(57)【要約】【課題】短時間で液晶層全体を確実にベンド転移させることが可能な液晶装置の駆動方法、液晶装置、プロジェクタ及び電子機器を提供すること。【解決手段】液晶層の所定の領域に電界を印加することにより、液晶分子はまず電界によってベンド配向に転移する。ベンド転移した当該液晶分子の周囲の液晶分子はこの影響を受けてベンド配向に転移しやすい状態になる。この電界を印加する領域を徐々に広げていくので、当該周囲の液晶分子は新たに印加される電界の影響も受けて一層ベンド配向に転移しやすくなる。このように、液晶分子に対して電界と周囲の液晶分子の配向との両面からベンド転移するよう促進することができるので、短時間で液晶層全体を確実にベンド転移させることができる。【選択図】図６
2008089905.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層とを備え、前記液晶層の液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示又は光変調を行う液晶装置の駆動方法であって、
前記液晶層の所定の領域に前記液晶分子がベンド配向へと転移するように所定の電界を印加し、
前記所定の電界を印加する領域を前記所定の領域から徐々に広げていく
ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項２】
前記所定の領域が前記液晶層のうち前記一対の基板の一端側であり、
前記所定の電界を前記一対の基板の他端側に徐々に広げていく
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の駆動方法。
【請求項３】
前記一対の基板が、平面視で対向する２辺を有しており、
前記所定の領域が、前記液晶層のうち前記対向する２辺の一辺側の領域であり、
前記所定の電界を前記対向する２辺の他辺側に徐々に広げていく
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶装置の駆動方法。
【請求項４】
前記一対の基板の一方の基板のうち平面視で前記液晶層の設けられた領域内には、マトリクス状に配列された画素電極が設けられており、
前記所定の領域が、前記マトリクス状に配列された画素電極の１行または１列に平面視で重なる領域であり、
前記所定の電圧を印加する領域を、前記画素電極の１行に隣接する行または前記画素電極の１列に隣接する列に徐々に広げていく
ことを特徴とする請求項３に記載の液晶装置の駆動方法。
【請求項５】
前記一対の基板が、平面視で対向する２つの角部を有しており、
前記所定の領域が、前記液晶層のうち前記対向する２つの角部の一方側の領域であり、
前記所定の電界を前記対向する２つの角部の他方側に徐々に広げていく
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶装置の駆動方法。
【請求項６】
前記一対の基板の一方の基板のうち平面視で前記液晶層の設けられた領域内には、マトリクス状に配列された画素電極が設けられており、
前記所定の領域が、前記マトリクス状に配列された画素電極のうち角部に設けられた画素電極であり、
前記所定の電界を前記角部に設けられた画素電極から行方向及び列方向に徐々に広げていく
ことを特徴とする請求項５に記載の液晶装置の駆動方法。
【請求項７】
対向配置された一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層とを備え、前記液晶層の液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示又は光変調を行う液晶装置であって、
前記液晶層の所定の領域に前記液晶分子がベンド配向へと転移するように所定の電界を印加し、前記所定の電界を印加する領域を前記所定の領域から徐々に広げていくように制御する制御部を具備することを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項７に記載の液晶装置を搭載したことを特徴とするプロジェクタ。
【請求項９】
請求項７に記載の液晶装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の駆動方法、液晶装置、プロジェクタ及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶テレビジョンや液晶プロジェクタに代表される液晶装置の分野では、静止画はもとより動画の画質向上が求められている。動画の画質向上のためには、液晶装置の応答速度を高くすることが不可欠である。近年では、応答速度の高いＯＣＢ（Optical Compensated Bend）モードの液晶装置が注目されている。
【０００３】
ＯＣＢモードの液晶装置は、初期状態と表示動作状態とで液晶分子の配向が変化するようになっている。初期状態では液晶分子の配向が２枚の基板間でスプレイ状に開くように規制される（スプレイ配向）。表示動作状態では液晶分子の配向が２枚の基板間で弓なりに曲がるように規制される（ベンド配向）。
