(57)【要約】【課題】本発明は、隣接検出器の間隔を狭くするとともに、ホルダへの組立を容易にしたＸ線ＣＴ装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、被試験体に対してＸ線を照射するＸ線照射装置と、被試験体を透過したＸ線を検出する半導体検出器と、半導体検出器からの信号を処理する信号処理装置とを備えたＸ線ＣＴ装置であって、半導体検出器は、Ｘ線照射方向と略平行であり相対する２面にそれぞれ電極を設けた半導体セルと、半導体セルの第１の電極からの信号を信号処理装置に送信する配線を備えた配線基板とを備え、半導体セルの第２の電極と配線基板とを絶縁性及び配線を兼ねた部材で配線することを特徴とする。【効果】本発明によれば、隣接検出器の間隔を狭くするとともに、ホルダへの組立を容易にしたＸ線ＣＴ装置を提供することが可能となる。【選択図】図１
2008070219.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被試験体に対してＸ線を照射するＸ線照射装置と、該被試験体を透過したＸ線を検出する半導体検出器と、該半導体検出器からの信号を処理する信号処理装置とを備えたＸ線
ＣＴ装置であって、
前記半導体検出器は、Ｘ線照射方向と略平行であり相対する２面にそれぞれ電極を設けた半導体セルと、該半導体セルの第１の電極からの信号を前記信号処理装置に送信する配線を備えた配線基板とを備え、前記半導体セルの第２の電極と前記配線基板とを絶縁性及び配線を兼ねた部材で配線することを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
【請求項２】
被試験体に対してＸ線を照射するＸ線照射装置と、該被試験体を透過したＸ線を検出する半導体検出器と、該半導体検出器からの信号を処理する信号処理装置とを備えたＸ線
ＣＴ装置であって、
前記半導体検出器は、Ｘ線照射方向と略平行であり相対する２面に電極を設けた半導体セルと、該半導体セルの第１の電極からの信号を前記信号処理装置に送信する配線を備えた第１のフレキシブル基板とを備え、前記半導体セルの第２の電極と前記配線基板とを第２のフレキシブル基板で配線することを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
【請求項３】
請求項２記載のＸ線ＣＴ装置であって、前記半導体セルはＣｄＴｅ結晶により製作されていることを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線ＣＴ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、一組の半導体結晶と基板によって構成されたＸ線検出器が開示されている。そして、Ｘ線検出器では、半導体結晶の片側の面に正電極及び負電極を備え、これらの電極が基板に設けられた配線と接続されている。
【０００３】
また、特許文献２では、放射線の入射方向と略平行な面に２つの電極を形成した半導体セルを用いて検出器を構成する。この半導体セルの相対する２面のうちの１面にバイアス用電極を設け、他の面に信号取り出し用電極が形成されている。そして、バイアス仲介用電極板と信号取り出し仲介用電極板を設置したホルダに当該半導体セルを挿入し、接着して検出器を構成する。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１８７２３９号公報
【特許文献２】特開平６−２３５７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
Ｓｉであれば結晶内部に電極を設けることが可能であるため、一つの面に正電極と負電極を設けることが可能である。そのため、特許文献１における半導体結晶には、正電極がｎ＋拡散電極の部分に設けられ、負電極がｐ＋拡散電極に設けられている。しかし、
ＣｄＴｅでは結晶内部に電極を設けることができないため、結晶の表面に電極を蒸着する方法しかなく、電極を二つの相対する面に設ける必要があった。そのため、ＣｄＴｅ結晶の第１の電極と基板に設けられた配線とを接続した場合、第１の電極と相対する第２の電極と基板とを接続するためには、ボンディングなどによって両者を接続する必要がある。
