(57)【要約】【課題】  インクジェット構成部材の基体の接着強度、接着耐久性を確保しつつも、接着剤の流路内への流れ込みを減少させるインクジェット記録ヘッドを提供することである。【解決手段】  陽極化成処理によってＳｉ単結晶の接着表面を一定度合いに荒らすことで、接着強度、接着耐久性を向上させる。また高さ方向に段差をつける構成を用いて、接着剤の流路内への流れ込みを減少させる。その高低差は、非陽極化成処理部にマスク材を配置することで、陽極化成処理と同時に精度よく形成できる。【選択図】  図１
2008142966.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つ以上の基材を接着することにより流路を封止する構成のインクジェット記録ヘッドであって、接着基材の少なくとも一方の接着表面にポーラス状の構造体が形成されていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項２】
前記ポーラス状の構造体は、Si単結晶基板を陽極化成処理された層であることを特徴とする請求項1に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項３】
前記陽極化成処理された層が、基体を貫通する液流路に接しないように形成されていることを特徴とする請求項1及び2に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項４】
前記陽極化成処理された層が、非陽極化成処理された部分に対して凹状であることを特徴とする請求項1〜3に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項５】
前記記載の凹状の容積部が、接着領域における接着層体積の30％以上90％以下であることを特徴とする請求項1〜4に記載のインクジェット記録ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、印加信号によって吐出エネルギー発生素子から発生させたエネルギーにより所望の液体を吐出する液体吐出ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から液体吐出装置は、微細加工、実験分析、画像形成等の様々な分野で応用されているが、ここではインクジェットによる記録方法を例にとって説明する。
【０００３】
インク滴を吐出し、これを被記録媒体上に付着させて画像形成を行うインクジェット記録方法は、高速記録が可能であり、また記録品位も高く、低騒音であるという利点を有している。さらに、この方法はカラー画像記録が容易であって、普通紙等にも記録でき、さらに装置を小型化し易いといった多くの優れた利点を有している。
【０００４】
このようなインクジェット記録方法を用いる記録装置には、一般にインクを飛翔インク滴として吐出させるための吐出口と、この吐出口に連通するインク路と、このインク路の一部に設けられ、インク路内のインクに吐出のための吐出エネルギーを与えるエネルギー発生手段とを有する記録ヘッドが備えられる。
【０００５】
近年の高精細印字の要求に応えるために、多ノズル化に伴う精密微細加工と複雑な所望形状が必要とされるようになってきた。
【０００６】
高密度ヘッドになるほどノズル連絡口の隔壁間上において接着・接合面積が少なくなり接着・接合力が弱くなる現象が発生する。特に接着工程により基板同士を張り合わせインクジェット記録ヘッドを作製する場合、それに起因する接着面での剥離や、接着不良による圧力発生室間のインク漏洩が問題になってきている。
【０００７】
また高精細化に伴ってインク圧力発生室内に浸入する接着剤の影響が顕著となり前記接着剤の浸入を抑制することが重要となってきている。
【０００８】
上記課題を解決するため例えば特開平11-058737では、エッチングや機械研磨等で接着表面を荒らすことで接着の表面積を向上させて接着力向上を達成していた。
【０００９】
