(57)【要約】      （修正有）【課題】複数のヘッドが形成された積層構造体から簡単に個々のヘッドに分割することができる液滴吐出ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも２枚以上の基板が接合され、該基板のうち第１の基板１は振動板５を有する流路及び共通電極１５がヘッドごとに形成されたシリコン基板からなり、第２の基板２は振動板５に対して所定の間隔を隔てて対向配置される個別電極８がヘッドごとに形成されたガラス基板からなり、複数の分割ラインに沿って個々のヘッドに分割する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、各々の分割ライン上には、第１の基板１のシリコン部分と第２の基板２のガラス部分とが接合された状態で存在するように、共通電極１５及び個別電極８を配置形成し、各分割ラインに沿って第１の基板１の内部にレーザ光を照射することにより材料変質部を形成し、第２の基板２側から応力を加えて個々のヘッドに分割する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２枚以上の基板が接合され、該基板のうち第１の基板は振動板を有する流路及び共通電極がヘッドごとに形成されたシリコン基板からなり、第２の基板は前記振動板に対して所定の間隔を隔てて対向配置される個別電極がヘッドごとに形成されたガラス基板からなり、複数の分割ラインに沿って個々の前記ヘッドに分割する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、
各々の前記分割ライン上には、前記第１の基板のシリコン部分と前記第２の基板のガラス部分とが接合された状態で存在するように、前記共通電極及び前記個別電極を配置形成する工程と、
前記各分割ラインに沿って前記第１の基板の内部にレーザ光を照射することにより材料変質部を形成する工程と、
前記第２の基板側から応力を加えて個々の前記ヘッドに分割する工程と、
を有することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
少なくとも２枚以上の基板が接合され、該基板のうち第１の基板は振動板を有する流路及び共通電極がヘッドごとに形成されたシリコン基板からなり、第２の基板は前記振動板に対して所定の間隔を隔てて対向配置される個別電極がヘッドごとに形成されたガラス基板からなり、複数の分割ラインに沿って個々の前記ヘッドに分割する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、
前記第２の基板の前記第１の基板との接合面と反対側の裏面に分割用シリコン基板を接合する工程と、
各々の前記分割ライン上には、前記第２の基板のガラス部分と前記分割用シリコン基板のシリコン部分とが接合された状態で存在するように、前記共通電極及び前記個別電極を配置形成する工程と、
前記各分割ラインに沿って前記分割用シリコン基板の内部にレーザ光を照射することにより材料変質部を形成する工程と、
前記第１の基板側から応力を加えて個々の前記ヘッドに分割する工程と、
を有することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザまたはＹＬＦレーザの基本波長光を照射することにより前記材料変質部を形成することを特徴とする請求項１または２記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記材料変質部は、前記第１の基板の板厚全体にわたって形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記材料変質部は、前記分割用シリコン基板の板厚全体にわたって形成することを特徴とする請求項２または３記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記材料変質部は、レーザ光を集光素子で集光させ、集光点を前記第１の基板の前記第２の基板との接合面から相対的に分割ライン方向に移動させながら板厚方向に移動させることにより形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記材料変質部は、レーザ光を集光素子で集光させ、集光点を前記分割用シリコン基板の前記第２の基板との接合面から相対的に分割ライン方向に移動させながら板厚方向に移動させることにより形成することを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記分割用シリコン基板は、格子状に形成され、格子部が前記各分割ライン上に接合されていることを特徴とする請求項２乃至７のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェットプリンタ等に用いられる液滴吐出ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液滴を吐出するための液滴吐出ヘッドとして、例えばインクジェット記録装置に搭載されるインクジェットヘッドが知られている。インクジェットヘッドは複数の基板を積層してなる積層構造体により構成されている。例えば、静電駆動方式のインクジェットヘッドの場合は、中間の第１の基板とその下面に接合される第２の基板との間に静電アクチュエータ部が形成され、上記第１の基板とその上に接合される第３の基板との間にインクを吐出するノズル孔に連通するインク流路が形成される。
