(57)【要約】【課題】二次元状に配列された複数の描画要素を用いて画像記録媒体に画像パターンを描画する際、画像パターンに生じるジャギーを確実に低減させることのできる描画装置及び描画方法を提供する。【解決手段】複数のマイクロミラーが配列されてなるＤＭＤを複数のブロックＢＬ１〜ＢＬ４に分割し、各ブロックＢＬ１〜ＢＬ４のマイクロミラーを制御する描画データのリセットタイミングを各ブロックＢＬ１〜ＢＬ４毎に所定時間ずらせて設定し、ブロックＢＬ１〜ＢＬ４毎に異なる描画タイミングで描画することにより、画像パターンに生じるジャギーを低減させる。【選択図】図２５
2008139527.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次元状に配列された複数の描画要素からなる描画手段を描画面に沿って所定の走査方向に相対移動させ、前記各描画要素を描画データに従って制御することで描画を行う描画装置において、
前記描画手段を複数の前記描画要素からなる複数の領域に分割する分割手段と、
異なる前記領域に属する前記描画要素により前記描画面に形成される複数の描画点による描画むらを低減すべく、前記各領域の前記描画要素による描画タイミングを設定する描画タイミング設定手段と、
前記領域毎に設定された前記描画タイミングで前記各描画要素を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする描画装置。
【請求項２】
請求項１記載の装置において、
前記分割手段は、複数の前記描画点を前記描画面上の近傍位置に形成する前記描画要素が異なる前記領域に属するよう、前記描画手段を分割することを特徴とする描画装置。
【請求項３】
請求項１記載の装置において、
前記描画タイミング設定手段は、前記描画手段を構成する前記複数の前記描画要素の前記描画面に対する配置情報に基づいて前記描画タイミングを設定することを特徴とする描画装置。
【請求項４】
請求項２記載の装置において、
前記配置情報は、前記描画手段を構成する前記複数の前記描画要素の配列方向に係る情報であることを特徴とする描画装置。
【請求項５】
請求項２記載の装置において、
前記配置情報は、前記描画要素により形成される前記描画点の前記描画面上での倍率に係る情報であることを特徴とする描画装置。
【請求項６】
請求項１記載の装置において、
前記配置情報は、前記描画要素により形成される前記描画点の前記描画面上における描画ピッチに係る情報であることを特徴とする描画装置。
【請求項７】
請求項１記載の装置において、
前記描画タイミング設定手段は、前記描画面に描画される画像パターンに基づいて前記描画タイミングを設定することを特徴とする描画装置。
【請求項８】
請求項１記載の装置において、
前記描画タイミング設定手段は、乱数発生手段によって発生された乱数に基づいて前記描画タイミングを設定することを特徴とする描画装置。
【請求項９】
請求項１記載の装置において、
前記描画タイミング設定手段は、予め設定された複数の描画タイミングに係るデータの組を描画タイミングデータテーブルとして記憶するテーブル記憶手段から、所望の組の前記描画タイミングに係るデータを選択して設定することを特徴とする描画装置。
【請求項１０】
二次元状に配列された複数の描画要素からなる描画手段を描画面に沿って所定の走査方向に相対移動させ、前記各描画要素を描画データに従って制御することで描画を行う描画方法において、
前記描画手段を複数の前記描画要素からなる複数の領域に分割するステップと、
異なる前記領域に属する前記描画要素により前記描画面に形成される複数の描画点による描画むらを低減すべく、前記各領域の前記描画要素による描画タイミングを設定するステップと、
前記領域毎に設定された前記描画タイミングで前記各描画要素を制御することで、前記描画面に画像を描画するステップと、
からなることを特徴とする描画方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法において、
複数の前記描画点を前記描画面上の近傍位置に形成する前記描画要素が異なる前記領域に属するよう、前記描画手段を分割することを特徴とする描画方法。
【請求項１２】
請求項１０記載の方法において、
前記描画手段を構成する前記複数の前記描画要素の前記描画面に対する配置情報に基づいて前記描画タイミングを設定することを特徴とする描画方法。
【請求項１３】
請求項１０記載の方法において、
前記描画面に描画される画像パターンに基づいて前記描画タイミングを設定することを特徴とする描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二次元状に配列された複数の描画要素からなる描画手段を描画面に沿って所定の走査方向に相対移動させ、前記各描画要素を描画データに従って制御することで描画を行う描画装置及び描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
描画装置の一例として、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）等の空間光変調素子を利用し、画像データに応じて変調された光ビームにより記録媒体に画像を露光する露光装置が種々提案されている。ＤＭＤは、画像データに基づく制御信号に応じて反射面の角度が変化する多数のマイクロミラーをシリコン等の半導体基板上に二次元状に配列したミラーデバイスであり、このＤＭＤを備えた露光ヘッドを記録媒体の走査方向に相対移動させることで、二次元画像を露光記録することができる。
【０００３】
ここで、記録媒体に記録される画像の解像性を向上させるため、多数のマイクロミラーが二次元状に配列されたＤＭＤを走査方向に対して傾斜させて配置し、近接するマイクロミラーにより記録媒体上に形成される露光点を一部重なるようにした露光装置が提案されている（特許文献１参照）。このように、複数の露光点を記録媒体上で重ね合わせて多重露光することにより、例えば、各マイクロミラーに対応して設けられたマイクロレンズ等の光学系や、マイクロミラー自体の欠陥、あるいは、各マイクロミラーによって反射されて記録媒体に導かれる光ビームの光量むらに起因する画質劣化を抑制することが可能となる。
【０００４】
【特許文献１】特表２００１−５００６２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ＤＭＤを前記のように傾斜させて多重露光を行う場合、近接するマイクロミラーにより記録媒体上に形成される露光点の配列方向が、記録しようとする画像パターンの方向に近接して設定されていると、露光記録された前記画像パターンに描画むらであるジャギーが生じ、画質が劣化してしまう。
【０００６】
