(57)【要約】  【課題】ウエハ面内でのプラズマ処理状況を均一化する。  【解決手段】処理室３２を形成したプロセスチューブ３１の外側において主電極対５０を互いに対峙した状態で垂直方向に延在させて配置し、主電極対５０の両方の電極５０ａと５０ｂとの両脇に第一補助電極対５１と第二補助電極対５２とを垂直方向に延在させて配置する。処理室３２内の第一補助電極対５１と第二補助電極対５２との間には、一対の寄生放電経路閉塞部６０、６０を径方向に突出するように設ける。第一補助電極対と第二補助電極対とによって主電極対の両方の電極付近に補助プラズマをそれぞれ生成することにより、主電極対間の放電を確立できるので、主電極対間にプラズマを確実に生成できる。主電極対間に生成されたプラズマはウエハ中心を貫通した状態になっているので、ウエハを回転させることにより、ウエハ面内でのプラズマ処理状況を均一化できる。  【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室を形成したプロセスチューブと、複数枚の基板を互いに平行に並べて保持して前記処理室内に搬入するボートとを備えている基板処理装置であって、
前記プロセスチューブの外側において周方向に互いに対峙して前記ボートの搬入方向と平行に延在するように配置された主電極対と、
前記プロセスチューブの外側において前記主電極対の一方の電極の両脇において互いに対向し、かつ、この電極と平行に延在するように配置された第一補助電極対と、
前記プロセスチューブの外側において前記主電極対の他方の電極の両脇において互いに対向し、かつ、この電極と平行に延在するように配置された第二補助電極対と、
を備えている基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にプラズマ処理を施すのに利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法において、プラズマを使用してウエハに薄膜を形成したり、表面を改質したり、表面をエッチングしたりするプラズマ処理装置としては、処理室を形成したプロセスチューブの外側に矩形形状の電極対を複数組同心円上においてそれぞれ垂直方向に延在するように配置するとともに、各組の電極対を一つの交流電源に並列に接続し、処理室に複数枚のウエハを搬入（ボートローディング）した状態で、複数組の電極対に単相の交流電力を供給することにより、各ウエハにプラズマ処理を一括して施すバッチ式プラズマ処理装置が、考えられる。
【０００３】
また、処理室を形成したプロセスチューブの外側に矩形形状の電極を複数枚、同心円上においてそれぞれ垂直方向に延在するように配置するとともに、これらの電極を多相の交流電源にそれぞれ接続し、処理室に複数枚のウエハを搬入（ボートローディング）した状態で、複数枚の電極に多相の交流電力を供給することにより、各ウエハにプラズマ処理を一括して施すバッチ式プラズマ処理装置が、考えられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記したバッチ式プラズマ処理装置においては、いずれもプラズマの生成がウエハの周辺部に偏ることにより、ウエハの中心部でのプラズマ密度が低くなるために、ウエハ面内でのプラズマ処理状況が不均一になるという問題点があることが本発明者等によって明らかにされた。
【０００５】
本発明の目的は、基板面内でのプラズマ処理状況を均一化することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）処理室を形成したプロセスチューブと、複数枚の基板を互いに平行に並べて保持して前記処理室内に搬入するボートとを備えている基板処理装置であって、
前記プロセスチューブの外側において周方向に互いに対峙して前記ボートの搬入方向と平行に延在するように配置された主電極対と、
前記プロセスチューブの外側において前記主電極対の一方の電極の両脇において互いに対向し、かつ、この電極と平行に延在するように配置された第一補助電極対と、
前記プロセスチューブの外側において前記主電極対の他方の電極の両脇において互いに対向し、かつ、この電極と平行に延在するように配置された第二補助電極対と、
を備えている基板処理装置。
（２）前記処理室内における前記第一補助電極対と前記第二補助電極対との間には、一対の寄生放電経路閉塞部がそれぞれ径方向に突出するように設けられていることを特徴とする前記（１）の基板処理装置。
