(57)【要約】【課題】簡単かつ確実に配線接続を行うことができて実装信頼性が高く、低コストで生産性が高い液滴吐出ヘッド等を提供する。【解決手段】  外部の力により少なくとも一部分が形状変化して、連通するノズル孔３０から液滴が吐出される１または複数の吐出室５が形成された第１の基板１と、第１の基板１と陽極接合し、電力が供給されると、選択された又はすべての吐出室５に力を加えて形状変化させる１又は複数の個別電極部Ｂを有する第２の基板２とを少なくとも備え、第２の基板２に第１の基板１と通電可能に当接する接点５０を備えた共通電極部Ａが設けられ、共通電極部Ａの端子部を個別電極部Ｂの端子部と同一平面上に設け、共通電極部Ａ及び個別電極部Ｂの端子部に電圧を印加して吐出室５の形状を変化させるようにした。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部の力により少なくとも一部分が形状変化して、連通するノズルから液滴が吐出される１または複数の吐出室が形成された第１の基板と、
前記第１の基板と陽極接合し、電力が供給されると、選択された又はすべての前記吐出室に力を加えて形状変化させる１又は複数の個別電極部を有する第２の基板とを少なくとも備えた液滴吐出ヘッドであって、
前記第２の基板に前記第１の基板と通電可能に当接する接点を備えた共通電極部が設けられ、前記共通電極部の端子部を前記個別電極部の端子部と同一平面上に設け、前記共通電極部及び個別電極部の端子部に電圧を印加し前記吐出室の形状を変化させるようにしたことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項２】
前記共通電極部が前記個別電極部を収容する溝部と連通する溝部内に収容され、前記共通電極部の接点が前記第２の基板の表面より突出して設けられたことを特徴とする請求項１記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項３】
前記共通電極部が前記個別電極部の端子部が位置する溝部近傍の段差部にまたがって配置されるとともに、前記共通電極部の接点が段差部近傍の基板表面に該基板表面よりも突出して設けられたことを特徴とする請求項１記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項４】
前記第２の基板に設けられた共通電極部の接点に対向して、前記第１の基板に成膜された絶縁膜に窓部を設け、前記共通電極部の接点を前記窓部を介して前記第１の基板に電通可能に当接させたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項５】
前記第２の基板に設けられた共通電極部の接点の高さと、前記第１の基板に形成した窓部の深さが同じになるようにしたことを特徴とする請求項４記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項６】
前記第２の基板に設けられた共通電極部の接点に対向して、前記第１の基板に成膜された絶縁膜に窓部を設けるとともに、該窓部の第１の基板側に耐酸化性の金属膜を設け、前記共通電極部の接点を前記金属膜を介して前記第１の基板に電通可能に当接させたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項７】
前記第２の基板に設けられた共通電極部の接点と前記第１の基板側に設けられた耐酸化性の金属膜とを合わせた高さが、前記第１の基板に成膜された絶縁膜に設けられた窓部の深さと同じになるようにしたことを特徴とする請求項６記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項８】
前記耐酸化性の金属膜が白金により形成された金属膜であることを特徴とする請求項６または７記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項９】
前記第１の基板の絶縁膜に設けられた窓部の面積を、前記第２の基板に設けた接点の面積よりも大きくしたことを特徴とする請求項４〜８のいずれかに記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項１０】
前記第２の基板に前記第１の基板と通電可能に接続する接点を有する陽極接合部が設けられ、陽極接合時に前記陽極接合部の接点を前記第１の基板及びすべての個別電極部と通電可能に接続させておき、ダイシング時に前記陽極接合部の接点とすべての個別電極部との接続を絶つようにしたことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項１１】
ダイシングにより前記各個別電極部と分離したあとの陽極接合部を共通電極部として用いるものであることを特徴とする請求項１０記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項１２】
同一平面上に配線接合部が形成された配線フレキシブル基板を、前記個別電極部及び共通電極部の端子部に取り付けるようにしたことを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項１３】
個別電極部、共通電極部及び陽極接合部の材料がＩＴＯよりなることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項１４】
外部の力により少なくとも一部分が形状変化して、連通するノズルから液滴が吐出される１または複数の吐出室が形成された第１の基板と、
前記第１の基板と陽極接合し、電力が供給されると、選択された又はすべての前記吐出室に力を加えて形状変化させる１又は複数の個別電極部を有する第２の基板とを少なくとも備え、
前記第２の基板に前記第１の基板と通電可能に接続する接点を備えた共通電極部が設けられ、前記共通電極部の端子部を前記個別電極部の端子部と同一平面上に設け、前記共通電極部及び個別電極部の端子部に電圧を印加して前記吐出室の形状を変化させるようにした液滴吐出ヘッドを有し、
前記液滴吐出ヘッドに液滴を供給する液滴供給手段と、
ヘッド位置制御信号に基づいて前記液滴吐出ヘッドを移動させる走査駆動手段と、
記録対象となる記録部材と前記液滴吐出ヘッドとの相対位置を変化させる位置制御手段とを少なくとも備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項１５】
重ね合わせた基板に複数の液滴吐出ヘッドを一体成形する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、
シリコンを材料とし液体を吐出させるための部材が形成される第１の基板と、前記部材を加圧して吐出液体を吐出させる１又は複数の個別電極部が形成された第２の基板とを陽極接合するときに、前記個別電極部と同一平面上に設けられ前記第１の基板と当接する共通電極部の接点と、前記第１の基板とを、通電可能に接続させる工程を少なくとも有することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
