(57)【要約】【課題】例えば液晶装置等の電気光学装置およびその製造方法ならびに該電気光学装置を備えた投射型表示装置および電子機器に係り、低コストで装置全体の温度上昇を良好に抑制するができるようにする。【解決手段】電気光学装置の有効表示領域以外の基板表面に放熱手段を設けたことを特徴とする。その放熱手段としては、例えば基板表面に凹凸Ｒを形成する、あるいは基板よりも熱伝導率の高い材料よりなる放熱層Ｓを形成する、もしくはその両方を形成するようにしてもよい。また上記の基板よりも熱伝導率の高い材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、シリコン等の金属材料を用いることができる。【選択図】  図１
2008139529.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効表示領域以外の基板表面に放熱手段を設けた電気光学装置であって、
前記放熱手段として、前記基板表面に凹凸を形成してなることを特徴とする電気光学装
置。
【請求項２】
有効表示領域以外の基板表面に放熱手段を設けた電気光学装置であって、
前記放熱手段として、前記基板表面に該基板よりも熱伝導率の高い材料よりなる放熱層
を形成してなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
有効表示領域以外の基板表面に放熱手段を設けた電気光学装置であって、
前記放熱手段として、前記基板表面に凹凸を形成すると共に、その凹凸表面に、上記基
板よりも熱伝導率の高い材料よりなる放熱層を形成してなることを特徴とする電気光学装
置。
【請求項４】
前記の基板よりも熱伝導率の高い材料として、金、銀、銅、アルミニウム、シリコン等
の金属を用いる請求項２または３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記放熱層の表面に、凹凸を形成してなる請求項２〜４のいずれかに記載の電気光学装
置。
【請求項６】
前記放熱手段を、電気光学装置の対向する一対の基板の対向面と反対側の面に、それぞ
れ設けてなる請求項１〜５のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項７】
電気光学装置の組立前もしくは組立後に、該電気光学装置の有効表示領域以外の基板表
面に加工処理を施して該基板表面に放熱手段を設けることを特徴とする電気光学装置の製
造方法。
【請求項８】
前記基板表面に前記加工処理としてレーザー光を照射することによって、前記基板表面
に前記放熱手段としての凹凸を形成するようにした請求項７に記載の電気光学装置の製造
方法。
【請求項９】
前記基板表面に前記加工処理として前記基板よりも熱伝導率の高い材料を蒸着またはス
パッタで付着させることによって、前記基板表面に前記放熱手段としての放熱層を形成す
るようにした請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
電気光学装置の組立前に、該電気光学装置の基板表面に形成される静電吸着膜を放熱手
段としての放熱層に兼用することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記請求項１〜６のいずれかに記載の電気光学装置または前記請求項７〜１０のいずれ
かに記載の電気光学装置の製造方法によって製造された電気光学装置を、光源からの光を
変調する光変調手段として用いることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項１２】
前記請求項１〜６のいずれかに記載の電気光学装置または前記請求項８〜１０のいずれ
かに記載の電気光学装置の製造方法によって製造された電気光学装置を備えたことを特徴
とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置およびその製造方法ならびに前記電気光学
装置を備えた投射型表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来たとえば液晶装置、特にバックライトを備えた液晶装置においては、装置の駆動時
に駆動回路等から発生する熱やバックライトからの熱で装置の温度が上昇して液晶装置の
特性が変化したり、耐久性が低下する等のおそれがある。また例えばプロジェクタ等の投
射型表示装置にライトバルブ等の光変調装置として用いられる液晶装置は、光源からの光
を所望の画像が得られるように変調してスクリーン等の投射面に拡大投影するもので、上
記液晶装置には高輝度の光源光が照射されるため温度上昇が激しく、それによって表示特
性や耐久性に悪影響を及ぼす等のおそれがある。特に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）
等の薄膜状のスイッチング素子を備えたアクティブ型の液晶装置にあっては、上記の温度
上昇によってスイッチング素子等の性能や耐久性が低下するおそれがあり、その対策が求
められている。
【０００３】
そこで、下記特許文献１においては、液晶装置を構成する一対の電極基板のうちの一方
の電極基板上に駆動回路を設け、その駆動回路上に絶縁層を介して熱伝導層を形成すると
共に、この熱伝導層の少なくとも一部を外周部に導出した導出部を設けることが提案され
ている。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２５７１６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１のように電極基板上に設けた駆動回路上に絶縁層を介し
て熱伝導層を形成するものは、駆動回路付近の温度上昇は抑制できるが、液晶装置全体の
温度上昇は必ずしも良好に抑制することはできない。また上記の絶縁層や熱伝導層を形成
するための工程が多く、製作が面倒で製造コストが増大すると共に、歩留まりが低下する
等の不具合がある。
【０００６】
本発明は上記のような液晶装置等の電気光学装置における上記問題点に鑑みて提案され
たもので、低コストで装置全体の温度上昇を良好に抑制することのできる電気光学装置お
よびその製造方法ならびに該電気光学装置を備えた投射型表示装置および電子機器を提供
することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために本発明による電気光学装置およびその製造方法ならびに該
電気光学装置を備えた投射型表示装置および電子機器は、以下の構成としたものである。
すなわち、本発明による電気光学装置は、該電気光学装置の有効表示領域以外の基板表面
に放熱手段を設けたことを特徴とする。
【０００８】
上記のように電気光学装置の有効表示領域以外の基板表面に放熱手段を設けたことによ
って、電気光学装置に生じる熱を上記放熱手段により外部に放出させて装置全体の温度上
昇を良好に抑制することが可能となる。
【０００９】
上記の放熱手段としては、例えば上記基板の表面に凹凸を形成すればよい。その凹凸の
構成は適宜であるが、例えば基板表面に凹部または凸部を規則的もしくは不規則に形成し
て、その凹部または凸部と、その周囲との高低差で凹凸を持たせ（生じさせ）たものでも
よく、或いは凹部と凸部の両方を規則的もしくは不規則に形成して凹凸を持たせたもので
もよい。また上記基板の表面に微細な凹凸を形成することによって、いわゆる粗面とした
ものであってもよい。
【００１０】
上記のように放熱手段として基板の表面に凹凸を形成すると、上記基板の表面積が増大
して放熱性が良くなり、それによって装置全体の温度上昇を良好に抑制することが可能と
