(57)【要約】【課題】微小ピクセルによる高感度検査を、ステージをスキャン移動させながら効率的に行える電子線検査装置及び方法を提供する。【解決手段】本発明による電子線検査装置では、ステージをスキャン移動させる方向と同一の方向（水平方向）にて電子線を走査させることで、電子線の偏向周波数の限界に関係なく走査数によりステージ移動速度が調整可能となる。ステージ移動方向に帯状のエリアの画像を連続取得するときの画像取得幅は、走査ピッチ、すなわちピクセルサイズと走査数により決まるが、例えば走査数を１／２とすることによりステージ速度を２倍とすることが可能である。【選択図】図３
2008053170.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象物に電子線を照射して画像を取得し、前記検査対象物を検査する電子線検査装置であって、
前記検査対象物が載置され、その検査対象物を移動させるためのステージと、
電子銃で発生した照射電子線を前記検査対象物に対して収束させて照射し、前記検査対象物に対して前記照射電子線を走査させる電子線走査手段と、
前記検査対象物からの２次電子を検出するための２次電子検出器と、
前記２次電子検出器からの信号を処理する画像処理部と、
前記電子線走査手段による前記照射電子線の走査方向を制御する電子線走査制御手段と、を備え、
前記電子線走査制御手段は、前記電子線走査手段が、一方向に連続移動する前記ステージの移動軸と同一の軸上で、前記ステージの連続移動と同時に、前記検査対象物に前記照射電子線を連続走査するように制御することを特徴とする電子線検査装置。
【請求項２】
前記電子線走査制御手段は、前記ステージの移動方向に、前記照射電子線の各走査間におけるステージ移動距離分だけ前記照射電子線の走査開始位置をずらすように前記電子線走査手段を制御し、前記画像処理部が前記検査対象物上において長方形領域の画像を取得することを特徴とする請求項１に記載の電子線検査装置。
【請求項３】
前記電子線走査制御手段は、前記検査対象物の所定の幅においてＮ本の照射電子線を走査させる場合、前記電子線走査手段の走査幅を、前記Ｎ本の照射電子線の照射終了時における前記ステージの移動距離と同一になるように制御することを特徴とする請求項２に記載の電子線検査装置。
【請求項４】
前記検査対象物がステージ移動方向と垂直な方向に分割された非連続な２つ以上の検査領域を有する場合、前記電子線走査制御手段は、前記電子線走査手段が前記検査領域に挟まれた非検査領域に前記照射電子線を照射しないように、前記照射電子線の走査幅を制御することを特徴とする請求項２に記載の電子線検査装置。
【請求項５】
前記検査対象物がステージ移動方向と水平な方向に分割された非連続な２つ以上の検査領域を有する場合、前記電子線走査制御手段は、前記電子線走査手段が前記検査領域に挟まれた非検査領域に前記照射電子線を照射しないように、前記照射電子線の照射開始位置を制御することを特徴とする請求項２に記載の電子線検査装置。
【請求項６】
前記電子線走査制御手段は、前記電子線走査手段による前記照射電子線の走査を、画像を取得するための画像取得照射部と前記検査対象物に電位差を生じさせるための事前照射部とで構成されるように制御し、
前記画像処理部は、前記画像取得照射部からの信号を用いて画像を生成することを特徴とする請求項１に記載の電子線検査装置。
【請求項７】
前記画像処理部は、さらに前記事前照射部からの信号を用いて画像を生成し、この生成された画像と前記事前照射部と同一部位における前記画像取得照射部の取得画像とを重ね合わせることによりＳ／Ｎを向上させることを特徴とする請求項６に記載の電子線検査装置。
【請求項８】
検査対象物に電子線を照射して画像を取得し、前記検査対象物を検査する電子線検査方法であって、
電子銃が照射電子線を発生させる工程と、
前記検査対象物が載置されたステージが、その検査対象物を移動させる工程と、
電子線走査手段が前記照射電子線を前記検査対象物に対して収束させて照射し、前記検査対象物に対して前記照射電子線を走査させる工程と、
２次電子検出器が前記検査対象物からの２次電子を検出する工程と、
画像処理部が前記２次電子検出器からの信号を処理する工程と、
電子線走査制御手段が前記電子線走査手段による前記照射電子線の走査方向を制御する工程と、を備え、
前記制御する工程において、前記電子線走査制御手段は、前記電子線走査手段が、一方向に連続移動する前記ステージの移動軸と同一の軸上で、前記ステージの連続移動と同時に、前記検査対象物に前記照射電子線を連続走査するように制御することを特徴とする電子線検査方法。
【請求項９】
