(57)【要約】      （修正有）【課題】  高純度のヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物を、入手容易な化合物から簡易にしかも高い収率及び選択率で製造する。【解決手段】  下記式（１）2008044859.tif 000031で表される化合物と式（２）    Ｙ−ＣＨＯ        （２）で表されるアルデヒド又はその等価体とを反応させて、式（１）の化合物がメチレン基により二量体化した化合物を得、この化合物と式（４）    Ｒ2−ＯＨ          （４）で表されるアルコールとを反応させて、カルボキシル基がエステル化された化合物を得、この化合物を還元して、エステルが水酸基に還元された化合物を製造する。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）
【化１】
2008044859.tif 000019
（式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。ｎは０〜１０の整数を示す）
で表される化合物と下記式（２）
Ｙ−ＣＨＯ        （２）
（式中、Ｙは水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す）
で表されるアルデヒド又はその等価体とを反応させて、下記式（３）
【化２】
2008044859.tif 000020
（式中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙは前記に同じ）
で表される化合物を得る工程Ａと、前記式（３）で表される化合物と下記式（４）
Ｒ2−ＯＨ          （４）
（式中、Ｒ2は炭素数１〜１０の炭化水素基を示す）
で表されるアルコールとを反応させて、下記式（５）
【化３】
2008044859.tif 000021
（式中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙ、Ｒ2は前記に同じ）
で表される化合物を得る工程Ｂと、前記式（５）で表される化合物を還元して、下記式（６）
【化４】
2008044859.tif 000022
（式中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙは前記に同じ）
で表されるヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物を得る工程Ｃを含むビスフェノール誘導体の製造法。
【請求項２】
下記式（７）
【化５】
2008044859.tif 000023
（式中、ｎは０〜１０の整数を示す）
で表される化合物と下記式（８）
Ｒ1'−ＯＨ          （８）
（式中、Ｒ1'は炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アラルキル基又は非芳香族性の複素環式基を示す）
で表されるアルコール、又は該アルコールの脱水体に相当するアルケン類とを反応させて、下記式（１′）
【化６】
2008044859.tif 000024
（式中、Ｒ1'、ｎは前記に同じ）
で表されるカルボキシアルキル基を有するフェノール化合物を得るフェノール誘導体の製造法。
【請求項３】
下記式（１）
【化７】
2008044859.tif 000025
（式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。ｎは０〜１０の整数を示す）
で表される化合物と下記式（２）
Ｙ−ＣＨＯ        （２）
（式中、Ｙは水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す）
で表されるアルデヒド又はその等価体とを反応させて、下記式（３）
【化８】
2008044859.tif 000026
（式中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙは前記に同じ）
で表されるカルボキシアルキル基を有するビスフェノール化合物を得るビスフェノール誘導体の製造法。
【請求項４】
下記式（３）
【化９】
2008044859.tif 000027
（式中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙは水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す）
で表される化合物と下記式（４）
Ｒ2−ＯＨ          （４）
（式中、Ｒ2は炭素数１〜１０の炭化水素基を示す）
で表されるアルコールとを反応させて、下記式（５）
【化１０】
2008044859.tif 000028
（式中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙ、Ｒ2は前記に同じ）
で表される置換オキシカルボニルアルキル基を有するビスフェノール化合物を得るビスフェノール誘導体の製造法。
【請求項５】
下記式（５）
【化１１】
2008044859.tif 000029
（式中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙは水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。Ｒ2は炭素数１〜１０の炭化水素基を示す）
で表される化合物を還元して、下記式（６）
【化１２】
2008044859.tif 000030
（式中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙは前記に同じ）
で表されるヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物を得るビスフェノール誘導体の製造法。
【請求項６】
Ｒ1がｔ−ブチル基又はｔ−ペンチル基であり、且つｎ＝２である請求項１、３〜５の何れかの項に記載のビスフェノール誘導体の製造法。
【請求項７】
Ｒ1'がｔ−ブチル基又はｔ−ペンチル基であり、且つｎ＝２である請求項２記載のフェノール誘導体の製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、天然ゴム、合成ゴム、潤滑油などに添加する酸化防止剤、写真感光材料、熱現像感光材料、又はそれらの原料等として有用なビスフェノール誘導体の製造法、及び該ビスフェノール誘導体の原料として有用なフェノール誘導体の製造法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２０００−５３６０５号公報には、プラスチックに長期的な且つ優れた耐酸化劣化性を付与できる化合物として、ヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物が開示されている。このビスフェノール化合物は、ヒドロキシアルキル基を有するフェノール化合物とアミン類とアルデヒド類とを反応させて、マンニッヒベース化合物を得、このマンニッヒベース化合物にさらにヒドロキシアルキル基を有するフェノール化合物を反応させることにより製造されている。しかし、この方法は、原料として用いるヒドロキシアルキル基を有するフェノール化合物が入手容易ではなく、また工程が長いため、製造コストが高くなるという欠点を有する。例えば、２，２′−メチレンビス［６−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノール］を製造する際に原料として用いる２−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノールは、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノールを脱アルキル化して合成することができるが、収率が６０〜７０％と低い。また、２−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノールは、４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノールをｔ−ブチル化して合成することもできるが、フェノール性水酸基の両側のオルト位にｔ−ブチル基が導入された化合物や、ヒドロキシプロピル基のＯＨ基がｔ−ブチルエーテル化した化合物が副生するため、精製負荷が大きくなる。また、副生物の分離除去が困難なため、最終目的物の純度が低くなり、用途によっては品質が不十分となる。
【０００３】
特開２００４−２０３８２３号公報には、ビスフェノール誘導体の製造法として、フェノール化合物と水酸化ナトリウム等の塩基を混合し、生成する水等の揮発成分を留去した後、アルデヒド化合物を添加し、生成する水を留去しつつ反応させる方法が開示されており、ヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物を製造する例が記載されている。しかし、この方法では、塩基性条件下、高温で比較的長時間反応させるため、高価な材質でできた製造設備を使用する必要が生じる。
【０００４】
なお、特開昭６４−２９３４１号公報には、置換オキシカルボニルアルキル基を有するフェノール化合物とアルデヒドとを酸性触媒の存在下、溶媒中で反応させて、置換オキシカルボニルアルキル基を有するビスフェノール化合物を得る方法が開示されている。しかし、この方法では、反応収率が低い上、生成物が結晶しにくいため、高純度の目的化合物が得られにくいという問題がある。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−５３６０５号公報
