(57)【要約】      （修正有）【課題】現像液供給後に現像ノズルがウエハ近傍から離れた時点で、現像液が現像ノズル反スキャン方向に戻るという、プルバックと呼ばれる現象が散発的に発生することにより現像液量が減少した領域のパターン寸法の変動や欠陥増大を抑制することのできる現像方法及び現像装置を提供する。【解決手段】本発明の現像装置及び現像方法は、スキャン方式の現像ノズル３の現像液供給終端付近のウエハ上の現像液高を測定する手段６を有する事でプルバックによるウエハ上の局所的な現像液量減少を検出するという構成を備えたものであり、現像液滴下後のプルバックによる現像液減少発生箇所の現像液の有無を測定し、基板状態による次工程処理を決定することで、異常処理基板の次工程への流出を防止することができる。【選択図】図１
2008053267.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ほぼ水平に被処理基板を保持する工程と、
現像ノズルを前記基板に対し水平方向に移動させながら現像液を滴下する工程と、
現像液滴下完了後に前記ノズル移動経路の少なくとも１点において前記基板上の現像液の液厚を測定する工程とを備えることを特徴とした現像方法。
【請求項２】
現像液厚を測定する工程が、基板上の所望の位置と所望の高度に移動した端子間の電気抵抗値を測定する工程と、測定した電気抵抗値を液の有無時の電気抵抗値と比較する工程とを有する、請求項１記載の現像方法。
【請求項３】
端子形状が、液面に点接触または、線接触、または面接触のいずれかであることを特徴とした、請求項２記載の現像方法。
【請求項４】
端子表面が、多孔質で形成されたことを特徴とした、請求項３記載の現像方法。
【請求項５】
現像液厚を測定する工程が、基板上の所望の位置に移動する工程と、
フロートを基板表面に向けて降下させる工程と、
前記フロートの降下停止を検出する工程と、
前記フロートの停止位置から現像液厚を算出する工程とを有する、請求項１記載の現像方法。
【請求項６】
現像液厚を測定する工程が、基板上の所望の位置に移動する工程と、
超音波を基板表面に向けて発射する工程と、
前記超音波の反射波から基板との距離を測定する工程と、
前記距離から現像液厚を算出する工程とを有する、請求項１記載の現像方法。
【請求項７】
現像液厚を測定する工程が、基板上の所望の位置に移動する工程と、
清浄気体を基板表面に向けて発射する工程と、
前記気体の反射圧力から基板との距離を測定する工程と、
前記距離から現像液厚を算出する工程とを有する、請求項１記載の現像方法。
【請求項８】
現像液厚を測定する工程が、基板上の所望の位置に移動する工程と、
基板表面の画像を撮りこむ工程と、
前記画像の所望のエリアを２値化処理する工程と、
２値化処理した画像を、あらかじめ記憶した画像と比較する工程と、
画像比較結果から現像液厚を算出する工程とを有する、請求項１記載の現像方法。
【請求項９】
測定した現像液厚の結果から、現像液があらかじめ設定した値の範囲内であれば通常処理の次工程に搬送し、現像液があらかじめ設定した値の範囲外であればリワーク工程に搬送指示することを特徴とした、請求項２から請求項８のいずれか記載の現像方法。
【請求項１０】
ほぼ水平に被処理基板を保持する手段と、
現像ノズルを前記基板に対し水平方向に移動させながら現像液を滴下する手段と、
現像液滴下完了後に前記ノズル移動経路の少なくとも１点において前記基板上の現像液の液厚を測定する手段とを備えることを特徴とした現像装置。
【請求項１１】
現像液厚を測定する手段が、基板上の所望の位置と所望の高度に移動した端子間の電気抵抗値を測定する手段と、
測定した電気抵抗値を液の有無時の電気抵抗値と比較する手段とを有する、請求項１０記載の現像装置。
【請求項１２】
端子形状が、液面に点接触または、線接触、または面接触のいずれかであることを特徴とした、請求項１１記載の現像装置。
【請求項１３】
端子表面が、多孔質で形成されたことを特徴とした、請求項１２記載の現像装置。
【請求項１４】
