(57)【要約】【課題】直流バイアス用の導体パターンを備えた構成において、電気的特性をさらに向上させること。【解決手段】配線基板１０３は、半導体素子１０２に電気的に接続された線路導体１０３ｃｐと、線路導体１０３ｃｐに電気的に接続された終端抵抗１０３Ｒ１と、線路導体１０３ｃｐに並んで設けられたバイアス線路１０３ｃｂとを有している。配線基板１０３は、線路導体１０３ｃｐとバイアス線路１０３ｃｂとの間に溝１０３Ｇを有している。【選択図】図３
2008186966.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージと、
同軸コネクタに電気的に接続されており、前記パッケージに収容された半導体素子と、
前記半導体素子に電気的に接続された線路導体と、前記線路導体に電気的に接続された終端抵抗と、前記線路導体に電気的に接続されており前記線路導体に並んで設けられたバイアス線路とを有しているとともに、前記線路導体と前記バイアス線路との間に溝を有しており、前記パッケージに収容された配線基板と、
を備えた高周波デバイス。
【請求項２】
前記配線基板は、前記パッケージの底面に対向する第１の面と、前記線路導体および前記バイアス線路が形成された第２の面とを有しており、該第２の面における前記線路導体と前記バイアス線路との間に前記溝が設けられていることを特徴とする請求項１記載の高周波デバイス。
【請求項３】
パッケージと、
前記パッケージに収容されており、同軸コネクタに電気的に接続される半導体素子と、
前記半導体素子に電気的に接続された線路導体と、前記線路導体に電気的に接続された終端抵抗とを有しており、前記パッケージに収容された第１の配線基板と、
ボンディングワイヤを介して前記線路導体に電気的に接続されたバイアス線路を有しており、前記第１の配線基板と離間して前記パッケージに収容された第２の配線基板と、
を備えた高周波デバイス。
【請求項４】
パッケージと、
前記パッケージに収容されており、同軸コネクタに電気的に接続される半導体素子と、
前記パッケージの底面に対向する第１の面と前記半導体素子に電気的に接続された線路導体が設けられた第２の面とを有しており、前記パッケージに収容された配線基板とを備えており、
該配線基板は、前記第２の面に、前記線路導体に電気的に接続された終端抵抗と、前記線路導体に電気的に接続されており前記線路導体に並んで設けられたバイアス線路とを有しているとともに、前記第１の面に、前記線路導体に対応して設けられており接地電位が与えられる導体層を有しており、
前記線路導体とバイアス線路との距離が、前記導体層と前記線路導体との距離の１／２以上であることを特徴とする高周波デバイス。
【請求項５】
半導体素子を備えた高周波デバイスに用いられる配線基板であり、
第１の面と、
溝を有する第２の面と、
前記第２の面に形成されており、前記半導体素子に電気的に接続される線路導体と、
前記第２の面に形成されており、前記線路導体に電気的に接続された終端抵抗と、
前記線路導体に電気的に接続されているとともに、前記線路導体との間に前記溝が位置するように前記線路導体と並んで設けられており、前記半導体素子に供給されるバイアス電位が与えられるバイアス線路と、
前記第１の面に前記線路導体に対応して形成されており、接地電位が与えられる導体層と、
を備えた配線基板。
【請求項６】
請求項５に記載の配線基板と、
前記配線基板が搭載された金属製の基体と、
前記配線基板を囲んで前記基体上に設けられた金属製の枠体と、
を備えたパッケージ。
【請求項７】
半導体素子を備えた高周波デバイスに用いられるパッケージであり、
基体と、
前記基体上に設けられた枠体と、
前記半導体素子に電気的に接続される線路導体を有しており、前記基体上に設けられた第１の配線基板と、
ボンディングワイヤを介して前記線路導体に電気的に接続されるバイアス線路が形成されており、前記第１の配線基板と離間して前記基体上に設けられた第２の配線基板と、
を備えたパッケージ。
【請求項８】
半導体素子を備えた高周波デバイスに用いられる配線基板であり、
第１の面および第２の面と、
前記第１の面に形成されており、接地電位が与えられる導体層と、
前記第２の面に形成されており、前記半導体素子に電気的に接続される線路導体と、
