(57)【要約】【課題】視認性及び生産性に優れた液晶表示装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る液晶表示装置は、透明絶縁基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上に形成された半導体層４、５と、半導体層４、５上に形成されたソース電極６ｂ及びドレイン電極７ａと、ゲート絶縁膜３上に形成された反射電極７ｂとを備えた液晶表示装置であって、反射電極７ｂ下のゲート絶縁膜３の表面に凹凸形状が形成されているものである。【選択図】図２
2008268392.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明絶縁基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、
前記半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された反射電極とを備えた液晶表示装置であって、
前記反射電極下の前記ゲート絶縁膜の表面に凹凸形状が形成されている液晶表示装置。
【請求項２】
前記ドレイン電極と前記反射電極とが一体に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記半導体層は、半導体能動膜及びオーミックコンタクト膜を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
透明絶縁基板上に第１の金属膜を形成し、当該第１の金属膜をパターニングしてゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜及び半導体層を順次形成した後、当該半導体層をパターニングするとともに、前記ゲート絶縁膜上に凹凸形状を形成する工程と、
前記半導体層及びゲート絶縁膜上に第２の金属膜を形成し、当該第２の金属膜をパターニングして前記半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成するとともに、前記凹凸形状を備えるゲート絶縁膜上に反射電極を形成する工程とを備える液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体層におけるＴＦＴ形成領域及び前記凹凸形状形成領域上にレジストパターンを形成し、当該半導体層をパターニングすることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記凹凸形状形成領域上のレジストパターンは半導体層のエッチング工程において消失することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記凹凸形状形成領域上のレジストパターンは半導体層のエッチング工程においてリフトオフすることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体層をパターニングする前に、当該半導体層上に透明導電膜を形成し、当該透明導電膜をエッチングした後、前記前記半導体層をパターニングすることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記透明導電膜が酸化インジウムを含有することを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記透明導電膜のエッチングにシュウ酸系エッチング液を用いることを特徴とする請求項８又は９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ドレイン電極と前記反射電極とを一体に形成することを特徴とする請求項４〜１０のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記半導体層は、半導体能動膜及びオーミックコンタクト膜を備えることを特徴とする請求項４〜１１のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に、反射型液晶表示装置又は半透過型液晶表示装置及びそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の高度情報化社会の本格的な進展やマルチメディアシステムの急速な普及に伴い、液晶表示装置（Liquid Crystal Display）や有機ＥＬ（ElectroLuminescence）表示装置などの重要性はますます増大している。これら表示装置の駆動方式の一つに、スイッチング素子を用いたアクティブマトリクス型があり、現在の主流となっている。アクティブマトリクス型では、例えば、スイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）が、各画素電極に電気的に接続され、アレイ状に配列されたＴＦＴアレイ基板を用いている。