例えば特開2002-205404においては、Si（100）単結晶基板の異方性エッチングによる凹状構造を形成し余分な接着剤を凹部へ流入させることで、インク流路内への接着剤の流れ込みを防止している。
【特許文献１】特開平11-058737号公報
【特許文献２】特開2002-205404号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特開平11-058737で示されているように、エッチング、研磨等で表面を荒らすことは以下の問題がある。
【００１１】
ウェットエッチングでは、接着表面積を稼ぐに適した面荒さを均一に調整することは難しい。またドライエッチングにおいても、接着表面積を稼ぐに適した面荒さを実現するには被エッチング面においてマイクロマスクが必要である。特開平11-058737においては、エッチングにおける面荒れの達成について具体的手法が示されていない。
【００１２】
また機械研磨による面荒れだと研磨される構造剛性等によっては破壊する恐れがある。特に近年のインクジェット記録ヘッドは高精細化が進んでおり、流路を隔てる隔壁厚さが薄いため構造強度は弱くなっている。
【００１３】
また特開2002-205404のように、Si（100）単結晶基板の異方性エッチングにおいては、エッチング面のSi（111）と非エッチング面のSi（100）による鏡面が接着面であり、適度な粗さが無く接着強度向上にはそれほど結びつかない。また、異方性エッチングだとエッチングマスクが面指数に制限されて吐出口形状に対応したような凹状の構造加工は難しい。
【００１４】
本発明はこのような問題にかえりみてなされたものであってその目的とするところは、インクジェット構成部材の基体の接着強度、接着耐久性を確保しつつも、接着剤の流路内への流れ込みを減少させるインクジェット記録ヘッドを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
すなわち本発明のインクジェット記録ヘッドは、少なくとも２つ以上の基材を接着することにより流路を封止する構成のインクジェット記録ヘッドであって、接着基材の少なくとも一方の接着表面にポーラス状の構造体が形成されていることを特徴としている。
【００１６】
また本発明のインクジェット記録ヘッドは、前記ポーラス状の構造体が、Si単結晶基板を陽極化成処理された層であることを特徴としている。
【００１７】
また本発明のインクジェット記録ヘッドは、前記陽極化成処理された層が、基体を貫通する液流路に接しないように形成されていることを特徴としている。
【００１８】
また本発明のインクジェット記録ヘッドは、前記陽極化成処理された層が、非陽極化成処理された部分に対して凹状であることを特徴としている。
【００１９】
また本発明のインクジェット記録ヘッドは、前記記載の凹状の容積部が、接着領域における接着層体積の30％〜90％であることを特徴としている。
【００２０】
（作用）
陽極化成処理によってSi単結晶の表面を一定度合いに荒らすことで、従来以上の接着強度、接着耐久性の向上が可能になる。
【００２１】
また前記凹部の容積を好適な範囲に制御することにより、余分な接着剤が前記凹部に流れ込み、且つ前記2つ以上の部材を欠陥なく接着するのに必要な接着剤が前記2層の間に残留することにより、インク流路の閉塞や流路抵抗の増大がなく良好な接着を行える。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明したように本発明によれば、陽極化成処理によってSi単結晶の表面を一定度合いに荒らすことで、接着強度、接着耐久性を向上することができる。また高さ方向に段差をつける構成を用いて、接着剤の流路内への流れ込みを減少させることができる。その高低差は、非陽極化成処理部にマスク材を配置することで、陽極化成処理と同時に精度よく形成できる。更には接着両面に関してポーラス層を設けることによって、より接着の耐久性を向上させることが期待できる。
結果、長時間にわたる駆動に対し、従来と比較して接着層剥離に起因する、特性劣化、構造疲労もしくは破壊を防止できる高耐久なインクジェット記録ヘッドを提供することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
