(57)【要約】【課題】絶縁抵抗の低下を招くことなく、セラミックスの誘電率を高めて、大きな静電容量を得ることを可能とする、信頼性に優れた積層コンデンサを提供する。【解決手段】主成分が（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３セラミックスであり、副成分としてＮｉ及び希土類元素Ｒを含み、モル比Ｎｉ／Ｒが０．０５以上、０．２５未満であるセラミックスから成るセラミックス焼結体２内に、セラミック層を介して重なり合うように複数の内部電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂが形成されており、複数の内部電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂがセラミック層を介して重なりあっている部分を内層部２Ｗ、内層部２Ｗの積層方向外側に設けられており、内部電極がセラミックスを介して積層されていないセラミックス部分を外層部２Ｖとし、内層部２Ｗの厚みをＡ、外層部２Ｖ、２Ｖの全厚みをＢとしたときにＢ／Ａが０．５以下とされている、積層コンデンサ１。【選択図】図１
2008053278.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分が（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３系セラミックスであり、副成分としてＮｉ及び希土類元素Ｒ（但し、Ｒは、Ｙ，Ｓｃ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕからなる群から選択した少なくとも１種の元素）を含むセラミックスから成るセラミック焼結体と、
前記セラミック焼結体内において、セラミック層を介して重なり合うように配置された複数の内部電極を備える積層コンデンサであって、
モル比Ｎｉ／Ｒが０．０５以上、０．２未満であり、かつ前記セラミック焼結体内において、複数の内部電極がセラミック層を介して重なり合っている部分を内層部、内層部の積層方向外側に設けられており、内部電極がセラミック層を介して積層されていないセラミックス部分を外層部とし、内層部の厚みをＡ、外層部の全厚みをＢとしたときに、比Ｂ／Ａが０．５以下とされていることを特徴とする、積層コンデンサ。
【請求項２】
前記セラミックスの主成分を（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３と表したときに、０．０１≦ｘ≦０．０５かつ０．０５≦ｙ≦０．１５である、請求項１に記載の積層コンデンサ。
【請求項３】
前記内部電極がＮｉを主成分とする、請求項１または２に記載の積層コンデンサ。
【請求項４】
前記外層部が、前記内層部の積層方向両側に位置している、請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体セラミックスを用いて、セラミックスと内部電極とを一体焼成する技術により得られるセラミック焼結体を用いた積層コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
積層コンデンサでは、小型化を進めるために、小型かつ大容量であることが求められている。また、用途によっては、誘電率が１００００以上の誘電体セラミックスを用いた大容量の積層コンデンサも用いられている。このような積層コンデンサでは、例えば、静電容量温度特性はＪＩＳ規格のＦ特性を満たすものとなっており、静電容量温度特性は、さほど良好なものではない。すなわち、静電容量温度特性よりも大きな容量を優先している。
【０００３】
誘電率が１００００以上の誘電体セラミックスとしては、下記の特許文献１に記載のように、ＢａＴｉＯ３のＢａ、Ｔｉを、それぞれＣａ、Ｚｒで置換してなる（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３系セラミックスが知られている。特許文献１では、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３で表される主成分（ただし、０．０１≦ｘ≦０．１０、０．１＜ｙ＜０．２６）１００重量部に対し、副成分としてＹ２Ｏ３を０．２〜１．０重量部、ＭｎＯ２を０．０６〜０．６重量部、Ａｌ２Ｏ３を０．１〜１．０重量部、ＮｉＯを０．１〜１．０重量部を含む組成の誘電体セラミックスを用いた積層コンデンサが開示されている。
【０００４】
