(57)【要約】【課題】マスクやスタンパを用いないで、微細パターンの膜を形成する方法を提供する。【解決手段】本発明にかかる膜形成方法は、膜材料が溶媒に溶解している溶液２０を基体１０上に塗布する工程と、前記基体上に塗布された溶液の近傍における前記溶媒と同じ成分からなる気体の分圧を、前記溶媒の飽和蒸気圧以下である第１の分圧に減圧する工程と、前記気体の分圧を、前記溶媒の飽和蒸気圧以上である第２の分圧に増圧する工程と、を含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）膜材料が溶媒に溶解している溶液を基体上に塗布する工程と、
（ｂ）前記基体上に塗布された溶液の近傍における前記溶媒と同じ成分からなる気体の分圧を、前記溶媒の飽和蒸気圧以下である第１の分圧に減圧する工程と、
（ｃ）前記気体の分圧を、前記溶媒の飽和蒸気圧以上である第２の分圧に増圧する工程と、
を含む、膜形成方法。
【請求項２】
請求項１において、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後に、前記気体の分圧を、前記溶媒の飽和蒸気圧以下である第３の分圧に減圧する工程、をさらに含む、膜形成方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記工程（ｃ）および前記工程（ｄ）を繰り返し行う、膜形成方法。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記第３の分圧は、前記第１の分圧より低い、膜形成方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記工程（ｃ）では、前記溶液の縁部において、前記溶媒が蒸発することにより前記膜材料が析出した後に、前記気体の分圧を増圧する、膜形成方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、
少なくとも前記減圧する工程および増圧する工程は、処理容器内において行われ、
前記工程（ｃ）では、前記溶媒と同じ成分からなる気体を処理容器内に導入することにより、前記気体の分圧を前記第２の分圧に増圧する、膜形成方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、
前記工程（ｂ）では、前記処理容器内の温度を高める、膜形成方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、
前記溶媒は、少なくとも第１溶媒と該第１溶媒と比して飽和蒸気圧が高い第２溶媒とを含む、膜形成方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記飽和蒸気圧は、前記第２溶媒の飽和蒸気圧である、膜形成方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかにおいて、
前記減圧を行う装置は、少なくとも処理容器及び減圧ポンプを含み
前記減圧ポンプは、前記処理容器の断面の中心軸を対称にして配置されている、膜形成方法。
【請求項１１】
膜の乾燥工程に用いる減圧乾燥装置であって、
処理容器と、
処理容器内に設けられたステージと、
前記処理容器内に設けられた気圧測定部と、
前記処理容器に接続されたガス供給部と、
前記処理容器に接続され、配管を介して設けられた減圧ポンプと、
前記気圧測定部、前記ガス供給部および前記減圧ポンプに接続された制御部と、を含み、
前記配管は、複数設けられ、
複数の前記配管は、前記処理容器の断面の中心を対称にして配置されている、減圧乾燥装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
