(57)【要約】【課題】実装時のハンダの回り込みによる電極短絡及び発光面の汚染を防止できる発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の発光装置１０は、発光素子１８と、発光素子１８を実装するための基板１５と、基板１５の上面に形成され発光素子１８と接続された一対の上面電極１６ａ、１６ｂと、基板１５の下面に形成された一対の下面電極２７ａ、２７ｂと、上面電極１６ａ、１６ｂと下面電極２７ａ、２７ｂとを導通する接続部２２ａ、２２ｂと、を備え、基板１５は、基板１５の一対の側面から突出する一対の突出部４０を備えており、下面電極２７ａ、２７ｂが、突出部４０まで延設されていることを特徴とする。  本発明の発光装置１０は、突出部４０に下面電極２７ａ、２７ｂが形成されているので、実装基板３０に実装するときに、突出部４０のみをハンダ２８に接触させれば、発光装置１０と実装基板３０との導通をとることができる。【選択図】図１
2008098429.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子を実装するための基板と、
前記基板の上面に形成され前記発光素子と接続された一対の上面電極と、
前記基板の下面に形成された一対の下面電極と、
前記上面電極と前記下面電極とを導通する接続部と、を備えた発光装置であって、
前記基板は、前記基板の一対の側面から突出する一対の突出部を備えており、
前記下面電極が、前記突出部まで延設されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記基板が、略長矩形の第１基板と、前記第１基板の上面に配置された略長矩形の第２基板と、から成り、
前記第１基板は、前記第２基板よりも長手方向の寸法が長く、
これにより、前記第１基板の長手方向の両端部が、前記第２基板の長手方向の両端部よりも前記長手方向に突出して、前記突出部を構成することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１基板と前記第２基板とが別体から形成されて、接着部材により積層されていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記接続部が、前記第１基板の上面から前記第２基板の下面まで貫通するスルーホールの内部に形成された導電材料を含み、
前記下面電極が、前記突出部の周囲を経て、前記第１基板と前記第２基板との間まで延設されて、前記接続部に接触することを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１基板と前記第２基板とが、一体に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項６】
略平行に形成された複数のスロットを備えた第２基板の下面側に、第１基板を積層して積層基板を形成する工程と、
前記積層基板の上面から下面まで貫通した複数のスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホールの内部に導電材料を含む接続部を形成する工程と
前記積層基板の上面に、前記接続部の上端と接触する上面電極を形成する工程と、
前記積層基板の下面に、前記接続部の下端と接触する下面電極を形成する工程と、
前記積層基板の上面に発光素子を実装する工程と、
前記スロットと略垂直方向に基板を切断して、個々の発光装置に分離する工程とを備えることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項７】
発光素子を実装するための発光装置用基板であって、
前記基板の上面に形成され前記発光素子と接続された一対の上面電極と、
前記基板の下面に形成された一対の下面電極と、
前記上面電極と前記下面電極とを導通する接続部と、を備え、
前記基板は、前記基板の一対の側面から突出する一対の突出部を備えており、
前記下面電極が、前記突出部まで延設されていることを特徴とする発光装置用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関し、特に、液晶用バックライトに適した薄型の発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の液晶画面のバックライト用の発光装置として、１個又は複数個の発光ダイオードを組み込んだ発光装置が多用されている。バックライト用の発光装置では、小寸法、特に厚みの薄い形状にされて、発光装置を実装基板に横倒しにして実装する方法が採用されることがある。このように実装した発光装置は、実装基板の上面側から観察した場合に、発光装置の側面から発光し、実装基板の実装面と平行な方向に光が広がる。発光装置の側面（発光面）に導光板を配置することにより、広い面を均一に照明するバックライトを得ることができる。
【０００３】
