(57)【要約】【課題】出力電流変化を抑制しつつ熱保護制御のための出力電流制限を行う車両用交流発電機の制御装置の温度保護装置を提供すること。【解決手段】励磁制御信号発生回路２１又は励磁電流制御用のトランジスタ２２の温度Tが作動しきい値温度ＴＰＬを超える場合に励磁電流制御用のトランジスタ２２の導通率を低下させる熱保護制御を行い、温度Tが解除しきい値温度ＴＰＨを下回る場合にこの熱保護制御を解除する。本発明では特に、解除しきい値温度ＴＰＨを作動しきい値温度ＴＰＬより高く設定する。このようにすると、車両用交流発電機の熱保護制御時のトルクショックを軽減することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワースイッチング素子を内蔵するスイッチング回路部と、
前記スイッチング回路部の温度を検出する温度検出回路部と、
検出温度が所定の作動しきい値温度を上回る場合に前記パワースイッチング素子の導通によるその発熱を制限する熱保護制御をオンし、前記検出温度が所定の解除しきい値温度を下回る場合に前記熱保護制御をオフする出力制限回路部と、
を備える車両用交流発電機の制御装置の温度保護装置において、
前記出力制限回路部は、
前記解除しきい値温度を前記作動しきい値温度よりも所定量だけ高く設定することを特徴とする車両用交流発電機の制御装置の温度保護装置。
【請求項２】
請求項１記載の車両用交流発電機の制御装置の温度保護装置において、
前記所定量は、
前記スイッチング回路部の環境温度が所定の最高想定値であり、前記半導体スイッチング素子の導通によるその発熱が所定の最大想定値である場合でも、前記熱保護制御により前記検出温度が前記開始しきい値温度と前記解除しきい値温度との間に維持可能な値に設定される車両用交流発電機の制御装置の温度保護装置。
【請求項３】
請求項１記載の車両用交流発電機の制御装置の温度保護装置において、
前記スイッチング回路部は、
車両用交流発電機の励磁電流を断続制御する励磁電流制御用スイッチング素子からなる前記パワースイッチング素子を内蔵する励磁電流制御回路装置からなり、
前記出力制限回路部は、
前記検出温度が所定の作動しきい値温度を上回る場合に前記励磁電流制御用スイッチング素子の導通率を実質的に制限し、前記検出温度が所定の解除しきい値温度を下回る場合に前記導通率の制限を実質的に解除する車両用交流発電機の制御装置の温度保護装置。
【請求項４】
請求項３記載の車両用交流発電機の制御装置の温度保護装置において、
前記励磁電流制御回路装置は、
バッテリ電圧が所定のしきい値電圧により高い場合に前記導通率を下げ、前記バッテリ電圧が所定のしきい値電圧により低い場合に前記導通率を上げるフィードバック制御を行い、
前記出力制限回路部は、
検出温度が所定の作動しきい値温度を上回る場合に前記しきい値電圧を実質的に下げて前記導通率の制限を行い、前記検出温度が所定の解除しきい値温度を下回る場合に前記しきい値電圧を実質的に上げて前記導通率の制限を解除する車両用交流発電機の制御装置の温度保護装置。
【請求項５】
請求項４記載の車両用交流発電機の制御装置の温度保護装置において、
前記出力制限回路部は、
ＰＷＭ制御される前記励磁電流制御用スイッチング素子のオフにより前記熱保護制御を実施し、前記励磁電流制御用スイッチング素子のオンにより前記熱保護制御の解除を行う車両用交流発電機の制御装置の温度保護装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、車両用交流発電機の励磁電流制御回路装置の熱保護に関する。
【背景技術】
【０００２】
