(57)【要約】【課題】液晶物質の駆動電圧を低く抑えることできて、大きな自発分極を有する液晶物質を使用できる液晶表示装置の駆動方法を提供する。【解決手段】対向する２枚の基板間に自発分極を有する強誘電性液晶物質を有し、一方の基板内面に液晶セル４４に対応した画素電極とそれに接続されたスイッチング用のＴＦＴ４１とが設けられ、画素電極に電荷を蓄積するためのコンデンサ４５が接続されている。液晶セル４４の個々の画素に対して表示を行うための第１の走査及び表示を消去するための第２の走査それぞれの走査時間を１０μｓ以下と設定し、コンデンサ４５の容量（ＣS ）の液晶セル４４の容量（ＣLC）に対する比を０．２≦ＣS ／ＣLC≦５と設定する。【選択図】図８
2008033343.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向して配置された二枚の偏光板と、該偏光板に挟まれた液晶セルと、光源と前記液晶セルの背面側に配置されて前記光源が発光する赤、緑、青色光を前記液晶セルヘ導く発光領域とを有するバックライトと、前記液晶セルの画素に対応した画素電極と、該画素電極に接続されたスイッチング素子と、前記画素電極に電荷を蓄積するためのコンデンサとを備えた液晶表示装置の駆動方法であって、
前記画素に対応した前記スイッチング素子を各画素の赤、緑、青のデータに対応して各表示周期の期間にオン／オフ駆動すると共に、前記スイッチング素子のオン／オフ駆動に同期して各表示周期の期間に前記バックライトの赤、緑、青色光を時分割発光し、
前記バックライトが赤、緑、青色光を時分割発光するそれぞれの期間中に、前記液晶セルの個々の画素に対して表示を行うための第１の走査と、表示を消去するための第２の走査とをこの順で行い、
前記第１の走査及び第２の走査それぞれの走査時間を１０μｓ以下と設定し、前記コンデンサの容量の前記液晶セルの容量に対する比を０．２以上５以下と設定することを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スイッチング素子のオン／オフ駆動によって画像を表示する液晶表示装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のいわゆる情報化社会の進展に伴って、パーソナルコンピュータ，ＰＤＡ（Personal Digital Assistants)等に代表される電子機器が広く使用されるようになっている。更にこのような電子機器の普及によって、オフィスでも屋外でも使用可能な携帯型の需要が発生しており、それらの小型・軽量化が要望されるようになっている。そのような目的を達成するための手段の一つとして液晶表示装置が広く使用されるようになっている。液晶表示装置は、単に小型・軽量化のみならず、バッテリ駆動される携帯型の電子機器の低消費電力化のためには必要不可欠な技術である。
【０００３】
ところで、液晶表示装置は大別すると反射型と透過型とに分類される。反射型液晶表示装置は液晶パネルの前面から入射した光線を液晶パネルの背面で反射させてその反射光で画像を視認させる構成であり、透過型は液晶パネルの背面に備えられた光源（バックライト）からの透過光で画像を視認させる構成である。反射型は環境条件によって反射光量が一定しないため視認性に劣るので、特に、マルチカラーまたはフルカラー表示を行うパーソナルコンピュータ等の表示装置としては一般的に透過型の液晶表示装置が使用されている。
【０００４】
一方、現在のカラー液晶表示装置は、使用される液晶物質の面からＳＴＮ（Super Twisted Nematic)タイプとＴＦＴ−ＴＮ（Thin Film Transistor-Twisted Nematic）タイプとに一般的に分類される。ＳＴＮタイプは製造コストは比較的安価であるが、クロストークが発生し易く、また応答速度が比較的遅いため、動画の表示には適さないという問題がある。一方、ＴＦＴ−ＴＮタイプは、ＳＴＮタイプに比して表示品質は高いが、液晶パネルの光透過率が現状では４％程度しかないため高輝度のバックライトが必要になる。このため、ＴＦＴ−ＴＮタイプではバックライトによる消費電力が大きくなってバッテリ電源を携帯する場合の使用には問題がある。また、カラーフィルタによるカラー表示であるため、１画素を赤緑青色対応の３つの副画素で構成しなければならず、高精細化が困難であって、その表示色純度も十分ではないという問題もある。
