(57)【要約】      （修正有）【課題】低剛性化された場合であっても、反りが少ないサスペンション用基板を提供する。【解決手段】サスペンション用基板１０は金属基板１と、金属基板１に上形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された配線層３と、配線層３を覆うカバー層４とを備えている。絶縁層２の材料とカバー層４の材料は異なる材料からなり、両者の吸湿膨張係数は０×１０−６／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内にある。両者の吸湿膨張係数の差は、５×１０−６／％ＲＨ以下の範囲内にある。【選択図】図１
2008310946.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板と、
前記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線層と、
前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを備え、
前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の前記吸湿膨張係数の差が、０〜５×１０−６／％ＲＨの範囲内であることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
金属基板と、
前記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線層と、
前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを備え、
前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、異なる材料からなり、かつ両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の前記吸湿膨張係数の差が、５×１０−６／％ＲＨ以下の範囲内であることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項３】
前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の熱膨張係数は、１５×１０−６／℃〜３０×１０−６／℃の範囲内であり、かつ前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の熱膨張係数の差が、１０×１０−６／℃以下の範囲内であることを特徴とする請求項１または２に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料のいずれか、または両方が非感光性材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載のサスペンション用基板。
【請求項５】
金属基板と、
前記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線層と、
前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを備え、
前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、同一の非感光性材料からなり、両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項６】
前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の熱膨張係数は、１５×１０−６／℃〜３０×１０−６／℃の範囲内であることを特徴とする請求項５に記載のサスペンション用基板。
【請求項７】
前記絶縁層形成材料、及び、カバー層形成材料が、下記式で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項１、２または５のいずれかに記載のサスペンション用基板。
【化１】
2008310946.tif 000013
（Ｒ１は４価の有機基、Ｒ２は２価の有機基、Ｒ１及びＲ２は、単一構造でもよく２種以上の組み合わせでもよい。ｎは１以上の自然数）
【請求項８】
前記式１において、Ｒ１またはＲ２で表される有機基が芳香族を含むことを特徴とする請求項７に記載のサスペンション用基板。
【請求項９】
前記式（１）中のＲ１のうち３３モル％以上が、下記式（２）で表わされる構造であることを特徴とする請求項７に記載のサスペンション用基板。
【化２】
2008310946.tif 000014
【請求項１０】
前記式（１）中のＲ２のうち３３モル％以上が、下記式（４）で表わされる構造であることを特徴とする請求項７に記載のサスペンション用基板。
【化３】
2008310946.tif 000015
（Ｒ３は２価の有機基、酸素原子、硫黄原子、又はスルホン基であり、Ｒ４及びＲ５は１価の有機基、又はハロゲン原子である。）
【請求項１１】
前記絶縁層形成材料、およびカバー層形成材料のいずれか、または両方の前駆体が、塩基性水溶液によって現像可能であることを特徴とする請求項７に記載のサスペンション用基板。
【請求項１２】
金属基板と、前記金属基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆うカバー層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、
前記金属基板上に、絶縁層形成材料からなる絶縁層をパターン状に形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に、カバー層形成材料からなるカバー層をパターン状に形成するカバー層形成工程とを備え、
前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、異なる材料からなり、両者の吸湿膨張係数が、０×１０−６／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の前記吸湿膨張係数の差が、５×１０−６／％ＲＨ以下の範囲内であることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１３】
前記カバー層形成工程は、前記絶縁層上に、非感光性のカバー層形成材料からなる非感光性カバー層形成用層と、前記非感光性カバー層形成用層上に形成された感光性樹脂からなるフォトレジスト層とを含む積層性を配置する工程と、
積層体の前記フォトレジスト層を、パターン状に露光し、前記露光されたフォトレジスト層の現像と同時に、前記非感光性カバー層形成用層の現像を行うことにより、前記カバー層をパターン状に形成する工程とを有することを特徴とする請求項１２に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１４】
前記カバー層形成工程は、前記絶縁層上に前記カバー層形成材料を含む液状カバー層形成材料を塗布する工程を有することを特徴とする請求項１２に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１５】
金属基板、絶縁層、および金属めっき層がこの順に配置された積層体を準備する積層体準備工程と、
前記金属基板の表面および前記金属めっき層の表面に、パターン状のレジストを形成し、エッチングを行うことにより、前記金属基板に治具孔を形成し、前記金属めっき層に配線パターン層を形成する第一のメタルエッチング工程と、
を備えたことを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１６】
カバー材を用いて、前記配線パターン層に前記配線パターン層の表面の一部が露出する配線パターン層露出開口部を有するカバー層を形成するカバー層形成工程と、
前記カバー層を形成した後に、前記絶縁層のエッチングを行う絶縁層エッチング工程と、
前記配線パターン層露出開口部により露出する配線パターン層の表面に、保護めっき部を形成する保護めっき部形成工程と、
前記絶縁層エッチング工程および前記保護めっき部形成工程の後に、前記金属基板の外形加工を行う第二のメタルエッチング工程と、
を更に備えた
ことを特徴とする請求項１５に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１７】
前記金属めっき層の最大膜厚部および最小膜厚部の差が、２μｍ以下であることを特徴とする請求項１５に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１８】
前記カバー層の配線パターン層上の最大膜厚部と最小膜厚部の膜厚の差が、１μｍ以下であることを特徴とする請求項１６に記載のサスペンション基板の製造方法。
【請求項１９】
カバー層形成工程において、液状カバー材を用いてカバー層を形成することを特徴とする請求項１６に記載のサスペンション基板の製造方法。
【請求項２０】
サスペンション用基板を有する磁気ヘッドサスペンションにおいて、
サスペンション用基板は、
金属基板と、
前記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線層と、
前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを備え、
前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の前記吸湿膨張係数の差が、０〜５×１０−６／％ＲＨの範囲内であることを特徴とする磁気ヘッドサスペンション。
【請求項２１】
サスペンション用基板を有する磁気ヘッドサスペンションにおいて、
サスペンション用基板は、
金属基板と、
前記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線層と、
前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを備え、
前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、異なる材料からなり、かつ両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の前記吸湿膨張係数の差が、５×１０−６／％ＲＨ以下の範囲内であることを特徴とする磁気ヘッドサスペンション。
【請求項２２】
サスペンション用基板を有する磁気ヘッドサスペンションにおいて、
サスペンション用基板は、
金属基板と、
前記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線層と、
前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを備え、
前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、同一の非感光性材料からなり、両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であることを特徴とする磁気ヘッドサスペンション。
【請求項２３】
サスペンション用基板を有するハードディスクドライブにおいて、
サスペンション用基板は、
金属基板と、
前記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線層と、
前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを備え、
前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の前記吸湿膨張係数の差が、０〜５×１０−６／％ＲＨの範囲内であることを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項２４】
サスペンション用基板を有するハードディスクドライブにおいて、
サスペンション用基板は、
金属基板と、
前記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線層と、
前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを備え、
前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、異なる材料からなり、かつ両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の前記吸湿膨張係数の差が、５×１０−６／％ＲＨ以下の範囲内であることを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項２５】
サスペンション用基板を有するハードディスクドライブにおいて、
サスペンション用基板は、
金属基板と、
前記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線層と、
前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを備え、
前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、同一の非感光性材料からなり、両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であることを特徴とするハードディスクドライブ。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の参照】
【０００１】
本特許出願は、２００７年４月１８日に提出された日本出願である特願２００７−１０９２７９および２００７年５月１１日に提出された日本出願である特願２００７−１２６５８８の利益を享受する。これらの先の出願における全開示内容は、引用することにより本明細書の一部とされる。
【技術分野】
【０００２】
本発明は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等に用いられるサスペンション用基板に関し、詳しくは、低剛性化された場合であっても、反りが少ないサスペンション用基板に関する。
【背景技術】
【０００３】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（以下、単にＨＤＤと称する場合もある。）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。そして、このＨＤＤに用いられる磁気ヘッドを支持している磁気ヘッドサスペンションと呼ばれる部品も、従来の金ワイヤ等の信号線を接続するタイプから、ステンレスのばねに直接銅配線等の信号線が形成されている、いわゆるワイヤレスサスペンションと呼ばれる配線一体型のもの（フレキシャー）に移行している。
【０００４】
最近では、携帯用途を始めとする各種の小型機器に搭載するＨＤＤへの要求が増加してきており、これに伴って情報を記録するためのディスクはサイズが小さくなると共に記録密度が高くなっている。この径の小さくなったディスク上のトラックに対するデータの読取りと書込みを行うには、ディスクをゆっくりと回転させる必要があり、磁気ヘッドに対するディスクの相対速度（周速）は低速となり、このためサスペンション用基板は弱い力でディスクに接近する必要があることから、サスペンション用基板の低剛性化を図る必要がある。
【０００５】
サスペンション用基板としては、一般的には、パターン状に形成された、金属基板、絶縁層、配線層、およびカバー層等が、この順に積層されたものが用いられている。このようなサスペンション用基板の低剛性化を図る方法としては、比較的剛性の高い材料である金属基板の残存割合を減らす方法が検討されている。
しかしながら、剛性の高い金属基板の残存割合を減らすと、上記サスペンション用基板に反りが生じてしまうといった問題があった。
従来、反りが発生する原因としては、上記金属基板と、上記絶縁層との熱膨張係数の差が考えられ、特許文献１には、金属基板の熱膨張係数と同等の絶縁層用樹脂を用いることによって、サスペンション用基板の反りを低減する方法について開示されている。
ところが、上述したような金属基板の残存割合を減らすことにより低剛性化したサスペンション用基板では、上記金属基板と、上記絶縁層用樹脂との熱膨張係数の差を小さくしただけでは、反りを十分に抑制することが困難であるといった問題があった。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２４８１４２号公報
【発明の開示】
【０００７】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、低剛性化された場合であっても、反りが少ないサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
また本発明は、低剛性のサスペンション用基材を良好な歩留りで得ることを目的とする。
【０００８】
本発明者等は、上記課題を解決すべく研究を重ねた結果、上記金属基板上に積層される、上記絶縁層およびカバー層の吸湿膨張係数を小さくし、さらに上記絶縁層およびカバー層の吸湿膨張係数の差を小さくすることにより、低剛性化された場合であっても、反りが少ないものとすることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、金属基板と、前記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを備え、前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の前記吸湿膨張係数の差が、０〜５×１０−６／％ＲＨの範囲内であることを特徴とするサスペンション用基板である。
また本発明は、金属基板と、前記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを備え、前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、異なる材料からなり、かつ両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の前記吸湿膨張係数の差が、５×１０−６／％ＲＨ以下の範囲内であることを特徴とするサスペンション用基板である。
【００１０】
本発明によれば、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数と、両者の上記吸湿膨張係数の差とが、上記範囲であることにより、本発明のサスペンション用基板を低剛性化した場合であっても、吸湿による反りが少ないものとすることができる。
また、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が異なる材料であることにより、例えば、カバー層の形成の際に、上記絶縁層が溶解することがない材料とすること等を容易なものとすることができる。
【００１１】
本発明は、前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の熱膨張係数は、１５×１０−６／℃〜３０×１０−６／℃の範囲内であり、かつ前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の熱膨張係数の差が、１０×１０−６／℃以下の範囲内であることを特徴とするサスペンション用基板である。
