(57)【要約】【課題】フリップチップ実装時に半導体素子と回路実装基板との間からはみ出した樹脂シート材と回路実装基板との密着性を、生産性を損なうことなく改善できる半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】フリップチップ実装時の本圧着工程で付加される高温高荷重により半導体素子１と回路実装基板４との間からはみ出した封止樹脂材は、回路実装基板４における半導体素子１の実装位置の外側に設けた突部９によって広がりが規制される。半導体素子を回路実装基板に高温高荷重で押し付ける際の熱が突部９に伝わることによって、突部９に接触して広がりが食い止められた封止樹脂材が確実に熱硬化する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子上のパッド電極部に形成した金属バンプを、回路実装基板の配線電極部に位置合わせし、絶縁性を有する封止樹脂材を介して前記半導体素子を前記回路実装基板にフリップチップ実装した半導体装置であって、
前記回路実装基板における前記半導体素子の実装位置の外側に、前記半導体素子と前記回路実装基板の間からはみ出した前記封止樹脂材の広がりを規制する突部を設けた
半導体装置。
【請求項２】
半導体素子上のパッド電極部に形成した金属バンプを、回路実装基板の配線電極部に位置合わせし、絶縁性を有する熱硬化性樹脂を介して前記半導体素子を前記回路実装基板にフリップチップ実装するに際し、
前記半導体素子の裏面側に当接する加圧ツールから受けた熱と荷重によって前記半導体素子を前記回路実装基板に加圧して熱圧着し、これによって前記半導体素子と前記回路実装基板の間からはみ出した前記熱硬化性樹脂の広がりを、前記回路実装基板における前記半導体素子の実装位置の外側に設けた突部によって規制するとともに、
前記加圧ツールが前記半導体素子を加圧して前記熱圧着中に前記突部を前記加圧ツールによって暖めて前記突部に接触した前記熱硬化性樹脂を硬化させる
半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体素子からはみ出したフィレット寸法とその形状は、各辺で同じであることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記封止樹脂材の広がりを規制する突部は、前記半導体素子の外周を取り囲む枠型である
請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記封止樹脂材の広がりを規制する突部の高さは、前記半導体素子の裏面部と同じである
請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記突部の先端と前記半導体素子の裏面部に放熱ブロックを結合した
請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記突部の先端と前記半導体素子の裏面部に、もう一つの半導体素子が回路形成面を上にして実装され、前記もう一つの半導体素子の電極パッド部と回路実装基板上の外側にある配線電極部とが、金属ワイヤー等で電気的に接続され、モールド樹脂で覆った構造を有していることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体素子の裏面部と放熱ブロックに放熱性が良好な接着剤を塗布する工程と、そこに積層するもう一つの半導体素子の回路形成面を上に実装し、回路実装基板の外側にある配線電極部とが金属ワイヤー等で電気的に接続する工程と、モールド樹脂で封止硬化する工程とから成ることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体素子の裏面部と前記突部の先端に、放熱性が良好な接着剤を介して放熱ブロックを結合する工程を有する
請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記放熱ブロックは、表面積を大きくする凹凸を有していることを特徴とする
請求項６記載の半導体装置。
【請求項１１】
半導体素子と回路実装基板の間の封止樹脂材として液状の熱硬化性エポキシ系樹脂材を使用する
