(57)【要約】【課題】記録層を所望の凹凸パターンに高精度で加工でき、且つ、樹脂層を確実に除去できる生産効率が良い磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】炭素を主成分とする主マスク層の上に酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有する副マスク層を設け、更に主マスク層と副マスク層との間に酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが酸素系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートよりも高い中間マスク層を設け、副マスク層加工工程（Ｓ１０６）と中間マスク層加工工程（主マスク層加工工程）（Ｓ１１０）との間で樹脂層除去工程（Ｓ１０８）を実行し、樹脂層除去工程（Ｓ１０８）で酸素系ガスを用い、中間マスク層加工工程（主マスク層加工工程）（Ｓ１１０）でハロゲン系ガスを用いる。【選択図】図３
2008090881.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、磁性材料の連続膜の記録層、炭素を主成分とする主マスク層、酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが前記酸素系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートよりも高い中間マスク層、前記酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、前記中間マスク層よりも前記ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが低い副マスク層及び前記酸素系ガスを用いたドライエッチングにより除去される性質を有する樹脂層を有し、これらの層がこの順で前記基板の上に形成された被加工体の出発体を準備する準備工程と、前記樹脂層を所定の凹凸パターンに加工する樹脂層加工工程と、ドライエッチングにより前記樹脂層に基づいて前記副マスク層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工する副マスク層加工工程と、前記酸素系ガスを用いたドライエッチングにより前記樹脂層のうち前記副マスク層上に残存する樹脂層を除去する樹脂層除去工程と、前記ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングにより前記副マスク層に基づいて前記中間マスク層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工する中間マスク層加工工程と、ドライエッチングにより前記副マスク層及び前記中間マスク層の少なくとも一方に基づいて前記主マスク層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工する主マスク層加工工程と、ドライエッチングにより前記主マスク層に基づいて前記記録層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工して該凹凸パターンの凸部として記録要素を形成する記録層加工工程と、を含み、これらの工程をこの順で実行することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
基板、磁性材料の連続膜の記録層、炭素を主成分とする主マスク層、Ｆ及びＣｌの一方の元素を含む第１のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、他方の元素を含む第２のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが前記第１のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートよりも高い中間マスク層、前記第１のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、前記中間マスク層よりも前記第２のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが低い副マスク層及び前記第１のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングにより除去される性質を有する樹脂層を有し、これらの層がこの順で前記基板の上に形成された被加工体の出発体を準備する準備工程と、前記樹脂層を所定の凹凸パターンに加工する樹脂層加工工程と、ドライエッチングにより前記樹脂層に基づいて前記副マスク層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工する副マスク層加工工程と、前記第１のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングにより前記樹脂層のうち前記副マスク層上に残存する樹脂層を除去する樹脂層除去工程と、前記第２のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングにより前記副マスク層に基づいて前記中間マスク層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工する中間マスク層加工工程と、ドライエッチングにより前記副マスク層及び前記中間マスク層の少なくとも一方に基づいて前記主マスク層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工する主マスク層加工工程と、ドライエッチングにより前記主マスク層に基づいて前記記録層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工して該凹凸パターンの凸部として記録要素を形成する記録層加工工程と、を含み、これらの工程をこの順で実行することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記中間マスク層加工工程が前記主マスク層加工工程を兼ねており、該中間マスク層加工工程において前記副マスク層に基づいて前記中間マスク層及び前記主マスク層を加工することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記記録層加工工程の後に、ドライエッチングにより前記主マスク層のうち前記記録要素上に残存する主マスク層を除去する主マスク層除去工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記主マスク層除去工程において水素系ガスを用いたドライエッチングにより前記主マスク層のうち前記記録要素上に残存する主マスク層を除去することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されている。
【０００３】
