(57)【要約】  【課題】本発明は、グランド層の端部と樹脂との接触面積を大きくすることによって、グランド層の端部が樹脂から剥離するのを抑制し、生産性の優れた配線基板及びそれを用いた半導体素子の実装構造体を提供することを目的とする。  【解決手段】絶縁層５ｂと、絶縁層５ｂ上に形成された導体層６ｂと、を備えた配線基板であって、導体層６ｂの端部は、平面視して凹部１１と凸部１２からなる凹凸部１６が複数個連続して形成されていることを特徴とする配線基板。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層上に形成された導体層と、を備えた配線基板であって、
前記導体層の端部は、平面視して凹部と凸部からなる凹凸部が複数個連続して形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
絶縁層と、前記絶縁層の一主面に形成された第１導体層と、前記絶縁層の他主面に形成された第２導体層と、を備えた配線基板であって、
前記第１導体層の端部及び前記第２導体層の端部は、平面視して凹部と凸部からなる凹凸部が複数個連続して形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項２に記載の配線基板において、
前記第１導体層の前記凹部と前記第２導体層の前記凸部は、平面透過して対応するように配置されていることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の配線基板において、
前記絶縁層は、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂から成ることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の配線基板において、
前記導体層の凹凸部は、該導体層の外周に沿って形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の配線基板において、
前記導体層は、中央領域に開口部が形成されているとともに、前記開口部の端部に沿って第２凹部と第２凸部からなる第２凹凸部が複数個連続して形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の配線基板と、前記配線基板に実装される半導体素子を備え、
前記半導体素子は、バンプを介して前記配線基板に接続されていることを特徴とする半導体素子の実装構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板およびそれを用いた半導体素子の実装構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＩＣ（Integrated Circuit）又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の半導体素子と、該半導体素子を上面に実装可能な配線基板とを備えた半導体素子の実装構造体が知られている。
【０００３】
上記配線基板として、近年の電子機器の小型化にともなって、絶縁層と該絶縁層上に形成された導体層とを上下に複数積層したものが用いられている。
【０００４】
なお、導体層は、必要に応じて、所望の電気信号を送信するためのライン状の信号線路と、基準電位に接続された平板状のグランド層の二種類がある（下記特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３３２７４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上述した従来の導体層は、その端部が、一般的に直線状となるように形成されており、かかる導体層の端部が絶縁層で被覆されるように形成されている。そのため、端部で接着力が弱く、製造工程において、導体層と絶縁層に熱が印加されると、導体層と絶縁層の熱膨張率の差に起因する応力によって、導体層の端部が絶縁層から剥離しやすいといった問題点があった。その結果、半田リフロー時等の加熱工程で導体層が熱変形し、配線基板自体が歪むことによって、製品不良が増加する結果、生産性が低下する問題があった。
【０００６】
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、導体層の端部が絶縁層から剥離するのを抑制し、生産性に優れた配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明の配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層上に形成された導体層と、を備えた配線基板であって、前記導体層の端部は、平面視して凹部と凸部からなる凹凸部が複数個連続して形成されていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層の一主面に形成された第１導体層と、前記絶縁層の他主面に形成された