(57)【要約】    【課題】  モニタウェーハを使用する等、種々の状況に対応したウェーハの移載を可能とした基板処理システムを提供する。    【解決手段】  基板を処理する処理炉２８と、該処理炉内で基板を保持する基板保持具２６と、該基板保持具に基板を移載する基板移載手段２４と、該基板移載手段を制御する制御部とを有する基板処理装置１と、該基板処理装置を制御管理する管理装置とを具備する基板処理システムに於いて、前記制御部には製品用基板、ダミー基板、モニタ基板を前記基板保持具に移載する複数の移載パターンが登録され、該移載パターンはパラメータの設定により選択可能とし、前記基板移載手段による基板移載は選択された移載パターンに従って実行される様にし、前記パラメータは前記管理装置からの指示によって設定される。    【選択図】          図１
2008053603.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理炉と、該処理炉内で基板を保持する基板保持具と、該基板保持具に基板を移載する基板移載手段と、該基板移載手段を制御する制御部とを有する基板処理装置と、該基板処理装置を制御管理する管理装置とを具備する基板処理システムに於いて、前記制御部には製品用基板、ダミー基板、モニタ基板を前記基板保持具に移載する複数の移載パターンが登録され、該移載パターンはパラメータの設定により選択可能とし、前記基板移載手段による基板移載は選択された移載パターンに従って実行される様にし、前記パラメータは前記管理装置からの指示によって設定されることを特徴とする基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置を製造する１工程であり、ウェーハ、ガラス基板等の基板に薄膜の生成、不純物の拡散、アニール処理、エッチング等の基板処理、或はＬＣＤの製造を行う基板処理システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板を処理して半導体装置を製造する基板処理システムは、管理装置（ＨＯＳＴコンピュータ）と該ＨＯＳＴコンピュータに接続された複数台の基板処理装置とを具備し、該基板処理装置は前記ＨＯＳＴコンピュータによって統括管理されている。
【０００３】
基板の処理は、処理条件が設定されたレシピに従って実行され、ＨＯＳＴコンピュータは処理に応じたレシピを選択し、基板処理装置は選択されたレシピを実行することで、所要の基板処理を行っていた。
【０００４】
レシピに設定される処理の１つに基板の搬送がある。
【０００５】
例えば、基板処理装置が縦型処理炉を有する、バッチ式の基板処理装置であった場合、基板、例えばウェーハ、の処理は基板保持具、例えばボート、に所要枚数保持された状態で実行され、処理炉での処理前に、前記ボートに未処理ウェーハの移載、処理後に前記ボートからの処理済ウェーハの払出し作業が伴う。又、ボートの前記処理炉への装入、装脱が行われる。
【０００６】
又、基板処理装置でバッチ処理された、例えば成膜処理されたウェーハの成膜結果は、ボート上での位置によって異なる。例えば、ボートの中央部ではウェーハの成膜結果がよく、ボートの上部、下部ではウェーハの成膜結果が悪いという傾向がある。更に、成膜結果は、プロセス条件（温度、圧力、ガス流）、ボート、ウェーハ処理炉の特性等によっても影響される。
【０００７】
従って、ＨＯＳＴコンピュータは、バッチ処理毎に処理結果（成膜膜厚値等）を測定、良否判定し、更にボート上でのウェーハ処理位置を管理する機能が必要となる。尚、処理結果を測定、判定するウェーハとしては、製品ウェーハではなくモニタウェーハが使用される。
【０００８】
上記した様に、成膜結果は、プロセス条件（温度、圧力、ガス流）、ボート、ウェーハ処理炉の特性等によっても影響されるので、プロセス条件に応じた、モニタウェーハの設定が必要となる。
【０００９】
例えば、モニタウェーハが必要かどうか、必要な場合は、何枚、ボートのどの位置に必要か等が、プロセス条件に応じて設定されなければならない。
