(57)【要約】【課題】素子動作時のコンタクト抵抗の小さい半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】  半導体レーザ装置の製造方法は、基板１０２上に、第１導電型の第１クラッド層１０３、活性層１０４、第２導電型の第２クラッド層１０５、第２導電型のコンタクト層１１０及びダメージ吸収層１１１をこの順に積層する工程（ａ）と、第２クラッド層１０５、コンタクト層１１０及びダメージ吸収層１１１を加工し、ストライプ状のリッジを形成する工程（ｂ）と、第２クラッド層１０５及びリッジを覆うように、誘電体材料からなる電流ブロック層１０７を形成する工程（ｃ）と、ダメージ吸収層１１１上の電流ブロック層１０７の少なくとも一部を除去することにより、電流注入領域１１６を形成する工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後に、コンタクト層１１０上の電流注入領域１１６の部分のダメージ吸収層１１１を除去する工程（ｅ）とを備える。【選択図】図１
2008098362.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１導電型の第１クラッド層と、
前記第１クラッド層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成され且つストライプ状のリッジを有する第２導電型の第２クラッド層と、
前記リッジ上に形成された第２導電型のコンタクト層と、
前記コンタクト層上の所定の領域に形成されたダメージ吸収層と、
前記第２クラッド層上に形成され且つ前記コンタクト層上に開口を有する電流ブロック層とを備えることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記所定の領域は、前記リッジの幅方向に関して両端の領域であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記電流ブロック層は、前記ダメージ吸収層上面の少なくとも一部を覆っていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つにおいて、
前記電流ブロック層は、誘電体材料からなることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記誘電体材料は、ＳｉＮ、ＳｉＯ2 及びＡｌ2 Ｏ3 の少なくとも１つを含むことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つにおいて、
前記コンタクト層は、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０≦ｘ≦１）の組成を有する化合物半導体からなることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つにおいて、
前記ダメージ吸収層は、半導体材料、有機材料又は誘電体材料からなる層を少なくとも一層含むことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つにおいて、
前記ダメージ吸収層は、少なくとも１つの化合物半導体層を含み、
前記化合物半導体層は、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０≦ｘ≦１）又は（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の組成を有する化合物半導体からなることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１つにおいて、
前記ダメージ吸収層は、二層以上の化合物半導体層を含む多層構造であり、
前記多層構造のうちの最上層は、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０≦ｘ≦１）の組成を有する化合物半導体からなることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１０】
請求項８又は９において、
前記化合物半導体層は、前記コンタクト層上に直接形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１つにおいて、
前記基板表面の面方位は、（１００）面から傾斜した面方位であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記（１００）面から傾斜した面方位は、［０１１］方向であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１３】
基板上に、第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、第２導電型の第２クラッド層と、第２導電型のコンタクト層と、ダメージ吸収層とをこの順に積層する工程（ａ）と、
前記第２クラッド層、前記コンタクト層及び前記ダメージ吸収層を加工し、ストライプ状のリッジを形成する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）の後に、前記第２クラッド層及び前記リッジを覆うように、誘電体材料からなる電流ブロック層を形成する工程（ｃ）と、
前記ダメージ吸収層上の前記電流ブロック層の少なくとも一部を除去することにより、電流注入領域を形成する工程（ｄ）と、
前記工程（ｄ）の後に、前記コンタクト層上の前記電流注入領域の部分の前記ダメージ吸収層を除去する工程（ｅ）とを備えることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記工程（ｅ）では、ウェットエッチング技術により前記ダメージ吸収層を選択的に除去することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３又は１４において、
前記工程（ｅ）において、前記電流ブロック層をマスクとして前記ダメージ吸収層の除去を行なうことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク装置及び情報処理装置等において光源として使用される半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＶＤ等の光ディスクの高密度記録化の進展に伴い、再生だけでなく、ＤＶＤ−ＲＡＭ又はＤＶＤ−ＲＷ等の記録用ＤＶＤドライブが製品化されてきている。そして、その記録倍速は高速化の一途をたどっている。
【０００３】
このような記録用ＤＶＤドライブの記録倍速の高速化に対応するため、その光源として使用される高出力半導体レーザの開発が活発に行われている。半導体レーザの高出力化の手段としては様々な提案がなされているが、そのひとつとして、共振器長を長くしてチップ面積を大きくすることにより、高出力動作時に発生する熱を効率良く放出させることが挙げられる。
【０００４】
しかしながら、チップ面積が大きくなると、半導体レーザウェハ１ｓｌ（１枚）当たりのチップ数が減少するため、チップコストが高くなる。
【０００５】
そこで、従来ＡｌＩｎＰ等の化合物半導体層のエピタキシャル成長により形成していた電流ブロック層に代えて、ＳｉＮ又はＳｉＯ2 等の誘電体膜からなる電流ブロック層を用いることにより、結晶成長回数を減らして低コスト化する技術が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００６】
ここで、特許文献１の第１の実施の形態に示された、従来技術における半導体レーザ装置及びその製造方法について、図４（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。図４（ｄ）は特許文献１の第１の実施の形態に記載の半導体レーザ装置の構造を示し、図４（ａ）〜（ｃ）はその製作工程を示す。これらは、いずれもリッジ型ストライプの長手方向に垂直な方向から見た断面図である。
【０００７】
まず、図４（ａ）に示すように、基板１１上に、ｎ型クラッド層１２、第１ガイド層１３、活性層１４、第２ガイド層１５、電子障壁層１６、第１ｐ型クラッド層１７、エッチングストップ層１８、第２ｐ型クラッド層１９及びｐ型コンタクト層２０を下からこの順に積層して形成する。このためには、有機金属化学気相成長法（以下ＭＯＣＶＤ法と記す）を用いて順次エピタキシャル成長させる。
【０００８】
その後、ｐ型コンタクト層２０の表面上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー技術により、フォトレジストのストライプパターン２１を形成する。
【０００９】
次に図４（ｂ）に示すように、ストライプパターン２１をマスクとして用い、ｐ型コンタクト層２０及び第２ｐ型クラッド層１９を順にエッチングし、リッジを形成する。
【００１０】
次に図４（ｃ）に示すように、フォトレジスト２１を除去した後、化学気相成長法（Chemical vapor deposition 法、以下ＣＶＤ法と記す）により、基板全面にＳｉＯ2 又はＳｉＮからなる誘電体膜２２を形成する。
【００１１】
次に、フォトリソグラフィー技術を用いて、ｐ型コンタクト層２０上に形成された誘電体膜２２の少なくとも一部をエッチング除去し、電流注入領域を形成する。続いて、ｐ側電極２３及びｎ側電極２４を形成し、図４（ｄ）に示す半導体レーザウェハを完成させる。
【００１２】
以上の製造方法を用いると、エピタキシャル成長により形成していた半導体層からなる電流ブロック層に代わり、電流ブロック層にＳｉＯ2 又はＳｉＮ等の誘電体膜を用いることにより、結晶成長回数を減らすことができ、低コスト化を実現できる。
【特許文献１】特開２００６−４９４２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
前記のように電流ブロック層としてＳｉＯ2 又はＳｉＮ等の誘電体を用いた場合、電流注入領域を形成する工程において、ｐ型コンタクト層上に形成された誘電体膜の少なくとも一部をエッチングにより除去して電流注入領域を開口する。次に、該開口により露出したｐ型コンタクト層上にｐ側電極を形成する。
【００１４】