なる。
【００１１】
また上記の放熱手段として、前記基板表面に該基板よりも熱伝導率の高い材料よりなる
放熱層を形成してもよい。その基板よりも熱伝導率の高い材料としては、例えば金、銀、
銅、アルミニウム、シリコン等の金属を用いることができる。
【００１２】
上記のように放熱手段として基板よりも熱伝導率の高い材料よりなる放熱層を形成する
と、上記基板表面の放熱性が良くなり、それによって装置全体の温度上昇を良好に抑制す
ることが可能となる。
【００１３】
或いは上記の放熱手段として、前記の基板表面に前記と同様の凹凸を形成すると共に、
その凹凸表面に前記と同様に基板よりも熱伝導率の高い材料よりなる放熱層を形成しても
よい。
【００１４】
上記のように基板表面に凹凸を形成すると共に、その凹凸表面に上記基板よりも熱伝導
率の高い材料よりなる放熱層を形成すると、上記の凹凸による基板の表面積の増大と相ま
って上記放熱層による基板表面の放熱性が向上し、装置全体の温度上昇を更に良好に抑制
することが可能となる。
【００１５】
また前記放熱層の表面には、必要に応じて凹凸を形成するようにしてもよい。その凹凸
は、上記放熱層を形成する際または形成した後に形成したものでもよく、或いは前記基板
に形成した凹凸の表面に比較的薄い膜状の放熱層を形成することによって、基板の凹凸が
放熱層表面にまで波及して形成されたものであってもよい。
【００１６】
上記のように放熱層の表面に凹凸を形成すると、その放熱層による放熱性の向上と相ま
って、上記の凹凸によって放熱層の表面積が増大して放熱性能が更に向上し、装置の温度
上昇を更に良好に抑制することが可能となる。
【００１７】
前記の放熱手段は、前述のように有効表示領域以外の基板表面であれば、いずれの位置
に設けてもよいが、例えば電気光学装置の対向する一対の基板の対向面と反対側の面に、
それぞれ設けると、通常基板の対向面側に配置される入出力配線や駆動回路等の配置に支
障を来すことなく、比較的容易に且つより広い面積の放熱手段を容易・安価に設けること
が可能となる。
【００１８】
また、本発明による電気光学装置の製造方法は、電気光学装置の組立前もしくは組立後
に、該電気光学装置の有効表示領域以外の基板表面に加工処理を施して該基板表面に放熱
手段を設けることを特徴とする。
【００１９】
上記のような電気光学装置の製造方法によれば、放熱性のよい電気光学装置を容易・安
価に製造することが可能となる。
【００２０】
具体的には、例えば前記の基板表面に前記加工処理としてレーザー光を照射することに
よって、前記基板表面に前記放熱手段としての凹凸を形成する。或いは前記の基板表面に
前記加工処理として前記基板よりも熱伝導率の高い材料を蒸着またはスパッタで付着させ
ることによって、前記基板表面に前記放熱手段としての放熱層を形成すればよい。
【００２１】
或いは本発明による電気光学装置の他の製造方法としては、電気光学装置の組立前に、
該電気光学装置の基板表面に形成される静電吸着膜を、放熱手段としての放熱層に兼用す
るようにしてもよい。
【００２２】
上記のように電気光学装置の基板表面に形成される静電吸着膜を、放熱手段としての放
熱層に兼用すると、上記放熱層の形成工程を簡略化して容易・安価に放熱手段を設けるこ
とが可能となる。
【００２３】
さらに本発明による投射型表示装置は、前記の電気光学装置または前記の電気光学装置
の製造方法によって製造された電気光学装置を、光源からの光を変調する光変調手段とし
て用いることを特徴とするもので、放熱性のよい投射型表示装置を安価に提供することが
可能となる。
【００２４】
また本発明による電子機器は、前記の電気光学装置または前記の電気光学装置の製造方
法によって製造された電気光学装置を備えたもので、放熱性のよい電子機器を安価に提供
することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明による電気光学装置およびその製造方法ならびに該電気光学装置を備えた
投射型表示装置および電子機器を、図に示す実施形態に基づいて具体的に説明する。
【００２６】
図に示す実施形態は電気光学装置としての液晶装置、特にＴＦＴ等のスイッチング素子
を備えたアクティブマトリックス型の液晶装置に適用したもので、図１（ａ）はその液晶
装置の概略構成を示す正面図、同図（ｂ）は（ａ）におけるｂ−ｂ断面図である。
【００２７】
上記液晶装置１は、図に省略したスイッチング素子や画素電極等を備えた素子基板１０
と、それに対向して設けた対向基板２０との間に液晶層５０を介在させた構成であり、上
記素子基板１０と対向基板２０とは環状のシール材５２によって互いに貼り合わせ接合さ
れ、その環状シール材５２の内側の上記素子基板１０と対向基板２０との間に液晶を充填
して上記液晶層５０を形成したものである。上記対向基板２０の内側（液晶層側）の面に
は対向電極や配向膜等が、また上記素子基板１０の内側（液晶層側）の面にも配向膜等が
設けられ、さらに上記両基板１０，２０の外側には偏光板等が設けられている場合がある
が図には省略した。
【００２８】
本発明は上記のような液晶装置等の電気光学装置の有効表示領域以外の基板表面に放熱
手段を設けたもので、図の実施形態は上記のような液晶装置１における環状のシール材５
２の内側の有効表示領域以外の基板表面に放熱手段を設けたものである。上記の有効表示
領域とは、上記のような液晶装置においては、液晶装置として有効に画像等が表示可能な
領域を言い、少なくとも液晶装置の正面もしくは背面から見て液晶層５０が存在する領域
をいう。具体的には、例えば図１のように一対の基板１０・２０間に介在させた液晶封止
用の環状シール材５２の内側の領域１０ａをいう。そして有効表示領域以外とは上記の領
域以外の領域を言う。
【００２９】
なお、図１のように上記シール材５２に沿って、それよりも内側に位置するようにして
基板の内面（液晶層側の面）等に遮光膜５３等を形成したものにあっては、その遮光膜５
３等を含めて、それよりも外側の領域を有効表示領域以外の領域として放熱手段を設ける
ことができる。また上記のシール材５２や遮光膜５３等の内側であっても例えば配線やス
イッチング素子等を覆うようにして基板の内面もしくは外面側に遮光膜等を形成したもの
にあっては、その遮光膜等で遮蔽された領域も有効表示領域以外の領域として放熱手段を
設けることができる。さらに反射型の液晶装置にあっては、反射面側の基板のほぼ全面を
反射に支障のない範囲内において有効表示領域以外の領域として放熱手段を設けることも
可能である。
【００３０】
上記図１に示す実施形態においては上記の有効表示領域以外の基板表面に、上記放熱手
段としての凹凸Ｒを設けたもので、特に図の場合は対向する上記素子基板１０と対向基板
２０の外表面（対向面と反対側面）に略半球状の凹部を所定の間隔をおいて規則的に形成
することによって、その凹部とその周囲との高低差で凹凸Ｒが生じるようにしたものであ
る。なお、上記凹部の代わりに、凸部を形成して、その凸部とその周囲との高低差で凹凸
Ｒが生じるようにしてもよく、或いは凹部と凸部とを形成して凹凸Ｒを持たせるようにし
てもよい。また上記凹部および凸部は不規則（ランダム）に設けてもよく、また上記凹部
若しくは凸部の大きさ又はそれらの形状は適宜であり、例えば微細な凹凸をランダムに多
数設けた粗面としてもよい。
【００３１】
また上記実施形態は、放熱手段として基板表面に凹凸Ｒを設けたが、その凹凸Ｒの代わ
りに図２（ａ）のように上記各基板１０，２０（より詳しくは、それらの原料基板）より
も熱伝導率の高い材料よりなる放熱層Ｓを設けるようにしてもよく、あるいは同図（ｂ）