上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の熱膨張係数と、両者の熱膨張係数の差とが上記範囲であることにより、低剛性化された場合であっても、温度変化による反りを少ないものとすることができる。
【００１２】
本発明は、前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、その両方またはいずれか一方が非感光性材料からなることを特徴とするサスペンション用基板である。
上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が、非感光性材料であることにより、感光性付与成分を添加する必要がないため、上述した吸湿膨張係数や熱膨張係数といった物性値の調整が容易なものとすることができる。
この場合、非感光性材料とは、その材料のみでは光の作用によるパターン形成が出来ない材料のことを言い、金属やレジストによって形成されたマスクによって設けられた開口部を通して、液体や気体、プラズマによって不要部を除去する、または、インクジェットやスクリーン印刷などの手法によって、予めパターンの形状に塗布される、などの手法によってパターンを形成する必要がある材料のことを言う。
より一般的には、感光性成分を含有しない状態でパターンを形成する材料のことを言う。
非感光性材料を用いることで、パターン形成プロセスは煩雑になるものの、感光性成分を含まないより純粋な材料を適用できることにより、広範囲の材料を選択できるメリットがあり、それによって、本発明に必要な低吸湿膨張、低線熱膨張という特性を兼ね備えた材料を適用することが可能となる。
【００１３】
本発明は、金属基板と、前記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを備え、前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、同一の非感光性材料からなり、両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であることを特徴とするサスペンション用基板である。
【００１４】
本発明によれば、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が同一の非感光性材料であり、かつ両者の吸湿膨張係数が、上記範囲であることにより、上述した吸湿膨張係数や熱膨張係数といった物性値の調整が容易なものとすることができ、さらに本発明のサスペンション用基板を低剛性化した場合であっても、吸湿による反りが少ないものとすることができる。
【００１５】
本発明は、前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の熱膨張係数は、１５×１０−６／℃〜３０×１０−６／℃の範囲内であることを特徴とするサスペンション用基板である。
【００１６】
上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の熱膨張係数が上記範囲であることにより、本発明のサスペンション用基板を低剛性化した場合であっても、温度変化による反りが少ないものとすることができる。
【００１７】
本発明における、上記絶縁層形成材料および、カバー層形成材料は、下記一般式の繰り返し単位を含むことが、サスペンションのそりを防止する観点から好ましい。
【化１】
2008310946.tif 000003
（Ｒ１は４価の有機基、Ｒ２は２価の有機基、Ｒ１及びＲ２は、単一構造でもよく２種以上の組み合わせでもよい。ｎは１以上の自然数）
【００１８】
本発明における、上記絶縁層形成材料および、カバー層形成材料は、低吸湿膨張、低線熱膨張であることが、求められるため、上記式で表されるポリイミドであることが好ましい。ポリイミドは、その剛直な骨格に由来する高い耐熱性や絶縁特性とともに、金属と同等の線熱膨張を示す。さらには、吸湿膨張も小さくすることが可能である。
【００１９】
本発明における、上記絶縁層形成材料および、カバー層形成材料は、芳香族骨格を含むポリイミドを用いることがサスペンションのそりを防止する観点から好ましい。ポリイミドの中でも芳香族骨格を含有するポリイミドは、その剛直で平面性の高い骨格に由来し、耐熱性や薄膜での絶縁特性に優れ、線膨張係数も低いことから、本用途に好ましく用いることが出来る。
【００２０】
本発明における、上記絶縁層形成材料および、カバー層形成材料は、上記式に表されるＲ１の３３モル％以上が、下記式で表されることがサスペンションのそりを防止する観点から好ましい。
【化２】
2008310946.tif 000004
上記式の構造を含むと、これら剛直な骨格に由来し、低線熱膨張及び、低吸湿膨張を示す。さらには、市販で入手が容易であり、低コストであると言うメリットもある。
【００２１】
本発明における、上記絶縁層形成材料および、カバー層形成材料は、上記式に表されるＲ２の３３モル％以上が、下記式で表されることがサスペンションのそりを防止する観点から好ましい。
【化３】
2008310946.tif 000005
（Ｒ３は２価の有機基、酸素原子、硫黄原子、又はスルホン基であり、Ｒ４及びＲ５は１価の有機基、又はハロゲン原子である。）
上記式の構造を含むと、これら剛直な骨格に由来し、低線熱膨張及び、低吸湿膨張を示す。さらには、市販で入手が容易であり、低コストであると言うメリットもある。
【００２２】
本発明において、前記絶縁層形成材料、およびカバー層形成材料のいずれか、または両方の前駆体が、塩基性水溶液によって現像可能であることが、作業環境の安全性確保、及び、プロセスコストの低減の観点から好ましい。
塩基性水溶液は、安価に入手でき、廃液処理費用や作業安全性確保の為の設備費用が安価であるため、より低コストでの生産が可能となる。
【００２３】
本発明は、金属基板と、前記金属基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆うカバー層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、前記金属基板上に、絶縁層形成材料からなる絶縁層をパターン状に形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に、カバー層形成材料からなるカバー層をパターン状に形成するカバー層形成工程とを備え、前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、異なる材料からなり、両者の吸湿膨張係数が、０×１０−６／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の前記吸湿膨張係数の差が、５×１０−６／％ＲＨ以下の範囲内であることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法である。
【００２４】
本発明によれば、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数と、両者の上記吸湿膨張係数の差とが、上記範囲であるような材料を用いて、絶縁層およびカバー層を形成することにより、本発明の製造方法によって製造されるサスペンション用基板が、低剛性化されたものである場合であっても、吸湿による反りが少ないものとすることができる。
【００２５】
本発明は、前記カバー層形成工程は、前記絶縁層上に、非感光性のカバー層形成材料からなる非感光性カバー層形成用層と、前記非感光性カバー層形成用層上に形成された感光性樹脂からなるフォトレジスト層とを含む積層性を配置する工程と、積層体の前記フォトレジスト層を、パターン状に露光し、前記露光されたフォトレジスト層の現像と同時に、前記非感光性カバー層形成用層の現像を行うことにより、前記カバー層をパターン状に形成する工程とを有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法である。
上記カバー層形成工程が、上記フォトレジスト層をパターン状に露光し、上記露光されたフォトレジスト層の現像と同時に、上記非感光性カバー層形成用層の現像を行うことで、上記カバー層をパターン状に形成することにより、上記カバー層の形成に必要となる作業数を少ないものとすることができる。
【００２６】
本発明は、前記カバー層形成工程は、前記絶縁層上に前記カバー層形成材料を含む液状カバー層形成材料を塗布する工程を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法である。
上記カバー層を、上記カバー層形成材料を含む液状カバー層形成材料を塗布することにより形成することにより、上記カバー層の薄膜化が容易となる。
【００２７】
本発明は、金属基板、絶縁層、および金属めっき層がこの順に配置された積層体を準備する積層体準備工程と、前記金属基板の表面および前記金属めっき層の表面に、パターン状のレジストを形成し、エッチングを行うことにより、前記金属基板に治具孔を形成し、前記金属めっき層に配線パターン層を形成する第一のメタルエッチング工程と、を備えたことを特徴とするサスペンション用基板の製造方法である。
【００２８】
本発明によれば、上記の積層体を用いることにより、低剛性のサスペンション用基板を得ることができる。さらに、第一のメタルエッチング工程で、金属基板に治具孔や抜き孔等を形成するが、金属基板の大部分はエッチングしない。そのため、積層体の剛性を高く維持した状態で絶縁層のエッチング等を行うことができ、各工程間の搬送時に、加工途中の積層体が変形することを抑制することができる。
【００２９】
本発明は、カバー材を用いて、前記配線パターン層に前記配線パターン層の表面の一部が露出する配線パターン層露出開口部を有するカバー層を形成するカバー層形成工程と、前記カバー層を形成した後に、前記絶縁層のエッチングを行う絶縁層エッチング工程と、前記配線パターン層露出開口部により露出する配線パターン層の表面に、保護めっき部を形成する保護めっき部形成工程と、前記絶縁層エッチング工程および前記保護めっき部形成工程の後に、前記金属基板の外形加工を行う第二のメタルエッチング工程と、を更に備えたことを特徴とするサスペンション用基板の製造方法である。
より低剛性なサスペンション用基板を得ることができる。
【００３０】
本発明は、前記金属めっき層の最大膜厚部および最小膜厚部の差が、２μｍ以下であることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法である。
金属めっき層をエッチングすることにより、均一な膜厚を有する配線パターン層を得ることができる。なお、アディティブ法により配線パターン層を形成した場合、配線パターン層の膜厚のバラつきが大きくなり、所望の剛性を有するパターン形成体を得ることが困難になる。
本発明は、前記カバー層の配線パターン層上の最大膜厚部と最小膜厚部の膜厚の差が、１μｍ以下であることを特徴とするサスペンション基板の製造方法である。
本発明は、カバー層形成工程において、液状カバー材を用いてカバー層を形成することを特徴とするサスペンション基板の製造方法である。
【００３１】
本発明は、サスペンション用基板を有する磁気ヘッドサスペンションにおいて、サスペンション用基板は、金属基板と、前記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを備え、前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の前記吸湿膨張係数の差が、０〜５×１０−６／％ＲＨの範囲内であることを特徴とする磁気ヘッドサスペンションである。
【００３２】
本発明は、サスペンション用基板を有する磁気ヘッドサスペンションにおいて、サスペンション用基板は、金属基板と、前記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを備え、前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、異なる材料からなり、かつ両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の前記吸湿膨張係数の差が、５×１０−６／％ＲＨ以下の範囲内であることを特徴とする磁気ヘッドサスペンションである。
【００３３】
本発明は、サスペンション用基板を有する磁気ヘッドサスペンションにおいて、サスペンション用基板は、金属基板と、前記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを備え、前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、同一の非感光性材料からなり、両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であることを特徴とする磁気ヘッドサスペンションである。
【００３４】
本発明は、サスペンション用基板を有するハードディスクドライブにおいて、サスペンション用基板は、金属基板と、前記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを備え、前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の前記吸湿膨張係数の差が、０〜５×１０−６／％ＲＨの範囲内であることを特徴とするハードディスクドライブである。
【００３５】
本発明は、サスペンション用基板を有するハードディスクドライブにおいて、サスペンション用基板は、金属基板と、前記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを備え、前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、異なる材料からなり、かつ両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の前記吸湿膨張係数の差が、５×１０−６／％ＲＨ以下の範囲内であることを特徴とするハードディスクドライブである。
【００３６】
本発明は、サスペンション用基板を有するハードディスクドライブにおいて、サスペンション用基板は、金属基板と、前記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記絶縁層上に形成され、少なくとも前記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを備え、前記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、同一の非感光性材料からなり、両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であることを特徴とするハードディスクドライブである。
【００３７】
本発明においては、金属基板の残存割合を減らして低剛性化した場合であっても、反りが少ないサスペンション用基板を提供することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
第１の実施の形態
本発明は、サスペンション用基板、およびその製造方法に関する。
以下、本発明の第１の実施の形態によるサスペンション用基板およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。
【００３９】
Ａ．サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、金属基板と、上記金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記絶縁層上に形成され、少なくとも上記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなるカバー層とを有する。このようなサスペンション用基材は、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が異なる材料からなり、かつ当該非感光性材料の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の上記吸湿膨張係数の差が、５×１０−６／％ＲＨ以下の範囲内であるもの（第１態様）と、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が同一の非感光性材料からなり、かつこの非感性材料の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であるもの（第２態様）との２つの態様に分けることができる。以下、本発明のサスペンション用基板を、各態様に分けて説明する。
【００４０】
１．第１態様
まず、本発明のサスペンション用基板の第１態様について説明する。本態様のサスペンション用基板は、上述したサスペンション用基板において、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が同一又は異なる材料からなり、かつ両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の上記吸湿膨張係数の差が、５×１０−６／％ＲＨ以下の範囲内である。
【００４１】
このような本態様のサスペンション用基板を、図を参照して説明する。図１（ａ）は、本態様のサスペンション用基板の一例を示す概略断面図である。図１（ａ）に例示するように、本態様のサスペンション用基板１０は、金属基板１と、上記金属基板１上に形成された絶縁層２と、上記絶縁層２上に形成された配線層３と、上記絶縁層２上に形成され、少なくとも上記配線層３の一部を覆うカバー層４とを有する。また、上記配線層３は、保護めっき層５によって覆われている。サスペンション用基板１０の低剛性化のため、金属基板１の一部が除去され、絶縁層２には、絶縁層２の一方の表面が金属基板１によって被覆されていない、低剛性化領域６が形成されている。
またこのようなサスペンション用基板１０からなる磁気ヘッドサスペンション３１と、磁気ヘッドサスペンション３１の先端に保持された磁気ヘッド３２とにより、ハードディスクドライブ３０が構成されている（図１０参照）。
【００４２】
ここで、上記絶縁層およびカバー層は、それぞれ絶縁層形成材料およびカバー層形成材料によって形成されており、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が、同一又は異なる材料からなり、かつ両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の上記吸湿膨張係数の差が、５×１０−６／％ＲＨ以下の範囲内である材料である。
【００４３】
ここで、吸湿膨張係数の測定方法について下記に記載する。
Ｓ−ＴＭＡ：温度を２５℃に固定し、湿度を１５％、２０％、５０％と変化させた。湿度２０％と５０％の伸び量から湿度１％あたりの伸びを計算し、湿度膨張係数とした。
なお、計算式は次式の通り。
湿度膨張率［ｐｐｍ％ＲＨ］＝湿度１％あたりの伸び／初期長×１００００００
＝湿度２０〜５０％の伸び量／３０／初期長×１００００００
１）サンプル形態
サンプルサイズ    幅５ｍｍ×長さ１５ｍｍ（掴み＋５ｍｍ）
厚み              ７〜８μｍ程度
初期状態          十分に乾燥した状態