この際、半導体レーザのコンタクト抵抗及び動作電圧を極力低減するためには、ｐ型コンタクト層とｐ側電極との界面を清浄な状態にすることが不可欠である。
【００１５】
図４（ａ）〜（ｄ）に示した特許文献１の第１の実施の形態に記載の製造方法においては、電流注入領域を形成する際にｐ型コンタクト層上に形成された誘電体膜の少なくとも一部をエッチング除去する方法として、ドライエッチング技術とウェットエッチング技術とが挙げられる。
【００１６】
ドライエッチング技術を用いると、誘電体膜を寸法精度良くエッチングすることができる。しかし、ドライエッチングは物理現象であるスパッタがエッチングの主要因であるため、電流注入領域において、ｐ型コンタクト層表面にドライエッチング時のプラズマによる物理ダメージに起因した結晶欠陥が発生する。このような結晶欠陥は、コンタクト抵抗の増加及び動作電圧の増加といった素子劣化の原因となっている。
【００１７】
この一方、ウェットエッチング技術を用いた場合、物理ダメージによる結晶欠陥は発生しない。しかしながら、ｐ型コンタクト層はウェハ最表面であるため、大気に長時間露出し、ｐ型コンタクト層表面に自然酸化膜及び変性層が形成されてしまう。このため、コンタクト抵抗の増加及び動作電圧の増加といった素子劣化が避けられない。
【００１８】
ここで、ｐ型コンタクト層表面に発生した結晶欠陥、自然酸化膜及び変性層等を除去するためには、誘電体膜をエッチングした後に、続けてウェットエッチング技術を用い、ｐ型コンタクト層表面を除去する方法が考えられる。
【００１９】
しかし、エッチングは主として時間制御により行なわれるため、ウエハに対して垂直な方向に関するエッチング量について、ウエハ面内及びウエハ間における均一で且つ精密な制御は難しい。この結果、エッチング量が過剰になってｐ型コンタクト層２０が消失してしまうことがあり、これは歩留り低下の原因となる。よって、このようなことの解決が課題となっている。
【００２０】
以上の課題に鑑み、本発明の目的は、ｐ側電極と接触するリッジ上のｐ型コンタクト層表面における結晶欠陥、自然酸化膜及び変性層の残留を抑制することにより、コンタクト抵抗の増加及び動作電圧増加等の素子特性の劣化が抑制された半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
前記の目的を達成するため、本発明のリッジストライプ型の半導体レーザ装置は、基板上に形成された第１導電型の第１クラッド層と、第１クラッド層上に形成された活性層と、活性層上に形成され且つストライプ状のリッジを有する第２導電型の第２クラッド層と、リッジ上に形成された第２導電型のコンタクト層と、コンタクト層上の所定の領域に形成されたダメージ吸収層と、第２クラッド層上に形成され且つコンタクト層上に開口を有する電流ブロック層とを備える。
【００２２】
本発明の半導体レーザ装置によると、コンタクト層上にダメージ吸収層が設けられていることにより、コンタクト層における結晶欠陥、自然酸化膜及び変性層等のダメージの発生が防止される。つまり、製造工程において、コンタクト層をダメージ吸収層によって覆うことにより、前記のようなダメージはダメージ吸収層において生じるようにする。その後、ダメージ吸収層の少なくとも一部を除去すると、ダメージの生じていないコンタクト層を得ることができる。
【００２３】
尚、ダメージ吸収層が形成される所定の領域は、リッジの幅方向に関して両端の領域であることが好ましい。
【００２４】
また、電流ブロック層は、ダメージ吸収層上面の少なくとも一部を覆っていることが好ましい。
【００２５】
また、電流ブロック層は、誘電体材料からなることが好ましい。更に、前記誘電体材料は、ＳｉＮ、ＳｉＯ2 及びＡｌ2 Ｏ3 の少なくとも１つを含むことが好ましい。
【００２６】
電流ブロック層は、例えば、ＳｉＮ等の誘電体材料を用い、プラズマＣＶＤ法又は常圧ＣＶＤ法により形成される。このとき、面方位が基板の主面に対して平行である面に形成するのに比べ、面方位が基板の主面に対して垂直である面に形成する方が誘電体膜の密着性が高くなる。そこで、コンタクト層の両端上にダメージ吸収層を残し、該ダメージ吸収層上面の少なくとも一部を覆うように電流ブロック層を形成する。これにより、面方位が基板の主面に対して垂直な面であるダメージ吸収層上面の上に電流ブロック層の一部を形成することになり、このような部分の面積を確保することによって電流ブロック層の密着性を向上することができる。
【００２７】
へき開を行なう際又は組立の際にリッジに加わる応力により、電流ブロック層は半導体レーザ装置から剥がれてしまうことがある。しかし、本発明の半導体レーザ装置において、この問題は前記のように密着性を向上することにより抑制されている。
【００２８】
尚、リッジ上に電流を注入するための領域を確保すると共に電流ブロック層の密着性を向上する効果を確実にするために、リッジの幅方向について両端の領域にダメージ吸収層を残し、その上に電流ブロック層を設けるようにするのがよい。ここで、リッジの幅方向とは、半導体レーザ装置の共振器の方向に垂直で且つ基板の主面に平行な方向である。
【００２９】
また、コンタクト層は、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０≦ｘ≦１）の組成を有する化合物半導体からなることが好ましい。
【００３０】
また、ダメージ吸収層は、半導体材料、有機材料又は誘電体材料からなる層を少なくとも一層含むことが好ましい。
【００３１】
また、ダメージ吸収層は、少なくとも１つの化合物半導体層を含み、該化合物半導体層は、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０≦ｘ≦１）又は（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の組成を有する化合物半導体からなることが好ましい。
【００３２】
コンタクト層及びダメージ吸収層は、例えばこのような材料からなる層として形成される。但し、このとき、コンタクト層とダメージ吸収層とがエッチングに対して高い選択比を有するように選択する。例えば、ＡｌＧａＡｓをコンタクト層、ＡｌＧａＩｎＰをダメージ吸収層の材料としてそれぞれ選ぶと、材料系が異なるためにエッチングに対する高い選択性が得られる。このため、ダメージ吸収層の選択的な除去が可能である。また、コンタクト層及びダメージ吸収層をいずれもＡｌＧａＡｓとする場合であっても、ダメージ吸収層のＡｌ組成を大きくすることにより高い選択性が得られ、選択的なエッチングが可能である。これは、一般にＡｌ組成が大きい方がエッチレートが大きくなるためである。
【００３３】
また、ダメージ吸収層は、二層以上の化合物半導体層を含む多層構造であり、多層構造のうちの最上層は、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０≦ｘ≦１）の組成を有する化合物半導体からなることが好ましい。
【００３４】
このように、熱力学的に安定なＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０≦ｘ≦１）の組成を有する化合物半導体層を形成することにより、製造プロセスにおけるＰの蒸発が抑制される。
【００３５】
また、化合物半導体層は、コンタクト層上に直接形成されていることが好ましい。
【００３６】
つまり、コンタクト層上に、他の層を介することなく化合物半導体層が形成されていることが好ましい。このようにすると、コンタクト層に対して連続的に化合物半導体層が成長するため、コンタクト層と化合物半導体層との界面が清浄に保たれる。
【００３７】
また、基板表面の面方位は、（１００）面から傾斜した面方位であることが好ましい。このようにすると、自然超格子の形成を防止することができる。自然超格子は、発振波長の制御を困難にする等の問題を生じるため、発生を防ぐことが望まれる。
【００３８】
更に、該（１００）面から傾斜した面方位は、［０１１］方向であることが好ましい。これにより、自然超格子の形成をより確実に防止することができる。
【００３９】
次に、前記の目的を達成するため、本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、基板上に、第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、第２導電型の第２クラッド層と、第２導電型のコンタクト層と、ダメージ吸収層とをこの順に積層する工程（ａ）と、第２クラッド層、コンタクト層及びダメージ吸収層を加工し、ストライプ状のリッジを形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後に、第２クラッド層及びリッジを覆うように、誘電体材料からなる電流ブロック層を形成する工程（ｃ）と、ダメージ吸収層上の電流ブロック層の少なくとも一部を除去することにより、電流注入領域を形成する工程（ｄ）と、コンタクト層上の電流注入領域の部分のダメージ吸収層を除去する工程（ｅ）とを備える。
【００４０】
尚、工程（ｅ）では、ウェットエッチング技術によりダメージ吸収層を選択的に除去することが好ましい。
【００４１】
また、工程（ｅ）において、電流ブロック層をマスクとしてダメージ吸収層の除去を行なうことが好ましい。
【００４２】
本発明の半導体レーザ装置の製造方法によると、コンタクト層上にダメージ吸収層を設けると共に、リッジの形成、電流ブロック層の形成及び電流注入領域の形成を行なった後に該ダメージ吸収層を除去する。
【００４３】
従来、リッジ上のコンタクト層上面には、リッジ形成等のために行なうドライエッチング時のプラズマによって物理ダメージが生じる場合があり、また、大気に露出することによって自然酸化膜及び変性層が生じる場合もあった。しかし、本発明の半導体レーザ装置においては、コンタクト層上にダメージ吸収層が形成されているため、物理ダメージ及び自然酸化膜等は該ダメージ吸収層に対して生じる。ダメージ吸収層は除去されるため、コンタクト層上面については物理ダメージ及び自然酸化膜等が生じることはなく、後にコンタクト層上に形成する電極との界面を清浄にすることができる。
【００４４】
このため、コンタクト層と電極との間におけるコンタクト抵抗の増加及び動作電圧増加等の素子特性劣化を抑制することができる。
【００４５】