車両用交流発電機の励磁電流制御回路装置（通常、レギュレータと呼ばれる）などのパワーデバイスは大電流の高速スイッチングを行うため、外部温度が高い場合や強制冷却機構の不調などによりパワースイッチング素子が過熱する危険があり、このためパワーデバイスやパワースイッチング素子の温度を検出して、検出温度が所定の作動しきい値温度を上回る場合にパワースイッチング素子の通電電流を制限してその発熱を減らし、検出温度が上記作動しきい値温度より低い解除しきい値温度を下回る場合にパワースイッチング素子の通電電流制限を解除する出力制限動作（熱保護制御とも言う）を行うのが一般的であり、このような熱保護制御は、使用温度範囲が厳しく制限されるパワースイッチング素子内蔵のパワーデバイスでは従来より広範囲に採用されている（特許文献１参照）。また、この熱保護制御における上記通電電流制限は、パワーデバイスのオフにより行われるのが通常であるが、その代わりにその断続における導通率（ＤＵＴＹ）を所定値以下に実質的に制限することも行われている。
【特許文献１】特開２００４−３５７４２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、解除しきい値温度を作動しきい値温度よりも低下させる従来の熱保護制御（以下、正ヒス制御とも言う）では、パワースイッチング素子又はスイッチング回路部は作動しきい値温度までは使用可能であるにもかかわらずパワースイッチング素子又はスイッチング回路部をこの作動しきい値温度より低い解除しきい値温度近傍で動作させる期間が発生することになる。これは、パワースイッチング素子をその許容温度一杯に使用しないことを意味するため、その分だけスイッチング回路部の出力が減少することになる。
【０００４】
また、熱保護制御によるパワースイッチング素子のオフの開始時点や解除時点において、出力電流が急変するという問題もあった。たとえば上記したレギュレータでは、励磁電流制御用スイッチング素子のオン、オフによりエンジンからみた車両用交流発電機の負荷トルクが変動し、これが機械的衝撃力（トルクショック）を発生する。更に具体的に説明すると、従来の車両用交流発電機の励磁電流制御回路装置（レギュレータ）の熱保護制御では、レギュレータ温度が作動しきい値温度より高くなるとバッテリ電圧と比較して励磁電流制御用スイッチング素子を断続するためのしきい値電圧を１〜２V程度低下させて励磁電流制御用スイッチング素子の発熱を抑制し、その温度を低下させる。その後、上記温度低下によりレギュレータ温度が作動しきい値温度より低い解除しきい値温度を下回ると上記しきい値電圧を元の値に復帰させる。この時、上記したトルクショックが発生してしまう。
【０００５】
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、出力電流変化を抑制しつつ熱保護制御のための出力電流制限を行う車両用交流発電機の制御装置の温度保護装置を提供することをその目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するこの発明の車両用交流発電機の制御装置の温度保護装置は、パワースイッチング素子を内蔵するスイッチング回路部と、前記スイッチング回路部の温度を検出する温度検出回路部と、検出温度が所定の作動しきい値温度を上回る場合に前記パワースイッチング素子の導通によるその発熱を制限する熱保護制御をオンし、前記検出温度が所定の解除しきい値温度を下回る場合に前記熱保護制御をオフする出力制限回路部とを備える熱保護型電子回路装置において、前記出力制限回路部が、前記解除しきい値温度を前記作動しきい値温度よりも所定量だけ高く設定することを特徴としている。
【０００７】
すなわち、この発明は、解除しきい値温度を作動しきい値温度より低く設定する従来のヒステリシス方式とは逆に、解除しきい値温度を作動しきい値温度より高く設定する。以下、この解除しきい値温度設定方式を逆ヒステリシス方式とも称する。このようにすると、従来のヒステリシス方式の解除しきい値温度の設定に比べて、スイッチング回路部の温度上昇を抑制しつつその出力電流の急変を円滑化することができる。
【０００８】
また、スイッチング回路部の温度が熱保護制御を開始する作動しきい値温度よりも低い状態までパワースイッチング素子の通電制限を行わないため、熱保護制御によるスイッチング回路部の出力低下を従来のヒステリシス方式の熱保護制御に比べて向上することができる。熱保護制御としては、好適にはパワースイッチング素子のオフが採用されるが、パワースイッチング素子のＰＷＭ制御における導通率（ＤＵＴＹ）を所定値以下に制限してもよい。
