(57)【要約】【課題】透過部の画素電極と反射部の画素電極との間の電気的接続が良好に維持され、しかも広視野角が達成できるＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルを提供すること。【解決手段】本発明のＶＡ方式の液晶表示パネル１０Ａは、反射部１９と透過部２０とを有し、透過部２０の画素電極１６ｂと反射部１９の画素電極１６ａの間に連結部２５の画素電極１６ｃを有し、反射部１９の画素電極１６ａの下に反射板２２を有し、反射部１９に配置されたＴＦＴのドレイン電極Ｄと前記反射部１９の画素電極１６ａとを接続するコンタクトホール２３を有するアレイ基板と、カラーフィルタ基板を備え、前記連結部２５とコンタクトホール２３の間の反射板２２にスリット２２ａが形成され、前記スリット２２ａ部分には前記反射部１９の画素電極１６ａが延在されていることを特徴とする。【選択図】  図１
2008268621.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射部と透過部とを有し、前記透過部の画素電極と前記反射部の画素電極の間に連結部
の画素電極を有し、前記反射部の画素電極の下に反射板を有し、前記反射部に配置された
薄膜トランジスタのドレイン電極と前記反射部の画素電極とを接続するコンタクトホール
を有するアレイ基板と、
カラーフィルタ基板と、
を備えた垂直配向方式の半透過型液晶表示パネルであって、
前記連結部とコンタクトホールの間の反射板に、前記連結部からコンタクトホールまで
繋がったスリットが形成され、前記スリット部分は前記反射部の画素電極で被覆されてい
ることを特徴とする垂直配向方式の半透過型液晶表示パネル。
【請求項２】
前記反射板のスリットの幅は前記連結部の幅よりも狭いことを特徴とする請求項１に記
載の垂直配向方式の半透過型液晶表示パネル。
【請求項３】
前記反射板のスリットの幅は、前記連結部との境界部分では前記連結部の幅よりも広く
、前記連結部から離れた位置では前記連結部の幅よりも狭くなされていることを特徴とす
る請求項１に記載の垂直配向方式の半透過型液晶表示パネル。
【請求項４】
前記スリットは前記コンタクトホールの周囲を囲むように形成されていることを特徴と
する請求項１に記載の垂直配向方式の半透過型液晶表示パネル。
【請求項５】
前記連結部は、透過部の画素電極と反射部の画素電極の間の中央部、一方の側部又は両
側の側部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の垂直配向方式の半透過型液
晶表示パネル。
【請求項６】
前記カラーフィルタ基板の少なくとも透過部に対応する位置には、液晶分子の配向を規
制するための配向規制手段が設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに
記載のＶＡ配向方式の半透過型液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直配向(ＶＡ：Vertically Aligned)方式の半透過型液晶表示パネルに関し
、特に透過部の画素電極と反射部の画素電極との間の電気的接続が良好に維持され、しか
も広視野角が達成できるＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルは、自ら発光しないために、バックライトを備えた透過型の液晶表示装
置が多く使用されている。しかし、バックライトは消費電力が大きいため、特に携帯型の
液晶表示パネルについてはバックライトを必要としない反射型の液晶表示パネルが用いら
れている。この反射型液晶表示パネルは、外光を光源として用いるために、暗い室内など
では見え難くなってしまう。そこで、近年に至り特に透過型と反射型の性質を併せ持つ半
透過型の液晶表示装置の開発が多く進められてきている。
【０００３】
この半透過型の液晶表示パネルは、一つの画素領域内に画素電極を備えた透過部と画素
電極及び反射板の両方を備えた反射部を有しており、暗い場所においてはバックライトを
点灯して透過部を利用して画像を表示し、明るい場所においてはバックライトを点灯する
ことなく反射部において外光を利用して画像を表示する。そのため、半透過型の液晶表示
パネルは、常時バックライトを点灯する必要がなくなるので、消費電力を大幅に低減させ
ることができるという利点を有している。
【０００４】
ところで、携帯電話等に代表されるモバイル機器における小型の表示部には、その使用
者が限定されていること等から、液晶表示パネルに対する広視野角の要求は従来さほど高
くはなかった。しかし、最近ますます高機能化するモバイル機器において、表示部におけ
る液晶表示パネルの広視野角の要求が急激に高まってきている。このようなモバイル機器
に対する広視野角化の要求に基づき、従来モバイル機器に多用されていたＴＮ（Twisted 
Nematic）方式の液晶表示パネルに換えて、ＶＡ方式の透過型液晶表示パネルや半透過型
液晶表示パネルの開発も最近では進められてきている（下記特許文献１、２参照）。
【０００５】
このＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルは、透過部側の画素電極と反射部側の画素電極
とが幅の狭い連結部によって接続されており、必要に応じて透過部及び反射部に対応する
カラーフィルタ基板側にそれぞれ突起ないしスリットからなる配向規制手段が設けられて
