(57)【要約】【課題】突起形状を簡便な方法で、安定して安価に形成することができ、ドライプロセスにより突起先端を清浄な状態に保つことが可能となる基板の加工方法を提供する。【解決手段】基板表面に収束イオンビームを照射した後、ドライエッチングにより前記基板を加工する基板の加工方法であって、  前記基板表面１０に、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｂｉから選択されるイオンを照射するに際し、第１のイオン照射濃度と、該第１のイオン照射濃度とは異なる第２のイオン照射濃度により照射し、前記基板表面にイオン照射領域を形成する工程１１と、  前記イオン照射領域をエッチングする工程１２と、を有する構成とする。【選択図】            図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に収束イオンビームを照射した後、ドライエッチングにより前記基板を加工する基板の加工方法であって、
前記基板表面に、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｂｉから選択されるイオンを照射するに際し、第１のイオン照射濃度と、該第１のイオン照射濃度とは異なる第２のイオン照射濃度により照射し、前記基板表面にイオン照射領域を形成する工程と、
前記イオン照射領域をエッチングする工程と、
を有することを特徴とする基板の加工方法。
【請求項２】
前記イオン照射領域を形成する工程において、
前記第１のイオン照射濃度を前記第２のものよりも高いイオン照射濃度のものを用い、
前記第１のイオン照射濃度により照射される前記基板表面の照射領域周辺を、前記第２のイオン照射濃度により照射し、これらによりイオン照射濃度勾配を形成するようにして前記基板表面にイオン照射領域を形成し、
前記イオン照射領域をエッチングする工程において、
前記イオン照射濃度勾配を形成するようにして照射されたイオン照射領域をマスクとし、該イオン照射濃度勾配に添ってエッチングすることにより、前記基板表面に突起形状を形成することを特徴とする請求項１に記載の基板の加工方法。
【請求項３】
前記イオン照射領域を形成する工程において、前記イオン照射濃度勾配を形成するようにして照射されたイオン照射領域を複数箇所形成し、
前記イオン照射領域をエッチングする工程において、前記複数箇所のイオン照射領域をマスクとしてエッチングし、前記基板表面に複数の突起形状を形成することを特徴とする請求項２に記載の基板の加工方法。
【請求項４】
前記イオン照射領域を形成する工程が、電極層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板の加工方法。
【請求項５】
前記電極層を形成する工程を含む工程において、前記加工基板表面への、前記電極層形成用のガスの導入、前記電極層を設けるための絶縁層形成用のガスの導入、あるいはエッチングのためのエッチングガスの導入に際し、
前記それぞれの加工プロセスに応じて切り替え可能に構成されていることを特徴とする請求項４に記載の基板の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の加工方法に関し、特に電子ビームやイオンビーム等の荷電ビームを用いて基板を加工する基板の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
収束荷電ビームを用いたＣＶＤの研究は、１９５０年代に真空内ガスを分解して試料表面にカーボンを堆積させてビーム形状の状態を調べるなどの実験で行われた。
また、１９７０年から１９８０年代にかけて具体的な応用検討が、Ａ．Ｎ．Ｂｒｏｅｒｓ（１９７６年）、Ｓ．Ｍａｔｓｕｉ（１９８６年）や、Ｈ．Ｗ．Ｐ．Ｋｏｏｐｓ（１９８８年）らによって行われた（非特許文献１、２、３）。
電子ビームＣＶＤによるマスク形成やタングステンの微細パターンの形成、ナノメートル・サイズの超微細なロッド形成、更には、電界放出電子源のフィールドエミッタ形成が、当時において試みられた。
これらの構造形成には、前駆物質としてＷＦ6、Ｗ（ＣＯ）6、Ｍｏ（ＣＯ）6、Ｆｅ（ＣＯ）6、Ｍｅ2Ａｕ（ｔｆａｃ）、Ｍｅ2Ａｕ（ａｃａｃ）、等の反応性ガスが用いられた。