【０００６】
しかし、ボンディングを使用した場合、隣接する基板と接触しないように、その周囲にある程度の空間が必要であり、隣接検出器との間隔を広くとらなければならないという課題があった。
【０００７】
また、特許文献２のように、ホルダに電極板を設けた場合、当該ホルダに半導体セルを挿入し、接着する工程を要する。この接着時に、導電性の接着剤が十分に行き渡らない場合や、逆に他の電極にまで接着剤が付着する場合があり、配線作業が困難であった。そのため、半導体セルと電極板が一体化された状態でホルダに固定することが望ましい。
【０００８】
そこで本発明は、隣接検出器の間隔を狭くするとともに、ホルダへの組立を容易にしたＸ線ＣＴ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明における半導体検出器は、Ｘ線照射方向と略平行であり相対する２面にそれぞれ電極を設けた半導体セルと、半導体セルの第１の電極からの信号を信号処理装置に送信する配線を備えた配線基板とを備え、半導体セルの第２の電極と配線基板とを絶縁性及び配線を兼ねた部材で配線することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、隣接検出器の間隔を狭くするとともに、ホルダへの組立を容易にしたＸ線ＣＴ装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
産業用高エネルギーＣＴ装置のＸ線検出器に両面から電極用配線を引き出す必要のある化合物半導体セルを使用する場合に、該半導体セルのバイアス用電極，信号取り出し用電極の両面の配線を、いずれも絶縁保護と配線とを兼ねるフレキシブル基板とすることで実現した。
【実施例１】
【００１２】
図７は、本発明の半導体検出器を産業用高エネルギーＸ線ＣＴ装置に適用した場合の構成例を示す。Ｘ線ＣＴ装置１００は、電子線加速器１０１と、スキャナ１０３と、コリメータ１４と、半導体検出器１０と、ホルダ１５と、信号処理装置１０５と、制御装置107と、画像再構成装置１０９と、表示装置１１１と、コントローラ１１３とを有する。本実施例のＸ線ＣＴ装置１００は、被試験体１０４を回転させて１断面を撮影する第３世代のＸ線ＣＴ装置を示している。
【００１３】
Ｘ線照射装置である電子線加速器１０１は、制御用ケーブル１１６によりコントローラ１１３に接続され、コントローラ１１３によりＸ線ファンビーム１０２の発生・停止が制御される。スキャナ１０３は回転機能のほかに、任意の高さにおける被試験体の断面撮影を行うために、上下に動作する機能を持つ。そして、スキャナ１０３も同様に制御ケーブル１１５でコントローラ１１３に接続され、スキャナの回転・上下位置の調整が行われる。
【００１４】
半導体検出器１０は、被試験体１０４に対し、電子線加速器１０１の反対側に設けられている。また、半導体検出器１０は、電子線加速器１０１からファンビーム１０２が出射される出射口に対して半導体検出器１０の検出面が向くように、一列に配置されている。撮影解像度は、半導体検出器１０の数が増加するほど向上する。本実施例では、５１２個の半導体検出器１０がホルダ１５に固定して設置されている。なお、図７では、一部の半導体検出器１０を示す。
【００１５】
コリメータ１４は、被試験体１０４と半導体検出器１０との間に設けられている。
【００１６】
Ｘ線は、Ｘ線照射装置すなわち電子線加速器１０１から被試験体１１４に出射され、Ｘ線ファンビーム１０２として被試験体１０４を透過する。被試験体１０４を透過したＸ線は、コリメータ１４により、半導体検出器１０に散乱Ｘ線が入射することを抑えることができる。このコリメータ１４によって半導体検出器１０におけるＳ／Ｎ比を向上させることが可能である。コリメータ１４を通過したＸ線は半導体検出器１０に入射し、半導体検出器１０がＸ線の強度に応じた信号を出力する。半導体検出器１０からの出力信号は、信号処理装置１０５で増幅されると共に、デジタル信号１０６に変換される。制御装置107は、信号処理装置１０５からのデジタル信号１０６をデータとして収集すると共に、装置全体を制御する。制御装置１０７で収集されたデータは、画像の再構成を行うために、画像再構成装置１０９にデータ１０８を送信する。表示手段１０８は、画像再構成装置109により作成された画像やその他の情報を含むデータ１１０に基づき、表示する。
