(57)【要約】【課題】  基板の上に成膜したアモルファス半導体膜に連続発振レーザを照射して多結晶半導体膜を形成したときの結晶性のむらを低減する。【解決手段】  基板の上に成膜されたアモルファス半導体膜に連続発振レーザを照射し、該アモルファス半導体膜を溶融、結晶化させて多結晶半導体膜を形成する工程を有する表示装置の製造方法であって、前記多結晶半導体膜を形成する工程は、前記アモルファス半導体膜が成膜された前記基板を回転させるとともに、該基板の前記アモルファス半導体膜が成膜された面と平行な一方向に相対移動させながら前記連続発振レーザを前記アモルファス半導体膜に照射して、微結晶または粒状結晶の集合で構成される多結晶シリコン膜を形成する工程であり、前記基板の回転軸は、該基板の前記アモルファス半導体膜が成膜された面の法線方向と概ね一致しており、かつ、前記基板上を通る表示装置の製造方法。【選択図】        図６（ａ）
2008053528.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に成膜されたアモルファス半導体膜に連続発振レーザを照射し、該アモルファス半導体膜を溶融、結晶化させて多結晶半導体膜を形成する工程を有する表示装置の製造方法であって、
前記多結晶半導体膜を形成する工程は、前記アモルファス半導体膜が成膜された前記基板を回転させるとともに、該基板の前記アモルファス半導体膜が成膜された面と平行な一方向に相対移動させながら前記連続発振レーザを前記アモルファス半導体膜に照射して、微結晶または粒状結晶の集合で構成される多結晶半導体膜を形成する工程であり、
前記基板の回転軸は、該基板の前記アモルファス半導体膜が成膜された面の法線方向と概ね一致しており、かつ、該基板上を通ることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板の回転速度は、該基板上における前記連続発振レーザの照射位置の前記回転軸からの距離に応じて変化させ、該距離が長くなるにつれて前記回転速度が遅くなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記連続発振レーザは、前記基板上における照射位置の前記回転軸からの距離に応じてレーザパワーを変化させ、該距離が長くなるにつれて前記レーザパワーを大きくすることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記多結晶半導体膜を形成する工程の後に、前記多結晶半導体膜にエネルギービームを照射し、該多結晶半導体膜を溶融、再結晶化させて、ある方向に長く延びる帯状結晶の集合で構成される擬似単結晶半導体を形成する工程を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
基板の上に成膜されたアモルファス半導体膜に連続発振レーザを照射し、該アモルファス半導体膜を溶融、結晶化させて多結晶半導体膜を形成する工程を有する表示装置の製造方法であって、
前記多結晶半導体膜を形成する工程は、概略円筒形の基板保持部材の内周側面に、前記アモルファス半導体膜が成膜された前記基板を設置し、
前記基板保持部材を周方向に回転させるとともに、前記基板の前記アモルファス半導体膜が成膜された面と平行な一方向に相対移動させながら前記連続発振レーザを前記アモルファス半導体膜に照射して、前記多結晶半導体膜を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記基板保持部材の前記内周側面は、一方の端部から他方の端部に向かって内周半径が単調増加する傾斜面を有することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記アモルファス半導体膜を溶融、結晶化させて形成される前記多結晶半導体膜は、微結晶または粒状結晶の集合で構成されることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記多結晶半導体膜を形成する工程の後に、前記多結晶半導体膜にエネルギービームを照射し、該多結晶半導体膜を溶融、再結晶化させて、ある方向に長く延びる帯状結晶の集合で構成される擬似単結晶半導体を形成する工程を有することを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記アモルファス半導体膜を溶融、結晶化させて形成される前記多結晶半導体膜は、前記連続発振レーザの照射位置の移動方向と概ね一致する方向に長く延びる帯状結晶の集合で構成される擬似単結晶半導体であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法に関し、特に、半導体層が多結晶シリコンでなるＴＦＴ素子を多数形成する表示装置の製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、表示装置には、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルを用いたものがある。アクティブマトリクス型の液晶表示パネルは、液晶材料を挟持する一対の基板のうちの一方の基板の表示領域に、ＴＦＴ素子などのアクティブ素子（スイッチング素子）がマトリクス状に配置されている。
【０００３】
前記アクティブマトリクス型の液晶表示パネルにおいて、前記ＴＦＴ素子の半導体層（チャネル層）は、従来、３００℃から４００℃の低温で形成（成膜）でき、かつ、大面積化が容易なアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）で形成することが多かった。しかしながら、近年は、４００℃から６００℃程度の温度で多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を形成することができるようになり、多結晶シリコンで前記ＴＦＴ素子の半導体層を形成することが多くなってきている。前記多結晶シリコンの形成方法としては、たとえば、エキシマレーザなどのパルスレーザを用いて、基板上のアモルファスシリコンの全面を多結晶シリコン化する方法が一般的である。また、多結晶シリコンの結晶性を向上させるために、たとえば、連続発振レーザを用いて擬似単結晶シリコンを形成する方法も提案されている。なお、前記擬似単結晶シリコンとは、たとえば、ある特定の方向に長く延びる帯状結晶の集合で構成される、結晶粒界が少ない多結晶シリコンである。
【０００４】
前記連続発振レーザの照射は、たとえば、前記基板上のアモルファスシリコン膜または多結晶シリコン膜を複数の帯状領域に分割し、各帯状領域を走査するように、基板上における連続発振レーザの照射位置を相対移動させながら各帯状領域に順次照射していく。このときの走査方法にはいくつかの種類があり、たとえば、前記連続発振レーザの照射位置を第１の方向に移動させながら１つめの帯状領域に照射した後、第１の方向と直交する方向に照射位置をずらし、前記連続発振レーザの照射位置を第１の方向とは反対の方向に移動させながら次の帯状領域に照射するという手順を繰り返す方法が一般的である。
【０００５】
またさらに、近年は、たとえば、回転する基板保持部材に複数枚の基板を設置し、前記基板保持部材を回転させながら、ある一方向に移動させて、エネルギービームを順次照射していく方法も提案されている（たとえば、特許文献１、特許文献２、および特許文献３を参照）。
【特許文献１】特開２００３−１７８９９７号公報
【特許文献２】特開２００６−０３２９２６号公報
【特許文献３】特開２００３−３３２２５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記基板の上に成膜したアモルファスシリコン膜または多結晶シリコン膜に、たとえば、連続発振レーザを照射して前記擬似単結晶シリコン膜を形成する場合、たとえば、連続発振レーザの照射位置が２００ｍｍ／ｓから１０００ｍｍ／ｓで移動するような速度で前記基板、または前記連続発振レーザの光学系を移動させる必要がある。そのため、たとえば、前記基板を第１の方向およびその反対の方向に高速で往復させながら連続発振レーザを照射させると、移動方向を変えるために止まったときに大きな振動が発生する。そして、その振動により、たとえば、照射位置がずれて、基板上の各領域に形成された擬似単結晶シリコンの結晶性にむらが生じやすいという問題があった。
【０００７】
また、前記基板を第１の方向およびその反対の方向に高速で往復させながら連続発振レーザを照射させる場合、たとえば、移動方向を変えるときに、徐々に速度を落としながら止めれば、止まるときの振動を小さくできる。しかしながら、そのような方法で往復させると、結晶化工程に要する時間が長くなるという問題があった。
【０００８】
また、前記特許文献１に記載された方法では、たとえば、それぞれの基板の上を通るレーザ光の軌跡は円弧状である。そのため、たとえば、前記擬似単結晶シリコンを形成したときに、基板上の各領域において帯状結晶の長く延びる方向が異なり、たとえば、基板上の各領域に形成されるＴＦＴ素子の動作特性にばらつきが生じやすいという問題がある。また、回転軸の周りに複数の基板を並べて配置しているので、基板がないところにレーザ照射している時間が長く、エネルギー利用効率が悪い。
