(57)【要約】【課題】実装基板との線膨張率の違いに起因して発生する応力を有効に緩和することによってハンダの破壊を防止し、導通不良を防止することができるＬＥＤパッケージを提供する。【解決手段】ＬＥＤパッケージは、パッケージ本体１０又は実装基板２０に、当該ＬＥＤパッケージと実装基板２０との界面に発生する応力を緩和する間隙１７を設ける。【選択図】図４
2008053621.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤチップをパッケージ本体に実装したＬＥＤパッケージにおいて、
前記パッケージ本体は、ハンダを介して実装基板上に実装されるものであり、
前記パッケージ本体又は前記実装基板に、当該ＬＥＤパッケージと前記実装基板との界面に発生する応力を緩和する間隙が設けられていること
を特徴とするＬＥＤパッケージ。
【請求項２】
前記パッケージ本体と前記ハンダとが接触している近傍領域が薄肉部となるように、前記パッケージ本体における前記実装基板に対する実装面側を始点として当該パッケージ本体に間隙を設けていること
を特徴とする請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項３】
前記薄肉部にバネ構造が形成されていること
を特徴とする請求項２に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項４】
前記パッケージ本体と前記実装基板との前記界面に間隙を設けていること
を特徴とする請求項２又は請求項３に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項５】
前記パッケージ本体との間に間隙が生じるように且つその前端部が接合するように当該パッケージ本体の側面に金属端子を設けていること
を特徴とする請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項６】
前記金属端子にバネ構造が形成されていること
を特徴とする請求項５に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項７】
前記パッケージ本体が前記ハンダと接触している領域において当該パッケージ本体の表面に形成されている配線と当該パッケージ本体との間に間隙を設けていること
を特徴とする請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項８】
前記ハンダを介して前記パッケージ本体と接合している領域において前記実装基板上に形成された回路パターンと当該実装基板との間に間隙を設けていること
を特徴とする請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード（Light Emitted Diode；以下、ＬＥＤという。）チップをパッケージ本体に実装したＬＥＤパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＬＥＤチップを所定のパッケージ本体に実装し、これをプリント回路基板等の実装基板に実装するＬＥＤパッケージが提案されている。かかるＬＥＤパッケージは、ハンダによってＬＥＤチップを実装基板に実装する際に、電極間でハンダ量に差があると、ハンダが溶融したときの表面張力の差やハンダが固化するときの収縮応力等に起因して、一方の電極が浮き上がる、いわゆる、マンハッタン現象を生じるという問題がある。これを解決するために、特許文献１に記載された技術が提案されている。
【０００３】
この特許文献１には、一方の面が素子取付面とされて素子用電極が設けられ他方の面が取付面とされて端子用電極が設けられる板状基板を有する発光ダイオードが開示されている。特に、この発光ダイオードは、板状基板に一方の面から他方の面に達するスルーホール電極を設け、このスルーホール電極によって素子用電極と端子用電極との電気的接続を行うことにより、ハンダ量に不均一を生じているときであっても、板状基板に一方の端部を浮き上がらせるような応力を生じることをなくし、導通不良を防止することができるとしている。
【特許文献１】特開２０００−２１６４４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＬＥＤパッケージにおいては、実装基板にハンダ実装した場合には、実装基板の線膨張率がＬＥＤパッケージの線膨張率よりも大きく、熱履歴によってＬＥＤパッケージと実装基板上の配線パターンとの接続部分に応力が集中することに起因して、ヒートサイクル試験等の際にハンダが破壊することがあり、導通不良を起こすという問題があった。この問題は、パッケージ本体がセラミックス材などで形成されていることに起因し、使用時のみならず、はんだ実装時においても問題になることがある。
