(57)【要約】【課題】無線通信装置を利用した自動認識技術を用いて、物品を管理するための個体管理システムを提供する。【解決手段】管理対象物には個体管理装置が付され、個体識別装置は該個体管理装置との無線通信が可能であり、個体情報管理装置は個体識別装置との通信が可能な構成を有する。個体管理装置はセンサ等の検知部を有し、個体識別装置は個体管理装置との距離を算出する位置解析部を有する。個体管理装置と個体識別装置の間の距離、及び個体管理装置が有する検知部からの情報が個体識別装置に送られ、システムの利用者が個体管理装置の位置を正確に特定することが可能になる。【選択図】図１
2008268193.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管理対象物に付され、該管理対象物の周囲の情報を検知する検知部が設けられた個体管理装置と、
前記個体管理装置との距離を算出する位置解析部が設けられ、前記個体管理装置と無線通信を行う個体識別装置と、
前記管理対象物に関する情報を記憶する記憶部が設けられ、前記個体識別装置と無線通信又は有線通信を行う個体情報管理装置と、を有し、
前記検知部及び前記位置解析部の情報が、前記管理対象物の位置の特定に用いられることを特徴とする個体管理システム。
【請求項２】
管理対象物に付され、該管理対象物の周囲の情報を検知する検知部が設けられた個体管理装置と、
前記個体管理装置の存在する方向を特定する位置解析部が設けられ、前記個体管理装置と無線通信を行う個体識別装置と、
前記管理対象物に関する情報を記憶する記憶部が設けられ、前記個体識別装置と無線通信又は有線通信を行う個体情報管理装置と、を有し、
前記検知部及び前記位置解析部の情報が、前記管理対象物の位置の特定に用いられることを特徴とする個体管理システム。
【請求項３】
管理対象物に付され、該管理対象物の周囲の情報を検知する検知部が設けられた個体管理装置と、
前記個体管理装置との距離を算出し、方向を特定する位置解析部が設けられ、前記個体管理装置と無線通信を行う個体識別装置と、
前記管理対象物に関する情報を記憶する記憶部が設けられ、前記個体識別装置と無線通信又は有線通信を行う個体情報管理装置と、を有し、
前記検知部及び前記位置解析部の情報が、前記管理対象物の位置の特定に用いられることを特徴とする個体管理システム。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記個体管理装置はアンテナを有し、
前記位置解析部は、前記アンテナから受信した電磁波の強度により前記管理対象物の位置の特定を行うことを特徴とする個体管理システム。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記記憶部には不揮発性メモリを有することを特徴とする個体管理システム。
【請求項６】
請求項５において、
前記不揮発性メモリは、ライトワンス型であることを特徴とする個体管理システム。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記個体管理装置は、無線によって給電することが可能な蓄電部を有することを特徴とする個体管理システム。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記個体識別装置は、無線によって給電することが可能な蓄電部を有することを特徴とする個体管理システム。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記個体識別装置は、前記個体管理装置との通信の状態を利用者に知らせる対利用者通知部を有することを特徴する個体管理システム。
【請求項１０】
請求項９において、
前記対利用者通知部は、表示部、照明素子、バイブレータ、音声機器、又は音声通知部であることを特徴とする個体管理システム。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記表示部には周囲のレイアウトを表示できることを特徴とする個体管理システム。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記個体識別装置は、撮像部を有することを特徴とする個体管理システム。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記検知部は、光センサを有し、
前記光センサにより検知された情報が、前記管理対象物の位置の特定に用いられることを特徴とする個体管理システム。
【請求項１４】
個体管理装置、前記個体管理装置との無線通信が可能な個体識別装置、及び前記個体識別装置との通信が可能な個体情報管理装置を有し、
前記個体管理装置は、個々の個体管理装置を識別するための識別情報を記憶する記憶部と、検知部と、を有し、
前記個体識別装置は、前記個体管理装置との距離を算出する位置解析部を有し、
前記個体管理装置は管理対象物に付され、
前記個体情報管理装置は、前記個体識別装置が特定の識別情報を有する個体管理装置と通信を行うように、前記個体識別装置と前記個体管理装置との無線通信を制御し、
前記個体識別装置と前記個体管理装置との無線通信により、前記個体管理装置は前記記憶部が記憶する前記識別情報及び前記検知部が得た検知情報を前記個体識別装置に送信し、前記個体識別装置は前記位置解析部で個体管理装置との距離を算出することにより、前記個体管理装置が付された前記管理対象物の位置を特定することを特徴とする個体管理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、個体管理装置、個体識別装置、及び個体情報管理装置を有する個体管理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、無線通信を利用した自動認識技術の開発が盛んに行われており、一部の分野では導入も進んでいる。自動認識技術は、情報を電子回路に記憶する無線通信装置、当該無線通信装置に記憶された情報を読み書きするリーダ／ライタ、及び読み取った情報の処理やリーダ／ライタの制御等を行う上位システムで構成される。無線通信装置は、ＲＦＩＤタグ、ＩＣタグ、又は無線タグ等の様々な名称で呼ばれる。また、無線通信装置は無電池方式のものが多い。無電池方式では、無線通信装置はリーダ／ライタから放射される電磁波により動作し、リーダ／ライタと無線通信を行う。また、これらを制御する上位システムとしてはコンピュータが使用されることが一般的であり、パラレルポート又はシリアルポート（シリアルポートの代表としては、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）ポート）等を介してリーダ／ライタと通信を行う。この自動認識技術は、物品の製造、物流、及び小売りに至るまでを総合的に管理する技術として期待されており、そのためにも安価で小型な、利便性の高い無線通信装置の開発が進められている。
【０００３】
自動認識技術は、その技術の発達に伴って単に物流を管理するための技術に留まらず、個人の持ち物を管理し、遺失物を探索するシステムにも応用されている（例えば、特許文献１を参照）。特許文献１の遺失物探索システムは、探索の対象となる物品に無線通信装置を貼付等し、該無線通信装置の位置を特定することで、必要に応じて対象となる物品の位置を検出することができるシステムをいう。
【特許文献１】特開２００５−００３６２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記のような無線通信装置を利用した自動認識技術を用いて、室内等の限られた領域内で個人の所有物等を容易に管理するための個体管理システムを提供することを課題とする。
【０００５】
本発明の個体管理システムは、室内等の一定の面積の領域内で、利用者が持ち物の位置を把握しやすくすることを課題とする。
【０００６】
または、個体識別装置を携帯している利用者から個体管理装置が付された管理対象物までの距離及び利用者を基準とした管理対象物が存在する方向、並びに管理対象物周囲の環境（例えば、明るさ又は温度等の情報）の情報を得ることにより、管理対象物の位置を利用者に正確に把握させることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の個体管理システムは、個体管理装置、該個体管理装置との無線通信が可能な個体識別装置、及び該個体識別装置との通信が可能な個体情報管理装置を有する。管理対象物に付される個体管理装置はセンサ等の検知部を有し、個体識別装置は個体管理装置との距離を算出する位置解析部を有する。算出された個体管理装置と個体識別装置の間の距離、及び個体管理装置から得られた検知部からの情報により、システムの利用者は個体管理装置が付された管理対象物の位置を特定することが可能になる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明により、管理対象物周囲の状況を取得することができる。そのため、管理対象物の位置の情報を把握しやすくなる。また、管理対象物の位置をより正確に把握することもでき、管理対象物の管理をより正確に行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されない。本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解されるからである。したがって、本発明は以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容のみに限定して解釈されるものではない。なお、図面を用いて本発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。
【００１０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の個体管理システムの構成と機能の一例について図面を参照して説明する。本実施の形態にて説明する本発明の一例は、無線通信装置を利用した個体認識技術を利用することで、主に室内等の限られた領域内に存在する物品を管理することを目的とした個体管理システムである。
【００１１】
本実施の形態にて説明する個体管理システムの一例を図１に示す。図１に示す個体管理システムは、個体管理装置１０１、個体識別装置１０２、及び個体情報管理装置１０３を有する。個体識別装置１０２と個体情報管理装置１０３は、これらの間に接続された通信回線１０４を介して通信を行うことが好ましいが、通信が可能な構成を有していれば有線通信に限定されず、無線通信により通信を行ってもよい。
【００１２】
個体管理装置１０１は、複数の管理対象物から一の管理対象物を識別するために各々の管理対象物に付される識別情報を有する、個体識別装置１０２と無線通信可能な半導体装置である。
【００１３】
個体識別装置１０２は、管理対象物に付された複数の個体管理装置から、特定の個体管理装置を識別する。個体識別装置１０２は個体管理装置１０１との無線通信が可能な構成を有していればよい。
【００１４】
個体管理装置１０１と個体識別装置１０２は無線通信を行うための構成を有する。個体管理装置１０１と個体識別装置１０２の無線通信に使用される電送媒体としては、１３ＭＨｚ付近、９００ＭＨｚ付近、及び２ＧＨｚ付近の電磁波が利用される。これらの通信のプロトコルは、例えばＩＳＯ／ＩＥＣ１８０００―３、ＩＳＯ／ＩＥＣ１８０００―４、及びＩＳＯ／ＩＥＣ１８０００―６等に準ずることで実現することができる。
【００１５】
個体情報管理装置１０３は、管理対象物に付された個体管理装置１０１が有する識別情報と当該管理対象物の名称とを関連づけ、個体情報として記憶する。個体情報管理装置１０３は、個体識別装置１０２の外部ではなく、個体識別装置１０２の内部に設けることも可能である。
【００１６】
個体情報とは、個体情報管理装置１０３に記憶された、登録作業が行われた管理対象物の識別情報及び管理対象物の名称等をいう。管理対象物として、例えばパスポートを例として挙げると、管理対象物の名称には「パスポート」が該当する。ここで、名称とは必ずしも当該物品の普通名称に限定されるものではなく、利用者の用途に応じて様々な名称を与えることができる。利用者の名前が「太郎」である場合には、「太郎のパスポート」との名称を与えることも可能である。