２）測定条件
装置              ＲＩＧＡＫＵ製  Ｓ−ＴＭＡ（湿度発生装置付きＴＭＡ）
加重              ５ｇ
温度              ２５℃
３）測定方法
１．サンプルの環境が湿度１５％Ｒｈで安定し、サンプル長が一定となり変化しなく
なってから、０．５ｈ以上保持
２．次にサンプルの環境が湿度２０％Ｒｈで安定し、サンプル長が一定となり変化し
なくなってから、０．５ｈ以上保持（サンプル長を測定）
３．引き続いてサンプルの環境が湿度５０％Ｒｈで安定し、サンプル長が一定となり
変化しなくなってから、０．５ｈ以上保持（サンプル長を測定）
４．湿度２０％時と湿度５０％時の値の差を計算し、１／３０して湿度１％あたりの
伸び量を出す
５．湿度１％あたりの伸び量を初期長（１５μｍ）で割り、変化率とする
【００４４】
本態様によれば、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数と、両者の上記吸湿膨張係数の差とが、上記範囲であることにより、本態様のサスペンション用基板を低剛性化した場合であっても、吸湿による反りが少ないものとすることができる。
【００４５】
ここで、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が、上述した吸湿膨張係数の範囲内であり、かつ、両者の上記吸湿膨張係数の差が上記範囲内であることにより、金属基板の割合を少なくし、低剛性化した場合であっても、吸湿による反りが少ないもサスペンション用基材とすることができる理由としては、以下のようなものである。
【００４６】
すなわち、従来、絶縁層は、その一方の表面が、金属基板によって被覆されている面積が大きく、吸湿しにくい状況にあった。このため、上記絶縁層の吸湿膨張係数が大きい場合であっても、吸湿膨張をほとんどしないことから、吸湿膨張による反りはほとんど生じなかった。このため上記金属基板と、上記絶縁層との熱膨張係数さえ合わせればサスペンション用基板の反りをある程度抑制することができていた。
【００４７】
ところが低剛性化のため、金属基板の残存割合が減少した場合には、絶縁層の金属基板側に、金属基板によって被覆されていない領域が広がり、上記絶縁層が、容易に吸湿し膨張し得る状況となった。従来であれば、金属基板は、このような膨張に対して十分抵抗することができていたが、低剛性化のため残存割合が小さくなったことにより、吸湿膨張係数が大きい絶縁層およびカバー層が吸湿膨張した場合に生じる応力に抵抗することが困難となった。このため、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数が大きい場合には、両者の吸湿膨張がサスペンション用基板に反りを生じさせることになった。
【００４８】
一方、本態様においては、上記絶縁層およびカバー層を形成する絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数が上述した範囲内であることにより、低剛性化された場合であっても、上記絶縁層およびカバー層の吸湿膨張が原因となる反りの発生を少ないものとすることができる。
【００４９】
また、従来であれば、高剛性の材料である金属基板の残存割合が大きいことにより、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数の差が大きくても上記絶縁層およびカバー層の吸湿膨張の差により反りをある程度抑制することができた。しかしながら低剛性化されて残存割合が低下した金属基板では、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数の差が大きい場合に、両者の吸湿膨張の差により生じる応力に抵抗することができず、サスペンション用基板に反りを生じさせることになった。
一方、本態様においては、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数の差が上記範囲であることにより、低剛性化された場合であっても、上記カバー層形成材料と、絶縁層形成材料との吸湿膨張係数の差による反りの発生を少ないものとすることができる。
【００５０】
また、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が異なる材料であることにより、以
下のような利点がある。
【００５１】
すなわち、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が同一材料である場合には、例えば、後述する金属基板上に形成され、絶縁層形成材料からなる絶縁層上に、カバー層形成材料からなるカバー層形成用層を積層し、次いでカバー層形成用層をパターン状に溶解することによって、パターン状のカバー層を形成する際に、カバー層形成用層をパターン状に溶解する溶剤によって、絶縁層までも同時に溶解されてしまうことも考えられる。このため、上記カバー層をパターン状に形成する際には、予め絶縁層を強く焼き固めて、カバー層をパターン状に溶解する溶剤によって溶解されないようにしたり、カバー層の形成の後に絶縁層をパターン状に形成する場合においては、絶縁層（絶縁層形成用層）が強く焼き固めらていることにより、上記絶縁層をパターン状に形成することが困難となることも考えられる。
【００５２】
また、上記サスペンション用基板が、金属基板、絶縁層、配線層、カバー層の材料が積層された積層体からなり、また上述した材料間が接着性良く積層されていることが要求されるものであることから、例えば、絶縁層は、金属基板および配線層との接着性が良好であることが求められ、カバー層は、絶縁層および配線層との接着性が良好であることが求められる。しかしながら、上記絶縁層およびカバー層を形成する絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が同一材料である場合には、このような別部材への接着性を同時に満たすことは困難であり、材料選択性が非常に狭くなるといった問題が生じる。
【００５３】
本態様においては、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が異なる材料であることにより、例えば、上記カバー層の形成の際に、上記絶縁層が溶解することがない材料を上記絶縁層形成材料として用いることができ、それぞれに要求される接着性に適した材料の選択を容易に行うことができる。したがって、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が異なる材料であることにより、例えば、カバー層の形成の際に、上記絶縁層が溶解することがない材料とすること等を容易なものとすることができる。
【００５４】
本態様のサスペンション用基板は、金属基板、絶縁層、配線層、およびカバー層を少なくとも有する。
以下、本態様のサスペンション用基板の各構成について詳細に説明する。
【００５５】
（１）絶縁層２およびカバー層４
本態様に用いられる絶縁層は、後述する金属基板上に形成されるものであり、絶縁層形成材料からなる。
また、本態様に用いられるカバー層は、上記絶縁層上に形成され、少なくとも後述する配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなる。
絶縁層、及び、カバー層は、単一の材料により構成されていてもよいし、異なる材料が2層以上積層されたものであってもよい。絶縁層、または、カバー層が異なる材料の積層物であった場合は、絶縁層及びカバー層それぞれ、その2層以上の積層物全体としての吸湿膨張や線熱膨張などの特性を、本発明における絶縁層、及びカバー層の特性とする。
サスペンションを、ステンレスー絶縁層―銅という構成の積層体から作成する場合に、これら3種を、ラミネートし作成する場合には、絶縁層が、接着性材料―低膨張性材料―接着性材料という3層構成である場合が多い、これは一般に低膨張性材料の接着性が乏しいことに由来する。このようにラミネートによって形成された金属と絶縁層の積層体は、圧延銅や合金銅を用いることが出来るという利点を有し、且つ、絶縁層と金属層の密着性が高いという特徴を有する。一方で、ラミネートの安定性の観点から用いる銅箔の厚みに制限があり、銅層を薄くしにくいという欠点もある。
一方、上記の積層体を作成する方法として、ステンレス上に、絶縁層を形成した後に、スパッタやめっきによって銅層を形成する方法もある。この場合、絶縁層は1種類の材料によって形成することも可能であり、銅層を薄く形成することもできるが、電解銅箔しか形成できないという欠点がある。
【００５６】
（ａ）絶縁層形成材料２′およびカバー層形成材料４′
本態様に用いられる絶縁層形成材料２′およびカバー層４′形成材料は、同一又は異なる材料からなり、かつ両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の上記吸湿膨張係数の差が、５×１０−６／％ＲＨ以下の範囲内である。
なお、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が、異なる材料であるとは、含まれるポリマーの主鎖または置換基の、種類および含有量が異なることをいい、後述する光開始剤や添加剤の種類および含有量が異なる場合は含まない。
【００５７】
本態様によれば、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数と、両者の上記吸湿膨張係数の差とが、上記範囲であることにより、本態様のサスペンション用基板を低剛性化した場合であっても、吸湿による反りが少なくなる。
また、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が異なる材料であるため、例えば、カバー層の形成の際に、上記絶縁層が溶解することがない材料とすること等を容易なものとすることができる。
【００５８】
本態様に用いられる絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数は、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であれば良いが、なかでも０／％ＲＨ〜２０×１０−６／％ＲＨの範囲内であることが好ましく、特に０／％ＲＨ〜１２×１０−６／％ＲＨの範囲内であることが好ましい。
【００５９】
一般に、本用途に適用可能な吸湿に伴い収縮するようなマイナスの湿度膨張係数有する材料は、非常に稀でありそのような場合、材料選択の幅が狭くなることから好ましくない。上記範囲より大きいと、吸湿による反りが大きいものとなることから好ましくない。
なお、上記吸湿膨張係数とは、相対湿度の変化に対する、材料の長さの変化率である。ここで、材料の長さとは、各相対湿度の環境下に置くことで、各材料が、各相対湿度の環境下における平衡含水率となった際の長さである。また、材料の長さの変化率とは、相対湿度が変化した際の、長さの変化（変化後の材料の長さから変化前の材料の長さを差し引いたもの）を、材料の全長で除した値である。
【００６０】
また、吸湿膨張係数の値が正である場合には、相対湿度が上昇した際に、材料の長さが長くなることを示し、吸湿膨張係数の値が負である場合には、相対湿度が上昇した際に、材料の長さが短くなることを示す。
【００６１】
本態様に用いられる絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数の差は５×１０−６／％ＲＨ以下であれば良いが、なかでも４×１０−６／％ＲＨ以下であることが好ましく、特に３×１０−６／％ＲＨ以下であることが好ましい。上記範囲であることにより、本態様のサスペンション用基板を低剛性化した場合であっても、吸湿による反りをより少ないものとすることができるからである。
また、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数の差とは、上記絶縁層形成材料とカバー層形成材料との吸湿膨張係数の差の絶対値である。
【００６２】
本態様に用いられる絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸水係数としては、０．０１％〜２．５％の範囲内であることが好ましく、なかでも０．１％〜１．５％の範囲内であることが好ましい。上記範囲であることにより、上記絶縁層およびカバー層の吸湿を少ないものとすることができ、上記絶縁層およびカバー層が吸湿膨張することを抑制することができるからである。このため、後述する金属基板の残存割合を減少させ、本態様のサスペンション用基板を低剛性化した場合であっても反りが少ないものとすることができるからである。また、上記範囲より小さいと、カバー層と絶縁層との密着性が低下する可能性があるからであり、上記範囲より大きいと、吸湿による反りが大きいものとなるからである。
ここで、吸水係数とは、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料を、８５℃、８５％ＲＨの環境下で1時間静置して吸水させた際の吸水率を飽和水分率とするカールフッシー法を用い、飽和水分率とした場合および乾燥させた場合の重量変化率であり、飽和水分率時の重量から乾燥時の重量を引いたものを乾燥時の重量で除した値である。
【００６３】
本態様に用いられる絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の熱膨張係数としては、上記サスペンション用基板を、後述する金属基板と、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料との熱膨張係数の差による反りが少ないものとすることができるものであれば良いが、１５×１０−６／℃〜３０×１０−６／℃の範囲内であることが好ましく、なかでも１５×１０−６／℃〜２５×１０−６／℃の範囲内であることが好ましく、特に１５×１０−６／℃〜２０×１０−６／℃の範囲内であることが好ましい。上記範囲であることにより、本態様のサスペンション用基板を低剛性化した場合であっても、温度変化による反りが少ないものとすることができるからである。
なお、上記熱膨張係数とは、温度の変化に対する、材料の長さの変化率である。ここで、材料の長さとは、材料が、各温度となった際の材料の長さである。また、材料の長さの変化率とは、各材料の温度が変化した際の、長さの変化（変化後の材料の長さから変化前の材料の長さを差し引いたもの）を、材料の全長で除した値である。
また、熱膨張係数の値が正である場合には、材料の温度が上昇した際に、材料の長さが長くなることを示し、熱膨張係数の値が負である場合には、材料の温度が上昇した際に、材料の長さが短くなることを示す。
【００６４】
本態様に用いられる絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の熱膨張係数の差は１０×１０−６／℃以下の範囲内であることが好ましく、特に５×１０−６／℃以下の範囲内であることが好ましい。上記範囲であることにより、本態様のサスペンション用基板を低剛性化した場合であっても、温度変化による反りをより少ないものとすることができるからである。
また、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の熱膨張係数の差とは、上記絶縁層形成材料とカバー層形成材料との熱膨張係数の差の絶対値である。
【００６５】
本態様に用いられる絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、吸湿膨張係数が上述した範囲内であり、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではなく、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。本態様においては、なかでも非感光性材料であることが好ましい。
この場合、非感光性材料とは、その材料のみでは光の作用によるパターン形成が出来ない材料のことを言い、金属やレジストによって形成されたマスクによって設けられた開口部を通して、液体や気体、プラズマによって不要部を除去する、または、インクジェットやスクリーン印刷などの手法によって、予めパターンの形状に塗布される、などの手法によってパターンを形成する必要がある材料のことを言う。
より一般的には、感光性成分を含有しない状態でパターンを形成する材料のことを言う。
非感光性材料を用いることで、パターン形成プロセスは煩雑になるものの、感光性成分を含まないより純粋な材料を適用できることにより、広範囲の材料を選択できるメリットがあり、それによって、本発明に必要な低吸湿膨張、低線熱膨張という特性を兼ね備えた材料を適用することが可能となる。
【００６６】
上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が感光性材料である場合、後述する非感光性絶縁性材料の分子骨格中に感光基を導入した感光性絶縁性材料を、光重合開始剤と共に重合させたり、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料に、上記非感光性絶縁性材料または感光性絶縁性材料とは別に感光性モノマーを添加し、光重合開始剤と共に重合させたり、もしくは光の作用によって溶解性が変化する感光剤を添加する必要がある。このため、加熱などの後工程を経た後でも、上記感光性付与成分やその分解残渣が材料中に残存し、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数が大きくなったり、接着性の適正化が非常に困難なものとなる場合があるからである。
感光性絶縁性材料として、一般的に用いられる感光性ポリイミド系樹脂（ＰＩ）は、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド等の高沸点溶媒を現像溶媒として用いる必要があり、乾燥に時間を要する。また上述した感光性ポリイミド系樹脂用の現像溶媒は、それ自身が高価であり、また現像時の設備を防爆型にしなければならず、コスト面で非常に不利となる。また、上述した感光性ポリイミド系樹脂用の現像溶媒は、上記感光性ポリイミド系樹脂自身にダメージを与えてしまう恐れがあるといった問題もある。
一方、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が非感光性材料である場合、上記非感光性絶縁性材料への感光基の導入や、他の添加剤が不要であることにより、上記吸湿膨張係数等の調整が容易なものとすることができる。また現像に際しては、有機および無機アルカリを用いることができ、上述したような防爆型設備も不要であることから、上記絶縁層およびカバー層を低コストで形成可能とし、さらにダメージも小さいものとすることができる
【００６７】
本態様に用いられる絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が非感光性である場合、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、通常、非感光性の絶縁特性をもつ。
このような非感光性絶縁性材料としては、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエーテルニトリル系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂などの合成樹脂を用いることができ、なかでもポリイミド系樹脂を好ましく用いることができる。絶縁性、耐熱性及び耐薬品性に優れた化合物であるからである。
