(57)【要約】【課題】外光などの入射による誤動作の発生を抑制し、装置の小型化を図ることを可能とする能動型センサ、個人認証装置、携帯端末及び信号抽出方法を提供する。【解決手段】被写体２００に対向する配置面１Ａを有する基体１と、配置面１Ａ上に設けられており、被写体２００に向けて光を出射する光出射領域３０Ａと、配置面１Ａ上に設けられており、被写体２００で反射された光を検出する受光素子２０と、配置面１Ａ上において光出射領域３０Ａと受光素子２０との間に設けられており、遮光性を有する材料によって構成された光分離体４０とを能動型センサ１０が備える。【選択図】図２
2008149019.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体に対向する配置面を有する基体と、
前記配置面上に設けられており、前記被写体に向けて光を出射する光出射領域と、と、
前記配置面上に設けられており、前記被写体で反射された光を検出する受光素子と、
前記配置面上において前記光出射領域と前記受光素子との間に設けられており、遮光性を有する材料によって構成された光分離体とを備えることを特徴とする能動型センサ。
【請求項２】
前記受光素子は、ホトトランジスタであり、
前記ホトトランジスタは、前記配置面上に設けられた制御電極と、前記制御電極の表面を覆う誘電体と、前記配置面上に設けられた第１電極と、前記配置面上に設けられた第２電極と、前記誘電体上に設けられた中間電極と、前記誘電体の側面に沿って設けられた半導体とによって構成されており、
前記誘電体の側面と前記半導体との界面には、前記第１電極から前記中間電極に向けて形成される第１チャネル形成領域と、前記中間電極から前記第２電極に向けて形成される第２チャネル形成領域とが形成されることを特徴とする請求項１に記載の能動型センサ。
【請求項３】
前記受光素子は、ホトトランジスタであり、
前記ホトトランジスタは、前記配置面上に設けられた制御電極と、前記制御電極の表面を覆う誘電体と、前記誘電体の表面を覆う半導体と、前記半導体上に設けられた第１電極と、前記半導体上に設けられた第２電極とによって構成されており、
前記誘電体と前記半導体との界面には、チャネル形成領域が形成されることを特徴とする請求項１に記載の能動型センサ。
【請求項４】
前記受光素子は、二端子素子であり、
前記二端子素子は、前記配置面上に設けられた第１電極と、前記第１電極上に設けられた半導体と、前記半導体上に設けられた第２電極とによって構成されることを特徴とする請求項１に記載の能動型センサ。
【請求項５】
前記受光素子は、有機太陽電池であり、
前記有機太陽電池は、前記配置面上に設けられた第１電極と、前記第１電極上に設けられた光電変換部と、前記光電変換部上に設けられた第２電極とを少なくとも含むことを特徴とする請求項１に記載の能動型センサ。
【請求項６】
前記基体は、前記配置面の反対側に設けられた裏面を有しており、
前記裏面において、前記光出射領域に対応する位置に面発光光源が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の能動型センサ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載された能動型センサがアレイ状に配列された能動型センサアレイを有する個人認証装置であって、
個人識別情報として登録された特徴量を記憶する記憶部と、
前記能動型センサから出力された出力信号に基づいて、前記被写体の特徴量を抽出する抽出部と、
前記記憶部に記憶された特徴量と前記抽出部によって抽出された特徴量とを比較して、前記被写体が正当であるか否かを判定する判定部とを備えることを特徴とする個人認証装置。
【請求項８】
前記光出射領域から出射される光を所定の時系列パターンに従って点滅させる制御部をさらに備え、
前記能動型センサは、前記所定の時系列パターンに従って前記出力信号を出力することを特徴とする請求項７に記載の個人認証装置。
【請求項９】
前記光出射領域から出射される光の点滅を制御する制御部をさらに備え、
前記制御部は、一の能動型センサに設けられた前記光出射領域から出射される光を点灯させる場合に、前記一の能動型センサに隣接する他の能動型センサに設けられた前記光出射領域から出射される光を消灯することを特徴とする請求項７に記載の個人認証装置。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれかに記載の個人認証装置を備えた携帯端末であって、
操作部又は表示部が設けられた面である機能面と、ユーザによって把持される把持面とを有する筐体を備え、
前記能動型センサは、前記把持面に設けられていることを特徴とする携帯端末。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載された能動型センサを用いて、前記被写体の特徴量を抽出する信号抽出方法であって、
前記光出射領域から出射される光を所定の時系列パターンに従って点滅させるステップと、
前記能動型センサが前記所定の時系列パターンに従って出力信号を出力するステップと、
前記能動型センサから出力された前記出力信号に基づいて、前記被写体の特徴量を抽出するステップとを含むことを特徴とする信号抽出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受光素子と光出射領域とを備える能動型センサ、個人認証装置、携帯端末及び信号抽出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯性に優れた携帯端末が一般的に広く知られている。また、前払い電子決済、後払い電子決済、即時型電子決済、情報配信、情報交換などを、携帯端末を用いて行うシステムの開発が進められている。このようなシステムの開発にあたっては、安全性の高い個人認証を行うことが不可欠である。
【０００３】
近年、個人認証の安全性の向上やユーザへの負担の軽減などを目的として、ユーザの生体情報を用いて個人認証を行う個人認証装置（例えば、静脈認証装置）が提案されている（例えば、特許文献１〜特許文献５）。
【０００４】
具体的には、上述した個人認証装置は、手の血管や指紋などで反射された光を結像する結像素子（結像レンズなど）と、結像素子によって結像された光を検出する受像素子（ＣＣＤ；Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅなど）と、手の血管や指紋などのパターンが予め登録された記憶部とを有する。
【０００５】
