(57)【要約】【課題】  電子ビーム露光データ作成方法及び電子ビーム露光方法に関し、ブロックマスクの再作成を要することなく、露光マージンを拡大するためのバイアス補正テーブルの変更を可能にする。【解決手段】  電子デバイスの設計データに対して回路図形であるパターンのサイズを変更する処理であるバイアス補正処理を行い、設計データで定義されているパターン群であるストラクチャから電子ビームで一括露光するパターン群であるブロックを抽出して、ブロックを搭載したマスクであるブロックマスクの製造データを作成する際に、バイアス補正処理におけるパターンサイズの変更量と、ブロックを抽出したストラクチャの名前をデータベースとして保存したのち、設計データを露光データに変換する際に、保存したデータベースを参照し、保存したデータベースに記載のストラクチャを検索して、検索したストラクチャを保存したデータベースに記載の変更量でバイアス補正処理を行ったのち、ブロックを抽出する。【選択図】          図１
2008053580.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスの電子ビーム露光データを作成する方法であって、電子デバイスの設計データに対して回路図形であるパターンのサイズを変更する処理であるバイアス補正処理を行い、前記設計データで定義されているパターン群であるストラクチャから電子ビームで一括露光するパターン群であるブロックを抽出して、前記ブロックを搭載したマスクであるブロックマスクの製造データを作成する際に、前記バイアス補正処理におけるパターンサイズの変更量と、前記ブロックを抽出したストラクチャの名前をデータベースとして保存する工程と、前記設計データを露光データに変換する際に、前記保存したデータベースを参照し、前記保存したデータベースに記載のストラクチャを検索して、検索したストラクチャを前記保存したデータベースに記載の変更量でバイアス補正処理を行ったのち、ブロックを抽出する工程とを有することを特徴とする電子ビーム露光データ作成方法。
【請求項２】
上記保存したデータベースに記載のストラクチャを検索する工程において、検索対象となるストラクチャが前記保存したデータベースに未記載の場合、前記未記載のストラクチャに対して、ストラクチャの名前とパターンサイズの変更量を外部入力し、前記未記載のストラクチャ毎に前記外部入力したパターンサイズ変更量でバイアス補正処理を行うことを特徴とする請求項１記載の電子ビーム露光データ作成方法。
【請求項３】
上記保存したデータベースに記載のストラクチャを検索する工程において、検索対象となるストラクチャを上記設計データから取り出して中間テーブルに記述することを特徴とする請求項１または２に記載の電子ビーム露光データ作成方法。
【請求項４】
ブロックマスクを用いて電子ビームで一括露光する電子ビーム露光方法において、前記ブロックマスクの製造データを作成する際のバイアス補正処理におけるパターンサイズの変更量と、前記ブロックを抽出したストラクチャの名前を保存したデータベースを用いて設計データを露光データに変換する際に、前記保存したデータベースを参照し、前記保存したデータベースに記載のストラクチャを検索して、検索したストラクチャを前記保存したデータベースに記載の変更量でバイアス補正処理を行ったのち、ブロックを抽出して作成したウェーハ製造用露光データを用いて電子ビームで一括露光することを特徴とする電子ビーム露光方法。
【請求項５】
上記保存したデータベースに記載のストラクチャを検索する工程において、検索対象となるストラクチャが前記保存したデータベースに未記載の場合、前記未記載のストラクチャに対して、ストラクチャの名前とパターンサイズの変更量を外部入力し、前記未記載のストラクチャ毎に前記外部入力したパターンサイズ変更量でバイアス補正処理を行って露光マージンを拡大することを特徴とする請求項４記載の電子ビーム露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子ビーム露光データ作成方法及び電子ビーム露光方法に関するものであり、特に、ブロックマスク作成後のプロセス変動等に起因するバイアス補正を容易にするための構成に特徴のある電子ビーム露光データ作成方法及び電子ビーム露光方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する過程において、ウェーハに塗布したレジスト上に半導体装置のパターンを転写する露光が行われるが、従来、この半導体装置の製造工程における露光工程には紫外線を用いた紫外線露光が行われている。
【０００３】
しかし、半導体装置の微細化の進展とともに、紫外光を使用する紫外線露光よりも微細なパターンの転写が可能な電子ビーム露光方法が次世代の露光方法として開発されている。
なお、電子ビーム露光は、従来においても露光マスクの作成工程等に用いられている。
【０００４】
この電子ビーム露光方法としては、可変矩形露光方法とブロックマスクを用いた一括露光方法が知られているので、ここで、図９及び図１０を参照して従来の電子ビーム露光方法を説明する。
図９参照  