【０００５】
このような問題を解決するために、本発明者等はフィールド・シーケンシャル方式の液晶表示装置を開発している。このフィールド・シーケンシャル方式の液晶表示装置は、カラーフィルタ方式の液晶表示装置と比べて、副画素を必要としないため、より精度が高い表示が容易に実現可能であり、また、カラーフィルタを使わずに光源の発光色をそのまま表示に利用できるため、表示色純度にも優れる。更に光利用効率も高いので、消費電力が少なくて済むという利点も有している。しかしながら、フィールド・シーケンシャル方式の液晶表示装置を実現するためには、液晶の高速応答性が必須である。そこで、本発明者等は、上述したような優れた利点を有するフィールド・シーケンシャル方式の液晶表示装置、または、カラーフィルタ方式の液晶表示装置の高速応答化を図るべく、従来に比べて１００〜１０００倍の高速応答を期待できる自発分極を有する強誘電性液晶等の液晶のＴＦＴ（Thin Film Transistor）等のスイッチング素子による駆動を研究開発している。
【０００６】
強誘電性液晶は、図１３に示すように、電圧印加によってその液晶分子の長軸方向が２θだけ変化する。１対の基板間に強誘電性液晶を挟持してなる液晶パネルを偏光軸が直交した２枚の偏光板で挾み、液晶分子の長軸方向の変化による複屈折を利用して、透過光強度を変化させる。強誘電性液晶をＴＦＴ等のスイッチング素子にて駆動した場合に、スイッチング素子を介して画素に注入された（蓄積された）電荷量に応じた自発分極のスイッチングが生じて、透過光強度は変化する。
【特許文献１】特開平１１−１１９１８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、ＴＦＴ等のスイッチング素子にて自発分極を有する強誘電性液晶等の液晶を駆動する従来の液晶表示装置にあっては、単位面積あたりの自発分極の大きさをＰｓ、各画素の電極面積をＡとした場合に、２Ｐｓ・Ａ（自発分極の完全反転に伴う反転電流の総電荷量）を、スイッチング素子を介して各画素に注入される電荷量Ｑ以下としている。即ち、２Ｐｓ・Ａ≦Ｑの条件を満たすように、液晶物質，画素電極，ＴＦＴ等の設計を行っている。
【０００８】
従来ではこのように、２Ｐｓ・Ａ≦Ｑの条件にて、自発分極を完全反転させて、最大透過光強度を得ているので、７Ｖ以下の低い駆動電圧では、液晶容量が大きくないため、上記条件を満たす自発分極の大きさＰｓが８ｎＣ／ｃｍ2 以下と小さくなり、Ｐｓをあまり大きくできないために応答性が遅くなる。従って、応答性、特に低温における応答性の点で自発分極の大きさの増大が求められている。応答性及び選択できる液晶物質の関係から、自発分極が大きい液晶物質を使用した場合には、Ｑを大きくしなければならず、駆動電圧が高くなるという問題がある。
【０００９】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、液晶物質の駆動電圧を低く抑えることができ、大きな自発分極を有する液晶物質を使用できる液晶表示装置の駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る液晶表示装置の駆動方法は、対向して配置された二枚の偏光板と、該偏光板に挟まれた液晶セルと、光源と前記液晶セルの背面側に配置されて前記光源が発光する赤、緑、青色光を前記液晶セルヘ導く発光領域とを有するバックライトと、前記液晶セルの画素に対応した画素電極と、該画素電極に接続されたスイッチング素子と、前記画素電極に電荷を蓄積するためのコンデンサとを備えた液晶表示装置の駆動方法であって、前記画素に対応した前記スイッチング素子を各画素の赤、緑、青のデータに対応して各表示周期の期間にオン／オフ駆動すると共に、前記スイッチング素子のオン／オフ駆動に同期して各表示周期の期間に前記バックライトの赤、緑、青色光を時分割発光し、前記バックライトが赤、緑、青色光を時分割発光するそれぞれの期間中に、前記液晶セルの個々の画素に対して表示を行うための第１の走査と、表示を消去するための第２の走査とをこの順で行い、前記第１の走査及び第２の走査それぞれの走査時間を１０μｓ以下と設定し、前記コンデンサの容量の前記液晶セルの容量に対する比を０．２以上５以下と設定することを特徴とする。
