(57)【要約】【課題】本発明の実施形態は、耐プラズマ性を高める保護層を有する基板サポートアセンブリを提供する。【解決手段】一実施形態において、基板サポートアセンブリは、上部基板サポート表面を有する静電チャックと、静電チャックに配置された保護層とを含み、保護層は希土類金属を含有するセラミック材料により製造されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部基板サポート表面を有する静電チャックと、
静電チャックに配置された保護層とを含み、前記保護層が希土類金属を含有するセラミック材料を含む基板サポートアセンブリ。
【請求項２】
前記保護層がイットリウムを含む請求項１記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項３】
前記保護層がＹ２Ｏ３を含む請求項１記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項４】
前記希土類金属が、スカンジウム（Ｓｃ）又はセリウム（Ｃｅ）のうち少なくとも１つを含む請求項１記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項５】
前記希土類金属が希土類金属の酸化物を含む請求項１記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項６】
前記保護層が、イットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）を含む請求項１記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項７】
前記保護層がバルクイットリウム層を含む請求項１記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項８】
前記保護層が金属と混合されたＹ２Ｏ３を含む請求項１記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項９】
Ｙ２Ｏ３と混合された前記金属が、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）のうち少なくとも１つである請求項８記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項１０】
前記保護層がドープされたＹ２Ｏ３を含む請求項１記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項１１】
前記基板サポートアセンブリが、
中に配置された少なくとも１つの冷却チャネルを有するベースと、
前記ベースを前記静電チャックのセラミックパックの下表面に結合する接着剤を含有する金属とを含む請求項１記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項１２】
前記セラミックパックが、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）及び希土類金属含有セラミック材料のうち少なくとも１つにより製造されている請求項１１記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項１３】
セラミックパックに利用される前記セラミック材料の前記希土類金属が、Ｙ２Ｏ３である請求項１２記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項１４】
前記保護層の厚さが約１μｍ〜約５００μｍである請求項１記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項１５】
前記保護層の密度が約４．３を超える請求項１記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項１６】
前記保護層が、２μインチ〜４００μインチ、例えば、約１６μインチの表面粗さを有するセラミック材料である請求項１記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項１７】
前記保護層が、少なくとも約９９．９体積パーセントの純度を有する酸化イットリウム層（Ｙ２Ｏ３）である請求項１記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項１８】
配置された基板をサポートするよう適合された上面を有するセラミックパックを含む静電チャックと、
前記セラミックパックの下面に取り付けられ、中に形成された少なくとも１つの流体管を有し、前記静電パックの側方温度プロファイルを制御するよう適合されたベースと、
