(57)【要約】【課題】デマルチプレクサ方式を用いて走査線を駆動する場合に、２行以上の走査線を同時に順番にアクティブレベルとする。【解決手段】アドレス信号Ａd- 1、Ａd-2、Ａd-3、…、Ａd-80は、３行の走査線グループを、単独で、または、重複しながらアドレスする。１〜６行のＴＦＴ３６のゲート電極には、この順番でセレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-6が供給される。ここで、アドレス信号により３または６行がアドレスされたとき、アドレスされた３または６行のＴＦＴ３６を２個、互いに異なるセレクト信号にしたがってオンさせる。【選択図】図３
2008151986.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍ（ｍは２以上の整数）行毎にグループ化された複数行の走査線と、複数列のデータ線
と、前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、前記走査
線の論理レベルがアクティブレベルとなったときに、前記データ線に供給されたデータ信
号に応じた階調となる画素と、を有する電気光学装置に対し、前記複数行の走査線を選択
して、当該選択した走査線の論理レベルをアクティブレベルとする走査線駆動回路であっ
て、
前記グループに属するｍ行の走査線をアドレスして、論理レベルがアクティブレベルの
アドレス信号を、前記グループの各々に対応する出力線に供給するアドレス信号出力回路
と、
前記複数行の走査線のそれぞれに対応して設けられるとともにセレクト信号に基づいて
オンするスイッチを含み、各スイッチは、一端が自身の属するグループの出力線に接続さ
れ、他端が自身に対応する走査線に接続されたデマルチプレクサと、
を具備し、
前記アドレス信号によりｍ行または２ｍ行の走査線がアドレスされたとき、当該アドレ
スされた走査線に対応するスイッチは、互いに異なるセレクト信号にしたがって少なくと
も２個以上同時オンする
ことを特徴とする電気光学装置の走査線駆動回路。
【請求項２】
前記複数行の走査線のそれぞれに対応して設けられたスイッチは、自身の行における本
書込と、当該本書込の前の予備書込とにおいてオンし、
前記本書込は、前記複数行の走査線において所定の順番で実行される
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の走査線駆動回路。
【請求項３】
前記階調が黒レベルの書込において前記アドレス信号によりｍ行または２ｍ行の走査線
がアドレスされたとき、当該アドレスされた走査線のうち、奇数行または偶数行の２行以
上に対応するスイッチが同時オンする
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の走査線駆動回路。
【請求項４】
ｍ（ｍは２以上の整数）行毎にグループ化された複数行の走査線と、複数列のデータ線
と、前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、前記走査
線の論理レベルがアクティブレベルとなったときに、前記データ線に供給されたデータ信
号に応じた階調となる画素と、を有する電気光学装置に対し、前記複数行の走査線を選択
して、当該選択した走査線の論理レベルをアクティブレベルとする走査線駆動回路と、
前記アクティブレベルとされた走査線に対応する画素の階調に応じたデータ信号を、前
記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備し、
前記走査線駆動回路は、
前記グループに属するｍ行の走査線をアドレスして、論理レベルがアクティブレベルの
アドレス信号を、前記グループの各々に対応する出力線に供給するアドレス信号出力回路
と、
前記複数行の走査線のそれぞれに対応して設けられるとともにセレクト信号に基づいて
オンするスイッチを含み、各スイッチは、一端が自身の属するグループの出力線に接続さ
れ、他端が自身に対応する走査線に接続されたデマルチプレクサと、
を具備し、
前記アドレス信号によりｍ行または２ｍ行の走査線がアドレスされたとき、当該アドレ
スされた走査線に対応するスイッチは、互いに異なるセレクト信号にしたがって少なくと
も２個以上同時オンする
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デマルチプレクサを用いて、走査線を駆動する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの電気光学装置では、複数行の走査線と複数列のデータ線との交差に対応して
画素が設けられる。画素は、自身に対応する走査線がアクティブレベル（例えばＨレベル
）になったときに、自身に対応するデータ線の電圧（または電流）に応じた階調となり、
当該走査線がノン・アクティブレベル（アクティブレベルがＨレベルであれば、Ｌレベル
）になっても、その階調を維持する構成となっている。したがって、複数行の走査線を所
定の順番でアクティブレベルにする一方、当該アクティブレベルとした走査線に位置する
画素に対し、階調に応じた電圧（または電流）を、データ線を介して供給することにより
、目的とする画像を表示させることができる。
【０００３】
ここで、複数行の走査線を所定の順番でアクティブレベルにする回路は、走査線駆動回
路と呼ばれ、一般的にはシフトレジスタが用いられる。このような走査線駆動回路につい
ては、外付けの集積回路を実装するよりも、画素と同じスイッチング素子で構成した、い
わゆる周辺回路内蔵型の方が、プロセスの共用化による製造効率の向上などの面において
有利とされる。
ところで、シフトレジスタは、ｐチャネル型のトランジスタとｎチャネル型のトランジ
スタとを組み合わせた相補型の論理回路（インバータやクロックドインバータ）を有する
が、ｐチャネル型とｎチャネル型とで電気的特性が揃わないと、貫通電流が流れてしまう
などの不都合が発生する。
そこで、走査線を複数行（例えば３行）毎にグループ化するとともに、各走査線にスイ
ッチとしてのトランジスタ（ＴＦＴ）を設けて、これらのグループを１つずつアドレス信
号でアドレスするとともに、アドレスしたグループにおける複数行の走査線のスイッチを
、セレクト信号により順番に１つずつオンさせて、走査線を１行ずつ順番にアクティブレ
ベルとさせる、いわゆるデマルチプレクサ方式が提案されている（例えば特許文献１参照
）。
【特許文献１】特開２００２−１６９５１８号公報（特に図１参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一方、走査線をアクティブレベルとして、階調に応じた電圧を画素に書き込む前に、当
該走査線よりも数行前の走査線がアクティブレベルとなったときにも、当該走査線をアク
ティブレベルとして、階調に応じた電圧と同極性の電圧を予め書き込んで、階調に応じた
電圧を書き込む時間の短縮化を図った駆動方法が提案されている。この駆動方法は、同時
に２行の走査線がアクティブレベルとなるので、ダブルオン駆動とも呼ばれる。
ここで、デマルチプレクサ方式では、上述したように走査線を１行ずつ順番にアクティ
