(57)【要約】【課題】イオンビ−ム照射方式の配向規制力を増大し、表示残像発生を緩和可能な液晶表示パネルを提供する。【解決手段】ガラス基板１とＴＦＴ２とからなる液晶表示パネル基板上に作製される配向膜３の表面形状を凹凸形状とし、凹凸形状の配向膜３の表面全面が飽和状態に至るまでイオンビームを照射することによって、実効的な配向表面積を拡大する。また、イオンビームを照射する配向膜３の表面の段差形状が大きく、イオンビーム源から影になる部分が生じる場合、逆方向からも照射することによって影になっていた部分にイオンビームを照射する。配向膜３に凹凸を形成するために、配向板メッシュ構造としてメッシュ深度・メッシュピッチをラフ化し、配向材として表面に凹凸が生じ易い溶剤組成のものを選択する。または、配向材のセルギャップに対して十分小さい固体粒子を配向材に混合する。または、液晶表示パネル基板の表面に段差を形成する。【選択図】        図１
2008076606.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示パネル基板上に作製した配向膜にイオンビ−ムを照射して配向処理を行う液晶表示パネル製造方法において、イオンビームを照射する前記配向膜の表面に凹凸を形成し、凹凸形状の前記配向膜の表面全面が飽和状態に至るまでイオンビームを照射することによって、実効的な配向表面積を拡大することを特徴とする液晶表示パネル製造方法。
【請求項２】
イオンビームを照射する前記配向膜の表面の段差形状が大きく、イオンビーム源からの影の部分が生じ、イオンビームが十分に当たらない場合は、逆方向からも照射することによって影になっていた部分にイオンビームを照射することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル製造方法。
【請求項３】
前記配向膜を形成する配向板メッシュ構造としてメッシュ深度をあらかじめ定めた深度よりも深くし、メッシュピッチをあらかじめ定めたピッチよりも狭くするとともに、さらに、前記配向膜を形成するための配向材として表面に凹凸が生じ易い溶剤組成のものを選択することにより、前記配向膜の表面に凹凸を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示パネル製造方法。
【請求項４】
前記配向材に用いるレベリング材の溶剤濃度をあらかじめ定めた閾値よりも低くするか、あるいは、該配向材を構成する主剤の濃度をあらかじめ定めた閾値よりも高くするか、のいずれかの製造方法を用いていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示パネル製造方法。
【請求項５】
前記配向膜を形成するための配向材のセルギャップに比して十分小さい固体粒子を前記配向材に混合することにより、前記配向膜の表面に凹凸を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示パネル製造方法。
【請求項６】
前記固体粒子の表面を前記配向材によって十分に覆われるように、前記固体粒子の表面状態と形状とを調整し、かつ、前記配向材の表面張力と濃度とを調整する製造方法を用いていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示パネル製造方法。
【請求項７】
前記液晶表示パネル基板を形成するガラス基板または液晶素子層または透明膜にフォトリソグラフィ処理を施すことにより、前記液晶表示パネル基板の表面に段差を形成し、該前記液晶表示パネル基板上に作製する前記配向膜の表面に凹凸を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示パネル製造方法。
【請求項８】
前記液晶表示パネル基板を形成する液晶素子層のドレイン部またはゲート部の位置を凸部構造とし、画素表示部の位置を凹部またはフラット構造とするようにエッチング処理を施すことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示パネル製造方法。
