(57)【要約】【課題】撓まない状態の可動反射面と固定反射面との高さが異なる光変調素子を備える空間光変調器において、複数の光変調素子からの出力光量を一定とする適切な目標ＯＮ電圧を求め、適切な画像記録を実現する。【解決手段】各光変調素子において、可動リボンが撓みを開始してから出力光量が最初に最大となるときの最大光量Ｉ１、および、最大光量時の変位量Ｐ１となる最大光量電圧を求め、複数の最大光量のうち最小のものが目標ＯＮ光量Ｉｔとして設定される。そして、目標ＯＮ光量Ｉｔを得ることができる目標ＯＮ電圧として、可動リボンが撓みを開始してから出力光量が最初に最小となる変位量Ｐ２を与える最小光量電圧と最大光量電圧との間の電圧（変位量Ｐｔ１に対応する。）が求められる。これにより、ＯＮ／ＯＦＦ間での可動リボンの移動距離が光変調素子間で大きく相違することが防止され、適切な画像記録が実現される。【選択図】図１２
2008090264.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光変調素子を備える回折格子型の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、
各光変調素子が、基準面に平行な帯状の固定反射面を有する固定反射部と、前記基準面に平行な帯状の可動反射面を有する可動リボンとを、所定方向に交互に配列して備え、
前記各光変調素子に入力される電圧に応じて前記可動リボンが撓んで前記可動反射面の前記基準面からの高さが変更されることにより、前記各光変調素子が０次光を出射する状態と１次回折光を出射する状態との間で変化し、かつ、前記各光変調素子において、前記可動リボンが撓まない状態における前記固定反射面と前記可動反射面との前記基準面からの高さが異なり、
前記空間光変調器における出力光量の補正方法が、
ａ）ＯＮ状態またはＯＦＦ状態において前記各光変調素子が出力する０次光または１次回折光である出力光の光量を前記各光変調素子に共通の目標光量として設定する工程と、
ｂ）前記各光変調素子への入力電圧を増大させた際に前記可動リボンが撓みを開始してから出力光の光量が最初に最小となるときの最小光量および前記可動リボンが撓みを開始してから出力光の光量が最初に最大となるときの最大光量のうち、前記目標光量に近い方に対応する前記入力電圧から前記入力電圧を漸次増大または減少させた際に前記各光変調素子からの出力光量が最初に前記目標光量となるときの前記入力電圧に等しい目標電圧を求める工程と、
を備えることを特徴とする空間光変調器における出力光量の補正方法。
【請求項２】
請求項１に記載の出力光量の補正方法であって、
前記各光変調素子の前記目標電圧が、前記最大光量時に前記各光変調素子に入力される最大光量電圧と、前記最小光量時に前記各光変調素子に入力される最小光量電圧との間の電圧であることを特徴とする出力光量の補正方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、
前記ａ）工程が、
ａ１）前記各光変調素子の前記最大光量、および、前記最大光量時に前記各光変調素子に入力される最大光量電圧を求める工程と、
ａ２）前記複数の光変調素子の複数の最大光量のうち最小のもの以下、かつ、予め定められた光量以上となる光量を前記目標光量として設定する工程と、
を備えることを特徴とする空間光変調器における出力光量の補正方法。
【請求項４】
請求項３に記載の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、
前記ａ）工程が、前記ａ１）工程の前に、
ａ３）前記複数の光変調素子を少なくとも１つのグループに分け、各グループの光変調素子の最大光量電圧を必ず含む電圧範囲において漸次増大する複数の電圧を前記各グループの光変調素子にそれぞれ入力する工程と、
ａ４）前記各グループの光変調素子からの複数の出力光量を測定する工程と、
ａ５）前記複数の出力光量のうち最大のものに対応する電圧を前記各グループの光変調素子の暫定電圧として決定する工程と、
をさらに備え、
前記ａ１）工程において、前記各グループの光変調素子のぞれぞれにおいて、前記暫定電圧から入力電圧を漸次増大または低減しつつ出力光量の測定を繰り返すことにより、前記最大光量電圧が求められることを特徴とする空間光変調器における出力光量の補正方法。
【請求項５】
請求項１または２に記載の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、
前記ａ）工程が、
ａ１）前記各光変調素子の前記最小光量、および、前記最小光量時に前記各光変調素子に入力される最小光量電圧を求める工程と、
ａ２）前記複数の光変調素子の複数の最小光量のうち最大のもの以上、かつ、予め定められた光量以下となる光量を前記目標光量として設定する工程と、
を備えることを特徴とする空間光変調器における出力光量の補正方法。
【請求項６】
請求項５に記載の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、
前記ａ）工程が、前記ａ１）工程の前に、
ａ３）前記複数の光変調素子を少なくとも１つのグループに分け、各グループの光変調素子の最小光量電圧を必ず含む電圧範囲において漸次増大する複数の電圧を前記各グループの光変調素子にそれぞれ入力する工程と、
ａ４）前記各グループの光変調素子からの複数の出力光量を測定する工程と、
ａ５）前記複数の出力光量のうち最小のものに対応する電圧を前記各グループの光変調素子の暫定電圧として決定する工程と、
をさらに備え、
前記ａ１）工程において、前記各グループの光変調素子のぞれぞれにおいて、前記暫定電圧から入力電圧を漸次増大または低減しつつ出力光量の測定を繰り返すことにより、前記最小光量電圧が求められることを特徴とする空間光変調器における出力光量の補正方法。
【請求項７】
請求項１または２に記載の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、
前記目標光量がＯＮ状態における光量であり、
前記ａ）工程が、
ａ１）前記複数の光変調素子を少なくとも１つのグループに分け、各グループの光変調素子の最大光量時に入力される電圧を必ず含む電圧範囲において漸次増大する複数の電圧を前記各グループの光変調素子にそれぞれ入力する工程と、
ａ２）前記各グループの光変調素子からの複数の出力光量を測定する工程と、
ａ３）前記複数の出力光量のうち最大のものに対応する電圧を前記各グループの光変調素子の暫定電圧として決定する工程と、
ａ４）前記各グループの光変調素子に前記暫定電圧を入力する工程と、
ａ５）前記複数の光変調素子からの出力光量のうち最小のもの以下、かつ、予め定められた光量以上となる光量を前記目標光量として設定する工程と、
を備えることを特徴とする空間光変調器における出力光量の補正方法。
【請求項８】
請求項１または２に記載の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、
前記目標光量がＯＦＦ状態における光量であり、
前記ａ）工程が、
ａ１）前記複数の光変調素子を少なくとも１つのグループに分け、各グループの光変調素子の最小光量時に入力される電圧を必ず含む電圧範囲において漸次増大する複数の電圧を前記各グループの光変調素子にそれぞれ入力する工程と、
ａ２）前記各グループの光変調素子からの複数の出力光量を測定する工程と、
ａ３）前記複数の出力光量のうち最小のものに対応する電圧を前記各グループの光変調素子の暫定電圧として決定する工程と、
ａ４）前記各グループの光変調素子に前記暫定電圧を入力する工程と、
ａ５）前記複数の光変調素子からの出力光量のうち最大のもの以上、かつ、予め定められた光量以下となる光量を前記目標光量として設定する工程と、
を備えることを特徴とする空間光変調器における出力光量の補正方法。
【請求項９】
請求項１または２に記載の空間光変調器の出力光量の補正方法であって、
前記目標光量が、ＯＮ状態の前記各光変調素子の出力光量として設定される目標ＯＮ光量であり、
前記ｂ）工程において、前記各光変調素子からの出力光量を前記目標ＯＮ光量とするときに前記各光変調素子に入力される前記目標電圧である目標ＯＮ電圧が求められ、
前記出力光量の補正方法が、
ｃ）ＯＦＦ状態において前記各光変調素子が出力する出力光の光量を前記各光変調素子に共通の目標ＯＦＦ光量として設定する工程と、
ｄ）前記各光変調素子において前記最小光量および前記最大光量のうち前記目標ＯＦＦ光量に近い方に対応する入力電圧から前記入力電圧を漸次増大または減少させた際に前記各光変調素子からの出力光量が最初に前記目標ＯＦＦ光量となるときの前記入力電圧に等しい目標ＯＦＦ電圧を求める工程と、
をさらに備えることを特徴とする空間光変調器における出力光量の補正方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の出力光量の補正方法であって、
前記各光変調素子の前記目標ＯＦＦ電圧が、前記最大光量時に前記各光変調素子に入力される最大光量電圧と、前記最小光量時に前記各光変調素子に入力される最小光量電圧との間の電圧であることを特徴とする出力光量の補正方法。
【請求項１１】
請求項２に記載の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、
前記目標電圧が、ＯＮ状態およびＯＦＦ状態のうち、前記各光変調素子に入力される電圧の値が小さい方に対応するものであり、
ｅ１）前記目標電圧を必ず超える第１電圧と、前記最大光量時に前記各光変調素子に入力される最大光量電圧および前記最小光量時に前記各光変調素子に入力される最小光量電圧のうち値が小さい方の電圧との平均である第２電圧を前記各光変調素子に入力する工程と、
ｅ２）前記各光変調素子からの出力光量を測定する工程と、
ｅ３）前記目標電圧を前記各光変調素子に入力した際に得られる予定の目標光量と前記出力光量との差が許容範囲内であるか否かを確認する工程と、
ｅ４）前記ｅ３）工程において前記差が前記許容範囲外である場合に、出力光量が前記目標光量に近づくように前記第１電圧と前記第２電圧との差の半分を前記第２電圧に加算または減算して更新した第２電圧を取得し、さらに、更新前の前記第２電圧を第１電圧に更新する工程と、
ｅ５）更新後の前記第２電圧を前記各光変調素子に入力して前記ｅ２）工程に戻る工程と、
ｅ６）前記ｅ３）工程において、前記差が前記許容範囲内である場合に、前記第２電圧を前記目標電圧として決定する工程と、
を備えることを特徴とする空間光変調器における出力光量の補正方法。
【請求項１２】
請求項１または２に記載の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、
前記目標光量が、ＯＮ状態において前記各光変調素子の出力光量として設定される目標ＯＮ光量であり、
前記ｂ）工程において、前記各光変調素子からの出力光量を前記目標ＯＮ光量とするときに前記各光変調素子に入力される前記目標電圧である目標ＯＮ電圧が求められ、
前記出力光量の補正方法が、
ｆ１）前記複数の光変調素子を少なくとも１つのグループに分け、各グループの光変調素子の最小光量時の電圧を必ず含む電圧範囲において漸次増大する複数の電圧を前記各グループの光変調素子にそれぞれ入力する工程と、
ｆ２）前記各グループの光変調素子からの複数の出力光量を測定する工程と、
ｆ３）前記複数の出力光量のうち最小のものに対応する電圧をＯＦＦ状態の前記各グループの光変調素子に入力される目標ＯＦＦ電圧として決定する工程と、
をさらに備えることを特徴とする空間光変調器における出力光量の補正方法。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、
前記可動反射面を前記基準面に投影した第１領域の前記所定方向に垂直な方向に伸びるエッジが、前記固定反射面を前記基準面に投影した第２領域のエッジと重なる、または、前記第２領域の内側に位置することを特徴とする空間光変調器における出力光量の補正方法。
【請求項１４】
空間光変調器からの光を記録材料に対して相対的に走査しつつ前記記録材料に照射することにより前記記録材料に画像を記録する画像記録方法であって、
請求項１ないし１３のいずれかに記載の空間光変調器における出力光量の補正方法により前記各光変調素子がＯＮ状態とされる際に前記各光変調素子に入力される前記目標電圧を目標ＯＮ電圧として求める工程と、
前記各光変調素子がＯＮ状態とされる際に前記目標ＯＮ電圧を前記各光変調素子に入力しつつ前記各光変調素子をＯＮ／ＯＦＦ制御し、前記ＯＮ／ＯＦＦ制御と並行して前記空間光変調器に光を照射し、前記空間光変調器からの光を記録材料に対して相対的に走査しつつ前記記録材料に照射する工程と、
を備えることを特徴とする画像記録方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の画像記録方法であって、
各記録材料に画像が記録される前に前記各光変調素子からの出力光量を測定し、前記目標ＯＮ電圧を求める工程の要否を確認する工程をさらに備えることを特徴とする画像記録方法。
【請求項１６】
複数の光変調素子を備える回折格子型の空間光変調器における出力光量の補正装置であって、