個人認証装置は、受像素子によって手の血管や指紋などの画像を取得した上で、取得した画像に基づいて手の血管や指紋などのパターンを取得する。続いて、個人認証装置は、取得されたパターン（取得パターン）と、記憶部に記憶されたパターン（登録パターン）とを照合する。個人認証装置は、取得パターンと登録パターンとが一致する場合には、ユーザが正当であると判定し、取得パターンと登録パターンとが一致しない場合には、ユーザが正当ではないと判定する。
【特許文献１】特開平７−２１３７３号公報
【特許文献２】特開平１０−２９５６７４号公報
【特許文献３】特開平１１−２０３４５２号公報
【特許文献４】特開２００４−１７８６０６号公報
【特許文献５】特開２００４−６２８２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した個人認証装置では、結像素子によって結像された光を受像素子が検出するため、被写体が受像素子から離れていなければならない。従って、被写体が受像素子から離れている必要があるため、外光が受像素子に入射されやすく、装置の誤動作が生じやすい。
【０００７】
また、結像素子と受像素子とが結像素子の焦点距離よりも離れている必要があるため、装置の小型化を図ることが難しい。特に、個人認証装置を携帯端末に搭載する点について考慮すると、個人認証装置の小型化が必要であることに留意すべきである。
【０００８】
そこで、本発明は、外光などの入射による誤動作の発生を抑制し、装置の小型化を図ることを可能とする能動型センサ、個人認証装置、携帯端末及び信号抽出方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の特徴は、被写体に対向する配置面を有する基体と、前記配置面上に設けられており、前記被写体に向けて光を出射する光出射領域と、前記配置面上に設けられており、前記被写体で反射された光を検出する受光素子と、前記配置面上において前記光出射領域と前記受光素子との間に設けられており、遮光性を有する材料によって構成された光分離体とを能動型センサが備えることを要旨とする。
【００１０】
かかる特徴によれば、光出射領域と受光素子とが基体の同一面（配置面）に設けられており、ＣＣＤなどの受像素子及び結像素子を用いていないため、受光素子と被写体との距離を短くすることができる。これによって、外光などの入射による誤動作の発生を抑制し、能動型センサの小型化を図ることができる。また、能動型センサが搭載される装置の小型化も図ることができる。
【００１１】
また、光出射領域と受光素子との間に光分離体が設けられているため、受光素子が検出すべきではない被写体で反射された光や外光などのノイズ光を光分離体が遮光する。これによって、能動型センサの誤動作を抑制することができる。
【００１２】
本発明の第２の特徴は、上述した第１の特徴において、前記受光素子が、ホトトランジスタであり、前記ホトトランジスタが、前記配置面上に設けられた制御電極と、前記制御電極の表面を覆う誘電体と、前記配置面上に設けられた第１電極と、前記配置面上に設けられた第２電極と、前記誘電体上に設けられた中間電極と、前記誘電体の側面に沿って設けられた半導体とによって構成されており、前記誘電体の側面と前記半導体との界面には、前記第１電極から前記中間電極に向けて第１チャネル形成領域が形成されるとともに、前記中間電極から前記第２電極に向けて第２チャネル形成領域が形成されることを要旨とする。
【００１３】
本発明の第３の特徴は、上述した第１の特徴において、前記受光素子が、ホトトランジスタであり、前記ホトトランジスタが、前記配置面上に設けられた制御電極と、前記制御電極の表面を覆う誘電体と、前記誘電体の表面を覆う半導体と、前記半導体上に設けられた第１電極と、前記半導体上に設けられた第２電極とによって構成されており、前記誘電体と前記半導体との界面には、チャネル形成領域が形成されることを要旨とする。
【００１４】
本発明の第４の特徴は、上述した第１の特徴において、前記受光素子が、二端子素子であり、前記二端子素子が、前記配置面上に設けられた第１電極と、前記第１電極上に設けられた半導体と、前記半導体上に設けられた第２電極とによって構成されることを要旨とする。
【００１５】
本発明の第５の特徴は、上述した第１の特徴において、前記受光素子は、有機太陽電池であり、前記有機太陽電池は、前記配置面上に設けられた第１電極と、前記第１電極上に設けられた光電変換部と、前記光電変換部上に設けられた第２電極とを少なくとも含むことを要旨とする。
【００１６】
本発明の第６の特徴は、上述した第１の特徴において、前記基体が、前記配置面の反対側に設けられた裏面を有しており、前記裏面において、前記光出射領域に対応する位置に面発光光源が設けられていることを要旨とする。
【００１７】
本発明の第７の特徴は、上述した第１の特徴〜第６の特徴のいずれかに係る能動型センサがアレイ状に配列された能動型センサアレイを有する個人認証装置が、個人識別情報として登録された特徴量を記憶する記憶部と、前記能動型センサから出力された出力信号に基づいて、前記被写体の特徴量を抽出する抽出部と、前記記憶部に記憶された特徴量と前記抽出部によって抽出された特徴量とを比較して、前記被写体が正当であるか否かを判定する判定部とを備えることを要旨とする。
【００１８】
本発明の第８の特徴は、上述した第７の特徴において、前記光出射領域から出射される光を所定の時系列パターンに従って点滅させる制御部を個人認証装置がさらに備え、前記能動型センサが、前記所定の時系列パターンに従って前記出力信号を出力することを要旨とする。
【００１９】
本発明の第９の特徴は、上述した第７の特徴において、前記光出射領域から出射される光の点滅を制御する制御部を個人認証装置がさらに備え、前記制御部が、一の能動型センサに設けられた前記光出射領域から出射される光を点灯させる場合に、前記一の能動型センサに隣接する他の能動型センサに設けられた前記光出射領域から出射される光を消灯することを要旨とする。
【００２０】
本発明の第１０の特徴は、上述した第７の特徴〜第９の特徴のいずれかに係る個人認証装置を備えた携帯端末が、操作部又は表示部が設けられた面である機能面と、ユーザによって把持される把持面とを有する筐体を備え、前記能動型センサが、前記把持面に設けられていることを要旨とする。
【００２１】
