(57)【要約】【課題】暗い画像を表示する際の表現能力を高めることができるプラズマディスプレイパネルの駆動方法を提供することを目的とする。【解決手段】複数の列電極と複数の行電極対との各交叉部に画素セルが形成されているプラズマディスプレイパネルに対して、１フィールド表示期間内の先頭のサブフィールドにて行電極対の一方の行電極を陽極側、列電極を陰極側とした電圧を両電極間に印加することにより、点灯モードの状態に設定されている画素セル内の列電極及び一方の行電極間で微小発光放電を生起させる第１発光駆動シーケンス、及び、１フィールド表示期間内の先頭のサブフィールドにおいて点灯モードの状態に設定されている画素セル内の行電極間にてサスティン放電を生起させる第２発光駆動シーケンスの内の一方を、プラズマディスプレイパネル周辺の照度に応じて選択的に実行する。【選択図】図１
2008070538.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電ガスが封入された放電空間を挟んで第１基板及び第２基板が対向配置されており、前記第１基板に形成されている複数の行電極対と前記第２基板に形成されている複数の列電極との各交叉部に画素セルが形成されているプラズマディスプレイパネルを、映像信号に基づく各画素毎の画素データに応じて駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
前記映像信号における１フィールド表示期間を複数のサブフィールドに分割した際の少なくとも先頭のサブフィールド及び当該先頭のサブフィールドの直後の第２番目のサブフィールド各々において、前記行電極対の一方の行電極を陽極側、前記列電極を陰極側とした電圧を前記一方の行電極及び前記列電極間に印加することにより前記画素セル内の前記一方の行電極及び前記列電極間でリセット放電を生起させて当該画素セルを消灯モードの状態に初期化するリセット行程と、前記画素データに応じて選択的に前記画素セルをアドレス放電させることにより前記画素セルを点灯モードの状態に遷移させるアドレス行程と、を順次実行すると共に、前記先頭のサブフィールドの前記アドレス行程の直後には、前記の一方の行電極を陽極側、前記列電極を陰極側とした電圧を前記一方の行電極及び前記列電極間に印加することにより前記点灯モードの状態にある前記画素セル内の前記列電極及び前記一方の行電極間にて微小発光放電を生起させる微小発光行程を実行する第１発光駆動シーケンス、及び、
複数の前記サブフィールド各々の内の少なくとも先頭のサブフィールドにおいて前記画素セルをリセット放電させるリセット行程を実行し、前記サブフィールド各々において前記画素データに応じて選択的に前記画素セルをアドレス放電させることにより前記画素セルを前記点灯モード及び前記消灯モードの内の一方の状態に設定するアドレス行程と、前記点灯モードの状態にある前記画素セル内の前記一方の行電極及び他方の行電極間においてサスティン放電を生起させるサスティン行程と、を順次実行する第２発光駆動シーケンスの内の一方を、
前記プラズマディスプレイパネルの周辺の照度に応じて選択的に実行することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２】
前記照度が所定照度より低い場合には前記第１発光駆動シーケンスを選択して実行する一方、前記照度が前記所定照度よりも高い場合には前記第２発光駆動シーケンスを実行することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項３】
前記微小発光放電は、輝度レベル０よりも１段階だけ高輝度な階調に対応した発光を伴う放電であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項４】
前記第１発光駆動シーケンスにおける前記第２番目のサブフィールドの前記リセット行程では、前記微小発光行程において前記微小発光放電を生起させるべく前記一方の行電極に印加した電位を時間経過に伴って徐々に増加させることにより前記リセット放電を生起させることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項５】
前記微小発光行程において前記微小発光放電を生起させるべく前記一方の行電極に印加する電位の立ち上がり区間での時間経過に伴う変化率が、前記リセット放電を生起させるべく前記一方の行電極に印加する電位の立ち上がり区間での時間経過に伴う変化率よりも高いことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項６】
前記微小発光行程において前記微小発光放電を生起させるべく前記一方の行電極に印加する電位が、前記サスティンパルスのピーク電位よりも低いことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項７】
前記第２基板上において前記列電極を被覆するように形成されている保護層上には前記放電空間内で生起された放電に伴って発光する蛍光体層が設けられており、
前記蛍光体層には二次電子放出材が含まれていることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項８】
前記二次電子放出材は、酸化マグネシウムからなることを特徴とする請求項７記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項９】
前記酸化マグネシウムは、電子線によって励起されて波長域200〜300nm内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含むことを特徴とする請求項８記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１０】
前記酸化マグネシウム結晶体は、気相酸化法によって生成されたものであることを特徴とする請求項９記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１１】
前記酸化マグネシウム結晶体が、230nm〜250nm内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行うことを特徴とする請求項９記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１２】
前記放電空間内において前記二次電子放出材からなる粒子が前記放電ガスに接触していることを特徴とする請求項９記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１３】
前記第２発光駆動シーケンスでは、複数の前記サブフィールド各々の内の前記先頭のサブフィールドのみで、前記の一方の行電極を陽極側、前記列電極を陰極側とした電圧を前記一方の行電極及び前記列電極間に印加することにより前記画素セル内の前記一方の行電極及び前記列電極間でリセット放電させて当該画素セルを前記消灯モードの状態に初期化するリセット行程と、前記画素データに応じて選択的に前記画素セルをアドレス放電させることにより前記画素セルを前記点灯モードの状態に遷移するアドレス行程と、を順次実行することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１４】
放電ガスが封入された放電空間を挟んで第１基板及び第２基板が対向配置されており、前記第１基板に形成されている複数の行電極対と前記第２基板に形成されている複数の列電極との各交叉部に画素セルが形成されているプラズマディスプレイパネルを、映像信号に基づく各画素毎の画素データに応じて駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
前記映像信号における１フィールド表示期間を複数のサブフィールドに分割した際の前記サブフィールド各々の内で輝度重みが最も小なるサブフィールドにおいて、前記画素データに応じて選択的に前記画素セルをアドレス放電させることにより前記画素セルを点灯モード及び消灯モードの内の一方の状態に設定するアドレス行程と、前記列電極を陰極側とした電圧を前記一方の行電極及び前記列電極間に印加することにより前記点灯モードの状態にある前記画素セル内の前記列電極及び前記一方の行電極間にて微小発光放電を生起させる微小発光行程と、を順次実行する第１発光駆動シーケンス、及び、
前記輝度重みが最も小なるサブフィールドにおいて、前記画素データに応じて選択的に前記画素セルをアドレス放電させることにより前記画素セルを点灯モード及び消灯モードの内の一方の状態に設定するアドレス行程と、前記点灯モードの状態にある前記画素セル内の前記一方の行電極及び他方の行電極間においてサスティン放電を生起させるサスティン行程と、を順次実行する第２発光駆動シーケンスの内の一方を、
前記プラズマディスプレイパネルの周辺の照度に応じて選択的に実行することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
プラズマディスプレイパネルの駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、薄型表示装置として、ＡＣ型(交流放電型)のプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）が製品化されてきている。ＰＤＰ内には、２枚の基板、すなわち前面透明基板及び背面基板が所定間隙を介して対向配置されている。表示面としての上記前面透明基板の内面（背面基板と対向する面）には、互いに対をなして夫々画面左右方向に伸長する行電極対の複数が形成されている。更に、かかる前面透明基板の内面には、行電極対の各々を被覆する誘電体層が形成されている。一方、背面基板側には、行電極対と交叉するように画面上下方向に伸長する列電極の複数が形成されている。上記表示面側から見た場合、行電極対と列電極との交叉部に、画素に対応した画素セルが形成されている。
【０００３】
このようなＰＤＰに対して、入力映像信号に対応した中間調の表示輝度を得るべく、サブフィールド法を用いた階調駆動を実施する。
【０００４】
サブフィールド法に基づく階調駆動では、発光を実施すべき回数（又は期間）が夫々に割り当てられている複数のサブフィールド各々にて、１フィールド分の映像信号に対する表示駆動を実施する。各サブフィールドでは、アドレス行程と、サスティン行程とを順次実行する。アドレス行程では、入力映像信号に応じて、選択的に各画素セル内の行電極及び列電極間で選択放電を生起させて所定量の壁電荷を形成（又は消去）させる。サスティン行程では、所定量の壁電荷が形成されている画素セルのみを繰り返し放電させてその放電に伴う発光状態を維持する。更に、少なくとも先頭のサブフィールドにおいて上記アドレス行程に先立ち、リセット行程を実行する。かかるリセット行程では、全ての画素セル内において、対を為す行電極間にリセット放電を生起させることにより全画素セル内に残留する壁電荷の量を初期化する。
【０００５】
ここで、上記リセット放電は比較的強い放電であり、且つ表示すべき画像の内容には何ら関与しないものである為、この放電に伴う発光が画像のコントラストを低下させてしまうという問題があった。
【０００６】
そこで、電子線照射により励起されて波長２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を、行電極対を被覆する誘電体層の表面に付着させることにより、放電遅れ時間を短縮させるようにしたＰＤＰ及びその駆動方法が提案された（例えば特許文献１参照）。かかるＰＤＰによれば、放電後のプライミング効果が比較的長時間継続するようになるので、微弱な放電を安定して生起させることが可能となる。そこで、時間経過に伴い徐々に電圧値がピーク電圧値に到るパルス波形を有するリセットパルスを上記の如きＰＤＰの行電極に印加することにより、互いに隣接する行電極間で微弱なリセット放電を生起させるようにしたのである。この際、リセット放電の微弱化により、その放電に伴う発光輝度が低下するので、画像のコントラストを高めることが可能となる。
【０００７】
しかしながら、このような駆動方法によっても、暗い室内環境において画像を表示する際のいわゆる暗コントラストを十分に高めることができず、且つ暗い画像における輝度変化を滑らかに表現することができないという問題があった。
【特許文献１】特開２００６−５４１６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、暗い環境で画像を表示する際の表現能力を高めることができるプラズマディスプレイパネルの駆動方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１記載によるプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、放電ガスが封入された放電空間を挟んで第１基板及び第２基板が対向配置されており、前記第１基板に形成されている複数の行電極対と前記第２基板に形成されている複数の列電極との各交叉部に画素セルが形成されているプラズマディスプレイパネルを、映像信号に基づく各画素毎の画素データに応じて駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、前記映像信号における１フィールド表示期間を複数のサブフィールドに分割した際の少なくとも先頭のサブフィールド及び当該先頭のサブフィールドの直後の第２番目のサブフィールド各々において、前記行電極対の一方の行電極を陽極側、前記列電極を陰極側とした電圧を前記一方の行電極及び前記列電極間に印加することにより前記画素セル内の前記一方の行電極及び前記列電極間でリセット放電を生起させて当該画素セルを消灯モードの状態に初期化するリセット行程と、前記画素データに応じて選択的に前記画素セルをアドレス放電させることにより前記画素セルを点灯モードの状態に遷移させるアドレス行程と、を順次実行すると共に、前記先頭のサブフィールドの前記アドレス行程の直後には、前記の一方の行電極を陽極側、前記列電極を陰極側とした電圧を前記一方の行電極及び前記列電極間に印加することにより前記点灯モードの状態にある前記画素セル内の前記列電極及び前記一方の行電極間にて微小発光放電を生起させる微小発光行程を実行する第１発光駆動シーケンス、及び、複数の前記サブフィールド各々の内の少なくとも先頭のサブフィールドにおいて前記画素セルをリセット放電させるリセット行程を実行し、前記サブフィールド各々において前記画素データに応じて選択的に前記画素セルをアドレス放電させることにより前記画素セルを前記点灯モード及び前記消灯モードの内の一方の状態に設定するアドレス行程と、前記点灯モードの状態にある前記画素セル内の前記一方の行電極及び他方の行電極間においてサスティン放電を生起させるサスティン行程と、を順次実行する第２発光駆動シーケンスの内の一方を、前記プラズマディスプレイパネルの周辺の照度に応じて選択的に実行する。