同様の問題は、ＤＭＤを用いた露光装置に限られるものではなく、例えば、インク滴を記録媒体の描画面に吐出して画像を記録するインクジェットプリンタ等においても生じる。
【０００７】
本発明は、二次元状に配列された複数の描画要素を用いて画像記録媒体に画像パターンを描画する際、画像パターンに生じる描画むらであるジャギーを確実に低減させることのできる描画装置及び描画方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の描画装置は、二次元状に配列された複数の描画要素からなる描画手段を描画面に沿って所定の走査方向に相対移動させ、前記各描画要素を描画データに従って制御することで描画を行う描画装置において、
前記描画手段を複数の前記描画要素からなる複数の領域に分割する分割手段と、
異なる前記領域に属する前記描画要素により前記描画面に形成される複数の描画点による描画むらを低減すべく、前記各領域の前記描画要素による描画タイミングを設定する描画タイミング設定手段と、
前記領域毎に設定された前記描画タイミングで前記各描画要素を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明の描画方法は、二次元状に配列された複数の描画要素からなる描画手段を描画面に沿って所定の走査方向に相対移動させ、前記各描画要素を描画データに従って制御することで描画を行う描画方法において、
前記描画手段を複数の前記描画要素からなる複数の領域に分割するステップと、
異なる前記領域に属する前記描画要素により前記描画面に形成される複数の描画点による描画むらを低減すべく、前記各領域の前記描画要素による描画タイミングを設定するステップと、
前記領域毎に設定された前記描画タイミングで前記各描画要素を制御することで、前記描画面に画像を描画するステップと、
からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の描画装置及び描画方法によれば、二次元状に配列された複数の描画要素を用いて画像記録媒体に画像パターンを描画する際、画像パターンによらず、描画むらであるジャギーの発生を確実に低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は、本実施形態の描画装置であるフラットベッドタイプの露光装置１０を示す。露光装置１０は、複数の脚部１２によって支持された変形の極めて小さい定盤１４を備え、この定盤１４上には、２本のガイドレール１６を介して露光ステージ１８が矢印方向に往復移動可能に設置される。なお、露光ステージ１８には、感光材料が塗布された基板Ｆが吸着保持される。
【００１２】
定盤１４の中央部には、ガイドレール１６を跨ぐようにして門型のコラム２０が設置される。このコラム２０の一方の側部には、露光ステージ１８に対する基板Ｆの装着位置を検出するＣＣＤカメラ２２ａ、２２ｂが固定され、他方の側部には、基板Ｆに対して画像を露光記録する複数の露光ヘッド２４ａ〜２４ｊが位置決め保持されたスキャナ２６が固定される。露光ヘッド２４ａ〜２４ｊは、基板Ｆの走査方向（露光ステージ１８の移動方向）と直交する方向に２列で千鳥状に配列される。ＣＣＤカメラ２２ａ、２２ｂには、ロッドレンズ６２ａ、６２ｂを介してストロボ６４ａ、６４ｂが装着される。ストロボ６４ａ、６４ｂは、基板Ｆを感光することのない赤外光からなる照明光をＣＣＤカメラ２２ａ、２２ｂの撮像域に照射する。
【００１３】
定盤１４の一方の端部には、露光ステージ１８の移動方向と直交する方向に延在するガイドテーブル６６が装着されており、このガイドテーブル６６には、露光ヘッド２４ａ〜２４ｊから出力されたレーザビームＬの光量を検出するフォトセンサ６８がＸ方向に移動可能に配設される。
【００１４】
また、定盤１４の他方の端部には、図２に示すように、ガイドテーブル６７に沿ってＸ方向に移動可能な状態でフォトセンサ６９が配設される。フォトセンサ６９の上部には、複数のスリット７１がＸ方向に配列して形成されたスリット板７３が配設される。スリット７１は、露光ステージ１８の移動方向（Ｙ方向）に対して４５゜の角度で傾斜する２つのスリット片７５ａ、７５ｂを有するＶ字形状に形成される。この場合、各スリット片７５ａ、７５ｂを通過したレーザビームＬをフォトセンサ６９により検出して、各露光ヘッド２４ａ〜２４ｊに組み込まれる各空間光変調素子の矢印Ｙ方向に対する傾斜角度を算出することができる。なお、露光ヘッド２４ａ〜２４ｊは、前記傾斜角度の調整のため、レーザビームＬの光軸を中心として回転可能に構成される。
【００１５】
図３は、各露光ヘッド２４ａ〜２４ｊの構成を示す。露光ヘッド２４ａ〜２４ｊには、例えば、光源ユニット２８を構成する複数の半導体レーザから出力されたレーザビームＬが合波され光ファイバ３０を介して導入される。レーザビームＬが導入された光ファイバ３０の出射端には、ロッドレンズ３２、反射ミラー３４、及びデジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）３６（描画手段）が順に配列される。
【００１６】
ここで、ＤＭＤ３６は、図４に示すように、ＳＲＡＭセル（メモリセル）３８の上に格子状に配列された多数のマイクロミラー４０を揺動可能な状態で配置したものであり、各マイクロミラー４０の表面には、アルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。ＳＲＡＭセル３８に描画データに従ったデジタル信号が書き込まれると、その信号の状態に応じて、図５及び図６に示すように、各マイクロミラー４０が対角線を中心とする所定方向に傾斜する。図５は、マイクロミラー４０がオン状態の方向に傾斜した場合を示し、図６は、マイクロミラー４０がオフ状態の方向に傾斜した場合を示す。従って、制御ユニット４２から供給される描画データに基づく変調信号に従ってＤＭＤ３６の各マイクロミラー４０の傾きを制御することにより、描画データに応じてレーザビームＬを選択的に基板Ｆに導き、所望の画像パターンを描画することができる。
【００１７】
オン状態のマイクロミラー４０によって反射されたレーザビームＬの射出方向には、拡大光学系である第１結像光学レンズ４４、４６、ＤＭＤ３６の各マイクロミラー４０に対応して多数のレンズを配設したマイクロレンズアレー４８、倍率調整光学系である第２結像光学レンズ５０、５２が順に配列される。第２結像光学レンズ５０、５２は、光学倍率を調整するため矢印方向に移動可能に構成される。なお、マイクロレンズアレー４８の前後には、迷光を除去するとともに、レーザビームＬを所定の径に調整するためのマイクロアパーチャアレー５４、５６が配設される。
【００１８】
