(57)【要約】【課題】チップオンワイヤ（ＣＯＷ）工法により半導体装置を製造する場合には、ワイヤの断線を抑制することができ、また、チップ上に微小な電気及び／又は機械部品（ＭＥＭＳ）が配置されているような半導体装置を製造する場合には、ＭＥＭＳを配置するための空間部を簡便に設けることができる接着剤付半導体素子を効率よく且つ確実に得ることが可能な接着剤付半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体素子と、前記半導体素子の少なくとも一方の表面の一部に接着されたフィルム状接着剤とを備える接着剤付半導体素子の製造方法であって、  ダイシング支持フィルムの表面上に粘着層を介して半導体ウェハを積層する工程と、  前記半導体ウェハの表面上に、前記フィルム状接着剤が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の一部に接着されるようにして、前記フィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する工程と、  前記半導体ウェハを所定の位置で切断する工程と、を含むことを特徴とする接着剤付半導体素子の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、前記半導体素子の少なくとも一方の表面の一部に接着されたフィルム状接着剤とを備える接着剤付半導体素子の製造方法であって、
ダイシング支持フィルムの表面上に粘着層を介して半導体ウェハを積層する工程と、
前記半導体ウェハの表面上に、前記フィルム状接着剤が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の一部に接着されるようにして、前記フィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する工程と、
前記半導体ウェハを所定の位置で切断する工程と、
を含むことを特徴とする接着剤付半導体素子の製造方法。
【請求項２】
半導体素子と、前記半導体素子の少なくとも一方の表面の一部に接着されたフィルム状接着剤とを備える接着剤付半導体素子の製造方法であって、
ダイシング支持フィルムの表面上に粘着層を介して半導体ウェハを積層する工程と、
半導体ウェハを所定の位置で切断して複数個の半導体素子を形成する工程と、
前記複数個の半導体素子の表面上に、前記フィルム状接着剤が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の一部に接着されるようにして、前記フィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する工程と、
を含むことを特徴とする接着剤付半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記フィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する工程が、前記フィルム状接着剤が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の中心部に接着されるようにして、前記フィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する工程であることを特徴とする請求項１又は２に記載の接着剤付半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記フィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する工程が、前記フィルム状接着剤が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の周縁部に接着されるようにして、前記フィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する工程であることを特徴とする請求項１又は２に記載の接着剤付半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着剤付半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置を製造するにあたり、半導体素子とリードフレーム等の支持部材との接合には銀ペーストが主に使用されていた。しかしながら、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用されるリードフレームも小型化・細密化が要求されるようになり、銀ペーストでは、ワイヤボンディング時においてハミ出しや半導体素子の傾きに起因する不具合が発生したり、或いは接着剤層の膜厚の制御が困難であったり、接着剤層にボイドが発生する等の理由で、上記要求に対処しきれなくなってきた。
