(57)【要約】【課題】本発明は、薄膜技術による端面電極の形成が容易に、かつ確実に行えるとともに、端面電極と上面電極との電気的接続信頼性も確実なものが得られる抵抗器を提供することを目的とするものである。【解決手段】本発明の抵抗器は、基板１１と、この基板１１の一方の主面側に形成され、かつ互いに電気的に接続される上面電極１２，１３，１８および抵抗体１４と、前記基板１１の端面に設けられ、かつ前記上面電極１２，１３，１８と電気的に接続される端面電極２０とを備え、前記端面電極２０を、基板１１の他方の主面側から形成される金属薄膜よりなる第１の端面電極２１と、基板１１の一方の主面側から形成され、かつ第１の端面電極２１と電気的に接続される金属薄膜よりなる第２の端面電極２２とにより構成したものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板の一方の主面側に形成され、かつ互いに電気的に接続される上面電極および抵抗体と、前記基板の端面に設けられ、かつ前記上面電極と電気的に接続される端面電極とを備え、前記端面電極を、基板の一方の主面側または他方の主面側から形成される金属薄膜よりなる第１の端面電極と、基板の他方の主面側または一方の主面側から形成され、かつ第１の端面電極と電気的に接続される金属薄膜よりなる第２の端面電極とにより構成した抵抗器。
【請求項２】
第１の端面電極と第２の端面電極を構成する金属薄膜をスパッタ工法により形成した請求項１記載の抵抗器。
【請求項３】
第１の端面電極をＣｒ薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｃｒ系合金薄膜、Ｔｉ系合金薄膜のいずれかからなる第１の薄膜とこの第１の薄膜と電気的に接続されるＣｕ系の合金薄膜からなる第２の薄膜により構成し、かつ第２の端面電極をＣｒ薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｃｒ系合金薄膜、Ｔｉ系合金薄膜のいずれかからなる第１の薄膜とこの第１の薄膜と電気的に接続されるＣｕ系の合金薄膜からなる第２の薄膜により構成した請求項１記載の抵抗器。
【請求項４】
シート状の基板の上面に互いに電気的に接続される複数対の上面電極および複数の抵抗体を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の上面電極間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の上面電極を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第１の分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の裏面から複数のスリット状の第１の分割部の内面における基板の端面および前記上面電極の端面にかけて略Ｌ字型の第１の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いて前記第１の端面電極に電気的に接続されるように前記上面電極の上面から第１の端面電極にかけて略Ｌ字型の第２の端面電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第１の分割部と直交する方向に複数の第２の分割部を形成する工程とを備えた抵抗器の製造方法。
【請求項５】
シート状の基板の上面に互いに電気的に接続される複数対の上面電極および複数の抵抗体を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の上面電極間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の上面電極を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第１の分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の上面に設けた上面電極の上面から複数のスリット状の第１の分割部の内面における基板の端面にかけて略Ｌ字型の第１の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いて前記第１の端面電極に電気的に接続されるようにシート状の基板の裏面から第１の端面電極にかけて略Ｌ字型の第２の端面電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第１の分割部と直交する方向に複数の第２の分割部を形成する工程とを備えた抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は抵抗器およびその製造方法に関するものであり、特に微小の抵抗器およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の抵抗器としては、図３０に示すような抵抗器が知られている。
【０００３】
図３０に示す抵抗器は、基板１の上面の両端部に位置して基板１の端面より内側に設けた一対の上面電極膜２を跨ぐように抵抗層３を設けるとともに、前記基板１の端面に一対の上面電極膜２と電気的に接続される一対のコ字型の端面電極４を設け、そして前記端面電極４の構造は、上面電極膜２と電気的に接続されるＮｉＣｒ薄膜、Ｔｉ薄膜またはＣｒ薄膜からなるコ字型の第１の金属薄膜５と、この第１の金属薄膜５に重畳する低抵抗のＣｕ薄膜からなる第２の金属薄膜６と、この第２の金属薄膜６に重畳するＮｉめっき膜からなる第１の金属めっき膜７と、この第１の金属めっき膜７に重畳するＰｂ−Ｓｎめっき膜またはＳｎめっき膜からなる第２の金属めっき膜８の４層構造となっていた。
【０００４】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平３−８０５０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した従来の抵抗器においては、端面電極４をスパッタ、イオンプレーティング、Ｐ−ＣＶＤ等の薄膜技術により一対の上面電極膜２と電気的に接続されるようにコ字型に形成しているが、この薄膜技術による端面電極４の形成方法は、どのような方法でコ字型に形成しているのか不明であるとともに、一対の上面電極膜２と端面電極４との電気的接続信頼性が十分であるか否かは不明であるという課題を有していた。
【０００６】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、薄膜技術による端面電極の形成が容易に、かつ確実に行えるとともに、端面電極と上面電極との電気的接続信頼性も確実なものが得られる抵抗器およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【０００８】
本発明の請求項１に記載の発明は、基板と、この基板の一方の主面側に形成され、かつ互いに電気的に接続される上面電極および抵抗体と、前記基板の端面に設けられ、かつ前記上面電極と電気的に接続される端面電極とを備え、前記端面電極を、基板の一方の主面側または他方の主面側から形成される金属薄膜よりなる第１の端面電極と、基板の他方の主面側または一方の主面側から形成され、かつ第１の端面電極と電気的に接続される金属薄膜よりなる第２の端面電極とにより構成したもので、この構成によれば、基板の端面に設けられ、かつ上面電極と電気的に接続される端面電極を、基板の一方の主面側または他方の主面側から形成される金属薄膜よりなる第１の端面電極と、基板の他方の主面側または一方の主面側から形成され、かつ第１の端面電極と電気的に接続される金属薄膜よりなる第２の端面電極とにより構成しているため、薄膜技術による端面電極の形成は、基板の一方の主面側からと、基板の他方の主面側からの二方向から行われることになり、これにより、薄膜技術による端面電極の形成が容易に行えるとともに、品質的にも確実なものが得られるという作用効果を有するものである。
【０００９】
本発明の請求項２に記載の発明は、特に、第１の端面電極と第２の端面電極を構成する金属薄膜をスパッタ工法により形成したもので、この構成によれば、耐久性に優れた均一な厚みの端面電極を得ることができるという作用効果を有するものである。
