(57)【要約】【課題】  従来の配線基板においては、帯電体から与えられる電荷を効果的に配線基板の側面に引き寄せることはできなく、配線基板に十分な静電気対策が施されているとはいえなかった。【解決手段】  絶縁層Ｌ２と、絶縁層Ｌ２上に積層された導電層Ｌｃ２と、導電層Ｌｃ２上に積層された絶縁層Ｌ１と、を備える配線基板であって、導電層Ｌｃ２は、接地電位に接続されるとともに、配線基板ＳＵＢの面内で平坦に構成されるプレーン部２０、プレーン部から配線基板ＳＵＢの側面に向けて延在する複数の突出部２１、を含んで構成され、突出部２１の先端を構成する突出面２２は配線基板ＳＵＢの側面で露出し、配線基板ＳＵＢの側面に複数の前記突出面２２が配置される。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に積層された第１導電層と、前記第１導電層上に積層された第２絶縁層と、を備える配線基板であって、
前記第１導電層は、第１電源電位又は第２電源電位に接続されるとともに、前記配線基板の面内で平坦に構成されるプレーン部、当該プレーン部から前記配線基板の側面に向けて延在する複数の突出部、を含んで構成され、
前記突出部の先端を構成する突出面は前記配線基板の側面で露出し、前記配線基板の側面に複数の前記突出面が配置される、配線基板。
【請求項２】
前記配線基板は、第１主面と当該第１主面に対向する第２主面とを有し、前記第１主面と前記第２主面との間で電気的な連絡を確保することを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記プレーン部は、前記第１主面と前記第２主面との間で電気的な接続を確保する信号ラインと絶縁された状態で、少なくとも前記配線基板の面内における内部領域に亘って形成されることを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記配線基板は、前記第１主面上に半導体チップが実装され、前記第２主面上に複数の外部端子が実装されることを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項５】
前記外部端子は、突起電極であることを特徴とする請求項４記載の配線基板。
【請求項６】
前記第１導電層は、前記配線基板の面内で、櫛状に配置された複数の前記突出部を含んで構成されることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項７】
前記第１導電層は、前記配線基板の側面ごとに、櫛状に配置された複数の前記突出部を有することを特徴とする請求項６記載の配線基板。
【請求項８】
前記プレーン部から延在する前記突出部は、前記配線基板の側面のうち、最も近い側面に向けて延在することを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項９】
前記突出部は、前記突出面に向かって実質的に同一の幅で延在することを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項１０】
前記突出面は、前記配線基板の側面と実質的に一致することを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項１１】
前記突出部は、前記突出面に向けて延在するに従って、細くなることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項１２】
前記配線基板の少なくとも一方の主面上に形成され、前記配線基板の側面に向けて延在する複数の配線と、をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項１３】
複数の前記配線は、前記配線基板の前記主面と前記配線基板の側面との間の縁にまで到達しないことを特徴とする請求項１２記載の配線基板。
【請求項１４】
前記配線の先端を構成する先端面と前記突出部の前記突出面とが千鳥状に前記配線基板の側面に配置されることを特徴とする請求項１２記載の配線基板。
【請求項１５】
前記配線基板の側面において、前記配線の先端を構成する先端面は、前記突出部の前記突出面の直上又は直下に配置されることを特徴とする請求項１２記載の配線基板。
【請求項１６】
前記配線基板の少なくとも一方の主面上に配置された外部端子と、をさらに備え、
前記外部端子は、少なくとも複数の前記突出部の前記突出面を結ぶ仮想線から規定され領域の内側に配置されることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項１７】
前記外部端子は、突起電極であることを特徴とする請求項１６記載の配線基板。
【請求項１８】
前記配線基板は、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とが、前記第１導電層を挟んで、互いに圧着されて形成されることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項１９】
前記プレーン部から延在する前記突出部は、前記配線基板の側面のうち、保護されるべき外部端子から最も近い側面に向けて延在することを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項２０】
保護されるべき前記外部端子は、突起電極であることを特徴とする請求項１９記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子は、プリント基板等に実装され、様々な電子機器にて使用されている。尚、実装される半導体素子としては、パッケージングされていない半導体チップ（いわゆる、ベアチップ）や、あらかじめ半導体チップがパッケージされたもの（例えば、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）パッケージ等）がある。
【０００３】
ところで、半導体素子が実装された電子機器においては、製品出荷の際の試験項目として静電気試験が実行される（特許文献１参照）。具体的には、静電気を帯びた物体（帯電物）が、半導体素子が実装された後の電子機器に近づけられたりする。このとき、帯電物と電子機器の表面の導体との間に非接触放電が生じることがある。電子機器又はこれに実装された半導体素子の機能が損なわれることを防止するためには、放電により電子機器に与えられる電荷を、半導体チップを経由せずに電子機器の外部に逃がす必要がある。
【０００４】
特許文献１には、筐体内に配線基板が配置された電子機器が示されている。具体的には、筐体内に配置された配線基板の外周部に、配線基板上のグランドに接続された導体部を設けている。また、特許文献２には、プリント配線板の外周端面に、接地導体に接続されたスルーホール導電部が設けられている。
【特許文献１】特開２００１−３０８５８６号公報
【特許文献２】特開平５−６３３８８号公報
【非特許文献１】トランジスタ技報  ２００４年８月号  ２４３ページ
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のような半導体素子が搭載される、配線基板（半導体パッケージ基板やプリント基板）は、例えば、配線基板の主面上の外部端子を介して他のプリント基板等に実装される。はんだボールパッドとはんだボールとで構成された外部端子は、配線基板側面方向から見てむき出しの状態（露出した状態）とされることが多い。このような場合、このむき出しの外部端子を含んで、静電気の放電経路が構成されるおそれがある。この外部端子が信号端子であった場合、放電経路に半導体チップ（特に半導体チップの入出力回路）を含むことになるため、半導体チップが静電破壊するおそれがある。