しかしながら、ヘッド加工の限界、記録磁界の広がりに起因する記録対象のトラックに隣接するトラックへの誤った情報の記録、再生時のクロストーク等の問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきており、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、磁性材料の連続膜の記録層を多数の記録要素に分割してなるディスクリートトラックメディアやパターンドメディアが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
磁性材料の記録層を凹凸パターンに加工する技術としては、ＮＨ３ガス等の含窒素ガスが添加されたＣＯガスを反応ガスとするＲＩＥ（反応性イオンエッチング）、Ｃｌ２ガスを反応ガスとするＲＩＥ（例えば、特許文献２参照）やＡｒ等の希ガスを用いたＩＢＥ（イオンビームエッチング）を利用しうる。
【０００５】
ＲＩＥは、加工用ガスを適宜選択することで、マスク層のエッチングレートを被加工層のエッチングレートに対して著しく低く抑制することが可能である。従って、半導体製品の分野ではＲＩＥが選択されることが多い。
【０００６】
一方、磁性材料の場合、磁性材料を化学的に脆化できる反応ガスの種類が上記のような含窒素ガスが添加されたＣＯガス又はＣｌ２ガス等のハロゲン系ガスに限定される。
【０００７】
含窒素ガスが添加されたＣＯガスは、磁性材料の記録層の加工において加工温度が高くなりやすく、記録層の磁気特性が劣化しやすいという問題がある。
【０００８】
又、Ｃｌ２ガス等のハロゲン系ガスは、磁性材料を酸化させたり腐食させる性質があるため、同様に記録層の磁気特性が劣化しやすいという問題がある。
【０００９】
このような磁性材料の特殊性のため、希ガスを用いたＩＢＥも磁気記録媒体の分野では記録層を加工するためのドライエッチングとして有力な候補である。
【００１０】
希ガスを用いたドライエッチングは被加工層との化学的な反応を伴うものではないため被加工層のエッチングレートとマスク層のエッチングレートとの差が生じにくいが、炭素は希ガスを用いたＩＢＥに対するエッチングレートが比較的低く、磁性材料のエッチングレートの１／４〜１／５程度である。従って、炭素のマスク層に基いて磁性材料の記録層をエッチングすることが好ましい。
【００１１】
マスク層を所定のパターンに加工する手法としてはリソグラフィ等の半導体製品の分野で用いられている手法を利用しうる。具体的には、炭素のマスク層の上にフォトレジスト等の樹脂層を形成し、リソグラフィ又はインプリントで樹脂層を所定の凹凸パターンに加工し、この凹凸パターンの樹脂層に基づいてマスク層を凹凸パターンに加工することが可能である。
【００１２】
マスク層の上に樹脂層を形成する手法としては、例えばスピンコート法を用いることができる。ハードディスク等の磁気記録媒体の基板には一般的にチャッキングのための中心孔が形成されており、中心孔の周囲に流動状態の樹脂を供給して基板を回転させることで遠心力により樹脂が基板の全面に展延される。
【００１３】
又、凹凸パターンの樹脂層に基づいて炭素のマスク層を凹凸パターンにエッチングする手法としては、炭素と化学的に反応する酸素系ガスやハロゲン系ガスを用いるＲＩＥが考えられる。
【００１４】
しかしながら、酸素系ガスやハロゲン系ガスは樹脂層とも化学的に反応するため、炭素のマスク層だけでなく、樹脂層についてもエッチングレートが高いという問題がある。
【００１５】
これに対し、炭素のマスク層を主マスク層として、主マスク層と樹脂層との間に更に炭素の主マスク層よりも酸素系ガスやハロゲン系ガスに対するエッチングレートが低い副マスク層を形成し、例えば、希ガスを用いたＩＢＥで凹凸パターンの樹脂層に基づいて副マスク層をエッチングし、次に酸素系ガスやハロゲン系ガスを用いるＲＩＥにより副マスク層に基いて主マスク層をエッチングし、更に希ガスを用いたＩＢＥにより主マスク層に基いて記録層をエッチングする手法が知られている（例えば、特許文献３参照）。
【００１６】
凹凸パターンに加工した記録層の上に充填材を成膜して記録要素の間の凹部を充填し、更に、ＩＢＥ等で記録要素の上の余剰の充填材を除去することで記録要素及び充填材の表面を平坦化できる。
【００１７】
異物の混入が少ない磁気記録媒体を製造するためには、記録層の加工後、記録要素の上に残存する主マスク層、副マスク層、樹脂層を完全に除去しておくことが望ましい。特に、表面が平坦な磁気記録媒体を製造するためには、記録層の上に充填材を成膜する前に、記録要素の上に残存する主マスク層、副マスク層、樹脂層を完全に除去しておくことが望ましい。炭素の主マスク層を除去する手法としては、酸素系ガスやハロゲン系ガスを用いたドライエッチングが考えられる。
【００１８】
主マスク層を除去することで主マスク層の上の副マスク層、樹脂層も除去されることが期待される。又、樹脂層や副マスク層は、主マスク層を除去する前に、主マスク層の加工工程や記録層の加工工程で除去されてしまうことも期待される。
【００１９】
【特許文献１】特開平９−９７４１９号公報
【特許文献２】特開平１２―３２２７１０号公報
【特許文献３】特開２００５―５０４６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
しかしながら、樹脂層を形成する工程において例えばスピンコート法により樹脂が基板上に展延される際、基板上の部位により樹脂の厚さにばらつきが生じ、樹脂層が部分的に著しく厚く形成されてしまうことがある。例えば、基板の中心孔の周囲において樹脂層の厚さが他の部位における厚さに対して数倍となってしまうことがある。
【００２１】
これにより、記録層の加工後、樹脂層を完全に除去できないことがある。このような場合、完成した製品に樹脂が残留してしまうことが懸念される。更に、記録要素の上に残存する樹脂層は、充填材成膜工程、平坦化工程等の後工程で種々の問題を生じさせる可能性がある。即ち、信頼性という点で問題がある。
【００２２】
尚、上記のように樹脂層は炭素の主マスク層と同様に酸素系ガスやハロゲン系ガスと化学的に反応して脆化するので、酸素系ガス又はハロゲン系ガスで主マスク層を加工する工程の加工時間を長くすることで樹脂層を完全に除去するという手法も考えられるが、炭素のマスク層の厚さと比較して、樹脂層が部分的に著しく厚く形成されることがある。部分的に著しく厚く形成された樹脂層を完全に除去できる程度に主マスク層加工工程の時間を長くすると、凹部の幅方向への主マスク層のエッチングが過度に進行して凹部の幅が不適切に拡大し、記録層の加工精度が低下するという問題がある。
【００２３】
又、記録層の加工後、酸素系ガスやハロゲン系ガスで炭素の主マスク層を除去する際に、この工程の加工時間を長くすることで樹脂層を完全に除去するという手法も考えられるが、酸素系ガス又はハロゲン系ガスに記録層が長時間曝されることで、記録層の酸化や腐食が進み磁気特性が劣化するという問題がある。特に、非酸化物の磁性材料を含む記録層では、磁気特性の劣化が顕著となる。
【００２４】
又、ウェットエッチングにより樹脂層を除去する手法も考えられるが、各層を加工するための複数のドライエッチングの工程の間にウェットエッチングの工程を設けると、真空チャンバ等のドライプロセス用の設備から被加工体を一旦取り出してウェットプロセス用の設備に搬入し、ウェットエッチングを行った後、ウェットプロセス用の設備から被加工体を取り出してドライプロセス用の設備に再度搬入する必要があり、製造工程、製造設備が複雑なものとなり生産効率を著しく低下させる原因となる。更に、被加工体を真空チャンバ等から取り出すことにより異物の混入や記録層の酸化等の問題が生じやすくなり信頼性という点でも問題がある。