また、ダメージ吸収層のみを選択的に除去するようにすると、そのためのエッチング量をウェハ面内及びウェハ間において均一で且つ精密に制御することができる。よって、エッチングの過剰によってコンタクト層が消失するのを抑制することができる。
【００４６】
また、電流ブロック層をマスクとしてダメージ吸収層の除去を行なうことにより、電流注入領域に相当する部分のダメージ吸収層を確実に除去することができる。
【発明の効果】
【００４７】
本発明の半導体レーザ装置及びその製造方法によると、コンタクト層上に形成するダメージ吸収層の利用により、コンタクト抵抗及び動作電圧の低減等のように素子特性が改善されると共に、ウェハ面内及びウェハ間において均一性良く電流注入領域を形成することができ、製造歩留りが向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、本発明の各実施形態について、図面を参照しながら説明する。ここでは、ＡｌＧａＩｎＰ系の材料からなるリッジストライプ型赤色半導体レーザ装置を一例として用いて説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、その他種々のリッジストライプ型半導体レーザ装置に適用可能である。
【００４９】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置及びその製造方法について説明する。図１（ａ）〜（ｇ）は、本実施形態のリッジストライプ型半導体レーザ装置の製造工程を模式的な断面図である。
【００５０】
まず、図１（ａ）のように、ＧａＡｓからなるｎ型基板１０２（厚さ４００〜５００μｍ程度）の上に、ＭＯＣＶＤ法により、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｎ型クラッド層１０３（厚さ１〜３μｍ程度）、ＧａＩｎＰ系材料からなる活性層１０４（厚さ５〜６ｎｍ程度）、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｐ型クラッド層１０５（厚さ１〜２μｍ程度）、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｐ型中間層１０９（厚さ４０〜６０ｎｍ程度）、ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層１１０（厚さ０．１〜０．３μｍ程度）を下から（ｎ型基板１０２の側から）この順に積層して形成する。
【００５１】
更に、ｐ型コンタクト層１１０上に、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｐ型ダメージ吸収層１１１（厚さ１０〜１００ｎｍ程度）を形成し、更にその上に、ＳｉＯ2 膜１１３（厚さ０．２〜０．６μｍ程度）を形成する。
【００５２】
ここで、ＧａＡｓからなるｎ型基板としては、いわゆるオフ角を有する半導体基板を用いることが一般的である。例えば発振波長６５０ｎｍ帯の可視光半導体レーザの場合、Ｇａ0.3 Ｉｎ0.3 Ｐ層における自然超格子（秩序化構造）形成を抑制するため、［０１１］方向に１０°程度傾斜した（１００）面を表面とする基板を用いる。
【００５３】
傾斜する角度としては、基板上に第１クラッド層をエピタキシャル成長させたとき、つまり、基板と結晶軸が揃うように結晶成長させたとき、自然超格子が形成されないよう角度とする。通常は、５°以上で且つ２０°以下であることが好ましい。
【００５４】
具体的な一例として、ＧａＡｓ（１００）基板状にＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層（ＡｌＰ、ＧａＰ、ＩｎＰの混晶半導体）をエピタキシャル成長する場合を考える。このようにする場合、自然超格子、つまり、ＧａＰ（ＡｌＰ）とＩｎＰとが周期的に積層された構造が形成される。自然超格子が形成されると、通常の状態（自然超格子の無い状態）よりもエネルギーギャップが減少し、発振するレーザ光の波長が長くなる。例えば、発振する赤色のレーザ光の波長が通常は６５０ｎｍであるのに対し、６８５ｎｍになる。
【００５５】
また、混晶半導体の場合、半導体を構成する成分の組成比を変えることによりエネルギーギャップを制御することができる。しかし、自然超格子が形成されると結晶構造によるエネルギーギャップ変化が優勢になるため、組成比の変化によるエネルギーギャップの制御ができなるなる。これは、発振波長の制御ができなくなることを意味する。
【００５６】
そこで、自然超格子の形成を防止するため、基板表面の面方位は（１００）面から傾斜していることが望ましい。更に、［０１１］方向であると自然超格子の形成を確実に防止することができる。
【００５７】
しかし、本発明においては、基板オフ角は特に限定することなく使用可能であり、本実施形態のｎ型基板１０２はオフ角を有していない。
【００５８】
また、活性層１０４は、ＧａＩｎＰを井戸層としＡｌＧａＩｎＰを障壁層とする多重量子井戸構造の活性層であってもよい。
【００５９】
次に、図１（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2 膜１１３をフォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術により加工することによって、ＳｉＯ2 ストライプ１１４を形成する。
【００６０】
次に、図１（ｃ）のように、ｐ型クラッド層１０５、ｐ型中間層１０９、ｐ型コンタクト層１１０及びｐ型ダメージ吸収層１１１に対してＳｉＯ2 ストライプ１１４をマスクとするドライエッチングを行なう。
【００６１】
これにより、ストライプマスク１１４にマスクされていない部分はｐ型クラッド層１０５の途中までエッチングされ、エッチングされずに残された部分のｐ型クラッド層１０５としてリッジ１０５ａが形成される。リッジ１０５ａ上には、リッジ１０５ａと同様にストライプマスク１１４の形状に応じてｐ型中間層１０９、ｐ型コンタクト層１１０及びｐ型ダメージ吸収層１１１がエッチングされずに残り、リッジ１０５ａと合わせてリッジ構造１２０を構成する。
【００６２】
このようにドライエッチング量を制御する方法としては、例えば、時間制御によりエッチングを停止する方法、つまり、所定の時間だけエッチングを行なうという方法がある。また、ｎ型基板１０２に対して単色光を当て、その反射光から得られる干渉強度と時間の関係からエッチング残厚を算出しながらエッチングを行なう方法も挙げられる。この場合、エッチング残厚が所望の値になった時にエッチングを停止すれば良い。
【００６３】
また、本実施形態におけるドライエッチング技術としては、異方性のプラズマエッチングが好適である。例としては、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）及びエレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス（ＥＣＲ）プラズマを用いた方法が挙げられる。
【００６４】
また、エッチングガスとしては、ＳｉＣｌ4 とＡｒとの混合ガスが代表的である。ただし、ＳｉＣｌ4 に代えて、塩素ガス又は三塩化ホウ素ガス等を用いても良い。
【００６５】
尚、本実施の形態１で用いたドライエッチング技術はＩＣＰ法であり、エッチングガスとしてＳｉＣｌ4 とＡｒの混合ガスを用いている。
【００６６】
次に、フッ素系薬液を用いてＳｉＯ2 ストライプ１１４を除去した後、図１（ｄ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、厚さ８０ｎｍ〜３００ｎｍのＳｉＮ膜１０７を成長させる。このＳｉＮ膜１０７は、電流ブロック層として機能する膜である。
【００６７】
ここで、ＳｉＮ膜１０７に代えて、他の材料からなる膜を電流ブロック層として設けることも可能である。絶縁性を有し且つ（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｐ型クラッド層１０５よりも屈折率の小さい材料であれば用いることができ、具体例としては、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 のような誘電体膜が挙げられる。また、ＳｉＮ膜１０７の膜厚についても、８０ｎｍ〜３００ｎｍは好適な値ではあるが、これに限るわけではない。
【００６８】
尚、以上の膜を成膜する手段としては、ＣＶＤ法（例えばプラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、低圧ＣＶＤ及びＭＯＣＶＤ）及びＰＶＤ法（スパッタ及び蒸着等）が挙げられる。その中でも、本実施形態の場合、高い膜厚均一性を実現できると共に成膜が容易であるプラズマＣＶＤ法が特に好ましい。ここで、ＣＶＤ法とは化学気相成長（Chemical vapor deposition 法）法の略称であり、ＰＶＤ法とは物理的蒸着（Physical vapor deposition ）法の略称である。
【００６９】
次に、図１（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、リッジ構造１２０上の少なくとも一部分におけるＳｉＮ膜１０７をウェットエッチングにより除去する。これにより、電流注入領域１１６を形成する。本実施形態では、リッジ構造１２０上の全面が電流注入領域１１６になっている。
【００７０】
尚、ウェットエッチングに代えて、ドライエッチングを行なうこともできる。
【００７１】
次に、図１（ｆ）に示すように、例えば塩酸と水の混合液である塩酸系薬液（薬液中の塩酸の体積含有率が例えば１５〜４０％であるもの）を用い、ＳｉＮ膜１０７をマスクとするエッチングを行なう。これにより、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｐ型ダメージ吸収層１１１を、ｐ型コンタクト層１１０に至るまでエッチングして除去する。この際、ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層１１０は塩酸系薬液に対して耐性があるため、この層が露出すると、ｎ型基板１０２の表面に対して垂直な方向のエッチングは停止する。
【００７２】