いる。このＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルでは、アレイ基板における連結部、透過部
の画素電極及び反射部の画素電極のそれぞれエッジ部がアレイ基板側の配向規制手段を形
成する。従って、ＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルは、カラーフィルタ側にも配向規制
手段が形成されているためもあり、液晶分子がこれらの配向規制手段の周囲全体に亘って
傾くように配向規制されるので、視野角が非常に広くなるという特性を備えている。
【特許文献１】特開２００６−１８４３３４号公報
【特許文献２】特開２００４−０６９７６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述のような従来のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルにおいて、透過
部の画素電極と反射部の画素電極との間の電気的接続が確保されず、透過部の画素電極に
正常に電圧が印加されない場合が生じることが見出された。発明者等はこの原因について
種々検討を重ねた結果、以下のような理由によるものであることを見出した。この理由を
図１０及び図１１を用いて説明する。
【０００７】
なお、図１０は従来例のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの連結部の近傍構成を説明
する概略平面図であり、図１１は図１０のＢ−Ｂ線に沿った模式断面図である。
【０００８】
従来のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル５０のアレイ基板ＡＲにおいては、反射部５
１の画素電極５２の下部に反射板５３が形成され、透過部５４の画素電極５５と反射部５
１の画素電極５２とは連結部５６の画素電極５７によって電気的に接続されている。そし
て、反射部５１の反射板５３、透過部５４の画素電極５５及び連結部５６の画素電極５７
は何れも層間膜５８の表面に形成されており、反射部５１の画素電極５２、透過部５４の
画素電極５５及び連結部５６の画素電極５７は何れも同一の材料で形成されている。なお
、図１０には、カラーフィルタ基板（図示せず）に形成されている配向規制手段としての
突起５９及び６０も同時に示してある。
【０００９】
この反射部５１の画素電極５２、透過部５４の画素電極５５及び連結部５６の画素電極
５７は、予め反射部５１に反射板５３を形成した後、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺ
Ｏ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性材料を真空蒸着法ないしスパッタリング法によ
って全面的に被覆し、更にエッチングすることによって同時に作製されている。この真空
蒸着法ないしスパッタリング法においては、高速移動するイオン等の衝突によってＩＴＯ
ないしＩＺＯが飛散して透明導電性膜が形成される。
【００１０】
従って、反射部５１の反射板５３のエッジ部には段差が生じているため、反射部５１の
画素電極５２が反射板５３の表面を乗り越える部分、すなわち、図１０及び図１１におい
て破線で囲んだ領域Ｘにおいて、透明導電性材料の厚さが薄くなってしまうことがある。
それ故、ＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル５０の製造段階ないし使用時にこの領域Ｘで
透明導電性材料に切断が生じてしまい、反射部５１の画素電極５２と透過部５４の画素電
極５５との間の電気的導通が切れてしまうことがある。
【００１１】
また、反射部５１の画素電極５２、透過部５４の画素電極５５及び連結部５６の画素電
極５７は、アレイ基板ＡＲの表面全体に亘って透明導電性膜を形成した後に湿式エッチン
グすることによって形成される。この湿式エッチングの際に、段差の両側の境界からエッ
チング液が浸透することもあって、製造時ないし使用時に領域Ｘで透明導電性材料が切断
される可能性がより大きくなるわけである。
【００１２】
本発明は上述のような従来のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの問題点を解決すべく
なされたものであり、その目的は、透過部の画素電極と反射部の画素電極との間の電気的
接続が良好に維持され、しかも広視野角が達成できるＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル
を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため、本発明のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルは、反射部と透
過部とを有し、前記透過部の画素電極と前記反射部の画素電極の間に連結部の画素電極を
有し、前記反射部の画素電極の下に反射板を有し、前記反射部に配置された薄膜トランジ
スタのドレイン電極と前記反射部の画素電極とを接続するコンタクトホールを有するアレ
イ基板と、カラーフィルタ基板と、を備えた垂直配向方式の半透過型液晶表示パネルであ
って、前記連結部とコンタクトホールの間の反射板に、前記連結部からコンタクトホール