インクジェットの構成図をもとに本発明を説明する。
【００２４】
図11は圧力室長手方向（AB方向）におけるABC断面図、図９はD位置においてCA方向を示したものである。インク流路は、インクリザーバー1104、後方絞り1103、個別圧力室1105、ノズル連絡口1106、1112、ノズル1113で構成され、振動板1102、圧電体薄膜1101からなるピエゾ素子が個別圧力室1105上において振動板側が流路に接するように構成されている。
【００２５】
本発明は、ノズルを有する層と、個別圧力室を有する層の接着剤による接合において、少なくとも一方の接着面の改質処理を行うことで、接着強度向上、接着耐久力向上を狙うものである。図11、図９においては、個別液室側の基体1107とノズルプレートを有する層1111との接着工程において、基体1107の接着表面にポーラス層を形成している。
【００２６】
本発明ではSi単結晶基板の表面を陽極化成処理することで、構造が鏡面平坦なものから、表層にSiO2膜が被覆されたポーラス状構造になることで基板表面の均一度合いの荒れを実現する。
【００２７】
このようにして接着剤塗布表面を一定度に荒らすことで、シランカップリング剤に代表される表面改質処理剤、及び接着剤の塗布性向上、更には接着力向上を図ることが可能になる。特に近年要求されている高精度・高密度IJヘッドにおいては、流路構成にSi単結晶基板を用い、更にフォトリソプロセスを併用することが一つの手法として確立しつつある。上記を踏まえると、Si単結晶基板の表面を陽極化成処理するというのは物理的研磨工程を必要とせず、研磨傷等のクラック原因が生じることもなく表面を荒らすことができる好適な手法である。
【００２８】
陽極化成を行うＳｉ基板としては、単結晶Ｓｉ，多結晶Ｓｉ，非晶質Ｓｉ等が使用される。Ｓｉ基板は、電気化学的なエッチングにより表面が多孔質化される。たとえば、４８％フッ酸水溶液に０．１〜５倍のエチルアルコールを加えた溶液にｐ型Ｓｉ基板を浸漬し、電流密度５〜５００ｍＡ／ｃｍ2 で１〜６０分間陽極処理すると、基板表面が多孔質化される。このとき、フッ酸水溶液に対しエチルアルコールが０．１倍未満になると、陽極処理時に生成した泡によって多孔質化が阻害される。逆に５倍を超えるエチルアルコールでは、多孔質の構造が極端に脆くなるため、安定的な試料の取扱いが困難になる。また、電流密度が５００ｍＡ／ｃｍ2 を超えると多孔質化ではなく電解研磨が起こり始め、逆に５ｍＡ／ｃｍ2 に満たない電流密度では長時間の処理を必要とする。
【００２９】
ｎ型基板を使用する場合には、同様な処理条件に加え、陽極化成処理時にＳｉ基板を光照射することが必要である。ｎ型Ｓｉ基板から作製した多孔質Ｓｉは、ｐ型Ｓｉ基板から作製した多孔質Ｓｉに比較して、同じ電流密度で化成処理しても多孔度が低いため、多孔質構造が安定になる。
【００３０】
また基板表面上の流路付近においてはHFとのエッチング選択比の高いマスクを配置しておくことで、陽極化成処理が比較的進行せず、Si面が維持される。結果としてSiと陽極化成処理部において高低差が形成され、その高低差が流路内への接着剤進入を妨げる構造として機能する。図11、図９中においては、1109、1201が高低差を形成する構造として機能する。
【００３１】
ノズルを有する層（ノズルプレート）はSUSのパンチ加工により作製してもよいし、Si単結晶基板をドライエッチング加工してもよい。接着剤はノズルプレート側へスピンコートにより薄層塗布し、真空ポンプを用いてノズル先端側から逆側に存在する余分な接着剤を吸い出す。ノズルプレートとしてSUS薄板を用いた場合は、接着剤塗布前にUS洗浄、UVアッシング処理を行うことで接着剤の塗布性は安定する。
【００３２】
Si単結晶基板を用いた場合は、陽極化成処理後、フォトリソ工程を用いてノズル加工を行い、表面改質剤を気相塗布し、接着剤をスピンコート塗布する。その後、同様にして真空ポンプを用いてノズル先端側から逆側に存在する余分な接着剤を吸い出す。
【００３３】
