(57)【要約】【課題】光を効率的に利用して、発熱量が低く、長寿命でランニングコストが安く、液晶材料を劣化させずにフラットパネルディスプレイを製造する。【解決手段】液晶等の表示媒体を封止するための光硬化型樹脂を介装した基板１３を載置台１２に載置し、載置台１２の上方に設けられたレーザヘッド１０から、少なくとも一方の基板１３を通して、波長３７０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下のレーザ９を載置台１２と平行に移動する移動機構１１によって光硬化型樹脂が介装されているグルーライン８に照射して、基板１３同士を接合する。【選択図】図１
2008070679.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板間に液晶等の表示媒体を封止するための光硬化型樹脂を介装して前記基板同士を接合するフラットパネルディスプレイの製造方法において、
少なくとも一方の前記基板を通して波長３７０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の半導体レーザを前記光硬化型樹脂部分のみに照射して、前記基板同士を接合することを特徴とするフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項２】
液晶等の表示媒体を封止するための光硬化型樹脂が間に介装された２枚の基板を載置する載置台と、該載置台の上方に設けられた、波長３７０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の半導体レーザを出射するレーザヘッドと、該レーザヘッドを、前記レーザが前記光硬化型樹脂を照射するように前記載置台と平行に移動させる移動機構とからなることを特徴とするフラットパネルディスプレイの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネルディスプレイを製造する方法およびその装置に関し、詳細には基板を貼り合わせて製造されるフラットパネルディスプレイの製造方法およびその装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、大型液晶パネルの液晶封入・封止工程では特許文献１に記載の滴下注入方式が標準的に用いられており、封止には光硬化型樹脂が汎用され、その硬化用光源としては高圧水銀ランプが用いられている。
【０００３】
しかし、高圧水銀ランプを用いた場合には次のような問題がある。第一の問題点は光利用効率の低さである。図５および６を用いて説明する。図５は高圧水銀ランプを用いてガラス基板の周縁部を光硬化型樹脂により封止する態様を示す概略斜視図、図６はガラス基板に液晶パネルを配置した平面図である。図５に示すように高圧水銀ランプ５１から照射される光は光硬化型樹脂５２の部分だけではなく、ガラス基板５３全体に向かって照射される。第７世代の液晶パネル用ガラス基板の面積は約４ｍ2であり、この全体に亘ってなるべく均一に光を照射するために、２本ないし３本の高圧水銀ランプが使われるため、その合計の消費電力は約１０ｋＷに達する。光硬化型樹脂は典型的には３Ｊ／ｃｍ2程度の照射エネルギー密度を必要とするため、基板全体に照射する場合には１２０ｋＪの光が照射されることになる。
【０００４】
一方、光を照射される必要があるのは図６に示すグルーライン５６（ガラス基板上に配置された６面の液晶パネル５７の外周に沿った光硬化型樹脂の線）上のみである。基板５３上に４０インチの液晶パネル５７を６面配置する場合、そのグルーライン５６の全長は約１６．６ｍであり、幅は２ｍｍ程度である。即ち、４ｍ2のガラス基板５３上でプロセス上光照射を必要としている面積はわずかに０．０３３２ｍ2であり、ガラス基板全体に光を照射する装置においては、ガラス基板上に到達する光のうち９９%以上が無駄となる。この光利用効率の低さは、消費電力の高さにつながる。
【０００５】