【０００４】
ＯＣＢモードの液晶装置で画像表示や光変調を行う場合には、ベンド配向の状態で駆動電圧を印加する。ベンド配向の状態では、電圧を印加したときに液晶分子の配向が切り替わるまでの時間がＴＮモードやＶＡモード、ＩＰＳモードの場合に比べて短くなるので、液晶層の光透過率を短時間で変化させることができ、高速応答が可能となる。
【０００５】
ＯＣＢモードの液晶装置では、液晶分子の配向をスプレイ配向からベンド配向に変化させる際、ある閾値電圧以上の電圧を液晶層に印加する必要がある（初期転移操作）。初期転移操作が不十分な場合には、スプレイ配向からベンド配向への変化が不十分となり、表示不良が生じたり応答速度が低くなったりする。一方で、この初期転移操作は短時間で行うことが望ましいとされている。
【０００６】
これに対して、例えば特許文献１には、液晶装置にマトリクス状に設けられる画素のうち隣接する画素間に発生する横電界を利用することにより、初期転移操作を短時間で確実に行おうとする技術が開示されている。  
【特許文献１】特開２００２−３５０９０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の手法では、液晶層のうち画素がマトリクス状に配列された表示エリアにおいて局地的には短時間でベンド転移するものの、ベンド転移が表示エリア全体に広がるには時間が掛かるため、短時間でベンド転移させることは困難である。
【０００８】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、短時間で液晶層全体を確実にベンド転移させることが可能な液晶装置の駆動方法、液晶装置、プロジェクタ及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明に係る液晶装置の駆動方法は、対向配置された一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層とを備え、前記液晶層の液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示又は光変調を行う液晶装置の駆動方法であって、前記液晶層の所定の領域に前記液晶分子がベンド配向へと転移するように所定の電界を印加し、前記所定の電界を印加する領域を前記所定の領域から徐々に広げていくことを特徴とする。  
液晶分子の配向は、電界に影響されるほか、例えば周囲の液晶分子の配向にも影響される。本発明では、液晶層の所定の領域に液晶分子がベンド配向へと転移するように所定の電界を印加することにより、液晶分子はまず所定の電界によってベンド配向に転移する。ベンド転移した当該液晶分子の周囲の液晶分子はこの影響を受けてベンド配向に転移しやすい状態になる。これに加えて、本発明では、この所定の電界を印加する領域を所定の領域から徐々に広げていくので、当該周囲の液晶分子は電界の影響も受けて一層ベンド配向に転移しやすくなる。このように、液晶分子に対して電界と周囲の液晶分子の配向との両面からベンド転移するよう促進することができるので、短時間で液晶層全体を確実にベンド転移させることができる。
【００１０】
上記液晶装置の駆動方法は、前記所定の領域が前記液晶層のうち前記一対の基板の一端側であり、前記所定の電界を前記一対の基板の他端側に徐々に広げていくことを特徴とする。  
本発明によれば、所定の領域が液晶層のうち一対の基板の一端側であり、所定の電界をこの一対の基板の他端側に徐々に広げていくので、液晶分子のベンド転移が一方向に伝播することになり、あたかもドミノ倒しのドミノのように伝播することになる。これにより、液晶層全体を確実にベンド転移させることができる。
【００１１】
上記液晶装置の駆動方法は、前記一対の基板が、平面視で対向する２辺を有しており、前記所定の領域が、前記液晶層のうち前記対向する２辺の一辺側の領域であり、前記所定の電界を前記対向する２辺の他辺側に徐々に広げていくことを特徴とする。  
本発明によれば、一対の基板が平面視で対向する２辺を有しており、所定の領域が液晶層のうち対向する２辺の一辺側の領域であり、所定の電界を対向する２辺の他辺側に徐々に広げていくので、対向する２辺の一辺側から他辺側に向けて一方向にベンド転移が伝播することになる。液晶分子のベンド配向が一方向に伝播することによってベンド転移の伝播に勢いがつくので、短時間で液晶層全体を確実にベンド転移させることができる。
【００１２】
上記液晶装置の駆動方法は、前記一対の基板の一方の基板のうち平面視で前記液晶層の設けられた領域内には、マトリクス状に配列された画素電極が設けられており、前記所定の領域が、前記マトリクス状に配列された画素電極の１行または１列に平面視で重なる領域であり、前記所定の電圧を印加する領域を、前記画素電極の１行に隣接する行または前記画素電極の１列に隣接する列に徐々に広げていくことを特徴とする。  