各露光ヘッド２４ａ〜２４ｊに組み込まれるＤＭＤ３６は、図７及び図８に示すように、高い解像度を実現すべく、基板Ｆの移動方向に対して所定角度傾斜した状態に設定される。すなわち、図９に示すように、ＤＭＤ３６を走査方向（Ｙ方向）に対して傾斜させることにより、ＤＭＤ３６を構成するマイクロミラー４０の走査方向と直交する方向（Ｘ方向）の間隔ΔＸが狭くなり、これによって、Ｘ方向に対する解像度を高くすることができる。
【００１９】
ここで、図９に示すように、走査方向（Ｙ方向）の同一の走査線５７上、あるいは、同一の走査線５７の近傍には、複数のマイクロミラー４０（図９では、２個又は３個）が配置されている。従って、基板Ｆが走査方向に移動し、これらの複数のマイクロミラー４０によって基板Ｆの略同一位置にレーザビームＬが導かれることで、複数の描画点による多重露光が行われる。これにより、例えば、各マイクロミラー４０に対応して設けられたマイクロレンズアレー４８やマイクロミラー４０自体の欠陥、あるいは、マイクロミラー４０によって基板Ｆに導かれるレーザビームＬの光量むら等に起因する画質劣化を抑制することができる。また、露光ヘッド２４ａ〜２４ｊは、継ぎ目が生じることのないよう、露光エリア５８ａ〜５８ｊが走査方向と直交する方向に重畳するように設定される（図８参照）。
【００２０】
図１０は、露光装置１０の処理回路の要部構成ブロック図である。処理回路を構成する演算部７４は、基板Ｆに対してジャギーのない所望の画像を露光するために、図９に示すＹ方向に対するＤＭＤ３６の適切な傾斜角度θ（配列方向に係る情報）を設定する傾斜角度設定部７６と、ズーム光学系である第２結像光学レンズ５０、５２の適切な光学倍率β（倍率に係る情報）を設定する光学倍率設定部７８と、ＤＭＤ３６を複数の領域であるブロックに分割する分割数Ｍを設定する分割数設定部８０と、ＤＭＤ３６のマイクロミラー４０を制御する描画データを各ブロック毎にリセットし、次の描画データによる描画を行うための描画タイミングであるリセットタイミングｔ（ｋ）（ｋ＝１〜Ｍ）を設定するリセットタイミング設定部８２（描画タイミング設定手段）とを備える。なお、演算部７４は、露光装置１０に接続される外部演算装置に組み込んで構成してもよい。
【００２１】
また、処理回路は、傾斜角度設定部７６によって設定された傾斜角度θに従って露光ヘッド２４ａ〜２４ｊを回転させ、ＤＭＤ３６を傾斜角度θに調整する傾斜角度調整部７７と、光学倍率設定部７８によって設定された光学倍率βに従ってズーム光学系を構成する第２結像光学レンズ５０、５２を変位させて光学倍率βを調整する光学倍率調整部７９と、分割数設定部８０によって設定された分割数Ｍ及びリセットタイミング設定部８２によって設定されたリセットタイミングｔ（ｋ）に従ってＤＭＤ３６を制御する制御ユニット４２とを備える。
【００２２】
図１１は、制御ユニット４２の構成ブロック図である。制御ユニット４２は、基板Ｆに画像を露光記録するための描画データを記憶する描画データメモリ８４と、ＤＭＤ３６を構成するマイクロミラー４０の配置に従った配列からなる各描画ピッチ毎の描画データであるフレームデータを生成するフレームデータ生成部８５と、生成されたフレームデータを記憶するフレームデータメモリ８６と、分割数設定部８０により設定された分割数Ｍに従ってフレームデータをＭ分割するフレームデータ分割部８７（分割手段）と、Ｍ分割されたフレームデータであるブロックデータをそれぞれ記憶するブロックデータメモリ８８Ａ〜８８Ｍと、ブロックデータメモリ８８Ａ〜８８Ｍから読み出した各ブロックデータによりＭ分割されたＤＭＤ３６の各マイクロミラー４０を制御するとともに、リセットタイミングｔ（ｋ）で各ブロックデータをリセットするＤＭＤ制御部８９（制御手段）とを備える。
【００２３】
本実施形態の露光装置１０は、基本的には以上のように構成されるものであり、次に、露光装置１０の動作につき、図１２に示すフローチャートに従って説明する。
【００２４】
複数のマイクロミラー４０を用いてＹ方向に延在する直線を基板Ｆに記録する場合、Ｘ方向における直線の記録位置によってＸ方向の線幅にばらつきが生じる。例えば、図１３に示すように、Ｘ方向の線幅Ｗが同一である画像データＤを用いて画像パターンを記録する場合、ＤＭＤ３６のマイクロミラー４０の位置に対する画像パターンのＸ方向の記録位置が異なると、黒丸で示すように、画像パターンＧ１は、マイクロミラー４０の基板Ｆ上でのミラー像Ｐ１〜Ｐ３に従って形成されるのに対して、画像パターンＧ２は、画像パターンＧ１とは異なる個数のミラー像Ｐ２、Ｐ３に従って形成されるため、画像パターンＧ１、Ｇ２の線幅にばらつきが生じてしまう。このような線幅Ｗのばらつきを許容範囲内とするためには、ＤＭＤ３６の傾斜角度θを調整して、ミラー像Ｐ１〜Ｐ３のＸ方向に対する間隔を調整する必要がある。
【００２５】
そこで、傾斜角度設定部７６において、線幅Ｗのばらつきを許容範囲内とすることのできるＤＭＤ３６の傾斜角度θを設定する（ステップＳ１）。
【００２６】
すなわち、傾斜角度設定部７６は、ＤＭＤ３６上でのマイクロミラー４０のｘ方向の間隔ｄｘと、ｙ方向の間隔ｄｙと、マイクロミラー４０と基板Ｆ上でのミラー像との間の設計上の比率である光学倍率βとを用いて、全てのマイクロミラー４０のミラー像の中心をＸ軸上に射影して得られるＸ座標Ｘ（ｉ，ｊ，θ）をＤＭＤ３６の傾斜角度θ毎に算出する（図９参照）。なお、Ｘ座標Ｘ（ｉ，ｊ，θ）は、図９に示すｘ方向のマイクロミラー４０の位置をｉ、ｙ方向のマイクロミラー４０の位置をｊとしたときの傾斜角度θでのＸ軸上の座標を表す。
【００２７】
次いで、傾斜角度θ別にＸ座標Ｘ（ｉ，ｊ，θ）を昇順にソートし、隣り合うＸ座標Ｘ（ｉ，ｊ，θ）間の距離の最大値ΔＸ＿ｍａｘ（θ）をＤＭＤ３６の傾斜角度θ毎に算出する。図１４の破線で示すグラフは、傾斜角度θを横軸、最大値ΔＸ＿ｍａｘ（θ）を縦軸としてプロットしたものである。この場合、傾斜角度θに応じて最大値ΔＸ＿ｍａｘ（θ）が極大、極小を繰り返し、且つ、特定域で極大値が増大するパターンが出現する。
【００２８】
次に、算出された最大値ΔＸ＿ｍａｘ（θ）を、基板Ｆに記録される画像のＸ方向に対する線幅ばらつき範囲の許容上限値である閾値ＴＨ＿ＬＷＶと比較し、閾値ＴＨ＿ＬＷＶ以下となる許容できる傾斜角度θの第１安全域Ｒ１（θ）を算出する。なお、第１安全域Ｒ１（θ）は、最大値ΔＸ＿ｍａｘ（θ）の変化が小さく、傾斜角度θが連続する所定の範囲でΔＸ＿ｍａｘ（θ）≦ＴＨ＿ＬＷＶの条件を満たす範囲とする。
【００２９】
