(57)【要約】【課題】本発明は、小型で、かつ耐サージ特性の良好なチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。【解決手段】本発明のチップ抵抗器は、１６０８サイズ以下の矩形状の絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の上面の両端部に設けられた一対の上面電極１３と、この一対の上面電極１３と電気的に接続されるように設けられた抵抗体１４とを備え、前記抵抗体１４における一対の上面電極１３と重ならない部分の長さ（抵抗体１４の有効長さ）を前記絶縁基板１１の長さの５０％以上にするとともに、前記抵抗体１４の焼成後の厚みを１２μｍ以上としたものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１６０８サイズ以下の矩形状の絶縁基板と、この絶縁基板の上面の両端部に設けられた一対の上面電極と、この一対の上面電極と電気的に接続されるように設けられた抵抗体とを備え、前記抵抗体における一対の上面電極と重ならない部分の長さ（抵抗体の有効長さ）を前記絶縁基板の長さの５０％以上にするとともに、前記抵抗体の焼成後の厚みを１２μｍ以上としたチップ抵抗器。
【請求項２】
抵抗体を覆うプリコートガラスと、このプリコートガラスと前記抵抗体を切削するように設けられたＬ字カットのトリミング溝とを備え、前記トリミング溝における抵抗体の幅方向に抵抗体を切削する寸法を抵抗体の幅の３５％以下とし、さらに抵抗体の長さ方向に抵抗体を切削する寸法を抵抗体における一対の上面電極と重ならない部分の長さ（抵抗体の有効長さ）の３５％以下とした請求項１記載のチップ抵抗器。
【請求項３】
抵抗体の焼成後の厚みとプリコートガラスの焼成後の厚みの和を２８μｍ以下とした請求項２記載のチップ抵抗器。
【請求項４】
上面電極をパラジウム含有比率が０．８重量％以上である銀パラジウム合金で構成した請求項１記載のチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に耐サージ特性の良好なチップ抵抗器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来のチップ抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
【０００３】
図７は従来のチップ抵抗器の仕掛かり品の平面図を示したもので、１は純度９６％のアルミナからなる矩形状の絶縁基板、２は前記絶縁基板１の上面両端部に設けられた一対の上面電極、３は前記一対の上面電極２に電気的に接続されるように設けられた蛇行パターンからなる抵抗体である。
【０００４】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平９−２０５００４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した従来のチップ抵抗器においては、図７に示すように、耐サージ特性を良好にすることを目的に抵抗体３を蛇行パターンで形成していたが、チップ抵抗器のサイズが小型になってきて、抵抗体３を印刷する絶縁基板表面の個片領域が狭くなると、印刷精度がネックになって蛇行パターンの形成が困難になり、通常の長方形形状の抵抗体パターンでは小型で、かつ耐サージ特性の良好なチップ抵抗器は得られにくいという課題を有していた。
【０００６】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、小型で、かつ耐サージ特性の良好なチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【０００８】
本発明の請求項１に記載の発明は、１６０８サイズ以下の矩形状の絶縁基板と、この絶縁基板の上面の両端部に設けられた一対の上面電極と、この一対の上面電極と電気的に接続されるように設けられた抵抗体とを備え、前記抵抗体における一対の上面電極と重ならない部分の長さ（抵抗体の有効長さ）を前記絶縁基板の長さの５０％以上にするとともに、前記抵抗体の焼成後の厚みを１２μｍ以上としたもので、この構成によれば、抵抗体における一対の上面電極と重ならない部分の長さ（抵抗体の有効長さ）を前記絶縁基板の長さの５０％以上にするとともに、前記抵抗体の焼成後の厚みを１２μｍ以上としているため、抵抗体の有効長さは長くなり、これにより、耐サージ特性の良好なチップ抵抗器が得られるという作用効果を有するものである。
