(57)【要約】【課題】成膜中の浮遊分子や浮遊原子によって搬送機構等に膜が付着したり、搬送機構等に付着した膜が剥がれて生じるパーティクルによって、基板に形成された薄膜に欠陥が生じるのを抑える。【解決手段】基板２に薄膜を形成するための成膜手段５を有する成膜チャンバー４１と、基板２を搬送する基板搬送ローラ６２、トレイ搬送ローラ６１を有し基板２を成膜手段５に対向する成膜位置に移動させる搬送機構と、基板２の外周部が載せられる枠状のトレイ１を有し基板２が載せられたトレイ１を上方に位置する成膜位置に移動させる昇降機構とを備える。そして、成膜チャンバー４１は、成膜位置に移動された基板２およびトレイ１によって、成膜手段５が配置された成膜空間と、搬送機構および昇降機構が配置された搬送空間とが仕切られて分断される。【選択図】図１
2008297584.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に薄膜を形成するための成膜手段を有する成膜チャンバーと、
前記基板を搬送する搬送ローラを有し、前記基板を前記成膜手段に対向する成膜位置に移動させる搬送機構と、
前記基板の外周部が載せられる枠状のトレイを有し、前記基板が載せられた前記トレイを上方に位置する前記成膜位置に移動させる昇降機構とを備え、
前記成膜チャンバーは、前記成膜位置に移動された前記基板および前記トレイによって、前記成膜手段が配置された成膜空間と、前記搬送機構および前記昇降機構が配置された搬送空間とが仕切られて分断される成膜装置。
【請求項２】
前記成膜チャンバーは、前記成膜空間に連通され前記成膜空間の下方に位置する前記搬送空間をなす基板搬送チャンバーを含んでいる、請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記成膜チャンバーと、大気側から前記成膜チャンバーに前記基板を搬入する際に前記基板が一時的に配置される基板搬入チャンバーと、前記成膜チャンバーで成膜された前記基板を大気側に搬出する際に前記基板が一時的に配置される基板搬出チャンバーとを含む複数の真空チャンバーが、前記基板搬入チャンバーから前記基板搬出チャンバーに向かう前記基板の搬送方向に沿って直列に配列されている、請求項１または２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記昇降機構は、前記トレイおよび前記基板が載せられる基板搭載板を有し、
前記成膜位置に移動された前記基板搭載板によって、前記成膜空間と前記搬送空間とが仕切られる、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記搬送機構の前記搬送ローラは、前記基板を搬送する複数の基板搬送ローラと、前記基板が載せられた前記トレイを搬送する複数のトレイ搬送ローラとを含み、
前記基板搬送ローラと前記トレイ搬送ローラは、交互に配置され、
前記昇降機構は、前記基板が載せられた前記トレイと共に前記トレイ搬送ローラを昇降させる、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記成膜空間は、前記基板が載せられた前記トレイ、および前記基板搭載板が前記成膜位置に移動された状態で、前記成膜空間を構成する隔壁と前記トレイとの間、および前記トレイと前記基板搭載板との間とに配置された弾性部材によって封止されている、請求項４または５に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記基板搭載板は、前記基板が載せられる部分が、前記基板の温度を調節するための温度調節手段に接続されている、請求項４ないし６のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項８】
前記昇降機構は、前記基板搭載板によって前記基板および前記トレイを上方に移動させ、前記基板を移動させる移動量を、前記トレイを移動させる移動量よりも大きくすることによって、前記成膜位置で前記基板と前記トレイとを離す、請求項４ないし７のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項９】
