(57)【要約】【課題】一層の高画質化に寄与できる欠陥検査装置および欠陥検査方法を提供すること。【解決手段】透過率を略最大とする第１電圧Ａと透過率を略最小とする第２電圧Ｃとの間の中間電圧Ｂを表示パネルに印加した際の表示パネルの画像領域における明度差Ｄ１，Ｄ２に基づいて、欠陥を検出する。すなわち、中間電圧Ｂを印加した際の画像領域における欠陥部ＥＲ１，ＥＲ２における明るさと、良品部ＮＲにおける明るさとにはそれぞれ、所定の明度差Ｄ１，Ｄ２が有り、これらの明度差Ｄ１，Ｄ２に基づいて、第１電圧Ａや第２電圧Ｃの印加時には検出不可能であって従来は検査対象とされなかった欠陥が検出可能となる。これにより、被検査パネルの高画質化に寄与できる。【選択図】図１８
2008232789.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧印加により駆動される表示体の欠陥検査方法であって、
前記表示体に印加された際に透過率が略最大となる第１電圧と、前記表示体に印加された際に透過率が略最小となる第２電圧との間の所定範囲とされた中間電圧範囲における中間電圧を前記表示体に印加する中間電圧印加工程と、
前記中間電圧が印加された状態で光束が照射された前記表示体の画像領域の明るさを計測し、かつ前記画像領域における良品部と欠陥部との明度差を検出する明度差検出工程とを備える
ことを特徴とする表示体の欠陥検査方法。
【請求項２】
請求項１に記載の表示体の欠陥検査方法において、
前記中間電圧印加工程では、前記中間電圧範囲における複数の中間電圧のそれぞれを前記表示体に印加し、
前記明度差検出工程では、前記複数の中間電圧がそれぞれ印加された際の前記画像領域における良品部と欠陥部との明度差を前記中間電圧毎に検出する
ことを特徴とする表示体の欠陥検査方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の表示体の欠陥検査方法において、
個々の前記表示体毎の印加電圧に対する透過特性を求める透過特性計測工程を備え、
前記中間電圧印加工程では、前記透過特性計測工程で求められた透過特性に基づいて前記中間電圧を決める
ことを特徴とする表示体の欠陥検査方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の表示体の欠陥検査方法において、
前記透過特性計測工程は、
前記個々の表示体における印加電圧に対する透過特性を蓄積する蓄積工程と、
前記蓄積された透過特性データから平均透過特性を求める透過特性平均化工程と、
前記平均透過特性に基づいて計測用入力値を決定する計測点決定工程と、
前記計測用入力値を検査対象の前記表示体に入力して制御し、その際の明るさを計測する指定計測点計測工程と、
前記平均透過特性の出力値を横軸および縦軸としたグラフにおいて、前記平均透過特性において前記計測用入力値に対応する出力値を横軸の値とし、前記指定計測点計測手段により計測された計測値を縦軸の値としてプロットし、これらのプロットされた点を結ぶ補間関数を求めて検査対象の前記表示体の透過特性を演算する透過特性演算工程とを有する
ことを特徴とする表示体の欠陥検査方法。
【請求項５】
請求項２から４のいずれかに記載の表示体の欠陥検査方法において、
前記表示体における印加電圧に対する透過特性を欠陥の種類毎に分析する欠陥分析工程を備え、
前記明度差検出工程では、前記複数の中間電圧がそれぞれ印加された前記表示体の画像領域における明度差をそれぞれ検出する
ことを特徴とする表示体の欠陥検査方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の表示体の欠陥検査方法において、
前記表示体の画像領域に光源からの平行光束を透過させ、この平行光束を撮像素子に結像素子を介在させることなく直接的に入射させることにより、前記画像領域を撮像する
ことを特徴とする表示体の欠陥検査方法。
【請求項７】
請求項６に記載の表示体の欠陥検査方法において、
前記撮像素子により前記表示体の画像領域の明るさを計測する明るさ計測工程と、計測された前記画像領域の明るさに応じて前記光源の明るさおよび／または前記撮像素子の受光時間を調整する明るさ制御工程とを備える
ことを特徴とする表示体の欠陥検査方法。
【請求項８】
電圧印加により駆動される表示体の欠陥検査装置であって、
前記表示体に印加された際に透過率が略最大となる第１電圧と、前記表示体に印加された際に透過率が略最小となる第２電圧との間の所定範囲とされた中間電圧範囲における中間電圧を前記表示体に印加する中間電圧印加手段と、
前記中間電圧が印加された状態で光束が照射された前記表示体の画像領域の明るさを計測することにより、前記画像領域における良品部と欠陥部との明度差を検出する明度差検出手段とを備える
ことを特徴とする表示体の欠陥検査装置。
【請求項９】
請求項８に記載の表示体の欠陥検査装置において、
光源と、
前記光源からの光束を平行化してその平行光束を表示体に射出する平行光束射出手段と、
前記表示体を透過した前記平行光束を受光して前記表示体の画像領域を撮像する撮像素子とを備える
ことを特徴とする表示体の欠陥検査装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の表示体の欠陥検査装置において、
前記撮像素子を含む撮像手段は、前記撮像素子に入射する前記平行光束の光強度を調整する光強度調整手段を有する
ことを特徴とする表示体の欠陥検査装置。
【請求項１１】
請求項８から１０のいずれかに記載の表示体の欠陥検査装置において、
前記表示体を一定温度に加熱する恒温加熱手段を備える
ことを特徴とする表示体の欠陥検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネル、電気泳動表示パネル、有機ＥＬ（electro-luminescence）パネル、ＰＤＰ（Plasma Display Panel）等の各種表示体における欠陥を検査する検査装置および検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶パネル等の欠陥検査は、当該表示パネルにおける最大駆動電圧を印加するか、電圧非印加状態とし、その際の表示画像を目視または画像処理することによって行っていた（特許文献１等）。すなわち、電圧非印加時（オフ時）に光束を透過させる表示パネル（ノーマリーホワイト）の場合、最大電圧印加時（オン時）に輝点や他の部分よりも明るい白シミ等が検出され、電圧非印加時（オフ時）に、暗点や他の部分よりも暗い黒シミ等が検出される。これらの欠陥は、異物の付着や隣接画素の縮退による電流リークなどによって生じる。