【００１７】
図１に示すシステムの動作の概要について説明する。まず、システムの利用者が、個体情報管理装置１０３に記憶された個体情報から特定の管理対象物（ここでは、管理対象物Ａと表記する。）を指定する。特定の管理対象物Ａが指定されると、個体情報管理装置１０３は個体識別装置１０２に対して、管理対象物Ａに付された個体管理装置１０１と通信を行うことを要求する。そして、個体識別装置１０２が管理対象物Ａに付された個体管理装置１０１と無線通信を行うことにより、利用者は個体管理装置１０１から送信された情報により管理対象物Ａの位置に関する情報を得ることができる。
【００１８】
本発明の個体管理システムの利用形態について簡単に説明する。本システムは、はじめに、登録作業を行う。ここで、登録作業とは、管理すべき管理対象物に個体管理装置を付し、当該管理対象物に対応する個体情報を個体情報管理装置に記憶させることをいう。そして、登録作業を繰り返すことで、複数の管理対象物を個体情報管理装置１０３に登録することができる。
【００１９】
登録作業を行った管理対象物を探索したい場合には、利用者は、個体情報管理装置１０３に記憶された個体情報から、探索を希望する管理対象物を選択する。個体情報管理装置１０３は、個体識別装置１０２に対して、当該管理対象物に付された個体管理装置１０１と通信を行うように要求する。個体情報管理装置１０３の要求を受けた個体識別装置１０２は、指定された個体管理装置１０１と無線通信を行うことによって、管理対象物の位置を把握することができる。
【００２０】
なお、本明細書中では上記のように、管理対象物の所在を把握する作業を「使用」と記載する。
【００２１】
なお、識別情報とは、個体管理装置１０１に記憶された、複数の管理対象物から一の管理対象物を特定するための情報をいい、例えば、識別番号等が該当する。
【００２２】
次に、登録作業について、個体管理装置１０１、個体識別装置１０２、及び個体情報管理装置１０３が有する機能及び構成との関連を踏まえて詳細に説明する。
【００２３】
まず、識別情報を個体管理装置１０１に記憶させ、個体管理装置１０１と個体識別装置１０２が通信を行う。具体的には、個体管理装置１０１が個体識別装置１０２からの情報要求により、個体識別装置１０２に固有の識別情報を送信する。したがって、個体管理装置１０１は、個体識別装置１０２と無線通信を行う無線通信部１１１、識別情報を記憶する記憶部１１２、及び検知部１１４を有する。また、個体管理装置１０１は、個体管理装置１０１自身の駆動電力を確保するために蓄電部１１３を有していてもよい。
【００２４】
無線通信部１１１について、図２（Ａ）を参照して説明する。無線通信部１１１は、共振回路２１０、復調回路２１１、変調回路２１２、復号化回路２１３、符号化回路２１４、記憶制御回路等のロジック回路２１５、及び電源回路２１６を有する。共振回路２１０はアンテナ、又はアンテナと容量素子を有する。共振回路２１０が有するアンテナに生じた誘導起電圧は整流され、容量素子に蓄えられる。容量に蓄えられた電力は、個体管理装置１０１全体を駆動する電力として供給される。そのため電源回路２１６は、整流回路及び容量を有し、更には、整流した電力を制御するための電流・電圧制御回路を有していてもよい。
【００２５】
アンテナで受信された搬送波は復調回路２１１に入力されて復調され、個体識別装置１０２から送信された信号を取り出す。取り出された信号は、特定の方法によって符号化されているため、復号化回路によって解読される。そして、解読された信号が正しいか、又はこちらからどのような信号を返信すべきか等をロジック回路２１５が判断し、返信すべきと判断されたときには、記憶部１１２の情報を読み出す。読み出された情報は、符号化回路２１４によって符号化される。そして、その情報は変調回路２１２に入力されて変調され、アンテナを介して個体識別装置１０２へ送られる。
【００２６】
無線通信部１１１が上記のように機能するため、共振回路２１０は復調回路２１１に接続され、復調回路２１１は符号化回路２１４と接続される。そして符号化回路２１４はロジック回路２１５に接続され、ロジック回路２１５は記憶部１１２を制御し、記憶部１１２のデータは必要に応じてロジック回路２１５に送られる。ロジック回路２１５の出力信号は符号化回路２１４に送られ、符号化回路２１４で符号化された信号は変調回路２１２へ送られる。変調回路２１２で変調された信号は共振回路２１０へ送られる。
【００２７】
次に、蓄電部１１３について、図２（Ｂ）を参照して説明する。蓄電部１１３は、無線による給電が可能であり、整流回路２１７、電流・電圧制御回路２１８、充電制御回路２１９、及びバッテリ２２０を有する。
【００２８】
アンテナに生じた誘導起電力は、共振回路２１０を介して整流回路２１７に供給され、直流の電力へと整流される。そして、その出力電圧が電流・電圧制御回路２１８に供給され、充電に適した電圧に調整された後、バッテリ２２０へ供給されることでバッテリ２２０が無線により充電される。充電制御回路２１９は、バッテリの充電状況を監視し、電流・電圧制御回路２１８からバッテリ２２０へ供給される電力を制御する。具体的には、整流された電力を充電に適した任意の電圧値又は電流値に調整する。また、バッテリ２２０の充電が終了すると、電流・電圧制御回路２１８からバッテリ２２０への電力の供給は終了する。バッテリ２２０は、充電された電力を用いて個体管理装置１０１が有する各回路を駆動する電力源として機能する。
【００２９】
整流回路２１７は、半波整流回路、全波整流回路、ブリッジ整流回路、及び半波倍圧整流回路のいずれかを用いて交流を直流にし、大型の容量によって電圧を平滑にする。これらの整流回路は、ダイオードを有する。または、ダイオード接続されたＴＦＴを有しても良い。
【００３０】
上記の構成を有する個体管理装置１０１は登録作業の後に管理対象物に付され（または管理対象物に付され、登録作業が行われた後に）、個体情報管理装置１０３と通信を行う。個体識別装置１０２は、個体管理装置１０１に情報要求を出し、返信される識別情報を受信する。そして、個体識別装置１０２は、受信した識別情報を個体情報管理装置１０３に送信する。したがって、個体識別装置１０２は、個体管理装置１０１と無線通信を行う無線通信部１２１、個体管理装置１０１から受信した識別情報等を一時的に記憶する記憶部１２２、及び通信回線１０４を介して個体情報管理装置１０３と通信を行う回線通信部１２４を有する。更には、個体識別装置１０２は個体管理装置１０１と通信を行い、個体情報管理装置１０３と有線通信を行うことから、通信によってやり取りされる情報を適切な形に処理するための情報処理部１２３を有する。なお、無線通信部１２１は、既に説明した無線通信部１１１と同様の構成であればよい。
【００３１】
なお、本実施の形態では個体識別装置１０２と個体情報管理装置１０３が通信回線１０４を介して通信しているため、回線通信部１２４を有する形態を示しているが、個体識別装置１０２と個体情報管理装置１０３が無線通信を行う構成であっても良い。この場合には、回線通信部１２４及び回線通信部１３１に代えて、個体識別装置１０２が個体情報管理装置１０３と無線通信を行うための無線通信部を有し、個体情報管理装置１０３が個体識別装置１０２と無線通信を行うための無線通信部を有していてもよい。個体識別装置１０２と個体情報管理装置１０３が無線通信を行う場合には、個体識別装置１０２は、蓄電部１２６を有することが好ましい。蓄電部１２６は蓄電部１１３と同様の構成で無線により充電されてもよいし、外部の電源に有線接続されて電力が供給される構成であっても良い。
【００３２】
また、個体識別装置１０２は、個体管理装置１０１との通信の状態を利用者に知らせるため、対利用者通知部１２５を有する。対利用者通知部１２５は、表示部、照明素子、バイブレータ、音声機器、音声通知部等でも良い。
【００３３】
更に、個体識別装置１０２は、個体管理装置１０１の位置を把握するために、位置解析部１２８を有する。
【００３４】
加えて、個体識別装置１０２は、登録作業をする管理対象物と当該管理対象物に付される個体管理装置１０１が有する識別情報とを関連づけるために、管理対象物の像を撮影する撮像部１２７、例えばカメラを有していてもよい。
【００３５】
個体情報管理装置１０３は、利用者が登録作業をした全ての管理対象物に対応する個体情報を記憶する。利用者は個体管理装置１０１を管理対象物に付した後、当該管理対象物の名称等の個体情報を個体情報管理装置１０３に入力する。そして、個体情報管理装置１０３は、個体識別装置１０２を介して個体管理装置１０１が記憶している識別情報を読み出し、利用者が登録作業をした管理対象物の名称等の情報と当該識別情報を関連付けて個体情報として記憶する。したがって、個体情報管理装置１０３は、個体識別装置１０２と通信を行うための回線通信部１３１、及び利用者が入力した情報や個体識別装置１０２と通信を行う情報を処理する情報処理部１３２を有する。さらに、登録作業された個体情報や登録作業時若しくは使用時に本システムを動作させるプログラムファイルを記憶する記憶部１３３、及び利用者からの情報入力の受信若しくは個体情報の表示を行う、情報入出力部１３４を有する。
【００３６】
ここで、個体管理装置１０１に記憶される識別情報１５０、及び個体情報管理装置１０３に記憶される個体情報１５１について、図３を参照して説明する。識別情報１５０は、複数の管理対象物の中から一の管理対象物を特定するための情報であり、少なくとも、各管理対象物に割り振られる管理番号１５０ａ、領域内に同種のシステムが複数存在するときに混乱を防ぐシステム番号１５０ｂ、及び利用者番号１５０ｃ等を有する（図３（Ａ）を参照）。
【００３７】
また、個体情報１５１は、個体管理装置１０１に記憶される識別情報１５０、管理対象物の名称等１５１ａ、及びその他の情報１５１ｂを有する。その他の情報１５１ｂとしては、利便性を向上させるための管理対象物画像データ１５１ｃ、システム運用時に用いるシステムパスワード１５１ｄ、及び登録作業履歴１５１ｅ等が挙げられる。そして、個体情報管理装置１０３の記憶部１３３は、登録作業された全ての個体管理装置１０１に関する個体情報１５１をデータベース１５２として記憶する（図３（Ｂ）を参照）。
【００３８】
なお、個体管理装置１０１に、識別情報１５０ではなく、個体情報１５１が記憶されていても良い。しかし、個体管理装置１０１は、管理対象物に付されるので小型であることが好ましく、個体管理装置１０１には必要最低限の情報のみを記憶させることで記憶容量を小さく抑えることが好ましい。
【００３９】
次に、本発明の個体管理システムについて「使用時」の説明を行う。
【００４０】
個体管理装置１０１には、装置に固有の識別情報１５０が記憶されている。そして登録作業時と同じく、個体管理装置１０１が個体識別装置１０２からの情報要求を受信すると、識別情報１５０を個体識別装置１０２へ送信する。
【００４１】
ここで、個体管理装置１０１が有する検知部１１４について説明する。検知部１１４は、個体管理装置１０１の状況を検知するもの、例えば、温度センサ、光センサ（好ましくは、周囲の色を識別できる光センサ）、湿度センサ、加速度センサ、角速度センサ、又は磁気センサ（好ましくは地磁気を検出する）等が相当する。個体管理装置１０１が検知部１１４として光センサを有することで、個体管理装置１０１が存在する場所の明るさの度合を検知し、所在を把握したい管理対象物の場所を特定するための情報を得ることができる。また、個体管理装置１０１が複数種のセンサ等を有することで、管理対象物の場所を特定するための複数の情報を取得することができ、管理対象物の位置についてより正確な把握が可能になる。
【００４２】
個体管理装置１０１が有する検知部１１４の構成の一例について、図４（Ａ）を参照して説明する。検知部１１４は、光センサ、温度センサ、若しくは湿度センサ等のセンサ２３０、センサから出力されるアナログ信号を増幅してデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換回路２３１、及びデジタル信号を処理する情報処理回路２３２を有する。このように、検知部１１４によって検知され、情報処理回路２３２で加工された情報は符号化回路２１４に入力され、無線通信部１１１が有する変調回路２１２で変調され、共振回路２１０が有するアンテナを介して個体識別装置１０２へ送信される。検知部１１４の駆動電力の確保には、無線通信部１１１が有する電源回路２１６又は蓄電部１１３が有するバッテリ２２０を用いる。