【請求項９】
液晶表示パネル基板上に作製した配向膜にイオンビ−ムを照射して配向処理を行うことにより製造した液晶表示パネルにおいて、イオンビームを照射する前記配向膜の表面が凹凸形状であり、凹凸形状の前記配向膜の表面全面が飽和状態に至るまでイオンビームが照射されていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項１０】
前記配向膜を形成する配向板メッシュ構造としてメッシュ深度をあらかじめ定めた深度よりも深くし、メッシュピッチをあらかじめ定めたピッチよりも狭くするとともに、さらに、前記配向膜を形成するための配向材が表面に凹凸が生じ易い溶剤組成のものからなっていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示パネル。
【請求項１１】
前記配向膜が、該配向膜を形成するための配向材のセルギャップに比して十分小さい固体粒子が前記配向材に混合された状態で構成されていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示パネル。
【請求項１２】
前記液晶表示パネル基板を形成するガラス基板または液晶素子層または透明膜に段差が形成されていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネル製造方法および液晶表示パネルに関し、特に、配向膜表面にイオンビームを用いて配向処理を行う液晶表示パネル製造方法および液晶表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルの配向性を高めるためにＴＦＴ上に配向膜を形成する方法として、従来、パネルを布で擦るラビング方式が用いられてきたが、ラビング方式の場合、ラビング処理に伴い発生する不純物を除去するために配向膜を洗浄処理する工程を設ける必要があるのみならず、擦った痕が「網目」として並ぶいわゆる「縦縞」と呼ばれる色むらを生じてしまうという欠点がある。そこで、例えば特許文献１の特開２００６−１１９４０３号公報「電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器」にも記載されているように、感光性高分子膜を配向膜としてＴＦＴ上に作製して、イオンビームを斜め方向から照射して、非接触で感光性高分子膜の感光性部位を斜め配向させるイオンビーム照射方式が用いられるようになってきている。
【０００３】
前述のようなイオンビーム照射方式を用いた場合の技術について、図３を参照して説明する。図３は、液晶表示パネルにおける従来の方式による配向膜の膜面状態を示す模式図であり、図３（Ａ）が、液晶表示パネルの断面形状を示す断面図であり、図３（Ｂ）が、配向材を印刷した配向板の表面層を示す斜視図であり、図３（Ｃ）が、配向板の表面層を拡大した拡大図であり、配向板のメッシュ模様を模式的に示している。図３（Ａ）に示すように、液晶表示パネルは、ガラス基板１上にＴＦＴ２を形成した後、ＴＦＴ２の上に配向材を塗布して厚さ５００〜７００Åの配向膜３Ｃをその表面層がフラットになるように形成し、配向膜３Ｃの表面に、イオンビームを或る一定の角度から照射して、表面層ができるだけフラットになる状態で、厚さ２０〜３０Åのイオンビーム照射層４Ｃを形成している。
【０００４】
ここで、イオンビームを照射する配向板の表面形状は、図３(Ｂ)に示すように、配向板メッシュ５Ｃとしてメッシュ状に配向板の表面層が形成されているが、図３（Ｃ）に示すように、従来の配向板においては、配向板メッシュ５Ｃの凸部の高さを示すメッシュ深度６Ｃは、全面均一で、かつ、深度が浅く、また、配向板メッシュ５Ｃの凸部間の間隔を示すメッシュピッチ７Ｃを広く取っている。
【０００５】
この結果、ガラス基板１に形成したＴＦＴ２上に配向材を塗布して配向膜３Ｃとして作製した際は、配向板が表面均一・膜厚均一の状態で塗布されるため、イオンビームを照射する配向膜３Ｃの表面層はフラットであり、イオンビーム照射層４Ｃを形成するための、イオンビームに対する有効配向面積としては、限界があった。
