(57)【要約】【課題】感光性ペーストを用いる隔壁の製造方法であって、厚膜でも低露光量（高感度）でパターン形成が可能であり、生産性に優れた隔壁の製造方法を提供する【解決手段】各工程；（Ｉ）（Ａ）無機粒子、（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｃ）架橋剤、（Ｄ）酸発生剤および（Ｅ）有機溶媒を含有する感光性ペーストを基板上に塗布して、基板上に塗膜を得る工程、（II）工程（Ｉ）により得られた塗膜に残存する有機溶媒を除去する工程（III）工程（II）により得られた基板上の塗膜を露光する工程、（IV）工程（III）で露光された塗膜を、８０℃〜１６０℃で、３分〜６０分加熱した後、室温まで冷却する工程、（V）工程（IV）で得られた塗膜を現像して基板上にパターンを形成する工程、（VI）工程（V）で得られたパターンを、基板ごと４５０℃〜６００℃の温度で焼成する工程を有するパターン形成方法を提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
各工程；
（Ｉ）（Ａ）無機粒子、（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｃ）架橋剤、（Ｄ）酸発生剤および（Ｅ）有機溶媒を含有する感光性ペーストを基板上に塗布して、基板上に塗膜を得る工程、
（II）工程（Ｉ）により得られた塗膜に残存する有機溶媒を除去する工程
（III）工程（II）により得られた基板上の塗膜を露光する工程、
（IV）工程（III）で露光された塗膜を、８０℃〜１６０℃で、３分〜６０分加熱した後、室温まで冷却する工程、
（V）工程（IV）で得られた塗膜を現像して基板上にパターンを形成する工程、
（VI）工程（V）で得られたパターンを、基板ごと４５０℃〜６００℃の温度で焼成する工程
を有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記工程（II）が、工程（Ｉ）により得られた基板上の塗膜を、７０℃〜１４０℃で５分〜６０分加熱した後、室温まで冷却することで、該塗膜に残存する有機溶媒を除去する工程である請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記（Ｅ）が、１気圧における沸点が１００℃以上１９５℃未満の有機溶媒（Ｅ−ａ）を必須成分とすることを特徴とする請求項１または２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記（Ｅ）の総量を１００質量％としたとき、前記有機溶媒（Ｅ−ａ）が７０質量％以上であることを特徴とする請求項３記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記有機溶媒（Ｅ−ａ）が、エチレングリコールジアセテートである請求項３または４に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記（Ｅ）を構成する全ての有機溶剤が、２５℃における屈折率が１．４０〜１．８０の有機溶剤である請求項１〜５のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂がノボラック樹脂および／またはノボラック樹脂誘導体であり、前記（Ｃ）架橋剤が下記式（３）で示される含エポキシ基ケイ素化合物である請求項１〜６のいずれかに記載のパターン形成方法。
2008070416.tif 000011
（式中、Ｑ2、Ｑ3は、それぞれ独立に式（４）で表される基であり、Ｑ1は式（５ａ）または式（５ｂ）で示される２価の基を表す。）
2008070416.tif 000012
（式中、Ｔ1は炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数１〜６のアルキレンオキシアルキレン基またはフェニレン基を表す。ｍは０または１である。）
2008070416.tif 000013
（式中、Ｔ2〜Ｔ7は、メチル基またはフェニル基を表す。Ｔ8は酸素原子、メチレン基、エテニレン基、エチニレン基、フェニレン基、ナフタレンジイル基およびビフェニルジイル基からなる群から選ばれる。）
【請求項８】
前記（Ａ）が、軟化点が４００℃〜６００℃である低融点ガラス粒子を含む無機粒子である請求項１〜７のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記感光性ペーストにおける、前記（Ａ）〜（Ｅ）の含有比率が、それぞれ（Ａ）２０〜９５質量％、（Ｂ）２〜３０質量％、（Ｃ）１〜３０質量％、（Ｄ）０.０１〜２０質量％および（Ｅ）１〜４０質量％である請求項１〜８のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載のパターン形成方法を用いて製造されるプラズマディスプレイパネル用隔壁。
【請求項１１】
請求項１０記載のプラズマディスプレイパネル用隔壁を備えるプラズマディスプレイ用部材。
【請求項１２】
請求項１１記載のプラズマディスプレイ用部材を備えるプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光性ペーストに関する。さらに詳しくは、プラズマディスプレイ背面板における隔壁を形成するのに好適な感光性ペーストに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイにおいて小型・高精細化が進んでおり、それに伴ってパターン加工技術の向上が望まれている。パターン加工技術としては、例えば、感光性ペースト法などが知られており、プラズマディスプレイの部材である背面板の隔壁形成などに用いられている。
【０００３】
これまでの隔壁を形成する感光性ペーストとしては、例えば、アクリル酸−スチレン共重合ポリマー、ガラス粉末および光重合開始剤を含有してなる感光性ペーストが挙げられ、該感光性ペーストを基板上に塗布し、露光、現像して隔壁パターンを形成し、焼成せしめて隔壁を形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２２０６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記特許文献１の感光性ペーストを用いた隔壁形成方法では、光重合開始剤のラジカル発生によって、リソグラフィープロセスにおける感度をコントロールしていることから、感度が悪化しやすく生産性が低下するといった問題や、光重合開始剤から発生するラジカルが空気中の酸素により失活しやすいことから、露光時の雰囲気制御が煩雑となるといった問題があった。また、このような問題は厚膜の隔壁を得ようとする場合、より顕著となる傾向があった。
本発明の目的は、厚膜でも低露光量でパターン形成が可能であり、高感度のリソグラフィープロセスを達成し得る生産性に優れた隔壁の製造方法を提供することにある。さらに、当該製造方法で得られた隔壁は、プラズマディスプレイ用部材として好適に用いることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、前記課題を解決できる隔壁の製造方法において、感光性ペーストを用いるリソグラフィープロセスに関して鋭意検討を行い、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