請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ｌｏｗ−ｋ層（低誘電率層間絶縁膜）を含む微細プロセス構造で且つパッドピッチ間距離が非常に短い構造を有する半導体素子を、多層回路基板上に導電性粒子を含まない熱硬化性封止樹脂材を介在してフリップチップ実装する方式による小型の半導体装置とその製造方法に関するものである。
【０００２】
特に、フリップチップ実装時に付加される高温高荷重により半導体素子と回路実装基板との間からはみ出したシート状のエポキシ系封止樹脂（樹脂シート材）のフィレット形成、硬化処理、半導体素子や回路実装基板との密着性の向上を、一括生産できる製造方法と高い信頼性を確保したものである。
【背景技術】
【０００３】
図１５（ａ）（ｂ）は従来の半導体装置を示し、図１６はこの半導体装置の従来の製造方法を示す。
先ず、図１６（ａ）に示すように、半導体ウエハー１６を個片の半導体素子１に分割する。次に、図１６（ｂ）に示すように、分割した個片の半導体素子１の上に形成した複数のＡＬパッド電極部２に、Ａｕ等の金属バンプ３を形成する（レベリング不要）。図１６（ｃ）は半導体素子１がフリップチップ接続される回路実装基板４を示している。５は配線電極部、６はシート形状のエポキシ系封止樹脂からなる樹脂シート材である。
【０００４】
そして、回路実装基板４の上層面に設けた複数個の配線電極部５と、半導体素子１上のＡＬパッド電極部２に形成した前記金属バンプ３とが、図１６（ｄ）に示すようにフリップチップ接続される。具体的には、半導体素子１をフェースダウンさせ、半導体素子１上のＡＬパッド電極部２に形成した金属バンプ３と回路実装基板４上の配線電極部５との実装認識位置合わせを行い、加圧ツール１０を用いて、高温高荷重（２３０℃／５０−６０ｇｆ／Ｂ）を同時に数秒間だけ与える熱圧着フリップチップ実装工程と樹脂硬化工程を同時一括方式で生産されている。
【０００５】
この際に、樹脂シート材６の一部が６ａに示すように半導体素子１からはみ出す。このはみ出した樹脂シート材６ａは、半導体素子１や回路実装基板４との密着性が弱く、また、多数のボイド２６が介在している。図１７は上面図を示している。
【０００６】
なお、回路実装基板４の上層面にある複数個の配線電極部５と、回路実装基板４の裏面側にある裏面ランド部１３とは、回路実装基板４の内部に形成された内層ビア１４で連結されている。更に、モールド樹脂１２を覆わないＰＯＰ（Package-On-Package）構造の品種への展開においては、図１５（ｂ）に示すように、もう一つの半導体素子１７が回路実装基板４の上の配線電極部５ａに半田ボール１５で積層されている。
【０００７】
このように従来の半導体装置では、フリップチップ実装時にはみ出した樹脂シート材６ａは、図１７に示すように各辺でフィレットの形状が異なり製品の出来映えに問題がある。また、はみ出した樹脂シート材６ａは完全硬化されておらず、別途規定の信頼性レベルを必要としている製品においてパッチ処理工程を追加し、製造工程増加による生産性に大きな問題を抱えていた。
【０００８】
更に、前記はみ出した樹脂シート材６ａと半導体素子１、または樹脂シート材６ａと回路実装基板４との密着性が非常に弱く、場合により密着がないものまで存在しており、モールド樹脂１２を覆わないＰＯＰ構造の品種への展開においては、すべて耐湿性の問題に大きな支障を与えていた。
【０００９】
また、樹脂シート材６ａには、多数のボイド２６が存在しており、モールド樹脂１２で覆われた構造の品種展開においては、このボイド２６が膨張し、製品の耐リフロー性に大きな接続性の不具合を多発させていた。以上の状況下において、品種展開における工場導入はもちろん製品開発そのものが困難な状況であった。
【特許文献１】特開２００３−３１６０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ｌｏｗ−ｋ層を含む微細プロセス構造で、且つパッドピッチ間距離が非常に短い構造を有する半導体素子１をフリップチップ実装すると、回路実装基板上に貼り付けた樹脂シート材６は半導体素子と回路実装基板に挟まれ、溶融しながら半導体素子の外周部へと広がる。この際、パッドピッチ間が狭いため、小さなボイドが樹脂シート材に巻き込まれてしまう。このボイドを介在させたモールド型の半導体装置（Ｐ−ＳＥＰ）では、耐湿性試験において接続信頼性に大きな不具合を多発した。
【００１１】
