(57)【要約】  【課題】参照画素の出力をフィードバックすることにより、駆動線での電圧降下によるオフセット分布と、素子温度変動による温度ドリフトの抑制を実現する、熱型赤外線固体撮像素子において、参照画素に欠陥画素が生じても、製造歩留りの低下・コスト増大を引き起こさないようにする。  【解決手段】参照画素の出力に対し、電圧比較回路を用いた欠陥判定回路により、欠陥画素であればフィードバック信号に反映させない。または、複数個の参照画素の出力を平均回路により平均する。【選択図】図１
2008268155.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
断熱構造と赤外線吸収構造を有し、少なくとも１個以上の直列に接続されたダイオードを備える複数の感光画素と、複数の参照画素とからなる画素の２次元行列を設けた画素エリアと、
前記感光画素および参照画素の一方の極を行ごとに共通に接続した複数の駆動線と、
前記複数の駆動線の１つを選択し電源に接続する垂直走査回路と、
前記複数の駆動線とほぼ同一の電圧降下を生じるように前記複数の駆動線に並列に配置され、列ごとにそれぞれ設けられる第２の定電流源を共通に接続し、バイアス電圧がフィードバックされるバイアス線と、
前記感光画素および参照画素の他方の極を列ごとに共通に接続した複数の信号線であって、それぞれに複数の第１の定電流源の１つが接続された複数の信号線と、
前記感光画素および参照画素の列ごとに設けられ、前記第１の定電流源と前記第２の定電流源の両端電圧を入力し、前記両端電圧の差を一定時間積分して出力する複数の差動積分回路と、
前記複数の差動積分回路の出力信号の１つを選択して出力端子に導く水平走査回路と、
前記垂直操作回路および前記水平走査回路により選択された前記参照画素について前記差動積分回路の出力信号をサンプルし保持するサンプルホールド回路と、
前記サンプルホールド回路に保持されている出力信号をもとに、選択された前記参照画素が欠陥画素か否かを判定し、欠陥画素でないと判断したときに、前記出力信号を出力する欠陥判定回路と、
前記サンプルホールド回路から出力される前記出力信号と基準電圧との差に応じた前記バイアス電圧を生成し、前記バイアス線にフィードバックするバイアス電圧生成回路と
からなる熱型赤外線固体撮像素子。
【請求項２】
前記欠陥判定回路は、前記サンプルホールド回路に保持されている出力信号と基準電圧とを比較する電圧比較回路を備え、前記電圧比較回路による比較結果をもとに当該参照画素が欠陥画素か否かを判定することを特徴とする請求項１に記載の熱型赤外線固体撮像素子。
【請求項３】
複数の前記欠陥判定回路と、複数の前記サンプルホールド回路と、前記複数の欠陥判定回路の出力信号を平均する平均回路とを備え、
前記サンプルホールド回路は、複数の前記参照画素について前記差動積分回路の出力信号をサンプルして保持し、
前記欠陥判定回路は、それぞれ、前記サンプルホールド回路が保持している複数の前記出力信号の１つについて、当該参照画素が欠陥画素か否かを判定し、欠陥画素でないと判断したときに、前記出力信号を出力し、前記平均回路で該出力信号を平均することを特徴とする請求項１または２に記載された熱型赤外線固体撮像素子。
【請求項４】
断熱構造と赤外線吸収構造を有し、少なくとも１個以上の直列に接続されたダイオードを備える複数の感光画素と、複数の参照画素とからなる画素の２次元行列を設けた画素エリアと、
前記感光画素および参照画素の一方の極を行ごとに共通に接続した複数の駆動線と、
前記複数の駆動線の１つを選択し電源に接続する垂直走査回路と、
前記複数の駆動線とほぼ同一の電圧降下を生じるように前記複数の駆動線に並列に配置され、列ごとにそれぞれ設けられる第２の定電流源を共通に接続し、バイアス電圧がフィードバックされるバイアス線と、
前記感光画素および参照画素の他方の極を列ごとに共通に接続した複数の信号線であって、それぞれに複数の第１の定電流源の１つが接続された複数の信号線と、
前記感光画素および参照画素の列ごとに設けられ、前記第１の定電流源と前記第２の定電流源の両端電圧を入力し、前記両端電圧の差を一定時間積分して出力する複数の差動積分回路と、
前記複数の差動積分回路の出力信号の１つを選択して出力端子に導く水平走査回路と、
前記垂直操作回路および前記水平走査回路により選択された複数の前記参照画素について前記差動積分回路の出力信号をサンプルし保持するサンプルホールド回路と、
前記サンプルホールド回路に保持されている複数の前記出力信号を平均する平均回路と、
前記平均回路から出力される前記平均信号と基準電圧との差に応じた前記バイアス電圧を生成し、前記バイアス線にフィードバックするバイアス電圧生成回路と
からなる熱型赤外線固体撮像素子。
【請求項５】
前記参照画素は、断熱構造と赤外線吸収構造のいずれか一方又は両方を備えていないことの他は前記感光画素と実質的に同じ構造であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の熱型赤外線固体撮像素子。
【請求項６】
前記参照画素は前記２次元行列の１列を構成することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の熱型赤外線固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入射赤外線による温度変化を２次元配列された半導体センサで検出する熱型赤外線固体撮像素子に関し、特に、半導体センサからの電気信号を信号処理回路にて積分処理した後に出力する熱型赤外線固体撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的な熱型赤外線固体撮像素子では、断熱構造を有する画素を２次元に配列し入射した赤外線によって画素の温度が変化することを利用して赤外線像を撮像する。非冷却型の熱型赤外線固体撮像素子の場合、画素を構成する温度センサには、ポリシリコン、アモルファスシリコン、炭化ケイ素、酸化バナジウムなどのボロメータの他、ダイオードやトランジスタなどの半導体素子を用いたものが知られている。特に、ダイオードなどの半導体素子は、電気特性や温度依存性のバラツキが固体等で非常に小さいため、各画素の特性を均一にする上で有利である。
