(57)【要約】      （修正有）【課題】耐水性、耐湿熱性、耐熱性等の耐久性に優れ、溶媒に対して良好な溶解性を持つ近赤外線吸収化合物、並びに該化合物を用いた近赤外線吸収フィルム及び光記録情報媒体の提供。【解決手段】式（１）で示される化合物、及びこれを用いる近赤外線吸収フィルム、光学フィルタ及び光記録情報媒体。2008297502.tif 000022（Ｒ1〜Ｒ8は水素原子又は置換基を有しても良い脂肪族炭化水素残基を表し、環Ａ及びＢは置換基を有してもよい。Ｚ1及びＺ2は一価の陰イオンを示し、そのうちの少なくとも一つは、特定のアゾ金属錯体である。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で示されるジイモニウム化合物
【化１】
2008297502.tif 000017
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を有しても良い脂肪族炭化水素残基を表し、環Ａ及び環Ｂはさらに置換基を有していてもよい。Ｚ1及びＺ2はそれぞれ独立に一価の陰イオンを示し、そのうちの少なくとも一つは、下記式（２）又は式（３）で表される化合物の一価の陰イオンである。）
【化２】
2008297502.tif 000018
（式（２）において、Ｍ1は金属原子を表す。Ｙ1〜Ｙ3はそれぞれ独立に芳香環又は不飽和複素環を表し、それらの芳香環又は不飽和複素環は置換基を有していても良い。又、Ｘ1〜Ｘ3はそれぞれ独立に周期表における第１６属のヘテロ原子、置換基を有しても良い窒素原子、カルボキシ基又はスルホ基を、Ｒ9及びＲ10はそれぞれ独立に置換基をそれぞれ示す。）
【化３】
2008297502.tif 000019
（式（３）においてＭ2は金属原子を表す。Ｙ4及びＹ5はそれぞれ独立に芳香環又は不飽和複素環を表し、それらの芳香環又は不飽和複素環は置換基を有していても良い。又、Ｘ4及びＸ5はそれぞれ独立に周期表における第１６属のヘテロ原子、置換基を有しても良い窒素原子、カルボキシ基又はスルホ基を、Ｒ11〜Ｒ14はそれぞれ独立に置換基をそれぞれ示す。）
【請求項２】
式（２）において、Ｍ1がコバルト原子又はクロム原子であり、Ｘ1〜Ｘ3がそれぞれ独立に酸素原子又はカルボキシ基であり、Ｙ3が置換基を有してもよいベンゼン環であり、Ｒ9が置換基を有してもよい脂肪族炭化水素残基である、請求項１に記載の化合物
【請求項３】
式（２）においてＲ9がメチル基であり、Ｒ10が下記式（４）で示される置換基である請求項２に記載のジイモニウム化合物
【化４】
2008297502.tif 000020
（式(４)においてベンゼン環（Ｂｚ１）はさらに置換基を有してもよい。）
【請求項４】
式（３）において、Ｍ2がコバルト原子又はクロム原子であり、Ｘ4及びＸ5がそれぞれ独立に酸素原子又はカルボキシ基であり、Ｙ4及びＹ5がそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環であり、Ｒ11及びＲ13がそれぞれ独立に置換基を有してもよい脂肪族炭化水素残基である請求項１に記載のジイモニウム化合物
【請求項５】
式(３)においてＲ11及びＲ13がメチル基であり、Ｒ12及びＲ14がそれぞれ独立に下記式（５）で示される置換基である請求項４に記載のジイモニウム化合物
【化５】
2008297502.tif 000021
（式(５)においてベンゼン環（Ｂｚ２）はさらに置換基を有してもよい。）
【請求項６】
式（３）においてＸ4及びＸ5が同一の原子又は基であり、Ｙ4及びＹ5が同一の置換基を有してもよいベンゼン環であり、Ｒ12及びＲ14が同一の置換基である請求項５に記載のジイモニウム化合物
【請求項７】
式（３）においてＸ4及びＸ5が同一の原子又は基であり、Ｙ4及びＹ5が同一の置換基を有するベンゼン環であり、Ｒ12及びＲ14が同一の置換基である請求項５に記載のジイモニウム化合物
【請求項８】
式（１）において環Ａ及びＢの全てが、１及び４位以外に置換基を有さない請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載のジイモニウム化合物
【請求項９】
式（１）においてＲ1〜Ｒ8の少なくとも一つが、ｉｓｏ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−プロピル基、シアノプロピル基又はｉｓｏ−アミル基である請求項８に記載のジイモニウム化合物
【請求項１０】
式（１）においてＲ1〜Ｒ8の全てが、ｉｓｏ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−プロピル基、シアノプロピル基又はｉｓｏ−アミル基である請求項９に記載のジイモニウム化合物
【請求項１１】
Ｚ1とＺ2が同一の陰イオンである請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載のジイモニウム化合物
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載のジイモニウム化合物を含有する事を特徴とする近赤外線吸収フィルム
【請求項１３】
請求項１２に記載の近赤外線吸収フィルムをその構成要素とする光学フィルタ
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載のジイモニウム化合物を含有する層を有することを特徴とする光記録情報媒体
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は近赤外領域に吸収を有するジイモニウム化合物及びその用途に関する。さらに詳しくは、近赤外線に対する吸収性に優れ、且つ耐久性及び溶解度等に優れたジイモニウム化合物及びそれを用いた赤外線吸収フィルム、光記録媒体等の用途に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、近赤外線吸収剤としてのジイモニウム化合物は、近赤外線吸収フィルム、断熱フィルム及びサングラス、ＰＤＰ（プラズメディスプレイパネル）用の前面板等に広く利用されており、様々な構造を有するジイモニウム化合物が報告されている（例えば特許文献１〜３参照）。これら公知の化合物の中でも、六フッ化アンチモン酸イオン、ビス（トリフルオロメタン）スルホン酸イミド、トリス(トリフルオロメタン)スルホン酸メチド等を対イオンとして有するジイモニウム化合物が耐水性、耐湿熱性、耐熱性等の耐久性、溶剤に対する溶解性などの諸物性が比較的優れているという理由から広く用いられている（例えば特許文献４〜６参照）。しかしながら、これらのジイモニウム化合物も、十分な耐久性や溶解性を有しているとはいえず、このため従来の化合物よりもさらに優れた化合物の開発が求められていた。