【００１７】
電子線加速器１０１を用いたＸ線ＣＴ装置１００では、電子線加速器１０１の特性により、出射されるＸ線はパルス状Ｘ線として、周期的に発生する。このＸ線パルスは、スキャナ１０３の回転と同期しており、一定角度ごとに電子線加速器１０１から照射される。そして、電子線加速器１０１，スキャナ１０３，信号処理装置１０５の動作状況を制御するために、コントローラ１１３が設けられている。信号処理装置１０５からの信号１０６を検知した制御装置１０７は、コントローラ１１３にも検知信号１１２を出力する。検知信号１１２を受けたコントローラ１１３は、スキャナ１０３を駆動させ、被試験体１０４を移動させるために信号１１５を送信する。また、移動後の被試験体１０４にＸ線パルスを再び出力させると共に半導体検出器１０に検出させるために、信号１１６と１１４を送信する。一般的な値として、電子線加速器１０１から５ｍｓ周期に５μｓ幅の強力なＸ線パルス（Ｘ線光子の集まり）が出力される。本実施例では、被試験体１０４が１回転する間にＸ線パルスが１９２０回照射され、半導体検出器１０がＸ線を検出する。すなわち、０.１８７５ 度ごとにＸ線量を測定する。５１２個の半導体検出器があるため、１断層を再構成するためのデータは５１２×１９２０個のデータ量になる。
【００１８】
図１は、本実施例における半導体検出器の構造を示す図である。この半導体検出器１０は、Ｘ線照射方向と略平行であり相対する２面にそれぞれ第１の電極と第２の電極を設けた半導体セル３と、半導体セル３の第１の電極からの信号を信号処理装置１０５に送信する配線２０２を備えた配線基板とを備え、半導体セル３の第２の電極と配線基板とを絶縁性及び配線を兼ねた部材で配線している。
【００１９】
具体的には、半導体セル３は直方体のＣｄＴｅ結晶であり、Ｘ線照射方向と半導体セル３の長手方向とが略並行であり、相対する上面と下面に各々電極が蒸着されている。本実施例のＣｄＴｅ結晶は、幅０.５mm ，高さ３mm，奥行き４０mmである。半導体セル３は、その奥行きが４０mm程度であると、４００ｋｅＶから１２ＭｅＶまでのＸ線に対して十分な感度を有する。なお、ＣｄＴｅ結晶はもろく割れやすいため、半導体セル３の幅は0.5
mm程度が限界である。そして、本実施例では、半導体セル３の下面に第１の電極である
Ｉｎ電極を設け、その上面に第２の電極であるＰｔ電極を備える。そして、半導体セル３は、Ｐｔ電極側に−バイアス電圧をかける、又はＩｎ電極側に＋バイアス電圧をかけることにより放射線検出器として動作する。本実施例では、Ｐｔ電極をグランド電位とし、
Ｉｎ電極に＋電圧をかけ、Ｘ線を検出した信号はＩｎ電極から出力する。そのため、Ｐｔ電極をバイアス用電極、Ｉｎ電極を信号取り出し用電極と称する。
【００２０】
本実施例において、配線基板はフレキシブル基板によって構成されている。そして、半導体セル３の信号取り出し用電極は導電接着部５により、第１のフレキシブル基板２に設けられた配線と接続される。半導体セル３のバイアス用電極は第２のフレキシブル基板４に設けられた配線と導電接着部６で接着される。そして、第１のフレキシブル基板２と第２のフレキシブル基板４とは導電接着部７で接着されている。また、半導体セル３を安定的に固定するために、半導体セル３は接着部８と９により、それぞれ第１のフレキシブル基板２と第２のフレキシブル基板４に接着される。フレキシブル基板は０.１mm 厚のものを使用している。半導体検出器１０の出力電流は小さいため、フレキシブル基板の厚さは最低限のもので問題なく使用できる。
【００２１】
遮蔽板１は、タングステンなどのヘビイメタルやＳＵＳなどで製作されている。遮蔽板１は、隣接した半導体検出器１０からの散乱電子や散乱Ｘ線を遮蔽するためには、密度が大きく、厚いほうが望ましい。遮蔽板１の密度と厚さは、ＣＴ装置の分解能などの性能を考慮して決定する。本実施例ではタングステン合金で製作された０.５mm 厚の遮蔽板を用いている。