第２導体層と、を備えた配線基板であって、前記第１導体層の端部及び前記第２導体層の端部は、平面視して凹部と凸部からなる凹凸部が複数個連続して形成されていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の配線基板は、前記第１導体層の前記凹部と前記第２導体層の前記凸部が、平面透過して対応するように配置されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の配線基板は、前記絶縁層が、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂から成ることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の配線基板は、前記導体層の凹部と凸部が、該導体層の外周に沿って形成されていることを特徴とする配線基板。
【００１２】
また、本発明の配線基板は、前記導体層が、中央領域に開口部が形成されているとともに、前記開口部の端部に沿って第２凹部と第２凸部からなる第２凹凸部が複数個連続して形成されていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の半導体素子の実装構造体は、前記半導体素子が、バンプを介して前記配線基板に接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、導体層の端部に凹部と凸部からなる凹凸部を複数個連続して形成することによって、導体層の端部と絶縁層との接触面積を大きくすることができる。そして、導体層の端部と絶縁層との接着力を向上させることで、導体層と絶縁層の剥離を抑制することができ、導体層の変形を低減し、配線基板およびそれを用いた半導体素子の実装構造体の生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明にかかる配線基板及びそれを用いた半導体素子の実装構造体の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。かかる配線基板及びそれを用いた半導体素子の実装構造体は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。
【００１６】
図１は本発明の実施形態に係る半導体素子の実装構造体の平面図、図２は図１に示す半導体素子の実装構造体の断面図である。
【００１７】
本実施形態に係る半導体素子の実装構造体は、配線基板１と、配線基板１上に実装されるＩＣ、ＬＳＩ等の例えばシリコンから成る矩形状の半導体素子２とを含んで構成されている。ここでは、半導体素子２は、半田等のバンプ３を介して配線基板１に実装されている。なお、半導体素子２は、平面視して配線基板１の中央に配置されている。
【００１８】
配線基板１は、コア基板４と、コア基板４の上面及び下面に積層された絶縁層５と導体層６とを含んで構成されている。
【００１９】
コア基板４は、例えばガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスからなる基材に、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させたシートを積層して固化することによって作製される。
【００２０】
また、コア基板４は基材を用いずに繊維樹脂から作製することもできる。繊維樹脂としては、例えばポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂又は液晶ポリマー樹脂等の低熱膨張樹脂を用いることができる。なかでもポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を使用することが望ましい。ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂は、熱膨張率が−５ｐｐｍ／℃から５ｐｐｍ／℃と低く、このような低熱膨張樹脂を使用することによって、コア基板４自体の熱膨張を抑制することができる。
【００２１】
コア基板４には、コア基板４を上下方向に貫通するスルーホール８が形成されている。かかるスルーホール８の内壁面には、導電性を有する銅めっき等からなるスルーホール導体９が形成されている。また、スルーホール８には、コア基板４の平坦性を良好にするために絶縁性の樹脂からなる絶縁体１０が充填されている。なお、スルーホール導体９は、コア基板４の上面又は下面に形成された導体層６同士を電気的に接続している。また、絶縁体１０をスルーホール８に充填することによって、スルーホール８の直上又は直下にビア導体７を形成することができ、配線基板１の小型化に寄与することができる。
【００２２】
かかるコア基板４の両主面側に配される絶縁層５は、接着層５ａとフィルム層５ｂを上下に積層して構成されている。
【００２３】
