(57)【要約】【課題】  シリコンウェハ等の半導体ウェハの裏面加工に際し、その破損を防止するとともに、生産性の向上に寄与し、しかも該半導体ウェハに於ける回路パターン形成面を汚染することのない半導体ウェハ加工用材料及びそれを用いた半導体ウェハの加工方法を提供する。【解決手段】  半導体ウェハの回路パターン形成面側に貼り付けて、該半導体ウェハを加工する際に用いる半導体ウェハ加工用材料１０であって、前記半導体ウェハ加工用材料１０が多孔質材料１２に含浸剤を含浸させて構成され、前記含浸剤は、水と、塩化ナトリウム又は高吸水性ポリマーの少なくとも何れか一方とを含むことを特徴とする。【選択図】  図１
2008053297.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの回路パターン形成面側に貼り付けて、該半導体ウェハを加工する際に用いる半導体ウェハ加工用材料であって、
前記半導体ウェハ加工用材料が多孔質材料に含浸剤を含浸させて構成されたものであり、
前記含浸剤は、水と、塩化ナトリウム又は高吸水性ポリマーの少なくとも何れか一方とを含むことを特徴とする半導体ウェハ加工用材料。
【請求項２】
前記半導体ウェハ加工用材料は、基材上に前記多孔質材料が積層されて構成されたものであり、該多孔質材料側を半導体ウェハの回路パターン形成面との貼り合わせ面とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ加工用材料。
【請求項３】
半導体ウェハ加工用材料を半導体ウェハの回路パターン形成面に貼り付けて、該半導体ウェハを加工する半導体ウェハの加工方法であって、
前記半導体ウェハ加工用材料として、多孔質材料に含浸剤を含浸させたものを用意し、
前記含浸剤が液体状態の下で、前記半導体ウェハと前記半導体ウェハ加工用材料とを貼り合わせる工程と、
前記半導体ウェハと前記半導体ウェハ加工用材料とを貼り合わせた状態で、前記含浸剤を結晶状態または非晶質状態になるまで冷却する工程と、
前記含浸剤を結晶状態または非晶質状態に維持して、前記半導体ウェハの回路パターン形成面とは反対側の面を薄型加工する工程とを含むことを特徴とする半導体ウェハの加工方法。
【請求項４】
半導体ウェハ加工用材料を半導体ウェハの回路パターン形成面に貼り付けて、該半導体ウェハを加工する半導体ウェハの加工方法であって、
前記半導体ウェハ加工用材料として、多孔質材料に含浸剤を含浸させたものを用意し、
前記含浸剤のガラス転移温度よりも高い温度下で、前記半導体ウェハと前記半導体ウェハ加工用材料とを貼り合わせる工程と、
前記半導体ウェハと前記半導体ウェハ加工用材料とを貼り合わせた状態で、前記含浸剤のガラス転移温度よりも低い温度になる様に急冷する工程と、
前記含浸剤のガラス転移温度よりも低い温度下で、前記半導体ウェハの回路パターン形成面とは反対側の面を薄型加工する工程とを含むことを特徴とする半導体ウェハの加工方法。
【請求項５】
前記含浸剤として、水、塩化ナトリウム水溶液、またはこれらに高吸水性ポリマーが含有されたものを使用することを特徴とする請求項３または４に記載の半導体ウェハの加工方法。
【請求項６】
前記半導体ウェハ加工用材料は、基材上に前記多孔質材料が積層されて構成されたものであることを特徴とする請求項３から５の何れか１項に記載の半導体ウェハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路が設けられた半導体ウェハの裏面を加工する際に使用される半導体ウェハ加工用材料及びそれを用いた半導体ウェハの加工方法に関する。より詳細には、半導体ウェハを加工する際に、半導体ウェハに於ける回路パターン形成面（以下、単に「回路形成面」と言う場合がある）を保護する為に用いる半導体ウェハ加工用材料及びそれを用いた半導体ウェハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」と言う）は、大型化・薄型化しつつある一方、回路表面の凹凸やバンプ等の電極が形成されたりしている。