まで繋がったスリットが形成され、前記スリット部分は前記反射部の画素電極で被覆され
ていることを特徴とする。
【００１４】
本発明のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルによれば、反射部の画素電極が反射板を乗
り越える部分が反射板に形成されたスリットに沿った状態となるため、反射部の画素電極
が反射板を乗り越える部分の長さが従来例のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルと比する
と非常に長くなる。そのため、反射部の画素電極が反射板を乗り越える部分が部分的に電
気的に切断された状態となることがあっても、全体としては反射部の画素電極と連結部及
び透過部の画素電極との間の電気的導通が確保される。また、連結部からコンタクトホー
ルまでの間はスリットによって反射板のない画素電極だけの電気的導通経路が形成される
ことになるため、たとえ画素電極が反射板を乗り越える部分全てで切断されたとしても、
スリットの部分による電気的導通経路が確保されているので、透過部の画素電極との間の
電気的導通が確保される。したがって、画素電極の信頼性が良好で長寿命なＶＡ方式の半
透過型液晶表示パネルが得られる。
【００１５】
また、本発明のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルにおいては、前記反射板のスリット
の幅は前記連結部の幅よりも狭いことが好ましい。
【００１６】
反射板にスリットを形成することは反射部内に反射部として機能しない部分を形成する
ことに他ならないから、反射板のスリットの幅を連結部の幅よりも狭くすることによって
、反射部内に形成された反射部として機能しない部分の面積を小さくでき、反射部の表示
画質の低下を抑制することができる。
【００１７】
また、本発明のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルにおいては、前記反射板のスリット
の幅は、前記連結部との境界部分では前記連結部の幅よりも広く、前記連結部から離れた
位置では前記連結部の幅よりも狭くなされているものとすることが好ましい。
【００１８】
反射板に形成するスリットの幅を連結部の幅よりも狭くすると、連結部と反射部の境界
部分で部分的に反射部の画素電極が反射板を乗り越える領域が生じる。しかしながら、反
射板のスリットの幅を連結部との境界部分では連結部の幅よりも広くなるようにすると、
連結部と反射部の境界部分で反射部の画素電極が反射板を乗り越える領域が生じないよう
にすることができる。そのため、より画素電極の信頼性が良好で長寿命なＶＡ方式の半透
過型液晶表示パネルが得られる。
【００１９】
この反射板に形成するスリットの幅は、連結部との境界部分から離れるに従って、曲線
状に狭くなっていてもよく、直線状に狭くなっていてもよく、更には段階的に狭くなって
いてもよい。
【００２０】
また、本発明のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルにおいては、前記スリットは前記コ
ンタクトホールの周囲を囲むように形成されていることが好ましい。
【００２１】
コンタクトホールの内面及び反射部に配置された薄膜トランジスタのドレイン電極の露
出部は反射部の画素電極形成時に同時に画素電極と同じ材料で被覆されるから、コンタク
トホールのエッジ部でも反射部の画素電極が反射板を乗り越える領域が生じる。しかし、
反射板に形成するスリットをコンタクトホールの周囲を囲むように形成すると、スリット
をコンタクトホールの周囲を囲むように形成しない場合と比すると反射部１９の画素電極
１６ａが反射板２２を乗り越える領域がより長くなる。そのため、より画素電極の信頼性
が良好で長寿命なＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。
【００２２】
また、本発明のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルにおいては、前記連結部は、透過部
の画素電極と反射部の画素電極の間の中央部、一方の側部又は両側の側部に設けられてい
ることが好ましい。
【００２３】
前記連結部を透過部の画素電極と反射部の画素電極の間の中央部、一方の側部又は両側
の側部に設けても、アレイ基板側での液晶分子の配向規制は透過部の画素電極、反射部の
画素電極及び連結部のエッジに沿って生じるため、実質的に同様な液晶分子の配向規制が
生じ、広視野角のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。
【００２４】
また、本発明のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルにおいては、前記カラーフィルタ基
板の少なくとも透過部に対応する位置には、液晶分子の配向を規制するための配向規制手
段が設けられていることが好ましい。
【００２５】
このようなＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルでは、アレイ基板側では反射部の画素電
極、透過部の画素電極及び連結部の画素電極のそれぞれのエッジ部分で液晶分子の配向規
制が行われるだけでなく、カラーフィルタ基板側の配向規制手段によっても液晶分子の配
