(57)【要約】【課題】外部への電極取出しに必要なパッド面積を確保しつつ、パッド面積の低減を図ることにより、小型化された半導体装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置１０は、半導体回路基板１の能動面の対向する二辺の端部近傍に、断面テーパー形状を有するパッド形成部Ｔ１を形成し、このパッド形成部Ｔ１上に複数のパッド５が設けられている。これにより、断面テーパー形状を有したパッド形成部Ｔ１にパッド５が配設されているので、パッド５が斜めに形成され、同じサイズのパッドを平坦な能動面の端部近傍に形成した場合に比して、平面視でのパッド５のサイズが小さくなる。【選択図】図１
2008053406.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板上に複数のパッドが配設されるパッド形成部を有する半導体装置であって、
前記パッド形成部が、前記シリコン基板の厚み方向に傾斜していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記シリコン基板の対向する二辺側のそれぞれに前記パッド形成部を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
シリコン基板上に複数の半導体素子を形成し、該半導体素子上に、絶縁層と配線層とを順次繰り返して積層させて半導体回路基板を形成する工程と、
前記半導体回路基板の周辺部近傍を、前記シリコン基板の厚み方向に傾斜する断面形状にエッチングしてパッド形成部を形成する工程と、
前記パッド形成部の上面にパッドを形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記パッドを形成する工程の後に、前記パッド形成部を切断する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小型化された半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や情報端末機器などの小型電子機器のさらなる小型化のニーズがますます高まっている。これに伴ない、小型電子機器に搭載されるＬＳＩ（Large Scale Integration）等の半導体装置への小型化の要求が強くなっている。半導体装置を搭載した半導体パッケージにおいては、パッケージサイズを半導体装置の大きさにより近づけたパッケージ構造の所謂ＣＳＰ（Chip Size Pacage）レベルでの半導体装置の小型化が要求されている。このような小型化の要求の高まりのなかで、半導体装置の小型化を図るうえでは、半導体装置の平面サイズにおけるパッドの面積が占める割合が高くなり、パッド面積をさらに軽減する必要が出てきている。
【０００３】
半導体装置のパッドは、半導体装置を配線基板などに実装するときの電極取出し部分となる。例えば、半導体装置をワイヤボンディングにより実装する場合には、ボンディング位置精度を加味して且つボンディングワイヤとの良好な接合状態を得るための十分なパッド面積が必要なため、パッド面積の小型化には限界がある。
また、従来、半導体装置のパッドは、半導体装置の能動面において、半導体装置の複数の半導体素子からなる集積回路が形成された半導体回路形成部（機能部領域）を避けた位置に設けられている。これは、半導体装置をワイヤボンディングなどにより実装する際に、パッドを押圧する圧力や、印加する温度、超音波振動などによるダメージがパッド直下に加わることにより、半導体回路の機能が損なわれる損傷が生ずるのを防ぐためである。このため、半導体装置の能動面には、半導体回路形成部以外のデッドスペースとなるパッド形成部を確保する必要があり、半導体装置の平面サイズの小型化の障壁となる。
【０００４】
平面視でのパッド面積を軽減する方法としては、電極取出し部分（パッド形成部）に、水平部分の他に垂直部分を有する取出し用電極を形成することにより、従来のパッドの機能を有する取出し用電極の水平方向の面積を小さくした半導体装置が紹介されている（例えば特許文献１を参照）。
【０００５】