現像液厚を測定する手段が、基板上の所望の位置に移動する手段と、
フロートを基板表面に向けて降下させる手段と、
前記フロートの降下停止を検出する手段と、
前記フロートの停止位置から現像液厚を算出する手段とを有する、請求項１０記載の現像装置。
【請求項１５】
現像液厚を測定する手段が、基板上の所望の位置に移動する手段と、
超音波を基板表面に向けて発射する手段と、
前記超音波の反射波から基板との距離を測定する手段と、
前記距離から現像液厚を算出する手段とを有する、請求項１０記載の現像装置。
【請求項１６】
現像液厚を測定する手段が、基板上の所望の位置に移動する手段と、
清浄気体を基板表面に向けて発射する手段と、
前記気体の反射圧力から基板との距離を測定する手段と、
前記距離から現像液厚を算出する手段とを有する、請求項１０記載の現像装置。
【請求項１７】
現像液厚を測定する手段が、基板上の所望の位置に移動する手段と、
基板表面の画像を撮りこむ手段と、
前記画像の所望のエリアを２値化処理する手段と、
２値化処理した画像を、あらかじめ記憶した画像と比較する手段と、
画像比較結果から現像液厚を算出する手段とを有する、請求項１０記載の現像装置。
【請求項１８】
測定した現像液厚の結果から、現像液があらかじめ設定した値の範囲内であれば通常処理の次工程に搬送し、現像液があらかじめ設定した値の範囲外であればリワーク工程に搬送指示する手段をさらに備えることを特徴とした、請求項１１から請求項１７のいずれか記載の現像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体製造におけるリソグラフィ工程の現像装置及び現像方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の現像装置及び現像方法は現像による寸法均一性向上のため、新液供給均一性向上のため、スキャン方式の現像液供給が主流となってきている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
以下図面を参照しながら、上記した従来の現像装置及び現像方法の一例について説明する。図６は従来の現像装置及び現像方法の要部を示すものである。図６において、１０１は基板である。１０２はチャックで基板１０１をほぼ水平に保持し、所望の回転数で基板１０１を回転することができる。１０３は現像ノズルで図中の矢印方向に基板１０１上に現像液を滴下しつつ基板１０１に対し水平方向に移動可能であり。また現像液滴下後現像液滴下位置より基板１０１のさらに上方を通過し規定位置に復帰できる。１０４は現像液で前記現像ノズル１０３により前記基板１０１上に滴下されており、表面張力で基板１０１上に１ｍｍから３ｍｍ程度に液盛りされている。１０５は現像ノズル待機部で、ここで現像液のダミーディスペンスや洗浄を実施する。１１１は現像液滴下開始位置、１１２は基板１０１上の現像液滴下開始側の基板端、１１３は基板１０１上の現像液滴下完了側の基板端、１１４は現像液滴下完了位置を示す。
【０００４】
以上のように構成された現像装置及び現像方法について、以下その動作を説明する。
【０００５】
まず、基板１０１はレジスト塗布、パターン露光処理を実施される。その後現像ユニットに搬送された基板１０１はチャック１０２により真空吸着されほぼ水平に保持される。次に現像ノズル１０３が基板１０１上を図中の矢印方向へ移動しつつ、基板端１１２に達する前の所望の現像液滴下開始位置１１１からから反対方向の基板端１１３を通過した後の所望の現像液滴下完了位置１１４まで現像液１０４を滴下する。現像液１０４を滴下後現像ノズル１０３は現像液滴下位置より基板１０１のさらに上方を通過し規定位置である現像ノズル待機部１０５に復帰しダミーディスペンスや洗浄を実施する。現像液１０４は前記基板１０１上に滴下されており、表面張力で基板１０１上に１ｍｍから３ｍｍ程度に液盛りされる。現像ノズル１０３が基板端１１３を通過後、基板１０１上の基板端１１３近傍の現像液が現像ノズルスキャン方向と反対側、すなわち基板端１１２側に戻るという現象（プルバック）が発生する。通常はプルバックがあっても、最終的に基板端１１３側に現像液がもどりレジストパターンの解像が進行するが、とりわけ基板１０１の表面が疎水性の場合等に、液戻り（プルバック）により現像液が基板１０１の特定部分、特に基板端１１３近傍に現像液がほとんどない状態が発生する。
