(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体チップの半導体基板における取得位置を特定する半導体装置の製造方法及び半導体チップの特定方法に関し、半導体チップの半導体基板における取得位置を容易に特定することのできる半導体装置の製造方法及び半導体チップの特定方法を提供する。【解決手段】エッチングにより複数の半導体チップの表面側に形成されるエッチング対象物の残渣を含んだ画像データＤ1を半導体チップ毎に取得し、半導体チップの半導体基板における取得位置と対応させて画像データＤ１を保存する工程と、半導体チップX（特定すべき半導体チップ）に形成されたエッチング対象物の残渣を含んだ画像データＤ２を取得する工程と、画像データＤ１，Ｄ２に基づいて、半導体チップXの半導体基板における取得位置を特定する工程と、を設けた。【選択図】図８
2008053637.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが形成されるチップ形成領域を複数備えた半導体基板にエッチングを用いて形成される半導体装置の製造方法であって、
前記エッチングにより、複数の前記半導体チップの表面側に形成されるエッチング対象物の残渣を含んだ画像データを取得する画像データ取得工程と、
前記複数の半導体チップの前記半導体基板における取得位置と対応させて前記画像データを保存する画像データ保存工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング対象物は、ポリシリコン膜または金属膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記画像データは、前記複数の半導体チップをプローバーで検査するときに、前記プローバーに取り付けられたカメラにより取得することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体チップが形成されるチップ形成領域を複数備えた半導体基板にエッチングを用いて形成される半導体チップの特定方法であって、
前記エッチングにより複数の前記半導体チップの表面側に形成されるエッチング対象物の残渣を含んだ第１の画像データを前記半導体チップ毎に取得し、前記半導体チップの前記半導体基板における取得位置と対応させて前記第１の画像データを保存する第１の画像データ取得及び保存工程と、
特定すべき前記半導体チップに形成された前記エッチング対象物の残渣を含んだ第２の画像データを取得する第２の画像データ取得工程と、
前記第１及び第２の画像データに基づいて、前記特定すべき半導体チップの前記半導体基板における取得位置を特定する半導体チップ取得位置特定工程と、を含むことを特徴とする半導体チップの特定方法。
【請求項５】
前記エッチング対象物は、ポリシリコン膜または金属膜であることを特徴とする請求項４記載の半導体チップの特定方法。
【請求項６】
前記第１の画像データは、前記複数の半導体チップをプローバーで検査するときに、前記プローバーに取り付けられたカメラにより取得することを特徴とする請求項４または５記載の半導体チップの特定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体チップの特定方法に係り、特に、半導体チップの半導体基板における取得位置を特定する半導体装置の製造方法及び半導体チップの特定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体装置は、半導体チップが形成されるチップ形成領域を複数有した半導体基板を用意し、チップ形成領域に対応する半導体基板上に半導体集積回路を形成することで製造する。また、半導体チップは、上記半導体装置のスクライブ領域に対応する半導体基板をダイシングにより切断して、チップ形成領域を個片化することで製造する。
【０００３】
図９は、半導体チップの実装例を示す図である。
【０００４】
半導体チップ１００は、例えば、図９に示すように、接着剤１０４を介して、フェイスアップの状態（半導体集積回路１０２が形成されている側の半導体基板１０１が上向き）でリードフレーム１０５に接着されると共に、半導体集積回路１０２のボンディングパッド１０２Ａとリードフレーム１０５の端子部１０５Ａとがワイヤボンディング接続される。
【０００５】
