(57)【要約】【課題】発光装置において、発光素子の電極を含む電極層のコンタクト領域と発光領域との間の部分に、電流流路を横切る長い欠損が生じることのないようにする。【解決手段】基板１０と、基板１０上に形成された配線層１９と、配線層１９上に形成された絶縁層２０と、絶縁層２０上に形成されたＯＬＥＤ７０と、ＯＬＥＤ７０の陰極となる第２電極層２４とを有する。絶縁層２０は、第２電極用電源線１７の上面の一部を側面で囲んでコンタクト領域８１を画定している。コンタクト領域８１の周には、ＯＬＥＤ７０が配列される発光領域Ｅの中心点に面する点が２つ以上あり、コンタクト領域８１の周は、これら２以上の点を結ぶ区間において屈曲または屈折しているようにしてもよい。【選択図】図３
2008076803.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の発光領域に設けられ、前記基板側の第１電極、前記基板との間に前記第１電極を挟む第２電極、および前記第１電極と前記第２電極の間に挟まれた発光層を有する発光素子と、
前記基板上に形成され、前記基板上の前記発光領域の外側に設けられた第２電極用配線を含む配線層と、
前記配線層と前記第１電極との間に介在し、前記発光領域の外側で前記第２電極用配線の上面の一部を側面で囲んでコンタクト領域を画定している絶縁層と、
前記第２電極を含んで延在し、前記コンタクト領域の全域と前記コンタクト領域を画定している前記絶縁層の側面とに接触している電極層とを備え、
前記コンタクト領域の周には、前記発光領域の中心点に面する点が２つ以上あり、
前記コンタクト領域の周は、前記２以上の点を結ぶ区間において屈曲または屈折している、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上の発光領域に設けられ、前記基板側の第１電極、前記基板との間に前記第１電極を挟む第２電極、および前記第１電極と前記第２電極の間に挟まれた発光層を有する発光素子と、
前記基板上に形成され、前記基板上の前記発光領域の外側に設けられた第２電極用配線を含む配線層と、
前記配線層と前記第１電極との間に介在し、前記発光領域の外側で前記第２電極用配線の上面の一部を側面で囲んでコンタクト領域を画定している絶縁層と、
前記第２電極を含んで延在し、前記コンタクト領域の全域と前記コンタクト領域を画定している前記絶縁層の側面とに接触している電極層とを備え、
前記コンタクト領域の周は曲率を持つ、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板上の発光領域に設けられ、前記基板側の第１電極、前記基板との間に前記第１電極を挟む第２電極、および前記第１電極と前記第２電極の間に挟まれた発光層を有する発光素子と、
前記基板上に形成され、前記基板上の前記発光領域の外側に設けられた第２電極用配線を含む配線層と、
前記配線層と前記第１電極との間に介在し、前記発光領域の外側で前記第２電極用配線の上面の一部を側面で囲んでコンタクト領域を画定している絶縁層と、
前記第２電極を含んで延在し、前記コンタクト領域の全域と前記コンタクト領域を画定している前記絶縁層の側面とに接触している電極層とを備え、
前記コンタクト領域の周の全区間の一部は、前記コンタクト領域を画定している前記絶縁層に接している前記配線層の延在方向に対して０度より大きく９０度より小さい角度をなす直線である、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
前記発光領域の形状は四角形であり、
前記コンタクト領域は、前記発光領域の各辺に対して１つずつ画定されている、
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記コンタクト領域は複数であり、
前記複数のコンタクト領域のうち２つは、前記発光領域を挟んで対向する位置に画定されている、