【０００３】
他方、液晶表示装置は、バックライトを必要とする透過型液晶表示装置と、バックライトが不要であり、外部からの反射光を利用する反射型液晶表示装置と、両者を兼ね備えた半透過型液晶表示装置との３種類に大別される。従来は透過型液晶表示装置が主流であったが、低消費電力化の要請から、反射型及び半透過型液晶表示装置の開発が進められている。
【０００４】
反射型及び半透過型液晶表示装置におけるＴＦＴアレイ基板では、視認性を向上するために、各画素電極と電気的に接続された反射電極の表面に凹凸が形成されている。このような凹凸形状は、例えば、ＴＦＴチャネル部上に形成した有機平坦化膜の表面に凹凸を形成し、この有機平坦化膜上に反射電極を形成することにより得られる（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−３４７２１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された液晶表示装置では、有機平坦化膜を形成する必要があるだけでなく、当該有機平坦化膜にコンタクトホールを形成し、有機平坦化膜上に形成された反射電極と、有機平坦膜下に形成されたドレイン電極とを電気的に接続する必要があった。このため、製造工程数及び製造コストが増加し、生産性に劣るという問題があった。
【０００６】
本発明はこのような問題点を鑑みてなされたものであり、視認性及び生産性に優れた液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る液晶表示装置は、透明絶縁基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート絶縁膜上に形成された反射電極とを備えた液晶表示装置であって、前記反射電極下の前記ゲート絶縁膜の表面に凹凸形状が形成されているものである。
【０００８】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、透明絶縁基板上に第１の金属膜を形成し、当該第１の金属膜をパターニングしてゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜及び半導体層を順次形成した後、当該半導体層をパターニングするとともに、前記ゲート絶縁膜上に凹凸形状を形成する工程と、前記半導体層及びゲート絶縁膜上に第２の金属膜を形成し、当該第２の金属膜をパターニングして前記半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成するとともに、前記凹凸形状を備えるゲート絶縁膜上に反射電極を形成する工程とを備えるものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、視認性及び生産性に優れた液晶表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明に係る液晶表示装置の実施の形態について説明する。ただし、本発明が以下の実施の形態に限定される訳ではない。また、説明を明確にするため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化されている。
【００１１】
実施の形態１．
本実施の形態に係る半透過型液晶表示装置の構成について図１、２を用いて説明する。図１は本実施の形態に係る半透過型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の１画素の構成を示す平面図である。図２は図１のＸ−Ｘ'断面図である。
【００１２】
本実施の形態に係るアクティブマトリクス型ＴＦＴアレイ基板は、図２に示すように、透明絶縁基板１、ゲート電極・配線２、ゲート絶縁膜３、半導体能動膜４、オーミックコンタクト膜５、ソース配線６ａ、ソース電極６ｂ、ドレイン電極７ａ、反射電極７ｂ、パッシベーション膜８、画素電極９、コンタクトホール１０を備える。なお、図１では、明確化のため、パッシベーション膜８を省略している。
【００１３】
透明絶縁基板１としては、ガラス基板、石英ガラス等の透明な絶縁基板を用いることができる。絶縁基板１の厚さは任意でよいが、液晶表示装置の厚さを薄くするために１．１ｍｍ厚以下のものが好ましい。絶縁基板１が薄すぎると、プロセスの熱履歴により基板の歪みが生じるため、パターニング精度が低下する。そのため、絶縁基板１の厚さは使用するプロセスを考慮して選択する必要がある。また、絶縁基板１がガラスなどの脆性材料からなる場合、端面からのチッピングによる異物の混入を防止するため、基板の端面を面取しておくことが好ましい。さらに、各プロセスでの基板処理の方向を特定するため、透明絶縁基板１の一部に切り欠きを設けておくことが、プロセス管理上好ましい。
【００１４】
