(57)【要約】【課題】本発明は、レーザ光によって加工対象部分以外の部分が加工されることを抑制することができる、レーザ加工装置、レーザ加工方法、基板の分割方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】レーザ加工装置は、加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、加工対象物を透過可能な複数のレーザ光を射出するレーザ発光部と、複数のレーザ光のそれぞれのレーザ光をそれぞれ略同一の領域に集光する複数の光学素子と、複数のレーザ光の相互の位相関係を調整するための位相調整手段と、を備え、加工対象物の内部に設定された改質領域を形成するべき領域に複数のレーザ光を集光することにより、改質領域を形成する。位相調整手段は、集光されたそれぞれのレーザ光の位相が、集光領域において実質的に同じ位相となるように、集光領域におけるレーザ光の位相を調整する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、
前記加工対象物を透過可能な複数のレーザ光を射出するレーザ発光部と、
前記複数のレーザ光のそれぞれのレーザ光をそれぞれ略同一の領域に集光する複数の光学素子と、
複数の前記レーザ光の相互の位相関係を調整するための位相調整手段と、を備え、
前記加工対象物の内部に設定された前記改質領域を形成するべき領域に前記複数のレーザ光を集光することにより、前記改質領域を形成することを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項２】
前記位相調整手段は、集光されたそれぞれの前記レーザ光の位相が、集光領域において実質的に同じ位相となるように、前記集光領域における前記レーザ光の位相を調整することを特徴とする、請求項１に記載のレーザ加工装置。
【請求項３】
前記レーザ発光部は、複数のレーザ光源を有し、当該複数のレーザ光源のそれぞれのレーザ光源が前記レーザ光を射出することを特徴とする、請求項１又は２に記載のレーザ加工装置。
【請求項４】
前記レーザ発光部は、レーザ光源から射出された単一のレーザ光を複数の前記レーザ光に分岐する分岐手段を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載のレーザ加工装置。
【請求項５】
前記複数のレーザ光の強度は、前記複数のレーザ光が前記集光領域に集光された状態で、当該集光領域に位置する前記加工対象物の部分を加工することが可能な強度であり、それぞれの前記レーザ光の強度は、前記加工対象物の部分を加工することができない強度であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のレーザ加工装置。
【請求項６】
前記位相調整手段は、前記レーザ光における、前記レーザ光源のレーザ光射出口から前記光学素子の入射口に至る光路長を調整する、光路長調整装置を有し、集光されたそれぞれの前記レーザ光の位相が前記集光領域において実質的に一致するように、前記レーザ光の前記光路長を調整することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のレーザ加工装置。
【請求項７】
複数のレーザ光のそれぞれのレーザ光が、略同一の集光領域に集光されるように、それぞれの前記レーザ光の集光位置を調節する集光位置調節工程と、
集光されたそれぞれの前記レーザ光の位相が、前記集光領域において実質的に一致するように、前記集光領域における前記レーザ光の位相を調整する位相調整工程と、
前記複数のレーザ光を加工対象物の内部に設定された前記集光領域に集光させて、当該集光領域に改質領域を形成し、当該改質領域からなる改質帯を前記加工対象物の内部に形成する改質帯形成工程と、を有することを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項８】
それぞれの前記レーザ光を、それぞれの前記レーザ光毎に、個別のレーザ光源から射出することを特徴とする、請求項７に記載のレーザ加工方法。
【請求項９】
単一のレーザ光源から射出されたレーザ光を分岐することによって、それぞれの前記レーザ光を形成することを特徴とする、請求項７に記載のレーザ加工方法。
【請求項１０】
前記複数のレーザ光の強度は、前記複数のレーザ光が前記集光領域に集光された状態で、当該集光領域に位置する前記加工対象物の部分を加工することが可能な強度であり、それぞれの前記レーザ光の強度は、前記加工対象物の部分を加工することができない強度であることを特徴とする、請求項７乃至９のいずれか一項に記載のレーザ加工方法。
【請求項１１】
前記位相調整工程では、前記レーザ光における、前記レーザ光源のレーザ光射出口から前記レーザ光を集光するための光学素子の入射口に至る光路長を調整することによって、集光されたそれぞれの前記レーザ光の位相が、前記集光領域において実質的に一致するように調整することを特徴とする、請求項７乃至１０のいずれか一項に記載のレーザ加工方法。
【請求項１２】
基板の分割予定面に改質領域を連ねた改質帯を形成し、当該改質帯を起点として前記基板を分割する基板の分割方法であって、
複数のレーザ光のそれぞれのレーザ光が、略同一の集光領域に集光されるように、それぞれの前記レーザ光の集光位置を調節する集光位置調節工程と、
集光されたそれぞれの前記レーザ光の位相が、前記集光領域において実質的に同じ位相となるように、前記集光領域における前記レーザ光の位相を調整する位相調整工程と、
前記複数のレーザ光を前記分割予定面の部分を含む領域に集光させて、当該領域を含む領域に前記改質領域を形成し、当該改質領域連ねてなる前記改質帯を形成する改質帯形成工程と、
前記改質帯において前記基板を分離するような力を前記基板に印加することにより、前記基板を前記分割予定面において分割する分割工程と、を有することを特徴とする基板の分割方法。
【請求項１３】
それぞれの前記レーザ光を、それぞれの前記レーザ光毎に、個別のレーザ光源から射出することを特徴とする、請求項１２に記載の基板の分割方法。
【請求項１４】
単一のレーザ光源から射出されたレーザ光を分岐することによって、それぞれの前記レーザ光を形成することを特徴とする、請求項１２に記載の基板の分割方法。
【請求項１５】
前記複数のレーザ光の強度は、前記複数のレーザ光が前記集光領域に集光された状態で、当該集光領域に位置する前記基板の部分に前記改質領域を形成することが可能な強度であり、それぞれの前記レーザ光の強度は、前記基板の部分に前記改質領域を形成することができない強度であることを特徴とする、請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の基板の分割方法。
【請求項１６】
前記位相調整工程では、前記レーザ光における、前記レーザ光源のレーザ光射出口から前記レーザ光を集光するための光学素子の入射口に至る光路長を調整することによって、集光されたそれぞれの前記レーザ光の位相が、前記集光領域において実質的に一致するように調整することを特徴とする、請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載の基板の分割方法。
【請求項１７】
前記基板が、第一副基板が区画形成された第一基板と、第二副基板が区画形成された第二基板とを有するマザー複合基板であることを特徴とする、請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載の基板の分割方法。
【請求項１８】
前記基板を分割して形成される複合基板は、前記第一副基板と前記第二副基板とを備え、前記第一副基板と前記第二副基板とが、その基板面に平行な方向において少なくとも一部分で互いに重なっていることを特徴とする、請求項１７に記載の基板の分割方法。
【請求項１９】
電気光学装置が区画形成された電気光学基板の分割予定面に改質領域を連ねた改質帯を形成し、当該改質帯を起点として前記電気光学基板を分割して前記電気光学装置を形成する電気光学装置の製造方法であって、
複数のレーザ光のそれぞれのレーザ光が、略同一の集光領域に集光されるように、それぞれの前記レーザ光の集光位置を調節する集光位置調節工程と、
集光されたそれぞれの前記レーザ光の位相が、前記集光領域において実質的に一致するように、前記集光領域における前記レーザ光の位相を調整する位相調整工程と、
前記複数のレーザ光を前記分割予定面の部分を含む領域に集光させて、当該領域を含む領域に前記改質領域を形成し、当該改質領域連ねてなる前記改質帯を形成する改質帯形成工程と、
前記改質帯において前記電気光学基板を分離するような力を前記電気光学基板に印加することにより、前記電気光学基板を前記分割予定面において分割する分割工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２０】
それぞれの前記レーザ光を、それぞれの前記レーザ光毎に、個別のレーザ光源から射出することを特徴とする、請求項１９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２１】
単一のレーザ光源から射出されたレーザ光を分岐することによって、それぞれの前記レーザ光を形成することを特徴とする、請求項１９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２２】
前記複数のレーザ光の強度は、前記複数のレーザ光が前記集光領域に集光された状態で、当該集光領域に位置する前記電気光学基板の部分に前記改質領域を形成することが可能な強度であり、それぞれの前記レーザ光の強度は、前記電気光学基板の部分に前記改質領域を形成することができない強度であることを特徴とする、請求項１８乃至２１のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２３】
前記位相調整工程では、前記レーザ光における、前記レーザ光源のレーザ光射出口から前記レーザ光を集光するための光学素子の入射口に至る光路長を調整することによって、集光されたそれぞれの前記レーザ光の位相が、前記集光領域において実質的に一致するように調整することを特徴とする、請求項１８乃至２２のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２４】
前記電気光学基板は、前記電気光学装置を構成する素子基板が区画形成されたマザー素子基板と、前記電気光学装置を構成する対向基板が区画形成されたマザー対向基板とを有することを特徴とする、請求項１９乃至２３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２５】