（３）前記ボートと前記主電極対とが相対的に回転するように構成されていることを特徴とする前記（１）（２）の基板処理装置。
【発明の効果】
【０００７】
前記（１）によれば、第一補助電極対と第二補助電極対とによって主電極対の両方の電極付近に補助のプラズマをそれぞれ生成することにより、主電極対間の放電を確立させることができるので、主電極対間にプラズマを確実に生成させることができる。
そして、主電極対間に生成されたプラズマは基板の中心を貫通した状態になっているので、基板とプラズマとを相対的に回転させることにより、基板面内でのプラズマ処理状況を均一化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法において、ウエハに各種のプラズマ処理を施すバッチ式縦型ホットウオール型プラズマ処理装置（以下、バッチ式プラズマ処理装置という。）として構成されている。
なお、本実施の形態においては、便宜上、一回のバッチ処理のウエハの枚数が十数枚の場合について説明しているが、実際上は５枚〜１５０枚程度のバッチを取り扱うことができるものとする。
【００１０】
図１に示されているように、本実施の形態に係るバッチ式プラズマ処理装置１０においては、被処理基板であるウエハ１を収納して搬送するためのウエハキャリアとしては、オープンカセット（以下、カセットという。）２が使用されている。
バッチ式プラズマ処理装置１０は筐体１１を備えている。筐体１１の正面壁の下部にはメンテナンスするための正面メンテナンス口１２が開設されており、正面メンテナンス口１２には正面メンテナンス扉１３が開閉するように建て付けられている。
正面メンテナンス扉１３にはカセット搬入搬出口１４が筐体１１内外を連通するように開設されており、カセット搬入搬出口１４はフロントシャッタ１５によって開閉されるようになっている。
【００１１】
カセット搬入搬出口１４の筐体１１の内部にはカセットステージ１６が設置されている。カセット２はカセットステージ１６の上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、カセットステージ１６の上から搬出されるようになっている。
工程内搬送装置はカセットステージ１６にカセット２を、カセット２内のウエハ１が垂直姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置する。
カセットステージ１６はカセット２内のウエハ１が水平姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が筐体１１の後方を向くように、カセット２を筐体１１の後方に右回り縦方向９０度回転させる。
【００１２】
筐体１１内の前後方向の略中央部には、カセット棚１７が設置されている。カセット棚１７には複数のカセット２が収納される移載棚１８が複数段設けられており、カセット棚１７は複数段複数列にて複数個のカセット２を保管するように構成されている。
また、カセットステージ１６の上方には予備カセット棚１９が設けられており、予備カセット棚１９はカセット２を予備的に保管するように構成されている。
【００１３】
カセットステージ１６とカセット棚１７との間には、カセット搬送装置２０が設置されている。カセット搬送装置２０はカセット２を保持したまま昇降させることができるカセットエレベータ２０ａと、搬送機構としてのカセット搬送機構２０ｂとを備えており、カセットエレベータ２０ａとカセット搬送機構２０ｂとの連続作動により、カセットステージ１６とカセット棚１７と予備カセット棚１９との間でカセット２を搬送するように構成されている。
【００１４】
カセット棚１７の後方にはウエハ移載機構２１が設置されている。ウエハ移載機構２１はウエハ移載装置エレベータ２２と、ウエハ移載装置エレベータ２２によって昇降されるウエハ移載装置２３とを備えている。
ウエハ移載装置エレベータ２２は筐体１１の右側端部に設置されている。
ウエハ移載装置２３はツィーザホルダ２４を二次元方向に移動させるように構成されており、ツィーザホルダ２４には複数枚（本実施の形態においては、５枚）のツィーザ２５が、垂直方向に等間隔に配置されて水平に保持されている。但し、５枚のツィーザ２５のうち最上段のツィーザ２５は独立して進退し得るように構成されている。
【００１５】