【特許文献２】特開２００４−２０３８２３号公報
【特許文献３】特開昭６４−２９３４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、高純度のヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物、特にフェノール性水酸基のオルト位に嵩高い置換基を有するヒンダードフェノール系化合物を、入手容易な化合物から少ない工程数で簡易に、しかも高い収率及び選択率で製造できる方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、ヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物の中間原料である置換オキシカルボニルアルキル基を有するビスフェノール化合物、さらにその原料となるカルボキシアルキル基を有するビスフェノール化合物、及びカルボキシアルキル基を有するフェノール化合物を、簡易にしかも高い収率及び選択率で製造できる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、ヒドロキシアルキル基を有するフェノール化合物とアルデヒドとを酸触媒の存在下で縮合させてヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物を合成する場合には、トリスフェノール化合物等の副生物が多く副生し、晶析精製しても高純度の目的化合物が得られにくいこと、また置換オキシカルボニルアルキル基を有するフェノール化合物とアルデヒドとを縮合させて置換オキシカルボニルアルキル基を有するビスフェノール化合物を合成する場合にも、収率が低い上、生成物が結晶化しにくいため、高純度の目的化合物が得られにくいこと、これに対して、カルボキシアルキル基を有するフェノール化合物とアルデヒドとを縮合させると、対応するカルボキシアルキル基を有するビスフェノール化合物が高収率、高選択率で生成するとともに、該化合物が結晶性に優れるため、晶析により容易に高純度化できることを見いだした。また、上記３つの製法において、例えば２，２′位（フェノール性水酸基のオルト位）にアルキル基を有するビスフェノール化合物を目的とする場合には、それぞれ、原料として２位にアルキル基を有するフェノール化合物が必要となるが、ヒドロキシアルキル基を有するフェノール化合物のアルキル化では過剰のアルキル化（２，６−ジアルキル化）やヒドロキシル基のエーテル化が起こり、また置換オキシカルボニルアルキル基を有するフェノール化合物のアルキル化でも過剰のアルキル化が起こり、収率及び選択率が低いのに対し、カルボキシアルキル基を有するフェノール化合物のアルキル化ではモノアルキル体（２−アルキル体）が高い選択率で生成することを見いだした。さらに、カルボキシアルキル基を有するビスフェノール化合物のカルボキシル基をエステル化した後、還元すると、ヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物が安価な試薬で簡易に且つ高い収率で得られることを見いだした。本発明は、これらの知見に基づき、さらに検討を重ねて完成したものである。
【０００８】
すなわち、本発明は、下記式（１）
【化１】
2008044859.tif 000002
（式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。ｎは０〜１０の整数を示す）
で表される化合物と下記式（２）
Ｙ−ＣＨＯ        （２）
（式中、Ｙは水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す）
で表されるアルデヒド又はその等価体とを反応させて、下記式（３）
【化２】
2008044859.tif 000003
（式中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙは前記に同じ）
で表される化合物を得る工程Ａと、前記式（３）で表される化合物と下記式（４）
Ｒ2−ＯＨ          （４）
（式中、Ｒ2は炭素数１〜１０の炭化水素基を示す）
で表されるアルコールとを反応させて、下記式（５）
【化３】
2008044859.tif 000004
（式中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙ、Ｒ2は前記に同じ）
で表される化合物を得る工程Ｂと、前記式（５）で表される化合物を還元して、下記式（６）
【化４】
2008044859.tif 000005
（式中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙは前記に同じ）
で表されるヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物を得る工程Ｃを含むビスフェノール誘導体の製造法を提供する。
【０００９】
本発明は、また、下記式（７）
【化５】
2008044859.tif 000006
（式中、ｎは０〜１０の整数を示す）
で表される化合物と下記式（８）
Ｒ1'−ＯＨ          （８）
（式中、Ｒ1'は炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アラルキル基又は非芳香族性の複素環式基を示す）
で表されるアルコール、又は該アルコールの脱水体に相当するアルケン類とを反応させて、下記式（１′）
【化６】
2008044859.tif 000007
（式中、Ｒ1'、ｎは前記に同じ）
で表されるカルボキシアルキル基を有するフェノール化合物を得るフェノール誘導体の製造法を提供する。
【００１０】
本発明は、さらに、下記式（１）
【化７】
2008044859.tif 000008
（式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。ｎは０〜１０の整数を示す）
で表される化合物と下記式（２）
Ｙ−ＣＨＯ        （２）
（式中、Ｙは水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す）
で表されるアルデヒド又はその等価体とを反応させて、下記式（３）
【化８】
2008044859.tif 000009
（式中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙは前記に同じ）
で表されるカルボキシアルキル基を有するビスフェノール化合物を得るビスフェノール誘導体の製造法を提供する。
【００１１】
本発明は、さらにまた、下記式（３）
【化９】
2008044859.tif 000010
（式中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙは水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す）
で表される化合物と下記式（４）
Ｒ2−ＯＨ          （４）
（式中、Ｒ2は炭素数１〜１０の炭化水素基を示す）
で表されるアルコールとを反応させて、下記式（５）
【化１０】
2008044859.tif 000011
（式中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙ、Ｒ2は前記に同じ）
で表される置換オキシカルボニルアルキル基を有するビスフェノール化合物を得るビスフェノール誘導体の製造法を提供する。
【００１２】
本発明は、また、下記式（５）
【化１１】
2008044859.tif 000012
（式中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙは水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。Ｒ2は炭素数１〜１０の炭化水素基を示す）
で表される化合物を還元して、下記式（６）
【化１２】
2008044859.tif 000013
（式中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙは前記に同じ）
で表されるヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物を得るビスフェノール誘導体の製造法を提供する。
【００１３】
上記ビスフェノール誘導体の製造法及び上記フェノール誘導体の製造法において、各化合物の式中のＲ1がｔ−ブチル基又はｔ−ペンチル基であり、且つｎ＝２であるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、高純度のヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物を、入手容易な化合物から少ない工程数で簡易に、しかも高い収率及び選択率で製造することができる。
また、ヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物の中間原料である置換オキシカルボニルアルキル基を有するビスフェノール化合物、さらにその原料となるカルボキシアルキル基を有するビスフェノール化合物、及びカルボキシアルキル基を有するフェノール化合物を簡易にしかも高い収率及び選択率で製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明のビスフェノール誘導体の製造法は、前記式（１）で表される化合物と前記式（２）で表されるアルデヒド又はその等価体とを反応させて、前記式（３）で表される化合物を得る工程Ａと、前記式（３）で表される化合物と前記式（４）で表されるアルコール、又は該アルコールの脱水体に相当するアルケン類とを反応させて、前記式（５）で表される化合物を得る工程Ｂと、前記式（５）で表される化合物を還元して、前記式（６）で表されるヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物を得る工程Ｃを含む。