【０００６】
特許文献１及び特許文献２のいずれにおいても、配線基板の側面に近づけられる帯電体と配線基板との間に形成される非接触の放電経路について十分な考慮がされているとは言えない。すなわち、単に配線基板の外周部に、配線基板上のグランド接続された導体部を設けたり、プリント配線板の外周端面に、接地導体に接続されたスルーホール導電部を設けたりしても、帯電体から与えられる電荷を配線基板の側面に効果的に引き寄せることはできない。結果として、配線基板の主面上の外部端子などに静電気が与えられてしまうおそれがある。
【０００７】
従来の配線基板においては、帯電体から与えられる電荷を効果的に配線基板の側面に引き寄せることはできなく、配線基板に十分な静電気対策が施されているとはいえなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明にかかる配線基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に積層された第１導電層と、前記第１導電層上に積層された第２絶縁層と、を備える配線基板であって、前記第１導電層は、第１電源電位又は第２電源電位に接続されるとともに、前記配線基板の面内で平坦に構成されるプレーン部、当該プレーン部から前記配線基板の側面に向けて延在する複数の突出部、を含んで構成され、前記突出部の先端を構成する突出面は前記配線基板の側面で露出し、前記配線基板の側面に複数の前記突出面が配置される。
【０００９】
第１導電層は、第１電源電位又は第２電源電位に接続されるとともに、配線基板の面内で平坦に構成されるプレーン部、当該プレーン部から前記配線基板の側面に向けて延在する複数の突出部、を含んで構成される。また、突出部は、配線基板の側面において露出する突出面を有する。従って、配線基板の側面には、複数の突出面が配置される。複数の突出部のそれぞれは効果的に避雷針として機能する。放電経路を流れる電荷は、効果的に突出部のそれぞれに引き寄せられる。従って、帯電体から与えられる電荷は、効果的に配線基板の側面に引き寄せられる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る配線基板では、帯電体から与えられる電荷を効果的に配線基板の側面に引き寄せることができるため、配線基板に実装されるべき半導体素子（特に半導体チップ）を効果的に静電気から保護することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。なお、図面は簡略的なものであるから、この図面の記載を根拠として本発明の技術的範囲を狭く解釈してはならない。また、同一の要素には、同一の符号を付し、重複する説明は省略するものとする。また、図面は、もっぱら技術的事項の説明のためのものであり、図面に示された要素の正確な大きさ等は反映していない。また、以降の説明では、説明の便宜上、紙面を正面視するものとして説明する。従って、上下左右という方向を特定する用語は、紙面を正面視していることが前提となっている。
【００１２】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図７を用いて以下説明する。図１に、第１の実施の形態にかかる配線基板を説明するための半導体パッケージを示す。図２に、図１に示した半導体パッケージ１の分解斜視図を示す。図３に、半導体パッケージ１の上面図、図４に半導体パッケージ１の下面図、図５に半導体パッケージの左側面図、図６に半導体パッケージ１の右側面図、図７に半導体パッケージ１の断面図を示す。尚、図７は、図１におけるＡ−Ａラインに沿う概略断面図である。いずれの図においても、半導体パッケージ１は、本発明にかかる配線基板ＳＵＢに半導体チップＣＰが実装されて構成されるパッケージである。
【００１３】
まず、図１に示すように、半導体パッケージ１は、配線基板ＳＵＢ、半導体チップＣＰ、を備える。半導体チップＣＰは配線基板ＳＵＢに実装される。また、配線基板ＳＵＢは、他の配線基板（マザーボード）に実装される。従って、ここでは、半導体チップＣＰが実装された配線基板ＳＵＢを半導体パッケージと呼ぶ。配線基板ＳＵＢは、マザーボードに実装されるという意味では、ドーターボードである。
【００１４】
なお、本実施形態における配線基板ＳＵＢは、例えば、ＦＰＢＧＡ（Ｆｉｎｅ  Ｐｉｔｃｈ  Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＰＢＧＡ（Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）等に用いられる。この場合、配線基板ＳＵＢに搭載される半導体チップ（ベアチップ）と配線基板ＳＵＢとはワイヤーにより接続される。そして、配線基板ＳＵＢの主面上には、ワイヤーとの接続端子（いわゆるステッチ）、はんだボールパッドが設けられる。銅（Ｃｕ）で形成されたステッチやはんだボールパッドの上には、電解メッキにより、ニッケル金（Ｎｉ−Ａｕ）等の被膜が形成される。これは、例えば、ステッチにワイヤーをボンディングする際のボンディングの接着強度を得るためである。
【００１５】
図１には、下から上に、ソルダーレジスト層ＳＬ２、絶縁層Ｌ３、絶縁層Ｌ２、絶縁層Ｌ１、ソルダーレジスト層ＳＬ１が、この順で積層されている配線基板ＳＵＢが示されている。絶縁層Ｌ２は、後述の導電層Ｌｃ３を挟んで絶縁層Ｌ３の上に積層される。絶縁層Ｌ１は、後述の導電層Ｌｃ２を挟んで絶縁層Ｌ２の上に積層される。そして、導電層Ｌｃ２と導電層Ｌｃ３とを挟んだ状態で、絶縁層Ｌ３、絶縁層Ｌ２、絶縁層Ｌ１らは熱圧着される。また、絶縁層Ｌ１の上面には、後述の導電層Ｌｃ１が形成され、絶縁層Ｌ３の下面には、後述の導電層Ｌｃ４が形成される。つまり、配線基板ＳＵＢは、絶縁層と導電層とが交互に積層された多層配線基板であって、ソルダーレジスト層ＳＬ２、導電層Ｌｃ４（第４導電層）、絶縁層Ｌ３（第３絶縁層）、導電層Ｌｃ３（第２導電層）、絶縁層Ｌ２（第１絶縁層）、導電層Ｌｃ２（第１導電層）、絶縁層Ｌ１（第２絶縁層）、導電層Ｌｃ１（第３導電層）、ソルダーレジスト層ＳＬ１が、この順で積層されて構成される。絶縁層Ｌ１〜Ｌ３は、例えば、加熱されることで軟化する樹脂材料（ガラスエポキシ樹脂等）で構成される。導電層Ｌｃ１〜Ｌｃ４は、銅（Ｃｕ）等の金属材料で構成される。また、絶縁層Ｌ３の下面には、後述の導電層Ｌｃ４（不図示）、はんだボールパッド（不図示）が形成される。なお、他の配線基板に配線基板ＳＵＢが実装される際は、はんだボールパッドには、はんだボール３０が配置される。
【００１６】
配線基板ＳＵＢは、板状の基板であり、上面（第１主面）と、上面に対向する下面（第２主面）とを有する。そして、配線基板ＳＵＢは、上面に実装された半導体チップＣＰと下面に実装された後述のはんだボール３０との間の電気的な連絡を確保する。なお、配線基板ＳＵＢの上面及びその下面は、ともに矩形に構成される。配線基板ＳＵＢの側面は、配線基板ＳＵＢの下面外周と上面外周との間を結ぶ面として構成される。配線基板ＳＵＢは、矩形の上面及び下面に対応して、４つの側面を有する。なお、配線基板ＳＵＢの具体的な形状は、多角形（例えば、Ｌ字型）であってもよく、また上面（又は下面）がＣ字型等曲面を有する形状であっても構わない。
【００１７】
ソルダーレジスト層ＳＬ１は、絶縁層Ｌ１の上層に形成される。ソルダーレジスト層ＳＬ１は、絶縁層Ｌ１の上面に形成される配線を保護する。ソルダーレジスト層ＳＬ２は、絶縁層Ｌ３の下面に形成される。ソルダーレジスト層ＳＬ２は、絶縁層Ｌ３の下面に形成される配線を保護する。
【００１８】
