(57)【要約】【課題】放熱性に優れた小型の光結合型半導体装置、及びその光結合型半導体装置の製造方法、また、そのような光結合型半導体装置を搭載した電子機器を提供する。【解決手段】発光素子１及び受光素子２がそれぞれ個別に搭載してあるリードフレーム３，４と、発光素子１及び受光素子２を封止する樹脂封止体（１次樹脂封止体８、２次樹脂封止体９）とを備える光結合型半導体装置において、リードフレーム３，４に複数の凸部３１，４１を形成してリードフレーム３，４の表面積を大きくし、優れた放熱性を確保する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子及び受光素子がそれぞれ個別に搭載してあるリードフレームと、前記発光素子及び前記受光素子を封止する樹脂封止体とを備える光結合型半導体装置において、
前記リードフレームに複数の凸部が形成してあることを特徴とする光結合型半導体装置。
【請求項２】
前記凸部は前記樹脂封止体の側面より導出された前記リードフレームの導出部に形成してあることを特徴とする請求項１に記載の光結合型半導体装置。
【請求項３】
前記凸部は前記樹脂封止体により封止された前記リードフレームのヘッダ部の前記発光素子又は前記受光素子が搭載してある搭載面の反対側の面に形成してあることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光結合型半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂封止体は、前記発光素子及び前記受光素子を覆う１次樹脂封止体と、該１次樹脂封止体の外周を覆う２次樹脂封止体とで構成してあり、
前記凸部の底面は前記１次樹脂封止体の外周面に当接させてあることを特徴とする請求項３に記載の光結合型半導体装置。
【請求項５】
前記樹脂封止体は、前記発光素子及び前記受光素子を覆う１次樹脂封止体と、該１次樹脂封止体の外周を覆う２次樹脂封止体とで構成してあり、
前記ヘッダ部の前記搭載面は前記１次樹脂封止体の外周面に当接させてあることを特徴とする請求項３に記載の光結合型半導体装置。
【請求項６】
前記凸部の頂面は前記２次樹脂封止体の外周面に当接させてあることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の光結合型半導体装置。
【請求項７】
前記凸部の頂面は前記２次樹脂封止体の外周面より突出させてあることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の光結合型半導体装置。
【請求項８】
発光素子及び受光素子をそれぞれ個別のリードフレームに搭載する工程と、前記発光素子及び前記受光素子を樹脂封止する工程とを備える光結合型半導体装置の製造方法において、
前記リードフレームに凸部を複数形成する工程を備えることを特徴とする光結合型半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか１つに記載の光結合型半導体装置が搭載してあることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子及び受光素子がそれぞれ個別に搭載してあるリードフレームと、前記発光素子及び前記受光素子を封止する樹脂封止体とを備える光結合型半導体装置、この光結合型半導体装置の製造方法、及びその光結合型半導体装置が搭載してある電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体装置（例えば、二重モールド構造の半導体装置である光結合型半導体装置）の動向として、パッケージの小型化はもちろん、電流容量の増加を望まれている傾向がある。
【０００３】
図８は、従来例に係る二重モールド構造の半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。また、図９は図８で示した従来例に係る半導体装置の概略製造工程を説明するフローチャートである。
【０００４】
従来例に係る二重モールド構造の半導体装置は、例えば光結合型半導体装置に適用される。つまり、図８には半導体装置としての光結合型半導体装置を示している。また、図９には、図８の光結合型半導体装置を製造する各工程のフローチャートを示している。
【０００５】
光結合型半導体装置は、図９に示すように、ダイボンド工程、ワイヤボンド工程、モールド工程等の処理を施されて形成される。
【０００６】