このようなウェハの裏面を研磨加工する際、凹凸やバンプ等の形状がウェハにでき、ウェハの研磨加工後は、ウェハ自体が肉薄で脆いのに加え、ウェハの回路形成面が凹凸状である為、僅かな外力によっても破損し易いという欠点があり、裏面研磨等の後加工の際の大きな障害となっている。よって、この様な凹凸を有するウェハの破損を防止する方法の開発が強く要望されていた。
【０００３】
このようなウェハの加工時における回路形成面の保護とウェハの破損防止を図るため、ウェハの回路形成面にバックグラインドシートやダイシングシートなどの粘着シートを貼着する方法が知られている。この様な粘着シートとしては、例えばショアーＤ型硬度が４０以下の基材シートの表面に粘着層を設けたシリコンウェハ加工用フィルムが開示されている（下記特許文献１参照）。また、ショアーＤ型硬度が４０以下である基材フィルムの片側表面上にショアーＤ型硬度が４０よりも大きい補助フィルムが積層され、基材フィルムの他方の表面上に粘着層が配設されたウェハ加工用フィルムが開示されている（下記特許文献２参照）。
【０００４】
ところで近年、ウェハの回路形成面に於ける凹凸差が大きくなってきている。例えば、ポリイミド膜付きのウェハでは凹凸差が１〜２０μｍ程度ある。また、不良半導体チップを識別するための不良マーク（パッドマーク）が設けられている場合、凹凸差は１０〜７０μｍ程度となる。さらに、パターン状の電極上に外部接続端子としてバンプが形成される場合、凹凸差は２０〜２００μｍ程度である。また、ウェハレベルチップサイズパッケージ（Ｗ−ＣＳＰ）と呼ばれる半導体ウェハの場合には、高さが最大４００μｍ程度のバンプが形成されるが、この様なウェハについても、ダイシング実現の要求がある。
【０００５】
その為、従来の半導体基板加工用粘着シートでは、ウェハ表面の凹凸に十分に対応することができず、粘着シートとウェハとの間に隙間が生じて接着が不十分であった。その結果、ウェハの加工時において、シートの剥離、回路形成面への研削水や異物の浸入、加工ミス、ディンプルの発生、チップ飛びなどが生じたり、更にはウェハが破損する場合もあった。
【０００６】
また、ウェハ加工の際に使用するバックグラインドシートやダイシングシートは加工後の剥離を容易にする為、放射線硬化型の粘着シートを用いる場合が多くなってきている。特に取り扱いが容易な紫外線硬化型の場合、回路形成面の凹凸が埋まらず隙間が残ると酸素による硬化不良が発生し糊残りする場合があった。
【０００７】
【特許文献１】特開昭６１−１０２４２号公報
【特許文献２】特開昭６１−２６０６２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、シリコンウェハ等の半導体ウェハの裏面加工に際し、その破損を防止するとともに、生産性の向上に寄与し、しかも該半導体ウェハに於ける回路パターン形成面を汚染することのない半導体ウェハ加工用材料及びそれを用いた半導体ウェハの加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願発明者は、前記従来の問題点を解決すべく、半導体ウェハ加工用材料及びそれを用いた半導体ウェハの加工方法について鋭意検討した。その結果、以下の構成を採用することにより前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
即ち、前記の課題を解決する為に、本発明に係る半導体ウェハ加工用材料は、半導体ウェハの回路パターン形成面側に貼り付けて、該半導体ウェハを加工する際に用いる半導体ウェハ加工用材料であって、前記半導体ウェハ加工用材料が多孔質材料に含浸剤を含浸させて構成されたものであり、前記含浸剤は、水と、塩化ナトリウム又は高吸水性ポリマーの少なくとも何れか一方とを含むことを特徴とする。