のように基板１０，２０の表面に凹凸Ｒを形成すると共に、その凹凸Ｒの表面に上記と同
様の放熱層Ｓを設けるようにしてもよい。上記の基板１０，２０よりも熱伝導率の高い材
料としては、通常基板の材料（原料）として用いられるガラスや石英等よりも熱伝導率の
高い、例えば金、銀、銅、アルミニウム、シリコン等の金属材料を用いることができる。
なお、上記放熱層Ｓの表面にも凹凸を設けるとよく、その放熱層表面に設ける凹凸は、例
えば該放熱層Ｓを形成する際もしくは形成した後に、その表面に型成形もしくはエンボス
加工等で形成する、或いは図２（ｂ）のように凹凸Ｒの表面に、その凹凸の高さ寸法より
も薄い膜状の放熱層Ｓを形成することによって、上記基板の凹凸Ｒが放熱層Ｓの表面にま
で波及して該放熱層表面に凹凸が生じるようにしてもよい。
【００３２】
なお、上記各実施形態は、凹凸Ｒや放熱層Ｓ等の放熱手段を、液晶装置の有効表示領域
以外の領域であって、素子基板１０と対向基板２０の対向面と反対側面のほぼ全面に設け
たものであるが、液晶装置の駆動回路や配線等に支障がない領域であれば、素子基板１０
と対向基板２０との対向面側（液晶層側の面）にも上記の放熱手段を設けるようにしても
よく、また場合によっては上記各基板１０，２０の周面に上記のような放熱手段を設ける
ことも可能である。
【００３３】
上記のように本発明は素子基板１０や対向基板２０等の基板表面に、凹凸Ｒや放熱層Ｓ
等の放熱手段を設けたから、その放熱作用によって、液晶装置に生じる駆動時の熱やバッ
クライト等の照射光もしくは投射型表示装置にあっては光源光による熱を外部に良好に放
出させることが可能となり、上記液晶装置等の電気光学装置全体の温度上昇を良好に抑制
することができる。特に、基板表面に凹凸Ｒを設けた場合には、その凹凸Ｒによって基板
の表面積が増して放熱性が増大し、また基板表面に放熱層Ｓを設けた場合には、その放熱
層Ｓによって基板表面の熱伝導性が良くなって放熱性が向上する。さらに上記の凹凸Ｒと
放熱層Ｓとを併用すると、上記の放熱性が更に向上し、上記放熱層Ｓの表面にも凹凸を設
けると、上記の放熱性をより一層向上させることが可能となる。
【００３４】
また上記実施形態のように、液晶装置等の電気光学装置の有効表示領域以外の領域であ
って、素子基板１０と対向基板２０の対向面と反対側面のほぼ全面に、凹凸Ｒや放熱層Ｓ
等の放熱手段を設けると、電気光学装置の駆動回路や配線等に殆ど支障を来すことなく、
より広い領域に上記放熱手段を設けることが可能となり、より放熱性のよい電気光学装置
が得られる。
【００３５】
〔電気光学装置の製造方法〕
次に、上記のような液晶装置を例にして本発明による電気光学装置の製造方法を具体的
に説明する。上記のような液晶装置１を製造するに当たっては、先ず、素材となるガラス
基板等の原料基板上に、所定の素子や配線を形成して素子基板１０や対向基板２０を作成
するもので、その素子基板１０と対向基板２０とは、それぞれ別の原料基板上に複数個ず
つ形成するのが一般的である。
【００３６】
次いで、上記のようにして、それぞれの原料基板上に複数個ずつ形成した素子基板１０
と対向基板２０とを、前記のような環状のシール材５２を介して貼り合わせ接合するもの
で、その接合前もしくは接合後に上記環状シール材５２の内側の素子基板１０と対向基板
２０との間に液晶を充填して液晶層５０を形成する。次いで、上記各原料基板上に複数個
ずつ形成した素子基板１０と対向基板２０とを、互いに対となる基板毎に切断して素子基
板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が介在された複数個の積層体を形成した後、そ
の各積層体の両面に偏光板等を配置して前記のような液晶装置１を製造するものである。
【００３７】
そして、本発明においては、上記のようにして液晶装置等の電気光学装置を製造する際
に、上記基板１０，２０の表面に前記の凹凸Ｒや放熱層Ｓ等の放熱手段を設けるもので、
その時期は装置の組立前または組立後のいずれでもよい。具体的には、例えば組立前とし
ては、上記原料基板に、それぞれの基板１０，２０に必要な素子や配線等を形成する前ま
たは形成後のいずれでもよく、また組立後としては、それぞれの原料基板上に形成した複
数個の素子基板１０と対向基板２０とをシール材５２を介して貼り合せ接合した後、ある
いは上記素子基板１０と対向基板２０とを１対ずつ個別に切断した後でもよい。
【００３８】
また上記の放熱手段は前記の有効表示領域以外の基板表面に適宜の加工処理を施して該
基板表面に設けるもので、例えば上記の放熱手段として凹凸Ｒを基板表面に形成する場合
には、その基板表面に適宜の手段で凹凸加工を施せばよい。具体的には、例えば上記基板
表面にレーザー光を照射することによって該基板の一部を蒸発させて凹部を形成すれば、
前記図１に示すような凹凸Ｒを容易に形成することができる。上記のレーザーとしては、
例えばＣＯ２  レーザーやＹＡＧレーザーその他適宜であり、そのレーザー光の照射量も
適宜調整すればよい。なお、上記のようなレーザー光を用いる代わりに基板表面にエッチ
ング処理等を施して凹部を形成したり、蒸着やスパッタもしくは溶射等の手段で基板表面
に溶融材料等を付着させて凸部を形成する、或いは上記の手段を適宜組み合わせて凹凸Ｒ
を形成するようにしてもよい。
【００３９】
一方、前記の放熱手段として放熱層Ｓを形成する場合には、基板表面に直接、あるいは
上記のようにして基板表面に形成した凹凸Ｒの表面に適宜の加工手段で放熱層Ｓを形成す
ればよい。具体的には、例えば上記基板表面や凹凸Ｒの表面に、該基板よりも熱伝導率の
高い材料を、蒸着やスパッタで層状に付着させれば、前記図２（ａ）および（ｂ）に示す
ような放熱層Ｓを容易に形成することができる。上記の基板よりも熱伝導率の高い材料と
しては、前述のように通常使用されるガラス基板や石英基板よりも熱伝導率の高い、例え
ば金、銀、銅、アルミニウム、シリコン等の金属材料を用いることができる。また上記の
蒸着やスパッタの代わりに溶射その他の手段を用いることも可能である。
【００４０】
さらに上記のような放熱層Ｓを形成する代わりに、従来から行われているガラス基板や
石英基板を静電チャックにより吸着保持させるための静電吸着膜を上記放熱層Ｓに兼用す
るようにしてもよい。図３はその静電吸着膜の形成プロセスの一例を示す説明図、図４は
静電吸着膜を、本発明による放熱手段としての放熱層Ｓに兼用する場合の説明図である。
【００４１】
上記のような静電吸着膜を形成するに当たっては、先ず図３（ａ）に示すように原料基
板Ｐをオゾンや水等で洗浄した後、同図（ｂ）のように窒素等を用いたアニール処理を施
す。次いで、同図（ｃ）のように原料基板Ｐの表面全面にポリシリコン等からなる静電吸
着膜ＱをＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により形成した後、同図（ｄ）のよ
うに基板Ｐの下面側以外の静電吸着膜Ｑを硝酸とフッ化水素とを用いたエッチング処理等
によって除去する。そして、その下面に残した静電吸着膜Ｑを利用して同図（ｅ）のよう
に上記基板を静電チャックＣ上に吸着保持させた状態で、上記基板Ｐ上に素子や電極およ
び配線等を所定のプロセスに従って形成するものである。なお、上記のようにして素子や
電極および配線等を形成した後は、従来は同図（ｆ）のように前記の下面側の静電吸着膜
Ｑも硝酸とフッ化水素とを用いたエッチング処理等によって除去していた。
【００４２】
そこで、本例においては上記の下面側の静電吸着膜Ｑを除去することなく、本発明にお
ける放熱層Ｓに兼用するようにしたもので、例えば前記図３（ｅ）のように静電吸着膜Ｑ