接着層５ａは、フィルム層５ｂを導体層６に対して固着させるためのものであって、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂が使用できる。熱硬化性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂のうち少なくともいずれか一つを使用することができる。また、熱可塑性樹脂としては、半田リフロー時の加熱に耐える耐熱性を有する必要があることから、構成する材料の軟化温度が２００℃以上であることが望ましく、ポリエーテルケトン樹脂が用いられる。また、これらの材料から成る接着層５ａの熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃から８０ｐｐｍ／℃となる。なお、本明細書における熱膨張率は、熱膨張率を測定する対象物を配線基板から切削し、その対象物をＴＭＡ装置（熱機械特性分析装置）により、測定した。
【００２４】
また、接着層５ａは、フィルム層５ｂを張り合わせた状態で、コア基板４及び導体層６に対して積層し、例えば加熱プレス装置を用いて加熱しながら加圧した後、冷却することによって、固着される。また、接着層５ａは、乾燥後の厚みが例えば１μｍから１０μｍとなるように設定されている。
【００２５】
また、接着層５ａには、球形状の非金属無機フィラが含有されていてもよい。かかる非金属無機フィラは、例えばシリカ（二酸化珪素）又は酸化アルミニウム等の無機材料から作製されている。非金属無機フィラの熱膨張率は、例えば０．５ｐｐｍ／℃から９ｐｐｍ／℃となる。非金属無機フィラの熱膨張率は、接着層５ａの熱膨張率よりも小さいため、接着層５ａに非金属無機フィラを含有させた場合は、絶縁層５の熱膨張を低減することができる。
【００２６】
フィルム層５ｂは、その厚み寸法が精密に制御されている。かかるフィルム層５ｂは、コア基板４又は導体層６に接着層５ａを介して接着する際に、印加される温度や圧力によって厚み寸法が変化するのを防止するために、耐熱性と硬さに優れた特性の材料であることが望ましい。この様な特性を有するフィルム層５ｂとしては、例えばポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂又は液晶ポリマー樹脂のうち少なくともいずれか一つを用いることができる。なお、フィルム層５ｂは、フィルム層５ｂの強度を保持するために、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂とポリイミド樹脂の混合樹脂であることが望ましい。また、フィルム層５ｂの厚み寸法は、例えば１μｍから１０μｍとなるように設定されている。フィルム層５ｂの熱膨張率は、例えば−５ｐｐｍ／℃から５ｐｐｍ／℃となる。
【００２７】
フィルム層５ｂにポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂等の低熱膨張樹脂を使用することによって、フィルム層５ｂに熱が印加されたとしても、フィルム層５ｂが熱膨張しにくいため、フィルム層５ｂが熱によって変形しにくく、配線基板１が湾曲したりする等の不具合を低減することができる。
【００２８】
かかる接着層５ａとフィルム層５ｂとからなる絶縁層５には、その上下方向を貫くビア導体７が形成されている。かかるビア導体７は、上下位置の異なる導体層６同士を電気的に接続するためのものであって、導電性を有する。なお、ビア導体７は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料からなる。
【００２９】
導体層６は、電気信号を伝達する機能を備えたライン状の信号線路６ａと、半導体素子２の基準電位を共通にする機能を備えた平板状のグランド層６ｂから構成されている。また、信号線路６ａとグランド層６ｂとは、絶縁層５を介して互いに対向するように配置されている。なお、信号線路６ａとグランド層６ｂとは、同一平面状に形成されることもある。また、信号線路６ａの端部は、上下位置の異なる導体層６とビア導体７を介して電気的に接続されている。
【００３０】
また、導体層６は、少なくともコア基板４の上面又は下面に形成され、コア基板４の表面上に部分的に形成される。導体層６は、コア基板４と絶縁層５又は絶縁層５同士で挟まれて形成されている箇所がある。かかる導体層６は、接着層５ａによって被覆されている。なお、コア基板４と接する表面には、グランド層６ｂが形成され、配線基板１の半導体素子２が実装される表面には、信号線路６ａが形成される。かかる導体層６は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料からなる。これらの材料からなる導体層６の熱膨張率は、例えば６ｐｐｍ／℃から２４ｐｐｍ／℃であって、フィルム層５ｂよりも熱膨張率が大きく設定されている。
【００３１】
