(57)【要約】      （修正有）【課題】回路基板の高周波信号が入力又は出力される高周波端子パターンと該高周波端子パターンに隣接するグランド端子パターンに対して検査用のプローブを安定して接触させることができるようにすること。【解決手段】回路基板１１上の高周波端子パターン１３ｍの近傍に、回路基板１１のスルーホール１６、内層の導電パターンを順次介してグランド端子パターン１３ｇに接続する半円の円弧状の電極パターン１５を設けて、実質的にグランド端子パターン１３ｇの面積を広くとるようにした。これにより、ＲＦ検査用同軸プローブの中心ピンを回路基板１１の高周波端子パターン１３ｍに接触させると共に同軸プローブの同軸グランドピンをグランド端子パターン１３ｇ及び電極パターン１５に接触することになり、回路基板１１の高周波帯域の回路機能を確実に検査することが可能となる。【選択図】図２
2008053351.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に電子部品が実装されその裏面がマザーボードに取り付けられる回路基板の電極構造であり、高周波信号が入力又は出力される高周波端子パターンと該高周波端子パターンの片側又は両側に隣接して設けられたグランド端子パターンとを含む複数の端子パターンが前記回路基板の裏面に設けられ、前記回路基板の裏面であって前記高周波端子パターンの近傍にＲＦ検査用同軸プローブの同軸グラウンドピンの一部が当てられる電極パターンが形成され、該電極パターンが前記回路基板の内層又は電子部品実装面上に設けられた導電パターンを介して前記グランド端子パターンに接続されたことを特徴とする回路基板の電極構造。
【請求項２】
前記回路基板の裏面において前記電極パターンと前記端子パターンとが当該基板面よりも突出した同一高さ位置に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の電極構造。
【請求項３】
前記電極パターンと前記グランド端子パターンとは分離されていることを特徴とする請求項２に記載の回路基板の電極構造。
【請求項４】
前記電極パターンは、前記同軸プローブの同軸グランドピンの形状に合わせた円弧状であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の回路基板の電極構造。
【請求項５】
前記各端子パターンは、回路基板側面において電子部品実装面から裏面に掛けて形成されたサイド電極であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の回路基板の電極構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を実装した状態で電子機器のマザーボードに取り付けられる回路基板の電極構造に関し、特に高周波信号が入力又は出力される高周波端子を有する回路基板の電極構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板側面に沿って複数の端子パターンが配設される所謂サイド電極構造の回路基板がある。このサイド電極構造の回路基板の回路機能を検査する場合、測定ピンを端子パターンに押し当てる方式が採られていた。一方、回路構成が高周波になるにつれて、ピン接触方式では、周波数特性やインピーダンス特性の影響が大きくなり、正確に測定できなくなるので、ＭＨｚ帯まで対応可能なＲＦ検査用同軸プローブを用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。ＲＦ検査用同軸プローブを用いて高周波回路の回路基板を検査する場合、例えば図４に示すように回路基板５１において高周波信号が入力又は出力される高周波端子パターン５２に同軸プローブ５４の中心ピン５４ａを接触させ、高周波端子パターン５２の片側あるいは両側に隣接するグランド端子パターン５３に同軸プローブ５４の同軸グランドピン５４ｂを接触させることになる。
【０００３】
【特許文献１】特開平３−９９２７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、グラウンド面積（同軸グランドピン５４ｂ）の大きい同軸プローブを用いても回路基板側のグランド端子パターン５３のグランド面が小さいために十分な接地効果が期待できなかった。また、回路基板の端子パターン面上に形成されたレジストが段差部を形成するために同軸プローブを端子パターンにしっかりと接触させることが難しく、検査時に安定してＲＦ信号の伝送ができない可能性もあった。
【０００５】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、グラウンド面積の大きいＲＦ検査用同軸プローブを用いた検査時に十分な接地効果を期待でき、回路基板の高周波信号が入力又は出力される高周波端子パターンと該高周波端子パターンに隣接するグランド端子パターンに対して検査用のプローブを安定して接触させることができ、検査作業の効率化を図れると共に検査精度を向上し得る回路基板の電極構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の回路基板の電極構造は、一方の面に電子部品が実装されその裏面がマザーボードに取り付けられる回路基板の電極構造であり、高周波信号が入力又は出力される高周波端子パターンと該高周波端子パターンの片側又は両側に隣接して設けられたグランド端子パターンとを含む複数の端子パターンが前記回路基板の裏面に設けられ、前記回路基板の裏面であって前記高周波端子パターンの近傍にＲＦ検査用同軸プローブの同軸グラウンドピンの一部が当てられる電極パターンが形成され、該電極パターンが前記回路基板の内層又は電子部品実装面上に設けられた導電パターンを介して前記グランド端子パターンに接続されたことを特徴とする。