【０００９】
また、前記特許文献２に記載された方法では、基板を円柱状の回転体の外側表面に吸着させるので、前記回転体から前記基板が脱落しないようにするためには、遠心力に対抗できる強い力で吸着させる必要がある。そのため、たとえば、前記基板を吸着させるための機構が大がかりになるという問題がある。
【００１０】
また、前記特許文献３に記載された方法では、形成された結晶が同心円上に配列されるので、基板上の各領域において結晶粒界が少ない方向が異なる。そのため、たとえば、基板上の各領域に形成されるＴＦＴ素子の動作特性にばらつきが生じやすいという問題がある。
【００１１】
本発明の目的は、たとえば、液晶表示装置の製造方法において、基板の上に成膜したアモルファス半導体膜に連続発振レーザを照射して多結晶半導体膜（擬似単結晶半導体を含む場合もあり）を形成したときの結晶性のむらを低減することが可能な技術を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、たとえば、液晶表示装置の製造方法において、基板の上に成膜したアモルファス半導体膜に連続発振レーザを照射して多結晶半導体膜（擬似単結晶半導体を含む場合もあり）を形成するときの効率を向上させることが可能な技術を提供することにある。
【００１３】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概略を説明すれば、以下の通りである。
【００１５】
（１）基板の上に成膜されたアモルファス半導体膜に連続発振レーザを照射し、該アモルファス半導体膜を溶融、結晶化させて多結晶半導体膜を形成する工程を有する表示装置の製造方法であって、前記多結晶半導体膜を形成する工程は、前記アモルファス半導体膜が成膜された前記基板を回転させるとともに、該基板の前記アモルファス半導体膜が成膜された面と平行な一方向に相対移動させながら前記連続発振レーザを前記アモルファス半導体膜に照射して、微結晶または粒状結晶の集合で構成される多結晶半導体膜を形成する工程であり、前記基板の回転軸は、該基板の前記アモルファス半導体膜が成膜された面の法線方向と概ね一致しており、かつ、該基板上を通る表示装置の製造方法。
【００１６】
（２）前記（１）の表示装置の製造方法において、前記基板の回転速度は、該基板上における前記連続発振レーザの照射位置の前記回転軸からの距離に応じて変化させ、該距離が長くなるにつれて前記回転速度が遅くなる表示装置の製造方法。
【００１７】
（３）前記（１）の表示装置の製造方法において、前記連続発振レーザは、前記基板上における照射位置の前記回転軸からの距離に応じてレーザパワーを変化させ、該距離が長くなるにつれて前記レーザパワーを大きくする表示装置の製造方法。
【００１８】
（４）前記（１）乃至（３）のいずれかの表示装置の製造方法において、前記多結晶半導体膜を形成する工程の後に、前記多結晶半導体膜にエネルギービームを照射し、該多結晶半導体膜を溶融、再結晶化させて、ある方向に長く延びる帯状結晶の集合で構成される擬似単結晶半導体を形成する工程を有する表示装置の製造方法。
【００１９】
（５）基板の上に成膜されたアモルファス半導体膜に連続発振レーザを照射し、該アモルファス半導体膜を溶融、結晶化させて多結晶半導体膜を形成する工程を有する表示装置の製造方法であって、前記多結晶半導体膜を形成する工程は、概略円筒形の基板保持部材の内周側面に、前記アモルファス半導体膜が成膜された前記基板を設置し、前記基板保持部材を周方向に回転させるとともに、前記基板の前記アモルファス半導体膜が成膜された面と平行な一方向に相対移動させながら前記連続発振レーザを前記アモルファス半導体膜に照射して、前記多結晶半導体膜を形成する表示装置の製造方法。
【００２０】
（６）前記（５）の表示装置の製造方法において、前記基板保持部材の前記内周側面は、一方の端部から他方の端部に向かって内周半径が単調増加する傾斜面を有する表示装置の製造方法。
【００２１】
（７）前記（５）または（６）の表示装置の製造方法において、前記アモルファス半導体膜を溶融、結晶化させて形成される前記多結晶半導体膜は、微結晶または粒状結晶の集合で構成される表示装置の製造方法。
【００２２】
（８）前記（７）の表示装置の製造方法において、前記多結晶半導体膜を形成する工程の後に、前記多結晶半導体膜にエネルギービームを照射し、該多結晶半導体膜を溶融、再結晶化させて、ある方向に長く延びる帯状結晶の集合で構成される擬似単結晶半導体を形成する工程を有する表示装置の製造方法。
【００２３】
（９）前記（５）または（６）の表示装置の製造方法において、前記アモルファス半導体膜を溶融、結晶化させて形成される前記多結晶半導体膜は、前記連続発振レーザの照射位置の移動方向と概ね一致する方向に長く延びる帯状結晶の集合で構成される擬似単結晶半導体である表示装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、たとえば、液晶表示装置の製造方法において、基板の上に成膜したアモルファス半導体膜に連続発振レーザを照射して多結晶半導体膜（擬似単結晶半導体を含む場合もあり）を形成したときの結晶性のむらを低減することができる。
【００２５】
また、本発明によれば、たとえば、液晶表示装置の製造方法において、基板の上に成膜したアモルファス半導体膜に連続発振レーザを照射して多結晶半導体膜（擬似単結晶半導体を含む場合もあり）を形成するときの効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００２７】
図１（ａ）乃至図３は、本発明を適用して製造される表示装置の一構成例を示す模式図である。
図１（ａ）は、液晶表示パネルの概略構成を示す模式平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’線における断面構成を示す模式断面図である。図２は、液晶表示パネルのＴＦＴ基板の構成の一例を示す模式平面図である。図３は、ＴＦＴ基板の表示領域の１画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。
【００２８】
本発明の表示装置の製造方法は、たとえば、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルに用いられるＴＦＴ基板と呼ばれる基板の製造するときに適用することができる。アクティブマトリクス型の液晶表示パネルは、たとえば、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１と対向基板２の一対の基板の間に液晶材料３を封入した表示パネルである。このとき、ＴＦＴ基板１と対向基板２は、表示領域ＤＡを囲むように設けられたシール材４によって接着されており、液晶材料３は、ＴＦＴ基板１、対向基板２、およびシール材４で囲まれた空間に密封されている。また、ＴＦＴ基板１および対向基板２の外側を向いた面には、たとえば、偏光板５Ａ，５Ｂが貼り付けられている。またこのとき、ＴＦＴ基板１と偏光板５Ａの間、対向基板２と偏光板５Ｂの間には、１層から数層の位相差板が設けられていることもある。
【００２９】
なお、図１（ｂ）に示した断面構成は、透過型または半透過型の液晶表示パネルのものであり、反射型の液晶表示パネルの場合、一般に、偏光板５Ａは不要である。
【００３０】
また、ＴＦＴ基板１は、たとえば、図２に示すように、ｘ方向に延在して表示領域ＤＡを横断する複数本の走査信号線ＧＬと、ｙ方向に延在して表示領域ＤＡを縦断する複数本の映像信号線ＤＬが設けられている。また、表示領域ＤＡは、ｘ方向およびｙ方向に二次元的に配置された複数個の画素の集合で設定されている。このとき、表示領域ＤＡの１つの画素領域は、たとえば、図３に示すように、２本の隣接する走査信号線ＧＬｍ，ＧＬｍ＋１と、２本の隣接する映像信号線ＤＬｎ，ＤＬｎ＋１で囲まれた領域に相当し、各画素領域には、スイッチング素子であるＴＦＴ素子と画素電極ＰＸが配置されている。またこのとき、各画素に対して配置されるＴＦＴ素子は、たとえば、ゲート（Ｇ）が２本の隣接する走査信号線のうちの一方の走査信号線ＧＬｍ＋１に接続され、ドレイン（Ｄ）が２本の隣接する映像信号線のうちの一方の映像信号線ＤＬｎに接続されている。また、各画素に対して配置されるＴＦＴ素子のソース（Ｓ）は、画素電極ＰＸに接続されている。画素電極ＰＸは、共通電極ＣＴ（対向電極とも呼ばれる）および液晶材料３とともに画素容量を形成している。なお、共通電極ＣＴは、対向基板２に設けられている場合もあるし、ＴＦＴ基板１に設けられている場合もある。
【００３１】