本発明によれば、一対の基板の一方の基板のうち平面視で液晶層の設けられた領域内にはマトリクス状に配列された画素電極が設けられており、所定の領域がこのマトリクス状に配列された画素電極の１行または１列に平面視で重なる領域であり、所定の電圧を印加する領域を当該画素電極の１行に隣接する行または当該画素電極の１列に隣接する列に徐々に広げていくので、ベンド転移が画素電極の１行または１列ごとに伝播することになる。また、所定の電界が印加され画素電極と当該画素電極に隣接する所定の電界が印加されない画素電極との間で横電界が発生することになるため、当該隣接する画素電極に平面視で重なる領域の液晶分子が横電界の影響を受けてベンド配向に転移する。これにより、液晶分子のベンド転移の伝播に勢いがつくため、短時間で液晶層全体を確実にベンド転移させることができる。
【００１３】
上記液晶装置の駆動方法は、前記一対の基板が、平面視で対向する２つの角部を有しており、前記所定の領域が、前記液晶層のうち前記対向する２つの角部の一方側の領域であり、前記所定の電界を前記対向する２つの角部の他方側に徐々に広げていくことを特徴とする。  
本発明によれば、一対の基板が平面視で対向する２つの角部を有しており、所定の領域が液晶層のうち前記対向する２つの角部の一方側の領域であり、所定の電界を対向する２つの角部の他方側に徐々に広げていくので、対向する２つの角部の一方側から他方側に向けて一方向にベンド転移が伝播することになる。液晶分子のベンド配向が一方向に伝播することによってベンド転移の伝播に勢いがつくので、短時間で液晶層全体を確実にベンド転移させることができる。
【００１４】
上記液晶装置の駆動方法は、前記一対の基板の一方の基板のうち平面視で前記液晶層の設けられた領域内には、マトリクス状に配列された画素電極が設けられており、前記所定の領域が、前記マトリクス状に配列された画素のうち角部に設けられた画素電極であり、前記所定の電界を前記角部に設けられた画素電極から行方向及び列方向に徐々に広げていくことを特徴とする。  
本発明によれば、一対の基板の一方の基板のうち平面視で液晶層の設けられた領域内にはマトリクス状に配列された画素電極が設けられており、所定の領域がこのマトリクス状に配列された画素電極のうち角部に設けられた画素電極であり、所定の電界を当該角部に設けられた画素電極から行方向及び列方向に徐々に広げていくので、ベンド転移が角部の画素電極を中心に行方向及び列方向にそれぞれ伝播することになる。１行または１列ごとに伝播させる場合だと伝播方向が一方向のみであるが、本発明では、伝播方向が２方向となる。このため、ベンド転移の伝播の勢いが強くなる。また、所定の電界が印加され画素電極と当該画素電極に隣接する所定の電界が印加されない画素電極との間で横電界が発生することになるため、当該隣接する画素電極に平面視で重なる領域の液晶分子が横電界の影響を受けてベンド配向に転移する。これにより、ベンド転移の伝播の勢いが一層強くなるので、短時間で液晶層全体を確実にベンド転移させることができる。
【００１５】
本発明に係る液晶装置は、対向配置された一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層とを備え、前記液晶層の液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示又は光変調を行う液晶装置であって、前記液晶層の所定の領域に前記液晶分子がベンド配向へと転移するように所定の電界を印加し、前記所定の電界を印加する領域を前記所定の領域から徐々に広げていくように制御する制御部を具備することを特徴とする。  
本発明によれば、液晶層の所定の領域に液晶分子がベンド配向へと転移するように所定の電界を印加し、所定の電界を印加する領域を所定の領域から徐々に広げていくように制御する制御部を具備するので、液晶分子に対して電界と周囲の液晶分子の配向との両面からベンド転移するよう促進することができる。これにより、短時間で液晶層全体を確実にベンド転移させることができる。
【００１６】
本発明に係るプロジェクタは、上記の液晶装置を搭載したことを特徴とする。  
本発明によれば、短時間で液晶層全体を確実にベンド転移させることができる液晶装置を搭載したので、表示特性が高く、応答速度の高い表示が可能なプロジェクタを得ることができる。
【００１７】
本発明に係る電子機器は、上記の液晶装置を搭載したことを特徴とする。  
本発明によれば、短時間で液晶層全体を確実にベンド転移させることができる液晶装置を搭載したので、表示特性が高く、応答速度の高い表示が可能な電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
［第１実施形態］  
以下、図面に基づいて本発明の第１実施形態を説明する。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。本実施形態では、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）を画素スイッチング素子として用いたＴＦＴアクティブマトリクス方式のＯＣＢモード液晶装置の例を挙げて説明する。  
