(57)【要約】【課題】ＥＵＶ領域にある波長を実質的に透過させるペリクルを備える、ＥＵＶ領域において作動するリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】ＥＵＶ領域において作動する集積回路機器用のペリクルは、互いに重なる層からなる多層構造を含む。ペリクルは、望ましくない放射を反射または吸収し、かつデブリを遮断して、放射ビームのスペクトル純度を向上させる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ領域において作動する集積回路機器用のペリクルであって、交互に重なる層からなる多層構造を備え、望ましくない放射を反射または吸収し、かつデブリを遮断して、放射ビームのスペクトル純度を向上させる、ペリクル。
【請求項２】
ＤＵＶ放射を反射または吸収し、同時にＥＵＶ放射を透過させる、請求項１に記載のペリクル。
【請求項３】
放射ビーム中のＥＵＶ放射の少なくとも８０％を該ペリクルを通して透過させる、請求項１に記載のペリクル。
【請求項４】
ＤＵＶ放射に対するＥＵＶ放射の比率が１０５倍まで高められるように放射ビームを透過させる、請求項１に記載のペリクル。
【請求項５】
多層構造は約２層から約２００層の交互に重なる層を備える、請求項１に記載のペリクル。
【請求項６】
多層構造は約２０層から約５０層の交互に重なる層を備える、請求項５に記載のペリクル。
【請求項７】
交互に重なる層の各層の厚さは約０．５ｎｍから約２０ｎｍにおよぶ、請求項１に記載のペリクル。
【請求項８】
交互に重なる層からなる多層構造の総厚さは約１０ｎｍから約７００ｎｍの間で変動する、請求項１に記載のペリクル。
【請求項９】
交互に重なる層は、Ｚｒ層とＳｉ層、Ｚｒ層とＢ４Ｃ層、Ｍｏ層とＳｉ層、Ｃｒ層とＳｃ層、Ｍｏ層とＣ層、およびＮｂ層とＳｉ層からなる群より選択される層の組み合わせより形成される、請求項１に記載のペリクル。
【請求項１０】
交互に重なる層からなる多層構造にはメッシュ状構造が組み込まれる、請求項１に記載のペリクル。
【請求項１１】
メッシュ状構造は複数の孔を有するハニカム状であり、各孔の大きさが約１ｍｍ２である、請求項１０に記載のペリクル。
【請求項１２】
交互に重なる層からなる多層構造の片側はメッシュ状構造により支持される、請求項１に記載のペリクル。
【請求項１３】
メッシュ状構造は複数の孔を有するハニカム状であり、各孔の大きさは約１ｍｍ２である、請求項１２に記載のペリクル。
【請求項１４】
交互に重なる層からなる多層構造の両側がメッシュ状構造により支持される、請求項１２に記載のペリクル。
【請求項１５】
デブリは原子粒子、微小粒子、および／またはイオンである、請求項１に記載のペリクル。
【請求項１６】
ペリクルは約１２ｃｍ×約１５ｃｍの表面積モジュラの形態である、請求項１に記載のペリクル。
【請求項１７】
ＥＵＶ領域は約５ｎｍから約２０ｎｍである、請求項１に記載のペリクル。
【請求項１８】
交互に重なる層からなる多層構造を備え、望ましくない放射を反射または吸収し、かつデブリを遮断して、ＥＵＶ放射ビームのスペクトル純度を向上させるペリクル、および
該ＥＵＶ放射ビームをパターン付けするパターニングデバイス
を備える、アセンブリ。
【請求項１９】
ペリクルおよびパターニングデバイスは互いに取り付けられる、請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項２０】
ペリクルはパターニングデバイスに搭載される、請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項２１】
ペリクルと、パターニングデバイスと、アセンブリの外側とで圧力が等しくなるようにする通気孔をさらに備える、請求項２０に記載のアセンブリ。
【請求項２２】
通気孔はパターニングデバイスとペリクルの間の空間に入るデブリを捕えるフィルタを備える、請求項２１に記載のアセンブリ。
【請求項２３】
ペリクルはパターニングデバイスに対向する面と、パターニングデバイスの反射面から距離をおいて配置される粒子トラップ面とを備え、該距離は約５ｍｍから約７ｍｍの間である、請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項２４】
ＥＵＶ放射ビームは約５ｎｍから約２０ｎｍの間の波長を有する、請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項２５】
放射源から出る放射ビームを調節して、放射ビームにパターン付与する空間光モジュレータへ該調節された放射ビームを供給する照明システム、
基板を保持する基板テーブル、
調節された放射ビームを基板のターゲット部分へ投影する投影システム、および
照明モジュールと空間光モジュレータとの間に配置され、交互に重なる層からなる多層構造を有するペリクルであって、望ましくない放射を反射または吸収し、かつデブリを遮断して、放射ビームのスペクトル純度を向上させるペリクル
を備える、マスクレスＥＵＶ用リソグラフィ装置。
【請求項２６】
ペリクルは照明システムの非焦点位置に配置される、請求項２５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２７】
放射ビームは約５ｎｍから約２０ｎｍの間の波長を有する、請求項２５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２８】
放射ビームを調節する照明システム、
放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持し、移動可能に配置されるサポート、
基板を保持する基板テーブル、
パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システム、および
交互に重なる層からなる多層構造を備え、望ましくない放射を反射または吸収し、かつデブリを遮断して、放射ビームのスペクトル純度を向上させるペリクル
を備える、ＥＵＶ応用リソグラフィ装置。
【請求項２９】
放射ビームは約５ｎｍから約２０ｎｍの間の波長を有する、請求項２８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３０】
ペリクルを用いてＥＵＶ放射ビームを遮断すること、
望ましくない放射を反射または吸収し、かつデブリを遮断することによって、ペリクルを用いてＥＵＶ放射ビームのスペクトル純度を向上させること、
パターニングデバイスを用いてＥＵＶ放射ビームにパターン付与すること、および
パターン付きＥＵＶ放射ビームを基板に投影すること
を含む、デバイス製造方法。
【請求項３１】
ＥＵＶ放射ビームは約５ｎｍから約２０ｎｍの間の波長を有する、請求項３０に記載のデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明はペリクル、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与するものである。リソグラフィ装置は、たとえば、集積回路（ＩＣ）の製造において用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（たとえばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（たとえば１つのダイの一部、１つまたはいくつかのダイを含む）に転写される。パターンの転写は通常、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上での結像を介してなされる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、およびある特定の方向（「スキャン」方向）の照射ビームによってパターンをスキャンすると同時にこの方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置において、基板上に結像可能なフィーチャのサイズは投影放射の波長により限定される。デバイスを高密度に備え、したがって高作業速度を有する集積回路を生産するためには、より小さなフィーチャを結像できることが望ましい。近年のリソグラフィ投影装置の殆どが水銀ランプまたはエキシマレーザにより生成される紫外線を使用する一方で、たとえば約５ｎｍから約２０ｎｍの範囲、特に約１３ｎｍといったより短い波長の放射を使用することが提案されている。このような放射は極紫外線（ＥＵＶ）または軟Ｘ線と呼ばれ、適切な放射源には、たとえばレーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リング(electron storage rings)からのシンクロトロン放射が含まれる。
【０００４】
[0004]  従来の極紫外線リソグラフィでは、パターニングデバイスは通常、パターニングデバイスの近傍に配置された適切なペリクルを用いてデブリから保護される。
【０００５】
[0005]  上述の放電プラズマ放射源などのＥＵＶ放射源は、ＥＵＶ放射を発生させるために比較的高分圧のガスまたは蒸気を用いて作動することができる。放電プラズマ放射源では、たとえば電極間で放電が起こされ、続いて、その結果として生じる部分的にイオン化されたプラズマが崩壊して、ＥＵＶ領域の放射を起こす超高温プラズマを生成する。Ｘｅプラズマは約１３．５ｍｍの極ＵＶ（ＥＵＶ）範囲において放射されるため、プラズマ中のガスとして超高温プラズマＸｅが用いられる。効率的なＥＵＶ生成のために、一般的な圧力である０．１ｍｂａｒが電極の近くで放射源に対して使用される。このような比較的高いＸｅ圧力を有することの欠点は、ＸｅガスがＥＵＶ放射を吸収することである。たとえば、 ０．１ｍｂａｒのＸｅは、１３．５ｍｍの波長を有するＥＵＶ放射の０．３％のみを１ｍにわたり透過させる。したがって、この比較的高いＸｅ圧力を放射源付近の限られた領域に閉じ込めることが望ましい。これを達成するために、集光ミラーおよび照明光学系も収容することができる真空チャンバに、放射源を収容することができる。
【０００６】
[0006]  紫外線応用に用いられる公知のペリクルは、ＥＵＶ領域には適切でないこともある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
[0007]  ＥＵＶ領域にある波長を実質的に透過させるペリクルを備える、ＥＵＶ領域において作動するリソグラフィ装置を提供することが、本発明の一態様である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
[0008] 本発明のある態様によれば、交互に重なる層からなる多層構造を備える、ＥＵＶ領域において作動する集積回路機器用のペリクルが提供される。ペリクルは、望ましくない放射を反射または吸収し、かつデブリを遮断して、放射ビームのスペクトル純度を向上させる。
【０００９】
[0009]  本発明のある態様によれば、交互に重なる層からなる多層構造を備える、ＥＵＶ領域において作動する集積回路機器用のペリクル、およびパターニングデバイスを備えるアセンブリが提供される。ペリクルは、望ましくない放射を反射または吸収し、かつデブリを遮断して、放射ビームのスペクトル純度を向上させる。
【００１０】