【００１０】
又、請求項１４記載によるプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、放電ガスが封入された放電空間を挟んで第１基板及び第２基板が対向配置されており、前記第１基板に形成されている複数の行電極対と前記第２基板に形成されている複数の列電極との各交叉部に画素セルが形成されているプラズマディスプレイパネルを、映像信号に基づく各画素毎の画素データに応じて駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、前記映像信号における１フィールド表示期間を複数のサブフィールドに分割した際の前記サブフィールド各々の内で輝度重みが最も小なるサブフィールドにおいて、前記画素データに応じて選択的に前記画素セルをアドレス放電させることにより前記画素セルを点灯モード及び消灯モードの内の一方の状態に設定するアドレス行程と、前記列電極を陰極側とした電圧を前記一方の行電極及び前記列電極間に印加することにより前記点灯モードの状態にある前記画素セル内の前記列電極及び前記一方の行電極間にて微小発光放電を生起させる微小発光行程と、を順次実行する第１発光駆動シーケンス、及び、前記輝度重みが最も小なるサブフィールドにおいて、前記画素データに応じて選択的に前記画素セルをアドレス放電させることにより前記画素セルを点灯モード及び消灯モードの内の一方の状態に設定するアドレス行程と、前記点灯モードの状態にある前記画素セル内の前記一方の行電極及び他方の行電極間においてサスティン放電を生起させるサスティン行程と、を順次実行する第２発光駆動シーケンスの内の一方を、前記プラズマディスプレイパネルの周辺の照度に応じて選択的に実行する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
複数の列電極と複数の行電極対との各交叉部に画素セルが形成されているプラズマディスプレイパネル周辺の照度に応じて、以下の如き第１発光駆動シーケンス及び第２発光駆動シーケンスの内の一方を選択的に実行することによりプラズマディスプレイパネルを駆動する。
【００１２】
第１発光駆動シーケンスでは、先頭及び第２番目のサブフィールド各々において、先ず、行電極対の一方の行電極を陽極側、列電極を陰極側とした電圧を両電極間に印加することにより画素セル内の一方の行電極及び列電極間でリセット放電を生起させて当該画素セルを消灯モードの状態に初期化する。次に、画素データに応じて選択的に画素セルをアドレス放電させることにより画素セルを点灯モードの状態に遷移させる。この際、第１発光駆動シーケンスでは、先頭のサブフィールドのアドレス放電の後に、一方の行電極を陽極側、列電極を陰極側とした電圧を両電極間に印加することにより点灯モードの状態にある画素セル内の列電極及び一方の行電極間にて微小発光放電を生起させる。
【００１３】
一方、第２発光駆動シーケンスでは、１フィールド表示期間内の各サブフィールドにおいて、画素データに応じて選択的に画素セルをアドレス放電させることにより各画素セルを点灯及び消灯モードの内の一方の状態に設定した後、点灯モードの状態にある画素セル内の行電極間においてサスティン放電を生起させる。
【００１４】
ここで、上記第１発光駆動シーケンスにおいては、輝度重みが最も小なる先頭のサブフィールドで、サスティン放電に代わり、その放電に伴う発光輝度レベルがサスティン放電よりも低い微小発光放電を生起させるようにしている。つまり、第１発光駆動シーケンスに従った駆動を実施すると、第２発光駆動シーケンスに比して低輝度を表す際の階調間の輝度差が小となり、それ故に暗い画像を表現する際の階調表現能力が第２発光駆動シーケンスよりも高くなる。そこで、プラズマディスプレイパネルの周辺が暗い場合、つまり、画像鑑賞者側において暗い画像中の輝度変化に対する認識度が高まる場合には、第２発光駆動シーケンスに代わり、第１発光駆動シーケンスに従った駆動を実施することにより、暗い画像に対する輝度変化を滑らかにした画像を提供する。
【実施例】
【００１５】
図１は、本発明による駆動方法に従ってプラズマディスプレイパネルを駆動するプラズマディスプレイ装置の概略構成を示す図である。
【００１６】
図１に示す如く、かかるプラズマディスプレイ装置は、外光センサ４９、プラズマディスプレイパネルとしてのＰＤＰ５０、Ｘ電極ドライバ５１、Ｙ電極ドライバ５３、アドレスドライバ５５、及び駆動制御回路５６から構成される。
【００１７】
ＰＤＰ５０には、２次元表示画面の縦方向（垂直方向）に夫々伸張して配列された列電極Ｄ１〜Ｄｍ、横方向（水平方向）に夫々伸張して配列された行電極Ｘ１〜Ｘｎ及び行電極Ｙ１〜Ｙｎが形成されている。この際、互いに隣接するもの同士で対を為す行電極対（Ｙ１，Ｘ１）、（Ｙ２，Ｘ２）、（Ｙ３，Ｘ３）、・・・、（Ｙｎ，Ｘｎ）が夫々、ＰＤＰ５０における第１表示ライン〜第ｎ表示ラインを担う。各表示ラインと列電極Ｄ１〜Ｄｍ各々との各交叉部(図１中の一点鎖線にて囲まれた領域)には、画素を担う画素セルＰＣが形成されている。すなわち、ＰＤＰ５０には、第１表示ラインに属する画素セルＰＣ1,1〜ＰＣ1,m、第２表示ラインに属する画素セルＰＣ2,1〜ＰＣ2,m、・・・・、第ｎ表示ラインに属する画素セルＰＣn,1〜ＰＣn,mの各々がマトリクス状に配列されているのである。
【００１８】
図２は、表示面側から眺めたＰＤＰ５０の内部構造を模式的に示す正面図である。尚、図２においては、夫々隣接する３つの列電極Ｄと、互いに隣接する２つの表示ラインとの各交叉部を抜粋して示すものである。又、図３は、図２のＶ−Ｖ線におけるＰＤＰ５０の断面を示す図であり、図４は、図２のＷ−Ｗ線におけるＰＤＰ５０の断面を示す図である。
【００１９】
図２に示すように、各行電極Ｘは、２次元表示画面の水平方向に伸張するバス電極Ｘｂと、かかるバス電極Ｘｂ上の各画素セルＰＣに対応した位置に夫々接触して設けられたＴ字形状の透明電極Ｘａと、から構成される。各行電極Ｙは、２次元表示画面の水平方向に伸張するバス電極Ｙｂと、かかるバス電極Ｙｂ上の各画素セルＰＣに対応した位置に夫々接触して設けられたＴ字形状の透明電極Ｙａと、から構成される。透明電極Ｘａ及びＹａは例えばＩＴＯ等の透明導電膜からなり、バス電極Ｘｂ及びＹｂは例えば金属膜からなる。透明電極Ｘａ及バス電極Ｘｂからなる行電極Ｘ、並びに透明電極Ｙａ及バス電極Ｙｂからなる行電極Ｙは、図３に示す如く、その前面側がＰＤＰ５０の表示面となる前面透明基板１０の背面側に形成されている。この際、各行電極対（Ｘ、Ｙ）における透明電極Ｘａ及びＹａは、互いに対となる相手の行電極側に伸張しており、その幅広部の頂辺同士が所定幅の放電ギャップｇ１を介して互いに対向している。又、前面透明基板１０の背面側には、行電極対（Ｘ、Ｙ）とこの行電極対に隣接する行電極対（Ｘ、Ｙ）との間に、２次元表示画面の水平方向に伸張する黒色または暗色の光吸収層（遮光層）１１が形成されている。さらに、前面透明基板１０の背面側には、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆するように誘電体層１２が形成されている。この誘電体層１２の背面側（行電極対が接触する面とは反対側の面）には、図３に示す如く、光吸収層１１とこの光吸収層１１に隣接するバス電極Ｘｂ及びＹｂとが形成されている領域に対応した部分に、嵩上げ誘電体層１２Ａが形成されている。
【００２０】
誘電体層１２及び嵩上げ誘電体層１２Ａの表面上には、酸化マグネシウム層１３が形成されている。尚、酸化マグネシウム層１３は、電子線の照射によって励起されて波長２００〜３００ｎｍ内、特に、波長２３０〜２５０ｎｍ内にピークを有するＣＬ（カソードルミネッセンス）発光を行う二次電子放出材としての酸化マグネシウム結晶体（以下、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体と称する）を含むものである。このＣＬ発光ＭｇＯ結晶体は、マグネシウムを加熱して発生するマグネシウム蒸気を気相酸化して得られるものであり、例えば立方体の結晶体が互いに嵌り込んだ多重結晶構造、あるいは立方体の単結晶構造を有する。ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体の平均粒径は、２０００オングストローム以上（ＢＥＴ法による測定結果）である。
【００２１】
平均粒径が２０００オングストローム以上の大きな粒径の気相法酸化マグネシウム単結晶体を形成しようとする場合には、マグネシウム蒸気を発生させる際の加熱温度を高くする必要がある。このため、マグネシウムと酸素が反応する火炎の長さが長くなり、この火炎と周囲との温度差が大きくなることによって、粒径の大きい気相法酸化マグネシウム単結晶体ほど、上述した如きＣＬ発光のピーク波長（例えば、２３５ｎｍ付近、２３０〜２５０ｎｍ内）に対応したエネルギー準位を有するものが多く形成されることになる。
【００２２】
また、一般的な気相酸化法に比べ、単位時間当たりに蒸発させるマグネシウムの量を増加させてマグネシウムと酸素との反応領域をより増大させ、より多くの酸素と反応することによって生成された気相法酸化マグネシウム単結晶体は、上述したＣＬ発光のピーク波長に対応したエネルギー準位を有するものとなる。
【００２３】
このようなＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を、スプレー法や静電塗布法等によって、誘電体層１２の表面に付着させることにより酸化マグネシウム層１３が形成されている。尚、誘電体層１２の表面に蒸着又はスパッタ法により薄膜酸化マグネシウム層を形成し、その上にＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を付着させて酸化マグネシウム層１３を形成するようにしても良い。
【００２４】
一方、前面透明基板１０と平行に配置された背面基板１４上には、各行電極対（Ｘ，Ｙ）における透明電極Ｘａ及びＹａに対向する位置において、列電極Ｄの各々が行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向に伸張して形成されている。背面基板１４上には、更に列電極Ｄを被覆する白色の列電極保護層１５が形成されている。この列電極保護層１５上には隔壁１６が形成されている。隔壁１６は、各行電極対（Ｘ，Ｙ）のバス電極Ｘｂ及びＹｂに対応した位置において夫々２次元表示画面の横方向に伸張している横壁１６Ａと、互いに隣接する列電極Ｄ間の各中間位置において２次元表示画面の縦方向に伸張している縦壁１６Ｂとによって梯子形状に形成されている。更に、図２に示す如き梯子形状の隔壁１６がＰＤＰ５０の各表示ライン毎に形成されている。互いに隣接する隔壁１６の間には、図２に示す如き隙間ＳＬが存在する。又、梯子状の隔壁１６により、夫々独立した放電空間Ｓ、透明電極Ｘａ及びＹａを含む画素セルＰＣが区画されている。放電空間Ｓ内には、キセノンガスを含む放電ガスが封入されている。各画素セルＰＣ内における横壁１６Ａの側面、縦壁１６Ｂの側面、及び列電極保護層１５の表面には、これらの面を全て覆うように蛍光体層１７が形成されている。この蛍光体層１７は、実際には、赤色発光を為す蛍光体、緑色発光を為す蛍光体、及び青色発光を為す蛍光体の３種類からなる。
【００２５】
尚、蛍光体層１７内には、例えば図５に示す如き形態にて、二次電子放出材としてのＭｇＯ結晶体（ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含む）が含まれている。この際、少なくとも蛍光体層１７の表面上、すなわち放電空間Ｓと接する面上には、放電ガスと接触するようにＭｇＯ結晶体が蛍光体層１７から露出している。
【００２６】
ここで、各画素セルＰＣの放電空間Ｓと隙間ＳＬとの間は、図３に示す如く酸化マグネシウム層１３が横壁１６Ａに当接されることによって互いに閉じられている。又、図４に示す如く、縦壁１６Ｂは酸化マグネシウム層１３に当接されていないので、その間に隙間ｒが存在する。すなわち、２次元表示画面の横方向において互いに隣接する画素セルＰＣ各々の放電空間Ｓは、この隙間ｒを介して互いに連通しているのである。
【００２７】
外光センサ４９は、プラズマディスプレイ装置外部の照度、すなわち、プラズマディスプレイ装置周辺の明るさを表す照度を検出し、その照度を示す外光照度信号ＬＬを駆動制御回路５６に供給する。
【００２８】
駆動制御回路５６は、先ず、入力映像信号を各画素毎にその全ての輝度レベルを２５６階調にて表現する８ビットの画素データに変換し、この画素データに対して誤差拡散処理及びディザ処理からなる多階調化処理を施す。すなわち、先ず、誤差拡散処理では、上記画素データの上位６ビット分を表示データ、残りの下位２ビット分を誤差データとし、周辺画素各々に対応した画素データにおける誤差データを重み付け加算したものを、上記表示データに反映させることにより６ビットの誤差拡散処理画素データを得る。かかる誤差拡散処理によれば、原画素における下位２ビット分の輝度が周辺画素によって擬似的に表現され、それ故に８ビットよりも少ない６ビット分の表示データにて、上記８ビット分の画素データと同等の輝度階調表現が可能になる。次に、駆動制御回路５６は、この誤差拡散処理によって得られた６ビットの誤差拡散処理画素データに対してディザ処理を施す。ディザ処理では、互いに隣接する複数の画素を１画素単位とし、この１画素単位内の各画素に対応した上記誤差拡散処理画素データに夫々、互いに異なる係数値からなるディザ係数を夫々割り当てて加算することによりディザ加算画素データを得る。かかるディザ係数の加算によれば、上記の如き画素単位で眺めた場合には、ディザ加算画素データの上位４ビット分だけでも８ビットに相当する輝度を表現することが可能となる。そこで、駆動制御回路５６は、上記ディザ加算画素データの上位４ビット分を多階調化画素データＰＤＳとして生成する。