このような積層構造体より構成されるインクジェットヘッドを個々のヘッドに分割する方法として、ダイシング加工による切断・分割とスクライブ（溝）を形成しそのスクライブに沿ってブレイク分割する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかし、特許文献１に開示されるヘッド分割方法は、列方向のダイシング加工と行方向のブレイク加工によるものであるため、以下に示すような課題があった。
（１）ヘッドの千鳥配列（互い違いの配列）の分割が困難である。その結果、１枚の基板からのヘッド取り個数を向上させることが難しい。
（２）ブレード刃幅、スクライブ幅が必要であるため、ヘッド取り個数が減少する可能性がある。
（３）切断・分割時に異物が発生し、ノズル孔等へ浸入するおそれがある。
（４）ダイシング加工時には切削水を供給する必要があり、切削水のノズル孔等への浸入防止のためにダイシングシートによる基板保護が必要となる。そのため、コストアップとなる。
（５）ダイシング加工時にはブレードの摩耗による切断面垂直度の確保やチッピング発生防止のために、ツルーイング、ドレッシング、セットアップといった作業を頻繁に実施する必要があり、生産性が低下する。
【０００４】
一方、上記課題の一解決手段として、表面に電子デバイスまたは電極パターンが形成されかつ裏面に粘着シートが貼り付けられた基板の内部に集光点を合わせて、前記粘着シートに対して透過性を有するレーザ光を前記粘着シートを介して前記基板の裏面から入射させ、前記基板の切断予定ラインに沿って前記基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成するレーザ加工方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
この方法によれば、基板に外部から比較的小さな力を加えることによって、改質領域を基点として切断予定ラインに沿って基板を割って切断することができる。
【０００５】
【特許文献１】特開平９−３００６３０号公報
【特許文献２】特開２００２−１９２３６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、静電アクチュエータを備えた静電駆動方式のインクジェットヘッドの場合、分割ライン上には、前記第1の基板を構成するシリコン部分と前記第２の基板を構成するガラス部分との陽極接合部と、個別電極の配線部（電極取り出し部）を構成する第２の基板のガラス部分のみが存在する。さらに、共通電極の端子部は分割ラインをまたがって隣接のヘッド同士で連続して形成されている。このように、分割ライン上にシリコンが存在しない場合とシリコン上に金属膜などの異種の材料が存在する場合は、前記レーザ加工による改質領域（材料変質部）を形成できず、したがってヘッド分割が不可能である。
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決しようとするものであり、複数のヘッドが形成された積層構造体から簡単に個々のヘッドに分割することができる液滴吐出ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するため、本発明に係る液滴吐出ヘッドの第１の製造方法は、少なくとも２枚以上の基板が接合され、該基板のうち第１の基板は振動板を有する流路及び共通電極がヘッドごとに形成されたシリコン基板からなり、第２の基板は前記振動板に対して所定の間隔を隔てて対向配置される個別電極がヘッドごとに形成されたガラス基板からなり、複数の分割ラインに沿って個々の前記ヘッドに分割する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、各々の前記分割ライン上には、前記第１の基板のシリコン部分と前記第２の基板のガラス部分とが接合された状態で存在するように、前記共通電極及び前記個別電極を配置形成する工程と、前記各分割ラインに沿って前記第１の基板の内部にレーザ光を照射することにより材料変質部を形成する工程と、前記第２の基板側から応力を加えて個々の前記ヘッドに分割する工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
