(57)【要約】【課題】電極および圧電結晶発振器を提供する。【解決手段】金銀合金をクロム金属、或いは、ニッケル金属上方に覆蓋する構造の電極であり、金原子は、金銀合金中の重量比１〜４０ｗｔ．％を占める。よって、第一ニッケル、或いは、クロム金属と圧電結晶の高覆着性と第二層金属合金薄膜自身の良好な熱安定性と化学安定性により、形成される電極は１５０〜３５０℃の高温下で更に安定し、好ましい導電性も同時に有して、圧電結晶発振器のパフォーマンスを向上させると共に、長時間の信頼度を保持し、製造コスト全体を減少させる目的を達成する。【選択図】図１Ａ
2008042873.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極構造であって、
第一薄膜と、
前記第一薄膜上に形成され、且つ、主要成分は重量比で１〜４０ｗｔ．％の金原子を含有する合金から構成される第二薄膜と、
からなることを特徴とする電極構造。
【請求項２】
前記第一薄膜はチップ上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の電極構造。
【請求項３】
前記チップの材質は石英であることを特徴とする請求項２に記載の電極構造。
【請求項４】
前記第一薄膜と前記第二薄膜の形成方法は、蒸着、或いは、スパッタリングであることを特徴とする請求項１に記載の電極構造。
【請求項５】
前記第二薄膜は合金金属薄膜であることを特徴とする請求項１に記載の電極構造。
【請求項６】
前記合金金属薄膜の成分は、更に、銀であることを特徴とする請求項５に記載の電極構造。
【請求項７】
前記第一薄膜は、金属薄膜であることを特徴とする請求項１に記載の電極構造。
【請求項８】
前記金属薄膜の材質は、クロム、或いは、ニッケルであることを特徴とする請求項７に記載の電極構造。
【請求項９】
圧電結晶発振器であって、
基板と、
前記基板上に位置し、チップを有し、且つ、前記チップ上に少なくとも二薄膜を形成し、前記二薄膜は、第一薄膜と第二薄膜とからなり、且つ、前記第二薄膜の主要成分は、重量比１〜４０ｗｔ．％の金原子である合金からなる電極と、
からなることを特徴とする請求項１に記載の圧電結晶発振器。
【請求項１０】
前記基板の材質はセラミックであることを特徴とする請求項９に記載の圧電結晶発振器。
【請求項１１】
前記基板上に、少なくとも集積回路チップを設置することを特徴とする請求項９に記載の圧電結晶発振器。
【請求項１２】
前記チップの材質は石英であることを特徴とする請求項９に記載の圧電結晶発振器。
【請求項１３】
前記第二薄膜は合金金属薄膜であることを特徴とする請求項９に記載の圧電結晶発振器。
【請求項１４】
前記合金金属薄膜の成分は、更に、銀であることを特徴とする請求項１３に記載の圧電結晶発振器。
【請求項１５】
前記第一薄膜と前記第二薄膜の形成方法は、蒸着、或いは、スパッタリングであることを特徴とする請求項９に記載の圧電結晶発振器。
【請求項１６】
前記第一薄膜は金属薄膜であることを特徴とする請求項９に記載の圧電結晶発振器。
【請求項１７】
前記金属薄膜の材質はクロム、或いは、ニッケルであることを特徴とする請求項１６に記載の圧電結晶発振器。
【請求項１８】
更に、カバーを有して、前記全素子をパッケージすることを特徴とする請求項９に記載の圧電結晶発振器。
【請求項１９】
前記カバーは、少なくとも導線端子により周辺素子を連接することを特徴とする請求項１８に記載の圧電結晶発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極構造および圧電結晶発振器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