【００２９】
ここで、駆動制御回路５６は、外光センサ４９から供給された外光照度信号ＬＬにて示される照度が所定照度（例えば、３００ルクス）よりも低い場合には、上記多階調化画素データＰＤＳを図６に示す如き第１データ変換テーブルに従って１４ビットの画素駆動データＧＤに変換する。一方、外光照度信号ＬＬにて示される照度が所定照度以上である場合には、駆動制御回路５６は、多階調化画素データＰＤＳを図７に示す如き第２データ変換テーブルに従って１４ビットの画素駆動データＧＤに変換する。
【００３０】
次に、駆動制御回路５６は、かかる画素駆動データＧＤにおける第１〜第１４ビットを夫々サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１４（後述する）の各々に対応させ、そのサブフィールドＳＦに対応したビット桁を画素駆動データビットとして１表示ライン分（ｍ個）ずつアドレスドライバ５５に供給する。
【００３１】
そして、駆動制御回路５６は、外光照度信号ＬＬにて示される照度が所定照度よりも低い場合には図８に示す第１発光駆動シーケンス、高い場合には図９に示す第２発光駆動シーケンスに従ってＰＤＰ５０を駆動させるべき各種制御信号を、Ｘ電極ドライバ５１、Ｙ電極ドライバ５３及びアドレスドライバ５５からなるパネルドライバに供給する。
【００３２】
以下に、上述した如き第１発光駆動シーケンスに基づく駆動、及び第２発光駆動シーケンスに基づく駆動について個別に説明する。
【００３３】
[第１発光駆動シーケンスに基づく駆動]
この際、駆動制御回路５６は、図８に示す如き１フィールド（１フレーム）表示期間内の先頭のサブフィールドＳＦ１では、第１リセット行程Ｒ１、第１選択書込アドレス行程Ｗ１Ｗ及び微小発光行程ＬＬ各々に従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。又、駆動制御回路５６は、かかるサブフィールドＳＦ１に後続するＳＦ２では、第２リセット行程Ｒ２、第２選択書込アドレス行程Ｗ２Ｗ及びサスティン行程Ｉ各々に従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。又、駆動制御回路５６は、サブフィールドＳＦ３〜ＳＦ１４各々では、選択消去アドレス行程ＷＤ及びサスティン行程Ｉ各々に従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。尚、１フィールド表示期間内の最後尾のサブフィールドＳＦ１４に限り、サスティン行程Ｉの実行後、駆動制御回路５６は、消去行程Ｅに従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。
【００３４】
パネルドライバ、すなわち、Ｘ電極ドライバ５１、Ｙ電極ドライバ５３及びアドレスドライバ５５は、駆動制御回路５６から供給された各種制御信号に応じて、図１０に示す如き各種駆動パルスを生成してＰＤＰ５０の列電極Ｄ、行電極Ｘ及びＹに供給する。
【００３５】
尚、図１０においては、図８に示されるサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１４の内のＳＦ１〜ＳＦ３、並びに最後尾のサブフィールドＳＦ１４での動作のみを抜粋して示すものである。
【００３６】
先ず、サブフィールドＳＦ１の第１リセット行程Ｒ１の前半部では、Ｙ電極ドライバ５３が、後述するサスティンパルスに比して時間経過に伴う前縁部での電位推移が緩やかな波形を有する正極性のリセットパルスＲＰ１Ｙ１を全ての行電極Ｙ１〜Ｙｎに印加する。尚、本実施例では、リセットパルスＲＰ１Ｙ１のピーク電位は、サスティンパルスのピーク電位よりも高電位であり且つ後述するリセットパルスＲＰ２Ｙ１のピーク電位よりも低電位であるが、サスティンパルスのピーク電位よりも低電位又は同電位であっても良い。又、この間、アドレスドライバ５５は、列電極Ｄ１〜Ｄｍを接地電位（０ボルト）の状態に設定する。更に、この間、Ｘ電極ドライバ５１は、かかるリセットパルスＲＰ１Ｙ１と同一極性であり、且つ、上記リセットパルスＲＰ１Ｙ１の印加に伴う行電極Ｘ及びＹ間での面放電を防止し得るピーク電位を有するリセットパルスＲＰ１Ｘを全ての行電極Ｘ１〜Ｘｎ各々に印加する。尚、この間、行電極Ｘ及びＹ間で面放電が生じないのであれば、Ｘ電極ドライバ５１は、リセットパルスＲＰ１Ｘを印加する代わりに、全ての行電極Ｘ１〜Ｘｎを接地電位（０ボルト）に設定するようにしても良い。ここで、第１リセット行程Ｒ１の前半部では、上述した如きリセットパルスＲＰ１Ｙ１の印加に応じて、全ての画素セルＰＣ各々内の行電極Ｙ及び列電極Ｄ間において微弱な第１リセット放電が生起される。すなわち、第１リセット行程Ｒ１の前半部では、行電極Ｙが陽極側、列電極Ｄが陰極側となるように両電極間に電圧を印加することにより、行電極Ｙから列電極Ｄに向けて電流が流れる放電（以下、列側陰極放電と称する）を上記第１リセット放電として生起させるのである。かかる第１リセット放電に応じて、全ての画素セルＰＣ内の行電極Ｙ近傍には負極性の壁電荷、列電極Ｄ近傍には正極性の壁電荷が形成される。
【００３７】
次に、サブフィールドＳＦ１の第１リセット行程Ｒ１の後半部では、Ｙ電極ドライバ５３が、時間経過に伴う前縁部での電位推移が緩やかな負極性のリセットパルスＲＰ１Ｙ２を発生し、これを全ての行電極Ｙ１〜Ｙｎに印加する。尚、リセットパルスＲＰ１Ｙ２における負のピーク電位は、後述する負極性の書込走査パルスＳＰＷのピーク電位よりも高い電位、つまり０ボルトに近い電位に設定されている。すなわち、リセットパルスＲＰＹ２のピーク電位を書込走査パルスＳＰＷのピーク電位よりも低くしてしまうと、行電極Ｙ及び列電極Ｄ間において強い放電が生起され、列電極Ｄ近傍に形成されていた壁電荷が大幅に消去されてしまい、第１選択書込アドレス行程Ｗ１Ｗでのアドレス放電が不安定となるからである。この間、Ｘ電極ドライバ５１は、全ての行電極Ｘ１〜Ｘｎを接地電位（０ボルト）に設定する。尚、この間、Ｘ電極ドライバ５１は、後述する第２リセット行程Ｒ２の後半部と同様に正極性のベースパルスＢＰ＋を全ての行電極Ｘ１〜Ｘｎに印加するようにしても良い。リセットパルスＲＰ１Ｙ２のピーク電位は、上記第１リセット放電に応じて行電極Ｘ及びＹ各々の近傍に形成された壁電荷を考慮した上で、行電極Ｘ及びＹ間において確実に上記第２リセット放電を生起させることができる最低の電位である。ここで、第１リセット行程Ｒ１の後半部では、上述した如きリセットパルスＲＰ１Ｙ２の印加に応じて、全ての画素セルＰＣ内の行電極Ｘ及びＹ間において第２リセット放電が生起される。第２リセット放電により、各画素セルＰＣ内の行電極Ｘ及びＹ各々の近傍に形成されていた壁電荷が消去され、全ての画素セルＰＣが消灯モードに初期化される。更に、上記リセットパルスＲＰ１Ｙ２の印加に応じて、全ての画素セルＰＣ内の行電極Ｙ及び列電極Ｄ間においても微弱な放電が生起される。この微弱な放電により、列電極Ｄ近傍に形成されていた正極性の壁電荷の一部が消去され、後述する第１選択書込アドレス行程Ｗ１Ｗにおいて正しく選択書込アドレス放電を生起させ得る量に調整される。
【００３８】
次に、サブフィールドＳＦ１の第１選択書込アドレス行程Ｗ１Ｗでは、Ｙ電極ドライバ５３が、図１０に示す如き負極性の所定ベース電位を有するベースパルスＢＰ−を行電極Ｙ１〜Ｙｎに同時に印加しつつ、負極性のピーク電位を有する書込走査パルスＳＰＷを行電極Ｙ１〜Ｙｎ各々に順次択一的に印加して行く。この間、アドレスドライバ５５は、先ず、サブフィールドＳＦ１に対応した画素駆動データビットをその論理レベルに応じたパルス電圧を有する画素データパルスＤＰに変換する。例えば、アドレスドライバ５５は、画素セルＰＣを点灯モードに設定させるべき論理レベル１の画素駆動データビットが供給された場合にはこれを正極性のピーク電位を有する画素データパルスＤＰに変換する。一方、画素セルＰＣを消灯モードに設定させるべき論理レベル０の画素駆動データビットに対してはこれを低電圧(０ボルト)の画素データパルスＤＰに変換する。そして、アドレスドライバ５５は、かかる画素データパルスＤＰを１表示ライン分(ｍ個)ずつ、各書込走査パルスＳＰＷの印加タイミングに同期して列電極Ｄ１〜Ｄｍに印加して行く。この際、上記書込走査パルスＳＰＷと同時に、点灯モードに設定させるべき高電圧の画素データパルスＤＰが印加された画素セルＰＣ内の列電極Ｄ及び行電極Ｙ間に選択書込アドレス放電が生起される。尚、この間、行電極Ｘ及びＹ間にも書込走査パルスＳＰＷに応じた電圧が印加されることになるが、この段階では全ての画素セルＰＣは消灯モード、つまり壁電荷が消去された状態にあるので、かかる書込走査パルスＳＰＷの印加だけでは行電極Ｘ及びＹ間には放電が生じない。従って、サブフィールドＳＦ１の第１選択書込アドレス行程Ｗ１Ｗでは、書込走査パルスＳＰＷ及び高電圧の画素データパルスＤＰの印加に応じて、画素セルＰＣ内の列電極Ｄ及び行電極Ｙ間のみに選択書込アドレス放電が生起される。これにより、画素セルＰＣ内の行電極Ｘ近傍には壁電荷が存在していないものの、行電極Ｙ近傍には正極性の壁電荷、列電極Ｄ近傍には負極性の壁電荷が夫々形成された点灯モードの状態に設定される。一方、上記書込走査パルスＳＰＷと同時に、消灯モードに設定させるべき低電圧（０ボルト）の画素データパルスＤＰが印加された画素セルＰＣ内の列電極Ｄ及び行電極Ｙ間には上述した如き選択書込アドレス放電は生起されない。よって、この画素セルＰＣは、第１リセット行程Ｒ１において初期化された消灯モードの状態、つまり、行電極Ｙ及び列電極Ｄ間、並びに行電極Ｘ及びＹ間のいずれにおいても放電が生じない状態を維持する。
【００３９】
次に、サブフィールドＳＦ１の微小発光行程ＬＬでは、Ｙ電極ドライバ５３が、図１０に示す如き正極性の所定のピーク電位を有する微小発光パルスＬＰを行電極Ｙ１〜Ｙｎに同時に印加する。かかる微小発光パルスＬＰの印加に応じて、点灯モードに設定されている画素セルＰＣ内の列電極Ｄ及び行電極Ｙ間において放電（以下、微小発光放電と称する）が生起される。つまり、微小発光行程ＬＬでは、画素セルＰＣ内の行電極Ｙ及び列電極Ｄ間では放電が生起されるものの、行電極Ｘ及びＹ間には放電が生起させることのない電位を行電極Ｙに印加することにより、点灯モードに設定されている画素セルＰＣ内の列電極Ｄ及び行電極Ｙ間のみで微小発光放電を生起させるのである。この際、微小発光パルスＬＰのピーク電位は、後述するサブフィールドＳＦ２以降のサスティン行程Ｉにて印加するサスティンパルスＩＰのピーク電位よりも低い電位であり、例えば、後述する選択消去アドレス行程ＷＤにおいて行電極Ｙに印加されるベース電位と同一である。又、図１０に示す如く、微小発光パルスＬＰにおける電位の立ち上がり区間での時間経過に伴う変化率は、リセットパルス（ＲＰ１Ｙ１，ＲＰ２Ｙ１）における立ち上がり区間での変化率よりも高くしている。つまり、微小発光パルスＬＰの前縁部における電位推移をリセットパルスの前縁部における電位推移よりも急峻にすることにより、第１リセット行程Ｒ１及び第２リセット行程Ｒ２で生起される第１リセット放電よりも強い放電を生起させるのである。ここで、かかる放電は、前述した如き列側陰極放電であり且つ、サスティンパルスＩＰよりもそのパルス電圧が低い微小発光パルスＬＰによって生起された放電である為、行電極Ｘ及びＹ間で生起されるサスティン放電（後述する）よりもその放電に伴う発光輝度が低い。すなわち、微小発光行程ＬＬでは、第１リセット放電よりも高い輝度レベルの発光を伴う放電であるものの、サスティン放電よりもその放電に伴う輝度レベルが低い放電、つまり表示用に利用できる程度の微小な発光を伴う放電を、微小発光放電として生起させるのである。この際、微小発光行程ＬＬの直前において実施される第１選択書込アドレス行程Ｗ１ｗでは、画素セルＰＣ内の列電極Ｄ及び行電極Ｙ間で選択書込アドレス放電が生起される。よって、サブフィールドＳＦ１では、かかる選択書込アドレス放電に伴う発光と上記微小発光放電に伴う発光とによって、輝度レベル０よりも１段階だけ高輝度な階調に対応した輝度が表現されるのである。
【００４０】
尚、上記微小発光放電後、行電極Ｙ近傍には負極性の壁電荷、列電極Ｄ近傍には正極性の壁電荷が夫々形成される。
【００４１】
次に、サブフィールドＳＦ２の第２リセット行程Ｒ２の前半部では、Ｙ電極ドライバ５３が、後述するサスティンパルスに比して時間経過に伴う前縁部での電位推移が緩やかな波形を有する正極性のリセットパルスＲＰ２Ｙ１を全ての行電極Ｙ１〜Ｙｎに印加する。尚、リセットパルスＲＰ２Ｙ１のピーク電位は、上記リセットパルスＲＰ１Ｙ１のピーク電位よりも高い。又、この間、アドレスドライバ５５は、列電極Ｄ１〜Ｄｍを接地電位（０ボルト）の状態に設定し、Ｘ電極ドライバ５１は、上記リセットパルスＲＰ２Ｙ１の印加に伴う行電極Ｘ及びＹ間での面放電を防止し得るピーク電位を有する正極性のリセットパルスＲＰ２Ｘを全ての行電極Ｘ１〜Ｘｎ各々に印加する。尚、行電極Ｘ及びＹ間で面放電が生じないのであれば、Ｘ電極ドライバ５１は、上記リセットパルスＲＰ２Ｘを印加する代わりに、全ての行電極Ｘ１〜Ｘｎを接地電位（０ボルト）に設定するようにしても良い。上記リセットパルスＲＰ２Ｙ１の印加に応じて、画素セルＰＣ各々の内で上記微小発光行程ＬＬにて列側陰極放電が生起されなかった画素セルＰＣ内の行電極Ｙ及び列電極Ｄ間において、かかる微小発光行程ＬＬでの列側陰極放電よりも弱い第１リセット放電が生起される。すなわち、第２リセット行程Ｒ２の前半部では、行電極Ｙが陽極側、列電極Ｄが陰極側となるように両電極間に電圧を印加することにより、行電極Ｙから列電極Ｄに向けて電流が流れる列側陰極放電を上記第１リセット放電として生起させるのである。一方、上記微小発光行程ＬＬにおいて既に微小発光放電が生起された画素セルＰＣ内では、上記リセットパルスＲＰ２Ｙ１の印加が為されても放電は生起されない。従って、第２リセット行程Ｒ２の前半部の終了直後、全ての画素セルＰＣ内の行電極Ｙ近傍には負極性の壁電荷、列電極Ｄ近傍には正極性の壁電荷が形成された状態となる。
【００４２】