各光変調素子が、基準面に平行な帯状の固定反射面を有する固定反射部と、前記基準面に平行な帯状の可動反射面を有する可動リボンとを、所定方向に交互に配列して備え、
前記各光変調素子に入力される電圧に応じて前記可動リボンが撓んで前記可動反射面の前記基準面からの高さが変更されることにより、前記各光変調素子が０次光を出射する状態と１次回折光を出射する状態との間で変化し、かつ、前記各光変調素子において、前記可動リボンが撓まない状態における前記固定反射面と前記可動反射面との前記基準面からの高さが異なり、
前記空間光変調器における出力光量の補正装置が、
前記空間光変調器に光を照射する光源と、
前記各光変調素子に電圧を入力する制御部と、
前記各光変調素子からの０次光または１次回折光である出力光の光量を測定する光量測定部と、
前記各光変調素子からの出力光の光量を目標光量とする際に前記各光変調素子に入力される目標電圧を求める目標電圧取得部と、
を備え、
前記制御部、前記光量測定部および前記目標電圧取得部が、
ａ）ＯＮ状態またはＯＦＦ状態において前記各光変調素子が出力する出力光の光量を前記各光変調素子に共通の目標光量として設定する工程と、
ｂ）前記各光変調素子への入力電圧を増大させた際に前記可動リボンが撓みを開始してから出力光の光量が最初に最小となるときの最小光量および前記可動リボンが撓みを開始してから出力光の光量が最初に最大となるときの最大光量のうち、前記目標光量に近い方に対応する前記入力電圧から前記入力電圧を漸次増大または減少させた際に前記各光変調素子からの出力光量が最初に前記目標光量となるときの前記入力電圧に等しい目標電圧を求める工程と、
を実行することを特徴とする空間光変調器における出力光量の補正装置。
【請求項１７】
空間光変調器からの光を記録材料に対して相対的に走査しつつ前記記録材料に照射することにより前記記録材料に画像を記録する画像記録装置であって、
空間光変調器と、
前記空間光変調器からの出力光量を補正する請求項１６に記載の補正装置と、
前記空間光変調器に入力される画像信号を生成する信号処理部と、
前記空間光変調器からの光を記録材料に対して相対的に走査しつつ前記記録材料に照射する走査機構と、
を備えることを特徴とする画像記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回折格子型の空間光変調器における出力光量を補正する技術に関し、空間光変調器は、好ましくは、画像の記録に使用される。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置製造技術を利用して基板上に固定リボンと可動リボンとを交互に形成し、可動リボンを固定リボンに対して撓ませることにより回折格子の深さを変更することができる回折格子型の光変調素子が開発されている。このような光変調素子では溝の深さを変更することにより正反射光や回折光の強度が変化するため、光のスイッチング素子としてＣＴＰ（Computer to Plate）等の技術における画像記録装置への利用が提案されている。例えば、特許文献１では、基板上に固定リボンが形成され、基板から離れた位置に可動リボンが形成された光変調素子が開示されている。
【０００３】
回折格子型の光変調素子は出力される光量を連続的に変化させることができるという特徴を有しており、このような光変調素子を配列して有する空間光変調器では、光源からの光が若干分布を有していたり、光変調素子間にて機械特性が若干異なっていても、ＯＮ状およびＯＦＦ状態における各光変調素子からの出力光量を一定とする調整が可能となる。
【特許文献１】特表２００２−５０３３５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、可動リボンが撓まない状態で固定リボンと可動リボンとの高さが同じ回折格子型の光変調素子の場合、入力電圧が０の場合に０次光（正反射光）が出力され、このとき光量が最大となるため、この状態を基準に光変調素子間の出力光量のばらつきを補正することができるが、可動リボンが撓まない状態で固定リボンと可動リボンとの高さが異なる回折格子型の光変調素子の場合、ある程度の電圧を入力して初めて０次光が最大となることに起因して、所望の光量を得るための入力電圧が、０次光が最大となる電圧近傍に複数存在する場合があり、適切な入力電圧を容易に決定することができない。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、撓まない状態の可動リボンと固定リボンとの高さが異なる光変調素子を備える回折格子型の空間光変調器において、各光変調素子からのＯＮ状態（またはＯＦＦ状態）の出力光量を一定とする適切な入力電圧を求めることができる出力光量の補正方法を提供することを主たる目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、複数の光変調素子を備える回折格子型の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、各光変調素子が、基準面に平行な帯状の固定反射面を有する固定反射部と、前記基準面に平行な帯状の可動反射面を有する可動リボンとを、所定方向に交互に配列して備え、前記各光変調素子に入力される電圧に応じて前記可動リボンが撓んで前記可動反射面の前記基準面からの高さが変更されることにより、前記各光変調素子が０次光を出射する状態と１次回折光を出射する状態との間で変化し、かつ、前記各光変調素子において、前記可動リボンが撓まない状態における前記固定反射面と前記可動反射面との前記基準面からの高さが異なり、前記空間光変調器における出力光量の補正方法が、ａ）ＯＮ状態またはＯＦＦ状態において前記各光変調素子が出力する０次光または１次回折光である出力光の光量を前記各光変調素子に共通の目標光量として設定する工程と、ｂ）前記各光変調素子への入力電圧を増大させた際に前記可動リボンが撓みを開始してから出力光の光量が最初に最小となるときの最小光量および前記可動リボンが撓みを開始してから出力光の光量が最初に最大となるときの最大光量のうち、前記目標光量に近い方に対応する前記入力電圧から前記入力電圧を漸次増大または減少させた際に前記各光変調素子からの出力光量が最初に前記目標光量となるときの前記入力電圧に等しい目標電圧を求める工程とを備える。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の出力光量の補正方法であって、前記各光変調素子の前記目標電圧が、前記最大光量時に前記各光変調素子に入力される最大光量電圧と、前記最小光量時に前記各光変調素子に入力される最小光量電圧との間の電圧である。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、前記ａ）工程が、ａ１）前記各光変調素子の前記最大光量、および、前記最大光量時に前記各光変調素子に入力される最大光量電圧を求める工程と、ａ２）前記複数の光変調素子の複数の最大光量のうち最小のもの以下、かつ、予め定められた光量以上となる光量を前記目標光量として設定する工程とを備える。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、前記ａ）工程が、前記ａ１）工程の前に、ａ３）前記複数の光変調素子を少なくとも１つのグループに分け、各グループの光変調素子の最大光量電圧を必ず含む電圧範囲において漸次増大する複数の電圧を前記各グループの光変調素子にそれぞれ入力する工程と、ａ４）前記各グループの光変調素子からの複数の出力光量を測定する工程と、ａ５）前記複数の出力光量のうち最大のものに対応する電圧を前記各グループの光変調素子の暫定電圧として決定する工程とをさらに備え、前記ａ１）工程において、前記各グループの光変調素子のぞれぞれにおいて、前記暫定電圧から入力電圧を漸次増大または低減しつつ出力光量の測定を繰り返すことにより、前記最大光量電圧が求められる。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、請求項１または２に記載の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、前記ａ）工程が、ａ１）前記各光変調素子の前記最小光量、および、前記最小光量時に前記各光変調素子に入力される最小光量電圧を求める工程と、ａ２）前記複数の光変調素子の複数の最小光量のうち最大のもの以上、かつ、予め定められた光量以下となる光量を前記目標光量として設定する工程とを備える。
【００１１】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、前記ａ）工程が、前記ａ１）工程の前に、ａ３）前記複数の光変調素子を少なくとも１つのグループに分け、各グループの光変調素子の最小光量電圧を必ず含む電圧範囲において漸次増大する複数の電圧を前記各グループの光変調素子にそれぞれ入力する工程と、ａ４）前記各グループの光変調素子からの複数の出力光量を測定する工程と、ａ５）前記複数の出力光量のうち最小のものに対応する電圧を前記各グループの光変調素子の暫定電圧として決定する工程とをさらに備え、前記ａ１）工程において、前記各グループの光変調素子のぞれぞれにおいて、前記暫定電圧から入力電圧を漸次増大または低減しつつ出力光量の測定を繰り返すことにより、前記最小光量電圧が求められる。
【００１２】
請求項７に記載の発明は、請求項１または２に記載の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、前記目標光量がＯＮ状態における光量であり、前記ａ）工程が、ａ１）前記複数の光変調素子を少なくとも１つのグループに分け、各グループの光変調素子の最大光量時に入力される電圧を必ず含む電圧範囲において漸次増大する複数の電圧を前記各グループの光変調素子にそれぞれ入力する工程と、ａ２）前記各グループの光変調素子からの複数の出力光量を測定する工程と、ａ３）前記複数の出力光量のうち最大のものに対応する電圧を前記各グループの光変調素子の暫定電圧として決定する工程と、ａ４）前記各グループの光変調素子に前記暫定電圧を入力する工程と、ａ５）前記複数の光変調素子からの出力光量のうち最小のもの以下、かつ、予め定められた光量以上となる光量を前記目標光量として設定する工程とを備える。
【００１３】
請求項８に記載の発明は、請求項１または２に記載の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、前記目標光量がＯＦＦ状態における光量であり、前記ａ）工程が、ａ１）前記複数の光変調素子を少なくとも１つのグループに分け、各グループの光変調素子の最小光量時に入力される電圧を必ず含む電圧範囲において漸次増大する複数の電圧を前記各グループの光変調素子にそれぞれ入力する工程と、ａ２）前記各グループの光変調素子からの複数の出力光量を測定する工程と、ａ３）前記複数の出力光量のうち最小のものに対応する電圧を前記各グループの光変調素子の暫定電圧として決定する工程と、ａ４）前記各グループの光変調素子に前記暫定電圧を入力する工程と、ａ５）前記複数の光変調素子からの出力光量のうち最大のもの以上、かつ、予め定められた光量以下となる光量を前記目標光量として設定する工程とを備える。
【００１４】
請求項９に記載の発明は、請求項１または２に記載の空間光変調器の出力光量の補正方法であって、前記目標光量が、ＯＮ状態の前記各光変調素子の出力光量として設定される目標ＯＮ光量であり、前記ｂ）工程において、前記各光変調素子からの出力光量を前記目標ＯＮ光量とするときに前記各光変調素子に入力される前記目標電圧である目標ＯＮ電圧が求められ、前記出力光量の補正方法が、ｃ）ＯＦＦ状態において前記各光変調素子が出力する出力光の光量を前記各光変調素子に共通の目標ＯＦＦ光量として設定する工程と、ｄ）前記各光変調素子において前記最小光量および前記最大光量のうち前記目標ＯＦＦ光量に近い方に対応する入力電圧から前記入力電圧を漸次増大または減少させた際に前記各光変調素子からの出力光量が最初に前記目標ＯＦＦ光量となるときの前記入力電圧に等しい目標ＯＦＦ電圧を求める工程とをさらに備える。
【００１５】
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の出力光量の補正方法であって、前記各光変調素子の前記目標ＯＦＦ電圧が、前記最大光量時に前記各光変調素子に入力される最大光量電圧と、前記最小光量時に前記各光変調素子に入力される最小光量電圧との間の電圧である。
【００１６】
請求項１１に記載の発明は、請求項２に記載の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、前記目標電圧が、ＯＮ状態およびＯＦＦ状態のうち、前記各光変調素子に入力される電圧の値が小さい方に対応するものであり、ｅ１）前記目標電圧を必ず超える第１電圧と、前記最大光量時に前記各光変調素子に入力される最大光量電圧および前記最小光量時に前記各光変調素子に入力される最小光量電圧のうち値が小さい方の電圧との平均である第２電圧を前記各光変調素子に入力する工程と、ｅ２）前記各光変調素子からの出力光量を測定する工程と、ｅ３）前記目標電圧を前記各光変調素子に入力した際に得られる予定の目標光量と前記出力光量との差が許容範囲内であるか否かを確認する工程と、ｅ４）前記ｅ３）工程において前記差が前記許容範囲外である場合に、出力光量が前記目標光量に近づくように前記第１電圧と前記第２電圧との差の半分を前記第２電圧に加算または減算して更新した第２電圧を取得し、さらに、更新前の前記第２電圧を第１電圧に更新する工程と、ｅ５）更新後の前記第２電圧を前記各光変調素子に入力して前記ｅ２）工程に戻る工程と、ｅ６）前記ｅ３）工程において、前記差が前記許容範囲内である場合に、前記第２電圧を前記目標電圧として決定する工程とを備える。
