(57)【要約】【課題】バインダー樹脂が不要で、簡単な方法で製造することができ、高い記録密度と耐剥離性とを兼ね備えた磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。【解決手段】第１の反応性基を有する第１の膜化合物で表面が覆われた磁性微粒子２１と、第１の反応性基と反応して結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤１２とを含む混合物を基体３１の表面に塗布し、第１の反応性基と架橋反応基との架橋反応により硬化され磁気記録層が形成された磁気記録媒体１０を得る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の反応性基を有する第1の膜化合物の形成する被膜で表面が被覆された磁性微粒子と、前記第1の反応性基と反応して共有結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤とを含む混合物が、前記架橋反応基と反応して共有結合を形成する第２の反応性基を有する第２の膜化合物の形成する被膜で表面が被覆された基体の表面に積層され、前記磁性微粒子は、前記第1の反応性基と前記架橋反応基との反応、および前記第２の反応性基と前記架橋反応基との反応により形成された共有結合を介して固定され磁気記録層を形成していることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載の磁気記録媒体において、前記第1および第２の膜化合物が同一の化合物であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１および２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記第1および第２の膜化合物の形成する被膜が単分子膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記第1の反応性基と前記架橋反応基との反応、および前記第２の反応性基と前記架橋反応基との反応により形成された共有結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体において、前記第1の反応性基と前記架橋反応基との反応、および前記第２の反応性基と前記架橋反応基との反応により形成された共有結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
第１の反応性基および第１の結合基を分子の両端にそれぞれ有する第１の膜化合物を磁性微粒子と接触させ、前記第１の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第１の膜化合物の形成する被膜で表面が被覆された反応性微粒子を製造する工程Ａと、
前記反応性磁性微粒子、前記第１の反応性基と反応して結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤、および溶媒とを混合して塗布剤を製造する工程Ｂと、
基体に、第２の結合基および前記架橋反応基と反応して結合を形成する第２の反応性基を分子の両端にそれぞれ有する第２の膜化合物を接触させ、前記第２の結合基と前記基体の表面との間で結合を形成させ、前記第２の膜化合物で表面が被覆された反応性基体を製造する工程Ｃと、
前記反応性基体の表面に前記塗布剤の塗膜を形成する工程Ｄと、
前記第1の反応性基と前記架橋反応基との反応、および前記第２の反応性基と前記架橋反応基との反応により形成された共有結合を介して前記塗膜を硬化させる工程Ｅとを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｅを磁場中で行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
請求項６および７のいずれか1項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物が同一の化合物であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか1項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第1および第２の膜化合物の形成する被膜が単分子膜であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれか1項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１の反応性基と前記架橋反応基、および前記第２の反応性基と前記架橋反応基との反応により形成された共有結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項６〜９のいずれか1項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１の反応性基と前記架橋反応基、および前記第２の反応性基と前記架橋反応基との反応により形成された共有結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項６〜１１のいずれか1項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の結合基はアルコキシシリル基であり、前記工程ＡおよびＣは、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物の存在下で行われることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
請求項６〜１２のいずれか1項に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の結合基はアルコキシシリル基であり、前記工程ＡおよびＣは、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物の存在下で行われることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布型磁気記録媒体に関するものである。さらに詳しくは、第１の反応性を有する有機膜で覆われた磁性微粒子と架橋剤を混合反応させて形成された磁気記録層が媒体基体表面に形成された第２の反応性を有する有機膜を介して媒体基体と共有結合している媒体基体密着性に優れた塗布型磁気記録媒体とその製造方法に関するものである。
【０００２】
本発明において、「磁性微粒子」には、磁性金属微粒子や磁性合金微粒子、磁性金属酸化物微粒子が含まれている。また、本発明の磁気記録媒体には、光磁気記録媒体も含まれている。
【背景技術】
【０００３】
