(57)【要約】【課題】複数のサブパネルを接合して形成され、サブパネルの接合境界が目立たない大型ディスプレイパネル、およびその製造方法の提供。【解決手段】複数のサブパネルを接合して形成されている有機ＥＬディスプレイパネルであって、複数のサブパネルのそれぞれは、第１基板および第２基板からなる支持体と、第１基板上の有機ＥＬ素子とを含み、隣接するサブパネル間において、第１基板同士を接合する第１基板接合部位と第２基板同士を接合する第２基板接合部位とは一致しないことを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネル。【選択図】図８
2008076987.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のサブパネルを接合して形成されている有機ＥＬディスプレイパネルであって、前記複数のサブパネルのそれぞれは、第１基板および第２基板からなる支持体と、第１基板上の有機ＥＬ素子とを含み、隣接するサブパネル間において、第１基板同士を接合する第１基板接合部位と第２基板同士を接合する第２基板接合部位とは一致していないことを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネル。
【請求項２】
前記第１基板および前記第２基板が透明であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。
【請求項３】
有機ＥＬ素子を含む複数のサブパネルを貼り合わせて、有機ＥＬディスプレイパネルを製造する方法であって、
（１）  第１基板および第２基板を接着して支持体を形成する工程と、
（２）  第１基板を、複数の有機ＥＬ素子を形成する区域のそれぞれを包囲する第１基板切断部位で切断する工程と、
（３）  第１基板の上に複数の有機ＥＬ素子を形成する工程と、
（４）  第２基板を、複数の有機ＥＬ素子のそれぞれを包囲し、第１基板切断部位とは一致しない第２基板切断部位で切断して、それぞれが有機ＥＬ素子を含む複数のサブパネルと、隣接するサブパネル間に位置した間隙領域とに分割する工程と、
（５）  前記複数のサブパネルを接合して、有機ＥＬディスプレイパネルを形成する工程と
をこの順に含み、工程（１）における接着を、工程（３）において有機ＥＬ素子を形成する区域、および前記間隙領域の第１基板と第２基板が接触している区域において実施することを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
工程（２）と工程（３）との間に、支持体を洗浄する工程をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のサブパネルを貼り合わせることによって作製される大型の有機ＥＬディスプレイパネルおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
１９８７年のC. W. Tangによる２層積層構成の高効率の有機ＥＬ素子（非特許文献１参照）の発表から現在にいたる間に、様々な有機ＥＬ素子が開発されてきている。最近では、携帯端末用の表示装置などに対して、多色表示が可能な有機ＥＬ素子が実用されてきている。さらに、有機ＥＬ素子は液晶表示装置に比べて視野角依存性が小さいことから、有機ＥＬ素子を大型ディスプレイパネルへ応用することも検討されてきている。
【０００３】
また、有機ＥＬ素子を用いたディスプレイパネルを駆動する方式として、パッシブマトリックス駆動方式とアクティブマトリックス駆動方式が知られている。パッシブマトリクス駆動方式の表示装置は、複数のストライプ状部分電極からなる陽極と、交差する方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる陰極と、陽極と陰極とに挟持される発光層とを含む比較的単純な構造を有し、その製造コストは比較的安価である。陽極を構成する部分電極と陰極を構成する部分電極との交差部分のそれぞれが、独立した発光部を画定する。パッシブマトリクス駆動方式において、各発光部は１フレーム期間の内の選択時間（陽極または陰極の部分電極数に反比例する）だけ点灯する。したがって、ディスプレイパネルが大型化し、画素数（したがって、陽極および陰極の部分電極数）が多くなると、選択時間が短くなる。そして、所望される表示輝度を確保するためには、駆動電圧を高くして瞬間的に大電流を流し、選択時間内の瞬間輝度を大きくする必要がある。さらに、ディスプレイパネルの大型化は、配線抵抗の増大による電圧降下を増大させ、駆動電圧のさらなる上昇を招くという弊害を生じる。