絶縁層５の熱膨張率は、導体層６の熱膨張率よりも小さく設定さている。接着層５ａは、導体層６よりも熱膨張率が大きいが、接着層５ａの厚み寸法をフィルム層５ｂの厚み寸法よりも小さくし、絶縁層５を構成する接着層５ａのフィルム層５ｂに対する厚み寸法の割合を小さく制御することによって、絶縁層５の熱膨張率を導体層６の熱膨張率よりも小さくすることができる。より具体的には、例えば、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂からなるフィルム層５ｂの上下方向の厚み寸法とポリイミド樹脂からなる接着層５ａの厚み寸法の比を、１．０対０．１以上、１．０対１．０未満とすることによって、実現することができる。
【００３２】
また、フィルム層５ｂの一面に接着層５ａが形成されており、両者の接触面積は配線基板１の平面全体となる。さらに、フィルム層５ｂと接着層５ａは、両者とも樹脂からなるため、両者の接着力は強固なものとなっている。
【００３３】
フィルム層５ｂは熱によって変形しにくく、フィルム層５ｂと接触する接着層５ａがフィルム層５ｂの一面に強固に接着していることによって、接着層５ａが熱膨張するのを抑制することができる。また、接着層５ａの厚み寸法を上述したように、フィルム層５ｂの厚み寸法よりも小さくしたことで、さらに接着層５ａが熱膨張するのを抑制することができる。その結果、接着層５ａを熱膨張しにくくすることで、導体層６から接着層５ａが剥離するのを抑制することができる。
【００３４】
また、近年、シリコンからなる半導体素子２の熱膨張率と配線基板１の熱膨張率の差に起因する応力によって、配線基板１から半導体素子２が剥離しやすく、半導体素子２の実装信頼性が低下する傾向が見出されたことに対応し、配線基板１の低熱膨張化が検討されている。そのため、配線基板１を構成する絶縁層５も低熱膨張の樹脂が採用される傾向にある。絶縁層５に低熱膨張の樹脂を採用すると、絶縁層５の樹脂が硬化する２００度程度の温度から冷却時に、絶縁層５よりも導体層６の収縮の方が大きくなることがあるため、グランド層６ｂの端部が絶縁層５から剥離する傾向がある。
【００３５】
図３又は図４は、グランド層６ｂの平面図であって、両者は上下位置の異なる層を示している。なお、図３又は図４には、グランド層６ｂのみ示し、信号線路６ａについては省略している。平板状の導体層であるグランド層６ｂは、図３又は図４に示すように、その端部Ａは、平面視して凹部１１と凸部１２からなる凹凸部１６が複数個連続して形成されている。
【００３６】
かかる凹凸部１６は、少なくとも配線基板１の一辺に沿って形成されている。なお、凹部１１と凸部１２は、その端部Ａに印加される応力の集中を緩和するために、連続して蛇行するように形成されていることが望ましい。
【００３７】
凹部１１と凸部１２は、連続して蛇行するように形成することによって、グランド層６ｂと接着層５ａとの接触面積を大きくすることができ、グランド層６ｂの端部Ａと接着層５ａとの接着力を効果的に向上させて、グランド層６ｂの端部Ａと接着層５ａとの剥離を有効的に抑制することができる。
【００３８】
また、隣接する凹部１１間のピッチＷを等間隔にすることによって、製造工程において、導体層と絶縁層に熱が印加されたとしても、グランド層６ｂの端部Ａと接着層５ａとの間に働く応力を均等に分散することができ、グランド層６ｂの端部Ａと接着層５ａと剥離を効果的に抑制することができる。
【００３９】
上述したように、グランド層６ｂの端部Ａに凹部１１と凸部１２からなる凹凸部１６を複数個連続して形成することによって、接着層５ａとグランド層６ｂの端部Ａとの接触面積を大きくすることができ、接着層５ａとグランド層６ｂの接着力を向上させることができる。その結果、グランド層６ｂに熱が印加されて、グランド層６ｂが収縮しようとしても、グランド層６ｂの端部Ａの凹部１１と凸部１２が接着層５ａと固着していることで、グランド層６ｂが接着層５ａから剥離するのを抑制することができ、生産性に優れた配線基板１及びそれを用いた半導体素子の実装構造体を作製することができる。
【００４０】
図５は、グランド層６ｂを上下に二層積層した透過平面図である。なお、下層のグランド層６ｂを点線で示している。
【００４１】
また、図５に示すように、グランド層６ｂの端部Ａは、平面透過して異なる層（第１導体層、第２導体層）の凹部１１と凸部１２が対応するように配置されている。グランド層６ｂの端部の凹部１１と凸部１２の形状を、積層された上下位置の異なるグランド層６ｂ同士で異なるように形成したことによって、グランド層６ｂから絶縁層５に伝わるグランド層６ｂの収縮する力を、ある一定の箇所に集中させずに分散させることができる。その結果、接着層５ａに対するグランド層６ｂの剥離を抑制し、グランド層６ｂの収縮を低減することができる。
【００４２】
また、信号線路６ａとグランド層６ｂとを同一平面上に形成した場合、信号線路６ａと隣接するグランド層６ｂの端部Ａには、凹部と凸部が形成されていないことが望ましい。すなわち、信号線路６ａに沿ったグランド層６ｂの端部Ａは、凹凸が少なく直線に形成されていることが望ましい。信号線路６ａに高周波の電気信号を送信する場合、仮に隣接するグランド層６ｂの端部Ａに凹凸がある場合、その凹凸に電流が流れると信号線路６ａにノイズが発生する現象が起きることがある。そのため、信号線路６ａに隣接するグランド層６ｂの端部Ａには、凹凸を形成しないようにする。