図１（ａ）は本実施形態の液晶装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図、図１（ｂ）は（ａ）図のＨ−Ｈ’線に沿う断面図、図２は同液晶装置の等価回路図、図３は液晶装置の画素領域における部分断面構成図である。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、正の誘電率異方性を有する液晶から構成されており、初期状態ではスプレイ配向、表示動作時にはベンド配向を呈するものとなっている。シール材５２の形成領域の内側の領域に、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）５３が形成されている。遮光膜５３の内側の領域が表示変調領域１０ａになっている。シール材５２の外側の周辺回路領域には、データ線駆動回路１０１および外部回路実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、表示変調領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４の間を接続するための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０の角部においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。
【００２０】
図２の等価回路図に示すように、液晶装置の表示変調領域１０ａを構成すべくマトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極９がそれぞれ形成されている。また、その画素電極９の側方には、当該画素電極９への通電制御を行う画素スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０が形成されている。ＴＦＴ素子３０のソースには、データ線６ａが電気的に接続されている。各データ線６ａには画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給される。なお画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、各データ線６ａに対してこの順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給してもよい。
【００２１】
ＴＦＴ素子３０のゲートには、走査線３ａが電気的に接続されている。走査線３ａには、所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが供給される。なお、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍは、各走査線３ａに対してこの順に線順次で印加される。また、ＴＦＴ素子３０のドレインには、画素電極９が電気的に接続されている。そして、走査線３ａから供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオン状態にすると、データ線６ａから供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれる。
【００２２】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極９と容量線３ｂとの間に蓄積容量７０が形成され、液晶容量と並列に接続されている。このように、液晶に電圧が印加されると、その電圧レベルにより液晶分子のベンド配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。
【００２３】
以上、等価回路図を用いて画像表示を行う際の動作として説明したが、ＯＣＢモードの液晶装置として後述する初期転移のための電圧印加動作を行う際にも、画像表示動作の場合と同様、データ線に初期転移用信号を、走査線に走査信号を供給し、表示変調領域１０ａ内の複数の画素を駆動する。
【００２４】
図３は、液晶装置の画素の概略断面構造を示す図である。図３に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置された対向基板２０と、これらの間に挟持された液晶層５０とを主体として構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体１０Ａを基体としてなり、基板本体１０Ａ上の内側に、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料からなる画素電極９と、配向膜１６とが順に積層されている。画素電極９には図示略のＴＦＴ素子３０が電気的に接続されている。基板本体１０Ａの外側には、光学補償板１７と偏光板１４とが順に積層されている。
【００２５】
