(57)【要約】【課題】ガラス基板に多面取りで複数の表示パネルを同時に作製した後に、ガラス基板をエッチングにより薄肉化する製造方法において、外部接続端子の腐食を抑制する。【解決手段】ガラス基板１１０にゲート線１１ａ及び外部接続端子１２が構成されたセル単位を複数形成してＴＦＴ母基板ＡＢを作製し、ガラス基板１２０にセル単位を複数形成してＣＦ母基板ＣＢを作製し、ＴＦＴ母基板ＡＢ及びＣＦ母基板ＣＢを貼り合わせて貼合体を作製し、その貼合体の外面のエッチングによりガラス基板１１０及び１２０を薄肉化し、その薄肉化された貼合体をセル単位毎に分断する液晶表示パネルの製造方法において、貼合体をエッチングする際に、ＣＦ母基板ＣＢにおける各第２表示領域Ｄ２の外部に設けられた保護壁２２によって外部接続端子１２がエッチングから保護される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のガラス基板に、各々、表示に寄与する第１表示領域が規定され、該第１表示領域に表示用配線、及び上記第１表示領域の外部に上記表示用配線に接続された外部接続端子が構成されたセル単位を複数形成して第１母基板を作製する第１母基板作製工程と、
第２のガラス基板に、各々、表示に寄与する第２表示領域が上記第１表示領域に対応して規定されたセル単位を複数形成して第２母基板を作製する第２母基板作製工程と、
上記第１母基板作製工程で作製された第１母基板、及び上記第２母基板作製工程で作製された第２母基板を、上記各表示領域を囲むように設けられたシール材を介して貼り合わせて貼合体を作製する貼り合わせ工程と、
上記貼り合わせ工程で作製された貼合体の外面をエッチングして、上記第１及び第２のガラス基板の少なくとも一方を薄肉化するエッチング工程と、
上記エッチング工程で薄肉化された貼合体を上記セル単位毎に分断する分断工程とを備える表示パネルの製造方法であって、
上記エッチング工程では、上記第１母基板又は第２母基板における各表示領域の外部に設けられた保護部によって上記外部接続端子がエッチングから保護されることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された表示パネルの製造方法において、
上記分断工程は、上記第１母基板及び第２母基板を上記セル単位毎に分断する第１分断工程と、上記第１分断工程で分断された各セル単位において上記外部接続端子が露出するように上記第２母基板側を分断する第２分断工程とを含み、
上記第２分断工程では、上記第２母基板に設けられた保護部が除去されることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載された表示パネルの製造方法において、
上記分断工程の後に、上記第１母基板に設けられた保護部を除去する除去工程を備えることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載された表示パネルの製造方法において、
上記保護部は、上記外部接続端子を囲むように立設された保護壁であることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載された表示パネルの製造方法において、
上記保護部は、上記外部接続端子に覆設された保護膜であることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項６】
請求項４に記載された表示パネルの製造方法において、
上記保護壁は、上記第１母基板に設けられた第１保護壁と、上記第２母基板に設けられた第２保護壁とを備えていることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載された表示パネルの製造方法において、
上記第２保護壁は、上記外部接続端子の端部側に設けられていることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載された表示パネルの製造方法において、
上記エッチング工程では、上記第１及び第２のガラス基板の少なくとも一方を５０μｍ〜５００μｍに薄肉化することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルの製造方法に関し、特に、薄型の表示パネルを製造する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、互いに対向して配置された薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と称する）基板及びカラーフィルタ（以下、「ＣＦ」と称する）基板と、それらの両基板間に設けられた液晶層とを備えた液晶表示パネルなどにより構成されている。この液晶表示パネルの基板間には、液晶層を構成する液晶材料を封入するための空間を形成するために、多数のスペーサが設けられている。ここで、上記液晶材料は、液晶表示パネルの基板間において周囲に設けられたシール材によって封止されている。
【０００３】
上記ＴＦＴ基板は、画像の最小単位である各画素毎に、ＴＦＴ及びそのドレイン電極に電気的に接続された画素電極を備えている。また、上記ＣＦ基板は、各画素毎に、例えば、赤色、緑色又は青色に着色されたカラーフィルタを備えている。ここで、ＴＦＴ基板は、ＣＦ基板よりも突出するように構成されている。そして、そのＴＦＴ基板の突出部分には、各ＴＦＴのゲート電極及びソース電極にそれぞれ電気的に接続された複数の外部接続端子が設けられている。なお、液晶表示装置では、ＴＦＴ基板の突出部分に駆動用ドライバが実装され、上記各外部接続端子には、駆動用ドライバのバンプ電極が接続されている。