【０００３】
熱型赤外線固体撮像素子では、画素は２次元に配列されており、行ごとに駆動線によって接続され、列ごとに信号線によって接続されている。垂直走査回路とスイッチにより各駆動線が順番に選択され、選択された駆動線を介して電源から画素に通電される。画素の出力は信号線を介して差動積分回路に伝えられ、差動積分回路で一定時間積分され増幅され、次に、水平走査回路とスイッチによって順次出力端子へ出力される（たとえば非特許文献１参照）。
【０００４】
これらの熱型赤外線固体撮像素子において、積分回路に入力される電圧に対して、画素の両端電圧以外に駆動線での電圧降下が影響する。ところが、駆動線での電圧降下量は画素列ごとに異なるため、積分回路の出力も画素列ごとに異なった値となり、撮像した画像に駆動線の抵抗によるオフセット分布が発生してしまう。また、熱型赤外線固体撮像素子の赤外光に対するレスポンス、すなわち、画素の両端電圧の変化は、駆動線における電圧降下成分に比べはるかに小さい。このため、駆動線による電圧降下分布によって増幅器が飽和などを起こし、必要な増幅度を確保できないという問題もある。
【０００５】
また、画素のレスポンスには、赤外光のレスポンス以外に素子温度変化によるレスポンスも含まれるため、素子出力が素子温度変化とともにドリフトするという問題もある。すなわち、画素が完全に断熱され、赤外線吸収による温度変化のみを検出することが理想であるが、画素の断熱構造は有限の熱抵抗をもつため、検出動作を行っているときに環境温度が変化すると出力も変化してしまう。この環境温度の変化による出力変動は入射赤外線の変化と区別がつかないため、赤外線の測定精度が低下して、安定した画像取得ができなくなってしまう。
【０００６】
こうした問題を解消するため、特許文献１では、熱型赤外線固体撮像素子において、次のような構成を採用している。２次元に配列された画素配列とともに、さらに、断熱構造及び／又は赤外線吸収構造を除外して構成した参照画素列を設ける。参照画素の出力は、素子全体の温度変化により変動する。ある参照画素が選択されると、電源電圧が、直列接続された参照画素と第１の定電流源に印加される。一方、バイアス電圧が第２の定電流源に印加される。差動積分回路は、２つの定電流源の両端電圧の差を出力する。その出力値は、サンプルホールド回路によって保持され、基準電圧と比較され、その差に応じたバイアス電圧が生成されて、差動積分回路の入力電圧として帰還される。このような、出力読み出しにおける差動積分回路の使用、ならびに、参照画素の出力電圧の温度変動のフィードバック機構により、参照画素列の出力信号が常に一定電圧値となるよう動作させる。これにより、従来の問題であった、駆動線での電圧降下によるオフセット分布と素子温度変動による温度ドリフトを解決している。また、それらの複数の定電流源２０は、駆動線３とほぼ平行なバイアス線１９によって並列に接続されている。さらに、複数の第２の定電流源を接続するバイアス線を、１行の画素に接続される駆動線とほぼ同一の電圧降下を生じるように設けて駆動線での電圧変動によるオフセット分布を抑制する。
【特許文献１】特開２００５−２１４６３９号公報
【非特許文献１】石川等、“Low-cost 320x240 uncooled IRFPA using conventional silicon IC process”(「従来のシリコンＩＣプロセスを用いた低コスト３２０ｘ２４０非冷却ＩＲＦＰＡ」）、Part of the SPIE Conference on Infrared Technology and Applications XXV, １９９９年４月発行、Vol.3698、556頁から564頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、従来の熱型赤外線固体撮像素子においては、製造工程における異物混入やその他の要因により、参照画素が欠陥画素であった場合、その正常でない欠陥画素の出力を、画素の出力を検出する差動積分回路にフィードバックしてしまう。このため、画素の出力に１行または複数行の単位で出力不良が発生し、撮像画像にてノイズや画像むらとして表示されることとなる。このような欠陥画素が発生した場合、行単位での出力不良となるため、少なからず製造歩留りの低下を引き起こす可能性を有しており、コスト増大の要因となっていた。
【０００８】
本発明の目的は、参照画素が欠陥画素であっても、駆動線での電圧降下によるオフセット分布と、素子温度変動による温度ドリフトを抑制し、さらに、画素の出力不良を防止できる高安定性の熱型赤外線固体撮像素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る第１の熱型赤外線固体撮像素子は、断熱構造と赤外線吸収構造を有し、少なくとも１個以上の直列に接続されたダイオードを備える複数の感光画素と、複数の参照画素とからなる画素の２次元行列を設けた画素エリアと、前記感光画素および参照画素の一方の極を行ごとに共通に接続した複数の駆動線と、前記複数の駆動線の１つを選択し電源に接続する垂直走査回路と、前記複数の駆動線とほぼ同一の電圧降下を生じるように前記複数の駆動線に並列に配置され、列ごとにそれぞれ設けられる第２の定電流源を共通に接続し、バイアス電圧がフィードバックされるバイアス線と、前記感光画素および参照画素の他方の極を列ごとに共通に接続した複数の信号線であって、それぞれに複数の第１の定電流源の１つが接続された複数の信号線と、前記感光画素および参照画素の列ごとに設けられ、前記第１の定電流源と前記第２の定電流源の両端電圧を入力し、前記両端電圧の差を一定時間積分して出力する複数の差動積分回路と、前記複数の差動積分回路の出力信号の１つを選択して出力端子に導く水平走査回路と、前記垂直操作回路および前記水平走査回路により選択された前記参照画素について前記差動積分回路の出力信号をサンプルし保持するサンプルホールド回路と、前記サンプルホールド回路に保持されている出力信号をもとに、選択された前記参照画素が欠陥画素か否かを判定し、欠陥画素でないと判断したときに、前記出力信号を出力する欠陥判定回路と、前記サンプルホールド回路から出力される前記出力信号と基準電圧との差に応じた前記バイアス電圧を生成し、前記バイアス線にフィードバックするバイアス電圧生成回路とからなる。