重ね合わせた基板に複数の液滴吐出ヘッドを一体成形する液滴吐出ヘッドの製造方法を用いた液滴吐出装置の製造方法であって、
シリコンを材料とし液体を吐出させるための部材が形成される第１の基板と、前記部材を加圧して吐出液体を吐出させる１又は複数の個別電極部が形成された第２の基板とを陽極接合するときに、前記個別電極部と同一平面上に設けられ前記第１の基板と当接する共通電極部の接点と、前記第１の基板とを、通電可能に接続させる工程を少なくとも有する液滴吐出ヘッドの製造方法を用いたことを特徴とする液滴吐出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
静電駆動方式のインクジェットヘッドでは、キャビティ基板（シリコン基板）を共通電極とし、各静電アクチュエータに形成されている個別電極部と共通電極部との間に電圧を加えることでアクチュエータを駆動させる。
従来、共通電極部はキャビティ基板の各部を形成後、キャビティ基板の表面に白金（Ｐｔ）を成膜して、かかる白金を共通電極部の端子部としている。個別電極部はアクチュエータから横に引き回し、その端部を端子部とし、共通電極部の端子部と個別電極部の端子部にＦＰＣを実装している。
【０００３】
従来の液滴吐出ヘッドに、キャビティ基板と個別電極部を等電位にするため、共通電極部がキャビティ基板上に形成され、ワイヤを介して発振回路と接続するようにしたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、従来のインクジェットヘッドに、共通電極部の端子部が、キャビティ基板に設けた貫通孔に充填した導電性ペーストを介して、個別電極部の端子部と同一表面上に形成された共通電極接続用の電極部に導通させるようにしたものがある。そして、個別電極部、共通電極部の端子部が同一平面上に位置するように引き出し、これらを配線基板に形成されている接合部に重ね合わせて通電可能に接続し、当該配線基板を外部接続用のフレキシブル配線基板等に接合するようにしている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３０６４４３号公報（第８頁、図２）
【特許文献２】特開２００１−９６７４１号公報（第５頁、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の液滴吐出ヘッドの共通電極部の構造は最も広く使われているタイプであるが、共通電極部と個別電極部は同一平面上になく、配線フレキシブル基板を接続する際に、共通電極部と個別電極部とを別々に加熱加圧する必要があり、構造が複雑で製造が面倒である。
【０００７】
特許文献２のインクジェットヘッドは、導電性ペーストを充填する手間がかかり、生産性が低い。
【０００８】
本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、簡単かつ確実に配線接続を行うことができて実装信頼性が高く、低コストで生産性が高い液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る液滴吐出ヘッドは、
外部の力により少なくとも一部分が形状変化して、連通するノズルから液滴が吐出される１または複数の吐出室が形成された第１の基板（キャビティ基板）と、
前記第１の基板と陽極接合し、電力が供給されると、選択された又はすべての前記吐出室に力を加えて形状変化させる１又は複数の個別電極部を有する第２の基板（ガラス基板９）とを少なくとも備えた液滴吐出ヘッドであって、
前記第２の基板に前記第１の基板と通電可能に当接する接点を備えた共通電極部が設けられ、前記共通電極部の端子部を前記個別電極部の端子部と同一平面上に設け、前記共通電極部及び個別電極部の端子部に電圧を印加して前記吐出室の形状を変化させるようにしたものである。
【００１０】
従来のように、共通電極部を第１の基板に形成するとシリコンマスク等を用いて白金膜等の金属膜を共通電極部に成膜しなければならず複雑であり、また、共通電極部の端子部を充填された導電性ペーストを介して個別電極部と同一平面上に引き出す場合は手間がかかり生産性も低いが、本発明では第２の基板に第１の基板と通電可能に接続する接点を備えた共通電極部が設けられ、かかる共通電極部の端子部を個別電極部の端子部と同一平面上に設けたので、簡単かつ確実に配線接続を行うことができて実装信頼性が高く、そのうえ、コストがかからず、生産性も高い。
【００１１】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、
前記共通電極部が前記個別電極部を収容する溝部と連通する溝部内に収容され、前記共通電極部の接点が前記第２の基板の表面より突出して設けられたものである。
このため、簡単かつ確実に配線接続を行うことができて実装信頼性が高く、コストがかからず、生産性も高い。
【００１２】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、
前記共通電極部が前記個別電極部の端子部が位置する溝部近傍の段差部にまたがって配置されるとともに、前記共通電極部の接点が段差部近傍の基板表面に該基板表面よりも突出して設けられたものである。
このため、簡単かつ確実に配線接続を行うことができて実装信頼性が高く、コストがかからず、生産性も高い。
【００１３】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、
前記第２の基板に設けられた共通電極部の接点に対向して、前記第１の基板に成膜された絶縁膜に窓部を設け、前記共通電極部の接点を前記窓部を介して前記第１の基板に電通可能に当接させたものである。
このため、簡単かつ確実に配線接続を行うことができて実装信頼性が高く、コストがかからず、生産性も高い。
【００１４】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、
前記第２の基板に設けられた共通電極部の接点の高さと、前記第１の基板に形成した窓部の深さが同じになるようにしたものである。
このため、電気的接続が確実に行われる。
【００１５】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、
前記第２の基板に設けられた共通電極部の接点に対向して、前記第１の基板に成膜された絶縁膜に窓部を設けるとともに、該窓部の第１の基板側に耐酸化性の金属膜を設け、前記共通電極部の接点を前記金属膜を介して前記第１の基板に電通可能に当接させたものである。
このため、耐酸化性の金属膜によりコンタクト抵抗を低減させることができる。