【０００５】
そこで、本発明は、上述したような問題を解決するために案出されたものであり、実装基板との線膨張率の違いに起因して発生する応力を有効に緩和することによってハンダの破壊を防止し、導通不良を防止することができるＬＥＤパッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、ＬＥＤチップをパッケージ本体に実装したＬＥＤパッケージにおいて、パッケージ本体は、ハンダを介して実装基板上に実装されるものであり、上述の課題を解決するために、パッケージ本体又は実装基板に、当該ＬＥＤパッケージと実装基板との界面に発生する応力を緩和する間隙が設けられている。
【０００７】
また、本発明に係るＬＥＤパッケージは、パッケージ本体とハンダとが接触している近傍領域が薄肉部となるように、パッケージ本体における実装基板に対する実装面側を始点として当該パッケージ本体に間隙を設けていても良い。
【０００８】
更に、本発明に係るＬＥＤパッケージは、薄肉部にバネ構造が形成されていても良い。
【０００９】
更にまた、本発明に係るＬＥＤパッケージは、パッケージ本体と実装基板との界面に間隙を設けていても良い。
【００１０】
更にまた、本発明に係るＬＥＤパッケージは、パッケージ本体との間に間隙が生じるように且つその前端部が接合するように当該パッケージ本体の側面に金属端子を設けていても良い。
【００１１】
更にまた、本発明に係るＬＥＤパッケージは、金属端子にバネ構造が形成されていても良い。
【００１２】
更にまた、本発明に係るＬＥＤパッケージは、パッケージ本体がハンダと接触している領域において当該パッケージ本体の表面に形成されている配線と当該パッケージ本体との間に間隙を設けていても良い。
【００１３】
更にまた、本発明に係るＬＥＤパッケージは、ハンダを介してパッケージ本体と接合している領域において実装基板上に形成された回路パターンと当該実装基板との間に間隙を設けていても良い。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るＬＥＤパッケージによれば、パッケージ本体又は実装基板に、当該ＬＥＤパッケージと実装基板との界面に発生する応力を緩和する間隙を設けたので、ＬＥＤチップの発熱によって当該ＬＥＤパッケージと実装基板とが熱膨張した場合に、両者の線膨張率の違いから界面に応力が発生したとしても、間隙によって変形を吸収して応力集中を緩和するため、当該ＬＥＤパッケージと実装基板との界面であるハンダの部分が破壊してしまうような不良発生を低減することができる。
【００１５】
また、本発明に係るＬＥＤパッケージによれば、パッケージ本体とハンダとが接触している近傍領域が薄肉部となるように、パッケージ本体における実装基板に対する実装面側を始点として当該パッケージ本体に間隙を設けたので、ＬＥＤチップの発熱によって当該ＬＥＤパッケージと実装基板とが熱膨張し、両者の線膨張率の違いから界面に応力が発生したとしても、間隙によって変形を吸収して応力集中を緩和するため、ハンダの部分が破壊してしまうような不良発生を低減することができる。
【００１６】
更に、本発明に係るＬＥＤパッケージによれば、薄肉部にバネ構造を形成したので、実装基板の面方向に起因する応力緩和のみならず、当該実装基板の厚み方向の変形に起因する応力緩和にも対応することができ、ハンダの破壊をより有効に防止することができる。
【００１７】
更にまた、本発明に係るＬＥＤパッケージによれば、パッケージ本体と実装基板との界面に間隙を設けたので、薄肉部の形状を、実装基板に拘束されることなく、変形しやすい任意の形状とすることができる。
【００１８】
更にまた、本発明に係るＬＥＤパッケージによれば、パッケージ本体との間に間隙が生じるように且つその前端部が接合するように当該パッケージ本体の側面に金属端子を設けたので、ＬＥＤチップの発熱によって当該ＬＥＤパッケージと実装基板とが熱膨張した場合に、両者の線膨張率の違いから界面に応力が発生したとしても、間隙によって変形を吸収して応力集中を緩和するため、ハンダの部分が破壊してしまうような不良発生を低減することができる。
【００１９】
更にまた、本発明に係るＬＥＤパッケージによれば、金属端子にバネ構造を形成したので、実装基板の厚み方向の変形に起因する応力緩和にも対応することができ、ハンダの破壊をより有効に防止することができる。
【００２０】