前記昇降機構は、前記基板が載せられた前記トレイを回転させて前記成膜位置に移動させ、前記基板の成膜面を鉛直方向に対して傾斜させた状態で前記成膜手段に対向させる、請求項１ないし８のいずれか１項に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板をトレイに載せて搬送して基板に薄膜を形成するトレイ搬送方式の成膜装置であって、成膜チャンバーを含む複数の真空チャンバーが、トレイの搬送方向に沿って配列されたインライン方式の成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の成膜面に薄膜を形成する成膜装置としては、真空蒸着装置、スパッタリング装置、ＣＶＤ（化学的気相成長）装置等の各種のタイプのものが知られている。
【０００３】
この種の成膜装置は、基板をトレイの上に載せて搬送して、基板の成膜面に所定の薄膜を形成する、いわゆるトレイ搬送方式の成膜装置が従来から開示されている。また、従来の成膜装置としては、成膜チャンバーを含む複数の真空チャンバーが、トレイの搬送方向に沿って配列させた、いわゆるインライン方式の成膜装置も開示されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−２７９３４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述の特許文献１に開示されているような従来のトレイ搬送方式の成膜装置では、成膜部を有する空間と、基板を搬送する搬送機構を有する空間とが仕切られていない。したがって、例えばターゲットや電極等の成膜手段によって発生され、基板に付着することで膜をなす分子または原子状態の成膜物質は、拡散等によって基板周辺のトレイや搬送機構にも付着することになる。このため、成膜物質によって搬送機構を汚損し、搬送性能を劣化させてしまう問題がある。
【０００５】
また、搬送機構に付着し堆積した膜は剥がれやすく、剥がれた膜はパーティクルとなって成膜チャンバー中を浮遊し、基板に付着することによって、基板に形成されるべき薄膜の表面欠陥となる等の重大な問題を招いてしまう。
【０００６】
スパッタリング装置やＣＶＤ装置や一部の蒸着装置等の成膜装置では、成膜手段に反応性ガスが導入され、所定の薄膜を形成している。したがって、このような成膜装置では、搬送機構がこれら反応性ガスにさらされることになり、反応性ガスの種類によっては搬送機構を構成する材料にも反応し、搬送機構に悪影響を及ぼしてしまう不都合がある。
【０００７】
また一方で、基板の成膜行程では、基板を１００℃から３００℃程度に加熱することが多い。この場合、基板に成膜を行うごとの基板の温度の均一性や、同一の基板内における温度の均一性のどちらも、形成された薄膜の性能に影響を与える重要な要因である。トレイ搬送方式およびインライン方式を採用する従来の成膜装置の加熱方法においては、トレイとして矩形枠状のトレイが用いられており、基板の外周部がトレイと常に接触している。一般に行われているトレイと基板の近傍から加熱する方法では、トレイと基板との熱容量の差により、基板の温度の均一性を確保することが困難であった。そして、加熱温度が比較的低くされ、成膜中に成膜手段から伝わる熱が比較的大きいような成膜条件の場合には、基板を冷却する冷却機構を備えていないために、基板の温度を制御することが不可能であった。
【０００８】
また、基板に成膜する際には、スパッタリング装置におけるターゲットや、ＣＶＤ装置において基板と対向する電極や、成膜手段の空間を構成する周壁などの周囲に付着した膜が剥がれたり、剥がれた膜がパーティクルとなって基板に付着したりすることがある。これによって、基板に形成された薄膜に重大な欠陥が生じる問題がある。この問題の対策として、トレイを使用しない枚葉型の成膜装置においては、基板を専用の成膜室に搬送した後、基板を保持する基板ホルダーを傾斜させて、基板に付着したパーティクル等を取り除くことで、この問題の解決を図る構成が開示されている。しかしながら、トレイ搬送方式でインライン方式の成膜装置では、個別に独立した専用の成膜室が設けられていないため、この問題の解決はできなかった。