即ち、本発明は、下記［１］、［２］を提供するものである。
［１］各工程；
（Ｉ）（Ａ）無機粒子、（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｃ）架橋剤、（Ｄ）酸発生剤および（Ｅ）有機溶媒を含有する感光性ペーストを基板上に塗布して、基板上に塗膜を得る工程、
（II）工程（Ｉ）により得られた塗膜に残存する有機溶媒を除去する工程
（III）工程（II）により得られた基板上の塗膜を露光する工程、
（IV）工程（III）で露光された塗膜を、８０℃〜１６０℃で、３分〜６０分加熱した後、室温まで冷却する工程、
（V）工程（IV）で得られた塗膜を現像して基板上にパターンを形成する工程、
（VI）工程（V）で得られたパターンを、基板ごと４５０℃〜６００℃の温度で焼成する工程
を有することを特徴とするパターン形成方法
［２］前記工程（II）が、工程（Ｉ）により得られた基板上の塗膜を、７０℃〜１４０℃で５分〜６０分加熱した後、室温まで冷却することで、該塗膜に残存する有機溶媒を除去する工程である［１］のパターン形成方法
【０００８】
本発明者らは、従来の感光性ペーストに用いられている光重合開始剤は、前記のようなラジカル失活に係る問題に加え、該ラジカルによって感光性ペースト中のバインダー樹脂の光硬化を行うリソグラフィープロセスでは感度低下が生じやすく、特に該感光性ペーストから得られる塗膜が厚膜である場合、著しく感度が悪化するといった知見を得た。かかる知見に従って、感光性ペーストの感光性成分を酸発生剤とし、露光後あるいは露光前後に前記の加熱処理を施すことにより、厚膜でも高感度でパターン形成が可能であることを見出すに至った。
【０００９】
さらに、本発明は、［１］または［２］に適用する好適な感光性ペーストとして下記［３］〜［９］を提供する。
［３］前記（Ｅ）が、１気圧における沸点が１００℃以上１９５℃未満の有機溶媒（Ｅ−ａ）を必須成分とすることを特徴とする［１］または［２］のパターン形成方法
［４］前記（Ｅ）の総量を１００質量％としたとき、前記有機溶媒（Ｅ−ａ）が７０質量％以上であることを特徴とする［３］のパターン形成方法
［５］前記有機溶媒（Ｅ−ａ）が、エチレングリコールジアセテートである、［３］または［４］のパターン形成方法
［６］前記（Ｅ）を構成する全ての有機溶剤が、２５℃における屈折率が１．４０〜１．８０の有機溶剤である［１］〜［５］のいずれかのパターン形成方法
［７］前記（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂がノボラック樹脂および／またはノボラック樹脂誘導体であり、前記（Ｃ）架橋剤が下記式（３）で示される含エポキシ基ケイ素化合物である、［１］〜［５］のいずれかのパターン形成方法
2008070416.tif 000002
（式中、Ｑ2、Ｑ3は、それぞれ独立に式（４）で表される基であり、Ｑ1は式（５ａ）または式（５ｂ）で示される２価の基を表す。）
2008070416.tif 000003
（式中、Ｔ1は炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数１〜６のアルキレンオキシアルキレン基またはフェニレン基を表す。ｍは０または１である。）
2008070416.tif 000004
（式中、Ｔ2〜Ｔ7は、メチル基またはフェニル基を表す。Ｔ8は酸素原子、メチレン基、エテニレン基、エチニレン基、フェニレン基、ナフタレンジイル基およびビフェニルジイル基からなる群から選ばれる。）
［８］前記（Ａ）が、軟化点が４００℃〜６００℃である低融点ガラス粒子を含む無機粒子である［１］〜［７］のいずれかのパターン形成方法
［９］前記感光性ペーストにおける、前記（Ａ）〜（Ｅ）の含有比率が、それぞれ（Ａ）２０〜９５質量％、（Ｂ）２〜３０質量％、（Ｃ）１〜３０質量％、（Ｄ）０.０１〜２０質量％および（Ｅ）１〜４０質量％である［１］〜［８］のいずれかのパターン形成方法
【００１０】
また、本発明は、前記いずれかのパターン形成方法を用いてなる下記［１０］〜［１２］を提供する。
［１０］前記いずれかに記載のパターン形成方法を用いて製造されるプラズマディスプレイパネル用隔壁
［１１］［１０］のプラズマディスプレイパネル用隔壁を備えるプラズマディスプレイ用部材
［１２］［１１］のプラズマディスプレイ用部材を備えるプラズマディスプレイパネル
【発明の効果】
【００１１】
本発明のパターン形成方法によれば、５０μｍを超える厚膜でも一回の低露光量でパターン形成が可能であり、生産性よくプラズマディスプレイ用隔壁を製造することができるため、工業的に有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の好適な実施形態について説明する。
【００１３】
本発明に適用する感光性ペーストについて説明する。当該感光性ペーストは前記の（Ａ）〜（Ｅ）を含有するものである。
【００１４】
まず、（Ａ）無機粒子について説明する。該無機粒子としては、一般的なものであれば特に限定はない。即ち、ガラス、セラミックス（シリカ、アルミナ、コーディライト等）、金属（金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、タングステン、酸化ルテニウムやこれらの合金等）からなる無機粒子を用いることができるが、ケイ素酸化物、ホウ素酸化物またはアルミニウム酸化物を必須成分とするガラスやセラミックスからなる無機粒子が好ましい。これらは、絶縁体であり、絶縁パターンの形成、特にプラズマディスプレイやプラズマアドレス液晶ディスプレイの隔壁の形成に好ましく用いられる。
【００１５】
（Ａ）における好適な無機粒子としては、その比誘電率が測定温度２０℃において、４．０以上９．５以下のものであり、より好ましくは４．０以上９．０以下のものである。比誘電率が前記の範囲にあると、プラズマディスプレイパネルとして駆動した際の無効電力が少なくなるため好ましい。ここで比誘電率は、市販のブリッジ型誘電率測定装置（例えば、安藤電気社製  型番ＴＲ−１０Ｃを挙げることができる）を用いて測定することができる。
【００１６】
また、（Ａ）における好適な無機粒子としては、その屈折率が測定温度２５℃において、１．４０〜２．５０の範囲であり、より好ましくは１．４３〜２．２０の範囲であり、とりわけ好ましくは１．４３〜１．８０の範囲である。屈折率が前記の範囲にある無機粒子を（Ａ）として用いると、露光時に光の散乱が小さいため良好なパターンを形成することができる傾向があり、好ましい。なお、屈折率は、市販のプリズム屈折率測定装置（例えば、ＯＰＴＥＣ社製  型番ＧＰ１−Ｐを挙げることができる）を用いて測定することができる。
【００１７】
さらに、（Ａ）に適用する無機粒子としては、測定温度２５℃における体積平均粒径が０．０１〜４０μｍであると好ましく、０．１〜１０μｍであるとさらに好ましく、１〜８μｍであると特に好ましい。該体積平均粒径が、前記の範囲にあると、感光性ペーストを用いて形成される隔壁中における無機粒子の充填量を増加させることができるため、焼成時の収縮が少ない隔壁が得られやすいことから好ましく、また露光時の光の散乱が小さいため良好なパターンを形成できる傾向があり好ましい。なお、体積平均粒径は、市販の光散乱粒径測定装置（例えば大塚電子社製  型番ＤＬＳ−７０００を挙げることができる）を用いて測定することができる。
