(57)【要約】【課題】絶縁耐圧が高く、且つ光伝達効率の高い光結合半導体装置、その光結合半導体装置の製造方法、及びその光伝達半導体装置が搭載してある電子機器を提供する。【解決手段】発光素子２１と、発光素子２１から発せられる光を受光する受光素子３１と、発光素子２１及び受光素子３１がそれぞれダイボンドされたリードフレーム１１，１２とが、インナーパッケージ４１により樹脂封止され、さらにインナーパッケージ４１がアウターパッケージ５１により樹脂封止された光結合半導体装置において、発光素子２１の周辺部に、発光素子２１から発せられる光を受光素子３１へと導く光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４をポッティングにより略ドーム型に成形して設ける。【選択図】図１
2008042012.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、該発光素子から発せられる光を受光する受光素子と、前記発光素子及び前記受光素子がそれぞれダイボンドされたリードフレームとが樹脂封止されてなる光結合半導体装置において、
前記発光素子の周辺部に、前記発光素子から発せられる光を前記受光素子へと導く光路変更樹脂体が設けてあることを特徴とする光結合半導体装置。
【請求項２】
前記光路変更樹脂体は、略ドーム型の形状を有することを特徴とする請求項１に記載の光結合半導体装置。
【請求項３】
前記光路変更樹脂体は、ポッティングにより成形してあることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光結合半導体装置。
【請求項４】
前記発光素子を覆う透光性プリコート樹脂体が前記光路変更樹脂体に連接して設けてあることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の光結合半導体装置。
【請求項５】
前記光路変更樹脂体は、前記発光素子の各側面方向にそれぞれ設けてあることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の光結合半導体装置。
【請求項６】
前記光路変更樹脂体は、前記発光素子の側面方向の全周に沿って連続して設けてあることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の光結合半導体装置。
【請求項７】
前記光路変更樹脂体の頂点は、前記発光素子の頂点よりも高い位置にあることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の光結合半導体装置。
【請求項８】
前記光路変更樹脂体は、前記受光素子の対向位置に設けてあることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の光結合半導体装置。
【請求項９】
前記光路変更樹脂体は、チクソ性を有する樹脂で形成してあることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載の光結合半導体装置。
【請求項１０】
前記光路変更樹脂体は、光反射性樹脂で形成してあることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の光結合半導体装置。
【請求項１１】
前記光路変更樹脂体は、酸化チタン含有のシリコーン樹脂で形成してあることを特徴とする請求項１０に記載の光結合半導体装置。
【請求項１２】
前記光路変更樹脂体は、アルミナ含有のシリコーン樹脂で形成してあることを特徴とする請求項１０に記載の光結合半導体装置。
【請求項１３】
前記光路変更樹脂体は、酸化マグネシウム含有のシリコーン樹脂で形成してあることを特徴とする請求項１０に記載の光結合半導体装置。
【請求項１４】
前記光路変更樹脂体は、透光性樹脂で形成してあることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の光結合半導体装置。
【請求項１５】
前記発光素子と前記光路変更樹脂体は、同一のリードフレーム上に設けてあることを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれか一に記載の光結合半導体装置。
【請求項１６】
前記リードフレームには、前記光路変更樹脂体と前記発光素子との間に、溝、段差、スリットのいずれかが設けてあることを特徴とする請求項１５に記載の光結合半導体装置。
【請求項１７】
前記発光素子と前記光路変更樹脂体は互いに異なるリードフレーム上に設けてあることを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれか一に記載の光結合半導体装置。
【請求項１８】
発光素子をリードフレームにダイボンドする工程と、前記発光素子から発せられる光を受光する受光素子をリードフレームにダイボンドする工程と、前記発光素子がダイボンドされたリードフレーム及び前記受光素子がダイボンドされたリードフレームを樹脂封止する工程とを備える光結合半導体装置の製造方法において、
前記発光素子の周辺部に、前記発光素子から発せられる光を前記受光素子へと導く光路変更樹脂体を設ける工程を備えることを特徴とする光結合半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
ポッティングにより前記光路変更樹脂体を成形することを特徴とする請求項１８に記載の光結合半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一に記載の光結合半導体装置が搭載してあることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発光素子と、発光素子から発せられる光を受光する受光素子と、発光素子及び受光素子がそれぞれダイボンドされたリードフレームとが樹脂封止されてなる光結合半導体装置、その光結合半導体装置の製造方法、及びその光結合半導体装置が搭載してある電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１１及び図１２を参照しつつ、従来例に係る二重モールドタイプの光結合半導体装置の構造を製造方法とともに説明する。
【０００３】
図１１は、従来例に係る光結合半導体装置の概略構成を示す透視側面図であり、図１２は、図１１のＹ−Ｙ線に沿う断面図（ハッチングは省略）である。
【０００４】
まず、予め折り曲げ加工されたＣｕ合金またはＦｅ合金等の金属材料でできたリードフレーム１１１，１１２の先端部分（ヘッダー部）に、発光素子１２１と受光素子１３１とを各々個別にＡｇペースト等の導電性ペーストのダイボンド材（不図示）によってダイボンドして搭載する。そして、発光素子１２１と受光素子１３１とを、各々の隣接するリードフレーム（発光素子側リードフレーム１１１、受光素子側リードフレーム１１２）にＡｕ線等のワイヤ（発光素子側ワイヤ１８１、受光素子側ワイヤ１８２）でワイヤボンドして結線接続する。