特許文献７及び８は、アゾ金属錯体を対イオンとするジイモニウム化合物が耐久性に優れていると開示しているが、これらの化合物でも市場が要求する耐久性を十分に満足するとはいえず、加えて、該アゾ金属錯体は、そのアゾ金属錯体自身の物性に起因する可視光領域での光吸収が大きいため、特にＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）の前面板等に用いる光学フィルタ等に使用するには実用上、問題があった。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−３１６６３３号公報
【特許文献２】特許第３６９９４６４号明細書
【特許文献３】特公昭４３−２５３３５号公報
【特許文献４】国際公開ＷＯ２００４／０６８１９９号パンフレット
【特許文献５】国際公開ＷＯ２００４／０４８４８０号パンフレット
【特許文献６】国際公開ＷＯ２００６／０２８００６号パンフレット
【特許文献７】特開２００３−２９２９３６号公報
【特許文献８】ＵＳ２００７／００９０３３１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は前記したような状況に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、優れた溶解性及び耐水性、耐湿熱性、耐熱性等の耐久性を有する近赤外線吸収化合物を提供すること、さらにはそのような近赤外線吸収化合物を用いた、耐久性に優れた赤外線吸収フィルム、光記録情報媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは前記したような課題を解決すべく鋭意努力した結果、特定の対イオンを有する化合物が前記諸課題を解決するものであることを見出し、本発明を完成させるに至った。
すなわち本発明は、
（１）
下記式（１）で示されるジイモニウム化合物、
【０００６】
【化１】
2008297502.tif 000002
【０００７】
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を有しても良い脂肪族炭化水素残基を表し、環Ａ及び環Ｂはさらに置換基を有していてもよい。Ｚ1及びＺ2はそれぞれ独立に一価の陰イオンを示し、そのうちの少なくとも一つは、下記式（２）又は式（３）で表される化合物の一価の陰イオンである。）
【０００８】
【化２】
2008297502.tif 000003
【０００９】
（式（２）において、Ｍ1は金属原子を表す。Ｙ1〜Ｙ3はそれぞれ独立に芳香環又は不飽和複素環を表し、それらの芳香環又は不飽和複素環は置換基を有していても良い。又、Ｘ1〜Ｘ3はそれぞれ独立に周期表における第１６属のヘテロ原子、置換基を有しても良い窒素原子、カルボキシ基又はスルホ基を、Ｒ9及びＲ10はそれぞれ独立に置換基をそれぞれ示す。）
【００１０】
【化３】
2008297502.tif 000004
【００１１】
（式（３）においてＭ2は金属原子を表す。Ｙ4及びＹ5はそれぞれ独立に芳香環又は不飽和複素環を表し、それらの芳香環又は不飽和複素環は置換基を有していても良い。又、Ｘ4及びＸ5はそれぞれ独立に周期表における第１６属のヘテロ原子、置換基を有しても良い窒素原子、カルボキシ基又はスルホ基を、Ｒ11〜Ｒ14はそれぞれ独立に置換基をそれぞれ示す。）
（２）
式（２）において、Ｍ1がコバルト原子又はクロム原子であり、Ｘ1〜Ｘ3がそれぞれ独立に酸素原子又はカルボキシ基であり、Ｙ3が置換基を有してもよいベンゼン環であり、Ｒ9が置換基を有してもよい脂肪族炭化水素残基である、（１）に記載の化合物、
（３）
式（２）においてＲ9がメチル基であり、Ｒ10が下記式（４）で示される置換基である（２）に記載のジイモニウム化合物、
【００１２】
【化４】
2008297502.tif 000005
【００１３】
（式(４)においてベンゼン環（Ｂｚ１）はさらに置換基を有してもよい。）
（４）
式（３）において、Ｍ2がコバルト原子又はクロム原子であり、Ｘ4及びＸ5がそれぞれ独立に酸素原子又はカルボキシ基であり、Ｙ4及びＹ5がそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環であり、Ｒ11及びＲ13がそれぞれ独立に置換基を有してもよい脂肪族炭化水素残基である（１）に記載のジイモニウム化合物、
（５）
式(３)においてＲ11及びＲ13がメチル基であり、Ｒ12及びＲ14がそれぞれ独立に下記式（５）で示される置換基である（４）に記載のジイモニウム化合物、
【００１４】
【化５】
2008297502.tif 000006
【００１５】
（式(５)においてベンゼン環（Ｂｚ２）はさらに置換基を有してもよい。）
（６）
式（３）においてＸ4及びＸ5が同一の原子又は基であり、Ｙ4及びＹ5が同一の置換基を有してもよいベンゼン環であり、Ｒ12及びＲ14が同一の置換基である（５）に記載のジイモニウム化合物、
（７）
式（３）においてＸ4及びＸ5が同一の原子又は基であり、Ｙ4及びＹ5が同一の置換基を有するベンゼン環であり、Ｒ12及びＲ14が同一の置換基である（５）に記載のジイモニウム化合物、
（８）
式（１）において環Ａ及びＢの全てが、１及び４位以外に置換基を有さない（１）乃至（７）のいずれか一項に記載のジイモニウム化合物、
（９）
式（１）においてＲ1〜Ｒ8の少なくとも一つが、ｉｓｏ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−プロピル基、シアノプロピル基又はｉｓｏ−アミル基である（８）に記載のジイモニウム化合物、
（１０）
式（１）においてＲ1〜Ｒ8の全てが、ｉｓｏ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−プロピル基、シアノプロピル基又はｉｓｏ−アミル基である（９）に記載のジイモニウム化合物、
（１１）
Ｚ1とＺ2が同一の陰イオンである（１）乃至（１０）のいずれか一項に記載のジイモニウム化合物、
（１２）
（１）乃至（１１）のいずれか一項に記載のジイモニウム化合物を含有する事を特徴とする近赤外線吸収フィルム、
（１２３）
（１２）に記載の近赤外線吸収フィルムをその構成要素とする光学フィルタ、
（１４）
（１）乃至（１１）のいずれか一項に記載のジイモニウム化合物を含有する層を有することを特徴とする光記録情報媒体、
に関する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の近赤外線吸収性のジイモニウム化合物は、耐水性、耐湿熱性、耐熱性等の耐久性及び溶解性に優れた化合物である。本発明の化合物を用いた近赤外線吸収フィルム、光学フィルタ及び光情報記録媒体は、耐水性、耐湿熱性、耐熱性等耐久性に優れ、実用上の利用価値が大きく高められている。加えて、本発明の下記式（１）で表される化合物は、特定の一価の陰イオンを使用することにより、可視光領域の光吸収が小さいことも特徴とし、これによりＰＤＰの前面板等に用いる光学フィルタ、或いは該フィルタが有する近赤外線吸収フィルム等の用途に好適に使用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明のジイモニウム化合物は下記式（１）で表される。
【００１８】
【化１】
2008297502.tif 000007
【００１９】
（式（１）において、Ｒ1〜Ｒ8、環Ａ、環Ｂ、Ｚ1及びＺ2は前記と同じ意味を示す。）