【０００３】
そこで、近年は、銀ペーストに代えてフィルム状接着剤を用い、半導体素子にフィルム状接着剤が接着されている接着剤付半導体素子を用いて半導体装置を製造する方法が採用されていた。そして、このような接着剤付半導体素子を製造する方法としては、いわゆるウェハ裏面貼付け方法が検討されており、例えば、特開平７−４５５５７号公報（特許文献１）には、基材面上に、粘着剤と放射線重合性オリゴマーからなる放射線硬化型粘着剤層と、ダイ接着用接着剤層とがこの順に形成されているウェハ貼着用粘着シートにおいて、前記放射線硬化型粘着剤層の放射線硬化後における弾性率が１×１０６（ｄｙｎｅｓ／ｃｍ２）〜１×１０８（ｄｙｎｅｓ／ｃｍ２）であるウェハ貼着用粘着シートが開示されている。また、特開平３−２６８３４５号公報（特許文献２）には、支持基材上に設けられた加熱発泡粘着層の上に、ダイ接着用の接着剤層が設けられており、加熱により前記接着剤層と加熱発泡粘着層とが剥離可能となる、半導体ウェハの分断時の支持機能を備えたダイ接着用シートが開示されている。
【０００４】
しかしながら、上記特許文献等に記載のようなシートを用いて接着剤付半導体素子を製造した場合には、半導体素子の少なくとも一方の表面の全体にフィルム状接着剤が形成される。そして、このような接着剤付半導体素子においては、チップオンワイヤ（ＣＯＷ）工法により半導体装置を製造した際に、フィルム状接着剤と封止用の樹脂との界面でワイヤの断線が発生しやすいという問題があった。また、このような接着剤付半導体素子を例えば微小な電気及び／又は機械部品（ＭＥＭＳ）が配置されているチップ上にダイボンディングする場合には、ＭＥＭＳを配置するための空間部を設ける方法が作業として煩雑であった。
【特許文献１】特開平７−４５５５７号公報
【特許文献２】特開平３−２６８３４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、チップオンワイヤ（ＣＯＷ）工法により半導体装置を製造する場合には、ワイヤの断線を抑制することができ、また、チップ上に微小な電気及び／又は機械部品（ＭＥＭＳ）が配置されているような半導体装置を製造する場合には、ＭＥＭＳを配置するための空間部を簡便に設けることができる接着剤付半導体素子を効率よく且つ確実に得ることが可能な接着剤付半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、半導体素子と、前記半導体素子の少なくとも一方の表面の一部に接着されたフィルム状接着剤とを備える接着剤付半導体素子の製造方法において、前記フィルム状接着剤が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の一部に接着されるようにして、前記フィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成することにより、ＣＯＷ工法により半導体装置を製造する場合には、ワイヤの断線を抑制することができ、また、チップ上にＭＥＭＳが配置されているような半導体装置を製造する場合には、ＭＥＭＳを配置するための空間部を簡便に設けることができる接着剤付半導体素子を効率よく且つ確実に得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明の接着剤付半導体素子の第１の製造方法は、半導体素子と、前記半導体素子の少なくとも一方の表面の一部に接着されたフィルム状接着剤とを備える接着剤付半導体素子の製造方法であって、
ダイシング支持フィルムの表面上に粘着層を介して半導体ウェハを積層する工程と、
前記半導体ウェハの表面上に、前記フィルム状接着剤が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の一部に接着されるようにして、前記フィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する工程と、
前記半導体ウェハを所定の位置で切断する工程と、
を含むことを特徴とする方法である。
【０００８】
