(57)【要約】【課題】所望の高感度・高解像度およびレジスト膜の環境安定性を持ちつつ、エッチング耐性、現像液に対する溶解速度、感度を向上させることのできるポジ型レジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のレジスト組成物は、（１）簡便に高収率で得ることが出来る、（２）汎用レジスト溶剤および現像液に可溶である、（３）電子線、ＥＵＶ光あるいはＸ線の照射によって２次電子を放出しやすい、といった特性を持つフラーレン誘導体を用いることを特徴とする。これにより、２次電子を放出しやすいため、高感度が達成される。また、溶解速度が著しく向上することから高解像度なパターンが得られ、現像不良などの基板欠陥形成を防止できる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式で表される構造を有する化合物を含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
2008076447.tif 000009
【請求項２】
下記一般式で表される構造を有する化合物を含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化２】
2008076447.tif 000010
【請求項３】
請求項１または２のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物であって、
光酸発生剤と、酸解離性基含有樹脂と、を含むこと
を特徴とするポジ型レジスト組成物。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物であって、
含窒素塩基性化合物を含有すること
を特徴とするポジ型レジスト組成物
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物であって、
界面活性剤を含有すること
を特徴とするポジ型レジスト組成物。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物を用いて形成されたレジストパターン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細なパターン形成に用いるポジ型レジスト組成物に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、種々のポジ型レジスト組成物が提案されている（特許文献１参照）。中でも、電子線、ＥＵＶ光又はＸ線を用いたパターン形成プロセスは、Ｉ線、エキシマレーザー等の放射線を光源として利用したプロセスに比べ、高解像度化が可能であるとして、次世代の２５６メガ、１ギガ、４ギガ等の超高集積度半導体素子の製造にその適用が検討されている。
【０００３】
電子線、ＥＵＶ光又はＸ線を用いたパターン形成は、Ｉ線、エキシマレーザーなどの光源を用いたパターン形成とは、露光メカニズムが異なる。
露光される電子線、ＥＵＶ光又はＸ線は、ほとんどがレジスト膜中を通過し、パターン形成に必要とされる化学反応に寄与するエネルギーに変換されにくい。
また、電子線又はＸ線露光においては、真空中での露光となるためレジスト組成物膜の安定性が求められる。
このため、化学増幅型ポジレジストの場合、光酸発生剤の含有量を多くし、酸解離性樹脂の構造を嵩高い構造を持つものなどを導入して性能を達成している。しかしながら、光酸発生剤の含有量を多くすることでアルカリ現像溶液への溶解抑止効果が働き、さらに酸解離性樹脂の構造を嵩高くすることで親水性が低下する。そして、レジスト組成物膜のアルカリ現像液に対する溶解速度が低下し、現像工程の裕度がなくなり微細化が進むパターン寸法の制御が困難になっている。さらに、レジストのエッチング耐性が向上すれば、レジスト膜の薄膜化ができ、エッチングの際のプロセス裕度が広くなり今後の微細化に有利になる。以上のことから、電子線又はＸ線を利用したパターン形成プロセスを実用化させるためには、現状の性能を保持しつつ感度およびアルカリ現像液に対する溶解速度を向上し、エッチング耐性を高めることが必須であった。
【０００４】
この課題を解決する一つの解として、フラーレンを用いたレジスト材料が提案されてきた。一般的に、高エッチング耐性を実現するには、大西パラメータ、リングパラーメーターを算出し、化合物の分子設計を行なうことが古くから知られている。これらのパラメータから、ヘテロ原子を含まない環状構造を持つ有機化合物が有利であり、レジストを構成する樹脂等は、これらの構造を採用することが多い。フラーレン類は、炭素のみからなる環状分子であるため高エッチング耐性を示すことが期待できる。
【０００５】
また、フラーレンを用いることによって、そのフラーレンの持つ電子リッチな構造がもたらす次のような利点もある。一般的に化学増幅型レジストにおいて、感度、解像度が達成される機構は、エネルギー照射した際の酸発生剤からの酸の発生が重要である。紫外線照射の場合は、酸発生剤の紫外線吸収による化学的分解により酸が発生する。一方、電子線、ＥＵＶ光およびＸ線照射の場合、ほとんどの放射線は、レジストフィルムを付きぬける上、酸発生剤自身の吸収は少なく、レジスト中に含まれる高分子化合物等が２次電子を放出し、イオン化する。そして、そのイオンが、酸発生剤に寄与することによって酸が発生する（非特許文献２参照）。よって、電子、ＥＵＶ光およびＸ線用化学増幅型レジストにおいて、高感度化、高解像度化を目指すには、２次電子を放出し、イオン化しやすいフラーレン誘導体が優れている。