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気的な作用に応じて光学的な特性が変化する発光装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上の発光領域に複数のＯＬＥＤ（organic  light  emitting  diode）を有するアクティブマトリクス駆動方式の発光装置が知られている。特許文献１には、この種の発光装置の一種として、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板の金属配線層において陰極用配線を引き回し、発光領域の外側で、ＯＬＥＤの陰極を含む陰極層に接触させた発光装置が記載されている。この陰極層は、複数のＯＬＥＤに共通している。
【特許文献１】特許第３６０８６１４号公報（図１，図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１に記載の発光装置に代表される従来の発光装置の欠点について、図面を参照して説明する。図１１は、従来の発光装置の平面図、図１２および図１３は、それぞれ、図１１に示す発光装置のＡ−Ａ’線矢視断面図である。ただし、各図においてはＯＬＥＤを外気から保護する保護層の図示を省略してあり、図１１および図１２においては陰極層の図示をも省略してある。
【０００４】
図１１および図１２に示すように、従来の発光装置では、基板５０１上に、陰極用配線５０２を含む金属配線層が形成され、その上に絶縁層５０３が形成される。絶縁層５０３は、金属配線層とＯＬＥＤの陽極との間に介在し、発光領域５０７の外側で陰極用配線５０２の上面の一部を側面で囲んでコンタクト領域５０４を画定する。コンタクト領域５０４の形状は長方形である。コンタクト領域５０４の近傍においては、陰極用配線５０２および絶縁層５０３上に陰極層５０５が蒸着により形成される。
【０００５】
この蒸着では、蒸着源が陰極層５０５の中央付近に配置される。陰極層５０５は、複数のＯＬＥＤに共通しているから、蒸着源の位置は、発光領域５０７の中央付近、すなわち基板５０１の中央付近となる。このため、コンタクト領域５０４付近では、蒸着粒子の入射方向が、基板５０１に対して斜めになる。このため、コンタクト領域５０４と発光領域５０７との間でコンタクト領域５０４を画定している絶縁層５０３の側面５０９では、陰極層５０５の膜厚が薄くなる。
【０００６】
この傾向は、絶縁層５０３の膜厚が厚くなり、絶縁層５０３の上面５０８とコンタクト領域５０４との段差が大きくなるほど顕著となり、酷い場合には、側面５０９において陰極層５０５が形成されない部分（欠損箇所５０６）が生じてしまう。コンタクト領域５０４の形状は長方形であるから、欠損箇所５０６は、図１１に示すようにコンタクト領域５０４の発光領域５０７側の辺の全長にわたって延在する。つまり、陰極層５０５のコンタクト領域５０４と発光領域５０７との間の部分に、電流流路を横切る長い欠損が生じている。これは、陰極用配線５０２と陰極層５０５との間のコンタクト抵抗を高くしたり、電流の供給を不安定化させたり、非欠損部分の劣化を助長したりする。
【０００７】
なお、絶縁層５０３は、金属配線層とＯＬＥＤの陽極とを絶縁するものであり、その膜厚は、基本的には、両者を絶縁することができる厚さ以上であれば足りる。しかし、要求される絶縁性能が通常よりも高ければ、絶縁層５０３の膜厚を通常よりも厚くする必要がある。また、ＯＬＥＤからの光が基板を透過して出射するボトムエミッション型を採る場合には、要求される光取り出し効率に応じて絶縁層５０３の膜厚を調整する必要があり、絶縁層５０３の膜厚が通常よりも厚くなる可能性がある。一方、有機Ｅ素子からの光がボトムエミション型とは反対側に出射するトップエミッション型を採る場合には、絶縁層５０３は陽極の下地を平坦化する役割を果たす。したがって、要求される平坦化の程度によっては、絶縁層５０３の膜厚が通常よりも厚くなる可能性がある。