図１５に、液晶パネルの透過特性（印加電圧に対する透過率特性；ＶＴ特性）の例を示す。この例では、最大駆動電圧は５Ｖとされており、オフ状態とされて透過率が最大となる電圧（０Ｖ）を印加した際に暗点欠陥が検出され、オン状態とされて透過率が最小となる電圧（５Ｖ）を印加した際に輝点欠陥が検出される。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−８９７１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の輝点や暗点などの検出だけでは、高画質化の要求に必ずしも対応できないことから、異なる観点での欠陥検査が模索されている。しかしながら、欠陥の態様やその欠陥原因は明らかでない場合が多く、同じ種類の表示パネルでも各個体で特性にバラツキがあるため、検査パラメータ等を設定しにくい。近年では携帯機器などに用いられる非常に小型で薄型の表示パネルが開発されているが、このように極めて細密化された表示パネルでは特に、その欠陥態様が判明し難く、また、ばらつきも大きくなると考えられるので、欠陥検査が難しい。このような事情により、欠陥検査の精度向上に繋げる端緒がなかなか掴めないでいた。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、従来とは異なる観点で表示パネルの欠陥検査を行い、一層の高画質化に寄与できる欠陥検査装置および欠陥検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の表示体の欠陥検査方法は、電圧印加により駆動される表示体の欠陥検査方法であって、前記表示体に印加された際に透過率が略最大となる第１電圧と、前記表示体に印加された際に透過率が略最小となる第２電圧との間の所定範囲とされた中間電圧範囲における中間電圧を前記表示体に印加する中間電圧印加工程と、前記中間電圧が印加された状態で光束が照射された前記表示体の画像領域の明るさを計測し、かつ前記画像領域における良品部と欠陥部との明度差を検出する明度差検出工程とを備えることを特徴とする。
【０００７】
ここで、表示体の欠陥検出について本件出願人が鋭意探求した結果、透過率が略最大となる第１電圧と透過率が略最小となる第２電圧との間の中間電圧を印加することで初めて検出可能な欠陥があるという新たな知見が得られた。このような欠陥としては、具体的には、液晶パネルでは配向膜の膜厚の不均一（配向欠陥）や、微小なリーク電流が画素間に流れる縮退不良などがあることが判明しており、中間電圧を印加した際の画像領域の明るさを計測して画像領域内における明度差を得て初めて、これらの欠陥を検出することが可能となる。
【０００８】
図１６に、液晶パネルの断面模式図を示し、図１７に、液晶パネルの等価回路を示す。図１６に示すように、液晶パネルの本体部分は、液晶部９１と、この液晶部９１の表面側と裏面側とに設けられる配向膜９２，９２および透明電極（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）９３，９３とを含んで構成されている。そして、図１７に示すように、印加電圧（駆動電圧）Ｖ０は、配向膜容量部に印加される電圧Ｖ１，Ｖ３と、液晶部に印加される電圧Ｖ２との和に等しいが、配向膜容量部の誘電率が液晶部の誘電率に比較して高いことから、印加電圧Ｖ０に占める割合は、配向膜容量部に印加される電圧Ｖ１，Ｖ３の方が液晶部に印加される電圧Ｖ２よりも高い。このため、配向膜の膜厚異常によって電圧Ｖ１またはＶ３が変化することによる印加電圧Ｖ０への影響度合は大きく、電圧Ｖ１またはＶ３の変化によって液晶部に印加される電圧Ｖ２がシフトする。これにより、配向膜の膜厚異常による欠陥部は、良品部に対して異なる透過特性（ＶＴ特性；Ｖ：印加電圧、Ｔ：透過率）を有することになる。
また、画素間の縮退不良の場合も、画素間にリーク電流が流れて液晶部に印加される電圧Ｖ２がシフトするので、画素間の縮退不良による欠陥部が良品部に対して異なる透過特性（ＶＴ特性）を有することになる。
【０００９】
図１８に、配向膜の膜厚異常に起因した欠陥部におけるＶＴ特性カーブＲ１と、画素間の縮退不良に起因した欠陥部におけるＶＴ特性カーブＲ２と、これらいずれの欠陥も生じていない良品部におけるＶＴ特性カーブＲ０とのそれぞれの例を示す。この図１８からわかるように、略最大の透過率となる電圧Ａや、略最小の透過率となる電圧Ｃの際は、良品部と欠陥部との間に明度差は殆ど生じていないが、電圧Ａと電圧Ｃとの間の中間電圧Ｂでは、良品部と欠陥部との間に、膜厚異常、画素間縮退のそれぞれに応じた明度差Ｄ１，Ｄ２が生じている。この明度差Ｄ１，Ｄ２にそれぞれ基づいて、これらの欠陥を検出可能となる。
【００１０】
すなわち、本発明は、中間電圧印加時における欠陥部と良品部との明度差に基づいて前記したような欠陥を検出可能であるという新たな知見に基づいて完成された。本発明によって、第１電圧や第２電圧の印加時には検出不可能であって従来は検査対象とされなかった欠陥が見出されることになるので、この欠陥検出に対処することで表示体の高画質化に寄与できる。
なお、配向膜の膜厚異常や微小な電流リークによる透過特性のシフトは、明度差が出にくい細密化された表示体で問題になり易く、本発明により、このような細密化された表示体の更なる高画質化を促進できる。
【００１１】
本発明の表示体の欠陥検査方法では、前記中間電圧印加工程では、前記中間電圧範囲における複数の中間電圧のそれぞれを前記表示体に印加し、前記明度差検出工程では、前記複数の中間電圧がそれぞれ印加された際の前記画像領域における良品部と欠陥部との明度差を前記中間電圧毎に検出することが好ましい。