【０００９】
なお、解除しきい値温度を作動しきい値温度よりも高く設定すると、きわめて短周期にて熱保護制御が断続するいわゆるハンチング現象が生じると思われがちである。本発明により、熱保護制御はある程度頻繁に断続されることになる。しかし、スイッチング回路部のパワースイッチング素子から温度検出部までの熱抵抗と熱容量とによる応答遅れのために、熱保護制御がきわめて高速に断続するという不具合は生じない。また、スイッチング回路部のパワースイッチング素子は通常、並列接続されたフライホイルダイオード（環流ダイオード）をもち、熱保護制御の作動によるパワースイッチング素子のオフによりその出力電流がただちに遮断されることはない。
【００１０】
好適な態様において、前記所定量は、前記スイッチング回路部の環境温度が所定の最高想定値であり、前記半導体スイッチング素子の導通によるその発熱が所定の最大想定値である場合でも、前記熱保護制御により前記検出温度が前記開始しきい値温度と前記解除しきい値温度との間に維持可能な値に設定される。このようにすれば、回路の出力電流を制限しない通常制御から、回路の出力電流を制限する熱保護制御への移行を、出力電流の急変を抑止しつつ行うことができる。
【００１１】
好適な態様において、前記スイッチング回路部は、車両用交流発電機の励磁電流を断続制御する励磁電流制御用スイッチング素子からなる前記パワースイッチング素子を内蔵する励磁電流制御回路装置からなり、前記出力制限回路部は、前記検出温度が所定の作動しきい値温度を上回る場合に前記励磁電流制御用スイッチング素子の導通率を実質的に制限し、前記検出温度が所定の解除しきい値温度を下回る場合に前記導通率の制限を実質的に解除する。このようにすれば、回路構成の複雑化を抑止しつつ熱保護制御の断続による車両用交流発電機のトルク急変を低減することができる。
【００１２】
好適な態様において、前記励磁電流制御回路装置は、バッテリ電圧が所定のしきい値電圧により高い場合に前記導通率を下げ、前記バッテリ電圧が所定のしきい値電圧により低い場合に前記導通率を上げるフィードバック制御を行い、前記出力制限回路部は、検出温度が所定の作動しきい値温度を上回る場合に前記しきい値電圧を実質的に下げ、前記検出温度が所定の解除しきい値温度を下回る場合に前記しきい値電圧を実質的に上げる。このようにすれば、回路構成の複雑化を抑止しつつ熱保護制御の断続による車両用交流発電機のトルク急変を低減することができる。
【００１３】
好適な態様において、出力制限回路部は、ＰＷＭ制御される前記励磁電流制御用スイッチング素子のオフにより前記熱保護制御を実施し、前記励磁電流制御用スイッチング素子のオンにより前記熱保護制御の解除を行う。このようにすれば、励磁電流制御用スイッチング素子の無駄なスイッチングを低減できるとともに、ハンチングを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の好適な実施形態を以下に説明する。ただし、本発明は下記の実施形態に限定解釈されるべきではなく、本発明の技術思想をその他の技術を組み合わせて実施できることは言うまでもない。本発明を適用した車両用交流発電機を図１を参照して説明する。
【００１５】
（全体構成）
この車両用交流発電機は、図示しない車両用エンジンにより駆動される発電機１と、車両用交流発電機１を制御するための励磁電流制御装置（レギュレータ）２とを有している。３は車載のバッテリである。発電機１は、互いにスター接続されてステータコアに巻装された三相のアーマチャコイル（電機子巻線）４と、三相全波整流器（整流器）５と、励磁コイル６とを有している。アーマチャコイル４の各相コイルに生じた発電電圧は三相全波整流器５で整流されてバッテリ３に供給される。
【００１６】
励磁電流制御装置（本発明で言うパワーデバイス）２について以下に説明する。
【００１７】