【特許文献１】特開２００６−１１９４０３号公報（第１１−１２頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述のようなイオンビーム照射方式による従来の液晶パネルの配向板製造方法では、ＴＦＴ上に配向膜として塗布する際に、前述したように、表面均一・膜厚均一の状態で塗布しているために、イオンビームを照射する配向膜の表面層は、フラットであり、イオンビームに対する有効配向面積として限界があるため、具体的に、以下のような問題がある。
【０００７】
第１の問題点は、イオンビーム配向に寄与する有効面積が小さく、イオンビーム照射方式では、液晶を目的の方向に配向させる力すなわち配向規制力を大きくすることが難しく、残像を生じ易いという欠点を解消することができない点である。
【０００８】
第２の問題点は、イオンビーム照射方式は、ラビング方式に比べ、配向規制力が本来的に弱いため、表示画像の残像問題が顕在化し易いという点である。
【０００９】
すなわち、イオンビーム照射方式による配向規制力には、照射強度に対する上限があり、一定量以上のビームを照射したとしても、配向の規制力がさらに上がることはない。一方、イオンビームの照射される面積は、表示面の面積そのままであり、配向規制力を大きくすることは難しく、残像を生じ易いという欠点があった。さらに、イオンビーム照射方式はラビング方式に比べ、配向規制力が本来的に弱いため、この残像問題が顕在化し易いという問題もある。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、イオンビーム照射方式における前述のような問題点を解決するための配向膜面の改善にあり、その主たる目的は、イオンビームを照射する配向膜の表面層に凹凸を設けて、イオンビームの実効的な照射面積を大きくすることにより、配向規制力を向上させ、もって、残像の発生状態を緩和し、画質の高い液晶表示装置を実現可能な液晶表示パネル製造方法および液晶表示パネルを提供することにある。
【００１１】
すなわち、前述のような問題を解決するために、本発明は、基板上のイオンビーム照射面に凹凸を形成し、凹凸形状の全面が飽和状態に至るまでイオンビームを照射することによって、実効的な配向表面積を拡大して、配向規制力を増大せしめ、残像に対して有利な構造が得られる液晶表示パネルを製造可能な液晶表示パネル製造方法を提供し、かつ、該製造方法により作製された液晶表示パネルを提供することを、その目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前述の課題を解決するため、本発明による液晶表示パネル製造方法および液晶表示パネルは、次のような特徴的な構成を採用している。
【００１３】
（１）液晶表示パネル基板上に作製した配向膜にイオンビ−ムを照射して配向処理を行う液晶表示パネル製造方法において、イオンビームを照射する前記配向膜の表面に凹凸を形成し、凹凸形状の前記配向膜の表面全面が飽和状態に至るまでイオンビームを照射することによって、実効的な配向表面積を拡大する液晶表示パネル製造方法。
（２）イオンビームを照射する前記配向膜の表面の段差形状が大きく、イオンビーム源からの影の部分が生じ、イオンビームが十分に当たらない場合は、逆方向からも照射することによって影になっていた部分にイオンビームを照射する上記（１）の液晶表示パネル製造方法。
（３）前記配向膜を形成する配向板メッシュ構造としてメッシュ深度をあらかじめ定めた深度よりも深くし、メッシュピッチをあらかじめ定めたピッチよりも狭くするとともに、さらに、前記配向膜を形成するための配向材として表面に凹凸が生じ易い溶剤組成のものを選択することにより、前記配向膜の表面に凹凸を形成する上記（１）または（２）の液晶表示パネル製造方法。
（４）前記配向材に用いるレベリング材の溶剤濃度をあらかじめ定めた閾値よりも低くするか、あるいは、該配向材を構成する主剤の濃度をあらかじめ定めた閾値よりも高くするか、のいずれかの製造方法を用いている上記（３）の液晶表示パネル製造方法。
