(57)【要約】【課題】櫛歯電極を備えた自励発振駆動機構の提供。【解決手段】自励発振駆動機構は、直流電圧が印加された静止櫛歯電極部１１ａおよび可動櫛歯電極部１２ａを有し、可動櫛歯電極部１２ａの変位に応じて静電容量が変化する静電アクチュエータ１と、静電アクチュエータ１を発振子として有する共振回路部２０と、共振回路部２０の共振出力を帰還増幅させて自励発振させる増幅器２とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電圧が印加される静止櫛歯電極部および可動櫛歯電極部を有し、前記可動櫛歯電極部の変位に応じて静電容量が変化する静電アクチュエータと、
前記静電アクチュエータを発振子として有する共振回路と、
前記共振回路の共振出力を帰還増幅させて自励発振させる増幅器とを備えたことを特徴とする自励発振駆動機構。
【請求項２】
請求項１に記載の自励発振駆動機構において、
前記静止櫛歯電極部および可動櫛歯電極部を有する静電アクチュエータは、フォトリソグラフィー法によりＳＯＩ基板から一体で形成されることを特徴とする自励発振駆動機構。
【請求項３】
請求項１または２に記載の自励発振駆動機構と、
前記自励発振駆動機構の発振周波数に基づいて、前記静電アクチュエータに作用する物理量を検出する検出部とを備えたことを特徴とするセンサ。
【請求項４】
請求項１または２に記載の自励発振駆動機構と、
前記可動櫛歯電極部に設けられた探針と、
前記自励発振駆動機構の発振周波数に基づいて前記探針を被検体に対して走査する走査手段とを備えたことを特徴とするプローブ顕微鏡。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、櫛歯電極部を有する静電アクチュエータを備えた自励発振駆動機構と、その自励発振駆動機構を備えたセンサおよびプローブ顕微鏡に関する。
【背景技術】
【０００２】
カンチレバーに設けられた探針と試料との微視的距離を測定する方法として、カンチレバー表面に圧電体層と電極膜との多層構造をもつ駆動機構を形成し、その駆動機構でカンチレバーをその固有振動数で屈曲振動させ、圧電体素子のアドミッタンス変化を検出する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平６−１９４１５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した駆動機構の場合には、振動を維持するために外部から交流電圧を加える必要があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１の発明による自励発振駆動機構は、直流電圧が印加される静止櫛歯電極部および可動櫛歯電極部を有し、可動櫛歯電極部の変位に応じて静電容量が変化する静電アクチュエータと、静電アクチュエータを発振子として有する共振回路と、共振回路の共振出力を帰還増幅させて自励発振させる増幅器とを備えたことを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１に記載の自励発振駆動機構において、静止櫛歯電極部および可動櫛歯電極部を有する静電アクチュエータは、フォトリソグラフィー法によりＳＯＩ基板から一体で形成したものである。
請求項３の発明によるセンサは、請求項１または２に記載の自励発振駆動機構と、自励発振駆動機構の発振周波数に基づいて、静電アクチュエータに作用する物理量を検出する検出部とを備えたことを特徴とする。
請求項４の発明によるプローブ顕微鏡は、請求項１または２に記載の自励発振駆動機構と、可動櫛歯電極部に設けられた探針と、自励発振駆動機構の発振周波数に基づいて探針を被検体に対して走査する走査手段とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、静止櫛歯電極部および可動櫛歯電極部を有する静電アクチュエータを発振子に用いて自励発振させるようにしたので、従来のような振動維持のための交流電圧の印加を必要としない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、図を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。
