扱い性に優れた半導体装置を提供することができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、半導体装置を反転させて実装することによる製品特性の変動を防止でき、取り扱い性に優れた半導体装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
（第一実施形態）
図１および図２を参照して、第一実施形態について説明する。
はじめに、本実施形態の半導体装置１の概要について説明する。
本実施形態の半導体装置１は、半導体素子１１と、この半導体素子１１を封止する樹脂１２と、半導体素子１１のゲート電極、ソース電極、ドレイン電極のいずれかにそれぞれ接続され、前記樹脂１２の裏面側から露出する第一のリード１３、第二のリード１４、第三のリード１５とを備える。
第一のリード１３、第二のリード１４、第三のリード１５は、それぞれ樹脂１２の裏面側から前記樹脂１２の側面に沿って延びる延出部１３２Ａ，１４２Ａ，１５２Ａを有する。
第一のリード１３の延出部１３２Ａおよび第二のリード１４の延出部１４２Ａは、前記側面において交差している。
そして、樹脂１２の表面側を上方、裏面側を下方とした場合、樹脂１２の側面において、第一のリード１３の延出部１３２Ａの基端部の上方に、第二のリード１４の延出部１４２Ａの先端部が配置され、第二のリード１４の延出部１４２Ａの基端部の上方に第一のリード１３の延出部１３２Ａの先端部が配置されている。
また、第三のリード１５の延出部１５２Ａは、第一のリード１３および第二のリード１４が交差する樹脂１２の側面、あるいは、前記側面と対向する側面に沿って配置されている。
樹脂１２の側面側から見た際に、前記第三のリード１５の延出部１５２Ａの基端部は、前記第一のリード１３の延出部１３２Ａの基端部と、第二のリード１４の延出部１４２Ａの基端部との略中間に位置し、第三のリード１５の延出部１５２Ａの先端部は、前記第一のリード１３の延出部１３２Ａの先端部と、第二のリード１４の延出部１４２Ａの先端部との略中間に位置する。
【００１０】
以下に半導体装置１について詳細に説明する。
図１（ａ）は、半導体装置１の平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（ｃ）は、半導体装置１の側面図である。
半導体装置１は、前述したように、半導体素子１１と、樹脂１２と、第一のリード１３、第二のリード１４と、第三のリード１５とを備える。
半導体素子１１は、第三のリード１５上に固着されている。半導体素子１１は、樹脂１２により封止されている。ここで、樹脂１２は、本実施形態では、略直方体形状となっている。
また、樹脂１２の側面には、平面略台形形状の切欠き部１２１が形成されている。
この切欠き部１２１には、第二のリード１４の延出部１４２Ａが配置されるが、この切欠き部１２１の深さは、第二のリード１４の延出部１４２Ａの厚みよりも深い。
【００１１】
第一のリード１３は、ワイヤ１６を介して半導体素子１１のソース電極（不図示）に接続されている。
このような第一のリード１３は、ワイヤ１６が固着され、樹脂１２内に配置されるインナーリード部１３１と、樹脂１２裏面側から露出したアウターリード部１３２とを備える。
アウターリード部１３２は、樹脂１２の裏面（図１（ｂ）の底面側の面）側から、樹脂１２の側面に沿って折り曲げ加工されるとともに、樹脂１２の側面に対し傾斜して配置されている。
このアウターリード部１３２は、樹脂１２裏面側から、樹脂１２の側面に沿って延びる延出部１３２Ａを有している。
アウターリード部１３２の延出部１３２Ａの先端部（延出部１３２Ａの樹脂１２表面側の端部）は、樹脂１２の側面よりも図１（ｂ）、（ｃ）上方側に突出している。
【００１２】
第二のリード１４は、ワイヤ１７を介して半導体素子１１のゲート電極（不図示）に接続されている。
第二のリード１４は、ワイヤ１７が固着され、樹脂１２内に配置されるインナーリード部１４１と、樹脂１２裏面から露出したアウターリード部１４２とを備える。
アウターリード部１４２は、樹脂１２の側面に沿って折り曲げ加工されるとともに、樹脂１２の側面に対し傾斜して配置されている。
このアウターリード部１４２は、樹脂１２裏面側から、樹脂１２の側面に沿って延びる延出部１４２Ａを有している。
アウターリード部１４２の延出部１４２Ａの先端部（延出部１４２Ａの樹脂１２表面側の端部）は、樹脂１２の側面よりも図１（ｂ）、（ｃ）上方側に突出している。
また、アウターリード部１４２の延出部１４２Ａは、樹脂１２の側面に形成された切欠き部１２１に配置されており、切欠き部１２１によって形成された段差部分に沿って配置されている。
【００１３】
図１（ｃ）に示すように、第一のリード１３のアウターリード部１３２の延出部１３２Ａと、第二のリード１４のアウターリード部１４２の延出部１４２Ａとは、樹脂１２の側面のほぼ中央において、１カ所で交差している。ただし、アウターリード部１４２の延出部１４２Ａは切欠き部１２１に設置されているため、アウターリード部１４２の延出部１４２Ａとアウターリード部１３２の延出部１３２Ａとの間にわずかな隙間が形成され、アウターリード部１４２の延出部１４２Ａとアウターリード部１３２の延出部１３２Ａとは接していない。