第１安全域Ｒ１（θ）を設定した後、第１安全域Ｒ１（θ）の範囲でシミュレーションを行い、線幅ばらつき範囲ＬＷＶ（θ）を算出する。例えば、各マイクロミラー４０から基板Ｆに導かれるレーザビームＬのパワー分布をガウス分布で仮定し、図１５に示すように、Ｙ方向に平行でＸ方向の異なる位置に一定幅からなる複数の直線９２を記録する描画データと、Ｘ方向に平行な１本の直線９４を記録する描画データとを設定する。次いで、直線９４が所定の線幅となるようにパワー累積値に対する閾値を設定し、描画データに基づいて各直線９２を記録するときのレーザビームＬのパワー累積分布を傾斜角度θ毎に計算し、パワー累積分布を前記閾値と比較することで各直線９２の線幅ＬＷ（Ｘ）を求める。そして、その線幅ＬＷ（Ｘ）の最大値と最小値との差データから線幅ばらつき範囲ＬＷＶ（θ）を算出する。
【００３０】
図１４の実線で示すグラフは、傾斜角度θを横軸、線幅ばらつき範囲ＬＷＶ（θ）を縦軸としてプロットしたシミュレーション結果を示す。線幅ばらつき範囲ＬＷＶ（θ）は、レーザビームＬのパワー分布をガウス分布として設定しているため、最大値ΔＸ＿ｍａｘ（θ）の特性よりも大きい値となる。この場合、最大値ΔＸ＿ｍａｘ（θ）が閾値ＴＨ＿ＬＷＶ以下となる第１安全域Ｒ１（θ）の範囲で線幅ばらつき範囲ＬＷＶ（θ）を算出するため、シミュレーションに要する時間を短縮することができる。
【００３１】
そして、線幅ばらつき範囲ＬＷＶ（θ）と閾値ＴＨ＿ＬＷＶとを比較し、閾値ＴＨ＿ＬＷＶ以下となる許容できる傾斜角度θの第２安全域Ｒ２（θ）を算出する。なお、第２安全域Ｒ２（θ）は、第１安全域Ｒ１（θ）の場合と同様、線幅ばらつき範囲ＬＷＶ（θ）の変化が小さく、傾斜角度θが連続する所定の範囲でＬＷＶ（θ）≦ＴＨ＿ＬＷＶの条件を満たす範囲とする。
【００３２】
ここで、ＤＭＤ３６のｙ方向に配列される複数のマイクロミラー４０の列である各スワスＳｉの傾斜角度θｉ（図９参照）は、ＤＭＤ３６の製造上の誤差や露光ヘッド２４ａ〜２４ｊを構成する光学系の影響により、スワスＳｉ毎に異なる場合がある。
【００３３】
そこで、露光ステージ１８に配設されたスリット板７３を露光ヘッド２４ａ〜２４ｊの下部まで移動させた後、ＤＭＤ３６を構成する各マイクロミラー４０を介してスリット板７３にレーザビームＬを導き、スリット板７３に形成された各スリット片７５ａ、７５ｂを通過したレーザビームＬをフォトセンサ６９によって検出する。そして、フォトセンサ６９のＸ方向の位置情報と、エンコーダ８１から得られる露光ステージ１８のＹ方向の位置情報とに基づき、スワスＳｉを構成する複数のマイクロミラー４０の位置を算出し、その位置から各スワスＳｉの傾斜角度θｉを算出し、この傾斜角度θｉの最大値と最小値との差を、ＤＭＤ３６を構成するスワスＳｉの傾斜角度θｉの振れ幅Δθとして算出する。
【００３４】
次いで、傾斜角度設定部７６は、算出した第２安全域Ｒ２（θ）から、振れ幅Δθの範囲を許容し、且つ、所望の多重度Ｎで描画点を多重露光することのできる傾斜角度θを選択する。図９は、走査線５７上又はその近傍に２個又は３個のマイクロミラー４０が配設される多重度Ｎ＝２又は３の状態を示している。
【００３５】
ところで、例えば、多重度Ｎ（≠１）で複数のマイクロミラー４０が同一の走査線５７上に配列され、隣接する走査線５７間にマイクロミラー４０が配置されない状態になると、走査線５７間の間隙の影響で線幅ばらつき範囲ＬＷＶ（θ）が大きくなってしまう。
【００３６】
そこで、傾斜角度設定部７６は、線幅ばらつき範囲ＬＷＶ（θ）をさらに小さくするため、多重露光による各描画点が走査線５７間に均等に配置されるように傾斜角度θを設定する。
【００３７】
図１６は、基板ＦがＤＭＤ３６に対し静止している状態において、複数のマイクロミラー４０を基板Ｆ上に射影して得られる複数のミラー像の配置関係を示す。また、図１７は、基板Ｆに対してＤＭＤ３６をＹ方向に相対的に描画ピッチΔＹで移動させたときの各ミラー像によって基板Ｆに記録される描画点の配置関係を示す。グループＪ０は、多重度Ｎのミラー像Ｐ（ｉ，０）、Ｐ（ｉ−１，Ｋ）、Ｐ（ｉ−２，２・Ｋ）、…、Ｐ（ｉ−Ｎ＋１，（Ｎ−１）・Ｋ）によって記録されるＮ個の描画点である。また、グループＪ１は、ミラー像Ｐ（ｉ，１）、Ｐ（ｉ−１，Ｋ＋１）、Ｐ（ｉ−２，２・Ｋ＋１）、…、Ｐ（ｉ−Ｎ＋１，（Ｎ−１）・Ｋ＋１）によって記録されるＮ個の描画点である。なお、Ｋは、同一のグループを構成し、且つ、ｙ方向（図９）に隔たるマイクロミラー４０の数であり、図９の場合、Ｋ＝４又は５である。また、説明の便宜上、ミラー像Ｐ（ｉ，ｊ）によって記録される描画点をＰ（ｉ，ｊ）として示している。
【００３８】
この場合、ミラー像Ｐ（ｉ，０）を通りＹ方向に平行な直線Ｌ０と、ミラー像Ｐ（ｉ，１）を通り直線Ｌ０に平行な直線Ｌ１との間に配列されるＮ個のミラー像Ｐ（ｉ，０）、Ｐ（ｉ−１，Ｋ）、Ｐ（ｉ−２，２・Ｋ）、…、Ｐ（ｉ−Ｎ＋１，（Ｎ−１）・Ｋ）のＸ座標の位置を、直線Ｌ０、Ｌ１間に均等に配置すれば、描画点が走査線５７間に均等に形成されるため、線幅ばらつき範囲ＬＷＶ（θ）を小さくすることができる。すなわち、直線Ｌ０、Ｌ１間をｑ／Ｎ分割（ｑ：１を含み、Ｎと共通の公約数を持たないＮ未満の整数）した位置に各ミラー像Ｐ（ｉ，ｊ）が配置されるように傾斜角度θを設定すれば、線幅ばらつき範囲ＬＷＶ（θ）を小さくすることができる。
【００３９】
以上のようにして傾斜角度θを設定することにより、ＤＭＤ３６の全範囲における線幅ばらつき範囲ＬＷＶ（θ）を許容範囲内として、Ｙ方向に延在する画像パターンのＸ方向に対する線幅のばらつきを許容範囲内とすることができる。そこで、傾斜角度調整部７７は、傾斜角度設定部７６により設定された傾斜角度θとなるように、露光ヘッド２４ａ〜２４ｊを回転させて調整を行う（ステップＳ２）。
【００４０】
一方、複数のマイクロミラー４０を用いて多重露光を行う場合、例えば、図１７に示すように、各グループＪ０、Ｊ１を構成する描画点がＸ方向に一列に配列されると、この描画点の配列方向に沿った直線、あるいは、配列方向に対して僅かに傾斜した直線を描画するとき、描画点の配列方向と直交する方向に分断された直線パターン９６ａ、９６ｂが形成されるおそれがある。また、グループＪ０、Ｊ１がＸ方向に一列に配列される場合には、グループＪ０、Ｊ１内の描画点が一列に配列されているときよりも長い周期で分断された直線が形成されるおそれがある。このように、描画点がＸ方向に配列されると、記録しようとする画像パターンがＹ方向に分断されたジャギーが発生してしまう。
【００４１】
そこで、光学倍率設定部７８において、グループＪ０、Ｊ１内の描画点がＸ方向に配列されることのない光学倍率βを設定する（ステップＳ３）。
【００４２】
光学倍率βの設定に際して、先ず、グループＪ０の描画点とグループＪ１の描画点とがＸ方向に配列されるときの条件を求める。これは、同一のスワスＳｉ上で隣り合うマイクロミラー４０によって基板Ｆに記録される描画点がＸ方向に配列されるときの条件であり、図１７では、ミラー像Ｐ（ｉ，０）による描画点とミラー像Ｐ（ｉ，１）による描画点とがＸ方向に配列される場合に相当する。
【００４３】