圧電結晶発振器は、圧電結晶と圧電結晶発振器に分けられる。公知の水晶結晶、或いは、水晶発振器はどちらのこの類に属する。圧電結晶は圧電チップにより製造される電子受動素子であり、圧電結晶発振器は、電子能動素子であり、圧電結晶、及び、集積回路から発振回路を構成し、周波数誤差が百万分の一等級計算の超高周波安定信号を生成する。圧電結晶発振器は、発振時の周波数の高精度、高安定度を特徴とし、回路システム中、周期、周波数、時間等の主要参考基準とし、現在、周波数選択と制御素子等の各電子製品、或いは、システム上に幅広く応用されている。軍事、機械、通信、電子、医療、消費、及び、自動車市場にも、圧電結晶発振器を使用した各種応用製品がある。
【０００３】
圧電結晶発振器構造において、主に、圧電結晶のチップの両面に電極をめっきし、電圧を施加して周波数発振を生成し、一般に、電極が使用する材料が異なる時、全体の発振器の電気性と熱安定性に顕著な影響がある。電極は多層構造であり、内層構造は通常、ニッケル、クロム、金、アルミ等の金属であり、外層構造の材料の種類と応用に関し、多くの文献で相関する説明が提出されている。例えば、台湾特許第I４９４６２７号中、銀、パラジウム−銀、アルミ、或いは、銅により構成される電極構造を提供している。台湾特許第I４４１１７４号では、金、銀、金、或いは、銀を主成分とする金属により構成される電極構造が提供される。米国特許第６７４４１８３号中、金、アルミ、亜鉛、銅、スズから構成される電極構造を提供する。米国特許第６６１９７８５号で、アルミ−銅、アルミ−ニッケル、クロム、金から構成される電極構造が提供される。米国特許第６６０９７８５号で、アルミ、ニッケル、スズ、金から構成される電極構造が提供される。米国特許第６５５６１０３号で、アルミ、銀、金から構成される電極構造が提供される。米国特許第６５４５３９５号で、プラチナ、パラジウム−銀、ニッケルにより構成される電極構造が提供される。米国特許第６５４１８９８号中、金、アルミ、亜鉛、銅、インジウムにより構成される電極が提供される。米国特許第５２３５２３８号中、金、プラチナ、パラジウム、亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、銀、或いは、その他の合金、カーボン、有機導電材料、或いは、導電セラミックから構成される電極構造が提供される。米国特許第４２１８６３１号で、金、アルミ、銀から構成される電極構造が提供される。上述の特許内容に基づくと、電極構造が使用する材料に対し、明確にその中の組成成分を定義していないが、実際の応用中、材料特性の素子パフォーマンスに対する関係は、精確な材料組成比率変化に伴って、異なる程度の影響がある。例えば、純金の金属電極にとって、良好な物理、化学安定性と熱安定性は提供されるが、電気学性質の制御は明らかに不足であり、金−銀金属の電極にとって、金の含量が異なる時、形成される金−銀金属の温度変化、延伸性、抵抗等の材料特性は異なり、よって、異なる組成で構成される合金材料が形成する電極構造は完全に異なる電気性と熱安定性を有し、素子の周波数信号の制御能力に影響する。
【０００４】
上述の欠点に対し、本発明は、圧電結晶発振器の電極を提供し、圧電結晶発振素子に安定した電気性と熱安定性を有させる。
【特許文献１】台湾特許第I４９４６２７号公報
【特許文献２】台湾特許第I４４１１７４号
【特許文献３】米国特許第６７４４１８３号公報
【特許文献４】米国特許第６６１９７８５号公報
【特許文献５】米国特許第６６０９７８５号公報
【特許文献６】米国特許第６５５６１０３号公報
【特許文献７】米国特許第６５４５３９５号公報
【特許文献８】米国特許第６５４１８９８号公報
【特許文献９】米国特許第５２３５２３８号公報