第二の問題は発熱量の大きさである。高圧水銀ランプを用いた大型基板の封止装置ではランプ入力電力が１０ｋＷにも及ぶのに対し、ガラス基板上に達する紫外線量はその約５％程度である。即ち１０ｋＷの投入電力のほとんどが装置内で熱となる。特に高圧水銀ランプの設置されているランプハウス内で最も多くの熱が発生するため、この部分には大容量の排熱対策が必要である。また、高圧水銀ランプ付近で発生した熱は装置内のガラス基板付近の温度も上昇させ、さらにガラス基板上に到達した紫外線、可視光線、及び赤外線のうち、光硬化型樹脂の硬化に貢献するごく一部を除いては遮光マスク（図５の５５）やカラーフィルターによって吸収され、これらの温度を上昇させる。高圧水銀ランプを用いた従来型の封止装置では、ガラス基板付近の雰囲気温度は７０−８０℃に達する。
【０００６】
また、発熱量の大きさは、ガラス基板の加熱による重ねあわせ精度の低下と、光硬化型樹脂と液晶との相互拡散、排熱処理のための装置の大型化、高価格化を招く。すなわち、液晶パネルのガラス基板の貼り合わせでは液晶セルとカラーフィルターとの位置ズレを防ぐために高い精度での位置合わせが必要であるが、上記のような高い温度ではガラス基板が熱膨張するために位置精度を保つことが困難である。また、光照射の際、光硬化型樹脂は硬化しながら収縮するため、膨張する基板との間に熱歪を生じやすい。さらに、液晶パネルの封止に用いられるエポキシ系の光硬化型樹脂は典型的には３０℃よりも高温になると急激に粘度が低下し、液晶材料との間で相互拡散が起きやすくなる。液晶と光硬化型樹脂が混ざり合うと液晶パネルの特性に悪影響を与える。特に、高圧水銀ランプからの発熱は高圧水銀ランプが光照射する時のみならず、装置稼動中は常時点灯させておかなければならない事情によりさらに深刻となる。
【０００７】
第三の問題は光源寿命の短さである。高圧水銀ランプの寿命は約１０００時間であり、一般的な半導体レーザや固体レーザに比べて１／１０程度でしかない。さらに上述のように高圧水銀ランプは封止装置の稼働時間の全体に亘って点灯したままであり、レーザ光源の寿命が実照射時間でカウントされるのに対して、高圧水銀ランプの寿命は装置稼働時間でカウントされる。このため、装置の稼働時間と照射時間の比は典型的には１／１０−１／２０程度であり、高圧水銀ランプの実効的な寿命は一般的なレーザ光源に比べて１／１００あるいはそれ以下となる。高圧水銀ランプの累積稼働時間がその寿命に達すると装置を停止して高圧水銀ランプを交換しなければならず、交換に掛かる時間は装置のダウンタイムとなる。また、交換頻度が高ければそれだけ頻繁に装置を停止させなければならないため、製造ラインの稼働率が下がり、製造コストが高くなる。
【０００８】
第四の問題は高圧水銀ランプから発生する紫外線による液晶材料の劣化である。高圧水銀ランプからは２５０ｎｍの紫外線から６００ｎｍ程度の可視光線まで広い波長範囲の光が発生し、その主ピークは３６５ｎｍである。この３６５ｎｍの光が液晶材料に照射されるとイオン密度が上昇し液晶パネルとしての特性が低下することが知られている（特許文献１）。図５に示すように液晶材料５４の劣化を防ぐためにガラス基板５３上に遮光マスク５５を重ねて光照射を行う方法もあるが、大型基板サイズのマスク（透明な保持体に金属膜などがパターニングされたもの）は高価であり、またガラス基板上に配置する液晶パネルのサイズが変われば異なるサイズのマスクに切り替えなければならず、装置の大型化、工程の煩雑化を招き、製造コストの上昇につながる。また、マスクを用いた場合でも光硬化型樹脂内部での散乱、光硬化型樹脂とガラス基板との界面での散乱及び反射などが起きるため、液晶材料への紫外線の意図しない照射とそれに伴う液晶材料の特性劣化を完全に防ぐことはできない。
【０００９】
硬化用光源としては、エキシマレーザのビームをグルーラインに沿ってスキャンする方法も知られている（例えば特許文献２や３）。この方法によれば、上述の高圧水銀ランプに関する第一、第二の問題は解決することができる。しかしながら、上記第三の問題、すなわち寿命とダウンタイムに関しては類似の問題がある。エキシマレーザは動作時間が概ね３００時間ごとにガス交換が必要であり、これが装置のダウンタイムとなる。また、２−３ヶ月に一度はチェンバを交換しなければならず、これもまた装置のダウンタイムとなる。加えて、ガスやチェンバの交換費用のために、エキシマレーザのランニングコストは、一般に固体レーザや半導体レーザの２倍以上となる。
【００１０】
また、エキシマレーザを用いた場合の最大の問題は、上記第四の紫外線による液晶材料の特性劣化である。種々のエキシマレーザのうち、最も波長が長いＸｅＦレーザでも波長は３５２ｎｍであり、この波長の光は液晶材料を劣化させる。加えて、レーザガスを取り扱う際にはガス漏れ警報機や局所排気設備、ガス供給系の隔離などが必要であるため、コストアップとなる。
