(57)【要約】【課題】蒸着装置により基板上に蛍光体層を蒸着する際に、蒸着時の輻射熱で薄い基板が変形し、蒸着膜が均一に堆積できないという問題がある。これに対して、基板を厚くすると、放射線の吸収が大きくなる等の問題がある。【解決手段】基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層を有する放射線用シンチレータプレートの製造方法であって、基板の面上に蛍光体層を形成した後、基板の裏面側をエッチングして、基板の厚さを０．５ｍｍ以下の厚さに作製する放射線用シンチレータプレートの製造方法。【選択図】図２
2008190929.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層を有する放射線用シンチレータプレートの製造方法であって、前記基板の面上に前記蛍光体層を形成した後、前記基板の裏面側をエッチングして、前記基板の厚さを０．５ｍｍ未満の厚さに作製することを特徴とする放射線用シンチレータプレートの製造方法。
【請求項２】
基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層を有する放射線用シンチレータプレートの製造方法であって、前記基板の面上に前記蛍光体層を形成した後、前記基板の裏面側を研磨して、前記基板の厚さを０．５ｍｍ未満の厚さに作製することを特徴とする放射線用シンチレータプレートの製造方法。
【請求項３】
前記基板の裏面側をエッチングまたは研磨して、所定の厚さに作製した後の前記基板が可撓性を有することを特徴とする請求項１または２に記載の放射線用シンチレータプレートの製造方法。
【請求項４】
基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層を有する放射線用シンチレータプレートの製造方法であって、前記基板の面上に前記蛍光体層を形成した後、前記蛍光体層側に保護膜を形成し、前記基板の裏面側をエッチングまたは研磨して、前記基板を除去した後に、保護膜により封止することを特徴とする放射線用シンチレータプレートの製造方法。
【請求項５】
基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層を有する放射線用シンチレータプレートの製造方法であって、前記基板の面上に前記蛍光体層を形成した後、前記蛍光体層側に保護膜を形成し、前記基板の裏面側をエッチングまたは研磨して、前記基板を除去または０．５ｍｍ未満に薄膜化した後に、別の基板を接着し、その後、保護膜により封止することを特徴とする放射線用シンチレータプレートの製造方法。
【請求項６】
基板の上に蛍光体層を形成した後、または基板の上に蛍光体層を形成し蛍光体層側に保護膜を形成した後、シンチレータプレート全体に熱処理、プラズマ処理、フッ素を含む雰囲気にさらす等の他の工程を行った後、前記基板の裏面側をエッチングまたは研磨することを特徴とする放射線用シンチレータプレートの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５の何れか１項に記載の放射線用シンチレータプレートの製造方法により作製されたシンチレータプレートを、光電変換手段に貼り合わせて筐体内に収容した放射線検出手段を有することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線を受けて蛍光を発する放射線用シンチレータプレートの製造方法、及びシンチレータプレートを有する放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、Ｘ線画像のような放射線画像撮影装置は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−Ｘ線フィルムによる放射線画像撮影装置は、長い歴史の中で高感度化と高画質化が図られた結果、世界中の医療現場で用いられている。
【０００３】
