(57)【要約】【課題】  伝送線路型ブランキング装置及び電子ビーム露光装置に関し、高速動作と偏向能力を電子ビーム露光装置に必要な範囲で両立させる。【解決手段】  特性インピーダンスが均一である伝送線路を成している一対のブランキング電極１，２の電子ビーム５に偏向電場を加える主要部分を電子ビーム５に沿う方向が長手方向となる形状にするとともに、伝送線路を進行する偏向電磁場が電子ビーム５の進行方向と対向して反平行に進行するように電源４と終端抵抗３を配置する。【選択図】          図１
2008042049.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特性インピーダンスが均一である伝送線路を成している一対のブランキング電極の電子ビームに偏向電場を加える主要部分が電子ビームに沿う方向が長手方向となる形状であるとともに、前記伝送線路を進行する偏向電磁場が前記電子ビームの進行方向と対向して反平行に進行するように電源と終端抵抗が配置されていることを特徴とする伝送線路型ブランキング装置。
【請求項２】
上記一対のブランキング電極を構成する一方のブランキング電極が内部導体を構成するとともに、他方のブランキング電極が前記内部導体を覆う外部導体を構成し、前記外部導体が前記内部導体に向かって突き出した突出部を有しており、前記突出部と内部導体の間隙を電子ビームの通過路としたことを特徴とする請求項１記載の伝送線路型ブランキング装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の伝送線路型ブランキング装置を備えたことを特徴とする電子ビーム露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は伝送線路型ブランキング装置及び電子ビーム露光装置に関するものであり、特に、大電流で小直径なビームが必要とされるスポットビーム型電子ビーム露光装置に使用され、電子ビームを高速にオン／オフするための構成に特徴のある伝送線路型ブランキング装置及び電子ビーム露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マスクを用いることなく、元となるパターンデータに応じて細く絞った電子ビームを電気的に直接操作するスポットビーム型の電子ビーム直接描画技術は、他の方法ではできないような細かいパターンを作成できるほとんど唯一と言ってよい技術であり、主導してきた先端的な半導体集積回路の研究開発にとどまらず、量子デバイスやＭＥＭＳなど微細なパターンを必要とする多様なデバイスの研究開発や少量試作に使用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、近年、従来は細く絞ったレーザービームによって記録パターンが生成されてきた光ディスクの原盤作成においても、より高記録密度で微細な記録パターンが要求される次世代、次々世代の記録方式に対しては、電子ビームの使用が検討されるようになってきた。
【０００４】
さらに、磁気ディスクにおいても、垂直記録方式を超える高記録密度を実現する方法として、記録領域自体を個々の微小な領域に分離した媒体が研究されており、その微小領域を形成するための原盤作成にやはり電子ビームの使用が考えられている。
【０００５】
この技術では細かいパターンに応じて頻繁に高速に電子ビームのオン／オフを繰り返さなければならず、このオン／オフをブランキング装置で行っている。
この場合のブランキング装置は、コイルを使用した電磁型ではなく、高速性の要求からもっぱら電極を使用した静電型あるいは電磁場型が使用されているので、ここで、図６及び図７を参照して従来の各種のブランキング装置を説明する。
【０００６】
図６参照  
図６は、従来最も多く使用されている平行平板型ブランキング装置の概念的構成図であり、その電極が一対の対向する平行平板あるいはその変形と見なせる部品で構成されたもので、電気回路的に見れば開放終端された電極対がコンデンサとして働くというものである。
【０００７】
この場合の偏向角度は、電極間隔をｄ、電極長をｈ、電極幅をｗ、偏向電圧をＶ、加速電圧をφとした場合、ｗ≧３ｄの条件を満たす範囲内においては、