尚、本実施形態ではｐ型ダメージ吸収層１１１のウェットエッチングに塩酸系薬液を用いているが、これには限らず、高いエッチング選択性を有する薬液であれば使用可能である。つまり、ここではｐ型ダメージ吸収層１１１についてエッチング速度が高く且つｐ型コンタクト層１１０及びＳｉＮ膜１０７についてはエッチング速度が低い薬液であれば良い。例えば硫酸系薬液を用いることもできる。また、塩酸系薬液についても、薬液中の塩酸の体積分率は１５〜４０％には限らず、他の値であっても良い。
【００７３】
更に、ｐ型ダメージ吸収層１１１の除去は、ウェットエッチングに代えてドライエッチングを用いても良い。この際、プラズマダメージが小さい方法が望ましく、例えばケミカルドライエッチングを用いるのがよい。
【００７４】
次に、蒸着法により、ｐ型コンタクト層１１０及びＳｉＮ膜１０７を覆うようにｐ側電極１１２を形成する。更に、ｎ型基板１０２の裏面（ｎ型クラッド層が形成されているのと反対側の面）に、ｎ側電極１０１を形成する。これにより、図１（ｇ）に示す構造がウェハ上に形成されたリッジストライプ型半導体レーザウェハが得られる。この後、へき開及び光出射端面コーティング等の工程を経てレーザ装置が完成する。
【００７５】
以上に説明したように、本実施形態によると、ＳｉＮ膜１０７を除去して電流注入領域１１６を形成する工程（図１（ｅ）の工程）までは、ｐ型ダメージ吸収層１１１がリッジ構造１２０において最も上に位置する層となっている。このような状態をもって製造プロセスが進行するため、ｐ型ダメージ吸収層１１１の表面には、例えばドライエッチングダメージ、自然酸化膜及び変性層等が発生しやすい。
【００７６】
しかし、ｐ型ダメージ吸収層１１１は、図１（ｆ）の工程においてウェットエッチングにより除去される。そのため、ここに発生していたドライエッチングダメージ、自然酸化膜及び変性層等は除去され、半導体レーザ装置に残留するのを抑制されている。
【００７７】
従って、これに続く図１（ｇ）の工程においてｐ側電極１１２が形成される際、ｐ側電極１１２とｐ型コンタクト層１１０との界面は清浄に保たれる。この結果、ドライエッチングダメージ、自然酸化膜及び変性層等の残留に起因する素子特性の劣化、具体例としてはコンタクト抵抗の増加及び動作電圧の増加等を抑制することができる。
【００７８】
また、本実施形態において、ＧａＩｎＰ系材料からなるｐ型ダメージ吸収層１１１を用いている。このため、ＧａＡｓ系材料からなるｐ型コンタクト層１１０とはウェットエッチング速度が大きく異なり、選択的にｐ型ダメージ吸収層１１１を除去することができる。また、このときのエッチング量をウェハ面内及びウェハ間において均一に精度良く制御することができる。
【００７９】
但し、ｐ型ダメージ吸収層１１１としては、ＧａＩｎＰ系材料に代えて、例えばＧａＰ、ＩｎＰ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＧａＡｓ等の組成からなる材料を用いてもよい。ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層１１０に対して選択的に除去することのできる材料であれば良い。
【００８０】
また、本実施形態では、ｐ型ダメージ吸収層１１１の厚さを１０ｎｍ〜１００ｎｍとしたが、これも例示するものであり、他の値を選択することもできる
また、本実施形態ではドライエッチングによりリッジ構造１２０を形成したが、これには限らず、ドライエッチングとウェットエッチングとを併用する方法を用いることも可能である。
【００８１】
更に、本実施形態ではＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる赤色半導体レーザ装置例として説明したが、これには限らない。例えば、ＧａＮを組成とする化合物半導体層をｐ型コンタクト層１１０として用いるＡｌＧａＩｎＮ系材料からなる青色半導体レーザ装置等、混晶化合物半導体を利用した種々のリッジストライプ型半導体レーザ装置に適用することができる。
【００８２】
（実施例１）
次に、第１の実施形態において説明した発明の半導体レーザ装置及びその製造方法について、実施例１として、図１（ａ）〜（ｇ）を参照しながら更に具体的に説明する。但し、当然ながら、本発明をこの例に限定するものではない。
【００８３】
まず、図１（ａ）のように、ＧａＡｓからなるｎ型基板１０２（厚さ４６０μｍ）の上に、ＭＯＣＶＤ法により、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｎ型クラッド層１０３（厚さ２．５μｍ）、ＧａＩｎＰ系材料からなる活性層１０４（厚さ５ｎｍ）、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｐ型クラッド層１０５（厚さ１．５μｍ）、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｐ型中間層１０９（厚さ４０ｎｍ）、ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層１１０（厚さ０．２３μｍ）及びＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｐ型ダメージ吸収層１１１（厚さ５０ｎｍ）を下から（ｎ型基板１０２の側から）この順に積層して形成した。更にその上に、ＳｉＯ2 膜１１３（厚さ０．５μｍ）をプラズマＣＶＤ法により形成した。
【００８４】
尚、ここで用いたｎ型基板１０２は、オフ角を有する基板（傾斜基板）ではない。
【００８５】
次に、図１（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2 膜１１３をフォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術により加工し、幅２μｍのＳｉＯ2 ストライプ１１４を形成した。
【００８６】
次に、図１（ｃ）に示すように、ｐ型クラッド層１０５、ｐ型中間層１０９、ｐ型コンタクト層１１０及びｐ型ダメージ吸収層１１１に対してＳｉＯ2 ストライプ１１４をマスクとするドライエッチングを行なう。これにより、リッジ１０５ａを形成してリッジ構造１２０を得た。
【００８７】
ここで、リッジ構造１２０以外の部分について、活性層１０４の上面の上にｐ型クラッド層１０５を２３０ｎｍの膜厚で残すようにエッチングを行なった。このためのエッチングの停止は、時間制御により行なっている。また、ドライエッチングの方法は、ＳｉＣｌ4 とＡｒとの混合ガスをエッチングガスとするＩＣＰ法を用いた。
【００８８】
次に、図１（ｄ）に示すように、フッ素系薬液を用いてＳｉＯ2 ストライプ１１４を除去した後、プラズマＣＶＤ法により厚さ１００ｎｍのＳｉＮ膜１０７を成長させた。
【００８９】
次に、図１（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いてリッジ構造１２０上の少なくとも一部分におけるＳｉＮ膜１０７をウェットエッチングにより除去した。これにより、電流注入領域１１６を形成した。また、ｐ型クラッド層１０５上及びリッジ構造１２０の側面を覆うｐ型クラッド層１０５は、電流ブロック層として機能する。
【００９０】
次に、図１（ｆ）に示すように、塩酸と水との混合溶液を用いて、ｐ型コンタクト層１１０が露出するまでｐ型ダメージ吸収層１１１をエッチングした。この際、混合溶液における塩酸の体積含有率は１５％とした。この工程において、ｐ型コンタクト層１１０がエッチングされることはなかった。
【００９１】
次に、蒸着法により、ｐ型コンタクト層１１０上面、リッジ構造１２０の側面及びｐ型クラッド層１０５上面を覆うようにｐ側電極１１２を形成すると共に、ｎ型基板１０２の裏面に、ｎ側電極１０１を形成した。これにより、図１（ｇ）に示すリッジストライプ型半導体レーザウェハを形成した。
【００９２】
本実施例において、ｐ型コンタクト層１１０上に形成したｐ型ダメージ吸収層１１１をウェットエッチングによって除去し、その後にｐ側電極１１２を形成した。このため、ｐ型コンタクト層１１０とｐ側電極１１２との界面に自然酸化膜及び変性層等が残留することなく、コンタクト抵抗及び動作電圧の小さいリッジストライプ型半導体レーザ装置を安定して形成することができた。
【００９３】
また、本実施例において、ＧａＩｎＰ系材料からなるｐ型ダメージ吸収層１１１を用いたため、塩酸系の薬液を用いたウェットエッチングに対する選択比がＧａＡｓ系材料からなるｐ型コンタクト層１１０に対して十分に大きい。このため、ウェハ面内及びウェハ間におけるばらつきを抑制しながらｐ型ダメージ吸収層１１１を選択的に除去することができた。
【００９４】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２に実施形態に係る発明の半導体レーザ装置及びその製造方法について、図面を参照して説明する。但し、第１の実施形態と共通する部分については簡略に説明し、相違点について詳しく述べる。
【００９５】
具体的には、本実施形態においては、ｐ型コンタクト層１１０の幅方向についての両端付近の上にｐ型ダメージ吸収層１１１を残し、該ｐ型ダメージ吸収層１１１上の少なくとも一部に電流ブロック層を形成することにより、電流ブロック層の密着性を向上している。
【００９６】
図２（ａ）〜（ｇ）は、本実施形態の発明の半導体レーザ装置の製造工程を説明する図である。これらの図において、図１（ａ）〜（ｇ）に示すのと同等の構成要素については、同じ符号を用いている。
【００９７】
まず、本実施形態において、第１の実施形態において図１（ａ）〜（ｄ）によって示される工程にそれぞれ順に相当する、図２（ａ）〜（ｄ）に示される工程を行なう。これにより、ｎ型基板１０２上に、ｎ型クラッド層１０３、活性層１０４、ｐ型クラッド層１０５、ｐ型中間層１０９、ｐ型コンタクト層１１０及びｐ型ダメージ吸収層１１１が下から（ｎ型基板１０２の側から）この順に積層されると共にリッジ１０５ａを含むリッジ構造１２０が形成され、更に、リッジ構造１２０上及び側面と、ｐ型クラッド層１０５のうちのリッジ１０５ａ以外の部分の上面とを覆うＳｉＮ膜１０７が形成された構造が得られる。それぞれの層の厚さ、材料及び形成方法等についても、例えば第１の実施形態と同様にすればよい。
【００９８】