一方の対向基板２０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２０Ａを基体としてなり、その内側にＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極２１と、配向膜２２とが順に積層されている。基板本体２０Ａの外側には、偏光板２４が配設されている。なお、配向膜１６及び配向膜２２のラビング方向は、例えば液晶装置１００の表示変調領域１０ａの長手方向に沿った方向になっている。
【００２６】
上記構成を具備した本実施形態の液晶装置１００は、画素電極９と共通電極２１との間に電圧が印加されない状態では、図３（ｂ）に示すスプレイ配向状態を呈しており、電極９，２１間に電圧を印加することでスプレイ配向状態から図３（ａ）に示すベンド配向状態へ移行させ（初期配向転移）、ベンド配向を維持した状態で画像表示を行うようになっている。このような初期配向転移が起こるのは、液晶の各配向状態におけるギブスエネルギーが印加電圧の変化に伴い変化することによる。
【００２７】
次に、上記のように構成された液晶装置１００の駆動方法を説明する。  
図４は、液晶装置１００の断面構成を示す図である。図５は、液晶装置１００のＴＦＴアレイ基板１０の構成を示す平面図である。図６は、液晶装置１００全体の平面構成を模式的に示す図である。  
図４（ａ）は、画素電極９と共通電極２１との間に電界が印加されていない状態（例えば０Ｖ）を示している。スプレイ配向の状態では、液晶分子は図中横方向（表示変調領域１０ａの長手方向）に配向が規制されている。この状態から、図４（ｂ）に示すように一方の画素電極９ａの電位のみを高くする（例えば５Ｖ）と、画素電極９ａと共通電極２１との間に電界Ｅ１が印加されると共に画素電極９ａと画素電極９ｂとの間に電界Ｅ２が印加される。電界Ｅ２は横電界である。電界Ｅ１によって、図４（ｃ）に示すように、液晶層５０のうち画素電極９ａに平面視で重なる領域の液晶分子５１ａがベンド配向に転移する。電界Ｅ２によって画素電極９ｂに平面視で重なる領域の液晶分子のうち一部の液晶分子５１ｂのプレチルトが高くなる。この状態で画素電極９ｂの電位を高くすると、プレチルトの高くなった液晶分子９ｂが核となってベンド転移が発生し、画素電極９ｂの全体にベンド転移が伝播することになる。
【００２８】
このような動作を画素電極９の１列について行った場合、図５に示すように、ベンド転移が画素電極９の１列ごとに発生し、伝播する。電位を高くした画素電極９の列と電位を高くしていない画素電極９の列との境界部分には、横電界の影響を受ける領域９ｃが発生している。領域９ｃでは、液晶分子５１の配向は周囲の液晶分子５１の配向にも影響され、ベンド転移が発生しやすい状態になる。図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すように、電位を高くする画素電極９の列（図６（ａ）〜図６（ｃ）中の斜線部）を徐々に広げていくことにより、液晶装置１００の表示領域１０ａの一辺（図中右辺）側から他辺（図中左辺）側にかけて画素電極９の列毎にベンド転移が徐々に伝播することになる。
【００２９】
具体的な駆動方法としては、例えばフィールド反転駆動を行うようにし、走査線駆動回路１０４によって走査信号のパルス幅ｔが徐々に広くなるように制御する。例えば図６（ａ）に示すように、始めは走査信号のパルス幅ｔを画素電極９の１列分のみの幅にしておき、図６（ｂ）及び図６（ｃ）に示すように徐々に走査信号のパルス幅ｔを広くすることにより、画素電極９の各列の電位を順に高くしていく。表示変調領域１０ａの一辺側から他辺側まで、約１〜１０ｍｍ／ｓｅｃの速度で順に電位を高くしていくことが好ましい。
【００３０】
このように、本実施形態によれば、液晶層５０の所定の領域に電界Ｅ１を印加することにより、液晶分子５１はまず電界Ｅ１によってベンド配向に転移する。ベンド転移した当該液晶分子５１の周囲の液晶分子はこの影響を受けてベンド配向に転移しやすい状態になる。これに加えて、本実施形態では、この電界Ｅ１を印加する領域を徐々に広げていくので、当該周囲の液晶分子は新たに印加される電界Ｅ１の影響も受けて一層ベンド配向に転移しやすくなる。このように、液晶分子５１に対して電界Ｅ１と周囲の液晶分子の配向との両面からベンド転移するよう促進することができるので、短時間で液晶層５０全体を確実にベンド転移させることができる。
【００３１】
また、本実施形態では、画素電極９の１列に電界Ｅ１を印加し、この電界Ｅ１を印加する領域を当該画素電極９の１列に隣接する列に徐々に広げていくので、ベンド転移が画素電極９の１列ごとに伝播することになる。また、電界Ｅ１が印加される画素電極９ａと当該画素電極９に隣接する電界Ｅ１が印加されない画素電極９ｂとの間で横電界Ｅ２が発生することになるため、当該隣接する画素電極９ｂに平面視で重なる領域の液晶分子５１ｂが横電界Ｅ２の影響を受けてベンド配向に転移する。これにより、液晶分子５１のベンド転移の伝播に勢いがつくため、短時間で液晶層５０全体を確実にベンド転移させることができる。