【０００５】
次に、発光素子１２１の全体を、応力緩和用のシリコーン樹脂１７１によってプリコートして被覆する。そして、発光素子１２１と受光素子１３１とがダイボンドされたリードフレーム１１１，１１２を組み合わせ、スポット溶接またはローディングフレームセットすることにより、発光素子１２１と受光素子１３１とをそれぞれ位置決めして対向配置する。この状態で、発光素子１２１から受光素子１３１への光路が形成されるように、透光性エポキシ樹脂にて１次トランスファモールドを行ってインナーパッケージ１４１を形成する。そして、樹脂漏れした余分な箇所の樹脂バリを、バリ抜き用金型やブラスター等により機械的に除去するバリ取りを行う。
【０００６】
次に、外乱光の入射や内部からの光漏れをなくし、発光素子１２１から受光素子１３１への光信号を確実に伝達することができるように、インナーパッケージ１４１の外周の全面に遮光性エポキシ樹脂による２次トランスファモールドを行ってアウターパッケージ１５１を形成する。そして、リードフレーム１１１，１１２のアウターパッケージ１５１から外部に露出した部分に外装めっきを施し、隣接するリードフレーム間を支持し、トランスファモールド等の樹脂封止時の樹脂漏れを低減するよう設けられた補助リード部を切除するタイバーカットを行う。
【０００７】
さらに、パッケージから露出しているリードフレーム１１１，１１２を成形加工して外部端子とするフォーミングを行った後、絶縁耐圧試験（入出力素子間の絶縁性評価）、電気特性検査、外観検査、梱包の各工程を経て、図１１〜図１２に示す構造の光結合半導体装置を完成する。
【０００８】
このような二重モールド構造の光結合半導体装置において、発光素子を保護（プリコート）するためのシリコーン樹脂上に、さらに、追加シリコーン樹脂球状突起をコーティングして二段塗布構造とすることにより、発光素子の光をより強く受光素子へ集光させて光伝達効率を向上させてなる高伝達効率フォトカプラが特許文献１に記載されている。
【０００９】
さらに、特許文献２には、上記したような二重モールド構造の光結合半導体装置において、遮光性樹脂（アウターパッケージ）の内壁の一部に突起壁を備え、さらに突起壁に反射率の高い反射膜を備えることにより、高い光伝達効率を得てなる光結合装置が記載されている。
【特許文献１】特開平５−２５９５０２号公報
【特許文献２】特開平５−２２６６８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１の光結合半導体装置では、シリコーン樹脂の頂点を受光素子に近づけることにより、光伝達効率を向上させているが、その反面、フォトカプラの重要特性である絶縁耐圧が低下するという問題を生じていた。
【００１１】
また、特許文献２の光結合半導体装置では、複雑なモールド金型構造を必要とするため、製造工程が複雑であり、さらに、反射膜が発光素子と受光素子の間まで延長されているため、特許文献１と同様に、絶縁耐圧が低下するという問題を生じていた。
【００１２】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、発光素子の周辺部に、発光素子から発せられる光を受光素子へと導く光路変更樹脂体を設けることにより、高い絶縁耐圧を維持しつつ、高い光伝達効率を得ることができる光結合半導体装置を提供することを目的としている。
【００１３】
また、本発明は、発光素子の周辺部に、発光素子から発せられる光を受光素子へと導く光路変更樹脂体を設ける工程を備えることにより、高い絶縁耐圧を維持しつつ、高い光伝達効率を得ることができる光結合半導体装置の製造方法を提供することを他の目的としている。
【００１４】
さらに、本発明は、本発明に係る光結合半導体装置を搭載することにより、光伝達効率の優れた電子機器を提供することを他の目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明に係る光結合半導体装置は、発光素子と、該発光素子から発せられる光を受光する受光素子と、前記発光素子及び前記受光素子がそれぞれダイボンドされたリードフレームとが樹脂封止されてなる光結合半導体装置において、前記発光素子の周辺部に、前記発光素子から発せられる光を前記受光素子へと導く光路変更樹脂体が設けてあることを特徴とする。
【００１６】
この構成により、発光素子から発せられた光の多くを受光素子で受光することができる。つまり、発光素子の正面方向から発せられた光とともに、発光素子の側面から発せられた光を受光素子で受光して光伝達効率の高い光結合半導体装置とすることができる。
【００１７】
また、光結合半導体の用途に応じて光路変更樹脂体の数、大きさ、形状、位置を適宜設定することで、高い絶縁耐圧を維持しつつ、高い光伝達効率を有する小型の光結合半導体装置を実現することができる。
【００１８】
また、本発明に係る光結合半導体装置では、光路変更樹脂体は、略ドーム型の形状を有することを特徴とする。
【００１９】
この構成により、確実に発光素子から発せられた光を受光素子へと導く光路変更樹脂体を備える光結合半導体装置とすることができる。
【００２０】
また、本発明に係る光結合半導体装置では、光路変更樹脂体は、ポッティングにより成形してあることを特徴とする。
【００２１】
この構成により、費用を抑えて光路変更樹脂体を成形することができる。
【００２２】
また、本発明に係る光結合半導体装置では、前記発光素子を覆う透光性プリコート樹脂体が前記光路変更樹脂体に連接して設けてあることを特徴とする。
【００２３】
この構成により、発光素子の側面から発せられた光は、透光性プリコート樹脂体と光路変更樹脂体との界面での屈折又は反射により確実に受光素子へ導かれることとなるから、より光伝達効率の高い光結合半導体装置とすることができる。
【００２４】
また、本発明に係る光結合半導体装置では、前記光路変更樹脂体は、前記発光素子の各側面方向にそれぞれ設けてあることを特徴とする。
【００２５】
この構成により、発光素子の各側面から発せられた光を受光素子へと導くことができるので、光伝達効率をより高くすることができる。
【００２６】
また、本発明に係る光結合半導体装置では、前記光路変更樹脂体は、前記発光素子の側面方向の全周に沿って連続して設けてあることを特徴とする。
【００２７】
この構成により、発光素子の各側面から発せられた光を確実に受光素子へと導く光路変更樹脂体を備えた光伝達効率の高い光結合半導体装置を簡単に提供することができる。例えば、ポッティングで光路変更樹脂体を成形する際には、発光素子の周囲に略円状を描くように樹脂を１回塗布するだけで、発光素子の周囲に光路変更樹脂体を形成することができるから、複数回の塗布を行って複数の光路変更樹脂体を一定の間隔で形成する場合に比べ、生産性を向上させることができる。
【００２８】
また、本発明に係る光結合半導体装置では、前記光路変更樹脂体の頂点は、前記発光素子の頂点よりも高い位置にあることを特徴とする。
