(57)【要約】【課題】放熱部を備える光半導体装置用パッケージにおいて、リードフレームに対して放熱部を位置決めする際、かしめ工法や接着剤を使用した固定工法を用いていたため、歩留りの低下や製造時間のロスなどの不具合が生じていた。【解決手段】第１の合成樹脂部４の穴部１０によって放熱部２を位置決めし、さらに第２の合成樹脂部７によって第１の合成樹脂部４と放熱部２を一体化する。これにより、放熱部２を位置決めする際、かしめ工法や接着剤による固定が不要となり、高品質の光半導体装置用パッケージを提供し、歩留りの向上及び製造時間の短縮を達成することができる。【選択図】図２
2008186947.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤチップが発する熱を放熱可能な光半導体装置用パッケージであって、
ＬＥＤチップと電気的に接続可能な複数のリードフレームと、
各前記リードフレームを保持し、穴部が形成された第１の合成樹脂部と、
前記ＬＥＤチップが発する熱を放熱可能な放熱部と、
前記放熱部が前記第１の合成樹脂部の前記穴部に挿入されて位置決めされた状態で、当該放熱部を前記第１の合成樹脂部と一体的に保持する第２の合成樹脂部とを備えた、光半導体装置用パッケージ。
【請求項２】
前記放熱部が、前記第１の合成樹脂部の前記穴部に圧入固定されていることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置装置用パッケージ。
【請求項３】
ＬＥＤチップが発する熱を放熱可能な光半導体装置用パッケージの製造方法であって、
インサート成形により、複数のリードフレームを保持し穴部が形成された第１の合成樹脂部を形成する工程と、
前記ＬＥＤチップが発する熱を放熱可能な放熱部を、前記穴部に挿入して位置決めする工程と、
前記放熱部が位置決めされた状態で、インサート成形により当該放熱部と前記第１の合成樹脂部を一体的に保持する第２の合成樹脂部を形成する工程とを備えた、光半導体装置用パッケージの製造方法。
【請求項４】
ＬＥＤチップが発する熱を放熱可能な光半導体装置であって、
ＬＥＤチップと、
前記ＬＥＤチップと電気的に接続された複数のリードフレームと、
各前記リードフレームを保持し、穴部が形成された第１の合成樹脂部と、
前記ＬＥＤチップが発する熱を放熱する放熱部と、
前記放熱部が前記第１の合成樹脂部の前記穴部に挿入されて位置決めされた状態で、当該放熱部を前記第１の合成樹脂部と一体的に保持する第２の合成樹脂部とを備えた、光半導体装置。
【請求項５】
前記放熱部が、前記第１の合成樹脂部の前記穴部に圧入固定されていることを特徴とする請求項４に記載の光半導体装置。
【請求項６】
ＬＥＤチップが発する熱を放熱可能な光半導体装置の製造方法であって、
インサート成形により、複数のリードフレームを保持し穴部が形成された第１の合成樹脂部を形成する工程と、
前記ＬＥＤチップが発する熱を放熱する放熱部を、前記穴部に挿入して位置決めする工程と、
前記放熱部が位置決めされた状態で、インサート成形により当該放熱部と前記第１の合成樹脂部を一体的に保持する第２の合成樹脂部を形成する工程と、
各前記リードフレームにＬＥＤチップを電気的に接続する工程とを備えた、光半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置並びにそれらの製造方法に関し、より詳しくは、２回のインサート成形で形成した放熱部付き低背型合成樹脂パッケージ、及び当該樹脂パッケージを備えた光半導体装置並びにそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光半導体装置は電子機器の液晶表示部バックライト、照明用の各種光源などとして用いられている。近年、光半導体装置は高輝度高出力化に伴いＬＥＤ（発光ダイオード）発光時の発熱量が非常に大きくなっている。その熱を放熱するための放熱部の熱容量を増すべく、放熱部を出来る限り大型化する必要がある。その一方で、小型化、高密度実装化の市場要求は依然として高い。従来の放熱部付き光半導体装置には、放熱部をリードフレームにかしめて位置決めし或いは接着剤を使用して位置決めした後、当該放熱部とリードフレームをインサート成形により合成樹脂で一体化したものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図６は、従来の光半導体装置を示す断面図である。