ところで、顧客、エンドユーザまたは自社選別工程において、半導体チップ１００に不良が発生した場合、半導体チップ１００の不良原因を調べるための不良解析が行われる。この不良解析時において、不良品である半導体チップ１００の半導体基板における位置が不良原因の特定において重要となる。
【０００６】
そこで、半導体チップ１００に半導体基板のどの位置のチップであるかが判別可能な情報を持たせて、半導体基板面における半導体チップ１００の取得位置を特定する方法が提案されている。
【０００７】
具体的には、例えば、各半導体チップ１００に対して、半導体基板を薄板化する際の研磨により半導体基板の裏面に形成される研磨痕を画像データとして予め取得し、この画像データと不良品である半導体チップ１００の裏面の研磨痕とを照合して、不良品の半導体チップ１００の半導体基板における取得位置を特定する方法がある（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−５５８８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、半導体基板の裏面に研磨痕を形成してこの研磨痕に基づいて、半導体チップの半導体基板における取得位置を特定する従来の方法では、図９に示すように、半導体チップ１００をリードフレーム１０５に実装した場合、研磨痕が形成された半導体基板１０１の裏面１０１Ａが接着剤１０４と接着されているため、リードフレーム１０５から半導体チップ１００を取り外してから、半導体基板１０１の裏面１０１Ａの研磨痕を観察し、予め取得した画像データと照合する必要があった。このため、不良品である半導体チップの半導体基板における取得位置を容易に特定することが困難であった。
【０００９】
そこで、本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、半導体チップの半導体基板における取得位置を容易に特定することのできる半導体装置の製造方法及び半導体チップの特定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一観点によれば、半導体チップ（１２）が形成されるチップ形成領域（Ａ）を複数備えた半導体基板（１１）にエッチングを用いて形成される半導体装置（１０）の製造方法であって、前記エッチングにより、複数の前記半導体チップ（１２）の表面側に形成されるエッチング対象物（１８，２５）の残渣（１５，２２）を含んだ画像データ（Ｄ１）を取得する画像データ取得工程と、前記複数の半導体チップ（１２）の前記半導体基板（１１）における取得位置と対応させて前記画像データ（Ｄ１）を保存する画像データ保存工程と、を含むことを特徴とする半導体装置（１０）の製造方法が提供される。
【００１１】
本発明によれば、エッチングにより、複数の半導体チップ（１２）の表面側に形成されるエッチング対象物（１８，２５）の残渣（１５，２２）を含んだ画像データ（Ｄ１）を取得し、複数の半導体チップ（１２）の半導体基板（１１）における取得位置と対応させて画像データ（Ｄ１）を保存することにより、例えば、リードフレームに対してワイヤボンディング接続された半導体チップ（１２）の半導体基板（１１）における取得位置を特定するときに、半導体チップ（１２）がリードフレームに実装されたままの状態で半導体チップ（１２）のエッチング対象物（１８，２５）の残渣（１５，２２）を含んだ画像データ（Ｄ２）を取得して、画像データ（Ｄ１，Ｄ２）に基づいて、半導体チップ（１２）の半導体基板（１１）における取得位置を特定することが可能となるので、半導体チップ（１２）の半導体基板（１１）における取得位置の特定を容易に行うことができる。
【００１２】
本発明の他の観点によれば、半導体チップ（１２）が形成されるチップ形成領域（Ａ）を複数備えた半導体基板（１１）にエッチングを用いて形成される半導体チップ（１２）の特定方法であって、前記エッチングにより複数の前記半導体チップ（１２）の表面側に形成されるエッチング対象物（１８，２５）の残渣（１５，２２）を含んだ第１の画像データ（Ｄ１）を前記半導体チップ（１２）毎に取得し、前記半導体チップ（１２）の前記半導体基板（１１）における取得位置と対応させて前記第１の画像データ（Ｄ１）を保存する第１の画像データ取得及び保存工程と、特定すべき前記半導体チップ（１２）に形成された前記エッチング対象物（１８，２５）の残渣（１５，２２）を含んだ第２の画像データ（Ｄ２）を取得する第２の画像データ取得工程と、前記第１及び第２の画像データ（Ｄ１，Ｄ２）に基づいて、前記特定すべき半導体チップ（１２X）の前記半導体基板（１１）における取得位置を特定する半導体チップ取得位置特定工程と、を含むことを特徴とする半導体チップ（１２）の特定方法が提供される。
