(57)【要約】【課題】  反射領域と透過領域とを備えた液晶表示装置において、接続端子部に２層の有機絶縁膜を形成し、上層の有機絶縁膜の塗布時に放射状のムラが発生することを防止する。【解決手段】  透過領域と反射領域とを有する画素部を形成し、反射電極を形成する金属層と、画素電極を形成する透明導電膜との間に第２の有機絶縁膜を形成して、反射電極の凹凸を平坦化する。接続端子部のコンタクトホールでは、第１の有機樹脂膜の傾斜を緩やかにして、第２の有機絶縁膜に発生する放射状のムラの発生を抑える。【選択図】    図１４
2008076702.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にマトリクス状に配置された画素部を有する表示装置であって、
上記画素部に信号を供給する接続端子と、
上記接続端子の上に設けられた第１の絶縁膜と、
上記第１の絶縁膜の上に形成された第２の絶縁膜と、
上記画素部の上記第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との間に設けられた第１の導電膜と、
上記第２の絶縁膜を挟んで上記第１の導電膜の上に設けられた第２の導電膜と、
上記接続端子の上の上記第１と第２の絶縁膜に開けられたコンタクトホールを有し、
上記コンタクトホールを形成する上記第１の絶縁膜の側面は上記基板に対して第１の角度を有し、
上記コンタクトホールを形成する上記第２の絶縁膜の側面は上記基板に対して第２の角度を有し、
上記第１の角度は上記第２の角度よりも小さいことを特徴とする表示装置
【請求項２】
上記第１の導電膜は対向電極を形成し、上記第２の導電膜は画素電極を形成することを特徴とする特許請求の範囲の請求項1に記載の表示装置。
【請求項３】
上記第１の導電膜は対向電極を形成し、該対向電極の上には反射電極が形成され、上記第2の導電膜は画素電極を形成することを特徴とする特許請求の範囲の請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
基板上にマトリクス状に配置された画素を有する表示装置であって、
上記画素に信号を供給する接続端子と、
上記基板の上に設けられた第１の絶縁膜と、
上記第１の有機絶縁膜の上に形成された第２の有機絶縁膜と、
上記第１の有機絶縁膜に形成された凹凸と、
上記第１の有機絶縁膜の凹凸の上に設けられた第１の導電膜と、
上記第２の有機絶縁膜の上に設けられた第２の導電膜と、
上記接続端子の上の上記第１と第２の絶縁膜に開けられたコンタクトホールを有し、
上記コンタクトホールの内壁を形成する上記第１の有機絶縁膜の側面は上記基板に対して第１の角度を有し、
上記コンタクトホールの内壁を形成する上記第２の有機絶縁膜の側面は上記基板に対して第２の角度を有し、
上記第１の角度は上記第２の角度よりも小さいことを特徴とする表示装置
【請求項５】
上記第１の導電膜で対向電極が形成され、上記第２の導電膜で画素電極が形成されることを特徴とする特許請求の範囲の請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
上記第１の導電膜で対向電極が形成され、該対向電極の上には反射電極が形成され、上記第2の導電膜で画素電極が形成されることを特徴とする特許請求の範囲の請求項４に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特に２層の絶縁膜の上に導電膜を備える半透過反射型の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、反射表示と透過表示の２つの表示方式を兼ね備えた、いわゆる半透過反射型液晶表示装置が、例えば携帯用機器の表示部として多用されている。
【０００３】
半透過反射型の液晶表示装置は、１画素内に透過領域と反射領域とを備えている。半透過反射型の表示では、透過モードと反射モードとが混在する。透過モードでは画素に設けられた透過領域を光が通過し観察者の目に到達する。また反射モードでは、光が反射領域で反射されて観察者の目に至る。
【０００４】
この半透過反射型液晶表示装置は、屋外での使用の際など、周囲が明るい環境での使用において、透過モードに加えて反射モードの表示を行い、外光を表示に利用しようとするものである。
【０００５】