【００６８】
また、本態様に用いられる絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が感光性である場合、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、通常、上述した非感光性絶縁性材料に感光基を導入した感光性絶縁性材料または感光性モノマーの重合物を有する。
【００６９】
上記感光性絶縁性材料としては、感光性ポリイミド系樹脂、感光性アクリル系樹脂、感光性ポリエーテルニトリル系樹脂、感光性ポリエーテルスルホン系樹脂、感光性ポリエチレンテレフタレート系樹脂、感光性ポリエチレンナフタレート系樹脂、感光性ポリ塩化ビニル系樹脂などの感光性の合成樹脂を好ましく用いることができ、なかでも感光性ポリイミド系樹脂を好ましく用いることができる。この感光性ポリイミド素材樹脂は絶縁性に優れた化合物であり、絶縁性、耐熱性及び耐薬品性に優れた化合物である。
【００７０】
上記感光基、感光性モノマー、および重合の際に用いられる光重合開始剤としては、サスペンション用基板の絶縁層およびカバー層を露光、現像により形成する場合に一般的に使われるものを用いることができる。
【００７１】
また本態様に用いられる絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、必要に応じて、増感剤、重合停止剤、連鎖移動剤、レベリング剤、可塑剤、界面活性剤、消泡剤等の添加剤を含むものであっても良い。
【化４】
2008310946.tif 000006
（Ｒ１は４価の有機基、Ｒ２は２価の有機基、Ｒ１及びＲ２は、単一構造でもよく２種以上の組み合わせでもよい。ｎは１以上の自然数）
式（１）において、一般に、Ｒ１は、テトラカルボン酸二無水物由来の構造であり、Ｒ２はジアミン由来の構造である。
本発明に用いられるポリイミドに適用可能な酸二無水物としては、例えば、エチレンテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，６，６’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、１，３−ビス〔（３，４−ジカルボキシ）ベンゾイル〕ベンゼン二無水物、１，４−ビス〔（３，４−ジカルボキシ）ベンゾイル〕ベンゼン二無水物、２，２−ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝プロパン二無水物、
２，２−ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝プロパン二無水物、ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、４，４’−ビス〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕ビフェニル二無水物、４，４’−ビス〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕ビフェニル二無水物、ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルホン二無水物、ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルホン二無水物、ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルフィド二無水物、ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルフィド二無水物、２，２−ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルプロパン二無水物、２，２−ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝−１，１，１，３，３，３−プロパン二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ぺリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。
これらは単独あるいは２種以上混合して用いられる。
本発明に用いられるポリイミドの耐熱性、線熱膨張係数などの観点から好ましく用いられるテトラカルボン酸二無水物は、芳香族テトラカルボン酸二無水物であることが好ましく、特に好ましく用いられるテトラカルボン酸二無水物としてピロメリット酸二無水物、メロファン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，６，６’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物が挙げられる。
なかでも、吸湿膨張を低減させる観点から、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物が特に好ましい。
併用する酸二無水物としてフッ素が導入された酸二無水物を用いると、ポリイミドの吸湿膨張率が低下する。しかし、フッ素を含んだ骨格を有するポリイミドの前駆体は、塩基性水溶液に溶解しにくく、アルコール等の有機溶媒と塩基性水溶液との混合溶液によって現像を行う必要がある。
また、ピロメリット酸二無水物、メロファン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物などの剛直な酸二無水物を用いると、最終的に得られるポリイミドの線熱膨張係数が小さくなるので好ましい。なかでも、線膨張係数と湿度膨張係数とのバランスの観点から、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、が特に好ましい。
酸二無水物として脂環骨格を有する場合、ポリイミド前駆体のが向上するため、高感度の感光性樹脂組成物となる。一方で、ポリイミドとした後の耐熱性や絶縁性が芳香族ポリイミドと比較して劣る傾向にある。。
芳香族のテトラカルボン酸二無水物を用いた場合、耐熱性に優れ、低線熱膨張係数を示すポリイミドとなるというメリットがある。従って、本発明の感光性樹脂組成物においては、前記ポリイミドにおいて、前記式（１）中のＲ１のうち３３モル％以上が、下記式（３）で表わされる構造であることが好ましい。
【化５】
2008310946.tif 000007
上記のような構造を有するポリイミドは、高耐熱、低線熱膨張率を示すポリイミドである。その為、上記式（２）で表わされる構造の含有量は前記式（１）中のＲ１のうち１００モル％に近ければ近いほど、本発明の目標を達成しやすくなるが、少なくとも前記式（１）中のＲ１のうち３３％以上含有すれば目的を達成できる。中でも上記式（２）で表わされる構造の含有量は前記式（１）中のＲ１のうち５０モル％以上であることが好ましく、更に、７０モル％以上であることが好ましい。
一方、本発明のポリイミドに適用可能なジアミン成分も、１種類のジアミン単独で、または２種類以上のジアミンを併用して用いることができる。用いられるジアミン成分は限定されるわけではないが、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、
３，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，２−ジ（３−アミノフェニル）プロパン、２，２−ジ（４−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ジ（３−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ジ（４−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、１，１−ジ（３−アミノフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ジ（４−アミノフェニル）−１−フェニルエタン、１−（３−アミノフェニル）−１−（４−アミノフェニル）−１−フェニルエタン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノベンゾイル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノベンゾイル）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノ−α，α−ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノ−α，α−ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノ−α，α−ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノ−α，α−ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、２，６−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゾニトリル、２，６−ビス（３−アミノフェノキシ）ピリジン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、
ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、４，４’−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ベンゾフェノン、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ジフェニルスルホン、４，４’−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ］ジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジフェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジビフェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４−フェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４−ビフェノキシベンゾフェノン、６，６’−ビス（３−アミノフェノキシ）−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン、６，６’−ビス（４−アミノフェノキシ）−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、１，３−ビス（４−アミノブチル）テトラメチルジシロキサン、α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（３−アミノブチル）ポリジメチルシロキサン、ビス（アミノメチル）エーテル、ビス（２−アミノエチル）エーテル、ビス（３−アミノプロピル）エーテル、ビス（２−アミノメトキシ）エチル］エーテル、ビス［２−（２−アミノエトキシ）エチル］エーテル、ビス［２−（３−アミノプロトキシ）エチル］エーテル、
１，２−ビス（アミノメトキシ）エタン、１，２−ビス（２−アミノエトキシ）エタン、１，２−ビス［２−（アミノメトキシ）エトキシ］エタン、１，２−ビス［２−（２−アミノエトキシ）エトキシ］エタン、エチレングリコールビス（３−アミノプロピル）エーテル、ジエチレングリコールビス（３−アミノプロピル）エーテル、トリエチレングリコールビス（３−アミノプロピル）エーテル、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、１，３−ジアミノシクロヘキサン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、１，２−ジ（２−アミノエチル）シクロヘキサン、１，３−ジ（２−アミノエチル）シクロヘキサン、１，４−ジ（２−アミノエチル）シクロヘキサン、ビス（４−アミノシクロへキシル）メタン、２，６−ビス（アミノメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、２，５−ビス（アミノメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、また、上記ジアミンの芳香環上水素原子の一部若しくは全てをフルオロ基、メチル基、メトキシ基、トリフルオロメチル基、又はトリフルオロメトキシ基から選ばれた置換基で置換したジアミンも使用することができる。
さらに目的に応じ、架橋点となるエチニル基、ベンゾシクロブテン−４’−イル基、ビニル基、アリル基、シアノ基、イソシアネート基、及びイソプロペニル基のいずれか１種又は２種以上を、上記ジアミンの芳香環上水素原子の一部若しくは全てに置換基として導入しても使用することができる。
ジアミンは、目的の物性によって選択することができ、ｐ−フェニレンジアミンなどの剛直なジアミンを用いれば、最終的に得られるポリイミドは低膨張率となる。剛直なジアミンとしては、同一の芳香環に２つアミノ基が結合しているジアミンとして、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、１，４−ジアミノナフタレン、１，５−ジアミノナフタレン、２、６−ジアミノナフタレン、２，７−ジアミノナフタレン、１，４−ジアミノアントラセンなどが挙げられる。
さらに、２つ以上の芳香族環が単結合により結合し、２つ以上のアミノ基がそれぞれ別々の芳香族環上に直接又は置換基の一部として結合しているジアミンが挙げられ、例えば、下記式（３）により表されるものがある。具体例としては、ベンジジン等が挙げられる。
【化６】
2008310946.tif 000008
（ａは０または１以上の自然数、アミノ基はベンゼン環同士の結合に対して、メタ位または、パラ位に結合する。）
さらに、上記式（５）において、他のベンゼン環との結合に関与せず、ベンゼン環上のアミノ基が置換していない位置に置換基を有するジアミンも用いることができる。これら置換基は、１価の有機基であるがそれらは互いに結合していてもよい。
具体例としては、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジトリフルオロメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル等が挙げられる。
また、芳香環の置換基としてフッ素を導入すると吸湿膨張率を低減させることができる。しかし、フッ素を含むポリイミド前駆体、特にポリアミック酸は、塩基性水溶液に溶解しにくく、アルコールなどの有機溶媒との混合溶液で現像する必要がある場合がある。
【００７２】
一方、ジアミンとして、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンなどのシロキサン骨格を有するジアミンを用いると、基板との密着性を改善したり最終的に得られるポリイミドの弾性率が低下し、ガラス転移温度を低下させることができる。
ここで、選択されるジアミンは耐熱性の観点より芳香族ジアミンが好ましいが、目的の物性に応じてジアミンの全体の６０モル％、好ましくは４０モル％を超えない範囲で、脂肪族ジアミンやシロキサン系ジアミン等の芳香族以外のジアミンを用いても良い。
また、前記ポリイミドにおいては、前記式（１）中のＲ２のうち３３モル％以上が下記式（４）で表わされる構造であることが好ましい。
【化７】
2008310946.tif 000009
（Ｒ３は２価の有機基、酸素原子、硫黄原子、又はスルホン基であり、Ｒ４及びＲ５は１価の有機基、又はハロゲン原子である。）
上記のような構造を有する場合、最終的に得られるポリイミドの耐熱性が向上し、線熱膨張係数が小さくなる。その為、前記式（１）中のＲ２のうち１００モル％に近ければ近いほど、本発明の目標を達成しやすくなるが、前記式（１）中のＲ２のうち少なくとも３３％以上含有すれば目的を達成できる。中でも上記式（４）で表わされる構造の含有量は前記式（１）中のＲ２のうち５０モル％以上であることが好ましく、更に、７０モル％以上であることが好ましい。
上記のポリイミドに加えて必要に応じて適宜、接着性のポリイミドなどと組み合わせて、本発明における絶縁層、及びカバー層として用いてもよい。
また、上記のポリイミドを感光性ポリイミドとして利用する際には、公知の手法を用いることができる。たとえば、ポリアミック酸のカルボキシル基にエステル結合やイオン結合でエチレン性２重結合を導入し得られるポリイミド前駆体に、光ラジカル開始剤を混合し、溶剤現像ネガ型感光性ポリイミドとするもの。ポリアミック酸やその部分エステル化物にナフトキノンジアジド化合物を添加し、アルカリ現像ポジ型感光性ポリイミドとするもの、ポリアミック酸にニフェジピン系化合物を添加しアルカリ現像ネガ型感光性ポリイミドとするものなどが挙げられるが、これに限定されない。
これらの感光性ポリイミドはポリイミドの重量に対して１５％〜３５％の感光性付与成分が添加されている、その為、パターン形成後に３００℃〜４００℃で加熱したとしても、感光性付与成分由来の残差がポリイミド中に残存する。これらの残存物が線膨張係数や吸湿膨張係数を大きくする原因となることから、本発明において感光性ポリイミドを用いることは好ましくない。
なお絶縁層形成材料およびカバー層形成材料のいずれか、または両方の前駆体が塩基性水溶液によって現像可能となっている。ここで塩基性水溶液とは、ｐＨが８以上の水溶液で、有機溶媒の含有量が、塩基性水溶液の重量の２０重量％未満であることが好ましく、ｐＨが８以上の水溶液で、有機溶媒を含まないことがさらに好ましい。塩基性水溶液に含まれる塩基性物質は、何でも良く公知の有機・無機の塩基性物質であれば特に限定されないが、現像後のパターン中のイオン残渣や絶縁信頼性の観点から水酸化テトラメチルアンモニウムであることが好ましい。
【００７３】
（ｂ）絶縁層２
本態様に用いられる絶縁層の膜厚としては、所望の絶縁性を発揮することができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、なかでも５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、特に５μｍ〜１２μｍの範囲内であることが好ましい。上記範囲より薄いと、充分な絶縁性を発揮できない可能性があり、上記範囲より厚いと、サスペンション用基板の低剛性化を図ることが困難だからである。
【００７４】
本態様に用いられる絶縁層の下面が金属基板によって被覆されている割合（低剛性化領域以外の割合）としては、本態様のサスペンション用基板を、反りが少ないものとすることができるものであれば良く、具体的には３０％〜７０％の範囲内であることが好ましく、なかでも４０％〜７０％の範囲内であることが好ましい。上記範囲であることにより、本態様のサスペンション用基板の低剛性化を図ることができ、本態様の効果をより発揮することができる。
なお、上記絶縁層の残存割合とは、本態様のサスペンション用基板の平面視面積に占める、上記絶縁層の平面視面積の割合をいうものである。また上記サスペンション用基板の平面視面積とは、上記サスペンション用基板の外径線によって囲まれる面積であり、内部に貫通孔が形成されている場合は、その貫通孔の平面視面積をも含むものである。
