(57)【要約】【課題】実質的に透明な半導体回路と単一のディスプレイ表示要素とを用いて両面から視認可能な表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】実質的に透明な基材１上にゲート電極１１と、補助コンデンサ電極２と、ゲート絶縁膜１３と、半導体活性層１４と、ソース電極１５と、ドレイン電極１６とを形成して薄膜トランジスタを形成し、層間絶縁膜１７と、画素電極１８とを形成して実質的に透明な半導体回路１０を作製した後、半導体回路１０上に青色染料を溶解させた溶媒２４中に白色系帯電微粒子２３を分散させた電気泳動型ディスプレイ２０ａを配置して、ディスプレイ表示要素として反射型ディスプレイ表示要素２０ａを用いた本発明の両面から視認可能な表示装置１００ａを得ることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に透明な基材の一方の面に実質的に透明な薄膜トランジスタと、前記トランジスタに導通された電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成された配線とを有する実質的に透明な半導体回路と、前記半導体回路によって駆動されるディスプレイ表示要素とを備えたことを特徴とする両面から視認可能な表示装置。
【請求項２】
前記ディスプレイ表示要素が反射型ディスプレイ表示要素からなることを特徴とする両面から視認可能な表示装置。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタは、ソース、ドレイン、ゲートの各電極と、半導体活性層と、ゲート絶縁膜とを有し、前記半導体活性層が金属酸化物を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載の両面から視認可能な表示装置。
【請求項４】
前記薄膜トランジスタは、ソース、ドレイン、ゲートの各電極と、半導体活性層と、ゲート絶縁膜とを有し、前記半導体活性層が有機物を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載の両面から視認可能な表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面から視認可能な表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に電子デバイスの駆動用トランジスタとして、アモルファスシリコンや多結晶シリコン等を用いた薄膜トランジスタが用いられてきた。
しかしながら、アモルファスシリコンや多結晶シリコンは不透明であり、また可視光領域において光感度を持つため、遮光膜が必要となる。そのため薄膜トランジスタやその配線等からなる半導体回路は視認性の問題となるためディスプレイ観察側から見るとディスプレイ表示要素の裏側に設置されてきた。
【０００３】
一方、実質的に透明なトランジスタ及び半導体回路を用いたディスプレイが開発されており、実質的に透明なトランジスタ及び半導体回路を用いた画像表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
この画像表示装置は、一方の面から視認することができるディスプレイとしては有効であるが、両面から視認できるようなディスプレイはまだ実現できていない。
【特許文献１】特開２００４−１４９８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、両面から視認できるようなディスプレイを実現するためになされたものであり、実質的に透明な半導体回路と単一のディスプレイ表示要素とを用いて両面から視認可能な表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に於いて上記課題を実現するために、まず請求項１においては、実質的に透明な基材の一方の面に実質的に透明な薄膜トランジスタと、前記トランジスタに導通された電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成された配線とを有する実質的に透明な半導体回路と、前記半導体回路によって駆動されるディスプレイ表示要素とを備えたことを特徴とする両面から視認可能な表示装置としたものである。
【０００６】
また、請求項２においては、前記ディスプレイ表示要素が反射型ディスプレイ表示要素からなることを特徴とする両面から視認可能な表示装置としたものである。
【０００７】
また、請求項３においては、前記薄膜トランジスタは、ソース、ドレイン、ゲートの各電極と、半導体活性層と、ゲート絶縁膜とを有し、前記半導体活性層が金属酸化物を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載の両面から視認可能な表示装置としたものである。
【０００８】
