(57)【要約】【課題】クリティカルディメンジョンやオーバーレイ等のパラメータに関して最適な性能を維持しながら、基板プロセシング設備の高効率性を実現する。【解決手段】パターニングデバイスから基板上へパターンを転写するリソグラフィ装置は、基板を既定の温度サイクルにさらすように構成された一体型露光後ベークデバイスを備える。基板の露光後ベーク工程（温度サイクル）は、パターン転写後の所定の時間内に実施される。当該リソグラフィ装置は、１つ以上のプロセシングモジュールを有するプロセシングシステムと組み合わすことができる。当該組合せによって、より効率的な使用が可能なり、デバイス製造方法の対応度を確保することができる。 【選択図】図２
2008098635.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングデバイスから基板上へパターンを転写するリソグラフィ装置であって、  基板を既定の温度サイクルにさらすように構成された一体型露光後ベークデバイスを備える、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記露光後ベークデバイスはさらに、前記パターン転写後所定の時間内に、前記基板を前記既定の温度サイクルにさらすように構成されている、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
パターニングデバイスから基板上へパターンを転写するリソグラフィ装置と、プロセシングシステムとの組合せであって、  前記リソグラフィ装置は、前記基板を既定の温度サイクルにさらすように構成された一体型露光後ベークデバイスを備え、  前記プロセシングシステムは、基板を前記リソグラフィ装置へ提供するとともに前記リソグラフィ装置から基板を受け取るように構成された基板インタフェースを備える、組合せ。
【請求項４】
前記露光後ベークデバイスはさらに、前記パターン転写後所定の時間内に、前記基板を前記既定の温度サイクルにさらすように構成されている、請求項３に記載の組合せ。
【請求項５】
前記プロセシングシステムは、基板プロセシングに関する機能のサブセットを実施するプロセシングモジュールをさらに備え、  前記機能のサブセットとは、前記基板のコーティング、露光前のソフトベーク、前記基板の現像、前記基板のバッファリング、及び、前記基板の測定、からなる群から選択される１つ以上の機能である、請求項３に記載の組合せ。
【請求項６】
前記プロセシングシステムは、基板プロセシングに関する機能のサブセットを実施する少なくとも２つのプロセシングモジュールをさらに備え、  前記機能のサブセットとは、前記基板のコーティング、露光前のソフトベーク、前記基板の現像、前記基板のバッファリング、及び、前記基板の測定、からなる群から選択される１つ以上の機能である、請求項３に記載の組合せ。
【請求項７】
前記リソグラフィ装置と、前記少なくとも２つのプロセシングモジュールのうちの１つ以上のプロセシングモジュールとで、閉環境が形成される、請求項６に記載の組合せ。
【請求項８】
前記リソグラフィ装置と前記少なくとも２つのプロセシングモジュールとの間で基板を転送するインタフェースユニットをさらに備える、請求項６に記載の組合せ。
【請求項９】
前記少なくとも２つのプロセシングモジュールのうちの１つのプロセシングモジュールが、基板を受け取り、前記基板をコーティングし、前記基板を前記インタフェースユニットへ転送するコーティングモジュールである、請求項８に記載の組合せ。
【請求項１０】
前記少なくとも２つのプロセシングモジュールのうちの１つのプロセシングモジュールが、前記インタフェースユニットから基板を受け取り、前記基板を現像する現像モジュールである、請求項８に記載の組合せ。
【請求項１１】
前記少なくとも２つのプロセシングモジュールのうちの１つのプロセシングモジュールが、基板を受け取り、前記基板をコーティングし、前記基板を前記インタフェースユニットへ転送し、前記インタフェースユニットから基板を受け取り、前記基板を現像する、コーティングモジュールと現像モジュールとからなる組合せである、請求項８に記載の組合せ。
【請求項１２】
前記少なくとも２つのプロセシングモジュールの合計処理能力は、前記リソグラフィ装置の処理能力よりも大きい、 請求項８に記載の組合せ。
【請求項１３】
パターニングデバイスから基板上へパターンを転写する工程と、  前記パターンを転写した後に、前記基板を既定の温度サイクルにさらす工程と、  前記パターンを転写する前に、前記基板を前処理する工程と、  前記パターンを転写した後に、前記基板を後処理する工程と、を含むデバイス製造方法であって、  前記パターンを転写する工程及び前記基板を既定の温度サイクルにさらす工程がリソグラフィ装置内で実施され、  前記前処理する工程及び前記後処理する工程は、前記パターンを転写する工程及び前記基板を既定の温度サイクルにさらす工程から独立して実施される、方法。
【請求項１４】
前記パターンを転写する工程及び前記基板を既定の温度サイクルにさらす工程は、互いの工程から所定の時間内に実施される、請求項１３に記載のデバイス製造方法。
【請求項１５】
前記前処理する工程は前記基板にコーティングする工程であり、  前記後処理する工程は、前記基板の現像、前記基板のバッファリング、及び、前記基板の測定、から選択される１つ以上の工程である、請求項１３に記載のデバイス製造方法。
【請求項１６】
前記前処理する工程の処理能力が、前記パターンを転写する工程と前記基板を既定の温度サイクルにさらす工程とからなる組合せの処理能力よりも大きい、請求項１３に記載のデバイス製造方法。
【請求項１７】
