(57)【要約】【課題】ガラスとの反応性が少なく、耐磨耗性と耐久性が高く、成形したガラスの成形型表面からの離型性が良好なガラス製ハードディスク基板用成形型を提供する。【解決手段】炭化ケイ素−炭素複合セラミックスを含む、ガラス製ハードディスク基板用成形型であって、前記炭化ケイ素−炭素複合セラミックスが、炭化ケイ素１００重量部に対し１５〜５０重量部の炭素粒子を含有し、前記炭素粒子の平均粒径が０．３〜１００μｍの範囲である成形型とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化ケイ素−炭素複合セラミックスを含む、ガラス製ハードディスク基板用成形型であって、
前記炭化ケイ素−炭素複合セラミックスは、炭化ケイ素１００重量部に対し１５〜５０重量部の炭素粒子を含有し、前記炭素粒子の平均粒径が０．３〜１００μｍの範囲であるガラス製ハードディスク基板用成形型。
【請求項２】
前記炭化ケイ素−炭素複合セラミックス中の炭化ケイ素の平均粒径は、０．３〜１００μｍの範囲である、請求項１に記載のガラス製ハードディスク基板用成形型。
【請求項３】
前記炭素粒子の結晶相と非晶相とのレーザーラマン分光強度のピーク面積比（結晶相／非晶相）は１〜１０である、請求項１又は２に記載のガラス製ハードディスク基板用成形型。
【請求項４】
前記複合セラミックスの最大ボイド径は、３００μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のガラス製ハードディスク基板用成形型。
【請求項５】
ガラス製ハードディスク基板の成形時においてガラスと接触する前記成形型表面の中心線平均粗さＲａは、０．００１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のガラス製ハードディスク基板用成形型。
【請求項６】
成形型にガラス原料を配置し、前記ガラス原料を加圧成形するガラス成形工程を含むガラス製ハードディスク基板の製造方法であって、
前記成形型は、請求項１〜５のいずれか一項に記載のガラス製ハードディスク基板用成形型であるガラス製ハードディスク基板の製造方法。
【請求項７】
前記ガラス成形工程において、前記ガラス原料を２００℃〜１５００℃に加熱した状態で、前記ガラス原料に対し０．２〜５０ＭＰａの圧力を印加して成形する、請求項６に記載のガラス製ハードディスク基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス製ハードディスク基板用成形型に関し、より詳細には、炭化ケイ素−炭素複合セラミックスを含む、ガラス製ハードディスク基板用成形型、及びそれを用いたガラス製ハードディスク基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス製ハードディスク基板は、情報記録装置に好適に用いられる磁気記録媒体用基板である。このガラス製ハードディスク基板は、通常、成形型の上型と下型との間にガラス原料を配置し、熱間プレスによって所望の形状に成形し、さらに、必要に応じて、表面を研磨することによって製品化される。
【０００３】
このようなガラス製ハードディスク基板を成形するための成形型の材料としては、熱安定性に優れることから、種々のセラミックスが使用されている（特許文献１）。
【０００４】
他方、特許文献２には、セラミックス、ガラス、金属等を成形加工する際の成形型の原料として、特定粒径のセラミックス材料（炭化ケイ素等）と特定粒径のカーボンとを特定の割合で配合したセラミックス複合燒結体が開示されている。
【特許文献１】特開２００２−２３０７４７号公報