この第１の製造方法では、各々の分割ラインにおける接合部には全て同一材料のシリコンが存在することになるため、シリコン基板からなる第１の基板にレーザ光を照射することにより、各分割ラインに沿って多光子吸収による材料変質部を形成することができ、第２の基板側から応力を加えることで簡単に個々のヘッドに分割（ブレイク）することができる。
【００１０】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの第２の製造方法は、少なくとも２枚以上の基板が接合され、該基板のうち第１の基板は振動板を有する流路及び共通電極がヘッドごとに形成されたシリコン基板からなり、第２の基板は前記振動板に対して所定の間隔を隔てて対向配置される個別電極がヘッドごとに形成されたガラス基板からなり、複数の分割ラインに沿って個々の前記ヘッドに分割する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、前記第２の基板の前記第１の基板との接合面と反対側の裏面に分割用シリコン基板を接合する工程と、各々の前記分割ライン上には、前記第２の基板のガラス部分と前記分割用シリコン基板のシリコン部分とが接合された状態で存在するように、前記共通電極及び前記個別電極を配置形成する工程と、前記各分割ラインに沿って前記分割用シリコン基板の内部にレーザ光を照射することにより材料変質部を形成する工程と、前記第１の基板側から応力を加えて個々の前記ヘッドに分割する工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
この第２の製造方法では、分割用シリコン基板を第２の基板の裏面に接合して、第１の製造方法と同様にこの分割用シリコン基板にレーザ光を照射して材料変質部を形成するものである。したがって、第２の製造方法でも第１の製造方法と同様に簡単に個々のヘッドに分割（ブレイク）することができる。しかも、この第２の製造方法によれば、個別電極とフレキシブル配線基板とを接続するための電極取り出し部がほぼ平坦な開口部にできるメリットがある。
【００１２】
また、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザまたはＹＬＦレーザの基本波長光を照射することにより前記材料変質部を形成するものである。
ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザまたはＹＬＦレーザの基本波長光は、シリコン基板に対して透過性を有し、シリコン基板の内部に多光子吸収による材料変質部を形成することができる。
【００１３】
また、前記材料変質部は、前記第１の基板の板厚全体にわたって形成することが好ましい。
材料変質部は基板の分割面を形成するものであるため、分割（ブレイク）の際の起点とするために第１の基板の板厚全体にわたって形成することが好ましい。
【００１４】
また、分割用シリコン基板に材料変質部を形成する場合でも上記同様に、分割用シリコン基板の板厚全体にわたって形成することが好ましい。
また、材料変質部は、レーザ光を集光素子で集光させ、集光点を第１の基板の第２の基板との接合面から相対的に分割ライン方向に移動させながら板厚方向に移動させることにより形成する。
また、分割用シリコン基板に材料変質部を形成する場合でも上記同様に、レーザ光を集光素子で集光させ、集光点を分割用シリコン基板の第２の基板との接合面から相対的に分割ライン方向に移動させながら板厚方向に移動させることにより材料変質部を形成する。
【００１５】
このようにレーザ光を照射することによって、第１の基板または分割用シリコン基板の板厚全体にわたって材料変質部を形成することができる。
【００１６】
また、分割用シリコン基板は、格子状に形成され、格子部が各分割ライン上に接合されているものである。
分割用シリコン基板は、特に限定されるものではなく一枚板でも良いが、上記のように格子状に形成されている場合は、その開口部を通して液滴吐出ヘッド内部の検査を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
実施の形態１．
以下、本発明の製造方法により製造される液滴吐出ヘッドの実施の形態について図面に基づいて説明する。まず、本発明の製造方法を説明する前に、液滴吐出ヘッドの構成について説明する。ここでは、液滴吐出ヘッドの一例として、基板の表面に設けられたノズル孔からインク滴を吐出するフェイス吐出型の静電駆動方式のインクジェットヘッドをとりあげて説明する。なお、本発明は、以下の図に示す構造、形状に限られるものではなく、４枚の基板を積層した４層構造のものや圧電素子等を用いた駆動方式、あるいは基板の端部に設けられたノズル孔からインク滴を吐出するエッジ吐出型のものなどにも同様に適用することができる。
【００１８】