【００２５】
本発明は、以上の問題に鑑みてなされたものであって、記録層を所望の凹凸パターンに高精度で加工でき、且つ、樹脂層を確実に除去できる生産効率が良い磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明は、炭素を主成分とする主マスク層と酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有する副マスク層との間に、酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが酸素系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートよりも高い中間マスク層を設け、ドライエッチングにより樹脂層に基づいて副マスク層を凹凸パターンに加工した後、酸素系ガスを用いたドライエッチングにより副マスク層上に残存する樹脂層を除去し、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングにより副マスク層に基づいて中間マスク層を凹凸パターンに加工し、更にドライエッチングにより副マスク層及び中間マスク層の少なくとも一方に基づいて主マスク層を凹凸パターンに加工し、ドライエッチングにより主マスク層に基づいて記録層を凹凸パターンに加工することにより上記目的を達成するものである。尚、副マスク層は、中間マスク層よりもハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが低い。
【００２７】
又、本発明は、炭素を主成分とする主マスク層とＦ及びＣｌの一方の元素を含む第１のハロゲン系ガス、他方の元素を含む第２のハロゲン系ガスのうち、第１のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有する副マスク層との間に、第１のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、第２のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが第１のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートよりも高い中間マスク層を設け、ドライエッチングにより樹脂層に基づいて副マスク層を凹凸パターンに加工した後、第１のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングにより副マスク層上に残存する樹脂層を除去し、第２のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングにより副マスク層に基づいて中間マスク層を凹凸パターンに加工し、更にドライエッチングにより副マスク層及び中間マスク層の少なくとも一方に基づいて主マスク層を凹凸パターンに加工し、ドライエッチングにより主マスク層に基づいて記録層を凹凸パターンに加工することにより上記課題を達成するものである。尚、副マスク層は、中間マスク層よりも第２のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが低い。
【００２８】
尚、中間マスク層加工工程が主マスク層加工工程を兼ねており、中間マスク層加工工程において副マスク層に基づいて中間マスク層及び主マスク層を加工することが好ましい。
【００２９】
このように、樹脂層除去工程と中間マスク層加工工程とで異なる反応ガスを用い、炭素を主成分とする主マスク層の上に樹脂層除去工程の反応ガスに対して耐食性を有する副マスク層を設け、更に主マスク層と副マスク層との間に樹脂層除去工程の反応ガスに対して耐食性を有し、且つ、中間マスク層加工工程の反応ガスに対するエッチングレートが樹脂層除去工程の反応ガスに対するエッチングレートよりも高い中間マスク層を設け、副マスク層加工工程と中間マスク層加工工程との間で樹脂層除去工程を実行することで、樹脂層を完全に除去すると共に樹脂層を除去する加工から主マスク層を保護できるので、主マスク層加工工程で主マスク層を所望の形状に高精度で加工でき、記録要素の加工精度の向上に寄与する。
【００３０】
又、中間マスク層加工工程が主マスク層加工工程を兼ねるようにすることで生産効率を高めることができる。
【００３１】
又、主マスク層は炭素が主成分であり、主マスク層除去工程において酸素系ガスやハロゲン系ガスによらず水素系ガスを用いたドライエッチングにより記録要素上に残存する主マスク層を除去できる。これにより記録層の磁気特性の劣化を防止できる。
【００３２】
即ち、次のような本発明により、上記課題の解決を図ったものである。
【００３３】
（１）基板、磁性材料の連続膜の記録層、炭素を主成分とする主マスク層、酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが前記酸素系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートよりも高い中間マスク層、前記酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、前記中間マスク層よりも前記ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが低い副マスク層及び前記酸素系ガスを用いたドライエッチングにより除去される性質を有する樹脂層を有し、これらの層がこの順で前記基板の上に形成された被加工体の出発体を準備する準備工程と、前記樹脂層を所定の凹凸パターンに加工する樹脂層加工工程と、ドライエッチングにより前記樹脂層に基づいて前記副マスク層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工する副マスク層加工工程と、前記酸素系ガスを用いたドライエッチングにより前記樹脂層のうち前記副マスク層上に残存する樹脂層を除去する樹脂層除去工程と、前記ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングにより前記副マスク層に基づいて前記中間マスク層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工する中間マスク層加工工程と、ドライエッチングにより前記副マスク層及び前記中間マスク層の少なくとも一方に基づいて前記主マスク層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工する主マスク層加工工程と、ドライエッチングにより前記主マスク層に基づいて前記記録層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工して該凹凸パターンの凸部として記録要素を形成する記録層加工工程と、を含み、これらの工程をこの順で実行することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３４】