【００４３】
個体識別装置１０２は、個体情報管理装置１０３からの命令を受けて、複数の個体管理装置から一の個体管理装置を選択し、通信を行う。具体的には、個体情報管理装置１０３が指定した識別情報を有する個体管理装置１０１と無線通信を行う。
【００４４】
ここで、情報処理部１２３は、通信のための情報処理の他、個体識別装置１０２と通信している特定の個体管理装置１０１までの距離や個体識別装置１０２を基準とした個体管理装置１０１の存在する方向を解析する機能を有する。そして、情報処理部１２３が解析した個体管理装置１０１の位置、又は個体管理装置１０１が有する検知部１１４によって検知された情報等を、個体識別装置１０２の対利用者通知部１２５により利用者に伝える。
【００４５】
ここで、個体識別装置１０２と通信している特定の個体管理装置までの距離や存在する方向を解析する機能について説明する。まず、距離のみを解析する場合について説明する。
【００４６】
個体管理装置１０１と個体識別装置１０２との無線通信により、個体管理装置１０１と個体識別装置１０２との距離や、個体識別装置１０２を基準として個体管理装置１０１がどの方向に存在するかを測ることができる。
【００４７】
例えば、個体管理装置１０１から発信された電磁波によって個体識別装置１０２の無線通信部１２１が有するアンテナに生じる誘導起電圧の大きさを利用することにより、個体識別装置１０２は個体管理装置１０１と個体識別装置１０２との距離を検知することができる。個体管理装置１０１が所定の電力で電磁波を送信したとき、個体管理装置１０１と個体識別装置１０２との距離は、個体識別装置１０２のアンテナに生じる誘導起電圧の大きさに依存するからである。したがって、個体管理装置１０１が有する無線通信部１１１に所定の電力で電磁波を送信し、個体識別装置１０２のアンテナに生じる誘導起電圧の大きさから個体管理装置１０１と個体識別装置１０２との距離を求めることができる。
【００４８】
この場合の、個体識別装置１０２が有する位置解析部１２８について図４（Ｂ）を参照して説明する。位置解析部１２８は、整流回路２４１、比較回路２４２、及び比較電位生成回路２４３を有する。
【００４９】
整流回路２４１は、個体管理装置１０１からの電磁波を受信して生じた誘導起電力を整流し、出力信号を比較回路２４２に入力する。比較電位生成回路２４３は、整流回路２４１の出力信号の電位と比較するための基準電位を生成し、比較回路２４２に入力する。比較回路２４２は、整流回路２４１から入力された信号の電位と基準電位とを比較する。比較された結果は、個体識別装置１０２が有する情報処理部１２３に入力され、情報処理部１２３が演算して距離を算出し、算出した結果は対利用者通知部１２５に送信される。ここで、比較回路の出力情報を処理する情報処理部１２３は、論理演算を行うことのできる回路、具体的には中央演算処理装置（ＣＰＵ）等を有していることが望ましい。
【００５０】
また、個体管理装置１０１と個体識別装置１０２間の距離と個体識別装置１０２のアンテナに生じる誘導起電圧の大きさの関係は比例関係である必要はない。したがって、その距離をより正確に求める必要がある場合には、個体管理装置１０１がある一定の電力（第１の電力と記載する。）で電磁波を送信したときと、第１の電力とは異なる電力（第２の電力と記載する。）で電磁波を送信したときで、個体識別装置１０２のアンテナに生じる誘導起電圧の大きさを比較し、そこから距離を求める。この場合、個体管理装置１０１は、第１の電力及び第２の電力を生成し、アンテナに印加するための電流・電圧制御回路を有する。この電流・電圧制御回路は図２（Ｂ）にて説明した電流・電圧制御回路２１８と同様の構成でよい。
【００５１】
次に、個体識別装置１０２が、個体管理装置１０１と個体識別装置１０２間の距離のみならず、個体管理装置１０１が存在する方向をも解析することができる構成を有する場合について、図５を参照して説明する。この場合、図１に示す無線通信部１２１は無線通信部１２１ａに置換され、位置解析部１２８は位置解析部１２８ａに置換される。個体識別装置１０２を基準として個体管理装置１０１がどの方向に存在するのかを検知するには、個体識別装置１０２の無線通信部に受信用のアンテナを設け、該アンテナに指向性を持たせる構成とすればよい。受信用のアンテナに指向性を持たせることで、アンテナを様々な方向に向けたときに起電力の最も大きい方向が個体管理装置１０１の存在する方向であると特定することができる。
【００５２】
図５は、無線通信部１２１ａ及び位置解析部１２８ａを示す。無線通信部１２１ａは受信用アンテナ２５１及び発信用指向性アンテナ２５２を有する。発信用指向性アンテナ２５２は発信方向が変更可能なものが好ましい。無線通信部１２１ａが有するその他の回路は、無線通信部１２１と同様の構成を有していればよい。位置解析部１２８ａは、受信した電磁波の電力の大きさを比較する。位置解析部１２８ａは、整流回路２６１、比較回路２６２、比較電位生成回路２６３、及び通信電力制御回路２６４を有する。整流回路２６１、比較回路２６２、及び比較電位生成回路２６３は、それぞれ整流回路２４１、比較回路２４２、及び比較電位生成回路２４３と同様の構成を有していればよい。比較された結果は情報処理部１２３に入力され、情報処理部１２３は通信電力制御回路２６４を介して発信用指向性アンテナ２５２に供給する電力を制御する。
【００５３】
無線通信部１２１ａ及び位置解析部１２８ａを有する個体識別装置１０２が、個体管理装置１０１の存在する方向を検知する方法について図６を参照して説明する。まず、処理を開始する（ステップ３００）。個体識別装置１０２が角度θで個体管理装置１０１と通信を行う（ステップ３０１）。個体管理装置１０１からの返信の有無を判断する（ステップ３０２）。個体管理装置１０１からの返信があった場合には角度θで返信があった旨を記憶する（ステップ３０４）。個体管理装置１０１からの返信がない場合には電力を強め（ステップ３０３）、再度、個体管理装置１０１と通信を行う。出力可能な範囲での最大の電力でも返信がない場合には、その角度では返信がなかった旨を記憶する。次に、可能な範囲で角度θを変化させて個体管理装置１０１と通信し、ステップ３０１から再度処理を行う（ステップ３０５）。記憶された結果から、返信があった方向、又は返信された電力の強度が最も強かった方向を個体管理装置１０１が存在する方向として表示し（ステップ３０６）、処理が終了する（ステップ３０７）。
【００５４】
次に、無線通信部１２１ａ及び位置解析部１２８ａを有する個体識別装置１０２が、個体管理装置１０１の存在する方向及び個体管理装置１０１の位置から判断できる個体識別装置１０２と個体管理装置１０１の距離を検知する方法について図７を参照して説明する。まず、処理を開始する（ステップ４００）。個体識別装置１０２がある電力Ｐ１で個体管理装置１０１と通信を行う（ステップ４０１）。個体管理装置１０１からの返信がある場合（ステップ４０２）には、電力を弱めて（ステップ４０３Ａ）個体管理装置１０１との通信を行い、個体識別装置１０２に対して個体管理装置１０１からの返信が無くなるまで電力を徐々に弱めていく（ステップ４０４Ａ）。ここで、最後に通信を行うことができた電力Ｐ２を記憶する（ステップ４０５Ａ）。ステップ４０２において、個体管理装置１０１からの返信がなかった場合には、電力を強めて（ステップ４０３Ｂ）個体管理装置１０１との通信を行い、個体識別装置１０２に対し、個体管理装置１０１からの返信があるまで電力を徐々に強めていく（ステップ４０４Ｂ）。ここで、初めて通信を行うことができたときの電力Ｐ３を記憶する（ステップ４０５Ｂ）。ここで、個体管理装置１０１と個体識別装置１０２との無線通信が電波で行われる場合、特定の電力Ｐで発信された電波は個体管理装置１０１と個体識別装置１０２との距離の二乗に反比例して減衰する。したがって、個体管理装置１０１と個体識別装置１０２との距離が遠い程強い電力が必要となり、ステップ４０３Ｂからステップ４０５Ｂを経る。逆に、個体管理装置１０１と個体識別装置１０２との距離が近い程電力は小さくてもよいため、ステップ４０３Ａからステップ４０５Ａを経る。このようなことから、個体識別装置１０２がある距離に固定されている場合、個体識別装置１０２が発信する電力にはＰ２＜Ｐ１＜Ｐ３の関係が成り立つ。したがって、個体識別装置１０２は、電力がＰ２以上Ｐ３以下で必ず通信を行うことのできる構成であるとする。更に好ましくは、本システムを利用する範囲内において最長となる距離間の通信が可能な電力で通信を行うことのできる構成を有する。
【００５５】
そして、発信用指向性アンテナ２５２を用いてある角度θ１の方向に向け、電力Ｐ２又は電力Ｐ３で個体管理装置１０１と通信を行い、個体管理装置１０１からの返信があるか否か、返信がある場合にはその電力Ｐを記憶し、角度を変化させて、同様に個体管理装置１０１と通信を行う（ステップ４０６）。角度の変化は可能な限り行う。これらの結果、個体管理装置１０１と通信可能な方向、又は個体管理装置１０１から返信された電力が最大の方向を、個体管理装置１０１の存在する方向であると判断して表示し（ステップ４０７）、処理が終了する（ステップ４０８）。
【００５６】
また、個体識別装置１０２が有する位置解析部は、指向性のアンテナではなく複数のアンテナ及び遅延加算回路を有する構成としても良い。このとき、好ましくは一列、又はマトリックス状等、特定の配列に並べられた複数のアンテナを有する。そして、複数のアンテナの各々に生じた交流電力を遅延加算回路に入力して遅延加算を行うことで個体管理装置１０１が存在する方向を算出することができる。個体識別装置１０２に設けられた複数のアンテナの各々は、発信源（本実施の形態では個体管理装置１０１）との距離が異なるため、各々のアンテナに生じる誘導起電力の位相が異なることを利用したものである。そして、異なる位相をもった電力を各々のアンテナ間の距離分だけ遅延して加算することにより、発信源の方向に最大値を持つ解が得られる。
【００５７】
また、本発明の個体管理システムを室内で使用すると壁面からの反射波等により、図６及び図７にて説明した方法では有効に使用出来ない場合が想定される。この場合には、距離の場合と同様に個体識別装置１０２のアンテナに生じた誘導起電圧を利用すればよい。例えば、個体識別装置１０２が位置Ａにある場合に個体識別装置１０２のアンテナに生じた誘導起電圧を記憶し、個体識別装置１０２が位置Ｂに移動し、位置Ｂにおける個体識別装置１０２の誘導起電圧を比較する。位置Ａにおける誘導起電圧よりも位置Ｂにおける誘導起電圧の方が小さい場合には、個体管理装置１０１は位置Ｂよりも位置Ａに近い位置にあると判断できる。
【００５８】
このように誘導起電圧の比較を繰り返すことによって、個体管理装置１０１が存在する方向を概ね明らかにすることができる。このとき、個体識別装置１０２の動きを知ることによって、より正確に個体管理装置１０１が存在する方向を知ることができる。このような機能を実現する場合、個体識別装置１０２は個体識別装置１０２の動きを検知する加速度センサ又は角速度センサ等を有する構成とすればよい。また、対利用者通知部１２５が表示部として使われる場合は、例えば対利用者通知部１２５に部屋のレイアウトを表示しても良い。そうすることで、利用者は個体識別装置１０２の位置と関連した個体管理装置１０１の位置を簡単に見ることが出来る。
【００５９】
さらに、利用者が本システムを使用する際に、個体識別装置１０２と個体情報管理装置１０３が通信回線で接続されていない場合には電力の確保が難しくなるため、個体識別装置１０２は自身を駆動するための電力源として蓄電部１２６を有していてもよい。蓄電部１２６は、蓄電部１１３と同様の構成を有していればよい。
【００６０】
個体情報管理装置１０３は、登録作業された全ての管理対象物に対応する個体情報を記憶している。利用者が位置を把握したい管理対象物を選択すると、指定された管理対象物に付された個体管理装置１０１が有する識別情報等を、通信回線１０４を介して個体識別装置１０２に送信する。
