(57)【要約】【課題】温度特性を向上させると共に回転角度依存性を抑制する基板コイル型磁歪トルクセンサのオフセット電圧低減方法及びその基板コイル型磁歪トルクセンサを提供する。【解決手段】磁歪特性を有する回転軸と磁心との間に回転軸に対して＋４５度傾斜させた複数のコイルを有する配線層２，４と−４５度傾斜した複数のコイルを有する配線層３，５とをそれぞれ２層有する４層フレキシブル基板１が配置されており、２つの配線層のそれぞれ半数のコイルを直列接続して形成される２つの＋４５度検出コイル回路２２，２３及び２つの−４５度検出コイル回路２４，２５でブリッジ回路が組まれている。【選択図】図１
2008089305.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁歪特性を有する回転軸と磁心との間に回転軸に対して＋４５度傾斜させた複数のコイルを有する配線層と−４５度傾斜した複数のコイルを有する配線層とをそれぞれ２層有する４層フレキシブル基板が配置されており、２つの配線層のそれぞれ半数のコイルを直列接続して形成される＋４５度第１検出コイル回路及び＋４５度第２検出コイル回路と−４５度第１検出コイル回路及び−４５度第２検出コイル回路でブリッジ回路が組まれていることを特徴とする基板コイル型磁歪トルクセンサ。
【請求項２】
磁歪特性を有し中心軸線の回りに回転する回転軸と、該回転軸と同軸で該回転軸の外周と間隙を隔てて配置された磁心と、該磁心の内面に装着され配線層を４層有するフレキシブル基板と、第１の配線層に設けられ上記回転軸に対して＋４５度傾斜した第１から第４までの４つのコイルと、第２の配線層に設けられ上記回転軸に対して−４５度傾斜した第５から第８までの４つのコイルと、第３の配線層に設けられ上記回転軸に対して＋４５度傾斜した第９から第１２までの４つのコイルと、第４の配線層に設けられ上記回転軸に対して−４５度傾斜した第１３から第１６までの４つのコイルと、第１、第１０、第１１、第４のコイルを直列接続して形成された＋４５度第１検出コイル回路と、第９、第２、第３、第１２のコイルを直列接続して形成された＋４５度第２検出コイル回路と、第５、第１４、第１５、第８のコイルを直列接続して形成された−４５度第１検出コイル回路と、第１３、第６、第７、第１６のコイルを直列接続して形成された−４５度第２検出コイル回路とを備えたことを特徴とする基板コイル型磁歪トルクセンサ。
【請求項３】
上記＋４５度第１検出コイル回路と上記＋４５度第２検出コイル回路または上記−４５度第１検出コイル回路と上記−４５度第２検出コイル回路におけるコイルから回転軸までの平均距離が等しいことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板コイル型磁歪トルクセンサ。
【請求項４】
上記＋４５度第１検出コイル回路と上記＋４５度第２検出コイル回路または上記−４５度第１検出コイル回路と上記−４５度第２検出コイル回路における配線層の平均厚さが等しいことを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の基板コイル型磁歪トルクセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度特性を向上させると共に回転角度依存性を抑制する基板コイル型磁歪トルクセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
自動車のパワーステアリング機構、エンジン制御機構、動力伝達機構などでは、受動軸であるハンドル軸などに加わるトルクを検出する必要性が高い。
【０００３】
一般に、磁歪特性を有するニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）−アルミニウム（Ａｌ）合金、鉄（Ｆｅ）−コバルト（Ｃｏ）合金などの材料は、外力の印加によってその比透磁率が変化する。すなわち、圧縮方向では比透磁率が減少し、拡張方向では比透磁率が増加する。この原理を利用した基板コイル型磁歪トルクセンサが知られている。
【０００４】