さらにまた、請求項４においては、前記薄膜トランジスタは、ソース、ドレイン、ゲートの各電極と、半導体活性層と、ゲート絶縁膜とを有し、前記半導体活性層が有機物を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項１または2に記載の両面から視認可能な表示装置としたものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、実質的に透明な半導体回路と半導体回路によって駆動されるディスプ
レイ表示要素を備えることで複数の表示要素を備えること無く、両面から視認可能な表示装置を実現できる。
また、ディスプレイ表示要素として反射型ディスプレイ表示要素を用いることで、互いの面に反転した画像を表示することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態につき説明する。
図１は、請求項１に係る本発明の両面から視認可能な表示装置の一実施例を示す模式構成部分断面図である。
両面から視認可能な表示装置１００は、実質的に透明な基材１上にソース電極１５と、ドレイン電極１６と、ゲート電極と、半導体活性層１４と、ゲート絶縁膜１３とからなる薄膜トランジスタで構成された実質的に透明な半導体回路１０と、ディスプレイ表示要素２０とで構成されている。
ディスプレイ表示要素２０としては、自発光型の表示要素、もしくは非発行型の場合は反射型でなければならない。バックライト等の必要な透過型液晶表示装置などでは、表示要素の裏面にバックライトが設置されるため、両面で表示することは困難である。
自発光型の表示要素としては、有機ＥＬ、無機ＥＬなど、反射型表示要素としては、分散媒溶液に分散された電荷を帯びた電気泳動粒子を充填した電気泳動表示装置、分散媒溶液に分散された電荷を帯びた表面領域を有する回転粒子を充填した回転粒子表示装置、気体中に固体状物質が分散質として安定に浮遊するエアロゾル状態で高流動性を示す粉流体を封入した粉流体を移動させる電子粉流体方式表示装置等を挙げることができる。
このように、実質的に透明な半導体回路１０と、ディスプレイ表示要素２０とを備えることで、複数の表示要素を用いることなく、両面から視認可能な表示装置を実現することができる。
【００１１】
図２は、ディスプレイ表示要素として反射型ディスプレイ表示要素２０ａを用いた請求項２に係る本発明の両面から視認可能な表示装置の一実施例を示す模式構成部分断面図である。
両面から視認可能な表示装置１００ａは、実質的に透明な基材１上にソース電極１５と、ドレイン電極１６と、ゲート電極と、半導体活性層１４と、ゲート絶縁膜１３とからなる薄膜トランジスタで構成された実質的に透明な半導体回路１０と、反射型ディスプレイ表示要素２０ａとで構成されている。
反射型ディスプレイ表示要素２０ａとしては、分散媒溶液に分散された電荷を帯びた電気泳動粒子を充填した電気泳動表示要素を用いた事例である。
このように、実質的に透明な半導体回路１０と、反射型ディスプレイ表示要素２０ａとを組み合わせることで、複数の表示要素を用いることなく、互いの面に反転した画像を表示する表示装置を実現することができる。
【００１２】
図３は、ディスプレイ表示要素として反射型ディスプレイ表示要素２０ｂを用いた請求項２に係る本発明の両面から視認可能な表示装置の他の実施例を示す模式構成部分断面図である。
両面から視認可能な表示装置１００ｂは、実質的に透明な基材１上にソース電極１５と、ドレイン電極１６と、ゲート電極と、半導体活性層１４ａと、ゲート絶縁膜１３とからなる薄膜トランジスタで構成された実質的に透明な半導体回路１０ａと、反射型ディスプレイ表示要素２０ｂとで構成されている。
反射型ディスプレイ表示要素２０ｂとしては、分散媒溶液に分散された電荷を帯びた表面領域を有する回転粒子を充填した回転粒子表示要素を用いた事例である。
このように、実質的に透明な半導体回路１０ａと、反射型ディスプレイ表示要素２０ｂとを組み合わせることで、複数の表示要素を用いることなく、互いの面に反転した画像を表示する表示装置を実現することができる。
【００１３】
請求項３に係る発明は、上記実質的に透明な半導体回路１０の中の薄膜トランジスタの半導体活性層１４を金属酸化物を主成分とする材料で作製したものである。
このように、半導体活性層１４として、金属酸化物半導体を使用することで透明でかつ優れた特性を有する薄膜トランジスタを実現できる。
【００１４】
請求項４に係る発明は、上記実質的に透明な半導体回路１０ａの薄膜トランジスタの半導体活性層１４ａを有機物を主成分とする材料で作製したものである。
このように、半導体活性層１４ａとして、有機物を主成分とする材料を用いることで透明でかつ優れた特性を有する薄膜トランジスタを実現できる。
【００１５】
以下、両面から視認可能な表示装置１００ａ及び１００ｂについて具体的に説明する。まず、実質的に透明な基材１上にゲート電極１１と、補助コンデンサ電極１２と、ゲート絶縁膜１３と、半導体活性層１４と、ソース電極１５と、ドレイン電極１６とを形成して薄膜トランジスタを形成し、層間絶縁膜１７と、画素電極１８とを形成して実質的に透明な半導体回路１０を作製する。