前記セラミックパックに配置され、希土類金属を含有するセラミック材料である保護層とを含む基板サポートアセンブリ。
【請求項１９】
前記保護層が、イットリウム、Ｙ２Ｏ３又はイットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）を含む請求項１８記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項２０】
前記希土類金属が、スカンジウム（Ｓｃ）又はセリウム（Ｃｅ）のうち少なくとも１つを含む請求項１８記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項２１】
前記希土類金属が希土類金属の酸化物を含む請求項１８記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項２２】
前記保護層が金属と混合されたＹ２Ｏ３を含み、前記金属がアルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）及びタンタル（Ｔａ）のうち少なくとも１つである請求項１８記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項２３】
前記セラミックパックが、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）及び希土類金属含有セラミック材料のうち少なくとも１つにより製造されている請求項１８記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項２４】
前記セラミックパックを前記ベースに結合するボンディング材料であって、アクリル系化合物及びケイ素系化合物のうち少なくとも１つであるボンディング材料を含む請求項１８記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項２５】
セラミックパックと、
前記セラミックパックの下面に取り付けられ、中に形成された少なくとも１つの流体管を有し、前記セラミックパックの側方温度プロファイルを制御するよう適合されたベースと、
前記ベースを前記パックの下面に結合する接着剤と、
前記接着剤中に配置され、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｔｉのうち少なくとも１つを含む金属フィラーと、
前記セラミックパックの前記上面にコートされた保護Ｙ２Ｏ３コーティングとを含む基板サポートアセンブリ。
【請求項２６】
前記保護Ｙ２Ｏ３コーティングが金属と混合されており、前記金属がアルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）のうち少なくとも１つである請求項２５記載の基板サポートアセンブリ。
【請求項２７】
前記セラミックパックが、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）及び希土類金属含有セラミック材料のうち少なくとも１つにより製造されている請求項２５記載の基板サポートアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
（発明の分野）
本発明の実施形態は、一般的に、半導体処理チャンバに係り、特に、半導体処理チャンバに用いるのに好適な保護層を有する基板サポートに関する。
【０００２】
（関連技術の説明）
半導体処理には数多くの異なる化学及び物理処理が含まれ、微小な集積回路が基板上に作成される。集積回路を形成する材料層は、化学蒸着、物理蒸着、エピタキシャル成長等により作成される。材料層のいくつかは、フォトレジストマスク、ウェット又はドライエッチング技術を用いてパターン化される。集積回路を形成するのに用いる基板は、ケイ素、ガリウム砒素、リン化インジウム、ガラス又はその他適切な材料である。
【０００３】
代表的な半導体処理チャンバは、処理ゾーンを画定するチャンバ本体と、ガス供給部から処理ゾーンまでガスを供給するよう適合されたガス分配アセンブリと、処理ガスを励起して、基板サポートアセンブリに配置された基板を処理するのに用いられるガスエナジャイザ、例えば、プラズマ発生器と、ガス排出口とを含む。基板サポートアセンブリは、処理中、基板を基板サポートアセンブリに保持する静電チャックを含んでいてもよい。プラズマ処理中、励起ガスは、強い腐蝕性種を含んでいることが多く、基板サポートアセンブリの露出部分をエッチング及び腐食する。腐食したサポート基板アセンブリは、数多くの処理サイクル後、基板を保持するのに一貫しない望ましくない電気特性を与える前に、交換しなければならない。更に、基板サポートアセンブリからの腐食した粒子は、基板サポートアセンブリに保持されている基板を汚染して、処理欠陥となる。基板サポートアセンブリの耐用年数を延ばし、粒子生成を減じる、耐プラズマ性の増大した基板サポートアセンブリが望まれている。