【００１２】
この発明によれば、複数の中間電圧毎の明度差を検出するので、単一の中間電圧における明度差に基づいて欠陥を判別する場合よりも欠陥の検出精度を向上させることができる。
【００１３】
本発明の表示体の欠陥検査方法では、個々の前記表示体毎の印加電圧に対する透過特性を求める透過特性計測工程を備え、前記中間電圧印加工程では、前記透過特性計測工程で求められた透過特性に基づいて前記中間電圧を決めることが好ましい。
【００１４】
この発明によれば、個々の表示体に固有の透過特性に基づいて中間電圧を決めることにより、明度差検出工程において、欠陥に起因する明度差をより確実に捉えることが可能となる。すなわち、個々の表示体の透過特性のバラツキに対応でき、欠陥検出精度を向上させることができる。
【００１５】
本発明の表示体の欠陥検査方法では、前記透過特性計測工程は、前記個々の表示体における印加電圧に対する透過特性を蓄積する蓄積工程と、前記蓄積された透過特性データから平均透過特性を求める透過特性平均化工程と、前記平均透過特性に基づいて計測用入力値を決定する計測点決定工程と、前記計測用入力値を検査対象の前記表示体に入力して制御し、その際の明るさを計測する指定計測点計測工程と、前記平均透過特性の出力値を横軸および縦軸としたグラフにおいて、前記平均透過特性において前記計測用入力値に対応する出力値を横軸の値とし、前記指定計測点計測手段により計測された計測値を縦軸の値としてプロットし、これらのプロットされた点を結ぶ補間関数を求めて検査対象の前記表示体の透過特性を演算する透過特性演算工程とを有することが好ましい。
【００１６】
この発明によれば、蓄積した透過特性データによる平均透過特性に基づいて、計測点決定工程、指定計測点計測工程、およびＶＴ特性演算手段によって透過特性を正規化することにより、通常複雑な曲線となる複雑な透過特性を比較的単純な曲線に変換することができる。これにより、透過特性計測工程をより多くのサンプルに基づいてより短時間で行うことが可能となるので、表示体の特性バラツキに対応しつつ、欠陥検査をより効率良く行うことができる。
また、少ない計測点でも、３次曲線補間を行うことで透過特性を高精度に得ることができるので、中間電圧印加工程で印加する中間電圧を適切に決めることができる。
【００１７】
本発明の表示体の欠陥検査方法では、前記表示体における印加電圧に対する透過特性を欠陥の種類毎に分析する欠陥分析工程を備え、前記明度差検出工程では、前記複数の中間電圧がそれぞれ印加された前記表示体の画像領域における明度差をそれぞれ検出することが好ましい。
【００１８】
この発明によれば、予め、欠陥の種類毎の印加電圧に対する透過特性を分析しておくため、この分析の結果と、複数の中間電圧毎に計測した明度差とに基づいて各欠陥の種類を判別することが可能となる。
【００１９】
本発明の表示体の欠陥検査方法では、前記表示体の画像領域に光源からの平行光束を透過させ、この平行光束を撮像素子に結像素子を介在させることなく直接的に入射させることにより、前記画像領域を撮像することが好ましい。
【００２０】
この発明によれば、平行光束が表示体の画像領域を透過し、画像領域における欠陥が撮像素子に直接的に投影される構成のため、投射光学系や、撮像レンズが使用されない。仮に、投射レンズやスクリーン、撮像レンズ等が表示体と撮像素子との間に介在した場合には、レンズやスクリーンに存在する異物によって合焦位置がずれたり、色収差が生じることによって撮像画像の劣化が生じるが、本発明ではこのような画像劣化を大幅に低減できる。
ここで、本発明では、前述のように中間電圧を印加してその際の画像領域に生じた明度差に基づいて欠陥を検出するが、このように検出される欠陥は、輝点や暗点などと比較して明度差が小さいため、撮像画像が劣化すると検出が難しくなる。すなわち、表示体の画像領域を直接的に高精度に撮像して画像劣化を防止することにより、前述した配向膜の膜厚異常や微少電流リークなどの欠陥をより確実に検出することができる。
また、本発明では撮像レンズが使用されず、平行光束によって表示体の画像領域が撮像素子に直接的に投影されるため、入射光束が液晶等で光変調される画像形成面など、表示体の一部だけに撮像対象が限定されない。つまり、表示体の基板表面や対向基板間で生じている欠陥や、表示体と一体にモジュール化等されている防塵ガラス・光学素子等で生じる可能性のある欠陥を漏れなく検出することができる。
以上により、撮像画像が劣化せず、撮像画像には表示体に起因しない欠陥は含まれないことと、撮像対象が表示体の画像形成面等に限られないこととによって、表示体単体の欠陥検出精度を大きく向上させることができる。
また、表示体が組み込まれる製品において、表示体の欠陥と、他の光学系における欠陥とを切り離してそれぞれを高精度に検査することが可能となるから、欠陥検査を効率化できる。
以上に加えて、光源、平行光束を射出する手段および撮像素子のみによって検査装置を構成できるため、検査装置を小型化、低コスト化することが可能となる。
【００２１】
本発明の表示体欠陥検査方法では、前記撮像素子により前記表示体の画像領域の明るさを計測する明るさ計測工程と、計測された前記画像領域の明るさに応じて前記光源の明るさおよび／または前記撮像素子の受光時間を調整する明るさ制御工程とを備えることが好ましい。
【００２２】
この発明によれば、光源の明るさ調整または撮像素子の受光時間の調整を通じて、撮像画像における表示体画像領域の明るさに基づくフィードバック制御が実現するので、撮像素子への入射光束の光強度を撮像素子の感度範囲に対応させることが可能となる。
【００２３】
本発明の表示体の欠陥検査装置は、電圧印加により駆動される表示体の欠陥検査装置であって、前記表示体に印加された際に透過率が略最大となる第１電圧と、前記表示体に印加された際に透過率が略最小となる第２電圧との間の所定範囲とされた中間電圧範囲における中間電圧を前記表示体に印加する中間電圧印加手段と、前記中間電圧が印加された状態で光束が照射された前記表示体の画像領域の明るさを計測することにより、前記画像領域における良品部と欠陥部との明度差を検出する明度差検出手段とを備えることを特徴とする。
【００２４】