また、本発明が適用されるＴＦＴ基板１において、表示領域ＤＡの各画素に対して配置されるＴＦＴ素子は、半導体層が多結晶シリコンで形成されている。このとき、前記ＴＦＴ素子の半導体層は、たとえば、１つの結晶粒の大きさが０．３μｍ未満の微結晶、または１つの結晶粒の大きさが０．３μｍから１．０μｍ程度の粒状結晶の集合で構成される多結晶シリコンであってもよいし、ある特定の方向に長く延びる帯状結晶の集合で構成される多結晶シリコンであってもよい。以下、微結晶または粒状結晶の集合で構成される多結晶シリコンと、前記帯状結晶の集合で構成される多結晶シリコンとを区別するために、前記帯状結晶の集合で構成される多結晶シリコンを擬似単結晶シリコンと呼ぶ。
【００３２】
また、本発明が適用されるＴＦＴ基板１は、たとえば、図２に示すように、表示領域ＤＡの外側に、各映像信号線ＤＬに映像信号を入力するための第１の駆動回路ＤＲＶ１と、各走査信号線ＧＬに走査信号を入力するための第２の駆動回路ＤＲＶ２が形成されていることもある。第１の駆動回路ＤＲＶ１は、従来のデータドライバＩＣと同等の機能を有する回路であり、たとえば、各映像信号線ＤＬに入力する映像信号（階調データ）を生成する回路、入力するタイミングを制御する回路などを有する。また、第２の駆動回路ＤＲＶ２は、従来の走査ドライバＩＣと同等の機能を有する回路であり、たとえば、各走査信号線ＧＬに走査信号を入力するタイミングを制御する回路などを有する。またこのとき、第１の駆動回路ＤＲＶ１および第２の駆動回路ＤＲＶ２はそれぞれ、ＭＯＳトランジスタやダイオードなどの半導体素子を多数個組み合わせて構成されている集積回路である。
【００３３】
またさらに、本発明が適用されるＴＦＴ基板１において、第１の駆動回路ＤＲＶ１および第２の駆動回路ＤＲＶ２は、ＩＣチップではなく、ＴＦＴ基板１に、走査信号線ＧＬや映像信号線ＤＬ、表示領域ＤＡのＴＦＴ素子などとともに一体的に形成されている内蔵回路である。このとき、第１の駆動回路ＤＲＶ１および第２の駆動回路ＤＲＶ２は、シール材４よりも内側、すなわちシール材４と表示領域ＤＡの間に形成することが望ましいが、シール材４と平面でみて重なる領域やシール材４の外側に形成されていてもよい。
【００３４】
なお、本発明は、ＴＦＴ基板に第１の駆動回路ＤＲＶ１および第２の駆動回路ＤＲＶ２を一体的に形成する製造方法に適用することが望ましいが、第１の駆動回路ＤＲＶ１および第２の駆動回路ＤＲＶ２を形成しないＴＦＴ基板の製造方法にも適用できる。
【００３５】
以下、図２および図３に示したような構成のＴＦＴ基板１の製造方法に本発明を適用した場合の実施例を説明する。
【実施例１】
【００３６】
図４（ａ）乃至図６（ｅ）の各図は、本発明による実施例１のＴＦＴ基板の製造方法を説明するための模式図である。
図４（ａ）は、アモルファスシリコン膜を成膜した直後のマザーガラスの模式平面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ’線における断面構成を示す模式断面図である。図５（ａ）は、アモルファスシリコン膜を多結晶シリコン化した直後のマザーガラスの模式平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＣ−Ｃ’線における断面構成を示す模式断面図である。図６（ａ）は、実施例１の製造方法における連続発振レーザの照射方法の一例を説明するための模式平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）を下方側から見た模式側面図である。図６（ｃ）は、基板の移動量を説明するための模式平面図である。図６（ｄ）は、形成される多結晶シリコンの結晶状態を説明するための模式平面図である。図６（ｅ）は、多結晶シリコン化するための連続発振レーザのパワーと照射位置の移動速度の関係を説明するための模式グラフ図である。
【００３７】
実施例１では、図２および図３に示したような構成のＴＦＴ基板１において、表示領域ＤＡの各画素に配置するＴＦＴ素子の半導体層、第１の駆動回路ＤＲＶ１および第２の駆動回路ＤＲＶ２の半導体素子の半導体層を多結晶シリコンで形成するときの製造方法について説明する。なお、実施例１において、前記多結晶シリコンは、後述するように、微結晶または粒状結晶などの異方性が小さい結晶の集合で構成される多結晶シリコンを指す。また、ＴＦＴ基板１を製造するときには、導体膜、半導体膜、絶縁膜などの成膜工程、成膜した導体膜などをパターニングする工程を複数回繰り返すが、実施例１では、本発明に関わる工程、すなわち前記多結晶シリコンを形成する工程についてのみ説明する。
【００３８】
ＴＦＴ基板１は、たとえば、図４（ａ）に示すように、液晶表示パネルで用いるときの基板サイズよりも面積が広いガラス基板（以下、マザーガラスと呼ぶ）６を用いて製造される。このとき、マザーガラス６の領域６０１が、液晶表示パネルで用いるときのＴＦＴ基板１の基板サイズに相当し、成膜およびパターニングを複数回繰り返して、領域６０１に走査信号線ＧＬ、映像信号線ＤＬ、表示領域ＤＡのＴＦＴ素子、画素電極ＰＸなどを形成した後、マザーガラス６の領域６０１をＴＦＴ基板１として切り出すという方法がとられている。またこのとき、たとえば、表示領域ＤＡの外側にある領域Ｒ１には第１の駆動回路ＤＲＶ１が形成され、表示領域ＤＡの外側にある領域Ｒ２には第２の駆動回路ＤＲＶ２が形成される。なお、１枚のマザーガラス６には、ＴＦＴ基板１として切り出す領域が１箇所の場合もあるし、２箇所、４箇所、さらには十数箇所の場合もある。
【００３９】
実施例１の製造方法において、表示領域ＤＡの各画素のＴＦＴ素子の半導体層などに用いる多結晶シリコンは、マザーガラス６の表面に成膜したアモルファスシリコン膜を連続発振レーザで溶融し、結晶化させて形成する。そのため、まず、たとえば、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、マザーガラス６の表面に積層されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）７０１、シリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）７０２などの絶縁膜の上に、アモルファスシリコン膜７０３ａを成膜する。アモルファスシリコン膜７０３ａは、たとえば、プラズマＣＶＤ法で成膜する。また、アモルファスシリコン膜７０３ａは、マザーガラス６の表面全面に成膜（形成）され、表示領域ＤＡだけでなく、第１の駆動回路を形成する領域Ｒ１および第２の駆動回路を形成する領域Ｒ２などにも成膜される。
【００４０】
次に、たとえば、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、マザーガラス６の上に成膜されたアモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン膜７０３ｂにする。アモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン膜７０３ｂにするときには、たとえば、まず、アモルファスシリコン膜７０３ａに含まれる水素を取り除く脱水素化処理を行う。次に、脱水素化されたアモルファスシリコンに対して、たとえば、連続発振レーザなどのエネルギービームを照射して一度溶融させ、結晶化させる。
【００４１】
実施例１では、前記アモルファスシリコン膜７０３ａに連続発振レーザを照射するときに、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、一定方向に回転するとともに、回転軸Ｍがｘ方向に移動する基板ステージ８にマザーガラス６を固定する。このとき、基板ステージ８の回転軸Ｍは、その軸の向きがマザーガラス６のアモルファスシリコン膜７０３ａが形成された面の法線方向と概ね一致しており、かつ、マザーガラス６のアモルファスシリコン膜７０３ａが形成された面の中心付近にある。
【００４２】
基板ステージ８に固定されたマザーガラス６の上に成膜されたアモルファスシリコン膜７０３ａには、レーザ発振器９で発生させた連続発振レーザ１０を光学系１１、ミラー１２、対物レンズ１３などで集光して照射する。このとき、基板ステージ８の回転軸Ｍがある位置から連続発振レーザ１０の照射を開始し、たとえば、基板ステージ８を一定の方向に回転させながらｘ方向に移動させると、連続発振レーザ１０の照射領域ＲＡの軌跡は、図６（ａ）に示したように、回転軸Ｍから外側に広がる渦巻き状の軌跡になる。
【００４３】
このとき、連続発振レーザ１０の照射領域ＲＡは、たとえば、図６（ｃ）に示すように、マザーガラス６上における照射領域ＲＡの移動方向（短軸方向）の長さがＬ１、該照射領域ＲＡの移動方向と直交する方向（長軸方向）の長さがＬ２の矩形領域になっている。このとき、連続発振レーザの照射領域ＲＡの短軸方向の長さＬ１および長軸方向の長さＬ２は、たとえば、光学系１１に設けたシリンドリカルレンズや対物レンズ１３で調節し、短軸方向の長さＬ１が３〜５μｍ程度、長軸方向の長さＬ２が１．０ｍｍ以上になるようにする。なお、照射領域ＲＡの長軸方向の長さＬ２は、１．０ｍｍ未満でもよい。
【００４４】
