(57)【要約】【課題】真空蒸着で蛍光体層を形成する平面放射線画像検出器の製造において、蒸着開始面における異物等の付着が無い蛍光体層の形成を可能とする製造方法を提供する。【解決手段】蒸発源からの成膜材料蒸気を遮蔽するシャッタとして、成膜材料の拡散にシャッタの移動誤差を加味たサイズよりも所定サイズ大きなシャッタを用い、かつ、成膜材料の温度が融点＋１０℃となった時点から全成膜材料の蒸発に係る時間Ｔに応じて、成膜材料が前記温度となった時点から、０．１Ｔ以降に蒸着を開始して、０．９Ｔ以前に蒸着を終了することにより、前記課題を解決する。【選択図】図２
2008139156.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子が二次元的に配列されてなる支持体の表面に、放射線の入射によって発光する蛍光体層を真空蒸着によって形成する、平面放射線画像検出器の製造方法であって、
前記蛍光体層を０．１〜１０Ｐａの真空度の真空蒸着によって形成すると共に、前記蛍光体層の成膜材料を加熱して、成膜材料の温度が成膜材料の融点＋１０℃になった時点から、蒸発源に収容された成膜材料が全て蒸発するまでの時間をＴとした際に、前記成膜材料の温度が成膜材料の融点＋１０℃になった時点から０．１Ｔを経過した以降に、前記蒸発源から排出される蒸気を遮蔽するためのシャッタを開放して前記支持体への蛍光体層の蒸着を開始し、かつ、前記成膜材料の温度が成膜材料の融点＋１０℃になった時点から０．９Ｔを経過する以前に前記シャッタを閉塞して、前記支持体への蛍光体層の蒸着を終了し、
さらに、前記支持体の蛍光体層形成面を上面、前記蒸発源の成膜材料蒸気排出口を下面として有し、かつ、この上面の周辺と下面の周辺とを接続した側面を有する立体を、前記シャッタによる蒸気の遮蔽位置で前記蛍光体層形成面と平行に切断した面を見込み面とし、また、前記シャッタの開閉時における機械的な位置の誤差をΔｘとした際に、
前記シャッタとして、下記式
Ｗ≧１．４×（見込み面の長さ＋Δｘ）
を満たす、前記蛍光体層形成面と平行方向の長さＷを有するシャッタを用いることを特徴とする平面放射線画像検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線の入射によって発光する蛍光体層と、この蛍光体層の発光を検出する二次元的に配列された光電変換素子とを有する平面放射線画像検出器に関し、詳しくは、蛍光体層を真空蒸着で形成する平面放射線画像検出器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、医療用の診断画像の撮影や工業用の非破壊検査などに、被写体を透過した放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線等）を電気的な信号として取り出すことにより放射線画像を撮影する、放射線画像検出器が利用されている。
この放射線画像検出器としては、放射線を電気的な画像信号として取り出す平面放射線画像検出器（Flat Panel Detector  以下、ＦＤＰとする）や、放射線像を可視像として取り出すＸ線イメージ管などがある。
【０００３】
さらに、ＦＰＤには、例えば放射線の入射によってアモルファスセレン等の光導電膜が発した電子−正孔対（ｅ−ｈペア）を電場で収集して電化信号として読み出す、いわば放射線を直接的に電気信号に変換する直接方式と、放射線の入射によって発光（蛍光）する蛍光体で形成された蛍光体層（シンチレータ層）を有し、この蛍光体層によって放射線を可視光に変換し、この可視光を光電変換素子で読み出す、いわば放射線を可視光として電気信号に変換する間接方式との、２つの方式がある。
【０００４】
上述のような間接方式のＦＰＤは、アモルファスシリコン等を利用するフォトダイオードとＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなる光電変換素子など、光電変換素子が２次元的に配列されている光電変換素子部が形成された光検出パネルの表面（光電変換素子による受光側の面）上に、蛍光体層を、直接、形成して作製するのが通常である。
また、蛍光体層の形成方法としては、蛍光体の粉末をバインダ等を含む溶媒に分散してなる塗料を調製して、この塗料を光検出パネル表面に塗布し、乾燥する、塗布による方法と、特許文献１に示されるように、光検出パネルを成膜基板として、真空蒸着によって蛍光体層を形成する方法とが有る。
真空蒸着による蛍光体層の形成方法は、真空中で蛍光体層を形成するので不純物が少なく、また、バインダなどの蛍光体以外の成分が殆ど含まれないため、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという、優れた特性を有している。
【０００５】
【特許文献１】特開昭５７−７０５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネル（いわゆるImaging Plate(ＩＰ))を用いるＣＲ(Computed Radiography)では、被写体を透過した放射線を放射線像変換パネルに記録（撮影）した後、輝尽性蛍光体層に励起光を入射して、輝尽発光を生じさせ、この輝尽発光をＣＣＤセンサ等によって光電的に読み取ることにより、放射線画像を得る。
そのため、ＣＲでは、一般的に、放射線の入射面で輝尽発光を読み取る。従って、放射線像変換パネルは、放射線の入射面すなわち蒸着終了面の性状が重要である。
【０００７】
これに対し、間接型のＦＰＤを用いる放射線画像の撮影では、光検出パネルと逆側の蛍光体層の表面から、被写体を透過した放射線を蛍光体層に入射させて、この放射線の入射による蛍光体層の発光を光検出パネルによって光電的に読み取る。すなわち、ＦＰＤでは、発光光＝放射線画像の読み取りを光検出パネル側の面すなわち真空蒸着の基板側表面から行なう構成となる。
そのため、ＦＰＤでは、蛍光体層の蒸着開始面すなわち光検出パネル（成膜基板）の表面の性状が非常に重要で、例えば、光検出パネルの表面に異物や異常成長した結晶等が有ると、これによって蛍光体層の発光光の散乱等が生じてしまう。
【０００８】
ところが、特許文献１に開示されるような通常の真空蒸着で蛍光体層を形成すると、蛍光体層の形成に先立って、基板である光検出パネルの表面に、不要な蛍光体の付着、ルツボ内での部分加熱による突沸等に起因する異物や異常成長した結晶等の付着が生じてしまう場合がある。
その結果、検出パネルの表面の異物等に起因する画質劣化が生じ、そのため、高品質なＦＰＤを安定して作製することができない。
【０００９】
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決することにあり、光電変換素子が２次元的に形成された光検出パネルの表面（光入射面側）に、放射線の入射で発光（蛍光）する蛍光体からなる蛍光多層を真空蒸着で形成する平面放射線画像検出器（ＦＰＤ）の製造において、蛍光体層の蒸着開始面すなわち成膜基板となる光検出パネル（支持体）の表面に異物や異常結晶等が付着するのを防止して、これらに起因する発光光散乱等による画質劣化を抑制した、高画質な放射線画像が得られる平面放射線検出器を安定して製造できる製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するために、本発明は、光電変換素子が二次元的に配列されてなる支持体の表面に、放射線の入射によって発光する蛍光体層を真空蒸着によって形成する、平面放射線画像検出器の製造方法であって、前記蛍光体層を０．１〜１０Ｐａの真空度の真空蒸着によって形成すると共に、前記蛍光体層の成膜材料を加熱して、成膜材料の温度が成膜材料の融点＋１０℃になった時点から、蒸発源に収容された成膜材料が全て蒸発するまでの時間をＴとした際に、前記成膜材料の温度が成膜材料の融点＋１０℃になった時点から０．１Ｔを経過した以降に、前記蒸発源から排出される蒸気を遮蔽するためのシャッタを開放して前記支持体への蛍光体層の蒸着を開始し、かつ、前記成膜材料の温度が成膜材料の融点＋１０℃になった時点から０．９Ｔを経過する以前に前記シャッタを閉塞して、前記支持体への蛍光体層の蒸着を終了し、さらに、前記支持体の蛍光体層形成面を上面、前記蒸発源の成膜材料蒸気排出口を下面として有し、かつ、この上面の周辺と下面の周辺とを接続した側面を有する立体を、前記シャッタによる蒸気の遮蔽位置で前記蛍光体層形成面と平行に切断した面を見込み面とし、また、前記シャッタの開閉時における機械的な位置の誤差をΔｘとした際に、前記シャッタとして、下記式「Ｗ≧１．４×（見込み面の長さ＋Δｘ）」を満たす、前記蛍光体層形成面と平行方向の長さＷを有するシャッタを用いることを特徴とする平面放射線画像検出器の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