【００２２】
そして、遮蔽板１の片面に第１のフレキシブル基板２が接着され、その上に半導体セル３が接着される。
【００２３】
図２は、半導体検出器の部品構成を示している。半導体検出器１０は、遮蔽板１，第１のフレキシブル基板２，半導体セル３、及び第２のフレキシブル基板４の４つの部品を備える。遮蔽板１は半導体セル３の支持板であり、かつ隣接する半導体検出器１０からの散乱電子線や散乱Ｘ線を遮蔽するための部材である。第１のフレキシブル基板２には、半導体セル３との接続用パッド２０１，第２のフレキシブル基板４との接続用パッド２０４，外部信号引き出し用パッド２０３，２０６、それらを結ぶパターン配線２０２，２０５が作成されている。そして、半導体セル３に生じるＸ線の検出信号は、接続用パッド２０１からパターン配線２０２を流れ、外部信号引き出し用パッド２０３から外部に出力される。また、バイアス電流は、外部引き出し用パッド２０６からパターン配線２０５を流れ、接続用パッド２０４から第２のフレキシブル基板４に流れる。
【００２４】
前述のように、半導体セル３は、あらかじめその両面に電極が蒸着されている。半導体セル３の下面には接着部３０１が設けられており、第１のフレキシブル基板２に設けられた接続用パッド２０１と接着部３０１を接着させることにより、第１の電極を形成する。そして、半導体セル３の上面には接着部３０２が設けられており、第２のフレキシブル基板４に設けられた接続用パッド４０１と接着部３０２を接着させることにより、第２の電極を形成する。また、第２のフレキシブル基板４に設けられた接続用パッド４０１にはパターン配線４０２が接続されており、パターン配線４０２の他端に接続用パッド４０３が接続される。
【００２５】
一方、第１のフレキシブル基板２には、パターン配線２０５を通して接続用パッド204から接続用パッド２０６に接続される。そして、第２のフレキシブル基板４に設けられた接続用パッド４０３と第１のフレキシブル基板２に設けられた接続用パッド２０４を接着させることにより、バイアス電流を半導体セル３に流すことができる。
【００２６】
図８は、半導体検出器１０を産業用高エネルギーＸ線ＣＴ装置に組み込んだ場合の構造を示す。本図では、Ｘ線入射方向から見てコリメータ１４の後方に、ホルダ１５が設置されている。コリメータ１２には、電子線加速器１０１からのＸ線を通過させる穴１８が半導体検出器１０の数だけ設けられている。ホルダ１５は細長い四角柱の長手方向の側面をファンビーム１０２に向けて配置している。そして、図９に示すように、ホルダ１５の内部には半導体検出器１０を固定するための空間１９が形成される。また、ホルダ１５の内部には、半導体検出器１０の遮蔽板１を差し込むための溝２０が設けられている。本実施例では、半導体検出器１０は半導体セル３に遮蔽板１を取り付けた状態で既に完成しているため、ホルダ１５の上下に設けられた溝２０に遮蔽板１を差し込むだけで、容易に取り付けることができる。また、コリメータ１４に設けられた穴１８の後方に半導体検出器
１０が位置するように、ホルダ１５に溝２０が設けられている。
【００２７】
半導体検出器１０における第１のフレキシブル基板２は、基板１６に設置されたフレキシブル基板用コネクタ１７に接続されている。各フレキシブル基板の先端に設けられた接続用パッド２０３と２０６により、半導体検出器１０は外部回路に接続され、バイアス電圧の供給と信号出力ができる。基板１６は外部のバイアス電源(図７では省略されている)と信号処理装置１０５に接続されている。
【００２８】
このように、本発明の半導体検出器は、Ｘ線照射方向と略平行であり相対する２面にそれぞれ電極を設けた半導体セル３と、半導体セル３の第１の電極からの信号を信号処理装置に送信する配線を備えた配線基板とを備え、半導体セルの第２の電極と配線基板とを絶縁性及び配線を兼ねた部材で配線している。
【００２９】