また、本発明の接着剤付半導体素子の第２の製造方法は、半導体素子と、前記半導体素子の少なくとも一方の表面の一部に接着されたフィルム状接着剤とを備える接着剤付半導体素子の製造方法であって、
ダイシング支持フィルムの表面上に粘着層を介して半導体ウェハを積層する工程と、
半導体ウェハを所定の位置で切断して複数個の半導体素子を形成する工程と、
前記複数個の半導体素子の表面上に、前記フィルム状接着剤が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の一部に接着されるようにして、前記フィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する工程と、
を含むことを特徴とする方法である。
【０００９】
さらに、本発明の接着剤付半導体素子の第１及び第２の製造方法においては、前記フィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する工程が、前記フィルム状接着剤が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の中心部に接着されるようにして、前記フィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する工程であってもよい。
【００１０】
また、本発明の接着剤付半導体素子の第１及び第２の製造方法においては、前記フィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する工程が、前記フィルム状接着剤が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の周縁部に接着されるようにして、前記フィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する工程であってもよい。
【００１１】
なお、本発明の接着剤付半導体素子の製造方法によれば、ＣＯＷ工法により半導体装置を製造する場合には、ワイヤの断線を抑制することができ、また、チップ上にＭＥＭＳが配置されているような半導体装置を製造する場合には、ＭＥＭＳを配置するための空間部を簡便に設けることができる接着剤付半導体素子を効率よく且つ確実に得ることが可能となる。すなわち、従来のウェハ裏面貼付け方法により接着剤付半導体素子を製造する場合には、半導体素子の少なくとも一方の表面の全体にフィルム状接着剤が形成される。そして、このような接着剤付半導体素子を用いて、ＣＯＷ工法により半導体装置を製造する場合には、フィルム状接着剤と封止用の樹脂との界面において、樹脂間の熱膨張係数の違いによりワイヤの断線が発生しやすいという問題があった。これに対し、本発明の接着剤付半導体素子の製造方法によれば、半導体素子と、前記半導体素子の少なくとも一方の表面のうちの例えば中心部に接着されたフィルム状接着剤とを備える接着剤付半導体素子を効率よく且つ確実に得ることができる。そして、このような接着剤付半導体素子を用いて、ＣＯＷ工法により半導体装置を製造する場合には、ワイヤがフィルム状接着剤に覆われるのを避けることができ、ワイヤの断線を抑制することができる。
【００１２】
また、本発明の接着剤付半導体素子の製造方法によれば、半導体素子と、前記半導体素子の少なくとも一方の表面のうちの例えば周縁部に接着されたフィルム状接着剤とを備える接着剤付半導体素子を効率よく且つ確実に得ることができる。そして、このような接着剤付半導体素子を用いて、チップ上にＭＥＭＳが配置されているような半導体装置を製造する場合には、ＭＥＭＳを配置するための空間部を簡便に設けることが可能となる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ＣＯＷ工法により半導体装置を製造する場合には、ワイヤの断線を抑制することができ、また、チップ上にＭＥＭＳが配置されているような半導体装置を製造する場合には、ＭＥＭＳを配置するための空間部を簡便に設けることができる接着剤付半導体素子を効率よく且つ確実に得ることが可能な接着剤付半導体素子の製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。
【００１５】
＜接着剤付半導体素子の第１の製造方法＞
先ず、本発明の接着剤付半導体素子の第１の製造方法について説明する。すなわち、本発明の接着剤付半導体素子の第１の製造方法は、半導体素子と、前記半導体素子の少なくとも一方の表面の一部に接着されたフィルム状接着剤とを備える接着剤付半導体素子の製造方法であって、