ここで、実質的に透明とは、可視光である波長領域４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内で透過率が７０%以上であることである。
【００１６】
実質的に透明な基材１としては、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルサルフェン、トリアセチルセルロース、ポリビニルフルオライドフィルム、エチレン-テトラフルオロエチレン共重合樹脂、耐候性ポリエチレンテレフタレート、耐候性ポリプロピレン、ガラス繊維強化アクリル樹脂フィルム、ガラス繊維強化ポリカーボネート、透明性ポリイミド、フッ素系樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂、ガラス、石英等を挙げることができる。
これらは単独の基材として使用してもよいが、二種以上を積層した複合基材を使用することもできる。
【００１７】
また、基材１が有機物フィルムである場合は、素子の耐久性を上げるために透明のガスバリア層を形成することも好ましい。ガスバリア層としてはＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣ、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）などが上げられる。
また、これらのガスバリア層は二層以上積層して使用することもできる。
また、ガスバリア層は有機物フィルム基板の片面だけに付与してもよいし、両面に付与しても構わない。ガスバリア層は蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、レーザーアブレーション法、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法、ホットワイヤーCVD法、ゾルゲル法などで形成することができる。
【００１８】
ゲート電極１１、ソース電極１５、ドレイン電極１６、補助コンデンサ電極１２、画素電極１８としては、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、酸化インジウムカドミウム（ＣｄＩｎ2Ｏ4）、酸化カドミウムスズ（Ｃｄ2ＳｎＯ4）、酸化亜鉛スズ（Ｚｎ2ＳｎＯ4）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）等の酸化物材料を使用することができる。
【００１９】
また、この酸化物材料に不純物をドープしたものも好適に用いられる。例えば、酸化インジウムにスズ（Ｓｎ）やモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）をドープしたもの、酸化スズにアンチモン（Ｓｂ）やフッ素（Ｆ）をドープしたもの、酸化亜鉛にインジウム、アルミニウム、ガリウム（Ｇａ）をドープしたものなどである。この中では特に酸化インジウムにスズ（Ｓｎ）をドープした酸化インジウムスズ（通称ＩＴＯ）が高い透明性と低い
抵抗率のために特に好適に用いられる。
【００２０】
また、上記導電性酸化物材料とＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉなどの金属の薄膜を複数積層したものも使用できる。この場合、金属材料の酸化や経時劣化を防ぐために導電性酸化物薄膜／金属薄膜／導電性酸化物薄膜の順に積層した３層構造が特に好適に用いられる。
また、金属薄膜層での光反射や光吸収が表示装置の視認性を妨げないために金属薄膜層はできる限り薄くすることが好ましい。具体的には１ nm以上２０ nm以下であることが望ましい。また、ＰＥＤＯＴ(ポリエチレンジオキシチオフェン)等の有機導電性材料も好適に用いることができる。
【００２１】
ゲート電極１１、ソース電極１５、ドレイン電極１６、補助コンデンサ電極１２、画素電極１８、走査線電極、信号線電極は同じ材料であっても構わないし、また全て違う材料であっても構わない。しかし、工程数を減らすためにゲート電極１１と補助コンデンサ電極１２、ソース電極とドレイン電極は同一の材料であることがより望ましい。これらの透明電極は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、レーザーアブレーション法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、ホットワイヤーＣＶＤ法またはスクリーン印刷、凸版印刷、インクジェット法等で形成することができる。
【００２２】
請求項３に係る実質的に透明な半導体活性層１４として、金属酸化物を主成分とする材料を用いて被膜形成する。