【００１６】
［工程Ａ］
工程Ａでは、式（１）で表される化合物と式（２）で表されるアルデヒド又はその等価体とを反応させて、式（３）で表される化合物を得る。式（１）中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。ｎは０〜１０の整数を示す。また、式（２）中、Ｙは水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。
【００１７】
Ｒ1、Ｙにおける炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、１−メチルブチル、１−エチルプロピル、ｔ−ペンチル、ヘキシル、イソヘキシル、１−メチルペンチル、１，１−ジメチルブチル、１−メチル−１−エチルプロピル、ヘプチル、イソヘプチル、１−メチルヘキシル、１，１−ジメチルペンチル、１，１−ジエチルブチル、オクチル、ノニル、デシル基等の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。これらの中でも、ｔ−ブチル基、ｔ−ペンチル基等の立体障害性の高い第三級アルキル基が好ましい。
【００１８】
Ｒ1、Ｙにおける脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル、１−メチルシクロペンチル、シクロヘキシル、１−メチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロデシル、シクロドデシル、シクロヘキセニル、ノルボルニル、アダマンチル基等の３〜１５員程度の単環又は多環の脂環式炭化水素基などが挙げられる。
【００１９】
Ｒ1、Ｙにおけるアリール基としては、例えば、フェニル、ナフチル、アントラセニル基等の炭素数６〜２０程度のアリール基などが挙げられる。これらの基は、アルキル基（例えば、メチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル基等の炭素数１〜６程度のアルキル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロピルオキシ、ブチルオキシ基等の炭素数１〜６程度のアルコキシ基等）、ハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。
【００２０】
Ｒ1、Ｙにおけるアラルキル基としては、例えば、ベンジル、２−フェニルエチル、１−フェニルエチル、トリチル、３−フェニルプロピル基等の炭素数７〜２１程度のアラルキル基などが挙げられる。これらの基は置換基を有していてもよい。置換基としては、前記アリール基における置換基と同様の置換基が挙げられる。
【００２１】
Ｒ1、Ｙにおける複素環式基としては、例えば、ピリジル基、キノリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピペリジニル基、モルホリニル基、テトラヒドロフリル基などの窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選択された少なくとも１種のヘテロ原子を１〜４個有する芳香族性又は非芳香族性の複素環が挙げられる。これらの基は置換基を有していてもよい。置換基としては、前記アリール基における置換基と同様の置換基が挙げられる。
【００２２】
ｎは０〜１０の整数であるが、好ましくは１〜４の整数であり、さらに好ましくは１又は２である。
【００２３】
式（２）で表される化合物の等価体としては、式（２）で表される化合物（アルデヒド）の三量体、多量体などが挙げられる。
【００２４】
式（１）で表される化合物の代表的な例として、例えば、２−（４−ヒドロキシフェニル）酢酸、２−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）酢酸、２−（３−エチル−４−ヒドロキシフェニル）酢酸、２−（４−ヒドロキシ−３−プロピルフェニル）酢酸、２−（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）酢酸、２−（３−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）酢酸、２−（４−ヒドロキシ−３−イソブチルフェニル）酢酸、２−（３−ｓ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）酢酸、２−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）酢酸、２−（４−ヒドロキシ−３−ペンチルフェニル）酢酸、２−（４−ヒドロキシ−３−ｔ−ペンチルフェニル）酢酸、２−［４−ヒドロキシ−３−（１−メチルシクロペンチル）フェニル］酢酸、２−［４−ヒドロキシ−３−（１−メチルシクロヘキシル）フェニル］酢酸などのｎ＝１である化合物；３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸、３−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロピオン酸、３−（３−エチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸、３−（４−ヒドロキシ−３−プロピルフェニル）プロピオン酸、３−（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）プロピオン酸、３−（３−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸、３−（４−ヒドロキシ−３−イソブチルフェニル）プロピオン酸、３−（３−ｓ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸、３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸、３−（４−ヒドロキシ−３−ペンチルフェニル）プロピオン酸、３−（４−ヒドロキシ−３−ｔ−ペンチルフェニル）プロピオン酸、３−［４−ヒドロキシ−３−（１−メチルシクロペンチル）フェニル］プロピオン酸、３−［４−ヒドロキシ−３−（１−メチルシクロヘキシル）フェニル］プロピオン酸などのｎ＝２である化合物などが挙げられる。
【００２５】
式（２）で表される化合物又はその等価体の代表的な例として、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、パラアルデヒド、プロピオンアルデヒド、パラプロピオンアルデヒド、ブタナール、２−メチルプロパナール、ペンタナール、３−メチルブタナール、２−メチルブタナール、２，２−ジメチルプロパナール、ヘキサナール、４−メチルペンタナール、シクロペンタンカルバルデヒド、シクロヘキサンカルバルデヒド、ベンズアルデヒドなどが挙げられる。
【００２６】
式（１）で表される化合物と前記式（２）で表されるアルデヒド又はその等価体との反応（縮合反応）は、触媒の存在下又は非存在下、溶媒中又は無溶媒下で行われる。
【００２７】
触媒としては、酸触媒が好ましく用いられる。酸触媒としては、例えば、塩酸（塩化水素）、硫酸、リン酸、硝酸などの無機酸；酢酸などのカルボン酸；メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸などのスルホン酸；酸性イオン交換樹脂；ＦｅＢｒ3、ＦｅＣｌ3、ＡｌＢｒ3、ＡｌＣｌ3、ＢＦ3、ＺｎＣｌ2、ＺｒＣｌ4などのルイス酸などが挙げられる。酸触媒の使用量は、例えば、式（１）で表される化合物１モルに対して、０．００１〜２０モル、好ましくは０．０１〜１０モル程度であるが、これに限らない。
【００２８】
この反応においては、酸触媒とともに陰イオン系界面活性剤を使用してもよい。陰イオン系界面活性剤として、例えば、アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ジアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、モノアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム、アルキルジフェニルジスルホン酸ナトリウム；これらのナトリウム塩に対応するナトリウム塩以外のアルカリ金属塩などが挙げられる。陰イオン系界面活性剤の使用量は、例えば、式（１）で表される化合物に対して、０．１〜１００重量％、好ましくは０．２〜１０重量％程度である。
【００２９】