前記制御する工程において、前記電子線走査制御手段は、前記ステージの移動方向に、前記照射電子線の各走査間におけるステージ移動距離分だけ前記照射電子線の走査開始位置をずらすように前記電子線走査手段を制御し、前記画像処理部が前記検査対象物上において長方形領域の画像を取得することを特徴とする請求項８に記載の電子線検査方法。
【請求項１０】
前記制御する工程において、前記電子線走査制御手段は、前記検査対象物の所定の幅においてＮ本の照射電子線を走査させる場合、前記電子線走査手段の走査幅を、前記Ｎ本の照射電子線の照射終了時における前記ステージの移動距離と同一になるように制御することを特徴とする請求項９に記載の電子線検査方法。
【請求項１１】
前記制御する工程において、前記検査対象物がステージ移動方向と垂直な方向に分割された非連続な２つ以上の検査領域を有する場合、前記電子線走査制御手段は、前記電子線走査手段が前記検査領域に挟まれた非検査領域に前記照射電子線を照射しないように、前記照射電子線の走査幅を制御することを特徴とする請求項９に記載の電子線検査方法。
【請求項１２】
前記制御する工程において、前記検査対象物がステージ移動方向と水平な方向に分割された非連続な２つ以上の検査領域を有する場合、前記電子線走査制御手段は、前記電子線走査手段が前記検査領域に挟まれた非検査領域に前記照射電子線を照射しないように、前記照射電子線の照射開始位置を制御することを特徴とする請求項９に記載の電子線検査方法。
【請求項１３】
前記制御する工程において、前記電子線走査制御手段は、前記電子線走査手段による前記照射電子線の走査を、画像を取得するための画像取得照射部と前記検査対象物に電位差を生じさせるための事前照射部とで構成されるように制御し、
前記信号を処理する工程において、前記画像処理部は、前記画像取得照射部からの信号を用いて画像を生成することを特徴とする請求項８に記載の電子線検査方法。
【請求項１４】
前記信号を処理する工程において、前記画像処理部は、さらに前記事前照射部からの信号を用いて画像を生成し、この生成された画像と前記事前照射部と同一部位における前記画像取得照射部の取得画像とを重ね合わせることによりＳ／Ｎを向上させることを特徴とする請求項１３に記載の電子線検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ等の検査対象物に電子線を照射して画像を取得し、検査対象物を検査する電子線検査装置及び電子線検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハ製造プロセスの歩留まり向上のため、さまざまな検査装置が半導体製造工程において活用されている。検査装置はそのウェーハ観察手段により、電子線式ウェーハ検査装置、明視野光学式ウェーハ検査装置、暗視野光学式ウェーハ検査装置に大別される。
【０００３】
電子線式ウェーハ検査装置はＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）画像の比較により欠陥検査を行う。ＳＥＭ画像を取得する方法としては、ステージをステップ＆リピート移動させるとともに各ステージ停止位置にて電子線を２次元に走査して画像を取得する方法と、ステージを一定速度で一方向にスキャン移動させると同時に電子線をステージ移動方向と垂直方向に１次元走査しながら連続的に画像を取得する方法が存在するが、電子線式ウェーハ検査装置においてはスループットに優れた後者の方法が主に利用されている。
【０００４】
後者の方法に係る電子線式ウェーハ検査装置は、通常のＳＥＭの１００倍以上（１０ｎＡ以上）の電子線を導電性基板に照射し、発生する２次電子・反射電子・透過電子のいずれかを検出して、その信号から形成される画像を隣接する同一パターン間にて比較検査するものである（特許文献１）。ステップ＆リピート移動ではステージの移動時間により検査時間が長くなる問題があるため、電子線式検査装置においてはステージをスキャン移動させると同時に電子線をステージ移動方向と垂直方向に１次元走査しながら連続的に画像を取得するのである。
【特許文献１】特開平５−２５８７０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１に開示の電子線検査装置では、スキャン移動のスピードは（検査ピクセルサイズ×電子線走査の走査周波数）によって決まる。ここで、ピクセルサイズとは、あるエリアの画像を取るときにどの位の間隔（距離）でそのエリアから出てくる電子を取るかを示すものである（電子を取るときのサンプリング間隔）。このため、検査ピクセルサイズが小さい場合にはステージの移動スピードを遅く制御することになるが、３００ｍｍウェーハ対応の長い移動距離を有するステージを低速領域にて一定速度で連続移動させることは技術的（機構的・物理的に限界があるため）に困難である。また、ステージ速度を上げるために電子線走査の周波数を高くすることは、電子線の偏向速度の限界から困難な状況にある。