本発明の第１１の特徴は、上述した第１の特徴〜第６の特徴のいずれかに係る能動型センサを用いて、前記被写体の特徴量を抽出する信号抽出方法が、前記光出射領域から出射される光を所定の時系列パターンに従って点滅させるステップと、前記能動型センサが前記所定の時系列パターンに従って出力信号を出力するステップと、前記能動型センサから出力された前記出力信号に基づいて、前記被写体の特徴量を抽出するステップとを含むことを要旨とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、外光などの入射による誤動作の発生を抑制し、装置の小型化を図ることを可能とする能動型センサ、個人認証装置、携帯端末及び信号抽出方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下において、本発明の実施形態に係る能動型センサについて、図面を参照しながら説明する。なお、以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。
【００２４】
ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法などは以下の説明を参酌して判断すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００２５】
［第１実施形態］
（能動型センサアレイの構成）
以下において、第１実施形態に係る能動型センサアレイの構成について、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る能動型センサアレイ１００の構成を示す一部拡大図である。
【００２６】
図１に示すように、能動型センサアレイ１００は、受光素子２０と光源３０と光分離体４０とが基体１上に形成された複数の能動型センサ１０によって構成される。
【００２７】
受光素子２０は、被写体（例えば、ユーザの手の血管（深度＝２ｍｍ程度））で反射された光を検出する素子である。光源３０は、被写体に向けて光を出射する有機ＥＬ素子（例えば、特開２００５−２３９６４８号公報）などの光源である。光分離体４０は、遮光性を有する材料によって構成されている。
【００２８】
ここで、光分離体４０は、受光素子２０と光源３０（後述する光出射領域３０Ａ）との間に少なくとも設けられていることに留意すべきである。なお、図１に示すように、光分離体４０は、受光素子２０にノイズ光が入射しないように、受光素子２０の外周に沿って設けられていることが好ましい。また、光分離体４０は、光源３０の指向性を絞るために、光源３０の外周に沿って設けられていることが好ましい。
【００２９】
なお、基体１には、受光素子２０及び光源３０に接続される配線を収容する配線収容領域２が設けられている。
【００３０】
次に、第１実施形態に係る能動型センサアレイの構成について、図面を参照しながらさらに説明する。図２は、第１実施形態に係る能動型センサアレイ１００を示す一部断面図である。
【００３１】
図２に示すように、能動型センサ１０は、基体１と、受光素子２０と、光源３０と、光分離体４０とを有する。ここで、能動型センサ１０のピッチ間隔は、０．３ｍｍ以下であることが好ましい。また、半導体２６の上面と被写体２００との距離は、２ｍｍ〜４ｍｍ程度であることが好ましい。
【００３２】
基体１は、被写体２００（被写体２００Ａ及び被写体２００Ｂ）と対向する配置面１Ａを有する。配置面１Ａ上には、光源３０が配置される光出射領域３０Ａが設けられている。
【００３３】
受光素子２０は、光出射領域３０Ａに隣接する配置面１Ａ上に設けられており、制御電極２１と、誘電体２２と、ソース電極２３と、ドレイン電極２４と、中間電極２５と、半導体２６（半導体２６Ａ及び半導体２６Ｂ）とを有する。第１実施形態では、受光素子２０は、ホトトランジスタである。
【００３４】
制御電極２１は、基体１の配置面１Ａ上に設けられる。制御電極２１は、中間電極２５側から配置面１Ａ側に向けて小さくなる台形形状を有する。誘電体２２は、制御電極２１の表面を覆っている。
【００３５】
ソース電極２３及びドレイン電極２４は、基体１の配置面１Ａ上に設けられる。中間電極２５は、制御電極２１の上面に設けられる。ここで、中間電極２５は、ノイズ光が半導体２６に入射することを抑制するために、遮光性を有する材料によって構成される。
【００３６】
半導体２６は、誘電体２２の側面に設けられており、半導体２６Ａ及び半導体２６Ｂによって構成される。
【００３７】
誘電体２２の側面と半導体２６Ａとの界面には、制御電極２１に電圧が印加されると、ソース電極２３から中間電極２５に向けて第１チャネル形成領域が形成される。一方で、誘電体２２の側面と半導体２６Ｂとの界面には、制御電極２１に電圧が印加されると、中間電極２５からドレイン電極２４に向けて第２チャネル形成領域が形成される。
【００３８】
ここで、制御電極２１に電圧が印加された状態で、光源３０が発する光が被写体２００で反射されて半導体２６（ここでは、半導体２６Ａ）に入射すると、中間電極２５を介してソース電極２３からドレイン電極２４に流れる電流の値が変わる。このようにして、受光素子２０は、被写体２００の有無や分布などを検出する。
【００３９】
光源３０は、基体１の配置面１Ａ上に設けられた陽極電極３１と、陽極電極３１上に設けられた発光層３２と、発光層３２上に設けられた陰極電極３３とを有する。
【００４０】
光分離体４０は、基体１の配置面１Ａ上において、受光素子２０と光出射領域３０Ａ（光源３０）との間に設けられる。光分離体４０の高さ及び幅は、基体１と被写体２００との間の距離や能動型センサ１０のピッチ間隔などに応じて適宜定められる。
【００４１】
例えば、能動型センサ１０Ａを例に挙げると、受光素子２０と光出射領域３０Ａ（光源３０）との間に設けられた光分離体４０の高さ及び幅は、能動型センサ１０Ａの光源３０が発する光５Ａが被写体２００Ａに照射され、被写体２００Ａで反射された反射光６Ａが入射するように定められる。一方で、光分離体４０の高さ及び幅は、他の能動型センサ１０（能動型センサ１０Ｂ）が発する光の反射光６Ｂや外光などのノイズ光が半導体２６Ａに入射しないように定められる。ここでは、光分離体４０の幅は、０．１μｍ〜５μｍ程度であることが好ましい。
【００４２】
光分離体４０と中間電極２５との間隔は、基体１と被写体２００との間の距離や能動型センサ１０のピッチ間隔などに応じて適宜定められる。
【００４３】
例えば、能動型センサ１０Ａを例に挙げると、光分離体４０と中間電極２５との間隔は、被写体２００Ａで反射された光（能動型センサ１０Ａの光源３０が発する光の反射光６Ａ）が半導体２６Ａに入射するように定められる。一方で、光分離体４０と中間電極２５との間隔は、他の能動型センサ１０が発する光の反射光や外光などのノイズ光が半導体２６Ａに入射しないように定められる。ここでは、光分離体４０と中間電極２５との間隔は、０．１μｍ〜２５０μｍ程度であることが好ましい。
【００４４】
（能動型センサの構成）
以下において、第１実施形態に係る能動型センサの構成について、図面を参照しながら説明する。図３は、第１実施形態に係る能動型センサ１０の構成を示す断面図である。
【００４５】