前記電気光学装置は、前記素子基板と前記対向基板とが、その基板面に平行な方向において少なくとも一部分で互いに重なっていることを特徴とする、請求項２４に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置、及びレーザ加工方法、基板の内部に改質領域を形成して当該基板を分割する基板の分割方法、及び電気光学基板を分割して電気光学装置を形成する電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、基板などの加工対象物を任意のラインに沿って切断する技術として、加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を、切断予定ラインに沿って形成し、当該改質領域を利用して切断する技術が知られている。この技術によれば、わずかな力を加えるだけで、改質領域を起点にして加工対象物を切断することができる。この技術は、切断屑が生じないので、微細な加工に適している。ここで、加工対象物の内部における多光子吸収は、レーザ加工装置を用いて、レーザ光を加工対象物に照射し、改質させる部分に当該レーザ光を集光させることによって生じさせる。特許文献１には、レーザ加工装置を用いてパルスレーザ光を加工対象物に照射し、当該パルスレーザ光を集光させることによって、加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工方法が開示されている。
【０００３】
加工対象物の厚さが加工対象物の厚さ方向の改質領域の幅に比べて大きい場合には、一つの切断予定ラインに対して、加工対象物の厚さ方向についての集光点の位置を変えながら複数回の改質領域形成工程を実行し、改質領域を加工対象物の厚さ方向に積層して、加工対象物の平面方向の改質領域の面積を増すことなく、厚さ方向全域に渉る改質領域を形成している。特許文献２には、加工対象物の厚さが加工対象物の厚さ方向の改質領域の幅に比べて大きい場合に、一つの切断予定ラインに対して、加工対象物の厚さ方向についての集光点の位置を変えながら複数回の改質領域形成工程を実行することで、改質領域を加工対象物の厚さ方向に積層して、加工対象物の平面方向の改質領域の面積を増すことなく、厚さ方向全域にわたる改質領域を形成する方法が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１９２３６７号公報
【特許文献２】特開２００２−２０５１８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、集光されたレーザ光は、集光された位置において、必ずしも全てが吸収されないため、レーザ光の進行方向において、改質領域を形成するべき部分よりさらに先の部分にまで、レーザ光が照射される可能性があった。レーザ光が照射された部分は、レーザ光によって、なんらかの加工が施される。このため、改質領域が形成されるべきでない部分に、改質領域が形成されることによって、形成された部分の強度が低下するというような課題があった。また、当該部分に回路配線などが形成されている場合には、配線が溶融されることによって、断線したり、周囲の配線と短絡したりする可能性があるという課題もあった。また、加工対象物上に別部材が配置されている加工対象物を分割する場合には、加工対象物に入射する前のレーザ光が、当該別部材に当たることによって、別部材にレーザ光によって、なんらかの加工が施され、別部材が損なわれる可能性があるという課題もあった。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するものであり、レーザ光によって加工対象部分以外の部分が加工されることを抑制することができる、レーザ加工装置、レーザ加工方法、基板の分割方法、及び電気光学装置の製造方法を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によるレーザ加工装置は、加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物を透過可能な複数のレーザ光を射出するレーザ発光部と、前記複数のレーザ光のそれぞれのレーザ光をそれぞれ略同一の領域に集光する複数の光学素子と、複数の前記レーザ光の相互の位相関係を調整するための位相調整手段と、を備え、前記加工対象物の内部に設定された前記改質領域を形成するべき領域に前記複数のレーザ光を集光することにより、前記改質領域を形成することを特徴とする。
【０００８】
本発明に係るレーザ加工装置によれば、複数の光学素子は、複数のレーザ光のそれぞれのレーザ光を略同一の領域に集光する。これにより、当該領域に複数のレーザ光のエネルギを集中することができるため、必要なエネルギに対して個別のレーザ光のエネルギを小さくすることができる。また、位相調整手段によって、複数のレーザ光の位相関係を調整することにより、集光領域において集光された複数のレーザ光が、互いに打ち消しあうことなく足し合わされるような位相関係にすることができるため、複数のレーザ光のエネルギを、互いに打ち消しあうことを抑制して効率良く集中させることができる。個別のレーザ光のエネルギを小さくすることにより、加工するべき部分である複数のレーザ光が集光される部分以外の部分が、個別のレーザ光によって加工されることを抑制することができる。
【０００９】
本発明において、レーザ加工装置は、前記位相調整手段が、集光されたそれぞれの前記レーザ光の位相が、集光領域において実質的に同じ位相となるように、前記集光領域における前記レーザ光の位相を調整することが好ましい。
【００１０】
一般的に、互いに干渉するレーザ光は、位相が一致した部分では、二つのレーザ光のエネルギが加算されて、エネルギ密度が高くなる。このレーザ加工装置によれば、レーザ光は、加工対象物の加工するべき部分である集光領域に集光され、当該集光領域において、互いに位相が一致するように調整される。これにより、集光領域に集光されたレーザ光のエネルギが、互いに打ち消しあうことなく、効率良く集光領域に印加されることで、当該領域を効率良く加工することができる。
【００１１】
本発明において、レーザ加工装置は、前記レーザ発光部が、複数のレーザ光源を有し、当該複数のレーザ光源のそれぞれのレーザ光源が前記レーザ光を射出することが好ましい。
【００１２】
このレーザ加工装置によれば、略同一の領域に集光された複数のレーザ光のエネルギによって加工を実行する。これにより、単独では、改質領域を形成できるだけのエネルギを有するレーザ光を射出できないような、出力が小さいレーザ光源であっても、改質領域を形成するためのレーザ光源として用いることができる。
【００１３】
本発明において、レーザ加工装置は、前記レーザ発光部が、レーザ光源から射出された単一のレーザ光を複数の前記レーザ光に分岐する分岐手段を有することが好ましい。
【００１４】
このレーザ加工装置によれば、複数のレーザ光のそれぞれのレーザ光は、単独の光源から射出されたレーザ光が分岐されて形成される。単独の光源から射出されて分岐されたそれぞれのレーザ光は、同じ波長を有するため、位相を合わせることが容易であり、集光領域において位相を合わせることを容易に実現することができる。
【００１５】
本発明において、レーザ加工装置は、前記複数のレーザ光の強度が、前記複数のレーザ光が前記集光領域に集光された状態で、当該集光領域に位置する前記加工対象物の部分を加工することが可能な強度であり、それぞれの前記レーザ光の強度が、前記加工対象物の部分を加工することができない強度であることが好ましい。
【００１６】
このレーザ加工装置によれば、複数のレーザ光が集光領域に集光された状態で、当該集光領域に位置する加工対象物の部分を加工することが可能な強度であることから、加工対象物の加工するべき部分を集光領域にすることによって、当該部分を加工することができる。また、それぞれのレーザ光の強度は、加工対象物の部分を加工することができない強度であることから、レーザ光によって、加工するべきでない部分が加工されることを抑制することができる。
【００１７】
本発明において、レーザ加工装置は、前記位相調整手段が、前記レーザ光における、前記レーザ光源のレーザ光射出口から前記光学素子の入射口に至る光路長を調整する、光路長調整装置を有し、集光されたそれぞれの前記レーザ光の位相が前記集光領域において実質的に一致するように、前記レーザ光の前記光路長を調整することが好ましい。
【００１８】
集光位置におけるレーザ光の位相は、レーザ光が集光位置に至る光路長によって異なる。このレーザ加工装置によれば、レーザ光源のレーザ光射出口から光学素子の入射口に至る光路長を調整することによって、レーザ光射出口から集光領域に至る光路長を調整することができるため、集光領域におけるレーザ光の位相を調整して、レーザ光の位相が集光領域において実質的に一致するようにすることができる。
【００１９】
本発明によるレーザ加工方法は、複数のレーザ光のそれぞれのレーザ光が、略同一の集光領域に集光されるように、それぞれの前記レーザ光の集光位置を調節する集光位置調節工程と、集光されたそれぞれの前記レーザ光の位相が、前記集光領域において実質的に一致するように、前記集光領域における前記レーザ光の位相を調整する位相調整工程と、前記複数のレーザ光を加工対象物の内部に設定された前記集光領域に集光させて、当該集光領域に改質領域を形成し、当該改質領域からなる改質帯を前記加工対象物の内部に形成する改質帯形成工程と、を有することを特徴とする。
【００２０】
本発明に係るレーザ加工方法によれば、複数のレーザ光のそれぞれのレーザ光を略同一の集光領域に集光する。これにより、当該集光領域に複数のレーザ光のエネルギを集中することができるため、必要なエネルギに対して個別のレーザ光のエネルギを小さくすることができる。また、レーザ光の位相が、集光領域において実質的に一致するようにレーザ光の位相を調整する。これにより、集光領域において集光された複数のレーザ光が、互いに打ち消しあうことなく足し合わされるような位相関係となるため、複数のレーザ光のエネルギを、互いに打ち消しあうことを抑制して効率良く集光領域に集中させることができる。個別のレーザ光のエネルギを小さくすることにより、改質領域を形成するべき部分である複数のレーザ光が集光される部分以外の部分に、個別のレーザ光によって改質領域が形成されたり、当該部分が加工されたりすることを抑制することができる。