【００２９】
この構成により、より確実に光路変更樹脂体で発光素子の側面から発せられた光を受光素子へと導くことができる。
【００３０】
また、本発明に係る光結合半導体装置では、前記光路変更樹脂体は、前記受光素子の対向位置に設けてあることを特徴とする。
【００３１】
この構成により、発光素子と受光素子の離隔距離（内部絶縁距離）を十分に保った状態で、発光素子の側面から発せられた光を確実に受光素子へと導くことができるから、高い絶縁耐圧を維持しつつ、高い光伝達効率を有する光結合半導体装置を実現することができる。
【００３２】
また、本発明に係る光結合半導体装置では、前記光路変更樹脂体は、チクソ性を有する樹脂で形成してあることを特徴とする。
【００３３】
この構成により、光路変更樹脂体の略ドーム型の形状を維持させておくことができる。
【００３４】
また、本発明に係る光結合半導体装置では、前記光路変更樹脂体は、光反射性樹脂で形成してあることを特徴とする。
【００３５】
この構成により、発光素子の側面より発せられた光は光路変更樹脂体で反射され、反射された光が受光素子の方向へと導かれることとなるから、光伝達効率の高い光結合半導体装置とすることができる。
【００３６】
また、本発明に係る光結合半導体装置では、前記光路変更樹脂体は、酸化チタン含有のシリコーン樹脂で形成してあることを特徴とする。
【００３７】
この構成により、発光素子の側面より発せられた光は、反射効率の高い酸化チタン含有のシリコーン樹脂からなる光路変更樹脂体で反射され、反射された光が受光素子の方向へと導かれることとなる。つまり、光路変更樹脂体での光の反射量が多くなるから、受光素子で受光される光の受光量も多くなり、光伝達効率のより高い光結合半導体装置とすることができる。
【００３８】
また、本発明に係る光結合半導体装置では、前記光路変更樹脂体は、アルミナ含有のシリコーン樹脂で形成してあることを特徴とする。
【００３９】
この構成により、発光素子の側面より発せられた光は、反射効率の高いアルミナ含有のシリコーン樹脂からなる光路変更樹脂体で反射され、反射された光が受光素子の方向へと導かれることとなるから、光伝達効率のより高い光結合半導体装置とすることができる。さらに、アルミナ水和物を含有したシリコーン樹脂は比較的安価であるから、生産価格を低減させることができる。
【００４０】
また、本発明に係る光結合半導体装置では、前記光路変更樹脂体は、酸化マグネシウム含有のシリコーン樹脂で形成してあることを特徴とする。
【００４１】
この構成により、発光素子の側面より発せられた光は、反射効率の高い酸化マグネシウム含有のシリコーン樹脂からなる光路変更樹脂体で反射され、反射された光が受光素子の方向へと導かれることとなるから、光伝達効率のより高い光結合半導体装置とすることができる。
【００４２】
また、酸化マグネシウムを含有したシリコーン樹脂は、酸化チタン又はアルミナを含有したシリコーン樹脂に比べて、高い熱伝導率と高い絶縁性を有していることから、発光素子の発熱量が大きい場合の発光素子の発熱を低減して安定した発光強度を維持することができる。
【００４３】
また、本発明に係る光結合半導体装置では、前記光路変更樹脂体は、透光性樹脂で形成してあることを特徴とする。
【００４４】
この構成により、発光素子の側面から発せられた光は、透過性の光路変更樹脂体で屈折されて受光素子へ導かれることとなるから、光伝達効率の高い光結合半導体装置とすることができる。また、光反射性樹脂により光路変更樹脂体を形成する場合に比べ、生産性を向上させて、生産価格を低減させることが容易である。
【００４５】
また、本発明に係る光結合半導体装置では、前記発光素子と前記光路変更樹脂体は、同一のリードフレーム上に設けてあることを特徴とする。
【００４６】
この構成により、光結合半導体装置の小型化を図ることができる。
【００４７】
また、本発明に係る光結合半導体装置では、前記リードフレームには、前記光路変更樹脂体と前記発光素子との間に溝、段差、スリットのいずれかが設けてあることを特徴とする。
【００４８】
この構成により、発光素子から発せられる光を確実に受光素子へと導く位置に光路変更樹脂体を配置させることができる。
【００４９】
また、本発明に係る光結合半導体装置では、前記発光素子と前記光路変更樹脂体は互いに異なるリードフレーム上に設けてあることを特徴とする。
【００５０】
この構成により、発光素子の形状、大きさ、位置に関係なく、発光素子の側面より発せられた光を確実に受光素子へと導く適確な位置に光路変更樹脂体を設けることができるから、光伝達効率のより高い光結合半導体装置を実現することができる。
【００５１】
本発明に係る光結合半導体装置の製造方法は、発光素子をリードフレームにダイボンドする工程と、前記発光素子から発せられる光を受光する受光素子をリードフレームにダイボンドする工程と、前記発光素子がダイボンドされたリードフレーム及び前記受光素子がダイボンドされたリードフレームを樹脂封止する工程とを備える光結合半導体装置の製造方法において、前記発光素子の周辺部に、前記発光素子から発せられる光を前記受光素子へと導く光路変更樹脂体を設ける工程を備えることを特徴とする。
【００５２】
この構成により、発光素子の正面から発せられる光に加え、発光素子の側面から発せられる光の多くを受光素子で受光することが可能な光伝達効率の高い光結合半導体装置を製造することができる。
【００５３】
また、光路変更樹脂体の数、大きさ、形状、位置を用途に応じて適宜設定することで、絶縁耐圧を維持しつつ高い光伝達効率を有する小型の光結合半導体装置を製造することができる。
【００５４】
また、本発明に係る光結合半導体装置の製造方法では、ポッティングにより前記光路変更樹脂体を成形することを特徴とする。
【００５５】
この構成により、費用を抑えて光路変更樹脂体を成形することができる。
【００５６】
本発明に係る電子機器は、上記した本発明に係る光結合半導体装置が搭載してあることを特徴とする。
【００５７】
この構成により、光伝達効率の高い光結合半導体装置が搭載してあるから、光伝達効率の優れた電子機器とすることができる。
【発明の効果】
【００５８】
本発明に係る光結合半導体装置よれば、発光素子の周辺部に、発光素子から発せられる光を受光素子へと導く光路変更樹脂体が設けてあることから、発光素子から発せられる光の多くを受光素子で受光することができる。つまり、発光素子の正面方向から発せられる光とともに、発光素子の側面から発せられる光を受光素子で受光して光伝達効率の高い光結合半導体装置とすることができるという効果を奏する。
【００５９】
また、光結合半導体の用途に応じて光路変更樹脂体の数、大きさ、形状、位置を適宜設定することで、高い絶縁耐圧を維持しつつ、高い光伝達効率を有する小型の光結合半導体装置を実現することができるという効果を奏する。
【００６０】
