(57)【要約】【課題】より高い開口率が得られる、液晶装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】液晶層を挟持し対向配置された第１基板及び第２基板を備え、第１基板の液晶層側に設けられた第１電極９及び第２電極１９の間に生じる電界により液晶層を駆動する液晶装置１００である。第１基板１０の液晶層側には、２本のデータ線６ａが所定間隔で配置されたデータ線対７とデータ線対７に交差する走査線３ａとが設けられ、データ線対７及び走査線３ａに囲まれた領域に、２つの第１電極９が走査線３ａの延在方向に配設されている。データ線対７をなす２本のデータ線６ａが配置される間隔をａ、第１電極９と第１電極９に近接するデータ線６ａとの間隔をｂ、データ線対７及び走査線３ａに囲まれた領域に配設される第１電極９の間隔をｃとしたとき、第１電極９及びデータ線６ａが次式、（ａ＋ｃ）／２＜ｂを満たすように第１基板に設けられる。【選択図】図１
2008070610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持して対向配置された第１基板と第２基板とを備え、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極及び第２電極の間に生じる電界によって前記液晶層を駆動する液晶装置において、
前記第１基板の前記液晶層側には、２本のデータ線が所定の間隔で配置されたデータ線対と、該データ線対に交差する走査線とが設けられ、
該データ線対及び走査線に囲まれた領域に、２つの前記第１電極が前記走査線の延在方向に配設され、
前記データ線対をなす２本のデータ線が配置される間隔をａとし、
前記第１電極と該第１電極に近接するデータ線との間隔をｂとし、
前記データ線対及び走査線に囲まれた領域に配設される第１電極の間隔をｃとしたとき、
前記第１電極及びデータ線が次式、
（ａ＋ｃ）／２  ＜  ｂ
を満たすように前記第１基板に設けられることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記各第１電極はそれぞれ、所定方向に延在する複数の枝電極と、隣接する該枝電極における一方の端部を電気的に接続する導通部とを有し、前記枝電極の他方の端部を開放させる櫛歯形状からなり、開放端側を互いに対向させるようにして配設されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
ライン反転駆動で動作されることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
ドット反転駆動で動作されることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記データ線対が、前記液晶層に比べて誘電率が高い誘電体膜で覆われてなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置の一形態として、液晶層に基板面方向の電界を印加して液晶の配向制御を行う方式（以下、横電界方式と称する。）のものが知られており、液晶に電界を印加する電極の形態によりＩＰＳ（In-Plane Switching）方式、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式等と呼ばれるものが知られている。
【０００３】
これら横電界方式の液晶装置は、一般に画素電極と対向電極との間に電圧を印加し、発生した電界方向に液晶を配向させることで、光の透過、遮断を制御するものである。しかしながら、ソース線（画像信号線）が画素電極に隣接するようにして形成されているため、ソース線と画素電極との間に横電界が生じ、この横電界によって液晶の配向状態が乱される。この現象はエッジリバースと呼ばれるもので、液晶装置の視野角の低下やコントラストの低下といった問題を引き起こす。このようなエッジリバースを防止する方法として、例えばソース線と画素電極との間隔を広げることで横電界の発生を抑制することが考えられるが、開口率の低下といった新たな問題が発生してしまう。また、ソース線上に保護膜又は誘電体膜を設け、その上に電界遮蔽層を形成することでエッジリバースの防止を図った技術がある（例えば、特許文献１，２参照）。
【特許文献１】特開平５−１２７１９５号公報
【特許文献２】特開２００４−１９８８４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献に開示された技術は、電界遮蔽層を形成する製造プロセスが煩雑となるため、実用性が低いものであった。そこで、より高い開口率を得ることのできる液晶装置の提供が望まれている。