【００７５】
（ｃ）カバー層４
本態様に用いられるカバー層の膜厚としては、少なくとも後述する配線層の一部を覆うように形成されるものであれば特に限定されるものではないが、例えば３μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、なかでも３μｍ〜１５μｍの範囲内であることが好ましく、特に、３μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。上記範囲より薄いと、上記配線層上を覆い、上記配線層を腐食等から保護することが困難となるからであり、上記範囲より厚いと、本態様のサスペンション用基板の低剛性化を図ることが困難となるからである。
【００７６】
（２）金属基板１
本態様に用いられる金属基板は、導電性を有し、さらにサスペンション用途に用いられるため、通常、適度なばね性を有するものである。
【００７７】
上記金属基板の材料としては、例えば、ＳＵＳ等を挙げることができる。
【００７８】
本態様においては、上記金属基板はグランド端子が形成される表面側に、導電層を有している。この場合、導電層を設けることにより、グランド端子による導通がより効率的になる。上記導電層の材料としては、具体的には、銅（Ｃｕ）等を挙げることができる。上記導電層は、例えばめっき法等により形成することができる。
【００７９】
上記金属基板の厚さとしては、所望のばね特性を発揮することができるものであれば特に限定されるものではなく、金属基板の材料等により異なるものであるが、通常、１０μｍ〜３０μｍの範囲内であるが、なかでも１５μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。金属基板の膜厚が薄すぎると、機械的強度が低下する可能性があり、金属基板の膜厚が厚すぎると、本態様のサスペンション用基板の低剛性化を図ることが困難だからである。
【００８０】
本態様に用いられる金属基板の残存割合としては、本態様のサスペンション用基板を反りが少ないものとすることができるものであれば良く、具体的には３０％〜１００％の範囲内であることが好ましく、なかでも３０％〜６０％の範囲内であることが好ましい。上記範囲であることにより、本態様のサスペンション用基板の低剛性化を十分に図ることができ、本態様の効果をより発揮することができるからである。
なお、上記金属基板の残存割合とは、本態様のサスペンション用基板の平面視面積に占める、上記金属基板の平面視面積の割合をいうものである。また上記サスペンション用基板の平面視面積とは、上記サスペンション用基板の外径線によって囲まれる面積であり、内部に貫通孔が形成されている場合は、その貫通孔の平面視面積をも含むものである。
【００８１】
（３）配線層３
本態様に用いられる配線層は、上述した絶縁層上に形成されるものであり、本態様のサスペンション用基板をＨＤＤに用いた場合に、スライダーを介してディスクに書き込まれるデータや、ディスクから読み出されたデータを、電気信号として伝送するものである。
【００８２】
本態様に用いられる配線層の材料としては、例えば銅（Ｃｕ：圧延銅、電解銅）等を挙げることができる。
【００８３】
本態様に用いられる配線層の厚みとしては、所望の導電性を発揮することができれば、特に限定されるものではないが、通常、６μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、なかでも８μｍ〜１２μｍの範囲内であることが好ましい。上記範囲であることにより、本態様のサスペンション用基板の低剛性化を図ることができるからである。
【００８４】
本態様に用いられる配線層の線幅としては、所望の導電性を発揮することができるものであれば特に限定されるものではないが、１０μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましく、なかでも１５μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましい。上記範囲であることにより、本態様のサスペンション用基板の低剛性化を図ることができるからである。
【００８５】
本態様に用いられる配線層は、通常、その表面にニッケル（Ｎｉ）や、金（Ａｕ）による保護めっき層が形成されていることが好ましい。上記配線層を腐食に強いものとすることができるからである。
また、上記保護めっき層の膜厚としては、５μｍ以下であることが好ましく、なかでも１μｍ〜２μｍの範囲内であることが好ましい。
【００８６】
（４）サスペンション用基板１０
本態様のサスペンション用基板の製造方法としては、金属基板、絶縁層、配線層、およびカバー層が、精度良く、かつ密着性良く積層されたものとすることができる方法であれば特に限定されるものではなく、一般的なサスペンション用基板の製造方法を用いることができ、具体的には、後述する「Ｂ．サスペンション用基板の製造方法」の項に記載するものと同様の方法を用いることができる。
【００８７】
（５）用途
本態様のサスペンション用基板の用途としては、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の磁気ヘッドサスペンション等に用いられ、なかでも低剛性化された場合であっても反りが少ないことが要求されるハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の磁気ヘッドサスペンションに好適に用いられる。
【００８８】
２．第２態様
本発明のサスペンション用基板の第２態様について説明する。本態様のサスペンション用基板は、上述したサスペンション用基板において、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が、同一の非感光性材料であり、かつ両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内である態様である。
【００８９】
このような本態様のサスペンション用基板としては、既に説明した図１に示すものと同様のものとすることができる。
ここで、上記絶縁層２およびカバー層４を構成する絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が、同一の非感光性材料であり、かつ両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内の材料である。
【００９０】
本態様によれば、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料を形成する非感光生材料の吸湿膨張係数が、上記範囲であることにより、本態様のサスペンション用基板を低剛性化した場合であっても、吸湿による反りが少なくなる。
また、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が同一の非感光性材料からなることにより、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数等の物性値の差がなくなる、さらに上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料によって形成される絶縁層およびカバー層の吸湿による膨張割合の差による反りの発生がなくなる。また、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が同一の非感光性材料からなることにより、上記吸湿膨張係数等の物性の調整等が容易なものとすることができ、さらに高価な溶媒等が不要であることからコストの低減を図ることができる。
【００９１】
本態様のサスペンション用基板は、金属基板、絶縁層、配線層、およびカバー層を少なくとも有する。
以下、本態様のサスペンション用基板の各構成について説明する。なお、上記金属基板および配線層については、上記「１．第１態様」の項に記載したものと同様のものを用いることができるため、ここでの記載は省略する。
【００９２】
（１）絶縁層２およびカバー層４
本態様に用いられる絶縁層は、上記金属基板上に形成されるものであり、絶縁層形成材料からなるものである。
また、本態様に用いられるカバー層は、上記絶縁層上に形成され、上記配線層の一部を覆う、カバー層形成材料からなる。
【００９３】
本態様に用いられる絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、同一の非感光性材料からなり、かつ両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内のものである。
なお、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が、同一の材料であるとは、含まれるポリマーの主鎖または置換基の、種類および含有量が同一であれば良く、後述する添加剤の種類、含有量の同一までも要するものではない。
【００９４】
本態様に用いられる絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸湿膨張係数は０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であれば良いが、なかでも５×１０−６／％ＲＨ〜２０×１０−６／％ＲＨの範囲内であることが好ましく、特に５×１０−６／％ＲＨ〜１５×１０−６／％ＲＨの範囲内であることが好ましい。上記範囲であることにより、本態様のサスペンション用基板を低剛性化した場合であっても、吸湿による反りをより少ないものとすることができるからである。
【００９５】
本態様に用いられる絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の吸水係数としては、０．０１％〜２．５％の範囲内であることが好ましく、なかでも０．７％〜１．５％の範囲内であることが好ましい。上記範囲であることにより、上記絶縁層およびカバー層の吸湿を少ないものとすることができ、上記絶縁層およびカバー層が吸湿膨張することを抑制することができるからである。このため、上記金属基板の残存割合を減少させ、本態様のサスペンション用基板を低剛性化した場合であっても反りが少ないものとすることができるからである。また、上記範囲より小さいと、カバー層と絶縁層との密着性が低下する可能性があるからであり、上記範囲より大きいと、吸湿による反りが大きいものとなるからである。
【００９６】
本態様に用いられる絶縁層形成材料およびカバー層形成材料の熱膨張係数としては、本態様のサスペンション用基板を、上記金属基板と、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料との熱膨張係数の差による反りが少ないものとすることができれば良いが、１５×１０−６／℃〜３０×１０−６／℃の範囲内であることが好ましく、なかでも１５×１０−６／℃〜２５×１０−６／℃の範囲内であることが好ましく、特に１５×１０−６／℃〜２０×１０−６／℃の範囲内であることが好ましい。上記範囲であることにより、本態様のサスペンション用基板を低剛性化した場合であっても、温度変化による反りがより少ないものとすることができるからである。
【００９７】
本態様に用いられる絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、両者の吸湿膨張係数を上述した範囲内とすることができ、さらに絶縁性を有するものであれば良く、通常、絶縁性の絶縁性材料を含むものである。
このような絶縁性材料としては、上記「１．第１態様」の項に記載した非感光性絶縁性材料と同様のものとすることができるため、ここでの記載を省略する。
【００９８】
また本態様に用いられる絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、必要に応じて、可塑剤、界面活性剤、消泡剤等の添加剤を含むものであっても良い。
【００９９】
なお、上述した絶縁層形成材料およびカバー層形成材料によって形成される絶縁層およびカバー層としては、上記「１．第１態様」の項に記載したものと同様の内容とすることができるので、ここでの記載を省略する。
【０１００】
（２）サスペンション用基板１０
本態様のサスペンション用基板の製造方法としては、金属基板、絶縁層、配線層、およびカバー層が、精度良く、かつ密着性良く積層されたものとすることができる方法であれば特に限定されるものではなく、一般的なサスペンション用基板の製造方法を用いることができ、具体的には、後述する「Ｂ．サスペンション用基板の製造方法」の項に記載するものと同様の方法を用いることができる。
【０１０１】
（３）用途
本態様のサスペンション用基板の用途としては、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の磁気ヘッドサスペンション等に用いられ、なかでも低剛性化された場合であっても反りが少ないことが要求されるハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の磁気ヘッドサスペンションに好適に用いられる。
【０１０２】
Ｂ．サスペンション用基板の製造方法
本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属基板と、上記金属基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記絶縁層上に形成され、少なくとも上記配線層の一部を覆うカバー層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記金属基板上に、絶縁層形成材料からなる上記絶縁層をパターン状に形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、カバー層形成材料からなる上記カバー層をパターン状に形成するカバー層形成工程とを有し、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料が異なる材料であり、かつ両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の上記吸湿膨張係数の差が、５×１０−６／％ＲＨ以下の範囲内であることを特徴とするものである。
【０１０３】
このような本発明のサスペンション用基板の製造方法を、図を参照して説明する。図２は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す工程図である。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、図２（ａ）に示すように、金属基板用層１´と、上記絶縁層形成材料からなる絶縁層形成用層２´と、配線層形成用層３´とが積層した積層体を準備した後、ドライフィルム等のフォトレジスト層１１を設け、所定の形状にパターニングする（図２（ｂ））。次いで、金属基板用層１´および配線層形成用層３´をエッチングによりパターニングし、上記フォトレジスト層１１を剥離することにより、金属基板１および配線層３をパターン状に形成する（図２（ｃ））。次いで、ドライフィルム等のフォトレジスト層１１を設け、所定の形状にパターニングし（図２（ｄ））、絶縁層形成用層２´をエッチングによりパターニングした後（図２（ｅ））、上記フォトレジスト層１１を剥離することにより、絶縁層２をパターン状に形成する（図２（ｆ））。
さらに、配線層３を給電層として電解メッキすることにより、配線層３の表面に保護めっき層５を形成する（図２（ｇ））。
【０１０４】
続いて、図３（ａ）に示すように、絶縁層２上に上記カバー層形成材料からなるカバー層形成用層４´を形成し、さらに上記カバー層形成用層４´上にドライフィルム等のフォトレジスト層１１を設け（図３（ｂ））、フォトレジスト層１１を所定の形状にパターニングする（図３（ｃ））。次いで、カバー層形成用層４´をエッチングによりパターニングし、カバー層４を形成する（図３（ｄ））。次に上記フォトレジスト層１１を剥離しサスペンション用基板１０を製造する（図３（ｅ））。また、形成されたサスペンション用基板１０に含まれる絶縁層２には、低剛性化のため、金属基板１が除去され、絶縁層２の一方の表面が金属基板１によって被覆されていない、低剛性化領域６が形成されている。
【０１０５】
ここで、上記絶縁層形成材料およびカバー層形成材料は、両者が異なる材料であり、かつ両者の吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、さらに両者の上記吸湿膨張係数の差が、５×１０−６／％ＲＨ以下の範囲内である材料である。
なお、図２（ａ）〜（ｃ）が、金属基板および配線層形成工程であり、図２（ｄ）〜（ｆ）が、絶縁層形成工程である。また、図２（ｇ）が保護めっき層形成工程であり、図３（ａ）〜（ｅ）がカバー層形成工程である。
【０１０６】
本発明によれば、上記カバー層形成材料および絶縁層形成材料の吸湿膨張係数および、両者の上記吸湿膨張係数の差が、上記範囲であるような材料を用いて、絶縁層およびカバー層を形成することにより、本発明の製造方法によって製造されるサスペンション用基板が、低剛性化されたものである場合であっても、吸湿による反りが少ないものとすることができる。
【０１０７】
本発明のサスペンション用基板の製造方法は、少なくとも絶縁層形成工程と、カバー層形成工程とを有するものである。以下、本発明のサスペンション用基板の製造方法の各工程について詳細に説明する。
【０１０８】
１．絶縁層形成工程
本発明における絶縁層形成工程は、上記金属基板上に、絶縁層形成材料からなる絶縁層をパターン状に形成する工程である。
【０１０９】
本工程に用いられる絶縁層形成材料は、後述するカバー層形成工程において用いられるカバー層形成材料とは異なる材料であり、かつ吸湿膨張係数が、０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、後述するカバー層形成材料との吸湿膨張係数の差が、５×１０−６／％ＲＨ以下の範囲内であるものである。このような絶縁層形成材料としては、特性およびそれを構成する材料が、上記「Ａ．サスペンション用基板」の項に記載されたものと同様のものを用いることができるため、ここでの記載を省略する。
【０１１０】
本工程において、絶縁層をパターン状に形成する方法としては、上述した絶縁層形成材料からなる絶縁層を、所望のパターン状に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、上記金属基板の全面に、上記絶縁層形成材料からなる絶縁層形成用層を形成した後、既に説明した図２（ｄ）に示すように、上記絶縁層形成用層２´のエッチングしない領域上にパターン状のフォトレジスト層１１を形成し、所定のエッチング液で絶縁層形成用層２´をエッチングし絶縁層２を形成し（図２（ｅ））、その後、図２（ｆ）に示すようにフォトレジスト層１１を除去する方法等を挙げることができる。
【０１１１】
上記絶縁層形成材料からなる絶縁層形成用層の形成方法としては、上記絶縁層形成用層を均一な膜厚で形成することができるものであれば特に限定されるものではなく、上記絶縁層形成材料を直接塗布して形成する方法を用いても良く、上記絶縁層形成材料を溶媒中に分散または溶解させ、液状絶縁層形成用材料としたものを塗布し、乾燥させることにより形成する方法を用いても良い。