【００１１】
本発明者等は、自発分極を有する液晶物質のＴＦＴ等のスイッチング素子による駆動を詳細に検討した結果、スイッチング素子がオンとなり、表示データに基づいたデータ電圧が印加される際に、画素に蓄えられる電荷量を多くすることによって駆動電圧の低減が可能であることを、本発明者等は見出した。従って、画素毎に液晶セルの容量に加えて、電荷を蓄積するためのコンデンサを設けることにより、低い駆動電圧でも、コンデンサがない場合に比べて多くの電荷を蓄えることができて、駆動電圧の低減が可能となる。そして、このコンデンサの容量（ＣS ）の液晶セルの容量（ＣLC）に対する比（ＣS ／ＣLC：容量比）を０．２以上にすることにより、駆動電圧の大きな低減効果を得ることができる。容量比ＣS ／ＣLCが大きくなるに従って、この駆動電圧の低減効果は大きくなるが、容量比ＣS ／ＣLCが５より大きくなった場合に、この駆動電圧の低減効果は飽和する。また、容量比ＣS ／ＣLCを大きくすることは、ＴＦＴ等のスイッチング素子の駆動能力の観点からも好ましくない。従って、容量比ＣS ／ＣLCとしては０．２から５が好ましい。
【００１２】
更に、スイッチング素子がオフであるときの液晶物質の光透過率がほとんど変わらないように、液晶セルに対する表示を行うための第１の走査及び表示を消去するための第２の走査それぞれの走査時間を設定する。その走査時間は、具体的には１０μｓ以下であり、その時間以下にあってはデータ電圧が同一であるならば液晶物質の光透過率がほとんど変わらない。よって、安定した中間調表示が可能となる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の液晶表示装置の駆動方法では、表示を行うための第１の走査と表示を消去するための第２の走査とのそれぞれの走査時間を１０μｓ以下と設定し、付加用のコンデンサの容量の液晶セルの容量に対する比を０．２以上５以下と設定するようにしたので、自発分極を有する液晶物質の低電圧での駆動を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面を参照して具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００１５】
まず、本発明者等が行った、ＦＥＴスイッチを用いた強誘電液晶物質の液晶表示パネル（ＦＬＣパネル）のＴＦＴ駆動評価特性の実験結果について説明する。図１は、この実験システムの構成を示す図である。評価対象のＦＬＣパネル（１個の液晶セルからなる）と並列にコンデンサ（容量ＣS ）を接続し、ＦＥＴスイッチを介して液晶セル及びコンデンサに電圧を印加させ、バックライトからの光の液晶セルによる透過光を光電子増倍管にて検出した。
【００１６】
なお、この評価対象の液晶セルは次のようにして作製した。電極（面積：１．７７ｃｍ2 ）を有するガラス基板を洗浄した後、ポリイミドを塗布して２００℃で１時間焼成することにより、約２００Åのポリイミド膜を成膜した後、ポリイミド膜の表面をレーヨン製の布でラビングして２枚のガラス基板を重ね合わせて、平均粒径１．６μｍのシリカ製のスペーサでギャップを保持した空パネルを作製し、その空パネルに強誘電性液晶物質を封入した。封入した強誘電性液晶物質の自発分極の大きさ（Ｐｓ）は、５．４ｎＣ／ｃｍ2 ，８．０ｎＣ／ｃｍ2 ，１２．８ｎＣ／ｃｍ2 の３種とした。
【００１７】