図１は本発明の実施の形態１に係るインクジェットヘッドの概略構成を分解して示す分解斜視図であり、一部を断面で表してある。図２は組立状態における図１の略右半分の構成を示すインクジェットヘッドの断面図、図３は図２のインクジェットヘッドの上面図である。なお、図１および図２では、通常使用される状態とは上下逆に示されている。
【００１９】
本実施の形態１のインクジェットヘッド（液滴吐出ヘッドの一例）１０は、図１および図２に示すように、以下に説明する構造を持つ３枚の基板１、２、３を貼り合わせることにより構成される積層構造体となっている。なお、このインクジェットヘッド１０は１個につきノズル孔４が２列に形成された構成となっており、ノズル孔４の列ごとに左右１個ずつのヘッド部分を持つ構成となっているが、当該ヘッド部分は１個ずつで構成されていても良い。またノズル孔４の数は制限されない。
【００２０】
中間の第１の基板１は、キャビティ基板とも呼ばれ、単結晶のシリコン基板からなり、その表面には複数の流路となる溝もしくは凹部がエッチングにより形成されている。個々の流路には、底部を振動板５とする吐出室６となる凹部１１が形成されている。また、各流路に共通に連通するリザーバ７となる凹部１２が形成される。
【００２１】
第１の基板１の下面に接合される第２の基板２は、電極基板もしくは電極ガラス基板とも呼ばれ、ガラス基板を用いて形成されている。第２の基板２は第１の基板１と陽極接合により接合されるので、剥離のない接合強度を確保するために、熱膨張係数がシリコンのそれに近いホウ珪酸系ガラスが一般に用いられている。
第２の基板２の表面には、一般にＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）からなる個別電極８が形成されている。各個別電極８は上記振動板５と対向する位置にエッチングにより形成された凹部２１内に形成されている。振動板５と個別電極８とは所定の間隔（ギャップ長という）Gを隔てて対向配置される。また、絶縁破壊や短絡を防止するために振動板５と個別電極８との間には絶縁膜１３が介在されているので、実際の有効なギャップ長Gは絶縁膜１３と個別電極８間の距離ということになる。このギャップ長Gは例えば０．２μmとなっている。絶縁膜１３を含む振動板５と個別電極８により静電アクチュエータ部が構成される。絶縁膜１３はシリコンの熱酸化膜やＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane：テトラエトキシシラン）を原料ガスとして用いるシリコン酸化膜で形成されている。また、第２の基板２には上記リザーバ７の底部を貫通して連通するインク供給孔２２が形成されている。インク供給孔２２は図示しないインクタンクに接続されている。
【００２２】
また、振動板５と個別電極８との間に形成されるギャップの開放端部はエポキシ樹脂等による封止材１６で封止される。これにより、湿気や塵埃等が電極間ギャップへ侵入するのを防止することができ、インクジェットヘッド１０の信頼性を高く保持することができる。
【００２３】
第１の基板１の上面に接合される第３の基板３は、ノズル基板とも呼ばれ、単結晶のシリコン基板からなり、エッチングにより上記の吐出室６に連通し第３の基板３に対し垂直に貫通するように形成されたノズル孔４と、吐出室６とリザーバ７とを連通させるように下面に細溝状に形成された供給口３１と、リザーバ７部の圧力変動を補償するためのダイヤフラム部３２とを有する構成となっている。ノズル孔４は、径の小さい噴射口部とこれより径の大きい導入口部とから２段に構成することにより、インク滴の直進性を向上させることができる。
【００２４】
また、上記第１の基板１および第３の基板３の後端部は、図１〜図３に示すように、エッチングにより開口された電極取り出し部１４となっており、電極取り出し部１４の形状は、平面視で方形状の開口部を有するものとなっている。そして、第２の基板２上に形成された個別電極８の端子部８ａが電極取り出し部１４において露出するように形成されている。また、第１の基板１の上面の後端部において片側もしくは両側に金属膜からなる共通電極１５が形成されている。そして、静電アクチュエータ部の駆動手段として、振動板５と個別電極８との間にパルス電圧を印加するためのドライバＩＣ等の駆動制御回路９を搭載したフレキシブル配線基板（図示せず）が各個別電極８の端子部８ａと共通電極１５とに例えば導電性接着剤を用いて接続される。
【００２５】
次に、以上のように構成されるインクジェットヘッド１０の動作を説明する。
駆動制御回路９により個別電極８と第１の基板１の共通電極１５の間にパルス電圧を印加すると、振動板５は個別電極８側に引き寄せられて吸着し、吐出室６内に負圧を発生させて、リザーバ７内のインクを吸引し、インクの振動（メニスカス振動）を発生させる。このインクの振動が略最大となった時点で、電圧を解除すると、振動板５は離脱して、その復元力によりインクをノズル孔４から押し出し、インク滴を吐出する。
【００２６】
次に、本実施の形態１のインクジェットヘッド１０の製造方法について、図４〜図９を参照して説明する。