更にまた、本発明に係るＬＥＤパッケージによれば、パッケージ本体がハンダと接触している領域において当該パッケージ本体の表面に形成されている配線と当該パッケージ本体との間に間隙を設けたので、ＬＥＤチップの発熱によって当該ＬＥＤパッケージと実装基板とが熱膨張した場合に、両者の線膨張率の違いから界面に応力が発生したとしても、間隙によって変形を吸収して応力集中を緩和するため、ハンダの部分が破壊してしまうような不良発生を低減することができる。
【００２１】
更にまた、本発明に係るＬＥＤパッケージによれば、ハンダを介してパッケージ本体と接合している領域において実装基板上に形成された回路パターンと当該実装基板との間に間隙を設けたので、ＬＥＤチップの発熱によって当該ＬＥＤパッケージと実装基板とが熱膨張した場合に、両者の線膨張率の違いから界面に応力が発生したとしても、間隙によって変形を吸収して応力集中を緩和するため、ハンダの部分が破壊してしまうような不良発生を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２３】
図１及び図２に、ＬＥＤチップを実装するパッケージ本体１０の外観構成を示す斜視図を示し、図３及び４に、ＬＥＤチップ１１をパッケージ本体１０に実装したＬＥＤパッケージを実装基板２０上に実装した様子を示す断面図を示す。
【００２４】
パッケージ本体１０は、例えばセラミック焼結体からなる本体部１２を有する。セラミックス材としては、アルミナ、窒化アルミ、窒化珪素などがある。セラミック焼結体の製造方法としては、射出成形、圧縮成形（プレス成形）、鋳込み成形等があるが、パッケージ本体１０を製造するにあたっては、いずれの方法を用いてもよい。本体部１２は、中央部分に頭切円錐状の窪みが形成され、底面にＬＥＤチップ１１が実装されるように構成されている。
【００２５】
この頭切円錐状の窪みの底面は、ＬＥＤチップ１１を実装するＬＥＤチップ実装部１３として用いられる。したがって、パッケージ本体１０は、このＬＥＤチップ実装部１３から本体部１２の側面にかけて所定の回路パターン（配線）１４が設けられた立体回路基板（Molded Interconnect Device;MID）として機能することになる。また、頭切円錐状の窪みの円錐面は、ＬＥＤチップ１１から放射された光を反射する反射板１５として機能する。ＬＥＤパッケージは、反射板１５をこのような円錐面とすることにより、高い信頼性及び光取り出し効率を実現することができる。なお、パッケージ本体１０においては、例えば図２に示すように、反射板１５の部分に高反射率の金属膜１６を形成するようにしてもよい。これにより、ＬＥＤパッケージにおいては、より高い信頼性及び光取り出し効率を実現することができる。
【００２６】
このようなＬＥＤパッケージにおいては、薄膜輪郭除去法により、ＬＥＤチップ実装部１３と反射板１５とを一体化したような立体回路基板を容易に形成することができる。この薄膜輪郭除去法は、以下のようなプロセスからなる。
【００２７】
まず、薄膜輪郭除去法においては、加熱処理プロセスを実行し、焼結体を温度１０００℃、保持時間１時間の条件で加熱処理し、表面を清浄化する。
【００２８】
続いて、薄膜輪郭除去法は、導電性薄膜形成プロセスを実行する。このプロセスは、真空蒸着装置やＤＣマグネトロンスパッタリング装置等を使用した物理的蒸着法や無電解めっき等の湿式法等により、導電性薄膜を基板材料表面に形成するものである。具体的には、基板材料をプラズマ処理装置のチャンバ内にセットし、チャンバ内を１０−４Ｐａ程度に減圧した後、温度１００〜２００℃で３分間程度、試験体を予備加熱する。その後、チャンバ内に窒素やアルゴンなどのガスを流通させるとともに、チャンバ内のガス圧を１０Ｐａ程度に制御する。そして、電極間に１００〜１０００Ｗの高周波電圧（ＲＦ：１３．５６ＭＨｚ）を１０〜３００秒間印加することにより、プラズマ処理を行う。続いて、チャンバ内の圧力を１０−４Ｐａ以下に制御し、この状態でチャンバ内にアルゴンガスをガス圧が０．６Ｐａ程度になるように導入した後、さらに３００〜６００Ｖの直流電圧を印加することにより、金属ターゲットをボンバートし、試験体表面に膜厚が１００〜１０００ｎｍ程度の導電性薄膜を形成する。なお、導電性材料としては、銅、ニッケル、クロム、チタン等が用いられる。
【００２９】
続いて、薄膜輪郭除去法においては、回路パターン形成プロセスを実行し、例えば図５中（ａ）に示すように、大気中でＹＡＧレーザーの第３高調波（ＴＨＧ−ＹＡＧレーザー）を使用して回路パターンの輪郭に沿ってレーザーを走査し、アルミナ基板３３上に形成された導電性薄膜３２のうち、回路パターン３１の輪郭部の薄膜のみを除去した薄膜除去部３０を形成する。
【００３０】