向規制が行われる。そのため、より広視野角のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得ら
れる。なお、この配向規制手段はカラーフィルタ基板の対向電極の表面に設けた突起であ
っても、或いは、対向電極に形成したスリットであっても、同様の効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を実施するための最良の形態を実施例及び図面を用いてより具体的に説明
する。なお、以下に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するためのＶＡ方式の半透
過型液晶表示パネルを示すものであるが、本発明をここに記載したものに限定することを
意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種
々の変更を行ったものにも均しく適用し得るものである。
【実施例１】
【００２７】
実施例１に係るＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルを図１及び図２を用いて説明する。
【００２８】
なお、図１は、実施例１に係るＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの１サブ画素部分を
カラーフィルタ層を透視して表した概略平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断
面図である。
【００２９】
この実施例１のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａは、互いに対向配置されたア
レイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦを備えている。アレイ基板ＡＲは、ガラス基板
等からなる透明基板１１の表面にマトリクス状に形成された複数本の走査線１２及び信号
線１３と、これらの複数本の走査線１２間に走査線１２と平行に設けられた補助容量線１
４が設けられている。そして、走査線１２と信号線１３とで囲まれたそれぞれの領域には
、ソース電極Ｓ、ゲート電極Ｇ、ドレイン電極Ｄ、及び半導体層１５とからなる薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）と、画素電極１６とが形成されている。ここ
で、それぞれの走査線１２と信号線１３とで囲まれた領域が１サブ画素に相当する。
【００３０】
走査線１２、ゲート電極Ｇ、補助容量線１４及び露出している透明基板１１の表面は第
１の絶縁膜（ゲート絶縁膜ともいわれる）１７によって被覆されている。この第１の絶縁
膜１７の表面には、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層とその表面に形成された
オーミックコンタクト層となるｎ＋ａ−Ｓｉ層とからなる半導体層１５、ソース電極Ｓ及
びドレイン電極ＤからなるＴＦＴが形成されているとともに、ソース電極Ｓに連なる信号
線１３も形成されている。更に、ＴＦＴ及び信号線１３の表面と、露出している第１の絶
縁膜の表面全体が第２の絶縁膜（保護絶縁膜ないしパッシベーション膜ともいわれる）１
８によって被覆されている。そして、ドレイン電極Ｄは第１の絶縁膜１７の表面を補助容
量線１４の上部にまで延在されており、このドレイン電極Ｄと補助容量線１４との間で補
助容量が形成されている。
【００３１】
更に、この第２の絶縁膜１８の表面には、反射部１９においては表面に微細な凹凸部が
形成され、透過部２０においては表面が平坦に形成されたフォトレジスト等の有機絶縁膜
からなる層間膜（平坦化膜ともいわれる）２１が形成されている。そして、反射部１９に
おいては、層間膜２１の表面にはアルミニウム、アルミニウム合金等からなる反射板２２
が形成され、補助容量線１４上に位置する第２の絶縁膜１８及び層間膜２１の表面にはコ
ンタクトホール２３が形成されている。なお、この実施例１のＶＡ方式の半透過型液晶表
示パネル１０Ａにおいては、反射板２２にスリット２２ａが形成されているが、このスリ
ット２２ａの詳細については後述する。
【００３２】
この反射部１９の反射板２２の表面及び透過部２０の層間膜２１の表面にはＩＴＯ（In
dium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明電極からなる画素電極１６が
形成されている。また、画素電極１６は反射部１９に形成されたコンタクトホール２３を
介してドレイン電極Ｄと電気的に接続されている。なお、図１及び図２においては反射部
１９の凹凸部は省略してある。
【００３３】
また、この実施例１の半透過型液晶表示パネル１０Ａにおいては、画素電極１６の反射
部１９と透過部２０の境界領域に液晶分子の配向を規制するためのスリット２４が設けら
れている。従って、画素電極１６は、実質的に反射部１９の画素電極１６ａと透過部２０
の画素電極１６ｂに分割されており、反射部１９の画素電極１６ａと透過部２０の画素電
極１６ｂとは連結部２５の画素電極１６ｃを介して電気的に接続されている。この連結部
２５の画素電極１６ｃは、この実施例１のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａでは
隣り合う信号線１３の間の略中間に位置しており、また連結部２５の画素電極１６ｃの幅
は走査線１２が延在する方向における画素電極１６の幅よりも大幅に狭くなっている。
【００３４】
そして、反射部１９側においては、層間膜２１の反射板２２が存在する位置の下側に補
助容量線１４が配置され、また、平面視で、反射板２２及び反射部の画素電極１６ａは、
隣接する画素の反射板及び画素電極とは接しないように、走査線１２及び信号線１３とは
部分的に重複するように設けられ、かつ、反射板２２と反射部１９の画素電極１６ａとは
互いに重なるように実質的に同じ形状に設けられている。更に、透過部２０側における画
素電極１６ｂは、隣接する画素の画素電極及び反射板とは接しないように、かつ、信号線
とは実質的に重複しないように信号線１３に沿うように設けられ、また、走査線１２とは
若干重なるように形成されている。
【００３５】
更に、この実施例の半透過型液晶表示パネル１０Ａにおいては、透過部２０の画素電極
１６ｂは、反射部１９の画素電極１６ａよりも面積が大きくされている。このように、透
過部の画素電極１６ｂの面積を大きくした理由は、携帯電話機用の半透過型液晶表示パネ
ルは、高精細であってしかも画像表示が多いため、バックライトを常時点灯して実質的に
透過型液晶表示パネルとして使用される機会が多くなっているためである。そして、画素
電極１６の表面をも含み、アレイ基板ＡＲの表面には全ての表示領域を覆うようにして垂
直配向膜（図示せず）が積層されている。
【００３６】
また、カラーフィルタ基板ＣＦのガラス基板等からなる透明基板２６の表示領域上には
、それぞれの画素に対応して形成される例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のう
ち何れか一色からなるストライプ状のカラーフィルタ層２７が設けられている。更に、反
射部１９と透過部２０とで同じ厚さのカラーフィルタ層２７を使用するため、反射部１９
のカラーフィルタ層２７の一部分に所定の厚さのトップコート層２８が設けられている。
このトップコート層２８は、反射部１９全体にわたって設けられており、その厚さは反射
部１９における液晶層３２の厚さ、いわゆるセルギャップが透過部２０のセルギャップの
半分となるようにされている。また、トップコート層２８の表面及び露出しているカラー
フィルタ層２７表面はＩＴＯないしＩＺＯからなる共通電極２９で被覆されている。
【００３７】
さらに、透過部２０に位置する共通電極２９の表面の一部には、それぞれ透過部２０の
画素電極１６ｂに対向する位置に、液晶分子の配向を規制するための底面が長十字状の突
起３０が設けられているとともに、反射部１９のトップコート層２８の表面のコンタクト
ホール２３に対向する位置にも底面が円形状の突起３１が設けられている。そして、これ
らの共通電極２９、突起３０及び３１の表面には垂直配向膜（いずれも図示せず）が積層
されている。このように、実施例１のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａは、透過
部２０、反射部１９の領域にそれぞれ別々に形成された突起３０、３１によって、透過部
２０、反射部１９のそれぞれの領域で液晶分子の配向が規制されるようになっている。
【００３８】
そして、前記アレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦを互いに対向させ、両基板の
周囲にシール材を設けることにより両基板を貼り合せ、両基板間に負の誘電異方性を有す
る液晶を充填することにより実施例１のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａとな
る。なお、アレイ基板ＡＲの下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を
有するバックライト装置が配置されて実施例１のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが完
成される。
【００３９】
なお、実施例１では、カラーフィルタ基板ＣＦの透過部に対向する位置だけでなく、反
射部のコンタクトホール２３に対向する位置にも液晶分子の配向を規制するための配向規
制手段としての突起３１を設けた。このような構成を採用した理由は次のとおりである。
【００４０】
コンタクトホール２３内の液晶分子は、電界無印加時でも傾いており、コンタクトホー
ル２３の周囲の液晶分子の配向状態とは差異が生じる。しかも、コンタクトホール２３は
反射部１９に配置されたＴＦＴのドレイン電極Ｄと反射部１９の画素電極１６ａとの間の
電気的導通を確実に行うためにある程度の大きさが必要とされる。そのため、反射部１９
のコンタクトホール２３部分では液晶分子の配向が乱れているために表示画質が低下する
。しかしながら、カラーフィルタ基板ＣＦのコンタクトホールに対向する位置に液晶分子
の配向を規制するための配向規制手段を設けると、この配向規制手段によって強制的に液
晶分子の配向が規制されるため、反射部の表示画質の低下を抑制することができる。
【００４１】
この配向規制手段は、上述したように、カラーフィルタ基板ＣＦの共通電極２９の表面
に設けた突起３０及び３１であっても、或いは、共通電極２９に形成したスリットであっ
てもよい。特に、反射部の配向規制手段を共通電極２９の表面に設けた突起３１とした場
合、カラーフィルタ基板に平面視でこの突起３１の底面を被覆する大きさのブラックマト