【０００６】
ところが、フラーレンはレジスト用溶剤あるいは現像液への溶解性が低く、限定された材料選択、プロセス方法でしか用いることができない。そこで、様々な置換基によって修飾されたフラーレン誘導体が合成され、レジスト材料への適用が検討された（特許文献２〜５参照）。
【０００７】
一方、フラーレン酸化物を出発物質としてフラーレン誘導体を温和な条件下で収率良く得られる合成方法が報告されている。この方法は、フラーレンの酸化物であるエポキシ化フラーレンとアルデヒドあるいはケトンとのアセタール化反応によって、７５℃、１時間の反応でほぼ１００％近い収率でフラーレン誘導体を得ることができる（非特許文献２）。
【特許文献１】特開２００２−２５８４８３号公報
【特許文献２】特開平７―３３７５１号公報
【特許文献３】特開平９−２１１８６２号公報
【特許文献４】特開平１１−１４３０７４号公報
【特許文献５】特開２００５−２６６７９８号公報
【非特許文献１】Ｊｐｎ．Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．，３１、１９９２、４３０１
【非特許文献２】Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．３３、Ｎｏ．１２、２００４、１６０４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したように、様々な置換基によって修飾されたフラーレン誘導体が合成され、レジスト材料への適用が検討されてきた。
【０００９】
しかしながら、フラーレンは、それ自身が安定な化合物であるため、有機物付加体によって修飾を行おうとすると、フラーレンの活性化の為に、高温、高圧環境下あるいは強アルカリを触媒に用いたりしなくてはならなかった。さらに、反応によっては様々な異性体あるいは付加数の違う誘導体が生成し、その為、付加反応をコントロール、あるいは合成後に分離・精製しなくてはならず、その為、収率が低い問題があった。
【００１０】
そこで、本発明は、実用化を鑑み、温和な反応を用い高収率で合成できるフラーレン誘導体を用いて、所望の高感度・高解像度およびレジスト膜の環境安定性を持ちつつ、アルカリ現像液に対する溶解速度を向上させることのできるポジ型レジスト組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは上記知見を元に、課題を解決するため鋭意研究を重ねた結果、フラーレン酸化物を出発物質として得られたフラーレン誘導体であってもレジスト組成物として好適に利用できることを見出し、本発明を完成した。即ち、本発明は下記の構成である。
【００１２】
請求項１に記載の本発明は、下記一般式で表される構造を有する化合物を含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物である。
【００１３】
【化１】
2008076447.tif 000002
【００１４】
請求項２に記載の本発明は、下記一般式で表される構造を有する化合物を含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物である。
【００１５】
【化２】
2008076447.tif 000003
【００１６】
請求項３に記載の本発明は、請求項１または２のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物であって、電子線、ＥＵＶ光（極端紫外光）又はＸ線の照射により、酸を発生する化合物と、酸解離性基で保護されたアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であり、該酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂と、を含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物である。
【００１７】
請求項４に記載の本発明は、請求項１から３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物であって、含窒素塩基性化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物である。
【００１８】
請求項５に記載の本発明は、請求項１から４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物であって、界面活性剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物である。
【００１９】
請求項６に記載の本発明は、請求項１から５のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物を用いて形成されたレジストパターンである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のポジ型レジスト組成物は化１または化２で示されるフラーレン誘導体を含むことを特徴とする。
これらの化合物は、汎用レジスト溶媒およびアルカリ現像液に可溶な置換基を持つアルデヒドあるいはケトンと酸化フラーレンを反応させることにより合成することが出来る。このため、温和な反応を用い高収率で合成すること出来アルカリ現像液に対し溶解度を向上させることが可能である。