金属酸化物を主成分とする材料としては、亜鉛、インジウム、スズ、タングステン、マグネシウム、ガリウムのうち一種類以上の元素を含む酸化物である、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム亜鉛、酸化スズ、酸化タングステン(WO)、酸化亜鉛ガリウムインジウム（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）等の材料を挙げることができる。
これらの材料は実質的に透明であり、バンドギャップが２．８ｅＶ以上、好ましくはバンドギャップが３．２ｅＶ以上であることが望ましい。
【００２３】
これらの材料の構造は単結晶、多結晶、微結晶、結晶／アモルファスの混晶、ナノ結晶散在アモルファス、アモルファスのいずれであってもかまわない。半導体層の膜厚は少なくとも２０ｎｍ以上が望ましい。酸化物半導体層はスパッタ法、パルスレーザー堆積法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ(Molecular Beam Epitaxy)法、ゾルゲル法などの方法を用いて形成されるが、好ましくはスパッタ法、パルスレーザー堆積法、真空蒸着法、ＣＶＤ法である。スパッタ法ではＲＦマグネトロンスパッタ法、ＤＣスパッタ法、真空蒸着では加熱蒸着、電子ビーム蒸着、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法ではホットワイヤーＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを挙げることができる。
【００２４】
請求項４に係る実質的に透明な半導体活性層１４ａとして、有機物を主成分とする半導体材料を用いて被膜形成する。
有機物を主成分とする半導体材料としては、ペンタセンやテトラセンなどのアセン類、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（ＮＴＣＤＡ）やナフタレンテトラカルボン酸ジイミド（ＮＴＣＤＩ）、あるいはポリチオフェンやポリアニリン、ポリ-p-フェニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリチエニレンビニレンといった共役高分子を挙げることができる。
これらの材料は実質的に透明であり、バンドギャップが２．８ｅＶ以上、好ましくはバンドギャップが３．２ｅＶ以上であることが望ましい。これらの有機半導体材料は、スクリーン印刷、反転印刷、インクジェット法、スピンコート、ディプコート、蒸着法等で被膜形成することができる。
【００２５】
薄膜トランジスタのゲート絶縁膜１３に用いる材料は、特に限定しないが、酸化シリコ
ン、窒化シリコン、シリコンオキシナイトライド（ＳＩＮXＯY）、酸化アルミニウム、サイアロン（ＳＩXＡＬYＯZＮ）、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニア、酸化チタン等の無機材料、または、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等のポリアクリレート、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＳ（ポリスチレン）、透明性ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール等を挙げることができる。
【００２６】
ゲートリーク電流を抑えるためには、絶縁材料の抵抗率は１０11Ωｃｍ以上が良く、望ましくは１０14Ωｃｍ以上であることが好ましい。絶縁層は真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、レーザーアブレーション法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、ホットワイヤーＣＶＤ法、スピンコート、ディップコート、スクリーン印刷などの方法を用いて形成される。絶縁層の厚さは５０ｎｍ〜２μｍであることが望ましい。これらのゲート絶縁膜は単層として用いても構わないし、複数の層を積層したものを用いても構わないし、また成長方向に向けて組成を傾斜したものでも構わない。
【００２７】
本発明で用いられる薄膜トランジスタの構成は特に限定されない。ボトムコンタクト型、トップコンタクト型のどちらであっても構わない。ただし有機半導体を用いる場合は、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極およびドレイン電極、有機半導体の順に素子を作成するボトムコンタクト型が望ましい。なぜなら、有機半導体を形成してから次工程のプラズマプロセスなどに有機半導体を曝すと半導体層がダメージを受けるからである。
また、本発明で用いられる薄膜トランジスタ上に層間絶縁膜を設けさらにその上にドレイン電極１６と電気的に接続されている画素電極１８を設けることで、開口率を高くすることは好適に行われる。