【００１０】
従来、モニタウェーハが必要かどうか、必要な場合は、何枚、ボートのどの位置に必要か等、モニタウェーハを使用する状況に対応した状況毎の複数のレシピが作成され、複数のレシピは基板処理装置に登録され、前記ＨＯＳＴコンピュータは基板処理に対応したレシピを選択して指定し、前記基板処理装置は指定されたレシピに従って、ウェーハの移載を実行していた。
【００１１】
モニタウェーハの使用状況に応じ、複数のレシピを作成することは、作成、登録に多くの労力を必要とし、又ＨＯＳＴコンピュータにも複数のレシピを管理する機能を持っていなければならず、ＨＯＳＴコンピュータ側の管理に負担が掛る。又、更に複数のレシピの管理を行う為、対象とするレシピを間違えてしまうという虞れがあった。
【００１２】
レシピが間違えられて選択された場合は、レシピ自体に不備がなくとも、処理異常となり、ロット生産稼働に重大な損害が生じることになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は斯かる実情に鑑み、１つのレシピにより、モニタウェーハを使用する等、種々の状況に対応したウェーハの移載を可能とした基板処理システムを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、基板を処理する処理炉と、該処理炉内で基板を保持する基板保持具と、該基板保持具に基板を移載する基板移載手段と、該基板移載手段を制御する制御部とを有する基板処理装置と、該基板処理装置を制御管理する管理装置とを具備する基板処理システムに於いて、前記制御部には製品用基板、ダミー基板、モニタ基板を前記基板保持具に移載する複数の移載パターンが登録され、該移載パターンはパラメータの設定により選択可能とし、前記基板移載手段による基板移載は選択された移載パターンに従って実行される様にし、前記パラメータは前記管理装置からの指示によって設定される基板処理システムに係るものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、基板を処理する処理炉と、該処理炉内で基板を保持する基板保持具と、該基板保持具に基板を移載する基板移載手段と、該基板移載手段を制御する制御部とを有する基板処理装置と、該基板処理装置を制御管理する管理装置とを具備する基板処理システムに於いて、前記制御部には製品用基板、ダミー基板、モニタ基板を前記基板保持具に移載する複数の移載パターンが登録され、該移載パターンはパラメータの設定により選択可能とし、前記基板移載手段による基板移載は選択された移載パターンに従って実行される様にし、前記パラメータは前記管理装置からの指示によって設定されるので、パラメータの設定のみにより、基板移載のパターンの変更が可能となり、レシピそのものを変更する必要がなくなり、或は複数のレシピを用意して選択する必要がなくなり、モニタウェーハを使用する等、種々の状況に対応したウェーハの移載が可能となる等の優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１７】
先ず本発明が実施される基板処理装置について説明する。
【００１８】
尚、基板処理装置は、半導体装置（ＩＣ）の製造工程の１つである基板処理工程を実施する。又、以下の説明では、基板処理装置の一例として縦型炉を具備して基板に酸化処理、ＣＶＤ成膜処理、拡散処理、アニール処理等を行う縦型の基板処理装置について説明する。
【００１９】
図１及び図２に示されている様に、基板処理装置１は筐体２を備えている。該筐体２の正面壁３の正面前方部にはメンテナンス可能な様に設けられた開口部としての正面メンテナンス口４が開設され、該正面メンテナンス口４は正面メンテナンス扉５によって開閉される。
【００２０】
前記筐体２の前記正面壁３にはポッド搬入搬出口６が前記筐体２の内外を連通する様に開設されており、前記ポッド搬入搬出口６はフロントシャッタ（搬入搬出口開閉機構）７によって開閉され、前記ポッド搬入搬出口６の正面前方側にはロードポート（基板搬送容器受渡し台）８が設置されており、該ロードポート８は載置されたポッド９を位置合せする様に構成されている。
