(57)【要約】【課題】高記録密度と耐クロスイレース性とを両立しながら、連続サーボによるトラッキングが可能な、光記録媒体、及びこの光記録媒体に対する光ピックアップのトラッキング方法を提供する。【解決手段】本発明に係る光記録媒体は、第１記録トラック２０ａと第２記録トラック２０ｂとの間に記録層が存在しないため、クロスイレースの発生を防止することが可能となる。また、記録トラックを幅の広い第１記録トラック２０ａと幅の狭い第２記録トラック２０ｂとで構成し、これを同一の幅の凸部（もしくは凹部）を介して同一の間隔で交互に配置することで、幅の広い第１記録トラック２０ａはもとより、幅の狭い第２記録トラック２０ｂをも連続サーボによってトラッキングすることが可能となる。【選択図】図１
2008192233.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光記録媒体において、
基材上に、
第１のトラック幅を有する第１のトラックと、
前記第１のトラック幅よりも狭い第２のトラック幅を有する第２のトラックと、
前記第１のトラック及び前記第２のトラックにそれぞれ独立して設けられた記録層と、
を有し、
前記第１のトラック及び前記第２のトラックは、前記第１のトラック幅方向及び前記第２のトラック幅方向に、それぞれ交互に等間隔で設けられてなることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記記録層上に設けられて照射される光の強度に応じて光透過率が変化する光透過層を備えたことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の光記録媒体に対する光ピックアップのトラッキング方法であって、
前記光ピックアップからレーザ光を前記第１のトラック及びその近傍に照射してその戻り光を検出する際に、前記第１のトラックにおける前記第１のトラック幅方向の両端部位置を認識して前記第１のトラックのトラッキングを行い、
前記光ピックアップからレーザ光を前記第２のトラック及びその近傍に照射してその戻り光を検出する際に、前記第２のトラックの両隣の前記第１のトラックにおける前記第２のトラック側の各端部位置を認識して前記第２のトラックのトラッキングを行うことを特徴とする光ピックアップのトラッキング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレーザ光を利用して情報の記録、再生を行う光記録媒体に関し、特に高記録密度ながら、耐クロスイレース性に優れ、かつ連続サーボによるトラッキングが可能な、光記録媒体、及びこの光記録媒体に対する光ピックアップのトラッキング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
デジタル化した情報信号の記録媒体としては、記録容量、ランダムアクセス性、可搬性、価格等の面から、外部からレーザ光を照射することによって情報信号の記録再生等が行われる光記録媒体が産業用から民生用まで広く普及している。これら、光記録媒体としては、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）等の再生専用型、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等の１回のみ記録が可能な追記型、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の何回でも記録が可能な書き換え型、更には大容量の光記録媒体としてＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ等、様々なものが開発されている。
【０００３】
この内、書き換え型の光記録媒体としては、記録層に相変化材料を用いたものが一般的である。相変化材料を用いた記録層はレーザ光の照射により発熱し、そのときの到達温度によって光学特性の異なる非晶質相か結晶相かのいずれかの相に可逆的に相転移する。相変化型の光記録媒体はこの特性を利用して、記録する情報信号に応じた２段階の強度のレーザ光を記録層に照射して、レーザ光の強度に応じた非晶質相もしくは結晶相を連続して形成することで情報信号の記録を行う。そして、記録された情報信号を再生する際には、記録層からの反射光の強度が非晶質相と結晶相とで異なることを判別し、これにより記録された情報信号の再生を行う。
【０００４】