【００３２】
［第２実施形態］  
次に、本発明の第２実施形態を説明する。第１実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、第１実施形態と同一の構成要素については、その説明を省略する。本実施形態では、液晶装置の駆動方法が第１実施形態と異なっているため、この点を中心に説明する。  
図７は、本実施形態に係る液晶装置２００のＴＦＴアレイ基板２１０の構成を示す平面図であり、第１実施形態の図５に対応している。図８は、液晶装置２００全体の平面構成を模式的に示す図であり、第１実施形態の図６に対応している。
【００３３】
本実施形態では、マトリクス状に配列された画素電極２０９のうち角部に設けられた画素電極２０９から行方向及び列方向に１つの電極ずつ電位を高くしていくようにする。この結果、図７に示すように、電界Ｅ１の印加される領域が平面視で階段状に広がっていくことになる。電界Ｅ１の印加された画素電極２０９ａと電界Ｅ１の印加されない画素電極２０９ｂとの間には横電界Ｅ２が発生する。画素電極２０９ａと画素電極２０９ｂとの対向する２辺の近傍の領域がこの横電界Ｅ２の影響を受けるので、第１実施形態に比べて横電界Ｅ２の影響を受ける液晶分子が多くなる。横電界Ｅ２の影響を受けた液晶分子のプレチルトが高くなる。また、第１実施形態と同様、領域２０９ｃでは、液晶分子の配向は周囲の液晶分子の配向にも影響され、ベンド転移が発生しやすい状態になる。また、第１実施形態と同様、スプレイ配向の状態では、液晶分子は図中横方向（表示変調領域２１０ａの長手方向）に配向が規制されている。これに対して、列方向に横電界Ｅ２が印加される部分では、液晶分子が９０°捩れた状態でベンド転移することになる。液晶分子が大きく動くため、ベンド転移が伝播しやすい状態になる。
【００３４】
このように電位を高くする画素電極２０９を増やしていくことで、図８（ａ）〜図８（ｃ）に示すように、液晶装置２００の表示領域２１０ａの対向する２つの角部のうち一方の角部（図中右上）側から他方の角部（図中左下）側にかけてベンド転移が徐々に伝播することになる。
【００３５】
このように、本実施形態によれば、対向する２つの角部の一方側から他方側に向けて一方向にベンド転移が伝播することになり、ベンド転移の伝播に勢いがつくので、短時間で液晶層全体を確実にベンド転移させることができる。
【００３６】
また、本実施形態では、電界Ｅ１を当該角部に設けられた画素電極２０９から行方向及び列方向に徐々に広げていくので、ベンド転移が角部の画素電極２０９を中心に行方向及び列方向にそれぞれ伝播することになる。１行または１列ごとに伝播させる場合だと伝播方向が一方向のみであるが、本発明では、伝播方向が２方向となる。このため、ベンド転移の伝播の勢いが強くなる。
【００３７】
また、電界Ｅ１が印加され画素電極２０９ａと当該画素電極２０９ａに隣接する電界Ｅ１の印加されない画素電極２０９ｂとの間で横電界Ｅ２が発生することになるため、当該画素電極２０９ｂに平面視で重なる領域の液晶分子が横電界Ｅ２の影響を受けてベンド配向に転移する。本実施形態では、矩形の画素電極２０９のうち２辺が横電界Ｅ２の影響を受けることになるため、第１実施形態に比べてベンド転移の伝播が一層強くなる。これにより、短時間で液晶層２５０全体を確実にベンド転移させることができる。
【００３８】
［第３実施形態］
次に、上記実施形態の液晶装置を光変調手段として備えた投射型表示装置（プロジェクタ）３００の構成について、図９を参照して説明する。図９は、上記実施形態の液晶装置を光変調装置として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図９において、３１０は光源、３１３、３１４はダイクロイックミラー、３１５、３１６、３１７は反射ミラー、３１８は入射レンズ、３１９はリレーレンズ、３２０は出射レンズ、３２２、３２３、３２４は液晶光変調装置、３２５はクロスダイクロイックプリズム、３２６は投写レンズを示す。
【００３９】
光源３１０はメタルハライド等のランプ３１１とランプの光を反射するリフレクタ３１２とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー３１３は、光源３１０からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー３１７で反射されて、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた赤色光用液晶光変調装置３２２に入射される。
【００４０】
