(57)【要約】【課題】複数の異なる波長帯のレーザ光を出射する半導体レーザとマウントチップとの良好な接合を達成することができる、半導体装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ１のマウントチップ２００との対向面において、第１レーザ構造部３のエアリッジ部３８のリッジ高さと、第２レーザ構造部４のエアリッジ部４８のリッジ高さとが異なっている。そして、マウントチップ２００の半導体レーザ１との対向面において、半導体レーザ１の第１レーザ構造部３のエアリッジ部３８に対向する第１電極２０１の配置位置と、半導体レーザ１の第２レーザ構造部４のエアリッジ部４８に対向する第２電極２０３の配置位置とは、それらのエアリッジ部３８，４８のリッジ高さの差に応じた段差を有している。【選択図】図３
2008042022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザと、この半導体レーザが接合されるマウントチップとを備える、半導体装置であって、
前記半導体レーザは、
前記マウントチップに向けて突出する第１エアリッジ部を有し、第１の波長のレーザ光を出射する第１レーザ構造部と、
前記マウントチップに向けて前記第１エアリッジ部よりも大きく突出する第２エアリッジ部を有し、前記第１の波長とは異なる第２の波長のレーザ光を出射する第２レーザ構造部とを含み、
前記マウントチップは、
前記半導体レーザとの対向面において、前記第１エアリッジ部と対向する位置に配置された第１電極と、
前記半導体レーザとの対向面において、前記第２エアリッジ部と対向する位置に配置された第２電極とを含み、
前記第１電極の配置位置と前記第２電極の配置位置とは、前記第１エアリッジ部のリッジ高さと前記第２エアリッジ部のリッジ高さとの差に応じた段差を有していることを特徴とする、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、複数の異なる波長帯のレーザ光を出射する半導体レーザを備える半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）などの光ディスクに対する情報の記録／再生には、光ディスクの種類に応じた波長帯のレーザ光が使用される。たとえば、ＣＤに対する情報の記録／再生には、７８０ｎｍ波長帯のレーザ光が使用され、ＤＶＤに対する情報の記録／再生には、６５０ｎｍ波長帯のレーザ光が使用される。
従来から、ＣＤに対する情報の記録／再生とＤＶＤに対する情報の記録／再生とに共用可能な光ピックアップとして、７８０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する半導体レーザのチップと、６５０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する半導体レーザのチップとを備える光ピックアップが提供されている。ところが、光ディスク記録／再生装置の小型化に伴い、光ピックアップの小型化が要求されており、従来の２個のチップを備える構成では、その小型化の要求に十分に応えることができない。
【０００３】
そこで、７８０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する半導体レーザの構造と６５０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する半導体レーザの構造とを１チップに集約した、いわゆるモノリシック２波長レーザが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。このモノリシック２波長レーザを光ピックアップに採用することにより、光ピックアップの小型化を図ることができ、ひいては光ディスク記録／再生装置の小型化を図ることができる。
【０００４】
モノリシック２波長レーザでは、たとえば、ｎ型基板上に積層されたｎ型バッファ層上に、７８０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する第１のレーザ構造部と、６５０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する第２のレーザ構造部とが互いに分離して形成されている。各レーザ構造部は、それぞれ、ｎ型バッファ層上に、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型下クラッド層、エッチングストップ層およびｐ型上クラッド層を、ｎ型バッファ層側からこの順に積層した構造を有している。
【０００５】
各レーザ構造部のｐ型上クラッド層は、その下層のエッチングストップ層よりも幅狭な断面台形状のリッジ部として形成されている。このような形状のリッジ部（ｐ型上クラッド層）は、エッチングストップ層上にｐ型上クラッド層の材料を堆積させた後、その材料の堆積層上にリッジ部を形成すべき領域を覆うレジスト膜をパターン形成し、レジスト膜をマスクとして堆積層をエッチングすることにより得られる。
【特許文献１】特開２００５−３４７４７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
各レーザ構造部のｐ型上クラッド層の材料には、各レーザ構造部の特性に最適な材料が選択され、この選択に際して、通常、それらの材料のエッチングレートは考慮されない。そのため、従来のモノリシック２波長レーザでは、各レーザ構造部のｐ型上クラッド層の材料が異なり、それらのエッチングレートは相異している。
エッチングレートが相異する各材料からなる堆積層のエッチングを同時に行って（エッチングを同時に開始および終了して）、リッジ部以外の堆積層を残さず除去するには、各レーザ構造部のｐ型上クラッド層の材料の堆積層の厚さを、各レーザ構造部のｐ型上クラッド層の材料のエッチングレートに応じて異ならせればよい。すなわち、各レーザ構造部のｐ型上クラッド層の材料の堆積層の厚さの比が、第１のレーザ構造部のｐ型上クラッド層の材料のエッチングレートと第２のレーザ構造部のｐ型上クラッド層の材料のエッチングレートとの比と同じになるように、各レーザ構造部のｐ型上クラッド層の材料の堆積層を形成すれば、各堆積層のエッチングを同時に開始および終了させても、リッジ部以外の堆積層を残さず除去することができる。
【０００７】
しかしながら、各レーザ構造部のｐ型上クラッド層の材料の堆積層の厚さを異ならせると、各レーザ構造部のリッジ部の高さに差を生じる。モノリシック２波長レーザは、両リッジ部をマウントチップの表面に対向させて、そのマウントチップに接合されるため、各レーザ構造部のリッジ部の高さに差があると、モノリシック２波長レーザとマウントチップとの接合不良を生じるおそれがある。
【０００８】
