(57)【要約】【課題】半導体メモリーカードの実装位置において、半導体メモリーカードへの静電気の放電を阻止する半導体メモリーカード読み書き装置を提供する。【解決手段】半導体メモリーカードコネクター６と、該コネクター６に半導体メモリーカード１を挿入するための挿入口を備えた金属シャーシ４と、前記半導体メモリーカード１へのデータの読み書きを行う周辺回路とを備えた半導体メモリーカード読み書き装置において、前記シャーシ４の前面に半導体メモリーカード挿入口２ａと、該挿入口２ａの上下に、実装位置の半導体メモリーカード１の後端よりユーザー側に向けて突出する突出部２ｃ，２ｃを設けた合成樹脂製の前面モールドパネル２を装着し、且つ前記突出部２ｃ，２ｃの頂上部にスリット２ｂ，２ｂを設けると共に、該スリット２ｂ，２ｂに先端を挿入させた突出片３ｂ，３ｂを設けた金属板製の静電誘導版３を前記金属シャーシ４と前面モールドパネル２間に設ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体メモリーカードコネクターと、該コネクターに半導体メモリーカードを挿入するための挿入口を備えた筐体と、前記半導体メモリーカードへのデータ読み書きを行う周辺回路とを備え且つ前記筐体に前面パネルを設けた半導体メモリーカード読み書き装置において、前記前面パネルの挿入口の周辺に、実装位置の半導体メモリーカードの後端よりもユーザー側に向けて突出する突出部を設け、少なくとも前記突出部に前記筐体に導通する静電気誘導手段を設けたことを特徴とする半導体メモリーカード読み書き装置。
【請求項２】
前記前面パネルを表面に金属膜を備えたモールドパネルとしたことを特徴とする請求項１記載の半導体メモリーカード読み書き装置。
【請求項３】
前記前面パネルを金属板をプレス成型したものとしたことを特徴とする請求項１記載の半導体メモリーカード読み書き装置。
【請求項４】
前記前面パネルを鋳物で構成したことを特徴とする請求項１記載の半導体メモリーカード読み書き装置。
【請求項５】
半導体メモリーカードコネクターと該コネクターに半導体メモリーカードを挿入するための挿入口を備えた筐体と、前記半導体メモリーカードへのデータ読み書きを行う周辺回路とを備え且つ前記筐体に前面モールドパネルを設けた半導体メモリーカード読み書き装置において、前記前面モールドパネルの前面に半導体メモリーカードの挿入口の周辺に、実装位置の半導体メモリーカードの後端よりユーザー側に向けた突出する突出部を設け、且つ前記突出部にスリットを設けると共に、該スリットに先端を挿入させた突出片を設けた金属板製静電気誘電版を、前記筐体と前面パネル間に設けたことを特徴とする半導体メモリーカード読み書き装置。
【請求項６】
前記突出部に半導体メモリーカード挿入口に向かうガイド用スロープを設けたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体メモリーカード読み書き装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装した半導体メモリーカードの静電気による破壊から保護するための半導体メモリーカード読み書き装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体メモリーカード読み書き装置においては、装置を操作する人体等からの静電気の放電による、半導体メモリーカード及び半導体メモリーカード読み書き装置の破壊・誤動作の問題がある。
【０００３】
従来、この問題を解決する方法として、例えばカード挿入口の内側に、挿入口に倣った切欠けを設けた静電気誘導板をコネクタ端子の前方に配置する方法や、カードを装置の挿入口に挿入する際、カード挿入側に設けられた接地電位の除電用部材に接触させる方法等の方策が講じられてきた。
【０００４】
しかし、これらの方法は静電気の放電に対してカード読み書き装置を保護することは出来るが、カードの実装位置において、カードそのものへ放電されることを阻止することができず、カードの破壊・誤動作の懸念は解決することができず、十分ではなかった。
【特許文献１】特開２００３−２２９２１３号公報
【特許文献２】特開平５−１９７８５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで本発明は、半導体メモリーカードの実装位置において、半導体メモリーカードへの静電気の放電を阻止する半導体メモリーカード読み書き装置を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、請求項１に記載の発明は、半導体メモリーカードコネクターと、該コネクターに半導体メモリーカードを挿入するための挿入口を備えた筐体と、前記半導体メモリーカードへのデータ読み書きを行う周辺回路とを備え且つ前記筐体に前面パネルを設けた半導体メモリーカード読み書き装置において、前記前面パネルの挿入口の周辺に、実装位置の半導体メモリーカードの後端よりもユーザー側に向けて突出する突出部を設け、少なくとも前記突出部に前記筐体に導通する静電気誘導手段を設けたことを特徴とする半導体メモリーカード読み書き装置である。