図１（ｃ）に示すように、樹脂１２の側面において、樹脂１２の表面側を上方、裏面側を下方とした場合、樹脂１２の側面において、第一のリード１３の延出部１３２Ａの基端部の上方に、第二のリード１４の延出部１４２Ａの先端部が配置され、第二のリード１４の延出部１４２Ａの基端部の上方に第一のリード１３の延出部１３２Ａの先端部が配置されている。第一のリード１３の延出部１３２Ａの基端部および第二のリード１４の延出部１４２Ａの基端部の間隔と、第一のリード１３の延出部１３２Ａの先端部および第二のリード１４の延出部１４２Ａの先端部の間隔とは略等しい。
【００１４】
第三のリード１５は、半導体素子１１が搭載されるものである。この第三のリード１５は、樹脂１２内に配置されるインナーリード部１５１と、樹脂１２裏面から露出したアウターリード部１５２とを備える。
インナーリード部１５１には、半導体素子１１が搭載され、半導体素子１１のドレイン電極（不図示）が接続される。
アウターリード部１５２は、樹脂１２の裏面から露出するとともに、側面に沿って折り曲げ加工されている。
アウターリード部１５２が沿って配置される側面は、第一のリード１３、１４が沿って配置される側面と対向する側面である。
このアウターリード部１５２は、樹脂１２裏面側から、樹脂１２の側面に沿って延びる延出部１５２Ａを有している。
延出部１５２Ａは、樹脂１２の側面の略中央部分を通るように配置されており、樹脂１２表面および裏面に対し直交するように配置されている。
また、樹脂１２を側面からみた場合に、延出部１５２Ａの基端部は、延出部１３２Ａの基端部と、延出部１４２Ａの基端部との略中間に位置し、延出部１５２Ａの先端部は、延出部１３２Ａの先端部と、延出部１４２Ａの先端部との略中間に位置する。
【００１５】
このような半導体装置１は、以下のようにして製造することができる。
第三のリード１５に半導体素子１１を搭載し、半導体素子１１と第一のリード１３，１４とをワイヤ１６，１７により接続し、組み立て品を構成する。次に、キャビティ内に前記組み立て品を配置するとともに、キャビティ内に樹脂を注入する。これにより、樹脂１２により半導体素子１１が封止されることとなる。その後、リードｌ３，１４，１５を折り曲げ加工することで、半導体装置１を得ることができる。
【００１６】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
樹脂１２の表面側を上方、裏面側を下方とした場合、樹脂１２の側面において、第一のリード１３の延出部１３２Ａの基端部の上方に、第二のリード１４の延出部１４２Ａの先端部が配置され、第二のリード１４の延出部１４２Ａの基端部の上方に第一のリード１３の延出部１３２Ａの先端部が配置されている。
すなわち、樹脂１２の側面において、第一のリード１３の延出部１３２Ａの基端部および第二のリード１４の延出部１４２Ａの基端部の位置関係と、第一のリード１３の延出部１３２Ａの先端部および第二のリード１４の延出部１４２Ａの先端部の位置関係とが反転している。
そして、樹脂１２の側面側から見た際に、第三のリード１５の延出部１５２Ａの基端部は、第一のリード１３の延出部１３２Ａの基端部と、第二のリード１４の延出部１４２Ａの基端部との略中間に位置し、第三のリード１５の延出部１５２Ａの先端部は、第一のリード１３の延出部１３２Ａの先端部と、第二のリード１４の延出部１４２Ａの先端部との略中間に位置する。
従って、図１（ｂ）、（ｃ）に示すように、半導体装置１の樹脂１２の裏面が基板Ｓに接するように、半導体装置１を基板Ｓに実装した場合と、図２（ａ）、（ｂ）に示すように半導体装置１の樹脂１２の表面が基板Ｓに接するように、基板Ｓに実装した場合とで、基板Ｓに対する第一のリード１３、第二のリード１４、さらには、第三のリード１５の位置関係が変化することがない。
これにより、半導体装置１を反転させて実装することによる製品特性の変動を防止でき、半導体装置１を実装する際の半導体装置１の表裏面のチェック等の作業が不要となる。これにより、取り扱い性に優れた半導体装置１とすることができる。
【００１７】
また、本実施形態では、アウターリード部１４２の延出部１４２Ａを樹脂１２の切欠き部１２１に設置している。この切欠き部１２１の深さは、アウターリード部１４２の厚みよりも深いため、アウターリード部１４２とアウターリード部１３２とが接触してしまうことを防止できる。これにより、短絡の発生を防止することができる。
【００１８】
（第二実施形態）
図３を参照して、本発明の第二実施形態について説明する。
前記実施形態では、樹脂１２に切欠き部１２１を一つ設けていた。これに対し、本実施形態では、樹脂１２に、切欠き部１２１に加えて、第二の切欠き部１２２を形成している。他の点は、前記実施形態と同様である。
第二の切欠き部１２２は、平面三角形形状に切りかかれており、その深さは、第一のリード１３の延出部１３２Ａの厚みよりも深いものとなっている。また、第二の切欠き部１２２の深さは、第一の切欠き部となる切欠き部１２１よりも浅い。
第二の切欠き部１２２によって形成される段差部分に沿って、第一のリード１３のアウターリード部１３２の延出部１３２Ａが設置されている。
【００１９】
