(57)【要約】【課題】ＥＬ表示装置の表示ばらつきを精度良く検出して補正する。【解決手段】ＥＬ素子に供給する駆動電流を制御するための素子駆動トランジスタをその飽和領域で動作させ、ＥＬ素子を発光レベルとしたときのカソード電流に基づいて、データ信号を補正することにより、高速の表示ばらつき検査と、高精度の表示ばらつき補正を可能とする。また、ＥＬ表示装置に電流測定機能を設けることで、装置出荷後における特性変化にも対応して補正することができる。【選択図】図３
2008076757.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロルミネッセンス表示装置の表示ばらつき補正方法であって、
前記表示装置は、各画素に、ダイオード構造のエレクトロルミネッセンス素子と、該エレクトロルミネッセンス素子に接続され、該エレクトロルミネッセンス素子に流れる電流を制御するための素子駆動トランジスタと、を備え、
各画素に前記エレクトロルミネッセンス素子を発光レベルとする検査用オン表示信号を供給し、かつ、前記素子駆動トランジスタを該トランジスタの飽和領域で動作させて、前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流を検出し、
該カソード電流の値に基づいて、対応する画素に供給する前記データ信号を補正することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の表示ばらつき補正方法。
【請求項２】
エレクトロルミネッセンス表示装置の表示ばらつき補正方法であって、
前記表示装置は、各画素に、ダイオード構造のエレクトロルミネッセンス素子と、該エレクトロルミネッセンス素子に接続され、該エレクトロルミネッセンス素子に流れる電流を制御するための素子駆動トランジスタと、を備え、
各画素の前記素子駆動トランジスタを該トランジスタの飽和領域で動作させ、かつ、該画素に、発光レベルとする検査用オン表示信号と、前記エレクトロルミネッセンス素子を非発光レベルとする検査用オフ表示信号と、を供給し、
前記検査用オン表示信号に応じた前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流と、前記検査用オフ表示信号に応じた前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流とのオンオフ電流差を検出し、
前記オンオフ電流差を基準値と比較して、動作させた画素の特性ばらつきを検出し、
前記検出した特性ばらつきに応じて、対応する画素に供給する前記データ信号を補正することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の表示ばらつき補正方法。
【請求項３】
エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
複数の画素を備える表示部と、表示ばらつきを補正するための補正データ格納部と、前記表示ばらつきを補正するための補正部と、を備え、
前記複数の画素のそれぞれは、エレクトロルミネッセンス素子及び該エレクトロルミネッセンス素子に接続された素子駆動トランジスタを備え、
前記補正データ格納部には、前記エレクトロルミネッセンス素子を発光レベルとする検査用オン表示信号と供給した時の前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流に応じた補正データが格納され、
前記補正部は、前記補正データに応じて、各画素に供給するデータ信号を補正することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
複数の画素を備える表示部と、表示ばらつきを補正するための補正データ格納部と、前記表示ばらつきを補正するための補正部と、を備え、
前記複数の画素のそれぞれは、エレクトロルミネッセンス素子及び該エレクトロルミネッセンス素子に接続された素子駆動トランジスタを備え、
前記補正データ格納部には、前記エレクトロルミネッセンス素子を非発光レベルとする検査用オフ表示信号及び発光レベルとする検査用オン表示信号とを供給した時の、前記検査用オフ表示信号に応じた前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流と、前記検査用オン表示信号に応じた前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流とのオンオフ電流差に応じた補正データが格納され、