【００２１】
本発明において、レーザ加工方法は、それぞれの前記レーザ光を、それぞれの前記レーザ光毎に、個別のレーザ光源から射出することが好ましい。
【００２２】
このレーザ加工方法によれば、略同一の領域に集光された複数のレーザ光のエネルギによって加工を実行する。これにより、単独では、改質領域を形成できるだけのエネルギを有するレーザ光を射出できないような、出力が小さいレーザ光源であっても、改質領域を形成するためのレーザ光源として用いることができる。
【００２３】
本発明において、レーザ加工方法は、単一のレーザ光源から射出されたレーザ光を分岐することによって、それぞれの前記レーザ光を形成することが好ましい。
【００２４】
このレーザ加工方法によれば、複数のレーザ光のそれぞれのレーザ光は、単独の光源から射出されたレーザ光が分岐されて形成される。単独の光源から射出されて分岐されたそれぞれのレーザ光は、同じ波長を有するため、位相を合わせることが容易であり、集光領域において位相を合わせることを容易に実現することができる。
【００２５】
本発明において、レーザ加工方法は、前記複数のレーザ光の強度が、前記複数のレーザ光が前記集光領域に集光された状態で、当該集光領域に位置する前記加工対象物の部分を加工することが可能な強度であり、それぞれの前記レーザ光の強度が、前記加工対象物の部分を加工することができない強度であることが好ましい。
【００２６】
このレーザ加工方法によれば、複数のレーザ光が集光領域に集光された状態で、当該集光領域に位置する加工対象物の部分を加工することが可能な強度であることから、加工対象物の加工するべき部分を集光領域にすることによって、当該部分を加工することができる。また、それぞれのレーザ光の強度は、加工対象物の部分を加工することができない強度であることから、レーザ光によって、加工するべきでない部分が加工されることを抑制することができる。
【００２７】
本発明において、レーザ加工方法は、前記位相調整工程では、前記レーザ光における、前記レーザ光源のレーザ光射出口から前記レーザ光を集光するための光学素子の入射口に至る光路長を調整することによって、集光されたそれぞれの前記レーザ光の位相が、前記集光領域において実質的に一致するように調整することが好ましい。
【００２８】
集光位置におけるレーザ光の位相は、レーザ光が集光位置に至る光路長によって異なる。このレーザ加工方法によれば、レーザ光源のレーザ光射出口から光学素子の入射口に至る光路長を調整することによって、レーザ光射出口から集光領域に至る光路長を調整することができるため、集光領域におけるレーザ光の位相を調整して、レーザ光の位相が集光領域において実質的に一致するように調整することができる。
【００２９】
本発明による基板の分割方法は、基板の分割予定面に改質領域を連ねた改質帯を形成し、当該改質帯を起点として前記基板を分割する基板の分割方法であって、複数のレーザ光のそれぞれのレーザ光が、略同一の集光領域に集光されるように、それぞれの前記レーザ光の集光位置を調節する集光位置調節工程と、集光されたそれぞれの前記レーザ光の位相が、前記集光領域において実質的に同じ位相となるように、前記集光領域における前記レーザ光の位相を調整する位相調整工程と、前記複数のレーザ光を前記分割予定面の部分を含む領域に集光させて、当該領域を含む領域に前記改質領域を形成し、当該改質領域連ねてなる前記改質帯を形成する改質帯形成工程と、前記改質帯において前記基板を分離するような力を前記基板に印加することにより、前記基板を前記分割予定面において分割する分割工程と、を有することを特徴とする。
【００３０】
本発明に係る基板の分割方法によれば、複数のレーザ光のそれぞれのレーザ光を略同一の集光領域に集光する。これにより、当該集光領域に複数のレーザ光のエネルギを集中することができるため、必要なエネルギに対して個別のレーザ光のエネルギを小さくすることができる。また、レーザ光の位相が、集光領域において実質的に一致するようにレーザ光の位相を調整する。これにより、集光領域において集光された複数のレーザ光が、互いに打ち消しあうことなく足し合わされるような位相関係となるため、複数のレーザ光のエネルギを、互いに打ち消しあうことを抑制して効率良く集光領域に集中させることができる。個別のレーザ光のエネルギを小さくすることにより、改質領域を形成するべき部分である複数のレーザ光が集光される部分以外の部分に、個別のレーザ光によって改質領域が形成されたり、当該部分が加工されたりすることを抑制することができる。
【００３１】
本発明において、基板の分割方法は、それぞれの前記レーザ光を、それぞれの前記レーザ光毎に、個別のレーザ光源から射出することが好ましい。
【００３２】
この基板の分割方法によれば、略同一の領域に集光された複数のレーザ光のエネルギによって改質領域を形成する。これにより、単独では、改質領域を形成できるだけのエネルギを有するレーザ光を射出できないような、出力が小さいレーザ光源であっても、基板の分割予定面に改質領域を形成するためのレーザ光源として用いることができる。
【００３３】
本発明において、基板の分割方法は、単一のレーザ光源から射出されたレーザ光を分岐することによって、それぞれの前記レーザ光を形成することが好ましい。
【００３４】
この基板の分割方法によれば、複数のレーザ光のそれぞれのレーザ光は、単独の光源から射出されたレーザ光が分岐されて形成される。単独の光源から射出されて分岐されたそれぞれのレーザ光は、同じ波長を有するため、位相を合わせることが容易であり、集光領域において位相を合わせることを容易に実現することができる。
【００３５】
本発明において、基板の分割方法は、前記複数のレーザ光の強度は、前記複数のレーザ光が前記集光領域に集光された状態で、当該集光領域に位置する前記基板の部分に前記改質領域を形成することが可能な強度であり、それぞれの前記レーザ光の強度は、前記基板の部分に前記改質領域を形成することができない強度であることが好ましい。
【００３６】
この基板の分割方法によれば、複数のレーザ光が集光領域に集光された状態で、当該集光領域に位置する基板の部分に改質領域を形成することが可能な強度であることから、基板の改質領域を形成するべき部分を集光領域にすることによって、当該部分に改質領域を形成することができる。また、それぞれのレーザ光の強度は、基板の部分に改質領域を形成することができない強度であることから、改質領域を形成するべき部分である複数のレーザ光が集光される部分以外の部分に、個別のレーザ光によって改質領域が形成されたり、当該部分が加工されたりすることを抑制することができる。
【００３７】
本発明において、基板の分割方法は、前記位相調整工程では、前記レーザ光における、前記レーザ光源のレーザ光射出口から前記レーザ光を集光するための光学素子の入射口に至る光路長を調整することによって、集光されたそれぞれの前記レーザ光の位相が、前記集光領域において実質的に一致するように調整することが好ましい。
【００３８】
集光位置におけるレーザ光の位相は、レーザ光が集光位置に至る光路長によって異なる。この基板の分割方法によれば、レーザ光源のレーザ光射出口から光学素子の入射口に至る光路長を調整することによって、レーザ光射出口から集光領域に至る光路長を調整することができるため、集光領域におけるレーザ光の位相を調整して、レーザ光の位相が集光領域において実質的に一致するように調整することができる。
【００３９】
本発明において、基板の分割方法は、前記基板が、第一副基板が区画形成された第一基板と、第二副基板が区画形成された第二基板とを有するマザー複合基板であることが好ましい。
【００４０】
この基板の分割方法によれば、第一基板と第二基板とを有するマザー複合基板は、第一基板又は第二基板の一方の基板にレーザ光を集光させることによって改質領域を形成する際に、当該レーザ光がもう一方の基板に照射される可能性が高い。しかし、レーザ光が集光される部分以外の部分に、個別のレーザ光によって改質領域が形成されたり、当該部分が加工されたりすることを抑制することができるため、第一基板又は第二基板の一方に改質領域を形成するためにレーザ光を集光させることによって、他方に改質領域が形成されたり、なんらかの加工が施されたりする可能性を極めて小さくすることができる。
【００４１】
本発明において、基板の分割方法は、前記基板を分割して形成される複合基板は、前記第一副基板と前記第二副基板とを備え、前記第一副基板と前記第二副基板とが、その基板面に平行な方向において少なくとも一部分で互いに重なっていることが好ましい。
【００４２】
この基板の分割方法によれば、マザー複合基板を分割して形成される複合基板は、第一副基板と第二副基板とが、その基板面に平行な方向において少なくとも一部分で互いに重なっているため、第一副基板又は第二副基板の境界面にレーザ光を集光させることによって改質領域を形成する際に、当該レーザ光が、基板面に平行な方向において重なる位置にあるもう一方の基板に照射される可能性が高い。しかし、レーザ光が集光される部分以外の部分に、個別のレーザ光によって改質領域が形成されたり、当該部分が加工されたりすることを抑制することができるため、第一基板又は第二基板の一方に改質領域を形成するためにレーザ光を集光させることによって、他方に改質領域が形成されたり、なんらかの加工が施されたりする可能性を極めて小さくすることができる。
【００４３】
本発明による電気光学装置の製造方法は、電気光学装置が区画形成された電気光学基板の分割予定面に改質領域を連ねた改質帯を形成し、当該改質帯を起点として前記電気光学基板を分割して前記電気光学装置を形成する電気光学装置の製造方法であって、複数のレーザ光のそれぞれのレーザ光が、略同一の集光領域に集光されるように、それぞれの前記レーザ光の集光位置を調節する集光位置調節工程と、集光されたそれぞれの前記レーザ光の位相が、前記集光領域において実質的に一致するように、前記集光領域における前記レーザ光の位相を調整する位相調整工程と、前記複数のレーザ光を前記分割予定面の部分を含む領域に集光させて、当該領域を含む領域に前記改質領域を形成し、当該改質領域連ねてなる前記改質帯を形成する改質帯形成工程と、前記改質帯において前記電気光学基板を分離するような力を前記電気光学基板に印加することにより、前記電気光学基板を前記分割予定面において分割する分割工程と、を有することを特徴とする。