図６に示されるように、従来の光半導体装置１０１は、第１のリードフレーム１０２と、金属製の放熱部１０７と、放熱部１０７に搭載されたＬＥＤチップ１０３と、金属細線であるボンディングワイヤ１０４を介してＬＥＤチップ１０３と導通接続された第２のリードフレーム１０５と、ＬＥＤチップ１０３を囲繞すると共に第１及び第２のリードフレーム１０２，１０５を保持する合成樹脂部１０６とを備えている。
この光半導体装置１０１を製造するには、まず、第１のリードフレーム１０２に放熱部１０７をかしめて放熱部１０７を位置決めする。次いで、放熱部１０７、リードフレーム１０２，１０５を射出成形金型（図示せず）内に載置する。次いで、当該金型内に合成樹脂を充填する。これにより、放熱部１０７とリードフレーム１０２，１０５が合成樹脂により一体化されてなる光半導体装置用パッケージが形成される。次いで、ＬＥＤチップ１０３を放熱部１０７上に取り付け、ボンディングワイヤ１０４を介してＬＥＤチップ１０３と第２のリードフレーム１０５を接続する。次いで、ＬＥＤチップ１０３を、ＬＥＤ保護層となる合成樹脂で封止することにより、光半導体装置１０１が製造される。
【特許文献１】特開平２００４−２１４４３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記した従来の光半導体装置１０１では、リードフレーム１０２に対して放熱部１０７を位置決めする際に、放熱部１０７をリードフレーム１０２にかしめて固定している。このため、放熱部１０７をリードフレーム１０２にかしめる際に、放熱部１０７及びリードフレーム１０２を保持する治具（図示せず）が放熱部１０７及びリードフレーム１０２に擦り傷や変形を生じさせるという問題があった。また、リードフレーム１０２に放熱部１０７をかしめではなく接着剤や貼着テープ（いずれも図示せず）で固定する場合がある。しかしながら、接着剤の塗布ムラや貼着テープの貼ムラなどにより、放熱部１０７が所望位置からずれる或いは脱落するという問題があった。
【０００５】
このように、従来の光半導体装置１０１は、放熱部１０７をかしめや接着剤によって位置決めして製造されていたため、品質が低下して歩留りが低下し、また、かしめ工程や接着工程により製造プロセスが煩雑になるという問題があった。
【０００６】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたもので、放熱部を位置決めする際にかしめ作業や接着作業を必要とせず、製品の品質を向上させ、歩留率を向上させることができる光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置並びにそれらの製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る光半導体装置用パッケージは、
ＬＥＤチップが発する熱を放熱可能な光半導体装置用パッケージであって、
ＬＥＤチップと電気的に接続可能な複数のリードフレームと、
各上記リードフレームを保持し、穴部が形成された第１の合成樹脂部と、
上記ＬＥＤチップが発する熱を放熱可能な放熱部と、
上記放熱部が上記第１の合成樹脂部の上記穴部に挿入されて位置決めされた状態で、当該放熱部を上記第１の合成樹脂部と一体的に保持する第２の合成樹脂部とを備えている。
【０００８】
本発明は、放熱部が第１の合成樹脂部の穴部に挿入されて位置決めされた状態で、当該放熱部を第１の合成樹脂部と一体的に保持する第２の合成樹脂部を備えている。従って、本発明に係る光半導体装置用パッケージを製造する際、かしめ作業や接着作業が不要となる。その結果、リードフレームや放熱部に傷・変形が生じ或いは接着剤の塗布ムラや粘着テープの貼りムラによって放熱部が所望位置からずれることがなく、光半導体装置用パッケージの品質を向上させ、歩留率を向上させることができる。
【０００９】
本発明においては、
上記放熱部が、上記第１の合成樹脂部の上記穴部に圧入固定されていることが好ましい。
【００１０】