[0010]   本発明のある態様によれば、マスクレスＥＵＶ応用リソグラフィ装置が提供される。該リソグラフィ装置は、放射源から出る放射ビームを調節して、放射ビームにパターン付与する空間光モジュレータへ該調節された放射ビームを供給する照明システム、基板を保持する基板テーブル、調節された放射ビームを基板のターゲット部分へ投影する投影システム、および照明モジュールと空間光モジュレータとの間に配置されたペリクルを備える。ペリクルは、交互に重なる層からなる多層構造を備える。ペリクルは、望ましくない放射を反射または吸収し、かつデブリを遮断して、放射ビームのスペクトル純度を向上させる。
【００１１】
[0011]   本発明のある態様によれば、放射ビームを調節する照明システム、およびパターンを支持するサポートを備えるリソグラフィ装置が提供される。パターニングデバイスは放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することが可能であり、サポートは移動可能に配置される。また、リソグラフィ装置は、基板を保持する基板テーブル、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システム、およびペリクルを含む。ペリクルは交互に重なる層からなる多層構造を備え、望ましくない放射を反射または吸収し、かつデブリを遮断して、放射ビームのスペクトル純度を向上させる。
【００１２】
[0012]   本発明のある態様によれば、ペリクルを用いてＥＵＶ放射ビームを遮断すること、望ましくない放射を反射または吸収し、かつデブリを遮断することによって、ペリクルを用いてＥＵＶ放射ビームのスペクトル純度を向上させること、パターニングデバイスを用いてＥＵＶ放射ビームにパターン付与すること、およびパターン付きＥＵＶ放射ビームを基板に投影することを含むデバイス製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
[0013]  以下、添付の概略図面を参照しながら、単なる例として、本発明の実施形態を説明する。図面において、同じ参照符号は同じ部分を示す。
【００１４】
[0020] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ、特に極紫外線（ＥＵＶ）放射を調節する照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡを支持するよう構成され、また、特定のパラメータに従って該パターニングデバイスを正確に位置決めする第１ポジショナＰＭに接続されたサポート構造（たとえば、マスクテーブル）ＭＴと、リソグラフィ装置は、基板（たとえば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、また、特定のパラメータに従って該基板を正確に位置決めするよう構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（たとえば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば、１つ以上のダイを含む）に投影する投影システム（たとえば、屈折型投影システム）ＰＳを含む。
【００１５】
[0021]  照明システムとしては、放射を誘導し、形成し、あるいは制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００１６】
[0022]  サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、パターニングデバイスの重みを支えるものである。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、たとえば、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどといった他の条件に応じた態様でパターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、たとえば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、たとえば、投影システムに対して任意の位置に確実に置くことができる。本明細書において使われる用語「レチクル」または「マスク」はすべて、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義であると考えるとよい。
【００１７】
[0023]  本明細書において使われる用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように放射ビームの断面にパターンを付与するために使うことができるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付けたパターンは、たとえば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の任意のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などの、ターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１８】
[0024]  パターニングデバイスは、透過型または反射型であってよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型（Alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（Attenuated）位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームがさまざまな方向に反射するように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００１９】