−第１の実施の形態−
図１は本発明による第１の実施の形態を説明する図であり、自励発振駆動機構の概略構成を示すブロック図である。図１に示す自励発振駆動機構は、櫛歯ドライブ１を発振子として有する共振回路部２０と、共振回路部２０の共振出力を帰還増幅させて自励発振させる増幅器２と、櫛歯ドライブ１にバイアス電圧を印加する直流電源３とを備えている。共振回路部２０には、後述するように負荷容量等が含まれる。
【０００８】
図２は、櫛歯ドライブ１を詳細に示す斜視図である。櫛歯ドライブ１は、絶縁層を挟んだ上下２つのシリコン層からなる３層構造の基板、例えばＳＯＩ(Silicon on Insulator)ウエハを用いて、半導体微細加工技術により一体で製作される。ＳＯＩウエハは上部Ｓｉ層５１、ＳｉＯ２層５２および下部Ｓｉ層５３で構成され、２枚のＳｉ単結晶板の一方にＳｉＯ２層５２を形成し、そのＳｉＯ２層５２を挟むように貼り合わせたものである。
【０００９】
櫛歯ドライブ１に設けられた固定部１１および可動部１２は上部Ｓｉ層５１により形成されており、これらはＳＯＩウエハのＳｉＯ２層５２および下部Ｓｉ層５３で構成される基部１３上に配置されている。上部Ｓｉ層５１は一部が基部１３に対して庇状に加工され、可動部１２はその庇状部分に形成されている。基部１３上に設けられた上部Ｓｉ層５１は、幅の狭い弾性支持部１２ｂにより可動部１２に連結されている。すなわち、可動部１２は、弾性支持部１２ｂのみにより支持されている。
【００１０】
固定部１１および可動部１２の各対向部には、櫛歯状凹凸部１１ａ，１２ａが形成されている。固定部１１側に形成された櫛歯状凹凸部１１ａと可動部１２側に形成された櫛歯状凹凸部１２ａとは、隙間を介して噛合している。固定部１１および可動部１２の表面には、電極膜が形成されている。固定部１１と可動部１２との間には、直流電源３によりバイアス電圧が印加され、櫛歯状凹凸部１１ａ，１２ａ間には静電力が発生する。初期位置状態における櫛歯状凹凸部１１ａ，１２ａ間の静電容量をＣ０とする。
【００１１】
図３は、櫛歯ドライブ１における電気・機械結合系の等価回路を示す図である。先ず、バイアス電圧により電気系と機械系とが結合された櫛歯ドライブ１が、交流電圧を印加することにより所定の振動数で発振すること、すなわち、振動子として機能することを説明する。一般に、電気・機械結合系においては、電気的エネルギーおよび機械的エネルギーの保存則が成立し、ここでは、バイアス電圧が小さく、可動部１２の変位量や電荷量の変動は小さいとしてモデル化して考える。
【００１２】
上述したように、櫛歯状凹凸部１１ａ，１２ａ間には静電容量Ｃ０が生じる。この静電容量Ｃ０は、凹凸が多数形成された櫛歯状凹凸部１１ａ，１２ａ間におけるトータルの静電容量を表している。また、ｍは可動部１２の質量、ｋはバネ定数、ｒｆは機械抵抗、ｖは可動部１２の振動速度を表している。Ｍは、バイアス電圧を印加することによる機械系と電気系との間の結合係数である。例えば、櫛歯部分を平行平板電極として近似した場合には、結合係数ＭはＭ＝Ｅ０Ｃ０／ε０Ｓのように表すことができる。なお、Ｅ０はバイアス電圧、ε０は真空の誘電率、Ｓは電極面積である。
【００１３】
振動を励起するための交流電圧を印加すると、電気系に電流ｉ２が流れて櫛歯ドライブ１が駆動される。図３は櫛歯ドライブ１の等価回路を示したものであるが、この櫛歯ドライブ１に関して、線形近似基本方程式は式（１），（２）のように表される。なお、ＣＳは浮遊容量であり、図３の等価回路のＣ０をＣ０＋ＣＳと置き換えて式を立てた。
ｉ１＝ｊω（Ｃ０＋ＣＳ）ｅ１＋（Ｅ０Ｃ０／Ｘ０）ν１            （１）
ｆ１＝ｊωｍν１＋ｒｆν１＋ｋν１／ｊω＋Ｅ０Ｃ０ｅ１／Ｘ０      （２）