透過型の液晶表示装置は、外光が非常に明るい場合、例えば晴天の屋外などでの視認性が低下してしまうという問題点を有している。他方、反射型の液晶表示装置は、外光が暗い場合には視認性が極端に低下するという問題点を有している。
【０００６】
半透過反射型液晶表示装置は、これらの問題点を解決するための手段として、反射型と透過型との両方の機能を合わせ持ったものである。
【０００７】
半透過反射型液晶表示装置では、画素電極に選択的に映像信号を供給するためのスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor  以下ＴＦＴと呼ぶ）を用いたアクティブマトリクス方式が広く用いられている。
【０００８】
このＴＦＴを用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、ＴＦＴや画素電極が形成されたＴＦＴ基板とカラー表示を行うためのカラーフィルタが設けられたカラーフィルタ基板が対向配置され、これら基板間に液晶組成物が封入されて構成されている。ＴＦＴ基板上には、複数の映像信号線と複数の走査線とが交差して設けられ、これら映像信号線および走査線によって区画された複数の領域がマトリクス状に配置されている。そして、各領域にＴＦＴと画素電極とが設けられている。
【０００９】
液晶表示装置では、画素電極に対向するように対向電極が設けられており、画素電極と対向電極との間に電界を発生させ、この電界によって液晶分子の配向方向を変化させ、それに伴い液晶層の光に対する特性が変化することを利用し表示が行われる。
【００１０】
一般にカラーフィルタ基板に対向電極を設けた縦電界方式と、ＴＦＴ基板に対向電極を設けたＩＰＳ（In-plan Switching）方式とが知られている。
【００１１】
半透過反射型の液晶表示装置では、有機樹脂膜を絶縁膜として用いる場合がある。半透過反射型の液晶表示装置は、反射領域では透過領域に対して液晶層の厚さを半分とする必要がある。そのため、有機樹脂膜は、液晶層を薄くする目的で反射領域下の厚い層間絶縁膜として設けられる。
【００１２】
また半透過反射型の液晶表示装置では、反射領域または透過領域に位相差層を設けるものが開発中である。位相差層により反射領域と透過領域とに生じる位相差を調整しようとするものである。
【００１３】
半透過反射型の液晶表示装置は、例えば下記「特許文献１」などにより提案されている。
【００１４】
【特許文献１】特開２００５−２５９３７１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
半透過反射型液晶表示装置では、１画素内に透過領域と反射領域が形成されており、反射領域には金属膜がパターニングされ、反射電極として用いられる。
【００１６】
また、反射領域には光を散乱させるための凹凸が形成されており、反射領域の上に画素電極を形成する場合には、前記凹凸のために画素電極にも凹凸が生じるという問題が生じる。
【００１７】
特に、位相差層を設ける半透過反射型の液晶表示装置では、反射領域で液晶層の厚さを透過領域に比較して半分とする必要が無く、有機樹脂膜の厚さが一定となるため、反射領域での凹凸による画質の変化が目立つことになる。
【００１８】
そのため、本願発明者は反射領域の上に、２層目の有機樹脂膜を形成し、凹凸を平坦化することを試みた。この凹凸を平坦化する試みのなかで、本願発明者は２層目の有機樹脂膜を１層目の有機樹脂膜に塗布しようとする際に、１層目の有機樹脂膜の形状によっては２層目の膜厚が均一とならず放射状のムラが発生する問題点を見出した。
【００１９】
本発明は、このような事情に基づいてなされたもので、その目的は、工程の増加を抑えて、２層の絶縁膜を均一に塗布し、所定の形状にパターンニングした表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
画素に透明導電膜と反射膜とを有する表示装置であって、画素部のトランジスタに設けられたソース電極の上に第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とを積層し、第１の絶縁膜にはハーフ露光により凹凸を形成し、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との間で、凹凸の上に反射膜を形成し、第２の絶縁膜の上に透明導電膜を形成する。
【００２１】