この発明によれば、前述した表示体の欠陥検査方法と同様に、第１電圧や第２電圧の印加時には検出不可能であって従来は検査対象とされなかった欠陥が検出可能となるので、この欠陥検出に対処することで表示体の高画質化に寄与できる。
【００２５】
本発明の表示体の欠陥検査装置では、光源と、前記光源からの光束を平行化してその平行光束を表示体に射出する平行光束射出手段と、前記表示体を透過した前記平行光束を受光して前記表示体の画像領域を撮像する撮像素子とを備えることが好ましい。
【００２６】
この発明によれば、表示体の画像領域を直接的に高精度に撮像することで、画像劣化を防止でき、これによって、前述した配向膜の膜厚異常や微小リークなどの欠陥をより確実に検出することができるので、欠陥検査の精度を向上させることができる。
また、表示体の一部だけに撮像対象が限定されることがないため、検査対象である表示体の画像領域のみを精度良く撮像でき、欠陥検出精度を大きく向上させることができる。
また、表示体が組み込まれる製品において、表示体の欠陥と、他の光学系における欠陥とを切り離してそれぞれを高精度に検査することが可能となる。
加えて、平行光束射出手段および撮像素子のみによって検査装置を構成できるため、検査装置を小型化、低コスト化することが可能となる。
【００２７】
本発明の表示体の欠陥検査装置では、前記撮像素子を含む撮像手段は、前記撮像素子に入射する前記平行光束の光強度を調整する光強度調整手段を有することが好ましい。
【００２８】
この発明によれば、光源の光強度を表示体が組み込まれる製品で用いられる光強度としつつ、平行光束の光強度を光強度調整手段によって撮像素子の感度範囲に納めることが可能となる。例えば、プロジェクター等で用いられる高輝度の光源ランプによる表示体の形成画像を、実機に即した環境で検査することが可能となる。
なお、光強度調整手段としては、例えばＮＤフィルター等を用いることができる。
【００２９】
本発明の表示体の欠陥検査装置では、前記表示体を一定温度に加熱する恒温加熱手段を備えることが好ましい。
【００３０】
この発明によれば、恒温加熱手段により、表示体などを実際の使用状態における一定温度に加熱できるため、使用環境に即した検査が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、本実施形態の欠陥検査装置１の光学系概略を示すブロック図である。欠陥検査装置１は、液晶パネル等の表示体を検査対象とし（被検査パネル２）、被検査パネル２に平行光束を射出する平行光源部１０と、被検査パネル２の画像領域を撮像する撮像部２０とを備えてコンパクトに構成されている。なお、欠陥検査装置１の内部は外部に対して遮光され、かつ遮温されている。
【００３２】
被検査パネル２は、本実施形態ではＴＦＴ（Thin Film Transistor）液晶パネルとされ、詳しい図示を省略するが、対向配置された基板間に液晶が封入され、基板間からは配線２Ａが延びている。なお、被検査パネル２はＴＦＴパネルに限らず、その他のダイオード素子を用いた液晶パネル等であってもよい。本実施形態では、被検査パネル２はプロジェクターに組み込まれるものとされている。
被検査パネル２の基板には偏光板や位相差板、視野角拡大板、防塵ガラスなどが重ねられ、これらはモジュール化されている。
【００３３】
図２は、欠陥検査装置１における光学系を構成する各光学素子と、欠陥検査装置１を構成するパターンジェネレーター３１、直流安定化電源３２、定温度ヒーター３３、および検査制御装置３４とを示す。
平行光源部１０は、ハロゲンランプ等の光源ランプ１１と、光源ランプ１１から放射される光束を所定の絞り量で絞る光学絞り１２と、光学絞り１２から射出される光束を平行化する集光レンズ１３とを有して構成されている。
光源ランプ１１は、プロジェクターに用いられる高輝度のタイプとされ、直流安定化電源３２を介して接続された検査制御装置３４によって光強度が可変に調整されるようになっている。
集光レンズ１３の光束が透過する開口サイズ（口径）は、被検査パネル２の画像領域のサイズよりも大きく形成されている。例えば、被検査パネルが１５ｍｍに対して集光レンズ１３は６０ｍｍなどと、４倍以上の口径とされている。
集光レンズ１３は、平行光束射出手段として機能し、被検査パネル２の画像領域に略直交する方向に沿って、集光レンズ１３から平行光束ＰＬを射出する。
【００３４】
撮像部２０は、被検査パネル２に対向する側から、遮光マスク２１と、光強度調整手段としてのＮＤフィルター２２と、赤外線を減衰させるＩＲカットフィルター２３と、空間フィルター２４と、被検査パネル２の解像度よりも高解像度であるＣＣＤセンサー２５と、ＣＣＤセンサー２５を駆動する撮像回路２６とを有して構成されている。光学素子等２１〜２６は筐体２０Ａの内部に収容されている。
【００３５】
遮光マスク２１は、被検査パネル２と同等の大きさとされ被検査パネル２の画像領域の周辺領域を遮光するマスク部を有している。これにより、被検査パネル２の画像領域に対応する範囲内の平行光束ＰＬのみを透過させ、実表示領域以外の光束を遮光するようになっている。
【００３６】
ＮＤフィルター２２は、ＣＣＤセンサー２５に入射する平行光束ＰＬの光強度を減衰させるものとされている。また、ＮＤフィルター２２は、ＩＲカットフィルター２３の表面（蒸着面等とされる）を保護している。
空間フィルター２４は、ＣＣＤセンサー２５の分解能以下である微細な画像成分を除去する。
【００３７】
検査制御装置３４には、パターンジェネレーター３１、直流安定化電源３２、および撮像回路２６がそれぞれ接続されている。この検査制御装置３４により、光源ランプ１１の明るさ制御、パターンジェネレーター３１によるパターン発生制御、撮像素子を構成するＣＣＤセンサー２５および撮像回路２６の制御、およびＣＣＤセンサー２５および撮像回路２６から取り込まれた画像の画像処理がそれぞれ行われる。この検査制御装置３４は、パターンジェネレーター３１を制御することで中間電圧印加手段として機能し、また、ＣＣＤセンサー２５および撮像回路２６を制御することで明度差検出手段として機能する。