【００４４】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、複数のレーザ光のそれぞれのレーザ光を略同一の集光領域に集光する。これにより、当該集光領域に複数のレーザ光のエネルギを集中することができるため、必要なエネルギに対して個別のレーザ光のエネルギを小さくすることができる。また、レーザ光の位相が、集光領域において実質的に一致するようにレーザ光の位相を調整する。これにより、集光領域において集光された複数のレーザ光が、互いに打ち消しあうことなく足し合わされるような位相関係となるため、複数のレーザ光のエネルギを、互いに打ち消しあうことを抑制して効率良く集光領域に集中させることができる。個別のレーザ光のエネルギを小さくすることにより、改質領域を形成するべき部分である複数のレーザ光が集光される部分以外の部分に、個別のレーザ光によって改質領域が形成されたり、当該部分が加工されたりすることを抑制することができる。
【００４５】
本発明において、電気光学装置の製造方法は、それぞれの前記レーザ光を、それぞれの前記レーザ光毎に、個別のレーザ光源から射出することが好ましい。
【００４６】
この電気光学装置の製造方法によれば、略同一の領域に集光された複数のレーザ光のエネルギによって改質領域を形成する。これにより、単独では、改質領域を形成できるだけのエネルギを有するレーザ光を射出できないような、出力が小さいレーザ光源であっても、電気光学基板の分割予定面に改質領域を形成するためのレーザ光源として用いることができる。
【００４７】
本発明において、電気光学装置の製造方法は、単一のレーザ光源から射出されたレーザ光を分岐することによって、それぞれの前記レーザ光を形成することが好ましい。
【００４８】
この電気光学装置の製造方法によれば、複数のレーザ光のそれぞれのレーザ光は、単独の光源から射出されたレーザ光が分岐されて形成される。単独の光源から射出されて分岐されたそれぞれのレーザ光は、同じ波長を有するため、位相を合わせることが容易であり、集光領域において位相を合わせることを容易に実現することができる。
【００４９】
本発明において、電気光学装置の製造方法は、前記複数のレーザ光の強度が、前記複数のレーザ光が前記集光領域に集光された状態で、当該集光領域に位置する前記電気光学基板の部分に前記改質領域を形成することが可能な強度であり、それぞれの前記レーザ光の強度は、前記電気光学基板の部分に前記改質領域を形成することができない強度であることが好ましい。
【００５０】
この電気光学装置の製造方法によれば、複数のレーザ光が集光領域に集光された状態で、当該集光領域に位置する電気光学基板の部分に改質領域を形成することが可能な強度であることから、電気光学基板の改質領域を形成するべき部分を集光領域にすることによって、当該部分に改質領域を形成することができる。また、それぞれのレーザ光の強度は、電気光学基板の部分に改質領域を形成することができない強度であることから、電気光学基板において、改質領域を形成するべき部分である複数のレーザ光が集光される部分以外の部分に、個別のレーザ光によって改質領域が形成されたり、当該部分が加工されたりすることを抑制することができる。
【００５１】
本発明において、電気光学装置の製造方法は、前記位相調整工程では、前記レーザ光における、前記レーザ光源のレーザ光射出口から前記レーザ光を集光するための光学素子の入射口に至る光路長を調整することによって、集光されたそれぞれの前記レーザ光の位相が、前記集光領域において実質的に一致するように調整することが好ましい。
【００５２】
集光位置におけるレーザ光の位相は、レーザ光が集光位置に至る光路長によって異なる。この電気光学装置の製造方法によれば、レーザ光源のレーザ光射出口から光学素子の入射口に至る光路長を調整することによって、レーザ光射出口から集光領域に至る光路長を調整することができるため、集光領域におけるレーザ光の位相を調整して、レーザ光の位相が集光領域において実質的に一致するように調整することができる。
【００５３】
本発明において、電気光学装置の製造方法は、前記電気光学基板が、前記電気光学装置を構成する素子基板が区画形成されたマザー素子基板と、前記電気光学装置を構成する対向基板が区画形成されたマザー対向基板とを有することが好ましい。
【００５４】
この電気光学装置の製造方法によれば、マザー素子基板とマザー対向基板とを有する電気光学基板は、マザー素子基板又はマザー対向基板の一方の基板にレーザ光を集光させることによって改質領域を形成する際に、当該レーザ光がもう一方の基板に照射される可能性が高い。しかし、レーザ光が集光される部分以外の部分に、個別のレーザ光によって改質領域が形成されたり、当該部分が加工されたりすることを抑制することができるため、マザー素子基板又はマザー対向基板の一方に改質領域を形成するためにレーザ光を集光させることによって、他方に改質領域が形成されたり、なんらかの加工が施されたりする可能性を極めて小さくすることができる。
【００５５】
本発明において、電気光学装置の製造方法は、前記電気光学装置において、前記素子基板と前記対向基板とが、その基板面に平行な方向において少なくとも一部分で互いに重なっていることが好ましい。
【００５６】
この電気光学装置の製造方法によれば、電気光学基板を分割して形成される電気光学装置は、素子基板と対向基板とが、その基板面に平行な方向において少なくとも一部分で互いに重なっているため、素子基板又は対向基板の一方境界面にレーザ光を集光させることによって改質領域を形成する際に、当該レーザ光が、基板面に平行な方向において重なる位置にあるもう一方の素子基板又は対向基板基板の面に照射される可能性が高い。しかし、レーザ光が集光される部分以外の部分に、個別のレーザ光によって改質領域が形成されたり、当該部分が加工されたりすることを抑制することができるため、素子基板又は対向基板の一方境界面に改質領域を形成するためにレーザ光を集光させることによって、素子基板又は対向基板の他方の境界面に改質領域が形成されたり、なんらかの加工が施されたりする可能性を極めて小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５７】
以下、本発明に係るレーザ加工装置、レーザ加工方法、基板の分割方法、及び電気光学装置の製造方法の一実施形態について、図面を参照して説明する。本発明の実施形態は、電気光学装置の一例である液晶表示装置を構成する液晶表示パネルを製造する工程において、液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を切断して、個別の液晶表示パネルに分割する工程で用いられる、レーザ加工装置、分割方法、及びレーザ加工方法を例に説明する。
【００５８】
＜レーザ加工装置＞
最初に、液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板８０（図４参照）を液晶表示パネル６０（図３参照）に分割するために用いるレーザ加工装置１０について、図１を参照して説明する。図１は、レーザ加工装置の構成を示す模式図である。
【００５９】
図１に示すように、レーザ加工装置１０は、レーザ光を照射するための構成として、レーザ光源２１と、ハーフミラー１１と、反射鏡１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄと、移動鏡枠１６と、鏡枠スライド機構１４と、ダイクロイックミラー２２と、集光レンズ２３１，２３２と、Ｚ軸スライド機構２４と、撮像装置２９と、を備えている。加工対象物Ｗを保持及び移動するための構成として、ステージ２０と、回動機構２５と、Ｘ軸スライド機構２７と、Ｙ軸スライド機構２６と、機台２８と、を備えている。
【００６０】
レーザ光源２１は、例えばイットリウム−アルミニウム−ガーネットにネオジウムをドープした結晶をレーザ媒質として用いるＮｄ：ＹＡＧレーザであり、レーザ光源２１の励起方式は、ＬＤ励起である。後述するが、加工対象物であるマザー素子基板８１（図４又は図７参照）は、石英ガラスで形成されている。石英ガラスからなるマザー素子基板８１などに改質層を形成するためには、レーザ光は、Ｎｄ：ＹＡＧ−ＴＨＧ（第３高調波）を発振させて用いる。
【００６１】
レーザ光源２１から射出されたレーザ光は、ハーフミラー１１で二方向に分岐される。二方向に分岐された一方のレーザ光は、反射鏡１２ｃと、反射鏡１２ｄとで反射されて、ダイクロイックミラー２２に導かれる。さらに、ダイクロイックミラー２２で反射され、集光レンズ２３１によって加工対象物Ｗの内部に集光される。撮像装置２９は、ダイクロイックミラー２２を挟んで集光レンズ２３１と反対側に位置しており、加工対象物Ｗの像などを撮影する。ハーフミラー１１が、分岐手段に相当し、ハーフミラー１１とレーザ光源２１とが、レーザ発光部に相当する。
【００６２】
二方向に分岐されたもう一方のレーザ光は、反射鏡１２ａによって反射されて、移動鏡枠１６に導かれる。移動鏡枠１６に入射したレーザ光は、移動鏡枠１６に固定された反射鏡１６ａ及び反射鏡１６ｂで反射されることにより光軸方向を１８０度変えて、移動鏡枠１６から射出されて、反射鏡１２ｂに導かれる。さらに、反射鏡１２ｂで反射され、集光レンズ２３２によって、加工対象物Ｗの内部の、集光レンズ２３１によってレーザ光が集光されている部分に集光される。集光レンズ２３１及び集光レンズ２３２が、光学素子に相当する。
【００６３】
集光レンズ２３２は、固定枠２４ｂによって、集光レンズ２３２の光軸と集光レンズ２３１の光軸とが、互いの焦点位置の付近で交差するように、集光レンズ２３１に固定されている。集光レンズ２３１及び集光レンズ２３２を、当該光軸の交差位置がそれぞれの焦点位置となるように焦点調節することで、分岐されたそれぞれのレーザ光が集光される位置を略一致させる。集光レンズ２３１はＺ軸スライド機構２４から延びたスライドアーム２４ａによって支持されており、Ｚ軸スライド機構２４は、ステージ２０に載置された加工対象物Ｗに対して集光レンズ２３１及び集光レンズ２３２を相対的に移動させてレーザ光が集光される位置を加工対象物Ｗの厚み方向（図１のＺ軸方向）で移動させる。
【００６４】
移動鏡枠１６は、鏡枠スライド機構１４にＹ軸方向に移動可能に支持されている鏡枠アーム１４ａによって支持されている。鏡枠スライド機構１４は、鏡枠アーム１４ａを介して移動鏡枠１６をＹ軸方向に移動することによって、対向する反射鏡１２ａと反射鏡１６ａとの距離、及び反射鏡１６ｂと反射鏡１２ｂとの距離を変化させる。即ち、反射鏡１２ａと反射鏡１６ａとの間、及び反射鏡１６ｂと反射鏡１２ｂとの間のレーザ光の光路長を変化させる。レーザ光の光路長を変化させることによって、レーザ光が集光される位置におけるレーザ光の位相を調整することができる。
【００６５】