近年、例えば映像の高解像度化などにより、光記録媒体に記録される情報量は年々増加傾向にあり、それに伴い光記録媒体に対しても更なる高記録容量化が求められている。光記録媒体の高記録容量化を図るための代表的な手法の一つとして、情報信号を記録するトラックのピッチやピット等を微細化して高密度化し、一つの記録面に形成可能な記録マークの数を増やすというものがある。この手法によって高記録容量化がなされた光記録媒体の例としては、前述のＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃが挙げられる。
【０００５】
上記の手法においては、微細化したトラックピッチやピット等にも対応できるように、照射するレーザ光のスポット径も小径化し、光学系の分解能を向上させる必要がある。ただし、レーザ光のスポット径は照射するレーザ光の波長λと使用する対物レンズの開口率ＮＡによってほぼ（２ＮＡ／λ）の値に決まるため、スポット径の小径化を図るためには、基本的に使用するレーザ光を短波長化し、より開口率の高い対物レンズを用いることによって行われている。このようにして、前述のＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃにおいては、使用するレーザ光の波長λを４０５ｎｍに短波長化するとともに、開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いることで、トラックピッチを３２０ｎｍ、最短ピット長を１５０ｎｍにまで微細化して、一層あたり２５ギガバイトの高記録容量を達成している。
【０００６】
ただし、対物レンズの開口数ＮＡをこれよりも大きくすると、焦点深度の近接化に伴って急激に増大するコマ収差への対策が極めて困難となる。また、これ以上のレーザ光の短波長化は、レーザ光が紫外線領域に入るために光記録媒体に使用する基板材料等の選択が難しい。従って、上記の手法によるこれ以上の光記録媒体の高記録密度化、高容量化は現段階では困難である。
【０００７】
このため、レーザ光の短波長化と対物レンズの高開口率化とは異なった手法により、スポット径の小径化を図る試みがなされている。その一つとして、下記[特許文献１]に開示された発明では、光記録媒体を構成する記録層のレーザ光の入射面側に、レーザ光の強度に応じて光透過率が一時的に変化する補助層を設けている。この補助層は照射されたレーザ光のスポット径を絞るように機能するため、照射時のレーザ光のスポット径が大きくとも、記録層に到達するレーザ光のスポット径は小径化する。このため、光学系の分解能の向上が可能となり、更なるトラックピッチやピット等の微細化による光記録媒体の高記録密度化を図ることができる。
【０００８】
【特許文献１】特開平５−２８５３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、[特許文献１]に開示された発明を応用して、トラックピッチを３２０ｎｍより微細化した高記録密度な書き換え型の光記録媒体を作製したところ、次のような問題が発生した。
【００１０】
一つは、補助層により記録層に到達するレーザ光のスポット径は小径化されるものの、トラックピッチが極めて狭いために記録時に発生した熱が記録層を伝導して隣の記録トラックにまで到達し、隣の記録トラックの記録マークを改変する所謂クロスイレースが発生する場合があるというものである。よって、このクロスイレースを防止するような更なる改善が望まれる。
【００１１】
もう一つは、微細化された記録トラックのトラッキングに関する問題である。現在、レーザ波長４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡが０．６５に対応した光学系において、一般的な連続サーボによって安定的にトラッキングが可能なトラックピッチは３５０ｎｍが限界である。また、レーザ波長４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡが０．８５に対応した光学系でも、連続サーボによるトラッキングのためには、トラックピッチを３２０ｎｍよりも大幅に狭くすることはできない。このため、トラックピッチをより狭くする場合、トラックの途中に設けたエンボスピットを用いてトラッキングを行う、所謂サンプルサーボ（ディスクリートブロックサーボ）等を用いる必要がある。
【００１２】
このため、上記の高記録密度を有する光記録媒体に対応する機器は、高記録密度を有する光記録媒体用のトラッキングサーボと従来の光記録媒体用の連続サーボの２つのトラッキングサーボを備える必要が生じる。これは、装置規模の拡大及びコスト増を招く他、光学系及び制御系が複雑化し好ましいものではなく、更なる改善が望まれる。