【００２１】
該ポッド９は、密閉式の基板搬送容器であり、図示しない工程内搬送装置によって前記ロードポート８上に搬入され、又、該ロードポート８上から搬出される様になっている。
【００２２】
前記筐体２内の前後方向の略中央部に於ける上部には、回転式ポッド棚（基板搬送容器格納棚）１１が設置されており、該回転式ポッド棚１１は複数個のポッド９を格納する様に構成されている。
【００２３】
前記回転式ポッド棚１１は垂直に立設されて間欠回転される支柱１２と、該支柱１２に上中下段の各位置に於いて放射状に支持された複数段の棚板（基板搬送容器載置棚）１３とを備えており、該棚板１３はポッド９を複数個宛それぞれ載置した状態で格納する様に構成されている。
【００２４】
前記回転式ポッド棚１１の下方には、ポッドオープナ（基板搬送容器蓋体開閉機構）１４が設けられ、該ポッドオープナ１４は前記ポッド９を載置し、又該ポッド９の蓋を開閉可能な構成を有している。
【００２５】
前記ロードポート８と前記回転式ポッド棚１１、前記ポッドオープナ１４との間には、ポッド搬送装置（容器搬送装置）１５が設置されており、該ポッド搬送装置１５は、前記ポッド９を保持して昇降可能、水平方向に進退可能となっており、前記ロードポート８、前記回転式ポッド棚１１、前記ポッドオープナ１４との間で前記ポッド９を搬送する様に構成されている。
【００２６】
前記筐体２内の前後方向の略中央部に於ける下部には、サブ筐体１６が後端に亘って設けられている。該サブ筐体１６の正面壁１７にはウェーハ（基板）１８を前記サブ筐体１６内に対して搬入搬出する為のウェーハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１９が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウェーハ搬入搬出口１９，１９に対して前記ポッドオープナ１４がそれぞれ設けられている。
【００２７】
該ポッドオープナ１４は前記ポッド９を載置する載置台２１と、前記ポッド９の蓋を開閉する開閉機構２２とを備えている。前記ポッドオープナ１４は前記載置台２１に載置された前記ポッド９の蓋を前記開閉機構２２によって開閉することにより、前記ポッド９のウェーハ出入れ口を開閉する様に構成されている。
【００２８】
前記サブ筐体１６は前記ポッド搬送装置１５や前記回転式ポッド棚１１が配設されている空間（ポッド搬送空間）から気密となっている移載室２３を構成している。該移載室２３の前側領域にはウェーハ移載機構（基板移載機構）２４が設置されており、該ウェーハ移載機構２４は、ウェーハを載置する所要枚数（図示では５枚）のウェーハ載置プレート２５を具備し、該ウェーハ載置プレート２５は水平方向に直動可能、水平方向に回転可能、又昇降可能となっている。前記ウェーハ移載機構２４はボート（基板保持具）２６に対してウェーハ１８を装填及び払出しする様に構成されている。
【００２９】
前記移載室２３の後側領域には、前記ボート２６を収容して待機させる待機部２７が構成され、該待機部２７の上方には縦型の処理炉２８が設けられている。
【００３０】
該処理炉２８は前記ボート２６を収納する処理室を有し、該処理室の下端部は、炉口部となっており、該炉口部は炉口シャッタ（炉口開閉機構）２９により開閉される様になっている。
【００３１】
前記筐体２の右側端部と前記サブ筐体１６の前記待機部２７の右側端部との間には前記ボート２６を昇降させる為のボートエレベータ（基板保持具昇降機構）３１が設置されている。該ボートエレベータ３１の昇降台に連結されたアーム３２には蓋体としてのシールキャップ３３が水平に取付けられており、該シールキャップ３３は前記ボート２６を垂直に支持し、前記処理炉２８の炉口部を気密に閉塞可能となっている。
【００３２】
前記ボート２６は複数本の支柱を備えており、該支柱は複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウェーハ１８を、その中心を揃えて水平姿勢で多段に保持する様に構成されている。