以下、上記式（１）の化合物について説明する。
式（１）において環Ａ及び環Ｂはそれぞれ、１及び４位以外に１〜４個の置換基を有してもよいし、該位置以外は無置換でも良い。
該置換基としては、例えばハロゲン原子、ヒドロキシル、低級アルコキシ基、シアノ、低級アルキル基が挙げられる。なお、本明細書においては、特に断りの無い限り、「低級」とは炭素数１乃至５のものを意味する。例えば「低級アルキル基」とは「Ｃ１〜Ｃ５アルキル基」を意味し、アルコキシ等に「低級」を冠する場合でも同様である。
上記のハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
上記の低級アルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ等のＣ１〜Ｃ５アルコキシ基が挙げられる。
低級アルキル基としては、例えばメチル、エチル等のＣ１〜Ｃ５アルキル基が挙げられる。
環Ａ及び環Ｂが共に置換基を有していないか、又はハロゲン原子（特に塩素原子、臭素原子、フッ素原子）、メチル若しくはシアノで置換されているものが好ましい。
尚、環Ａが置換基を有する場合は、４つの環がすべて同じであるもの、更に置換基の位置はフェニレンジアミン骨格に結合する窒素原子に対してｍ位であるものが好ましい。さらに環Ａ及び環Ｂには１及び４位以外に置換基を有していていないものがより好ましい。
【００２０】
Ｒ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を有しても良い脂肪族炭化水素残基を表す。脂肪族炭化水素残基とは飽和及び不飽和の直鎖、分岐鎖及び環状の脂肪族炭化水素から水素原子１つを除いた基を意味する。炭素数としては１〜３６、好ましくは炭素数が１〜２０であるものが挙げられる。
無置換基の飽和脂肪族炭化水素残基又は不飽和の脂肪族炭化水素残基の具体例としてはメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔｅｒ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｉｓｏ−ペンチル、ｔｅｒ−ペンチル、オクチル、デシル、ドデシル、オクタデシル、エイコシル等の飽和の直鎖又は分岐鎖のもの；シクロペンチル、シクロヘキシル等の環状のもの；ビニル、アリル、プロペニル、ペンチニル、ブテニル、ヘキセニル、ヘキサジエニル、イソプロペニル、イソへキセニル、シクロへキセニル、シクロペンタジエニル、エチニル、プロピニル、へキシニル、イソへキシニル、シクロへキシニル等の不飽和のもの；等が挙げられる。
これらの中で、好ましいものとしては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｉｓｏ−ペンチル、ｔｅｒ−ペンチル、ビニル、アリル、プロペニル、ペンチニルなどのＣ１−Ｃ５の直鎖又は分岐鎖の飽和脂肪族炭化水素残基又は不飽和の脂肪族炭化水素残基等が挙げられ、より好ましくはｉｓｏ−ブチル、ｎ−ブチル、ｎ−プロピル、シアノプロピル又はｉｓｏ−アミルである。
【００２１】
置換基を有する脂肪族炭化水素残基における置換基の例としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等のハロゲン原子；ヒドロキシ；メトキシ、エトキシ、イソブトキシ等のＣ１−Ｃ４アルコキシ基；メトキシエトキシ等のＣ１−Ｃ４アルコキシＣ１−Ｃ４アルコキシ基；置換基を有してもよいフェニル及びナフチル等のアリール基；フェノキシ等のアリールオキシ基；アセチルオキシ、ブチリルオキシ、ヘキシリルオキシ、及びベンゼン環上に置換基を有してもよいベンゾイルオキシ等のアシルオキシ基；アミノ；メチルアミノ及びジメチルアミノ等のＣ１−Ｃ４アルキル置換アミノ基；シアノ；ニトロ；カルボキシ；カルバモイル；メトキシカルボニル及びエトキシカルボニル等のＣ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基；Ｃ２−Ｃ４アシル基；アセトアミド等のアミノカルボニルＣ１−Ｃ３アルキル基；アミノスルホニルメチル等のアミノスルホニルＣ１−Ｃ３アルキル基；及びスルホ基が挙げられる。これらの置換基のうち、ハロゲン原子、シアノ、ニトロ、ヒドロキシル、カルボキシ、カルバモイル、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、Ｃ２−Ｃ４アシル基、アリール基又はＣ１−Ｃ４アルコキシ基等が好ましく、フッ素原子及びシアノが特に好ましい。
上記の置換基のうち、例えば「置換基を有してもよいアリール基」のように、さらに置換基を有してもよい基の場合、その置換基は、上記の置換基と同じものでよい。同一の基に置換する置換基の数に特に制限は無いが、置換基を有する場合には、通常１〜４、好ましくは１〜３、より好ましくは１又は２である。
【００２２】
上記のＲ1〜Ｒ8はそれぞれ独立して存在しうるものであり、例えば、上記式（１）の１つのアミノ基上に置換するＲ1及びＲ2が、それぞれ無置換の直鎖脂肪族炭化水素残基及びシアノ置換脂肪族炭化水素残基；無置換の分岐鎖脂肪族炭化水素残基とシアノ置換脂肪族炭化水素残基；無置換の直鎖脂肪族炭化水素残基と無置換の分岐鎖脂肪族炭化水素残基；等であってもよい。他のＲ3〜Ｒ8についても同様である。
【００２３】
置換基を有する脂肪族炭化水素残基の具体例としては、シアノメチル、２−シアノエチル、３−シアノプロピル、２−シアノプロピル、４−シアノブチル、３−シアノブチル、２−シアノブチル、５−シアノペンチル、４−シアノペンチル、３−シアノペンチル、２−シアノペンチル、３，４−ジシアノブチル基等のシアノ置換Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、好ましくはシアノが１乃至２つ置換したＣ２〜Ｃ５アルキル基；メトキシエチル、エトキシエチル、３−メトキシプロピル、３−エトキシプロピル、４−メトキシブチル、４−エトキシブチル、５−エトキシペンチル、５−メトキシペンチル等のＣ１〜Ｃ３アルコキシ置換Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、好ましくはＣ１〜Ｃ３アルコキシ置換Ｃ２〜Ｃ５アルキル基；トリフルオロメチル、モノフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、テトラフルオロエチル、トリフルオロエチル、ヘプタフルオロプロピル、ペルフルオロブチル、ペルフルオロブチルエチル、ペルフルオロヘキシル、ペルフルオロヘキシルエチル、ペルフルオロオクチル、ペルフルオロオクチルエチルなどのフッ素置換Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、好ましくはフッ素置換Ｃ１〜Ｃ３アルキル基；等が挙げられる。
【００２４】
上記のＲ1〜Ｒ8のうち、少なくとも１つがｉｓｏ−ブチル、ｎ−ブチル、ｎ−プロピル、シアノプロピル及びｉｓｏ−アミルから選択される基であるものがより好ましく、全てがｉｓｏ−ブチル、ｎ−ブチル、ｎ−プロピル、シアノプロピル及びｉｓｏ−アミルから選択される基であるものが特に好ましい。