複数の前記配管の１つは、前記処理容器の断面の中心軸に対応する位置に設けられている、減圧乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光素子や表示素子等の電子デバイスに用いられる薄膜は、液相法または気相法によって成膜される。特に液相法は、気相法に比べて結晶性が良い膜が得られ、成膜装置がシンプルであることから、近年注目されている。液相法は、溶液塗布法、陽極酸化法、ゾルゲル法、めっき法等がある。溶液塗布法は、基板上に溶液状の被膜を形成する方法で、具体的にはスピンコート法、スプレー法、インプリント法、インクジェット法などが知られている。
【０００３】
しかしながら、上述したような成膜方法を用いてパターンを有する膜を得るためには、パターン形状を有するマスクやスタンパを準備する必要がある。たとえば、特許文献１には、印刷板を用いた液晶表示素子の配向膜の形成方法が開示されている。
【特許文献１】特開昭５４−２１８６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、マスクやスタンパを用いないで、微細パターンの膜を形成する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明にかかる膜形成方法は、
（ａ）膜材料が溶媒に溶解している溶液を基体上に塗布する工程と、
（ｂ）前記基体上に塗布された溶液の近傍における前記溶媒と同じ成分からなる気体の分圧を、前記溶媒の飽和蒸気圧以下である第１の分圧に減圧する工程と、
（ｃ）前記気体の分圧を、前記溶媒の飽和蒸気圧以上である第２の分圧に増圧する工程と、を含む。
【０００６】
本発明にかかる膜形成方法によれば、前記溶媒の蒸気圧を上述したように制御することによって、所望の断面形状を有する膜を得ることができる。これにより、従来必要であったパターニング工程を省略することができ、溶液の塗布工程と乾燥工程という簡便なプロセスでスループットを向上させることができる。
【０００７】
本発明において、特定のＡ部材（以下、「Ａ部材」という。）の上方に設けられた特定のＢ部材（以下、「Ｂ部材」という。）というとき、Ａ部材の上に直接Ｂ部材が設けられた場合と、Ａ部材の上に他の部材を介してＢ部材が設けられた場合とを含む意味である。
【０００８】
本発明にかかる膜形成方法において、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後に、前記気体の分圧を、前記溶媒の飽和蒸気圧以下である第３の分圧に減圧する工程、をさらに含むことができる。
【０００９】
本発明にかかる膜形成方法において、
前記工程（ｃ）および前記工程（ｄ）を繰り返し行うことができる。
【００１０】
このように前記工程（ｃ）および前記工程（ｄ）を繰り返し行うことにより、凹凸の断面形状を有する膜を形成することができる。
【００１１】
本発明にかかる膜形成方法において、
前記第３の分圧は、前記第１の分圧より低いことができる。
【００１２】
本発明にかかる膜形成方法において、
前記工程（ｃ）では、前記溶液の縁部において、前記溶媒が蒸発することにより前記膜材料が析出した後に、前記気体の分圧を増圧することができる。
【００１３】
本発明にかかる膜形成方法において、
少なくとも前記減圧する工程および増圧する工程は、処理容器内において行われ、
前記工程（ｃ）では、前記溶媒と同じ成分からなる気体を処理容器内に導入することにより、前記気体の分圧を前記第２の分圧に増圧することができる。
【００１４】
本発明にかかる膜形成方法において、
前記工程（ｂ）では、前記処理容器内の温度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１６】
１．膜形成方法
本実施の形態にかかる膜形成方法について説明する。図１〜図４は、本実施の形態にかかる膜形成方法を説明するための概略図であり、なかでも図１、図３、および図４は、基体と膜の状態を示す断面図である。
【００１７】
まず、基体１０の表面処理を行う。表面処理としては、撥液処理、親液処理、土台の形成などを行うことができる。表面処理は、膜材料溶液２０の塗布領域に行ってもよいし、塗布領域以外の領域に行ってもよい。このような表面処理を行うことにより、後に基体上に塗布する膜材料溶液２０の形状を制御することができる。特に、親液処理を行うことより、基体上における膜材料溶液の流動性を良好にすることができる。