このボイドを除去する方法としては、フリップチップ実装後、はみ出した樹脂シート材６ａを別途工程で切除するというものである。しかしこの方法では、完全にボイドを除去することは困難であり、また、前記切除の際に回路実装基板４の配線部を切除する可能性があり、製品品質に大きな問題が発生する可能性がある。更に、この方法では製造工程数の増加に伴うので、生産性に大きな問題が挙げられる。
【００１２】
本発明は、フリップチップ実装時に半導体素子と回路実装基板との間からはみ出した樹脂シート材と回路実装基板との密着性を、生産性を損なうことなく改善できる半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の請求項１記載の半導体装置は、半導体素子上のパッド電極部に形成した金属バンプを、回路実装基板の配線電極部に位置合わせし、絶縁性を有する封止樹脂材を介して前記半導体素子を前記回路実装基板にフリップチップ実装した半導体装置であって、前記回路実装基板における前記半導体素子の実装位置の外側に、前記半導体素子と前記回路実装基板の間からはみ出した前記封止樹脂材の広がりを規制する突部を設けたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の請求項２記載の半導体装置の製造方法によると、半導体素子上のパッド電極部に形成した金属バンプを、回路実装基板の配線電極部に位置合わせし、絶縁性を有する熱硬化性樹脂を介して前記半導体素子を前記回路実装基板にフリップチップ実装するに際し、前記半導体素子の裏面側に当接する加圧ツールから受けた熱と荷重によって前記半導体素子を前記回路実装基板に加圧して熱圧着し、これによって前記半導体素子と前記回路実装基板の間からはみ出した前記熱硬化性樹脂の広がりを、前記回路実装基板における前記半導体素子の実装位置の外側に設けた突部によって規制するとともに、前記加圧ツールが前記半導体素子を加圧して前記熱圧着中に前記突部を前記加圧ツールによって暖めて前記突部に接触した前記熱硬化性樹脂を硬化させることを特徴とする。
【００１５】
本発明の請求項３記載の半導体装置は、請求項１において、半導体素子からはみ出したフィレット寸法とその形状は、各辺で同じであることを特徴とする。
本発明の請求項４記載の半導体装置は、請求項１において、前記封止樹脂材の広がりを規制する突部は、前記半導体素子の外周を取り囲む枠型であることを特徴とする。
【００１６】
本発明の請求項５記載の半導体装置は、請求項１において、前記封止樹脂材の広がりを規制する突部の高さは、前記半導体素子の裏面部と同じであることを特徴とする。
本発明の請求項６記載の半導体装置は、請求項１において、前記突部の先端と前記半導体素子の裏面部に放熱ブロックを結合したことを特徴とする。
【００１７】
本発明の請求項７記載の半導体装置は、請求項１において、前記突部の先端と前記半導体素子の裏面部に、もう一つの半導体素子が回路形成面を上にして実装され、前記もう一つの半導体素子の電極パッド部と回路実装基板上の外側にある配線電極部とが、金属ワイヤー等で電気的に接続され、モールド樹脂で覆った構造を有していることを特徴とする。
【００１８】
本発明の請求項８記載の半導体装置の製造方法は、請求項２において、前記半導体素子の裏面部と放熱ブロックに放熱性が良好な接着剤を塗布する工程と、そこに積層するもう一つの半導体素子の回路形成面を上に実装し、回路実装基板の外側にある配線電極部とが金属ワイヤー等で電気的に接続する工程と、モールド樹脂で封止硬化する工程とから成ることを特徴とする。
【００１９】
本発明の請求項９記載の半導体装置は、請求項２において、前記半導体素子の裏面部と前記突部の先端に、放熱性が良好な接着剤を介して放熱ブロックを結合する工程を有することを特徴とする。
【００２０】
本発明の請求項１０記載の半導体装置は、請求項６において、前記放熱ブロックは、表面積を大きくする凹凸を有していることを特徴とする。