を利用して基板上に素子や電極および配線等を形成した後は、図４のように上記静電吸着
膜Ｑのうちの少なくとも有効表示領域にある静電吸着膜をエッチング処理等で除去して残
りの有効表示領域以外の領域にある静電吸着膜Ｑを放熱層Ｓとして用いればよい。なお、
図４は原料基板Ｐ上に形成した複数個の素子基板または対向基板の有効表示領域にあった
静電吸着膜Ｑを除去した状態を表すもので、液晶装置組立後すなわち基板組立後は前記と
同様に個別に切断するものである。
【００４３】
上記のように従来から行われているガラス基板や石英基板を静電チャックにより吸着保
持させるための静電吸着膜Ｑを放熱層Ｓに兼用することによって、放熱層Ｓを別途形成す
る面倒がなく、該放熱層Ｓの形成工程を簡略もしくは省略できると共に、一般に基板製造
後は前記のように基板から除去される静電吸着膜Ｑを有効利用して製作コストや材料コス
トを低減することが可能となる。
【００４４】
なお、上記の静電吸着膜Ｑの材質は適宜であり、一般に静電吸着可能な膜は、放熱性も
よいので、殆どの静電吸着膜Ｑを本発明の放熱層Ｓとして利用することができる。また、
前記図３（ｃ）の工程で原料基板の表面に静電吸着膜Ｑを形成する前に、該原料基板Ｐ上
に、その製造後有効表示領域となる領域以外に前記のような凹凸Ｒを形成してから前記と
同様に原料基板Ｐの下面のほぼ全面に静電吸着膜Ｑを形成すれば、その静電吸着膜Ｑの主
として上記凹凸Ｒ以外の領域を利用して前記と同様に基板を吸着保持できると共に、素子
基板や対向基板製造後は少なくとも有効表示領域の静電吸着膜Ｑを除去することで残った
静電吸着膜Ｑを前記図２（ｂ）のように凹凸Ｒの表面に形成した放熱層Ｓとして利用する
ことができる。それによって上記と同様に静電吸着膜を有効利用して製作コストや材料コ
ストを低減できると共に、前記図２（ｂ）の構成のものと同様の効果が得られる。
【００４５】
〔電気光学装置の具体的構成例〕
本発明は各種の液晶装置等の電気光学装置に適用可能であり、本発明を適用するのによ
り好適な電気光学装置としての液晶装置の具体的な構成例について説明する。
【００４６】
図５〜図１０は上記のような液晶装置の一例として前記と同様にＴＦＴ等のスイッチン
グ素子を備えたアクティブマトリックス型の液晶装置に適用したもので、図５はその液晶
装置の正面図、図６は図５におけるＨ−Ｈ断面図、図７は上記液晶装置の等価回路図、図
８は画素部の拡大平面図、図９は図８におけるデータ線やシールド層および画素電極等の
みを表した同上図、図１０は図８におけるＡ−Ａ´断面図である。なお図１０においては
、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材毎に縮尺
を異ならせて表している。
【００４７】
上記図５および図６の液晶装置は、前記図１と同様にＴＦＴ等のスイッチング素子や画
素電極等を備えた素子基板１０と、それに対向して設けた対向基板２０との間に液晶層５
０を介在させた構成であり、上記の素子基板１０と対向基板２０とは画像表示領域１０ａ
の周囲に設けた環状のシール材５２によって互いに貼り合わせ接合され、その環状のシー
ル材５２の内側の上記素子基板１０と対向基板２０との間に液晶を充填して上記液晶層５
０を形成したものである。図中、５３は上記シール材５２の内側に設けた無端状の遮光膜
である。
【００４８】
上記シール材５２の外側の領域には、後述するデータ線６ａに画像信号を所定のタイミ
ングで供給することにより該データ線を駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接
続端子１０２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線１１ａ及びゲート電
極３ａに走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極３ａを駆動する
走査線駆動回路１０４が、上記の一辺に隣接する二辺に沿って設けられている。
【００４９】
素子基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路
１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また対向基板２０のコーナ
部には、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が
設けられている。なお、図６において素子基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴ
や走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成され、ま
た対向基板２０上には、対向電極２１のほか、最上層部分に配向膜が形成されているが、
その詳細は後述する。
【００５０】
上記の液晶装置にも前記図１と同様に基板１０，２０の表面に凹凸Ｒよりなる放熱手段
が設けられているが図には省略した。上記放熱手段の構成は前記図２のように放熱層Ｓま
たは凹凸Ｒと放熱層Ｓとを組み合わせた構成など適宜変更可能であり、また上記のような
放熱手段を備えた液晶装置は前記と同様の要領で製造することができる。
【００５１】
図７の等価回路に示すように、上記液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に
形成された複数の画素には、それぞれ画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制
御するためのＴＦＴ３０とが設けられ、また画像信号が供給されるデータ線６ａが上記Ｔ
ＦＴ３０のソース側に電気的に接続されている。さらにＴＦＴ３０のゲート側にゲート電
極が電気的に接続され、所定のタイミングで走査線１１ａおよびゲート電極に走査信号を
印加する構成である。また画素電極９ａはＴＦＴ３０のドレイン側に電気的に接続され、
スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、デ
ータ線６ａから供給される画像信号を所定のタイミングで画素電極９ａに印加する。
【００５２】
その画素電極９ａに印加された画像信号は、対向電極との間に設けた液晶層５０に一定
期間保持され、その液晶層５０は上記対向基板２０と素子基板１０との間に印加される電
圧レベルによって液晶層５０内の液晶分子の配向状態や秩序が変化して透過する光を変調
し、画像表示や階調表示を可能とする。また上記液晶層５０に印加された画像信号がリー
クするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄
積容量７０が設けられている。この蓄積容量７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、固
定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【００５３】
次に、図８に示すように上記画素電極９ａは、アクティブマトリクス基板である素子基
板１０上にマトリクス状に複数設けられ（図８では点線により輪郭が示されている）、そ
の画素電極９ａの縦横の境界の各々沿ってデータ線６ａおよび走査線１１ａが設けられて
いる。そのデータ線６ａは、本例においては後述するようにアルミニウム膜等を含む積層
構造からなり、走査線１１ａは例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また走査線１
１ａは、ＴＦＴ３０の半導体層１ａのうち図８中に斜線領域で示したチャネル領域１ａ´