【特許文献１】特許３５８３９５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記の構成では、現像液供給後に現像ノズルがウエハ近傍から離れた時点で、現像液が現像ノズル反スキャン方向に戻るという、プルバックと呼ばれる現象が散発的に発生するのでプルバックによる現像液量が減少した領域のパターン寸法の変動や欠陥増大という問題点を有していた。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑み、プルバックによるウエハ上の局所的な現像液量変動を検出する現像装置及び現像方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記問題点を解決するために本発明の現像装置及び現像方法はスキャン方式の現像ノズルの現像液供給終端付近のウエハ上の現像液高を測定する事でプルバックによるウエハ上の局所的な現像液量減少を検出するという構成を備えたものである。
【発明の効果】
【０００９】
以上のように本発明は現像液供給終端付近のウエハ上の現像液高を測定する事により、プルバックによるウエハ上の局所的な現像液量減少を検出し、現像液量が減少した領域のパターン寸法の変動や欠陥増大を検出することにより、異常処理ウエハの次工程への流出を防止することができる。異常検出したウエハはリワーク処理により、再度リソグラフィ工程の処理を実施することにより廃棄することなく加工を継続できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（第一の実施の形態）
以下本発明の第一の実施の形態における現像装置及び現像方法について、図面を参照しながら説明する。
【００１１】
図１は本実施形態の現像装置及び現像方法の要部を示すものである。図１において、１は基板である。２はチャックで基板１をほぼ水平に保持し、所望の回転数で基板１を回転することができる。３は現像ノズルで図中の矢印方向に基板１上に現像液を滴下しつつ基板１に対し水平方向に移動可能であり。また現像液滴下後現像液滴下位置より基板１のさらに上方を通過し規定位置に復帰できる。４は現像液で前記現像ノズル３により前記基板１上に滴下されており、表面張力で基板１上に１ｍｍから３ｍｍ程度に液盛りされている。５は現像ノズル待機部で、ここで現像液のダミーディスペンスや洗浄を実施する。６は現像液高測定器で、基板１上の主にスキャン終了位置近傍上方に移動できる。７及び８は前記現像液高測定器６が有する２本以上の端子のうちの各々１本であり、前記現像液高測定器６は前記端子７と前記端子８間の電気抵抗値を測定することができる。９は判定用コンピューターで、前記現像液高測定器６の結果とあらかじめ設定している現像液有無時の電気抵抗値結果とを比較参照し、所望の測定位置の現像液の有無を判定する。１０は基板処理履歴サーバーで、基板情報と判定用コンピューター９の判定結果を関連づけ、あらかじめ設定された処理にもとづき基板の処理を指示する。１１は現像液滴下開始位置、１２は基板１上の現像液滴下開始側の基板端、１３は基板１上の現像液滴下完了側の基板端、１４は現像液滴下完了位置を示す。
【００１２】
以上のように構成された現像装置及び現像方法について、以下その動作を説明する。
【００１３】