この次に、図２（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、リッジ構造１２０上面の少なくとも一部分におけるＳｉＮ膜１０７をウェットエッチングにより除去する。このとき、リッジ構造１２０の幅方向（リッジの長さ方向に垂直で且つｎ型基板１０２の主面に平行な方向）の両端において、リッジ構造１２０上に一部ＳｉＮ膜１０７を残すようにする。
【００９９】
これにより、リッジ構造１２０上のＳｉＮ膜１０７が除去された部分として電流注入領域１１６ａを形成する。
【０１００】
この際に用いるドライエッチングとしては、反応性イオンエッチング法（以下ＲＩＥ法）、ＩＣＰ法又はＥＣＲ法等の異方性エッチングであればよい。また、エッチングガスとしては、ＣＦ4 とＣＨＦ3 の混合ガス等、ＣＦ系ガスを用いることができる。
【０１０１】
本実施形態では、具体的なエッチング法として、ＣＦ4 とＣＨＦ3 とＯ2 との混合ガスをエッチングガスとするＲＩＥ法を用いる。また、混合ガス中のＣＦ4 及びＣＨＦ3 の体積含有率は、それぞれ順に１〜１０％及び３０〜５０％とする。更に、圧力は４０〜６０Ｐａとし、ステージ温度は１０〜２０℃とする。但し、これらは例示であって限定するものではなく、適宜設定すればよい。また、ドライエッチングに代えて、ウェットエッチングを行なうことも可能である。
【０１０２】
次に、図２（ｆ）に示すように、塩酸系薬液（薬液中の塩酸の体積含有率が例えば１５〜３５％であるもの）を用い、ＳｉＮ膜１０７をマスクとしてエッチングを行なう。これにより、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐｐからなるｐ型ダメージ吸収層１１１を、ｐ型コンタクト層１１０に至るまでエッチングして除去する。但し、リッジ構造１２０上の幅方向の両端に残っているＳｉＮ膜１０７の下において、ｐ型ダメージ吸収層１１１がエッチングされずに残り、リッジ構造１２０上の内側の領域に開口を有することになる。
【０１０３】
また、ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層１１０は塩酸系薬液に対して耐性があるため、この層が露出すると、ｎ型基板１０２の表面に対して垂直な方向のエッチングは停止する。
【０１０４】
このように垂直方向のエッチングが停止した直後には、リッジ構造１２０上の両端に残っているｐ型ダメージ吸収層１１１におけるリッジ構造１２０の幅方向の中央に近い側面１１１ｘ（ウェットエッチングにより形成される側面）は傾いた曲面となっている。これにより、ｐ型ダメージ吸収層１１１に形成された開口は、上（ｎ型基板１０２とは反対側）に向かって広がった形状を有することになる。
【０１０５】
これに対し、側面１１１ｘがほぼ平面状になるまで、つまり、全体的に（１１１）面が露出するまで、ウェットエッチングを続行することが好ましい。ｐ型ダメージ吸収層１１１の側面１１１ｘのうち（１１１）面が露出した部分においては、ウェットエッチングの速度が低下する。このため、（１１１）面の露出していない部分が優先してエッチングされることになり、側面１１１ｘをほぼ平面とすることができる。
【０１０６】
この結果、ｐ型ダメージ吸収層１１１が除去されて露出する部分のｐ型コンタクト層１１０の面積を制御することができ、ウェハ面内及びウェハ間における該面積の制御を均一に精度良く行なうことができる。尚、かかる基板表面に対して垂直方向のウェットエッチング量は、適宜選択すればよい。
【０１０７】
また、ここでは塩酸系薬液における塩酸の体積含有率を１５〜３５％としているが、これには限らず、適宜他の値に設定しても良い。更に、第１の実施形態と同様に、硫酸系薬液等の他のエッチング液を用いることもできる。
【０１０８】
更に、やはり第１の実施形態と同様に、ウェットエッチングに代えてケミカルドライエッチング等のドライエッチングを行なっても良い。
【０１０９】
次に、図２（ｇ）に示すように、蒸着法により、ｐ型コンタクト層１１０及びＳｉＮ膜１０７を覆うようにｐ側電極１１２を形成する。更に、ｎ型基板１０２の裏面に、ｎ側電極１０１を形成する。これにより、リッジストライプ型半導体レーザ装置が完成する。
【０１１０】
以上のような製造工程により、第１の実施形態と同様の効果が実現する。つまり、ｐ型ダメージ吸収層１１１の形成とその除去によって、ｐ型コンタクト層１１０とｐ側電極１１２との界面を清浄にすることができる。この結果、コンタクト抵抗の増加及び動作電圧の増加等の素子特性劣化を抑制することができる。また、ＧａＩｎＰ系材料からなるｐ型ダメージ吸収層１１１と、ＧａＡｓ系材料からなるｐ型コンタクト層１１０とは選択比の大きなウェットエッチングが可能であるため、選択的にｐ型ダメージ吸収層１１１を除去できると共に、ウェハ面内及びウェハ間において精度良く均一に制御することができる。
【０１１１】
また、本実施形態において、ｐ型コンタクト層１１０の両端上にｐ型ダメージ吸収層１１１を一部残し、この上を覆うように電流ブロック層であるＳｉＮ膜１０７を形成している。このため、リッジ構造１２０上において、面方位がｎ型基板１０２の主面に垂直である面に形成されるＳｉＮ膜１０７が一定面積存在することになり、これはＳｉＮ膜１０７の密着性向上に貢献する。
【０１１２】
尚、ｐ型ダメージ吸収層１１１の材料及び厚さについて、以上に説明したものには限らず、第１の実施形態と同様に適宜設定することができる。更に、赤色発明の半導体レーザ装置を例として説明したが、これに限らないことも第１の実施形態と同様である。
【０１１３】
（実施例２）
次に、第２の実施形態において説明した発明の半導体レーザ装置及びその製造方法について、実施例２として、図２（ａ）〜（ｇ）を参照しながら更に具体的に説明する。但し、本発明をこの例に限定するものでないことは当然である。
【０１１４】
まず、図２（ａ）のように、ＧａＡｓからなるｎ型基板１０２（厚さ４５０μｍ）の上に、ＭＯＣＶＤ法により、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｎ型クラッド層１０３（厚さ２μｍ）、ＧａＩｎＰ系材料からなる活性層１０４（厚さ５ｎｍ）、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｐ型クラッド層１０５（厚さ１．４μｍ）、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｐ型中間層１０９（厚さ５０ｎｍ）、ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層１１０（厚さ０．２μｍ）及びＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｐ型ダメージ吸収層１１１（厚さ５０ｎｍ）を下から（ｎ型基板１０２の側から）この順に積層して形成した。更にその上に、ＳｉＯ2 膜１１３（厚さ０．５μｍ）をプラズマＣＶＤ法により形成した。
【０１１５】
尚、ここで用いたｎ型基板１０２は、オフ角を有する基板ではない。
【０１１６】
次に、図１（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2 膜１１３をフォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術により加工し、幅２μｍのＳｉＯ2 ストライプ１１４を形成した。
【０１１７】
次に、図１（ｃ）に示すように、ｐ型クラッド層１０５、ｐ型中間層１０９、ｐ型コンタクト層１１０及びｐ型ダメージ吸収層１１１に対してＳｉＯ2 ストライプ１１４をマスクとするドライエッチングを行ない、リッジ１０５ａを含むリッジ構造１２０を形成した。
【０１１８】
ここで、リッジ構造１２０以外の部分について、活性層１０４の上面の上にｐ型クラッド層１０５を２５０ｎｍの膜厚で残すようにエッチングを行なった。このためのエッチングの停止は、時間制御により行なっている。また、ドライエッチングの方法は、ＳｉＣｌ4 とＡｒとの混合ガスをエッチングガスとするＩＣＰ法を用いた。
【０１１９】
次に、図２（ｄ）に示すように、フッ素系薬液を用いてＳｉＯ2 ストライプ１１４を除去した後、プラズマＣＶＤ法により厚さ２００ｎｍのＳｉＮ膜１０７を成長させた。
【０１２０】
次に、図２（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いてリッジ構造１２０上の少なくとも一部分におけるＳｉＮ膜１０７をウェットエッチングにより除去した。これにより、リッジ構造１２０上の幅方向の両端部分にはＳｉＮ膜１０７を残し、ＳｉＮ膜１０７を除去した部分に電流注入領域１１６ａを形成した。また、リッジ構造１２０上の幅方向の両端部分、ｐ型クラッド層１０５上及びリッジ構造１２０の側面を覆うｐ型クラッド層１０５は、電流ブロック層として機能する。
【０１２１】
ここで、ドライエッチング法としてＲＩＥ法を用い、ＣＦ4 とＣＨＦ3 とＯ2 との混合ガスをエッチングガスとした。また、ドライエッチングの条件として、混合ガス中のＣＦ4 及びＣＨＦ3 の体積含有率は順に５％及び４０％であり、圧力は５０Ｐａであり、ステージ温度は１７℃である。
【０１２２】
次に、図２（ｆ）に示すように、示すように、塩酸と水との混合溶液を用い且つＳｉＮ膜１０７をマスクとして、ｐ型コンタクト層１１０が露出するまでｐ型ダメージ吸収層１１１をエッチングした。この際、混合溶液における塩酸の体積含有率は２０％とした。この工程において、ｐ型コンタクト層１１０がエッチングされることはなかった。
【０１２３】
次に、蒸着法により、ｐ型コンタクト層１１０上面、リッジ構造１２０側面及びｐ型クラッド層１０５上面を覆うようにｐ側電極１１２を形成すると共に、ｎ型基板１０２の裏面に、ｎ側電極１０１を形成した。これにより、図２（ｇ）に示すリッジストライプ型半導体レーザウェハを形成した。
【０１２４】
本実施例において、ｐ型コンタクト層１１０上に形成したｐ型ダメージ吸収層１１１をウェットエッチングによって除去し、その後にｐ側電極１１２を形成した。このため、ｐ型コンタクト層１１０とｐ側電極１１２との界面に自然酸化膜及び変性層等が残留することなく、コンタクト抵抗及び動作電圧の小さいリッジストライプ型半導体レーザ装置を安定して形成することができた。
【０１２５】