続いて、薄膜輪郭除去法においては、めっきプロセスを実行し、例えば図５中（ｂ）に示すように、焼結体表面の電気回路部のみに電解めっきによって銅めっき３４を施して厚膜化し、厚さが５〜１５μｍの銅膜を形成する。その後、例えば図５中（ｃ）に示すように、全面をエッチングすることによって、非電気回路部に残存している導電性薄膜３２をエッチングによって完全に除去する。このとき、銅めっき３４は、導電性薄膜３２よりも厚く形成されているために、残存する。そして、例えば図５中（ｄ）に示すように、電気回路部に電気めっきによってニッケルめっきや金めっき３５を施す。
【００３１】
ＬＥＤパッケージは、このような薄膜輪郭除去法によって容易に形成することができる。なお、図２に示したＬＥＤパッケージを薄膜輪郭除去法によって製造する場合には、上述した銅めっき、エッチング、ニッケルめっきまでのプロセスについては同様に行った上で、電気回路部のみに給電して金めっきを施すとともに、反射板１５のみに給電して例えば銀めっきを施せばよい。
【００３２】
このようにして形成されるＬＥＤパッケージは、図３及び図４に示したように、ハンダ２１を介して所定の回路パターン２２が形成された実装基板２０上に実装される。
【００３３】
ここで、パッケージ本体１０とハンダ２１とが接触している近傍領域２３には、図３に示すように、当該ＬＥＤパッケージと実装基板２０との界面に発生する応力を緩和する間隙（応力緩和構造）が設けられる。具体的には、ＬＥＤパッケージにおいては、図４に示したように、パッケージ本体１０とハンダ２１とが接触している近傍領域２３が薄肉部となるように、パッケージ本体１０における実装基板２０に対する実装面側を始点として当該パッケージ本体１０に間隙１７を設けている。
【００３４】
ＬＥＤパッケージにおいては、かかる間隙１７によって薄肉部を設けることにより、ＬＥＤチップ１１の発熱によって当該ＬＥＤパッケージと実装基板２０とが熱膨張した場合に、両者の線膨張率の違いから界面に応力が発生したとしても、間隙１７によって変形を吸収して応力集中を緩和するため、ハンダ２１の部分が破壊してしまうような不良発生を低減することができる。
【００３５】
このような間隙１７が設けられたＬＥＤパッケージは、以下のようにして形成することができる。すなわち、ＬＥＤパッケージを製造するにあたっては、例えば図６中（ａ）に示すように、間隙１７を形成した焼結体（本体部１２）を形成する。ここで、間隙１７は、例えば図７に示すように、ＣＯ２レーザーやＹＡＧレーザー、高調波ＹＡＧレーザー等を用いて、焼結体をレーザー加工することによって容易に形成することができる。このような方法は、応力緩和に適した任意形状の間隙１７を形成することが可能である。
【００３６】
続いて、ＬＥＤパッケージを製造するにあたっては、例えば図６中（ｂ）に示すように、上述した薄膜輪郭除去法によって焼結体の表面に回路パターン１４を形成し、図６中（ｃ）に示すように、ＬＥＤチップ実装部１３にＬＥＤチップ１１を実装する。そして、このようにして形成されたＬＥＤパッケージは、図６中（ｄ）に示すように、実装基板２０上に実装される。
【００３７】
ＬＥＤパッケージにおいては、このようなプロセスを経て、間隙１７を形成することができる。これにより、ＬＥＤパッケージにおいては、成形時に間隙１７を形成することができるので、工数の削減を図ることができ、比較的低コストで所望のＬＥＤパッケージを得ることができる。また、ＬＥＤパッケージにおいては、成形時に間隙１７を形成することにより、成形→脱脂→焼結→回路形成という一連の工程フローを全く変える必要がなく、煩雑なプロセスを要せず、工程が増えないことからコストの高騰も抑制することができる。
【００３８】
また、ＬＥＤパッケージにおいては、例えば図８に示すように、間隙１７を介して形成される薄肉部にバネ構造１７ａを形成してもよい。かかるバネ構造１７ａは、その他の部位と別個に成形した部品を当該その他の部位と位置を合わせて焼結することによって一体化することができ、また、射出成形等によっても容易に成形することができる。ＬＥＤパッケージにおいては、このようなバネ構造１７ａを設けることにより、間隙１７による実装基板２０の面方向に起因する応力緩和のみならず、当該実装基板２０の厚み方向の変形に起因する応力緩和にも対応することができ、ハンダ２１の破壊をより有効に防止することができる。
【００３９】
さらに、ＬＥＤパッケージにおいては、例えば図９に示すように、パッケージ本体１０と実装基板２０との界面に間隙１７ｂを設けるようにしてもよい。すなわち、ＬＥＤパッケージにおいては、パッケージ本体１０と実装基板２０との界面に間隙１７ｂが形成されるように、すなわち、当該パッケージ本体１０が当該実装基板２０と接触しないように、当該パッケージ本体１０となる焼結体を設計すればよい。