図９は、従来の可変矩形電子ビーム露光装置の概念的構成図であり、電子銃９１から放射された電子ビーム９２は第１アパーチャ９３で、例えば、5 μｍ□の矩形に成形され、成形された電子ビーム９２を第２アパーチャ９４で任意のサイズに成形し、ウェーハ９７に露光する。
この時、電子ビーム９２の照射位置は、第２アパーチャ照射位置決め用の偏向器９５とウェーハ照射位置決め用の偏向器９６により、磁力によって制御される。
【０００５】
図１０参照  
図１０は、従来の一括電子ビーム露光装置の概念的構成図であり、電子銃９１から放射された電子ビーム９２は第１アパーチャ９３で、例えば、5 μｍ□の矩形に成形され、成形された電子ビーム９２を第２アパーチャ位置に設置したブロックマスク９８に搭載された各ブロックの開口９９に照射して、開口９９で成形された電子ビーム９１をウェーハ９７に露光する。
この場合の開口９９のパターンは、例えば、最大で１００種類である。
なお、成形された電子ビーム９１の照射位置の制御方法は可変矩形電子ビーム露光装置と同一である。
【０００６】
この一括露光方法は可変矩形露光よりも露光回数、即ち、ショット数が少ないので、半導体装置製造のスループットを向上させることができる。
なお、ブロックマスク９８のブロックの開口９９として設ける一括露光するパターン群のサイズは、縦横共に、例えば、５μｍ以内である。
【０００７】
次に、図１１乃至図１７を参照して電子ビーム露光データ作成方法を説明するが、露光データ作成工程にはブロックマスク製造用露光データ処理工程とウェーハ製造用露光データ処理工程とがある（例えば、特許文献１或いは特許文献２参照）。
ここでは、同一のパターン群が大量に配置されているＳＲＡＭ（スタティックＲＡＭ）の電子ビーム露光データ作成方法を説明する。
【０００８】
図１１参照  
図１１はブロックマスク製造用露光データ処理工程の説明図であり、まず、ブロックマスク製造用露光データ処理工程においては、ＳＲＡＭデータ１００から、例えば、セルの配線層パターンをブロックとして抽出し、ブロックの図形情報（パターン座標、頂点数など）とブロックのブロックマスク９８上の位置などをブロックマスク製造用露光データ１０１に格納し、格納したブロックマスク製造用露光データ１０１からブロックマスク９８を作成する。
【０００９】
このＳＲＡＭデータ１００には複数のセルが格納されており、セルは、例えば、素子分離層、ゲート層、コンタクト層、配線層、ビア層など複数の層のパターン群で構成されており、露光は層毎に行われ、ブロックも層毎とに作成することになる。
【００１０】
また、９０ｎｍテクノロジ、６５ｎｍテクノロジなど、半導体装置のテクノロジが同一であれば、例えば、設計データ１０２、設計データ１０３、設計データ１０４に同一のＳＲＡＭパターンを搭載する。
また、ＮＡＮＤ，ＮＯＲなどの論理回路は各設計データに同一または異なる回路を搭載する。
【００１１】
図１２参照  
図１２はウェーハ製造用露光データ処理工程の説明図であり、まず、設計データ１０２、設計データ１０３、設計データ１０４からセルをブロックとして抽出し、抽出したブロックがブロックマスク製造用露光データ１０１に格納されているブロックと同一であるか確認して、抽出したブロックのブロックマスク９８上の位置及びブロックをウェーハ１０６，１０８，１１０上に露光する位置などを、それぞれウェーハ製造用露光データ１０５，１０７，１０９に格納する。
【００１２】
なお、その他、ブロックとして抽出されないパターンは可変矩形露光パターンとし、上述の可変矩形露光パターンをウェーハ上に露光する位置などを、それぞれウェーハ製造用露光データ１０５，１０７，１０９に格納する。
【００１３】
露光処理工程では、電子ビーム露光装置にウェーハ製造用露光データ１０５、ウェーハ製造用露光データ１０７、及び、ウェーハ製造用露光データ１０９をその都度入力し、ブロックマスク９８を使用して、ウェーハ１０６、ウェーハ１０８、及び、ウェーハ１１０にそれぞれのブロックと可変矩形露光パターンを露光する。
【００１４】
図１３参照  
図１３は、ブロックマスク製造用露光データ処理の詳細の説明図であり、制御ファイル１３０にはバイアス補正で使用するテーブル名などが記述されている。
なお、バイアス補正処理１３１、設計データバイアス補正データベース１３２、バイアス補正テーブルについては、ウェーハ製造用露光データ処理で後述する。
【００１５】
次いで、ブロック抽出処理１３３では、例えば、バイアス補正処理後の配線層パターンをブロックとして抽出し、抽出したブロックの図形情報（パターンの座標、パターンの頂点数なと）と抽出したブロックのブロックマスク上の座標などをブロックマスク製造用露光データ１０１に格納する。
【００１６】
ブロックマスク９８はブロックマスク製造用露光データ１０１から作成するものであり、ブロックマスク９８には異なる層のブロックを搭載することも可能であり、層ごとに異なるバイアス補正テーブルを適用する場合もある。
【００１７】
このブロックマスクはマスクメーカーに発注してから納品されるまで、２〜３週間程度かかるので、半導体装置ごとに作成せず、テクノロジごとに作成する。