【０００８】
本発明は、上述した背景に基づいてなされたものであり、ＯＬＥＤに代表される発光素子の電極を含む電極層のコンタクト領域と発光領域との間の部分に、電流流路を横切る長い欠損が生じることのない発光装置および電子機器を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る発光装置は、基板と、前記基板上の発光領域に設けられ、前記基板側の第１電極、前記基板との間に前記第１電極を挟む第２電極、および前記第１電極と前記第２電極の間に挟まれた発光層を有する発光素子と、前記基板上に形成され、前記基板上の前記発光領域の外側に設けられた第２電極用配線を含む配線層と、前記配線層と前記第１電極との間に介在し、前記発光領域の外側で前記第２電極用配線の上面の一部を側面で囲んでコンタクト領域を画定している絶縁層と、前記第２電極を含んで延在し、前記コンタクト領域の全域と前記コンタクト領域を画定している前記絶縁層の側面とに接触している電極層とを備え、前記コンタクト領域の周には、前記発光領域の中心点に面する点が２つ以上あり、前記コンタクト領域の周は、前記２以上の点を結ぶ区間において屈曲または屈折している、ことを特徴とする。
発光領域の中心点に面する点とは、コンタクト領域の周上の点のうち、発光領域の中心点から延ばした直線が、コンタクト領域の周上の他の点を通ることなく到達する点である。また、屈曲または屈折とは、コンタクト領域の製造誤差の範囲に収まらない程度に曲がっていること又は折れていることを意味する。
この発光装置によれば、コンタクト領域と発光領域との間にあってコンタクト領域を画定している絶縁層の側面（段差部分）が、コンタクト領域の周方向において起伏に富む形状となる。つまり、段差部分が多方向を向く。したがって、蒸着源を発光領域の中心付近に配置して行われる蒸着によって電極層を形成する場合に、コンタクト領域と発光領域との間の部分に電流流路を横切る長い欠損が生じることがない。よって、電流の安定供給、コンタクト抵抗の低減、電流集中による配線の劣化抑制などの効果が得られる。
【００１０】
本発明に係る別の発光装置は、基板と、前記基板上の発光領域に設けられ、前記基板側の第１電極、前記基板との間に前記第１電極を挟む第２電極、および前記第１電極と前記第２電極の間に挟まれた発光層を有する発光素子と、前記基板上に形成され、前記基板上の前記発光領域の外側に設けられた第２電極用配線を含む配線層と、前記配線層と前記第１電極との間に介在し、前記発光領域の外側で前記第２電極用配線の上面の一部を側面で囲んでコンタクト領域を画定している絶縁層と、前記第２電極を含んで延在し、前記コンタクト領域の全域と前記コンタクト領域を画定している前記絶縁層の側面とに接触している電極層とを備え、前記コンタクト領域の周は曲率を持つ、ことを特徴とする。この発光装置によれば、コンタクト領域の周が曲率を持つから、段差部分が多方向を向く。よって、上記の効果が得られる。
【００１１】
本発明に係る更に別の発光装置は、基板と、前記基板上の発光領域に設けられ、前記基板側の第１電極、前記基板との間に前記第１電極を挟む第２電極、および前記第１電極と前記第２電極の間に挟まれた発光層を有する発光素子と、前記基板上に形成され、前記基板上の前記発光領域の外側に設けられた第２電極用配線を含む配線層と、前記配線層と前記第１電極との間に介在し、前記発光領域の外側で前記第２電極用配線の上面の一部を側面で囲んでコンタクト領域を画定している絶縁層と、前記第２電極を含んで延在し、前記コンタクト領域の全域と前記コンタクト領域を画定している前記絶縁層の側面とに接触している電極層とを備え、前記コンタクト領域の周の全区間の一部は、前記コンタクト領域を画定している前記絶縁層に接している前記配線層の延在方向に対して０度より大きく９０度より小さい角度をなす直線である、ことを特徴としている。この発光装置によれば、コンタクト領域の周は、コンタクト領域を画定している絶縁層に接している配線層の延在方向に対して０度より大きく９０度より小さい角度をなす直線を含むから、段差部分が多方向を向く。よって、上記の効果が得られる。