前記第２の面に形成されており、前記線路導体に電気的に接続された終端抵抗と、
前記線路導体に電気的に接続されているとともに、前記線路導体と前記導体層との距離の２倍以上の距離を設けて前記線路導体に並んで配置されており、前記半導体素子に供給されるバイアス電位が与えられるバイアス線路と、
を備えた配線基板。
【請求項９】
請求項８に記載の配線基板と、
前記配線基板が搭載された金属製の基体と、
前記配線基板を囲んで前記基体上に設けられた金属製の枠体と、
を備えたパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波帯域にて用いられる半導体素子が搭載された高周波デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高周波帯域にて用いられる半導体素子が搭載された高周波デバイスにおいては、半導体素子が電気的に接続される終端抵抗を有する配線基板が用いられる。このような配線基板においては、半導体素子に直流バイアスを供給するための導体パターンが、半導体素子に電気的に接続される線路導体に並んで設けられていることがある。
【特許文献１】特開２００６−１３３５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このように、直流バイアス用の導体パターンが半導体素子に電気的に接続される線路導体に並んで設けられている構成においては、線路導体を伝わる高周波信号が直流バイアス用の導体パターンへ流れ込む可能性がある。
【０００４】
本発明は、このような課題に鑑みて案出されたものであり、直流バイアス用の導体パターンを備えた構成において、電気的特性をさらに向上させることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つは、パッケージと、パッケージに収容された半導体素子および配線基板とを備えている。配線基板は、半導体素子に電気的に接続された線路導体と、線路導体に電気的に接続された終端抵抗と、線路導体に電気的に接続されており線路導体に並んで設けられたバイアス線路とを有している。配線基板は、線路導体とバイアス線路との間に溝を有している。
【０００６】
本発明の他の一つは、第１の配線基板と、第２の配線基板とを備えている。第１の配線基板は、半導体素子に電気的に接続された線路導体と、線路導体に電気的に接続された終端抵抗とを有している。第２の配線基板は、ボンディングワイヤを介して線路導体に電気的に接続されたバイアス線路を有しており、第１の配線基板と離間して配置されている。
【０００７】
本発明の他の一つは、線路導体とバイアス線路との距離が、導体層と線路導体との距離の１／２以上である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、線路導体とバイアス線路との間に溝を有していることにより、直流バイアス用の導体パターンを備えた構成において、電気的特性をさらに向上させることができる。
【０００９】
本発明は、第１の配線基板と離間して配置された第２の配線基板を備えていることにより、直流バイアス用の導体パターンを備えた構成において、電気的特性をさらに向上させることができる。
【００１０】
本発明は、線路導体とバイアス線路との距離が、導体層と線路導体との距離の１／２以上であることにより、直流バイアス用の導体パターンを備えた構成において、電気的特性をさらに向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
（第１の実施の形態）図１〜３を用いて、本発明の第１の実施の形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態における高周波デバイスの構成を示す斜視図である。図１において、高周波デバイスの内部を示すために、構成の一部を省略している。図２は、図１に示した高周波デバイスの構成を示す断面図である。図３は、図１，２における配線基板の構成を示す斜視図である。図４は、図３に示した配線基板の構成を示す断面図である。
【００１３】
図１に示すように、本実施の形態における高周波デバイス１は、パッケージ１０１と、パッケージ１０１に収容された半導体素子１０２および配線基板（終端用基板）１０３とを備えている。図１に示した構成において、高周波デバイス１は、パッケージ１０１に収容された配線基板（中継用基板）１０４をさらに備えている。
