(57)【要約】【課題】メッキ層を備えるバンプ電極及びその製造方法を提供する。【解決手段】パッド電極を備える基板を提供し、パッド電極上にシード層を形成し、シード層上に、パッド電極に整列された開口部を備えるマスク層を形成し、開口部内のシード層上にバリヤーメッキ層を電解メッキし、バリヤーメッキ層上にバンプメッキ層を電解メッキし、マスク層を除去し、バンプメッキ層をマスクとしてシード層をエッチングするバンプ電極の製造方法である。【選択図】図１Ｇ
2008098639.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッド電極を備える基板を提供するステップと、
前記パッド電極上にシード層を形成するステップと、
前記シード層上に、前記パッド電極に整列された開口部を備えるマスク層を形成するステップと、
前記開口部内の前記シード層上にバリヤーメッキ層を電解メッキするステップと、
前記バリヤーメッキ層上にバンプメッキ層を電解メッキするステップと、
前記マスク層を除去するステップと、
前記バンプメッキ層をマスクとして前記シード層をエッチングするステップと、を含むことを特徴とする半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項２】
前記バンプメッキ層を電解メッキする前に、前記バリヤーメッキ層上にバンプ接着層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項３】
前記バンプ接着層と前記バンプメッキ層とは、同一物質を使用して形成することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項４】
前記バンプ接着層は、ストライクメッキ法を使用して形成することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項５】
前記バンプメッキ層の厚さは、前記バリヤーメッキ層の厚さに比べてさらに厚いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項６】
前記バンプメッキ層を形成する前に、前記バリヤーメッキ層上にバンプ接着層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項７】
前記バリヤーメッキ層は、４μｍ以上の厚さに形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項８】
前記バリヤーメッキ層は、１５μｍ以下の厚さに形成することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項９】
前記バリヤーメッキ層は、Ｎｉ，Ｐｄ，Ａｇ及びそれらの合金からなる群から選択される一つの物質を含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項１０】
前記バンプメッキ層は、Ａｕを含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項１１】
前記シード層は、前記パッド電極上に順次に積層されたシード接着層及び漏れ層を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項１２】
前記シード接着層は、Ｔｉ，ＴｉＮ，ＴｉＷ，Ｃｒ，Ａｌ及びそれらの合金からなる群から選択される一つの物質を含有することを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項１３】
前記漏れ層は、Ｃｕ，Ｎｉ，ＮｉＶ及びそれらの合金からなる群から選択される一つの物質を含有することを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項１４】
パッド電極を備える基板を提供するステップと、
前記パッド電極上にシード層を形成するステップと、
前記シード層上に、前記パッド電極に整列された開口部を備えるマスク層を形成するステップと、
前記開口部内の前記シード層上にバリヤーメッキ層を形成するステップと、
前記バリヤーメッキ層上にバンプ接着層を形成するステップと、
前記バンプ接着層上にバンプメッキ層を形成するステップと、
前記マスク層を除去するステップと、を含むことを特徴とする半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項１５】
前記バンプ接着層と前記バンプメッキ層とは、同一物質を使用して形成することを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項１６】