【００１１】
硬化用光源として固体レーザを用いる方法も知られており（例えば特許文献４）、固体レーザによれば、上述の第一、第二の問題は解決することができる。第三の問題、寿命の点ではエキシマレーザよりも長いが、ランニングコストの点では半導体レーザよりも高くなる。本質的な問題はやはり第四の液晶材料の劣化である。固体レーザの波長は代表的には基本波の１０６４ｎｍ、第２高調波の５３２ｎｍ、第３高調波の３５５ｎｍ、第４高調波の２６６ｎｍであるが、光硬化型樹脂を硬化させうるのは３５５ｎｍと２６６ｎｍに限られ、それらはいずれも液晶材料の劣化を引き起こす波長である。
【特許文献１】特開２００１−２２２０１７号公報
【特許文献２】特開平８−６０３９号公報
【特許文献３】特開２００３−１１４４４２号公報
【特許文献４】特開平１１−１２１１６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述のように、現在使用されている液晶封止装置における光硬化型樹脂の硬化光源では、光利用効率、発熱量、光源寿命、液晶材料の劣化という全ての問題を解決することは困難である。
【００１３】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、光利用効率が良好で、発熱量が低く、長寿命でランニングコストが安く、液晶材料を劣化させることが少ない、フラットパネルディスプレイの製造方法およびその製造装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法は、基板間に液晶等の表示媒体を封止するための光硬化型樹脂を介装して前記基板同士を接合するフラットパネルディスプレイの製造方法において、少なくとも一方の前記基板を通して波長３７０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の半導体レーザを前記光硬化型樹脂部分のみに照射して、前記基板同士を接合することを特徴とするものである。
【００１５】
液晶等の表示媒体とは、表示媒体は液晶に限られるものではなく、例えば、有機ＥＬなど、フラットパネルディスプレイに用いられる表示媒体を広く意味するものである。
【００１６】
半導体レーザを前記光硬化型樹脂部分のみに照射とは、半導体レーザを光硬化型樹脂が存在している部分のみに照射することを意味するが、半導体レーザ照射の際に生じる光硬化型樹脂部分からのレーザの多少のズレや誤差等によるはみ出しまでをも排除する趣旨ではない。
【００１７】
本発明のフラットパネルディスプレイの製造装置は、液晶等の表示媒体を封止するための光硬化型樹脂が間に介装された２枚の基板を載置する載置台と、該載置台の上方に設けられた、波長３７０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の半導体レーザを出射するレーザヘッドと、該レーザヘッドを、前記レーザが前記光硬化型樹脂を照射するように前記載置台と平行に移動させる移動機構とからなることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法は、基板間に液晶等の表示媒体を封止するための光硬化型樹脂を介装して基板同士を接合するフラットパネルディスプレイの製造方法において、波長３７０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の半導体レーザを光硬化型樹脂部分のみに照射するので、液晶等の表示媒体を劣化させることが少なく、光利用効率を向上させることができるので、これによってランニングコストを抑えることが可能である。
【００１９】