【００１３】
本発明によれば、エッチングにより複数の半導体チップ（１２）の表面側に形成されるエッチング対象物（１８，２５）の残渣（１５，２２）を含んだ第１の画像データ（Ｄ１）を半導体チップ（１２）毎に取得すると共に、半導体チップ（１２）の半導体基板（１１）における取得位置と対応させて第１の画像データ（Ｄ１）を保存し、特定すべき半導体チップ（１２X）に形成されたエッチング対象物（１８，２５）の残渣（１５，２２）を含んだ第２の画像データ（Ｄ２）を取得して、第１及び第２の画像データ（Ｄ１，Ｄ２）に基づいて、特定すべき半導体チップ（１２X）の半導体基板（１１）における取得位置を特定することにより、例えば、特定すべき半導体チップ（１２X）がリードフレーム（７１）に対してワイヤボンディング接続された半導体チップ（１２X）である場合、半導体チップ（１２X）がリードフレーム（７１）に実装されたままの状態で特定すべき半導体チップ（１２X）のエッチング対象物（１８，２５）の残渣（１５，２２）を含んだ第２の画像データ（Ｄ２）を取得することが可能となる。これにより、、特定すべき半導体チップ（１２X）の半導体基板（１１）における取得位置の特定を容易に行うことができる。
【００１４】
なお、上記参照符号は、あくまでも参考であり、これによって、本願発明が図示の態様に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、半導体チップの半導体基板における取得位置を容易に特定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
【００１７】
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【００１８】
図１を参照するに、本実施の形態の半導体装置１０は、半導体基板１１と、複数の半導体チップ１２とを有する。
【００１９】
図２は、半導体基板の平面図である。図２において、図１に示す半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００２０】
図１及び図２を参照するに、半導体基板１１は、複数のチップ形成領域Ａと、スクライブ領域Ｂとを有する。チップ形成領域Ａは、半導体チップ１２が形成される領域である。スクライブ領域Ｂは、複数のチップ形成領域Ａを分離する領域である。スクライブ領域Ｂは、半導体基板１１に複数の半導体チップ１２を形成後に、切断位置Ｃに沿ってダイサーにより切断される。これにより、複数の半導体チップ１２が個片化される。複数の半導体チップ１２が形成される半導体基板１１としては、例えば、Ｓｉウエハを用いることができる。
【００２１】
図１を参照するに、半導体チップ１２は、半導体基板１１と、ゲート１４と、残渣１５，２２と、絶縁膜１６，２３と、ビア１７と、配線１８とを有する。
【００２２】
ゲート１４は、酸化膜２４と、ポリシリコン膜２５とが積層された構成とされている。酸化膜２４は、半導体基板１１上に設けられている。ポリシリコン膜２５は、酸化膜２４上に設けられている。
【００２３】
残渣１５は、ポリシリコン膜２５（エッチング対象物）をエッチング後に、酸化膜２４をエッチングしてゲート１４を形成するときに発生するポリシリコン膜２５のエッチング残りである。残渣１５は、半導体チップ１２の表面側（半導体基板１１の表面１１Ａ側）に配置されている。この残渣１５の発生位置や形状は、半導体チップ１２間において異なる（図１参照）。そのため、残渣１５は、各半導体チップ１２を判別する際の材料となる。
【００２４】
絶縁膜１６は、ゲート１４の一部と残渣１５とを覆うように半導体基板１１上に設けられている。絶縁膜１６は、ポリシリコン膜２５の上面を露出する開口部１６Ａを有する。ビア１７は、開口部１６Ａに設けられている。ビア１７の下端部は、ポリシリコン膜２５と接触している。
【００２５】