【特許文献２】特開２００４−６７４３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ガラス製ハードディスク基板の製造において、成形の高速化、高頻度化に伴い、前記特許文献１に記載されたような成形型材料では、表面が磨耗し易く、ガラス成分が成形型表面と高温で反応することによって、成形されたガラスの表面精度が低下するという問題がある。また、特許文献２に記載されたようなセラミックス複合焼結体では、含まれる炭素粒子の粒径が微小であるため、ガラス成分が成形型表面と強く密着し、前記成形型から剥離し難いため、連続成形が困難であるという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、ガラスとの反応性が少なく、耐磨耗性と耐久性が高く、成形したガラスの成形型表面からの離型性が良好なガラス製ハードディスク基板用成形型及びそれを用いたガラス製ハードディスク基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、炭化ケイ素−炭素複合セラミックスを含む成形型であって、前記炭化ケイ素−炭素複合セラミックスが、炭化ケイ素１００重量部に対し１５〜５０重量部の炭素粒子を含有し、前記炭素粒子の平均粒径が０．３〜１００μｍの範囲であるガラス製ハードディスク基板用成形型（以下、「本発明の成形型」ともいう）に係る。
【０００８】
本発明は、成形型にガラス原料を配置し、前記ガラス原料を加圧成形する工程を含むガラス製ハードディスク基板の製造方法であって、前記成形型が、本発明のガラス製ハードディスク基板用成形型であるガラス製ハードディスク基板の製造方法に係る。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のガラス製ハードディスク基板用成形型によれば、ガラスとの反応性が少なく、耐磨耗性と耐久性が高く、成形したガラスの成形型表面からの離型性が良好なガラス製ハードディスク基板用成形型及びそれを用いたガラス製ハードディスク基板の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（ガラス製ハードディスク基板用成形型）
本発明の成形型は、前述のように、炭化ケイ素１００重量部に対し１５〜５０重量部の炭素粒子を含有し且つ前記炭素粒子の平均粒径が０．３〜１００μｍの範囲である炭化ケイ素−炭素複合セラミックス（以下、「複合セラミックス」ともいう）を含む。
【００１１】
このように、本発明の成形型は、前記複合セラミックスに、炭化ケイ素１００重量部に対し１５〜５０重量部の炭素粒子が含まれており、この含有量は、従来技術、例えば、前記特許文献１の炭化ケイ素複合セラミックスの製造において焼結助剤として使用される炭素量と比較して多量である。このような含有量にすることによって、ガラス成形時におけるガラスとの反応性が抑制され、高い耐磨耗性と耐久性とを示す成形型となる。また、特許文献２のように、非常に炭素含有量が高いセラミックスでは達成できなかった十分な耐久性も確保することができる。
【００１２】
また、本発明の成形型は、前記複合セラミックスに含まれる炭素粒子の平均粒径が０．３〜１００μｍであり、この平均粒径は、特許文献２のセラミックスにおける炭素粒子と比較して、非常に大きい粒径である。このような大きな粒径の炭素粒子を用いることで、成形したガラスと成形型表面との密着性が低減し、良好な離型性を達成することができる。
【００１３】
また、前記複合セラミックスに含まれる炭素粒子の平均粒径は、より良好な離型性を確保することから、好ましくは０．５μｍ以上であり、より好ましくは０．７μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上である。同じく、より良好な離型性を確保することから、好ましくは２５μｍ以下であり、より好ましくは５μｍ以下である。具体的には、炭素粒子の平均粒径は、好ましくは０．５〜２５μｍであり、より好ましくは０．７μｍ〜５μｍ、さらに好ましくは１〜５μｍである。前記炭素粒子の平均粒径は、レーザー回折／散乱光式粒子径分布測定装置（商品名ＬＡ７２０、堀場製作所社製）によって測定される体積平均粒径Ｄ50である（以下、同様）。
【００１４】