【００２８】
層間絶縁膜１７としては、絶縁性で実質的に透明であれば特に限定されない。例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化アルミニウム、サイアロン（ＳｉxＡｌyＯzＮ）、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニア、酸化チタン等の無機材料、または、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等のポリアクリレート、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＳ（ポリスチレン）、透明性ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。層間絶縁膜はゲート絶縁膜と同じ材料であっても構わないし、異なる材料であっても構わない。これらの層間絶縁膜は単層として用いても構わないし、複数の層を積層したものを用いても構わない。
【００２９】
また、ボトムゲート構造の素子の場合は半導体層の上を覆うような保護膜を設けることも好ましい。保護膜を用いることで、半導体層が湿度などで経時変化を受けたり、層間絶縁膜から影響を受けたりすることを防ぐことができる。
保護膜として酸化シリコン、窒化シリコン、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化アルミニウム、サイアロン（ＳｉxＡｌyＯzＮ）、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニア、酸化チタン等の無機材料、または、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等のポリアクリレート、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＳ（ポリスチレン）、透明性ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、フッ素系樹脂等を挙げることができる。これらの保護膜は単層として用いても構わないし、複数の層を積層したものを用いても構わない。
【００３０】
画素電極１８は薄膜トランジスタのドレイン電極１６と電気的に接続している。
具体的には、層間絶縁膜１７をスクリーン印刷などの方法でパターン印刷してドレイン電極１６の部分に層間絶縁膜を設けない方法などや、層間絶縁膜を全面に塗布し、そのあと
レーザービーム等相関絶縁膜に穴を空ける方法などが挙げられる。
【００３１】
上記した実質的に透明な基材１上にゲート電極１１と、補助コンデンサ電極１２と、ゲート絶縁膜１３と、半導体活性層１４と、ソース電極１５と、ドレイン電極１６とを形成して薄膜トランジスタを形成し、層間絶縁膜１７と、画素電極１８とを形成して実質的に透明な半導体回路１０を作製した後、半導体回路１０上に青色染料を溶解させた溶媒２４中に白色系帯電微粒子２３を分散させた電気泳動型ディスプレイ２０ａを配置して、ディスプレイ表示要素として反射型ディスプレイ表示要素２０ａを用いた本発明の両面から視認可能な表示装置１００ａを得ることができる（図２参照）。
【００３２】
さらに、上記した実質的に透明な基材１上にゲート電極１１と、補助コンデンサ電極１２と、ゲート絶縁膜１３と、半導体活性層１４ａと、ソース電極１５と、ドレイン電極１６とを形成して薄膜トランジスタを形成し、層間絶縁膜１７と、画素電極１８とを形成して実質的に透明な半導体回路１０ａを作製した後、次に、実質的に透明な半導体回路１０ａ上に白黒系Twisting Ball方式電子ディスプレイからなる反射型ディスプレイ表示要素２０ｂを配置して、ディスプレイ表示要素として反射型ディスプレイ表示要素２０ｂを用いた本発明の両面から視認可能な表示装置１００ｂを得得ることができる（図４参照）。
【実施例１】
【００３３】
まず、０．５ｍｍ厚の無アルカリガラス１７３７（コーニング社製）からなる実質的に透明な基材１一方の面に、DCマグネトロンスパッタ法にて５０ｎｍ厚のＩＴＯ薄膜を形成した。さらに、ＩＴＯ薄膜を所望の形状にパターニング処理し、ゲート電極１１及び補助コンデンサー電極１２を形成した。
【００３４】
次に、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）ターゲットを用いたＲＦスパッタ法で２００ｎｍ厚のＳｉＯＮ薄膜からなるゲート絶縁膜１３を形成した。
【００３５】
次に、ＩｎＧａＺｎＯ4ターゲットを用いたＲＦスパッタ法にて４０ｎｍ厚のアモルファスＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ薄膜を形成し、所望の形状にパターニング処理して半導体活性層１４を形成した。
【００３６】