まず、発光素子１０１及び受光素子１０２を各々個別のリードフレーム（発光側リードフレーム１０３、受光側リードフレーム１０４）にダイボンド（ダイボンド工程）し、それぞれに金線等のワイヤ（発光側ワイヤ１０５、受光側ワイヤ１０６）でワイヤボンド（ワイヤボンド工程）を施した後に、発光素子１０１にシリコーン樹脂１０７でプリコートを施す（プリコート工程）。
【０００７】
その後、発光側リードフレーム１０３及び受光側リードフレーム１０４をスポット溶接（溶接工程）、又はローディングフレーム（不図示）にセットすること等により、発光素子１０１及び受光素子１０２を光学的に対向配置させる。
【０００８】
そして、光学的に位置決めされた発光素子１０１及び受光素子１０２を内包するように、透光性樹脂にて１次モールドを行い、１次樹脂封止体１０８を形成する（１次モールド工程）。１次モールドで形成された樹脂バリに対してバリ取りを施した後、１次樹脂封止体１０８の外周を覆うように遮光性樹脂による２次モールドを行い、２次樹脂封止体１０９を形成する（２次モールド工程）。
【０００９】
その後、発光側リードフレーム１０３及び受光側リードフレーム１０４の外部端子部１０３Ｔ，１０４Ｔにめっき処理（外装めっき工程）、タイバーカット及びリード折り曲げ（フォーミング工程）等を施し、電気特性検査（テスト工程）、外観検査（外観検査工程）を実施した後、梱包（梱包工程）を行い出荷することとなる。
【００１０】
上述したような半導体装置は、光結合型半導体装置単体での放熱性には限界がある。例えば、従来の電流容量のままでパッケージを小型化した場合、あるいは、従来のパッケージのままで電流容量を大きくした場合などには、光結合型半導体装置の温度上昇は過剰なものとなり、発光素子１０１又は受光素子１０２が劣化し、又は破壊に至ることがあった。
【００１１】
従って、従来例に係る半導体装置では、一定の電流容量を超える場合には、パッケージ本体を大きくすること、または、２次樹脂封止体１０９の外部に放熱体を取り付けることなどにより放熱性を向上させる必要があった。
【００１２】
例えば、半導体装置に放熱板等を取り付けて放熱性を向上させる技術が、特許文献１、特許文献２、及び特許文献３に開示されている。
【００１３】
特許文献１に開示された半導体装置は、半導体素子を搭載するためのパッド部の裏面に凹凸を形成したセラミック基板とリードフレームとを接続し、セラミック基板のパッド部に半導体素子を搭載している。つまり、熱伝導性の良いセラミック基板が取り付けられたリードフレームに半導体素子を搭載することで放熱性を向上させ、さらに、セラミック基板に凹凸を設けて表面積を大きくすることで、放熱性をより一層向上させている。
【００１４】
特許文献２に開示された半導体装置は、半導体素子を搭載するタブとタブを支持するタブ吊りリードとを備えたリードフレームと、タブ吊りリードに連結され、かつ半導体素子によって発せられる熱をタブ吊りリードを介して外部に放つ放熱部材とを有する構造となっている。つまり、半導体素子によって発せられる熱を、タブ吊りリードに取り付けられた放熱部材により外部へ放出させることで、放熱性を向上させている。
【００１５】
特許文献３に開示された半導体装置は、二重モールド構造を有する光結合型半導体装置となっており、２次側リードフレームに発光素子、受光素子、及び電力制御用半導体素子が搭載され、１次側リードフレームに反射部と放熱部が備えられた構造となっている。つまり、電力制御用半導体素子から発せられた熱を、遮光性樹脂で形成された２次樹脂封止体を介して外部に放出させる構造となっている。
【特許文献１】特開平７−１３０９３４
【特許文献２】特開平９−２１３８６５
【特許文献３】特開平７−２３５６８９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかし、上記した特許文献１及び特許文献２に開示された半導体装置は、二重モールド構造に関するものではなく、光結合型半導体装置への適用は困難であった。
【００１７】
例えば、特許文献２に開示された技術を単純に適用して、リードフレームのタブ吊りリードに放熱部材を取り付けた場合、１次−２次間（発光素子及び受光素子間）が放熱部材により接続されてしまい、１次−２次間のショートが発生してしまうという問題を生じる。
【００１８】
この問題の解決策として、放熱板の取り付け部分に絶縁性の樹脂等を挟むという方法が考えられるが、この場合には、国内の電安法（電気用品安全法）や海外の安全規格などの公的機関で規定されている空間距離や沿面距離等の基準を満足することができないという問題を生じる。つまり、安全性を損なうことなく、絶縁性を確保した状態で放熱体を設けて放熱性を向上させることは、困難であった。
【００１９】