そこで、この発明の目的は、複数の異なる波長帯のレーザ光を出射する半導体レーザとマウントチップとの良好な接合を達成することができる、半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、半導体レーザと、この半導体レーザが接合されるマウントチップとを備える、半導体装置であって、前記半導体レーザは、前記マウントチップに向けて突出する第１エアリッジ部を有し、第１の波長のレーザ光を出射する第１レーザ構造部と、前記マウントチップに向けて前記第１エアリッジ部よりも大きく突出する第２エアリッジ部を有し、前記第１の波長とは異なる第２の波長のレーザ光を出射する第２レーザ構造部とを含み、前記マウントチップは、前記半導体レーザとの対向面において、前記第１エアリッジ部と対向する位置に配置された第１電極と、前記半導体レーザとの対向面において、前記第２エアリッジ部と対向する位置に配置された第２電極とを含み、前記第１電極の配置位置と前記第２電極の配置位置とは、前記第１エアリッジ部のリッジ高さと前記第２エアリッジ部のリッジ高さとの差に応じた段差を有していることを特徴とする、半導体装置である。
【００１０】
この構成によれば、半導体レーザのマウントチップとの対向面において、第１レーザ構造部の第１エアリッジ部のリッジ高さと、第２レーザ構造部の第２エアリッジ部のリッジ高さとが異なっている。そして、マウントチップの半導体レーザとの対向面において、半導体レーザの第１エアリッジ部に対向する第１電極の配置位置と、半導体レーザの第２エアリッジ部に対向する第２電極の配置位置とは、第１エアリッジ部のリッジ高さと第２エアリッジ部のリッジ高さとの差に応じた段差を有している。そのため、半導体レーザとマウントチップとを接合させたときに、第１エアリッジ部を第１電極に確実に当接させることができながら、第２エアリッジ部を第２電極に確実に当接させることができる。その結果、半導体レーザとマウントチップとの良好な接合を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る半導体装置に備えられる半導体レーザの構成を示す模式的な断面図である。
この半導体レーザ１は、いわゆるモノリシック２波長レーザであり、ｎ型ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）基板２上に、７８０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する第１レーザ構造部３と、６５０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する第２レーザ構造部４とを備えている。第１レーザ構造部３および第２レーザ構造部４は、分離溝５により、ｎ型ＧａＡｓ基板２上で互いに分離して形成されている。
【００１２】
第１レーザ構造部３は、図１に示す断面と垂直な方向に延びており、ｎ型ＧａＡｓ基板２側から、ｎ型ＧａＡｓバッファ層３１、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰ（インジウムガリウムアルミニウムリン）クラッド層３２、ＩｎＧａＰ（インジウムガリウムリン）／ＩｎＧａＡｌＰからなるＭＱＷ（Multiple Quantum Well：多重量子井戸）活性層３３、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層３４、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層３５、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層３７を、この順に積層した構造を有している。
ｎ型ＧａＡｓバッファ層３１、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層３２、ＭＱＷ活性層３３、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層３４およびｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層３５は、断面台形状（メサ形状）に形成されている。また、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層３７は、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層３５よりもｎ型ＧａＡｓ基板２の表面と平行な方向に幅狭な断面台形状に形成されており、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層３５上に突出した第１エアリッジ部としてのエアリッジ部３８を構成している。
【００１３】
第２レーザ構造部４は、図１に示す断面と垂直な方向に延びており、ｎ型ＧａＡｓ基板２側から、ｎ型ＧａＡｓバッファ層４１、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４２、ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｌＰからなるＭＱＷ活性層４３、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層４４、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層４５、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層４６およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層４７を、この順に積層した構造を有している。
【００１４】
ｎ型ＧａＡｓバッファ層４１、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４２、ＭＱＷ活性層４３、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層４４およびｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層４５は、断面台形状（メサ形状）に形成されている。また、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層４６およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層４７は、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層４５よりもｎ型ＧａＡｓ基板２の表面と平行な方向に幅狭な断面台形状に形成されており、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層４５上に突出した第２エアリッジ部としてのエアリッジ部４８を構成している。
【００１５】