次に、サブフィールドＳＦ２の第２リセット行程Ｒ２の後半部では、Ｙ電極ドライバ５３が、時間経過に伴う前縁部での電位推移が緩やかな負極性のリセットパルスＲＰ２Ｙ２を行電極Ｙ１〜Ｙｎに印加する。更に、第２リセット行程Ｒ２の後半部では、Ｘ電極ドライバ５１が、正極性の所定のベース電位を有するベースパルスＢＰ＋を行電極Ｘ１〜Ｘｎ各々に印加する。この際、これら負極性のリセットパルスＲＰ２Ｙ２及び正極性のベースパルスＢＰ＋の印加に応じて、全ての画素セルＰＣ内の行電極Ｘ及びＹ間において第２リセット放電が生起される。尚、リセットパルスＲＰ２Ｙ２及びベースパルスＢＰ＋各々のピーク電位は、上記第１リセット放電によって行電極Ｘ及びＹ各々の近傍に形成された壁電荷を考慮した上で、行電極Ｘ及びＹ間において確実に上記第２リセット放電を生起させることができる最低の電位である。又、リセットパルスＲＰ２Ｙ２における負のピーク電位は、負極性の書込走査パルスＳＰＷのピーク電位よりも高い電位、つまり０ボルトに近い電位に設定されている。すなわち、リセットパルスＲＰ２Ｙ２のピーク電位を書込走査パルスＳＰＷのピーク電位よりも低くしてしまうと、行電極Ｙ及び列電極Ｄ間において強い放電が生起され、列電極Ｄ近傍に形成されていた壁電荷が大幅に消去されてしまい、第２選択書込アドレス行程Ｗ２Ｗでのアドレス放電が不安定となるからである。ここで、第２リセット行程Ｒ２の後半部において生起された第２リセット放電により、各画素セルＰＣ内の行電極Ｘ及びＹ各々の近傍に形成されていた壁電荷が消去され、全ての画素セルＰＣが消灯モードに初期化される。更に、上記リセットパルスＲＰ２Ｙ２の印加に応じて、全ての画素セルＰＣ内の行電極Ｙ及び列電極Ｄ間においても微弱な放電が生起され、かかる放電により、列電極Ｄ近傍に形成されていた正極性の壁電荷の一部が消去され、第２選択書込アドレス行程Ｗ２Ｗにおいて正しく選択書込アドレス放電を生起させ得る量に調整される。
【００４３】
次に、サブフィールドＳＦ２の第２選択書込アドレス行程Ｗ２Ｗでは、Ｙ電極ドライバ５３が、図１０に示す如き負極性の所定ベース電位を有するベースパルスＢＰ−を行電極Ｙ１〜Ｙｎに同時に印加しつつ、負極性のピーク電位を有する書込走査パルスＳＰＷを行電極Ｙ１〜Ｙｎ各々に順次択一的に印加して行く。Ｘ電極ドライバ５１は、第２リセット行程Ｒ２の後半部で行電極Ｘ１〜Ｘｎに印加したベースパルスＢＰ＋をこの第２選択書込アドレス行程Ｗ２Ｗにおいても引き続き行電極Ｘ１〜Ｘｎ各々に印加する。尚、上記ベースパルスＢＰ−及びベースパルスＢＰ＋各々の電位は、書込走査パルスＳＰＷの非印加期間中における行電極Ｘ及びＹ間の電圧が画素セルＰＣの放電開始電圧よりも低くなるような電位に設定されている。更に、第２選択書込アドレス行程Ｗ２Ｗでは、アドレスドライバ５５が、先ず、サブフィールドＳＦ２に対応した画素駆動データビットをその論理レベルに応じたパルス電圧を有する画素データパルスＤＰに変換する。例えば、アドレスドライバ５５は、画素セルＰＣを点灯モードに設定させるべき論理レベル１の画素駆動データビットが供給された場合にはこれを正極性のピーク電位を有する画素データパルスＤＰに変換する。一方、画素セルＰＣを消灯モードに設定させるべき論理レベル０の画素駆動データビットに対してはこれを低電圧(０ボルト)の画素データパルスＤＰに変換する。そして、アドレスドライバ５５は、かかる画素データパルスＤＰを１表示ライン分(ｍ個)ずつ、各書込走査パルスＳＰＷの印加タイミングに同期して列電極Ｄ１〜Ｄｍに印加して行く。この際、上記書込走査パルスＳＰＷと同時に、点灯モードに設定させるべき高電圧の画素データパルスＤＰが印加された画素セルＰＣ内の列電極Ｄ及び行電極Ｙ間には選択書込アドレス放電が生起される。更に、かかる選択書込アドレス放電の直後、この画素セルＰＣ内の行電極Ｘ及びＹ間にも微弱な放電が生起される。つまり、書込走査パルスＳＰＷが印加された後、行電極Ｘ及びＹ間にはベースパルスＢＰ−及びベースパルスＢＰ＋に応じた電圧が印加されるが、この電圧は各画素セルＰＣの放電開始電圧よりも低い電圧に設定されている為、かかる電圧の印加だけでは画素セルＰＣ内で放電が生起されることはない。ところが、上記選択書込アドレス放電が生起されると、この選択書込アドレス放電に誘発されて、ベースパルスＢＰ−及びベースパルスＢＰ＋に基づく電圧印加だけで行電極Ｘ及びＹ間に放電が生起されるのである。このような放電は、ベースパルスＢＰ＋が行電極Ｘに印加されない第１選択書込アドレス行程Ｗ１Ｗでは生起されない。かかる放電並びに上記選択書込アドレス放電により、この画素セルＰＣは、その行電極Ｙ近傍に正極性の壁電荷、行電極Ｘ近傍に負極性の壁電荷、列電極Ｄ近傍に負極性の壁電荷が夫々形成された状態、すなわち、点灯モードに設定される。一方、上記書込走査パルスＳＰＷと同時に、消灯モードに設定させるべき低電圧（０ボルト）の画素データパルスＤＰが印加された画素セルＰＣ内の列電極Ｄ及び行電極Ｙ間には上述した如き選択書込アドレス放電は生起されず、それ故に行電極Ｘ及びＹ間でも放電が生じることはない。よって、この画素セルＰＣは、その直��までの状態、すなわち、第２リセット行程Ｒ２において初期化された消灯モードの状態を維持する。
【００４４】
次に、サブフィールドＳＦ２のサスティン行程Ｉでは、Ｙ電極ドライバ５３が、正極性のピーク電位を有するサスティンパルスＩＰを１パルス分だけ発生しこれを行電極Ｙ１〜Ｙｎ各々に同時に印加する。この間、Ｘ電極ドライバ５１は、行電極Ｘ１〜Ｘｎを接地電位（０ボルト）の状態に設定し、アドレスドライバ５５は、列電極Ｄ１〜Ｄｍを接地電位（０ボルト）の状態に設定する。上記サスティンパルスＩＰの印加に応じて、上述した如き点灯モードに設定されている画素セルＰＣ内の行電極Ｘ及びＹ間においてサスティン放電が生起される。かかるサスティン放電に伴って蛍光体層１７から照射される光が前面透明基板１０を介して外部に照射されることにより、このサブフィールドＳＦ１の輝度重みに対応した１回分の表示発光が為される。又、かかるサスティンパルスＩＰの印加に応じて、点灯モードに設定されている画素セルＰＣ内の行電極Ｙ及び列電極Ｄ間においても放電が生起される。かかる放電並びに上記サスティン放電により、画素セルＰＣ内の行電極Ｙ近傍には負極性の壁電荷、行電極Ｘ及び列電極Ｄ各々の近傍には夫々正極性の壁電荷が形成される。そして、かかるサスティンパルスＩＰの印加後、Ｙ電極ドライバ５３は、図１０に示す如く時間経過に伴う前縁部での電位推移が緩やかな負極性のピーク電位を有する壁電荷調整パルスＣＰを行電極Ｙ１〜Ｙｎに印加する。かかる壁電荷調整パルスＣＰの印加に応じて、上記の如きサスティン放電の生起された画素セルＰＣ内で微弱な消去放電が生起され、その内部に形成されていた壁電荷の一部が消去される。これにより、画素セルＰＣ内の壁電荷の量が、次の選択消去アドレス行程ＷＤにおいて正しく選択消去アドレス放電を生起させ得る量に調整される。
【００４５】
次に、サブフィールドＳＦ３〜ＳＦ１４各々の選択消去アドレス行程ＷOでは、Ｙ電極ドライバ５３が、正極性の所定ベース電位を有するベースパルスＢＰ＋を行電極Ｙ１〜Ｙｎ各々に印加しつつ、図１０に示す如き負極性のピーク電位を有する消去走査パルスＳＰＤを行電極Ｙ１〜Ｙｎ各々に順次択一的に印加して行く。尚、ベースパルスＢＰ＋のピーク電位は、この選択消去アドレス行程ＷOの実行期間中に亘り、行電極Ｘ及びＹ間での誤った放電を防止し得る電位に設定されている。又、選択消去アドレス行程ＷOの実行期間中に亘り、Ｘ電極ドライバ５１は、行電極Ｘ１〜Ｘｎ各々を接地電位（０ボルト）に設定する。又、この選択消去アドレス行程ＷＤにおいて、アドレスドライバ５５は、先ず、そのサブフィールドＳＦに対応した画素駆動データビットをその論理レベルに応じたパルス電圧を有する画素データパルスＤＰに変換する。例えば、アドレスドライバ５５は、画素セルＰＣを点灯モードから消灯モードに遷移させるべき論理レベル１の画素駆動データビットが供給された場合にはこれを正極性のピーク電位を有する画素データパルスＤＰに変換する。一方、画素セルＰＣの現状態を維持させるべき論理レベル０の画素駆動データビットが供給された場合にはこれを低電圧(０ボルト)の画素データパルスＤＰに変換する。そして、アドレスドライバ５５は、かかる画素データパルスＤＰを１表示ライン分(ｍ個)ずつ、各消去走査パルスＳＰＤの印加タイミングに同期して列電極Ｄ１〜Ｄｍに印加して行く。この際、上記消去走査パルスＳＰＤと同時に、高電圧の画素データパルスＤＰが印加された画素セルＰＣ内の列電極Ｄ及び行電極Ｙ間に選択消去アドレス放電が生起される。かかる選択消去アドレス放電により、この画素セルＰＣは、その行電極Ｙ及びＸ各々の近傍に正極性の壁電荷、列電極Ｄ近傍に負極性の壁電荷が夫々形成された状態、すなわち、消灯モードに設定される。一方、上記消去走査パルスＳＰＤと同時に、低電圧（０ボルト）の画素データパルスＤＰが印加された画素セルＰＣ内の列電極Ｄ及び行電極Ｙ間には上述した如き選択消去アドレス放電は生起されない。よって、この画素セルＰＣは、その直前までの状態（点灯モード、消灯モード）を維持する。
【００４６】
次に、サブフィールドＳＦ３〜ＳＦ１４各々のサスティン行程Ｉでは、Ｘ電極ドライバ５１及びＹ電極ドライバ５３が、図１０に示す如く、行電極Ｘ及びＹ交互に、そのサブフィールドの輝度重みに対応した回数（偶数回数）分だけ繰り返し、正極性のピーク電位を有するサスティンパルスＩＰを行電極Ｘ１〜Ｘｎ及びＹ１〜Ｙｎ各々に印加する。かかるサスティンパルスＩＰが印加される度に、点灯モードに設定されている画素セルＰＣ内の行電極Ｘ及びＹ間においてサスティン放電が生起される。かかるサスティン放電に伴って蛍光体層１７から照射される光が前面透明基板１０を介して外部に照射されることにより、そのサブフィールドＳＦの輝度重みに対応した回数分の表示発光が為される。この際、サブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１４各々のサスティン行程Ｉにおいて最終に印加されるサスティンパルスＩＰに応じてサスティン放電が生起された画素セルＰＣ内の行電極Ｙ近傍には負極性の壁電荷、行電極Ｘ及び列電極Ｄ各々の近傍には正極性の壁電荷が形成される。そして、かかる最終サスティンパルスＩＰの印加後、Ｙ電極ドライバ５３は、図１０に示す如く時間経過に伴う前縁部での電位推移が緩やかな負極性のピーク電位を有する壁電荷調整パルスＣＰを行電極Ｙ１〜Ｙｎに印加する。かかる壁電荷調整パルスＣＰの印加に応じて、上記の如きサスティン放電の生起された画素セルＰＣ内で微弱な消去放電が生起され、その内部に形成されていた壁電荷の一部が消去される。これにより、画素セルＰＣ内の壁電荷の量が、次の選択消去アドレス行程ＷＤにおいて正しく選択消去アドレス放電を生起させ得る量に調整される。
【００４７】
そして、最終のサブフィールドＳＦ１４のサスティン行程Ｉの終了後、Ｙ電極ドライバ５３は、負極性のピーク電位を有する消去パルスＥＰを全ての行電極Ｙ１〜Ｙｎに印加する。かかる消去パルスＥＰの印加に応じて、点灯モード状態にある画素セルＰＣのみに消去放電が生起される。この消去放電によって点灯モード状態にあった画素セルＰＣは消灯モードの状態に遷移する。
【００４８】
以上の如き駆動を、図６に示す如き、夫々異なる輝度を表現する第１〜第１６階調各々に対応した１６通りの画素駆動データＧＤに基づいて実行する。
【００４９】
先ず、黒表示（輝度レベル０）を表現する第１階調よりも１段階だけ高輝度を表す第２階調では、図６に示す如く、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１４の内のＳＦ１のみで画素セルＰＣを点灯モードに設定させる為の選択書込アドレス放電を生起させ、この点灯モードに設定された画素セルＰＣを微小発光放電させる（□にて示す）。この際、これら選択書込アドレス放電及び微小発光放電に伴う発光時の輝度レベルは、１回分のサスティン放電に伴う発光時の輝度レベルよりも低い。よって、サスティン放電によって視覚される輝度レベルを「１」とした場合、第２階調では、輝度レベル「１」よりも低い輝度レベル「α」に対応した輝度が表現される。
【００５０】
次に、かかる第２階調よりも１段階だけ高輝度を表す第３階調では、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１４の内のＳＦ２のみで画素セルＰＣを点灯モードに設定させる為の選択書込アドレス放電を生起させ（二重丸にて示す）、次のサブフィールドＳＦ３で画素セルＰＣを消灯モードに遷移させる為の選択消去アドレス放電を生起させる（黒丸にて示す）。よって、第３階調では、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１４の内のＳＦ２のサスティン行程Ｉのみで１回分のサスティン放電に伴う発光が為され、輝度レベル「１」に対応した輝度が表現される。 
【００５１】
次に、かかる第３階調よりも１段階だけ高輝度を表す第４階調では、先ず、サブフィールドＳＦ１において、画素セルＰＣを点灯モードに設定させる為の選択書込アドレス放電を生起させ、この点灯モードに設定された画素セルＰＣを微小発光放電させる（□にて示す）。更に、かかる第４階調では、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１４の内のＳＦ２のみで画素セルＰＣを点灯モードに設定させる為の選択書込アドレス放電を生起させ（二重丸にて示す）、次のサブフィールドＳＦ３で画素セルＰＣを消灯モードに遷移させる為の選択消去アドレス放電を生起させる（黒丸にて示す）。よって、第４階調では、サブフィールドＳＦ１にて輝度レベル「α」の発光が為され、ＳＦ２にて輝度レベル「１」の発光を伴うサスティン放電が１回分だけ実施されるので、輝度レベル「α」＋「１」に対応した輝度が表現される。
【００５２】
又、第５階調〜第１６階調各々では、サブフィールドＳＦ１において画素セルＰＣを点灯モードに設定させる選択書込アドレス放電を生起させ、この点灯モードに設定された画素セルＰＣを微小発光放電させる（□にて示す）。そして、その階調に対応した１のサブフィールドのみで画素セルＰＣを消灯モードに遷移させる為の選択消去アドレス放電を生起させる（黒丸にて示す）。よって、第５階調〜第１６階調各々では、サブフィールドＳＦ１にて上記微小発光放電が生起され、ＳＦ２にて１回分のサスティン放電を生起された後、その階調に対応した数だけ連続したサブフィールド各々（白丸にて示す）でそのサブフィールドに割り当てられている回数分だけサスティン放電が生起される。これにより、第５階調〜第１６階調各々では、輝度レベル「α」＋「１フィールド（又は１フレーム）表示期間内において生起されたサスティン放電の総数」に対応した輝度が視覚される。
【００５３】