前記後処理する工程の処理能力が、前記パターンを転写する工程と前記基板を既定の温度サイクルにさらす工程とからなる組合せの処理能力よりも大きい、請求項１３に記載のデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  [0001]  本発明は、リソグラフィ装置、リソグラフィ装置とプロセシングシステムとの組合せ、及び、デバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  [0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は１つ以上のダイを含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によってなされる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、及び、ある特定の方向（「スキャン」方向）の放射ビームによってパターンをスキャンすると同時にこの方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。【０００３】  [0003]  チップ生産設備又は基板プロセシング（処理）設備では、リソグラフィ装置は通常トラックモジュールに直接連結されている。このトラックモジュールによって実施される少なくとも１つの処理工程、つまり、露光後ベーク工程は、タイム・クリティカルである。露光と基板のベークとの間の時間にばらつきがあると、結果として得られるクリティカルディメンジョンにもばらつきが生じてしまう。また、（単一）トラックモジュール又はスキャナモジュールの信頼性が、基板プロセシング設備全体の信頼性に一部影響を与えてしまう（モジュールがダウンすると、生産ライン全体も通常ダウンする）。通常、トラックモジュールは固定周波数を用いて制御されるが、リソグラフィ装置は事象駆動型である（１つの露光工程が、同一基板の別の露光工程よりも長い時間かかる場合がある）。【０００４】  [0004]  トラックモジュールとリソグラフィ装置とからなるインラインクラスタを設けることにより、トラックモジュール−リソグラフィ装置間の２つの中間搬送工程を省くことができる。このクラスタでは、単一又は２つ（又はそれ以上）の連続的なリソグラフィ露光工程（「二重露光」）を要する基板層を処理することができる。このようなクラスタの潜在的な問題点は、結合クラスタの性能が、同クラスタ内にある最低速度のコンポーネントによって決まってしまうという点である。コーティングプロセス（つまり、基板送入経路）と、露光後ベーク（ＰＥＢ）プロセス及び現像プロセス（つまり、基板送出経路）とを組み合わせたトラックモジュールで複雑な処理を行う場合、これらの工程のうち最低速度の工程によって他の工程のスループットが決まってしまうことになる。従って、速度や制御ストラテジに違いがあるために、トラックモジュールとリソグラフィ装置との組合せが常に最大効率で使用されるとは限らない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  [0005]  例えば、クリティカルディメンジョンやオーバーレイ等のパラメータに関して最適な性能を維持しながら、基板プロセシング設備の高効率性を実現するのが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】  [0006]  本発明の一態様によると、パターニングデバイスから基板上へパターンを転写するリソグラフィ装置であって、基板を既定の温度サイクルにさらすように構成された一体型露光後ベークデバイスを備える、リソグラフィ装置が提供される。【０００７】  [0007]  本発明の一態様によると、パターニングデバイスから基板上へパターンを転写するリソグラフィ装置と、プロセシングシステムとの組合せであって、前記リソグラフィ装置は、前記基板を既定の温度サイクルにさらすように構成された一体型露光後ベークデバイスを備え、前記プロセシングシステムは、基板を前記リソグラフィ装置へ提供するとともに前記リソグラフィ装置から基板を受け取るように構成された基板インタフェースを備える、組合せが提供される。【０００８】  [0008]  本発明の一態様によると、パターニングデバイスから基板上へパターンを転写する工程と、前記パターンを転写した後に、前記基板を既定の温度サイクルにさらす工程と、前記パターンを転写する前に、前記基板を前処理する工程と、前記パターンを転写した後に、前記基板を後処理する工程と、を備えるデバイス製造方法であって、前記パターンを転写する工程及び前記基板を既定の温度サイクルにさらす工程がリソグラフィ装置内で実施され、前記前処理する工程及び前記後処理する工程は、前記パターンを転写する工程及び前記基板を既定の温度サイクルにさらす工程から独立して実施される、方法が提供される。【０００９】  [0009]  独立して実施されるとは、例えば、各動作を非同期的に実施することであってよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】  [0010]  以下、添付の概略図面を参照しながら、単なる例として、本発明の実施形態を説明する。図面において、同じ参照符号は同じ部分を示す。【００１１】  [0018]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置の概略図である。