[0025] 本明細書において使われる用語「投影システム」は、使われている露光放射にとって、あるいは浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学システム、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆるタイプの投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使われる用語「投影レンズ」はすべて、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えるとよい。
【００２０】
[0026]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（たとえば透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（たとえば、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、あるいは反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２１】
[0027]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル、すなわち「マスクサポート」）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機構においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、あるいは、予備工程を１つ以上のテーブルまたはサポート上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２２】
[0028]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源およびリソグラフィ装置は、たとえば、放射源がエキシマレーザである場合、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、たとえば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。別の場合においては、放射源は、たとえば、放射源が水銀ランプである場合、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じて、ビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼んでもよい。
【００２３】
[0029]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調節すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２４】
[0030]  放射ビームＢは、サポート構造（たとえばマスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（たとえばマスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡ上を横断した後、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＬは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束させる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば、干渉デバイス、リニアエンコーダまたは静電容量センサ）を使って、たとえば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使って、たとえば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてよく、あるいは、固定されていてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークがそれ専用のターゲット部分に置かれているが、基板アライメントマークをターゲット部分の間の空間（これらは、スクライブレーンアライメントマークとして公知である）内に置くこともできる。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイの間に置かれてもよい。
【００２５】
[0031]  例示の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使うことができると考えられる。
【００２６】
[0032]  １．  ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。基板テーブルＷＴは、つぎにＸおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃが露光されることが可能になる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一静止露光時に投影されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２７】
[0033]  ２．  スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光領域の最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００２８】