近年では、フラットパネル型放射線ディテクタ（ＦＰＤ）等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出手段も登場しており、放射線画像をデジタル情報として取得して自由に画像処理を行い、画像情報を直ちに電送することが可能となっている。
【０００４】
放射線画像検出手段は放射線を蛍光に変換する所謂「シンチレータプレート」を有している。シンチレータプレートは、被写体を通過した放射線を受けて、その放射線量に対応した強度で蛍光体層による蛍光を瞬時に発光するものであり、基板上に蛍光体層を形成した構成を有する。
【０００５】
特許文献１は裏面照射型ホトダイオードアレイの製造方法に関するものであり、半導体基板の一方面側に高濃度不純物領域を形成する工程、半導体基板の一方面側に支持基板を貼り合わせる工程、半導体基板の他方面側を研磨して前記半導体基板を薄膜化する工程、半導体基板の他方面側に高濃度不純物領域及び複数のホトダイオードを形成する工程、半導体基板を厚み方向に貫通する孔を形成する工程、孔を介して電気的に接続する工程、及び支持基板を除去する工程等を有する。
【特許文献１】国際公開第２００３／０９６４２７号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の裏面照射型ホトダイオードアレイは、半導体デバイスに関するものであり、支持基板を貼ってから反対側の半導体基板を薄膜化してホトダイオードを形成するものであり、半導体基板を貫通して電極用の貫通孔をエッチングする加工時間を短縮しようとするものである。
【０００７】
放射線画像撮影装置において、蛍光体層の形成には主に蒸着装置を用いる。蒸着装置は、基板を装置内の上方に装着するため、変形しやすい基板では蒸着時の輻射熱で基板が変形し、蒸着膜が均一に堆積できないという問題がある。これに対して、基板を厚くすると、保護膜による封止が困難になる、放射線の吸収が大きくなる等の問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題は、下記の本発明により達成される。
【０００９】
１．  基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層を有する放射線用シンチレータプレートの製造方法であって、前記基板の面上に前記蛍光体層を形成した後、前記基板の裏面側をエッチングして、前記基板の厚さを０．５ｍｍ未満の厚さに作製することを特徴とする放射線用シンチレータプレートの製造方法。
【００１０】
２．  基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層を有する放射線用シンチレータプレートの製造方法であって、前記基板の面上に前記蛍光体層を形成した後、前記基板の裏面側を研磨して、前記基板の厚さを０．５ｍｍ未満の厚さに作製することを特徴とする放射線用シンチレータプレートの製造方法。
【００１１】
３．  基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層を有する放射線用シンチレータプレートの製造方法であって、前記基板の面上に前記蛍光体層を形成した後、前記蛍光体層側に保護膜を形成し、前記基板の裏面側をエッチングまたは研磨して、前記基板を除去した後に、保護膜により封止することを特徴とする放射線用シンチレータプレートの製造方法。
【００１２】
４．  基板に放射線が照射されることにより光を発する蛍光体層を有する放射線用シンチレータプレートの製造方法であって、前記基板の面上に前記蛍光体層を形成した後、前記蛍光体層側に保護膜を形成し、前記基板の裏面側をエッチングまたは研磨して、前記基板を除去または０．５ｍｍ未満に薄膜化した後に、別の基板を接着し、その後、保護膜により封止することを特徴とする放射線用シンチレータプレートの製造方法。
【００１３】