前記補正部は、前記補正データに応じて、各画素に供給するデータ信号を補正することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
複数の画素を備える表示部と、各画素での表示ばらつきを検出するためのばらつき検出部と、前記表示ばらつきを補正するための補正部と、を備え、
前記複数の画素のそれぞれは、エレクトロルミネッセンス素子及び該エレクトロルミネッセンス素子に接続された素子駆動トランジスタを備え、
前記ばらつき検出部は、前記エレクトロルミネッセンス素子を非発光レベルとする検査用オフ表示信号及び発光レベルとする検査用オン表示信号とを供給した時の、前記検査用オフ表示信号に応じた前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流と、前記検査用オン表示信号に応じた前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流とのオンオフ電流差を検出し、かつ、検出した前記オンオフ電流差を基準値と比較し、
前記補正部は、前記比較の結果に応じて、各画素に供給するデータ信号を補正することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置において、
さらに、前記オンオフ電流差に応じた補正データを格納する補正データ格納部を備え、
前記補正部は、前記格納されている前記オンオフ電流差に基づいて、前記データ信号を補正することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置において、
さらに、前記オンオフ電流差の初期電流差データを記憶する記憶部を備え、
前記補正部は、前記初期電流差データと、前記検出したオンオフ電流差とに基づいて、前記データ信号を補正することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
エレクトロルミネッセンス素子を各画素に有する表示装置の表示ばらつきの補正に関する。
【背景技術】
【０００２】
自発光素子であるエレクトロルミネッセンス素子（以下、「ＥＬ素子」という）を各画素の表示素子に採用したＥＬ表示装置は、次世代の平面表示装置として期待され、研究開発が行われている。
【０００３】
このようなＥＬ表示装置は、ガラスやプラスチックなどの基板上にＥＬ素子及びこのＥＬ素子を画素毎に駆動するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを形成したＥＬパネルを作成した後、幾度かの検査を経て製品として出荷されることとなる。
【０００４】
各画素にＴＦＴを備える現在のアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置においては、このＴＦＴに起因した表示ムラ、特にＴＦＴのしきい値Ｖｔｈのばらつきに起因してＥＬ素子の輝度ばらつきが生じ、歩留まり低下の大きな要因となっている。このような製品の歩留まりの向上は、非常に重要であり、素子設計、材料、製造方法等の改良によって表示欠陥や表示ムラ（表示ばらつき）を低減することが要求されると共に、下記特許文献１などにおいて表示ムラなどが発生した場合にはこれを補正することにより良品パネルとする試みがなされている。
【０００５】
特許文献１では、ＥＬパネルを発光させて各画素の輝度を測定し、その輝度のばらつきに応じて画素に供給するデータ信号（映像信号）を補正している。また、他の方法として、各画素に、ＥＬ素子に流す電流を制御する素子駆動トランジスタのＶｔｈのばらつきを補正する回路を組み込むことが提案されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−３１６４０８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１のようにＥＬパネルを発光させ、これをカメラで撮像して輝度ばらつきを測定した場合、ＥＬパネルが高精細化して画素数が増大すると、各画素毎にその輝度ばらつきを測定するには測定及び補正対象が多く、カメラの高解像度化、補正情報の格納部の容量拡大などが必要となる。
【０００８】
また、Ｖｔｈ補償用の回路素子を画素に組み込まない場合であっても、ＴＦＴのＶｔｈのばらつきに起因した表示ムラを補正したいという要求は非常に強い。
【０００９】