この基板コイル型磁歪トルクセンサは、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、磁歪特性を有し中心軸線φの回りに回転する回転軸８１と、該回転軸８１と同軸で該回転軸８１の外周と距離ｒの間隙を隔てて、磁心（磁性リングとも言う）８２と、該磁心８２の内面に装着されたフレキシブル基板８３と、フレキシブル基板８３に設けられた複数のコイル８４と、これらのコイル８４を組み合わせた複数の検出コイル回路（図５参照）とを備える。
【０００５】
図５に示されるように、特許文献２に記載された基板コイル型磁歪トルクセンサのフレキシブル基板１０１は、上層１０２、中間層１０３、下層１０４の３層からなる。中間層１０３はフレキシブル基板用のフィルムであり、上層１０２と下層１０４は、それぞれ銅からなり、その表面は絶縁処理される。以下、上層１０２と下層１０４を配線層１０２，１０４と呼ぶ。
【０００６】
基板コイル型磁歪トルクセンサは、回転軸に対して＋４５度傾斜させた複数のコイルからなる＋４５度検出コイル回路と回転軸に対して−４５度傾斜させた複数のコイルからなる−４５度検出コイル回路とを組み合わせてブリッジ回路を組むようになっている。なお、ブリッジ回路については、磁歪トルクセンサの周知技術であるので、ここでは説明を省略する。
【０００７】
＋４５度検出コイル回路の配線は、以下のように行う。
【０００８】
まず、配線層１０２，１０４にビア（接続ビアとも言う）ａ〜ｌを配置する。このうち、ビアａ，ｆ，ｇ，ｌはフレキシブル基板１０１の端部に設けて取り出し用パッド（図示せず）を形成したものである。その他のビアは配線層１０２，１０４間を貫通する貫通口（貫通ビアとも言う）となるものである。なお、図５において、配線層１０２，１０４におけるビア配置は、それぞれ上面から見たものである。また、ビアｈ，ｉ，ｊ，ｋは図示を一部略しているがビアｂ，ｃ，ｄ，ｅと同様に配線層１０２，１０４の両層に現れることは言うまでもない。
【０００９】
配線層１０２において、図示左上隅のビアａからビアｂまで回転軸に対して＋４５度傾斜するようにフレキシブル基板１０１の辺に対して＋４５度傾斜させ順時計回りに第一コイル１０６を配線する。次に、図示上辺のビアｃから図示下辺のビアｄまで同様の傾斜で反時計回りに第二コイル１０７を配線すると共に引き続き順時計回りに第三コイル１０８を配線する。次に、ビアｅから図示右下隅のビアｆまで同様の傾斜で反時計回りに第四コイル１０９を配線する。なお、これらのコイルの配線の一部は傾斜をしておらず、フレキシブル基板１０１の辺に沿う（以下同様）。
【００１０】
配線層１０４において、ビアｂとビアｃをラインで接続し、ビアｄとビアｅをラインで接続する。これにより、ビアａからビアｆまでが一繋がりの回路となる。これを＋４５度検出コイル回路１１０と言う。
【００１１】
−４５度検出コイル回路の配線は、以下のように行う。
【００１２】
配線層１０４において、図示左下隅のビアｇからビアｈまで回転軸に対して−４５度傾斜するようにフレキシブル基板１０１の辺に対して−４５度傾斜させ反時計回りに第五コイル１１１を配線する。次に、図示下辺のビアｉから図示上辺のビアｊまで同様の傾斜で順時計回りに第六コイル１１２を配線すると共に引き続き反時計回りに第七コイル１１３を配線する。次に、ビアｋから図示右上隅のビアｌまで同様の傾斜で順時計回りに第八コイル１１４を配線する。
【００１３】
配線層１０２において、ビアｈとビアｉをライン（図示せず）で接続し、ビアｊとビアｋをライン（図示せず）で接続する。これにより、ビアｇからビアｌまでが一繋がりの回路となる。これを−４５度検出コイル回路１１５と言う。
【００１４】
なお、第一コイル１０６と第二コイル１０７の導通に使用されるビアｂとビアｃは、第七コイル１１３に囲まれる無配線部分に配置し、ビアｂとビアｃを接続するラインの回転軸に対する傾斜は任意である。第三コイル１０８と第四コイル１０９の導通に使用されるビアｄとビアｅは、第六コイル１１２に囲まれる無配線部分に配置し、ビアｄとビアｅを接続するラインの回転軸に対する傾斜は任意である。
【００１５】
同様に、第五コイル１１１と第六コイル１１２の導通に使用されるビアｈとビアｉは、第三コイル１０８に囲まれる無配線部分に配置し、ビアｈとビアｉを接続するラインの回転軸に対する傾斜は任意である。第七コイル１１３と第八コイル１１４の導通に使用されるビアｊとビアｋは、第二コイル１０７に囲まれる無配線部分に配置し、ビアｊとビアｋを接続するラインの回転軸に対する傾斜は任意である（図示せず）。