機台２８は、レーザ加工装置１０を構成する各機構などを支持する枠体である。Ｘ軸スライド機構２７を構成するＸ軸スライド台２７ｂが機台２８に固定されており、Ｘ軸スライド機構２７を構成するＸ軸スライダ２７ａが、Ｘ軸方向に摺動自在且つ固定可能にＸ軸スライド台２７ｂと係合している。Ｙ軸スライド機構２６を構成するＹ軸スライド台２６ｂがＸ軸スライダ２７ａに固定されており、Ｙ軸スライド機構２６を構成するＹ軸スライダ２６ａが、Ｙ軸方向に摺動自在且つ固定可能にＹ軸スライド台２６ｂと係合している。回動機構２５を構成する回動機構台２５ｂがＹ軸スライダ２６ａに固定されており、回動機構２５を構成する回動テーブル２５ａが、Ｚ軸回りに回動自在且つ固定可能に回動機構台２５ｂと係合している。Ｘ軸スライダ２７ａ、Ｙ軸スライダ２６ａ、回動テーブル２５ａは、それぞれＸ軸スライド台２７ｂ、Ｙ軸スライド台２６ｂ、回動機構台２５ｂとの間に構成されたサーボモータ（図示省略）によって駆動される。
【００６６】
ステージ２０は、回動テーブル２５ａに固定されており、加工対象物Ｗを載置するために用いられる。ステージ２０に載置された加工対象物Ｗは、ステージ２０に構成された例えば吸引装置で吸引されて、ステージ２０に固定される。ステージ２０に固定された加工対象物Ｗは、回動機構２５によって、Ｚ軸回りに回動可能であり、集光レンズ２３１及び集光レンズ２３２に対するＸ軸とＹ軸とに平行な方向（平面方向）の姿勢が調整される。さらに、ステージ２０に固定された加工対象物Ｗは、Ｘ軸スライド機構２７と、Ｙ軸スライド機構２６とによって、Ｘ軸とＹ軸とに平行な平面方向に移動され、加工対象物Ｗの任意の部位が集光レンズ２３１及び集光レンズ２３２に対向する位置に移動される。ステージ２０に載置され固定された加工対象物Ｗの厚さ方向がＺ軸方向となる。
【００６７】
レーザ加工装置１０は、上記各構成を制御する制御部としてのメインコンピュータ３０を備えている。メインコンピュータ３０には、ＣＰＵや各種メモリーの他に撮像装置２９が撮像した画像情報を処理する画像処理部３４を有している。撮像装置２９は、同軸落射型光源とＣＣＤ（固体撮像素子）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から射出した可視光は、集光レンズ２３１を透過して焦点を結ぶ。
【００６８】
また、メインコンピュータ３０には、入力部３５と、表示部３６と、レーザ制御部３１と、レンズ制御部３２と、位相制御部１７と、ステージ制御部３３と、が接続されている。入力部３５は、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力するために用いられ、表示部３６は、レーザ加工時の各種情報を表示するために用いられる。レーザ制御部３１は、レーザ光源２１の出力やパルス幅、パルス周期を制御する。レンズ制御部３２は、Ｚ軸スライド機構２４を駆動して集光レンズ２３１及び集光レンズ２３２のＺ軸方向の位置を制御する。位相制御部１７は、鏡枠スライド機構１４を駆動してレーザ光の光路長を変化させることにより、集光レンズ２３２によってレーザ光が集光される位置におけるレーザ光の位相を調整する。ステージ制御部３３は、回動機構２５と、Ｘ軸スライド機構２７と、Ｙ軸スライド機構２６とを駆動するサーボモータ（図示省略）を制御して、ステージ２０をＺ軸回りに回動させ、Ｘ軸方向又はＹ軸方向に移動させる。移動鏡枠１６と、反射鏡１６ａ及び反射鏡１６ｂと、位相制御部１７と、鏡枠スライド機構１４とが、光路長調整装置又は位相調整手段に相当する。
【００６９】
集光レンズ２３１，２３２をＺ軸方向に移動させるＺ軸スライド機構２４には、移動距離を検出可能な位置センサが内蔵されており、レンズ制御部３２は、この位置センサの出力を検出して集光レンズ２３１，２３２のＺ軸方向の位置を制御可能となっている。従って、撮像装置２９の同軸落射型光源から射出した可視光の焦点が加工対象物Ｗの表面と合うように集光レンズ２３１をＺ軸方向に移動させれば、加工対象物Ｗの厚みを計測することが可能である。また、加工対象物Ｗの表面から任意の位置に集光レンズ２３１の集光位置を合わせることも可能である。
【００７０】
＜改質領域の形成＞
ここで、レーザ加工の一例である多光子吸収による改質領域４０（図２参照）の形成について、説明する。加工対象物Ｗが当てられた光に対して透過性を有する材料からなっていても、当該材料の吸収のバンドギャップＥｇよりも光子のエネルギｈνが非常に大きいと吸収が生じる。この吸収を多光子吸収と言う。多光子吸収を加工対象物Ｗの内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギが熱エネルギに転化することで、加工対象物Ｗの内部に微小クラックが形成される。あるいは、レーザ光のパルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物Ｗの内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギが熱エネルギに転化せずに、イオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。本実施形態では、これらの微小クラック形成領域や屈折率変化領域を改質領域４０と呼ぶ。
【００７１】
パルスレーザ光によって改質領域４０を形成する場合、１パルスのレーザ光で１個の改質領域４０を形成する。集光位置を加工対象物Ｗの平面方向に移動させながら当該改質領域４０を形成することで、加工対象物Ｗの平面方向に連続して、又は若干の間隔を隔てて並ぶ、改質領域４０の列を形成する。この改質領域４０の列を、以降、改質層４２（図２参照）と表記する。集光位置を加工対象物Ｗの厚さ方向に移動して、形成されている改質層４２と加工対象物Ｗの平面方向で重なる位置にさらに改質層４２を形成することで、改質層４２が積層して改質領域４０が面状に並んだ領域を形成する。この改質領域４０が面状に並んだ領域を、以降、改質帯４４（図２参照）と表記する。改質帯４４が形成された加工対象物Ｗは、加えられた力が微小な力であっても、改質帯４４をきっかけとして割れが発生し、当該改質帯４４の部分で容易に分割される。
【００７２】
＜改質帯の形成＞
次に、レーザ加工装置１０を用いて、加工対象物Ｗに改質帯４４を形成する工程について、図２を参照して説明する。図２は、加工対象物に改質帯を形成する工程を示す加工対象物の模式断面図である。最初に、図２（ａ）に示したように、レーザ光を、加工対象物Ｗのレーザ光の入射面の反対側の面の近傍に集光することで改質領域４０を形成する。図２に示したレンズ２３１ａは、集光レンズ２３１を構成する対物レンズであり、レンズ２３２ａは、集光レンズ２３２を構成する対物レンズである。改質領域４０の形成と並行して、Ｙ軸スライド機構２６によって加工対象物Ｗを矢印ａの方向に移動することで、改質領域４０が連続した、又は連なった改質層４２を形成する。上述したように、レーザ光の光源であるレーザ光源２１は、ＬＤ励起のＮｄ：ＹＡＧレーザである。本実施形態では、波長３５５ｎｍの第３高調波を用いる。波長３５５ｎｍのレーザ光による改質領域は、微小なクラックが形成された微小クラック形成領域となる。
【００７３】
１層の改質層４２の形成が終了したところで、集光位置を加工対象物Ｗの厚さ方向に移動して、その位置において同様に改質層４２を形成することで、加工対象物Ｗの厚さ方向に改質層４２を積層する。最後に、図２（ｂ）に示したように、レーザ光を、加工対象物Ｗのレーザ光の入射面の近傍に集光して改質領域４０を形成すると共に、加工対象物Ｗを矢印ａの方向に移動することで、入射面の近傍に改質層４２を形成して、図２（ｃ）及び（ｄ）に示したように、加工対象物Ｗの断面の略全面に改質領域４０を連ねた改質帯４４を形成する。なお、図２（ｄ）は、図２（ｃ）に示した断面と略直交する断面であって、改質帯と交差する断面を示す断面図である。加工対象物Ｗに、改質帯４４を挟んだ両側を互いに分離するように力を加えることで、改質帯４４の部分が分断され、概ね改質帯４４を構成する改質領域４０の中心を通る面を切断面として、加工対象物Ｗが切断される。
【００７４】
次に、レーザ加工装置１０を用いて切断する加工対象物Ｗの一例である、液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板、及びレーザ加工装置１０を用いたレーザスクライブ方法によって当該マザー基板を分割（切断）して個々の液晶表示パネルに分離する工程について説明する。
【００７５】
＜液晶表示パネル＞
最初に、液晶表示パネルについて、図３を参照して説明する。図３は、液晶表示パネルの構造を示す概略図である。同図（ａ）は、液晶表示パネルについて、各構成要素と共に対向基板側から見た平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線に沿う概略断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００７６】
図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、液晶表示パネル６０は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子６３を有する素子基板６１と、対向電極６６を有する対向基板６２と、シール材層６４を形成するシール材によって接着された素子基板６１と対向基板６２との隙間に充填された液晶６５とを備えている。素子基板６１は対向基板６２より一回り大きく額縁状に張り出した状態となっている。
【００７７】
素子基板６１は、厚さおよそ１．２ｍｍの石英ガラス基板を用いており、その表面には画素を構成する画素電極（図示省略）と、３端子のうちの一つが画素電極に接続されたＴＦＴ素子６３が形成されている。ＴＦＴ素子６３の残りの２端子は、画素電極を囲んで互いに絶縁状態で格子状に配置されたデータ線（図示省略）と走査線（図示省略）とに接続されている。データ線に接続された配線７２ａは、Ｙ軸方向に引き出されて端子部７０においてデータ線駆動回路部６９に接続されている。走査線は、Ｘ軸方向に引き出され、左右の額縁領域に形成された２つの走査線駆動回路部７３，７３に個々に接続されている。各データ線駆動回路部６９及び走査線駆動回路部７３の入力側配線である配線７２ｂは、端子部７０に沿って配列した実装端子７１にそれぞれ接続されている。端子部７０とは反対側の額縁領域には、２つの走査線駆動回路部７３，７３を繋ぐ配線７２ｃが設けられている。
【００７８】