リクスを形成すると、コンタクトホール２３部分からの反射光を遮光することができるた
め、より表示画質が良好となる。
【００４２】
なお、ＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａにおいては、本来液晶分子に電界が印
加されていない状態で垂直に配向されている限りは液晶層３２を光が透過することはない
。従って、画素電極１６に設けられたスリット２４の部分にも垂直配向膜が設けられてい
るので、このスリットの部分は光が透過することがないため、この実施例のＶＡ方式の半
透過型液晶表示パネル１０Ａとしては、補助容量が大きくなるようにするために、補助容
量線１４を反射板２２の下部から更に透過部２０側のスリット２４側にまで延長してある
。
【００４３】
また、この実施例１のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａにおいては、透過部２
０側における画素電極１６ｂを信号線１３とは実質的に重複しないように信号線１３に沿
うように設けた例を示した。しかしながら、透過部２０側における画素電極１６ｂを正確
に信号線１３に沿って設けることは技術的に困難であるため、透過部側の画素電極１６ｂ
と信号線１３との間に僅かな隙間が生じるようにしてもよく、逆にわずかに透過部側の画
素電極１６ｂと信号線１３とが重なるようにしてもよい。透過部側の画素電極１６ｂと信
号線１３との間に僅かな隙間が生じても、この隙間の部分には垂直配向膜が設けられてい
るため、この隙間の部分から光漏れすることはない。
【００４４】
ここで、実施例１のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａの特徴点である反射板２
２に形成されたスリット２２ａ等について説明する。この反射板２２に形成されたスリッ
ト２２ａは、連結部２５との境界からコンタクトホール２３に至るまで同一幅で形成され
ていると共に、コンタクトホール２３の周囲を囲むように形成されている。そして、この
反射板２２に形成されたスリット２２ａによって露出した層間膜２１の表面は、反射部１
９の画素電極１６ａによって被覆されている。
【００４５】
このような構成とすると、反射部１９の画素電極１６ａが反射板２２を乗り越える部分
は、反射板２２と連結部２５との境界の一部分と、反射板２２に形成されたスリット２２
ａの内側のエッジ部に沿った部分となる。そのため、反射部１９の画素電極１６ａが反射
板２２を乗り越える部分の長さは、図１０及び図１１に示した従来例のＶＡ方式の半透過
型液晶表示パネル５０と比すると、非常に長くなる。
【００４６】
従って、反射部の画素電極形成時に反射部１９の画素電極１６ａが反射板２２を乗り越
える部分で部分的に薄くなって電気的に切断された状態となることがあっても、全体とし
ては反射部１９の画素電極１６ａと透過部２０の画素電極１６ｂとの間の電気的導通が確
保される。従って、透過部２０の画素電極１６ｂと反射部１９の画素電極１６ａとの間の
電気的接続が切断されることが少なくなるため、画素電極１６の信頼性が良好で長寿命な
ＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａが得られる。
【００４７】
また、スリット２２ａが連結部２５からコンタクトホール２３まで繋がっているので、
連結部２５とコンタクホール２３との間には反射板２２のない画素電極１６ａのみからな
る電気的導通経路が形成されることになる。つまり連結部２５とコンタクトホール２３と
の間に反射板２２を画素電極１６ａが乗り越えることのない経路が形成される。したがっ
て、仮にスリット２２ａの内側のエッジ部分に沿った部分、つまり画素電極１６ａが反射
板２２を乗り越える部分で全てが切断されたとしても、この経路が存在しているため、透
過部２０への電気的導通は確保されることになる。
【００４８】
なお、反射板２２に形成するスリット２２ａの幅は、図１に示されているように、連結
部２５の幅よりも狭くした方がよい。反射板２２にスリット２２ａを形成することは、反
射部１９内に反射部として機能しない部分を形成することになる。そのため、スリット２
２ａの幅を連結部２５の幅よりも狭くすると、反射部内に形成された反射部として機能し
ない部分の面積を小さくでき、反射部の表示画質の低下を抑制することができる。
【００４９】
また、実施例１のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａにおいては、反射板に形成
するスリット２２ａはコンタクトホール２３の周囲を囲むように形成されている。ところ
で、コンタクトホール２３の内面及び反射部１９に配置されたＴＦＴのドレイン電極Ｄの
露出部は反射部１９の画素電極１６ａの形成時に同時に画素電極１６ａと同じ材料で被覆
される。そのため、上述のような構成を採用すると、反射板に形成するスリット２２ａを
コンタクトホール２３の周囲を囲むように形成しない場合よりもコンタクトホール２３の
エッジ部で反射部１９の画素電極１６ａが反射板２２を乗り越える領域が長くなる。従っ
て、実施例１のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａによれば、透過部２０の画素電
極１６ｂと反射部１９の画素電極１６ａとの間の電気的接続が良好に維持され、しかも広