次に、レジストを塗布して感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってリフトオフプロセス用のレジストパターンを形成した。さらに、レジストパターンをマスクにして、ＤＣマグネトロンスパッタ法にて５０ｎｍ厚のＩＴＯ膜を形成し、所定の薬液でレジストパターン上のＩＴＯ膜をリフトオフ処理し、ソース電極１５及びドレイン電極１６を形成した。
【００３７】
次に、エポキシ系樹脂溶液をパターン印刷し、５mｍ厚の層間絶縁膜１７を形成した。さらに、マグネトロンスパッタ法で１００ｎｍ厚のＩＴＯ膜を成膜し、パターニング処理を行って画素電極１８を形成し、実質的に透明な半導体回路１０を作製した。
各膜の成膜条件を表１に示す
【００３８】
【表１】
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次に、半導体回路１０上に青色染料を溶解させた溶媒２４中に白色系帯電微粒子２３を分散させた電気泳動型ディスプレイ２０ａを配置して、ディスプレイ表示要素として反射型ディスプレイ表示要素２０ａを用いた本発明の両面から視認可能な表示装置１００ａを得た（図２参照）。
【実施例２】
【００３９】
まず、１２５μｍ厚のＰＥＮフィルム（Ｑ６５：帝人社製）からなる実質的に透明な基
材１一方の面に、ＲＦマグネトロンスパッタ法にて４０ｎｍ厚のチタン薄膜を形成した。さらに、チタン薄膜を所望の形状にパターニング処理し、ゲート電極１１及び補助コンデンサー電極１２を形成した。
【００４０】
次に、ポリビニールフェノールをスピンコーティング法で塗布し、熱乾燥させ１mｍ厚のゲート絶縁膜１３を形成した。
【００４１】
次に金薄膜を蒸着法で形成し、レジスト塗布、乾燥、パターン露光、現像、エッチング等の一連のパターニング処理を行ってソース電極１５、ドレイン電極１６を形成した。
さらに、マスク蒸着にてペンタセン薄膜からなる半導体活性層１４ａを形成した。
【００４２】
次に、エポキシ系樹脂溶液をパターン印刷し、５mｍ厚の層間絶縁膜１７を形成した。さらに、マグネトロンスパッタ法で１５０ｎｍ厚のＩＴＯ膜を成膜し、パターニング処理を行って画素電極１８を形成し、実質的に透明な半導体回路１０ａを作製した（図３参照）。
【００４３】
次に、半導体回路１０ａ上に白黒系Twisting Ball方式電子ディスプレイからなる反射型ディスプレイ表示要素２０ｂを配置して、ディスプレイ表示要素として反射型ディスプレイ表示要素２０ｂを用いた本発明の両面から視認可能な表示装置１００ｂを得た（図４参照）。
【００４４】
図５（ａ）及び（ｂ）に、本発明の両面から視認可能な表示装置を用いた画像表示の一例を示す。
図５（ａ）は、本発明の両面から視認可能な表示装置１００ａ及び１００ｂを（ａ）方向から見た画像表示の一例を、図５（ｂ）は、（ｂ）方向から見た画像表示の一例をそれぞれ示す。
図５（ａ）をポジ状態の画像とすると、図５（ｂ）ではネガ状態の表示となり、それぞれ反転した画像を一つの表示装置で表示することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の表示装置の一実施例を示す模式構成部分断面図である。
【図２】反射型ディスプレイ表示要素を用いた本発明の両面から視認可能な表示装置の一実施例を示す模式構成部分断面図である。
【図３】実質的に透明な半導体回路の一実施例を示す模式構成部分断面図である。
【図４】反射型ディスプレイ表示要素を用いた本発明の両面から視認可能な表示装置の他の実施例を示す模式構成部分断面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の両面から視認可能な表示装置を（ａ）方向から見た画像表示の一例を示す説明図である。（ｂ）は、本発明の両面から視認可能な表示装置を（ｂ）方向から見た画像表示の一例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４６】
１……実質的に透明な基材
１０、１０ａ……実質的に透明な半導体回路
１１……ゲート電極
１２……補助コンデンサ電極
１３……ゲート絶縁膜
１４、１４ａ……半導体活性層
１５……ソース電極
１６……ドレイン電極
１７……層間絶縁膜
１８……画素電極
２０……ディスプレイ表示要素
２０ａ、２０ｂ……反射型ディスプレイ表示要素
２１……実質的に透明な基材
２２……電極
２３……白色帯電粒子
２４……青色染料を溶解した溶媒液
２５……電荷を帯びた表面領域を有する回転粒子
２６……分散溶媒液
１００、１００ａ、１００ｂ……両面から視認可能な表示装置
【図１】
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【図２】
2008076823.tif 000005
【図３】
2008076823.tif 000006
【図４】
2008076823.tif 000007
【図５】
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