【０００４】
一方、アクティブマトリックス駆動方式によるディスプレイパネルは、一体として形成される電極（陽極または陰極）と、スイッチング素子（ＴＦＴなど）と１対１で接続される複数の部分に分割され、発光部を画定する電極（陰極または陽極）と、それら電極に挟持される発光層とを有する。アクティブマトリクス駆動方式のパネルは、電流のオン／オフを各発光部に対応するスイッチング素子によって制御できるため、各発光部を１フレーム期間全体にわたって点灯させることができ、パッシブマトリクス駆動方式のパネルと比較して電流値を小さくすることができる。この点は、パネルの長寿命化にも有効である。その一方で、表示部全面に半導体形成技術を用いてスイッチング素子を形成する必要があるため構造が複雑になり、大型化には限界が存在し、製造コストが比較的高くなる。
【０００５】
上記のように、パッシブマトリクス駆動方式およびアクティブマトリクス駆動方式のいずれにおいても１枚のパネルの大型化にはそれぞれの問題点を抱えていることから、複数のサブパネルを作製し、それらサブパネルを接合して大型パネルを作製することが検討されてきている（特許文献１〜４参照）。
【０００６】
複数の小型のサブパネルを接合して大型パネルを作製する方法にはさらなる利点が存在する。すなわち、複数の小型のサブパネルは独立して検査を行うことができ、不具合のあるサブパネルを容易に排除することが可能となる。さらに、寸法をある程度小さくすることによって、サブパネル自身の歩留まりを向上させることが可能となる。これらの利点を享受するために、図１に示すように、一枚の基板１００から複数のサブパネル１１０を作製し、それらサブパネル１１０を分割して切り出し、サブパネル１１０からハンドリング代などの不要部分１２０を除去した後に、サブパネル１１０同士を貼り合わせて大型パネル２００を形成することが行われている。この方法で作成された大型パネル２００は、各サブパネル１１０を独立して駆動させることが可能であるので、もし故障が発生した場合でも、故障が発生したサブパネルのみを交換して補修することができるという利点をも有する。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２９６７２号公報
【特許文献２】特開２００５−３１２４７号公報
【特許文献３】特開２００５−１７７３８号公報
【特許文献４】特開２００５−１２３１５３号公報
【非特許文献１】Appl. Phys. Lett., 51, 913 (1987)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
以上のように、いくつかの利点を有する複数のサブパネルの接合による大型パネルの作製方法における問題点の１つは、隣接するサブパネルの境界が認識されてしまうことである。この問題点は、１）隣接するサブパネル間における発光部の整列不良、２）サブパネル内部の非発光部よりも広い非発光部が形成されること、３）接合に用いる接着剤の境界部表面への滲みだしなどによって発生する。
【０００９】
サブパネル境界を目立たせなくする方法として、１単位のピクセルを複数のサブピクセルから構成し、サブパネル境界を挟む２つのサブパネルの双方に配置されるサブピクセルから１単位のピクセルを形成する方法が提案されている（特許文献１参照）。あるいはまた、２つのサブパネルを接合するために、ピクセルが配置された接合パネルを用いる方法が提案されている（特許文献２参照）。さらに、サブパネル周縁部の画像非表示部のみを立体的に重ね合わせて接合する方法が提案されている（特許文献３参照）。
【００１０】
また、表示装置用バックライトを複数のサブパネルから作製する場合に関してサブパネル貼り合わせ境界を目立たなくさせる方法として、貼り合わせを行うサブパネル辺部を、透明電極に接続される発光面側外部電極を露出させた突出部と、背面電極に接続される背面側外部電極を露出させた非突出部から形成し、一方のパネルの突出部と他方のパネルの非突出部とを重ね合わせ、発光面側外部電極と背面側外部電極とを電気的に接続する方法が提案されている（特許文献４参照）。
【００１１】
また、大面積の基板に作られたサブパネルを切断する際に、切断部分に積層された膜があるために、サブパネルの切断および分離が容易ではないという点もまた、問題点の１つである。
【００１２】