【００１７】
請求項１２に記載の発明は、請求項１または２に記載の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、前記目標光量が、ＯＮ状態において前記各光変調素子の出力光量として設定される目標ＯＮ光量であり、前記ｂ）工程において、前記各光変調素子からの出力光量を前記目標ＯＮ光量とするときに前記各光変調素子に入力される前記目標電圧である目標ＯＮ電圧が求められ、前記出力光量の補正方法が、ｆ１）前記複数の光変調素子を少なくとも１つのグループに分け、各グループの光変調素子の最小光量時の電圧を必ず含む電圧範囲において漸次増大する複数の電圧を前記各グループの光変調素子にそれぞれ入力する工程と、ｆ２）前記各グループの光変調素子からの複数の出力光量を測定する工程と、ｆ３）前記複数の出力光量のうち最小のものに対応する電圧をＯＦＦ状態の前記各グループの光変調素子に入力される目標ＯＦＦ電圧として決定する工程とをさらに備える。
【００１８】
請求項１３に記載の発明は、請求項１ないし１２のいずれかに記載の空間光変調器における出力光量の補正方法であって、前記可動反射面を前記基準面に投影した第１領域の前記所定方向に垂直な方向に伸びるエッジが、前記固定反射面を前記基準面に投影した第２領域のエッジと重なる、または、前記第２領域の内側に位置する。
【００１９】
請求項１４に記載の発明は、空間光変調器からの光を記録材料に対して相対的に走査しつつ前記記録材料に照射することにより前記記録材料に画像を記録する画像記録方法であって、請求項１ないし１３のいずれかに記載の空間光変調器における出力光量の補正方法により前記各光変調素子がＯＮ状態とされる際に前記各光変調素子に入力される前記目標電圧を目標ＯＮ電圧として求める工程と、前記各光変調素子がＯＮ状態とされる際に前記目標ＯＮ電圧を前記各光変調素子に入力しつつ前記各光変調素子をＯＮ／ＯＦＦ制御し、前記ＯＮ／ＯＦＦ制御と並行して前記空間光変調器に光を照射し、前記空間光変調器からの光を記録材料に対して相対的に走査しつつ前記記録材料に照射する工程とを備える。
【００２０】
請求項１５に記載の発明は、請求項１４に記載の画像記録方法であって、各記録材料に画像が記録される前に前記各光変調素子からの出力光量を測定し、前記目標ＯＮ電圧を求める工程の要否を確認する工程をさらに備える。
【００２１】
請求項１６に記載の発明は、複数の光変調素子を備える回折格子型の空間光変調器における出力光量の補正装置であって、各光変調素子が、基準面に平行な帯状の固定反射面を有する固定反射部と、前記基準面に平行な帯状の可動反射面を有する可動リボンとを、所定方向に交互に配列して備え、前記各光変調素子に入力される電圧に応じて前記可動リボンが撓んで前記可動反射面の前記基準面からの高さが変更されることにより、前記各光変調素子が０次光を出射する状態と１次回折光を出射する状態との間で変化し、かつ、前記各光変調素子において、前記可動リボンが撓まない状態における前記固定反射面と前記可動反射面との前記基準面からの高さが異なり、前記空間光変調器における出力光量の補正装置が、前記空間光変調器に光を照射する光源と、前記各光変調素子に電圧を入力する制御部と、前記各光変調素子からの０次光または１次回折光である出力光の光量を測定する光量測定部と、前記各光変調素子からの出力光の光量を目標光量とする際に前記各光変調素子に入力される目標電圧を求める目標電圧取得部とを備え、前記制御部、前記光量測定部および前記目標電圧取得部が、ａ）ＯＮ状態またはＯＦＦ状態において前記各光変調素子が出力する出力光の光量を前記各光変調素子に共通の目標光量として設定する工程と、ｂ）前記各光変調素子への入力電圧を増大させた際に前記可動リボンが撓みを開始してから出力光の光量が最初に最小となるときの最小光量および前記可動リボンが撓みを開始してから出力光の光量が最初に最大となるときの最大光量のうち、前記目標光量に近い方に対応する前記入力電圧から前記入力電圧を漸次増大または減少させた際に前記各光変調素子からの出力光量が最初に前記目標光量となるときの前記入力電圧に等しい目標電圧を求める工程とを実行する。
【００２２】
請求項１７に記載の発明は、空間光変調器からの光を記録材料に対して相対的に走査しつつ前記記録材料に照射することにより前記記録材料に画像を記録する画像記録装置であって、空間光変調器と、前記空間光変調器からの出力光量を補正する請求項１６に記載の補正装置と、前記空間光変調器に入力される画像信号を生成する信号処理部と、前記空間光変調器からの光を記録材料に対して相対的に走査しつつ前記記録材料に照射する走査機構とを備える。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、撓まない状態の可動反射面と固定反射面との高さが異なる光変調素子を備える空間光変調器において、適切な目標電圧を得ることができる。また、請求項４の発明では、最大光量電圧を速やかに求めることができ、請求項６の発明では、最小光量電圧を速やかに求めることができる。
【００２４】
請求項７および８の発明では、暫定電圧を利用して目標光量を速やかに設定することができる。請求項９の発明では、目標ＯＮ電圧および目標ＯＦＦ電圧を求めることができる。請求項１１の発明では、二分探索法により目標電圧を迅速に求めることができ、請求項１２の発明では、目標ＯＦＦ電圧を速やかに決定することができる。請求項１３の発明では、消光比を向上することができる。
【００２５】
請求項１４、１５および１７の発明では、画像を適切に記録することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る画像記録装置１の構成を示す図である。画像記録装置１は光を出射する光学ヘッド１０および画像が記録される記録材料９を外側面に保持する保持部である保持ドラム７０を有する。記録材料９には光学ヘッド１０の空間光変調器からの光が走査されつつ照射されることにより、画像が記録される（すなわち、光の照射により画像が描画される）。記録材料９としては、例えば、刷版、刷版形成用のフィルム等が用いられる。保持ドラム７０として無版印刷用の感光ドラムが用いられてもよく、この場合、記録材料９は感光ドラムの表面に相当し、保持ドラム７０が記録材料９を一体的に保持していると捉えることができる。
【００２７】
保持ドラム７０は円筒面の中心軸を中心にモータ８１により回転し、これにより、光学ヘッド１０が記録材料９に対して主走査方向に（後述する複数の光変調素子からの光が照射される位置の配列方向に対して交差する方向に）相対的に一定の速度で移動する。また、光学ヘッド１０はモータ８２およびボールねじ８３により保持ドラム７０の回転軸に平行な（主走査方向に垂直な）副走査方向に移動可能とされ、光学ヘッド１０の位置はエンコーダ８４により検出される。すなわち、モータ８１，８２、ボールねじ８３を含む走査機構により、保持ドラム７０の外側面および記録材料９が、空間光変調器を有する光学ヘッド１０（および空間光変調器からの光）に対して一定の速度で主走査方向に相対的に移動するとともに主走査方向に交差する副走査方向にも相対的に移動する。モータ８１，８２およびエンコーダ８４並びに光学ヘッド１０は全体制御部２１に接続され、全体制御部２１がモータ８１，８２および光学ヘッド１０内の空間光変調器からの光の出射を制御することにより、保持ドラム７０上の記録材料９に光による画像記録が行われる。
【００２８】
保持ドラム７０の側方には、光学ヘッド１０内の空間光変調器の各光変調素子からの出力光の光量を測定する光量測定部７１が配置され、光学ヘッド１０はモータ８２およびボールねじ８３により光量測定部７１を通過する位置まで移動可能とされる。
【００２９】
記録材料９に記録される画像のデータは予め信号生成部２３にて準備されており、信号処理部２２が全体制御部２１からの制御信号に基づいて信号生成部２３から画像信号を受け取る。信号処理部２２は受け取った画像信号を光学ヘッド１０用の信号へと変換して全体制御部２１に入力し、全体制御部２１が光学ヘッド１０内の空間光変調器の各光変調素子に画像信号を示す電圧を入力する。画像記録装置１では各光変調素子から出力される望ましい光量を決定する目標電圧取得部２４がさらに設けられ、目標電圧取得部２４は光量測定部７１、全体制御部２１および信号処理部２２に接続される。
【００３０】
図２は光学ヘッド１０の内部構成の概略を示す図である。光学ヘッド１０内には、複数の発光点を一列に有するバータイプの半導体レーザである光源１１、および、回折格子型の複数の光変調素子を一列に配列して有する空間光変調器１２が配置され、光源１１からの光は、レンズ１３１（実際には、集光レンズ、シリンドリカルレンズ等により構成される。）およびプリズム１３２を介して空間光変調器１２へと導かれる。このとき、光源１１からの光は線状光（光束断面が線状の光）とされ、ライン状に配列される複数の光変調素子上に照射される。
【００３１】
空間光変調器１２の各光変調素子はデバイス駆動回路１２０からの信号に基づいて個別に制御され、０次光を出射する状態と、非０次回折光（主として１次回折光（（＋１）次回折光および（−１）次回折光））を出射する状態との間で遷移可能とされる。光変調素子から出射される０次光はプリズム１３２へと戻され、１次回折光はプリズム１３２とは異なる方向へと導かれる。なお、迷光となることを防止するために１次回折光は図示を省略する遮光部により遮光される。
【００３２】
各光変調素子からの０次光はプリズム１３２にて反射され、ズームレンズ１３３を介して光学ヘッド１０外の記録材料９へと導かれ、複数の光変調素子の像が副走査方向に並ぶように記録材料９上に形成される。すなわち、光変調素子１２１では０次光が画像記録に利用される出力光とされ、０次光を出射する状態がＯＮ状態であり、１次回折光を出射する状態がＯＦＦ状態とされる。ズームレンズ１３３はズームレンズ駆動モータ１３４にて倍率が可変とされており、これにより、記録される画像の解像度が変更される。
【００３３】
なお、上記では、照明レンズ１３１から空間光変調器１２に向かう光束と、空間光変調器１２を反射しズームレンズ１３３に向かう０次光の光束の一部とは光軸が一致している。このため、照明レンズ１３１から空間光変調器１２に向かう光束中にプリズム１３２を配置することで、空間光変調器１２を反射した０次光が光源１１に向かわないようにしている。
【００３４】
しかし、空間光変調器１２およびズームレンズ１３３等が位置する平面から離れた位置に照明レンズ１３１を配置するとともに、照明レンズ１３１を透過した光束を空間光変調器１２に向かわせるためのミラーを配置するようにしてもよい。こうした場合、照明レンズ１３１から空間光変調器１２に向かう光束と、空間光変調器１２からズームレンズ等に向かう光束とが一致しなくなるので、照明レンズ１３１から空間光変調器１２に向かう光束中にプリズム１３２等の光路分離手段を配置しなくてもよい。
【００３５】
図３は、回折格子型の空間光変調器１２が備える複数の光変調素子１２１の拡大図であり、空間光変調器１２において光変調素子１２１は直線状に配列配置される。各光変調素子１２１は格子の深さを変更することができる回折格子となっており、半導体装置製造技術を利用して製造される。光変調素子１２１には複数の可動リボン１２１ａおよび固定リボン１２１ｂがリボンの幅方向に交互に平行に配列形成され、可動リボン１２１ａは背後の基準面に対して昇降移動可能とされ、固定リボン１２１ｂは基準面に対して固定される。回折格子型の光変調素子としては、例えば、ＧＬＶ（グレーチング・ライト・バルブ）（シリコン・ライト・マシーンズ（サニーベール、カリフォルニア）の登録商標）が知られている。
【００３６】
図４．Ａおよび図４．Ｂは、可動リボン１２１ａをその長手方向に平行な面にて切断した縦断面図であり、固定リボン１２１ｂを破線にて示している。可動リボン１２１ａはその上面が基板の上面である基準面１２１ｃに平行な帯状の可動反射面１２２ａとなっており、固定リボン１２１ｂはその上面が基板の上面である基準面１２１ｃに平行な帯状の固定反射面１２２ｂとなっている。図４．Ａは可動リボン１２１ａが撓まない初期状態を示しており、図４．Ｂは可動リボン１２１ａと基準面１２１ｃとの間に電圧（電位差）が与えられ、静電気力により可動リボン１２１ａが基準面１２１ｃに向かって撓んだ状態を示している。固定リボン１２１ｂは基準面１２１ｃ上に形成されるため、図４．Ａに示すように可動リボン１２１ａが撓まない状態では、可動反射面１２２ａの基準面１２１ｃからの高さと固定反射面１２２ｂの基準面１２１ｃからの高さとが異なっている。
【００３７】