上述したように、制御電極２１は、中間電極２５側から配置面１Ａ側に向けて小さくなる台形形状を有する。制御電極２１の側面と配置面１Ａとによって形成される角度αは、６０°〜８９°程度であることが好ましい。特に、角度αは、７０°〜８０°程度であることがさらに好ましい。
【００４６】
制御電極２１の底面から上面までの長さａは、上述した第１チャネル形成領域及び第２チャネル形成領域のチャネル長を規定する。従って、長さａは、１０ｎｍ〜１０μｍ程度であることが好ましい。受光素子２０の動作速度の向上やリーク電流の抑制の観点から、長さａは、０．１μｍ〜１．５μｍ程度であることがさらに好ましい。
【００４７】
制御電極２１の底面の幅ｂが小さければ、能動型センサ１０の集積度が向上する。一方で、制御電極２１の底面の幅ｂが小さ過ぎると、制御電極２１の形成が困難である。これを踏まえた上で、受光素子２０の動作速度の向上、制御電極２１に電圧を印加した際に生じる電気抵抗の抑制の観点から、制御電極２１の底面の幅ｂは、０．１μｍ〜５μｍ程度であることが好ましい。また、制御電極２１の底面の幅ｂは、制御電極２１の底面から上面までの長さａの１／２以上であることが好ましい。
【００４８】
（能動型センサの材料）
基体１の材料は、受光素子２０や光源３０を安定的に支持することが可能な材料であれば、特に限定されるものではない。例えば、基体１の材料は、ステンレスなどの金属や合金、ガラス、樹脂、紙、布などである。
【００４９】
光源３０の発光層３２の材料は、ＩＩＩ−Ｖ族（ＧａＡｓ系、ＩｎＰ、ＧａＡｌＡｓなど）、ＩＩ−ＶＩ族（ＣｄＳ／ＣｄＴｅ系、Ｃｕ２Ｓ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅなど）、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族、有機半導体などであって、特に限定されるものではない。例えば、発光層３２としては、特開２００５−２３９６４８号公報で開示された「キノキサリン構造を含む有機金属化合物」を含む発光層を用いることができる。
【００５０】
受光素子２０の誘電体２２の材料としては、ケイ素酸化膜、ケイ素窒化膜、これらの混合膜などの無機材料を用いることができる。誘電体２２は、パリレン、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリエステル樹脂、変性エーテル型ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、セルロース樹脂、尿素樹脂、ポリウレタン樹脂、ケイ素樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルアルコール樹脂などの有機材料、これらの共重合体などであってもよい。
【００５１】
受光素子２０の半導体２６を構成する有機半導体材料は、電子受容性機能を有する材料、電子供与性機能を有する材料のいずれであってもよい。
【００５２】
例えば、電子受容性機能を有する材料は、ピリジン及びその誘導体を骨格として有するオリゴマーやポリマー、キノリン及びその誘導体を骨格として有するオリゴマーやポリマー、ベンゾフェナンスロリン類及びその誘導体によるラダーポリマー、シアノーポリフェニレンビニレンなどの高分子、フッ素化無金属フタロシアニン、フッ素化金属フタロシアニン類及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体（金ＣＤＡ、金ＣＤＩなど）、ナフタレン誘導体（ＮＴＣＤＡ、ＮＴＣＤＩなど）、バソキュプロイン及びその誘導体などの低分子有機化合物である。
【００５３】
一方、電子供与性機能を有する材料は、チオフェン及びその誘導体を骨格として有するオリゴマーやポリマー、フェニレン−ビニレン及びその誘導体を骨格として有するオリゴマーやポリマー、フルオレン及びその誘導体を骨格として有するオリゴマーやポリマー、ベンゾフラン及びその誘導体を骨格として有するオリゴマーやポリマー、チエニレン−ビニレン及びその誘導体を骨格として有するオリゴマーやポリマー、トリフェニルアミンなどの芳香族第３級アミン及びその誘導体を骨格として有するオリゴマーやポリマー、カルバゾール及びその誘導体を骨格として有するオリゴマーやポリマー、ビニカルバゾール及びその誘導体を骨格として有するオリゴマーやポリマー、ピロール及びその誘導体を骨格として有するオリゴマーやポリマー、アセチレン及びその誘導体を骨格として有するオリゴマーやポリマー、イソチアナフェン及びその誘導体を骨格として有するオリゴマーやポリマー、ヘプタジエン及びその誘導体を骨格として有するオリゴマーやポリマーなどの高分子、無金属フタロシアニンや金属フタロシアニン類及びこれらの誘導体、ジアミン類やフェニルジアミン類及びこれらの誘導体、ペンタセンなどのアセン類及びその誘導体、ポルフィリン、テトラメチルポルフィリン、テトラフェニルポルフィリン、テトラベンズポルフィリン、モノアゾテトラベンズポルフィリン、ジアゾテトラベンズポルフィン、トリアゾテトラベンズポルフィリン、オクタエチルポルフィリン、オクタアルキルチオポルフィラジン、オクタアルキルアミノポルフィラジン、ヘミポルフィラジン、クロロフィル等の無金属ポルフィリンや金属ポルフィリン及びこれらの誘導体、シアニン色素、メロシアニン色素、スクアリリウム色素、キナクリドン色素、アゾ色素、アントラキノン、ベンゾキノン、ナフトキノン等のキノン系色素などの低分子有機化合物である。金属フタロシアニンや金属ポルフィリンの中心金属としては、マグネシウム、亜鉛、銅、銀、アルミニウム、ケイ素、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、スズ、金、鉛などの金属、金属酸化物、金属ハロゲン化物などが用いられる。
【００５４】
受光素子２０の半導体２６の材料としては、上述した材料を単体で用いてもよいが、上述した材料が適当なバインダ材料に分散混合されたものを用いてもよい。また、適当な高分子有機化合物の主鎖中や側鎖に、上述した低分子有機化合物を組み込んだ材料を用いてもよい。上述したバインダ材料あるいは主鎖となる高分子有機化合物としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリエステル樹脂、変性エーテル型ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、セルロース樹脂、尿素樹脂、ポリウレタン樹脂、ケイ素樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルアルコール樹脂などや、これらの共重合体、あるいは、ポリビニルカルバゾールやポリシランなどの光導電ポリマーなどが用いられる。
