(57)【要約】【課題】本発明は、裏面研削したウエハの品質低下を抑止することを可能にし且つ煩雑でないウエハ回路面の保護方法を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明のウエハ回路面の保護方法の態様の一つは、ハイバンプ（１００）が設けられたウエハ（１）の回路面（１０）を対象に、そのハイバンプの裾（１００Ａ）を埋めつつ且つ該ハイバンプの高さよりも厚い樹脂層（２）を設け、この樹脂層の上にテープ基材（３）を貼り合わせる。【選択図】  図１
2008098435.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハのハイバンプが設けられた回路面をテープ保護する方法であって、
前記回路面に対し、前記ハイバンプの裾を埋めつつ樹脂層を設け、
更に、前記樹脂層の上にテープ基材を貼り合わせる、
ことを特徴とするウエハ回路面の保護方法。
【請求項２】
前記樹脂層は、ハイバンプの高さよりも厚いことを特徴とする請求項１に記載のウエハ回路面の保護方法。
【請求項３】
前記樹脂層を、
前記回路面に液状樹脂をスキージを使用して塗布し、
前記液状樹脂を乾燥せしめて設ける、
ことを特徴とする請求項１または２に記載のウエハ回路面の保護方法。
【請求項４】
前記樹脂層を、
前記回路面に液状樹脂をスピンコートにて塗布し、
前記液状樹脂を乾燥せしめて設ける、
ことを特徴とする請求項１または２に記載のウエハ回路面の保護方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のウエハ回路面の保護方法によりウエハの回路面を保護し、
その後、前記ウエハの裏面を研削する、
ことを特徴とするウエハ薄化方法。
【請求項６】
前記樹脂層から前記テープ基材を剥がし、
その後、前記樹脂層を溶解除去する、
ことを特徴とする請求項５に記載のウエハ薄化方法。
【請求項７】
前記研削を、前記テープ基材を吸着支持して行う、
ことを特徴とする請求項５又は６に記載のウエハ薄化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハイバンプが設けられたウエハ回路面をテープ保護する方法及びハイバンプが設けられたウエハを薄化する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯機器の薄型化、小型化、又は軽量化の開発が進むにつれ、機器に組み込まれる半導体チップの更なる薄化が求められるようになってきた。現状、この半導体チップには、厚みを１２５μｍ〜１５０μｍにまで薄化したウエハが利用されている。また、一方で、ウエハを２５μｍ〜５０μｍにまで薄化する開発も進められており、今後の利用が期待されている。
【０００３】
ウエハの薄化は、通常、ウエハへＩＣ回路を形成し、その後にウエハ裏面を研削するという工程で行われる。そのため、その研削の際は、予め回路面に保護用テープ（一般的には、バックグラインドテープ、略してＢＧテープと呼ばれる）を貼り付けておき、その状態でウエハ裏面を研削する。こうすることにより、ウエハ裏面の研削時における回路面の損傷や汚染をその保護用テープで防止することができる。
【０００４】
ところで、近年、凹凸差が０．１〜３５０μｍの配線パターン及び／又はバンプ（突起電極）を回路面に設けたウエハの薄化処理方法が考案されるようになってきた。
この処理方法では、配線パターン及び／又はバンプが形成された回路面に最大で２００μｍの厚みの粘着剤層を有するシートを貼り付けて回路面を保護する。この粘着剤層は、厚さが２００μｍを超えると回路面の凹凸に追従できずに隙間が生じるため、回路面の凹凸に追従できるようにその厚さを２００μｍ以下に保ち、必要に応じて中間層を設けている。（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−１１６６１０ 号公報（段落「００３６」、段落「００４３」、図１（ｄ））