そして、装置は、主に既存の電子ビーム装置に、これらのガス導入機構を追加改造して進められてきた（特許文献１）。
【０００３】
その後のマスクレスの荷電ビームによるＣＶＤ構造形成の研究は、電子ビーム装置に加えて収束イオンビーム（ＦＩＢ）装置を用いても研究が進められた。ＦＩＢ装置では、３次元構造の設計情報を基に、Ｇａイオンビームのビーム位置を高精度に制御することで、任意の３次元の構造体を形成できることが実証されている（特許文献２、特許文献３）。
また、透過型電子顕微鏡の高エネルギー収束電子ビームを用いて、試料を磁界の中に配置してナノサイズオーダの立体形状を形成する提案がなされている（特許文献４）。
【０００４】
これらの成果により、試料室に前記物質のガスを導入して収束した荷電ビームを高精度の制御をすることで、複雑な任意形状のナノメートル・サイズの立体構造が形成できることが実証された。
すなわち、配線パターンや電界放出型エミッタのニードル形成と言った比較的簡単な構造だけでなく、複雑な任意形状のナノメートル・サイズの立体構造が形成できることが実証され、この分野の研究が飛躍的に発展を遂げた。
【０００５】
また、実用的な研究としては、荷電ビームや光ビームを用いたＣＶＤが、マスクの準備なしで直接加工できることから、配線工程のみにイオンまたは光ビームＣＶＤを実施する提案（特許文献５）がなされている。あるいは、これ以外にも、レジスト層として窒化膜を用いて、この膜にＧａイオンを注入してリソグラフィプロセスを行う（特許文献６）ことが提案されている。
【０００６】
一方、ナノ加工技術を用いたデバイスとして、マルチ電子源をアレー状に配列したＦＥＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｔｔｅｒ  Ａｒｒａｙ）がある。
その代表的な加工方法として、突起形状をした電極形状を形成する方法として、リフトオフの手法を採用して作製された電界電子放出型電子源が知られている（非特許文献４）。
この電界電子放出型電子源の製作方法は、図７に示すつぎの（ａ）から（ｄ）の手順により行われる。
（ａ）Ｓｉ基板５０に絶縁層５１とゲート電極５２を形成し、絶縁層５１とゲート電極５２の内側にフォトリソプロセスで円孔を形成する。
（ｂ）アルミナ等の犠牲層５３を基板５０に浅い角度で蒸着する。これにより、ゲート電極の口径は犠牲層５３によって覆われる。
（ｃ）モリブデン等のエミッタとなる金属５４を基板に垂直に蒸着することで、口径は縮小して自己整合的に円錐形のエミッタ５５を形成する。
（ｄ）リフトオフにより、犠牲層のエッチングして不用の金属部を除去する。
この電界電子放出型電子源においては、エミッタ５５の先端からゲート電極に電圧を印加することによって、電子放出する電子源として機能されることが出来る。
【特許文献１】特願昭６２−２１０９９７号公報
【特許文献２】特開２００１−１０７２５２号公報
【特許文献３】特開２００４−３４５００９号公報
【特許文献４】特開２００４−２４４６４９号公報
【特許文献５】特開平０２−１４５７７０
【特許文献６】特許第３２４０１５９
【非特許文献１】Ａ．Ｎ．Ｂｒｏｅｒｓ：  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．２９（１９７６）５９６
【非特許文献２】Ｓ．Ｍａｔｓｕｉ，  Ｋ．Ｍｏｒｉ，  Ｊ．  Ｖａｃ  ．Ｓｃｉ．＆Ｔｃｈｎｏｌ．  Ｂ４（１９８６）２９９
【非特許文献３】Ｈ．Ｗ．Ｐ．Ｋｏｏｐｓ，  Ｒ．Ｗｅｉｅｌ，  Ｄ．Ｐ．Ｋｅｒｎ＆Ｔ．Ｈ．Ｂａｕｍ：  Ｊ．  Ｖａｃ．  Ｓｃｉ．  ＆  Ｔｃｈｎｏｌ．  Ｂ６（１９８８）４７７
【非特許文献４】Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，Ｉ．Ｂｒｏｄｉｅ，Ｌ．Ｈｕｍｐｈｒｅｙ  ＆  Ｅ．Ｒ．Ｗｅｓｔｅｒｂｅｒｇ：Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓｉｃｓ、Ｖｏｌ．４７、Ｎｏ１２，１９７６、５２４８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来例によるデバイスの形成方法では、デバイス作製プロセスとして一般的にウエットプロセスが用いられていたため、つぎのような不都合を生じる場合があった。