ダイシング支持フィルムの表面上に粘着層を介して半導体ウェハを積層する工程（第１の工程）と、
前記半導体ウェハの表面上に、前記フィルム状接着剤が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の一部に接着されるようにして、前記フィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する工程（第２の工程）と、
前記半導体ウェハを所定の位置で切断する工程（第３の工程）と、
を含むことを特徴とする方法である。
【００１６】
（第１の工程）
第１の工程においては、ダイシング支持フィルムの表面上に粘着層を介して半導体ウェハを積層する。このようなダイシング支持フィルムとしては、適宜公知のダイシングフィルムを用いることができるが、延伸性に優れたフィルムを用いることが好ましい。そして、このようなダイシング支持フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等のポリエステル系フィルム；ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム；ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム；紙、不織布を挙げることができる。また、このようなダイシング支持フィルムの厚みは、５０〜２００μｍの範囲であることが好ましく、８０〜１５０μｍの範囲であることがより好ましい。
【００１７】
また、このような粘着層の材料としては、適宜公知のダイシングフィルム用粘着剤を用いることができ、例えば、アクリル系粘着材、シリコン系粘着材、ゴム系粘着材を用いることができる。さらに、このような粘着層の厚みは、１〜５０μｍの範囲であることが好ましく、１０〜３０μｍの範囲であることがより好ましい。
【００１８】
また、半導体ウェハを積層する方法としては、ホットロールラミネーター、真空ラミネーター等の公知のラミネーターを用いたラミネート方法を採用することができる。また、このようなラミネート方法においては、温度や圧力の条件は特に制限されず、用いるダイシング支持フィルムや粘着層の材料に応じて適宜選択することができる。
【００１９】
（第２の工程）
第２の工程においては、前記半導体ウェハの表面上に、前記フィルム状接着剤が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の一部に接着されるようにして、前記フィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する。このような第２の工程においては、前記フィルム状接着剤が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の中心部に接着されるようにして、前記フィルム状接着剤を形成してもよく、また、前記フィルム状接着剤が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の周縁部に接着されるようにして、前記フィルム状接着剤を形成してもよい。
【００２０】
このようにフィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する方法としては、例えば、前記半導体ウェハの表面上にフィルム状接着剤の原料組成物をスクリーン印刷した後に乾燥する方法を挙げることができる。
【００２１】
このようなフィルム状接着剤の原料組成物としては、適宜公知の接着剤用組成物を用いることができる。また、このようなフィルム状接着剤の原料組成物を乾燥する条件は特に制限されず、用いる原料組成物に応じて適宜選択することができる。そして、このような接着剤用組成物の中でも、ボイドの発生の抑制、得られる接着剤付半導体素子を用いて半導体装置を作製する際の作業性（仮圧着性）、並びに異種物品間の接合時に発生する応力の抑制という観点から、（Ａ）シリカ、（Ｂ）フェノキシ樹脂、（Ｃ）グリシジルエーテル型エポキシ樹脂及び（Ｄ）エポキシ樹脂硬化剤を含有する接着剤用組成物が好ましい。
【００２２】