【００１６】
以上の基板コイル型磁歪トルクセンサの構成をまとめると、＋４５度検出コイル回路は、配線層１０２に設けた第一から第四までの４つの＋４５度傾斜のコイル１０６〜１０９を直列接続して形成され、ビア間を渡るラインが配線層１０４に配線される。−４５度検出コイル回路１１５は、配線層１０４に設けた第五から第八までの４つの−４５度傾斜のコイル１１１〜１１４を直列接続して形成され、ビア間を渡るラインが配線層１０２に配線される。
【００１７】
図６に示した基板コイル型磁歪トルクセンサのフレキシブル基板２０１は、回転軸の回転角度によるトルク検出出力の変動を低減するために、図５の基板コイル型磁歪トルクセンサのフレキシブル基板１０１を２つ重ねて接着することで、４つの検出コイル回路を有するようにしたものである。つまり、これまで説明した配線層１０２、フィルム基板１０３、配線層１０４に加えて同様の配線層２０２、フィルム２０３、配線層２０４を設け、配線層１０４と配線層２０２との間には中間層２０５を設ける。２層基板を２つ重ねたことで４層基板構造となる（配線層の数を示す；中間層、表面絶縁層は数えない）。
【００１８】
図７に示されるように、４層基板構造のフレキシブル基板においては、配線層１０２、フィルム１０３、配線層１０４における配線、ビア配置は図５のフレキシブル基板１０１と全く同じである。配線層２０２，２０４には、フレキシブル基板１０１のビアａ〜ｌと全く同様のビアａ〜ｌを配置する。ただし、ビアが貫通しない中間層２０５が存在することにより、上下のビアａ〜ｌとビアａ〜ｌとはいずれの組み合わせも互いに導通しない。これにより、＋４５度検出コイル回路１１０、−４５度検出コイル回路１１５のほかに、＋４５度検出コイル回路３１０、−４５度検出コイル回路３１５が形成される。
【００１９】
４つの検出コイル回路を組み合わせたブリッジ回路については、説明を省略する。
【００２０】
【特許文献１】特開２００５−１６４５３１号公報
【特許文献２】特開２００６−１２６１３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
図７の基板コイル型磁歪トルクセンサのフレキシブル基板は、４層基板構造であり、＋４５度検出コイル回路１１０、−４５度検出コイル回路１１５、＋４５度検出コイル回路３１０、−４５度検出コイル回路３１５が各々１つの配線層に設けた４つのコイルを直列配線して形成される。このフレキシブル基板は磁心の内面に装着され回転軸と対向する。このため、各検出コイル回路を形成する４つずつのコイルは回転軸までの距離が異なる。このため、４つのコイルごとに（配線層ごとに）コイルのインダクタンスが異なる。言い換えると、検出コイル回路ごとにコイルのインダクタンスがばらつく。
【００２２】
また、配線層１０２，１０４，２０２，２０４は、各々自層内で層厚が不均一であることは希だが、配線層ごとに層厚が不均一になることはある。このため、４つのコイルごとに（配線層ごとに）コイルの抵抗が異なる。言い換えると、検出コイル回路ごとにコイルの抵抗がばらつく。
【００２３】
４つの検出コイル回路を組み合わせたブリッジ回路にあっては、各検出コイル回路ごとにコイルのインダクタンス及び抵抗がばらついていると、トルクが非印加であるときにもブリッジ回路から電圧が出力される。これをオフセット電圧という。
【００２４】
オフセット電圧は、各コイルのインピーダンスの関数であり、さらにインピーダンスは回転軸の透磁率μの関数である。よって、オフセット電圧は、透磁率μの関数となる。透磁率μは温度特性を有し、温度によって値が変化する。この結果、オフセット電圧が温度によって変動する。
【００２５】
オフセット電圧が変動すると、トルクが非印加であるときのブリッジ回路の較正が困難になり、トルク測定に支障が生じる。もし、オフセット電圧を低減できれば、基板コイル型磁歪トルクセンサの温度特性を向上させると共に回転角度依存性を抑制することができる。
【００２６】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、温度特性を向上させると共に回転角度依存性を抑制する基板コイル型磁歪トルクセンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