また、半導体回路形成部以外のデッドスペースを軽減した半導体装置として、能動面の半導体回路形成部（機能部領域）内にパッドを設け、該パッド上に導電性ペースト電極を形成した半導体装置（ベアチップ）が知られている。導電性ペースト電極は、実装基板側の電極端子（パッド電極）に予め形成されたスタッドバンプと位置合わせされ、加熱することにより接合する実装構造となっている。これは、パッドにほとんどダメージを与えることなく形成できる導電性ペースト電極と、加熱による接合方法により、半導体回路形成部上にパッドを形成することを可能としている（例えば特許文献２を参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−９３６０７号公報
【特許文献２】特開平９−３０６９５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した特許文献１に記載の半導体装置では、電極取出し部分（パッドに相当）に垂直構造部分を含んでいるので平面サイズは低減するが、垂直部分の形成が困難なうえ工程が増加してコストアップが生じるとともに、半導体装置の縦方向のサイズが増大するという問題がある。
また、特許文献２に記載の半導体装置では、パッドを半導体回路形成部上に形成することを可能としているが、パッドそのものには、導電性ペースト電極を形成可能な面積が必要となる。このため、パッドそのものの平面サイズの低減、およびそれによる半導体装置の小型化に限界があるという問題があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされるものであって、小型化された半導体装置、およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明では、シリコン基板上に複数のパッドが配設されるパッド形成部を有する半導体装置であって、パッド形成部が、シリコン基板の厚み方向に傾斜していることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、半導体装置の周辺方向に向かってシリコン基板側（下方側）に傾斜したパッド形成部に複数のパッドが配設されることにより、パッドが斜めに形成される。これにより、同じサイズのパッドをシリコン基板上の平坦な同一面上に形成した場合に比して、平面視でのパッドサイズが小さくなる。従って、平面視でのパッド形成部の大きさが軽減して半導体装置の小型化が可能となり、半導体装置が搭載される電子機器の小型化に寄与することができる。
【００１０】
本発明では、シリコン基板の対向する二辺側のそれぞれにパッド形成部を有していることが望ましい。
【００１１】
この構成によれば、半導体装置の対向する二辺側に有するパッド形成部の傾斜面に、全部またはなるべく多数のパッドを配設することにより、前記対向する二辺に直交する方向の半導体装置のサイズをより小型化することができるという顕著な効果を奏する。
【００１２】
本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン基板上に複数の半導体素子を形成し、該半導体素子上に、絶縁層と配線層とを順次繰り返して積層させて半導体回路基板を形成する工程と、半導体回路基板の周辺部近傍を、シリコン基板の厚み方向に傾斜する断面形状にエッチングしてパッド形成部を形成する工程と、パッド形成部の上面にパッドを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、半導体装置の周辺方向に向かってシリコン基板側（下方側）に傾斜したパッド形成部が形成され、このパッド形成部に複数のパッドが斜めに配設された半導体装置を製造することができる。これにより、同じサイズのパッドをシリコン基板上の平坦な同一面上に形成した場合に比して、平面視でのパッドサイズが小さくなるので、平面視でのパッド形成部の大きさが軽減された、小型の半導体装置の製造方法を提供することができる。
【００１４】
本発明の半導体装置の製造方法では、パッドを形成する工程の後に、パッド形成部を切断する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１５】