【０００４】
ところで、ＴＦＴ基板及びＣＦ基板に用いられるマザーガラスの一般的な厚さは、０．７ｍｍ程度であるので、液晶表示パネルの厚さは、１．４ｍｍ以上になってしまう。
【０００５】
そこで、特許文献１には、外部接続端子が保護レジスト膜で被膜された液晶表示パネルをエッチング槽内のガラスエッチング液に浸漬することにより、液晶表示パネルの厚み方向を主としてエッチングして液晶表示パネルの厚みを所定の厚さにした後に、液晶表示パネルを洗浄すると共に保護レジスト膜を除去する液晶表示装置の製造方法が開示されている。
【０００６】
また、特許文献２には、液晶表示素子複数個分の面積を有する一対のガラス基板を各素子区画の液晶封入領域をそれぞれ囲むシール材を介して接着して素子集合体を組み立てた後に、素子集合体の状態でガラス基板の外面をエッチングする薄型液晶表示素子の製造方法が開示されている。
【０００７】
さらに、特許文献３には、フッ酸を主成分とした化学加工液を貯溜する化学加工液貯溜槽の底部から気泡を伴なう化学加工液の上昇液流を発生させ、その加工液中にガラス基板を浸漬して、ガラス基板の外表面の片側の一部或いは全部、或いは外表面の両側の一部或いは全部を加工するガラス基板の化学加工方法が開示されている。
【特許文献１】特開平８−２６２４１９号公報
【特許文献２】特許第２７２２７９８号公報
【特許文献３】特開２００４−９９４３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上記特許文献２に開示された薄型液晶表示素子の製造方法、及び上記特許文献３に開示されたガラス基板の化学加工方法を応用して、例えば、図１９に示すフローチャートのように、ＴＦＴ母基板作製工程で作製されたＴＦＴ母基板と、ＣＦ母基板作製工程で作製されたＣＦ母基板とを貼り合わせた後に、各マザーガラスを薄肉化した場合には、一対のマザーガラスが貼り合わせられた被処理体をエッチング槽内のエッチング液に浸漬するエッチング工程において、エッチング槽内のエッチング液を撹拌するために槽内下部から噴出して供給される空気などによって、例えば、厚さ１．４ｍｍ程度の被処理体に大きなストレスがかかることにより、被処理体にその基板端面よりクラックが発生するおそれがある。そして、エッチング槽内では、エッチング液がその発生したクラックから容易に被処理体の内部に浸入した後に、被処理体の内部の方々へ拡散していくことになる。ここで、ＴＦＴ母基板及びＣＦ母基板は、各セル単位毎にシール材によって封止されているので、そのシール材の内部へのエッチング液の浸入を防ぐことはできるものの、そのシール材の外部に形成された外部接続端子は、主に、金属により形成されているので、クラックを介して浸入するエッチング液に対して無防備であり、容易に腐食されてしまう。
【０００９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ガラス基板に多面取りで複数の表示パネルを同時に作製した後に、ガラス基板をエッチングにより薄肉化する製造方法において、外部接続端子の腐食を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、第１及び第２のガラス基板の少なくとも一方を薄肉化するエッチング工程において、第１母基板又は第２母基板における各表示領域の外部に設けられた保護部によって外部接続端子がエッチングから保護されるようにしたものである。
【００１１】
具体的に本発明に係る表示パネルの製造方法は、第１のガラス基板に、各々、表示に寄与する第１表示領域が規定され、該第１表示領域に表示用配線、及び上記第１表示領域の外部に上記表示用配線に接続された外部接続端子が構成されたセル単位を複数形成して第１母基板を作製する第１母基板作製工程と、第２のガラス基板に、各々、表示に寄与する第２表示領域が上記第１表示領域に対応して規定されたセル単位を複数形成して第２母基板を作製する第２母基板作製工程と、上記第１母基板作製工程で作製された第１母基板、及び上記第２母基板作製工程で作製された第２母基板を、上記各表示領域を囲むように設けられたシール材を介して貼り合わせて貼合体を作製する貼り合わせ工程と、上記貼り合わせ工程で作製された貼合体の外面をエッチングして、上記第１及び第２のガラス基板の少なくとも一方を薄肉化するエッチング工程と、上記エッチング工程で薄肉化された貼合体を上記セル単位毎に分断する分断工程とを備える表示パネルの製造方法であって、上記エッチング工程では、上記第１母基板又は第２母基板における各表示領域の外部に設けられた保護部によって上記外部接続端子がエッチングから保護されることを特徴とする。
【００１２】
上記の方法によれば、第１及び第２のガラス基板の少なくとも一方を薄肉化するエッチング工程では、第１のガラス基板をマザーガラスとして各セル単位毎に第１表示領域が規定され、各第１表示領域に表示用配線、及び各第１表示領域の外部に外部接続端子が構成された第１母基板において、各第１表示領域の外部に設けられた保護部によって、又は第２のガラス基板をマザーガラスとして各セル単位毎に第２表示領域が規定された第２母基板において、各第２表示領域の外部に設けられた保護部によって、外部接続端子がエッチングから保護されるので、ガラス基板に多面取りで複数の表示パネルを同時に作製した後に、ガラス基板をエッチングにより薄肉化する製造方法において、外部接続端子の腐食が抑制される。
【００１３】