前記バンプ接着層は、ストライクメッキ法を使用して形成することを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項１７】
前記バンプメッキ層の厚さは、前記バリヤーメッキ層の厚さに比べてさらに厚いことを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項１８】
前記バリヤーメッキ層は、４μｍ以上の厚さに形成することを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項１９】
前記バリヤーメッキ層は、１５μｍ以下の厚さに形成することを特徴とする請求項１８に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項２０】
前記マスク層を除去した後、前記バンプメッキ層をマスクとして前記シード層をエッチングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項２１】
前記シード層は、前記パッド電極上に順次に積層されたシード接着層及び漏れ層を備えることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項２２】
パッド電極を備える基板を提供するステップと、
前記パッド電極上にシード層を形成するステップと、
前記シード層上に、前記パッド電極に整列された開口部を備えるフォトレジスト層を形成するステップと、
前記開口部内にニッケルメッキ層を電解メッキするステップと、
前記ニッケルメッキ層上に金ストライク膜をストライクメッキするステップと、
前記金ストライク膜上に金メッキ層を電解メッキするステップと、
前記フォトレジスト層を除去するステップと、
前記金メッキ層をマスクとして前記シード層をエッチングするステップと、を含むことを特徴とする半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項２３】
前記シード層は、前記パッド電極上に順次に積層されたＴｉ層及びＣｕ層を備えることを特徴とする請求項２２に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項２４】
前記ニッケルメッキ層は、４μｍ以上の厚さに形成することを特徴とする請求項２２に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項２５】
前記バリヤーメッキ層は、１５μｍ以下の厚さに形成することを特徴とする請求項２４に記載の半導体装置のバンプ電極形成方法。
【請求項２６】
基板上に配置されたパッド電極と、
前記パッド電極上に位置するシード層と、
前記シード層上に位置するバリヤー電解メッキ層と、
前記バリヤー電解メッキ層上に位置するバンプ電解メッキ層と、を備えることを特徴とする半導体装置のバンプ電極。
【請求項２７】
前記バリヤー電解メッキ層の厚さは、４μｍ以上であることを特徴とする請求項２６に記載の半導体装置のバンプ電極。
【請求項２８】
前記バリヤー電解メッキ層の厚さは、１５μｍ以下であることを特徴とする請求項２７に記載の半導体装置のバンプ電極。
【請求項２９】
前記バンプ電解メッキ層と前記バリヤー電解メッキ層との間に位置するバンプ接着層をさらに備えることを特徴とする請求項２６に記載の半導体装置のバンプ電極。
【請求項３０】
前記バンプ接着層と前記バンプ電解メッキ層とは、同じ物質からなる層であることを特徴とする請求項２９に記載の半導体装置のバンプ電極。
【請求項３１】
前記バンプ電解メッキ層の厚さは、前記バリヤー電解メッキ層の厚さに比べてさらに厚いことを特徴とする請求項２６に記載の半導体装置のバンプ電極。
【請求項３２】
前記バンプ電解メッキ層と前記バリヤー電解メッキ層との間に位置するバンプ接着層をさらに備えることを特徴とする請求項３１に記載の半導体装置のバンプ電極。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に係り、特にバンプ電極及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置のバンプ電極は、半導体装置を外部回路に接続させるための手段であって、ボンディングワイヤーに比べて信号ノイズを低減させ、パッド電極を微細ピッチで配列でき、薄型パッケージを具現できるという長所がある。かかるバンプ電極を使用した接続方式としては、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）などがあり、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ）のような平板ディスプレイの駆動素子の実装に多く使われている。