バックライトに適した発光装置として、サブマウントに１〜３個の発光ダイオードを実装し、発光ダイオードを半円柱状のエポキシ樹脂製の凸レンズで覆ったものが知られている（例えば特許文献１及び２参照。）。このような凸レンズ付きの発光装置は、反射枠を備えていないので、小型化及び薄型化に特に適している。
【特許文献１】特開２００１−１７７１５６号公報
【特許文献２】特開２００３−２３４５０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発光装置等を実装基板に実装するときには、ハンダリフローによるハンダ付けが行われているが、この方法では、まず実装基板３０の所定位置にハンダペーストを塗布し、次いで発光装置１０をハンダペーストに位置合わせして載置し、その後にハンダを溶融させて発光装置１０を実装する方法である。特許文献１及び２のような発光装置では、発光装置の小型化に伴って、リフロー時の溶融ハンダのわずかな広がりが、本来ハンダが接触すべきでない領域、例えば隣接する電極への接触や、基板本体から発光面まで広がって接触するおそれがある。これにより、電極間の短絡や、発光面の汚染といった問題が起こってしまう。そして、発光装置１０を載置するときに所定位置からわずかにずれただけでも、リフロー時に発光装置の発光面など望ましくない部分にハンダが回り込みやすいので、載置時に高い精度が要求され、また不良品発生率を上昇させる原因にもなっていた。
【０００５】
そこで、本発明は、実装時のハンダの回り込みによる電極短絡及び発光面の汚染を防止できる発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の発光装置は、発光素子と、前記発光素子を実装するための基板と、前記基板の上面に形成され前記発光素子と接続された一対の上面電極と、前記基板の下面に形成された一対の下面電極と、前記上面電極と前記下面電極とを導通する接続部と、を備えた発光装置であって、前記基板は、前記基板の一対の側面から突出する一対の突出部を備えており、前記下面電極が、前記突出部まで延設されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明の発光装置は、基板の長手方向に突出した突出部に下面電極が形成されているので、実装基板に実装するときに、突出部のみをハンダに接触させれば発光装置と実装基板との導通をとることができる。これにより、ハンダが基板本体に接触することがなく、よって、ハンダが透明樹脂層の発光面にまで到達するのを効果的に防止できる。
また、ハンダリフローによる実装では、ハンダペーストに対する発光装置の位置決め精度が多少下がっても、突出部が基板の本体から突出している分だけハンダが回り込みにくく、不良品発生率を下げることができる。
【０００８】
本発明の発光装置の製造方法は、略平行に形成された複数のスロットを備えた第２基板の下面側に、第１基板を積層して積層基板を形成する工程と、前記積層基板の上面から下面まで貫通した複数のスルーホールを形成する工程と、前記スルーホールの内部にメッキを施した後、穴埋め材料を配置して接続部を形成する工程と、前記積層基板の上面に、前記接続部の上端と接触する上面電極を形成する工程と、前記積層基板の下面に、前記接続部の下端と接触する下面電極を形成する工程と、前記積層基板の上面に発光素子を実装する工程と、前記スロットと略垂直方向に基板を切断して、個々の発光装置に分離する工程と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明の製造方法は、第２基板にスロットを形成してから２枚の基板を積層し、最後にスロットと垂直方向にのみ切断することにより、突出部を有する基板を備えた発光装置を、比較的容易に、また多数同時に形成することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の発光装置は、実装時のハンダの回り込みによる電極短絡及び発光面の汚染を防止可能である。また、本発明の発光装置の製造方法は、上記の発光装置の製造に適しており、多数の発光装置を同時に製造できる効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
＜実施の形態１＞
本実施の形態の発光装置１０は、図１及び図２Ａ〜Ｄに図示されているように、Ｘ方向の寸法が長く、Ｙ方向の寸法が短い第１基板１２及び第２基板１４を含んでいる。これらの基板は、第１基板１２の上面１２ａと第２基板１４の下面１４ｂとの間に接着部材３６を介在させて接着されて、Ｚ方向に積層した積層基板１５を形成している。
第１基板１２のＸ方向の寸法１２Ｘは、第２基板１４のＸ方向の寸法１４Ｘよりも長いので、第１基板１２と第２基板１４とを積層すると、第１基板１２の突出部４０が、第２基板１４よりも、突出量４０Ｘだけ飛び出す。
第１基板１２のＹ方向の寸法１２Ｙは、第２基板１４のＹ方向の寸法１４Ｙとは略等しく、Ｙ方向においては、第１基板１２と第２基板１４とを実質的に面一に積層することができる。
【００１２】