上記分断工程は、上記第１母基板及び第２母基板を上記セル単位毎に分断する第１分断工程と、上記第１分断工程で分断された各セル単位において上記外部接続端子が露出するように上記第２母基板側を分断する第２分断工程とを含み、上記第２分断工程では、上記第２母基板に設けられた保護部が除去されてもよい。
【００１４】
上記の方法によれば、エッチング工程では、第２のガラス基板をマザーガラスとして各セル単位毎に第２表示領域が規定された第２母基板において、各第２表示領域の外部に設けられた保護部によって、外部接続端子がエッチングから保護される。さらに、第２分断工程において、第１分断工程で分断された各セル単位において外部接続端子が露出するように第２母基板側を分断することにより、第２母基板に設けられた保護部が表示パネルから除去される。これにより、分断工程における分断を利用して保護部が除去されるので、別途、保護部を除去する工程を追加することなく保護部が効率的に除去される。
【００１５】
上記分断工程の後に、上記第１母基板に設けられた保護部を除去する除去工程を備えてもよい。
【００１６】
上記の方法によれば、エッチング工程では、第１のガラス基板をマザーガラスとして各セル単位毎に第１表示領域が規定された第１母基板において、各第１表示領域の外部に設けられた保護部によって、外部接続端子がエッチングから保護される。そして、その保護部が除去工程において表示パネルから除去される。
【００１７】
上記保護部は、上記外部接続端子を囲むように立設された保護壁であってもよい。
【００１８】
上記の方法によれば、エッチング工程では、外部接続端子を囲んで、例えば、直立するように設けられた保護壁によって、外部接続端子がエッチングから保護されるので、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【００１９】
上記保護部は、上記外部接続端子に覆設された保護膜であってもよい。
【００２０】
上記の方法によれば、エッチング工程では、外部接続端子を覆うように設けられた保護膜によって外部接続端子がエッチングから保護されるので、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【００２１】
上記保護壁は、上記第１母基板に設けられた第１保護壁と、上記第２母基板に設けられた第２保護壁とを備えていてもよい。
【００２２】
上記の方法によれば、保護壁が、第１母基板又は第２母基板に設けられた構成だけでなく、保護壁の一部（第１保護壁）が第１母基板に設けられ、保護壁の残り（第２保護壁）が第２母基板に設けられた構成も可能になる。
【００２３】
上記第２保護壁は、上記外部接続端子の端部側に設けられていてもよい。
【００２４】
上記の方法によれば、第２保護壁が外部接続端子の端部側に設けられているので、例えば、第２母基板を分断する際に第２保護壁を同時に除去することにより、駆動用ドライバのバンプ電極などに対する接続の邪魔にならないように外部接続端子が露出することになる。
【００２５】
上記エッチング工程では、上記第１及び第２のガラス基板の少なくとも一方を５０μｍ〜５００μｍに薄肉化してもよい。
【００２６】
上記の方法によれば、エッチング工程において、第１及び第２のガラス基板の少なくとも一方が具体的に薄肉化して、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、第１及び第２のガラス基板の少なくとも一方を薄肉化するエッチング工程において、第１母基板又は第２母基板における各表示領域の外部に設けられた保護部によって外部接続端子がエッチングから保護されるので、ガラス基板に多面取りで複数の表示パネルを同時に作製した後に、ガラス基板をエッチングにより薄肉化する製造方法において、外部接続端子の腐食を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
【００２９】
《発明の実施形態１》
図１〜図７は、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法の実施形態１を示している。具体的に図１は、本実施形態に係る液晶表示パネルＰの断面図である。
【００３０】
液晶表示パネルＰは、図１に示すように、ＴＦＴ基板Ａと、ＴＦＴ基板Ａに対向して配置されたＣＦ基板Ｃと、ＴＦＴ基板Ａ及びＣＦ基板Ｃの間に設けられた液晶層１５とを備えている。
【００３１】
ＴＦＴ基板Ａは、ガラス基板１０、及びガラス基板１０に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１ａと、各ゲート線１１ａと直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線（不図示）と、各ゲート線１１ａ及び各ソース線の交差部分にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ（不図示）と、各ＴＦＴに対応してそれぞれ設けられた複数の画素電極（不図示）とを含むＴＦＴアレイ配列部１１を備えている。
【００３２】
ＴＦＴは、ゲート線１１ａの側方に突出した部分であるゲート電極と、そのゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、そのゲート絶縁膜上でゲート電極に対応する位置に島状に設けられた半導体層と、その半導体層上で互いに対峙するように設けられたソース電極及びドレイン電極とを備えている。ここで、ソース電極は、ソース線の側方に突出した部分であり、ドレイン電極は、画素電極に電気的に接続されている。