したがって、本発明の目的は、複数のサブパネルを接合して作製する際に、サブパネルの接合境界が目立たない大型ディスプレイパネル、およびその製造方法を適用することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１の実施形態の有機ＥＬディスプレイパネルは、複数のサブパネルを接合して形成され、前記複数のサブパネルのそれぞれは、第１基板および第２基板からなる支持体と、第１基板上の有機ＥＬ素子とを含み、隣接するサブパネル間における第１基板同士を接合する第１基板接合部位と第２基板同士を接合する第２基板接合部位とは一致しないことを特徴とする。ここで、前記第１基板および前記第２基板が透明であってもよい。
【００１４】
本発明の第２の実施形態の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法は：（１）第１基板および第２基板を接着して支持体を形成する工程と、（２）第１基板を、複数の有機ＥＬ素子を形成する区域のそれぞれを包囲する第１基板切断部位で切断する工程と、（３）第１基板の上に複数の有機ＥＬ素子を形成する工程と、（４）第２基板を、複数の有機ＥＬ素子のそれぞれを包囲し、第１基板切断部位とは一致しない第２基板切断部位で切断して、それぞれが有機ＥＬ素子を含む複数のサブパネルと、隣接するサブパネル間に位置した間隙領域とに分割する工程と、（５）前記複数のサブパネルを接合して、有機ＥＬディスプレイパネルを形成する工程とをこの順に含み、工程（１）における接着を、工程（３）において有機ＥＬ素子を形成する区域、および前記間隙領域の第１基板と第２基板が接触している区域において実施することを特徴とする。ここで、工程（２）と工程（３）との間に、支持体を洗浄する工程をさらに含んでもよい。
【発明の効果】
【００１５】
以上のような構成を採ることにより、複数のサブパネルが接合されているが、その接合境界の視覚的認識が困難である大型ディスプレイパネルを提供することが可能となる。また、そのような大型ディスプレイパネルを簡便かつ低コストで作製することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の有機ＥＬディスプレイの構造およびその製造方法を、図２〜図７を参照しながら説明する。
【００１７】
第１の工程は、図２に示すように、第１基板１１と第２基板１２とを接着して、支持体１０を形成する工程である。第１基板１１と第２基板１２との接着は、第５の工程においてサブパネルに分割される際に、各サブパネルの周縁をなす第１基板切断部位１５と第２基板切断部位１６との間を除いた区域にて実施される。すなわち、第１基板１１と第２基板１２との接着を実施する第１の区域は、第４の工程において有機ＥＬ素子を形成する区域１３ａである。加えて、第１基板１１と第２基板１２との接着を実施する第２の区域は、第５の工程においてサブパネルとなる部分から分離される間隙領域１３０の第１基板１１と第２基板１２が接触している区域１３ｂにて実施される。すなわち、隣接する２つのサブパネルの境界において、一方のサブパネルとなる部分において突出部となる基板（第１または第２基板のいずれか）の切断部位と、他方のサブパネルとなる部分において突出部となる基板（第２または第１基板のいずれか）の切断部位との間の区域（図５において、左側の第１基板切断部位１５と、右側の第２基板切断部位１６との間）である。この第２の区域の接着は、第１基板１１の切断を行った時点で第１基板１１の一部が支持体１０から脱落せず、第２基板１２の切断を行った時点で間隙領域１３０がサブパネルから分離されるようにするために必要である。
【００１８】
第１基板１１および第２基板１２は、ガラス基板、ポリカーボネート基板、アクリル樹脂（ポリメチルメタクリレートなどを含む）基板、ポリエステル（ポリエチレンテレフタレートなどを含む）基板、ポリイミド基板、シリコン基板など当該技術において知られている任意の基板を用いることができる。特に支持体１０を通して有機ＥＬ素子の発光を外部へと取り出すボトムエミッション方式の場合、第１基板１１および第２基板１２は透明であることが望ましく、少なくともスイッチング素子などの必要部分を除いて透明であることが望ましい。この場合には、ガラス基板、ポリカーボネート基板またはアクリル樹脂基板などが、第１基板１１および第２基板１２として用いられる。第１基板１１および第２基板１２は、それぞれ０．２〜１ｍｍ、好ましくは０．３〜０．５ｍｍの厚さを有する。本発明においては、第１基板１１および第２基板１２が同一の厚さを有することが望ましい。
【００１９】