まず、基板１はレジスト塗布、パターン露光処理を実施される。その後現像ユニットに搬送された基板１はチャック２により真空吸着されほぼ水平に保持される。次に現像ノズル３が基板１上を図中の矢印方向へ移動しつつ、基板端１２に達する前の所望の現像液滴下開始位置１１からから反対方向の基板端１３を通過した後の所望の現像液滴下完了位置１４まで現像液４を滴下する。現像液４を滴下後現像ノズル３は現像液滴下位置より基板１のさらに上方を通過し規定位置である現像ノズル待機部５に復帰しダミーディスペンスや洗浄を実施する。現像液４は前記基板１上に滴下されており、表面張力で基板１上に１ｍｍから３ｍｍ程度に液盛りされる。現像ノズル３が基板端１３を通過後、基板１上の基板端１３近傍の現像液が現像ノズルスキャン方向と反対側、すなわち基板端１２側に戻るという現象（プルバック）が発生する。通常は最終的に基板端１３側に現像液がもどりレジストパターンの解像が進行するが、とりわけ基板１の表面が疎水性の場合等に、図１（ｃ）のように、液戻り（プルバック）により現像液が基板１の特定部分、特に基板端１３近傍に現像液がほとんどない状態が発生する。
【００１４】
次に現像液高測定器６が基板１上の基板端１３近傍上方に移動し、端子７及び端子８を基板１上約１ｍｍの所望の高度まで降下する。この際、局所的な現像液量減少状態が生じていなければ、現像液４中に端子７及び端子８がさしこまれ、測定できる電気抵抗値は現像液４の抵抗値を示す。一方、図１（ｃ）の状態では端子７及び端子８間に現像液が存在せず、電気抵抗値は現像ユニット内空気の電気抵抗値である絶縁状態を示す。判定用コンピューター９により現像液高測定器６の測定値は、あらかじめ測定した基板上現像液の電気抵抗値と現像ユニット内空気の電気抵抗値から、前記基板１の基板端１３近傍の現像液の有無を判定する。その後現像液高測定器６は待機位置に戻り、端子７及び端子８を洗浄及び清浄なガスを吹き付け乾燥させ、端子７及び端子８を清浄な状態に保つ。また、前記判定情報は基板処理履歴サーバー１０において、基板情報と関連づけ、あらかじめ設定された処理にもとづき基板の処理を指示する。本実施形態では、基板端１３近傍に現像液があると判定すると、現像処理後、通常処理である次工程に搬送指示を出す。一方基板端１３近傍に現像液がないと判定すると、現像欠陥が発生することが予測されるため、現像処理後あらかじめ設定したリワーク工程へ搬送指示を出す。リワークされた基板１は再度、レジスト塗布、パターン露光処理され、再度現像処理を実施される。
【００１５】
本実施形態では現像液高測定器６の端子は２本としたが、３本以上有してもかまわない。それら端子のいずれかをチャックにしてもよい。また基板上の所望の位置に可動できるようにしてもよい。３本以上の端子を用いたり、現像液高測定器６を基板上の所望の位置に可動できるようにしたりすることで、ノズル移動経路の複数個所において現像液厚を測定することも可能となる。
【００１６】
また電気抵抗値から得た現像液高があらかじめ設定した値の範囲内にあれば通常処理の次工程に搬送し、現像液高があらかじめ設定した値の範囲外にあればリワーク工程に搬送指示するようにしてもよい。
【００１７】
また、本実施形態では端子７及び端子８は現像液面に点接触する形状であるが、図２（ａ）または（ｂ）に示すように線状または面状に接触するような形状にしてもよく、図２（ｃ）に示すように、液との親和性を高めるため多孔質で形成してもよい。また、本実施形態では現像液の有無を電気抵抗値を測定することで検出したが、電流値や電圧値で検出してもよい。また、本実施形態は端子を基板上方から下降させ測定させたが、側面方向から移動させてもよい。
【００１８】
以上のように本実施形態によれば、現像液滴下後のプルバックによる現像液減少発生箇所の現像液の有無を測定し、基板状態による次工程処理を決定するので、異常処理基板の次工程への流出を防止することができる。
（第二の実施の形態）
以下本発明の第二の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１９】