【００３３】
尚、前記基板処理装置１内部にはダミーウェーハ（図示しない）が保管されており、必要に応じ、前記ボート２６上部、下部には所要枚数のダミーウェーハが装填され、又処理の内容に応じて所要間隔でモニタウェーハが前記ボート２６に装填される様になっている。
【００３４】
前記ボートエレベータ３１側と対向した位置にはクリーンユニット３５が配設され、該クリーンユニット３５は、清浄化した雰囲気若しくは不活性ガスであるクリーンエア３４を供給する様供給ファン及び防塵フィルタで構成されている。前記ウェーハ移載機構２４と前記クリーンユニット３５との間には、ウェーハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合せ装置（図示せず）が設置されている。
【００３５】
前記クリーンユニット３５から吹出されたクリーンエア３４は、ノッチ合せ装置（図示せず）及び前記ウェーハ移載機構２４、前記ボート２６に流通された後に、図示しないダクトにより吸込まれて、前記筐体２の外部に排気がなされるか、若しくは前記クリーンユニット３５の吸込み側である一次側（供給側）に迄循環され、再び該クリーンユニット３５によって、前記移載室２３内に吹出される様に構成されている。
【００３６】
次に、本発明の処理装置の作動について説明する。
【００３７】
前記ポッド９が前記ロードポート８に供給されると、前記ポッド搬入搬出口６が前記フロントシャッタ７によって開放される。前記ロードポート８の上の前記ポッド９は前記ポッド搬送装置１５によって前記筐体２の内部へ前記ポッド搬入搬出口６を通して搬入され、前記回転式ポッド棚１１の指定された前記棚板１３へ載置される。前記ポッド９は前記回転式ポッド棚１１で一時的に保管された後、前記ポッド搬送装置１５により前記棚板１３からいずれか一方のポッドオープナ１４に搬送されて前記載置台２１に移載されるか、若しくは前記ロードポート８から直接前記載置台２１に移載される。
【００３８】
この際、前記ウェーハ搬入搬出口１９は前記開閉機構２２によって閉じられており、前記移載室２３には前記クリーンエア３４が流通され、充満されている。例えば、前記移載室２３にはクリーンエア３４として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、前記筐体２の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
【００３９】
前記載置台２１に載置された前記ポッド９はその開口側端面が前記サブ筐体１６の前記正面壁１７に於ける前記ウェーハ搬入搬出口１９の開口縁辺部に押付けられると共に、蓋が前記開閉機構２２によって取外され、ウェーハ出入れ口が開放される。
【００４０】
前記ポッド９が前記ポッドオープナ１４によって開放されると、ウェーハ１８は前記ポッド９から前記ウェーハ移載機構２４によって取出され、ノッチ合せ装置（図示せず）に移送され、該ノッチ合せ装置にてウェーハ１８を整合した後、前記ウェーハ移載機構２４はウェーハ１８を前記移載室２３の後方にある前記待機部２７へ搬入し、前記ボート２６に装填（チャージング）する。
【００４１】
該ボート２６にウェーハ１８を受渡した前記ウェーハ移載機構２４はポッド９に戻り、次のウェーハ１８を前記ボート２６に装填する。
【００４２】
一方（上段又は下段）のポッドオープナ１４に於ける前記ウェーハ移載機構２４によるウェーハ１８の前記ボート２６への装填作業中に、他方（下段又は上段）のポッドオープナ１４には前記回転式ポッド棚１１から別のポッド９が前記ポッド搬送装置１５によって搬送されて移載され、前記他方のポッドオープナ１４によるポッド９の開放作業が同時進行される。
【００４３】
予め指定された枚数のウェーハ１８が前記ボート２６に装填されると、前記炉口シャッタ２９によって閉じられていた前記処理炉２８の炉口部が、前記炉口シャッタ２９によって開放される。続いて、前記ボート２６は前記ボートエレベータ３１によって上昇され、前記処理炉２８内（処理室）へ装入（ローディング）される。尚、装填されるウェーハには、モニタウェーハも含まれる。