このリソグラフィ装置は、【００１２】  [0019]  放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射、ＤＵＶ放射、又はＥＵＶ放射）を調整する照明システム（イルミネータ）ＩＬと、 【００１３】  [0020]  パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めする第一ポジショナＰＭに連結された、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、【００１４】  [0021]  基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めする第二ポジショナＰＷに連結された、基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、 【００１５】  [0022]  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影する投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを備える。【００１６】  [0023]  照明システムとしては、放射を誘導し、形成し、あるいは制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せ等の様々な型の光コンポーネントを含み得る。【００１７】  [0024]  サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、及び、例えば、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどといった他の条件に応じた態様でパターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができる架台又はテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に配置することができる。本明細書で使用される「レチクル」又は「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えてよい。【００１８】  [0025]  本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを創出するべく放射ビームの断面にパターンを付ける際に使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付けたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などの、ターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。【００１９】  [0026]  パターニングデバイスは、透過型又は反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型（Alternating）位相シフト、及びハーフトーン型（Attenuated）位相シフトなどのマスク型、並びに、種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配置が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向へ反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。【００２０】  [0027]  本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用されている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学システム、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書で使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えてよい。【００２１】  [0028]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述の型のプログラマブルミラーアレイ又は反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。【００２２】  [0029]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のサポート構造）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」マシンにおいては、追加のテーブルを並行して使うことができ、あるいは、予備工程を１つ以上のテーブルで実施しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。【００２３】  [0030]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板の間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、例えば、水によって基板の少なくとも一部を覆うことができる型のものであってもよい。さらに、リソグラフィ装置内の別の空間、例えば、マスクと投影システムの間、に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させる技術においてよく知られている。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板のような構造を液体中に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板の間に液体があるということを意味するものである。 