例えば、９０ｎｍテクノロジ用のブロックマスク１枚で、複数の９０ｎｍテクノロジ半導体装置の一括露光を行うことかできるので、光を使用する露光と比較して、コストダウン効果が大きい。
【００１８】
図１４参照  
図１４は、ウェーハ製造用露光データ処理の詳細の説明図であり、この場合もウェーハ製造用露光データは層ごとに作成する。
まず、バイアス補正処理１３１では、制御ファイル１３０を読み込み、制御ファイル１３０に記述されているテーブル名に該当するバイアス補正テーブルを設計データバイアス補正データベース１３２から抽出し、抽出したバイアス補正テーブルを参照して、設計データのパターンのサイズを変更する。
【００１９】
設計データバイアス補正データベース１３２では、バイアス補正テーブルとバイアス補正テーブルの名前およびバイアス補正テーブルを適用する層の情報、例えば、設計データにおいて、層ごとに定義されている番号、即ち、レイヤ番号を管理し、異なるテーブル同士において、テーブル名が重ならないようにする。
【００２０】
バイアス補正テーブルは、例えば、ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ  Ｅｌｅｍｅｎｔｓ  Ｇｒｏｕｐ）データなどの露光を行い、現像後のパターンサイズを測定して決定するが、現像後のパターンサイズがテクノロジごとに決められている規格値の範囲内に入るようにテーブルのパラメータ値を決定する。
【００２１】
また、バイアス補正テーブルもブロックマスクと同じく、テクノロジごとに作成する。  なお、バイアス補正処理後のパターン群をブロックとしてマスクに搭載するため、バイアス補正テーブルを変更すると、ブロックマスクも再作成することになるので、ブロックマスク作成後はバイアス補正テーブルの変更は行わない。
【００２２】
図１５参照  
図１５は、バイアス補正テーブルの一例の説明図である。
図に示すように、短辺サイズが１２０〜１９９ｎｍのパターンにおいて、隣のパターンとの間隔が１２０〜２３９ｎｍであれば、パターンサイズを片側１０ｎｍ減少する。
また、２４０〜３９９ｎｍであれば、片側５ｎｍ減少し、４００ｎｍ以上であれば、減少は行わない。
【００２３】
図１６参照  
図１６は、パターンサイズ変更の説明図であり、例えば、パターン１４０とパターン１４１の短辺サイズは１２０ｎｍであり、パターン間のサイズ１４２は１２０ｎｍである場合、図１５に示したバイアス補正テーブルより、パターン１４０とパターン１４１のサイズを１０ｎｍ減少する。
【００２４】
バイアス補正処理後のパターン１４３，１４４は１１０ｎｍとなり、パターン間のサイズ１４５は１４０ｎｍとなる。
なお、ブロックマスク製造用露光データ処理とウェーハ製造用露光データ処理には同一のバイアス補正テーブルを適用する。
【００２５】
再び、図１４参照  
次いで、ブロック抽出処理１３３において、バイアス補正処理後の回路、例えば、ＳＲＡＭの配線層パターンをブロックとして抽出し、ブロックとして抽出されないパターンは可変矩形露光パターンとする。
【００２６】
次いで、ブロック搭載確認処理１３５において、抽出したブロックがブロックマスク製造用露光データ１０１に格納されているブロックと同一であるか確認する。
【００２７】
次いで、露光量設定処理１３６において、ブロックと可変矩形露光パターンの露光量を設定する。
この場合の露光量は下層のパターンから電子が反射される後方散乱現象を考慮して設定するので、この事情を図１７を参照して説明する。
図１７参照  
図１７は、後方散乱現象の説明図であり、図１６のＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線の沿った概略的断面図であり、例えば、パターン１４０とパターン１４１の露光時において、下層のパターン１４７とパターン１４８から電子が反射されて図において点線１４９で示す後方散乱が起こる。
【００２８】
即ち、レジスト１６０に電子ビームが照射されると、層間絶縁膜１６１を通過し、金属、例えば、銅で形成されているパターン１４８に衝突し、レジスト１６０におけるパターン１４０とパターン１４１の間の領域に電子が反射される。
【００２９】
このパターン１４０とパターン１４１の間の領域に電子が蓄積し、その蓄積量がレジストの解像感度以上になるパターンとして解像され、ショートが発生することになる。
よって、反射される電子の量を見積り、パターンの間の領域でのパターン解像が起きない程度の露光量をパターン１４０とパターン１４１に設定する必要がある。
【００３０】
しかし、９０ｎｍテクノロジ以降ではパターン間サイズ１４２が狭く、露光量の調節だけで上述のショートを発生することが困難になり、予め、パターン間サイズを拡大するバイアス補正処理を行うことになる。
【００３１】
次いで、露光量設定処理の後、抽出したブロックのブロックマスク９８上の座標、抽出したブロックを露光するウェーハ上の座標などを、それぞれウェーハ製造用露光データ１０５、ウェーハ製造用露光データ１０７、ウェーハ製造用露光データ１０９に格納する。  また、その他、可変矩形露光パターンを露光するウェーハ上の座標などを格納する。
【特許文献１】特開２００２−０２５９００号公報