そして、たとえば、ミラー１２、対物レンズ１３などの位置を固定した状態で基板ステージを回転させながら、その回転軸Ｍをｘ方向に移動させると、マザーガラス６が回転しながらｘ方向に移動するので、マザーガラス６上における連続発振レーザ１０の照射領域ＲＡが渦巻き状の軌跡をたどりながら移動する。このとき、連続発振レーザ１０の照射領域ＲＡではシリコンが溶融した状態になっている。また、照射領域ＲＡが通り過ぎた領域は、溶融したシリコンが固化しており、たとえば、図６（ｄ）に示すように、微結晶または粒状結晶と呼ぶ異方性が小さい結晶７０３ｐの集合でなる多結晶シリコン７０３ｂが形成される。
【００４５】
また、実施例１の方法でアモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン化する場合、基板ステージ８（マザーガラス６）の回転軸Ｍの移動速度は、たとえば、基板ステージ８が１回転する間に、連続発振レーザ１０の照射領域ＲＡの長軸方向の長さＬ２と同じ距離だけ移動するような速度にする。ただし、基板ステージ８（マザーガラス６）が１回転する間に、基板ステージ８の回転軸Ｍが長さＬ２と同じ距離だけ移動させると、照射領域ＲＡの回転軸Ｍに近いほうの端部と、１回転前に連続発振レーザ１０を照射して多結晶シリコン７０３ｂを形成した領域の間に、たとえば、連続発振レーザ１０の照射が不十分な領域が生じ、結晶性にムラが生じる可能性がある。そのため、基板ステージ８（マザーガラス６）の回転軸Ｍの移動速度は、たとえば、基板ステージ８が１回転する間に、連続発振レーザ１０の照射領域ＲＡの長軸方向の長さＬ２よりも短い距離、たとえば、Ｌ２×０．８からＬ２×０．９程度の距離だけ移動するようにし、照射領域ＲＡの回転軸Ｍに近いほうの端部が、１回転前に連続発振レーザ１０を照射して多結晶シリコン７０３ｂが形成された領域と重なるようにしてもよい。
【００４６】
ところで、実施例１のように連続発振レーザ１０の照射領域ＲＡを移動させながら、マザーガラス６の上に形成されたアモルファスシリコン膜７０３ａを溶融、結晶化させる場合、形成される多結晶シリコン７０３ｂを構成する個々の結晶の形状やサイズは、連続発振レーザ１０のレーザパワー（エネルギー密度）と照射領域ＲＡの移動速度（走査速度）によって変わる。
【００４７】
連続発振レーザ１０のエネルギー密度および照射領域ＲＡの走査速度と、溶融したシリコンが固化状態の関係は、たとえば、図６（ｅ）に示したような関係で表される。なお、図６（ｅ）において、横軸は照射領域ＲＡの走査速度Ｖｓ（移動速度）であり、単位はｍｍ／ｓである。また、縦軸は連続発振レーザのエネルギー密度Ｅｄｅｎであり、単位はＭＷ／ｃｍ２である。
【００４８】
また、図６（ｅ）は、連続発振レーザ１０の照射領域ＲＡの短軸方向の長さＬ１が３μｍのときの関係を示しており、線ＡＮＬＢ１と線ＡＮＬＢ２の間にある領域ＣＲＳＴｗは、溶融したシリコンが結晶化する際に、一方向に長く延びた帯状結晶になる領域である。つまり、連続発振レーザ１０のエネルギー密度Ｅｄｅｎと照射領域ＲＡの走査速度Ｖｓの組み合わせが領域ＣＲＳＴｗにある場合、連続発振レーザ１０の照射領域ＲＡの移動方向（走査方向）に長く延びる帯状結晶の集合で構成される多結晶シリコン膜（擬似単結晶シリコン膜）が形成される。
【００４９】
また、図６（ｅ）において、線ＡＮＬＢ２と線ＡＮＬＢ３の間にある領域ＣＲＳＴｍは、溶融したシリコンが結晶化する際に、微結晶または粒状結晶になる領域である。つまり、連続発振レーザ１０のエネルギー密度Ｅｄｅｎと照射領域ＲＡの走査速度Ｖｓの組み合わせが領域ＣＲＳＴｍにある場合、連続発振レーザ１０の照射領域ＲＡの移動方向に関わらず、図６（ｄ）に示したような、微結晶または粒状結晶などの異方性が小さい結晶７０３ｐの集合で構成される多結晶シリコン膜７０３ｂが形成される。
【００５０】
このように、基板ステージ８およびマザーガラス６を、一定の方向に回転させるとともに、回転軸Ｍを一定の方向に移動させながら連続発振レーザ１０を照射することで、連続発振レーザ１０の照射を開始してから終了するまで、基板ステージ８およびマザーガラス６の動きを止めることなくアモルファスシリコン膜７０３ａの全領域に連続発振レーザ１０を照射できる。そのため、たとえば、マザーガラス６に生じる振動により形成された多結晶シリコン膜７０３ｂの結晶性にムラが生じるのを防ぐことができる。
【００５１】
また、実施例１の製造方法では、たとえば、結晶粒の大きさが０．３μｍ未満の微結晶、または結晶粒の大きさが０．３μｍから１μｍ程度の粒状結晶の集合で構成される多結晶シリコン膜７０３ｂを形成するので、図６（ｅ）に示したように、レーザパワー（エネルギー密度Ｅｄｅｎ）が低い連続発振レーザ１０でアモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン化することができる。
【００５２】
また、連続発振レーザ１０の照射領域ＲＡを渦巻き状に移動させて結晶化を行う場合、たとえば、前記特許文献１や前記特許文献３のように、前記擬似単結晶シリコンに相当する異方性のある結晶を形成する結晶化だと、マザーガラス６上における位置の違いによってＴＦＴ素子の動作特性が異なってしまうという問題がある。しかしながら、実施例１の結晶化は、微結晶または粒状結晶を形成するものであり、多結晶シリコンを構成する各結晶の異方性が小さいので、そのような問題を解決できる。
【００５３】
また、実施例１の製造方法では、たとえば、連続発振レーザ１０の照射領域ＲＡが、マザーガラス６の中心から外側に渦巻き状に移動するように連続発振レーザ１０を照射するので、連続発振レーザ１０の照射開始位置から照射終了位置までを結ぶ軌跡のなかで連続発振レーザ１０がマザーガラス６に照射されている部分が多く、連続発振レーザ１０の利用効率が高い。そのため、たとえば、液晶テレビやパーソナルコンピュータのディスプレイなどに用いられる液晶表示パネルのＴＦＴ基板を製造する大面積のマザーガラス６の上に形成されたアモルファスシリコン膜７０３ａを効率よく多結晶シリコン化することができる。
【００５４】
なお、実施例１では、図６（ａ）に示したように、マザーガラス６の中心から連続発振レーザ１０の照射を開始し、その照射領域ＲＡを外側に渦巻き状に移動させる例を挙げたが、これに限らず、マザーガラス６の外周側、すなわち１つの角部から連続発振レーザ１０の照射を開始し、その照射領域ＲＡがマザーガラス６の中心に向かって渦巻き状に移動するようにしてもよいことはもちろんである。
【００５５】
また、実施例１では、ＴＦＴ基板１の製造方法のうち、本発明に関わるアモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン化する工程のみについて説明している。実施例１のＴＦＴ基板１の製造方法における他の工程、たとえば、走査信号線ＧＬを形成する工程、映像信号線ＤＬを形成する工程、画素電極ＰＸを形成する工程、表示領域ＤＡのＴＦＴ素子を形成する工程、その他の絶縁層を形成する工程などは、従来のＴＦＴ基板１の製造方法における各工程と同じ手順で行えばよい。すなわち、実施例１の製造方法は、表示領域ＤＡのＴＦＴ素子の半導体層や、表示領域の外側に形成されるＭＯＳトランジスタ、ダイオードなどの半導体層を、微結晶または粒状結晶の集合で構成される多結晶シリコン膜７０３ｂをパターニングして形成するＴＦＴ基板１の製造方法であれば、どのような製造方法にも適用することができる。
【００５６】
またさらに、実施例１では、たとえば、図２および図３に示したように、表示領域ＤＡの外側に第１の駆動回路ＤＲＶ１および第２の駆動回路ＤＲＶ２を形成したＴＦＴ基板１を例に挙げている。しかしながら、実施例１で説明したアモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン化する方法は、これに限らず、第１の駆動回路ＤＲＶ１および第２の駆動回路ＤＲＶ２を形成しないＴＦＴ基板１の製造方法において、アモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン化するときにも適用できることはもちろんである。
【００５７】
図７（ａ）および図７（ｂ）は、実施例１のＴＦＴ基板１の製造方法における連続発振レーザの照射方法の第１の変形例を説明するための模式図である。
図７（ａ）は、第１の変形例の、連続発振レーザの照射領域の移動の様子を示す模式平面図である。図７（ｂ）は、第１の変形例の、連続発振レーザのレーザパワーの分布の望ましい例を説明するための模式図である。
【００５８】
実施例１のＴＦＴ基板１の製造方法において、アモルファスシリコン膜７０３ａに照射する連続発振レーザ１０は、たとえば、図７（ａ）に示すように、照射領域ＲＡの長軸方向の長さＬ２が有限であり、その長さは、たとえば、１．０ｍｍ程度またはそれ以上である。そのため、実施例１のように、連続発振レーザ１０の照射領域ＲＡが渦巻き状の軌跡をたどりながら移動する場合、回転軸Ｍに近いほうの端部ＲＡｉｎの単位時間当たりの移動量Ｌ３と、回転軸Ｍから遠いほうの端部ＲＡoutの単位時間当たりの移動量Ｌ４に差が生じ、回転軸Ｍから遠いほうの端部ＲＡｏｕｔのほうが移動量Ｌ４のほうが大きくなる。このとき、たとえば、照射領域ＲＡの長軸方向で見た連続発振レーザ１０のレーザパワー（エネルギー密度）が一定であると、回転軸Ｍに近いほうの端部ＲＡｉｎで連続発振レーザ１０が照射されている領域と、遠いほうの端部ＲＡｏｕｔで連続発振レーザ１０が照射されている領域では、単位面積に照射されるエネルギーの総量に差が生じる。そのため、形成された多結晶シリコン膜７０３ｂの結晶性にムラが生じる可能性がある。特に、連続発振レーザ１０の照射領域ＲＡの長軸方向の長さＬ２が長くなると、単位面積に照射されるエネルギーの総量の差が大きくなり、形成された多結晶シリコン膜７０３ｂの結晶性にムラが生じやすくなると考えられる。