【００１０】
本発明に係る第２の熱型赤外線固体撮像素子は、断熱構造と赤外線吸収構造を有し、少なくとも１個以上の直列に接続されたダイオードを備える複数の感光画素と、複数の参照画素とからなる画素の２次元行列を設けた画素エリアと、前記感光画素および参照画素の一方の極を行ごとに共通に接続した複数の駆動線と、前記複数の駆動線の１つを選択し電源に接続する垂直走査回路と、前記複数の駆動線とほぼ同一の電圧降下を生じるように前記複数の駆動線に並列に配置され、列ごとにそれぞれ設けられる第２の定電流源を共通に接続し、バイアス電圧がフィードバックされるバイアス線と、前記感光画素および参照画素の他方の極を列ごとに共通に接続した複数の信号線であって、それぞれに複数の第１の定電流源の１つが接続された複数の信号線と、前記感光画素および参照画素の列ごとに設けられ、前記第１の定電流源と前記第２の定電流源の両端電圧を入力し、前記両端電圧の差を一定時間積分して出力する複数の差動積分回路と、前記複数の差動積分回路の出力信号の１つを選択して出力端子に導く水平走査回路と、前記垂直操作回路および前記水平走査回路により選択された複数の前記参照画素について前記差動積分回路の出力信号をサンプルし保持するサンプルホールド回路と、前記サンプルホールド回路に保持されている複数の前記出力信号を平均する平均回路と、前記平均回路から出力される前記平均信号と基準電圧との差に応じた前記バイアス電圧を生成し、前記バイアス線にフィードバックするバイアス電圧生成回路とからなる。
【発明の効果】
【００１１】
第１の熱型赤外線固体撮像素子では、駆動線での電圧降下によるオフセット分布と、素子温度変動による温度ドリフトを抑制するとともに、さらに、欠陥画素か判定して欠陥画素であればフィードバック信号として採用しないので、参照画素が欠陥画素であっても画像出力不良が発生しない。したがって、製造歩留りの低下を引き起こさずに低コスト・高安定性の熱型赤外線固体撮像素子を提供できる。
【００１２】
第２の熱型赤外線固体撮像素子では、複数の参照画素の参照電圧を平均化してフィードバックするため、参照画素の中に微小な出力不良が存在した場合でも、その影響を最小化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
実施の形態１．
【００１４】
図１は、本発明の実施の形態１に係る熱型赤外線固体撮像素子の回路図である。画素エリアには、多数の感光画素１が２次元状に配列される。さらに、参照画素１２として、断熱構造と赤外線吸収構造のいずれか一方又は両方を有しない他は感光画素１と実質的に同じ構造の画素を設ける。この参照画素１２は、画素エリア内の一部の感光画素から断熱構造及び／又は赤外線吸収構造を除外して設けてもよい。図１の例では、１列の参照画素１２が画素エリアの左端の１列として配置される。個々の感光画素１は、赤外線吸収構造と断熱構造を備えた１個のダイオードまたは直列に接続された複数個のダイオードを備える。個々の参照画素１２は、断熱構造及び／又は赤外線吸収構造を除外して構成される。参照画素は、好ましくは、断熱構造と赤外線吸収構造のいずれか一方又は両方を有しない他は前記感光画素と実質的に同じ構造であるので、実質的に素子全体の温度変化に応じて変化する参照信号を出力する。
【００１５】
感光画素１および参照画素１２からなる複数の画素の２次元配列において、１行の感光画素および参照画素の一方の極に駆動線３が共通して接続され、また、１列の感光画素１または参照画素１２の他方の極に信号線５が共通して接続されている。すなわち、画素は、行ごとに駆動線３によって接続され、列ごとに信号線５によって接続されている。各信号線５の終端には、第１群の定電流源（定電流化手段）２が接続されている。また、垂直走査回路４のより駆動線３が順番に選択されると、スイッチ５’が閉じて、電源６からの電圧がスイッチ５’と駆動線３を経て、画素１，１２と定電流源２とに直列に印加される。一方、定電流源２とほぼ同一の電流を流す第２群の定電流源（定電流化手段）２０が、画素１，１２の各列に、定電流源２の近傍に配置されており、それらの複数の定電流源２０は、駆動線３とほぼ平行なバイアス線１９によって並列に接続されている。さらに、後で説明するように、バイアス線１９には、低域通過フィルタ１８を介してバイアス電圧が入力される。バイアス線１９は、駆動線３とほぼ同一の電圧降下を生じるように駆動線３とほぼ同一の抵抗値を有している。なお、バイアス線１９は、駆動線３とほぼ同一の電圧降下を生じればよく、必ずしも駆動線３と同一の抵抗を有する必要はない。したがって、バイアス電圧が、定電流源２に印加される。定電流源２の電流値が定電流源２０と異なる場合には、それに応じてバイアス線１９と駆動線３が異なる抵抗を有していても良い。画素の２次元配列の列ごとに差動増幅積分回路７が設けられており、差動増幅積分回路７のマイナス側端子とプラス側端子に定電流源２の両端電圧（参照画素または感光画素の電圧）と定電流源２０の両端電圧（バイアス電圧）が入力されると、両電圧の差を一定時間積分、増幅して出力する。そして、水平走査回路８によって複数の水平選択スイッチ９が順次オンされるとき、選択された差動積分回路７の出力信号（画素の出力）が、出力アンプ１１を介して出力信号１０が外部に出力される。上述の構成は、従来の熱型赤外線固体撮像素子において知られている。
【００１６】