第１レーザ構造部３のｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層３４およびｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６の材料としては、第１レーザ構造部３の特性に最適なＡｌ組成を有するＩｎＧａＡｌＰ系材料が用いられている。一方、第２レーザ構造部４のｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層４４およびｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層４６の材料としては、第２レーザ構造部４の特性に最適なＡｌ組成を有するＩｎＧａＡｌＰ系材料が用いられており、そのＡｌ組成は、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層３４およびｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６に用いられているＩｎＧａＡｌＰ系材料のＡｌ組成と異なる。そのため、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層４４およびｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層４６の材料のエッチングレートは、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層３４およびｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６の材料のエッチングレートよりも大きい。
【００１６】
そして、この半導体レーザ１では、それらの材料のエッチングレートの差に応じて、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層４６は、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６よりも厚く形成されている。具体的には、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６，４６は、それらの層厚の比がｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層４６の材料のエッチングレートとｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６の材料のエッチングレートとの比に一致するように、それぞれ形成されている。これにより、第１レーザ構造部３のエアリッジ部３８のリッジ高さ（ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層３５の上面からｐ型ＧａＡｓコンタクト層３７の上面までの高さ）と、第２レーザ構造部４のエアリッジ部４８のリッジ高さ（ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層４５の上面からｐ型ＧａＡｓコンタクト層４７の上面までの高さ）とに差Ｄが生じている。
【００１７】
なお、第１レーザ構造部３のｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層３２および第２レーザ構造部４のｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４２についても、ＩｎＧａＡｌＰ系材料が用いられているが、それらの各材料のＡｌ組成は、第１レーザ構造部３および第２レーザ構造部４の各特性に応じて異なっている。第１レーザ構造部３のＭＱＷ活性層３３と第２レーザ構造部４のＭＱＷ活性層４３とについても同様である。
【００１８】
ｎ型ＧａＡｓ基板２上には、たとえば、ＳｉＮ（窒化シリコン）からなる絶縁膜６が形成されている。第１レーザ構造部３および第２レーザ構造部４は、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層３７，４７の上面を除いて、その絶縁膜６によって覆われている。より具体的には、絶縁膜６は、ｎ型ＧａＡｓ基板２の上面、ｎ型ＧａＡｓバッファ層３１、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層３２、ＭＱＷ活性層３３、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層３４およびｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層３５の側面、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層３５の上面、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層３７の側面、ｎ型ＧａＡｓバッファ層４１、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４２、ＭＱＷ活性層４３、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層４４およびｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層４５の側面、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層４５の上面、ならびにｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層４６およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層４７の側面を覆っており、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層３７，４７の上面は、絶縁膜６から露出している。
【００１９】
第１レーザ構造部３および第２レーザ構造部４において、絶縁膜６上には、Ｔｉ（チタン）層７およびＡｕ（金）層８の２層構造を有するメタル層９（ｐ側電極）が形成されている。第１レーザ構造部３のメタル層９（Ｔｉ層７）は、絶縁膜６から露出するｐ型ＧａＡｓコンタクト層３７の表面に接触し、第２レーザ構造部４のメタル層９（Ｔｉ層７）は、絶縁膜６から露出するｐ型ＧａＡｓコンタクト層４７の表面に接触している。各メタル層９上には、Ａｕからなる配線１０が形成されている。
【００２０】
また、ｎ型ＧａＡｓ基板２の裏面には、その全面に、Ａｕ／Ｇｅ（ゲルマニウム）層１１、Ｎｉ（ニッケル）層１２およびＡｕ層１３をｎ型ＧａＡｓ基板２側からこの順に積層した構造を有する裏面メタル層１４（ｎ側電極）が形成されている。
さらに、この半導体レーザ１は、いわゆる端面窓構造を有している。すなわち、第１レーザ構造部３および第２レーザ構造部４の長手方向の端部（光が出射される端面を含む所定幅の部分）には、Ｚｎ（亜鉛）を拡散させることにより、ＭＱＷ活性層３３，４３が他の部分のＭＱＷ活性層３３，４３よりも大きなバンドギャップを有する、窓構造部１５，１６が形成されている。この端面窓構造を有していることにより、第１レーザ構造部３および第２レーザ構造部４の各光出射端面の劣化（破壊）を抑制することができ、第１レーザ構造部３および第２レーザ構造部４の高出力化を図ることができる。
【００２１】
図２Ａ〜図２Ｈは、半導体レーザ１の製造工程を説明するための模式的な断面図である。