画素に信号を供給する接続端子の上に設けられた第１の絶縁膜と第２の絶縁膜には、電気的接続のためにコンタクトホールを形成し、コンタクトホールの第１の絶縁膜に形成される内壁と、接続端子の形成された基板とのなす第１の角度と、コンタクトホールの第２の絶縁膜に形成される内壁と基板とのなす第２の角度との間で、第１の角度は第２の角度よりも小さな角度として、第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を塗布する際に、第２の絶縁膜が均一な厚さで塗布されるようにする。
【００２２】
本願発明は、半透過反射型液晶表示装置において、２層の絶縁膜を形成する際に、２層目の絶縁膜がコンタクトホール近傍で厚さに不均一が生じることを減少させた表示装置を実現する。
【発明の効果】
【００２３】
本願発明によれば、反射領域と透過領域とを備えた表示装置において、第１の絶縁膜の上に均一の膜厚で第２の絶縁膜を塗布し、ムラの少ない絶縁膜を形成することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
画素部に反射領域と透過領域とを有する半透過反射型の表示装置であって、画素部のトランジスタにソース電極を形成し、ソース電極の上に有機樹脂を塗布し、第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜にハーフ露光を用いて凹凸を形成し、凹凸の上に反射電極を形成し、反射電極の上に有機樹脂を塗布し、第２の絶縁膜を積層する。
【００２５】
画素部に信号を供給する駆動回路を電気的に接続する接続端子部では、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の形成時に、コンタクトホールを接続端子上に形成する。第１のコンタクトホールを形成する際にはハーフ露光を用いて、コンタクトホール内面の傾斜をゆるやかな角度とする。
【００２６】
すなわち、接続端子が設けられた基板に対して、コンタクトホールの第１の絶縁膜に形成される内面の角度は、第２の絶縁膜に形成される内面の角度に対して小さな角度とする。第１の絶縁膜の角度が小さい場合には、第２の絶縁膜がコンタクトホール内面を急激に移動することがなく、コンタクトホール近傍において第２の絶縁膜の膜厚を均一に形成することができる。
【実施例１】
【００２７】
図１は、本発明による液晶表示装置１００を示す平面図である。液晶表示装置１００は液晶パネル１と制御回路８０とで構成される。制御回路８０からは液晶パネル１の表示に必要な信号が供給される。制御回路８０はフレキシブル基板7０に搭載されており、配線7１、端子7５を介して信号が液晶パネル１に伝達される。
【００２８】
液晶パネル１の画素部８には反射領域１１と透過領域１２とが設けられている。なお、液晶パネル１は多数の画素部８をマトリクス状に備えているが、解り易くするため、図１では画素部８を１つだけ図示している。マトリクス状に配置された画素部８は表示領域９を形成し、各画素部８が画像の画素の役割をはたし、表示領域９に画像を表示する。
【００２９】
図１においては、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線（走査線とも呼ぶ）２１と、ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線（映像信号線とも呼ぶ）２２とが設けられており、ゲート信号線２１とドレイン信号線２２とで囲まれる領域に画素部８が形成されている。また、ゲート信号線２１と並列に共通信号線２５が設けられており、各画素部８の対向電極に印加される電圧を供給している。
【００３０】
画素部８にはスイッチング素子１０が設けられている。ゲート信号線２１からは制御信号が供給され、スイッチング素子１０のオン・オフが制御される。スイッチング素子１０がオン状態となることで、ドレイン信号線２２を介して伝送された映像信号が反射領域１１と透過領域１２とに供給される。
【００３１】
ゲート信号線２１とドレイン信号線２２とは駆動回路５に接続されており、駆動回路５から制御信号及び映像信号が出力する。なお、ゲート信号線２１、ドレイン信号線２２とは、同じＴＦＴ基板２上に形成され、駆動回路５はＴＦＴ基板２上に搭載されている。
【００３２】