第１基板１１および第２基板１２の接着は、可視波長域において透明な接着剤を用いて実施することができる。接着剤としては、光学接着剤として市販されているエポキシ系接着剤、アクリレート系接着剤などを使用することができる。
【００２０】
第２の工程は、図３に示すように、第１基板１１の切断工程である。ダイヤモンドカッター、超鋼ホイールカッター、レーザーカッターなどを用いて、その下に存在する第２基板１２を傷つけることなしに、第１基板１１のみを所定の第１基板切断部位１５において切断する。第１基板１１の切断は、後に第１基板１１上に形成する複数の有機ＥＬ素子を１つずつに分離することができるように実施される。たとえば、複数の有機ＥＬ素子のそれぞれを包囲するように、第１基板切断部位１５を設定することが望ましい。この工程において、後に有機ＥＬ素子を形成する第１基板１１の切断が完了するため、有機ＥＬ素子を形成する工程において、切断部位１５を覆うように膜が形成されたとしても、支持体１０のサブパネル単位への分離を円滑に実施することができる。
【００２１】
任意選択的であるが、第３の工程として、支持体１０の洗浄を行うことが好ましい。この工程は、第２の工程で発生する基板の屑を支持体上から取り除くための工程である。洗浄は当該技術に知られている任意の方法で実施することができる。たとえば、純水中に支持体１０を浸漬させ、数分間にわたって超音波を印加し、その後、流水（純水）中で数分間にわたってすすぎを行い、次いでスピン乾燥またはイソプロパノール（ＩＰＡ）蒸気乾燥などによって乾燥させる。
【００２２】
次いで、図４に示すように、第１基板１１の上に複数の有機ＥＬ素子２０を形成する第４の工程を実施する。図２〜図７を通して、有機ＥＬ素子２０が２個の場合を例示しているが、任意の個数の有機ＥＬ素子を２次元的に配列して形成してもよいことはいうまでもない。有機ＥＬ素子は、陽極、有機ＥＬ層および陰極を少なくとも含み、必要に応じて、色変換フィルタ層、パッシベーション層などの層を含んでもよい。
【００２３】
陽極および陰極の一方は透明電極であることが必要であり、他方が反射電極であることが望ましい。また、陽極および陰極のいずれが有機ＥＬ層の支持体側に存在してもよい。透明電極の材料としては、ＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）、Ｓｎ酸化物、Ｉｎ酸化物、ＩＺＯ（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、Ｚｎ酸化物、Ｚｎ−Ａｌ酸化物、Ｚｎ−Ｇａ酸化物、またはこれらの酸化物に対してＦ、Ｓｂなどのドーパントを添加した透明導電性金属酸化物を用いることができる。これらの透明導電性金属酸化物は陽極としての使用に適した仕事関数を有する。反射電極の材料としては、高反射率の金属（Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒなど）、アモルファス合金（ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＰ、ＣｒＢなど）、微結晶性合金（ＮｉＡｌなど）を用いることができる。透明電極を陰極として用いる場合、透明導電性金属酸化物と有機ＥＬ層との間に、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、またはＣｓなどのアルカリ金属、Ｂａ、Ｓｒなどのアルカリ土類金属またはそれらを含む合金、希土類金属、あるいはそれら金属のフッ化物などから形成されるバッファ層を設けることが望ましい。透明性を確保する観点からバッファ層の膜厚は１０ｎｍ以下である。一方、反射電極を陽極として用いる場合、前述の材料と有機ＥＬ層との間に、透明導電性金属酸化物の薄層を設けて適切な仕事関数を付与することができる。あるいはまた、反射電極を陽極として用いる場合、前述の材料とアルカリ金属またはアルカリ土類金属との合金を用いて反射電極を形成してもよいし、前述のようなバッファ層を有機ＥＬ層と前述の材料との間に設けてもよい。
【００２４】
陽極および陰極をそれぞれストライプ状の複数の部分電極から形成し、陽極のストライプが延びる方向と陰極のストライプが延びる方向とを交差するように設定して、その交差部を１つの発光部とするパッシブマトリクス型の素子を形成することができる。あるいはまた、陽極または陰極の一方を、１つの発光部に対応し、スイッチング素子（ＴＦＴなど）と１対１に接続される複数の部分電極から形成し、他方を一体型の共通電極として形成して、アクティブマトリクス型の素子を形成してもよい。スイッチング素子は、たとえば、第１基板１１の表面上または表面内に設けることができる。