【００６１】
以上のように、本発明により、管理対象物の正確な位置を把握することができ、管理対象物の管理を正確に行うことができる。
【００６２】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１とは異なる構成を有する個体管理装置１０１について説明する。実施の形態１にて説明したように、個体管理装置１０１は識別情報を記憶し、無線で個体識別装置１０２と通信する。実施の形態１では、個体管理装置１０１があらかじめ特定の識別情報を記憶している場合について説明した。しかし、本発明の個体管理システムでは、個体管理装置１０１が、あらかじめ特定の識別情報を記憶していない構成とすることも可能である。
【００６３】
個体管理装置１０１が、あらかじめ特定の識別情報を記憶していない場合、個体管理装置１０１は個体識別装置１０２からの無線通信により、個体情報管理装置１０３に登録された特定の識別情報を記憶する構成とすればよい。
【００６４】
個体管理装置１０１があらかじめ識別情報を記憶していない場合の登録作業について説明する。登録作業では、個体管理装置１０１は、無線通信部１１１により、電磁波を介して個体識別装置１０２と通信を行う。このとき、無線通信部１１１は、個体識別装置１０２から特定の識別情報を受信し、この識別情報を記憶部１１２に記憶させる。
【００６５】
したがって、記憶部１１２は、書き込み可能な記憶回路、好ましくは書き込み可能な不揮発性メモリを有し、さらに好ましくはライトワンス型の不揮発性メモリを有する。記憶部１１２にライトワンス型の不揮発性メモリを用いることで、不正な書き換えを防止することができ、システムの信頼性が向上する。
【００６６】
本実施の形態のように、個体管理装置１０１に固有の識別情報が記憶されていない場合には、記憶部１１２には、個体識別装置１０２から送信された識別情報が書き込まれる。一般に、記憶部に情報を書き込む場合は高い電圧を要するため、個体管理装置１０１は、実施の形態１にて説明した蓄電部１１３を有することが好ましい。蓄電部１１３の構成は実施の形態１にて説明した通りである。蓄電部は、さらに昇圧回路又は降圧回路のように、高い電圧又は低い電圧を生成する回路を有していても良い。
【００６７】
また、個体管理装置１０１にあらかじめ固有の識別情報が記憶されていない場合には、個体識別装置１０２や個体情報管理装置１０３の機能も、実施の形態１とは若干異なることになる。
【００６８】
たとえば、登録作業において個体識別装置１０２は、通信回線１０４を介して、個体情報管理装置１０３から特定の識別情報を受信する。そして、個体管理装置１０１と無線通信を行い、個体管理装置１０１に識別情報を記憶させる。そのため、個体情報管理装置１０３は登録作業時に、個体管理装置１０１に記憶させるための識別情報を決定しなければならない。つまり、個々の管理対象物に付される個体管理装置１０１に対応して発行される識別情報がすべて異なるように識別情報１５０（特に、図３（Ａ）に示す管理番号１５０ａ）を決定しなければならない。このような作業は、個体情報管理装置１０３が有する情報処理部１３２によって行うことが可能である。また、個体情報管理装置１０３は、個体識別装置１０２の外部ではなく、個体識別装置１０２の内部に設けることも可能である。
【００６９】
したがって、個体管理装置１０１が固有の識別情報を記憶していない場合の登録作業は次のようになる。
【００７０】
まず、利用者は個体管理装置１０１を付す管理対象物の情報を個体情報管理装置１０３に入力する。次に、個体情報管理装置１０３は、個体管理装置１０１に書き込む識別情報１５０を発行し、個体識別装置１０２に送信する。個体識別装置１０２は、受信した識別情報１５０を個体管理装置１０１に送信し、個体管理装置１０１は識別情報１５０を記憶部１１２に記憶する。これと同時に、個体情報管理装置１０３は利用者が入力した管理対象物の情報と、個体管理装置１０１に対応して発行した識別情報１５０とを関連づけ、個体情報１５１として記憶部１３３に記憶する。
【００７１】
上記の構成により、個体管理装置１０１が固有の識別情報を記憶していなくても、特定の識別情報を付与することで個体管理システムを実現することができる。
【００７２】
本実施の形態にて説明した個体管理システムは、例えば、管理対象物を追加する場合に、個体管理装置１０１の追加を要する場合等に特に有効である。すなわち、最初に利用者が所有していた個体管理装置１０１の数量以上に管理対象物が追加登録される場合には、個体管理装置１０１のみを増やせばよいのだが、実施の形態１にて説明した方法では、これが困難である。そこで、個体管理システムが本実施の形態に示す構成を有することで、最初に設定された個体管理装置１０１が有する識別情報１５０と、後に追加された個体管理装置１０１が有する識別情報を異なるものにすることができ、異なる個体管理装置１０１に同一の識別情報が発行されシステムが混乱するという危険性を回避できる。
【００７３】
また、本実施の形態の方法を採用することで、管理対象物が更新された場合にも極めて有効である。例えば、管理対象物が自動車の鍵である場合には、自動車を新たに買い換えると、鍵も新しいものに変更される。その場合、古い自動車の鍵に付していた個体管理装置１０１を新しく購入した自動車の鍵に付け替えることもできるが、新しい個体管理装置１０１を入手し、新しい鍵に取り付けることも可能になる。
【実施例１】
【００７４】
実施の形態１及び実施の形態２で説明した、本発明を実現するためのデバイスは、トランジスタを有する。また、トランジスタとして、例えば薄膜トランジスタを用いることができる。更には、薄膜トランジスタはガラス基板上に形成されていてもよい。本実施例では、ガラス基板上にシリコンを成膜して形成する薄膜トランジスタの作製方法の一例について、図８を参照して説明する。また、半導体装置の用途に応じて、ガラス基板上に形成した半導体素子を剥離して、可撓性を有する基板上に貼り付けることも可能である。この工程については、図９を参照して説明する。
【００７５】
まず、ガラス基板８０１上に剥離層８０２を形成する。基板はガラス基板以外にも、石英基板、シリコン基板、金属基板等を用いることができるが、ここではガラス基板を用いる。剥離層８０２は、金属又はシリコン等の元素や化合物を基板の全面又は一部に形成する。なお、半導体素子を剥離して可撓性を有する基板上に貼り付ける工程を行わない場合には、剥離層８０２を形成しなくてもよい。
【００７６】
次に、剥離層８０２を覆うように、絶縁層８０３を形成する。絶縁層８０３は、シリコン酸化物やシリコン窒化物等をＣＶＤ法又はスパッタリング法により形成すればよい。次に、絶縁層８０３上に半導体層８０４となる半導体膜を形成し、約５００度の加熱処理により半導体層８０４内に残留している水素を除去する。なお、半導体膜の形成は、例えばシランガスを用いてＣＶＤ法により行えばよい。そして、半導体膜を結晶化する。半導体膜の結晶化は、例えばレーザ結晶化法又は金属触媒を用いた熱結晶化法等により行う。そして、結晶化した半導体膜を所望の形状にパターニングすることで、半導体層８０４を形成する。次に、半導体膜を覆うようにゲート絶縁層８０５を形成する。ゲート絶縁層８０５は、絶縁層８０３と同様に、シリコン酸化物やシリコン窒化物等で形成すればよい。
【００７７】
次に、ゲート電極層８０６を形成する。ゲート電極層８０６は、導電性を持つ元素や化合物で導電層を形成し、所望の形状にパターニングする。フォトリソグラフィー法によりパターニングを行う場合、レジストマスクをプラズマ等でエッチングすると、ゲート電極幅を短くし、トランジスタの性能を高めることができる。図８（Ａ）はゲート電極層を積層して形成した場合を示す。
【００７８】
次に、半導体層８０４に不純物元素を添加してＮ型不純物領域８０７及びＰ型不純物領域８０８を形成する。不純物領域は、フォトリソグラフィー法によりレジストマスクを形成し、リン、ヒ素又はボロン等の不純物元素を添加することで形成する（図８（Ａ）を参照）。
【００７９】
次に、シリコン窒化物等により絶縁膜を形成し、当該絶縁膜を基板に対して垂直に異方性エッチングすることで、ゲート電極層８０６の側面に接するサイドウォールとして絶縁層８０９を形成する（図８（Ｂ）を参照）。
【００８０】
次に、Ｎ型不純物領域を有する半導体層８０４に不純物を更に添加し、絶縁層８０９の下に位置する第１のＮ型不純物領域８１０と、第１の不純物領域よりも不純物濃度が高い第２のＮ型不純物領域８１１と、を形成する。以上のようにして、Ｎ型トランジスタ８１２及びＰ型トランジスタ８１３が形成される。
【００８１】
続いて、Ｎ型トランジスタ８１２及びＰ型トランジスタ８１３を覆って絶縁層８１４を形成する。絶縁層８１４は、絶縁性を有する無機化合物や、有機化合物等により形成する。図８（Ｃ）は、絶縁層８１４を積層して形成した例を示す。その後、第２のＮ型不純物領域８１１と、Ｐ型不純物領域８０８と、を露出させるコンタクトホールを形成する。そして、該コンタクトホールを介して接続され、且つ所望のパターンとなるように導電層８１５を形成する。導電層８１５は、導電性を有する金属元素や化合物等で形成すればよい。
【００８２】
次に、導電層８１５を覆うように絶縁層８１６を形成する。絶縁層８１６は、絶縁性を有する無機化合物又は有機化合物等で形成すればよい。絶縁層８１６は、例えば、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）法、液滴吐出法、スパッタリング法又はＣＶＤ法等を用いて、無機材料又は有機材料により、単層で又は積層して形成する。また、絶縁層８１６は、好ましくは０．７５μｍ〜３μｍの厚さで形成する。
【００８３】
なお、以上説明した半導体素子を形成する各々の層（絶縁層、又は導電層等）は、特に記載がなくとも単一材料の膜を単層で形成してもよいし、又は複数の材料の膜を積層して形成してもよい。
【００８４】
また、上記の半導体素子が有する半導体層は、非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体、又は有機半導体等を用いて形成することができる。
【００８５】
例えば、良好な特性の半導体素子を得るためには、２００度以上６００度以下の温度（好適には３５０度以上５００度以下の温度）で結晶化した結晶質半導体層（低温ポリシリコン層）、又は６００度以上の温度で結晶化した結晶質半導体層（高温ポリシリコン層）を用いることができる。さらに良好な特性の半導体素子を得るためには、金属元素を触媒として結晶化した半導体層や、レーザ照射法により結晶化した半導体層を用いるとよい。また、プラズマＣＶＤ法により、ＳｉＨ４／Ｆ２ガス又はＳｉＨ４／Ｈ２ガス等を用いて形成した半導体層や、前記半導体層にレーザ照射を行ったものを用いるとよい。
【００８６】
また、デバイスに設けられた薄膜トランジスタが有する結晶質半導体層は、結晶粒界がキャリアの流れる方向（チャネル長方向）と平行に延びるように設けられていることが好ましい。このような結晶質半導体層は、連続発振レーザ、又は１０ＭＨｚ以上好ましくは６０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下で動作するパルスレーザにより形成することができる。
【００８７】
さらに、半導体層８０４の厚さは、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下とするとよい。また、半導体層８０４中の、特にチャネル形成領域には、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の濃度、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の濃度で、水素又はハロゲンを添加することにより、欠陥が少なく、クラックが生じにくい半導体層を得ることができる。
【００８８】
上記のように作製した薄膜トランジスタは、サブスレッシュホールド値が０．３５Ｖ／ｄｅｃ以下、好ましくは０．０９Ｖ／ｄｅｃ以上０．２５Ｖ／ｄｅｃ以下となる。また、移動度は、１０ｃｍ２／Ｖｓ以上の特性を有するとよい。