本発明の請求項１１記載の半導体装置の製造方法は、請求項２において、半導体素子と回路実装基板の間の封止樹脂材として液状の熱硬化性エポキシ系樹脂材を使用することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によると、フリップチップ実装時の本圧着工程で付加される高温高荷重により半導体素子と回路実装基板との間からはみ出した封止樹脂材は、回路実装基板における前記半導体素子の実装位置の外側に設けた突部によって広がりが規制されている。半導体素子を回路実装基板に高温高荷重で押し付ける際に、その熱が前記突部に伝わることによって、前記突部に接触して広がりが食い止められた封止樹脂材が確実に熱硬化する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を各実施の形態に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１〜図３は本発明の実施の形態１の半導体装置を示す。
【００２３】
半導体素子１は、絶縁性を有する導電性粒子を含まない熱硬化性エポキシ系封止樹脂である樹脂シート材６を介して回路実装基板４にフリップチップ実装されている。
半導体素子１には、複数のパッド電極部２と、この上に形成したＡｕなどの金属バンプ３が形成されている。
【００２４】
回路実装基板４には、複数の配線電極部５が形成されており、半導体素子１は配線電極部５の上にフリップチップ（反転）されて電気的に接続されている。さらに、回路実装基板４には、回路実装基板４における半導体素子１の実装位置の外側に、突部９が導電性接着剤や半田材の接合材料８を介して接続実装されており、樹脂シート材６の一部で半導体素子１の外周より外側にはみ出したものは、突部９によって外側へ広がることが規制されて樹脂フィレット部７を形成している。突部９の形状は、図３（ｂ）に示すように前記半導体素子１の外周を取り囲む枠型である。突部９の材質は、放熱性と剛性を有したＣｕやＡｌ等の金属材料から成る場合や、耐熱性を有したゴム材から成る場合も可能な材料構成を有するものである。
【００２５】
半導体素子１からはみ出したフィレット部７の寸法は、突部９の中央部に開口９ｂの寸法（半導体素子１の寸法より幾分大きく設計）で自在に調整が可能である。１２は半導体素子１全体をモールドするモールド樹脂である。回路実装基板４の上にある複数個の配線電極部５と、裏面側にある裏面ランド部１３は、内層ビア１４で連結されている。裏面ランド部１３には、半田ボール２７が設けられている。
【００２６】
図２はこの半導体装置の製造方法を示す。
先ず、図２（ａ）に示すダイシング工程では、複数の半導体素子１を有する半導体ウエハー１６から複数の半導体素子１に切断する。図２（ｂ）に示すバンプ形成工程では、半導体素子１上に設けた複数のＡＬパッド電極部２にＡｕ等の金属バンプ３を形成する（レベリング不要）。図２（ｃ）では、回路実装基板４の上面にシート状の樹脂シート材６を貼り付ける。図２（ｄ）では、回路実装基板４上に突部９を実装するとともに、金属バンプ３を形成した半導体素子１をフェースダウンさせ、樹脂シート材６を貼り付けた回路実装基板４上に、半導体素子１の金属バンプ３と回路実装基板４上の配線電極部５との実装認識位置合わせを行って載置し、フッ素系樹脂シート材１１を介して、加圧ツール１０で半導体素子１を押圧する熱圧着工程（２３０℃／５０−６０ｇｆ／Ｂの高温荷重を同時に数十秒間付加）を実行する。図３（ａ）はこの熱圧着時を示している。
【００２７】
なお、ここで突部９の高さは、回路実装基板４への半導体素子１の実装高さと同じに設定されており、加圧ツール１０による熱圧着時には、半導体素子１の裏面部１ａと突部９の先端９ａとが、押圧面１０ａが平坦な加圧ツール１０にフッ素系樹脂シート材１１を介して接するので、この熱圧着工程中に、回路実装基板４と半導体素子１の間から外側にはみ出した樹脂シート６の一部は、突部９の内側下部に接触し樹脂フィレット７が形成され、加圧ツール１０に接している突部９の先端９ａからの高熱で樹脂フィレット７も硬化する樹脂硬化工程が同時進行する。
【００２８】
また、半導体素子１からはみ出したフィレット寸法とその形状は、半導体素子１の各辺で同じになるように構成されている。具体的には、突部９，９の中央部に開口した寸法を変更することによって、半導体素子１からはみ出すフィレット長を可変できる。
【００２９】
その後、モールド樹脂１２で樹脂封止し、半田ボール２７を回路実装基板４の裏面ランド部１３に設ける。
このように、樹脂フィレット形成工程と樹脂硬化工程を一括で製造する優れた生産工程を有するものである。これにより、各辺の樹脂フィレット７の寸法と形状は統一化され、製品出荷の外観品質レベルを向上させることができる。これにより、製品出荷の検査基準をクリアすることができる。