まず、図２Ａに示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ＭＯＣＶＤ（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属化学気相蒸着）法により、ｎ型ＧａＡｓバッファ層３１、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層３２、ＭＱＷ活性層３３、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層３４、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層３５、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層３７の各材料の堆積層が形成される。
【００２２】
次に、図２Ｂに示すように、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層３７の材料の堆積層上に、フォトリソグラフィにより、第１レーザ構造部３を形成すべき領域を覆うレジスト膜２１が形成される。そして、レジスト膜２１をマスクとして、たとえば、ウエットエッチングにより、各堆積層が部分的に除去される。この後、レジスト膜２１は、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層３７の材料の堆積層上から除去される。
【００２３】
その後、図２Ｃに示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＡｓバッファ層４１、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４２、ＭＱＷ活性層４３、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層４４、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層４５、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層４６およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層４７の各材料の堆積層が形成される。このとき、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層４６の材料の堆積層は、その堆積層の層厚とｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層４６の材料の堆積層の層厚との比が、それらの各材料のエッチングレートの比と一致するような層厚に形成される。
【００２４】
つづいて、図２Ｄに示すように、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４７の材料の堆積層上に、フォトリソグラフィにより、第２レーザ構造部４を形成すべき領域を覆うレジスト膜２２が形成される。そして、レジスト膜２２をマスクとして、たとえば、ウエットエッチングにより、各堆積層が部分的に除去される。この後、レジスト膜２２は、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４７の材料の堆積層上から除去される。
【００２５】
次いで、図示しないが、ｎ型ＧａＡｓ基板２上の全領域を覆うＳｉＮ膜が形成される。そして、窓構造部１５，１６（図１参照）を形成すべき領域上からＳｉＮ膜が部分的に除去される。その後、ＳｉＮ膜上にＺｎＯ（酸化亜鉛）膜が形成され、つづいて熱処理が行われる。これにより、ＺｎＯ膜中のＺｎがｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層３２，４２に向けて拡散し、窓構造部１５，１６が形成される。
【００２６】
その後、プラズマＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＡｓ基板２上の全領域を覆うＳｉＯ2（酸化シリコン）膜が形成され、フォトリソグラフィおよびウエットエッチングにより、図２Ｅに示すように、そのＳｉＯ2膜が第１レーザ構造部３のエアリッジ部３８および第２レーザ構造部４のエアリッジ部４８に対応したストライプ形状のＳｉＯ2パターン２３に加工される。そして、それらのＳｉＯ2パターン２３をマスクとして、ウエットエッチングまたはドライエッチングとウエットエッチングとの組合せにより、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６，４６およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層３７，４７の堆積層が部分的に除去される。これにより、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層３７からなるエアリッジ部３８と、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層４６およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層４７からなるエアリッジ部４８とが形成される。
【００２７】
ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層４６の材料の堆積層の層厚とｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層４６の材料の堆積層の層厚との比が、それらの各材料のエッチングレートの比と一致しているので、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６，４６およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層３７，４７の堆積層のエッチングを同時に開始および終了しても、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層３５，４５上の各堆積層のエアリッジ部３８，４８以外の部分を残さず除去することができ、第１レーザ構造部３のエアリッジ部３８と第２レーザ構造部４のエアリッジ部４８とを同時に得ることができる。
【００２８】
その後、ＳｉＯ2パターン２３が除去される。そして、図２Ｆに示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板２上の全領域を覆うＳｉＮ膜２４が形成される。
次いで、フォトリソグラフィおよびウエットエッチングにより、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層３７，４７上からＳｉＮ膜２４が除去される。これにより、図２Ｇに示すように、絶縁膜６が形成される。
【００２９】
その後、図２Ｈに示すように、第１レーザ構造部３および第２レーザ構造部４上に、Ｔｉ層７およびＡｕ層８が選択的に形成される。さらに、各Ａｕ層８上に、配線１０が形成される。そして、ｎ型ＧａＡｓ基板２の裏面全域に、Ａｕ／Ｇｅ層１１、Ｎｉ層１２およびＡｕ層１３が形成されると、図１に示す構造の半導体レーザ１が得られる。Ｔｉ層７、Ａｕ層８、配線１０、Ａｕ／Ｇｅ層１１、Ｎｉ層１２およびＡｕ層１３は、たとえば、スパッタリング法または真空蒸着法などにより形成することができる。
【００３０】