【００１２】
上記の各発光装置において、前記発光領域の形状は四角形であり、前記コンタクト領域は、前記発光領域の各辺に対して１つずつ画定されている、ようにしてもよい。この発光装置によれば、コンタクト領域が発光領域の各辺に対して複数ずつ画定される場合に比較して、コンタクト領域の面積を大きくし、コンタクト抵抗を小さくすることができる。これは、消費電力の低下につながる有利な効果である。
【００１３】
上記の各発光装置において、さらに、前記コンタクト領域は複数であり、前記複数のコンタクト領域のうち２つは、前記発光領域を挟んで対向する位置に画定されている、ようにしてもよい。発光領域に対してコンタクト領域が対称に配置されるから、発光領域内に複数の発光素子が設けられる場合に、各発光素子への供給電流をより均等にすることができる。これは、発光ムラの防止や、電流集中による配線の劣化抑制につながる有利な効果である。
【００１４】
本発明に係る電子機器は、上記の発光装置のいずれか１つを有する。したがって、上述した各種効果に起因した効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る実施の形態を説明する。なお、図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００１６】
＜第１の実施の形態＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１の構成の一部を示す概略平面図である。発光装置１は基板１０を備える。基板１０の端部には複数の接続端子１１が形成されている。これらの接続端子１１には、外部の回路から、各種の信号や電源電圧が供給される。また、基板１０上には、発光領域Ｅと、発光領域Ｅを囲む周辺領域Ｈが設けられている。周辺領域Ｈには、走査線駆動回路１２およびデータ線駆動回路１３が形成されている。発光領域Ｅには、複数の走査線１４と複数のデータ線１５が形成され、それらの交差点の各々の近傍には複数の単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。
【００１７】
図２は、発光装置１の単位回路Ｐの詳細を示す回路図である。各単位回路Ｐは、ｎチャネル型のトランジスタ６８、ｐチャネル型のトランジスタ６０、容量素子６９、およびＯＬＥＤ７０を含む。ｐチャネル型のトランジスタ６０のソース電極は電流供給線１６に接続される一方、そのドレイン電極はＯＬＥＤ７０の陽極に接続される。また、トランジスタ６０のソース電極とゲート電極との間には、容量素子６９が設けられている。ｎチャネル型のトランジスタ６８のゲート電極は走査線１４に接続され、そのソース電極は、データ線１５に接続され、そのドレイン電極はトランジスタ６０のゲート電極と接続される。
【００１８】
単位回路Ｐは、その単位回路Ｐに対応する走査線１４を走査線駆動回路１２が選択すると、トランジスタ６８がオンされて、データ線１５を介して供給されるデータ信号を内部の容量素子６９に保持する。そして、トランジスタ６０が、データ信号のレベルに応じた電流をＯＬＥＤ７０に供給する。これにより、ＯＬＥＤ７０は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。
【００１９】
図１に示すように、基板１０上の、周辺領域Ｈには、発光領域Ｅをとりまくコの字状の第２電極用電源線１７が形成されている。走査線駆動回路１２は、第２電極用電源線１７と発光領域Ｅとの間に配置されている。第２電極用電源線１７は、後述するようにＯＬＥＤ７０の陰極（第２電極）に電源電圧（この例では、Ｖｓｓ：グランドレベル）を供給するための配線である。ＯＬＥＤ７０は、後述するように、陰極と陽極（第１電極）と両電極の間に挟まれた発光機能層（発光層を含む）とを有する。