本発明は、正確にかつ効率的にＥＬ表示装置の表示ばらつきを測定し、その表示ばらつきの補正を可能とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、エレクトロルミネッセンス表示装置の表示ばらつき補正方法であって、前記表示装置は、各画素に、ダイオード構造のエレクトロルミネッセンス素子と、該エレクトロルミネッセンス素子に接続され、該エレクトロルミネッセンス素子に流れる電流を制御するための素子駆動トランジスタと、を備え、各画素に前記エレクトロルミネッセンス素子を発光レベルとする検査用オン表示信号を供給し、かつ、前記素子駆動トランジスタを該トランジスタの飽和領域で動作させて、前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流を検出し、該カソード電流の値に基づいて、対応する画素に供給する前記データ信号を補正する。
【００１１】
本発明の他の態様は、エレクトロルミネッセンス表示装置であって、複数の画素を備える表示部と、表示ばらつきを補正するための補正データ格納部と、前記表示ばらつきを補正するための補正部と、を備え、前記複数の画素のそれぞれは、エレクトロルミネッセンス素子及び該エレクトロルミネッセンス素子に接続された素子駆動トランジスタを備え、前記補正データ格納部には、前記エレクトロルミネッセンス素子を発光レベルとする検査用オン表示信号と供給した時の前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流に応じた補正データが格納され、前記補正部は、前記補正データに応じて、各画素に供給するデータ信号を補正する。
【００１２】
本発明の他の態様では、エレクトロルミネッセンス表示装置であって、複数の画素を備える表示部と、表示ばらつきを補正するための補正データ格納部と、前記表示ばらつきを補正するための補正部と、を備え、前記複数の画素のそれぞれは、エレクトロルミネッセンス素子及び該エレクトロルミネッセンス素子に接続された素子駆動トランジスタを備え、前記補正データ格納部には、前記エレクトロルミネッセンス素子を非発光レベルとする検査用オフ表示信号及び発光レベルとする検査用オン表示信号とを供給した時の、前記検査用オフ表示信号に応じた前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流と、前記検査用オン表示信号に応じた前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流とのオンオフ電流差に応じた補正データが格納され、前記補正部は、前記補正データに応じて、各画素に供給するデータ信号を補正する。
【００１３】
本発明の他の態様では、エレクトロルミネッセンス表示装置であって、複数の画素を備える表示部と、各画素での表示ばらつきを検出するためのばらつき検出部と、前記表示ばらつきを補正するための補正部と、を備え、前記複数の画素のそれぞれは、エレクトロルミネッセンス素子及び該エレクトロルミネッセンス素子に接続された素子駆動トランジスタを備え、前記ばらつき検出部は、前記エレクトロルミネッセンス素子を非発光レベルとする検査用オフ表示信号及び発光レベルとする検査用オン表示信号とを供給した時の、前記検査用オフ表示信号に応じた前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流と、前記検査用オン表示信号に応じた前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流とのオンオフ電流差を検出し、かつ、検出した前記オンオフ電流差を基準値と比較し、前記補正部は、前記比較の結果に応じて、各画素に供給するデータ信号を補正する。
【００１４】
本発明の他の態様では、上記エレクトロルミネッセンス表示装置において、さらに、前記オンオフ電流差に応じた補正データを格納する補正データ格納部を備え、前記補正部は、前記格納されている前記オンオフ電流差に基づいて、前記データ信号を補正する。
【００１５】
また、さらに、前記オンオフ電流差の初期電流差データを記憶する記憶部を備えることができ、前記補正部は、前記初期電流差データと、前記検出したオンオフ電流差とに基づいて、前記データ信号を補正してもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明では、各画素に設けられＥＬ素子を駆動する素子駆動トランジスタを飽和領域で動作させてＥＬ素子を発光させ、その際のＥＬ素子のカソード電流を測定する。ＥＬ素子において、素子に流れる電流と発光輝度には相関関係があり、カソード電流を測定することでＥＬ素子の表示ばらつきを検出することができる。