【００５９】
そこで、実施例１のような方法でアモルファスシリコン膜７０３ａに連続発振レーザ１０を照射する場合、照射領域ＲＡの長軸方向で見た連続発振レーザ１０のレーザパワー（エネルギー密度Ｅｄｅｎ）が、たとえば、図７（ｂ）に示すように、回転軸Ｍに近いほうの端部ＲＡｉｎから遠いほうの端部ＲＡｏｕｔに向かって大きくなるように集光して照射することが望ましい。なお、図７（ｂ）において、横軸は連続発振レーザの照射領域ＲＡの長軸方向に沿った位置を示し、ＲＡｏｕｔとＲＡｉｎの間が照射領域ＲＡである。また、縦軸は連続発振レーザのエネルギー密度Ｅｄｅｎであり、上に行くほど密度が高くなる。
【００６０】
図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１のＴＦＴ基板１の製造方法における連続発振レーザの照射方法の第２の変形例を説明するための模式図である。
図８（ａ）は、第２の変形例の、連続発振レーザの照射領域の移動の様子を示す模式平面図である。図８（ｂ）は、第２の変形例の、連続発振レーザの照射方法の望ましい例の１つを説明するための模式図である。
【００６１】
実施例１のような方法でアモルファスシリコン膜７０３ａに連続発振レーザ１０を場合、たとえば、マザーガラス６の回転速度が一定であると、図８（ａ）に示すように、マザーガラスの中心（回転軸Ｍ）からの距離が長いほど、単位時間当たりの照射領域の移動量Ｌが大きくなる。このとき、たとえば、連続発振レーザ１０を、照射開始時から照射終了時まで一定のレーザパワー（エネルギー密度）で照射すると、マザーガラス６の中心から遠い位置ほど、単位面積に照射されるエネルギーの総量が少なくなる。そのため、たとえば、液晶テレビやパーソナルコンピュータのディスプレイなどに用いられる液晶表示パネルのＴＦＴ基板を製造する大面積のマザーガラス６の上に形成されたアモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン化するときに、マザーガラス６の中心に近い位置と遠い位置で、多結晶シリコン膜７０３ｂの結晶性にムラが生じることがある。
【００６２】
そこで、たとえば、図８（ｂ）に示すように、マザーガラス６の回転速度Ｆｒを一定の速度にし、マザーガラス６の中心（回転軸Ｍ）からの距離ＤＭが長いほど連続発振レーザの照射位置の移動量Ｌ（走査速度Ｖｓ）が大きくなるような条件で連続発振レーザ１０を照射する場合、回転軸Ｍからの距離が長くなるほど連続発振レーザ１０のレーザパワー（エネルギー密度Ｅｄｅｎ）を大きくして照射することが望ましい。なお、図８（ｂ）において、横軸は回転軸から連続発振レーザの照射領域ＲＡまでの距離ＤＭであり、左端が０（回転軸Ｍと重なる位置）で、右端が回転軸Ｍから最も遠い位置（マザーガラス６の角部）である。また、左側の縦軸はマザーガラス６の回転速度Ｆｒおよび走査速度Ｖｓであり、上に行くほど速度が大きくなる。また、右側の縦軸は連続発振レーザのエネルギー密度Ｅｄｅｎであり、上に行くほど密度が高くなる。
【００６３】
図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施例１のＴＦＴ基板１の製造方法における連続発振レーザの照射方法の第３の変形例を説明するための模式図である。
図９（ａ）は、第３の変形例の、連続発振レーザの照射領域の移動の様子を示す模式平面図である。図９（ｂ）は、第３の変形例の、連続発振レーザの照射方法の望ましい例の１つを説明するための模式図である。
【００６４】
実施例１のような方法でアモルファスシリコン膜７０３ａに連続発振レーザ１０を照射する場合、上記のように、マザーガラス６の中心（回転軸Ｍ）からの距離によらず、単位面積に照射されるエネルギーの総量がほぼ均一になるように連続発振レーザ１０を照射することが望ましい。このような照射方法としては、たとえば、図８（ｂ）に示したように、マザーガラス６の回転速度Ｆｒを一定の速度にして、マザーガラス６の中心（回転軸Ｍ）からの距離ＤＭが長くなるほど連続発振レーザ１０のレーザパワー（エネルギー密度Ｅｄｅｎ）を大きくなるようにレーザパワーを制御しながら照射する方法が考えられる。
【００６５】
しかしながら、単位面積に照射されるエネルギーの総量がほぼ均一になるように連続発振レーザ１０を照射する方法には、その他にも、たとえば、図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、マザーガラス６の中心（回転軸Ｍ）からの距離ＤＭによらず、連続発振レーザ１０の照射領域の単位時間当たりの移動量Ｌ（走査速度Ｖｓ）がほぼ一定になるようにマザーガラス６の回転速度Ｆｒを変えながら連続発振レーザ１０を照射する方法もある。この場合、照射領域ＲＡとマザーガラス６の中心の距離ＤＭが長くなるほどマザーガラス６の回転速度Ｆｒが小さくなるように基板ステージ８の回転速度Ｖｓを制御しながら連続発振レーザ１０を照射する。このようにすれば、たとえば、図９（ｂ）に示すように、連続発振レーザ１０を、照射開始時から照射終了時まで一定のレーザパワー（エネルギー密度Ｅｄｅｎ）で照射しながら、マザーガラス６上の各領域において単位面積に照射されるエネルギーの総量をほぼ均一にすることができる。なお、図９（ｂ）において、横軸は回転軸から連続発振レーザの照射領域ＲＡまでの距離ＤＭであり、左端が０（回転軸Ｍと重なる位置）で、右端が回転軸Ｍから最も遠い位置（マザーガラス６の角部）である。また、左側の縦軸はマザーガラス６の回転速度Ｆｒおよび走査速度Ｖｓであり、上に行くほど速度が大きくなる。また、右側の縦軸は連続発振レーザのエネルギー密度Ｅｄｅｎであり、上に行くほど密度が高くなる。
【００６６】
またさらに、マザーガラス６の回転速度Ｆｒおよび連続発振レーザ１０のレーザパワー（エネルギー密度Ｅｄｅｎ）のいずれか一方を一定にし、他方を変えながら照射するだけでなく、両方を変えながら照射してもよいことはもちろんである。
【００６７】
図１０（ａ）乃至図１２は、実施例１のＴＦＴ基板の製造方法の第１の応用例を説明するための模式図である。
図１０（ａ）は、第１の応用例の、アモルファスシリコン膜を多結晶シリコン化した後、多結晶シリコン膜の一部の領域の結晶性を変えたマザーガラスの概略構成を示す模式平面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＤ−Ｄ’における断面構成を示す模式断面図である。図１１は、多結晶シリコン膜の一部の領域の結晶性を変える方法の一例を示す模式斜視図である。図１２は、多結晶シリコンの結晶性の変化の一例を示す模式平面図である。
【００６８】
実施例１では、たとえば、図２および図３に示したように、表示領域ＤＡの外側に第１の駆動回路ＤＲＶ１および第２の駆動回路ＤＲＶ２が形成されたＴＦＴ基板１を例に挙げている。このとき、上記の手順で製造したＴＦＴ基板１の表示領域ＤＡに形成されたＴＦＴ素子の半導体層、第１の駆動回路ＤＲＶ１および第２の駆動回路ＤＲＶ２に形成されたＭＯＳトランジスタの半導体層は、ともに、図６（ｄ）に示したような微結晶または粒状結晶などの異方性が小さい結晶７０３ｐの集合で構成される多結晶シリコン７０３ｂで形成されている。
【００６９】
ところで、表示領域ＤＡに形成するＴＦＴ素子のチャネル長、第１の駆動回路ＤＲＶ１および第２の駆動回路ＤＲＶ２に形成するＭＯＳトランジスタのチャネル長は、たとえば、数μｍである。そのため、これらのトランジスタの半導体層を、微結晶または粒状結晶の集合で構成される多結晶シリコン７０３ｂで形成した場合、チャネル領域には多数の結晶粒界が存在し、キャリアの移動度を低下させる要因になる。また、第１の駆動回路ＤＲＶ１および第２の駆動回路ＤＲＶ２のＭＯＳトランジスタは、表示領域ＤＡのＴＦＴ素子よりも高速で動作させる必要があり、チャネル領域の結晶粒界、特にチャネル長の方向（キャリアの移動方向）に並んだ結晶の粒界を少なくすることが望ましい。
【００７０】
そこで、図２および図３に示したような構成のＴＦＴ基板１を製造する場合、実施例１で説明した方法で、マザーガラス６の上に成膜されたアモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン膜７０３ｂにした後、たとえば、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、第１の駆動回路を形成する領域Ｒ１および第２の駆動回路を形成する領域Ｒ２の多結晶シリコン７０３ｂを、結晶粒界の少ない擬似単結晶シリコン７０３ｃにすることが望ましい。
【００７１】