【０００６】
また、ステップ＆リピートによる検査ではステージの移動時間により検査時間が長くなるため、ステージを連続移動させながら検査を行う必要がある。しかしながら、ステージを低速度にて高精度で連続移動させることが難しいため、ステージ速度が遅くなる小さいピクセルサイズで検査することが困難となっている。このため、大きいピクセルでの高速検査と小さいピクセルでの高感度検査を両立させるためには、小さいピクセルでの検査時にステージ速度を遅くしなくても画像を形成できる方法が必要である。
【０００７】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、微小ピクセルによる高感度検査を、ステージをスキャン移動させながら効率的に行える電子線検査装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明による電子線検査装置では、ステージをスキャン移動させる方向と同一の方向（水平方向）にて電子線を走査させることで、電子線の偏向周波数の限界に関係なく走査数によりステージ移動速度が調整可能となる。ステージ移動方向に帯状のエリアの画像を連続取得するときの画像取得幅は、走査ピッチ、すなわちピクセルサイズと走査数により決まるが、例えば走査数を１／２とすることによりステージ速度を２倍とすることが可能である。
【０００９】
つまり、本発明による電子線検査装置は、検査対象物に電子線を照射して画像を取得し、検査対象物を検査する電子線検査装置であって、検査対象物が載置され、その検査対象物を移動させるためのステージと、照射電子線を検査対象物に対して収束させて照射し、検査対象物に対して照射電子線を走査させる電子線走査手段と、検査対象物からの２次電子を検出するための２次電子検出器と、２次電子検出器からの信号を処理する画像処理部と、電子線走査手段による照射電子線の走査方向を制御する電子線走査制御手段と、を備えている。そして、電子線走査制御手段は、電子線走査手段が、一方向に連続移動する前記ステージの移動軸と同一の軸上で、ステージの連続移動と同時に、検査対象物に照射電子線を連続走査するように制御する。
【００１０】
また、電子線走査制御手段は、ステージの移動方向に、照射電子線の各走査間におけるステージ移動距離分だけ照射電子線の走査開始位置をずらすように電子線走査手段を制御し、画像処理部が前記検査対象物上において長方形領域の画像を取得する。
【００１１】
電子線走査制御手段は、検査対象物の所定の幅においてＮ本の照射電子線を走査させる場合、電子線走査手段の走査幅を、Ｎ本の照射電子線の照射終了時におけるステージの移動距離と同一になるように制御する。
【００１２】
そして、検査対象物がステージ移動方向と垂直な方向に分割された非連続な２つ以上の検査領域を有する場合、電子線走査制御手段は、電子線走査手段が前記検査領域に挟まれた非検査領域に前記照射電子線を照射しないように、照射電子線の走査幅を制御する。
【００１３】
また、検査対象物がステージ移動方向と水平な方向に分割された非連続な２つ以上の検査領域を有する場合には、電子線走査制御手段は、電子線走査手段が検査領域に挟まれた非検査領域に照射電子線を照射しないように、照射電子線の照射開始位置を制御する。
【００１４】
さらに、電子線走査制御手段は、電子線走査手段による前記照射電子線の走査を、画像を取得するための画像取得照射部と検査対象物に電位差を生じさせるための事前照射部とで構成されるように制御し、画像処理部は、画像取得照射部からの信号を用いて画像を生成する。
【００１５】
また、画像処理部は、さらに事前照射部からの信号を用いて画像を生成し、この生成された画像と事前照射部と同一部位における画像取得照射部の取得画像とを重ね合わせることによりＳ／Ｎを向上させる。
【００１６】
さらなる本発明の特徴は、以下本発明を実施するための最良の形態および添付図面によって明らかになるものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の電子線検査装置及び電子線検査方法によれば、微小ピクセルによる高感度検査を、ステージをスキャン移動させながら効率的に行うことができるようになる。また、微笑ピクセルの高感度検査も効率的に行えるので、大きいピクセルでの高速検査と小さいピクセルでの高感度検査を両立させることができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について添付図面を参照しながら詳細に説明する。