【０００５】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、より高い開口率が得られる、液晶装置、及び電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の液晶装置は、液晶層を挟持して対向配置された第１基板と第２基板とを備え、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極及び第２電極の間に生じる電界によって前記液晶層を駆動する液晶装置において、前記第１基板の前記液晶層側には、２本のデータ線が所定の間隔で配置されたデータ線対と、該データ線対に交差する走査線とが設けられ、該データ線対及び走査線に囲まれた領域に、２つの前記第１電極が前記走査線の延在方向に配設され、前記データ線対をなす２本のデータ線が配置される間隔をａとし、前記第１電極と該第１電極に近接するデータ線との間隔をｂとし、前記データ線対及び走査線に囲まれた領域に配設される第１電極の間隔をｃとしたとき、前記第１電極及びデータ線が次式、（ａ＋ｃ）／２  ＜  ｂを満たすように前記第１基板に設けられることを特徴とする。
【０００７】
本発明の液晶装置によれば、第１電極及びデータ線が、上記の式を満たすように第１基板に設けられているので、後述する理由から、走査線及びデータ線に囲まれた領域に第１電極が１つ配設される従来の液晶装置の構成に比べ、開口率が向上したものとなる。
【０００８】
また、上記液晶装置においては、前記各第１電極はそれぞれ、所定方向に延在する複数の枝電極と、隣接する該枝電極における一方の端部を電気的に接続する導通部とを有し、前記枝電極の他方の端部を開放させる櫛歯形状からなり、開放端側を互いに対向させるようにして配設されるのが好ましい。
【０００９】
通常、隣接する第１電極には、それぞれ互いに異なる電圧が印加されるため、第１電極間に電位差が生じてしまう。そこで、第１電極間の間隔ｃを大きく取るため、例えば第１電極と前記データ線との間隔ｂと同等に設定する必要がある。そこで、本発明を採用すれば、第１電極の開放端側を互いに対向させた状態に配設しているので、対向配置する第１電極間に形成される容量を低減することができ、導電部側を対向させた場合に比べて、第１電極間を近接した状態に配置でき、上記間隔ｃがより小さくなる。したがって、液晶装置のさらなる開口率の向上を図ることができる。
【００１０】
また、上記液晶装置においては、ライン反転駆動で動作されるのが好ましい。
この構成によれば、液晶装置の駆動時に、対向配置された第１電極がそれぞれ同じ極性になるので、これら第１電極間における電界の発生が抑制されたものとなる。よって、第１電極をより近接させた状態に配設できるので、上記間隔ｃを小さくでき、液晶装置の開口率をより向上できる。
【００１１】
あるいは、上記液晶装置は、ドット反転駆動で動作されるようにしてもよい。
この構成によれば、液晶装置の駆動時に、対向配置された第１電極がそれぞれ異なる極性となるので、例えばデータ線対をなす各データ線を覆う絶縁層の表面がそれぞれ異なった極性に帯電する。よって、互いの極性が打ち消し合うことで、結果としてデータ線対を覆う絶縁層の帯電が抑制され、液晶層の焼きつきの発生を防止できる。
【００１２】
また、上記液晶装置においては、前記データ線対が、前記液晶層に比べて誘電率が高い誘電体膜で覆われてなるのが好ましい。
この構成によれば、誘電体膜がデータ線と第１電極との間に生じた電界を吸収し、データ線と第１電極との間に生じる電界に起因するエッジリバースを抑制することで、より第１電極とデータ線との間隔ｂを小さくすることができるため、開口率をより高めることができる。
【００１３】
本発明の電子機器は、上記の液晶装置を備えたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の電子機器によれば、上述した開口率の高い液晶装置を備えているので、電子機器自体も開口率が高く、表示品位の高い高信頼性のものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（第１の実施形態）
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。本発明の液晶装置は、ＩＰＳ（In Plane Switching）方式やＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式等に代表される横電界方式の液晶装置であり、第１基板の液晶層側に設けられた第１電極と第２電極との間に発生する電界を前記平行配向の液晶層に作用させ、液晶層の配向状態を制御することで画像表示を行うようになっている。
【００１６】