また、特許文献３に開示された光結合型半導体装置は、反射部を発光素子及び受光素子に対応させ、放熱部を電力制御用半導体素子に対応させて配置しなければならないことから、発光素子、受光素子、及び電力制御用半導体素子の位置決めが困難であるという問題があった。
【００２０】
このように、光結合型半導体装置において、放熱体を取り付けることは容易ではなく、放熱性に限界があることから、小型化することができなかった。つまり、放熱性を確保する必要がある場合には、光結合型半導体装置を小型化することは困難であった。
【００２１】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、リードフレームに凸部を複数形成して放熱性を向上させることにより、電流容量が大きく、小型の光結合型半導体装置を提供することを目的とする。
【００２２】
また、本発明は、リードフレームに凸部を複数形成する工程を備えることにより、電流容量が大きく、小型の光結合型半導体装置を製造することができる光結合型半導体装置の製造方法を提供することを他の目的とする。
【００２３】
さらに、本発明は、本発明に係る光結合型半導体装置を搭載することにより、信頼性のある小型の電子機器を提供することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明に係る光結合型半導体装置は、発光素子及び受光素子がそれぞれ個別に搭載してあるリードフレームと、前記発光素子及び前記受光素子を封止する樹脂封止体とを備える光結合型半導体装置において、前記リードフレームに複数の凸部が形成してあることを特徴とする。
【００２５】
この構成により、リードフレームの表面積を大きくすることができるから、光結合型半導体装置の放熱性を向上させることができる。つまり、通電時の発熱を緩和することができるから、同一の電流容量とした場合には、従来の光結合型半導体装置に比較して小型化した光結合型半導体装置を、安全性を損なわずに実現することができる。また、樹脂封止体の大きさを同一の寸法とした場合には、従来の光結合型半導体装置に比較して電流容量の大きい光結合型半導体装置を、安全性を損なわずに実現することができる。
【００２６】
また、本発明に係る光結合型半導体装置では、前記凸部は前記樹脂封止体の側面より導出された前記リードフレームの導出部に形成してあることを特徴とする。
【００２７】
この構成により、実装基板への実装の際には、凸部による基板への仮止めが可能となる。
【００２８】
また、本発明に係る光結合型半導体装置では、前記凸部は前記樹脂封止体により封止された前記リードフレームのヘッダ部の前記発光素子又は前記受光素子が搭載してある搭載面の反対側の面に形成してあることを特徴とする。
【００２９】
この構成により、凸部をヘッダ部にのみ形成すると、凸部は樹脂封止体の内部にのみ存在することとなるから、従来の基板実装方法と同様の方法で基板実装を行うことができる。
【００３０】
また、凸部をヘッダ部と導出部の両方に形成すると、リードフレームの表面積をより大きくすることができるから、光結合型半導体装置の放熱性を更に向上させることができる。つまり、通電時の発熱を更に緩和することができるから、従来の光結合型半導体装置と比較して、電流容量が大きい小型の光結合型半導体装置を、安全性を損なうことなく確実に実現することができる。
【００３１】
また、本発明に係る光結合型半導体装置では、前記樹脂封止体は、前記発光素子及び前記受光素子を覆う１次樹脂封止体と、該１次樹脂封止体の外周を覆う２次樹脂封止体とで構成してあり、前記凸部の底面は前記１次樹脂封止体の外周面に当接させてあることを特徴とする。
【００３２】
この構成により、凸部の頂面から２次樹脂封止体の外周面までの距離を短くすることができるから、放熱性を更に向上させることができる。
【００３３】
また、本発明に係る光結合型半導体装置では、前記樹脂封止体は、前記発光素子及び前記受光素子を覆う１次樹脂封止体と、該１次樹脂封止体の外周を覆う２次樹脂封止体とで構成してあり、前記ヘッダ部の前記搭載面は前記１次樹脂封止体の外周面に当接させてあることを特徴とする。
【００３４】
この構成により、凸部の頂面から２次樹脂封止体の外周面までの距離をより短くすることができるから、放熱性を更に向上させることができる。
【００３５】
また、本発明に係る光結合型半導体装置では、前記凸部の頂面は前記２次樹脂封止体の外周面に当接させてあることを特徴とする。
【００３６】
この構成により、凸部の頂面を２次樹脂封止体の外側へ露出させることができるから、放熱性を更に向上させることができる。
【００３７】