（２）基板、磁性材料の連続膜の記録層、炭素を主成分とする主マスク層、Ｆ及びＣｌの一方の元素を含む第１のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、他方の元素を含む第２のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが前記第１のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートよりも高い中間マスク層、前記第１のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、前記中間マスク層よりも前記第２のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが低い副マスク層及び前記第１のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングにより除去される性質を有する樹脂層を有し、これらの層がこの順で前記基板の上に形成された被加工体の出発体を準備する準備工程と、前記樹脂層を所定の凹凸パターンに加工する樹脂層加工工程と、ドライエッチングにより前記樹脂層に基づいて前記副マスク層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工する副マスク層加工工程と、前記第１のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングにより前記樹脂層のうち前記副マスク層上に残存する樹脂層を除去する樹脂層除去工程と、前記第２のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングにより前記副マスク層に基づいて前記中間マスク層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工する中間マスク層加工工程と、ドライエッチングにより前記副マスク層及び前記中間マスク層の少なくとも一方に基づいて前記主マスク層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工する主マスク層加工工程と、ドライエッチングにより前記主マスク層に基づいて前記記録層を前記凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工して該凹凸パターンの凸部として記録要素を形成する記録層加工工程と、を含み、これらの工程をこの順で実行することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３５】
（３）  （１）又は（２）において、前記中間マスク層加工工程が前記主マスク層加工工程を兼ねており、該中間マスク層加工工程において前記副マスク層に基づいて前記中間マスク層及び前記主マスク層を加工することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３６】
（４）  （１）乃至（３）のいずれかにおいて、前記記録層加工工程の後に、ドライエッチングにより前記主マスク層のうち前記記録要素上に残存する主マスク層を除去する主マスク層除去工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３７】
（５）  （４）において、前記主マスク層除去工程において水素系ガスを用いたドライエッチングにより前記主マスク層のうち前記記録要素上に残存する主マスク層を除去することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３８】
尚、本出願書類において「炭素を主成分とする」とは、総ての構成元素の原子数に対する炭素の原子数の比率が７０％以上であることを意味する。
【００３９】
又、本出願書類において「酸素系ガス」という用語は、Ｏ２及びＯ３の少なくとも一方を含むガスという意義で用いることとする。尚、「酸素系ガス」は、Ｏ２やＯ３のみからなるガスに限定されず、Ｏ２やＯ３に加えて、例えばＮ２ガスや希ガス等の他のガスが混合されたガスも含む。
【００４０】
又、本出願書類において「ハロゲン系ガス」という用語は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ等のハロゲン元素やハロゲン元素の化合物を含むガスという意義で用いることとする。尚、「ハロゲン系ガス」は、ハロゲン元素やハロゲン元素の化合物のみからなるガスに限定されず、ハロゲン元素やハロゲン元素の化合物に加えて、例えばＮ２ガスや希ガス等の他のガスが混合されたガスも含む。
【００４１】
又、本出願書類において「水素系ガス」という用語は、例えばＨ２、ＮＨ３等のように、Ｈを含むガスという意義で用いることとする。尚、「水素系ガス」は、Ｈ２やＮＨ３のみからなるガスに限定されず、Ｈ２やＮＨ３に加えて、例えばＮ２ガスや希ガス等の他のガスが混合されたガスも含む。
【００４２】
又、本出願書類において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。
【発明の効果】
【００４３】
本発明によれば、記録層を所望の凹凸パターンに高精度で加工でき、且つ、樹脂層を確実に効率良く除去できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００４５】
本発明の第１実施形態は、図１に示される被加工体１０の出発体にドライエッチング等の加工を施し、図２に示されるような所定のラインアンドスペースパターン（データトラックパターン）及びサーボパターン（図示省略）の形状に連続膜の記録層を加工する磁気記録媒体の製造方法に関するものであり、連続膜の記録層を被覆するマスク層の材料、その加工方法及び除去方法に特徴を有している。他の構成については本第１実施形態の理解に特に重要とは思われないため説明を適宜省略する。
【００４６】
被加工体１０の出発体は、図１に示されるように、基板１２、軟磁性層１６、配向層１８、磁性材料を主成分とする連続膜の記録層２０、主マスク層２２、酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが酸素系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートよりも高い中間マスク層２４、酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、主マスク層２２及び中間層２４よりもハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが低い副マスク層２６、酸素系ガスを用いたドライエッチングにより除去される性質を有する樹脂層２８を有し、これらの層がこの順で基板１２の上に形成された構成である。
【００４７】
基板１２は、中心孔を有する略円板形状（図示省略）であり材料はガラスである。尚、剛性が高い非磁性材料であれば、基板１２の材料として、例えばＡｌ、Ａｌ２Ｏ３等を用いてもよい。軟磁性層１６は、厚さが５０〜３００ｎｍで、材料はＦｅ合金又はＣｏ合金である。配向層１８は、厚さが２〜４０ｎｍで、材料は非磁性のＣｏＣｒ合金、Ｔｉ、Ｒｕ、ＲｕとＴａの積層体、ＭｇＯ等である。
【００４８】
記録層２０は、厚さが５〜３０ｎｍで、材料はＣｏＣｒＰｔ合金等のＣｏＣｒ系合金、ＦｅＰｔ系合金、これらの積層体、ＳｉＯ２等の酸化物系材料の中にＣｏＰｔ等の強磁性粒子をマトリックス状に含ませた材料等を用いることができる。
【００４９】