なお、本発明の成形型は、ガラス製ハードディスク基板の製造に使用する成形型であるが、ガラス製ハードディスク基板は、非晶性ガラス（アモルファスガラス）製の基板でも、結晶化ガラス（ガラスセラミックス）製の基板でもよく、ガラス系の基板であれば特に制限されない。
【００１５】
前記複合セラミックスに含まれる炭素粒子の含有量は、より高い耐磨耗性及び耐久性を確保する点から、好ましくは炭化ケイ素１００重量部に対して１５〜４５重量部であり、より好ましくは１５〜３０重量部である。
【００１６】
前記炭化ケイ素の原料としては、α、βのいずれの結晶型であってもよい。また、炭化ケイ素原料の純度は、特に制限されないが、より高密度に焼結させ、耐磨耗性及び耐久性をさらに向上するという点から、好ましくは９０重量％以上、より好ましくは９５重量％以上である。炭化ケイ素原料（粒子）の平均粒径は、特に制限されないが、焼結性がより良好であることから、前記原料は０．１〜１０μｍの粉末であることが好ましい。
【００１７】
前記複合セラミックスに含まれる炭素粒子は、好ましくは、炭素の単体であって、結晶相、非晶相、または、結晶相及び非晶相の混合相からなる。これらの単体の結晶相は、レーザーラマン分光法により得られる測定スペクトルにおいて、１５８０ｃｍ-1付近を中心とする１４５０〜１７００ｃｍ-1にかけて結晶相のピークを有することが好ましい。その結晶構造としては、特に制限されないが、好ましくは、グラファイト型平面六角形構造、菱面体形構造等があげられる。また、非晶相は、レーザーラマン分光法により得られる測定スペクトルにおいて、１３６０ｃｍ-1付近を中心とする１３００〜１４５０ｃｍ-1にかけて結晶相のピークを有することが好ましい。
【００１８】
前記複合セラミックスに含まれる炭素粒子は、より高い耐摩耗性及び耐久性を確保する点から、さらに、より高い強度及び破壊靭性を達成する点から、結晶相と非晶相とのレーザーラマン分光強度のピーク面積比（結晶相／非晶相）が、好ましくは１〜１０であり、より好ましくは１〜５である。前記ピーク面積比は、通常、炭素の黒鉛化度に相当すると考えられるため、この値が前記範囲にあれば、より良好な強度と破壊靭性とを達成できる。なお、前記スペクトルの測定は、アルゴンレーザーラマン分光装置（ＮＥＣ社製）が使用できる。このようなピーク面積比とするには、炭素源として、好ましくは残炭率３０〜９５重量％、さらに好ましくは残炭率４０〜９０重量％のアルキル変性フェノール樹脂、コールタールピッチを選択すればよい。なお、残炭率とは、ＪＩＳ  Ｋ  ２４２５に基づいて測定される炭素源中の固定炭素の重量％をいう。
【００１９】
前記複合セラミックスに含まれる炭化ケイ素の平均粒径は、より高い耐磨耗性及び耐久性を確保する観点から、好ましくは０．３μｍ以上である。同じく、より高い耐磨耗性及び耐久性を確保する観点から、好ましくは１００μｍ以下であり、より好ましくは５０μｍ以下であり、さらに好ましくは４μｍ以下である。具体的には、炭化ケイ素の平均粒径は、好ましくは０．３〜１００μｍであり、より好ましくは０．３〜５０μｍであり、さらに好ましくは０．３〜４μｍである。なお、炭化ケイ素の平均粒径は、前記炭素粒子の平均粒径と同様の方法によって測定できる。炭化ケイ素は、前記複合セラミックスにおいて、マトリックスとなるものであり、その結晶型は、α、βのいずれであってもよい。
【００２０】
前記複合セラミックスは、前記炭化ケイ素と炭素から構成されることが好ましいが、本発明の効果を損なわない範囲で、炭化ケイ素以外の炭化物等の任意成分をさらに含有してもよい。
【００２１】