【特許文献２】特開２００４−３０３８３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３２】
しかし、例えば、半導体装置製造の運用を開如した後に、歩留まりを向上させるため、バイアス補正テーブルを変更しなければならない場合がある。
これは、現像前ベーク時の温度のばらつきなどに起因する現象であるプロセス変動により、一部の箇所でレジストの感度が増大し、パターンサイズ増大によるショートが起きるためであるが、ここで、図１８を参照して、プロセス変動によるパターンサイズの増大を説明する。
【００３３】
図１８参照  
図１８は、プロセス変動によるパターンサイズの増大の説明図であり、照射電子の蓄積エネルギーが解像臨界強度を超えた部分が解像されることになる。
例えば、右図に示すパターン１７０とパターン１７１の場合、パターン間の蓄積エネルギー値１６６が大きく、解像臨界強度１６５に近い値であるのでプロセス変動によるショートが起きやすい。
【００３４】
このパターン間の蓄積エネルギーを小さくするためには、バイアス補正テーブルのサイズ減少値を大きくし、パターン間サイズを拡大すれば良い。
例えば、左図に示すようにパターン１７４とパターン１７５の場合、パターン間の蓄積エネルギー値１６７が解像臨界強度１６５より小さくなるので、ショートが起きにくくなる。
【００３５】
このように、パターン間の蓄積エネルギー値と解像臨界強度１６５との差、即ち、露光マージンが大きいほど、プロセス変動によるパターンサイズ増大に耐え得ることができる。
【００３６】
例えば、配線層などにおいては、
ａ．図１７に示すように、パターンサイズが大きく、後方散乱による蓄積エネルギーを増大させる電源配線パターンの上に、信号配線パターンが配置され、かつ、信号配線パターンの間サイズが小さい箇所が膨大に存在する、
ｂ．半導体装置ごとに、ある単位領域に占めるパターンの面積の合計、即ち、面積密度が一定ではないため、後方散乱による蓄積エネルギーも一定ではなく、半導体装置ごとに適切なバイアス補正テーブルのパラメータ値が大きく乖離している場合がある、
等の理由からプロセス変動によるショートが起きやすい。
【００３７】
以上より、配線層などでは、露光マージンを拡大するためにバイアス補正テーブルの変更を行うが、その場合にはブロックマスクを再作成することになり、半導体装置の納期を厳守できず、コストが大幅に増大してしまうという問題がある。
【００３８】
したがって、本発明は、ブロックマスクの再作成を要することなく、露光マージンを拡大するためのバイアス補正テーブルの変更を可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３９】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図１は、設計データを露光データに変換する工程におけるバイアス補正処理フロー図である。
図１参照
上記の課題を解決するために、本発明は、電子デバイスの電子ビーム露光データを作成する方法であって、電子デバイスの設計データに対して回路図形であるパターンのサイズを変更する処理であるバイアス補正処理を行い、設計データで定義されているパターン群であるストラクチャから電子ビームで一括露光するパターン群であるブロックを抽出して、ブロックを搭載したマスクであるブロックマスクの製造データを作成する際に、バイアス補正処理におけるパターンサイズの変更量と、ブロックを抽出したストラクチャの名前をデータベースとして保存する工程と、設計データを露光データに変換する際に、保存したデータベースを参照し、保存したデータベースに記載のストラクチャを検索して、検索したストラクチャを保存したデータベースに記載の変更量でバイアス補正処理を行ったのち、ブロックを抽出する工程とを有することを特徴とする。
【００４０】
このように、ウェーハ製造用露光データ処理において、露光マージンを拡大するためにバイアス補正テーブルを変更した場合にも、ブロックマスクに搭載されているブロックを抽出したストラクチャを検索し、ブロックマスクを作成する際に適用したバイアス補正テーブルで検索したストラクチャを処理し、ブロック抽出するので、ブロックマスクの再作成を行う必要がない。
【００４１】
なお、ブロック抽出においては主にＳＲＡＭパターンをブロックとして抽出するが、テクノロジが同一であれば、異なる半導体装置にも同一のＳＲＡＭパターンが同一の配置で搭載されており、面積密度も一定であるため、プロセス変動の影響を受けにくく、したがって、ＳＲＡＭパターンに関しては運用を開始した後に露光マージンの拡大及びバイアス補正テーブルを変更する必要はない。
【００４２】
また、この場合、保存したデータベースに記載のストラクチャを検索する工程において、検索対象となるストラクチャが保存したデータベースに未記載の場合、未記載のストラクチャに対して、ストラクチャの名前とパターンサイズの変更量を外部入力し、未記載のストラクチャ毎に外部入力したパターンサイズ変更量でバイアス補正処理を行うことを特徴とする。
【００４３】