【００３０】
（実施の形態２）
図４と図５は本発明の実施の形態２を示す。
実施の形態１の半導体装置は、回路実装基板４に半導体素子１をフリップチップ実装しただけであったが、この実施の形態２では、図４に示すように、更にもう一つの半導体素子１７が、回路実装基板４の上の配線電極部５ａに半田ボール１５で積層されている。このとき半導体素子１７は、半導体素子１の裏面部１ａと突部９の先端９ａの上に載置されている。その他は実施の形態１と同じである。
【００３１】
図５（ａ）〜（ｄ）はこの半導体装置の製造方法を示し、図２（ａ）〜（ｄ）と同様に組み立てを実行し、図４（ｄ）の最終段階で半導体素子１７が実装されて、その後にモールド樹脂１２で樹脂封止を実施している。
【００３２】
（実施の形態３）
図６と図７は本発明の実施の形態３を示している。
実施の形態２の半導体装置は、回路実装基板４に半導体素子１をフリップチップ実装し、もう一つの半導体素子１７が、回路実装基板４の上の配線電極部５ａに半田ボール１５で積層されていたが、この実施の形態３では、図６に示すように、半導体素子１の裏面部１ａと突部９の先端９ａの上に、半導体素子１７が回路形成面を上にして載置されている。半導体素子１の裏面部１ａと半導体素子１７の間には、放熱性が良好な接着材１８が設けられている。突部９の先端９ａと半導体素子１７の間にも、放熱性が良好な接着材１８が設けられている。回路実装基板４上の外側にある配線電極部５ａと半導体素子１７の電極パッド部２ａの間が、Ａｕ等の金属ワイヤー１９等で電気的に接続され、モールド樹脂１２でモールドされている。その他は実施の形態１と同じである。図７（ａ）〜（ｄ）はこの半導体装置の製造方法を示す。
【００３３】
図７（ｄ）では、半導体素子１の裏面部１ａと放熱ブロック２０に放熱性が良好な接着剤１８を塗布し、そこに半導体素子１７の回路形成面を上に実装し、回路実装基板４の外側にある配線電極部５ａとが金属ワイヤー１９等で電気的に接続し、その後にモールド樹脂１２で封止硬化している。
【００３４】
（実施の形態４）
図８と図９は本発明の実施の形態４を示している。
実施の形態１の半導体装置は、回路実装基板４に半導体素子１をフリップチップ実装し、半導体素子１と突部９とがモールド樹脂１２でモールドされていたが、この実施の形態４では、図８に示すように、モールド樹脂１２の表面でその一部が露出する放熱ブロック２０が更に設けられている。
【００３５】
放熱ブロック２０は、半導体素子１の熱を効率よく逃がすため熱伝導率が高く、且つ軽量化が図れた金属材料から構成されている。放熱ブロック２０は、半導体素子１の裏面部１ａと突部９の先端９ａの上に載置されている。半導体素子１の裏面部１ａと放熱ブロック２０の間には、放熱性が良好な接着材１８が設けられている。突部９の外周と放熱ブロック２０の外周とが、モールド樹脂１２でモールドされている。その他は実施の形態１と同じである。図９（ａ）〜（ｄ）はこの半導体装置の製造方法を示す。
【００３６】
また、図１０には前述の図８記載の半導体装置の放熱性を高めるため、放熱ブロック２０の上層部に表面積を大きくした凹凸２１を設けた場合を示している。この図１０では、放熱ブロック２０から放熱した熱は、半導体装置を装置に組み込んだ場合に、放熱ブロック２０の近傍に位置する前記装置の筐体２３へ効率よく熱を逃がすことができる。
【００３７】
このように、半導体素子からの熱を、放熱ブロックを通じて効率よく放熱できるため、半導体装置の熱設計スペック（℃／Ｗ）をクリアすることができるものである。このように、耐湿性に関する品質課題や熱設計スペックの問題を抱えた半導体装置の信頼性レベルを向上させることが実現でき、ｌｏｗ−ｋ層を有する微細プロセス構造を有する半導体装置の剥離問題や耐湿性による接続部の信頼性を十分に確保でき、量産化を実現することが可能となるものである。
【００３８】
（実施の形態５）
図１１と図１２は本発明の実施の形態５を示す。
実施の形態１の突部９の開口９ｂの内周壁は平坦であったが、この実施の形態５では、突部９の基端部の内周に凹部２４を形成されているので、樹脂シート材６の一部で半導体素子１の外周より外側にはみ出して突部９の内周に衝突したものに巻上げが生じた場合であっても、この凹部２４によって巻上げを防止できる。
【００３９】