本発明における複合セラミックスは、比較的粒径の大きな炭素粒子と好ましくは比較的粒径の大きな炭化ケイ素とを含有するため、複合セラミックスの強度を確保するため、ボイド径が小さいことが好ましい。最大ボイド径は、３００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０〜１００μｍであり、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは２５μｍ以下である。なお、最大ボイド径は、以下のようにして測定することができる。すなわち、複合セラミックスの表面の空隙孔について、キーエンス社製のＶＨ−８０００型により空隙孔の像（写真）を得、得られた像を画像解析することにより求めることができる。画像解析の際は、ランダムに配向させた空隙孔の長軸径（ｍｍ）と短軸径（ｍｍ）とを測定して、（長軸径＋短軸径）／２を求め、前記ＶＨ−８０００型の倍率１００倍の時の視野中の空隙孔につき、それぞれ得られた値の最大値を最大ボイド径とする。長軸径と短軸径とは、それぞれ以下のように定義される。空隙孔を２本の平行線ではさんだ時、その２本の平行線の間隔が最小となる空隙孔の幅を短軸径といい、一方、この平行線に直角な方向の２本の平行線で空隙孔をはさんだ時、その２本の平行線の間隔を長軸径という。なお、金型成形、ＣＩＰ（ＣＯＬＤ  ＩＳＯＳＴＡＴＩＣ  ＰＲＥＳＳ）、ＨＩＰ（ＨＯＴ  ＩＳＯＳＴＡＴＩＣ  ＰＲＥＳＳ）等において、０．５〜５ｔ／ｃｍ2の圧力で成形すると、複合セラミックスの最大ボイド径を３００μｍ以下にすることができる。
【００２２】
本発明の成形型は、ガラスに対する離型性が高いことから、ガラス成形の際にガラスが接触する表面の少なくとも一部が前記複合セラミックスから構成されていることが好ましいが、さらに、前記接触表面の全てが前記複合セラミックスから構成されることが好ましい。また、前記成形型の全体が前記複合セラミックスから構成されてもよい。具体例としては、本発明の成形型がダイスとパンチとからなる場合、ダイス及びパンチのいずれか一方、もしくは、両方を、前記複合セラミックスで構成してもよい。また、ダイス及びパンチのいずれか一方、または、両方について、ガラスとの接触面の一部もしくは全面を前記複合セラミックスで構成してもよい。
【００２３】
本発明の成形型の形状としては、従来公知の成形型と同様の形状があげられる。本発明の成形型は、前述のような複合セラミックスを含むことが特徴であり、前述のように、ガラスが接触する表面の少なくとも一部が前記複合セラミックスを含めば、ガラスに対する離型性を向上できるため、その形状自体は何ら制限されない。
【００２４】
本発明の成形型を用いてガラス製ハードディスク基板を製造する場合、前記成形型におけるガラスとの接触表面の形状が、成形したガラス表面に転写されることから、前記接触表面は、できるだけ滑らかであることが好ましい。具体的には、成形後の基板研磨効率の観点及び前記接触表面の平滑性の観点から、前記接触表面の中心線平均粗さＲａは、０．００１〜１０μｍが好ましく、より好ましくは０．０１〜９．５μｍ、さらに好ましくは０．０２〜９μｍである。なお、中心線平均粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ０６５１により求めることができる。中心線平均粗さＲａは、焼結体の密度を高くすることによって、前記範囲に設定することができるため、後述するような仮焼した粉末（複合セラミックス）を使用すればよい。
【００２５】
（複合セラミックスの製造方法）
本発明のガラス製ハードディスク基板用成形型における複合セラミックスは、以下のようにして調製することができる。
【００２６】
前記複合セラミックスは、炭化ケイ素及び炭素源を含む原料混合物を必要に応じて仮焼した後、所望の形状に成形し、これを焼成することによって製造できる。後述するが、本発明の成形型全体をこの複合セラミックスで構成する場合には、所望の成形型の形状に成形すればよく、また、本発明の成形型の一部をこの複合セラミックスで構成する場合には、成形型の部品として所望の形状に成形すればよい。
【００２７】
前記複合セラミックスには、前述のように炭素の単体が含まれることが好ましいが、この炭素の単体は、製造中に適当な炭素源から生成されることが好ましい。具体的には、炭化ケイ素、後述する炭素源、及び、所望により従来公知の添加剤を湿式混合して仮焼すればよい。この仮焼工程において、通常、炭素源の炭素は、単体に変換される。前記各原料の混合割合は、得られる複合セラミックスが、炭化ケイ素１００重量部に対し１５〜５０重量部の炭素粒子を含有するように適宜設定すればよい。