【００１８】
本発明の感光性ペーストにおいては、体積平均粒径の異なる無機粒子を任意の割合で混合して、（Ａ）として用いてもよい。
【００１９】
また、無機粒子の形状は特に限定されず、破砕状でも、球状でもよいが、球状であることが特に好ましい。
【００２０】
（Ａ）として特に好適な無機粒子は、例えば、コロイダルシリカに由来するシリカ粒子、エアロジル、シリカゲル等のシリカ粒子、軟化点が４００℃〜６００℃である低融点ガラス粒子または軟化温度が６０１℃以上であるガラス粒子、またはこれらの混合物が挙げられる。特に、低融点ガラス粒子を含む無機粒子を（Ａ）として含む感光性ペーストは、後述の方法により得られる隔壁の強度が高いため好ましい。ここで、低融点ガラス粒子としては、例えば、酸化亜鉛系ガラス、酸化錫リン酸系ガラス、酸化ビスマス系ガラス、鉛ガラス等からなるガラス粒子が挙げられる
【００２１】
本発明の感光性ペーストに用いられる（Ａ）の添加割合は、感光性ペースト全量に対して、好ましくは２０〜９５質量％であり、より好ましくは４０〜９５質量％である。
（Ａ）の添加割合が前記の範囲にあると、焼成時の膜収縮が小さくなり基板から剥離しにくくなる傾向が見られ、また露光時の光の散乱が小さくなり良好なパターンを形成できる傾向があり、好ましい。
【００２２】
次に（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂について説明する。
ここで、「アルカリ可溶性」の表記は、アルカリ水溶液、アルカリ性を示す有機溶剤またはアルカリ性を示す有機溶剤−水混合溶液のいずれかに溶解しうることを表す。かかるアルカリ可溶性を発現するアルカリ可溶性基としては、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、フェノール性水酸基、ホスホン酸基（−ＰＯ3Ｈ2）、スルホン酸基（−ＳＯ3Ｈ）およびスルホン酸イミド基（−ＳＯ2ＮＨＳＯ2−）からなる群から選ばれる少なくも１種の酸基であるか、無水カルボン酸基や、フェノール性水酸基をエステル化あるいはエーテル化によって保護した基等、加水分解によって容易に酸基に転化する基を挙げることができる。該アルカリ可溶性基を有する樹脂としては、公知の樹脂を用いることができ、例えば、ノボラック樹脂およびその誘導体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエートおよびその誘導体、ポリヒドロキシスチレンおよびその誘導体、カルボキシル基含有アクリル樹脂およびその誘導体、ポリスチレンスルホン酸およびその誘導体等が挙げられる。
【００２３】
前記に例示したアルカリ可溶性樹脂の中でも、本発明の（Ｂ）に適用する好適なアルカリ可溶性樹脂としては、ノボラック樹脂および／またはノボラック樹脂誘導体であり、具体的には下記の（ａ）および（ｂ）を挙げることができ、これらから選択された１種あるいは２種以上であることが好ましい。
なお、「ノボラック樹脂誘導体」とは、ノボラック樹脂にある一部のフェノール性水酸基がアルコキシ基、アシル基等で保護されていることを意味し、本発明では下記（ｂ）に示すように、アルコキシ基を有するノボラック樹脂誘導体が好適である。
（ａ）式（１）で表されるフェノール化合物と式（２）で示されるアルデヒド化合物を重縮合させたノボラック樹脂
2008070416.tif 000005
（式中、ｎは０以上２以下の整数を表わす。Ｒ1は炭素数１〜２０の一価の有機基を表し、ｎが２の場合は、２つあるＲ1は同一あるいは異なっていてもよい。）
【００２４】
2008070416.tif 000006
（式中、Ｒ2は、水素原子または炭素数１〜２０の一価の有機基を表す）
（ｂ）ノボラック樹脂（ａ）のフェノール性水酸基の一部をＯＲ3基に置換されてなる樹脂（ここで、Ｒ3は炭素数１〜２０の一価の有機基である）
【００２５】
（ａ）は、前記の式（１）で表されるフェノール化合物と式（２）で示されるアルデヒド化合物を重縮合させたノボラック樹脂であり、ここで、式（１）におけるＲ1は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。炭素数１〜２０の一価の有機基としては、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば、炭素数１〜２０の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の環状脂肪族炭化水素基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基などが挙げられる。炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基はアルキル基、アルケニル基等で置換されていてもよい。
【００２６】
これらの中で、炭素数１〜６の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜６の分岐状炭化水素基、炭素数３〜６の環状炭化水素基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が好ましい。
【００２７】
炭素数１〜２０の直鎖状脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、ウンデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基などが挙げられ、特に、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が好ましい。
【００２８】
炭素数３〜２０の分岐状脂肪族炭化水素基としては、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、ターシャリーオクチル基などが挙げられ、特に、イソプロピル基、イソブチル基が好ましい。
【００２９】
炭素数３〜２０の環状脂肪族炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などが挙げられ、特に、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が好ましい。
【００３０】
炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基としては、芳香環を有し、且つ基を構成している炭素数の総和が６〜２０のものである。ここで、芳香環の置換基を例示すると、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基、アリル基、ビニル基等のアルケニル基、アリルオキシ基などのアルケニルオキシ基、エチニル基などのアルキニル基、エチニルオキシ基等のアルキニルオキシ基が挙げられる。
【００３１】
該芳香族炭化水素基を具体的に例示すると、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基等が挙げられ、特に、フェニル基、トリル基、キシリル基が好ましい。