【００２５】
Ｚ1及びＺ2は一価の陰イオンを表し、これら２つの陰イオンのうち少なくとも一つは下記式（２）又は式（３）で示される化合物の一価の陰イオンである。
他の一つは下記式（２）又は（３）で表される化合物の一価の陰イオンであってもよいし、一価の陰イオンであれば、例えば特許文献１乃至７に挙げた文献中に記載されている公知のいずれの陰イオンであってもよい。
【００２６】
【化２】
2008297502.tif 000008
【００２７】
式（２）において、Ｍ1は金属原子を表す。Ｙ1〜Ｙ3はそれぞれ独立に芳香環又は複素環を表し、それらの芳香環又は複素環は置換基を有していても良い。又、Ｘ1〜Ｘ3はそれぞれ独立に周期表における第１６属のヘテロ原子、置換基を有しても良い窒素原子、カルボキシ基又はスルホ基を、Ｒ9及びＲ10はそれぞれ独立に置換基をそれぞれ示す。
【００２８】
【化３】
2008297502.tif 000009
【００２９】
式（３）において、Ｍ2は金属原子を表す。Ｙ4及びＹ5はそれぞれ独立に芳香環又は複素環を表し、それらの芳香環又は複素環は置換基を有していても良い。又、Ｘ4及びＸ5はそれぞれ独立に周期表における第１６属のヘテロ原子、置換基を有しても良い窒素原子、カルボキシ基又はスルホ基を、Ｒ11〜Ｒ14はそれぞれ独立に置換基をそれぞれ示す。
【００３０】
上記式（２）で示される化合物について説明する。
Ｙ1〜Ｙ3で表される芳香環の具体例としては、ベンゼン及びナフタレン等のＣ６〜Ｃ１０、好ましくはベンゼン及びナフタレン、より好ましくはベンゼン環が挙げられる。
Ｙ1〜Ｙ3が複素環の場合、該複素環は飽和であっても不飽和であってもよいが、不飽和であることが好ましい。不飽和複素環の具体例としては、ピラゾール、ピリジン、キノリン、ピロール、２−ヒドロキシピリジン及びその互変異性体である１，２−ジヒドロピリジン−２−オン等の複素環構成原子として窒素原子又は酸素原子を１〜２つ有する５乃至６員環又はそれら同士の縮合環又はそれらとベンゼン環との縮合環であるＣ３−Ｃ９複素芳香環；ピリドン等のオキソ基を１〜２つ、好ましくは１つ有する不飽和６員複素環が挙げられる。
上記の芳香環又は不飽和複素環が置換基を有する場合、該置換基の具体例としては、上記の脂肪族炭化水素残基、芳香環、複素芳香環、アシル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ、カルボキシル、アルコキシカルボニル基、スルホ、置換又は無置換カルバモイル基、アシルアミノ基、アミノ、ニトロ、及びシアノ以外に、スルホン酸エステル、置換又は無置換スルファモイル、置換スルホニルアミノ等が挙げられる。
【００３１】
式（２）においてＹ1〜Ｙ3はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環であるものが好ましい。また該置換基は上記のいずれでもよいが、スルファモイル；モノメチルアミノスルホニル等のＣ１〜Ｃ４アルキルアミノスルホニル；フェニルアミノスルホニル等のＣ６〜Ｃ１０アリールアミノスルホニル；及びニトロ等が好ましい。
【００３２】
Ｘ1〜Ｘ3のとしては、置換基を有しても良いヘテロ原子；カルボキシ；スルホ；メチルスルホキシ、トリフルオロメチルスルホキシ、ペンタフルオロエチルスルホキシ等のフッ素原子が置換してもよいＣ１〜Ｃ３アルキルスルホキシ基；フェニルスルホキシ等が挙げられる。
ヘテロ原子の具体例としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。窒素原子の場合には、水素原子；メチル及びエチル等のＣ１〜Ｃ３アルキル基；メチルスルホニル、トリフルオロメチルスルホニル、ペンタフルオロエチルスルホニル等のフッ素原子が置換してもよいＣ１〜Ｃ３アルキルスルホニル基；フェニルスルホニル；アセチル、トリフルオロメチルカルボニル等のフッ素原子が置換してもよいＣ２〜Ｃ３アシル基；フェニルカルボニル（ベンゾイル）；等を置換基として有する。式（２）において、Ｘ2及びＸ3が酸素原子であり、Ｘ1が酸素原子又はカルボキシ、好ましくは酸素原子であるものがよい。
【００３３】
上記のＲ9及びＲ10の具体例としては、上記の脂肪族炭化水素残基、芳香環、複素芳香環、アシル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ、カルボキシル、アルコキシカルボニル基、スルホ、カルバモイル、アミド基、アミノ、ニトロ、及びシアノ以外に、スルホン酸エステル、置換又は無置換スルファモイル、置換スルホニルアミノ等が挙げられる。
式（２）においてＲ9は、それぞれ置換基を有さないＣ１〜Ｃ４アルキル基、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ基、Ｃ２〜Ｃ４アシル基が好ましく、特にメチル基が好ましい。又、Ｒ10としては下記式（４）で表されるものが好ましい。
【００３４】
【化４】
2008297502.tif 000010
【００３５】
（式(４)においてベンゼン環（Ｂｚ１）はさらに置換基を有してもよい。）
【００３６】
上記のベンゼン環Ｂｚ１がさらに置換基を有する場合、該置換基としては上記式（２）で表される陰イオン中におけるＹ1〜Ｙ3で表される芳香環又は不飽和の複素芳香環である場合の置換基と、好ましいものを含めて同じでよい。これに加えて、さらに好ましくはベンゼン環Ｂｚ１が無置換の場合である。
【００３７】
式（２）においてＭ1は金属元素を示す。金属元素の具体例としては、バナジウム、銅、コバルト、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン等が挙げられる。中でも、ニッケル、コバルト又はクロムが好ましく、コバルト又はクロムが特に好ましい。
【００３８】
上記式（２）で表される化合物としてより好ましいものは、上記式（３）で表される化合物である。
【００３９】
上記式（３）で示される化合物について説明する。
Ｙ4及びＹ5は、上記式（２）の化合物におけるＹ1〜Ｙ3について記載したものと、好ましいもの等も含めて同じである。Ｙ4はＹ2に、またＹ5はＹ3にそれぞれ対応する。これに加えて、式（３）で表される化合物においては、Ｙ4及びＹ5はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環であるものが好ましく、特にＹ4及びＹ5が同一かつ電子吸引性の置換基を有しているものが好ましい。
該電子吸引性の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；スルファモイル；モノメチルアミノスルホニル等のＣ１〜Ｃ４アルキルアミノスルホニル基；フェニルアミノスルホニル等のＣ６〜Ｃ１０アリールアミノスルホニル基；及びニトロ等が好ましい。より好ましくはハロゲン原子；スルファモイル；Ｃ１〜Ｃ４アルキルアミノスルホニル基；Ｃ６〜Ｃ１０アリールアミノスルホニル基；及びニトロであり、特に好ましくはスルファモイル；フェニルアミノスルホニル；及びニトロである。