このような接着剤用組成物に用いる（Ａ）シリカとしては、特に限定されるものではないが、破砕状や球状の溶融シリカ粉末が挙げられる。その中でも平均粒径が５〜４０μｍの球状シリカと平均粒径が０．１〜５μｍの微粒子球状シリカの混合物であることが好ましい。この場合、全球状シリカ中に占める微粒子球状シリカの割合は、５０質量％以下であることが好ましく、５〜５０質量％の範囲であることがより好ましい。微粒子球状シリカの割合が５０質量％を超えると、組成物の溶融粘度が増大し、仮圧着特性を低下させる傾向があり、また、微粒子球状シリカの割合が５質量％未満では、フィルム状接着剤としたときの表面状態が悪くなったり、フィルム状接着剤自体がやや脆いものとなる傾向がある。微粒子球状シリカ比率が５〜５０質量％の範囲内となる場合には、幅広い粒度分布となり、安定した表面性状、フィルム流動性を示す。
【００２３】
このような接着剤用組成物中のシリカの総使用量は線膨張率低減のためにはできるだけ多いほうがよいが、組成物全体中５０〜８０質量％の範囲であることが好ましい。シリカ含有量が８０質量％を超えると、バインダーとして働く樹脂成分の不足による組成物の粘度上昇で脆いフィルム状接着剤となり仮圧着性能を著しく低下させる傾向にある。シリカ含有量が５０質量％未満では、線膨張率が十分に低減できないため、半導体チップとリードフレーム及び回路基板間の応力を抑制する働きが小さいため好ましくない。例えば、パッケージに組み立てられた後の温度サイクル試験（−６５〜１５０℃）等の際に発生する応力に耐えられない場合がある。
【００２４】
このような接着剤用組成物に用いる（Ｂ）フェノキシ樹脂としては、公知のフェノキシ樹脂を用いることができる。フェノキシ樹脂は、例えば、ビスフェノールＡのようなビスフェノールとエピクロロヒドリンとから得られるものであって、通常、分子量が１０，０００以上の熱可塑性樹脂である。このようなフェノキシ樹脂としては、エポキシ樹脂と構造が類似していることから相溶性がよく、また、接着性もよいという特徴を示すものが好ましい。また、このようなフェノキシ樹脂としては、主骨格がビスフェノールＡ型のもの他に、ビスフェノールＡ／Ｆ混合型フェノキシ樹脂や臭素化フェノキシ樹脂等市販のフェノキシ樹脂を挙げることができる。
【００２５】
このような接着剤用組成物に用いる（Ｃ）グリシジルエーテル型エポキシ樹脂としては、例えば、フェノールノボラックグリシジルエーテル型、オルソクレゾールノボラックグリシジルエーテル型、フルオレンビスフェノールグリシジルエーテル型、トリアジングリシジルエーテル型、ナフトールグリシジルエーテル型、ナフタレンジオールグリシジルエーテル型、トリフェニルグリシジルエーテル型、テトラフェニルグリシジルエーテル型、ビスフェノールＡグリシジルエーテル型、ビスフェノールＦグリシジルエーテル型、ビスフェノールＡＤグリシジルエーテル型、ビスフェノールＳグリシジルエーテル型、トリメチロールメタングリシジルエーテル型等のエポキシ樹脂が挙げられる。これらの中でも、分子内に２個以上のグルシジルエーテル基を持つものが好ましい。これらのグリシジルエーテル型エポキシ樹脂は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００２６】
また、このような（Ｃ）エポキシ樹脂と（Ｂ）フェノキシ樹脂との混合比率は、用いる樹脂の組み合わせによって適宜選択することができるが、仮圧着性の観点から、樹脂成分の混合物の軟化点が、好ましくは１００℃以下、更に好ましくは５０〜１００℃、最も好ましくは６５〜９０℃の範囲となるような混合比率とすることが好ましい。樹脂成分の軟化点が前記上限を超えると、フィルム状接着剤が硬く、脆くなるとともにマイルドな条件での仮圧着が困難になる傾向にある。他方、軟化点が前記下限未満では、フィルム状接着剤の表面にタック性が強く発現してハンドリング性が著しく悪化するとともに、常温保存時にフィルム状接着剤が流動するという不具合が発生する傾向にある。ここで、樹脂成分とは、（Ｃ）エポキシ樹脂と（Ｂ）フェノキシ樹脂とその他必要により加えられる樹脂（但し、（Ｄ）エポキシ樹脂硬化剤を除く）をいい、樹脂成分の軟化点とはこれらを均一な組成物としたときの軟化点をいう。そして、（Ｂ）フェノキシ樹脂／（Ｃ）エポキシ樹脂で計算される質量比は０．０２〜１、好ましくは０．１〜０．７の範囲である。
【００２７】