また、塗布方法としては、上記絶縁層形成用層の膜厚を均一なものとすることができる方法であれば特に限定されるものではなく、ダイコート法等公知の方法を用いることができる。
【０１１２】
また、上記パターン状のフォトレジスト層の形成方法としては、液状の感光性樹脂を塗工・乾燥させることでフォトレジスト層としたもの、あるいはドライフィルム状の感光性樹脂であるドライフィルムレジストをフォトレジスト層として上記絶縁層の全面に貼り合わせたものを、フォトマスク等を介して露光し、現像する方法を挙げることができる。
また、上記感光性樹脂、および露光・現像の方法としては、サスペンション用基板の製造に一般的に使用されている方法を用いることができる。
【０１１３】
なお、上記金属基板および形成された絶縁層としては、上述した「Ａ．サスペンション用基板」の項に記載したものと同様の内容とすることができるため、ここでの記載は省略する。
【０１１４】
２．カバー層形成工程
本発明におけるカバー層形成工程は、上記絶縁層形成工程によって形成された絶縁層上に、カバー層形成材料からなり、少なくとも上記配線層の一部を覆うカバー層をパターン状に形成する工程である。
【０１１５】
本工程に用いられるカバー層形成材料は、上記絶縁層形成工程において用いられる絶縁層形成材料とは異なる材料であり、かつ吸湿膨張係数が、３×１０−６／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨの範囲内であり、上記絶縁層形成材料との吸湿膨張係数の差が、５×１０−６／％ＲＨ以下の範囲内であるものである。このようなカバー層形成材料としては、特性およびそれを構成する材料が、上記「Ａ．サスペンション用基板」の項に記載されたものと同様の内容とすることができるため、ここでの記載を省略する。
【０１１６】
本工程において、カバー層をパターン状に形成する方法としては、上述したカバー層形成材料からなるカバー層を、所望のパターン状に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、既に説明した図３に示すように、上記絶縁層形成工程によって形成された絶縁層２の全面に、カバー層形成材料からなるカバー層形成用層４´を形成する（図３（ａ））。次いで、カバー層形成用層４´のエッチングしない領域にパターン状のフォトレジスト層１１を形成した後（図３（ｂ）〜（ｃ））、所定のエッチング液でカバー層形成用層４´をエッチングすることで現像し、カバー層４を形成する（図３（ｄ））。その後、フォトレジスト層１１を除去する方法を挙げることができる。ここで、エッチングしない領域は、少なくとも、上記配線層の一部と重なるように選択されるものである。
【０１１７】
本工程においては、なかでも、上記カバー層形成材料が、非感光性である場合において、上記絶縁層２の全面に、非感光性のカバー層形成材料からなる非感光性カバー層形成用層４′と、上記非感光性カバー層形成用層４′上の感光性樹脂からなるフォトレジスト層とが形成された積層体１１Ａを設ける。次にこの積層体１１Ａの上記フォトレジスト層１１を、パターン状に露光し、パターン状に露光されたフォトレジスト層１１の現像と同時に、上記非感光性カバー層形成用層４′の現像を行うことで、上記カバー層４をパターン状に形成することが好ましい。
【０１１８】
上記カバー層形成工程が、上記フォトレジスト層１１をパターン状に露光し、上記露光されたフォトレジスト層１１の現像と同時に、上記非感光性カバー層形成用層４′の現像を行うことで、上記カバー層４をパターン状に形成することにより、上記カバー層４の形成に必要となる作業数を少ないものとすることができる。
【０１１９】
上記カバー層形成材料からなるカバー層形成用層の形成方法としては、上記カバー層形成用層を均一な膜厚で形成することができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、フィルム状のカバー層形成材料をカバー層形成用層として上記絶縁層の全面に貼り合わせて形成するものであっても良く、上記カバー層形成材料を溶媒中に分散または溶解させ、液状カバー層形成用材料としたものを塗布し、乾燥させることにより形成する方法を用いても良い。
【０１２０】
本工程においては、なかでも、上記カバー層が、上記カバー層形成材料を含む液状カバー層形成材料を塗布することにより形成されたカバー層形成用層を用いて形成されることが好ましい。上記カバー層が、上記カバー層形成材料を含む液状カバー層形成材料を用いて形成されることにより、上記カバー層の薄膜化が容易となる。
ここで、上記カバー層形成材料が、感光性材料である場合には、上記液状カバー層形成材料として、上記感光性絶縁性材料または感光性モノマーと、光重合開始剤とを含むものを用いても良い。
【０１２１】
また、上記パターン状のフォトレジスト層の形成方法としては、上記「１．絶縁層形成工程」の項に記載したものと同様の方法を用いることができる。
また、上記配線層および形成されたカバー層としては、上記「Ａ．サスペンション用基板」の項に記載したものと同様の内容とすることができる。
【０１２２】
３．サスペンション用基板の製造方法
本発明のサスペンション用基板の製造方法は、少なくとも上記絶縁層形成工程およびカバー層形成工程を有するものであれば良く、通常、金属基板を所望のパターンに形成する金属基板形成工程および配線層を所望のパターンに形成する配線層形成工程を有するものである。また、必要に応じて、配線層の表面に保護めっき層を形成する保護めっき層形成工程を有するものであっても良い。
【０１２３】
このような金属基板形成工程および配線層形成工程において、金属基板および配線層を形成する方法としては、それぞれ金属基板、配線層を所望の位置に精度良く形成することができる方法であれば良く、具体的には、上述した絶縁層形成工程およびカバー層形成工程と同様に、エッチングしない領域にパターン状のフォトレジスト層を形成し、その後、所定のエッチング液でエッチングする方法等を挙げることができる。
また、上記保護めっき層形成工程において、保護めっき層を形成する方法としては、上記配線層を給電層として用いて、電解めっきすることにより、保護めっき層を形成することができる。
【０１２４】
また、本発明においては、上記絶縁層形成工程およびカバー層形成工程の形成順番としては、いずれが先であっても良く、本発明の製造方法によって製造されるサスペンション用基板の用途等に応じて適宜設定することができる。
【０１２５】
本発明のサスペンション用基板の製造方法によって製造されるサスペンション用基板の用途としては、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の磁気ヘッドサスペンション等に用いられ、なかでも低剛性化された場合であっても反りが少ないことが要求されるハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の磁気ヘッドサスペンションに好適に用いられる。
【０１２６】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例１】
【０１２７】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
［製造例１］
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（ＯＤＡ）  ４．０ｇ（２０ｍｍｏｌ）とパラフェニレンジアミン（ＰＰＤ）  ８．６５ｇ（８０ｍｍｏｌ）を５００ｍｌのセパラブルフラスコに投入し、２００ｇの脱水されたＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）に溶解させ窒素気流下、オイルバスによって液温が５０℃になるように熱電対でモニターし加熱しながら撹拌した。それらが完全に溶解したことを確認した後、そこへ、少しずつ３０分かけて３，３‘、４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸２無水物（ＢＰＤＡ）  ２９．１ｇ（９９ｍｍｏｌ）を添加し、添加終了後、５０℃で５時間撹拌した、その後室温まで冷却し、ポリイミド前駆体溶液１を得た。
【０１２８】
［製造例２〜１２］
反応温度、及び溶液の濃度が、１７重量％〜１９重量％になるようにＮＭＰの量を調整した以外は製造例１に示すのと同様の方法で以下の表１に示す配合比でポリイミド前駆体溶液２〜１２、及び比較ポリイミド前駆体溶液を合成した。
ピロメリット酸２無水物：ＰＭＤＡ
１，４−Ｂｉｓ（４−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｂｅｎｚｅｎｅ  ：  ４ＡＰＢ
２，２’−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｏｂｉｐｈｅｎｙｌ  ：  ＴＢＨＧ
２，２’−Ｂｉｓ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）−４，４’−ｄｉａｍｉｎｏｂｉｐｈｅｎｙｌ  ：  ＴＦＭＢ
【表１】
2008310946.tif 000010
また、感光性ポリイミドとするために、ポリイミド前駆体溶液１にニフェジピン（東京化成）を溶液の固形分の３０重量％添加し、感光性ポリイミド前駆体溶液とした。
【０１２９】
［線熱膨張係数評価］［吸湿膨張係数評価］
上記ポリイミド前駆体溶液１〜１２および比較ポリイミド前駆体溶液１を、ガラス上に貼り付けたユーピレックスＳ  ５０Ｓ（商品名：宇部興産）フィルムに塗布し、８０℃のホットプレート上で１０分乾燥させた後、剥離し、膜厚１５〜２０μｍのフィルムを得た。その後、そのフィルムを金属製の枠に固定し、窒素雰囲気下、３５０℃１時間、熱処理し（昇温速度  １０℃／分、自然放冷）膜厚９〜１５μｍポリイミド１〜１２および比較ポリイミド１のフィルムを得た。
【０１３０】
上記感光性ポリイミド前駆体溶液１を、ガラス上に貼り付けたユーピレックスＳ  ５０Ｓ（商品名：宇部興産）フィルムに塗布し、８０℃のホットプレート上で１０分乾燥させた後、高圧水銀灯により３６５ｎｍの波長の照度換算で５００ｍＪ／ｃｍ２露光後、ホットプレート上で１８０℃３分加熱した後、フィルムより剥離し、膜厚１７μｍのフィルムを得た。その後、そのフィルムを金属製の枠に固定し、窒素雰囲気下、３５０℃１時間、熱処理し（昇温速度  １０℃／分、自然放冷）膜厚１２μｍ感光性ポリイミド１のフィルムを得た。
【０１３１】
＜線熱膨張係数＞
上記の手法により作製したフィルムを幅５ｍｍ×長さ２０ｍｍに切断し、評価サンプルとして用いた。線熱膨張係数は、熱機械的分析装置Ｔｈｅｒｍｏ  Ｐｌｕｓ  ＴＭＡ８３１０（リガク社製）によって測定した。測定条件は、評価サンプルの観測長を１５ｍｍ、昇温速度を１０℃／ｍｉｎ、評価サンプルの断面積当たりの加重が同じになるように引張り加重を１ｇ／２５０００μｍ２とし、１００℃から２００℃の間の平均の線熱膨張係数を線熱膨張係数（Ｃ．Ｔ．Ｅ．）とした。
【０１３２】
＜湿度膨張係数＞
上記の手法により作製したフィルムを幅５ｍｍ×長さ２０ｍｍに切断し、評価サンプルとして用いた。湿度膨張係数は、湿度可変機械的分析装置Ｔｈｅｒｍｏ  Ｐｌｕｓ  ＴＭＡ８３１０改（リガク社製）によって測定した。温度を２５℃で一定とし、まず、湿度を１５％ＲＨの環境下でサンプルが安定となった状態とし、概ね３０分〜２時間その状態を保持した後、測定部位の湿度を２０％ＲＨとし、さらにサンプルが安定になるまで３０分〜２時間その状態を保持する。その後、湿度を５０％Ｒｈに変化させ、それが安定となった際のサンプル長と２０％Ｒｈで安定となった状態でのサンプル長との違いを、湿度の変化（この場合５０−２０の３０）で割り、その値を、サンプル長で割った値を湿度膨張係数（Ｃ．Ｈ．Ｅ．）とした。評価サンプルの断面積当たりの加重が同じになるように引張り加重を１ｇ／２５０００μｍ２とした。
【０１３３】
〔基板反り評価〕
厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４（金属基板）上に、上記ポリイミド前駆体溶液及び感光性ポリイミド前駆体溶液を用い、イミド化後の膜厚が１０μｍ±１μｍになるように線熱膨張係数評価のサンプル作成と同様のプロセス条件でポリイミド膜、及び感光性ポリイミド膜を形成した。その後、その複合基板をポリイミド膜を１０ｍｍ×５０ｍｍ、そのポリイミド上に、幅２ｍｍのＳＵＳパターンが２本、両端から２ｍｍのスペースをあけ、２ｍｍの間隔をあけて、図１（ｂ）に示すように加工した基板反り用のサンプルとした。
このサンプルを、ＳＵＳ板にサンプルの短い方の端部の片方のみをカプトンテープにより固定し、１００℃のオーブンで１時間加熱した後、１００℃に加熱されたオーブン内で、反対側の端部のＳＵＳ板からの距離を測定した。そのときの距離が０〜０．５ｍｍのサンプルを○、０．５ｍｍ〜１．０ｍｍのサンプルを△、１．０ｍｍよりも大きいサンプルを×と判断した。
同様にこのサンプルを、ＳＵＳ板にサンプルの短い方の端部の片方のみをカプトンテープにより固定し、８５℃８５％Ｒｈの状態の恒温恒湿層に１時間静置した時の反対側の端部のＳＵＳ板からの距離を測定した。そのときの距離が０〜０．５ｍｍのサンプルを○、０．５ｍｍ〜１．０ｍｍのサンプルを△、１．０ｍｍよりも大きいサンプルを×と判断した。
これらの評価結果を以下の表２に示す。
【表２】
2008310946.tif 000011
この結果より、本発明の湿度膨張係数が小さいほど高湿環境下での基板の反りが小さいことがわかる。
【０１３４】
〔現像性評価〕
厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４（金属基板）上に、上記ポリイミド前駆体溶液、比較ポリイミド前駆体溶液及び感光性ポリイミド前駆体溶液を塗布し、８０℃のホットプレート上で１０分間乾燥させ、膜厚１５μｍ±１μｍのポリイミド前駆体１〜１２、比較ポリイミド前駆体１及び感光性ポリイミド前駆体１の膜を得た。
感光性ポリイミド１の膜は、その後、１８０℃ホットプレート上で３分加熱した。
これらの膜を用いて、
Ａ）１重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液、
Ｂ）５重量％ＴＭＡＨ水溶液、
Ｃ）３重量％ＴＭＡＨ水溶液とエタノールを９：１で混合させた溶液、
Ｄ）５重量％ＴＭＡＨ水溶液とエタノールを１：１で混合させた溶液
、の４種類の溶液に対する２３℃における溶解性を調べた。
溶解性は、完全に溶解したものを○、膨潤したり溶け残りがあったものを×とし、その結果を表３に示す。
この結果より、フッ素を含むようなポリアミック酸は、水溶液に対する溶解性に乏しく、現像にはアルコールを多量に含有する溶液が必要であることがわかる。
【表３】
2008310946.tif 000012
【０１３５】
［実施例２］
厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４（金属基板）上に、絶縁層形成材料として第１の非感光性ポリイミドを用い、厚さ１０μｍの絶縁層を塗工方法にて形成した。更にその絶縁層上にシード層となるＮｉ−Ｃｒ−Ｃｕをスパッタ工法で約３００ｎｍコーティングし、それを導通層としＣｕめっきにて厚さ９μｍのＣｕめっき層（金属めっき層）を形成し、４層の積層体を得た（図１（ａ）参照）。この４層の積層体を用いて、低剛性で微細配線を有するサスペンション用基板を作製した。
【０１３６】
ここで、上記絶縁層形成材料（第１の非感光性ポリイミド）の物性値は、吸湿膨張係数が１０．７×１０−６／％ＲＨであり、熱膨張係数が、２１×１０−６／℃であった。
【０１３７】
次に、ＳＵＳ側で位置精度が重要な治具孔と、Ｃｕめっき層側で目的とする配線層とを形成できるように、ドライフィルムを用いて同時にパターニングし、パターン状のレジストを得た。その後、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。ここでは、ドライフィルムを同時にパターニングすることで、ＳＵＳ側および配線層側の両面の位置精度を向上させることができる。なお、パターン状に形成された配線層の幅は２０μｍであり、配線層間の間隔は２０μｍであった。配線の微細化の実現は、配線層にアンカー形状が無いこと、および高感度なＤＦＲレジストを用いたことが大きく寄与していると考えられる。
【０１３８】
次に、非感光性ポリイミド系の液状カバー層形成材料をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にカバー層形成材料をエッチングし、その後、硬化させ、カバー層形成材料（第２の非感光性ポリイミド）からなるカバー層を得た。硬化後のカバー層の膜厚は、配線層上で５μｍであった。このようなカバー層を形成することにより、反りの制御および低剛性化を図り、且つ配線パターン層の保護を図ることができる。
【０１３９】
なお、ここで上記カバー層を形成するカバー層形成材料（第２の非感光性ポリイミド）の物性値は、吸湿膨張係数が８．０×１０−６／％ＲＨであり、熱膨張係数が、１７×１０−６／℃であった。また、上記絶縁層形成材料（第１の非感光性ポリイミド）の物性値は、吸湿膨張係数が１０．７×１０−６／％ＲＨで、熱膨張係数が２１×１０−６／℃であり、上記絶縁層形成材料と、上記カバー層形成材料との物性値の差が小さい材料を用いた。
【０１４０】
次に、厚さ１０μｍのポリイミド（絶縁層）をレジスト製版し、有機アルカリエッチング液を用いてエッチングし、パターン状の絶縁層を得た。その後、露出する配線パターン層に対して、厚さ２μｍのＡｕめっきを行い、保護めっき部を形成した。本発明においては、先に配線カバーを実施しており、カバー層で被覆されていない部位のみにＡｕめっきができ、低剛性化とＡｕ量の削減に大きな効果を得ることができる。
【０１４１】
次に、ＳＵＳの外形加工を行うため、再度、レジスト製版を行い、ＳＵＳ側のみエッチングを行った。最後に、鉛フリーの半田ペーストを用いてスクリーン印刷にて半田バンプを形成した。こうして得られたサスペンション用基板は、常温状態での反りが０．５ｍｍを確保することができ、かつ高温・高湿（８５℃、８５％ＲＨ）の環境下で１時間保持した場合であっても反りが、０．５ｍｍと反りを抑制することができた。
反りの測定は、加工シートから長さ２０ｍｍのサスペンション用基板を１ピース切断し銅配線面を上面にして定盤上に置き、定盤表面から、垂直方向に、上記サスペンション用基板の先端までの距離を、高精度定規で測定し、反りの値を得た。
【０１４２】
［比較例］
絶縁層形成材料として物性値が、熱膨張係数が２３×１０−６／℃、吸湿膨張係数が３１×１０−６／％ＲＨである第３の非感光性ポリイミドを用い、カバー層形成材料として、物性値が、熱膨張係数が２００×１０−６／℃、吸湿膨張係数が１５５×１０−６／％ＲＨである感光性ポリイミドを用いた以外は、実施例と同様にしてサスペンション基板を作製した。
得られたサスペンション用基板は、常温状態での反りが、２．０ｍｍであり、かつ高温・高湿（８５℃、８５％ＲＨ）の環境下で１時間保持した後の反りが２．０ｍｍとなり、反りを十分に抑制することができなかった。
【０１４３】
第２の実施の形態
以下、本発明の第２の実施の形態によるサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。
【０１４４】