＜実施形態＞
図１は、本発明の実施形態に係る電子線検査装置（電子線式ウェーハ検査装置）１００の概略構成を示す図である。電子線検査措置１００は、電子光学系であるカラム１と、ＸＹステージ２と、ビーム走査コントローラ１１と、ステージコントローラ１２と、画像処理ユニット１３と、制御ＰＣ（ＣＰＵ、ＲＯＭ及びＲＡＭを含む）１４で構成される。
【００１９】
カラム１は、照射電子９を発生させるための電子銃３と、照射電子９をウェーハ８に対して収束させて照射するためのコンデンサレンズ４及び対物レンズ５と、照射電子９をウェーハ８に対して走査させるディフレクタ６と、ウェーハ８からの２次電子１０を検出するための２次電子検出器７とを有している。ディフレクタ６は、ビーム走査コントローラ１１からの信号に従って照射電子９をウェーハ８に対して走査させる。
【００２０】
ＸＹステージ２は、ステージコントローラ１２からの信号に従ってカラム１に対してウェーハ８を移動させる。また、２次電子検出器７からの信号は画像処理ユニット１３に送られ、ビーム走査コントローラ１１ならびにステージコントローラ１２からの位置情報とリンクさせることで欠陥検出のための画像処理が実行される。また、装置全体は制御ＰＣ１４によって制御される。
【００２１】
図２は、従来の電子線検査装置の検査方法（スキャン方法）を示している。照射電子２１は、図に示されていないディフレクタによりＸ方向に連続走査されながらウェーハ２２に照射される。このとき、図に示されていないステージによりウェーハ２２を矢印２３のようにＹ方向にスキャンさせることにより、照射電子２１は矢印２４で示される軌跡にて前記ウェーハ２２上に照射される。このように、従来の検査は、ウェーハ２２の移動方向と垂直（Ｘ方向）に電子線をスキャンさせることによって実行されている。
【００２２】
次に、図３を用いて本発明の実施形態による電子線検査装置の検査方法を説明する。図３において、照射電子２５は、図に示されていないディフレクタによりＹ方向に連続走査されながらウェーハ２６に照射されるが、電子線走査方法の詳細については図４以降にて説明する。また、図に示されていないステージによりウェーハ２６を矢印２７のようにＹ方向にスキャンさせることにより、照射電子２５は矢印２８で示される軌跡にて前記ウェーハ２６上に照射される。このように、本発明による検査は、ウェーハ２６の移動方向と同じ軸上（Ｙ方向）で電子線をスキャンさせることによって実行される。
【００２３】
本発明の検査方法におけるウェーハ上での照射電子の軌跡を図４に示す。ウェーハがＸＹステージによりカラムに対して矢印３１の方向（図で上から下方向）に移動（走査）された場合、ウェーハ上での照射電子の照射位置は矢印３１と反対方向（図で下から上方向）に移動していく。また、走査線(1)から(6)の順にビームを走査することにより、Ｘ方向（幅）Ａ、Ｙ方向（長さ）Ｂの長方形のエリアをカバーし、(6)の走査後には(7)により次の長方形エリアの走査を開始する。ここで、(1)の走査開始から(7)の走査開始までのステージの移動距離がＢになるようにステージ速度を設定することにより(1)と(7)のカラム内での走査位置を同一にすることができる。
【００２４】
次にカラムでの照射電子の軌跡を図５により説明する。図５において、ウェーハはカラムに対してＸＹステージにより矢印３２で示される方向に移動（走査）されるとする。ウェーハ上でＸ方向（幅）Ａ、Ｙ方向（長さ）Ｂの長方形のエリアに照射電子を当てるためにはステージの移動を考慮して照射電子を走査する必要があるため、図に示されている走査線(1)から(6)までステージの移動方向に走査位置をずらしながら順次走査する。ここで、走査線(1)と(2)間での走査位置のＹ方向オフセットは、「Ｂ／６」になり、(2)と(3)の間、(3)と(4)の間、(4)と(5)の間、(5)と(6)の間も同様となる。このようにすれば、(6)の走査終了後幅Ａだけビームの走査位置をＸ方向にずらせば(7)の走査開始位置にビームが位置するようになる。
【００２５】
なお、図４および図５での説明において、幅Ａのエリアをカバーするための走査数を図の簡略化のため６本としたが、これに限定されるものではなく、例えば長方形のエリアをカバーする走査数として１０００本以上を用いることも可能である。
【００２６】
メモリデバイスの検査においては、メモリセルエリアのみを検査範囲とする場合がある。従来の検査方法においては、メモリ間の非検査エリアを含めて２次電子画像を取得した後に画像処理ユニットにおいて検査領域のみを処理していたため、非検査エリアの走査時間分だけ検査時間が余分に掛かかっていた。本発明の検査方法においてはメモリセルのみを走査することが可能であり、その方法（概念）を図６ならびに図７により説明する。