本実施形態の液晶装置は、上記の横電界方式のうち、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式を採用した液晶装置である。また、本実施形態の液晶装置は、基板上にカラーフィルタを具備したカラー液晶装置であり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出射する３個のサブ画素で１個の画素を構成するものとなっている。したがって、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」と称し、一組（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のサブ画素から構成される表示領域を「画素領域」と称する。
【００１７】
図１は液晶装置の平面構成図であり、図２は、本実施形態の液晶装置を構成するサブ画素領域の回路構成図である。図３は図１のＡ−Ａ'線に沿う部分断面構成図であり、図４は図１における光学軸配置を示す図である。なお、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示している。
【００１８】
図１に示すように、液晶装置１００は、２本のデータ線６ａが所定の間隔ａで配置されたデータ線対７と、該データ線対７に直交（交差）する走査線３ａとが設けられている。そして、このデータ線対７と前記走査線３ａに囲まれた領域（以下、区画領域とも称す）に、平面視略櫛歯状（熊手状）を成す画素電極（第１電極）９が走査線３ａの延在方向に沿って２つ配置されており、これら画素電極９と対向配置された平面的に画素電極９（複数の帯状電極９ｃ、該複数の帯状電極９ｃの間、及び道通部９ａ）を覆う形状の共通電極（第２電極）１９とが設けられている。
【００１９】
すなわち、本実施形態の液晶装置１００は、データ線対７及び走査線３ａで囲まれる区画領域内に２つのサブ画素領域が含まれた構成となっている。なお、上記の区画領域の端部の角部（或いは各区画領域の間隙）には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを所定間隔で離間した状態に保持するための柱状スペーサ（図示せず）が設けられている。なお、データ線対７、走査線３ａ、対向配置された各画素電極９間の隙間上を覆うようにして、図示しない遮光膜（ブラックマトリクス）が設けられており、これによって各サブ画素領域が区画され、サブ画素毎に表示が可能となっている。
【００２０】
具体的に画素電極９は、Ｘ軸方向に延びる複数本の帯状電極（枝電極）９ｃと、これら複数の帯状電極９ｃにおける一方の端部（本実施形態では、データ線６ａ側）を接続し、各帯状電極９ｃ間を電気的に接続させる、Ｙ軸方向（データ線６ａの延在方向）に延在した導通部９ａとを有している。また、導通部９ａの−Ｙ側には、画素コンタクトホール４５が設けられるコンタクト部９ｂが設けられている。すなわち、画素電極９は、帯状電極９ｃの他方の端部（以下の説明においては、開放端と称す）を開放させる櫛歯形状をなしている。そして、各画素電極９は開放端側を互いに対向させるように、データ線対７及び走査線３ａに囲まれる区画領域内に配置されたものとなっている。なお、詳細については後述するものの、画素電極９及び該画素電極９に近接するデータ線６ａの間隔は、エッジリバースによる視野角の低下やコントラストの低下といった不具合が生じない程度に設定されたものとなっている。
【００２１】
共通電極１９は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料からなる平面ベタ状の導電膜である。なお、共通電極は、本実施形態のように透明導電材料からなる透明電極の他、例えば光反射性の金属材料からなる反射電極を一部に備えた構成を採用することで、本発明を半透過反射型の液晶装置に適用することもできる。この場合、前記透明電極が画素電極との間に電界を生じさせる共通電極を構成する一方、前記反射電極が反射層として機能し、反射表示の視認性を向上させることができる。
【００２２】
本実施形態に係る液晶装置１００は、図１に示したように、データ線６ａ及び走査線３ａに囲まれた区画領域に、走査線３ａの延在方向に沿って２つの画素電極９が配置された構成となっており、画素電極９、データ線６ａ（データ線対７）が後述する関係を満たすように配置されたものとなっている。この構成により、エッジリバースを防止するとともに、従来の液晶装置に比べ、より高い開口率が得られるものとなっている。
【００２３】
ここで、本実施形態に係る液晶装置１００の格別の作用効果を説明するため、従来の液晶装置の構造について説明する。従来の液晶装置は、図９に示すように走査線及びデータ線に囲まれた領域に１つの画素電極が配設されたものである。また、本実施形態の液晶装置１００と同様の構成については、同一部材については同一符号を付して説明する。