（５）前記配向膜を形成するための配向材のセルギャップに比して十分小さい固体粒子を前記配向材に混合することにより、前記配向膜の表面に凹凸を形成する上記（１）または（２）の液晶表示パネル製造方法。
（６）前記固体粒子の表面を前記配向材によって十分に覆われるように、前記固体粒子の表面状態と形状とを調整し、かつ、前記配向材の表面張力と濃度とを調整する製造方法を用いている上記（５）の液晶表示パネル製造方法。
（７）前記液晶表示パネル基板を形成するガラス基板または液晶素子層または透明膜にフォトリソグラフィ処理を施すことにより、前記液晶表示パネル基板の表面に段差を形成し、該前記液晶表示パネル基板上に作製する前記配向膜の表面に凹凸を形成する上記（１）または（２）の液晶表示パネル製造方法。
（８）前記液晶表示パネル基板を形成する液晶素子層のドレイン部またはゲート部の位置を凸部構造とし、画素表示部の位置を凹部またはフラット構造とするようにエッチング処理を施す上記（７）の液晶表示パネル製造方法。
（９）液晶表示パネル基板上に作製した配向膜にイオンビ−ムを照射して配向処理を行うことにより製造した液晶表示パネルにおいて、イオンビームを照射する前記配向膜の表面が凹凸形状であり、凹凸形状の前記配向膜の表面全面が飽和状態に至るまでイオンビームが照射されている液晶表示パネル。
（１０）前記配向膜を形成する配向板メッシュ構造としてメッシュ深度をあらかじめ定めた深度よりも深くし、メッシュピッチをあらかじめ定めたピッチよりも狭くするとともに、さらに、前記配向膜を形成するための配向材が表面に凹凸が生じ易い溶剤組成のものからなっている上記（９）の液晶表示パネル。
（１１）前記配向膜が、該配向膜を形成するための配向材のセルギャップに比して十分小さい固体粒子が前記配向材に混合された状態で構成されている上記（９）の液晶表示パネル。
（１２）前記液晶表示パネル基板を形成するガラス基板または液晶素子層または透明膜に段差が形成されている上記（９）の液晶表示パネル。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の液晶表示パネル製造方法および液晶表示パネルによれば、以下のような効果を得ることができる。
【００１５】
本発明の効果は、配向規制力の増大により、表示残像の発生を緩和することができる点にある。その理由は、基板上の配向膜のイオンビーム照射面に凹凸を形成することによって、配向膜のイオンビーム単位面積当たりの照射面積を大きくすることができ、配向規制力を向上させることができるためである。
【００１６】
なお、本発明においては、基板上の段差形状が大きくなって、イオンビーム源からの影の部分が生じ、イオンビームが十分に当たらない場合は、イオンビーム源照射角度を回転させて、逆方向からも照射することによって影になっていた部分にもイオンビーム照射層を形成させ、十分な配向規制力を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明による液晶表示パネル製造方法および液晶表示パネルの好適実施形態例について添付図を参照して説明する。
【００１８】
図１は、本発明による液晶表示パネルの製造方法に基づいて製造した液晶表示パネルの配向膜の状態の一例を示す模式図であり、液晶表示パネル基板上における配向膜面の凹凸化を図った状態の一例を示している。なお、図１は、背景技術において説明した図３の場合と同様の模式図を示しており、図１（Ａ）が、液晶表示パネルの断面形状を示す断面図であり、図１（Ｂ）が、配向材を印刷した配向板の表面層を示す斜視図であり、図１（Ｃ）が、配向板の表面層を拡大した拡大図であり、配向板のメッシュ模様を模式的に示している。以下の実施の形態の説明においては、本発明における液晶表示用の液晶素子として、ＴＦＴを用いる場合を例にとって説明する。
【００１９】