【００２５】
陽極および陰極は、当該技術において知られている、蒸着、スパッタなどの方法を用いて形成することができる。複数の部分電極からなる電極を形成する場合には、所望の形状のマスクを使用してもよいし、可能な場合にはフォトリソグラフィ法によるパターニングを行ってもよい。また、パッシブマトリクス型素子の第２電極（有機ＥＬ層の支持体１０とは反対側の電極）については、有機ＥＬ層形成前に、ネガ型フォトレジストを用いて逆テーパー形状の断面を有する第２電極分離隔壁を形成することでパターニングを実施してもよい。
【００２６】
有機ＥＬ層は、有機発光層を少なくとも含み、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などの層を含んでもよい積層構造の層である。有機発光層は、陽極および陰極から注入された正孔および電子の再結合によって発光を行う層であり、たとえば、縮合芳香環化合物、環集合化合物、金属錯体（Ａｌｑ３のようなアルミニウム錯体など）、スチリルベンゼン系化合物（４，４’−ビス（ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）など）、ポルフィリン系化合物、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、べンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、芳香族ジメチリディン系化合物などを含む。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、および電子注入層は、当該技術において知られている任意の材料を用いて形成することができる。
【００２７】
さらに、有機ＥＬ素子の光取出側に色変換フィルタ層を設けてもよい。色変換フィルタ層は、入力光の特定波長域の成分のみを透過させるカラーフィルタ層、入力光の特定波長域の成分を吸収して別の波長域の成分を放射する色変換層、またはカラーフィルタ層と色変換層との積層体であってもよい。多色表示を目的として、複数種（好ましくは３種（赤色、緑色、青色））の色変換フィルタ層を設けてもよい。カラーフィルタ層は、フラットパネルディスプレイ用として市販されている材料を用いて形成することができる。一方、色変換層は色変換色素とマトリクスとからなる層であり、当該技術において知られている任意の材料および方法を用いて形成することができる。
【００２８】
色変換フィルタ層を形成する場合に、色変換フィルタ層と電極（陽極または陰極のいずれか）との間にパッシベーション層を設けて、色変換フィルタ層から有機ＥＬ層への水分などの拡散を防止することが望ましい。パッシベーション層は、ＳｉＯｘ、ＡｌＯｘ、ＴｉＯ２のような絶縁性酸化物、ＳｉＮｘ，ＡｌＮｘ、ＢＮのような絶縁性窒化物、ＳｉＯｘＮｙ、ＡｌＯｘＮｙのような絶縁性酸化窒化物、またはＳｉＣのような絶縁性炭化物を用いて形成することができる。
【００２９】
さらに、形成された有機ＥＬ素子２０の封止を行って、周囲環境に存在する水分および酸素の悪影響を防止することが高度に望ましい。封止は、第２電極の形成後に、陽極および陰極の外部接続用端子を除いて、前述の絶縁性酸化物、絶縁性窒化物、絶縁性酸化窒化物または絶縁性炭化物の層で有機ＥＬ素子２０を被覆することによって実施してもよい。あるいはまた、ガラス板、ステンレス（ＳＵＳ）などの金属缶、またはポリカーボネートなどの樹脂フィルムを、ＵＶ硬化樹脂などを用いて有機ＥＬ素子２０を覆うように貼り付けることによって、封止を行ってもよい。
【００３０】
有機ＥＬ素子２０の形成後に、第５の工程として、第２基板１２を切断して、それぞれ１つの有機ＥＬ素子２０を含むサブパネルへの分割を行う。図５に示すように、ダイヤモンドカッター、超鋼ホイールカッター、レーザーカッターなどを用いて、その上に存在する第１基板１１を傷つけることなしに、第２基板１２のみを所定の第２基板切断部位１６において切断する。第２基板１２の切断は、第１基板１１上に形成された複数の有機ＥＬ素子を１つずつに分離することができるように実施される。たとえば、複数の有機ＥＬ素子のそれぞれを包囲するように、第２基板切断部位１６を設定することが望ましい。また、第２基板切断部位１６は、第１基板切断部位１５と一致しない（すなわち、単一の断面を形成しない）ように設定される。本工程において、第２基板１２の切断によって発生する屑が第１基板１１側にある有機ＥＬ素子２０の外部接続端子を汚損することはない。なぜなら、第２基板１２は有機ＥＬ素子２０とは反対側の面に存在し、かつ第１基板切断部位１５と第２基板切断部位１６とは一致しない（すなわち、単一の断面を形成しない）からである。そして、サブパネルの１辺を構成する第１基板切断部位１５と第２基板切断部位１６との間において、第１基板１１と第２基板１２とは接着されていない。したがって、この工程を実施することにより、図６に示されるように、２つのサブパネル１１０（ａおよびｂ）と、サブパネル間の有機ＥＬ素子が配設されていない間隙領域１３０とに分割される。