【００１０】
本発明の請求項３に記載の発明は、特に、第１の端面電極をＣｒ薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｃｒ系合金薄膜、Ｔｉ系合金薄膜のいずれかからなる第１の薄膜とこの第１の薄膜と電気的に接続されるＣｕ系の合金薄膜からなる第２の薄膜により構成し、かつ第２の端面電極をＣｒ薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｃｒ系合金薄膜、Ｔｉ系合金薄膜のいずれかからなる第１の薄膜とこの第１の薄膜と電気的に接続されるＣｕ系の合金薄膜からなる第２の薄膜により構成したもので、この構成によれば、Ｃｒ薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｃｒ系合金薄膜、Ｔｉ系合金薄膜のいずれかからなる第１の薄膜とこの第１の薄膜と電気的に接続されるＣｕ系の合金薄膜からなる第２の薄膜により構成しているため、第１の薄膜と第２の薄膜との界面においては、Ｃｕ系の合金薄膜を構成する添加金属と第１の薄膜の構成金属とが全率固溶体を構成することになり、これにより、第１の薄膜と第２の薄膜との密着力が向上して信頼性を高めることができるという作用効果を有するものである。
【００１１】
本発明の請求項４に記載の発明は、シート状の基板の上面に互いに電気的に接続される複数対の上面電極および複数の抵抗体を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の上面電極間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の上面電極を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第１の分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の裏面から複数のスリット状の第１の分割部の内面における基板の端面および前記上面電極の端面にかけて略Ｌ字型の第１の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いて前記第１の端面電極に電気的に接続されるように前記上面電極の上面から第１の端面電極にかけて略Ｌ字型の第２の端面電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第１の分割部と直交する方向に複数の第２の分割部を形成する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の裏面から複数のスリット状の第１の分割部の内面における基板の端面および前記上面電極の端面にかけて略Ｌ字型の第１の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いて前記第１の端面電極に電気的に接続されるように前記上面電極の上面から第１の端面電極にかけて略Ｌ字型の第２の端面電極を形成する工程を備えているため、上面電極と端面電極との電気的接続は第１の端面電極の形成と第２の端面電極の形成により確実なものが得られ、これにより、上面電極と端面電極との電気的接続信頼性を高めることができるという作用効果を有するものである。
【００１２】
本発明の請求項５に記載の発明は、シート状の基板の上面に互いに電気的に接続される複数対の上面電極および複数の抵抗体を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の上面電極間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の上面電極を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第１の分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の上面に設けた上面電極の上面から複数のスリット状の第１の分割部の内面における基板の端面にかけて略Ｌ字型の第１の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いて前記第１の端面電極に電気的に接続されるようにシート状の基板の裏面から第１の端面電極にかけて略Ｌ字型の第２の端面電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第１の分割部と直交する方向に複数の第２の分割部を形成する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の上面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板の上面に設けた上面電極の上面から複数のスリット状の第１の分割部の内面における基板の端面にかけて略Ｌ字型の第１の端面電極を形成する工程と、前記スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側に、薄膜技術を用いて前記第１の端面電極に電気的に接続されるようにシート状の基板の裏面から第１の端面電極にかけて略Ｌ字型の第２の端面電極を形成する工程を備えているため、上面電極と端面電極との電気的接続は第１の端面電極の形成と第２の端面電極の形成により確実なものが得られ、これにより、上面電極と端面電極との電気的接続信頼性を高めることができるという作用効果を有するものである。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように本発明の抵抗器は、基板の端面に設けられ、かつ上面電極と電気的に接続される端面電極を、基板の一方の主面側または他方の主面側から形成される金属薄膜よりなる第１の端面電極と、基板の他方の主面側または一方の主面側から形成され、かつ第１の端面電極と電気的に接続される金属薄膜よりなる第２の端面電極とにより構成しているため、薄膜技術による端面電極の形成は、基板の一方の主面側からと、基板の他方の主面側からの二方向から行われることになり、これにより、薄膜技術による端面電極の形成が容易に行えるとともに、品質的にも確実なものが得られるという優れた効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における抵抗器およびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００１５】
図１は本発明の実施の形態１における抵抗器の断面図である。
【００１６】
図１において、１１は焼成済みの９６％純度のアルミナからなるシート状の基板をスリット状の第１の分割部とこの第１の分割部と直交関係にある第２の分割部で分割することにより個片化された基板である。１２は基板１１の一主面（上面）に形成された一対の第１の上面電極層で、この第１の上面電極層１２はＡｕ系の導電性ペーストからなり、少なくとも抵抗値修正（レーザートリミング）時の検針接触領域を大きくするためのものである。１３は前記一対の第１の上面電極層１２に少なくとも一部が重なるように設けられた銀を主成分とする一対の第２の上面電極層で、この第２の上面電極層１３は基板１１の端縁よりも内側に設けている。１４は前記一対の第２の上面電極層１３に一部が重なるように、すなわち電気的に接続されるように基板１１の上面に形成された酸化ルテニウム系の抵抗体である。１５は抵抗体１４の上面に形成されたガラスを主成分とする第１の保護層である。１６は前記一対の第２の上面電極層１３間の抵抗体１４の抵抗値を修正するために設けられたトリミング溝である。１７は前記一対の第１の上面電極層１２の一部および第２の上面電極層１３の一部に重なるように設けられた銀系の導電性樹脂からなる一対の密着層で、この一対の密着層１７と前記一対の第１の上面電極層１２および第２の上面電極層１３とで一対の上面電極１８を構成している。また前記第１の上面電極層１２と密着層１７は、基板１１の端縁において面一となるように構成している。