【００２０】
図３は、図１に示す発光装置１のＢ−Ｂ’線矢視断面図である。この図において、発光装置１の上面が光を射出する射出面となる。基板１０上には酸化珪素を主体とする下地保護層１８が形成され、その上に配線層１９が形成されている。配線層１９には、各単位回路Ｐについて、トランジスタ６０およびトランジスタ６８が設けられている。
【００２１】
配線層１９は、下地保護層１８上に形成された半導体層１９１、半導体層１９１上に形成されたゲート絶縁層１９２、ゲート絶縁層１９２上に形成された第１金属配線層１９３、第１金属配線層１９３上に形成された層間絶縁層１９４、および層間絶縁層１９４上に形成された第２金属配線層１９５を有する。半導体層１９１には、トランジスタ毎に、ソース領域ＳＲ、ゲート領域ＧＲおよびドレイン領域ＤＲが設けられている。第１金属配線層１９３には、ゲート領域ＧＲに重ねてゲート電極ＧＴが設けられている。また第１金属配線層１９３には、走査線１４が設けられている。
【００２２】
第２金属配線層１９４には、ソース領域ＳＲに重ねてソース電極ＳＴが、ドレイン領域ＤＲに重ねてドレイン電極ＤＴが設けられている。ソース電極ＳＴは、ゲート絶縁層１９２および層間絶縁層１９３にわたって開孔するコンタクトホールを通じてソース領域ＳＲと接続されている。これと同様に、ドレイン電極ＤＴはドレイン領域ＤＲに接続されている。また、金属配線層１９４には、データ線１５、電流供給線１６および第２電極用電源線１７が設けられている。配線層１９内の各種電極や配線は、アルミニウム等の、導電性を有する材料で形成される。
【００２３】
第２金属配線層１９５（配線層１９）上には、絶縁層２０が形成されている。絶縁層２０は、配線層１９内の回路を保護するためのものであり、これらの回路を保護するに十分な膜厚を有し、第２金属配線層１９５とＯＬＥＤ７０の陽極とを絶縁する。絶縁層２０には、発光領域Ｅにあっては、単位回路Ｐ毎に、トランジスタ６０のドレイン電極ＤＴの上面の一部を露出させるスルーホールが形成されており、周辺領域Ｈにあっては、第２電極用電源線１７の上面内のコンタクト外接領域８０に含まれる複数のコンタクト領域８１を露出させる複数のスルーホールが形成されている。コンタクト外接領域８０は、略長方形の領域であり、第２電極用電源線１７の延在方向に略平行な２本の長辺と、この延在方向に略直交する２本の短辺で囲まれている。コンタクト外接領域８０およびコンタクト領域８１については、後に詳述する。
【００２４】
図示を略すが、絶縁層２０は、第２金属配線層１９５上に形成された回路保護層と、この回路保護層上に形成された回路段差平坦化層を有する。回路保護層は、配線層１９内の回路を保護するためのものであり、窒化珪素や窒酸化珪素などのガス透過率の低い材料で形成される。回路段差平坦化層は、配線層１９の上面における凹凸を吸収し、ＯＬＥＤ７０の陽極が形成される面を平坦化するものであり、例えば、アクリル系またはポリイミド系の有機高分子材料で形成される。この場合、回路段差平坦化層の形成方法は、フォトリソグラフィ法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの任意の方法やそれらの組み合わせを適宜に採用可能である。
【００２５】
絶縁層２０上には、発光領域Ｅ内に、第１電極層２１が形成される。第１電極層２１は、単位回路Ｐ毎に設けられている。各第１電極層２１の一部は、対応する単位回路Ｐ内のＯＬＥＤ７０の陽極となる。また、各単位回路Ｐにおいて、第１電極層２１は、絶縁層２０に開孔するコンタクトホールを通じて、当該単位回路Ｐ内のトランジスタ６０のドレイン電極ＤＴに接続されている。なお、第１電極層２１の材料は導電性の材料である。ボトムエミッション型の場合には、光透過性の高い材料でなければならない。
【００２６】