溶媒としては、例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素；シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素；塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素；ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの鎖状又は環状エーテル；アセトニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアルデヒドなどのアミド；アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン；ニトロメタン、ニトロベンゼンなどのニトロ化合物；水；これらの混合物などが挙げられる。これらの中でも、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素などが好ましい。溶媒の使用量は、例えば、式（１）で表される化合物１重量部に対して、０．０１〜１００重量部、好ましくは０．１〜５０重量部程度であるが、これに限らない。
【００３０】
式（２）で表される化合物の使用量は、式（１）で表される化合物１モルに対して、例えば、０．４〜１．０モル、好ましくは０．５〜０．７モル程度である。式（１）で表される化合物として２以上の化合物を組み合わせて用いることもできる。この場合には、式（３）中の２つのＲ1、２つのｎがそれぞれ異なる化合物が生成しうる。
【００３１】
反応温度は、原料として用いる式（１）で表される化合物の種類、式（２）で表される化合物の種類等により、その反応速度に応じて適宜設定でき、通常−２０℃〜２００℃、好ましくは０℃〜１５０℃、さらに好ましくは２０℃〜１００℃の範囲である。反応温度が低すぎると転化率が低下しやすくなり、反応温度が高すぎると、式（３）で表される化合物においてフェノール性水酸基のオルト位の置換基が脱離するおそれがある。反応の雰囲気は窒素等の不活性ガス雰囲気下でもよく、空気雰囲気下でもよい。また、反応は常圧下、加圧下、減圧下の何れで行ってもよい。
【００３２】
反応は、回分式、半回分式、連続式の何れの方式で行ってもよい。例えば、式（１）で表される化合物と式（２）で表される化合物を一括仕込みで反応させてもよく、何れか一方を一括で仕込み、他方を逐次的に仕込んでもよく、両者を逐次的に仕込んでもよい。反応は有機層のみの一層系で行ってもよく、有機層−水層の二層系で行ってもよい。反応により、前記式（３）で表されるカルボキシアルキル基を有するビスフェノール化合物が生成する。式（３）中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式（３）中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙ、Ｒ2は前記に同じである。
【００３３】
反応終了後、反応生成物は、例えば、分液、抽出洗浄、濃縮、蒸留、晶析、濾過、洗浄、再結晶、カラムクロマトグラフィーなど、又はこれらの組み合わせにより分離精製できる。特に、溶媒として炭化水素を用いて反応を実施した場合は、式（３）で表される化合物の該溶媒に対する溶解性が比較的低いため、冷却晶析、濃縮晶析、貧溶媒による晶析等により、簡便に且つ高収率で、高純度の目的化合物を得ることができる。
【００３４】
式（３）で表される化合物の代表的な例として、例えば、２，２′−メチレンビス（６−ｔ−ブチル−４−カルボキシメチルフェノール）、２，２′−メチレンビス（４−カルボキシメチル−６−ｔ−ペンチルフェノール）などのｎ＝１である化合物；２，２′−メチレンビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−メチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−エチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−プロピルフェノール］、２，２′−メチレンビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−イソプロピルフェノール］、２，２′−メチレンビス［６−ブチル−４−（２−カルボキシエチル）フェノール］、２，２′−メチレンビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−イソブチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［６−ｓ−ブチル−４−（２−カルボキシエチル）フェノール］、２，２′−メチレンビス［６−ｔ−ブチル−４−（２−カルボキシエチル）フェノール］、２，２′−メチレンビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−ペンチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−（１−メチルシクロペンチル）フェノール］、２，２′−メチレンビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−（１−メチルシクロヘキシル）フェノール］、２，２′−エチリデンビス［６−ｔ−ブチル−４−（２−カルボキシエチル）フェノール］、２，２′−エチリデンビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−プロピリデンビス［６−ｔ−ブチル−４−（２−カルボキシエチル）フェノール］、２，２′−プロピリデンビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−ブチリデンビス［６−ｔ−ブチル−４−（２−カルボキシエチル）フェノール］、２，２′−ブチリデンビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−（２−メチルプロピリデン）ビス［６−ｔ−ブチル−４−（２−カルボキシエチル）フェノール］、２，２′−（２−メチルプロピリデン）ビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−ペンチリデンビス［６−ｔ−ブチル−４−（２−カルボキシエチル）フェノール］、２，２′−ペンチリデンビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−（３−メチルブチリデン）ビス［６−ｔ−ブチル−４−（２−カルボキシエチル）フェノール］、２，２′−（３−メチルブチリデン）ビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−（２−メチルブチリデン）ビス［６−ｔ−ブチル−４−（２−カルボキシエチル）フェノール］、２，２′−（２−メチルブチリデン）ビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−（２，２−ジメチルプロピリデン）ビス［６−ｔ−ブチル−４−（２−カルボキシエチル）フェノール］、２，２′−（２，２−ジメチルプロピリデン）ビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−ヘキシリデンビス［６−ｔ−ブチル−４−（２−カルボキシエチル）フェノール］、２，２′−ヘキシリデンビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−（２，２−ジメチルブチリデン）ビス［６−ｔ−ブチル−４−（２−カルボキシエチル）フェノール］、２，２′−（２，２−ジメチルブチリデン）ビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−シクロペンチルメチレンビス［６−ｔ−ブチル−４−（２−カルボキシエチル）フェノール］、２，２′−シクロペンチルメチレンビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−シクロヘキシルメチレンビス［６−ｔ−ブチル−４−（２−カルボキシエチル）フェノール］、２，２′−シクロヘキシルメチレンビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−ベンジリデンビス［６−ｔ−ブチル−４−（２−カルボキシエチル）フェノール］、２，２′−ベンジリデンビス［４−（２−カルボキシエチル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］などのｎ＝２である化合物などが挙げられる。
【００３５】
この工程Ａによれば、カルボキシアルキル基を有するフェノール化合物とアルデヒドとの縮合により、対応するカルボキシアルキル基を有するビスフェノール化合物が高収率、高選択率で生成するとともに、該ビスフェノール化合物が結晶性に優れるため、晶析により容易に高純度化することができる。これに対し、特開２００４−２０３８２３号公報に記載されているように、ヒドロキシアルキル基を有するフェノール化合物とアルデヒドとを酸触媒の存在下で縮合させてヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物を合成する場合には、トリスフェノール化合物等の副生物が多く副生するとともに、生成物の結晶性が一般に低いため、晶析精製しても高純度のビスフェノール化合物が得られにくい。また、特開昭６４−２９３４１号公報に記載されているように、置換オキシカルボニルアルキル基(カルボン酸エステル基)を有するフェノール化合物とアルデヒドとを縮合させて置換オキシカルボニルアルキル基を有するビスフェノール化合物を合成する場合も、収率が低い上、生成物が結晶化しにくいため、高純度のビスフェノール化合物が得られにくい。さらに、特開２０００−５３６０５号公報に記載されているように、ヒドロキシアルキル基を有するフェノール化合物とアミン類とアルデヒド類とを反応させて、マンニッヒベース化合物を得、このマンニッヒベース化合物にさらにヒドロキシアルキル基を有するフェノール化合物を反応させてヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物を合成する場合には、入手容易な化合物からの総工程数が多い上、最終目的物の純度が低い。