従って、基板サポートアセンブリ等のチャンバコンポーネントの耐プラズマ性を増大するコーティングが求められている。
【発明の概要】
【０００４】
本発明の実施形態は、耐プラズマ性を向上する保護層を有する基板サポートアセンブリを提供する。保護層は、基板サポートアセンブリに強い耐食性及び耐プラズマ表面を提供して、基板サポートアセンブリの耐用年数を改善し、一方で保守及び製造コストを下げる。
【０００５】
一実施形態において、基板サポートアセンブリは、上部基板サポート表面を有する静電チャックと、静電チャックに配置された保護層とを含み、保護層は希土類金属を含有するセラミック材料を含む。
【０００６】
他の実施形態において、基板サポートアセンブリは、配置された基板をサポートするよう適合された上面を有するセラミックパックを含む静電チャックと、セラミックパックの下面に取り付けられ、中に形成された少なくとも１つの流体管を有し、静電パックの側方温度プロファイルを制御するよう適合されたベースと、セラミックパックに配置され、希土類金属を含有するセラミック材料である保護層とを含む。
【０００７】
更に他の態様において、基板サポートアセンブリは、セラミックパックと、セラミックパックの下面に取り付けられ、中に形成された少なくとも１つの流体管を有し、セラミックパックの側方温度プロファイルを制御するよう適合されたベースと、ベースをパックの下面に結合する接着剤と、接着剤中に配置され、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｔｉのうち少なくとも１つを含む金属フィラーと、セラミックパックの上面にコートされた保護Ｙ２Ｏ３コーティングとを含む。
【詳細な説明】
【０００８】
本発明の実施形態は、耐プラズマ摩耗性を向上させるために用いられる保護層を有する基板サポートアセンブリを提供する。一実施形態において、保護層は希土類金属を含むセラミック層であってよい。保護層としては、イットリウム（Ｙ）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、イットリウム合金又はその誘導体が例示される。保護コーティング層は、基板サポートアセンブリに耐食性表面を提供して、基板サポートアセンブリの耐用年数を改善し、一方で保守及び製造コストを下げる。
【０００９】
図１は、保護層１３６を有する基板サポートアセンブリ１４８を含む半導体処理チャンバ１００の一実施形態の断面図である。基板サポートアセンブリ１４８の一実施形態が開示されているが、他の基板サポートアセンブリでも本発明による利点を得るように適合されているものと考えられる。
【００１０】
処理チャンバ１００は、内部容積１０６を囲むチャンバ本体１０２と蓋１０４とを含む。チャンバ本体１０２は、一般的に、アルミニウム、ステンレス鋼又はその他好適な材料から製造されている。チャンバ本体１０２は、通常、側壁１０８と底部１１０とを含む。基板アクセスポート（図示せず）は、通常、側壁１０８において画定されており、スリットバルブにより選択的にシールされて、基板１４４の処理チャンバ１００への出し入れが可能である。
【００１１】
外側ライナ１１６を側壁１０８近傍に配置して、チャンバ本体１０２を保護してもよい。外側ライナ１１６は、耐プラズマ又はハロゲン含有ガス材料で製造及び／又はコートされている。一実施形態において、外側ライナ１１６は酸化アルミニウムから製造されている。他の実施形態において、外側ライナ１１６は、イットリウム、イットリウム合金又はその酸化物から製造又はコートされている。更に他の実施形態において、外側ライナ１１６はバルクＹ２Ｏ３から製造されている。
【００１２】
排気ポート１２６は、チャンバ本体１０２内で画定され、内部容積１０６をポンプシステム１２８につないでいる。ポンプシステム１２８は、通常、１つ以上のポンプとスロットルバルブを含み、処理チャンバ１００の内部容積１０６を排気し、圧力を調節するのに用いられる。一実施形態において、ポンプシステム１２８は、一般的には、約１０ｍトル〜約２０トルの間の操作圧力で内部容積１０６の内側の圧力を維持する。
【００１３】
蓋１０４は、チャンバ本体１０２の側壁１０８でシール可能に支持されている。蓋１０４を開くと、処理チャンバ１００の内部容積１０６を利用できるようになる。ガスパネル１５８は、処理チャンバ１００につながれていて、ガス分配アセンブリ１３０を通して内部容積１０６へ処理及び／又はクリーニングガスを提供する。処理チャンバで処理するのに用いられる処理ガスとしては、特に、Ｃ２Ｆ６、ＳＦ６、ＳｉＣｌ４、ＨＢｒ、ＮＦ３、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ３、Ｃｌ２及びＳｉＦ４等のハロゲン含有ガス、Ｏ２やＮ２Ｏ等のその他のガスが例示される。キャリアガスとしては、Ｎ２、Ｈｅ、Ａｒ、処理に不活性なその他のガス及び非反応性ガスが例示される。ガス分配アセンブリ１３０は、ガス分配アセンブリ１３０の下流表面に複数のアパーチャ１３２を有しており、基板１４４の表面にガスフローを向ける。ガス分配アセンブリ１３０は、炭化ケイ素、バルクイットリウム又はその酸化物等のセラミック材料により製造及び／又はコートされており、ハロゲン含有化学物質に対する抵抗性を与えて、ガス分配アセンブリ１３０の腐食を防ぐ。