【００１１】
前記の構成によれば、半導体ウェハ加工用材料に於ける多孔質材料には含浸剤が含浸されている。この為、含浸剤が固化していない状態では多孔質材料は弾力性を有しており、半導体ウェハの回路パターン形成面の凹凸に対しても隙間なく密着する。一方、含浸剤は少なくとも水と高吸水性ポリマー及び／又は塩化ナトリウムとを含む構成である。水は、固体になると、半導体ウェハを固定する役割を果たす。また、高吸水性ポリマーは保冷剤としての機能を果たす。即ち、水を氷に状態変化させた後は、氷が溶け出すのを極力抑制する。高吸水性ポリマーは、氷から溶け出した水が対流を起こすのを抑制し、融解を遅らせるからである。よって、高吸水性ポリマーを含む場合は、半導体ウェハを半導体ウェハ加工用材料に密着した状態で長時間固定することができる。その結果、半導体ウェハを研削することにより薄型加工する際に、半導体ウェハと半導体ウェハ加工用材料との界面に研削水や異物が浸入することによる回路形成面の汚染や、加工ミス、ディンプルの発生を低減できる。
【００１２】
また、高吸水性ポリマーは自重の数百倍〜千倍もの吸水力があるので、多少の圧力をかけても離水しない。よって、半導体ウェハに圧力をかけて半導体ウェハ加工用材料を貼り付けても、高吸水性ポリマーから水が離水することがない。これにより、圧力を加えて半導体ウェハと半導体ウェハ加工用材料とを貼り合わせる場合にも、半導体ウェハの固定に必要な水を保持し続ける。
【００１３】
前記半導体ウェハ加工用材料は、基材上に前記多孔質材料が積層されて構成されたものであり、該多孔質材料側を半導体ウェハの回路パターン形成面との貼り合わせ面とするのが好ましい。
【００１４】
前記の構成であると、基材は半導体ウェハ加工用材料の支持母体としての機能を果たす。その結果、半導体ウェハに半導体ウェハ加工用材料を貼り付ける際の作業性が向上する。
【００１５】
前記の課題を解決する為に、本発明に係る半導体ウェハの加工方法は、半導体ウェハ加工用材料を半導体ウェハの回路パターン形成面に貼り付けて、該半導体ウェハを加工する半導体ウェハの加工方法であって、前記半導体ウェハ加工用材料として、多孔質材料に含浸剤を含浸させたものを用意し、前記含浸剤が液体状態の下で、前記半導体ウェハと前記半導体ウェハ加工用材料とを貼り合わせる工程と、前記半導体ウェハと前記半導体ウェハ加工用材料とを貼り合わせた状態で、前記含浸剤を結晶状態または非晶質状態になるまで冷却する工程と、前記含浸剤を結晶状態または非晶質状態に維持して、前記半導体ウェハの回路パターン形成面とは反対側の面を薄型加工する工程とを含むことを特徴とする。
【００１６】
前記の方法によれば、半導体ウェハと半導体ウェハ加工用材料との貼り合わせは、含浸剤が液体の状態にある下で行う。その為、多孔質材料は弾性体として機能し、これにより多孔質材料は半導体ウェハの回路パターン形成面の凹凸に対して隙間無く密着する。更に、半導体ウェハと半導体ウェハ加工用材料とを貼り合わせた状態で、含浸剤を結晶状態または非晶質状態になるまで冷却する。これにより、半導体ウェハを半導体ウェハ加工用材料に確実に固定することができる。半導体ウェハの薄型加工は、含浸剤を結晶状態または非晶質状態に維持して行うので、該工程の際に、半導体ウェハと粘着シートとの界面に研削水や異物が浸入するのを低減する。その結果、回路形成面の汚染を抑制する。また、加工ミスやディンプルの発生も低減することができる。
【００１７】