【００８９】
また、本実施例では、基板上に半導体層、ゲート絶縁層、及びゲート電極層を順に積層させた薄膜トランジスタ（トップゲート型薄膜トランジスタ）を示したが、これに限定されない。ゲート電極層、ゲート絶縁層、及び半導体層をこの順に積層させた薄膜トランジスタ（ボトムゲート型薄膜トランジスタ）であってもよい。更には、本実施例のＮ型トランジスタは、第１のＮ型不純物領域及び第２のＮ型不純物領域を有するが、これに限定されず、Ｎ型不純物領域の不純物濃度は一様であっても良い。
【００９０】
また、本発明のデバイスの作製に際して、上記の工程で作製された半導体素子の形成されている層は、複数の膜が積層された構造であってもよい。このように半導体素子を多層構造で形成する場合には、層間での寄生容量を低減するために、層間絶縁膜の材料に低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）を用いるとよい。このようなｌｏｗ−ｋ材料として、例えば、エポキシ樹脂やアクリル樹脂等の樹脂材料、シロキサン系ポリマー等の重合によってできた化合物材料等が挙げられる。多層配線構造の隣接する配線間の寄生容量を低減すると、小面積化、動作の高速化及び低消費電力化を実現することができる。
【００９１】
また、アルカリ金属による汚染を防ぐための保護層を設けることで、デバイスの信頼性が向上する。この保護層は、窒化アルミニウム又は窒化珪素膜等の無機材料により、回路内の半導体素子を覆って、又は回路全体を覆って形成するとよい。
【００９２】
また、本発明の半導体装置はアンテナを有する。アンテナは半導体素子を作製する工程の中で形成することも可能であり、本実施例では、アンテナを半導体素子と同一の工程で形成する場合について説明する。
【００９３】
まず、上記のように形成した半導体素子の絶縁層８１６の所望の箇所をエッチングし、導電層８１５を露出させるコンタクトホールを形成する。
【００９４】
次に、導電層８１５に接し、アンテナとして機能する導電層８１７を形成する（図８（Ｃ）を参照）。導電層８１７は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、印刷法、又は液滴吐出法等を用いて、所望のパターンに形成された導電性材料により形成する。
【００９５】
好ましくは、導電層８１７は、アルミニウム、チタン、銀、銅から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料により、単層で又は積層して形成する。ここでは、導電層８１７はスクリーン印刷法により銀を含むペーストを用いて形成し、その後、５０〜３５０度の加熱処理を行って形成する。スパッタリング法によりアルミニウム層を形成し、当該アルミニウム層を所望のパターンに加工することで形成してもよい。アルミニウム層をパターン加工する場合には、ウエットエッチング法を用いるとよく、ウエットエッチング加工後は２００〜３００度の加熱処理を行うとよい。
【００９６】
また、アンテナを別の基板に形成し、後で貼り合わせることも可能である。例えば、半導体素子を基板によって上下から挟む工程において、一方の基板にアンテナ８３２を形成しておき、これを半導体素子と電気的に接続されるように貼り合わせることができる（図１０（Ｃ）を参照）。この場合、図８（Ｃ）の導電層８１７は、アンテナではなく、アンテナ８３２と接続するための配線として形成される。
【００９７】
ここで、アンテナ８３２と導電層８１７を接続させるためには、導電層８１７と接続されるバンプを形成することが好ましい。更には、半導体素子とバンプの間には接着層を設け、該接着層は異方性導電接着剤により設けられることが好ましい。
【００９８】
異方性導電膜及び異方性導電接着剤は、厚さ方向（貼り合わせた時の垂直方向）にのみ導電性を有する材料であり、粒径数ｎｍ〜数μｍの導電性粒子が分散された接着性の有機樹脂で構成されている。有機樹脂としては、エポキシ樹脂又はフェノール樹脂等が挙げられる。また、導電性粒子は、金、銀、銅、パラジウム若しくは白金から選ばれた一又は複数の元素で形成される。また、これらの元素が積層された、多層構造を有する粒子でも良い。更には、樹脂で形成された粒子の表面に、金、銀、銅、パラジウム若しくは白金から選ばれた一又は複数の金属で形成される薄膜がコーティングされた導電性粒子を用いてもよい。
【００９９】
次に、上記のように設けた半導体素子をガラス基板８０１から剥離し、フィルム等の可撓性を有する基板へ張り付ける工程について、図９を参照して説明する。以上のようにアンテナまで形成した半導体素子をガラス基板８０１から剥離し、可撓性を有する基板へ張り付ける場合には、当該半導体素子の厚さは５μｍ以下、好ましくは、１μｍ以上３μｍ以下であることが望ましい。また、デバイスを構成する半導体素子の面積は２５ｍｍ２以下、好ましくは９ｍｍ２以上１６ｍｍ２以下とする。
【０１００】
まず、図９（Ａ）に示すように、剥離層８０２が露出するように開口部８２０を形成し、開口部８２０にエッチング剤を導入し、剥離層８０２を部分的に除去する。
【０１０１】
次に、ガラス基板の上面方向から第１の可撓性基板８２２を接着し、剥離層８０２を起点として半導体素子８２１をガラス基板８０１から剥離することで、半導体素子８２１を第１の可撓性基板８２２側へ移しとる（図９（Ｂ）を参照）。
【０１０２】
ここで、第１の可撓性基板８２２としては、柔軟性を有する絶縁層と、接着層と、を積層した基板を用いることができる。この接着層は、加熱処理により接着力が低下する熱可塑性樹脂であり、例えば、加熱によって軟化する材料、加熱により膨張するマイクロカプセル若しくは発泡剤を混入した材料、熱硬化性樹脂に熱溶融性や熱分解性を付与した材料、水の侵入による界面強度劣化又はそれに伴って吸水性樹脂が膨張する材料を用いて形成される。本明細書において、柔軟性を有する絶縁層と、接着層と、を有する第１の可撓性基板８２２は熱剥離型の支持基板とも記載される。
【０１０３】
また、熱剥離型の支持基板に代えて、加熱処理によって接着力が低下するフィルムからなる熱剥離フィルムや、ＵＶ（紫外線）照射を行うことによって接着力が低下するＵＶ（紫外線）剥離フィルム等を用いてもよい。ＵＶ剥離フィルムは、絶縁層と、ＵＶ（紫外線）照射を行うことによって粘着力が弱くなる接着層と、を積層して形成したフィルムである。
【０１０４】
次に、半導体素子８２１がガラス基板８０１と接していた側に第２の可撓性基板８２３を接着し、第１の可撓性基板８２２を剥離する（図９（Ｃ）を参照）。また、第１の可撓性基板８２２を剥離することで半導体素子がむき出しになるので、それを保護するために可撓性を有する保護基板を貼り付けてもよい。
【０１０５】
第１の可撓性基板８２２及び第２の可撓性基板８２３としては、プラスティックフィルム又は紙等を用いることができる。完成された半導体装置が、外部からの影響を受けないように、半導体素子を上下から挟む２枚の可撓性基板は概略同一の厚さとし、半導体素子が概略中心に存在することが望ましい。
【０１０６】
ここで、曲面を有する可撓性基板に半導体素子８２１を貼り付ける場合や、上記のようにして作製された半導体装置を曲げて使用する場合には、半導体素子のキャリアの流れる方向（チャネル長方向）と曲線の方向とを同一にすると、半導体素子への影響を小さくすることができる。
【０１０７】
また、本実施例においては開口部８２０から剥離層８０２をエッチングした後に、半導体素子８２１を第１の可撓性基板８２２へ移しとる方法を挙げたが、本発明はこれに限定されない。例えば、剥離層８０２をエッチング工程のみで除去した後、半導体素子８２１をほかの基板へ移しかえる方法を用いても良い。または、開口部８２０を設けず、第１の可撓性基板８２２を貼り付けて半導体素子８２１をガラス基板から剥離する方法、更には、ガラス基板８０１を裏面から研磨する方法を用いても良い。これらの方法を適宜組み合わせてもよい。
【０１０８】
ガラス基板を裏面から研磨する方法を除けば、半導体素子８２１を他の基板へ移しかえる工程を用いるため、半導体素子８２１を作製するためのガラス基板８０１の再利用が可能となる。
【０１０９】
このようにして、本発明のデバイスを構成する各回路が有する薄膜トランジスタを作製することができる。
【実施例２】
【０１１０】
本実施例では、実施の形態１及び実施の形態２にて説明したデバイスの作製方法であって、実施例１とは異なる作製方法について説明する。本実施例では、基板としてＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｒａｔｏｒ。以下、ＳＯＩという。）基板を用いて、ＳＯＩ基板上に薄膜トランジスタを形成する。
【０１１１】
まず、ＳＯＩ基板を準備する。ここでは、支持基板上に下地絶縁膜が形成され、下地絶縁膜上に半導体膜が形成されたものを用いる。ＳＯＩ基板としては、公知のＳＯＩ基板を用いればよく、その作製方法や構造は特に限定されない。ＳＯＩ基板として、代表的にはＳＩＭＯＸ基板や貼り合わせ基板が挙げられる。また、貼り合わせ基板の例として、ＥＬＴＲＡＮ（登録商標）、ＵＮＩＢＯＮＤ（登録商標）、スマートカット（登録商標）等が挙げられる。
【０１１２】
ＳＩＭＯＸ基板は、単結晶シリコン基板に酸素イオンを注入し、１３００℃以上で熱処理して埋め込み酸化膜層（ＢＯＸ；Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）を形成することにより、表面に薄膜シリコン層を形成し、ＳＯＩ構造を得ることができる。薄膜シリコン層は、埋め込み酸化膜層により、単結晶シリコン基板と絶縁分離されている。また、埋め込み酸化膜層形成後に、さらに熱酸化するＩＴＯＸ（Ｉｎｔｅｒｎａｌ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ−ＳＩＭＯＸ）と呼ばれる技術を用いることもできる。
【０１１３】
貼り合わせ基板は、酸化膜層を介して２枚の単結晶シリコン基板（第１単結晶シリコン基板、第２単結晶シリコン基板とする。）を貼り合わせ、一方の単結晶シリコン基板を貼り合わせた面の裏面から薄膜化することにより、表面に薄膜シリコン層を形成し、ＳＯＩ構造を得ることができる。酸化膜層は、一方の基板（ここでは第１単結晶シリコン基板）を熱酸化して形成することができる。また、２枚の単結晶シリコン基板は、接着剤を用いることなく、直接貼り合わせることができる。例えば、第１単結晶シリコン基板を熱処理して酸化膜層を形成した後、第２単結晶シリコン基板と重ね合わせ、８００℃以上、好ましくは１１００℃程度で熱処理することにより、貼り合わせ面で化学的に結合させることで、２枚の基板を貼り合わせることができる。その後、第２単結晶シリコン基板を貼り合わせ面の裏面から研磨することで、所望の厚さの薄膜シリコン層を形成することができる。なお、貼り合わせ後に第２単結晶シリコン基板を研磨せずに、第２単結晶シリコン基板の所定の深さの領域に水素イオン注入して微小ボイドを形成し、この微小ボイドを熱処理によって成長させて基板を劈開する、スマートカット（登録商標）法（Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）法）と呼ばれる技術を用いることもできる。また、第２単結晶シリコン基板を研磨後、小型のプラズマエッチング装置で局所的に制御しながら基板をエッチングして薄膜化するＰＡＣＥ（Ｐｌａｓｍａ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）と呼ばれる技術を用いることもできる。
【０１１４】
本実施の形態で示すＳＯＩ基板において、支持基板は単結晶シリコン基板であり、下地絶縁膜は埋め込み酸化膜層又は酸化膜層であり、半導体層は表面に形成される薄膜シリコン層である。
【０１１５】
半導体層である薄膜シリコン層は、単結晶シリコン層である。半導体層の膜厚は、ＳＯＩ基板の作製時に研磨量及びイオン注入の深さ等の条件を制御することによって、適宜選択することができる。例えば、膜厚４０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の半導体層を形成することができる。本実施例では、薄膜シリコン層は、膜厚１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下となるように形成する。