【００３１】
この段階で、分割されたサブパネル１１０のそれぞれについて、電極と外部駆動回路との接続のための取り出し端子との間の配線などを実施することができる。また、サブパネル１１０のそれぞれについて駆動試験を行い、故障部分を含むサブパネルを以降の工程から排除することができる。
【００３２】
次に、第６の工程として、故障部分を含まないサブパネル１１０を接合して、大型の有機ＥＬディスプレイパネルを形成する。図７に示すように、２つのサブパネル１１０ａと１００ｂとをそれぞれの第１基板切断部位１５および第２基板切断部位１６を当接させ、圧力または必要に応じて熱または光を適用して図８に示すように接合する。このときに、サブパネル１１０のそれぞれの辺における第１基板切断位置１５と第２基板切断位置１６との間の領域に接着剤を適用して接合を行うことによって、接着剤の支持体１０表面への滲み出しを防止することができる。たとえば、サブパネル１１０ａにおいては、第１基板切断位置１５と第２基板切断位置１６との間の第１基板１１に対して接着剤を適用することができ、サブパネル１１０ｂにおいては、相当する領域の第２基板１２に対して接着剤を適用することができる。そして、図８に示した接合体において、２つの第１基板切断部位１５が第１基板接合部位１７を形成し、２つの第２基板切断部位１６が第２基板接合部位１８を形成する。
【００３３】
実際に形成されるディスプレイパネルの大きさおよび精細度に依存するが、サブパネルの接合によって形成された有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、隣接する有機ＥＬ素子２０の間の距離を１５０〜４００μｍとすることが望ましい。また、有機ＥＬ素子２０内の最外側の発光部を有機ＥＬ素子周縁から５０〜１００μｍの位置に形成することが望ましい。このような設計によって、接合された有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、隣接する有機ＥＬ素子２０間の発光部の存在しない領域の幅を２５０〜６００μｍとすることができる。この幅をそれぞれの有機ＥＬ素子２０内の発光部間隔と一致または接近させることによって、無発光領域の存在によって接合位置が特定されるのを防止することができる。
【００３４】
また、図６に示した第１基板切断部位１５と第２基板切断部位１６とは一致しない（すなわち、単一の断面を形成しない）構造を有するサブパネルの端部同士を接合することによって、図８に示すように接合されたサブパネルが同一平面上に位置することとなり、サブパネル同士が折れ曲がった状態で接合されるのを防止することができる。
【００３５】
１つのサブパネルの１つの辺において、第１基板切断位置１５と第２基板切断位置１６との間の距離は、第２基板切断位置１６が有機ＥＬ素子２０の下に位置しないことを条件として、適宜設定することができる。しかしながら、前述のように接着剤を適用する区域を確保することを目的として、第１基板切断位置１５と第２基板切断位置１６との間の距離を１００〜５００μｍとすることが望ましい。
【００３６】
以上に説明した本発明の方法において、透明電極（好ましくは透明陽極）を有機ＥＬ層の第１基板１１側に設け、反射電極（好ましくは反射性陰極）をその反対側に設けることによって、支持体１０側から光を取り出すボトムエミッション型有機ＥＬディスプレイパネルを得ることができる。逆に、有機ＥＬ層の第１基板１１側の電極を反射電極とし、反対側の電極を透明電極とすることによって、支持体１０の反対側から光を取り出すトップエミッション型有機ＥＬディスプレイパネルを得ることができる。
【００３７】
また、本発明の方法にて得られた有機ＥＬディスプレイパネルを、その非表示面側において、一体として形成されている補強用支持体と接着し、一体化してもよい。また、支持体１０側から光を取り出すボトムエミッション型有機ＥＬディスプレイパネルの場合、補強用支持体の上に有機ＥＬ素子２０の駆動回路を設け、該駆動回路を有機ＥＬ素子２０と接続してもよい。