【００２８】
前記添加剤としては、特に制限されないが、公知のホウ素化合物、チタン化合物、アルミニウム、イットリア化合物等の焼結助剤等があげられる。
【００２９】
前記湿式混合は、ボールミル、振動ミル、遊星ミル等を用いて行うことができる。また、湿式混合に使用する溶剤としては、特に制限されないが、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メタノール、エタノール等のアルコール系溶剤；メチルエチルケトン等のケトン系溶剤等の有機溶剤が好ましい。その他の溶剤としては、水、水と前記有機溶剤との混合溶剤等も使用できる。
【００３０】
湿式混合した混合物の仮焼は、特に制限されず、従来公知の方法で行うことができるが、使用する炭素源をより充分に炭素単体に変換させつつ、良好な分散性を維持する観点から、不活性雰囲気下（窒素ガス、アルゴンガス等の雰囲気下）、１５０〜８００℃で熱処理して行うことが好ましい。
【００３１】
前記炭素源としては、特に制限されず、湿式混合に使用する前記有機溶剤に可溶性または分散性のものであり、且つ、前記仮焼条件下で炭素に変換されるものであるものが使用できる。炭素源が固体粉末の場合は、その分散性の観点から、平均粒径０．１〜１００μｍ程度の材料が好ましい。また、前記炭素源は、仮焼後における炭素への変換率が高いことから、芳香族炭化水素が好ましく、具体的にはフラン樹脂、フェノール樹脂、コールタールピッチ等があげられ、中でもフェノール樹脂、コールタールピッチがより好ましい。また、仮焼したこれらのものを炭素源として用いることもできる。
【００３２】
前記炭化ケイ素原料（粒子）としては、前述のように、α、βのいずれの結晶型であってもよい。また、その炭化ケイ素原料の純度は、特に制限されないが、より高密度に焼結させ、耐磨耗性及び耐久性をさらに向上するという点から、好ましくは９０重量％以上、より好ましくは９５重量％以上である。炭化ケイ素原料（粒子）の平均粒径は、特に制限されないが、焼結性がより良好であることから、０．１〜１０μｍの粉末であることが好ましい。なお、炭化ケイ素原料（粒子）の平均粒径は、レーザー回折／散乱光式粒子径分布測定装置（商品名ＬＡ７２０、堀場製作所社製）によって測定される体積平均粒径Ｄ50である（以下、同様）。
【００３３】
次いで、仮焼後の混合物を、所望により造粒した後、所望の形状に成形する。成形方法は、特に制限されず、金型成形法、インジェクション法、ＣＩＰ（ＣＯＬＤ  ＩＳＯＳＴＡＴＩＣ  ＰＲＥＳＳ）法等でブロックを形成し、必要に応じて前記ブロックを機械加工して所望の形状の成形体を作製すればよい。
【００３４】
続いて、得られた成形体を焼成工程に供する。焼成方法は、特に制限されず、従来公知の方法に従えばよいが、不活性雰囲気下または真空下において、１８００〜２３００℃で処理することが好ましい。このような焼成温度で処理すれば、焼結体の密度、強度や硬度等の機械的特性がより良好となり得る。前記焼成方法としては、さらに高密度化を達成させるために、ホットプレス、ＨＩＰ（ＨＯＴ  ＩＳＯＳＴＡＴＩＣ  ＰＲＥＳＳ）法等を採用することが好ましい。
【００３５】
この複合セラミックスは、容易に加工成形できることに加え、その特性に依存して、本発明が解決しようとする課題の１つである、成形型に要求される特性の付与、具体的には、高温のガラスに対する化学的安定性（耐酸化性、耐食性、ガラスに対する不活性）や耐摩耗性、ガラスとの離型性、表面平滑性等のガラス製ハードディスク基板用成形型の特性の付与に大きく貢献する。
【００３６】
前記複合セラミックスにおける炭素粒子や炭化ケイ素の平均粒径を過度に微細にしないようにするには、炭素原料の残炭率、粒径を前記好適範囲に調整し、仮焼条件を調整し、原料の溶解を過度に行わないことが好ましい。また、炭化ケイ素については、焼成条件を調整して結晶性を向上させ、適度に粒子成長させることが好ましい。