対向基板６２は、厚みおよそ１．０ｍｍの透明なガラス基板を用いており、共通電極としての対向電極６６が設けられている。対向電極６６は、対向基板６２の四隅に設けられた上導通端子７４ａ（図６（ａ）参照）と配線７６（図６（ａ）参照）を介して接続されている。上導通端子７４ａは、上下導通部７４を介して素子基板６１側に設けられた下導通端子７４ｂ（図７（ａ）参照）と導通している。下導通端子７４ｂには、配線７２ｄが接続されており、当該配線７２ｄも端子部７０に設けられた実装端子７１に接続されている。
【００７９】
画素とデータ線と走査線とデータ線駆動回路部６９と実装端子７１と走査線駆動回路部７３と配線７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄと下導通端子７４ｂとを総称して、下セルパターン７７ｂと表記する（図７（ａ）参照）。対向電極６６と上導通端子７４ａと配線７６とを総称して、上セルパターン７７ａと表記する（図６（ａ）参照）。配線７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄを総称して、配線７２とも表記する。
【００８０】
液晶６５に面する素子基板６１の表面及び対向基板６２の表面には、それぞれ配向膜６７，６８が形成されている。上述したように、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてあり、液晶６５の層は対向基板６２などと同程度の厚さに描いてあるが、実際は、数ミクロン程度の厚さのものが多く用いられている。
【００８１】
液晶表示パネル６０は、外部駆動回路と電気的に繋がる中継基板が実装端子７１に接続される。そして、外部駆動回路からの入力信号が各データ線駆動回路部６９及び走査線駆動回路部７３に入力されることにより、ＴＦＴ素子６３が画素電極ごとにスイッチングされ、画素電極と対向電極６６との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。
【００８２】
なお、液晶表示パネル６０においては、使用する液晶６５の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置される（図示省略）。また、液晶表示パネル６０をカラー表示用として構成する場合には、対向基板６２において、素子基板６１の各画素電極に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜と共に形成する。
【００８３】
＜液晶表示パネルマザー基板＞
次に、液晶表示パネル６０が区画形成されたマザー基板８０について説明する。図４は、液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を示す概略図である。同図（ａ）は、対向基板側から見た平面図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った概略断面図である。
【００８４】
図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、マザー基板８０は、マザー素子基板８１とマザー対向基板８２とが接着されて形成されている。マザー素子基板８１には、１つの液晶表示パネル６０の素子基板６１に相当する素子基板区画６１ａが複数区画形成されている。マザー対向基板８２には、１つの液晶表示パネル６０の対向基板６２に相当する対向基板区画６２ａが複数区画形成されている。マザー素子基板８１とマザー対向基板８２とは、素子基板区画６１ａと対向基板区画６２ａとの位置関係が、液晶表示パネル６０における素子基板６１と対向基板６２との位置関係となるように、シール材層６４を形成するシール材によって貼り合わされている。シール材層６４によって囲まれたマザー素子基板８１とマザー対向基板８２との隙間には、液晶６５が充填されている。
【００８５】
マザー基板８０から液晶表示パネル６０を切出すための切断面をそれぞれ、Ｈ素子切断面８４、Ｖ素子切断面８６、Ｈ対向切断面８７、Ｖ対向切断面８８と表記する。Ｈ素子切断面８４は、二点鎖線で示したマザー素子基板８１の切断面であり、図４（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。Ｖ素子切断面８６は、二点鎖線で示したマザー素子基板８１の切断面であり、図４（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。Ｈ対向切断面８７は、一点鎖線で示したマザー対向基板８２の切断面であり、図４（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。Ｖ対向切断面８８は、一点鎖線で示したマザー対向基板８２の切断面であり、図４（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。図４に示した、８４ａ，８４ｂ，８４ｃは、それぞれＨ素子切断面８４であり、８６ａ，８６ｂ，８６ｃは、それぞれＶ素子切断面８６であり、８７ａ，８７ｂ，８７ｃ，８７ｄ，８７ｅは、それぞれＨ対向切断面８７であり、８８ａ，８８ｂ，８８ｃ，８８ｄ，８８ｅは、それぞれＶ対向切断面８８である。
【００８６】
＜液晶表示パネルの形成＞
次に、液晶表示パネル６０を形成する工程について、図５，６，７，８，９，１０を参照して説明する。図５は、液晶表示パネルを形成する工程を示すフローチャートである。ステップＳ１からステップＳ２でマザー対向基板８２を形成し、ステップＳ３からステップＳ７でマザー素子基板８１側を形成し、ステップＳ８からステップＳ１０で、マザー素子基板８１とマザー対向基板８２とを貼り合わせてマザー基板８０を形成し、個別の液晶表示パネル６０に分割する。
【００８７】
最初に、マザー対向基板８２側の工程を説明する。図５のステップＳ１では、ガラスウェハ上に複数の上セルパターン７７ａを形成する。次に、ステップＳ２では、上セルパターン７７ａの対向電極６６が形成された部分を覆う配向膜６７（図３（ｂ）参照）を形成する。ステップＳ２を実行して、図６に示すようなマザー対向基板８２が形成される。
【００８８】
図６は、マザー対向基板の形状を示す平面図である。図６（ａ）は、液晶表示パネル一個分の上セルパターンの平面図であり、図６（ｂ）は、複数の上セルパターンが形成されたマザー対向基板の平面図である。図６（ａ）に示すように、上セルパターン７７ａは、分割されて対向基板６２（図３（ｂ）参照）を構成する領域であって、一点鎖線で示した方形の領域に形成されている。上セルパターン７７ａが形成されており、一点鎖線で囲まれた方形の領域が、上述した対向基板区画６２ａに相当する。図６（ｂ）に示すように、１枚のマザー対向基板８２には、２８個の上セルパターン７７ａが形成されている。また、マザー対向基板８２の外周側の、上セルパターン７７ａが形成されていない部分には、マザー対向基板８２とマザー素子基板８１とを基板の面方向で位置合わせするためのアライメントマーク（図示省略）が形成されている。
【００８９】
マザー基板８０を液晶表示パネル６０に分割する際には、図に一点鎖線で示したＨ対向切断面８７及びＶ対向切断面８８においてマザー対向基板８２を分割することにより、マザー対向基板８２を個別の対向基板６２に分割する。Ｈ対向切断面８７、及びＶ対向切断面８８が、それぞれ分割予定面に相当する。
【００９０】
次に、マザー素子基板８１側の工程を説明する。図５のステップＳ３では、ガラスウェハ上に複数の下セルパターン７７ｂを形成する。次に、ステップＳ４では、下セルパターン７７ｂの画素やデータ線や走査線が形成された画素領域７８（図７（ａ）参照）を覆う配向膜６８（図３（ｂ）参照）を形成する。ステップＳ４を実行することで、図７に示すようなマザー素子基板８１が形成される。
【００９１】
図７は、マザー素子基板の形状を示す平面図である。図７（ａ）は、液晶表示パネル一個分の下セルパターンの平面図であり、図７（ｂ）は、複数の下セルパターンが形成されたマザー素子基板の平面図である。図７（ａ）に示すように、下セルパターン７７ｂは、分割されて素子基板６１（図３（ｂ）参照）を構成する領域であって、二点鎖線で示した方形の領域に形成されている。下セルパターン７７ｂが形成されており、二点鎖線で囲まれた方形の領域が、上述した素子基板区画６１ａに相当する。図７（ｂ）に示すように、１枚のマザー素子基板８１には、２８個の下セルパターン７７ｂが形成されている。また、マザー素子基板８１の外周側の、下セルパターン７７ｂが形成されていない部分には、マザー対向基板８２とマザー素子基板８１とを基板の面方向で位置合わせするためのアライメントマーク（図示省略）が形成されている。
【００９２】
マザー基板８０を液晶表示パネル６０に分割する際には、図に二点鎖線で示したＨ素子切断面８４及びＶ素子切断面８６においてマザー素子基板８１を分割することにより、マザー素子基板８１を個別の素子基板６１に分割する。Ｈ素子切断面８４、及びＶ素子切断面８６が、それぞれ分割予定面に相当する。なお、マザー素子基板８１とマザー対向基板８２とが貼り合わされたマザー基板８０の状態では、マザー対向基板８２を個別の対向基板６２に分割するためのＨ対向切断面８７及びＶ対向切断面８８は、図７（ａ）及び図９に示したように、マザー素子基板８１の基板面に平行な方向において、配線７２と重なる位置に位置する。
【００９３】
次に、図５のステップＳ５では、それぞれの下セルパターン７７ｂにおいて、画素領域７８の周囲のシール材層６４を形成する位置（図４参照）に、シール材を配置する。シール材は、マザー対向基板８２（対向基板６２）とマザー素子基板８１（素子基板６１）とを接着する接着剤と、ギャップ材とで構成されている。ギャップ材は、球形の固体で、マザー対向基板８２（対向基板６２）とマザー素子基板８１（素子基板６１）とに挟持されることで、マザー対向基板８２（対向基板６２）とマザー素子基板８１（素子基板６１）との間のセルギャップを規定する。上述したように、液晶６５の層の厚み、即ちセルギャップは数ミクロンであり、ギャップ材は、セルギャップ値と同程度の直径をもつ、直径数ミクロンの球体である。
【００９４】
次に、ステップＳ６では、それぞれの下セルパターン７７ｂにおいて、シール材層６４の四角の下導通端子７４ｂを覆う位置に、上下導通部７４（図３参照）を形成する導通材を配置する。次に、ステップＳ７では、それぞれの下セルパターン７７ｂにおいて、シール材層６４に囲まれた領域に、液晶６５を配置する。
【００９５】
次に、ステップＳ８では、液晶６５などが配置されたマザー素子基板８１に、ステップＳ２を実行して形成されたマザー対向基板８２を貼り合わせる。ステップＳ８を実行することによって、図４を参照して説明したマザー基板８０が形成される。