第２基板１４の上面１４ａには、一対の上面電極１６ａ、１６ｂが形成され、また、上面電極１６ａの一部であって発光素子１８の実装部分（ダイパッド）に上に発光素子１８（例えば発光ダイオード）が固定されている。発光素子１８は、導電性ワイヤ３８ａ、３８ｂによって上面電極１６ａ、１６ｂに導通されている。
第２基板１４の上面１４ａは、透明樹脂から成る透明樹脂層２０によって覆われており、発光素子１８を外部環境から保護している。本実施の形態では、透明樹脂層２０の発光面４２を、Ｚ方向に突出したシリンドリカルレンズに成形することにより、発光素子１８からＹＺ面内に広がる光が、Ｚ方向に効率よく取り出すことができる。
【００１３】
上面電極１６ａ、１６ｂの直下には、第１基板１２の下面１２ｂから第２基板１４の上面１４ａまで貫通するスルーホール３４が形成されている。このスルーホール３４は、内面にメッキが施された後に内部に穴埋め材料が充填されて、接続部２２ａ、２２ｂを構成する。接続部２２ａ、２２ｂは、上面電極１６ａ、１６ｂ及び下面電極２７ａ、２７ｂによって封止されている。
【００１４】
第１基板１２の上面１２ａから側面１２ｃを通って下面１２ｂまで、２つの下面電極２７ａ、２７ｂが形成されている。下面電極２７ａ、２７ｂは、第１基板１２と第２基板１４との間と、第１基板１２の下面１２ｂ側との２箇所において、接続部２２ａ、２２ｂと接触する。２つの下面電極２７ａ、２７ｂは、第１基板１２の上面１２ａ及び下面１２ｂで分離されている。また、下面電極２７ａ、２７ｂの短絡を避けるために、接着部材３６には絶縁性の接着材料が使用される。
【００１５】
図１に示すように、本発明の発光装置１０は、第１基板１２の長手方向（Ｘ方向）の突出部４０が第２基板１４よりも突出しているので、実装基板３０に実装するときに、突出部４０のみをハンダ２８に接触させて、発光装置１０と実装基板３０との導通をとることができる。これにより、ハンダ２８が第２基板１４に直接接触することがなく、よって、ハンダ２８が樹脂層２０の発光面４２にまで到達するのを防止できる。
また、ハンダリフローによる実装では、ハンダペーストに対する発光装置１０の位置決め精度が多少下がっても、第１基板１２の突出部４０が第２基板１４よりも突出している分だけハンダ２８が回り込みにくく、不良品発生率を下げることができる。
【００１６】
Ｚ方向におけるハンダ２８の広がりは、第１基板１２を中心にして第２基板１４の途中に達する程度である。これは、本発明の発光装置１０を導光板と組み合わせる場合には、透明樹脂層２０の全体を導光板に嵌め込むことができるので、発光素子１８からの光を漏れなく導光板に入射することができ、また導光板との位置合わせしやすい点で有利である。
【００１７】
下面電極２７ａ、２７ｂは、第１基板１２と第２基板１４との間で接続部２２ａ、２２ｂと接触しているので、接続部２２ａ、２２ｂの内部にこもりやすい熱を外部に逃がす放熱経路として有効である。これにより、半導体発光装置１０の積層基板１５が反るなどの熱による悪影響を抑制することができる。
【００１８】
次に、本実施の形態に係る発光装置の製造方法について説明する。
（１．積層基板１５の作製）
図３には、第１基板１２と第２基板１４とを積層する前の段階を示す。図示した第１基板１２及び第２基板１４は、複数個の発光装置１０を同時に形成できるものである。
第１基板１２には、Ｙ方向に長いスロット１２０が複数（この例では２つ）並列して形成されている。第１基板１２の上面１２ａ、下面１２ｂ、及びスロット１２０の内壁には、連続する金属膜から成る下面電極２７（後に下面電極２７ａ、２７ｂに分離される）が形成されている。この下面電極２７は、上面１２ａ側の隣接するスロット１２０の間で、Ｙ方向に延びる隙間により分離されている。この分離部分からは、第１基板１２が露出している。
【００１９】
第２基板１４にも、Ｙ方向に長いスロット１４０が複数（この例では２つ）並列して形成されている。このスロット１４０は、第１基板１２のスロット１２０と比較して、Ｙ方向が同じ寸法で、Ｘ方向が大きく形成されている。また、第１基板１４の上面１４ａにも、連続する金属膜から成る上面電極１６（後に上面電極１６ａ、１６ｂに分離される）が形成されている。なお、第１基板１４の下面１４ｂ、及びスロット１４０の内壁には、金属膜が形成されていない。
【００２０】
図３の第１基板１２と第２基板１４とは、接着材層３６を間に挟んで積層して、図４Ａに示すような積層基板１５を形成する。このとき、Ｚ方向から観察して、第１基板１２のスロット１２０の長手方向（Ｙ方向）の中心線と、第２基板１４のスロット１４０の長手方向（Ｙ方向）の中心線とが一致するように、第１基板１２と第２基板１４とを位置合わせをして積層する。この位置合わせがずれると、積層基板１５の突出部４０の左右の突出量４０Ｘが不均一になる。
発光装置１０の実装時には、第１基板１２の中心を基準として実装を行うが、左右の突出量４０Ｘが異なると、第１基板１２の中心と第２基板１４の中心とがずれていることになる。よって、いくら精度よく実装したとしても、第２基板１４上の発光素子１８及び同盟樹脂層２０の中心が、設計時の位置からずれるという問題が起こる。そのため、第１基板１２と第２基板１４との積層では、スロットの中心をできるだけ精度よく位置合わせするのが好ましい。