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、凹凸差が１００μｍ以上のバンプ（本明細書では、これらを総称して「ハイバンプ」と呼ぶことにする）を回路面に設けたウエハの利用が検討されつつある。この凹凸差は、より高くなる傾向にある。
【０００６】
図６は上記ハイバンプを回路面に設けたウエハの全体斜視図である。
同図の例では、ウエハ１の表面１−１のエッジの内方にハイバンプ１００を設けた回路１０が配置されている。
【０００７】
ハイバンプ１００は通常のバンプに比べバンプとウエハとの凹凸差が大きい。このため、その回路面１−１を従来方式で保護しても、以下の理由によりウエハの品質を保ったままウエハ裏面１−２を薄く研削できないため、問題となっている。
【０００８】
例えばその回路面１−１に従来のＢＧテープ（不図示）を貼り付けた場合、そのＢＧテープの接着層に厚みがないため、その接着層で上記回路面１−１の凹凸を吸収できない。このため、裏面研削したときにＢＧテープの表面（このＢＧテープに構成されるテープ基材の表面）にその凹凸が現れ、その回路１０を充分に保護できなくなる。
【０００９】
その他、凹凸を吸収できるように上記ＢＧテープの接着層を厚く構成した場合は、ハイバンプ１００の裾付近（特に球体のバンプの裾付近）をそのＢＧテープが追従できなくなる。そのため、ハイバンプ１００の裾付近に隙間が生じ、この隙間が、薄化して生成されたウエハ１の表面不良の原因になっている。
【００１０】
また、特許文献１の場合は、上述したように、ハイバンプの凹凸に追従させることが困難となっている。そのため、別途中間層を設けてそれらを多層構造にすることにより、その厚みを増す必要がある。この場合には、各層の着脱に伴う工数が多くなり、各層の材料も複数種類が必要になるので、煩雑になり問題である。
【００１１】
そこで本発明は、上記問題に鑑みてなされた発明であり、裏面研削したウエハの品質低下を抑止することを可能にし且つ煩雑でないウエハ回路面の保護方法及びウエハ薄化方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は上記課題を解決するために以下のように構成する。
本発明のウエハ回路面の保護方法の態様の一つは、ハイバンプ（ウエハとの凹凸差が１００μｍ以上、特に２００μｍ以上のバンプ）が設けられたウエハの回路面に上記ハイバンプの裾を埋めつつ樹脂層を設け、この樹脂層の上にテープ基材（例えば既存のＢＧテープ）を貼り合わせる。この際、樹脂層の高さは、ハイバンプの高さよりも厚いことが好ましい。
【００１３】
なお、上記樹脂層は、上記回路面に液状樹脂をスピンコートにより塗布し、その液状樹脂を乾燥せしめて設ける、ことが好ましい。
また、上記樹脂層は、上記回路面に液状樹脂をスキージを使用して塗布し、その液状樹脂を乾燥せしめて設ける、ことがより好ましい。
【００１４】
本発明のウエハ薄化方法の態様の一つは、上記の何れか一つの方法でウエハの回路面（ウエハの表面）を保護し、その後、上記ウエハの裏面を研削する。
なお、上記のウエハの裏面を研削する際は、例えば上記テープ基材を吸着支持するなどしておくことが好ましい。
【００１５】
また、上記の工程後において、上記樹脂層から上記テープ基材を剥がし、その後、上記樹脂層を溶解除去する、ことが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明により、回路面にハイバンプが設けられていたとしても、裏面研削したウエハの品質低下を抑止できる。
また、樹脂を塗ったその上に中間層を介さずに保護テープを貼るだけで良いため、作業が煩雑にならない。そして更に、上記樹脂層を一層で構成できるため、材料を複数種類揃える必要がなく、煩雑にならない。
【００１７】
また、樹脂層をハイバンプの高さよりも厚くできるため、接着層の薄い既存のＢＧテープを上記の保護テープとして転用することも可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