ブレベルとさせるので、そのままでは、同時に２行以上の走査線をアクティブレベルとす
ることができない、という問題が生じた。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、デマルチ
プレクサ方式を用いて、同時に２行以上の走査線をアクティブレベルとすることが可能な
電気光学装置、走査線駆動回路および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明に係る走査線駆動回路にあっては、ｍ（ｍは２以上
の整数）行毎にグループ化された複数行の走査線と、複数列のデータ線と、前記複数行の
走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、前記走査線の論理レベルが
アクティブレベルとなったときに、前記データ線に供給されたデータ信号に応じた階調と
なる画素と、を有する電気光学装置に対し、前記複数行の走査線を選択して、当該選択し
た走査線の論理レベルをアクティブレベルとする走査線駆動回路であって、前記グループ
に属するｍ行の走査線をアドレスして、論理レベルがアクティブレベルのアドレス信号を
、前記グループの各々に対応する出力線に供給するアドレス信号出力回路と、前記複数行
の走査線のそれぞれに対応して設けられるとともにセレクト信号に基づいてオンするスイ
ッチを含み、各スイッチは、一端が自身の属するグループの出力線に接続され、他端が自
身に対応する走査線に接続されたデマルチプレクサと、を具備し、前記アドレス信号によ
りｍ行または２ｍ行の走査線がアドレスされたとき、当該アドレスされた走査線に対応す
るスイッチは、互いに異なるセレクト信号にしたがって少なくとも２個以上同時オンする
ことを特徴とする。この構成によれば、デマルチプレクサ方式をおいて、同時に２行以上
の走査線がアクティブレベルとなる。
【０００６】
本発明において、前記複数行の走査線のそれぞれに対応して設けられたスイッチは、自
身の行における本書込と、当該本書込の前の予備書込とにおいてオンし、前記本書込は、
前記複数行の走査線において所定の順番で実行される構成としても良い。
また、本発明において、前記階調が黒レベルの書込において前記アドレス信号によりｍ
行または２ｍ行の走査線がアドレスされたとき、当該アドレスされた走査線のうち、奇数
行または偶数行の２行以上に対応するスイッチが同時オンする構成としても良い。なお、
本書込、予備書込、黒レベルの書込の用語について、その意味内容については後述する。
本発明は、電気光学装置の走査線駆動回路のみならず、電気光学装置としても、また、
当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００８】
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る走査線駆動回路を適用した電気光学装置の全体構成を示す
図である。
この図に示されるように、この電気光学装置１は、表示パネル１０と、制御回路２０と
に大別される。このうち、表示パネル１０では、特に図示しないが、素子基板と対向基板
とが、互いに電極形成面が対向するように、一定の間隙を保って貼り合わせられるととも
に、この間隙に例えばＴＮ（twisted nematic）型の液晶を封入した構成となっている。
表示パネル１０の素子基板には、後述する画素のＴＦＴとともに、アドレス信号出力回
路３２およびデマルチプレクサ３４の構成素子が共通プロセスによって形成される一方、
半導体チップであるデータ線駆動回路５０が、ＣＯＧ技術等により実装されている。なお
、表示パネル１０には、各種の制御信号が制御回路２０からＦＰＣ（Flexible Printed C
ircuit）基板等を介して、アドレス信号出力回路３２や、デマルチプレクサ３４、データ
線駆動回路５０等に供給される。
【０００９】
表示パネル１０は表示領域１００を有する。この表示領域１００には、本実施形態では
、２４０行の走査線１１２が行（Ｘ）方向に延在するように設けられ、また、３２０列の
データ線１１４が列（Ｙ）方向に延在するように、かつ、各走査線１１２と互いに電気的
な絶縁を保つように設けられている。
ここで、本実施形態では、２４０行の走査線１１２が４行毎にブロック化されている。
このため、走査線のブロック数は、２４０を「４」で除した「６０」となる。
画素１１０は、２４０行の走査線１１２と３２０列のデータ線１１４との交差部に対応
して、それぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素１１０が表示領域１０
０において縦２４０行×横３２０列でマトリクス状に配列することになる。
【００１０】
ここで、画素１１０の構成について説明する。図２は、画素１１０の構成を示す図であ
り、ｉ行及びこれに下方向で隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに右方向で隣接する
（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。
なお、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって
、本実施形態では、１≦ｉ≦２４０を満たす整数である。また、ｊ、（ｊ＋１）は、画素
１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、本実施形態では、１≦ｉ≦３２
０を満たす整数である。
【００１１】
図２に示されるように、各画素１１０は、画素のスイッチング素子であるｎチャネル型
薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１１６と、
画素容量（液晶容量）１２０と、蓄積容量１３０とを有する。各画素１１０については、
互いに同一構成である。このため、１つの画素に着目すると、当該着目画素１１０におい
て、ＴＦＴ１１６のゲート電極は、自身に対応する走査線１１２に接続される一方、その
ソース電極は自身に対応するデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は画素容量１
２０の一端たる画素電極１１８と、蓄積容量１３０の一端とにそれぞれ接続されている。
画素容量１２０の他端はコモン電極１０８である。このコモン電極１０８は、図１に示
されるように全ての画素１１０にわたって共通であり、本実施形態では、時間的に一定の
電圧ＬＣcomに保たれている。
一方、蓄積容量１３０の他端は容量線１３２である。この容量線１３２は、図１におい
て図示省略されているが、例えばコモン電極１０８と同じ電圧ＬＣcomに保たれている。
なお、容量線１３２は、電圧ＬＣcom以外に保たれる構成であっても良い。
【００１２】
表示領域１００は、画素電極１１８が形成された素子基板とコモン電極１０８が形成さ
れた対向基板との一対の基板同士を、電極形成面が互いに対向するように一定の間隙を保
って貼り合わせるとともに、この間隙に液晶１０５を封止した構成となっている。このた
め、画素容量１２０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とで誘電体の一種である液晶