【００５５】
受光素子２０に設けられた電極（制御電極２１、ソース電極２３、ドレイン電極２４及び中間電極２５）や光源３０に設けられた電極（陽極電極３１及び陰極電極３３）の材料は、金、銀、アルミニウム、銅、タンタル、チタンなどの金属や合金、高ドープケイ素などの低抵抗半導体、金属シリサイドなどの合金などによって構成される。
【００５６】
受光素子２０や光源３０に設けられた電極を透明電極として用いる場合には、電極は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）やフッ素ドープされた酸化スズ、酸化亜鉛及び酸化錫などの金属酸化物が用いられる。また、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチアジルなどの導電性の高分子有機化合物が用いられてもよい。電極の材料は、電極と半導体層との間の電気的性質（オーミック性やショットキー性など）によっても選択される。
【００５７】
（作用及び効果）
第１実施形態に係る能動型センサ１０によれば、光源３０（光出射領域３０Ａ）と受光素子２０とが基体１の同一面（配置面１Ａ）上に設けられており、ＣＣＤなどの受像素子及び結像素子を用いていないため、受光素子２０と被写体２００との距離を短くすることができる。これによって、外光などの入射による誤動作の発生を抑制し、能動型センサ１０の小型化を図ることができる。また、能動型センサ１０が搭載される装置の小型化も図ることができる。
【００５８】
また、光源３０（光出射領域３０Ａ）と受光素子２０との間に光分離体４０が設けられているため、受光素子２０が検出すべきではない被写体２００で反射された光や外光などのノイズ光を光分離体４０が遮光する。これによって、能動型センサ１０の誤動作を抑制することができる。
【００５９】
第１実施形態に係る能動型センサ１０によれば、遮光性を有する材料によって構成された中間電極２５が制御電極２１上に設けられているため、受光素子２０が検出すべきではない被写体２００で反射された光や外光などのノイズ光を中間電極２５が遮光する。これによって、能動型センサ１０の誤動作をさらに抑制することができる。
【００６０】
第１実施形態に係る能動型センサ１０によれば、制御電極２１は、中間電極２５側から配置面１Ａ側に向けて小さくなる台形形状を有する。従って、制御電極２１の底面の幅ｂが上面の幅よりも小さいため、ソース電極２３及びドレイン電極２４を配置面１Ａ上に設けても、受光素子２０の幅の拡大を抑制でき、能動型センサ１０の集積度が高まる。一方で、制御電極２１の上面の幅が底面の幅ｂよりも大きいため、中間電極２５が透明電極であるような場合であっても、ノイズ光が半導体２６に入射しにくく、能動型センサ１０の誤動作を抑制することができる。
【００６１】
［第２実施形態］
以下において、第２実施形態について図面を参照しながら説明する。以下においては、上述した第１実施形態と第２実施形態との相違点について主として説明する。
【００６２】
具体的には、上述した第１実施形態と第２実施形態との間では、受光素子であるホトトランジスタの構成が異なっている。
【００６３】
（能動型センサアレイの構成）
以下において、第２実施形態に係る能動型センサアレイの構成について、図面を参照しながら説明する。図４は、第２実施形態に係る能動型センサアレイ１００を示す一部断面図である。図４では、図２と同様の構成については同様の符号を付していることに留意すべきである。
【００６４】
図４に示すように、受光素子１２０は、制御電極１２１と、誘電体１２２と、ソース電極１２３と、ドレイン電極１２４と、半導体１２６とを有する。
【００６５】
制御電極１２１は、基体１の配置面１Ａ上に設けられる。誘電体１２２は、制御電極１２１の表面を覆っている。ソース電極１２３及びドレイン電極１２４は、半導体１２６の上面に設けられている。半導体１２６は、誘電体１２２を覆っている。誘電体１２２と半導体１２６との界面には、制御電極１２１に電圧が印加されると、ソース電極１２３とドレイン電極１２４とを接続するためのチャネル形成領域が形成される。
【００６６】
ここで、制御電極１２１に電圧が印加された状態で、光源３０が発する光が被写体２００で反射されて半導体１２６に入射すると、ソース電極１２３からドレイン電極１２４に流れる電流の値が変わる。このようにして、受光素子１２０は、被写体２００の有無や分布などを検出する。
【００６７】
なお、受光素子１２０に設けられる誘電体、半導体及び電極の材料は、上述した第１実施形態と同様であることに留意すべきである。また、特開２００５−３０２８８８号公報、特開２００３−２８２８５４号公報等に開示された受光素子を用いることができる。
【００６８】
（作用及び効果）
第２実施形態に係る能動型センサ１０によれば、上述した第１実施形態とは異なる構成を有する受光素子（ホトトランジスタ）であっても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００６９】
［第３実施形態］
以下において、第３実施形態について図面を参照しながら説明する。以下においては、上述した第１実施形態と第３実施形態との相違点について主として説明する。
【００７０】
具体的には、上述した第１実施形態では、受光素子は、ホトトランジスタであったが、第３実施形態では、受光素子は、ホトダイオード（二端子素子）である。
【００７１】
（能動型センサアレイの構成）
以下において、第３実施形態に係る能動型センサアレイの構成について、図面を参照しながら説明する。図５は、第３実施形態に係る能動型センサアレイ１００を示す一部断面図である。図５では、図２と同様の構成については同様の符号を付していることに留意すべきである。
【００７２】
図５に示すように、受光素子２２０は、第１電極２２３と、第２電極２２４（第２電極２２４Ａ及び第２電極２２４Ｂ）と、半導体２２６とを有する。
【００７３】
第１電極２２３は、基体１の配置面１Ａ上に設けられる。第２電極２２４は、半導体２２６の上面に設けられる。第２電極２２４Ａ及び第２電極２２４Ｂは、ドーナツ状に連接されていてもよい。半導体２２６は、第１電極２２３上に設けられる。
【００７４】
ここで、光源３０が発する光が被写体２００で反射されて半導体２２６に入射すると、第１電極２２３から第２電極２２４に電流が流れる。このようにして、受光素子２２０は、被写体２００の有無や分布などを検出する。
【００７５】
なお、受光素子２２０に設けられる半導体及び電極の材料は、上述した第１実施形態と同様であることに留意すべきである。また、特開平６−２９５１４号公報、特開平５−５５６１０号公報等に開示された受光素子を用いることができる。