配線１８は、ビア１７の形成位置に対応する絶縁膜１６上に設けられている。配線１８は、ビア１７の上端部と接触している。配線１８は、ビア１７を介して、ゲート１４と電気的に接続されている。配線１８は、金属膜（エッチング対象物）をエッチングによりパターニングすることで形成する。
【００２６】
残渣２２は、絶縁膜１６上に成膜した金属膜をエッチングして配線１８を形成するときに発生する金属膜のエッチング残りである。残渣２２は、絶縁膜１６上に配置されている。残渣２２は、半導体チップ１２の表面側（半導体基板１１の表面１１Ａ側）に形成されている。この残渣２２の発生位置や形状は、半導体チップ１２間において異なる（図１参照）。そのため、残渣２２は、各半導体チップ１２を判別する際の材料となる。
【００２７】
絶縁膜２３は、配線１８の一部を覆うように絶縁膜１６上に設けられている。絶縁膜２３は、配線１８の上面の一部を露出する開口部２３Ａを有する。
【００２８】
図３は、本発明の実施の形態に係る半導体チップの残渣を含んだデータを取得する際に使用するプローバーの概略構成図である。図３において、Ｘ，Ｘ方向はステージ３７の面方向、Ｚ，Ｚ方向はＸ，Ｘ方向と直交する方向をそれぞれ示している。
【００２９】
図３を参照するに、プローバー３０は、プローバー本体３１と、記憶手段３２とを有する。プローバー本体３１は、筐体３５と、ヘッドプレート３６と、ステージ３７と、プローブカードホルダー３８と、プローブカード４１と、コンタクトリング４２と、テストヘッド４３と、カメラ４５とを有する。
【００３０】
筐体３５は、ステージ３７を収容するためのものである。筐体３５の上端部は、開放端とされている。ヘッドプレート３６は、コンタクトリング４２を保持するためのものである。ヘッドプレート３６は、筐体３５の上端部を塞ぐことで筐体３５内の空間を密閉している。
【００３１】
ステージ３７は、図１に示した半導体装置１０を固定するためのものである。ステージ３７は、Ｘ，Ｘ方向及びＺ，Ｚ方向に移動可能な構成とされている。プローブカードホルダー３８は、プローブカード４１を保持するためのものである。
【００３２】
プローブカード４１は、プローブカードホルダー３８に保持されており、コンタクトリング４２の下方に配置されている。プローブカード４１は、支持基板４７と、配線パターン４８と、プローブピン４９とを有する。支持基板４７は、板状とされており、その中央付近には貫通部４７Ａが形成されている。
【００３３】
配線パターン４８は、貫通部４７Ａよりも外側に位置する支持基板４７を貫通すると共に、支持基板４７の両面に亘るように設けられている。配線パターン４８は、コンタクトリング４２と電気的に接続されている。プローブピン４９は、支持基板４７の下面側に設けられており、配線パターン４８と電気的に接続されている。プローブピン４９は、半導体チップ１２に設けられた配線１８に接触させられる（図３に示す状態）。
【００３４】
コンタクトリング４２は、ヘッドプレート３６に保持されている。コンタクトリング４２は、プローブカード４１とテストヘッド４３との間において信号の授受が可能なように、電気的信号の中継を行なうためのものである。
【００３５】
テストヘッド４３は、コンタクトリング４２上に配置されている。テストヘッド４３は、コンタクトリング４２及びテスタ（図示せず）と電気的に接続されている。
【００３６】
カメラ４５は、貫通部４７Ａからプローブピン４９が接触した半導体チップ１２を撮像可能なように、コンタクトリング４２に設けられている。カメラ４５は、記憶手段２１と接続されている。カメラ４５は、プローブピン４９が配線１８と接触したか否かを確認するためのものであり、予めプローバー本体３１に設けられているものである。カメラ４５は、プローブピン４９と配線１８とが接触した際、プローブピン４９と接触した半導体チップ１２の残渣１５，２２を含んだ画像を撮像して、半導体チップ１２毎に残渣１５，２２を含んだ画像データＤ１を取得する。カメラ４５により取得された全ての半導体チップ１２の画像データＤ１は、記憶手段３２に送信される。
【００３７】
記憶手段３２は、カメラ４５と接続されている。記憶手段３２は、半導体チップ１２の半導体基板１１における取得位置とカメラ４５により撮像された画像データＤ１とを対応させて保存するためのものである。
【００３８】
上記構成とされたプローバー３０は、ステージ３７をＸ，Ｘ方向及びＺ，Ｚ方向に移動させることで半導体装置１０に設けられた全ての半導体チップ１２の電気的検査を行う。