そしてまた前記密着層１７は、厚み方向における最大の高さを第１の上面電極層１２の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成している。１９は前記ガラスを主成分とする第１の保護層１５を覆うとともに第２の上面電極層１３の一部に重なるように形成された樹脂を主成分とする第２の保護層である。２０は基板１１の端縁に設けられ、かつ前記一対の上面電極１８に電気的に接続される一対の端面電極で、この一対の端面電極２０は第１の端面電極２１と第２の端面電極２２とにより略コの字型に構成されているものである。そして前記第１の端面電極２１は、基板１１の裏面側から形成されるもので、基板１１の端縁側に位置して、基板１１の裏面の端部を覆うとともに、基板１１の端面、第１の上面電極層１２の端面および密着層１７の端面に重なるように略Ｌ字型に形成された第１の薄膜２３と、この第１の薄膜２３に重なるように形成され、かつ第１の薄膜２３と電気的に接続される略Ｌ字型の第２の薄膜２４により構成されている。また前記第２の端面電極２２は、基板１１の上面側から形成されるもので、略Ｌ字型の第１の薄膜２５と、この第１の薄膜２５に重なるように形成され、かつ第１の薄膜２５と電気的に接続される略Ｌ字型の第２の薄膜２６により構成されている。そして前記第１の薄膜２５は、密着層１７の上面を覆うとともに、第１の端面電極２１における第２の薄膜２４の一部に重なるように略Ｌ字型に形成されている。２７は前記第１の端面電極２１における第２の薄膜２４の一部および第２の端面電極２２における第２の薄膜２６を覆うとともに、露出している密着層１７の端面および第２の上面電極層１３の上面を覆うように形成されたニッケルめっきからなる第１のめっき膜、２８は前記第１のめっき膜２７を覆うように形成されたスズめっきからなる第２のめっき膜である。
【００１７】
上記構成においては、一対の上面電極１８を、第１の上面電極層１２と、この第１の上面電極層１２に少なくとも一部が重なるように設けられた第２の上面電極層１３と、前記第１の上面電極層１２および第２の上面電極層１３に重なる密着層１７の複層構造により構成しているため、基板１１の端縁に設けられ、かつ一対の上面電極１８に電気的に接続される一対の端面電極２０における第１の端面電極２１を薄膜で形成する場合、一対の上面電極１８を、第１の上面電極層１２と、第２の上面電極層１３と、密着層１７の複層構造により構成していることにより、一対の端面電極２０と一対の上面電極１８との接続面積を大きくすることができ、これにより、上面電極１８と端面電極２０との電気的接続信頼性を高めることができるものである。
【００１８】
また上面電極１８を構成する第１の上面電極層１２、第２の上面電極層１３および密着層１７のうち、第１の上面電極層１２と密着層１７を、基板１１の端縁において面一となるように構成しているため、基板１１の端縁に設けられ、かつ一対の上面電極１８に電気的に接続される一対の端面電極２０における第１の端面電極２１を薄膜で形成する場合、基板１１の端縁と第１の上面電極層１２および密着層１７の基板端縁側に薄膜からなる第１の端面電極２１を連続して安定した状態に形成することができるものである。
【００１９】
そしてまた上面電極１８を構成する第１の上面電極層１２、第２の上面電極層１３および密着層１７のうち、第２の上面電極層１３のみが抵抗体１４と電気的に接続される構成としているため、密着層１７を形成しても抵抗値が変化することはなく、これにより、オーミックコンタクトを良好に保つことができるため、抵抗値修正後の抵抗値変化がない信頼性の高い抵抗器が得られるものである。
【００２０】
さらに上面電極１８を構成する第１の上面電極層１２、第２の上面電極層１３および密着層１７のうち、密着層１７の厚み方向における最大の高さを第１の上面電極層１２の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成しているため、基板１１の端縁に設けられ、かつ一対の上面電極１８に電気的に接続される一対の端面電極２０における第１の端面電極２１を薄膜で形成する場合、密着層１７の存在により、上面電極１８と薄膜からなる端面電極２０における第１の端面電極２１の接触面積を大きくすることができ、これにより、上面電極１８と端面電極２０における第１の端面電極２１の電気的接続信頼性を高めることができるものである。
【００２１】
以上のように構成された本発明の実施の形態１における抵抗器について、次にその製造方法を図面を参照しながら説明する。
【００２２】
図２は本発明の実施の形態１における抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の全周囲の端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図、図３（ａ）（ｂ）、図５（ａ）（ｂ）、図７（ａ）（ｂ）、図９（ａ）（ｂ）、図１１（ａ）（ｂ）、図１３、図１５（ａ）（ｂ）、図１７（ａ）（ｂ）および図１９（ａ）（ｂ）は本発明の実施の形態１における抵抗器の製造工程を示す断面図、図４（ａ）（ｂ）、図６（ａ）（ｂ）、図８（ａ）（ｂ）、図１０（ａ）（ｂ）、図１２（ａ）（ｂ）、図１４、図１６（ａ）（ｂ）、図１８（ａ）（ｂ）および図２０（ａ）（ｂ）は本発明の実施の形態１における抵抗器の製造工程を示す上面図である。
【００２３】
まず、図２、図３（ａ）、図４（ａ）に示すように、焼成済みの９６％純度のアルミナからなる厚み０．２ｍｍの絶縁性を有するシート状の基板３１を準備する。この場合、シート状の基板３１は、図２に示すように、全周囲の端部に最終的には製品とならない不要領域部３１ａを有しているものである。そしてこの不要領域部３１ａは略ロ字状に構成されているものである。
【００２４】
次に、図２、図３（ｂ）、図４（ｂ）に示すように、シート状の基板３１の上面にスクリーン印刷工法によりＡｕ系の導電性ペーストからなる複数対の第１の上面電極層３２を形成し、ピーク温度８５０℃の焼成プロファイルで焼成することにより、第１の上面電極層３２を安定な膜とした。
【００２５】
次に、図２、図５（ａ）、図６（ａ）に示すように、前記第１の上面電極層３２に少なくとも一部が重なるように、シート状の基板３１の上面にスクリーン印刷工法により銀を主成分とする複数対の第２の上面電極層３３を形成し、ピーク温度８５０℃の焼成プロファイルで焼成することにより、第２の上面電極層３３を安定な膜とした。
【００２６】
次に、図２、図５（ｂ）、図６（ｂ）に示すように、複数対の第２の上面電極層３３を跨ぐように、スクリーン印刷工法により酸化ルテニウム系の複数の抵抗体３４を形成し、ピーク温度８５０℃の焼成プロファイルで焼成することにより、抵抗体３４を安定な膜とした。
【００２７】
次に、図７（ａ）、図８（ａ）に示すように、複数の抵抗体３４の一部を覆うように、スクリーン印刷工法によりガラスを主成分とする複数の第１の保護層３５を形成し、ピーク温度６００℃の焼成プロファイルで焼成することにより、ガラスを主成分とする第１の保護層３５を安定な膜とした。
【００２８】
次に、図７（ｂ）、図８（ｂ）に示すように、複数対の第２の上面電極層３３間の抵抗体３４の抵抗値を一定の値に修正するために、レーザートリミング工法によりトリミングを行い、複数のトリミング溝３６を形成した。
【００２９】
次に、図９（ａ）、図１０（ａ）に示すように、複数対の第１の上面電極層３２の一部および第２の上面電極層３３の一部に重なるように、スクリーン印刷工法により銀系の導電性樹脂からなる複数対の密着層３７を形成し、ピーク温度２００℃の硬化プロファイルで硬化することにより、密着層３７を安定な膜とした。
【００３０】
次に、図９（ｂ）、図１０（ｂ）に示すように、図面上の縦方向に並ぶガラスを主成分とする複数の第１の保護層３５の全部を覆うとともに、抵抗体３４の一部および第２の上面電極層３３の一部を覆うように、スクリーン印刷工法により樹脂を主成分とする複数の第２の保護層３８を形成し、ピーク温度２００℃の硬化プロファイルで硬化することにより、第２の保護層３８を安定な膜とした。
【００３１】