図５．Ａ、図５．Ｂおよび図５．Ｃは、可動リボン１２１ａおよび固定リボン１２１ｂに垂直な面による光変調素子１２１の断面を示す図である。図５．Ａに示すように、可動リボン１２１ａと固定リボン１２１ｂとはほぼ同じ幅となっており、可動反射面１２２ａを基準面１２１ｃに投影した領域（符号１２３ａを付す範囲に対応する基準面１２１ｃ上の領域であり、以下、「第１領域１２３ａ」という。）と固定反射面１２２ｂを基準面１２１ｃに投影した領域（符号１２３ｂを付す範囲に対応する基準面１２１ｃ上の領域であり、以下、「第２領域１２３ｂ」という。）とを想定した場合、第１領域１２３ａの長手方向に伸びるエッジ１２４ａ（リボンの幅方向（リボンの配列方向）に垂直な方向に伸びるエッジであり、紙面に垂直なエッジ）と第２領域１２３ｂの長手方向に伸びるエッジ１２４ｂとは重なっている。なお、複数の可動リボン１２１ａおよび複数の固定リボン１２１ｂのそれぞれの幅の長さはコントラストや反射率を考慮して最適化することが可能である。この場合には、これらの長さはお互いに微少量ずつ異なることになる。
【００３８】
図５．Ｂは、可動リボン１２１ａが僅かに撓み、可動反射面１２２ａと固定反射面１２２ｂとの高さの差ｄが、（２ｎ／４）λ（ただし、λは入射光Ｌ１の波長である。）となった状態を示す図である。図５．Ｂの状態では最大光量（すなわち、最大強度）の０次光Ｌ２が光変調素子１２１から出力される。一方、図５．Ｃは、可動リボン１２１ａがさらに撓み、可動反射面１２２ａと固定反射面１２２ｂとの高さの差ｄが、（（２ｎ−１）／４）λとなった状態を示す図である。図５．Ｃの状態では、光変調素子１２１から（±１）次回折光Ｌ３（さらには、高次の回折光）の光量が最大となり、０次光の光量は最小となる。
【００３９】
以上のように、光変調素子１２１では、入力される電圧に応じて可動リボン１２１ａが撓んで可動反射面１２２ａの基準面１２１ｃからの高さが変更されることにより、０次光を出射する状態と１次回折光を出射する状態との間で変化し、かつ、可動リボン１２１ａが撓まない状態における固定反射面１２２ｂと可動反射面１２２ａとの基準面１２１ｃからの高さが異なっており、可動リボン１２１ａが撓んだ状態で０次光の光量が最大となり、可動リボン１２１ａがさらに撓んで０次光の光量が最小となって１次回折光の光量が最大となる。可動リボン１２１ａがある程度撓んでから０次光の光量が最大となるように光変調素子１２１を設計することにより、製造誤差の影響を受けることなく、低い入力電圧で最大光量を確実に得ることが実現される。
【００４０】
また、光変調素子１２１では、可動反射面１２２ａを基準面１２１ｃに投影した第１領域１２３ａと固定反射面１２２ｂを基準面１２１ｃに投影した第２領域１２３ｂとの間には隙間が存在せず、図５．Ａに示すように、光変調素子１２１の上面には、可動リボン１２１ａの可動反射面１２２ａと、可動反射面１２２ａとほぼ同じ幅の隙間１２５とが交互に存在している。これにより、光変調素子１２１では、ＯＦＦ状態の０次光の光量に対するＯＮ状態の０次光の光量の比である消光比を大きくすることができる。消光比が大きいほど描画（光信号の伝達の一種と捉えることもできる。）を的確に行うことができ、また同時に反射率（０次光の回折効率）を向上させることができるため、光変調素子１２１は消光比の向上が実現された回折格子型の光変調素子であるといえる。
【００４１】
図６は、各光変調素子１２１を駆動する構成を示す図である。光変調素子１２１が駆動される際には、Ｄ／Ａコンバータ３１にデジタル信号である駆動電圧データ３０１が入力され、所定のクロック信号に合わせて駆動電圧データ３０１がアナログ信号に変換されて出力される。アナログ信号は電流源３２に入力されて電流へとさらに変換される。
【００４２】
電流源３２は一端が抵抗３３を介して高電位Ｖｃｃ側に接続され、他端が接地される。電流源３２の両端は、接続パット３４を介して光変調素子１２１の可動リボン１２１ａと基準面１２１ｃに接続される。したがって、Ｄ／Ａコンバータ３１からの出力が電流源３２を介して電流へと変換されると、抵抗３３による電圧降下により両接続パッド３４間の実駆動電圧へと変換される。両接続パッド３４の間には浮遊容量が存在するため、実駆動電圧は時定数に従った変化を行い、時間と共に駆動電圧データ３０１が示す目標駆動電圧へと向かう。以上の動作により、光変調素子１２１は駆動電圧データに従った電圧が入力されることにより、回折格子の深さを任意に変更することが可能とされる。
【００４３】
図７は、光量測定部７１の構成を示す図である。光量測定部７１は光学ヘッド１０からの光を電気的アナログ信号に変換する光検出器であるフォトセンサ７１１を備え、フォトセンサ７１１の光学ヘッド１０側（図１参照）にはスリット７１２が設けられる。フォトセンサ７１１は増幅器７２１に接続され、増幅器７２１はＡ／Ｄコンバータ７２２、光量測定回路７３１およびメモリ７３４に順に接続される。フォトセンサ７１１からの出力は、増幅器７２１を介してＡ／Ｄコンバータ７２２にてデジタルデータに変換され、光量測定回路７３１にてさらに光量を示す値へと変換される。光量測定回路７３１からの出力は、メモリ７３４に保存される。
【００４４】
図８は、光量測定部７１により光量測定が行われる様子を示す図である。光量測定では、図１中に二点鎖線にて示すように、光量測定部７１と対向する位置まで光学ヘッド１０が移動し、スリット７１２が、ズームレンズ１３３などによる複数の光変調素子１２１の結像位置に配置される。なお、スリット７１２と複数の光変調素子１２１との間には、光量測定部７１の感度およびスリット７１２に対する光変調素子１２１像の大きさを最適化するために減光手段やレンズ等を配置してもよい。図８では各光変調素子１２１をブロックにて示し、対応するチャンネル番号をその中に記している。そして、全ての光変調素子１２１がＯＮ状態とされた上で光学ヘッド１０が矢印８３ａにて示す方向（光変調素子１２１の配列方向に対応する方向であり、描画時の副走査方向）にスリット７１２に対して相対的に移動する。すなわち、図１に示すモータ８２およびボールねじ８３がスリット７１２を光変調素子１２１に対して相対的に移動するスリット移動機構となっている。
【００４５】
スリット７１２に形成されている間隙の幅（正確には、副走査方向の幅）は１つの光変調素子１２１の像の副走査方向の幅の半分とされ（像の幅よりも狭ければ、間隙の幅は像の半分には限定されない。）、光学ヘッド１０が１つの光変調素子１２１の像の幅だけ移動する間に図７に示すＡ／Ｄコンバータ７２２がフォトセンサ７１１からの出力を２回変換する。これにより、図９に例示する出力分布が得られる。図９において検出回数１，２が最初の光変調素子１２１から得られた出力を示し、検出回数３，４が２番目の光変調素子１２１から得られた出力を示し、検出回数（Ｍ−１），ＭがＮ番目（ＭはＮの２倍の値である。）の光変調素子１２１から得られた出力を示す。光量測定回路７３１では図９に示す出力の２つずつの平均が求められ、さらに光変調素子１２１からの光量に変換する演算が行われる。求められたチャンネル毎の光量はメモリ７３４に一旦保存され、その後、図１に示す目標電圧取得部２４へと転送される。
【００４６】
図１０は画像記録装置１の動作の流れを示す図である。画像記録装置１では、各光変調素子１２１がＯＮ状態とされる際に一定の光量の光を出力するための補正後の駆動電圧データ（以下、「補正データ」と呼ぶ。）が図１の目標電圧取得部２４に保存されており、画像記録の前に補正データの修正の要否が確認される。後述するように、補正データにはＯＦＦ状態とされるときの補正後の駆動電圧データが含まれてもよい。
【００４７】
補正データの確認では、まず、光学ヘッド１０が図１中に二点鎖線にて示すように光量測定部７１に対向する位置まで移動し、補正データが目標電圧取得部２４から全体制御部２１に読み出される。その後、全体制御部２１および信号処理部２２の制御により補正データに基づいて全ての光変調素子１２１がＯＮ状態とされ、各光変調素子１２１からの出力光の光量が順次測定される（ステップＳ１１）。光変調素子１２１からの光量のばらつきが許容範囲内である場合は、補正データの修正が不要と判断され（ステップＳ１２）、全体制御部２１および信号処理部２２により、光量補正を反映した描画が行われる（ステップ１３）。
【００４８】
具体的には、複数の光変調素子１２１からＯＮ／ＯＦＦ制御される光を出力しつつ、保持ドラム７０が回転することにより光変調素子１２１からの光が照射される位置の配列方向に対して垂直な方向に一定の速度で記録材料９が複数の光変調素子１２１に対して相対的に移動し、さらに、保持ドラム７０の回転に同期して光学ヘッド１０が副走査方向に移動し、記録材料９全体に画像が記録される。そして、各光変調素子１２１がＯＮ状態とされる際には、図６に示すＤ／Ａコンバータ３１に補正後の駆動電圧データ３０１が入力される。また、各光変調素子１２１がＯＦＦ状態とされる際にも補正が行われる場合は、ＯＦＦ状態を指示する補正後の駆動電圧データ３０１がＤ／Ａコンバータ３１に入力される。なお、記録材料９の移動方向である保持ドラム７０の側面の移動方向（主走査方向）は、光が照射される位置の配列方向に対して垂直である必要はなく、交差する方向であればよい。
【００４９】
１つの記録材料９への画像記録が完了し、次の画像の記録が行われる場合には、保持ドラム７０上の記録材料９が交換されてステップＳ１１（光量測定）へと戻る（ステップＳ１４）。このように、画像記録装置１では各記録材料９に画像が記録される前に、すなわち、画像記録の前に必ず、各光変調素子１２１からの出力光量が測定され、補正データの修正（後述の目標ＯＮ電圧（および目標ＯＦＦ電圧）を求める工程）の要否が確認される。
【００５０】
一方、ステップＳ１２において光変調素子１２１からの光量のばらつきが許容範囲を超えると判断された場合は、ＯＮ状態の各光変調素子１２１からの出力光（本実施の形態では、０次光）の光量を一定とする補正データを求めるＯＮ光量補正が行われ（ステップＳ２）、描画へと移行する。また、記録材料９の種類に応じて必要な場合は（ステップＳ１５）。ＯＦＦ状態の各光変調素子１２１から漏れ出す出力光（０次光）の光量を一定とするＯＦＦ光量補正が行われた上で（ステップＳ３）、描画へと移行する。
【００５１】
画像記録装置１では全体制御部２１、信号処理部２２、目標電圧取得部２４および光学ヘッド１０内の光源１１等が空間光変調器１２における出力光量を補正する補正装置としての役割を果たし、図１０中のＯＮ光量補正およびＯＦＦ光量補正は、全体制御部２１、信号処理部２２および目標電圧取得部２４により実行される。
【００５２】
図１１は、ＯＮ光量補正の流れを示す図であり、図１２は、１つの光変調素子１２１の可動リボン１２１ａの変位量（撓み量）と出力光の光量との関係を示す図である。なお、図１１のステップＳ２１〜Ｓ２３，Ｓ２５〜Ｓ２７は素子毎の処理を示している。また、図１２では横軸が変位量とされるが、横軸が入力電圧に置き換えられてもほぼ同様の曲線となる。以下の説明において光変調素子１２１に入力される電圧は、常に正または０であるものとして説明するが、常に負または０であってもよい。したがって、以下の説明において電圧が高い（または値が大きい）とは、電圧の絶対値が大きいことを指す。
【００５３】
既述のように、光変調素子１２１では、出力光量が最大となるときに光変調素子１２１に入力される最大光量電圧が、出力光量が最小となるときに光変調素子１２１に入力される最小光量電圧よりも低く、可動リボン１２１ａが僅かに撓んだ変位量Ｐ１で出力光量が最大値Ｉ１となり、可動リボン１２１ａがさらに撓んた変位量Ｐ２にて出力光量が最小値Ｉ２となる。ＯＮ光量補正では、最初に、光量が最大値Ｉ１となるときに光変調素子１２１に入力される最大光量電圧を求める処理が行われる。
【００５４】
１つの光変調素子１２１に注目した場合、最大光量電圧を求める処理では、まず、この光変調素子１２１に初期の電圧として０が入力され（ステップＳ２１）、可動リボン１２１ａが撓まない状態での光変調素子１２１からの出力光量が取得される（ステップＳ２２）。次に、入力電圧を僅かに増加させて光変調素子１２１の光量測定が行われ（ステップＳ２１，Ｓ２２）、出力光量が増加したことが確認される（ステップＳ２３）。その後、入力電圧を僅かに増加させつつ光量測定および光量増大の確認が繰り返され（ステップＳ２１〜Ｓ２３）、出力光量が減少に転じた時点の入力電圧が最大光量電圧として決定される（ステップＳ２３）。
【００５５】
以上の処理により、各光変調素子１２１において可動リボン１２１ａが撓みを開始してから出力光量が最初に最大となるときの最大光量、および、最大光量時に各光変調素子１２１に入力される最大光量電圧が求められる。実際の処理では、全ての光変調素子１２１への入力電圧が決定された上で、各光変調素子１２１に対する光量測定が連続的に行われ、効率よく各光変調素子１２１に対する最大光量電圧が求められる。
【００５６】
図１３は、全ての光変調素子１２１、すなわち、全チャンネルの最大光量を示す図である。最大光量は、照明光の不均一性や光変調素子１２１間の機械的特性のばらつき等により通常一定ではない。全光変調素子１２１の最大光量が取得されると、図１３に示すように最大光量のうち最小のものが目標光量（以下、「目標ＯＮ光量」という。）として設定される（ステップＳ２４）。そして、各光変調素子１２１からの出力光量が目標ＯＮ光量となるときにこの光変調素子１２１に入力される目標電圧（以下、「目標ＯＮ電圧」という。）を求める処理へと移行する。
【００５７】