【００１３】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高記録密度と耐クロスイレース性とを両立しながら、連続サーボによるトラッキングが可能な、光記録媒体、及びこの光記録媒体に対する光ピックアップのトラッキング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、光記録媒体において、
基材上に、
第１のトラック幅を有する第１のトラックと、
前記第１のトラック幅よりも狭い第２のトラック幅を有する第２のトラックと、
前記第１のトラック及び前記第２のトラックにそれぞれ独立して設けられた記録層と、
を有し、
前記第１のトラック及び前記第２のトラックは、前記第１のトラック幅方向及び前記第２のトラック幅方向に、それぞれ交互に等間隔で設けられてなることを特徴とする光記録媒体５０、５０ａを提供することにより、上記課題を解決する。
【００１５】
また、前記記録層上に設けられて照射される光の強度に応じて光透過率が変化する光透過層を備えたことを特徴とする上記の光記録媒体５０、５０ａを提供することにより、上記課題を解決する。
【００１６】
また、上記に記載の光記録媒体５０、５０ａに対する光ピックアップのトラッキング方法であって、
前記光ピックアップからレーザ光を前記第１のトラック及びその近傍に照射してその戻り光を検出する際に、前記第１のトラックにおける前記第１のトラック幅方向の両端部位置を認識して前記第１のトラックのトラッキングを行い、
前記光ピックアップからレーザ光を前記第２のトラック及びその近傍に照射してその戻り光を検出する際に、前記第２のトラックの両隣の前記第１のトラックにおける前記第２のトラック側の各端部位置を認識して前記第２のトラックのトラッキングを行うことを特徴とする光ピックアップのトラッキング方法を提供することにより、上記課題を解決する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る光記録媒体、及びこの光記録媒体に対する光ピックアップのトラッキング方法は、上記の構成及び手順を有するため、
（１）光記録媒体のトラックピッチを狭くして記録密度を高めても、情報信号の記録時にクロスイレースを生じることがない。
（２）光記録媒体のトラックピッチを狭くして記録密度を高めても、連続サーボを用いてトラッキングを行うことができる。このため、特別なトラッキングサーボが不要で、トラッキングに関わる装置に大規模な変更、大幅なコスト増が生じない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明に係る光記録媒体、及びこの光記録媒体に対する光ピックアップのトラッキング方法の実施の形態について図面に基づいて説明する。
【００１９】
図１は本発明に係る光記録媒体の模式断面図である。図２は本発明に係る光記録媒体の第２の形態の模式断面図である。図３、図４は本発明に係る光記録媒体のマスク層によるレーザ光の小径化を説明する図である。図５は本発明に係る光記録媒体の製造方法の概略を説明する図である。図６は本発明に係る光記録媒体のトラッキング方法を説明する図である。
【００２０】
図１に示す本発明に係る光記録媒体５０は、同心円状又は螺旋状に形成された凹凸パターンを一面側に備えた基材としての基板１１と、基板１１の凹凸パターン上に順次成膜された複数の機能層と、それら機能層上に形成された保護層１７とを有している。基板１１の凹凸パターンは、幅の広い第１トラック１１ａと幅の狭い第２トラック１１ｂとからなる凹状のイングルーブと同一幅の凸状のオングルーブとからなり、更に第１トラック１１ａと第２トラック１１ｂとが光記録媒体５０の半径方向に、同一幅のオングルーブを介して等間隔に交互に配置され形成されている。基板１１の凹凸パターン上の機能層は、基板１１上に形成される反射層１２と、反射層１２上に形成される第１誘電体層１３と、第１トラック１１ａの第１誘電体層１３上に形成される第１記録層１４ａと、第２トラック１１ｂの第１誘電体層１３上に形成される第２記録層１４ｂと、第１記録層１４ａと第２記録層１４ｂと第１誘電体層１３の露出部分に形成される第２誘電体層１５と、第２誘電体層１５上に形成される光透過層としてのマスク層１６とを有している。そして、第１トラック１１ａと第１記録層１４ａを含む各機能層とが、情報信号の記録再生が可能な第１記録トラック２０ａを構成し、また、第２トラック１１ｂと第２記録層１４ｂを含む各機能層とが、同様に情報信号の記録再生が可能な第２記録トラック２０ｂを構成する。
【００２１】