通常、半導体装置は、ウェハ状のシリコン基板に多数の半導体装置を形成してからダイシングして個片の半導体装置を得る半導体プロセスにより製造される。上記構成によれば、隣接する個々の半導体装置の外枠部に略Ｖ字状のパッド形成部を形成した後、このパッド形成部の略中央を切断することにより、外周部がシリコン基板の厚み方向に傾斜したパッド形成部を有する半導体装置を効率的に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明にかかる半導体装置の実施形態について図面に従って説明する。
【００１７】
図１は、本実施形態の半導体装置１０を説明する図であり、（ａ）は、平面図、同図（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００１８】
図１（ａ），（ｂ）に示す半導体装置１０は、半導体回路基板１と、複数のパッド５と、複数のパッド５を露出するように形成されたパッシベーション膜６とを有している。
【００１９】
半導体回路基板１は、図示しないがシリコン基板上に形成されたトランジスタ等の複数の半導体素子と、該半導体素子上に、シリコン酸化膜などの絶縁層およびＡｌ（アルミニウム）などからなる配線層とが、この順に繰り返し積層されて形成されている。複数の半導体素子は、絶縁層を介して配線層に形成された回路配線により接続され、半導体回路基板１内に集積回路が形成されている。
【００２０】
平面視で直方形を有する半導体回路基板１の上面（能動面）は、略中央に平坦部分を有し、平坦部分から対向する二辺側に向かって下方に傾斜した断面テーパー形状を有するパッド形成部Ｔ１を有している。本実施形態では、パッド形成部Ｔ１は、半導体回路基板１の底面に対して約３０°の傾斜角度にて形成された例を図示している（図１（ｂ））。なお、パッド形成部Ｔ１の半導体回路基板１の底面に対する傾斜角度は、ワイヤボンディングなどの半導体装置実装手段（ベアチップ実装）に対して弊害がなければ、任意の傾斜角度にて形成することができる。
なお、パッド形成部は、半導体回路基板１の一辺側のみに形成してもよい。
【００２１】
パッド形成部Ｔ１上には、アルミ合金などからなる複数のパッド５が形成されている。各パッド５は、上述したように半導体回路基板１内部に形成された集積回路の一部と、絶縁層および配線層により形成された図示しない引き出し配線により接続されている。また、パッド５を含む半導体回路基板１上には、酸化シリコンおよび窒化シリコンをこの順に積層したパッシベーション膜６が、パッド５の一部または大部分を露出させた状態で形成されている。
【００２２】
次に、本実施形態の半導体装置１０のパッド形成部Ｔ１に形成されたパッド５と、外部電極とを接続する半導体装置実装手段（ベアチップ実装）の一例を説明する。
ここでは、まず、半導体装置１０の実装形態の特徴を説明するための比較例として、従来の半導体装置７０の概略構造を図面に従って説明する。
【００２３】
図８（ａ），（ｂ）に示すように、従来の半導体装置７０は、シリコン基板上に形成された半導体素子（図示せず）上に、図示しない絶縁層と配線層とが、この順に繰り返し積層された半導体回路基板６１を有している。半導体回路基板６１の最上層の絶縁層上面の対向する二辺の端部近傍には、アルミ合金などによるパッド６５が形成されている。さらに、パッド６５上を含む半導体回路基板６１上には、酸化シリコンと窒化シリコンがこの順に積層されたパッシベーション膜６６が、パッド６５を露出する開口部を有して形成されている。即ち、従来の半導体装置７０のパッド６５は、半導体装置７０の底面（シリコン基板の底面）と略平行に形成された半導体回路基板６１の最上層の絶縁層上の平面に、略平坦に形成されている。
【００２４】
図８に示す従来の半導体装置７０のパッド６５は、図１に示す本実施形態の半導体装置１０のパッド５と同じサイズにて形成された状態を図示している。このとき、図１の半導体装置１０の複数のパッド５は、断面テーパー形状を有した半導体回路基板１のパッド形成部Ｔ１に斜めに形成されているので、平坦な能動面の同一平面上にパッド６５が形成された従来の半導体装置７０に比して、平面視でのパッド５のサイズが小さくなる。これにより、半導体装置１０の平面サイズは、同一サイズのパッド６５が形成された半導体装置７０の平面サイズよりも小さくなっている。