すなわち、上述した如き第１発光駆動シーケンスに基づく駆動によれば、輝度レベル「０」〜「２５５＋α」なる輝度範囲を図６に示す如き１６段階にて表すことが可能となるのである。かかる駆動によれば、１フィールド表示期間内においてその発光パターン（点灯状態、消灯状態）が互いに反転している領域が１画面内に混在することは無いので、このような状態で生じる疑似輪郭が防止される。
【００５４】
又、第１発光駆動シーケンスに基づく駆動では、サブフィールドＳＦ１の第１リセット行程Ｒ１及びＳＦ２の第２リセット行程Ｒ２各々において、列電極Ｄを陰極側、行電極Ｙを陽極側とした電圧を両電極間に印加することにより、行電極Ｙから列電極Ｄに向けて電流が流れる列側陰極放電を第１リセット放電として生起させている。よって、かかる第１リセット放電時には、放電ガス内の陽イオンが列電極Ｄへ向かう際に、図５に示す如き蛍光体層１７内に含まれている二次電子放出材料としてのＭｇＯ結晶体に衝突して、このＭｇＯ結晶体から二次電子を放出させる。特に、図１に示されるプラズマディスプレイ装置のＰＤＰ５０では、ＭｇＯ結晶体を図５に示す如く放電空間に露出させることにより、陽イオンとの衝突の確率を高め、二次電子を効率よく放電空間に放出させるようにしている。すると、かかる二次電子によるプライミング作用により画素セルＰＣの放電開始電圧が低くなるので、比較的弱いリセット放電を生起させることが可能となる。よって、リセット放電の微弱化によりその放電に伴う発光輝度が低下するので、暗い環境で画像を表示する際のコントラスト、いわゆる暗コントラストを向上させた表示が可能となる。
【００５５】
更に、第１発光駆動シーケンスに基づく駆動では、図３に示す如き前面透明基板１０側に形成されている行電極Ｙ、及び背面基板１４側に形成されている列電極Ｄ間で第１リセット放電を生起させている。よって、共に前面透明基板１０側に形成されている行電極Ｘ及びＹ間でリセット放電を生起させる場合に比して、前面透明基板１０側から外部に放出される放電光が少なくなるので、更なる暗コントラストの向上を図ることができる。
【００５６】
又、第１発光駆動シーケンスに基づく駆動では、先頭のサブフィールドＳＦ１において、全画素セルＰＣを消灯モード状態に初期化すべきリセット放電を生起させた後、この消灯モード状態にある画素セルＰＣを点灯モード状態に遷移させるべき選択書込アドレス放電を生起させる。そして、ＳＦ２に後続するサブフィールドＳＦ３〜ＳＦ１４各々の内の１のサブフィールドにおいて、点灯モード状態にある画素セルＰＣを消灯モード状態に遷移させるべき選択消去アドレス放電を生起させるという選択消去アドレス法を採用した駆動を実施するようにしている。よって、図６に示す如き第１階調に従った駆動によって黒表示（輝度レベル０）を行うと、１フィールド表示期間を通して生起される放電は、先頭サブフィールドＳＦ１でのリセット放電だけとなる。従って、サブフィールドＳＦ１で全画素セルＰＣを点灯モード状態に初期化するリセット放電を生起させてからこれを消灯モード状態に遷移させる選択消去アドレス放電を生起させる駆動を採用した場合に比して、１フィールド表示期間を通して生起される放電回数が少なくなるので、暗コントラストを向上させることができる。
【００５７】
又、第１発光駆動シーケンスに基づく駆動においては、最も輝度重みが小なるサブフィールドＳＦ１では、表示画像に直接関与する放電として、サスティン放電ではなく微小発光放電を生起させるようにしている。この際、微小発光放電は列電極Ｄ及び行電極Ｙ間で生起される放電である為、行電極Ｘ及びＹ間で生起されるサスティン放電に比べて、その放電に伴う発光時の輝度レベルが低い。よって、かかる微小発光放電によって黒表示（輝度レベル０）よりも１段階だけ高輝度を表す（第２階調）場合には、サスティン放電によってこれを表す場合に比して輝度レベル０との輝度差が小となる。従って、低輝度画像を表現する際の階調表現能力が高まる。又、第２階調においては、サブフィールドＳＦ１に後続するＳＦ２の第２リセット行程Ｒ２ではリセット放電が生起されないので、このリセット放電に伴う暗コントラストの低下が抑制される。
【００５８】
又、第１発光駆動シーケンスに基づく駆動では、サブフィールドＳＦ１の第１リセット行程Ｒ１で第１リセット放電を生起させるべく行電極Ｙに印加するリセットパルスＲＰ１Ｙ１のピーク電位を、ＳＦ２の第２リセット行程Ｒ２で第１リセット放電を生起させるべく行電極Ｙに印加するリセットパルスＲＰ２Ｙ１のピーク電位よりも低くしている。これによりサブフィールドＳＦ１の第１リセット行程Ｒ１において、全画素セルＰＣを一斉にリセット放電させた際の発光を弱めて、暗コントラストの低下を抑制させている。
【００５９】
更に、第１発光駆動シーケンスに基づく駆動では、輝度重みが第２番目に小なるサブフィールドＳＦ２のサスティン行程Ｉでは、サスティン放電を１回だけ生起させることにより、低輝度画像を表現する際の階調表現能力が高めている。尚、サブフィールドＳＦ２のサスティン行程Ｉでは、サスティン放電を生起させるべく印加されるサスティンパルスＩＰが１回だけなので、この１回分のサスティンパルスＩＰに応じて生起されたサスティン放電の終息後、行電極Ｙ近傍には負極性の壁電荷、列電極Ｄ近傍には正極性の壁電荷が夫々形成された状態となる。これにより、次のサブフィールドＳＦ３の選択消去アドレス行程ＷＤでは、列電極Ｄ及び行電極Ｙ間において列電極Ｄを陽極側とした放電（以降、列側陽極放電と称する）を選択消去アドレス放電として生起させることが可能となる。一方、後続するサブフィールドＳＦ３〜ＳＦ１４各々のサスティン行程Ｉでは、サスティンパルスＩＰの印加回数を偶数としている。よって、各サスティン行程Ｉの終了直後は、行電極Ｙ近傍に負極性の壁電荷、列電極Ｄ近傍には正極性の壁電荷が形成された状態となるので、各サスティン行程Ｉに引き続き実施される選択消去アドレス行程ＷＤでは、列側陽極放電が可能となる。従って、列電極Ｄに対しては正極性のパルスが印加されるだけとなり、アドレスドライバ５５の高コスト化が抑制される。
【００６０】
[第２発光駆動シーケンスに基づく駆動]
この際、駆動制御回路５６は、図９に示す如き１フィールド（１フレーム）表示期間内の先頭のサブフィールドＳＦ１では、リセット行程Ｒ、選択書込アドレス行程ＷＷ及びサスティン行程Ｉ各々に従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。又、サブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１４各々では、選択消去アドレス行程ＷＤ及びサスティン行程Ｉ各々に従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。尚、１フィールド表示期間内の最後尾のサブフィールドＳＦ１４に限り、サスティン行程Ｉの実行後、駆動制御回路５６は、消去行程Ｅに従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。
【００６１】
パネルドライバ、すなわち、Ｘ電極ドライバ５１、Ｙ電極ドライバ５３及びアドレスドライバ５５は、駆動制御回路５６から供給された各種制御信号に応じて、図１１に示す如き各種駆動パルスを生成してＰＤＰ５０の列電極Ｄ、行電極Ｘ及びＹに供給する。
【００６２】
尚、図１１においては、図９に示されるサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１４の内の、先頭のサブフィールドＳＦ１と、それに続くサブフィールドＳＦ２、並びに最後尾のサブフィールドＳＦ１４での動作のみを抜粋して示すものである。
【００６３】
先ず、サブフィールドＳＦ１のリセット行程Ｒの前半部では、Ｙ電極ドライバ５３が、後述するサスティンパルスに比して時間経過に伴う前縁部での電位推移が緩やかな波形を有する正極性のリセットパルスＲＰＹ１を全ての行電極Ｙ１〜Ｙｎに印加する。尚、リセットパルスＲＰＹ１のピーク電位は、上記サスティンパルスのピーク電位よりも高電位である。又、この間、アドレスドライバ５５は、列電極Ｄ１〜Ｄｍを接地電位（０ボルト）の状態に設定する。上記リセットパルスＲＰＹ１の印加に応じて、全ての画素セルＰＣ各々内の行電極Ｙ及び列電極Ｄ間において第１リセット放電が生起される。すなわち、リセット行程Ｒの前半部では、行電極Ｙが陽極側、列電極Ｄが陰極側となるように両電極間に電圧を印加することにより、行電極Ｙから列電極Ｄに向けて電流が流れる放電、つまり列側陰極放電を上記第１リセット放電として生起させるのである。かかる第１リセット放電に応じて、全ての画素セルＰＣ内の行電極Ｙ近傍には負極性の壁電荷、列電極Ｄ近傍には正極性の壁電荷が形成される。
【００６４】
又、リセット行程Ｒの前半部では、Ｘ電極ドライバ５１が、かかるリセットパルスＲＰＹ１と同一極性であり、且つ、上記リセットパルスＲＰＹ１の印加に伴う行電極Ｘ及びＹ間での面放電を防止し得るピーク電位を有するリセットパルスＲＰＸを全ての行電極Ｘ１〜Ｘｎ各々に印加する。
【００６５】
次に、サブフィールドＳＦ１のリセット行程Ｒの後半部では、Ｙ電極ドライバ５３が、時間経過に伴う前縁部での電位推移が緩やかな負極性のリセットパルスＲＰＹ２を発生し、これを全ての行電極Ｙ１〜Ｙｎに印加する。更に、リセット行程Ｒの後半部では、Ｘ電極ドライバ５１が、正極性の所定のベース電位を有するベースパルスＢＰ＋を全ての行電極Ｘ１〜Ｘｎ各々に印加する。この際、これら負極性のリセットパルスＲＰＹ２及び正極性のベースパルスＢＰ＋の印加に応じて、全ての画素セルＰＣ内の行電極Ｘ及びＹ間において第２リセット放電が生起される。尚、リセットパルスＲＰＹ２及びベースパルスＢＰ＋各々のピーク電位は、上記第１リセット放電に応じて行電極Ｘ及びＹ各々の近傍に形成された壁電荷を考慮した上で、行電極Ｘ及びＹ間において確実に上記第２リセット放電を生起させることができる最低の電位である。又、リセットパルスＲＰＹ２における負のピーク電位は、後述する負極性の書込走査パルスＳＰＷのピーク電位よりも高い電位、つまり０ボルトに近い電位に設定されている。すなわち、リセットパルスＲＰＹ２のピーク電位を書込走査パルスＳＰＷのピーク電位よりも低くしてしまうと、行電極Ｙ及び列電極Ｄ間において強い放電が生起され、列電極Ｄ近傍に形成されていた壁電荷が大幅に消去されてしまい、選択書込アドレス行程ＷＷでのアドレス放電が不安定となるからである。リセット行程Ｒの後半部において生起された第２リセット放電により、各画素セルＰＣ内の行電極Ｘ及びＹ各々の近傍に形成されていた壁電荷が消去され、全ての画素セルＰＣが消灯モードに初期化される。更に、上記リセットパルスＲＰＹ２の印加に応じて、全ての画素セルＰＣ内の行電極Ｙ及び列電極Ｄ間においても微弱な放電が生起され、かかる放電により、列電極Ｄ近傍に形成されていた正極性の壁電荷の一部が消去され、後述する選択書込アドレス行程ＷＷにおいて正しく選択書込アドレス放電を生起させ得る量に調整される。
【００６６】
次に、サブフィールドＳＦ１の選択書込アドレス行程ＷＷでは、Ｙ電極ドライバ５３が、図１１に示す如き負極性の所定ベース電位を有するベースパルスＢＰ−を行電極Ｙ１〜Ｙｎに同時に印加しつつ、負極性のピーク電位を有する書込走査パルスＳＰＷを行電極Ｙ１〜Ｙｎ各々に順次択一的に印加して行く。Ｘ電極ドライバ５１は、リセット行程Ｒの後半部で行電極Ｘ１〜Ｘｎに印加したベースパルスＢＰ＋をこの選択書込アドレス行程ＷＷにおいても引き続き行電極Ｘ１〜Ｘｎ各々に印加する。尚、上記ベースパルスＢＰ−及びベースパルスＢＰ＋各々の電位は、書込走査パルスＳＰＷの非印加期間中における行電極Ｘ及びＹ間の電圧が画素セルＰＣの放電開始電圧よりも低くなるような電位に設定されている。
【００６７】
更に、この選択書込アドレス行程ＷＷでは、アドレスドライバ５５が、先ず、サブフィールドＳＦ１に対応した画素駆動データビットをその論理レベルに応じたパルス電圧を有する画素データパルスＤＰに変換する。例えば、アドレスドライバ５５は、画素セルＰＣを点灯モードに設定させるべき論理レベル１の画素駆動データビットが供給された場合にはこれを正極性のピーク電位を有する画素データパルスＤＰに変換する。一方、画素セルＰＣを消灯モードに設定させるべき論理レベル０の画素駆動データビットに対してはこれを低電圧(０ボルト)の画素データパルスＤＰに変換する。そして、アドレスドライバ５５は、かかる画素データパルスＤＰを１表示ライン分(ｍ個)ずつ、各書込走査パルスＳＰＷの印加タイミングに同期して列電極Ｄ１〜Ｄｍに印加して行く。この際、上記書込走査パルスＳＰＷと同時に、点灯モードに設定させるべき高電圧の画素データパルスＤＰが印加された画素セルＰＣ内の列電極Ｄ及び行電極Ｙ間には選択書込アドレス放電が生起される。更に、かかる選択書込アドレス放電の直後、この画素セルＰＣ内の行電極Ｘ及びＹ間にも微弱な放電が生起される。つまり、書込走査パルスＳＰＷが印加された後、行電極Ｘ及びＹ間にはベースパルスＢＰ−及びベースパルスＢＰ＋に応じた電圧が印加されるが、この電圧は各画素セルＰＣの放電開始電圧よりも低い電圧に設定されている為、かかる電圧の印加だけでは画素セルＰＣ内で放電が生起されることはない。ところが、上記選択書込アドレス放電が生起されると、この選択書込アドレス放電に誘発されて、ベースパルスＢＰ−及びベースパルスＢＰ＋に基づく電圧印加だけで、行電極Ｘ及びＹ間に放電が生起されるのである。かかる放電並びに上記選択書込アドレス放電により、この画素セルＰＣは、その行電極Ｙ近傍に正極性の壁電荷、行電極Ｘ近傍に負極性の壁電荷、列電極Ｄ近傍に負極性の壁電荷が夫々形成された状態、すなわち、点灯モードに設定される。一方、上記書込走査パルスＳＰＷと同時に、消灯モードに設定させるべき低電圧（０ボルト）の画素データパルスＤＰが印加された画素セルＰＣ内の列電極Ｄ及び行電極Ｙ間には上述した如き選択書込アドレス放電は生起されず、それ故に行電極Ｘ及びＹ間にでの放電も生じることはない。よって、この画素セルＰＣは、その直前までの状態、すなわち、リセット行程Ｒにおいて初期化された消灯モードの状態を維持する。
【００６８】