図２は、本発明による液晶表示装置１００の液晶パネル１を示す斜視図である。液晶パネル１は、前述の画素部８が設けられるＴＦＴ基板２と、ＴＦＴ基板２に重なった対向基板３から構成される。ＴＦＴ基板２と対向基板３とは、３つの辺２８で端面が揃った形状をしており、残りの１辺では、ＴＦＴ基板２が対向基板３よりも外側に突出して端子接続部２９を形成している。このＴＦＴ基板２が対向基板３の辺より外側に延在している端子接続部２９には、ゲート接続端子１６１、ドレイン接続端子１６２やＦＰＣ接続端子７５が設けられており、接続端子１６１、１６２には駆動回路５が接続され、接続端子７５にはフレキシブル基板７０が接続される。
【００３３】
次に図３に駆動回路５の搭載部の概略平面図を示す。搭載部は液晶パネル１の端子接続部２９に設けられており、端子を形成する金属層等は画素部の金属層と同じ工程にて形成される。
【００３４】
端子部には検査用のトランジスタ１６０が設けられている。携帯用機器に用いられる液晶パネル１は小型のため、端子も微細となっている。そのため、検査用の信号を端子から一度に供給しようとすると、極小のプローブを多数並列に配置し、精度良く検査端子に接触させる必要があり、検査にかかる費用を増加させる原因となっていた。
【００３５】
図３に示すように、検査用トランジスタ１６０を用いると、小数の検査用端子１６３〜１６６から信号を供給することで、多数の信号配線に検査信号を供給することが可能となり、検査を簡便化することが可能となる。
【００３６】
接続端子１６１は前述したゲート接続端子で、符号１６２はドレイン接続端子である。各接続端子共に検査用トランジスタ１６０のソース端子に接続されているため、接続端子１６１、１６２を形成する導電層は画素トランジスタ１０のソース・ドレイン端子と同じ導電層が用いられている。
【００３７】
検査用端子１６６から配線１７１を介して検査用トランジスタ１６０をオン状態とする信号が供給されると、検査用端子１６４から検査信号が配線１７２を介してゲート接続端子１６１に供給される。ゲート接続端子１６１は画素領域のゲート端子に接続しており、検査用トランジスタ１６０を用いて検査信号を画素部のゲート端子に供給可能となっている。
【００３８】
また、検査用端子１６５から配線１７４を介して検査用トランジスタ１６０をオン状態とする信号が供給されると、検査用端子１６３から検査信号が配線１７３を介してドレイン接続端子１６２に供給される。ドレイン接続端子１６２は画素領域のドレイン端子に接続しており、検査用トランジスタ１６０を介して検査信号を画素部のドレイン端子に供給可能となっている。
【００３９】
次に図４に画素部８の平面図を示す。また図４のＡ−Ａ線で示す断面図を図５に示す。図４、図５では、ＩＰＳ方式の液晶パネルの画素部８を示している。反射領域１１と透過領域１２共に画素電極の下側に対向電極１５が形成されている。
【００４０】
図４に示すように、ゲート信号線２１と並列に対向電極線２５が形成されており、反射領域１１はゲート信号線２１を越えて、対向電極線２５と重なっている。また、反射領域１１の端部はゲート信号線２１およびドレイン信号線２２とそれぞれ平行となっている。
【００４１】
反射領域１１は対向電極１５の上に反射電極をアルミ等の金属で形成し、入射光を反射して画像を表示する。反射領域１１に用いられるアルミ等の金属は、一般に光を透過しないので、反射領域１１は透過領域１２に対して遮光膜の機能を有することとなる。なお、図４では画素部８の構成をわかり易くするため、反射領域１１を点線で示している。
【００４２】
ゲート信号線２１とドレイン信号線２２の交差部近傍にスイッチング素子（以後、薄膜トランジスタ、ＴＦＴとも呼ぶ）１０が形成される。ＴＦＴ１０はゲート信号線２１を介して供給されるゲート信号によりオン状態となり、ドレイン電極３２とソース電極３３との間が導通状態となり、ドレイン信号線２２から供給される映像信号がスルーホール４６を介して画素電極１９に書き込まれる。
【００４３】
次に、図５を用いて液晶パネル１の断面図を説明する。ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３とが対向して配置され液晶パネル１を構成している。ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３との間には、液晶組成物４が保持されている。なお、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３との周辺部には、シール材（図示せず）が設けられており、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３とシール材とは、狭い隙間を有する容器を形成しており、液晶組成物４はＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３との間に封止される。