【００２４】  [0031]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別々の構成要素であってよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要であれば、ビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。 【００２５】  [0032]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強���分布を調節するためのアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。【００２６】  [0033]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第二ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第一ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されない）を使って、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後又はスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢのパス経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、第一ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第二ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてよく、あるいは、固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２、及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークがそれ専用のターゲット部分に置かれているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分の間の空間内に置くこともできる（これらは、けがき線アライメントマークとして公知である）。同様に、１つ以上のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。【００２７】  [0034]  例示の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用できると考えられる。【００２８】  [0035]  １．  ステップモードにおいては、サポート構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。基板テーブルＷＴは、その後、Ｘ及び／又はＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一静止露���時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。【００２９】  [0036]  ２．  スキャンモードにおいては、サポート構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決定される。【００３０】  [0037]  ３．  別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持しながらサポート構造ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす又はスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。【００３１】  [0038]  上述の使用モードの組合せ及び／又は変形物、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。【００３２】  [0039]  プロセシング設備における基板の処理は、単純な連続工程（例えば、コーティング、露光、露光後ベーク、現像、エッチング、インスペクション）を何回か繰り返すものであってよい。あるいは、複雑な処理であってもよい（例えば、二重露光処理の場合）。その場合は、基板に対して、コーティング、露光、第二露光、露光後ベーク、及び、現像、という連続する処理工程が行われる。【００３３】  [0040]  図２は、基板プロセシング設備の典型的な構成を示す概略図である。この基板プロセシング設備は、リソグラフィ装置１と、プロセシングモジュール２と、オプションの搬送システム３とを備えている。プロセシングモジュール（例えば、トラックモジュール）２は、例えば気密シールを用いて、リソグラフィ装置１にしっかりと連結されている。基板Ｗは、多数の基板Ｗを運ぶことができるオープン又はクローズドコンテナ４（例えば、オープンキャリヤ又は前開き一体形ポッド（ＦＯＵＰ））で搬送される。多数のコンテナ４に多数の基板を搭載し、これら基板をすべて、基板プロセシング設備内において同一の処理工程を経るようにしてもよく、又は、単一のコンテナ４内に、異なる処理工程を要する１つまたは多数のロットを搭載してもよい。搬送システム３は、インデクサ５から離れる方向へ及びインデクサ５へ近づく方向へ、コンテナ４を移動させる。このインデクサ５によって、コンテナ４がプロセシングモジュール２に連結する。（単一）プロセシングモジュール２は、リソグラフィ装置１へ基板が搬送される前に、基板上でコーティング及びソフトベーク（符号１１で示す）等の露光前の処理工程を実施���るように構成されている。なお、プロセシングモジュール２内の各種ユニットのレイアウトは概略的なものである。リソグラフィ装置１は基板を受け取り、扱い、準備をし（例えば、プレアライメント、温度安定化（符号１２））、実際に基板に露光する（符号１３）。