【００１４】
基板サポートアセンブリ１４８は、ガス分配アセンブリ１３０の下の処理チャンバ１００の内部容積１０６内に配置されている。基板サポートアセンブリ１４８は、処理中、基板１４４を保持する。基板サポートアセンブリ１４８は、貫通する複数のリフトピン（図示せず）を含んでおり、これらは、基板１４４をサポートアセンブリ１４８からリフトし、従来のやり方でロボット（図示せず）による基板１４４の交換を促すように構成されている。
【００１５】
内側ライナ１１８が、基板サポートアセンブリ１４８の周囲にコートされている。内側ライナ１１８は、外側ライナ１１６と実質的に同様の材料である耐ハロゲン含有ガス材料であってよい。一実施形態において、内側ライナ１１８は、外側ライナ１１６と同じ材料から製造されていてもよい。
【００１６】
一実施形態において、基板サポートアセンブリ１４８は、台座１５２を支持する取付け板１６２と静電チャック１５０とを含む。静電チャック１５０は、ベース１６４と静電パック１６６とを更に含む。静電パック１６６の上部サポート表面は保護層１３６によりカバーされている。一実施形態において、保護層１３６は静電パック１６６の上部サポート表面に配置されている。他の実施形態において、保護層１３６は、ベース１６４及び静電パック１６６の外側及び側部周囲を含む静電チャック１５０の全表面に配置されている。チャンバ本体１０２の底部１１０と結合している取付け板１６２は、特に、ベース１６４及び静電パック１６６への流体等のルーティングユーティリティ用流路、電気系統及びセンサリードを含む。
【００１７】
ベース１６４又はパック１６６のうち少なくとも１つは、少なくとも１つの任意の埋込みヒータ１７６と、少なくとも１つの任意の埋込みアイソレータ１７４と、複数の管１６８、１７０とを含み、サポートアセンブリ１４８の側方温度プロファイルを制御している。管１６８、１７０は、温度調節流体を中に循環させる流体源１７２に流体結合されている。埋込みアイソレータ１７４は、管１６８、１７０の間に配置されている。ヒータ１７６は電源１７８により調節されている。管１６８、１７０及びヒータ１７６を用いて、ベース１６４の温度を制御して、静電パック１６６を加熱及び／又は冷却する。静電パック１６６及びベース１６４の温度は、複数の温度センサ１９０、１９２を用いてモニターされる。静電パックは、更に、溝等の複数のガス流路２０８（図２及び３に図示）を含み、これは、パック１６６の前側表面２０６に形成され、Ｈｅ等の熱伝達源（又は裏側）に流体結合している。操作中、裏側ガスが、ガス流路へ制御された圧力で提供されて、静電パック１６６と基板１４４の間の熱伝達を促す。
【００１８】
静電パック１６６は、チャンバ１００外に位置するチャック電源１８２により制御される少なくとも１つのクランプ電極を含む。電極１８０（又はパック１６６又はベース１６４に配置されたその他電極）は、処理チャンバ１００内で処理及び／又はその他ガスから形成されたプラズマを維持するために、整合回路１８８を通して１つ以上のＲＦ電源１８４、１８６に更に結合されていてもよい。源１８４、１８６は、通常、約５０ｋＨｚ〜約３ＧＨｚの周波数を有するＲＦ信号及び約１０，０００ワットまでの電力を生成することができる。
【００１９】
図２は、基板サポートアセンブリ１４８の一実施形態の分解図である。基板サポートアセンブリ１４８の静電チャック１５０及び台座１５２の分解図を示している。静電チャック１５０は、静電パック１６６と静電パック１６６に取り付けられたベース１６４とを含む。静電パック１６６は、環形周囲２２２を有するディスク状の形状を有しており、これは配置される基板１４４の形状及びサイズと合っている。一実施形態において、静電パック１６６はセラミック材料により製造されていてもよい。セラミック材料の好適な例としては、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等が挙げられる。他の実施形態において、静電パック１６６は、本発明による希土類金属を含有するセラミック材料により製造されてもよい。更に他の実施形態において、静電パック１６６はＹ２Ｏ３により製造されてもよい。
【００２０】