また、本発明に係る光結合半導体装置によれば、光路変更樹脂体は略ドーム型の形状を有するから、発光素子から発せられる光を確実に受光素子へ導いて光伝達効率のより高い光結合半導体装置とすることができるという効果を奏する。
【００６１】
また、本発明に係る光結合半導体装置によれば、光路変更樹脂体は、ポッティングで成形してあるから、費用を抑えて光路変更樹脂体を成形することができるという効果を奏する。
【００６２】
また、本発明に係る光結合半導体装置によれば、発光素子を覆う透光性プリコート樹脂体が光路変更樹脂体に連接して設けてあるから、発光素子の側面から発せられる光は、透光性プリコート樹脂体と光路変更樹脂体との界面での屈折又は反射により確実に受光素子へ導かれることとなり、より光伝達効率の高い光結合半導体装置とすることができるという効果を奏する。
【００６３】
また、本発明に係る光結合半導体装置によれば、光路変更樹脂体は、発光素子の各側面方向にそれぞれ設けてあるから、発光素子の各側面から発せられる光を受光素子へと導くことができ、光伝達効率をより高くすることができるという効果を奏する。
【００６４】
また、本発明に係る光結合半導体装置によれば、光路変更樹脂体は、発光素子の側面方向の全周に沿って連続して設けてあるから、発光素子の各側面から発せられる光を確実に受光素子へと導く光路変更樹脂体を備えた光伝達効率の高い光結合半導体装置を簡単に提供することができるという効果を奏する。
【００６５】
また、本発明に係る光結合半導体装置によれば、光路変更樹脂体の頂点は、発光素子の頂点よりも高い位置にあるから、より確実に光路変更樹脂体で発光素子の側面から発せられる光を受光素子へと導くことができるという効果を奏する。
【００６６】
また、本発明に係る光結合半導体装置によれば、光路変更樹脂体は、受光素子の対向位置に設けてあるから、発光素子と受光素子の離隔距離（内部絶縁距離）を十分に保った状態で、発光素子の側面から発せられる光を確実に受光素子へと導くことができ、高い絶縁耐圧と高い光伝達効率を有する光結合半導体装置とすることができるという効果を奏する。
【００６７】
また、本発明に係る光結合半導体装置によれば、光路変更樹脂体は、チクソ性を有する樹脂で形成してあるから、光路変更樹脂体の略ドーム型の形状を維持することができるという効果を奏する。
【００６８】
また、本発明に係る光結合半導体装置によれば、光路変更樹脂体は光反射性樹脂で形成してあるから、発光素子の側面より発せられる光は光路変更樹脂体で反射されて受光素子の方向へと導かれるので、光伝達効率の高い光結合半導体装置とすることができるという効果を奏する。
【００６９】
また、本発明に係る光結合半導体装置によれば、光路変更樹脂体は反射効率の高い酸化チタン含有のシリコーン樹脂で形成してあるから、発光素子の側面より発せられる光の光路変更樹脂体での反射量は多くなり、受光素子で受光される光の受光量は多くなるので、光伝達効率のより高い光結合半導体装置を実現できるという効果を奏する。
【００７０】
また、本発明に係る光結合半導体装置によれば、光路変更樹脂体は反射効率の高いアルミナ含有のシリコーン樹脂で形成してあるから、発光素子の側面より発せられる光の光路変更樹脂体での反射量は多くなり、受光素子で受光される光の受光量は多くなるので、光伝達効率のより高い光結合半導体装置を実現できるという効果を奏する。
【００７１】
また、アルミナ水和物を含有したシリコーン樹脂は比較的安価であるから、光路変更樹脂体をアルミナ含有のシリコーン樹脂で形成することで、生産価格を低減させることができる。
【００７２】
また、本発明に係る光結合半導体装置によれば、光路変更樹脂体は反射効率の高い酸化マグネシウム含有のシリコーン樹脂で形成してあるから、発光素子の側面より発せられる光の光路変更樹脂体での反射量は多くなり、受光素子で受光される光の受光量は多くなるので、光伝達効率のより高い光結合半導体装置を実現できるという効果を奏する。
【００７３】
また、酸化マグネシウムを含有したシリコーン樹脂は、酸化チタン又はアルミナを含有したシリコーン樹脂に比べて、高い熱伝導率と高い絶縁性を有しているから、光路変更樹脂体をアルミナ含有のシリコーン樹脂で形成することで、発光素子の発熱量が大きい場合の発光素子の発熱を低減して安定した発光強度を維持することができる。
【００７４】
また、本発明に係る光結合半導体装置によれば、光路変更樹脂体は透光性樹脂で形成してあるから、発光素子の側面から発せられる光は、透過性の光路変更樹脂体で屈折されて受光素子の方向へ導かれることとなり、光伝達効率の高い光結合半導体装置とすることができるという効果を奏する。
【００７５】
また、光反射性樹脂により光路変更樹脂体を形成する場合に比べ、生産性を向上させて、生産価格を低減させることが容易であるという効果を奏する。
【００７６】
また、本発明に係る光結合半導体装置によれば、発光素子と光路変更樹脂体とは同一のリードフレームに設けてあるから、小型化を図ることができるという効果を奏する。
【００７７】
また、本発明に係る光結合半導体装置によれば、リードフレームには、光路変更樹脂体と発光素子との間に溝、段差、スリットのいずれかが設けてあり、発光素子から発せられる光を確実に受光素子へと導く位置に光路変更樹脂体を配置させることができるという効果を奏する。
【００７８】
また、本発明に係る光結合装置によれば、発光素子と光路変更樹脂体は互いに異なるリードフレーム上に設けてあり、発光素子の形状、大きさ、位置に関係なく、発光素子の側面より発せられた光を確実に受光素子へと導く適確な位置に光路変更樹脂体を設けることができるから、光伝達効率のより高い光結合半導体装置を実現することができるという効果を奏する。
【００７９】
また、本発明に係る光結合半導体装置の製造方法によれば、発光素子の周辺部に、前記発光素子から発せられる光を受光素子へと導く光路変更樹脂体を設ける工程を備えることから、発光素子の正面から発せられる光に加え、発光素子の側面から発せられる光の多くを受光素子で受光することが可能な光伝達効率の高い光結合半導体装置を製造することができるという効果を奏する。
【００８０】
また、本発明に係る光結合半導体装置の製造方法によれば、ポッティングにより光路変更樹脂体を成形することから、費用を抑えて光路変更樹脂体を成形することができるという効果を奏する。
【００８１】
また、本発明に係る電子機器によれば、上記した本発明に係る光伝達効率の高い光結合半導体装置が搭載してあるから、光伝達効率の優れた電子機器とすることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００８３】
＜実施の形態１＞
図１〜図４に示す本実施の形態に係る光結合半導体装置について、製造方法とともに説明する。
【００８４】
図１は実施の形態１に係る光結合半導体装置の概略構成を示す透視側面図であり、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図（ハッチングは省略）である。図３は実施の形態１に係る光結合半導体装置における光路変更樹脂体の配置態様を説明する説明図であり、発光素子の周辺部を示す平面図である。