但し、ｉ１は交流電流値、ｅ１は入力交流電圧の振幅、ν１は可動部１２の振動速度であり、ｆ１は可動部１２に作用する外力を表している。また、Ｘ０は初期状態の櫛歯間距離である。
【００１４】
式（１），（２）より、外力が零の場合、櫛歯ドライブ１のアドミッタンスの絶対値｜Ｙ｜と角周波数ωとの関係は式（３）のように表すことができる。ここで、Ａ＝Ｅ０Ｃ０／Ｘ０である。
【数１】
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【００１５】
図４は、アドミッタンス値｜Ｙ｜の角周波数依存性を表すアドミッタンス曲線を示したものである。このアドミッタンス曲線は、電気・機械結合系の特性曲線になっている。一方、｜Ｙ｜＝ω（Ｃ０＋ＣＳ）で表される直線（破線）は、機械系がない電気系のみの場合の特性曲線であり、式（３）において次式（４）が成り立つ場合の特性曲線を表している。
Ａ２−２ω（Ｃ０＋ＣＳ）（ωｍ−ｋ／ω）＝０          （４）
【００１６】
式（４）を満たす角周波数ωを発振角周波数ω１と呼ぶと、発振角周波数ω１は、アドミッタンス曲線と｜Ｙ｜＝ω（Ｃ０＋ＣＳ）で表される直線との交点における角周波数である。発振角周波数ω１は共振角周波数ω０に近い値であり、発振角周波数ω１で櫛歯ドライブ１を駆動すると、上述したように機械系の特性がキャンセルされ、電気系のみのアドミッタンス計測が可能となる。
【００１７】
なお、共振角周波数ω０は、アドミッタンス曲線のピーク角周波数をωｐより僅かに高いところに位置しており、アドミッタンス曲線のピーク角周波数をωｐ、凹カーブを示す部分のボトムの角周波数をωｂとすれば、共振角周波数ω０と発振角周波数ω１との関係は、式（５）で表すことができる。
【数２】
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【００１８】
このように、櫛歯ドライブ１は振動子として機能することが解った。そこで、本実施の形態では、従来の水晶振動子を用いた発振回路の水晶振動子を櫛歯ドライブ１で置き換え、自励発振駆動機構を構成した。図５は水晶振動子１００を２端子接続した場合の低周波水晶発振回路を示す図であり、図６は実際の回路の一例を示したものである。図６の破線で囲まれた水晶振動子１００が含まれる部分を、図３のような等価回路で表される櫛歯ドライブ１で置き換える。なお、ここでは２端子接続の場合を例に説明するが、２端子接続に限らず、３端子接続の発振回路にも同様に適用することができる。
【００１９】
図７は本実施の形態における自励発振駆動機構の等価回路を示したものであり、図５および６に示す回路の水晶振動子１００を櫛歯ドライブ１で置き換えた場合の、発振回路全体の等価回路である。増幅器２は２段構成となっており、１段目の増幅器は入力電圧（ベース・エミッタ間電圧）Ｅ１に対して電流値（ｈｆｅ／ｈｉｅ）Ｅ１を与える等価電流源として機能する。ここで、ｈｉｅはトランジスタの入力インピーダンスであり、ｈｆｅは電流増幅率である。
【００２０】
１段目の後段に配された２段目の増幅器においては、入力電圧（ベース・エミッタ間電圧）Ｅ２は次式（６）のように表される。また、２段目の増幅器の出力電流Ｉ３は、次式（７）のように表される。
Ｅ２＝−Ｒ１（ｈｆｅ／ｈｉｅ）Ｅ１      …（６）
Ｉ３＝−（ｈｆｅ／ｈｉｅ）Ｅ１＝（ｈｆｅ／ｈｉｅ）２Ｒ１Ｅ１      …（７）
【００２１】
ここで、櫛歯ドライブ１や負荷容量Ｃ１，Ｃ２を含む共振回路部２０の入力と出力との関係を、２端子対回路のＦマトリクスを用いて表すと、次式（８）のようになる。
【数３】
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【００２２】