また、半導体レーザの使用により発熱量を低くすることができるので、液晶等の表示媒体と光硬化型樹脂との間の相互拡散によるフラットパネルディスプレイの劣化を抑制することができる。さらに、半導体レーザは、従来の高圧水銀ランプやエキシマレーザ、固体レーザに比べて長寿命であるため装置のダウンタイムを縮小することができ、フラットパネルディスプレイの製造コストを低く抑えることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法および装置を図面を用いて詳細に説明する。図１は本発明のフラットパネルディスプレイの製造に用いられる製造装置の概略斜視図である。図１に示す製造装置は、液晶等の表示媒体を封止するための光硬化型樹脂が間に介装された２枚のガラス基板１３を載置する載置台１２と、この載置台１２の上方に設けられた、波長３７０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の半導体レーザ９を出射するレーザヘッド１０と、レーザヘッド１０を、光硬化型樹脂を照射するようにレーザヘッド１０を載置台１２と平行に移動させるＸ−Ｙ移動機構１１とからなる。Ｘ−Ｙ移動機構１１は、載置台１２上をレーザヘッド１０を保持してＸ軸方向、Ｙ軸方向に平行移動できるように構成されてなる。レーザヘッド１０は、一例として、青色−近紫外半導体レーザを使用している。なお、ここでは、２枚のガラス基板を用いた例を示しているが、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンスルホン、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂基板も用いることができる。
【００２１】
基板１３の間には滴下注入法により規定量の液晶が滴下され、液晶の周辺部には光硬化型樹脂が介装され、光硬化型樹脂のライン、いわゆるグルーライン８が形成されている。レーザヘッド１０から出射されるレーザは、後述するコリメータレンズによってグルーライン８の幅に合うように直径が調整され、平行ビームにコリメートされており、Ｘ−Ｙ移動機構１１によってグルーライン８に沿って照射される。
【００２２】
このように、レーザ９はガラス基板１３の全面に照射されるのではなく、必要な部分だけに必要な量だけ照射されるため、光の無駄は発生しない。従って高圧水銀ランプのような光利用効率の低さという問題は生じない。
【００２３】
また、レーザ９はグルーライン８のみを照射するので、グルーライン８以外の部分の温度上昇は実質的に発生しない。高圧水銀ランプを用いて第７世代ガラス基板を封止する従来装置では、既述したように約１０ｋＷの電力が投入され、そのほとんどが装置内で熱となる。この時の熱エネルギーは、基板一枚を処理する時間を４分とすると、２．４ＭＪに達する。一方、青色−近紫外半導体レーザを用いる装置では全長１６．６ｍ、幅２ｍｍのグルーライン全体に照射される光エネルギーは１６．６（ｍ）×０．００２（ｍ）×３０（ｋＪ／ｍ2）＝９９．６（Ｊ）であり、レーザの電気−光効率を１０％と見積もると、ガラス基板１枚あたりの発熱量は最大でも１ｋＪにしからならず、これは高圧水銀ランプを用いた場合の１／２４００である。従って、発熱量の問題は解決され、特別な排熱設計やそれに伴う装置コスト及び装置大型化の問題も解決される。
【００２４】
さらに、青色−近紫外半導体レーザの寿命は１００００時間程度と高圧水銀ランプに比べて１０倍程度長く、そのため装置やラインの停止頻度を低くすることができる。製造装置一台あたりの光源価格として比較すると、青色−近紫外半導体レーザは高圧水銀ランプ単体に比べて２−３倍高くなるが、一年間の光源交換コストで見ると、交換頻度が約１／１０と低いため、ランニングコストでは青色−近紫外半導体レーザを用いた装置が格段に安くなる。
【００２５】
紫外線による液晶の劣化は概ね３７０ｎｍ以上の波長の光では発生せず（特許文献１）、典型的に３７５−４５０ｎｍの範囲にピーク波長を持つ青色−近紫外半導体レーザを用いる封止装置では、特別な遮光機構やマスクを用いなくとも、液晶の特性に悪影響を与えることなく、光硬化型樹脂の硬化が行うことができる。ただし、光硬化型樹脂の硬化にはある程度波長の短い光の照射が必要であり、一般に長波長限界は４２０−４４０ｎｍである。従って、液晶を劣化させずかつ光硬化型樹脂を硬化させ得るより好ましい硬化光源波長は３７０−４４０ｎｍの範囲であるといえる。
【００２６】
エキシマレーザに対する青色−近紫外半導体レーザのもう一つの利点はＣＷ動作が可能な点である。グルーラインに沿って時間的に一定の強度の光を照射するためにはエキシマレーザのようなパルスレーザよりもＣＷ動作可能な青色−近紫外半導体レーザが適している。なお、固体レーザはＣＷ動作も可能であるが、そのレーザ強度や効率はパルス動作の場合に比べて大幅に低下する。
【００２７】