このような接着剤用組成物における樹脂成分は、エポキシ樹脂とフェノキシ樹脂を主成分とするが、本発明の効果を損なわない範囲であれば他の樹脂成分を少量含有させてもよい。組成物中の樹脂成分中に占めるフェノキシ樹脂の割合は、５０質量％以下であることが好ましい。フェノキシ樹脂の割合を５０質量％以下とすることで、フィルム状接着剤としての支持性を持たせることが容易となる。ここで、樹脂成分中フェノキシ樹脂の割合は、１０〜５０質量％の範囲にあるものが好ましい。フェノキシ樹脂の割合が１０質量％未満では、フィルム状接着剤は脆いものになり、樹脂成分の軟化点も低くなるため、フィルム状接着剤単独での支持性が発現しにくくなる傾向にある。他方、フェノキシ樹脂の割合が５０質量％を超えるとフィルム状接着剤が硬くなり、フィルム状接着剤単独では割れやすくなる傾向にある。
【００２８】
このような接着剤用組成物に用いる（Ｄ）エポキシ樹脂硬化剤には、アミン類、酸無水物類、多価フェノール類等の公知の硬化剤を使用することができるが、常温以上の所定の温度、例えば前記樹脂成分が必要な粘着性を示す温度以上で硬化性を発揮し、しかも速硬化性を発揮する潜在性硬化剤を用いることが好ましい。潜在性硬化剤としては、ジシアンジアミド、イミダゾール類、ヒドラジド類、三弗化ホウ素−アミン錯体、アミンイミド、ポリアミン塩及びこれらの変性物、更にはマイクロカプセル型のものも使用可能である。これらの潜在性硬化剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。潜在性硬化剤を使用することで室温での長期保存も可能な保存安定性の高いフィルム状接着剤を提供することができる。また、エポキシ樹脂硬化剤の使用量は、エポキシ樹脂に対して０．５〜５０質量％の範囲であることが好ましい。
【００２９】
また、このような接着剤用組成物は、他の添加剤として、例えばカップリング剤、酸化防止剤、難燃剤、着色剤、応力緩和剤としてブタジエン系ゴムやシリコーンゴム等を含有していてもよい。さらに、このような接着剤用組成物は、必要に応じて、溶媒を含んでいてもよい。このような溶媒としては、例えばトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素；ＭＩＢＫやＭＥＫ等のケトン系の溶媒；モノグライム、ジグライム等のエーテル系の溶媒を用いることができる。これらの溶媒は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。また、このような接着剤用組成物を乾燥する条件としては、接着剤用組成物の硬化開始温度未満の条件下であればよいが、例えば、乾燥温度が５０〜１５０℃の範囲であり、乾燥時間が１〜３０分間の範囲であることが好ましい。
【００３０】
本発明においては、以上説明したような接着剤用組成物を用いて本発明にかかるフィルム状接着剤を形成することができる。そして、フィルム状接着剤の厚みは、１０〜２００μｍの範囲であることが好ましく、３０〜１００μｍの範囲であることがより好ましい。厚みが前記下限未満では、全面を均一に印刷できなくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると乾燥による厚みムラが発現する傾向にある。
【００３１】
（第３の工程）
第３の工程においては、前記半導体ウェハを所定の位置で切断する。このように半導体ウェハを切断する方法としては、公知のダイシングブレードを用いて半導体ウェハを切断する方法を採用することができる。また、このような半導体ウェハを切断する方法においては、半導体ウェハを切断する際に生ずる切断部、すなわち、ダイシングストリートの幅は特に制限されないが、得られる接着剤付半導体素子の収率向上の観点から、０．０１〜０．３ｍｍの範囲であることが好ましく、０．０５〜０．１ｍｍの範囲であることがより好ましい。
【００３２】
さらに、第３の工程においては、半導体ウェハを所定の位置で切断すると共に前記フィルム状接着剤を切断してもよいが、前記ダイシングストリートが半導体ウェハの表面上に前記フィルム状接着剤が形成されていない箇所となるように、半導体ウェハを所定の位置で切断することが好ましい。前記フィルム状接着剤を切断する必要がない場合には、ダイシング時の半導体素子の割れや欠けが抑制され歩留が向上する傾向にある。また、前記フィルム状接着剤を切断する必要がない場合には、半導体ウェハの切断する方法として、いわゆるステルスダイシング方法、先ダイシング方法等の様々な方法を採用することができる。
【００３３】
＜接着剤付半導体素子の第２の製造方法＞
次に、本発明の接着剤付半導体素子の第２の製造方法について説明する。すなわち、本発明の接着剤付半導体素子の第２の製造方法は、半導体素子と、前記半導体素子の少なくとも一方の表面の一部に接着されたフィルム状接着剤とを備える接着剤付半導体素子の製造方法であって、