【００９６】
次に、図５のステップＳ９では、マザー対向基板８２及びマザー素子基板８１のＨ対向切断面８７、Ｖ対向切断面８８、Ｈ素子切断面８４、及びＶ素子切断面８６に沿った領域に、改質帯４４を形成する。改質帯４４の形成は、上述したレーザ加工装置１０を用いて実施する。
【００９７】
ステップＳ９における、レーザ加工装置１０を用いて改質帯４４を形成する工程について、図８及び図９を参照して説明する。図８は、改質帯を形成する工程を示すフローチャートである。
【００９８】
図８のステップＳ２１では、集光レンズ２３１（図１参照）によって集光されたレーザ光の集光位置と、集光レンズ２３２（図１参照）によって集光されたレーザ光の集光位置とが一致するように、集光レンズ２３１，２３２の集光位置を調節する。上述したように、レーザ加工装置１０において、集光レンズ２３２は固定枠２４ｂによって、集光レンズ２３２の光軸と集光レンズ２３１の光軸とが、互いの焦点位置の付近で交差するように、集光レンズ２３１に固定されている。集光レンズ２３１及び集光レンズ２３２を、当該光軸の交差位置がそれぞれの焦点位置となるように焦点調節することで、集光レンズ２３１によって集光されたレーザ光の集光位置と、集光レンズ２３２によって集光されたレーザ光の集光位置とを略一致させる。ステップＳ２１の集光レンズ２３１，２３２の集光位置を調節するステップが、集光位置調節工程に相当する。
【００９９】
次に、ステップＳ２２では、集光レンズ２３１によって集光されたレーザ光の位相と、集光レンズ２３２によって集光されたレーザ光の位相とが、互いに略一致した集光位置において略同位相となるように、集光レンズ２３２によって集光されるレーザ光の集光位置における位相を調整する。上述したように、二つのレーザ光は、レーザ光源２１から射出され、ハーフミラー１１で分岐されたレーザ光であることから、それぞれコヒーレントな光の集まりであり、同じ波長の光である。集光位置に至るまでの光路が異なるため、集光位置において、位相は必ずしも一致しないが、光路長を調整することによって一致させることが可能である。二つのレーザ光はコヒーレントな光の集まりであるため、互いに干渉して、位相が一致した部分では、二つのレーザ光のエネルギが加算されて、エネルギ密度が高くなる。
【０１００】
図１を参照して説明したように、集光レンズ２３２によって集光されるレーザ光は、移動鏡枠１６を通過して集光レンズ２３２に到達する。移動鏡枠１６は、鏡枠スライド機構１４にＹ軸方向に移動可能に支持されている鏡枠アーム１４ａによって支持されている。鏡枠スライド機構１４は、鏡枠アーム１４ａを介して移動鏡枠１６をＹ軸方向に移動することによって、対向する反射鏡１２ａと反射鏡１６ａとの距離、及び反射鏡１６ｂと反射鏡１２ｂとの距離を変化させることが可能である。即ち、反射鏡１２ａと反射鏡１６ａとの間、及び反射鏡１６ｂと反射鏡１２ｂとの間のレーザ光の光路長を変化させることが可能である。これによって、集光レンズ２３２によって集光されるレーザ光の集光位置における位相を調整して、集光位置において、集光レンズ２３２によって集光されたレーザ光の位相を、集光レンズ２３１によって集光されたレーザ光の位相と略同位相にする。
【０１０１】
より詳細には、Ｚ軸スライド機構２４を用いて、ステップＳ２１で一致させた集光位置を、例えばステージ２０の表面に位置させる。当該部分を撮像装置２９によって観測しながら、鏡枠スライド機構１４によって集光レンズ２３２に到達するレーザ光の光路長を変動させる。位相制御部１７は、撮像装置２９による観測から得られる集光位置の輝度のデータ基づいて、当該部分の輝度が最大となるように、鏡枠スライド機構１４を制御する。ステップＳ２２の、集光レンズ２３２によって集光されたレーザ光の位相を、集光レンズ２３１によって集光されたレーザ光の位相と略同位相にする工程が、位相調整工程に相当する。
ステップＳ２１及びステップＳ２２は、レーザ加工装置１０におけるレーザ光の状態を調整する工程であって、改質帯４４を形成する工程の準備段階の工程として、予め実行しておくことが好ましい。
【０１０２】
次に、ステップＳ２３では、マザー対向基板８２のＨ対向切断面８７及びＶ対向切断面８８に沿った領域に、改質帯４４を形成する。図９は、Ｈ対向切断面に改質帯を形成する工程を示すマザー基板の模式断面図である。図９（ａ）は、Ｈ対向切断面を含む断面の断面図であり、図９（ｂ）は、Ｈ対向切断面と交差する断面の断面図である。
【０１０３】
図９に示したように、マザー対向基板８２の内部におけるＨ対向切断面８７の部分を含む領域であって、マザー素子基板８１に臨む面の近傍の領域にレーザ光を集光することで、改質領域４０を形成する。改質領域４０の形成と並行して、Ｙ軸スライド機構２６（図１参照）によってマザー基板８０（マザー対向基板８２）を矢印ａの方向に相対移動させることで、改質領域４０が略連続して、又は一定の間隔を隔てて連なった改質層４２を形成する。
【０１０４】
なお、レーザ光が有するエネルギは、図９に示したレーザ光Ｌ１とレーザ光Ｌ２とがそれぞれ略同一の集光位置に集光されると共に、当該集光位置において、レーザ光Ｌ１の位相とレーザ光Ｌ２の位相とが略同一の位相である場合に改質領域を形成できるエネルギに設定する。レーザ光Ｌ１及びレーザ光Ｌ２は、単独では改質領域を形成できないエネルギに設定する。図９に示したような位置に改質領域を形成する際には、レーザ光Ｌ１又はレーザ光Ｌ２がマザー対向基板８２を透過して、図９に示したレーザ光Ｌ１１又はレーザ光Ｌ２１のように、マザー素子基板８１に照射される可能性がある。しかし、このような場合であっても、レーザ光Ｌ１及びレーザ光Ｌ２は、単独では改質領域を形成できないため、レーザ光Ｌ１１又はレーザ光Ｌ２１によって、マザー素子基板８１の改質帯４４を形成するべき部分以外の部分に、改質領域が形成される可能性は極めて低い。配線７２などに照射されたレーザ光Ｌ１１又はレーザ光Ｌ２１によって、配線７２などが損なわれる可能性も極めて低い。
【０１０５】
図２を参照して説明したように、形成した改質層４２に積層させるように、さらに改質層４２を形成することによって、Ｈ対向切断面８７の略全面にわたって改質領域４０が形成された改質帯４４７（図１０参照）を形成する。
改質帯４４７の形成と同様に、改質層４２を積層することによって、Ｖ対向切断面８８の略全面にわたって改質領域４０が形成された改質帯４４８（図１０参照）を形成する。
【０１０６】
次に、図８のステップＳ２４では、マザー対向基板８２における改質帯４４７及び改質帯４４８の形成と同様にして、マザー素子基板８１のＨ素子切断面８４、又はＶ素子切断面８６の略全面にわたって改質領域４０が形成された、改質帯４４４又は改質帯４４６を形成する。ステップＳ２４を実行して、レーザ加工装置１０を用いて、マザー対向基板８２及びマザー素子基板８１のＨ対向切断面８７、Ｖ対向切断面８８、Ｈ素子切断面８４、及びＶ素子切断面８６に沿った領域に、改質帯４４を形成する工程を終了する。ステップＳ２１及びステップＳ２２が、改質帯形成工程に相当する。マザー素子基板８１及びマザー対向基板８２、又はマザー基板８０が、加工対象物、基板、又は電気光学基板に相当する。
【０１０７】
なお、ステップＳ２１及びステップＳ２２は、一枚のマザー基板８０に対してステップＳ２３及びステップＳ２４を実行する度に実行することは必須ではない。レーザ光の集光位置の精度が保たれる範囲において、複数回のステップＳ２３及びステップＳ２４の実行に対して、ステップＳ２１及びステップＳ２２を一回実行することが効率的である。
【０１０８】
図１０は、改質帯が形成されたマザー基板の断面図である。Ｈ対向切断面８７、及びＶ対向切断面８８（図４）には、それぞれ改質帯４４７又は改質帯４４８が形成されており、Ｈ素子切断面８４、及びＶ素子切断面８６（図４）には、それぞれ改質帯４４４又は改質帯４４６が形成されている。改質帯４４７、改質帯４４８、改質帯４４４、及び改質帯４４６は、形成された態様及び機能が実質的に同一の改質帯４４である。
【０１０９】
次に、図５のステップＳ１０では、マザー基板８０を分割して、個別の液晶表示パネル６０を形成する。マザー基板８０の全てのＨ対向切断面８７、Ｖ対向切断面８８、Ｈ素子切断面８４、及びＶ素子切断面８６に沿った領域に、改質帯４４４又は改質帯４４６又は改質帯４４７又は改質帯４４８が形成されると、上述した素子基板区画６１ａ（図４又は図７参照）及び対向基板区画６２ａ（図４又は図６参照）の周囲に、改質帯４４７、改質帯４４８、改質帯４４４、又は改質帯４４６が形成されている。それぞれの液晶表示パネル６０に相当する部分は、周囲に改質帯４４７、改質帯４４８、改質帯４４４、又は改質帯４４６が形成されており、隣り合う液晶表示パネル６０間に、相対的に移動させる力を加えることにより、形成された改質帯４４７などの部分で容易に分割することができる。
【０１１０】
なお、液晶表示パネル６０が形成されていないマザー基板８０の周辺の部分においても、同様に、Ｈ対向切断面８７、Ｖ対向切断面８８、Ｈ素子切断面８４、及びＶ素子切断面８６に沿った領域に、改質帯４４４又は改質帯４４６又は改質帯４４７又は改質帯４４８が形成されているため、形成された改質帯４４７などの部分で容易に分割することができる。隣り合う液晶表示パネル６０を相対的に移動させる力は、マザー基板８０を弾性シートに貼り付けて当該弾性シートを伸展させるエキスパンド法などの周知の方法を用いて、加えることができる。ステップＳ１０を実行して、液晶表示パネル６０を形成する工程を終了する。
【０１１１】
以下、実施形態の効果を記載する。
（１）レーザ光源２１から射出されたレーザ光は、ハーフミラー１１で二方向に分岐される。改質領域４０を形成するためのレーザ光が二系統で伝達されるため、一系統のレーザ光が有するエネルギを小さくすることができるため、当該レーザ光によって、改質領域４０を形成するべき部分でない部分に改質領域が形成されたり、当該部分が加工されたりすることを抑制することができる。
【０１１２】
（２）ハーフミラー１１で二方向に分岐された一方のレーザ光は、集光レンズ２３１によって加工対象物Ｗの内部に集光される。もう一方のレーザ光は、集光レンズ２３２によって、加工対象物Ｗの内部の、集光レンズ２３１によってレーザ光が集光されている部分に集光される。略同一の集光位置にそれぞれのレーザ光が集光されることにより、当該集光位置にレーザ光のエネルギが集中して印加されるため、当該集光位置に改質領域４０を形成することができる。
【０１１３】