上記構成を有する本発明によれば、フォトダイオード等を用いる光電変換素子が二次元的に形成された光検出パネルに、真空蒸着によって蛍光体層を形成する平面放射線画像検出器の製造において、蒸着の開始前に、加熱によって蒸発した不要な成膜材料や突沸した成膜材料が成膜基板である光検出パネル（支持体）に付着することを防止できると共に、成膜材料の蒸発が非常に安定した後にシャッタを開放して蛍光体層の形成（成膜）を開始し、さらに、蒸発源（ルツボ）内の成膜材料の量が少なくなって、成膜材料の異常蒸発や突沸、変質などが生じる前に、シャッタを閉塞して蛍光体層の形成を終了する。
そのため、本発明によれば、成膜材料の突沸や、不要な成膜材料が光検出パネルに付着すること等に起因する、蒸着開始面すなわち光検出パネル表面における異物の付着や、異常成長した結晶の生成を防止でき、さらに、蒸着終了面（および、その近傍）も、変質等に起因する劣化を抑制して、性状が良好な蛍光体層を形成できる。
従って、本発明によれば、光検出パネル表面の異物による蛍光体層の発光光の散乱や、放射線入射面における変質した蛍光体による異常な発光などに起因する画質劣化を大幅に抑制した、高画質な放射線画像が得られる、高品質な平面放射線画像検出パネルを、安定して製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の平面放射線画像検出器の製造方法について、詳細に説明する。
図１に、本発明の平面放射線画像検出器の製造方法を実施する真空蒸着装置の一例の概念図を示す。
【００１３】
図１に示す真空蒸着装置１０は、光電変換素子が二次元的に配列されてなる光検出パネル（支持体）Ｓを成膜基板として、その表面（光電変換素子による受光面側）に、０．１〜１０Ｐａの中真空での真空蒸着によって、蛍光体層を形成する。
【００１４】
図１に示すように、真空蒸着装置１０（以下、蒸着装置１０とする）は、基本的に、真空チャンバ１２と、基板回転手段１４と、蒸発源であるルツボ１８と、シャッタ２０と、電源２２と、制御手段２４と、シャッタ移動手段２６とを有して構成される。
【００１５】
本発明において、成膜基板となる光検出パネルＳには、特に限定はなく、フォトダイオード（アモルファスシリコンなど）とＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなる光電変換素子などの、放射線の入射によって蛍光体層が発した発光（蛍光）を光電変換して検出する光電変換素子を、ガラス基板上に二次元的に配列してなる光検出パネルＳ等、いわゆる間接方式の平面放射線画像検出器（フラットパネル検出器（Flat Panel Detector)以下、ＦＤＰとする）に利用される、公知の光検出パネルＳが、全て利用可能である。
具体的な一例として、特開昭６０−２４０２８５号や特開平８−１１６０４４号の各公報に開示されているような、画素ごとに独立した光導電層を二次元的に配置してなる光検出パネルＳが例示される。
【００１６】
光検出パネルＳの基板（光電変換素子の形成基板）にも、特に限定はなく、ガラス、セラミックス、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリイミド等、放射線画像検出器で利用されている各種のシート状の基板が、全て利用可能である。
【００１７】
また、光検出パネルＳは、光電変換素子を保護する保護膜を有してもよい。保護膜としては、一例として、ガラス、セラミックス、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリイミド等の保護膜が例示される。光検出パネルＳが光電変換素子の保護膜を有する場合には、通常、蛍光体層は、この保護膜の上に形成される（保護膜が蒸着面となる）。
なお、本発明において、光検出パネルＳは、保護膜を有するものに限定はされず、光電変換素子の表面に直接、蛍光体層を形成しても良く、あるいは、保護膜以外の機能性膜を有し、この機能性膜の上に、蛍光体層を形成してもよい。
【００１８】
本発明において、蛍光体層（シンチレータ層）を形成する蛍光体には、特に限定はなく、放射線の入射によって発光（蛍光）する、各種の蛍光体が、全て利用可能であり、中でも、３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲に発光を示す蛍光体が好ましく用いられる。
【００１９】
具体的な一例として、基本組成式（Ｉ）：
ＭIＸ・ａＭIIＸ’2・ｂＭIIIＸ”3：ｚＡ
で示されるアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体が好ましく例示される。
（上記式において、ＭIはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ金属を表し、ＭIIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し、ＭIIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表わす。また、Ｘ、Ｘ’およびＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択される少なくとも一種のハロゲンを表わし、Ａは、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｌ及びＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の希土類元素又は金属を表す。また、ａ、ｂおよびｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表わす。）
また、上記基本組成式（Ｉ）中のＭIとしては少なくともＣｓを含んでいることが好ましく、Ｘとしては少なくともIを含んでいることが好ましく、Ａとしては特にＴｌ又はＮａであることが好ましい。ｚは１×１０-4≦ｚ≦０．１の範囲内の数値であることが好ましい。
【００２０】
また、別の一例として、基本組成式（II）：
ＭIIＦＸ：ｚＬｎ
で示される希土類付活アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系蛍光体も好ましく例示される。
（上記式において、ＭIIはＢａ、Ｓｒ及びＣａからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ土類金属を表し、ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂからなる群より選択される少なくとも一種の希土類元素を表す。Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択される少なくとも一種のハロゲンを表す。また、ｚは、０＜ｚ≦０．２の範囲内の数値を表わす。）
なお、上記式中のＭIIとしては、Ｂａが半分以上を占めることが好ましい。Ｌｎとしては、特にＥｕ又はＣｅであることが好ましい。
【００２１】
中でも特に、前記基本組成式（Ｉ）の一般式「ＣｓＩ：Ｔｌ」で示されるアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体は、好ましく用いられる。