【００３３】
また、ＴＦＴ基板Ａでは、各画素電極によって画像の最小単位である画素が構成され、それらの画素がマトリクス状に配置されることによって表示に寄与する第１表示領域Ｄ１が構成されている。そして、ＴＦＴ基板Ａの第１表示領域Ｄ１の外周部には、各ゲート線１１ａの末端である外部接続端子１２が設けられている。なお、図１では、表示用配線であるゲート線１１ａの末端に外部接続端子１２が形成された構成が図示されているが、ソース線などの他の表示用配線の末端にも外部接続端子が形成されている。
【００３４】
ＣＦ基板Ｃは、ガラス基板２０と、ガラス基板２０上に設けられたＣＦ画素部２１ａと、ＣＦ画素２１ａを囲むように枠状に設けられた遮光層２１ｂとを備えている。
【００３５】
ＣＦ画素部２１ａは、ＴＦＴ基板Ａ上の各画素電極に対応して、例えば、各々、赤色、緑色又は青色に着色された複数の着色層（不図示）と、各着色層の間に格子状に設けられたブラックマトリクス（不図示）と、各着色層及びブラックマトリクスを覆うように設けられたオーバーコート層（不図示）と、そのオーバーコート層上に設けられた共通電極（不図示）とを備えている。
【００３６】
また、ＣＦ基板Ｃでは、各着色層によって画像の最小単位である画素が構成され、それらの画素がマトリクス状に配置されることによって表示に寄与する第２表示領域Ｄ２が構成されている。そして、ＣＦ基板Ｃの第２表示領域Ｄ２の外周部、具体的に遮光層２１ｂの外周部には、ＴＦＴ基板Ａに接着するとともに、液晶層１５を包囲するように枠状のシール材１６が設けられている。
【００３７】
液晶層１５は、電気光学特性を有するネマチック液晶などにより構成されている。
【００３８】
また、液晶表示パネルＰでは、ＴＦＴ基板ＡがＣＦ基板Ｃよりも突出して形成され、ＴＦＴ基板Ａの突出した部分には、パネルを駆動するためのドライバチップなどが各外部接続端子１２を介して実装される。
【００３９】
上記構成の液晶表示パネルＰは、各画素において、ゲート線１１ａからゲート信号が送られてＴＦＴがオン状態になったときに、ソース線からソース信号が送られてオン状態のＴＦＴを介して、画素電極に所定の電荷を書き込まれ、画素電極及び共通電極の間で電位差が生じることになり、液晶層１５からなる液晶容量に所定の電圧が印加されるように構成されている。そして、液晶表示パネルＰでは、その印加電圧の大きさに応じて液晶層１５の配向状態が変わることを利用して、バックライトなどから入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。
【００４０】
次に、上記構成の液晶表示パネルＰの製造方法について、図２〜図７を用いて説明する。ここで、図２は、本実施形態の製造方法を示すフローチャートである。また、図３は、マザーガラス状の液晶表示パネル母基板ＰＢを示す斜視図であり、図４は、図３中の液晶表示パネル母基板ＰＢの領域Ｅを拡大したカラーフィルタ母基板ＣＢの斜視図である。なお、図３において、領域Ｅには、第１表示領域Ｄ１及び第２表示領域Ｄ２に対応する表示領域Ｄを有する４つのパネル形成部（セル単位）ＰＦが配置されている。
【００４１】
＜ＴＦＴ母基板作製工程＞
まず、例えば、厚さ０．７ｍｍのガラス基板（第１のガラス基板）１１０上の基板全体に、チタンなどからなる金属膜をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ゲート線１１ａ、ゲート電極及び外部接続端子１２を形成する。なお、ガラス基板１１０は、ガラス基板１０のマザーガラスである。
【００４２】
続いて、ゲート線１１ａ、ゲート電極及び外部接続端子１２が形成された基板全体に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により窒化シリコン膜などを成膜し、ゲート絶縁膜を形成する。
【００４３】
さらに、ゲート絶縁膜上の基板全体に、ＣＶＤ法により真性アモルファスシリコン膜と、リンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜とを連続して成膜し、その後、フォトリソグラフィによりゲート電極上に島状にパターニングして、真性アモルファスシリコン層及びｎ＋アモルファスシリコン層からなる半導体層を形成する。
【００４４】
そして、半導体層が形成された基板全体に、チタンなどからなる金属膜をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ソース線、ソース電極及びドレイン電極を形成する。
【００４５】
続いて、ソース電極及びドレイン電極をマスクとして半導体層のｎ＋アモルファスシリコン層をエッチングすることにより、チャネル部をパターニングして、ＴＦＴを形成する。
【００４６】
さらに、ＴＦＴが形成された基板全体に、ＣＶＤ法を用いて窒化シリコン膜などを成膜し、その後、フォトリソグラフィによりドレイン電極上にコンタクトホールをパターニングして、保護絶縁膜を形成する。
【００４７】
そして、保護絶縁膜上の基板全体に、酸化インジウムと酸化スズとの化合物であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、画素電極を形成する。
【００４８】
最後に、画素電極が形成された基板全体に、ポリイミド樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行うことにより、配向膜を形成する。
【００４９】
以上のようにして、ＴＦＴ母基板ＡＢを作製することができる。