【００２７】
（インクジェットヘッド１０の配置）
まず、このインクジェットヘッド１０の基板上への配置について図４〜図６により説明する。
図４は第１の基板１を上から見た図で、インクジェットヘッド１０（但し、ノズル基板である第３の基板３は未接合のもの）のパターン配置の一例を示すものである。この第１の基板１の下面には前述したように予め個別電極８が形成された第２の基板２が陽極接合により接合されている。図５は図４のＡ部の拡大図であり、図６は図５のＢ−Ｂ断面図である。なお、図４では簡明のため、図１に示したインクジェットヘッド１０を縦・横方向に計１１個配置した例を示している。
インクジェットヘッド１０は、図４に示すように、縦方向分割ライン１０１及び横方向分割ライン１０２に沿って個々のインクジェットヘッドに分割されることになるが、各分割ライン１０１、１０２には後述するように、レーザ光の照射によりシリコン基板にのみ材料変質部が形成されている。すなわち、この材料変質部は、第２の基板２のガラス部分のみや個別電極８の端子部８ａ、共通電極１５の部分には形成することができないので、ガラス部分のみや端子部８ａ、共通電極１５の部分が、図５、図６に示すように、横方向分割ライン１０２上に存在しないように配置する。したがって、各分割ライン１０１、１０２上には第１の基板１のシリコン部分と第２の基板２のガラス部分のみが接合された状態で存在するように、端子部８ａ、共通電極１５を配置形成する。
【００２８】
（インクジェットヘッド１０の製造工程）
次に、図７及び図８を参照して、インクジェットヘッド１０の製造方法の一例について簡単に説明する。なお、ここでは説明を簡単にするため、１つのヘッド部分のみを図示して説明する。図７及び図８はインクジェットヘッド１０の製造工程を示す断面図である。
【００２９】
（ａ）第１の基板１の作製
まず、第１の基板１として、所要の厚さ(例えば６０μｍ程度)の両面ミラーポリッシュ仕上げのシリコン基板を用意し、その片面全面に、例えば厚さが０．８μｍのボロン拡散層５１を形成する。さらに、このシリコン基板のボロン拡散層５１側の接合面（下面）にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によりＴＥＯＳを用いたシリコン酸化膜からなる絶縁膜１３を例えば０．１μｍの厚さで形成する（図７（ａ））。なお、シリコン基板は厚いものを使用し、後述する第２の基板２に陽極接合してから研削加工等を施して所要の厚さに薄くする加工方法を採用してもよい。
【００３０】
（ｂ）第２の基板２の作製
まず、ホウ珪酸系ガラス等からなる板厚約１ｍｍのガラス基板に、例えば金・クロムのエッチングマスクを使用してフッ酸によってエッチングすることにより所望の深さの凹部２１を形成する。 このとき、分割ライン上のガラス部分はエッチング除去せずに残しておく。
次に、例えば、スパッタ法によりＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を０．１μｍの厚さで形成し、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィーによりパターニングして個別電極８となる部分以外をエッチング除去して、凹部２１の内部に個別電極８を形成する。その後、マイクロブラスト加工等によってインク供給孔２２となる孔部を形成する（図７（ｂ））。以上により、個別電極８が形成された第２の基板２が作製される。
【００３１】
（ｃ）第１の基板１と第２の基板２の接合
上記のように、予め個別電極８が形成された第２の基板２上に、上記第１の基板１を絶縁膜１３を介して陽極接合する。次にこの第１の基板１の上面にエッチングマスク５２となるシリコン酸化膜を形成する（図７（ｃ））。
【００３２】
（ｄ）材料変質部６０の形成
次に、縦方向及び横方向の分割ラインに沿って、第１の基板１内にレーザ光を照射することにより材料変質部６０を形成する（図７（ｃ））。
ここで、材料変質部６０の形成方法を図９に示す。図９に示すように、第１の基板（シリコン基板）１の内部に、半導体レーザとして例えばＹＡＧレーザの基本波長のレーザ光６１をレンズ６２により集光して照射し、分割ライン方向Ｘにスキャンすることにより、第１の基板１の内部に多光子吸収による改質層としての材料変質部６０を形成することができる。材料変質部６０は、レーザ光６１を分割ライン方向Ｘにスキャンするごとに、集光点を第１の基板１の接合面から上面に向けて板厚方向上方へ移動させることにより、第１の基板１の板厚全体にわたって形成することができる。これは、逆にレーザ光６１の集光点を第１の基板１の上面から接合面に向けて下方へ移動させると、いったん形成された材料変質部６０に再度レーザ光６１が当たって光が散乱し、板厚方向に材料変質部６０が伸びて形成されていかないからである。なお、レーザ光６１は、集光点を第１の基板１に対して相対的に分割ライン方向と板厚方向に移動させればよい。
【００３３】
