(57)【要約】【課題】大型マザー基板から薄膜化した個々の表示装置を効率よく分離する。【解決手段】ＴＦＴマザー基板１０と封止マザー基板１２の裏面には、複数の表示装置を分離するためのスクライブ痕１１が予め形成されている。これらマザー基板の表面がエッチングされ、そのエッチング部１４，１５が、スクライブ痕１１まで達して、ＴＦＴ基板３と封止基板８とからなる複数の表示装置が分離される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
貼り合わされた第１の基板と第２の基板をエッチングして、前記第１、第２の基板に形成された個々の表示装置を分離する製造方法において、
前記第１、第２の基板の少なくとも一方の基板の裏面に、スクライブ痕を予め形成し、前記スクライブ痕が他方の基板の裏面に対向するように、前記第１、第２の基板を重ねて貼り合わせ、少なくとも一方の基板の表面をエッチングすることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法により製造された表示装置において、前記第１、第２の基板の少なくとも一方の基板の裏面にスクライブ痕が形成されていることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の表示装置が形成された大型マザー基板から分離された表示装置及び個々の表示装置を分離する製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置として、特に、有機ＥＬ表示装置は、自発光によるメリットが多く、薄型化や軽量化が容易であるが、生産プロセスの制約から薄型化に限界があった。
【０００３】
現状の表示装置のプロセスでは、大型マザー基板に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路を形成し、次に、表示素子として有機ＥＬ素子を形成した後に、このＴＦＴマザー基板に封止マザー基板を重ね合せる。その後、ガラスからなるＴＦＴマザー基板及び封止マザー基板をエッチングして薄くした後、表示装置の大きさに切断する工程がある。この切断工程では、切断できる厚さに限界があるために、切断工程の前工程であるエッチング工程では、切断できる厚さ以上に表示装置を薄くできないのが現状である。
【０００４】
下記特許文献１には、ＴＦＴマザー基板と対向マザー基板とを貼り合わせた後に、分割溝をエッチングによって形成し、さらに、エッチングして薄膜化し、その後、分割溝にそって個々の表示パネルに分割する表示パネルの製造方法が記載されている。
【特許文献１】特開２００５−１６４７９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１では、マザー基板の表面に分割溝が設けられており、この分割溝は、エッチング用のマスクを用いて、エッチングにより形成されるために、エッチングするためのマスク工程が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、第１の基板（ＴＦＴマザー基板）と第２の基板（封止マザー基板）の少なくとも一方の基板の裏面に、個々の表示装置を分離するためのスクライブ痕を予め形成し、このスクライブ痕が他方の基板の裏面に対向するように、これらの基板を重ねて貼り合わせ、少なくとも一方の基板の表面をエッチングすることによって個々の表示装置を分離することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、表示装置の薄型化、軽量化が進み、かつ、エッチングと切断が同時にできることによる工程短縮、低コスト化が可能となる。
【０００８】
また、大型マザー基板から表示装置を切り出す場合に問題となっていた薄板に対する切断の制約がなくなり、より薄い表示装置の量産が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を用いて、本発明の実施例を説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１は、複数の表示装置が形成されたマザー基板の断面図であって、同図（ａ）はエッチング前、同図（ｂ）はエッチング後を示す。
【００１１】
図１（ａ）において、表示素子として有機ＥＬや液晶などを駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路層４が形成されたＴＦＴマザー基板１０に対向して封止マザー基板１２が接着層７にてＴＦＴマザー基板１０に貼り合わされている。ＴＦＴマザー基板１０と封止マザー基板１２の裏面には、複数の表示装置を分離するためのスクライブ痕１１が予め形成されている。