[0034]  ３．  別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、または、スキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中、連続する放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２９】
[0035]  上述の使用モードの組み合わせおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３０】
[0036]  図２は本発明の一実施形態によるペリクル１００を模式的に表す。ペリクル１００は複数層、たとえば５０層の交互に重なるＺｒ／Ｓｉ層１０２により形成される多層構造を有する。代替的な実施形態では、約２層〜約２００層の交互に重なるＺｒ―Ｓｉ層１０２を有してよい。
【００３１】
[0037]  また、ペリクル１００はメッシュ１０４を含んでよい。メッシュ１０４は適切な金属、たとえばＣｕから構成されることができ、また、実質的に六角形であり、かつそれぞれの大きさが約１〜１．５ｍｍ２である孔を含むハニカム構造を形成し得る。メッシュ１０４は交互に重なるＺｒ／Ｓｉ層１０２の一方の側から他方の側へと貫通する。代替的な実施形態において、メッシュ１０４はＺｒ／Ｓｉ層１０２の一辺のみ、または両辺に隣接して設置されてもよく、またはＺｒ／Ｓｉ層１０２を部分的に貫通してもよい。
【００３２】
[0038]  メッシュ１０４はＺｒ／Ｓｉ層１０２の総合強度を向上させる。Ｚｒ／Ｓｉ層１０２は、実質的に円形のベース１０６に搭載される。ベース１０６の形状は、特にパターニングデバイス（図示なし）を用いてアセンブリを形成することによって、リソグラフィ装置へのペリクル１００の組込みを容易にし得る。そのため、ペリクル１００は扱いが容易である。あるいは、ベースは矩形を有してもよい。例示の実施形態は、決して限定を目的としない。ペリクルは、同じ円形または矩形を有するレチクルに搭載することができる。
【００３３】
[0039]  Ｚｒ／Ｓｉ層１０２は実質的にロバストであるように設計されている。たとえば、メッシュを備え、かつ総厚さが約２００ｎｍであるＺｒ／Ｓｉ層１０２が図２に示され、約１０ｃｍ２の表面積は約０．５〜１ｂａｒまでの圧力差に耐えることができる。
【００３４】
[0040]  図３は、図２に示すペリクル１００の一部断面を模式的に表す。図３において、Ｚｒ層１０８の厚さは約１ｎｍであり、Ｓｉ層１１０の厚さは約３ｎｍである。図３はＺｒ／Ｓｉ層１０２を通って延伸するメッシュ１０４を示す。代替的な実施形態では、図示されないが、Ｚｒ／Ｓｉ層１０２の厚さは可変でもよい。図３で完全には示されないが、約５０層以上の交互に重なるＺｒ層およびＳｉ層があってもよい。
【００３５】
[0041]  図４は、本発明の別の実施形態によるペリクル２００を模式的に表す。交互に重なるＺｒ／Ｓｉ層２０２により形成される多層構造は、Ｚｒ／Ｓｉ層１０２ほど強固ではない。たとえば、総厚さが約２００ｎｍで、かつ表面積が約１０ｃｍ２のＺｒ／Ｓｉ層２０２は、約０．１ｍｂａｒ程度の圧力差にしか耐えられない。図４に示すように、多層構造はベース２０６に搭載することができる。
【００３６】
[0042]  図５は、図４に示すペリクル２００の一部断面を模式的に表す。図５において、Ｚｒ層２０８の厚さは約１ｎｍであり、Ｓｉ層１０の厚さは約３ｎｍである。代替的な実施形態では、図示されないが、Ｚｒ／Ｓｉ層２０２の厚さは可変とすることができる。図５で完全には示されないが、約５０層以上の交互に重なるＺｒおよびＳｉの層があってもよい。
【００３７】
[0043]  なお、ペリクル１００、２００はリソグラフィパターニングデバイスへ容易に搭載することができ、かつ容易に取り外すこともできる。さらに、図示されないが、ペリクル１００、２００はモジュラの形態で作成されてよく、したがってあらゆる望ましい表面積を形成することができる。たとえば、約１２ｃｍ掛ける約１５ｃｍ（すなわち、約１２ｘ１５ｃｍ２）の表面積を有し得る。
【００３８】
[0044]  上述のようにペリクル１００、２００を使用して、ＤＵＶの効果的なフィルタ効果が得られる。したがってペリクルは、光損失が約２０％しかなく、かつＥＵＶ対ＤＵＶ比(EUV to DUV ratio)におけるゲインが約１００ｘ１０５までのスペクトル純度フィルタとして機能することができる。さらに、ペリクル１００、２００は、適切な放射源から生成される原子の粒子、微小粒子、およびイオンといったデブリを軽減することができる。
【００３９】
[0045]  図６は本発明によるアセンブリ１０を模式的に表す。特に、マスクＭＡは透明な、たとえば水晶の基板１１を備えることができ、基板の片面には、基板にプリントされるパターンを表すクロムパーン１２が与えられる。フレーム１３はクロムパターンを囲い込み、マスクＭＡとは距離をおいてペリクル１４を支持する。ペリクル１４は上述されたいずれの実施形態を備えてもよい。したがってペリクル１４は、クロムパターンを保護し、特にちり粒子がクロムパターンに付着するのを防ぐよう構成された、実質的にＥＵＶを透過する薄膜である。上述のように、ペリクル１４はスペクトル純度フィルタとして機能することもでき、かつ／または適切なリソグラフィ装置におけるＥＵＶ放射源から伝播するデブリを軽減し得る。したがって、本発明の実施形態による多層ペリクルは、マスク保護、デブリの軽減、およびスペクトル純度について、相乗的な解決策を提供する。
【００４０】