このような本実施形態によれば、前記実施形態と同様の効果を奏することができるうえ、以下の効果を奏することができる。
樹脂１２の切欠き部１２１により第二のリード１４の設置位置をガイドするとともに、第二の切欠き部１２２により、第一のリード１３の設置位置をガイドすることができる。
これにより、半導体装置１を製造しやすいものとすることができる。
【００２０】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前記各実施形態では、樹脂１２の側面に切欠き部１２１、１２２を形成したが、これに限らず、切欠き部１２１，１２２を形成しなくてもよい。
また、前記各実施形態では、延出部１３２Ａ，１４２Ａ，１５２Ａの先端部を、樹脂１２表面よりも上方に突出させたが、これに限らず、延出部の先端部と樹脂１２表面の位置を略同位置としてもよい。延出部の先端部は、少なくとも樹脂１２の側面の前記樹脂表面側端部まで延びていればよい。
ただし、前記各実施形態のように、延出部１３２Ａ，１４２Ａ，１５２Ａの先端部を、樹脂１２表面よりも上方に突出させれば、半導体装置１を樹脂１２表面側から基板Ｓに搭載した際に、基板Ｓ上の回路と、延出部１３２Ａ，１４２Ａ，１５２Ａとを確実に接触させることができる。
また、アウターリード部１３２，１４２，１５２の先端部を樹脂１２表面側に屈曲させてもよい。
【００２１】
また、前記各実施形態では、樹脂１２の側面において、ゲート電極に接続された第二のリード１４、ソース電極に接続された第一のリード１３を交差させ、リード１３，１４が交差する前記側面に対向する他の側面に沿ってドレイン電極に接続された第三のリード１５を配置したが、これに限られるものではない。
例えば、ドレイン電極に接続されたリードと、ゲート電極に接続されたリードとを樹脂側面に沿って交差させてもよい。同様に、ドレイン電極に接続されたリードと、ソース電極に接続されたリードとを樹脂側面に沿って交差させてもよい。
ただし、前記各実施形態のように、樹脂１２の側面において、ゲート電極に接続された第二のリード１４、ソース電極に接続された第一のリード１３を交差させる構成を採用することにより、リード１３，１４，１５の配線構造を簡単にすることができる。
【００２２】
また、第一のリード１３，第二のリード１４が交差する側面に沿って第三のリード１５を配置してもよい。ただし、このように配置することで、第一のリード１３，第二のリード１４，第三のリード１５の配線が複雑化してしまうことがある。前記各実施形態のように、第三のリード１５を第一のリード１３，第二のリード１４が交差する側面とは対向する側面に沿って配置することで、リードの配線を簡易化することができる。
【００２３】
さらに、前記各実施形態では、半導体素子１１を、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を有するＭＯＳトランジスタとしたが、これに限らず、ベース電極、エミッタ電極、コレクタ電極を備えるバイポーラトランジスタとしてもよい。ベース電極、エミッタ電極、コレクタ電極のいずれかに第一のリード、第二のリード、第三のリードをそれぞれ接続すればよい。
また、前記各実施形態では半導体装置１は３つのリードを備えるものとしたが、これに限らず、リードは２つであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第一実施形態にかかる半導体装置を示す図であり、（ａ）は、半導体装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ方向の半導体装置の断面図、（ｃ）は半導体装置の側面図である。
【図２】半導体装置を樹脂裏面側から基板に搭載した状態を示す図であり、（ａ）は半導体装置の断面図、（ｂ）は半導体装置の側面図である。
【図３】本発明の第二実施形態にかかる半導体装置を示す図であり、（ａ）は、半導体装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ方向の半導体装置の断面図、（ｃ）は半導体装置の側面図である。
【図４】従来の半導体装置を示す図である。
【図５】従来の半導体装置の側面図である。
【符号の説明】
【００２５】
１    半導体装置
１１    半導体素子
１２    樹脂
１３    第一のリード
１４    第二のリード
１５    第三のリード
１６    ワイヤ
１７    ワイヤ
１００    半導体装置
１０１    樹脂モールド部
１０２    リード
１０３    基板
１０４    半導体素子
１２１    切欠き部
１２２    切欠き部
１３１    インナーリード部
１３２    アウターリード部
１３２Ａ    延出部
１４１    インナーリード部
１４２    アウターリード部
１４２Ａ    延出部
１５１    インナーリード部
１５２    アウターリード部
１５２Ａ    延出部
Ｓ    基板
【図１】
2008270515.tif 000003
【図２】
2008270515.tif 000004
【図３】
2008270515.tif 000005
【図４】
2008270515.tif 000006
【図５】
2008270515.tif 000007