ゲート電極・配線２は、透明絶縁基板１上に形成されている。ゲート電極・配線２としては、厚さ１００〜５００ｎｍ程度のＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｕ等を主成分とする金属膜を用いることができる。
【００１５】
ゲート絶縁膜３は、透明絶縁基板１上のゲート電極・配線２を覆うように形成されている。ゲート絶縁膜３としては、厚さ３００〜６００ｎｍ程度のシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）やこれらの積層膜を用いることができる。膜厚が薄い場合には、ゲート電極・配線２とソース配線６ａの交差部で短絡を生じやすいため、ゲート電極・配線２の膜厚以上とすることが好ましい。一方、膜厚が厚い場合には、ＴＦＴのＯＮ電流が小さくなり、表示特性が低下する。
【００１６】
半導体能動膜４は、ゲート絶縁膜３上に形成されている。半導体能動膜４としては、厚さ１００〜３００ｎｍ程度のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜又は多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）膜を用いることができる。膜が薄い場合には、後述するオーミックコンタクト膜５のドライエッチング時に消失が発生しやすい。一方、膜が厚い場合には、ＴＦＴのＯＮ電流が小さくなる。
【００１７】
なお、半導体能動膜４としてａ−Ｓｉ膜を用いる場合には、ゲート絶縁膜３のａ−Ｓｉ膜との界面は、ＳｉＮｘ又はＳｉＯｘＮｙとすることが、ＴＦＴが導通状態となるゲート電圧であるＴＦＴの閾値電圧（Ｖｔｈ）の制御性及び信頼性の観点から好ましい。一方、半導体能動膜４としてｐ−Ｓｉ膜を用いる場合には、ゲート絶縁膜３のｐ−Ｓｉ膜との界面はＳｉＯｘ又はＳｉＯｘＮｙとすることがＴＦＴのＶｔｈの制御性及び信頼性の観点から好ましい。
【００１８】
オーミックコンタクト膜５は、半導体能動膜４上に形成されている。オーミックコンタクト膜５としては、厚さ２０〜７０ｎｍ程度のａ−Ｓｉ又はｐ−ＳｉにＰを微量にドーピングしたｎ型ａ−Ｓｉ膜、ｎ型ｐ−Ｓｉ膜を用いることができる。ＴＦＴのチャネル部では、半導体能動膜４上のオーミックコンタクト膜５は除去されている。すなわち、オーミックコンタクト膜５は１つの半導体能動膜４上においてソース側とドレイン側の２つの領域に分割して形成されている。
【００１９】
ソース電極６ｂ及びドレイン電極７ａは、オーミックコンタクト膜５上に形成され、各々これを介し、半導体能動膜４と接続されている。また、ソース電極６ｂは、図１に示すように、ソース配線６ａとゲート配線２とが平面的に交差する領域において、ソース配線６ａから分岐して形成されている。ソース配線６ａは、ゲート電極・配線２と略直行するように、ソース端子（不図示）まで延設されている。
【００２０】
一方、ドレイン電極７ａは反射電極７ｂと一体に形成されている。ここで、反射電極７ｂはゲート絶縁膜３上に形成されている。図１及び図２に示すように、このゲート絶縁膜３には複数の凸部が形成されているため、反射電極７ｂも複数の凸部１１を備える。すなわち、反射電極７ｂの表面は凹凸形状となっている。これにより、視認性に優れる液晶表示装置が得られる。また、本発明に係る液晶表示装置は、ドレイン電極７ａと反射電極７ｂとが一体に形成され、有機平坦化膜が不要である。そのため、製造工程を簡略化することができ、生産性に優れる。
【００２１】
ソース配線６ａ、ソース電極６ｂ及びドレイン電極７ａ、反射電極７ｂは、同一の金属膜から構成されている。この金属膜としては、厚さ１００〜５００ｎｍ程度のＣｒ、Ａｌ、Ａｇ等を主成分とする金属膜を用いることができる。
【００２２】
パッシベーション膜８はソース配線６ａ、ソース電極６ｂ、ドレイン電極７ａ及び反射電極７ｂの上に形成されている。パッシベーション膜８としては、ゲート絶縁膜３と同様の材料を用いることができる。
【００２３】
画素電極９はパッシベーション膜８上に形成されている。画素電極９は、パッシベーション膜８に形成されたコンタクトホール１０を介し、反射電極７ｂと電気的に接続されている。画素電極９としては、ＩＴＯに代表される透明導電膜を用いることができる。
【００２４】
次に、図３、４を用いて、本実施の形態１に係るアクティブマトリクス型ＴＦＴアレイ基板の製造方法について説明する。なお、以下に説明する例は典型的なものであって、本発明の趣旨に合致する限り他の製造方法を採用することができることは言うまでもない。
【００２５】
図３（ａ）に示すように、絶縁基板１上にゲート電極・配線２を形成する。具体的には、まず、表面を清浄化した絶縁基板１上に、スパッタリング、真空蒸着等の方法でゲート電極・配線２を形成するための第１の金属膜を成膜する。好適な実施例として、スパッタリングにより厚さ２００ｎｍのＣｒ膜を成膜する。
【００２６】