続いて、レーザモジュールについて説明する。図２はレーザヘッドとこれに接続されるレーザモジュールの一の態様を示す概略斜視図である。レーザヘッド１０は光ファイバ１４によってレーザモジュール１５に接続されてなる。レーザモジュール１５は、中心波長４０５ｎｍのＧａＮ系半導体レーザがキャンパッケージ１７の中に実装されており、その出射光はレンズ１６によって直径６０ミクロンの石英コアを持つマルチモードの光ファイバ１４にカップリングされている。この光ファイバ１４はレーザヘッド１０に導入され、コリメータレンズ１８によってビーム径約２ｍｍの平行ビームにコリメートされる。
【００２８】
図３は、レーザヘッドとこれに接続されるレーザモジュールの別の態様を示す概略斜視図である。図３に示すレーザモジュールは、二波長を選択的に出射することができる二波長レーザモジュールで、第１のレーザモジュール１９は４０５ｎｍを中心波長として発振するＧａＮ系半導体レーザを含んだメタルキャンパッケージと、それからの光をコア径３３ミクロンのマルチモードファイバ２１にカップリングする光学系からなり、第２のレーザモジュール２０は３７５ｎｍを中心波長として発振するＧａＮ系半導体レーザを含んだメタルキャンパッケージと、それからの光をコア径３３ミクロンのマルチモードファイバ２１にカップリングする光学系からなる。
【００２９】
２本のマルチモードファイバ２１はファイバ合波器２２に導入され、コア径６０ミクロンの１本のマルチモードファイバ２３にまとめられる。図中Ａ、Ｂ及びＣは、それぞれ合波前のマルチモードファイバ２１の断面、直径７０％にまでテーパ加工されたマルチモードファイバ２１の端面、及びコア径６０ミクロンのマルチモードファイバ２３の端面を示す。コア径３３ミクロンのマルチモードファイバ２１は熱間で延伸されることによってお互いに側部で融着されると共に細径化されている。その端面Ｂをコア径６０ミクロンのマルチモードファイバ２３の端面Ｃに融着することによって、２本のコア径３３ミクロンのマルチモードファイバ２１からの２波長のレーザはコア径６０ミクロンのマルチモードファイバ２３内に導入され、レーザヘッド１０に至る。レーザヘッド１０の出射端からは直径約４ｍｍの平行ビームで４０５ｎｍと３７５ｎｍのレーザが出射される。
【００３０】
図３に示すような異なる波長のレーザを出射するレーザモジュールを使用すると、例えば４０５ｎｍの光を照射しても所望の硬化速度が得られない場合には、より短波長の光を同時に照射することが可能となり、光硬化型樹脂に吸収されるレーザパワー密度の総和を大きくすることができ、光硬化型樹脂の硬化速度を上げることができる。
【００３１】
図４はレーザヘッドとこれに接続されるレーザモジュールの別の態様を示す概略斜視図である。第１と第２のレーザモジュール１９は４０５ｎｍを中心波長として発振するＧａＮ系半導体レーザを含んだメタルキャンパッケージと、それからの光をコア径３３ミクロンのマルチモードファイバ２１にカップリングする光学系から成る。なお、図４において、図３中の構成要素と同じ構成要素には同番号を付しているが、それらについての説明は図３と同様であるので特に必要がない限り説明は省略する。
【００３２】
上記図４のそれぞれのレーザモジュール１９内には、半導体レーザの出力をモニターするフォトダイオードが組み込まれており、フォトダイオードからの信号を元に動作させるレーザモジュールを切り替える制御回路に接続されている（図示せず）。制御回路は、第１の半導体レーザの出力が長期間の動作の後で初期値の７０％にまで低下すると、第１の半導体レーザを停止させ、第２の半導体レーザを動作させる。上記制御回路は動作しているレーザモジュールが第１のものであるのか第２のものであるのかを示すインジケータを持つことによって、装置の使用者は第２のレーザモジュールの動作中に寿命の尽きた第１のレーザモジュールを装置を停止させることなく新しいものに取り替えることができる。なお、このような光源の切り替えには、本実施例のファイバー合波器を用いる方法のほかに、ミラーを用いたスイッチ機構を用いることもできる。
【００３３】