このとき、第１記録トラック２０ａの幅（後述する図６における幅寸法Ｅ）は連続サーボによるトラッキングが可能な１００ｎｍ以上に、第２記録トラック２０ｂの幅（後述する図６における幅寸法Ｄ）は情報信号の記録再生が可能でかつ連続サーボがその凹凸を識別することができない５０ｎｍ〜７５ｎｍの範囲に、凸部であるオングルーブの幅（後述する図６における幅寸法Ｃ）はクロスイレースの防止効果が十分発揮される６５ｎｍ以上に設定する。上記の幅寸法が全て最小値をとった場合、２つの第１記録トラック２０ａ間のピッチは２８０ｎｍとなり、第１記録トラック２０ａと第２記録トラック２０ｂのトラックピッチはその半分の１４０ｎｍとなる。これは、従来のイングルーブ（オングルーブ）記録のトラックピッチである３２０ｎｍの１／２以下の値であり、従って光記録媒体５０では従来よりも約２倍の高記録密度化とそれによる高容量化を図ることができる。
【００２２】
尚、従来の光記録媒体との互換性の観点から、レーザ光波長が４０５ｎｍ、開口数ＮＡが０．８５の光学系では、第１記録トラック２０ａ間のピッチは３２０ｎｍから大きく逸脱しない３２０ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲が好ましく、これを満たすように第１記録トラック２０ａの幅を１００ｎｍ〜１６０ｎｍ、第２記録トラック２０ｂの幅を５０ｎｍ、凸部であるオングルーブの幅を６５ｎｍ〜８５ｎｍの範囲とすることが好ましい。更に、第１記録トラック２０ａの幅を１４０ｎｍ、凸部であるオングルーブの幅を６５ｎｍとすれば、第１記録トラック２０ａ間のピッチが３２０ｎｍになることに加え、第１記録トラック２０ａの幅と第２記録トラック２０ｂ及びその両側のオングルーブを合わせた幅が１８０ｎｍとなり両者の差が４０ｎｍと小さくなることから、互換性の観点からもトラッキングの観点からも最も好適である。また更に、レーザ光波長が４０５ｎｍ、開口数ＮＡが０．６５の光学系では、第１記録トラック２０ａ間のピッチは４００ｎｍから大きく逸脱しないように各トラックの幅を設定することが好ましい。
【００２３】
また、図１においては、レーザ光の入射面を保護層１７面側とし、第１記録トラック２０ａ、第２記録トラック２０ｂがイングルーブ側にある例を示したが、レーザ光の入射面を基板１１面側とする場合には、図２に示す光記録媒体５０ａのように、図１の光記録媒体５０とは各機能層の積層順序が逆となり、第１記録トラック２０ａ、第２記録トラック２０ｂはオングルーブ側となる。更に、光記録媒体５０、５０ａにおいては、基板１１の凹部に第１記録トラック２０ａと第２記録トラック２０ｂとを形成する例を示したが、基板１１の凸部の幅を変えてここに第１記録トラック２０ａと第２記録トラック２０ｂとを形成しても良い。
【００２４】
基板１１及び保護層１７の材料としては、ポリカーボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリスチレン、ポリカーボネート・ポリスチレン共重合体、ポリビニルクロライド、脂環式ポリオレフィン、ポリメチルペンテン等の各種熱可塑性樹脂や熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂及び可視光硬化樹脂を含む各種光硬化樹脂などの合成樹脂もしくは、ソーダライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス等のセラミックスが挙げられる。中でもポリカーボネートは成形性及び生産性に優れているため、上記材料として好適である。
【００２５】
基板１１及び保護層１７の厚みは、波長４０５ｎｍのレーザ光と開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いた光学系に対応する場合には、レーザ光の入射面側となる基板１１もしくは保護層１７の厚みを約０．１ｍｍとし、光記録媒体５０、５０ａの総厚みを１．２ｍｍ前後とする必要がある。即ち、レーザ光の入射面が保護層１７側である光記録媒体５０の場合には、基板１１の厚みを約１．１ｍｍとし保護層１７の厚みを約０．１ｍｍとする。このとき、基板１１にはポリカーボネート等の合成樹脂製の基板を用い、保護層１７には合成樹脂製のフィルムか紫外線硬化樹脂等の光硬化樹脂を用いることが好ましい。逆に、レーザ光の入射面が基板１１側である光記録媒体５０ａの場合には、基板１１の厚みを約０．１ｍｍとし保護層１７の厚みを約１．１ｍｍとする。このとき、保護層１７にはポリカーボネート等の合成樹脂製の基板を用い、基板１１には合成樹脂製の基板もしくはフィルムを用いることが好ましい。また、凹凸パターンを転写しながら紫外線硬化樹脂等の光硬化樹脂を硬化して、これを基板１１としても良い。尚、波長４０５ｎｍのレーザ光と開口数ＮＡが０．６５の対物レンズを用いた光学系に対応する場合には、基板１１及び保護層１７の厚みを約０．６ｍｍとし、光記録媒体５０、５０ａの総厚みを１．２ｍｍ前後とする。