偏向角度∝（Ｖ／φ）×（ｈ／ｄ）
で表される。
【０００８】
この平行平板型ブランキング装置は、速い信号に対しては負荷インピーダンスがほぼ０Ωであるのに対して、遅い信号に対してはほぼ∞Ωとなり、給電ケーブルの特性インピーダンスと一致することはなく、強い周波数依存性を持つことから、電源から印加された電圧は電極において反射されることとなり、実際に電子ビームが感じる偏向電場は高速に立ち上がらず乱れたものとなる。
【０００９】
図７参照  
図７は、従来の伝送線路型ブランキング装置の概念的構成図であり、上述のインピーダンス不整合の問題を解決するために、電極対を伝送線路の一部と位置づけてその特性インピーダンスを電源、給電ケーブル、終端抵抗と一致するように構造と形状寸法を規定したものであり、進行波型ブランキング装置とも呼称されている（例えば、特許文献２参照）。
【００１０】
図に示すように、原理的には電子ビームの進行方向と直交する方向に電極対の長手方向を配置し、偏向電磁場は電子ビームを横切る案配で伝送されるものである。
この場合の偏向角度は、電極間隔をｄ、電極長をｈ、電極幅をｗ、偏向電圧をＶ、加速電圧をφ、終端抵抗をｚ（特性インピーダンスと一致）、駆動電流をＩとした場合、
偏向角度∝（Ｖ／φ）×（ｈ／ｄ）∝（Ｖ／φ）／ｚ＝Ｉ／φ
で表される。
【００１１】
この場合、伝送線路としての特性インピーダンスｚは基本的に電極間隔ｄに大凡比例し、電極長ｈに大凡反比例するため、同じ偏向電圧Ｖのままで偏向能力を上げようとｄを狭めｈを広げるとｚは小さな値となってしまう。
このため、上記式から明らかなように、偏向角度が電源が供給する駆動電流Ｉに比例し、小さなｚに対してはＩが大きな値となってしまい、電源の実現が難しくなる。
【００１２】
また、偏向電圧Ｖを発生する電源の出力インピーダンス及び同軸ケーブルの特性インピーダンスとして最も広く普及している５０Ωとインピーダンス整合させるために、伝送線路の特性インピーダンスｚを５０Ωとした場合、高い偏向電圧Ｖが必要になり、高速駆動が困難になる。
【００１３】
また、５０Ω以外の特性インピーダンスを採用することは、コネクタや同軸ケーブル等の伝送要素を全て専用に開発する必要が生じ、高コスト化が免れなくなるという問題がある。
【００１４】
この問題を避けるために、電子ビームに対して両側の電極を、それぞれ螺旋状に周回させながら配置したヘリカル型ブランキンブ装置（例えば、特許文献３参照) や、つづら折り状に複数回行き来させるように配置したメアンダ線路を使用したトラフ型ブランキンブ装置（例えば、特許文献４参照) が提案されており、電極対を複数回電子ビームに対向させることで実効的に電極長を延ばし、伝送線路としての特性インピーダンスが小さくなることを避けながら偏向能力を上げている。
【００１５】
また、高速な伝送特性を最優先にして、電極対を同軸線路の内外導体とした同軸線路型ブランキング装置も提案されている（例えば、非特許文献１参照）。
上述の伝送線路型ブランキング装置の技術は、加速電圧が５ｋＶ程度以下と低い、広帯域オシロスコープ用ＣＲＴや電子ビームテスター向けに開発されてきた技術である。
【００１６】
さらに、比較的最近になって、これらとは異なる伝送線路型のブランキング装置が提案されており（例えば、特許文献５参照）、これも高速な伝送特性を最優先にした同軸線路型であり電子ビーム露光装置に適用することを銘打ったブランキング装置であるが、電子ビームを偏向するための電磁場が電子ビームに沿って同じ向きに平行に進行するように、同軸線路の軸方向を電子ビームと揃えたものである。
【特許文献１】特開平１１−０９７３３０号公報
【特許文献２】米国特許第４，４４５，０４１号明細書
【特許文献３】特許第３４０９７９９号
【特許文献４】特開平０７−１０４０９８号公報
【特許文献５】特許第３０５７０４２号
【非特許文献１】ＥＬＥＣＴＲＯＮ  ＢＥＡＭ  ＴＥＳＴＩＮＧ                        ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ，ｐ．２６２−２６３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかし、上述の各種のブランキング装置を加速電圧が５０ｋＶ程度以上と高い電子ビーム露光装置に適用するには、偏向能力に重大な問題があるので、図８乃至図１０を参照して説明する。