また、本実施例において、ＧａＩｎＰ系材料からなるｐ型ダメージ吸収層１１１を用いたため、塩酸系の薬液を用いたウェットエッチングに対する選択比がＧａＡｓ系材料からなるｐ型コンタクト層１１０に対して十分に大きい。このため、ウェハ面内及びウェハ間におけるばらつきを抑制しながらｐ型ダメージ吸収層１１１を選択的に除去することができた。
【０１２６】
更に、本実施例では、ｐ型コンタクト層１１０上（リッジ構造１２０上の幅方向の両端部分）にｐ型ダメージ吸収層１１１を残留させて、ＳｉＮ膜１０７の一部がその上を覆うようになっている。このことから、ＳｉＮ膜１０７の密着性が向上し、安定して半導体レーザ装置の製造を行なうことが可能となっている。
【０１２７】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態に係る発明の半導体レーザ装置及びその製造方法について、図面を参照して説明する。但し、ここでも、第１又は第２の実施形態と共通する部分については簡略に説明し、相違点について詳しく述べる。
【０１２８】
具体的には、本実施形態においては、２層構造のダメージ吸収層を用いている。また、第２の実施形態と同様に、リッジ上の幅方向の両端部分にダメージ吸収層を残し、その上をＳｉＮ膜で覆う部分が存在するようになっている。以下に、詳しく説明する。
【０１２９】
図３（ａ）〜（ｈ）は、本実施形態の発明の半導体レーザ装置の製造工程を説明する図である。これらの図において、図１（ａ）〜（ｇ）に示すのと同等の構成要素については、同じ符号を用いている。
【０１３０】
まず、図３（ａ）に示す工程において、ＧａＡｓからなるｎ型基板１０２（厚さ４００〜５００μｍ程度）の上に、ＭＯＣＶＤ法により、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｎ型クラッド層１０３（厚さ１〜３μｍ程度）、ＧａＩｎＰ系材料からなる活性層１０４（厚さ５〜６ｎｍ程度）、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｐ型クラッド層１０５（厚さ１〜２μｍ程度）、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｐ型中間層１０９（厚さ４０〜６０ｎｍ程度）、ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層１１０（厚さ０．１〜０．３μｍ程度）を下から（ｎ型基板１０２の側から）この順に積層して形成する。これらの工程は、第１の実施形態における図１（ａ）に示す工程と同様である。
【０１３１】
次に、ｐ型コンタクト層１１０上に、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａ（厚さ１０〜１００ｎｍ程度）を形成し、更にその上に、ＧａＡｓからなるｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂを形成する。このように、本実施形態におけるダメージ吸収層は、第１及び第２のダメージ吸収層からなる２層構造を有している。
【０１３２】
続いて、ｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂの上に、ＳｉＯ２  膜１１３（厚さ０．２〜０．６μｍ程度）を形成する。
【０１３３】
尚、半導体レーザ装置を形成するためのｎ型基板として、いわゆるオフ角を有する半導体基板を用いることが一般的であるのは第１の実施形態において説明した通りである。しかし、本実施形態においても、基板オフ角は特に限定することなく使用可能であり、オフ角を有しないｎ型基板１０２を用いている。
【０１３４】
また、活性層１０４は、ＧａＩｎＰを井戸層としＡｌＧａＩｎＰを障壁層とする多重量子井戸構造の活性層とすることも、第１の実施形態等と同様に可能である。
【０１３５】
次に、図３（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2 膜１１３をフォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術により加工することによって、ＳｉＯ2 ストライプ１１４を形成する。
【０１３６】
次に、図３（ｃ）のように、ｐ型クラッド層１０５、ｐ型中間層１０９、ｐ型コンタクト層１１０、ｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａ及びｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂに対してＳｉＯ2 ストライプ１１４をマスクとするドライエッチングを行なう。これにより、ｐ型クラッド層１０５のうちのＳｉＯ2 ストライプ１１４にマスクされた部分がリッジ１０５ａとなり、その上に残される部分のｐ型クラッド層１０５、ｐ型中間層１０９、ｐ型コンタクト層１１０、ｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａ及びｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂと合わせてリッジ構造１２０が構成される。リッジ構造１２０の他の部分では、ｐ型クラッド層１０５の途中までエッチングされる。
【０１３７】
ここで、ドライエッチング量を制御する方法として、第１の実施形態と同様、時間制御による方法及びｎ型基板１０２に単色光をあててエッチング残厚を算出しながらエッチングを行なう方法等が利用できる。
【０１３８】
また、本実施形態において好適なドライエッチングの技術は異方性プラズマドライエッチングであり、例としては、ＩＣＰプラズマ又はＥＣＲプラズマを用いた方法がある。また、エッチングガスとしては、ＳｉＣｌ4 とＡｒとの混合ガス等が用いられる。ＳｉＣｌ4 ガス成分に代えて、塩素ガス又は三塩化ホウ素ガスを用いることもできる。ここでは、ドライエッチング技術はＩＣＰ法であり、エッチングガスとしてＳｉＣｌ4 とＡｒの混合ガスを用いている。
【０１３９】
次に、フッ素系薬液を用いてＳｉＯ2 ストライプ１１４を除去した後、図４（ｄ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、厚さ８０ｎｍ〜３００ｎｍのＳｉＮ膜１０７を成長させる。このＳｉＮ膜１０７は、電流ブロック層として機能する膜である。
【０１４０】
ここで、電流ブロック層として、ＳｉＮ膜とは異なる材料を用いても良い。この点も第１の実施形態と同様であり、絶縁性を有し且つｐ型クラッド層１０５よりも屈折率の小さい材料であれば良い。具体例としてＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 のような誘電体膜が挙げられる。また、ＳｉＮ膜１０７の膜厚についても、８０ｎｍ〜３００ｎｍは好適な値ではあるが、これに限るわけではない。
【０１４１】
また、以上の膜を成膜する手段についても、第１の実施形態と同様に各種のＣＶＤ法及びＰＶＤ法が挙げられ、高い膜厚均一性を実現できると共に成膜が容易であるプラズマＣＶＤ法が特に好ましい。
【０１４２】
次に、図３（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、リッジ構造１２０上の少なくとも一部分におけるＳｉＮ膜１０７をウェットエッチングにより除去する。このとき、第２の実施形態と同様に、リッジ構造１２０の幅方向（リッジ構造１２０の長さ方向に垂直で且つｎ型基板１０２の主面に平行な方向）の両端において、リッジ構造１２０上に一部ＳｉＮ膜１０７を残すようにする。
【０１４３】
これにより、リッジ構造１２０上のＳｉＮ膜１０７が除去された部分として電流注入領域１１６ｂを形成する。
【０１４４】
この際に用いるドライエッチングとしては、ＲＩＥ法、ＩＣＰ法又はＥＣＲ法等の異方性ドライエッチングであればよい。また、エッチングガスとしては、ＣＦ4 とＣＨＦ3 の混合ガス等、ＣＦ系ガスを用いることができる。
【０１４５】
本実施形態では、具体例としてＲＩＥ法を用い、エッチングガスにはＣＦ4 とＣＨＦ3 とＯ2 の混合ガスを用いる。また、ドライエッチングの条件として、混合ガス中のＣＦ4 及びＣＨＦ3 の体積含有率をそれぞれ順に１〜１０％及び３０〜５０％、圧力を４０〜６０Ｐａ、ステージ温度を１０〜２０℃とする。但し、これらは例示であって限定するものではなく、適宜設定すればよい。また、ドライエッチングに代えて、ウェットエッチングを行なうことも可能である。
【０１４６】
次に、図３（ｆ）に示すように、硫酸と過酸化水素水と水の混合液である過酸化水素水系薬液（薬液中の硫酸の体積含有率が０．１〜１５％であり且つ過酸化水素水の体積含有率が０．１〜１５％であるもの）を用い、ＳｉＮ膜１０７をマスクとしてエッチングを行なう。これにより、ＧａＡｓからなるｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂを、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａに至るまでエッチングして除去する。Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐは過酸化水素水系薬液に対して耐性があるため、ｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａの露出により、ｎ型基板１０２の主面に垂直な方向についてのｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂのエッチングは停止する。
【０１４７】
このように垂直方向のエッチングが停止した直後には、リッジ構造１２０上の両端に残っているｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂにおけるリッジ構造１２０の中央に近い側面１１１ｙ（ウェットエッチングにより形成される側面）は傾いた曲面となっている。これにより、ｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂに形成された開口は、上（ｎ型基板１０２とは反対側）に向かって広がった形状を有することになる。
【０１４８】