これ以外にも、ＬｎＴａＯ4：（Ｎｂ，Ｇｄ）系、Ｌｎ2ＳｉＯ5：Ｃｅ系、ＬｎＯＸ：Ｔｍ系（Ｌｎは希土類元素である）、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｐｒ，Ｃｅ、ＺｎＷＯ4、ＬｕＡｌＯ3：Ｃｅ、Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12：Ｃｒ，Ｃｅ、ＨｆＯ2等で示される蛍光体も、好ましく用いられる。
【００２２】
図示例の蒸着装置１０において、真空チャンバ１２は、鉄，ステンレス，アルミニウム等で形成される、真空蒸着装置で利用される公知の真空チャンバ（ベルジャー、真空槽）である。
また、蒸着装置１０は、本発明の製造方法を実施するものであり、０．１〜１０Ｐａの真空度の中真空の真空蒸着によって、前述の光検出パネルＳに蛍光体層を形成する。真空チャンバ１２には、この中真空での真空蒸着を行なうための真空チャンバ１２内（成膜系内）への不活性ガスの導入や、大気開放のための空気などを導入をするための、ガス導入手段３０を有する。ガス導入手段３０には、特に限定はなく、ガスボンベ等のガスの供給源との接続手段や、ガスの導入量（ガス流量）の調整手段等を有する、真空蒸着装置等で用いられている公知の手段でよい。
【００２３】
放射線の入射によって発光する蛍光体、特に、前記アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体および希土類付活アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系蛍光体、中でも特に、「ＣｓＩ：Ｔｌ」で示される蛍光体からなる蛍光体層を真空蒸着で形成すると、柱状の結晶構造を有するが、このような０．１〜１０Ｐａの中真空で形成した蛍光体層は、良好な柱状結晶構造を有し、鮮鋭性や感度に優れたＦＰＤを製造することができる。
【００２４】
真空チャンバ１０には、真空チャンバ１２内を排気して所定の真空度にするための、真空ポンプが接続される。
真空ポンプにも、特に限定はなく、必要な到達真空度を達成できるものであれば、真空蒸着装置で利用されている各種のものが利用可能である。一例として、油拡散ポンプ，クライオポンプ，ターボモレキュラーポンプ等を利用すればよく、また、補助として、クライオコイル等を併用してもよい。
なお、本発明において、真空チャンバ１０の到達真空度には、特に限定は無いが、真空チャンバ１２内の到達真空度は、８．０×１０-4Ｐａ以下であるのが好ましい。
【００２５】
基板回転手段１４は、真空チャンバ１２の上方において、前述の光検出パネルＳを保持して、回転するものであり、回転駆動源３２と、回転軸３４と、基板ホルダ３６とを有して構成される。
回転駆動源３２は、モータ、ギア、ベアリング等を組み合わせて構成される、公知の回転駆動源であり、回転軸３４を回転させる。なお、図示例の蒸着装置１０においては、回転軸３４は、ルツボ１８（ルツボ１８の設置位置）の鉛直上に配置される。すなわち、光検出パネルＳの回転中心は、ルツボ１８（その中心）の鉛直上となる。
【００２６】
回転軸３４の下端（回転駆動源３２と逆端）には、基板ホルダ３６が固定される。基板ホルダ３６は、真空蒸着によって蛍光体層を形成される成膜基板である光検出パネルＳを保持するものであり、回転軸３４に固定される円盤状の本体３６ａと、この本体３６ａの下面に固定される同径の円盤状のシースヒータ３６ｂとから構成される。
本体３６ａは、中心で回転軸３４に固定される。また、光検出パネルＳは、シースヒータ３６ｂの下面に固定される。従って、光検出パネルＳは、回転駆動源３２が回転軸３４を回転することにより、蒸発源であるルツボ１８の真上で回転される。
【００２７】
基板ホルダ３６（シースヒータ３６ｂ）への光検出パネルＳの固定方法には、特に、限定は無く、固定用の治具を用いる方法、光検出パネルＳの周辺を下方から保持する固定用の枠体を用いる方法、磁力や静電気による方法、嵌合による方法等、公知の板状物の保持／固定方法が、各種利用可能である。
また、シースヒータ３６ｂも、公知の板状の加熱用ヒータであり、必要に応じて、蛍光体層を形成される光検出パネルＳ（＝成膜される蛍光体層）を加熱する。
【００２８】
なお、図示例においては、光検出パネルＳは、自転するように回転するが、本発明は、これに限定はされず、光検出パネルＳの回転は、公転でもよく、あるいは、自公転でもよい。
あるいは、本発明においては、回転ではなく、光検出パネルＳを直線状に往復搬送しつつ、蛍光体層を形成してもよい。この際には、ルツボ１８（蒸発源）は、この往復搬送と直交する方向に、複数を配列するのが好ましく、あるいは、同直交方向に長尺なルツボを用いてもよい。
【００２９】
真空チャンバ１２内の下部には、蒸発源であるルツボ１８が配置される。
また、上下方向のルツボ１８と基板ホルダ３６との間には、ルツボ１８から排出され、成膜基板である光検出パネルＳに向かう成膜材料の蒸気を遮蔽するための、遮蔽板であるシャッタ２０が配置される。
【００３０】
ルツボ１８は、真空蒸着装置で利用されている公知の抵抗加熱用のルツボである。すなわち、図示例の蒸着装置１０では、抵抗加熱によって、蛍光体層の成膜材料を加熱／溶融／蒸発する。
なお、本発明において、成膜材料の加熱方法は、抵抗加熱に限定はされず、成膜材料を加熱して、０．１〜１０Ｐａの真空度で溶融／蒸発できるものであれば、誘導加熱等の公知の加熱手段が、全て、利用可能である。
【００３１】
図示例の蒸着装置１０は、ルツボ１８を１つのみ有するものであるが、本発明は、これに限定はされず、複数のルツボ（蒸発源）を用いて、真空蒸着を行なってもよい。
さらに、本発明は、全種類の成膜材料を同じルツボに投入する一元の真空蒸着でも、複数種の成膜材料を用いる際に、各成膜材料を異なるルツボで加熱／溶融する多元の真空蒸着でもよい。例えば、前記「ＣｓＩ：Ｔｌ」で示されるアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体であれば、母体成分の成膜材料であるヨウ化セシウム（ＣｓＩ）と、付活剤（賦活剤：activator）成分の成膜材料であるヨウ化タリウム（ＴｌＩ）との混合物をルツボに投入して加熱／溶融する一元の真空蒸着を行なってもよく、あるいは、ヨウ化セシウムとヨウ化タリウムとを、別々のルツボで加熱／溶融する二元の真空蒸着を行なってもよい。
なお、一元の真空蒸着を行なう場合には、目的とする組成の蛍光体層を得るために、蒸発源であるルツボ１８に投入する付活剤成分の濃度を、蛍光体層中における目的の付活剤濃度よりも高くするのが好ましい。また、複数のルツボを用いる場合には、各ルツボは、同じ方法で加熱しても、異なる方法で加熱してもよい。
【００３２】
ルツボ１８には、抵抗加熱用の電源２２が接続される。この電源２２は、制御手段２４によって制御される。さらに、ルツボ１８の内部には、成膜材料の温度を測定するための温度測定手段１８ａが配置される。この温度測定手段１８ａによる温度測定結果は、制御手段２４に送られる。なお、温度測定手段１８ａには、特に限定はなく、熱電対など、真空蒸着等で利用される公知の温度測定手段が、全て利用可能である。
ルツボ１８の加熱制御方法には、特に限定はなく、サイリスタ方式、ＤＣ方式、温度測定や蒸発量測定に応じたフィードバック方式、定電流方式等、抵抗加熱による真空蒸着で用いられる各種の制御方法が利用可能である。また、前記二元の真空蒸着を行なう場合には、母体成分はフィードバック方式で付活剤成分は定電流方式等、両者で異なる加熱制御方法を利用してもよい。
なお、制御手段２４は、ルツボ１８の加熱制御のみを行なうものではなく、蒸着装置１０の全体の動作などの管理および制御を行なうものであり、また、後述するシャッタ移動手段２６には、電源２２を駆動してルツボ１８による成膜材料の加熱を開始した後、成膜材料の温度が成膜材料の融点＋１０℃となった時点で、その旨の情報を送る。この点に関しては、後に詳述する。
【００３３】
シャッタ２０は、ルツボ１８内で蒸発して、成膜基板である光検出パネルＳに向かう成膜材料（蛍光体）の蒸気を遮蔽するための、遮蔽板である。本発明において、シャッタ２０は、後述するサイズ（長さ）の規定が有る以外は、基本的に、各種の真空蒸着装置で用いられている通常のシャッタでよい。このシャッタ２０に関しては、後に詳述する。