【０１１６】
次に、半導体層を選択的にエッチングして、島状のシリコン層を形成する。このとき、島状のシリコン層は端部が垂直形状となるように形成してもよいし、端部がテーパ形状となるように形成してもよい。島状のシリコン層の端部の形状は、エッチング条件等を変化させることにより調整することができる。好ましくは島状のシリコン層の端部をテーパ角が４５°以上９５°未満、より好ましくはテーパ角が６０°以上９５°未満となるように形成するとよい。島状のシリコン層の端部を垂直に近い形状とすることで寄生チャネルを低減することができる。
【０１１７】
また、島状のシリコン層は端部に絶縁層を有するように形成するとよい。該絶縁層は、ＣＶＤ法又はスパッタリング法を用いて、酸化シリコン系材料、窒化シリコン系材料、又はＳｉＯＦ、ＳｉＯＣ、ＤＬＣ若しくはポーラスシリカ等の材料を用いて形成する。該絶縁層の前駆体となる絶縁膜が半導体層を覆うように形成され、垂直方向を主体とした異方性エッチングを行うことにより選択的にエッチングされて形成される。形成に際してのエッチング方法は、垂直方向を主体とした異方性エッチングを行えるものであれば特に限定されない。例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）を利用することができる。また、反応性イオンエッチングは、プラズマ発生法により、平行平板方式、マグネトロン方式、２周波方式、ＥＣＲ方式、ヘリコン方式、ＩＣＰ方式などに分類される。このとき用いるエッチングガスは、絶縁層と、基板及びシリコン層との間でエッチング選択比がとれるものを選択すればよい。絶縁膜を選択的にエッチングする際には、例えば、ＣＨＦ３、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、Ｃ２Ｆ６、ＮＦ３等のフッ素系のガスを用いることができる。その他、Ｈｅ、Ａｒ若しくはＸｅ等の不活性ガス、又はＯ２ガス、Ｈ２ガスを適宜加えてもよい。
【０１１８】
その後、実施例１と同様、ゲート絶縁層を形成し、以下の工程は実施例１と同様に行えばよい。
【０１１９】
本実施例にて説明したようにＳＯＩ基板を用いることで、高速な動作が可能で、諸特性に優れたデバイスを作製することができる。
【実施例３】
【０１２０】
実施の形態１及び実施の形態２で説明した、本発明のデバイスが有するトランジスタとしては電界効果型トランジスタを用いてもよい。本実施例では、電界効果型トランジスタを用いて本発明のデバイスを形成する工程について、図１１を参照して説明する。
【０１２１】
図１１は本発明に適用することのできる電界効果型トランジスタの一部の断面図である。基板９００上に素子分離領域９０１ａ〜９０１ｅが形成され、素子分離領域９０１ａ〜９０１ｅの各々の間に電界効果型トランジスタ９０２が形成される。
【０１２２】
電界効果型トランジスタ９０２は、基板９００上に形成されるゲート絶縁層９０３と、ゲート絶縁層９０３上に形成されるゲート電極層９０４と、ソース領域及びドレイン領域９０５ａと、ソース領域及びドレイン領域９０５ｂと、ゲート電極層９０４の側部に設けられたサイドウォール９０７ａ及びサイドウォール９０７ｂと、ゲート電極層９０４並びにサイドウォール９０７ａ及びサイドウォール９０７ｂ上に形成される層間絶縁層９０８と、ＬＤＤ領域９０６ａと、ＬＤＤ領域９０６ｂと、ソース領域及びドレイン領域９０５ａに接続されるソース配線及びドレイン配線９０９ａと、ソース領域及びドレイン領域９０５ｂに接続されるソース配線及びドレイン配線９０９ｂと、を有する。
【０１２３】
基板９００は、単結晶シリコン基板又は化合物半導体基板であり、代表的には、ｎ型若しくはｐ型の単結晶シリコン基板、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、サファイヤ基板又はＺｎＳｅ基板等である。本実施例では、基板９００として、ｎ型の単結晶シリコン基板を用いる。
【０１２４】
素子分離領域９０１ａ〜９０１ｅは、公知の選択酸化法（ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）法）又はＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ここでは、素子分離領域９０１ａ〜９０１ｅは、トレンチ分離法を用いて酸化珪素層により形成される。
【０１２５】
ゲート絶縁層９０３は、単結晶シリコン基板を熱酸化又は高密度プラズマにより酸化することで形成される。ゲート電極層９０４は、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の多結晶シリコン層や、多結晶シリコン層上にタングステンシリサイド層、モリブデンシリサイド層又はコバルトシリサイド層等のシリサイド層を設けた積層構造とすることができる。更には、多結晶シリコン層上に窒化タングステン層及びタングステン層を積層して形成しても良い。
【０１２６】
ソース領域及びドレイン領域９０５ａ、並びにソース領域及びドレイン領域９０５ｂとしては、ｐウェル領域にリンが添加されたｎ型高濃度不純物領域やｎウェル領域にボロンが添加されたｐ型高濃度不純物領域を用いることができる。また、ＬＤＤ領域９０６ａ及びＬＤＤ領域９０６ｂとしては、ｐウェル領域にリンが添加されたｎ型低濃度不純物領域やｎウェル領域にボロンが添加されたｐ型低濃度不純物領域を用いることができる。ここでは、ｎ型単結晶シリコン基板を用いているため、ボロンを基板に添加してｐ型高濃度不純物領域からなるソース領域及びドレイン領域、並びにｐ型低濃度不純物領域からなるＬＤＤ領域が形成される。
【０１２７】
なお、ソース領域及びドレイン領域９０５ａ、並びにソース領域及びドレイン領域９０５ｂに、マンガンシリサイド、タングステンシリサイド、チタンシリサイド、コバルトシリサイド、又はニッケルシリサイド等のシリサイドを有していても良い。シリサイドをソース領域及びドレイン領域の表面に有することで、ソース配線及びドレイン配線とソース領域及びドレイン領域とのコンタクト抵抗を低下させることが可能である。
【０１２８】
サイドウォール９０７ａ及びサイドウォール９０７ｂは、基板上にＣＶＤ法を用いて酸化シリコンにより絶縁層を形成し、該絶縁層をＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ：反応性イオンエッチング）法により異方性エッチングすることで形成される。
【０１２９】
層間絶縁層９０８は、酸化シリコン及び酸化窒化シリコン等の無機絶縁材料、又はアクリル樹脂及びポリイミド樹脂等の有機絶縁材料により形成する。スピン塗布やロールコートなどの塗布法を用いる場合には、有機溶媒中に溶かされた絶縁膜材料を塗布し、熱処理を行うことにより絶縁層を形成する。ここでは、層間絶縁層９０８は酸化シリコンを用いて形成する。
【０１３０】
ソース配線及びドレイン配線９０９ａ、並びにソース配線及びドレイン配線９０９ｂは、チタンとアルミニウムの積層構造、又はモリブデンとアルミニウムの積層構造等、アルミニウムのような低抵抗材料をチタン又はモリブデン等の高融点金属材料により挟んで形成することが好ましい。
【０１３１】
また、層間絶縁層９０８、ソース配線及びドレイン配線９０９ａ、並びにソース配線及びドレイン配線９０９ｂ上に層間絶縁層９１１が形成される。層間絶縁層９１１は層間絶縁層９０８と同様に形成される。また、層間絶縁層９１１上には、電界効果型トランジスタ９０２に接続される導電層９１３を有する。
【０１３２】
また、導電層９１３の一部及び層間絶縁層９１１を覆って絶縁層９１４が形成されていてもよい。絶縁層９１４は、保護層として機能し、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素又はＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等で形成されることが好ましい。
【０１３３】
また、本発明の半導体装置はアンテナを有する。実施例１と同様に、アンテナを電界効果トランジスタ上に形成することも可能である。例えば、上記の導電層９１３をアンテナとして機能する導電層として用いることができる。または、導電層９１３上に層間絶縁層９１１と同様に絶縁層を形成し、この絶縁層上にアンテナとして機能する導電層を形成しても良い。
【０１３４】
または、実施例１にて説明したように、アンテナを別の基板に作製し、後で貼り合わせることも可能である。これも実施例１で図１０（Ｃ）を参照して説明したように、別基板に形成したアンテナ８３２と半導体素子とを電気的に接続するようにすればよい。この場合、図１１の導電層９１３は、アンテナと半導体素子を接続するための配線としてもよい。
【０１３５】
このようにして、本発明の半導体装置が有するデバイスを作製することができる。
【実施例４】
【０１３６】
本実施例では、実施の形態１及び２にて説明した、検知部１１４の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。本実施例では、デバイスとして光センサを用いた場合について簡単に説明する。
【０１３７】
まず、基板１１００上に、下地絶縁層１１０１及び導電層１１０２を形成する（図１２（Ａ）を参照）。導電層１１０２として、本実施例では窒化タンタル及びタングステンをそれぞれ膜厚３０ｎｍ及び３７０ｎｍで積層した膜を用いる。
【０１３８】
また、導電層１１０２として、上記以外にもチタン、タングステン、タンタル、モリブデン、ネオジム、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、アルミニウム、金、銀、及び銅から選ばれた元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層膜、或いは、これらの窒化物、例えば、窒化チタン、窒化タングステン、窒化タンタル、又は窒化モリブデンからなる単層膜を用いることができる。
【０１３９】
なお、下地絶縁層１１０１を基板１１００上に形成せず、導電層１１０２を直接基板１１００上に形成してもよい。
【０１４０】
次に、導電層１１０２を所望のパターンとなるようにエッチングし、ゲート電極層１１０３、ゲート電極層１１０４、配線１１０５、配線１１０６及び端子電極１１０７を形成する（図１２（Ｂ）を参照）。
【０１４１】
次いで、ゲート電極層１１０３及びゲート電極層１１０４、配線１１０５、配線１１０６及び端子電極１１０７を覆うゲート絶縁層１１０８を形成する。本実施例では、ゲート絶縁層としてシリコンを主成分として含む絶縁膜を用いる。例えば、プラズマＣＶＤ法により、１１５ｎｍの厚さの窒素を含む酸化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を用いてゲート絶縁層１１０８を形成する。
【０１４２】
次に、ゲート絶縁層１１０８上に島状半導体領域１１０９及び島状半導体領域１１１０を形成する。まず、スパッタリング法にてゲッタリングサイトとなるアルゴンを含む非晶質シリコン膜を１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の厚さで形成する。アルゴンを含む非晶質シリコン膜は、シリコンターゲットを用いてアルゴンを含む雰囲気下で形成される。その後、６５０℃に加熱された炉に入れて熱処理を行い、触媒元素を除去（ゲッタリング）することで、結晶構造を有する半導体膜中の触媒元素の濃度が低減される。炉に代えてランプアニール装置を用いてもよい。次に、バリア層をエッチングストッパとして、ゲッタリングサイトであるアルゴンを含む非晶質シリコン膜を選択的に除去し、バリア層を希フッ酸で選択的に除去する。なお、ゲッタリングの際、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすいため、酸化膜からなるバリア層をゲッタリング後に除去することが望ましい。なお、触媒元素を用いて半導体膜の結晶化を行わない場合には、上述したバリア層の形成、ゲッタリングサイトの形成、ゲッタリングのための熱処理、ゲッタリングサイトの除去、及びバリア層の除去等の工程は不要である。そして、得られた結晶構造を有する半導体膜（例えば結晶性シリコン膜）の表面にオゾン水で薄い酸化膜を形成した後、第１のフォトマスクを用いてレジストマスクを形成し、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された島状半導体領域を形成する。