【００４３】
また、グランド層６ｂは、その中央領域に開口部１３が形成されている。開口部１３は、平面視して半導体素子２と重なる箇所に形成される。配線基板１に実装される半導体素子２は、平面視して開口部１３内に収まるように配置される。半導体素子２を中心に、その周りを取り囲むようにグランド層６ｂが配置され、そのグランド層６ｂの端部Ａに凹凸を連続して形成する。その結果、平面視して配線基板１全体にグランド層６ｂを形成し、その端部Ａに凹凸を形成したことによって、配線基板１全体の歪みを低減することができる。
【００４４】
また、グランド層６ｂは、開口部１３の端部Ｂに沿って第２凹部１４と第２凸部１５からなる第２凹凸部１７連続して形成されている。平面視して配線基板１に実装される半導体素子２の外周に沿って、開口部１３の端部Ｂに凹凸を形成することによって、上述したようにグランド層６ｂと接着層５ａとの接触面積を大きくすることができ、グランド層６ｂと接着層５ａとの剥離を抑制でき、グランド層６ｂに熱が印加された場合のグランド層６ｂの収縮を抑制することができる。
【００４５】
凹部１１と凸部１２の境界ＢＤ１について図３を用いて説明する。図３に示すように、隣接する凸部１２の頂点（Ｐ１とＱ１）を結ぶ接線をＸ１とし、隣接する凹部１１の頂点（Ｐ２とＱ２）を結ぶ接線をＸ２とする。境界ＢＤ１は、Ｘ１とＸ２との間にあって、Ｘ１とＸ２とから等距離にある線上とする。
【００４６】
グランド層６ｂの端部Ａは、種々の形状が可能である。例えば、図６（ａ）に示すように、平面視して台形状の凸部１２ａと、平面視して逆台形状の凹部１１ａとを連続して形成するものであってもよい。かかる凸部１２ａの上底Ｌ１の長さは、８０μｍから１２０μｍとなるように設定されている。また凹部１１ａの上底Ｌ２の長さもＬ１と同様に、８０μｍから１２０μｍとなるように設定されている。この場合の凸部１２ａと凹部１１ａの境界ＢＤ２について説明する。凹部１１ａに沿った辺をＸ３とし、凸部１２ａに沿った辺をＸ４とする。境界ＢＤ２は、Ｘ３とＸ４との間にあって、Ｘ３とＸ４とから等距離にある線上とする。
【００４７】
また、グランド層６ｂの端部Ａは、図６（ｂ）に示すように、半円状の突出部１８が不連続に形成されたものであってもよい。なお、半円状の突出部１８の半径Ｒは、２０μｍから３０μｍとなるように設定されている。言い換えると、グランド層６ｂの凸部１２ｂは、その端部の形状が弧状ａであって、グランド層６ｂの凹部１１ｂは、その端部の形状が弧状ｂと直線ｃと弧状ｄとを連続して組み合わせたものであっても構わない。この場合の凸部１２ｂと凹部１１ｂの境界ＢＤ３について説明する。凹部１１ｂに沿った辺をＸ５とし、隣接する凸部１２ｂの頂点（Ｐ３とＱ４）を結ぶ接線をＸ６とする。境界ＢＤ３は、Ｘ５とＸ６との間にあって、Ｘ５とＸ６とから等距離にある線上とする。
【００４８】
なお、グランド層６ｂの端部Ａは、上述のような台形状や半円状の形状に限定されず、三角形状、矩形状、又は多角形状等であっても構わない。
【００４９】
本実施形態に係る配線基板１は、例えば、以下の工程を経て作製される。
【００５０】
まず、コア基板４を準備する。コア基板４は、ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスにエポキシ樹脂及びビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを銅箔とともに熱プレスして硬化することによって形成する。また、配線基板１の低熱膨張化を行うために、全芳香族ポリアミド、全芳香族ポリエステル又は液晶ポリマーなどの低熱膨張の繊維を用いたものであっても構わない。コア基板４は、厚み寸法が例えば０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に設定されている。
【００５１】
次に、コア基板４に、従来周知のドリル加工などによって、厚み方向にスルーホール８を形成し、電解めっきなどにより、スルーホール８の内周面にスルーホール導体９を形成する。スルーホール８は、複数形成され、直径が例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されている。そのあと、スルーホール８内に例えばポリイミド等の樹脂を充填し、絶縁体１０を形成する。次に、コア基板４の上面及び下面に、従来周知の蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等によって、導体層６を構成する材料を被着する。そして、その表面にレジストを塗布し、露光現像を行った後、エッチング処理をしてコア基板４の上面及び下面にグランド層６ｂ（第１導体層）を形成する。
【００５２】
また、グランド層６ｂの端部Ａは、凹部１１と凸部１２からなる凹凸部１６が複数個連続して形成される。具体的には、導体層６上にレジストを塗布し、該レジストに対して露光現像を行って、レジストの端部に凹凸を形成するとともに、導体層６の端部を露出させる。そして、導体層６の露出した端部に対してエッチング液を浸漬させて、露出した端部をエッチングする。その結果、グランド層６ｂの端部Ａに凹部１１と凸部１２からなる凹凸部１６が複数個連続して形成される。