また、シャッタ移動手段２６は、光検出パネルＳへの蛍光体層の形成前および形成終了時には、図１に実線で示す、ルツボ１８の上部の、ルツボ１８から光検出パネルＳに向かう成膜材料の蒸気を遮蔽する遮蔽位置にシャッタ２０を位置し（以下、「シャッタ２０を閉塞」とする）、光検出パネルＳへの蛍光体層の形成時には、図１に点線で示す、ルツボ１８から光検出パネルＳに向かう成膜材料の蒸気を遮蔽しない開放位置にシャッタ２０を位置する（以下、「シャッタ２０を開放」とする）、シャッタ２０の移動手段である。
【００３４】
なお、シャッタ移動手段２６によるシャッタ２０の移動方法には、特に限定は無く、公知の板状物の移動手段が、各種、利用可能である。
また、シャッタ移動手段２６によるシャッタ２０の開放位置および遮蔽位置への移動は、図示例のような水平方向へのスライド移動に限定はされず、ルツボ１８から光検出パネルＳに向かう成膜材料蒸気を遮蔽できる位置と、ルツボ１８から光検出パネルＳに向かう成膜材料の蒸気を全く遮蔽しない位置とに移動できれば、揺動による移動や回動による移動など、各種の移動方法が利用可能である。
【００３５】
ここで、本発明の製造方法を実施する蒸着装置１０においては、シャッタ移動手段２６は、ルツボ１８によって成膜材料の加熱を開始して、成膜材料の温度が所定温度になった時点から、所定時間が経過した以降にシャッタ２０を開放して光検出パネルＳへの蛍光体層の形成（真空蒸着）を開始し、所定時間が経過する前にシャッタ２０を閉塞して蛍光体層の形成を終了する。
具体的には、成膜材料の加熱を開始して、成膜材料の温度が成膜材料の融点＋１０℃（以下、基準温度とする）となった時点から、ルツボ１８内の成膜材料が全て蒸発するまでの時間をＴとして、成膜材料が基準温度となった時点から０．１Ｔを経過した後（０．１Ｔを含む）に、シャッタ２０を開放して蛍光体層の形成を開始し、また、成膜材料が基準温度となった時点から０．９Ｔが経過する以前に（０．９Ｔを含む）、シャッタ２０を閉塞して蛍光体層の形成を終了する。すなわち、成膜材料が基準温度となった時点を０．０Ｔとして、０．１Ｔ以上経過した後にシャッタ２０を開放して蛍光体層の形成を開始し、また、０．９Ｔが経過する以前に、シャッタ２０を閉塞して蛍光体層の形成を終了する。
【００３６】
本発明においては、好ましくは、成膜材料が基準温度となった時点から０．２Ｔ以上経過した後に、より好ましくは、１／３Ｔ以上経過した後に、特に好ましくは、０．５Ｔ以上経過した後に、シャッタ２０を開放して、蛍光体層の形成を開始する。これにより、より蒸発が安定した状態で蛍光体層の形成を開始でき、より好適な蛍光体層を形成できる。
また、本発明においては、好ましくは、成膜材料が基準温度となった時点から０．８Ｔを経過する以前に、より好ましくは、２／３Ｔを経過する以前に、特に好ましくは、０．５Ｔを経過する以前に、シャッタ２０を閉塞して、蛍光体層の形成を終了する。これにより、より蒸発が安定している状態で蛍光体層の形成を終了でき、より好適な蛍光体層を形成できる。
【００３７】
本発明は、このような構成を有することにより、成膜材料の蒸発が安定した後に、光検出パネルＳへの蛍光体層の形成を開始し、かつ、ルツボ１８内の成膜材料が減少して、蒸発が不安定になる前に、蛍光体層の形成を終了する。
これにより、蒸着開始時における異物の付着等を好適に防止し、かつ、蒸着終了時における異常蒸発等に起因する異物の付着や突沸等による性状悪化を防止できる。この点に関しては、後に詳述する。
【００３８】
本発明においては、基本的に、ルツボ１８内の成膜材料の少なくとも一部の温度が、成膜材料の融点＋１０℃の温度となった時点で、成膜材料が基準温度となったとすればよい。すなわち、ルツボ１８内の温度測定手段１８ａによって、ルツボ１８内の１点（好ましくはルツボ１８の底部近傍の中央部）で温度を測定すればよい。
あるいは、成膜材料の温度分布を考慮して、より蒸発が安定した後に蒸着を開始するために、ルツボ１８内の複数点で温度を測定して、その全ての点もしくは平均値が成膜材料の融点＋１０℃の温度になった時点で、成膜材料が基準温度となったとしてもよい。複数点で温度を測定する場合の好ましい一例として、ルツボ１８の底部近傍の中央部と、この中央から最も離間するルツボ側壁近傍の底部近傍の２点が例示される。
【００３９】
また、蒸着装置１０が複数のルツボを有する場合には、全てのルツボの成膜材料の温度が成膜材料の融点＋１０℃の温度になった時点で、成膜材料が基準温度になったとするのが好ましい。しかしながら、本発明は、これに限定はされず、例えば半数以上など、所定数のルツボ１８の成膜材料の温度が成膜材料の融点＋１０℃の温度になった時点で、成膜材料が基準温度となったとしてもよい。すなわち、ルツボ１８が複数である場合における、成膜材料が基準温度になった時点の判定は、装置構成やルツボの数等に応じて、適宜、設定すればよい。
なお、複数の成膜材料を異なるルツボ（蒸発源）に投入する、多元の真空蒸着を行なう場合には、全ての成膜材料の温度が融点＋１０℃になった時点で、基準温度になったとしてもよく、あるいは、母体成分と付活剤成分のように、蛍光体層中における含有量が圧倒的に異なる場合には、多量成分の温度が融点＋１０℃になった時点で、基準温度になったとしてもよい。
また、複数の成膜材料を１つのルツボに投入する場合には、両者の混合物の融点に対応して基準温度を設定してもよく、量の多い方の成膜材料に対応して基準温度を設定してもよく、融点の高い成膜材料に対応して基準温度を設定してもよい。これらは、混合する成膜材料の量比や特性等に応じて、適宜、選択すればよい。
さらに、ルツボ内で、直接、成膜材料の温度を測定するのではなく、ルツボの外壁面の温度を測定することで、成膜材料の温度測定に変えてもよい。
【００４０】
なお、図示例の蒸着装置１０において、成膜材料の温度が基準温度になった時点から、ルツボ１８内の成膜材料が全て蒸発するまでの時間Ｔは、加熱条件や加熱のシーケンス、ルツボ１８に充填する成膜材料の量などに応じて、予め、シミュレーションや実験によって知見しておき、制御手段２４やシャッタ移動手段２６等に入力して、記憶させておけばよい。
また、前述のように、制御手段２４は、電源２２を駆動した後、温度測定手段１８による温度測定結果から、成膜材料の温度が基準温度となった時点（成膜材料の温度が融点＋１０℃の温度になった時点）で、その旨の情報をシャッタ移動手段２６に送る。シャッタ移動手段２６は、この情報に応じて、成膜材料が基準温度となった時点から０．１Ｔ以上を経過した所定時間になった時点でシャッタ２０を開放して、光検出パネルＳへの蛍光体層の形成を開始して、成膜材料が基準温度となった時点から０．９Ｔを経過する以前の所定時間になった時点で、シャッタ２０を閉塞して、蛍光体層の形成を終了する。
【００４１】
ルツボ１８には、時間Ｔに対して、成膜材料が基準温度となった時点から、０．１Ｔを経過した後にシャッタ２０を開放して、０．９Ｔを経過する以前にシャッタ２０を閉塞しても、目的とする厚さの蛍光体層を形成できる充分な成膜材料を充填する必要がある。
ここで、当然の事であるが、ルツボ１８への成膜材料の充填量が変われば、時間Ｔも変わる。すなわち、本発明においては、ルツボ１８への成膜材料の充填量を調整することで、目的とする厚さの蛍光体層を形成するためのシャッタ２０の開放／閉塞のタイミングを調整／設定することができる。また、同様に、加熱条件を変えても、時間Ｔを変えることができるので、加熱条件を調整することでも、目的厚さの蛍光体層を形成するためのシャッタ２０の開放／閉塞のタイミングを調整／設定することができる。
【００４２】
また、本発明の製造方法を実施する蒸着装置１０においては、シャッタ２０は、
Ｗ≧１．４×（見込み面の長さ＋Δｘ）
を満たす、光検出パネルＳの蛍光体層形成面と平行方向の長さＷを有するものである。
【００４３】
ここで、見込み面とは、例えば図２に模式的に示すように、基板ホルダ３６に保持された光検出パネルＳの蛍光体層形成面を上面、蒸発源であるルツボ１８の蒸気排出口（図示例においては上面全面）を下面、および、上面の周辺と下面の周辺とを接続してなる側面を有する立体（本例の場合には、四角錐台形）を想定して、この立体を、前記シャッタ２０による成膜材料蒸気の遮蔽位置において、蛍光体層形成面（上面）と平行に切断した面である。