【０００９】
本発明の請求項２に記載の発明は、特に、抵抗体を覆うプリコートガラスと、このプリコートガラスと前記抵抗体を切削するように設けられたＬ字カットのトリミング溝とを備え、前記トリミング溝における抵抗体の幅方向に抵抗体を切削する寸法を抵抗体の幅の３５％以下とし、さらに抵抗体の長さ方向に抵抗体を切削する寸法を抵抗体における一対の上面電極と重ならない部分の長さ（抵抗体の有効長さ）の３５％以下としたもので、この構成によれば、Ｌ字カットのトリミング溝における抵抗体の幅方向に抵抗体を切削する寸法を抵抗体の幅の３５％以下とし、さらに抵抗体の長さ方向に抵抗体を切削する寸法を抵抗体における一対の上面電極と重ならない部分の長さ（抵抗体の有効長さ）の３５％以下としているため、抵抗体をトリミングすることにより抵抗値を目標値に近づけることができるとともに、抵抗体の過剰トリミングによる耐サージ特性の低下もなくすることができ、これにより、抵抗値精度が良好で、かつ耐サージ特性も良好なチップ抵抗器が得られるという作用効果を有するものである。
【００１０】
本発明の請求項３に記載の発明は、特に、抵抗体の焼成後の厚みとプリコートガラスの焼成後の厚みの和を２８μｍ以下としたもので、この構成によれば、抵抗体の焼成後の厚みとプリコートガラスの焼成後の厚みの和を２８μｍ以下としているため、レーザートリミングによる抵抗体の切削を深さ方向にも、かつ水平方向にも安定して行うことができ、これにより、電流雑音特性が良好で、かつ耐サージ特性も良好なチップ抵抗器が得られるという作用効果を有するものである。
【００１１】
本発明の請求項４に記載の発明は、特に、上面電極をパラジウム含有比率が０．８重量％以上である銀パラジウム合金で構成したもので、この構成によれば、上面電極をパラジウム含有比率が０．８重量％以上である銀パラジウム合金で構成しているため、上面電極に含まれる銀成分が抵抗体に拡散して抵抗体の特性を劣化させることはなくなり、これにより、耐サージ特性の良好なチップ抵抗器が得られるという作用効果を有するものである。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように本発明のチップ抵抗器は、１６０８サイズ以下の矩形状の絶縁基板を用いて、抵抗体における上面電極と重ならない部分の長さ（抵抗体の有効長さ）を前記絶縁基板の長さの５０％以上にするとともに、前記抵抗体の焼成後の厚みを１２μｍ以上としているため、抵抗体の有効長さは長くなり、これにより、小型で、かつ耐サージ特性の良好なチップ抵抗器が得られるという優れた効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１を用いて、本発明の特に請求項１に記載の発明について説明する。
【００１４】
図１（ａ）は本発明の実施の形態１におけるチップ抵抗器の縦断面図、図１（ｂ）は同チップ抵抗器の仕掛かり品の平面図、図２（ａ）〜（ｃ）、図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）〜（ｃ）および図５（ａ）（ｂ）は同チップ抵抗器の製造方法を示す製造工程図である。
【００１５】
図１（ａ）（ｂ）において、１１は純度９６％のアルミナからなる矩形状の絶縁基板で、その長さＬは１．６０ｍｍ、幅Ｗは０．８０ｍｍの１６０８サイズである。１２は前記絶縁基板１１の裏面両端部に設けられた一対の裏面電極、１３は前記絶縁基板１１の上面両端部に設けられた一対の上面電極である。１４は前記一対の上面電極１３に電気的に接続される抵抗体で、この抵抗体１４の焼成後の厚みはＲＴ、幅はＲＷ、一対の上面電極１３と重ならない部分の長さ（以下、抵抗体１４の有効長さとする）はＲＬである。１５は前記抵抗体１４を覆うプリコートガラスで、このプリコートガラス１５の焼成後の厚みはＲＰである。１６は前記抵抗体１４とプリコートガラス１５を切削して設けられたトリミング溝である。１７は前記プリコートガラス１５の全面とトリミング溝１６および一対の上面電極１３の一部を覆う保護層である。１８は前記一対の裏面電極１２および一対の上面電極１３と電気的に接続されるように絶縁基板１１の両端面に設けられた一対の端面電極である。１９は前記一対の裏面電極１２、上面電極１３および端面電極１８の表面に形成されたニッケルめっき層、２０は前記ニッケルめっき層１９の表面に形成された錫めっき層である。