例えば、突起形状を備えたデバイスを形成する際等において、従来のウエットプロセスを用いた場合、複雑な工程を必要とし、生産性が低く、同一のものを安定して安価に生産することが困難であった。
また、突起部を清浄な状態に保つことが困難であり、例えば、電界放出型のエミッタを形成する場合等において、安定性の優れたマルチ電子源を得ることが困難であった。
また、突起形状をＣＶＤ法で形成した場合、一つの突起形状を堆積するのに時間を要する等、生産性において問題を有していた。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑み、突起形状を簡便な方法で、安定して安価に形成することができ、ドライプロセスにより突起先端を清浄な状態に保つことが可能となる基板の加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、次のように構成した基板の加工方法を提供するものである。
本発明の基板の加工方法は、基板表面に収束イオンビームを照射した後、ドライエッチングにより前記基板を加工する基板の加工方法であって、
前記基板表面に、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｂｉから選択されるイオンを照射するに際し、第１のイオン照射濃度と、該第１のイオン照射濃度とは異なる第２のイオン照射濃度により照射し、前記基板表面にイオン照射領域を形成する工程と、
前記イオン照射領域をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の基板の加工方法は、前記イオン照射領域を形成する工程において、
前記第１のイオン照射濃度を前記第２のものよりも高いイオン照射濃度のものを用い、
前記第１のイオン照射濃度により照射される前記基板表面の照射領域周辺を、前記第２のイオン照射濃度により照射し、これらによりイオン照射濃度勾配を形成するようにして前記基板表面にイオン照射領域を形成し、
前記イオン照射領域をエッチングする工程において、
前記イオン照射濃度勾配を形成するようにして照射されたイオン照射領域をマスクとし、該イオン照射濃度勾配に添ってエッチングすることにより、前記基板表面に突起形状を形成することを特徴とする。
また、本発明の基板の加工方法は、前記イオン照射領域を形成する工程において、前記イオン照射濃度勾配を形成するようにして照射されたイオン照射領域を複数箇所形成し、
前記イオン照射領域をエッチングする工程において、前記複数箇所のイオン照射領域をマスクとしてエッチングし、前記基板表面に複数の突起形状を形成することを特徴とする。
また、本発明の基板の加工方法は、前記イオン照射領域を形成する工程が、電極層を形成する工程を含むことを特徴とする。
また、本発明の基板の加工方法は、前記電極層を形成する工程を含む工程において、前記加工基板表面への、前記電極層形成用のガスの導入、前記電極層を設けるための絶縁層形成用のガスの導入、あるいはエッチングのためのエッチングガスの導入に際し、
前記それぞれの加工プロセスに応じて切り替え可能に構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、突起形状を簡便な方法で、安定して安価に形成することができ、ドライプロセスにより突起先端を清浄な状態に保つことが可能となる基板の加工方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明を実施するための最良の形態を、以下の実施例により説明する。
【実施例】
【００１２】
以下に、本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
以下、本発明における基板表面に収束イオンビームを照射した後、ドライエッチングにより前記基板を加工する基板の加工方法を適用した、実施例１のシングルコーン型エミッタを形成する加工例について説明する。
図１に、本実施例のシングルコーン型エミッタの加工に用いられる加工装置を示す。
図１において、１はイオンビーム、２はイオン源、３はレンズ、４はブランカー、５は偏向器、６はガス導入部、７は二次電子検出器、８は試料を載置するステージである。