半導体チップＣＰは、いわゆるベアチップであって、ソルダーレジスト層ＳＬ１の上に配置される。半導体チップＣＰは、その上面に端子２ａ、端子２ｂ、端子２ｃを有する。半導体チップＣＰの端子２ａは、ワイヤーＷ１により、ソルダーレジスト層ＳＬ１から露出したステッチ（台座部）１０ａに接続される。同様に、半導体チップＣＰの端子２ｂは、ワイヤーＷ２により、ソルダーレジスト層ＳＬ１から露出したステッチ（台座部）１１ａに接続される。また、半導体チップＣＰの端子２ｃは、ワイヤーＷ３により、ソルダーレジスト層ＳＬ１から露出したステッチ（台座部）１２ａに接続される。なお、ステッチ１０ａ、１１ａ、１２ａは、後述するように、導電層Ｌｃ１上のパッドが露出した領域である。
【００１９】
本実施形態では、配線基板ＳＵＢの側面には、複数の突出面２２が配置される。突出面２２は、後述の突出部２１の先端を構成する。突出部２１は、避雷針として効果的に機能する。従って、配線基板ＳＵＢの側面付近の帯電体から与えられる電荷（配線基板ＳＵＢの側面付近で発生する静電気）は、効果的に突出部２１の突出面２２に引き寄せられる。これにより、配線基板ＳＵＢの主面上に配置される外部端子（後述のはんだボール３０など）等への放電を防止できる。これにより、半導体チップＣＰを、静電気破壊から効果的に保護できる。すなわち、外部端子（後述のはんだボール３０）などを静電気から保護すれば、静電気破壊から半導体チップＣＰを効果的に保護できる。なお、図１には図示されていない配線基板ＳＵＢの側面においても、複数の突出面２２がそれぞれに配置されている。
【００２０】
次に、図２に示された半導体パッケージ１の分解斜視図を用いて、その内部構造について説明する。なお、図２では、説明の便宜上、ソルダーレジスト層ＳＬ１、ソルダーレジスト層ＳＬ２は省略されている。
【００２１】
図２には、下から上に、絶縁層Ｌ３、導電層Ｌｃ３、絶縁層Ｌ２、導電層Ｌｃ２、絶縁層Ｌ１、導電層Ｌｃ１、が示されている。導電層Ｌｃ３は、絶縁層Ｌ３の上に形成される。導電層Ｌｃ２は、絶縁層Ｌ２の上に形成される。導電層Ｌｃ１は、絶縁層Ｌ１の上に形成される。尚、絶縁層Ｌ３の下には、導電層Ｌｃ４（不図示）が形成される。また、絶縁層Ｌ３の下には、はんだボール３０（点線にて概略的に図示）が配置される。
【００２２】
まず、図２に示された導電層Ｌｃ１〜Ｌｃ３の構成について説明する。図２に示すように、導電層Ｌｃ１は、いわゆる表面配線層であって、配線１０、配線１１、配線１２を有する。換言すると、導電層Ｌｃ１は、電気的に分離された複数の配線を含んで構成される。それぞれの配線１０、１１、１２は、半導体チップＣＰの端子と絶縁層Ｌ１に設けられたビア（内部は導電部材で埋められている）との間の電気的接続を確保する。
【００２３】
配線１０は、ステッチ１０ａを有する。そして、配線１０は、ステッチ１０ａを基点としてビアＴｈ１０にまで延在する。上述のように、ワイヤーＷ１の一端は半導体チップＣＰの端子２ａに接続され、ワイヤーＷ１の他端はステッチ１０ａに接続される。よって、半導体チップＣＰの端子２ａは、ワイヤーＷ１を介して、配線１０に接続される。
【００２４】
配線１１は、ステッチ１１ａを有する。そして、配線１１は、ステッチ１１ａを基点としてビアＴｈ１１まで延在する。上述のように、ワイヤーＷ２の一端は半導体チップＣＰの端子２ｂに接続され、ワイヤーＷ２の他端はステッチ１１ａに接続される。よって、半導体チップＣＰの端子２ｂは、ワイヤーＷ２を介して、配線１１に接続される。
【００２５】
配線１２は、配線１０と同様の構成である。すなわち、ステッチ１２ａがステッチ１０ａに対応し、ワイヤーＷ３がワイヤーＷ１に対応する。尚、ワイヤーＷ３の一端は、半導体チップＣＰの端子２ｃに接続される。
【００２６】
絶縁層Ｌ２の上面には、導電層Ｌｃ２が形成される。図２に示すように、導電層Ｌｃ２は、プレーン部２０、複数の突出部２１を有する。プレーン部２０は、絶縁層Ｌ２の上面の内部領域に亘って形成される。突出部２１は、絶縁層Ｌ２の周辺領域（内部領域を囲む領域）に形成される。プレーン部２０は、いわゆるグランドプレーンであり、接地電位（第２電源電位）に接続される。プレーン部２０は、本実施形態のように、絶縁層Ｌ２の上面の内部領域のうち、特にその中央領域に形成されることが好ましい。なお、後述する説明からも明らかになるが、導電層Ｌｃ２は、プレーン部２０から電気的に分離された複数のランド部（不図示）を有する。なお、このランド部は、プレーン部２０に設けられた複数の穴部（不図示）内に形成される。
【００２７】
本実施形態においては、プレーン部２０の周囲に複数の突出部２１が一体に形成される。突出部２１は、プレーン部２０から絶縁層Ｌ２の上面と側面との間の縁（絶縁層Ｌ２の上面を規定する辺）に向かって延在する。プレーン部２０から延在する突出部２１は、配線基板ＳＵＢの側面のうち、はんだボール３０から最も近い側面に向けて延在する。このとき、互いに隣り合う突出部２１間には、所定の空間が存在する。そして、突出部２１は、その先端が絶縁層Ｌ２の上面と側面との間の縁に達するまで延在する。この点について換言すると、導電層Ｌｃ２は、櫛状に形成された複数の突出部２１を、配線基板ＳＵＢの面内に有する。櫛状に形成された複数の突出部２１は、配線基板ＳＵＢの側面に対応して設けられる。そして、配線基板ＳＵＢの４つの側面のそれぞれで、櫛状に形成された複数の突出部２１の突出面２２は露出する。結果として、配線基板ＳＵＢのそれぞれの側面では、配線基板ＳＵＢの幅方向（配線基板ＳＵＢを構成する絶縁層が積層される方向に直交する方向、以下同様）に沿って、複数の突出面２２が並んで配置される。
【００２８】
尚、ここでいう「櫛状」とは、配線基板ＳＵＢの幅方向に沿って、複数の突出部２１が絶縁層Ｌｃ２上に並んで形成されている態様を示す用語である。よって、突出部２１自体の形状は任意である。すなわち、突出部２１の上面視形状は矩形に限られない。突出部２１の上面視形状により、突出面２２の面積は変わるが、突出面２２が配線基板ＳＵＢの側面で露出していれば、突出部２１の避雷針としての機能が損なわれるものではない。なお、突出部２１は、図２に示すように、突出面２２に向かって実質的に同一の幅で延在する。かかる構成は、配線基板ＳＵＢにおける配線と同一形状として構成することが可能である。
【００２９】
本実施形態においては、配線基板ＳＵＢの幅方向に沿う突出部２１の突出面２２の幅は、配線基板ＳＵＢの幅方向に沿うプレーン部２０の幅よりも十分に狭い。一般に形状の鋭角な部位ほど電荷が集中する。このため、突出部２１の角部に電極が集中する。したがって図２のように突出部２１は、突出面２２に向かって実質的に同一の幅で延在している構造であっても、その先端部（突出面２２）の角部に放電されやすいこととなる。このため、突出部２１は、効果的に避雷針として機能するものであるといえる。 
【００３０】
また、本実施形態においては、プレーン部２０から延在する突出部２１は、配線基板ＳＵＢの側面のうち、はんだボール３０から最も近い側面に向けて延在する。また、突出部２１は、半導体パッケージ１の側面を見て、はんだボールが見える位置の直上の位置まで延在すると良い。これによって、保護されるべきはんだボール３０の近傍に突出面２２が配置される。従って、保護されるべきはんだボール３０を静電気から効果的に保護することができる。
【００３１】
上述のように、導電層Ｌｃ２が形成されることにより、図１に示した配線基板ＳＵＢの側面に、突出部２１の先端を構成する突出面２２が露出し、配線基板ＳＵＢの側面には複数の突出面２２が配置される。ここでは、突出部２１の先端を構成する突出面２２は、配線基板ＳＵＢの側面と実質的に一致する。
【００３２】