【００３９】
図４は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程のフローチャートを示す図である。
【００４０】
図４を参照して、本発明の実施の形態に係る半導体装置１０の製造方法について説明する。図４に示す処理が起動すると、ＳＴＥＰ６１では、半導体基板１１に複数の半導体チップ１２が形成された半導体装置１０（図１参照）を準備する。
【００４１】
次いで、ＳＴＥＰ６２では、半導体装置１０をプローバー３０のステージ３７上にセットする。次いで、ＳＴＥＰ６３では、プローブピン４９を半導体チップ１２の配線１８に接触させて、半導体チップ１２の電気的検査を行う。続く、ＳＴＥＰ６４では、プローバー３０のカメラ４５により、プローブピン４９と接触した半導体チップ１２の残渣１５，２２を含んだ画像データＤ１を取得する（画像データ取得工程）。先に説明したように、各半導体チップ１２が有する残渣１５，２２は、半導体チップ１２毎に異なる配置及び形状をしているため、半導体チップ１２が複数の半導体チップ１２が形成された半導体基板１１のどの位置から切り出されたチップであるかを特定する際の指標となるデータである。
【００４２】
このように、従来からプローバー３０に設けられていたカメラ４５を用いて、半導体チップ１２の残渣１５，２２を含んだ画像データＤ１を取得することにより、別途プローバー３０に撮像装置を設ける必要がないため、半導体装置１０の製造コストの増加を抑制することができる。
【００４３】
次いで、ＳＴＥＰ６５では、検査した半導体チップ１２の半導体基板１１における取得位置と画像データＤ１とを対応させて、画像データＤ１を保存する（画像データ保存工程）。
【００４４】
このように、電気的検査が完了した半導体チップ１２の半導体基板１１における取得位置と画像データＤ１とを対応させて、画像データＤ１を保存することにより、例えば、半導体チップ１２に不具合が発生した場合、不具合の発生した半導体チップ１２の残渣１５，２２を含んだ画像データＤ２を取得することで、不具合の発生した半導体チップ１２の半導体基板１１における取得位置を特定することが可能となる。
【００４５】
また、半導体チップ１２の残渣１５，２２を含んだ画像データＤ１を半導体チップ１２の半導体基板１１の取得位置を特定する際の指標とすることにより、例えば、リードフレームに対してワイヤボンディング接続された半導体チップ１２の半導体基板１１における取得位置を特定するときに、半導体チップ１２がリードフレームに実装されたままの状態で半導体チップ１２のエッチング対象物１８，２５の残渣１５，２２を含んだ画像データＤ２を取得することが可能となるため、半導体チップ１２の半導体基板１１における取得位置の特定を容易に行うことができる。
【００４６】
次いで、ＳＴＥＰ６６では、半導体装置１０に設けられた全ての半導体チップ１２の電気的検査が完了したか否かの判定が行われる。ここで、Ｎｏと判定された場合、処理はＳＴＥＰ６３に戻る。また、Ｙｅｓと判定された場合には、図４に示す全ての処理が終了する。
【００４７】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、エッチングにより、複数の半導体チップ１２の表面側に形成されるエッチング対象物１８，２５の残渣１５，２２を含んだ画像データＤ１を取得し、複数の半導体チップ１２の半導体基板１１における取得位置と対応させて画像データＤ１を保存することにより、例えば、リードフレームに対してワイヤボンディング接続された半導体チップ１２の半導体基板１１における取得位置を特定するときに、半導体チップ１２がリードフレームに実装されたままの状態で半導体チップ１２のエッチング対象物１８，２５の残渣１５，２２を含んだ画像データＤ２を取得して、画像データＤ１，Ｄ２に基づいて、半導体チップ１２の半導体基板１１における取得位置を特定することが可能となるので、半導体チップ１２の半導体基板１１における取得位置の特定を容易に行うことができる。
【００４８】
図５は、個片化された半導体チップを示す図であり、図６は、リードフレームに実装された半導体チップを示す図である。
【００４９】