１０５を挟持したものとなって、画素電極１１８とコモン電極１０８との差電圧を保持す
る構成となっている。この構成において、画素容量１２０の透過光量は、当該保持電圧の
実効値に応じて変化する。
なお、本実施形態では説明の便宜上、画素容量１２０において保持される電圧実効値が
ゼロに近ければ、光の透過率（または反射率）が最大となって白色表示になる一方、電圧
実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小の黒色表示
になるノーマリーホワイトモードであるとする。
【００１３】
説明を再び図１に戻すと、走査線駆動回路３０は、アドレス信号出力回路３２とデマル
チプレクサ３４とにより構成され、１〜２４０行の走査線１１２を駆動するものである。
このうち、アドレス信号出力回路３２は、制御回路２０による制御にしたがって３行の走
査線をアドレスするためのアドレス信号を生成するものである。ここで、走査線１１２に
ついては上述したように４行毎にブロック化されているが、アドレス信号については３行
毎にグループ化されている（後述する図３参照）。このため、アドレス信号出力回路３２
は、アドレス信号Ａd-1、Ａd-2、Ａd-3、…、Ａd-80を、３行毎にグループ化された走査
線に対応して出力することになる。
【００１４】
アドレス信号Ａd-1、Ａd-2、Ａd-3、…、Ａd-80は、図４に示されるような波形である
。詳細には、アドレス信号Ａd-1、Ａd-2、Ａd-3、…、Ａd-80は、期間ｐよりも狭い期間
ｑのパルス幅を有するパルスが５つ連続したものであり、隣接するアドレス信号同士では
、後端の２つのパルスと前端のパルスとが互いに重複して出力される関係にある。例えば
、アドレス信号Ａd-2の後端２つのパルスと、アドレス信号Ａd-3の前端２つのパルスとは
、期間ｔ7、ｔ8とにおいてそれぞれ重複して出力される。
なお、ｐ毎に区切られる期間については、アドレス信号Ａd-1において最初のパルスが
出力される期間をｔ1とし、以下順番にｔ2、ｔ3、ｔ4とし、アドレス信号Ａd-80において
最後のパルスが出力される期間をｔ242としている。また、便宜的に、期間ｔ3を垂直走査
期間（フレーム）の開始とし、当該期間ｔ3から期間ｔ242までを垂直有効表示期間として
いる。したがって、期間ｔ242の終了から期間ｔ2までの終了までが垂直帰線期間Ｆbとな
る。
【００１５】
デマルチプレクサ３４は、制御回路２０によるセレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-6にしたがい
アドレス信号出力回路３２によるアドレス信号Ａd-1〜Ａd-80を分配等することによって
、各走査線１１２に走査信号を供給するものである。
【００１６】
図３は、デマルチプレクサ３４の構成を示す図である。この図に示されるように、デマ
ルチプレクサ３４は、各行の走査線１１２に対応して設けられたｎチャネル型ＴＦＴ３６
の集合体である。
制御回路２０によるアドレス信号Ａd-1、Ａd-2、Ａd-3、…、Ａd-80は、グループに対
応する出力線３３に供給された後、それぞれ３分岐して、ＴＦＴ３６の各々のソース電極
に供給される。一方、ＴＦＴ３６のゲート電極には、セレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-6のいず
れかが、次のような関係で供給される。すなわち、１、２、３、４、５、６行目に対応す
るＴＦＴ３６のゲート電極には、セレクト信号Ｓel-1、Ｓel-2、Ｓel-3、Ｓel-4、Ｓel-5
、Ｓel-6が供給され、以下、７行目以降も６行を単位とするパターンの繰り返しで供給さ
れる。
そして、各ＴＦＴ３６のドレイン電極が、自身に対応する走査線１１２に接続されてい
る。ここで、１、２、３、…、２４０行目のＴＦＴ３６のドレイン電極から出力される信
号が、走査信号Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、…、Ｇ240である。
【００１７】
セレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-6は、図４に示されるような波形である。詳細には、セレク
ト信号Ｓel-1〜Ｓel-6は、それぞれ期間ｐの６倍の周期を有する信号であり、最初に期間
ｐだけＨレベルとなり、次に期間ｐだけＬレベルとなり、再び期間ｐだけＨレベルとなっ
て、この後、期間３ｐだけＬレベルとなる信号である。
このうち、セレクト信号Ｓel-1は、期間ｔ1、ｔ3においてＨレベルとなり、セレクト信
号Ｓel-2〜Ｓel-6は、セレクト信号Ｓel-1に対して、位相を６０度ずつ順番に遅延させた
関係にある。ただし、セレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-6は、垂直帰線期間Ｆbにおいては、す
べてＬレベルとなる。
【００１８】
さて、図１において、データ線駆動回路５０は、アクティブレベルであるＨレベルとな
った走査線１１２のうち、本書込の走査線に位置する画素１１０の階調に応じた電圧のデ
ータ信号ｄ1、ｄ2、ｄ3、…、ｄ320を、１、２、３、…、３２０列目のデータ線１１４に
それぞれ供給するものである。
ここで、データ線駆動回路５０は、縦２４０行×横３２０列のマトリクス配列に対応し
た記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれに対応する画素１１０の階調
値（明るさ）を指定する表示データＤaが記憶される。各記憶領域に記憶される表示デー
タＤaは、表示内容に変更が生じた場合に、制御回路２０によってアドレスとともに変更
後の表示データＤaが供給されて書き換えられる。
データ線駆動回路５０は、本書込の走査線１１２に位置する画素１１０の表示データＤ
aを記憶領域から読み出すとともに、当該階調値に応じた電圧のデータ信号に変換してデ
ータ線１１４に供給する動作を、当該走査線１１２に位置する１〜３２０列のそれぞれに
ついて実行する。
【００１９】
なお、本書込とは、詳細には後述するように階調に応じた電圧を書き込むことをいうが
、本書込の走査線１１２が何行目であるのか、また、いかなるタイミングで走査線１１２
がＨレベルとなるかについては、後述するように制御回路２０によるアドレス信号出力回
路３２への制御（アドレス信号Ａd-1〜Ａd-80）、および、セレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-6
で決定される。
このため、データ線駆動回路５０は、例えば制御回路２０から制御内容の通知を受ける
ことによって、どの行の表示データＤaを読み出すべきなのか、また、どのタイミングで
データ信号ｄ1、ｄ2、ｄ3、…、ｄ320を出力すべきなのかを、知ることができる。
【００２０】
また、ここでいう階調に応じた電圧とは、コモン電極１０８に印加される電圧ＬＣcom
よりも高位側である正極性と、低位側である負極性との２通りが存在し、データ線駆動回
路５０は、同一の画素について例えば１フレームの期間毎に正極性と負極性とで交互に切