【００１８】
次に、膜材料が溶媒に溶解している膜材料溶液２０を基体１０上に塗布する（図１参照）。膜材料としては、特に限定されないが、液晶ディスプレイの配向膜材料や有機ＥＬ材料等の表示素子材料や、半導体装置の絶縁膜材料等が挙げられる。溶媒は、上記膜材料を溶解することができ、揮発性を有すればよく、有機溶媒や水等であることができる。膜材料の濃度は、適宜調整することができるが、所望の膜厚に応じて決定される。即ち、膜材料溶液においては、所望の膜厚が大きくなるにつれて膜材料濃度を高くする。また、膜材料溶液に含まれる膜材料および溶媒は、それぞれ単数種類であってもよいし、複数種類であってもよい。
【００１９】
塗布方法としては、スピンコート法またはインクジェット法を用いることができる。塗布領域の面積や形状は、特に限定されないが、膜材料溶液は、基体上の全面に塗布されていてもよいし、円形やストライプ状等のその他の形状であってもよい。またナノインプリント法を上述したスピンコート法等とともに適用してもよい。
【００２０】
次に、膜材料溶液２０を乾燥させて、溶媒を除去する。溶媒の除去は、減圧乾燥装置５０を用いて行うことができる。
【００２１】
図２は、本実施の形態にかかる減圧乾燥装置５０の概略を示す図である。減圧乾燥装置５０は、処理容器３０と、ガス供給部３２と、第１の配管３４と、第２の配管３６と、減圧ポンプ３８と、ステージ４０と、気圧測定部４２と、制御部４４とを含む。基体１０は、処理容器３０内に配置される。ガス供給部３２は、溶媒と同じ成分からなる気体（以下、「溶媒の蒸気」という。）を含む混合気体（以下、「第１の気体」という。）または他の気体（以下、「第２の気体」という。）を処理容器３０内に第１の配管３４を介して供給する。第２の気体としては、溶媒の蒸気と反応性を有しない気体であることが好ましく、たとえば窒素であることができる。減圧ポンプ３８は、処理容器３０内の気体を、第２の配管３６を介して吸引する。このとき処理容器３０内は、気流が一部の方向に偏らないように脱気されることが好ましい。よって、減圧乾燥装置５０は、複数の第２の配管３６を有し、第２の配管３６を処理容器３０の断面の中心の対称となる位置に配置する、又は／及び処理容器３０の断面の中心に対応する位置に配置することが好ましい。
【００２２】
気圧測定部４２は、処理容器３０内の溶媒の蒸気圧を測定し、測定データを制御部に送る。制御部４４は、気圧測定部４２から受け取った測定データに基づいて、処理容器３０に供給すべき気体の種類および量ならびに減圧ポンプ３８が吸引すべき気体の量を算出し、算出した気圧制御データをガス供給部３２および減圧ポンプ３８に送る。
【００２３】
溶媒を除去する工程では、まず膜材料溶液２０が塗布された基体１０を、処理容器３０内のステージ４０上に配置する。次いで、処理容器３０内の溶媒の蒸気圧を、溶媒の飽和蒸気圧以下である第１の分圧に減圧し、その後飽和蒸気圧以上である第２の分圧に増圧する。さらにその後、処理容器３０内の溶媒の蒸気圧を、第１の分圧より低い第３の分圧に減圧する。図５は、処理容器３０内における溶媒の蒸気圧のプロファイルを示す図である。横軸は経過時間を示し、縦軸は溶媒の蒸気圧を示す。
【００２４】
ここで、蒸気圧と膜材料の固化との関係について説明する。まず、処理容器３０内に基体１０を配置した直後から膜材料溶液２０の乾燥は始まる。基体１０に塗布した膜材料溶液２０は、図１に示すように、中央部が凸状に盛り上がっており、縁部において外気との接触面積が大きいため乾燥しやすくなっている。そのため膜材料溶液２０中では膜材料が端部方向（図３の矢印方向）に流動する現象、即ちコーヒーステイン現象が起こる。
【００２５】
その後、処理容器３０内を減圧し始めた段階においては、コーヒーステイン現象によって、膜材料溶液２０の端部から乾燥していき、固化した膜材料からなる縁部２２が形成される（図３参照）。
【００２６】