１つの光変調素子１２１に注目した場合、目標ＯＮ電圧の取得では、まず、この光変調素子１２１に初期の電圧として最大光量電圧が入力され（ステップＳ２５）、光変調素子１２１からの出力光の光量が取得される（ステップＳ２６）。次に、入力電圧を僅かに増加させて光量測定が行われ（ステップＳ２５，Ｓ２６）、出力光量が目標ＯＮ光量に到達しているか、すなわち、出力光量と目標ＯＮ光量との差が所定値以下か否か確認される（ステップＳ２７）。そして、出力光量が目標ＯＮ光量に到達するまで、入力電圧を僅かに増加させつつ光量測定および出力光量の確認が繰り返される（ステップＳ２５〜Ｓ２７）。出力光量が目標ＯＮ光量に到達すると、この時点での入力電圧が目標ＯＮ電圧として決定される（ステップＳ２７）。各光変調素子１２１の目標ＯＮ電圧は、補正データの一部として目標電圧取得部２４に保存される。実際の処理では、全ての光変調素子１２１への入力電圧が決定された上で、各光変調素子１２１に対する光量測定が連続的に行われ、効率よく各光変調素子１２１に対する目標ＯＮ電圧が求められる。
【００５８】
上記の目標ＯＮ電圧を求める手法は、いわゆる逐次探索法（シーケンシャルサーチ）であるが、次に、目標ＯＮ電圧を求めるより好ましい方法（いわゆる、二分探索法（バイナリサーチ））について１つの光変調素子１２１に注目して説明する。この方法では、まず、目標ＯＮ電圧を必ず超える（かつ、最小光量電圧を必ず下回る）第１電圧が適宜設定され、第１電圧と最大光量電圧との平均が光変調素子１２１に入力される第２電圧として求められる。第２電圧は光変調素子１２１に入力され（ステップＳ２５）、出力光量が測定される（ステップＳ２６）。
【００５９】
次に、目標ＯＮ電圧を光変調素子１２１に入力した際に得られる予定の目標ＯＮ光量と出力光量との差が許容範囲内であるか否かが確認され（ステップＳ２７）、差が許容範囲外である場合に、出力光量が目標ＯＮ光量に近づくように第１電圧と第２電圧との差の半分が第２電圧に加算または減算されて更新した第２電圧が取得される。すなわち、出力光量が目標ＯＮ光量に満たない場合は第１電圧と第２電圧との差の半分が第２電圧から減算され、出力光量が目標ＯＮ光量を超える場合は第１電圧と第２電圧との差の半分が第２電圧に加算される。さらに、更新前の第２電圧が第１電圧へと更新される。そして、更新後の第２電圧の光変調素子１２１への入力および光量測定が繰り返され（ステップＳ２５，Ｓ２６）、出力光量が目標ＯＮ光量に到達したか否か確認される（ステップＳ２７）。
【００６０】
第１電圧および第２電圧の更新、並びに、光量測定および出力光量の確認が繰り返され、やがて、出力光量と目標ＯＮ光量との差が許容範囲内となると、この時点での第２電圧が目標ＯＮ電圧として決定される（ステップＳ２７）。二分探索法を利用することにより、目標ＯＮ電圧をより迅速に求めることが実現される。
【００６１】
以上に説明した動作では、逐次探索法または二分探索法により最大光量を各光変調素子１２１について求め、最大光量に基づいて目標ＯＮ光量が求められるが、目標ＯＮ光量は各光変調素子１２１の最大光量を用いることなく求められてもよい。
【００６２】
図１４は、最大光量に近い出力を得る際の暫定的な電圧（以下、「暫定ＯＮ電圧」という。）を速やかに求め、その後、ＯＮ状態の時に得られるべき目標ＯＮ光量を設定する動作の流れを示す図である。なお、図１４のステップＳ２０４よりも後の工程は図１１のステップＳ２４以降と同様である。
【００６３】
暫定ＯＮ電圧が求められる際には、まず、空間光変調器１２の複数の光変調素子１２１が、連続して並ぶ所定個数毎のグループに分けられ、各グループの（複数の）光変調素子１２１に対して漸次増加する複数の電圧が決定されてそれぞれ入力される（ステップＳ２０１）。なお、空間光変調器１２の全光変調素子１２１が１つのグループとされてもよい。最も低い電圧および隣接する光変調素子１２１間の電位差は、１グループの光変調素子１２１に与えられる電圧の範囲内に各光変調素子１２１の（予想される）最大光量電圧が必ず含まれように予め決められている。
【００６４】
図１５は、１２個の光変調素子が１グループとされ、１２個の光変調素子１２１に漸次増大する電圧が順番に与えられた場合の可動リボン１２１ａの基準面１２１ｃからの高さを示す図である。図１５では、１つの光変調素子１２１中の複数の可動リボン１２１ａの高さを１つのボックスにて示している。１つのグループ内の光変調素子１２１に異なる電圧が与えられるため、可動リボン１２１ａの高さは、入力電圧に応じて図１５の右側のものほど低くなる。
【００６５】
次に、各グループの光変調素子１２１からの出力光量が測定される（ステップＳ２０２）。図１６は、図１５に示す状態の複数の光変調素子１２１からの出力光量を測定した結果を示す図である。図１６に示すグループの場合、５ｃｈの光変調素子１２１からの光量が最大となっているため、このグループの各光変調素子１２１において５ｃｈに与えた電圧が最大光量電圧に近い電圧であると推定することができる。そこで、５ｃｈに与えた電圧がこのグループの素子共通の暫定ＯＮ電圧として決定される。このように、暫定ＯＮ電圧は、グループ毎の共通の電圧として求められる（ステップＳ２０３）。
【００６６】
各グループの暫定ＯＮ電圧が求められると、各グループの光変調素子１２１にそのグループの暫定ＯＮ電圧が入力され（ステップＳ２０４）、再度光量測定が行われる。そして、全光変調素子１２１からの出力光量のうち最小のものが目標ＯＮ光量として設定される（図１１：ステップＳ２４）。なお、暫定ＯＮ電圧は通常、グループ毎に異なる値となるが、目標ＯＮ光量は全光変調素子１２１の共通の値として求められる。また、目標ＯＮ光量は測定された最小の光量以下であれば、予め定められた光量以上の光量が設定されてもよい。
【００６７】
その後、既述の方法にて目標ＯＮ光量から目標ＯＮ電圧が求められる。ただし、最大光量電圧に代えて暫定ＯＮ電圧が利用される。すなわち、まず、１つの光変調素子１２１に注目した場合、初期の電圧として光変調素子１２１に、この光変調素子１２１が属するグループの暫定ＯＮ電圧が入力され（ステップＳ２５）、光変調素子１２１からの出力光の光量が取得される（ステップＳ２６）。次に、入力電圧を僅かに増加させて光量測定が行われ（ステップＳ２５，Ｓ２６）、出力光量と目標ＯＮ光量との差が所定値以下か否か確認され（ステップＳ２７）、出力光量が目標ＯＮ光量に到達するまで、入力電圧を僅かに増加させつつ光量測定および出力光量の確認が繰り返される（ステップＳ２５〜Ｓ２７）。
【００６８】
ただし、光変調素子１２１によっては暫定ＯＮ電圧が最大光量電圧よりも低くなる可能性もあり、入力電圧を増加させた際に出力光量が増加する場合は、出力光量と目標ＯＮ光量との差の確認を行うことなく出力光量が減少に転じるまで入力電圧の増加が実行される。また、入力電圧を増加させると出力光量が減少するが、初期電圧を入力した時点で出力光量が目標ＯＮ光量を下回る場合は、出力光量が目標ＯＮ光量となるまで入力電圧を漸次減少さつつ光量測定が行われる。
【００６９】
出力光量が目標ＯＮ光量に到達すると、この時点での入力電圧が目標ＯＮ電圧として決定される（ステップＳ２７）。以上のように暫定ＯＮ電圧を利用することにより、目標ＯＮ光量および目標ＯＮ電圧を速やかに求めることが実現される。
【００７０】
図１７は、比較例に係る光変調素子９２１の縦断面図であり、光変調素子１２１の図５．Ａに対応する。図１８は、光変調素子９２１の可動リボン９２１ａの変位量と０次光である出力光の光量との関係を示す図であり、図１２に対応する。比較例に係る光変調素子９２１では、破線にて示すように可動リボン９２１ａが撓んでいない状態において、可動リボン１２１ａの上面と固定リボン９２１ｂの上面との基準面９２１ｃからの高さが等しくなっており、０次光が出力される。そして、可動リボン９２１ａと基準面９２１ｃとの間に電圧が与えられることにより、実線にて示すように可動リボン９２１ａが撓んで回折格子が形成され、１次回折光が出力される。したがって、図１８に示すように、最大光量Ｉ１が得られる変位量Ｐ１および最大光量電圧は０であり、入力電圧の増大に従って光量が単調減少して最小光量Ｉ２が得られる変位量Ｐ２で入力電圧が最小光量電圧となる。
【００７１】
図１７に示す光変調素子９２１の場合、製造時に可動リボン１２１ａと固定リボン１２１ｂとを同時に形成することにより、初期状態にて可動リボン９２１ａと固定リボン９２１ｂとを正確に面一とすることができるが、可動リボン９２１ａと固定リボン９２１ｂとの間に僅かな隙間が生じてしまう。その結果、反射率が低下して最大光量時の出力光量が低下するとともに図１８に示すように最小光量時に漏れ出す出力光量が多くなり、最大光量を最小光量で除算した消光比が、図５．Ａに示す光変調素子１２１に比べて小さくなってしまう（すなわち、消光の性能が低下してしまう。）。
【００７２】
また、図１８の場合、最大光量Ｉ１よりも僅かに小さい目標ＯＮ光量Ｉｔが設定された場合であっても、目標ＯＮ光量Ｉｔが得られる際の変位量Ｐｔおよび目標ＯＮ電圧のそれぞれを１つの値として求めることができる。ところが、図１２の場合、目標ＯＮ光量Ｉｔが得られる変位量は符号Ｐｔ１，Ｐｔ２にて示すように最大光量時の変位量Ｐ１近傍に２つ存在し、目標ＯＮ光量Ｉｔが得られる目標ＯＮ電圧も最大光量電圧の近傍に２つ存在する。なお、目標ＯＮ光量Ｉｔが初期光量よりも小さい場合、目標ＯＮ電圧は１つだけ存在することとなる。
【００７３】
ここで、複数の光変調素子１２１において変位量Ｐｔ１に対応する目標ＯＮ電圧が選択される場合と変位量Ｐｔ２に対応する目標ＯＮ電圧が選択される場合とが混在すると、両電圧を採用した光変調素子１２１間では、ＯＮ状態とＯＦＦ状態との間で光変調素子１２１が遷移する際に可動リボン１２１ａが移動する距離が大きく相違することとなる。
【００７４】
図１９は、２つの目標ＯＮ電圧が混在する場合に、全光変調素子１２１を同時にＯＦＦ状態とＯＮ状態との間で遷移させて副走査方向に伸びる線（いわゆる、横万線）を描画した結果を例示する図である。図１９では、記録材料９上に形成される描画パターン全体と、その描画パターンの一部（１スワス分。すなわち、光学ヘッド１０によって一度に走査される幅Ｗの描画領域）の描画パターンを拡大表示したものとを合わせて示しており、Ｔ１〜Ｔ８は描画の基準となるクロックである。
【００７５】
図１９では、３ｃｈの光変調素子１２１で図１２の変位量Ｐｔ２に対応する電圧が目標ＯＮ電圧として採用され、他の光変調素子１２１では変位量Ｐｔ１に対応する電圧が目標ＯＮ電圧として採用されており、３ｃｈの光変調素子１２１では、ＯＮ状態とＯＦＦ状態との間で遷移する際に可動リボン１２１ａの移動距離が他のチャンネルにおける移動距離と大きく異なるため、３ｃｈの位置にて線の太さが大きく変化している。
【００７６】
これに対し、既に説明した目標ＯＮ電圧を求める方法では、最大光量電圧と最小光量電圧との間の電圧が必ず目標ＯＮ電圧として決定されるため、横万線の太さが大きく変化してしまうことが防止され、その結果、記録される画像にムラが生じることが防止される。
【００７７】
次に、図１０のＯＦＦ光量補正（ステップ３）について説明する。既述のように、ＯＦＦ光量補正は、記録材料９の感光特性や光変調素子１２１の消光比に応じて実行するか否か予め設定可能とされている。例えば、ＯＦＦ状態の光変調素子１２１から漏れ出す出力光量（０次光の光量）のばらつきに起因して縦万線（光変調素子１２１を交互にＯＦＦ状態とＯＮ状態とに固定して描画した主走査方向に伸びる線）の画像にムラが生じる場合にＯＦＦ光量補正が実行される。図２０はＯＦＦ光量補正の流れを示す図であり、ステップＳ３１〜Ｓ３３，Ｓ３５〜Ｓ３７は素子毎の処理を示している。
【００７８】
光変調素子１２１では、図１２に示すように、最小光量電圧が最大光量電圧に比べて高い（すなわち、絶対値が大きい）。一方、光変調素子１２１では、可動リボン１２１ａの変位量が機械的強度を超えてしまうと弾性破壊を起こすおそれがある。したがって、正確な最小光量電圧を求めるに際に、光変調素子１２１に入力される電圧を確実に一定範囲内に制限する必要がある。ところが、最大光量電圧を求める動作のように、電圧を微小な値だけ繰り返し増大させつつ光量測定する手法を最小光量電圧を求める動作に採用すると、処理に長時間を要することになってしまう。
【００７９】
そこで、画像記録装置１の目標電圧取得部２４では、ＯＦＦ状態の時に与えるべき暫定的な電圧を速やかに求め、その後、ＯＦＦ状態の時に得られるべき目標光量（以下、「目標ＯＦＦ光量」という。）を設定し、目標ＯＦＦ光量が得られる最終的な目標電圧（以下、「目標ＯＦＦ電圧」という。）を求めるようになっている。なお、記録材料９の感光特性によってはＯＦＦ状態の時に与えるべき電圧を精度よく求める必要がない場合があり、この場合は、暫定的な電圧が目標とする光量を得るための電圧としてそのまま採用されてもよい。以下の説明では、ＯＦＦ状態の時に与えるべき暫定的な電圧を「暫定ＯＦＦ電圧」と呼ぶ。
【００８０】
暫定ＯＦＦ電圧は既述の暫定ＯＮ電圧に準じて求められ、まず、空間光変調器１２の複数の光変調素子１２１が、連続して並ぶ所定個数毎のグループに分けられ、各グループの（複数の）光変調素子１２１に対して漸次増加する複数の電圧がそれぞれ入力される（ステップＳ３０１）。なお、空間光変調器１２の全光変調素子１２１が１つのグループとされてもよい。最も低い電圧および隣接する光変調素子１２１間の電位差は、１グループの光変調素子１２１に与えられる電圧の範囲内に各光変調素子１２１の最小光量電圧が必ず含まれように予め決められている。