５．  基板の上に蛍光体層を形成した後、または基板の上に蛍光体層を形成し蛍光体層側に保護膜を形成した後、シンチレータプレート全体に熱処理、プラズマ処理、フッ素を含む雰囲気にさらす等の他の工程を行った後、前記基板の裏面側をエッチングまたは研磨することを特徴とする放射線用シンチレータプレートの製造方法。
【００１４】
６．  前記１〜５の何れか１項に記載の放射線用シンチレータプレートの製造方法により作製されたシンチレータプレートを、光電変換手段に貼り合わせて筐体内に収容した放射線検出手段を有することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のシンチレータプレートの製造方法、及び放射線画像撮影装置により以下の効果が得られる。
【００１６】
１．  蒸着時の変形によるシンチレータ結晶の面内厚さが均一化される。
【００１７】
２．  基板を薄くして可撓性を持たせ、弾性変形可能とすることにより、複数のホトダイオードから成る光電変換手段の平面に対して密着させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、本発明は該実施の形態に限定されるものではない
図１は、本発明の実施の形態に係る放射線画像撮影装置１の概略図である。
【００１９】
放射線画像撮影装置１は、本体１０、放射線検出手段２０、画像処理手段３０、画像表示手段４０を備えている。本体１０は、その内部に、放射線検出手段２０や各種機器を搭載するものであり、放射線室内の所定の位置に固定されている。
【００２０】
放射線画像撮影は、放射線源５０から照射され被写体６０、及び放射線検出手段２０の前面板２２を透過させた放射線を放射線検出手段２０で検出して行う。
【００２１】
図２は、図１の部分拡大断面図である。
【００２２】
放射線検出手段２０は、ハウジング２１の内部に、前面板２２、緩衝材２３、シンチレータプレート２００、蛍光体層２７を備えている。
【００２３】
シンチレータプレート２００は、基板２６の面上に蛍光体層２７を備えるものであり、蛍光体層２７に放射線が照射されると、蛍光体層２７は入射した放射線のエネルギを吸収して、波長が３００μｍから８００μｍの電磁波、即ち、可視光線を中心に紫外光から赤外光にわたる電磁波（光）を発光する。
【００２４】
シンチレータプレート２００は、基板２６、蛍光体層２７、及びこれらの部材を包囲して密封する耐湿性保護膜（以下、保護膜と称す）２４Ａ、２４Ｂから構成されている。
【００２５】
本体１０は、その内部に搭載した各種機器を保護できるように剛性の高い材料、例えばＡＢＳ樹脂で作製される。
【００２６】
放射線検出手段２０の前面板２２は、放射線透過率が高い材料で作製される。なお、この前面板２２の厚さは、０．３〜０．５ｍｍで、放射線透過性を確保しつつ、強度を維持する。放射線透過率が高く、且つ剛性の高い材料としては、アルミニウム合金、炭素繊維強化樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、これらの樹脂とアルミニウム合金との複合材などがある。
【００２７】
前面板２２は、緩衝材２３を介してシンチレータプレート２００を押圧して、シンチレータプレート２００を光電変換手段（受光素子）２８に密接させる。
【００２８】
保護膜２４Ａ、２４Ｂは、基板２６、蛍光体層２７を内包したのち接着されて袋状に形成される。保護膜２４Ａ、２４Ｂの水分透過率を１日当たり５０ｇ／ｍ2以下にすることが潮解性を有する蛍光体の保護の点から望ましい。
【００２９】
蛍光体層２７として最も多く用いられるものは、Ｃｓ（セシウム）をベースとして結晶が形成されたものであり、例えばＣｓＩ（ヨウ化セシウム）の他に、ＣｓＢｒやＣｓＣｌなどがあげられる。また、前記Ｃｓをベースとする蛍光体層２７を構成する複数の原料を任意の混合比率で用いて結晶体を形成し、この結晶体をベースとしてもよい。
【００３０】