【００２５】
次に、本実施形態の半導体装置１０を、外部電極と電気的に接続する半導体装置実装手段（ベアチップ実装）の一例として、ワイヤボンディングにより配線基板と接続された例を図面に従って説明する。また、比較例として、従来の半導体装置７０が配線基板に接続された例を図面に従って続けて説明する。
図２は、本実施形態の半導体装置１０を、配線基板１００とワイヤボンディングにより実装した状態を説明する部分側面図である。また、図３は、図８の従来の半導体装置７０を、ワイヤボンディングにより配線基板１００に実装した状態を説明する部分側面図である。
【００２６】
図２において、半導体装置１０は、配線基板１００上に固定され、ボンディングワイヤ８５により配線基板１００と電気的に接続されている。
配線基板１００は、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁性の平板からなる基材１０１上に、銅などの金属をフォトリソグラフィなどによりパターニングして形成されたダイパッド１０３と電極端子１０２とを有している。
半導体装置１０は、配線基板１００のダイパッド１０３上に、図示しない絶縁性接着剤等により接着固定されている。そして、半導体装置１０のパッド形成部Ｔ１に斜めに形成されたパッド５と、配線基板の電極端子１０２とが、ボンディングワイヤ８５により接続されている。
【００２７】
図３において、従来の半導体装置７０は、配線基板１００のダイパッド１０３上に、図示しない絶縁性接着剤等により接着固定されている。そして、半導体装置７０のパッド６５と、配線基板の電極端子１０２とは、ボンディングワイヤ８８により接続されている。
【００２８】
ここで、図２および図３では、本実施形態の半導体装置１０（図２）と、従来の半導体装置７０（図３）とのそれぞれが、ワイヤボンディングの代表的な方法である金線によるサーモソニックボールボンディング（Thermosonic ball bonding）により配線基板１００に接続された状態を例示している。サーモソニックボールボンディングによるワイヤボンディングでは、まず、ボンディング装置のキャピラリの先端からボンディングワイヤ（金線）を所定量送り出し、突出したボンディングワイヤを放電などにより加熱することによって、ボンディングワイヤの直径よりも大きな球状の金ボールを形成する。この金ボールを、所定の温度に加熱した半導体装置のパッド表面に、キャピラリを介して所定の圧力にて押圧しながら超音波振動を印加することにより、パッド金属とボンディングワイヤとの金属化学的結合がなされる。図２において、パッド５にはボンディングワイヤ８５の金ボール８５ａが接合され、図３においては、パッド６５に、ボンディングワイヤ８８の金ボール８８ａが接合された状態をそれぞれ図示している。
このように、半導体装置のパッドには、ボンディングワイヤの直径よりも大きな直径を有する金ボールを接合するための面積が必要となる。図２および図３においては、本実施形態のパッド５と、従来例のパッド６５とが同じ平面サイズにて形成され、同一サイズの金ボール８５ａ，８８ａがそれぞれ接合された状態を図示している。
【００２９】
本実施形態の半導体装置１０のパッド形成部Ｔ１に斜めに形成されたパッド５に接合されたボンディングワイヤ８５（図２）は、従来の半導体装置７０の、半導体回路基板６１の上面に略平坦に形成されたパッド６５に接合されたボンディングワイヤ８８（図３）に比して、低いループ形状にてボンディングされる。
また、従来の半導体装置７０にワイヤボンディングする際には、金ボール８８ａをパッド６５に押圧してからボンディングワイヤ８８が垂直方向に持ち上げられ、電極端子１０２の方向に引っ張られる。このため、金ボール８８ａの基端部（ネック部）８８ｂには大きな曲げ応力がかかる（図３を参照）。これにより、ボンディング後、またはボンディングされた状態で衝撃や温度が加わると、基端部８８ｂにクラックが発生して抵抗値が増大したり、クラックが進行してオープン不良となる所謂ネック切れ不良が発生する可能性が高くなる。
これに対して、パッド形成部Ｔ１に斜めに形成されたパッド５に接続されたボンディングワイヤ８５の金ボール８５ａの基端部８５ｂに加わる曲げ応力は小さい（図２を参照）。