式（８）のＦマトリクスは共振回路部２０の回路構成（櫛歯ドライブ１の構成）に依存して決まるものであり、Ｆパラメータ（Ａ〜Ｄ）には、図３に示した等価回路の各パラメータ（Ｃ０，ｒｆ，ｍ，１／ｋ，Ｍ）が含まれている。なお、ＦパラメータＡ〜Ｄの物理的意味は次式（９）〜（１２）に示す通りであり、Ａは出力端開放時の電圧帰還率（電圧増幅率の逆）、Ｂは出力端短絡時の伝達インピーダンス、Ｃは出力端開放時の伝達アドミタンス、Ｄは出力端短絡時の電流帰還率（電流増幅率の逆）である。
【数４】
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【００２３】
また、Ｆマトリクスを具体的に計算することで、電流Ｉ３は次式（１３）のように表される。なお、式（１３）では、Ｅ４＝Ｒ２Ｉ４を用いて変形した。式（１３）と式（７）とを用いると、式（１４）に示すようなＥ１とＥ４との関係が得られる。
【数５】
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【００２４】
図７に示す発振回路は、図８に示すように位相条件（Im＝０）からリアクタンスがゼロとなり、かつ、振幅条件が１（Re＝１）を満たす周波数で発振する。なお、（Ｃ＋Ｄ／Ｒ２）は図７の破線で囲まれた共振回路部２０の複素インピーダンスである。図８（ａ）はIm部の周波数依存性の計算値を示したものであり、図８（ｂ）はRe部の周波数依存性の計算値を示したものである。図８（ａ），（ｂ）は共振周波数（共振角周波数ω０に相当）を１４．３４ｋＨとした場合を示したものであり、概略計算から発振は約１４．５１ｋＨ付近で起こることがわかる。
【００２５】
《製造工程の説明》
次に、櫛歯ドライブ１の製造工程について説明する。図９の（ａ１）および（ｂ１）は第１工程を示す図であり、（ａ１）は平面図、（ｂ１）はＩ−Ｉ断面図である。第１工程では、ＳＯＩウエハの上部Ｓｉ層５１の表面を熱酸化法により酸化し、表面保護用の酸化膜５６を形成する。なお、上部Ｓｉ層５１の表面を単結晶Ｓｉの主面（００１）とし、図示上下方向を＜０１０＞とする。
【００２６】
図９の（ａ２）および（ｂ２）は第２工程を示す図であり、（ａ２）は平面図、（ｂ２）はＩＩ−ＩＩ断面図である。第２工程では、マスクを用いたフォトリソグラフィーにより、図９（ａ２）に示すようなパターン形状のレジスト層５７を形成する。
【００２７】
図９の（ａ３）および（ｂ３）は第３工程を示す図であり、（ａ３）は平面図、（ｂ３）はＩＩ−ＩＩ断面図である。第３工程では、レジスト層５７をマスクとして酸化膜５６を部分的に除去する。さらに、パターニングされた酸化膜５６をマスクの代用としてＩＣＰ−ＲＩＥ（inductively coupled plasma - reactive ion etching）により上部Ｓｉ層５１を厚さ方向にエッチングする。ＩＣＰ−ＲＩＥによるエッチング作用は、ＳｉＯ２層５２で停止するので、櫛歯状凹凸部の厚さを均一かつ高精度に形成することができる。エッチングされた部分には、ＳｉＯ２層５２の表面が露出する。
【００２８】
図９の（ａ４）および（ｂ４）は第４工程を示す図であり、（ａ４）は平面図、（ｂ４）はＩＩ−ＩＩ断面図である。第４工程では、残存するレジスト層５７を除去した後に、上部Ｓｉ層５１が露出している側壁に表面保護のための酸化膜５８を熱酸化法で形成する。その後、可動部１２が中空に支持されるような構造とするために、破線Ｄ１よりも上側の部分の下部Ｓｉ層５３を裏面側からＩＣＰ−ＲＩＥによりエッチングした後に、その部分のＳｉＯ２層５２を緩衝フッ化水素溶液を用いて除去する。その結果、図２に示すような櫛歯ドライブ１が形成される。
【００２９】
上述したように、櫛歯ドライブ１を静電力で振動させることにより、水晶のような圧電材料の特性を機械構造で実現することができた。また、本実施の形態の自励発振駆動機構の場合には交流電圧を印加する必要がなく、直流電圧のみで水晶振動子と同様の特性が得られる。
【００３０】
従来、リソグラフィーにより水晶振動子を形成する場合には、ウェットエッチング等により水晶振動子の形状を加工制御して周波数を調整する。しかし、ウェットエッチングで加工する場合、エッチング液の濃度変動やエッチング設定時間の誤差等のために、振動部の厚さを精度良く制御するのが難しかった。そのため、周波数のバラツキが大きく、製造歩留まりが低下するという問題があった。