従来から、テープやディスク等の基体の表面に、磁気記録層としてバインダー樹脂中に分散した磁性金属微粒子や磁性金属酸化物微粒子を塗布硬化させた磁気記録媒体や、基体の表面に磁性金属あるいは磁性金属酸化物を蒸着した磁気記録媒体（例えば、特許文献１参照）が市販されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３１２３２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、塗布型の磁気記録媒体は、製造コストは低いという長所を有するものの、バインダー樹脂を必要とするため高密度記録が難しい。一方、蒸着型の磁気記録媒体は、バインダーを必要としないため記録の高密度化が比較的容易に達成できるものの、大型の真空設備を要するため製造コストが高いという欠点があった。また、いずれの方法も、磁気記録層と基体との接着強度が十分でなく、耐剥離性に乏しいという欠点があった。
【０００６】
バインダー樹脂を用いずに、磁性微粒子を基体の表面に塗布することにより磁気記録層を形成できる磁気記録媒体を製造する方法があれば、コストダウンと記録の高密度化とを両立できる。さらに、基体と磁気記録層との間に結合を形成することができれば、磁気記録層の耐剥離性も向上できるが、バインダー樹脂を用いず基体の表面に磁性金属微粒子や磁性金属酸化物微粒子を塗布硬化することにより製造でき、基体と磁気記録層との接着性に優れた磁気記録媒体およびその製造方法は未だ開発されていなかった。
【０００７】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、バインダー樹脂が不要で、簡単な方法で製造することができ、高い記録密度と耐剥離性とを兼ね備えた磁気記録媒体およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的に沿う第１の発明に係る磁気記録媒体は、第１の反応性基を有する第1の膜化合物の形成する被膜で表面が被覆された磁性微粒子と、前記第1の反応性基と反応して共有結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤とを含む混合物が、前記架橋反応基と反応して共有結合を形成する第２の反応性基を有する第２の膜化合物の形成する被膜で表面が被覆された基体の表面に積層され、前記磁性微粒子は、前記第1の反応性基と前記架橋反応基との反応、および前記第２の反応性基と前記架橋反応基との反応により形成された共有結合を介して固定され磁気記録層を形成している。
【０００９】
第１の発明に係る磁気記録媒体において、前記第1および第２の膜化合物が同一の化合物であることが好ましい。
【００１０】
第１の発明に係る磁気記録媒体において、前記第1および第２の膜化合物の形成する被膜が単分子膜であることが好ましい。
【００１１】
第１の発明に係る磁気記録媒体において、前記第1の反応性基と前記架橋反応基との反応、および前記第２の反応性基と前記架橋反応基との反応により形成された共有結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。
【００１２】
第１の発明に係る磁気記録媒体において、前記第1の反応性基と前記架橋反応基との反応、および前記第２の反応性基と前記架橋反応基との反応により形成された共有結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であってもよい。
【００１３】
第２の発明に係る磁気記録媒体の製造方法は、第１の反応性基および第１の結合基を分子の両端にそれぞれ有する第１の膜化合物を磁性微粒子と接触させ、前記第１の結合基と前記磁性微粒子の表面との間で結合を形成させ、前記第１の膜化合物の形成する被膜で表面が被覆された反応性微粒子を製造する工程Ａと、前記反応性磁性微粒子、前記第１の反応性基と反応して結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤、および溶媒とを混合して塗布剤を製造する工程Ｂと、基体に、第２の結合基および前記架橋反応基と反応して結合を形成する第２の反応性基を分子の両端にそれぞれ有する第２の膜化合物を接触させ、前記第２の結合基と前記基体の表面との間で結合を形成させ、前記第２の膜化合物で表面が被覆された反応性基体を製造する工程Ｃと、前記反応性基体の表面に前記塗布剤の塗膜を形成する工程Ｄと、前記第1の反応性基と前記架橋反応基との反応、および前記第２の反応性基と前記架橋反応基との反応により形成された共有結合を介して前記塗膜を硬化させる工程Ｅとを有する。
【００１４】
第２の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記工程Ｅを磁場中で行うことが好ましい。
【００１５】
第２の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の膜化合物が同一の化合物であることが好ましい。
【００１６】
第２の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第1および第２の膜化合物の形成する被膜が単分子膜であることが好ましい。
【００１７】
第２の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１の反応性基と前記架橋反応基、および前記第２の反応性基と前記架橋反応基との反応により形成された共有結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されたＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であってもよい。
【００１８】
第２の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１の反応性基と前記架橋反応基、および前記第２の反応性基と前記架橋反応基との反応により形成された共有結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であってもよい。
【００１９】
第２の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の結合基はアルコキシシリル基であり、前記工程ＡおよびＣは、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物の存在下で行われてもよい。
【００２０】
第２の発明に係る磁気記録媒体の製造方法において、前記第１および第２の結合基はアルコキシシリル基であり、前記工程ＡおよびＣは、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、およびアミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物の存在下で行われてもよい。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１〜５記載の磁気記録媒体、および請求項６〜１３記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１の反応性基を有する第１の膜化合物で表面が覆われた磁性微粒子と、第１の反応性基と反応して結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤とを含む塗布剤を基体の表面に塗布し、第１の反応性基と架橋反応基との架橋反応により塗布剤の塗膜を硬化させる。そのため、基体と磁気記録層が一体となり、耐剥離性能が高く、かつ磁気記録特性が蒸着型磁気記録媒体並みの高密度磁気記録媒体を、低コストな塗布法を用いて製造できる磁気記録媒体およびその製造方法を提供できる。