また、前記の課題を解決する為に、本発明に係る半導体ウェハの加工方法は、半導体ウェハ加工用材料を半導体ウェハの回路パターン形成面に貼り付けて、該半導体ウェハを加工する半導体ウェハの加工方法であって、前記半導体ウェハ加工用材料として、多孔質材料に含浸剤を含浸させたものを用意し、前記含浸剤のガラス転移温度よりも高い温度下で、前記半導体ウェハと前記半導体ウェハ加工用材料とを貼り合わせる工程と、前記半導体ウェハと前記半導体ウェハ加工用材料とを貼り合わせた状態で、前記含浸剤のガラス転移温度よりも低い温度になる様に急冷する工程と、前記含浸剤のガラス転移温度よりも低い温度下で、前記半導体ウェハの回路パターン形成面とは反対側の面を薄型加工する工程とを含むことを特徴とする。
【００１８】
前記の方法によれば、半導体ウェハと半導体ウェハ加工用材料との貼り合わせは、含浸剤のガラス転移温度よりも高い温度下で行う。その為、含浸剤は液体状態にあり、多孔質材料は弾性体として機能する。これにより多孔質材料は半導体ウェハの回路パターン形成面の凹凸に対して隙間無く密着する。更に、半導体ウェハと半導体ウェハ加工用材料とを貼り合わせた状態で、含浸剤のガラス転移温度よりも低い温度になる様に急冷する。これにより、含浸剤は流動性を殆ど失い非晶質状態の固体となる。含浸剤が非晶質状態になると、半導体ウェハを半導体ウェハ加工用材料に確実に固定することができる。半導体ウェハの薄型加工は、含浸剤を非晶質状態に維持して行うので、該工程の際に、半導体ウェハと粘着シートとの界面に研削水や異物が浸入するのを低減する。その結果、回路形成面の汚染を抑制する。また、加工ミスやディンプルの発生も低減することができる。
【００１９】
前記各方法に於いては、前記含浸剤として、水、塩化ナトリウム水溶液、またはこれらに高吸水性ポリマーが含有されたものを使用するのが好ましい。含浸剤に含まれる水は、結晶状態または非晶質状態になることにより半導体ウェハを固定する機能を果たす。高吸水性ポリマーは保冷剤としての機能を果たし、半導体ウェハの固定を一層確実なものにする。また、塩化ナトリウム水溶液は、結晶状態に達するまでの温度が水よりも高いことから取り扱い性に優れている。
【００２０】
また前記の方法に於いて、前記半導体ウェハ加工用材料は、基材上に前記多孔質材料が積層されて構成されたものとすることもできる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べる効果を奏する。  
即ち、本発明によれば、半導体ウェハと半導体ウェハ加工用材料との密着性を一層高めるので、半導体ウェハの加工の際に於ける回路形成面の汚染や、加工後の半導体ウェハの厚みのバラツキ、ウェハの割れ、ディンプルの発生等を低減することができる。その結果、スループットを向上させて半導体ウェハを加工することが可能な半導体ウェハ加工用材料及び半導体ウェハの加工方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の実施の形態について、図を参照しながら以下に説明する。但し、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にする為に拡大または縮小等して図示した部分がある。
【００２３】
図１は、本実施の形態に係る半導体ウェハ加工用材料を概略的に示す断面模式図である。同図に示すように、半導体ウェハ加工用材料（以下、「加工用材料」と略す）１０は、基材フィルム（基材）１１上に、含浸剤が含浸した多孔質材料１２が設けられた構成を有する。
【００２４】
加工用材料１０の厚さは、半導体ウェハ（図示しない。以下、単に「ウェハ」と略す）の表面（回路パターン形成面（以下、回路形成面と言う。））の凹凸の高さや、ウェハの保持性、保護性を損なわない範囲で適宜選択できる。具体的には、５０μｍ〜２．５ｍｍ程度が好ましく、１００μｍ〜２．０ｍｍ程度がより好ましい。加工用材料１０の厚さが５０μｍ未満であると、回路形成面の凹凸に対して追従性が低下し、加工用材料１０がウェハに隙間無く密着するのが困難となる。その結果、ウェハの研削加工時に割れやディンプルの発生が生じやすくなる。その一方、加工用材料の厚さが２．５ｍｍを超えると、ウェハへの固定に時間がかかり作業効率が低下したり、研削加工機器に収容できなくなる場合がある。