【００８５】
なお、図３において、発光素子２１は透光性プリコート樹脂体７１で覆われているため、発光素子２１及び発光素子２１の電極８１ｅは点線で示している。
【００８６】
本実施の形態に係る光結合半導体装置は二重モールド構造を有しており、発光素子２１と、発光素子２１から発せられる光を受光する受光素子３１と、発光素子２１及び受光素子３１がそれぞれダイボンドされたリードフレーム（発光素子側リードフレーム１１，受光素子側リードフレーム１２）と、リードフレーム１１，１２を樹脂封止するインナーパッケージ４１と、インナーパッケージ４１の外周を樹脂封止するアウターパッケージ５１とで構成されている。
【００８７】
発光素子２１は、導電性ペースト等のダイボンド材（不図示）にて発光素子側リードフレーム１１の先端部分にダイボンドされている。さらに、発光素子２１は発光素子側リードフレーム１１にワイヤ（発光素子側ワイヤ８１）でワイヤボンドされている。
【００８８】
また、発光素子２１の周辺部には、発光素子２１から発せられる光を受光素子３１へと導く４つの光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４が設けられている。具体的には、光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４は、発光素子２１がダイボンドされている発光素子側リードフレーム１１の上に設けられており、図３に示すように、発光素子２１の各側面方向に１つずつ設けられている。つまり、発光素子２１の各側面から発せられる光が各光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４により受光素子３１へと導かれる構成となっている。
【００８９】
なお、発光素子側リードフレーム１１には、光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４と発光素子３１との間に、溝、段差、又はスリット（不図示）が設けられていることが好ましい。このようにすると、発光素子３１から発せられる光を確実に受光素子２１へと導く位置に光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４を配置させることができる。
【００９０】
また、光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４は透光性樹脂で形成されており、ポッティングにより略ドーム型に成形されている。この際、光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４の頂点は、発光素子２１の頂点より高い位置に位置するように形成されている。つまり、発光素子２１の側面から発せられる光が、光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４により、確実に受光素子３１へと導かれる構成となっている。
【００９１】
また、光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４は、ポッティング後に略ドーム型の形状を維持できるようにチクソ性を有する樹脂で形成してあることが好ましい。具体的には、清浄なガラス上に１ｃｃの樹脂を塗布した時に拡がる直径が１１ｍｍから２７ｍｍの、更に好適には１９ｍｍから２４ｍｍのチクソ性を示す樹脂で形成すると、ポッティング後に光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４の略ドーム型の形状を維持することができる。
【００９２】
また、発光素子２１を覆う透光性プリコート樹脂体７１がポッティングにより、光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４に連接して形成されている。つまり、発光素子２１から発せられる光は、透光性プリコート樹脂体７１と光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４の界面へ入射すると、屈折される構成となっている。なお、透光性プリコート樹脂体７１は、ジャンクションコーティング用のシリコーン樹脂で形成されている。
【００９３】
また、受光素子３１は、発光素子２１と同様に、導電性ペースト等のダイボンド材（不図示）にて受光素子側リードフレーム１２の先端部分にダイボンドされている。さらに、受光素子３１は受光素子側リードフレーム１２にワイヤ（受光素子側ワイヤ８２）でワイヤボンドされている。
【００９４】
また、受光素子側リードフレーム１２と発光素子側リードフレーム１１は、発光素子側リードフレーム１１上の光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４が受光素子側リードフレーム１２上の受光素子３１の対向位置に配置されるようにセットされ、透光性エポキシ樹脂からなるインナーパッケージ４１により樹脂封止されている。
【００９５】
さらに、インナーパッケージ４１の外周は、外乱光の入光や内部からの光漏れが無く、発光素子２１から受光素子３１への光信号伝達ができるように、遮光性エポキシ樹脂からなるアウターパッケージ５１により樹脂封止されている。
【００９６】
上記した本実施の形態に係る光結合半導体装置の製造方法では、従来例に係る光結合半導体装置の製造方法と同様に、発光素子２１を発光素子側リードフレーム１１にダイボンドする工程と、受光素子３１を受光素子側リードフレーム１２にダイボンドする工程と、発光素子側リードフレーム１１及び受光素子側リードフレーム１２をインナーパッケージ４１により樹脂封止し、さらにインナーパッケージ４１の外周をアウターパッケージ５１により樹脂封止する工程とを備える。
【００９７】
加えて、発光素子２１の周辺部に、ポッティングにより略ドーム型に光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４を設ける工程を備えることにより、費用を抑えて光伝達効率の高い光結合半導体装置を製造することを可能としている。
【００９８】
さらに、本実施の形態に係る光結合半導体装置は、従来例に係る光結合半導体装置と同様に、リードフレームの外装めっき（リードフレームに始めからめっき表面処理を施している場合は省略）、タイバーカット、フォーミングを経て完成される。
【００９９】
図４は、実施の形態１に係る光結合半導体装置において、発光素子から発せられる光の光路を説明する説明図である。
【０１００】
発光素子２１の正面から発せられた光は、図中矢符Ｌ１、Ｌ２で示すように、透光性プリコート樹脂体７１を経由して受光素子の方向へと導かれる。
【０１０１】