【００４４】
ローディング後は、前記シールキャップ３３によって炉口部が気密に閉塞され、前記ボート２６はウェーハ１８を保持した状態で、処理室に気密に収納される。前記ウェーハ１８が加熱され、又処理室に処理ガスが導入されつつ、所定圧力に維持される様に排気され、前記処理炉２８にてウェーハ１８に所要の処理が実行される。
【００４５】
処理後は、ノッチ合せ装置（図示せず）でのウェーハ１８の整合工程を除き、上記と逆の手順で、ウェーハ１８及びポッド９は前記筐体２の外部へ払出される。
【００４６】
処理済のウェーハについて品質を管理する為、バッチ処理毎にモニタウェーハについて処理結果を測定、良否判定が行われる。
【００４７】
図３は、上記基板処理装置を具備する基板処理システムの概略構成を示している。
【００４８】
図３中、４１は管理装置であるＨＯＳＴコンピュータを示し、該ＨＯＳＴコンピュータ４１が通信網、例えばＬＡＮ４２に接続され、該ＬＡＮ４２に中継分配器、例えばＨＵＢ４３を介して複数台の基板処理装置１ａ，１ｂ，…，１ｎの制御部４９ａ，４９ｂ，…，４９ｎが接続されている。
【００４９】
前記ＨＯＳＴコンピュータ４１は管理プログラムによって、前記基板処理装置１ａ，１ｂ，…，１ｎの運用をオンラインで制御する。オンラインの運用では、前記ポッド９の搬入、搬出、プロセス条件指定、プロセス開始指定、プロセスデータ収集等一連の処理が、前記ＨＯＳＴコンピュータ４１によって実行、管理される。
【００５０】
前記ＨＯＳＴコンピュータ４１は主通信制御部４５、主演算制御部４６、主記憶部４７、操作部４８を具備し、前記主記憶部４７には前記基板処理装置１ａ，１ｂ，…，１ｎを自動的に運用する為の管理プログラム、前記制御部４９ａ，４９ｂ，…，４９ｎとの間の通信を行う為の通信プログラムが格納され、又基板処理を実行する為のレシピが登録される。
【００５１】
該レシピには基板の移載パターンを決定するパラメータを含み、該パラメータは書換え可能であり、パラメータは前記ＨＯＳＴコンピュータ４１からの指令によって、又は前記基板処理装置１が具備する操作部（図示せず）から設定可能となっている。尚、前記パラメータは基板移載を実行するシーケンスプログラム中に含ませ、同様に書換え可能としてもよい。
【００５２】
前記管理プログラムは、前記基板処理装置１ａ，１ｂ，…，１ｎに基板の複数の移載パターンの１つを指示する様になっており、又移載パターンは移載パターン設定パラメータによって選択される様になっている。
【００５３】
移載パターン設定パラメータは基板処理の内容に応じて設定され、或は前記操作部４８より入力可能となっている。
【００５４】
尚、登録されるレシピは通常１つであり、レシピ作成の作業、登録等に伴う作業は少なくて済む。尚、複数のレシピを登録し、レシピの選択を可能とすると共に１つのレシピ内に於いて、更に移載パターンが選択可能としてもよい。
【００５５】
前記制御部４９ａ，４９ｂ，…，４９ｎは、それぞれ、例えば前記基板処理装置１ａ（以下基板処理装置１）は、通信制御部５１、演算制御部５２、記憶部５３を具備し、該記憶部５３には前記ＨＯＳＴコンピュータ４１との通信を行う為の通信プログラム、レシピを実行する為の基板処理プログラム、前記基板処理装置１内でポッド９の移載、基板の移載、ボート２６の装入、装脱等を実行する為のシーケンスプログラム等の基板処理に必要なプログラムが格納され、又前記記憶部５３には、基板の移載を実行する場合の複数の移載パターン、及び基板処理の為のレシピが登録される。
【００５６】
前記演算制御部５２は、シーケンスプログラムにより前記回転式ポッド棚１１、前記ポッド搬送装置１５、前記開閉機構２２、前記ウェーハ移載機構２４、前記ボートエレベータ３１、前記処理炉２８を駆動制御すると共に、通信プログラムによって前記ＨＯＳＴコンピュータ４１の通信を制御し、又基板処理プログラムによりレシピを実行して基板の処理を制御する。
【００５７】
前記複数の移載パターンは前記ＨＯＳＴコンピュータ４１から指示されるパラメータによって選択される様になっている。