【００２５】
前記多孔質材料１２としては、前記範囲の特性を有するものであれば特に限定されず、一般的にスポンジと呼ばれる材料であれば何ら問題はない。具体的には、例えばポリウレタン、ポリエチレン、ゴム、またはこれらの併用による材料を選定できる。又、多孔質材料１２の弾性率は、３００〜９０万ｋＰａの範囲内であることが好ましく、３０００〜８０万ｋＰａの範囲内であることがより好ましい。９０万ｋＰａより大きいと、回路形成面の凹凸に対して十分な密着性を発揮することが困難となる。その一方、３００ｋＰａより小さいと、ウェハへの固定に時間がかかり作業効率が低下する。
【００２６】
前記含浸剤としては、前記範囲の特性を有するものであれば特に限定されず、具体的には水に高吸水性ポリマーを添加したものや、食塩水、または該食塩水に高吸水性ポリマーを添加したもの等が例示できる。
【００２７】
前記高吸水性ポリマーとしては、例えば、カルボキシセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ポリアクリル酸、ポリアクリルアマイド、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエチレングリコール、ポリビニルピロリドン等が例示できる。
【００２８】
高吸水性ポリマーの水に対する添加量としては、水１００重量部に対し、１〜８０重量部の範囲内であることが好ましく、３〜７０重量部の範囲内であることがより好ましい。高吸水性ポリマーの添加量が１重量部未満であると、結晶化が不十分となる場合がある。その一方、添加量が８０重量部を超えると、結晶化に要する時間が長くなり過ぎる場合がある。
【００２９】
高吸水性ポリマーの食塩水に対する添加量としては、食塩水１００重量部に対し、１〜７５重量部の範囲内であることが好ましく、２〜７０重量部の範囲内であることがより好ましい。高吸水性ポリマーの添加量が１重量部未満であると、結晶化が不十分となる場合がある。その一方、７５重量部を超えると、結晶化に要する時間が長くなり過ぎる場合がある。
【００３０】
前記食塩水は、その濃度が、０．０１〜５０重量％の範囲内であることが好ましく、０．１〜３０重量％の範囲内であることがより好ましい。食塩水の濃度が０．０１重量％未満であると、結晶化温度に差が生じにくくなり、食塩水を用いたことの効果が低減する。その一方、３０重量％を超えると、塩化ナトリウムの完全な除去が困難になり、汚染等の不具合が発生する原因となる。
【００３１】
前記高吸水性ポリマーの数平均分子量は、前記範囲の特性を保てば限定はされない。具体的には、例えば３５０万以下が好ましく、１０００〜３００万の範囲がより好ましい。３５０万を超えると、多孔質材料に含浸させることが非常に困難になる。
【００３２】
尚、含浸剤は、前記特性を損なわない範囲で他の成分（添加剤）を含んでいてもよい。このような成分としては、例えば通常半田材料に含まれるフラックス成分等が挙げられる。また、その添加量は添加剤にもよるが、含浸剤１００重量部に対し１〜５０重量部の範囲内であることが好ましく、２〜４０重量部の範囲内であることがより好ましい。添加量が１重量部未満であると、フラックス等の添加効果が低減する。その一方、添加量が５０重量部を超えると、汚染等の原因となる。
【００３３】