また、出発物質である酸化フラーレンのエポキシ環の数によって、修飾基の数がコントロール出来るため、用いるアルデヒドあるいはケトンの構造の選択肢を広くすることが出来る。
また、フラーレン構造を有するため、２次電子を放出し、イオン化しやすい。このため、特に、電子線、ＥＵＶ光又はＸ線を用いたパターン形成において高感度化、高解像度化を実現することが可能となる。
【００２１】
以上説明したように、本発明のレジスト組成物は、（１）簡便に高収率で得ることが出来る、（２）汎用レジスト溶剤および現像液に可溶である、（３）電子線、ＥＵＶ光あるいはＸ線の照射によって２次電子を放出しやすい、といった特性を持つフラーレン誘導体を用いることを特徴とする。
これにより、２次電子を放出しやすいため、高感度が達成される。また、溶解速度が著しく向上することから高解像度なパターンが得られ、現像不良などの基板欠陥形成を防止できる。また、本発明のレジスト組成物から形成されたレジスト膜は、ドライエッチング耐性、耐熱性、機械的強度にも優れており、更なる薄膜化進めることができるため、今後ますます微細化が進行すると予想される半導体デバイスおよび半導体デバイス用フォトマスク製造用の化学増幅型レジストとして極めて有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明のポジ型レジスト組成物に使用する化合物について詳細を説明する。
【００２３】
本発明のポジ型レジスト組成物は化１、化２のような一般式で表される構造を有する化合物を含むことを特徴とする。
【００２４】
＜フラーレン誘導体＞
フラーレン誘導体としては、酸化物フラーレンを原材料にしてアルデヒドあるいはケトンとのアセチル化反応により得られる化合物が挙げられる。
また、フェノール性水酸基、ヘキサフルオロブチルアルコール基もしくはカルボキシル基等の酸性官能基に酸の存在下で解離しうる１種以上の置換基（以下、「酸解離性置換基」という。）を導入した化合物を挙げることができる。  このような酸解離性置換基としては、例えば、後述する酸解離性含有樹脂について挙げる置換メチル基、１−置換エチル基、シリル基、１−分岐アルキル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環式酸解離性基等の酸解離性基と同様の基を挙げることができる。
【００２５】
フラーレン誘導体は、電子リッチな構造を持ち、照射された電子線、ＥＵＶ光あるいはＸ線の高いエネルギーを吸収しさらに２次電子を放出してイオン化し、酸発生剤へエネルギー移動をしやすくする。これらの骨格に、後述する酸解離性基を持たせたものが、本発明のポジ型レジスト組成物に用いられるフラーレン誘導体である。
【００２６】
また、レジスト溶剤に可溶なフラーレン誘導体は、アルコールおよびカルボン酸基を酸解離性置換基で保護したものが好ましい。
【００２７】
上記フラーレン誘導体の具体例として、化１および化２にその一般式を示す。
化１および化２で示す置換基Ｒ１およびＲ２は、アセチル化反応を疎外しないものであれば特に規定されるものではなく、材料設計上任意のものが使用できる。好ましくは、炭層数１〜１５のアルキル基、フェニル基またはナフチル基等が挙げられる。また、これらのアルキル基、フェニル基またナフチル基等には置換基が導入されていてもよい。
また、Ａは単結合、−Ｏ−、−Ｃ（ＣＦ３）２Ｏ−、および−ＣＯＯ−である。また、複数存在するＡは、相互に同一でも異なっても良い。
置換基Ｒ３は、水素原子または後述する酸解離性含有樹脂について挙げる置換メチル基、１−置換エチル基、シリル基、１−分岐アルキル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環式酸解離性基等の酸解離性基と同様の基を挙げることができる。また、複数存在するＲ３は、相互に同一でも異なっても良い。
また、化１および化２で示すｎで表される修飾基の数は、１〜３が望ましい。
【００２８】
本発明のポジ型レジスト組成物を化学増幅型レジストとして用いる場合には、光酸発生剤と、酸解離性基含有樹脂とを含むことが好ましい。
【００２９】
＜光酸発生剤＞
本発明で使用される光酸発生剤として、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいは半導体レジスト等に使用されている公知の光（４００〜２００ｎｍの紫外線、遠紫外線、特に好ましくは、ｇ線、ｈ線、Ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー光）、ＡｒＦエキシマレーザー光、電子線、Ｘ線、分子線又はイオンビームにより酸を発生する化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
【００３０】
また、本発明に用いられる光酸発生剤としては、例えばジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩等のオニウム塩、有機ハロゲン化合物、有機金属／有機ハロゲン化物、Ｏ−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、イミノスルフォネート等に代表される光分解してスルホン酸を発生する化合物、ジスルホン化合物、ジアゾケトスルホン、ジアゾジスルホン化合物等を挙げることができる。また、これらの光により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物を用いることができる。