【００１７】
また、測定対象が発光輝度ではなくカソード電流であるため簡易な構成で測定することが可能である。さらに、ＥＬ素子をオンオフさせてその時のオンオフ電流値を測定すれば、オフ電流を基準として正確にオン電流を知ることができ、正確で高速な測定及び補正処理が容易となる。
【００１８】
また、表示装置にカソード電流測定機能を設けることで、後発的な表示ムラの発生にも対応してこれを補正することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を用いてこの発明の最良の実施の形態（以下、実施形態という）について説明する。
【００２０】
［検出原理］
本実施形態において、表示装置は、具体的にはアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置であり、複数の画素を備える表示部がＥＬパネル１００に形成されている。図１は、この実施形態に係るアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置の等価回路構成を示す図である。ＥＬパネル１００の表示部には、マトリクス状に複数の画素が配置され、マトリクスの水平走査方向（行方向）には、順次選択信号が出力される選択ラインＧＬが形成されており、垂直走査方向（列方向）には、データ信号（Ｖｓｉｇ）が出力されるデータラインＤＬと、被駆動素子である有機ＥＬ素子（以下、単に「ＥＬ素子」という）に、駆動電源ＰＶＤＤを供給するための電源ラインＶＬが形成されている。
【００２１】
各画素は、概ねこれらのラインによって区画される領域に設けられており、各画素は、被駆動素子としてＥＬ素子を備え、また、ｎチャネルのＴＦＴより構成された選択トランジスタＴｒ１（以下、「選択Ｔｒ１」）、保持容量Ｃｓ、ｐチャネルのＴＦＴより構成された素子駆動トランジスタＴｒ２（以下、「素子駆動Ｔｒ２」）が設けられている。
【００２２】
選択Ｔｒ１は、そのドレインが垂直走査方向に並ぶ各画素にデータ電圧（Ｖsig）を供給するデータラインＤＬに接続され、ゲートが１水平走査ライン上に並ぶ画素を選択するためのゲートラインＧＬに接続され、そのソースは素子駆動Ｔｒ２のゲートに接続されている。
【００２３】
また、素子駆動Ｔｒ２のソースは電源ラインＶＬに接続され、ドレインはＥＬ素子のアノードに接続されている。ＥＬ素子のカソードは各画素共通で形成され、カソード電源ＣＶに接続されている。
【００２４】
ＥＬ素子は、ダイオード構造で下部電極と上部電極の間に発光素子層を備える。発光素子層は、例えば少なくとも有機発光材料を含む発光層を備え、発光素子層に用いる材料特性などにより、単層構造や、２層、３層あるいは４層以上の多層構造を採用することができる。本実施形態では、下部電極が画素毎に個別形状にパターニングされ上記アノードとして機能し、素子駆動Ｔｒ２に接続されている。また、上部電極が複数の画素に共通でカソードとして機能する。
【００２５】
画素毎に上記のような回路構成を備えるアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置において、素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値Ｖｔｈがばらつくと、同一のデータ信号を各画素に供給しても、ＥＬ素子には駆動電源ＰＶＤＤから同一の電流が供給されず、これが輝度ばらつき（表示ばらつき）の原因となる。
【００２６】
図２は、素子駆動Ｔｒ２の特性ばらつき（電流供給特性のばらつき、例えば、動作しきい値Ｖｔｈのばらつき）が生じた場合の画素の等価回路と、素子駆動Ｔｒ２及びＥＬ素子のＩＶ特性とを示している。素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値Ｖｔｈがばらついた場合、回路的には、図２（ｂ）に示すように、素子駆動Ｔｒ２のドレイン側に正常よりも大きな抵抗又は小さな抵抗が接続されたことと見なすことができる。よって、ＥＬ素子が流す電流（本実施形態では、カソード電流Ｉｃｖ）特性は、正常画素と変わらないが、実際にＥＬ素子に流れる電流は素子駆動Ｔｒ２の特性ばらつきに応じて変化することとなる。
【００２７】
素子駆動Ｔｒ２への印加電圧がＶｇｓ−Ｖｔｈ＜Ｖｄｓを満たす場合、素子駆動Ｔｒ２は飽和領域で動作する。素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値Ｖｔｈが正常画素より高い画素においては、図２（ａ）に示すように、該トランジスタのドレインソース間電流Ｉｄｓが、正常のトランジスタよりも小さくなり、ＥＬ素子への供給電流量、つまり、ＥＬ素子の流す電流は、正常画素よりも小さく（ΔＩ大）、その結果、この画素の発光輝度は、正常画素の発光輝度よりも低くなり、表示ばらつきとなる。