前記基材フィルム１１の形成材料は特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのポリエステル：ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）などのポリオレフィン系樹脂；ポリイミド（ＰＤ）：ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）：ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）などのポリ塩化ビニル系樹脂：ポリ塩化ビニリデン系樹脂；ポリアミド系樹脂；ポリウレタン：ポリスチレン系樹脂：アクリル系樹脂；フッ素樹脂；セルロース系樹脂：ポリカーボネート系樹脂などの熱可塑性樹脂のほか、熱硬化性樹脂、金属箔、紙などが例示できる。なお、基材フィルム１１は、同種、または異種の材料からなる複数の層により多層構造としてもよい。
【００３４】
次に、本発明に係る加工用材料１０の製造方法について説明する。
【００３５】
次に、本発明に係る半導体ウェハの加工方法について説明する。
【００３６】
先ず、加工用材料１０とウェハとを貼り合わせる。貼り合わせは、加工用材料１０の多孔質材料がウェハに於ける回路形成面と対向する様にして行う。このとき、好ましくは１００〜１０００Ｐａ、より好ましくは２００〜８００Ｐａを押圧してもよい。
【００３７】
より具体的には、例えばテーブル上にウェハを載置し、その上に本発明の加工用材料をウェハ側になるように重ね、圧着ロールなどの押圧手段により、押圧しながら貼り付ける。この貼り付けの際、ウェハに於ける回路形成面の凹凸に加工用材料１０をより密着させるため、含浸剤は液体状態であることが必要である。よって、含浸剤のガラス転移温度、または凝固温度よりも十分に高い温度にて貼り付けを実施する。よって、必要であれば圧着ロール、テーブルの加温、その他、貼り付けの際の周囲の雰囲気を高温に保ちながら貼り付けをする場合もある。
【００３８】
ウェハに貼り合せる加工用材料１０のカットについては貼り合せ後にカットしても良い。該カットの方法としては、具体的には金属刃またはレーザー光線を用いた方法が例示できる。また、加工用材料をウェハに貼り合せる前に、貼り合せるウェハと同形状に打ち抜き加工してもよい。また、ウェハと同形状に打ち抜き加工した加工用材料１０とウェハの位置合せは、画像認識装置により行い、正確な位置を認識して現在の位置関係との差異分を補正することで行うことができる。
【００３９】
貼り付け後、加工用材料１０に於ける含浸剤を結晶状態または非晶質状態にする為、ウェハと加工用材料１０とを貼り合わせた状態で冷却する。含浸剤を結晶状態にする為には、凝固点よりも低い温度下にウェハを置けばよい。これにより、含浸剤はいわゆる熱平衡としての相転移により固体となり、ウェハ加工用材料１０に密着固定することができる。一方、含浸剤を非晶質状態にする為には、ガラス転移温度よりも低い温度の環境下にウェハを置く。但し、この場合は含浸剤の種類にもよるが、急冷する必要がある。通常の冷却速度であると結晶状態で固化（即ち、凝固）するからである。ガラス転移温度よりも低い温度下で急冷すると、含浸剤は流動性を失って非晶質固体となり、ウェハ加工用材料１０に密着固定することができる。ウェハを冷却する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば冷凍雰囲気下に静置したり、液体窒素等に浸漬させる方法等が例示できる。
【００４０】
ウェハの裏面の薄型加工をする工程は、例えば研削工程、研磨工程（ＣＭＰ）またはエッチング工程といった機械的または化学的方法等の従来公知の種々の方法を行う工程である。例えば、ウェハの位置を上下反転してウェハの裏面（回路形成面とは反対側の面）の薄型加工を行う。この様な薄型加工に用いる薄型加工機としては特に限定されず、例えば研削機（バックグラインダー）、ＣＭＰパッド等が例示できる。薄型加工は、ウェハが所望の厚さになるまで行われる。この薄型加工により、ウェハは薄型化されるが、本実施の形態に於いては加工用材料１０に於ける多孔質材料１２が回路形成面の凹凸にも適応して密着し、かつ含浸剤が固化することによりウェハを固定しているので、該ウェハに割れや欠け、ディンプル等の発生を抑制できる。