図３は本実施形態の現像装置及び現像方法の要部を示すものである。図３において、２１は基板である。２２はチャックで基板２１をほぼ水平に保持し、所望の回転数で基板２１を回転することができる。２３は現像ノズルで図中の矢印方向に基板２１上に現像液を滴下しつつ基板２１に対し水平方向に移動可能であり。また現像液滴下後現像液滴下位置より基板２１のさらに上方を通過し規定位置に復帰できる。２４は現像液で前記現像ノズル２３により前記基板２１上に滴下されており、表面張力で基板２１上に１ｍｍから３ｍｍ程度に液盛りされている。２５は現像ノズル待機部で、ここで現像液のダミーディスペンスや洗浄を実施する。２６は現像液高測定器で、基板２１上の主にスキャン終了位置近傍上方に移動できる。２７は前記現像液高測定器２６が有する１本以上のフロート（浮き）付き端子の１本であり、前記現像液高測定器２６は前記端子２７と基板２１との相対距離を測定、算出することができる。２９は判定用コンピューターで、前記現像液高測定器２６の結果とあらかじめ設定している現像液有無時のフロート位置とを比較参照し、所望の測定位置の現像液の有無を判定する。３０は基板処理履歴サーバーで、基板情報と判定用コンピューター２９の判定結果を関連づけ、あらかじめ設定された処理にもとづき基板の処理を指示する。３１は現像液滴下開始位置、３２は基板２１上の現像液滴下開始側の基板端、３３は基板２１上の現像液滴下完了側の基板端、３４は現像液滴下完了位置を示す。
【００２０】
以上のように構成された現像装置及び現像方法について、以下その動作を説明する。
【００２１】
まず、基板２１はレジスト塗布、パターン露光処理を実施される。その後現像ユニットに搬送された基板２１はチャック２２により真空吸着されほぼ水平に保持される。次に現像ノズル２３が基板２１上を図中の矢印方向へ移動しつつ、基板端３２に達する前の所望の現像液滴下開始位置３１からから反対方向の基板端３３を通過した後の所望の現像液滴下完了位置３４まで現像液２４を滴下する。現像液２４を滴下後現像ノズル２３は現像液滴下位置より基板２１のさらに上方を通過し規定位置である現像ノズル待機部２５に復帰しダミーディスペンスや洗浄を実施する。現像液２４は前記基板２１上に滴下されており、表面張力で基板２１上に１ｍｍから３ｍｍ程度に液盛りされる。現像ノズル２３が基板端３３を通過後、基板１上の基板端３３近傍の現像液が現像ノズルスキャン方向と反対側、すなわち基板端３２側に戻るという現象（プルバック）が発生する。通常は最終的に基板端３３側に現像液がもどりレジストパターンの解像が進行するが、とりわけ基板２１の表面が疎水性の場合等に、図３（ｃ）のように、液戻り（プルバック）により現像液が基板２１の特定部分、特に基板端３３近傍に現像液がほとんどない状態が発生する。
【００２２】
次に現像液高測定器２６が基板２１上の基板端３３近傍上方に移動し、端子２７を基板２１上に降下する。この際、局所的な現像液量減少状態が生じていなければ、現像液２４に端子２７のフロートが接触した時点で、フロートの浮力により端子降下が停止する。一方、図３（ｃ）の状態では基板２１上の現像液高測定器２６下方に現像液が存在せず、端子２７のフロートは基板２１表面に接触する。判定用コンピューター２９により現像液高測定器２６の測定値は、あらかじめ測定した基板上現像液面の位置と基板表面の位置情報から、基板２１の基板端３３近傍の現像液の有無を判定する。その後現像液高測定器２６は待機位置に戻り、端子を洗浄及び清浄なガスを吹き付け乾燥させ、フロート２７を清浄な状態に保つ。
【００２３】
また、前記判定情報は基板処理履歴サーバー３０において、基板情報と関連づけ、あらかじめ設定された処理にもとづき基板の処理を指示する。本実施形態では、基板端３３近傍に現像液があると判定すると、現像処理後、通常処理である次工程に搬送指示を出す。一方基板端３３近傍に現像液がないと判定すると、現像欠陥が発生することが予測されるため、現像処理後あらかじめ設定したリワーク工程へ搬送指示を出す。リワークされた基板２１は再度、レジスト塗布、パターン露光処理され、再度現像処理を実施される。フロート接触部はリワークにより除去されるので、基板上に欠陥は発生しない。
【００２４】
本実施形態では現像液高測定器２６の端子は１本としたが、複数本有してもかまわない。また基板上の所望の位置に可動できるようにしてもよい。現像液高測定器２６の端子を複数本にしたり、基板上の所望の位置に可動できるようにしたりすることで、ノズル移動経路の複数個所において現像液厚を測定することも可能となる。