【００４４】
カラーフィルタ基板３には赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）毎にカラーフィルタ１５０が形成されており、各カラーフィルタ１５０の境界には遮光のためにブラックマトリクス１５２が形成されている。カラーフィルタ基板３の液晶側には配向膜１８が設けられている。また、カラーフィルタ基板３には位相差層１５３が設けられ、透過領域と反射領域とで生じる位相差を調整・減少させている。
【００４５】
この位相差層１５３を設けることで、反射領域の液晶層の厚さを透過領域の半分にする必要が無くなることから、画素電極１９は反射領域と透過領域の両方でほぼ同じ面上に形成されている。
【００４６】
ＴＦＴ基板２は、少なくとも一部が透明なガラス、樹脂から形成される。ＴＦＴ基板２上には前述したようにゲート信号線２１が形成されており、ゲート信号線２１は、クロム（Ｃｒ）または、ジルコニウム（Zirconium）を主体とする層とアルミ（Ａｌ）を主体とする層の多層膜から形成される。また、上面からＴＦＴ基板側の下面に向けて線幅が広がるように側面が傾斜している。ゲート信号線２１の一部はゲート電極３１を形成している。ゲート電極３１を覆うようにゲート絶縁膜３６が形成され、ゲート絶縁膜３６の上にアモルファスシリコン膜からなる半導体層３４が形成される。半導体層３４の上部には不純物が添加されてｎ＋層３５が形成される。ｎ＋層３５はオーミックコンタクト層であり、半導体層３４が電気的に良好に接続されるように形成されている。半導体ｎ＋層３５の上には、ドレイン電極３２とソース電極３３とが離間して形成されている。なお、ドレインとソースの呼び方は電位によって変化するが、本明細書ではドレイン信号線２２と接続する方をドレインと呼ぶ。
【００４７】
ドレイン信号線２２、ドレイン電極３２、ソース電極３３は、モリブデン（Mo）とクロム（Cr）の合金や、モリブデン（Mo）又はタングステン（Ｗ）を主体とする２つの層で、アルミを主体とする層を挟んだ多層膜から形成されている。ＴＦＴ３０の上には無機絶縁膜４３と第１の有機絶縁膜４４が形成され、ドレイン信号線２２、ドレイン電極３２、ソース電極３３を覆っている。ソース電極３３は無機絶縁膜４３と第１の有機絶縁膜４４とに形成されたスルーホール４６を介して画素電極１９と接続している。
【００４８】
なお、無機絶縁膜４３は窒化シリコンや酸化シリコンを用いて形成可能であり、第１の有機絶縁膜４４は有機樹脂膜を用いることができ、その表面は比較的平坦に形成することが可能であるが、ハーフ露光等により凹凸を形成すように加工することも可能である。
【００４９】
反射領域１１は、対向電極１５の上に設けられた反射電極１７と画素電極１９の一部により構成される。反射電極はアルミ等の光反射率の高い金属等の導電膜を出射側表面に有し、タングステンまたはクロムを主体とする層とアルミを主体とする層の多層膜から形成される。
【００５０】
また、透過領域１２では、対向電極１５は反射電極１７で覆われることなく、透明導電膜により構成されている。なお、画素電極１９や対向電極１５等を形成する透明導電膜は、ＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＴＺＯ(Indium Tin Zinc Oxide)、ＩＺＯ (Indium Zinc Oxide)、ＺｎＯ (Zinc Oxide)、ＳｎＯ（酸化スズ）、Ｉｎ2Ｏ3（酸化インジウム）等の透光性の導電層から構成されている。
【００５１】
また、クロムを主体とする層は、クロム単体でもクロムとモリブデン（Ｍｏ）等の合金でもよく、ジルコニウムを主体とする層は、ジルコニウム単体でもジルコニウムとモリブデン等の合金でもよく、タングステンを主体とする層は、タングステン単体でもタングステンとモリブデン等の合金でもよく、アルミを主体とする層は、アルミ単体でもアルミとネオジウム（Neodymium）等の合金でもよい。
【００５２】