次に、サブフィールドＳＦ１のサスティン行程Ｉでは、Ｙ電極ドライバ５３が、正極性のピーク電位を有するサスティンパルスＩＰを１パルス分だけ発生しこれを行電極Ｙ１〜Ｙｎ各々に同時に印加する。この間、Ｘ電極ドライバ５１は、行電極Ｘ１〜Ｘｎを接地電位（０ボルト）の状態に設定し、アドレスドライバ５５は、列電極Ｄ１〜Ｄｍを接地電位（０ボルト）の状態に設定する。上記サスティンパルスＩＰの印加に応じて、上述した如き点灯モードに設定されている画素セルＰＣ内の行電極Ｘ及びＹ間においてサスティン放電が生起される。かかるサスティン放電に伴って蛍光体層１７から照射される光が前面透明基板１０を介して外部に照射されることにより、このサブフィールドＳＦ１の輝度重みに対応した１回分の表示発光が為される。又、かかるサスティンパルスＩＰの印加に応じて、点灯モードに設定されている画素セルＰＣ内の行電極Ｙ及び列電極Ｄ間においても放電が生起される。かかる放電並びに上記サスティン放電により、画素セルＰＣ内の行電極Ｙ近傍には負極性の壁電荷、行電極Ｘ及び列電極Ｄ各々の近傍には夫々正極性の壁電荷が形成される。そして、かかるサスティンパルスＩＰの印加後、Ｙ電極ドライバ５３は、図１１に示す如く時間経過に伴う前縁部での電位推移が緩やかな負極性のピーク電位を有する壁電荷調整パルスＣＰを行電極Ｙ１〜Ｙｎに印加する。かかる壁電荷調整パルスＣＰの印加に応じて、上記の如きサスティン放電の生起された画素セルＰＣ内で微弱な消去放電が生起され、その内部に形成されていた壁電荷の一部が消去される。これにより、画素セルＰＣ内の壁電荷の量が、次の選択消去アドレス行程ＷＤにおいて正しく選択消去アドレス放電を生起させ得る量に調整される。
【００６９】
次に、サブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１４各々の選択消去アドレス行程ＷOでは、Ｙ電極ドライバ５３が、正極性の所定ベース電位を有するベースパルスＢＰ＋を行電極Ｙ１〜Ｙｎ各々に印加しつつ、図１１に示す如き負極性のピーク電位を有する消去走査パルスＳＰＤを行電極Ｙ１〜Ｙｎ各々に順次択一的に印加して行く。尚、ベースパルスＢＰ＋のピーク電位は、この選択消去アドレス行程ＷOの実行期間中に亘り、行電極Ｘ及びＹ間での誤った放電を防止し得る電位に設定されている。又、選択消去アドレス行程ＷOの実行期間中に亘り、Ｘ電極ドライバ５１は、行電極Ｘ１〜Ｘｎ各々を接地電位（０ボルト）に設定する。又、この選択消去アドレス行程ＷＤにおいて、アドレスドライバ５５は、先ず、そのサブフィールドＳＦに対応した画素駆動データビットをその論理レベルに応じたパルス電圧を有する画素データパルスＤＰに変換する。例えば、アドレスドライバ５５は、画素セルＰＣを点灯モードから消灯モードに遷移させるべき論理レベル１の画素駆動データビットが供給された場合にはこれを正極性のピーク電位を有する画素データパルスＤＰに変換する。一方、画素セルＰＣの現状態を維持させるべき論理レベル０の画素駆動データビットが供給された場合にはこれを低電圧(０ボルト)の画素データパルスＤＰに変換する。そして、アドレスドライバ５５は、かかる画素データパルスＤＰを１表示ライン分(ｍ個)ずつ、各消去走査パルスＳＰＤの印加タイミングに同期して列電極Ｄ１〜Ｄｍに印加して行く。この際、上記消去走査パルスＳＰＤと同時に、高電圧の画素データパルスＤＰが印加された画素セルＰＣ内の列電極Ｄ及び行電極Ｙ間に選択消去アドレス放電が生起される。かかる選択消去アドレス放電により、この画素セルＰＣは、その行電極Ｙ及びＸ各々の近傍に正極性の壁電荷、列電極Ｄ近傍に負極性の壁電荷が夫々形成された状態、すなわち、消灯モードに設定される。一方、上記消去走査パルスＳＰＤと同時に、低電圧（０ボルト）の画素データパルスＤＰが印加された画素セルＰＣ内の列電極Ｄ及び行電極Ｙ間には上述した如き選択消去アドレス放電は生起されない。よって、この画素セルＰＣは、その直前までの状態（点灯モード、消灯モード）を維持する。
【００７０】
次に、サブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１４各々のサスティン行程Ｉでは、Ｘ電極ドライバ５１及びＹ電極ドライバ５３が、図１１に示す如く、行電極Ｘ及びＹ交互に、そのサブフィールドの輝度重みに対応した回数（偶数回数）分だけ繰り返し、正極性のピーク電位を有するサスティンパルスＩＰを行電極Ｘ１〜Ｘｎ及びＹ１〜Ｙｎ各々に印加する。かかるサスティンパルスＩＰが印加される度に、点灯モードに設定されている画素セルＰＣ内の行電極Ｘ及びＹ間においてサスティン放電が生起される。かかるサスティン放電に伴って蛍光体層１７から照射される光が前面透明基板１０を介して外部に照射されることにより、そのサブフィールドＳＦの輝度重みに対応した回数分の表示発光が為される。この際、サブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１４各々のサスティン行程Ｉにおいて最終に印加されるサスティンパルスＩＰに応じてサスティン放電が生起された画素セルＰＣ内の行電極Ｙ近傍には負極性の壁電荷、行電極Ｘ及び列電極Ｄ各々の近傍には正極性の壁電荷が形成される。そして、かかる最終サスティンパルスＩＰの印加後、Ｙ電極ドライバ５３は、図１１に示す如く時間経過に伴う前縁部での電位推移が緩やかな負極性のピーク電位を有する壁電荷調整パルスＣＰを行電極Ｙ１〜Ｙｎに印加する。かかる壁電荷調整パルスＣＰの印加に応じて、上記の如きサスティン放電の生起された画素セルＰＣ内で微弱な消去放電が生起され、その内部に形成されていた壁電荷の一部が消去される。これにより、画素セルＰＣ内の壁電荷の量が、次の選択消去アドレス行程ＷＤにおいて正しく選択消去アドレス放電を生起させ得る量に調整される。
【００７１】
そして、最終のサブフィールドＳＦ１４の最後尾において、Ｙ電極ドライバ５３は、負極性のピーク電位を有する消去パルスＥＰを全ての行電極Ｙ１〜Ｙｎに印加する。かかる消去パルスＥＰの印加に応じて、点灯モード状態にある画素セルＰＣのみに消去放電が生起される。かかる消去放電によって点灯モード状態にあった画素セルＰＣは消灯モードの状態に遷移する。
【００７２】
以上の如き駆動を、図７に示す如き、夫々異なる輝度を表現する第１〜第１５階調各々に対応した１５通りの画素駆動データＧＤに基づいて実行する。かかる駆動によると、図７に示すように、輝度レベル０を表現する場合（第１階調）を除き、先ず、先頭のサブフィールドＳＦ１において各画素セルＰＣ内で書込アドレス放電が生起され（二重丸にて示す）、この画素セルＰＣは点灯モードに設定される。その後、サブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１４各々の内の１のサブフィールドの選択消去アドレス行程ＷOのみで選択消去アドレス放電が生起され（黒丸にて示す）、その後、画素セルＰＣは消灯モードに設定される。つまり、各画素セルＰＣは、表現すべき中間輝度に対応した分だけ連続したサブフィールド各々で点灯モードに設定され、これらサブフィールドの各々に割り当てられている回数分だけサスティン放電に伴う発光を繰り返し生起する（白丸にて示す）。この際、１フィールド（又は１フレーム）表示期間内において生起されたサスティン放電の総数に対応した輝度が視覚される。
【００７３】
すなわち、上述した如き第２発光駆動シーケンスに基づく駆動によれば、輝度レベル「０」〜「２５５」なる輝度範囲が図７に示す如き１５段階にて表されるのである。この際、かかる駆動によれば、１フィールド表示期間内において、その発光パターン（点灯状態、消灯状態）が互いに反転する領域が１画面内に混在することは無いので、このような状態で生じる疑似輪郭が防止される。
【００７４】
尚、この第２発光駆動シーケンスに基づく駆動では、先頭のサブフィールドＳＦ１のリセット行程Ｒにて列電極Ｄを陰極側、行電極Ｙを陽極側とした電圧を両電極間に印加することにより、行電極Ｙから列電極Ｄに向けて電流が流れる列側陰極放電を第１リセット放電として生起させるようにしている。よって、かかる第１リセット放電時には、放電ガス内の陽イオンが列電極Ｄへ向かう際に、図５に示す如き蛍光体層１７内に含まれている二次電子放出材料としてのＭｇＯ結晶体に衝突して、このＭｇＯ結晶体から二次電子を放出させる。特に、ＰＤＰ５０では、ＭｇＯ結晶体を図５に示す如く放電空間に露出させることにより、陽イオンとの衝突の確率を高め、二次電子を効率よく放電空間に放出させるようにしている。すると、かかる二次電子によるプライミング作用により画素セルＰＣの放電開始電圧が低くなるので、比較的弱いリセット放電を生起させることが可能となる。よって、リセット放電の微弱化によりその放電に伴う発光輝度が低下するので、暗コントラストを向上させた表示が可能となる。
【００７５】
又、第２発光駆動シーケンスに基づく駆動では、図３に示す如き前面透明基板１０側に形成されている行電極Ｙ、及び背面基板１４側に形成されている列電極Ｄ間で第１リセット放電を生起させている。よって、共に前面透明基板１０側に形成されている行電極Ｘ及びＹ間でリセット放電を生起させる場合に比して、前面透明基板１０側から外部に放出される放電光が少なくなるので、更なる暗コントラストの向上を図ることができる。
【００７６】
又、第２発光駆動シーケンスに基づく駆動では、先ず、先頭のサブフィールドＳＦ１において、全画素セルＰＣを消灯モード状態に初期化すべきリセット放電を生起させたた後、この消灯モード状態にある画素セルＰＣを点灯モード状態に遷移させるべき選択書込アドレス放電を生起させる。そして、ＳＦ１に後続するサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１４各々の内の１のサブフィールドにおいて、点灯モード状態にある画素セルＰＣを消灯モード状態に遷移させるべき選択消去アドレス放電を生起させるという選択消去アドレス法を採用した駆動を実施するようにしている。よって、かかる駆動によって黒表示（輝度レベル０）を行うと、１フィールド表示期間を通して生起される放電は、先頭サブフィールドＳＦ１でのリセット放電だけとなる。つまり、先頭のサブフィールドＳＦ１で全画素セルＰＣを点灯モード状態に初期化するリセット放電を生起させてから、これを消灯モード状態に遷移させるべき選択消去アドレス放電を生起させる駆動を実施する場合に比して、１フィールド表示期間を通して生起される放電回数が少なくなる。従って、第２発光駆動シーケンスに基づく駆動によれば、暗い環境で画像を表示する際のコントラスト、いわゆる暗コントラストを向上させることができる。
【００７７】
又、第２発光駆動シーケンスに基づく駆動においては、輝度重みが最も小なるサブフィールドＳＦ１のサスティン行程Ｉでは、サスティン放電を１回だけ生起させるようにして、低輝度を表現する低階調時の表示再現性を高めている。更に、サブフィールドＳＦ１のサスティン行程Ｉでは、サスティン放電を生起させるべく印加されるサスティンパルスＩＰが１回だけである。よって、この１回分のサスティンパルスＩＰに応じて生起されたサスティン放電の終息後、行電極Ｙ近傍には負極性の壁電荷、列電極Ｄ近傍には正極性の壁電荷が夫々形成された状態となる。これにより、次のサブフィールドＳＦ２の選択消去アドレス行程ＷＤでは、列電極Ｄ及び行電極Ｙ間において列電極Ｄを陽極側とした列側陽極放電を選択消去アドレス放電として生起させることが可能となる。一方、後続するサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１４各々のサスティン行程Ｉでは、サスティンパルスＩＰの印加回数を偶数としている。よって、各サスティン行程Ｉの終了直後は、行電極Ｙ近傍に負極性の壁電荷、列電極Ｄ近傍には正極性の壁電荷が形成された状態となるので、各サスティン行程Ｉに引き続き実施される選択消去アドレス行程ＷＤでは、列側陽極放電が可能となる。従って、列電極Ｄに対しては正極性のパルスが印加されるだけとなり、アドレスドライバ５５の高コスト化を防げる。
【００７８】
以上の如く、図１に示されるプラズマディスプレイ装置に搭載されているＰＤＰ５０では、各画素セルＰＣ内の前面透明基板１０側に形成されている酸化マグネシウム層１３、及び背面基板１４側に形成されている蛍光体層１７の各々内に、二次電子放出材料としてのＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含ませるようにしている。そして、かかるＰＤＰ５０に対して、上述した如き第１又は第２発光駆動シーケンスに基づく駆動を実施する。この際、第１又は第２発光駆動シーケンスに基づく駆動では、行電極を陽極側、列電極を陰極側とした電圧を両電極間に印加することにより、全画素セルの状態（点灯モード，消灯モード）を初期化するリセット放電を各画素セル内の列電極及び行電極間で生起させるようにしている。
【００７９】
以下に、かかる構成を採用したことによる作用効果について図１２及び図１３を参照しつつ詳細に説明する。
【００８０】
尚、図１２は、上述した如き酸化マグネシウム層１３及び蛍光体層１７各々の内の酸化マグネシウム層１３のみにＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含ませた、いわゆる従来のＰＤＰに図１０（又は図１１）に示す如きリセットパルスＲＰ１Ｙ１（又はＲＰＹ１）を印加した際に生起される列側陰極放電における放電強度の推移を表す図である。
【００８１】
一方、図１３は、酸化マグネシウム層１３及び蛍光体層１７の双方にＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含ませた、本発明によるＰＤＰ５０に対して、かかるリセットパルスＲＰ１Ｙ１（又はＲＰＹ１）を印加した際に生起される列側陰極放電における放電強度の推移を表す図である。
【００８２】
図１２に示されるように、従来のＰＤＰによると、リセットパルスＲＰ１Ｙ１（又はＲＰＹ１）の印加に応じて比較的強い列側陰極放電が１［ｍｓ］以上に亘って継続してしまうが、本発明によるＰＤＰ５０によると、図１３に示す如く列側陰極放電が約0.04［ｍｓ］以内に終息する。すなわち、従来のＰＤＰに比して列側陰極放電における放電遅れ時間を大幅に短縮できるのである。従って、図１０の如き、立ち上がり区間での電位推移が緩やかな波形を有するリセットパルスＲＰ１Ｙ１を行電極Ｙに印加することにより各画素セルＰＣ内の列電極及び行電極間においてリセット放電を生起させると、このリセットパルスＲＰ１Ｙ１の電位がピーク電位に到る前にその放電が終息する。よって、行電極及び列電極間に印加される電圧が低い段階で放電が終息することになるので、図１３に示す如く、その放電強度も図１２の場合よりも大幅に低下するのである。これにより、放電強度が極めて弱いリセット放電が生起されるようになるので、画像のコントラスト、特に暗い画像を表示する際の暗コントラストを高めることが可能となる。
【００８３】