り替える。なお、極性を切り替える理由は、直流成分の印加による液晶の劣化を防止する
ためである。
ここで、各画素に対してどの極性で書き込むかについては、走査線毎、データ線毎、画
素毎、面（フレーム）毎などの様々な態様があるが、本実施形態にあっては説明の便宜上
、走査線毎とする。ただし、本発明をこれに限定する趣旨ではない。
また、本実施形態において、データ信号の極性については、電圧ＬＣcomを基準として
高位側を正極性とし、低位側を負極性とするが、後述するように電圧ＬＣcomよりも若干
低位の電圧Ｖcを基準とする場合がある。なお、電圧については、特に説明のない限り、
後述する論理レベルのＬレベルに相当する接地電位Ｇndを、電圧ゼロの基準とし、論理レ
ベルのＨレベルを電圧Ｖddとしている。
【００２１】
次に、本実施形態に係る電気光学装置１の動作について説明する。
第１実施形態では、ある行に着目してみると、当該着目行の走査線が選択された（Ｈレ
ベルになった）たときに、階調に応じた正極性または負極性の電圧を書き込む（本書込を
する）が、当該着目行よりも２行前（上）の走査線が本書込のために選択されたときにも
当該着目行を選択し、当該着目行の画素に２行前の画素の階調に応じた同極性の電圧を予
め書き込んで（予備書込をして）、本書込に要する時間の短縮を図るダブルオン駆動法を
採用している。すなわち、この駆動法では、当該着目行よりも２行前の走査線が選択され
たときには、当該着目行も選択されるので、結局１度に２行の走査線が選択される。
そこで、電気光学装置１について、走査線駆動回路３０による動作を説明した後に、画
素の書込動作について説明することにする。
【００２２】
図４は、それぞれアドレス信号出力回路３２およびデマルチプレクサ３４の動作を説明
するための図である。
同図に示されるように、期間ｔ1では、セレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-6のうち、Ｓel-1だ
けがＨレベルとなる。このため、期間ｔ1では、デマルチプレクサ３４における１、７、
１３、１９、…、２３５行目のＴＦＴ３６がオンするので、これらのソース電極に供給さ
れたアドレス信号がそのまま走査信号となる。ただし、期間ｔ1においてアドレス信号Ａd
-1〜Ａd-80のうち、ＨレベルとなるのはＡd-1だけである。このため、期間ｔ1においてＴ
ＦＴ３６がオンする１、７、１３、１９、…、２３５行目のうち、走査信号Ｇ1だけが（
期間ｑにて）Ｈレベルとなり、走査信号Ｇ7、Ｇ13、Ｇ19、…、Ｇ235はＬレベルとなる。
一方、期間ｔ1では、１、７、１３、１９、…、２３５行目以外のＴＦＴ３６はオフす
るので、走査信号Ｇ1、Ｇ7、Ｇ13、Ｇ19、…、Ｇ235以外の走査信号は電圧不確定状態で
ある。ただし、走査線１１２は、その寄生容量によって電圧保持性を有するので、直前状
態であるＬレベルに保持される。
【００２３】
次に、期間ｔ2では、セレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-6のうち、Ｓel-2だけがＨレベルとな
る。このため、期間ｔ2では、デマルチプレクサ３４における２、８、１４、２０、…、
２３６行目のＴＦＴ３６がオンするので、これらのソース電極に供給されたアドレス信号
がそのまま走査信号となる。ただし、期間ｔ2においてアドレス信号Ａd-1〜Ａd-80のうち
、ＨレベルとなるのはＡd-1だけであるので、２、８、１４、２０、…、２３４行目のう
ち、走査信号Ｇ2だけがＨレベルとなり、走査信号Ｇ8、Ｇ14、Ｇ20、…、Ｇ236はＬレベ
ルとなって、他の走査信号は直前状態に保持されたＬレベルである。
続いて、期間ｔ3では、セレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-6のうち、Ｓel-3がＨレベルになる
とともに、Ｓel-1が再びＨレベルとなる。このため、期間ｔ3では、デマルチプレクサ３
４における３、９、１５、２１、…、２３７行目に加え、１、７、１３、１９、…、２３
５行目のＴＦＴ３６がオンする。ただし、期間ｔ3においてアドレス信号Ａd-1〜Ａd-80の
うち、ＨレベルとなるのはＡd-1だけであるので、走査信号Ｇ1、Ｇ3がＨレベルとなり、
他の走査信号Ｌレベルとなる。
そして、期間ｔ4では、セレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-6のうち、Ｓel-4がＨレベルになる
とともに、Ｓel-2が再びＨレベルとなる。このため、期間ｔ4では、デマルチプレクサ３
４における４、１０、１６、２２、…、２３８行目に加え、２、８、１４、２０、…、２
３６行目のＴＦＴ３６がオンする。期間ｔ4においてアドレス信号Ａd-1〜Ａd-80のうち、
ＨレベルとなるのはＡd-1にくわえ、Ａd-2となるので、走査信号Ｇ2、Ｇ4がＨレベルとな
り、他の走査信号Ｌレベルとなる。
【００２４】
１フレームの垂直有効表示期間では、以下同様な動作が、期間ｔ242において走査信号
Ｇ240がＨレベルとなるまで繰り返される。このように、１フレームにおいては、本書込
のために、期間ｔ3から期間ｔ242までの垂直有効表示期間にわたって走査信号Ｇ1〜Ｇ240
が順番にＨレベルとなるとともに、この本書込よりも期間２ｐだけ先行させたタイミング
においても、予備書込のために順番にＨレベルとなる。
したがって、３〜２４０行目の走査線１１２については、それぞれ本書込のために選択
される期間と、自身の行よりも２行前（上）である１〜２３８行目の走査線が選択される
期間とにおいて、Ｈレベルとなる。
なお、１および２行目についてはそれぞれ２行前の走査線が存在しないことから、予備
書込のタイミング（期間ｔ1、ｔ2）が、前のフレームの帰線期間にかかっている。
【００２５】
次に、画素の書込動作について説明することにする。
まず、垂直帰線期間Ｆbの期間ｔ1において、データ線駆動回路５０は、直後のフレーム
における１行目の本書込の極性と同極性であって所定色に相当する電圧を、例えば次のフ
レームにおける１行目の本書込の極性が正極性であれば正極性の黒色に相当する電圧を、
データ信号ｄ1〜ｄ320として、それぞれ１〜３２０列のデータ線１１４に供給する。
一方、期間ｔ1では、走査信号Ｇ1だけがＨレベルになる。走査信号Ｇ1がＨレベルにな
ると、１行１列〜１行３２０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画
素電極１１８には、データ信号ｄ1〜ｄ320がそれぞれ印加される。このため、１行１列〜
１行３２０列の画素容量１２０には、データ信号ｄ1〜ｄ320と電圧ＬＣcomとの差電圧が
それぞれ書き込まれて黒色になる。
期間ｔ1の終了時においては走査信号Ｇ1がＬレベルになり、これにより、１行１列〜１
行３２０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフするが、画素容量１２０に書き込まれた電
圧は、その容量性とともに並列接続された蓄積容量１３０に保持されるので、１行１列〜
１行３２０列の画素容量１２０は、書き込まれた電圧に応じた黒色の階調を維持すること
になる。
【００２６】