主マスク層２２は、厚さが３〜５０ｎｍであり、材料はＣ（炭素）である。主マスク層２２の材料として、例えばダイヤモンドライクカーボン（以下、「ＤＬＣ」という）と呼称される硬質炭素膜を用いてもよい。
【００５０】
中間マスク層２４は、厚さが２〜１０ｎｍで、材料はＳｉ、Ａｕ、ＳｉＯ２、Ｔａ、ＴａＳｉ、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｕ等である。
【００５１】
副マスク層２６は、厚さが２〜３０ｎｍで、材料はＮｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ等である。尚、副マスク層２６の材料は中間マスク層２４の材料と異なる。
【００５２】
樹脂層２８は、厚さが３０〜３００ｎｍで、材料はアクリル樹脂等である。
【００５３】
磁気記録媒体３０は、中心孔を有するディスク形状の垂直記録型のディスクリートトラックメディアである。記録層３２は、前記連続膜の記録層２０がデータ領域において径方向に微細な間隔で多数の同心円弧状の記録要素３２Ａに分割された凹凸パターン形状であり、図２はこれを示している。尚、記録層３２はサーボ領域において、所定のサーボパターンで多数の記録要素に分割されている（図示省略）。又、記録要素３２Ａの間の凹部３４には充填材３６が充填され、記録要素３２Ａ及び充填材３６の上には保護層３８、潤滑層４０がこの順で形成されている。
【００５４】
充填材３６の材料は、ＳｉＯ２等である。保護層３８は、厚さが１〜５ｎｍで、材料は上述のＤＬＣである。潤滑層４０は、厚さが１〜２ｎｍで、材料はＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）である。
【００５５】
次に、図３に示されるフローチャート等を参照して磁気記録媒体３０の製造方法について説明する。
【００５６】
まず、被加工体１０の出発体を準備する（Ｓ１０２）。被加工体１０の出発体は基板１２の上に、軟磁性層１６、配向層１８、連続膜の記録層２０、主マスク層２２、中間マスク層２４、副マスク層２６をこの順でスパッタリング法により形成し、更に樹脂層２８をスピンコート法により形成して得られる。尚、主マスク層２２としてＤＬＣを形成する場合にはＣＶＤ法を用いる。又、樹脂層２８を形成する工程では、原料の流動状態の樹脂を基板１２の中心孔の近傍に供給し、基板１２を回転させて基板１２の全面に展延する。展延した樹脂は、ベーキング処理等で溶剤を除去し、所定の硬さに硬化させる。
【００５７】
この被加工体１０の出発体の樹脂層２８を、記録要素３２Ａの分割パターンに相当する凹凸パターンに加工する（Ｓ１０４）。具体的には、まずインプリント法によりスタンパ（図示省略）の転写面を樹脂層２８に当接させて図４に示されるように、樹脂層２８に記録要素３２Ａの分割パターンに相当する凹凸パターンを転写する。このようにインプリント法を用いることで、樹脂層２８に凹凸パターンを効率良く転写することができる。このように凹凸パターンを転写した被加工体１０をホルダ（図示省略）等に装着し、真空槽（図示省略）内に搬入する。搬入された被加工体１０は図示しない搬送装置により、真空槽内の各加工装置に自動搬送されて加工される。まず、酸素系ガスを用いたＲＩＥにより凹部の底部の樹脂層２８を除去する。尚、樹脂層２８は凸部も部分的に除去されるが、インプリント法で転写された凹凸の段差の分だけ凸部が残存する。これにより、樹脂層２８は図５に示されるように、記録要素３２Ａの分割パターンに相当する凹凸パターンに加工される。尚、電子線リソグラフィ等により樹脂層２８を記録要素３２Ａの分割パターンに相当する凹凸パターンに加工してもよい。
【００５８】
次に、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等の希ガスを用いたＩＢＥにより凹凸パターンの樹脂層２８に基いて凹部の底部の副マスク層２６を除去し、図６に示されるように副マスク層２６を凹凸パターンに加工する（Ｓ１０６）。尚、本出願書類において、「ＩＢＥ」という用語は、例えばイオンミリングと称される加工法のようにイオン化したガスを被加工体に一様に照射する加工方法を含む、イオン化したガスを被加工体に照射して被加工体の一部を除去する加工法の総称という意義で用いることとし、イオンビームを絞って照射する加工方法に限定しない。
【００５９】
次に、酸素系ガスを用いたＲＩＥにより副マスク層２６の上に残存する樹脂層２８を、図７に示されるように除去する（Ｓ１０８）。酸素系ガスは、具体的にはＯ２又はＯ３であり、プラズマ化することで反応性を高めることができる。凹部の底部には中間マスク層２４が露出しているが、中間マスク層２４は酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有しているので、この工程では殆どエッチングされない。尚、仮に中間マスク層２４の上部が除去されても凹部の底部の中間マスク層２４が完全に除去されることはなく凹部の底部の全面に中間マスク層２４が残存する。従って、中間マスク層２４の下の主マスク層２２は、この加工から保護される。尚、副マスク層２６も酸素系ガスに対して耐食性を有しているので、この工程では殆どエッチングされない。又、仮に副マスク層２６の上部が除去されても凸部を構成する副マスク層２６が完全に除去されることはなく中間マスク層２４の上に残存する。
【００６０】
次に、ハロゲン系ガスを用いたＲＩＥにより、凹凸パターンの副マスク層２６に基いて、図８に示されるように凹部の底部の中間マスク層２４及び主マスク層２２を除去し、中間マスク層２４及び主マスク層２２を凹凸パターンに加工する（Ｓ１１０）。ハロゲン系ガスは、具体的には、例えばＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８等のＣｘＦｙ（ｘ、ｙは１以上の整数）、ＳＦ６、ＣＣｌＦ３、ＣＣｌ２Ｆ４、ＣＣｌＦ３、ＣＨＦ３、ＣＢｒＦ３、ＣＣｌ４、ＢＣｌ３、Ｃｌ２、ＳｉＣｌ４とＮ２の混合ガス、ＣＣｌ４とＡｒの混合ガス等である。このようなハロゲン系ガスは、炭素やアクリル樹脂等の所定の樹脂と化学的に反応してこれらを脆化させる性質を有する。中間マスク層２４は、ハロゲン系ガスに対するエッチングレートが高いので容易に除去される。又、主マスク層２２も材料が炭素でハロゲン系ガスに対するエッチングレートが高いので容易に除去される。
【００６１】
中間マスク層２４の材料、副マスク層２６の材料、樹脂層除去工程（Ｓ１０８）用の酸素系ガス、中間マスク層加工工程（主マスク層加工工程）（Ｓ１１０）用のハロゲン系ガスの好ましい組合わせを表１に示す。
【００６２】
【表１】
2008090881.tif 000003
【００６３】
表１に示されるように、中間マスク層２４の材料がＳｉ及びＡｕの場合、中間マスク層加工工程（主マスク層加工工程）（Ｓ１１０）用のハロゲン系ガスとしてＦを含むガス及びＣｌを含むガスを用いることができる。
【００６４】
又、中間マスク層２４の材料がＳｉＯ２、Ｔａ、ＴａＳｉ、ＴｉＮ、Ｔｉ及びＷの場合、中間マスク層加工工程（主マスク層加工工程）（Ｓ１１０）用のハロゲン系ガスとしてＦを含むガスを用いることができる。
【００６５】
又、中間マスク層２４の材料がＡｌ、Ａｌ２Ｏ３及びＣｕの場合、中間マスク層加工工程（主マスク層加工工程）（Ｓ１１０）用のハロゲン系ガスとしてＣｌを含むガスを用いることができる。
【００６６】