【００２５】
また現像液高測定器２６により測定・算出した現像液厚があらかじめ設定した値の範囲内にあれば通常処理の次工程に搬送し、現像液厚があらかじめ設定した値の範囲外にあればリワーク工程に搬送指示するようにしてもよい。
【００２６】
以上のように本実施形態によれば、現像液滴下後のプルバックによる現像液減少発生箇所の現像液の有無を測定する手段設け、基板状態による次工程処理を決定する手段を設けることにより、異常処理基板の次工程への流出を防止することができる。
（第三の実施の形態）
以下本発明の第三の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２７】
図４は本実施形態の現像装置及び現像方法の要部を示すものである。図４において、４１は基板である。４２はチャックで基板４１をほぼ水平に保持し、所望の回転数で基板４１を回転することができる。４３は現像ノズルで図中の矢印方向に基板４１上に現像液を滴下しつつ基板４１に対し水平方向に移動可能であり。また現像液滴下後現像液滴下位置より基板４１のさらに上方を通過し規定位置に復帰できる。４４は現像液で前記現像ノズル４３により前記基板４１上に滴下されており、表面張力で基板４１上に１ｍｍから３ｍｍ程度に液盛りされている。４５は現像ノズル待機部で、ここで現像液のダミーディスペンスや洗浄を実施する。４６は現像液高測定器で、基板４１上の主にスキャン終了位置近傍上方に移動できる。４７は前記現像液高測定器４６が有する超音波式変位センサーであり、前記現像液高測定器４６は基板表面に向けて発射した超音波の反射波から、超音波式変位センサー４７と基板４１との相対距離を測定することができる。４９は判定用コンピューターで、前記現像液高測定器４６の結果とあらかじめ設定している現像液有無時の距離とを比較参照し、所望の測定位置の現像液の有無を判定する。５０は基板処理履歴サーバーで、基板情報と判定用コンピューター４９の判定結果を関連づけ、あらかじめ設定された処理にもとづき基板の処理を指示する。５１は現像液滴下開始位置、５２は基板４１上の現像液滴下開始側の基板端、５３は基板４１上の現像液滴下完了側の基板端、５４は現像液滴下完了位置を示す。
【００２８】
以上のように構成された現像装置及び現像方法について、以下その動作を説明する。
【００２９】
まず、基板４１はレジスト塗布、パターン露光処理を実施される。その後現像ユニットに搬送された基板４１はチャック４２により真空吸着されほぼ水平に保持される。次に現像ノズル４３が基板４１上を図中の矢印方向へ移動しつつ、基板端５２に達する前の所望の現像液滴下開始位置５１からから反対方向の基板端５３を通過した後の所望の現像液滴下完了位置５４まで現像液４４を滴下する。現像液４４を滴下後現像ノズル４３は現像液滴下位置より基板４１のさらに上方を通過し規定位置である現像ノズル待機部４５に復帰しダミーディスペンスや洗浄を実施する。現像液４４は前記基板４１上に滴下されており、表面張力で基板４１上に１ｍｍから３ｍｍ程度に液盛りされる。現像ノズル４３が基板端５３を通過後、基板４１上の基板端５３近傍の現像液が現像ノズルスキャン方向と反対側、すなわち基板端５２側に戻るという現象（プルバック）が発生する。通常は最終的に基板端５３側に現像液がもどりレジストパターンの解像が進行するが、とりわけ基板４１の表面が疎水性の場合等に、図４（ｃ）のように、液戻り（プルバック）により現像液が基板４１の特定部分、特に基板端５３近傍に現像液がほとんどない状態が発生する。
【００３０】
次に現像液高測定器４６が基板４１上の基板端５３近傍上方に移動し、超音波式変位センサー４７が超音波を基板４１上に発射する。判定用コンピューター４９により現像液高測定器４６の測定値は、あらかじめ測定した基板上に現像液がある場合と、基板上に現像液がない場合との、超音波式変位センサー４７と基板１表面の距離情報から、基板４１の基板端５３近傍の現像液の有無を判定する。その後現像液高測定器４６は待機位置に戻る。
【００３１】