【実施例】
【００３８】
（実施例１）
縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ×厚さ０．５ｍｍの２枚のガラス基板を準備し、アクリル樹脂を接着剤として用いてそれら２枚のガラス基板を接着して支持体１０を得た。接着剤は、有機ＥＬ素子の形成が予定されている縦３．４ｍｍ×横３．４ｍｍの矩形領域（縦方向、横方向とも５ｍｍの間隙をおいて配置されている）、および該矩形領域の各辺からの距離が２．２〜２．８ｍの矩形の領域に塗布した。
【００３９】
次に、有機ＥＬ素子の形成が予定されている矩形領域の奥側および左側１００μｍの線と、手前側および右側６００μｍの線とに沿って、第１基板１１を超鋼ホイールカッターを用いて切断した。切断終了後、支持体１０を純水中に浸漬し、２０分間にわたって超音波を照射し、流水中ですすいだ後にスピン乾燥させた。
【００４０】
次に、洗浄済みの支持体１０に対して、青色フィルタ材料（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製：カラーモザイクＣＢ−７００１）をスピンコート法にて塗布後、フォトリソグラフ法によりパターニングを実施し、有機ＥＬ素子が形成される矩形領域内に１．０ｍｍ幅、４．２ｍｍピッチ、膜厚１０μｍの縦方向に延びる複数のストライプ形状部分からなる青色変換フィルタ層（カラーフィルタ層のみで形成される）を形成した。
【００４１】
クマリン６（０．７重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１２０重量部へ溶解させた。光重合性樹脂組成物の「Ｖ２５９ＰＡ／Ｐ５」（商品名、新日鐵化学株式会社）１００重量部を加えて溶解させ、塗布液を得た。この塗布溶液を、前述の支持体１０上にスピンコート法を用いて塗布し、フォトリソグラフ法によりパターニングを実施し、有機ＥＬ素子が形成される矩形領域内に１．２ｍｍ幅、４．２ｍｍピッチ、膜厚１０μｍの縦方向に延びる複数のストライプ形状部分からなる緑色変換フィルタ層（色変換層のみで形成される）を形成した。
【００４２】
クマリン６（０．６重量部）、ローダミン６Ｇ（０．３質量部）、ベーシックバイオレット１１（０．３質量部）を溶剤のプロピレングリコールモノエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１２０重量部へ溶解させた。光重合性樹脂組成物の「Ｖ２５９ＰＡ／Ｐ５」（商品名、新日鐵化学株式会社）１００重量部を加えて溶解させ、塗布液を得た。この塗布溶液を、前述の支持体１０上にスピンコート法を用いて塗布し、フォトリソグラフ法によりパターニングを実施し、有機ＥＬ素子が形成される矩形領域内に１．２ｍｍ幅、４．２ｍｍピッチ、膜厚１０μｍの縦方向に延びる複数のストライプ形状部分からなる赤色変換フィルタ層（色変換層のみで形成される）を形成した。
【００４３】
次に、ＲＧＢの色変換フィルタ層上に、ＵＶ硬化型樹脂（エポキシ変性アクリレート）をスピンコート法にて塗布した後に、高圧水銀灯を照射して、有機ＥＬ素子が形成される矩形領域内に膜厚８μｍ（色変換フィルタ層上の厚さ）の平坦化層を形成した。続いて、室温におけるＤＣスパッタ法を用いて、平坦化層上にＳｉＯ２を３００ｎｍ堆積させて、パッシベーション層を形成した。この際に、スパッタターゲットとしてＳｉを用い、スパッタガスとしてＡｒおよび酸素の混合ガスを用いた。
【００４４】
次に、透明電極基板１０のパッシベーション層１４の上に、室温におけるスパッタ法を用いて、膜厚２００ｎｍのＩＺＯ膜を形成した。この際に、スパッタターゲットとしてＩＺＯを用い、スパッタガスとしてＡｒおよび酸素の混合ガスを用いた。得られたＩＺＯ膜の上にレジストを形成し、フォトリソグラフ法によりレジストをパターニングした後にシュウ酸をエッチング液として用いてＩＺＯ膜をパターニングして、幅１．０ｍｍ、１．４ｍｍピッチの縦方向に延びる複数のストライプ形状部分からなる透明電極を得た。ここで、透明電極の複数のストライプ形状部分を、色変換フィルタ層の複数のストライプ形状部分に相当する位置に形成した。
【００４５】