【００３６】
［式（１）で表される化合物の製造］
式（１）で表される化合物は、公知の方法により製造することができるほか、市販品を用いることもできる。また、式（１）で表される化合物のうち、Ｒ1が炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アラルキル基又は非芳香族性の複素環式基である化合物［前記式（１′）で表される化合物］は、前記式（７）で表される化合物と前記式（８）で表されるアルコール、又は該アルコールの脱水体に相当するアルケン類とを反応させることにより製造することができる。式（７）中、ｎは前記に同じである。式（８）中、Ｒ1'は炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アラルキル基又は非芳香族性の複素環式基を示す。これらはＲ1における炭素数１〜１０のアルキル基等と同様である。
【００３７】
式（７）で表される化合物の代表的な例として、例えば、２−（４−ヒドロキシフェニル）酢酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸などが挙げられる。
【００３８】
式（８）で表されるアルコールの代表的な例として、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、１−ブタノール、イソブチルアルコール、ｓ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、１−ペンタノール、ｔ−ペンチルアルコール、１−メチルシクロペンチルアルコール、１−メチルシクロヘキシルアルコールなどが挙げられる。
【００３９】
式（８）で表されるアルコールの脱水体に相当するアルケン類にはアルケン及びシクロアルケンが含まれる。該アルケン類の代表的な例として、例えば、プロピレン、１−ブテン、２−ブテン、イソブテン、１−ペンテン、２−ペンテン、２−メチル−１−ブテン、２−メチル−２−ブテン、１−メチルシクロペンテン、１−メチルシクロヘキセンなどが挙げられる。
【００４０】
式（７）で表される化合物と式（８）で表されるアルコール又はその脱水体に相当するアルケン類との反応は、触媒の存在下又は非存在下、溶媒中又は無溶媒下で行われる。
【００４１】
触媒としては、酸触媒が好ましく用いられる。酸触媒としては、例えば、塩酸（塩化水素）、硫酸、リン酸、硝酸などの無機酸；酢酸などのカルボン酸；メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸などのスルホン酸；酸性イオン交換樹脂などが挙げられる。これらの中でも、リン酸が特に好ましい。酸触媒の使用量は、例えば、式（７）で表される化合物１モルに対して、０．０１〜２０モル、好ましくは０．１〜１０モル程度であるが、これに限らない。
【００４２】
溶媒としては、前記工程Ａにおいて例示した溶媒などを使用できる。それらの中でも、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素などが好ましい。溶媒の使用量は、例えば、式（７）で表される化合物１重量部に対して、０．０１〜１００重量部、好ましくは０．１〜５０重量部程度であるが、これに限らない。
【００４３】
式（８）で表されるアルコール又はその脱水体に相当するアルケン類の使用量は、式（７）で表される化合物１モルに対して、例えば、１〜１０モル、好ましくは１．２〜５モル程度である。
【００４４】
反応温度は、原料として用いる式（７）で表される化合物の種類、式（８）で表されるアルコール又はその脱水体に相当するアルケン類の種類等により、その反応速度に応じて適宜設定でき、通常−２０℃〜２００℃、好ましくは０℃〜１５０℃、さらに好ましくは１０℃〜１２０℃の範囲である。反応温度が低すぎると転化率が低下しやすくなり、反応温度が高すぎると、副反応が起こるおそれがある。反応の雰囲気は窒素等の不活性ガス雰囲気下でもよく、空気雰囲気下でもよい。また、反応は常圧下、加圧下、減圧下の何れで行ってもよい。
【００４５】
反応は、回分式、半回分式、連続式の何れの方式で行ってもよい。好ましい態様では、式（７）で表される化合物と酸触媒と溶媒との混合液中に、式（８）で表されるアルコール又はその脱水体に相当するアルケン類を逐次添加する。反応により、前記式（１′）で表されるフェノール性水酸基のオルト位にアルキル基等の置換基を有し且つカルボキシアルキル基を有するフェノール化合物が生成する。式（１′）中、Ｒ1'、ｎは前記に同じである。
【００４６】
反応終了後、反応生成物は、例えば、分液、抽出洗浄、濃縮、蒸留、晶析、濾過、洗浄、再結晶、カラムクロマトグラフィーなど、又はこれらの組み合わせにより分離精製できる。特に、未反応原料は、有機層−水（又はアルカリ水）の分液洗浄（熱水処理）により除去できる。分液洗浄の温度は、例えば１０〜１００℃、好ましくは３０〜８０℃程度である。
【００４７】
この製造法によれば、カルボキシアルキル基を有するフェノール化合物とアルコール又はアルケンとの反応により、カルボキシアルキル基を有し且つフェノール性水酸基のオルト位にアルキル基等の置換基を有するフェノール化合物を高い収率及び選択率で得ることができる。これに対し、ヒドロキシアルキル基を有するフェノール化合物とアルコール又はアルケンとを反応させて、ヒドロキシアルキル基を有し且つフェノール性水酸基のオルト位にアルキル基等の置換基を有するフェノール化合物を得る場合には、過剰のアルキル化等が起こったり、ヒドロキシアルキル基のヒドロキシル基にエーテル化が起こり、目的化合物を収率よく得ることができない。また、置換オキシカルボニルアルキル基(カルボン酸エステル基)を有するフェノール化合物とアルコール又はアルケンとを反応させて、置換オキシカルボニルアルキル基を有し且つフェノール性水酸基のオルト位にアルキル基等の置換基を有するフェノール化合物を得る場合にも、過剰のアルキル化等が起こり、目的化合物を収率よく得ることができない。
【００４８】
［工程Ｂ］
工程Ｂでは、式（３）で表される化合物と式（４）で表されるアルコールとを反応させて、式（５）で表される化合物を得る。式（４）中、Ｒ2は炭素数１〜１０の炭化水素基を示す。
【００４９】
Ｒ2における炭素数１〜１０の炭化水素基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル基等の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基；ビニル、アリル基等のアルケニル基；プロピニル基等のアルキニル基；シクロペンチル、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；シクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基；ベンジル基等のアラルキル基などが挙げられる。これらの中でも、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましい。
【００５０】
式（４）で表されるアルコールの代表的な例として、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、１−ブタノール、イソブチルアルコール、ｓ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、１−ペンタノール、１−ヘキサノール、１−オクタノール、アリルアルコール、シクロヘキシルアルコール、ベンジルアルコールなどが挙げられる。
【００５１】
式（３）で表される化合物と式（４）で表されるアルコールとの反応は、触媒の存在下又は非存在下、溶媒中又は無溶媒下で行われる。
【００５２】
触媒としては、酸触媒、特にプロトン酸が好ましく用いられる。酸触媒としては、例えば、塩酸（塩化水素）、硫酸、硝酸などの無機酸；メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸などのスルホン酸；酸性イオン交換樹脂などが挙げられる。酸触媒の使用量は、例えば、式（３）で表される化合物に対して、０．００１〜１０重量％、好ましくは０．０１〜５重量％程度であるが、これに限らない。
【００５３】
溶媒としては、前記工程Ａにおいて例示した溶媒などを使用できる。それらの中でも、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素などが好ましい。
【００５４】
式（４）で表されるアルコールの使用量は、式（３）で表される化合物１モルに対して、例えば、２〜１０モル、好ましくは２．１〜５モル程度である。
【００５５】
反応温度は、原料として用いる式（３）で表される化合物の種類、式（４）で表されるアルコールの種類等により、その反応速度に応じて適宜設定できるが、通常−２０℃〜２００℃、好ましくは０℃〜１５０℃、さらに好ましくは２０℃〜１００℃の範囲である。反応温度が低すぎると転化率が低下しやすくなり、反応温度が高すぎると、フェノール性水酸基のオルト位の置換基（アルキル基等）が脱離しやすくなる。反応の雰囲気は窒素等の不活性ガス雰囲気下でもよく、空気雰囲気下でもよい。また、反応は常圧下、加圧下、減圧下の何れで行ってもよい。
【００５６】