続いて、垂直帰線期間Ｆbの期間ｔ2において、データ線駆動回路５０は、直後のフレー
ムにおける２行目の本書込の極性と同極性であって所定色に相当する電圧を、データ信号
ｄ1〜ｄ320として、それぞれ１〜３２０列のデータ線１１４に供給する。本実施形態にお
いては上述したように、走査線毎に極性反転しているので、直後のフレームにおける２行
目の本書込の極性は、１行目の本書込が正極性であれば、負極性となる。このため、期間
ｔ2において、データ線駆動回路５０は、データ信号ｄ1〜ｄ320を、それぞれ負極性の黒
色に相当する電圧とする。一方、期間ｔ2では、走査信号Ｇ2だけがＨレベルになる。走査
信号Ｇ2がＨレベルになると、２行１列〜２行３２０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオ
ンするので、２行１列〜２行３２０列の画素容量１２０には、データ信号ｄ1〜ｄ320と電
圧ＬＣcomとの差電圧が書き込まれて黒色になる。期間ｔ2の終了時においては走査信号Ｇ
2がＬレベルになり、これにより、２行１列〜２行３２０列の画素におけるＴＦＴ１１６
がオフするが、２行１列〜２行３２０列の画素容量１２０は、書き込まれた電圧に応じた
黒色の階調を維持することになる。
【００２７】
垂直有効表示期間に移行して期間ｔ3になると、データ線駆動回路５０は、１行目であ
って１、２、３、…、３２０列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、読み出し
た表示データＤaで指定された電圧だけ、電圧ＬＣcomを基準に高位の正極性電圧に変換し
、データ信号ｄ1、ｄ2、ｄ3、…、ｄ320として、それぞれ１、２、３、…、３２０列のデ
ータ線１１４に供給する。
期間ｔ3では、走査信号Ｇ1、Ｇ3がＨレベルになるので、１行１列〜１行３２０列およ
び３行１列〜３行３２０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンする。このため、１行１列
〜１行３２０列の画素容量１２０には、データ信号ｄ1〜ｄ320と電圧ＬＣcomとの差電圧
が書き込まれて、表示データＤaで指定された階調となる（本書込）。１行目の画素に対
しては、期間ｔ1において本書込と同じ正極性の電圧がすでに書き込まれているので、本
書込では、反対極性の電圧を書き込む場合と比較して、階調に応じた電圧を迅速に書き込
むことが可能である。一方、３行１列〜３行３２０列の画素容量１２０にも、それぞれ１
行目と同じ電圧が書き込まれ、これにより、それまで書き込まれていた電圧がリセットさ
れるとともに、期間２ｐ後における本書込と同極性の電圧が予め書き込まれることになる
（予備書込）。
【００２８】
続いて期間ｔ4になると、データ線駆動回路５０は、２行目であって１、２、３、…、
３２０列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、読み出した表示データＤaで指定
された電圧だけ、電圧ＬＣcomを基準に低位の負極性電圧に変換し、データ信号ｄ1、ｄ2
、ｄ3、…、ｄ320として、それぞれ１、２、３、…、３２０列のデータ線１１４に供給す
る。
期間ｔ4では、走査信号Ｇ2、Ｇ4がＨレベルになるので、２行１列〜２行３２０列およ
び４行１列〜４行３２０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンする。このため、２行１列
〜２行３２０列の画素容量１２０には、データ信号ｄ1〜ｄ320と電圧ＬＣcomとの差電圧
が書き込まれて、表示データＤaで指定された階調となる（本書込）。２行目の画素に対
しては、期間ｔ2において本書込と同じ負極性の電圧がすでに書き込まれているので、本
書込では、階調に応じた電圧を迅速に書き込むことが可能である。一方、４行１列〜４行
３２０列の画素容量１２０にも、それぞれ２行目と同じ電圧が書き込まれ、これにより、
それまで書き込まれていた電圧がリセットされるとともに、期間２ｐ後における本書込と
同極性の電圧が予め書き込まれることになる（予備書込）。
【００２９】
以下同様な動作が期間t242まで繰り返され、これにより、奇数の３、５、７、…、２３
９行目の画素に対しては階調に応じた正極性電圧が、偶数の４、６、８、…、２４０行目
の画素に対しては階調に応じた負極性電圧が、それぞれ書き込まれる（本書込）。この際
、各行の画素においては、期間２ｐ前においてそれぞれ本書込と同じ極性の電圧が書き込
まれている（予備書込）。
次のフレームにおいても同様な動作となるが、各行における書込極性は反転する。すな
わち、奇数行目の画素に対しては階調に応じた負極性電圧が、偶数行目の画素に対しては
階調に応じた正極性電圧が、それぞれ書き込まれる。この際、各行の画素においては、期
間２ｐ前において予備書込が実行される点も同様である。
このようにフレームの期間毎において書込極性を反転する場合に、予備書込を実行しな
いと、本書込においては、一方極性の電圧が書き込まれた状態で、階調に応じた他方極性
の電圧を書き込む必要があるので、迅速な書き込みができず、走査線の増加による書込時
間の短縮に対処できない。これに対して、本実施形態では、予備書込によって本書込と同
極性の電圧を予め書き込んであるので、本書込において階調に応じた電圧を書き込む際の
時間を短縮することができるのである。
なお、予備書込により書き込まれた電圧は、２行前の画素の階調に応じた電圧（１、２
行目にあっては黒色に相当する電圧）であるため、予備書込による書き込まれたことによ
り本来とは無関係の表示となるが、予備書込による表示期間は２ｐであり、１フレームの
期間でみても充分に短い期間であるので、表示にはほとんど影響がない。
【００３０】
図７は、ｉ行ｊ列に位置する画素電極１１８の電圧Ｐ(i,j)と、これと下方向に隣接す
るｉ行（ｊ＋１）列に位置する画素電極１１８の電圧Ｐ(i+1,j)とについて、走査信号Ｇi
およびＧ(i+1)の電圧との関係において示す図である。
この図においては、ｉ行目の予備書込のために走査信号ＧiがＨレベルになったとき、
電圧ＬＣcomに対し２行前の（ｉ−２）行ｊ列の画素に対する階調値に応じた分だけ高位
または低位の電圧（図においてａの↑またはｃの↓で示されている）のデータ信号が当該
列目のデータ線１１４に供給されて、当該画素電極１１８に書き込まれるとともに、ｉ行
目の本書込のために走査信号Ｇiが再びＨレベルになったとき、電圧ＬＣcomに対しｉ行ｊ
列の画素に対する階調値に応じた分だけ高位または低位の電圧（図においてｂの↑または
ｄの↓で示されている）のデータ信号が当該列目のデータ線１１４に供給されて、当該画
素電極１１８に書き込まれている様子を示している。
なお、走査線毎に書込極性が反転しているので、電圧Ｐ(i+1,j)は、電圧Ｐ(i,j)に対し
て書込極性が反転している。
【００３１】
本実施形態では、このようなダブルオン駆動法を、図５および図６に示されるように、
走査線のブロックを選択するとともに、選択ブロックに属する走査線を、セレクト信号Ｓ
el-1〜Ｓel-3およびＳel-4〜Ｓel-6によって選択するデマルチプレクサ方式で実現してい
る。ここで、図５は、奇数行の画素を正極性として、偶数行の画素を負極性とする奇数フ