【００１６】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、
前記第２の基板に設けられた共通電極部の接点と前記第１の基板側に設けられた耐酸化性の金属膜とを合わせた高さが、前記第１の基板に成膜された絶縁膜に設けられた窓部の深さと同じになるようにしたものである。
このため、電気的接続が確実に行われるとともに、耐酸化性の金属膜によりコンタクト抵抗を低減させることができる。
【００１７】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、
前記耐酸化性の金属膜が白金により形成された金属膜である。
このため、電気的接続が確実に行われるとともに、耐酸化性の白金金属膜によりコンタクト抵抗を低減させることができる。
【００１８】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、
前記第１の基板の絶縁膜に設けた窓部の面積を、前記第２の基板に設けた接点の面積よりも大きくした。
このため、大きい面積の窓部の内側では共通電極部の接点が確実にしかも余裕を持って当接する。
【００１９】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、
前記第２の基板に前記第１の基板と通電可能に接続する接点を有する陽極接合部が設けられ、陽極接合時に前記陽極接合部の接点を前記第１の基板及びすべての個別電極部と通電可能に接続させておき、ダイシング時に前記陽極接合部の接点とすべての個別電極部との接続を絶つようにしたものである。
陽極接合後は、個別電極部と第１の基板とを等電位にする必要はないため、液滴吐出ヘッドを各ヘッドに分離する際に電気的接続を断つ。こうして、個別電極部と第１の基板との間に電位差を確保し、液滴吐出ヘッドを駆動することが可能になる。
【００２０】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、
ダイシングにより各個別電極部と分離したあとの陽極接合部を共通電極部として用いるものである。
ダイシングにより個別電極部と分離した陽極接合部を共通電極部として利用するようにしたので、低コスト化が可能である。
【００２１】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、
同一平面上に配線接合部が形成された配線フレキシブル基板を、前記個別電極部及び共通電極部の端子部に取り付けるものである。
配線フレキシブル基板を、共通電極部及び個別電極部の端子部に導電性接着剤を介し重ね合わせて加熱加圧するだけで、簡単かつ確実に配線接続を行うことができ、配線フレキシブル基板の実装信頼性を向上させることができる。
【００２２】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、
個別電極部、共通電極部及び陽極接合部の材料がＩＴＯよりなるものである。
透明電極となるＩＴＯを材料とするので、陽極接合後に放電したかどうかを容易に確認することができる。
【００２３】
また、本発明に係る液滴吐出装置は、
外部の力により少なくとも一部分が形状変化して、連通するノズルから液滴が吐出される１または複数の吐出室が形成された第１の基板と、
前記第１の基板と陽極接合し、電力が供給されると、選択された又はすべての前記吐出室に力を加えて形状変化させる１又は複数の個別電極部を有する第２の基板とを少なくとも備え、前記第２の基板に前記第１の基板と通電可能に接続する接点を備えた共通電極部が設けられ、前記共通電極部の端子部を前記個別電極部の端子部と同一平面上に設け、前記共通電極部及び個別電極部の端子部に電圧を印加し前記吐出室の形状を変化させるようにした液滴吐出ヘッドを有し、
前記液滴吐出ヘッドに液滴を供給する液滴供給手段と、
ヘッド位置制御信号に基づいて前記液滴吐出ヘッドを移動させる走査駆動手段と、
記録対象となる記録部材と前記液滴吐出ヘッドとの相対位置を変化させる位置制御手段とを少なくとも備えたものである。
簡単かつ確実に配線接続を行うことができ実装信頼性も高い液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置を低コストで提供することができる。
【００２４】
本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、
重ね合わせた基板に複数の液滴吐出ヘッドを一体成形する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、
シリコンを材料とし液体を吐出させるための部材が形成される第１の基板と、
前記部材を加圧して吐出液体を吐出させる１又は複数の個別電極部が形成された第２の基板とを陽極接合するときに、
前記個別電極部と同一平面上に設けられ前記第１の基板と当接する共通電極部の接点と、前記第１の基板とを、通電可能に接続させる工程を少なくとも有する。
信頼性が高く、コストがかからず、生産性も高い液滴吐出ヘッドを提供することができる。
【００２５】
本発明に係る液滴吐出装置の製造方法は、
重ね合わせた基板に複数の液滴吐出ヘッドを一体成形する液滴吐出ヘッドの製造方法を用いた液滴吐出装置の製造方法であって、
シリコンを材料とし液体を吐出させるための部材が形成される第１の基板と、
前記部材を加圧して吐出液体を吐出させる１又は複数の個別電極部が形成された第２の基板とを陽極接合するときに、
前記個別電極部と同一平面上に設けられ前記第１の基板と当接する共通電極部の接点と、前記第１の基板とを、通電可能に接続させる工程を少なくとも有する。
信頼性が高く、コストがかからず、生産性も高い液滴吐出ヘッドを備えた高精度の液滴吐出装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
実施の形態１．
図１は本発明の実施の形態１に係る液滴吐出ヘッドの分解斜視図、図２は図１の液滴吐出ヘッドを組み立てた状態の縦断面図、図３は図１のガラス基板をダイシングする前に上面より見た概略説明図、図４は図３のイ−イ断面図である。なお、本実施の形態１では、液滴を基板の面部に設けたノズル孔から吐出させるフェイス型の液滴吐出ヘッドの場合を示している。
図１、図２に示すように、液滴吐出ヘッドは、振動板を有する第１の基板としてのキャビティ基板１と、電極部を有する第２の基板としてのガラス基板２と、ノズル孔を有する第３の基板としてのノズル基板３が積層された３層構造になっている。
【００２７】
中間に位置する第１の基板としてのキャビティ基板１は、例えば厚さ約５０μｍの（１１０）面方位のシリコン（Ｓｉ）単結晶基板（以下、シリコン基板という）で構成されている。このキャビティ基板１は、キャビティ基材（シリコン基材）に異方性ウェットエッチングを施したもので、底壁が振動板４（厚さ０．８μｍ程度）となる吐出室５、及び各ノズル孔３０に共通して吐出する液体を溜めておくためのリザーバ６を形成する。なお、リザーバ６には液滴供給孔７が設けられている。