【００１６】
次に、本発明の実施の形態１におけるチップ抵抗器の製造方法を、図２（ａ）〜（ｃ）、図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）〜（ｃ）および図５（ａ）（ｂ）に示す製造工程図に基づいて説明する。
【００１７】
まず、図２（ａ）に示すように、１次分割ライン１１ａと２次分割ライン１１ｂを有し、かつ純度９６％のアルミナからなるシート状の絶縁基板１１ｃの裏面に、１次分割ライン１１ａを跨ぐように銀パラジウム合金等の厚膜導電性ペーストからなる裏面電極１２をスクリーン印刷し、ピーク温度８５０℃のプロファイルで焼成することにより、裏面電極１２を安定な膜とする。
【００１８】
次に、図２（ｂ）に示すように、シート状の絶縁基板１１ｃの上面に、１次分割溝１１ａを跨ぐように銀パラジウム合金等の厚膜導電性ペーストからなる上面電極１３をスクリーン印刷し、ピーク温度８５０℃のプロファイルで焼成することにより、上面電極１３を安定な膜とする。なお、ここで裏面電極１２と上面電極１３は同時に焼成してもよいものである。
【００１９】
次に、図２（ｃ）に示すように、シート状の絶縁基板１１ｃの上面に、上面電極１３と電気的に接続されるように酸化ルテニウム等の厚膜導電性ペーストからなる抵抗体１４をスクリーン印刷し、ピーク温度８５０℃のプロファイルで焼成することにより、抵抗体１４を安定な膜とする。ここで抵抗体１４の有効長さＲＬは、１次分割ライン１１ａと２次分割ライン１１ｂに囲まれたシート状の絶縁基板１１ｃの個片領域の長さＬの４０％から５５％まで５％ずつ変化させ、さらに抵抗体１４の焼成後の厚みＲＴを、８μｍから１４μｍまで２μｍずつ変化させ、それぞれの条件を組み合わせることにより、抵抗体１４の形状に関して１６種類の試料を作成した。
【００２０】
次に、図３（ａ）に示すように、シート状の絶縁基板１１ｃの上面に、抵抗体１４を覆うようにプリコートガラス１５をスクリーン印刷し、ピーク温度６００℃のプロファイルで焼成することにより、プリコートガラス１５を安定な膜とする。プリコートガラス１５の焼成後の厚みＲＰは１４μｍとした。
【００２１】
次に、図３（ｂ）に示すように、プリコートガラス１５と抵抗体（図示せず）にレーザー等を用いてＬ字型のトリミング溝１６を形成することにより、抵抗値を所望の値に調整する。トリミング溝１６の形状は、図３（ｃ）の個片領域拡大図に示すように、抵抗体１４の幅方向に抵抗体１４を切削する寸法ＴＷを抵抗体１４の幅ＲＷの３５％以下とし、さらに抵抗体１４の長さ方向に抵抗体１４を切削する寸法ＴＬを抵抗体１４の有効長さＲＬの３５％以下としているものである。なお、前記抵抗体１４の抵抗値の精度が厳しく要求されない場合は、図３（ａ）〜（ｃ）に示されるプリコートガラス形成工程とトリミング溝形成工程を省略してもよいものである。
【００２２】
次に、図４（ａ）に示すように、プリコートガラス１５とトリミング溝１６を覆うように樹脂からなる保護層１７を形成する。
【００２３】
次に、図４（ｂ）に示すように、１次分割ライン１１ａに沿ってシート状の絶縁基板１１ｃをダイシング工法等を用いて分割することにより、短冊状基板１１ｄを得る。
【００２４】
次に、図４（ｃ）に示すように、上面電極１３と裏面電極（図示せず）を電気的に接続するように、短冊状基板１１ｄの両端面に端面電極１８を薄膜スパッタや導電性樹脂ペーストの塗布等により形成する。
【００２５】
次に、図５（ａ）に示すように、２次分割ライン１１ｂに沿って短冊状基板１１ｄを分割することにより、個片状基板１１ｅを得る。
【００２６】