【００３１】
また、上述した光酸発生剤は、単独、又は必要に応じて２種以上混合して使用することができる。以下、具体的に、光酸発生剤として用いることが出来る化合物を例示する。
【００３２】
（１）  ヨードニウム塩化合物
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェートビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネートなど。
【００３３】
（２）  スルホニウム塩化合物
シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、メチルジフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムメタンスルホネート、４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウムヘキサフルオロアンチモネート、１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートなど。
【００３４】
（３）  有機ハロゲン化合物
２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−フェニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシ−１−ナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（ベンゾ［ｄ］［１，３］ジオキソラン−５−イル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（３，４，５−トリメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（３，４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２，４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２−メトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−ブトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−ペンチルオキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジンなど。
【００３５】
（４）  スルホネート化合物
１−ベンゾイル−１−フェニルメチルｐ−トルエンスルホネート（通称ベンゾイントシレート）、２−ベンゾイル−２−ヒドロキシ−２−フェニルエチルｐ−トルエンスルホネート（通称α−メチロールベンゾイントシレート）、１，２，３−ベンゼントリイルトリスメタンスルホネート、２，６−ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、２−ニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、４−ニトロベンジルｐ−トルエンスルホネートなど。
【００３６】
（５）  ジスルホン化合物
ジフェニルジスルホン、ジ−ｐ−トリルジスルホンなど。
【００３７】
（６）  ジアゾメタン化合物
ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、（ベンゾイル）（フェニルスルホニル）ジアゾメタンなど。
【００３８】
（７）  Ｎ−スルホニルオキシイミド化合物
Ｎ−（エチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（イソプロピルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ブチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフタルイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ナフタルイミドなど。
【００３９】
後述する本発明に好適な酸解離性基含有樹脂との組合せで好ましい酸発生剤としては、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、メチルジフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムメタンスルホネート、４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタンなどを挙げることができる。
【００４０】
これらの光酸発生剤の添加量は、組成物中の固形分を基準として、通常０．００１〜４０重量％の範囲で用いられ、好ましくは５〜３０重量％の範囲で使用される。光酸発生剤の添加量が、５重量％より少ないと感度が低くなり、また添加量が４０重量％より多いと溶解抑止効果が働き、プロファイルの悪化や、プロセス（特にベーク）マージンが狭くなり好ましくない。
【００４１】
＜酸解離性基含有樹脂＞
酸解離性基含有樹脂は、酸解離性基で保護されたアルカリ不溶性またはアルカリ可溶性の樹脂であって、該酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂（酸解離性基という）である。