最もよく用いられている材料として賦活剤としてＴｌを用いたＣｓＩ：Ｔｌがあるので、本発明はこれを基に説明する。賦活剤とは、蛍光性を発生させるのに必要な添加元素のことである。Ｔｌの濃度は、あまり大きくても発光強度はこれ以上大きくならないというレベルがあり、Ｃｓに対し通常３ｍｏｌ％以下に設定される。
【００３１】
図３は、蛍光体層２７を形成する蒸着装置の概略構成図である。本例ではＣｓＩ：Ｔｌの蒸着工程を例にとる。
【００３２】
蒸着装置７１は箱状の真空容器７２を有し、真空容器７２の内部には蒸着用のボート７３が配置されている。ボート７３は蒸着源の被重点部材であり、ボート７３内には抵抗加熱体（ヒータ）が接続されている。抵抗加熱体に電流が流れると、抵抗加熱体がジュール熱により発熱する。ボート７３として、抵抗加熱体を巻回したアルミナ製のルツボが使用される。
【００３３】
真空容器７２の内部であってボート７３の直上には、基板２６を保持するホルダ７４が配置されている。ホルダ７４にはホルダ７４を回転させる回転機構７５が配置されている。回転機構７５は、ホルダ７４に接続された回転軸７６とその駆動源となるモータ７７から構成されている。モータ７７の駆動により回転軸７６が回転してホルダ７４をボート７３に対向させた状態で回転させる。
【００３４】
真空容器７２には真空ポンプ７８が接続されている。真空ポンプ７８は、真空容器７２の内部の排気と、真空容器７２の内部への不活性ガスの導入とを行う。
【００３５】
初めに、ホルダ７４に基板２６を取り付けるとともに、ボート７３に蛍光体原料を充填する。具体的にはＣｓＩ：３％ｍｏｌのＴｌＩの粉を充填する。基板２６としては一般には０．５ｍｍ以上のＡｌ板が用いられる。Ａｌが用いられるのは、それ以上大きい原子番号を有する元素ではＸ線吸収が大きく、シンチレータプレートとして動作させる際に画像情報を含んだＸ線が吸収されてしまうからである。つまり基板としては、Ａｌまたはそれより原子番号、または実効原子番号の小さい炭素ベースの基板やポリイミド、ＰＥＮ等の樹脂基板を用いる事が望ましい。
【００３６】
次に、真空ポンプ７８を作動させて、真空容器７２の内部を一旦排気（大体１０−３Ｐａ以下）したのち、真空容器７２の内部に不活性ガス（例えばＡｒを０．５Ｐａ程度の圧力まで）を導入しながら、真空容器７２の内部を所定の真空度にする。
【００３７】
真空雰囲気の形成と同時に、ホルダ７４のヒータと回転機構７５のモータ７７とを駆動し、ホルダ７４に取り付けられた基板２６をボート７３に４００ｍｍの距離で対向させた状態で加熱しながら回転させる。基板の加熱はＣｓＩの結晶が柱状に成長する温度領域で行われる。大体１５０〜３００℃が選ばれる。回転数は１０ｒｐｍ程度であり、これは基板の上のＣｓＩの膜厚を均一にさせるために用いられる。
【００３８】
この状態において、抵抗加熱体に電流を流し、蛍光体原料を所定温度で加熱して、蛍光体原料を真空蒸着させる。ＣｓＩの融点は６２１℃、ＴｌＩの融点は４４０℃であるので、ボートはその温度よりも上の７００℃で加熱される。この時、ＣｓＩの蒸気は７００℃でボート外に出て、基板２６の表面に到着する。その結果、基板２６の表面に無数の柱状結晶体が順次成長してゆき、基板２６上に所望の蛍光体層２７が形成される。ＣｓＩは屈折率が約１．７であり、結晶柱の外は空気で屈折率は１であるため、Ｘ線が入射し、ＣｓＩ結晶で吸収され、ＣｓＩ結晶が発光した光が、結晶柱内外の屈折率の差で柱内を反射して進むことになる（ライトガイド効果）。診断に用いられるのは、図１の光電変換手段２８であるから、前記ＣｓＩ：Ｔｌの柱状結晶は、光電変換手段２８に対して、垂直の方向に並んでいることが望ましい。
【００３９】