【００３０】
（半導体パッケージ）
次に、上記の半導体装置１０を用いて製造される小型の半導体パッケージの一例について、図面に従って説明する。
図４は、半導体装置１０を内蔵したＣＳＰタイプの半導体パッケージ１２０を説明する概略断面図である。
【００３１】
図４に示す半導体パッケージ１２０は、ＣＳＰ基板１１０上に半導体装置１０がパッド形成面を下側に向けて実装され、封止樹脂１３０により樹脂封止されたパッケージ構造を有している。
ＣＳＰ基板１１０の上面側には、半導体装置１０と接続するための複数の電極端子１１１が形成されている。また、ＣＳＰ基板１１０の底面側には、図示しないスルーホールにより電極端子１１１と導通する外部端子１１２が形成されている。さらに、外部端子１１２には、半導体パッケージ１２０が搭載される実装基板との接合に供する半田ボール９９が形成されている。
【００３２】
半導体装置１０の複数のパッド５には、半田バンプ９４がそれぞれ形成されている。この半田バンプ９４と、対応する電極端子１１１とが位置合わせされて半田接合される所謂フリップチップボンディング（Flip chip bonding）により、半導体装置１０がＣＳＰ基板１１０に所定の隙間を設けて接続されている。そして、ＣＳＰ基板１１０の上面と半導体装置１０との隙間には、アンダーフィル９７が充填されて固化されることにより、半導体装置１０がＣＳＰ基板１１０上に、より強固に接合されている。
そして、ＣＳＰ基板１１０上に接合された半導体装置１０は封止樹脂１３０によって樹脂封止されることにより、外部基板との接続部分となる半田ボール９９が形成された半導体パッケージ１２０が形成されている。
【００３３】
上記の構成によれば、半導体装置（ベアチップ）サイズに近い小型化が可能なＣＳＰ構造の半導体パッケージ１２０が、パッド５がパッド形成部Ｔ１に斜めに形成されることにより小型化が図られた半導体装置１０を用いて形成されている。これにより、平面サイズがより小型なＣＳＰタイプの半導体パッケージ１２０の提供に供することができる。
【００３４】
（半導体装置の製造方法）
次に、上記実施形態の半導体装置１０を製造する方法の一例について、特に、半導体回路基板の端部をテーパー加工して、所定の傾斜角度を有するパッド形成部を形成する工程を中心に図面に沿って説明する。
図５（ａ）〜（ｆ）は、半導体回路基板２１をテーパー加工してパッド形成部Ｔ２を形成し、半導体装置３０を製造する過程を模式的に示す概略断面図である。
【００３５】
図５（ａ）〜（ｆ）における半導体回路基板２１は、ウェハ状のシリコン基板上にトランジスタ等の半導体素子（図示せず）を形成し、この半導体素子上に、シリコン酸化膜等からなる図示しない絶縁層と、Ａｌ（アルミニウム）合金などからなる配線層（図示せず）を、この順に繰り返して積層して形成する。このとき、複数の半導体素子を、フォトリソグラフィにより絶縁層を介して配線層に形成した回路配線により接続して所定の集積回路を形成する。
【００３６】
上記の半導体回路基板２１を用意し、まず、図５（ａ）に示すように、半導体回路基板２１の最上層の絶縁層上にスピンコート法などによりフォトレジストを塗布してから、露光および現像を行ない、所定のフォトレジストパターン９０を形成する。フォトレジストパターン９０は、半導体装置３０の端部をテーパー加工（テーパーエッチング）してパッド形成部Ｔ２を形成するためのエッチングマスクになる。
【００３７】
次に、図５（ｂ）に示すように、フォトレジストパターン９０をエッチングマスクとして、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）溶液により半導体回路基板２１をウェットエッチングし、所定の傾斜角度を有するパッド形成部Ｔ２を形成する。