【００１２】
図１（ｂ）において、ＴＦＴマザー基板１０と封止マザー基板１２の表面がエッチングされ、そのエッチング部１４，１５が、スクライブ痕１１まで達して、個々の表示装置が分離される。分離された表示装置は、ＴＦＴ回路層４が形成されたＴＦＴ基板３と、このＴＦＴ基板３に接着層７にて対向して貼り合わされた封止基板８とからなる。なお、ＴＦＴを駆動するための端子部９上の切断端材１３は廃棄される。
【００１３】
図２は、複数の表示装置の製造プロセスである。図２において、まず、ＴＦＴマザー基板と封止マザー基板とを用意し、次に、これらの基板の裏面に、予めスクライブ線を機械的に引いてスクライブ痕を形成する。
【００１４】
図３は、ＴＦＴマザー基板１０の裏面の平面図であって、ＴＦＴマザー基板１０の裏面にスクライブ線１１を引いてスクライブ痕を形成した状態を示す。このスクライブ線１１は、マトリックス状に形成された複数（例えば、３×３＝９）の表示装置を分割するために引かれる。
【００１５】
図４は、封止マザー基板１２の裏面の平面図であって、封止マザー基板１２の裏面にスクライブ線１１を引いてスクライブ痕を形成した状態を示す。このスクライブ線１１は、マトリックス状に形成された複数の表示装置を分割するとともに、切断端材１３を分割するために引かれる。なお、図３，４において、接着層７は、ＴＦＴマザー基板１０と封止マザー基板１２のいずれかに形成されていればよい。
【００１６】
次に、図３に示すＴＦＴマザー基板１０と図４に示す封止マザー基板１２のいずれかに接着剤を塗布後、これら基板の裏面同士を対向させて重ね合せた状態が、図１（ａ）に示すエッチング前の状態である。図１（ａ）に示す接着層７は、エッチング液によるダメージがない材料を使うか、エッチング液に触れる部分にバリアー膜（図示せず）を形成する。
【００１７】
この状態からＴＦＴマザー基板と封止マザー基板の表面をその厚さ方向にエッチングする。図１（ｂ）に示すように、エッチング部１４，１５がスクライブ痕１１まで到達すると、複数の表示装置と切断端材１３は各々分離（ブレイク）する。ブレイク後、必要に応じて、補強板を貼り付け、表示装置の側面に接着剤を塗布する。
【００１８】
図５は、補強板を貼り付けた表示装置の断面図である。図６は、その平面図である。図５，６において、補強板１は、ＴＦＴ基板３より少し大きくして、接着層２にてＴＦＴ基板３に接着されている。ＴＦＴ基板３及び封止基板８の周辺に側面接着剤１６を形成する。
【００１９】
本実施例では、ＴＦＴマザー基板と封止マザー基板を同時にエッチングする方法で説明したが、以下で説明するように、片側別々にエッチングする方法でも同様の効果を得る。
【実施例２】
【００２０】
図７は、ＴＦＴマザー基板のみをエッチングした場合のマザー基板の断面図である。図８は、封止マザー基板のみをエッチングした場合のマザー基板の断面図である。
【００２１】
図７において、エッチング部１４で示すように、ＴＦＴマザー基板のみをエッチングした場合は、封止マザー基板１２を機械的にブレイクする。この場合、封止マザー基板１２の裏面に、図１（ａ）に示すように、予めスクライブ痕を形成してもよいし、封止マザー基板１２の表面に、スクライブ痕を形成してもよい。
【００２２】
図８において、エッチング部１５で示すように、封止マザー基板のみをエッチングした場合は、同様にＴＦＴマザー基板１０を機械的にブレイクする。この場合、ＴＦＴマザー基板１０の裏面に、図１（ａ）に示すように、予めスクライブ痕を形成してもよいし、ＴＦＴマザー基板１０の表面に、スクライブ痕を形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】エッチング前後のマザー基板の断面図。
【図２】複数の表示装置の製造プロセス。
【図３】ＴＦＴマザー基板の裏面の平面図。
【図４】封止マザー基板の裏面の平面図。
【図５】補強板を貼り付けた表示装置の断面図。
【図６】図５の平面図。
【図７】ＴＦＴマザー基板のみをエッチングした場合のマザー基板の断面図。
【図８】封止マザー基板のみをエッチングした場合のマザー基板の断面図。
【符号の説明】
【００２４】
１…補強板、２…接着層、３…ＴＦＴ基板、４…ＴＦＴ回路層、７…接着層、８…封止基板、９…端子部、１０…ＴＦＴマザー基板、１１…スクライブ痕、１２…封止マザー基板、１３…切断端材、１４，１５…エッチング部、１６…側面接着剤。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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