第１の駆動回路を形成する領域Ｒ１および第２の駆動回路を形成する領域Ｒ２を擬似単結晶シリコン７０３ｃにするには、たとえば、図１１に示すように、レーザ発振器９’で発生させた連続発振レーザ１０’を光学系１１’で集光して多結晶シリコン膜７０３ｂの各駆動回路を形成する領域Ｒ１，Ｒ２に照射し、溶融、再結晶化させればよい。このとき、マザーガラス６は、たとえば、ｘ方向およびｙ方向への移動が可能な基板ステージ（図示しない）に固定しておく。そして、たとえば、前記基板ステージをｘ方向またはｙ方向に動かしてマザーガラス６における照射領域をｘ方向またはｙ方向に移動させながら各駆動回路を形成する領域Ｒ１，Ｒ２に連続発振レーザ１０’を照射する。
【００７２】
なお、このとき照射する連続発振レーザ１０’は、レーザパワー（エネルギー密度）の大きさと照射領域の移動方向の組み合わせが、たとえば、図６（ｅ）に示した領域ＣＲＳＴｗにある組み合わせになるようにする。
【００７３】
このとき、たとえば、図１２の上側に示すように、微結晶または粒状結晶と呼ぶ結晶粒が小さく、かつ、異方性が小さい結晶７０３ｐの集合で構成される多結晶シリコン７０３ｂに上記の条件を満たす連続発振レーザ１０’を照射し、照射領域をｘ方向に移動させると、連続発振レーザ１０’が照射されて溶融したシリコンが再結晶化するときに、図１２の下側に示したように、連続発振レーザ１０’の照射領域ＲＡの移動方向（ｘ方向）に長く延びる帯状結晶７０３ｗが形成される。またこのとき、帯状結晶７０３ｗは、たとえば、照射領域の移動方向（ｘ方向）に沿った長さが数百μｍから数ｍｍになる。そのため、たとえば、これを用いてＭＯＳトランジスタの半導体層を形成すると、チャネル領域に見られる結晶粒界はほぼｘ方向に延びる粒界のみになる。そのため、帯状結晶７０３ｗが長く延びる方向（ｘ方向）がチャネル長方向（キャリアの移動方向）になるようにＭＯＳトランジスタのソース領域（ソース電極）およびドレイン領域（ドレイン電極）を形成すれば、キャリアの移動度を高くでき、ＭＯＳトランジスタの動作を高速化できる。
【００７４】
図１３は、第１の応用例をさらに発展させた第２の応用例を説明するための模式平面図である。
【００７５】
前記第１の応用例では、微結晶または粒状結晶の集合で構成される多結晶シリコン膜７０３ｂを形成した後、表示領域ＤＡの外側にある第１の駆動回路を形成する領域Ｒ１および第２の駆動回路を形成する領域Ｒ２の多結晶シリコンを、帯状結晶７０３ｗの集合で構成される擬似単結晶シリコン７０３ｃにし、第１の駆動回路ＤＲＶ１および第２の駆動回路ＤＲＶ２のＭＯＳトランジスタの動作を高速化している。
【００７６】
このとき、表示領域ＤＡのＴＦＴ素子の半導体層は、微結晶または粒状結晶の集合で構成される多結晶シリコン膜７０３ｂで形成されているが、液晶表示パネルにおいて、表示領域ＤＡのＴＦＴ素子（スイッチング素子）に要求される動作速度は、各駆動回路ＤＲＶ１，ＤＲＶ２のＭＯＳトランジスタの動作速度に比べて遅い。そのため、表示領域ＤＡのＴＦＴ素子の半導体層が、微結晶または粒状結晶の集合で構成される多結晶シリコン膜７０３ｂで形成されていても、液晶表示パネルの動作（画質）への影響は少ない。
【００７７】
しかしながら、たとえば、高精細な液晶表示パネルに用いるＴＦＴ基板１の場合、表示領域ＤＡの開口率を高くするために、ＴＦＴ素子の半導体層を擬似単結晶シリコン７０３ｃで形成してチャネルの移動度を高くし、素子サイズを小型化することが望まれる。
【００７８】
その場合、マザーガラス６の上に成膜されたアモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン膜７０３ｂにした後、たとえば、図１３に示すように、第１の駆動回路を形成する領域Ｒ１および第２の駆動回路を形成する領域Ｒ２に加え、表示領域ＤＡのＴＦＴ素子を形成する領域Ｒ３に、結晶粒界の少ない擬似単結晶シリコン７０３ｃをタイル状に形成する。
【００７９】
図１４は、実施例１のＴＦＴ基板の製造方法におけるマザーガラスの構成の変形例を説明するための模式平面図である。
【００８０】
実施例１では、たとえば、図６（ａ）に示したように、１枚のマザーガラス６に１枚分のＴＦＴ基板１を形成して切り出す場合を例に挙げたが、マザーガラス６を用いてＴＦＴ基板１を製造するときには、これに限らず、たとえば、１枚のマザーガラス６に複数枚分のＴＦＴ基板１を形成し、切り出して個々のＴＦＴ基板１に分離することもある。１枚のマザーガラス６に２枚分のＴＦＴ基板を製造する場合、マザーガラス６には、たとえば、図１４に示すように、２つの領域６０１，６０２が設定される。そして、２つの領域６０１．６０２に、実施例１で説明したアモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン化する工程を適用した製造方法で、たとえば、図２および図３に示したような構成のＴＦＴ基板１を形成した後、各領域６０１，６０２を切り出して２枚のＴＦＴ基板１を得る。
【００８１】
この場合、マザーガラス６の回転軸Ｍは、マザーガラス６の中心（重心）にすることが望ましく、たとえば、図１４に示すように、マザーガラス６の中心（回転軸Ｍ）から外側に向かって渦巻き状に連続発振レーザ１０を照射しながら微結晶または粒状結晶の集合でなる多結晶シリコン膜７０３ｂを形成する。また、図面を用いた説明は省略するが、たとえば、１枚のマザーガラス６で４枚分のＴＦＴ基板１を形成する場合や、十数枚分のＴＦＴ基板１を形成する場合も同様に、マザーガラス６の中心を回転軸Ｍとして回転させながら、渦巻き状に連続発振レーザ１０を照射して微結晶または粒状結晶の集合でなる多結晶シリコン膜７０３ｂを形成する。
【００８２】
図１５は、実施例１のＴＦＴ基板の製造方法の第３の応用例を説明するための模式平面図である。
【００８３】
実施例１では、たとえば、図６（ｂ）に示したように、１つのレーザ発振器９で発生させた連続発振レーザ１０を１枚のマザーガラス６に照射している例を挙げている。
【００８４】
しかしながら、実施例１のように、連続発振レーザ１０をアモルファスシリコン膜７０３ａに照射する場合、たとえば、ハーフミラーやビームスプリッタを用いることで、１本のレーザビームを複数本のビームに分離することができる。そのため、たとえば、図１５に示すように、１つのレーザ発振器９で発生させた一本の連続発振レーザ１０を光学系１１で集光した後、２枚のハーフミラー１４Ａ，１４Ｂを用いて３つのレーザビーム１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃに分離すれば、３枚のマザーガラス６Ａ，６Ｂ，６Ｃに同時に連続発振レーザを照射することができる。このとき、３枚のマザーガラス６Ａ，６Ｂ，６Ｃを、それぞれ独立した基板ステージ８Ａ，８Ｂ，８Ｃに固定し、各基板ステージ８Ａ，８Ｂ，８Ｃを一定の方向に回転させながら、回転軸Ｍを一定の方向に移動させれば、１回の工程（動作）で、３枚のマザーガラス６Ａ，６Ｂ，６Ｃのそれぞれに成膜されたアモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン化することができる。そのため、アモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン化する効率、および連続発振レーザの使用効率を向上させることができる。
【実施例２】
【００８５】
図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、本発明による実施例２のＴＦＴ基板の製造方法を説明するための模式図である。
図１６（ａ）は、実施例２の製造方法における連続発振レーザの照射方法の一例を説明するための模式斜視図である。図１６（ｂ）は、実施例２の製造方法における連続発振レーザの照射位置の軌跡を示す模式平面図である。
【００８６】
実施例２は、マザーガラス６の上に成膜されたアモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン化するときの連続発振レーザ１０の照射方法に関する実施例であり、実施例１とは異なる方法で連続発振レーザ１０を照射する。
【００８７】
実施例２の連続発振レーザ１０の照射方法では、たとえば、図１６（ａ）に示すように、円筒形の基板保持部材（ドラム）１５の内周側面にマザーガラス６を設置し、基板保持部材１５を周方向に回転させるとともに、周方向と直交する方向に移動させながら、マザーガラス６の上に形成されたアモルファスシリコン膜７０３ａに連続発振レーザ１０を照射する。
【００８８】
このとき、基板保持部材１５の内周側面における連続発振レーザ１０の照射領域ＲＡは、該内周側面を螺旋状に移動する。このとき、１枚のマザーガラス６に注目すると、たとえば、図１６（ｂ）に示すように、マザーガラス６の１つの角部（左上の角部）から連続発振レーザ１０の照射が始まり、その照射領域は、ｘ方向の移動速度（回転速度ＦＲ）とｙ方向の移動速度Ｖｙに応じて、ｘ方向に対してある角度だけ傾いた方向に移動していく。
【００８９】