最後に、図５（ｂ）に示すように、上面電極１３と裏面電極（図示せず）と端面電極１８の表面に、ニッケルめっき層（図示せず）と錫めっき層２０を形成することにより、本発明の実施の形態１におけるチップ抵抗器を得ることができる。
【００２７】
上記した本発明の実施の形態１におけるチップ抵抗器において、耐サージ特性の良否を判定する静電気（ＥＳＤ）試験を実施した結果を（表１）に示す。（表１）に示した１６種類の試料について各種類それぞれ１００個ずつ試験を実施し、すべて良品であった水準は〇印、１個でも不良品が出た水準は×印で示している。なお、ＥＳＤ試験はＮｏｉｓｅｋｅｎ社のＥＳＤ試験機ＥＳＳ−２００２を使用し、図６に示す回路図において、スイッチ２１をＯＦＦにして３ｋＶの直流電源２２を１５０ｐＦのコンデンサ２３に接続してコンデンサ２３を充電し、その後、スイッチ２１をＯＮにして試料２４にサージ電圧を印加する操作を１秒間隔で１０回繰り返した後の試料２４の抵抗値変化率を調べ、抵抗値変化率が±５％未満のものを良品と判定した。なお、抵抗器２５の抵抗値は３３０Ωとした。
【００２８】
【表１】
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【００２９】
（表１）から明らかなように、抵抗体１４の有効長さＲＬが個片状基板の長さＬの５０％以上で、かつ抵抗体１４の焼成後の厚みＲＴが１２μｍ以上である場合は、抵抗体１４の有効長さＲＬが長く、かつ抵抗体１４を流れる電流の経路も広く確保されるため、ＥＳＤ特性は良好であることがわかる。一方、上記条件を外れた場合は、ＥＳＤ特性は目標値を満たしていない。従来用いられていた２０１２サイズ以上の個片状基板では、抵抗体１４の有効長さＲＬが個片状基板の長さＬの５０％未満であってもＥＳＤ特性は目標値を満たしていて問題はなかったが、これは個片状基板が大きいために抵抗体１４の有効長さＲＬを容易に長くすることができたためと考えられる。しかしながら、本発明の実施の形態１のように１６０８サイズ以下の小型の絶縁基板を用いる場合には、抵抗体１４の有効長さＲＬが個片状基板の長さＬの５０％以上で、かつ抵抗体１４の焼成後の厚みＲＴが１２μｍ以上であることが、好ましいＥＳＤ特性を得る上で必要不可欠な条件である。
【００３０】
（実施の形態２）
以下、実施の形態２を用いて、本発明の特に請求項２に記載の発明について説明する。
【００３１】
本発明の実施の形態２におけるチップ抵抗器の製造方法は、トリミング溝１６の長さを制御した点を除けば、本発明の実施の形態１と基本的に同一であるため、図２（ａ）〜（ｃ）、図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）〜（ｃ）および図５（ａ）（ｂ）に示す製造工程図に基づいて本発明の実施の形態２におけるチップ抵抗器の製造方法を説明する。
【００３２】
まず、図２（ａ）に示すように、１次分割ライン１１ａと２次分割ライン１１ｂを有し、かつ純度９６％のアルミナからなるシート状の絶縁基板１１ｃの裏面に、１次分割ライン１１ａを跨ぐように銀パラジウム合金等の厚膜導電性ペーストからなる裏面電極１２をスクリーン印刷し、ピーク温度８５０℃のプロファイルで焼成することにより、裏面電極１２を安定な膜とする。
【００３３】
次に、図２（ｂ）に示すように、シート状の絶縁基板１１ｃの上面に、１次分割溝１１ａを跨ぐように銀パラジウム合金等の厚膜導電性ペーストからなる上面電極１３をスクリーン印刷し、ピーク温度８５０℃のプロファイルで焼成することにより、上面電極１３を安定な膜とする。なお、ここで裏面電極１２と上面電極１３は同時に焼成してもよいものである。
【００３４】
次に、図２（ｃ）に示すように、シート状の絶縁基板１１ｃの上面に、上面電極１３と電気的に接続されるように酸化ルテニウム等の厚膜導電性ペーストからなる抵抗体１４をスクリーン印刷し、ピーク温度８５０℃のプロファイルで焼成することにより、抵抗体１４を安定な膜とする。ここで抵抗体１４の有効長さＲＬは、１次分割ライン１１ａと２次分割ライン１１ｂに囲まれたシート状の絶縁基板１１ｃの個片領域の長さＬの５０％とし、かつ抵抗体１４の焼成後の厚みＲＴは１２μｍとした。
【００３５】