また、発光素子２１の側面から発せられた光は、光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４により図中矢符Ｌ３、Ｌ４の方向へと導かれる。具体的には、発光素子２１の側面から発せられた光は、まず、透光性プリコート樹脂体７１を経由して光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４へと導かれ、光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４へと導かれた光は、光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４と透光性プリコート樹脂体７１との界面Ｆ１で屈折し、さらに、インナーパッケージ４１を形成する透光性エポキシ樹脂と光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４との界面Ｆ２で屈折して、受光素子の方向へと導かれる。
【０１０２】
従って、受光素子３１では、発光素子２１の正面から発せられた光とともに、発光素子２１の側面から発せられた光を受光することができるので、光伝達効率は高くなる。
【０１０３】
＜実施の形態２＞
図５は、実施の形態２に係る光結合半導体装置において、発光素子から発せられた光の光路を説明する説明図である。
【０１０４】
なお、本実施の形態に係る光結合半導体装置の構成は、図１〜図３で示した実施の形態１に係る光結合半導体装置と同じであるため、図を省略する。
【０１０５】
本実施の形態に係る光結合半導体装置は、実施の形態１と同様に、発光素子２１と、発光素子２１から発せられる光を受光する受光素子３１と、発光素子２１及び受光素子３１がそれぞれダイボンドされたリードフレーム（発光素子側リードフレーム１１，受光素子側リードフレーム１２）と、リードフレーム１１，１２を樹脂封止するインナーパッケージ４１と、インナーパッケージ４１の外周を樹脂封止するアウターパッケージ（不図示）とで構成される二重モールド構造を有しており、発光素子２１の周辺部に、発光素子２１から発せられる光を受光素子３１へと導く光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４を備えている。
【０１０６】
また、発光素子２１と受光素子３１は、各々の隣接するリードフレーム（発光素子側リードフレーム１１、受光素子側リードフレーム１２）にＡｕ線等のワイヤ（発光素子側ワイヤ８１、受光素子側ワイヤ（不図示））でワイヤボンドされている。
【０１０７】
光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４は、実施の形態１と同様に、発光素子２１の各側面方向にそれぞれ１つずつ、計４つ設けられており、さらに、透光性プリコート樹脂体７１がそれら４つの光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４に連接して設けられている（図３参照）。
【０１０８】
ただし、本実施の形態では、光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４は光反射性樹脂で形成されており、この点で実施の形態１と異なる。
【０１０９】
発光素子２１の正面から発せられた光は、図５の矢符Ｌ１、Ｌ２で示すように、透光性プリコート樹脂体７１を経由して受光素子の方向へと導かれる。
【０１１０】
また、発光素子２１の側面から発せられた光は、光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４により図５の矢符Ｌ３、Ｌ４の方向へと導かれて受光素子３１に到達する。具体的には、発光素子２１の側面から発せられた光は、まず、透光性プリコート樹脂体７１を経由して光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４へと導かれ、光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４へと導かれた光は、光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４と透光性プリコート樹脂体７１との界面Ｆ１で反射され、反射された光が受光素子３１の方向へと導かれる。
【０１１１】
従って、受光素子３１では、発光素子２１の正面から発せられた光とともに、発光素子２１の側面から発せられた光を受光することができるので、光伝達効率は高くなる。
【０１１２】
光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４を形成する光反射性樹脂としては、酸化チタン含有のシリコーン樹脂、アルミナ含有のシリコーン樹脂、又は酸化マグネシウム含有のシリコーン樹脂が用いられていることが好ましい。
【０１１３】
酸化チタン含有のシリコーン樹脂、アルミナ含有のシリコーン樹脂、及び酸化マグネシウム含有のシリコーン樹脂は、いずれも高い反射率を有している。よって、酸化チタン含有のシリコーン樹脂、アルミナ含有のシリコーン樹脂、又は酸化マグネシウム含有のシリコーン樹脂で形成された光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４は、発光素子２１から発せられ、光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４へ入射した光を多く反射させることができる。つまり、発光素子２１から発せられ、光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４に入射した光の反射量が多くなるので、受光素子３１で受光される光の受光量も多くなり、高い光伝達効率を得ることができる。
【０１１４】
また、アルミナ水和物を含有したシリコーン樹脂は比較的安価であるため、アルミナ含有のシリコーン樹脂で光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４を形成すると、生産価格を抑えることができる。
【０１１５】
さらに、酸化マグネシウム含有のシリコーン樹脂は、酸化チタン含有のシリコーン樹脂又はアルミナ含有のシリコーン樹脂に比べて、高い熱伝導率と高い絶縁性を有している。このため、酸化マグネシウム含有のシリコーン樹脂で光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４を形成すると、発光素子２１の発熱量が大きい場合の発光素子２１の発熱を低減させて安定した発光強度を維持させることができる。
【０１１６】
＜実施の形態３＞
図６は、実施の形態３に係る光結合半導体装置の概略構成を示す透視側面図である。
【０１１７】
本実施の形態に係る光結合半導体装置の基本構成は、実施の形態１及び実施の形態２に係る光結合半導体装置と同様の構成となっている。
【０１１８】