第１の有機絶縁膜４４の上面にはフォトリソ法を用い、露光量を位置により変化させることで凹凸が形成されている。そのため、第１の有機絶縁膜４４の上に形成された反射電極１７も凹凸を有する。反射電極１７に凹凸が備わることで、反射光が散乱される割合が増加する。
【００５３】
反射電極１７および対向電極１５と画素電極１９の間に層間膜として第２の有機絶縁膜４５が設けられる。反射電極１７は前述したように凹凸を有するが、層間膜を第２の有機絶縁膜４５で形成すると、凹凸を平坦化することが可能となり、反射電極１７の上に設けられる画素電極１９を平坦に形成することができる。なお、対向電極１５は、スルーホール４７を介して対向電極線２５と接続している。
【００５４】
次に図６から図１６を用いて接続端子部について説明する。図６（ａ）は、ゲート信号線２１と同じ層からなる検査用接続端子１６６を示し、図６（ｂ）にドレイン信号線２２と同じ層からなるゲート接続端子１６１を示す。以下図６から図１３において（ａ）は検査用接続端子１６６を示し、（ｂ）はゲート接続端子１６１を示す。
【００５５】
前述したようにゲート接続端子１６１はゲート信号線２１に信号を供給するものであるが、検査用トランジスタ１６０のソース端子に接続されるため、端子部ではドレイン信号線２２と同じ層から形成されている。
【００５６】
検査用接続端子１６６はゲート絶縁膜３６の下側に形成され、電気的接続のために、検査用接続端子１６６の上面のゲート絶縁膜３６は除去され開口が形成されている。他方、ゲート接続端子１６１はゲート絶縁膜３６の上層に形成されている。
【００５７】
検査用接続端子１６６はゲート電極と同じ導電層で形成されるため、ゲート信号線２１と同じ、クロム（Ｃｒ）または、ジルコニウム（Zirconium）を主体とする層とアルミ（Ａｌ）を主体とする層の多層膜から形成される。また、上面からＴＦＴ基板側の下面に向けて線幅が広がるように側面が傾斜したテーパ形状をしている。
【００５８】
まず図７に示すように、検査用接続端子１６６とゲート接続端子１６１との上に第１の有機樹脂膜４４がスピンコート法等により塗布される。
【００５９】
次に図８に示すように、第１の有機樹脂膜４４の上方に露光用マスク１４０が配置され、第１の有機樹脂膜４４に光が照射される。露光用マスク１４０には位置によって露光量が変化するようパターンが形成されている。
【００６０】
そのため、図９に示すように、露光後に第１の有機樹脂膜４４を現像（除去）すると、露光量によって除去される第１の有機樹脂膜４４の量がゆるやかに変化して、検査用接続端子１６６、ゲート接続端子１６１の上面から周辺に向かって傾斜する面１４１が形成される。
【００６１】
第１の有機樹脂膜４４の傾斜面１４１とＴＦＴ基板２との角度を２５°以下とする場合には、検査用接続端子１６６、ゲート接続端子１６１の上面から周辺に向かい７０％から３０％に透過率が変化するマスクを形成することで実現可能である。
【００６２】
例えば上記マスクは、図１０に示すマスクのように、１ｍｍ×０．４ｍｍの枠の開口を形成する場合には、１ｍｍ×０．４ｍｍの枠から１．５μｍ内側に１．５μｍ幅のラインを形成し、さらに、１．５μｍ内側にもう一つ１．５μｍのラインと形成することで実現可能である。
【００６３】
次に図１１に示すように、第１の有機樹脂膜４４の上に、第２の有機樹脂膜４５をスピンコート法等により塗布する。このとき、第１の有機樹脂膜４４に設けられた傾斜面１４１が急峻な場合では、検査用接続端子１６６および、ゲート接続端子１６１の周辺で、第２の有機樹脂膜４５に多数の放射状のムラが発生する。
【００６４】
これは、第２の有機樹脂膜４５をスピン塗布する際に、第１の有機樹脂膜４４に形成した開口から第２の有機樹脂膜４５が急激に駆け上がり、その勢いで第１の有機樹脂膜４４の上を放射状に移動するものと考えられる。
【００６５】
特に第１の有機樹脂膜４４に形成された開口の対角径が１００μｍ以上で、膜厚が０．５μｍ以上の場合に放射状のムラの発生が顕著になる。図１１では、傾斜面１４１の角度をＴＦＴ基板２に対して２５°以下とすることで、放射状のムラの発生を防止している。
【００６６】
次に図１２に示すように、第２の有機樹脂膜４５も露光・現像して傾斜面１４２を有する開口を形成する。この傾斜面１４２は傾斜面１４１よりも大きな角度となっている。
【００６７】
次に図１３に示すように、第２の有機樹脂膜４５の上に透明導電膜１４３を形成し、さらに、図１４に示すようにパターンニングして検査用接続端子１６６および、ゲート接続端子１６１を形成する。