【００３２】
式(１)におけるＲ1の置換位は、フェノール水酸基から２位、４位、６位の中で少なくとも２箇所が置換されていないものが好ましく、具体的に例示すると、フェノール（ヒドロキシベンゼン）、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−プロピルフェノール、ｍ−プロピルフェノール、ｐ−プロピルフェノール、ｏ−イソプロピルフェノール、ｍ−イソプロピルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｏ−ターシャリーブチルフェノール、ｍ−ターシャリーブチルフェノール、ｏ−ヘキシルフェノール、ｍ−ヘキシルフェノール、ｏ−デシルフェノール、ｍ−デシルフェノール、ｏ−ドデシルフェノール、ｍ−ドデシルフェノール、ｏ−ヘキサデシルフェノール、ｍ−ヘキサデシルフェノール、ｏ−イコシルフェノール、ｍ−イコシルフェノール、ｏ−シクロペンチルフェノール、ｍ−シクロペンチルフェノール、ｏ−シクロヘキシルフェノール、ｍ−シクロヘキシルフェノール、ｏ−シクロヘプチルフェノール、ｍ−シクロヘプチルフェノール、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｏ−トルイルフェノール、ｍ−トルイルフェノール、ｏ−ナフチルフェノール、ｍ−ナフチルフェノール、
２，５−キシレノール、２，３−キシレノール、３，５−キシレノール、２−エチル−５−メチルフェノール、２−エチル−３−メチルフェノール、３−エチル−５−メチルフェノール、２−イソプロピル−５−メチルフェノール、２−イソプロピル−３−メチルフェノール、３−イソプロピル−５−メチルフェノール、２−ターシャリーブチル−５−メチルフェノール、２−ターシャリーブチル−３−メチルフェノール、３−ターシャリーブチル−５−メチルフェノール、２−ヘキシル−５−メチルフェノール、２−ヘキシル−３−メチルフェノール、３−ヘキシル−５−メチルフェノール、２−シクロヘキシル−５−メチルフェノール、２−シクロヘキシル−３−メチルフェノール、３−シクロヘキシル−５−メチルフェノール、２−フェニル−５−メチルフェノール、２−フェニル−３−メチルフェノール、３−フェニル−５−メチルフェノール、２−ナフチル−５−メチルフェノール、２−ナフチル−３−メチルフェノール、３−ナフチル−５−メチルフェノール、２，５−ジエチルフェノール、２，３−ジエチルフェノール、３，５−ジエチルフェノール、２，５−ジプロピルフェノール、２，３−ジプロピルフェノール、３，５−ジプロピルフェノール、２，５−ビスシクロヘキシルフェノール、２，３−ビスシクロヘキシルフェノール、３，５−ビスシクロヘキシルフェノール、２，５−ジフェニルフェノール、２，３−ジフェニルフェノール、３，５−ジフェニルフェノール等が挙げられる。
特に、フェノール（ヒドロキシベンゼン）、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３−キシレノール、２−ブチルフェノール、２−イソブチルフェノール、２−シクロヘキシルフェノール、２−フェニルフェノールが好ましく、とりわけ、フェノール（ヒドロキシベンゼン）、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールが好ましい。
【００３３】
式（２）におけるＲ2基は水素原子および炭素数１〜２０の１価の有機基から選ばれ、該１価の有機基は、前記のＲ1基と同等のものが例示できる。式（２）で示されるアルデヒド化合物を具体的に例示すると、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロパナール、ブタナール、ヘキサナール、オクタナール、デカナール、ドデカナール、ヘキサデカナール、イコサナール、２−メチルプロパナール、２−メチルブタナール、２−エチルブタナール、２，２−ジメチルプロパナール、アクロレイン、２−ブテナール、２−ヘキセナール、２−オクテナール、アセチレンアルデヒド、２−ブチナール、２−ヘキシナール、２−オクチナール、シクロヘプチルカルバルアルデヒド、シクロヘキシルカルバルアルデヒド、ベンズアルデヒド、１−ナフチルアルデヒド、２−ナフチルアルデヒド、スチリルアルデヒド等が挙げられる。また、アルデヒド化合物は、解重合可能な高分子化合物を使用することもできるし、アルデヒド基をアセタール基またはヘミアセタール基で保護してもよい。
【００３４】
式（２）で示されるアルデヒド化合物の中で、特に、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒドが好ましく、とりわけホルムアルデヒドが好ましい。ホルムアルデヒドは、解重合可能な高分子化合物であるパラホルムアルデヒドや、水溶液であるホルマリンを使用することもできる。
【００３５】
式（１）で表される化合物と、式（２）で表されるアルデヒド化合物の重縮合方法は特に限定されないが、例えば、反応溶媒の存在下または不在下、酸触媒またはアルカリ触媒を用いることで達成できる。反応温度としては０〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃であり、反応時間としては、０．１〜３０時間、好ましくは１〜２０時間である。酸触媒としては、硫酸、塩酸、硝酸、燐酸、酢酸、シュウ酸、マロン酸、トルエンスルホン酸等が挙げられ、アルカリ触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン、モルホリン、ピリジン等が挙げられる。
【００３６】
重縮合に用いる反応溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ターシャリーブチルアルコール等のアルコール類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルヘキシルケトン、メチルヘプチルケトン、シクロヘキシルケトン等のケトン類；酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、プロピオン酸メチル、乳酸エチル、酢酸プロピレングリコール等のエステル類；ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ブロモホルム等のハロゲン化炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン、デカン、石油エーテル等の炭化水素類を用いることができ、これらは１種または２種以上を混合して使用することができる。また、反応系に水を共存させてもよく、水と互いに相溶しない溶媒の場合は２層に分離した反応溶媒を用いてもよい。蒸留脱水等で水を除去してもよい。
【００３７】
前記の重縮合方法の例示において、ケトン類、エステル類、芳香族炭化水素類を反応溶媒として用い、酢酸、シュウ酸、マロン酸、トルエンスルホン酸等の有機酸またはアンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン等のアルカリを触媒とするのが好ましい。該触媒は、用いた反応溶媒に対し、溶解していてもよいし、溶解しなくてもよい。