反応は、回分式、半回分式、連続式の何れの方式で行ってもよい。式（４）で表されるアルコールを反応に用いる場合には、副生する水を系外に除去しながら（好ましくは共沸溶媒とともに留去しながら）反応を実施するのが好ましい。反応により、前記式（５）で表される炭化水素基置換オキシカルボニルアルキル基を有するビスフェノール化合物が生成する。式（５）中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式（５）中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙ、Ｒ2は前記に同じである。
【００５７】
反応終了後、反応生成物は、例えば、分液、抽出洗浄、濃縮、蒸留、晶析、濾過、洗浄、再結晶、カラムクロマトグラフィーなど、又はこれらの組み合わせにより分離精製できる。なお、この方法では副生物の生成量が少ないため、反応生成物を単離することなく次工程に供してもよい。
【００５８】
式（５）で表される化合物の代表的な例として、例えば、前記式（３）で表される化合物の代表的な例として挙げた化合物に対応するジメチルエステル、ジエチルエステル、ジプロピルエステル、ジブチルエステル、ジヘキシルエステルなどが挙げられる。
【００５９】
この工程Ｂによれば、カルボニルアルキル基を有するビスフェノール化合物から、置換オキシカルボニルアルキル基を有するビスフェノール化合物を非常に高い収率で製造することができる。
【００６０】
［工程Ｃ］
工程Ｃでは、式（５）で表される化合物を還元して、式（６）で表されるヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物を得る。式（６）中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式（６）中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙは前記に同じである。
【００６１】
還元法としては、例えば、ヒドリド還元法、水素添加法などを用いることができる。
【００６２】
ヒドリド還元における還元剤としては、例えば、ジボラン、ボランエーテル錯体；水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カルシウム、シアン化水素化ホウ素ナトリウム、水素化トリエチルホウ素リチウム等の水素化ホウ素錯化合物、水素化アルミニウムリチウム、水素化ビス（２−メトキシエトキシ）アルミニウムナトリウム等の水素化アルミニウム錯化合物などの金属水素錯化合物などを使用できる。これらの還元剤は反応系中で発生させてもよい。還元剤の使用量は、還元剤の種類等によっても異なるが、例えば、式（５）で表される化合物１モルに対して、０．２〜１０モル、好ましくは０．５〜６モル程度の範囲である。
【００６３】
還元剤として、水素化ホウ素ナトリウムを用いる場合には、塩化カルシウム、ハロゲン化マグネシウム、ハロゲン化亜鉛、塩化アルミニウムなどの金属ハロゲン化物や、ＢＦ3等を触媒として使用してもよい。これらの触媒の使用量は、その種類によっても異なるが、例えば、式（５）で表される化合物１モルに対して、０．２〜１０モル、好ましくは０．５〜６モル程度の範囲である。
【００６４】
ヒドリド還元法としては、特に、水素化ホウ素ナトリウムと塩化カルシウムを用いる方法、及び水素化ビス（２−メトキシエトキシ）アルミニウムナトリウムを用いる方法が好ましい。
【００６５】
水素添加法を採用する場合の触媒としては、例えば、ニッケル、ルテニウム、パラジウム、ロジウム、白金、銅・酸化クロムなどの金属若しくは金属酸化物、又はこれらを活性炭、アルミナ等の担体に担持したものを使用できる。
【００６６】
反応溶媒としては、還元の際に通常使用される溶媒を用いることができる。例えば、該溶媒として、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジメトキシエタン、ジグライムなどの環状又は鎖状エーテル；メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール；ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素などの炭化水素；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド；これらの混合溶媒などが挙げられる。
【００６７】
溶媒の使用量は、例えば、式（５）で表される化合物１重量部に対して、０．０１〜５０重量部、好ましくは０．１〜２０重量部程度であるが、これに限らない。
【００６８】
反応温度は、還元方法や還元剤の種類によっても異なるが、一般に−２０℃〜２００℃、好ましくは−１０℃〜１５０℃程度である。反応温度が低すぎると転化率が低下しやすくなり、反応温度が高すぎると、副反応が起こるおそれがある。反応は常圧下、加圧下、減圧下の何れで行ってもよい。
【００６９】
反応は、回分式、半回分式、連続式の何れの方式で行ってもよい。反応基質、還元剤及び触媒の添加順序は適宜選択できる。例えば、式（５）で表される化合物を水素化ホウ素ナトリウムと塩化カルシウムを用いて還元する場合、これらの成分を反応器に一括仕込みをして反応を実施してもよく、式（５）で表される化合物と水素化ホウ素ナトリウムとを反応器に仕込んだ後、塩化カルシウムを添加して反応させてもよく、水素化ホウ素ナトリウムと塩化カルシウムとを反応器に仕込んだ後、式（５）で表される化合物を添加して反応させてもよく、水素化ホウ素ナトリウムを反応器に仕込んだ後、式（５）で表される化合物と塩化カルシウムとを添加してもよい。
【００７０】
反応により、前記式（６）で表されるヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物が生成する。式（６）中の２つのＲ1は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基又は複素環式基を示す。式（６）中の２つのｎは、同一でも異なっていてもよく、０〜１０の整数を示す。Ｙは前記に同じである。
【００７１】
反応終了後、反応生成物は、例えば、分液、抽出洗浄、濃縮、蒸留、晶析、濾過、洗浄、再結晶、カラムクロマトグラフィーなど、又はこれらの組み合わせにより分離精製できる。なお、ヒドリド還元する場合には、反応終了液に、例えば、塩酸、硫酸、酢酸、硝酸等のプロトン酸を含む水溶液を加えて還元中間体をクエンチした後、上記の精製手段により精製する。
【００７２】
ヒドリド還元を行った場合の好ましい精製法として、式（６）で表される化合物を含む有機溶媒溶液をアルカリ水溶液で液−液洗浄する方法、式（６）で表される化合物を晶析する方法が挙げられる。特に、式（６）で表される化合物を含む有機溶媒溶液をアルカリ水溶液で液−液洗浄した後、式（６）で表される化合物を晶析する方法が好ましい。式（６）で表される化合物を含む有機溶媒溶液をアルカリ水溶液で液−液洗浄することにより、トリスフェノール体等の多量体、Ｒ1が脱離した化合物（脱アルキル体等）、モノフェノール体等を効率よく除去できる。また、晶析により、より高純度の目的化合物を得ることができる。
【００７３】
前記式（６）で表される化合物を含む有機溶媒溶液における有機溶媒としては、式（６）で表される化合物を溶解しやすく、且つ水と分液する溶媒であればよく、例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素；シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、ジグライムなどのエーテル；これらの混合溶媒などが挙げられる。これらの中でもエーテル系溶媒が特に好ましい。また、必要に応じて、前記溶媒に水溶性の極性溶媒を適量添加してもよい。水溶性の極性溶媒として、例えば、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン；メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プロトン性極性溶媒などが挙げられる。
【００７４】
有機溶媒の使用量は、例えば、式（６）で表される化合物１重量部に対して、０．１〜５０重量部、好ましくは０．５〜２０重量部、さらに好ましくは１〜１０重量部程度である。
【００７５】
式（６）で表される化合物を晶析させる際に用いる溶媒としては、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、ジグライムなどのエーテル；トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素；アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン；メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プロトン性極性溶媒；これらの混合溶媒などが挙げられる。なかでも、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテルなどのエーテル（特に鎖状エーテル）、又はこれらのエーテルと、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタール及びイソプロピルアルコールから選択された少なくとも１種の溶媒との混合溶媒が特に好ましい。
【００７６】
晶析の方法としては特に限定されず、冷却晶析、貧溶媒を添加する晶析、濃縮晶析等の何れの方法も採用できる。前記貧溶媒としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素などが挙げられる。