レームを示し、図６は、奇数行の画素を負極性として、偶数行の画素を正極性とする偶数
フレームを示す。なお、これらの図において、セレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-3およびＳel-4
〜Ｓel-6による選択行とは、これらのセレクト信号がＨレベルとなる「-」に続く番号を
それぞれ示している。
図５および図６とともに図４に示されるように、隣接する、または、同一ブロックに属
する走査線同士を、アドレス信号Ａd-1〜Ａd-80によって重複しながらアドレスするとと
もに、アドレスした走査線のうち、１行あいだにおいた２行をセレクト信号Ｓel-1〜Ｓel
-3およびＳel-4〜Ｓel-6によって選択する構成となっている（期間ｔ1、ｔ2、ｔ241、ｔ2
42を除く）。
なお、期間ｔ1（ｔ2）またはｔ241（ｔ242）では、同一ブロックに属する走査線同士を
、アドレス信号Ａd-1またはＡd-80によってアドレスするとともに、アドレスした走査線
のうちの１行をセレクト信号Ｓel-1（Ｓel 2）またはＳel-5（Ｓel-6）によって選択する
ことになる。
【００３２】
このように本実施形態では、ダブルオン駆動法をデマルチプレクサ方式で実現している
ので、アドレス信号出力回路３２やデマルチプレクサ３４の構成素子（ＴＦＴ）を、移動
度の低いアモルファスシリコン型とする場合に、階調に応じた電圧の書込時間を短縮する
ことができるので、特において有効となる。なお、ＴＦＴをポリシリコン型とする場合に
おいても、書込時間の短縮により、走査線の増加に対処できるので有効である。
【００３３】
なお、第１実施形態では、１、２行目の予備書込については、２行前の走査線が存在し
ないので、黒色に相当する電圧としたが、黒以外に相当する電圧であっても良い。また、
１、２行目をダミー領域としても良い。
また、第１実施形態では、書込極性を走査線毎に反転しているが、さらに列方向にも反
転させた画素反転（ドット反転ともいう）としても良い。ここで、走査線反転や画素反転
では、ある列に着目したときに走査線毎に極性が反転するので、予備書込は、本書込より
も偶数行前（実施形態では２行前）とすれば良い。ただし、予備書込から本書込までに至
る期間は短い方が良い。予備書込では、上述したように本来の表示と無関係な電圧な関係
が書き込まれるためである。
また、フレーム期間にわたって全画素を同極性とするフレーム反転や、データ線毎に反
転させた列反転としても良い。フレーム反転および列反転では、ある列に着目したときに
書込極性が同極性になるので、予備書込については前であれば良い。
【００３４】
また、アドレス信号Ａd-1〜Ａd-80をそれぞれ５つの独立したパルスとするのではなく
、図８に示されるように、期間５ｐの幅を有する１つのパルスとしても良い。アドレス信
号Ａd- 1〜Ａd-80を１つパルスとする場合、セレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-6は、そのパルス
幅が、図４と比較して期間ｐよりも狭められた期間ｑとなる。このようなアドレス信号Ａ
d-1〜Ａd-80は、シフトレジスタの出力信号をそのまま用いることが可能となるので、構
成の簡易化を図ることができる。
【００３５】
＜第１実施形態の応用＞
第１実施形態では、アドレス信号によりアドレスされた行を、セレクト信号Ｓel-1〜Ｓ
el-6の６種類を用いてダブルオン駆動法の選択をしたが、セレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-5の
５種類でもダブルオン駆動法の選択が可能である。詳細には、デマルチプレクサ３４を図
９に示される構成にするとともに、５種類のセレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-5を、図１０に示
されるような波形とすることでもダブルオン駆動法の選択が可能となる。
図９に示されるように、マルチプレクサ３４において、１、２、３、４、５行目に対応
するＴＦＴ３６のゲート電極には、セレクト信号Ｓel-1、Ｓel-2、Ｓel-3、Ｓel-4、Ｓel
-5が供給され、以下、７行目以降も５行を単位とするパターンの繰り返しで供給される。
また、セレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-5は、図１０に示されるように、それぞれ期間ｐの５
倍の周期を有する信号であり、最初に期間ｐだけＨレベルとなり、次に期間ｐだけＬレベ
ルとなり、再び期間ｐだけＨレベルとなって、この後、期間２ｐだけＬレベルとなる信号
である。このうち、セレクト信号Ｓel-1は、期間ｔ1、ｔ3においてＨレベルとなり、セレ
クト信号Ｓel-2〜Ｓel-5は、セレクト信号Ｓel-1に対して、位相を７２度ずつ順番に遅延
させた関係となる。
【００３６】
このような構成においても、隣接する（または、単独の）ブロックに属する走査線同士
を、アドレス信号Ａd-1〜Ａd-80によって重複しながらアドレスするとともに、アドレス
した走査線のうち、２行をセレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-3およびＳel-4、Ｓel-5によって選
択することが可能となる（期間ｔ1、ｔ2、ｔ241、ｔ242については１行の選択）。
ここで、アドレス信号によりアドレスされた走査線は、３行または６行であるが、ダブ
ルオンさせる２行は、それぞれ異なるセレクト信号により選択されることが必要となる。
換言すれば、アドレスされた走査線のＴＦＴ３６において、選択のためにＨレベルとなる
セレクト信号を共用するものが存在してはいけないことになる。
したがって、この条件を満たせば、ＴＦＴ３６のゲート電極の接続を、５行を単位とす
る規則パターンとする必要はない。例えば、図１１に示されるように、８行〜１２行目の
ような規則性を有しないな構成として、この接続にパターンに合わせてセレクト信号を図
１２に示されるような波形で供給すれば良い。
【００３７】
＜第２実施形態＞
第１実施形態では、本書込の前に、予備書込を実行する構成としたが、第２実施形態で
は、動画表示特性を改善するために、本書込の後に、書き込んだ画素を強制的に黒色化と
する（黒レベルの書込をする）構成としたものである。
構成自体は、第１実施形態と同様であるが、図１３に示されるように、アドレス信号Ａ
d-1〜Ａd-80およびセレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-6が異なる。なお、第２実施形態では、垂
直帰線期間をなくしている。
詳細には、第２実施形態においてアドレス信号Ａd-1〜Ａd-80は、同図に示されるよう
に、期間ｑであるパルス幅を有するパルスが３つ連続したものであり、隣接するアドレス
信号同士では、後端のパルスと前端のパルスとにおいて重複せず、期間ｐを間において出
力される関係にある。また例えばアドレス信号Ａd-41、Ａd-42は、アドレス信号Ａd-1、
Ａd-2における連続する３つのパルスが出力された後に、それぞれ期間ｑのパルスとなる
。ここでは図示していないが、アドレス信号Ａd-43、Ａd-44は、アドレス信号Ａd-3、Ａd