【００６８】
なお、図１５に示すように、端子上には第２の有機樹脂膜４５を形成せずに、塗布後除去して、傾斜面の緩やかな第１の有機絶縁膜４４の上に透明導電膜１４３を形成することも可能である。
【００６９】
また図１６に示すように、第２の有機樹脂膜４５もハーフ露光等を用いて、緩やかな傾斜面とし、傾斜面の緩やかな第１の有機絶縁膜４４と第２の有機絶縁膜４５の上に透明導電膜１４３を形成することも可能である。
【００７０】
次に、図１７から図２６を用いてＴＦＴ基板２を形成する工程について説明する。図１７に示した工程では、ＴＦＴ基板２にゲート電極３１、ゲート絶縁膜３６、半導体層３４、ソース電極３３、ドレイン電極３２、ｎ＋層３５、保持容量線２５、保持容量電極２６、無機保護膜４３が形成されている。
【００７１】
図１８に示す工程では、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる無機保護膜４３をフォトリソグラフィー工程により、パターンニングしてソース電極３３上にコンタクトホール４６aと、保持容量線２５の上にコンタクトホール４７aを形成した。
【００７２】
図１９に示す工程では、コンタクトホール４６ａ、４７ａを形成したＴＦＴ基板２上に第１の有機樹脂膜４４をスピンコート法等により塗布した。
【００７３】
図２０に示す工程ではコンタクトホール４６ａに重なるように、第１の有機樹脂膜４４にコンタクトホール４６ｂを形成し、コンタクトホール４７ａに重なるようにコンタクトホール４７ｂを形成している。第１の有機樹脂膜４４は感光性の有機樹脂膜を用いることができ、フォトマスクを用いて露光し、現像液を用いて所定のパターンとすることができる。
【００７４】
また、反射領域１１ではハーフ露光により、凹凸部４８が形成されている。有機樹脂膜４４にフォトマスクの形状により露光量が多い部分と少ない部分（ハーフトーン露光とも呼ぶ）を設けることにより、第１の有機樹脂膜４４がポジ型の場合には露光量が多い部分で現像液により除去され易く凹部が形成される。
【００７５】
図２１に示す工程では、第１の有機樹脂膜４４の上に第１の透明導電膜３７が、スパッタリング等の方法により成膜される。第１の透明導電膜は対向電極１５を形成する。
【００７６】
次に図２２に示す工程では、第１の透明導電膜３７をフォトリソ法によりパターニングし対向電極１５を形成した。
【００７７】
図２３に示す工程では、対向電極１５の上に反射電極１７を形成する金属層を形成後、フォトリソ法でパターニングして反射電極１７を形成した。
【００７８】
次に図２４に示す工程では、対向電極１５、反射電極１７の上に第２の有機樹脂膜４５をスピンコート法で塗布している。このとき接続端子部の開口の傾斜をゆるやかにすることで、接続端子部での放射状のムラの発生を抑えることが可能となる。
【００７９】
次に図２５に示す工程で、第２の有機絶縁膜４５をパターニングしてコンタクトホール４６をソース電極３３上に形成した。
【００８０】
次に図２６に示す工程では、第２の有機絶縁膜４５の上に第２の透明導電膜１９を成膜後、パターニングして画素電極１９を形成した。
【００８１】
以上、本願発明によれば、反射領域１１と透過領域１２とを備えた液晶表示装置の接続端子部において、２層の有機樹脂膜を安定して形成することが可能となる。
【００８２】
なお、本実施例では第２の絶縁膜４５を有機樹脂膜として説明したが、無機膜であっても、塗布される絶縁膜であれば、同様の効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の実施の形態である液晶表示装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態である液晶表示装置の液晶パネルを示す概略斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態である液晶表示装置の接続端子部を示す概略平面図である。
【図４】本発明の実施の形態である液晶表示装置の画素部を示す概略平面図である。
【図５】本発明の実施の形態である液晶表示装置の画素部を示す概略断面図である。
【図６】本発明の実施の形態である液晶表示装置の端子部の製造工程を示す概略断面図である。
【図７】本発明の実施の形態である液晶表示装置の端子部の製造工程を示す概略断面図である。