他方、Δｘは、図１に点線で示す、ルツボ１８からの蒸気を遮蔽しない開放位置から、図１に実線で示す、ルツボ１８から光検出パネルＳに向かう蒸気を遮蔽する遮蔽位置にシャッタ２０を移動した際における、遮蔽位置でのシャッタ２０の位置の機械的な誤差（以下、誤差Δｘとする）である。
【００４４】
なお、図示例のように、成膜基板である光検出パネルＳを回転（自転、公転、自公転）する場合、および、光検出パネルＳを直線状に往復搬送する場合には、光検出パネルＳの軌跡の全面（全領域）に対応して、最も外の軌道を接続した面を上面として、前記上面、下面および側面からなる立体を想定して、見込み面を設定してもよい。すなわち、図示例の蒸着装置１０のように基板Ｓを回転する場合には、上面を円としてもよい。
また、基板ホルダ３６に、複数の光検出パネルＳが保持される場合には、全ての光検出パネルＳを内接するように包含する面を想定して、この面を上面として、前記立体を想定すればよい。
【００４５】
さらに、光検出パネルＳやルツボ１８の蒸気排出口の形状や配置等に応じて、光検出パネルＳを上面、ルツボ１８の蒸気排出口を下面とする立体の想定が困難である場合、および、光検出パネルＳのサイズや、ルツボ１８とシャッタとの距離や、ルツボ１８と光検出パネルＳとの距離に比して、蒸気排出口が大幅に小さい場合（点蒸発源と見なせる場合）などは、蒸気排出口の中心を頂点とする錐体を想定して、見込み面を設定してもよい。
例えば、図２に示す例であれば、ルツボ１８の中心を頂点とし、光検出パネルＳを底面とする四角錐、あるいは、回転する光検出パネルＳを底面とする円錐を想定し、シャッタ２０による遮蔽位置で、この四角錐もしくは円錐を底面と平行に切断して、四角形もしくは円形の見込み面を設定すればよい。
【００４６】
上記式より明らかなように、本発明においては、シャッタ２０による遮蔽位置における、ルツボ１８から光検出パネルＳ（成膜基板）に向かう成膜材料蒸気の領域を示す見込み面に、遮蔽位置におけるシャッタ２０の位置の誤差Δｘを加味して、この誤差Δｘを加味した面の１．４倍以上の長さを有するサイズのシャッタ２０を用いて、蛍光体層を形成する前、および、形成終了後の成膜材料蒸気の遮蔽を行なう。
本発明によれば、このようなシャッタを用いることにより、蛍光体層の非形成時に、不要な成膜材料が光検出パネルＳに付着することを、より確実に防止できる。
【００４７】
前述のように、輝尽性蛍光体層を有するＩＰ(Imaging Plate)を用いるＣＲでは、ＩＰに放射線画像を撮影（蓄積記録）した後、ＩＰに励起光を入射して、この励起光の入射よって、撮影された放射線画像に応じて輝尽性蛍光体が発光する輝尽発光光を光電的に読み取ることにより、放射線画像を得る。
ここで、ＩＰに撮影された放射線画像の読み取りは、通常、輝尽性蛍光体層の表面すなわち成膜基板とは逆側に励起光を入射して、輝尽発光光を読み取る。そのため、適正な放射線画像を得るためには、蛍光体層の表面の性状が重要である。
【００４８】
これに対し、間接型のＦＰＤを用いる放射線画像の撮影では、ＦＰＤの表面（すなわち蛍光体層の表面（成膜基板である光検出パネルＳと逆面））から、被験者を透過した放射線を入射して、この放射線の入射による蛍光体層の発光（蛍光）を、成膜基板となっている光検出パネルＳによって光電変換して読み取ることにより、放射線画像を得る。すなわち、間接型のＦＰＤでは、蛍光体層の蒸着終了面から放射線を入射して、蛍光体層の蒸着開始面（成膜基板の表面）から、発光すなわち放射線画像の読み取りを行なう。
そのため、間接型のＦＰＤでは、蛍光体層と光検出パネルＳとの間（界面）に、異物、結晶が異常成長した蛍光体、不要に付着した蛍光体等が存在すると、これらによって、蛍光体層が発した発光が、遮光、吸収、屈折、乱反射等されてしまい、正確な放射線画像を得ることが出来ない。
すなわち、間接型ＦＰＤの蛍光体層を真空蒸着で形成する場合には、通常の真空蒸着とは比べ物にならないほど、蒸着開始面の性状が重要であり、此処に異物、異常成長した蛍光体や不要な蛍光体等が付着することを避ける必要がある。
【００４９】
特に、本発明においては、真空蒸着による蛍光体層の形成を、０．１〜１０Ｐａの中真空で行なう。前述のように、このような中真空で蛍光体層を形成することにより、非常に良好な柱状結晶から形成される蛍光体層を形成することができる。
その反面、中真空で真空蒸着を行なう場合には、通常の真空度での真空蒸着に比して、成膜基板と蒸発源（光検出パネルＳとルツボ１８）との距離を、近くする必要が有る。そのため、蛍光体層の形成開始前（蒸着開始前）の成膜材料の溶解時や蒸発の安定工程等において、突沸した成膜材料や不要な成膜材料が付着し易い。
【００５０】
また、間接型ＦＰＤにおいては、蒸着開始面のみならず、放射線が入射する蛍光体層の表面（すなわち蒸着終了面）の性状も重要であるのは、もちろんであり、此処に、同様に異物や異常成長した蛍光体の結晶等が存在すると、これらで放射線が遮光や散乱等されてしまい、やはり、正確な被写体の放射線画像を得ることができない。
【００５１】
これに対し、本発明によれば、光検出パネルＳと平行な方向の長さＷが、前記「Ｗ≧１．４×（見込み面の長さ＋Δｘ）」を満たすサイズのシャッタ２０を用いることにより、蛍光体層の蒸着を開始する前における成膜材料の溶解、および蒸発の安定工程において、ルツボ１８（蒸発源）から蒸発して、成膜基板である光検出パネルＳに向かう蒸気や、成膜材料の蒸発が安定する前に生じ易い突沸等による異物を、シャッタ２０によって確実に遮蔽することができる。そのため、蒸着を開始する前に、光検出パネルＳに不要な蛍光体や異物が付着することを防止できる。
また、本発明においては、ルツボ１８の加熱を開始して、成膜材料が基準温度となった時点から、ルツボ１８に充填した成膜材料が全て蒸発するまでの時間をＴとして、成膜材料が基準温度となった時点から０．１Ｔを経過した後に、シャッタ２０を開放して、光検出パネルＳへの蛍光体層の蒸着を開始する。そのため、ルツボ１８内での成膜材料の加熱／溶融、および、ルツボ１８からの成膜材料が、完全に安定した後に蒸着を開始できるので、蒸着開始面から、非常に安定した状態で高品質な蛍光体層を形成できる。また、より高度な蒸発等の安定を目的に、加熱開始から蒸着開始までの時間を長くしても、前記シャッタによって、光検出パネルＳに付着する蛍光体を防止できる。
【００５２】
そのため、本発明によれば、シャッタ２０のサイズと、蛍光体層の形成開始タイミングとの相乗効果により、異物等の付着を防止した極めて清浄な光検出パネルに、成膜材料の蒸発が非常に安定した蒸着を開始できるので、前述のようにＦＰＤに強く要求される、蒸着開始面（光検出パネルＳの表面）において、異物、不要な蛍光体の付着、蛍光体の異常結晶等の生成を防止して、非常に性状が良好な蛍光体層を、安定して形成できる。
すなわち、本発明によれば、ＦＰＤで強く要求される、蒸着開始面の清浄性を十二分に確保して、蒸着開始面の異物等に起因する点欠陥を大幅に減少し、かつ、中真空による真空蒸着で良好な柱状結晶の蛍光体層を有する、感度および鮮鋭性の高い放射線画像を得られるＦＰＤを安定して製造することができる。
【００５３】
また、ルツボ２０内の成膜材料の量が少なくなると、充分な量の成膜材料が充填されている状態に比して、加熱の制御が難しくなり、蒸着が不安定となってしまう。また、成膜材料の部分加熱に起因する突沸や、過加熱に起因する変性等が生じてしまい、蛍光体層に異常結晶や異物などが付着してしまう。
これに対し、本発明においては、成膜材料が基準温度となった時点から０．９Ｔを経過する以前に、シャッタ２０を閉塞して、光検出パネルＳへの蛍光体層の形成を終了するので、ルツボ１８内に成膜材料が充分に存在しており、成膜材料の蒸発や、ルツボ内における成膜材料の加熱が安定している状態で、蛍光体層の形成を終了する。そのため、本発明によれば、放射線の入射面となる成膜終了面（蛍光体層上面）も、異物等が無い非常に清浄な状態にできるので、異物等に起因する放射線の遮光や乱反射等の画質劣化要因を防止した、高画質な放射線が画像が得られるＦＰＤを、安定して作製することができる。