ミラー像Ｐ（ｉ，０）、Ｐ（ｉ，１）間の基板Ｆ上でのスワス列方向（ミラー像Ｐ（ｉ，０）、Ｐ（ｉ，１）を結ぶ直線の方向）の距離をｗｙ、光学倍率をβｔ１、マイクロミラー４０のスワス列方向の距離をｄｙとすると、ミラー像Ｐ（ｉ，０）、Ｐ（ｉ，１）間のＹ方向の距離ＴＹ０（図１６参照）は、
ＴＹ０＝ｗｙ・ｃｏｓθ＝βｔ１・ｄｙ・ｃｏｓθ                （１）
である。また、露光装置１０による各描画点のＹ方向の描画ピッチをΔＹ、Ｈを整数とすると、ミラー像Ｐ（ｉ，０）、Ｐ（ｉ，１）による描画点がＸ方向に配列される条件は、
ＴＹ０＝Ｈ・ΔＹ                                              （２）
である。従って、（１）、（２）式から、光学倍率βｔ１が、
βｔ１＝ΔＹ・Ｈ／（ｄｙ・ｃｏｓθ）                          （３）
であるとき、ミラー像Ｐ（ｉ，０）、Ｐ（ｉ，１）による描画点がＸ方向に配列される。
【００４４】
そこで、傾斜角度設定部７６で設定された傾斜角度θを（３）式に代入して光学倍率βｔ１を算出し、この光学倍率βｔ１の前後の所定範囲の光学倍率α１を除いた許容できる光学倍率βの第１安全域Ｑ１（β）を算出する。
【００４５】
図１８は、長周期の光学倍率βと、Ｘ方向に延在する直線のＹ方向に対するずれ量ＬＥＲ（β）との関係をプロットした後述するシミュレーション結果である（βｔ１＿Ｃ１、βｔ１＿Ｃ２、βｔ１＿Ｃ３は、異なる光学倍率βｔ１を表す。）。この場合、第１安全域Ｑ１（β）は、ずれ量ＬＥＲ（β）が許容上限値である閾値ＴＨ＿ＬＥＲ以下となる範囲に設定される。
【００４６】
次に、グループＪ０、Ｊ１を構成する隣接する描画点、例えば、ミラー像Ｐ（ｉ，０）による描画点とミラー像Ｐ（ｉ−１，Ｋ）による描画点とがＸ方向に配列されるときの条件を求める。
【００４７】
図１６に示すように、ミラー像Ｐ（ｉ，０）及びミラー像Ｐ（ｉ−１，Ｋ）を結ぶ直線は、Ｘ方向の線幅ばらつき範囲ＬＷＶ（θ）を小さくするため、Ｙ方向に所定量傾斜して設定されている。この直線の傾き量ｔＫを、
ｔＫ＝（ｗｘ／ｗｙ）・（１／ｔａｎθ）                        （４）
と定義する。なお、ｗｘは、ミラー像Ｐ（ｉ，０）、Ｐ（ｉ−１，０）間の基板Ｆ上でのスワス行方向（ミラー像Ｐ（ｉ，０）、Ｐ（ｉ−１，０）を結ぶ直線の方向）の距離である。Ｋ０＝ＩＮＴ（ｔＫ）（ＩＮＴ：ｔＫの整数部分）として、傾斜角度θを複数の角度分類に分ける。この場合、例えば、多重度Ｎ＝８とすると、角度分類は、次の３ケースとすることができる。
【００４８】
＜ケース１＞
（Ｋ０＋２／３）≦ｔＫ＜（Ｋ０＋１）ならば、Ｋ＝Ｋ０＋１、ｓｔｐ＝１
＜ケース２＞
（Ｋ０＋１／３）≦ｔＫ＜（Ｋ０＋２／３）ならば、Ｋ＝ｓｔｐ・Ｋ０＋１、
ｓｔｐ＝２
＜ケース３＞
Ｋ０≦ｔＫ＜（Ｋ０＋１／３）ならば、Ｋ＝Ｋ０、ｓｔｐ＝１
なお、角度分類は、上記の３ケースに限られるものではなく、多重度Ｎ及びシミュレーションの結果に応じて最適な角度分類とする。また、角度分類は、Ｘ方向に連続的に配列される描画点の数が増える（多重度が大となる程増える）と、その分、ずれ量ＬＥＲ（β）が大きくなってしまうため、描画点の数に応じて適宜設定することが望ましい。
【００４９】
ミラー像Ｐ（ｉ，０）、Ｐ（ｉ−１，Ｋ）の基板Ｆ上におけるＹ方向の距離ＴＹ（図１６参照）は、光学倍率をβｔ２として、
ＴＹ＝βｔ２・（Ｋ・ｄｙ・ｃｏｓθ＋ｄｘ・ｓｔｐ・ｓｉｎθ）  （６）
である。また、ｍを整数として、ミラー像Ｐ（ｉ，０）、Ｐ（ｉ−１，Ｋ）による描画点がＸ方向に配列される条件は、
ＴＹ＝ΔＹ・ｍ                                                （７）
である。従って、（６）、（７）式から、光学倍率βｔ２が、
βｔ２＝ΔＹ・ｍ／（Ｋ・ｄｙ・ｃｏｓθ＋ｄｘ・ｓｔｐ・ｓｉｎθ）
（８）
であるとき、ミラー像Ｐ（ｉ，０）、Ｐ（ｉ−１，Ｋ）による描画点がＸ方向に配列される。ここで、傾斜角度θは、時計回り方向を正としている（図１６では、θ＞０）。
【００５０】
そこで、傾斜角度設定部７６で設定された傾斜角度θから該当する角度分類のケースを選択して、Ｋ及びｓｔｐの値を決定した後、（８）式に傾斜角度θを代入して光学倍率βｔ２を算出する。そして、この光学倍率βｔ２の前後の所定範囲の光学倍率±α２を除いた許容できる光学倍率βの第２安全域Ｑ２（β）を算出する。
【００５１】
図１９は、第２安全域Ｑ２（β）における短周期の光学倍率βと、Ｙ方向の直線のずれ量ＬＥＲ（β）との関係をプロットした後述するシミュレーション結果である（βｔ２＿Ｃ１、βｔ２＿Ｃ２、βｔ２＿Ｃ３は、異なる光学倍率βｔ２を表す。）。この場合、第２安全域Ｑ２（β）は、ずれ量ＬＥＲ（β）が許容上限値である閾値ＴＨ＿ＬＥＲ以下となる範囲に設定される。
【００５２】
次いで、第２安全域Ｑ２（β）内で光学倍率βを設定する。この場合、光学倍率βは、露光装置１０の設置精度や露光装置１０間のばらつきを考慮し、第２安全域Ｑ２（β）内の中間値となるように設定することが望ましい。また、図１７に示す各グループＪ０、Ｊ１内において、Ｙ方向に描画点の位置がばらけるよう、例えば、
ＴＹ＝ΔＹ・ｍ＋ｑ・ΔＹ／Ｎ′                                （９）
の関係を満足する光学倍率βを設定することが望ましい。なお、（９）式において、ｑは、１を含み、ｍｏｄ（Ｎ′，ｑ）≠０でないＮ′未満の整数、Ｎ′は、Ｘ方向に配列されるグループＪ０、Ｊ１内の描画点の数であり、前述した＜ケース１＞又は＜ケース３＞では、Ｎ′＝Ｎ（多重度）、＜ケース２＞では、Ｎ′＝Ｎ／２である。
【００５３】
ここで、光学倍率βは、傾斜角度設定部７６で設定された傾斜角度θに従い、シミュレーションにより求めることもできる。
【００５４】
例えば、レーザビームＬのパワー分布をガウス分布で仮定し、Ｘ方向に平行な直線を形成する画像データに基づいて基板Ｆ上にこの直線を描画するときのレーザビームＬのパワー累積分布を光学倍率β毎に計算し、パワー累積分布を所定の閾値と比較して直線のＹ方向の記録位置を求め、その記録位置のずれ量ＬＥＲ（β）を算出する。図１８及び図１９は、このシミュレーションによる結果を示す。この処理は、傾斜角度設定部７６で設定された傾斜角度θ毎に行う。そして、ずれ量ＬＥＲ（β）が所定の閾値ＴＨ＿ＬＥＲ以下となる光学倍率βを決定する。
【００５５】
なお、光学倍率βは、露光装置１０の精度やばらつきを考慮し、第２安全域Ｑ２（β）内の中間値として設定することが望ましい。また、光学倍率βは、第２安全域Ｑ２（β）内でのずれ量ＬＥＲ（β）の変化が最も小さくなる値として設定してもよい。
【００５６】