このように、露光マージンの拡大が必要なストラクチャはブロックマスクの製造データを作成する際に保存したデータベースに未記載であるので、ストラクチャの名前とパターンサイズの変更量を外部入力して制御ファイルに書込み、制御ファイルから外部入力したパターンサイズ変更量を読み出してバイアス補正処理すれば良い。
【００４４】
この場合、未記載のストラクチャに対して同じ変更量でバイアス補正しても良いし、或いは、一部のストラクチャに対して選択的に異なった変更量でバイアス補正し、残りのストラクチャに対してはブロックマスクの製造データ作成時に用いたバイアス補正テーブルでバイアス補正しても良いものである。
【００４５】
この場合のストラクチャの検索は、ストラクチャ種類数だけが重要であるので、設計データから設計データ内の全てのストラクチャ名を取り出して、取り出した全てのストラクチャ名を記述した中間テーブルを作成することが望ましく、それによって、検索に要する時間を短縮することができる。
【００４６】
また、ブロックマスクを用いて電子ビームで一括露光する電子ビーム露光方法においては、ブロックマスクの製造データを作成する際のバイアス補正処理におけるパターンサイズの変更量と、ブロックを抽出したストラクチャの名前を保存したデータベースを用いて設計データを露光データに変換する際に、保存したデータベースを参照し、保存したデータベースに記載のストラクチャを検索して、検索したストラクチャを保存したデータベースに記載の変更量でバイアス補正処理を行ったのち、ブロックを抽出して作成したウェーハ製造用露光データを用いて電子ビームで一括露光すれば良い。
【００４７】
この時、保存したデータベースに記載のストラクチャを検索する工程において、検索対象となるストラクチャが保存したデータベースに未記載の場合、未記載のストラクチャに対して、ストラクチャの名前とパターンサイズの変更量を外部入力し、未記載のストラクチャ毎に外部入力したパターンサイズ変更量でバイアス補正処理を行って露光マージンを拡大すれば良い。
【発明の効果】
【００４８】
本発明によれば、ブロックマスク作成後に、露光マージンを拡大するためにバイアス補正テーブルを変更しても、ブロックマスクの再作成を行う必要がないので、半導体装置の納期を厳守し、コストの増大を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
本発明は、電子デバイスの設計データに対して回路図形であるパターンのサイズを変更する処理であるバイアス補正処理を行い、設計データで定義されているパターン群であるストラクチャからブロックを抽出して、ブロックを搭載したマスクであるブロックマスクの製造データを作成する際に、バイアス補正処理におけるパターンサイズの変更量と、ブロックを抽出したストラクチャの名前をデータベースとして保存し、設計データを露光データに変換する際に、保存したデータベースを参照し、保存したデータベースに記載のストラクチャを検索して、検索したストラクチャを保存したデータベースに記載の変更量でバイアス補正処理を行ったのち、ブロックを抽出し、一方、保存したデータベースに記載のストラクチャを検索する工程において、検索対象となるストラクチャが保存したデータベースに未記載の場合、未記載のストラクチャに対して、ストラクチャの名前とパターンサイズの変更量を外部入力し、未記載のストラクチャ毎に外部入力したパターンサイズ変更量でバイアス補正処理を行うものである。
【実施例１】
【００５０】
ここで、図２乃至図６を参照して、本発明の実施例１の電子ビーム露光データ作成方法を説明する。
図２参照  
図２は、本発明の実施例１の電子ビーム露光データ作成の前段のブロックマスク製造用露光データ処理工程のフロー図であり、基本的な工程は上述の従来のブロックマスク製造用露光データ処理工程と同じであるが、従来のブロックマスク製造用露光データ処理工程に、ブロックバイアス補正データベース作成処理８０を加えたものである。
【００５１】
まず、従来と同様に、バイアス補正処理３１では、制御ファイル３０を読み込み、制御ファイル３０に記述されているテーブル名に該当するバイアス補正テーブルを設計データバイアス補正データベース３２から抽出し、抽出したバイアス補正テーブルを参照して、設計データのパターンのサイズを変更する。
【００５２】
なお、ＳＲＡＭデータ１０には複数のセルが格納されており、セルは、例えば、素子分離層、ゲート層、コンタクト層、配線層、ビア層など複数の層のパターン群で構成されており、露光は層毎に行われ、ブロックも層毎とに作成することになる。
また、複数のセルを組み合わせて、各種の設計データを作成する。
一方、制御ファイル３０にはバイアス補正で使用するテーブル名などが記述されている。
【００５３】
次いで、設計データバイアス補正データベース３２では、バイアス補正テーブルとバイアス補正テーブルの名前およびバイアス補正テーブルを適用する層の情報、例えば、設計データにおいて、層ごとに定義されている番号、即ち、レイヤ番号を管理し、異なるテーブル同士において、テーブル名が重ならないようにする。
【００５４】
次いで、ブロック抽出処理３３では、例えば、バイアス補正処理後の配線層パターンをブロックとして抽出し、抽出したブロックの図形情報（パターンの座標、パターンの頂点数なと）と抽出したブロックのブロックマスク上の座標などをブロックマスク製造用露光データ１２に格納する。