絶縁層Ｌ３の上面には、導電層Ｌｃ３が形成される。図２に示すように、導電層Ｌｃ３は、プレーン部２３を有する。プレーン部２３は、絶縁層Ｌ３の面内の内部領域において平面状に構成される。プレーン部２３は、いわゆる電源プレーンであり、電源電位（第１電源電位）に接続される。なお、後述する説明からも明らかになるが、導電層Ｌｃ３は、電源プレーンから電気的に分離された複数のランド部（不図示）を有する。なお、ランド部は、プレーン部２３とは別個に形成されても良いし、プレーン部２３に設けられた穴部（不図示）内に形成されてもよい。
【００３３】
ここで、図２を用いて、絶縁層Ｌ１の上面の半導体チップＣＰから絶縁層Ｌ３の下面にまでの至る電気的経路について説明する。
【００３４】
絶縁層Ｌ１は、その上面と下面との間の電気的経路として機能するビアＴｈ１０、Ｔｈ１１、Ｔｈ１２を有する。絶縁層Ｌ２は、その上面と下面との間の電気的経路として機能するビアＴｈ１３、Ｔｈ１４、Ｔｈ１５を有する。絶縁層Ｌ３は、その上面と下面との間の電気的経路として機能するビアＴｈ１６、Ｔｈ１７、Ｔｈ１８を有する。なお、いずれのビアも、その内部は導電部材で埋められている（尚、以降の説明では、ビアの内部は導電部材で埋められていることを前提として説明する）。
【００３５】
上述のように、配線１０には、半導体チップＣＰの端子２ａが接続される。配線１１には、半導体チップＣＰの端子２ｂが接続される。また、配線１２には、半導体チップＣＰの端子２ｃが接続される。また、配線１０は、ビアＴｈ１０の上を延在し、ビアＴｈ１０と電気的に接続される。配線１１は、ビアＴｈ１１の上を延在し、ビアＴｈ１１と電気的に接続される。配線１２は、ビアＴｈ１２の上を延在し、ビアＴｈ１２と電気的に接続される。
【００３６】
よって、半導体チップＣＰの端子２ａから絶縁層Ｌ１の下面にまで、ワイヤーＷ１、配線１０、ビアＴｈ１０を介して、電気的な接続経路が形成される。同様に、半導体チップＣＰの端子２ｂから絶縁層Ｌ１の下面にまで、ワイヤーＷ２、配線１１、ビアＴｈ１１を介して、電気的な接続経路が形成される。半導体チップＣＰの端子２ｃから絶縁層Ｌ１の下面にまで、ワイヤーＷ３、配線１２、ビアＴｈ１２を介して、電気的な接続経路が形成される。
【００３７】
絶縁層Ｌ１と絶縁層Ｌ２とが圧着されることにより、絶縁層Ｌ１のビアＴｈ１０は、絶縁層Ｌ２のビアＴｈ１３と電気的に接続される。従って、ビアＴｈ１３により、半導体チップＣＰの端子２ａから絶縁層Ｌ２の下面にまで電気的な接続経路が形成される。なお、プレーン部２０は、ビアＴｈ１０とビアＴｈ１３とに対応して、ビアＴｈ１０とビアＴｈ１３とを接続するランド部（不図示）を有する。このランド部により、ビアＴｈ１０とビアＴｈ１３とは良好に接続される。
【００３８】
同様に、絶縁層Ｌ１と絶縁層Ｌ２とが圧着されることにより、絶縁層Ｌ１のビアＴｈ１１は、絶縁層Ｌ２のビアＴｈ１４と電気的に接続される。従って、ビアＴｈ１４により、半導体チップＣＰの端子２ｂから絶縁層Ｌ２の下面にまで電気的な接続経路が形成される。なお、プレーン部２０は、ビアＴｈ１１とビアＴｈ１４とに対応して、ビアＴｈ１１とビアＴｈ１４とを接続するランド部（不図示）を有する。このランド部により、ビアＴｈ１１とビアＴｈ１４とは良好に接続される。
【００３９】
同様に、絶縁層Ｌ１と絶縁層Ｌ２とが圧着されることにより、絶縁層Ｌ１のビアＴｈ１２は、絶縁層Ｌ２のビアＴｈ１５と電気的に接続される。従って、ビアＴｈ１５により、半導体チップＣＰの端子２ｃは、絶縁層Ｌ２の下面まで電気的な接続が確保される。なお、導電層Ｌｃ２は、ビアＴｈ１２とビアＴｈ１５とに対応して、ビアＴｈ１２とビアＴｈ１５とを接続するランド部（不図示）を有する。このランド部により、ビアＴｈ１２とビアＴｈ１５とは良好に接続される。
【００４０】
絶縁層Ｌ２と絶縁層Ｌ３とが圧着されることにより、絶縁層Ｌ２のビアＴｈ１３は、絶縁層Ｌ３のビアＴｈ１６と電気的に接続される。従って、ビアＴｈ１６により、半導体チップＣＰの端子２ａから絶縁層Ｌ３の下面にまで電気的な接続が確保される。なお、導電層Ｌｃ３は、ビアＴｈ１３とビアＴｈ１６とに対応して、ビアＴｈ１３とビアＴｈ１６とを接続するランド部（不図示）を有する。よって、このランド部により、ビアＴｈ１３とビアＴｈ１６とは良好に接続される。
【００４１】
同様に、絶縁層Ｌ２と絶縁層Ｌ３とが圧着されることにより、絶縁層Ｌ２のビアＴｈ１４は、絶縁層Ｌ３のビアＴｈ１７と電気的に接続される。従って、ビアＴｈ１７により、半導体チップＣＰの端子２ｂから絶縁層Ｌ３の下面にまで電気的な接続が確保される。なお、導電層Ｌｃ３は、ビアＴｈ１４とビアＴｈ１７とに対応して、ビアＴｈ１４とビアＴｈ１７とを接続するランド部（不図示）を有する。このランド部により、ビアＴｈ１４とビアＴｈ１７とは良好に接続される。
【００４２】
同様に、絶縁層Ｌ２と絶縁層Ｌ３とが圧着されることにより、絶縁層Ｌ２のビアＴｈ１５は、絶縁層Ｌ３のビアＴｈ１８と電気的に接続される。従って、ビアＴｈ１８により、半導体チップＣＰの端子２ｃから絶縁層Ｌ３の下面にまで電気的な接続が確保される。なお、導電層Ｌｃ３は、ビアＴｈ１５とビアＴｈ１８とに対応して、ビアＴｈ１５とビアＴｈ１８とを接続するランド部（不図示）を有する。このランド部により、ビアＴｈ１５とビアＴｈ１８とは良好に接続される。
【００４３】
このようにして、配線基板ＳＵＢの上面に実装された半導体チップＣＰから配線基板ＳＵＢの下面にまで電気的な接続経路が確保される。
【００４４】
配線基板ＳＵＢ（絶縁層Ｌ３）の下面には、導電層Ｌｃ４が形成（不図示）される。また、図２に模式的に示すように、絶縁層Ｌ３の下面には、複数のはんだボール３０が二次元状に配置される。
【００４５】
導電層Ｌｃ４は、導電層Ｌｃ１と同様に、いわゆる表面配線層であって、電気的に分離された複数の配線を含んで構成される。導電層Ｌｃ４を構成する配線により、ビアＴｈ１６と後述のはんだボール３０ａとは接続される。よって、半導体チップＣＰの端子２ａからはんだボール３０ａまでの電気的経路が確保される。また、導電層Ｌｃ４を構成する配線により、ビアＴｈ１７と後述のはんだボール３０ｂとは接続される。よって、半導体チップＣＰの端子２ｂからはんだボール３０ｂまで電気経路が確保される。また、導電層Ｌｃ４を構成する配線により、ビアＴｈ１８とはんだボール３０ｃとは接続される。よって、半導体チップＣＰの端子２ｃからはんだボール３０ｃまでの電気的経路が確保される。
【００４６】
このように、配線基板ＳＵＢの上面に配置される半導体チップＣＰの端子は、絶縁層Ｌ１〜Ｌ３のそれぞれに形成されたビアを経由して、配線基板ＳＵＢの下面のはんだボール３０までそれぞれ電気的に接続される。
【００４７】
なお、本実施形態では、半導体チップＣＰの端子２ａからはんだボール３０ａに至るまでの電気的経路、半導体チップＣＰの端子２ｂからはんだボール３０ｂに至るまでの電気的経路、半導体チップＣＰの端子２ｃからはんだボール３０ｃに至るまでの電気的経路、の独立した３つの電気的経路のみについて説明したが、この電気的経路の数は半導体チップの回路規模に応じて増減するものである。なお、上述の３つの電気的経路には、データ信号が与えられるので、便宜上、それぞれ信号ラインと呼ぶこととする。また、上述の説明から明らかなように、この信号ラインは、導電層Ｌｃ２のプレーン部２０、導電層Ｌｃ３のプレーン部２３から絶縁されている。
【００４８】
なお、図面上は省略されているが、導電層Ｌｃ２のプレーン部２０は、半導体チップＣＰのグランド端子に接続される。また、グランド接続されるはんだボール３０に接続される。すなわち、上述した説明にならって、導電層Ｌｃ２に形成されたプレーン部２０は、絶縁層Ｌ１に形成されたビア（不図示）、絶縁層Ｌ１の上面に形成された配線（不図示）、ワイヤー（不図示）を経由して、半導体チップＣＰのグランド端子（不図示）に接続される。また、導電層Ｌｃ２に形成されたプレーン部２０は、絶縁層Ｌ２、Ｌ３に形成されたビア（不図示）、絶縁層Ｌ３の下面に形成された配線（不図示）を経由して、グランド接続されるはんだボール３０に接続される。