図１（Ａ）に示すように、本発明における液晶表示パネルは、図３（Ａ）の場合と同様、ガラス基板１上にＴＦＴ２を形成した後、ＴＦＴ２の上に配向材を塗布して厚さ５００〜７００Åの配向膜３を形成するが、この配向膜３は、図３（Ａ）の場合とは異なり、凹凸形状を有する配向板メッシュが塗布されて、その表面層には、凹凸形状が形成される。しかる後、この凹凸形状の配向膜３Ｃの表面の全面が飽和状態に至るまで、イオンビームを或る一定の角度から照射し、かつ、イオンビーム源から影になる部位に対しては、イオンビーム源の照射角度を回転させて、逆方向からも照射することによって影になっていた部分にもイオンビーム照射層４を形成させ、配向膜３の表面層の全面に亘って厚さ２０〜３０Åのイオンビーム照射層４を形成している。
【００２０】
ここで、イオンビームを照射する配向板の表面形状は、図１(Ｂ)に示すように、配向板メッシュ５としてメッシュ状の配向板の表面層が形成されているが、図３に示した配向板メッシュ５Ｃの形状とは異なり、図１（Ｃ）に示すように、配向板メッシュ５の凸部の高さを示すメッシュ深度６は、全面に亘って配向板メッシュ５Ｃよりも深度が深く、また、配向板メッシュ５の凸部間の間隔を示すメッシュピッチ７は、配向板メッシュ５Ｃよりも狭くなっている。
【００２１】
すなわち、図１を参照すると、本発明による液晶表示パネル製造方法においては、配向印刷方法として、ガラス基板１とＴＦＴ２との液晶表示パネル基板上に凹凸を有する配向膜３を形成し、かつ、凹凸が形成された配向膜３の表面層の全面が飽和状態に至るまで、一定の照射角度から、イオンビームを照射する方法を採用している。この結果として、イオンビーム照射層４として作製された基板上の実効的な配向表面積を拡大することができ、配向規制力が増大して、もって、残像に対して有利な構造とすることができる。
【００２２】
なお、基板上に形成した凹凸による段差形状が大きく、イオンビーム源からの影の部分が生じ、イオンビームが十分に当たらない場合は、前述したように、イオンビーム源照射角度を回転させて、逆方向からも照射することによって、影になっていた部分にもイオンビーム照射層４を形成させ、十分な配向規制力が得られるようにしている。
【００２３】
（第１の実施の形態）
次に、本発明による液晶表示パネルの基板構造の製造方法について、いくつかの実施例を説明する。まず、図１を参照して、基板上の配向膜形成におけるメッシュ条件すなわち配向板のメッシュ条件を変更して凹凸を形成する製造方法を第１の実施の形態として説明する。基板に対する従来の配向印刷においては、基板表面の凹凸を低減させるべく、配向板と配向材とをチューニングしている。しかし、本発明においては、逆に、配向印刷時の基板表面の凹凸を意図的に残すようにするために、配向板のメッシュ深度・メッシュピッチをラフ化して、メッシュ深度をあらかじめ定めた深度よりも深くし、メッシュピッチをあらかじめ定めたピッチよりも狭くするとともに、さらに、配向材は、表面に凹凸が生じるような溶剤組成のもの、すなわち、レベリング性を低くするような溶剤組成のものを選択することにする。
【００２４】
ここで、イオンビームによる配向状態は、ビーム照射の累積強度に対してある一定の値で飽和してしまうために、従来のような基板表面の凹凸を低減させた構造では、配向規制力に上限が存在する。しかし、本実施の形態においては、基板上に凹凸を形成し、基板上の全面に亘って飽和状態に至るまで、イオンビームを照射することによって、実効的な配向表面積を拡大することができ、配向規制力が増大して、長期残像に対して有利な構造とすることができる。
【００２５】
なお、基板上の凹凸による段差形状が大きく、イオンビーム源から見て影が生じ、イオンビームが十分に当たらない場合は、イオンビーム源の照射角度を回転させて、逆方向からも照射するようにすることにより、十分な配向性向が得られる。かくのごとく、本発明においては、配向印刷時に基板上の凹凸を意図的に残すようにするために、例えば、配向材に対するレベリング材として用いるブチルセロソルブ溶剤の濃度をあらかじめ定めた閾値よりも低くする、あるいは、配向材の主剤の濃度をあらかじめ定めた閾値よりも高くする等の方法を採用している。