また、前記判定情報は基板処理履歴サーバー５０において、基板情報と関連づけ、あらかじめ設定された処理にもとづき基板の処理を指示する。本実施形態では、基板端５３近傍に現像液があると判定すると、現像処理後、通常処理である次工程に搬送指示を出す。一方基板端５３近傍に現像液がないと判定すると、現像欠陥が発生することが予測されるため、現像処理後あらかじめ設定したリワーク工程へ搬送指示を出す。リワークされた基板４１は再度、レジスト塗布、パターン露光処理され、再度現像処理を実施される。
【００３２】
本実施形態では現像液高測定器に超音波式変位センサーを搭載したが、清浄ガスを基板に向けて噴出することで圧力変動を生じさせ、その反射圧力から基板との距離を測定して、基板上の現像液の有無を判断してもよく、この場合には現像液が基板よりこぼれる場合があるので、測定は現像液を除去するリンス工程直前に実施する。
【００３３】
本実施形態において、基板端５３近傍の一箇所だけではなく、ノズル移動経路の複数個所において現像液厚を測定するようにしてもよい。
【００３４】
また超音波の反射波や気体の反射圧力から得た現像液厚があらかじめ設定した値の範囲内にあれば通常処理の次工程に搬送し、現像液厚があらかじめ設定した値の範囲外にあればリワーク工程に搬送指示するようにしてもよい。
【００３５】
以上のように本実施形態によれば、現像液滴下後のプルバックによる現像液減少発生箇所の現像液の有無を測定する手段設け、基板状態による次工程処理を決定する手段を設けることにより、異常処理基板の次工程への流出を防止することができる。
（第四の実施の形態）
以下本発明の第四の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００３６】
図５は本実施形態の現像装置及び現像方法の要部を示すものである。図５において、６１は基板である。６２はチャックで基板６１をほぼ水平に保持し、所望の回転数で基板６１を回転することができる。６３は現像ノズルで図中の矢印方向に基板６１上に現像液を滴下しつつ基板６１に対し水平方向に移動可能であり。また現像液滴下後現像液滴下位置より基板６１のさらに上方を通過し規定位置に復帰できる。６４は現像液で前記現像ノズル６３により前記基板６１上に滴下されており、表面張力で基板６１上に１ｍｍから３ｍｍ程度に液盛りされている。６５は現像ノズル待機部で、ここで現像液のダミーディスペンスや洗浄を実施する。６６は現像液測定器で、基板６１上方に移動できる。６７は前記現像液測定器６６が有するイメージセンサーであり、前記現像液測定器６６は基板６１の全面若しくは一部の画像を撮りこむことができる。６９は判定用コンピューターで、現像液測定器６６の撮りこみ画像とあらかじめ記憶している現像液有無時の撮りこみ画像とを比較参照し、所望の測定位置の現像液の有無を判定する。７０は基板処理履歴サーバーで、基板情報と判定用コンピューター６９の判定結果を関連づけ、あらかじめ設定された処理にもとづき基板の処理を指示する。７１は現像液滴下開始位置、７２は基板６１上の現像液滴下開始側の基板端、７３は基板６１上の現像液滴下完了側の基板端、７４は現像液滴下完了位置を示す。
【００３７】
以上のように構成された現像装置及び現像方法について、以下その動作を説明する。
【００３８】
まず、基板６１はレジスト塗布、パターン露光処理を実施される。その後現像ユニットに搬送された基板６１はチャック６２により真空吸着されほぼ水平に保持される。次に現像ノズル６３が基板６１上を図中の矢印方向へ移動しつつ、基板端７２に達する前の所望の現像液滴下開始位置７１からから反対方向の基板端７３を通過した後の所望の現像液滴下完了位置７４まで現像液６４を滴下する。現像液６４を滴下後現像ノズル６３は現像液滴下位置より基板６１のさらに上方を通過し規定位置である現像ノズル待機部６５に復帰しダミーディスペンスや洗浄を実施する。現像液６４は前記基板６１上に滴下されており、表面張力で基板６１上に１ｍｍから３ｍｍ程度に液盛りされる。現像ノズル６３が基板端７３を通過後、基板６１上の基板端７３近傍の現像液が現像ノズルスキャン方向と反対側、すなわち基板端７２側に戻るという現象（プルバック）が発生する。通常は最終的に基板端７３側に現像液がもどりレジストパターンの解像が進行するが、とりわけ基板６１の表面が疎水性の場合等に、液戻り（プルバック）により現像液が基板６１の特定部分、特に基板端７３近傍に現像液がほとんどない状態が発生する。