【００７６】
（作用及び効果）
第３実施形態に係る能動型センサ１０によれば、受光素子がホトダイオードであっても、上述した第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００７７】
［第４実施形態］
以下において、第４実施形態について図面を参照しながら説明する。以下においては、上述した第１実施形態と第４実施形態との相違点について主として説明する。
【００７８】
具体的には、上述した第１実施形態では、受光素子は、ホトトランジスタであったが、第４実施形態では、受光素子は、有機太陽電池である。
【００７９】
（能動型センサアレイの構成）
以下において、第４実施形態に係る能動型センサアレイの構成について、図面を参照しながら説明する。図６は、第４実施形態に係る能動型センサアレイ１００を示す一部断面図である。図６では、図２と同様の構成については同様の符号を付していることに留意すべきである。
【００８０】
図６に示すように、受光素子３２０は、第１電極３２３と、第２電極３２４（第２電極３２４Ａ〜第２電極３２４Ｃ）と、半導体３２６（半導体３２６Ａ〜半導体３２６Ｄ）とを有する。
【００８１】
第１電極３２３は、基体１の配置面１Ａ上に設けられる。例えば、第１電極３２３は、配置面１Ａ上に形成される金の蒸着膜（厚み＝１００ｎｍ）と、金の蒸着膜上に形成される銀の蒸着膜（厚み＝１００ｎｍ）とによって構成される。
【００８２】
第２電極３２４は、半導体３２６Ｄ上に設けられる。例えば、第２電極３２４Ａ及び第２電極３２４Ｂ（周辺部）は、金の蒸着膜（厚み＝２００ｎｍ）であり、第２電極３２４Ｃ（窓部）は、ＺｎＯなどによって構成される透明電極（厚み＝１００ｎｍ）又は金の薄い蒸着膜（厚み＝２ｎｍ）である。
【００８３】
半導体３２６Ａは、第１電極３２３上に設けられる。例えば、半導体３２６Ａは、ｎ型導電性の電子輸送材料（例えば、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、フラーレンＣ６０）の蒸着膜（厚み＝１０ｎｍ）である。なお、半導体３２６Ａの材料としては、後述する半導体３２６Ｃと同様の材料を用いてもよい。
【００８４】
半導体３２６Ｂは、半導体３２６Ａ上に設けられる。例えば、半導体３２６Ｂは、正孔阻止性の電子輸送材料（例えば、バソクプロイン、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物）の蒸着膜（厚み＝１０ｎｍ）である。
【００８５】
半導体３２６Ｃは、半導体３２６Ｂ上に設けられる。例えば、半導体３２６Ｃは、上述した電子受容性機能を有する材料又はｎ型導電性の電子輸送材料（例えば、フラーレンＣ６０、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、ペリレン誘導体）の蒸着膜（厚み＝２０ｎｍ）である。
【００８６】
半導体３２６Ｄは、半導体３２６Ｃ上に設けられる。例えば、半導体３２６Ｄは、上述した電子供与性機能を有する材料又はｐ型導電性の正孔輸送材料（例えば、ルブレン、ジフェニルアントラセン等のカタ縮合芳香族化合物）の蒸着膜（厚み＝５０ｎｍ）である。
【００８７】
なお、半導体３２６Ｂ、半導体３２６Ｃ及び半導体３２６Ｄの厚みの関係は、光電変換率向上の経験則として、半導体３２６Ｄ＞半導体３２６Ｃ≧半導体３２６Ｂを満たすことが好ましい。また、半導体３２６Ｂ〜半導体３２６Ｄは、光を電流に変換する光電変換部を構成することに留意すべきである。
【００８８】
ここで、光源３０が発する光が被写体２００で反射されて光電変換部（半導体３２６Ｂ〜半導体３２６Ｄ）に入射すると、第１電極３２３と第２電極３２４との間に開放電圧０．９Ｖ程度の光起電力が生じて電流が流れる。このようにして、受光素子３２０は、被写体２００の有無や分布などを検出する。
【００８９】
なお、受光素子３２０の構成は、上述した構成に限定されるものではなく、受光素子３２０は、どのような有機太陽電池であってもよいことは勿論である。特に、特願２００６−２１７６８６号公報、特願２００６−２６７２５７号公報、特願２００６−２６７２５８号公報及び特願２００６−３２０１６５号公報等に記載の有機太陽電池を好適に用いることができる。
【００９０】
（作用及び効果）
第４実施形態に係る能動型センサ１０によれば、受光素子が有機太陽電池であっても、上述した第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００９１】
［第５実施形態］
以下において、第５実施形態について図面を参照しながら説明する。以下においては、上述した第３実施形態と第５実施形態との相違点について主として説明する。
【００９２】
具体的には、上述した第３実施形態では、能動型センサアレイは、能動型センサ１０毎に光源を有しているが、第５実施形態では、能動型センサアレイは、複数の能動型センサ１０によって共用される面発光光源を有する。
【００９３】
（能動型センサアレイの構成）
以下において、第５実施形態に係る能動型センサアレイの構成について、図面を参照しながら説明する。図７は、第５実施形態に係る能動型センサアレイ１００を示す一部断面図である。なお、図７では、図５と同様の構成については同様の符号を付していることに留意すべきである。
【００９４】
図７に示すように、能動型センサアレイ１００は、複数の能動型センサ１０によって共用される面発光光源１３０を有する。
【００９５】
面発光光源１３０は、基体１の裏面１Ｂ上に設けられており、陽極電極１３１と発光層１３２と陰極電極１３３とによって構成される。ここで、上述した第１電極２２３は、遮光性を有する材料によって構成される。従って、面発光光源１３０が発する光は、第１電極２２３で遮光されるため、光出射領域３０Ａのみから被写体２００に向けて出射されることに留意すべきである。
【００９６】
なお、面発光光源１３０を構成する材料は、上述した第１実施形態と同様であることに留意すべきである。
【００９７】
（作用及び効果）
第５実施形態に係る能動型センサアレイ１００によれば、面発光光源１３０が複数の能動型センサ１０によって共用されるため、能動型センサ１０毎に光源を設ける場合に比べて、能動型センサアレイ１００の製造工程を簡略化することができる。また、上述した第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９８】
［第６実施形態］
以下において、第６実施形態について図面を参照しながら説明する。以下においては、第１実施形態〜第５実施形態のいずれかに示した能動型センサアレイを備えた個人認証装置について説明する。