なお、この格納したブロックマスク製造用露光データ１２から従来と同様にブロックマスクを作成する。
【００５５】
次いで、ブロックバイアス補正データベース作成処理８０では、ブロックを抽出したストラクチャの名前と抽出したストラクチャのレイヤ番号、およびバイアス補正テーブル名をブロックバイアス補正データベース８１に格納する。
この時、適用したバイアス補正テーブルごとに、ストラクチャ名とレイヤ番号を格納する。
【００５６】
図３参照  
図３は、ブロックバイアス補正データベースのフォーマットの一例を示す説明図であり、まず、全ワード数とバイアス補正テーブル種類数（Ｎ）を記述し、次に、各バイアス補正テーブルについて、それぞれバイアス補正テーブル名と各バイアス補正テーブルを構成するストラクチャ数（Ｍi ）を記述し、次いで、Ｍi 種類の各ストラクチャについてストラクチャ名とレイヤ番号とを順次記述し、これをＮ種類のバイアス補正テーブルについて記述したものである。
なお、ストラクチャとは設計データで定義されているパターン群であるが、ブロック抽出するストラクチャはＳＲＡＭに限らず、どのようなストラクチャでも良い。
【００５７】
図４参照  
図４は、本発明の実施例１の電子ビーム露光データ作成の後段のウェーハ製造用露光データ処理工程のフロー図であり、この場合も従来のウェーハ製造用露光データ処理フローに、ブロックバイアス補正データベース８１の入力を加えたものである。
この場合の制御ファイル３０には、上述のバイアス補正処理において露光マージン拡大のために作成したバイアス補正テーブルの名前が記述されており、このバイアス補正テーブルの名前はブロックマスク製造用露光データ処理で使用したバイアス補正テーブルとは異なるものである。
【００５８】
まず、制御ファイル３０から露光マージン拡大のために作成したバイアス補正テーブルを読み込み、次いで、ブロックバイアス補正データベース８１からブロックバイアス補正データベースを読み込み、バイアス補正処理を行う。
【００５９】
図５参照  
図５は、バイアス補正処理フロー図であり、まず、
（１）設計データ読み込み５０において、レイヤ番号、全ストラクチャ種類数、全ストラクチャの名前を格納した中間テーブルを作成する。
【００６０】
図６参照  
図６は、中間テーブルのフォーマットの一例を示す説明図であり、まず、全ワード数を記述し、次いで、レイヤ番号を記述し、次いで、当該レイヤ番号に属するストラクチャ種類数（Ｍ）を記述し、次いで、Ｍ種類のストラクチャ名を順次記述した構成となっている。
【００６１】
次いで、
（２）作成した中間テーブルを参照し、ストラクチャ種類数分、ストラクチャ名とレイヤ番号が共に一致するバイアス補正テーブルの名前を、ブロックバイアス補正データベース８１から検索する。
該当するテーブル名が存在していた場合、バイアス補正テーブル抽出５１に進み、存在しない場合は、バイアス補正テーブル抽出５３に進む。
【００６２】
該当するテーブル名が存在していた場合、
（３）バイアス補正テーブル抽出５１において、設計データバイアス補正データベース３２から、該当テーブル名のバイアス補正テーブルを抽出する。
【００６３】
次いで、
（４）パターンサイズ変更５４において、バイアス補正テーブル抽出５１で抽出したバイアス補正テーブルを参照し、パターンのサイズ変更を行う。
【００６４】
一方、該当するテーブル名が存在しない場合、
（５）バイアス補正テーブル抽出５３において、制御ファイル３０に記述されているテーブル名に該当するバイアス補正テーブルを、設計データバイアス補正データベース３２から抽出する。
【００６５】
次いで、
（６）パターンサイズ変更５４において、バイアス補正テーブル抽出５３で抽出したバイアス補正テーブルを参照し、パターンのサイズ変更を行う。
以降は、
（７）各ストラクチャごとに処理を行い、全ストラクチャの処理が終了した後、ブロック抽出処理３３に進み、ブロック搭載確認処理３５及び露光量設定処理３６を行う。
【００６６】
以上の手法では、ブロックを抽出するストラクチャ以外は、制御ファイル３０に名前が記述されているテーブルでバイアス補正処理を行うが、露光マージン拡大が必要なストラクチャは一部であり、それ以外のストラクチャは拡大が不要である場合があるので、次に、図７及び図８を参照して、本発明の実施例２の本発明の実施例１の電子ビーム露光データ作成方法を説明する。
【実施例２】
【００６７】
本発明の実施例２の本発明の実施例１の電子ビーム露光データ作成方法の基本的フローは、上記の実施例１の電子ビーム露光データ作成方法と全く同様であり、中間テーブルに記述したバイアス補正テーブルの名前がブロックバイアス補正データベース８１に存在しない場合のフローが異なるだけであるので、バイアス補正処理フローのみを説明する。
【００６８】
図７参照  
まず、前段の作業として、露光マージン拡大が必要なストラクチャの名前と当該ストラクチャに適用するバイアス補正テーブルの名前、ブロック製造用露光データ処理に使用したバイアス補正テーブルの名前を制御ファイル３０に記述する。
【００６９】