この構成を採用することにより、放熱部と第１の合成樹脂部の接続箇所において隙間をなくすことができる。よって、光半導体装置用パッケージにＬＥＤチップを搭載し、当該ＬＥＤチップの保護層を形成するために封止用合成樹脂をＬＥＤチップ上に注入した際に、放熱部と第１の合成樹脂部の間から封止用合成樹脂中に空気が流入するのを防止することができる。従って、ＬＥＤチップの保護層に気泡が発生するのを防止することができる。また、放熱部と第１の合成樹脂部の間から封止用合成樹脂が流出するのを防止することができる。
【００１１】
本発明に係る光半導体装置用パッケージの製造方法は、
ＬＥＤチップが発する熱を放熱可能な光半導体装置用パッケージの製造方法であって、
インサート成形により、複数のリードフレームを保持し穴部が形成された第１の合成樹脂部を形成する工程と、
上記ＬＥＤチップが発する熱を放熱可能な放熱部を、上記穴部に挿入して位置決めする工程と、
上記放熱部が位置決めされた状態で、インサート成形により当該放熱部と上記第１の合成樹脂部を一体的に保持する第２の合成樹脂部を形成する工程とを備えている。
【００１２】
本発明は、ＬＥＤチップが発する熱を放熱可能な放熱部を、第１の合成樹脂部に形成された穴部に挿入して位置決めする工程と、放熱部が位置決めされた状態で、インサート成形により当該放熱部と第１の合成樹脂部を一体的に保持する第２の合成樹脂部を形成する工程とを備えている。従って、光半導体装置用パッケージを製造する際、かしめ作業や接着作業が不要となる。その結果、リードフレームや放熱部に傷・変形が生じ或いは接着剤の塗布ムラや粘着テープの貼りムラによって放熱部が所望位置からずれることがなく、光半導体装置用パッケージの品質を向上させ、歩留率を向上させることができる。
【００１３】
本発明に係る光半導体装置は、
ＬＥＤチップが発する熱を放熱可能な光半導体装置であって、
ＬＥＤチップと、
上記ＬＥＤチップと電気的に接続された複数のリードフレームと、
各上記リードフレームを保持し、穴部が形成された第１の合成樹脂部と、
上記ＬＥＤチップが発する熱を放熱する放熱部と、
上記放熱部が上記第１の合成樹脂部の上記穴部に挿入されて位置決めされた状態で、当該放熱部を上記第１の合成樹脂部と一体的に保持する第２の合成樹脂部とを備えている。
【００１４】
本発明は、放熱部が第１の合成樹脂部の穴部に挿入されて位置決めされた状態で、当該放熱部を第１の合成樹脂部と一体的に保持する第２の合成樹脂部を備えている。従って、本発明に係る光半導体装置を製造する際、かしめ作業や接着作業が不要となる。その結果、リードフレームや放熱部に傷・変形が生じ或いは接着剤の塗布ムラや粘着テープの貼りムラによって放熱部が所望位置からずれることがなく、光半導体装置の品質を向上させ、歩留率を向上させることができる。
【００１５】
本発明においては、
上記放熱部が、上記第１の合成樹脂部の上記穴部に圧入固定されていることが好ましい。
【００１６】
この構成を採用することにより、放熱部と第１の合成樹脂部の接続箇所において隙間をなくすことができる。よって、ＬＥＤチップの保護層を形成するために封止用合成樹脂をＬＥＤチップ上に注入した際に、放熱部と第１の合成樹脂部の間から封止用合成樹脂中に空気が流入するのを防止することができる。従って、ＬＥＤチップの保護層に気泡が発生するのを防止することができる。また、放熱部と第１の合成樹脂部の間から封止用合成樹脂が流出するのを防止することができる。
【００１７】
本発明に係る光半導体装置の製造方法は、
ＬＥＤチップが発する熱を放熱可能な光半導体装置の製造方法であって、
インサート成形により、複数のリードフレームを保持し穴部が形成された第１の合成樹脂部を形成する工程と、
上記ＬＥＤチップが発する熱を放熱する放熱部を、上記穴部に挿入して位置決めする工程と、
上記放熱部が位置決めされた状態で、インサート成形により当該放熱部と上記第１の合成樹脂部を一体的に保持する第２の合成樹脂部を形成する工程と、
各上記リードフレームにＬＥＤチップを電気的に接続する工程とを備えている。
【００１８】