【００２１】
（２．積層基板１５の加工）
図４Ａのように積層した積層基板１５に、第１基板１２の下面から第２基板１４の上面まで貫通したスルーホール３４を形成する（図４Ｂ参照）。スルーホール３４は、第２基板１４のスロット１４０とスロット１４０との間に、Ｘ方向に２つ並べて形成する。特に、各スルーホール３４が、第１基板１２の上面１２ａ側に形成された下面電極２７を貫通するように位置を決定する。なお、複数の発光装置１０を同時に形成するときには、Ｘ方向に並んだ一対のスルーホールを、Ｙ方向に並列に配列する。一対のスルーホールが１つの発光装置１０に分配されることになるので、形成する発光装置１０の個数に合わせて必要な個数のスルーホールを形成する。
【００２２】
形成したスルーホール３４には、スルーホール３４の内面にメッキ層（図示せず）を施した後、スルーホール３４の内部に穴埋め材料（金属ペースト若しくはエポキシ樹脂等）を充填される。メッキ層と穴埋め材料とから構成された接続部２２ａ、２２ｂは、両端を金属膜で被覆される。金属膜は、メッキ層と電気的に接続され、さらに、上面電極１６（図中の符号１６ａ、１６ｂ）及び下面電極２７（図中の符号２７ａ、２７ｂ）と一体にされる。これにより、上面電極１６と下面電極２７とは、接続部２２ａ、２２ｂを介して電気的に接続される（図４Ｃ参照）。
【００２３】
第１基板１２の下面１２ｂに形成された下面電極２７は部分的に除去されて、図２Ｄに示すような２つの下面電極２７ａ及び２７ｂに分離される。また、第２基板１４の上面１４ａに形成された上面電極１６も部分的に除去されて、２つの上面電極２７ａ及び２７ｂに分離されると共に、図２Ａに示すような形状に成形される。特に、一方の上面電極１６ａは、矩形のダイパッドを備える形状にされる。
【００２４】
（３．発光素子１８の実装）
次いで、得られた積層基板１５に、発光素子１８を実装する。発光素子１８は、上面電極１６ａのダイパッドにダイボンドされる。そして、発光素子１８の電極（図示せず）と、積層基板１５の上面電極１６ａ、１６とを導電性ワイヤ３８ａ、３８ｂによりワイヤボンドする（図４Ｄ参照）。複数の発光装置１０を同時に製造する場合には、上面電極１６ａのダイパッドをＹ方向に沿って複数形成し、各ダイパッドに発光素子１８を実装することができる（図５参照）。
【００２５】
（４．透明樹脂層２０の形成）
積層基板１５の上面に、発光素子１８、上面電極１６ａ、１６ｂ及び導電性ワイヤ３８ａ、３８ｂを封止する透明樹脂層２０を形成する（図４Ｅ及び図５参照）。図５に示すように、本発明の方法によれば複数（この例では２つ）の発光素子１８に同時に透明樹脂層を設けることができる。
透明樹脂層２０は、レンズ形状を有する金型を用い、トランスファモールド、圧縮成形、射出成形などの方法により形成可能である。なお、透明樹脂層２０には、発光素子１８からの発光を波長変換するための蛍光体を含んでもよく、また、光拡散材を含有させてもよい。さらに、発光素子１８の周辺に蛍光体及び波長変換部材を含む樹脂層を塗布し、その樹脂層を覆うように透明樹脂でレンズを作ることも可能である。２層構造にすることによりレンズ効果を高めることができる。
【００２６】
（５．発光装置１０への分割）
最後に、図５の切断線Ｃに沿って積層基板１５を切断する。切断線Ｃは、切断後の各発光装置１０に、１つの発光素子１８と一対の接続部２２ａ、２２ｂとが含まれるように設定される。切断後は、図４Ｆに示すように発光装置１０が得られる。
【００２７】
本実施の形態の製造方法は、異なる幅のスロットを形成した２枚の基板を積層し、最後にスロットと垂直方向に切断するだけで、第１基板１２の突出部４０を第２基板１４よりも突出させた積層基板１５を備えた発光装置を、同時に多数形成することができる。また、長さの異なる第１基板１２と第２基板１４から成る積層基板１５を、異なる幅のスロットを備えた基板を積層することにより容易に製造することができる。さらに、小型の発光装置１０の製造であっても、比較的ハンドリングしやすい寸法形状の基板で製造して、最後に平行に切断すれば、簡単に製造することができる。
【００２８】
以下、発光装置１０の各構成について詳細に説明する。
【００２９】
（第１基板１２、第２基板１４／上面電極１６ａ、１６ｂ、下面電極２７ａ、２７ｂ）
第１基板１２及び第２基板１４は、適当な機械的強度と絶縁性を有する材料であれば特に限定されない。例えば、ＢＴレジン、ガラスエポキシ等を用いることができる。また、エポキシ系樹脂シートを多層張り合わせたものでも良い。また、第１基板１２及び第２基板１４に形成する上面電極１６ａ、１６ｂ及び下面電極２７ａ、２７ｂは、Ｃｕを主成分とする金属層とすることが好ましく、例えば、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｇによって構成することができる。
【００３０】
（接続部２２ａ、２２ｂ）