図７はその一例であり、例えば、同一の配線層において、ストラクチャ：ＩＯ−ＴＯＰｌにはテーブル：ＢＩＡＳ−ＴＡＢＬＥ−０２を、ストラクチャ：ＩＯ−ＴＯＰ２にはテーブル：ＢＩＡＳ−ＴＡＢＬＥ−０３を適用し、この２つのストラクチャ以外には、ブロック製造用露光データ処理に使用したテーブル：ＢＩＡＳ−ＴＡＢＬＥ−０１を適用する旨を記述したものである。
【００７０】
図８参照  
図８は、バイアス補正処理フロー図であり、まず、
（１）設計データ読み込み５０において、レイヤ番号、全ストラクチャ種類数、全ストラクチャの名前を格納した中間テーブルを作成する。
【００７１】
次いで、
（２）作成した中間テーブルを参照し、ストラクチャ種類数分、ストラクチャ名とレイヤ番号が共に一致するバイアス補正テーブルの名前を、ブロックバイアス補正データベース８１から検索する。
該当するテーブル名が存在していた場合、バイアス補正テーブル抽出５１に進み、存在しない場合は、バイアス補正テーブル名抽出６０に進む。
【００７２】
該当するテーブル名が存在していた場合、実施例１と全く同様に、
（３）バイアス補正テーブル抽出５１において、設計データバイアス補正データベース３２から、該当テーブル名のバイアス補正テーブルを抽出する。
【００７３】
次いで、
（４）パターンサイズ変更５２において、バイアス補正テーブル抽出５１で抽出したバイアス補正テーブルを参照し、パターンのサイズ変更を行う。
【００７４】
一方、該当するテーブル名が存在しない場合、
（５1 ）バイアス補正テーブル名抽出６０において、該当ストラクチャに適用するバイアス補正テーブル名を制御ファイル３０から抽出する。
例えば、テーブル：ＢＩＡＳ−ＴＡＢＬＥ−０２或いはテーブル：ＢＩＡＳ−ＴＡＢＬＥ−０３を抽出する。
【００７５】
次いで、
（５2 ）バイアス補正テーブル抽出６１において、設計データバイアス補正データベース３２から、該当テーブル名のバイアス補正テーブルそのものを抽出する。
例えば、ブロック製造用露光データ処理に使用したテーブル：ＢＩＡＳ−ＴＡＢＬＥ−０１を抽出する。
【００７６】
次いで、
（６）パターンサイズ変更６２において、バイアス補正テーブル抽出６１で抽出したバイアス補正テーブルを参照し、パターンのサイズ変更を行う。
以降は、
（７）各ストラクチャごとに処理を行い、全ストラクチャの処理が終了した後、ブロック抽出処理３３に進み、ブロック搭載確認処理３５及び露光量設定処理３６を行う。
【００７７】
このように、本発明の実施例２においては、ブロックを抽出するストラクチャ以外を制御ファイル３０に名前が記述されているテーブルでバイアス補正処理を行う際に、露光マージン拡大が必要なストラクチャのみに選択的に露光マージン拡大のためのバイアス補正処理を行うことができる。
【００７８】
ここで、改めて、本発明の詳細な特徴を説明する。
（付記１）  電子デバイスの電子ビーム露光データを作成する方法であって、電子デバイスの設計データに対して回路図形であるパターンのサイズを変更する処理であるバイアス補正処理を行い、前記設計データで定義されているパターン群であるストラクチャから電子ビームで一括露光するパターン群であるブロックを抽出して、前記ブロックを搭載したマスクであるブロックマスクの製造データを作成する際に、前記バイアス補正処理におけるパターンサイズの変更量と、前記ブロックを抽出したストラクチャの名前をデータベースとして保存する工程と、前記設計データを露光データに変換する際に、前記保存したデータベースを参照し、前記保存したデータベースに記載のストラクチャを検索して、検索したストラクチャを前記保存したデータベースに記載の変更量でバイアス補正処理を行ったのち、ブロックを抽出する工程とを有することを特徴とする電子ビーム露光データ作成方法。
（付記２）  上記保存したデータベースに記載のストラクチャを検索する工程において、検索対象となるストラクチャが前記保存したデータベースに未記載の場合、前記未記載のストラクチャに対して、ストラクチャの名前とパターンサイズの変更量を外部入力し、前記未記載のストラクチャ毎に前記外部入力したパターンサイズ変更量でバイアス補正処理を行うことを特徴とする付記１記載の電子ビーム露光データ作成方法。
（付記３）  上記未記載の全てのストラクチャに対して同じバイアス補正テーブルを用いて同じパターンサイズ変更量でバイアス補正処理を行うことを特徴とする付記２記載の電子ビーム露光データ作成方法。
（付記４）  上記未記載のストラクチャの一部に対して異なったバイアス補正テーブルを用いて異なったパターンサイズ変更量でバイアス補正処理を行うことを特徴とする付記２記載の電子ビーム露光データ作成方法。
（付記５）  上記異なったバイアス補正テーブルを用いて異なったパターンサイズ変更量でバイアス補正処理を行うストラクチャ以外の未記載のストラクチャに対してはブロックマスクの製造データを作成する際に使用したバイアス補正テーブルを用いてバイアス補正処理を行うことを特徴とする付記４記載の電子ビーム露光データ作成方法。
（付記６）  上記保存したデータベースに記載のストラクチャを検索する工程において、検索対象となるストラクチャを上記設計データから取り出して中間テーブルに記述することを特徴とする付記１乃至５のいずれか１に記載の電子ビーム露光データ作成方法。