この回路構成では、１列の参照画素１２に接続された定電流源２の両端電圧を参照信号として読み出す。この参照信号は、通常の画素１の信号と同じようにして読み出される。すなわち、参照画素１２に接続された電流源２の両端電圧と、それに隣接してバイアス線１９に接続された電流源２０の両端電圧とが、各々、差動積分回路７のマイナス側とプラス側に入力されて、積分、増幅される。そして、参照画素１２に対応した出力信号が、水平駆動回路８により駆動されるスイッチ９によって、通常の画像読出しの１ラインごとに読み出され、アンプ１１を介して出力信号１０が出力される。
【００１７】
この回路構成では、バイアス線１９で駆動線３とほぼ同一の電圧降下を生じているため、駆動線３での電圧降下分を出力からキャンセルし、駆動線３に由来するオフセット分布が除去される。すなわち、参照信号とバイアス線の電圧との差分を取り、その差分信号を所定の基準電圧と対比し、その差に応じたバイアス電圧を生成してバイアス線にフィードバックする。これにより、バイアス線の電圧を参照信号に応じて（素子温度に応じて）変化させながら、製造バラツキなどによるバイアス線の電圧バラツキを自動的に修正できる。
【００１８】
なお、それぞれの差動積分回路７のプラス側端子には、バイアス線１９上の所定位置の電圧が入力されるが、ここで、バイアス線上の「所定位置」とは、バイアス線１９上の固定された位置であればよく、特定の位置には限定されない。バイアス線上の所定位置の電圧を取出すのは、バイアス線全体の電圧レベルをモニタするためであるので、どの位置で電圧をモニタしても発明の原理には影響しない。
【００１９】
次に、バイアス電圧のフィードバックについて説明する。参照画素１２の出力（アンプ１１の出力信号）は、次に説明する経路を経て、バイアス信号として、バイアス線１９にフィードバックされる。アンプ１１の出力信号は、まず、第１のサンプルホールド回路１３に供給される。サンプルホールドタイミング信号は、参照画素１２の列の出力信号が出力されているタイミングでサンプルホールド動作を行うようにサンプルホールド回路１３に入力される。第１のサンプルホールド回路１３の出力信号は、欠陥判定回路２３と第２のサンプルホールド回路２５とに入力される。
【００２０】
欠陥判定回路２３は、電圧比較回路を用いて基準電圧との比較を行い、欠陥か否かを判定する。ここで、熱型赤外線固体撮像素子の欠陥画素について考える。前述のように、画素１内のダイオードの電圧降下の微小な変化を温度センサとして用い、積分回路で積分した出力を取り出し、読み出し回路が全体として非反転出力の場合を考える。たとえばダイオード端子間の配線ショートといった製造工程における何らかの不良要因により、ダイオードの電圧降下が著しく低くなった場合、積分回路入力電圧は正常動作時の電圧レベルに比べ大幅に高くなり、その結果、読み出し回路の最終出力電圧は読み出し回路のダイナミックレンジにおける最高レベル電圧となり、撮像画像では白く出力され、いわゆる「白点欠陥」となる。一方、たとえばダイオードの配線断線といった製造工程における何らかの不良要因により、ダイオードの電圧降下が著しく高くなった場合、積分回路の入力電圧は正常動作時の電圧レベルに比べ大幅に低くなり、その結果、読み出し回路の最終出力電圧は読み出し回路のダイナミックレンジにおける最低レベル電圧となり、撮像画像では黒く出力され、いわゆる「黒点欠陥」となる。たとえば、電源電圧が１０Ｖで、読み出し回路のダイナミックレンジが２〜８Ｖである場合を考えると、「白点欠陥」では出力電圧は８Ｖとなり、「黒点欠陥」では出力電圧は２Ｖとなる。また、正常な画素の読み出しに際しては、出力電圧は３〜７Ｖの電圧範囲というように、読み出し回路のダイナミックレンジにおける最高レベル電圧８Ｖや最低レベル電圧２Ｖに近くなることもない。このことに着目して、参照画素の出力電圧がたとえば２．５Ｖといった第１基準電圧より低いか、ならびに、たとえば７．５Ｖといった第２基準電圧を超えているかを調べれば、参照画素が「黒点欠陥」か、および、「白点欠陥」であるかを判定できる。そこで、欠陥判定回路２３は、電圧比較回路を用い、参照画素の出力が反映された信号を、第１基準電圧と比較し、参照画素が欠陥画素か否かを判定する。
【００２１】
図２は、「黒点欠陥」か否かを判定する黒点欠陥判定回路１０１の１例を示す。ここで、電圧比較回路１００は、プラス入力がマイナス入力より電圧が高い場合、デジタル出力にてHighレベルを出力する回路を想定している。電圧比較回路の実際の回路の形態については、微小な電圧差を判定する必要がないため、様々な種類の一般的な電圧比較回路を使用可能である。たとえば文献「ＣＭＯＳアナログ回路設計技術」（岩田監修、トリケプス社）８４〜９０頁に様々な電圧比較回路（コンパレータ）の回路例が示されている。第１基準電圧は、画素が黒点欠陥であった際に出力する電圧レベルより、十分高い電圧を設定すれば良い。上記の事例にて説明すれば、第１基準電圧をたとえば２．５Ｖにすればよい。図３は、「白点欠陥」か否かを判定する白点欠陥判定回路１０２の１例を示す。第２基準電圧は、画素が白点欠陥であった際に出力する電圧レベルより、十分低い電圧を設定すれば良い。上記の事例にて説明すれば、第２基準電圧をたとえば７.５Ｖにすればよい。図４は、黒点欠陥または白点欠陥であるかを判定する欠陥判定回路１０３の１例を示す。黒欠陥を判定する電圧比較回路１００と、白欠陥を判定する電圧比較回路１００を並列に設け、それらの出力をＡＮＤ回路１０４を介して出力する。
【００２２】