以上より明らかなように、絶縁層２０は、配線層１９と複数のＯＬＥＤ７０の陽極との間に介在する。なお、ボトムエミッション型の場合には、絶縁層２０を構成する回路段差平坦化層に、光取り出し効率を調整する役割を与えてもよい。この場合にも、回路段差平坦化層の形成材料や形成方法は上述した通りである。また、絶縁層２０を回路保護層のみで構成するようにしてもよい。いずれの形態にせよ、絶縁層２０が、配線層１９とＯＬＥＤ７０の陽極との間に介在することは変わらない。
【００２７】
絶縁層２０および第１電極層２１上には、隔壁２２が形成されている。隔壁２２は、アクリルまたはポリイミドで形成され、発光領域Ｅにおいては、各第１電極層２１の上面の一部のみが露出するように絶縁層２０および第１電極層２１を覆っている。この露出面がＯＬＥＤ７０の開口Ｒとなる。つまり、第１電極層２１および隔壁２２は、ＯＬＥＤ７０の形成領域を画定している。一方、周辺領域Ｈにおいては、隔壁２２が途中で尽きており、隔壁２２の下面外端の外側において、絶縁層２０の上面や複数のコンタクト領域８１が露出している。
【００２８】
第１電極層２１上には、開口Ｒを覆って発光機能層２３が形成されている。発光機能層２３の側面は隔壁２２に接している。発光機能層２３は、有機ＥＬ材料で形成された発光層を備える。有機ＥＬ材料は低分子材料であっても高分子材料であってもよい。発光機能層２３は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層および電子ブロック層の一部または全部を備えていてもよい。
【００２９】
発光機能層２３上には、第２電極層２４が形成されている。第２電極層２４の形成は、導電性の材料を蒸着することにより行われる。光透過性の低い材料を用いる場合には十分に薄く成膜する必要がある。ボトムエミッション型の場合には、そのような配慮は不要である。なお、エミッション型に限らず、第２電極層２４を複数層構成としてよい。
【００３０】
第２電極層２４は、発光領域Ｅの全体および周辺領域Ｈにわたって形成され、複数の単位回路Ｐに共通して設けられている。第２電極層２４の一部は、対応する単位回路Ｐ内のＯＬＥＤ７０の陰極となる。第２電極層２４は、周辺領域Ｈでは、第２電極用電源線１７の一部の外側まで延在しているが、走査線駆動回路１２やデータ線駆動回路１３には重なっていない。第２電極層２４と第２電極用電源線１７は、周辺領域Ｈの部分Ｍにおいて、複数のコンタクト領域８１で接触している。
【００３１】
図４は、図１に示す発光装置１の部分Ｍの拡大図である。この図に示すように、複数のコンタクト領域８１の形状は同形同大の円である。これら複数のコンタクト領域８１は、コンタクト外接領域８０の長手方向（第２電極用電源線１７の延在方向）および短手方向に、円の中心を揃えて配列されている。長手方向に並ぶコンタクト領域８１は多数であり、短手方向に並ぶコンタクト領域８１は２つである。コンタクト外接領域８０は、前述の２本の長辺および２本の短辺でこれらのコンタクト領域８１の全てを囲むことが可能な最小の面積の領域である。
【００３２】
図５は、図４に示す部分ＭのＣ−Ｃ’線矢視断面図である。この図に示すように、コンタクト領域８１は、第２電極用電源線１７および絶縁層２０に画定されている。すなわち、絶縁層２０は、周辺領域Ｈにおいて、第２電極用電源線１７の上面の一部を、絶縁層２０の側面２０１で囲んで各コンタクト領域８１を画定している。第２電極層２４は、絶縁層２０の上面および側面２０１ならびに各コンタクト領域８１を覆うように形成される。つまり、ＯＬＥＤ７０の陰極を含んで延在し、各コンタクト領域８１の全域と各コンタクト領域８１を画定している絶縁層２０の側面２０１とに接触している。
【００３３】