次に、図２、図１１（ａ）、図１２（ａ）に示すように、第２の保護層３８を形成したシート状の基板３１の全周囲の端部に形成された不要領域部３１ａを除いて、複数対の第１の上面電極層３２および密着層３７を分離して複数の短冊状基板３１ｂに分割するためのスリット状の第１の分割部３９をダイシング工法により複数形成する。この場合、複数のスリット状の第１の分割部３９は７００μｍピッチで形成されており、かつこのスリット状の第１の分割部３９の幅は１２０μｍ幅となっている。また前記複数のスリット状の第１の分割部３９は、シート状の基板３１を上下方向に貫通する貫通孔で形成されているものである。そしてまた前記シート状の基板３１は、不要領域部３１ａを除いてダイシング工法により複数のスリット状の第１の分割部３９を形成しているため、スリット状の第１の分割部３９を形成した後も複数の短冊状基板３１ｂは不要領域部３１ａにつながっているため、シート状態を呈しているものである。
【００３２】
次に、図１１（ｂ）、図１２（ｂ）に示すように、マスク（図示せず）を用いたスパッタ工法により、シート状の基板３１の裏面側から、基板３１の裏面の一部と複数のスリット状の第１の分割部３９の内面における基板３１の端面、第１の上面電極層３２の端面および密着層３７の端面に、第１の端面電極４０の一部を構成する基板３１への付着性が良いＣｒ薄膜からなる複数対の第１の薄膜４１を略Ｌ字型に形成する。
【００３３】
次に、図１３、図１４に示すように、マスク（図示せず）を用いたスパッタ工法により、シート状の基板３１の裏面側から、複数対の第１の薄膜４１に重なるように、第１の端面電極４０の一部を構成するＣｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる複数対の第２の薄膜４２を略Ｌ字型に形成する。この第２の薄膜４２と前記第１の薄膜４１により第１の端面電極４０を構成している。
【００３４】
次に、図１５（ａ）、図１６（ａ）に示すように、マスク（図示せず）を用いたスパッタ工法により、シート状の基板３１の上面側から、密着層３７の上面を覆うとともに、前記第１の端面電極４０における第２の薄膜４２の一部に重なるように、第２の端面電極４３の一部を構成するＣｒ薄膜からなる複数対の第１の薄膜４４を略Ｌ字型に形成する。
【００３５】
次に、図１５（ｂ）、図１６（ｂ）に示すように、マスク（図示せず）を用いたスパッタ工法により、シート状の基板３１の上面側から、複数対の第１の薄膜４４に重なるように、第２の端面電極４３の一部を構成するＣｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる複数対の第２の薄膜４５を略Ｌ字型に形成する。この第２の薄膜４５と前記第１の薄膜４４により第２の端面電極４３を構成している。
【００３６】
このように略Ｌ字型の第１の端面電極４０を基板３１の裏面側から形成するとともに、略Ｌ字型の第２の端面電極４３を基板３１の上面側から形成することにより、略コの字型の端面電極４６が構成されるものである。
【００３７】
次に、図２、図１７（ａ）（ｂ）、図１８（ａ）（ｂ）に示すように、シート状の基板３１の全周囲の端部に形成された不要領域部３１ａを除いて、シート状の基板３１における複数の短冊状基板３１ｂに、複数の抵抗体３４が個々に分離されて個片状基板３１ｃに分割されるようにスリット状の第１の分割部３９と直交する方向に複数の第２の分割部４７を形成する。この場合、複数の第２の分割部４７は４００μｍピッチで形成されるため、第２の分割部４７の幅は１００μｍ幅となっている。またこの複数の第２の分割部４７はレーザースクライブにより形成しているもので、まず、図２、図１７（ａ）、図１８（ａ）に示すようにレーザーにより分割溝を形成し、その後、図１７（ｂ）、図１８（ｂ）に示すように一般的な分割設備により分割溝の部分を分割して個片状基板３１ｃに分割するようにしている。すなわち、この分割方法は、第２の分割部４７を形成する毎に個片化されるのではなく、２段階で個片化されるという作用を有するものである。そしてまたこの複数の第２の分割部４７は不要領域部３１ａを除いて複数の短冊状基板３１ｂにレーザースクライブにより形成するようにしているため、この複数の第２の分割部４７を形成する毎に個片状基板３１ｃに分割され、そしてこの個片状基板３１ｃは不要領域部３１ａから分離されるものである。
【００３８】
次に、図１９（ａ）、図２０（ａ）に示すように、電気めっき工法を用いて、第１の端面電極４０における第２の薄膜４２の一部および第２の端面電極４３における第２の薄膜４５を覆うとともに、露出している密着層３７の端面および第２の上面電極層３３の上面を覆うように、厚みが約２〜６μｍで、かつはんだの拡散防止または耐熱性に優れるニッケルめっきからなる第１のめっき膜４８を形成する。
【００３９】
最後に、図１９（ｂ）、図２０（ｂ）に示すように、電気めっき工法を用いて、ニッケルめっきからなる第１のめっき膜４８を覆うように、厚みが約３〜８μｍで、かつはんだ付着性のよいスズめっきからなる第２のめっき膜４９を形成する。
【００４０】
以上の製造工程により、本発明の実施の形態１における抵抗器は製造されるものである。
【００４１】
なお、上記製造工程においては、第２のめっき膜４９をスズめっきで構成しているが、これに限定されるものではなく、スズ合金系の材料、例えば、はんだ等からなるめっきでもよく、これらの材料で構成した場合は、リフローはんだ付け時に安定したはんだ付けができるものである。
【００４２】
また上記製造工程においては、抵抗体３４等を覆う保護層を、抵抗体３４を覆うガラスを主成分とする第１の保護層３５と、この第１の保護層３５を覆うとともにトリミング溝３６を覆う樹脂を主成分とする第２の保護層３８の２層で構成しているため、前記第１の保護層３５でレーザートリミング時のクラックの発生を防止して電流雑音を小さくできるとともに、前記樹脂を主成分とする第２の保護層３８で抵抗体３４全体が覆われるため、耐湿性に優れた抵抗特性を確保できるものである。
【００４３】
そしてまた上記製造工程により製造した抵抗器は、ダイシング工法により形成されたスリット状の第１の分割部３９およびレーザースクライブにより形成された第２の分割部４７の間隔が正確（±０．００５ｍｍ以内）であるとともに、端面電極４６を構成する第１の端面電極４０、第２の端面電極４３の厚みおよび第１のめっき膜４８、第２のめっき膜４９の厚みも正確であるため、製品である抵抗器の全長および全幅は、正確に長さ０．６ｍｍ×幅０．３ｍｍとなるものである。また第１の上面電極層３２および抵抗体３４のパターン精度も個片状基板の寸法ランク分類が不要であるとともに同一の個片状基板の寸法ランク内での寸法バラツキを考慮する必要がないため、抵抗体３４の有効面積も従来品に比べて大きくとることができるものである。すなわち、従来品における抵抗体は長さ約０．２０ｍｍ×幅０．１９ｍｍであったのに対し、本発明の実施の形態１における抵抗器の抵抗体３４は長さ約０．２５ｍｍ×幅０．２４ｍｍとなって面積では約１．６倍以上となるものである。
【００４４】
さらに上記製造工程においては、複数のスリット状の第１の分割部３９をダイシング工法を用いて形成するとともに、個片状基板の寸法分類が不要なシート状の基板３１を用いているため、従来のような個片状基板の寸法分類は不要となり、これにより工程の煩雑さをなくすることができるとともに、ダイシングも半導体等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことができるものである。
【００４５】
さらにまた上記製造工程においては、シート状の基板３１は全周囲の端部に最終的には製品とならない不要領域部３１ａを形成し、かつ複数のスリット状の第１の分割部３９は複数の短冊状基板３１ｂが前記不要領域部３１ａにつながった状態となるようにシート状の基板３１に形成しているため、複数のスリット状の第１の分割部３９を形成した後も複数の短冊状基板３１ｂは不要領域部３１ａにつながっており、そのため、シート状の基板３１が複数の短冊状基板３１ｂに細かく分離されるということはなく、したがって、複数のスリット状の第１の分割部３９を形成した後も、不要領域部３１ａを有するシート状の基板３１の状態で後工程を行うことができるため、工法設計が簡略化できるものである。