なお、検査制御装置３４は記憶装置を備え、記憶装置には予め、光源ランプ１１の制御電圧とＣＣＤセンサー２５の露光時間との対応関係を保持するテーブルデータが記憶されている。
【００３８】
パターンジェネレーター３１は、被検査パネル２に印加される印加電圧が異なる複数の検査パターンを生成し、各検査パターンをそれぞれ被検査パネル２に入力する。ここで、パターンジェネレーター３１が生成する検査パターン毎の印加電圧は、透過率が略最大となる第１電圧（本実施形態では０Ｖ）と、透過率が略最小となる第２電圧（本実施形態では５Ｖ）との間で可変となっている。
定温度ヒーター３３は、プロジェクターの使用温度である約５０℃に被検査パネル２等が保たれるように恒温加熱する。
【００３９】
以上の構成の欠陥検査装置１では、平行光源部１０から射出された平行光束ＰＬにより、被検査パネル２の画像領域がＣＣＤセンサー２５に投影されることとなる。このとき、被検査パネル２の画像領域における欠陥部は影となってＣＣＤセンサー２５および撮像回路２６により画像に変換され、また光強度（明るさ）が計測され、このＣＣＤセンサー２５および撮像回路２６で撮像した画像に基づいて欠陥検査が行われることとなる。
【００４０】
図３は、欠陥検査装置１による被検査パネル２の欠陥検査工程を示す。検査制御装置３４により、各工程Ｓ１〜Ｓ８を順次行う。
この欠陥検査工程は、欠陥検査に先立って被検査パネル２のＶＴ特性を検査するＶＴ特性計測工程Ｓ１と、パターンジェネレーター３１で検査パターンを発生させて被検査パネル２に入力する中間電圧印加工程Ｓ２と、ＣＣＤセンサー２５で検知した明るさを計測し、これに基づいて被検査パネル２の画像領域における明度差を検出する明度差検出工程Ｓ３とを備える。
【００４１】
図４は、ＶＴ特性計測工程Ｓ１の詳細工程を示す。なお、この工程の処理詳細は、特願２００７−００４４９４号の明細書および図面に記載されている。
ＶＴ特性計測工程Ｓ１では先ず、検査制御装置３４により、検査制御装置３４内部の記憶装置にＶＴ特性データが蓄積されているか否かを判断する（ステップＳ１１）。
なお、蓄積データ数は、当然多いほど精度が高くなるが、少なくとも１０台分以上のＶＴ特性データが蓄積されていることが望ましく、通常、５０〜１００台程度のＶＴ特性データが蓄積されていることが好ましい。本実施形態では、検査制御装置３４は、１００台分のＶＴ特性データが蓄積されていれば、ＶＴ特性データが蓄積されていると判定し、１００台分のＶＴ特性データが蓄積されていなければ、ＶＴ特性データが蓄積されていないと判定している。
【００４２】
ステップＳ１１において、ＶＴ特性データが蓄積されていないと判定された場合には、検査制御装置３４は、ＶＴ特性の精密計測を実施する（ステップＳ１２）。
ステップＳ１２では、検査制御装置３４は、ＣＣＤセンサー２５および撮像回路２６を制御することにより、被検査パネル２のＶＴ特性を計測する。なお、このときのサンプリング数は３０点以上とし、精密な測定を行っている。
【００４３】
次いで、検査制御装置３４は、ステップＳ１２において精密計測したＶＴ特性をＶＴ特性蓄積データに追加する（ステップＳ１３）。（図５は、１００台のサンプル（被検査パネル２）で精密計測した場合の各サンプルのＶＴ特性を示すグラフである。）
ここで、検査制御装置３４は、図４のフローチャートを実行すると、最初の１００台まではＳ１１で「Ｎｏ」と判定されるため、ステップＳ１２，Ｓ１３が実行される。これにより、検査制御装置３４内の記憶装置には、所定数（１００台分）のＶＴ特性データが蓄積される。
【００４４】
一方、ステップＳ１１でＶＴ特性データが蓄積されていると判断した場合、検査制御装置３４は、ＶＴ特性平均化工程Ｓ１４を行う。
このＶＴ特性平均化工程Ｓ１４では、検査制御装置３４内に蓄積された１００台分のＶＴ特性データを用い、以下の式（１）により、各ＶＴ特性の平均値（平均ＶＴ特性）を求める。ここで、式（１）において、入力階調値ｉのときの測定値を（ＸRn_i）としている。この入力階調値ｉは、具体的には各被検査パネル２に入力する印加電圧階調値であり、本実施形態では１０ビットのデジタル値である。すなわち、「ｉ＝０，１，２，…，１０２１，１０２２，１０２３」となる。
図６に、式（１）により得られた平均ＶＴ特性ＸRAiを例示する。
【００４５】
【数１】
2008232789.tif 000003
【００４６】
次に、計測点決定工程Ｓ１５では、検査制御装置３４により、ＶＴ特性平均化工程Ｓ１４で求められた平均ＶＴ特性に基づいて計測点を決定する（ステップＳ１５）。具体的には、平均ＶＴ特性を分析し、変曲点近くに、数カ所の計測点を設定する。
すなわち、図６に示すように、平均ＶＴ特性は、略Ｓ字状の曲線となり、２箇所の変曲点が存在する。このため、この変曲点の前後２箇所ずつ、計４箇所の計測点（入力階調値）ｉ１〜ｉ４を設定する。
【００４７】
以上のように、平均ＶＴ特性に基づいて、被検査パネル２を制御してＶＴ特性を計測する場合の４箇所の計測点が設定される。
【００４８】
次に、指定計測点計測工程Ｓ１６では、検査制御装置３４により、前記計測点決定工程Ｓ１５で決定された指定計測点に基づいて計測処理を行う。具体的には、光源ランプ１１が投射されるように制御した上で、前記計測点の入力階調値を順次入力して被検査パネル２の透過率を４段階の入力階調値で順次制御し、被検査パネル２から投射される光束をＣＣＤセンサー２５および撮像回路２６を介して計測する。
【００４９】
次に、ＶＴ特性演算工程Ｓ１７では、検査制御装置３４により、前記ＶＴ特性平均化工程Ｓ１４で求めた平均ＶＴ特性と、指定計測点計測工程Ｓ１６で得られた計測値とから、ＶＴ特性を演算する。
図７に示すように、前記平均ＶＴ特性の出力値を横軸および縦軸としたグラフ７１を設定する。従って、このグラフ７１においては、平均ＶＴ特性は原点を通る１次直線７２となる。
そして、図７のグラフ７１に、指定計測点計測工程Ｓ１６で得られた計測値をプロットする。この際、各プロットの縦軸の値は前記計測値自体であるが、横軸の値は、前記平均ＶＴ特性において前記計測用入力値ｉ１〜ｉ４に対応する出力値としている。すなわち、計測点ｉ１〜ｉ４でそれぞれ求められた計測値をグラフ７１にプロットする場合、横軸の値は、図６に示した各計測点ｉ１〜ｉ４のそれぞれにおける明るさの値としている。