Ｃ−Ｃ’線は、コンタクト外接領域８０の端手方向に平行で、２つのコンタクト領域８１の各中心を通る線である。この線での断面では、コンタクト領域８１の形状（周が一定の曲率を持つ形状）は、絶縁層２０の上面とコンタクト領域８１との段差の影響を抑えることができない。すなわち、図５に示すように、コンタクト領域８１と発光領域Ｅとの間でコンタクト領域８１を画定している絶縁層２０の側面２０１では、第２電極層２４の膜厚が大幅に薄くなる。
【００３４】
図６は、図４に示す部分ＭのＤ−Ｄ’線矢視断面図である。Ｄ−Ｄ’線は、コンタクト外接領域８０の端手方向に平行で、２つのコンタクト領域８１の、各中心から離れた部分を通る線である。この線での断面では、コンタクト領域８１の形状は、絶縁層２０の上面とコンタクト領域８１との段差の影響を抑えることができる。すなわち、図６に示すように、コンタクト領域８１と発光領域Ｅとの間でコンタクト領域８１を画定している絶縁層２０の側面２０１では、第２電極層２４の膜厚がほとんど薄くならない。
【００３５】
以上説明したように、発光装置１によれば、コンタクト領域８１と発光領域Ｅとの間にあって当該コンタクト領域８１を画定している絶縁層２０の側面（段差部分）が、コンタクト領域８１の周方向において起伏に富む形状となる。つまり、段差部分が多方向を向く。したがって、第２電極層２４の蒸着では、当該コンタクト領域８１と発光領域Ｅとの間の部分に電流流路を横切る長い欠損が生じることがない。よって、ＯＬＥＤ７０への電流の安定供給、コンタクト抵抗の低減、電流集中による第２電極用電源線１７や第２電極層２４などの配線の劣化抑制などの効果が得られる。なお、本実施の形態を変形し、コンタクト領域８１の形状を、真円以外の円（例えば長円）としてもよい。
【００３６】
＜第２の実施の形態＞
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置２の構成の一部を示す概略平面図である。発光装置２が発光装置１と異なる点は、コンタクト外接領域の配置および数と、コンタクト領域の形状および数と、第２電極層に覆われる範囲である。
【００３７】
発光装置２は、コンタクト外接領域８０に代えて、２つのコンタクト外接領域８２を有する。各コンタクト外接領域８２は、第２電極用電源線１７の上面内の略長方形の領域であり、第２電極用電源線１７の延在方向に略平行な２本の長辺と、この延在方向に略直交する２本の短辺で囲まれている。２つのコンタクト外接領域８２は、発光領域Ｅおよび走査線駆動回路１２を挟んで互いに対向する位置に設けられている。
【００３８】
また発光装置２は、第２電極層２４に代えて、第２電極層９０を有する。第２電極層９０は発光領域Ｅの全体および周辺領域Ｈにわたって形成され、複数の単位回路Ｐに共通して設けられている。第２電極層９０の一部は、対応する単位回路Ｐ内のＯＬＥＤ７０の陰極となる。第２電極層９０は、周辺領域Ｈでは、第２電極用電源線１７の一部の外側まで延在している。コ字状の第２電極用電源線１７を構成する３つの直線状部分のうち、図１において第２電極層２４に一部が覆われている直線状部分を奥の直線状部分とすると、第２電極層９０は、奥の直線状部分の全部と、手前の２つの直線状部分の各々の一部が覆っている。２つのコンタクト外接領域８２および走査線駆動回路１２も第２電極層９０に覆われている。
【００３９】
図８は、発光装置２のコンタクト領域８３の形状を示す図である。この図に示すように、コンタクト領域８３の周は、全区間にわたって曲率を有する。したがって、発光装置２によれば、発光装置１により得られる効果と同様の効果を得ることができる。また、発光装置２によれば、コンタクト領域８３が発光領域Ｅの各辺に対して複数ずつ画定される場合に比較して、コンタクト領域の面積を大きくし、コンタクト抵抗を小さくすることができる。また、発光装置２によれば、発光領域Ｅに対してコンタクト領域８３が対称に配置されるから、発光領域Ｅ内に複数のＯＬＥＤ７０が設けられる場合に、各ＯＬＥＤ７０への供給電流をより均等にすることができる。
【００４０】
＜第３の実施の形態＞