さらに、実施の形態１の突部９の開口９ｂの内周壁は平坦であったが、この実施の形態５では突部９の先端９ａに凹凸形状２５を形成して表面積を大きく形成されている。
凹部２４または凹凸形状２５を突部９に形成した点以外は、実施の形態１と同様である。
【００４０】
このように凹凸形状２５を形成して突部９の先端９ａの表面積を大きくした場合には、発熱する半導体素子からの熱を効率よく放熱し、半導体素子の熱的破壊を防止することができるものである。
【００４１】
なお、凹部２４または凹凸形状２５を突部９に形成することは、上記の各実施の形態においても実施できる。具体的には、実施の形態２の場合には、図１３と図１４に示すように構成する。
【００４２】
このように、フリップチップ実装時の本圧着工程で付加される高温高荷重により半導体素子と回路実装基板との間からはみ出した、多数のボイドを含む樹脂シート材のフィレット長を自在に短く調整でき、且つ同時にフィレット形状を各辺で同じ構成にすることができることを特徴とする放熱機構を組み込んだ半導体装置である。
【００４３】
これにより、半導体装置の外観品種の向上だけでなく、耐湿性問題による半導体パッケージの剥離や損傷の防止や、ボイドの膨張により接続部が破断される製品品質の問題も解決できる。また、積層した半導体装置を構成する発熱体である半導体素子の放熱性を考慮した設計機構を有するため、半導体装置の熱的破壊も防止することができる。更に、ＰＯＰ構造への品種展開や、工場導入の実現化も可能となるものである。
【００４４】
なお、上記の各実施の形態の製造方法においては、半導体素子１と回路実装基板４の間の封止樹脂材が樹脂シート材６であったが、樹脂シート材６にかわって液状の熱硬化性エポキシ系樹脂材を使用して構成することもできるものである。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は半導体素子と回路実装基板との間に熱硬化性樹脂を挟んで高温高荷重によって実装する各種の半導体装置の信頼性の向上と、生産性の向上に寄与できる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の（実施の形態１）にかかる半導体装置の断面図
【図２】同実施形態にかかる半導体装置の製造方法の工程を示す断面図
【図３】同実施形態の加圧ツールによる熱圧着時の断面図と熱圧着後の平面図
【図４】本発明の（実施の形態２）にかかる半導体装置の断面図
【図５】同実施形態にかかる半導体装置の製造方法の工程を示す断面図
【図６】本発明の（実施の形態３）にかかる半導体装置の断面図
【図７】同実施形態にかかる半導体装置の製造方法の工程を示す断面図
【図８】本発明の（実施の形態４）にかかる半導体装置の断面図
【図９】同実施形態にかかる半導体装置の製造方法の工程を示す断面図
【図１０】同実施形態の別の半導体装置の断面図
【図１１】本発明の（実施の形態５）にかかる半導体装置の断面図
【図１２】同実施の形態の要部の拡大図
【図１３】同実施形態の別の半導体装置の断面図
【図１４】同実施の形態の要部の拡大図
【図１５】従来の半導体装置を示す断面図
【図１６】従来の半導体装置の製造方法の工程を示す断面図
【図１７】従来の半導体装置の上面図
【符号の説明】
【００４７】
１    半導体素子
１ａ    半導体素子１の裏面部
２    電極パッド部
３    金属バンプ
４    回路実装基板
５    配線電極部
５ａ    回路実装基板上の外周にある配線電極
６    絶縁性を有するエポキシ系の樹脂シート材（封止樹脂材）
６ａ    半導体素子の外周からはみだした樹脂シート材
７    樹脂シート材からなるフィレット部
８    接合材料
９    突部
９ａ    突部９の先端
１０    加圧ツール
１１    フッ素系樹脂シート材
１２    モールド樹脂
１７    半導体素子
１８    放熱性が良好な接着材
１９    金属ワイヤー
２０    放熱ブロック
２４    凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2008098535.tif 000013
【図１２】
2008098535.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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