【００２７】
図６においてメモリセル４１とメモリセル４２にまたがる部分を１回のステージスキャンで検査する場合、走査線(1)と(2)により前記メモリセル４１内を走査した後、走査線(3)と(4)により前記メモリセル４２内を走査する。(2)と(3)間の距離が開いているが、(1)から(4)までの全体の距離Ａがカラムの走査可能距離以内である限りは問題にならない。ウェーハがＸＹステージによりカラムに対して矢印４３の方向（図で上から下方向）にスキャンされるとすると、ウェーハ上での照射電子の照射位置は矢印４３と反対方向（図で下から上方向）に移動していくため、(4)に続いて(5)を走査することで連続的に長方形のエリアをカバーすることができる。ここで、(1)の走査開始から(5)の走査開始までのステージの移動距離がＢになるようにステージ速度を設定することにより(1)と(5)のカラム内での走査位置を同一にすることができる。
【００２８】
次にステージのスキャン方向に分割されたメモリセル領域を検査する場合を図７により説明する。走査線(1)から(4)の走査によりメモリセル４４内を検査した後に走査線(5)から(8)によりメモリセル４５内を検査する。ここで、(1)の走査の終点と(5)の走査の始点の間に間隔を空けることにより、メモリセル４４とメモリセル４５の間の領域を走査しないようにする。また同様にして、(8)の走査後に(9)から(12)の走査によりメモリセル４６内の検査を行う。このとき、ステージ走査方向のメモリセルの幅をＢ、メモリセル間の間隔をＣとすると、(1)の走査開始から(5)の走査開始までのステージの移動距離がＢ＋Ｃになるようにステージ速度を設定することにより(1)と(5)のカラム内での走査位置を同一にすることができる。なお、従来の垂直走査（ステージ移動方向と垂直にビーム走査）の場合には、走査の幅が一定にならざるを得ないので、走査する必要のない領域を飛ばして走査することが困難である。よって、本発明のような走査方法は非常に有効である。
【００２９】
ところで、電子線検査装置においては、ウェーハ表面に電位コントラストを形成するために事前にビームを照射する場合がある。従来の検査方法では、事前のビーム照射時と検査時の２回にわたって同一領域のステージスキャンを行う必要があったが、本発明では１回のステージ走査で事前のビーム照射（電位差を作るためのダミーの照射）を行うことが可能となる。つまり、図８において、走査線(1)から(4)の走査により長方形のエリアを検査した後、走査線(5)から(8)の走査により次の長方形のエリアを検査するとする。(1)から(8)の各ビーム走査において各走査の前半を画像取り込み部５１、各走査の後半を事前ビーム照射部５２とし、事前ビーム照射部５２では画像の取り込みは行わないダミースキャンとする。ここで、(5)の走査の画像取り込み部５１は、(1)の走査の事前ビーム照射部により事前のビーム照射がなされているために画像取得時には十分な電位コントラストが形成されている。同様にして、(6)は(2)により、(7)は(3)により、(8)は(4)により事前のビーム照射がなされ、(5)から(8)では次の長方形検査エリアのための事前ビーム照射がなされる。また、事前ビーム照射部においても画像取得することも可能であり、例えば(1)の事前ビーム照射部での取得画像と(5)の画像取り込み部での取得画像を重ねあわせることによりＳ／Ｎを向上させることができる。
【００３０】
以下、図９および図１０のフローチャートを用いて、本発明の電子線検査装置（電子線式ウェーハ検査装置）における検査処理動作について説明する。まず、図９により全体の流れを説明する。図示されていないＧＵＩによりオペレータより検査開始のコマンドが入力されると、制御ＰＣ１４はハードディスク等の大容量記憶媒体よりレシピ情報を読み出して、高速読み出し可能なＳＲＡＭ等の別の記憶媒体へレシピ情報を記憶させる（Ｓ６１）。このレシピ情報には、検査対象物の形状やその対象物のどの部分を検査するかについての情報（例えば、図６や７に示されるような検査対象エリアと非検査対象エリアの情報）が含まれる。通常の電子線式ウェーハ検査においては複数回のＳｗａｔｈ（ステージ移動）により検査エリア全体をカバーするが、取得したレシピ情報に基づいて必要なＳｗａｔｈ数および各Ｓｗａｔｈにおける検査エリアの計算を行う（Ｓ６２）。ここで、必要なＳｗａｔｈ数がＮ個の場合、Ｓｗａｔｈ実行（Ｓ６３）をＮ回繰り返す必要があるが、各Ｓｗａｔｈ終了時に現在何回目が終了したのかを確認し（Ｓ６４）、Ｎ−１回目までであれば次のＳｗａｔｈを実行し、Ｎ回目であれば検査を終了する（Ｓ６５）。
【００３１】