【特許文献１０】米国特許第４２１８６３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、圧電結晶発振器の電極を提供することを目的とし、この電極は、クロム、或いは、ニッケル上に金銀合金を形成した電極構造で、金銀合金組成は、重量比１〜４０wt．％の金原子である。金銀合金の良好な熱安定性を利用して、電極の熱安定性とその電気性を向上し、圧電結晶発振器は好ましく、高信頼性である周波数特性を有する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の目的を達成するため、本発明は、圧電結晶を提供し、電極の構造は、少なくとも二層の薄膜から構成され、蒸着とスパッタリング工程により、圧電結晶上に形成される。圧電結晶の材質は石英で、電極構造中の第一層薄膜はニッケル、或いは、クロムから構成される金属薄膜で、第二層薄膜は、金銀合金から構成される合金金属薄膜である。金原子の重量比は１〜４０wt．％の間に制御される。且つ、本発明は、更に、圧電結晶発振器を提供し、ベースを利用し、両面に電極をめっきした圧電チップを搭載し、且つ、電極構造は、少なくとも二層の薄膜から構成される。基板の材質はセラミックで、チップの材質は石英である。電極構造中の第一層薄膜は基板上に形成され、且つ、ニッケル、或いは、クロムにより構成される金属薄膜で、第二層薄膜は、第一層薄膜上に形成され、金銀合金から構成される合金金属薄膜である。この他、基板上に、少なくとも一つの集積回路チップを設置し、最終的に、カバーにより全素子をパッケージして、完全な圧電結晶発振器を形成し、更に、少なくとも一つの導線端子により、この圧電結晶発振素子と周辺の素子を相互に連接する。使用する電極材料は、金銀合金によりクロム金属、或いは、ニッケル金属上方を覆蓋した構造である電極で、且つ、金銀合金中の金原子重量比は、１〜４０wt．％である。よって、本発明の圧電結晶発振器は好ましい熱安定性を有して、圧電結晶発振器は、組み立て生産工程中、１５０〜３５０℃の熱工程を経ても、好ましい電気性と周波数制御を維持する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の圧電結晶発振器の電極は、金銀合金の良好な熱安定性を利用して、電極の熱安定性とその電気性を向上し、圧電結晶発振器は好ましく、高信頼性である周波数特性を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
圧電結晶発振器にとって、安定性が高い電極構造は、直接、素子の信頼度にも関係する。例えば、熱安定性が高い電極材料は、この圧電結晶発振器の高温操作環境下での好ましい電気性と安定した周波数出力を維持する。よって、本発明は、圧電結晶発振器の電極を開示し、圧電結晶発振器に、更に安定した周波数制御能力を有させる。以下、実施例と図により本発明を説明する。
【０００９】
図１Ａと図１Ｂは、それぞれ、本発明の圧電結晶発振器の電極構造と電極構造分解図である。図１Ｂ中、チップ電極２０は圧電チップ２６を有し、この圧電チップ２６の上下表面上に、金属電極薄膜２２を形成し、金属電極薄膜２２上に、合金金属薄膜２４を形成して、金属電極薄膜２２により覆蓋する。圧電チップ２６の材質は石英で、金属電極薄膜２２の材質は、異なる製品の需要により、クロム、或いは、ニッケルから選択し、合金金属薄膜２４の材質は、異なる製品の需要により、金銀合金を選択し、重量比で１〜４０wt．％の金原子を含有する。この実施例中、金属電極薄膜２２の材質はクロムで、合金金属電極薄膜２４の材質は、金銀を含有する合金金属薄膜で、この金、銀の合金金属薄膜は同時に金と銀の特徴を保有する。金原子の含量は１〜４０wt．％である。
【００１０】
上述の合金金属電極薄膜２４中の金は、自身が有する高抗酸化性、高耐腐蝕性、低化学反応性等の特性以外に、金は好ましい熱安定性を有して、形成される合金金属電極薄膜２４の表面形態は、高温下での操作でも熱による変異がなく、且つ、金は、金属電極薄膜中のクロムと非常に強い付着力を有する。この他、本実施例中、合金金属電極薄膜２４中、もう一種の成分は銀であり、導電性が優れている金属なので、例えば、低い抵抗等、合金金属電極薄膜２４の電気性を向上させる。故に、上述から分かるように、金、銀を含有する合金金属薄膜は常温下で、金銀自身の性質により、非常に高い物理、化学安定性と良好な電気学特性を有し、高温操作下で、成分中に金を含有し、合金金属電極薄膜２４は好ましい熱安定性を有して、表面上で重大な形態変化を生じない。例えば、電極薄膜表面の粗雑度の変化、電極薄膜表面酸化の反応程度により、電極薄膜厚さのシート抵抗に反比例して小さい幅の変動であり、合金金属電極薄膜２４が高温熱工程下で安定し、好ましい電気性を有する。同時に、軽度の酸化反応程度は電極薄膜重量の変化量を低下させ、圧電結晶発振器の周波数に対する制御を更に精密にする。この他、製造コストを考慮して、銀のコストは低いので、金の特性表現に影響しない条件下で、適当な銀を加入して、金銀合金を形成し、好ましい電極パフォーマンスを提供するだけでなく、コスト抑制の目標も達成される。