【００８１】
図２１は、１２個の光変調素子が１グループとされ、１２個の光変調素子１２１に漸次増大する電圧が順番に与えられた場合の可動リボン１２１ａの基準面１２１ｃからの高さを示す図である。図２１では、１つの光変調素子１２１中の複数の可動リボン１２１ａの高さを１つのボックスにて示している。１つのグループ内の光変調素子１２１に異なる電圧が与えられるため、可動リボン１２１ａの高さは、入力電圧に応じて図２１の右側のものほど低くなる。
【００８２】
次に、各グループの光変調素子１２１からの出力光量が測定される（ステップＳ３０２）。図２２は、図２１に示す状態の複数の光変調素子１２１からの出力光量を測定した結果を示す図である。図２２に示すグループの場合、９ｃｈの光変調素子１２１からの光量が最小となっているため、このグループの各光変調素子１２１において９ｃｈに与えた電圧が最小光量電圧に近い電圧であると推定することができる。そこで、９ｃｈに与えた電圧がこのグループの素子共通の暫定ＯＦＦ電圧として決定される。このように、暫定ＯＦＦ電圧は、グループ毎の共通の電圧として求められる（ステップＳ３０３）。
【００８３】
既述のように、記録材料９の種類によっては、暫定ＯＦＦ電圧はグループ内のＯＦＦ状態の複数の光変調素子１２１に与えられるべき電圧（最終的な目標ＯＦＦ電圧）としてそのまま利用されてもよい。これにより、目標ＯＦＦ電圧を迅速に決定することができる。一方、ＯＦＦ状態の光変調素子１２１から漏れ出す出力光量が記録材料９に与える影響が大きい場合は、ＯＦＦ状態の各光変調素子１２１から漏れ出す出力光量を一定とする処理が行われる。この処理は、ＯＦＦ状態の電圧を求めるという点を除いて目標ＯＮ電圧を求める処理（ステップＳ２１〜Ｓ２７）に準じて行われる。
【００８４】
すなわち、まず、１つの光変調素子１２１に注目した場合、この光変調素子１２１に初期の電圧として暫定ＯＦＦ電圧が入力され（ステップＳ３１）、光量測定が行われる（ステップＳ３２）。次に、入力電圧を僅かに増加させて光変調素子１２１からの出力光量の測定が行われ（ステップＳ３１，Ｓ３２）、出力光量が減少したか否かが確認される（ステップＳ３３）。ここで、出力光量が増大した場合は、入力電圧を僅かに減少させて光量測定が行われ（ステップＳ３１，Ｓ３２）、出力光量が減少したことが確認される（ステップＳ３３）。
【００８５】
その後、出力光量が減少するように入力電圧を僅かに増加または減少させつつ光量測定および光量確認が繰り返され（ステップＳ３１〜Ｓ３３）、光量が増加に転じた時点の入力電圧が最小光量電圧として決定される（ステップＳ３３）。以上の処理により、各光変調素子１２１において可動リボン１２１ａが撓みを開始してから出力光の光量が最初に最小となるときの最小光量および最小光量時に各光変調素子１２１に入力される最小光量電圧が求められる。実際の処理では、全ての光変調素子１２１への入力電圧が決定された上で、各光変調素子１２１に対する光量測定が連続的に行われ、効率よく各光変調素子１２１の最小光量および最小光量電圧が求められる。
【００８６】
最小光量および最小光量電圧を求める方法としては他の方法が採用されてもよく、例えば、最小光量電圧よりも確実に低い電圧から入力電圧を漸次増大させつつ光量測定を繰り返すことにより最小光量および最小光量電圧が求められてもよい。
【００８７】
全光変調素子１２１の最小光量が取得されると、最小光量のうち最大のものが目標ＯＦＦ光量として設定され（ステップＳ３４）、各光変調素子１２１の光量が目標ＯＦＦ光量となるときの電圧である目標ＯＦＦ電圧を求める処理へと移行する。
【００８８】
目標ＯＦＦ電圧の取得では、１つの光変調素子１２１に注目した場合、まず、この光変調素子１２１に初期の電圧として最小光量電圧が入力されて光量測定が行われ（ステップＳ３５，Ｓ３６）、さらに、入力電圧を僅かに減少させて光量測定が行われ（ステップＳ３５，Ｓ３６）、出力光量が目標ＯＦＦ光量に到達しているか、すなわち、出力光量と目標ＯＦＦ光量との差が所定値以下か否か確認される（ステップＳ３７）。出力光量が目標ＯＦＦ光量に到達していないことが判明すると、入力電圧を僅かに減少させつつ光量測定および出力光量の確認が繰り返され（ステップＳ３５〜Ｓ３７）、出力光量が目標ＯＦＦ光量に到達した時点の入力電圧が目標ＯＦＦ電圧として決定される（ステップＳ３７）。各光変調素子１２１の目標ＯＦＦ電圧は、補正データの一部として目標電圧取得部２４に保存される。実際の処理では、全ての光変調素子１２１への入力電圧が決定された上で、各光変調素子１２１に対する光量測定が連続的に行われ、効率よく各光変調素子１２１に対する目標ＯＦＦ電圧が求められる。
【００８９】
暫定ＯＦＦ電圧を利用する以上の処理により、ＯＦＦ状態の各光変調素子１２１から漏れ出す出力光量を正確に一定とする目標ＯＦＦ電圧を速やかに求めることができる。
【００９０】
以上に説明した動作では、暫定ＯＦＦ電圧から逐次探索法により最小光量を各光変調素子１２１について求め、最小光量に基づいて目標ＯＦＦ光量および目標ＯＦＦ電圧が求められる（または、暫定ＯＦＦ電圧が目標ＯＦＦ電圧とみなされる）が、図１４の方法に準じて目標ＯＦＦ光量が各光変調素子１２１の最小光量を用いることなく求められてもよい。なお、暫定ＯＦＦ電圧を求める処理は図２０のステップＳ３０１〜Ｓ３０３と同様であるため、以下、図２０を参照して目標ＯＦＦ光量および目標ＯＦＦ電圧を求める処理について説明する。
【００９１】
暫定ＯＦＦ電圧が求められる際には、既述のように、空間光変調器１２の複数の光変調素子１２１が、連続して並ぶ所定個数毎のグループに分けられ、各グループの（複数の）光変調素子１２１に対して漸次増加する複数の電圧が決定されてそれぞれ入力される（ステップＳ３０１）。なお、空間光変調器１２の全光変調素子１２１が１つのグループとされてもよい。最も低い電圧および隣接する光変調素子１２１間の電位差は、１グループの光変調素子１２１に与えられる電圧の範囲内に各光変調素子１２１の（予想される）最小光量電圧が必ず含まれように予め決められている。次に、各グループの光変調素子１２１からの出力光量が測定され（ステップＳ３０２）、光量が最小となっている光変調素子１２１に与えた電圧が、最小光量電圧に近いグループ共通の暫定ＯＦＦ電圧として決定される（ステップＳ３０３）。
【００９２】
各グループの暫定ＯＦＦ電圧が求められると、図２０のステップＳ３１〜Ｓ３３に代えて、各グループの光変調素子１２１にそのグループの暫定ＯＦＦ電圧が入力され（図１４のステップＳ２０４参照）、再度光量測定が行われる。そして、全光変調素子１２１からの出力光量のうち最大のものが目標ＯＦＦ光量として設定される（ステップＳ３４）。なお、暫定ＯＦＦ電圧は通常、グループ毎に異なる値となるが、目標ＯＦＦ電圧は全光変調素子１２１の共通の値として求められる。また、目標ＯＦＦ光量は測定された最大の光量以上であれば、予め定められた光量以下の光量が設定されてもよい。
【００９３】
その後、既述の方法にて目標ＯＦＦ光量から目標ＯＦＦ電圧が求められる。ただし、最小光量電圧に代えて暫定ＯＦＦ電圧が利用される。すなわち、まず、１つの光変調素子１２１に注目した場合、初期の電圧として光変調素子１２１に、この光変調素子１２１が属するグループの暫定ＯＦＦ電圧が入力され（ステップＳ３５）、光変調素子１２１からの出力光の光量が取得される（ステップＳ３６）。次に、入力電圧を僅かに減少させて光量測定が行われ（ステップＳ３５，Ｓ３６）、出力光量と目標ＯＦＦ光量との差が所定値以下か否か確認され（ステップＳ３７）、出力光量が目標ＯＦＦ光量に到達するまで、入力電圧を僅かに減少させつつ光量測定および出力光量の確認が繰り返される（ステップＳ３５〜Ｓ３７）。
【００９４】
ただし、光変調素子１２１によっては暫定ＯＦＦ電圧が最小光量電圧よりも高くなる可能性もあり、入力電圧を減少させた際に出力光量が減少する場合は、出力光量と目標ＯＦＦ光量との差の確認を行うことなく出力光量が増加に転じるまで入力電圧の減少が実行される。また、入力電圧を減少させると出力光量が増大するが、初期電圧を入力した時点で出力光量が目標ＯＦＦ光量を超える場合は、出力光量が目標ＯＦＦ光量となるまで入力電圧を漸次増大さつつ光量測定が行われる。
【００９５】
出力光量が目標ＯＦＦ光量に到達すると、この時点での入力電圧が目標ＯＦＦ電圧として決定される（ステップＳ３７）。なお、上記処理により目標ＯＦＦ電圧は最大光量電圧と最小光量電圧との間の電圧となる（既述の目標ＯＮ電圧についても同様）。以上のように暫定ＯＦＦ電圧を利用することにより、目標ＯＦＦ光量および目標ＯＦＦ電圧を速やかに求めることが実現される。
【００９６】
ところで、図２０に示す暫定ＯＦＦ電圧を利用して各光変調素子の最小光量および最小光量電圧を探索する手法は、各光変調素子の最大光量および最大光量電圧を探索する工程にも応用可能である。
【００９７】
すなわち、先に図１１を用いて説明したように、既述のＯＮ光量補正は、まず、各光変調素子に初期電圧として「０」を印加し（ステップＳ２１）、徐々に電圧を上げながら各光変調素子からの光量が減少に転じるタイミングが探索される(ステップＳ２１、Ｓ２２、Ｓ２３）。そして、各光変調素子からの光量が減少に転じたときの光量をその光変調素子についての「最大光量」とし、このときに印加されている電圧がその光変調素子についての「最大光量電圧」として決定される。
【００９８】
しかし、ステップＳ２１で各光変調素子に印加する初期電圧は必ずしも「０」でなくてもよい。例えば、各素子毎に少しずつ異なる電圧を印加し、各素子からの光量を測定し、各素子から出力された光量の中から最も大きな光量を出力した素子を特定し、この素子に印加した電圧が「暫定ＯＮ電圧」とされる。そして、ステップＳ２１ではこの「暫定ＯＮ電圧」を初期電圧として印加し、この初期電圧から徐々に電圧を上げながら各光変調素子からの光量が減少に転じるタイミングが探索されてもよい。このようにすれば、各光変調素子の最大光量および最大光量電圧の探索が迅速に行うことができる。
【００９９】
図２３はＯＮ光量補正およびＯＦＦ光量補正が行われた後の光変調素子１２１の様子を示す図である。図２３においてチャンネル番号を記入したボックスは、可動リボン１２１ａの基準面１２１ｃからの高さを表現しており、実線のボックスはＯＮ状態の可動リボン１２１ａの高さを示し、破線のボックスはＯＦＦ状態の高さを表している。図２３に示すように、ＯＮ状態の可動リボン１２１ａの高さが調整されることにより、ＯＮ状態の各光変調素子１２１からの出力光量が目標ＯＮ光量とされる。また、ＯＦＦ状態の可動リボン１２１ａの高さが調整されることにより、ＯＦＦ状態の各光変調素子１２１から漏れ出す出力光量（０次光）が目標ＯＦＦ光量とされる。
【０１００】
ここで、各光変調素子１２１において、目標ＯＮ電圧は最大光量電圧と最小光量電圧との間の電圧として決定されるため、符号１２１ｈにて示すように、ＯＮ状態とＯＦＦ状態との間で遷移する際に可動リボン１２１ａが移動する距離が光変調素子１２１間で大きく相違することが防止される（図１９参照）。すなわち、図１２中の変位量Ｐｔ２に対応する電圧のように、ある光変調素子１２１において最大光量電圧と最小光量電圧との間に存在しない電圧が目標ＯＮ電圧として決定されると、図２３中のブロック１２１ｘにて示すように、この光変調素子１２１のＯＮ状態における可動リボン１２１ａの高さが周囲の光変調素子１２１の可動リボン１２１ａの高さから大きく異なってしまい、図１９の横万線のように線の太さが一定でなくなってしまうが、画像記録装置１ではこのような問題は生じない。
【０１０１】
また、光変調素子１２１では、目標ＯＦＦ光量となるときの電圧も最小光量電圧の近傍に通常２つ存在し、目標電圧取得部２４では、目標ＯＦＦ電圧として最大光量電圧と最小光量電圧との間の電圧のもののみが決定されるため、ＯＮ状態とＯＦＦ状態との間で遷移する際に可動リボン１２１ａが移動する距離が光変調素子１２１間で大きく相違することが防止される。なお、図２３では、最大光量電圧と最小光量電圧との間に存在しない電圧が目標ＯＦＦ電圧として採用されてしまった場合の可動リボン１２１ａの高さをブロック１２１ｙにて例示している。
【０１０２】
以上に説明したＯＮ光量補正およびＯＦＦ光量補正が行われた後、全体制御部２１の制御により、光変調素子１２１がＯＮ状態とされる際に目標ＯＮ電圧を光変調素子に入力しつつ光変調素子１２１がＯＮ／ＯＦＦ制御され、ＯＮ／ＯＦＦ制御と並行して、図２に示す光源１１からの光が空間光変調器１２に照射され、空間光変調器１２からの光が記録材料９に対して相対的に走査されつつ記録材料９に照射されることにより、ムラが低減された適切な画像記録が実現される。さらに、ＯＮ／ＯＦＦ制御において光変調素子１２１がＯＦＦ状態とされる際に目標ＯＦＦ電圧が光変調素子１２１に入力されることにより、より適切な画像記録が実現される。
【０１０３】