なお、各図において、左図は原理的構成図であり、また、右図は電子ビームの進行方向に視線を合わせて上から見て、電場成分磁場成分とその作用を示したものである。
この場合、偏向能力の比較であるので、過渡的な高速応答性ではなく、定常状態で電子ビームが受ける力を考える。
【００１８】
図８参照  
図８は、平行平板型ブランキング装置の原理説明図であり、定常状態ではコンデンサを成す両電極間の充電は終わっており、駆動電流は流れていない。
両電極間に生じた電場（Ｖ／ｄ）によって電子ビームは偏向されるのみであり、加速電圧が高くなる分、電極間隔ｄ、電極長ｈ、偏向電圧Ｖで補っていくことになる。
なお、図８の右図は電子ビームの進行方向に視線を合わせて上から見た様子を示したものであり、Ｆe は電場ベクトルの方向を示しており、また、マイナス荷電粒子である電子は、Ｆe と逆方向に力を受ける。
【００１９】
図９参照  
図９は、トラフ型ブランキング装置の原理説明図であり、磁場成分Ｂは電子ビームと平行であるので、電子の速度ｖと磁束密度Ｂとの外積（〔ｖ〕×〔Ｂ〕）は０になり（なお、〔ｖ〕，〔Ｂ〕はそれぞれベクトルを表す）、電子ビームには力をおよぼさず、平行平板型と同様に電場成分（Ｖ／ｄ）による偏向のみとなる。
【００２０】
しかし、この場合、つづら折りの隣り合った電極間の干渉をさけなければならず、電極を隙間なく密に並べることはできないために、実際に偏向に寄与する長さは、見かけ上の電極長ｈ′のせいぜい２／３程度であり、その分電極長がｈの単純な平行平板型ブランキング装置よりも偏向能力は下がることになる。
【００２１】
図１０参照  
図１０は、上記の特許文献５に示された伝送線路型ブランキング装置を機能的に同値な形状に書き換えた原理説明図であり、加速電圧が高い場合には原理的に偏向能力に重大な問題がある。
なお、図１０の右図は電子ビームの進行方向に視線を合わせて上から見た様子を示したものであり、Ｆe は電場ベクトルの方向を示している。
一方、Ｆm は電子速度ｖと磁束密度Ｂの外積ベクトルの方向を示し、電子はこの外積ベクトルＦm と逆方向に力を受ける。
【００２２】
即ち、磁場成分から受ける力は、電子の速度ｖと磁束密度Ｂとの外積（〔ｖ〕×〔Ｂ〕）に比例するが、この力の向きは電場成分（Ｖ／ｄ）から受ける力と反対向きとなる。
そのために偏向能力は、同じ寸法の平行平板型ブランキング装置よりも小さく、その割合は電子の速度ｖが大きい程、つまり加速電圧φが高いほど著しくなり、加速電圧φが高い電子ビーム露光装置においては大いに問題となる。
【００２３】
以上のように、公知の伝送線路型ブランキング装置の偏向能力は、高速動作に難がある平行平板型ブランキング装置よりも劣るという問題がある。
【００２４】
したがって、本発明は、高速動作と偏向能力を電子ビーム露光装置に必要な範囲で両立させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、左図は原理的構成図であり、また、右図は電子ビームの進行方向に視線を合わせて上から見て、電場ベクトルＦe と外積ベクトルＦm の方向を示したものである。
図１参照
上記課題を解決するために、本発明は、伝送線路型ブランキング装置において、特性インピーダンスが均一である伝送線路を成している一対のブランキング電極１，２の電子ビーム５に偏向電場を加える主要部分が電子ビーム５に沿う方向が長手方向となる形状であるとともに、伝送線路を進行する偏向電磁場が電子ビーム５の進行方向と対向して反平行に進行するように電源４と終端抵抗３が配置されていることを特徴とする。
【００２６】
即ち、左図に示すように、上記の特許文献５の伝送線路型ブランキング装置とは反対に、電子ビーム５の進行方向とは逆向きに対向して反平行方向に、電子ビーム５を偏向する電磁場を進行させたものであり、それによって、右図に示すように、磁場成分Ｂから受ける力は電場成分Ｖ／ｄから受ける力と同じ向きとなり、同じ寸法の平行平板型ブランキング装置も偏向能力は大きくなり、しかもその割合は加速電圧が高いほど大きくなる。
【００２７】