更に、本発明においては、プラズマディスプレイ装置周辺の照度が所定照度（例えば３００ルクス）より低い場合には第１発光駆動シーケンスに基づく駆動（図６，図８，図１０）を実施する一方、高い場合には第２発光駆動シーケンスに基づく駆動（図７，図９，図１１）を実施するようにしている。ここで、第１発光駆動シーケンスでは、最小の輝度重みが割り当てられているサブフィールドＳＦ１において、サスティン行程Ｉに代わり微小発光行程ＬＬを実施する。この際、微小発光行程ＬＬにおいて生起される微小発光放電は、列電極Ｄ及び行電極Ｙ間で生起されるものであるので、サスティン行程Ｉにおいて行電極Ｘ及びＹ間で生起されるサスティン放電に比して、その放電に伴う発光輝度レベルが低い。よって、第１発光駆動シーケンスに基づく駆動によって黒表示（輝度レベル０）よりも１段階だけ高輝度を表す（第２階調）場合、１フィールド表示期間を通して微小発光放電（□にて示す）のみが為される。従って、第１発光駆動シーケンスによれば、かかる第２階調での輝度レベルをサスティン放電によって表す場合に比べて、第１階調（輝度レベル０）及び第２階調間の輝度差が小となるので、画像中の低輝度部分での輝度変化を滑らかに表現することが可能となる。
【００８４】
要するに、暗がりの中で表示画像の鑑賞を行うと、その画像中の低輝度な部分での輝度変化に対して人間の視覚上における認識能力が高まるので、このような場合、第１及び第２発光駆動シーケンスの内で低輝度に対する階調表現能力が高い方、つまり第１発光駆動シーケンスに従ってＰＤＰ５０を駆動するのである。
【００８５】
一方、比較的明るい環境下で表示画像の鑑賞を行う場合には、上記第１発光駆動シーケンスを実施した場合に比して高輝度に対応した階調間での輝度差が小となる第２発光駆動シーケンスに従ってＰＤＰ５０を駆動する。例えば、第１発光駆動シーケンスに基づく駆動によると、図６に示す如く、最大輝度を表す第１６階調と、それよりも１段階だけ低輝度を表す第１５階調との輝度差が「４６」となる。一方、第２発光駆動シーケンスに基づく駆動によると、図７に示す如く、最大輝度を表す第１５階調と、それよりも１段階だけ低輝度を表す第１５階調との輝度差は「４０」となり、第１発光駆動シーケンスに比べて高輝度に対応した階調間での輝度差が小である。すなわち、明るい環境下で表示画像の鑑賞を行う場合には、その画像中の高輝度な部分での輝度変化に対して人間の視覚上における認識能力が高まるので、この際、高輝度に対する階調表現能力が高い第２発光駆動シーケンスに基づく駆動を実施するのである。
【００８６】
以上の如く、本発明に基づく駆動方法によれば、前述した如きリセット放電の微弱化によって暗コントラストの向上が図られると共に、暗い画像に対する輝度変化を滑らかに表現することが可能になる。
【００８７】
又、上記第１発光駆動シーケンスでは、図８に示す如き選択消去アドレス法を採用してＰＤＰ５０を駆動するものであるが、図１４に示す如き選択書込アドレス法を採用してＰＤＰ５０を駆動するものであっても良い。
【００８８】
この際、駆動制御回路５６は、図１４に示す如き１フィールド（フレーム）表示期間の先頭のサブフィールドＳＦ１において、第１リセット行程Ｒ１、第１選択書込アドレス行程Ｗ１Ｗ、及び微小発光行程ＬＬ各々に従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。又、駆動制御回路５６は、サブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１４各々において、第２選択書込アドレス行程Ｗ２Ｗ、サスティン行程Ｉ及び消去行程Ｅ各々に従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。又、駆動制御回路５６は、サブフィールドＳＦ２において、第２選択書込アドレス行程Ｗ２Ｗに先立ち、第２リセット行程Ｒ２に従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。
【００８９】
パネルドライバ、すなわち、Ｘ電極ドライバ５１、Ｙ電極ドライバ５３及びアドレスドライバ５５は、駆動制御回路５６から供給された各種制御信号に応じて、図１５に示す如き各種駆動パルスを生成してＰＤＰ５０の列電極Ｄ、行電極Ｘ及びＹに供給する。
【００９０】
尚、図１５においては、図１４に示されるサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１４の内の、先頭のサブフィールドＳＦ１と、それに続くサブフィールドＳＦ２、並びに最後尾のサブフィールドＳＦ１４での動作のみを抜粋して示すものである。又、図１５において、サブフィールドＳＦ１の第１リセット行程Ｒ１及び第１選択書込アドレス行程Ｗ１Ｗ及び微小発光行程ＬＬ各々での動作、並びにＳＦ２の第２リセット行程Ｒ２での動作は図１０に示されるものと同一であるのでその説明は省略する。
【００９１】
先ず、サブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１４各々の第２選択書込アドレス行程Ｗ２Ｗでは、Ｙ電極ドライバ５３が、負極性の所定ベース電位を有するベースパルスＢＰ−を行電極Ｙ１〜Ｙｎに同時に印加しつつ、負極性のピーク電位を有する書込走査パルスＳＰＷを行電極Ｙ１〜Ｙｎ各々に順次択一的に印加して行く。この間、Ｘ電極ドライバ５１は、正極性の所定ベース電位を有するベースパルスＢＰ＋を行電極Ｘ１〜Ｘｎ各々に印加する。尚、上記ベースパルスＢＰ−及びベースパルスＢＰ＋各々の電位は、書込走査パルスＳＰＷの非印加期間中における行電極Ｘ及びＹ間の電圧が画素セルＰＣの放電開始電圧よりも低くなるような電位に設定されている。更に、第２選択書込アドレス行程Ｗ２Ｗでは、アドレスドライバ５５が、先ず、各サブフィールド（ＳＦ２〜ＳＦ１４）に対応した画素駆動データビットをその論理レベルに応じたパルス電圧を有する画素データパルスＤＰに変換する。例えば、アドレスドライバ５５は、画素セルＰＣを点灯モードに設定させるべき論理レベル１の画素駆動データビットが供給された場合にはこれを正極性のピーク電位を有する画素データパルスＤＰに変換する。一方、画素セルＰＣを消灯モードに設定させるべき論理レベル０の画素駆動データビットに対してはこれを低電圧(０ボルト)の画素データパルスＤＰに変換する。そして、アドレスドライバ５５は、かかる画素データパルスＤＰを１表示ライン分(ｍ個)ずつ、各書込走査パルスＳＰＷの印加タイミングに同期して列電極Ｄ１〜Ｄｍに印加して行く。この際、上記書込走査パルスＳＰＷと同時に、点灯モードに設定させるべき高電圧の画素データパルスＤＰが印加された画素セルＰＣ内の列電極Ｄ及び行電極Ｙ間には選択書込アドレス放電が生起される。更に、かかる選択書込アドレス放電の直後、この画素セルＰＣ内の行電極Ｘ及びＹ間にも微弱な放電が生起される。つまり、書込走査パルスＳＰＷが印加された後、行電極Ｘ及びＹ間にはベースパルスＢＰ−及びベースパルスＢＰ＋に応じた電圧が印加されるが、この電圧は各画素セルＰＣの放電開始電圧よりも低い電圧に設定されている為、かかる電圧の印加だけでは画素セルＰＣ内で放電が生起されることはない。ところが、上記選択書込アドレス放電が生起されると、この選択書込アドレス放電に誘発されて、ベースパルスＢＰ−及びベースパルスＢＰ＋に基づく電圧印加だけで行電極Ｘ及びＹ間に放電が生起されるのである。このような放電は、ベースパルスＢＰ＋が行電極Ｘに印加されない第１選択書込アドレス行程Ｗ１Ｗでは生起されない。かかる放電並びに上記選択書込アドレス放電により、この画素セルＰＣは、その行電極Ｙ近傍に正極性の壁電荷、行電極Ｘ近傍に負極性の壁電荷、列電極Ｄ近傍に負極性の壁電荷が夫々形成された状態、すなわち、点灯モードに設定される。一方、上記書込走査パルスＳＰＷと同時に、消灯モードに設定させるべき低電圧（０ボルト）の画素データパルスＤＰが印加された画素セルＰＣ内の列電極Ｄ及び行電極Ｙ間には上述した如き選択書込アドレス放電は生起されず、それ故に行電極Ｘ及びＹ間でも放電が生じることはない。よって、この画素セルＰＣは、その直前までの状態（消灯モード、点灯モード）を維持する。
【００９２】
次に、サブフィールドＳＦ２のサスティン行程Ｉでは、Ｙ電極ドライバ５３が、正極性のピーク電位を有するサスティンパルスＩＰを１パルス分だけ発生しこれを行電極Ｙ１〜Ｙｎ各々に同時に印加する。この間、Ｘ電極ドライバ５１は、行電極Ｘ１〜Ｘｎを接地電位（０ボルト）の状態に設定し、アドレスドライバ５５は、列電極Ｄ１〜Ｄｍを接地電位（０ボルト）の状態に設定する。上記サスティンパルスＩＰの印加に応じて、点灯モードに設定されている画素セルＰＣ内の行電極Ｘ及びＹ間においてサスティン放電が生起される。かかるサスティン放電に伴って蛍光体層１７から照射される光が前面透明基板１０を介して外部に照射されることにより、このサブフィールドＳＦ２の輝度重みに対応した１回分の表示発光が為される。又、かかるサスティンパルスＩＰの印加に応じて、点灯モードに設定されている画素セルＰＣ内の行電極Ｙ及び列電極Ｄ間においても放電が生起される。かかる放電並びに上記サスティン放電により、画素セルＰＣ内の行電極Ｙ近傍には負極性の壁電荷、行電極Ｘ及び列電極Ｄ各々の近傍には夫々正極性の壁電荷が形成される。
【００９３】
次に、サブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１４各々の消去行程Ｅでは、Ｙ電極ドライバ５３は、第１リセット行程Ｒ１又は第２リセット行程Ｒ２の後半部において印加したリセットパルスＲＰ２Ｙ２と同一波形を有する負極性の消去パルスＥＰを行電極Ｙ１〜Ｙｎに印加する。この間、Ｘ電極ドライバ５１は、第２リセット行程Ｒ２の後半部と同様に、正極性の所定ベース電位を有するベースパルスＢＰ＋を全ての行電極Ｘ１〜Ｘｎ各々に印加する。かかる消去パルスＥＰ及びベースパルスＢＰ＋に応じて、上記の如きサスティン放電の生起された画素セルＰＣ内で微弱な消去放電が生起される。かかる消去放電により、画素セルＰＣ内に形成されていた壁電荷の一部が消去され、この画素セルＰＣは消灯モード状態に遷移する。更に、消去パルスＥＰの印加に応じて、画素セルＰＣ内の列電極Ｄ及び行電極Ｙ間でも微弱な放電が生起される。かかる放電により、列電極Ｄ近傍に形成されている正極性の壁電荷は、次の第２選択書込アドレス行程Ｗ２Ｗにおいて正しく選択書込アドレス放電を生起させ得る量に調整される。尚、サブフィールドＳＦ３〜ＳＦ１４各々では、選択消去アドレス行程ＷＤに代わり第２選択書込アドレス行程Ｗ２Ｗが実施される。
【００９４】
次に、サブフィールドＳＦ３〜ＳＦ１４各々のサスティン行程Ｉでは、Ｘ電極ドライバ５１及びＹ電極ドライバ５３が、図１５に示す如く、行電極Ｙ及びＸ交互に、そのサブフィールドの輝度重みに対応した回数分だけ繰り返し、正極性のピーク電位を有するサスティンパルスＩＰを行電極Ｙ１〜Ｙｎ及びＸ１〜Ｘｎに印加する。かかるサスティンパルスＩＰが印加される度に、点灯モードに設定されている画素セルＰＣ内の行電極Ｘ及びＹ間においてサスティン放電が生起される。かかるサスティン放電に伴って蛍光体層１７から照射される光が前面透明基板１０を介して外部に照射されることにより、そのサブフィールドＳＦの輝度重みに対応した回数分の表示発光が為される。尚、各サスティン行程Ｉ内において印加されるサスティンパルスＩＰの総数は奇数である。すなわち、各サスティン行程Ｉ内において、先頭のサスティンパルスＩＰ及び最終のサスティンパルスＩＰは共に、行電極Ｙに印加されることになる。よって、各サスティン行程Ｉの終了直後、サスティン放電の生起された画素セルＰＣ内の行電極Ｙ近傍には負極性の壁電荷、行電極Ｘ及び列電極Ｄ各々の近傍には夫々正極性の壁電荷が形成される。これにより、各画素セルＰＣ内の壁電荷形成状態は、第１リセット行程Ｒ１又は第２リセット行程Ｒ２での第１リセット放電終了直後と同一となる。従って、その直後に実施される消去行程Ｅにおいて、第１リセット行程Ｒ１又は第２リセット行程Ｒ２の後半部において印加されるリセットパルスＲＰ１Ｙ２又はＲＰ２Ｙ２と同一波形を有する消去パルスＥＰを行電極Ｙに印加することにより、全ての画素セルＰＣの状態を消灯モードの状態に遷移させることができるのである。
【００９５】
ここで、図１４及び図１５にされる駆動に基づき、黒表示（輝度レベル０）を表す第１階調よりも１段階だけ高輝度を表す第２階調では、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１４の内のＳＦ１のみで選択書込アドレス放電を生起させる。これによりＳＦ１〜ＳＦ１４各々の内のＳＦ１のみで表示画像に関与する放電として微小発光放電が生起される。又、かかる第２階調よりも１段階だけ高輝度を表す第３階調では、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１４の内のＳＦ２のみで選択書込アドレス放電を生起させる。これによりサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１４各々の内のＳＦ２のみで表示画像に関与する放電とし１回分のサスティン放電が生起される。そして、第４階調以降では、サブフィールドＳＦ１及びＳＦ２各々で選択書込アドレスを生起させ、更に、その階調に対応した数だけ連続したサブフィールド各々で選択書込アドレスを生起させる。これにより、表示画像に関与する放電として、先ず、サブフィールドＳＦ１にて微小発光放電が生起された後、その階調に対応した数だけ連続したサブフィールド各々でサスティン放電が生起される。
【００９６】
かかる駆動によれば、図６と同様な（Ｎ＋１）階調分（Ｎ：１フィールド表示期間内のサブフィールド数）の中間輝度表示が可能となる。
【００９７】
更に、図１５に示される駆動によれば、第１リセット行程Ｒ１又は第２リセット行程Ｒ２にて行電極Ｙに印加されるリセットパルスＲＰ１Ｙ２又はＲＰ２Ｙ２と、消去行程Ｅにおいて行電極Ｙに印加される消去パルスＥＰとが同一波形であるので、両者を共通の回路で生成することが可能となる。更に、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１４各々では、画素セルＰＣの状態（点灯モード、消灯モード）を設定する方法として、選択書込アドレス行程（Ｗ１Ｗ、Ｗ２Ｗ）のみを採用したので、走査パルスを生成する回路は１系統だけで済む。尚、かかる選択書込アドレス行程では、列電極側を陽極とした一般的な列側陽極放電を生起させている。