【００１４】
パッケージ１０１は、基体１０１ｂと、基体１０１ｂ上に設けられた枠体１０１ｆとからなる。図１に示した構成において、基体１０１ｂおよび枠体１０１ｆは、ろう付けまたは溶接により接合されている。パッケージ１０１の他の例としては、基体１０１ｂと枠体１０１ｆとが一体成形されたものがある。
【００１５】
図１に示した構成において、基体１０１ｂは金属からなる。基体１０１ｂの金属材料は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金である。基体１０１ｂの金属材料の他の例としては、銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）がある。図１に示した構成において、基体１０１は四角形状の金属板である。
【００１６】
図１に示した構成において、枠体１０１ｆは、基体１０１と同様に金属からなる。枠体１０１ｆの金属材料は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金である。枠体１０１ｆの金属材料の他の例としては、銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）がある。枠体１０１ｆの材料の例として、金属以外には、セラミックスなどの誘電体材料がある。
【００１７】
半導体素子１０２は、同軸コネクタに電気的に接続されている。図１に示した構成において、半導体素子１０２は、中継用基板１０４に形成された線路導体を介して同軸コネクタに電気的に接続されている。図２に示すように、半導体素子１０２は、中継用基板１０４の線路導体１０４ｃｐおよびボンディングワイヤ１０６を介して同軸コネクタ１０５の中心導体に電気的に接続されている。中継用基板１０４の下面には接地電位が与えられる導体層１０４ＧＮＤが形成されている。
【００１８】
終端用基板１０３は、半導体素子１０２に電気的に接続された線路導体およびバイアス線路を有している。ここで、図３，４を用いて終端用基板１０３について詳細に説明する。図３は、本実施の形態における終端用基板１０３の構成を示す斜視図である。図４は、終端用基板１０３の構成を示す断面図である。
【００１９】
終端用基板（配線基板）１０３は、パッケージ１０１の底面に対向する第１の面（図１において下面）１０３ｂと、第２の面（図１において上面）１０３ｕとを有している。中継用基板１０３は、上面１０３ｕに、線路導体１０３ｃｐと、バイアス線路１０３ｃｂと、終端抵抗１０３Ｒ１とを有している。図３，４に示した構成において、終端用基板１０３は、上面１０３ｕに、コンデンサ１０３Ｃと、抵抗１０３Ｒ２とをさらに有しており、下面１０３ｂに、接地電位が与えられる導体層１０３ｃｌをさらに有している。本実施の形態における終端用基板１０３は、上面１０３ｕにおける線路導体１０３ｃｐとバイアス線路１０３ｃｂとの間に溝１０３Ｇを有している。
【００２０】
線路導体１０３ｃｐは、ボンディングワイヤ１０６を介して半導体素子１０２に電気的に接続されている。終端抵抗１０３Ｒ１は、線路導体１０３ｃｐに電気的に接続されている。バイアス線路１０３ｃｂは、線路導体１０３ｃｐに電気的に接続されているとともに、線路導体１０３ｃｐに並んで設けられている。終端抵抗１０３Ｒ１は、下面１０３ｂに接地電位が与えられる導体層１０３ｃｌに電気的に接続されている。コンデンサ１０３Ｃは、線路導体１０３ｃｐに電気的に接続されている。抵抗１０３Ｒ２は、バイアス線路１０３ｃｂに電気的に接続されている。導体層１０３ｃｌは、半田または樹脂接着剤によりパッケージ１０１の基体１０１ｂに接合されている。
【００２１】