【００５８】
移載パターンとしては、例えば図４（Ａ）に示される様に、モニタウェーハの移載無しの移載パターン、図４（Ｂ）に示される様にモニタウェーハの移載ありの移載パターン、図４（Ｃ）に示されるモニタウェーハの代りにダミーウェーハを移載する置換の移載パターンの３パターンとし、対応するパラメータは、例えば、移載無しが［０］、移載ありが［１］、置換が［２］とする。
【００５９】
図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）中、５５は製品用ウェーハ、５６はダミーウェーハ、５７はモニタウェーハを示し、又図中、前記製品用ウェーハ５５は実線、前記ダミーウェーハ５６は破線、前記モニタウェーハ５７は１点鎖線で示し、更に置換したダミーウェーハ５６は２点差線で示している。
【００６０】
図５を参照して、前記製品用ウェーハ５５、前記ダミーウェーハ５６、前記モニタウェーハ５７の移載について説明する。尚、以下の基板移載は、前記ＨＯＳＴコンピュータ４１、前記基板処理装置１に登録されたレシピが１つの場合である。
【００６１】
前記ＨＯＳＴコンピュータ４１から前記ＬＡＮ４２を介して前記基板処理装置１に、ポッド９搬入の指示が送信される。又、基板処理の内容についての指示が送信されると共にモニタウェーハの使用の有無、即ち移載パターン設定パラメータが前記基板処理装置１に送信される。
【００６２】
例えば、送信される移載パターン設定パラメータが［０］の場合は、前記基板処理装置１に格納されているレシピ中の、パラメータが［０］に書込まれ、モニタウェーハの移載無しの移載パターン（図４（Ａ））が選択される。
【００６３】
従って、図５中、左の流れとなり、前記ボート２６の上部と下部に前記ダミーウェーハ５６が装填され、上部と下部を除く部分にはポッド９、４個分の前記製品用ウェーハ５５が連続して装填され、モニタウェーハは移載されない。
【００６４】
次に、送信される移載パターン設定パラメータが［１］の場合は、前記基板処理装置１に格納されているレシピ中の、パラメータが［１］に書込まれ、モニタウェーハの移載ありの移載パターン（図４（Ｂ））が選択される。
【００６５】
従って、図５中、中央の流れとなり、前記ボート２６の上部と下部に前記ダミーウェーハ５６が装填され、上部と下部を除く部分にはポッド９、４個分の前記製品用ウェーハ５５が装填されると共に前記製品用ウェーハ５５群の上側、下側にそれぞれ前記モニタウェーハ５７が装填されると共に各ポッド９分の前記製品用ウェーハ５５の境に前記モニタウェーハ５７が装填される。
【００６６】
又、送信される移載パターン設定パラメータが［２］の場合は、前記基板処理装置１に格納されているレシピ中の、パラメータが［２］に書込まれ、モニタウェーハの移載無しの移載パターン（図４（Ｃ））が選択される。
【００６７】
従って、図５中、右の流れとなり、前記ボート２６の上部と下部に前記ダミーウェーハ５６が装填され、上部と下部を除く部分にはポッド９、４個分の前記製品用ウェーハ５５が装填されると共に該製品用ウェーハ５５群の上側、下側にそれぞれ前記ダミーウェーハ５６が装填されると共に各ポッド９分の前記製品用ウェーハ５５の境に前記ダミーウェーハ５６が装填される。モニタウェーハの移載無しの移載パターン図４（Ｃ）では、図４（Ｂ）での移載パターンで、前記モニタウェーハ５７が前記ダミーウェーハ５６に置換された状態となる。
【００６８】
基板の移載が完了すると、前記ボートエレベータ３１が駆動され、前記ボート２６が前記処理炉２８に装入される（図１参照）。
【００６９】
基板に対して成膜等、所要の処理が完了し、前記ボート２６が降下され、処理済ウェーハが払出され、前記ポッド９に移載され、基板処理に関するシーケンスが完了すると、完了の情報は前記ＬＡＮ４２を介して前記ＨＯＳＴコンピュータ４１に送信され、該ＨＯＳＴコンピュータ４１は基板払出しの指示を前記基板処理装置１に送信する。
【００７０】
該基板処理装置１から処理済のウェーハを収納したポッド９が搬送される。
【００７１】