【００２８】
逆に、素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値Ｖｔｈが正常画素より低い画素においては、該トランジスタのドレインソース間電流Ｉｄｓが、正常のトランジスタよりも大きくなり、ＥＬ素子の流す電流は、正常画素より多くなり、発光輝度は高くなる。
【００２９】
なお、素子駆動Ｔｒ２への印加電圧が、Ｖｇｓ−Ｖｔｈ＞Ｖｄｓを満たす場合、この素子駆動Ｔｒ２は線形領域で動作し、この線形領域では、しきい値ｖｔｈが高い素子駆動Ｔｒ２と低い素子駆動Ｔｒ２とで、Ｉｄｓ−Ｖｄｓ特性の差が小さいため、ＥＬ素子への供給電流量の差（ΔＩ）も小さい。このため、ＥＬ素子は、素子駆動Ｔｒ２の特性ばらつきの有無によらず、概ね同様の発光輝度を示し、線形領域においては特性ばらつきに起因した表示ばらつきを検出することは難しいが、上記のように、素子駆動Ｔｒ２を飽和領域で動作させることで、この素子駆動Ｔｒ２の特性ばらつきに起因した表示ばらつきを検出することができる。
【００３０】
また、検出した電流値に基づいて、各画素に供給するデータ信号を補正すれば、確実に表示ばらつきを補正することができる。例えば素子駆動Ｔｒ２のしきい値｜Ｖｔｈ｜が正常より低い場合、基準のデータ信号を供給したときのＥＬ素子の発光輝度は通常より高くなる。したがって、この場合、しきい値｜Ｖｔｈ｜の基準に対するずれに応じてデータ信号の絶対値｜Ｖｓｉｇ｜を小さくすることにより輝度ばらつきを補正することができる。素子駆動Ｔｒ２のしきい値｜Ｖｔｈ｜が正常より高い場合には、しきい値｜Ｖｔｈ｜の基準に対するずれに応じてデータ信号の絶対値｜Ｖｓｉｇ｜を大きくすることにより輝度ばらつきを補正することができる。
【００３１】
なお、以上の画素回路では、素子駆動トランジスタとして、ｐチャネルのＴＦＴを採用したが、ｎチャネルのＴＦＴを用いてもよい。さらに、以上の画素回路では、１画素について、トランジスタとして、選択トランジスタと駆動トランジスタの２つのトランジスタを備える構成を採用した例を説明したが、トランジスタが２つのタイプ及び上記回路構成には限られない。
【００３２】
［具体例］
次に、上記原理に基づくカソード電流の検査と表示ばらつき補正について、図３〜図５を参照して具体的に説明する。
【００３３】
図３は、カソード電流を測定して輝度ばらつきを補正する装置の概略構成を示している。電流検査部３００は、工場出荷時にカソード電流の測定からＥＬパネル１００の表示ばらつきを検査するための検査装置として提供され、検査用信号発生回路３２０は、制御部３１０の制御に基づいて、検査に必要な検査用電源、検査用のタイミング信号や表示信号等を発生してＥＬパネル１００に端子１００Ｔを介して供給する。ばらつき検出部３４０は、カソード電流検出部３５０が検出したカソード電流Ｉｃｖに基づいて表示ばらつきが発生するかどうかを検出する。
【００３４】
ＥＬパネル駆動装置２００は、ＥＬパネル１００と共にＥＬ表示装置を構成し、ＥＬパネル１００を駆動するためのパネル駆動部２１０と、補正値記憶部（補正パラメータ設定部）２５０、及びこの補正値記憶部２５０に工場出荷時に記憶された補正値を用いてデータ信号を補正するばらつき補正部２４０を備える。
【００３５】
図４は、カソード電流の測定及び表示ばらつきの補正の手順の一例を示している。表示装置の出荷前には、電流検査部３００の検査用信号発生回路３２０の信号により、各画素の選択Ｔｒ１をオンさせ、かつ検査用オン表示信号を対応する画素の選択Ｔｒ１を介して素子駆動Ｔｒ２のゲートに印加する（Ｓ１）。
【００３６】
この際、素子駆動Ｔｒ２は飽和領域で動作させ、上述の通り、Ｖｇｓ−Ｖｔｈ＜Ｖｄｓを満足するように設定する。素子駆動Ｔｒ２としてｐチャネル型ＴＦＴを採用する場合の電圧は、通常表示モードと同様であり、一例として、駆動電源ＰＶＤＤを８．０Ｖ、カソード電源ＣＶを−３Ｖとし、各画素に供給する検査用オン表示信号としては、０Ｖの信号を採用する。
【００３７】