終端用基板１０３は、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）セラミックスから成る場合、以下のようにして作製される。まず、Ａｌ２Ｏ３，酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化カルシウム（ＣａＯ），酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などの原料粉末に適当な有機バインダや可塑剤，分散剤，溶剤などを添加混合して泥漿状となし、従来周知のドクターブレード法でシート状となすことによってセラミックグリーンシートを得る。しかる後に、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工等を施し、これらセラミックグリーンシートを積層し、積層体を製作する。または、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＣａＯ，ＭｇＯなどの原料粉末を金型に充填しプレス成型することによって、所定の形状に成形し、セラミック積層体を製作する。
【００２２】
次に、Ｗ，モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）などの高融点金属粉末に適当な有機バインダや溶剤を添加混合してペースト状となした金属ペーストを、終端用基板１０３の線路導体１０３ｃｐやバイアス線路１０３ｃｂ，導体層１０３ｃｌ等の導体層となる部位にスクリーン印刷法によって印刷する。その後、還元雰囲気中で約1,600℃の温度で焼成することによって製作される。
【００２３】
なお、終端用基板１０３の線路導体１０３ｃｐ、および導体層１０３ｃｌは薄膜成形法によって形成されていても良く、その場合、終端用基板１０３の導体層は、窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ），ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ合金），チタン（Ｔｉ），パラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ），Ａｕなどから形成されセラミックグリーンシートを焼成した後に形成される。
【００２４】
枠体１０１ｆには同軸コネクタ１０５が搭載される貫通孔が形成されており、貫通孔内には同軸コネクタ１０５を嵌め込むとともにＡｕ−Ｓｎ半田やＰｂ−Ｓｎ半田などの接着材を貫通孔との隙間に挿入し、しかる後に、加熱して接着材を溶融させ、溶融した接着材を毛細管現象により同軸コネクタ１０５と貫通孔の内壁との隙間に充填させることによって、同軸コネクタ１０５が貫通孔内に半田などの封着材を介して嵌着接合される。
【００２５】
同軸コネクタ１０５は、半導体パッケージの内部に収納する半導体素子１０２を外部電気回路（図示せず）に接続される同軸ケーブルに電気的に接続させるものであり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金などの金属から成る円筒形などの筒状の外周導体に、ガラスなどの絶縁体が充填され中心軸にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金などの金属から成る中心導体が固定されて成る。中心導体が半田などから成る導電性接着材を介して中継用基板１０４の線路導体１０４ｃｐに電気的に接続される。そして、半導体素子１０２の電極と中継用基板１０４の上面に形成された線路導体１０４ｃｐとがボンディングワイヤ１０６により電気的に接続され、同軸コネクタ１０５に、外部より同軸ケーブルが装着されることによって、内部に収納された半導体素子１０２が同軸コネクタ１０５の中心導体を介して外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００２６】
終端用基板１０３の上面には線路導体１０３ｃｐが形成され、下面には導体層１０３ｃｌが形成されている。終端用基板１０３の上面に形成された線路導体１０３ｃｐは、一端が半導体素子１０２に電気的に接続され、他端が終端用基板１０３の上面の周縁部に達しており、かつ途中に終端抵抗８ｄが設けられている。なお、終端抵抗103R1とバイアス線路８ｃの接続部との間に、線路導体１０３ｃｐに流れる直流成分を遮断するためのコンデンサ９が挿入されてもよい。このコンデンサ９にはセラミックチップコンデンサ等が使用され、バイアス線路１０３ｃｂから供給される直流電流が終端抵抗１０３Ｒ１へ流れないようにする。
【００２７】