接続部２２ａ、２２ｂは、内面に形成されたメッキ層と内部に充填された穴埋め材料とから構成される。メッキ層は無電界メッキにより形成した金属メッキ膜から形成される。スルーホール３４に、穴埋め材料である銅ペースト、銀ペーストなどの導電部材やエポキシ樹脂などの絶縁部材を充填して形成することができる。金属ペーストは、上面電極１６ａ、１６ｂ及び下面電極２７ａ、２７ｂによって、スルーホール内に封止される。
なお、メッキ層を厚く形成して、スルーホール３４を全部充填してもよく、この場合にはメッキ層が穴埋め材料も兼ねることになる。
【００３１】
（接着部材３６）
接着部材３６は、第１基板１２及び第２基板１４との接着性が良好で、且つ下面電極２７ａ、２７ｂや接続部２２ａ、２２ｂの間を絶縁できる絶縁性の接着剤や接着シートから形成することができる。
【００３２】
（発光素子１８）
発光素子１８には、半導体発光素子が好ましく利用される。特に、バックライト用の白色発光装置を作製する場合には、発光素子に短波長を発する発光ダイオードを用いて、蛍光体により発光の一部を他の色に波長変換する方法が採用できる。以下に、白色発光装置に利用できる発光ダイオードと蛍光体との組み合わせについて説明する。
【００３３】
白色の発光装置を構成するのに適した発光ダイオードとして、窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）のを用いたものを用いることができる。この発光ダイオードは、ＩｎｘＧａ1-ｘＮ（０＜ｘ＜１）を発光層として有しており、その混晶度によって発光波長を約３６５ｎｍから６５０ｎｍで任意に変えることができる。
白色系の光を発光させる場合は、蛍光体から出射される光との補色関係を考慮すると、発光ダイオード８の発光波長は４００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下に設定することが好ましく、４２０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下に設定することがより好ましい。なお、蛍光体の種類を選択することにより、４００ｎｍより短い紫外域の波長の光を発光するＬＥＤチップを適用することもできる。
【００３４】
蛍光体は、例えば、窒化物系半導体を発光層とする半導体発光ダイオード８からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、又は、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩又はＥｕ等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか１以上であることが好ましい。
Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体は、Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、ＭＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＭＡｌ１−ＸＢＸＳｉＮ３：Ｅｕ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種以上である。０＜Ｘ＜１である。）などがある。また、Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８：ＥｕのほかＭＳｉ７Ｎ１０：Ｅｕ、Ｍ１．８Ｓｉ５Ｏ０．２Ｎ８：Ｅｕ、Ｍ０．９Ｓｉ７Ｏ０．１Ｎ１０：Ｅｕ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種以上である。）などもある。
Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体は、ＭＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種以上である。）などがある。
Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活されるサイアロン系蛍光体は、Ｍｐ／２Ｓｉ１２−ｐ−ｑＡｌｐ＋ｑＯｑＮ１６−ｐ：Ｃｅ、Ｍ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種以上である。ｑは０〜２．５、ｐは１．５〜３である。）などがある。
Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体には、Ｍ５（ＰＯ４）３Ｘ：Ｒ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種以上である。Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくとも１種以上である。Ｒは、Ｅｕ、Ｍｎ、ＥｕとＭｎ、のいずれか１以上である。）などがある。