に対向するゲート電極３ａに電気的に接続されており、そのゲート電極３ａは上記走査線
１１ａに含まれる形となっている。すなわち、ゲート電極３ａとデータ線６ａとの交差す
る箇所には、それぞれチャネル領域１ａ´に走査線１１ａに含まれるゲート電極３ａが対
向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。換言すれば、そのＴＦ
Ｔ３０（ゲート電極を除く。）は、ゲート電極３ａと走査線１１ａとの間に存在するよう
な形態となっている。
【００５４】
一方、上記液晶装置の素子基板１０としては、例えば石英基板やガラス基板もしくはシ
リコン基板が用いられ、その素子基板１０上には図１０に示すように画素電極９ａが設け
られ、その画素電極９ａは例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。また上記画素電極
９ａ上には配向膜１６が設けられ、ラビング処理等の所定の配向処理が施されている。他
方、上記の素子基板１０に対向する対向基板２０としては、例えばガラス基板や石英基板
等が用いられ、その対向基板２０の下面側には、そのほぼ全面にわたって対向電極２１が
設けられている。その対向電極２１の下側には、配向膜２２が設けられ、ラビング処理等
の所定の配向処理が施されている。上記の対向電極２１は、上記画素電極９ａと同様に例
えばＩＴＯ等の透明導電性膜からなり、上記配向膜１６及び２２は、例えばポリイミド等
の透明な有機膜からなる。また上記のように対向配置された素子基板１０及び対向基板２
０間には、前述のように液晶層５０が設けられ、その液晶層５０は画素電極９ａからの電
界が印加されていない状態では上記配向膜１６，２２により所定の配向状態をとる。上記
液晶層５０を構成する液晶としては例えば一種又は数種類のネマティック液晶等が用いら
れる。
【００５５】
そして上記液晶層５０側の素子基板１０上には、前記の画素電極９ａおよび配向膜１６
の他、これらを含む各種の構成体が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、
本例においては、図１０に示すように下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電
極３ａを含むＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を
含む第４層、シールド層４００等を含む第５層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を
含む第６層（最上層）からなる。また上記第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第
２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４
２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間
絶縁膜４４が、それぞれ設けられ、上記各層間で短絡が生じるのを防止している。また上
記各絶縁膜１２、４１〜４４には、例えばＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領
域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等が設けられている。以下
、これらの各要素について下から順を追って説明する。
【００５６】
先ず、上記第１層には、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン
）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの少なくとも１つを含
む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは
導電性ポリシリコン等からなる走査線１１ａが設けられている。この走査線１１ａは、平
面的に見て図８のＸ方向と平行な方向にストライプ状にパターニングされている。より詳
しくは、上記ストライプ状の走査線１１ａは、図８のＸ方向と平行な方向に延びる本線部
と、データ線６ａ或いはシールド層４００が延在する図８のＹ方向と平行な方向に延びる
突出部とを備えている。なお、隣接する走査線１１ａから延びる突出部は相互に接続され
ることはなく、したがって、該走査線１１ａは１本１本分断された形となっている。これ
により、上記走査線１１ａは、同一行に存在するＴＦＴ３０のＯＮ・ＯＦＦを一斉に制御
する機能を有する。また、上記走査線１１ａは、画素電極９ａが形成されない領域をほぼ
埋めるように形成されていることから、ＴＦＴ３０に下側から入射しようとする光を遮る
機能をも有している。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａにおける光リーク電流の発
生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像表示が可能となる。
【００５７】
次に、第２層として、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。このＴＦＴ
３０は、図１０に示すように、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を
有しており、その構成要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜か
らなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領
域１ａ´、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半
導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソー
ス領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。また上記第２層には、上記ゲート
電極３ａと同一膜の例えば導電性ポリシリコン膜等からなる中継電極７１９が形成され、
その中継電極７１９は、平面的に見て図８に示すように各画素電極９ａの一辺の略中央に
位置するように島状に形成されている。
【００５８】
上記走査線１１ａ上で、かつＴＦＴ３０の下側には、例えばシリコン酸化膜等からなる
下地絶縁膜１２が設けられ、この下地絶縁膜１２は走査線１１ａからＴＦＴ３０を層間絶
縁する機能のほか、素子基板１０のほぼ全面に形成されることによって、素子基板１０の
表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特
性変化を防止する機能を有する。その下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの
両脇に後述するデータ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長と同じ幅の溝（コ
ンタクトホール）１２ｃｖが設けられており、この溝１２ｃｖに対応して、その上方に積
層されるゲート電極３ａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる。また上記の溝１２
ｃｖ全体を埋めるようにしてゲート電極３ａが形成され、そのゲート電極３ａには、それ
と一体的に形成された側壁部３ｂが延設されるようになっている。これによりＴＦＴ３０