しかしながら、近年、静電容量のより一層の増大が求められている。静電容量を増大するには、（１）積層構造を工夫する方法、あるいは（２）誘電体セラミック層の誘電率を高める方法が考えられる。
【０００５】
（２）誘電体セラミック層の誘電率を高めるには、セラミックスの組成を改良する方法が効果的である。しかしながら、誘電率を高めた場合、他の特性との両立、例えば、誘電率温度特性や高温負荷信頼性等との両立が困難となる。したがって、他の特性を犠牲にすることなく、誘電率のみを高めるには限界があった。
【０００６】
他方、下記の特許文献２には、チタン酸バリウムに、副成分として、ＭｇＯおよび希土類酸化物を２モル％以下添加してなる組成の誘電体セラミックスを用いた積層コンデンサにおいて、内部電極間に挟まれたセラミック層の厚みを２μｍ以下と薄くし、内部電極の厚みを１μｍ以上とし、内部電極積層数を１００層以上とすることにより、セラミック層の誘電率を高めることが示されている。
【０００７】
ここでは、内部電極と誘電体セラミック層とを一体焼成する際に、内部電極の焼成時の収縮率と、誘電体セラミック層の焼成時の収縮率との差により、内部電極間に挟まれた誘電体セラミック層に応力が加わり、誘電率が高められるとされている。
【０００８】
また、特許文献２では、従来の積層セラミックコンデンサでは、誘電体層の積層数を変えたとしても比誘電率はほとんど変化しなかったのに対し、特許文献２に記載の構成では、誘電体層がチタン酸バリウムをコアとし、ＭｇＯ及び希土類酸化物の副成分がシェルを形成するコアシェル構造の粒子となっているため、誘電体セラミックス層を薄くし、積層数を高めることにより、上記応力により加わる歪みが大きくなり、誘電率が高められるとされている。
【特許文献１】特開平１０−１３９５３８号公報
【特許文献２】特開２００４−１１１４６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記のように、特許文献２に記載の積層コンデンサでは、上記特定の組成のコアシェル型誘電体セラミックスを用いた積層コンデンサにおいて、内部電極間に挟まれたセラミック層の厚みを薄くし、かつ積層数を増大することにより、焼成時の収縮率の差によりセラミック層に応力が加わり、誘電率が高められるとされている。従って、誘電体セラミックスの組成を変更することなく、誘電率を高め、大容量の積層コンデンサを得ることができるとされている。
【００１０】
しかしながら、積層コンデンサにおいて、外径寸法を保ちつつ積層数を増大するには、内部電極間で挟まれたセラミック層の厚みを薄くする必要がある。内部電極間に挟まれたセラミック層の厚みが薄くなりすぎると、セラミック層を介して重なり合っている内部電極間において短絡が生じるおそれがあり、積層コンデンサの絶縁抵抗が低下するおそれがあった。
【００１１】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、誘電体セラミックスの組成を変更することなく誘電率が高められており、従って、大容量化に適しており、しかも内部電極間に挟まれたセラミック層の厚みをさほど薄くする必要はなく、したがって、絶縁抵抗の低下が生じ難い、信頼性に優れた積層コンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、主成分が（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３系セラミック層であり、副成分としてＮｉ及び希土類元素Ｒ（但し、Ｒは、Ｙ，Ｓｃ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕからなる群から選択した少なくとも１種の元素）を含む、セラミックスから成るセラミック焼結体と前記セラミック焼結体内において、セラミック層を介して重なり合うように配置された複数の内部電極層を備える積層コンデンサであって、モル比Ｎｉ／Ｒが０．０５以上、０．２未満であり、かつ前記セラミック焼結体内において、複数の内部電極がセラミック層を介して重なり合っている部分を内層部、内層部の積層方向外側に設けられており、内部電極がセラミック層を介して積層されていないセラミック部分を外層部とし、内層部の厚みをＡ、外層部の全厚みをＢとしたときに、Ｂ／Ａが０．５以下とされていることを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る積層コンデンサでは、好ましくは、前記セラミックスの主成分を（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３と表したときに、０．０１≦ｘ≦０．０５かつ０．０５≦ｙ≦０．１５とされており、この場合には、内部電極との焼成に際しての収縮率差をより一層高めて、より大きな静電容量を得ることができる。