【００２８】
振動板４は、同じ厚さの高濃度のボロンドープ層により構成されている。そして、アルカリ性水溶液でキャビティ基材の異方性ウェットエッチングを行った場合、ボロンをドーパントとしたときには、高濃度（約５×１０19ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3以上）の領域で極端にエッチングレートが小さくなることを利用した、いわゆるエッチングストップ技術を用いて、振動板４の厚さや、吐出室５の容積を精度よく形成する。
【００２９】
キャビティ基板１の下面（ガラス基板２と対向する側の面）には、絶縁膜８となるＴＥＯＳ（Tetraethyl orthosilicate Tetraethoxysilane：テトラエトキシシラン、珪酸エチル）膜が、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって約０．１μｍの厚さで成膜されている。これは、液滴吐出ヘッドを駆動させたときに、絶縁破壊や短絡を防止するためのものである。
なお、キャビティ基板１の絶縁膜８には陽極接合用の窓部と共通電極用の窓部５３（図４）が設けられており、これらの窓部５３等の面積はこれらに対向して当接する陽極接合部Ｃの等電位接点７０及び共通電極部Ａの等電位接点５０の面積よりも大きく形成されている。そしてそれぞれの等電位接点７０、５０は、陽極接合時に、キャビティ基板１の窓部５３等を介して、キャビティ基板１の主たる材料であるシリコンと接触し、通電可能となるようにしてある。
【００３０】
キャビティ基板１の下面に陽極接合される第２の基板としてのガラス基板２は、厚さ約１ｍｍであり、ホウ珪酸系の耐熱硬質ガラスよりなる。ガラス基板２には、キャビティ基板１に形成されている各吐出室５に合わせて、エッチングにより深さ約０．２μｍの個別電極凹部（溝部）２０が設けられている。その内部には、個別電極２１、リード部２２及び端子部２３（以下、これらを合わせて個別電極部Ｂという）を設けているので、個別電極凹部２０のパターン形状は個別電極部Ｂの形状よりも少し大きめに作製してある。これらの個別電極凹部２０は、個別電極Ｂの端子部２３側で共通の端子凹部２４を形成する。
【００３１】
個別電極凹部２０に設ける個別電極部Ｂの材料としては、酸化錫を不純物としてドープした透明のＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）を用い、例えば０．１μｍの厚さにスパッタ法を用いて成膜する。ここで、個別電極部Ｂの材料はＩＴＯに限定するものではなく、クロム等の金属等を材料に用いてもよいが、本実施の形態１では、後述するように透明であるので、放電したかどうかの確認が行い易い等の理由でＩＴＯを用いている。
【００３２】
ガラス基板２には、個別電極凹部２０のほかに、陽極接合凹部２５及び共通電極凹部２６が設けられ、それぞれの凹部２５、２６には陽極接合部Ｃ及び共通電極部Ａが設けられ、陽極接合部Ｃの等電位接点７０は接点配線７１によって、また共通電極部Ａの等電位接点５０は接点配線５１によってそれぞれ端子凹部２４側に引き出されている。
【００３３】
陽極接合部Ｃは導電性を有するＩＴＯよりなり、陽極接合部Ｃの等電位接点７０は陽極接合凹部２５の先端部において段差部に乗り上げる形で約０．１μｍの厚さに成膜してある。従って、陽極接合部Ｃの等電位接点７０は、ガラス基板２の表面よりも約０．１μｍ突出している。陽極接合部Ｃの材料としては、酸化錫を不純物としてドープした透明のＩＴＯを用い、スパッタ法を用いて成膜する。ここで、陽極接合部Ｃの材料はＩＴＯに限定するものではなく、クロム等の金属等を材料に用いてもよい。
【００３４】
陽極接合部Ｃの等電位接点７０は個別電極部Ｂを陽極接合時にキャビティ基材と等電位にするための等電位接点であり、ウェハに一体形成された複数の液滴吐出ヘッドダイシングによる分離前はすべての個別電極部Ｂとその端子凹部２４側において導通しており、キャビティ基材とガラス基板２を陽極接合するときに、キャビティ基材の窓部を介してキャビティ基材のボロンドープ層（シリコン基材）に接合して、キャビティ基材と個別電極部Ｂとの間を等電位にする。これは、キャビティ基材とガラス基板２を陽極接合するときに、キャビティ基材とガラス基板２の個別電極部Ｂとの間で放電が起こるのを防止するためである。そして、複数の液滴吐出ヘッドをダイシングしてチップ化する際にダイシングライン２７によって切り離され、個別電極部Ｂはアクチュエータ毎に分断される。従って、ダイシングによりチップ化すると、図３に示すダイシングライン２７よりも右側にある部分は、完成された液滴吐出ヘッドには残らない。
【００３５】
共通電極部Ａの等電位接点５０は折り曲げられた接点配線５１によって端子凹部２４側に引き出されており、複数の液滴吐出ヘッドをダイシングしてチップ化する際に、共通電極部Ａの接点配線５１もその端部側でダイシングライン２７によって切り離され、端子凹部２４側で共通電極部Ａの接点配線５１の端子部を取り出すようにしてある。こうして、個別電極部Ａの端子部２３と同一平面上に共通電極部Ａの端子部が位置するようになる。共通電極部Ａの等電位接点５０はヘッドチップ毎に独立して設けられており、陽極接合時にキャビティ基材と通電可能に接続する。
【００３６】
なお、ＩＴＯを成膜する際の共通電極部Ａの等電位接点５０を形成する部分については、ガラス基板２の共通電極凹部２６を形成する際にその部分をエッチングせずにポスト５２として残しておく。そして、共通電極凹部２６に沿ってその端部からポスト５２まで、導電性であるＩＴＯを約０．１μｍの厚さに成膜する。従って、共通電極部Ａの等電位接点５０は、ガラス基板２の表面よりも約０．１μｍ突出している。
【００３７】
共通電極部Ａの材料としては、酸化錫を不純物としてドープした透明のＩＴＯを用い、スパッタ法を用いて成膜する。ここで、共通電極部Ａの材料はＩＴＯに限定するものではなく、クロム等の金属等を材料に用いてもよい。
【００３８】
こうして窓部５３の内側では、キャビティ基板１のボロンドープ層と、ガラス基板２に設けた共通電極部Ａの等電位接点５０が直接当接する。この場合、絶縁膜８の厚みと共通電極部Ａの厚みは等しい。例えば、絶縁膜８の厚みが０．１μｍ、共通電極部Ａの厚みが０．１μｍである。こうして、ガラス基板２の共通電極部Ａとキャビティ基板１とは通電可能となっている。このため、従来のように、共通電極部Ａをキャビティ基材に形成する場合のように、シリコンマスク等を用いて白金膜等の金属膜を共通電極部に成膜する必要がなく、低コスト化が可能である。
【００３９】