図５に示すように、全ての半導体チップ１２に対して画像データＤ１が取得及び記憶された半導体装置１０は、ダイサーにより切断位置Ｃに沿って切断される。これにより、個片化された複数の半導体チップ１２が製造される。このように、個片化された半導体チップ１２は、例えば、図６に示すように、リードフレーム７１を構成するリードフレーム本体７２に接着されると共に、ワイヤ７６を介して、リードフレーム７１を構成する端子部７３と電気的に接続（ワイヤボンディング接続）される。ワイヤ７６の一方の端部は端子部７３と接続されており、他方の端部は半導体チップ１２の配線１８と接続されている。
【００５０】
図７は、半導体チップの半導体基板における取得位置を特定する際に使用するチップ位置特定装置の概略構成を示す図である。図７において、図３に示したプローバー３０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００５１】
図７を参照するに、チップ位置特定装置８０は、プローバー３０と、金属顕微鏡８２と、照合手段８３とを有する。
【００５２】
金属顕微鏡８２は、照合手段８３と接続されたカメラ８４を有する。カメラ８４は、リードフレーム７１に実装された特定すべき半導体チップ１２（以下、「半導体チップ１２X」とする）の表面側から、半導体チップ１２Xのエッチング対象物（具体的には、ポリシリコン膜や金属膜など）の残渣１５，２２を含んだ画像データＤ２（第２の画像データ）を取得する。半導体チップ１２Xの一例としては、例えば、不具合の発生した半導体チップ１２を例に挙げることができる。カメラ８４により取得された画像データＤ２は、照合手段８３に送信される。
【００５３】
このように、リードフレーム７１から取り外すことなく（リードフレーム７１に実装されたままの状態で）、半導体チップ１２Xのエッチング対象物の残渣１５，２２を含んだ画像データＤ２を取得することにより、リードフレーム７１から半導体チップ１２Xを取り外して半導体チップ１２Xの画像データＤ２を取得する場合と比較して、画像データＤ２を容易に取得することができる。
【００５４】
照合手段８３は、記憶手段３２及びカメラ８４と接続されている。照合手段８３は、記憶手段３２に保存された複数の画像データＤ１と画像データＤ２とを照合して、複数の画像データＤ１の中から画像データＤ２と一致する画像データＤ１（以下、「画像データＤ１X」とする）を見つけだし、画像データＤ１Xに対応する半導体基板１１における取得位置に関するデータから、半導体チップ１２Xの半導体基板１１における取得位置を特定するためのものである。
【００５５】
図８は、本発明の実施の形態に係る半導体チップの特定方法を説明するためのフローチャートを示す図である。
【００５６】
図８を参照して、本発明の実施の形態に係る半導体チップ１２の特定方法について説明する。図８に示す処理が起動すると、ＳＴＥＰ９１では、半導体装置１０に設けられた全ての半導体チップ１２に対して、エッチング対象物の残渣１５，２２を含んだ画像データＤ１を半導体チップ１２毎に取得し、第１の画像データＤ１と半導体チップ１２の半導体基板１１における取得位置とを対応させて複数の画像データＤ１を記憶手段３２に保存する（第１の画像データ取得及び保存工程）。ＳＴＥＰ９１では、先に説明した図４に示すフローチャートと同様な処理を行う。
【００５７】
次いで、ＳＴＥＰ９２では、金属顕微鏡８２のカメラ８４により、リードフレーム７１に実装された状態の半導体チップ１２Xの表面側から、半導体チップ１２Xのエッチング対象物の残渣１５，２２を含んだ画像データＤ２を取得する（第２の画像データ取得工程）。カメラ８４により取得された画像データＤ２は、照合手段８３に送信される。
【００５８】
このように、リードフレーム７１から取り外すことなく、リードフレーム７１に実装されたままの状態で半導体チップ１２Xの残渣１５，２２を含んだ画像データＤ２を取得することにより、リードフレーム７１から半導体チップ１２Xを取り外して半導体チップ１２Xの画像データを取得する従来技術と比較して、画像データＤ２を容易に取得することが可能となるため、半導体チップ１２Xの半導体基板１１における取得位置の特定を容易に行うことができる。
【００５９】
次いで、ＳＴＥＰ９３では、照合手段８３により、記憶手段３２に保存された複数の画像データＤ１と画像データＤ２とを照合して、複数の画像データＤ１の中から画像データＤ２と一致する画像データＤ１Xを見つけだし、画像データＤ１Xに対応する半導体基板１１における取得位置に関するデータから、半導体チップ１２Xの半導体基板１１における取得位置を特定する。