図２４は、他の例に係る光変調素子１２１の可動リボン１２１ａの変位量と出力光量との関係を示す図である。他の例に係る光変調素子１２１の構造は、可動反射面１２２ａと固定反射面１２２ｂとの初期の高さの差が異なるという点を除いて、図３ないし図５．Ｃと同様であるが、最大光量電圧が最小光量電圧よりも高く（すなわち、絶対値が大きく）、図２４に示すように、可動リボン１２１ａが僅かに変位した変位量Ｐ２の状態で最小光量Ｉ２となり、その後、可動リボン１２１ａが撓むほど光量が増大して変位量Ｐ１で最大光量Ｉ１へと至る。
【０１０４】
このような光変調素子１２１の場合、光変調素子１２１において可動リボン１２１ａが撓みを開始してから出力光の光量が最初に最大となるときの最大光量Ｉ１を得る際の最大光量電圧が０から大きく離れるため、図２０に示すＯＦＦ光量補正に準じた手法にてＯＮ光量補正が速やかに行われる。すなわち、各グループ内のいずれの光変調素子１２１の最大光量電圧も含むと想定される電圧範囲において漸次増加する複数の電圧がこのグループの光変調素子１２１に対してそれぞれ与えられ（ステップＳ３０１参照）、各光変調素子１２１からの出力光量が測定される（ステップＳ３０２参照）。そして、出力光量が最大の光変調素子１２１に与えた電圧がこのグループの光変調素子共通の暫定ＯＮ電圧として決定される（ステップＳ３０３参照）。
【０１０５】
続いて、各光変調素子１２１において、暫定ＯＮ電圧近傍にて入力電圧を微小に漸次増大または低減させつつ光量測定を繰り返すことにより最大光量電圧が探索される（ステップＳ３１〜Ｓ３３参照）。最大光量のうち最小のものが目標ＯＮ光量Ｉｔとして決定され（ステップＳ３４参照）、最大光量電圧を初期の電圧として入力電圧を漸次減少させつつ光量測定が繰り返され（ステップＳ３５〜Ｓ３７参照）、出力光量が目標ＯＮ光量に到達した時点の入力電圧（図２４における変位量Ｐｔ１での入力電圧）が目標ＯＮ電圧として決定される（ステップＳ３７参照）。
【０１０６】
一方、図２４に示す特性を有する光変調素子１２１においてＯＦＦ光量補正が行われる場合は、図１１に示すＯＮ光量補正に準じて処理が行われる。すなわち、各光変調素子１２１において、０を初期電圧として電圧を微小に増加させつつ光量測定を繰り返すことにより最小光量電圧が探索され（ステップＳ２１〜Ｓ２３参照）、最小光量のうち最大のものが目標ＯＦＦ光量として決定される（ステップＳ２４参照）。そして、最小光量電圧を初期の電圧として入力電圧を漸次増大させつつ光量測定が繰り返され（ステップＳ２５〜Ｓ２７参照）、出力光量が目標ＯＦＦ光量に到達した時点の入力電圧が目標ＯＦＦ電圧として決定される（ステップＳ２７参照）。
【０１０７】
以上のＯＮ光量補正およびＯＦＦ光量補正により、ＯＮ状態とＯＦＦ状態との間で遷移する際に可動リボン１２１ａが移動する距離の光変調素子１２１間での相違が抑制され、適切な画像記録が実現される。
【０１０８】
図１２および図２４を参照して説明したように、初期状態で可動反射面１２２ａと固定反射面１２２ｂとに高さの差を有する光変調素子１２１に対するＯＮ光量補正では、一般的に、可動リボン１２１ａが撓みを開始してから出力光量が最初に最大となるときに光変調素子１２１に入力される最大光量電圧と、最初に最小となるときに光変調素子１２１に入力される最小光量電圧との間の電圧範囲において、光変調素子１２１からの出力光量を目標ＯＮ光量とするときに光変調素子１２１に入力される目標ＯＮ電圧が求められることにより、ＯＮ状態とＯＦＦ状態との間で遷移する際に可動リボン１２１ａが移動する距離が光変調素子１２１間で大きく異なってしまうことを防止できる適切な目標ＯＮ電圧を得ることができ、ＯＮ状態の光量が均一で横万線の太さの変化によるムラが生じることがない適切な画像記録が実現されるといえる。
【０１０９】
また、ＯＦＦ光量補正では、可動リボン１２１ａが撓みを開始してから出力光量が最初に最大となるときに光変調素子１２１に入力される最大光量電圧と、最初に最小となるときに光変調素子１２１に入力される最小光量電圧との間の電圧範囲において、光変調素子１２１からの出力光量を目標ＯＦＦ光量とするときに光変調素子１２１に入力される目標ＯＦＦ電圧が求められることにより、ＯＮ状態とＯＦＦ状態との間で遷移する際に可動リボン１２１ａが移動する距離の光変調素子１２１間での相違がさらに抑制される適切な目標ＯＦＦ電圧を得ることができ、より適切な画像記録が実現される。
【０１１０】
また、図２４の光変調素子１２１において目標ＯＦＦ電圧を求める際に、図１２の光変調素子１２１において目標ＯＮ電圧を求める際に説明した二分探索法が採用されてもよい。すなわち、二分探索法は、目標ＯＮ電圧および目標ＯＦＦ電圧のうち値（絶対値）が小さい方の電圧（以下、「目標低電圧」という。）が求められる際に、採用されることが好ましい。
【０１１１】
目標低電圧という表現を用いて二分探索法による処理を一般的に説明すると、まず、目標低電圧を必ず超える第１電圧と、最大光量電圧および最小光量電圧のうち値が小さい方の電圧との平均である第２電圧が各光変調素子１２１に入力され（ステップＳ２５）、各光変調素子１２１からの出力光量が測定される（ステップＳ２６）。そして、目標低電圧を各光変調素子１２１に入力した際に得られる予定の目標光量と出力光量との差が許容範囲内であるか否かが確認され（ステップＳ２７）、差が許容範囲外である場合に、出力光量が目標光量に近づくように第１電圧と第２電圧との差の半分を第２電圧に加算または減算して更新した第２電圧が取得され、さらに、更新前の第２電圧が第１電圧に更新され、更新後の第２電圧が各光変調素子１２１に入力されて光量測定が繰り返され（ステップＳ２５，Ｓ２６）、目標光量に到達したか確認される（ステップＳ２７）。
【０１１２】
その後、第１電圧および第２電圧の更新、第２電圧の入力および出力光量の確認が繰り返され（ステップＳ２５〜Ｓ２７）、出力光量と目標光量との差が許容範囲内となると、第２電圧が目標低電圧として決定される（ステップＳ２７）。以上の処理により目標低電圧が迅速に求められる。
【０１１３】
また、図１２に示す特性を有する光変調素子１２１のグループの暫定ＯＦＦ電圧や図２４に示す特性を有する光変調素子１２１のグループの暫定ＯＮ電圧（以下、「暫定高電圧」という。）を求める処理を図２０に準じて一般的に表現すると、複数の光変調素子１２１を少なくとも１つのグループに分け、各グループの光変調素子１２１の最大光量電圧および最小光量電圧のうち値が大きい方の電圧を必ず含むと考えられる電圧範囲において漸次増大する複数の電圧がグループ内の複数の光変調素子１２１にそれぞれ入力され（ステップＳ３０１）、各グループの光変調素子１２１からの複数の出力光量が測定され（ステップＳ３０２）、複数の出力光量のうち最小または最大のものに対応する電圧であって複数の入力電圧のうち最小および最大のいずれでもないもの（すなわち、電圧範囲の境界に対応しないもの）が各グループの光変調素子１２１の暫定高電圧として速やかに決定されることとなる（ステップＳ３０３）。
【０１１４】
そして、各グループの光変調素子のそれぞれにおいて、暫定高電圧から入力電圧を漸次増大または低減しつつ出力光量の測定を繰り返すことにより、最小光量電圧または最大光量電圧が速やかに求められ（ステップＳ３１〜Ｓ３３）、さらに、目標ＯＮ電圧および目標ＯＦＦ電圧のうち値が大きい方の目標高電圧が、暫定高電圧から入力電圧を漸次減少または増大しつつ出力光量の測定を繰り返すことにより速やかに求められる（ステップＳ３４〜Ｓ３７）。
【０１１５】
一方、既述のように、図１２に示す特性を有する光変調素子１２１の最大光量電圧が光変調素子１２１のグループの暫定ＯＮ電圧から求められてもよく、さらに、図２４に示す特性を有する光変調素子１２１の最小光量電圧が光変調素子１２１のグループの暫定ＯＦＦ電圧から求められてもよい。これらの暫定ＯＮ電圧や暫定ＯＦＦ電圧（以下、「暫定低電圧」という。）を求める処理を図２０に準じて一般的に表現すると、複数の光変調素子１２１を少なくとも１つのグループに分け、各グループの光変調素子１２１の最大光量電圧および最小光量電圧のうち値が小さい方の電圧を必ず含むと考えられる電圧範囲において漸次増大する複数の電圧がグループ内の複数の光変調素子１２１にそれぞれ入力され（ステップＳ３０１）、各グループの光変調素子１２１からの複数の出力光量が測定され（ステップＳ３０２）、複数の出力光量のうち最大または最小のものに対応する電圧であって複数の入力電圧のうち最大および最小のいずれでもないもの（すなわち、電圧範囲の境界に対応しないもの）が各グループの光変調素子１２１の暫定低電圧として速やかに決定されることとなる（ステップＳ３０３）。
【０１１６】
そして、各グループの光変調素子のぞれぞれにおいて、暫定低電圧から入力電圧を漸次増大または低減しつつ出力光量の測定を繰り返すことにより、最大光量電圧または最小光量電圧が速やかに求められ（ステップＳ３１〜Ｓ３３）、さらに、目標ＯＮ電圧および目標ＯＦＦ電圧のうち値が小さい方の目標低電圧が、暫定低電圧から入力電圧を漸次増大または低減しつつ出力光量の測定を繰り返すことにより速やかに求められる（ステップＳ３４〜Ｓ３７）。
【０１１７】
ところで、以上の説明では、例えば、図１２に示すように目標ＯＮ光量に対応する電圧がＰｔ１，Ｐｔ２として２つ存在する場合に、最大光量電圧Ｐ１と最小光量電圧Ｐ２との間の電圧Ｐｔ１を目標ＯＮ電圧として採用することにより、図１９に例示する横万線を描画した際の線の太さのばらつきが防止されるが、Ｐｔ２が必ず存在するのであれば（すなわち、電圧０における光量が十分に小さいのであれば）目標ＯＮ電圧としてＰｔ２を採用しても各光変調素子１２１間におけるＯＮ状態における可動リボン１２１ａの高さのばらつきを押さえることができ、横万線における線の太さのばらつきを防止することができる。
【０１１８】
目標ＯＦＦ電圧に関しても同様に、目標ＯＦＦ電圧は最大光量電圧と最小光量電圧との間の電圧として求められる必要はなく、図１２に示す特性を有する光変調素子１２１において最小光量電圧から電圧を漸次増大して最初に目標ＯＦＦ光量となる際の電圧が目標ＯＦＦ電圧として採用されてもよい。また、目標ＯＮ電圧および目標ＯＦＦ電圧として最大光量電圧と最小光量電圧との間の電圧以外の電圧が採用可能である点は、図２４に示す特性を有する光変調素子１２１においても同様である。
【０１１９】
すなわち、目標ＯＮ電圧は、各光変調素子１２１の最大光量電圧から入力電圧を漸次増大または減少させた際に（全光変調素子１２１に対して増大または減少のいずれのみか適用される。）各光変調素子１２１からの出力光量が最初に目標ＯＮ光量となるときの入力電圧に等しい電圧としてを求められ、目標ＯＦＦ電圧は、各光変調素子１２１の最小光量電圧から入力電圧を漸次増大または減少させた際に（全光変調素子１２１に対して増大または減少のいずれのみか適用される。）各光変調素子１２１からの出力光量が最初に目標ＯＦＦ光量となるときの入力電圧に等しい電圧としてを求められることにより、適切な目標ＯＮ電圧および目標ＯＦＦ電圧を求めることが実現される。
【０１２０】
もちろん、既述のように目標ＯＮ電圧および目標ＯＦＦ電圧が求められる際には実際に入力電圧が最大光量電圧や最小光量電圧から漸次増大または減少される必要はなく、求められた目標ＯＮ電圧および目標ＯＦＦ電圧が結果的に最大光量電圧や最小光量電圧から漸次増大または減少させて求められた電圧と等しなればよい。
【０１２１】
さらに換言すれば、目標ＯＮ電圧または目標ＯＦＦ電圧である目標電圧は、各光変調素子１２１の可動リボン１２１ａが撓みを開始してから出力光の光量が最初に最小となるときの最小光量および最大となるときの最大光量のうち、目標ＯＮ光量または目標ＯＦＦ光量である目標光量に近い方に対応する入力電圧である最大光量電圧または最小光量電圧から、入力電圧を漸次増大または減少させた際に各光変調素子１２１からの出力光量が最初に目標光量となるときの入力電圧に等しい電圧として求められる。
【０１２２】
図２５は、本発明の第２の実施の形態に係る画像記録装置１ａの外観を示す斜視図であり、図２６は、画像記録装置１ａの機械的主要部および機能構成を示す図である。なお、図２６中の全体制御部２１、信号処理部２２、信号生成部２３および目標電圧取得部２４は、第１の実施の形態と同様のものであり、図２６中の制御ユニット２０内に設けられている。
【０１２３】
画像記録装置１ａは、ガラスマスクやＴＦＴ（Thin Film Transistor）液晶パネル等の製造用のガラス基板９ａにマスクや配線等のパターンの画像を記録する装置であり、露光により画像を直接描画するいわゆる直描装置である。画像記録装置１ａでは感光材料が塗布されたガラス基板９ａが画像の情報が記録される物理的な材料である広義の記録材料となっている。画像記録装置１ａは、ガラス基板９ａを（＋Ｚ）側の面上に保持するテーブル７２を備え、テーブル７２のガラス基板９ａとは反対側にはテーブル７２をＹ方向（主走査方向）に移動するテーブル移動機構８５が基台７４上に設けられる。基台７４上には、テーブル７２の位置を検出する位置検出モジュール８５ａが設けられる。
【０１２４】
テーブル７２の上方にはガラス基板９ａに向けて光を出射する光学ヘッド１０ａが配置され、光学ヘッド１０ａはヘッド移動機構８６により副走査方向であるＸ方向に移動可能に支持される。すなわち、主走査方向および副走査方向はテーブル７２に平行であり、テーブル移動機構８５およびヘッド移動機構８６が、主走査方向にテーブル７２を空間光変調器１２（図２参照）を含む光学ヘッド１０ａに対して一定の速度で相対的に移動するとともに主走査方向に垂直な副走査方向にも相対的に移動する移動機構となっている。