上記目的を達成するために本発明の基板コイル型磁歪トルクセンサは、磁歪特性を有する回転軸と磁心との間に回転軸に対して＋４５度傾斜させた複数のコイルを有する配線層と−４５度傾斜した複数のコイルを有する配線層とをそれぞれ２層有する４層フレキシブル基板が配置されており、２つの配線層のそれぞれ半数のコイルを直列接続して形成される＋４５度第１検出コイル回路及び＋４５度第２検出コイル回路と−４５度第１検出コイル回路及び−４５度第２検出コイル回路でブリッジ回路が組まれているものである。
【００２８】
また、本発明の基板コイル型磁歪トルクセンサは、磁歪特性を有し中心軸線の回りに回転する回転軸と、該回転軸と同軸で該回転軸の外周と間隙を隔てて配置された磁心と、該磁心の内面に装着され配線層を４層有するフレキシブル基板と、第１の配線層に設けられ上記回転軸に対して＋４５度傾斜した第１から第４までの４つのコイルと、第２の配線層に設けられ上記回転軸に対して−４５度傾斜した第５から第８までの４つのコイルと、第３の配線層に設けられ上記回転軸に対して＋４５度傾斜した第９から第１２までの４つのコイルと、第４の配線層に設けられ上記回転軸に対して−４５度傾斜した第１３から第１６までの４つのコイルと、第１、第１０、第１１、第４のコイルを直列接続して形成された＋４５度第１検出コイル回路と、第９、第２、第３、第１２のコイルを直列接続して形成された＋４５度第２検出コイル回路と、第５、第１４、第１５、第８のコイルを直列接続して形成された−４５度第１検出コイル回路と、第１３、第６、第７、第１６のコイルを直列接続して形成された−４５度第２検出コイル回路とを備えたものである。
【００２９】
上記＋４５度第１検出コイル回路と上記＋４５度第２検出コイル回路または上記−４５度第１検出コイル回路と上記−４５度第２検出コイル回路におけるコイルから回転軸までの平均距離が等しくてもよい。
【００３０】
上記＋４５度第１検出コイル回路と上記＋４５度第２検出コイル回路または上記−４５度第１検出コイル回路と上記−４５度第２検出コイル回路における配線層の平均厚さが等しくてもよい。
【発明の効果】
【００３１】
本発明は次の如き優れた効果を発揮する。
【００３２】
（１）温度特性を向上させることができる。
【００３３】
（２）回転角度依存性を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００３５】
図１に示されるように、本発明に係る基板コイル型磁歪トルクセンサのフレキシブル基板１は、４層の配線層２，３，４，５を有し、第１の配線層２に設けられ回転軸に対して＋４５度傾斜した第１から第４までの４つのコイル６，７，８，９と、第２の配線層３に設けられ回転軸に対して−４５度傾斜した第５から第８までの４つのコイル１０，１１，１２，１３と、第３の配線層４に設けられ回転軸に対して＋４５度傾斜した第９から第１２までの４つのコイル１４，１５，１６，１７と、第４の配線層５に設けられ回転軸に対して−４５度傾斜した第１３から第１６までの４つのコイル１８，１９，２０，２１とを備える。
【００３６】
フレキシブル基板１の第１〜第１６の１６のコイル６〜２１を４つずつ組み合わせて４つの検出コイル回路を形成するが、図を簡素にするため、各検出コイル回路を図１〜図４に分散して示す。
【００３７】
図１に示されるように、このフレキシブル基板１は、第１、第１０、第１１、第４のコイル６，１５，１６，９を直列接続して形成された＋４５度第１検出コイル回路２２と、図２に示されるように、第９、第２、第３、第１２のコイル１４，７，８，１７を直列接続して形成された＋４５度第２検出コイル回路２３と、図３に示されるように、第５、第１４、第１５、第８のコイル１０，１９，２０，１３を直列接続して形成された−４５度第１検出コイル回路２４と、図４に示されるように、第１３、第６、第７、第１６のコイル１８，１１，１２，２１を直列接続して形成された−４５度第２検出コイル回路２５とを備える。
【００３８】
フレキシブル基板１は、第１の配線層２と第２の配線層３の間には中間層（フィルム）２６を備え、第２の配線層３と第３の配線層４の間には中間層（フィルム）２７を備え、第３の配線層４と第４の配線層５の間には中間層（フィルム）２８を備える。
【００３９】