次いで透明電極を形成した半製品を抵抗加熱蒸着装置内に装着して、有機ＥＬ層を形成した。有機ＥＬ層４０は、正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層の４層構成とした。真空槽内圧を１×１０−５Ｐａまで減圧し、厚さ１００ｎｍの銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ、正孔注入層）、厚さ２０ｎｍの４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ、正孔輸送層）、厚さ３０ｎｍの４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ、発光層）、および厚さ２０ｎｍのアルミニウムトリス（８−キノリノラート）（Ａｌｑ、電子注入層）を、真空を破ることなく積層して、有機ＥＬ層を得た。
【００４６】
さらに真空を破ることなしに、マスクを用いて、厚さ２００ｎｍのＭｇ／Ａｇ（質量比１０：１）を積層して、横方向に延びる複数のストライプ形状部分からなる反射電極を形成した。反射電極のストライプ形状部分のそれぞれは、幅３．８ｍｍ、４．２ｍｍピッチを有した。
【００４７】
次いで、グローブボックス内の乾燥窒素雰囲気（酸素および水分ともに１０ｐｐｍ以下）中において、封止ガラス（不図示）およびＵＶ硬化型接着剤を用いて、複数の矩形領域のそれぞれを独立的に封止した。以上のようにして、透明電極が陽極であり、反射電極が陰極であるボトムエミッション型パッシブマトリクス駆動方式の複数の有機ＥＬ素子２０を支持体１０上に形成した。それぞれの有機ＥＬ素子２０は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍの矩形形状であった。
【００４８】
次に、それぞれの有機ＥＬ素子２０の奥側および左側６００μｍの線と、手前側および右側１００μｍの線とに沿って、第２基板１２を超鋼ホイールカッターを用いて切断して、複数のサブパネル１１０と不要部分１３０とを分割した。
【００４９】
最後に、それぞれの有機ＥＬ素子２０の奥側および左側に位置する、第２基板切断位置よりも外側の第１基板１１の底面に接着剤としてアクリル樹脂を適用し、それぞれのサブパネル１１０を縦８枚×横１０枚の状態に接合して貼り合わせ、縦２０３．５ｍｍ×横２５４．５ｍｍの有機ＥＬディスプレイパネルを形成した。
【００５０】
それぞれのサブパネル１１０の接合部位において、接着剤として用いたアクリル樹脂の滲み出しは認められなかった。また、以上のような構成において、複数の有機ＥＬ素子２０が縦方向および横方向ともに７００μｍの間隙にて配列され、この間隙は各有機ＥＬ素子内の副画素間の間隙と同等であった。その結果として、ディスプレイパネルに画像表示を行っている際の肉眼による観察では、サブパネル１１０の接合部位を認識することはできなかった。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】従来のサブパネル結合による大型パネル作製を説明する図である。
【図２】本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法を説明する図である。
【図３】本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法を説明する図である。
【図４】本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法を説明する図である。
【図５】本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法を説明する図である。
【図６】本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法を説明する図である。
【図７】本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法を説明する図である。
【図８】本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０  支持体
１１  第１基板
１２  第２基板
１３（ａ，ｂ）  接着部
１５  第１基板切断部位
１６  第２基板切断部位
１７  第１基板接合部位
１８  第２基板接合部位
２０  有機ＥＬ素子
３０  接着剤
１００  基板
１１０（ａ，ｂ）  サブパネル
１２０  不要部分
１３０  間隙領域
２００  大型パネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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