【０００９】
そこで、本発明は、成膜中の浮遊分子や浮遊原子によって搬送機構等に膜が付着したり、搬送機構に付着した膜が剥がれることにより生じるパーティクルによって、基板に形成される薄膜に欠陥が生じるのを抑えることができる成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述の目的を達成するため、本発明に係る成膜装置は、基板に薄膜を形成するための成膜手段を有する成膜チャンバーと、基板を搬送する搬送ローラを有し基板を成膜手段に対向する成膜位置に移動させる搬送機構と、基板の外周部が載せられる枠状のトレイを有し基板が載せられたトレイを上方に位置する成膜位置に移動させる昇降機構とを備える。そして、成膜チャンバーは、成膜位置に移動された基板およびトレイによって、成膜手段が配置された成膜空間と、搬送機構および昇降機構が配置された搬送空間とが仕切られて分断される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基板の成膜時に、成膜手段が配置された成膜空間と、搬送機構および昇降機構が配置された搬送空間とが仕切られて分断される。これにより、成膜手段によって発生されて基板に形成される薄膜となる分子または原子状態の成膜物質が、拡散等により基板周辺の搬送機構等に付着するのを防止することができる。したがって、本発明によれば、基板に形成される薄膜に欠陥が生じるのを抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１３】
図１から図３は実施形態を説明する図である。図１は、トレイ搬送方式でインライン方式の実施形態の成膜装置の構成を示す断面図である。図１では、トレイの搬送方向に平行な方向で基板の成膜面に直交する平面から示している。図２は、成膜装置における基板搬入チャンバーと、基板をトレイの上に載せ替える搬送機構の構成を説明するための断面図である。
【００１４】
図１に示すように、本実施形態の成膜装置は、成膜チャンバー４１、基板搬入チャンバー４４、基板搬出チャンバー４５を含む複数の真空チャンバーを備えている。成膜チャンバー４１は、基板２の成膜面（表面）に薄膜を形成するための成膜手段５を有している。基板搬入チャンバー４４は、大気側から成膜チャンバー４１に基板２を搬入する際に基板２が一時的に配置される。基板搬出チャンバー４５は、成膜チャンバー４１で成膜された基板２を大気側に搬出する際に基板２が一時的に配置される。これら各チャンバー４１，４２，４４は、基板搬入チャンバー４４から基板搬出チャンバー４５に向かう基板２の搬送方向に沿って直列に配列されている。
【００１５】
また、基板搬入チャンバー４４、基板搬送チャンバー４２、基板搬出チャンバー４５の各々の連結部分、基板搬入チャンバー４４の搬入口側、及び基板搬出チャンバー４５の排出口側には、ゲートバルブ４０がそれぞれ配置されている。基板２は、これらのゲートバルブ４０を通して、基板搬入チャンバー４４、基板搬送チャンバー４２、基板搬出チャンバー４５の順に搬送される。なお、各チャンバー４１、４２、４４、４５には、不図示の排気系がそれぞれ接続されている。また、成膜チャンバー４１には、例えばターゲットや電極等の成膜手段５の種類によっては不図示のガス導入系が接続されており、所定の圧力まで排気可能であり、所望の成膜のための反応性ガスが導入されるように構成されている。
【００１６】
成膜チャンバー４１は、基板搬入チャンバー４４から搬入された基板２を成膜手段５に対向する成膜位置に搬送し、成膜された基板１を基板搬出チャンバー４５に搬送する基板搬送チャンバーを含んでいる。この基板搬送チャンバーは、図１および図２に示すように、成膜手段５が配置された成膜空間に連通されて成膜空間の下方に位置しており、基板１を搬送する搬送空間をなしている。
【００１７】