【００２２】
請求項２記載の磁気記録媒体および請求項８記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１および第２の膜化合物が同一の化合物であるので、製造コストを低減できる。
【００２３】
請求項３記載の磁気記録媒体および請求項９記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１および第２の膜化合物の形成する被膜が単分子膜であるので、バインダー相当成分を最少にできて、磁気記録特性を向上できる。
【００２４】
請求項４記載の磁気記録媒体および請求項１０記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１の反応性基と架橋反応基との架橋反応により形成される結合が、アミノ基またはイミノ基とエポキシ基との反応により形成されるＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００２５】
請求項５記載の磁気記録媒体および請求項１１記載の磁気記録媒体の製造方法においては、第１の反応性基と架橋反応基との架橋反応により形成された結合が、アミノ基またはイミノ基とイソシアネート基との反応により形成されたＮＨ−ＣＯＮＨ結合であるので、加熱により強固な結合を形成できる。
【００２６】
請求項７記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程Ｅを磁場中で行うので、磁気記録層の磁気異方性が増大し、磁気記録特性を向上できる。
【００２７】
請求項１２記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程ＡおよびＣが、アルコキシシリル基とヒドロキシル基との縮合反応を触媒する、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物の存在下で行われるので、工程ＡおよびＣに要する時間を短縮し、磁気記録媒体の製造をより高効率に行うことができる。
【００２８】
請求項１３記載の磁気記録媒体の製造方法においては、工程ＡおよびＣが、アルコキシシリル基とヒドロキシル基との縮合反応を触媒する、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物からからなる群より選択される１または２以上の存在下で行われるので、工程ＡおよびＣに要する時間を短縮し、磁気記録媒体の製造をより高効率に行うことができる。
特に、これらの化合物と上述のカルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、およびチタン酸エステルキレートからなる群から選択される１または２以上の化合物の両者がともに存在する場合には、これらの化合物は助触媒として作用するため、工程ＡおよびＣに要する時間をさらに短縮できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図面を参照しながら本発明の一実施の形態に係るハードディスクドライブ用プラッタ（磁気記録媒体の一例）について説明する。
図１に示すように、本発明の一実施の形態に係るハードディスクドライブ用プラッタ１０は、マグネタイト微粒子（磁性微粒子の一例）２１の表面がエポキシ基（第１の反応性基の一例）を有する膜化合物（第１の膜化合物）の単分子膜２３で被覆されたエポキシ化マグネタイト微粒子（反応性微粒子の一例）１１と、エポキシ基と反応して結合を形成するイミノ基およびアミノ基（架橋反応基の一例）を有する架橋剤の一例である２−メチルイミダゾール１２とを含む混合物からなる塗布剤を、エポキシ基（第２の反応性基の一例）を有する膜化合物（第２の膜化合物）の単分子膜３３で覆われたアルミニウム基体（基体の一例）３１であるエポキシ化アルミニウム基体（反応性基体の一例）１３の表面に塗布し、得られた塗布剤の塗膜１４（図３参照）を、エポキシ基と架橋反応基との架橋反応により硬化することにより得られる。
【００３０】
ハードディスクドライブ用プラッタ１０の製造方法は、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、エポキシ基を有する膜化合物をマグネタイト微粒子２１と接触させ、エポキシ化マグネタイト微粒子１１を製造する工程Ａと、アルミニウム基体３１にエポキシ基を有する膜化合物を接触させ、エポキシ化アルミニウム基体１３を製造する工程Ｂと、エポキシ化マグネタイト微粒子１１、２−メチルイミダゾール１２、および溶媒とを混合してペースト状の塗布剤を製造する工程Ｃと、エポキシ化アルミニウム基体１３の表面に塗布剤を塗布し、図３に示すような塗膜１４を形成する工程Ｄと、エポキシ基と架橋反応基との架橋反応により塗膜１４を硬化させ、ハードディスクドライブ用プラッタ１０を製造する工程Ｅとを含んでいる。
【００３１】
以下、工程Ａ〜Ｅについてより詳細に説明する。
工程Ａでは、エポキシ基を有する膜化合物をマグネタイト微粒子２１と接触させ、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜で表面が覆われたエポキシ化マグネタイト微粒子１１を製造する。
【００３２】
用いることのできるマグネタイト微粒子２１の粒径に特に制限はないが、１０ｎｍ〜１μｍの範囲内であることが好ましい。マグネタイト微粒子２１の粒径が１０ｎｍ未満である場合には、膜化合物の分子サイズの影響が無視できなくなり、粒径が１μｍを上回る場合には、形成される磁気記録層の厚さに対してマグネタイト微粒子２１の直径が大きくなり過ぎるため、空隙率が増大して磁気記録特性が悪化する。
【００３３】
エポキシ基を有する膜化合物としては、マグネタイト微粒子２１の表面に吸着または結合し、自己組織化により単分子膜を形成することのできる任意の化合物を用いることができるが、直鎖状アルキレン基の一方の末端にエポキシ基（オキシラン環）を含む官能基を、他方の末端にアルコキシシリル基（第１の結合基の一例）をそれぞれ有し、下記の一般式（化１）で表されるアルコキシシラン化合物が好ましい。
【００３４】
【化１】
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【００３５】
上式において、Ｅはエポキシ基を有する官能基を、ｍは３〜２０の整数を、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基をそれぞれ表す。