【０００７】
この構造によれば、ＲＦ検査用同軸プローブの中心ピンを高周波端子パターンに接触させると共に同軸グランドピンをグランド端子パターン及び電極パターンに接触させることにより、高周波端子パターンの周囲に形成されるグランド端子パターンの面積が実質的に広くなり、十分な接地効果が得られる。
【０００８】
また本発明は、上記回路基板の電極構造において、前記回路基板の裏面において前記電極パターンと前記端子パターンとが当該基板面よりも突出した同一高さ位置に形成されたことを特徴とする。
【０００９】
この構造によれば、電極パターンとグランド端子パターンとが基板面よりも突出した同一高さ位置に形成されたことにより、ＲＦ検査用同軸プローブを高周波端子パターン等に当てる際に端子パターンに接するより前にレジストに当接するといた不具合が解消され、安定して高周波端子パターン及びグランド端子パターン及び電極パターンに押し当てることができる。
【００１０】
また本発明は、上記回路基板の電極構造において、前記電極パターンと前記グランド端子パターンとは分離されていることを特徴とする。
【００１１】
この構造によれば、本回路基板をマザーボードに取り付けて半田にて導通接続する際のリフロー工程において、グランド端子パターンに盛った半田が電極パターン側に流れ出て行くことがなく、グランド端子パターンとマザーボード側の電極とが接続されなくなる等の不具合を防止できる。
【００１２】
また本発明は、上記回路基板の電極構造において、前記電極パターンは、前記同軸プローブの同軸グランドピンの形状に合わせた円弧状であることを特徴とする。
【００１３】
この構造によれば、同軸プローブの同軸グランドピンを確実に電極パターンに接触させることができる。
【００１４】
上記回路基板の電極構造において、前記各端子パターンは、回路基板側面において電子部品実装面から裏面に掛けて形成されたサイド電極とすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、グラウンド面積の大きいＲＦ検査用同軸プローブを用いた検査時に十分な接地効果を期待でき、回路基板の高周波信号が入力又は出力される高周波端子パターンと該高周波端子パターンに隣接するグランド端子パターンに対して検査用のプローブを安定して接触させることができ、検査作業の効率化を図れると共に検査精度を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施の形態に係るＥＴＣ(Electronic  Toll  Collection  System)用モジュールの外観を示す斜視図である。同図において、本実施の形態のＥＴＣ用モジュール１０は、高速道路の料金所のＥＴＣ装置との間で通行料の支払いに関する情報の交換を行う車載のＥＴＣ装置（図示略）に用いられるものであり、料金所のＥＴＣ装置との間で無線による通信を行うための送受信機能を有している。このＥＴＣ用モジュール１０は、車載のＥＴＣ装置のマザーボードに実装されるものである。なお、ＥＴＣには５．８ＧＨｚの高周波信号が使用される。
【００１７】
ＥＴＣ用モジュール１０は、回路基板１１と、この回路基板１１の表面側１１ａ即ち電子部品実装面側に取り付けられるシートカバー１２とから構成され、回路基板１１は、その４つの側面夫々に複数の端子パターン１３が形成されたサイド電極構造となっている。図２は、回路基板１１の裏面側１１ｂを示す平面図である。複数の端子パターン１３のなかに、上述した５．８ＧＨｚの高周波信号が入力又は出力される高周波端子パターン１３ｍが配設され、またこの高周波端子パターン１３ｍの両側夫々に隣接してグランド端子パターン１３ｇが配設されている。高周波端子パターン１３ｍとグランド端子パターン１３ｇは従来と同様のものである。本実施の形態では高周波端子パターン１３ｍとグランド端子パターン１３ｇのほかに、半円の円弧状に形成された電極パターン１５を有しており、この電極パターン１５の一端が一方のグランド端子パターン１３ｇから僅かに離れた位置で該グランド端子パターン１３ｇと対向し、他端が他方のグランド端子パターン１３ｇから僅かに離れた位置で該グランド端子パターン１３ｇと対向している。電極パターン１５の円弧状の形状は、ＲＦ検査用同軸プローブの同軸グラウンドピンの形状に合わせたものである。
【００１８】
また、図３に示すように、回路基板１１の裏面側の基板面上の同一面（高さ位置）に、高周波端子パターン１３ｍ、グランド端子パターン１３ｇ及び電極パターン１５を形成しており、端子パターンよりも突出するレジストは存在しない構造としている。また、電極パターン１５は、スルーホール１６、回路基板１１の内層の導電パターン１７を順次介してグランド端子パターン１３ｇに接続されている。回路基板１１の内層の導電パターン１７は回路基板１１に専用に設けたものであっても良いし、既存の内層グランドパターンを利用したものでも良い。なお、高周波端子パターン１３ｍは回路基板１１の内層の導電パターン１７には接続されていない。
【００１９】