露光後、基板はプロセシングモジュール２へ再び搬送され、そこで露光後の処理工程（露光後ベーク／冷却工程（符号１４ａ）等）、及び、現像工程（符号１４ｂ）を基板に対して実施する。その後、インデクサ５によって基板が正しいコンテナ４へと戻される。【００３４】  [0041]  リソグラフィ装置１はプロセシングモジュール２に直接連結されている。プロセシングモジュール２によって実施される少なくとも１つの処理工程、つまり露光後ベーク工程は、タイム・クリティカルな工程である。露光と基板のベークとの間の時間のばらつきによって、得られるクリティカルディメンジョンにもばらつきが生じることがある。【００３５】  [0042]  また、（単一）プロセシングモジュール２及び／又はリソグラフィ装置１の信頼性が、基板プロセシング設備全体の信頼性に一部影響を与えてしまう（プロセシングモジュール２がダウンすると、生産ライン全体もダウンする）。通常、プロセシングモジュール２は固定周波数を用いて制御されるが、リソグラフィ装置１はほぼ事象駆動される（１つの露光工程が、同一基板の別の露光工程よりも長い時間かかることがある）。また、プロセシングモジュール２とリソグラフィ装置１との組合せ内における最低速度のコンポーネントによって、全体のスループットが決まってしまう。従って、プロセシングモジュール２とリソグラフィ装置１との組合せが常に最大効率で使用されているとは限らない。【００３６】  [0043]  本発明の一実施形態によると、プロセシングシステムは複数のプロセシングモジュール又はトラックモジュール２に分割されており、よって、各プロセシングモジュール２は、低減された機能性、複雑性、又はその両方を有する。トラックモジュールの他にも、エッチング、インスペクション等のために他のプロセシングモジュールを追加することができる。例えば、プロセシングシステム（図２のプロセシングモジュール２）は、多数の機能を実施するように構成してもよい。多数の機能とは、基板のコーティング、基板の現像、基板のバッファリング、及び／又は基板の測定等を含むがこれらに限定されない。本発明の一実施形態に係る各プロセシングモジュール２は、これらの機能のサブセット（一部）を、基板プロセシング設備の他のコンポーネントから独立して実施するように構成してもよい。例えば、基板プロセシング設備の各種動作を非同期で行うことにより、独立した機能実施を実現してもよい。そうすることによって、生産ライン各部の信頼性及び／又は生産性が向上し、よって、生産ライン全体の信頼性及び／又は生産性も向上する。以下に詳述する本発明の様々な実施形態では、プロセシングモジュール２（のうちいくつか）とリソグラフィ装置１とをしっかり結合する必要がないため、生産ラインのユーザにとって、生産ラインの各部分の性能をチューニングする際の対応度（flexibility：適応性、融通性）が大きい。【００３７】  [0044]  以下に記載する実施形態では、���ソグラフィ装置１内の露光工程と露光後ベーク工程との間のタイミングを一定に保つことがでるため、基板ロットに最適なクリティカルディメンジョンを実現又は維持することができる。これについて、２つのパラメータ、つまり、各種工程の絶対時間、及び、あるロット内でのかかる時間のばらつき、を一定のタイミングで処理してもよい。これは、露光後ベーク工程をリソグラフィ装置１に内部接続しておき（例えば、露光後ベーク工程をリソグラフィ装置１内に組み込む）、この工程後に初めて基板を搬送することによって、実現してもよい。ＰＥＢ工程は、ＰＥＢ工程を実施する露光後ベークデバイス２３を使用することにより、リソグラフィ装置１に組み込んでもよい。ＰＥＢ工程は、基板Ｗを所定の温度サイクルにさらす工程、例えば、第一期間内で基板Ｗを第一温度に加熱し、第二期間中この第一温度を保ち、その後、第三期間内で、第一温度よりも低い第二温度へ基板Ｗを冷却する工程、からなる。【００３８】  [0045]  図３は、本発明の第一実施形態を示す概略ブロック図であり、各ブロックは、基板処理サイクルにおける主要な処理工程又はデバイスを表している。ブロック２１は基板のコーティング工程又はコーティングデバイスを表し、ブロック２２は実際の基板露光工程又は露光用基板ステージを表し、ブロック２３は基板の露光後ベーク工程又は露光後ベークデバイスを表し、ブロック２４は基板の現像工程又は現像デバイスを表している。コーティング工程とは、基板の露光前の準備として必要な、ベーク、冷却等のあらゆる関連工程を含むものとして理解される。また、アナログ様式では、現像工程とは、基板の後続処理（例えば基板のすすぎ処理）前の準備として必要となる、関連処理を含むものとして理解される。図３に示すように、露光工程２２と露光後ベーク工程２３とはしっかりと連結される一方、コーティング工程２１及び現像工程２４はシステム内では弱く連結されている。例えば、リソグラフィ装置１とトラックモジュールとの組合せにおいて、該トラックモジュールは複数のプロセシングモジュール２を備えることができる。リソグラフィ装置１は露光工程２２だけではなく、例えば露光後ベークデバイス２３を使用することにより、露光後ベーク工程も実施し、図中線で示すように、該リソグラフィ装置１に連結されたプロセシングモジュール２は、コーティング工程２１や現像工程２４を行う。【００３９】  [0046]  実際の実施例では、上記の構成は、露光後工程をリソグラフィ装置１内に組み込むことによって達成できる。基板は、プロセシングモジュール２とリソグラフィ装置１との間を従来の態様で、例えば複数の基板を搬送するコンテナ４を使用して、搬送してもよい。【００４０】  [0047]  露光後ベーク工程又は露光後ベークデバイス２３をリソグラフィ装置と一体化すること（図３中、ブロック２２とブロック２３との強い結合）によって、大きな対応度が生まれる。