以上のようにして光学倍率βを設定することにより、ずれ量ＬＥＲ（β）を許容範囲内として、Ｘ方向に延在する画像パターンのＹ方向に対するずれであるジャギーを許容範囲内とすることができる。そこで、光学倍率調整部７９は、光学倍率設定部７８により設定された光学倍率βとなるように、第２結像光学レンズ５０、５２を変位させて調整を行う（ステップＳ４）。
【００５７】
ところで、以上のようにして光学倍率βの調整を行った場合、Ｘ方向に延在する直線パターン９６ａ、９６ｂ（図１７）に対しては、Ｙ方向に対するジャギーの出現を好適に回避することができる。しかしながら、例えば、図２０に示すように、Ｘ方向に対して傾斜した直線パターン９８を描画する場合、この直線パターン９８と、グループＪ０を構成するミラー像Ｐ（ｉ，０）〜Ｐ（ｉ−Ｎ＋１，（Ｎ−１）・Ｋ）による描画点の配列方向とが近接していると、直線パターン９８にジャギーが発生してしまう。
【００５８】
このようなジャギーの発生を回避するため、本実施形態では、ＤＭＤ３６を複数の領域に分割し、各領域に属するマイクロミラー４０による描画タイミングを領域毎に異ならせることにより、図２０の黒丸で示すように、ミラー像Ｐ（ｉ，０）〜Ｐ（ｉ−Ｎ＋１，（Ｎ−１）・Ｋ）による描画点を直線パターン９８からずれた位置に形成する。
【００５９】
そこで、先ず、分割数設定部８０において、ＤＭＤ３６の分割数Ｍを設定する（ステップＳ５）。
【００６０】
分割数設定部８０は、グループＪ０を構成する直線パターンＬｐｔｎ（図１６）上のミラー像Ｐ（ｉ，０）〜Ｐ（ｉ−Ｎ＋１，（Ｎ−１）・Ｋ）を形成する各マイクロミラー４０ができるだけ異なるブロックＢＬｋ（ｋ＝１〜Ｍ）に分散されるように分割数Ｍを設定する。この場合、分割数Ｍは、多重度Ｎに等しく、あるいは、多重度Ｎになるべく近い値に設定することが望ましい。また、各ブロックＢＬｋ（ｋ＝１〜Ｍ）は、ＤＭＤ３６を図９の矢印ｙ方向に等分割することが望ましい。図２１は、多重度Ｎ＝４、分割数Ｍ＝４として、ＤＭＤ３６を矢印ｙ方向に４つのブロックＢＬ１〜ＢＬ４に４分割した場合を例示する。
【００６１】
次に、リセットタイミング設定部８２は、各ブロックＢＬｋ（ｋ＝１〜Ｍ）のマイクロミラー４０を制御する描画データをリセットする時刻であるリセットタイミングｔ（ｋ）（ｋ＝２〜Ｍ）を設定する（ステップＳ６）。
【００６２】
図２２は、ＤＭＤ３６を構成する全マイクロミラー４０を制御する一組のフレームデータＦＲＤ（ｓ）と、フレームデータＦＲＤ（ｓ）をＤＭＤ３６の４つのブロックＢＬ１〜ＢＬ４に分割したブロックデータＢＬＤ１（ｓ）〜ＢＬＤ４（ｓ）と、各ブロックデータＢＬＤ１（ｓ−１）〜ＢＬＤ４（ｓ−１）のリセットタイミングｔ（１）〜ｔ（４）との関係を示す。なお、ＴＳは、分割前の一組のフレームデータＦＲＤによる描画時間であり、ｓは、描画するフレームを表すものとする。
【００６３】
分割数Ｍ＝多重度Ｎとし、ブロックデータＢＬＤｋ（ｓ−１）（ｋ＝２〜Ｍ）のリセットタイミングｔ（ｋ）を単純に等間隔でずらす場合、
Δｔ＝ＴＳ／Ｍ                                              （１０）
として、リセットタイミングｔ（ｋ）（ｋ＝２〜Ｍ）を、
ｔ（ｋ）＝ｔ（ｋ−１）＋Δｔ                                （１１）
と設定する。なお、リセットタイミングｔ（１）は、ブロックデータＢＬＤ１（ｓ−１）のリセットタイミングとする。
【００６４】
また、リセットタイミングｔ（ｋ）をブロックデータＢＬＤｋ（ｓ−１）毎にばらつかせる場合、図２３に示すように、乱数発生器９０（乱数発生手段）により発生させた乱数ｒａｎｄ（ｋ）を用いて、
Δｔ（ｋ）＝ａ・ｒａｎｄ（ｋ）                              （１２）
とし、リセットタイミングｔ（ｋ）を、
ｔ（ｋ）＝ｔ（ｋ−１）＋Δｔ（ｋ）                          （１３）
と設定する。ａは、Δｔ（２）＋…＋Δｔ（Ｍ）が一組のフレームデータＦＲＤを描画する描画時間以下となるように調整する係数である。なお、乱数ｒａｎｄ（ｋ）を用いてリセットタイミングｔ（ｋ）を設定する代わりに、Δｔ（ｋ）が最も分散するようにリセットタイミングｔ（ｋ）を設定するようにしてもよい。この場合、光学倍率βが変動する場合であっても、ミラー像Ｐ（ｉ，０）〜Ｐ（ｉ−Ｎ＋１，（Ｎ−１）・Ｋ）が一列に配列される不具合を回避することができる。
【００６５】
さらに、基板Ｆ上のミラー像Ｐ（ｉ，０）〜Ｐ（ｉ−Ｎ＋１，（Ｎ−１）・Ｋ）を求め、その位置に基づいてリセットタイミングｔ（ｋ）を設定してもよい。
【００６６】
すなわち、ミラー像Ｐ（ｉ，０）を基準として、ミラー像Ｐ（ｉ−１，Ｋ）〜Ｐ（ｉ−Ｎ＋１，（Ｎ−１）・Ｋ）の分割前の基板Ｆ上におけるＹ方向の距離ＴＹ（ｋ）（ｋ＝２〜Ｍ）は、図１６の関係から、
ＴＹ（ｋ）＝ｗｘ・（ｋ−１）・ｓｉｎθ
＋ｗｙ・（ｋ−１）・Ｋ・ｃｏｓθ                （１４）
となる。なお、ｗｘ＝β・ｄｘ、ｗｙ＝β・ｄｙである。ミラー像Ｐ（ｉ，０）を基準として、ミラー像Ｐ（ｉ，０）〜Ｐ（ｉ−Ｎ＋１，（Ｎ−１）・Ｋ）が一列に配列されない目標とするミラー像Ｐ（ｉ−１，０）〜Ｐ（ｉ−Ｎ＋１，（Ｎ−１）・Ｋ）までのＹ方向の距離をＴａｒｇｅｔ＿ＴＹ（ｋ）とすると、各ミラー像Ｐ（ｉ−１，Ｋ）〜Ｐ（ｉ−Ｎ＋１，（Ｎ−１）・Ｋ）のＹ方向に対する移動すべき距離Δｔｙ（ｋ）は、
Δｔｙ（ｋ）＝Ｔａｒｇｅｔ＿ＴＹ（ｋ）−ＴＹ（ｋ）          （１５）
である。従って、隣接するブロックＢＬｋ間でのリセットタイミングの時間差Δｔ（ｋ）を、
Δｔ（ｋ）＝Δｔｙ（ｋ）・（ＴＳ／ΔＹ）                    （１６）
とし、リセットタイミングｔ（ｋ）を（１３）式に従って設定する。なお、ΔＹは、ＤＭＤ３６によるＹの方向の描画ピッチを表す。
【００６７】
以上のようにして設定されたＤＭＤ３６の分割数Ｍ及びリセットタイミングｔ（ｋ）（ｋ＝２〜Ｍ）は、制御ユニット４２に供給される。
【００６８】
なお、リセットタイミングｔ（ｋ）は、図２４に示すように、基板Ｆに記録する画像パターンに対応したリセットパターンテーブル（描画タイミングデータテーブル）としてリセットパターンテーブル記憶部９６（テーブル記憶手段）に記憶しておき、描画データに含まれる直線パターンの傾斜角度等に応じて、ジャギーの発生が最も少ないリセットタイミングｔ（ｋ）の組み合わせを選択して制御ユニット４２に供給して描画を行うようにしてもよい。また、リセットタイミングｔ（ｋ）は、露光ヘッド２４ａ〜２４ｊ毎に設定するようにしてもよい。
【００６９】
次に、露光装置１０による露光処理について説明する。
【００７０】