これに対し、側面１１１ｙがほぼ直線状になるまで、つまり、全体的に（１１１）面が露出するまで、ウェットエッチングを続行することが好ましい。ｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂの側面１１１ｙのうち（１１１）面が露出した部分においては、ウェットエッチングの速度が低下する。このため、（１１１）面の露出していない部分が優先してエッチングされることになり、側面１１１ｙをほぼ平面とすることができる。
【０１４９】
この結果、ｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂが除去されて露出する部分のｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａの面積を制御することができ、ウェハ面内及びウェハ間における該面積の制御を均一に精度良く行なうことができる。
【０１５０】
尚、過酸化水素水系薬液中の硫酸及び過酸化水素水の体積含有率について、上に示した値には限定されず、適宜設定すればよい。更に、過酸化水素水系薬液には限らず、他の薬液を用いても良い。エッチング選択性が高い、つまり、ここではｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂに対するエッチング速度が高く且つｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａ及びＳｉＮ幕１０７に対するエッチング速度が低い薬液であれば使用可能である。
【０１５１】
尚、かかる基板表面に対して垂直方向のウェットエッチング量は、適宜選定すればよい。
【０１５２】
次に、図３（ｇ）に示すように、塩酸系薬液（薬液中の塩酸の体積含有率が例えば１５〜３５％であるもの。他の値とすることも可能である）を用い、ｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂをマスクとしてエッチングを行なう。これにより、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐｐからなるｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａを、ｐ型コンタクト層１１０に至るまでエッチングして除去する。但し、リッジ構造１２０上の幅方向の両端に残っているＳｉＮ膜１０７及びその下のｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂの下において、ｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａがエッチングされずに残り、リッジ構造１２０の内側の領域に開口を有することになる。
【０１５３】
また、ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層１１０は塩酸系薬液に対して耐性があるため、この層が露出すると、ｎ型基板１０２の表面に対して垂直な方向のエッチングは停止する。
【０１５４】
ここで、図３（ｆ）に示すｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂのエッチングの際と同様、垂直方向のエッチングが停止した直後には、リッジ構造１２０上の両端に残っているｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａにおけるリッジ構造１２０の中央に近い側面１１１ｚ（ウェットエッチングにより形成される側面）は傾いた曲面となっている。
【０１５５】
これに対し、側面１１１ｚがほぼ平面状になるまでウェットエッチングを続行することが好ましい。側面１１１ｚのうち（１１１）面が露出した部分においては、ウェットエッチングの速度が低下する。このため、（１１１）面の露出していない部分が優先してエッチングされることになり、側面１１１ｚをほぼ平面とすることができる。
【０１５６】
この結果、ｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａが除去されて露出する部分のｐ型コンタクト層１１０の面積を制御することができ、ウェハ面内及びウェハ間における該面積の制御を均一に精度良く行なうことができる。
【０１５７】
尚、ウェットエッチングに用いる薬液は、塩酸系薬液には限らない。ｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａについてエッチング速度が高く且つｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂ、ＳｉＮ膜１０７及びｐ型コンタクト層１１０についてエッチング速度の低い、選択性の高いエッチングを行なうことのできる薬液であれば使用可能である。
【０１５８】
尚、かかる基板表面に対して垂直方向のウェットエッチング量は、薬液の種類・混合比に応じて、適宜選定すればよい。
【０１５９】
また、ウェットエッチングに代えて、ドライエッチングを用いることも可能である。プラズマダメージが小さいことが望まれ、例えばケミカルドライエッチングを用いても良い。
【０１６０】
次に、図３（ｈ）に示すように、ｐ型コンタクト層１１０及びＳｉＮ膜１０７を覆うようにｐ側電極１１２を形成する。更に、ｎ型基板１０２の裏面に、ｎ側電極１０１を形成する。これにより、リッジストライプ型半導体レーザ装置が完成する。
【０１６１】
以上のような製造工程により、まず、本実施形態においても第１の実施形態と同様の効果が得られる。つまり、ｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａ及びｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂの形成とその除去によって、ｐ型コンタクト層１１０とｐ側電極１１２との界面を清浄にすることができる。この結果、コンタクト抵抗の増加及び動作電圧の増加等の素子特性劣化を抑制することができる。また、ＧａＩｎＰ系材料からなるｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａと、ＧａＡｓ系材料からなるｐ型コンタクト層１１０とは選択比の大きなウェットエッチングが可能であるため、選択的にｐ型ダメージ吸収層を除去できると共に、ウェハ面内及びウェハ間において精度良く均一に制御することができる。
【０１６２】
また、ＧａＩｎＰ系材料からなるｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａからＰが蒸発するのを抑制することを目的として、ｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａの上にＧａＡｓ系材料からなる安定なｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂを形成している。
【０１６３】
このような２層構造のダメージ吸収層を用いることにより、Ｐの蒸発を防ぐことができる。但し、２層構造に限るものではなく、３層以上の構造を有するダメージ吸収層としても良い。
【０１６４】
２層以上の構造を有するダメージ吸収層を用いる場合、その最下層については、例えばＧａＰ、ＩｎＰ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＧａＡｓ等を組成とする化合物半導体であることが好ましい。より一般には、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０≦ｘ≦１）又は（Ａｌx Ｇａ1-x ）y Ｉｎ1-y Ｐ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）のような組成を有する化合物半導体層である。このようにすると、ＧａＡｓ系材料からなるｐ型コンタクト層１１０上のダメージ吸収層を選択的に除去することができる。
【０１６５】
また、最上層については、ＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓ、つまり、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０≦ｘ≦１）等の熱力学的に安定な化合物半導体であることが好ましい。このようにすると、下層からのＰの蒸発を確実に抑制することができる。
【０１６６】
また、本実施形態において、ｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａと、ｐ型コンタクト層１１０とは、大きく異なるウェットエッチング速度を有する。このため、ｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａを選択的に除去することができると共に、そのエッチング量についてもウェハ面内及びウェハ間において期に津に精度良く制御することができる。
【０１６７】
このため、ｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａのエッチング残り及びｐ型コンタクト層１１０のエッチング過剰による消失をいずれも確実に抑制することができる。この結果、半導体レーザ装置の製造を安定して行なうことができる。
【０１６８】
また、本実施形態においても、第２の実施形態と同様、リッジ構造１２０上の幅方向の両端部分にはｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａ及びｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂを残している。電流ブロック層であるＳｉＮ膜１０７は、面方位がｎ型基板１０２の主面に垂直な方向であるこの部分の上に形成されるため、密着性が向上している。
【０１６９】
尚、本実施形態において示した各層の厚さは、いずれも単に例示するものであり、限定されることなく設定可能である。
【０１７０】