【００５０】
次に、プロットされた４つの点を通る補間関数を求める。本実施形態では、３次曲線補間を用い、次の式（２）により、ＶＴ特性を求める。
【００５１】
【数２】
2008232789.tif 000004
【００５２】
ここで、式（２）において、各係数は、階調値ｉ＝ｉ１，ｉ２，ｉ３，ｉ４のときの測定値から連立方程式を解くことによって求める。すなわち、ＸRH_iを求める式の係数ａRX_H，ｂRX_H，ｃRX_H，ｄRX_Hは、次の式（３）によって求める。
【００５３】
【数３】
2008232789.tif 000005
【００５４】
図７には、５つの被検査パネル２のＶＴ特性を示す曲線７３〜７７が記載されている。これらの曲線７３〜７７は、１次直線７２にほぼ沿った緩やかな曲線であり、図６に示すような複雑なＳ字曲線に比べ、測定数が少なくても正確な補間関数を求めることができる。
【００５５】
次に、図７のグラフ７１において、横軸の値を入力階調値に変換し、図８に示すような印加電圧と明るさ（透過率）の関係を示すＶＴ特性グラフ８１を求める。
ここで、図７のグラフ７１では、横軸は平均ＶＴ特性の明るさであるため、図６の平均ＶＴ特性における入力階調値と明るさとの関係から、各明るさに対応する入力階調値を求めて変換する。例えば、平均ＶＴ特性の明るさが「６００」で入力階調値が「７９０」の場合、図７の平均ＶＴ特性の明るさが「６００」の縦軸の値を、図８の入力階調値「７９０」の縦軸の値とする。このような変換を行うと、図７の曲線７３〜７７は、図８の曲線８３〜８７に変換される。従って、計測点が少なくても、図８に示すような複雑なＳ字曲線のＶＴ特性を高精度に求めることができるから、ＶＴ等性を高速に計測することが可能となる。
【００５６】
以上のＶＴ特性計測工程Ｓ１で求めた検査対象の被検査パネル２固有のＶＴ特性に基づき、複数の中間電圧を当該被検査パネル２に印加することによって欠陥検査を行う（中間電圧印加工程Ｓ２）。
この中間電圧印加工程Ｓ２で印加する複数の中間電圧は、被検査パネル２の透過率を略最大とする第１電圧と、透過率を略最小とする第２電圧との間の中間電圧とする。ここで、被検査パネル２のＶＴ特性カーブの一例を図９に示すが、このような被検査パネルの場合、第１電圧Ａ（約２Ｖ）と、第２電圧Ｃ（約３．５Ｖ）との間の中間電圧範囲Ｂ＿Area（約２〜約３．５Ｖ）における３つの中間電圧Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３をそれぞれ印加する。これらの中間電圧Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３にそれぞれ対応する検査パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３を順次、被検査パネル２に入力して被検査パネル２の画像領域に表示させ、工程Ｓ３〜工程Ｓ８（図３）を繰り返す。
【００５７】
明度差検出工程Ｓ３では、被検査パネル２の画像領域における明度差を検出することにより、被検査パネル２の配向膜の膜厚異常や、画素間の縮退などの欠陥を検出する。
図１０に、配向膜９２の一部の膜厚が薄くなっている状態を示す。この膜厚が他の部分よりも薄い欠陥部ＥＲ１の存在によって液晶部９１への印加電圧がシフトするため、この欠陥部ＥＲ１と良品部ＮＲとの明度差に基づいて、この膜厚異常を検出する。
また、図１１は、被検査パネル２の画像表示領域の電気的模式図であり、画素間の縮退（ショート）をＥＲ２で示す。図１１において、４１は画素電極、４２はＴＦＴ、４３はソース線、４４はゲート線である。この欠陥部ＥＲ２の存在によっても、液晶部９１への印加電圧がシフトするため、この欠陥部ＥＲ２と良品部ＮＲとの明度差に基づいて、この縮退不良を検出する。なお、縮退不良を検出する際は、市松状のラスターパターンをパターンジェネレーター３１で生成し、被検査パネル２の画像領域に前記の中間電圧を市松状に印加する。
【００５８】
図１２に、明度差検出工程Ｓ３における各工程を示す。まず、明るさ計測工程Ｓ３１では、被検査パネル２の画像領域をＣＣＤセンサー２５で撮像する。これによって画像領域の明るさがＣＣＤセンサー２５を介して計測されることとなる。
次に、ＣＣＤセンサー２５の撮像画像において、被検査パネル２の画像領域主要部の平均明るさが例えばＣＣＤセンサー２５の量子化ダイナミックレンジの例えば７０％〜９０％に入るかどうか、検査制御装置３４で検定を行い、このレンジ外であれば、検査制御装置３４により、光源ランプ１１、およびＣＣＤセンサー２５・撮像回路２６を制御する（ランプ明るさ・露光時間制御工程Ｓ３２）。
具体的には、検査制御装置３４により、画像領域主要部の平均明るさと、検査制御装置３４に記憶されている前記のテーブルデータとから、最適なランプ制御電圧が直流安定化電源３２に通知され、また、最適な露光時間が撮像回路２６に通知される。
【００５９】
以上により、ＣＣＤセンサー２５に入射する平行光束ＰＬの明るさがＣＣＤセンサー２５の感度内となり、かつ被検査パネル２の欠陥を検知し易い状態で、被検査パネル２の画像領域がＣＣＤセンサー２５に投影されるようになる。
従って、ＣＣＤセンサー２５を介して計測した明るさに基づいて、検査制御装置３４により、被検査パネル２の画像領域の明度差を検出する（明度差検出および欠陥判別工程Ｓ３３）。
【００６０】
図１３は、膜厚異常に係る欠陥部ＥＲ１と良品部ＮＲとの明度差Ｄを示す。なお、図１３には、工程Ｓ３３における処理を理解し易くするため、欠陥部ＥＲ１におけるＶＴ特性カーブＲ１と、良品部ＮＲにおけるＶＴ特性カーブＲ０とをそれぞれ示した。また、図１３には、中間電圧Ｂ１〜Ｂ３のうち中間電圧Ｂ２を印加した際の明度差Ｄを代表して示したが、他の中間電圧Ｂ１，Ｂ３においても、同様に明度差が検出される。
【００６１】
また、図１４は、画素間の縮退に起因する欠陥部ＥＲ２と良品部ＮＲとの明度差Ｄを示す。この図１４でも、工程Ｓ３３における処理を理解し易くするため、欠陥部ＥＲ２におけるＶＴ特性カーブＲ２と、良品部ＮＲにおけるＶＴ特性カーブＲ０とをそれぞれ示した。また、図１４においても、中間電圧Ｂ１〜Ｂ３のうち中間電圧Ｂ２を印加した際の明度差Ｄを代表して示したが、他の中間電圧Ｂ１，Ｂ３においても、同様に明度差が検出される。