そして、コンデンサの容量（蓄積容量ＣS ）を変化させることによって、蓄積容量ＣS の液晶容量ＣLCに対する容量比ＣS ／ＣLCを０〜１２の範囲で変えながら、蓄積容量ＣS の大きさによる透過光強度と駆動電圧とを測定した。なお、液晶容量ＣLCは、周波数に依存することから、測定周波数１０ｋＨｚのときの値とした。測定周波数を１０ｋＨｚとしたのは、液晶容量における自発分極値の影響を除くためである。
【００１８】
ＦＥＴのゲート選択期間は、５μｓに固定した。なお、このゲート選択期間を１０μｓとした場合に、ゲートオフ時の液晶セルの光透過率は、５μｓとした場合とほとんど同じであった。ゲート選択期間を１０μｓ以下に設定する場合には、何れの選択期間においても、ゲートオフ時の液晶セルの光透過率はほとんど変わらない。
【００１９】
図２は、Ｐｓ＝１２．８ｎＣ／ｃｍ2 の材料を用いて形成した液晶セルを用いた場合の５種の容量比ＣS ／ＣLCにおける電圧と透過光強度との関係（印加電圧の一方の極性（＋印加時）のみ）を示すグラフである。ＣS ／ＣLCの値が大きくなるに従って電圧−光透過率特性が低電圧側へシフトしていることが、図２から理解される。
【００２０】
また、図３は、容量比ＣS ／ＣLCと駆動電圧との関係を示すグラフである。ＣS ／ＣLCの値が大きくなるに従って駆動電圧は低くなっているが、その値が５より大きい場合には駆動電圧の低減効果が小さくなっていることが、図３から理解される。
【００２１】
また、図４は、Ｐｓ＝５．４，８．０，１２．８（ｎＣ／ｃｍ2 ）である３種の材料を用いて形成した液晶セルを用いた場合における容量比ＣS ／ＣLCと電圧比率との関係を示すグラフである。この縦軸の電圧比率は、駆動電圧の低減の割合を示しており、具体的にはコンデンサを設けた場合の駆動電圧のそれを設けない場合の駆動電圧に対する割合である。Ｐｓを大きくした方が小さい場合よりも駆動電圧の低減効果は著しいことが、図４から理解される。
【００２２】
図４の結果から、１０％以上の駆動電圧の低減を実現するためには、自発分極値Ｐｓによっても少し異なるが、容量比ＣS ／ＣLC≧０．２とすべきであることが分かる。但し、容量比ＣS ／ＣLC＞５とした場合には、図３の結果と同様に、駆動電圧の低減効果は小さいことが分かる。ＣS ／ＣLCを大きくすることは、大きな蓄積容量ＣS を要求し、ＴＦＴ等のスイッチング素子に大きな駆動能力を要求することになるので、好ましくない。従って、以上のことから容量比ＣS ／ＣLCの値は、０．２以上５以下であることが好ましい。
【００２３】
次に、本発明の具体的な実施の形態について説明する。図５は液晶表示装置の回路構成を示すブロック図、図６はその液晶パネル及びバックライトの模式的断面図、図７は液晶表示装置の全体の構成例を示す模式図、図８は液晶パネルの等価回路を示す図、並びに、図９はバックライトの光源であるＬＥＤアレイの構成例を示す図である。
【００２４】
図６及び図７に示されているように、液晶パネル２１は上層（表面）側から下層（背面）側に、偏光フィルム１，ガラス基板２，共通電極３，ガラス基板４，偏光フィルム５をこの順に積層して構成されており、ガラス基板４の共通電極３側の面にはマトリクス状に配列された複数の画素電極４０，４０…が形成されている。
【００２５】
これら共通電極３及び各画素電極４０，４０…との間にはマトリクス配列の複数の液晶セル４４が形成され、各セルには後述するＴＦＴ４１を介してデータドライバ３２及びスキャンドライバ３３等よりなる駆動部５０が接続されている。データドライバ３２は、信号線４２を介してＴＦＴ４１と接続されており、スキャンドライバ３３は、走査線４３を介してＴＦＴ４１と接続されている。ＴＦＴ４１はデータドライバ３２及びスキャンドライバ３３によりオン／オフ制御される。また個々の画素電極４０，４０…は、ＴＦＴ４１により制御される。そのため、信号線４２及びＴＦＴ４１を介して与えられるデータドライバ３２からの信号により、個々の液晶セルの透過光強度が制御される。また、図８に示すように、各画素に蓄積される電荷量を大きくするべく、液晶セル４４（容量ＣLC）と並列にコンデンサ４５（蓄積容量ＣS ）をＴＦＴ４１に接続させて設けている。このＣS ／ＣLCの値は、０．２≦ＣS ／ＣLC≦５を満たす。ここで本実施の形態では、液晶セル４４とＴＦＴ４１とコンデンサ４５との組み合わせを画素と呼ぶことにする。