【００７７】
晶析の際に用いる溶媒の使用量は、例えば、式（６）で表される化合物１重量部に対して、０．１〜５０重量部、好ましくは０．５〜２０重量部、さらに好ましくは１〜１０重量部程度である。
【００７８】
式（６）で表される化合物の代表的な例として、例えば、２，２′−メチレンビス［６−ｔ−ブチル−４−（２−ヒドロキシエチル）フェノール］、２，２′−メチレンビス［４−（２−ヒドロキシエチル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］などのｎ＝１である化合物；２，２′−メチレンビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−メチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［６−エチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノール］、２，２′−メチレンビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−プロピルフェノール］、２，２′−メチレンビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−イソプロピルフェノール］、２，２′−メチレンビス［６−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノール］、２，２′−メチレンビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−イソブチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［６−ｓ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル））フェノール］、２，２′−メチレンビス［６−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノール］、２，２′−メチレンビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−ペンチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−メチレンビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−（１−メチルシクロペンチル）フェノール］、２，２′−メチレンビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−（１−メチルシクロヘキシル）フェノール］、２，２′−エチリデンビス［６−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノール］、２，２′−エチリデンビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−プロピリデンビス［６−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノール］、２，２′−プロピリデンビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−ブチリデンビス［６−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノール］、２，２′−ブチリデンビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−（２−メチルプロピリデン）ビス［６−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノール］、２，２′−（２−メチルプロピリデン）ビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−ペンチリデンビス［６−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル））フェノール］、２，２′−ペンチリデンビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−（３−メチルブチリデン）ビス［６−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノール］、２，２′−（３−メチルブチリデン）ビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−（２−メチルブチリデン）ビス［６−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノール］、２，２′−（２−メチルブチリデン）ビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−（２，２−ジメチルプロピリデン）ビス［６−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノール］、２，２′−（２，２−ジメチルプロピリデン）ビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−ヘキシリデンビス［６−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノール］、２，２′−ヘキシリデンビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−（２，２−ジメチルブチリデン）ビス［６−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノール］、２，２′−（２，２−ジメチルブチリデン）ビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−シクロペンチルメチレンビス［６−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノール］、２，２′−シクロペンチルメチレンビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−シクロヘキシルメチレンビス［６−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノール］、２，２′−シクロヘキシルメチレンビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］、２，２′−ベンジリデンビス［６−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノール］、２，２′−ベンジリデンビス［４−（３−ヒドロキシプロピル）−６−ｔ−ペンチルフェノール］などのｎ＝２である化合物などが挙げられる。
【００７９】
この工程Ｃによれば、置換オキシカルボニルアルキル基を有するビスフェノール化合物から、ヒドロキシアルキル基を有するビスフェノール化合物を、水素化ホウ素ナトリウム等の安価で取扱性に優れる試薬を用いて効率よく製造することができる。
【００８０】
本発明の製造法により得られるビスフェノール誘導体［式（３）で表される化合物、式（５）で表される化合物、及び式（６）で表される化合物、特に式（６）で表される化合物］は、天然ゴム、合成ゴム、潤滑油などに添加する酸化防止剤、写真感光材料、熱現像感光材料、又はそれらの原料等とし使用できる。特に、フェノール性水酸基のオルト位に立体障害性の高い（嵩高い）置換基を有するヒンダードフェノール系化合物は、優れた耐酸化劣化性を有する酸化防止剤として有用である。
【実施例】
【００８１】
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。なお、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）の分析には、カラムとしてイナートシル社製の「ＯＤＳ−２」（φ４．６×長さ２６０ｍｍ）を用い、溶離液として０．１Ｖｏｌ％酢酸−アセトニトリル、及び０．１重量％酢酸水溶液を用いた。純度はＨＰＬＣの単純面積％に基づいた純度（溶媒を除外した値）である。
【００８２】
実施例１
３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸２６５ｇ（１．５９モル）とトルエン１０６０ｇ、８５重量％リン酸３０５．２ｇ（２．６５モル）の混合溶液を８０℃に昇温した後、ｔ−ブチルアルコール３５４．６ｇ（４．７８モル）とトルエン１７７．３ｇの混合溶液を６時間かけてゆっくりと加え、さらに２時間撹拌した。反応終了液を４０℃に冷却し、水を５３０ｇ加え、４０℃で３０分撹拌した後、分液して水層を除去した。この操作により未反応原料１重量％を完全に除去できた。上層を減圧濃縮して、下記式（1a）で表される３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸３２４．７ｇ（１．４６モル、収率９２％、純度９２％）を含むトルエン溶液１６２３．５ｇを得た（ＨＰＬＣにて分析）。
［生成物の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルデータ］
1H-NMR（CDCl3, 500MHz） δ：1.42(s, 9H), 2.64(t, 2H), 2.89(t, 2H), 6.58(d, 1H), 6.90(m, 1H), 7.0(d, 1H)