従来のＣｓＩ：Ｔｌ蒸着工程の問題点は基板２６の表面が７００℃の蒸気にさらされ、かつ基板が下を向き、通常は基板の端のみで固定されているため、ＣｓＩ：Ｔｌを例えば５００μｍ堆積すると、その重さはＣｓＩは４．５ｇ／ｃｍ3の比重であるから、０．５ｍｍのＡｌ（密度２．７ｇ／ｃｍ3）の基板２６よりも１．７倍重く、可撓性の基板を用いる（Ａｌであれば０．５ｍｍ厚以下）と基板がボート方向（下方向）に凸形状に反ってくるという点にある。ここで可撓性とは、基板の両側を固定し５００μｍのＣｓＩすなわち、４．５ｇ／ｃｍ3×０．０５ｃｍ＝０．２２５ｇ／ｃｍ2の膜を全面に堆積したときに、基板の中心が１ｍｍ以上下方向に凸になるような基板と定義する。このように基板が下に凸に反ると、柱状結晶が光電変換手段２８の作る平面に対して垂直になるように成長せず、垂直からずれた方向に成長したＣｓＩ：Ｔｌ結晶からの光で、信号が広がるため、所望のライトガイド効果が得られず、画像の解像度が低下するという問題がある。
【００４０】
［第１の実施形態］
図４は、放射線用シンチレータプレートの製造方法の第１の実施の形態を示す模式図である。
【００４１】
蒸着装置７０により厚い板厚の基板２６の表面側に蛍光体層２７を形成する（図４（ａ）参照）。基板２６の裏面側をエッチングまたは研磨して、基板２６の厚さｔを０．５ｍｍ未満の厚さに作製する（図４（ｂ）参照）。前記解決手段１、２では、ＣｓＩ：Ｔｌ成膜時のＡｌ基板の厚さを０．５ｍｍ以上とし、蒸着時の基板の変形を防ぎ、蛍光体２７の柱の向きが常に光電変換手段２８に対して垂直方向に成長している。その後、研磨により基板の厚さを０．２ｍｍにすることによってＸ線の画像信号が基板による吸収で減衰する量を減らすことで、画像の解像度（具体的にはＭＴＦ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）で表される。）を落とすことなく、蛍光体からの発光を増やし、信号強度の高い高解像度の画像を得ることが出来る。
【００４２】
Ａｌの場合を考えると、基板の厚さｔを０．５ｍｍを０．２ｍｍにしたことで、乳房撮影に使われる２４ｋＶでのＸ線の吸収を計算する。ｘｍｍの厚さのＡｌによるＸ線遮蔽効果は、２４ｋＶでのＡｌの減弱係数は約２．２ｃｍ2／ｇであるから、Ａｌの密度を２．７ｇ／ｃｍ3とするとＩ０の強度のＸ線がｘｍｍのＡｌを透過したＸ線の強度をＩとすると、
Ｉ／Ｉ０＝ｅｘｐ（−２．２×２．７×ｘ／１０）＝ｅｘｐ（−０．５９ｘ（ｍｍ））
となる。０．５ｍｍと０．２ｍｍ厚ではＩ／Ｉ０の値を計算すると０．７４が０．８９に向上する。これは蛍光体層２７に入射するＸ線の量が０．８９／０．７４＝１．２１倍になることを意味し、約２１％信号強度の強い画像が得られる。本実施の形態では、蛍光体層２７の柱状形状と向きは、基板の厚さが０．５ｍｍの場合と同等であるので、ＭＴＦの値が、直接０．２ｍｍの厚さのＡｌ基板にＣｓＩを蒸着した場合のように低下することがない。従って、鮮鋭性（解像度）はそのままで、信号強度の高い画像が得られるシンチレータプレートが得られる。
【００４３】
本実施例では、蛍光体層２７を形成する蒸着時には厚い基板２６（Ａｌ：０．５ｍｍ）を用いて、蒸着時の基板２６の変形を防止する。蛍光体層２７が形成された後、基板２６と蛍光体層２７を取り出して、基板２６の裏面側をエッチングまたは研磨して、基板２６を薄膜化する。
【００４４】
例えば、基板２６がＡｌであれば、Ｈ3ＰＯ4を含む液で裏面のみウエットエッチングできる。あるいは平行平板電極を有するプラズマ発生装置中の片側の電極にシンチレータプレートを、裏面を表にして置く。この状態で処理室内を真空度で０．１Ｐａ程度まで真空引きする。その後、ＢＣｌ3とＣｌ2の混合ガスを圧力１０Ｐａになるように処理室内に導入する。次に電極表面に０．２Ｗ／ｃｍ2程度の１３．２５ＭＨｚのＲＦ電力を印加する。基板２６がポリイミド膜なら、平行平板電極を有するプラズマ発生装置中の片側の電極にシンチレータプレートを、裏面を表にして置く。
【００４５】
この状態で処理室内を真空度で０．１Ｐａ程度まで真空引きする。その後、Ｏ2ガスを圧力５０Ｐａになるように処理室内に導入する。次に電極表面に０．３Ｗ／ｃｍ2程度の１３．２５ＭＨｚのＲＦ電力を印加する。するとポリイミド膜がエッチングされる。これにより、基板２６を薄板状にして、基板２６による放射線吸収の損失を低減し、蛍光体層２７に吸収される放射線量を増して、蛍光体層２７からの発光輝度を向上させることが出来る。