【０１４３】
島状半導体領域を形成した後、レジストマスクを除去する。次いで、必要があれば薄膜トランジスタのしきい値を制御するために微量の不純物元素（ホウ素又はリン）を添加する。ここでは、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）を質量分離しないでプラズマ励起したイオンドープ法を用いる。
【０１４４】
上記のように、島状半導体領域１１０９及び島状半導体領域１１１０を形成した後に、薄膜トランジスタ１１１９のソース領域及びドレイン領域１１１２、薄膜トランジスタ１１２０のソース領域及びドレイン領域１１１３となる領域以外を覆ってマスク１１１１を形成し、一導電型を付与する不純物元素を導入する（図１２（Ｄ）を参照）。一導電型の不純物として、ｎチャネル型薄膜トランジスタを形成する場合には、リン又は砒素を用い、ｐチャネル型薄膜トランジスタを形成する場合には、ホウ素を用いればよい。本実施例では、ｎ型不純物であるリンを島状半導体領域１１０９及び島状半導体領域１１１０に導入し、薄膜トランジスタ１１１９のソース領域及びドレイン領域１１１２、並びにこれら領域の間にチャネル形成領域、薄膜トランジスタ１１２０のソース領域及びドレイン領域１１１３、並びにこれら領域の間にチャネル形成領域を形成する。なお、必要があればチャネル形成領域に薄膜トランジスタのしきい値を制御するために微量な不純物元素（ホウ素又はリン）を添加しても良い。
【０１４５】
次いで、マスク１１１１を除去し、絶縁膜１１１４及び絶縁膜１１１５を形成する（図１２（Ｅ）を参照）。ここで、絶縁膜１１１４及び絶縁膜１１１５は、酸化シリコンや窒化シリコン等によりＣＶＤ法等を用いて形成すれば良い。
【０１４６】
次に、絶縁膜１１１４及び絶縁膜１１１５にコンタクトホールを形成し、導電膜を成膜し、該導電膜を選択的にエッチングすることで、配線１１１７と、接続電極１１１８と、端子電極１１２５と、薄膜トランジスタ１１１９のソース電極及びドレイン電極１１２７と、薄膜トランジスタ１１２０のソース電極及びドレイン電極１１２８と、を形成し、レジストマスクを除去する。なお、本実施例の導電膜は、膜厚１００ｎｍのチタン膜と、膜厚３５０ｎｍのシリコンを微量に含むアルミニウム膜と、膜厚１００ｎｍのチタン膜と、を積層した三層構造とする。
【０１４７】
また、図１３では、配線１１１７は保護電極１１１６を、接続電極１１１８は保護電極１１２２を、端子電極１１２５は保護電極１１２６を、薄膜トランジスタ１１１９のソース電極及びドレイン電極１１２７は保護電極１１２３を、薄膜トランジスタ１１２０のソース電極及びドレイン電極１１２８は保護電極１１２４を有しているが、必要のない場合には特に設けなくとも良い。
【０１４８】
以上のようにして、ボトムゲート型の薄膜トランジスタ１１１９及び薄膜トランジスタ１１２０を作製することができる（図１３（Ａ）を参照）。
【０１４９】
次に、絶縁膜１１１５上に、ｐ型半導体層１１２９ｐ、ｉ型半導体層１１２９ｉ、及びｎ型半導体層１１２９ｎを有する光電変換層１１２９を形成する（図１３（Ｂ）を参照）。光電変換層は、代表的にはアモルファスシリコンを用いて形成される。
【０１５０】
ｐ型半導体層１１２９ｐは、１３族の不純物元素（例えばホウ素）を含んだアモルファスシリコン膜により、プラズマＣＶＤ法を用いて形成しても良いし、アモルファスシリコン膜を形成後、１３族の不純物元素を導入してもよい。
【０１５１】
ｉ型半導体層１１２９ｉは、例えばプラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコン膜を形成すればよい。また、ｎ型半導体層１１２９ｎは、１５族の不純物元素（例えばリン）を含んだアモルファスシリコン膜により、プラズマＣＶＤ法を用いて形成しても良いし、アモルファスシリコン膜を形成後、１５族の不純物元素を導入してもよい。
【０１５２】
以上のように、ｐ型半導体層１１２９ｐを形成した後、ｉ型半導体層１１２９ｉ及びｎ型半導体層１１２９ｎを順に形成する。このようにして、ｐ型半導体層１１２９ｐ、ｉ型半導体層１１２９ｉ、及びｎ型半導体層１１２９ｎを有する光電変換層１１２９が形成される。
【０１５３】
また、ｐ型半導体層１１２９ｐ、ｉ型半導体層１１２９ｉ、及びｎ型半導体層１１２９ｎはセミアモルファス半導体膜であってもよい。なお、セミアモルファス半導体膜とは、非晶質半導体膜と結晶構造を有する半導体（単結晶、多結晶を含む）膜の中間的な構造を有する膜である。
【０１５４】
次いで、封止層１１３０、端子１１３１、及び端子１１３２を形成する（図１３（Ｃ）を参照）。端子１１３１はｎ型半導体層１１２９ｎに接続されており、端子１１３２は端子１１３１と同一の工程で形成される。
【０１５５】
さらに、電極１１３５及び電極１１３６を有する基板１１３７を、ハンダ１１３３及びハンダ１１３４で実装する。なお、基板１１３７上の電極１１３５は、ハンダ１１３４で端子１１３１に実装されている。同様に、基板１１３７上の電極１１３６は、ハンダ１１３３で端子１１３２に実装されている（図１４を参照）。
【０１５６】
図１４に示す半導体装置において、光電変換層１１２９に入射する光は、主に基板１１００側から入射することが好ましいが、これに限定されるものではない。
【０１５７】
なお、本実施例では一例としてボトムゲート型薄膜トランジスタを用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、トップゲート型薄膜トランジスタを用いても良い。
【０１５８】
以上のように、検知部１１４に用いる光センサを作製することができる。
【実施例５】
【０１５９】
本実施例では、本発明の個体管理システムの具体的な使用例について説明する。
【０１６０】
図１５（Ａ）は、本発明のシステムのイメージを示す。個体管理装置１０１、個体識別装置１０２、個体情報管理装置１０３、及び通信回線１０４、が示されている。図１５（Ａ）では、個体管理装置１０１が、管理対象物に貼付されている。図１５（Ａ）では、個体管理装置１０１は薄いシール型の形状としたが、個体管理装置１０１が小さく薄いシール型であれば、様々な物品に貼付することができる。さらに、個体管理装置１０１が柔軟性を有し、曲げられるのであれば、曲面にも貼り付けることができる。このように、薄く、柔らかい個体管理装置１０１は、プラスチックのような可撓性基板に薄膜トランジスタを設けることで作製することができる。
【０１６１】
しかし、管理対象物が物理的に過酷な状況におかれるような場合、個体管理装置１０１を保護する必要がある。そのため、シール状に形成された個体管理装置１０１上に、樹脂等で厚い保護層を形成し、ドーム型のシール状にすることも可能である。
【０１６２】
個体管理装置１０１の表面に保護層を形成する等の加工を行う場合には、その上面に図柄をプリントする等、外観上の加工を施すことが可能である。個体管理装置１０１の表面に美感を生じさせる形状又は模様を付することで、個体管理装置１０１の意匠的価値を高めることができる。
【０１６３】
また、個体管理装置１０１は、管理対象物の装飾具の一部になるように外観を形成することも可能である。たとえば、図１５（Ｂ）に示すように、管理対象物が鍵である場合、個体管理装置はキーホルダー１０５のように成形されていてもよい。これは、半導体集積回路によって形成された個体管理装置を人形又はマスコット等の中に内蔵させることで作製することができる。例えば、個体管理装置を内蔵するマスコットが耐衝撃性を有する素材で形成されているならば、上記の例と同様に、個体管理装置を衝撃等から保護することができる。
【０１６４】
また、個体管理装置１０１に各種センサや機能ごとの複数のアンテナ等を搭載すると、装置のサイズが増大する。このような場合には、個体管理装置をマスコットの中に搭載することによって、個体管理装置の存在が邪魔にならないため、有効である。
【０１６５】
そのほか、管理対象物の態様に応じて個体管理装置１０１の外観や形状を変えることが可能である。たとえば、管理対象物が印鑑であった場合、印鑑は印鑑ケースに入れて保管されることが多いため、シール型の個体管理装置１０１を印鑑ケースに貼付してもよいし、印鑑ケース内部に個体管理装置１０１を搭載することもできる。
【０１６６】
このように、個体管理装置１０１の形状は、利用者の要求に応じて様々な形とすることが可能である。
【０１６７】
図１６（Ａ）乃至（Ｄ）に個体識別装置１０２の外観の例を示す。個体識別装置１０２は、共振回路２１０が有するアンテナ又は対利用者通知部１２５の形状によって外観が決定される。
【０１６８】
たとえば、図１６（Ａ）及び（Ｂ）は、対利用者通知部１２５の形状によって外観が決定されている個体識別装置１０２の例を示す。個体識別装置１０２Ａ又は個体識別装置１０２Ｂは、表示部２０５Ａ若しくは表示部２０５Ｂ、及び点灯表示部２０６Ａ又は点灯表示部２０６Ｂを有する。表示部２０５Ａ及び表示部２０５Ｂは、たとえば液晶表示装置やＥＬ表示装置などのフラットディスプレイによって設けられ、個体管理装置１０１の使用時に、管理対象物までの距離又は管理対象物が存在する方向、管理対象物を検索する部屋のレイアウト等を示す。さらに、個体管理装置１０１は検知部１１４を有するため、検知部１１４が検知した情報を表示部２０５Ａ又は表示部２０５Ｂに表示してもよい。
【０１６９】
また、あらかじめ個体情報管理装置１０３に、個体管理システムを利用する場所、例えば部屋のレイアウトを記憶させておき、本システムを使用する際に、表示部２０５Ａ及び表示部２０５Ｂに個体管理エリアを表示させるようにすることもできる。例えば、登録時に個体管理システムを使用するエリアを特定しておき、そのエリアに関する地図地図又は部屋のレイアウトを記憶させる。そして、例えばシステム使用時には、個体識別装置１０２Ａ又は個体識別装置１０２Ｂが有する表示部２０５Ａ又は表示部２０５Ｂに、個体管理装置１０１の所在を地図又は部屋のレイアウト上に表示することができる。
【０１７０】
また、点灯表示部２０６Ａ及び点灯表示部２０６Ｂは、複数の発光素子が列をなして並べられており、たとえば、個体管理装置１０１と個体識別装置１０２との距離が近くなるほど順に多くの発光素子が発光する構成としてもよい。
【０１７１】
図１６（Ｂ）では、上記例に加えて、個体識別装置１０２が振動器を有する例を示している。例えば、個体管理装置１０１と個体識別装置１０２Ｂとの距離が近くなるほど個体識別装置１０２Ｂが強く振動する構成としてもよい。または、個体識別装置１０２Ｂに指向性アンテナを設け、個体管理装置１０１が、個体識別装置１０２Ｂの指向性アンテナの発信方向に存在する場合に振動を強める構成としてもよい。このように、感覚によって利用者に情報を伝える構成を有することによって子供など、システムの構成を理解しにくい利用者でも容易にこのシステムを利用することが可能となる。
【０１７２】
さらに、図１６（Ｃ）及び（Ｄ）では図１６（Ａ）及び（Ｂ）とは異なり、共振回路が有するアンテナが個体識別装置１０２の筐体に内蔵され、該アンテナにより個体識別装置１０２の形状が決定される例を示している。たとえば、個体管理装置１０１と個体識別装置１０２との距離が数メートル以上離れているような長距離の通信が必要な場合、個体識別装置１０２が有するアンテナは大きいほうが望ましい。たとえば、個体管理装置１０１と個体識別装置１０２が電波方式により通信を行う場合、個体識別装置１０２は電波の波長と等しい長さ、波長の半分の長さ、又は４分の１の長さのダイポールアンテナを要する。このように細長いアンテナを要する場合、個体識別装置１０２は細長い形状であることが望ましいため、図１６（Ｃ）及び（Ｄ）に示すような形状としてもよい。
【０１７３】
また、個体識別装置１０２のアンテナを指向性アンテナとする場合には、個体識別装置１０２は複数のアンテナを有する。このような場合には、個体識別装置１０２はアンテナの形状によってその外観が決定される。