【００１１】
上述の金属電極薄膜２２と合金金属電極薄膜２４の成長は、蒸着、或いは、スパッタリングの方式により、圧電チップ２６上に形成し、上述の実施例中、蒸着、或いは、スパッタリングが使用する標的の寸法は、長さ７インチ、幅５インチ、高さ６インチで、合金金属電極薄膜２４中の金の原子含量が１〜４０wt．％である要求に対し、標的中の金原子の含量は、０．１〜５０wt．％である。且つ、薄膜蒸着機、或いは、スパッタリング機により、既に形成された金属電極薄膜２２の圧電チップ２６に対し蒸着、或いは、スパッタリングを施し、これで、チップ電極２０の工程が完了する。
【００１２】
図１Ａ、図１Ｂ、及び、図２を参照し、図２は、本発明の圧電結晶発振器の電極を実際に圧電結晶発振器に応用した構造分解図である。まず、圧電結晶発振器は、上カバー１０と下カバー５０を有し、上カバー１０と下カバー５０の間にチップ電極２０、集積回路チップ３０、基板４０を有し、且つ、チップ電極２０は、圧電チップ２６が、上下両表面上に同時に金属電極薄膜２２と合金金属電極薄膜２４を形成して構成される。上カバー１０と下カバー５０は、金属により構成され、且つ、外部の周辺素子（図示しない）と連接するために、複数の導電端子（図示しない）により連接の媒介とする。圧電チップ２６の材質は石英である。集積回路チップ３０は半導体チップである。基板４０の材質はセラミックである。金属電極薄膜の材質は、異なる製品の需要により、クロム、或いは、ニッケルから選択し、合金金属薄膜２４の材質は、異なる製品の需要により、金、銀、或いは、その他の金属、或いは、合金を選択する。この実施例中、金属電極薄膜の材質はクロムで、合金金属電極薄膜２４の材質は、金、銀を含有する合金金属薄膜で、この金、銀の合金金属薄膜は、同時に、金と銀の特徴を保有し、且つ、その成分組成は、金を主成分とし、金原子の含量は、重量比で１〜４０wt．％である。
【００１３】
公知の圧電結晶発振器と比較すると、本発明の圧電結晶発振器中で使用する電極は、特定比例の金、銀から構成され、安定した高温特性と電気学性質を有し、以下で、実際の熱処理テスト実験のデータにより、本発明の圧電結晶発振器の電極が達成する効果を説明する。
【００１４】
熱処理テスト実験中、順に、成膜(As-deposited)、
硬化(curing)、アニール (anneal)、老化処理 (aging)、リフロー (reflow)を実行し、且つ、熱処理テスト実験の操作温度範囲は１５０〜３５０℃の間である。まず、図１Ａと図３Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅを参照し、図３Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅは、それぞれ、純金電極薄膜を電極材料とする圧電結晶発振器の、成膜、硬化、アニール、老化処理、リフロー工程中のシート抵抗等高図であり、且つ、上述の純金電極薄膜は、クロム電極薄膜上に直接形成される。図３Ａから図３Ｅの比較で分かるように、純金電極薄膜の成膜工程から最終のりフロー工程までのシート抵抗分布状況は、図３Ａと図３Ｂで示され、成膜から硬化工程までのシート抵抗分布状況は非常に大きな変化が生じる。図３Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ中の純金電極薄膜の硬化、アニール、老化処理、リフロー工程後のシート抵抗変化は、純金電極薄膜の硬化とアニール後のシート抵抗変化はあまり見られないが、後続の老化処理完了後、アニール後のシート抵抗分布と比べて、再度、明らかな変化が見られる。最終は、リフロー工程完了後、老化処理工程のシート抵抗分布と比べて、リフロー工程後のシート抵抗分布は僅かな変化がある。同時に、図３Ａと図３Ｅを再度参照すると、純金電極薄膜のシート抵抗分布が、熱処理テスト実験の前後で、完全に異なる分布状況を呈することが発見される。