次に図１０により各Ｓｗａｔｈにおける処理動作について説明する。制御ＰＣ１４は、実行すべきＳｗａｔｈの検査エリアとステージ移動位置等の情報を取得し（Ｓ７０）、取得した情報からビーム走査方法を計算してビーム走査コントローラ１１へ結果を転送する（Ｓ７１）。例えば、図４におけるビーム走査の幅Ｂを決定し、或いは、図６において走査(2)の終了後走査開始位置を(3)の位置にするように電子線走査を制御する。さらに、画像処理実行エリアの計算をして画像処理ユニット１３へ結果を転送する（Ｓ７２）とともに、ステージの移動速度を計算してステージコントローラ１２へ結果を転送する（Ｓ７３）。
【００３２】
ビーム走査コントローラ１１は、制御ＰＣ１４より受け取った情報に基づいてビーム走査の準備を行い、準備完了のコマンドを制御ＰＣ１４へ伝送する（Ｓ７４）。同様に、ステージコントローラ１２および画像処理ユニット１３は、ステージ移動や画像処理の準備を行い、準備完了のコマンドを制御ＰＣ１４へ伝送する（Ｓ７５、Ｓ７６）。
【００３３】
制御ＰＣ１４は、ビーム走査コントローラ１１とステージコントローラ１２と画像処理ユニット１３から準備完了のコマンドを受け取ったことを確認した後、Ｓｗａｔｈ開始命令を発行し（Ｓ７７）、ステージコントローラ１２によるステージ移動（Ｓ７８）とビーム走査コントローラ１１によるビーム走査（Ｓ７９）と画像処理ユニット１３による画像処理（Ｓ８０）を実行する。ステージコントローラ１２は、ステージ２が移動終了位置に達したことを確認した後、制御ＰＣ１４とビーム走査コントローラ１１に対してステージ移動終了コマンドを発行する（Ｓ８１）。
【００３４】
ビーム走査コントローラ１１は、ステージコントローラ１２からのステージ移動終了コマンドによりビーム走査を終了する（Ｓ８２）。また、画像処理が終了すると、画像処理ユニット１３は制御ＰＣ１４に対して画像処理終了コマンドを発行する（Ｓ８３）。制御ＰＣ１４は、ステージ移動終了コマンドと画像処理終了コマンドを受け取ったことを確認した後に現在のＳｗａｔｈの終了処理を行う（Ｓ８４）。
【００３５】
なお、実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードによっても本発明は実現できる。この場合、プログラムコードを記録した記憶媒体をシステム或は装置に提供し、そのシステム或は装置のコンピュータ（又はＣＰＵやＭＰＵ）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出す。この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が前述した実施形態の機能を実現することになり、そのプログラムコード自体、及びそれを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。このようなプログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フロッピィ（登録商標）ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−Ｒ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭなどが用いられる。
【００３６】
また、プログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）などが実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって前述した実施の形態の機能が実現されるようにしてもよい。さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータ上のメモリに書きこまれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータのＣＰＵなどが実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって前述した実施の形態の機能が実現されるようにしてもよい。
【００３７】
また、実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードがネットワークを介して配信されることにより、システム又は装置のハードディスクやメモリ等の記憶手段又はＣＤ-ＲＷ、ＣＤ-Ｒ等の記憶媒体に格納され、そのシステム又は装置のコンピュータ(又はＣＰＵやＭＰＵ)が当該記憶手段や当該記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても、達成されるようにしてもよい。
【００３８】
＜まとめ＞