【００３１】
一方、本実施の形態の櫛歯ドライブ１の場合には、ＳＯＩ基板を半導体微細加工技術で一体に形成するため、従来の水晶振動子に比べて、加工精度が高く、特性の揃った高精度の振動子を安価に得ることができる。また、音叉型水晶振動子の場合には、音叉の間隔が１００〜２００μｍ程度であって容量変化がほとんどない。一方、櫛歯ドライバ１の場合には、水晶振動子と同程度の大きさのものであれば、５〜１０μｍの間隔で対向する櫛歯が数百本形成でき、容量変化が比較的大きいので浮遊容量の影響を小さく抑えることができる。
【００３２】
−第２の実施の形態−
第２の実施の形態では、上述した櫛歯ドライブ１を圧力センサに応用した場合について説明する。図３に示した等価回路には機械抵抗ｒｆが含まれているが、機械抵抗ｒｆには振動している可動部１２の周囲にある流体（例えば、大気中での振動であれば空気）の抵抗が含まれている。特に、櫛歯状凹凸部１１ａ，１２ａにおける流体抵抗が顕著に現れる。そして、流体の圧力が変化すると機械抵抗ｒｆも変化し、発振角周波数ω１が変化する。この変化を検出することで、櫛歯ドライブ１の周囲雰囲気の圧力を計測することが可能となる。
【００３３】
図１０は、実測により得られた圧力と周波数との関係を示す図である。例えば、図１の出力信号を受信する圧力計測部を設け、その圧力計測部に、図１０に示すような相関をテーブルとして記憶する記憶部を設ける。圧力計測部では、櫛歯ドライブ１から取り込んだ周波数信号と相関テーブルとに基づいて圧力を算出する。また、圧力と周波数との相関は計測する気体の種類（粘性）によって異なる場合があるので、気体毎のテーブルを記憶しておき、計測する気体に合わせてテーブルを切り替えるようにすれば、種々の気体の圧力を計測することができる。
【００３４】
このように、櫛歯ドライブ１を圧力センサとして用いることにより、小型で高精度な圧力センサを提供することができる。特に、櫛歯状凹凸部１１ａ，１２ａの対を多数形成することで、水晶振動子を用いた圧力計に比べ検出感度を容易に向上させることができる。
【００３５】
−第３の実施の形態−
図１１は第３の実施の形態を示す図であり、第１の実施の形態で説明した櫛歯ドライブ１をプローブ顕微鏡のプローブ振動手段として用いた場合の概略構成を示すブロック図である。なお、共振回路部２０の図示は省略した。また、図１２は櫛歯ドライブ１の詳細を示す斜視図である。ここでは、プローブ顕微鏡の一種である原子間力顕微鏡装置（以下、ＡＦＭ装置と呼ぶ）を例に説明する。
【００３６】
ＡＦＭ装置は、櫛歯ドライブ１と、櫛歯ドライブ１をＺ方向に駆動するピエゾアクチュエータ５と、載置された試料ＳをＸＹＺ方向に移動するステージ６とを備えている。図１２に示すように、櫛歯ドライブ１の可動部１２はＡＦＭ観察用プローブを構成しており、可動部１２の先端には探針７が形成されている。櫛歯ドライブ１は、支持部４を介してピエゾアクチュエータ５に固定され、ピエゾアクチュエータ５は不図示のフレームに固設されている。
【００３７】
櫛歯ドライブ１には、第１の実施の形態と同様に増幅器２および直流電源３が接続されている。ＡＦＭ装置の制御演算部８には、ステージ６を駆動するステージ駆動部９と、測定結果の表示等に用いられるディスプレイ１０とが接続されている。第１の実施の形態で述べたように櫛歯ドライブ１および増幅器２は発振回路を構成しており、発振回路から出力された周波数信号をに基づいて、ピエゾアクチュエータ５およびステージ駆動部１２を制御し、試料Ｓの表面を探針７で走査する。ディスプレイ１０には、計測結果が表示される。
【００３８】