【０１２５】
図２５に示すように、基台７４にはテーブル７２を跨ぐようにしてフレーム７５が設けられ、ヘッド移動機構８６はフレーム７５に固定される。画像記録装置１ａでは、光源１１ａがフレーム７５上に設けられ、図示省略の光ファイバを介して光源１１ａからの光が光学ヘッド１０ａの内部へと導入される。本実施の形態におけるガラス基板９ａの（＋Ｚ）側の主面上には紫外線の照射により感光する感光材料（レジスト）の膜が予め形成されている。光学ヘッド１０ａの構成は、光源１１ａが外部に設けられる点を除き、図２の光学ヘッド１０と同様とされる。なお、図２６に示すように、光学ヘッド１０ａ内に設けられた空間光変調器１２の複数の光変調素子１２１（図３参照）の配列方向は、Ｘ方向である副走査方向に一致しているが、複数の光変調素子１２１の配列方向は光学ヘッド１０ａのＹ方向である主走査方向と交差する方向であれば、副走査方向と必ずしも一致していなくてもよい。すなわち、第１の実施の形態と同様に、ガラス基板９ａの移動方向である主走査方向は、光が照射される位置の配列方向に対して交差する方向であればよい。
【０１２６】
図２５および図２６に示すように、テーブル７２上には、ガラス基板９ａと重ならない位置であってテーブル７２の（−Ｙ）側かつ（−Ｘ）側の隅に光量測定部７１ａが配置される。光量測定部７１ａは、光学ヘッド１０ａから（−Ｚ）方向に出射される光を受光するという点を除いて、図７の光量測定部７１と同様の構造を有する。光量測定部７１ａのスリット７１２（図７参照）に形成されている間隙の幅（光変調素子１２１の配列方向に対応する方向の幅）は、第１の実施の形態と同様に、１つの光変調素子１２１の像の副走査方向の幅の半分とされる。なお、光量測定部７１ａの分解能は間隙の幅に逆比例して向上するため、間隙の幅は１つの光変調素子１２１の像の副走査方向の幅の半分未満であってもよい。
【０１２７】
画像記録装置１ａが、ガラス基板９ａ上の感光材料に画像を記録する動作は、図１の画像記録装置１と比較してガラス基板９ａ上における光の照射位置の移動経路が異なる点を除き、図１０と同様である。
【０１２８】
画像記録では、まず、光量測定が行われて補正データの修正の要否が確認され（ステップＳ１１，Ｓ１２）、修正が不要であるとそのまま描画が行われる（ステップＳ１３）。光量測定では、テーブル移動機構８５およびヘッド移動機構８６が駆動されて光学ヘッド１０ａが光量測定部７１ａに対向する位置まで移動し、ヘッド移動機構８６により光学ヘッド１０ａを副走査方向に低速で移動しながらスリット８１２を介して第１の実施の形態と同様に各光変調素子１２１から出射される出力光の光量が順次測定される。すなわち、ヘッド移動機構８６がスリット７１２を光変調素子に対して相対的に移動するスリット移動機構となっている。
【０１２９】
光量測定により補正データの修正が必要であると判断された場合は、ＯＮ光量補正（ステップＳ２）が行われ、必要に応じてＯＦＦ光量補正（ステップＳ３）が行われて画像記録へと移行する。ＯＮ光量補正およびＯＦＦ光量補正の処理は、第１の実施の形態と同様である。
【０１３０】
ガラス基板９ａに対する描画（すなわち、露光による画像記録）（ステップＳ１３）では、まず、テーブル移動機構８５によりテーブル７２が空間光変調器１２を含む光学ヘッド１０ａに対して（−Ｙ）方向へと相対的に移動し、これにより、光学ヘッド１０ａからの光の照射位置がガラス基板９ａに対して（＋Ｙ）方向に相対的かつ連続的に移動する（すなわち、主走査する）。テーブル７２の移動と並行して、位置検出モジュール８５ａからの信号に同期して描画が行われ、このとき、目標電圧取得部２４で算出された補正データに基づいて、全体制御部２１および信号処理部２２により、補正されたＯＮ光量（および補正されたＯＦＦ光量）にて光が出力される。これにより、空間光変調器１２の像の大きさに対応した幅のＹ方向に長い帯状領域（スワス）に適切な描画が行われる。
【０１３１】
照射位置がガラス基板９ａの（＋Ｙ）側の端部まで到達すると、光学ヘッド１０ａが帯状領域のＸ方向の幅に相当する距離だけ副走査方向（Ｘ方向）に移動するとともにテーブル７２の移動方向が反転され、往路にて描画された帯状領域の横に接する新たな帯状領域にテーブル７２の復路における描画が行われる。そして、画像記録装置１ａでは、テーブル７２がＹ方向に往復しつつ光学ヘッド１０ａがＸ方向に間欠的に移動することにより、平面状のガラス基板９ａの全体に画像が記録される。
【０１３２】
以上のように、画像記録装置１ａでは、ガラスマスクやＴＦＴ液晶パネル等の製造用のガラス基板９ａに対して光を照射する際に、ＯＮ状態（およびＯＦＦ状態）の各光変調素子１２１からの出力光量を均一にすることにより、記録された画像の質を向上することができる。
【０１３３】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【０１３４】
可動リボン１２１ａおよび固定リボン１２１ｂは帯状の反射面として捉えることができるのであるならば、厳密な意味でのリボン状である必要はない。さらに、固定リボン１２１ｂは、上面が固定反射面とされる固定反射部であれば様々に変更されてよく、例えば、ブロック状の部位として設けられてもよい。
【０１３５】
図５．Ａでは、可動反射面１２２ａを基準面１２１ｃに投影した第１領域１２３ａのエッジ１２４ａが、固定反射面１２２ｂを基準面１２１ｃに投影した第２領域１２３ｂのエッジ１２４ｂと重なるが、エッジ１２４ａは第２領域１２３ｂの内側に位置してもよい。
【０１３６】
最大光量電圧および最小光量電圧のうち低い方、並びに、目標ＯＮ電圧および目標ＯＦＦ電圧のうち低い方を求める方法として、電圧に対する光量の変化から推測する方法が採用されてもよい。例えば、可動リボン１２１ａの挙動が予測可能な場合は、予め定めた電圧範囲における光量変動を測定することにより、最大光量電圧、最小光量電圧、目標ＯＮ電圧または目標ＯＦＦ電圧を速やかに決定することができる。
【０１３７】
上記実施の形態では、０次光が出力光、すなわち、描画に利用される信号光とされ、０次光の光量が補正されるが、１次回折光が出力光とされ、１次回折光の光量が補正されてもよい。この場合、上記実施の形態における最大光量は、光変調素子１２１において可動リボン１２１ａが撓みを開始してから１次回折光の光量が最初に最大となるときの光量であり、この時点で光変調素子１２１に入力される電圧が最大光量電圧となる。また、最小光量は、可動リボン１２１ａが撓みを開始してから１次回折光の光量が最初に最小となるときの光量であり、この時点で光変調素子１２１に入力される電圧が最小光量電圧として扱われる。１次回折光を出力光として利用することにより、消光比をさらに向上することができる。
【０１３８】
空間光変調器１２の性能によっては、光量補正の確認は画像の記録が行われる前に必ず行われる必要はなく  例えば、補正データの修正またはその確認が前回行われてから所定の時間が経過している場合や、補正データの修正が行われてから画像記録が所定回数行われた場合のように、画像記録装置１の状態に変化が生じているおそれがある場合に、補正データの修正の要否が確認され、画像記録装置１の状態に変化がないと想定される場合は、補正データの修正の確認が不要であると判断されてもよい。
【０１３９】
目標ＯＮ光量は、複数の光変調素子１２１の最大光量のうち最小のもの以下であれば最大光量の最小値よりも小さい値に設定されてもよい。ただし、目標ＯＮ光量としての機能を果たせる予め定められた光量以上に設定される。目標ＯＦＦ光量も同様に、複数の光変調素子１２１の最小光量のうち最大のもの以上であれば最小光量の最大値よりも大きく、かつ、目標ＯＦＦ光量としての機能を果たせる予め定められた光量以下に設定されてよい。
【０１４０】
最大光量および最小光量を求めることなく暫定ＯＮ電圧および暫定ＯＦＦ電圧から速やかに目標ＯＮ光量および目標ＯＦＦ光量を決定する処理は、図２４に示す特性を有する光変調素子１２１にも適用可能であり、また、１つのグループに対して求めた暫定ＯＮ電圧や暫定ＯＦＦ電圧を全光変調素子１２１に入力して目標ＯＮ光量や目標ＯＦＦ光量が求められてもよい。さらには、暫定ＯＮ電圧および暫定ＯＦＦ電圧に代えて、予め測定にて決定された電圧や理論計算により求められた電圧を全光変調素子１２１に入力して目標ＯＮ光量および目標ＯＦＦ光量が決定されてもよい。このように、ＯＮ状態またはＯＦＦ状態において各光変調素子１２１が出力する０次光または１次回折光である出力光の光量を各光変調素子１２１に共通の目標光量として設定するために様々な手法が採用可能である。
【０１４１】
光量測定部７１による光量測定はスリット式には限定されず、例えば、光変調素子１２１が１つずつＯＮ状態とされて光量測定が行われてもよい。また、複数の受光素子を用いて互いに離れた複数の光変調素子１２１の出力光量が同時に測定されてもよい。
【０１４２】
光源１１は半導体レーザには限定されず、ガスレーザ、固定レーザ、ＬＥＤ（発光ダイオード）や放電ランプ等であってもよい。
【０１４３】
図１に示す全体制御部２１、信号処理部２２、信号生成部２３および目標電圧取得部２４は、物理的に個別に設けられる必要はなく、これらの機能は、演算処理に係る回路を含む１以上の構成要素により実現されてよい。
【０１４４】
記録材料９およびガラス基板９ａは光学ヘッド１０，１０ａに対して相対的に移動可能であるならば他の手法により移動されてもよい。また、画像の情報を保持する記録材料は、プリント配線基板や半導体基板等の感光性材料が塗布された、あるいは、感光性を有する他の材料であってもよく、光の照射による熱に反応する材料であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１４５】
【図１】第１の実施形態に係る画像記録装置を示す図である。
【図２】光学ヘッドの内部構成を示す図である。
【図３】配列配置された光変調素子の拡大図である。
【図４．Ａ】可動リボンの断面図である。
【図４．Ｂ】可動リボンの断面図である。
【図５．Ａ】光変調素子の断面図である。
【図５．Ｂ】光変調素子の断面図である。
【図５．Ｃ】光変調素子の断面図である。
【図６】光変調素子を駆動する構成を示す図である。
【図７】光量測定部の構成を示す図である。
【図８】光量測定の様子を示す図である。
【図９】光量測定の結果の例を示す図である。
【図１０】画像記録装置の動作の流れを示す図である。
【図１１】ＯＮ光量補正の流れを示す図である。
【図１２】可動リボンの変位量と出力光量との関係を示す図である。
【図１３】最大光量の分布を示す図である。
【図１４】目標ＯＮ光量を求める他の例の流れを示す図である。
【図１５】複数の光変調素子に漸次増大する電圧を順番に与えた場合の可動リボンの高さを示す図である。
【図１６】図１５の複数の光変調素子からの出力光量を示す図である。
【図１７】比較例に係る光変調素子の断面図である。
【図１８】比較例における可動リボンの変位量と出力光量との関係を示す図である。
【図１９】横万線を示す図である。
【図２０】ＯＦＦ光量補正の流れを示す図である。
【図２１】複数の光変調素子に漸次増大する電圧を順番に与えた場合の可動リボンの高さを示す図である。
【図２２】図１８の複数の光変調素子からの出力光量を示す図である。
【図２３】補正後の可動リボンの高さを示す図である。
【図２４】他の例に係る光変調素子おける可動リボンの変位量と出力光量との関係を示す図である。
【図２５】第２の実施の形態に係る画像記録装置を示す図である。
【図２６】画像記録装置の主要な構成要素を示す図である。
【符号の説明】
【０１４６】
１，１ａ    画像記録装置
９    記録材料
９ａ    ガラス基板
１１、１１ａ    光源
１２    空間光変調器
２１    全体制御部
２２    信号処理部
２４    目標電圧取得部
７１，７１ａ    光量測定部
８１，８２    モータ
８３    ボールねじ
８５    テーブル移動機構
８６    ヘッド移動機構
１２１    光変調素子
１２１ａ    可動リボン
１２１ｂ    固定リボン
１２１ｃ    基準面
１２２ａ    可動反射面
１２２ｂ    固定反射面
１２３ａ    第１領域
１２３ｂ    第２領域
１２４ａ，１２４ｂ    エッジ
Ｓ１１〜Ｓ１３，Ｓ２１〜Ｓ２７，Ｓ３１〜Ｓ３７，Ｓ２０１〜Ｓ２０４，Ｓ３０１〜Ｓ３０３    ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４．Ａ】
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【図４．Ｂ】
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【図５．Ａ】
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【図５．Ｂ】
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【図５．Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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