の半導体層１ａは図８に示すように、平面的にみて側方から覆われるようになっており、
少なくともこの部分からの光の入射が抑制されるようになっている。また上記側壁部３ｂ
は、前記の溝１２ｃｖを埋めるように形成され、かつ、その下端が前記の走査線１１ａと
接するように構成されている。
【００５９】
次に、前述の第３層には、蓄積容量７０が設けられている。その蓄積容量７０は、ＴＦ
Ｔ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量
電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とを、誘電体
膜７５を介して対向配置させた構成である。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａに
おける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また本実施形態に係る蓄積容量７
０は、図８の平面図からもわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過
領域には至らないように（換言すれば、遮光領域内に収まるように）形成されているため
、液晶装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表
示することが可能となる。
【００６０】
上記下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり、上記のように画素電位
側容量電極として機能する。ただし、下部電極７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は
多層膜で構成してもよい。また上記下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の
ほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をも有
する。また上記容量電極３００は、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。
本実施形態において、容量電極３００を固定電位とするためには、固定電位とされたシー
ルド層４００と電気的接続が図られることによりなされている。
【００６１】
また上記の容量電極３００は、本実施形態においては、素子基板１０上において、各画
素に対応するように島状に形成されており、前記下部電極７１は、当該容量電極３００と
ほぼ同一形状を有するように形成されている。これにより、本実施形態に係る蓄積容量７
０は、平面的に無駄な広がりを有さず、即ち画素開口率を低落させることなく、且つ、当
該状況下で最大限の容量値を実現し得ることになる。すなわち、本実施形態において、蓄
積容量７０は、より小面積で、より大きな容量値をもつ。さらに上記の容量電極３００の
面積は、図１０に示すように、下部電極７１の面積よりも若干大きめに、即ち前者が後者
を覆うように形成されている。このような形態によれば、図からも分かるように（図１０
における蓄積容量７０の左方参照）、容量電極３００および下部電極７１の側面をもコン
デンサとして利用することが可能であるから、容量値の増大化を図ることができる。また
両者間の短絡も生じ難い。
【００６２】
一方、前記の誘電体膜７５は、図１０に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の
比較的薄いＨＴＯ（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ）膜、ＬＴＯ（Ｌｏｗ
Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜
等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる
限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。また本実施形態の誘電体膜７５は、図１０
に示すように、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂを有する二層
構造になっている。このうち上層の窒化シリコン膜７５ｂは、画素電位側容量電極の下部
電極７１より少し大きなサイズにパターンニングされ、遮光領域（非開口領域）内で収ま
るように形成されている。これにより、比較的誘電率の大きい窒化シリコン膜７５ｂが存
在することにより、蓄積容量７０の容量値を増大させることが可能となる他、それにも拘
わらず、酸化シリコン膜７５ａが存在することにより、蓄積容量７０の耐圧性を低下せし
めることがない。このように、誘電体膜７５を二層構造とすることにより、相反する二つ
の作用効果を享受することが可能となる。
【００６３】
また、上記のように窒化シリコン膜７５ｂが存在することにより、ＴＦＴ３０に対する
水の浸入を未然に防止することができる。これにより、本実施形態では、ＴＦＴ３０にお
けるスレッショルド電圧の上昇という事態を招来することがなく、比較的長期の装置運用
が可能となる。また、着色性のある窒化シリコン７５ｂは下部電極７１より少し大きなサ
イズにパターンニングされ、光が透過される部分に形成されていない、すなわち遮光領域
内に位置するので、透過率が低下するのを防止できる。
【００６４】
上記ＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の
下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、
ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリ
ケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからな
る第１層間絶縁膜４１が形成されている。そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ
３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホ
ール８１が、後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔され、第１層間絶縁膜４１にはＴ
ＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に
接続するコンタクトホール８３が開孔されている。また上記第１層間絶縁膜４１には蓄積
容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気
的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔され、さらに第１層間絶縁膜４１には
、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するコンタクトホール
８８２が、後記第２層間絶縁膜を貫通しつつ開孔されている。なお、上記４つのコンタク
トホールのうち、コンタクトホール８１及び８８２の形成部分では、前述の誘電体膜７５
が形成されないように、該誘電体膜７５に開口部が形成されるようになっている。
【００６５】
次に、前記の第４層には、データ線６ａが設けられ、このデータ線６ａは、ＴＦＴ３０
の半導体層１ａの延在する方向に一致するように、すなわち図８中Ｙ方向に重なるように