【００５０】
＜スペーサ散布工程＞
上記ＴＦＴ母基板作製工程で作製されたＴＦＴ母基板ＡＢの各第１表示領域Ｄ１の表面に、例えば、球状のプラスチックビーズからなるスペーサをスプレー噴霧方式などにより散布する。
【００５１】
＜ＣＦ母基板作製工程＞
まず、例えば、厚さ０．７ｍｍのガラス基板（第２のガラス基板）１２０上の基板全体に、スパッタリング法によりクロム薄膜などを成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、遮光層２１ｂ及びブラックマトリクスを形成する。なお、ガラス基板１２０は、ガラス基板２０のマザーガラスである。
【００５２】
続いて、ブラックマトリクスの格子間のそれぞれに、赤色、緑色又は青色に着色されたフォトレジストを成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、各着色層を形成する。
【００５３】
そして、ブラックマトリクス及び各着色層が形成された基板全体に、アクリル樹脂を塗布してオーバーコート層を形成する。
【００５４】
さらに、オーバーコート層上の基板全体に、ＩＴＯ膜をスパッタリング法による成膜により共通電極をパターニングして、ＣＦ画素部２１ａを形成する。
【００５５】
最後に、ＣＦ画素部２１ａが形成された基板全体に、ポリイミド樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行うことにより、配向膜を形成する。
【００５６】
以上のようにして、ＣＦ母基板ＣＢを作製することができる。
【００５７】
＜保護壁形成工程＞
上記ＣＦ母基板作製工程で作製されたＣＦ母基板ＣＢの基板全体に、感光性のアクリル樹脂をディピングにより被覆した後に、フォトリソグラフィによりパターニングして、ＴＦＴ母基板ＡＢの各セル単位毎に形成された複数の外部接続端子１２を囲むように保護壁２２を形成する（図４〜図６参照）。ここで、図５は、図４中のV−V線に沿ったカラーフィルタ母基板ＣＢの断面図であり、図６は、図４中のVI−VI線に沿ったカラーフィルタ母基板ＣＢの断面図である。なお、保護壁２２は、例えば、ビニル系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル樹脂などの耐酸性を有し、ＵＶ硬化型や熱硬化型の高分子樹脂などにより構成される。また、保護壁２２は、上記フォトリソグラフィによるパターニングの他に、ディスペンサー、ブラシや刷毛などで描画塗布して形成してもよい。
【００５８】
＜シール材塗布工程＞
上記保護壁形成工程で保護壁２２が形成されたＣＦ母基板ＣＢの各第２表示領域Ｄ２の外周部にＵＶ硬化型及び熱硬化型の併用型のシール材１６を枠形状に塗布する。
【００５９】
＜液晶滴下工程＞
上記シール材塗布工程でシール材１６が塗布されたＣＦ母基板ＣＢの各第２表示領域Ｄ２の内部に、液晶材料を滴下する。
【００６０】
＜貼り合わせ工程＞
上記スペーサ散布工程でスペーサが散布されたＴＦＴ母基板ＡＢと、上記液晶滴下工程で液晶材料が滴下されたＣＦ母基板ＣＢとを各第１表示領域Ｄ１及び各第２表示領域Ｄ２が重畳するように貼り合わせた後に、ＵＶ光の照射及び加熱によってシール材１６を硬化させることにより、液晶表示パネル母基板（貼合体）ＰＢを作製する。このとき、液晶表示パネル母基板ＰＢでは、ＴＦＴ母基板ＡＢ上の外部接続端子１２が、図７に示すように、ＣＦ母基板ＣＢに設けられた保護壁２２によって外部に露出しないことになる。
【００６１】
＜エッチング工程＞
上記貼り合わせ工程で貼り合わせられた液晶表示パネル母基板ＰＢを、エッチング液に所定時間（例えば、２０℃〜４５℃の場合、１時間〜２時間）浸漬し、ガラス基板１１０及び１２０を５０μｍ〜５００μｍ（好ましくは、７０μｍ〜４００μｍ）に薄肉化する。このとき、ＴＦＴ母基板ＡＢ上の外部接続端子１２は、上記のように、保護壁２２によって外部に露出していないので、エッチング液に接触することがない。また、ガラス基板１１０を５０μｍ未満に薄肉化すると、基板自体の板厚のばらつきによって、エッチング工程で基板自体が部分的に消失してしまったり、後の分断工程において、ホイールによるスクライブなど一般的な分断方式で精度よく分断することが困難になったりするおそれがある。ここで、エッチング液は、例えば、３重量％〜１５重量％（好ましくは、３重量％〜５重量％）のフッ酸、５重量％〜１５重量％の硫酸又は塩酸を純水に溶解した水溶液である。また、エッチング液への浸漬方法は、例えば、処理カセットを用いたバッチ処理方式やシャワーリングによる枚様方式であってもよい。
【００６２】
＜分断工程＞
まず、上記エッチング工程で薄肉化された液晶表示パネル母基板ＰＢ（ＴＦＴ母基板ＡＢ及びＣＦ基板ＣＢ）を、パネル形成部ＰＦ（図３参照）毎に分断する（第１分断工程）。
【００６３】
続いて、上記第１分断工程で分断されたパネル形成部ＰＦにおいて、ＴＦＴ基板Ａ上の外部接続端子１２が露出するように、ＣＦ母基板ＣＢ側を分断する（第２分断工程）。このとき、ＣＦ母基板ＣＢ側の分断と共に、保護壁２２も除去される。
【００６４】
＜洗浄工程＞
上記分断工程で保護壁２２が除去された液晶表示パネルを十分に水洗した後に、十分に乾燥する。
【００６５】