欠陥判定回路２３により参照画素が欠陥ではないと判定された場合、欠陥判定回路２３はデジタル出力にてHighレベルを出力し、その出力信号は、選択回路であるＡＮＤ回路２７に入力される。ＡＮＤ回路２７のもう１つの入力には、第２サンプルホールドタイミング信号が入力される。第２サンプルホールドタイミング信号は前述の第１サンプルホールドタイミング信号に比べ、サンプルホールドのタイミングが任意の区間遅延された信号である。ＡＮＤ回路２７の出力は、第２のサンプルホールド回路２５の制御信号として入力される。これにより、欠陥判定回路２３により参照画素が欠陥ではないと判定された場合、欠陥判定回路２３はデジタル出力にてHighレベルを出力する。このため、第２サンプルホールドタイミング信号はクロック波形が変化することなく、第２のサンプルホールド回路２５の制御信号として入力され、第２サンプルホールドタイミング信号のタイミングで第１のサンプルホールド回路１３の出力電圧をサンプルホールドする。よって、参照画素の出力が反映されることとなる。一方、欠陥判定回路により参照画素が欠陥であると判定された場合、欠陥判定回路はデジタル出力にてLowレベルを出力するため、Lowレベルが第２のサンプルホールド回路２５の制御信号として入力され、第１のサンプルホールド回路１３の出力電圧をサンプルホールドする動作は行われず、前回の参照画素の出力が反映されたままで更新されないこととなる。この第２のサンプルホールド回路２５の出力は、バイアス発生回路（基本的には減算回路）１４のマイナス側端子に入力され、プラス側入力端子に入力される基準電圧１５との差に応じたバイアス電圧が生成される。生成したバイアス電圧は、低域通過フィルタ１６、バッファアンプ１７及び低域通過フィルタ１８を介してバイアス線１９に入力される。
【００２３】
なお、バイアス発生回路１４の基準電圧１５は、ある一定の電圧であれば良く、特定の電圧値には限定されない。すなわち、基準電圧１５はフィードバックするバイアス電圧を一定の電圧に自動修正する際の基準となるものである。従って、基準電圧１５は、ある一定の電圧であり、かつ、差動積分回路の出力信号が後段回路のダイナミックレンジに入るように選択されたものであれば、それがどのような電圧であっても発明の原理には影響しない。
【００２４】
ここで、差動積分回路７の減算極性とバイアス発生回路１４の減算極性は、参照画素１２に対応する出力信号の変化が抑制される方向に選択されている。すなわち、バイアス線１９の電圧（バイアス線１９に接続した電流源２０の電圧）が差動積分回路７のプラス側に入力された場合には、その差動積分回路７の出力はバイアス発生回路１４のマイナス側に入力される。逆に、バイアス線１９の電圧が差動積分回路７のマイナス側に入力された場合には、その差動積分回路７の出力はバイアス発生回路１４のプラス側に入力される。これにより、バイアス発生回路１４には、サンプルホールドされた信号と基準信号１５との差に応じて、この差を減少させる方向にバイアス線１９の電圧を変化させることになる。
【００２５】
従って、本実施形態においても、特許文献１の素子と同様に、製造バラツキなどによるバイアス線の電圧バラツキが自動的に修正され、このため、参照画素１２に対応する素子出力（画像信号の基準電圧レベルに相当する）は、回路内における直流オフセット成分の製造バラツキの影響を受けずにほぼ一定となり、素子ごとの特性バラツキによる素子内外の後段回路でのダイナミックレンジオーバーが防止できる。しかも、バイアス線１９の電圧は、列ごとにある電流源による駆動線３の電圧降下を模擬するだけでなく、参照画素１２による素子温度ドリフト情報を反映して変化するので、駆動線３での電圧降下によるオフセット分布抑制と温度ドリフト抑制も実現される。
【００２６】
すなわち、通常画素１に対応する差動積分回路７のマイナス側端子には（ａ）駆動線３の電圧降下成分、（ｂ）環境温度による画素１の画素信号変化成分、（ｃ）入射赤外線による画素１の出力変化成分が入力される一方、差動積分回路７のプラス側端子には、（ａ’）バイアス線１９での電圧降下成分と、（ｂ'）環境温度による参照信号変化成分が入力される。（ａ）駆動線３の電圧降下成分は、（ａ'）バイアス線１９での電圧降下成分によってキャンセルされ、（ｂ）環境温度による画素１の画素信号変化成分は、（ｂ'）環境温度による参照信号変化成分によってキャンセルされるため、差動積分回路７では、（ｃ）入射赤外線による画素１の出力変化のみ残して減算処理される。
【００２７】
従来は、製造工程における異物混入やその他の要因により、断熱構造及び／又は赤外線吸収構造を除外して構成した参照画素のなかに欠陥画素が存在した場合、その正常でない欠陥画素の出力を、２次元画素の出力にフィードバックしてしまい、２次元画素の出力に１行または複数行の単位で出力不良が発生し、撮像画像にてノイズや画像むらとして表示され、少なからず製造歩留りの低下を引き起こし、コストを増大させるという問題があった。本実施形態では、以上に説明したように特許文献１と素子と同様の効果を維持しつつ、さらに、この問題を解決可能である。すなわち、欠陥判定回路２３を用い、参照画素列において、ある行における参照画素１２が「黒点欠陥」や「白点欠陥」といった欠陥画素である場合には、フィードバック対象信号として更新せず、前行の参照画素１２の出力をそのままフィードバックする。これにより、従来のように駆動線での電圧降下によるオフセット分布と素子温度変動による温度ドリフトとを抑制するとともに、参照画素のなかに欠陥画素があった場合においても、欠陥画素の出力をフィードバックし、行単位での画像出力不良を引き起こすことがないので、画像出力不良が発生せず、歩留まり低下を回避可能となり、コスト低減が実現されるという新しい効果を得ることができる。
【００２８】
以下、本実施の形態に係る熱型赤外線固体撮像素子の各構成部分について詳細に説明する。
まず、差動積分回路７について説明する。図５は差動積分回路７の構成例を示す。この回路は、本発明者が先に開示した差動積分回路(特開２００２−１８８９５９号公報)と同じであり、演算増幅器を用いた一般的な構成にくらべ構成が簡略になるという効果がある。この差動積分回路７は、定電流源２の両端電圧と定電流源２０の両端電圧を入力側に接続した差動電圧電流変換アンプ１２５と、差動電圧電流変換アンプ１２５の出力側に接続された積分容量１２６と、積分容量１２６を周期的に電圧Ｖrefにリセットするように接続されたリセットトランジスタ１２７を備える。差動電圧電流変換アンプ１２５は、負帰還なしの状態で接続されており、その出力インピーダンスと積分容量１２５のキャパシタンスＣｉとの積（＝時定数）は、積分時間Ｔｉの５倍以上となるように設定されている。積分容量１２６の入力端には、サンプルホールド用トランジスタ４５、サンプルホールド容量４７およびリセットトランジスタ４６から成るサンプルホールド回路１２８が接続されている。積分後の出力は、サンプルホールド回路１２８でサンプリングされ、バッファ１２９を介して出力される。図５の差動積分回路７では、負帰還をしない状態の差動電圧電流変換アンプ１２５を用いて積分回路を構成しているため、回路構成が簡略となる。