本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属基板、絶縁層、シード層および金属めっき層がこの順に配置された積層体を準備する積層体準備工程と、上記金属基板の表面および上記金属めっき層の表面に、パターン状のレジストを形成し、エッチングを行うことにより、上記金属基板に治具孔を形成し、かつ、上記金属めっき層に配線パターン層を形成する第一のメタルエッチング工程と、を有することを特徴とする。
【０１４５】
本発明によれば、上記の積層体を用いることにより、低剛性のサスペンション用基板を得ることができる。また、第一のメタルエッチング工程では、金属基板に治具孔や抜き孔等を形成するが、金属基板の大部分はエッチングしない。そのため、積層体の剛性を高く維持した状態で絶縁層のエッチング等を行うことができ、各工程間の搬送時に、加工途中の積層体が変形することを抑制することができる。なお、本発明により得られるサスペンション用基板は、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の磁気ヘッドサスペンション等に用いることができる。
【０１４６】
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について図面を用いて説明する。図４および図５は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を説明する説明図である。本発明においては、まず、図４（ａ）に示すように、金属基板２１、絶縁層２２、シード層２３および金属めっき層２４がこの順に配置された積層体３０を準備する（積層体準備工程）。ここでは、金属基板１としてのＳＵＳと、絶縁層２２としてのポリイミドと、シード層２３としてのＮｉ−Ｃｒ−Ｃｕスパッタリング層と、金属めっき層２４としてのＣｕめっき層と、を有する積層体３０を用意する。
【０１４７】
次に、この積層体３０に対してメタルエッチング用レジストを製版する。具体的には、積層体３０の両面にメタルエッチング用のレジスト層を設け、フォトリソグラフィー法により図４（ｂ）に示すようなパターニングをしたレジスト３１、３２を形成する。この場合、配線側には、目的とする配線パターン層に対応するパターンでレジスト３１を形成し、基板側には、治具孔の部分を除くようなパターンでレジスト３２を形成する。また、レジスト３２は、治具孔の他にフライングリード部も除くように形成する。
【０１４８】
そして、図４（ｃ）に示すように、化学エッチング液を用いて、金属基板２１および金属めっき層２４をエッチングし、レジスト３１、３２を剥離する。これにより、金属めっき層２４から配線パターン層２４ａが形成され、金属基板２１に治具孔２１ａが形成される（第一のメタルエッチング工程）。図中２１ｂはフライングリード部を形成する抜き孔である。
【０１４９】
次に、図４（ｄ）に示すように、配線パターン層２４ａの上から、液状カバー材を用いてカバー層２５を形成する（カバー層形成工程）。このとき、配線パターン層２４ａの表面の一部２４ｂが露出するようにカバー層２５が形成され、その露出する部分に後述する保護めっき部が形成される。
【０１５０】
次に、絶縁層２２のエッチング用レジストを製版する。具体的には、積層体３０の両面にポリイミドエッチング用のレジスト層を設け、フォトリソグラフィー法により図４（ｅ）に示すようなパターニングをしたレジスト３３、３４を形成する。この場合、配線側には、配線パターン層２４ａおよびカバー層２５を覆うようにレジスト３３を形成し、基板側には、フライングリード部の抜き孔２１ｂの対応部分を除くようにレジスト３４を形成する。
【０１５１】
そして、図４（ｆ）に示すように、エッチング液に有機アルカリ液を用いて絶縁層２２をエッチングし、レジスト３３、３４を剥離する。これにより、金属基板２１の上に配線パターン層２４ａおよびカバー層２５が絶縁層２２を介して一体的に形成される（絶縁層エッチング工程）。また、金属基板２１は、治具孔２１ａおよびフライングリード部の抜き孔２１ｂが形成された状態となる。なお、絶縁層２２の加工はプラズマエッチングで行っても良い。
【０１５２】
次に、図５（ｇ）に示すように、配線パターン層２４ａが露出する部分に、Ａｕめっき若しくはＮｉ−Ａｕめっきを施すことにより保護めっき部２６を形成する（保護めっき部形成工程）。
【０１５３】
次に、金属基板２１の外形加工を行うため、積層体３０の両面にメタルエッチング用レジストを製版する。本発明において、「金属基板の外形加工を行う」とは、第一のメタルエッチング工程で加工されていない金属基板の領域を、目的とするサスペンション用基板の形状に応じて加工することをいう。具体的には、積層体３０の両面にメタルエッチング用のレジスト層を設け、フォトリソグラフィー法により図５（ｈ）に示すようなパターニングをしたレジスト３５、３６を形成する。この場合、配線側には、全面を覆うようにレジスト３５を形成し、基板側には、目的とする外形形状に合わせてパターニングをしたレジスト３６を形成する。
【０１５４】
そして、図５（ｉ）に示すように、化学エッチング液を用いて金属基板２１をエッチングし、レジスト３５、３６を剥離する。これにより、所望の形状のサスペンション用基板が得られる（第二のメタルエッチング工程）。その後、必要に応じて、図５（ｊ）に示すように、配線パターン層２４ａの端子部に印刷により、半田バンプ部２７を形成する。なお、図中、Ａは、バンプを形成する端子部であり、Ｂはフライングリード部であり、Ｃは配線部であり、必要に応じて金属基板２１を有していても良い。
【０１５５】
本発明のサスペンション用基板の製造方法は、通常、積層体準備工程および第一のメタルエッチング工程を有する。さらに、後述するカバー層形成工程、絶縁層エッチング工程、保護めっき部形成工程、第二のメタルエッチング工程、および半田バンプ形成工程を有することが好ましい。
以下、本発明のサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
【０１５６】
１．積層体準備工程
まず、本発明における積層体準備工程について説明する。本発明における積層体準備工程は、金属基板、絶縁層、シード層および金属めっき層がこの順に配置された積層体を準備する工程である。
【０１５７】
本発明においては、上記の層構成を有する積層体を用いることにより、低剛性のサスペンション用基板を得ることができる。一般に、サスペンション用基板を得るための原材料として、５層の積層体が使用されてきた。具体的には、図６（ａ）に示すように、金属基板４１としてのＳＵＳと、接着層４２としての熱可塑性ポリイミド（ＴＰＩ）と、絶縁層４３としてのポリイミドと、接着層４４としてのＴＰＩと、配線パターン形成層４５としてのＣｕと、を有する５層の積層体が使用されてきた。
【０１５８】
しかしながら、この積層体は、通常、バネ銅である圧延銅等をプレスで接着積層して形成され、圧延銅を用いるために、薄板化および低剛性化を図ることができなかった。さらに、上記の５層の積層体は、各構成部材をプレスして形成するため、絶縁層（例えばポリイミド）に、配線パターン形成層（例えば圧延銅）の粗化表面のパターンが転写されてしまう。その結果、絶縁層の表面が粗化された状態となり、その粗化面が配線微細加工の妨げの一要因となる問題があった。
【０１５９】
これに対して、本発明に用いられる積層体は、例えば図６（ｂ）に示すように、通常、金属基板４１、絶縁層２２、シード層２３および金属めっき層２４がこの順に配置された４層の積層体３０である。この４層の積層体の金属めっき層は、電解めっき法等で形成されるものであるため、従来の圧延銅等と比較して、薄板化および低剛性化を図ることができる。また、微細な配線パターン層も形成可能である。さらに、上記の４層の積層体の金属めっき層は、電解めっき法等で形成されるものであるため、上述した５層の積層体の場合のように、絶縁層の表面が粗化されることがない。そのため、異物の残留の問題等が生じないという利点を有する。
【０１６０】
次に、本発明に用いられる積層体の構成部材について説明する。本発明に用いられる積層体は、通常、金属基板、絶縁層、シード層および金属めっき層を有する。
上記金属基板の材料としては、導電性を有し、適度なばね性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばＳＵＳ等を挙げることができる。上記金属基板の膜厚としては、例えば１０μｍ〜３０μｍの範囲内、中でも１５μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。金属基板の膜厚が薄すぎると、機械的強度が低下する可能性があり、金属基板の膜厚が厚すぎると、サスペンション用基板の低剛性化を図ることが困難だからである。
【０１６１】
上記絶縁層の材料としては、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばポリイミド（ＰＩ）等を挙げることができる。上記絶縁層の膜厚としては、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内、中でも５μｍ〜２０μｍの範囲内、特に５μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。絶縁層の膜厚が薄すぎると、充分な絶縁性を発揮できない可能性があり、絶縁層の膜厚が厚すぎると、サスペンション用基板の低剛性化を図ることが困難だからである。
【０１６２】
上記シード層の材料としては、絶縁層と金属めっき層との密着性を向上できるものであれば特に限定されるものではないが、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ｃｒ及びその合金等を挙げることができる。また、上記シード層は、スパッタリング法により形成された層であることが好ましい。上記シード層の膜厚は、所望の密着性を得ることができれば特に限定されるものではないが、通常１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内である。
【０１６３】
上記金属めっき層の材料としては、導電性が良好であるものであれば特に限定されるものではないが、例えば銅（Ｃｕ）を挙げることができる。上記金属めっき層の膜厚としては、例えば６μｍ〜１８μｍの範囲内、中でも８μｍ〜１２μｍの範囲内が好ましい。金属めっき層の膜厚が薄すぎると、機械的強度が低下する可能性があり、金属めっき層の膜厚が厚すぎると、サスペンション用基板の低剛性化を図ることが困難だからである。
【０１６４】
上記金属めっき層は、一般的なめっき法により形成可能である。中でも本発明においては、上記金属めっき層が電解めっき法により形成されたものであることが好ましい。精度良く金属めっき層を形成することができるからである。本発明においては、金属めっき層の最大膜厚部および最小膜厚部の差が、例えば２μｍ以下、中でも１．６μｍ以下が好ましい。
【０１６５】
なお、本発明は、金属めっき層のエッチングを行うことにより配線パターン層を形成するサブトラクティブ法と呼ばれる方法により配線パターン層を形成する。これに対して、アディティブ法により配線パターン層を形成する方法が知られており、具体的には、絶縁層上に所定のレジストパターンを形成し、レジストパターンが形成されていない絶縁層の表面に、電解めっき法等により配線パターン層を形成する方法である。ところで、上記のアディティブ法により配線パターン層を形成する場合は、レジストパターンの粗密により、電場が不均一になり、配線パターン層の膜厚のバラつきが大きくなってしまうという問題があった。これに対して、本発明のように、サブトラクティブ法により配線パターン層を形成する場合は、配線パターン層の膜厚が、原材料である積層体の金属めっき層の膜厚により規定されるため、膜厚のバラつきが小さいという利点を有する。
【０１６６】
本発明に用いられる積層体の形成方法としては、上記の積層体を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、金属基板としてのＳＵＳの表面上に、ポリイミド前駆体含有塗工液を塗布し熱処理することによりポリイミドからなる絶縁層を形成し、次に、スパッタリング法によりシード層を形成し、最後に、電解めっき法によりＣｕめっきからなる金属めっき層を形成する方法等を挙げることができる。
【０１６７】
２．第一のメタルエッチング工程
次に、本発明における第一のメタルエッチング工程について説明する。本発明における第一のメタルエッチング工程は、上記金属基板の表面および上記金属めっき層の表面に、パターン状のレジストを形成し、エッチングを行うことにより、上記金属基板に治具孔を形成し、かつ、上記金属めっき層に配線パターン層を形成する工程である。
【０１６８】
具体的には、上述した図４（ｂ）および図４（ｃ）に示すように、金属基板４１の表面および金属めっき層２４の表面に、パターン状のレジスト３１、３２を形成し、金属基板４１の表面に治具孔２１ａを形成し、金属めっき層２４を配線パターン層２４ａに加工する工程である。本発明においては、必要に応じて、フライングリード部を形成する抜き孔２１ｂを、治具孔２１ａと同時に形成しても良い。なお、フライングリード部のような両面接続を行わず、片面接続で良い場合は、抜き孔２１ｂを形成する必要はない。
【０１６９】
本発明においては、第一のメタルエッチング工程で、金属基板に治具孔や抜き孔等を形成するが、金属基板の大部分はエッチングしない。そのため、積層体の剛性を高く維持した状態で絶縁層のエッチング等を行うことができ、各工程間の搬送時に、加工途中の積層体が変形することを抑制することができる。本発明において、治具孔以外の金属基板の加工は、通常、後述する第二のメタルエッチング工程で行う。
【０１７０】
本発明においては、金属めっき層を配線パターン層に加工する際に、金属基板に治具孔を形成する。これにより、まず、治具孔と配線パターン層との相対的な位置関係を決定することができる。本発明において、「治具孔」とは、積層体を治具で固定するための孔をいい、この治具孔を基準として各種の位置合わせを行う。本発明においては、位置合わせの基準を治具孔に統一することにより、積層体の加工を精度良く行うことができる。治具孔の形状は、用いられる治具の形状により異なるものであるが、通常円形または長孔等である。治具孔の直径は、特に限定されるものではないが、例えば０．５ｍｍ〜３ｍｍの範囲内である。
【０１７１】
第一のメタルエッチング工程においては、金属基板に対して、少なくとも治具孔を形成し、必要に応じてフライングリード部の抜き孔を同時に形成する。一方、第一のメタルエッチング工程終了後の積層体の金属基板が、ある程度の剛性を維持していれば、搬送時に加工途中の積層体が変形することを防止することができる。金属基板の表面において、第一のメタルエッチング工程により加工される領域の面積をＳＡとし、全面積をＳＴとした場合に、ＳＡ／ＳＴは、例えば０．６以下、中でも０．０１〜０．５の範囲内であることが好ましい。
【０１７２】
一方、配線側では、金属めっき層をエッチングすることにより、配線パターン層を形成する。本発明に用いられる金属めっき層は、通常、従来の圧延銅等よりも膜厚が薄いため、微細な配線パターン層を形成することができる。配線パターンの幅としては、例えば１０μｍ以上、中でも１５μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。一方、隣接する配線パターンの間隔としては、例えば１０μｍ以上、中でも１５μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。
【０１７３】
本発明に用いられるレジストとしては、固体状のレジストであっても良く、液体状のレジストであっても良いが工程が増えるため、固体状のレジストであることが好ましい。具体的には、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を用いることが好ましい。微細な配線パターン層を得ることができるからである。
【０１７４】
金属基板の表面および金属めっき層の表面にパターン状のレジストを形成する方法は、特に限定されるものではなく、一般的な方法を用いることができる。具体的には、金属基板の表面および金属めっき層の表面に、それぞれレジストを配置し、所望のパターンに露光した後、現像する方法等を挙げることができる。
【０１７５】
金属基板および金属めっき層をエッチングする方法としては、例えばウェットエッチング等を挙げることができる。さらに、ウェットエッチングに用いられるエッチング液は、用いられる金属基板および金属めっき層の材料に応じて、適宜選択することが好ましい。例えば、金属基板がＳＵＳである場合は、塩化第二鉄系エッチング液を用いることができる。金属めっき層が銅めっき層である場合は、塩化第二鉄系エッチング液または塩化銅系エッチング液を用いることができる。本発明においては、パターン状のレジストを形成した後、金属基板および金属めっき層を別々にエッチングしても良いが、金属基板および金属めっき層を同時にエッチングすることが好ましい。工程数が少なくなるからである。
【０１７６】
３．カバー層形成工程
次に、本発明におけるカバー層形成工程について説明する。本発明におけるカバー層形成工程は、液状カバー材を用いて、上記配線パターン層の表面の一部が露出する配線パターン層露出開口部を有するカバー層を形成する工程である。
【０１７７】
具体的には、上述した図４（ｄ）に示すように、配線パターン層２４ａの表面の一部２４ｂが露出する配線パターン層露出開口部２５ａを有するカバー層２５を形成する工程である。配線パターン層露出開口部により露出する配線パターン層２４ａの表面には、後述する保護めっき部が形成される。
【０１７８】
本発明においては、絶縁層のエッチングを行う前に、カバー層を形成することにより、液状カバー材が治具孔等に流れ込むことを防止することができる。これにより、均一な膜厚を有するカバー層を形成することができる。ここで図７は、一般のカバー層形成工程を説明する説明図である。なお、便宜上シード層の記載は省略し、図４と重複する一部の符号についても説明を省略する。従来は、図７（ａ）に示すように、カバー層を形成する前に、既に絶縁層２２をエッチングしていたため、治具孔２１ｂが貫通している状態であった。そのため、液状カバー材を用いてカバー層を形成する際には、治具孔２１ｂの下に、流出防止材５１を配置する必要があり（図７（ｂ））、流出防止材５１を配置した場合であっても、液状カバー材２５´が治具孔２１ｂに流れ込む場合があった（図７（ｃ））。その結果、得られるカバー層２５の膜厚が不均一になり、カバー層２５に覆われていない配線パターン層２４ａの領域が発生する等の問題があった（図７（ｄ））。
また、上記治具孔または抜き孔が多く形成されている箇所の配線パターン層に形成されたカバー層の膜厚と、治具孔または抜き孔が形成されていない箇所に形成されたカバー層の膜厚の差が大きいものになるという問題がある。
上記の一般の方法で液状カバー層を形成した実験例では、乾燥後のカバー層の膜厚を測定したところ、平均して２．９μｍの膜厚の差が見られ不均一となった（サンプル数８）。
特に、膜厚を薄めの例えば２．８〜３．５μｍに形成した場合には、治具孔付近の配線層に形成されるカバー層は０．６〜１．５μｍとさらに薄くなってしまい、カバー層が覆われていない配線パターン層の領域が発生した。
また、カバー層を液状カバー材ではなく、ドライフィルムで形成した場合にも、先に絶縁層をエッチングしていたため、ドライフィルムが治具孔に落ち込んでしまい、治具孔付近の配線部に形成されるカバー層は、他の領域にくらべて膜厚が薄くなってしまう問題がある。