なお、キャビティ基板１の絶縁膜８に形成された窓部５３の内側には、キャビティ基板１のボロンドープ層とガラス基板２の共通電極部Ａの等電位接点５０が直接当接するようにせず、コンタクト抵抗を低減させるために、酸化し難い白金膜等の金属膜を成膜するようにしても良い。すなわち、図５に示すように、共通電極部Ａの等電位接点５０が接触するボロンドープ層側に白金膜等の酸化し難い金属膜５０ａを成膜して、共通電極部Ａの等電位接点５０が金属膜５０ａを介してボロンドープ層に当接するようにしてもよい。この場合、金属膜５０ａの厚さと等電位接点５０の厚さの和が、絶縁膜８の厚さと等しい。例えば、金属膜５０ａに用いた白金膜は、その厚さが０．０３μｍ、等電位接点５０の厚さが０．０７μｍ、絶縁膜８の厚さが０．１μｍとなる。この構造であれば、共通電極部Ａの等電位接点５０とキャビティ基板１の接触抵抗を低減することが可能である。
【００４０】
キャビティ基板の上面に接着接合される第３の基板としてのノズル基板３は、例えば厚さ約１８０μｍのシリコン基板である。そして、ガラス基板３とは反対の面でキャビティ基板１と接着している。ノズル基板３の上面には、吐出室５と連通するノズル孔３０が形成されており、下面にはオリフィス３１が設けられ、吐出室５とリザーバ６とを連通させる。
【００４１】
上記の液滴吐出ヘッドにおいて、アクチュエータは、封止材４０によって個別電極２１毎に封止されている。これにより、アクチュエータを駆動させた際の個別電極２１と振動板５の貼り付き等を防止する。なお、上記のアクチュエータにおいて、振動板４と個別電極２１との間に形成されるギャップＧは、個別電極凹部２０の深さ、個別電極２１の厚さにより決まり、吐出特性に大きく影響する。
【００４２】
個別電極部Ｂの端子部２３と共通電極部Ａの端子部が位置する電極取出し口４１には、ＦＰＣ４２が実装してある。この場合、同一平面上に配線接合部が形成されている配線フレキシブル基板を、単に、導電性接着剤を介して、個別電極部Ｂの端子部２３と共通電極部Ａの端子部に重ね合わせて加熱加圧するだけで、簡単かつ確実に、配線接続を行うことができる。こうして、個別電極部Ｂの端子部２３と共通電極部Ａの端子部で、ドライバＩＣ４３を搭載したＦＰＣ４２と接続され、個別電極２１への電荷の供給及び停止を制御する。
【００４３】
上記のように構成した液滴吐出ヘッドの動作を説明する。
図２に示すように、吐出室５にはノズル孔３０から吐出する吐出液体を溜めておく。そして、吐出室５の底壁である振動板４を撓ませ、吐出室５内の圧力を高め、ノズル孔３０から液滴を吐出させる。
この際、電極取出し口４１に位置し、個別電極部Ｂの端子部２３と共通電極部Ａの端子部に接続されたドライバＩＣ４３を搭載したＦＰＣ４２によって、個別電極２１への電荷の供給及び停止を制御する。例えば、２４ｋＨｚで発振し、個別電極２１に０Ｖと３０Ｖのパルス電位を印加して電荷供給を行う。
【００４４】
個別電極２１に電荷を供給して正に帯電させると、振動板４は負に帯電し、静電気力により個別電極２１に引き寄せられて撓む。これにより、吐出室５の容積は広がる。そして、個別電極２１への電荷供給を止めると振動板４は元に戻るが、そのときの吐出室５の容積も元に戻るから、その圧力により差分の液滴が吐出し、例えば液滴がインクである場合は、記録対象となる記録紙に着弾することによって記録が行われる。
なお、このような方法は引き打ちと呼ばれるものであるが、バネ等を用いて液滴を吐出する押し打ちと呼ばれる方法もある。
【００４５】
上記のように構成した液滴吐出ヘッドのガラス基板２の製造方法を、図６〜図８の製造工程図により説明する。なお、以下の説明で記載した数値はその一例を示すもので、これに限定するものではない。
（ａ）  両面研磨した約１ｍｍのガラス基材２００を用意し、このガラス基材２００の片面に、エッチングマスクとなるクロム（Ｃｒ）膜２０１を０．１μｍ成膜する（図６（ａ））。
【００４６】
（ｂ）  成膜したクロム膜２０１の表面にレジスト２０２を塗布し、個別電極凹部２０、陽極接合凹部２５及び共通電極凹部２６を作り込むためのレジストパターニングを施す（図６（ｂ））。
【００４７】
（ｃ）  硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングし、クロム膜２０１をパターニングする（図６（ｃ））。
【００４８】
（ｄ）  レジスト２０２を付けた状態でガラス基材２００をフッ化アンモニウム水溶液に浸し、個別電極凹部２０、陽極接合凹部２５及び共通電極凹部２６を０．２μｍエッチングする。このとき、共通電極凹部２６に設けられる共通電極部Ａの等電位接点５０の高さ部となる部分はエッチングせずにポスト５２として残しておく（図６（ｄ））。
【００４９】
（ｅ）  レジスト２０２を剥離した後、クロム膜２０１を硝酸セリウムアンモニウム水溶液を用いて剥離する（図７（ｅ））。
【００５０】
（ｆ）  個別電極凹部２０、陽極接合凹部２５及び共通電極凹部２６を形成した後、例えばスパッタ法を用いて、０．１μｍの厚さの電極部材であるＩＴＯ膜２０３をパターニング面全面に成膜する（図７（ｆ））。
【００５１】
（ｇ）  個別電極凹部２０内の個別電極部Ｂ、陽極接合凹部２５内の陽極接合部Ｃ、及び共通電極凹部２６内の共通電極部Ａに、ＩＴＯ膜２０３が残るようにレジスト２０４にレジストパターニングを施す（図７（ｇ））。
【００５２】
（ｈ）  硝酸と塩酸の混合液を用いてＩＴＯ膜２０３をエッチングし、個別電極部Ｂ、陽極接合部Ｃ及び共通電極部Ａを形成する。この場合、共通電極部Ａの等電位接点５０と陽極接合部Ｃの等電位接点７０は、それぞれ高さ部を形成するポストの上面において、ガラス基材２００の表面よりも突出する（図８（ｈ））。
【００５３】
（ｉ）  レジスト２０４を剥離する（図８（ｉ））。
【００５４】
（ｊ）  サンドブラスト加工または切削加工によって、ガラス基材２００に液滴供給孔７を形成する。
こうして、ガラス基板２を製造する（図８（ｊ））。
【００５５】
次に、図６〜図８に示した工程によって製造されたガラス基板２を用いて液滴吐出ヘッドを製造する方法を、図９〜図１４の製造工程図を用いて説明する。
なお、実際には、シリコン基材から複数個分の液滴吐出ヘッドの部材を同時形成するが、以下の説明ではその一部分だけを示している。
（ａ）  図６〜図８に示した製造工程によって、ガラス基材２００よりガラス基板２を製造する（図９（ａ））。
【００５６】
（ｂ）  （１１０）を面方位とする酸素濃度の低いシリコン基材の片面を鏡面研磨し、２２０μｍの厚みを有するシリコン基材（以下、キャビティ基材１００という）を作製する。
次に、キャビティ基材１００を、酸素及び水蒸気雰囲気中、１０７５℃の条件で４時間酸化して、キャビティ基材１００の両面に約１．２μｍのＳｉＯ2 膜１０１を成膜する（図９（ｂ））。
【００５７】
（ｃ）  キャビティ基材１００の両面にレジスト（図示せず）を塗布し、選択拡散部１０２のレジストパターニングを施し、ふっ酸水溶液でエッチングして、ＳｉＯ2 膜１０１をパターニングする。そして、レジストを剥離する（図９（ｃ））。
【００５８】