リソグラフィ処理の制御と露光後ベークデバイスの制御を一体化することにより、時間のばらつきを最小限に留めることができる。また、かかる構成では、リソグラフィ処理工程（ブロック２２）と露光後ベーク工程（ブロック２３）との間の距離が、物理的にも「時間的にも」最短となる。【０���４１】  [0048]  図４は、インタフェースユニット４０を用いて強い結合がなされる本発明の一実施形態を示している。【００４２】  [0049]  ２つのプロセシングモジュール２がインタフェースユニット４０（図４の左側に示す）に連結されている。各プロセシングモジュール２は、１つ以上のトラックモジュールロボット４３によってアクセスされ得る様々なプロセシングステーション４１を有することができる。基板を受け取る又は他のユニットへ渡す際、トラックモジュールロボット４３は基板をバッファ／転送位置４４に置くか又はそこから基板を取り上げる。インタフェースユニット４０は、異なるステーション間で基板を搬送するため、１つ以上のロボット４５、４６、４７を備える。これらのロボットが様々なタイプのものであることは明らかで、例えば、一度に１つの基板を運ぶグリッパを１つだけ備えるロボットや、複数のグリッパを備えるロボットがある。これらのロボット４５、４６、４７は、各インタフェース位置４８ａ、４８ｂへ又はそこから基板を移動させることができる。例えば、ロボット４５は、バッファ位置４４とバッファ位置５１との間で基板を移動させることにより、上部プロセシングモジュール２とリソグラフィ装置１との間で基板搬送を行う。リソグラフィ装置１は、基板をインタフェースバッファ位置５１へ置くか又はそこから取り上げる、内部基板ハンドリングロボット５０を含む。インタフェースユニット４０内で基板を移動する場合は、１つ以上の中間ロボット４６を使用することができる。図４は、そのような中間ロボット４６を１台備えた例である。また、この中間ロボット４６は、インタフェース処理ステーション５２へ基板を移動させることもでき、該インタフェース処理ステーション５２は、様々な種類の機能、例えば追加のバッファ又はメトロロジ（計測）を含むことができる。上記は、インタフェースユニット４０の一例である。ロボット数、インタフェース位置数、バッファ位置数が本例よりも多い又は少ないインタフェースユニット、又はＦＯＵＰＳ用のインタフェースユニットを設けてもよい。【００４３】  [0050]  基板プロセシング設備の効率性を上げる又は最大にするには、生産設備内の最も高額な部分を最大能力でかつなるべく高い使用率で使用するように、生産ラインを構成すべきである。これは、例えば、同じ機能を果たすとともに、独立したユニットとして見た場合にリソグラフィ装置１よりも高い処理能力を有する、多数のプロセシングモジュール２を使用することで実現できる。従って、本発明の一実施形態では、少なくとも２つのプロセシングモジュール２の合計処理能力が、リソグラフィ装置の処理能力よりも高い。こうすれば、高価な露光工程１３及び露光後ベーク工程１４を最大効率で実施することができる。また、基板プロセシング設備全体がより頑強になるため、複数存在する廉価なプロセシングモジュール２うちの１つが故障しただけで生産ラインが完全に停止するということが無くなる。【００４４】  [0051]  図５は、本発明の第３実施形態の概略図である。本実施形態では、単一のリソグラフィ装置１が２つのトラックモジュール１５に連結されており、各トラックモジュール１５はそれぞれ、コーティング工程２１及び現像工程２４を実施するように構成されている。複合型トラックモジュール１５の全体能力（スループット率）は、露光後ベーク工程２３（Ｅ、Ｐ）も行うように構成されたリソグラフィ装置１の能力よりも高い。リソグラフィ装置１は、例えばインタフェースユニット４０を使用することにより、各トラックモジュール１５から基板を受け取り、また各トラックモジュール１５へ基板を渡すことができるように構成されている。リソグラフィ装置１とプロセシングモジュール２との組合せにおいて基板のフローを適切に制御することにより、他の基板ロットよりも長い処理時間を要する基板ロットによって生じるボトルネックを防ぐことができる。追加のバッファリング機能をインタフェースユニット４０の、例えば、図４の符号５２で示す位置に設けてもよい。また、バッファ位置４４とバッファ位置５１との間で、追加のバッファを使用してもよい（図示されない）。インタフェース位置４８ａ及び４８ｂは少なくとも１つの基板を保持するバッファ位置であり、各ロボット４５、４６、及び４７を内部接続する。全ての（追加）バッファを使用することにより、他のプロセシングモジュール２が他のロットを処理する間に、遅いロットの基板を集めるようにしてもよい。例えば、長い処理を要する基板のロットを図５に示す上部プロセシングモジュール２で扱い、短い処理で済む基板のロットを下部プロセシングモジュール２で扱うようにしてもよい。これにより、リソグラフィ装置１の最大効率を維持しながら、上部プロセシングモジュール２を下部プロセシングモジュール２よりも遅いハンドリング速度で動作させることができる。プロセシングモジュール２が１つのみの場合（図２の実施形態を参照）は、遅い基板ロットによって全体のプロセシング速度も遅くなる。よって、次の実施形態では、少なくとも２つのプロセシングモジュールのうち１つがコーティングステージ及び現像ステージの組合せを備え、この組合せは、基板を（例えば、コンテナ４から）受け取り、基板をコーティングし、基板をリソグラフィ装置１へ転送し、リソグラフィ装置１から基板を受け取り、基板を現像し、基板を（例えば、コンテナ４を使用して）転送するように構成されている。