【００１４】
また、本発明では、好ましくは、内部電極はその主成分がＮｉであり、その場合には、焼成時の内部電極の収縮率が十分大きく、誘電体セラミック層との収縮差により、上記内層部に大きな応力が加わり、それによって、内層部の誘電体セラミックの誘電率がより一層が効果的に高められる。
【００１５】
本発明に係る積層コンデンサにおいては、上記外層部が内層部の積層方向の両側に配置されるが、両側の外層部の厚みは等しいことが望ましいが、本発明の目的を損なわない限り、多少異なっていてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る積層コンデンサでは、主成分が（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３系セラミックスであり、副成分として希土類元素及びＮｉを含む組成の誘電体セラミックスを用いてセラミック焼結体が構成されているので、大容量化が容易であり、しかも、上記内層部の厚みをＡ、外層部の全厚みをＢとしたときに、Ｂ／Ａが０．５以下であり、かつモル比がＮｉ／Ｒが０．０５以上０．２０未満であるため、焼成時の内部電極と誘電体セラミック層との収縮率差により、内層部に大きな応力が加わると、内層部の誘電体セラミック層の誘電率が効果的に高められる。
【００１７】
この場合、内層部と外層部の収縮率差により生じた応力により、内層部の誘電体セラミック層の誘電率が高められるので、内層部における内部電極間に挟まれた１層のセラミック層の厚みをさほど薄くする必要はない。したがって、絶縁抵抗の低下を招くことなく、大容量の積層コンデンサを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照し本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態にかかる積層コンデンサを説明するための略図的正面断面図である。
【００２０】
積層コンデンサ１は、セラミック焼結体２を有する。セラミック焼結体２は、直方体状の形状を有し、第１の端面２ａ、第１の端面２ａと対向している第２の端面２ｂ、上面２ｃ、及び下面２ｄを有する。
【００２１】
セラミックス焼結体２内には、セラミック層を介して重なり合うように、複数の第１の内部電極３ａ，３ｂと、第２の内部電極４ａ，４ｂとが設けられている。なお、図示を容易とするために、図１では、内部電極の数は、実際よりもかなり少なく示されいることを指摘しておく。
【００２２】
セラミック焼結体２は、周知のセラミックス−金属一体焼成技術により得られている。すなわち、誘電体セラミックスを主体とする複数枚のセラミックグリーンシートを内部電極を介して積層し、上下に無地のセラミックグリーンシートを積層し、得られた積層体を焼成することにより得られている。
【００２３】
複数の第１の内部電極３ａ，３ｂは、セラミック焼結体２の上面２ｃ及び下面２ｄと平行な方向に延び、かつ第１の端面２ａに引き出されている。第２の内部電極４ａ，４ｂは、上面２ｃ、下面２ｄと平行な方向に延び、かつ第２の端面２ｂに引き出されている。
【００２４】
セラミック焼結体２の第１の端面２ａを覆うように、第１の外部電極５が形成されており、第２の端面２ｂを覆うように、第２の外部電極６が形成されている。
【００２５】
本実施形態の積層コンデンサ１では、セラミック焼結体２は、主成分が（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３系セラミックスであり、副成分として、Ｎｉ及び希土類元素Ｒを含み、モル比Ｎｉ／Ｒが０．０５以上、０．２未満である誘電体セラミックスにより構成されている。なお、希土類元素Ｒとは、具体的には、Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択された少なくとも一種である。すなわち、希土類元素Ｒとしては、２種以上の希土類元素が配合されていてもよい。
【００２６】
また、主成分としての（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３系セラミックスは、好ましくは、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３と表したときに、ｘが０．０１以上、０．０５以下であり、ｙが０．０５以上、０．１５以下の範囲とされる。