基板搬入チャンバー４４は、大気側から基板２が搬入され、その後、その内部空間を真空にする。基板搬送チャンバー４２は、内部空間を真空にした後、基板２を成膜手段５が配置された成膜チャンバー４１の近傍まで搬送し、また、成膜された基板２を、基板搬出チャンバー４５に搬送する。基板搬出チャンバー４５は、内部空間を真空から大気圧にした後、成膜された基板２を大気側に搬出する。
【００１８】
この成膜装置では、基板２を搬送する際に、常に基板搬送チャンバー４２の内部において、搬入された基板２を取り込み、基板２を載せた状態で成膜手段５に対向する成膜位置に基板２を搬送したり、成膜後の基板２を基板搬出チャンバー４５側に搬送する直前に基板２を基板搬送ローラ６２に載せ替えるために、トレイ１が用いられている。このトレイ１は、常に基板搬送チャンバー４２の内部に位置されており、基板搬入チャンバー４４から搬送された基板２が載せられ、成膜された基板２を基板搬出チャンバー４５に搬送する一連の成膜工程の後、次の基板２を搬送するために、基板２の取り込み位置に基板搬送チャンバー４２の下方側を移動して回収される。このトレイ回収動作で用いられるトレイ回収機構については後述する。
【００１９】
基板搬送チャンバー４２には、基板１を成膜手段５に対向する成膜位置に移動させる搬送機構６０と、基板２の外周部が載せられる矩形枠状のトレイ１を有し基板２が載せられたトレイ１を上方に位置する成膜位置に移動させる昇降機構とが設けられている。搬送機構６０は、基板２を搬送する複数の基板搬送ローラ６２と、基板２が載せられたトレイ１を搬送する複数のトレイ搬送ローラ６１と、これら搬送ローラ６１，６２を回転駆動するモータ等からなる駆動機構とを有している。また、昇降機構は、トレイ１を有するトレイ昇降機構６７と、トレイ１および基板２が載せられる基板載置板３を有する載置板昇降機構６８とを含んで構成されている。
【００２０】
次に、本実施形態の成膜装置について、基板搬送チャンバー４２内で搬送される基板２およびトレイ１の動作を説明する。
【００２１】
図２は、基板搬送ローラ６２に載せられた基板２がトレイ１の上に載せ替えられる動作を説明するための断面図である。図３から図６は、基板２をトレイ１の上に載せ替える機構の各動作を説明するための図である。図３から図６において、（ａ）は基板２の水平搬送方向に平行な方向から示す断面図であり、（ｂ）は基板２の水平搬送方向に直交する方向から示す断面図である。
【００２２】
基板２は、基板搬送ローラ６２が回転駆動するのに従って、基板搬入チャンバー４４（図２において、紙面に向かって奥側に配置されている）から基板搬送チャンバー４２に搬入される。そして、基板２が、基板搬送ローラ６２による搬送面よりも鉛直下方（位置Ｐ１）で待機しているトレイ１の基板搭載位置の上方に到着したときに、基板搬送ローラ６２の回転駆動が停止される。その後、トレイ１は、トレイ搬送ローラ６１と共にトレイ昇降機構６７によって上方の位置Ｐ２まで移動され、基板２をトレイ１の上に取り込む。その後、基板２が載せられたトレイ１は、トレイ昇降機構６７によって上方の位置Ｐ３まで移動される。トレイ搬送ローラ６１は、モータ６４によって回転駆動力が伝達される。また、基板搬送チャンバー４２の搬送機構６０は、トレイ搬送ローラ６１の上下方向の位置が変化したときであっても、モータ６４による回転駆動力をトレイ搬送ローラ６１に伝達させる伝達機構６３を有している。また、基板搬送ローラ６２は、上下方向に移動されないので、その回転駆動力が、モータ６５と動力伝達機構６６によって伝達されて、回転駆動されるように構成されている。基板２をトレイ１の上に載せ替えられる一連の動作における、トレイ１と基板２と基板搬送ローラ６２とトレイ搬送ローラ６１との位置関係を、図３から図６を参照して詳しく説明する。
【００２３】