先ず、露光ステージ１８に基板Ｆを吸着保持させた後、制御ユニット４２は、露光ステージ１８を駆動し、露光ステージ１８を定盤１４のガイドレール１６に沿って一方の方向に移動させる。露光ステージ１８がコラム２０間を通過する際、ＣＣＤカメラ２２ａ、２２ｂが基板の所定位置に形成されているアラインメントマークを読み取る。制御ユニット４２は、読み取ったアラインメントマークの位置データに基づき、基板Ｆの位置補正データを算出する。
【００７１】
位置補正データが算出された後、制御ユニット４２は、露光ステージ１８を他方の方向に移動させ、スキャナ２６により基板Ｆに対する画像の露光記録を開始する。
【００７２】
すなわち、制御ユニット４２は、描画データメモリ８４から描画データを読み出し、フレームデータ生成部８５において、位置補正データに基づいて描画データを補正し、ＤＭＤ３６を構成する全マイクロミラー４０に供給される描画ピッチΔＹ毎のフレームデータを生成する。生成されたフレームデータは、一旦フレームデータメモリ８６に記憶された後、フレームデータ分割部８７において、分割数設定部８０で設定された分割数ＭによりブロックＢＬｋ（ｋ＝１〜Ｍ）毎の描画データであるブロックデータＢＬＤ１〜ＢＬＤＭに分割され、ブロックデータメモリ８８Ａ〜８８Ｍに記憶される（ステップＳ７）。ＤＭＤ制御部８９は、マイクロミラー４０を制御するブロックデータＢＬＤ１〜ＢＬＤＭを、リセットタイミング設定部８２で設定したリセットタイミングｔ（ｋ）（ｋ＝２〜Ｍ）でリセットした後、次のフレームに係る新たなブロックデータＢＬＤ１〜ＢＬＤＭをブロックデータメモリ８８Ａ〜８８Ｍより読み出してマイクロミラー４０を制御する処理を繰り返す。
【００７３】
この場合、光源ユニット２８から出力されたレーザビームＬは、光ファイバ３０を介して各露光ヘッド２４ａ〜２４ｊに導入される。導入されたレーザビームＬは、ロッドレンズ３２から反射ミラー３４を介してＤＭＤ３６に入射する。
【００７４】
ＤＭＤ３６を構成する各マイクロミラー４０は、描画データに従いオンオフ制御される。図４及び図５に示すように、ＤＭＤ３６を構成する各マイクロミラー４０により所望の方向に選択的に反射されたレーザビームＬは、第１結像光学レンズ４４、４６によって拡大された後、マイクロアパーチャアレー５４、マイクロレンズアレー４８及びマイクロアパーチャアレー５６を介して所定の径に調整され、次いで、第２結像光学レンズ５０、５２により所定の光学倍率βに調整されて基板Ｆに導かれる。露光ステージ１８は、定盤１４に沿って移動し、基板Ｆには、露光ステージ１８の移動方向と直交する方向に配列される複数の露光ヘッド２４ａ〜２４ｊにより所望の二次元画像が描画される（ステップＳ８）。
【００７５】
ここで、図２５及び図２６は、ＤＭＤ３６を４つのブロックＢＬ１〜ＢＬ４に分割し、各ブロックＢＬ１〜ＢＬ４が（１５）式で決まる距離Δｔｙ（２）〜Δｔｙ（４）だけずれた状態でフレームｓの画像（図２２参照）が描画されるように、リセットタイミングｔ（２）〜ｔ（４）を設定した場合の説明図である。
【００７６】
図２５は、ＤＭＤ３６の各ブロックＢＬ１〜ＢＬ４を構成するマイクロミラー４０により、フレーム（ｓ−１）の画像が基板Ｆに描画された後、各ブロックＢＬ１〜ＢＬ４の点Ａ１〜Ａ４を始点として、距離Δｔｙ（２）〜Δｔｙ（４）に対応するリセットタイミングｔ（２）〜ｔ（４）だけ遅延した状態で矢印方向に描画データがリセットされ、次いで、フレームｓのブロックデータＢＬＤ１（ｓ）〜ＢＬＤ４（ｓ）により各ブロックＢＬ１〜ＢＬ４のマイクロミラー４０が制御されて描画が行われる状態を示す。
【００７７】
この場合、図２２に示すように、フレーム（ｓ−１）のブロックデータＢＬＤ１（ｓ−１）がリセットタイミングｔ（１）でリセットされてから、フレームｓのブロックデータＢＬＤ１（ｓ）の画像の描画が点Ａ１から開始される一方、フレーム（ｓ−１）のブロックデータＢＬＤ２（ｓ−１）がリセットタイミングｔ（１）よりもΔｔ（２）（（１６）式参照）だけ遅延したリセットタイミングｔ（２）でリセットされ、フレームｓのブロックデータＢＬＤ２（ｓ）の画像の描画が点Ａ２から開始される。従って、図２１に示すように、ＤＭＤ３６を分割しないで描画を行った場合に直線パターンＬｐｔｎ上に配列されるミラー像Ｐ（ｉ，０）〜Ｐ（ｉ−Ｎ＋１，（Ｎ−１）・Ｋ）は、図２５に示すように、直線パターンＬｐｔｎからずれた位置に記録される。この結果、ミラー像Ｐ（ｉ，０）〜Ｐ（ｉ−Ｎ＋１，（Ｎ−１）・Ｋ）は、図２０の黒丸で示すように、直線パターン９８に沿って配列されることがなく、ジャギーの発生を回避することができる。
【００７８】
また、図２６は、ＤＭＤ３６の各ブロックＢＬ１〜ＢＬ４を構成するマイクロミラー４０により、フレーム（ｓ−１）の画像が基板Ｆに描画された後、各ブロックＢＬ１〜ＢＬ４の点Ｂ１〜Ｂ４を始点として、距離Δｔｙ（２）〜Δｔｙ（４）に対応するリセットタイミングｔ（２）〜ｔ（４）だけ遅延した状態で矢印方向に描画データがリセットされ、次いで、フレームｓのブロックデータＢＬＤ１（ｓ）〜ＢＬＤ４（ｓ）により各ブロックＢＬ１〜ＢＬ４のマイクロミラー４０が制御されて描画が行われる状態を示す。
【００７９】
この場合、フレーム（ｓ−１）のブロックデータＢＬＤ１（ｓ−１）がリセットタイミングｔ（１）でリセットされてから、フレームｓのブロックデータＢＬＤ１（ｓ）の画像の描画が点Ｂ１から開始される一方、フレーム（ｓ−１）のブロックデータＢＬＤ２（ｓ−１）がリセットタイミングｔ（１）よりもΔｔ（２）だけ遅延したリセットタイミングｔ（２）でリセットされ、フレームｓのブロックデータＢＬＤ２（ｓ）の画像の描画が点Ｂ２から開始される。従って、ミラー像Ｐ（ｉ，０）〜Ｐ（ｉ−Ｎ＋１，（Ｎ−１）・Ｋ）は、図２５に示す場合とは逆方向にずれた位置に記録される。この結果、ミラー像Ｐ（ｉ，０）〜Ｐ（ｉ−Ｎ＋１，（Ｎ−１）・Ｋ）は、図２０の黒丸で示すように、直線パターン９８に沿って配列されることがなく、ジャギーの発生を回避することができる。
【００８０】
なお、反射型空間光変調素子であるＤＭＤ３６に代えて、ＬＣＤ等の透過型空間光変調素子を使用することもできる。また、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）タイプの空間光変調素子、あるいは、電気光学効果により透過光を変調する光学素子（ＰＬＺＴ素子）や液晶光シャッタ（ＦＬＣ）等の液晶シャッターアレイ等、ＭＥＭＳタイプ以外の空間光変調素子を用いることも可能である。なお、ＭＥＭＳとは、ＩＣ製造プロセスを基盤としたマイクロマシニング技術によるマイクロサイズのセンサ、アクチュエータ、制御回路を集積化した微細システムの総称であり、ＭＥＭＳタイプの空間光変調素子とは、静電気力、電磁力等を利用した電気機械動作により駆動される空間光変調素子を意味している。さらに、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ：Ｇｒａｔｉｎｇ  Ｌｉｇｈｔ  Ｖａｌｖｅ）を複数ならべて二次元状に構成したものを用いることもできる。光源としては、上記したレーザの他にランプ等も使用可能である。