（ｄ）  キャビティ基材１００のボロンドープ層を形成する側の面を、Ｂ2Ｏ3を主成分とする固体の拡散源に対向させて石英ボートにセットする。縦型炉に石英ボートをセットし、炉内を窒素雰囲気にし、温度を１１００℃に上昇させ、そのまま温度を６時間保持し、ボロンをキャビティ基材１００中に拡散させ、選択拡散部１０２にボロンドープ層１０３を形成する。ボロンドープ工程では、キャビティ基材１００の投入温度を８００℃とし、キャビティ基材１００の取出し温度も８００℃とする。これにより、酸素欠陥の成長速度が速い領域（６００℃から８００℃）をすばやく通過することができるため、酸素欠陥の発生を抑えることができる。
このとき、選択拡散部１０２以外の部分、及び選択拡散部１０２と反対側の面には、ＳｉＯ2 膜１０１が残っているため、ＳｉＯ2 膜１０１がマスクとなってボロンが拡散されることがない（図９（ｄ））。
【００５９】
（ｅ）  ボロンドープ層１０３の表面にはボロン化合物（ＳｉＢ6 ）が形成されるが（図示せず）、酸素及び水蒸気雰囲気中、６００℃の条件で１時間３０分酸化して、ふっ酸水溶液によるエッチングが可能なＢ2Ｏ3＋ＳｉＯ2 に化学変化させる。
選択拡散した面と反対側の面にレジストを塗布し、キャビティ基材１００をふっ酸水溶液に１０分間浸すと、選択拡散部１０２のＢ2Ｏ3＋ＳｉＯ2 膜、及び拡散面側のＳｉＯ2 膜がエッチング除去される。そして、レジストを剥離する（図１０（ｅ））。
【００６０】
（ｆ）  工程（ｄ）と同様に、キャビティ基材１００のボロンドープ層１０３を形成する面を、Ｂ2Ｏ3を主成分とする固体の拡散源に対向させて石英ボートにセットする。縦型炉に石英ボートをセットし、炉内を窒素雰囲気にし、温度を１０５０℃に上昇させ、そのまま温度を７時間保持し、ボロンをキャビティ基材１００中に拡散させ、拡散面側全面にボロンドープ層１０３を形成する。ボロンドープ工程では、キャビティ基材１００の投入温度を８００℃とし、キャビティ基材１００の取出し温度も８００℃とする。これにより、酸素欠陥の成長速度が速い領域（６００℃から８００℃）をすばやく通過することができるため、酸素欠陥の発生を抑えることができる。このとき、拡散面と反対側の面にはＳｉＯ2 膜１０１が残っているため、ボロンが反対面に回り込んでも、ＳｉＯ2 膜１０１がマスクとなって反対面に拡散されることはない。
先に選択拡散した部分のボロン濃度は他の部分に比べて濃くなり、キャビティ基材１００のより内部へボロンが拡散される（図１０（ｆ））。
【００６１】
（ｇ）  工程（ｅ）と同様に、ボロンドープ層１０３の表面にはボロン化合物（ＳｉＢ6 ）が形成されるが（図示せず）、酸素及び水蒸気雰囲気中、６００℃の条件で１時間３０分酸化させ、ふっ酸水溶液によるエッチングが可能なＢ2Ｏ3＋ＳｉＯ2 に化学変化させる。そして、キャビティ基材１００をふっ酸水溶液に１０分間浸し、拡散面のＢ2Ｏ3＋ＳｉＯ2 膜及び反対面のＳｉＯ2 膜１０１をエッチング除去する（図１０（ｇ））。
【００６２】
（ｈ）  ボロンドープ層１０３を形成した面に、プラズマＣＶＤ法によりＴＥＯＳ絶縁膜１０４を成膜する。成膜時の処理温度は３６０℃、高周波出力は２５０Ｗ、圧力は６６．７Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）、ガス流量はＴＥＯＳ流量１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（１００ｓｃｃｍ）、酸素流量１０００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（１０００ｓｃｃｍ）であって、この条件で、ＴＥＯＳ絶縁膜１０４を０．１μｍ成膜する（図１０（ｈ））。
【００６３】
（ｉ）  キャビティ基材１００の拡散面側にレジストを塗布し、陽極接合部Ｃの等電位接点７０に対応する窓部、及び共通電極部Ａの等電位接点５０に対応する窓部５３にレジストパターニングを施し、ふっ酸水溶液でエッチングして、ＴＥＯＳ絶縁膜１０４をパターニングし、陽極接合部Ｃの等電位接点７０に対応する窓部、及び共通電極部Ａの等電位接点５０に対応する窓部５３を形成する。そして、レジストを剥離する。
なお、共通電極部Ａの等電位接点５０との接触部に白金（Ｐｔ）膜等の金属膜５０ａを設ける場合（図５参照）は、上記工程ののち、金属膜５０ａを全面に０．０３μｍスパッタ法により成膜し、フォトリソ技術によりパターニングして、金属膜５０ａが残るようにする（図１１（ｉ））。
【００６４】
（ｊ）  キャビティ基材１００とガラス基板２を３６０℃に加熱した後、ガラス基板２に負極、キャビティ基材１００に正極を接続して、８００Ｖの電圧を印加して陽極接合する。陽極接合の際、個別電極部Ｂとキャビティ基材１００は、陽極接合部Ｃの等電位接点７０がキャビティ基材１００に設けた窓部を介してボロンドープ層１０３と通電可能に接続するため、放電が起こることはない。また、上記の陽極接合の際、同時に、共通電極部Ａとキャビティ基材１００もまた、共通電極部Ａの等電位接点５０がキャビティ基材１００の窓部５３を介してボロンドープ層１０３と通電可能に接続する（図１１（ｊ））。
【００６５】
（ｋ）  陽極接合後、キャビティ基材１００を研削加工し、約６０μｍの厚さにする。その後、３２ｗ％の濃度の水酸化カリウム溶液でキャビティ基材１００を約１０μｍエッチングし、加工変質層を除去する。これにより、キャビティ基材１００の厚さは約５０μｍとなる（図１１（ｋ））。
【００６６】
（ｌ）  エッチング面に、プラズマＣＶＤを用いてＴＥＯＳエッチングマスク１０５を成膜する。成膜時の処理温度は３６０℃、高周波出力は７００Ｗ、圧力は３３．３Ｐａ（０．２５Ｔｏｒｒ）、ガス流量はＴＥＯＳ流量１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（１００ｓｃｃｍ）、酸素流量１０００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（１０００ｓｃｃｍ）であって、この条件で、ＴＥＯＳエッチングマスク１０５を１．０μｍ成膜する（図１１（ｌ））。
【００６７】
（ｍ）  ＴＥＯＳエッチングマスク１０５にレジストパターニングを施し、ふっ酸水溶液でエッチングし、吐出室となる部分５ａ、及び貫通穴となる部分４４ａのパターニングを行う。そして、レジストを剥離する（図１２（ｍ））。
【００６８】
（ｎ）  ＴＥＯＳエッチングマスク１０５にレジストパターニングを施し、ふっ酸水溶液で０．７μｍだけエッチングし、リザーバとなる部分６ａをパターニングする。リザーバとなる部分６ａのＴＥＯＳエッチングマスク１０５の残りは、０．３μｍとする。これは、最終的にリザーバ６に厚みを持たせ、リザーバ６の剛性を高めるためである。そして、レジストを剥離する（図１２（ｎ））。
【００６９】