次に、図３（ａ）に示すように、シート状の絶縁基板１１ｃの上面に、抵抗体１４を覆うようにプリコートガラス１５をスクリーン印刷し、ピーク温度６００℃のプロファイルで焼成することにより、プリコートガラス１５を安定な膜とする。プリコートガラス１５の焼成後の厚みＲＰは１４μｍとした。
【００３６】
次に、図３（ｂ）に示すように、プリコートガラス１５と抵抗体（図示せず）にレーザー等を用いてＬ字型のトリミング溝１６を形成することにより、抵抗値を所望の値に調整する。トリミング溝１６の形状は、図３（ｃ）の個片領域拡大図に示すように、抵抗体１４の幅方向に抵抗体１４を切削する寸法ＴＷを抵抗体１４の幅ＲＷの３０％から４５％まで５％ずつ変化させ、さらに抵抗体１４の長さ方向に抵抗体１４を切削する寸法ＴＬを、抵抗体１４の有効長さＲＬの３０％から４５％まで５％ずつ変化させ、それぞれの条件を組み合わせることにより、トリミング溝１６の形状に関して１６種類の試料を作成した。
【００３７】
なお、図４（ａ）〜（ｃ）および図５（ａ）（ｂ）に示す工程については、上記した本発明の実施の形態１と同様であるため、その説明は省略する。
【００３８】
上記した本発明の実施の形態２におけるチップ抵抗器において、上記本発明の実施の形態１と同様の手法で耐サージ特性の良否を判定する静電気（ＥＳＤ）試験を実施した結果を（表２）に示す。
【００３９】
【表２】
2008053251.tif 000004
【００４０】
（表２）から明らかなように、抵抗体１４の幅方向に抵抗体１４を切削する寸法ＴＷを抵抗体１４の幅ＲＷの３５％以下とし、さらに抵抗体１４の長さ方向に抵抗体１４を切削する寸法ＴＬを抵抗体１４の有効長さＲＬの３５％以下とした場合は、抵抗体１４の過剰トリミングによる耐サージ特性の低下をなくすることができるため、ＥＳＤ特性が良好であることがわかる。一方、上記条件を外れた場合は、抵抗体１４の過剰トリミングのためＥＳＤ特性は目標値を満たさないものである。したがって、抵抗値精度と耐サージ特性の両者を満足するチップ抵抗器を得るためには、抵抗体１４の幅方向に抵抗体１４を切削する寸法ＴＷを抵抗体１４の幅ＲＷの３５％以下とし、さらに抵抗体１４の長さ方向に抵抗体１４を切削する寸法ＴＬを抵抗体１４の有効長さＲＬの３５％以下とすることが、必要不可欠な条件である。
【００４１】
（実施の形態３）
以下、実施の形態３を用いて、本発明の特に請求項３に記載の発明について説明する。
【００４２】
本発明の実施の形態３におけるチップ抵抗器の製造方法は、抵抗体１４の焼成後の厚みとプリコートガラス１５の焼成後の厚みの和を制御した点を除けば、本発明の実施の形態１と基本的に同一であるため、図２（ａ）〜（ｃ）、図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）〜（ｃ）および図５（ａ）（ｂ）に示す製造工程図に基づいて本発明の実施の形態３におけるチップ抵抗器の製造方法を説明する。
【００４３】
まず、図２（ａ）に示すように、１次分割ライン１１ａと２次分割ライン１１ｂを有し、かつ純度９６％のアルミナからなるシート状の絶縁基板１１ｃの裏面に、１次分割ライン１１ａを跨ぐように銀パラジウム合金等の厚膜導電性ペーストからなる裏面電極１２をスクリーン印刷し、ピーク温度８５０℃のプロファイルで焼成することにより、裏面電極１２を安定な膜とする。
【００４４】
次に、図２（ｂ）に示すように、シート状の絶縁基板１１ｃの上面に、１次分割溝１１ａを跨ぐように銀パラジウム合金等の厚膜導電性ペーストからなる上面電極１３をスクリーン印刷し、ピーク温度８５０℃のプロファイルで焼成することにより、上面電極１３を安定な膜とする。なお、ここで裏面電極１２と上面電極１３は同時に焼成してもよいものである。
【００４５】
次に、図２（ｃ）に示すように、シート状の絶縁基板１１ｃの上面に、上面電極１３と電気的に接続されるように酸化ルテニウム等の厚膜導電性ペーストからなる抵抗体１４をスクリーン印刷し、ピーク温度８５０℃のプロファイルで焼成することにより、抵抗体１４を安定な膜とする。ここで、抵抗体１４の有効長さＲＬは、１次分割ライン１１ａと２次分割ライン１１ｂに囲まれたシート状の絶縁基板１１ｃの個片領域の長さＬの５０％とし、かつ抵抗体１４の焼成後の厚みＲＴは１２μｍとした。