【００５４】
本発明において、シャッタ２０は、基本的に、前記見込み面を内接する形状の面を想定し、この面の長さに誤差Δｘを加算して１．４倍した長さ（すなわち「１．４×（面の長さ＋Δｘ）」）以上の長さを有せばよい。
【００５５】
一例として、正方形の光検出パネルＳと、正方形の蒸気排出口を有するルツボ１８を用い、ｄの高さに円形のシャッタ２０を配置する例を、図２に模式的に示す。なお、図２において、（Ａ）は正面図（図１と同方向から見た図）であり、（Ｂ）は上面図である。
この場合には、光検出パネルＳを上面、ルツボ１８の蒸気排出口を下面とする四角錐台を想定する。
この四角錐台を、シャッタ２０による遮蔽位置である、ルツボ１８の蒸気排出口（図示例においてはルツボ１８の上面）からｄの位置で、光検出パネルＳの蛍光体層形成面すなわち四角錐台の上面と平行に切断し、この切断面（正方形ｆ）を見込み面として、正方形ｆを内接する半径が「ｒ」の円を想定する（一点鎖線）。すなわち、この正方形の対角線すなわち半径ｒの円の直径２ｒが、見込み面の長さとなる。次いで、この半径ｒの円に、誤差Δｘを加算して同心で直径が「２ｒ＋Δｘ」の円を想定する（二点鎖線）。さらに、この「２ｒ＋Δｘ」を１．４倍して、図中に破線で示す、同心で直径が「１．４×（２ｒ＋Δｘ）」以上の円形のシャッタ２０とすればよい。
【００５６】
なお、シャッタ２０の形状は、円形に限定されないのは、もちろんである。
例えば、図２に示す例において、見込み面である正方形ｆと同様の正方形のシャッタを用いる場合には、この正方形ｆの辺の長さＬに誤差Δｘを加算して１．４倍して、中心が正方形ｆと一致する１辺の長さが「１．４×（Ｌ＋Δｘ）」以上の正方形のシャッタ２０とすればよい。
また、見込み面の形状が長方形の場合には、円形のシャッタであれば、図２に示す例と同様に、この長方形を内接する半径ｒの円を想定して、この円の直径２ｒにΔｘを加算して１．４して、この「１．４×（２ｒ＋Δｘ）」以上の半径を有する円形のシャッタ２０とすればよい。また、見込み面と同形状の長方形のシャッタを利用する場合には、見込み面の長辺Ｌａおよび短辺Ｌｂ共に、誤差Δｘを加算して１．４倍し、長辺が「１．４×（Ｌａ＋Δｘ）」以上、短辺が「１．４×（Ｌｂ＋Δｘ）」以上の中心が見込み面と一致する長方形のシャッタ２０とすればよい。
さらに、シャッタ２０が楕円形の場合には、同様に、見込み面を内接する楕円を想定して、その長軸および短軸に誤差Δｘを加算して、それぞれ１．４倍してなる長軸および短軸を有する楕円形のシャッタ２０とすればよい。
【００５７】
なお、シャッタ２０は、このような円形、正方形、長方形、および楕円に限定はされず、蒸着装置１０、ルツボ１８の形状や光検出パネルＳの形状等に応じて、各種の形状が利用可能である。
【００５８】
本発明において、蒸着装置１０が複数のルツボ１８（蒸発源）を有する場合には、一例として、まず、個々のルツボ１８に対応して先と同様に見込み面（以下、便宜的に「サブ見込み面」とする）を設定し、全てのサブ見込み面を内包する見込み面（以下、便宜的に「メイン見込み面」とする）を設定し、このメイン見込み面の長さに、前述のように誤差Δｘを加算して、１．４倍した長さ、すなわち「Ｗ≧１．４×（メイン見込み面の長さ＋Δｘ）」の長さＷ（サイズ）を有するシャッタ２０とすればよい。
【００５９】
あるいは、図３に示すように、２つのルツボ１８ａおよびルツボ１８ｂと、光検出パネルＳとを結ぶ錐体を設定し、最も外側に配置されるルツボ１８に対して、光検出パネルＳを底面とする錐体を設定し、ルツボ１８（その中心）と光検出パネルＳの端部とを接続する線の交点Ｃを求めて、この交点Ｃを頂点とし、光検出パネルＳを底面とする錐体を想定して、この錐体を、シャッタ２０による遮蔽位置で切断して見込み面を設定して、以下、同様にして、シャッタ２０のサイズや形状を設定してもよい。
【００６０】
また、複数のルツボを用いる場合には、全てルツボに共通の１つのシャッタを有する構成にも限定はされず、装置構成等に応じて、個々のルツボに対して、前記式「Ｗ≧１．４×（見込み面の長さ＋Δｘ）」を満たすシャッタを設けてもよく、さらに、複数のルツボに共通のメイン見込み面を設定して前記式を満たすシャッタと、１つのルツボに対応して前記式を満たすシャッタとが、混在してもよい。
【００６１】
なお、本発明において、シャッタ２０による遮蔽位置（図２（Ａ）におけるｄ）には特に限定は無いが、ルツボ１８（蒸発源）からの距離、もしくは、成膜基板である光検出パネルＳからの距離が、シャッタ遮蔽状態での真空度における、成膜材料蒸気の平均自由工程以下の位置を、シャッタ２０の遮蔽位置とするのが好ましい。
また、本発明においては、光検出パネルＳとルツボ１８との間に、シャッタＳ複数、設けてもよい。この際には、全てのシャッタ２０が前記「Ｗ≧１．４×（見込み面の長さ＋Δｘ）」を満たす長さＷを有するサイズであるのが好ましいのは、もちろんであるが、少なくとも１つのシャッタ２０が、前記式を満たすものであればよい。
【００６２】
以下、蒸着装置１０による光検出パネルＳへの蛍光体層形成の作用を説明することにより、本発明について、より詳細に説明する。
【００６３】
まず、真空チャンバ１２を開放して、基板ホルダ３６の所定位置に成膜基板である光検出パネルＳを取り付け、さらに、ルツボ１８に所定量の成膜材料を充填する。一例として、前記「ＣｓＩ：Ｔｌ」で示される蛍光体からなる蛍光体層を形成するとして、図示例では、一元の真空蒸着で蛍光体層を形成するので、ヨウ化セシウムと、ヨウ化タリウムとを目的とする蛍光体の組成に応じた所定の割合で混合した混合物を成膜材料として、ルツボ１８に所定量を充填する。
【００６４】
なお、本例においては、温度測定手段１８ａによる温度測定結果を利用して、フィードバック方式（制御）でルツボ１８を所定の温度に保つように加熱を制御するものとする。
この加熱制御条件で、前記所定量の成膜材料をルツボ１８に充填した際における、加熱開始後、成膜材料の温度が基準温度になった時点から成膜材料が全て蒸発するまでの時間Ｔは、予め実験もしくはシミュレーションで知見しておく。さらに、この時間Ｔに応じて、所定膜厚の蛍光体層を形成でき、かつ、シャッタ２０の開放（成膜開始）が成膜材料の温度が基準温度になった時点から０．１Ｔ以降で、シャッタ２０の閉塞（成膜終了）が成膜材料の温度が基準温度になった時点から０．９Ｔ以前となる、成膜材料が基準温度となった時点からのシャッタ２０の開閉タイミングを、予め実験やシミュレーションを行なって設定して、シャッタ移動手段２６および制御手段２４に入力／設定しておく。
【００６５】
基板ホルダ３６に光検出パネルＳを取り付け、所定量の成膜材料をルツボ１８に充填したら、真空チャンバ１２を閉塞して、真空ポンプを駆動して真空チャンバ１２内を排気して真空にする。なお、この状態では、シャッタ２０は、図１に実線で示す遮蔽位置に位置している。
好ましくは、一度、真空チャンバ１２内を高真空（例えば８×１０-4Ｐａ程度）とした後、排気を継続しつつ、ガス導入手段３０からアルゴンガス等の不活性ガスを導入して、真空チャンバ１２内の圧力を中真空（０．１〜１０Ｐａ）の目的とする真空度とする。
【００６６】
真空チャンバ１２内が所定の真空度となったら、制御手段２４は、電源２２を駆動してルツボ１８への通電すなわち成膜材料の加熱を開始し、また、温度測定手段１８ａから成膜材料の温度測定結果の取得を開始する。
同時に、回転駆動源３２を駆動して、基板ホルダ３６すなわち成膜基板である光検出パネルＳの回転を開始する。なお、必要に応じて、シースヒータ３６ｂによって、光検出パネルＳを加熱して、成膜基板および形成中の蛍光体層の温度を制御してもよい。また、光検出パネルＳの回転は、シャッタ２０の開放直前であってもよい。
【００６７】
成膜材料の加熱を開始した後、温度測定手段１８ａが測定した成膜材料の温度が基準温度となった時点で、制御手段２４は、その旨の情報をシャッタ移動手段２６に送る。シャッタ移動手段２６は、成膜材料が基準温度となった時点（０．０Ｔ）から０．１Ｔ以降に設定されたシャッタ開放時間となったら、シャッタ２０を実線で示す遮蔽位置から、点線で示す開放位置に移動（シャッタを開放）して、光検出パネルＳへの蛍光体層の形成（蒸着）を開始する。