なお、加速電圧φが高くなるに連れて、電子ビーム５を偏向するために必要な偏向電圧Ｖも高くなることは避けられないが、磁場成分Ｂが偏向にプラスに寄与することで、それはある程度緩和される。
【００２８】
この場合、一対のブランキング電極１，２を構成する一方のブランキング電極１が内部導体を構成するとともに、他方のブランキング電極２が内部導体を覆う外部導体を構成し、外部導体が内部導体に向かって突き出した突出部を有しており、突出部と内部導体の間隙を電子ビーム５の通過路とすることが望ましく、それによって、同軸線路の位相同相の構造となるので、高速動作特性を向上することができる。
【００２９】
また、上述の構成の伝送線路型ブランキング装置を備えることによって高速で偏向能力に優れた電子ビーム露光装置を簡素化された装置構成で実現することができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、磁場成分Ｂから受ける力が電場成分Ｖ／ｄから受ける力と同じ向きになるように電源と終端抵抗を配置しているので、ブランキング装置の特性インピーダンスを市販の同軸ケーブル等の特性インピーダンスに整合させた状態で電子ビーム露光装置に必要な高速動作特性を保ったままで大きな偏向能力を得ることができるとともに、装置構成の複雑化を回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明は、特性インピーダンスが均一である伝送線路を成している一対のブランキング電極の電子ビームに偏向電場を加える主要部分を電子ビームに沿う方向が長手方向となる形状にするとともに、伝送線路を進行する偏向電磁場が前記電子ビームの進行方向と対向して反平行に進行するように電源と終端抵抗が配置したものである。
【００３２】
特に、高速動作特性を向上するために、一対のブランキング電極を構成する一方の電極を内部導体とし、他方の電極を内部導体を覆う外部導体とし、外部導体が内部導体に向かって突き出した突出部を設けて突出部と内部導体の間隙を電子ビームの通過路とする。
【実施例１】
【００３３】
ここで、図２乃至図５を参照して、本発明の実施例１のスポットビーム型電子ビーム露光装置を説明する。
図２参照  
図２は、本発明の実施例１のスポットビーム型電子ビーム露光装置の概念的構成図であり、電子源２１、引出電極２２、コンデンサレンズ２３、接地プレート２４、コンデンサレンズ２５、伝送線路型ブランキング装置１０、ブランキングアパーチャ２６、対物アパーチャ２７、スティグメータ２８、対物レンズ２９、偏向器３０、及び、試料３２を載置する試料ステージ３１を備えている。
【００３４】
電子源２１から引き出された電子ビーム３３は、例えば、１００ｋＶの加速電圧で加速され、２つのコンデンサレンズ２３，２５によって伝送線路型ブランキング装置１０の中央で一度像を結ぶ。
【００３５】
その後、電子ビーム３３は対物アパーチャ２７で絞られたのち、偏向器３０で所定に位置に振られるとともに対物レンズ２９により試料３２の上に焦点を結ぶことになる。
なお、スティグメータ２８は非点収差を補正するために用いる。
【００３６】
ここで、電子ビーム３３をオフにする場合には、伝送線路型ブランキング装置１０によって電子ビーム３３をブランキングアパーチャ２６に設けた開口部の外側に偏向することによって電子ビーム３３をブランキングアパーチャ２６で遮断する。
【００３７】
図３参照  
図３は、本発明の実施例１のスポットビーム型電子ビーム露光装置に用いる伝送線路型ブランキング装置１０の構成説明図であり、高速動作の特性に優れる同軸線路と位相同相な、内部導体１１とそれを覆うように内側に含む外部導体１２とからなる構造で、ブランキング電極による伝送線路を構成した。
【００３８】
一例を示すと、右図の概略的断面図に示すように、例えば、外部導体１２のうちのりはおよそ１０ｍｍ四方の四角形で、内部導体１１と対向する部分に内側に突き出した突出部１３を有しており、突出部１３と１ｍｍの間隙をおいて内部導体１１を設け、電子ビーム３３はこの間隙を通過するときに、間隙を進行する電磁場から偏向作用を受ける。
この場合の伝送線路としての特性インピーダンスｚが５０Ωとなるように、寸法記入を省略した部分は微調整されている。
【００３９】