なお、図１６（ａ）および図１６（ｂ）に示した例では、連続発振レーザ１０の照射領域ＲＡが、基板保持部材１５の内周側面を螺旋状に移動するようにしているが、これに限らず、たとえば、基板保持部材１５のｙ方向の位置を固定した状態で回転させて連続発振レーザ１０を照射する過程と、連続発振レーザ１０の照射を中断して基板保持部材１５のｙ方向の位置をずらす過程とを繰り返してもよい。このようにすれば、マザーガラス６上における連続発振レーザ１０の照射領域ＲＡの移動方向は、ｘ方向に対して平行になる。
【００９０】
実施例２の照射方法の場合、１枚のマザーガラス６の上では、左端から右端まで連続発振レーザ１０を照射するという動作が、左端における照射開始位置をｙ方向に移動させながら複数回繰り返される。そのため、マザーガラス６の上に成膜されたアモルファスシリコン膜７０３ａの全域に連続発振レーザ１０を照射する場合、基板保持部材１５のｙ方向の移動速度は、基板保持部材１５が１回転する間に、連続発振レーザ１０の照射領域のｙ方向（長軸方向）の長さＬ２だけ移動するような速度にする。またこのとき、基板保持部材１５のｙ方向の移動速度は、たとえば、基板保持部材１５が１回転する間に、連続発振レーザ１０の照射領域のｙ方向（長軸方向）の長さＬ２に対して、Ｌ２×０．８からＬ２×０．９程度だけ移動するような速度にしてもよい。
【００９１】
このように、マザーガラス６を、円筒状の基板支持部材１５の内周側面に固定しておき、基板支持部材１５の内周側面における連続発振レーザ１０の照射領域が螺旋状に移動するようにアモルファスシリコン膜７０３ａに連続発振レーザ１０を照射することで、連続発振レーザ１０の照射を開始してから終了するまで、マザーガラス６の動きを止めることなくアモルファスシリコン膜７０３ａの全域に照射できる。そのため、たとえば、マザーガラス６に生じる振動により、形成された多結晶シリコン膜の結晶性にムラが生じるのを防ぐことができる。
【００９２】
また、実施例２のＴＦＴ基板１の製造方法の場合、たとえば、図１６（ａ）に示すように、１つの基板保持部材１５の内周側面に、複数枚のマザーガラス６を固定すれば、１回の連続発振レーザ１０の照射過程で、複数枚のマザーガラス６のアモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン化できる。そのため、ＴＦＴ基板１の製造効率が向上するとともに連続発振レーザ１０の使用効率が向上し、その結果としてＴＦＴ基板１の製造コストを低減できる。
【００９３】
なお、実施例２の照射方法でアモルファスシリコン膜７０３ａに連続発振レーザ１０を照射するときには、たとえば、図６（ｄ）に示したような微小結晶または粒状結晶などの異方性が小さい結晶７０３ｐの集合で構成される多結晶シリコン膜７０３ｂを形成してもよいし、連続発振レーザ１０の移動方向に長く延びる帯状結晶７０３ｗの集合で構成される多結晶シリコン膜７０３ｃを形成してもよい。異方性が小さい結晶７０３ｐの集合で構成される多結晶シリコン膜７０３ｂを形成するときには、照射する連続発振レーザ１０のレーザパワー（エネルギー密度Ｅｄｅｎ）と照射領域ＲＡの移動速度（走査速度Ｖｓ）の組み合わせを、たとえば、図６（ｅ）に示した領域ＣＲＳＴｍにある組み合わせにすればよい。また、帯状結晶７０３ｗの集合で構成される擬似単結晶シリコン膜７０３ｃを形成するときには、照射する連続発振レーザ１０のレーザパワー（エネルギー密度Ｅｄｅｎ）と移動速度（走査速度Ｖｓ）の組み合わせを、たとえば、図６（ｅ）に示した領域ＣＲＳＴｗにある組み合わせにすればよい。
【００９４】
実施例２の製造方法の場合、１枚のマザーガラス６の上に照射される連続発振レーザ１０の照射領域の移動方向（走査方向）は、すべての領域においてほぼ同じ方向になっている。つまり、帯状結晶７０３ｗの集合で構成される擬似単結晶シリコン膜７０３ｃを形成した場合、マザーガラス６の各領域において帯状結晶７０３ｗはほぼ同じ方向に長く延びている。そのため、たとえば、チャネル長の方向（キャリアの移動方向）が帯状結晶７０３ｗの長く延びている方向になるようなＴＦＴ素子を表示領域ＤＡに多数個形成するときに、各ＴＦＴ素子のゲート電極、ドレイン電極（ドレイン領域）、およびソース電極（ソース領域）は、形状や向きが同じパターンで形成でき、画素のレイアウト設計が容易である。
【００９５】
図１７は、実施例２のＴＦＴ基板の製造方法の別の作用効果を説明するための模式図である。
【００９６】
実施例２のＴＦＴ基板１の製造方法では、円筒形の基板保持部材１５の内周側面にマザーガラス６を固定した状態で、基板保持部材１５を一定の方向に回転させながら一定の方向に移動させる。このとき、基板保持部材１５は、たとえば、マザーガラス６における連続発振レーザ１０の照射領域が２００ｍｍ／ｓから１０００ｍｍ／ｓで移動するような角速度で回転させるので、回転させている間、図１７に示すように、マザーガラス６には遠心力Ｆが働く。そのため、実施例２の方法では、基板保持部材１５が回転しているときにマザーガラス６に働く遠心力Ｆを利用してマザーガラス６を基板保持部材１５に固定することができる。そのため、たとえば、前記特許文献２のレーザ処理装置で用いられる固定機構などのような大がかりな吸着装置を使わなくても、マザーガラス６を基板保持部材１５に固定することができる。
【００９７】
図１８は、実施例２のＴＦＴ基板の製造方法の第１の応用例を説明するための模式平面図である。
【００９８】
実施例２では、たとえば、図１６（ａ）に示したように、１つのレーザ発振器９で発生させた連続発振レーザ１０を、１つの基板保持部材１５に固定された１枚または複数枚のマザーガラス６に照射している例を挙げている。
【００９９】
しかしながら、実施例２のような方法で、連続発振レーザ１０をアモルファスシリコン膜７０３ａに照射する場合、たとえば、ハーフミラーやビームスプリッタを用いることで、１本の連続発振レーザ１０を複数本のレーザビームに分離することができる。そのため、たとえば、図１８に示すように、１つのレーザ発振器９で発生させた一本の連続発振レーザ１０を光学系１１で集光した後、２枚のハーフミラー１４Ａ，１４Ｂを用いて３つのレーザビーム１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃに分離すれば、３枚のマザーガラス６Ａ，６Ｂ，６Ｃに同時に連続発振レーザを照射することができる。このとき、３枚のマザーガラス６Ａ，６Ｂ，６Ｃを、それぞれ独立した基板保持部材１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃに固定し、各基板保持部材１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃを一定の方向に回転させながら、一定の方向に移動させれば、１回の工程（動作）で、３枚のマザーガラス６Ａ，６Ｂ，６Ｃのそれぞれに成膜されたアモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン化することができる。またさらに、各基板保持部材１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃに、それぞれ複数枚のマザーガラスを固定しておけば、１回の工程（動作）で、さらに多数の枚数のマザーガラス６に成膜されたアモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン化することができる。そのため、アモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン化する効率、および連続発振レーザの使用効率を向上させることができる。
【０１００】
図１９は、実施例２のＴＦＴ基板の製造方法の第２の応用例を説明するための模式図である。
図１９（ａ）は、基板保持部材の概略構成および連続発振レーザの照射方法の第２の応用例を説明するための模式平面図である。図１９（ｂ）は、図１９（ａ）のＥ−Ｅ’における模式側面断面図である。
【０１０１】
実施例２では、たとえば、図１６（ａ）や図１８に示したように、開口した両端が同じ大きさの円筒形の基板保持部材１５を用いている例を挙げている。
【０１０２】
しかしながら、実施例２の方法で連続発振レーザ１０を照射する場合、たとえば、図１９（ａ）および図１９（ｂ）に２つの底面１５’ａ，１５’ｂの大きさが異なる傾斜面を有する円筒形の基板保持部材１５’を用いてもよい。このとき、基板保持部材１５’の内周側面は、たとえば、図１９（ｂ）に示すように、第１の底面（開口端）１５’ａから第２の底面（開口端）１５’ｂに向かって内周半径が単調かつ一定の割合で増加するような側面、別の言い方をすれば基板保持部材１５’の内部空間が円錐台座形状になるような側面にすることが望ましい。
【０１０３】
図１９（ａ）および図１９（ｂ）に示したような基板保持部材１５’を用いる場合、２つの底面１５’ａ，１５’ｂの中心を通る軸を回転軸Ｍとして回転させながら、回転軸Ｍと同じ方向に移動させてもよいし、図１９（ｂ）に示すように、照射位置における内周側面と平行な方向ｕに回転軸Ｍをずらしながら移動させてもよい。特に、後者の場合は、連続発振レーザ１０の光路長が一定になるので、たとえば、対物レンズ１３を調節して連続発振レーザ１０の焦点などを変えなくても、一定のレーザパワーの連続発振レーザ１０を照射することができる。