図１に示されているように、カセット棚１７の上方にはファンおよび防塵フィルタによって構成されたクリーンユニット２９が設置されており、クリーンユニット２９は清浄化した雰囲気であるクリーンエアを筐体１１の内部に流通させるように構成されている。
便宜上、図示は省略するが、ウエハ移載装置エレベータ２２側と反対側である筐体１１の左側端部にもクリーンユニットが設置されており、このクリーンユニットはクリーンエアを筐体１１内の後部空間に流通させるように構成されている。
【００１６】
図１および図２に示されているように、筐体１１の後側上部には処理炉３０が垂直に設置されている。
図２に示されているように、処理炉３０は処理室３２を形成するプロセスチューブ３１を備えている。プロセスチューブ３１は石英等の誘電体が使用されて一端開口で他端閉塞の円筒形状に形成されており、プロセスチューブ３１は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持されている。
プロセスチューブ３１の筒中空部は複数枚のウエハ１が収容される処理室３２を形成しており、プロセスチューブ３１の内径は取り扱うウエハ１の最大外径よりも大きくなるように設定されている。
【００１７】
プロセスチューブ３１の下端面にはマニホールド３３が当接されており、マニホールド３３は誘電体が使用されて上下両端部に径方向外向きに突出したフランジを有する円筒形状に形成されている。プロセスチューブ３１についての保守点検作業や清掃作業のために、マニホールド３３はプロセスチューブ３１に着脱自在に取り付けられている。
そして、マニホールド３３が筐体１１に支持されることにより、プロセスチューブ３１は垂直に据え付けられた状態になっている。
マニホールド３３の下端開口はウエハ１を出し入れするための炉口３４を形成している。炉口３４は通常時には炉口シャッタ３５によって閉塞されるようになっている。
【００１８】
マニホールド３３の側壁には排気管３６の一端が接続されており、排気管３６は他端が排気装置（図示せず）に接続されて処理室３２を排気し得るように構成されている。
【００１９】
マニホールド３３の排気管３６と異なる位置（図示例では１８０度反対側の位置）には、処理ガスを供給するためのガス供給管３７が垂直に立脚されており、ガス供給管３７は誘電体が使用されて細長い円形のパイプ形状に形成されている。
ガス供給管３７には複数個の吹出口３８が垂直方向に並べられて開設されている。吹出口３８の個数は処理すべきウエハ１の枚数に一致されており、各吹出口３８の高さの位置は上下で隣合うウエハ１、１間の空間に対向するようにそれぞれ設定されている。
【００２０】
プロセスチューブ３１の外部には処理室３２を全体にわたって均一に加熱するためのヒータ３９が、プロセスチューブ３１の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータ３９は筐体１１の上に垂直に据え付けられた状態になっている。
【００２１】
図１に示されているように、筐体１１内における処理炉３０の真下近傍にはボートエレベータ４０が設置されており、ボートエレベータ４０のアーム４１には、処理に際して炉口３４を閉塞するシールキャップ４２が水平に支持されている。
シールキャップ４２はマニホールド３３の外径と略等しい円盤形状に形成されており、ボートエレベータ４０によって上昇されることにより、炉口３４を気密シールして閉塞するように構成されている。
【００２２】
シールキャップ４２の上には複数枚のウエハ１を保持して処理室３２に搬入搬出するボート（搬送治具）４３が、垂直に立脚されて設置されている。
ボート４３は上下で一対の端板４４、４５と、両端板４４、４５間に架設されて垂直に配設された複数本（本実施の形態では、３本）の保持柱４６とを備えている。
保持柱４６には複数の保持溝４７がそれぞれ垂直方向に等間隔に配置されて水平方向に切設されており、各保持柱４６において互いに対応する各保持溝４７は同一平面を構成するようになっている。
そして、ウエハ１の周縁部が同一平面内の各保持溝４７にそれぞれ挿入されることにより、複数枚のウエハ１は中心を揃えられて互いに平行に整列された状態で、ボート４３に保持される。
【００２３】
シールキャップ４２の下面には減速機付きモータ等が使用されて構築されたロータリーアクチュエータ４８が設置されており、ロータリーアクチュエータ４８の出力軸４９はシールキャップ４２を貫通して上方に突き出されている。出力軸４９の上端にはボート４３が水平面内で回転するように設置されている。
【００２４】