【００１５】
図４Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅを参照し、図４Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅは、それぞれ、純銀電極薄膜を電極材料とした圧電結晶発振器の成膜、硬化、アニール、老化処理、リフロー工程中のシート抵抗等高図であり、且つ、上述の純銀電極薄膜は、クロム電極薄膜上に直接形成される。図４Ａから図４Ｅの比較で分かるように、純銀電極薄膜の成膜工程から最終のりフロー工程までのシート抵抗分布状況が図４Ａと図４Ｂと図４Ｃで示され、成膜から硬化、アニール工程までのシート抵抗分布状況は非常に大きな変化が生じる。図４Ｃ、Ｄ、Ｅ中の純銀電極薄膜のアニール、老化処理、リフロー工程後のシート抵抗変化において、純銀電極薄膜のアニール後のシート抵抗の分布変化は、老化処理、リフロー工程後のシート抵抗分布の変化はあまり見られない。しかし、最終は、リフロー工程完了後、最初の成膜工程のシート抵抗分布と比べて、図４Ａと図４Ｅを再度参照すると、純銀電極薄膜のシート抵抗分布が、熱処理テスト実験の前後で、完全に異なる分布状況を呈することが発見される。
【００１６】
図１Ａ、Ｂ及び、図５Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅを参照し、図５Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅは、それぞれ、金銀合金で形成される電極薄膜を電極材料とした圧電結晶発振器の成膜、硬化、アニール、老化処理、リフロー工程中のシート抵抗等高図であり、且つ、上述の金銀合金電極薄膜２４は、クロム電極薄膜２２上に直接形成される。図５Ａから図５Ｅの比較で分かるように、金銀合金電極薄膜２４の成膜工程から最終のりフロー工程までのシート抵抗分布状況において、図５Ａと図５Ｂから分かるように、成膜から硬化までのシート抵抗分布状況は少しの変化が生じ、図５Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ中の金銀合金電極薄膜２４の硬化、アニール、老化処理、リフロー工程後のシート抵抗変化は、金銀合金電極薄膜２４の硬化後のアニール、老化処理とリフロー工程中、シート抵抗の分布変化は緩和で、最終は、図５Ａと図５Ｅを再度参照すると、金銀合金電極薄膜２４のシート抵抗分布が、熱処理テスト実験の前後で、一部に変化が見られるが、その変化の程度は緩やかであることが発見される。
【００１７】
上述を総合すると、純金電極薄膜、或いは、純銀電極薄膜は、成膜、硬化、アニール、老化処理、リフローの熱処理後、金銀合金の電極薄膜のシート抵抗と比較して、純金電極薄膜、或いは、純銀電極薄膜のシート抵抗分布は、各工程中でどれも明らかな変化を生じ、且つ、得られるデータは高い標準差を有し、主な原因は、上述の純金電極薄膜、或いは、純銀電極薄膜は最初の形成時、その構造が不安定、或いは、不完全で、この前提下で、電極薄膜は更に熱処理を経て、電極薄膜粒子構造の変化、電極薄膜抵抗率の変化等を容易に生じやすく、シート抵抗の重大な変化を生じる。この他、高温の操作条件下で、純金電極薄膜、或いは、純銀電極薄膜下方のクロム電極薄膜は、高温により一部のクロムイオンが両薄膜の間の界面から純金電極薄膜、或いは、純銀電極薄膜中に拡散し、一部の純金電極薄膜、或いは、純銀電極薄膜が薄膜剥離現象を生じ、最終的に、上述の様々な要素が重なって、純金電極薄膜、或いは、純銀電極薄膜のシート抵抗が重大な変化を生じる。しかし、純金電極薄膜、或いは、純銀電極薄膜を有する圧電結晶発振器の高温化でも安定度を比較すると、本発明が提供する金銀合金電極薄膜が構成する圧電結晶発振器の高温パフォーマンスは非常に安定している。よって、本発明の圧電結晶発振器の電極は高温操作条件下での操作時も、電極薄膜安定の表面形態を維持し、電極薄膜のシート抵抗を一定値に趨向させ、圧電結晶発振器の周波数制御能力を向上させる。