その後、処理容器３０内の蒸気圧を図５における経過時間ａの時点まで減圧して第１の分圧にすると、膜材料の流動は抑制される。この段階では、減圧によって溶媒の気化が加速し、膜材料溶液２０の中心部近傍において蒸発が起こりやすくなるため、膜材料溶液２０の中心部の固化した膜材料の膜厚が大きくなる。
【００２７】
その後、処理容器３０内の蒸気圧を図５における経過時間ｂの時点まで増圧して第２の分圧にすると、溶媒の気化は減速し、膜材料の流動が再び始まり、縁部２２の内縁付近において蒸発がおこりやすくなり、膜材料溶液２０の中心部の周囲においても固化した膜材料の膜厚が大きくなる。
【００２８】
その後、処理容器３０内の蒸気圧を図５における経過時間ｃの時点まで減圧して第３の分圧にすると、再び膜材料の流動は抑制される。この段階では、減圧によって溶媒の気化が加速し、縁部２２の内側の全面においてほぼ均一に蒸発が起こりやすくなるため、膜材料溶液２０の縁部２２の内側における固化した膜材料の膜厚が急速に大きくなる。
【００２９】
このような減圧および増圧工程における減圧乾燥装置５０の動作の一例を説明する。まず、減圧乾燥装置５０では、減圧ポンプ３８が処理容器３０内の気体を吸引することにより、減圧し始める。その後、気圧測定部４２が処理容器３０内の蒸気圧を測定し、蒸気圧が第１の分圧に達したとき（経過時間ａ）に、制御部４４がガス供給部３２に増圧する指示を送る。ガス供給部３２は、溶媒の蒸気を含む気体を処理容器３０内に送り込むことにより、処理容器内３０を増圧する。
【００３０】
その後、処理容器３０内の蒸気圧が第２の分圧に達したとき（経過時間ｂ）に、制御部４４が減圧ポンプ３８に処理容器３０内を減圧する指示を送る。減圧ポンプ３８は、処理容器３０内の気体を吸引することにより、減圧し始める。その後、処理容器３０内の蒸気圧が第３の分圧に達した後には、処理容器３０内の蒸気圧が第３の分圧に維持するように、減圧ポンプ３８が吸引する。
【００３１】
このようにして、溶媒の蒸気圧を減圧および増圧することにより、図４に示すように、全面において膜厚のほぼ均一な膜２４を形成することができる。膜２４の縁部２６の膜厚は、その内側の領域の膜厚に比べて大きい場合があるが、その膜厚の差は、大気圧下でコーヒーステイン現象により形成される膜の縁部と中央部との膜厚の差より著しく小さいものである。
【００３２】
本実施の形態にかかる膜形成方法によって得られる膜としては、たとえば液晶ディスプレイの配向膜やバックライトのフィルム、有機ＥＬディスプレイの有機膜、半導体装置等に用いられる絶縁膜が挙げられる。液晶ディスプレイの配向膜を形成する際には、たとえばポリイミドを膜材料として、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）やγ-ブチルラクトンを溶媒として適用できる。有機ＥＬディスプレイの有機膜を形成する際には、たとえばポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）およびポリスルフォン酸（ＰＳＳ）を膜材料として適用できる。
【００３３】
なお、上述した減圧工程において、処理容器３０内の温度を高めてもよい。処理容器３０内の温度は、基体１０の温度を上昇させることによって、もしくは処理容器３０内にヒーターを設けること等によって高めることができる。このように、処理容器３０内の蒸気圧を減圧すると同時に温度を高めることによって、膜材料溶液２０中の溶媒の除去を速めることができる。
【００３４】
２．変形例
次に、変形例にかかる膜形成方法を説明する。上述した膜形成方法では、平坦な膜を形成しているが、これにかえて変形例にかかる膜形成方法では、凹凸形状を有する膜を形成する点で、本実施の形態にかかる膜形成方法と異なる。
【００３５】
以下、変形例にかかる膜形成方法について説明する。図６は、変形例にかかる基体１０と膜２７の状態を示す断面図である。
【００３６】
まず、基体１０の表面処理を行い、膜材料溶液２０を基体１０上に塗布する。表面処理工程および膜材料溶液２０の塗布工程の詳細については、上述したとおりであるので説明を省略する。
【００３７】