カソード電流検出部３５０は、対応する画素の素子駆動Ｔｒ２を飽和領域で動作させて、ＥＬ素子を発光させたときのカソード電流Ｉｃｖを検出する（Ｓ２）。ばらつき検出部３４０は、検出されたカソード電流Ｉｃｖと基準値（基準範囲）とを比較し、カソード電流が基準値より大きい場合には、ＥＬパネル１００に供給するデータ信号の電圧を大きくしてＥＬ素子に流れる電流を小さくするために必要な補正値を求め、また基準範囲より小さい場合には、データ信号の電圧を小さくしてＥＬ素子に流れる電流を大きくするために必要な補正値を求める。これらの補正値は画素毎の補正値として記憶部２５０に記憶しておく（Ｓ３）。また、ＥＬパネル駆動装置２００のばらつき補正部２４０の機能によっては、記憶部２５０には、補正値を直接記憶せずに、補正に必要なパラメータや、測定した画素毎のカソード電流値（初期カソード電流値）を記憶してもよい。なお、ばらつき検出部３４０で、カソード電流Ｉｃｖと基準値とを比較した結果、カソード電流Ｉｃｖが許容範囲を超えて基準値より大きい場合又は小さい場合には、データ信号を補正することによっても補正不能、つまり、表示欠陥の発生と判断し、リペアが可能であればリペア処理工程に回すことができる。
【００３８】
なお、素子駆動Ｔｒ２をｎチャネル型ＴＦＴとした場合には、検出されたカソード電流Ｉｃｖと基準値とを比較し、カソード電流が基準値より大きい場合には、ＥＬパネル１００に供給するデータ信号の電圧を小さくしてＥＬ素子に流れる電流を大きくするために必要な補正値を求め、また基準値より小さい場合はＥＬパネル１００に供給するデータ信号の電圧を大きくしてＥＬ素子に流れる電流を小さくするために必要な補正値を求める。
【００３９】
以上のようにして記憶部２５０に補正値を記憶し、また、他の検査が実行されて最終的に良品と判定されたＥＬ表示装置が出荷され、このＥＬ表示装置は動作時において、データ信号を補正しながら表示を行う。
【００４０】
外部から供給される映像信号を処理してＥＬパネル１００に画素毎のデータ信号を供給する際に、ばらつき補正部２４０は、そのデータ信号の画素アドレスが補正の必要な画素かどうか判断し、アドレスが一致、つまり補正が必要な画素である場合（Ｓ１０）、記憶部２５０から補正パラメータなどの補正情報を読み出し（Ｓ１１）、データ信号に対する補正値を算出する（Ｓ１２）。
【００４１】
算出された補正値は、例えば供給されるデータ信号に乗算されることでデータ信号が補正され（Ｓ１３）、このデータ信号（Ｖｓｉｇ）がＥＬパネル１００の図１に示したデータラインＤＬを介して対応する画素に供給され、ＥＬ素子が補正されたデータ信号に応じた輝度で発光し、表示が行われる（Ｓ１４）。
【００４２】
（カソード電流高速測定）
図５は、カソード電流Ｉｃｖを利用して高速に表示ばらつきを検査する場合のＥＬパネル１００の駆動波形を示している。図５に示す検査方法では、１画素を選択する期間中（１水平クロック信号の２分の１周期）に、該当する画素に対し、検査用表示信号Ｖｓｉｇとして、オン表示信号（ＥＬ発光）とオフ表示信号（ＥＬ非発光）とを連続して印加する。なお、この検査用表示信号は、図３の検査用信号発生回路３２０が、水平スタート信号ＳＴＨ、水平クロック信号ＣＫＨ等を利用することで作成する。カソード電流検出部３５０は、オン表示信号に対応したＥＬ素子のカソード電流Ｉｃｖon及びオフ表示信号に対応したＥＬ素子のカソード電流Ｉｃｖoffをそれぞれ検出し（必要に応じて電流増幅する）、ばらつき検出部３４０は、オンとオフのカソード電流の差分ΔＩｃｖを求め、その差分データと、例えば正常画素における差分データに基づいた基準値とを比較することで、表示ばらつきを検出することができる。
【００４３】
また、図５に示す検査方法においても、上述のように、素子駆動Ｔｒ２が飽和領域で動作するように駆動電源ＰＶＤＤ及びカソード電流ＣＶを設定する。また、図５において、垂直クロック信号ＣＫＶは垂直方向の画素数に応じたクロック信号であり、イネーブル信号ＥＮＢは、１水平走査期間の最初と最後において、データ信号Ｖｓｉｇが確定しないうちに各水平走査ライン（ゲートラインＧＬ）に選択信号が出力されることを防止するための禁止信号である。
【００４４】
このように、オフ表示信号の時のカソード電流Ｉｃｖoffを測定し、このＩｃｖoffを基準としてオン表示信号の時のカソード電流Ｉｃｖonを相対的に把握することにより、オン表示信号の時のカソード電流Ｉｃｖonの絶対値を正確に判断する必要や、別途基準となるオフ表示信号の時のカソード電流Ｉｃｖoffを測定する必要がなく、高速の自動検査を高精度に実行することが可能となる。具体的には、一例としてＲ、Ｇ、Ｂの各画素について、それぞれ３ｓｅｃ程度未満の時間でカソード電流測定を実行することができ、極めて高速な検査が可能となる。例えば、ＥＬ素子を発光させてこれをカメラで撮像し、撮像データから輝度を解析する方法と比較して検査時間を飛躍的に短縮することができ、また、全画素について表示ばらつきを検出することができる。もちろん、補正値記憶部２５０の容量を削減する必要があるような場合には、カソード電流の測定対象を複数画素単位とし、複数画素（領域）単位の補正値を記憶しておいても良い。この場合、例えば、ばらつき補正部２４０では、注目画素に対する補正値を、隣接する複数の画素領域の補正値を線形補間するなどの方法によって決定することができる。