【００４６】
基板２６を薄膜化する方法として研磨法を用いてもよい。
【００４７】
図５は研磨装置の概略構成図である。
【００４８】
図５に示す研磨装置８０を用い、蛍光体側を上、基板を下側にして、シンチレータプレート８５をキャリア８３にセットし、定盤８１上に固定したダイヤモンドベースの研磨パッド８２と酸化セリウム粒子を含む研磨液８４を用いて基板２６のＡｌを研磨すればよい。
【００４９】
本実施例には特に記していないが、基板２６を０．５ｍｍ以下に薄膜化し、その裏面に強度補強用の樹脂フィルムを接着してもよい。例えば基板２６をＡｌ０．５ｍｍとし、蛍光体２７を成膜後Ａｌ基板２６を０．２ｍｍまで薄くし、その裏に０．５ｍｍ程度の厚さのポリイミドまたはＰＥＮフィルムを貼り付けてもよい。
【００５０】
この場合、樹脂基板のＸ線吸収率は０．５ｍｍでは８％程度であり、Ｘ線はその９２％が透過するので、樹脂基板がＸ線を多量に吸収するという問題はない。直接ポリイミドの基板を用いない理由は以下の通りである。ポリイミド基板では耐熱性が、Ｔｇが２８５℃、連続使用温度が２５０℃であるため、ＣｓＩ：Ｔｌを蒸着する際の温度を２５０℃以下にすることが必要である。しかし、本発明ではＡｌ基板を用いるので、ＣｓＩ：Ｔｌ結晶の輝度が最大となる３００℃での蒸着が可能であり、画質のよい結晶を形成することが可能である。
【００５１】
基板２６として、ポリイミドの基板を最初から用いる場合では、ＣｓＩ：Ｔｌの蒸着温度は高くできないが、ポリイミドの基板を用いるので、Ｘ線吸収が少ない。また、ＣｓＩ：Ｔｌを２５０℃以下で蒸着後、ポリイミドを薄くするので、シンチレータプレート自体がより変形しやすくなって、弾性変形可能となり、複数のホトダイオードから成る光電変換手段の平面に対して密着させることができるため、光電変換手段と蛍光体２７の光伝達効率が増し、信号強度の高いシンチレータプレートが得られる。
【００５２】
［第２の実施形態］
図６は、放射線用シンチレータプレートの製造方法の第２の実施の形態を示す模式図である。
【００５３】
蒸着装置７０により厚い板厚の基板２６の表面側に蛍光体層２７を形成する（図６（ａ）参照）。
【００５４】
基板２６の面上に蛍光体層２７を形成した後、蛍光体層２７の表面側に保護膜２４Ｃで被覆して封止する（図６（ｂ）参照）。例えば、反応室にジラジカルパラキシリレンを導入し、３５℃、１３Ｐａの条件でジラジカルパラキシリレンを重合したポリパラキシリレン膜を１０μｍ程度形成する。
【００５５】
その後、第１の実施形態で述べた方法により、基板２６を除去し、蛍光体層２７と保護膜２４Ｃのみにする（図６（ｃ）参照）。この除去作業の際、蛍光体層２７の表面を保護膜２４Ｃで覆っているので、薄膜化作業の際、蛍光体層が傷ついたり、エッチングされたり、潮解性のため水分の付着で蛍光体が溶解したりして、画像不良の原因となることを防止できる。その後、保護膜２４Ａ、２４Ｂをフィルムによる保護膜封止として表側、裏側から形成してもよい。
【００５６】
あるいは、別の形態として、基板２６が薄膜化しており、取り扱いのときに基板が変形しやすく、取り扱い時に基板の変形とともに蛍光体が変形し、画像不良を引き起こす可能性があるのでこれを防ぐ。具体的には０．２ｍｍまで薄くしたＡｌ基板２６に対し、別の基板２６’たとえばポリイミド基板０．５ｍｍを接着すればよい（図６（ｄ）参照）。この場合の利点として以下の点が挙げられる。通常、ポリイミド基板では耐熱性がＴｇが２８５℃、連続使用温度が２５０℃であるため、ＣｓＩ：Ｔｌを蒸着する際の温度を２５０℃以下にすることが必要である。しかし、本発明ではＡｌ基板を用いるので、ＣｓＩ：Ｔｌ結晶の輝度が最大となる３００℃での蒸着が可能であり、画質のよい結晶を形成することが可能である。２４ｋＶで５００μｍ厚さポリイミド基板のＸ線吸収率は８％、Ａｌ基板は２６％であり、例えばＡｌに比べ、ポリイミド基板を貼り付けたことによる蛍光体層の輝度の劣化は少ない。
【００５７】