【０００３】
かかるバンプ電極は、電気伝導性が高く、軟性に優れたソルダまたは金を使用して形成する。しかし、ソルダは、鉛を含有する場合が多くて環境汚染を誘発するおそれがある。したがって、金を使用してバンプ電極を形成することが一般的であるが、バンプ電極の全体を金を使用して形成するのは、工程コストを高める要因となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、バンプ電極の一部分のみを金を使用して形成して工程コストを低減させるバンプ電極の形成方法、及びこれにより形成されたバンプ電極を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するために、本発明の一側面は、半導体装置のバンプ電極形成方法を提供する。この方法は、パッド電極を備える基板を提供することを含む。前記パッド電極上にシード層を形成する。前記シード層上に、前記パッド電極に整列された開口部を備えるマスク層を形成する。前記開口部内の前記シード層上にバリヤーメッキ層を電解メッキする。前記バリヤーメッキ層上にバンプメッキ層を電解メッキする。前記マスク層を除去する。前記バンプメッキ層をマスクとして前記シード層をエッチングする。
【０００６】
前記課題を解決するために、本発明の一側面は、他のバンプ電極形成方法を提供する。この方法は、パッド電極を備える基板を提供することを含む。前記パッド電極上にシード層を形成する。前記シード層上に、前記パッド電極に整列された開口部を備えるマスク層を形成する。前記開口部内の前記シード層上にバリヤーメッキ層を形成する。前記バリヤーメッキ層上にバンプ接着層を形成する。前記バンプ接着層上にバンプメッキ層を形成する。前記マスク層を除去する。
【０００７】
前記課題を解決するために、本発明の一側面は、さらに他のバンプ電極形成方法を提供する。この方法は、パッド電極を備える基板を提供することを含む。前記パッド電極上にシード層を形成する。前記シード層上に、前記パッド電極に整列された開口部を備えるフォトレジスト層を形成する。前記開口部内にニッケルメッキ層を電解メッキする。前記ニッケルメッキ層上に金ストライク膜をストライクメッキする。前記金ストライク膜上に金メッキ層を電解メッキする。前記フォトレジスト層を除去する。前記金メッキ層をマスクとして前記シード層をエッチングする。
【０００８】
前記課題を解決するために、本発明の他の側面は、半導体装置のバンプ電極を提供する。前記半導体装置のバンプ電極は、基板上に配置されたパッド電極を備える。前記パッド電極上にシード層が位置する。前記シード層上にバリヤー電解メッキ層が位置する。前記バリヤー電解メッキ層上にバンプ電解メッキ層が位置する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、バンプ電極の一部分のみを金を使用して形成することによって、工程コストを低減できる。また、バリヤーメッキ層及びバンプメッキ層を電解メッキ法を使用して形成することによって、基板上に形成された色々な種類のパッド電極上に均一な厚さのバリヤーメッキ層及びバンプメッキ層を形成できる。さらに、前記バリヤーメッキ層の厚さを十分に厚く（例えば、４μｍ以上）形成することによって、前記バンプメッキ層の形成不良を防止して前記バンプメッキ層のメッキプロファイルを顕著に改善させる。さらに、前記バンプメッキ層の厚さを前記バリヤーメッキ層の厚さに比べて厚く形成することによって、半導体装置と回路基板との間の信頼性のある接続を具現できる。さらに、前記バリヤーメッキ層と前記バンプメッキ層との間にバンプ接着層を形成することによって、前記バンプメッキ層を前記バリヤーメッキ層上に信頼性よく接着させる。前記バンプメッキ層が前記バリヤーメッキ層に比べてさらに厚い場合、かかる効果はさらに確実に現れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付した図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。しかし、本発明は、ここで説明される実施形態に限定されず、他の形態に具体化されることもある。むしろ、ここで紹介される実施形態は、開示された内容を徹底かつ完全になるように、また、当業者に本発明の思想を十分に伝達するために提供されるものである。図面において、層及び領域の厚さは、明確性のために誇張されたものである。明細書の全体にわたって、同じ参照番号は同じ構成要素を表す。
【００１１】
図１Ａないし図１Ｇは、本発明の一実施形態による半導体装置のバンプ電極の形成方法を工程段階別に順次に示す断面図である。
【００１２】