ただし、以下では、回路面にハイバンプが設けられたウエハの例として、図５のウエハ（ウエハからの高さが２００μｍ以上のバンプが形成されている）を引用する。また、以下の説明に使用する図の対応箇所には、同一の番号を付すこととする。
【００１９】
図１は、本発明に係るウエハ回路面の保護方法を工程順（（ａ）〜（ｃ））に示した図である。
各工程（（ａ）、（ｂ）、（ｃ））には、ウエハの状態が側方断面図で示されている。
【００２０】
同図（ａ）は、樹脂を塗布する工程のウエハの状態断面図である。
この工程では、同図（ａ）に示されるようにハイバンプ１００が設けられた回路面を上向きにウエハ１を配置し、その回路面に樹脂を塗布する。
【００２１】
なお、破線は、樹脂を塗布する高さ（つまり樹脂層の厚み）の目安を示している。
樹脂の塗布には、例えばスキージやスピンコートなどを利用する。樹脂を塗布する際には、その樹脂をハイバンプ１００の裾（１００Ａ）までその樹脂が埋め込まれるようにしつつその回路面（１０）全体に塗り広げる。とくに、その樹脂により構成される樹脂層の厚みを上記ハイバンプ１００の高さを超える厚みにすることが好ましい。つまり、同図（ａ）に一例として示した破線の高さまで樹脂を盛りつける。
【００２２】
同図（ｂ）は、上記樹脂層の表面に保護テープを貼り付ける工程のウエハの状態断面図である。
スキージやスピンコートなどにより樹脂が塗布されると、ハイバンプ１００の凹凸の全て又は大部分がその樹脂層２によって吸収される。そして、その樹脂層２の表面２０は平坦又は平坦に近い状態にすることが好ましい。同図（ｂ）では、そのうちの後者（平坦に近い状態）を示している。
【００２３】
この樹脂層２の表面２０全体に例えば既存のＢＧテープなどの保護テープ３を貼り付ける。
例えば、その保護テープ３の接着面３−２を樹脂層２の表面２０に沿って貼り付ける。
【００２４】
同図（ｃ）は、上記の保護テープ３を貼り付けた後のウエハの状態断面図である。
同図（ｃ）に示されるように、ハイバンプ１００による凹凸の大部分が上記樹脂層２によって吸収されている。そして、その残りの凹凸差ｈは保護テープ３の接着層３−２で吸収されている。  
【００２５】
このため、保護テープ３のテープ基材３−１の表面へその凹凸の影響が現れない。
本発明の方法によれば、特に２００μｍ以上のハイバンプ１００に対しても、ハイバンプに追従させて樹脂層２を設けることができるので、凹凸差ｈを吸収できる。また、本発明の方法によれば、上記ハイバンプ１００の高さよりも高く樹脂層２を設けることができるので、保護テープ３における接着層３−２の高さに依存せず、保護テープ３の貼り付けを容易に行うことができる。さらに、上記ハイバンプが球状である場合には、ハイバンプの裾に空間が生じる場合があるが、本発明の方法によれば、この裾にまで樹脂層２を形成することができるため、後の工程におけるウエハへのダメージを抑制することができる。
【００２６】
（実施例１）
本実施例１では、上記の保護方法を利用してハイバンプをもつウエハを薄化する方法を説明する。
【００２７】
図２は、上記のウエハを薄化する方法を工程順（（ａ）から（ｈ））に示した図である。
先ず、ハイバンプ１００のある回路面（表面とする）１−１を上向きにウエハ１を固定して樹脂２を塗布する（図２（ａ））。
【００２８】
その樹脂２の塗布には、例えばスキージやスピンコートなどを使用する。本実施例では、そのうちのスキージを使用した場合について説明する。
なお、上記樹脂２には、例えばアクリル系の樹脂を溶剤（有機溶剤）に溶解したものを用いればよい。前記溶剤としては、アクリル系樹脂を溶解できるものであればよく、アルコール類、エーテル類、エステル類、ケトン類等、公知のものを用いることができる。剥離液がアルコール系または一般溶剤系（PM,HP等）極性溶剤ではない接着剤も多々ある。
【００２９】
また、その樹脂２の粘度は、スキージによりハイバンプ１００の裾が埋まる程度のものを使用し、必要であればその粘度調整のために有機溶剤等で調整すればよい。