【００２６】
第１誘電体層１３、第２誘電体層１５は、レーザ光の照射による発熱によって第１記録層１４ａ、第２記録層１４ｂや基板１１、保護層１７等が変形することを防止する機能、多重干渉膜としての機能、更に反射層１２が隣接している場合には第１記録層１４ａ、第２記録層１４ｂで発生した熱を適切に反射層１２に伝導し放熱させるなどの機能を有している。これら第１誘電体層１３及び第２誘電体層１５の材料としては、ＳｉＯ２（二酸化珪素）、ＳｉＯ（一酸化珪素）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＴｉＯ２（二酸化チタン）、Ｎｂ２Ｏ５（酸化ニオブ）、ＺｒＯ２（酸化ジルコニウム）、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）等の酸化物、ＺｎＳ（硫化亜鉛）、Ｉｎ２Ｓ３（硫化インジウム）、ＴａＳ４（硫化タンタル）等の硫化物、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＴａＣ（炭化タンタル）、ＷＣ（炭化タングステン）、ＴｉＣ（炭化チタン）等の炭化物などの単体もしくはこれらの混合物が挙げられる。中でもＺｎＳとＳｉＯ２との混合膜は記録、消去の繰り返しに際しても、記録感度、Ｃ／Ｎ比、消去率等の劣化が起こりにくいため、上記材料として好適である。
【００２７】
第１記録層１４ａ及び、第２記録層１４ｂとしては、照射されるレーザ光のパワーにより結晶相と非晶質相とに可逆的に相転移する、Ｔｅ（テルル）、Ｓｂ（アンモチン）等のカルコゲンを主成分とした周知の相変化材料を用いることができる。具体的には、ＴｅＧｅＳｂ（テルル・ゲルマニウム・アンモチン）、ＴｅＳｎＳｂ（テルル・スズ・アンモチン）、ＴｅＧａＳｅ（テルル・ガリウム・セレン）、ＩｎＳｂ（インジウム・アンモチン）、ＴｅＡｇＩｎＳｂ（テルル・銀・インジウム・アンモチン）、ＣｕＡｌＴｅＳｂ（銅・アルミニウム・テルル・アンモチン）等が挙げられる。
【００２８】
反射層１２は、情報信号の再生時には第１記録層１４ａ及び、第２記録層１４ｂの透過光を機器側に反射して読み取り性能（再生Ｓ/Ｎ比）の向上に寄与し、情報信号の記録時には第１記録層１４ａもしくは第２記録層１４ｂで発生する熱を適切に放熱し冷却する機能を有する。反射層１２の材料としてはＡｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｔｉ、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔａ、Ｍｏ（モリブデン）、Ｆｅ（鉄）、Ｚｎ、Ｇａ、Ａｓ（砒素）、Ｐｄ（パラジウム）等の金属、又は前記金属と前記金属を含む１種類以上の金属とからなる合金、又は前記金属もしくは前記合金と、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物、金属フッ化物等の金属化合物を混合したものなどが挙げられる。中でもＡｌ、Ａｕ、Ａｇ等の金属もしくは合金は高い反射率と熱伝導率とを兼ね備えており、反射層１２の材料として特に好適である。
【００２９】
マスク層１６の材料として、照射された光の強度により光透過率が一時的に変化する環状有機金属錯体、相変化材料、フォトクロミックなどの光透過率変化材が用いられる。具体的な環状有機金属錯体を用いた光透過率変化材の例としては、２つのアルキル基をもつ環状有機金属錯体であるジルコニウムポリフィリン錯体が挙げられる。このジルコニウムポリフィリン錯体に波長４００ｎｍ以上のレーザ光を照射すると、アルキル基をもたないジルコニウムポリフィリン錯体が生成し、レーザ光の光強度分布に応じて光透過率が上昇する。そして、レーザ光の照射がなくなると、アルキル基が再結合して元の光透過率に戻る。
【００３０】
また、光透過率変化材として相変化材料を使用することも可能である。相変化材料は前述のように、レーザ光の照射による発熱によって光透過率の低い結晶状態と透過率の高い非晶質状態とを可逆的に相転移する。よって、相変化材料を予め光透過率の低い結晶状態としておき、レーザ光の照射時にはレーザ光の強度の高い部分のみを所定の温度以上にして非晶質状態に相転移させる。この非晶質状態の部分はレーザ光の照射がなくなると冷却されて再び結晶状態に相転移し、その透過率も低い状態に戻る。このようにして、相変化材料をレーザ光の光強度に応じて一時的に光透過率が変化する光透過率変化材として用いることができる。尚、この相変化材料による光透過率の変化は熱によりなされるために、光の波長に対する依存性が低く、紫外線から赤外線の広範囲に亘る波長のレーザ光に対しても同様の変化を得ることができる。更に、相変化材料はスパッタ法や蒸着法により成膜できることから、他の機能層の成膜時に連続してマスク層１６を形成することが可能で生産効率が高い。