（３）移動鏡枠１６には、反射鏡１６ａ及び反射鏡１６ｂが備えられており、移動鏡枠１６に入射したレーザ光は、反射鏡１６ａ及び反射鏡１６ｂで反射されることにより光軸方向を１８０度変えて、移動鏡枠１６から射出される。従って、移動鏡枠１６を、入射又は射出されるレーザ光の光軸方向に移動することによって、レーザ光の光軸方向を変動させることなく、レーザ光の光路長を変えることができる。
【０１１４】
（４）移動鏡枠１６を移動することによって、レーザ光の光路長を変えることにより、当該レーザ光が集光レンズ２３２によって集光される位置における当該レーザ光の位相を調整することができる。これにより、略同じ位置に集光レンズ２３１によって集光されているレーザ光の当該位置での位相に、集光レンズ２３２によって集光されるレーザ光の当該位置での位相を合わせることができる。
【０１１５】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明の実施形態は、前記実施形態に限らない。本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論であり、以下のように実施することもできる。
【０１１６】
（変形例１）前記実施形態においては、改質領域を形成するために用いるレーザ光は二本であったが、用いるレーザ光が二本であることは必須ではない。三本以上のレーザ光を略一点に集光させる構成であってもよい。集光するレーザ光の本数を多くすることで、一本のレーザ光のエネルギを小さくすることが可能となる。これにより、単独のレーザ光によって、加工するべきでない部分を加工する可能性をより低くすることができる。
【０１１７】
（変形例２）前記実施形態においては、レーザ光源２１から射出されたレーザ光をハーフミラー１１によって分岐することで、二軸のレーザ光を形成していたが、複数のレーザ光を形成するためにレーザ光を分岐することは必須ではない。複数のレーザ光源を備え、それぞれのレーザ光源から射出されるレーザ光を用いる構成であってもよい。複数のレーザ光源を備えることにより、単独では、改質領域を形成できるだけのエネルギを有するレーザ光を射出できないような、出力が小さいレーザ光源であっても、改質領域を形成するためのレーザ光源として用いることができる。複数のレーザ光源を備える場合、当該複数のレーザ光源が、レーザ発光部に相当する。
【０１１８】
（変形例３）前記実施形態においては、レーザ加工装置１０の集光レンズ２３１によって集光されるレーザ光はワークの面に垂直に入射し、集光レンズ２３２によって集光されるレーザ光は傾いて入射していたが、垂直に入射するレーザ光を設けることは必須ではない。例えば、ワークに入射するレーザ光の二本の光軸の方向がワークの面と為す角度が略同一となるように構成してもよい。このように構成すると、レーザ光がワークに入射した位置から集光位置までの距離が理論上等しくなるため、レーザ光がワーク内を進む際に受ける影響がそれぞれのレーザ光において略同等となることから、それぞれのレーザ光が集光される位置を、より正確に一致させることができる。
【０１１９】
（変形例４）前記実施形態においては、液晶表示パネル６０が区画形成されたマザー基板８０を切断して、個別の液晶表示パネル６０に分割する工程で用いられる分割方法及びレーザ加工方法を例に説明したが、分割する対象は液晶表示パネルに限らない。本発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置の製造にも適用できる。例えば、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスの製造にも本発明の適用が可能である。
【０１２０】
（変形例５）前記実施形態においては、加工対象物のマザー対向基板８２及びマザー素子基板８１は石英ガラス基板であったが、加工対象物の素材は石英ガラスに限らない。本発明は、シリコン基板や、水晶から成る水晶基板や、パイレックス（登録商標）やネオセラム（登録商標）やＯＡ−１０から成る基板の加工にも適用することができる。
【０１２１】
（変形例６）前記実施形態においては、レーザ光源２１は、イットリウム−アルミニウム−ガーネットにネオジウムをドープした結晶をレーザ媒質として用いるＮｄ：ＹＡＧレーザであったが、レーザ光源は他のレーザ媒質を用いるレーザ光源であってもよい。例えば、他のＹＡＧレーザやＹＬＦレーザやＹＶＯ４レーザなどを使用してもよい。Ｎｄ：ＹＡＧレーザも、第３高調波以外にも、Ｎｄ：ＹＡＧ基本波などを用いることができる。レーザ媒質や発振させるレーザ光は、加工する材質に合わせて適切なものを選択することが好ましい。
【０１２２】
（変形例７）前記実施形態においては、集光レンズ２３１及び集光レンズ２３２に対してステージ２０をＺ軸に直交する方向に移動することで、集光レンズ２３１及び集光レンズ２３２と、マザー対向基板８２又はマザー素子基板８１と、を相対移動させていたが、ステージ２０側を移動させることは必須ではない。集光レンズ２３１及び集光レンズ２３２側を移動することで、集光レンズ２３１及び集光レンズ２３２と、マザー対向基板８２又はマザー素子基板８１との相対移動を行ってもよい。
【０１２３】
（変形例８）前記実施形態においては、マザー対向基板８２又はマザー素子基板８１に対する集光点のＺ軸方向の位置調整は、Ｚ軸スライド機構２４によって集光レンズ２３１及び集光レンズ２３２を移動することで行っていたが、集光レンズ２３１及び集光レンズ２３２を移動することは必須ではない。マザー対向基板８２又はマザー素子基板８１に対する集光点のＺ軸方向の位置調整は、ステージ２０をＺ軸方向に移動して調整してもよい。ステージ２０側をＺ軸方向に移動可能にすることにより、レーザ光源２１や集光レンズ２３１や集光レンズ２３２を含むレーザ光照射装置がＺ軸方向の調整装置を持たなくてすむため、レーザ光照射装置が調整装置を持つ場合に比べてレーザ光照射装置全体を軽量小型にすることができる。
【０１２４】
（変形例９）前記実施形態においては、改質層は改質領域を互いに略連接するように連ねて形成していたが、改質領域が略連接することは必須ではない。小さい応力をかけて分割できれば、改質領域を互いに間隔を隔てて連ねる構成であってもよい。間隔を隔てることで、改質領域を略連接させる構成に比べて相対移動速度を速くして、加工速度を速くすることができる。
【０１２５】
（変形例１０）前記実施形態においては、改質帯は改質層を互いに略連接するように積層して形成していたが、改質層が略連接することは必須ではない。小さい応力をかけて分割できれば、改質層を互いに間隔を隔てて積層する構成であってもよい。間隔を隔てることで、改質層を略連接させる構成に比べて改質帯の形成に要する時間を短縮することができる。
【０１２６】
（変形例１１）前記実施形態においては、レーザ加工装置１０が位相制御部１７及び鏡枠スライド機構１４を備え、位相制御部１７が鏡枠スライド機構１４を駆動させてレーザ光の光路長を変動させていたが、レーザ加工装置が位相制御部や鏡枠スライド機構を備えることは必須ではない。移動鏡枠１６と、反射鏡１６ａ及び反射鏡１６ｂとを備え、位相制御部や鏡枠スライド機構を備えないレーザ加工装置を用いて、目視で集光位置の輝度を確認しながら、手作業で光路長を変動させることによって、集光位置におけるレーザ光の位相を調整してもよい。この場合、移動鏡枠１６と、反射鏡１６ａ及び反射鏡１６ｂとが、光路長調整装置又は位相調整手段に相当する。
【産業上の利用可能性】
【０１２７】
上述した実施形態においては、加工対象物の一例として、電気光学装置の一例である液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板の分割方法について説明したが、本発明による加工方法は様々な加工対象物の加工方法として利用できる。例えば、ガラス基板の切断に用いられるガラス基板分割方法、水晶発振器などの水晶基板の切断に用いられる水晶基板分割方法、ピエゾ素子などの圧電素子分割方法、プラスチック板分割方法、集積回路などのシリコン基板の分割方法、装置を構成する構成部材が区画形成されたシリコン基板の分割方法などとして、利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】レーザ加工装置の構成を示す模式図。
【図２】加工対象物に改質帯を形成する工程を示す加工対象物の模式断面図。
【図３】液晶表示パネルの構造を示す概略図。
【図４】液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を示す概略図。
【図５】液晶表示パネルを形成する工程を示すフローチャート。
【図６】（ａ）液晶表示パネル一個分の上セルパターンの平面図。（ｂ）複数の上セルパターンが形成されたマザー対向基板の平面図。
【図７】（ａ）液晶表示パネル一個分の下セルパターンの平面図。（ｂ）複数の下セルパターンが形成されたマザー素子基板の平面図。
【図８】改質帯を形成する工程を示すフローチャート。
【図９】（ａ）Ｈ対向切断面に改質帯を形成する工程を示す、マザー基板のＨ対向切断面を含む断面の断面図。（ｂ）Ｈ対向切断面に改質帯を形成する工程を示す、マザー基板のＨ対向切断面と交差する断面の断面図。
【図１０】改質帯が形成されたマザー基板の断面図。
【符号の説明】
【０１２９】
１０…レーザ加工装置、１１…ハーフミラー、１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ…反射鏡、１４…鏡枠スライド機構、１６…移動鏡枠、１６ａ，１６ｂ…反射鏡、１７…位相制御部、２２…ダイクロイックミラー、２４…Ｚ軸スライド機構、３０…メインコンピュータ、３１…レーザ制御部、３２…レンズ制御部、３３…ステージ制御部、４０…改質領域、４２…改質層、４４…改質帯、６０…液晶表示パネル、６１…素子基板、６２…対向基板、７２，７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄ…配線、８０…マザー基板、８１…マザー素子基板、８２…マザー対向基板、８４…Ｈ素子切断面、８６…Ｖ素子切断面、８７…Ｈ対向切断面、８８…Ｖ対向切断面、２３１，２３２…集光レンズ、４４４，４４６，４４７，４４８…改質帯、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ１１，Ｌ２１…レーザ光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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