図３（ａ），（ｂ）は、基板２が基板搬入チャンバー４４から基板搬送チャンバー４２の内部に搬送されている途中の状態を示している。基板２は、基板搬送ローラ６２の上に載せられており、基板搬送ローラ６２が回転駆動することによって、基板搬入チャンバー４４から基板搬送チャンバー４２の内部に搬送される。基板搬送ローラ６２の配置間隔は、ゲートバルブ４０の厚さ（基板の搬送方向の距離）を跨ぐために必要な間隔と、矩形枠状のトレイ１の枠部分を跨ぐために必要な間隔とのいずれかの大きい間隔が最小値である。また、基板搬送ローラ６２の配置間隔は、基板２が搬送されることに伴って、搬送方向に対して基板２の一端側が基板搬送ローラ６２から次第にせり出し、基板２の一端側が次に載せられる基板搬送ローラ６２に到着する前に、基板２が撓んで搬送を円滑に行えなくなるような不都合が生じない程度の間隔が最大値である。
【００２４】
図４（ａ），（ｂ）に示すように、基板搬送ローラ６２によって搬送された基板２が載せられる矩形枠状のトレイ１は、基板２が搬送されている位置よりも鉛直下方の位置で待機している。そして、トレイ１の上方の位置に基板２が到着したときに、基板搬送ローラ６２の回転駆動が停止される。図５（ａ），（ｂ）に示すように、トレイ１をそのトレイ搬送ローラ６１と共に、基板搬送ローラ６２の位置よりも上方に移動させることで（移動機構は図示せず）、基板搬送ローラ６２に支持されている基板２が、トレイ１の上に載せ替えられる。このとき、基板２の外周部が、矩形枠状のトレイ１の上に支持される。
【００２５】
次に、図６（ａ），（ｂ）に示すように、基板２が載せられたトレイ１をそのトレイ搬送ローラ６１と共に更に上方に移動させ、成膜チャンバー４１近傍の搬送位置まで移動させる。図２および図３から図６に示すように、基板２を搬送する基板搬送ローラ６２と、トレイ１を搬送するトレイ搬送ローラ６１は、交互に配置されており、その取付け位置が互いに異なっている。このため、基板搬送ローラ６２とトレイ搬送ローラ６１は、それぞれの鉛直方向の位置、つまり高さが相対的に変化しても何ら支障がないように構成されている。
【００２６】
図７は、基板２およびトレイ１を上方に移動させて、成膜手段５を有する成膜チャンバー４１内の成膜空間と、搬送機構を有する基板搬送チャンバー４２内の搬送空間とが、基板２およびトレイ１によって仕切られて分断された状態を説明するための断面図である。図８は、図３におけるＡ−Ａ断面図である。
【００２７】
図７は、基板２が載せられたトレイ１が、トレイ搬送ローラ６１によって成膜チャンバー４１に対向する位置まで搬送された後、その位置の下方の位置ｍで待機している基板搭載板３によって、上方に移動された状態（基板搭載板３が位置ｎに移動される）を示している。基板２が載せられたトレイ１は、トレイ昇降機構６７によって上方に移動される。トレイ１が上方に移動されることで、成膜チャンバー４１は、成膜手段５に対向する下方側が、トレイ１に載せられた基板２、矩形枠状のトレイ１の外周部、および基板搭載板３によって覆われる。これにより、成膜チャンバー４１内の成膜空間と、基板搬送チャンバー４２内の搬送空間とは仕切られて分断される。
【００２８】
また、成膜チャンバー４１と基板搬送チャンバー４２との境界部分付近には、成膜空間を構成する隔壁とトレイ１との間、およびトレイ１と基板搭載板３との間に、図７に示すように、弾性部材としてのエラストマーガスケット７１が設けられており、気密に封止されている。エラストマーガスケット７１が設けられることで、成膜手段５が、スパッタリング装置やＣＶＤ装置のように反応性ガスを用いて成膜時に適当な圧力にする成膜手段として構成された場合であっても、成膜チャンバー４１は、その内部圧力を適切に制御することが可能である。したがって、基板搬送チャンバー４２は、反応性ガスに曝されることが防止され、反応性ガスによる悪影響が搬送機構やトレイ昇降機構等に及ぼされることがない。すなわち、成膜空間と搬送空間を弾性部材で封止する構成は、成膜空間の圧力が比較的大きく、成膜空間と搬送空間の圧力に差がある場合に効果的である。
【００２９】
また、図１に示すように、本実施形態の成膜装置は、基板搬送チャンバー４２内に、トレイ１に載せられた基板２を基板搬出チャンバー４５側に搬送した後、トレイ搬出チャンバー４５側からトレイ搬入チャンバー４４側にトレイ１を回収するためのトレイ回収機構８０が、成膜チャンバー４１の下方に配置されている。図７に示すように、トレイ回収機構８０は、トレイ１を搬送方向と逆方向に搬送するためのトレイ回収ローラ８１を有しており、図７に示すように、モータ８４、動力伝達装置８３によって回転駆動されるように構成されている。