また、本発明に係る光結合型半導体装置では、前記凸部の頂面は前記２次樹脂封止体の外周面より突出させてあることを特徴とする。
【００３８】
この構成により、凸部の頂面は２次樹脂封止体から突出させてあるから、放熱性を更に向上させることができる。
【００３９】
また、本発明に係る光結合型半導体装置の製造方法は、発光素子及び受光素子をそれぞれ個別のリードフレームに搭載する工程と、前記発光素子及び前記受光素子を樹脂封止する工程とを備える光結合型半導体装置の製造方法において、前記リードフレームに凸部を複数形成する工程を備えることを特徴とする。
【００４０】
この構成により、リードフレームの表面積を大きくして、放熱性に優れた光結合型半導体装置を通常の方法で容易に製造することができる。つまり、通電時の発熱を緩和させた光結合型半導体装置を製造することができるから、従来の光結合型半導体装置と比較して、電流容量が大きい小型の光結合型半導体装置を製造することができる。
【００４１】
また、本発明に係る電子機器は、上記した本発明に係る光結合型半導体装置が搭載してあることを特徴とする。
【００４２】
この構成により、放熱性に優れた小型の光結合型半導体装置が搭載してあるから、信頼性の高い小型の電子機器を提供することができる。
【発明の効果】
【００４３】
本発明に係る光結合型半導体装置によれば、リードフレームに複数の凸部が形成してあり、リードフレームの表面積を大きくすることができるから、光結合型半導体装置の放熱性を向上させることができる。つまり、通電時の発熱を緩和することができるから、電流容量が同一の場合には、従来の光結合型半導体装置と比較して小型化した光結合型半導体装置を、安全性を損なわずに実現することができる。また、樹脂封止体の大きさを同一の寸法とした場合には、従来の光結合型半導体装置に比較して電流容量の大きい光結合型半導体装置を、安全性を損なわずに実現することができる。
【００４４】
また、本発明に係る光結合型半導体装置によれば、凸部を樹脂封止体の側面より導出されたリードフレームの導出部に形成すると、実装基板への実装の際に、凸部による基板への仮止めが可能となる。
【００４５】
また、本発明に係る光結合型半導体装置によれば、樹脂封止体により封止されたリードフレームのヘッダ部の発光素子又は受光素子が搭載してある搭載面の反対側の面にのみ、凸部を形成すると、凸部は樹脂封止体の内部にのみ存在することとなるから、従来の基板実装方法と同様の方法で基板実装を行うことができる。
【００４６】
また、凸部をヘッダ部と導出部の両方に形成すると、リードフレームの表面積はより大きくなるから、光結合型半導体装置の放熱性を更に向上させることができる。つまり、通電時の発熱を更に緩和することができるから、従来の光結合型半導体装置と比較して電流容量が大きい小型の光結合型半導体装置を、安全性を損なうことなく、確実に実現することができる。
【００４７】
また、本発明に係る光結合型半導体装置によれば、凸部の底面を１次樹脂封止体の外周面に当接させることにより、リードフレームの凸部の頂面から２次樹脂封止体の外周面までの距離は短くなるから、放熱性を更に向上させることができる。
【００４８】
また、本発明に係る光結合型半導体装置によれば、ヘッダ部の搭載面を１次樹脂封止体の外周面に当接させることにより、凸部の頂面から２次樹脂封止体の外周面までの距離をより短くすることができるから、放熱性を更に向上させることができる。
【００４９】
また、本発明に係る光結合型半導体装置によれば、凸部の頂面を２次樹脂封止体の外周面に当接させることにより、凸部の頂面は２次樹脂封止体の外側へ露出されることとなるから、放熱性を更に向上させることができる。
【００５０】
また、本発明に係る光結合型半導体装置によれば、凸部の頂面を２次樹脂封止体の外周面より突出させることにより、凸部の頂面は２次樹脂封止体から突出されることとなるから、放熱性を更に向上させることができる。
【００５１】
また、本発明に係る光結合型半導体装置の製造方法によれば、リードフレームに凸部を複数形成する工程を備えることにより、リードフレームの表面積を大きくすることができるから、放熱性に優れた光結合型半導体装置を通常の方法で容易に製造することができる。つまり、通電時の発熱を緩和させることができるから、従来の光結合型半導体装置と比較して電流容量が大きい小型の光結合型半導体装置を製造することができる。
【００５２】
また、本発明に係る電子機器によれば、上記した本発明に係る光結合型半導体装置が搭載してあるから、つまり、放熱性に優れた小型の光結合型半導体装置が搭載してあるから、信頼性の高い小型の電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００５４】
＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１に係る光結合型半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。
【００５５】
発光素子１及び受光素子２が、各々個別のリードフレーム（発光側リードフレーム３、受光側リードフレーム４）のヘッダ部（発光側：３Ｈ、受光側：４Ｈ）に搭載されている。そして、発光素子１及び受光素子２は、金線などのワイヤ（発光側ワイヤ５、受光側ワイヤ６）でワイヤボンドされている。また、発光素子１は、シリコーン樹脂７でプリコートされている。
【００５６】
発光素子１及び受光素子２は光学的に対向配置されており、それら素子（発光素子１、受光素子２）は樹脂封止体（１次樹脂封止体８、２次樹脂封止体９）により封止されている。具体的には、発光素子１、受光素子２、及びリードフレーム３，４のヘッダ部３Ｈ，４Ｈの全体は、透光性樹脂で形成された１次樹脂封止体８により封止されており、さらに、１次樹脂封止体８の外周面８Ｌは、全面が遮光性樹脂で形成された２次樹脂封止体９により覆われている。
【００５７】
２次樹脂封止体９の側面より導出されたリードフレーム３，４の導出部（発光側：３Ｔ、受光側：４Ｔ）には、凸部（発光側：３１、受光側：４１）が複数形成されている。つまり、複数の凸部３１，４１を形成してリードフレーム３，４の表面積を大きくし、放熱性を向上させた構造となっている。
【００５８】
よって、通電時の発熱は緩和され、パッケージの小型化や、同一パッケージ寸法とした場合の電流容量を大きくすることができるから、従来の光結合型半導体装置と比較して電流容量の大きい小型の光結合型半導体装置とすることができる。
【００５９】
また、凸部３１，４１は導出部３Ｔ，４Ｔに形成されており、実装基板への実装の際に、凸部３１，４１による仮止めを行うことができる構造となっている。
【００６０】
また、本実施の形態に係る光結合型半導体装置は、従来例に係る光結合型半導体装置とほぼ同様の製造工程（図９参照）にて製造される。つまり、発光素子１及び受光素子２をそれぞれ個別のリードフレーム（発光側リードフレーム３、受光側リードフレーム４）に搭載する工程（ダイボンド工程、ワイヤボンド工程）と、発光素子及び受光素子を樹脂封止する工程（１次モールド工程、２次モールド工程）などの処理が施されて形成される。
【００６１】
ただし、本実施の形態に係る光結合型半導体装置の製造方法では、リードフレーム（発光側リードフレーム３，受光側リードフレーム４）に凸部（発光側：３１、受光側：４１）を複数形成する工程を備えており、これにより、放熱性に優れた光結合型半導体装置を製造することができる。
【００６２】
なお、リードフレーム３，４に凸部３１，４１を形成する工程をダイボンド工程の前に行うと、ダイボンド工程以降は従来と同様の製造方法で容易に製造を行うことができる。
【００６３】
また、凸部３１，４１は、リードフレームの一部分をプレス加工により潰したり、折り曲げたりすることにより、形成することができる。
【００６４】
＜実施の形態２＞
図２は本発明の実施の形態２に係る光結合型半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。
【００６５】
本実施の形態に係る光結合型半導体装置の基本構成は、実施の形態１に係る光結合型半導体装置とほぼ同様の構成となっており、以下、実施の形態１に係る光結合型半導体装置と異なる点について説明する。
【００６６】
本実施の形態に係る光結合型半導体装置では、凸部（発光側：３１、受光側：４１）は、リードフレーム（発光側リードフレーム３、受光側リードフレーム４）のヘッダ部（発光側：３Ｈ、受光側：４Ｈ）の発光素子１又は受光素子２が搭載してある搭載面（発光側：３Ｆ、受光側：４Ｆ）の反対側の面に形成されている。
【００６７】
つまり、リードフレーム３，４の表面積を大きくして放熱性を向上させることのできる凸部３１，４１を、導出部（発光側：３Ｔ、受光側：４Ｔ）ではなく、樹脂封止体（１次樹脂封止体８）に内包されるヘッダ部３Ｈ，４Ｈに形成することで、従来と同様の方法を用いて基板実装を行うことができるようにしてある。
【００６８】
＜実施の形態３＞
図３は本発明の実施の形態３に係る光結合型半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。
【００６９】