【００４６】
また上記製造工程においては、上面電極を構成する第１の上面電極層３２、第２の上面電極層３３および密着層３７のうち、第１の上面電極層３２をＡｕ系の導電性ペーストで構成しているため、多数個取りのシート状の基板３１を短冊状あるいは個片に分割する際、第１の上面電極層３２が分割加工しやすく、これにより、第１の上面電極層３２の剥離やバリ等の発生を防止することができるものである。
【００４７】
そしてまた上記製造工程においては、スリット状の第１の分割部３９が複数形成された状態のシート状の基板３１の裏面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板３１の裏面から複数のスリット状の第１の分割部３９の内面における基板３１の端面、第１の上面電極層３２の端面および密着層３７の端面にかけて略Ｌ字型の第１の端面電極４０を形成する工程と、前記スリット状の第１の分割部３９が複数形成された状態のシート状の基板３１の上面側に、薄膜技術を用いて前記第１の端面電極４０に電気的に接続されるように略Ｌ字型の第２の端面電極４３を形成する工程を備えているため、上面電極と端面電極との電気的接続は第１の端面電極４０の形成と第２の端面電極４３の形成により確実なものが得られ、これにより、上面電極と端面電極との電気的接続信頼性を高めることができるものである。
【００４８】
さらに上記製造工程においては、第１の端面電極４０を構成する第１の薄膜４１と第２の薄膜４２をマスク（図示せず）を用いたスパッタ工法により形成しているが、これに限定されるものではなく、上記マスク（図示せず）を用いずに、シート状の基板の裏面全体にスパッタ工法により薄膜を形成しておき、その後、裏面全体に形成された薄膜の不要部分、すなわち裏面の略中央部分をレーザー照射により剥離除去して第１の端面電極４０における裏面部分を形成するようにしてもよいものである。
【００４９】
次に、上記製造工程における第１の端面電極４０の一部を構成する第２の薄膜４２および第２の端面電極４３の一部を構成する第２の薄膜４５について詳述する。
【００５０】
第２の薄膜４２，４５の材料はＣｕ系の合金薄膜のうち、特にＣｕ−Ｎｉ合金薄膜が好ましい。
【００５１】
Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜は、添加材料のＮｉが合金薄膜主元素のＣｕおよび第１の薄膜４１，４４に対してＣｕの全組成比率（範囲）においてＮｉが均一に溶け合うという「全率固溶体」を構成する。そのため、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる第２の薄膜４２，４５と第１の薄膜４１，４４との界面にはＮｉが拡散することになって強固な密着部を形成することになり、これにより、密着性の向上が図れる。また、第２の薄膜４５の最表面に存在するＮｉは、第１のめっき膜４８に用いられるニッケルめっきを形成するためのめっき浴で第２の薄膜４５の表面に対して防食性を高める効果があるため、第１のめっき膜４８と第２の薄膜４５の界面における密着性についても向上が図れる。
【００５２】
ここで、本発明の実施の形態１における「全率固溶体」とは、図２１に示す第２の薄膜を構成するＣｕ−Ｎｉ合金薄膜の平衡状態図の通りである。図２１において、横軸にＮｉ金属の添加量を、縦軸に温度をとると、実線で示す液相線より高い温度では液相状態であり、点線で示す固相線より低い温度では固相状態であり、これらの実線および点線で囲まれた領域は固相と液相とが混じり合った状態、つまり「全率固溶体」である。すなわち、本発明の実施の形態１におけるＣｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる第２の薄膜４２，４５は、母体金属である面心立方格子のＣｕ金属中に、同じ面心立方格子の結晶構造を有するＮｉ金属原子が溶け込んで一つの相である面心立方格子構造の置換型固溶体を全組成範囲に亘って形成するものである。
【００５３】
また、図２２はＣｒ薄膜からなる第１の薄膜４１，４４とＣｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる第２の薄膜４２，４５のＳＩＭＳによる組成分析結果を示したものである。この時の第２の薄膜４２，４５のＮｉ添加量は６．２ｗｔ％である。図２２は横軸にＣｕ−Ｎｉ合金薄膜の表面からの膜厚をスパッタリング時間で示し、かつ縦軸は各層でのＣｕ，Ｎｉ，Ｃｒ等の原子数を示したものである。この図２２から明らかなように、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜層とＣｒ薄膜層との界面にはＣｕ，ＮｉおよびＣｒが各々存在する拡散層があるものの、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜層の表面からＣｒ薄膜層との界面までの間においては、Ｃｕ金属中にＮｉ金属が均一に存在しているものである。これは、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる第２の薄膜４２，４５が、Ｃｕ金属中にＮｉ金属が完全に溶け込んで一つの相を形成する「全率固溶体」であることを示しているものである。またこの図２２では、Ｎｉ添加量を６．２ｗｔ％としたが、Ｎｉ添加量は全組成範囲において図２２に示したものと同一の結果が得られるものである。
【００５４】
次に、上記のように構成された本発明の実施の形態１における抵抗器において、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜を第２の薄膜４２，４５として用いた特性について説明する。
【００５５】
特性を説明する試験方法としては、「めっきの密着性試験方法／ＪＩＳ  Ｈ８５０４Ｃ」に規定された方法により実施し、試験用テープには図２３（ａ）（ｂ）に示すように、「セロハン粘着テープ／ＪＩＳ  Ｚ  １５２２」に規定された幅１８ｍｍの粘着テープ５０を使用した。この時、粘着テープ５０の引き剥がし方向は、「ＪＩＳ  Ｈ  ８５０４」に記載の図２３（ａ）（ｂ）に示すように、アルミナ基板５１に対して垂直方向または傾斜する方向とした。
【００５６】
すなわち、この試験方法は、試験片としてアルミナ基板５１を用い、このアルミナ基板５１の側面部分に第１の薄膜４１，４４としてＣｕ薄膜をスパッタ工法で形成し、次に、この第１の薄膜４１，４４の上に第２の薄膜４２，４５としてＣｕ−Ｎｉ合金薄膜を第１の薄膜４１，４４と同様、スパッタ工法で構成する。その後、レーザーを用いてパターン幅０．３ｍｍのパターンを形成する。
【００５７】
その後、温度６５℃で湿度９５％の条件における加速試験を行い、次に、第２の薄膜４２，４５の表面に粘着テープ５０を密着させた後、この粘着テープ５０を一気に引き剥がし、全パターン数に対して第２の薄膜４２，４５が剥離したパターン数の比率を求め、密着性の評価を行った。
【００５８】
また第１のめっき膜４８と第２の薄膜４５の界面の密着性の評価用試験片については、第２の薄膜４５を形成した後、第１のめっき膜４８としてニッケルめっきを、さらに第２のめっき膜４９としてはんだめっきを電解めっきで形成したものを用いた。
【００５９】
評価は、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜中のＮｉ添加量が「１．６ｗｔ％」「６．２ｗｔ％」「１２．６ｗｔ％」であるものと、Ｎｉ添加量が「０ｗｔ％」であるものについて行った。
【００６０】
（表１）は、加速試験５００時間後の第２の薄膜４２，４５と第１の薄膜４１，４４の界面における剥離率の評価結果を示したものである。
【００６１】
【表１】
2008053744.tif 000003
【００６２】
（表１）から明らかなように、Ｃｕ薄膜中にＮｉを添加することにより、第２の薄膜４２，４５と第１の薄膜４１，４４の界面における密着性が大幅に向上するものである。
【００６３】
（表２）は、加速試験５００時間後の第１のめっき膜４８と第２の薄膜４５の界面における剥離率の評価結果を示したものである。
【００６４】
【表２】