また、１００は装置制御部、１０１はイオン源制御部、１０２はレンズ制御部、１０３はブランカー制御部、１０４は偏向器制御部、１０５はガス導入制御部、１０６は二次電子検出器信号処理部、１０７はステージ制御部である。
【００１３】
本実施例のデバイス加工方法に用いる加工装置は、荷電ビーム照射機能とガス導入部を備えており、イオンビーム・エッチイング、イオンビームＣＶＤ、および、試料基板表面へのイオン照射によるマスク形成機能を有している。
前記加工装置において、イオン源２から発生したイオンビーム１は、レンズ３によってステージ８に載置された試料上に収束され、そして、偏向器５でイオンビームは走査される。
加工形状に応じたイオンビームの位置と電流量の制御は、偏向器５とブランカー４で行われる。
また、イオンビーム照射による試料表面のエッチングや材料堆積は、ガス導入部６からのガス種を切換えることにより行われる。
【００１４】
前記加工装置の制御を行う装置制御部１００は、イオン源制御部１０１、レンズ制御部１０２、ブランカー制御部１０３、および偏向器制御部１０４によって荷電ビーム光学系の基本部分を制御している。
ここで、イオン源制御部１０１は荷電ビーム源の発生条件と安定化を行い、レンズ制御部１０２は荷電ビームの収束作用を制御する。また、偏向器制御部１０４は荷電ビームの位置調整や荷電ビームの走査を行う。
また、装置制御部１００は、ガス導入制御部１０５、二次電子検出器信号処理部１０６、およびステージ制御部１０７を制御する。
ステージ制御部１０７は荷電ビームの走査と同期してステージを移動する。
二次電子検出器信号処理部１０６は二次電子検出器７からの信号を画像化し、装置制御部１００はこの画像に基づいてガス導入制御部１０５に導入される前駆物質ガスのガス種、圧力、導入のタイミング等の条件を設定する。
【００１５】
前記加工装置において、これらの材料堆積のための前駆物質ガス種や、加工表面のエッチングのためのガス種は、それぞれプロセス条件に対応して切換えることで目的とする形状形成が行われる。
特に、構造体基板のＧａイオンを照射して最表面の数１０ｎｍの領域にＧａ堆積層を形成することで、レジストを用いずに直接マスク層を形成することが出来る。
このようなレジストを用いずに直接マスク層を形成する方法と、ディープ・リアクティプ・イオン・エッチング（ＤＲＩＥ）技術を組み合せることにより、アスペクト比１００以上の極めて高いエッチングを実現することが出来る。
これにより、加工プロセスの選択の自由度を広げることができ、本発明の特徴ある加工方法を実現することが出来る。
【００１６】
本実施例において、加工基板表面への、電極層形成用のガスの導入、電極層を設けるための絶縁層形成用のガスの導入、あるいはエッチングのためのエッチングガスの導入に際し、それぞれの加工プロセスに応じて切り替え可能に構成することができる。
図６は、図１の加工装置において、ステージ上に載置された試料９の周辺の構造を示した図で、ガス導入部が複数用意された構成例を説明するための図である。ここでは、材料堆積用のデポジション用のガス導入部６．１と、基板表面をエッチングするためのエッチングガス導入部６．２、等プロセスに応じて切換可能に構成されている。
【００１７】
つぎに、本実施例における完全ドライプロセスによってデバイスを加工する方法について説明する。
図２に、従来例のようにウエットプロセスを用いることなく、完全ドライプロセスによって、突起形状を有する電子デバイスであるシリコン基板の表面に直接シリコンからなるシングルコーン型エミッタを形成する加工例について説明する図を示す。
図２のシングルコーン型エミッタを形成する工程において、
まず、準備工程において、シリコン基板１０を準備する（図２（ａ））。
次に、基板表面にイオン照射領域を形成する工程において、例えば、シリコン基板１０に対して、エミッタを形成する領域１１に、Ｇａイオンによる照射を行い、基板表面層にＧａ層を形成する（図２（ｂ））。
次に、前記イオン照射領域をエッチングする工程において、ディープ・リアクティプ・イオン・エッチング（ＤＲＩＥ）法を用いて、基板表面にエミッタ１２を形成する（図２（ｃ））。