【特許文献２】特開２００２−１８８９５９号公報
【００２９】
次に、低域通過フィルタ１６，１８について説明する。低域通過フィルタ１６と１８は、参照画素１２に対応する出力やサンプルホールド回路１３、バイアス発生回路１４などで発生する雑音をカットし温度ドリフト成分のみを抽出する。一般に、高Ｓ／Ｎを目指す赤外線検出器では、電源系の雑音は電源回路で充分低減されており、検出部からの雑音が装置の雑音主成分となる。バイアス発生回路１４の出力には、参照画素１２で発生した雑音成分として含まれるが、参照画素１２の雑音成分と画素１の雑音成分は無相関である。このため、差動積分回路７からの出力における雑音が画素１の出力のみを積分する場合に比べて√2倍になる。一方、環境温度変化による検出部出力変化や、環境温度変化に伴う電源回路特性変動による電源電圧の変化は、その変動が一般に秒オーダ以上の緩やかなものである。したがって、それをバイアス電圧が通過するラインの帯域は、赤外線を検出する信号ラインに必要な帯域にくらべて充分狭くてもよい。そこで、増幅器１１から差動積分回路７の入力端子にフィードバックするライン上に低域通過フィルタ１６と１８を入れ、温度ドリフト成分のみを通過するようにすれば、差動による雑音増加を抑制できる。なお、このような赤外線固体撮像素子の画素にとっての雑音帯域幅の代表的な値は数KHzであるので、その１／１００以下にカットオフ周波数を決めておけばよい。素子温度変動の観点からは、その変動周期は早くて秒オーダであるから数Hzの帯域があれば十分である。また、本実施の形態では低域通過フィルタ１６、１８をバッファ１７の前後に挿入しているが、いずれか一方だけでもよい。 
【００３０】
図６の（ａ）と（ｂ）は低域通過フィルタ１６及び１８の回路構成例を示す。以下に示す構成は、低域通過フィルタ１６及び１８のいずれにも用いることができる。図６の（ａ）の低域通過フィルタは、受動素子を用いたものであり、抵抗もしくはリアクタンス１３０と容量１３１を用いる。バッファアンプ１７の後側に挿入するフィルタ（＝低域通過フィルタ１８）としては直流電圧降下がないリアクタンスのほうが望ましい。一方、バッファアンプ１７の手前側に設けるフィルタ（＝低域通過フィルタ１６）としては、フィルタとしての特性が得られやすい抵抗を用いるほうが望ましい。また、抵抗１３０は、電源回路６の内部抵抗あるいはバッファアンプ１７の内部抵抗で代用してもよい。図６の（ｂ）の低域通過フィルタは、能動素子である演算増幅器１３２および抵抗１３７，容量１３８を用いた積分回路であり、この回路構成も低域通過フィルタとして一般的であるので詳細な説明は省略する。 
【００３１】
なお、低域通過フィルタ１６及び１８は、図６の（ａ）及び（ｂ）に例示するものに限定されるものではなく、他のフィルタ（たとえば、スイッチトキャパシタ回路）を用いることもできる。また、低域通過フィルタ１６及び１８は、バッファアンプ１７の前側か後側のいずれか一方だけに設けても良いが、その場合はバッファアンプ１７の前側のフィルタ（＝フィルタ１６）を残すことが好ましい。バッファアンプ１７の後側には大きな電流が流れるため、フィルタでの電圧降下がバイアス電圧の変動の原因となるからである。
【００３２】
次に、感光画素１の構造について説明する。図７において、（ａ）及び（ｂ）は、本実施の形態に係る熱型赤外線固体撮像素子における画素１の構造例を模式的に示す断面図及び斜視図である。画素１において、温度センサとなるＰＮ接合ダイオード９０２が、シリコン基板１１０２に設けられた中空部１１０３の上に、２本の長い支持脚１１０１によって支持されており、ダイオード９０２の電極配線１１０４が支持脚１１０１に埋め込まれている。ＰＮ接合ダイオード９０２は、感度を高めるために複数個が直列に接続されていることが好ましい。中空部１１０３は、ダイオード９０２とシリコン基板１１０２との間の熱抵抗を高めて、断熱構造を形成している。この例では、ダイオード９０２がＳＯＩ基板のＳＯＩ層上に形成されており、ＳＯＩ層下の埋め込み酸化膜が中空構造を支持する構造体の一部になっている。また、ダイオード部に熱的に接触している赤外線吸収構造１１０６が、図の上方から入射する赤外線を効率良く吸収できるように、支持脚１１０１の上方に張り出した構造となっている。なお、図７の(ｂ)では、下部の構造を判りやすくするため、図の前方の部分での赤外線吸収構造を除いて描いてある。
【００３３】
赤外線が画素１に入射すると、赤外線吸収構造１１０６で吸収され、上記の断熱構造により画素１の温度が変化し、温度センサとなるダイオード９０２の順方向電圧特性が変化する。このダイオード９０２の順方向電圧特性の変化量を、所定の検出回路で読み取ることにより、入射した赤外線量に応じた出力信号を取り出せる。熱型赤外線固体撮像素子では、画素１が２次元に多数配列されており、それらを順にアクセスしていく構造となっている。このような素子では画素間の特性均一性が重要であるが、ダイオードの順方向電圧やその温度依存性は固体間のバラツキが非常に小さく、熱型赤外線撮像素子にとって温度センサにダイオードを用いることは特性均一性を図る上で特に有効である。なお、本発明において、赤外線吸収構造は、素子に入射した赤外線を吸収して温度センサの温度上昇を生ぜしめる構造であれば良く、上記形態には限定されない。また、本発明において、断熱構造は、赤外線吸収による温度センサの温度変化を妨げる構造であればよく、上記の中空構造には限定されない。
【００３４】