静電パック１６６の下に取り付けられたベース１６４は、ディスク状の主部２２４と主部２２４から外側に延在していて台座１５２の上に位置する環形フランジ２２０とを有する。ベース１６４は、上にあるパック１６６に実質的に合う熱特性を有する材料で製造されてもよい。一実施形態において、ベース１６４は、アルミニウム又はステンレス鋼又はその他好適な材料等の金属により製造される。或いは、ベース１６４は、良好な強度、耐久性及び熱伝達特性を与えるセラミックと金属材料の複合体により製造されてもよい。複合体材料は、上にあるパック１６６に実質的に合う熱膨張係数を有しており、熱膨張の不一致を減じる。他の実施形態において、ベース１６４は、金属を浸透させた細孔を有するセラミックを含む複合体材料により製造され、少なくとも部分的にポートを充填して複合体材料が形成される。セラミック材料は、これらに限られるものではないが、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム又はコーディエライトを含んでいてよい。セラミックは、合計容積の約２０〜約８０容積パーセントの細孔容積を含み、残りの容積は浸透した金属である。浸透した金属は、ケイ素及び銅を添加したアルミニウムを含むことができる。更に他の実施形態において、ベース１６４は、分散セラミック粒子を有する金属等のセラミックと金属の異なる組成を含む複合体材料により製造される。
【００２１】
図１に戻ると、ベース１６４はボンディング材料１３８により静電パック１６６に結合されている。ボンディング材料１３８は、静電パック１６６とベース１６４の間の熱エネルギー交換を促進し、その間の熱膨張の不一致を減じる。一実施形態において、ボンディング材料１３８は、ベース１６４を静電パック１６６に機械的にボンドしている。更に他の実施形態において、ボンディング材料１３８は、金属又はセラミックフィラーが混合又は添加された、アクリル系化合物とケイ素系化合物のうち少なくとも１つを有する熱導電性ペースト又はテープである。金属フィラーは、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｔｉ又はこれらの組み合わせのうち少なくとも１つであり、セラミックフィラーは、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、二ホウ化チタン（ＴｉＢ２）又はこれらの組み合わせのうち少なくとも１つである。ハロゲン含有ガスから形成されたプラズマに露光すると、ボンディング材料１３８は、ボンディング材料１３８の表面に自己保護的な金属ハロゲン化物コーティングを形成して、保護層１３８への更なる攻撃を防ぐ。金属ハロゲン化物コーティングは、プラズマからの更なる攻撃に抵抗性があり、損傷した場合、プラズマに再露光すると、自己再生する。
【００２２】
保護層１３６は、静電パック１６６の上面（及び／又は処理中プラズマに露出されるベース１６４の外側領域）に少なくとも配置及び／又はコート及び／又は付着されて、耐食性コーティングを与えている。これを用いて、パック１６６の露出面をプラズマ及び／又は処理ガスから保護する。保護層１３６は、図２に示す通り、ベース１６４の外側周囲２２２に延在してコート及び／又は配置及び／又は付着されている。或いは、保護層１３６は、静電パック１６６とベース１６４の全外側表面にコート及び／又は配置及び／又は付着されていてもよい。
【００２３】
保護層１３６は、業界に公知の物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、浸漬コーティング、スパッタリング、熱スプレーコーティング（例えば、プラズマスプレーコーティング）、非プラズマ、非熱アシストコーティング、熱間静水圧プレス、冷間静水圧プレス、ラミネーション、圧縮成形、鋳造、締め堅め、焼結又は共焼結技術によりコートされる。図２〜３に示す実施形態において、保護層１３６は物理蒸着（ＰＶＤ）によりコートされている。
【００２４】
一実施形態において、保護層１３６は、ＩＩＩＢ族金属を含む希土類セラミック層である。ＩＩＩＢ族金属は、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、セリウム（Ｃｅ）等のうち少なくとも１つである。他の実施形態において、保護層１３６は、Ｙ２Ｏ３等のＩＩＩＢ族金属の酸化物又はイットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）等のＩＩＩＢ族金属の合金を含む。更に他の実施形態において、保護層１３６はバルクイットリウム層であってよい。
【００２５】
他の実施形態において、保護層１３６は、金属と混合されたＹ２Ｏ３を含んでいてもよい。金属としては、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）等が挙げられる。更なる実施形態において、保護層１３６はドープＹ２Ｏ３を含む。更に他の実施形態において、保護層１３６はイットリウム（Ｙ）を含む固体サルテーションにより作成される。