次に、電極層を形成する工程において、例えば、酸化物材料の堆積として、堆積ガスを導入すると同時に、エミッタ周辺をイオンビームで走査することでＴＥＯＳからなる絶縁層１３を形成する。そして、更にその絶縁層１３上に、Ｐｔ等の金属堆積ガスに切換えて、電極１４を形成する（図２（ｄ））。
【００１８】
ここで、図２（ｂ）のイオン照射の段階で、ＤＲＩＥプロセスでコーン形状にエッチングする方法について、更に説明する。
その方法として、前記基板表面に、Ｇａイオンを照射するに際し、第１のイオン照射濃度と、該第１のイオン照射濃度とは異なる第２のイオン照射濃度により照射し、前記基板表面にイオン照射領域を形成する。
ここで、Ｇａイオンを３０ｋＶでシリコン基板を照射した場合、イオン照射濃度２×１０１４イオン／ｃｍ2以上でマスク効果が観測されている。
その際、前記第１のイオン照射濃度を１０１４〜１６イオン／ｃｍ２とし、前記第２のものよりも高いイオン照射濃度のものを用いる。
そして、前記第１のイオン照射濃度により照射される領域を０．１μｍ以下とし、前記基板表面の照射領域周辺数μｍを、前記第２のイオン照射濃度により照射し、これらによりイオン照射濃度勾配を形成するようにして前記基板表面にイオン照射領域を形成する。
具体的には、例えば図４（４−１）のイオン照射プロファイルに示すように、エミッタの中心のイオン照射濃度を高くし、周辺を低濃度化する。
これにより、Ｇａイオン照射層のＤＲＩＥによるマスク効果が低減することから、イオン照射濃度勾配に沿ってエッチングの深さを制御することができ、図２（ｃ）に示すような先端径が０．１μｍ以下で高さが数μｍの円錐形状のエミッタの形成を実現することが可能となる。
このような簡便なプロセスで、シングルコーン型の電界電子放出型に電子源の作製が可能なことから、このプロセスを適用することで、エミッタを複数配列した電界電子放出型エミッタアレー（ＦＥＡ）を製作することも容易となる。
【００１９】
［実施例２］
実施例２においては、マルチニードル型のエミッタを形成する加工例について説明する。
図３に、マルチニードル型のエミッタを形成する加工例について説明する図を示す。
図３のマルチニードル型のエミッタを加工する工程において、
まず、準備工程として、シリコン基板２０を準備する（図３（ａ））。
次に、イオン照射領域を形成する工程において、前記イオン照射濃度勾配を形成するようにして照射されたイオン照射領域を複数箇所形成する。
具体的には、例えばシリコン基板２０の表面上に、イオン照射領域２１にＧａイオンビームを０．１μｍ以下のスポット状に照射して、狭い領域に複数の高濃度のイオン照射領域を形成する（図３（ｂ））。
次に、前記イオン照射領域をエッチングする工程において、前記複数箇所のイオン照射領域をマスクとしエッチングし、前記基板表面に先端径０．１μｍ以下で高さが数μｍの複数の突起形状を形成する。
具体的には、例えばＤＲＩＥプロセスでＳｉ深堀加工を用いてマルチニードルを形成する（図３（ｃ））。
その後、電極層を形成する工程において、例えば図２のシングルコーン型エミッタと同様、酸化体形成ガスをガス導入部から試料に導入してＴＥＯＳからなる絶縁層２３を形成し、その上に電極２４を形成する（図３（ｄ））。
【００２０】
本実施例による電子源は、一箇所の電子放出部に複数の電子放出箇所があるため、複数配列したマルチエミッタを作製した場合、歩留まりを向上させることが出来る。
上記図３（ｂ）の工程において、Ｇａイオンビームをスポット状に照射した場合、Ｇａイオンビームのビーム形状はガウス分布をしている。
このため、図４（４−２）に示すように、照射プロファイルのイオン照射領域の最大強度領域は、ビーム径よりも１／３程度の領域が得られる。
例えば、ビーム径３０ｎｍのイオンビームをＳｉ表面に照射した場合、高濃度領域を１０ｎｍ程度に設定することが出来ることから、エミッタ先端に高電界を集中することが可能となる。したがって、これによると低い引出し電圧でエミッション可能な電子源を作製することが出来る。
【００２１】
［実施例３］
実施例３においては、実施例２のように絶縁層を厚く堆積しないでマルチニードル型のエミッタを形成する加工例について説明する。
上記した実施例２によるエミッタの加工方法によれば、エミッタの先端径を微細に加工することができる。
したがって、実施例２における図３の工程（ｄ）のように絶縁層を厚く堆積しないで、数μｍの薄い絶縁層を形成することにより、より簡便なデバイス形成が可能となる。