そして、第１のフォトリソグラフィプロセス（写真工程）で上記第１の金属膜をパターニングし、ゲート電極・配線２を形成する。フォトリソグラフィプロセスは以下の通りである。アクティブマトリクス型ＴＦＴアレイ基板を洗浄後、感光性レジストを塗布・乾燥する。次に、所定のパターンが形成されたマスクパターンを通して露光し、現像することで写真製版的に基板上にマスクパターンを転写したレジストを形成する。この感光性レジストを加熱硬化させた後にエッチングを行い、感光性レジストを剥離する。
【００２７】
上記第１の金属膜は、エッチング液によりエッチングすることができる。例えば、Ｃｒ膜の場合、エッチング液として硝酸第２セリウムアンモニウム水溶液を用いればよい。また、この第１の金属膜のエッチングは、パターンエッジがテーパ形状となるようにすることが、他の配線との段差での短絡を防止する上で好ましい。ここで、テーパ形状とは断面が台形状になるようにパターンエッジがエッチングされることをいう。
【００２８】
次に、図３（ｂ）に示すように、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ等からなるゲート絶縁膜３、ａ−Ｓｉ又はｐ−Ｓｉからなる半導体能動膜４、ｎ型ａ−Ｓｉ又はｎ型ｐ−Ｓｉからなるオーミックコンタクト膜５を形成するための薄膜を、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により連続で成膜する。好適な実施例として、厚さ４００ｎｍのＳｉＮｘ膜、厚さ２００ｎｍのａ−Ｓｉ膜、厚さ５０ｎｍのｎ型ａ−Ｓｉ膜を連続成膜する。また、半導体能動膜４としてａ−Ｓｉ膜を用いる場合、ゲート絶縁膜３の界面付近の成膜レートを小さくし、上層部の成膜レートを大きくすることにより、短い成膜時間で、移動度が大きく、ＯＦＦ時のリーク電流が小さいＴＦＴを得ることができる。
【００２９】
第２のフォトリソグラフィプロセスで、ＴＦＴ部を形成する領域上にレジストパターン１２を形成し、同時に、後工程において形成される反射電極７ｂの凸部１１に対応する位置に、レジストパターン１２よりも薄いレジストパターン１２ａを複数形成する。そして、半導体能動膜４及びオーミックコンタクト膜５をパターニングする。半導体能動膜４及びオーミックコンタクト膜５は、公知のガス組成（例えば、ＳＦ６とＨＣｌの混合ガス）でドライエッチングできる。
【００３０】
この半導体能動膜４及びオーミックコンタクト膜５のエッチング過程について詳細に説明する。まず、図３（ｃ）に示すように、レジストパターン１２、１２ａの形成されていない領域の半導体能動膜４及びオーミックコンタクト膜５がエッチングされていく。エッチングがある程度進行すると、薄いレジストパターン１２ａは消失し、その下の半導体能動膜４及びオーミックコンタクト膜５がエッチングされ始める。従って、薄いレジストパターン１２ａが形成されていた箇所が凸部を形成した状態で、エッチングが進行する。除去すべき半導体能動膜４及びオーミックコンタクト膜５を完全に除去するため、ゲート絶縁膜３に至るまでオーバーエッチングする。これにより、図４（ｄ）に示すように、エッチング完了時には、ゲート絶縁膜３に凸部が形成される。すなわち、ゲート絶縁膜３の表面が凹凸形状となる。ここで、この凹凸形状は、ゲート絶縁膜３の下層に形成された凹凸形状を反映させたものではなく、ゲート絶縁膜３自体の表面に形成されたものであるため、精密な形状制御が可能である。なお、薄いレジストパターン１２ａを確実に消失させるため、エッチング過程においてアッシング工程を設けても良い。また、上記凸部の高さはレジストパターン１２ａの厚さにより変えることができる。さらに、半導体能動膜４とゲート絶縁膜３とのエッチングレートの選択比によっても変えることができる。
【００３１】
次に、図４（ｅ）に示すように、スパッタリングなどの方法でソース配線６ａ、ソース電極６ｂ、ドレイン電極７ａ及び反射電極７ｂを形成するための第２の金属膜１３を成膜した後、第３のフォトリソグラフィプロセスにより、第２の金属膜からソース配線６ａ、ソース電極６ｂ、ドレイン電極７ａ及び反射電極７ｂを形成する領域上にレジストパターン１４を形成する。好適な実施例として、スパッタリングにより厚さ２００ｎｍのＣｒ膜を成膜する。ここで、反射電極７ｂとなる領域の第２の金属膜１３は、凸部を有するゲート絶縁膜３上に形成されているため、反射電極７ｂの領域の第２の金属膜１３も凸部１１を有する。第２の金属膜１３のエッチング方法としては、ウェットエッチングを用いる。例えば、第２の金属膜１３がＣｒからなる場合、硝酸セリウムアンモニウム水溶液を用いればよい。なお、第２の金属膜の少なくとも表面を、Ａｌ又はＡｌ合金とすれば、さらに反射特性を向上させることができる。
【００３２】
次に、図４（ｆ）に示すように、ＴＦＴ部チャネル部のオーミックコンタクト膜５をエッチングにより除去する。これにより、ＴＦＴ部チャネル部において半導体能動膜４が露出する。オーミックコンタクト膜５は、例えば、ＨＣｌを用いてドライエッチングできる。