-4における連続する３つのパルスが出力された後に、それぞれ期間ｑのパルスとなり、以
下同様にしてアドレス信号Ａd-79、Ａd-80は、アドレス信号Ａd-39、Ａd-40における連続
する３つのパルスが出力された後に、それぞれ期間ｑのパルスとなる。また、アドレス信
号Ａd-1、Ａd-2は、アドレス信号Ａd-41、Ａd-42における連続する３つのパルスが出力さ
れた後に、それぞれ期間ｑのパルスとなり、以下同様にしてアドレス信号Ａd-39、Ａd-40
は、アドレス信号Ａd-79、Ａd-80における連続する３つのパルスが出力された後に、それ
ぞれ期間ｑのパルスとなる。
このため、アドレス信号Ａd-1〜Ａd-80では、本書込のために３つのパルスが出力され
、おおよそ１／２フレームの期間が経過したときに、２回、期間ｐのパルスが黒レベルの
書込のために出力される。
【００３８】
一方、第２実施形態において、セレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-6は、図１３に示されるよう
な波形である。詳細には、セレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-6は、それぞれ期間ｐの８倍の周期
を有する信号である。このうち、セレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-3は、奇数アドレス信号Ａd-
1、Ａd-3、Ａd-5、…、Ａd-79における本書込のための３つのパルスに対応して、それぞ
れ順番にＨレベルとなり、セレクト信号Ｓel-4〜Ｓel-6は、偶数アドレス信号Ａd-2、Ａd
-4、Ａd-6、…、Ａd-80における本書込のための３つのパルスに対応して、それぞれ順番
にＨレベルとなる。くわえて、セレクト信号Ｓel-1、Ｓel-3、Ｓel-5は、アドレス信号に
おける黒レベルの書込のための２パルスのうち、最初の１つ目においてＨレベルとなり、
セレクト信号Ｓel-2、Ｓel-4、Ｓel-6は、黒レベルの書込のための２パルスのうち、２つ
目においてＨレベルとなる。
なお、図１３において、セレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-6のうち、本書込のためにＨレベル
となる場合を「○」印で、黒レベルの書込のためにＨレベルとなる場合を「●」印で、そ
れぞれ示している。
【００３９】
この第２実施形態における走査信号Ｇ1〜Ｇ240は、同図に示されるような波形となる。
すなわち、走査信号Ｇ1〜Ｇ240は、セレクト信号Ｓel-1〜Ｓel-6のパルスのうち、「○」
印を付したものを、アドレス信号Ａd-1〜Ａd-80における３つの連続をパルスで抜き出し
たものが、本書込のための選択信号となり、「●」印を付したパルスを、アドレス信号Ａ
d-1〜Ａd-80における単独のパルスで抜き出したものが、黒レベルの書込のための選択信
号となる。
したがって、第２実施形態では、各行でみたとき、本書込のために選択されると、おお
よそ１／２フレームの期間経過したときに黒レベルの書込のために再び選択されることに
なる。
なお、第２実施形態において、黒レベルの書込において３行が選択されるが、この３行
は、アドレス信号によりアドレスされた走査線のうち、互いに異なるセレクト信号により
選択される点において第１実施形態と同様となる。
【００４０】
また、第２実施形態において、データ線駆動回路５０は、走査線が選択されたときに、
それが本書込であれば、選択された走査線の行に対応する１〜３２０列目の画素の表示デ
ータＤaを読み出すとともに、読み出した表示データＤaで指定された電圧だけ、電圧ＬＣ
comを基準に低位または高位の電圧に変換し、データ信号ｄ1、ｄ2、ｄ3、…、ｄ320とし
て、それぞれ１、２、３、…、３２０列のデータ線１１４に供給する。一方、データ線駆
動回路５０は、走査線が選択されたときに、それが黒レベルの書込であれば、当該黒レベ
ルの書込後における本書込と同極性の黒色に相当する電圧をデータ信号ｄ1、ｄ2、ｄ3、
…、ｄ320として、それぞれ１、２、３、…、３２０列のデータ線１１４に供給する。
【００４１】
図１４は、第２実施形態において、表示領域１００での書込推移を、奇数および偶数の
２フレーム期間にわたって示す図である。なお、この図において、その縦軸は、１〜２４
０行目の走査線に対応しているが、便宜的に、その数を減らして簡易的に示している。ま
た、横軸は、経過時間であり、■は、走査線の選択を示している。したがって、■の右方
向に延びる領域は、当該■による書き込みによって保持された電圧（階調）を示すことに
なる。
【００４２】
この図に示されるように、本書込により書き込まれた階調に応じた電圧は、おおよそ１
／２フレームの期間保持され、黒レベルの書込によって、極性の反転された（すなわち、
次の本書込と同極性の）黒色相当電圧が書き込まれて黒色となる。このため、書き込まれ
た電圧に応じた階調の保持期間が短縮されるので、残像感が低減される結果、第２実施形
態では、動画表示特性が改善されることになる。
なお、各行においては、黒レベルの書込によって黒色が保持される期間は、必ずしも均
等ではないが、その差は、期間ｐ（走査線を１回選択する期間）の数倍程度であるから、
認識できるほどではない。
【００４３】
１〜２４０行に対し、本書込および黒レベルの書込のために、１フレームにおいてそれ
ぞれ単純に２回選択する構成であると、その選択に要する回数は、２４０×２の計「４８
０」となる。１フレームの期間は、６０Ｈｚの逆数である１６．７ミリ秒で固定であるの
で、１回の選択に要する期間は、黒レベルの書込しない場合と比較すると、１／２（＝２
４０／４８０）になり、その分、画素に対する電圧の書き込みが不充分となってしまう可
能性がある。
これに対して、第２実施形態では、黒レベルの書込を３行分同時に実行しているので、
２４０行の黒レベルの書込に要する回数は「８０」となる。本書込に要する回数は「２４
０」であるから、１フレームの期間における選択回数は、計「３２０」で足りる。このた
め、第２実施形態では、１回の選択に要する期間は、黒レベルの書込をしない場合と比較
すると、３／４（＝２４０／３２０）で済み、画素に対する電圧の充分な書き込みが可能
である。
【００４４】
また、第２実施形態では、本書込の後の黒レベルの書込は、次の本書込と同極性の黒色
相当電圧が画素に書き込まれる。このため、第２実施形態における黒レベルの書込は、第
１実施形態における予備書込と同視することができ、本書込において、書込前と書込後と
の電圧差を少なくさせる。したがって、本書込において階調に応じた電圧を迅速に書き込
むことも可能となる。
なお、動画表示特性については、画素を黒色とする場合に限られず、例えば黒色と白色
との灰色、あるいは白色としても、多少効果が薄れるものの改善することが可能である。
このため、黒レベルの書込とは、黒以外の色に相当する電圧を書き込む場合を含む概念で
ある。
第２実施形態では、黒レベルの書込による階調を保持する期間を１／２フレームとした
が、これに限られない。
【００４５】
上述した説明では、アドレス信号を供給するグループの走査線数ｍを「３」として説明