用いることのできるエポキシ基を有する膜化合物の具体例としては、下記（１）〜（１２）に示したアルコキシシラン化合物が挙げられる。
【００３６】
(１)  （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)３Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(２)  （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)７Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(３)  （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)１１Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(４)  （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ(ＣＨ2)２Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(５)  （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ(ＣＨ2)４Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(６)  （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ(ＣＨ2)６Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(７)  （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)３Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(８)  （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)７Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(９)  （ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ2Ｏ(ＣＨ2)１１Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(１０)  （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ(ＣＨ2)２Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(１１)  （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ(ＣＨ2)４Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(１２)  （ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ(ＣＨ2)６Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
【００３７】
ここで、（ＣＨ２ＯＣＨ）ＣＨ２Ｏ−基は、化２で表される官能基（グリシジルオキシ基）を表し、（ＣＨ２ＣＨＯＣＨ（ＣＨ２）２）ＣＨ−基は、化３で表される官能基（３，４−エポキシシクロヘキシル基）を表す。
【００３８】
【化２】
2008276887.tif 000004
【００３９】
【化３】
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【００４０】
エポキシ化マグネタイト微粒子１１の製造は、エポキシ基を含むアルコキシシラン化合物と、アルコキシシリル基とマグネタイト微粒子２１の表面の水酸基２２との縮合反応を促進するための縮合触媒と、非水系の有機溶媒とを混合した反応液中にマグネタイト微粒子２１を分散させ、室温の空気中で反応させることにより行われる。
【００４１】
縮合触媒としては、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステルおよびチタン酸エステルキレート等の金属塩が利用可能である。
縮合触媒の添加量は、好ましくはアルコキシシラン化合物の０．２〜５質量％であり、より好ましくは０．５〜１質量％である。
【００４２】
カルボン酸金属塩の具体例としては、酢酸第１スズ、ジブチルスズジラウレート、ジブチルスズジオクテート、ジブチルスズジアセテート、ジオクチルスズジラウレート、ジオクチルスズジオクテート、ジオクチルスズジアセテート、ジオクタン酸第１スズ、ナフテン酸鉛、ナフテン酸コバルト、２−エチルヘキセン酸鉄が挙げられる。
【００４３】
カルボン酸エステル金属塩の具体例としては、ジオクチルスズビスオクチリチオグリコール酸エステル塩、ジオクチルスズマレイン酸エステル塩が挙げられる。
カルボン酸金属塩ポリマーの具体例としては、ジブチルスズマレイン酸塩ポリマー、ジメチルスズメルカプトプロピオン酸塩ポリマーが挙げられる。
カルボン酸金属塩キレートの具体例としては、ジブチルスズビスアセチルアセテート、ジオクチルスズビスアセチルラウレートが挙げられる。
【００４４】
チタン酸エステルの具体例としては、テトラブチルチタネート、テトラノニルチタネートが挙げられる。
チタン酸エステルキレート類の具体例としては、ビス（アセチルアセトニル）ジ−プロピルチタネートが挙げられる。
【００４５】
アルコキシシリル基とマグネタイト微粒子２１の表面の水酸基２２とが縮合反応を起こし、下記の化４で示されるような構造を有するエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜２３を生成する。なお、酸素原子から延びた３本の単結合はマグネタイト微粒子２１の表面または隣接するシラン化合物のケイ素（Ｓｉ）原子と結合しており、そのうち少なくとも１本はマグネタイト微粒子２１の表面のケイ素原子と結合している。
【００４６】
【化４】
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【００４７】
アルコキシシリル基は、水分の存在下で分解するので、反応は相対湿度４５％以下の空気中で行うことが好ましい。なお、縮合反応は、マグネタイト微粒子２１の表面に付着した油脂分や水分により阻害されるので、マグネタイト微粒子２１をよく洗浄して乾燥することにより、これらの不純物を予め除去しておくことが好ましい。
縮合触媒として上述の金属塩のいずれかを用いた場合、縮合反応の完了までに要する時間は２時間程度である。
【００４８】
上述の金属塩の代わりに、ケチミン化合物、有機酸、アルジミン化合物、エナミン化合物、オキサゾリジン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物からなる群より選択される１または２以上の化合物を縮合触媒として用いた場合、反応時間を１／２〜２／３程度まで短縮できる。