接着剤塗布における選択領域塗布も可能である。例えば、Si単結晶基板を用いた場合は、塗布領域、非塗布領域を隔てる各マスクパターンを配置し、レジストマスク等により表面改質剤の選択塗布を行う。そうすることで、接着剤のスピンコート塗布時において改質処理の度合いによって膜厚差が生まれやすくなることを利用してもよい。
【００３４】
接着剤は、熱硬化型でもよいが、2液反応、UV遅延硬化等の方が接着時の熱応力が緩和されて好ましい。
【００３５】
基板表面に対し垂直な隔壁をもつ圧力発生室、及び流路は、Si（１１０）単結晶基板のKOH溶液による異方性エッチング、もしくはSi単結晶基板をSF6ガスを主成分とするガスを用いてドライエッチングすることにより高精度に作製できる。
【００３６】
エネルギー発生素子としては、ピエゾ素子、発熱素子、静電気力などが代表的であるが、吐出エネルギーを発生できる素子ならば問題ない。ここでは撓み振動により吐出エネルギーを発生するピエゾ素子について説明する。
【００３７】
振動板上への圧電/電歪膜の形成方法としては、基板上に成膜された薄膜を接着剤、もしくは陽極接合で接着・接合後、成膜基板を剥離してもよいし、直接振動板上に下電極を形成後、構造体の許容する温度範囲内、かつプロセス工程からみて可能な成膜手段で圧電/電歪膜を成膜してもよい。例えばスパッタリング、CVD、ゾルゲル、EB蒸着、レーザーアブレーションなどで作製プロセス条件に適応する手段を用いる。
【００３８】
圧電・電歪膜に用いられる材料としては、ペロブスカイト型化合物が挙げられる。例えば、チタン酸ジルコン酸鉛PZT [Pb(ZrxTi1-x)O3]やチタン酸バリウムBaTiO3などの圧電材料やリラクサ系材料の電歪材料である。チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）のｘは０．４０から０．６５のMPB（meso phase boundary）組成が好ましいが、それ以外の組成比でも良い。PZTの結晶構造は正方晶、菱面体晶のいずれの結晶構造でも良い。BaTiO3は、正方晶で（００１）配向された膜が好ましい。また、BaTiO3は微量の鉛、ビスマスが含有されていても良い。
【００３９】
本発明で使用する電歪材料としては以下の物が選択出来る。
【００４０】
例えば、PMN [Pb(MgxNb1-x)O3]、PNN [Pb(NbxNi1-x)O3]、PSN [Pb(ScxNb1-x)O3]、PZN [Pb(ZnxNb1-x)O3]、PMN-PT {(1-y)[Pb(MgxNb1-x)O3]-y[PbTiO3]},PSN-PT {(1-y)[Pb(ScxNb1-x)O3]-y[PbTiO3]},PZN-PT {(1-y)[Pb(ZnxNb1-x)O3]-y[PbTiO3]}, LN[LiNbO3]、KN[KNbO3]である。ここで、ｘおよびｙは1以下で0以上の数である。例えば、PMNの場合ｘは0.2〜0.5で、PSNではｘは0.4〜0.7が好ましく、PMN-PTのｙは0.2〜0.4、PSN-PTのｙは0.35〜0.5、PZN-PTのｙは0.03〜0.35が好ましい。また、PMN-PT、PZN-PT,PNN-PT,PSN-PTにZrがTiに代替されて含まれたPMN-PZT,PZN-PZT,PNN-PZT,PSN-PZT化合物であっても良い。
【００４１】
圧電・電歪膜は単一組成であっても良いし、2種類以上の組み合わせでも良い。又、上記主成分に微量の元素をドーピングした組成物であっても良い。本発明の圧電・電歪膜は、優れた圧電性を発現するために、結晶制御されたものが良く、X線回折で特定の結晶構造の特定の方位が５０％以上あるものが好ましく、さらには、９０％以上のものがより好ましい。
【００４２】
振動板を形成する材料としては、パイレックス（登録商標）ガラス、SD2ガラス、酸化シリコンの他に、ニッケル、クロムなどの金属などが適した材料である。振動板を、上記のような特性の異なる複数の材料で積層しても問題ない。薄片化工程は、研磨及びウェットエッチング、ドライエッチングを併用することで行う。
【００４３】