【００２６】
ガラス基板４上の画素電極４０，４０…の上面には配向膜１２が、共通電極３の下面には配向膜１１が夫々配置され、これらの配向膜１１，１２間に液晶物質が充填されて液晶層１３が形成される。なお、１４は液晶層１３の層厚を保持するためのスペーサである。      
【００２７】
なお、図６及び図７に示されている液晶パネル２１は、具体的には以下のようにして作製した。画素電極４０，４０…（画素数：６４０×４８０，電極面積：６×10-5ｃｍ，蓄積容量ＣS ：０．２ｐＦ，対角：３．２インチ）を有するＴＦＴ基板と共通電極３を有するガラス基板２とを洗浄した後、ポリイミドを塗布して２００℃で１時間焼成することにより、約２００Åのポリイミド膜を配向膜１１，１２として成膜した。
【００２８】
更に、これらの配向膜１１，１２をレーヨン製の布でラビングし、両者間に平均粒径１．６μｍのシリカ製のスペーサ１４でギャップを保持した状態で重ね合わせて空パネルを作製した。この空パネルの配向膜１１，１２間にナフタレン系液晶を主成分とする自発分極の大きさが１２．８ｎＣ／ｃｍ2 である強誘電性液晶物質を封入して液晶層１３とした。このときの液晶容量ＣLCは０．２３ｐＦであった。よって、容量比ＣS ／ＣLCは０．８７であった。作製したパネルをクロスニコル状態の２枚の偏光フィルム１，５で、液晶層１３の強誘電性液晶分子が一方に傾いた場合に暗状態になるようにして挟んで液晶パネル２１とした。
【００２９】
このようにして作製した液晶パネル２１の各液晶セル４４及びコンデンサ４５にＴＦＴ４１のスイッチングを介して電圧を印加して透過光強度を測定した、その測定結果を図１０に示す。５Ｖという低い電圧にて駆動が可能であることが分かる。
【００３０】
バックライト２２は、液晶パネル２１の下層（背面）側に位置し、発光領域を構成する導光及び光拡散板６の端面に臨ませた状態でＬＥＤアレイ７が備えられている。このＬＥＤアレイ７は図９に示されているように、導光及び光拡散板６と対向する面に３原色、即ち赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色を発光するＬＥＤが順次的且つ反復して配列されている。そして、後述するフィールド・シーケンシャル方式における赤，緑，青の各サブフレームにおいて、赤，緑，青のＬＥＤを夫々発光させる。導光及び光拡散板６はこのＬＥＤアレイ７の各ＬＥＤから発光される光を自身の表面全体に導光すると共に上面へ拡散することにより、発光領域として機能する。
【００３１】
図５において、３０は、外部の例えばパーソナルコンピュータから表示データＤＤが入力され、入力された表示データＤＤを記憶する画像メモリ部であり、３１は、同じくパーソナルコンピュータから同期信号ＳＹＮが入力され、制御信号ＣＳ及びデータ反転制御信号ＤＣＳを生成する制御信号発生回路である。画像メモリ部３０からは画素データＰＤが、制御信号発生回路３１からはデータ反転制御信号ＤＣＳが、夫々データ反転回路３６へ出力される。データ反転回路３６は、データ反転制御信号ＤＣＳに従って、入力された画素データＰＤを反転させた逆画素データ＃ＰＤを生成する。
【００３２】
また制御信号発生回路３１からは制御信号ＣＳが、基準電圧発生回路３４，データドライバ３２，スキャンドライバ３３及びバックライト制御回路３５へ夫々出力される。基準電圧発生回路３４は、基準電圧ＶＲ１及びＶＲ２を生成し、生成した基準電圧ＶＲ１をデータドライバ３２へ、基準電圧ＶＲ２をスキャンドライバ３３へ夫々出力する。データドライバ３２は、データ反転回路３６を介して画像メモリ部３０から受けた画素データＰＤまたは逆画素データ＃ＰＤに基づいて、画素電極４０の信号線４２に対して信号を出力する。この信号の出力に同期して、スキャンドライバ３３は、画素電極４０の走査線４３をライン毎に順次的に走査する。またバックライト制御回路３５は、駆動電圧をバックライト２２に与えバックライト２２のＬＥＤアレイ７が有している赤，緑，青の各色のＬＥＤを時分割して夫々発光させる。