成膜速度には、特に限定はなく、蛍光体の種類、成膜方法、成膜装置の性能等に応じて、適宜、決定すればよい。具体的には、０．５〜２０μｍ／ｍｉｎ程度が好ましい。
さらに、蛍光体層の厚さにも、特に限定はなく、ＦＰＤの用途や蛍光体の種類に応じて、十分な発光を得られる層厚を、適宜、決定すればよいが、好ましくは、５０μｍ〜１５００μｍ、特に２００μｍ〜１０００μｍ程度である。
【００６８】
ここで、本発明においては、シャッタ２０は、前記「Ｗ≧１．４×（見込み面の長さ＋Δｘ）」を満たす長さＷを有するので、加熱開始後、成膜材料の蒸発が開始し、また、突沸等が生じても、これらが光検出パネルＳに付着することはなく、光検出パネルＳの表面は清浄に保たれる。また、成膜材料が基準温度となった時点から０．１Ｔが経過した以降に、シャッタ２０を開放して蛍光体層の形成を開始するので、成膜材料の蒸発が充分に安定しており、やはり、突沸や異常蒸発等に起因する劣化の無い、適正な蛍光体層を蒸着開始面から形成することができる。
【００６９】
蛍光体層の形成を開始して、前述のように、成膜材料が基準温度となった時点から加熱開始から０．９Ｔ以前に設定されたシャッタ閉塞時間となったら、シャッタ移動手段２６は、シャッタ２０を点線で示す開放位置から、実線で示す遮蔽位置に移動（シャッタを閉塞）して、光検出パネルＳへの蛍光体層の形成を終了する。
同時に、制御手段２４は、電源２２の駆動を停止して、成膜材料の加熱を終了する。また、ガス導入手段３０から空気もしくは不活性ガスを導入して、真空チャンバ１２内を大気圧に戻す。
【００７０】
このように、シャッタ２０の閉塞すなわち蛍光体層の形成を０．９Ｔが経過する以前に終了することにより、ルツボ１８の中に充分な量の成膜材料が残っている状態で蒸着を終了するので、成膜終了面まで、突沸や異常加熱に起因する劣化の無い適正な蛍光体層を形成することができる。
また、加熱を停止しても、しばらくはルツボ１８からの成膜材料の蒸発は継続するが、本発明によれば、シャッタ１８が前記所定のサイズを有するので、この蒸気もシャッタ１８で確実に閉塞して、蛍光体層の形成終了以降に、余分な蛍光体が付着することも無い。
【００７１】
蛍光体層の形成が終了した後、光検出パネルＳが所定温度まで冷却されたら、真空チャンバ１２を開放して、蛍光体層が形成された光検出パネルＳを取り出し、必要に応じて、、蛍光体層の加熱処理（アニール）を行なう。なお、蒸着装置１０が、図示例のように、シースヒータ３６ｂ等の基板の加熱手段を有する場合には、冷却が終了しても、光検出パネルＳを取り出さず、加熱処理を真空チャンバ内で行なってもよい。
なお、蛍光体層の加熱処理条件には、特に限定はないが、一例として、窒素雰囲気等の不活性雰囲気下で、５０〜６００℃、特に１００〜３００℃で、１／６時間、特に、０．５〜３時間の加熱処理が好ましく例示される。
【００７２】
以上の例においては、シャッタ２０は、「Ｗ≧１．４×（見込み面の長さ＋Δｘ）」を満たす長さＷを有する、所定サイズのものであるが、前記時間Ｔに対して、成膜材料が基準温度となった時点から０．１Ｔを経過した以降に蛍光体層の形成を開始し、０．９Ｔが経過する以前に蛍光体層の形成を終了するという、本発明の蛍光体層の形成開始／終了のタイミングは、様々な構成の蒸着装置に、好適に利用可能である。
【００７３】
一例として、図４に示すように、水平に配置される板状の水平板５０ａと、この水平板５０ａの周辺（あるいは側端面）から下方に向けて立設する、筒状の枠部５０ｂとを有するシャッタ５０を有する真空蒸着装置が例示される。本例においては、シャッタ５０が枠部５０ｂを有することにより、成膜材料の蒸気が横方向に広がるのを、より好適に防止できる。
このシャッタ５０は、水平板５０ａと枠部５０ｂとが、独立した構成となっており、閉塞時には、図４（Ａ）に示すように、枠部５０ｂの上面を水平板５０ａで閉塞した状態で、ルツボ１８の側面を枠部５０ｂで囲んで、上方から蓋をするような位置（遮蔽位置）に配置され、ルツボ１８から成膜基板である光検出パネルＳに向かう成膜材料蒸気を遮蔽する。開放時には、図４（Ｂ）に示すように、水平板５０ａを先のシャッタ２０と同様に水平方向に、枠部５０ｂを下方に移動することにより、ルツボ１８から光検出パネルＳに向かう成膜材料蒸気を遮蔽しない開放位置に移動する。
【００７４】
また、このような水平板５０ａと枠部５０ｂとからなるシャッタ５０においても、水平板５０ａを、前記「Ｗ≧１．４×（見込み面の長さ＋Δｘ）」を満たす長さＷを有するものとしてもよい。
さらに、このような水平板５０ａと枠部５０ｂとからなるシャッタ５０を用いる場合において、ルツボ１８とシャッタ５０との位置関係や、開閉のためのシャッタ５０の移動方法によって、開閉の際にルツボ１８がシャッタ５０の移動を妨害しない場合には、水平板５０ａと枠部５０ｂとを一体的に構成してもよい。
【００７５】
また、前記本発明のシャッタの開閉タイミングは、図５に示すように、基板ホルダ３６に保持された光検出パネルＳを、基板ホルダ３６（シースヒータ３６ａ）と共に密封してしまう、筐体状のシャッタ５４を有する真空蒸着装置にも、好適に利用可能である。
【００７６】
さらに、本発明のシャッタの開閉タイミングは、図６に示すように、真空チャンバ１２に連通するサブチャンバ６０と、真空チャンバ１２とサブチャンバ６０との連通部を気密に閉塞／開放するシャッタ７２とを有する蒸着装置にも、好適に利用可能である。
この真空蒸着装置では、蒸着開始前には、シャッタ７２を閉塞状態にして、光検出パネルＳをサブチャンバ６０に位置しておく。成膜材料の加熱開始後、０．１Ｔ以降に設定された所定の蒸着開始時間になったら、シャッタ７２を開放して、光検出パネルＳをサブチャンバ６０から真空チャンバ１２に移動して、基板ホルダ３６に装着し、０．９Ｔ以前に設定された所定の蒸着終了時間になったら、光検出パネルＳを基板ホルダ３６から取り外して、サブチャンバ６０に戻す。
【００７７】
あるいは、蒸着装置にサブチャンバ６０を設けるのではなく、真空チャンバを大きくして、光検出パネルＳ（基板回転手段１４）および／またはルツボ１８の移動手段を設け、蛍光体層の形成開始前および形成終了後は、ルツボ１８からの蒸気が光検出パネルＳに到達しない位置に光検出パネルＳやルツボ１８を移動し、蛍光体層の形成時のみに、ルツボ１８の直上に光検出パネルＳを位置するようにしてもよい。
【００７８】
以上、本発明のＦＰＤの製造方法について詳細に説明したが、本発明は、上述の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行ってもよいのは、もちろんである。
【実施例】
【００７９】
以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されないのは言うまでもない。
【００８０】
［実施例１］
図１に示す蒸着装置１０を用いて、ガラス板を成膜基板として、このガラス板に蛍光体層を形成した。
真空チャンバ１２を開放して、基板ホルダ３６に４３０×４３０ｍｍで厚さが１ｍｍの矩形のガラス板を固定／保持した。なお、ガラス板は、その中心が基板ホルダ３６と回転中心と一致するように保持した。
他方、タンタル製の抵抗加熱用のルツボ１８に、ヨウ化タリウムとヨウ化セシウムとを０．００１：９９．９９９の混合比（モル比）で混合した原料を、６００ｇ充填した。ルツボ１８の蒸気排出口は、サイズが５×５ｍｍの矩形である。
ルツボ１８の蒸気排出口から、成膜基板であるガラス板までの距離（図２における高さｈ）は、１００ｍｍとした。
【００８１】
他方、シャッタ２０として、直径が２７０ｍｍの円形のモリブデン板を用意し、シャッタ移動手段２６による移動に係る所定位置に装着した。このシャッタ２０による遮蔽位置（図２における高さｄ）は、ルツボ１８の蒸気排出口から３０ｍｍの位置とした。
【００８２】