【００３８】
（ｂ）は、前記のようにして得られるノボラック樹脂（ａ）のフェノール性水酸基の一部をＯＲ3基に置換したものである。ここで、Ｒ3基は炭素数１〜２０の一価の有機基であり、前記のＲ1またはＲ2と同等の例示を挙げることができる。
【００３９】
フェノール性水酸基をＯＲ3基に置換する反応としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、金属ナトリウム、金属リチウム、金属カリウム、ｎ−ブチルリチウム、ナトリウムナフタレート、ナトリウムメトキシド等の強アルカリを使用し、前記フェノール性水酸基を金属フェノラート基に変換し、式（６）で示される化合物を反応せしめて得ることができる。
【００４０】
2008070416.tif 000007
（式中、Ｒ3は前記と同等の定義である。Ｔはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メシル基又はトシル基からなる群から選ばれる。）
式（６）で示される化合物は、使用するノボラック樹脂（ａ）のフェノール性水酸基１モル当量に対して、０．９９モル当量以下、好ましくは０．８モル当量以下、特に好ましくは０．５モル当量以下を使用する。
ここで、使用するノボラック樹脂（ａ）中のフェノール性水酸基のモル当量は、アルカリ滴定法を用いて求めることができる。
【００４１】
式（６）で示される化合物の具体例は、フッ化メチル、フッ化エチル、フッ化デシル、フッ化ヘキシル、フッ化オクチル、フッ化ドデシル、フッ化ヘキサデシル、フッ化イコシル、塩化メチル、塩化エチル、塩化デシル、塩化ヘキシル、塩化オクチル、塩化ドデシル、塩化ヘキサデシル、塩化イコシル、臭化メチル、臭化エチル、臭化デシル、臭化ヘキシル、臭化オクチル、臭化ドデシル、臭化ヘキサデシル、臭化イコシル、臭化ベンジル、ヨウ化メチル、ヨウ化エチル、ヨウ化デシル、ヨウ化ヘキシル、ヨウ化オクチル、ヨウ化ドデシル、ヨウ化ヘキサデシル、ヨウ化イコシル、ヨウ化ベンジル、エチルスルホン酸メチル、ブチルスルホン酸メチル、オクチルスルホン酸メチル、デシルスルホン酸メチル、エチルスルホン酸トルイル、ブチルスルホン酸トルイル、オクチルスルホン酸トルイル、デシルスルホン酸トルイル等が挙げられ、臭化メチル、臭化エチル、ヨウ化メチル、ヨウ化エチルが好ましい。
【００４２】
反応溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ターシャリーブチルアルコール等のアルコール類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルヘキシルケトン、メチルヘプチルケトン、シクロヘキシルケトン等のケトン類；ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ブロモホルム等のハロゲン化炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン、デカン、石油エーテル等の炭化水素類を用いることができ、これらは１種または２種以上を混合して使用することができる。とりわけ、エーテル類、芳香族炭化水素類またはハロゲン化炭化水素類が好ましい。また、反応には、使用する反応剤が失活しない限りにおいて、水を共存させてもよいが、水分１００ｐｐｍ以下の脱水された溶媒が好ましい。反応温度は、０．１〜２０時間、好ましくは１〜１０時間、反応温度は−６０〜１００℃、好ましくは−２０〜５０℃で行うことができる。
【００４３】
特に、本発明の（Ｂ）としては、式（１）におけるＲ1が水素原子またはメチル基である化合物とホルムアルデヒドを重合させたフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂が特に好ましい。フェノールノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂は、溶解コントラストが高いために好ましく用いることができる。また、本発明の感光性ペーストに用いられる（Ｂ）の添加割合は、感光性ペースト全量に対して、好ましくは２〜３０質量％であり、より好ましくは３〜２０質量％である。
【００４４】
前記のようにして得られたアルカリ可溶性樹脂は、縮合反応あるいは置換反応に使用した触媒あるいは触媒残渣、未反応の式（１）で示されるフェノール化合物、未反応の式（２）で示されるアルデヒド化合物あるいは未反応の式（６）で示される化合物を公知の方法で除去することが好ましい。また、前記の縮合反応あるいは前記の置換反応に使用した反応溶媒も公知の方法に除去することもできるが、後述の（Ｅ）有機溶媒に適用できるものを使用した場合は、除去せず、アルカリ可溶性樹脂を溶解させた溶液として感光性ペーストの調整に使用してもよい。
【００４５】
アルカリ可溶性樹脂（Ｂ）のＧＰＣ法によるポリスチレン換算重量平均分子量は、好ましくは３５０〜３０，０００であり、より好ましくは３５０〜１０，０００である。該重量平均分子量が、前記の範囲にあると、露光部の硬化性が高い傾向があり、また未露光部の溶解性が高く、パターン形成特性が良好になる傾向があり、好ましい。
【００４６】
本発明の感光性ペーストに用いられる（Ｂ）の添加割合は、感光性ペースト全量に対して、好ましくは１〜３０質量％であり、より好ましくは５〜２０質量％である。
【００４７】
次に、架橋剤（Ｃ）について説明する。
架橋剤（Ｃ）として、式（３）で示される含エポキシ基ケイ素化合物が好適である。かかる含エポキシ基ケイ素化合物は、露光前後の熱処理においても揮発しにくいことから、露光によって効率的に前記（Ｂ）と架橋反応を生じ、且つ低粘度であることから、感光性ペースト自体を増粘させて操作性を悪化させないという利点がある。
2008070416.tif 000008
（式中、Ｑ2、Ｑ3は、それぞれ独立に式（４）で表される基であり、Ｑ1は式（５ａ）または式（５ｂ）で示される２価の基を表す。）
【００４８】
2008070416.tif 000009
（式中、Ｔ1は炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数１〜６のアルキレンオキシアルキレン基またはフェニレン基を表す。ｍは０または１である。）
【００４９】
2008070416.tif 000010
（式中、Ｔ2〜Ｔ7は、メチル基又はフェニル基を表す。Ｔ8は酸素原子、メチレン基、エテニレン基、エチニレン基、フェニレン基、ナフタレンジイル基およびビフェニルジイル基からなる群から選ばれる。）
【００５０】
ここで、Ｑ2、Ｑ3はそれぞれ独立に、式（４）で示されるエポキシ基またはオキセタン基を有する基を示す。ここで、Ｔ1がアルキレン基の場合は、グリシジル基、１，２−エポキシブチル基、１，２−エポキシヘキシル基等が挙げられ、アルキレンオキシアルキレン基の場合は、グリシジルオキシエチル基、グリシジルオキシプロピル基、グリシジルオキシブチル基、１，３−エポキシブチル基、１，３−エポキシヘキシル基が挙げられる。Ｔ1がフェニレン基の場合は１，２−エポキシエチルフェニル基、１，３−エポキシプロピルフェニル基が挙げられる。特に、Ｔ1がアルキレンオキシアルキレン基の場合が、製造上簡便であるため好ましく、とりわけグリシジルオキシプロピル基が好ましい。