本実施形態でエッチング液として用いるＢＨＦ溶液は、フッ化水素酸（ＨＦ）とフッ化水素アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）の混合溶液である。このＢＨＦ溶液により半導体回路基板２１をエッチングしたとき、表層部分から層内部にエッチングが進行していくのに従って、半導体回路基板２１のシリコン酸化膜等の溶解速度（エッチングレート）が遅くなる。このため、半導体回路基板２１のエッチングは表面部分に近いほど多くエッチングされ、層内部に進むほどエッチングされにくくなる。また、層内部にエッチングが進行していくのと同時に、フォトレジストパターン９０の端面部分の侵蝕が除々に進んでいくことに加えて、フォトレジストパターン９０の端面部分直の半導体回路基板２１の侵蝕（サイドエチング）も表面部分から進んでいく。これらの作用により、半導体回路基板２１のエッチング断面は、図５（ｂ）に示すように緩やかな弧を描いたテーパー形状を呈する。
さらに、ＢＨＦ溶液によりパッド形成部Ｔ２を形成する工程において、ＢＨＦ溶液のフッ化水素酸とフッ化水素アンモニウムの混合比や、エッチングする際のＢＨＦ溶液の液温等を調整することにより、半導体回路基板２１の溶解速度をある程度任意に制御することができる。これにより、パッド形成部Ｔ２の傾斜角度をある程度任意に調整することが可能である。
以上、述べた作用により、所定の傾斜角度を有したパッド形成部Ｔ２が形成される。
【００３８】
次に、フォトレジストパターン９０を剥離してから、図５（ｃ）に示すように、半導体回路基板２１の上面に、スパッタリング法などによりＡｌ（アルミニウム）合金などからなるパッド金属層５ａを形成する。
【００３９】
次に、パッド金属層５ａ上にフォトレジストを塗布し、露光、現像することによって、パッド形成部Ｔ２にパッドを形成するためのマスクとなるフォトレジストパターン９１を形成する。次いで、フォトレジストパターン９１をマスクとしてパッド金属層５ａをエッチングしてパッド２５を形成する（図５（ｄ））。
フォトレジストパターン９１は、パッド２５形成後に剥離する。
【００４０】
次に、パッド２５を形成した半導体回路基板２１上に、ＣＶＤ法などを用いて、酸化シリコン膜および窒化シリコン膜をこの順で積層したパッシベーション膜２６を形成する。次いで、パッシベーション膜２６上にフォトレジストを塗布し、露光および現像してパッド２５上に位置する開口部を形成するためのフォトレジストパターン（図示せず）を形成する。そして、このフォトレジストパターンをマスクとしてパッシベーション膜２６をエッチングし、パッド２５を露出させる矩形の開口部を形成する（図５（ｅ））。
【００４１】
そして、ウェハ状の半導体回路基板２１の裏面を所定量研削して薄くしてから、スクライブ線に沿ってウェハをダイシングし、図５（ｆ）に示すように複数の半導体装置３０に分割する。
【００４２】
以下、上記の実施形態の効果を記載する。
【００４３】
（１）上記の実施形態の半導体装置１０は、半導体回路基板１の上面の対向する二辺の端部近傍に、所定の傾斜角度を有するパッド形成部Ｔ１を形成し、このパッド形成部Ｔ１上に複数のパッド５を設ける構成とした。
【００４４】
この構成によれば、パッド形成部Ｔ１にパッド５が斜めに形成されるので、同じサイズのパッドを同一平面上に形成する従来の半導体装置７０に比して、平面視でのパッド５のサイズが小さくなる。しかも、半導体回路基板１の上面の対向する二辺の端部近傍にパッド形成部Ｔ１が形成されているので、二つのパッド形成部Ｔ１が対向する方向の長さがより短縮される。これにより、パッド形成部Ｔ１に全部またはなるべく多くのパッド５を配設することによって、半導体装置１０のより小型化が可能となり、また、半導体装置１０が搭載される電子機器の小型化に寄与することができる。
【００４５】
（２）上記の実施形態の半導体装置１０は、従来の半導体装置７０と同様に、配線基板１００上のダイパッド１０３に接着固定し、配線基板１００上に設けられた複数の電極端子１０２と、対応するパッド５とを、ボンディングワイヤ８５によりワイヤボンディングして接続することができる。
【００４６】
半導体装置１０の複数のパッド５は、所定の傾斜角度を有するパッド形成部Ｔ１に形成されているので、半導体基板の同一平面にパッドが形成された従来の半導体装置７０に比して、ボンディングワイヤ８５が低いループ形状を形成してボンディングされる。
これにより、従来の能動面と同一平面にパッドが形成された半導体装置を用いた場合に比して、半導体装置１０を用いた実装パッケージなどの実装構造の低背化を図ることができる。