（ｏ）  接合済み基板を３５ｗｔ％の濃度の水酸化カリウム水溶液に浸し、吐出室となる部分５ａ及び貫通穴となる部分４４ａの厚みが約１０μｍになるまで行う。このとき、リザーバとなる部分６ａはエッチングがまだ始まらない。しかし、ガラス基板２に設けられた液滴供給孔７に対応する部分は、水酸化カリウム水溶液の濃度が高いため、ボロンドープ層１０３におけるエッチングレートが低下するものの、接合面側からエッチングが進行していく（図１２（ｏ））。
【００７０】
（ｐ）  ふっ酸水溶液に接合済み基板を浸し、リザーバとなる部分６ａのＴＥＯＳエッチングマスク１０５を除去する（図１２（ｐ））。
【００７１】
（ｑ）  接合済み基板を３ｗｔ％の濃度の水酸化カリウム水溶液に浸し、ボロンドープ層１０３でのエッチングレート低下によるエッチングストップが十分効くまでエッチングを続ける。前記２種類の濃度の異なる水酸化カリウム水溶液を用いたエッチングを行うことによって、振動板４となる部分（振動板となる部分のボロンドープ層１０３）の面荒れを抑制し、厚み精度を０．８０±０．０５μｍ以下にすることができ、液滴吐出ヘッドの吐出性能を安定化することができる。
選択拡散されている貫通穴となる部分４４ａ（貫通後は電極取出し口４１となる部分）は高濃度で深いボロンドープ層１０３が形成されているため、エッチングストップが振動板４となる部分のボロンドープ層１０３に比べ早く効き始め、貫通穴となる部分４４ａの厚みは約３μｍとなる。このため、強度が向上し、シリコンエッチング中に広い面積を持つ貫通穴となる部分４４ａが割れることがなくなり、歩留まりを向上することができる（図１３（ｑ））。
【００７２】
（ｒ）  キャビティ基材１００のエッチングが終了したら、接合済み基板をふっ酸水溶液に浸し、キャビティ基材１００表面のＴＥＯＳエッチングマスク１０５を剥離する。そして、エッチングを行った面にプラズマＣＶＤ法によりＴＥＯＳ液滴保護膜１０６を成膜する。成膜時の処理温度は３６０℃、高周波出力は２５０Ｗ、圧力は６６．７Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）、ガス流量はＴＥＯＳ流量１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（１００ｓｃｃｍ）、酸素流量１０００ｃｍ3 ／ｍｉｎ（１０００ｓｃｃｍ）であって、この条件で、０．１μｍ成膜する（図１３（ｒ））。
【００７３】
（ｓ）  貫通穴となる部分４４ａ及び第１封止部２８（図３参照）にそれぞれ残っているシリコン薄膜及びＴＥＯＳ液滴保護膜を除去するために、シリコンマスクをキャビティ基材１００の表面に取り付け、ＲＦパワー２００Ｗ、圧力４０Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）、ＣＦ4流量３０ｃｍ3 ／ｍｉｎ（３０ｓｃｃｍ）の条件で、ＲＩＥドライエッチングを１時間行い、貫通穴となる部分４４ａのみにプラズマを当て、貫通させて開口し、貫通穴４４を形成する。このとき、ギャップＧ内は大気開放される（図１３（ｓ））。
【００７４】
（ｔ）  第１封止部２８にエポキシ系樹脂を盛り、第１の封止材４０とし、個別電極２１毎に封止を行う。エポキシ系樹脂の代わりに、ＴＥＯＳ膜等の無機材料を成膜して封止してもよい。この時点では、ギャップＧは密閉されていない。そして、第２封止部２９を介してギャップＧ内の水分除去を行う。その後、疎水処理を行うため、接合済み基板をＨＭＤＳ（Hexa Methyl Disilazane、ヘキサメチルジシラザン）ガスをギャップ内に充填させ、第２封止部２９にエポキシ系樹脂を盛り、第２の封止材４６とし、ギャップＧ内を封止する。これによって、ギャップＧは再び密閉状態になる（図１３（ｔ））。
【００７５】
（ｕ）  ノズル基材３００を、エポキシ系接着剤によりキャビティ基材１００に接着する（図１４（ｕ））。
【００７６】
（ｖ）  ダイシングライン２７（図３参照）に沿ってダイシングを行い、個々のヘッドに切断する。ダイシングにより個別電極部Ｂは陽極接合部Ｃと分離され、独立する（図１４（ｖ））。    
【００７７】
従来のように、共通電極部をキャビティ基材に形成する場合は、シリコンマスク等を用いて白金膜等の金属膜を共通電極部に成膜しなければならず複雑であり、また、共通電極部の端子部を充填された導電性ペーストを介してガラス基板の個別電極部と同一の平面上に引き出す場合は、手間がかかり生産性も低い。
本実施の形態１によれば、ガラス基板２にキャビティ基板１と通電可能に接続する等電位接点５０を備えた共通電極部Ａが設けられ、かかる共通電極部Ａの端子部５１を個別電極部Ｂの端子部２３と同一平面上に設け、陽極接合時に共通電極部Ａの等電位接点５０をキャビティ基材と接合するようにしたので、従来のようにシリコンマスク等を用いて白金膜等の金属膜をわざわざ共通電極部に成膜する必要がなく、低コスト化が可能である。また、同一平面上に配線接合部が形成されている配線フレキシブル基板を、単に、導電性接着剤を介してそれぞれの端子部に重ね合わせて加熱加圧するだけで、簡単かつ確実に配線接続を行うことができ、実装信頼性が向上し、生産性も高い。
【００７８】
実施の形態２．
図１５は本発明の実施の形態２に係る液滴吐出ヘッドのガラス基板の斜視図、及び図１６は図１５のガラス基板をダイシング前に上面より見た概略説明図、図１７は図１６のロ−ロ断面図である。
実施の形態１では、共通電極部Ａの等電位接点５０を個別電極部Ｂが収納された端子凹部２４とは異なる共通電極凹部２６内に設けたが、本実施の形態２では、共通電極部Ａを個別電極部Ｂの端子部２３が位置する端子凹部２４の幅方向の段差部にまたがるようにして設け、段差部の高い位置、すなわち段差部近傍のガラス基板２の表面に、共通電極部Ａの等電位接点５０が位置するようにしたものである。すなわち、端子凹部２４の底面から段差部を介して段差部近傍のガラス基板２の表面にかけて、ＩＴＯ膜を０．１μｍに成膜する。したがって、共通電極部Ａの等電位接点５０は、ガラス基板２の表面よりも０．１μｍ突出する。
【００７９】
キャビティ基板１側には、共通電極部Ａの等電位接点５０に対向する部分の絶縁膜８（０．１μｍ）を一部取り除いて窓部５３を形成し、ガラス基板２の共通電極部Ａの等電位接点５０をキャビティ基板１のボロンドープ層と接触させることで、共通電極部Ａとの等電位を確保する。
その他の、構成、作用及び効果は、実施の形態１で示した場合と実質的に同様なので、説明を省略する。
【００８０】
実施の形態３．
図１８は本発明の実施の形態３に係る液滴吐出ヘッドのガラス基板の斜視図、図１９は図１８のガラス基板をダイシング前に上面より見た概略説明図である。
実施の形態１では、共通電極部Ａの等電位接点５０を個別電極部Ｂが収納された端子凹部２４とは異なる共通電極凹部２６内に設けたが、本実施の形態３では、ダンシングにより個別電極部Ｂと分離した後の陽極接合部Ｃをそのまま共通電極部Ａとして利用したものである。
【００８１】