本発明に対し、特許文献１の半導体検出器ではＳｉが用いられている。そして、高エネルギーのＸ線を効率よく検出するためにその奥行きは４０mm程度であり、奥行きを長く構成している。検出器の構造は、タングステンの遮蔽板（基板）の上にフレキシブル基板を設置し、その上にＳｉ検出器を接着している。Ｓｉ検出器では半導体プロセスによる配線により、検出器の片側からバイアスの供給と信号の取出しが可能である。
【００３０】
但し、Ｓｉ検出器よりもＣｄＴｅなどの化合物半導体検出器の方が、材料の密度が高く、Ｘ線を検出する能力に優れている。そのため、産業用高エネルギーＣＴ装置にもＣdＴeなどの化合物半導体を使用することが望ましい。
【００３１】
しかし、ＣｄＴｅ結晶では結晶内部に配線を作成することが出来ないため、必ず両側に配線する必要が生じる。そのため、ＣｄＴｅ結晶の半導体セルでは、片方の面はボンディングなどの配線を必要とする。ここで、ボンディング配線をした場合の比較例を図１２に示す。図１２では、半導体セルに設けられた第２の電極の導電接着部６と、第１のフレキシブル基板２に設けられた導電接着部７とをボンディング配線１９で接続している。ボンディング配線をした場合、隣接する検出器同士の間隔は、半導体セル３の厚み２１だけでなく、さらに空間２０を必要とする。ボンディングが隣接する半導体検出器に接触すると、電流がその半導体検出器に流れる可能性があるため、絶縁のためには半導体検出器の周囲にある程度の空間２０が必要となるからである。そのため、隣接検出器との間隔を広くとらなければならず、解像度が低下するという問題点がある。
【００３２】
一方、特許文献２の半導体検出器では、放射線の入射方向と略平行な面に電極を形成した半導体セルを用いており、半導体セルの相対する２面のうちの１面にバイアス用電極を、他の面に信号取り出し用電極を形成する。そして、この半導体セルを、バイアス仲介用電極板と信号取り出し仲介用電極板を設置したホルダに挿入して接着し、検出器を構成する。
【００３３】
この特許文献２は医療用ＣＴ装置への適用を考慮していると考えられ、半導体セルであるＣｄＴｅ半導体結晶は、幅が０.３mm以上、長さが５mm以上、奥行きが０.５mm以上を想定している。ここで、放射線は幅と長さで構成された面から入射し、奥行き方向に進み、半導体結晶と反応して出力電流を生じる。特許文献２の実施例では、奥行きが２mm程度の半導体セルを使用している。
【００３４】
他方、産業製品の断層像を撮影するために使用するＸ線ＣＴ装置では、被試験体としてアルミ鋳造品や鉄製品など、人体と比べて密度が高い物体を撮影することが多い。このため、産業用のＸ線ＣＴ装置で使用されるＸ線のエネルギーは医療用のＸ線ＣＴ装置で使用されるＸ線のエネルギー（最大１５０ｋｅＶ）と比べて高くなることが多い。自動車部品などの鋳造品の欠陥検査や内部形状計測のために、４５０ｋｅｖから１ＭｅＶの高エネルギーＸ線を使用するＣＴ装置が開発されている。
【００３５】
しかし、高エネルギーのＸ線を効率よく検出するためには、半導体検出器の奥行きを長くする必要がある。特許文献２では半導体検出器の奥行きを０.５〜２mm程度と想定しており、４００ｋｅＶ以上のＸ線では１０〜４０mm程度の奥行きにすることが必要である。この場合、特許文献２のように、ホルダに半導体セルを挿入し接着する構造では、半導体セルの奥行きが長いために導電性の接着剤が十分に行き渡らない恐れや、逆に他の電極にまで付着する恐れがあり、配線作業が困難になるという問題点がある。
【００３６】
そこで、本発明のように半導体セルの第２の電極と配線基板とを絶縁性及び配線を兼ねた部材で配線することにより、ボンディング配線に必要な空間２０をとる必要がなくなり、隣接する検出器同士の間隔を狭くすることが出来る。
【００３７】
また、ホルダに電極板を設ける特許文献２と異なり、本発明ではホルダに電極板を設けていない。そのため、ホルダに挿入する前に、半導体検出器を完成させておくことが出来る。そして、奥行きが長い半導体セルを使用した場合でも、導電性の接着剤による不具合を防ぐことが出来る。また、半導体検出器の組立を容易にすることが出来る。
【００３８】
なお、Ｘ線照射方向と略平行であり相対する２面にそれぞれ電極を設けた半導体セルであれば、ＣｄＴｅでなくても本実施例に示す半導体検出器の構造を用いることが出来る。
【００３９】