本実施形態では、一方向に連続移動するステージの移動軸と同一の軸上で、ステージの連続移動と同時に、検査対象物（ウェーハ）に対して照射電子線を連続走査するようにしているので、微小ピクセルによる高感度検査を効率的行うことができる。従って、本実施形態による電子線検査装置は、大きいピクセルでの高速検査と小さいピクセルでの高感度検査の両方に対応できるようになる。
【００３９】
また、本実施形態の電子線検査装置では、ステージの移動方向に、照射電子線の各走査間におけるステージ移動距離分だけ照射電子線の走査開始位置をずらすようにして、検査対象物上において長方形領域の画像を取得するようにしている。さらに、検査対象物の所定の幅においてＮ本の照射電子線を走査させる場合、照射電子線の走査幅を、Ｎ本の照射電子線の照射終了時におけるステージの移動距離と同一になるようにしている。よって、その長方形領域の走査が終了したときに、照射電子線を走査幅分だけ真横に移動させれば次の長方形領域における最初の走査開始位置に照射電子線を配置することができ、電子線の照射位置の制御が非常に容易となる。
【００４０】
さらに、検査対象物がステージ移動方向と垂直な方向に分割された非連続な２つ以上の検査領域を有する場合、検査領域に挟まれた非検査領域に照射電子線を照射しないように、照射電子線の走査幅を制御する。また、検査対象物がステージ移動方向と水平な方向に分割された非連続な２つ以上の検査領域を有する場合、検査領域に挟まれた非検査領域に照射電子線を照射しないように、照射電子線の照射開始位置を制御する。よって、非検査領域に電子線を無駄に照射することもなく、検査領域（メモリセル）のみに電子線を照射することができるので、検査領域のみの明瞭な画像を取得することができる。
【００４１】
また、照射電子線の走査を、画像を取得するための画像取得照射部と検査対象物に電位差を生じさせるための事前照射部とで構成し、画像取得照射部からの信号を用いて画像を生成する。このように、最初に事前照射によって画像取得部分の電位を上げることができるので、十分な電位コントラストを有する画像の取得が可能となる。さらに、事前照射部からの信号をも用いて画像を生成し、この生成された画像と、この事前照射部と同一部位（対応する部位）における画像取得照射部の取得画像とを重ね合わせることによりＳ／Ｎを向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施形態による電子線検査装置の概略構成を示す図である。
【図２】従来の電子線検査方法（ステージ移動に対して垂直にビーム走査）の概念を説明する図である。
【図３】本発明の実施形態による電子線検査方法の概念を説明するための図である。
【図４】本発明の実施形態による電子線検査方法におけるウェーハ上での照射電子の軌跡を説明するための図である。
【図５】本発明の実施形態による電子線検査装置におけるカラム視野内での照射電子の軌跡を説明する図である。
【図６】本発明の実施形態による電子線検査装置における領域分割（ステージ移動方向と水平に分割）での検査方法を説明するための図である。
【図７】本発明の実施形態による電子線検査装置における領域分割（ステージ移動方向と垂直に分割）での検査方法を説明するための図である。
【図８】本発明の実施形態による電子線検査装置の事前のビーム照射を説明するための図である。
【図９】本発明の実施形態による電子線検査装置での処理動作の概略を説明するためのフローチャートである。
【図１０】本発明の実施形態による電子線検査装置の各ユニットでの処理動作の概略を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【００４３】
１・・・カラム、２・・・ＸＹステージ、３・・・電子銃、４・・・コンデンサレンズ、５・・・対物レンズ、６・・・ディフレクタ、７・・・２次電子検出器、８・・・ウェーハ、９・・・照射電子、１０・・・２次電子、１１・・・ビーム走査コントローラ、１２・・・ステージコントローラ、１３・・・画像処理ユニット、１４・・・制御ＰＣ、２１・・・照射電子、２２・・・ウェーハ、２３・・・矢印、２４・・・矢印、２５・・・照射電子、２６・・・ウェーハ、２７・・・矢印、２８・・・矢印、３１・・・矢印、３２・・・矢印、４１・・・メモリセル、４２・・・メモリセル、４３・・・矢印、４４・・・メモリセル、４５・・・メモリセル、４６・・・メモリセル、５１・・・画像取り込み部、５２・・・事前ビーム照射部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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