【００４０】
上記Ｘ4及びＸ5は、上記のＸ1〜Ｘ3について記載したものと、好ましいもの等を含めて同じである。Ｘ4はＸ2に、またＸ5はＸ3にそれぞれ対応する。これに加えて、Ｘ4及びＸ5が酸素原子又はカルボキシ基のものが好ましく、酸素原子がより好ましく、Ｘ4とＸ5が同一で酸素原子であるのがさらに好ましい。
【００４１】
上記Ｒ11〜Ｒ14は、上記のＲ9及びＲ10について記載したものと、好ましいもの等を含めて同じである。Ｒ12はＲ9に、Ｒ11はＲ10に対応しする。また、Ｒ12として好ましいものはＲ14としても好ましく、Ｒ11として好ましいものはＲ13としも好ましい。これに加えて、式（３）中のＲ12とＲ14はそれぞれ独立に、無置換Ｃ１〜Ｃ４アルキル基、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ基、Ｃ２〜Ｃ３アシル基であることが好ましく、いずれもがメチルの場合がより好ましい。
さらにＲ11及びＲ13はそれぞれ独立に、下記式（５）で表されるものが好ましく、特にＲ11とＲ13が同一であるものが好ましい。
【００４２】
【化５】
2008297502.tif 000011
【００４３】
（式(５)においてベンゼン環（Ｂｚ２）はさらに置換基を有してもよい）
【００４４】
上記のベンゼン環Ｂｚ２がさらに置換基を有する場合、該置換基としては上記式（２）中のＹ1〜Ｙ3で表される芳香環又は不飽和の複素芳香環が置換基を有する場合の置換基と、好ましいものを含めて同じである。これに加えて、さらに好ましくはベンゼン環Ｂｚ２が無置換の場合である。
【００４５】
式（３）においてＭ2は金属元素を示し、好ましいものを含めて上記のＭ1に記載したものと同じである。
【００４６】
上記式（１）で表される化合物中、Ｚ1及びＺ2のいずれか一つが上記式（２）又は（３）の化合物に対応するもの以外の一価の陰イオンである場合、例えば無機アニオン及び有機酸のアニオン及び特許文献１〜７等に記載された公知の有機金属アニオン等が挙げられる。
有機酸および有機金属としては、例えば酢酸、乳酸、トリフルオロ酢酸、プロピオン酸、安息香酸、シュウ酸、コハク酸、ステアリン酸等の有機カルボン酸のアニオン、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ナフタレンモノスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸、クロロベンゼンスルホン酸、ニトロベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、エタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の有機スルホン酸のアニオン、テトラフェニルホウ酸、ブチルトリフェニルホウ酸、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸等の有機ホウ酸のアニオン、ビストリフルオロメタンスルホニルイミド、トリストリフルオロメタンスルホニルメチド、ビス(フルオロスルホニル)イミド酸、ペンタフルオロフェニルビス（トリフルオロメタンスルホニル）メチド等の含フッ素有機酸のアニオン及びアゾ金属錯体のアニオン等が挙げられ、好ましいものとして強酸のアニオンであるテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸、ビストリフルオロメタンスルホニルイミド、トリストリフルオロメタンスルホニルメチド、ペンタフルオロフェニルビス（トリフルオロメタンスルホニル）メチドに対応する各アニオンが挙げられる。
無機アニオンとしては、例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンのアニオン、チオシアン酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、過塩素酸、過ヨウ素酸、硝酸、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、モリブデン酸、タングステン酸、チタン酸、バナジン酸、リン酸、ホウ酸、テトラフルオロタンタル酸、テトラフルオロニオブ酸のアニオン等があげられ、好ましいものとしては強酸のアニオンであり、過塩素酸、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロアンチモン酸に対応する各アニオン等があげられる。
これらのアニオンのうちでは、六フッ化アンチモン酸、ビストリフルオロメタンスルホニルイミド、トリストリフルオロメタンスルホニルメチド、ペンタフルオロフェニルビス（トリフルオロメタンスルホニル）メチドに対応する各アニオンが特に好ましい。
【００４７】
上記式（１）においてＺ1とＺ2は同一であっても異なっていてもよいが、同一である場合がより好ましい。すなわち本発明においては、Ｚ1及びＺ2のいずれもが上記式（２）又は式（３）で表される化合物の一価の陰イオンであることがより好ましく、同一の上記式（３）で表される化合物の一価の陰イオンであることが最も好ましい。
なお、上記式（２）及び式（３）で表される化合物は、特開昭４８−８３１０号公報及び特開平７−３２５３９号公報等に記載の公知の方法、又はそれに準じた方法にて容易に合成することができる。
【００４８】
上記のＲ1〜Ｒ14、環Ａ、環Ｂ、Ｚ1、Ｚ2、Ｍ1、Ｍ2、Ｙ1〜Ｙ5、Ｘ1〜Ｘ5、Ｂｚ１、Ｂｚ２及びそれらの置換基に関して、好ましく挙げたもの同士を組合わせた化合物はより好ましく、より好ましいもの同士を組合わせた化合物はさらに好ましい。その他、特に好ましい等として挙げたもの同士の組合せ等についても同様である。
【００４９】
上記式（１）で表される化合物において、Ｚ1とＺ2が同一である化合物は以下のように合成できる。
例えば特許文献３に記載された方法に準じて合成できる下記式（６）で表される化合物を、上記式（２）及び／又は上記式（３）で表される化合物又はそれに対応する一価の陰イオンの存在下、酸化することにより該化合物を合成することができる。なお「上記式（２）及び／又は上記式（３）で表される化合物」を、以下便宜上、「上記式（２）等で表される化合物」と略して記載する。
【００５０】
【化６】
2008297502.tif 000012
【００５１】
（式（６）中、環Ａ、環Ｂ及びＲ1〜Ｒ8は前記で定義された通りである。）
【００５２】
即ち上記式（６）で表される化合物を、有機溶媒中、好ましくはＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＭＩ（ジメチルイミダゾリジノン）、ＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）等の水溶性極性溶媒中、０〜１００℃、好ましくは５〜７０℃で上記式（２）等で表される化合物に相当する酸化剤（例えば該化合物の銀塩）を２当量以上添加して酸化反応を行うことにより、目的とする上記式（１）の化合物を合成できる。