上記レーザ光６１の照射条件の一例をあげると、次のとおりである。
レーザ媒質：  Ｎｄ：ＹＡＧ
レーザ波長：１０６４ｎｍ
レーザ光スポット断面積：３．１４×１０-8ｃｍ2
発振形態：Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
パルス幅：３０ｎｓ
出力：２０μＪ／パルス
レーザ光品質：ＴＥＭ00
偏光特性：直線偏光
集光用レンズ倍率：５０倍
開口数（ＮＡ）：０．５５
レーザ光波長に対する透過率：６０％
移動速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
【００３４】
なお、半導体レーザとしてはＹＡＧレーザのほかに、ＹＶＯ4レーザまたはＹＬＦレーザを使用することもできる。これらのレーザ光はシリコン基板からなる第１の基板１に対して透過性があるので有効である。
【００３５】
（ｄ）第１の基板１のエッチング加工
次に、接合済みの第１の基板１の表面にフォトリソグラフィーによってレジストパターニングを行い（図７（ｄ））、ＫＯＨ水溶液によるウェットエッチングによりパターニング開口部をボロン拡散層５１が出現するまでエッチングする（図７（ｅ））。これによって、吐出室６となる凹部１１、リザーバ７となる凹部１２および電極取り出し部１４となる凹部１７が形成される。また、ボロン拡散層５１の面が出現するとエッチングレートが極端に遅くなるため、これによりエッチングストップがかかるので、振動板５の厚みを高精度に制御することができる。なお、リザーバ７となる凹部１２についてはエッチング開始を遅らせることにより底部を若干厚く形成する。
【００３６】
（ｅ）電極取り出し部１４の形成
次に、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）ドライエッチングにより、凹部１７の底部をエッチング除去して、電極取り出し部１４のみを開口する（図８（ｆ））。これによって、電極取り出し部１４は平面視で方形状の開口部を有する形状に形成される。
【００３７】
（ｆ）共通電極１５の形成、ヘッド分割等
共通電極１５をスパッタ等により第１の基板１上に形成し、さらに振動板５と個別電極８間のギャップ開放端部をエポキシ樹脂等の封止材１６で封止する。また、インク供給孔２２の穴をリザーバ７となる凹部１２の底部を貫通させる。その後、分割ラインに沿って、第２の基板２側から曲げやせん断応力などの応力Ｆを加えて個々のヘッドに分割する（図８（ｇ））。なお、上記（ｄ）の材料変質部６０の形成をこの共通電極１５形成後に実施しても良い。
分割ラインに沿って、応力Ｆを加えることによって、材料変質部６０の端に微小なクラックが入り、この破断力が強固に接合されている第２の基板２へ伝達されるため、分割ラインに沿ってまっすぐに分割することができる。したがって、破断面に欠けなどを生じることなく基板の面に垂直な破断面が得られる。よって、個々のヘッドに簡単に分割することができる。
【００３８】
（ｇ）第３の基板３の接合
最後に、ノズル孔４等が形成され個々のノズル基板に切断分割された第３の基板３を上記により分割されたヘッドの第２の基板２上に接着することにより、インクジェットヘッド１０の本体部が完成する（図８（ｈ））。
【００３９】
本実施の形態１のインクジェットヘッド１０の製造方法では、各々の分割ライン１０１、１０２上に、第１の基板１のシリコン部分と第２の基板２のガラス部分とが陽極接合された状態で存在するように、共通電極１５及び個別電極８を配置形成し、各々の分割ライン１０１、１０２に沿って第１の基板１の内部にレーザ光６１を照射することにより材料変質部６０を形成し、第２の基板２側から応力を加えて個々のヘッドに分割するものであるから、複数のヘッドが形成された積層構造体から簡単に個々のヘッドに分割（ブレイク）することができる。
また、レーザ光の照射により形成される分割ライン幅（材料変質部６０の厚み）はきわめて小さく、かつレーザ光の走査速度も速いため、より多くのヘッドを基板上に配置できるとともに、千鳥配列（互い違いの配列）も可能なため、取り個数が増加し、生産性の向上、コスト低減が可能となる。
【００４０】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係るインクジェットヘッド１０Ａの構成を図１０に示す。図１０は図２と同様のインクジェットヘッド１０Ａの断面図である。なお、図２と同一の部分には同一符号を付して説明は省略する。
本実施の形態２では、第２の基板２の第１の基板１との接合面と反対側の裏面に分割用シリコン基板２５を陽極接合するものである。前記実施の形態１では図２に示したように、分割後、電極取り出し部１４の後端部に第１の基板１のシリコン部分１ａが壁のような形で残っている。そのため、個別電極８の端子部８ａとフレキシブル配線基板（図示せず）とを接続する際に、高さ寸法によってはこのシリコン部分１ａが邪魔になる場合がある。
【００４１】