励磁電流制御装置２は、励磁制御信号発生回路２１と、励磁電流制御用のトランジスタ（本発明で言うパワースイッチング素子）２２と、フライホイルダイオード２３と、温度センサ２４とを有している。広く知られているように、励磁電流制御装置２は、バッテリ電圧VBと予め設定されたしきい値電圧である制御電圧Vsetとを比較し、比較結果に基づいて形成して励磁電流制御用のトランジスタ２２に印加するＰＷＭ電圧である励磁制御信号電圧Vsのオン・デューティ比（ＤＵＴＹ）を調整する。つまり、バッテリ電圧ＶＢが相対的に高ければオン・デューティ比を減少させ、制御電圧Ｖｓｅｔが相対的に高ければオン・デューティ比を増大させる。その他、アーマチャコイル４の一相電圧VPにより回転数を検出して発電制御を行い、励磁電流制御装置２に内蔵された温度センサ２４が検出した温度信号電圧VTに基づいて励磁電流制御を行う。たとえば、検出した回転数に相当する一相電圧ＶＰの周波数が予め設定された所定値を超えたら発電を開始させたり、温度信号電圧ＶＴが示す温度に基づいて励磁電流のオン・デューティ比を制御する。たとえば、温度信号電圧ＶＴがそれが比較されるしきい値電圧Vreｆより高くなれば励磁電流制御用のトランジスタ２２の導通率の最大値を減少させてその温度上昇を防止し、温度信号電圧ＶＴがそれが比較されるしきい値電圧Vreｆより低くなれば励磁電流制御用のトランジスタ２２の導通率を増大させてその十分な励磁電流出力を許可する。この種の励磁電流制御装置２自体の回路構成及びその動作やその種々のバリエーションについては周知となっているので。説明を省略する。
【００１８】
（励磁制御信号発生回路２１）
この実施形態における励磁制御信号発生回路（信号処理回路とも言う）２１の構成例を図２を参照して具体的に説明する。
【００１９】
励磁制御信号発生回路２１は、温度補償設定回路１１、コンパレータ１２、制御電圧発生回路１３、制御電圧リミッタ１４、コンパレータ１５、アップダウンカウンタ１６、ＰＷＭ信号発生回路１７を有しているが、その他に次段駆動に必要なアンプ（図示省略）なども有している。
【００２０】
制御電圧発生回路１３は、予め設定されたしきい値電圧Ｖｔｈを発生するがその代わりに外部からしきい値電圧Ｖｔｈを示す信号を受信してもよい。簡易には、この種のしきい値電圧Ｖｔｈは定電圧ダイオードを用いて発生される。この実施例では、しきい値電圧Ｖｔｈは１４．５Vとされている。
【００２１】
温度センサ２４は、信号処理回路２１が実装された基板上に励磁電流制御用のトランジスタ２２に近接して配置されたサーミスタ式温度検出回路からなり、温度にほぼ比例した温度信号電圧ＶＴをコンパレータ１２に出力する。
【００２２】
温度補償設定回路１１は、コンパレータ１２に出力するしきい値電圧Ｖｒｅｆを発生する回路である。ただし、この温度補償設定回路１１は、しきい値電圧Ｖｒｅｆとして、そのハイレベル（ＶｒｅｆＨ）とローレベル（ＶｒｅｆＬ）との２種類のしきい値電圧を出力する。温度補償設定回路１１は、互いに直列接続された抵抗素子ｒ１、ｒ２とを有して定電源電圧が印加される抵抗分圧回路と、互いに直列接続された抵抗素子ｒ３とトランジスタTr1とを有して抵抗素子ｒ２と並列接続されたしきい値切り替え回路とにより構成されている。すぐに理解されるように、しきい値電圧ＶｒｅｆはトランジスタＴｒ１のオン時にハイレベルとなり、オフ時にローレベルとなる。
【００２３】
この実施形態では、トランジスタＴｒ１は、後述するＰＷＭ信号発生回路１７が出力する励磁制御信号電圧Ｖｓにより制御されている。すなわち、温度補償設定回路１１は、ＰＷＭパルス信号である励磁制御信号電圧Ｖｓがハイレベルとなったらしきい値電圧Ｖｒｅｆとしてハイレベル（ＶｒｅｆＨ）を、ＰＷＭパルス信号である励磁制御信号電圧Ｖｓがローレベルとなったらしきい値電圧Ｖｒｅｆとしてローレベル（ＶｒｅｆＬ）を出力する。つまり、温度補償設定回路１１は、後述するＰＷＭ信号発生回路１７によりトランジスタＴｒ１を断続してしきい値電圧Ｖｒｅｆを切り替えるという独特の回路構成を有している。これにより、励磁制御信号電圧Ｖｓがハイレベルとなって励磁電流制御用のトランジスタ２２がオンした後でのみしきい値電圧Ｖｒｅｆはハイレベル（ＶｒｅｆＨ）となり、励磁制御信号電圧Ｖｓがローレベルとなって励磁電流制御用のトランジスタ２２がオフした後でのみしきい値電圧Ｖｒｅｆはローレベル（ＶｒｅｆＬ）となる。ＶｒｅｆLは、図２に示す作動しきい値温度TPLに相当し、ＶｒｅｆＨは図２に示す解除しきい値温度TPHに相当する。