上記した様に、パラメータの指定だけで、モニタウェーハ無しのバッチ処理、モニタウェーハありのバッチ処理が可能であり、例えば５バッチに１回のみのモニタウェーハありの基板処理を実施でき、モニタウェーハの節約が可能となる。
【００７２】
（付記）
尚、本発明は以下の実施の態様を含む。
（付記１）基板を処理する処理炉と、該処理炉内で基板を保持するボートと、基板収納容器内の基板（モニタウェーハ、ダミーウェーハ等）の搬送を行う制御部と、基板を搬送する為に使用される基板移載手段と、基板を該基板移載手段から送信されるデータを格納する格納部とを具備した基板処理装置と、該基板処理装置内で基板の処理を行うレシピが登録される管理装置とで構成される基板処理システムに於いて、予め前記格納部に基板の前記ボートへの移載パターンを登録しておき、前記管理装置は、前記基板処理装置で使用される基板と基板の移載パターンを指定するパラメータを前記制御部に指示し、該制御部は前記管理装置から指示を受けると、前記パラメータに応じてモニタウェーハを使用するか否か、モニタウェーハの代りにダミーウェーハを使用して前記ボートに搬送するか否か、モニタウェーハ、ダミーウェーハを使用しないで基板の搬送をするかを判断することを特徴とする基板処理システム。
【００７３】
（付記２）基板を処理する処理炉と、該処理炉内で基板を保持する基板保持具と、該基板保持具に基板を移載する基板移載手段と、該基板移載手段を制御する制御部とを有する基板処理装置と、該基板処理装置を制御管理する管理装置とを具備する基板処理システムに於いて、前記制御部には製品用基板、ダミー基板、モニタ基板を前記基板保持具に移載する複数の移載パターンが登録され、該移載パターンはパラメータの設定により選択可能とし、前記基板移載手段による基板移載は選択された移載パターンに従って実行される様にし、前記パラメータは前記管理装置からの指示によって設定されることを特徴とする基板処理システム。
【００７４】
（付記３）基板を処理する処理炉と、該処理炉内で基板を保持する基板保持具と、該基板保持具に基板を移載する基板移載手段と、該基板移載手段を制御する制御部とを有する基板処理装置に於いて、前記制御部には製品用基板、ダミー基板、モニタ基板を前記基板保持具に移載する複数の移載パターンが登録され、該移載パターンはパラメータの設定により選択可能とし、前記基板移載手段による基板移載は選択された移載パターンに従って実行される様構成した基板処理装置。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す概略斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す概略側面図である。
【図３】本発明の実施の形態を示すブロック図である。
【図４】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、本発明の実施の形態に於けるウェーハの移載パターンを示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態に於けるウェーハの移載流れを示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００７６】
１              基板処理装置
９              ポッド
１８            ウェーハ
２４            ウェーハ移載機構
２６            ボート
２８            処理炉
３１            ボートエレベータ
４１            ＨＯＳＴコンピュータ
４２            ＬＡＮ
４９            制御部
５１            通信制御部
５２            演算制御部
５３            記憶部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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