ストライプ状に形成されている。このデータ線６ａは、本実施形態においては図１０に示
すように下から順に、アルミニウム層４１Ａ、窒化チタン層４１ＴＮ、窒化シリコン膜層
４０１の三層構造の膜として形成されている。窒化シリコン膜層４０１は、その下側のア
ルミニウム層４１Ａと窒化チタン層４１ＴＮを覆うように、それらよりも少し大きなサイ
ズにパターンニングされている。
【００６６】
また上記第４層には、データ線６ａと同一膜として、シールド層用中継層６ａ１及び第
２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図８に示すように、平面的に見ると、デ
ータ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパタ
ーニング上分断されるように形成されている。すなわち、図８中最左方に位置するデータ
線６ａに着目すると、その直右方に略四辺形状を有するシールド層用中継層６ａ１、更に
その右方にシールド層用中継層６ａ１よりも若干大きめの面積をもつ略四辺形状を有する
第２中継電極６ａ２が形成されている。このシールド層用中継層６ａ１及び第２中継電極
６ａ２は、上記データ線６ａと同一工程で、それぞれ下から順に、アルミニウム層、窒化
チタン層、窒化シリコン層の三層構造の膜として形成されている。そして上記中継層６ａ
１と中継電極６ａ２の窒化シリコン膜も、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆
うように、それらよりも少し大きなサイズにパターンニングされている。また窒化チタン
層は、上記中継層６ａ１および中継電極６ａ２に対して形成するコンタクトホール８０３
，８０４のエッチングの突き抜け防止のためのバリアメタルとして機能する。
【００６７】
上記蓄積容量７０の上で、かつ上記データ線６ａの下には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ，Ｂ
ＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは
好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第２層間絶縁膜４
２が形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄ
とデータ線６ａとを電気的に接続する前記のコンタクトホール８１が開孔され、前記シー
ルド層用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続す
るコンタクトホール８０１が開孔されている。さらに、第２層間絶縁膜４２には、第２中
継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための前記コンタクトホール８８２
が形成されている。
【００６８】
次に、前記の第５層には、シールド層４００が形成され、このシールド層４００は、平
面的にみると、図８及び図９に示すように、図中Ｘ方向およびＹ方向と平行な方向にそれ
ぞれに延在するように格子状に形成されている。そのシールド層４００のうち図中Ｙ方向
と平行な方向に延在する部分については、特にデータ線６ａを覆うように、且つ、該デー
タ線６ａよりも幅広に形成されている。また、図中Ｘ方向と平行な方向に延在する部分に
ついては、後述の第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａ
の一辺の中央付近に切り欠き部を有している。
【００６９】
さらに図８および図９中のＸ方向およびＹ方向と平行な方向にそれぞれに延在するシー
ルド層４００の交差部分の隅部には、該隅部を埋めるようにして、略三角形状の部分が設
けられている。上記シールド層４００に上記のような略三角形状の部分が設けられること
により、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。また
上記シールド層４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に
延設され、定電位源と電気的に接続されることで固定電位とされている。
【００７０】
また第５層には、上記のようなシールド層４００と同一膜として第３中継電極４０２が
形成されている。この第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８９を介して、第
２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。これらシー
ルド層４００及び第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されているのでは
なく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。他方、上述のシールド
層４００及び第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタン
からなる層の二層構造を有している。また、第３中継電極４０２において、下層のアルミ
ニウムからなる層は、第２中継電極６ａ２と接続され、上層の窒化チタンからなる層は、
ＩＴＯ等からなる画素電極９ａと電気的に接続されるようになっている。
【００７１】
上記データ線６ａの上で、かつ、シールド層４００の下側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳ
Ｇ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好
ましくは、ＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法で形成された第３層間絶縁膜４３が形
成されている。この第３層間絶縁膜４３には、前記のシールド層４００とシールド層用中
継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４
０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞ
れ開孔されている。
【００７２】
最後に、第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素
電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、
ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等
、あるいは好ましくはＢＰＳＧからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４
層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び前記の第３中継電極４０２間を電気的に接続する
ためのコンタクトホール８９が開孔されている。また本実施形態では第４層間絶縁膜４４
の表面は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理
等により平坦化されており、それによって、その下方に存在する各種配線や素子等による
段差に起因する液晶層５０の配向不良が低減されている。
【００７３】
上記のような液晶装置等の電気光学装置、特にコンデンサやＴＦＴ等のスイッチング素
子を画素毎に備え、しかも、それらに電子部品や各種配線等を導電性の金属薄膜等で多層