また、半導体装置１０のパッド形成部Ｔ１に斜めに形成されたパッド５に接続されたボンディングワイヤ８５の金ボール８５ａの基端部８５ｂに加わるストレスは、半導体回路基板６１の同一平面上にパッドが平坦に形成された従来の半導体装置７０にボンディングした場合に比して軽減される。これにより、ボンディング後、またはボンディングされた状態で衝撃や温度が加わることにより、基端部８５ｂにクラックが発生して抵抗値が増大したり、クラックが進行してオープン不良となる所謂ネック切れ不良の発生を抑制することができる。
したがって、実装パッケージなどの実装構造の信頼性の向上を図ることが可能な、小型の半導体装置１０を提供することができる。
【００４７】
（３）上記の実施形態では、ＢＨＦ溶液を用いて半導体回路基板２１をテーパーエッチングすることによってパッド形成部Ｔ２が形成された半導体装置３０を製造する構成を説明した。
【００４８】
この製造方法によれば、従来のフォトリソグラフィを用いたウェットエッチングプロセスにより、傾斜角度をある程度任意に制御して半導体回路基板２１に断面テーパー形状を有するパッド形成部Ｔ２を形成することできる。したがって、特殊なプロセスを用いることなく、パッド２５が斜めに形成されることにより平面サイズの小型化が可能な半導体装置３０の製造方法を提供することができる。
【００４９】
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、以下の変形例を実施することもできる。
【００５０】
（変形例１）
上記実施形態では、半導体回路基板２１をテーパーエッチングすることが可能なＢＨＦ溶液を用いて、表面が略平滑な断面テーパー形状を有するパッド形成部Ｔ２を形成したが、これに限らない。半導体回路基板をエッチング可能な他のエッチング液を用いて、複数の段差を形成することによって略断面テーパー形状を形成し、パッド形成部とする構成としてもよい。
【００５１】
以下、複数の段差により断面テーパー形状が形成されたパッド形成部を有する半導体装置について、図面に沿って説明する。なお、本変形例は、パッド形成部を複数の段差により断面テーパー形状とすることを特徴としており、他の構成は前述した実施形態と同じであるため、共通部の説明を省略する。
図６は、断面が階段形状となっているパッド形成部Ｔ３が形成された半導体装置５０の部分断面図である。
図６に示す半導体装置５０は、半導体回路基板４１の端面近傍には、複数または多数の段差が連続して形成されて断面テーパー形状を有するパッド形成部Ｔ３が設けられている。パッド形成部Ｔ３上には、Ａｌ（アルミニウム）合金などによるパッド４５が形成され、このパット４５の一部を含む半導体回路基板４１上に、パッシベーション膜４６が形成されている。また、パッシベーション膜４６には、パッド４５の大部分が露出するように設けられた開口部が設けられている。
【００５２】
次に、本変形例の特徴であるパッド形成部Ｔ３の製造方法について説明する。
複数または多数の段差が連続して形成されたパッド形成部Ｔ３は、フォトリソグラフィによるフォトレジスト塗布、露光、現像、エッチングを、フォトレジストの現像パターンの端面の位置を、半導体回路基板４１の端面側から内側にずらしながら複数回繰り返すことによって形成する。
図６に示すパッド形成部Ｔ３は、断面が略階段形状を有することをわかり易くする便宜上、段差のひとつひとつを強調して図示している。しかし、実際には、フォトレジストの現像パターンをずらしながらエッチングを繰り返していく過程で、フォトレジストから露出した部分の半導体回路基板材料はエッチング液に曝され続ける。これにより、複数の段差のそれぞれには角部が残り難いので、パッド形成部Ｔ３は、図示されたものよりも平滑なエッチング面を有して形成される。パッド形成部Ｔ３上に堆積させて形成されるパッド４５は、下地の表面状態に概ね追従して形成されるので、パッド形成部Ｔ３の表面をなるべく平滑にしてパッド４５をより平坦に形成することが、ボンディングしたときの接合安定性を高めるうえで好ましい。
なお、エッチングを繰り返して略断面テーパー状のパッド形成部Ｔ３を形成したのち、所定の濃度に希釈したＢＨＦ溶液などによりパッド形成部Ｔ３のソフトエッチングを行なうことにより、パッド形成部Ｔ３上面を平滑化することも可能である。