本発明で用いる酸解離性基含有樹脂としては、特に制限はなく、従来の電子線、ＥＵＶ光又はＸ線ポジ型レジスト組成物において周知のものを用いることができる。
例えば、本発明に用いる酸解離性基含有樹脂として、（１）フェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、キシレノ−ル、トリメチルフェノールなどのフェノール類とホルムアルデヒドなどのアルデヒド類とを酸性触媒下に縮合させて得られたノボラック樹脂、（２）ヒドロキシスチレンの単独重合体やヒドロキシスチレンと他のスチレン系単量体との共重合体、ヒドロキシスチレンとアクリル酸又はメタクリル酸あるいはその誘導体との共重合体などのポリヒドロキシスチレン系樹脂、（３）アクリル酸又はメタクリル酸とその誘導体との共重合体であるアクリル酸又はメタクリル酸系樹脂などのアルカリ可溶性樹脂に、水酸基あるいはカルボン酸基の一部を酸解離性置換基で保護されたもの、などが挙げられる。
【００４２】
上記のヒドロキシスチレンと共重合させるスチレン系単量体としては、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、о−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ―クロロスチレン、ビニルナフタレン、ビニルフルオレン、ビニルフェナントレン、ビニルアントラセンなどが挙げられる。
また、上記アクリル酸又はメタクリル酸の誘導体としては、例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸２−ヒドロキシルプロピル、アクリルアミド、アクリロニトリル及び対応するメタクリル酸誘導体を挙げることができる。
また、上記酸解離性置換基としては、例えば、置換メチル基、１−置換エチル基、１−分岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環式酸解離性基等を挙げることができる。
【００４３】
前記置換メチル基としては、例えば、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、ブロモフェナシル基、メトキシフェナシル基、メチルチオフェナシル基、α−メチルフェナシル基、シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、ブロモベンジル基、ニトロベンジル基、メトキシベンジル基、メチルチオベンジル基、エトキシベンジル基、エチルチオベンジル基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブトキシカルボニルメチル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基等を挙げることができる。また、前記１−置換エチル基としては、例えば、１−メトキシエチル基、１−メチルチオエチル基、１，１−ジメトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−エチルチオエチル基、１，１−ジエトキシエチル基、１−フェノキシエチル基、１−フェニルチオエチル基、１，１−ジフェノキシエチル基、１−ベンジルオキシエチル基、１−ベンジルチオエチル基、１−シクロプロピルエチル基、１−フェニルエチル基、１，１−ジフェニルエチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、１−ｎ−プロポキシカルボニルエチル基、１−イソプロポキシカルボニルエチル基、１−ｎ−ブトキシカルボニルエチル基、１−ｔ−ブトキシカルボニルエチル基等を挙げることができる。また、前記１−分岐アルキル基として、例えば、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基等を挙げることができる。
【００４４】
また、前記シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、メチルジイソプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、メチルジ−ｔ−ブチルシリル基、トリ−ｔ−ブチルシリル基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等を挙げることができる。また、前記ゲルミル基としては、例えば、トリメチルゲルミル基、エチルジメチルゲルミル基、メチルジエチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、イソプロピルジメチルゲルミル基、メチルジイソプロピルゲルミル基、トリイソプロピルゲルミル基、ｔ−ブチルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｔ−ブチルゲルミル基、トリ−ｔ−ブチルゲルミル基、フェニルジメチルゲルミル基、メチルジフェニルゲルミル基、トリフェニルゲルミル基等を挙げることができる。また、前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、ｐ−トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げることができる。
【００４５】