電極材料は、白金、パラジウム、銀―パラジウム、銀―白金、白金―パラジウムからなる合金のうち少なくとも１種類以上を主成分とする。
【００４４】
以下に具体的な実施例を示すが、駆動素子、振動板、圧力発生室、インク供給流路、インクリザーバー、およびノズル等の寸法や形状や材質、駆動条件等は一例であり、設計事項として任意に変更できるものである。以下実施例を用いて本発明を、より詳細に説明する。
【実施例１】
【００４５】
作製したインクジェット記録ヘッドの断面方向を図１に、接着面を図2に示しデバイス構成を説明する。
【００４６】
作製したインクジェット記録ヘッドは、厚さ300μｍのSi単結晶基板（以下基体）を用いて、インクリザーバー104、個別圧力発生室105（幅60μm、長さ2.5mm）、後方絞り103、ノズル連絡口106とその接続部111、ノズル112を含む流路で形成されている。ノズルは、300dpiノズル密度を有するノズルプレート110に基体ノズル連絡口が接着接続されて固定されている。
【００４７】
アクチュエーター部に関しては、Si単結晶基板の基体107に陽極接合後、厚さ３μmまで薄片化（研磨とウェットエッチング併用）されたSD2ガラスが振動板102として、更にその上に厚さ1μm強の上Pt膜/ Pb(Zr0.52Ti0.48)O3（以下ＰＺＴ）膜101/下Pt膜が室温成膜により形成されている。配線パターン加工は、フォトリソ、ドライエッチングにより加工されている。本実施例では、Pt上電極が成膜される前にPZT膜は酸素雰囲気中、680℃、5hrの条件で焼成し、PZT膜の結晶化確認を行っている。
【００４８】
基体107とノズルプレート110との接着面に関しては、基体側接着面108に陽極化成処理が行われ、深さ1μ程度のポーラス層が形成されている。深さ１μｍの多孔質Ｓｉを作製した時の陽極化成の条件は、印加は２．５Ｖ、電流密度は３０mA/cm2、溶液はＨＦ：Ｈ２Ｏ：Ｃ２Ｈ５ＯＨ＝１：１：１、反応時間６分であった。
【００４９】
ノズルプレート110は、厚さ100μmのSUS板を２段パンチ加工し、基体側のノズル連絡口に相当する窪み111と、テーパー付きノズル112が形成されている。ノズルプレート側に溶媒希釈した接着剤をスピナーで厚さ2μm程度に薄層塗布し、真空ポンプでノズル近傍の余分な接着剤を吸引して、更に溶媒分を揮発させてから、基体側へ接着を行うことで基体流路を封止し、インク供給管の接続、ACFによる電気的実装を行った。
【００５０】
本実施例においては、ノズルプレートと基体とを接着したが、振動板と基体を接着してもよく、該接着の場合、基体の接着表面を陽極化成処理してもよい。更に振動板にSiを用いる場合、振動板の被接着面を陽極化成処理するのも良い方法である。
【００５１】
本実施例のインクジェット記録ヘッドを、60℃のインクに1ヶ月浸漬（キヤノン製インクBCL-3eBk）した結果、ノズルプレートから剥離は生じず良好なインク滴吐出が可能であった。
【００５２】
また、陽極化成処理を行わないSi鏡面における接着で作製したインクジェット記録ヘッドを60℃のインク（キヤノン製インク）に1ヶ月浸漬した結果、ノズルプレートにおいて剥離が生じた。
【００５３】
以上のように、接着剤塗布前に基体側接着面に陽極化成処理を施すことで、ノズルプレートと基体側との接着力が向上した事を確認できた。
【実施例２】
【００５４】
作製したインクジェット記録ヘッドの断面方向を図3に、接着面を図4に示しデバイス構成を説明する。
【００５５】
作製したインクジェット記録ヘッドは、厚さ300μｍのSi単結晶基板（以下基体306）を用いて、インクリザーバー304、個別圧力発生室305（幅60μm、長さ2.5mm）、後方絞り303、ノズル連絡口306とその接続部312、ノズル313を含む流路で形成されている。ノズル313は、300dpiノズル密度を有するノズルプレート311に基体ノズル連絡口が接着接続されて固定されている。アクチュエーター部の構成に関しては、実施例1と同様である。
【００５６】