本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法に用いられる光硬化型樹脂としては、波長３７０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長域によって重合硬化するものであれば特に制限はないが、一般には、（メタ）アクリレート系化合物及びエポキシ系化合物が適している。このような光硬化樹脂の例としては例えばアクリレートを主成分とする一液性、無溶剤の可視光硬化型樹脂であるスリーボンド社製の３１７０Ｂ接着剤を挙げることができる。
【００３４】
本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法に用いられる半導体レーザとしては、波長３７０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長域に発振主波長を持つものであれば特に制限はないが、一般には、窒化ガリウム系の半導体レーザダイオードが適している。
【００３５】
以下、本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法を実施例を用いて詳細に説明する。
【実施例】
【００３６】
（実施例１）
アクリレートを主成分とする一液性、無溶剤の可視光硬化型樹脂であるスリーボンド社製の３１７０Ｂ接着剤に直径４ミクロンの樹脂製ビーズを加えよくかき混ぜたものを、一方のガラス基板の封止部分にディスペンサーを用いて塗布し、その上にもう一方のガラス基板を重ね合わせた。なお、塗布時の接着剤幅は約０．５ｍｍで、もう一枚のガラス基板を重ね合わせた後での接着剤の幅は約２ｍｍに拡大した。図１に示す載置台１２の上に重ね合わせたガラス基板１３を設置し、レーザヘッド１０のレーザ出射部を上側基板から約１０ｍｍの高さに保持し、出射される中心波長４０５ｎｍの光を、上側のガラス基板を通してグルーライン８に対して４．５ｍｍ／ｓの早さでトレースするように照射した。この時、基板上でのレーザ９のスポット径は約２ｍｍ、レーザヘッド１０からのレーザ出力は約４００ｍＷ、接着剤に対するレーザの照射エネルギー密度は約３Ｊ／ｃｍ2であった。封止されたガラス基板は７０Ｎ／ｃｍ2以上の剥離強度を示した。
【００３７】
（実施例２）
実施例１で用意した重ね合わせたガラス基板をお互いの位置がずれないように固定した状態で、図３に示す二波長レーザモジュールが接続された図１に示す製造装置の載置台におき、レーザヘッド１０からの光を、上側のガラス基板を通してグルーライン８に対して照射した。この時、第１のレーザモジュール１９（４０５ｎｍ）の出力を３６０ｍＷ、第２のレーザモジュール（３７５ｎｍ）の出力を４０ｍＷとし、レーザヘッド１０の出射部を上側基板から約１０ｍｍの高さに保持しながら４．５ｍｍ／ｓでスキャンした。基板上でのレーザのスポット径は約２ｍｍ、接着剤に対するレーザの照射エネルギー密度は二波長合わせて約３Ｊ／ｃｍ2とした。封止されたガラス基板は７０Ｎ／ｃｍ2以上の剥離強度を示した。
【００３８】
以上のように、本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法およびその製造装置によれば、光を効率的に利用して、発熱量が低く、長寿命でランニングコストが安く、液晶材料を劣化させずにフラットパネルディスプレイを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明のフラットパネルディスプレイの製造に用いられる製造装置の概略斜視図
【図２】レーザヘッドとこれに接続されるレーザモジュールの一の態様を示す概略斜視図
【図３】レーザヘッドとこれに接続されるレーザモジュールの別の態様を示す概略斜視図
【図４】レーザヘッドとこれに接続されるレーザモジュールのさらに別の態様を示す概略斜視図
【図５】高圧水銀ランプを用いてガラス基板の周縁部を封止する従来の態様を示す概略斜視図
【図６】ガラス基板に液晶パネルを配置した平面図
【符号の説明】
【００４０】
８    グルーライン
９    レーザ
１０  レーザヘッド
１１  Ｘ−Ｙ移動機構
１２  載置台
１３  基板
１４  光ファイバ
１５  レーザモジュール
１８  コリメータレンズ
【図１】
2008070679.tif 000003
【図２】
2008070679.tif 000004
【図３】
2008070679.tif 000005
【図４】
2008070679.tif 000006
【図５】
2008070679.tif 000007
【図６】
2008070679.tif 000008