このドライフィルムを使って上記の一般の方法でカバー層を形成した実験例では、液状カバー材に比べて膜厚が厚いため、カバー層で覆われていない配線パターン層の領域は発生しなかったが、治具孔付近の配線パターン層のカバー層の膜厚と、治具孔から離れている配線部のカバー層の膜厚との差が、平均３．４μｍとなり不均一であった。
【０１７９】
これに対して、本発明においては、絶縁層のエッチングを行う前に、カバー層を形成することにより、液状カバー材の流れ込みを防止することができる。ここで図８は、本発明におけるカバー層形成工程を説明する説明図である。なお、便宜上シード層の記載は省略し、図４と重複する一部の符号についても説明を省略する。本発明においては、図８（ａ）に示すように、絶縁層２２をエッチングする前の段階で、カバー層を形成する。一般の方法と異なり、治具孔２１ｂは貫通していない状態である。そのため、液状カバー材２５´が治具孔２１ｂに流れ込むことはなく（図８（ｂ））、均一な膜厚のカバー層２５を得ることができ、カバー層２５に覆われていない配線パターン層２４ａの領域が発生することを防止することができる（図８（ｃ））。そして、カバー層２５を形成した後に、絶縁層２２のエッチングを行う（図８（ｄ））。
【０１８０】
本発明に用いられる液状カバー材は、少なくともカバー層形成用樹脂を含有する。さらに、必要に応じて、カバー層形成用樹脂を溶解させる溶媒を含有していても良い。カバー層形成用樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ系樹脂等を挙げることができる。また、カバー層形成用樹脂は、感光性樹脂であっても良く、非感光性樹脂であっても良いが、中でも非感光性樹脂が好ましい。この場合は、膜厚の薄いカバー層を形成することができる。
【０１８１】
上記液状カバー材は、粘度が低いものであることが好ましい。この場合は、膜厚の薄いカバー層を得ることができる。液状カバー材の粘度としては、例えば、常温で５００ｃＰ〜５０００ｃＰの範囲内、中でも５００ｃＰ〜１０００ｃＰの範囲内であることが好ましい。
配線パターン層上に形成されるカバー層の膜厚としては、特に限定されるものではないが、例えば３μｍ〜２０μｍの範囲内、中でも５μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。
本発明の、液状カバー材を用いてカバー層を形成した後に、絶縁層のエッチングを行なった実験例では、乾燥後の配線パターン層に設けられたカバー層の膜厚を厚めに形成した場合、治具孔付近の配線パターン部で平均６．４μｍ、治具孔付近以外の配線パターン部では平均６．７μｍとなり、膜厚の差は０．３μｍで均一な膜厚を精度良く形成することができた（サンプル数８個）。
また、カバー層の膜厚を薄めに形成した場合では、治具孔２１ｂ（図８参照）付近の配線パターン部で平均３．６μｍ、治具孔付近以外の配線パターン部では平均３．８μｍとなり、膜厚の差は０．２μｍで均一な膜厚を精度良く形成することができた（サンプル数８個）。
このことから、本発明においては、配線上のカバー層の最大膜厚部と最小膜厚部の差が、例えば１．３μｍ以下、中でも１．０μｍ以下が好ましい。
ここで治具孔２１ｂ付近の配線パターン部とは、必ずしも治具孔のみに限定されるものではなく、抜き孔や配線パターン層の形成される絶縁層がエッチングされている部分でも良い。また、治具孔付近以外の配線パターン部とは、配線パターン部の絶縁層がエッチングされていない部分でも良い。
本発明ではカバー層の膜厚を、配線パターン部の領域全体にわたって精度良く均一に形成することができる。従来の方法では形成されるカバー層の膜厚にばらつきが大きいため、薄く形成することができなかったが、本発明では薄い膜厚を精度良く形成することができる。
本発明では膜厚を薄くすることで、材料を減らすことができ、サスペンション用基材の製造コストを抑えることができる。また、本発明のサスペンション基材にスライダを搭載した磁気ヘッドサスペンションを軽量化することができるため、サスペンションを駆動させる慣性力が小さくなり、省電力のＨＤＤ装置を提供することが可能となる。
【０１８２】
カバー層を形成する方法としては、液状カバー材を用いる方法であれば特に限定されるものではない。例えば、液状カバー材が感光性樹脂を含有する場合は、配線パターン層を覆うように液状カバー材を塗布し、乾燥させ、露光現像する方法等を挙げることができる。一方、液状カバー材が非感光性樹脂を含有する場合は、以下の方法を採用することができる。すなわち、まず配線パターン層を覆うように液状カバー材を塗布し、乾燥させることにより非感光性樹脂層を形成する。次に、その非感光性樹脂層の上に、感光性樹脂層を形成し、その感光性樹脂層をパターン状に露光する。次に、露光された感光性樹脂層の現像と同時に、非感光性樹脂層のエッチングを行い、最後に、感光性樹脂層を剥離する。この方法により、膜厚の薄いカバー層を得ることができる。
【０１８３】
４．絶縁層エッチング工程
次に、本発明における絶縁層エッチング工程について説明する。本発明における絶縁層エッチング工程は、上記カバー層を形成した後に、上記絶縁層のエッチングを行う工程である。
【０１８４】
具体的には、上述した図４（ｅ）および図４（ｆ）に示すように、積層体３０の両面に、ポリイミドエッチング用のパターン状のレジスト３３、３４を形成し、エッチング液を用いて絶縁層２２をエッチングする工程である。本工程により、初めて治具孔２１ａが貫通する。また、必要に応じて、同時にフライングリード部の抜き孔２１ｂを形成しても良い。
【０１８５】
なお、本発明において、絶縁層エッチング工程と、後述する保護めっき部形成工程とは、どちらの工程を先に行っても良いが、例えば、両面で接続可能なフライングリード部を有するサスペンション用基板を形成する時には、通常、最初に絶縁層エッチング工程を行い、次に保護めっき部形成工程を行う。フライングリード部の抜き孔を形成する必要があるからである。一方、フライングリード部のような両面接続を行わず、片面接続で良い場合は、絶縁層エッチング工程および保護めっき部形成工程は、どちらの工程を先に行っても良い。
【０１８６】
本発明において、絶縁層のエッチングパターンは、目的とするサスペンション用基板の形状等に応じて、適宜設定することが好ましい。また、絶縁層をエッチングする方法としては、上述したように、エッチングしない領域にパターン状のレジストを形成し、その後、所定のエッチング液で絶縁層をエッチングする方法等を挙げることができる。本発明においては、ドライフィルムレジストを用いることが好ましい。また、プラズマエッチング等により、絶縁層のエッチングを行っても良い。
【０１８７】
５．保護めっき部形成工程
次に、本発明における保護めっき部形成工程について説明する。本発明における保護めっき部形成工程は、上記配線パターン層露出開口部により露出する配線パターン層の表面に、保護めっき部を形成する工程である。
【０１８８】
具体的には、上述した図５（ｇ）に示すように、カバー層形成工程により形成された配線パターン層露出開口部２５ａから露出する配線パターン層２４ａの一部２４ｂの表面に、保護めっき部２６を形成する工程である。
【０１８９】
本発明においては、まずカバー層を形成し、そのカバー層の配線パターン層露出開口部から露出する配線パターン層の表面のみに保護めっき部を形成することで、低剛性のサスペンション用基板を得ることができる。一般に、カバー層を形成する前に保護めっき部を形成しており、例えば図９（ａ）に示すように、配線パターン層２４ａの表面および側面に保護めっき部２６が形成されていた。そのため、サスペンション用基板の低剛性化を充分に図ることができないという問題があった。
【０１９０】
これに対して、本発明においては、保護めっき部を形成する前にカバー層を形成することにより、例えば図９（ｂ）に示すように、配線パターン層２４ａの表面の必要な部分のみに保護めっき部２６を形成することができ、サスペンション用基板の低剛性化を充分に図ることができる。なお、図９において、図４と重複する一部の符号については説明を省略する。
【０１９１】
本発明に用いられる保護めっき部の材料としては、配線パターン層等の腐食を防止することができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等を挙げることができ、中でも金（Ａｕ）が好ましい。耐腐食性に優れているからである。
【０１９２】
上記保護めっき部の膜厚は、例えば５μｍ以下、中でも１μｍ〜２μｍの範囲内であることが好ましい。上記範囲であることにより、配線パターン層の腐食等を効果的に防止できるからである。
また、上記保護めっき部は、一般的なめっき法により形成可能である。中でも本発明においては、上記保護めっき部が電解めっき法により形成されたものであることが好ましい。精度良く保護めっき部を形成することができるからである。
【０１９３】
６．第二のメタルエッチング工程
次に、本発明における第二のメタルエッチング工程について説明する。本発明における第二のメタルエッチング工程は、上記絶縁層エッチング工程および上記保護めっき部形成工程の後に、上記金属基板の外形加工を行う工程である。
【０１９４】
具体的には、上述した図５（ｈ）および図５（ｉ）に示すように、積層体３０の両面にメタルエッチング用のパターン状のレジスト３５、３６を形成し、エッチング液を用いて金属基板４１の外形加工を行う工程である。
【０１９５】
本発明においては、第一のメタルエッチング工程で、金属基板に治具孔や抜き孔等を形成するが、金属基板の大部分はエッチングされない。そのため、積層体の剛性を高く維持した状態で絶縁層のエッチング等を行うことができ、搬送時に、加工途中の積層体が変形することを抑制することができる。その後、絶縁層等のエッチング等が終わった後に、加工されていない金属基板を所定の形状に合わせてエッチングすることにより、低剛性のサスペンション用基板を歩留まり良く製造することができる。
【０１９６】
なお、金属基板をエッチングする方法、および用いられるエッチング液の種類等については、上記「１．第一のメタルエッチング工程」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１９７】
７．半田バンプ部形成工程
本発明においては、第二のメタルエッチング工程の後に、端子部の保護めっき部上に、半田バンプ部を形成する半田バンプ部形成工程を行っても良い。半田バンプ部形成工程は、上述した図５（Ｊ）に示すように、端子部Ａの保護めっき部２６の表面に、半田バンプ部２７を形成する工程である。
【０１９８】
上記半田バンプ部を形成するために用いられるはんだは、鉛含有はんだと、鉛フリーはんだとに大別することができる。中でも、本発明においては、鉛フリーはんだを用いることが好ましい。環境への負荷を低減できるからである。上記鉛フリーはんだとしては、具体的には、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｂｉ系、およびＳｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ｓｂ系のはんだ等を挙げることができる。
【０１９９】
上記半田バンプ部を形成する方法としては、所望の半田バンプ部を形成できる方法であえば特に限定されるものではないが、例えばスクリーン印刷法、ディスペンス法、インクジェット法等を挙げることができ、中でもスクリーン印刷法が好ましい。
【０２００】
８．その他
上記「３．カバー層形成工程」に記載したように、本発明においては、絶縁層のエッチングを行う前に、カバー層を形成することにより、液状カバー材が治具孔に流れ込むことを防止することができる。この観点から、本発明においては、積層体準備工程と、第一のメタルエッチング工程と、カバー層形成工程と、絶縁層エッチング工程と、第二のメタルエッチング工程とを有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供することができる。各工程については、上述した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
本発明においては、上記カバー層形成工程に替えて、カバー層形成用ドライフィルムを用いてカバー層を形成するドライカバー層形成工程を行なっても良い。絶縁層のエッチングを行なう前にカバー層を形成することにより、カバー層形成用ドライフィルムを上記配線パターン層上に積層する際に、上記カバー層形成用ドライフィルムが治具孔等に流れこむことを防止することができるからである。これにより、均一な膜厚を有するカバー層を形成することができるからである。さらに、上記サスペンション用基板内におけるカバー層の膜厚を均一なものとすることができるからである。
上記ドライカバー層形成工程において、カバー層を形成する方法としては、カバー層形成用ドライフィルムを用いる方法であれば良い。具体的には、上記カバー層形成用ドライフィルムを、上記配線パターン層表面を覆うように配置した後、加熱圧着することにより積層する。次いで、積層されたカバー層形成用ドライフィルムを、露光および現像する方法を挙げることができる。
ここで、露光および現像する方法としては、上記「３．カバー層形成工程」の項に記載した内容と同様とすることができる。また、上記カバー層形成用ドライフィルムとしては、サスペンション用基板の製造に一般的に用いられるものを使用することができる。
また、本発明においては、必要に応じて、上記絶縁層エッチング工程に替えて、上記カバー層の形成前に実施するカバー層形成前絶縁層エッチング工程を行なうものであっても良い。
【０２０１】
また、上記「５．保護めっき部形成工程」に記載したように、本発明においては、まずカバー層を形成し、そのカバー層の配線パターン層露出開口部から露出する配線パターン層の表面のみに保護めっき部を形成することで、低剛性のサスペンション用基板を得ることができる。この観点から、本発明においては、積層体準備工程と、第一のメタルエッチング工程と、カバー層形成工程と、保護めっき部形成工程と、第二のメタルエッチング工程とを有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供することができる。各工程については、上述した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２０２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例２】
【０２０３】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
［実施例１］
厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４（金属基板）上に、厚さ１０μｍのポリイミド（絶縁層）を塗工方法にて形成し、更にその絶縁層上にシード層となるＮｉ−Ｃｒ−Ｃｕをスパッタ工法で約３００ｎｍコーティングし、それを導通層としＣｕめっきにて厚さ９μｍのＣｕめっき層（金属めっき層）を形成し、４層の積層体を得た（図４（ａ）参照）。この４層の積層体を用いて、低剛性で微細配線を有するサスペンション用基板を作製した。
【０２０４】
まず、ＳＵＳ側で位置精度が重要な治具孔と、Ｃｕめっき層側で目的とする配線パターン層とを形成できるように、ドライフィルムを用いて同時にパターニングし、パターン状のレジストを得た。その後、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った（第一のメタルエッチング工程、図４（ｂ）、（ｃ）参照）。ここでは、ドライフィルムを同時にパターニングすることで、ＳＵＳ側および配線パターン層側の両面の位置精度を向上させることができる。なお、配線パターン層に形成された銅配線の幅は２０μｍであり、銅配線の間隔は２０μｍであった。配線の微細化の実現は、配線パターン層にアンカー形状が無いこと、および高感度なＤＦＲレジストを用いたことが大きく寄与していると考えられる。
【０２０５】
次に、非感光性ポリイミド系の液状カバー材をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時に液カバー材をエッチングし、その後、硬化させ、カバー層を得た（図４（ｄ）参照）。硬化後のカバー層の膜厚は、配線上で５μｍであった。このようなカバー層を形成することにより、反りの制御および低剛性化を図り、且つ配線パターン層の保護を図ることができる。
【０２０６】
次に、厚さ１０μｍのポリイミド（絶縁層）をレジスト製版し、有機アルカリエッチング液を用いてエッチングし、パターン状の絶縁層を得た（図４（ｅ）、（ｆ）参照）。その後、露出する配線パターン層に対して、厚さ２μｍのＡｕめっきを行い、保護めっき部を形成した（図５（ｇ）参照）。本発明においては、先に配線カバーを実施しており、カバー層で被覆されていない部位のみにＡｕめっきができ、低剛性化とＡｕ量の削減に大きな効果を得ることができる。
【０２０７】
次に、ＳＵＳの外形加工を行うため、上述した第一のメタルエッチング工程と同様の手法により、レジスト製版を行い、ＳＵＳ側のみエッチングを行った（第二のメタルエッチング工程、図５（ｈ）、（ｉ）参照）。最後に、第二のメタルエッチング工程の後に、鉛フリーの半田ペーストを用いてスクリーン印刷にて半田バンプを形成した（図５（ｊ））。こうして得られたサスペンション用基板は、従来製品に比べ、低剛性で且つ微細配線を有するものであった。
【図面の簡単な説明】
【０２０８】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるサスペンション用基板の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を説明する工程図である。
【図３】本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を説明する工程図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態によるサスペンション用基板の製造方法の一例を説明する説明図である。
【図５】本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を説明する説明図である。
【図６】積層体の層構成を説明する概略断面図である。
【図７】一般のカバー層形成工程を説明する説明図である。
【図８】本発明におけるカバー層形成工程を説明する説明図である。
【図９】保護めっき部を説明する説明図である。
【図１０】磁気ヘッドサスペンションとハードディスクドライブを示す図である。
【符号の説明】
【０２０９】
１  金属基板
２  絶縁層
３  配線層
４  カバー層
５  保護めっき層
６  低剛性化領域
１１  フォトレジスト層
１１Ａ  積層体
２１  金属基板
２２  絶縁層
２４  金属めっき層
２４ａ  配線パターン層
２５  カバー層
３０  積層体
３３  レジスト
３４  レジスト
３５  レジスト
３６  レジスト
【図１】
2008310946.tif 000016
【図２】
2008310946.tif 000017
【図３】
2008310946.tif 000018
【図４】
2008310946.tif 000019
【図５】
2008310946.tif 000020
【図６】
2008310946.tif 000021
【図７】
2008310946.tif 000022
【図８】
2008310946.tif 000023
【図９】
2008310946.tif 000024
【図１０】
2008310946.tif 000025