【００２６】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態は、固体粒子を混在した配向材を液晶表示パネル基板上に塗布して配向膜表面に凹凸を形成する製造方法を示すものである。図２は、本発明による液晶パネルの製造方法に基づいて製造した液晶表示パネルの配向膜の状態の異なる例を示す模式図であり、第２の実施の形態の一例を示すための、液晶表示パネルにおける配向材の固体粒子混在による配向膜面の凹凸化の状態と、後述する第３の実施の形態の一例を示すための、ＴＦＴを凹凸構造にすることによる配向膜面の凹凸化の状態とを併記して示している。
【００２７】
図２の場合も、背景技術において説明した図３の場合と同様の模式図を示しており、図２（Ａ）および図２（Ｄ）が、いずれも、液晶表示パネルの断面形状を示す断面図であり、図２（Ｂ）が、配向材を印刷した配向板の表面層を示す斜視図であり、図２（Ｃ）が、配向板の表面層を拡大した拡大図であり、配向板のメッシュ模様を模式的に示している。なお、図２（Ａ）が、本実施の形態における液晶表示パネルの断面形状を示し、図２（Ｄ）が、後述する第３の実施の形態における液晶表示パネルの断面形状を示している。
【００２８】
図２（Ａ）、(Ｂ)、(Ｃ)を参照して、本実施の形態における基板構造の製造方法を説明する。
【００２９】
図２（Ａ）に示すように、本実施の形態における液晶表示パネルは、図３（Ａ）の場合と同様、ガラス基板１上にＴＦＴ２を形成した後、ＴＦＴ２の上に配向材を塗布して厚さ５００〜７００Åの配向膜３Ａを形成するが、この配向膜３Ａは、図３（Ａ）の場合とは異なり、配向材に固体粒子８が混在された状態で塗布されて、その表面層には、凹凸形状が形成される。しかる後、第１の実施の形態と同様に、この凹凸形状の配向膜３Ａの表面の全面が飽和状態に至るまで、イオンビームを或る一定の角度から照射し、かつ、イオンビーム源から影になる部位に対しては、イオンビーム源の照射角度を回転させて、逆方向からも照射することによって影になっていた部分にもイオンビーム照射層を形成させ、配向膜３Ａの表面層の全面に亘って厚さ２０〜３０Åのイオンビーム照射層を形成する。
【００３０】
ここで、イオンビームを照射する配向板の表面形状は、図２(Ｂ)に示すように、配向板メッシュ５Ａとしてメッシュ状の配向板の表面層が形成されているが、図３に示した配向板メッシュ５Ｃの形状と同様の構造としても良く、図２（Ｃ）に示すように、配向板メッシュ５Ａの凸部の高さを示すメッシュ深度６Ａは、全面に亘って配向板メッシュ５Ｃと同様、深度が浅く、また、配向板メッシュ５Ａの凸部間の間隔を示すメッシュピッチ７Ａは、配向板メッシュ５Ｃと同様、広くなっている。
【００３１】
すなわち、図２を参照すると、配向印刷方法として、ガラス基板１とＴＦＴ２との液晶表示パネル基板上に凹凸を有する配向膜３Ａを形成するために、配向材を液晶表示パネル基板上に塗布する際に、配向材にセルギャップに比して十分小さい固体粒子８を混合した状態で塗布する。而して、配向膜３Ａの表面層に凹凸を形成することによって、配向膜３Ａの表面層の実効表面積を大きくしている。
【００３２】
なお、固体粒子８の表面が配向材によって十分覆われるように、固体粒子８は、その表面状態と形状とを、また、配向材は、表面張力と濃度とを調整する。
【００３３】
ここで、イオンビームによる配向状態は、前述のように、ビーム照射の累積強度に対してある一定の値で飽和してしまうために、従来のような基板表面の凹凸を低減させた構造では、配向規制力に上限が存在する。しかし、本実施の形態においては、第１の実施の形態の場合と同様に、基板上に凹凸を形成し、基板上の全面に亘って飽和状態に至るまで、イオンビームを照射することによって、実効的な配向表面積を拡大することができ、配向規制力が増大して、長期残像に対して有利な構造とすることができる。
【００３４】
なお、基板上の凹凸による段差形状が大きく、イオンビーム源から見て影が生じ、イオンビームが十分に当たらない場合は、第１の実施の形態の場合と同様に、イオンビーム源の照射角度を回転させて、逆方向からも照射するようにすることにより、十分な配向性向が得られる。