また、線路導体１０３ｃｐには半導体素子１０２を駆動するためのバイアス線路１０３ｃｂの一端が接続され、バイアス線路１０３ｃｂの他端が外部導通端子（図示せず）を介して外部回路（図示せず）と接続されている。バイアス線路１０３ｃｂにはその途中に線路導体１０３ｃｐからの高周波信号の流れ込みを防ぐための抵抗１０３Ｒ２が挿入されている。高周波信号の流れ込みを防ぐための一般的な方法としてはコイルが用いられるが、コイルは大きなスペースを必要とするため、小型化の観点より省スペースで実現可能な抵抗１０３Ｒ２が用いられている。
【００２８】
終端用基板１０３の線路導体１０３ｃｐの途中に設けられた終端抵抗１０３Ｒ１、バイアス線路１０３ｃｂの抵抗１０３Ｒ２は、Ｔａ２Ｎ、Ｎｉ−Ｃｒ合金等から成り、これら金属粉末に適当な有機バインダや溶剤，添加物等を添加混合してペースト状となしたものを従来周知のスクリーン印刷法を採用して第１の配線基板２０３＿１に印刷塗布した後に焼成するか、真空蒸着等の薄膜形成法により形成され、所望の抵抗値を有する厚み，幅，形状になるように形成される。抵抗値を微小調整するために、終端抵抗１０３Ｒ1、抵抗１０３Ｒ２の一部をレーザー加工によって除去することもできる。
【００２９】
本実施の形態において、バイアス線路１０３ｃｂと線路導体１０３ｃｐの間に溝１０３Ｇを有しおり、溝１０３Ｇにて終端回路基板１０３よりも比誘電率が下がり、線路導体１０３ｃｐを流れる高周波信号が電磁結合してバイアス線路１０３ｃｂに伝播する可能性を低減させて、高周波信号が線路導体１０３ｃｐで反射することなく線路導体１０３ｃｐを進行して他端側の終端抵抗１０３Ｒ１を介して接地されやすくなっている。
【００３０】
（第２の実施の形態）図５を用いて第２の実施の形態について説明する。本実施の形態において、第１の実施の形態における構成と異なる点は、終端用基板（配線基板）２０３が、線路導体１０３ｃｐが形成された第１の配線基板２０３＿１と、バイアス線路１０３ｃｂが形成された第２の配線基板２０３＿２とからなることである。第１の配線基板２０３＿１の線路導体１０３ｃｐおよび第２の配線基板２０３＿２のバイアス線路１０３ｃｂは、ボンディングワイヤ２０３Ｗを介して電気的に接続されている。その他の構成については、第１の実施の形態の構成と同様である。本実施の形態の構成において、第１の実施の形態における構成と同様の箇所には同一の符号を付している。
【００３１】
第１の配線基板２０３＿１と第２の配線基板２０３＿２の間に隙間が生じさせて、その部分で回路基板よりも比誘電率が下がり、線路導体１０３ｃｐを流れる高周波信号が電磁結合してバイアス線路１０３ｃｂに伝播する可能性を低減させる。ボンディングワイヤ２０３Ｗにて線路導体１０３ｃｐとバイアス線路１０３ｃｂを導通させることで、ボンディングワイヤ２０３Ｗの誘導成分がチョークコイルの働きをし、線路導体１０３ｃｐを伝送する高周波信号がバイアス線路１０３ｃｂに流れ込む可能性を低減させる。
【００３２】
（第３の実施の形態）図６を用いて第３の実施の形態について説明する。本実施の形態の構成において、第１の実施の形態における構成と同様の点には同一の符号を付している。
【００３３】
本実施の形態において、線路導体１０３ｃｐとバイアス線路１０３ｃｂとの距離Ｌ１は、上面１０３ｕに形成された線路導体１０３ｃｐと下面１０３ｂに形成された導体層１０３ｃｌとの距離Ｌ２の１／２以上である。
【００３４】
本発明においては、バイアス線路１０３ｃｂと線路導体１０３ｃｐとの距離Ｌ１が、下面１０３ｂに導体層１０３ｃｌが形成された配線基板１０３の厚みの１／２以上とされている。これにより線路導体１０３ｃｐに伝送される高周波信号が電磁結合によりバイアス線路１０３ｃｂに流れる可能性を低減させることができる。
【００３５】
（実施例）
以下に本発明の実施例について説明する。本発明および比較用の終端用基板を図６のように構成することとし、高周波３次元構造シミュレータ（Ansoft社製HFSS（High Frequency Structure Simulator））を用いて１ＧＨｚ〜15ＧＨｚの反射損失Ｓ11をシミュレーションにより評価した。
【００３６】
まず、終端用基板３０３は、比誘電率が9.6のアルミナセラミックスからなる縦６ｍｍ×横４．７ｍｍ×厚み１ｍｍの基板を採用して形成するものとし、その上側主面に幅が0.98ｍｍ、長さが５ｍｍ、厚みが0.002ｍｍの線路導体１０３ｃｐを配置した。