また、前記環式酸解離性基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、４−メトキシシクロヘキシル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、３−ブロモテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラヒドロチオピラニル基、３−テトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシド基等を挙げることができる。これらの酸解離性基のうち、ｔ−ブチル基、ベンジル基、１−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、トリメチルシリル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基等が特に好ましい。
【００４６】
本発明で用いる酸解離性基含有樹脂としては、特に、ポリ（ヒドロキシスチレン）中の水酸基の水素原子の一部を前記酸解離性基で置換した樹脂、ヒドロキシスチレンおよび／または多環式芳香族ビニルと（メタ）アクリル酸との共重合体中の水酸基の水素原子および／またはカルボキシル基の水素原子の一部あるいは全部を前記酸解離性基で置換した樹脂等が好ましい。また、酸解離性基含有樹脂は、単独または２種以上を混合して使用することができる。
【００４７】
酸解離性基含有樹脂中における酸解離性基の導入率（酸解離性基含有樹脂中の酸性官能基と酸解離性基との合計数に対する酸解離性基の数の割合）は、酸解離性基や該基が導入されるアルカリ可溶性樹脂の種類により一概には規定できないが、好ましくは１０〜１００％、さらに好ましくは１５〜１００％である。また、酸解離性基含有樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算重量分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、好ましくは１，０００〜１５０，０００、さらに好ましくは３，０００〜１００，０００である。酸解離性基含有樹脂は、例えば、予め製造したアルカリ可溶性樹脂に１種以上の酸解離性基を導入することによって製造することができ、また酸解離性基を有する１種以上の単量体の（共）重合、酸解離性基を有する１種以上の重縮合成分の（共）重縮合等によって製造することができる。
【００４８】
＜含窒素塩基性化合物＞
化学増幅型のレジスト組成物を用いたリソグラフィーでは一般に、露光により発生した酸を触媒として連鎖的に化学反応を進行させるために露光後ベーク（ポスト・エクスポージャ・ベーク）を行うが、露光から露光後ベークまでの時間が長くなると、酸の失活に伴う性能劣化を引き起こすことが知られている。さらに、発生した酸がレジスト塗膜中で必要以上に拡散することにより、未露光部にまで化学反応が広がり、パターン形状等の性能が劣化することがある。このような露光後の引き置きに伴う酸の失活による性能劣化を防止し、あるいは、酸の拡散を制御し、未露光部での反応を抑えるために、塩基性化合物、特に塩基性含窒素有機化合物、例えばアミン類をクェンチャーとして少量配合するのが有効であることが知られており、本発明においても、このような塩基性含窒素有機化合物をクェンチャーとして含有するのが好ましい。
【００４９】
クェンチャーに用いる含窒素有機化合物は、１級アミン、２級アミン、３級アミン、不飽和環状アミン、４級アンモニウム塩などであることができ、より具体的には、以下のような化合物が例示される。
【００５０】
（１）  １級アミン
ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、アニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、１−又は２−ナフチルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４′−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジメチルジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジエチルジフェニルメタンなど。
【００５１】
（２）  ２級アミン
ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、Ｎ−メチルアニリン、ピペリジン、ジフェニルアミン、Ｎ−ベンジルイソプロピルアミンなど。
【００５２】
（３）  ３級アミン
トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアニリンなど。
【００５３】
（４）  不飽和環状アミン
イミダゾール、ピリジン、４−メチルピリジン、４−メチルイミダゾール、ビピリジン、２，２′−ジピリジルアミン、ジ−２−ピリジルケトン、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（２−ピリジル）エチレン、１，２−ジ（４−ピリジル）エチレン、１，２−ビス（４−ピリジルオキシ）エタン、４，４′−ジピリジルスルフィド、４，４′−ジピリジルジスルフィド、２，２′−ジピコリルアミン、３，３′−ジピコリルアミンなど。
【００５４】
（５）  ４級アンモニウム塩
水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトライソプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウムなど。
【００５５】