Ｑ1は、式（５ａ）または式（５ｂ）で示されるケイ素原子を１個または２個有する２価の基であり、ジメチルシランジイル基、ジフェニルシランジイル基、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンジイル基、１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサンジイル基、１，１，３，３−テトラメチルジシラメチレンジイル基、フェニレンビス（ジメチルシリレン）基等が挙げられ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンジイル基が特に好ましい。
（Ｃ）としては、１，３−ジ（３’−グリシジルオキシプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサンが特に好ましい。
１，３−ジ（３’−グリシジルオキシプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサンは、エポキシ樹脂改質剤用途として、市販されているものであり、容易に入手可能である。
【００５１】
本発明の感光性ペーストに用いられる（Ｃ）の添加割合は、感光性ペースト全量に対して、好ましくは１〜３０質量％であり、より好ましくは１〜２０質量％である。
【００５２】
次に（Ｄ）酸発生剤について説明する。
（Ｄ）としては、例えば、光酸発生剤、光カチオン重合開始剤等が挙げられる。
【００５３】
光酸発生剤としては、例えば、［シクロヘキシル−（２−シクロヘキサノニル）−メチル］スルホニウム  トリフルオロメタンスルフォネート、ビス（ｐ−トリルスルフォニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルフォニル）ジアゾメタン、ターシャリーブチルカルボニルメチル−テトラヒドロチオフェニウム  トリフルオロメタンスルフォネート等が挙げられる。光酸発生剤としては、これらの他に、特開平１１―２０２４９５号公報記載の化合物を使用することもできる。
【００５４】
光カチオン重合開始剤としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスフェート塩、アンチモネート塩等を挙げることができる。具体的には、ロードシルフォトイニシエーター２０７４（ローデル社製）、アデカオプトマーＳＰ−１５０、アデカオプトマーＳＰ−１５２、アデカオプトマーＳＰ−１７０、アデカオプトマーＳＰ−１７２（いずれも旭電化工業（株）製）等が挙げられる。また、これらの他に、特開平９−１１８６６３号公報に記載された化合物も使用することができる。
【００５５】
本発明に適用する感光性ペーストに対する（Ｄ）の含有量は、感光性ペースト全量に対して、好ましくは０．０１〜２０質量％であり、より好ましくは０．０５〜１０質量％である。
（Ｄ）の含有量が、前記の範囲にあると、生産性よくパターンを形成できる傾向があり、好ましい。
【００５６】
次に（Ｅ）について説明する。（Ｅ）は感光性ペーストの粘度を調製し、塗布等の操作性を向上できる範囲で選択できるが、とりわけ、１気圧における沸点が１００℃以上１９５℃未満の有機溶媒（Ｅ−Ａ）を含むと、得られる隔壁が、基板に対する密着性が著しく改良されることを、本発明者らは見出している。
【００５７】
具体的に、前記（Ｅ−Ａ）について説明する。（Ｅ−Ａ）は１気圧での沸点を勘案して選択することが可能であり、具体的には、公知の文献、例えば溶剤ハンドブック（浅原照三，妹尾学他著、講談社、１９７６年発行）等に記載されている、沸点データから容易に好適な溶媒を選択することができる。
具体的に好適な有機溶媒を例示すると、ジプロピレングリコールメチルエーテル（沸点１９０℃）、ジプロピレングリコールジメチルエーテル（沸点１７５℃）、エチレングリコールジアセテート（沸点１８６℃）、エチレングリコールモノアセテート（沸点１８７℃）、エチレングリコールモノメチルエーテル（沸点１９４℃）等が挙げられる。これらの中でも、感光性ペーストを塗布して得られる塗膜の透明性の観点からは、エチレングリコールジアセテートを（Ｅ‐Ａ）として用いると好ましい。
【００５８】
また（Ｅ）を構成する全ての有機溶媒は、２５℃における屈折率が１．４０〜１．８０の有機溶媒であると好ましく、さらには、屈折率が１．４１〜１．７０の有機溶媒であると、さらに好ましく、とりわけ屈折率が１．４２〜１．６０の有機溶媒が好ましい。溶剤の屈折率が前記の範囲にあると、製膜後の感光性ペーストの透明性が高い傾向があり好ましい。有機溶媒の屈折率は、測定温度２５℃において、屈折率計（例えば、京都電子工業（株）製  ＲＡ−５２０Ｎを挙げることができる）を用いて測定することができる。また、屈折率は、例えば、改訂４版  化学便覧  基礎編ＩＩ  ５１４−５２０頁（日本化学会編  丸善（株）  平成５年９月３０日  発行）等の文献に記載されている値を用いて好適なものを選択することもできる。
【００５９】
具体的に、当該屈折率が１．４０〜１．８０である有機溶媒を挙げると、ガンマ−ブチロラクトン（屈折率１．４４）、１，２−プロパンジオールジベンゾエート（屈折率１．５４）が挙げられ、また、前記有機溶媒（Ｅ−Ａ）として例示したエチレングリコールジアセテートは、その屈折率が１．４２であることから、（Ｅ）として特に好適な有機溶媒である。
【００６０】
本発明に適用する感光性ペーストにおける（Ｅ）の含有量としては、感光性ペースト全量に対して、通常、１〜４０質量％であり、好ましくは３〜３０質量％であり、より好ましくは５〜２０質量％である。
【００６１】
さらに、本発明に適用する感光性ペーストには、必要に応じて、光吸収剤、光増感剤、可塑剤、分散剤、沈殿防止剤、界面活性剤等の添加剤を添加してもよい。
【００６２】
次に、本発明のパターン形成方法について説明する。
本発明のパターン形成方法は前記の（Ｉ）〜（VI）からなる各工程を有するパターン形成方法である。
【００６３】
まず、（Ｉ）について説明する。基板上に感光性ペーストを全面塗布、または部分的に塗布して塗膜を形成させる。塗布方法としては、例えば、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、スクリーン印刷等のいずれの塗布方法を用いることができる。塗布厚みは、塗布回数、ペースト粘度を選ぶことにより調整することができ、通常、５〜５００μｍ程度であるが、本発明のパターン形成方法は、５０μｍを越える厚膜において、従来の感光性ペーストよりも高感度となる効果を発現する。
【００６４】
また、感光性ペーストを基板上に塗布する場合、基板と塗布膜との密着性を高めるために基板表面を表面処理液で処理してもよい。
【００６５】
前記の表面処理液としては、例えば、グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、グリシジルオキシプロピルトリメトキシシシラン、オキセタニルオキシプロピルトリエトキシシラン等のシランカップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤は、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等の有機溶媒で０．１〜５％の濃度に希釈したものを用いることが好ましい。