【００３５】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態は、ガラス基板とＴＦＴと透明膜などの平坦化膜からなる液晶表示パネル基板にフォトリソグラフィ工程を適用することによって、ＴＦＴ表面層に凹凸を形成して、その上に作製する配向膜の表面層に凹凸状態を形成する場合を示すものである。第２の実施の形態において説明したように、図２（Ｄ）が、本実施の形態における液晶表示パネルの断面形状を示す断面図であり、図２（Ｂ）が、配向材を印刷した配向板の表面層を示す斜視図であり、図２（Ｃ）が、配向板の表面層を拡大した拡大図であり、配向板のメッシュ模様を模式的に示している。
【００３６】
図２（Ｄ）、(Ｂ)、(Ｃ)を参照して、本実施の形態における基板構造の製造方法を説明する。
【００３７】
図２（Ｄ）に示すように、本実施の形態における液晶表示パネルは、図３（Ａ）の場合とは異なり、ガラス基板１上にＴＦＴ２を形成した後、ＴＦＴ２の表面に対してフォトリソグラフィによってエッチングする処理を施し、ＴＦＴ段差９を形成する。しかる後、ＴＦＴ段差９を有する凹凸形状のＴＦＴ２の表面に配向材を塗布して厚さ５００〜７００Åの配向膜３Ｂを形成するが、この配向膜３Ｂは、図３（Ａ）の場合とは異なり、ＴＦＴ段差９を有するＴＦＴ２上に配向材を塗布するので、配向膜３Ｂの表面層には、凹凸形状が形成される。しかる後、第１の実施の形態と同様に、この凹凸形状の配向膜３Ｂの表面の全面が飽和状態に至るまで、イオンビームを或る一定の角度から照射し、かつ、イオンビーム源から影になる部位に対しては、イオンビーム源の照射角度を回転させて、逆方向からも照射することによって影になっていた部分にもイオンビーム照射層を形成させ、配向膜３Ｂの表面層の全面に亘って厚さ２０〜３０Åのイオンビーム照射層を形成する。
【００３８】
ここで、イオンビームを照射する配向板の表面形状は、図２(Ｂ)に示すように、第２の実施の形態と同様、配向板メッシュ５Ａとしてメッシュ状の配向板の表面層が形成されているが、図３に示した配向板メッシュ５Ｃの形状と同様の構造としても良く、図２（Ｃ）に示すように、配向板メッシュ５Ａの凸部の高さを示すメッシュ深度６Ａは、全面に亘って配向板メッシュ５Ｃと同様、深度が浅く、また、配向板メッシュ５Ａの凸部間の間隔を示すメッシュピッチ７Ａは、配向板メッシュ５Ｃと同様、広くなっている。
【００３９】
すなわち、図２を参照すると、配向印刷方法として、ガラス基板１やＴＦＴ２や透明膜などの平坦化膜等にフォトリソグラフィ工程による凹凸パターンを形成することによって、その上に作製される配向膜３Ｂの表面層にも凹凸が形成されて、もって、配向膜３Ｂの表面層の実効表面積を拡大することができる。例えば、ＴＦＴ２のドレイン部またはゲート部の位置を凸構造とし、表示画素部の位置を凹もしくはフラット構造とするような、凹凸を付けて、最終的に、配向材を塗布して配向膜３Ｂを形成した際に、配向膜３Ｂの表面層に凹凸が形成された状態にする。
【００４０】
ここで、イオンビームによる配向状態は、前述のように、ビーム照射の累積強度に対してある一定の値で飽和してしまうために、従来のような基板表面の凹凸を低減させた構造では、配向規制力に上限が存在する。しかし、本実施の形態においては、第１の実施の形態の場合と同様に、基板上に凹凸を形成し、基板上の全面に亘って飽和状態に至るまで、イオンビームを照射することによって、実効的な配向表面積を拡大することができ、配向規制力が増大して、長期残像に対して有利な構造とすることができる。
【００４１】
なお、基板上の凹凸による段差形状が大きく、イオンビーム源から見て影が生じ、イオンビームが十分に当たらない場合は、第１の実施の形態の場合と同様に、イオンビーム源の照射角度を回転させて、逆方向からも照射するようにすることにより、十分な配向性向が得られる。
【００４２】
（実施例）