これらのなかでも、２級アミン、３級アミン、４級アンモニウムが好ましく、Ｎ−ベンジルイソプロピルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアニリン、水酸化テトラメチルアンモニウムが好ましい。また、クェンチャーとして用いる塩基性含窒素有機化合物は、基板上に形成されたレジスト膜のプリベーク後も、レジスト膜中に残存して効果を発揮するよう、プリベークの温度で蒸発しにくいものが好ましく、具体的には１５０℃以上の沸点を有する化合物が好ましい。
【００５６】
＜界面活性剤＞
本発明のポジ型レジスト組成物に下地基板との塗れ性をよくする目的で使用できる界面活性剤は、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤が好適に用いられ、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤およびフッ素原子とケイ素原子の両方を含有する界面活性剤のいずれか、あるいは２種以上を含有することができる。
【００５７】
これらの界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分を基準として、通常０．００１重量％〜２重量％、好ましくは０．０１重量％〜１重量％である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで添加することもできる。
【００５８】
以下、本発明のポジ型レジスト組成物の調整の一例について説明する。
【００５９】
＜レジスト組成物＞
本発明のレジスト組成物は通常、光酸発生剤（Ａ）を５〜３０重量％、酸解離性基含有樹脂（Ｂ）を６０〜９０重量％、そしてフラーレン誘導体を５〜２０重量％の範囲で含有する。中でも樹脂成分を７０〜８０重量％、酸発生剤を５〜１０重量％そして溶解促進剤を５〜１０％の範囲とするのが好ましい。また、クェンチャーを含有させる場合は、同じくレジスト組成物の全固形分量を基準に、０．０１〜１．０重量％の範囲で用いるのが好ましい。また本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、増感剤、界面活性剤、安定剤、染料など、各種の添加物を少量含有することもできる。
【００６０】
このレジスト組成物は通常、全固形分濃度が１０〜５０重量％となるよう、上記各成分を溶剤に混合してレジスト溶液とし、シリコンウェハまたはマスク用石英の基板上に塗布される。ここで用いる溶剤は、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有するものであればよく、この分野で通常用いられているものが使用できる。例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルのようなグリコールモノ又はジエーテル類、乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、ピルビン酸エチル、γ−ブチロラクトンのようなエステル類、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、キシレンのような芳香族炭化水素類、Ｎ−メチル−２−ピロリドンのようなラクタム類などが挙げられる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、又は２種以上組み合わせて用いることができる。
【００６１】
本発明のレジスト組成物は、例えば以下のようにして用いることができる。すなわち、上記のように溶剤に溶解したレジスト溶液を、スピンコーティングなどの常法によって基板上に塗布し、乾燥（プリベーク）し、パターニングのための露光処理を施し、次いで化学反応を促進するための加熱処理を行った後、アルカリ現像液で現像することにより、レジストパターンを形成することができる。ここで用いるアルカリ現像液は、この分野で通常用いられているものでありうる。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシドの１〜１０重量％水溶液などが挙げられる。またこれらのアルカリ水溶液に、メタノールやエタノールのような水溶性有機溶剤、ある種の界面活性剤などを適当量添加して用いることも可能である。
【実施例】
【００６２】
以下、本発明の実施例について説明する。なお、下記のレジスト組成物の割合は、一例を示したものであって、本発明は下記の値に限定されるものではなく、プロセス条件等によって調整できる。
【００６３】
＜レジスト膜の経時安定性評価＞
（比較例１）
ヒドロキシスチレン・スチレン共重合体（共重合モル比：２０：８０）を２０質量部ふくむプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下ＰＥＧＭＥＡと略す）溶液５０ｇに、フラーレンの１，２，４−トリメチルベンゼン溶液（１質量部）５０ｇを加えた溶液を調整した。その溶液を、１インチウエハ上に回転塗布し、その後１１０℃、１０分間ベーク処理して厚さ約２μｍのフィルムを作成した。そして、ウエハケースに入れ常温、常圧下１５日間放置した。その間に光学顕微鏡（ライカ社製、倍率１０００倍）にて目視で凝集物、結晶化物等がフィルム上あるいはフィルム内に発生していないか確認した。
【００６４】
（実施例１）