構造に構成するものにあっては、熱影響による導通不良や劣化等が生じやすいが、前記の
ように本発明においては液晶装置等の電気光学装置の基板表面に凹凸や放熱層等の放熱手
段を設けるようにしたから、装置の放熱性が向上して該装置の温度上昇が抑制され、耐久
性や信頼性のよい電気光学装置を容易・安価に提供することが可能となるものである。
【００７４】
〔投写型表示装置〕
次に、本発明による上記のような液晶装置等の電気光学装置をライトバルブ等の光変調
装置として用いたプロジェクタ等の投射型表示装置の構成例について説明する。
【００７５】
図１１は上記のような投射型表示装置にライトバルブとして用いる光変調装置の一例を
示すもので、同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は（ａ）におけるｂ−ｂ断面図である。本
例の光変調装置は前記図１および図５に示すような液晶装置１を用いたもので、その液晶
装置の素子基板１０と対向基板２０の対向面と反対側に、それぞれガラス等の透明の防塵
基板１１１，１１２を接着材等で貼り合わせた状態で、合成樹脂もしくは金属等よりなる
枠状のケース１１０内に収容した構成である。図中、１１３は上記防塵基板１１１，１１
２の液晶装置１側の面の周縁部に設けた遮光膜、１１６は上記液晶装置１に接続したフレ
キシブル配線基板である。
【００７６】
図１２は上記のような光変調装置をライトバルブとして用いた投射型表示装置としての
液晶プロジェクタ１２０の具体的構成の一例を示すもので、該プロジェクタ１２０のハウ
ジング（不図示）内には、光源ランプ１２１と、２枚のダイクロイックミラー１２２，１
２３と、３枚の反射ミラー１２４，１２５，１２６とが設置されている。上記の光源ラン
プ１２１としては、例えばハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプなど
を用いることができる。
【００７７】
上記光源ランプ１２１から放出された光は、上記ダイクロイックミラー１２２，１２３
によってＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の光束に分離された後、上記反射ミラー１２４，
１２５，１２６で反射されてキュービック状のダイクロイックプリズム１３６の３つの面
にそれぞれ入射される構成であり、その３つの入射面の前側にそれぞれライトバルブとし
ての前記光変調装置１３３，１３４，１３５がダイクロイックプリズム１３６を三方から
取り囲むようにして設置されている。なお、上記Ｂ（青）の光は長い光路による光損失を
防ぐために入射レンズ１２７、リレーレンズ１２８及び出射レンズ１２９を介して上記ダ
イクロイックプリズム１３６に導かれるように構成されている。
【００７８】
上記各光変調装置１３３，１３４，１３５は、その各光変調装置に設けた前記ケース１
１０を光学ユニット内の取付部（不図示）に対して挿入固定することによって所定の位置
に設置されており、これらの光変調装置１３３，１３４，１３５は、図示しない制御駆動
手段によって所望の画像情報に応じた制御がなされ、前記の各光束Ｒ，Ｇ，Ｂに対する変
調を行う。そして、これらの光変調装置によって変調された光束Ｒ，Ｇ，Ｂは、上記ダイ
クロイックプリズム１３６にて合成されて所定の画像が生成され、投射レンズユニット１
３７により所定位置にあるスクリーン１３８上に拡大投影される。
【００７９】
上記のような液晶プロジェクタ１２０においては、上記ライトバルブ等の光変調装置に
は高強度の光が照射され、それによって温度上昇が激しいが、本発明においては前述のよ
うに液晶装置の有効表示領域以外の基板表面に放熱手段を設けたことによって放熱性が向
上しているので、上記の温度上昇を可及的に低減することができる。
【００８０】
また上記のようなプロジェクタ１２０においては、一般に上記ライトバルブ等の光変調
装置の温度上昇を抑制するために該光変調装置を冷却ファン等で強制冷却するようにして
いるが、本発明においては上記のように放熱性が向上しているので、上記冷却ファンの送
風量を削減することが可能になり、騒音の低減を図ることができる。なお、上記冷却ファ
ン等からの送風が前記放熱手段を設けた基板表面に沿って流れるようにすると、光変調装
置の温度上昇を更に抑制することが可能となる。
【００８１】
また、前記のような放熱手段を設けた基板表面の少なくとも一部が、前記ケースに直接
接触するようにしてもよく、そのようにすると上記基板の熱を直接ケースに伝達して液晶
装置の温度上昇を抑制することが可能となり、特に上記ケースの材質として金属等の熱伝
導性のよいものを用いた場合には、更に温度上昇を抑制することが可能となる。
【００８２】
〔電子機器〕
さらに、本発明は前記のようなプロジェクタ等の投射型表示装置に限らず前記のような
液晶装置等の電気光学装置を備えた電子機器にも適用可能であり、例えば表示部として前
記のような液晶装置を備えた携帯型もしくはディスクトップ型の情報機器等に適用するこ
とができる。具体的には、例えば携帯電話、腕時計、ワープロ、コンピュータ、ＰＤＡ、
電子ブック、テレビ、カメラ、カーナビゲーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末などの各種
電子機器に適用できるものである。
【００８３】
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、例えばシリコン基板上に
素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放
出型ディスプレイ（ＦＥＤ，ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ等の電気光学装置にも適用
可能であり、前記と同様の作用効果が得られる。
【００８４】
なお、本明細書に開示の発明は、前記の課題解決手段での各発明の構成を一部変更した
もの、或いは各発明の構成を一部削除して上位概念化したものを包含するものであり、例
えば上記実施形態等に種々の変更を加えたものも包含する。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】（ａ）は本発明による電気光学装置としての液晶装置の一実施形態を示す概略構成の正面図、（ｂ）は（ａ）におけるｂ−ｂ断面図。
【図２】（ａ）および（ｂ）は本発明による電気光学構成の正面図、（ｂ）は（ａ）におけるｂ−ｂ断面図。
【図３】静電吸着膜の形成プロセスの一例を示す説明図。
【図４】上記静電吸着膜を本発明による放熱手段としての放熱層に兼用する場合の説明図。
【図５】本発明による電気光学装置としての液晶装置の具体的な構成例を示す正面図。
【図６】図５におけるＨ−Ｈ断面図。
【図７】上記液晶装置の等価回路図。
【図８】上記液晶装置の画素部の拡大平面図。
【図９】図８におけるデータ線やシールド層および画素電極等のみを表した同上図。
【図１０】図８におけるＡ−Ａ´断面図。
【図１１】（ａ）は投射型表示装置に用いる光変調装置の一例を示す正面図、（ｂ）は（ａ）におけるｂ−ｂ断面図。
【図１２】上記のような光変調装置を用いた投射型表示装置の概略構成図。
【符号の説明】
【００８６】
１…液晶装置、１０…素子基板、２０…対向基板、５０…液晶層、５２…シール材、５
３…遮光膜、１１０…ケース、１２０…投写型表示装置、Ｒ…凹凸、Ｓ…放熱層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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