また、偏向電圧１３Ｖを発生する電源１６の出力インピーダンスは５０Ωであり、特性インピーダンス５０Ωの同軸ケーブル４３，４４で真空隔壁４０を貫通するフィードスルー４１，４２に接続されている。
【００４０】
このように、特性インピーダンスは５０Ωと最も広く普及している値を選択したことから、フィードスルー４１，４２は帯域２０ＧＨｚにおよぶ市販のハーメチックシール品が容易に入手でき、それを使用する。
【００４１】
真空隔壁４０の内側では、先に述べた伝送線路型のブランキング電極に接続され、他端で再度真空隔壁４０を貫通するフィードスルー４２を通って大気側で終端抵抗１７に接続され、整合終端されている。
なお、この伝送線路型のブランキング電極を構成する外部導体１２には、電子ビーム３３に対する入射口１４及び出射口１５が設けられている。
【００４２】
終端抵抗１７で消費される電力は、偏向電圧を１３Ｖとすると、最大で１６９Ｖ2 ／５０Ω＝３．４Ｗと大した値ではなく、放熱フィン１８がついた自然空冷型の終端抵抗１７で充分である。
【００４３】
偏向電圧１３Ｖが定常的に印加された状態では、加速電圧１００ｋＶの電子ビーム３３が角度３ｍｒａｄの偏向を受け、下流にあるブランキングアパーチャ２６で遮られて、ビームオフとなる。
【００４４】
図４参照  
図４は、本発明の実施例１の伝送線路型ブランキング装置の原理説明図であり、左図は原理的構成図であり、また、右図は電子ビームの進行方向に視線を合わせて上から見て、電場成分磁場成分とその作用を示したものである。
【００４５】
左図に示すように、電子ビームを偏向する電磁場は、電子ビームの進行方向とは逆向きに対向して反平行方向に進行するように終端抵抗ｚと電源を配置している。
【００４６】
右図に示す作用から明らかなように、磁場成分Ｂから受ける力は電場成分Ｖ／ｄから受ける力と同じ向きとなるので、電場成分Ｖ／ｄだけが作用する同じ寸法の平行平板型ブランキング電極よりも偏向能力は大きくなる。
【００４７】
例えば、加速電圧φが１００ｋＶの場合、（電場のみの偏向能力）と（電場＋磁場による偏向能力）の比は、
（電場のみの偏向能力）：（電場＋磁場による偏向能力）＝１：１．５５
となり、その割合は電子の速度が大きいほど、したがって、加速電圧φが高いほど大きくなる。
【００４８】
なお、加速電圧φが高くなるに連れて、電子ビームを偏向するために必要な偏向電圧Ｖも高くなることは避けられないが、磁場成分Ｂが偏向にプラスに寄与することで、それはある程度緩和される。
【００４９】
図５参照  
図５は、ブランキング装置の偏向能力の説明図であり、加速電圧が１ｋＶ程度以下と低いときには、（ａ）／（ｄ）で表す平行平板型ブランキング装置や、（ｂ）／（ｄ）で表すトラフ型ブランキング装置の偏向能力は、本発明の伝送線路型ブランキング装置に対してそれ程遜色はない。
【００５０】
しかし、電子ビーム露光装置として使用される加速電圧５０ｋＶあるいは１００ｋＶ程度といった高加速電圧では、トラフ型ブランキング装置と特許文献５に示された電子ビーム露光装置用をうたった伝送線路型ブランキング装置、とりわけ、（ｃ）／（ｄ）で表す特許文献５に示された伝送線路型ブランキング装置の偏向能力の低下が著しいことがわかる。
なお、平行平板型ブランキング装置の偏向能力は比較的低下が小さいが、これには上述したようにそもそも高速動作に難がある。
【００５１】
例えば、本発明の伝送線路型ブランキング装置は、特許文献５に示された高周波特性に優れた伝送線路型ブランキング装置と比較して、同じ偏向能力を得るためには、加速電圧５０ｋＶで偏向電圧は４２％、１００ｋＶで２９％に小さくなり、電力にしてそれぞれ１７％及び８．５％ですむことになる。
【００５２】
これは伝送線路の途中で発熱として失われる損失電力についてもいえることであり、冷媒による冷却を行うことが好適であると記されている特許文献５に示された伝送線路型ブランキング装置と比較して、そのような複雑な冷却手段は不要となり、上述のように、放熱フィン１８がついた自然空冷型の終端抵抗１７で充分であるので、装置構成が大幅に簡単になる。
【００５３】
このように、本発明においては、偏向能力をブランキング電極の電極長ｈで稼げることと合わせて、伝送線路の特性インピーダンスｚを５０Ωにしても高い偏向電圧Ｖを必要としないので、高速ドライバの実現が容易になるとともに、市販の高速伝送要素の使用が可能になる。