一方、ダイクロイックミラー３１３で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー３１４によって反射され、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた緑色光用液晶光変調装置３２３に入射される。なお、青色光は第２のダイクロイックミラー３１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ３１８、リレーレンズ３１９、出射レンズ３２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段３２１が設けられ、これを介して青色光が上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた青色光用液晶光変調装置３２４に入射される。
【００４１】
各光変調装置により変調された３つの色光はクロスダイクロイックプリズム３２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ３２６によってスクリーン３２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。  
本実施形態によれば、短時間で液晶層全体を確実にベンド転移させることができる液晶装置１００、２００を搭載したので、表示特性が高く、応答速度の高い表示が可能なプロジェクタ３００を得ることができる。
【００４２】
［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態を説明する。本実施形態では携帯電話を例に挙げて説明する。  
図１０は、携帯電話４００の全体構成を示す斜視図である。  
携帯電話４００は、筺体４０１、複数の操作ボタンが設けられた操作部４０２、画像や動画、文字等を表示する表示部４０３を主体として構成されている。表示部４０３には、上記第６実施形態に係る液晶装置１００、２００が搭載される。
【００４３】
このように、本実施形態では、短時間で液晶層全体を確実にベンド転移させることができる液晶装置１００、２００を搭載したので、表示特性が高く、応答速度の高い表示が可能な電子機器４００を得ることができる。
【００４４】
上記各実施の形態の液晶表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、明るく、高コントラストの表示が可能になっている。
【００４５】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
上記実施形態では、表示変調領域の一辺側の画素電極から他辺側の画素電極へ、また、一方の角部の画素電極から他方の角部の画素電極へ徐々に電位を高くするように駆動する例を説明したが、これに限られることは無い。例えば、中央部に配列された画素電極から周囲に徐々に電位を高くするように駆動しても良いし、４つの角部の画素電極から中央部の画素電極へ向けて徐々に電位を高くするように駆動しても構わない。また、上記実施形態では、表示変調領域の長手方向にベンド転移が広がるように制御したが、これに限られることは無く、例えば表示変調領域の短手方向にベンド転移が広がるように制御しても構わない。このようにすれば、液晶分子のスプレイ配向の方向に直交する方向に横電界Ｅ２が発生するため、液晶分子が９０°捩れた状態でベンド転移になる。液晶分子が大きく動くため、ベンド配向が伝播しやすくなるという利点がある。
【００４６】
上記実施形態では、フィールド反転駆動を行う場合を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えばライン反転駆動やドット反転駆動を行う場合であっても本発明の適用は可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す図。
【図２】本実施形態に係る液晶装置の回路構成図。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の画素領域における部分断面構成図。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の画素領域における部分断面構成図。
【図５】本実施形態に係る液晶装置の部分平面構成図。
【図６】本実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す平面図。
【図７】第２実施形態に係る液晶装置の部分平面構成図。
【図８】本実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す平面図。
【図９】第３実施形態に係るプロジェクタの構成を示す図。
【図１０】第４実施形態に係る電子機器の構成を示す図。
【符号の説明】
【００４８】
Ｅ１…電界  Ｅ２…電界  ３ａ…走査線  ９…画素電極  １０…ＴＦＴアレイ基板  １０ａ…表示変調領域  ５０…液晶層  ５１…液晶分子  １００、２００…液晶装置  １０４…走査線駆動回路（制御部）  ３００…プロジェクタ  ４００…携帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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