【００３１】
次に、マスク層１６によるレーザ光の小径化を図３、図４を用いてさらに詳しく説明する。光記録媒体の記録再生等に用いるレーザ光は、通常図３中の実線Ｘで示すような光強度分布（例えば、ガウス分布）を有している。このようなレーザ光がマスク層１６に入射すると、光強度の高いレーザ光の中心部分では発熱による温度上昇が大きいためマスク層１６の光透過率は大きく上昇するが、光強度の低いレーザ光の周辺部分では発熱による温度上昇が小さいため光透過率はさほど変化しない。この結果、マスク層１６を通過した透過光の光強度は、図３中の破線Ｙで示すように、レーザ光の周辺部分の光強度が低下して、入射時のレーザ光と比べ光の強度分布が鋭くなる。ここで、記録層に記録マークを形成することが可能な光強度を図３中の値Ｚ以上と仮定すると、情報信号の記録に十分な強度を有するレーザ光のスポット径は、入射時のレーザ光では図３中のｘの範囲であるのに対し、マスク層１６を透過した後は図３中のｙの範囲にまで小さくなる。
【００３２】
上記のマスク層１６によるスポット径の変化は、マスク層１６に用いる光透過率変化材の光透過率特性が、図４中の破線に示すような比例関係にあると仮定した場合、照射時のレーザ光の約３／４となる。ただし実際の光透過率変化材の光透過率特性は、図４中の実線のような曲線を有するので、スポット径は実質的には照射時の約３／５、マスク層１６を往復２回通過する再生時のレーザ光は照射時の１／３〜１／２にまで小径化する。これらのことから、マスク層１６にレーザ光を通過させることで、記録層に到達するスポット径は小径化し、トラックピッチ及び記録マーク等の更なる微細化が可能となる。
【００３３】
尚、光記録媒体５０、５０ａを構成する反射層１２、第１誘電体層１３、第２誘電体層１５は必須のものではなく、また、別の手法によりスポット径を上記のレベルにまで小径化することが可能であればマスク層１６は無くとも良い。更に、光記録媒体５０、５０ａの機能層には、熱拡散層や透過率調整層など、必要に応じてその他の層を適宜加えることも可能である。
【００３４】
次に、本発明に係る光記録媒体の製造方法の概略を光記録媒体５０の作製を例として図５に示す。先ず、基板作製工程として、図５（ａ）に示すように、幅の広い第１トラック１１ａと幅の狭い第２トラック１１ｂとからなる凹部が、同一幅の凸部を介して交互に連続するような凹凸パターンを有する基板１１を作製する。基板１１の作製方法としては、基板１１が合成樹脂製の場合には主に射出成形によって、基板１１がセラミック製の場合には主にフォトポリマー法によって行われる。また、基板１１の厚みが薄い場合には、紫外線硬化樹脂などの光硬化樹脂を所定の厚みに塗布した後に、凹凸パターンの母型を有するスタンパ等を密着させ、そのまま所定の波長領域の光を照射して硬化し、これを基板１１としても良い。
【００３５】
次に、第１の成膜工程として、図５（ｂ）に示すように、基板１１の凹凸パターン上に所定の層厚の反射層１２、第１誘電体層１３、記録層１４を、スパッタリング法や蒸着法などの周知の成膜方法により順次成膜する。
【００３６】
次に、記録層１４の成膜後に除去工程として、第１トラック１１ａ部と第２トラック１１ｂ部以外の領域に成膜された記録層１４を除去し、図５（ｃ）に示すように、記録層１４を第１記録層１４ａと第２記録層１４ｂとに分断する。記録層１４の選択的な除去方法としては、電圧の印加により加速させたクリプトンイオン、アルゴンイオン等を、適切な照射角で記録層１４に衝突させて、所定領域の記録層１４を除去するイオンミリング法の他、リアクティブイオンエッチング法などを用いることができる。中でもイオンミリング法を用いれば、その装置をスパッタリング装置内に設置することができるため、第１の成膜工程、除去工程、後述する第２の成膜工程を連続して行う事が可能となり生産効率が極めて高い。
【００３７】
次に、第２の成膜工程として、図５（ｄ）に示すように、第１記録層１４ａ、第２記録層１４ｂ及び記録層１４が除去されて露出した第１誘電体層１３上に、第２誘電体層１５をスパッタリング法や蒸着法などの周知の成膜方法により成膜する。尚、マスク層１６が相変化材料の場合には、第２誘電体層１５成膜後、連続して第２誘電体層１５上にマスク層１６を成膜する。マスク層１６が環状有機金属錯体、フォトクロミック等の場合には、第２誘電体層１５の成膜後に基板１１を取り出して、スピンコート法などの周知の手法により第２誘電体層１５上にマスク層１６を形成する。