【００４９】
あるいは、これらの化合物を助触媒として、上述の金属塩と混合（質量比１：９〜９：１の範囲で使用可能だが、１：１前後が好ましい）して用いると、反応時間をさらに短縮できる。
【００５０】
例えば、縮合触媒として、ジブチルスズオキサイドの代わりにケチミン化合物であるジャパンエポキシレジン社のＨ３を用い、その他の条件は同一にしてエポキシ化マグネタイト微粒子１１の製造を行うと、エポキシ化マグネタイト微粒子１１の品質を損なうことなく反応時間を１時間程度にまで短縮できる。
【００５１】
さらに、縮合触媒として、ジャパンエポキシレジン社のＨ３とジブチルスズビスアセチルアセトネートとの混合物（混合比は１：１）を用い、その他の条件は同一にしてエポキシ化マグネタイト微粒子１１の製造を行うと、反応時間を２０分程度に短縮できる。
【００５２】
なお、ここで用いることができるケチミン化合物は特に限定されるものではないが、例えば、２，５，８−トリアザ−１，８−ノナジエン、３，１１−ジメチル−４，７，１０−トリアザ−３，１０−トリデカジエン、２，１０−ジメチル−３，６，９−トリアザ−２，９−ウンデカジエン、２，４，１２，１４−テトラメチル−５，８，１１−トリアザ−４，１１−ペンタデカジエン、２，４，１５，１７−テトラメチル−５，８，１１，１４−テトラアザ−４，１４−オクタデカジエン、２，４，２０，２２−テトラメチル−５，１２，１９−トリアザ−４，１９−トリエイコサジエン等が挙げられる。
【００５３】
また、用いることができる有機酸としても特に限定されるものではないが、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、マロン酸等が挙げられる。
【００５４】
反応液の製造には、有機塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、フッ化炭素系溶媒、シリコーン系溶媒、およびこれらの混合溶媒を用いることができる。アルコキシシラン化合物の加水分解を防止するために、乾燥剤または蒸留により使用する溶媒から水分を除去しておくことが好ましい。また、溶媒の沸点は５０〜２５０℃であることが好ましい。
【００５５】
具体的に使用可能な溶媒としては、非水系の石油ナフサ、ソルベントナフサ、石油エーテル、石油ベンジン、イソパラフィン、ノルマルパラフィン、デカリン、工業ガソリン、ノナン、デカン、灯油、ジメチルシリコーン、フェニルシリコーン、アルキル変性シリコーン、ポリエーテルシリコーン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。
さらに、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、あるいはそれらの混合物を用いることもできる。
【００５６】
また、用いることができるフッ化炭素系溶媒としては、フロン系溶媒、フロリナート（米国３Ｍ社製）、アフルード（旭硝子株式会社製）等がある。なお、これらは１種単独で用いても良いし、良く混ざるものなら２種以上を組み合わせてもよい。さらに、ジクロロメタン、クロロホルム等の有機塩素系溶媒を添加してもよい。
【００５７】
反応液におけるアルコキシシラン化合物の好ましい濃度は、０．５〜３質量％である。
【００５８】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った過剰なアルコキシシラン化合物および縮合触媒を除去すると、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜２３で表面が覆われたエポキシ化マグネタイト微粒子１１が得られる。このようにして製造されるエポキシ化マグネタイト微粒子１１の断面構造の模式図を図２（ｂ）に示す。
【００５９】
洗浄溶媒としては、アルコキシシラン化合物を溶解できる任意の溶媒を用いることができるが、安価であり、溶解性が高く、風乾により容易に除去することのできるジクロロメタン、クロロホルム、Ｎ−メチルピロリドン等が好ましい。
【００６０】
反応後、生成したエポキシ化マグネタイト微粒子１１を溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、エポキシ化マグネタイト微粒子１１の表面にポリシロキサンよりなる極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、エポキシ化マグネタイト微粒子１１の表面に共有結合により固定されていないが、エポキシ基を含んでいるため、エポキシ化マグネタイト微粒子１１に対してエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜２３と同様の反応性を有している。そのため、洗浄を行わなくても、工程Ｃ以降の製造工程に特に支障をきたすことはない。
【００６１】
なお、本実施の形態においては、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を用いたが、直鎖状アルキレン基の一方の末端にアミノ基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有し、下記の一般式（化５）で表されるアルコキシシラン化合物を用いてもよい。
【００６２】
【化５】
2008276887.tif 000007
【００６３】
上式において、ｍは３〜２０の整数を、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基をそれぞれ表す。
用いることのできるアミノ基を有する膜化合物の具体例としては、下記（２１）〜（２８）に示したアルコキシシラン化合物が挙げられる。
【００６４】
(２１)  Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)３Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(２２)  Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)５Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(２３)  Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)７Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(２４)  Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)９Ｓｉ(ＯＣＨ３)3