図９は、本発明の第３の実施の形態に係る発光装置３のコンタクト領域８４の形状を示す図である。発光装置３が発光装置２と異なる点は、コンタクト領域の形状である。発光装置３が有するコンタクト領域８４の周は、コンタクト領域８３を画定している絶縁層２０に接している配線層の延在方向に対して３０度の角度をなす複数の辺から構成されている。したがって、段差部分が多方向を向く。よって、発光装置３によれば発光装置２と同様の効果が得られる。
【００４１】
＜他の変形例＞
上述した各実施の形態を変形し、第２電極用電源線１７を、データ線駆動回路１３と端子１１との間を通り、発光領域Ｅを挟んでデータ線駆動回路１３と対向する位置を通るように引き回して配置し、２つのコンタクト外接領域を、発光領域Ｅおよびデータ線駆動回路１３を挟んで互いに対向する位置に設けるようにしてもよい。もちろん、第２電極用電源線１７が発光領域Ｅの４つの辺の全てに沿って設けられている場合には、４つの直線状部分に１つずつコンタクト外接領域を設けるようにしてもよい。
【００４２】
また、コンタクト領域の形状は、線対称図形に限るものではない。また、コンタクト領域の周のうち、発光領域の中心点に面していない区間について、従来と同様の形状としてもよい。要は、コンタクト領域８１の周には、ＯＬＥＤ７０が配列される発光領域Ｅの中心点に面する点が２つ以上あり、コンタクト領域８１の周は、これら２以上の点を結ぶ区間において屈曲または屈折しているようにしていればよい。また、陽極と陰極の配置を逆転させた構成を採ることも可能である。また、ＯＬＥＤに代えて他の発光素子（例えば無機ＥＬ素子）を発光素子として採用してもよい。
【００４３】
図１３に、本発明の電子機器であるパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ１０３０は、表示ユニットとしての表示部１０３１と本体部１０３２を備える。表示部１０３１は、上述の発光装置１〜３のいずれか１つを備えている。本体部１０３２には、電源スイッチ１０３３及びキーボード１０３４が設けられている。なお、本発明に係る発光装置の適用先の電子機器としては、他に、電子写真方式の画像形成装置が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１の構成の一部を示す概略平面図である。
【図２】発光装置１の単位回路Ｐの詳細を示す回路図である。
【図３】図１に示す発光装置１のＢ−Ｂ’線矢視断面図である。
【図４】図１に示す発光装置１の部分Ｍの拡大図である。
【図５】図４に示す部分ＭのＣ−Ｃ’線矢視断面図である。
【図６】図４に示す部分ＭのＤ−Ｄ’線矢視断面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る発光装置２の構成の一部を示す概略平面図である。
【図８】発光装置２のコンタクト領域８３の形状を示す図である。
【図９】本発明の第３の実施の形態に係る発光装置３のコンタクト領域８４の形状を示す図である。
【図１０】本発明の電子機器であるパーソナルコンピュータの構成を示す図である。
【図１１】従来の発光装置の平面図である。
【図１２】図１１に示す発光装置のＡ−Ａ’線矢視断面図である。
【図１３】図１１に示す発光装置のＡ−Ａ’線矢視断面図（陰極層を含む）である。
【符号の説明】
【００４５】
１〜３…発光装置、１０…基板、１０３０…パーソナルコンピュータ（電子機器）、１７…第２電極用電源線、１９…配線層、１９５…第２金属配線層、２０…絶縁層、２１…第１電極層、２３…発光機能層、２４，９０…第２電極層、７０…ＯＬＥＤ、８０，８２…コンタクト外接領域、８１，８３，８４…コンタクト領域、Ｅ…発光領域、Ｈ…周辺領域、Ｐ…単位回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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