【００６０】
本実施の形態の半導体チップの特定方法によれば、リードフレーム７１から取り外すことなく、リードフレーム７１に実装されたままの状態で半導体チップ１２Xのエッチング対象物の残渣１５，２２を含んだ画像データＤ２を取得することにより、リードフレーム７１から半導体チップ１２Xを取り外して半導体チップ１２Xの画像データを取得する従来技術と比較して、画像データＤ２を容易に取得することが可能となるため、半導体チップ１２Xの半導体基板１１における取得位置の特定を容易に行うことができる。
【００６１】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００６２】
なお、本実施の形態では、エッチング対象物の残渣１５，２２を含んだ画像データＤ１，Ｄ２を用いて、半導体チップ１２Xの半導体基板１１における取得位置を特定する場合を例に挙げて説明したが、画像データＤ１，Ｄ２の代わりに、エッチング対象物の残渣１５のみを含んだ画像データ、或いはエッチング対象物の残渣２２のみを含んだ画像データを用いて半導体チップ１２Xの半導体基板１１における取得位置を特定してもよい。
【００６３】
また、エッチング対象物の残渣１５，２２を含んだ画像データＤ１，Ｄ２の代わりに、例えば、半導体装置１０に設けられた全ての半導体チップ１２に露光装置の解像限界のパターンを形成し、この解像限界のパターンの画像データに基づいて、半導体チップ１２Xの半導体基板１１における取得位置を特定してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明は、半導体チップの半導体基板における取得位置を容易に特定することができる半導体装置の製造方法及び半導体チップの特定方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２】半導体基板の平面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体チップの残渣を含んだデータを取得する際に使用するプローバーの概略構成図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程のフローチャートを示す図である
【図５】個片化された半導体チップを示す図である。
【図６】リードフレームに実装された半導体チップを示す図である。
【図７】半導体チップの半導体基板における取得位置を特定する際に使用するチップ位置特定装置の概略構成を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る半導体チップの特定方法を説明するためのフローチャートを示す図である。
【図９】半導体チップの実装例を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０  半導体装置
１１  半導体基板
１１Ａ  表面
１２，１２X  半導体チップ
１４  ゲート
１５，２２  残渣
１６，２３  絶縁膜
１６Ａ，２３Ａ  開口部
１７  ビア
１８  配線
２４  酸化膜
２５  ポリシリコン膜
３０  プローバー
３１  プローバー本体
３２  記憶手段
３５  筐体
３６  ヘッドプレート
３７  ステージ
３８  プローブカードホルダー
４１  プローブカード
４２  コンタクトリング
４３  テストヘッド
４５，８４  カメラ
４７  支持基板
４７Ａ  貫通部
４８  配線パターン
４９  プローブピン
７１  リードフレーム
７２  リードフレーム本体
７３  端子部
７６  ワイヤ
８０  チップ位置特定用装置
８２  金属顕微鏡
８３  照合手段
Ａ  チップ形成領域
Ｂ  スクライブ領域
Ｃ  切断位置
Ｄ１，Ｄ１X，Ｄ２  画像データ
【図１】
2008053637.tif 000003
【図２】
2008053637.tif 000004
【図３】
2008053637.tif 000005
【図４】
2008053637.tif 000006
【図５】
2008053637.tif 000007
【図６】
2008053637.tif 000008
【図７】
2008053637.tif 000009
【図８】
2008053637.tif 000010
【図９】
2008053637.tif 000011