【００３８】
これにより、基板１１の第１トラック１１ａには第１記録層１４ａを含む各機能層が成膜されて第１記録トラック２０ａが形成される。また、基板１１の第２トラック１１ｂには第２記録層１４ｂを含む各機能層が成膜されて第２記録トラック２０ｂが形成される。
【００３９】
最後に、保護層形成工程として、図５（ｅ）に示すように、マスク層１６上に保護層１７を形成する。保護層１７は、紫外線硬化樹脂などの光硬化樹脂を所定の厚みにスピンコート法などで塗布した後に、硬化して形成することができる。また、基板やフィルム等を接着剤や光硬化樹脂などを用いて機能層上に接着することで保護層１７を形成しも良い。
【００４０】
上記の手順により、異なる２種類の幅の第１記録トラック２０ａと第２記録トラック２０ｂとが交互に配置された光記録媒体５０が作製される。
【００４１】
この光記録媒体５０及び光記録媒体５０ａに情報信号を記録する場合には、記録する情報信号に応じて２段階に強度が変化するレーザ光を、光記録媒体５０では保護層１７側から、光記録媒体５０ａでは基板１１側から、第１記録トラック２０ａもしくは第２記録トラック２０ｂに向かって照射する。照射されたレーザ光は、保護層１７もしくは基板１１を通過してマスク層１６に到達する。マスク層１６に到達したレーザ光は、マスク層１６の通過の際に前述した光透過率変化の効果によって小径化された後、第１記録層１４ａもしくは第２記録層１４ｂに到達して所定の記録マークを形成する。よって、光記録媒体５０、５０ａは、幅の広い第１記録トラック２０ａはもとより幅の狭い第２記録トラック２０ｂにおいても微小な記録マークを良好に形成することができる。また、再生時にも同様にしてマスク層１６の光透過率変化効果によりスポット径が小径化されるため、隣の記録トラックからのクロストークの影響を受けることも無く、微小な記録マークを良好に再生することができる。
【００４２】
更に、光記録媒体５０、５０ａは、記録層１４の成膜後に行われる除去工程により、第１記録トラック２０ａと第２記録トラック２０ｂとの間の記録層は除去される。このため、記録時に第１記録層１４ａもしくは第２記録層１４ｂで発生した熱が、記録層を伝って隣の記録トラックに伝導することがなく、よってクロスイレースの発生を防止することができる。
【００４３】
ここで、本発明に係る光記録媒体の記録再生特性を検証するため、光記録媒体５０と従来のトラックピッチ３２０ｎｍの光記録媒体とに、それぞれ記録マークの長さを変化させて情報信号を記録し、これらの再生信号のジッタ値を測定した。その測定結果を表１に示す。尚、検証に際してはクロスイレースの影響をも調べるため、測定に用いた記録トラックの両隣の記録トラックにも情報信号を記録したのち測定を行った。また、従来の光記録媒体への１００ｎｍ以下の記録マークの形成は実験機器を用いて特殊な条件にて行った。
【００４４】
【表１】
2008192233.tif 000003
表１より、本発明の光記録媒体５０である試験ディスクＡは、記録マークの長さが１５０ｎｍから従来の記録マーク半分以下の長さである７０ｎｍまで、その再生信号のジッタ値は１０％以下という良好な値を示した。これに対して、従来の光記録媒体である試験ディスクＢは、記録マークの長さが１００ｎｍで、その再生信号のジッタ値は良否判定基準の１０％を大きく超えた１８．８％に悪化した。このことから、光記録媒体５０は従来よりも微細な記録マークによる情報信号の記録及び再生を、良好に行えることがわかる。このことは、光記録媒体５０のマスク層１６によるスポット径の小径化と記録層の分断による熱伝導の低減による、記録時のクロスイレースと再生時のクロストークの防止効果によるものと考えられる。
【００４５】
次に、本発明に係る光記録媒体のトラッキング方法について図６を用いて説明する。尚、図６においては、説明のため各機能層及び保護層１７の記載を省略する。
【００４６】
まず、幅の広い第１記録トラック２０ａの幅寸法Ｅは、連続サーボによるトラッキングが可能な１００ｎｍ以上の値を有している。よって、第１記録トラック２０ａに照射されるレーザ光Ｌ１のトラッキングは、通常の連続サーボによるトラッキングと同様、第１記録トラック２０ａの両側の側壁部Ｓ１及びＳ２からの戻り光の信号に基づいて行う。このとき仮に、トラッキングに用いるレーザ光が、第２記録トラック２０ｂにかかったとしても、第２記録トラック２０ｂの幅寸法Ｄは連続サーボによる凹凸の識別が不能な５０ｎｍ〜７５ｎｍの範囲にあるため第１記録トラック２０ａのトラッキングに影響することはない。