【００５４】
以上、本発明の実施例１を説明してきたが、本発明は実施例１に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能であり、例えば、上記の実施例１においては同軸線路構造のブランキング電極として説明しているが、必ずしも、同軸線路構造に限られものではなく、平行平板型電極を終端抵抗ｚで整合終端させた構成でも良い。
【００５５】
また、上記の実施例の説明においては、スポットビーム型の電子ビーム露光装置に用いるブランキング装置として説明しているが、電子ビーム露光装置用に限られるものではなく、加速電圧が低い、広帯域オシロスコープ用ＣＲＴや電子ビームテスターのブランキング装置として用いても良いものである。
【００５６】
さらには、イオンビーム等の荷電ビームを照射する荷電ビーム照射装置のブランキング装置として用いても良いものであり、この場合には、荷電ビームの電流方向が電子ビームの電流方向と逆になるので、伝送線路を進行する偏向電磁場が荷電ビームの進行方向と対向して反平行に進行するように電源と終端抵抗を配置する必要がある。
【００５７】
また、上記の実施例で例示した、間隔、サイズ、電圧等の数値は単なる一例であり、装置構成・規模に応じて適宜変更されるものである。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明の活用例としては、スポットビーム型電子ビーム露光装置に用いるブランキング装置が典型的なものであるが、電子ビーム露光装置に限られるものではなく、各種の電子ビームを使用する機器のブランキング装置にも適用しても良いものであり、さらには、イオンビーム等の荷電ビーム照射装置のブランキング装置として用いても良いものである。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施例１のスポットビーム型電子ビーム露光装置の概念的構成図である。
【図３】本発明の実施例１のスポットビーム型電子ビーム露光装置に用いる伝送線路型ブランキング装置の構成説明図である。
【図４】本発明の実施例１の伝送線路型ブランキング装置の原理説明図である。
【図５】ブランキング装置の偏向能力の説明図である。
【図６】従来の平行平板型ブランキング装置の概念的構成図である。
【図７】従来の伝送線路型ブランキング装置の概念的構成図である。
【図８】平行平板型ブランキング装置の原理説明図である。
【図９】トラフ型ブランキング装置の原理説明図である。
【図１０】特許文献５に示された伝送線路型ブランキング装置を機能的に同値な形状に書き換えた原理説明図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  ブランキング電極
２  ブランキング電極
３  終端抵抗
４  電源
５  電子ビーム
１０  伝送線路型ブランキング装置
１１  内部導体
１２  外部導体
１３  突出部
１４  入射口
１５  出射口
１６  電源
１７  終端抵抗
１８  放熱フィン
２１  電子源
２２  引出電極
２３  コンデンサレンズ
２４  接地プレート
２５  コンデンサレンズ
２６  ブランキングアパーチャ
２７  対物アパーチャ
２８  シティグメータ
２９  対物レンズ
３０  偏向器
３１  試料ステージ
３２  試料
３３  電子ビーム
４０  真空隔壁
４１  フィードスルー
４２  フィードスルー
４３  同軸ケーブル
４４  同軸ケーブル
【図１】
2008042049.tif 000003
【図２】
2008042049.tif 000004
【図３】
2008042049.tif 000005
【図４】
2008042049.tif 000006
【図５】
2008042049.tif 000007
【図６】
2008042049.tif 000008
【図７】
2008042049.tif 000009
【図８】
2008042049.tif 000010
【図９】
2008042049.tif 000011
【図１０】
2008042049.tif 000012