以上のようにして、本実施形態の液晶表示パネルＰを製造することができる。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネルＰの製造方法によれば、ガラス基板１１０及び１２０の双方を薄肉化するエッチング工程では、ガラス基板１２０をマザーガラスとして各セル単位（パネル形成部ＰＦ）毎に第２表示領域Ｄ２が規定されたＣＦ母基板ＣＢにおいて、各第２表示領域Ｄ２の外部に設けられた保護壁２２によって、外部接続端子１２がエッチング（エッチング液）から保護されるので、ガラス基板に多面取りで複数の液晶表示パネルを同時に作製した後に、ガラス基板をエッチングにより薄肉化する薄型の液晶表示パネルを製造する方法において、外部接続端子１２の腐食を抑制することができる。
【００６７】
また、第２分断工程において、第１分断工程で分断された各セル単位（パネル形成部ＰＦ）において外部接続端子１２が露出するようにＣＦ母基板ＣＢ側を分断することにより、ＣＦ母基板ＣＢに設けられた保護部２２が表示パネルから除去される。これにより、分断工程におけるガラス基板の分断を利用して保護部２２が除去することができるので、別途、保護壁２２を除去する工程を追加することなく保護壁２２を効率的に除去することができる。
【００６８】
《発明の実施形態２》
図８〜図１４は、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法の実施形態２を示している。具体的に、上記実施形態１では、保護壁２２がＣＦ母基板ＣＢ側に設けられていたが、本実施形態では、保護壁２２に対応する保護壁１３がＴＦＴ母基板ＡＢ側に設けられている。なお、以下の各実施形態において、図１〜図７と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００６９】
本実施形態の液晶表示パネルＰの構成は、上記実施形態１と実質的に同じであるので、その説明を省略して、その製造方法について、図８〜図１４を用いて説明する。ここで、図８は、本実施形態の製造方法を示すフローチャートであり、図９は、図３中の液晶表示パネル母基板ＰＢの領域Ｅを拡大したＴＦＴ母基板ＡＢの斜視図である。なお、本実施形態の製造方法では、上記実施形態１で説明した工程と重複する工程の説明を省略し、上記実施形態１で説明した工程と異なる工程を中心に説明する。
【００７０】
＜保護壁形成工程＞
上記実施形態１のスペーサ散布工程でスペーサが散布されたＴＦＴ母基板ＡＢ上の外部接続端子１２の周辺部に感光性のアクリル樹脂を塗布し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、各セル単位毎に形成された複数の外部接続端子１２を囲むように保護壁１３を形成する（図９〜図１１参照）。ここで、図１０は、図９中のX−X線に沿ったＴＦＴ母基板ＡＢの断面図であり、図１１は、図９中のXI−XI線に沿ったＴＦＴ母基板ＡＢの断面図である。
【００７１】
＜貼り合わせ工程＞
上記保護壁形成工程で保護壁１３が形成されたＴＦＴ母基板ＡＢと、上記実施形態１の保護壁形成工程を経ずに行われた液晶滴下工程で液晶材料が滴下されたＣＦ母基板ＣＢとを各第１表示領域Ｄ１及び各第２表示領域Ｄ２が重畳するように貼り合わせた後に、ＵＶ光の照射及び加熱によってシール材を硬化させることにより、液晶表示パネル母基板（貼合体）ＰＢを作製する。このとき、液晶表示パネル母基板ＰＢでは、ＴＦＴ母基板ＡＢ上の外部接続端子１２が、図１２に示すように、ＴＦＴ母基板ＡＢに設けられた保護壁１３によって外部に露出しないことになる。
【００７２】
＜エッチング工程＞
上記貼り合わせ工程で貼り合わせられた液晶表示パネル母基板ＰＢを、上記実施形態１と同様にエッチング液に浸漬し、ガラス基板１１０及び１２０を薄肉化する。このとき、ＴＦＴ母基板ＡＢ上の外部接続端子１２は、上記のように、保護壁１３によって外部に露出していないので、エッチング液に接触することがない。
【００７３】
＜分断工程＞
まず、上記エッチング工程で薄肉化された液晶表示パネル母基板ＰＢ（ＴＦＴ母基板ＡＢ及びＣＦ基板ＣＢ）を、パネル形成部ＰＦ（図３参照）毎に分断する（第１分断工程）。
【００７４】
続いて、上記第１分断工程で分断されたパネル形成部ＰＦにおいて、ＴＦＴ基板Ａ上の外部接続端子１２が露出するように、ＣＦ母基板ＣＢ側を分断する（図１３参照、第２分断工程）。
【００７５】
＜除去工程＞
上記分断工程でＴＦＴ基板Ａ上の外部接続端子１２が露出した液晶表示パネル（Ｐ）に対し、硫酸及び過酸化水素水の混合液、アミン系やＮＭＰ（N-methylpyrrolidone）系の有機溶剤、オゾン水、並びにオゾン水及び酢酸の混合液などの剥離液を供給することにより、保護壁１３を除去する。また、保護壁は、その材質を適宜選択することにより、イソプロピルアルコールやアセトンなどの溶剤を用いてその密着力を弱めたり、８０℃〜９０℃の熱湯に浸漬することにより軟化させたりして除去してもよい。なお、除去工程は、上記第１分断工程においてパネル形成部ＰＦ毎に分断する前段階の横方向に複数のパネル形成部ＰＦが連なった状態で、各保護壁を一括して除去するように構成してもよい。
【００７６】
その後、上記実施形態１の洗浄工程を行うことにより、液晶表示パネルＰを製造することができる。
【００７７】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネルの製造方法によれば、ガラス基板１１０及び１２０の双方を薄肉化するエッチング工程では、ガラス基板１１０をマザーガラスとして各セル単位（パネル形成部ＰＦ）毎に第１表示領域Ｄ１が規定され、各第１表示領域Ｄ１にゲート線１１ａ、及び各第１表示領域Ｄ１の外部に外部接続端子１２が構成されたＴＦＴ母基板ＡＢにおいて、各第１表示領域Ｄ１の外部に設けられた保護壁１３によって、外部接続端子１２がエッチング（エッチング液）から保護されるので、ガラス基板に多面取りで複数の液晶表示パネルを同時に作製した後に、ガラス基板をエッチングにより薄肉化する薄型の液晶表示パネルを製造する方法において、外部接続端子１２の腐食を抑制することができる。