また上記式（６）で表される化合物を硝酸銀、過塩素酸銀、塩化第二銅等の酸化剤で酸化しオニウム化合物とした後、上記式（２）等で表される化合物に対応する酸もしくはアルカリ金属塩を添加して、該酸化剤に対応する塩と塩交換を行うことによっても前記式（１）で表される化合物を得ることができる。
或いは、上記式（６）の化合物を上記と同様の陰イオンに対応する酸もしくはアルカリ金属塩の存在下、硝酸銀、過塩素酸銀等、鉱酸の酸化剤で酸化反応する方法によっても前記式（１）で表される化合物を合成することが出来る。
【００５３】
本発明の前記式（１）で表される化合物において、Ｚ1とＺ2が異なるものは、例えば特許文献３に記載された方法に準じて、対イオンとしてＺ1アニオンを有する下記式（７）で表されるアミニウム塩化合物を合成する。
【００５４】
【化７】
2008297502.tif 000013
【００５５】
次いでＺ2アニオンの供給源の存在下、上記式（７）の化合物を酸化することにより合成することができる。
即ち、上記式（７）の化合物を、有機溶媒中、好ましくはＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＭＩ（ジメチルイミダゾリノン）、ＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）等の水溶性極性溶媒中、０〜１００℃、好ましくは５〜７０℃でＺ2に対応する酸化剤（例えば銀塩）１当量の存在下、酸化反応を行うことにより、目的とするＺ1とＺ2が異なる上記式（１）の化合物を得ることができる。硝酸銀等の酸化剤と、Ｚ2アニオンに対応する酸もしくは塩の混合物の存在下に上記式（７）で表されるアミニウム塩を加えることによっても、同様の上記式（１）の化合物を得ることができる。
この場合、上記式（２）等で表される化合物は、Ｚ1に相当するものとして最初に加えてもよいし、Ｚ2に相当するものとして後から加えてもよく、加える順序は特に制限されない。
【００５６】
次に本発明の前記式（１）で示されるジイモニウム化合物の具体例を表１に示す。
【００５７】
【表１】
2008297502.tif 000014
【００５８】
表１中のＺ1及びＺ2の欄におけるＬ１〜Ｌ９のアニオンは、上記式（２）等で表される化合物に対応する、以下に示す一価の陰イオンを示す。但し、Ｌ７〜Ｌ９は上記式（２）等で表される化合物には該当せず、該化合物以外の一価の陰イオンの具体例として挙げた。
【００５９】
【化９】
2008297502.tif 000015
【００６０】
次に、本発明の近赤外線吸収フィルムについて説明する。以下において、板状の近赤外線吸収材も本発明の近赤外線吸収フィルムに含まれるものとする。
本発明の前記式（１）で示される化合物を用いた近赤外線吸収フィルムを得るには、以下の１）乃至４）の方法等がある。
【００６１】
１）樹脂に上記式（１）で表される化合物を混練し、加熱成形して樹脂板状又はフィルム状の近赤外線吸収フィルムを作製する方法：
この方法において、用いる樹脂によって加工温度、フィルム化（樹脂板化）条件等が多少異なるが、通常、本発明の化合物を基材樹脂の粉体又はペレットに添加し、１５０〜３５０℃に加熱、溶解させた後、成形して樹脂板を作製する方法；押し出し機によりフィルム化（樹脂板化）する方法；等が挙げられる。本発明の化合物の添加量は、作製する樹脂板又はフィルムの厚み、吸収強度、可視光透過率等によって異なるが、通常、基材樹脂の重量に対して０．０１〜３０重量％、好ましくは０．０３〜１５重量％使用される。
ここで用いうる樹脂の具体例として、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル等のビニル化合物、及びそれらビニル化合物の付加重合体；ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリシアン化ビニリデン、フッ化ビニリデン／トリフルオロエチレン共重合体、フッ化ビニリデン／テトラフルオロエチレン共重合体、シアン化ビニリデン／酢酸ビニル共重合体等のビニル化合物又はフッ素系化合物の共重合体；ポリトリフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン等のフッ素を含む樹脂；ナイロン６、ナイロン６６等のポリアミド；ポリイミド；ポリウレタン；ポリペプチド；ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル；ポリカーボネート；ポリオキシメチレン等のポリエーテル；エポキシ樹脂；ポリビニルアルコール；ポリビニルブチラール；等が挙げられる。
【００６２】
２）上記式（１）で表される化合物と樹脂モノマー又は樹脂モノマーの予備重合体とを、重合触媒の存在下にキャスト重合し、樹脂板又はフィルムを作製する方法：
この方法では、上記の化合物と樹脂モノマー又は樹脂モノマーの予備重合体とを重合触媒の存在下に型内に注入し、反応させて硬化させる；又は金型に流し込んで型内で硬い製品となるまで固化させて成形する。多くの樹脂がこの過程で成形可能であり、この方法を採用しうる樹脂の具体例としては、アクリル樹脂、ジエチレングリコールビス（アリルカーボネート）樹脂、エポキシ樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ポリスチレン樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。その中でも、硬度、耐熱性、耐薬品性に優れたアクリルシートが得られるメタクリル酸メチルの塊状重合によるキャスティング法が好ましい。
重合触媒としては公知のラジカル熱重合開始剤が使用でき、例えばベンゾイルパーオキシド、ｐ−クロロベンゾイルパーオキシド、ジイソプロピルパーオキシカーボネート等の過酸化物；アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物；等が挙げられる。その使用量は混合物の総量に対して、一般的に０．０１〜５重量％である。熱重合における加熱温度は、通常４０〜２００℃であり、重合時間は通常３０分〜８時間程度である。また熱重合以外に、光重合開始剤や増感剤を添加して光重合する方法も採用できる。
【００６３】
３）上記式（１）の化合物を含有する組成物を使用した塗料を調製し、該塗料を透明樹脂板、透明フィルム、又は透明ガラス板にコーティングする方法：
この方法では、上記の化合物を有機溶媒に溶解させ、必要に応じてバインダー樹脂を加えて塗料化する方法；上記化合物を樹脂の存在下に微粒子化して分散させ、水系塗料とする方法；等がある。このうち前者の方法では、例えば、脂肪族エステル樹脂、アクリル系樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、芳香族エステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニル系樹脂、脂肪族ポリオレフィン樹脂、芳香族ポリオレフィン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニル変性樹脂等、又はそれらの共重合樹脂をバインダーとして用いる事ができるが、有機溶媒のみを用いて塗料化することも当然可能である。