また、本実施形態ではＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる赤色半導体レーザ装置を例としたが、これには限らない。例えば、ＧａＮを組成とする化合物半導体層をｐ型コンタクト層として用いるＡｌＧａＩｎＮ系材料からなる青色半導体レーザ装置であっても良い。その他、混晶化合物半導体を利用した種々のリッジストライプ型半導体レーザ装置であれば適用が可能である。
【０１７１】
（実施例３）
次に、第３の実施形態において説明した発明の半導体レーザ装置及びその製造方法について、実施例３として、図３（ａ）〜（ｈ）を参照しながら更に具体的に説明する。但し、本発明をこの例に限定するものでないことは当然である。
【０１７２】
まず、図３（ａ）に示すように、ＧａＡｓからなるｎ型基板１０２（厚さ４７０μｍ）の上に、ＭＯＣＶＤ法により、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｎ型クラッド層１０３（厚さ２．３μｍ）、ＧａＩｎＰ系材料からなる活性層１０４（厚さ５ｎｍ）、（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｐ型クラッド層１０５（厚さ１．８５μｍ）、Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐからなるｐ型中間層１０９（厚さ５５ｎｍ）、ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層１１０（厚さ０．２μｍ）を下から（ｎ型基板１０２の側から）この順に積層して形成した。尚、ここで用いたｎ型基板１０２は、オフ角を有する基板（傾斜基板）ではない。
【０１７３】
次に、ｐ型コンタクト層１１０上に、同じくＭＯＣＶＤ法を用いて、ｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａ（厚さ２５ｎｍ）及びｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂ（厚さ２５ｎｍ）を順に積層して形成した。
【０１７４】
更に、ｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂの上に、ＳｉＯ2 膜１１３（厚さ０．５５μｍ）を形成した。
【０１７５】
次に、図３（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2 膜１１３をフォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術により加工し、幅２μｍのＳｉＯ2 ストライプ１１４を形成した。
【０１７６】
次に、図３（ｃ）に示すように、ｐ型クラッド層１０５、ｐ型中間層１０９、ｐ型コンタクト層１１０、ｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａ及びｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂに対してＳｉＯ2 ストライプ１１４をマスクとするドライエッチングを行ない、リッジ１０５ａを含むリッジ構造１２０形成した。
【０１７７】
ここで、リッジ構造１２０以外の部分について、活性層１０４の上面の上にｐ型クラッド層１０５を３００ｎｍの膜厚で残すようにエッチングを行なった。このためのエッチングの停止は、時間制御により行なっている。また、ドライエッチングの方法は、ＳｉＣｌ4 とＡｒとの混合ガスをエッチングガスとするＩＣＰ法を用いた。
【０１７８】
次に、図３（ｄ）に示すように、フッ酸系薬液を用いてＳｉＯ2 ストライプ１１４を除去した後、プラズマＣＶＤ法により、基板全面に厚さ１３０ｎｍのＳｉＮ膜１０７を成長させた。
【０１７９】
次に、図３（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いてリッジ構造１２０上の少なくとも一部分におけるＳｉＮ膜１０７をウェットエッチングにより除去した。これにより、電流注入領域１１６ｂを形成した。また、ｐ型クラッド層１０５上及びリッジ構造１２０の側面を覆うｐ型クラッド層１０５は、電流ブロック層として機能する。
【０１８０】
ここでは、ＲＩＥ法によりドライエッチングを行なった。エッチングガスはＣＦ4 とＣＨＦ3 とＯ2 との混合ガスである。エッチングの条件として、混合ガス中のＣＦ4 及びＣＨＦ3 の体積含有率は順に７％及び３％、圧力は４５Ｐａ、ステージ温度は１５℃とした。
【０１８１】
次に、図３（ｆ）に示すように、硫酸と過酸化水素水と水との混合薬液を用い、ＳｉＮ膜１０７をマスクとして、ＧａＩｎＰ系材料からなるｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａが露出するまでＧａＡｓ系材料かななるｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂをエッチングした。このとき、リッジ構造１２０上の幅方向の両端部分には、ＳｉＮ膜１０７にマスクされてｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂが残される。また、薬液中の硫酸の体積含有率を１％、過酸化水素水の体積含有率を１％とした。
【０１８２】
次に、図３（ｇ）に示すように、塩酸と水との混合薬液を用い、リッジ構造１２０上に残っている部分のｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂをマスクとして、ｐ型コンタクト層１１０が露出するまでｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａをエッチングした。リッジ構造１２０上の幅方向の両端部分には、ｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａの一部が残される。尚、薬液中の塩酸の体積含有率を１５％とした。
【０１８３】
次に、蒸着法により、ｐ型コンタクト層１１０上面、リッジ構造１２０側面及びｐ型クラッド層１０５上面を覆うようにｐ側電極１１２を形成すると共に、ｎ型基板１０２の裏面に、ｎ側電極１０１を形成した。これにより、図３（ｈ）に示すリッジストライプ型半導体レーザウェハを形成した。
【０１８４】
本実施例において、ｐ型コンタクト層１１０に形成したｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａ及びｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂをウェットエッチングによって除去し、その後にｐ側電極１１２を形成した。このため、ｐ型コンタクト層１１０とｐ側電極１１２との界面に自然酸化膜及び変性層等が残留することなく、コンタクト抵抗及び動作電圧の小さいリッジストライプ型半導体レーザ装置を安定して形成することができた。
【０１８５】
また、ＧａＩｎＰ系材料からなるｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａを、ＧａＡｓ系材料からなるｐ型コンタクト層１１０上に形成したため、塩酸系の薬液によりウェハ面内及びウェハ間におけるばらつきを抑制しながらｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａを選択的に除去することができた。このとき、ｐ型コンタクト層１１０がエッチングされることはなかった。
【０１８６】
また、ｐ型コンタクト層１１０上に残したｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂ上をＳｉＮ膜１０７が覆うことにより、ＳｉＮ膜１０７の密着性が向上している。
【０１８７】
また、ＧａＩｎＰ系材料からなるｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａ上に、熱力学的に安定なＧａＡｓ系材料からなるｐ型第２ダメージ吸収層１１１ｂを形成している。これにより、ｐ型第１ダメージ吸収層１１１ａからのＰの蒸発を抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１８８】
本発明の半導体レーザ装置及びその製造方法によると、コンタクト層と電極との界面が清浄なリッジストライプ型半導体レーザ装置とすることができると共に、ウェハ面内及びウェハ間において均一且つ高精度にエッチングを制御することができ、リッジストライプ型半導体レーザ及びその製造の歩留り向上に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１８９】
【図１】図１（ａ）〜（ｇ）は、第１の実施形態に係るリッジストライプ型半導体レーザ装置及びその製造工程を説明する図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｇ）は、第２の実施形態に係るリッジストライプ型半導体レーザ装置及びその製造工程を説明する図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｈ）は、第３の実施形態に係るリッジストライプ型半導体レーザ装置及びその製造工程を説明する図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｄ）は、従来のリッジストライプ型半導体レーザ装置及びその製造方法を示す図である。
【符号の説明】
【０１９０】
１０１      ｎ側電極
１０２      ｎ型基板
１０３      ｎ型クラッド層
１０４      活性層
１０５      ｐ型クラッド層
１０７      ＳｉＮ膜
１０９      ｐ型中間層
１１０      ｐ型コンタクト層
１１１      ｐ型ダメージ吸収層
１１１ａ    ｐ型第１ダメージ吸収層
１１１ｂ    ｐ型第２ダメージ吸収層
１１１ｘ    側面
１１１ｙ    側面
１１１ｚ    側面
１１２      ｐ側電極
１１３      ＳｉＯ2 膜
１１４      ストライプ
１１６、１１６ａ、１１６ｂ      電流注入領域
【図１】
2008098362.tif 000003
【図２】
2008098362.tif 000004
【図３】
2008098362.tif 000005
【図４】
2008098362.tif 000006