視野角が達成できるＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。
【実施例２】
【００５０】
実施例１のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａにおいては、反射板２２にスリッ
ト２２ａを連結部２５からコンタクトホール２３に至るまで同一幅で形成した例を示した
。このような構成とすると、図１の破線で囲んだ領域Ｙ部分では、反射部１９の画素電極
１６ａと連結部２５の境界に沿って反射部１９の画素電極１６ａが反射板２２を乗り越え
ている領域が存在している。従って、実施例１のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０
Ａにおいては、反射部１９の画素電極１６ａと連結部２５の境界において、反射部１９の
画素電極１６ａが反射板２２を乗り越えることなく直接連結部２５の画素電極１６ｃと接
続されている領域の幅は、連結部２５の幅よりも小さくなっている。
【００５１】
そこで、実施例２のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルとしては、反射部１９の画素電
極１６ａと連結部２５の画素電極１６ｃとの接続部分において、反射部１９の画素電極１
６ａが反射板２２を乗り越えている領域が存在しないようにした。この実施例２のＶＡ方
式の半透過型液晶表示パネル１０Ｂ〜１０Ｅを図３〜図６を用いて説明する。
【００５２】
なお、図３は実施例２のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの１サブ画素の反射部側を
カラーフィルタ層を透視して表した概略平面図であり、図４〜図６はそれぞれ実施例２の
ＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの変形例の図３に対応する概略平面図である。
【００５３】
また、図３〜図６に示したＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ｂ〜１０Ｅにおいて
は、図１及び図２に記載の半透過型液晶表示パネル１０Ａと同一の構成部分については同
一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
【００５４】
図３に示したＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ｂが図１及び図２に示したＶＡ方
式の半透過型液晶表示パネル１０Ａと構成が相違する点は、反射板２２に形成するスリッ
ト２２ａとして連結部２５との境界部分で連結部２５の画素電極１６ｃの幅よりも広い部
分２２ｂを形成した点である。このように、反射板のスリット２２ａの幅を連結部２５と
の境界部分ではスリット２２ａによっての幅よりも広い部分２２ｂを形成すると、連結部
２５と反射部１９の境界に沿って反射部１９の画素電極１６ａが反射板２２を乗り越える
領域が生じないようにすることができる。そのため、より透過部２０の画素電極１６ｂと
反射部１９の画素電極１６ａとの間の電気的接続が良好に維持されたＶＡ方式の半透過型
液晶表示パネル１０Ｂが得られる。
【００５５】
この実施例２のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ｂにおいては、反射板２２に形
成するスリット２２ａ形状は、連結部２５との境界部分から離れるに従って狭くなってい
れば、任意の形状を採用し得る。例えば、図４に示したＶＡ方式の半透過型液晶表示パネ
ル１０Ｃのように曲線状に狭くなっていてもよく、図５に示したＶＡ方式の半透過型液晶
表示パネル１０Ｄのように直線状に狭くなっていてもよく、更には図６に示したＶＡ方式
の半透過型液晶表示パネル１０Ｅのように段階的に狭くなっていてもよい。
【実施例３】
【００５６】
実施例１及び実施例２では、連結部２５の画素電極１６ｃを透過部２０の画素電極１６
ｂと反射部１９の画素電極１６ａの間の中央部に設けた例を示した。しかしながら、この
連結部２５の画素電極１６ｃは透過部２０の画素電極１６ｂと反射部１９の画素電極１６
ａの間の一方の側部又は両側の側部に設けることもできる。そこで、実施例３のＶＡ方式
の半透過型液晶表示パネルとしては、連結部２５の画素電極１６ｃを透過部２０の画素電
極１６ｂと反射部１９の画素電極１６ａの間の一方側の側部又は両側の側部に形成した。
この実施例３のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ｆ〜１０Ｈを図７〜図９を用いて
説明する。
【００５７】
なお、図７は連結部を透過部の画素電極と反射部の画素電極の間の一方の側部に設けた
実施例３のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの１サブ画素の反射部側の概略平面図であ
り、図８は実施例３のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの変形例の図７に対応する概略
平面図である。また、図９は連結部を透過部の画素電極と反射部の画素電極の間の両側の
側部に設けた実施例３のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの変形例の図７に対応する概