【００４９】
また、同様に図面上は省略されているが、導電層Ｌｃ３のプレーン部２３は、半導体チップＣＰの電源端子に接続される。また、電源接続されるはんだボール３０に接続される。すなわち、上述した説明にならって、導電層Ｌｃ３に形成されたプレーン部２３は、絶縁層Ｌ２、Ｌ１に形成されたビア（不図示）、絶縁層Ｌ１の上面に形成された配線（不図示）、ワイヤー（不図示）を経由して、半導体チップＣＰの電源端子（不図示）に接続される。また、導電層Ｌｃ３に形成されたプレーン部２３は、絶縁層Ｌ３に形成されたビア（不図示）、絶縁層Ｌ３の下面に形成された配線（不図示）を経由して、電源接続されるはんだボール３０に接続される。
【００５０】
プレーン部２０及びプレーン部２３により、配線基板ＳＵＢの配線構造の簡略化、電源電位の安定化を図ることができる。また、信号のノイズ対策も図ることができる。
【００５１】
以下、図３乃至図６を用いて、半導体パッケージ１の上面、下面、側面の構成について具体的に説明する。なお、ここでも、図１に示したソルダーレジスト層ＳＬ１、ＳＬ２は説明の便宜上省略されている。
【００５２】
図３に示すように、本実施形態においては、半導体チップＣＰは、配線基板ＳＵＢの上面の中央の半導体チップ搭載領域に実装される。また、ステッチ１０ａ〜１２ａは、半導体チップ搭載領域の外周の領域に配置される。
【００５３】
配線１０は、上述のように半導体チップＣＰとビアＴｈ１０とを接続するとともに、図３に示すように、ビアＴｈ１０を超えて配線基板ｓｕｂの側面にまで延在する。そして、絶縁層Ｌ１の上面と側面との間の縁（絶縁層Ｌ１の上面を規定する辺）にまで到達する。
【００５４】
配線１１は、ステッチ１１ａを基点として、ビアＴｈ１１にまで延在する。つまり、配線１１は、絶縁層Ｌ１の上面と側面との間の縁（絶縁層Ｌ１の上面を規定する辺）にまで到達しない。
【００５５】
配線１２は、上述のように半導体チップＣＰとビアＴｈ１２とを接続するとともに、配線１０と同様に、ビアＴｈ１２を超えて配線基板ＳＵＢの側面にまで延在する。そして、配線１２は、絶縁層Ｌ１の上面と側面との間の縁（絶縁層Ｌ１の上面を規定する辺）にまで到達する。
【００５６】
図４に示すように、本実施形態においては、複数のはんだボール３０が半導体パッケージ１の下面に実装される。
【００５７】
複数のはんだボール３０は、配線基板ＳＵＢの下面の導電層Ｌｃ４に形成されたはんだボールパッド上に配置される。本実施形態においては、はんだボールパッドが外部端子を構成する。また、配線５０、５１、５２も、配線基板ＳＵＢの下面の導電層Ｌｃ４に形成される。
【００５８】
配線５０は、ビアＴｈ１７とはんだボール３０ｂを接続する。配線５０は、ビアＴｈ１７を基点として、半部ボール３０ｂが配置されるべき部分まで延在する。そして、絶縁層Ｌ３の下面と側面との間の縁（絶縁層Ｌ３の下面を規定する辺）まで延在する。
【００５９】
配線５１は、ビアＴｈ１６とはんだボール３０ａとを接続する。配線５２も、同様に、ビアＴｈ１８とはんだボール３０ｃとを接続する。なお、配線５１、配線５２は、絶縁層Ｌ３の下面と側面との間の縁（絶縁層Ｌ３の下面を規定する辺）まで延在しない。
【００６０】
冒頭で説明したように、ステッチ１０ａ、１１ａ、１２ａ、はんだボールパッドには、電解メッキにより、ニッケル金（Ｎｉ−Ａｕ）等の被膜が形成される。被膜を形成する際には、ステッチ１０ａ、１１ａ、１２ａ、はんだボールパッドが電極として用いられる。導電層Ｌｃ１の配線１０、１２及び導電層Ｌｃ４の配線５０が、配線基盤ＳＵＢの側面まで延在するのは、配線１０、１２、５０がメッキ線として用いられるからである。換言すると、配線１０、１２、５０は、外部電源と接続されるため、配線基板ＳＵＢの側面まで延在する。電解メッキ工程が施される配線基板では、本実施形態のように、メッキ線が配線基板の側面にまで延在し、側面に配線の端面が露出することがある。
【００６１】
図５は、図１を正面視した場合の半導体パッケージ１の左側面図である。図５に示すように、半導体パッケージ１の左側面を見ると、はんだボール３０が複数露出している。また、導電層Ｌｃ２を構成する突出部２１の突出面２２が複数露出している。
【００６２】
配線基板ＳＵＢの下面に配置されるはんだボール３０は露出された状態にある。従って、配線基板ＳＵＢの側面付近の帯電体からはんだボール３０に電荷が与えられやすい。本実施形態では、この点を考慮して、静電気から保護されるべきはんだボール３０の付近に、複数の突出面２２が配置される。配線基板ＳＵＢの側面付近の帯電体から与えられる電荷は、避雷針として機能する突出部２１の突出面２２に引き寄せられる。これによって、保護されるべきはんだボール３０に電荷（静電気）が与えられることが抑制される。
【００６３】
また、図５に示すように、本実施形態ではメッキ線として、導電層Ｌｃ１を構成する配線１２の先端を構成する先端面１２ｄも露出している構成である。
【００６４】
従って、このような場合には、配線１２の先端面１２ｄにも、配線基板ＳＵＢの側面付近の帯電体から電荷が与えられやすい。本実施形態では、はんだボール３０を保護するために、配線基板ＳＵＢの側面には複数の突出面２２が配置されている。そして、これによって当然に、先端面１２ｄの付近にも複数の突出面２２が配置される。配線基板ＳＵＢの側面付近の帯電体から与えられる電荷は、避雷針として機能する突出部２１の突出面２２に引き寄せられる。これによって、先端面１２ｄに電荷（静電気）が与えられることも抑制される。なお、配線１２の先端面１２ｄが、突出面２２の直上に配置されるように構成する。なお、半導体チップＣＰの上面にある端子２ｂ、２ｃやワイヤーＷ２、Ｗ３は、配線基板ＳＵＢの上面を半導体チップＣＰや端子２ｂ、２ｃ、ワイヤーＷ２、Ｗ３とともに樹脂で覆い静電破壊の影響がないように一般的に構成される。
【００６５】
図６は、半導体パッケージ１の右側面図である。なお、図６は、図１を正面視した場合の半導体パッケージ１の右側面図である。図６に示すように、半導体パッケージ１の右側面を見ると、はんだボール３０が複数露出している。また、導電層Ｌｃ２を構成する突出部２１の突出面２２が複数露出している。
【００６６】
上述のように、配線基板ＳＵＢの下面に配置されるはんだボール３０は、露出された状態にある。従って、配線基板ＳＵＢの側面付近の帯電体からはんだボール３０に電荷が与えられやすい。本実施形態では、この点を考慮して、はんだボール３０の付近に、複数の突出面２２が配置される。配線基板ＳＵＢの側面付近の帯電体から与えられる電荷は、避雷針として機能する突出部２１の突出面２２に引き寄せられる。これによって、保護されるべきはんだボール３０に対して、帯電体から電荷が与えられることが抑制される。なお、はんだボール３０は、突出面２２の直下に配置されるように構成される。
【００６７】
また、図６に示すように、本配線基板ＳＵＢではメッキ線として、導電層Ｌｃ４を構成する配線５０の先端を構成する先端面５０ｄも露出している構成である。
【００６８】
従って、このような場合には、先端面５０ｄにも、配線基板ＳＵＢの側面付近の帯電体から電荷が与えられやすい。本実施形態では、はんだボール３０を保護するために、配線基板ＳＵＢの側面には複数の突出面２２が配置されている。そして、これによって、先端面５０ｄの付近にも、複数の突出面２２が配置される。配線基板ＳＵＢの側面付近の帯電体から与えられる電荷は、避雷針として機能する突出部２１の突出面２２に引き寄せられる。これによって、先端面５０ｄに電荷（静電気）が与えられることも抑制される。また、先端面５０ｄが突出面２２の直下に配置されるように構成される。
【００６９】