ヒドロキシスチレン・スチレン共重合体（共重合モル比：２０：８０）を２０質量部ふくむジグライム溶液５０ｇに、化３に示すフラーレン誘導体（ＦＬＯＸ株式会社製）のジグライム溶液（１質量部）５０ｇを加えた溶液を調整した。そして比較例１と同様にフィルム作成および安定性確認を行った。
【００６５】
【化３】
2008076447.tif 000004
【００６６】
（実施例２）
市販のポジ型化学増幅型レジストＦＥＰ１７１（富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製）の固形分１００質量部を含むレジスト溶液に、化３に示すフラーレン誘導体が５質量部になるように、フラーレン誘導体１質量部のジグライム溶液を加え調整した。そして、比較例１と同様にフィルム作成および安定性確認を行った。
【００６７】
その結果を表１に示す。フラーレンを添加した系（比較例１）においては、フィルム作成後からフラーレンと思われる凝集物が発生し、時間が経つにつれ凝集物が析出する結果となった。それに対し、実施例１，２で調整したフラーレン誘導体含有フィルムは、良好なフィルム安定性を示し、１５日間放置しても凝集物、結晶化物は観察されなかった。以上より、本発明のポジ型レジスト組成物は溶解性が良好であることが示された。
【００６８】
【表１】
2008076447.tif 000005
【００６９】
＜レジスト膜のエッチング耐性評価＞
（比較例２）
ヒドロキシスチレン・スチレン共重合体（共重合モル比：２０：８０）を２０質量部ふくむジグライム溶液を調整し、その溶液を１インチウエハ上に回転塗布し、その後１１０℃、１０分間ベーク処理を行い厚さ０．８μｍのフィルムを作成した。そして、その基板を誘導結合プラズマエッチング装置にて、エッチングガス（混合比（体積比）  塩素／ヘリウム／酸素＝６０／８０／９）、圧力７Ｘ１０−３Ｔｏｒｒ、ＲＩＥパワー６Ｗ、ＩＣＰパワー２５０Ｗ、エッチング時間１８０秒の条件でエッチング処理した。そして、レジスト膜の時間あたりのエッチングレートを算出した。結果を表２に示す。
【００７０】
（比較例３）
市販のポジ型化学増幅型レジストＦＥＰ１７１を１インチウエハ上に回転塗布し、その後１２０℃、１０分間ベーク処理を行い厚さ０．７μｍのレジストフィルムを作成した。そして、比較例２と同様なエッチング条件にて、レジスト膜の時間あたりのエッチングレートを算出した。結果を表２に示す。
【００７１】
（実施例３）
実施例１と同様に作成した基板を比較例２と同条件でエッチングを行い、エッチングレートを算出した。結果を表２に示す。
【００７２】
（実施例４）
実施例２と同様に作成した基板を比較例２と同条件でエッチングを行い、エッチングレートを算出した。結果を表２に示す。
【００７３】
エッチングレートを算出した結果を表２に示す。フラーレン誘導体を導入したそれぞれ３０％のエッチング耐性向上（比較例２と実施例３との対比）および２４％のエッチング耐性向上（比較例３と実施例４との対比）が確認され、フラーレン誘導体を導入することによって、耐ドライエッチング性を向上させることができることが明らかになった。
【００７４】
【表２】
2008076447.tif 000006
【００７５】
＜パターニング評価＞
（比較例４）
市販のポジ型化学増幅型レジストＦＥＰ１７１を用いて、以下のように、石英マスク基板上に微細パターンを形成した。
まず、図１（ａ）に示すように、マスク基板１上にレジスト溶液を回転塗布、ベーク処理し、マスク基板１上にレジスト膜２を３００ｎｍ形成した。そして、図１（ｂ）、（ｃ）に示すように加速電圧５０ＫＶの電子線描画装置を用いて電子線３を照射した。
次に、露光後ベークを行ない、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド水溶液で、現像時間９０秒で現像を行なった。そして、マスク基板上に１００ｎｍのライン＆スペースパターン４ａを形成し、そのとき、１：１のパターンが得られた感度を最適感度とした。なお、ＦＥＰ１７１には、（Ａ）光酸発生剤と（Ｂ）酸解離性基含有樹脂が主成分のポジ型化学増幅型レジストであり、（Ｃ）フラーレン誘導体は含まれていない。求めた最適感度を表３に示す。
【００７６】
（実施例５）
市販のポジ型化学増幅型レジストＦＥＰ１７１の固形分１００質量部を含むレジスト溶液に、化４に示すフラーレン誘導体が５質量部になるように、フラーレン誘導体（ＦＬＯＸ株式会社製）１質量部のジグライム溶液を加え調整した。そして、比較例４と同様にマスク基板上にパターン形成を行い、最適感度を求めた。求めた最適感度を表３に示す。
【００７７】
【化４】
2008076447.tif 000007
【００７８】
これらの結果を表３に示す。実施例５のフラーレン誘導体を添加した系において、比較例１より高感度化した結果が得られた。
【００７９】
【表３】
2008076447.tif 000008
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明のポジ型レジスト組成物は超高集積度半導体素子の製造や、その製造に用いられるフォトマスクの製造に用いられる電子線、ＥＵＶ光又はＸ線用化学増幅型のポジ型レジストとして好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明のレジスト組成物を用いた微細パターン形成プロセスの一例を説明する図である。
【符号の説明】
【００８２】
１……マスク基板
２……レジスト膜
３……電子線
４ａ……ライン＆スペースパターン
５……エッチング処理
【図１】
2008076447.tif 000011