【００２４】
一般に液晶装置は、画素電極９とデータ線６ａとが近づくと、データ線６ａと画素電極９との電位差によって、くし歯（枝電極）の延在方向に垂直に生じる横電界とは異なる方向に横電界が生じるようになる。このような横電界により、液晶の配向状態が乱されてしまう（エッジリバース）。このようなエッジリバースが生じると、液晶装置の視野角の低下やコントラストの低下を招いてしまう。そのため、従来の液晶装置においては、上記エッジリバースの影響が小さくなるまで画素電極９とデータ線６ａとの間隔を拡げる必要があった。
【００２５】
図９に示すように、従来の液晶装置における、データ線６ａと画素電極との間隔をｂとし、画素電極９の幅をｄとし、データ線６ａの幅をｅとする。
従来の液晶装置の有効画素領域の幅は、（２ｂ＋ｄ＋ｅ）で規定できる。また、画素幅が画素電極９の幅に対応することから、画素幅をｄで規定できる。なお、画素幅ｄに対応する領域にて液晶層が配向され、画素表示が行われることから、画素幅に対する有効画素領域の幅の比、すなわち液晶装置の開口率Ａ１を、ｄ／（２ｂ＋ｄ＋ｅ）で規定できる。
【００２６】
本実施形態に係る液晶装置１００は、櫛歯状の画素電極９が開放端側を対向させるように区画領域内に配置されている。図１に示したように、本実施形態の液晶装置１００においては、データ線対７をなす２本のデータ線６ａが配置される間隔をａ、画素電極９と該画素電極９に近接するデータ線６ａとの間隔をｂ、データ線対７及び走査線３ａに囲まれた区画領域に配置される画素電極の間隔をｃと規定する。
【００２７】
なお、データ線６ａの幅ｅ、画素電極９の幅ｄについては、従来の液晶装置（図９参照）と等しいものとなっている。ここで、液晶装置１００の開口率について規定すると、上述したように、データ線６ａ及び走査線３ａに囲まれた区画領域にサブ画素領域が２つ含まれたものとなっている。
【００２８】
液晶装置１００においては、２つのサブ画素領域を含んだ有効画素領域の幅を（ａ＋２ｂ＋ｃ＋２ｄ＋２ｅ）と規定することができる。そして、区画領域（有効画素領域）は、２つのサブ画素領域を含んでいることから、画素幅が２つの画素電極９の幅に対応し、画素幅を２ｄで規定することができる。なお、液晶装置１００では、画素幅２ｂに対応する領域において液晶層が配向されることで、画素表示が行われる。したがって、画素幅に対する有効画素領域の幅の比、すなわち液晶装置１００の開口率Ａ２を、２ｄ／（ａ＋２ｂ＋ｃ＋２ｄ＋２ｅ）で規定できる。
【００２９】
本実施形態の液晶装置１００は、次式（１）を満たすように画素電極９、データ線６ａが設けられている。
【００３０】
（ａ＋ｃ）／２  ＜  ｂ  …（１）
【００３１】
上記式（１）は、液晶装置１００の開口率Ａ２と従来の液晶装置の開口率Ａ１との差（Ａ２−Ａ１）が正（＞０）となる条件を満たす不等式である。すなわち、本実施形態の液晶装置１００は、従来に比べてより高い開口率が得られたものとなっている。
【００３２】
ところで、区画領域内に配置される画素電極９間の間隔ｃを十分に大きく設定する必要がある。その理由としては、一般に隣接する画素電極間には異なる電圧が印加されるため、隣接する画素電極間に生じた電位差によって、液晶の配向が乱されてしまうからである。そのため、一般的には、画素電極９間の間隔ｃは、画素電極９と前記データ線６ａとの間隔ｂと同等（ｂ＝ｃ）に設定されるのが好ましい。
【００３３】
本液晶装置１００は、平面視櫛歯形状の画素電極９が開放端側を対向させるように配置されるので、各帯状電極９ｃ間を接続させる導電部９ａ側（開放端と反対側）を対向配置させる場合に比べ、対向する画素電極９間に形成される容量が低減されたものとなっている。よって、対向配置される画素電極の間隔を狭める、すなわち前記間隔ｃをより小さくでき、したがって、ｃ＜ｂの関係が満たされたものとなっている。
【００３４】
また、データ線対７をなす各データ線６ａの間隔ａは、ａ＜ｂとするのが好ましい。この場合、電位差のある各データ線６ａが接近することで電界が生じるおそれがあるものの、このデータ線対７は表示に寄与しない領域であることから、遮光膜（ブラックマトリクス）に覆われるので問題ない。したがって、ａ＜ｂの関係を満たすことができる。
【００３５】
このように本実施形態に係る液晶装置１００によれば、上記関係式（ｃ＜ｂ，ａ＜ｂ）を満たしている。これら関係式の左辺及び右辺をそれぞれ足し合わせると、ａ＋ｃ＜ｂ＋ｂとなり、上記式（１）；（ａ＋ｃ）／２  ＜  ｂが満たされる。
【００３６】
したがって、上述した式（１）を満たした状態に、画素電極９及びデータ線６ａがＴＦＴアレイ基板１０上に設けられた液晶装置１００は、エッジリバースの影響を抑えつつ、従来に比べ、より高い開口率を実現できる。
【００３７】