【００４５】
また、図５に示す検査方法では、マトリクス配置された画素の列方向、つまり各データラインＤＬに表示信号を出力する期間を決める水平スタート信号ＳＴＨが、２列分の選択期間に設定されている。通常表示時には、各水平走査ライン上の画素は、対応する１Ｈ期間だけ選択され、このとき対応するデータラインＤＬには、１Ｈ期間を１水平走査方向の画素数で割った期間に相当する期間ずつ、表示信号Ｖｓｉｇが出力される。これに対し、ばらつき検査時には検査用の水平スタート信号ＳＴＨを用いることで、１データラインＤＬに対して２画素分の表示信号出力期間、検査用表示信号Ｖｓｉｇが供給される。つまり、同一の水平走査ラインに並ぶ画素は、隣接する２画素が同時に検査対象となる。なお、この画素の同時検査対象数は、２には限られず、例えば３画素ずつを検査対象としても良い。このように１画素について複数回連続して検査対象とすることにより、タイミング信号や検査用表示信号Ｖｓｉｇ等にノイズが重畳して画素が誤表示した場合にも、そのようなノイズ重畳が複数期間連続して発生する確率が小さいため、ノイズによる誤検出を低減することが可能となる。
【００４６】
ここで、ＥＬパネル１００の表示部の各画素を駆動するための駆動回路のうち、水平方向駆動回路は、水平走査方向における画素数に応じた段数のシフトレジスタを備え、このシフトレジスタが、水平スタート信号ＳＴＨを水平クロック信号ＣＫＨに応じて順次転送し、かつ、レジスタの各段から、サンプリング回路に対し、対応するデータラインＤＬに表示信号Ｖｓｉｇを出力する期間（サンプリング期間）を決めるサンプルホールド信号が出力される。そして、このサンプルホールド信号の示すサンプリング期間が、上記水平スタート信号ＳＴＨの期間（ここではＨレベル期間）に対応する。このため、ＥＬパネル１００の水平方向駆動回路に対し、欠陥検査時には、水平スタート信号ＳＴＨとして、検査用信号発生回路３２０の作成した図５に示すような検査用の水平スタート信号ＳＴＨを供給し、また、各データラインＤＬにサンプリング回路を介して接続されるビデオ信号ラインに図５に示すような検査用表示信号Ｖｓｉｇを出力すれば、複数画素ごとに検査用表示信号Ｖｓｉｇが供給され、検査を実行することが可能となる。
【００４７】
なお、図５の駆動方法は、データラインＤＬに供給される表示信号の駆動波形の切り替わりタイミングに連動して、素子駆動Ｔｒ２のオンオフ（ＥＬ素子の発光、非発光）タイミングが設定される画素回路を備える場合に有効であり、一例として図１に示すような画素回路構成に対して適用することができる。また、各画素の保持容量Ｃｓの電位を制御するための容量ラインＣＬに、所望の交流信号が供給されるような画素回路構成であっても、検査時に容量ラインＣＬの電位を固定する容量電位制御スイッチなどを付加し、素子駆動Ｔｒ２を、データラインＤＬに供給する表示信号のタイミングに応じて動作させることで、図５のような検査方法を採用することができる。
【００４８】
（表示ばらつき測定機能付き表示装置）
以上では、工場出荷時にカソード電流を測定して予め補正値を記憶しておく方法について説明したが、カソード電流測定（表示ばらつき測定）機能をＥＬ表示装置に設けることも可能である。以下、表示ばらつき測定機能と補正機能とを備えたＥＬ表示装置について、さらに図６を参照して説明する。
【００４９】
ＥＬ表示装置の構成としては、図３に示す電流検査部３００を、ＥＬパネル１００及びＥＬパネル駆動装置２００と共に備えることで実現され、電流検査部３００の検査用信号発生回路３２０からは、例えば、上記図５に示すように、ＥＬ素子を非発光レベルとする検査用オフ表示信号及び発光レベルとする検査用オン表示信号とを供給し、その時のカソード電流差ΔＩｃｖを測定する。なお、このカソード電流測定は、例えば装置起動時や、待機時など、通常動作時以外の期間に実行することが好適である。
【００５０】
カソード電流測定の方法は、上記の通り図５と同様であり、選択Ｔｒ１をオンさせて素子駆動Ｔｒ２を飽和状態とし検査用オン表示信号、検査用オフ表示信号を印加し（Ｓ３０）、カソード電流検出部３５０が、カソード電流を検出し、ばらつき検出部３４０がカソード電流差ΔＩｃｖを検出する（Ｓ３１）。