【０１０４】
また、実施例２で挙げた製造方法の場合、たとえば、アモルファスシリコン膜７０３ａを直接擬似単結晶シリコン７ｃにしてもよいし、たとえば、アモルファスシリコン膜７０３ａの全面を微小結晶または粒状結晶などの異方性が小さい結晶７０３ｐの集合で構成される多結晶シリコン膜７０３ｂにした後、図１１および図１２に示したように所定の領域のみを帯状結晶７０３ｗの集合で構成される擬似単結晶シリコン膜７０３ｃにしてもよい。
【０１０５】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【０１０６】
たとえば、実施例１および実施例２では、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルに用いるＴＦＴ基板１を例に挙げ、そのＴＦＴ基板１の製造方法のうちの、アモルファスシリコン膜７０３ａを多結晶シリコン化する工程について説明した。しかしながら、本発明は、これに限らず、たとえば、図２および図３に示したようなＴＦＴ基板１と同様の構成を有する基板の製造方法に適用することができる。つまり、本発明は、たとえば、有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を用いた自発光型の表示パネルなどの製造方法にも適用することができる。
【０１０７】
またさらに、本発明の製造方法は、アクティブマトリクス型の表示パネルで用いられる基板の製造方法に限定されるものではなく、基板の上に成膜されたアモルファスシリコン膜に連続発振レーザを照射して多結晶シリコン化する工程を有する方法で製造されるすべての基板の製造方法に対して適用できることはもちろんである。
【０１０８】
また、前記実施例１および実施例２で挙げたように、アモルファスシリコンを多結晶シリコン化、または擬似単結晶シリコン化する場合を例に挙げた。しかしながら、本発明は、シリコンに限らず、たとえば、非晶質の半導体材料にレーザを照射して溶融、結晶化（または再結晶化）させて多結晶化または擬似単結晶化する工程を有するすべての基板の製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１（ａ）】液晶表示パネルの概略構成を示す模式平面図である。
【図１（ｂ）】図１（ａ）のＡ−Ａ’線における断面構成を示す模式断面図である。
【図２】液晶表示パネルのＴＦＴ基板の構成の一例を示す模式平面図である。
【図３】ＴＦＴ基板の表示領域の１画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。
【図４（ａ）】アモルファスシリコン膜を成膜した直後のマザーガラスの模式平面図である。
【図４（ｂ）】図４（ａ）のＢ−Ｂ’線における断面構成を示す模式断面図である。
【図５（ａ）】アモルファスシリコン膜を多結晶シリコン化した直後のマザーガラスの模式平面図である。
【図５（ｂ）】図５（ａ）のＣ−Ｃ’線における断面構成を示す模式断面図である。
【図６（ａ）】実施例１の製造方法における連続発振レーザの照射方法の一例を説明するための模式平面図である。
【図６（ｂ）】図６（ａ）を下方側から見た模式側面図である。
【図６（ｃ）】基板の移動量を説明するための模式平面図である。
【図６（ｄ）】形成される多結晶シリコンの結晶状態を説明するための模式平面図である。
【図６（ｅ）】多結晶シリコン化するための連続発振レーザのパワーと照射位置の移動速度の関係を説明するための模式グラフ図である。
【図７（ａ）】第１の変形例の、連続発振レーザの照射領域の移動の様子を示す模式平面図である。
【図７（ｂ）】第１の変形例の、連続発振レーザのレーザパワーの分布の望ましい例を説明するための模式図である。
【図８（ａ）】第２の変形例の、連続発振レーザの照射領域の移動の様子を示す模式平面図である。
【図８（ｂ）】第２の変形例の、連続発振レーザの照射方法の望ましい例の１つを説明するための模式図である。
【図９（ａ）】第３の変形例の、連続発振レーザの照射領域の移動の様子を示す模式平面図である。
【図９（ｂ）】第３の変形例の、連続発振レーザの照射方法の望ましい例の１つを説明するための模式図である。
【図１０（ａ）】第１の応用例の、アモルファスシリコン膜を多結晶シリコン化した後、多結晶シリコン膜の一部の領域の結晶性を変えたマザーガラスの概略構成を示す模式平面図である。
【図１０（ｂ）】図１０（ａ）のＤ−Ｄ’における断面構成を示す模式断面図である。
【図１１】多結晶シリコン膜の一部の領域の結晶性を変える方法の一例を示す模式斜視図である。
【図１２】多結晶シリコンの結晶性の変化の一例を示す模式平面図である。
【図１３】第１の応用例をさらに発展させた第２の応用例を説明するための模式平面図である。
【図１４】実施例１のＴＦＴ基板の製造方法におけるマザーガラスの構成の変形例を説明するための模式平面図である。
【図１５】実施例１のＴＦＴ基板の製造方法の第３の応用例を説明するための模式平面図である。
【図１６（ａ）】実施例２の製造方法における連続発振レーザの照射方法の一例を説明するための模式斜視図である。
【図１６（ｂ）】実施例２の製造方法における連続発振レーザの照射位置の軌跡を示す模式平面図である。
【図１７】実施例２のＴＦＴ基板の製造方法の別の作用効果を説明するための模式図である。
【図１８】実施例２のＴＦＴ基板の製造方法の第１の応用例を説明するための模式平面図である。
【図１９（ａ）】基板保持部材の概略構成および連続発振レーザの照射方法の第２の応用例を説明するための模式平面図である。
【図１９（ｂ）】図１９（ａ）のＥ−Ｅ’における模式側面断面図である。
【符号の説明】
【０１１０】
１…ＴＦＴ基板
２…対向基板
３…液晶材料
４…シール材
５Ａ，５Ｂ…偏光板
６，６Ａ，６Ｂ，６Ｃ…マザーガラス
６０１，６０２…ＴＦＴ基板として切り出す領域
７０１…シリコン窒化膜
７０２…シリコン酸化膜
７０３ａ…アモルファスシリコン膜
７０３ｂ…多結晶シリコン膜
７０３ｃ…擬似単結晶シリコン（膜）
７０３ｐ…異方性が小さい結晶
７０３ｗ…帯状結晶
８，８Ａ，８Ｂ，８Ｃ…基板ステージ
９，９’…レーザ発振器
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０’…連続発振レーザ
１１，１１’…光学系
１２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ…ミラー
１３…対物レンズ
１４Ａ，１４Ｂ…ハーフミラー
１５，１５’…基板保持部材（ドラム）
ＧＬ，ＧＬｍ，ＧＬｍ＋１…走査信号線
ＤＬ，ＤＬｎ，ＤＬｎ＋１…映像信号線
ＰＸ…画素電極
ＣＴ…共通電極
ＤＲＶ１…第１の駆動回路
ＤＲＶ２…第２の駆動回路
ＤＡ…表示領域
ＲＡ…照射領域
Ｍ…回転軸
【図１（ａ）】
2008053528.tif 000003
【図１（ｂ）】
2008053528.tif 000004
【図２】
2008053528.tif 000005
【図３】
2008053528.tif 000006
【図４（ａ）】
2008053528.tif 000007
【図４（ｂ）】
2008053528.tif 000008
【図５（ａ）】
2008053528.tif 000009
【図５（ｂ）】
2008053528.tif 000010
【図６（ａ）】
2008053528.tif 000011
【図６（ｂ）】
2008053528.tif 000012
【図６（ｃ）】
2008053528.tif 000013
【図６（ｄ）】
2008053528.tif 000014
【図６（ｅ）】
2008053528.tif 000015
【図７（ａ）】
2008053528.tif 000016
【図７（ｂ）】
2008053528.tif 000017
【図８（ａ）】
2008053528.tif 000018
【図８（ｂ）】
2008053528.tif 000019
【図９（ａ）】
2008053528.tif 000020
【図９（ｂ）】
2008053528.tif 000021
【図１０（ａ）】
2008053528.tif 000022
【図１０（ｂ）】
2008053528.tif 000023
【図１１】
2008053528.tif 000024
【図１２】
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【図１３】
2008053528.tif 000026
【図１４】
2008053528.tif 000027
【図１５】
2008053528.tif 000028
【図１６（ａ）】
2008053528.tif 000029
【図１６（ｂ）】
2008053528.tif 000030
【図１７】
2008053528.tif 000031
【図１８】
2008053528.tif 000032
【図１９（ａ）】
2008053528.tif 000033
【図１９（ｂ）】
2008053528.tif 000034