有機溶媒としては、ジクロロエタン等のハロゲン系；ダイアセトンアルコール、メタノール、エタノール、ブタノール、ＴＦＰ（テトラフルオロプロパノール）、ＯＦＰ（オクタフルオロペンタノール）等のアルコール又はハロゲン置換アルコール系；ＭＥＫ、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン系；エステル系；脂肪族炭化水素系；芳香族炭化水素系；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のエーテル系；等、又はこれらの混合溶媒を用いることができる。特に一般的に用いられる溶媒としてＭＥＫ（メチルエチルケトン）が挙げられる。上記式（１）で表される化合物を添加する際の濃度は、作製するコーティングの厚み、吸収強度、可視光透過率によって異なるが、バインダー樹脂に対して、通常０．１〜３０重量％である。
このようにして調製した塗料を用いてポリカーボネート等の透明樹脂フィルム、透明樹脂板、透明ガラス等の基板上にスピンコーター、バーコーター、ロールコーター、スプレー等でコーティングして近赤外線吸収フィルムを得ることができる。
【００６４】
４）上記式（１）で示される化合物を接着層に含有する近赤外線吸収フィルムを得る方法：
この近赤外線吸収フィルムは、上記式（１）で表される化合物及び接着剤として用いることができる樹脂とを含有させた組成物を調製し、合わせ樹脂板、合わせ樹脂フィルム、又は合わせガラス板を作製することによってえられる。このような目的で使用される樹脂としては、シリコン系、ウレタン系、アクリル系等の樹脂用、又は合わせガラス用のポリビニルブチラール接着剤、エチレン−酢酸ビニル系接着剤等の合わせガラス用の公知の透明接着剤が使用できる。上記式（１）で表される化合物を０．１〜３０重量％添加した接着剤（樹脂）組成物を調製し、これを用いて透明な樹脂板同士、樹脂板と樹脂フィルム、樹脂板とガラス、樹脂フィルム同士、樹脂フィルムとガラス、ガラス同士を接着して近赤外線吸収フィルタムを得る。尚、接着剤組成物を調製するに当たり、それ自体公知の紫外線吸収剤、可塑剤等を適宜加えても良い。
【００６５】
前記１）乃至４）に記載のいずれの方法においても、それぞれの混練、混合等の工程で、紫外線吸収剤、可塑剤等、それ自体公知の種々の添加剤を加えても良い。
【００６６】
上記のように、本発明の化合物は基板、基材等の中、基板、基材上の層、接着層等、近赤外線吸収能を付与しようとする層の何れにも含有させることが可能である。
【００６７】
本発明の近赤外線吸収フィルムは（近）赤外線吸収化合物として単一の上記式（１）で表される化合物を含有しても良いが、２種類以上の上記式（１）で表される化合物を併用することもできる。さらには、本発明の化合物で得られる効果を阻害しない範囲で、本発明の化合物と、公知の近赤外線吸収化合物を併用しても良い。
併用し得る公知の近赤外線吸収化合物としては、例えばフタロシアニン系、シアニン系、ジチオールニッケル錯体等の有機系の化合物があげられる。同様に公知の無機金属の近赤外線吸収化合物の例としては、例えば金属銅又は硫化銅、酸化銅等の銅化合物；酸化亜鉛を主成分とする金属混合物；タングステン化合物；酸化インジウムスズ；アンチモンドープ酸化錫；等が挙げられる。
【００６８】
又、近赤外線吸収フィルムの色調を変えるために、可視領域に吸収を持つ色素（調色用色素）を、本発明の効果を阻害しない範囲で加えてもよい。又、調色用色素のみを含有するフィルムを別途に作製し、該フィルムに本発明の近近赤外線吸収フィルムを貼り合わせることもできる。
【００６９】
本発明の近赤外線吸収フィルムは、近赤外線をカットする必要があるフィルタやフィルム、例えばプラズマディスプレー用フィルタ、断熱フィルム、光学製品、サングラス等に好適に使用することが出来る。
【００７０】
本発明の光学フィルタは前記した本発明の近赤外線吸収フィルムを必須の構成要素として他の機能性の光学フィルム（例えば、紫外線吸収フィルム、反射防止フィルム、ネオンカットフィルム、防眩フイルム等）と共に任意の順序でそれ自体公知の方法に従い積層して得られたものである。
【００７１】
次に本発明の光情報記録媒体を説明する。
本発明の光情報記録媒体は、基板上に記録層を有するもので、該記録層は本発明の上記式（１）で表される近赤外線吸収化合物を含有することを特徴とする。この記録層は、該化合物のみで構成されていても良く、またバインダー等の各種添加剤と混合された組成物として含有されていても良い。この場合、本発明の化合物により情報が記録される。
【００７２】
また、本発明の化合物は、上記の様に単独で使用してもよいし、複数の本発明の化合物を併用してもよい。さらに、下記するような他の有機色素等と併用して用いてもよい。例えば他の有機色素により情報が記録される光情報記録媒体の記録層に、上記式（１）で表される化合物を含有させることによって、該光情報記録媒体（又は該有機色素）の耐光性を向上させることができる。このような光情報記録媒体も本発明の光情報記録媒体の一種である。
光情報記録媒体において、本発明の化合物と併用しうる公知の有機色素としては、例えばシアニン系、スクワリリウム系、インドアニリン系、フタロシアニン系、アゾ系、メロシアニン系、ポリメチン系、ナフトキノン系、ピリリウム系等の色素が挙げられる。
【００７３】
これらの有機色素１モルに対して、本発明の化合物は総量で、通常０．０１〜１０モル、好ましくは０．０３〜３モル使用される。ここで「総量」とは、本発明の化合物を単独で使用しても、複数を併用する場合であっても、その総量の意味である。
【００７４】
本発明の光情報記録媒体は、基板上に本発明の化合物及び所望によりこれ以外の例えば上記の色素を含有する記録層を設けたもので、必要に応じ、更に、反射層、保護層が設けられる。基板としては公知のものを任意に使用することが出来る。例えば、ガラス板、金属板又はプラスチック板もしくはフィルムが挙げられ、これらを製造するためのプラスチックとしてはアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、メタクリル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、非晶質ポリオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリプロピレン樹脂等があげられる。基板の形状については、ディスク状、カード状、シート状、ロールフィルム状等種々のものがあげられる。
【００７５】
ガラス又はプラスチック基板上には記録時のトラッキングを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また、ガラス又はプラスチック基板にはプラスチックバインダー又は無機酸化物、無機硫化物等の下引き層を設けてもよい。下引層は基板より熱伝導率の低いものが好ましい。
【００７６】