【０１７４】
たとえば、図１６（Ｃ）では表示部２０５Ｃ、点灯表示部２０６Ｃ、及び点灯表示部２０６Ｄを有する例として個体識別装置１０２Ｃを示している。表示部２０５Ｃ及び点灯表示部２０６Ｃは図１６（Ａ）の表示部２０５Ａ及び点灯表示部２０６Ａと同様のものでよい。個体識別装置１０２Ｃを基準にして管理対象物が右側にあるか、左側にあるかを点灯表示部２０６Ｃ及び点灯表示部２０６Ｄにより図示する構成とすることができる。
【０１７５】
さらに、図１６（Ｄ）では個体識別装置１０２が方向指示器（誘導器）を有している例を示す。方向指示器２０７Ｄは、個体管理装置１０１が存在する方向に動く機能を有する。方向指示器２０７Ｄは、例えば、一方向にのみ導電性を有する二枚のシートを同方向に重ねてその端部を固定し、該二枚のシートに位相の異なる電流を流すことで駆動するアクチュエータによって実現することができる。また、電圧を印加することによって収縮する人工筋肉のようなものを用いても良い。図１６（Ｄ）に示す形態は、システムの利用に際して利用者に楽しさを与えることもできる。もちろん上記以外にも、個体識別装置１０２の外観は様々なものにすることができる。
【０１７６】
さらには、既存の無線通信機器を利用して個体識別装置１０２の代わりとしてもよい。代表的には携帯電話を挙げることができる。個体識別装置１０２の機能を携帯電話に付与することで個体管理システムを実現することができる。この場合、携帯電話は、携帯電話が本来有する構成に加えて、個体識別装置１０２と同様の構成を有していればよい。さらに、携帯電話特有の構成を利用して個体管理システムの利便性を向上させることもできる。たとえば、携帯電話は、個体管理装置１０１と個体識別装置１０２が行う無線通信以外の方法で、他の機器と無線通信を行うことができる。このような無線通信機能を利用することで、個体管理システムは、個体識別装置１０２として機能する携帯電話と個体情報管理装置１０３が無線通信を行う構成とすることができる。このような構成にすることで、個体識別装置１０２は、個体管理装置１０１とも個体情報管理装置１０３とも無線通信を行うことができ、個体管理システムの利便性を向上させることができる。
【０１７７】
また、携帯電話は一般に情報入力部及び情報出力部を備えているため、個体管理装置１０１と同じく個体識別装置１０２にも直接、情報を入力すること及び出力することが可能になる。そのため、携帯電話は個体識別装置１０２と個体情報管理装置１０３の両方を内蔵した構成としても良い。情報入力部及び情報出力部としては、一般的な入力ボタンやスイッチのほか、タッチパネル方式の表示装置であってもよい。
【０１７８】
このように、利用者が個体識別装置１０２を使いながら情報を入力することによって、たとえば、一度に複数の管理対象物を検索したい場合や、途中で検索対象物を変更したい場合等に便利である。さらには、個体管理装置１０１が複数の検知部１１４を有し、検知部１１４で取得された検知情報が多岐にわたる場合に、その中から任意の情報を選択するといったことが個体識別装置１０２から直接行うことができるようになる。
【実施例６】
【０１７９】
本実施例では、個体管理装置１０１が貼付等された管理対象物の具体例について説明する。図１７（Ａ）は、鍵２０１ａに個体管理装置１０１ａが付された状態を示す。図１７（Ｂ）は、携帯電話２０１ｂに個体管理装置１０１ｂが付された状態を示す。図１７（Ｃ）は、ぬいぐるみ２０１ｃに個体管理装置１０１ｃが付された状態を示す。図１７（Ｄ）は、ペットボトル２０１ｄに個体管理装置１０１ｄが付された状態を示す。図１７（Ｅ）は、瓶２０１ｅに個体管理装置１０１ｅが付された状態を示す。図１７（Ｆ）は、パスポート２０１ｆに個体管理装置１０１ｆが付された状態を示す。図１７（Ｇ）は、鞄２０１ｇに個体管理装置１０１ｇが付された状態を示す。
【０１８０】
以上のように本発明の個体管理システムは、個体管理装置１０１を様々な物品に付けて利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１８１】
【図１】本発明のシステムを説明する図。
【図２】本発明のシステムを説明する図。
【図３】本発明のシステムを説明する図。
【図４】本発明のシステムを説明する図。
【図５】本発明のシステムを説明する図。
【図６】本発明のシステムを説明する図。
【図７】本発明のシステムを説明する図。
【図８】本発明のシステムが有する装置を作製する方法について説明する図。
【図９】本発明のシステムが有する装置を作製する方法について説明する図。
【図１０】本発明のシステムが有する装置を作製する方法について説明する図。
【図１１】本発明のシステムが有する装置を作製する方法について説明する図。
【図１２】本発明のシステムが有する装置を作製する方法について説明する図。
【図１３】本発明のシステムが有する装置を作製する方法について説明する図。
【図１４】本発明のシステムが有する装置を作製する方法について説明する図。
【図１５】本発明のシステムの構成要素である個体管理装置の具体例。
【図１６】本発明のシステムの構成要素である個体識別装置の具体例。
【図１７】本発明のシステムを利用するために個体管理装置を管理対象物に付す具体例。
【符号の説明】
【０１８２】
１０１    個体管理装置
１０２    個体識別装置
１０３    個体情報管理装置
１０４    通信回線
１０５    キーホルダー
１１１    無線通信部
１１２    記憶部
１１３    蓄電部
１１４    検知部
１２１    無線通信部
１２２    記憶部
１２３    情報処理部
１２４    回線通信部
１２５    対利用者通知部
１２６    蓄電部
１２７    撮像部
１２８    位置解析部
１３１    回線通信部
１３２    情報処理部
１３３    記憶部
１３４    情報入出力部
１５０    識別情報
１５１    個体情報
１５２    データベース
２０７Ｄ    方向指示器
２１０    共振回路
２１１    復調回路
２１２    変調回路
２１３    復号化回路
２１４    符号化回路
２１５    ロジック回路
２１６    電源回路
２１７    整流回路
２１８    電流・電圧制御回路
２１９    充電制御回路
２２０    バッテリ
２３０    センサ
２３１    Ａ／Ｄ変換回路
２３２    情報処理回路
２４１    整流回路
２４２    比較回路
２４３    比較電位生成回路
２５１    受信用アンテナ
２５２    発信用指向性アンテナ
２６１    整流回路
２６２    比較回路
２６３    比較電位生成回路
２６４    通信電力制御回路
３００    ステップ
３０１    ステップ
３０２    ステップ
３０３    ステップ
３０４    ステップ
３０５    ステップ
３０６    ステップ
３０７    ステップ
４００    ステップ
４０１    ステップ
４０２    ステップ
４０６    ステップ
４０７    ステップ
４０８    ステップ
８０１    ガラス基板
８０２    剥離層
８０３    絶縁層
８０４    半導体層
８０５    ゲート絶縁層
８０６    ゲート電極層
８０７    Ｎ型不純物領域
８０８    Ｐ型不純物領域
８０９    絶縁層
８１０    Ｎ型不純物領域
８１１    Ｎ型不純物領域
８１２    Ｎ型トランジスタ
８１３    Ｐ型トランジスタ
８１４    絶縁層
８１５    導電層
８１６    絶縁層
８１７    導電層
８２０    開口部
８２１    半導体素子
８２２    可撓性基板
８２３    可撓性基板
８３０    可撓性基板
８３１    可撓性基板
８３２    アンテナ
９００    基板
９０２    電界効果型トランジスタ
９０３    ゲート絶縁層
９０４    ゲート電極層
９０８    層間絶縁層
９１１    層間絶縁層
９１３    導電層
９１４    絶縁層
１０１ａ    個体管理装置
１０１ｂ    個体管理装置
１０１ｃ    個体管理装置
１０１ｄ    個体管理装置
１０１ｅ    個体管理装置
１０１ｆ    個体管理装置
１０１ｇ    個体管理装置
１０２Ａ    個体識別装置
１０２Ｂ    個体識別装置
１０２Ｃ    個体識別装置
１１００    基板
１１０１    下地絶縁層
１１０２    導電層
１１０３    ゲート電極層
１１０４    ゲート電極層
１１０５    配線
１１０６    配線
１１０７    端子電極
１１０８    ゲート絶縁層
１１０９    島状半導体領域
１１１０    島状半導体領域
１１１１    マスク
１１１２    ソース領域及びドレイン領域
１１１３    ソース領域及びドレイン領域
１１１４    絶縁膜
１１１５    絶縁膜
１１１６    保護電極
１１１７    配線
１１１８    接続電極
１１１９    薄膜トランジスタ
１１２０    薄膜トランジスタ
１１２２    保護電極
１１２３    保護電極
１１２４    保護電極
１１２５    端子電極
１１２６    保護電極
１１２７    ソース電極及びドレイン電極
１１２８    ソース電極及びドレイン電極
１１２９    光電変換層
１１３０    封止層
１１３１    端子
１１３２    端子
１１３３    ハンダ
１１３４    ハンダ
１１３５    電極
１１３６    電極
１１３７    基板
１２１ａ    無線通信部
１２８ａ    位置解析部
１５０ａ    管理番号
１５０ｂ    システム番号
１５０ｃ    利用者番号
１５１ａ    名称等
１５１ｂ    情報
１５１ｃ    管理対象物画像データ
１５１ｄ    システムパスワード
１５１ｅ    登録作業履歴
２０１ａ    鍵
２０１ｂ    携帯電話
２０１ｃ    ぬいぐるみ
２０１ｄ    ペットボトル
２０１ｅ    瓶
２０１ｆ    パスポート
２０１ｇ    鞄
２０５Ａ    表示部
２０５Ｂ    表示部
２０５Ｃ    表示部
２０６Ａ    点灯表示部
２０６Ｂ    点灯表示部
２０６Ｃ    点灯表示部
２０６Ｄ    点灯表示部
４０３Ａ    ステップ
４０３Ｂ    ステップ
４０４Ａ    ステップ
４０４Ｂ    ステップ
４０５Ａ    ステップ
４０５Ｂ    ステップ
９０１ａ    素子分離領域
９０１ｂ    素子分離領域
９０１ｃ    素子分離領域
９０１ｄ    素子分離領域
９０１ｅ    素子分離領域
９０５ａ    ソース領域及びドレイン領域
９０５ｂ    ソース領域及びドレイン領域
９０６ａ    ＬＤＤ領域
９０６ｂ    ＬＤＤ領域
９０７ａ    サイドウォール
９０７ｂ    サイドウォール
９０９ａ    ソース配線及びドレイン配線
９０９ｂ    ソース配線及びドレイン配線
１１２９ｉ    ｉ型半導体層
１１２９ｎ    ｎ型半導体層
１１２９ｐ    ｐ型半導体層
【図１】
2008268193.tif 000003
【図２】
2008268193.tif 000004
【図３】
2008268193.tif 000005
【図４】
2008268193.tif 000006
【図５】
2008268193.tif 000007
【図６】
2008268193.tif 000008
【図７】
2008268193.tif 000009
【図８】
2008268193.tif 000010
【図９】
2008268193.tif 000011
【図１０】
2008268193.tif 000012
【図１１】
2008268193.tif 000013
【図１２】
2008268193.tif 000014
【図１３】
2008268193.tif 000015
【図１４】
2008268193.tif 000016
【図１５】
2008268193.tif 000017
【図１６】
2008268193.tif 000018
【図１７】
2008268193.tif 000019