図７に示すように、半導体チップＣＰの端子２ｂは、ワイヤーＷ２、ステッチ１１ａ、配線１１、ビアＴｈ１１、ビアＴｈ１４、ビアＴｈ１７、配線５０、配線５０と同一導電層（Ｌｃ４）上に形成されたニッケル金（Ｎｉ−Ａｕ）の被膜７１を介して、はんだボール３０ｂに接続される。ニッケル金の被膜７１と被膜７１下に形成された配線５０と同一の導電層（Ｌｃ４）とによって、はんだボール３０ｂが実装されるはんだボールパッドが形成されている。なお、端子２ｂとはんだボール３０ｂ間の信号ラインは、上述のプレーン部２０、プレーン部２３とからは電気的に絶縁されている。また、ステッチ１１ａは、配線１１と配線１１上に形成されたニッケル金の被膜７２との二層構造で構成される。
【００７０】
半導体チップＣＰの上面に形成された端子２ｃは、ワイヤーＷ３、ステッチ１２ａ、配線１２、ビアＴｈ１２、ビアＴｈ１５、ビアＴｈ１８、配線５２、配線５２と同一導電層（Ｌｃ４）上に形成されたニッケル金（Ｎｉ−Ａｕ）の被膜７０を介して、はんだボール３０ｃに接続される。ニッケル金の被膜７０と被膜７０下に形成された配線５２と同一の導電層（Ｌｃ４）とによってはんだボール３０ｃを搭載するはんだボールパッドが形成されている。なお、端子２ｃとはんだボール３０ｃ間の信号ラインは、プレーン部２０、プレーン部２３とから絶縁されている。また、ステッチ１２ａは、配線１２と配線１２上に形成されたニッケル金の被膜７３との二層構造で構成される。
【００７１】
ここで、図８に、導電層Ｌｃ２のパターンとはんだボール３０の配置パターンとを重ね合わせた構成を示す。図８に示すように、すべてのはんだボール３０は、突出面２２から規定される破線（仮想線）Ｌｉｎｅ１の内側に配置される。従って、はんだボール３０が露出した状態で、半導体パッケージ１が、他の配線基板に実装されたとしても、配線基板ＳＵＢの側面付近の帯電体から与えられる電荷は、突出部２１に効果的に引き寄せられ、結果としてはんだボール３０に与えられることが抑制される。従って、例えば、半導体チップＣＰの機能が損なわれることが抑制される。
【００７２】
この点について、図９の他の参考図を参照して補足する。図９に示すように、はんだボール３０が配置される位置に対応して、突出部２１が配置されている。ここでも、はんだボール３０は、突出部２１の突出面２２を結ぶ破線Ｌｉｎｅ１の範囲内に配置される。従って、この場合もはんだボール３０は、静電気から効果的に保護される。換言すると、突出部２１は、保護されるべきはんだボール３０に対応して配置されれば良い。配線基板ＳＵＢの４つの側面のすべてにおいて突出面２２が露出していることは必須ではない。
【００７３】
また、この図からも、プレーン部２０から延在する突出部２１は、配線基板ＳＵＢの側面のうち、はんだボール３０から最も近い側面に向けて延在することの意義が理解できる。つまり、突出部２２は、保護されるべきはんだボール３０から最も近い側面に向けて延在する。そして、はんだボール３０から最も近い配線基板ＳＵＢの側面に突出面２２が配置される。よって、保護されるべきはんだボール３０の近傍に突出面２２が配置される。結果として、保護されるべきはんだボール３０を静電気から効果的に保護することができる。
【００７４】
上述の説明から明らかなように、本実施の形態においては、導電層Ｌｃ２を構成する突出部２１の突出面２２が配線基板ＳＵＢの側面で露出している。そして、配線基板ＳＵＢの側面には、複数の突出面２２が並んで配置される。これにより、配線基板ＳＵＢの下面に実装されるはんだボール３０を、配線基板ＳＵＢの側面付近における静電気から保護することができる。これは、本実施形態のように、配線基板ＳＵＢの下面に、露出した状態ではんだボール（突起電極）３０が実装される場合に有効である。また、はんだボール３０を保護するにより、半導体チップＣＰ上の端子２ａ〜２ｃ、配線基板ＳＵＢの側面に先端面が露出する配線１０、配線１２、同様に配線基板ＳＵＢの側面に先端面が露出する配線５０、ステッチやはんだボールパッドを構成する被膜７０、７１、７２、７３も静電気から保護することができる。すなわち、ステッチ１０ａ、１２ａやはんだボールパッド（不図示）を静電気から保護することができる。
【００７５】
また、本実施形態においては、突出面２２が配線基板ＳＵＢのすべての側面で露出しているため、配線基板ＳＵＢの側面付近における任意の箇所で発生する静電気から、はんだボール３０を保護することができる。配線基板ＳＵＢの側面付近では発生する静電気は、配線基板ＳＵＢのすべての側面に設けられた避雷針として機能する突出部２１（突出面２２）に効果的に引き寄せられるからである。なお、突出部２１に与えられた電荷は、突出部２１（導電層Ｌｃ２）を伝ってグランドに流れ込む。
【００７６】
本実施形態においては、さらに、複数の突出部２１が、配線基板ＳＵＢの面内における周辺部に形成される。従って、既存のダイシング技術を活用することができ、歩留まりを低下させることなく、ウェハーレベルの配線基板からチップ化された配線基板ＳＵＢを製造することができる。プレーン部２０が、配線基板ＳＵＢの面内における周辺部にまで形成されているとすると、ウェハーレベルの配線基板をダイシングする際に、プレーン部２０が、配線基板ＳＵＢの側面に沿って延びてしまうおそれがある。つまり、配線基板ＳＵＢの側面にバリが発生してしまう。本実施形態においては、配線基板ＳＵＢの面内における周辺部に複数の突出部２１が形成されているのみである。従って、配線基板ＳＵＢの側面にバリが発生することが抑制される。すなわち、配線基板ＳＵＢの歩留まりが劣化することはない。
【００７７】
本実施形態においては、絶縁層Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は、樹脂材料から構成され、互いに熱圧着される。また、本実施形態においては、配線基板ＳＵＢの面内における周辺部に複数の突出部２１が形成されているのみである。プレーン部２０が、配線基板ＳＵＢの面内における周辺部にまで形成されていたとすると、絶縁層Ｌ１と絶縁層Ｌ２の密着性が損なわれる。例えば、配線基板ＳＵＢの形成後に、絶縁層Ｌ１が絶縁層Ｌ２から剥れるおそれもある。しかしながら、本実施形態では、上述のように、配線基板ＳＵＢの面内における周辺部に複数の突出部２１が形成されているのみであるから、絶縁層Ｌ１と絶縁層Ｌ２の密着性は損なわれない。よって、絶縁層Ｌ１が絶縁層Ｌ２から剥れるおそれもない。
【００７８】
また、配線基板ＳＵＢの側面に突出部２１の突出面２２が露出していることにより、次のような副次的な効果も得られる。つまり、半導体パッケージ１を取り扱う作業者は、半導体パッケージ１を構成する配線基板ＳＵＢの側面に露出した突出面２２に触れる。これにより、作業者自身に帯電されていた電荷はグランドに放電される。いわば、突出面２２は、アースバンドなどを使用して電荷（静電気）を逃がすことの代替手段となる。
【００７９】
なお、本実施形態においては、説明の便宜上、ソルダーレジスト層ＳＬ１、ＳＬ２、導電層Ｌｃ１、Ｌｃ４を含めて配線基板として呼んでいるが、これらを除いた部分を配線基板としてもよい。
【００８０】
〔第２の実施の形態〕
以下、図面１０乃至図１４を用いて、第２の実施の形態にかかる配線基板について説明する。第１の実施の形態と異なる点は、導電層Ｌｃ１のパターン、導電層Ｌｃ４のパターンである。従って、この異なる点について主に説明する。なお、本実施形態においては、配線基板ＳＵＢは、電解メッキを必要としない配線基板、あるいは電解メッキを必要とする配線基板であって電解メッキのための電極配線であるメッキ線を取り除いた配線基板である。第１の実施の形態における図３の配線１０、１２、図４の配線５０が配線基板ＳＵＢの側面に露出していない実施の形態である。なお、導電層Ｌｃ１及び導電層Ｌｃ４が、電解メッキを利用して形成されたものを、配線形成後に不要な部分を取り除く考えについては非特許文献１に記載されている。 