【図８】本発明の実施の形態である液晶表示装置の端子部の製造工程を示す概略断面図である。
【図９】本発明の実施の形態である液晶表示装置の接続端子部の製造工程を示す概略断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態である液晶表示装置の製造に用いられる露光用マスクの概略平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態である液晶表示装置の接続端子部の製造工程を示す概略断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態である液晶表示装置の接続端子部の製造工程を示す概略断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態である液晶表示装置の接続端子部の製造工程を示す概略断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態である液晶表示装置の接続端子部の製造工程を示す概略断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態である液晶表示装置の接続端子部の製造工程を示す概略断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態である液晶表示装置の接続端子部の製造工程を示す概略断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態である液晶表示装置の画素部の製造工程を示す概略断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態である液晶表示装置の画素部の製造工程を示す概略断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態である液晶表示装置の画素部の製造工程を示す概略断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態である液晶表示装置の画素部の製造工程を示す概略断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態である液晶表示装置の画素部の製造工程を示す概略断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態である液晶表示装置の画素部の製造工程を示す概略断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態である液晶表示装置の画素部の製造工程を示す概略断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態である液晶表示装置の画素部の製造工程を示す概略断面図である。
【図２５】本発明の実施の形態である液晶表示装置の画素部の製造工程を示す概略断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態である液晶表示装置の画素部の製造工程を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１…液晶パネル、２…ＴＦＴ基板、３…ＣＦ基板、４…液晶層、５…駆動回路、８…画素部、９…表示領域、１１…反射領域、１２…透過領域、１３…保持容量部、１４…配向膜、１５…対向電極、１７…反射電極、１８…配向膜、１９…櫛歯電極、２１…ゲート配線（走査信号線）、２２…映像信号線、２５…保持容量線、２６…保持容量電極、３１…ゲート電極、３２…ドレイン電極、３３…ソース電極、３４…半導体層、３５…ｎ＋層、３６…ゲート絶縁膜、３７…第１の導電膜（透明導電膜）、３８…第２の導電膜（金属膜）、３９…第３の導電膜、４１…第１下地膜、４２…第２下地膜、４３…無機保護膜、４４…第１の有機絶縁膜、４５…第２の有機絶縁膜、４６…コンタクトホール、４７…コンタクトホール、４８…凹凸部、１６１…ゲート接続端子、１６２…ドレイン接続端子、１４１…緩やかな傾斜面、１４２…コンタクトホールの内壁。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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