ダイシング支持フィルムの表面上に粘着層を介して半導体ウェハを積層する工程（第１の工程）と、
半導体ウェハを所定の位置で切断して複数個の半導体素子を形成する工程（第２の工程）と、
前記複数個の半導体素子の表面上に、前記フィルム状接着剤が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の一部に接着されるようにして、前記フィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する工程（第３の工程）と、
を含むことを特徴とする方法である。
【００３４】
（第１の工程）
第１の工程においては、ダイシング支持フィルムの表面上に粘着層を介して半導体ウェハを積層する。このようなダイシング支持フィルム及び粘着層の材料としては、前述した本発明の第１の製造方法に用いるものと同様のものをそれぞれ用いることができる。また、半導体ウェハを積層する方法としては、前述した本発明の第１の製造方法に用いる方法と同様の方法を採用することができる。
【００３５】
（第２の工程）
第２の工程においては、半導体ウェハを所定の位置で切断して複数個の半導体素子を形成する。このように半導体ウェハを切断する方法としては、公知のダイシングブレードを用いて半導体ウェハを切断する方法の他に、いわゆるステルスダイシング方法、先ダイシング方法等の様々な方法を採用することができる。また、このような半導体ウェハを切断する方法においては、フィルム状接着剤を切断する必要がないために、ダイシング時の半導体素子の割れや欠けが抑制され歩留が向上する傾向にある。さらに、このような半導体ウェハを切断する方法においては、半導体ウェハを切断する際に生ずる切断部、すなわち、ダイシングストリートの幅は特に制限されないが、得られる接着剤付半導体素子の収率向上の観点から、０．０１〜０．３ｍｍの範囲であることが好ましく、０．０５〜０．１ｍｍの範囲であることがより好ましい。
【００３６】
（第３の工程）
第３の工程においては、前記複数個の半導体素子の表面上に、前記フィルム状接着剤が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の一部に接着されるようにして、前記フィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する。このような第３の工程においては、前記フィルム状接着剤が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の中心部に接着されるようにして、前記フィルム状接着剤を形成してもよく、また、前記フィルム状接着剤が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の周縁部に接着されるようにして、前記フィルム状接着剤を形成してもよい。
【００３７】
このようにフィルム状接着剤をスクリーン印刷により形成する方法としては、例えば、前記複数個の半導体素子の表面上にフィルム状接着剤の原料組成物をスクリーン印刷した後に乾燥する方法を挙げることができる。このようなフィルム状接着剤の原料組成物としては、前述した本発明の第１の製造方法に用いるものと同様のものを用いることができる。また、フィルム状接着剤の原料組成物を乾燥する条件としては、前述した本発明の第１の製造方法に用いる条件と同様の条件を採用することができる。そして、このような方法により形成されるフィルム状接着剤の厚みは、１０〜２００μｍの範囲であることが好ましく、３０〜１００μｍの範囲であることがより好ましい。厚みが前記下限未満では、全面を均一に印刷できない傾向にあり、他方、前記上限を超えると乾燥による厚みムラが発現する傾向にある。
【００３８】
＜接着剤付半導体素子＞
以上説明したような本発明の接着剤付半導体素子の製造方法によれば、半導体素子と、前記半導体素子の少なくとも一方の表面のうちの中心部に接着されたフィルム状接着剤とを備える接着剤付半導体素子を効率よく且つ確実に得ることができる。そして、このような接着剤付半導体素子を用いて、ＣＯＷ工法により半導体装置を製造する場合には、ワイヤがフィルム状接着剤に覆われるのを避けることができ、フィルム状接着剤と封止用の樹脂との界面におけるワイヤの断線を抑制することができる。
【００３９】