【００７８】
また、本実施形態の製造方法によれば、ＴＦＴ母基板ＡＢに設けられた保護壁１３を除去する除去工程を備えているので、外部接続端子１２をエッチングから保護するための保護壁１３を確実に除去することができる。
【００７９】
上記各実施形態では、保護壁（１３及び２２）がＴＦＴ基板ＡＢ及びＣＦ母基板ＣＢの一方に形成されていたが、本発明は、図１４に示すように、ＴＦＴ基板ＡＢ上に縦方向にそれぞれ延びる一対の第１保護壁１３ａを形成し、ＣＦ母基板ＣＢ上に横方向に延びる第２保護壁２２ａを形成してもよい。ここで、各第１保護壁１３ａ及び第２保護壁２２ａは、上記貼り合わせ工程において、互いに連結して、複数の外部接続端子１２を囲むように設けられている。また、ＣＦ母基板ＣＢ上の第２保護壁２２ａは、各外部接続端子１２の端部側に設けられているので、上記第２分断工程において、ＣＦ母基板ＣＢ側を分断する際に同時に除去され、駆動用ドライバのバンプ電極などに対する接続の邪魔にならないように外部接続端子１２を露出させることができる。なお、この場合、第１保護壁１３ａは、上記接続の邪魔にならないと考えられるので、別途、除去する必要がない。
【００８０】
《発明の実施形態３》
図１５〜図１８は、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法の実施形態３を示している。具体的に、上記実施形態１及び２では、外部接続端子１２をエッチングから保護する保護部として、外部接続端子１２を囲んで直立するように設けられた保護壁２２及び１３を例示したが、本実施形態では、外部接続端子１２を覆うようにＴＦＴ母基板ＡＢ上に保護膜１４が設けられている。
【００８１】
本実施形態の液晶表示パネルの構成は、上記実施形態１と実質的に同じであるので、その説明を省略して、その製造方法について、図１５〜図１８を用いて説明する。ここで、図１５は、図３中の液晶表示パネル母基板ＰＢの領域Ｅを拡大したＴＦＴ母基板ＡＢの斜視図である。なお、本実施形態の製造方法では、上記実施形態１で説明した工程と重複する工程の説明を省略し、上記実施形態１で説明した工程と異なる工程を中心に説明する。
【００８２】
＜保護膜形成工程＞
上記実施形態１のスペーサ散布工程でスペーサが散布されたＴＦＴ母基板ＡＢの外部接続端子１２上に感光性のアクリル樹脂を塗布し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、各セル単位毎に形成された複数の外部接続端子１２を覆うように保護膜１４を形成する（図１５〜図１８参照）。ここで、図１６は、図１５中のXVI−XVI線に沿ったＴＦＴ母基板ＡＢの断面図である。そして、図１７は、図１５中のXVI−XVI線に沿った液晶表示パネル母基板ＰＢの断面図であり、図１８は、図１５中のXVIII−XVIII線に沿った液晶表示パネル母基板ＰＢの断面図である。
【００８３】
＜貼り合わせ工程＞
上記保護膜形成工程で保護膜１４が形成されたＴＦＴ母基板ＡＢと、上記実施形態１の保護壁形成工程を経ずに行われた液晶滴下工程で液晶材料が滴下されたＣＦ母基板ＣＢとを各第１表示領域Ｄ１及び各第２表示領域Ｄ２が重畳するように貼り合わせ、その後、ＵＶ光の照射及び加熱によってシール材を硬化させることにより、液晶表示パネル母基板（貼合体）ＰＢを作製する。このとき、液晶表示パネル母基板ＰＢでは、ＴＦＴ母基板ＡＢ上の外部接続端子１２が、図１７に示すように、ＴＦＴ母基板ＡＢに設けられた保護膜１４によって外部に露出しないことになる。
【００８４】
＜エッチング工程＞
上記貼り合わせ工程で貼り合わせられた液晶表示パネル母基板ＰＢを、上記実施形態１と同様にエッチング液に浸漬し、ガラス基板１１０及び１２０を薄肉化する。このとき、ＴＦＴ母基板ＡＢ上の外部接続端子１２は、上記のように、保護膜１４によって外部に露出していないので、エッチング液に接触することがない。
【００８５】
＜分断工程＞
まず、上記エッチング工程で薄肉化された液晶表示パネル母基板ＰＢ（ＴＦＴ母基板ＡＢ及びＣＦ基板ＣＢ）を、パネル形成部ＰＦ（図３参照）毎に分断する（第１分断工程）。
【００８６】
続いて、上記第１分断工程で分断されたパネル形成部ＰＦにおいて、ＴＦＴ基板Ａ上の外部接続端子１２が露出するように、ＣＦ母基板ＣＢ側を分断する（図１３参照、第２分断工程）。
【００８７】
＜除去工程＞
上記分断工程でＴＦＴ基板Ａ上の外部接続端子１２が露出した液晶表示パネル（Ｐ）に対し、硫酸及び過酸化水素水の混合液、アミン系やＮＭＰ系の有機溶剤、オゾン水、並びにオゾン水及び酢酸の混合液などの剥離液を供給することにより、保護膜１４を除去する。
【００８８】
その後、上記実施形態１の洗浄工程を行うことにより、液晶表示パネルＰを製造することができる。
【００８９】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネルの製造方法によれば、ガラス基板１１０及び１２０の双方を薄肉化するエッチング工程では、ガラス基板１１０をマザーガラスとして各セル単位（パネル形成部ＰＦ）毎に第１表示領域Ｄ１が規定され、各第１表示領域Ｄ１にゲート線１１ａ、及び各第１表示領域Ｄ１の外部に外部接続端子１２が構成されたＴＦＴ母基板ＡＢにおいて、各第１表示領域Ｄ１の外部に設けられた保護膜１４によって、外部接続端子１２がエッチング（エッチング液）から保護されるので、ガラス基板に多面取りで複数の液晶表示パネルを同時に作製した後に、ガラス基板をエッチングにより薄肉化する薄型の液晶表示パネルを製造する方法において、外部接続端子１２の腐食を抑制することができる。