【００９８】
よって、第１発光駆動シーケンスとして、図１４及び図１５に示されるが如き駆動を採用した場合には、図８及び図１０に示されるが如き駆動を採用した場合に比して、各種駆動パルスを生成する為のパネルドライバを安価に構築することが可能となる。
【００９９】
又、上記第２発光駆動シーケンスでは、図９に示す如き選択消去アドレス法を採用してＰＤＰ５０を駆動するものであるが、図１６に示す如き選択書込アドレス法を採用してＰＤＰ５０を駆動するものであっても良い。
【０１００】
この際、駆動制御回路５６は、図１６に示す如きサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１４各々において、選択書込アドレス行程ＷＷ、サスティン行程Ｉ及び消去行程Ｅ各々に従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。尚、駆動制御回路５６は、先頭のサブフィールドＳＦ１に限り、選択書込アドレス行程ＷＷに先立ち、リセット行程Ｒに従った駆動を順次実施させるべき各種制御信号をパネルドライバに供給する。
【０１０１】
パネルドライバ、すなわち、Ｘ電極ドライバ５１、Ｙ電極ドライバ５３及びアドレスドライバ５５は、駆動制御回路５６から供給された各種制御信号に応じて、図１７に示す如き各種駆動パルスを生成してＰＤＰ５０の列電極Ｄ、行電極Ｘ及びＹに供給する。
【０１０２】
尚、図１７においては、図１６に示されるサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１４の内の、先頭のサブフィールドＳＦ１と、それに続くサブフィールドＳＦ２、並びに最後尾のサブフィールドＳＦ１４での動作のみを抜粋して示すものである。又、図１７において、サブフィールドＳＦ１のリセット行程Ｒ及び選択書込アドレス行程ＷＷ各々での動作は図１１に示されるものと同一であるのでその説明は省略する。
【０１０３】
先ず、先頭のサブフィールドＳＦ１のサスティン行程Ｉでは、Ｙ電極ドライバ５３が、正極性のピーク電位を有するサスティンパルスＩＰを１パルス分だけ発生しこれを行電極Ｙ１〜Ｙｎ各々に同時に印加する。この間、Ｘ電極ドライバ５１は、行電極Ｘ１〜Ｘｎを接地電位（０ボルト）の状態に設定し、アドレスドライバ５５は、列電極Ｄ１〜Ｄｍを接地電位（０ボルト）の状態に設定する。上記サスティンパルスＩＰの印加に応じて、点灯モードに設定されている画素セルＰＣ内の行電極Ｘ及びＹ間においてサスティン放電が生起される。かかるサスティン放電に伴って蛍光体層１７から照射される光が前面透明基板１０を介して外部に照射されることにより、このサブフィールドＳＦ１の輝度重みに対応した１回分の表示発光が為される。又、かかるサスティンパルスＩＰの印加に応じて、点灯モードに設定されている画素セルＰＣ内の行電極Ｙ及び列電極Ｄ間においても放電が生起される。かかる放電並びに上記サスティン放電により、画素セルＰＣ内の行電極Ｙ近傍には負極性の壁電荷、行電極Ｘ及び列電極Ｄ各々の近傍には夫々正極性の壁電荷が形成される。
【０１０４】
次に、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１４各々の消去行程Ｅでは、Ｙ電極ドライバ５３は、リセット行程Ｒの後半部において印加したリセットパルスＲＰＹ２と同一波形を有する負極性の消去パルスＥＰを行電極Ｙ１〜Ｙｎに印加する。この間、Ｘ電極ドライバ５１は、リセット行程Ｒの後半部と同様に、正極性の所定ベース電位を有するベースパルスＢＰ＋を全ての行電極Ｘ１〜Ｘｎ各々に印加する。かかる消去パルスＥＰ及びベースパルスＢＰ＋に応じて、上記の如きサスティン放電の生起された画素セルＰＣ内で微弱な消去放電が生起される。かかる消去放電により、画素セルＰＣ内に形成されていた壁電荷の一部が消去され、この画素セルＰＣは消灯モード状態に遷移する。更に、消去パルスＥＰの印加に応じて、画素セルＰＣ内の列電極Ｄ及び行電極Ｙ間でも微弱な放電が生起される。かかる放電により、列電極Ｄ近傍に形成されている正極性の壁電荷は、次の選択書込アドレス行程ＷＷにおいて正しく選択書込アドレス放電を生起させ得る量に調整される。
【０１０５】
次に、サブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１４各々のサスティン行程Ｉでは、Ｘ電極ドライバ５１及びＹ電極ドライバ５３が、図１７に示す如く、行電極Ｙ及びＸ交互に、そのサブフィールドの輝度重みに対応した回数分だけ繰り返し、正極性のピーク電位を有するサスティンパルスＩＰを行電極Ｙ１〜Ｙｎ及びＸ１〜Ｘｎに印加する。かかるサスティンパルスＩＰが印加される度に、点灯モードに設定されている画素セルＰＣ内の行電極Ｘ及びＹ間においてサスティン放電が生起される。かかるサスティン放電に伴って蛍光体層１７から照射される光が前面透明基板１０を介して外部に照射されることにより、そのサブフィールドＳＦの輝度重みに対応した回数分の表示発光が為される。尚、各サスティン行程Ｉ内において印加されるサスティンパルスＩＰの総数は奇数である。すなわち、各サスティン行程Ｉ内において、先頭のサスティンパルスＩＰ及び最終のサスティンパルスＩＰは共に、行電極Ｙに印加されることになる。よって、各サスティン行程Ｉの終了直後、サスティン放電の生起された画素セルＰＣ内の行電極Ｙ近傍には負極性の壁電荷、行電極Ｘ及び列電極Ｄ各々の近傍には夫々正極性の壁電荷が形成される。これにより、各画素セルＰＣ内の壁電荷形成状態は、リセット行程Ｒでの第１リセット放電終了直後と同一となる。従って、その直後に実施される消去行程Ｅにおいて、リセット行程Ｒの後半部において印加されるリセットパルスＲＰＹ２と同一波形を有する消去パルスＥＰを行電極Ｙに印加することにより、全ての画素セルＰＣの状態を消灯モードの状態に遷移させることができるのである。
【０１０６】
ここで、図１６及び図１７にされる駆動を実施するにあたり、先頭から連続したサブフィールド各々の選択書込アドレス行程ＷＷにて選択書込アドレス放電を生起させるようにすれば、（Ｎ＋１）階調分（Ｎ：１フィールド表示期間内のサブフィールド数）の中間輝度表示が可能となる。すなわち、１４個のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１４によれば、図７と同様に、表現すべき階調に対応した数だけ先頭のサブフィールドＳＦ１から連続したサブフィールド各々においてサスティン放電が為されるので、偽輪郭を防止しつつも１５階調分の中間輝度表示が可能となる。
【０１０７】
又、図１６及び図１７に示される駆動によれば、リセット行程Ｒにおいて行電極Ｙに印加されるリセットパルスＲＰＹ２と、消去行程Ｅにおいて行電極Ｙに印加される消去パルスＥＰとが同一波形であるので、両者を共通の回路で生成することが可能となる。更に、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１４各々では一貫して選択書込アドレス行程ＷＷが実施されるので、走査パルスを生成する回路は１系統だけで済み、且つ各選択書込アドレス行程ＷＷでは、列電極側を陽極とした一般的な列側陽極放電を生起させるものであれば良い。
【０１０８】
よって、第２発光駆動シーケンスとして、図１６及び図１７に示されるが如き駆動を採用した場合には、図９及び図１１に示されるが如き駆動を採用した場合に比して、各種駆動パルスを生成する為のパネルドライバを安価に構築することが可能となる。
【０１０９】
尚、上記実施例では、第２発光駆動シーケンスにおいて先頭のサブフィールドＳＦ１のみでリセット行程Ｒを実施するようにしているが、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１４各々の内の少なくと２のサブフィールド、或いは全てのサブフィールドにおいてリセット行程Ｒを実行するようにしても良い。すなわち、第２発光駆動シーケンスに基づく駆動はプラズマディスプレイ装置周辺が比較的明るい場合（例えば３００ルクス以上）に実施されるので、リセット放電に伴う発光が目立たない。そこで、この際、放電の安定化を図るべく、リセット行程の実行頻度を高めるのである。
【０１１０】
又、図１０、図１１、図１５、図１７に示されるリセット行程Ｒでは、全ての画素セルに対して一斉にリセット放電を生起させるようにしているが、夫々が複数の画素セルからなる画素セルブロック毎に、リセット放電を時間的に分散させて実施するようにしても良い。
【０１１１】
又、上記実施例では、リセットパルス（ＲＰＹ１,ＲＰ１Ｙ１,ＲＰ２Ｙ１）の立ち上がり区間での時間経過に伴う電位変化率が一定であるが、例えば図１９に示されるように、時間経過に伴う電位変化率が徐々に変化するものであっても良い。
【０１１２】
又、上記実施例では、第１発光駆動シーケンスにおいて図１０又は図１５に示す如く、微小発光パルスＬＰ及びリセットパルスＲＰ２Ｙ１を連結させて行電極Ｙに印加するようにしているが、図１８に示す如く、両者を時間的に分散させて行電極Ｙに順次印加するようにしても良い。
【０１１３】
又、上記実施例における第１発光駆動シーケンスでは、先頭のサブフィールドＳＦ１及び第２番目のサブフィールドＳＦ２のみでリセット行程（Ｒ１，Ｒ２）及び選択書込アドレス行程（Ｗ１Ｗ,Ｗ２Ｗ）を順次実行するようにしているが、これら一連の動作を第３番目以降のサブフィールドでも同様に実行させるようにしても良い。
【０１１４】
又、図６に示される駆動では、第４階調以降の階調においてもサブフィールドＳＦ１にて輝度レベルαの発光を伴う発光微小発光放電を生起するようにしているが、第３階調以降の階調では、この微小発光放電を生起させないようにしても良い。要するに、微小発光放電に伴う発光は極めて低輝度（輝度レベルα）であるため、これよりも高輝度な発光を伴うサスティン放電と併用する場合、つまり第３階調以降の階調において、「輝度レベルα」の輝度増加分を視覚することができない場合には、この微小発光放電を生起させる必要がなくなるからである。
【０１１５】
又、図５に示す実施例においては、ＰＤＰ５０の背面基板１４側に設けられている蛍光体層１７内にＭｇＯ結晶体を含ませるようにしているが、図２０に示されるように、蛍光体層１７の表面を覆うように二次電子放出材からなる二次電子放出層１８を設けるようにしても良い。この際、二次電子放出層１８としては、蛍光体層１７の表面上に、二次電子放出材からなる結晶（例えば、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含んだＭｇＯ結晶）を敷き詰めて形成するようにしてもよく、或いは二次電子放出材を薄膜成膜して形成させるようにしても良い。
【０１１６】
又、上記実施例においては、プラズマディスプレイ装置周辺の明るさを実際に外光センサ４９にて測定するようにしているが、その他の方法によって、プラズマディスプレイ装置周辺の明るさに対応した情報を取得するようにしても良い。例えば、昼間よりも夜間の時間帯の方がプラズマディスプレイ装置周辺が暗くなり、又、昼間の時間帯においてもその時点の天気によってプラズマディスプレイ装置周辺の明るさが変化する。そこで、例えば、これらの情報をインターネット等を介して自動的に取得し、その情報に基づき駆動制御回路５６が、プラズマディスプレイ装置周辺が所定照度よりも低いか否かの判定を行うようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明によるプラズマディスプレイ装置の概略構成を示す図である。
【図２】表示面側から眺めたＰＤＰ５０の内部構造を模式的に示す正面図である。
【図３】図２に示されるＶ−Ｖ線上での断面を示す図である。
【図４】図２に示されるＷ−Ｗ線上での断面を示す図である。
【図５】蛍光体層１７内に含まれるＭｇＯ結晶体を模式的に表す図である。
【図６】第１発光駆動シーケンスに基づく各階調毎の発光パターンを示す図である。
【図７】第２発光駆動シーケンスに基づく各階調毎の発光パターンを示す図である。
【図８】図１に示されるプラズマディスプレイ装置において採用される第１発光駆動シーケンスの一例を示す図である。
【図９】図１に示されるプラズマディスプレイ装置において採用される第２発光駆動シーケンスの一例を示す図である。
【図１０】図８に示される第１発光駆動シーケンスに従ってＰＤＰ５０に印加される各種駆動パルスを示す図である。
【図１１】図９に示される第２発光駆動シーケンスに従ってＰＤＰ５０に印加される各種駆動パルスを示す図である。
【図１２】酸化マグネシウム層１３のみにＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含ませた従来のＰＤＰに対してリセットパルスＲＰＹ１を印加した際に生起される列側陰極放電における放電強度の推移を表す図である。
【図１３】酸化マグネシウム層１３及び蛍光体層１７の双方にＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含ませたＰＤＰ５０に対してリセットパルスＲＰＹ１を印加した際に生起される列側陰極放電における放電強度の推移を表す図である。
【図１４】図１に示されるプラズマディスプレイ装置において採用される第１発光駆動シーケンスの他の一例を示す図である。
【図１５】図１４に示される第１発光駆動シーケンスに従ってＰＤＰ５０に印加される各種駆動パルスを示す図である。
【図１６】図１に示されるプラズマディスプレイ装置において採用される第２発光駆動シーケンスの他の一例を示す図である。
【図１７】図１６に示される第２発光駆動シーケンスに従ってＰＤＰ５０に印加される各種駆動パルスを示す図である。
【図１８】微小発光パルスＬＰ及びリセットパルスＲＰＹ２各々の印加タイミングの他の一例を示す図である。
【図１９】リセットパルスの他の波形例を表す図である。
【図２０】蛍光体層１７の表面に二次電子放出層１８を重ねて構築させた場合の形態を模式的に表す図である。
【主要部分の符号の説明】
【０１１８】
１３    酸化マグネシウム層
１７    蛍光体層
５０    ＰＤＰ
５１    Ｘ電極ドライバ
５３    Ｙ電極ドライバ
５５    アドレスドライバ  
５６    駆動制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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