【００３３】
次に、液晶表示装置の動作について説明する。画像メモリ部３０には液晶パネル２１により表示されるべき赤，緑，青の各色毎の表示データＤＤが、パーソナルコンピュータから与えられる。画像メモリ部３０は、この表示データＤＤを一旦記憶した後、制御信号発生回路３１から出力される制御信号ＣＳを受け付けた際に、各画素単位のデータである画素データＰＤを出力する。画像データＤＤが画像メモリ部３０に与えられる際、制御信号発生回路３１に同期信号ＳＹＮが与えられ、制御信号発生回路３１は同期信号ＳＹＮが入力された場合に制御信号ＣＳ及びデータ反転制御信号ＤＣＳを生成し出力する。画像メモリ部３０から出力された画素データＰＤは、データ反転回路３６に与えられる。
【００３４】
データ反転回路３６は、制御信号発生回路３１から出力されるデータ反転制御信号ＤＣＳがＬレベルの場合は画素データＰＤをそのまま通過させ、一方データ反転制御信号ＤＣＳがＨレベルの場合は逆画素データ＃ＰＤを生成し出力する。従って、制御信号発生回路３１では、データ書込み走査時はデータ反転制御信号ＤＣＳをＬレベルとし、データ消去走査時はデータ反転制御信号ＤＣＳをＨレベルに設定する。
【００３５】
制御信号発生回路３１で発生された制御信号ＣＳは、データドライバ３２と、スキャンドライバ３３と、基準電圧発生回路３４と、バックライト制御回路３５とに与えられる。基準電圧発生回路３４は、制御信号ＣＳを受けた場合に基準電圧ＶＲ１及びＶＲ２を生成し、生成した基準電圧ＶＲ１をデータドライバ３２へ、基準電圧ＶＲ２をスキャンドライバ３３へ夫々出力する。
【００３６】
データドライバ３２は、制御信号ＣＳを受けた場合に、データ反転回路３６を介して画像メモリ部３０から出力された画素データＰＤまたは逆画素データ＃ＰＤに基づいて、画素電極４０の信号線４２に対して信号を出力する。スキャンドライバ３３は、制御信号ＣＳを受けた場合に、画素電極４０の走査線４３をライン毎に順次的に走査する。データドライバ３２からの信号の出力及びスキャンドライバ３３の走査に従ってＴＦＴ４１が駆動し、画素電極４０が電圧印加され、画素の透過光強度が制御される。
【００３７】
バックライト制御回路３５は、制御信号ＣＳを受けた場合に駆動電圧をバックライト２２に与えてバックライト２２のＬＥＤアレイ７が有している赤，緑，青の各色のＬＥＤを時分割して夫々発光させる。
【００３８】
この液晶表示装置における表示制御は、図１１に示すフィールド・シーケンシャル方式のタイムチャートに従って行う。図１１（ａ）はバックライト２２の各色のＬＥＤの発光タイミング、図１１（ｂ）は液晶パネル２１の各ラインの走査タイミング、図１１（ｃ）は液晶パネル２１の発色状態を夫々示す。
【００３９】
そして、１フレームの期間を３サブフレームに分割し、第１番目から第３番目までの夫々のサブフレームにおいて、図１１（ａ）に示すように赤，緑，青のＬＥＤを夫々順次発光させる。このような各色の順次発光に同期して液晶パネル２１の各画素をライン単位でスイッチングすることによりカラー表示を行う。
【００４０】
一方、図１１（ｂ）に示すとおり、液晶パネル２１に対しては赤，緑，青の各色のサブフレーム中にデータ走査を２度行う。但し、１回目の走査（データ書込み走査）の開始タイミング（第１ラインへのタイミング）が各サブフレームの開始タイミングと一致するように、また２回目の走査（データ消去走査）の終了タイミング（最終ラインへのタイミング）が各サブフレームの終了タイミングと一致するようにタイミングを調整する。なお、本発明では、１ラインの走査時間に相当するＴＦＴ４１のゲート選択期間を１０μｓ以下、好ましくは５μｓ以下に設定して、ＴＦＴ４１のゲートがオフである時の液晶セルの光透過率が、そのゲート選択期間に応じてほとんど変化しないようにしている。
【００４１】