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、前記前面パネルを表面に金属膜を備えたモールドパネルとしたことを特徴とする半導体メモリーカード読み書き装置である。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、前記前面パネルを金属板をプレス成型したものとしたことを特徴とする半導体メモリーカード読み書き装置である。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、前記前面パネルを鋳物で構成したことを特徴とする半導体メモリーカード読み書き装置である。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、半導体メモリーカードコネクターと該コネクターに半導体メモリーカードを挿入するための挿入口を備えた筐体と、前記半導体メモリーカードへのデータ読み書きを行う周辺回路とを備え且つ前記筐体に前面モールドパネルを設けた半導体メモリーカード読み書き装置において、前記前面モールドパネルの前面に半導体メモリーカードの挿入口の周辺に、実装位置の半導体メモリーカードの後端よりユーザー側に向けた突出する突出部を設け、且つ前記突出部にスリットを設けると共に、該スリットに先端を挿入させた突出片を設けた金属板製静電気誘電版を、前記筐体と前面パネル間に設けたことを特徴とする半導体メモリーカード読み書き装置である。
【００１１】
請求項６に記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体メモリーカード読み書き装置において、前記突出部に半導体メモリーカード挿入口に向かうガイド用スロープを設けたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体メモリーカード読み書き装置である。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１に記載の発明によると、帯電した人体等が半導体メモリーカードの挿入口近辺に接近した際、実装位置にある半導体メモリーカードより先に、静電気誘導手段に接近するため、帯電電荷を静電気誘導手段を介して放電させることができ、半導体メモリーカードを静電気から保護することができる。
【００１３】
請求項２に記載の発明によると、同じくモールドパネルの表面に設けた金属膜を介して帯電した人体等の帯電電荷を放電させることができ、半導体メモリーカードを静電気から保護することができる。
【００１４】
請求項３及び請求項４に記載の発明によると、前面パネルは金属製であるため、同じく帯電した人体等の帯電電荷を放電させることができ、半導体メモリーカードを静電気から保護することができる。
【００１５】
請求項５に記載の発明によると、帯電した人体等が装置の挿入口近辺に接近した際、実装位置にある半導体メモリーカードより先に、静電誘導版の先端に接近するため、帯電電荷を静電誘導版に放電させることができ、半導体メモリーカードを静電気から保護することが出来る。
【００１６】
請求項６に記載の発明によると、半導体メモリーカードの挿入時に、半導体メモリーカードの先端が挿入口と正対しない場合でも、挿入を円滑且つ容易に行うことが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１は、本発明の実施例１の主要部の構成を示す斜視図、図２はその分解斜視図で、１は半導体メモリーカード、２は合成樹脂製の前面モールドパネル、３は金属板製の静電誘導版、４は金属シャーシ(筐体)、５は回路基板、６は半導体メモリーカードコネクター、７はホストコンピュータ接続コネクターである。
【００１９】
前記前面モールドパネル２は半導体メモリーカード挿入口２ａを備え、その上下にスリット２ｂを設けた突出部２ｃ，２ｃが形成され、両側に設けた係合片２ｄ，２ｄによって金属シャーシ４(筐体)に固定されるように構成されている。そして、半導体メモリーカード挿入口２ａと突出部２ｃ，２ｃ間には、図３に示すようにそれぞれガイド用スロープ２ｅ，２ｅが形成されている。
【００２０】
前記静電誘導版３は、金属板をプレス加工により構成したもので、半導体メモリーカード挿入口３ａと、そのユーザー側の上下に設けた突出片３ｂ，３ｂと、両側に設けた接触片３ｃ，３ｃとから構成され、前面モールドパネル２と金属シャーシ４間に装着され、前面モールドパネル２を金属シャーシ４に装着した時、図３に示すように、突出片３ｂ、３ｂの先端は前面モールドパネル２のスリット２ｂ、２ｂに挿入されて位置決めされ、接触片３ｃ、３ｃは金属シャーシ４に密接し、グランドに導通される。