本発明の基板コイル型磁歪トルクセンサは、従来同様に回転軸と磁心（図６参照）を備え、磁心の内面に図１〜図４のフレキシブル基板１を装着し、４つの検出コイル回路２２，２３，２４，２５を組み合わせた従来同様のブリッジ回路を用いる。
【００４０】
本発明のフレキシブル基板１における第１から第１６の各コイル６〜２１の巻き方は、図７に示した従来のフレキシブル基板における各コイルの巻き方と同じである。また、ビアの配置は大体同じである。しかし、ビアの貫通構造とビア間を接続するラインは従来と本発明とで異なる。以下、詳しく説明する。
【００４１】
まず、配線層２〜５に互いに位置の異なるビアＡ〜Ｘを配置する。このうち、ビアＡ，Ｆ，Ｇ，Ｌ，Ｍ，Ｒ，Ｓ，Ｘはフレキシブル基板１の端部に設けて取り出し用パッド（図示せず）を形成したものである。その他のビアは配線層２〜５間を貫通する貫通口となるものである。全てのビアＡ〜Ｘが全ての配線層２〜５間を貫通せずとも、各々のビアＡ〜Ｘがそれぞれ必要な配線層間を貫通していればよいが、全てのビアＡ〜Ｘが全ての配線層２〜５間を貫通してもよい。なお、図１〜図４において、配線層２〜５におけるビア配置は、それぞれ上面から見たものである。また、ビアのいくつかは図示を略している。
【００４２】
第１配線層２において、図示左上隅のビアＡからビアＢまで回転軸（図示せず）に対して＋４５度傾斜するようにフレキシブル基板１の辺に対して＋４５度傾斜させ順時計回りに第１のコイル６を配線する。次に、図示上辺のビアＣから図示下辺のビアＤまで同様の傾斜で反時計回りに第２のコイル７を配線すると共に引き続き順時計回りに第３のコイル８を配線する。次に、ビアＥから図示右下隅のビアＦまで同様の傾斜で反時計回りに第４のコイル９を配線する。
【００４３】
第２配線層３において、図示左下隅のビアＧからビアＨまで回転軸（図示せず）に対して−４５度傾斜するようにフレキシブル基板１の辺に対して−４５度傾斜させ反時計回りに第５のコイル１０を配線する。次に、図示下辺のビアＩから図示上辺のビアＪまで同様の傾斜で順時計回りに第６のコイル１１を配線すると共に引き続き反時計回りに第７のコイル１２を配線する。次に、ビアＫから図示右上隅のビアＬまで同様の傾斜で順時計回りに第８のコイル１３を配線する。
【００４４】
第３配線層４において、図示左上隅のビアＭからビアＮまで回転軸（図示せず）に対して＋４５度傾斜するようにフレキシブル基板１の辺に対して＋４５度傾斜させ順時計回りに第９のコイル１４を配線する。次に、図示上辺のビアＯから図示下辺のビアＰまで同様の傾斜で反時計回りに第１０のコイル１５を配線すると共に引き続き順時計回りに第１１のコイル１６を配線する。次に、ビアＱから図示右下隅のビアＲまで同様の傾斜で反時計回りに第１２のコイル１７を配線する。
【００４５】
第４配線層５において、図示左下隅のビアＳからビアＴまで回転軸（図示せず）に対して−４５度傾斜するようにフレキシブル基板１の辺に対して−４５度傾斜させ反時計回りに第１３のコイル１８を配線する。次に、図示下辺のビアＵから図示上辺のビアＶまで同様の傾斜で順時計回りに第１４のコイル１９を配線すると共に引き続き反時計回りに第１５のコイル２０を配線する。次に、ビアＷから図示右上隅のビアＸまで同様の傾斜で順時計回りに第１６のコイル２１を配線する。
【００４６】
＋４５度第１検出コイル回路２２の結線は、図１のように行う。すなわち、第２配線層３において、ビアＢとビアＯとをラインで繋ぐと共にビアＰとビアＥとをラインで繋ぐ。これにより、ビアＡ、第１コイル６、ビアＢ、ビアＯ、第１０コイル１５、第１１コイル１６、ビアＰ、ビアＥ、第４コイル９、ビアＦを直列接続する。
【００４７】
＋４５度第２検出コイル回路２３の結線は、図２のように行う。すなわち、第４配線層５において、ビアＤとビアＱとをラインで繋ぐと共にビアＮとビアＣとをラインで繋ぐ。これにより、ビアＭ、第９コイル１４、ビアＮ、ビアＣ、第２コイル７、第３コイル８、ビアＤ、ビアＱ、第１２コイル１７、ビアＲを直列接続する。
【００４８】
−４５度第１検出コイル回路２４の結線は、図３のように行う。すなわち、第１配線層２において、ビアＨとビアＵとをラインで繋ぐと共にビアＶとビアＫとをラインで繋ぐ。これにより、ビアＧ、第５コイル１０、ビアＨ、ビアＵ、第１４コイル１９、第１５コイル２０、ビアＶ、ビアＫ、第８コイル１３、ビアＬを直列接続する。
【００４９】