また、回路形成面が加工用材料１０により保護されているので、研削時に生じる研削屑や研削水等によって回路形成面が汚染されるのを防止する。尚、本工程に於いては、含浸剤を結晶状態または非晶質状態に維持する必要がある。本工程中は、ウェハを加工用材料１０に確実に固定しておく必要があるからである。よって、含浸剤が結晶状態にあるときは凝固点よりも低い温度下で行うのが好ましく、非晶質状態にあるときはガラス転移点よりも低い温度下で行うのが好ましい。ここで、含浸剤に高吸水性ポリマーが含まれる場合は、該ポリマーは保冷剤としての機能を果たすため、ウェハの固定はより確実となる。
【００４１】
ウェハから加工用材料１０を剥離する方法としては特に限定されず、従来公知の方法を採用することができる。また、剥離の際には含浸剤の凝固点またはガラス転移温度よりも高い温度になるまで加温しても良い。含浸剤を再び液体状態にすることにより、ウェハの固定を解除し剥離を容易に行うことができるからである。剥離後は必要に応じて温水（水温５０〜９０℃）または他の溶剤（具体的には、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等が例示できる。）等により洗浄を行っても良い。これにより、回路形成面の清浄性を向上させることができる。
【実施例】
【００４２】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。
【００４３】
[数平均分子量の測定]
数平均分子量は以下の方法で測定した。試料をＴＨＦに０．１ｗｔ％で溶解させて、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）を用いてポリスチレン換算により数平均分子量を測定した。詳しい測定条件は以下の通りである。
ＧＰＣ装置：東ソー製、ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ
カラム：東ソー製、（ＧＭＨＨＲ−Ｈ）＋（ＧＭＨＨＲ−Ｈ）＋（Ｇ２０００ＨＨＲ）
流量：０．８ｍｌ／ｍｉｎ
濃度：０．１ｗｔ％
注入量：１００μｌ
カラム温度：４０℃
溶離液：ＴＨＦ
【００４４】
加工用材料として、下記加工用材料Ａ〜Ｃ、及び材料Ｄ、Ｅを作製した。
【００４５】
［加工用材料Ａ］
３００μｍ厚みの多孔質ポリウレタンフィルム（多孔質材料）中に、含浸剤として数平均分子量約５００のポリビニルピロリドン（高吸水性ポリマー）を５重量％水溶液として溶解した溶液を合浸させた。
【００４６】
［加工用材料Ｂ］
３００μｍ厚みの多孔質ポリエチレンフィルム（多孔質材料）中に、合浸剤として数平均分子量約５万のカルボキシセルロース（高吸水性ポリマー）を２重量％水溶液として溶解した溶液を含浸させた。
【００４７】
［加工用材料Ｃ］
５０μｍ厚みの多孔質ポリウレタン・ゴム共重合体フィルム（多孔質材料）中に、８重量％塩化ナトリウム水溶液として溶解した溶液を含浸剤として含浸させた。
【００４８】
［材料Ｄ］
５０μｍ厚みの多孔質ポリウレタン・ゴム共重合体フィルム中に、数平均分子量約１万の２−エチルヘキシルアクリレート（粘着剤組成物）を溶剤（トルエンと酢酸エチルとを１：１で混合した溶液）に溶解した溶液を含浸剤として含浸させた。
【００４９】
［材料Ｅ］
１５０μｍ厚みのポリエチレンに、含浸剤として水を含浸させた。
【００５０】
（実施例１）
高さ８０μｍのバンプが形成された半導体ウェハ（厚さ：６２５μｍ、６インチ）を用意し、それぞれに材料Ａを加工用材料として貼り合せた。貼り合わせには、日東精機（株）製ＤＲ−８５００１１を用いた。当該装置は、テーブル上にウェハを載置し、その上に材料Ａを多孔質材料がウェハの回路形成面と対向する様に重ね、圧着ロールにより押圧しながら貼り付けるものである。貼り合わせの際の温度は１０℃とした。貼り合わせ後、各半導体ウェハを−３０℃にて２時間静置し、含浸剤が固化するのを確認した。