【００６２】
図１３、図１４、および図４のように、検出される明度差Ｄが所定の閾値よりも大である場合、欠陥有りと判定する。
以上の工程Ｓ１〜Ｓ３（図３）により、膜厚異常または画素間縮退に係る欠陥検出工程が構成されている。すなわち、中間電圧印加工程Ｓ２で各中間電圧Ｂ１〜Ｂ３を順次印加し、その際の欠陥部ＥＲ１，ＥＲ２と良品部ＮＲとの明度差を明度差検出工程Ｓ３で検出することにより、膜厚異常または画素間縮退に係る欠陥検査を実施している。
【００６３】
このような工程Ｓ１〜Ｓ３による検査の後、本実施形態では、輝点、暗点、白シミ、黒シミ等の欠陥検査を行う。この欠陥検査は、ＣＣＤセンサー２５で撮像した被検査パネル２の画像領域の撮像画像を検査制御装置３４内の画像処理部に送信して画像を取り込み（画像取り込み工程Ｓ４）、この画像に対して各種フィルターを用いて処理を重ねていくことによって行う。
【００６４】
前処理・均一性処理工程Ｓ５では、被検査パネル２のブラックマスク部の画像除去処理を行い、且つ面内の均一性処理を行う。
そして、所定のフィルターにより、各画素の輝度を二値化などして強調処理を行い（工程Ｓ６）、その強調画像における特徴量を所定の検定値と比較して欠陥検定を行う（工程Ｓ７）。
最後に、被検査パネル２の総合検定結果を出し（工程Ｓ８）、その結果をモニターなどに表示したり、記録をとって統計する。
【００６５】
本実施形態によれば、次のような効果が得られる。
（１）中間電圧印加工程Ｓ２と明度差検出工程Ｓ３とを実施することで、欠陥部ＥＲ１，ＥＲ２と良品部ＮＲとの明度差Ｄに基づいて従来は検査対象とされなかった欠陥が検出可能となるから、細密な被検査パネル２の更なる高画質化を促進できる。
【００６６】
（２）中間電圧印加工程Ｓ２において複数の中間電圧をそれぞれ印加するので、単一の中間電圧における明度差に基づいて欠陥を判別する場合よりも欠陥の検出精度を向上させることができる。
【００６７】
（３）個々の被検査パネル２のＶＴ特性を求めるＶＴ特性計測工程Ｓ１を備え、このＶＴ特性計測工程Ｓ１で求められたＶＴ特性を基に中間電圧印加工程Ｓ２で印加する中間電圧Ｂ１〜Ｂ３を決めるので、被検査パネル２の各個体のＶＴ特性のバラツキに対応でき、明度差検出工程Ｓ３において、欠陥に起因する明度差をより確実に捉えることが可能となる。
【００６８】
（４）ＶＴ特性計測工程Ｓ１において、蓄積したＶＴ特性データをＶＴ特性平均化処理Ｓ１４で平均化し、さらに計測点決定工程Ｓ１５、指定計測点計測工程Ｓ１６、およびＶＴ特性演算工程Ｓ１７によってＶＴ特性を正規化することで、通常複雑な曲線となる複雑なＶＴ特性を比較的単純な曲線に変換することができる。これにより、ＶＴ特性計測工程Ｓ１をより多くのサンプルに基づいてより短時間で行うことが可能となるので、被検査パネル２の特性バラツキに対応しつつ、欠陥検査をより効率良く行うことができる。
また、少ない計測点でも、３次曲線補間を行うことでＶＴ特性を高精度に得ることができるので、中間電圧印加工程Ｓ２で印加する中間電圧Ｂ１〜Ｂ３を適切に決めることができる。
【００６９】
（５）被検査パネル２の欠陥検査において、集光レンズ１３からの平行光束ＰＬを被検査パネル２の画像領域に透過させ、結像素子が介在することなく、被検査パネル２の画像領域における欠陥がＣＣＤセンサー２５に直接的に投影される構成としたため、ＣＣＤセンサー２５による撮像画像の劣化を大幅に低減でき、画像劣化に伴う欠陥の誤検出も防止できる。すなわち、被検査パネル２を高精度に撮像して欠陥検査の精度を向上させることができる。
【００７０】
また、撮像レンズが使用されず、被検査パネル２の一部だけに撮像対象が限定されないので、被検査パネル２の基板と一体にモジュール化されている防塵ガラス・光学素子等も含めて被検査パネル２全体の任意の箇所で生じ得る欠陥を漏れなく検出することができる。
加えて、図１に示すように、平行光源部１０および撮像部２０のみを主要構成として欠陥検査装置１を構成できるため、欠陥検査装置１を小型化、低コスト化することが可能となる。
【００７１】
（６）また、明るさ計測工程Ｓ３１およびランプ明るさ・露光時間制御工程Ｓ３２を実施し、ＣＣＤセンサー２５で撮像された画像において、被検査パネル２の画像領域主要部の平均明るさとＣＣＤセンサー２５の量子化ダイナミックレンジとの関係に基づいて検査制御装置３４で検定を行い、平均明るさが量子化ダイナミックレンジの所定範囲外であれば、光源ランプ１１、およびＣＣＤセンサー２５・撮像回路２６を制御している。これにより、撮像画像の明るさの量子化平均値に基づくフィードバック制御が実現するので、ＣＣＤセンサー２５への入射光束の光強度をＣＣＤセンサー２５の感度範囲に対応させることが可能となる。
【００７２】
（７）さらに、撮像部２０がＮＤフィルター２２を有することにより、平行光源部１０の光強度を被検査パネル２が組み込まれる製品（本実施形態ではプロジェクター）で用いられる光強度としつつ、平行光束ＰＬの光強度をＣＣＤセンサー２５の感度範囲に納めることが可能となる。これにより、製品の使用環境で検査することが可能となる。
【００７３】
（８）撮像部２０が遮光マスク２１を有し、被検査パネル２の画像領域の周りへの漏れ光を防止できるので、ＣＣＤセンサー２５により画像領域のみを抽出した状態の撮像画像が得られ、欠陥検出精度を向上させることができる。
【００７４】
（９）定温度ヒーター３３により、被検査パネル２などを実際の使用状態における一定温度に加熱することが可能であるため、使用環境に即した検査が可能となる。
【００７５】
なお、本発明は、前記実施形態に限定されない。前記実施形態の処理フローも、本発明の要旨を逸脱しない限り、適宜構成できる。例えば、中間電圧印加工程Ｓ２の前に、被検査パネル２のＶＴ特性を膜厚異常や縮退不良などの欠陥の種類毎に分析する欠陥分析工程を実施し、明度差検出工程Ｓ３において、複数の中間電圧がそれぞれ印加された被検査パネル２の画像領域における明度差をそれぞれ検出してもよい。