【００４７】
幅の狭い第２記録トラック２０ｂのトラッキングは、凹凸の極性を第１記録トラック２０ａのトラッキング時と逆転させるとともに、第２記録トラック２０ｂの両側の凸部（オングルーブ）と第１記録トラック２０ａとの側壁部Ｓ１、Ｓ３からの戻り光の信号に基づいて行う。即ち、幅の狭い第２記録トラック２０ｂを認識できない連続サーボは、あたかも第２記録トラック２０ｂとその両側の凸部とを一つのオングルーブであるかのように認識して、この仮想オングルーブに対してトラッキングを行う。これは、仮想オングルーブの中心、つまり同一幅寸法Ｃの凸部に挟まれた第２記録トラック２０ｂに対して、トラッキングを行うことを意味している。これにより、幅の狭い第２記録トラック２０ｂを連続サーボによりトラッキングし、レーザ光Ｌ２をその中央に安定して照射することが可能となる。
【００４８】
尚、本発明の光記録媒体のトラッキングはあたかもランドアンドグルーブ記録の光記録媒体のように行われるが、記録トラックはイングルーブもしくはオングルーブの一方であるため、情報信号の記録再生系は記録トラック毎に切り換える必要がない。このため、ランドアンドグルーブ記録と同等の記録容量を持ちながら、情報信号の記録再生系に関与する装置及びその制御は複雑化することがない。
【００４９】
以上のことから、本発明に係る光記録媒体によれば、第１記録トラック２０ａと第２記録トラック２０ｂとの間に記録層が存在しないため、記録時に第１記録層１４ａもしくは第２記録層１４ｂで発生する熱が、記録層を伝わって隣の記録トラックに伝導することがない。このため、クロスイレースの発生を防止することが可能で、耐クロスイレース性に優れた光記録媒体を得ることができる。
【００５０】
また、本発明に係る光記録媒体及び光記録媒体のトラッキング方法によれば、記録トラックを幅の広い第１記録トラック２０ａと幅の狭い第２記録トラック２０ｂとで構成し、これを同一の幅の凸部（もしくは凹部）を介して同一の間隔で交互に配置するとともに、各トラックの幅を最適化することで、幅の広い第１記録トラック２０ａはもとより、幅の狭い第２記録トラック２０ｂをも連続サーボによってトラッキングすることが可能となる。
【００５１】
また、本発明に係る光記録媒体の製造方法は、所定の寸法の凹凸パターンを有する基板１１に機能層を成膜することで、幅の異なる２種類の第１記録トラック２０ａと第２記録トラック２０ｂとが交互に配置された光記録媒体を作製することができる。また、光記録媒体を構成する記録層１４の成膜後に除去工程を設けることにより、第１記録トラック２０ａと第２記録トラック２０ｂとの間の記録層を選択的に除去することができる。これらのことにより、耐クロスイレース性に優れるとともに、連続サーボによるトラッキングが可能な高記録密度な光記録媒体を作製することができる。
【００５２】
尚、本例においては、書き換え型の光記録媒体を例に用いて説明を行ったが、追記型の光記録媒体にも適用することが可能な他、本発明は本発明の要旨を逸脱しない範囲で変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明に係る光記録媒体の模式断面図である。
【図２】本発明に係る光記録媒体の第２の形態の模式断面図である。
【図３】本発明に係る光記録媒体のマスク層によるレーザ光の小径化を説明する図である。
【図４】本発明に係る光記録媒体のマスク層によるレーザ光の小径化を説明する図である。
【図５】本発明に係る光記録媒体の製造方法の概略を説明する図である。
【図６】本発明に係る光記録媒体のトラッキング方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００５４】
１１    基板
１１ａ    第１トラック
１１ｂ    第２トラック
１４ａ    第１記録層
１４ｂ    第２記録層
２０ａ    第１記録トラック
２０ｂ    第２記録トラック
５０、５０ａ    光記録媒体
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３    第１記録トラックの側壁部
【図１】
2008192233.tif 000004
【図２】
2008192233.tif 000005
【図３】
2008192233.tif 000006
【図４】
2008192233.tif 000007
【図５】
2008192233.tif 000008
【図６】
2008192233.tif 000009