【００２４】
コンパレータ１２は、温度信号電圧ＶＴがしきい値電圧Ｖｒｅｆよりも高くなればハイレベルを、そうでない場合にローレベルを制御電圧リミッタ１４に出力する。
【００２５】
制御電圧リミッタ１４は、コンパレータ１２の出力がハイレベルである場合に制御電圧発生回路１３から入力されたしきい値電圧Ｖｔｈを所定量（この実施例では１．５V）だけ低く制限した制御電圧Ｖｓｅｔをコンパレータ１５に出力し、コンパレータ１２の出力がローレベルである場合に制御電圧発生回路１３から入力されたしきい値電圧Ｖｔｈをそのまま制御電圧Ｖｓｅｔとしてコンパレータ１５に出力する。更に具体的に説明すると、制御電圧リミッタ１４は、コンパレータ１２の出力がローレベルである場合には制御電圧Ｖｓｅｔとして１４．５V（＝ＶｓｅｔH）を、コンパレータ１２の出力がハイレベルである場合には制御電圧Ｖｓｅｔとして１３V（＝ＶｓｅｔL）を出力する。
【００２６】
コンパレータ１５は、バッテリ電圧ＶＢと制御電圧Ｖｓｅｔとを比較し、バッテリ電圧ＶＢが相対的に低い場合にアップダウンカウンタ１６をＵＰカウントし、バッテリ電圧ＶＢが相対的に高い場合にアップダウンカウンタ１６をＤｏｗｎカウントし、得たカウント値をＰＷＭ信号発生回路１７に出力する。
【００２７】
留意されたいことは、コンパレータ１２に入力されるしきい値電圧Ｖｒｅｆが、励磁電流制御用のトランジスタ２２がオンした後でハイレベル（ＶｒｅｆＨ）となり、励磁電流制御用のトランジスタ２２がオフした後でローレベル（ＶｒｅｆＬ）となるため、たとえば温度信号電圧ＶＴが作動しきい値温度ＴＰＬと解除しきい値温度ＴＰＨとの間にある場合、コンパレータ１２は、トランジスタ２２のオン後に制御電圧リミッタ１４をオフし、トランジスタ２２のオフ後に制御電圧リミッタ１４をオンさせることである。つまり、温度信号電圧ＶＴが作動しきい値温度ＴＰＬと解除しきい値温度ＴＰＨとの間にある場合、コンパレータ１５は、励磁電流制御用のトランジスタ２２のオフのための制御電圧Ｖｓｅｔとして１４．５Ｖ（＝ＶｓｅｔＨ）をもち、励磁電流制御用のトランジスタ２２のオンのための制御電圧Ｖｓｅｔとして１３Ｖ（＝ＶｓｅｔＬ）をもつ。
【００２８】
ＰＷＭ信号発生回路１７は、アップダウンカウンタ１６から入力されたカウント値に対応するオン・デューティ比をもつＰＷＭ信号を形成し、励磁制御信号電圧Ｖｓとして図略の増幅回路を通じて励磁電流制御用のトランジスタ２２に出力し、これにより励磁電流のオン・デューティ比がバッテリ電圧ＶＢ及び温度に応じて調整される。この種のＰＷＭ信号発生回路１７は、マイコン又はデジタル回路により構成した回路構成は周知であり、発明の要旨でもないため説明を省略する。
【００２９】
以下、信号処理回路２１の動作を図２、図３を参照して説明する。
【００３０】
（低温モード）
温度信号電圧ＶＴがしきい値電圧Ｖｒｅｆより低い時点ｔ１までの期間Taでは、コンパレータ１２がローレベルを出力するため、制御電圧リミッタ１４は作動せず、制御電圧Ｖｓｅｔは１４．５Vとなっている（図３参照）。
【００３１】
この状態にて、既述したようにコンパレータ１５が制御電圧Ｖｓｅｔとバッテリ電圧ＶＢとの比較結果によりアップダウンカウンタ１６のカウント値を増減し、このカウント値に応じてＰＷＭ信号である励磁制御信号電圧Ｖｓのオン・デューティ比を増減し、この励磁制御信号電圧Ｖｓを増幅して励磁電流制御用のトランジスタ２２を断続制御する。この制御は、通常の励磁電流制御と同じである。
【００３２】
（逆ヒスモード）
次に、時点ｔ１にて温度が作動しきい値温度ＴＰＬより高く、かつ、解除しきい値温度ＴＰＨより低いゾーンに入った場合を考える。この時、バッテリ電圧ＶＢはそれ依然の制御によりほぼ１４．５Vとなっているものとする。