2008053744.tif 000004
【００６５】
（表２）から明らかなように、Ｃｕ薄膜中にＮｉを添加することにより、第１のめっき膜４８と第２の薄膜４５の界面における密着性が大幅に向上するものである。
【００６６】
なお、上記本発明の実施の形態１においては、第１の薄膜４１，４４と第２の薄膜４２，４５をスパッタ工法を用いて形成したものについて説明したが、このスパッタ工法に限定されるものではなく、その他の工法である真空蒸着法、イオンプレーティング法、Ｐ−ＣＶＤ等の薄膜技術により第１の薄膜４１，４４と第２の薄膜４２，４５を形成した場合においても、本発明の実施の形態１と同様の効果が得られるものである。
【００６７】
また上記本発明の実施の形態１においては、第１の薄膜４１，４４をＣｒ薄膜で形成したものについて説明したが、このＣｒ薄膜に限定されるものではなく、基板への付着性が良いその他のＣｒ−Ｓｉ合金薄膜、Ｎｉ−Ｃｒ合金薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｔｉ系合金薄膜等の材料で第１の薄膜４１，４４を形成した場合においても、本発明の実施の形態１と同様の効果が得られるものである。
【００６８】
そしてまた上記本発明の実施の形態１においては、最終的には製品とならない不要領域部３１ａをシート状の基板３１の全周囲の端部に形成して略ロ字状に構成したものについて説明したが、この不要領域部３１ａはシート状の基板３１の全周囲の端部に必ずしも形成する必要はなく、例えば、図２４に示すようにシート状の基板３１の一端部に不要領域部３１ｄを形成した場合、図２５に示すようにシート状の基板３１の両端部に不要領域部３１ｅを形成した場合、図２６に示すようにシート状の基板３１の３つの端部に不要領域部３１ｆを形成した場合においても、上記本発明の実施の形態１と同様の効果が得られるものである。
【００６９】
また上記本発明の実施の形態１においては、複数の第２の分割部４７をレーザースクライブにより形成したものについて説明したが、この第２の分割部４７は、スリット状の第１の分割部３９と同様にダイシング工法を用いて形成するようにしてもよいものである。この場合、ダイシングは半導体等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことができるものである。
【００７０】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２における抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
【００７１】
図２７は本発明の実施の形態２における抵抗器の断面図である。
【００７２】
図２７において、６１は焼成済みの９６％純度のアルミナからなるシート状の基板をスリット状の第１の分割部とこの第１の分割部と直交関係にある第２の分割部で分割することにより個片化された基板である。６２は基板６１の一主面（上面）に形成された銀を主成分とする一対の第１の上面電極層である。６３は一対の第１の上面電極層６２に一部が重なるように、すなわち電気的に接続されるように基板６１の上面に形成された酸化ルテニウム系の抵抗体である。６４は抵抗体６３の上面に形成されたガラスを主成分とする第１の保護層である。６５は一対の第１の上面電極層６２間の抵抗体６３の抵抗値を修正するために設けられたトリミング溝である。６６はガラスを主成分とする第１の保護層６４を覆うとともに、一対の第１の上面電極層６２の一部に重なるように形成された樹脂を主成分とする第２の保護層である。６７は一対の第１の上面電極層６２の一部に重なるように設けられた銀系の導電性樹脂からなる一対の密着層で、この一対の密着層６７と前記一対の第１の上面電極層６２とで一対の上面電極６８を構成している。また前記第１の上面電極層６２と密着層６７は、基板６１の端縁において面一となるように構成している。そしてまた前記密着層６７は、厚み方向における最大の高さを第１の上面電極層６２の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成している。
【００７３】
６９は基板６１の端縁に設けられ、かつ前記一対の上面電極６８に電気的に接続される一対の端面電極で、この一対の端面電極６９は第１の端面電極７０と第２の端面電極７１とにより略コの字型に構成されているものである。そして前記第１の端面電極７０は、基板６１の裏面側から形成されるもので、基板６１の端縁側に位置して、基板６１の裏面の端部を覆うとともに、基板６１の端面、第１の上面電極層６２の端面および密着層６７の端面に重なるように略Ｌ字型に形成された第１の薄膜７２と、この第１の薄膜７２に重なるように形成され、かつ第１の薄膜７２と電気的に接続される略Ｌ字型の第２の薄膜７３により構成されている。また前記第２の端面電極７１は、基板６１の上面側から形成されるもので、略Ｌ字型の第１の薄膜７４と、この第１の薄膜７４に重なるように形成され、かつ第１の薄膜７４と電気的に接続される略Ｌ字型の第２の薄膜７５により構成されている。そして前記第１の薄膜７４は、密着層６７の上面を覆うとともに、第１の端面電極７０における第２の薄膜７３の一部に重なるように略Ｌ字型に形成されている。７６は前記第１の端面電極７０における第２の薄膜７３の一部および第２の端面電極７１における第２の薄膜７５を覆うとともに、露出している密着層６７の端面および第１の上面電極層６２の上面を覆うように形成されたニッケルめっきからなる第１のめっき膜、７７は前記第１のめっき膜７６を覆うように形成されたスズめっきからなる第２のめっき膜である。
【００７４】
上記構成においては、一対の上面電極６８を、第１の上面電極層６２と、この第１の上面電極層６２に重なる密着層６７とにより構成しているため、第１の端面電極７０と第２の端面電極７１とにより構成される一対の端面電極６９と一対の上面電極６８との接続面積を大きくすることができ、これにより、上面電極６８と端面電極６９との電気的接続信頼性を高めることができるものである。
【００７５】
また上面電極６８を構成する第１の上面電極層６２と密着層６７は基板６１の端縁において面一となるように構成しているため、基板６１の端縁に設けられ、かつ上面電極６８に電気的に接続される端面電極６９における第１の端面電極７０を薄膜で形成する場合、基板６１の端縁と第１の上面電極層６２および密着層６７の基板端縁側に薄膜からなる第１の端面電極７０を連続して安定した状態に形成することができるものである。
【００７６】
そしてまた上面電極６８を構成する第１の上面電極層６２と密着層６７のうち、第１の上面電極層６２のみが抵抗体６３と電気的に接続される構成としているため、密着層６７を形成しても抵抗値が変化することはなく、これにより、オーミックコンタクトを良好に保つことができるため、抵抗値修正後の抵抗値変化がない信頼性の高い抵抗器が得られるものである。
【００７７】
さらに上面電極６８を構成する第１の上面電極層６２と密着層６７のうち、密着層６７の厚み方向における最大の高さを第１の上面電極層６２の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成しているため、基板６１の端縁に設けられ、かつ上面電極６８と電気的に接続される端面電極６９における第１の端面電極７０を薄膜で形成する場合、密着層６７の存在により、上面電極６８と薄膜からなる端面電極６９における第１の端面電極７０の接続面積を大きくすることができ、これにより、上面電極６８と端面電極６９における第１の端面電極７０の電気的接続信頼性を高めることができるものである。
【００７８】
さらにまた上面電極６８を構成する第１の上面電極層６２は銀系の材料で構成するとともに、密着層６７は銀系の導電性樹脂で構成しているもので、この構成によれば、第１の上面電極層６２の形成温度が８５０℃近辺で、かつ密着層６７の形成温度が２００℃近辺となるため、抵抗値修正を行った後の抵抗値変化が発生することもなくなるものである。
【００７９】