このように、予め、欠陥の種類毎にＶＴ特性が分析され、配向膜の膜厚異常に係る欠陥部ＥＲ１におけるＶＴ特性カーブＲ１（図１８）と、画素間縮退に係る欠陥部ＥＲ２におけるＶＴ特性カーブＲ２（図１８）とのそれぞれの傾向が把握されていれば、明度差検出工程Ｓ３において、この分析結果と、複数の中間電圧毎に計測した明度差とに基づいて各欠陥の種類を判別することが可能となる。
【００７６】
なお、以上の実施形態では、プロジェクターに搭載される被検査パネル２の欠陥検査を示したが、本発明はそれ以外にも広範囲に応用可能である。
例えば、表示パネルの組み立て前の対向基板や、アレイ基板等も、本発明の欠陥検査装置および欠陥検査方法の検査対象とすることが可能である。
【００７７】
本発明において光源は、前述したハロゲンランプに限らず、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、あるいはＬＥＤ（light emitting diode）など、各種光源を使用できる。
また、平行光束射出手段や撮像素子についても、各種、適宜採用できる。
【００７８】
本発明を実施するための最良の構成、方法などは、以上の記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示され、かつ、説明されているが、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、形状、材質、数量、その他の詳細な構成において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。
したがって、上記に開示した形状、材質などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、それらの形状、材質などの限定の一部もしくは全部の限定を外した部材の名称での記載は、本発明に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の実施形態である表示パネルの欠陥検査装置の構成概略を示すブロック図。
【図２】前記欠陥検査装置の光学系および制御装置等を示す図。
【図３】前記実施形態である欠陥検査方法の工程を示すフローチャート。
【図４】図３の一工程の詳細工程図。
【図５】図４の一工程において蓄積されたＶＴ特性データの例を示すグラフ。
【図６】図５のように蓄積されたデータが平均化された平均ＶＴ特性の例を示すグラフ。
【図７】図４の一工程であるＶＴ特性演算工程を説明するグラフ。
【図８】図７で説明した処理によって演算されたＶＴ特性を示すグラフ。
【図９】図４の各工程によりＶＴ特性が演算され検査対象とされている特定の被検査パネルのＶＴ特性の例、およびこの被検査パネルの欠陥検査に使用される中間電圧の例を示す図。
【図１０】配向膜の膜厚異常がある被検査パネルの断面模式図。
【図１１】被検査パネルの画像表示領域の電気的模式図。
【図１２】図３に示した明度差検出工程における各工程を示す図。
【図１３】膜厚異常に係る欠陥部と良品部との明度差を示す図。
【図１４】画素間の縮退不良に係る欠陥部と良品部との明度差を示す図。
【図１５】液晶パネルの透過特性（駆動電圧に対する透過率特性；ＶＴ特性）の例を示すグラフ。
【図１６】液晶パネルの断面模式図。
【図１７】液晶パネルの等価回路を示す図。
【図１８】配向膜の膜厚異常による欠陥部におけるＶＴ特性カーブと、画素間の縮退による欠陥部におけるＶＴ特性カーブと、良品部におけるＶＴ特性カーブとのそれぞれの例を示すグラフ。
【符号の説明】
【００８０】
１・・・欠陥検査装置、２・・・被検査パネル（表示体）、１０・・・平行光源部、１１・・・光源ランプ（光源）、１３・・・集光レンズ（平行光束射出手段）、２０・・・撮像部（撮像手段）、２１・・・遮光マスク、２２・・・ＮＤフィルター（光強度調整手段）、２５・・・ＣＣＤセンサー（撮像素子）、２６・・・撮像回路、３１・・・パターンジェネレーター、３３・・・定温度ヒーター（恒温加熱手段）、３４・・・検査制御装置（明度差検出手段、明るさ制御手段などとして機能）、９１・・・液晶部、９２・・・配向膜、Ａ・・・印加電圧（第１電圧）、Ｂ，Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３・・・印加電圧（中間電圧）、Ｂ＿Area・・・中間電圧範囲、Ｃ・・・印加電圧（第２電圧）、Ｄ，Ｄ１，Ｄ２・・・明度差、ＥＲ１・・・欠陥部、ＥＲ２・・・欠陥部、ＮＲ・・・良品部、ＰＬ・・・平行光束、Ｒ０〜Ｒ２・・・ＶＴ特性カーブ、Ｓ１・・・ＶＴ特性計測工程、Ｓ１４・・・ＶＴ特性平均化工程、Ｓ１５・・・計測点決定工程、Ｓ１６・・・指定計測点計測工程、Ｓ１７・・・ＶＴ特性演算工程、Ｓ２・・・中間電圧印加工程、Ｓ３・・・明度差検出工程、Ｓ３１・・・明るさ計測工程、Ｓ３２・・・ランプ明るさ・露光時間制御工程（明るさ制御工程）、Ｓ３３・・・明度差計測・欠陥判定工程。
【図１】
2008232789.tif 000006
【図２】
2008232789.tif 000007
【図３】
2008232789.tif 000008
【図４】
2008232789.tif 000009
【図５】
2008232789.tif 000010
【図６】
2008232789.tif 000011
【図７】
2008232789.tif 000012
【図８】
2008232789.tif 000013
【図９】
2008232789.tif 000014
【図１０】
2008232789.tif 000015
【図１１】
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【図１２】
2008232789.tif 000017
【図１３】
2008232789.tif 000018
【図１４】
2008232789.tif 000019
【図１５】
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【図１６】
2008232789.tif 000021
【図１７】
2008232789.tif 000022
【図１８】
2008232789.tif 000023