図２および図３に示されているように、プロセスチューブ３１の外側には主電極対５０が、周方向に互いに１８０度の位相差をもってボート４３の搬入方向と平行である垂直方向に延在するように配置されている。すなわち、主電極対５０の一対の電極は処理室３２内のウエハ１の中心を挟んで互いに対峙している。
なお、主電極対５０の一対の電極をそれぞれ区別して説明する必要がある場合には、便宜上、一方の電極を陽極５０ａ、他方の電極を陰極５０ｂという。
これは便宜上のものであり、主電極対５０には交流が通電されるので、実際の主電極対５０では陰極と陽極とが常に交替している。
【００２５】
図３に示されているように、プロセスチューブ３１の外側における主電極対５０の陽極５０ａの両脇には、第一補助電極対５１が互いに対向し、かつ、この陽極５０ａとそれぞれ平行に延在するように垂直に配置されている。
プロセスチューブ３１の外側における主電極対５０の陰極５０ｂの両脇には、第二補助電極対５２が互いに対向し、かつ、この陰極５０ｂとそれぞれ平行に延在するように垂直に配置されている。
【００２６】
図４に示されているように、主電極対５０には主交流電源５３が接続されており、主電極対５０の両電極（陽極５０ａと陰極５０ｂ）間には交流電力が主交流電源５３によって供給されるようになっている。
第一補助電極対５１には第一補助交流電源５４が接続されており、第一補助電極対５１の両電極間には交流電力が第一補助交流電源５４により供給されるようになっている。
第二補助電極対５２には第二補助交流電源５５が接続されており、第二補助電極対５２の両電極間には交流電力が第二補助交流電源５５により供給されるようになっている。
【００２７】
処理室３２内の第一補助電極対５１と第二補助電極対５２との間には、一対の寄生放電経路閉塞部６０、６０がそれぞれ径方向に突出するように設けられている。
【００２８】
次に、前記構成に係るバッチ式プラズマ処理装置１０によるＩＣの製造方法におけるプラズマ処理方法を説明する。
【００２９】
図１に示されているように、カセット２がカセットステージ１６に供給されるに先立って、カセット搬入搬出口１４がフロントシャッタ１５によって開放される。
その後、カセット２はカセット搬入搬出口１４から搬入され、カセットステージ１６の上にウエハ１が垂直姿勢であって、カセット２のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。
その後、カセット２はカセットステージ１６によって、カセット２内のウエハ１が水平姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が筐体１１の後方を向けるように、筐体１１の後方に右周り縦方向に９０度回転させられる。
次に、カセット２はカセット棚１７ないし予備カセット棚１９の指定された棚位置へ、カセット搬送装置２０によって自動的に搬送されて受け渡される。
【００３０】
一時的に保管された後に、カセット２はカセット棚１７ないし予備カセット棚１９からカセット搬送装置２０によって移載棚１８に移載されるか、もしくは、直接、移載棚１８に搬送される。
カセット２が移載棚１８に移載されると、ウエハ移載装置２３は５枚のツィーザ２５によってカセット２内の５枚のウエハ１をカセット２のウエハ出し入れ口を通じて、一度にピックアップし、ウエハ１をカセット２内からボート４３に搬送し、５枚のウエハ１を５枚のツィーザ２５からボート４３の５段の保持溝４７間の上に一度に移載する。
５枚のウエハ１を５段の保持溝４７間の上に一度に移載すると、ウエハ移載装置２３はツィーザ２５をカセット２に戻し、次回の５枚のウエハ１を５枚のツィーザ２５によって一度にピックアップする。
ウエハ移載装置２３は以上の作動を繰り返すことによって、指定された枚数のウエハ１をボート４３に移載して行く。
なお、最後に、ウエハ１が残った場合には、独立して移動可能なツィーザ２５を使用することにより、必要なウエハ１をボート４３に移載する。
【００３１】
所定の枚数のウエハ１が移載されたボート４３はボートエレベータ４０によって上昇されて、図２に想像線で示されているように、処理炉３０の処理室３２に搬入（ボートローディング）される。
ボート４３が上限に達すると、シールキャップ４２が炉口３４をシール状態に閉塞するために、処理室３２は気密に閉じられた状態になる。
気密に閉じられると、処理室３２は排気管３６によって排気され、ヒータ３９によって所定の温度（例えば、８００℃程度）に加熱される。