(２５)  Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)５Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(２６)  Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)５Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(２７)  Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)７Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
(２８)  Ｈ2Ｎ(ＣＨ2)９Ｓｉ(ＯＣ２Ｈ５)3
【００６５】
反応液において用いることのできる縮合触媒のうち、スズ（Ｓｎ）塩を含む化合物は、アミノ基と反応して沈殿を生成するため、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物に対しては縮合触媒として用いることができない。
したがって、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物を用いる場合には、カルボン酸スズ塩、カルボン酸エステルスズ塩、カルボン酸スズ塩ポリマー、カルボン酸スズ塩キレートを除き、エポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の場合と同様の化合物を単独でまたは２種類以上を混合して縮合触媒として用いることができる。
用いることのできる助触媒の種類およびそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、および助触媒の濃度、反応条件ならびに反応時間についてはエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の場合と同様であるので、説明を省略する。
【００６６】
また、本実施の形態においては、微粒子としてマグネタイト微粒子を用いたが、γ−Ｆｅ２Ｏ３、酸化クロム、Ｃｏ含有酸化鉄等の酸化物系磁性微粒子、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｐｔ合金等の他の金属系磁性微粒子を用いることもできる。また、磁気記録媒体として、光磁気ディスクを製造する場合には、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＦｅＣｏ等のカー効果を有する磁性微粒子を用いることもできる。
磁性微粒子の直径の好ましい範囲は、磁性微粒子の種類によって異なる場合がある。例えば、Ｆｅ−Ｐｔ合金の場合、微粒子の好ましい直径の下限値は５ｎｍ程度である。
【００６７】
マグネタイト微粒子以外の微粒子であっても、その表面に水酸基、アミノ基等の活性水素基を有する場合には、マグネタイトの場合と同様に、膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。
（以上工程Ａ）
【００６８】
工程Ｂでは、工程Ａにおいて用いたものと同様のエポキシ基を有する膜化合物をアルミニウム基体３１に接触させ、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜３３で表面が覆われたエポキシ化アルミニウム基体１３を製造する。
なお、アルミニウム基体３１の大きさ（直径）および厚さには特に制限はないが、製造されるハードディスクドライブのサイズに応じて適宜選択され、例えば、８インチ、５インチ、３．５インチ、２．５インチ、１．８インチ、１．３インチ、１インチ、０．８５インチのいずれかである。
【００６９】
エポキシ化アルミニウム基体１３の製造は、エポキシ基およびアルコキシシリル基（第２の結合基の一例）を含むアルコキシシラン化合物と、アルコキシシリル基とアルミニウム基体３１の表面の水酸基との縮合反応を促進するための縮合触媒と、非水系の有機溶媒とを混合した反応液をアルミニウム基体３１の表面に塗布し、室温の空気中で反応させることにより行われる。塗布は、ドクターブレード法、ディップコート法、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法等の任意の方法により行うことができる。
【００７０】
工程Ｂにおいて用いることのできるエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物の種類、縮合触媒、助触媒の種類およびそれらの組み合わせ、溶媒の種類、アルコキシシラン化合物、縮合触媒、および助触媒の濃度、反応条件ならびに反応時間については工程Ａと同様であるので、説明を省略する。
【００７１】
反応後、溶媒で洗浄し、未反応物として表面に残った過剰なアルコキシシラン化合物および縮合触媒を除去すると、エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜３３で表面が覆われたエポキシ化アルミニウム基体１３が得られる。
【００７２】
洗浄溶媒としては、工程Ａと同様の洗浄溶媒を用いることができる。
反応後、生成したエポキシ化アルミニウム基体１３を溶媒で洗浄せずに空気中に放置すると、表面に残ったアルコキシシラン化合物の一部が空気中の水分により加水分解を受け、生成したシラノール基がアルコキシシリル基と縮合反応を起こす。その結果、エポキシ化アルミニウム基体１３の表面にポリシロキサンよりなる極薄のポリマー膜が形成される。このポリマー膜は、エポキシ化アルミニウム基体１３の表面に共有結合により固定されていないが、エポキシ基を含んでいるため、エポキシ化アルミニウム基体１３に対してエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜３３と同様の反応性を有している。そのため、洗浄を行わなくても、工程Ｃ以降の製造工程に特に支障をきたすことはない。
【００７３】
なお、本実施の形態においてはエポキシ基を有するアルコキシシラン化合物を用いたが、工程Ａと同様、直鎖状アルキレン基の一方の末端にアミノ基を、他方の末端にアルコキシシリル基をそれぞれ有するアルコキシシラン化合物を用いてもよい。
また、本実施の形態においては工程Ａと同一のアルコキシシラン化合物を用いているが、異なるアルコキシシラン化合物を用いてもよい。ただし、工程Ｃにおいて用いる架橋剤の架橋反応基と反応して結合を形成する反応性基を有するものでなければならない。
【００７４】
本実施の形態においては、基体材料としてアルミニウムをとして用いたが、ガラス、ポリカーボネート等の合成樹脂を用いることもできる。
また、磁気記録媒体として、フレキシブルディスクや磁気テープを製造する場合には、ポリエチレンやポリエステル等の合成樹脂フィルムまたは紙等の材料を基体材料として用いることができる。
基体材料の表面に水酸基、アミノ基等の活性水素基を有する場合には、アルミニウムの場合と同様に、膜化合物としてアルコキシシラン化合物を用いることができる。この様な基体の具体例としては、ガラス、紙等が挙げられる。合成樹脂を用いる場合には、プラズマ処理等により活性水素基を有する化合物をグラフトする等の処理を行うことにより、アルコキシシラン化合物を用いることができる場合がある。
（以上工程Ｂ）
【００７５】