【００４６】
次に、図３（ａ）に示すように、シート状の絶縁基板１１ｃの上面に、抵抗体１４を覆うようにプリコートガラス１５をスクリーン印刷し、ピーク温度６００℃のプロファイルで焼成することにより、プリコートガラス１５を安定な膜とする。ここで、プリコートガラス１５の焼成後の厚みＲＰを１４μｍから２０μｍまで１２μｍずつ変化させ、４種類の試料を作成した。
【００４７】
次に、図３（ｂ）に示すように、プリコートガラス１５と抵抗体（図示せず）にレーザー等を用いてＬ字型のトリミング溝１６を形成することにより、抵抗値を１ＭΩに調整する。抵抗値が１ＭΩと高い水準の試料を作成するのは、抵抗体１４のガラス成分が多くなることでトリミング加工がしにくくなり、後述する電流雑音試験の影響を出やすくするためである。なお、トリミング溝１６の形状は、図３（ｃ）の個片領域拡大図に示すように、抵抗体１４の幅方向に抵抗体１４を切削する寸法ＴＷを抵抗体１４の幅ＲＷの３５％以下とし、さらに抵抗体１４の長さ方向に抵抗体１４を切削する寸法ＴＬを抵抗体１４の有効長さＲＬの３０％以下としているものである。
【００４８】
なお、図４（ａ）〜（ｃ）および図５（ａ）（ｂ）に示す工程については、上記した本発明の実施の形態１と同様であるため、その説明は省略する。
【００４９】
上記した本発明の実施の形態３におけるチップ抵抗器において、上記本発明の実施の形態１と同様の手法で耐サージ特性の良否を判定する静電気（ＥＳＤ）試験を実施し、さらに電流雑音も測定した結果を（表３）に示す。
【００５０】
【表３】
2008053251.tif 000005
【００５１】
（表３）から明らかなように、抵抗体１４の焼成後の厚みＲＴとプリコートガラス１５の焼成後の厚みＲＰの和が２８μｍ以下の場合は、抵抗体１４のトリミングを深さ方向にも、かつ水平方向にも安定して行うことができるため、耐サージ特性と電流雑音特性の両者を満足するものであるが、抵抗体１４の焼成後の厚みＲＴとプリコートガラス１５の焼成後の厚みＲＰの和が３０μｍ以上の場合は、抵抗体１４のトリミングを安定して行うことができないため、電流雑音特性が目標値（０ｄＢ以下）を満足しないものである。したがって、抵抗体１４の焼成後の厚みＲＴとプリコートガラス１５の焼成後の厚みＲＰの和は２８μｍ以下とすることが、耐サージ特性と電流雑音特性の両者を満足する上で必要不可欠となるものである。
【００５２】
（実施の形態４）
以下、実施の形態４を用いて、本発明の特に請求項４に記載の発明について説明する。
【００５３】
本発明の実施の形態４におけるチップ抵抗器の製造方法は、上面電極１３を構成する銀パラジウム合金のパラジウム含有比率を制御した点を除けば、本発明の実施の形態１と基本的に同一であるため、図２（ａ）〜（ｃ）、図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）〜（ｃ）および図５（ａ）（ｂ）に示す製造工程図に基づいて本発明の実施の形態４におけるチップ抵抗器の製造方法を説明する。
【００５４】
まず、図２（ａ）に示すように、１次分割ライン１１ａと２次分割ライン１１ｂを有し、かつ純度９６％のアルミナからなるシート状の絶縁基板１１ｃの裏面に、１次分割ライン１１ａを跨ぐように銀パラジウム合金等の厚膜導電性ペーストからなる裏面電極１２をスクリーン印刷し、ピーク温度８５０℃のプロファイルで焼成することにより、裏面電極１２を安定な膜とする。
【００５５】
次に、図２（ｂ）に示すように、シート状の絶縁基板１１ｃの上面に、１次分割溝１１ａを跨ぐように銀パラジウム合金からなる上面電極１３をスクリーン印刷し、ピーク温度８５０℃のプロファイルで焼成することにより、上面電極１３を安定な膜とする。ここで、上面電極１３を構成する銀パラジウム合金のパラジウム含有比率を０重量％から１．０重量％まで０．２重量％ずつ変化させ、６種類の試料を作成した。
【００５６】