【００２７】
また、上記、第１，２の内部電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂは、適宜の金属により構成され、このような金属としては、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｃ−Ｐｄなどの適宜の金属もしくは合金をあげることができる。好ましくは、上記誘電体セラミックスの焼成に際しての焼成収縮率に比べて、焼成収縮率が大きいＮｉが用いられる。
【００２８】
外部電極５，６は、適宜の金属もしくは、合金により形成することができる。例えば、Ｃｕ、Ａｇもしくはこれらの合金により、外部電極５，６を形成することができる。外部電極５，６は、導電性ペーストの塗布、焼付け法等の様々な方法により形成することができる。また、外部電極表面には、Ｓｎメッキ膜などのメッキ膜が形成されていてもよい。
【００２９】
積層コンデンサ１の特徴は、セラミックス焼結体２が上記特定の組成の誘電体セラミックスから成り、かつ第１，第２の内部電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂがセラミック層を介して重なり合っている部分、すなわち静電容量が取り出される部分を内層部２Ｗ、内層部２Ｗの積層方向両側に位置しているセラミックス部分を外層部２Ｖとし、内層部２Ｗの厚みをＡ、２つの外層部２Ｖ、２Ｖの厚みの合計をＢしたとき、Ｂ／Ａが０．５以下とされていることにある。それによって、絶縁抵抗の低下を招くことなく、内部電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂ間で挟まれたセラミックス層の誘電率を高めて、大きな静電容量を得ることができる。これは、焼成に際し、内部電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂの収縮率が、誘電体セラミックスの収縮率よりも非常に大きく、収縮率差による応力が、内層部２Ｗに位置しているセラミック層に大きく加わり、それによって、内層部２Ｗにおけるセラミックスの誘電率が高められることによる。
【００３０】
すなわち、前述した特許文献２では、異なる電位に接続される内部電極間に挟まれたセラミック層に、焼成に際しての収縮率差による応力を与えることにより、セラミック層の誘電率が高められるとされていた。そのため、セラミック層に大きな応力を加えて誘電率を高めるために、内部電極間に挟まれたセラミックス層の厚みが薄くされていた。
【００３１】
これに対して、本願発明者は、焼成に際しての収縮率差によるセラミック層への応力により誘電率が高められる現象をさらに検討した結果、内部電極の焼成に際しての収縮率と、セラミック層の焼成に際しての収縮率との差による応力は誘電率を高めるように作用するものの、この作用は、内部電極間に挟まれたセラミックス層の厚みを薄くせずとも、特定の誘電体セラミックスを用いた場合には、上記内層部２Ｗ、及び外層部２Ｖ、２Ｖとの厚みを制御すれば、誘電率を効果的に高め得ることを初めて見出し、本発明を成すに至った。
【００３２】
すなわち、上記特定の誘電体セラミックスを用いてセラミック焼結体を構成し、かつ内層部２Ｗの厚みに対する外層部２Ｖ、２Ｖの全厚みの比Ｂ／Ａを０．５以下とすれば、内部電極間に挟まれたセラミック層の誘電率を効果的に高めることができ、すなわち、異なる電位に接続される内部電極間に挟まれたセラミック層の厚みをさほど薄くせずとも、誘電率を効果的に高めることができ、大きな静電容量を得ることができる。
【００３３】
特に、誘電体セラミックスとして、上記のように、上記構造式において、ｘが０．０１〜０．０５の範囲にかつｙが０．０５〜０．１５の範囲にある場合には、収縮率差による応力がより効果的に加わるためか、誘電率をより一層効果的に高めることができ、より大きな静電容量を実現することができる。
【００３４】
また、内部電極として、Ｎｉを主成分とする内部電極を形成した場合には、内部電極の焼成に際しての収縮率が十分に大きくなり、誘電率をより一層効果的に高めることができる。
【００３５】
外層部の全厚みＢは、図１に示した実施形態では、２つの外層部２Ｖ，２Ｖの厚みの合計である。
【００３６】
次に、具体的な実験例に基づき、本発明では、絶縁抵抗の低下を招くことなく、静電容量を確実に高め得ることを明らかにする。
【００３７】
（実験例１）
ＢａＴｉＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＭｎＣＯ３、ＳｉＯ２及び希土類元素酸化物の各粉末を用意し、これらの粉末を、式（Ｂａ１−ＸＣａＸ）ｍ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３において、ｘ＝０．０４、ｙ＝０．１０、ｍ＝１．００３となるように配合し、仮焼し、主成分を構成するための仮焼原料を得た。
【００３８】
上記仮焼原料１００モルに対して、Ｍｎが０．０５モル、Ｓｉが０．２モル部、Ｙ及びＮｉが下記の表１に示す割合（モル比）となるように、ＭｎＣＯ３、ＳｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＮｉＯの各粉末を添加し、ボールミルにより湿式混合し、粉砕した。このようにして、スラリーを得た。
【００３９】
得られたスラリーを乾燥した後、粉砕し、セラミック原料を得た。上記セラミック原料に、ポリビニルブチラール系バインダ樹脂及び有機溶剤としてのエタノールを加えて、ボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを得た。
【００４０】
上記セラミックスラリーを用いて、ドクターブレード法により成形し、マザーのセラミックグリーンシートを得た。上記マザーのセラミックグリーンシート上に、Ｎｉを主成分とする導電ペーストを印刷した。導電ペーストが印刷されたマザーのセラミックグリーンシートを６０枚積層し、積層体の内層部分を得た。この内層部分に対し、積層方向両側に、導電ペーストが印刷されていないことを除いては上記と同様にして用意した無地のマザーのセラミックグリーンシートを複層枚積層し、内層部の上下に、外層部を設け、マザーの積層体を得た。なお、外層部を構成するための無地のマザーのセラミックグリーンシートの積層枚数は、下記の表１のＢ／Ａを実現する枚数とした。
【００４１】
上記のようにして得られたマザーの積層体を個々の積層コンデンサ単位の積層体チップにカットした後、大気中にて２５０℃の温度で脱バインダーを行い、しかる後、加湿Ｎ２＋Ｈ２混合ガス雰囲気中にて、昇温速度５℃／分、及び最高温度１２５０℃の条件で焼成した。このようにして、長さ２．０×幅１．２×厚み０．３〜０．６ｍｍの寸法を有し、内部電極間に挟まれたセラミック層の厚みが５．０μｍ、一層の内部電極の厚みが１．７μｍであるセラミック焼結体を得た。これらのセラミック焼結体の両端面にＣｕ粉末とガラスフリットを主体とする導電ペーストを塗布し、焼付け、しかる後、下記の表１に示す試料番号１〜２１の積層コンデンサを得た。
【００４２】
上記各積層コンデンサにつき、２５℃、１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓにおける静電容量を測定した。また、上記静電容量と、第１，２の内部電極がセラミック層を介して重なり合っている面積及び第１，２の内部電極間に挟まれたセラミックス層の厚みから、セラミックス層の比誘電率εｒを求めた。また、１５０℃、６０Ｖの直流電界下で加速試験を行い、絶縁抵抗ＩＲが０．１ＭΩ以下になるまでの時間を求め、寿命時間とした。加速試験についての試験個数は３０個とした。結果を下記の表１に示す。
【００４３】
【表１】
2008053278.tif 000003
【００４４】
表１から明らかなように、試料番号１，２，５〜８，９〜１２ではＮｉ／Ｒが０．２以上であるため、厚みの比Ｂ／Ａを変化させても、比誘電率εｒにほとんど変化はみられず、比誘電率改善効果はみられなかった。
【００４５】
また、試料番号１３，１４，１７〜１８，１９〜２０では、モル比Ｎｉ／Ｒが０．２未満であり、Ｂ／Ａを０．５以下とした場合に、誘電率を高める得ることがわかる。
【００４６】
これに対して、試料番号２１では、希土類元素が用いられておらず、Ｎｉ／Ｒが求められないが、希土類元素が少なすぎると、やはり比誘電率εｒを改善することができず、かつ寿命時間が短く、絶縁抵抗が著しく低くなることがわかる。同様に、試料番号３，４においても、モル比Ｎｉ／Ｒが１．９０と高く、希土類元素Ｒの配合割合が少なすぎるためか、寿命時間が非常に短かった。
【００４７】
さらに、試料番号１５，１６では、Ｎｉ／Ｒは０．１６であるが、厚みの比Ｂ／Ａが０．９９及び０．７４と大きいため、比誘電率εｒは、１３３２８及び１３３５８に留まり大きな比誘電率改善効果を得ることができなかった。
【００４８】
これに対し、試料番号１３，１４，１７，１８，１９，２０では、モル比Ｎｉ／Ｒが０．０５以上、０．２未満の範囲にあり、かつ厚みの比Ｂ／Ａが０．５以下とされているため、比誘電率εｒを１７７９１以上に高めることができ、かつ寿命時間も１４．２時間以上と十分に長かった。