【００３７】
（本発明の成形型の製造方法）
つぎに、本発明の成形型の好適な製造方法について説明するが、本発明の成形型の製造方法はこれらには限定されない。本発明の成形型の全体を、前記複合セラミックスから構成する場合には、前述の複合セラミックスの製造工程において、仮焼した混合物を所望の成形型の形状に成形し、焼成すればよい。また、本発明の成形型の一部を前記複合セラミックスで構成する場合には、前述のように、複合セラミックスからなる部品を作製し、これを成形型の一部として組み込むことで、本発明の成形型を製造できる。
【００３８】
本発明の成形型において、ガラス製ハードディスク基板の製造においてガラスと接触する表面は、前述のように滑らかであることが好ましい。このため、前記ガラスとの接触表面は、必要に応じて、研磨することが好ましい。研磨方法は、特に制限されないが、前記複合セラミックスが高硬度材料の場合は、ダイヤモンド以外の砥粒による研磨では所要時間が長くなるため、ダイヤモンド砥粒によって研磨することが好ましい。本発明の成形型におけるガラスとの接触表面の表面平滑性を十分に確保する点から、使用するダイヤモンド砥粒の平均粒径は、２μｍ以下が好ましい。
【００３９】
本発明の成形型を構成する前記複合セラミックスは、ＨＩＰ法により焼成した場合、非常に高密度の焼結体として得られる。成形するガラスの表面により良好な平滑性を付与できることから、成形型の相対密度は高いことが好ましい。具体的には、成形型の相対密度は９５％以上が好ましく、より好ましくは９８％以上である。この相対密度は、嵩密度を理論密度（真比重）で除することにより算出でき、嵩密度は、ＪＩＳ  Ｒ１６３４に基づいて測定できる。なお、セラミックスが複数成分から構成される場合には、各成分の理論密度×各成分の含有量（重量％）÷１００を計算し、得られた各成分についての計算値の和を、前記セラミックス全体の理論密度とする。
【００４０】
（ガラス製ハードディスク基板の製造方法）
本発明のガラス製ハードディスク基板の製造方法は、前述のように、成形型にガラス原料を配置し、必要に応じて加熱条件の下で、前記ガラス原料を加圧成形する工程を含むガラス製ハードディスク基板の製造方法であって、前記成形型が、本発明のガラス製ハードディスク基板用成形型である。このように本発明の製造方法においては、成形型として本発明の成形型を使用すればよく、その他の工程や処理条件等に関しては、何ら制限されるものではない。
【００４１】
本発明のガラス製ハードディスク基板の製造方法の一例について、図１を用いて説明するが、本発明はこれに制限されない。
【００４２】
図１は、本発明のガラス製ハードディスク基板用成形型の一例を示す断面図である。同図に示すように、成形型は、対向する上型１０ａ及び下型１０ｂ、これらを上下に移動可能に連結する外周部１２を備え、１０１ａは、上型１０ａにおける加工面（ガラスとの接触面）であり、１０１ｂは、下型１０ｂにおける加工面（ガラスとの接触面）である。そして、成形型は、少なくとも上型１０ａの加工面１０１ａと下型１０ｂの加工面１０１ｂとが、前述の複合セラミックスで構成されている。なお、成形型は外周部を備えなくても良い。
【００４３】
まず、成形型の上型１０ａと下型１０ｂとの間にガラス材料１１を配置する（例えば、下型１０ｂの加工面１０１ｂ上に配置）。そして、上型１０ａと下型１０ｂとを移動させることによりガラス材料１１をプレスし、その後、これを冷却することによってガラス製ハードディスク基板が成形される。そして、この成形されたガラス製ハードディスク基板を前記成形型から離型して、ガラス製ハードディスク基板が得られる。なお、本発明のガラス製ハードディスク基板用成形型の製造方法においては、本発明の成形型を使用することが特徴であり、温度や加重の条件等は、何ら制限されず、従来公知の通りに設定できる。
【００４４】