【００３３】
この場合には既述したように、コンパレータ１５は、励磁電流制御用のトランジスタ２２のオフのための制御電圧Ｖｓｅｔとして１４．５Ｖ（＝ＶｓｅｔＨ）をもち、励磁電流制御用のトランジスタ２２のオンのための制御電圧Ｖｓｅｔとして１３Ｖ（＝ＶｓｅｔＬ）をもつ。したがって、コンパレータ１５は、励磁電流制御用のトランジスタ２２のオン後において制御電圧Ｖｓｅｔとして１３Ｖ（＝ＶｓｅｔＬ）をもつためローレベルを出力する。これにより、アップダウンカウンタ１６はＤｏｗｎカウントされ、励磁制御信号電圧Ｖｓのオン・デューティ比は減少する。また、コンパレータ１５は、励磁電流制御用のトランジスタ２２のオフ後において以前の低温モードと同じ１４．５Ｖ（＝ＶｓｅｔＨ）を制御電圧Ｖｓｅｔとしてもつ。このため、バッテリ電圧ＶＢが制御電圧Ｖｓｅｔとしての１４．５Ｖ（＝ＶｓｅｔＨ）より下がった場合にハイレベルを出力し、アップダウンカウンタ１６はＵＰカウントされ、励磁制御信号電圧Ｖｓのオン・デューティ比は増加し、以下、上記ＵＰカウントとＤｏｗｎカウントとが繰り返される。しかし、この逆ヒスモードでは、それ以前の低温モードがコンパレータ１５の制御電圧Ｖｓｅｔとして１４．５Ｖ（＝ＶｓｅｔＨ）を常にもつのではなく、制御電圧Ｖｓｅｔとして１３Ｖ（＝ＶｓｅｔＬ）をもつ期間が存在するため、コンパレータ１５がローレベルを出す割合が増大し、その分だけＤｏｗｎカウントの割合が増大し、励磁制御信号電圧Ｖｓのオン・デューティ比が低下していき、その分だけバッテリ電圧ＶＢが低下していく（図３参照）。
【００３４】
（高温モード）
温度信号電圧ＶＴがしきい値電圧Ｖｒｅｆのハイレベル（ＶｒｅｆＨ）よりも高い時点ｔ２後の期間Tｂでは、コンパレータ１２は常にハイレベルを出力し、これより制御電圧リミッタ１４は制御電圧Ｖｓｅｔとして常に１３Ｖ（＝ＶｓｅｔＬ）を出力し、アップダウンカウンタ１６がＤｏｗｎカウントされて励磁制御信号電圧Ｖｓのオン・デューティ比が減少し、それに応じてバッテリ電圧ＶＢは１３Vに収束する（図３参照）。
【００３５】
（実施例効果）
このようにすれば、温度上昇により励磁制御信号電圧Ｖｓのオン・デューティ比を低下させてバッテリ電圧ＶＢを１４．５Vから１３Vに低下させるに際して、図３に示すように円滑にこの低下を行うことができるため、エンジンからみた車両用交流発電機駆動のためのトルク変化が円滑となり、トルクショックを良好に抑止することができる。
【００３６】
すなわち、この実施例では、解除しきい値温度ＴＰＨを作動しきい値温度ＴＰＬより高く設定するので、従来のヒステリシス方式の解除しきい値温度の設定に比べて、スイッチング回路部の温度上昇を抑制しつつその出力電流の急変を円滑化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の熱保護制御を適用した車両用交流発電機装置の回路図である。
【図２】図１の信号処理回路の一例を示す回路図である。
【図３】図２の信号処理回路によるバッテリ電圧及び温度の変動を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００３８】
１      車両用交流発電機
２      励磁電流制御装置
３      バッテリ
４      アーマチャコイル
５      三相全波整流器
６      励磁コイル
１１      温度補償設定回路
１２      コンパレータ
１３      制御電圧発生回路
１４      制御電圧リミッタ
１５      コンパレータ
１６      アップダウンカウンタ
１７      ＰＷＭ信号発生回路
２１      励磁制御信号発生回路
２２      トランジスタ
２３      フライホイルダイオード
２４      温度センサ
【図１】
2008061457.tif 000003
【図２】
2008061457.tif 000004
【図３】
2008061457.tif 000005