以上、第１、第２の実施形態では、基板の上に蛍光体層を形成した後または蛍光体層側に保護膜を形成した後、他の工程をはさまずに前記基板の裏面側をエッチングまたは研磨したが、他の工程を行った後に、基板の除去または薄膜化を行ってもよい。具体的には、蛍光体２７の輝度をあげるための熱処理（たとえば２５０℃中に３０分保管する。）、蛍光体の耐湿性を向上させるためのプラズマ処理、Ｆを含む雰囲気曝露等の他の工程を行った後、前記基板の裏面側をエッチングまたは研磨してもよい。この場合、これらの工程でもシンチレータプレートを真空中保持や、１００℃以上の温度環境にさらすため、基板が薄いと工程内で基板が変形する可能性がある。本発明ではこの可能性をなくし、鮮鋭性のよいシンチレータを得ることができる。
【００５８】
本発明では蛍光体としてＣｓＩ：Ｔｌを用いたが他の蛍光体を用いてもよい。具体的にはＣｓＩの代わりにＣｓＢｒやＣｓＣｌ等他の材料を用いてもよい。また、Ｔｌの代わりに他の賦活剤を用いてもよい。具体的には、Ｉｎ，Ｌｉ，Ｋ，Ｒｂ，Ｎａ，Ｅｕ，Ｃｕ，Ｃｅ，Ｚｎ，Ｔｉ，Ｇｄ，Ｔｂ等他の元素を用いてもよい。また、２４Ｃの保護膜としてポリパラキシリレンを用いたが、２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃのどの保護膜もポリパラキシリレンでもよいし、水分透過防止の機能のある膜ならば、他の膜を用いてもよい。具体的にはポリモノクロロパラキシリレン等他のポリパラキシリレン系化合物や、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の無機膜でもよい。２４Ａ，２４Ｂは単層または積層のフィルムを用いた封止でもよい。例えば、合計５０μｍの厚さのＰＥＴ２０μｍ／アルミナ蒸着０．２μｍ／ポリプロピレン３０μｍ積層膜を用いればよい。また、本発明では図示しなかったが、基板２６と蛍光体２７の間に蛍光体２７のハロゲン原子が基板２６のＡｌと反応して発生する腐食を防止するための例えば数〜１ｍｍのポリエステル等からなる透明絶縁膜を設けてもよい。また、基板２６として、蛍光体２７の発光する光を反射しない材料である、ポリイミド、ＰＥＮなどのフィルム等を用いたとき、基板２６の蛍光体２７側の表面に数１００ｎｍの厚さのＡｌをスパッタして設けた反射層を設けたり、反射層と蛍光体２７の間に、さらに蛍光体とＡｌが反応して発生する腐食を防止するために数〜１ｍｍのポリエステル等からなる透明絶縁膜を設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施の形態に係る放射線画像撮影装置の概略図。
【図２】図１の部分拡大断面図。
【図３】蛍光体層を形成する蒸着装置の概略構成図。
【図４】放射線用シンチレータプレートの製造方法の第１の実施の形態を示す模式図。
【図５】研磨装置の概略構成図。
【図６】放射線用シンチレータプレートの製造方法の第２の実施の形態を示す模式図。
【符号の説明】
【００６０】
１  放射線画像撮影装置
１０  本体
２０  放射線検出手段
２１  ハウジング
２２  前面板
２３  緩衝材
２４Ａ  耐湿性保護膜（保護膜）
２４Ｂ  耐湿性保護膜（保護膜）
２４Ｃ  保護膜
２６，２６’  基板
２７  蛍光体層
２８  光電変換手段（受光素子）
２９  金属基板
２００  シンチレータプレート
３０  画像処理手段
４０  画像表示手段
５０  放射線源
６０  被写体
７１  蒸着装置
７２  真空容器
７３  ボート
７４  ホルダ
７５  回転機構
７６  回転軸
７７  モータ
７８  真空ポンプ
８０  研磨装置
８１  定盤
８２  研磨パッド
８３  キャリア
８４  研磨液
８５  シンチレータプレート
ｔ  基板の厚さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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