【００３９】
次に現像液測定器６６が基板６１上方に移動し、イメージセンサー６７で基板６１の全部若しくは一部の画像を撮りこむ。前記画像は所望の領域（エリア）を２値化処理し、現像液がある場合と、基板上に現像液がない場合との、記憶している現像液有無時の撮りこみ画像とを比較参照し、基板６１上に現像液のない領域の有無を判定する。特に基板上に現像液がない場合に発生する、現像液有無境界線上に発生する差分値を検出し、あらかじめ測定した基板上に現像液がある場合との比較を実施することで、判定精度を向上する。その後現像液測定器６６は待機位置に戻る。
【００４０】
また、前記判定情報は基板処理履歴サーバー７０において、基板情報と関連づけ、あらかじめ設定された処理にもとづき基板の処理を指示する。本実施形態では、基板端７３近傍に現像液があると判定すると、現像処理後、通常処理である次工程に搬送指示を出す。一方、基板端７３近傍に現像液がないと判定すると、現像欠陥が発生することが予測されるため、現像処理後あらかじめ設定したリワーク工程へ搬送指示を出す。リワークされた基板６１は再度、レジスト塗布、パターン露光処理され、再度現像処理を実施される。
【００４１】
本実施形態において、基板端７３近傍の一箇所だけではなく、ノズル移動経路の複数個所において現像液厚を測定するようにしてもよい。
【００４２】
また取り込んだ画像から得た現像液厚があらかじめ設定した値の範囲内にあれば通常処理の次工程に搬送し、現像液厚があらかじめ設定した値の範囲外にあればリワーク工程に搬送指示するようにしてもよい。
【００４３】
以上のように本実施形態によれば、現像液滴下後のプルバックによる現像液減少発生箇所の現像液の有無を測定する手段設け、基板状態による次工程処理を決定する手段を設けることにより、異常処理基板の次工程への流出を防止することができる。
【００４４】
なお、本発明は、以上で説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲において、種々の変形および応用が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明の現像装置及び現像方法はスキャン方式の現像ノズルの現像液供給終端付近のウエハ上の現像液高を測定する事でプルバックによるウエハ上の局所的な現像液量減少を検出するという構成を有し、半導体製造におけるリソグラフィ工程の現像装置及び現像方法として有用である。また、ＦＤＰ（フラットディスプレイパネル）製造等の現像装置及び現像方法の用途にも応用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】第一の実施の形態における現像装置及び現像方法の要部を示す図
【図２】第一の実施の形態における端子形状を示す図
【図３】第二の実施の形態における現像装置及び現像方法の要部を示す図
【図４】第三の実施の形態における現像装置及び現像方法の要部を示す図
【図５】第四の実施の形態における現像装置及び現像方法の要部を示す図
【図６】従来の現像装置及び現像方法の要部を示す図
【符号の説明】
【００４７】
１    基板
３    現像ノズル
４    現像液
６    現像液高測定器
７、８    端子
９    判定用コンピューター
１０  基板処理履歴サーバー
１１  現像液滴下開始位置
１２  基板１上の現像液滴下開始側の基板端
１３  基板１上の現像液滴下完了側の基板端
１４  現像液滴下完了位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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