本実施の形態に係る光結合型半導体装置の基本構成は、実施の形態１及び実施の形態２に係る光結合型半導体装置とほぼ同様の構成となっており、以下、実施の形態１及び実施の形態２に係る光結合型半導体装置と異なる点について説明する。
【００７０】
本実施の形態に係る光結合型半導体装置では、凸部（発光側：３１、受光側：４１）は、リードフレーム（発光側リードフレーム３、受光側リードフレーム４）の導出部（発光側：３Ｔ、受光側：４Ｔ）とヘッダ部（発光側：３Ｈ、受光側：４Ｈ）の両方に形成されている。なお、ヘッダ部３Ｈ，４Ｈの凸部３１，４１は、発光素子１又は受光素子２が搭載してある搭載面（発光側：３Ｆ、受光側：４Ｆ）の反対側の面に形成されている。
【００７１】
つまり、ヘッダ部３Ｈ，４Ｈと導出部３Ｔ，４Ｔの両方に凸部３１，４１は形成されているから、リードフレーム３，４の表面積の大きさは、同一パッケージ寸法の実施の形態１及び実施の形態２に係る光結合型半導体装置に比べて大きくなっており、放熱性はより一層向上されている。
【００７２】
よって、通電時の発熱はより緩和され、パッケージの更なる小型化や、同一パッケージ寸法とした場合の電流容量をより大きくすることができるから、従来の光結合型半導体装置と比較して電流容量のより大きい小型の光結合型半導体装置とすることができる。
【００７３】
＜実施の形態４＞
図４は本発明の実施の形態４に係る光結合型半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。
【００７４】
本実施の形態に係る光結合型半導体装置の基本構成は、実施の形態１乃至実施の形態３に係る光結合型半導体装置とほぼ同様の構成となっており、以下、実施の形態１乃至実施の形態３に係る光結合型半導体装置と異なる点について説明する。
【００７５】
本実施の形態に係る光結合型半導体装置では、凸部（発光側：３１、受光側：４１）は、実施の形態２に係る光結合型半導体装置（図２参照）と同様に、リードフレーム（発光側リードフレーム３、受光側リードフレーム４）のヘッダ部（発光側：３Ｈ、受光側：４Ｈ）に形成されている。つまり、凸部３１，４１は、発光素子１又は受光素子２が搭載してある搭載面（発光側：３Ｆ、受光側：４Ｆ）の反対側の面に形成されている。
【００７６】
しかし、実施の形態２に係る光結合型半導体装置と異なり、凸部３１，４１の底面（発光側：３１Ｂ、受光側：４１Ｂ）が１次樹脂封止体８の外周面８Ｌに当接されており、凸部３１，４１が２次樹脂封止体９に内包された構造となっている。なお、凸部３１，４１の底面３１Ｂ，４１Ｂとは、凸部３１，４１が形成されていない箇所のリードフレーム３，４の外周面と面一になる部分のことをいう。
【００７７】
つまり、同一パッケージ寸法の実施の形態２に係る光結合型半導体装置に比べ、凸部３１，４１の頂面（発光側：３１Ｔ，受光側：４１Ｔ）から２次樹脂封止体９の外周面９Ｌまでの距離が短くされており、通電時に発せられる熱を２次樹脂封止体９の外部に放熱させ易くした構造となっている。言い換えれば、放熱性が同一パッケージ寸法の実施の形態２に係る光結合型半導体装置に比べて向上させられている。
【００７８】
なお、実施の形態３に係る光結合型半導体装置（図３参照）と同様に、リードフレーム３，４の導出部３Ｔ，４Ｔにも凸部３１，４１を設けて更なる放熱性の向上を図ることも可能である。
【００７９】
＜実施の形態５＞
図５は本発明の実施の形態５に係る光結合型半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。
【００８０】
本実施の形態に係る光結合型半導体装置の基本構成は、実施の形態１乃至実施の形態４に係る光結合型半導体装置とほぼ同様の構成となっており、以下、実施の形態１乃至実施の形態４に係る光結合型半導体装置と異なる点について説明する。
【００８１】
本実施の形態に係る光結合型半導体装置では、凸部（発光側：３１、受光側：４１）は、実施の形態２及び実施の形態４に係る光結合型半導体装置（図２及び図４参照）と同様に、リードフレーム（発光側リードフレーム３、受光側リードフレーム４）のヘッダ部（発光側：３Ｈ、受光側：４Ｈ）に形成されている。つまり、凸部３１，４１は、発光素子１又は受光素子２が搭載してある搭載面（発光側：３Ｆ、受光側：４Ｆ）の反対側の面に形成されている。
【００８２】
しかし、実施の形態２及び実施の形態４と異なり、ヘッダ部３Ｈ，４Ｈの搭載面３Ｆ，４Ｆは１次樹脂封止体８の外周面８Ｌに当接されており、ヘッダ部３Ｈ，４Ｈは２次樹脂封止体９に内包されている。
【００８３】