図３は、回路面にスキージを使用して樹脂を塗布する工程のウエハの状態斜視図である。
【００３０】
図３（ａ）は、スキージで液状の上記樹脂（液状樹脂）２を均す様子を示した図である。
上記液状樹脂２を上記回路面１−１上に盛り付け、その回路面１−１をスキージ４で走査する（同図においては矢印方向に走査している状態が示されている）。
【００３１】
このスキージ４の走査により、その液状樹脂２はハイバンプ１００の裾まで埋め込みつつ厚い層を形成することができる。
図３（ｂ）は、その樹脂層２の乾燥状態を示した図である。
【００３２】
回路面１−１全体に液状樹脂が塗り広げられてなる樹脂層２は、例えば不図示のベークユニットなどにより乾燥が行われる。このベークユニットにはホットプレートやクールプレートが備えられており、回路面１−１上の液状樹脂２を高速に乾燥せしめ、その流動を抑える。
【００３３】
図４は、本実施例１における回路面の保護方法を図１に対応させて工程順に示した図である。
図４（ａ）は、樹脂を塗布する前の回路面の状態断面図である。
【００３４】
図４（ｂ）は、樹脂を塗布した後の回路面の状態断面図である。
図４（ｃ）は、後述のＢＧテープを貼り付けた後の回路面の状態断面図である。
本実施例１ではスキージを使用したため、図４（ａ）に破線で示されるようにその樹脂の厚みをハイバンプ１００の高さよりも厚く設定できる。このため、図４（ｂ）に示されるようにその樹脂２がハイバンプ１００の凹凸をより良く吸収することができる。図４に示すように、樹脂層の表面を略均一に形成することが好ましい。
【００３５】
念のため一つのデータ結果を挙げると、ハイバンプの高さが２００μｍであった場合に樹脂層を２５０μｍの厚み（ウエハからの最小の高さ）で設けることができた。つまり、樹脂層は、ハイバンプの裾を埋めつつもそのハイバンプの高さよりも厚く設定できた。このとき、ハイバンプ上の樹脂層の厚みは、１５０μｍであり、ハイバンプが形成されている部位におけるウエハから樹脂層までの厚さは３５０μｍであった。つまり、ハイバンプによる凹凸差を１００μｍにまで減らすことができた。この１００μｍの凹凸差は、保護テープの接着層で充分に吸収できる厚みである。このため、その保護テープとして、接着層の厚みの薄い既存のＢＧテープの転用もできる。
【００３６】
なお、スキージの替わりにスピンコートにより樹脂２を塗布しても良い。この場合、例えば回路面１−１の中央に液状樹脂を滴下し、ウエハ１をスピンさせてその液状樹脂２を回路面１−１全体に塗り広げ、それを乾燥させる。
【００３７】
スピンコートにより樹脂２を塗布する場合も、ハイバンプ１００の裾を埋め込みつつ樹脂層２を設けるようにする。そして、ハイバンプ１００の高さよりも厚く樹脂層２を設けることが好ましい。ただし、１度塗りでその厚みに到達しない場合には２度塗りするなどして対処すればよい。これにより、凹凸差（図１（ｂ）中の凹凸差ｈに対応）は保護テープの接着層の厚みで充分に吸収できる高さまで減らすことができる。
【００３８】
ウエハの薄化工程では、続いて、乾燥した樹脂層２の表面に保護テープ３を貼り付ける（図２（ｂ））。この工程では、保護テープ（一般的にはＢＧテープ）３の接着面を樹脂層２の表面に沿って貼り付ける。
【００３９】
なお、研削時の安定性等を考慮すると、その保護テープ３の大きさはウエハ１の回路形成面１−１と同一又はそれよりも大きい方が好ましい。
この工程に対応するウエハの状態断面図は、図４（ｃ）である。
【００４０】
続く工程では、上記ウエハ１を反転して（つまりウエハの裏面１−２が上向きになるようにして）、その裏面１−２を研削／研磨する（図２（ｃ））。
本実施例１では、ウエハ１の裏面１−２に研削ホイール５を当てて該裏面１−２を薄く削る。
【００４１】
図５は、模式的な研削／研磨装置の断面図である。
同図に示されているように、ウエハ１を裏面１−２を上向きにして台５０上に置き、その裏面１−２に研削ホイール５を当てて削る。
【００４２】