【００４９】
（実験例２）
上記実験例１とは異なるセラミックスを用いた。組成ａとして、主成分としてのＢａＴｉＯ３１００モルに対し、副成分として、Ｄｙが２．５モル、Ｍｇが１．０モル、Ｍｎが０．５モル、Ｓｉが１．２モルとなるようにＤｙ２Ｏ３、ＭｇＣＯ３、及びＭｎＣＯ３、ＳｉＯ２を添加したセラミック組成を用いたことを除いては、実験例１と同様にして、積層コンデンサを作成した。
【００５０】
また、組成ｂとして、主成分として（Ｍｇ０．８８Ｃａ０．１０Ｓｒ０．０２）Ｏ−ＳｉＯ２を用いたことを除いては、実験例１と同様にして、積層コンデンサを作成した。
【００５１】
これら２種の積層コンデンサにおいても、Ｂ／Ａを変化させ、比誘電率εｒを実験例１と同様に評価した。結果を下記の表２に示す。
【００５２】
【表２】
2008053278.tif 000004
【００５３】
表２から明らかなように、組成ａ，及び組成ｂのいずれのセラミックスを用いた場合においても、厚みの比Ｂ／Ａを変化させたとしても比誘電率εｒは特に高められなかった。
【００５４】
したがって、実験例１及実験例２の結果から、厚みの比Ｂ／Ａを変化させた場合に比誘電率εｒを高め得る効果は、実験例１で用いた特定の組成系において、効果的であり、他の組成では、同様の効果は得られないことがわかる。
【００５５】
（実験例３）
希土類元素の種類と添加量を異ならせたことを除いては、実験例１と同様にして、積層コンデンサを作成し、評価した。結果を下記の表３に示す。
【００５６】
なお、副成分としてのＭｎ、Ｙ及びＮｉの添加割合は実験例１の場合と同様とした。
【００５７】
【表３】
2008053278.tif 000005
【００５８】
表３から明らかように希土類元素として、Ｙではなく、様々な希土類元素を用いた場合にも、実験例１の試料番号１３，１４，１７〜２０の場合と同様に、比誘電率εｒを高め、かつ寿命時間を十分長くすることがわかる。
【００５９】
なお、試料番号５１，５２では、希土類元素としてＤｙを用いているが、Ｂ／Ａが０．９９及び０．７４と本発明の範囲外であるため、比誘電率εｒを十分に高くすることはできなかった。
【００６０】
なお、実験例１〜３では、誘電体セラミックスを構成する主成分として、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ｍ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３において、ｘ＝０．０４、ｙ＝０．０１、ｍ＝１．００３とされていたが、本発明においては、上記に限らず、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ｍ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３において、ｘが０．０１以上、０．０５以下、ｙが０．０５以上、０．１５以下であれば、上記実験番号１３，１４，１７〜２０と同様に、厚み比Ｂ／Ａを０．５以下とすることにより、かつＮｉ／Ｒを０．０５以上０．２未満とすることにより、比誘電率εｒを効果的に高め、かつ寿命時間を長くすることが確かめられている。
【００６１】
また、ｘが０．０１以下の場合、０．０５を超える場合、ｙが０．０５以下の場合、または０．１５を超える場合においても、同様に、比誘電率を高め、寿命時間を長く確かめられている。もっとも、好ましくは、０．０１≦ｘ≦０．０５、０．０５≦ｙ≦０．１５とすることにより、比誘電率をより一層効果的に高めることが可能となった。
【００６２】
なお、上記、特定の組成を満たす限り、セラミック焼結体の製造方法については特に限定されない。例えば、セラミック原料として用いた各種酸化物の製造方法についても上記実験例１で示した製造方法に限定されず、蓚酸塩法、ゾルゲル法、水熱合方法などを用いることができる。
【００６３】
また、セラミックグリーンシートを製造方法する方法及びセラミックグリーンシートを得るのに用いたバインダー樹脂や溶剤等についても、実験例１で示したものに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の一実施形態に係る積層コンデンサを説明するための略図的正面断面図。
【符号の説明】
【００６５】
１…積層コンデンサ
２…セラミック焼結果体
２ａ…端子
２ｂ…端子
２ｃ…上面
２ｄ…下面
２Ｗ…内層部
２Ｖ…外層部
３ａ、３ｂ…第１の内部電極
４ａ、４ｂ…第２の内部電極
５、６…外部電極
【図１】
2008053278.tif 000006