次に、膜材料溶液２０を乾燥させて、溶媒を除去する。溶媒の除去は、減圧乾燥装置５０を用いて行うことができる。減圧乾燥装置５０の構成については、上述したとおりである。
【００３８】
溶媒を除去する工程では、まず膜材料溶液２０が塗布された基体１０を、処理容器３０内のステージ４０上に配置する。次いで、処理容器３０内の溶媒の蒸気圧を、溶媒の飽和蒸気圧以下である第１の分圧に減圧し、その後飽和蒸気圧以上である第２の分圧に増圧する。その後、処理容器３０内の溶媒の蒸気圧を、第１の分圧より低い第３の分圧に減圧し、その後、第２の分圧に増圧する工程と第３の分圧に減圧する工程とを繰り返す。
【００３９】
図７は、変形例にかかる処理容器３０内における溶媒の蒸気圧のプロファイルを示す図である。横軸は経過時間を示し、縦軸は溶媒の蒸気圧を示す。
【００４０】
ここで、蒸気圧と膜材料の固化との関係について説明する。まず、処理容器３０内に基体１０を配置した直後から膜材料溶液２０の乾燥は始まる。基体１０に塗布した膜材料溶液２０は、上述したように中央部が凸状に盛り上がっており、縁部において外気との接触面積が大きいため乾燥しやすくなっている。そのため膜材料溶液２０中では膜材料が端部方向に流動する現象、即ちコーヒーステイン現象が起こる。
【００４１】
その後、処理容器３０内を減圧し始めた段階においては、コーヒーステイン現象によって、膜材料溶液２０の端部から乾燥していき、固化した膜材料からなる縁部１２２が形成される（図６参照）。
【００４２】
その後、処理容器３０内の蒸気圧を図７における経過時間ｄの時点まで減圧して第１の分圧にすると、膜材料の流動は抑制される。この段階では、減圧によって溶媒の気化が加速し、膜材料溶液２０の中心部近傍において蒸発が起こりやすくなるため、膜材料溶液２０の中心部の固化した膜材料の膜厚が大きくなる。
【００４３】
その後、処理容器３０内の蒸気圧を図７における経過時間ｅ１の時点まで増圧して第２の分圧にすると、溶媒の気化は減速し、膜材料の流動が再び始まり、縁部１２２の内縁付近において蒸発がおこりやすくなる。その後、処理容器３０内の蒸気圧を図７における経過時間ｆ１の時点まで減圧して第３の分圧にすると、再び膜材料の流動は抑制される。この段階では、減圧によって溶媒の気化が加速し、縁部１２２の内側の中央部付近において蒸発が起こりやすくなる。この経過時間ｅ１から経過時間ｆ１の段階で、凹部１２４の膜が形成される。
【００４４】
その後、処理容器３０内の蒸気圧を図７における経過時間ｅ２の時点まで増圧して第２の分圧にすると、溶媒の気化は減速し、膜材料の流動が再び始まり、凸部１２６が形成される。その後、処理容器３０内の蒸気圧を図７における経過時間ｆ２の時点まで減圧して第３の分圧にすると、再び膜材料の流動は抑制されて凹部１２８が形成される。
【００４５】
このように、第２の分圧への増圧と第３の分圧への減圧を繰り返すことにより、複数の凹部１２８および凸部１２６を形成することができる。
【００４６】
このような減圧および増圧工程における減圧乾燥装置５０の動作の一例を説明する。まず、減圧乾燥装置５０では、減圧ポンプ３８が処理容器３０内の気体を吸引することにより、減圧し始める。その後、気圧測定部４２が処理容器３０内の蒸気圧を測定し、蒸気圧が第１の分圧に達したとき（経過時間ｄ）に、制御部４４がガス供給部３２に増圧する指示を送る。ガス供給部３２は、溶媒の蒸気を含む気体を処理容器３０内に送り込むことにより、処理容器内３０を増圧する。
【００４７】
その後、処理容器３０内の蒸気圧が第２の分圧に達したとき（経過時間ｅ１）に、制御部４４が減圧ポンプ３８に処理容器３０内を減圧する指示を送る。減圧ポンプ３８は、処理容器３０内の気体を吸引することにより、減圧し始める。その後、処理容器３０内の蒸気圧が第３の分圧に達したとき（経過時間ｆ１）に、制御部４４がガス供給部３２に処理容器３０内を増圧する指示を送る。ガス供給部３２は、指示を受け取ると、溶媒の蒸気を含む気体を処理容器３０内に送り込む。
【００４８】