上記のように構成されたＡＦＭ装置では、探針７が設けられた可動部１２を振動させながら探針７を試料Ｓにナノメーターオーダーで近接させ、探針７と試料Ｓとの間に働く原子間力を検出する、タッピングモードが採用されている。この原子間力は、探針７と試料Ｓとの距離に依存する物理量であり、原子間力の変化は上述した自励発振駆動機構の発振角周波数ω１の変化として検出される。そのため、制御演算部８は、発振角周波数ω１が一定となるようにピエゾアクチュエータ５をＺ方向に駆動しながら、試料Ｓに対して探針７をＸ−Ｙ方向に相対的に二次元走査させる。そして、その制御情報に基づいて試料Ｓ表面の凹凸形状を演算し、その演算結果をディスプレイ１０に表示する。
【００３９】
従来は、上述した特開平６−１９４１５７号公報に記載されているように、圧電アクチュエータからなるカンチレバーに交流電圧を印加して屈曲振動させ、走査時のアドミッタンス変化を検出するような構成であったため、カンチレバーを屈曲振動させるための交流電源が必要であった。しかしながら、櫛歯ドライブ１を発振子として用いる本実施の形態の場合には、櫛歯ドライブ１が自励発振で振動するので、従来のような交流電源を必要としないという利点を有する。
【００４０】
なお、上述した第２の実施の形態では、本発明の自励発振駆動機構を圧力センサに応用した場合について説明したが、櫛歯ドライブ１への作用として加速度やコリオリ力などが加わった場合でも発振周波数が変化するので、これらの物理量を検出するセンサにも本発明を適用することができる。さらには、櫛歯ドライブ１に作用する力の変化を周波数変化として捉えるので、流量計や湿度計などにも応用できる。
【００４１】
上述した実施の形態では、ＳＯＩ基板を用いて櫛歯ドライブ１を形成したが、素材としてはＳＯＩ基板に限らない。また、製造方法に関しても上述した半導体加工技術に限らない。さらに、本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではない。
【００４２】
以上説明した実施の形態と特許請求の範囲の要素との対応において、可動部１２は可動櫛歯電極部を、固定部１１は静止櫛歯電極部を、櫛歯ドライブ１は静電アクチュエータを、ピエゾアクチュエータ５，ステージ６，制御演算部８およびステージ駆動部９は走査手段をそれぞれ構成する。なお、以上の説明はあくまでも一例であり、発明を解釈する際、上記実施の形態の記載事項と特許請求の範囲の記載事項の対応関係に何ら限定も拘束もされない。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明による第１の実施の形態を説明する図であり、自励発振駆動機構の概略構成を示すブロック図である。
【図２】櫛歯ドライブ１を詳細に示す斜視図である。
【図３】櫛歯ドライブ１の等価回路を示す図である。
【図４】アドミッタンス曲線を示す図である。
【図５】水晶振動子１００を２端子接続した場合の低周波水晶発振回路を示す図である。
【図６】低周波水晶発振回路の具体例を示す図である。
【図７】自励発振駆動機構の等価回路を示す図である。
【図８】（ａ）はIm部の周波数依存性の計算値を示す図で、（ｂ）はRe部の周波数依存性の計算値を示す図である。
【図９】櫛歯ドライブ１の製造工程を説明する図であり、（ａ１），（ｂ１）は第１の工程を、（ａ２），（ｂ２）は第２の工程を、（ａ３），（ｂ３）は第３の工程を、（ａ４），（ｂ４）は第４の工程をそれぞれ示す。
【図１０】圧力と周波数との関係を示す図である。
【図１１】プローブ顕微鏡の概略構成を示すブロック図である。
【図１２】第３の実施の形態の櫛歯ドライブ１の斜視図を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１：櫛歯ドライブ、２：増幅器、３：直流電源、５：ピエゾアクチュエータ、６：ステージ、７：探針、８：制御演算部、９：ステージ駆動部、１１：固定部、１２：可動部、１１ａ，１２ａ：櫛歯状凹凸部、２０：共振回路部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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