この際、ヒータ３９がホットウオール型構造であることにより、処理室３２の温度は全体にわたって均一に維持された状態になるために、ボート４３に保持されたウエハ１群の温度分布は全長にわたって均一になるとともに、各ウエハ１の面内の温度分布も均一かつ同一になる。
【００３２】
処理室３２内の温度が予め設定された値に達して安定した後に、処理ガス７０（図３の破線矢印参照）が処理室３２内にガス供給管３７から供給されて、処理室３２内の圧力が予め設定された値に達すると、第一補助電極対５１間および第二補助電極対５２間には、各交流電力が第一補助交流電源５４および第二補助交流電源５５によってそれぞれ供給される。
これにより、図４（ａ）に想像線で示されているように、第一補助電極対５１間には第一補助プラズマ５６が生成され、第二補助電極対５２間には第二補助プラズマ５７が生成される。
【００３３】
続いて、主電極対５０間に交流電力が主交流電源５３によって供給されると、主電極対５０の陽極５０ａの近傍において第一補助プラズマ５６が生成され、陰極５０ｂの近傍において第二補助プラズマ５７が生成されていることにより、主電極対５０の一対の電極（陽極５０ａと陰極５０ｂ）間の放電が確立されるために、図４（ｂ）に示されているように、主電極対５０の一対の電極間（陽極５０ａと陰極５０ｂとの間）には主プラズマ５８が確実に生成される。
なお、主電極対５０間に主プラズマ５８が生成された後は、第一補助電極対５１および第二補助電極対５２への交流電力の供給は停止される。
【００３４】
ガス供給管３７に供給された処理ガス７０は各吹出口３８から各段のウエハ１の上方空間にそれぞれ吹き出して、各ウエハ１の上下面に生成された主プラズマ５８により、反応が活性な状態になる。
主プラズマ５８で活性化した粒子（以下、活性粒子という。）は、各段のウエハ１の上下の主面に接触し、ウエハ１にプラズマ処理を施す。
この際、図４（ｂ）に示されているように、主電極対５０の一対の電極間（陽極５０ａと陰極５０ｂとの間）に生成された主プラズマ５８はウエハ１の中心を貫通した状態になっているので、ウエハ１を回転させることにより、ウエハ面内でのプラズマ処理状況を均一化させることができる。
また、前述した通りに、ウエハ１の温度分布がボート４３の全長かつウエハ面内で均一に維持されており、主プラズマ５８による活性粒子のウエハ１との接触分布が各段のウエハ１同士で同等かつ各段のウエハ１のウエハ面内で均一の状態になるため、活性粒子のプラズマ反応によるウエハ１におけるプラズマ処理状況は各段のウエハ１同士で、かつ、各段のウエハ１のウエハ面内において均一な状態になる。
【００３５】
予め設定された処理時間が経過すると、処理ガス７０の供給、ヒータ３９の加熱、交流電力の印加および排気管３６の排気等が停止された後、ボートエレベータ４０によってシールキャップ４２が下降されることにより、炉口３４が開口されるとともに、ボート４３が炉口３４から処理室３２の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
【００３６】
処理室３２の外部に搬出されたウエハ１は、前述したウエハ移載装置２３の作動とは逆の手順により、カセット２内に収納される。
以上の作動が繰り返されることにより、複数枚のウエハ１がバッチ処理される。
【００３７】
ところで、ウエハ１は狭い間隔、例えば、７．５ｍｍから３０ｍｍ程度の一定の間隔で整列されているために、上下のウエハ面によるプラズマの損失が大きく、その狭い隙間にプラズマを生成させることは容易ではない。
しかし、本実施の形態においては、主電極対５０の陽極５０ａと陰極５０ｂとにこれらを挟むようにそれぞれ配設した第一補助電極対５１と第二補助電極対５２とによって主電極対５０の陽極５０ａと陰極５０ｂとに第一補助プラズマ５６と第二補助プラズマ５７とを局部的にそれぞれ生成し、この第一補助プラズマ５６と第二補助プラズマ５７とを所謂火種にすることにより、主電極対５０の陽極５０ａと陰極５０ｂとの間に主プラズマ５８を容易かつ確実に誘導することができる。
【００３８】
一方、主電極対５０の陽極５０ａと陰極５０ｂとが対峙するウエハ１の直径上の経路において主プラズマ５８を確立させるためには、寄生放電経路を塞ぐ必要がある。
ウエハ１の外周とプロセスチューブ３１の内周との隙間は寄生放電経路となる可能性が大きく、この経路において主電極対５０の放電が確立すると、主電極対５０のウエハ１の直径上の経路での放電が成立しなくなる。