本発明は、ＬＥＤチップが発する熱を放熱する放熱部を、第１の合成樹脂部に形成された穴部に挿入して位置決めする工程と、放熱部が位置決めされた状態で、インサート成形により当該放熱部と第１の合成樹脂部を一体的に保持する第２の合成樹脂部を形成する工程とを備えている。従って、光半導体装置を製造する際、かしめ作業や接着作業が不要となる。その結果、リードフレームや放熱部に傷・変形が生じ或いは接着剤の塗布ムラや粘着テープの貼りムラによって放熱部が所望位置からずれることがなく、光半導体装置の品質を向上させ、歩留率を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置並びにそれらの製造方法によれば、光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置を製造する際、かしめ作業や接着作業が不要となる。その結果、リードフレームや放熱部に傷・変形が生じ或いは接着剤の塗布ムラや粘着テープの貼りムラによって放熱部が所望位置からずれることがなく、光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置の品質が向上し、歩留が向上する。また、第２の合成樹脂部により放熱部がしっかりと保持されているので、放熱部が脱落することがなく、光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置をフープで連続生産することが可能となる。よって、光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置の製造時間が大幅に短縮され、その生産能力が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１について、図面を参照しつつ説明する。
図１は、本発明の実施の形態１に係る光半導体装置を示す平面図である。図２は、図１に示される光半導体装置のＡ−Ａ線断面図である。
【００２１】
光半導体装置１は、ＬＥＤチップ５が発する熱を放熱可能な光半導体装置である。
図１，２に示されるように、光半導体装置１は、ＬＥＤチップ５と、複数のリードフレーム３と、第１の合成樹脂部４と、放熱部２と、第２の合成樹脂部７とを備えている。複数のリードフレーム３と、第１の合成樹脂部４と、放熱部２と、第２の合成樹脂部７とが、光半導体装置用パッケージ１１を構成している。
【００２２】
ＬＥＤチップ５は、表面実装型発光ダイオードのチップである。ＬＥＤチップ５は、例えば、放熱部２の第１主面２ａ上に固定される。これにより、ＬＥＤチップ５が動作時に発した熱は、放熱部２に直接伝導され、放熱部２の第２主面２ｂ（第１主面２ａに対して反対側に位置する面）から効率良く放熱される。
【００２３】
リードフレーム３は、ＬＥＤチップ５と電気的に接続されている。図１，２に示される例では、リードフレーム３は、ボンディングワイヤ６を介してＬＥＤチップ５と電気的に接続されている。リードフレーム３は、ボンディングワイヤ６に接続されるワイヤ接続部３ａと、光半導体装置１を基板（図示せず）上に実装する際に、当該基板の配線と接続される基板接続部３ｂとを有している。リードフレーム３の中途部は、第１の合成樹脂部４及び第２の合成樹脂部７に埋め込まれている。リードフレーム３のワイヤ接続部３ａは、第１の合成樹脂部４の第１主面４ａで露出している。リードフレーム３の基板接続部３ｂは、第２の合成樹脂部７の側面から突出している。リードフレーム３は複数存在しており、互いが離間した状態で、第１の合成樹脂部４に保持されている。
【００２４】
第１の合成樹脂部４は、互いが離間した状態の複数のリードフレーム３を保持するものである。第１の合成樹脂部４には、穴部１０（図２参照）が形成されている。この穴部１０は、放熱部２を挿入させて放熱部２を位置決めするための穴である。穴部１０は、放熱部２の一部又は全部を密に嵌入すなわち圧入できるように構成されることが好ましい。この場合、穴部１０の幅が、放熱部２の挿入部２０の幅よりやや大きく設定される（例えば、０．０１〜０．０７ｍｍ程度大きい）。図２に示される穴部１０は、第１の合成樹脂部４をその第１主面４ａから第２主面４ｂ（第１主面４ａに対して反対側に位置する面）にかけて貫通する穴となっている。これにより、放熱部２の第１主面２ａ上にＬＥＤチップ５を取り付けることができる。
【００２５】