[0046]  フレーム１３は、ペリクルがクロムパターン１２の面から距離ｄ、たとえば約５ｍｍ離れるようなサイズとされるため、ペリクルに付着するどのようなちり粒子も露光中には焦点から外れ、基板のレジストにプリントされない。ペリクル１４は、高さが約６．３±０．３ｍｍ、外側の幅が約１２２±０．３ｍｍ、内側の幅が約１１８±０．３ｍｍ、外側の長さが約１５０±０．３ｍｍ、および内側の長さが約１４６±０．３ｍｍであってよい。アセンブリの実施形態において、ペリクルはパターニングデバイスまたはマスクＭＡに対向する面１４ａおよび粒子トラップ面１４ｂを備える。粒子トラップ面１４ｂはマスクＭＡの反射面から離れた位置に配置される。この距離は約５ｍｍ〜約７ｍｍの間の値を取ることができる。ペリクル１４、マスクＭＡ、およびその外側の間での圧力を均等にするように、通気孔１５がフレーム１３に組み込まれてよい。マスクＭＡとペリクル１４との間の空間にデブリが入り込むのを防ぐため、通気孔１５はフィルタ１６を備えることができる。
【００４１】
[0047]  好ましくは、ペリクル１４の交互に重なる層からなる多層構造の総厚さを約１０ｎｍ〜約７００ｎｍとすることができる。さらに好ましくは、多層構造を形成する交互に重なる層は、Ｚｒ層とＳｉ層、Ｚｒ層とＢ４Ｃ層、Ｍｏ層とＳｉ層、Ｃｒ層とＳｃ層、Ｍｏ層とＣ層、およびＮｂ層とＳｉ層の組み合わせのいずれかにより形成される。
【００４２】
[0048]  上述されたとおり、ペリクルはマスクレスＥＵＶ応用へも適用可能である。この場合、ペリクルは好ましくは、非焦点位置(off-focus position)においてリソグラフィ装置の照明モジュールと空間光モジュレータとの間に位置決めされる。この実施形態では、ペリクルはスペクトル純度フィルタとしても機能する。マスクレスＥＵＶリソグラフィ装置におけるペリクルは非焦点位置に配置されることから、ペリクル表面へのいかなる付着物も基板上には結像しない。
【００４３】
[0049]  本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造など、他の用途を有することは明らかである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使われている用語「ウェーハ」または「ダイ」はすべて、それぞれより一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義であると考えてよい。本明細書に記載されている基板は、露光の前後に、たとえば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示物を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに、基板は、たとえば積層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使われる基板という用語が、既に多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００４４】
[0050]  本明細書では、リソグラフィに関連した本発明の実施形態の使用について上記に具体的に言及されたが、本発明は他の用途にも使用可能である。
【００４５】
[0051]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（たとえば、３６５、３５５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍ、あるいはその前後の波長を持つもの）、および、特に極端紫外線（ＥＵＶ）放射（たとえば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を持つもの）を含むあらゆる種類の電磁放射、ならびにイオンビームまたは電子ビームといった粒子ビームを包含する。
【００４６】
[0052]  「レンズ」という用語は、状況が許す場合、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、および静電型光コンポーネントを含む各種光コンポーネントのうちの一つまたは組み合わせを指すことができる。
【００４７】
[0053]  以上、本発明の特定の実施形態を説明してきたが、本発明は説明された以外にも実施可能であることは明らかである。たとえば、本発明は上述された方法を示す機械読取可能な命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、もしくはそのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態とすることができる。
【００４８】
[0054]  以上の説明は、限定ではなく例示を目的としたものである。したがって、当業者にとって明らかであるように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本発明に変更を加えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】[0014]  本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を表す。
【図２】[0015]  本発明の一実施形態によるペリクルを模式的に表す。
【図３】[0016]  図２に示されるペリクルの一部断面を模式的に表す。
【図４】[0017]  本発明の別の実施形態によるペリクルを模式的に表す。
【図５】[0018]  図４に示されるペリクルの一部断面を模式的に表す。
【図６】[0019]  本発明の一実施形態によるアセンブリを模式的に表す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【外国語明細書】
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