【００３０】
また、成膜位置で、基板２は、基板搭載板３によって支持されており、基板２と基板搭載板３とが接触している。基板搭載板３は、基板２が載せられる中央部が、基板２の温度を調節するための温度調節手段としての加熱部（不図示）に接続されている。基板搭載板３の中央部は、基板２が加熱部によって熱伝達されるように、基板２の中央部に当接されるように突出されて形成にされている。この構成によって、基板２を所望の温度に加熱したり、成膜時に基板２に加わる熱による温度が、加熱部の温度よりも大きい場合に、加熱部の温度が比較的低くなり、基板２と加熱部とが熱伝達されるように接触していることによって、基板を冷却したりすることが可能になる。このため、基板２の温度は、基板搭載板３によって制御することが可能にされている。
【００３１】
また、基板搭載板３は、図７および図８に示すように、トレイ１が載せられる外周部と、この外周部から厚み方向に突出されて基板２を支持する中央部とを有する段差状に形成されている。したがって、基板搭載板３は、搭載板昇降機構６８によって上昇され、基板２が載せられたトレイ１を支持することで、成膜位置で基板とトレイとを離す。つまり、搭載板昇降機構６８は、基板搭載板３が段差状に形成されていることで、基板搭載板３によって基板２およびトレイ１を上方に移動させるときに、基板２を移動させる移動量が、トレイを移動させる移動量よりも大きくなり、成膜位置で基板２とトレイ１とを離す。この構成によって、トレイ１に載せられている基板２を、トレイ１から離すように上昇させることで、基板２と基板搭載板３とが確実に当接されるので、加熱部によって基板２を加熱または冷却して温度調節を確実に行うことができる。
【００３２】
また、成膜位置で、基板搭載板３によって基板２とトレイ１が離されるため、基板２の温度制御はトレイ１の影響を受けることなく制御される。また、成膜手段５から伝わる熱が比較的大きい場合においても、基板２と基板搭載板３と接触しているので、基板２の温度を制御することが可能である。
【００３３】
上述したように、本実施形態の成膜装置は、基板２の成膜時に、成膜チャンバー４１内の成膜空間と、基板搬送チャンバー４２内の搬送空間とが、基板２およびこの基板２が載せられたトレイ１によって仕切られて分断される。この構成によって、成膜手段５によって発生し基板２に付着すれば膜となる分子または原子状態の成膜物質が拡散等により基板２周辺の搬送機構６０、トレイ昇降機構６７、搭載板昇降機構６８等に付着することを防止することができる。したがって、本実施形態によれば、基板２に形成される薄膜に欠陥が生じるのを抑えることができる。加えて、本実施形態によれば、搬送空間に成膜物質が拡散されることが抑えられるので、基板２の搬送動作の信頼性を向上することができる。
【００３４】
（変形例）
上述した実施形態の成膜装置では、トレイ昇降機構６７が、基板搭載板３を鉛直方向に移動させることで、トレイ１に載せられた基板２を成膜位置に移動させ、基板２の成膜面が水平な状態で成膜されるように構成されていた。トレイ昇降機構は、この構成に限定されるものではなく、基板搭載板を回転移動させて、トレイに載せられた基板を成膜位置に移動させる回転移動機構が採用されてもよい。
【００３５】
図９は、基板２が載せられたトレイ１が、トレイ搬送ローラ６１によって、成膜チャンバー４１に対向する位置まで搬送された後、回転移動機構７３の回転アーム７４によって、鉛直方向に対して傾斜された状態を示している。成膜手段によってはパーティクルを発生し、そのパーティクルが基板の成膜面に降り注ぎ、形成された薄膜に重大な欠陥を生じることがある。このため、基板２の成膜面を鉛直方向に対して傾斜させる構成は、基板２に付着するパーティクルを低減するための構成としてよく用いられている。このように回転移動機構７３を備える構成であっても、図７および図８に示した構成による効果と同様の効果が得られる。なお、回転移動機構７３を備える構成の場合には、必要に応じて、トレイ１から基板２が滑り落ちるのを防ぐ手段（図示せず）が設けられてもよい。