つまり、同一パッケージ寸法の実施の形態４に係る光結合型半導体装置に比べ、凸部３１，４１の頂面３１Ｔ，４１Ｔから２次樹脂封止体９の外周面９Ｌまでの距離が更に短くされており、通電時に発せられる熱を２次樹脂封止体９の外部に更に放熱させ易くした構造となっている。言い換えれば、放熱性が同一パッケージ寸法の実施の形態４に係る光結合型半導体装置に比べて更に向上させられている。
【００８４】
なお、実施の形態３に係る光結合型半導体装置（図３参照）と同様に、リードフレーム３，４の導出部３Ｔ，４Ｔにも凸部３１，４１を設けて更なる放熱性の向上を図ることも可能である。
【００８５】
＜実施の形態６＞
図６は本発明の実施の形態６に係る光結合型半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。
【００８６】
本実施の形態に係る光結合型半導体装置の基本構成は、実施の形態１乃至実施の形態５に係る光結合型半導体装置とほぼ同様の構成となっており、以下、実施の形態１乃至実施の形態５に係る光結合型半導体装置と異なる点について説明する。
【００８７】
本実施の形態に係る光結合型半導体装置では、凸部（発光側：３１、受光側：４１）は、実施の形態２、実施の形態４、及び実施の形態５に係る光結合型半導体装置（図２、図４、及び図５参照）と同様に、リードフレーム（発光側リードフレーム３、受光側リードフレーム４）のヘッダ部（発光側：３Ｈ、受光側：４Ｈ）に形成されている。つまり、凸部３１，４１は、発光素子１又は受光素子２が搭載してある搭載面（発光側：３Ｆ、受光側：４Ｆ）の反対側の面に形成されている。
【００８８】
また、実施の形態５に係る光結合型半導体装置（図５参照）と同様に、ヘッダ部３Ｈ，４Ｈの搭載面３Ｆ，４Ｆは１次樹脂封止体８の外周面８Ｌに当接されている。
【００８９】
また、本実施の形態では、更に、２次樹脂封止体９の外周面９Ｌに凸部３１，４１の頂面（発光側：３１Ｔ，受光側：４１Ｔ）が当接されている。つまり、凸部３１，４１の頂面３１Ｔ，４１Ｔが２次樹脂封止体９の外側へ露出された構造となっており、同一パッケージ寸法の実施の形態５に係る光結合型半導体装置に比べ、通電時に発せられる熱を２次樹脂封止体９の外部に更に放熱させ易くした構造となっている。言い換えれば、放熱性が同一パッケージ寸法の実施の形態５に係る光結合型半導体装置に比べて更に向上させられている。
【００９０】
なお、本実施の形態に係る光結合型半導体装置は、上述したように、ヘッダ部３Ｈ，４Ｈの搭載面３Ｆ，４Ｆを１次樹脂封止体８の外周面８Ｌに当接させた構造となっているが、実施の形態４に係る光結合型半導体装置（図４参照）と同様に凸部３１，４１の底面３１Ｂ，４１Ｂを１次樹脂封止体８の外周面８Ｌに当接させ、更に凸部３１，４１の頂面３１Ｔ，４１Ｔを２次樹脂封止体９の外周面９Ｌに当接させた構造の光結合型半導体装置であっても、凸部３１，４１の頂面３１Ｔ，４１Ｔは２次樹脂封止体９の外側へ露出されることとなるから、本実施の形態に係る光結合型半導体装置と同様の効果を得ることができる。
【００９１】
また、実施の形態３に係る光結合型半導体装置（図３参照）と同様に、リードフレーム３，４の導出部３Ｔ，４Ｔにも凸部３１，４１を設けて更なる放熱性の向上を図ることも可能である。
【００９２】
＜実施の形態７＞
図７は本発明の実施の形態７に係る光結合型半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。
【００９３】
本実施の形態に係る光結合型半導体装置の基本構成は、実施の形態１乃至実施の形態６に係る光結合型半導体装置とほぼ同様の構成となっており、以下、実施の形態１乃至実施の形態６に係る光結合型半導体装置と異なる点について説明する。
【００９４】
本実施の形態に係る光結合型半導体装置では、凸部（発光側：３１、受光側：４１）は、実施の形態２、及び実施の形態４乃至実施の形態６に係る光結合型半導体装置（図２、及び図４〜図６参照）と同様に、リードフレーム（発光側リードフレーム３，受光側リードフレーム４）のヘッダ部（発光側：３Ｈ、受光側：４Ｈ）に形成されている。つまり、凸部３１，４１は、発光素子１又は受光素子２が搭載してある搭載面（発光側：３Ｆ、受光側：４Ｆ）の反対側の面に形成されている。
【００９５】
また、実施の形態５及び実施の形態６に係る光結合型半導体装置（図５及び図６参照）と同様に、ヘッダ部３Ｈ，４Ｈの搭載面３Ｆ，４Ｆは１次樹脂封止体８の外周面８Ｌに当接されている。
【００９６】
また、凸部３１，４１の頂面３１Ｔ，４１Ｔは２次樹脂封止体９の外周面９Ｌより突出させられている。つまり、凸部３１，４１の頂面３１Ｔ，４１Ｔを２次樹脂封止体９から突出させることにより、同一パッケージ寸法の実施の形態６に係る光結合型半導体装置に比べ、通電時に発せられる熱を２次樹脂封止体９の外部に更に放熱させ易くした構造となっている。言い換えれば、放熱性が同一パッケージ寸法の実施の形態６に係る光結合型半導体装置に比べて更に向上させられている。