【００６６】
表面処理の方法は、例えば、該表面処理液をスピナーなどで基板上に均一に塗布した後、乾燥せしめることで、該表面処理液で使用した有機溶媒を除去することで実施でき、乾燥に係る方法は公知の方法を用いることができる。
【００６７】
前記のようにして得られた塗膜に対し、（II）は該塗膜中に残存する有機溶媒を除去する工程である。好ましくは、基板上の塗膜を温度７０〜１４０℃で５〜６０分間加熱処理を行うと好ましい。かかる加熱処理は、ホットプレート、遠赤外線オーブン等の加熱装置を用いることができる。なお、該加熱処理において、その温度条件としては８０〜１３０℃が好ましく、８５〜１２０℃がさらに好ましい。一方、処理時間は１０〜５０分の範囲が好ましく、２０〜４０分間の範囲がさらに好ましい。
次いで、加熱処理を行った塗膜を室温まで冷却する。かかる冷却は放冷でよい。なお「室温」とは２５±５℃程度を意味する。
このような加熱処理を前記塗膜に施すと、後述する（III）露光に係る感度がより一層向上させることができる。定かではないが、このような加熱処理では塗膜中の有機溶媒をほとんど除去できるが、なお数％程度の有機溶媒が残存しやすく、このように塗膜に有機溶媒が少量残存すると、塗膜の透明性が向上し、感度が向上すると推定される。
【００６８】
次いで、（III）露光装置を用いて露光を行なう。露光装置としては、例えば、プロキシミティ露光機等を用いることができる。
【００６９】
また、大面積の露光を行なう場合には、前記のようにして基板上に感光性ペーストから塗膜を形成した後に、移動させながら露光を行なうことによって、小さな露光面積の露光機で、大きな面積を露光することができる。露光とは、作成するマスクパターンを、感光性ペースト塗布膜に電離放射線で描画するものであり、電離放射線としては、例えば、紫外線、電子線、Ｘ線、可視光、近赤外光等を使用することができる。
【００７０】
前記露光における照射量としては、使用する露光源あるいは感光性ペーストに使用した（Ｃ）の種類により適宜最適化できるが、本発明では、後述の（IV）に係る加熱処理により、露光源として高圧水銀灯を使用した波長３６５ｎｍの光源を使用し、室温下で露光した場合、露光量１００ｍJ/cm2〜３００ｍＪ/ｃｍ2程度の低露光量でパターン形成が可能である。
【００７１】
次に（IV）露光後の加熱処理について説明する。
露光後の加熱処理は、温度８０〜１６０℃、時間３〜６０分間で行なう。かかる加熱処理における処理温度は９０〜１５５℃が好ましく、１００〜１５０℃であるとさらに好ましい。一方、時間は５〜５０分の範囲であると好ましく、８〜４０分間の範囲であるとさらに好ましい。かかる露光後の加熱処理によると、前記感光性ペーストから得られる塗膜を露光したときに、未露光部と露光部との現像コントラストを大とすることができ、高感度でのパターン形成を可能とする。
また、該加熱処理を施した後も、放冷等によって露光後の塗膜を室温まで冷却する。
【００７２】
続いて、（V）現像を行うことにより未露光部を溶解させ、露光部（光硬化部）を残存させることでパターンが形成される。該現像としては、通常、浸漬法、スプレー法、ブラシ法等で行われる。
【００７３】
現像に用いる現像液としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム等のアルカリの水溶液が挙げられる。
【００７４】
水溶液中のアルカリ濃度は、好ましくは０．０５〜５質量％であり、より好ましくは０．１〜５質量％である。アルカリ濃度が前記の範囲にあると、現像除去するべき部分の除去性が良好であり、また残存すべきパターンが剥離したり侵食されたりする傾向が小さく、好ましい。
【００７５】
現像時の温度は、その工程管理上、好ましくは１５〜５０℃である。
【００７６】
前記のようにしてパターンを形成後、（VI）焼成炉にて焼成を行なうことにより隔壁を形成することができる。焼成雰囲気や焼成温度は、感光性ペーストや基板の種類によって異なるが、空気中、窒素等の雰囲気中で、４５０〜６００℃で焼成することで隔壁が基板上に形成される。焼成炉は、バッチ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉を用いることができる。
特に、ガラス基板上に隔壁を製造する場合は、４５０〜６００℃の加熱処理を１０〜６０分間行なうことが好ましい。
【００７７】
前記のようにして得られた隔壁の表面にはコート層を形成してもよい。コート層は、低融点ガラス粒子とバインダー樹脂からなるペースト剤やセラミックコーティング剤などのコート剤を塗布・乾燥し、焼成して隔壁の表面に形成するか、または前記のパターン形成後、該コート剤を塗布した後、焼成を行なうことにより、隔壁の形成と同時に隔壁の表面に形成してもよい。
【００７８】
低融点ガラス粒子としては、前記と同等の例示が挙げられる。
【００７９】
前記のバインダー樹脂としては、例えば、ブチラール樹脂、ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、ポリα-メチルスチレン等が挙げられる。
【００８０】
前記セラミックコート剤としては、水性金属塩系コート剤、アルコキシ金属塩系コート剤等を用いることができ、具体的には、水性金属塩系コート剤としてはＭＳ−１７００、アルコキシ金属塩系コート剤としてはＧ−３０１、Ｇ−４０１（いずれも、（株）日本セラミック製）を挙げることができる。
【００８１】
コート層の焼成温度は、低融点ガラス粒子とバインダー樹脂よりなるペースト剤を用いる場合、通常、２５０〜６００℃程度であり、セラミックコート剤を用いる場合、通常、室温〜５００℃である。
【００８２】
前記の露光、現像を含むパターン加工を行なう方法により、焼成前後の寸法変動が非常に小さい隔壁を得ることができる。
本発明に適用した感光性ペーストは、焼成前後でのトップ幅寸法、ボトム幅寸法および高さ寸法のそれぞれの変化量が±３０％以内、より好ましくは±１０％以内の寸法変動が非常に低い隔壁であり、高感度のリソグラフィープロセスで製造されるため、生産性に優れた隔壁製造を可能とする。
【００８３】
このようにして得られた隔壁は、プラズマディスプレイ用部材である背面板の隔壁として好適に使用することができる。背面板の製造方法は、前記の隔壁を形成した基板に、蛍光層形成等の公知の処理を施すことにより達成される。
また、このようにして製造された背面板は、公知の方法により製造されたプラズマディスプレイ用の前面板と封着し、前面板と背面板の間隔に形成された空間に放電ガスを封入して、プラズマディスプレイパネルを得ることができる。
【実施例】
【００８４】
以下、実施例によって本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【００８５】
製造例１
＜樹脂（Ｂ−３）の合成＞