【００９９】
（能動型センサアレイの構成）
以下において、第６実施形態に係る能動型センサアレイの構成について、図面を参照しながら説明する。図８は、第６実施形態に係る能動型センサアレイ１００を示す平面図である。図８に示す能動型センサアレイ１００は、第１実施形態又は第２実施形態に示した能動型センサアレイ１００と同様の構成を有することに留意すべきである。
【０１００】
図８に示すように、能動型センサアレイ１００では、複数の能動型センサ１０がアレイ状に配置されている。第６実施形態に係る能動型センサアレイ１００では、能動型センサ１０が５列×６行でマトリックス上に配置されている。
【０１０１】
（個人認証装置の機能ブロック）
以下において、第６実施形態に係る個人認証装置の機能ブロックについて、図面を参照しながら説明する。図９は、第６実施形態に係る個人認証装置５００を示すブロック図である。
【０１０２】
図９に示すように、個人認証装置５００は、制御パターン記憶部５１０と、光源制御部５２０と、受光素子制御部５３０と、信号取得部５４０と、特徴量抽出部５５０と、個人識別情報記憶部５６０と、認証部５７０とを有する。
【０１０３】
制御パターン記憶部５１０は、光源３０の点滅パターン及び受光素子２０（又は受光素子１２０）のＯＮ／ＯＦＦパターンを記憶する。
【０１０４】
ここで、点滅パターン及びＯＮ／ＯＦＦパターンとしては、光源３０及び受光素子２０（又は受光素子１２０）を時間的に制御するパターン、光源３０及び受光素子２０（又は受光素子１２０）を空間的に制御するパターンなどが挙げられる。なお、時間的制御及び空間的制御の詳細については後述する。
【０１０５】
光源制御部５２０は、制御パターン記憶部５１０に記憶された点滅パターンに従って、光源３０の点灯及び消灯を個別に切り替える。
【０１０６】
受光素子制御部５３０は、制御パターン記憶部５１０に記憶されたＯＮ／ＯＦＦパターンに従って、受光素子２０（又は受光素子１２０）のＯＮ及びＯＦＦを個別に切り替える。具体的には、受光素子制御部５３０は、制御電極２１に電圧を印加することによって、受光素子２０（又は受光素子１２０）をＯＮに切り替え、制御電極２１に電圧を印加しないことによって、受光素子２０（又は受光素子１２０）をＯＦＦに切り替える。
【０１０７】
信号取得部５４０は、受光素子２０（又は受光素子１２０）によって検出された信号を取得する。受光素子２０（又は受光素子１２０）によって検出された信号は、被写体２００（例えば、手の血管）の有無や分布などを示す信号である。
【０１０８】
特徴量抽出部５５０は、信号取得部５４０によって検出された信号に基づいて、被写体２００の特徴量を抽出する。
【０１０９】
個人識別情報記憶部５６０は、個人を識別するための個人識別情報として予め登録された特徴量を記憶する。
【０１１０】
認証部５７０は、特徴量抽出部５５０によって抽出された特徴量と、個人識別情報記憶部５６０に記憶された特徴量とを比較して、被写体２００（個人）が正当であるか否かを認証する。例えば、認証部５７０は、特徴量抽出部５５０によって抽出された特徴量と、個人識別情報記憶部５６０に記憶された特徴量との差分が、所定閾値以内である場合に、被写体２００（個人）が正当であると判定する。一方で、認証部５７０は、上述した差分が所定閾値を超える場合に、被写体２００（個人）が正当でないと判定する。
【０１１１】
（空間的制御）
以下において、上述した空間的制御について説明する。空間的制御は、一の能動型センサ１０に設けられた受光素子２０が、一の能動型センサ１０に隣接する他の能動型センサ１０に設けられた光源３０が発する光の反射光をノイズ光として検出してしまうことを抑制する目的で行われる。
【０１１２】
具体的には、空間的制御における点滅パターンは、一の能動型センサ１０に設けられた光源３０が点灯している場合に、他の能動型センサ１０に設けられた光源３０を消灯させるパターンである。ここで、受光素子２０のＯＮ／ＯＦＦパターンは、点滅パターンと同期しているものとする。
【０１１３】
例えば、図８に示した能動型センサアレイ１００では、個人認証装置５００は、奇数列及び奇数行の能動型センサ１０に設けられた光源３０が点灯している場合に、偶数列及び偶数行の能動型センサ１０に設けられた光源３０を消灯する。一方で、個人認証装置５００は、偶数列及び偶数行の能動型センサ１０に設けられた光源３０が点灯している場合に、奇数列及び奇数行の能動型センサ１０に設けられた光源３０を消灯する。
【０１１４】
なお、能動型センサアレイ１００は、列単位又は行単位で光源３０の点灯／消灯を切り替えてもよいことに留意すべきである。
【０１１５】
例えば、図８に示した能動型センサアレイ１００では、個人認証装置５００は、奇数列の能動型センサ１０に設けられた光源３０が点灯している場合に、偶数列の能動型センサ１０に設けられた光源３０を消灯してもよい。また、個人認証装置５００は、奇数行の能動型センサ１０に設けられた光源３０が点灯している場合に、偶数行の能動型センサ１０に設けられた光源３０を消灯してもよい。
【０１１６】
（時間的制御）
以下において、上述した時間的制御について図１０を参照しながら説明する。時間的制御は、能動型センサ１０に設けられた受光素子２０が検出するノイズ光（ノイズ信号）を取り除くことを目的として行われる。
【０１１７】
具体的には、時間的制御における点滅パターン（時系列パターン）は、時間軸上において光源３０の点滅を制御するパターンである。
【０１１８】
例えば、図１０（ａ）に示すように、光源３０は、時刻ｔ１及び時刻ｔ２において所定の点灯時間（ｔｏｎ）点灯し、他の時間において所定の消灯時間（ｔｏｆｆ）消灯する。
【０１１９】
図１０（ｂ）に示すように、受光素子２０は、時刻ｔ１及び時刻ｔ２だけではなく、他の時間にも信号を検出する。従って、受光素子２０は、ノイズ信号（ｎ１〜ｎ３）を検出する。
【０１２０】
図１０（ｃ）に示すように、能動型センサ１０は、時刻ｔ１及び時刻ｔ２に検出した信号（出力信号ｓ１及び出力信号ｓ２）のみを出力する。
【０１２１】
ここで、図１０（ｂ）に示した検出信号を図１０（ａ）に示した点滅パターンで乗算処理することによって、ノイズ信号の除去を行ってもよい。また、点滅パターンとＯＮ／ＯＦＦパターンとを同期させて、点灯時間にのみ受光素子２０がＯＮとなるように制御電極２１に電圧を印加することによって、ノイズ信号の除去を行ってもよい。
【０１２２】
なお、ディーティ比（ｔｏｎ／ｔｏｎ＋ｔｏｆｆ）が０．２以下であれば、屋外で使用する場合であっても、ノイズ信号の除去性能が十分に得られる。また、ディーティ比（ｔｏｎ／ｔｏｎ＋ｔｏｆｆ）は、０．０５〜０．１５程度であることが好ましい。また、能動型センサ１０から出力信号を得るまでの待ち時間を短縮するために、点灯周期（ｔｏｎ＋ｔｏｆｆ）は、０．２秒以下であることが好ましい。