次に、Ａｒ等の希ガスを用いたＩＢＥにより主マスク層２２に基いて、連続膜の記録層２０のうち凹部の底部の部分を除去する（Ｓ１１２）。これにより、図９に示されるように連続膜の記録層２０は多数の記録要素３２Ａに分割され、凹凸パターンの記録層３２が形成される。尚、この工程で記録要素３２Ａの上の副マスク層２６は完全に除去される。又、記録要素３２Ａの上の中間マスク層２４も、材質や厚さによりこの工程で完全に除去されるが、記録要素３２Ａを精度良く形成できれば記録要素３２Ａの上に中間マスク層２４が残存してもよい。又、中間マスク層２４が完全に除去される場合、記録要素３２Ａの上の主マスク層２２も一部が除去されるが一定量の主マスク層２２が記録要素３２Ａの上に残存するようにする。尚、このように、主マスク層２２の上に中間マスク層２４や副マスク層２６等の他の層が残存した状態で連続膜の記録層２０のエッチングを開始する場合についても、本出願では「主マスク層に基いて記録層を加工する」という表現を用いる。
【００６７】
次に、水素系ガスを用いたＲＩＥにより、図１０に示されるように記録要素３２Ａの上に残存する主マスク層２２を完全に除去する（Ｓ１１４）。水素系ガスは、具体的にはＮＨ３，Ｈ２等である。このような水素系ガスは、炭素と化学的に反応して炭素を脆化させる性質を有する。
【００６８】
次に、スパッタリング又はバイアススパッタリングにより、凹凸パターンの記録層３２の上に充填材３６を成膜し、図１１に示されるように記録要素３２Ａの間の凹部３４を充填材３６で充填する（Ｓ１１６）。
【００６９】
次に、Ａｒ等の希ガスを用いたＩＢＥにより、充填材３６における記録要素３２Ａの上面よりも上側（基板１２と反対側）の部分を除去し、図１２に示されるように記録要素３２Ａ及び充填材３６の表面を平坦化する（Ｓ１１８）。この際、高精度な平坦化を行うためには希ガスのイオンの入射角は−１０〜１５°の範囲とすることが好ましい。一方、充填材成膜工程（Ｓ１１６）で充填材３６の表面の良好な平坦性が得られていれば、希ガスのイオンの入射角は３０〜９０°の範囲とするとよい。このようにすることで、加工速度が速くなり、生産効率を高めることができる。図１２中の矢印は、イオンビームの入射方向を模式的に示す。ここで「入射角」とは、被加工体１０の表面に対する入射角度であって、被加工体１０の表面とイオンビームの中心軸とが形成する角度という意義で用いることとする。例えば、イオンビームの中心軸が被加工体１０の表面と平行である場合、入射角は０°である。
【００７０】
次に、ＣＶＤ法により記録要素３２Ａ及び充填材３６の上に保護層３８を形成する（Ｓ１２０）。ここで、被加工体１０を真空槽から搬出し、ホルダから被加工体１０を取外す。
【００７１】
更に、ディッピング法により保護層３８の上に潤滑層４０を塗布する（Ｓ１２２）。これにより、前記図２に示される磁気記録媒体３０が完成する。
【００７２】
このように、炭素を主成分とする主マスク層２２の上に酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有する副マスク層２６を設け、更に主マスク層２２と副マスク層２６との間に酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが酸素系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートよりも高い中間マスク層２４を設け、副マスク層加工工程（Ｓ１０６）と中間マスク層加工工程（主マスク層加工工程）（Ｓ１１０）との間で樹脂層除去工程（Ｓ１０８）を実行し、樹脂層除去工程（Ｓ１０８）で酸素系ガスを用い、中間マスク層加工工程（主マスク層加工工程）（Ｓ１１０）でハロゲン系ガスを用いることで、樹脂層除去工程（Ｓ１０８）において樹脂層２８を完全に除去すると共に主マスク層２２を保護できるので、中間マスク層加工工程（主マスク層加工工程）（Ｓ１１０）で主マスク層２２を所望の形状に高精度で加工でき、記録要素３２Ａの加工精度の向上に寄与する。
【００７３】
又、樹脂層除去工程（Ｓ１０８）で樹脂層と反応性の高い酸素系ガスを用いているので、効率良く樹脂層を除去することができる。
【００７４】
又、主マスク層２２は炭素が主成分であり、希ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが磁性材料の記録層２０（３２）よりも低いので、それだけ主マスク層２２を薄くすることができ、この点でも記録要素３２Ａの加工精度の向上に寄与する。
【００７５】
又、希ガスを用いたドライエッチングで記録層を凹凸パターンに加工するので、記録層の磁気特性の劣化を防止できる。
【００７６】
更に、主マスク層２２は炭素が主成分であり、主マスク層除去工程（Ｓ１１４）において酸素系ガスやハロゲン系ガスによらず水素系ガスを用いたドライエッチングにより記録要素３２Ａの上に残存する主マスク層２２を除去するので、この点でも記録層の磁気特性の劣化を防止できる。
【００７７】
又、樹脂層加工工程（Ｓ１０４）から保護層成膜工程（Ｓ１２０）までの工程がドライプロセスであるので、この点でも記録層の磁気特性の劣化を防止できる。
【００７８】
又、中間マスク層加工工程（Ｓ１１０）が主マスク層加工工程を兼ねており、中間マスク層２４及び主マスク層２２双方を凹凸パターンに加工するので生産効率が良い。
【００７９】
又、樹脂層加工工程（Ｓ１０４）から保護層成膜工程（Ｓ１２０）までの工程がドライプロセスであるのでウェットプロセスとドライプロセスとを併用する製造工程に対して被加工体１０の搬送等が容易であり、この点でも生産効率がよい。
【００８０】
尚、本第１実施形態において、炭素を主成分とする主マスク層２２の上に酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有する副マスク層２６を設け、更に主マスク層２２と副マスク層２６との間に酸素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートが酸素系ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートよりも高い中間マスク層２４を設け、副マスク層加工工程（Ｓ１０６）と中間マスク層加工工程（主マスク層加工工程）（Ｓ１１０）との間で樹脂層除去工程（Ｓ１０８）を実行し、樹脂層除去工程（Ｓ１０８）で酸素系ガスを用い、中間マスク層加工工程（主マスク層加工工程）（Ｓ１１０）でハロゲン系ガスを用いているが、図１３に示される本発明の第２実施形態のように、炭素を主成分とする主マスク層２２の上にＦ及びＣｌの一方の元素を含む第１のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有する副マスク層２６を設け、更に主マスク層２２と副マスク層２６との間に第１のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングに対して耐食性を有し、且つ、Ｆ及びＣｌの他方の元素を含む第２のハロゲン系ガスに対するエッチングレートが第１のハロゲン系ガスを用いたドライエッチングよりも高い中間マスク層２４を設け、副マスク層加工工程（Ｓ１０６）と中間マスク層加工工程（主マスク層加工工程）（Ｓ１１０）との間で樹脂層除去工程（Ｓ１０８）を実行し、樹脂層除去工程（Ｓ１０８）で第１のハロゲン系ガスを用い、中間マスク層加工工程（主マスク層加工工程）（Ｓ１１０）で第２のハロゲン系ガスを用いてもよい。