本発明の光情報記録媒体が有する記録層は、例えば、本発明の化合物および、より好ましくは本発明の化合物と公知の有機色素とを、公知の有機溶媒、例えば上記近赤外線吸収フィルムを得る方法３）で説明したもの等に溶解し、必要に応じて、適当なバインダーを加え、その溶液をスピンコーター、バーコーター、ロールコーター等により基板上に塗布することにより得ることが出来る。その他の方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法もしくは基板を溶液中に漬けるディッピング法によっても得ることができる。上記のバインダ−としてはアクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂等が使用できる。
【００７７】
記録層の膜厚は、記録感度や反射率を考慮すると、好ましくは０．０１〜５μｍ、より好ましくは０．０２〜３μｍである。
【００７８】
本発明の光情報記録媒体には、必要により記録層の下に下引層を、また記録層上に保護層を設けることができ、さらに記録層と保護層の間に反射層を設けることも出来る。反射層を設ける場合、反射層は金、銀、銅、アルミニウム等、好ましくは金、銀、又はアルミニウムの金属で構成され、これらの金属は単独で使用してもよく、２種以上の合金としてもよい。該反射層は真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等で成膜される。該反射層の厚さは、０．０２〜２μｍである。反射層の上に設けることのできる保護層は、通常、紫外線硬化樹脂をスピンコート法により塗装した後、紫外線を照射し、塗膜を硬化させて形成される。その他、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等も保護膜の形成材料に用いられる。このような保護膜の厚さは、通常、０．０１〜１００μｍである。
【００７９】
本発明の光情報記録媒体における情報の記録、あるいは画像の形成はレーザー、例えば、半導体レーザー、ヘリウム−ネオンレーザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、ＹＡＧレーザー、Ａｒレーザー等の集光したスポット状の高エネルギービームを基板を通して、もしくは基板と反対側から記録層に照射することにより行われる。記録された情報あるいは画像の読み出しは、低出力のレーザービームを照射することにより、ピット部とピットが形成されていない部分の反射光量又は透過光量の差を検出することにより行われる。
【実施例】
【００８０】
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明が、これらの実施例に限定されるものではない。尚、実施例中、「部」、「％」は特に特定しない限り、重量基準である。
極大吸収波長を測定した化合物については、測定に使用した溶媒を括弧内に記載した。
極大吸収波長の測定装置、及び超音波処理に使用した機器は、それぞれ以下の通りである。
１．極大吸収波長：（株）島津製作所製  機種名ＵＶ−３１５０
２．超音波処理  ：アズワン株式会社製  機種名ＵＳ  ＣＬＥＡＮＥＲ
【００８１】
実施例１
ＤＭＦ１５部中に特許文献４の方法に準じて合成した、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（ｐ−ジ（ｉｓｏ−ブチル）アミノフェニル）−ｐ−フェニレンジアミン１部を加え、３５℃で１０分間攪拌した後、ＤＭＦ１５部に溶解した硝酸銀０．３７部と下記式（８）の化合物２．２部を加え、２時間攪拌した。不溶解分を濾別した後、反応液に水を加え、析出した結晶を濾過、水洗、乾燥することにより、表１に記載の化合物番号Ｎｏ．１の化合物１．２部を得た。
極大吸収波長（ジクロロメタン）：１１２３、１００４、４５１及び２７５ｎｍ。
【００８２】
【化８】
2008297502.tif 000016
【００８３】
実施例２
ＤＭＦ３０部中に硝酸銀０．４２５部を加え攪拌した。続いて、上記式（７）の化合物２．５部と特許文献４の方法に準じて合成したＮ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス｛ｐ−ジ（ｉｓｏ−ブチル）アミノフェニル｝−ｐ−フェニレンアミニウムのビストリフルオロメタンスルホニルイミド塩３部を加え、室温で３０分間攪拌した。不溶解分を濾別した後、反応液に水を加え、析出した結晶を濾過、水洗、乾燥することにより、表１に記載の化合物番号Ｎｏ．１５の化合物１．８部を得た。
極大吸収波長（ジクロロメタン）：１１１３、１００８、４５１、３８２及び２７５ｎｍ。
【００８４】
前記表１に示したその他の本発明のジイモニウム化合物についても上記の各実施例に準じた方法で合成することができる。
【００８５】
実施例３ 
実施例１で得られた化合物Ｎｏ．１の化合物０．１部をサンプル瓶に測り取り、つづいてＴＦＰ１０部を加え、室温下、超音波処理を５分間行って溶解させ、０．４５μｍのフィルタでろ過し、微細なごみを取り除いた。得られた溶液を縦１０ｃｍ、横１０ｃｍ、厚さ１．０ｍｍのポリカーボネート基板上にピペットにて滴下し、スピンコーターにより２０００回転１０秒で塗布した。塗布後８０℃で１０分間乾燥させることにより、本発明の近赤外線吸収フィルムを得た。
【００８６】
（耐久性試験）
上記で作成した近赤外線フィルムを１００℃のオーブン中に８日間放置し、近赤外領域（１０００ｎｍ）の吸光度を測定した。オーブンに入れる前の近赤外領域（１０００ｎｍ）における吸光度をＩ０、オーブンに入れた後の近赤外領域（１０００ｎｍ）の吸光度をＩ１とし、（Ｉ１／Ｉ０）×１００（％）により算出された値を、化合物の残存率とし、耐久性の目安とした。この化合物の残存率の数値が大きいほど、耐久性が良好であることを示す。
【００８７】
比較例１
比較のためＮ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（ｐ−ジ（ｉｓｏ−ブチル）アミノフェニル）−ｐ−フェニレンのビス（トリフルオロメタン）スルホン酸イミド塩を使用し、実施例１と同様にして近赤外線吸収フィルムを作製し、耐久性試験を行った。結果を表２に示す。
【００８８】
比較例２
Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（ｐ−ジ（ｉｓｏ−ブチル）アミノフェニル）−ｐ−フェニレンのトリス（トリフルオロメタン）スルホン酸メチド塩についても上記と同様に近赤外線吸収フィルムを作製しようと試みたが、ＴＦＰへの溶解度が不十分であったため、これを含有する塗料を調製することができなかった。従って、有機溶剤を用いて調製される塗料をコーティングして近赤外線吸収フィルムを作製する方法に、比較例２の化合物は不適である。
【００８９】
表２  化合物の残存率の測定結果
残存率（％）
実施例３                      ７４．７
比較例１                        ５．９
【００９０】
表２の結果から、本発明の近赤外線吸収フィルムは、本発明の化合物の残存率が極めて高く、耐久性に優れることが判る。