なお、上記本発明の実施の形態２における抵抗器と、本発明の実施の形態１における抵抗器との相違点は、本発明の実施の形態１における抵抗器が上面電極１８を第１の上面電極層１２と、第２の上面電極層１３および密着層１７の三者で構成しているのに対し、本発明の実施の形態２における抵抗器は、上面電極６８を第１の上面電極層６２と密着層６７の二者で構成している点で相違するだけで、その他の構成および製造方法は同じであり、したがって、本発明の実施の形態２における抵抗器は本発明の実施の形態１における抵抗器と実質的に同様の作用効果を有するものである。
【００８０】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３における抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
【００８１】
図２８は本発明の実施の形態３における抵抗器の断面図である。
【００８２】
図２８において、８１は焼成済みの９６％純度のアルミナからなるシート状の基板をスリット状の第１の分割部とこの第１の分割部と直交関係にある第２の分割部で分割することにより個片化された基板である。８２は基板８１の一主面（上面）に形成された一対の第１の上面電極層で、この第１の上面電極層８２はＡｕ系の導電性ペーストからなり、少なくとも抵抗値修正（レーザートリミング）時の検針接触領域を大きくするためのものである。８３は前記一対の第１の上面電極層８２に少なくとも一部が重なるように設けられた銀を主成分とする一対の第２の上面電極層で、この第２の上面電極層８３は基板８１の端縁よりも内側に設けている。８４は前記一対の第２の上面電極層８３に一部が重なるように、すなわち電気的に接続されるように基板８１の上面に形成された酸化ルテニウム系の抵抗体である。８５は抵抗体８４の上面に形成されたガラスを主成分とする第１の保護層である。８６は前記一対の第２の上面電極層８３間の抵抗体８４の抵抗値を修正するために設けられたトリミング溝である。８７は前記一対の第１の上面電極層８２の一部および第２の上面電極層８３の一部に重なるように設けられた銀系の導電性樹脂からなる一対の密着層で、この一対の密着層８７と前記一対の第１の上面電極層８２および第２の上面電極層８３とで一対の上面電極８８を構成している。また前記第１の上面電極層８２と密着層８７は、基板８１の端縁において面一となるように構成している。そしてまた前記密着層８７は、厚み方向における最大の高さを第１の上面電極層８２の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成している。８９は前記ガラスを主成分とする第１の保護層８５を覆うとともに第２の上面電極層８３の一部に重なるように形成された樹脂を主成分とする第２の保護層である。９０は基板８１の端縁に設けられ、かつ前記一対の上面電極８８に電気的に接続される一対の端面電極で、この一対の端面電極９０は第１の端面電極９１と第２の端面電極９２とにより略コの字型に構成されているものである。そして前記第１の端面電極９１は、薄膜技術を用いて基板８１の上面側から形成されるもので、基板８１の端縁側に位置して、密着層８７の上面を覆うとともに、密着層８７の端面、第１の上面電極層８２の端面および基板８１の端面に重なるように略Ｌ字型に形成された第１の薄膜９３と、この第１の薄膜９３に重なるように形成され、かつ第１の薄膜９３と電気的に接続される略Ｌ字型の第２の薄膜９４により構成されている。また前記第２の端面電極９２は、薄膜技術を用いて第１の端面電極９１を形成した後、基板８１の裏面側から形成されるもので、略Ｌ字型の第１の薄膜９５と、この第１の薄膜９５に重なるように形成され、かつ第１の薄膜９５と電気的に接続される略Ｌ字型の第２の薄膜９６により構成されている。そして前記第１の薄膜９５は、基板８１の裏面の端部を覆うとともに、第１の端面電極９１における第２の薄膜９４の一部に重なるように略Ｌ字型に形成されている。９７は前記第２の端面電極９２における第２の薄膜９６および第１の端面電極９１における第２の薄膜９４の一部を覆うとともに、露出している密着層８７の端面および第２の上面電極層８３の上面を覆うように形成されたニッケルめっきからなる第１のめっき膜、９８は前記第１のめっき膜９７を覆うように形成されたスズめっきからなる第２のめっき膜である。
【００８３】
なお、上記本発明の実施の形態３における抵抗器と、本発明の実施の形態１における抵抗器との相違点は、本発明の実施の形態１における抵抗器が第１の端面電極４０と第２の端面電極４３を形成する場合、まず、スリット状の第１の分割部３９が複数形成された状態のシート状の基板３１の裏面側に、薄膜技術を用いて略Ｌ字型の第１の端面電極４０を形成し、その後、スリット状の第１の分割部３９が複数形成された状態のシート状の基板３１の上面側に、薄膜技術を用いて前記第１の端面電極４０に電気的に接続されるように略Ｌ字型の第２の端面電極４３を形成しているのに対し、本発明の実施の形態３における抵抗器は、第１の端面電極９１と第２の端面電極９２を形成する場合、まず、基板８１の上面側に、薄膜技術を用いて略Ｌ字型の第１の端面電極９１を形成し、その後、基板８１の裏面側に、薄膜技術を用いて前記第１の端面電極９１に電気的に接続されるように略Ｌ字型の第２の端面電極９２を形成するようにした点で相違するだけで、その他の構成および製造方法は同じであり、したがって、本発明の実施の形態３における抵抗器は本発明の実施の形態１における抵抗器と実質的に同様の作用効果を有するものである。
【００８４】
（実施の形態４）
以下、本発明の実施の形態４における抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
【００８５】
図２９において、１０１は焼成済みの９６％純度のアルミナからなるシート状の基板をスリット状の第１の分割部とこの第１の分割部と直交関係にある第２の分割部で分割することにより個片化された基板である。１０２は基板１０１の一主面（上面）に形成された銀を主成分とする一対の第１の上面電極層である。１０３は一対の第１の上面電極層１０２に一部が重なるように、すなわち電気的に接続されるように基板１０１の上面に形成された酸化ルテニウム系の抵抗体である。１０４は抵抗体１０３の上面に形成されたガラスを主成分とする第１の保護層である。１０５は一対の第１の上面電極層１０２間の抵抗体１０３の抵抗値を修正するために設けられたトリミング溝である。１０６はガラスを主成分とする第１の保護層１０４を覆うとともに、一対の第１の上面電極層１０２の一部に重なるように形成された樹脂を主成分とする第２の保護層である。１０７は一対の第１の上面電極層１０２の一部に重なるように設けられた銀系の導電性樹脂からなる一対の密着層で、この一対の密着層１０７と前記一対の第１の上面電極層１０２とで一対の上面電極１０８を構成している。また前記第１の上面電極層１０２と密着層１０７は、基板１０１の端縁において面一となるように構成している。そしてまた前記密着層１０７は、厚み方向における最大の高さを第１の上面電極層１０２の厚み方向における最大の高さよりも高くなるように構成している。
【００８６】
１０９は基板１０１の端縁に設けられ、かつ一対の上面電極１０８に電気的に接続される一対の端面電極で、この一対の端面電極１０９は第１の端面電極１１０と第２の端面電極１１１とにより略コの字型に構成されているものである。そして前記第１の端面電極１１０は、薄膜技術を用いて基板１０１の上面側から形成されるもので、基板１０１の端縁側に位置して、密着層１０７の上面を覆うとともに、密着層１０７の端面、第１の上面電極層１０２の端面および基板１０１の端面に重なるように略Ｌ字型に形成された第１の薄膜１１２と、この第１の薄膜１１２に重なるように形成され、かつ第１の薄膜１１２と電気的に接続される略Ｌ字型の第２の薄膜１１３により構成されている。また前記第２の端面電極１１１は、薄膜技術を用いて第１の端面電極１１０を形成した後、基板１０１の裏面側から形成されるもので、略Ｌ字型の第１の薄膜１１４と、この第１の薄膜１１４に重なるように形成され、かつ第１の薄膜１１４と電気的に接続される略Ｌ字型の第２の薄膜１１５により構成されている。そして前記第１の薄膜１１４は、基板１０１の裏面の端部を覆うとともに、第１の端面電極１１０における第２の薄膜１１３の一部に重なるように略Ｌ字型に形成されている。１１６は前記第２の端面電極１１１における第２の薄膜１１５および第１の端面電極１１０における第２の薄膜１１３の一部を覆うとともに、露出している密着層１０７の端面および第１の上面電極層１０２の上面を覆うように形成されたニッケルめっきからなる第１のめっき膜、１１７は前記第１のめっき膜１１６を覆うように形成されたスズめっきからなる第２のめっき膜である。