工程Ｃでは、エポキシ化マグネタイト微粒子１１、２−メチルイミダゾール１２、および溶媒とを混合してペースト状の塗布剤を製造する。
２−メチルイミダゾールはエポキシ基と反応するアミノ基およびイミノ基をそれぞれ１−位および３−位に有しており、下記の化６に示すような架橋反応により結合を形成する。
【００７６】
【化６】
2008276887.tif 000008
【００７７】
２−メチルイミダゾール１２の添加量は、エポキシ化マグネタイト微粒子１１の５〜１５重量％が好ましい。２−メチルイミダゾール１２の添加量がエポキシ化マグネタイト微粒子１１の５重量％未満だと、製造させるハードディスクドライブ用プラッタ１０の強度が低くなり、１５重量％を上回ると、塗布剤がゲル化を起こしやすくなる等ハンドリングが悪化する。塗布剤の製造には、２−メチルイミダゾール１２が可溶な任意の溶媒を用いることができるが、価格、室温での揮発性、および毒性等を考慮すると、イソプロピルアルコール、エタノール等の低級アルコール系溶媒が好ましい。
【００７８】
塗布剤の製造に用いる溶媒の量は、エポキシ化マグネタイト微粒子１１の粒径、製造するハードディスクドライブ用プラッタ１０の膜厚等によって適宜定められるため一義的に決定することは困難であるが、得られる塗布剤の粘度が５〜２０Ｐａ・ｓとなる程度の量が好ましく、より具体的にはエポキシ化マグネタイト微粒子１１および２−メチルイミダゾール１２の１０〜５０重量％である。具体的には、エポキシ化マグネタイト微粒子１１の表面を２−メチルイミダゾール１２の単分子被膜で被覆するために必要な量に設定すればよい。
エポキシ化マグネタイト微粒子１１、２−メチルイミダゾール１２、および溶媒の混合は、撹拌ばね、ハンドミキサー等の任意の手段により行うことができる。
【００７９】
本実施の形態においては、架橋剤として２−メチルイミダゾールを用いたが、下記化７で表される任意のイミダゾール誘導体を用いることができる。あるいは、イミダゾール−金属錯体を用いてもよい。
【００８０】
【化７】
2008276887.tif 000009
【００８１】
化７で表されるイミダゾール誘導体の具体例としては、下記（３１）〜（３８）に示すものが挙げられる。
（３１）  ２−メチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｍｅ、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３２）  ２−ウンデシルイミダゾール（Ｒ２＝Ｃ１１Ｈ２３、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３３）  ２−ペンタデシルイミダゾール（Ｒ２＝Ｃ１５Ｈ３１、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３４）  ２−メチル−４−エチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｍｅ、Ｒ４＝Ｅｔ、Ｒ５＝Ｈ）
（３５）  ２−フェニルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈ）
（３６）  ２−フェニル−４−エチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｅｔ、Ｒ５＝Ｈ）
（３７）  ２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｍｅ、Ｒ５＝ＣＨ２ＯＨ）
（３８）  ２−フェニル−４，５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール（Ｒ２＝Ｐｈ、Ｒ４＝Ｒ５＝ＣＨ２ＯＨ）
なお、Ｍｅ、Ｅｔ、およびＰｈは、それぞれメチル基、エチル基、およびフェニル基を表す。
【００８２】
また、エポキシ樹脂の硬化剤として用いられる無水フタル酸、無水マレイン酸等の酸無水物、ジシアンジアミド、ノボラック等のフェノール誘導体等の化合物を架橋剤として用いてもよい。この場合、架橋反応を促進するためにイミダゾール誘導体を触媒として用いてもよい。
【００８３】
なお、本実施の形態においては反応性基としてエポキシ基を有する膜化合物を用いた場合について説明しているが、反応性基としてアミノ基またはイミノ基を有する膜化合物を用いる場合には、架橋反応基として２もしくは３以上のエポキシ基または２もしくは３以上のイソシアネート基を有する架橋剤を用いる。イソシアネート基を有する化合物の具体例としては、ヘキサメチレン−１，６−ジイソシアネート、トルエン−２，６−ジイソシアネート、トルエン−２，４−ジイソシアネート等が挙げられる。
これらのジイソシアネート化合物の添加量は、２−メチルイミダゾールの場合と同様、エポキシ化マグネタイト微粒子の５〜１５重量％が好ましい。この場合、塗布剤の製造に用いることのできる溶媒としては、キシレン等の芳香族有機溶媒が挙げられる。
また、架橋剤としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル等の２または３以上のエポキシ基を有する化合物を用いることもできる。
（以上工程Ｃ）
【００８４】
工程Ｄでは、エポキシ化アルミニウム基体１３の表面に塗布剤を塗布し、図３に示すような塗膜１４を形成する。
塗布剤の塗布には、ドクターブレード法、スピンコート法、スプレー法等の任意の方法により行うことができる。
（以上工程Ｄ）
【００８５】
工程Ｅでは、塗膜１４を加熱し、エポキシ化マグネタイト微粒子１１およびエポキシ化アルミニウム基体１３上のエポキシ基と２−メチルイミダゾール１２との架橋反応により塗膜１４を硬化させ、ハードディスクドライブ用プラッタ１０を製造する。
加熱温度は、５０〜２００℃が好ましい。加熱温度が５０℃未満だと、架橋反応の進行に長時間を要し、２００℃を上回ると、被膜１４の表面で架橋反応が迅速に進行することにより、閉じ込められた溶媒が揮発しにくくなり均一な磁気記録層を有するハードディスクドライブ用プラッタ１０が得られない。
【００８６】
なお、本実施の形態においてはエポキシ化アルミニウム基体を用いたが、工程Ｂを省略して普通のアルミニウム基体を基体として用いてもよい。
また、フレキシブルディスクや磁気テープの製造の際には、基体の熱変形や燃焼を防止するため、加熱温度は、例えば、５０〜１００℃が好ましい。
【００８７】
工程Ｅにおいて、架橋反応により形成される結合は、共有結合、イオン結合、配位結合、および分子間力による結合のいずれであってもよいが、形成されるハードディスクドライブ用プラッタ１０の強度および塗布剤や塗膜１４の形成の容易さ等を考慮すると、塗膜１４の形成後に、加熱または光等のエネルギー線の照射により形成される共有結合が好ましい。
加熱により形成される共有結合の具体例としては、エポキシ基とアミノ基またはイミノ基との反応（化８参照）により形成されるＮ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）結合、イソシアネート基とアミノ基との反応（化９参照）により形成されるＮＨ−ＣＯＮＨ結合等が挙げられる。