図３と図４は、本実施例の半導体検出器を製作するための組み立て用ジグを示す。本実施例の半導体検出器は、ジグを用いることにより、ホルダに挿入する前に、容易に組み立てが出来る。ジグ１１はアクリル製であり、遮蔽板１やフレキシブル基板２を設置できる窪み部１２を設けてある。同様に、ジグ１３もアクリルで製造されており、ジグ１１の上に重ねることにより、半導体セル３を位置決めすることが出来る。これらのジグは精度良くかつ工作容易なアクリル樹脂を材料としているが、他の樹脂やアルミ，鉄などを用いて製作しても差し支えない。
【００４０】
図５に半導体検出器の組み立て手順を示す。
【００４１】
ジグ１１の穴１２に遮蔽板１を設置する（手順２１）。設置した遮蔽板１に接着剤を塗布する（手順２２）。遮蔽板１の上に第１のフレキシブル基板２を設置し、遮蔽板１と第１のフレキシブル基板２とを接着する（手順２３）。フレキシブル基板２のパッド２０１に導電性接着剤を塗布し、他の場所（半導体セル３の下面に対応する部分にのみ）に半導体セル３を固定するための接着剤を塗布する（手順２４）。半導体セル３を固定するための接着剤は導電性接着剤を用いてもよいが、電流がパッド２０１以外にリークする可能性があるため、絶縁性の接着剤を用いた方が望ましい。
【００４２】
ジグ１３をジグ１１の上に設置する。ジグ１１の角Ａと、ジグ１３の角Ａとを嵌め合わせることで、遮蔽板１に対する半導体セル３の位置を特定することができる。そして、半導体セル３をジグ１３の角Ｂに合わせるよう位置決めし、第１のフレキシブル基板２と接着する（手順２５）。図６は、手順２５におけるジグと組み立て途中の半導体検出器の構成を示している。遮蔽板１と第１のフレキシブル基板２はジグ１１で位置決めでき、ジグ１１の上に重ねたジグ１３により半導体セル３が位置決めできる。
【００４３】
半導体セル３の接着部３０２に導電性接着剤を塗布し、その他の箇所に固定用接着剤を塗布し（手順２６）、第１のフレキシブル基板２のパッド２０４に導電性接着剤を塗布する（手順２７）。半導体セル３と第１のフレキシブル基板２との上に第２のフレキシブル基板４を重ね、半導体セル３と第１のフレキシブル基板２上のパッド２０４に第２のフレキシブル基板４を接着する（手順２８）。以上の組み立て手順により、半導体検出器を容易に組み立てることが出来る。
【００４４】
本実施例では、ＣｄＴｅ半導体検出器の厚さは、遮蔽板の厚さが０.５mm 、フレキシブル基板２枚分の厚さが０.１×２mm、半導体セルの厚さ０.５mmで決まり、その合計は1.2
mmとなる。これに対して、図１２のように、半導体セル上面の配線にボンディングを用いると、ボンディングとその保護膜だけでなく、半導体セル全体の絶縁用シートも必要となる。この場合の厚さは、遮蔽板の厚さ０.５mmと、フレキシブル基板１枚分の厚さ０.１mmと、半導体セルの厚さ０.５mmと、ボンディング（及び保護膜）の厚さ０.４mmと、絶縁シート０.１mmとの合計となり、最低でも１.６mmの厚さが必要である。
【００４５】
したがって、検出器幅を約３０％削減することができる。検出器幅を狭く出来れば、検出器の設置ピッチを狭くすることが出来て、ＣＴ装置の分解能を向上できる効果がある。また、双方とも半導体セルの大きさは同じであるので、本実施例では検出器前面から見た時のセルの占める割合が大きくなる分、Ｘ線の利用効率が増加する効果がある。
【００４６】
そして、本実施例によれば、ホルダに半導体セルを挿入する前に半導体検出器を完成できるため、ホルダ挿入時に仲介用電極板と半導体セルを接着するという作業を省くことが出来る。そのため、奥行きの長い半導体セルの配線作業を容易にし、かつ検出器幅を必要とするボンディングを使用しないため、検出器幅を増加させないという効果がある。
【００４７】
また、配線引き出しも第１のフレキシブル基板２をそのまま使用するため、半導体検出器と外部配線を半田付けする手間がかからないという効果がある。
【実施例２】
【００４８】