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体には、Ｍ２Ｂ５Ｏ９Ｘ：Ｒ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種以上である。Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくとも１種以上である。Ｒは、Ｅｕ、Ｍｎ、ＥｕとＭｎ、のいずれか１以上である。）などがある。
アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体には、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｒ、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｒ、ＣａＡｌ２Ｏ４：Ｒ、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｒ、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ１２：Ｒ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｒ（Ｒは、Ｅｕ、Ｍｎ、ＥｕとＭｎ、のいずれか１以上である。）などがある。
アルカリ土類硫化物蛍光体には、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕなどがある。
Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体には、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．８Ｇｄ０．２）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｙ３（Ａｌ０．８Ｇａ０．２）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２の組成式で表されるＹＡＧ系蛍光体などがある。また、Ｙの一部若しくは全部をＴｂ、Ｌｕ等で置換したＴｂ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅなどもある。
その他の蛍光体には、ＺｎＳ：Ｅｕ、Ｚｎ２ＧｅＯ４：Ｍｎ、ＭＧａ２Ｓ４：Ｅｕ（Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種以上である。Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくとも１種以上である。）などがある。
上述の蛍光体は、所望に応じてＥｕに代えて、又は、Ｅｕに加えてＴｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉから選択される１種以上を含有させることもできる。
また、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、効果を有する蛍光体も使用することができる。
これらの蛍光体は、発光素子の励起光により、黄色、赤色、緑色、青色に発光スペクトルを有する蛍光体を使用することができるほか、これらの中間色である黄色、青緑色、橙色などに発光スペクトルを有する蛍光体も使用することができる。これらの蛍光体を種々組み合わせて使用することにより、種々の発光色を有する表面実装型発光装置を製造することができる。
例えば、青色に発光するＧａＮ系化合物半導体を用いて、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ若しくは（Ｙ０．８Ｇｄ０．２）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅの蛍光物質に照射し、波長変換を行う。発光素子からの光と、蛍光体からの光との混合色により白色に発光する表面実装型発光装置を提供することができる。
例えば、緑色から黄色に発光するＣａＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ又はＳｒＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕと、蛍光体である青色に発光する（Ｓｒ，Ｃａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、赤色に発光するＣａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ又はＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕと、からなる蛍光体６０を使用することによって、演色性の良好な白色に発光する表面実装型発光装置を提供することができる。これは、色の三源色である赤・青・緑を使用しているため、第１の蛍光体及び第２の蛍光体の配合比を変えることのみで、所望の白色光を実現することができる。
【００３５】
（透明樹脂層２０）