【００３７】
次に、線路導体１０３ｃｐの他端側を側面導体層を介して導体層１０３ｃｌと電気的に接続し、さらに縦1.2ｍｍ×横0.6ｍｍ×高さ0.6ｍｍ、容量0.1μＦのチップコンデンサ１０３Ｃおよび線路導体１０３ｃｐの特性インピーダンスとマッチングする抵抗値の終端抵抗１０３Ｒ１を配置した。また、線路導体１０３ｃｐのチップコンデンサ１０３Ｃの手前には抵抗１０３Ｒ２が挿入されたバイアス線路１０３ｃｂが接続されて配置されている。ここで、複数の抵抗１０３Ｒ２は２個とし、その直流抵抗値を各々500Ωとし、合成抵抗値で1000Ωとした。
【００３８】
線路導体１０３ｃｐとバイアス線路１０３ｃｂとの距離Ｌ１を0.1〜1.2mmまで変化させて解析を実施した。これら、本発明および比較用の試料１〜６を、シミュレーションにより評価した結果を表１に示す。表１において、試料１〜６における上記１〜15ＧＨｚの周波数範囲における最も悪い反射損失Ｓ11の値を表１に示す。
【表１】
2008186966.tif 000003
【００３９】
表１より、試料３，４，５、６については、反射損失Ｓ11が実際に半導体装置が正常に動作するレベルである−15ｄＢ以下と良好な特性が得られることが分かった。これに対し、比較例の試料１，２においては反射損失Ｓ11が−15ｄＢを超えることが分かった。
【００４０】
さらに同じ終端用基板１０３において、線路導体１０３ｃｐとバイアス線路１０３ｃｂの距離Ｌを0.5mmとし、線路導体１０３ｃｐとバイアス線路１０３ｃｂの中間部に幅0.2mm深さ0.5mmの溝１０３Ｇを入れた場合のシミュレーションを実施した。溝１０３Ｇを追加した試料を試料７とした。
【表２】
2008186966.tif 000004
【００４１】
表２において、試料３、７における上記１〜15ＧＨｚの周波数範囲における最も悪い反射損失Ｓ11の値を表２に示す。表２より、溝１０３Ｇが施されている試料７は、反射損失Ｓ11が−20ｄＢ以下となりより良好な特性が得られることが分かった。
【００４２】
さらに同じ終端用基板３０３において、線路導体１０３ｃｐとバイアス線路１０３ｃｂの距離Ｌを0.5mmとし、線路導体１０３ｃｐとバイアス線路１０３ｃｂの中間部にて終端用基板３０３を切断し、第１の配線基板２０３＿１と第２の配線基板２０３＿２とに分割する。第１の配線基板２０３＿１と第２の配線基板２０３＿２の隙間は0.2mmとし、線路導体１０３ｃｐとバイアス線路１０３ｃｂをボンディングワイヤ２０３Ｗで接続した。その試料を試料８とした。
【表３】
2008186966.tif 000005
【００４３】
表３において、試料３、８における上記１〜15ＧＨｚの周波数範囲における最も悪い反射損失Ｓ11の値を表３示す。表３より、終端用回路基板が別体である試料８は、反射損失Ｓ11が−25ｄＢ以下となりより良好な特性が得られることが分かった。
【００４４】
なお、本発明は上述の実施の形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば中継用基板１０４と終端用基板１０３とを一体形成し、一体化された回路基板上に半導体素子１０２を実装しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】第１の実施の形態の構成を示す斜視図である。
【図２】第１の実施の形態の構成を示す断面図である。
【図３】配線基板１０３の構成を示す斜視図である。
【図４】配線基板１０３の構成を示す断面図である。
【図５】第２の実施の形態における配線基板２０３を示す斜視図である。
【図６】第３の実施の形態における配線基板３０３を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０３  配線基板
１０３Ｒ１  終端抵抗
１０３Ｃ  コンデンサ
１０３ｃｐ  線路導体
１０３Ｒ２  抵抗
１０３ｃｂ  バイアス線路
１０３Ｇ  溝
【図１】
2008186966.tif 000006
【図２】
2008186966.tif 000007
【図３】
2008186966.tif 000008
【図４】
2008186966.tif 000009
【図５】
2008186966.tif 000010
【図６】
2008186966.tif 000011