そこで、本実施の形態２では、このシリコン部分１ａが残存しないようにしたものである。そのために、ガラス基板からなる第２の基板２の裏面に両面ミラーポリッシュ仕上げの分割用シリコン基板２５を陽極接合する構成とする。
分割用シリコン基板２５は、インク取り入れ孔のみ形成された状態で第２の基板２の裏面の全面に接合しても良いし、あるいは図１０に示すように各分割ライン上に格子状に接合しても良い。分割用シリコン基板２５を格子状に形成した場合には、その開口部２６を通して静電アクチュエータ部の検査、すなわち異物の侵入や個別電極８の異常などの顕微鏡による検査が可能になる利点がある。
【００４２】
本実施の形態２によれば、電極取り出し部１４は平面視で略コ字状に開口され、その後端部はほぼ平坦に形成できるので、個別電極８の端子部８ａとフレキシブル配線基板（図示せず）との接続が容易になる効果がある。
【００４３】
図１１はこのインクジェットヘッド１０Ａ（但し、ノズル基板である第３の基板３は未接合のもの）の基板への配置例を示し、第２の基板２の裏面側から見た図である。また、分割用シリコン基板２５は上記のように格子状に形成されたものを示している。図１２は図１１のＣ−Ｃにおける拡大断面図である。
【００４４】
このインクジェットヘッド１０Ａの製造方法は、基本的に前記実施の形態１と同様である。異なる点は、以下のとおりである。
（１）分割用シリコン基板２５を第２の基板２の裏面に陽極接合すること。
（２）各分割ライン１０１、１０２に沿って、分割用シリコン基板２５にレーザ光を照射し、その内部に材料変質部６０を形成すること。
（３）電極取り出し部１４をＲＩＥなどのドライエッチングで開口する際、電極取り出し部１４の後端部の前記シリコン部分１ａをエッチングで除去すること。
（４）また、第２の基板２の電極取り出し部１４の後端部のガラス部分２ａ（図２参照）は、エッチングで凹部２１を形成する際に、残すか、もしくは除去する。
【００４５】
本実施の形態２の製造方法によれば、第１の基板１側から応力を加えることによって、第１の基板１、第２の基板２、及び分割用シリコン基板２５の３枚の基板の積層構造体を個々のヘッドに容易に分割（ブレイク）することができる。
なお、第２の基板２が厚い場合には、図１２のように各分割ライン上にスクライブ１８をエッチングで形成してもよい。
【００４６】
上記の実施の形態では、インクジェットヘッドおよびその製造方法について述べたが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものでなく、本発明の思想の範囲内で種々変更することができる。例えば、本発明は、ノズル孔より吐出される液状材料を変更することにより、インクジェットプリンタのほか、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機ＥＬ表示装置の発光部分の形成、遺伝子検査等に用いられる生体分子溶液のマイクロアレイの製造など様々な用途の液滴吐出装置として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施の形態１に係るインクジェットヘッドの概略構成を示す分解斜視図。
【図２】組立状態における図１の略右半分の構成を示すインクジェットヘッドの断面図。
【図３】図２のインクジェットヘッドの上面図。
【図４】実施の形態１に係るインクジェットヘッドの基板への配置例を示す基板の上面図。
【図５】図４のＡ部の拡大図。
【図６】図５のＢ−Ｂ断面図。
【図７】実施の形態１に係るインクジェットヘッドの製造工程の概要を示す断面図。
【図８】図７に続く製造工程の断面図。
【図９】材料変質部の形成方法を示す説明図。
【図１０】本発明の実施の形態２に係るインクジェットヘッドの概略断面図。
【図１１】実施の形態１に係るインクジェットヘッドの基板への配置例を示す基板の下面図。
【図１２】図１１のＣ−Ｃ拡大断面図。
【符号の説明】
【００４８】
１  第１の基板（キャビティ基板）、２  第２の基板（電極基板）、３  第３の基板（ノズル基板）、４  ノズル孔、５  振動板、６  吐出室、７  リザーバ、８  個別電極、９  駆動制御回路（駆動手段）、１０、１０Ａ  インクジェットヘッド、１１  凹部、１２  凹部、１３  絶縁膜、１４  電極取り出し部、１５  共通電極、１６  封止材、１７  凹部、１８  スクライブ、２１  凹部、２２  インク供給孔、２５  分割用シリコン基板、２６  開口部、３１  供給口、３２  ダイヤフラム部、５１  ボロン拡散層、５２  エッチングマスク、６０  材料変質部、６１  レーザ光、６２  レンズ、１０１  縦方向分割ライン、１０２  横方向分割ライン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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