略平面図である。
【００５８】
また、図７〜図９に示したＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ｆ〜１０Ｈにおいて
は、図１及び図２に記載の半透過型液晶表示パネル１０Ａと同一の構成部分については同
一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
【００５９】
図７に示した実施例３のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ｆが図１及び図２に示
した実施例１のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ａと構成が相違する点は、連結部
２５の画素電極１６ｃを透過部２０の画素電極１６ａと反射部１９の画素電極１６ａの間
の右側の側部に設け、反射板２２に形成するスリット２２ａを最短距離で連結部２５側か
らコンタクトホール２３まで形成した点である。
【００６０】
アレイ基板ＡＲ側での液晶分子の配向規制は透過部２０の画素電極１６ｂ、反射部１９
の画素電極１６ａ及び連結部２５のそれぞれのエッジに沿って生じる。そのため、連結部
２５を透過部２０の画素電極１６ｂと反射部１９の画素電極１６ａの間の一方の側部に設
けても、図１〜図６に示した実施例１及び実施例２の半透過型液晶表示パネル実質的に同
様な液晶分子の配向規制が生じ、広視野角のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られ
る。
【００６１】
この実施例３のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０Ｆにおいては、反射板２２に形
成するスリット２２ａを必ずしも最短距離で連結部２５側からコンタクトホール２３まで
形成しなくてもよく、図８に示したようにＬ字状となるように形成してもよい。また、連
結部２５を透過部２０の画素電極１６ｂと反射部１９の画素電極１６ａの間の一方の側部
のみに形成する必要はなく、図９に示したように両側の側部に形成してもよい。この場合
、反射板２２に形成するスリットは２箇所設ける必要がある。
【００６２】
なお、実施例１〜３では、透過部に設ける配向規制手段としての突起の形状として平面
視で長十字状となるものを用いた例を示したが、他にバー状、十字状、円状等の形状とす
ることも可能である。また、透過部及び反射部に設ける配向規制手段として突起に変えて
共通電極にスリットを形成したものでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】実施例１に係るＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの１サブ画素部分をカラーフィルタ層を透視して表した概略平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】実施例２のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの１サブ画素の反射部側の概略平面図である。
【図４】図３の変形例の概略平面図である。
【図５】図３の別の変形例の概略平面図である。
【図６】図３の更に別の変形例の概略平面図である。
【図７】連結部を一方側の側部に設けた実施例３のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの１サブ画素の反射部側の概略平面図である。
【図８】図７の変形例の概略平面図である。
【図９】連結部を両側の側部に設けた図７の変形例の概略平面図である。
【図１０】従来例のＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの連結部の近郷構成を説明する概略平面図である。
【図１１】図１０のＢ−Ｂ線に沿った模式断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１０Ａ：半透過型液晶表示パネル  １１：透明基板  １２：走査線  １３：信号線  １４
：補助容量線  １５：半導体層  １６、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ：画素電極  １７：第１
の絶縁膜  １８：第二の絶縁膜  １９：反射部  ２０：透過部  ２１：層間膜  ２２：反
射板  ２２ａ：反射板のスリット  ２３：コンタクトホール  ２４：スリット  ２５：連
結部  ２６：透明基板  ２７：カラーフィルタ層  ２８：共通電極  ２９：トップコート
層  ３０：底面が長十字状の突起  ３１：底面が円形状の突起  ３２：液晶層
【図１】
2008268621.tif 000003
【図２】
2008268621.tif 000004
【図３】
2008268621.tif 000005
【図４】
2008268621.tif 000006
【図５】
2008268621.tif 000007
【図６】
2008268621.tif 000008
【図７】
2008268621.tif 000009
【図８】
2008268621.tif 000010
【図９】
2008268621.tif 000011
【図１０】
2008268621.tif 000012
【図１１】
2008268621.tif 000013