【００８１】
また、上述した実施形態では、半導体レーザを光源として説明したが、固体レーザ、紫外ＬＤ、赤外ＬＤ等を用いることもできる。さらに、空間光変調素子の代わりとして、複数の発光点が二次元状に配列された光源（例えば、ＬＤアレイ、ＬＥＤアレイ等）を使用することもできる。
【００８２】
上述した実施形態では、フラットベッドタイプの露光装置１０を例に挙げたが、感光材料がドラムの外周面に巻きつけられるアウタードラムタイプの露光装置、感光材料がシリンダの内周面に装着されるインナードラムタイプの露光装置であってもよい。
【００８３】
また、上述した露光装置１０は、例えば、プリント配線基板（ＰＷＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｗｉｒｉｎｇ  Ｂｏａｒｄ）の製造工程におけるドライ・フィルム・レジスト（ＤＦＲ：Ｄｒｙ  Ｆｉｌｍ  Ｒｅｓｉｓｔ）や液状レジストの露光、液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造工程におけるカラーフィルタの形成、ＴＦＴの製造工程におけるＤＦＲの露光、プラズマ・ディスプレイ・パネル（ＰＤＰ）の製造工程におけるＤＦＲの露光等の用途に好適に用いることができる。なお、感光材料が基板上に塗布されたものを本発明の対象としてもよい。
【００８４】
また、上述した露光装置１０には、露光による光で直接情報が記録されるフォトンモード感光材料、露光により発生した熱で情報が記録されるヒートモード感光材料のいずれも使用することができる。フォトンモード感光材料を使用する場合、レーザ光源としてＧａＮ系半導体レーザ、波長変換固体レーザ等が使用され、ヒートモード感光材料を使用する場合、レーザ光源として赤外半導体レーザ、固体レーザが使用される。
【００８５】
また、本発明では、露光装置に限らず、例えば、インクジェット記録ヘッドに同様の構成を採用することが可能である。すなわち、一般にインクジェット記録ヘッドでは、記録媒体（例えば、記録用紙やＯＨＰシート等）に対向するノズル面に、インク滴を吐出するノズルが形成されているが、インクジェット記録ヘッドのなかには、このノズルを格子状に複数配置し、ヘッド自体を走査方向に対して傾斜させて、高解像度で画像を記録可能なものがある。このような二次元配列が採用されたインクジェット記録ヘッドにおいて、各インクジェット記録ヘッドを構成する複数のノズルのパラメータを調整することで、画像上でのジャギーの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本実施形態の露光装置の外観斜視図である。
【図２】本実施形態の露光装置における露光ステージの平面図である。
【図３】本実施形態の露光装置における露光ヘッドの概略構成図である。
【図４】本実施形態の露光装置における露光ヘッドに使用されるデジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）の構成を示す部分拡大図である。
【図５】図４に示すＤＭＤを構成するマイクロミラーがオン状態に設定されている場合の説明図である。
【図６】図４に示すＤＭＤを構成するマイクロミラーがオフ状態に設定されている場合の説明図である。
【図７】本実施形態の露光装置における露光ヘッドと、露光ステージに位置決めされた基板との関係説明図である。
【図８】本実施形態の露光装置における露光ヘッドと、基板上の露光エリアとの関係説明図である。
【図９】図４に示すＤＭＤを構成するマイクロミラーの配置状態の説明図である。
【図１０】本実施形態の露光装置の制御回路のブロック図である。
【図１１】図１０に示す制御ユニットの構成ブロック図である。
【図１２】本実施形態の露光装置における処理フローチャートである。
【図１３】本実施形態の露光装置において、走査方向に延在する直線を記録したときに生じる線幅ばらつきの説明図である。
【図１４】本実施形態の露光装置におけるＤＭＤの傾斜角度と線幅ばらつきとの関係を示す特性概念図である。
【図１５】シミュレーションにより線幅ばらつきを求めるための画像データの説明図である。
【図１６】本実施形態の露光装置におけるＤＭＤの基板上でのミラー像の配置説明図である。
【図１７】本実施形態の露光装置におけるＤＭＤによって基板上に記録される描画点の配置説明図である。
【図１８】本実施形態の露光装置におけるＤＭＤミラー像の基板に対する光学倍率と、隣接するミラー像によって記録される描画点位置のずれ量との関係説明図である。
【図１９】本実施形態の露光装置におけるＤＭＤミラー像の基板に対する光学倍率と、隣接して記録される描画点位置のずれ量との関係説明図である。
【図２０】走査方向に傾斜した直線パターンと描画点との配置関係の説明図である。
【図２１】本実施形態の露光装置におけるＤＭＤを複数のブロックに分割する説明図である。
【図２２】分割されたブロックデータとリセットタイミングとの関係説明図である。
【図２３】演算部の要部の他の実施形態であるブロック図である。
【図２４】演算部の要部の他の実施形態であるブロック図である。
【図２５】ブロックデータのリセットタイミングをずらせて描画する場合の説明図である。
【図２６】ブロックデータのリセットタイミングをずらせて描画する場合の説明図である。
【符号の説明】
【００８７】
１０…露光装置                  １８…露光ステージ
２４ａ〜２４ｊ…露光ヘッド      ２６…スキャナ
３６…ＤＭＤ                    ４０…マイクロミラー
４２…制御ユニット              ７４…演算部
７６…傾斜角度設定部            ７７…傾斜角度調整部
７８…光学倍率設定部            ７９…光学倍率調整部
８０…分割数設定部              ８２…リセットタイミング設定部
８４…描画データメモリ          ８５…フレームデータ生成部
８６…フレームデータメモリ      ８７…フレームデータ分割部
８８Ａ〜８８Ｍ…ブロックデータメモリ
８９…ＤＭＤ制御部              ９０…乱数発生器
９６…リセットパターンテーブル記憶部
Ｆ…基板
【図１】
2008139527.tif 000003
【図２】
2008139527.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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