放熱部２は、ＬＥＤチップ５が発する熱を放熱する部分である。放熱部２の材質は、放熱効率が良いものであれば特に問われないが、例えば、銅、アルミニウム、銅合金、アルミニウム合金等とすることができる。放熱部２は、少なくともその一部が第１の合成樹脂部４の穴部１０に挿入可能とされ、その挿入により第１の合成樹脂部４に対して位置決めし得るように形成される。図２に示される例では、放熱部２は、基部２１と、基部２１より小さい幅で基部２１と一体に形成された挿入部２０とを含む。挿入部２０は第１の合成樹脂部４の穴部１０に挿入され、これにより放熱部２は位置決めされている。挿入部２０が穴部１０に挿入された状態において、基部２１は穴部１０から第１の合成樹脂部４の第２主面４ｂ側へ膨出している。基部２１の側面には係合部２１０が形成されている。この係合部２１０は、第２の合成樹脂部７に形成された被係合部７１と係合している。
【００２６】
第２の合成樹脂部７は、放熱部２が第１の合成樹脂部４の穴部１０に挿入されて位置決めされた状態で、放熱部２を第１の合成樹脂部４と一体的に保持するものである。第２の合成樹脂部７は、第１の合成樹脂部４の側面と、放熱部２の基部２１の側面とを密着保持する。第２の合成樹脂部７には被係合部７１が形成されている。この被係合部７１は、上述の如く、放熱部２の基部２１に形成された係合部２１０と係合している。
【００２７】
以上説明したように、実施の形態１に係る光半導体装置用パッケージ１１及び光半導体装置１は、放熱部２が第１の合成樹脂部４の穴部１０に挿入されて位置決めされた状態で、放熱部２を第１の合成樹脂部４と一体的に保持する第２の合成樹脂部７を備えている。従って、光半導体装置用パッケージ１１及び光半導体装置１を製造する際、かしめ作業や接着作業をせずに放熱部２をしっかりと位置決めすることができる。その結果、リードフレーム３や放熱部２に傷・変形が生じ或いは放熱部２が所望の位置からずれることがなく、光半導体装置用パッケージ１１及び光半導体装置１の品質を向上させ、歩留率を向上させることができる。
【００２８】
次に、実施の形態１に係る光半導体装置用パッケージ１１及び光半導体装置１の製造方法を説明する。
図３，４，５は、光半導体装置１の製造方法を示す断面図である。図３、図４、図５の順で工程が進む。なお、図５においてＬＥＤチップ５を搭載する前の段階で、複数のリードフレーム３と、第１の合成樹脂部４と、放熱部２と、第２の合成樹脂部７とを備えた光半導体装置用パッケージ１１が形成される。
【００２９】
第１の実施形態に係る光半導体装置１の製造方法は、図３に示される如く、インサート成形により、複数のリードフレーム３を保持する第１の合成樹脂部４を形成する工程と、図４に示される如く、ＬＥＤチップ５が発する熱を放熱する放熱部２を、第１の合成樹脂部４に形成された穴部１０に挿入して位置決めする工程と、図５に示される如く、放熱部２が位置決めされた状態で、インサート成形により放熱部２と第１の合成樹脂部４を一体的に保持する第２の合成樹脂部７を形成する工程と、図５に示される如く、複数のリードフレーム３にＬＥＤチップ５を電気的に接続する工程とを備えている。
【００３０】
以下、第１の実施形態に係る光半導体装置１の製造方法について、より詳しく説明する。
まず、予め曲げ加工された複数のリードフレーム３を第１の射出成形金型（図示せず）内に載置する。その後、第１の射出成形金型内に合成樹脂として熱可塑性樹脂を充填し、第１の合成樹脂部４を一体成形する（図３参照）。この成形は、インサート成形である。このとき、各リードフレーム３の一端に設けられたワイヤ接続部３ａは、第１の合成樹脂部４の第１主面４ａ側で露出している。各リードフレーム３の他端に設けられた基板接続部３ｂは、第１の合成樹脂部４の側面から突出している。さらに、第１の合成樹脂部４には、第１主面４ａから第２主面４ｂへ延びる穴部１０が形成されている。穴部１０は、図３〜５に示される例では貫通孔である。
【００３１】
次いで、第１の合成樹脂部４の穴部１０に第２主面４ｂ側から放熱部２の挿入部２０を挿入し、放熱部２の位置決めを行う。この挿入は、圧入であることが好ましい（図４参照）。圧入を行う場合、放熱部２の挿入部２０の幅よりも、第１の合成樹脂部４の穴部１０の幅を、０．０１ｍｍ〜０．０７ｍｍ程度大きく設定することが好ましい。このような範囲に設定することにより、穴部１０の周面と放熱部２の挿入部２０の周面とが密着する。圧入を行うことで、挿入部２０と穴部１０間の隙間を無くすことができる。従って、ＬＥＤチップ５の装着後にＬＥＤチップ５の保護層として充填されるシリコーン樹脂などがその隙間から流出するのを防止することができる。また、第２の合成樹脂部７を形成する際に合成樹脂の流入圧力等によって放熱部２が位置ズレ（傾斜を含む）するのを防止することができる。