図１Ａに示すように、電気回路（図示せず）が形成された半導体基板１００上に、前記電気回路と電気的に連結されたパッド電極１１０を形成する。前記パッド電極１１０は、Ａｌ膜またはＣｕ膜でありうる。
【００１３】
前記パッド電極１１０上に、前記パッド電極１１０を露出させる開口部を備えるパッシべーション層１１５を形成する。前記パッシべーション層１１５は、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン酸化窒化膜またはそれらの多重層でありうる。前記パッシべーション層１１５上にポリマー層（図示せず）をさらに形成することもできる。
【００１４】
前記パッド電極１１０及び前記パッシべーション層１１５を備えた基板上にシード層１２０を形成する。前記シード層１２０は、順次に積層されたシード接着層１２１及び漏れ層１２２を備える。前記シード接着層１２１及び前記漏れ層１２２は、後続する工程で形成するバンプメッキ層に対してエッチング選択比が高い金属を使用して形成できる。前記シード接着層１２１は、前記パッド電極１１０と前記漏れ層１２２との接着性を向上させる役割を行う層であって、Ｔｉ，ＴｉＷ，ＴｉＮ，Ｃｒ，Ａｌまたはそれらの合金層でありうる。また、前記漏れ層１２２は、後続する工程で形成されるバリヤーメッキ層に対するシードとしての役割を行う層であって、Ｃｕ，Ｎｉ，ＮｉＶまたはそれらの合金層でありうる。望ましくは、前記シード接着層１２１はＴｉ膜であり、前記漏れ層１２２は、漏れ特性が良好であり、低価のＣｕ膜である。前記シード接着層１２１及び前記漏れ層１２２は、スパッタリング法を使用して連続的に形成することが望ましい。
【００１５】
図１Ｂに示すように、前記シード層１２０上にマスク層１９０を形成する。前記マスク層１９０は、前記パッド電極１１０に整列されて前記シード層１２０を露出させる開口部１９０ａを備える。前記マスク層１９０は、フォトレジスト層でありうる。
【００１６】
図１Ｃに示すように、前記開口部１９０ａ内に露出された前記シード層１２０上に前記バリヤーメッキ層１３０を形成する。前記バリヤーメッキ層１３０は、電解メッキ法を使用して形成する。具体的に、前記基板１００を、バリヤー金属を含有する電解液が満たされたメッキ槽（図示せず）内に入れた後、前記シード層１２０が形成された基板１００を負極とし、前記メッキ槽内に別途の正極（図示せず）を構成して、前記正極と前記負極とを通じて電気を流して前記シード層１２０上にバリヤー金属を電着させて、前記バリヤーメッキ層１３０を形成する。
【００１７】
前記バリヤーメッキ層１３０を電解メッキすることによって、前記基板１００上に形成された色々な種類のパッド電極１１０上に均一な厚さのバリヤーメッキ層１３０を形成できる。一方、前記バリヤーメッキ層１３０を、無電解メッキ法を使用して形成する場合、パッド電極の種類によってメッキ層の形成状態が大きく変わりうる。具体的に、無電解メッキ法の場合、メッキ層を形成する前に、パッド電極の表面上に亜鉛イオン基を吸着させる表面活性化処理、すなわちジンカート処理を実施する。このとき、半導体基板と電気的に連結されている接地パッド電極の場合、パッド電極物質のイオン化によって生成された電子が亜鉛イオン基を吸着させるのに使われずに半導体基板に抜け出る。したがって、図２Ａ及び図２Ｂに示したように、前記接地パッド電極上に亜鉛イオン基を十分に吸着させないので、一般パッド電極（図２Ａ参照）と接地パッド電極（図２Ｂ参照）との間にメッキ層の形成程度が大きく変わる。結果的に、あらゆる種類のパッド電極上に均一な厚さのメッキ層を形成し難い。
【００１８】
したがって、前記バリヤーメッキ層１３０を、電解メッキ法を使用して形成することによって、前記シード層１２０または前記パッド電極１１０上にジンカート処理のような表面活性化処理を行う必要がない。その結果、前記基板１００上に形成された色々な種類のパッド電極１１０上に均一な厚さのバリヤーメッキ層１３０が形成されうる。
【００１９】
図３Ａないし図３Ｄ及び図４を参照して後述するように、前記バリヤーメッキ層１３０は、４μｍ以上の厚さを有することが望ましい。さらに望ましくは、前記バリヤーメッキ層１３０は、５μｍ以上の厚さを有する。さらに、前記バリヤーメッキ層１３０は、バンプ電極の全体高さを考慮するとき、１５μｍ以下の厚さを有することが望ましい。前記バリヤーメッキ層１３０は、Ｎｉ膜、Ｐｄ膜、Ａｇ膜またはそれらの合金膜でありうる。望ましくは、前記バリヤーメッキ層１３０は、工程コストを低減でき、密着性及び耐蝕性の良好なＮｉ膜でありうる。
【００２０】
図１Ｄに示すように、前記バリヤーメッキ層１３０上にバンプ接着層１４０を形成する。前記バンプ接着層１４０は、接着能力の向上のために、電解ストライクメッキ法を使用して形成したストライクメッキ層であることが望ましい。ストライクメッキ法は、一般的なメッキ工程での電流密度より高い電流密度で短時間メッキする方法である。