次に、参照画素１２と、参照信号を出力する参照信号出力回路について説明する。画素エリアの一部の画素から断熱構造及び／又は赤外線吸収構造を除外して参照画素１２とする。参照画素１２を用いて、製造条件のわずかな違いによる特性のズレを防止して、画素１の温度応答特性を一層精度良く模擬することができる。その場合、撮像画像に参照画素の信号が現れないように、参照画素を画素エリアの水平又は垂直の１辺に設けることが好ましい。本実施の形態では、画素エリア内の左側１列分の画素から断熱構造及び／又は赤外線吸収構造を除外することによって参照画素１２の１列を構成している。断熱構造と赤外線吸収構造のいずれか一方もしくは両方をなくすほかは、画素１と実質的に同一の構造の画素を参照画素１２とすることにより、素子温度変化による変動（温度ドリフト）のみを検出できる。赤外線吸収に対する感度が必要なレベルにまで落ちれば、断熱構造と赤外線吸収構造のいずれか一方は残していても良い。参照画素１２は、電源６と定電流源２によって定電流駆動されており、定電流源２の両端電圧を参照信号Ｖprとして出力する。すなわち、参照画素１２、電源６及び定電流源２によって参照信号出力回路が構成されている。参照画素１２によって参照信号を出力することにより、素子温度に対する画素１の応答特性を正確に模擬することができ、精度の高い温度ドリフト補正が可能となる。なお、参照信号出力回路において、参照画素ではなくサーミスタを利用することも、もちろん可能である。
【００３５】
次に、サンプルホールド回路１３等について説明する。サンプルホールド回路１３等のサンプルホールド回路の構成は、特に限定されず、たとえば図５に示したサンプルホールド回路１２８と同じものを用いることもできる。また、図８は、サンプルホールド回路１３の他の例を示す。図８は、オペアンプ１３３を用いた周知の例であり、サンプルホールド容量１３４にサンプルホールドスイッチ１３５が接続されている。サンプルホールドスイッチ１３５のゲートには参照画素１２の出力タイミングでクロックが与えられ、スイッチが開状態となる。 
【００３６】
図９に、複数の参照画素１２の出力を平均化してサンプルホールドする場合の回路を示す。この回路例では、図８の回路の前段に、図６の（ａ）又は（ｂ）に示したような低域通過フィルタ１３６を設ける。平均化する参照画素は時間に対して連続的に出力されるので、フィルタの時定数を時間に対する出力変化が抑制されるように設定すればよい。 
【００３７】
なお、いうまでもなく、本実施の形態において、第１のサンプルホールド回路１３、欠陥判定回路２３、第２のサンプルホールド回路２５、ＡＮＤ回路２７、バイアス発生回路１４、低域通過フィルタ１６、１８およびバッファアンプ１７を画素１と同一チップに設けてもよく、チップ外に設けてもよい。また、バッファアンプ１８の機能はバイアス発生回路１４に含めてもよい。また、参照画素１２に対応するバッファアンプ１１の出力の変化を抑制する向きであれば、差動積分回路７、バイアス発生回路１４のプラス、マイナス側入力の接続構成はこの例に限らない。たとえば、図１においてプラス、マイナス側入力の向きを全て逆転してもよい。一方のみ逆転し、バッファアンプ１７に反転アンプを含めてもよい。
【００３８】
実施の形態２．
図１０は、本発明の実施の形態２に係る熱型赤外線固体撮像素子を示す回路図である。基本構成は、実施の形態１と同様であるが、出力信号１０には、複数個のサンプルホールド回路が接続される。ここでは、サンプルホールド回路の個数が２個の場合を１例として説明する。出力信号１０には、第１のサンプルホールド回路１３および第２のサンプルホールド回路２１が接続される。第１のサンプルホールド回路１３は、参照画素列の奇数行目の出力信号が、出力信号１０に出力されているタイミングでサンプルホールド動作を行うよう、第３サンプルホールドタイミング信号が入力される。また、第２のサンプルホールド回路２１は、参照画素列の偶数行目の出力信号が、出力信号１０に出力されているタイミングでサンプルホールド動作を行うよう、第４サンプルホールドタイミング信号が入力される。第１のサンプルホールド回路１３および第２のサンプルホールド回路２１の出力信号はそれぞれアナログ信号平均回路２２に入力され、この平均値回路２２により、第１のサンプルホールド回路１３および第２のサンプルホールド回路２１の出力信号の平均電圧値がバイアス発生回路１４に出力される。平均回路２２により出力される、参照画素列の奇数行目の出力信号のサンプルホールド電圧値と参照画素列の偶数行目の出力信号のサンプルホールド電圧値の平均電圧値は、バイアス発生回路（基本的には減算回路）１４のマイナス側端子に入力され、その差に応じたバイアス電圧が生成される。生成したバイアス電圧は、低域通過フィルタ１６、バッファアンプ１７及び低域通過フィルタ１８を介してバイアス線１９に入力される。
【００３９】
平均回路としては、図１１のようなスイッチトキャパシタ回路を用いた平均回路１０４のほか、いかなるアナログ信号平均回路を用いてもよい。図６に示す平均回路１０４は、オペアンプ１０５と、３個のキャパシタ１０６、１０７、１０８から構成されており、キャパシタ１０６の容量値Ｃ２は、キャパシタ１０７、１０８の容量値Ｃ１の２倍になるよう作製される。
【００４０】
本実施形態では、熱型赤外線固体撮像素子を提供するにおいて、複数のサンプルホールド回路を用いて複数の参照画素の平均値（たとえば、奇数行目の参照画素列の出力電圧と偶数行目の参照画素の出力電圧）を差動積分回路にフィードバックすることにより、微小な出力電圧異常を伴う欠陥画素であった場合においても、欠陥画素の影響を最小限化することが可能となる。これにより製造歩留りの低下を引き起こさない。また、従来どおり、駆動線での電圧降下によるオフセット分布と、素子温度変動による温度ドリフトを抑制する。これにより、画像出力不良が発生せず、歩留まり低下を回避可能となり、コスト低減が実現される。
【００４１】
実施の形態３．
図１２は、本発明の実施の形態３に係る熱型赤外線固体撮像素子を示す回路図である。基本構成は、実施の形態１と同様であるが、出力信号１０には、複数個のサンプルホールド回路が接続される。ここでは、個数が２個の場合を１例として説明する。すなわち、出力信号１０に、第１のサンプルホールド回路１３および第２のサンプルホールド回路２１が接続される。第１のサンプルホールド回路１３は、参照画素列の奇数行目の出力信号が、出力信号１０に出力されているタイミングでサンプルホールド動作を行うよう、第３のサンプルホールドタイミング信号が入力される。また、第２のサンプルホールド回路２１は、参照画素列の偶数行目の出力信号が、出力信号１０に出力されているタイミングでサンプルホールド動作を行うよう、第４のサンプルホールドタイミング信号が入力される。