まず、図１を参照して、第１の実施の形態における配向板のメッシュ条件を変更して凹凸を形成する製造方法についてさらに説明する。従来の配向印刷においては、表面の凹凸を低減させるべく、配向板と配向材とをチューニングしているが、本実施の形態においては、逆に、配向印刷時の凹凸を意図的に残すようにするために、配向板のメッシュ深度・メッシュピッチをラフ化し、さらに、配向材はレベリング性を低くするような溶剤組成のものを選択している。凹凸形状の配向材を印刷した後は、時間経過に伴って配向膜３が平面な状態に至らないように、早急に、熱処理を行って配向膜３を硬化させる。而して、液晶表示パネル基板上に凹凸形状の配向膜３を形成して、全面飽和状態に至るまで、イオンビームを照射することによって、実効的な配向表面積を拡大させるようにしている。
【００４３】
ここで、基板上の凹凸による段差形状が大きく、イオンビーム源から見て影が生じ、イオンビームが十分に当たらない場合は、前述したように、イオンビーム源の照射角度を回転させて、逆方向からも照射するようにする。
【００４４】
また、第２の実施の形態のように、配向材への固体粒子８の混在方式の場合は、固体粒子８は、配向材のセルギャップよりも十分に小さい径のものを選択するとともに、表示ムラが発生しないレベルの混在量として配向材に混在させる。また、固体粒子８の表面が配向材で十分に覆われるように、前述したように、固体粒子８はその表面状態と形状とを、一方、配向材は表面張力と濃度とを調整する。
【００４５】
ここで、基板上の凹凸による段差形状が大きく、イオンビーム源から見て影が生じ、イオンビームが十分に当たらない場合は、前述したように、イオンビーム源の照射角度を回転させて、逆方向からも照射するようにする。
【００４６】
また、第３の実施の形態のように、液晶素子層すなわちＴＦＴ２の凹凸構造方式の場合は、例えばドレイン部またはゲ−ト部を凸構造とし、画素表示部を凹もしくはフラット構造にする。もしくは、下地のガラス基板１、その他の透明膜(無機、有機の透明膜)に凹凸を形成する。ここで、凸部の高さは高い方が望ましいが、配向方向に応じて定まる一定の照射角度から斜めに照射するイオンビームによって配向膜３Ｂの表面を効果的に照射することができる高さまでに制限することにする。
【００４７】
ここで、基板上の凹凸による段差形状が大きく、イオンビーム源から見て影が生じ、イオンビームが十分に当たらない場合は、前述したように、イオンビーム源の照射角度を回転させて、逆方向からも照射するようにする。
【００４８】
（本発明による効果）
本発明の効果は、配向規制力の増大により、表示残像の発生を緩和することができる点にある。その理由は、基板上の配向膜のイオンビーム照射面に凹凸を形成することによって、配向膜のイオンビーム単位面積当たりの照射面積を大きくすることができ、配向規制力を向上させることができるためである。
【００４９】
以上、本発明の好適実施例の構成を説明した。しかし、斯かる実施例は、本発明の単なる例示に過ぎず、何ら本発明を限定するものではないことに留意されたい。本発明の要旨を逸脱することなく、特定用途に応じて種々の変形変更が可能であることは、当業者には容易に理解できよう。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明による液晶表示パネルの製造方法に基づいて製造した液晶表示パネルの配向膜の状態の一例を示す模式図である。
【図２】本発明による液晶パネルの製造方法に基づいて製造した液晶表示パネルの配向膜の状態の異なる例を示す模式図である。
【図３】液晶表示パネルにおける従来の方式による配向膜の膜面状態を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５１】
１    ガラス基板
２    ＴＦＴ
３    配向膜
３Ａ  配向膜
３Ｂ  配向膜
３Ｃ  配向膜
４    イオンビーム照射層
４Ｃ  イオンビーム照射層
５Ａ  配向板メッシュ
５Ｃ  配向板メッシュ
６    メッシュ深度
６Ａ  メッシュ深度
６Ｃ  メッシュ深度
７    メッシュピッチ
７Ａ  メッシュピッチ
７Ｃ  メッシュピッチ
８    固体粒子
９    ＴＦＴ段差
【図１】
2008076606.tif 000003
【図２】
2008076606.tif 000004
【図３】
2008076606.tif 000005