【００２１】
図１Ｅに示すように、前記バンプ接着層１４０上にバンプメッキ層１５０を形成する。前記バンプメッキ層１５０は、電解メッキ法を使用して形成する。したがって、前記バンプメッキ層１５０は、前記バリヤーメッキ層１３０と同様に、前記基板上に形成された色々な種類のパッド電極１１０上に均一な厚さに形成されうる。前記バンプメッキ層１５０は、Ａｕ膜でありうる。
【００２２】
前記バンプメッキ層１５０は、前記バンプ接着層１４０により前記バリヤーメッキ層１３０に信頼性よく接着されうる。具体的に、前記バンプ接着層１４０は、前記バンプメッキ層１５０と前記バリヤーメッキ層１３０との応力差により、それらの間の界面で現れる浮き上がり現象を防止する。このために、前記バンプ接着層１４０は、前記バンプメッキ層１５０と同じ物質を使用して形成することが望ましい。
【００２３】
一方、前記バリヤーメッキ層１３０の厚さを十分に厚く（４μｍ以上）形成することによって、前記バンプメッキ層１５０を形成する過程で、バンプメッキ液が前記マスクパターン１９０の下部に浸透して前記シード層１２０と接触することを防止できる。前記シード層１２０と前記バンプメッキ液とが接触する場合、前記シード層１２０は、前記バンプメッキ液に溶解されて、前記バンプメッキ層１５０の正常的な成長を妨害して前記バンプメッキ層１５０の形成不良を誘発しうる。かかる現象は、前記シード層１２０内の漏れ層１２２がＣｕ膜であり、前記バンプメッキ層１５０がＡｕ膜である時にさらに顕著に現れる。図１Ｅに示すように、前記バンプメッキ層１５０の厚さＴ＿１５０は、前記バリヤーメッキ層１３０の厚さＴ＿１３０に比べて厚く形成することが望ましい。この場合、最終的に形成されるバンプ電極を回路基板上に接続させるとき、前記バンプメッキ層１５０が十分に押されて広がるので、半導体装置と回路基板との間の信頼性のある接続が可能になる。さらに、前記バンプ接着層１４０は、前記バリヤーメッキ層１３０から前記バンプメッキ層１５０が浮き上がることを減らすか、または防止できる。図１Ｆに示すように、前記マスクパターン１９０を除去して前記シード層１２０を露出させる。
【００２４】
図１Ｇに示すように、前記バンプメッキ層１５０をマスクとして前記露出されたシード層１２０をエッチングする。その結果、前記シード層１２０、前記バリヤーメッキ層１３０、前記バンプ接着層１４０及び前記バンプメッキ層１５０が順次に積層されたバンプ電極が形成される。
【００２５】
前記シード層１２０は、前記バンプメッキ層１５０及び前記バリヤーメッキ層１３０に対してエッチング選択比が高く、前記シード層１２０をエッチングする過程で前記バンプメッキ層１５０及び前記バリヤーメッキ層１３０は損傷しない。したがって、前記バンプメッキ層１５０及び前記バリヤーメッキ層１３０のサイズ減少、表面粗度の変化などが最小化される。
【００２６】
以下、本発明の理解を助けるために望ましい実験例を提示する。ただし、下記の実験例は、本発明の理解を助けるためのものであり、本発明が下記の実験例により限定されるものではない。
【００２７】
＜実験例１＞
基板上にアルミニウムパッド電極を形成し、前記パッド電極上に前記パッド電極を露出させるパッシべーション層を形成し、前記パッド電極及び前記パッシべーション層上にＴｉ膜とＣｕ膜とをスパッタリング法を使用して順次に積層した。前記Ｃｕ膜上にフォトレジスト層を形成し、前記フォトレジスト層を露光及び現像して前記フォトレジスト層内に、前記パッド電極に重なり、前記Ｃｕ膜を露出させる開口部を形成した。前記開口部内に露出されたＣｕ膜上に電解メッキ法を使用してニッケルメッキ層を形成するが、１μｍの厚さを有するように形成した。前記ニッケルメッキ層上に電解ストライクメッキ法を使用して金ストライクメッキ層を形成した。前記金ストライクメッキ層上に電解メッキ法を使用して金メッキ層を形成するが、１７μｍの厚さを有するように形成した。
【００２８】
＜実験例２＞
ニッケルメッキ層を２μｍの厚さを有するように形成した点を除いては、実験例１と同じ  方法でバンプ電極を形成した。
【００２９】
＜実験例３＞
ニッケルメッキ層を３μｍの厚さを有するように形成した点を除いては、実験例１と同じ方法でバンプ電極を形成した。
【００３０】
＜実験例４＞
ニッケルメッキ層を４μｍの厚さを有するように形成した点を除いては、実験例１と同じ方法でバンプ電極を形成した。
【００３１】
＜実験例５＞
ニッケルメッキ層を５μｍの厚さを有するように形成した点を除いては、実験例１と同じ方法でバンプ電極を形成した。
【００３２】
＜実験例６＞
ニッケルメッキ層を６μｍの厚さを有するように形成した点を除いては、実験例１と同じ方法でバンプ電極を形成した。