【００３３】
次に、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ等からなるパッシベーション膜８を形成するための膜を、プラズマＣＶＤ法により形成する。好適な実施例として、厚さ３００ｎｍのＳｉＮｘ膜を成膜する。第４のフォトリソグラフィプロセスにより、この膜からパッシベーション膜８を形成する。図１に示すようなコンタクトホール１０に対応する部分を開口した遮光マスク（不図示）を用いて、均一に露光を行う。上記露光工程後、現像液を用いて現像を行う。その後、コンタクトホール１０に対応する領域では、エッチング工程により開口部が形成され反射電極７ｂが露出する。
【００３４】
次に、画素電極９を形成するための透明導電膜を、スパッタリング法、真空蒸着法、塗布法等により形成する。第５のフォトリソグラフィプロセスにより、透明導電膜から画素電極９を形成する。例えば、ＩＴＯであれば、シュウ酸系のエッチング液を用いればよい。上記により、図２に示すアクティブマトリクス型ＴＦＴアレイ基板が得られる。
【００３５】
このように製造されたアクティブマトリクス型ＴＦＴアレイ基板は、カラーフィルターや対向電極を有する対向基板（不図示）と、スペーサーを介して、一対の基板として貼り合わされ、その間隙に液晶が注入される。この液晶層が挟持された液晶パネルをバックライトユニットに取り付けることにより、半透過型液晶表示装置が製造される。なお、本発明は反射型液晶表示装置にも適用可能である。反射型の場合、バックライトユニットは不要である。
【００３６】
実施の形態２
次に、上記実施の形態１に係るＴＦＴアレイ基板とは異なる実施の形態について説明する。なお、以下の説明において、上記実施の形態１と同一の構成部材は、同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。実施の形態１に係るＴＦＴアレイ基板と実施の形態２に係るＴＦＴアレイ基板は、同一の基本構成を有するが、反射電極７ｂの凸部１１の形成方法が異なる。具体的には、ゲート絶縁膜３の凸部形成方法が異なる。
【００３７】
図５を用いて、本実施の形態２に係るアクティブマトリクス型ＴＦＴアレイ基板の製造方法について説明する。ゲート電極２を形成後、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ等からなるゲート絶縁膜３、ａ−Ｓｉ又はｐ−Ｓｉからなる半導体能動膜４、ｎ型ａ−Ｓｉ又はｎ型ｐ−Ｓｉからなるオーミックコンタクト膜５を形成するための薄膜を、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により連続で成膜するまでは、実施の形態１と同様である。
【００３８】
次に、図５（ａ）に示すように、第２のフォトリソグラフィプロセスで、ＴＦＴ部を形成する領域上にレジストパターン１２を形成し、同時に、後工程において形成される反射電極７ｂの凸部１１に対応する位置に、レジストパターン１２ｂを複数形成する。ここで、実施の形態１では、レジストパターン１２ａがレジストパターン１２より薄かったが、実施の形態２では、レジストパターン１２ｂとレジストパターン１２とが同じ厚さでよい。そして、半導体能動膜４及びオーミックコンタクト膜５をパターニングする。ここで、半導体能動膜４及びオーミックコンタクト膜５をドライエッチングでなく、フッ酸系のエッチング液によりウェットエッチングする。
【００３９】
この半導体能動膜４及びオーミックコンタクト膜５のエッチング過程について詳細に説明する。まず、図５（ｂ）に示すように、レジストパターン１２、１２ｂの形成されていない領域の半導体能動膜４及びオーミックコンタクト膜５がエッチングされていく。エッチングがある程度進行すると、レジストパターン１２ｂはその下の半導体能動膜４及びオーミックコンタクト膜５がサイドエッチングされることによりリフトオフされる。そのため、その下の半導体能動膜４及びオーミックコンタクト膜５は表面からもエッチングされ始める。従って、レジストパターン１２ｂが形成されていた箇所が台形上の凸部を形成した状態で、エッチングが進行する。除去すべき半導体能動膜４及びオーミックコンタクト膜５を完全に除去するため、ゲート絶縁膜３に至るまでオーバーエッチングする。これにより、図５（ｃ）に示すように、エッチング完了時には、ゲート絶縁膜３に凸部が形成される。すなわち、ゲート絶縁膜３の表面が凹凸形状となる。これ以降の製造工程は実施の形態１と同様である。
【００４０】
実施の形態２に係る液晶表示装置のゲート絶縁膜３にも複数の凸部が形成され、この上に形成される反射電極７ｂが複数の凸部１１を備える。すなわち、反射電極７ｂの表面は凹凸形状となっている。これにより、視認性に優れる液晶表示装置が得られる。ドレイン電極７ａと反射電極７ｂとが一体に形成され、有機平坦化膜が不要である。そのため、製造工程を簡略化することができ、生産性に優れる。
【００４１】