つまり、本実施の形態に係る光結合半導体装置は、発光素子２１と、発光素子２１から発せられる光を受光する受光素子３１と、発光素子２１及び受光素子３１がそれぞれダイボンドされたリードフレーム（発光素子側リードフレーム１１，受光素子側リードフレーム１２）と、リードフレーム１１，１２を樹脂封止するインナーパッケージ４１と、インナーパッケージ４１の外周を樹脂封止するアウターパッケージ５１とで構成される二重モールド構造を有しており、発光素子２１の周辺部に、発光素子２１から発せられる光を受光素子３１へと導く光路変更樹脂体６５を備えている。
【０１１９】
また、発光素子２１と受光素子３１は、各々の隣接するリードフレーム（発光素子側リードフレーム１１、受光素子側リードフレーム１２）にＡｕ線等のワイヤ（発光素子側ワイヤ８１、受光素子側ワイヤ８２）でワイヤボンドされている。
【０１２０】
以下、主に実施の形態１及び実施の形態２に係る光結合半導体装置と異なる点について説明する。
【０１２１】
光路変更樹脂体６５は、発光素子の一側面の側面方向に１つだけ設けられており、受光素子３１と対向する位置に配置されている。そして、光路変更樹脂体６５に連接して発光素子２１を覆う透光性プリコート樹脂体７１が設けられている。
【０１２２】
また、光路変更樹脂体６５は、実施の形態１と同様の透光性樹脂、又は実施の形態２と同様の光反射性樹脂で形成されている。
【０１２３】
このような光結合半導体装置は、発光素子搭載エリアが狭く、光路変更樹脂体６５を発光素子２１の各側面方向に設けられないような場合に有用であり、発光素子２１の一側面の側面方向にのみ光路変更樹脂体６５を設けることで、実施の形態１及び実施の形態２に比べてインナーパッケージ４１及びアウターパッケージ５１を小型化することができる。
【０１２４】
このため、本実施の形態に係る光結合半導体装置は、高い光伝達効率を有した小型の光結合半導体装置となる。
【０１２５】
また、本実施の形態では、絶縁耐圧を確保するために発光素子２１と受光素子３１との離隔距離（内部絶縁距離）を大きくした場合にも、光路変更樹脂封止体６５を受光素子３１の対向位置に設けることで、発光素子２１の側面から発せられた光を確実に受光素子３１へと導いて高い光伝達効率を得ることができる。
【０１２６】
よって、発光素子２１と受光素子３１との離隔距離が大きいほど上位の絶縁性規格（ダブルプロテクト）が認定される安全規格認証機関ＶＤＥにおける安全規格認証上優位な設計が可能となる。
【０１２７】
＜実施の形態４＞
図７は、実施の形態４に係る光結合半導体装置の概略構成を示す透視側面図である。図８は、実施の形態４に係る光結合半導体装置における光路変更樹脂体の配置態様を説明する説明図であり、発光素子の周辺部を示す平面図である。
【０１２８】
なお、図８において、発光素子２１は透光性プリコート樹脂体７１で覆われているため、発光素子２１及び発光素子２１の電極８１ｅは点線で示している。
【０１２９】
本実施の形態に係る光結合半導体装置の基本構成は、実施の形態１乃至実施の形態３に係る光結合半導体装置と同様の構成となっている。
【０１３０】
つまり、本実施の形態に係る光結合半導体装置は、発光素子２１と、発光素子２１から発せられる光を受光する受光素子３１と、発光素子２１及び受光素子３１がそれぞれダイボンドされたリードフレーム（発光素子側リードフレーム１１，受光素子側リードフレーム１２）と、リードフレーム１１，１２を樹脂封止するインナーパッケージ４１と、インナーパッケージ４１の外周を樹脂封止するアウターパッケージ５１とで構成される二重モールド構造を有しており、発光素子２１の周辺部に、発光素子２１から発せられる光を受光素子３１へと導く光路変更樹脂体６６，６７を備えている。
【０１３１】
また、発光素子２１と受光素子３１は、各々の隣接するリードフレーム（発光素子側リードフレーム１１、受光素子側リードフレーム１２）にＡｕ線等のワイヤ（発光素子側ワイヤ８１、受光素子側ワイヤ８２）でワイヤボンドされている。
【０１３２】
以下、主に実施の形態１乃至実施の形態３に係る光結合半導体装置と異なる点について説明する。
【０１３３】
発光素子２１の周辺部には、２つの光路変更樹脂体６６，６７が設けられている。具体的には、図８に示すように、発光素子２１の相対向する２つの側面方向に１つずつ楕円状に設けられている。なお、光路変更樹脂体６６，６７の楕円の長軸の長さＷ１は発光素子２１の側面の幅Ｗ２よりも長くしてあり、発光素子２１の各側面から発せられた光は、２つの光路変更樹脂体６６，６７により受光素子３１へと導かれる構成となっている。
【０１３４】
また、光路変更樹脂体６６，６７は、透光性樹脂又は光反射性樹脂で形成されている。
【０１３５】
このような、本実施の形態に係る光結合半導体装置では、４つの光路変更樹脂体を備える実施の形態１又は実施の形態２に比べて少ないポッティング回数で光路変更樹脂体６６，６７を形成できるので、製造における生産効率がよい。
【０１３６】
＜実施の形態５＞
図９は、実施の形態５に係る光結合半導体装置における光路変更樹脂体の配置態様を説明する説明図であり、発光素子の周辺部を示す平面図である。
【０１３７】
なお、図９において、発光素子２１は透光性プリコート樹脂体７１で覆われているため、発光素子２１及び発光素子２１の電極８１ｅは点線で示している。
【０１３８】
本実施の形態に係る光結合半導体装置の基本構成は、実施の形態１乃至実施の形態４に係る光結合半導体装置と同様の構成となっている。
【０１３９】
つまり、本実施の形態に係る光結合半導体装置は、発光素子２１と、発光素子２１から発せられる光を受光する受光素子（不図示）と、発光素子２１及び受光素子がそれぞれダイボンドされたリードフレーム（不図示）と、リードフレームを樹脂封止するインナーパッケージ（不図示）と、インナーパッケージの外周を樹脂封止するアウターパッケージ（不図示）とで構成される二重モールド構造を有しており、発光素子２１の周辺部に、発光素子２１から発せられる光を受光素子へと導く光路変更樹脂体６８を備えている。
【０１４０】
また、発光素子２１と受光素子３１は、各々の隣接するリードフレーム（発光素子側リードフレーム１１、受光素子側リードフレーム１２）にＡｕ線等のワイヤ（不図示）でワイヤボンドされている。
【０１４１】
以下、主に実施の形態１乃至実施の形態４に係る光結合半導体装置と異なる点について説明する。
【０１４２】
光路変更樹脂体６８は、発光素子２１の側面方向の全周に沿って連続して設けられている。つまり、発光素子２１の周囲に略円状を描くように樹脂が１回ポッティングされて光路変更樹脂体６８が形成された構成となっている。
【０１４３】
なお、光路変更樹脂体６８は、断面形状が略ドーム型となっており、また、全体形状としても略ドーム型となっている。
【０１４４】
また、光路変更樹脂体６８は、透光性樹脂又は光反射性樹脂で形成されている。
【０１４５】
このような本実施の形態に係る光結合半導体装置では、発光素子２１の各側面から発せられた光を受光素子へと導く光路変更樹脂体６８を備えることにより、高い光伝達効率を得ている。