このようにグランド端子パターン１３ｇの他に電極パターン１５を設けることで、実質的にグランド端子パターン１３ｇの面積を広くとることができ、しかも端子パターン（１３ｍ、１３ｇ）及び電極パターン１５を同一面上に形成して端子パターンよりも突出するレジストは存在しない構造としているので、ＲＦ検査用同軸プローブの中心ピンを回路基板１１の高周波端子パターン１３ｍに接触させると、該同軸プローブの同軸グランドピンをグランド端子パターン１３ｇ及び電極パターン１５に確実に接触させることが可能となる。すなわち、同軸プローブを高周波端子パターン１３ｍとグランド端子パターン１３ｇに安定して接触させることが可能となると共に電極パターン１５を追加した分だけ同軸プローブの同軸グランドピンと接触するグラウンド面積を拡大できる。
【００２０】
ところで、電極パターン１５とグランド端子パターン１３ｇを同一面上で一体形成して導通させれば、スルーホール１６と導電パターン１７を介して導通させる構造を採る必要はない。しかしながら、電極パターン１５とグランド端子パターン１３ｇとを同一面上に一体形成して連結した場合には、車載ＥＴＣ装置のマザーボードに実装する際のリフロー工程においてグランド端子パターン１３ｇに盛った半田が電極パターン１５の方に流れてしまう不都合が生じる。半田が流れ出してしまうと、グランド端子パターン１３ｇが車載ＥＴＣ装置のマザーボード側の電極に確実に接続されなくなる虞がある。このような問題を回避するために、電極パターン１５とグランド端子パターン１３ｇを離間させて、リフロー工程においてグランド端子パターン１３ｇから電極パターン１５に半田が流れることがないようにしている。本実施の形態では電極パターン１５に銅箔を用いている。
【００２１】
また、電極パターン１５とグランド端子パターン１３ｇを一体形成して、電極パターン１５とグランド端子パターン１３ｇとの間にレジストを形成して両者間を遮断すれば、該レジストにて半田が流れるのを阻止できる。しかし、レジストを形成した部分が盛り上がることから、その部分に同軸型プローブが当たり、同軸プローブが端子パターンに安定して接触しなくなる。このような理由から電極パターン１５とグランド端子パターン１３ｇを直結させないように分離した構成としている。
【００２２】
このように、本実施の形態のＥＴＣ用モジュール１０によれば、回路基板１１上の高周波端子パターン１３ｍにＲＦ検査用同軸プローブの中心ピンを当てた際に同軸グランドピンが接触する領域にグランド端子パターン１３ｇと導通する半円の円弧状の電極パターン１５を設けたので、高周波端子パターン１３ｍに対する検査時のグラウンド面積を広くとることができる。しかも、高周波端子パターン１３ｍ、グランド端子パターン１３ｇ及び電極パターン１５が同一面上に形成され、これら端子パターンよりも突出するレジストが存在しない構造としたので、同軸型プローブによる押し当て面が平坦になると共にレジストによる障害が無いので、同軸プローブを安定して高周波端子パターン１３ｍ、グランド端子パターン１３ｇ及び電極パターン１５に接触させることができる。したがって、検査時に安定してＲＦ信号の伝送が可能となり、回路機能を確実に検査することができ、検査効率の向上及び検査精度の改善を図ることができる。
【００２３】
なお、本実施の形態では、回路基板１１がサイド電極構造のものであったが、このようなサイド電極構造でなくても良く、回路基板面の内側に配設した端子パターンにも適用可能である。
【００２４】
また、本実施の形態では、高周波端子パターン１３ｍの両側にグランド端子パターン１３ｇを設けたものであったが、片側のみ設けたものであっても構わない。
【００２５】
また、本実施の形態では、同軸プローブの同軸グランドピンの曲率半径に合わせて電極パターン１５の形状を半円の円弧状としたが、この形状に限定されるものではなく、同軸型プローブの同軸グランドピンとの接触面積を十分確保できれば、他の形状であっても良い。
【００２６】
また、本実施の形態では、電極パターン１５とグランド端子パターン１３ｇとの接続に回路基板１１の内層の導電パターン１７を用いたが、回路基板１１の表面１１ａにグラウンド領域を確保できるのであれば、回路基板１１の表面１１ａに導電パターンを形成し、それを介して電極パターン１５とグランド端子パターン１３ｇを接続するようにしても構わない。
【００２７】
また、本実施の形態は、ＥＴＣ用モジュールであったが、高周波信号が入力又は出力される高周波端子パターンを有する様々な種類の回路基板の電極構造にも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００２８】
本発明は、高周波信号が入力又は出力される高周波端子パターンを有する様々な種類の回路基板に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施の形態に係るＥＴＣ用モジュールの外観を示す斜視図
【図２】図１のＥＴＣ用モジュールを構成する回路基板の裏面側を示す平面図
【図３】図２の回路基板の高周波端子パターンとグランド端子パターンと電極パターンの拡大図並びにそれらのＡ−Ａ線断面図及びＢ−Ｂ線断面図
【図４】従来の回路基板の高周波端子パターンとグランド端子パターンと同軸プローブの先端部分を示す図
【符号の説明】
【００３０】
１０      ＥＴＣ用モジュール            １１          回路基板
１２      シートカバー                  １３          端子パターン
１３ｍ    高周波端子パターン            １３ｇ        グランド端子パターン
１５      電極パターン                  １６          スルーホール
１７      導電パターン
【図１】
2008053351.tif 000003
【図２】
2008053351.tif 000004
【図３】
2008053351.tif 000005
【図４】
2008053351.tif 000006