透明樹脂層２０の材料は、発光素子１８の発光を透過し、使用時に変質しにくい材料であれば特に限定されない。例えば、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネイト、ポリイミドなどの樹脂を用いることができる。さらに、樹脂以外にガラスを用いることができる。第１透明樹脂層１２中にフィラーや拡散材が分散されていても良い。尚、透明樹脂層２０は、発光素子１８の熱を受け易いため、耐熱性の良好な樹脂であることが好ましい。例えば、エポキシ、シリコーン樹脂、変成シリコーン樹脂、オキセタン樹脂を用いることが好ましい。透明樹脂層２０の粘度は、硬化前で１００〜２０００ｍＰa・sであることが好ましい。ここで「粘度」とは、円錐平板型回転粘度計を用い、常温下で測定したものを指す。また、透明樹脂層２０は、硬化条件が８０℃〜１８０℃、数分〜数時間の下で形状を維持できる程度の硬さになる樹脂であることが望ましい。
【００３６】
本実施の形態では、透明樹脂層２０にシリンドリカル状のレンズを形成しているが、このレンズは、実装面に平行な方向に大きなレンズ径を有することが好ましい。これは実装面に平行な方向は、実装面に垂直な方向に比べて配光特性を制御する必要性が高いからである。
また、蛍光体を用いて白色発光装置を形成する場合には、この透明樹脂層２０に蛍光体を混入するのが好ましい。蛍光体は、透明樹脂層に均一に分散してもよいが、特に、発光素子１８の近傍に偏在するように２層構造にすると、視認方向による色むらを抑制できるので好ましい。
【００３７】
＜実施の形態２＞
本実施の形態にかかる発光装置１０は、図６Ａ〜Ｄに図示されているように、第１基板１２の上面１２ａ及び側面１２ｃが下面電極２７ａ、２７ｂによって被覆されていない以外は、実施の形態１と同様である。
このような相違は、実施の形態１の製造方法における「１．積層基板１５の作製」と「５．発光装置１０への分割」とが相違することに起因している。以下に、本実施の形態におけるこの２つの工程を説明する。
【００３８】
１．積層基板１５の作製
図７Ａ及びＢに示すように、第２基板１４には、Ｙ方向に長いスロット１４０が複数（この例では２つ）並列して形成されているが、第１基板１２にはスロットが形成されていない。そして、第１基板１２には、下面１２ｂ側だけに下面電極２７が形成されている。
第１基板１２と第２基板１４とは、接着材層３６を間に挟んで積層して積層基板１５を形成する。第１基板１２にはスロットがないので、スロット同士を位置合わせする必要がない。そのため、発光装置１０の第１基板１２の中心と第２基板１４の中心とがずれる恐れがない点で好ましい。
【００３９】
５．発光装置１０への分割
個々の発光装置１０に分割するには、図８のように切断線Ｃ１と、Ｃ１に直交する切断線Ｃ２とに沿って、２方向で積層基板１５を切断する。第１基板１２がスロットを備えていないために、切断線Ｃ２での切断が必要になる。切断線Ｃ２は、第２基板１４のスロット１４０の長手方向（Ｙ方向）の中心線と一致させることにより、積層基板１５の突出部４０の左右の突出量４０Ｘが等しくなる。
【００４０】
本実施の形態の製造方法は、スロットを形成した基板を、スロットのない基板に積層し、最後にスロットの長手方向の中心線と、中心線に対して垂直方向とで切断することにより、第１基板１２の突出部４０を第２基板１４よりも突出させた積層基板１５を備えた発光装置を、同時に多数形成することができる。また、長さの異なる第１基板１２と第２基板１４から成る積層基板１５を、スロットを備えた基板を利用することにより容易に製造することができる。さらに、小型の発光装置１０の製造であっても、比較的ハンドリングしやすい寸法形状の基板で製造して、最後に平行に切断すれば、簡単に製造することができる。そして、第１基板１２と第２基板１４との中心がずれにくく、実装精度を高めることのできる発光装置を得ることができる。
【００４１】
＜実施の形態３＞
本実施の形態にかかる発光装置１０は、図９Ａ〜Ｄに図示されているように、第１基板１２と第２基板１４とが一体に形成されている。そのため、実施の形態１のように第１基板１２の上面１２ａ及び側面１２ｃが、下面電極２７ａ、２７ｂによって被覆されていない。また、本実施の形態では、実施の形態１及び２のような接着部材３６を備えていない。これらの構成以外は、実施の形態１及び２と同様である。
このような相違により、実施の形態１及び２の製造方法において、２枚の基板を積層した積層基板１５の代わりに、単層基板を加工して同様の形状を形成している。
【００４２】
単層基板の作製
図１０は、一枚の材料から成る単層基板１５０であり、図７Ａ及びＢにおける第２基板１４のスロット１４０の代わりに、基板の厚さの途中まで掘り込んだ座グリ穴４４を形成する。座グリ穴４４は、Ｙ方向に長く延びた細長い形状にする。これにより、図７Ｂと類似の断面を有する単層基板１５０が得られる。本明細書では、単層基板１５０のうち座グリ穴４４が達していない連続部分を第１基板、座グリ穴４４によって分離された島状部分を第２基板１４と称する。
【００４３】
このようにして形成された単層基板１５０は、実施の形態１と同様に、接続部２２ａ、２２ｂ、上面電極１６ａ、１６ｂ、下面電極２７ａ、２７ｂを形成し、発光素子１８を実装した後に透明樹脂層２０を形成する。