基体のノズルプレートとの接着面に関しては、陽極化成によるポーラス構造が流路付近を避けるように形成されている。それにより基体307の接着面308においてポーラス面との高低差を形成する構造309、401が形成される。
【００５７】
ノズルプレート311は、厚さ100μmのSUS板を２段パンチ加工し、基体側のノズル連絡口に相当する窪み312と、テーパー付きノズル313が形成されている。
【００５８】
ノズルプレート側に溶媒希釈した接着剤をスピナーで厚さ2μm程度に薄層塗布し、図5に示すように真空ポンプでノズル近傍の余分な接着剤を吸引し、更に溶媒分を揮発させてから、基体側へ接着を行うことで基体流路を封止し、インク供給管の接続、ACFによる実装を行った。
【００５９】
本実施例では、陽極化成処理におけるエッチング深さと接着状況の関係を見るために、[凹部容積  /  接着剤体積（%）]を変化させたヘッドを数種作製した。
【００６０】
凹部容積とは陽極化成処理された基体307の接着面の構造309、401で区切られた部分を示す。接着剤体積とは、ノズルプレート側に塗布された接着剤310の中で、基体307と接着する領域の接着剤体積を示す。
【００６１】
陽極化成処理によって形成した凹部体積は、陽極化成の処理条件を変化させることで形成した。各種ヘッドのインク浸漬実験の結果の表を図１０に示す。
【００６２】
まず20〜30％以下の場合、流路への接着剤の流れ込みが顕著で、接着剤によりインク流路の閉塞が生じる場合があった。また90〜100％以上の場合、塗布した接着剤量に対して空隙が広くなり、接着の欠陥が発生することがあった。その中で30％〜90％間の領域は、接着剤の流路への閉塞はなく、接着の欠陥も発生しなかった。
【００６３】
実施例1のヘッドを60℃のキヤノン製インクに3ヶ月浸漬後、破壊分析をおこなった結果、実用上問題ないレベルであるが、インク流路と接する陽極化成層の断面より隣接ノズルへの若干のインク侵食が生じていた事を確認した。
【００６４】
しかし本実施例の構成においては、インク流路からのインク漏れがノズルプレート接着層へほとんど無く、隣接ノズルへの侵食がほとんどないことを確認できた。
【実施例３】
【００６５】
作製したインクジェット記録ヘッドの断面方向を図6に、ノズルプレート側接着面を図7に示しデバイス構成を説明する。
【００６６】
作製したインクジェット記録ヘッドの基体、アクチュエーター側に関しては実施例2と同様である。本実施例では、ノズルプレート608がSi単結晶基板により作製されている。
【００６７】
基体とノズルプレートの接着面双方に関して、陽極化成によるポーラス構造が流路付近を避けるように形成されている。ノズルプレートは予め選択的に陽極化成されたSi単結晶基板をドライエッチング加工し、基体側のノズル連絡口に相当する窪み702と、テーパー付きノズル607が形成されている。
【００６８】
まずノズルプレート表面において、レジスト保護により選択的に表面改質剤を塗布した。ここで共通液室に触れる領域610に関して接着剤の濡れ性を低下させるようにした。レジストマスク剥離後、ノズルプレート側に接着剤をスピナーで厚さ2μm程度に薄層塗布し、図8に示すように真空ポンプでノズル近傍の余分な接着剤を吸引し、更に溶媒分を揮発させてから、基体側へ接着を行うことで基体流路を封止し、インク供給管の接続、ACFによる実装を行った。
【００６９】
本実施例のインクジェット記録ヘッドを60℃のキヤノン製インクに3ヶ月浸漬後、ノズルプレート付近の接着層剥離、インク液漏れ等は生じなかった。破壊断面分析の結果、実施例２同様インク流路からのインク漏れがノズルプレート接着層へほとんど無く、インクのポーラス層への浸漬がほとんどないことを確認できた。この構成ならば、接着面に関して両面にポーラス構造があるので接着力向上がより期待できる。
【００７０】
実施例3のインクジェット記録ヘット（以下IJヘッド）を複数装備し、駆動用回路を備え、このIJヘッドと被記録媒体とを所望の間隔で対向させるための支持体と、入力された情報に応じて、このIJヘッドと被記録媒体との相対位置を変化させるための機構を有する記録装置を作製した。
【００７１】