【００４５】  [0052]  図５の実施形態では、上述したように、露光後ベーク工程がリソグラフィ装置１の処理の一部（露光後）として組み込まれている。【００４６】  [0053]  図６は、さらに別の実施形態の概略図である。この実施形態では、コーティング工程２１のみを実施する１つのプロセシングモジュール１６、及び、現像工程２４のみを実施する１つのプロセシングモジュール１７が使用される。本実施形態では、インタフェースユニット４０による基板ハンドリングが、プロセシングモジュール１６から基板を受け取り、プロセシングモジュール１７へ基板を搬送することができるように構成されている。また、上述したように、露光後ベーク工程２３がリソグラフィ装置１の処理の一部（露光後）として組み込まれている。【００４７】  [0054]  なお、図５及び図６に概略的に示す実施形態において、プロセシングモジュール１５、１６、１７は互い間隔を空けた状態で示されている。これは、同実施形態の実際の配置の場合でも同様であり、間隔を空けておくことによって、例えばメンテナンス目的で、リソグラフィ装置１及びプロセシングモジュール２、１５−１７の各々にアクセスすることができる。【００４８】  [0055]  図７は、本発明の一実施形態に係る基板プロセシング設備の一般的な構成を示す概略図である。通常、露光工程２２及び露光後ベーク工程２３を行うリソグラフィ装置１（ｍ）は、コーティング工程を行うプロセシングモジュール２（ｎ）及び現像工程２４を行うプロセシングモジュール２（ｐ）と組み合わせることができ、コーティング工程及び現像工程のうちいくつかを、１つのプロセシングモジュールに組み込んでもよい。【００４９】  [0056]  本発明の一実施形態によると、パターニングデバイスから基板上へパターンを転写するリソグラフィ装置であって、基板を、既定の温度サイクルにさらすように構成された一体化型露光後ベークデバイスを備える、リソグラフィ装置が提供される。露光後ベーク工程（既定の温度サイクル）をリソグラフィ装置に組み込むことによって、基板処理におけるタイム・クリティカルな露光後ベーク工程を正確な制御下に置くことができ、これによって、例えばクリティカルディメンジョンの安定化という点において、基板処理がより良好なものとなる。特に、露光後ベークデバイスは、また、パターン転写後の所定の時間内に基板を既定の温度サイクルにさらすように構成されてもよく、そうすることによって、精度や信頼性が得られる。【００５０】  [0057]  また別の実施形態では、パターニングデバイスから基板上へパターンを転写するリソグラフィ装置と、プロセシングシステムと、の組合せが提供され、該リソグラフィ装置は、基板を既定の温度サイクルにさらすように構成された一体型露光後ベークデバイスを備え、該プロセシングシステムは、基板をリソグラフィ装置へ提供するとともにリソグラフィ装置から基板を受け取るように構成された基板インタフェース（例えば、ＦＯＵＰ）を備える。また、露光後ベークデバイスは、パターン転写後の所定の時間内に基板を既定の温度サイクルへさらすように構成されてもよい。【００５１】  [0058]  別の実施形態では、プロセシングシステムは、基板プロセシングに関する機能のサブセットを実施するプロセシングモジュールをさらに備える。機能のサブセットとは、基板のコーティング、露光前のソフトベーク、基板の現像、基板のバッファリング、及び、基板の測定、からなる群から選択される１つ以上の機能である。リソグラフィ装置とプロセシングシステムとの組合せによって、より対応度が増す一方、基板プロセシングにおけるタイム・クリティカルな工程を十分に制御しその信頼性を維持することもできる。【００５２】  [0059]  さらに別の実施形態では、プロセシングシステムは、基板処理に関する機能のサブセットを実施する少なくとも２つのプロセシングモジュールをさらに備える。機能のサブセットとは、基板のコーティング、露光前のソフトベーク、基板の現像、基板のバッファリング、及び、基板の測定、からなる群から選択される１つ以上の機能である。【００５３】  [0060]  ある実施形態では、リソグラフィ装置と、上記少なくとも２つのプロセシングモジュールのうち１つ以上のプロセシングモジュールとで閉環境を形成することにより処理条件の制御を良好に行い、それによって、例えば汚染管理が可能になる。【００５４】  [0061]  別の実施形態では、上記の組合せがさらに、図４に関連して記載したように、リソグラフィ装置と上記少なくとも２つのプロセシングモジュールとの間で基板を搬送する、インタフェースユニットを備える。【００５５】  [0062]  ある実施形態では、上記少なくとも２つのプロセシングモジュールのうち１つのプロセシングモジュールが、基板を受け取り、コーティングし、インタフェースユニットへ搬送するコーティングモジュールを備えることができる。また、上記少なくとも２つのプロセシングモジュールのうちの１つのプロセシングモジュールが、インタフェースユニットから基板を受け取って現像する現像モジュールを備えることができる。また、上記少なくとも２つのプロセシングモジュールのうちの１つのプロセシングモジュールが、コーティングモジュールと現像モジュールとの組合せを備えてもよく、かかる組合せは、基板を受け取り、コーティングし、インタフェースユニットへ搬送し、またインタフェースユニットから基板を受け取り、現像するように構成される。これらの実施形態は、図５及び図６に関連して既に詳述されている。また、図７の実施形態に関連して上述したように、上記少なくとも２つのプロセシングモジュールの合計処理能力は、リソグラフィ装置の処理能力よりも大きくてよい。