（付記７）  ブロックマスクを用いて電子ビームで一括露光する電子ビーム露光方法において、前記ブロックマスクの製造データを作成する際のバイアス補正処理におけるパターンサイズの変更量と、前記ブロックを抽出したストラクチャの名前を保存したデータベースを用いて設計データを露光データに変換する際に、前記保存したデータベースを参照し、前記保存したデータベースに記載のストラクチャを検索して、検索したストラクチャを前記保存したデータベースに記載の変更量でバイアス補正処理を行ったのち、ブロックを抽出して作成したウェーハ製造用露光データを用いて電子ビームで一括露光することを特徴とする電子ビーム露光方法。
（付記８）  上記保存したデータベースに記載のストラクチャを検索する工程において、検索対象となるストラクチャが前記保存したデータベースに未記載の場合、前記未記載のストラクチャに対して、ストラクチャの名前とパターンサイズの変更量を外部入力し、前記未記載のストラクチャ毎に前記外部入力したパターンサイズ変更量でバイアス補正処理を行って露光マージンを拡大することを特徴とする付記７記載の電子ビーム露光方法。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明の活用例としては、半導体装置の製造工程における電子ビーム露光データ作成方法、或いは、電子ビーム露光方法が典型的であるが、半導体装置に限られるものではなく、超伝導デバイス等の論理回路を組み合わせて使用する他の電子回路装置にも適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施例１の電子ビーム露光データ作成の前段のブロックマスク製造用露光データ処理工程のフロー図である。
【図３】ブロックバイアス補正データベースのフォーマットの一例を示す説明図である。
【図４】本発明の実施例１の電子ビーム露光データ作成の後段のウェーハ製造用露光データ処理工程のフロー図である。
【図５】本発明の実施例１におけるバイアス補正処理フロー図である。
【図６】中間テーブルのフォーマットの一例を示す説明図である。
【図７】制御ファイルに記述されるストラクチャ名とバイアス補正テーブルの説明図である。
【図８】本発明の実施例２におけるバイアス補正処理フロー図である。
【図９】従来の可変矩形電子ビーム露光装置の概念的構成図である。
【図１０】従来の一括電子ビーム露光装置の概念的構成図である。
【図１１】ブロックマスク製造用露光データ処理工程の説明図である。
【図１２】ウェーハ製造用露光データ処理工程の説明図である。
【図１３】ブロックマスク製造用露光データ処理の詳細の説明図である。
【図１４】ウェーハ製造用露光データ処理の詳細の説明図である。
【図１５】バイアス補正テーブルの一例の説明図である。
【図１６】パターンサイズ変更の説明図である。
【図１７】後方散乱現象の説明図である。
【図１８】プロセス変動によるパターンサイズの増大の説明図である。
【符号の説明】
【００８１】
１０  ＳＲＡＭデータ
１２  ブロックマスク製造用露光データ
３０  制御ファイル
３１  バイアス補正処理
３２  設計データバイアス補正データベース
３３  ブロック抽出処理
３５  ブロック搭載確認処理
３６  露光量設定処理
５０  設計データ読み込み
５１  バイアス補正テーブル抽出
５２  パターンサイズ変更
５３  バイアス補正テーブル抽出
５４  パターンサイズ変更
６０  バイアス補正テーブル名抽出
６１  バイアス補正テーブル抽出
６２  パターンサイズ変更
８０  ブロックバイアス補正データベース作成処理
８１  ブロックバイアス補正データベース
９１  電子銃
９２  電子ビーム
９３  第１アパーチャ
９４  第２アパーチャ
９５  偏向器
９６  偏向器
９７  ウェーハ
９８  ブロックマスク
９９  開口
１００  ＳＲＡＭデータ
１０１  ブロックマスク製造用露光データ
１０２〜１０４  設計データ
１０５  ウェーハ製造用露光データ
１０６  ウェーハ
１０７  ウェーハ製造用露光データ
１０８  ウェーハ
１０９  ウェーハ製造用露光データ
１１０  ウェーハ
１３０  制御ファイル
１３１  バイアス補正処理
１３２  設計データバイアス補正データベース
１３３  ブロック抽出処理
１３５  ブロック搭載確認処理
１３６  露光量設定処理
１４０  パターン
１４１  パターン
１４２  パターン間のサイズ
１４３  パターン
１４４  パターン
１４５  パターン間のサイズ
１４７  パターン
１４８  パターン
１４９  後方散乱
１６０  レジスト
１６１  層間絶縁膜
１６５  解像臨界強度
１６６  パターン間の蓄積エネルギー値
１６７  パターン間の蓄積エネルギー値
１７０  パターン
１７１  パターン
１７４  パターン
１７５  パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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