本実施例の記録装置は、高解像度、高速印字が可能で、従来と比較して長時間にわたり安定した液体吐出が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本実施例１におけるインクジェット記録ヘッドの横断面
【図２】本実施例１におけるインクジェット記録ヘッドの基体側接着面
【図３】本実施例2におけるインクジェット記録ヘッドの横断面
【図４】本実施例2におけるインクジェット記録ヘッドの基体側接着面
【図５】本実施例2におけるインクジェット記録ヘッドの接着面の拡大断面図
【図６】本実施例3におけるインクジェット記録ヘッドの横断面
【図７】本実施例3におけるインクジェット記録ヘッドの基体側接着面
【図８】本実施例3におけるインクジェット記録ヘッドの接着面の拡大断面図
【図９】実施形態説明図：インクジェット記録ヘッドの基体側接着面
【図１０】各種ヘッドのインク浸漬実験の結果を示す表
【図１１】実施形態説明図：インクジェット記録ヘッドの横断面
【符号の説明】
【００７３】
101  Pt膜/PZT膜/Pt膜
102  SD2振動板
103  後方絞り
104  インクリザーバー（共通液室）
105  個別液室（圧力発生室）
106  ノズル連絡口
107  基体（Si単結晶基板）
108  ポーラスSi層
109  接着剤
110  ノズルプレート
111  基体側ノズル連絡口との接続のための流路
112  ノズル
201  ノズル連絡口
202  インクリザーバー（共通液室）
203  後方絞り部
204  ポーラスSi
301  Pt膜/PZT膜/Pt膜
302  SD2振動板
303  後方絞り
304  インクリザーバー（共通液室）
305  個別液室（圧力発生室）
306  ノズル連絡口
307  基体（Si単結晶基板）
308  ポーラスSi層
309  接着面の非陽極化成部
310  接着剤
311  ノズルプレート
312  基体側ノズル連絡口との接続のための流路
313  ノズル
401  接着面の非陽極化成部
402  ノズル連絡口
403  インクリザーバー
404  後方絞り部
405  ポーラスSi
501  基体側
502  接着面の非陽極化成部
503  ポーラスＳｉ層
504  接着剤
505  ノズルプレート
506  基体側ノズル連絡口との接続のための流路
507  ノズル
601  基体
602  個別液室（圧力発生室）
603  Pt膜/PZT膜/Pt膜
604  SD2振動板
605  インクリザーバー（共通液室）
606  ノズル連絡口
607  ノズル
608  ノズルプレート
609  接着面の非陽極化成部
610  接着剤の濡れ性を低下させたポーラスSi層
611  接着剤の濡れたポーラスSi
612  接着面の非陽極化成部
701  ノズル
702  基体のノズル連絡口への接続流路
703  接着面の非陽極化成部
704  接着面の陽極化成部
705  接着面の非陽極化成部
706  接着剤の濡れ性を低下させたポーラスSi層
801  基体側のノズル連絡口
802  基体
803  接着面の非陽極化成部
804  ポーラスSi層
805  ノズル
806  基体のノズル連絡口への接続流路
807  接着剤
808  ポーラスSi層
1101  Pt膜/PZT膜/Pt膜
1102  SD2振動板
1103  後方絞り
1104  インクリザーバー（共通液室）
1105  個別液室（圧力発生室）
1106  基体側のノズル連絡口
1107  基体
1108  ポーラスＳｉ層
1109  接着面の非陽極化成部
1110  接着剤
1111  ノズルプレート
1112  基体のノズル連絡口への接続流路
1113  ノズル
1201  接着面の非陽極化成部
1202  基体側のノズル連絡口
1203  インクリザーバー（共通液室）
1204  後方絞り
1205  ポーラスＳｉ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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