図３は、この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を簡素化して示す断面図である。
半導体装置１００は、半導体レーザ１と、この半導体レーザ１が接合されるマウントチップ２００とを備えている。
半導体レーザ１は、第１レーザ構造部３および第２レーザ構造部４をマウントチップ２００の表面に対向させて接合されている。なお、図３において、半導体レーザ１は、その外形のみが示されている。
【００３１】
マウントチップ２００は、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）からなり、たとえば、平面視で半導体レーザ１よりも大きなサイズの矩形状に形成されている。
マウントチップ２００の表面には、第１レーザ構造部３のエアリッジ部３８と対向する位置に、たとえば、Ａｕ薄層上にＳｎ材料を塗布することにより形成された第１電極２０１が配置されている。
【００３２】
また、マウントチップ２００の表面には、第２レーザ構造部４のエアリッジ部４８と対向する位置に、第１レーザ構造部３のエアリッジ部３８のリッジ高さと第２レーザ構造部４のエアリッジ部４８のリッジ高さとの差Ｄ（第１レーザ構造部３のｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６の層厚と第２レーザ構造部４のｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層４６の層厚との差）に等しい深さの凹部２０２が形成されている。そして、この凹部２０２内には、たとえば、Ａｕ薄層上にＳｎ材料を塗布することにより形成された第２電極２０３が配置されている。
【００３３】
このような構成により、半導体レーザ１とマウントチップ２００とを接合させたときに、第１レーザ構造部３のエアリッジ部３８（配線１０）を第１電極２０１に確実に当接させることができながら、第２レーザ構造部４のエアリッジ部４８（配線１０）を第２電極２０３に確実に当接させることができる。そして、エアリッジ部３８と第１電極２０１とが当接し、エアリッジ部４８と第２電極２０３とが当接した状態で、熱処理を加えることにより、第１電極２０１および第２電極２０３のＳｎ材料が溶融し、エアリッジ部３８，４８上の各配線１０と第１電極２０１および第２電極２０３とを確実に接続することができる。その結果、半導体レーザ１とマウントチップ２００との良好な接合を達成することができる。
【００３４】
以上、この発明の一実施形態を説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、前述の実施形態では、第１レーザ構造部３のｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層３４およびｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６の材料と、第２レーザ構造部４のｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層４４およびｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層４６の材料とに、ＩｎＧａＡｌＰ系材料が用いられているが、それらの各層の材料に、必ずしも同系の材料を用いなくてもよい。たとえば、第１レーザ構造部３は、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層３４およびｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６に代えて、ｐ型ＡｌＧａＡｓ下クラッド層およびｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層を備えていてもよい。この場合、第１レーザ構造部３は、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層３２に代えて、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層を備え、ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｌＰからなるＭＱＷ活性層に代えて、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓからなるＭＱＷ活性層を備えるとよい。
【００３５】
また、前述の実施形態の場合と各半導体部分の導電型を反転した構成が採用されてもよい。すなわち、前述の実施形態におけるｐ型の部分がｎ型であり、ｎ型の部分がｐ型である構成が採用されてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】この発明の一実施形態に係る半導体装置に備えられる半導体レーザの構成を示す模式的な断面図である。
【図２Ａ】図１に示す半導体レーザの製造工程を説明するための模式的な断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの次の工程を示す模式的な平面図である。
【図２Ｃ】図２Ｂの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｃの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｄの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｆ】図２Ｅの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｇ】図２Ｆの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図２Ｈ】図２Ｇの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図３】この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を簡素化して示す断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１      半導体レーザ
３      第１レーザ構造部
４      第２レーザ構造部
３８    エアリッジ部
４８    エアリッジ部
１００  半導体装置
２００  マウントチップ
２０１  第１電極
２０２  凹部
２０３  第２電極
【図１】
2008042022.tif 000003
【図２Ａ】
2008042022.tif 000004
【図２Ｂ】
2008042022.tif 000005
【図２Ｃ】
2008042022.tif 000006
【図２Ｄ】
2008042022.tif 000007
【図２Ｅ】
2008042022.tif 000008
【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図２Ｈ】
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【図３】
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