本実施例１では、ウエハ１を固定する台５０として、一般的にチャックと呼ばれる吸着台を使用する。
この吸着台５０には、真空引き用の孔（５０−１〜５０−４）が形成されており、その孔を介して上記ウエハのテープ基材３−１をその吸着台５０の上面に真空吸着固定する。
【００４３】
上記研削ホイール５は、回転軸５−１を中心軸にして回転しながらウエハ１の裏面１−２に当接され、その裏面１−２を一様に研削していく。こうして、ウエハ１の厚みを例えば１２５μｍ〜１５０μｍのオーダー、要求に応じては２５μｍ〜５０μｍのオーダーに薄くする。なお、研削時はウエハ１と研削ホイール５の間に摩擦熱が生じるため、ウエハ１の裏面１−２に水を供給するなどしてその熱を抑えるようにする。
【００４４】
ウエハの薄化工程では、続いて、研削／研磨処理により薄化したウエハ１を裏面処理する（図２（ｄ））。
この裏面処理としては、例えば、バックメタライズ加工（図２（ｄ−１））や回路形成処理（図２（ｄ−２））などがあり、これらの工程が不要であれば省くこともできる。
【００４５】
次に、ウエハの裏面１−２側に粘着性を有するダイシングテープ６を貼りつける（図２ｅ）。この貼り付け工程も、不要であれば省いて良い。
次に、ウエハから保護テープ３を剥がし取る（図２（ｆ））。この保護テープ３は、保護テープ３の接着層３−２を介して樹脂層２に貼り付いているだけであるため、テープリムバー等を用いて接着層３−２ごと剥がし取ることもできる。
【００４６】
次に、剥き出しになった樹脂層２を溶解除去する（図２（ｇ））。
この場合、樹脂層に溶剤７（上述した種類の溶剤）を当接させてその樹脂層を溶解し、例えばスピンするなどしてその溶解した液を取り除く。なお、ウエハ１にダイシングテープ６を貼り付けている場合は、そのダイシングテープ６からウエハ１が剥がれないように、その液がそのダイシングテープ６にかからないように注意する。
【００４７】
そして、溶剤により樹脂層が完全に除去された後、ダイシング装置８によってウエハ１をチップサイズに分割する（図２（ｈ））。このように分割された各半導体チップは、ダイシングテープ６に紫外線を照射してその粘着力を低下せしめることで、個々に取り出される。
【００４８】
以上に述べたように、本実施形態により、回路面にハイバンプが設けられていたとしても、裏面研削したウエハの品質低下を抑止できる。
また、樹脂を塗ったその上に中間層を介さずに保護テープを貼るだけで良いため、作業が煩雑にならない。そして更に、上記樹脂層を一層で構成できるため、材料を複数種類揃える必要がなく、煩雑にならない。
【００４９】
また、樹脂層をハイバンプの高さよりも厚くできるため、接着層の薄い既存のＢＧテープを上記の保護テープとして転用することも可能になる。
また、薄化されたウエハの表面にはディンプルが生じないため、そのウエハからは扁平率の高い高精度の半導体チップが数多く抽出できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係るウエハ回路面の保護方法を工程順に示した図である。
【図２】ウエハを薄化する方法を工程順に示した図である。
【図３】回路面に樹脂を塗布する工程のウエハの状態斜視図である。
【図４】実施例１における回路面の保護方法を工程順に示した図である。
【図５】研削／研磨装置の断面図である。
【図６】ハイバンプを回路面に設けた従来のウエハの全体斜視図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  ウエハ
１０  回路
１００  ハイバンプ
１００Ａ  ハイバンプの裾
２  樹脂層
２０  樹脂層の表面
３  保護テープ
３−１  テープ基材
３−２  テープの接着層
ｈ  凹凸差
【図１】
2008098435.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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