すなわち、共通電極部Ａの等電位接点５０はダイシング後の陽極接合部Ｃの等電位接点７０をそのまま利用するものであり、共通電極部Ａの接点配線５１はダイシング後の陽極接合部Ｃの接点配線７１をそのまま利用するものであって、ダイシング前には、共通電極部Ａ（すなわち陽極接合部Ｃ）は個別電極部Ｂの全ての個別電極２１と導通している。これは、ダイシング前の陽極接合時に、キャビティ基材１００と個別電極部Ｂとの間で放電が起こるのを防ぐためである。そして、ダイシングによりチップ化する際に、個別電極部Ｂの個別電極２１はアクチュエータ毎に分断される。そして、分断したあとの陽極接合部Ｃの等電位接点７０を、共通電極部Ａの等電位接点５０として利用するものである。
その他の、構成、作用及び効果は、実施の形態１で示した場合と実質的に同様なので、説明を省略する。
【００８２】
実施の形態４．
図２０は本発明の実施の形態１〜３のいずれかに係る液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置を示す斜視図である。図２０に示す液滴吐出装置４００は、一般的なインクジェットプリンタである。
実施の形態１〜３に示す液滴吐出ヘッドは、個別電極部Ｂの端子部２３と共通電極部Ａの端子部を同一平面上に形成する構造になっており、また、配線フレキシブル基板を、単に、電極端子部に重ね合わせて加熱加圧するだけで、簡単にかつ確実に、配線接続を行うことができるため、かかる液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置は、高精度で信頼性が高く、しかも低コストで製造することができる。
なお、実施の形態１〜３に示す液滴吐出ヘッドは、図２０に示すインクジェットプリンタの他に、液滴を種々変更することで、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機ＥＬ表示装置の発光部分の形成、生体液体の吐出等にも適用することができる。
【００８３】
実施の形態５．
図２１は本発明の実施の形態１〜３のいずれかに係る静電アクチュエータを備えたデバイスの要部斜視図である。なお、図２１に示すデバイス５００は、光スイッチやレーザープリンタ用のレザースキャンミラーとして用いられるミラーデバイスである。
本実施の形態５に係るデバイス５００は、駆動基板５０１に駆動部５０２、ヒンジ５０３、ミラー５０４が形成されている。また、駆動基板５０１に接合されている電極基板５０５には、ＩＴＯ等からなる対向電極５０６が形成されている。なお、駆動基板５０１は、実施の形態１に係る液滴吐出ヘッドのキャビティ基板１に相当し、駆動部は振動板４に相当するものである。
【００８４】
図２１に示すデバイス５００では、駆動部５０２と対向電極５０６の間に電圧が印加されることにより、駆動部５０２が揺動する。これにより、ヒンジ５０３が捻れ、その力がミラー５０４に伝わることによりミラー５０４が角度を変化させる。このように本実施の形態５では、主に駆動部５０２、ヒンジ５０３、ミラー５０４及び対向電極５０６によって静電アクチュエータが構成されている。
本実施の形態５に係るデバイス５００においても、電極基板５０５上にパッシベーション膜（図示せず）を形成し、その上に対向電極５０６を形成することにより、水蒸気等を遮断して、駆動部５０２及びミラー５０４の駆動安定性を向上させることができる。なお、図２１に示すデバイス５００は、一般的にパッケージング（図示せず）によって真空封止されて、外気と遮断されている。
【００８５】
実施の形態１〜３では、本発明に係る静電アクチュエータの製造方法を適用した例として液滴吐出ヘッドを示しているが、実施の形態１〜３に係る静電アクチュエータの製造方法は、その他のデバイスの製造方法にも適用することができる。具体的には、波長可変フィルタ、マイクロポンプ等のＭＥＭＳデバイスの製造方法に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の実施の形態１に係る液滴吐出ヘッドの分解斜視図。
【図２】図１の液滴吐出ヘッドを組み立てた状態の縦断面図。
【図３】図１のガラス基板をダイシングする前に上面より見た概略説明図。
【図４】図３のイ−イ断面図。
【図５】図３の他の形態を示すイ−イ断面図。
【図６】実施の形態１に係る液滴吐出ヘッドのガラス基板の製造工程を示す断面図。
【図７】図６に続く液滴吐出ヘッドのガラス基板の製造工程を示す断面図。
【図８】図７に続く液滴吐出ヘッドのガラス基板の製造工程を示す断面図。
【図９】実施の形態１に係る液滴吐出ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図１０】図９に続く液滴吐出ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図１１】図１０に続く液滴吐出ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図１２】図１１に続く液滴吐出ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図１３】図１２に続く液滴吐出ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図１４】図１３に続く液滴吐出ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図１５】本発明の実施の形態２に係る液滴吐出ヘッドのガラス基板の斜視図。
【図１６】図１５のガラス基板をダイシングする前に上面より見た概略説明図。
【図１７】図１６のロ−ロ断面図。
【図１８】本発明の実施の形態３に係る液滴吐出ヘッドのガラス基板の斜視図。
【図１９】図１８のガラス基板をダイシングする前に上面より見た概略説明図。
【図２０】本発明の実施の形態４に係る液滴吐出装置の斜視図。
【図２１】本発明の実施の形態５に係るデバイスの要部斜視図。
【符号の説明】
【００８７】
１  キャビティ基板（第１の基板）、２  ガラス基板（第２の基板）、３  ノズル基板、４  振動板、５  吐出室、６  リザーバ、８  絶縁膜、２０  個別電極凹部（溝部）、２１  個別電極、２２  リード部、２３  端子部、２４  端子凹部、２５  陽極接合凹部、２６  共通電極凹部（溝部）、２７  ダイシングライン、３０  ノズル孔、３１  オリフィス、４２  ＦＰＣ、５０  共通電極部の等電位接点（接点）、５０ａ  耐酸化性の金属膜、５１  共通電極部の接点配線、５３  キャビティ基板の窓部、７０  陽極接合部の等電位接点、７１  陽極接合部の接点配線、１００  ガラス基材、１０３  ボロンドープ層、２００  キャビティ基材、２０３  ＩＴＯ膜、Ａ  共通電極部、Ｂ  個別電極部、Ｃ  陽極接合部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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