【０１４６】
また、複数回のポッティングにより複数の光路変更樹脂体６８が形成された光結合半導体装置（図３、図８参照）に比べ、少ないポッティング回数で光路変更樹脂体６８を形成することができるので、製造における生産効率がよい。
【０１４７】
＜実施の形態６＞
図１０は、実施の形態６に係る光結合半導体装置の概略構成を示す断面図（ハッチングは省略）である。
【０１４８】
本実施の形態に係る光結合半導体装置の基本構成は、実施の形態１乃至実施の形態５に係る光結合半導体装置と同様の構成となっている。
【０１４９】
つまり、本実施の形態に係る光結合半導体装置は、発光素子２１と、発光素子２１から発せられる光を受光する受光素子３１と、発光素子２１及び受光素子３１がそれぞれダイボンドされたリードフレーム（発光素子側リードフレーム１１，受光素子側リードフレーム１２）と、リードフレーム１１，１２を樹脂封止するインナーパッケージ４１と、インナーパッケージ４１の外周を樹脂封止するアウターパッケージ５１とで構成される二重モールド構造を有しており、発光素子２１の周辺部に、発光素子２１から発せられる光を受光素子３１へと導く光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４を備えている。
【０１５０】
また、発光素子２１と受光素子３１は、各々の隣接するリードフレーム（発光素子側リードフレーム１１、受光素子側リードフレーム１２）にＡｕ線等のワイヤ（発光素子側ワイヤ８１、受光素子側ワイヤ（不図示））でワイヤボンドされている。
【０１５１】
以下、主に実施の形態１乃至実施の形態５に係る光結合半導体装置と異なる点について説明する。
【０１５２】
光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４は、実施の形態１又は実施の形態２と同様に（図３参照）、発光素子２１の各側面方向に１つずつ、計４つ設けられている。
【０１５３】
また、実施の形態１乃至実施の形態５と異なり、光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４は、発光素子２１がダイボンドされたリードフレーム（発光素子側リードフレーム１１）とは別のリードフレーム１３,１４の平面上に設けられている。つまり、発光素子２１の形状、大きさ、位置に関係なく、発光素子２１より発せられる光を確実に受光素子３１へと導く位置に光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４を設けることができる構成となっている。
【０１５４】
なお、本実施の形態では、発光素子側リードフレーム１１とは別のリードフレームに設けられた光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４が、実施の形態１と同様に発光素子２１の各側面方向に配置されているが（図３参照）、発光素子側リードフレーム１１とは別のリードフレームに設けられた光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４が、実施の形態３乃至実施の形態５（図６〜図９参照）に示したように配置されていてもよい。
【０１５５】
また、光路変更樹脂体６１，６２，６３，６４は、透過性樹脂で形成されたものであっても、光反射性樹脂で形成されたものであってもよい。
【０１５６】
＜実施の形態７＞
本実施の形態に係る電子機器（不図示）は、実施の形態１乃至実施の形態６のいずれかに記載した光結合半導体装置を搭載したものである。光伝達効率の高い光結合半導体装置を搭載することから、光伝達効率の優れた電子機器となっている。
【図面の簡単な説明】
【０１５７】
【図１】本発明の実施の形態１に係る光結合半導体装置の概略構成を示す透視側面図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る光結合半導体装置における光路変更樹脂体の配置態様を説明する説明図であり、発光素子の周辺部を示す平面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る光結合半導体装置において、発光素子から発せられた光の光路を説明する説明図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る光結合半導体装置において、発光素子から発せられた光の光路を説明する説明図である。
【図６】本発明の実施の形態３に係る光結合半導体装置の概略構成を示す透視側面図である。
【図７】本発明の実施の形態４に係る光結合半導体装置の概略構成を示す透視側面図である。
【図８】本発明の実施の形態４に係る光結合半導体装置における光路変更樹脂体の配置態様を説明する説明図であり、発光素子の周辺部を示す平面図である。
【図９】本発明の実施の形態５に係る光結合半導体装置における光路変更樹脂体の配置態様を説明する説明図であり、発光素子の周辺部を示す平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態６に係る光結合半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図１１】従来例に係る光結合半導体装置の概略構成を示す透視側面図である。
【図１２】図１１のＹ−Ｙ線に沿う断面図である。
【符号の説明】
【０１５８】
１１  発光素子側リードフレーム
１２  受光素子側リードフレーム
１３、１４  リードフレーム（光路変更樹脂体の搭載用）
２１  発光素子
３１  受光素子
４１  インナーパッケージ
５１  アウターパッケージ
６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８  光路変更樹脂体
７１  透光性プリコート樹脂体
８１  発光素子側ワイヤ
８１ｅ  発光素子の電極
８２  受光素子側ワイヤ
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４  光路
Ｆ１、Ｆ２  界面
Ｗ１  楕円状の光路変更樹脂体の長軸の長さ
Ｗ２  発光素子の側面の長さ
【図１】
2008042012.tif 000003
【図２】
2008042012.tif 000004
【図３】
2008042012.tif 000005
【図４】
2008042012.tif 000006
【図５】
2008042012.tif 000007
【図６】
2008042012.tif 000008
【図７】
2008042012.tif 000009
【図８】
2008042012.tif 000010
【図９】
2008042012.tif 000011
【図１０】
2008042012.tif 000012
【図１１】
2008042012.tif 000013
【図１２】
2008042012.tif 000014