【００８８】
【化８】
2008276887.tif 000010
【００８９】
【化９】
2008276887.tif 000011
【００９０】
光照射により形成される共有結合の具体例としては、シンナモイル基（化１０）またはカルコニル（ｃｈａｌｃｏｎｙｌ）基（化１１）の光二量化反応により形成される共有結合が挙げられる。
【００９１】
【化１０】
2008276887.tif 000012
【００９２】
【化１１】
2008276887.tif 000013
（以上工程Ｅ）
【実施例】
【００９３】
以下、本発明の効果を確認するために行った実施例について説明するが、本願発明は、これら実施例によって何ら制限されるものではない。本実施例においては、代表例としてマグネタイト微粒子を用いたハードディスクドライブ用プラッタの製造について説明する。
【００９４】
（実施例１）
（１）エポキシ化マグネタイト微粒子の製造
マグネタイト微粒子（平均粒径１００ｎｍ）を用意し、よく洗浄して乾燥した。
３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン（化１２、信越化学工業株式会社製）０．９９重量部、およびジブチルスズビスアセチルアセトナート（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。
【００９５】
【化１２】
2008276887.tif 000014
【００９６】
このようにして得られた反応液中にマグネタイト微粒子を混合し、撹拌しながら空気中（相対湿度４８％）で２時間程度反応させた。
その後、クロロホルムで洗浄し、過剰なアルコキシシラン化合物およびジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。
【００９７】
（２）エポキシ化アルミニウム基体の製造
円盤状のアルミニウム基体を用意し、よく洗浄して乾燥した。
３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン（化１１）０．９９重量部、およびジブチルスズビスアセチルアセトナート（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン溶媒に溶解し、反応液を調製した。
【００９８】
反応液をアルミニウム基体板の表面に塗布し、空気中（相対湿度４８％）で２時間程度反応させた。
その後、クロロホルムで洗浄し、過剰なアルコキシシラン化合物およびジブチルスズビスアセチルアセトナートを除去した。
【００９９】
（３）塗布剤の製造、塗膜の形成、およびハードディスクドライブ用プラッタの形成
（１）で製造したエポキシ化マグネタイト微粒子１００重量部と、２−メチルイミダゾール７重量部を混合し、これにイソプロピルアルコール４０重量部を加えた。得られた混合物を十分混合してペースト状の塗布剤を得た。
このようにして得られた塗布剤を（２）で製造したエポキシ化アルミニウム基体上に塗布し、膜厚１μｍの塗膜を形成した。
室温下でイソプロピルアルコールを蒸発させた後、アルミニウム基体およびその上に形成された塗膜を１７０℃で３０分間加熱することにより、ハードディスクドライブ用プラッタを形成した。
【０１００】
得られたハードディスクドライブ用プラッタは、エポキシ基と２−メチルイミダゾールとの架橋反応により形成された結合を介してエポキシ化アルミニウム基体の表面に固定されているので、耐剥離強度および耐久性に優れていた。
【０１０１】
（実施例２）
（１）アミノ化マグネタイト微粒子の製造
マグネタイト微粒子（平均粒径１００ｎｍ）を用意し、よく洗浄して乾燥した。
３−アミノプロピルトリメトキシシラン（化１３、信越化学工業株式会社製）０．９９重量部、および酢酸（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン−ジメチルホルムアミド混合溶媒（１：１ｖ／ｖ）に溶解し、反応液を調製した。
【０１０２】
【化１３】
2008276887.tif 000015
【０１０３】
このようにして得られた反応液中にマグネタイト微粒子を混合し、撹拌しながら空気中（相対湿度４８％）で２時間程度反応させた。
その後、クロロホルムで洗浄し、過剰なアルコキシシラン化合物および酢酸を除去した。
【０１０４】
（２）アミノ化アルミニウム基体の製造
円盤状のアルミニウム基体を用意し、よく洗浄して乾燥した。
３−アミノプロピルトリメトキシシラン（化１３）０．９９重量部、および酢酸（縮合触媒）０．０１重量部を秤量し、これを１００重量部のヘキサメチルジシロキサン−ジメチルホルムアミド混合溶媒（１：１ｖ／ｖ）に溶解し、反応液を調製した。
【０１０５】
反応液をアルミニウム基体板の表面に塗布し、空気中（相対湿度４８％）で２時間程度反応させた。
その後、クロロホルムで洗浄し、過剰なアルコキシシラン化合物および酢酸を除去した。
【０１０６】
（３）塗布剤の製造、塗膜の形成、およびハードディスクドライブ用プラッタの形成
（１）で製造したアミノ化マグネタイト微粒子１００重量部と、ヘキサメチレン−１，６−ジイソシアネート９重量部を混合し、これにキシレン４０重量部を加えた。得られた混合物を十分混合してペースト状の塗布剤を得た。
（２）で製造したアミノ化アルミニウム基体上に塗布剤を塗布し、膜厚３μｍの塗膜を形成した。
室温下でキシレンを蒸発させた後、アミノ化アルミニウム基体および塗膜を１７０℃で３０分間加熱することにより、ハードディスクドライブ用プラッタを形成した。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の一実施の形態に係るハードディスクドライブ用プラッタの断面構造を模式的に表した説明図である。
【図２】同ハードディスクドライブ用プラッタの製造方法において、エポキシ化マグネタイト微粒子を製造する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図であり、（ａ）は反応前のマグネタイト微粒子の断面構造、（ｂ）はエポキシ基を有する膜化合物の単分子膜が形成されたマグネタイト微粒子の断面構造をそれぞれ表す。
【図３】同ハードディスクドライブ用プラッタの製造方法において、塗布剤の塗膜を形成する工程を説明するために分子レベルまで拡大した概念図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１０：ハードディスクドライブ用プラッタ、１１：エポキシ化マグネタイト微粒子、１２：２−メチルイミダゾール、１３：エポキシ化アルミニウム基体、１４：塗膜、２１：マグネタイト微粒子、２２：水酸基、２３：エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜、３１：アルミニウム基体、３３：エポキシ基を有する膜化合物の単分子膜
【図１】
2008276887.tif 000016
【図２】
2008276887.tif 000017
【図３】
2008276887.tif 000018