データ書込み走査にあっては、液晶パネル２１の各画素には画素データＰＤに応じた電圧が供給され、透過率の調整が行われる。これによって、フルカラー表示が可能となる。またデータ消去走査にあっては、実質的にデータ書込み走査時と同電圧で逆極性の電圧が液晶パネル２１の各画素に供給され、液晶パネル２１の各画素の表示が消去され、液晶セルへの直流成分の印加が防止される。
【００４２】
以上のようにして、本発明の液晶表示装置の駆動方法にてフィールド・シーケンシャル方式のカラー表示を行った結果、明るくて色純度に優れた高品質の表示を実現することができた。
【００４３】
（比較例）
電荷蓄積用のコンデンサを設けない点以外は上述した実施の形態と全く同様に作製した空パネルに自発分極の大きさが１２．８ｎＣ／ｃｍ2 である強誘電性液晶物質を封入し、更にそのパネルをクロスニコル状態の２枚の偏光フィルムで、強誘電性液晶分子が一方に傾いた場合に暗状態になるようにして挟んで、比較例としての液晶パネルを作製した。この比較例としての液晶パネルの液晶セルの容量は上述した実施の形態と同じく、０．２３ｐＦであった。勿論、コンデンサを設けていないので、容量比ＣS ／ＣLCは０である。
【００４４】
このようにして作製した比較例としての液晶パネルの各液晶セルにＴＦＴのスイッチングを介して電圧を印加して透過光強度を測定した、その測定結果を図１２に示す。９Ｖという高い駆動電圧が必要であることが分かる。
【００４５】
なお、上述した例では、自発分極を有する液晶物質として強誘電性液晶を使用したが、反強誘電性液晶、特にＶ字型の電圧−光透過率特性（同じ透過光量となる状態に正の電圧と負の電圧とが存在）を有する反強誘電性液晶を用いるようにしても同様の効果を奏することは勿論である。
【００４６】
また、上述した例では、ＲＧＢ個別の光源を用いたフィールド・シーケンシャル方式にてカラー表示を行うようにしたが、ＲＧＢを切換えて発光できる単一の光源を用いることも可能であり、更に、ＲＧＢのカラーフィルタを用いてカラー表示を行うような構成であっても、本発明を同様に適用できることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】液晶セルのＴＦＴ駆動評価特性の実験システムの構成を示す図である。
【図２】５種の容量比（ＣS ／ＣLC）における電圧と透過光強度との関係を示すグラフである。
【図３】容量比（ＣS ／ＣLC）と駆動電圧との関係を示すグラフである。
【図４】３種の自発分極の大きさにおける容量比（ＣS ／ＣLC）と電圧比率との関係を示すグラフである。
【図５】液晶表示装置の回路構成を示すブロック図である。
【図６】液晶パネル及びバックライトの模式的断面図である。
【図７】液晶表示装置の全体の構成例を示す模式図である。
【図８】液晶パネルの等価回路を示す図である。
【図９】ＬＥＤアレイの構成例を示す図である。
【図１０】実施の形態による電圧と透過光強度との関係を示すグラフである。
【図１１】液晶表示装置の表示制御を示すタイムチャートである。
【図１２】比較例による電圧と透過光強度との関係を示すグラフである。
【図１３】強誘電性液晶パネルにおける液晶分子の配列状態を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１，５  偏光フィルム
１３  液晶層
２２  バックライト
２１  液晶パネル
４０  画素電極
４１  ＴＦＴ
４４  液晶セル
４５  コンデンサ
【図１】
2008033343.tif 000003
【図２】
2008033343.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2008033343.tif 000007
【図６】
2008033343.tif 000008
【図７】
2008033343.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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