【００９０】
また、本実施形態の製造方法によれば、ＴＦＴ母基板ＡＢに設けられた保護膜１４を除去する除去工程を備えているので、外部接続端子１２をエッチングから保護するための保護膜１４を確実に除去することができる。
【００９１】
さらに、上記各実施形態では、ガラス基板１１０及び１２０の双方の外面をエッチングして薄肉化を行ったが、本発明は、ガラス基板１１０及び１２０の一方の外面をエッチングして薄肉化を行ってもよい。
【００９２】
また、上記各実施形態では、液晶滴下貼り合わせ方式により液晶層１５を形成したが、本発明は、真空注入法などにより、液晶表示パネルを構成する各基板間に液晶材料を注入して液晶層１５を形成してもよい。
【００９３】
さらに、上記各実施形態では、表示パネルとして、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルを例示したが、本発明は、パッシブマトリクス駆動方式の液晶表示パネル、ＥＬ（electroluminescence）表示パネル及びプラズマ表示パネルなどの他の表示パネルにも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
以上説明したように、本発明は、表示パネルの外部接続端子の腐食を抑制して、表示パネルを構成するガラス基板をエッチングによって薄肉化することができるので、薄型の表示パネルの製造において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】実施形態１に係る液晶表示パネルＰの断面図である。
【図２】実施形態１に係る液晶表示パネルＰの製造方法を示すフローチャートである。
【図３】実施形態１に係るマザーガラス状の液晶表示パネル母基板ＰＢを示す斜視図である。
【図４】図３中の液晶表示パネル母基板ＰＢの領域Ｅを拡大したＣＦ母基板ＣＢの斜視図である。
【図５】図４中のV−V線に沿ったＣＦ母基板ＣＢの断面図である。
【００９６】
【図６】図４中のVI−VI線に沿ったＣＦ母基板ＣＢの断面図である。
【図７】図４中のV−V線に沿った液晶表示パネル母基板ＰＢの断面図である。
【図８】実施形態２に係る液晶表示パネルＰの製造方法を示すフローチャートである。
【図９】図３中の液晶表示パネル母基板ＰＢの領域Ｅを拡大した実施形態２に係るＴＦＴ母基板ＡＢの斜視図である。
【図１０】図９中のX−Xに沿ったＴＦＴ母基板ＡＢの断面図である。
【図１１】図９中のXI−XIに沿ったアクティブマトリクス母基板ＡＢの断面図である。
【図１２】図９中のX−Xに沿った液晶表示パネル母基板ＰＢの断面図である。
【図１３】実施形態２に係る分断工程後の液晶表示パネル母基板の断面図である。
【図１４】実施形態２に係る保護壁の変形例を示す平面図である。
【図１５】図３中の液晶表示パネル母基板ＰＢの領域Ｅを拡大した実施形態３に係るＴＦＴ母基板ＡＢの斜視図である。
【図１６】図１５中のXVI−XVIに沿ったＴＦＴ母基板ＡＢの断面図である。
【図１７】図１５中のXVI−XVIに沿った液晶表示パネル母基板ＰＢの断面図である。
【図１８】図１５中のXVIII−XVIIIに沿った液晶表示パネル母基板ＰＢの断面図である。
【図１９】従来の液晶表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００９７】
ＡＢ      アクティブマトリクス母基板（第１母基板）
ＣＢ      カラーフィルタ母基板（第２母基板）
ＰＢ      液晶表示パネル母基板（貼合体）
Ｄ１      第１表示領域
Ｄ２      第２表示領域
Ｐ        液晶表示パネル
ＰＦ      パネル形成部（セル単位）
１１      表示用配線
１２      外部接続端子
１３      保護壁（保護部）
１３ａ    第１保護壁（保護部）
１４      保護膜（保護部）
１６      シール材
２２      保護壁（保護部）
２２ａ    第２保護壁（保護部）
１１０    ガラス基板（第１のガラス基板）
１２０    ガラス基板（第２のガラス基板）
【図１】
2008139574.tif 000003
【図２】
2008139574.tif 000004
【図３】
2008139574.tif 000005
【図４】
2008139574.tif 000006
【図５】
2008139574.tif 000007
【図６】
2008139574.tif 000008
【図７】
2008139574.tif 000009
【図８】
2008139574.tif 000010
【図９】
2008139574.tif 000011
【図１０】
2008139574.tif 000012
【図１１】
2008139574.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2008139574.tif 000015
【図１４】
2008139574.tif 000016
【図１５】
2008139574.tif 000017
【図１６】
2008139574.tif 000018
【図１７】
2008139574.tif 000019
【図１８】
2008139574.tif 000020
【図１９】
2008139574.tif 000021