図５に、本実施例における薄い絶縁層によるマルチニードル型のエミッタを形成する加工例について説明する図を示す。
図５のマルチニードル型のエミッタを加工するプロセスにおいて、
まず、シリコン基板３０を準備する（図５（ａ））。
次に、シリコン基板３０上に直接絶縁層３１を形成し、更にその上に電極３２を形成した後、中心のエミッタ形成領域にＧａイオンビームで複数の高濃度領域を形成する（図５（ｂ））。
次に、電極とＧａの高濃度領域をＤＲＩＥのマスクとして、複数のエミッタ３４を有する電界電子放出型電子源を作製する（図５（ｃ））。
【００２２】
上記各実施例では、収束イオンビーム源として一般的に使われているＧａを用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
ＤＲＩＥに対して耐性のある元素のイオンビームであれば良く、Ｇａ以外にＩｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｂｉ、等から選択される液体イオン源は本加工方法に有効である。
また、上記各実施例では、加工基板としてシリコン基板を用いたが、これは酸化シリコン基板を用いてもよい。
また、上記各実施例では、電極層を形成する工程を、イオン照射領域を形成する工程の前後として構成して説明したが、それらが同時に行われるものであってもよく、イオン照射領域を形成する工程にそれらを含む一連の工程として構成することができる。
また、一連の材料堆積とエッチングプロセスは、イオンビームを用いて行ったが、このプロセスは、イオンビームの代わりに電子ビームを切換えて用いても良い。
以上の各実施例の加工方法によれば、加工基板に直接イオンビームでマスクを形成する工程とＤＲＩＥによるＳｉ深堀の技術に加え、荷電ビームによるマスクレスの材料堆積やエッチング技術を用いる。
これにより、突起形状を有するデバイスを、簡便な方法で形成することが可能となる。
更に、エミッタの加工プロセスに適用することで、エミッタ先端を清浄な状態に保つことが可能となる完全ドライプロセスを実現することができ、安定性の優れた低コストの電子源を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施例１におけるシングルコーン型エミッタの加工に用いられる加工装置を示す図。
【図２】本発明の実施例１における完全ドライプロセスによって、突起形状を有する電子デバイスとしてシリコン基板の表面に直接シリコンからなるシングルコーン型エミッタを形成する加工例について説明する図。
【図３】本発明の実施例２におけるマルチニードル型のエミッタを形成する加工例について説明する図。
【図４】イオン照射プロファイルを示す図であり、図（４−１）は実施例１のシングルコーン型エミッタの場合を説明する図、図（４−２）は実施例２のマルチニードル型エミッタの場合を説明する図。
【図５】本発明の実施例３におけるマルチニードル型のエミッタを形成する加工例について説明する図。
【図６】本発明の実施例に用いられる加工装置において、ガス導入部が複数用意された構成例を説明する図。
【図７】従来例である非特許文献４における電界電子放出型電子源の製作方法を説明する図。
【符号の説明】
【００２４】
１：イオンビーム
２：イオン源
３：レンズ
４：ブランカー
５：偏向器
６：ガス導入部
６．１：ガス導入部（デポジション）
６．２：ガス導入部（エッチング）
７：二次電子検出器
８：ステージ
９：試料
１０、２０：基板
１１、２１：イオン照射領域
１２、２２：エミッタ
１３、２３：絶縁層
１４、２４：電極
３０：基板
３１：絶縁層
３２：電極
３３：イオン照射領域
３４：エミッタ
５０：基板
５１：絶縁層
５２：ゲート電極
５３：犠牲層
５４：金属
５５：エミッタ
１００：装置制御部
１０１：イオン源制御部
１０２：レンズ制御部
１０３：ブランカー制御部
１０４：偏向器制御部
１０５：ガス導入制御部
１０６：二次電子検出器信号処理部
１０７：ステージ制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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