【００８１】
本第２実施形態も前記第１実施形態と同様に、樹脂層加工工程（Ｓ１０８）において樹脂層２８を完全に除去すると共に主マスク層２２を保護できるので、主マスク層加工工程（Ｓ１１０）において主マスク層２２を所望の形状に高精度で加工でき、記録要素３２Ａの加工精度の向上に寄与する。
【００８２】
又、樹脂層除去工程（Ｓ１０８）で樹脂層と反応性の高いハロゲン系ガスを用いているので、効率良く樹脂層を除去することができる。
【００８３】
本第２実施形態における、中間マスク層２４の材料、副マスク層２６の材料、樹脂層除去工程（Ｓ１０８）用の第１のハロゲン系ガス、中間マスク層加工工程（主マスク層加工工程）（Ｓ１１０）用の第２のハロゲン系ガスの好ましい組合わせを表２に示す。
【００８４】
【表２】
2008090881.tif 000004
【００８５】
又、上記第１実施形態において、中間マスク層加工工程（１１０）が主マスク層加工工程を兼ねており主マスク層２２及び中間マスク層２４双方を加工しているが、主マスク層加工工程と中間マスク層加工工程とを別の工程として設けてもよい。主マスク層加工工程と中間マスク層加工工程は、共通の加工用ガスを用いてもよく、異なる加工用ガスを用いてもよい。尚、この場合、主マスク層加工工程において副マスク層に基いて主マスク層を凹凸パターンに加工してもよいが、例えば主マスク層加工工程の前又は主マスク層加工工程中に副マスク層が消失してしまう場合には中間マスク層に基いて主マスク層を凹凸パターンに加工してもよい。
【００８６】
又、上記第１実施形態において、記録層加工工程（Ｓ１１２）において記録層２０を完全に分割しているが、記録層を厚さ方向の途中まで加工し、凹部で記録層が連続した凹凸パターンの記録層を形成してもよい。
【００８７】
又、上記第１実施形態において、記録層２０（３２）の下に軟磁性層１６、配向層１８が形成されているが、記録層２０（３２）の下の層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば、軟磁性層１６の下に反強磁性層や下地層を形成してもよい。又、軟磁性層１６、配向層１８のいずれか一方を省略してもよい。又、基板１２の上に記録層２０（３２）を直接形成してもよい。
【００８８】
又、上記第１実施形態において、磁気記録媒体３０は記録要素３２Ａがデータ領域においてトラックの形状で形成された垂直記録型のディスクリートトラックメディアであるが、トラックが周方向に分割された形状で記録要素が形成されたパターンドメディア、記録要素が螺旋形状で形成された磁気ディスクの製造についても本発明は適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録ディスク、更に、磁気テープ等のディスク形状以外の磁気記録媒体の製造に対しても本発明は適用可能である。
【実施例】
【００８９】
上記第１実施形態のとおり磁気記録媒体３０を作製した。具体的には、まず被加工体１０の出発体を準備した（Ｓ１０２）。
【００９０】
基板１２の厚さは０．６ｍｍ、外径は４８ｍｍ、中心孔の直径は１２ｍｍであった。又、基板１２の材料はガラスであった。
【００９１】
軟磁性層１６の厚さは１００ｎｍ、軟磁性層１６の材料はＣｏＺｒＮｂ合金であった。
【００９２】
配向層１８の厚さは３０ｎｍ、配向層１８の材料はＲｕであった。
【００９３】
記録層２０（３２）の厚さは２０ｎｍ、記録層２０（３２）の材料はＣｏＣｒＰｔ合金であった。
【００９４】
主マスク層２２の厚さは１２ｎｍ、主マスク層２２の材料はＣ（炭素）であった。
【００９５】
中間マスク層２４の厚さは３ｎｍ、中間マスク層２４の材料はＳｉであった。
【００９６】
副マスク層２６の厚さは２ｎｍ、副マスク層２６の材料はＮｉであった。
【００９７】
樹脂層２８の厚さは７０ｎｍ、樹脂層２８の材料はアクリル樹脂であった。尚、樹脂層２８は、スピンコート法により、基板１２を７０００ｒｐｍで６０秒間回転させて基板１２上に塗布された。樹脂層２８の厚さは中心孔の周辺以外の領域では上記のように約７０ｎｍであったが、中心孔の周辺では約７００ｎｍであった。図１４は、基板１２の中心孔の内周の部分を示す光学顕微鏡写真である。図１４において色が濃い部分が中心孔であり、色が比較的薄い部分が中心孔よりも径方向外側の樹脂層２８の表面である。又、中心孔の周囲に沿って形成された細い帯状の部分が樹脂層２８における、他の部分よりも突出して形成された厚さが約７００ｎｍの部分である。更に、９０℃の温度下で９０秒間ベイキング処理して樹脂層２８を所定の硬さに硬化させた。
【００９８】
次に、インプリント法によりスタンパの転写面を樹脂層２８に当接させて樹脂層２８に記録層３２の凹凸パターンに相当する凹凸パターンを転写し、Ｏ２ガスを用いたＲＩＥにより、凹部の底部の樹脂層２８を除去して樹脂層２８を凹凸パターンに加工した（Ｓ１０４）。尚、データ領域におけるラインアンドスペースパターンの凸部の径方向の幅は６５ｎｍだった。又、凹部の径方向の幅も６５ｎｍだった。
【００９９】
次に、Ａｒガスを用いたＩＢＥにより、樹脂層２８に基いて副マスク層２６を凹凸パターンに加工した（Ｓ１０６）。
【０１００】
次に、Ｏ２ガスを用いたＲＩＥにより、副マスク層２６の上に残存する樹脂層２８を除去した（Ｓ１０８）。エッチングの条件は以下のとおりだった。
【０１０１】
真空チャンバ内の圧力：２Ｐａ
Ｏ２ガスの流量：５０ｓｃｃｍ
プラズマソース電力：２０００Ｗ
加工時間：９０秒
【０１０２】
尚、被加工体１０にバイアス電圧は印加しなかった。樹脂層２８は、中心孔の周辺の部分も含めて完全に除去された。一方、副マスク層２６、中間マスク層２４については殆ど形状の変化が認められなかった。
【０１０３】
次に、同じ真空チャンバ内でＣＦ４ガス（ハロゲン系ガス）を用いたＲＩＥにより、副マスク層２６に基いて中間マスク層２４及び主マスク層２２を凹凸パターンに加工した（Ｓ１１０）。エッチングの条件は以下のとおりだった。
【０１０４】
真空チャンバ内の圧力：１Ｐａ
ＣＦ４ガスの流量：５０ｓｃｃｍ
プラズマソース電力：１０００Ｗ
バイアス電力（被加工体１０に印加）：５０Ｗ
加工時間：１５秒
【０１０５】
次に、Ａｒガス（希ガス）を用いたＩＢＥにより、中間マスク層２４及び主マスク層２２に基いて連続膜の記録層２０をエッチングして凹凸パターンの記録層３２を形成した（Ｓ１１２）。尚、この工程で副マスク層２６及び中間マスク層２４は完全に除去され、記録要素３２Ａの上には主マスク層２２だけが残存していた。
【０１０６】
次に、ＮＨ３ガス（水素系ガス）を用いたＲＩＥにより、記録要素３２Ａの上に残存する主マスク層２２を除去した（Ｓ１１４）。エッチングの条件は以下のとおりだった。
【０１０７】
真空チャンバ内の圧力：１Ｐａ
ＮＨ３ガスの流量：５０ｓｃｃｍ
プラズマソース電力：１０００Ｗ
前段加工時間：１５秒
前段加工時バイアス電力（被加工体１０に印加）：１５Ｗ
後段加工時間：３０秒
後段加工時バイアス電力：０Ｗ
【０１０８】
このように、主マスク層除去工程を複数段の工程に分けて実施し、最後の工程のバイアス電力をこれよりも前の工程のバイアス電力よりも小さく抑制する（本実施例ではバイアス電力を印加しない）ことで、記録層の磁気特性の劣化をより抑制する効果が得られる。
【０１０９】