次に、図２（ｃ）に示すように、シート状の絶縁基板１１ｃの上面に、上面電極１３と電気的に接続されるように酸化ルテニウム等の厚膜導電性ペーストからなる抵抗体１４をスクリーン印刷し、ピーク温度８５０℃のプロファイルで焼成することにより、抵抗体１４を安定な膜とする。ここで、抵抗体１４の有効長さＲＬは、１次分割ライン１１ａと２次分割ライン１１ｂに囲まれたシート状の絶縁基板１１ｃの個片領域の長さＬの５０％とし、かつ抵抗体１４の焼成後の厚みＲＴは１２μｍとした。
【００５７】
次に、図３（ａ）に示すように、シート状の絶縁基板１１ｃの上面に、抵抗体１４を覆うようにプリコートガラス１５をスクリーン印刷し、ピーク温度６００℃のプロファイルで焼成することにより、プリコートガラス１５を安定な膜とする。プリコートガラス１５の焼成後の厚みＲＰは１４μｍとした。
【００５８】
次に、図３（ｂ）に示すように、プリコートガラス１５と抵抗体（図示せず）にレーザー等を用いてＬ字型のトリミング溝１６を形成することにより、抵抗値を所望の値に調整する。なお、トリミング溝１６の形状は、図３（ｃ）の個片領域拡大図に示すように、抵抗体１４の幅方向に抵抗体１４を切削する寸法ＴＷを抵抗体１４の幅ＲＷの３５％以下とし、さらに抵抗体１４の長さ方向に抵抗体１４を切削する寸法ＴＬを抵抗体１４の有効長さＲＬの３５％以下としているものである。
【００５９】
なお、図４（ａ）〜（ｃ）および図５（ａ）（ｂ）に示す工程については、上記した本発明の実施の形態１と同様であるため、その説明は省略する。
【００６０】
上記した本発明の実施の形態４におけるチップ抵抗器において、上記本発明の実施の形態１と同様の手法で耐サージ特性の良否を判定する静電気（ＥＳＤ）試験を実施した結果を（表４）に示す。
【００６１】
【表４】
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【００６２】
（表４）から明らかなように、上面電極１３を構成する銀パラジウム合金のパラジウム含有比率が０．８重量％以上である場合は、ＥＳＤ試験の結果が良好で耐サージ特性に優れていることがわかる。一方、上面電極１３を構成する銀パラジウム合金のパラジウム含有比率が０．６重量％以下の場合は、ＥＳＤ試験の結果が悪く耐サージ特性が劣っていることがわかる。その理由は、上面電極１３を構成する銀パラジウム合金のパラジウム含有比率が少ないため、銀の成分が抵抗体１４に向かって拡散し、抵抗体１４の特性を劣化させているものと考えられる。この傾向は従来の２０１２サイズの絶縁基板では生じることはなかったが、絶縁基板のサイズが１６０８サイズ以下の小さいものになると、抵抗体１４の面積が従来よりも狭くなるため、これに伴って生じる現象である。したがって、個片領域が１６０８サイズ以下の絶縁基板を用いて耐サージ特性に優れたチップ抵抗器を得ようとする場合は、上面電極１３を構成する銀パラジウム合金のパラジウム含有比率を０．８重量％以上とすることが必要不可欠となるものである。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明に係るチップ抵抗器は、抵抗体に蛇行パターンを用いなくてもＥＳＤ試験の結果が良好で耐サージ特性に優れているものであり、特に小型で耐サージ特性が要求されるチップ抵抗器に適用することにより有用となるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１〜３におけるチップ抵抗器の縦断面図、（ｂ）同チップ抵抗器の仕掛かり品の平面図
【図２】（ａ）〜（ｃ）同チップ抵抗器の製造方法を示す製造工程図
【図３】（ａ）〜（ｃ）同チップ抵抗器の製造方法を示す製造工程図
【図４】（ａ）〜（ｃ）同チップ抵抗器の製造方法を示す製造工程図
【図５】（ａ）（ｂ）同チップ抵抗器の製造方法を示す製造工程図
【図６】ＥＳＤ試験を行うための回路図
【図７】従来のチップ抵抗器の仕掛かり品の平面図
【符号の説明】
【００６５】
１１  絶縁基板
１１ｃ  シート状の絶縁基板
１１ｄ  短冊状基板
１１ｅ  個片状基板
１３  上面電極
１４  抵抗体
１５  プリコートガラス
１６  トリミング溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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