また、本実施形態では、液晶装置１００がライン反転駆動により動作されるようになっている。この構成によれば、対向配置されている画素電極９が、液晶装置１００の駆動時にそれぞれ同じ極性となるので、これら画素電極９間における電界の発生が抑制されたものとなる。よって、画素電極９をより近接させた状態に形成でき、前記間隔ｃをさらに小さくすることができ、液晶装置１００の開口率をより向上できる。
【００３８】
なお、液晶装置１００をドット反転駆動により動作するようにしてもよい。この場合、ライン反転駆動に比べ、開口率は若干低下するものの、対向配置されている各画素電極９が、液晶装置１００の駆動時に異なる極性となるので、データ線対７をなす各データ線６ａを覆っている絶縁層（ゲート絶縁膜１１、第１層間絶縁膜１２）の表面に異なる極性に帯電する。よって、互いの極性が打ち消し合うことで、結果的にデータ線対７を覆う絶縁層の帯電が抑制され、絶縁層上に設けられた液晶層の焼きつきを防止できる。なお、液晶装置１００の駆動方式はユーザーの要望に応じて適宜選択することができる。
【００３９】
前記データ線対７を構成する各データ線６ａは、区画領域内に配置される画素電極９に接続されており、画像信号線を供給するようになっている。また、区画領域内には、共通電極１９と接続された共通線３ｂが走査線３ａと平行に延びて形成されている。共通線３ｂは、各区画領域（サブ画素領域）毎に設けられた各共通電極１９と電気的に接続されている。そして、データ線６ａと走査線３ａとの交差部に対応してその近傍にＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は走査線３ａの平面領域内に部分的に形成されたアモルファスシリコンからなる半導体層３５と、半導体層３５と一部平面的に重なって形成されたソース電極６ｂ及びドレイン電極３２を備えている。走査線３ａは半導体層３５と平面的に重なる位置でＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。
【００４０】
ＴＦＴ３０のソース電極６ｂは、データ線６ａから分岐されて半導体層３５上に延びる平面視略Ｌ形に形成されており、ドレイン電極３２は、−Ｙ側に延びた位置で平面視略矩形状の容量電極３１と電気的に接続されている。容量電極３１上には、前記画素電極９のコンタクト部９ｂのうち−Ｙ側の端縁部と平面的に重なって配置されている。
【００４１】
次に、液晶装置１００の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成されるサブ画素領域の等価回路について説明する。各サブ画素領域には、図２に示すように、それぞれ画素電極９と、該画素電極９に電気的に接続されスイッチング制御するＴＦＴ３０とが形成されており、データ線駆動回路１０１から延びた、前記データ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線駆動回路１０１は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎをデータ線６ａを介して各画素に供給する。画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。
【００４２】
また、ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路１０２から延びる走査線３ａが電気的に接続されており、走査線駆動回路１０２から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。なお、本実施形態の液晶装置１００は、上述したようにライン反転駆動が行われている。
【００４３】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と液晶を介して対向する共通電極との間で一定期間保持される。
【００４４】
図３に示す断面構造をみると、液晶装置１００は、互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板（第１基板）１０と対向基板（第２基板）２０との間に液晶層５０を挟持した構成を備えており、液晶層５０はＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向する領域の縁端に沿って設けられたシール材（図示略）によって前記両基板１０，２０間に封止されている。ＴＦＴアレイ基板１０の背面側（図示下面側）には、導光板９１と反射板９２とを具備したバックライト９０が設けられている。
【００４５】
ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラスや石英、プラスチック等からなる基板本体１０Ａを基体としてなり、基板本体１０Ａの内面側（液晶層５０側）には、走査線３ａ及び共通線３ｂが形成されており、走査線３ａ及び共通線３ｂを覆ってゲート絶縁膜１１が形成されている。
【００４６】
ゲート絶縁膜１１上に、アモルファスシリコンの半導体層３５が形成されており、半導体層３５に一部乗り上げるようにしてソース電極６ｂと、ドレイン電極３２とが形成されている。半導体層３５は、ゲート絶縁膜１１を介して走査線３ａと対向配置されており、当該対向領域で走査線３ａがＴＦＴ３０のゲート電極を構成するようになっている。
【００４７】
半導体層３５、ソース電極６ｂ、ドレイン電極３２を覆って、第１層間絶縁膜１２が形成されており、第１層間絶縁膜１２とを覆って、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極１９が形成されている。
【００４８】
したがって、本実施形態の液晶装置１００は、図２に示した各サブ画素領域内のうち、画素電極９を内包する平面領域と、共通電極１９が形成された平面領域とが重なった平面領域が、バックライト９０から入射して液晶層５０を透過する光を変調して表示を行う画素表示領域となっている。
【００４９】
共通電極１９を覆ってシリコン酸化物等からなる第２層間絶縁膜１３が形成されている。第２層間絶縁膜１３の液晶層側の表面にＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極９が形成されている。また、画素電極９、第２層間絶縁膜１３を覆ってポリイミドやシリコン酸化物等からなる配向膜１８が形成されている。
【００５０】
第１層間絶縁膜１２及び第２層間絶縁膜１３を貫通してドレイン電極３２に達する画素コンタクトホール４５が形成されており、この画素コンタクトホール４５内に画素電極９のコンタクト部９ｂが一部埋設されることで、画素電極９とドレイン電極３２とが電気的に接続されている。画素コンタクトホール４５の形成領域に対応して共通電極１９にも開口部が設けられており、この開口部を介して画素電極９とドレイン電極３２とが電気的に接続されるとともに、共通電極１９と画素電極９とが短絡しないような構成になっている。
【００５１】
一方、対向基板２０は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体２０Ａを備えている。その基板本体１０Ａの内面側（液晶層５０側）には、カラーフィルタ２２が設けられており、カラーフィルタ２２上にポリイミド等の配向膜２８が積層されている。なおカラーフィルタ２２上には、さらに透明樹脂材料等からなる平坦化膜を積層してもよく、これによって対向基板２０表面を平坦化して液晶層５０の厚さを均一化することができ、サブ画素領域内で駆動電圧が不均一になりコントラストが低下するのを防止することができる。
【００５２】
本実施形態の場合、第１電極である共通電極１９と第２電極である画素電極９とを離間している第２層間絶縁膜１３の比誘電率ε＝６、膜厚ｔ＝０．１μｍである。液晶層５０を構成する液晶として、比誘電率がそれぞれε⊥＝４．０、ε//＝１５．３である正の異方性を持つものを使用した。
【００５３】
また、基板本体１０Ａ、２０Ａの外面側には、それぞれ偏光板１４，２４が配設されている。偏光板１４と基板本体１０Ａとの間、及び偏光板２４と基板本体２０Ａとの間には、１枚又は複数枚の位相差板（光学補償板）を設けることができる。
【００５４】
次に、本実施形態の液晶装置１００における各光学軸の配置例について図４を参照して説明する。
ＴＦＴアレイ基板１０側の偏光板１４の透過軸１５３と、対向基板２０側の偏光板２４の透過軸１５５とが互いに直交するように配置されており、前記透過軸１５３がＸ軸に対し平行であり、透過軸１５５がＹ軸に対し平行である向きに配置されている。また、配向膜１８，２８は、平面視で同一方向に（例えばラビング処理によって）初期的に配向が付与されており、その方向は、図４に示す初期配向方向１５１である。
【００５５】
ところで、初期配向状態の液晶分子に対して、横電界が垂直方向から加わっても液晶分子を回動させることができない。本実施形態では、上述したように帯状電極９ｃは図１中Ｘ軸（ラビング方向１５１）に交差する方向に延在している。よって、帯状電極９ｃの延在方向に対して垂直方向に作用する横電界ＥＦｔは、ラビング方向１５１に直交することがなく、したがって、液晶分子を横電界方向に確実に回動させることができる。
【００５６】
なお、初期配向方向１５１は、画素電極９と共通電極１９との間に生じる横電界ＥＦｔの主方向と交差する方向（一致しない方向）であれば、図４に示した方向に限定されるものではない。
【００５７】