【００４０】
これにより、ＬＥＤパッケージにおいては、薄肉部の形状を、実装基板２０に拘束されることなく、変形しやすい任意の形状とすることができる。
【００４１】
さらにまた、ＬＥＤパッケージにおいては、例えば図１０に示すように、パッケージ本体１０との間に間隙１７ｄが生じるように且つその前端部が接合するように当該パッケージ本体１０の側面に金属端子１７ｃを設けてもよい。具体的には、ＬＥＤパッケージにおいては、パッケージ本体１０の表面に形成される回路パターン１４をハンダ２１を介した実装基板２０との接合部まで延在させるのではなく、パッケージ本体１０の側面の途中部分まで延在させ、この回路パターン１４の端部と金属端子１７ｃの一端とをろう付け等によって接合し、金属端子１７ｃの他端をハンダ２１を介して実装基板２０に接合する。したがって、金属端子１７ｃとパッケージ本体１０との間には回路パターン１４の厚みに相当する間隙１７ｄが形成されることになる。
【００４２】
ＬＥＤパッケージにおいては、このように金属端子１７ｃとパッケージ本体１０との間に間隙１７ｄを形成することにより、ＬＥＤチップ１１の発熱によって当該ＬＥＤパッケージと実装基板２０とが熱膨張した場合に、両者の線膨張率の違いから界面に応力が発生したとしても、間隙１７ｄによって変形を吸収して応力集中を緩和するため、ハンダ２１の部分が破壊してしまうような不良発生を低減することができる。この金属端子１７ｃには、例えば図１１に示すように、ハンダ２１との接合部となる他端に孔Ｈを設け、この孔Ｈにハンダ２１を充填させるようにして実装基板２０上に実装するのが望ましい。これにより、ＬＥＤパッケージにおいては、ハンダ２１の接合強度を向上させることができ、ハンダ２１の破壊をより有効に防止することができる。
【００４３】
また、ＬＥＤパッケージにおいては、例えば図１２に示すように、金属端子１７ｃにバネ構造１７ｅを形成してもよい。ＬＥＤパッケージにおいては、このようなバネ構造１７ｅを金属端子１７ｃに設けることにより、上述したバネ構造１７ａと同様に、実装基板２０の厚み方向の変形に起因する応力緩和にも対応することができ、ハンダ２１の破壊をより有効に防止することができる。また、金属端子１７ｃは、金属製であることから、かかるバネ構造１７ｅを設けるように容易に加工することができる。
【００４４】
さらに、ＬＥＤパッケージにおいては、例えば図１３に示すように、パッケージ本体１０がハンダ２１と接触している領域において当該パッケージ本体１０の表面に形成されている回路パターン１４と当該パッケージ本体１０との間に間隙１７ｆを設けてもよい。この間隙１７ｆは、回路パターン１４の一部を外側に変形させることによって形成される。
【００４５】
ＬＥＤパッケージにおいては、このように回路パターン１４とパッケージ本体１０との間に間隙１７ｆを形成することにより、ＬＥＤチップ１１の発熱によって当該ＬＥＤパッケージと実装基板２０とが熱膨張した場合に、両者の線膨張率の違いから界面に応力が発生したとしても、間隙１７ｆによって変形を吸収して応力集中を緩和するため、ハンダ２１の部分が破壊してしまうような不良発生を低減することができる。また、ＬＥＤパッケージにおいては、回路パターン１４を加工して間隙１７ｆを形成することから、形状の自由度が向上するとともに、回路パターン１４と実装基板２０との端子接合が不要となることから部品点数の削減を図ることもできる。
【００４６】
さらにまた、ＬＥＤパッケージにおいては、パッケージ本体１０に間隙（応力緩和構造）を設けるのではなく、実装基板２０に応力緩和構造を設けることもできる。具体的には、ＬＥＤパッケージにおいては、例えば図１４に示すように、ハンダ２１を介してパッケージ本体１０と接合している領域において実装基板２０上に形成された回路パターン２２と当該実装基板２０との間に間隙１７ｇを設けることができる。換言すれば、回路パターン２２の一部を実装基板２０から浮かすことによって間隙を形成するものである。
【００４７】
ＬＥＤパッケージにおいては、このように回路パターン２２と実装基板２０との間に間隙１７ｇを形成することにより、ＬＥＤチップ１１の発熱によって当該ＬＥＤパッケージと実装基板２０とが熱膨張した場合に、両者の線膨張率の違いから界面に応力が発生したとしても、間隙１７ｇによって変形を吸収して応力集中を緩和するため、ハンダ２１の部分が破壊してしまうような不良発生を低減することができる。また、ＬＥＤパッケージにおいては、回路パターン２２を加工して間隙１７ｇを形成することから、形状の自由度が向上するとともに、回路パターン２２と実装基板２０との端子接合が不要となることから部品点数の削減を図ることもできる。