【００８１】
図１０に、第１の実施の形態の図３に対応する上面図を示す。絶縁層Ｌ１の上面には、導電層Ｌｃ１が形成される。本実施形態では、導電層Ｌｃ１は、図３の配線１０に代えて配線８０、図３の配線１２に代えて配線８２から構成される。
【００８２】
図１０に示すように、配線８０は、ステッチ８０ａを有する。配線８０は、ステッチ８０ａを基点として、ビアＴｈ１０の上まで延在する。配線８０は、ビアＴｈ１０と電気的に接続される。ここで配線８０は、ビアＴｈ１０を超えて延在しない。
【００８３】
配線８２は、配線８０と同様の構成である。ステッチ８２ａがステッチ８０ａに対応し、ビアＴｈ１２がビアＴｈ１０に対応する。
【００８４】
図１１に、第１の実施の形態の図４に対応する左側面図を示す。上述のように、本実施の形態では、導電層Ｌｃ１を構成する配線８２は、絶縁層Ｌ１の上面と側面との間の縁（絶縁層Ｌ１の上面を規定する辺）にまで延在しないので、図１１に示すように、半導体パッケージの左側面に、導電層Ｌｃ１は露出しない。従って、配線基板ＳＵＢの側面付近の帯電体から与えられる電荷は導電層Ｌｃ１には与えられることはない。従って、第１の実施の形態に比べて、配線基板ＳＵＢの側面付近における静電気対策をより十分なものとすることができる。
【００８５】
図１２に、第１の実施の形態の図５に対応する下面図を示す。図１２に示すように、絶縁層Ｌ３の下面には、導電層Ｌｃ４が形成される。本実施形態では、導電層Ｌｃ４は、第１の実施形態における配線５０に代えて、配線８５を有する。
【００８６】
図１２に示すように、配線８５は、ビアＴｈ１７とはんだボール３０ｂとを接続する。配線８５は、ビアＴｈ１７を基点として、半部ボール３０ｂが配置されるべき部分まで延在する。本実施形態では、配線８５は、はんだボール３０ｂを超えて延在しない。
【００８７】
図１３に、第１の実施の形態の図６に対応する側面図を示す。図１３に示すように、本実施の形態では、導電層Ｌｃ４を構成する配線８５は、絶縁層Ｌ４の下面と側面との間の縁（絶縁層Ｌ４の下面を規定する辺）にまで延在しないので、図１３に示すように、配線基板ＳＵＢの側面に導電層Ｌｃ４は露出しない。従って、配線基板ＳＵＢの側面付近の帯電体から与えられる電荷は導電層Ｌｃ４には与えられることはない。従って、第１の実施の形態に比べて、配線基板ＳＵＢの側面付近における静電気対策をより十分なものとすることができる。
【００８８】
図１４に、第１の実施の形態の図７に対応する断面図を示す。図１４に示すように、本実施の形態では、配線８２は、絶縁層Ｌ１に形成されたビアＴｈ１２にまで延在し、ビアＴｈ１２を超えて延在することはない。また、配線８５は、絶縁層Ｌ３に形成されたビアＴｈ１７からはんだボール３０ｂが配置されるべき部分まで延在し、はんだボール３０ｂが配置されるべき部分を越えて延在することはない。
【００８９】
本実施形態では、導電層Ｌｃ１及び導電層Ｌｃ４に形成された配線８０、８２、８５は、配線基板ＳＵＢの側面側に露出しない。従って、配線基板ＳＵＢの側面付近の帯電体から与えられる電荷は、導電層Ｌｃ１、導電層Ｌｃ４には与えられない。これによって、第１の実施の形態に比べて、配線基板ＳＵＢの側面における静電気対策をより十分なものとすることができる。
【００９０】
なお、第２の実施の形態は、第１の実施の形態で、導電層Ｌｃ１及び導電層Ｌｃ４に形成された配線１０，１２，５０が配線基板側面に露出してないのみで、その他の構成は第１の実施の形態で示した構成をとってもよいことは明らかである。
【００９１】
〔第３の実施の形態〕
以下、図面１５乃至図１７を用いて、第３の実施の形態にかかる配線基板について説明する。第１の実施の形態と異なる点は、導電層Ｌｃ１のパターン、導電層Ｌｃ４のパターンである。従って、この異なる点について主に説明する。本実施形態の配線基板ＳＵＢは、第１の実施の形態の配線基板から電解メッキのための電極配線であるメッキ線が配線基板の側面に露出する部分を取り除いたものである。
【００９２】
図１５に、図３に対応する上面図を示す。図１５に示すように、絶縁層Ｌ１の上面には、導電層Ｌｃ１が形成される。本実施形態では、導電層Ｌｃ１は、図３の配線１０に代えて配線９０、図３の配線１２に代えて配線９２を含んで構成される。
【００９３】
配線９０は、ステッチ９０ａを有する。配線９０は、ステッチ９０ａを基点として、ビアＴｈ１０の上まで延在する。配線９０は、ビアＴｈ１０と電気的に接続される。配線９０は、メッキ線として構成された配線を有するが、配線基板の側面に露出する部分は取り除かれている。つまり、配線９０は絶縁層Ｌ１の上面と側面との間の縁（絶縁層Ｌ１の上面を規定する辺）にまでは延在しない。
【００９４】
配線９２は、配線９０と同様の構成である。ステッチ９２ａがステッチ９０ａに対応し、ビアＴｈ１２がビアＴｈ１０に対応する。ただし、配線９２は、ビアＴｈ１２と電気的に接続される。
【００９５】
図１６に、第１の実施の形態の図５に対応する下面図を示す。図１６に示すように、絶縁層Ｌ３の下面には、導電層Ｌｃ４が形成される。本実施形態では、導電層Ｌｃ４は、図５の配線５０に代えて、配線９５を含んで構成される。
【００９６】
配線９５は、ビアＴｈ１７とはんだボール３０ｂとを接続する。配線９５は、ビアＴｈ１７を基点として、半部ボール３０ｂが配置されるべき部分まで延在する。配線９５も同様に、メッキ線として構成された配線を有するが、配線基板ＳＵＢの側面に露出する部分は取り除かれている。つまり、配線９５は絶縁層Ｌ３の下面と側面との間の縁（絶縁層Ｌ３の下面を規定する辺）にまでは延在しない。
【００９７】
図１７に、第１実施形態における図７に対応する図を示す。図１７に示すように、本実施の形態では、配線９２は、絶縁層Ｌ１に形成されたビアＴｈ１２の上にまで延在するとともに、ビアＴｈ１２を越えて延在する。ただし、絶縁層Ｌ１の上面と側面との間の縁にまでは延在しない。また、配線９５は、絶縁層Ｌ３に形成されたビアＴｈ１７からはんだボール３０ｂが配置されるべき部分まで延在するとともに、はんだボール３０ｂが配置されるべき部分を越えて延在する。ただし、絶縁層Ｌｃ３の下面と側面との間の縁（絶縁層Ｌｃ３の下面を規定する辺）にまでは延在しない。
【００９８】
本実施形態では、上述のように、導電層Ｌｃ１及び導電層Ｌｃ４に形成された配線９０、９２、９５は、第１の実施の形態の配線基板ＳＵＢから電解メッキのための電極配線であるメッキ線が配線基板ＳＵＢの側面に露出する部分を取り除いたものである。従って、配線基板ＳＵＢの側面側に、導電層Ｌｃ１及び導電層Ｌｃ４は露出しない。これにより、配線基板ＳＵＢ付近の帯電体から、導電層Ｌｃ１、導電層Ｌｃ４に対して、電荷が与えられることはない。結果として、第１の実施の形態に比べて、配線基板ＳＵＢの側面における静電気対策をより十分なものとすることができる。このように、メッキ線を必要とする配線基板ＳＵＢであっても、メッキ線が配線基板の側面に露出する部分を取り除くことにより本実施形態における配線基板ＳＵＢを構成できる。
【００９９】
〔第４の実施の形態〕
以下、図面１８、図１９を用いて、第４の実施の形態にかかる配線基板について説明する。第１の実施の形態と異なる点は、導電層Ｌｃ１のパターン、導電層Ｌｃ４の配線パターンである。なお、本実施形態においては、導電層Ｌｃ１、導電層Ｌｃ４は、いずれも電解メッキを利用して形成されている。
【０１００】
図１８に、第１の実施の形態の図４に相当する側面図を示す。本実施の形態では、図１８に示すように、配線基板ＳＵＢの側面には、導電層Ｌｃ１を構成する配線の先端面９６が複数露出する。また、導電層Ｌｃ２を構成する配線の突出面２２も複数露出する。
【０１０１】