【００３２】
次いで、リードフレーム３及び放熱部２と一体となった第１の合成樹脂部４を、第２の射出成形金型（図示せず）内に載置する。その後、第２の射出成形金型内に合成樹脂として熱可塑性樹脂を充填し、第２の合成樹脂部７を形成する（図５参照）。これにより、光半導体装置用パッケージ１１が形成される。このとき、放熱部２において、ＬＥＤチップ５が搭載される第１主面２ａは、第１の合成樹脂部４の穴部１０の一端側（第１の合成樹脂部４の第１主面４ａ側）で露出する。また、放熱部２において、ＬＥＤチップ５の動作時の熱を外部に放出する第２主面２ｂは、第１の合成樹脂部４の穴部１０の他端側（第１の合成樹脂部４の第２主面４ｂ側）で露出する。複数のリードフレーム３の中途部は第１の合成樹脂部４及び第２の合成樹脂部７を貫通し、基板接続部３ｂが第２の合成樹脂部７の側面から突出する。
次いで、放熱部２の第１主面２ａ上にＬＥＤチップ５を搭載する（図５参照）さらに、ＬＥＤチップ５とリードフレーム３を、ボンディングワイヤ６を介して電気的に接続する。さらに、ＬＥＤチップ５及びボンディングワイヤ６を封止するように封止用合成樹脂（図示せず）を注入し、当該合成樹脂を固化させる。これにより、光半導体装置１が形成される（図５参照）。
【００３３】
以上説明したように、実施の形態１に係る光半導体装置用パッケージ１１及び光半導体装置１の製造方法は、ＬＥＤチップ５が発する熱を放熱する放熱部２を、第１の合成樹脂部４に形成された穴部１０に挿入して位置決めする工程と、放熱部２が位置決めされた状態で、インサート成形により放熱部２と第１の合成樹脂部４を一体的に保持する第２の合成樹脂部７を形成する工程とを備えている。従って、かしめ作業や接着作業をせずに放熱部２をしっかりと位置決めすることができる。その結果、リードフレーム３や放熱部２に傷・変形が生じ或いは接着剤の塗布ムラや粘着テープの貼りムラによって放熱部２が所望の位置からずれ或いは脱落することがなく、光半導体装置用パッケージ１１及び光半導体装置１の品質を向上させ、歩留率を向上させることができる。
【００３４】
なお、上記の説明では放熱部２として金属体を用いる場合を例に挙げたが、放熱性に優れた材料を用いれば他の材料を使用しても良く、例えば、窒化アルミニウムなどのセラミックスを用いても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明は、２回のインサート成形で形成した放熱部付き低背型合成樹脂パッケージ及び当該樹脂パッケージを備えた光半導体装置並びにそれらの製造方法等に有用であり、特に高輝度及び高出力ＬＥＤ用の合成樹脂パッケージ等に適している。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施の形態１に係る光半導体装置を示す平面図
【図２】図１に示される光半導体装置のＡ−Ａ線断面図
【図３】本発明の実施の形態１に係る光半導体装置の製造工程を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態１に係る光半導体装置の製造工程を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態１に係る光半導体装置の製造工程を示す断面図
【図６】従来の光半導体装置を示す断面図
【符号の説明】
【００３７】
１  光半導体装置
２  放熱部
２ａ  放熱部の第１主面
２ｂ  放熱部の第２主面
３  リードフレーム
３ａ  リードフレームのワイヤ接続部
３ｂ  リードフレームの基板接続部
４  第１の合成樹脂部
５  ＬＥＤチップ（発光ダイオード）
６  ボンディングワイヤ
７  第２の合成樹脂部
１０  穴部（貫通孔）
１１  光半導体装置用パッケージ
【図１】
2008186947.tif 000003
【図２】
2008186947.tif 000004
【図３】
2008186947.tif 000005
【図４】
2008186947.tif 000006
【図５】
2008186947.tif 000007
【図６】
2008186947.tif 000008