【００４８】
以上詳細に説明したように、本発明の実施形態に係るＬＥＤパッケージは、パッケージ本体１０又は実装基板２０に、当該ＬＥＤパッケージと実装基板２０との界面に発生する応力を緩和する間隙を設けることにより、ＬＥＤチップ１１の発熱に起因する応力を緩和し、ハンダ２１の部分が破壊してしまうような不良発生を低減することができる。
【００４９】
なお、上述の実施の形態は本発明の一例である。このため、本発明は、上述の実施形態に限定されることはなく、この実施の形態以外であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態として示すＬＥＤパッケージにおけるパッケージ本体の外観構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態として示すＬＥＤパッケージにおけるパッケージ本体の外観構成を示す斜視図であり、高反射率の金属膜を形成したパッケージ本体の構成を示す図である。
【図３】本発明の実施形態として示す間隙の形成位置を説明する断面図である。
【図４】本発明の実施形態として示すＬＥＤパッケージを実装基板上に実装した様子を示す断面図である。
【図５】ＬＥＤパッケージを製造するための薄膜輪郭除去法の各プロセスについて説明するための図である。
【図６】本発明の実施形態として示すＬＥＤパッケージを製造する様子を説明するための図であり、間隙が設けられたＬＥＤパッケージを製造する様子を説明するための図である。
【図７】間隙を形成する方法について説明するための図である。
【図８】本発明の実施形態として示すＬＥＤパッケージを実装基板上に実装したときの要部側面図であり、間隙を介して形成される薄肉部にバネ構造を形成した様子を説明するための図である。
【図９】本発明の実施形態として示すＬＥＤパッケージを実装基板上に実装したときの要部側面図であり、パッケージ本体と実装基板との界面に間隙を設けた様子を説明するための図である。
【図１０】本発明の実施形態として示すＬＥＤパッケージを実装基板上に実装した様子を示す側面図であり、パッケージ本体との間に間隙が生じるように且つその前端部が接合するように当該パッケージ本体の側面に金属端子を設けた様子を説明するための図である。
【図１１】孔を設けた金属端子の構造を示す斜視図である。
【図１２】本発明の実施形態として示すＬＥＤパッケージを実装基板上に実装したときの要部側面図であり、金属端子にバネ構造を形成した様子を説明するための図である。
【図１３】本発明の実施形態として示すＬＥＤパッケージを実装基板上に実装したときの要部側面図であり、パッケージ本体がハンダと接触している領域において当該パッケージ本体の表面に形成されている配線と当該パッケージ本体との間に間隙を設けた様子を説明するための図である。
【図１４】本発明の実施形態として示すＬＥＤパッケージを実装基板上に実装したときの要部側面図であり、ハンダを介してパッケージ本体と接合している領域において実装基板上に形成された回路パターンと当該実装基板との間に間隙を設けた様子を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０  パッケージ本体
１１  ＬＥＤチップ
１２  本体部
１３  ＬＥＤチップ実装部
１４  回路パターン
１５  反射板
１６  金属膜
１７  間隙
１７ａ  バネ構造
１７ｂ  間隙
１７ｃ  金属端子
１７ｄ  間隙
１７ｅ  バネ構造
１７ｆ  間隙
１７ｇ  間隙
２０  実装基板
２１  ハンダ
２２  回路パターン
２３  近傍領域
３０  薄膜除去部
３１  回路パターン
３２  導電性薄膜
３３  アルミナ基板
Ｈ  孔
【図１】
2008053621.tif 000003
【図２】
2008053621.tif 000004
【図３】
2008053621.tif 000005
【図４】
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【図５】
2008053621.tif 000007
【図６】
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【図７】
2008053621.tif 000009
【図８】
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【図９】
2008053621.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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