なお、対向配置された画素電極９に電位差が生じた場合には、帯状電極９ｃの先端部間に図１に示すＸ軸方向に漏れ電界が生じるようになる。この漏れ電界は上述したラビング方向（液晶の初期配向方向）１５１に一致しているので、液晶分子の配向を乱すことが無く、光漏れ等によるコントラストの低下といった不具合を防止することができる。
【００５８】
上記構成を具備した液晶装置１００は、画素電極９及びデータ線６ａが、上記の式（１）を満たすようにＴＦＴアレイ基板１０上に設けられているので、走査線３ａ及びデータ線６ａに囲まれた区画領域に画素電極が１つ配設される従来の液晶装置の構成に比べ、より開口率が向上されたものとなる。また、データ線６ａと画素電極９との間隔ｂが、エッジリバースの影響を受けないように設定されており、本実施形態においても、エッジリバースに起因する視野角の低下やコントラストの低下といった不具合が防止されたものとなる。
【００５９】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態の液晶装置は、横電界方式のうちＩＰＳ（In Plane Switching）方式を採用した液晶装置である。図５は、本実施形態の液晶装置２００の液晶装置の平面構成図であり、図６は図５のＡ−Ａ'線に沿う部分断面構成図である。なお、上記第１の実施形態に係る液晶装置１００と同様の構成部材については、同一の符号を付し詳細な説明については省略するものとする。
【００６０】
図５に示すように、液晶装置２００は、２本のデータ線６ａが所定の間隔で配置されたデータ線対７と、該データ線対７に交差する走査線３ａとが設けられている。データ線対７と前記走査線３ａに囲まれた領域に、平面視略櫛歯状（熊手状）を成す画素電極（第１電極）９が走査線３ａの延在方向に沿って２つ配置されている。
【００６１】
本実施形態では、上記実施形態の液晶装置１００と異なり、共通電極（第２電極）１９が、ＴＦＴアレイ基板１０の外周辺に沿って形成された、図示しない導通部分と、該導通部分から分岐された複数の帯状電極１９ｃとを備えて構成されている。そして、前記各帯状電極１９ｃは、平面視した状態で、櫛歯形状をなす画素電極９の各帯状電極９ｃの間を縫うようにして設けられている。
【００６２】
また、図５に示したように、データ線対７をなす２本のデータ線が配置される間隔をａとし、画素電極９と該画素電極９に近接するデータ線６ａとの間隔をｂとし、データ線対７及び走査線３ａに囲まれた区画領域に配置される画素電極９の間隔をｃとしたとき、本実施形態に係る液晶装置１００は、上記の式（１）を満たすようにして、ＴＦＴアレイ基板１０上に画素電極９及びデータ線３ａが形成されたものとなっている。
【００６３】
また、上記実施形態と同様に、平面視櫛歯形状の画素電極９の開放端側を対向させるように配置しているので、対向する画素電極９間に形成される容量を低減し、前記間隔ｃがより狭められたものとなっている（ｃ＜ｂ）。これによって上記式（１）を確実に満たし、液晶装置２００の開口率を向上させている。
【００６４】
なお、本実施形態の液晶装置２００についても、開口率を向上させる場合にはライン反転駆動させるのが好ましく、液晶層の焼きつきを防止する場合にはドット反転駆動させるのが好ましい。
【００６５】
（断面構造）
次に、液晶装置２００の断面構成につき、図６を用いて説明する。図６に示すように、液晶装置２００は、上記液晶装置１００と同様に、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０を挟持した構成を備えたものである。
【００６６】
本実施形態では、上記実施形態と異なり、ゲート絶縁膜１１上に共通電極１９が形成されている。そして、ＴＦＴ３０、及び共通電極１９を覆うように酸化シリコン等の透明絶縁材料からなる第１層間絶縁膜１２が形成され、該第１層間絶縁膜１２上に酸化シリコン等の透明絶縁材料からなる第２層間絶縁膜１３が形成されている。
【００６７】
その第２層間絶縁膜１３上に、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる前記画素電極９が形成されている。また第２層間絶縁膜１３を貫通して、容量電極３１に達するコンタクトホール４５が形成されており、このコンタクトホール４５内に画素電極９のコンタクト部９ｂが一部埋設されている。これにより、画素電極９と容量電極３１とが電気的に接続されている。これらの画素電極９及び共通電極１９を覆って、ポリイミド等の配向膜１８が形成されている。
【００６８】
対向基板２０側については、上記実施形態と同様の構成であるため、その説明を省略する。このようなＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、液晶層５０が挟持されている。液晶層５０は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向する領域の縁端に沿って設けられた図示略のシール材によって、基板１０，２０間に封止されている。