したが、「２」でも良いし、「４」以上の整数としても良い。ただし、この走査線数ｍに
応じてセレクト信号の増減する必要がある。
さらに、同時に２行の走査線をアクティブレベルとしたが、３行以上にわたってアクテ
ィブレベルとしても良い。
また、実施形態においては、ＴＦＴ１１６をｎチャネル型としたため、アクティブレベ
ルをＨレベルとし、ノン・アクティブレベルをＬレベルとして説明したが、ＴＦＴ１１６
をｐチャネル型にした場合、アクティブレベルはＬレベルになり、ノン・アクティブレベ
ルをＨレベルになる。ＴＦＴ１１６をｐチャネル型にする場合には、負論理とするだけで
あるので、その構成については別段説明を要しないであろう。
さらに、アドレス信号出力回路３２は、画素のＴＦＴと共通プロセスで形成する必要は
必ずしも無く、例えば、半導体チップで形成し、ＣＯＧ技術で実装されても良く、また、
回路構成も必ずしもシフトレジスタでは無く、例えば、デコーダ回路構成とし、任意のア
ドレス信号線を順次選択できるようにしても良い。これにより、特定行のみ表示を行う、
部分表示が容易になる。
【００４６】
また、上述した各実施形態では、画素容量１２０を単位としてみたときに、１フレーム
の期間毎に書込極性を反転したが、その理由は、上述したように画素容量１２０を交流駆
動するために過ぎないので、その反転は２フレーム以上の期間毎に実行しても良い。
さらに、画素容量１２０はノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態におい
て暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、
Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし、さらに、別
の１色（例えばシアン（Ｃ））を追加し、これらの４色の画素で１ドットを構成して、色
再現性を向上させる構成としても良い。
【００４７】
上述した説明では、書込極性の基準をコモン電極１０８の電圧としているが、これは、
画素１１０におけるＴＦＴ１１６が理想的なスイッチとして機能する場合であり、実際に
は、ＴＦＴ１１６のゲート・ドレイン電極間の寄生容量に起因して、オンからオフに状態
変化するときにドレイン電極（画素電極１１８）の電位が低下する現象（プッシュダウン
、突き抜け、フィールドスルーなどと呼ばれる）が発生する。液晶の劣化を防止するため
、画素容量１２０については交流駆動としなければならないが、コモン電極１０８への印
加電圧を書込極性の基準として交流駆動すると、プッシュダウンのために、負極性書込に
よる画素容量１２０の電圧実効値が、正極性書込による実効値よりも若干大きくなってし
まう（ＴＦＴ１１６がｎチャネルの場合）。このため、実際には、書込極性の基準電圧と
コモン電極１０８の電圧とを分け、詳細には、書込極性の基準電圧を、プッシュダウンの
影響が相殺されるように、コモン電極の電圧よりも高位側にオフセットして設定するよう
にしても良い。
さらに、蓄積容量１３０の他端は一定ではなく、正極性書込時に低位側とし、その後、
高位側に切り替え、極性書込時に高位側とし、その後、低位側に切り替えるような構成と
しても良い。
【００４８】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１を表示装置に適用した電子機器について
説明する。図１５は、実施形態に係る電気光学装置１を用いた携帯電話１２００の構成を
示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受
話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１を備えるものである。
なお、電気光学装置１のうち、表示領域１００に相当する部分以外の構成要素については
外観としては現れない。
【００４９】
なお、電気光学装置１が適用される電子機器としては、図１５に示される携帯電話の他
にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（ま
たはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、
電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル
を備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上
述した電気光学装置１が適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】第１実施形態に係る走査線駆動回路を用いた電気光学装置を示す図である。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図３】同走査線駆動回路の動作を示す図である。
【図４】同走査線駆動回路の動作を示す図である。
【図５】同電気光学装置の動作を示す図である。
【図６】同電気光学装置の動作を示す図である。
【図７】同電気光学装置における画素への書込動作を説明するための図である。
【図８】同走査線駆動回路における別動作を示す図である。
【図９】同走査線駆動回路におけるデマルチプレクサの変形例を示す図である。
【図１０】同デマルチプレクサに適用される波形を示す図である。
【図１１】同走査線駆動回路におけるデマルチプレクサの変形例を示す図である。
【図１２】同デマルチプレクサに適用される波形を示す図である。
【図１３】第２実施形態に係る走査線駆動回路の動作を示す図である。
【図１４】同走査線駆動回路を適用した電気光学装置における書込推移を示す図である。
【図１５】実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１…電気光学装置、１０…表示パネル、２０…制御回路、３２…アドレス信号出力回路、
３３…出力線、３４…デマルチプレクサ、３６…ＴＦＴ、５０…データ線駆動回路、１０
０…表示領域、１０８…コモン電極、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線
、１１６…ＴＦＴ、１２０…画素容量、１２００…携帯電話
【図１】
2008151986.tif 000003
【図２】
2008151986.tif 000004
【図３】
2008151986.tif 000005
【図４】
2008151986.tif 000006
【図５】
2008151986.tif 000007
【図６】
2008151986.tif 000008
【図７】
2008151986.tif 000009
【図８】
2008151986.tif 000010
【図９】
2008151986.tif 000011
【図１０】
2008151986.tif 000012
【図１１】
2008151986.tif 000013
【図１２】
2008151986.tif 000014
【図１３】
2008151986.tif 000015
【図１４】
2008151986.tif 000016
【図１５】
2008151986.tif 000017