図１５は、主マスク層除去工程（Ｓ１１４）後における、基板１２の中心孔の内周の部分を示す光学顕微鏡写真である。図１５に示されるように、基板１２の中心孔の内周近傍において、残存する樹脂層２８は全く認められなかった。又、残存する主マスク層２２、中間マスク層２４、副マスク層２６も全く認められなかった。
【０１１０】
又、図１６は、主マスク層除去工程（Ｓ１１４）後における、記録層３２のサーボ領域のバースト信号パターンを示すＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真である。写真における四角形状の部分が凹部である。
【０１１１】
[比較例１]
上記実施例に対し、主マスク層２２と副マスク層２６との間に中間マスク層２４を形成しなかった。又、樹脂層除去工程（Ｓ１０８）を省略した。他の条件は上記実施例と同様として磁気記録媒体３０を作製した。
【０１１２】
図１７は、主マスク層除去工程（Ｓ１１４）後における、基板１２の中心孔の内周の部分を示す光学顕微鏡写真である。図１７において色が濃い部分が中心孔であり、色が比較的薄い部分が中心孔よりも径方向外側の記録層３２の表面である。又、色の濃さが中間の帯状の部分は、記録層３２の上に残存した樹脂層２８である。図１７に示されるように、主マスク層除去工程（Ｓ１１４）後においても、樹脂層２８は中心孔の周囲に沿って残存していた。
【０１１３】
[比較例２]
上記実施例に対し、主マスク層２２と副マスク層２６との間に中間マスク層２４を形成しなかった。又、樹脂層除去工程（Ｓ１０８）において、エッチングの異方性を高めて主マスク層２２の幅方向のエッチングを抑制するために被加工体１０に約５０Ｗのバイアス電力を印加した。又、樹脂層除去工程（Ｓ１０８）において、主マスク層２２は副マスク層２６に基いて凹凸パターンに加工された。従って、中間マスク層加工工程（主マスク層加工工程）（Ｓ１１０）は行わなかった。他の条件は上記実施例と同様として磁気記録媒体３０を作製した。
【０１１４】
図１８は、主マスク層除去工程（Ｓ１１４）後における、記録層３２のサーボ領域のバースト信号パターンを示すＳＥＭ写真である。図１８に示されるように、比較例２のバースト信号パターンの凹部は、前記図１６に示される実施例のバースト信号パターンの凹部よりも幅が広かった。これは、樹脂層除去工程（Ｓ１０８）において、主マスク層２２が長時間（９０秒間）エッチングされたことで、被加工体１０にバイアス電力を印加したにも拘わらず主マスク層２２のエッチングが厚さ方向だけでなく幅方向にも過度に進行したためである。尚、仮に実施例の樹脂層除去工程（Ｓ１０８）と同様に被加工体１０にバイアス電力を印加しない場合には、凹部の幅が更に広がると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程における被加工体の出発体の構造を模式的に示す側断面図
【図２】同被加工体を加工して得られる磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図３】同磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【図４】樹脂層に凹凸パターンが転写された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図５】凹部の底部の樹脂層が除去された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図６】副マスク層が凹凸パターンに加工された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図７】樹脂層が除去された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図８】凹部の底部の中間マスク層及び主マスク層が除去された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図９】凹部の底部の記録層が除去された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１０】主マスク層が除去された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１１】記録層の上に充填材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１２】記録要素及び充填材の表面が平坦化された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１３】本発明の第２実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【図１４】本発明の実施例に係る磁気記録媒体の製造工程における被加工体の出発体の中心孔の周辺部分を拡大して示す光学顕微鏡写真
【図１５】同被加工体の主マスク層除去工程後の中心孔の周辺部分を拡大して示す光学顕微鏡写真
【図１６】同被加工体の主マスク層除去工程後のサーボ領域における記録層のバースト信号パターンを示すＳＥＭ写真
【図１７】比較例１に係る磁気記録媒体の製造工程における被加工体の主マスク層除去工程後の中心孔の周辺部分を拡大して示す光学顕微鏡写真
【図１８】比較例２に係る磁気記録媒体の製造工程における被加工体の主マスク層除去工程後のサーボ領域における記録層のバースト信号パターンを示すＳＥＭ写真
【符号の説明】
【０１１６】
１０…被加工体
１２…基板
１６…軟磁性層
１８…配向層
２０、３２…記録層
２２…主マスク層
２４…中間マスク層
２６…副マスク層
２８…樹脂層
３０…磁気記録媒体
３２Ａ…記録要素
３４…凹部
３６…充填材
３８…保護層
４０…潤滑層
Ｓ１０２…準備工程
Ｓ１０４…樹脂層加工工程
Ｓ１０６…副マスク層加工工程
Ｓ１０８…樹脂層除去工程
Ｓ１１０…中間マスク層加工工程（主マスク層加工工程）
Ｓ１１２…記録層加工工程
Ｓ１１４…主マスク層除去工程
Ｓ１１６…充填材成膜工程
Ｓ１１８…平坦化工程
Ｓ１２０…保護層成膜工程
Ｓ１２２…潤滑層成膜工程
【図１】
2008090881.tif 000005
【図２】
2008090881.tif 000006
【図３】
2008090881.tif 000007
【図４】
2008090881.tif 000008
【図５】
2008090881.tif 000009
【図６】
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【図７】
2008090881.tif 000011
【図８】
2008090881.tif 000012
【図９】
2008090881.tif 000013
【図１０】
2008090881.tif 000014
【図１１】
2008090881.tif 000015
【図１２】
2008090881.tif 000016
【図１３】
2008090881.tif 000017
【図１４】
2008090881.tif 000018
【図１５】
2008090881.tif 000019
【図１６】
2008090881.tif 000020
【図１７】
2008090881.tif 000021
【図１８】
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