【００９７】
なお、本実施の形態に係る光結合型半導体装置は、上述したように、ヘッダ部３Ｈ，４Ｈの搭載面３Ｆ，４Ｆを１次樹脂封止体８の外周面８Ｌに当接させた構造となっているが、実施の形態４に係る光結合型半導体装置（図４参照）と同様に凸部３１，４１の底面３１Ｂ，４１Ｂを１次樹脂封止体８の外周面８Ｌに当接させ、更に凸部３１，４１の頂面３１Ｔ，４１Ｔを２次樹脂封止体９の外周面９Ｌより突出された構造の光結合型半導体装置であっても、凸部（発光側：３１、受光側：４１）の頂面３１Ｔ，４１Ｔは２次樹脂封止体９から突出されることとなるから、本実施の形態に係る光結合型半導体装置と同様の効果を得ることができる。
【００９８】
また、実施の形態３に係る光結合型半導体装置（図３参照）と同様に、リードフレーム３，４の導出部３Ｔ，４Ｔにも凸部３１，４１を設けて更なる放熱性の向上を図ることも可能である。
【００９９】
＜実施の形態８＞
本実施の形態に係る電子機器（不図示）は、実施の形態１乃至実施の形態７のいずれか一つに記載した光結合型半導体装置を搭載した電子機器である。放熱性に優れた小型の光結合型半導体装置を搭載する電子機器とすることから、信頼性の高い小型の電子機器とすることができる。
【０１００】
特に電源、ＯＡ機器、家電製品、ＦＡ機器などの電子機器で電流容量の増加が必要とされる場合や、電流容量を維持しながら製品の小型化を図る必要がある電子機器に用いることにより大きな効果を奏する。
【０１０１】
なお、本発明は、上述した実施の形態１乃至実施の形態８に示した構成に限定されるものではなく、本発明の範囲内で変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の実施の形態１に係る光結合型半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。
【図２】本発明の実施の形態２に係る光結合型半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。
【図３】本発明の実施の形態３に係る光結合型半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。
【図４】本発明の実施の形態４に係る光結合型半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。
【図５】本発明の実施の形態５に係る光結合型半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。
【図６】本発明の実施の形態６に係る光結合型半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。
【図７】本発明の実施の形態７に係る光結合型半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。
【図８】従来例に係る半導体装置の概略構成を透視的に示す透視側面図である。
【図９】従来例に係る半導体装置の概略製造工程を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
【０１０３】
１  発光素子
２  受光素子
３  発光側リードフレーム
４  受光側リードフレーム
３Ｈ、４Ｈ  ヘッダ部
３Ｔ、４Ｔ  導出部
３Ｆ、４Ｆ  搭載面
３１、４１  凸部
３１Ｂ、４１Ｂ  底面
３１Ｔ、４１Ｔ  頂面
５  発光側ワイヤ
６  受光側ワイヤ
７  シリコーン樹脂
８  １次樹脂封止体
９  ２次樹脂封止体
８Ｌ、９Ｌ  外周面
【図１】
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【図２】
2008098571.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008098571.tif 000006
【図５】
2008098571.tif 000007
【図６】
2008098571.tif 000008
【図７】
2008098571.tif 000009
【図８】
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【図９】
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