しかし、本実施の形態においては、ウエハ１の外周とプロセスチューブ３１の内周との隙間を埋める一対の寄生放電経路閉塞部６０、６０がそれぞれ突設されていることにより、この寄生放電経路において主電極対５０の放電が確立するのを阻止することができるので、主電極対５０のウエハ１の直径上の経路での放電が確立する。
【００３９】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００４０】
1)  プロセスチューブの外側において主電極対を互いに対峙してそれぞれ垂直に配置するとともに、主電極対の両方の電極の両脇に第一補助電極対と第二補助電極対とを配置することにより、第一補助電極対と第二補助電極対とによって主電極対の両方の電極付近にそれぞれ生成した補助プラズマによって主電極対間の放電を確立させることができるので、主電極対間にプラズマを確実に生成させることができる。
【００４１】
2)  ウエハの外周とプロセスチューブの内周との隙間を埋める一対の寄生放電経路閉塞部をそれぞれ突設することにより、寄生放電経路において主電極対の放電が確立するのを阻止することができるので、主電極対のウエハの直径上の経路での放電を確実に成立させることができる。
【００４２】
3)  主電極対の一対の電極間に生成された主プラズマはウエハの直径上に生成した状態になっているので、ウエハを回転させることにより、ウエハ面内でのプラズマ処理状況を均一化させることができる。
【００４３】
4)  プロセスチューブの外側に主電極対と第一補助電極対と第二補助電極対とを配設することにより、比較的に少ない電極数でウエハ面内でのプラズマ処理状況を均一化させることができるので、バッチ式プラズマ処理装置の製造コストを低減することができる。
【００４４】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４５】
例えば、ボート側すなわちウエハ側を回転させるよう構成するに限らず、主電極対側を回転させるように構成してもよい。
【００４６】
補助電極対の電極は矩形形状に形成するに限らず、ワイヤ形状に形成してもよい。
【００４７】
本発明は、プラズマＣＶＤやドライエッチング等のプラズマ処理を実施する基板処理装置全般に使用することができる。
【００４８】
また、被処理基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施の形態であるバッチ式プラズマ処理装置を示す一部省略斜視図である。
【図２】図１のII−II線に沿う正面断面図である。
【図３】図２のIII −III 線に沿う平面断面図である。
【図４】交流電力の供給回路を示す各回路図であり、（ａ）は補助プラズマの生成ステップを示しており、（ｂ）は主プラズマの生成ステップを示している。
【符号の説明】
【００５０】
１…ウエハ（基板）、２…カセット、１０…バッチ式プラズマ処理装置（基板処理装置）、１１…筐体、１２…正面メンテナンス口、１３…正面メンテナンス扉、１４…カセット搬入搬出口、１５…フロントシャッタ、１６…カセットステージ、１７…カセット棚、１８…移載棚、１９…予備カセット棚、２０…カセット搬送装置、２０ａ…カセットエレベータ、２０ｂ…カセット搬送機構、２１…ウエハ移載機構、２２…ウエハ移載装置エレベータ、２３…ウエハ移載装置、２４…ツィーザホルダ、２５…ツィーザ、２９…クリーンユニット、３０…処理炉、３１…プロセスチューブ、３２…処理室、３３…マニホールド、３４…炉口、３５…炉口シャッタ、３６…排気管、３７…ガス供給管、３８…吹出口、３９…ヒータ、４０…ボートエレベータ、４１…アーム、４２…シールキャップ、４３…ボート（搬送治具）、４４、４５…端板、４６…保持柱、４７…保持溝、４８…ロータリーアクチュエータ、４９…出力軸、５０…主電極対、５０ａ…陽極（一方の電極）、５０ｂ…陰極（他方を電極）、５１…第一補助電極対、５２…第二補助電極対、５３…主交流電源、５４…第一補助交流電源、５５…第二補助交流電源、５６…第一補助プラズマ、５７…第二補助プラズマ、５８…主プラズマ、６０…寄生放電経路閉塞部、７０…処理ガス。
【図１】
2008053490.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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