【００２１】
即ち、静電誘導版３は、前面モールドパネル２に設けられた半導体メモリーカード１の挿抜方向と同一方向に穿口したスリット２ｂ，２ｂを貫通する突出片３ｂ，３ｂと、金属シャーシ４と導通状態にて接合する接触片３ｃ，３ｃとを備えており，静電誘導版３の突出片３ｂ，３ｂは、半導体メモリーカード１の実装位置よりも前方(ユーザー側)に位置する構成となっている。
【００２２】
以上のように構成されているので、図４に示すように、人体等の帯電物１０が半導体メモリーカード１に接近した際、該半導体メモリーカード１の金属カバー１ａ，１ｂより先に、静電誘導版３の突出片３ｂ，３ｂが、帯電物１０からの放電可能圏１１内に入るため、帯電物１０からの電荷を、静電誘導版３を介して前記金属シャーシ４に逃がすことで、該半導体メモリーカード１への直接放電を回避し、該半導体メモリーカード１の破壊・誤動作から保護することが出来る。
【００２３】
そして、突出片３ｂ，３ｂは先端をスリット２ｂ，２ｂに挿入する構成となっているので、静電誘導版３の位置決めと組込みが容易になると共に、静電誘導版３を金属板で構成しても、突出片３ｂ，３ｂはスリット２ｂ，２ｂで保持され、補強されることになるため、除電効果を損なうことがない。また、前面モールドパネル２には，ガイドスロープ２ｅ，２ｅが設けられているので、半導体メモリーカード１の挿入を容易に行うことが出来る効果がある。
【００２４】
前記実施例１は，デザインの多様性を意図して前面パネルを合成樹脂製モールドパネルとしたが、除電効果のみを意図する場合には、ここでは図示しないが、突出部２ｃ，２ｃを備えた前面パネルを金属板をプレス加工したものとするか、鋳物で構成し、この前面パネルを静電誘電体とすることにより、実装時の半導体メモリーカードの破壊・誤動作から保護することが出来る。即ち、帯電物１０からの電荷を前面パネルの突出部及び係合片２ｄを介して金属シャーシ４に逃がし、半導体メモリーカード１の破壊・誤動作を未然に防止する。
【００２５】
前記実施例１は、合成樹脂製の前面モールドパネル２に突出部２ｃ，２ｃを設け、その突出部２ｃ，２ｃにそれぞれスリット２ｂ，２ｂを設け、そのスリット２ｂ，２ｂに前面モールドパネル２と金属シャーシ４間に設けた静電誘導版３の突出片３ｂ，３ｂを挿入して突出部２Ｃ，２ｃの頂上部の一部に静電気誘導手段を設けたものであるが、本発明はこの構造に限定されるものではない。以下他の実施例について図面に基づき説明する。
【実施例２】
【００２６】
図５は本発明の実施例２の拡大縦断面図で、メッキ、金属蒸着などの方法により前面モールドパネル２の表面に金属膜８を施し、この前面モールドパネル２を係合片２ｄ，２ｄ（図示せず）を介して金属シャーシ４に装着したとき、この係合片２ｄ，２ｄを介して金属シャーシ４に放電するようにしたものである。尚、突出部の設け方は実施例１と同様である。
【実施例３】
【００２７】
図６は本発明の実施例３の拡大縦断面図で、前面パネル２’を金属板プレス加工したものと、それ自体を静電気誘導手段としたものである。この場合も突出部の設け方は実施例１と同様である。
【実施例４】
【００２８】
図７は本発明の実施例４の拡大縦断面図で、前面モールドパネル２”を鋳物で構成したもので、この場合も突出部の設け方は実施例１と同様である。
【００２９】
以上図示した実施例２〜４は、いずれも帯電した人体などが半導体メモリーカードの挿入口近辺に接近した際、実装位置にある半導体メモリーカードより先に、突出部先端の静電気誘導手段に接近するため、帯電電荷をその静電気誘導手段と係合片２ｄ，２ｄを介して金属シャーシ４に放電させ、半導体メモリーカード１の破壊・誤動作を未然に防止する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施例１の要部構成を示す斜視図。
【図２】本発明の実施例１の分解斜視図。
【図３】本発明の実施例１の拡大縦断面図。
【図４】本発明の実施例１の電気的効果の説明図。
【図５】本発明の実施例２の拡大縦断面図。
【図６】本発明の実施例３の拡大縦断面図。
【図７】本発明の実施例４の拡大縦断面図。
【符号の説明】
【００３１】
１    半導体メモリーカード
１ａ  半導体メモリーカード上カバー
１ｂ  半導体メモリーカード下カバー
２    前面モールドパネル
２ａ  半導体メモリーカード挿入口
２ｂ  スリット
２ｃ  突出部
２ｄ  係合片
３    静電誘導版
３ａ  半導体メモリーカード挿入口
３ｂ  突出片
３ｃ  接触片
４    金属シャーシ
５    回路基板
６    半導体メモリーカードコネクター
７    ホストコンピュータ接続コネクター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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