【００８７】
なお、上記本発明の実施の形態４における抵抗器と、本発明の実施の形態３における抵抗器との相違点は、本発明の実施の形態３における抵抗器が上面電極８８を第１の上面電極層８２と、第２の上面電極層８３および密着層８７の三者で構成しているのに対し、本発明の実施の形態４における抵抗器は、上面電極１０８を第１の上面電極層１０２と密着層１０７の二者で構成している点で相違するだけで、その他の構成および製造方法は同じであり、したがって、本発明の実施の形態４における抵抗器は本発明の実施の形態３における抵抗器と実質的に同様の作用効果を有するものである。
【００８８】
そして上記本発明の実施の形態３、４においては、製造工程図は図示していないが、本発明の実施の形態１で示した抵抗器の製造工程におけるスリット状の第１の分割部３９が複数形成された状態のシート状の基板３１の上面側に、薄膜技術を用いてシート状の基板３１の上面に設けた上面電極８８，１０８の上面から複数のスリット状の第１の分割部３９の内面における基板３１の端面にかけて略Ｌ字型の第１の端面電極９１，１１０を形成する工程と、前記スリット状の第１の分割部３９が複数形成された状態のシート状の基板３１の裏面側に、薄膜技術を用いて前記第１の端面電極９１，１１０に電気的に接続されるようにシート状の基板３１の裏面から第１の端面電極９１，１１０の一部にかけて略Ｌ字型の第２の端面電極９２，１１１を形成する工程を備えているため、上面電極８８，１０８と端面電極９０，１０９との電気的接続は第１の端面電極９１，１１０の形成と第２の端面電極９２，１１１の形成により確実なものが得られ、これにより、上面電極８８，１０８と端面電極９０，１０９との電気的接続信頼性を高めることができるという効果を有するものである。
【産業上の利用可能性】
【００８９】
本発明に係る抵抗器およびその製造方法は、薄膜技術による端面電極の形成が容易に行えるとともに、品質的にも確実なものが得られるものであり、特に微小の抵抗器において有用となるものである。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の実施の形態１における抵抗器の断面図
【図２】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の全周囲の端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図
【図３】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図４】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図５】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図６】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図７】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図８】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図９】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図１０】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図１１】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図１２】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図１３】同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図１４】同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図１５】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図１６】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図１７】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図１８】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図１９】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図２０】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図２１】同抵抗器の第２の薄膜を構成するＣｕ−Ｎｉ合金薄膜の平衡状態図
【図２２】同抵抗器の第１の薄膜と第２の薄膜のＳＩＭＳによる組成分析結果の説明図
【図２３】（ａ）（ｂ）特性を説明する試験方法を示す図
【図２４】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の一端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図
【図２５】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の両端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図
【図２６】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の３つの端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図
【図２７】本発明の実施の形態２における抵抗器の断面図
【図２８】本発明の実施の形態３における抵抗器の断面図
【図２９】本発明の実施の形態４における抵抗器の断面図
【図３０】従来の抵抗器の断面図
【符号の説明】
【００９１】
１１，６１，８１，１０１  基板
１２，６２，８２，１０２  第１の上面電極層
１３，８３  第２の上面電極層
１４，６３，８４，１０３  抵抗体
１５，６４，８５，１０４  第１の保護層
１６，６５，８６，１０５  トリミング溝
１７，６７，８７，１０７  密着層
１８，６８，８８，１０８  上面電極
１９，６６，８９，１０６  第２の保護層
２０，６９，９０，１０９  端面電極
２１，７０，９１，１１０  第１の端面電極
２２，７１，９２，１１１  第２の端面電極
２３，７２，９３，１１２  第１の端面電極における第１の薄膜
２４，７３，９４，１１３  第１の端面電極における第２の薄膜
２５，７４，９５，１１４  第２の端面電極における第１の薄膜
２６，７５，９６，１１５  第２の端面電極における第２の薄膜
３１  シート状の基板
３１ａ，３１ｄ〜３１ｆ  不要領域部
３１ｂ  短冊状基板
３１ｃ  個片状基板
３２  第１の上面電極層
３３  第２の上面電極層
３４  抵抗体
３５  第１の保護層
３６  トリミング溝
３７  密着層
３８  第２の保護層
３９  第１の分割部
４０  第１の端面電極
４１  第１の端面電極における第１の薄膜
４２  第１の端面電極における第２の薄膜
４３  第２の端面電極
４４  第２の端面電極における第１の薄膜
４５  第２の端面電極における第２の薄膜
４６  端面電極
４７  第２の分割部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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