【００１８】
本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１Ａ】本発明の圧電結晶発振器の電極構造を示した図である。
【図１Ｂ】本発明の圧電結晶発振器の電極構造を示した分解図である。
【図２】本発明の圧電結晶発振器の電極を、実際に圧電結晶発振器中に応用した構造分解図である。
【図３Ａ】純金電極薄膜を電極材料とした圧電結晶発振器の成膜工程中のシート抵抗等高線を示した図である。
【図３Ｂ】純金電極薄膜を電極材料とした圧電結晶発振器の銀接着剤硬化工程中のシート抵抗等高線を示した図である。
【図３Ｃ】純金電極薄膜を電極材料とした圧電結晶発振器のアニール工程中のシート抵抗等高線を示した図である。
【図３Ｄ】純金電極薄膜を電極材料とした圧電結晶発振器の老化処理工程中のシート抵抗等高線を示した図である。
【図３Ｅ】純金電極薄膜を電極材料とした圧電結晶発振器のリフロー工程中のシート抵抗等高線を示した図である。
【図４Ａ】純銀電極薄膜を電極材料とした圧電結晶発振器の成膜工程中のシート抵抗等高線を示した図である。
【図４Ｂ】純銀電極薄膜を電極材料とした圧電結晶発振器の高温硬化工程中のシート抵抗等高線を示した図である。
【図４Ｃ】純銀電極薄膜を電極材料とした圧電結晶発振器のアニール工程中のシート抵抗等高線を示した図である。
【図４Ｄ】純銀電極薄膜を電極材料とした圧電結晶発振器の老化処理工程中のシート抵抗等高線を示した図である。
【図４Ｅ】純銀電極薄膜を電極材料とした圧電結晶発振器のリフロー工程中のシート抵抗等高線を示した図である。
【図５Ａ】金銀合金電極薄膜を電極材料とした圧電結晶発振器の成膜工程中のシート抵抗等高線を示した図である。
【図５Ｂ】金銀合金電極薄膜を電極材料とした圧電結晶発振器の銀接着剤硬化工程中のシート抵抗等高線を示した図である。
【図５Ｃ】金銀合金電極薄膜を電極材料とした圧電結晶発振器のアニール工程中のシート抵抗等高線を示した図である。
【図５Ｄ】金銀合金電極薄膜を電極材料とした圧電結晶発振器の老化処理工程中のシート抵抗等高線を示した図である。
【図５Ｅ】金銀合金電極薄膜を電極材料とした圧電結晶発振器のリフロー工程中のシート抵抗等高線を示した図である。
【符号の説明】
【００２０】
１０  上カバー
２０  チップ電極
２２  金属電極薄膜
２４  合金金属電極薄膜
２６  圧電チップ
３０  集積回路チップ
４０  基板
５０  下カバー
【図１Ａ】
2008042873.tif 000003
【図１Ｂ】
2008042873.tif 000004
【図２】
2008042873.tif 000005
【図３Ａ】
2008042873.tif 000006
【図３Ｂ】
2008042873.tif 000007
【図３Ｃ】
2008042873.tif 000008
【図３Ｄ】
2008042873.tif 000009
【図３Ｅ】
2008042873.tif 000010
【図４Ａ】
2008042873.tif 000011
【図４Ｂ】
2008042873.tif 000012
【図４Ｃ】
2008042873.tif 000013
【図４Ｄ】
2008042873.tif 000014
【図４Ｅ】
2008042873.tif 000015
【図５Ａ】
2008042873.tif 000016
【図５Ｂ】
2008042873.tif 000017
【図５Ｃ】
2008042873.tif 000018
【図５Ｄ】
2008042873.tif 000019
【図５Ｅ】
2008042873.tif 000020