前記実験例１、３、４及び５によるバンプ電極の上部面のイメージを図３Ａないし図３Ｄにそれぞれ示した。かかるイメージで（特に、図３Ａ及び図３Ｂ）、不良は“Ｆ”と表示された。前記実験例１ないし６によるバンプ電極の形成不良率を下記表１及び図４に示した。前記形成不良率は、複数個のチップでバンプ電極の形態を検査し、全体のチップ数で非正常的に形成されたバンプ電極が存在するチップの比率を計算した値である。
【００３３】
【表１】
2008098639.tif 000003
【００３４】
表１及び図４に示すように、ニッケルメッキ層の厚さが４μｍ未満である場合、金メッキ層１５０のエッジ部分で形成不良Ｆが増加する（さらに、図３Ａ及び図３Ｂ参照）。前述したように、ニッケルメッキ層の厚さが４μｍ未満である場合、前記金メッキ層を電解メッキする過程で金メッキ液が浸透して下部の前記Ｃｕ膜と接触してＣｕが前記金メッキ液に溶解され、前記金メッキ液に溶解されたＣｕは、前記金メッキ層の正常的な成長を妨害する。
【００３５】
一方、ニッケルメッキ層の厚さが４μｍ以上である場合、金メッキ層のエッジ部分で形成不良はほとんど発生しない。さらに、前記ニッケルメッキ層の厚さが５μｍ以上である場合、金メッキ層のエッジ部分での形成不良は全く発生しなかった。
【００３６】
本発明は、図面に示した一実施形態を参考にして説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者であれば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想により決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、半導体装置関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１Ａ】本発明の一実施形態による半導体装置のバンプ電極の形成方法を工程段階別に順次に示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態による半導体装置のバンプ電極の形成方法を工程段階別に順次に示す断面図である。
【図１Ｃ】本発明の一実施形態による半導体装置のバンプ電極の形成方法を工程段階別に順次に示す断面図である。
【図１Ｄ】本発明の一実施形態による半導体装置のバンプ電極の形成方法を工程段階別に順次に示す断面図である。
【図１Ｅ】本発明の一実施形態による半導体装置のバンプ電極の形成方法を工程段階別に順次に示す断面図である。
【図１Ｆ】本発明の一実施形態による半導体装置のバンプ電極の形成方法を工程段階別に順次に示す断面図である。
【図１Ｇ】本発明の一実施形態による半導体装置のバンプ電極の形成方法を工程段階別に順次に示す断面図である。
【図２Ａ】一般パッド電極及び接地パッド電極上に無電解メッキ法を使用して形成されたメッキ層の形成状態をそれぞれ示す写真である。
【図２Ｂ】一般パッド電極及び接地パッド電極上に無電解メッキ法を使用して形成されたメッキ層の形成状態をそれぞれ示す写真である。
【図３Ａ】異なるメッキ層の厚さを有するバンプ電極の上部面をそれぞれ示す写真である。
【図３Ｂ】異なるメッキ層の厚さを有するバンプ電極の上部面をそれぞれ示す写真である。
【図３Ｃ】異なるメッキ層の厚さを有するバンプ電極の上部面をそれぞれ示す写真である。
【図３Ｄ】異なるメッキ層の厚さを有するバンプ電極の上部面をそれぞれ示す写真である。
【図４】ニッケル膜の厚さによるバンプメッキ層の形成不良率を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３９】
１００  半導体基板
１１０  パッド電極
１１５  パッシべーション層
１２０  シード層
１２１  シード接着層
１２２  漏れ層
１３０  バリヤーメッキ層
１４０  バンプ接着層
１５０  バンプメッキ層
１９０  マスク層
１９０ａ  開口部
【図１Ａ】
2008098639.tif 000004
【図１Ｂ】
2008098639.tif 000005
【図１Ｃ】
2008098639.tif 000006
【図１Ｄ】
2008098639.tif 000007
【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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【図４】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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