【００６９】
ＴＦＴアレイ基板１０の外面側（液晶層５０と反対側）には偏光板１４が積層されており、対向基板２０の外面側にも偏光板２４が配設されている。またＴＦＴアレイ基板１０の背面側（図示下面側）には、バックライト９０が設けられている。
【００７０】
本実施形態の液晶装置２００における各光学軸の配置例は、上記実施形態と同様であることから詳細については省略する。
上述した液晶装置２００の動作について説明する。非選択電圧印加時において、液晶層を構成する液晶分子は、ラビング方向１５１に沿って基板と水平に配向している。そして、画素電極９と共通電極１９との間に選択電圧を印加すると、帯状電極９ｃ、１９ｃの延在方向に対して垂直方向に横電界ＥＦｔが作用し、その横電界方向に沿って液晶分子が再配向する。なお、配向膜のラビング方向１５１を、横電界方向と垂直以外の角度で交差する方向に設定しているので、全ての液晶分子を同一方向に回動させることができる。したがって、液晶装置２００は、良好な明暗表示を行うことができる。
【００７１】
本実施形態に係る液晶装置２００についても、上記実施形態と同様に、画素電極９及びデータ線６ａが、上記の式（１）を満たすようにＴＦＴアレイ基板１０上に設けられているので、従来のＩＰＳ方式の液晶装置に比べ、より開口率が向上したものとなる。また、エッジリバースに起因する液晶装置の視野角の低下やコントラストの低下といった不具合が防止されたものとなる。
【００７２】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。本実施形態では、上記第１の実施形態で説明した液晶装置１００において、前記データ線対７が、前記液晶層５０に比べて誘電率が高い誘電体膜で覆われている。図７は、本実施形態に係る液晶装置３００の平面構造図を示すものである。なお、上記第１の実施形態に係る液晶装置１００と同様の構成については、同一の符号を付し詳細な説明については省略するものとする。
【００７３】
図７に示すように、データ線対７を覆うように、例えばアクリル樹脂等からなる誘電体膜Ｍが設けられている。この構成により、誘電体膜Ｍがデータ線６ａと画素電極９との間に生じた電界が吸収され、データ線６ａと画素電極９との間に生じた電界に起因するエッジリバースの発生を抑制することで、開口率をより高めることができる。
なお、上記誘電体膜Ｍを、上述したＩＰＳ方式の液晶装置２００に設けるようにしてもよい。これにより開口率の高いＩＰＳ方式の液晶装置を提供することができる。
【００７４】
（電子機器）
図８は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話（電子機器）１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。上記各実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができる。また、本発明の液晶装置は、プロジェクタの光変調手段（液晶ライトバルブ）として用いてもよい。いずれの電子機器においても、開口率が高く、高信頼性の表示部を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の平面構成図である。
【図２】液晶装置のサブ画素領域の回路構成図である。
【図３】液晶装置の側部断面図である。
【図４】液晶装置の光学軸の配置図である。
【図５】第２実施形態に係る液晶装置の平面構成図である。
【図６】第２実施形態に係る液晶装置の側部断面図である。
【図７】第３実施形態に係る液晶装置の平面構成図である。
【図８】電子機器の一例を示す携帯電話の概略構成斜視図である。
【図９】従来の液晶装置の構成を示す平面構成図である。
【符号の説明】
【００７６】
３ａ…走査線、６ａ…データ線、７…データ線対、１０…ＴＦＴアレイ基板（第１基板）、２０…対向基板（第２基板）、９…画素電極（第１電極）、９ｃ…帯状電極（枝電極）、１９…共通電極（第２電極）、５０…液晶層、１００，２００，３００…液晶装置、１３００…携帯電話（電子機器）、Ｍ…誘電体膜
【図１】
2008070610.tif 000003
【図２】
2008070610.tif 000004
【図３】
2008070610.tif 000005
【図４】
2008070610.tif 000006
【図５】
2008070610.tif 000007
【図６】
2008070610.tif 000008
【図７】
2008070610.tif 000009
【図８】
2008070610.tif 000010
【図９】
2008070610.tif 000011