−４５度第２検出コイル回路２５の結線は、図４のように行う。すなわち、第３配線層４において、ビアＴとビアＩとをラインで繋ぐと共にビアＪとビアＷとをラインで繋ぐ。これにより、ビアＳ、第１３コイル１８、ビアＴ、ビアＩ、第６コイル１１、第７コイル１２、ビアＪ、ビアＷ、第１６コイル２１、ビアＸを直列接続する。
【００５０】
さて、本発明にあっては、＋４５度第１検出コイル回路２２と＋４５度第２検出コイル回路２３がクロス構造になっている。また、−４５度第１検出コイル回路２４と−４５度第２検出コイル回路２５とがクロス構造になっている。クロス構造とは、２つの検出コイル回路が２つの配線層のそれぞれ半数のコイルを直列接続して形成され、一方の検出コイル回路が一方の配線層のコイルを経由しているとき、他方の検出コイル回路が他方の配線層の対応するコイルを経由し、一方の検出コイル回路が他方の配線層のコイルを経由するとき、入れ替わりに他方の検出コイル回路が一方の配線層の対応するコイルを経由することである。
【００５１】
＋４５度検出コイル回路２２，２３と−４５度検出コイル回路２４，２５との関係もほぼクロス構造となっている。
【００５２】
これにより、＋４５度検出コイル回路２２，２３または−４５度検出コイル回路２４，２５におけるコイルから回転軸までの平均距離が等しくなるので、＋４５度検出コイル回路２２，２３または−４５度検出コイル回路２４，２５のインダクタンスが等しくなる。これに加えて、＋４５度検出コイル回路２２，２３の平均距離と−４５度検出コイル回路２４，２５の平均距離の差が小さくなることから、インダクタンスのばらつきが従来よりも小さくなる。
【００５３】
また、＋４５度検出コイル回路２２，２３または−４５度検出コイル回路２４，２５における配線層の平均厚さが等しくなるので、＋４５度検出コイル回路２２，２３または−４５度検出コイル回路２４，２５抵抗が等しくなり、抵抗のばらつきが従来よりも小さくなる。
【００５４】
ここで、平均距離とは、各検出コイル２２，２３，２４，２５の回転軸に近い側のコイルから回転軸までの距離と、各検出コイル２２，２３，２４，２５の回転軸から遠い側のコイルから回転軸までの距離とを平均したものである。また、平均厚さとは、各検出コイル２２，２３，２４，２５を形成する２つの配線層の厚さを平均したものである。
【００５５】
この結果、４つの検出コイル回路を組み合わせたブリッジ回路のオフセット電圧が小さくなる。オフセット電圧が小さくなったことで、温度特性が向上すると共に回転角度依存性が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施形態を示す基板コイル型磁歪トルクセンサのフレキシブル基板の分解斜視図、ビア配置・配線図兼＋４５度第１検出コイル回路図である。
【図２】本発明の一実施形態を示す基板コイル型磁歪トルクセンサのフレキシブル基板の分解斜視図、ビア配置・配線図兼＋４５度第２検出コイル回路図である。
【図３】本発明の一実施形態を示す基板コイル型磁歪トルクセンサのフレキシブル基板の分解斜視図、ビア配置・配線図兼−４５度第１検出コイル回路図である。
【図４】本発明の一実施形態を示す基板コイル型磁歪トルクセンサのフレキシブル基板の分解斜視図、ビア配置・配線図兼＋４５度第２検出コイル回路図である。
【図５】従来の基板コイル型磁歪トルクセンサのフレキシブル基板の分解斜視図、ビア配置・配線図兼回路図、透視図である。
【図６】従来の基板コイル型磁歪トルクセンサのフレキシブル基板の分解斜視図、組立図である。
【図７】従来の基板コイル型磁歪トルクセンサのフレキシブル基板の分解斜視図、ビア配置・配線図兼回路図、透視図である。
【図８】従来の基板コイル型磁歪トルクセンサの構造図であり、（ａ）は回転軸に直交する断面図、（ｂ）は分解斜視図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  フレキシブル基板
２〜５  配線層
６〜２１  コイル
２２，２３  ＋４５度検出コイル回路
２４，２５  −４５度検出コイル回路
【図１】
2008089305.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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