そして、発光装置１０への分割は、実施の形態２と全く同様であり、図８の切断線Ｃ１と、切断線Ｃ２とに沿って、２方向で積層基板１５を切断する。切断線Ｃ２は、座グリ穴４４の長手方向（Ｙ方向）の中心線と一致させることにより、積層基板１５の突出部４０の左右の突出量４０Ｘが等しくなる。
【００４４】
本実施の形態の製造方法は、基板に細長い座グリ穴４４を形成し、最後に座グリ穴の長手方向の中心線と、中心線に対して垂直方向とで切断することにより、第１基板１２の突出部４０を第２基板１４よりも突出させた積層基板１５を備えた発光装置を、同時に多数形成することができる。また、小型の発光装置１０の製造であっても、比較的ハンドリングしやすい寸法形状の基板で製造して、最後に平行に切断すれば、簡単に製造することができる。そして、第１基板１２と第２基板１４との中心がずれないので、実装精度を高めることのできる発光装置を得ることができる。
【００４５】
上記の実施の形態１〜３は、本発明の発光装置の一例を示すものであって、本発明を限定するものではない。例えば、実施形態１〜３では、突出部４０の下面側が第１基板１２の下面１２ｂと面一にされているが、これを、面一ではなく、突出部４０が第１基板１２の下面１２ｂよりも上面側に位置していても構わない。また、実施形態１〜３では、突出部４０のＹ方向の厚みを、第１基板１２のＹ方向の厚みと等しくしているが、異ならせることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】実施の形態１にかかる発光装置の実装状態を示す斜視図である。
【図２Ａ】実施の形態１にかかる発光装置の概略上面図である。
【図２Ｂ】実施の形態１にかかる発光装置の概略正面図である。
【図２Ｃ】実施の形態１にかかる発光装置の概略側面図である。
【図２Ｄ】実施の形態１にかかる発光装置の概略底面図である。
【図３】実施の形態１にかかる発光装置の基板の作製方法を説明する概略斜視図である。
【図４Ａ】実施の形態１にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。
【図４Ｂ】実施の形態１にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。
【図４Ｃ】実施の形態１にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。
【図４Ｄ】実施の形態１にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。
【図４Ｅ】実施の形態１にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。
【図４Ｆ】実施の形態１にかかる発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。
【図５】実施の形態１にかかる発光装置の分割方法を説明する概略斜視図である。
【図６Ａ】実施の形態２にかかる発光装置の概略上面図である。
【図６Ｂ】実施の形態２にかかる発光装置の概略正面図である。
【図６Ｃ】実施の形態２にかかる発光装置の概略側面図である。
【図６Ｄ】実施の形態２にかかる発光装置の概略底面図である。
【図７Ａ】実施の形態２にかかる発光装置の基板の作製方法を説明する概略斜視図である。
【図７Ｂ】実施の形態２にかかる発光装置の基板の作製方法を説明する概略断面図である。
【図８】実施の形態２にかかる発光装置の分割方法を説明する概略斜視図である。
【図９Ａ】実施の形態３にかかる発光装置の概略上面図である。
【図９Ｂ】実施の形態３にかかる発光装置の概略正面図である。
【図９Ｃ】実施の形態３にかかる発光装置の概略側面図である。
【図９Ｄ】実施の形態３にかかる発光装置の概略底面図である。
【図１０】実施の形態３にかかる発光装置の基板の作製方法を説明する概略断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０  発光装置、  １２  第１基板、  １２ａ  第１基板の上面、  １２ｂ  第１基板の下面、  １４  第２基板、  １４ａ  第１基板の上面、  １４ｂ  第１基板の下面、  １５  積層基板、  １６  分離前の上面電極、  １６ａ、１６ｂ  上面電極、  １８  発光ダイオード、  ２０  透明樹脂層、  ２２ａ、２２ｂ  接続部、  ２７  分離前の下面電極、  ２７ａ、２７ｂ  下面電極、  ２８  ハンダ、  ３４  スルーホール、  ３６  接着部材、  ３８  導電性ワイヤ、  ４０  突出部、  ４２  発光面、  ４４  座グリ、  １５０  単層基板、  １２０  第１基板のスロット、  １４０  第２基板のスロット、
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図１０】
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