本発明の他の実施例を図１０に示す。本実施例では、実施例１と比較して、遮蔽板１ａを遮蔽板１よりも長くし、遮蔽板１ａの上に外部配線用パッド２ａを設け、そこから同軸ケーブル１９で信号を引き出すようにしたものである。本実施例では、外部配線用パッド２ａが配線基板に相当する。産業用高エネルギーＸ線ＣＴ装置では、Ｘ線発生源として加速器がよく用いられる。加速器は短時間（５〜１０μ秒程度）の強力なＸ線パルスを発生させ、その際に装置から強力な電磁ノイズも発生する。このため、検出器の配線ケーブルは耐ノイズ性の良好なものが好適であり、同軸ケーブルを使用するのが良い。
【００４９】
本実施例２によれば、ホルダに半導体セルを挿入する前に半導体検出器を完成できるため、ホルダ挿入時に仲介用電極板と半導体セルを接着するという作業を省くことが出来る。また、奥行きの長い半導体セルの配線作業を容易にすることもできる。そして、半導体セルの第２の電極と配線基板とを絶縁性及び配線を兼ねた部材で配線するため、検出器幅を必要とするボンディングを使用する必要がなく、検出器幅を増加させないという効果があるだけでなく、同軸ケーブルを使用することにより外部からの電磁ノイズに強いという効果がある。
【００５０】
なお、検出器部分のシールドが十分であれば、ツイストペアケーブルも使用できる。また、実施例１においても第１のフレキシブル基板２を３層構造とし、配線の両面にシールドを施すことでも同様の効果を得ることが出来る。
【実施例３】
【００５１】
本発明の他の実施例を図１１に示す。本実施例では遮蔽板をなくし、フレキシブル基板２ｂがホルダへの固定部分を兼ねる構造となっている。遮蔽板を除くことにより、遮蔽板のない分、半導体検出器の厚さを薄くすることが出来る。遮蔽効果はフレキシブル基板
２ｂに銅のシールド面を設けることにより補うことが出来る。また、あらかじめクロストーク（検出器からの散乱電子や散乱Ｘ線）の割合を測定しておけば、ＣＴ装置の断層画像再構成処理ソフトでその影響を補正することも出来る。
【００５２】
また、半導体検出器の両面はフレキシブル基板の絶縁体で覆われているため、隣接半導体検出器がホルダ内で接触したとしても、影響はない。
【００５３】
本実施例によれば、ホルダに半導体セルを挿入する前に半導体検出器を完成できるため、ホルダ挿入時に仲介用電極板と半導体セルを接着するという作業を省くことが出来る。また、奥行きの長い半導体セルの配線作業を容易にすることが出来る。そして、半導体セルの第２の電極と配線基板とを絶縁性及び配線を兼ねた部材で配線するため、検出器幅を必要とするボンディングを使用する必要がなく、検出器幅を増加させないという効果があるだけでなく、さらに半導体検出器の厚さを薄く出来る効果がある。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は産業用Ｘ線ＣＴ装置のＸ線検出部に利用でき、鋳造製品などの鋳巣検査や３次元形状データ取得，密度分布測定などに活用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施例１の構成を示す図である。
【図２】本発明の実施例１の部品図である。
【図３】本発明の実施例１の組み立て用ジグの構造図である。
【図４】本発明の実施例１の組み立て用ジグの構造図である。
【図５】本発明の実施例１の組み立て手順を示すフローチャートである。
【図６】本発明の実施例１の組み立て途中図である。
【図７】本発明の実施例１の産業用Ｘ線ＣＴへの適用を示す構成図である。
【図８】本発明の実施例１において、コリメータと半導体検出器を拡大した図である。
【図９】本発明の実施例１において、ホルダ断面を示した図である。
【図１０】本発明の第２の実施例の構成を示す図である。
【図１１】本発明の第３の実施例の構成を示す図である。
【図１２】比較例の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１…遮蔽板、２…第１のフレキシブル基板、３…半導体セル、４…第２のフレキシブル基板、５，６，７…導電接着部、８，９…接着部、１０…半導体検出器、１１，１３…ジグ、１４…コリメータ、１５…ホルダ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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