【０１２３】
点滅パターンは、５Ｈｚ程度の周波数で、光源３０の点灯及び消灯を切り替えるパターンであってもよく、所定の符号（ｂｉｔ列）に従って光源３０の点灯及び消灯を切り替えるパターンであってもよい。所定の符号としては、パターン識別確度を向上させるために、１０ビットよりも長い符号を用いることが好ましい。
【０１２４】
（作用及び効果）
第６実施形態に係る個人認証装置５００によれば、空間的制御によって光源３０の点滅パターンを制御することによって、受光素子２０がノイズ光（ノイズ信号）を検出することを効果的に抑制することができる。また、時間的制御によって光源３０の点滅パターンを制御することによって、受光素子２０が検出してしまったノイズ光（ノイズ信号）を取り除くことができる。
【０１２５】
［第７実施形態］
以下において、第７実施形態について図面を参照しながら説明する。以下においては、第１実施形態〜第５実施形態のいずれかに示した能動型センサアレイを備えた個人認証装置が適用される携帯端末について説明する。
【０１２６】
（携帯端末の構成）
以下において、第７実施形態に係る携帯端末の構成について、図面を参照しながら説明する。図１１及び図１２は、第７実施形態に係る携帯端末６００を示す図である。図１１に示すように、携帯端末６００は、複数のキー６１１を有する筐体６１０と、表示部６２１を有する筐体６２０とによって構成される。
【０１２７】
図１２に示すように、筐体６１０は、複数のキー６１１が設けられたキー配置面６３１（機能面）と、ユーザによって把持される面である把持面（底面６３２Ａ、側面６３２Ｂ）とを有する。
【０１２８】
上述した能動型センサアレイ１００は、底面６３２Ａ及び側面６３２Ｂに設けられる。なお、能動型センサアレイ１００は、底面６３２Ａにのみ設けられていてもよい。
【０１２９】
（作用及び効果）
第７実施形態に係る携帯端末６００によれば、能動型センサアレイ１００が、ユーザによって把持される面である把持面（底面６３２Ａ及び側面６３２Ｂ）に設けられているため、ユーザが携帯端末６００を把持するだけで個人認証を行うことができ、ユーザの利便性が向上する。
【０１３０】
［その他の実施形態］
本発明は上述した実施形態によって説明したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【０１３１】
例えば、第５実施形態に示した能動型センサアレイ１００では、第３実施形態に示した受光素子と面発光光源１３０とを組み合わせているが、これに限定されるものではない。具体的には、第１実施形態、第２実施形態及び第４実施形態に示した受光素子と面発光光源１３０とを組み合わせてもよい。
【０１３２】
上述した第４実施形態では、受光素子３２０は、半導体３２６Ａを有しているが、これに限定されるものではなく、半導体３２６Ａを有していなくてもよい。
【０１３３】
上述した第６実施形態では、第１実施形態及び第２実施形態に示した能動型センサアレイ１００を有する個人認証装置５００について例示したが、これに限定されるものではない。具体的には、個人認証装置５００は、第３実施形態及び第４実施形態に示した能動型センサアレイ１００を有していてもよい。この場合には、受光素子のＯＮ／ＯＦＦを制御することができないため、受光素子制御部５３０が不要となる。但し、上述した時間的制御では、受光素子のＯＮ／ＯＦＦを制御しなくてもよいため、時間的制御を行うことが可能であることに留意すべきである。また、各受光素子のＯＮ／ＯＦＦを切り替えるスイッチが信号取得部５４０に設けられていてもよい。
【０１３４】
上述した第７実施形態では、携帯端末として、折畳み式の携帯電話について例示したが、これに限定されるものではない。具体的には、携帯端末は、表示部及びキーが筐体の同一面に設けられた携帯電話であってもよい。また、携帯端末は、ＰＤＡなどの情報処理端末、ＩＣカードやクレジットカード等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１３５】
【図１】第１実施形態に係る能動型センサアレイ１００の構成を示す一部拡大図である。
【図２】第１実施形態に係る能動型センサアレイ１００を示す一部断面図である。
【図３】第１実施形態に係る能動型センサ１０を示す断面図である。
【図４】第２実施形態に係る能動型センサアレイ１００を示す一部断面図である。
【図５】第３実施形態に係る能動型センサアレイ１００を示す一部断面図である。
【図６】第４実施形態に係る能動型センサアレイ１００を示す一部断面図である。
【図７】第５実施形態に係る能動型センサアレイ１００を示す一部断面図である。
【図８】第６実施形態に係る能動型センサアレイ１００を示す平面図である。
【図９】第６実施形態に係る個人認証装置５００を示すブロック図である。
【図１０】第６実施形態に係る時間的制御の一例を示す図である。
【図１１】第７実施形態に係る携帯端末６００を示す図である。
【図１２】第７実施形態に係る携帯端末６００を示す図である。
【符号の説明】
【０１３６】
１・・・基体、１Ａ・・・配置面、１Ｂ・・・裏面、２・・・配線収容領域、１０・・・能動型センサ、２０・・・受光素子、２１・・・制御電極、２２・・・誘電体、２３・・・ソース電極、２４・・・ドレイン電極、２５・・・中間電極、２６・・・半導体、３０・・・光源、３０Ａ・・・光出射領域、３１・・・陽極電極、３２・・・発光層、３３・・・陰極電極、４０・・・光分離体、１００・・・能動型センサアレイ、１２０・・・受光素子、１２１・・・制御電極、１２２・・・誘電体、１２３・・・ソース電極、１２４・・・ドレイン電極、１２６・・・半導体、１３０・・・面発光光源、１３１・・・陽極電極、１３２・・・発光層、１３３・・・陰極電極、２００・・・被写体、２２０・・・受光素子、２２３・・・第１電極、２２４・・・第２電極、２２６・・・半導体、３２０・・・受光素子、３２３・・・第１電極、３２４・・・第２電極、３２６・・・半導体、５００・・・個人認証装置、５１０・・・制御パターン記憶部、５２０・・・光源制御部、５３０・・・受光素子制御部、５４０・・・信号取得部、５５０・・・特徴量抽出部、５６０・・・個人識別情報記憶部、５７０・・・認証部、６００・・・携帯端末、６１０・・・筐体、６１１・・・キー、６２０・・・筐体、６２１・・・表示部、６３１・・・キー配置面、６３２Ａ・・・底面、６３２Ｂ・・・側面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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