ガラス材料１１は、未加熱のガラス原料（室温程度）を上型１０ａと下型１０ｂとの間に配置し、加熱しながらプレス加工を行ってもよいし、予めガラス原料１１を所定の温度に加熱して溶融ガラスとし、これを溶融ガラス槽から流出パイプを通じて、下型１０ｂの加工面に流下させてもよい。加熱処理の温度は、特に制限されないが、成形性の観点から２００〜１５００℃が好ましく、より好ましくは４００〜１５００℃、さらに好ましくは５００〜１４００℃、さらにより好ましくは６００〜１４００℃である。また、溶融ガラスの温度は、ガラス原料が溶融していればよく、特に制限されないが、成形性の観点から２００〜１５００℃が好ましく、より好ましくは４００〜１５００℃であり、さらに好ましくは５００〜１４００℃、さらにより好ましくは６００〜１４００℃である。
【００４５】
プレス時に印加する圧力は、特に制限されないが、０．２〜５０ＭＰａが好ましく、プレス時間をより短縮できることから、より好ましくは、０．３〜４０ＭＰａであり、さらに好ましくは０．４〜３０ＭＰａである。なお、プレスは、上型１０ａと下型１０ｂの両方を移動させて行ってもよいし、図１の矢印に示すように上型１０ａに圧力を加えて行ってもよい。
【００４６】
前記ガラス原料の種類も何ら制限されず、成形後の形態が、アモルファスガラスとなる原料でもよいし、結晶化ガラス（ガラスセラミック）となる原料であってもよい。
【００４７】
（情報記録媒体）
本発明によれば、前述のガラス製ハードディスク基板を備えた情報記録媒体を提供することもできる。この場合、前述の方法により作製したガラス製ハードディスク基板を使用すればよく、情報記録媒体のその他の構成等に関しては何ら制限されるものではない。
【実施例１】
【００４８】
下記表１に示す炭素源、平均粒径０．５μｍのβ−炭化ケイ素粒子（純度９８重量％）、及び、焼結助剤Ｂ4Ｃ（２重量％）を振動ミルにてエタノールによる湿式混合を行い、乾燥後、５００℃で２時間仮焼し、この仮焼物をエタノールによって湿式粉砕してスラリー化した。このスラリーを噴霧乾燥機により造粒して顆粒を得た。これらの顆粒を用いてＣＩＰ法によりブロックを形成し、得られたブロックをＮＣ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）加工機で加工してガラス成形型を成形し、さらに、アルゴンガス雰囲気下、２２００℃で４時間焼成した。なお、この焼成によって、本発明における炭化ケイ素−炭素複合セラミックスが形成される。焼成後の成形型について、ガラスと接触する表面を平均粒径２μｍのダイヤモンド砥粒で研磨し、最終的にガラス製ハードディスク基板用の成形型を得た。なお、下記表１において、炭素含有量は、炭化ケイ素１００重量部に対する焼成後の炭素含有量を示す。
【００４９】
得られた成形型について、以下の測定方法によって各特性を評価した。これらの結果を下記表１に併せて示す。
【００５０】
（１）レーザーラマン比
レーザーラマン比とは、炭素粒子の結晶相と非晶相とのレーザーラマン分光強度のピーク面積比（結晶相／非晶相）であり、アルゴンレーザーラマン分光装置（ＮＥＣ社製）により測定した。
【００５１】
（２）表面粗さ
前記成形型について、ガラスと接触する表面の中心線平均粗さＲａを、粗さ計（小坂技研製）を用いてＪＩＳ  Ｂ  ０６５１に基づき測定した。
【００５２】
（３）離型性
作製した成形型を用いてハードディスク基板を以下の条件で作製し、前記ハードディスク基板のハードディスク基板成形型からの離型性を以下のようにして評価した。すなわち、前記成形型に原料となるガラスＧｏｂ塊（粘度ｌｏｇη：１〜４）を投入し、２０ＭＰａの圧力を印加することにより、ガラス製ハードディスク基板を製造した。さらに、ガラス製ハードディスク基板の製造を同一の成形型を使用して１０００個連続して行い、各ガラス製ハードディスク基板の離型性を、下記評価基準に基づいて評価した。
【００５３】
（ハードディスク基板の作製条件）
ガラス成分：ＳｉＯ2、Ｌｉ2Ｏ、ＡＬ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ
プレス直前のガラス温度：１２００〜１４００℃（放射温度計により測定）
プレス方法：ダイレクトプレス法で所定重量の溶融ガラスの温度を成形温度領域（ｌｏｇη＝７〜１０）まで降温させて、成形型によりガラス塊のプレス成形を行う。
冷却条件：プレス中に熱交換用流体（水）によりプレス品の熱を吸収させる。これにより、プレス面が冷却されることで高品質かつ効率的なガラス成形品ができる。
【００５４】
（評価基準）
◎：１０００個とも良好な型離れを示した
○：１０００個中１個が型離れ不良を起した
△：１０００個中２〜４個が型離れ不良を起した
×：１０００個中５個以上が型離れ不良を起した
ただし、良好な型離れとは、プレス直後、成形型の上型をプレス品から離した際にプレス品の動きがないことを良い、型離れ不良とは、プレス直後、成形型の上型をプレス品から離した際にプレス品が動くこと、または、プレス品が上型にくっついてしまうことをいう。
【００５５】
（４）耐久性
成形型の耐久性は、前記（３）の離型性試験後の成形型について、表面の外観及びその粗さの目視による観察、ならびに、中心線平均粗さＲａの測定を行い、下記評価基準に基づいて評価した。中心線平均粗さＲａは、成形型（上型）のガラスとの接触面（プレス面）における中心部と外周部のそれぞれ一点を測定し、二つの測定値の差を求めた。図２に、成形型の上型を模式的に示す。図２において、（Ａ）が成形型の上型の断面図であり、（Ｂ）が成形型の上型の平面図である。図２（Ｂ）に示すように、前記中心部については、成形型（上型）のプレス面の中心点を中心として２ｍｍ（図中の矢印Ｘ）を測定し、前記外周部については、外周（同図（Ｂ）において内側の実線）から内側１０ｍｍのさらに内側２ｍｍ（図中の矢印Ｙ）を測定した。下記評価基準において、「粗さ変化」とは、前記中心部と外周部との差における粗さの違い、すなわち、前記中心部と外周部との差について離型性試験前後で生じた変化量を意味する。なお、成形型の耐久性が高い評価である場合、同様に耐磨耗性も良好といえる。
【００５６】
（評価基準）
◎：粗さ変化がない
○：粗さ変化が若干認められる    Ｒａ  Δ１０％以下
△：粗さ変化が認められる        Ｒａ  Δ２０％以下
×：粗さ変化が大きく認められる  Ｒａ  Δ３０％以下
【００５７】
【表１】
2008007400.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明のガラス製ハードディスク基板用成形型によれば、ガラスとの反応性が少なく、耐磨耗性と耐久性に優れ、且つ、成形したガラスの前記成形型表面からの離型性が良好となる。このため、連続的に、また、長期に本発明の成形型を使用しても、成形型の加工表面の荒れや離型不良が抑制され、高頻度でのガラス製ハードディスク基板の製造が可能となる。また、得られるガラス製ハードディスク基板の歩留まりも向上し、成形後の研磨が実質的には不要となる程度の表面平滑性を実現することも可能となる。したがって、本発明の成形型によれば、ガラス製ハードディスク基板の成形コストを低減することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】図１は、本発明のガラス製ハードディスク基板用成形型の一例を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施例におけるガラス製ハードディスク基板用成形型の上型を示す図面であり、Ａは、前記上型の断面図であり、Ｂは、前記上型の平面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０ａ    上型
１０ｂ    下型
１１      ガラス材料
１２      外周部
１０１ａ  加工面
１０１ｂ  加工面
【図１】
2008007400.tif 000004
【図２】
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