【００５３】
この構成によれば、ＢＨＦ溶液に限らず、汎用のエッチング液を用いて、所定の傾斜角度を有するパッド形成部を形成することができるので、小型化が可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
【００５４】
（変形例２）
上記実施形態の半導体装置１０，３０は、半導体回路基板１，２１の上面（能動面）から端部側面の所定の高さまでの断面テーパー形状が形成されたパッド形成部を有する構成としたが、これに限らない。パッド形成部が、半導体回路基板の底面にまで至る断面テーパー形状を有している構成としてもよく、これにより、半導体装置のさらなる小型化を実現することが可能である。
【００５５】
図７は、断面テーパー形状を有するパッド形成部Ｔ３が底面にまで至るように厚みを薄くした半導体装置６０を用いて、配線基板に実装した例を説明する概略断面図である。
図７において、配線基板１００上には、半導体装置６０が固定され、導電性ペースト９５により電気的に接続されている。
【００５６】
半導体装置６０は、半導体回路基板５１の上面の略中央に平坦部を有し、この平坦部から対向する二辺側に向かって底面に至る断面テーパー形状のパッド形成部Ｔ３が形成されている。各パッド形成部Ｔ３には、複数のパッド５５が形成されている。
【００５７】
配線基板１００は、絶縁性の基材１０１上に、銅などの導体からなる複数の接続端子１５５が形成されている。
配線基板１００上には、複数の接続端子１５５とそれぞれ対応するパッド５５とが位置合わせされた状態で、半導体装置６０が、絶縁性のダイアタッチフィルム（Ｄｉｅ  ａｔｔａｃｈ  ｆｉｌｍ）９３により絶縁された状態で接着固定されている。この状態において、半導体装置６０の底部に至る断面テーパー形状のパッド形成部Ｔ３上に形成された各パッド５５は、対応する配線基板１００の接続端子１５５に近接して斜めに配置される。このように近接したパッド５５と接続端子１５５のそれぞれに接触するように導電性ペースト９５が塗布されて固化されることにより、半導体装置６０と配線基板１００とが電気的に接続されている。
【００５８】
この構成によれば、断面テーパー形状を有するパッド形成部Ｔ３にパッド５５を形成したことによる半導体装置６０の平面サイズの低減と併せて、半導体装置６０の実装構造の低背化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態に係る半導体装置の平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図。
【図２】本発明の半導体装置を実装した状態を説明する部分側面図。
【図３】従来の半導体装置を実装した状態を説明する部分側面図。
【図４】本発明の半導体装置を用いた半導体パッケージを説明する概略断面図。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の半導体装置の製造過程を模式的に示す概略断面図。
【図６】本発明の半導体装置の変形例を模式的に示す部分断面図。
【図７】本発明の半導体装置およびそれを用いた実装構造の変形例を説明する概略断面図。
【図８】（ａ）は、従来の半導体装置の平面図、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線断面図。
【符号の説明】
【００６０】
１，２１，４１，６１…半導体回路基板、５，２５，４５，６５…パッド、６，４６，６６…パッシベーション膜、１０，３０，５０，６０，７０…半導体装置、Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３…パッド形成部、８５，８８…ボンディングワイヤ、９０，９１…フォトレジストパターン、１００…配線基板、１０３…ダイパッド、１１０…ＣＳＰ基板、１１１…電極端子、１５５…接続端子、１１２…外部端子、１２０…半導体パッケージ、１３０…封止樹脂。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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