実施の形態３
次に、上記実施の形態１、２に係るＴＦＴアレイ基板とは異なる実施の形態について説明する。なお、以下の説明において、上記実施の形態１と同一の構成部材は、同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。実施の形態１に係るＴＦＴアレイ基板と実施の形態３に係るＴＦＴアレイ基板は、同一の基本構成を有するが、反射電極７ｂの凸部１１の形成方法が異なる。具体的には、ゲート絶縁膜３の凸部形成方法が異なる。
【００４２】
図６を用いて、本実施の形態３に係るアクティブマトリクス型ＴＦＴアレイ基板の製造方法について説明する。ゲート電極２を形成後、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ等からなるゲート絶縁膜３、ａ−Ｓｉ又はｐ−Ｓｉからなる半導体能動膜４、ｎ型ａ−Ｓｉ又はｎ型ｐ−Ｓｉからなるオーミックコンタクト膜５を形成するための薄膜を、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により連続で成膜するまでは、実施の形態１と同様である。
【００４３】
次に、図６（ａ）に示すように、オーミックコンタクト膜５上に酸化インジウムを含有する透明導電膜１４を成膜する。膜厚は、８０ｎｍ程度が好ましい。透明導電膜１４を成膜する際に、１００〜１７５℃の温度範囲で透明絶縁基板１を予備加熱するか、透明導電膜１４を成膜後に、上記温度範囲にて加熱する。
【００４４】
次に、透明導電膜１４を、シュウ酸を用いてウェットエッチングすることにより、図６（ｂ）に示すように、オーミックコンタクト膜５上にインジウムの結晶１５が残留する。
【００４５】
次に、図６（ｃ）に示すように、第２のフォトリソグラフィプロセスで、ＴＦＴ部を形成する領域上にレジストパターン１２を形成する。そして、半導体能動膜４及びオーミックコンタクト膜５を、例えば、ＳＦ６とＨＣｌの混合ガスでドライエッチングする。ここで、インジウムの結晶１５がマスクとして機能する。そのため、まずレジストパターン１２及び結晶１５が形成されていない領域の半導体能動膜４及びオーミックコンタクト膜５がエッチングされていく。エッチングがある程度進行すると、インジウム結晶１５が消失し、その下の半導体能動膜４及びオーミックコンタクト膜５もエッチングされ始める。従って、結晶１５が形成されていた箇所が微細な凸部を形成した状態で、エッチングが進行する。除去すべき半導体能動膜４及びオーミックコンタクト膜５を完全に除去するため、ゲート絶縁膜３に至るまでオーバーエッチングする。これにより、図６（ｄ）に示すように、エッチング完了時には、ゲート絶縁膜３に凸部が形成される。すなわち、ゲート絶縁膜３の表面が凹凸形状となる。これ以降の製造工程は実施の形態１と同様である。
【００４６】
実施の形態３に係る液晶表示装置のゲート絶縁膜３にも複数の凸部が形成され、この上に形成される反射電極７ｂが複数の凸部１１を備える。すなわち、反射電極７ｂの表面は凹凸形状となっている。これにより、視認性に優れる液晶表示装置が得られる。ドレイン電極７ａと反射電極７ｂとが一体に形成され、有機平坦化膜が不要である。そのため、製造工程を簡略化することができ、生産性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施の形態に係るＴＦＴアレイ基板の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ'断面図である。
【図３】実施の形態１に係るＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】実施の形態１に係るＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】実施の形態２に係るＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】実施の形態３に係るＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  透明絶縁基板
２  ゲート電極・配線
３  ゲート絶縁膜
４  半導体能動膜
５  オーミックコンタクト膜
６ａ  ソース配線
６ｂ  ソース電極
７ａ  ドレイン電極
７ｂ  反射電極
８  パッシベーション膜
９  画素電極
１０  コンタクトホール
１１  凸部
１２、１２ａ、１２ｂ、１４  レジストパターン
１３  第２の金属膜
１４  透明導電膜
１５  インジウム結晶
【図１】
2008268392.tif 000003
【図２】
2008268392.tif 000004
【図３】
2008268392.tif 000005
【図４】
2008268392.tif 000006
【図５】
2008268392.tif 000007
【図６】
2008268392.tif 000008