また、本発明の接着剤付半導体素子の製造方法によれば、半導体素子と、前記半導体素子の少なくとも一方の表面のうちの周縁部に接着されたフィルム状接着剤とを備える接着剤付半導体素子を効率よく且つ確実に得ることができる。そして、このような接着剤付半導体素子を用いて、チップ上にＭＥＭＳが配置されているような半導体装置を製造する場合には、ＭＥＭＳを配置するための空間部を簡便に設けることが可能となる。
【００４０】
また、本発明の接着剤付半導体素子の製造方法により得られる接着剤付半導体素子は、複数個の接着剤付半導体素子の間に間隔を設けるエキスパンディング工程と、接着剤付半導体素子をピックアップするピックアップ工程と、接着剤付半導体素子を例えばリードフレームや回路基板にボンディングするボンディング工程とを含む半導体装置の製造において好適に用いることができる。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４２】
（実施例１）
先ず、ダイシング支持フィルムの表面上に粘着層が形成されているダイシングテープ（リンテック（株）製、商品名「Ｇ−１１」）を準備し、そのダイシングテープに６インチの半導体ウェハを貼り合わせた。
【００４３】
次に、接着剤用組成物（新日鐵化学製、「ＭＢ３０１」）を準備した。そして、スクリーン印刷機（ニューロング精密工業（株）製、製品名「ＬＳ−１５ＧＸ」）を用い、スキージー角度８０度、印圧２ｋｇ、送り速度３０ｍｍ／ｓの条件で、接着剤用組成物が切断後の半導体素子の少なくとも一方の表面の中心部に印刷されるように、半導体ウェハ上に接着剤用組成物を印刷した。その後、温度８０℃で１０分間乾燥し、さらに温度１５０℃で１分間乾燥して接着剤付半導体ウェハを得た。得られた接着剤付半導体ウェハにおいては、８ｍｍ×８ｍｍサイズの複数個の個片化されたフィルム状接着剤が、隣接する個片化されたフィルム状接着剤同士の間隔が４ｍｍとなるように、半導体ウェハ上に形成されていた。
【００４４】
次いで、ダイヤモンドブレードを用い、ダイシングストリートを０．１ｍｍとし、ダイシングストリートが隣接する個片化されたフィルム状接着剤同士の中心となるようにして、半導体ウェハを切断して１０ｍｍ×１０ｍｍサイズの複数個の接着剤付半導体素子を得た。
【００４５】
このようにして得られた接着剤付半導体素子を半導体装置の製造に用いることができることを確認した。すなわち、ダイシング支持フィルムを延伸してエキスパンディングした後に、接着剤付半導体素子をピックアップして、回路基板にボンディングした。その結果、接着剤付半導体素子を半導体装置の製造に好適に用いることができることが確認された。
【００４６】
（実施例２）
先ず、ダイシング支持フィルムの表面上に粘着層が形成されているダイシングテープ（リンテック（株）製、商品名「Ｇ−１１」）を準備し、そのダイシングテープに６インチの半導体ウェハを貼り合わせた。その後、ダイヤモンドブレードを用い、ダイシングストリートが０．１ｍｍになるようにして、半導体ウェハを切断して１０ｍｍ×１０ｍｍサイズの複数個の半導体素子を形成した。
【００４７】
次に、接着剤用組成物（新日鐵化学製、「ＭＢ３０１」）を準備した。そして、スクリーン印刷機（ニューロング精密工業（株）製、製品名「ＬＳ−１５ＧＸ」）を用い、スキージー角度８０度、印圧２ｋｇ、送り速度３０ｍｍ／ｓの条件で、接着剤用組成物が前記半導体素子の少なくとも一方の表面の中心部に印刷されるように、複数個の半導体素子上に接着剤用組成物を印刷した。その後、温度８０℃で１０分間乾燥し、さらに温度１５０℃で１分間乾燥して複数個の接着剤付半導体素子を得た。得られた接着剤付半導体素子においては、半導体素子の少なくとも一方の表面の中心部に８ｍｍ×８ｍｍサイズのフィルム状接着剤が形成されていた。
【００４８】
このようにして得られた接着剤付半導体素子を半導体装置の製造に用いることができることを確認した。すなわち、ダイシング支持フィルムを延伸してエキスパンディングした後に、接着剤付半導体素子をピックアップして、回路基板にボンディングした。その結果、接着剤付半導体素子を半導体装置の製造に好適に用いることができることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
以上説明したように、本発明によれば、ＣＯＷ工法により半導体装置を製造する場合には、ワイヤの断線を抑制することができ、また、チップ上にＭＥＭＳが配置されているような半導体装置を製造する場合には、ＭＥＭＳを配置するための空間部を簡便に設けることができる接着剤付半導体素子を効率よく且つ確実に得ることが可能な接着剤付半導体素子の製造方法を提供することが可能となる。