【００５１】
ばらつき検出部３４０は、さらに、このカソード電流差ΔＩｃｖが基準値（基準範囲）であるかどうかを比較し（Ｓ３２）、その結果に応じて補正値を求める（Ｓ３３）。カソード電流差ΔＩｃｖが基準範囲であれば、正常画素（表示ばらつきなし）であるから、ばらつき補正部２４０は、該当画素についての補正量を０とするパラメータを選択し、基準範囲でない場合には、表示ばらつきが発生するため、基準値との差に応じた補正パラメータを算出する。このようにして算出した補正パラメータは、補正値記憶部２５０に設定される。通常表示時には、ばらつき補正部２４０は、図４の装置出荷後の使用時の手順（Ｓ１０〜Ｓ１４）と同様に、設定した補正パラメータを利用して必要な画素のデータ信号に対して補正を行い、このデータ信号を供給して表示を行う（Ｓ３４）。
【００５２】
このように表示装置にカソード電流測定機能を設けることで、出荷後の経時変化によって素子駆動Ｔｒ２等に特性変化が生じた場合であっても、その変化に応じてデータ信号を補正することができ、表示品質を長期間にわたって維持でき、表示装置としての寿命を向上することができる。
【００５３】
なお、工場出荷時には、初期状態（出荷時）における同じカソード電流差ΔＩｃｖを測定し、その測定値を基準値として記憶部２５０に記憶しておくことで、使用にともなう特性の経時変化をより正確に検出でき、またその経時変化を考慮して補正演算を実行することができる。
【００５４】
さらに、以上では、ＥＬ表示装置にカソード電流測定機能を設ける場合に、カソード電流差ΔＩｃｖを測定する構成を例に説明したが、出荷後の表示ばらつき検出時には、検査用オン表示信号のみを各画素に供給したときのカソード電流を測定し、予め所定基準値（例えば初期カソード電流）を記憶しておき、この基準値と比較してもよい。
【００５５】
また、以上では、出荷時又は出荷後のいずれにおいても表示ばらつきの検出方法としてはカソード電流を測定する方法を例に説明したが、出荷時における表示ばらつき検出については、図３において点線で示したように、ＥＬ素子を発光させてこれを撮像するカメラ４００を用いて発光輝度を検出し、輝度から補正値を算出しても良い。そして、出荷後においては、電流検査部３００によりカソード電流を検出してさらにデータ信号を補正しても良い。
【００５６】
さらに、以上において説明したばらつき補正部２４０における補正に関しては、最終的に表示ばらつきの生ずる画素に供給するデータ信号が適切なレベルに調整されてＥＬ素子の発光輝度が補正されれば、演算処理や補正処理方法は、特に限定されない。
【００５７】
また、ばらつき補正部２４０や、表示装置に内蔵する場合の電流検査部３００をパネル駆動部２１０と共に集積化することにより非常に小型の駆動回路によって表示ばらつきの検出及び補正を実行可能な表示装置を提供することができる。
【００５８】
さらに、補正値記憶部２５０に対しては、電流検査部３００において検出されたカソード電流値（ΔＩｃｖ）又は補正情報を順次、書き換え可能に又は追記することにより、恒久的に表示ムラのない表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施形態に係るＥＬ表示装置の概略回路構成を説明する等価回路図である。
【図２】本発明の実施形態に係る素子駆動トランジスタの特性ばらつき測定原理を説明する図である。
【図３】本発明の実施形態に係るＥＬ表示装置の構成及びカソード電流検査装置の概略構成を示す図である。
【図４】図３の検査装置を利用した発光状態検査手順の一例を示す図である。
【図５】カソード電流を利用した高速の検査を実行するための駆動波形を示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係るカソード電流検出及び補正機能を備えるＥＬ表示装置の動作手順の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１００  ＥＬパネル、２００  パネル駆動装置、２１０  パネル駆動部、２４０  ばらつき補正部、２５０  補正パラメータ設定部（補正値記憶部）、３００  電流検査部、３１０  制御部、３２０  検査用信号発生回路、３４０  ばらつき検出部、３５０  カソード電流検出部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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