【００５６】  [0063]  さらなる態様においては、パターニングデバイスから基板上へパターンを転写する工程と、パターン転写後に基板を既定の温度サイクルにさらす工程と、パターン転写前に基板を前処理する工程と、パターンの転写後に基板を後処理する工程とを備える、デバイス製造方法が提供され、かかるデバイス製造方法では、パターンの転写工程と、基板を既定の温度サイクルにさらす工程とが、リソグラフィ装置内で行われ、前処理工程及び後処理工程が、上記パターンの転写工程及び基板を既定の温度サイクルにさらす工程から独立して実施される。パターンの転写工程と、基板に対する既定の温度サイクル（露光後ベーク）工程は、互いの工程から所定の時間内に実施することができ、それによって、これらのタイム・クリティカルな機能を正確に制御することができ、常に一貫した処理が施された基板を提供することができる。前処理工程は、基板をコーティングする工程を備えてよく、また／又は、後処理工程は、基板の現像工程、基板のバッファリング工程、及び基板の測定工程のうち１つ以上を備えてもよい。前処理工程の処理能力は、パターンの転写工程と基板の露光後ベーク工程との組合せの処理能力より、高くてもよい。また、後処理処理能力は、パターンの転写工程と露光後ベーク工程との組合せによる処理能力より、高くてもよい。 【００５７】  [0064]  本発明の1つ以上の実施形態は、例えば、基板にパターン付き放射ビームを露光するためのＥＵＶ放射を使用する反射型リソグラフィ装置と組み合わせて使用することができる。【００５８】  [0065]  本明細書では、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パター��、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドの製造といった他の用途を有することが理解されるべきである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語がすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であると考えればよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後に、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジツール、及び／又は、インスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示物を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに、基板は、例えば、多層ＩＣを作るために、複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語が、既に多層処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。 【００５９】  [0066]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使用してもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、又はそれらの組合せを適用することによってレジストを硬化させる。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。【００６０】  [0067]  本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、約３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長を有する）、及び極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。【００６１】  [0068]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのどれか１つ又は組合せを指すことができる。【００６２】  [0069]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施することも可能である。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能な指示のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又は、そのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光ディスク）の形態であってもよい。【００６３】  [0070]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】[0011]  本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示している。
【図２】[0012]  基板プロセシング設備の概略図である。
【図３】[0013]  本発明の第一実施形態に係る、基板プロセシング設備の略式概略図である。
【図４】[0014]  本発明の第二実施形態に係る、基板プロセシング設備の略式概略図である。
【図５】[00１５]  本発明は第三実施形態に係る、基板プロセシング設備の略式概略図である。
【図６】[0016]  ２つの異なるトラックモジュールを使用した一実施形態に係る、基板プロセシング設備の概略図である。
【図７】[0017]  本発明の一実施形態に係る、基板プロセシング設備の一般的な概念を表す略式概略図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【外国語明細書】
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