【００３６】
また、上述した実施形態では、１つの成膜チャンバーに対して基板を１つずつ搬送することで、基板に成膜を行っていたが、複数の成膜チャンバーによって複数の基板にそれぞれ成膜を行うように構成されてもよい。
【００３７】
図１０は、複数の基板に成膜を行う構成の一例を示している。成膜手段５を有する複数の成膜チャンバー４１と、基板２が載せられる複数の基板搭載板３と、複数のトレイ１とを備える構成の場合（図１０では、２つの成膜チャンバーを備える構成を示している）であっても、図１に示した構成と同様に、基板２に対する成膜が行われる。この成膜装置では、基板２が搭載された各トレイ１が、トレイ搬送ローラ６１によって各々の成膜チャンバー４１に対向する位置までそれぞれ搬送された後、基板搭載板３によって上方に移動されて、各基板２にそれぞれ成膜が行われる。
【００３８】
また、図示しないが、成膜装置は、成膜チャンバー４１、成膜手段５、基板搭載板３等を有するメインチャンバーを備え、成膜前に基板２を加熱する加熱部を有するチャンバーと、成膜後の基板２を冷却する冷却部を有するチャンバーと、トレイ１を回収するためのトレイ回収機構を有するチャンバーと、トレイ１に基板２を載せる搬送機構を有するチャンバーと、トレイ１から基板２を回収する基板回収機構を有するチャンバーとが、メインチャンバーに対して互いに周回して連結されるように構成されてもよい。このような構成においても、基板２が載せられたトレイ１が成膜手段５に対向する位置まで搬送され、トレイ１と基板２を上方に位置する成膜位置に移動させることで、成膜手段５が配置された成膜空間と、搬送機構６０等が配置された搬送空間とが、トレイ１および基板２によって互いに仕切られるように構成することができる。
【００３９】
なお、上述した実施形態では、成膜チャンバー４１と基板搬送チャンバー４２とが連結された構成が採られたが、この構成に限定されるものではない。成膜チャンバー内に、成膜手段が配置された成膜空間と、搬送機構等が配置された搬送空間とが隔壁で分けて設けられ、この隔壁の開口部が基板２およびトレイ１で閉じられて、成膜空間と搬送空間とに仕切られて分断されるように構成されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施形態の成膜装置を、トレイの搬送方向に平行で基板の成膜面に直交する平面側から示す断面図である。
【図２】上記成膜装置における基板搬入チャンバーの構成と、基板２をトレイ１の上に載せ替える搬送機構を示す断面図である。
【図３】基板が基板搬入チャンバーから基板搬送チャンバー内に搬送される途中の状態を示す断面図である。
【図４】基板が基板搬送チャンバー内に搬送された状態を示す断面図である。
【図５】基板がトレイの上に載せ替えられた状態を示す断面図である。
【図６】基板が載せられたトレイが、成膜チャンバーの成膜手段に対向する位置に移動される状態を示す断面図である。
【図７】成膜チャンバーの成膜空間と基板搬送チャンバーの搬送空間とが、基板およびトレイによって仕切られた状態を説明するための断面図である。
【図８】図７におけるＡ−Ａ断面図である。
【図９】基板が載せられたトレイが回転移動機構によって鉛直方向に対して傾斜された状態を示す断面図である。
【図１０】複数の基板に成膜をそれぞれ行う他の成膜装置の構成の一例を示した断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１  トレイ
２  基板
３  基板搭載板
５  成膜手段
４１  成膜チャンバー
４２  基板搬送チャンバー
４５  基板搬出チャンバー
６１  トレイ搬送ローラ
６２  基板搬送ローラ
６７  トレイ昇降機構（昇降機構）
６８  搭載板昇降機構（昇降機構）
７１  エラストマーガスケット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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