前述のように、ルツボ１８（その中心）は、基板ホルダ３６の回転中心の鉛直下に位置している。また、成膜基板であるガラス板のサイズは４３０×４３０ｍｍ、ルツボ１８の蒸気排出口のサイズは５×５ｍｍ、遮蔽位置（高さｄ）は３０ｍｍ、ルツボ１８とガラス板の距離（高さｈ）は１００ｍｍであるので、ほぼ点蒸発源と見なすことができ、この系の見込み面は１２９×１２９ｍｍとなる。
また、この蒸着装置１０において、遮蔽位置におけるシャッタ２０の位置の誤差Δｘは、１０ｍｍであった。
さらに、シャッタ２０のサイズは２７０ｍｍである。
従って、１．４×（見込み面の長さ＋Δｘ）＝１．４×（１２９×√２＋１０）≒２６９．３であり、このシャッタ２０は、長さが「Ｗ≧１．４×（見込み面の長さ＋Δｘ）」を満たすものである。
【００８３】
真空チャンバ１２を閉塞した後、真空排気手段を駆動して真空チャンバ１２内を排気し、真空チャンバ１２内が８×１０-4Ｐａとなった時点で、排気を継続しつつ、ガス導入手段によって真空チャンバ１２内にアルゴンガスを導入して、真空チャンバ１２内の圧力を１Ｐａに調整した。
次いで、電源２０を駆動してルツボ１８に通電して、成膜材料の加熱を開始し、かつ、基板ホルダ３６の回転を開始し、さらに、シースヒータ３６ｂによってガラス板を１００℃に加熱した。なお、ルツボ１８の加熱は、ルツボ１８に温度測定手段１８ａとして熱電対を装着して、この測定温度結果が６７０℃の一定となるようにフィードバックすることで制御した。
この条件下における、加熱開始後、成膜材料の温度が基準温度（ヨウ化セシウムの融点＋１０℃）となった時点から、成膜材料が全て蒸発するまでの時間Ｔを予め実験で求めたところ、時間Ｔは１６０ｍｉｎ（分）であった。また、この条件下における成膜速度は、約７μｍ／ｍｉｎであった。なお、付活剤成分であるヨウ化タリウムは成膜材料中の微量成分であるので、融点は無視でき、混合物の融点はヨウ化セシウムの融点と見なせる。
【００８４】
成膜材料の温度が基準温度となった後、０．１Ｔが経過した時点で、シャッタ２０を開放して、ガラス板への蛍光体層（ＣｓＩ：Ｔｌ）の形成を開始した。
また、蛍光体層の形成（成膜）を開始後、成膜材料の温度が基準温度となった時点から０．９Ｔが経過した時点で、シャッタ２０を閉塞して、蛍光体層の形成を終了した。同時に、電源２２を停止してルツボ１８の加熱、および、基板ホルダ３６の回転も停止し、その後、ガス導入手段３０から乾燥空気を導入して、真空チャンバ内を大気圧とした。
【００８５】
ガラス板（蛍光体層）の温度が所定温度になった時点で、真空チャンバ１２を開放して、蛍光体層を形成したガラス板を取り出し、窒素雰囲気下で、温度２００℃で２時間の加熱処理を行った。
【００８６】
［実施例２〜実施例７］
蛍光体層の形成開始を、成膜材料が基準温度となった時点から０．２Ｔを経過した時点とした以外は（実施例２）、
蛍光体層の形成開始を、成膜材料が基準温度となった時点から０．４Ｔを経過した時点とした以外は（実施例３）、
蛍光体層の形成開始を、成膜材料が基準温度となった時点から０．５Ｔを経過した時点とした以外は（実施例４）、
蛍光体層の形成開始を、成膜材料が基準温度となった時点から０．２Ｔを経過した時点とし、蛍光体層の形成終了を、成膜材料が基準温度となった時点から０．８Ｔを経過した時点とした以外は（実施例５）、
蛍光体層の形成開始を、成膜材料が基準温度となった時点から０．２Ｔを経過した時点とし、蛍光体層の形成終了を、成膜材料が基準温度となった時点から０．７Ｔを経過した時点とした以外は（実施例６）、
蛍光体層の形成開始を、成膜材料が基準温度となった時点から０．２Ｔを経過した時点とし、蛍光体層の形成終了を、成膜材料が基準温度となった時点から０．５Ｔを経過した時点とした以外は（実施例７）、
それぞれ、前記実施例１と同様にして、ガラス基板に蛍光体層を形成した。
【００８７】
［比較例１〜比較例３］
蛍光体層の形成開始を成膜材料が基準温度となった時点（すなわち０．０Ｔ）とし、蛍光体層の形成終了を、成膜材料が基準温度となった時点から時間Ｔ（すなわち、１．０Ｔ）を経過した時点とした以外は（比較例１）、
蛍光体層の形成開始を成膜材料が基準温度となった時点（０．０Ｔ）とし、蛍光体層の形成終了を、成膜材料が基準温度となった時点から０．９５Ｔを経過した時点とした以外は（比較例２）、
蛍光体層の形成開始を成膜材料が基準温度となった時点から０．０５Ｔを経過した時点とし、蛍光体層の形成終了を、成膜材料が基準温度となった時点から０．９Ｔを経過した時点とした以外は（比較例３）、
それぞれ、前記実施例１と同様にして、ガラス基板に蛍光体層を形成した。
【００８８】
［比較例４］
シャッタ２０のサイズを、見込み面の長さと同サイズの直径１８２．４ｍｍ（１２９×√２）とした以外は、前記実施例５と同様にして、ガラス基板に蛍光体層を形成した。
［比較例５］
シャッタ２０のサイズを、「見込み面の長さ＋Δｘ」の１．２倍（１．２×（１２９×√２＋Δｘ）である直径２３１ｍｍとした以外は、前記実施例５と同様にして、ガラス基板に蛍光体層を形成した。
【００８９】
得られた各蛍光体層について、以下の方法で、点欠陥を調べた。
［点欠陥の測定］
暗室において、成膜基板としたガラス基板の非蛍光体層形成面に、ＡｇＢｒフィルムを密着状態で貼着した。この積層体に、蛍光体層側から、Ｘ線を１０ｍＲ照射した後、ガラス基板からＡｇＢｒフィルムを剥離して、現像処理を行なった。
現像したＡｇＢｒフィルムから、１００ｃｍ2の領域を１０個所、ランダムに選択し、各領域において、目視可能な点欠陥の数を計数し、１０個所の平均を算出した（点欠陥個数）。また、計数した全ての点欠陥の中から、最大サイズの点欠陥（最大点欠陥）を抽出して、サイズ［μｍ］を測定した。
結果を下記表に示す。
【００９０】
【表１】
2008139156.tif 000003
なお、比較例４および比較例５は、シャッタのサイズが異なる。
【００９１】
表１に示されるように、成膜材料が基準温度となった時点から蒸発終了までの時間Ｔに対して、成膜材料が基準温度となった時点から、０．１Ｔが経過した以降に蛍光体層の形成を開始し、０．９Ｔが経過する以前に蛍光体層の形成を終了する本発明によれば、従来の蛍光体層の形成方法に比して、点欠陥の個数が少なく、かつ、点欠陥が生じてもサイズが小さい。従って、本発明によれば、蒸着開始面および終了面共に良好な性状を有し、点  欠陥等の画質劣化の少ない、高画質な放射線画像が得られる、高品質な平面放射線画像検出パネルを安定して製造することができる。
以上の結果より、本発明の効果は、明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の平面放射線画像検出器の製造方法を実施する（真空）蒸着装置の一例の概念図である。
【図２】（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の平面放射線画像検出器の製造方法の一例を説明するための概念図である。
【図３】本発明の平面放射線画像検出器の製造方法の別の例を説明するための概念図である。
【図４】（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の平面放射線画像検出器の製造方法を応用する平面放射線画像検出器の製造方法の一例を説明するための概念図である。
【図５】本発明の平面放射線画像検出器の製造方法を応用する平面放射線画像検出器の製造方法の別の例を説明するための概念図である。
【図６】本発明の平面放射線画像検出器の製造方法を応用する平面放射線画像検出器の製造方法の別の例を説明するための概念図である。
【符号の説明】
【００９３】
１０  （真空）蒸着装置
１２  真空チャンバ
１４  基板回転手段
１８  ルツボ
１８ａ  温度測定手段
２０，５０，５４，６２  シャッタ
２２  電源
２４  制御手段
２６  シャッタ移動手段
３０  ガス導入手段
３２  回転駆動源
３４  回転軸
３６  基板ホルダ
６０  サブチャンバ
【図１】
2008139156.tif 000004
【図２】
2008139156.tif 000005
【図３】
2008139156.tif 000006
【図４】
2008139156.tif 000007
【図５】
2008139156.tif 000008
【図６】
2008139156.tif 000009