【００５３】
また、グランド層６ｂの端部Ａに凹凸を形成する際に、従来周知のＣＶＤ法、スパッタリング法又はスピンコート法等の薄膜形成技術や、エッチング技術やフォトリソグラフィー技術等の薄膜加工技術を採用することによって、グランド層６ｂの半導体素子２を実装する中央領域に、開口部１３を形成することができる。また、上述した技術を用いて、開口部１３の端部Ｂに、第２凹部１４と第２凸部１５からなる第２凹凸部１７を形成することができる。
【００５４】
次に、フィルム層５ｂを準備する。かかるフィルム層５ｂは、例えばポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂又は液晶ポリマー樹脂のうち少なくともいずれか一つを用いた繊維樹脂からなるシートである。
【００５５】
そして、導体層６の上面に対して、従来周知のスピンコート法等によって、接着層５ａを構成するポリイミドを被着し、被着層上に準備したフィルム層５ｂを張り合わせる。さらに、被着層を固化することによって、フィルム層５ｂを接着層５ａを介して導体層６上に固定し、絶縁層５を形成する。なお、フィルム層５ｂの厚み寸法は、例えば７．５μｍであって、接着層５ａの厚み寸法は３μｍとなるように設定されている。そして、フィルム層５ｂと接着層５ａからなる絶縁層５を形成することができる。
【００５６】
次に、絶縁層５に、例えばＹＡＧレーザー装置、又はＣＯ２レーザー装置を用いて、貫通孔を形成する。貫通孔は、絶縁層５の表面に対して垂直方向から、絶縁層５の表面に向けてレーザー光が照射されることによって形成される。さらに、貫通孔に、例えば従来周知のめっき処理を施し、導電性材料を充填することによってビア導体７を形成する。
【００５７】
さらに、フィルム５ｂの上面に対して、従来周知の蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等によって、信号線路６ａを構成する材料を被着する。そして、その表面にレジストを塗布し、露光現像を行った後、エッチング処理をして信号線路６ａを形成する。なお、信号線路６ａは、フィルム層５ｂの上面に接着層５ａを介してグランド層６ｂと対向する箇所に形成される。
【００５８】
さらに、信号線路６ａ上に、上述したように接着層５ａを介してフィルム層５ｂを形成して、絶縁層５を形成することができる。そして、その絶縁層５上に上述したようにグランド層６ｂ（第２導体層）を形成する。かかるグランド層６ｂ（第２導体層）の端部の凹凸は、コア基板４の上面に形成したグランド層６ｂ（第１導体層）の凹凸に対して、平面視して互い違いにずれて配置されている。すなわち、第１導体層の凹部１１と第２導体層の凸部１２は、平面透過して対応するように配置する。
【００５９】
さらに、上述した積層工程を繰り返すことで、配線基板１を作製することができる。そして、配線基板１に対してバンプ３を介して半導体素子２を実装することによって、半導体素子の実装構造体を実現することができる。
【００６０】
なお、接着層５ａに非金属無機フィラを予め含有させて、絶縁層５を形成することによって、絶縁層５全体の熱膨張を低減することができる。
【００６１】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体素子の実装構造体の平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体素子の実装構造体の断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係るグランド層の平面図である。
【図４】本発明の実施形態に係るグランド層の平面図である。
【図５】本発明の実施形態に係るグランド層を上下に二層積層した透過平面図である。
【図６】本発明の実施形態に係るグランド層の端部であって、（ａ）又は(ｂ）は、その端部のバリエーションを示す平面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１    配線基板
２    半導体素子
３    バンプ
４    コア基板
５    絶縁層
５ａ  接着層
５ｂ  フィルム層
６    導体層
６ａ  信号線路
６ｂ  グランド層
７    ビア導体
８    スルーホール
９    スルーホール導体
１０    絶縁体
１１    凹部
１２    凸部
１３    開口部
１６    凹凸部
Ａ    端部
Ｂ    端部
【図１】
2008186878.tif 000003
【図２】
2008186878.tif 000004
【図３】
2008186878.tif 000005
【図４】
2008186878.tif 000006
【図５】
2008186878.tif 000007
【図６】
2008186878.tif 000008