図１８を正面視すると、複数の先端面９６と複数の突出面２２とが互い違いに配置されている。換言すると、先端面９６と突出面２２とは、千鳥状に配置されている。すなわち、先端面９６は、隣り合う突出面２２の間の上に配置される。また、突出面２２は、隣り合う先端面９６の間の下に配置される。
【０１０２】
絶縁層Ｌ１の層厚が薄い場合には、ダイシング時に、配線基板ＳＵＢの側面において、先端面９６又は突出面２２の一方が他方にまで引き伸ばされ、先端面９６と突出面２２とが接触してしまうおそれがある。しかしながら、先端面９６と突出面２２とが千鳥状に配置されていれば、上述のように先端面９６と突出面２２とが接触することが抑制される。
【０１０３】
図１９に、第１の実施の形態の図６に相当する側面図を示す。本実施の形態では、図１９に示すように、配線基板ＳＵＢの側面には、導電層Ｌｃ４を構成する配線の先端面９７が複数露出する。また、導電層Ｌｃ２を構成する配線の突出面２２も複数露出する。
【０１０４】
本実施形態においては、図１９を正面視すると、複数の先端面９７と複数の突出面２２とが互い違いに配置されている。換言すると、先端面９７と突出面２２とは、千鳥状に配置される。すなわち、先端面９７は、隣り合う突出面２２の間の上に配置される。また、突出面２２は、隣り合う先端面９７の間の下に配置される。
【０１０５】
絶縁層Ｌ２、絶縁層Ｌ３の層厚が薄い場合には、ダイシング時に、配線基板ＳＵＢの側面において、先端面９７又は突出面２２の一方が他方にまで引き伸ばされ、先端面９７と突出面２２とが接触してしまうおそれがある。しかしながら、先端面９７と突出面２２とが千鳥状に配置されていれば、上述のように先端面９７と突出面２２とが接触することを抑制することができる。上記は、突出面２２と先端面９６、９７との配置の関係が、配線基板側面において、千鳥状になっている例を示した。なお、突出面２２と、はんだボール３０又ははんだボールパッド（不図示）との配置の関係が、配線基板側面において、千鳥状になっていてもよい。
【０１０６】
〔第５の実施の形態〕
以下、図２０を用いて、第５の実施の形態にかかる配線基板について説明する。第１の実施の形態と異なる点は、導電層Ｌｃ２を上面視したパターンである。
【０１０７】
導電層Ｌｃ２は、プレーン部２０、複数の突出部２１ｂを有する。本実施形態においては、プレーン部２０から突出面２２に延在する突出部２１ｂの上面視形状は三角形状である。突出部２１ｂは、プレーン部２０から突出面２２に向かって延在するに従って、細くなる。換言すると、突出部２１ｂは、突出面２２に近いほど細く、プレーン部２０に近いほど太い。これにより、突出面２２の面積を極めて小さなものにできる。従って、本実施形態における突出部２１ｂは、第１の実施の形態におけるものよりも、避雷針としての機能が高められる。結果として、保護されるべきはんだボール３０を、静電気から効果的に保護することができる。
【０１０８】
本発明の技術的範囲は、上述の実施の形態に限定されない。ベアチップが搭載される配線基板を例に挙げて説明したが、これに限られることはない。例えば、セラミック基板であってもよいし、その他の基板であってもよい。また、本発明は、いわゆるマザーボードといった大型の配線基板にも適用できる。つまり、コンデンサ等の電子部品に加えて、パッケージングされた電子部品が搭載されるプリント基板にも適用できる。また、配線基板の形状は任意であり、その上面視形状は矩形に限られない。つまりＬ字型であっても、その他の形であってもよい。
【０１０９】
また、突出部の上面視形状は、パターン形成の問題のみである。よって、その上面視形状は矩形状、三角形状のほか、曲線形状、円形状とすることも可能である。また、導電層Ｌｃ２のほか、導電層Ｌｃ３に突出部を設けても良い。つまり、プレーン部２０に代えて、プレーン部２３に突出部を設けても良い。また、いうまでもなく、プレーン部２０とともに、プレーン部２３に突出部を設けても良い。つまり、グランドプレーンに避雷針の機能を付加することのほか、電源プレーンに避雷針の機能を付加しても良い。グランドプレーン、電源プレーンの数は、配線基板ＳＵＢの積層数に応じて、複数設けても良い。また本明細書では、絶縁層を３層、導電層を４層としていずれも説明しているが、絶縁層、導電層の数は本実施例に限られるものではない。それぞれ所望とする層数をもちいればよい。
【０１１０】
また、ソルダーレジスト層ＳＬ１を形成した後に、その上に導電層Ｌｃ１を形成しても良い。また、ソルダーレジスト層ＳＬ２を形成した後に、その上に導電層Ｌｃ４を形成しても良い。エッチバックにより、導電層Ｌｃ１等を部分的に除去することも可能である。配線基板ＳＵＢの上面には樹脂を塗布し、半導体チップＣＰを封止しても良い。
【０１１１】
さらに付言すると、導電層Ｌｃ１のパターン、導電層Ｌｃ４のパターンの形成方法は任意である。すなわち、第１の実施形態のように電解メッキを利用して導電層Ｌｃ１及び導電層Ｌｃ４のパターンを形成してもよい。第２の実施形態のように、電解メッキを必要としないその他の方法、あるいは電解メッキを必要としてもメッキ後メッキ線を取り除く方法により形成しても良い。また、第３の実施形態のように、電解メッキを利用して導電層Ｌｃ１及び導電層Ｌｃ４を形成した後に、それらのパターンの配線基板の側面に露出する部分を部分的に除去してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】第１の実施形態にかかる配線基板を含む半導体パッケージの概略的な斜視図である。
【図２】半導体パッケージの概略的な分解斜視図である。
【図３】半導体パッケージの概略的な上面図である。
【図４】半導体パッケージの概略的な下面図である。
【図５】半導体パッケージの概略的な左側面図である。
【図６】半導体パッケージの概略的な右側面図である。
【図７】図１のＡ−Ａラインに沿う半導体パッケージの概略的な断面図である。
【図８】パターンの重ね合わせを示す概略的な説明図である。
【図９】パターンの重ね合わせを示す概略的な他の参考図である。
【図１０】第２の実施形態にかかる配線基板を含む半導体パッケージの概略的な上面図である。
【図１１】図５における半導体パッケージの概略的な左側面図である。
【図１２】図４に対応する半導体パッケージの概略的な下面図である。
【図１３】図６における半導体パッケージの概略的な右側面図である。
【図１４】図７に対応する半導体パッケージの概略的な断面図である。
【図１５】第３の実施形態にかかる配線基板を含む半導体パッケージの概略的な上面図である。
【図１６】図４に対応する半導体パッケージの概略的な下面図である。
【図１７】図７に対応する半導体パッケージの概略的な断面図である。
【図１８】第４の実施形態にかかる配線基板を含む半導体パッケージの概略的な側面図である。
【図１９】第４の実施形態にかかる配線基板を含む半導体パッケージの概略的な側面図である。
【図２０】第５の実施形態にかかる導電層Ｌｃ２を上面視したパターンを示す概略図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１    半導体パッケージ
ＳＵＢ    配線基板
Ｌ１    絶縁層
Ｌ２    絶縁層
Ｌ３    絶縁層
Ｌ４    絶縁層
Ｌｃ１    導電層
Ｌｃ２    導電層
Ｌｃ３    導電層
Ｌｃ４    導電層
ＳＬ１    ソルダーレジスト層
ＳＬ２    ソルダーレジスト層
ＣＰ    半導体チップ
２０    プレーン部
２１    突出部
２２    突出面
２３    プレーン部
３０    はんだボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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