撹拌機、温度計、還流冷却管、滴下ロートおよびガス導入管を備えた１Ｌのフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート３３３ｇが導入された。その後、ガス導入管を通って窒素ガスがフラスコ内に導入されて、フラスコ内雰囲気が窒素ガスに置換された。その後、フラスコ内の溶液が１００℃に昇温された後、ジシクロペンタニルメタクリレート（ＦＡ−５１３Ｍ；日立化成（株）製）２２．０ｇ（０．１０モル）、ベンジルメタクリレート７０．５ｇ（０．４０モル）、メタクリル酸４３．０ｇ（０．５モル）アゾビスイソブチロニトリル３．６ｇおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１６４ｇからなる混合物が、滴下ロートを用いて２時間かけてフラスコに滴下され、滴下完了後さらに１００℃で５時間撹拌が続けられた。
攪拌終了後、ガス導入管を通って空気がフラスコ内に導入されて、フラスコ内雰囲気が空気にされた後、グリシジルメタクリレート３５．５ｇ［０．２５モル（本反応に用いたメタクリル酸に対してモル分率で、５０モル％）］（ｂ２４に相当）、トリスジメチルアミノメチルフェノール０．９ｇおよびハイドロキノン０．１４５ｇがフラスコ内に投入され、反応が１１０℃で６時間続けられたあと、溶剤をエチレングリコールジアセテートに置換し、固形分５０％、酸価８０ｍｇＫＯＨ／ｇの樹脂Ｂ−３を得た。
【００８６】
ここで、酸価は、カルボン酸などの酸基を有する重合体１ｇを中和するに必要な水酸化カリウムの量（ｍｇ）として測定される値であり、通常、濃度既知の水酸化カリウム水溶液を用いて滴定することにより求められる。
得られた樹脂Ｂ−３の、ＧＰＣ法により測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は９，０００であった。
【００８７】
前記の樹脂の、ＧＰＣ法によるポリスチレン換算の重量平均分子量および数平均分子量の測定は、以下の条件で行った。
装置；ＨＬＣ-８１２０ＧＰＣ（東ソー（株）製）
カラム；ＴＳＫ−ＧＥＬＧ２０００ＨＸＬ
カラム温度；４０℃
溶媒；ＴＨＦ
流速；１．０ｍｌ／ｍｉｎ
被検液固型分濃度；０．００１〜０．０１質量％
注入量；５０μｌ
検出器；ＲＩ
校正用標準物質；ＴＳＫ  ＳＴＡＮＤＡＲＤ  ＰＯＬＹＳＴＹＲＥＮＥ  Ｆ−４０、Ｆ−４、Ｆ−１、Ａ−２５００、Ａ−５００（東ソー（株）製）
また、本実施例において用いられた他の樹脂についても、同じ条件で、重量平均分子量を測定した。
【００８８】
本発明に使用した感光性ペーストにおける原料は下記のものを組み合わせて使用した。
（Ａ−１）球状シリカ（（株）アドマテックス製；ＳＯ−Ｃ６）
（Ａ−２）低融点無鉛ガラス粒子（ヤマト電子（株）製、ＹＥＢ２−６７０１）
（Ｂ−１）フェノールノボラック樹脂のエチレングリコールジアセテート５０重量％溶液
（群栄化学工業（株）製、ＰＳＭ−４３２６）
（Ｂ−２）ポリアクリル酸（アルドリッチ製  Ｍｗ：１２５０）のガンマ−ブチロラクトン５０重量％溶液
（Ｂ−３）合成例に記載
（Ｃ−１）１，３−ジ（３’−グリシジルオキシプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチル−ジシロキサン（ローデル社製、ＳＩＬＣＯＬＥＡＳＥ  ＰＣ−６０６ＰＥＸ）
（Ｉ−１）ペンタエリスリトールテトラメタクリレート
（Ｄ−１）ロードシルフォトイニシエーター（ローデル社製、ＰＩ−２０７４）
（Ｇ−１）増感剤（川崎化成工業（株）製、ＤＢＡ）
（Ｇ−２）２−メチル−２−モルホリノ−１−（４−メチルチオフェニル）プロパン−１−オン
（Ｇ−３）２，４−ジエチルチオキサントン
（Ｅ−１）エチレングリコールジアセテート（東京化成製）
（Ｅ−２）１，２−プロパンジオールジベンゾエート（アルドリッチ製）
（Ｅ−３）ガンマ−ブチロラクトン
（Ｈ−１）酸化チタン粒子（石原産業（株）製、ＣＲ−ＥＬ）
【００８９】
実施例１
（Ａ−１）    ２７３．２質量部
（Ａ−２）    ４０９．７質量部
（Ｂ−１）    ２０４．９質量部
（Ｂ−２）      １７．１質量部
（Ｃ−１）      ３８．４質量部
（Ｄ−１）        ９．８質量部
（Ｇ−１）        ２．１質量部
（Ｅ−１）      ２１．３質量部
（Ｅ−２）      ２１．３質量部
（Ｈ−１）        ２．１質量部
をポリプロピレン製密閉容器に入れ、攪拌脱泡機（（株）キーエンス社製；ＨＭ−５００）を用いて攪拌して均一な感光性ペーストを調製した。
【００９０】
調製した感光性ペーストを２００μｍギャップのアプリケーターを用いて、誘電体付きガラス基板上に１回塗布した。塗布後９０℃のオーブンで４０分乾燥して塗膜を調製した。
【００９１】
次いで、乾燥後の塗膜を、４５μｍライン、２４０μｍピッチのマスクを用いて、プロキシミティ露光機（大日本スクリーン製造（株）製；ＭＡＰ−１３００）で露光した。照射露光量は、２００ｍＪ／ｃｍ2であった。露光後、１４０℃で１０分間ベークした後、０．４質量％水酸化ナトリウム水溶液で現像して、パターン上部幅３４μｍ、パターン下部幅６５μｍ、高さ９３μｍのパターンが得られた。更に、未露光部の残渣も見られず、基板への密着性が良好であった。
【００９２】
比較例１
（Ａ−１）    ２７３．２質量部
（Ａ−２）    ４０９．７質量部
（Ｂ−１）    ２０４．９質量部
（Ｂ−２）      １７．１質量部
（Ｃ−１）      ３８．４質量部
（Ｇ−２）        ９．８質量部
（Ｇ−３）        ２．１質量部
（Ｅ−１）      ２１．３質量部
（Ｅ−２）      ２１．３質量部
（Ｈ−１）        ２．１質量部
をポリプロピレン製密閉容器に入れ、攪拌脱泡機（（株）キーエンス社製；ＨＭ−５００）を用いて攪拌して均一な感光性ペーストを調製した。
【００９３】
調製した感光性ペーストを２００μｍギャップのアプリケーターを用いて、誘電体付きガラス基板上に１回塗布した。塗布後９０℃のオーブンで４０分乾燥して塗膜を調製した。
【００９４】
次いで、乾燥後の塗膜を、４５μｍライン、２４０μｍピッチのマスクを用いて、プロキシミティ露光機（大日本スクリーン製造（株）製；ＭＡＰ−１３００）で露光した。照射露光量は、４００ｍＪ／ｃｍ2であった。露光後、０．４質量％水酸化ナトリウム水溶液で現像したところ、露光量不足でパターンがほとんど残らなかった。
【００９５】
比較例２
（Ａ−１）    ２７３．２質量部
（Ａ−２）    ４０９．７質量部
（Ｂ−３）    ２２２．０質量部
（Ｉ−１）      ３８．４質量部
（Ｄ−１）        ９．８質量部
（Ｇ−１）        ２．１質量部
（Ｅ−２）      ２１．３質量部
（Ｅ−３）      ２１．３質量部
（Ｈ−１）        ２．１質量部
をポリプロピレン製密閉容器に入れ、攪拌脱泡機（（株）キーエンス社製；ＨＭ−５００）を用いて攪拌して均一な感光性ペーストを調製した。
【００９６】
調製した感光性ペーストを２００μｍギャップのアプリケーターを用いて、誘電体付きガラス基板上に１回塗布した。塗布後９０℃のオーブンで４０分乾燥して塗膜を調製した。
【００９７】
次いで、乾燥後の塗膜を、４５μｍライン、２４０μｍピッチのマスクを用いて、プロキシミティ露光機（大日本スクリーン製造（株）製；ＭＡＰ−１３００）で露光した。照射露光量は、４００ｍＪ／ｃｍ2であった。露光後、０．４質量％水酸化ナトリウム水溶液で現像したところ、露光量不足でパターンがほとんど残らなかった。