【００２６】
変形実施形態において、静電パック１６６は、保護層１３６について上述した希土類セラミック層から製造される。静電パック１６６が希土類セラミック層により製造される実施形態においては、保護層１３６はこの代わりに除いてもよい。
【００２７】
一実施形態において、保護層１３６に用いる、又は静電パック１６６の製造に用いる酸化イットリウム層（Ｙ２Ｏ３）は高純度で、酸化イットリウム層（Ｙ２Ｏ３）中に存在する不純物によるチャンバ汚染を最低限に抑える。これによって、プラズマ処理中の処理チャンバ１００への微粒子放出の可能性が排除される。一実施形態において、酸化イットリウム層（Ｙ２Ｏ３）は、少なくとも約９９．９体積パーセントの酸化イットリウムの純度及び少なくとも約４．３ｇ／ｃｍ２の密度を有する。
【００２８】
酸化イットリウム層（Ｙ２Ｏ３）は又、プラズマ処理中に腐食及び／又は浸食に対する高硬度も有している。一実施形態において、酸化イットリウム層（Ｙ２Ｏ３）は約３ＧＰａ〜約１１ＧＰａの硬度（ビッカース５Ｋｇｆ）を与える。更に、酸化イットリウム層（Ｙ２Ｏ３）の表面粗さは、約２μ−インチ〜４００μ−インチ、例えば、約１６μ−インチ、吸水度は約０．０２パーセント未満である。
【００２９】
一実施形態において、基板サポート表面に配置された酸化イットリウム層（Ｙ２Ｏ３）保護層１３６の厚さは、約１μｍ〜約５００μｍ、例えば、約２μｍ〜約３０μｍである。酸化イットリウム保護層１３６の平均結晶粒径は約０．０１μｍ〜約３００μｍである。
【００３０】
静電パック１６６にコートされた酸化イットリウム層（Ｙ２Ｏ３）保護層１３６は、強固なボンディング界面を形成して、静電パック１６６とコートされた保護層１３６の間の接着を促進する。エネルギー分散分光（ＥＤＳ）分析によれば、誘電層２０４が酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）により製造される実施形態において、酸化イットリウム層（Ｙ２Ｏ３）保護層１３６は、静電パック１６６にイットリウム含有酸化アルミニウム等のボンディング界面層を提供することが分かる。コートされた酸化イットリウム層（Ｙ２Ｏ３）保護層１３６と静電パック表面の間の強固な接着によって、コートされた酸化イットリウム層（Ｙ２Ｏ３）保護層１３６を基板サポートアセンブリ１４８にしっかりと接合して、プラズマ処理中の酸化イットリウム層（Ｙ２Ｏ３）保護層１３６のクラッキング、ピーリングオフ又はストリッピングオフを防ぐ。
【００３１】
図３に、静電パック１６６の平面図を示す。静電パック１６６は、静電チャック１５０に基板１４４を受けるよう適合された前側表面２０６を含む。一実施形態において、前側表面２０６は、関連のガス溝２０８により画定される複数の隆起ウェッジ形状のメサ２１０を含む。ガス溝２０８は、上述した通り、Ｈｅ等の熱伝達ガスを表面２０６に分配する。ガス溝２０８は、約５度〜約１０度の間隔を有する放射状チャネルを含み、内側円形溝２１２で終わっている。
【００３２】
このように、基板サポートアセンブリの耐食性を向上するのに用いる保護層が本発明においては提供される。コートされた保護層が基板サポートアセンブリの耐食性表面に提供されると有利であり、これによって、表面を腐食環境から保護し、チャンバコンポーネント／部品の耐用年数を延ばす。
【００３３】
前述したのは本発明の実施形態に係るものであるが、本発明のその他又は更なる実施形態はその基本的な範囲から逸脱することなく考案してよく、その範囲は請求の範囲により決まる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
本発明の上述した特徴が詳細に理解できるよう、上に簡単に要約した本発明を、実施形態を参照してより具体的に説明する。そのうちいくつかは添付図面に示されている。
【００３５】
【図１】処理チャンバの一実施形態の断面図である。
【図２】本発明による基板サポートアセンブリの一実施形態の分解図である。
【図３】図２の基板サポートアセンブリの静電チャックの一実施形態の平面図である。
【００３６】
しかしながら、添付図面は本発明の代表的な実施形態を例示するだけであり、その範囲を制限するものとは解釈されず、本発明は他の同様に有効な実施形態も認められることに留意すべきである。
【００３７】
理解を容易にするために、図面間で共通する同一構成要素を示すのに、可能な場合は、同一の参照番号を用いている。一実施形態の要素は、特に挙げていないが、他の実施形態にも有利に利用可能であると考えられる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【外国語明細書】
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