その後、処理容器３０内の蒸気圧が第２の分圧に達したとき（経過時間ｅ２）に、制御部４４が減圧ポンプ３８に処理容器３０内を減圧する指示を送る。減圧ポンプ３８は、処理容器３０内の気体を吸引することにより、減圧し始める。その後、処理容器３０内の蒸気圧が第３の分圧に達したとき（経過時間ｆ２）に、制御部４４がガス供給部３２に処理容器３０内を増圧する指示を送る。ガス供給部３２は、指示を受け取ると、溶媒の蒸気を含む気体を処理容器３０内に送り込む。
【００４９】
このようにして、減圧乾燥装置５０は、処理容器３０内の減圧と増圧を繰り返すことにより、図６に示すように、複数の凹部１２８および凸部１２６を形成することができる。凸部１２６の形状は、増圧または減圧の速度に依存するが、たとえば楔形であることができる。
【００５０】
本実施の形態にかかる膜形成方法によって得られる膜としては、たとえば液晶ディスプレイの配向膜やバックライトのフィルム、半導体装置等に用いられる絶縁膜が挙げられる。液晶ディスプレイの配向膜を形成する際には、たとえばポリイミドを膜材料として、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）やγ-ブチルラクトンを溶媒として適用できる。また配向膜を形成する際には、たとえば酸化シリコンを膜材料として、トルエンやキシレン等の有機溶媒を溶媒として適用できる。バックライトのフィルムを形成する際には、フォトポリマーを膜材料として適用できる。
【００５１】
３．実施例
本実施の形態にかかる膜形成方法を用いて膜を形成した。処理容器内３０内の温度は２５℃とし、膜材料としてはポリイミド、溶媒としてはＮＭＰ及びＮＭＰの飽和蒸気圧よりも高い飽和蒸気圧を有するブチロセルソルブを用いた。膜を形成する際の処理容器３０内における溶媒の蒸気圧は、図５のプロファイルのように変化させた。このときの溶媒の蒸気圧は、ブチロセルソルブの蒸気圧である。図８は、本実施の形態の実施例にかかる膜形成方法によって得られた膜の写真である。図８における膜の表面形状は、凹凸の少ない平坦な形状であり、膜は円形の領域に形成されている。このように、２種類以上の溶媒を使用して以上のような工程を経る場合、すばやく固化させ、細かいパターンを形成するために、飽和蒸気圧の高いものを基準に圧力を変化させることが好ましい。飽和蒸気圧が高いものを基準とした場合、蒸気圧の低いものは流体であるため、溶液はより流れやすく、かつ初期状態より増粘しているため、これを繰り返すことで精密なパターン制御をすることができる。
【００５２】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（たとえば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本実施の形態にかかる膜形成工程を説明するための概略図である。
【図２】本実施の形態にかかる膜形成工程に用いられる減圧乾燥装置５０の機能構成を示す図である。
【図３】本実施の形態にかかる膜形成工程を説明するための概略図である。
【図４】本実施の形態にかかる膜形成工程を説明するための概略図である。
【図５】本実施の形態にかかる膜形成工程における処理容器内の溶媒の蒸気圧プロファイルを示す図である。
【図６】変形例にかかる膜形成方法によって得られる膜の断面を示す図である。
【図７】変形例にかかる膜形成工程における処理容器内の溶媒の蒸気圧プロファイルを示す図である。
【図８】本実施の形態の実施例にかかる膜形成方法によって得られた膜の写真である。
【符号の説明】
【００５４】
１０  基体、２０  膜材料溶液、２４  膜、２６  縁部、２７  膜、３０  処理容器、３２  ガス供給部、３４  第１の配管、３６  第２の配管、３８  減圧ポンプ、４０  ステージ、４２  気圧測定部、４４  制御部、５０  減圧乾燥装置、１２２  縁部、１２４  凹部、１２６  凸部、１２８  凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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