【００８３】
【化１３】
2008044859.tif 000014
【００８４】
実施例２
３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸３２４．７ｇ（１．４６モル）を含むトルエン溶液１６２３．５ｇとｐ−トルエンスルホン酸１３．８ｇ（０．０７モル）の混合溶液を７０℃に昇温した後、９４重量％パラホルムアルデヒド８．５５ｇ（０．２６モル）を加え、１時間撹拌した。次いで、同様の操作を２回繰り返して（パラホルムアルデヒドを合計２５．６ｇ（０．８０モル）使用）、４時間撹拌した。反応終了液を５０℃に冷却し、析出した結晶を濾別し、冷トルエンで洗浄した。下記式（3a）で表される２，２′−メチレンビス［６−ｔ−ブチル−４−（２−カルボキシエチル）フェノール］を２７１．７ｇ（０．６モル、収率８２％、純度９６％）含む湿結晶を得た。
［生成物の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルデータ］
1H-NMR（CDCl3, 500MHz） δ：1.39(s, 18H), 2.50(t, 4H), 2.78(t, 4H), 3.84(s, 2H), 6.83(d, 2H), 6.96(d, 2H)
【００８５】
【化１４】
2008044859.tif 000015
【００８６】
実施例３
実施例２で得られた２，２′−メチレンビス［６−ｔ−ブチル−４−（２−カルボキシエチル）フェノール］を２７１．７ｇ（０．６モル）含む湿結晶（ｐ−トルエンスルホン酸を含んでいる）に、トルエン１０９ｇ、１−ブタノール１１．３ｇ（１．５モル）加えた混合溶液を９０℃で２時間撹拌し、次いで減圧下、副生する水を留去しながら２時間撹拌した。反応終了液を２５℃に冷却した後、炭酸水素ナトリウム２６ｇと水２７２ｇの混合溶液を加えて中和した。中和後、分液して下層を廃棄した。上層を５０℃で減圧濃縮し、下記式（5a）で表される２，２′−メチレンビス［４−（２−ブトキシカルボニルエチル）−６−ｔ−ブチルフェノール］３２１．６ｇ（収率９５％、純度９６％）を含む溶液を得た。
［生成物の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルデータ］
1H-NMR（CDCl3, 500MHz） δ：0.91(t, 6H), 1.30-1.38(m, 4H), 1.38(s, 18H), 1.57(m, 4H), 2.58(t, 4H), 2.85(t, 4H), 3.84(s, 2H), 4.11(t, 4H), 5.97(s, 2H), 6.97(m, 4H)
【００８７】
【化１５】
2008044859.tif 000016
【００８８】
実施例４
窒素雰囲気下、１−ブタノール９０４ｇと水素化ホウ素ナトリウム４０．１ｇ（１．０６モル）の混合溶液を１５℃に冷却し、２，２′−メチレンビス［４−（２−ブトキシカルボニルエチル）−６−ｔ−ブチルフェノール］１５０．７ｇ（０．２６モル）と１−ブタノール３０１ｇ、塩化カルシウム５８．８ｇ（０．５３モル）の混合溶液を、液温１５〜２０℃に保持しつつ、発泡に注意しながらゆっくりと滴下した。１時間撹拌後、水素化ホウ素ナトリウム４０．１ｇ（１．０６モル）を加え、２，２′−メチレンビス［４−（２−ブトキシカルボニルエチル）−６−ｔ−ブチルフェノール］１５０．７ｇ（０．２６モル）と１−ブタノール３０１ｇ、塩化カルシウム５８．８ｇ（０．５３モル）の混合溶液を、液温１５〜２０℃に保持しつつ、発泡に注意しながらゆっくりと滴下し、１時間撹拌した。次いで、水素化ホウ素ナトリウム２０．１ｇ（０．５３モル）を加え、塩化カルシウム２９．４ｇ（０．２７モル）、１−ブタノール１５０．７ｇの混合溶液を１時間かけて加え、６時間撹拌した。反応終了液を、５重量％塩酸水溶液２４００ｇに、液温３０℃以下に保持しながらゆっくりと加え、２時間撹拌し、還元中間体をクエンチした。クエンチ溶液を分液し、下層を廃棄した。
上層をＨＰＬＣで分析したところ、２，２′−メチレンビス［６−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノール］（目的化合物）が１９７．６ｇ（０．４６モル、収率８７％）含まれていた。上層を５０℃で減圧濃縮し、トルエン７４２ｇ、ジイソプロピルエーテル１９７ｇ、アセトン９８．８ｇを加えて溶解し、次いで０．５重量％水酸化ナトリウム水溶液７４５ｇを加え、２０℃で１時間撹拌した後、分液により下層を廃棄した。上層に水７４２ｇを加え、１時間撹拌し、分液により下層を廃棄した。上層をＨＰＬＣで分析したところ、目的化合物が１７７．８ｇ（０．４１モル、収率７８％）含まれていた。
上層を７０℃で減圧濃縮し、ジイソプロピルエーテル７１１ｇ、アセトン３５．６ｇを加え、４０℃で溶解し、２０℃で１時間撹拌し、次いで０℃で３時間撹拌した。析出した結晶を濾別し、冷却したジイソプロピルエーテル１００ｇ、ヘキサン５０ｇの混合溶液で洗浄した。得られた結晶を減圧下、２０℃で１２時間、４０℃で２４時間乾燥することにより、下記式（6a）で表される２，２′−メチレンビス［６−ｔ−ブチル−４−（３−ヒドロキシプロピル）フェノール］を１５８ｇ（０．３７モル、収率７０％、純度９９．５％）得た。
［生成物の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルデータ］
1H-NMR（CDCl3, 500MHz） δ：1.39(s, 18H), 1.84(seq, 4H), 2.60(t, 4H), 3.64(t, 4H), 3.88(s, 2H), 6.0(s, 2H), 6.97(s, 4H)
【００８９】
【化１６】
2008044859.tif 000017
【００９０】
実施例５
実施例４において、１−ブタノールの代わりにテトラヒドロフランを用いた以外は同様の操作を行った。その結果、目的化合物の単離収率は６９％、純度は９９．５％であった。
【００９１】
実施例６
実施例４において、水素化ホウ素ナトリウム及び塩化カルシウムの代わりに水素化ビス（２−メトキシエトキシ）アルミニウムナトリウムを式（5a）で表される化合物に対して３モル倍用いるとともに、１−ブタノールの代わりにテトラヒドロフランを用いた以外は同様の操作を行った。その結果、目的化合物の単離収率は７２％、純度は９９．３％であった。
【００９２】
実施例７
実施例３において、エステル化温度を９０℃から１１０℃に変更した以外は同様の操作を行った。その結果、２，２′−メチレンビス［４−（２−ブトキシカルボニルエチル）−６−ｔ−ブチルフェノール］の収率は８９％、純度は９２％であった。
【００９３】
比較例１
窒素雰囲気下、３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸ブチルエステル２７ｇ（０．１２モル）とトルエン１０８ｇと８５重量％リン酸２３．２ｇ（０．２０モル）の混合溶液を８０℃に昇温した後、ｔ−ブチルアルコール１４．1g（０．１９モル）とトルエン１２．１ｇの混合溶液を６時間かけてゆっくりと加え、さらに２時間撹拌した。反応終了液をＨＰＬＣにて分析したところ、転化率は８８％であり、下記式（９）で表される３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸ブチルエステルを２１．６ｇ（０．０８モル、収率６４％、純度５１％）と、下記式（10）で表される３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ）プロピオン酸ブチルエステル（純度１９％）とを含んでいた。反応終了液を２０℃に冷却後、分液して下層を除去し、次いで水を５４ｇ加え３０分撹拌した後、分液して水層を除去し、上層を濃縮した。濃縮液を用いて、分液洗浄、晶析等の精製を試みたが分離は困難であった。
［３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸ブチルエステルのＬＣ−ＭＳスペクトル］
LC-MS-spectometry: 277.8 m/z   [M-H]-
［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ）プロピオン酸ブチルエステルのＬＣ−ＭＳスペクトル］
LC-MS-spectometry: 333.5 m/z   [M-H]-
【００９４】
【化１７】
2008044859.tif 000018
【００９５】
比較例２
３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸ブチルエステル２０ｇ（７２ミリモル）とトルエン６３ｇとｐ−トルエンスルホン酸１．４４ｇ（７．２ミリモル）の混合溶液を７０℃に昇温した後、９４重量％パラホルムアルデヒド０．３９ｇ（１３．２ミリモル）を加え、１時間撹拌した。次いで、同様の操作を２回繰り返して（パラホルムアルデヒドを合計１．２６ｇ（３９．５ミリモル）使用）４時間撹拌した。反応終了液をＨＰＬＣで分析したところ、転化率は９１％であり、前記式（5a）で表される２，２′−メチレンビス［４−（２−ブトキシカルボニルエチル）−６−ｔ−ブチルフェノール］が１４．３ｇ（２５．１ミリモル、収率６８％、純度６６％）で生成していた。反応終了液を室温に冷却し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え中和した。分液により下層を除去して、上層を濃縮し、晶析、分液洗浄等の精製を試みたが結晶は得られず、純度向上を図ることができなかった。