【００５１】
次に、各半導体ウェハを、０〜５℃雰囲気下の室内においてディスコ（株）製シリコンウェハ研削機により厚さ２８０μｍまで裏面研削を行った。研削後、日東精機（株）製ＤＲ−８５００１１を用いて加工用材料Ａの剥離を行った。剥離の際は、３０℃の環境下で行った。更に、剥離後の各半導体ウェハについて、温水洗浄機を用いて９０℃の温水で、約１５分間洗浄を行った。
【００５２】
（実施例２）
本実施例に於いては、加工用材料Ａを、基材フィルムとしてのポリエチレンフィルム（ＰＥ、厚さ１４０μｍ）上に加工用材料Ａを貼り合せた加工用材料Ａ’に代え、高さ８０μｍのバンプが形成された半導体ウェハを高さ１５０μｍのバンプが形成されたものに代えた以外は、前記実施例１と同様にした。
【００５３】
（実施例３）
本実施例に於いては、加工用材料Ａを加工用材料Ｂに代え、高さ８０μｍのバンプが形成された半導体ウェハを高さ２４０μｍのバンプが形成されたものに代えた以外は、前記実施例１と同様にした。
【００５４】
（実施例４）
本実施例に於いては、加工用材料Ａを加工用材料Ｃに代え、高さ８０μｍのバンプが形成された半導体ウェハを高さ３０μｍのバンプが形成されたものに代えた以外は、前記実施例１と同様にした。
【００５５】
（比較例１）
本比較例に於いては、加工用材料Ａを材料Ｄに代え、高さ８０μｍのバンプが形成された半導体ウェハを高さ３０μｍのバンプが形成されたものに代えた以外は、前記実施例１と同様にした。
【００５６】
（比較例２）
本比較例に於いては、加工用材料Ａを材料Ｅに代え、高さ８０μｍのバンプが形成された半導体ウェハを高さ５０μｍのバンプが形成されたものに代えた以外は、前記実施例１と同様にした。
【００５７】
（評価項目）
前記実施例１〜４及び比較例１について、それぞれ「水浸入」および「ウェハ割れ」に関する評価を行った。即ち、「水浸入」については、加工用材料又は材料を剥離後、光学顕微鏡観察（２００倍）により、２５枚中１枚でもウェハ上に研削水の侵入跡が確認されたウェハは、水浸入ありとした。尚、「水浸入」とは、研削中にウェハと加工用材料又は材料との間に研削水が染み込む現象を言う。研削水がしみ込むと、半導体ウェハの回路形成面が汚染される。次に、「ウェハ割れ」については、研削中にバンプ等に起因する凹凸部分も加工用材料により密着固定されない場合に発生する。研削中に２５枚中１枚でもウェハの割れが発生した場合は、ウェハ割れありとした。結果を下記表１に示す。
【００５８】
【表１】
2008053297.tif 000003
【００５９】
表１から分かるように、実施例１〜４に於いては、水浸入、研削後のウェハ割れ、及び水浸入に起因するウェハの回路形成面の汚染は何れも確認されなかった。その一方、比較例１に於いては、半導体ウェハの研削の際に、ウェハ割れが２５枚中３枚発生した。これは、材料Ｄによるウェハ保持性が劣っていた為と考えられる。また、材料Ｄを剥離する際にも半導体ウェハの回路形成面に粘着剤組成物等が残存するウェハが２５枚中１０枚発生し、剥離が困難であった。結果として半導体ウェハの回路形成面に対し、汚染を生じた。また、比較例２に於いては、研削中にウェハと材料Ｅとの間に研削水が染み込む水浸入が発生した。更に、半導体ウェハの研削の際に、ウェハ割れが２５枚中５枚発生した。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施の一形態に係る半導体ウェハ加工用材料を概略的に示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０    半導体ウェハ加工用材料
１１    基材フィルム（基材）
１２    多孔質材料
【図１】
2008053297.tif 000004