【００４２】
第１のサンプルホールド回路１３の出力信号は、第１の欠陥判定回路２３および第３のサンプルホールド回路２５に入力される。第１の欠陥判定回路２３は、第１のサンプルホールド回路１３の出力信号で得られる参照画素列の奇数行目の出力信号が、「黒点欠陥」か「白点欠陥」であるかを判定する。欠陥判定回路２３の構成については実施の形態１と同様である。第１の欠陥判定回路２３により参照画素列の奇数行目の出力信号が「黒点欠陥」や「白点欠陥」ではないと判定された場合は、第１の欠陥判定回路２３は、デジタル出力にてHighレベルを出力し、第１のＡＮＤ回路２７に入力される。第１のＡＮＤ回路２７のもう1つの入力には、第５サンプルホールドタイミング信号が入力される。第１の欠陥判定回路２３の出力がHighレベルであれば、第５サンプルホールドタイミング信号は、クロック波形が変化することなく、第３のサンプルホールド回路２５の制御信号として入力される。第３のサンプルホールド回路２５は、第５サンプルホールドタイミング信号のタイミングで第１のサンプルホールド回路１３の出力電圧をサンプルホールドする。ここで、第５サンプルホールドタイミング信号は、前述の第３サンプルホールドタイミング信号に比べ、サンプルホールドのタイミングが任意の区間遅延された信号である。よって、参照画素列の奇数行目の出力信号が反映されることとなる。一方、第１の欠陥判定回路２３により参照画素列の奇数行目の出力信号が「黒点欠陥」や「白点欠陥」であると判定された場合は、欠陥判定回路２３はデジタル出力にてLowレベルを出力するため、Lowレベルが第３のサンプルホールド回路２５の制御信号として入力され、第１のサンプルホールド回路１３の出力電圧をサンプルホールドする動作は行われず、前回の参照画素の出力が反映されたままで更新されないこととなる。
【００４３】
また、第２のサンプルホールド回路２１の出力信号は、第２の欠陥判定回路２４および第４のサンプルホールド回路２６に入力される。第２の欠陥判定回路２４は、第１のサンプルホールド回路１３の出力信号で得られる参照画素列の偶数行目の出力信号が、「黒点欠陥」か「白点欠陥」であるかを判定する。第２の欠陥判定回路２４により参照画素列の偶数行目の出力信号が「黒点欠陥」や「白点欠陥」ではないと判定された場合は、第２の欠陥判定回路２４は、デジタル出力にてHighレベルを出力し、第２のＡＮＤ回路２８に入力される。第２のＡＮＤ回路２８のもう１入力には、第６サンプルホールドタイミング信号が入力される。第２の欠陥判定回路２４の出力がHighレベルであれば、サンプルホールドタイミング信号６は、クロック波形が変化することなく、第４のサンプルホールド回路２６の制御信号として入力される。第４のサンプルホールド回路２６は、第６サンプルホールドタイミング信号のタイミングで第２のサンプルホールド回路２１の出力電圧をサンプルホールドする。ここで、第６サンプルホールドタイミング信号は、前述の第４サンプルホールドタイミング信号に比べ、サンプルホールドのタイミングが任意の区間遅延された信号である。よって、参照画素列の偶数行目の出力信号が反映されることとなる。一方、第２の欠陥判定回路２４により参照画素列の偶数行目の出力信号が「黒点欠陥」や「白点欠陥」であると判定された場合は、欠陥判定回路はデジタル出力にてLowレベルを出力するため、Lowレベルが第４のサンプルホールド回路２６の制御信号として入力され、第２のサンプルホールド回路２１の出力電圧をサンプルホールドする動作は行われず、前回の参照画素の出力が反映されたままで更新されないこととなる。
【００４４】
第３、第４のサンプルホールド回路２５、２６の出力は、平均回路２２に入力され、平均電圧値が出力され、その信号は、バイアス発生回路（基本的には減算回路）１４のマイナス側端子に入力され、その差に応じたバイアス電圧が生成される。生成したバイアス電圧は、低域通過フィルタ１６、バッファアンプ１７及び低域通過フィルタ１８を介してバイアス線１９に入力される。
【００４５】
本実施形態では、複数個の参照画素の参照出力の平均値をフィードバックすることにより、微小な出力電圧値の不良を伴う欠陥画素の影響を最小限化することが可能となり、微小な出力電圧値の不良を伴う欠陥画素の出力をフィードバックし、行単位での画像出力不良を引き起こす不良による歩留まり低下を発生させず、コストの増大を回避できるという新しい効果を得ることができる。具体的には、欠陥判定回路を用い、ある行における参照画素が「黒点欠陥」や「白点欠陥」といった欠陥画素である場合には、フィードバック対象信号として更新せず、前回の参照画素の出力をそのまま維持した信号をフィードバックする。これにより、欠陥画素の出力をフィードバックし、行単位での画像出力不良を引き起こす不良による歩留まり低下を発生させず、コストの増大を回避できる。
【００４６】
以上のように、本実施形態の熱型赤外線固体撮像素子では、駆動線での電圧降下によるオフセット分布と、素子温度変動による温度ドリフトを抑制しつつ、かつ、画素欠陥により出力不良を防止し、さらに、参照画素列に微小な出力電圧異常を伴う欠陥画素が存在した場合においても、画像出力不良が発生しない。これにより、製造歩留りの低下を引き起こさず、コスト低減が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施の形態１による熱型赤外線固体撮像素子を示す回路ブロック図である。
【図２】本発明に用いる黒点欠陥判定回路の例を示す回路ブロック図である。
【図３】本発明に用いる白点欠陥判定回路の例を示す回路ブロック図である。
【図４】本発明に用いる欠陥判定回路の例を示す回路ブロック図である。
【図５】本発明に用いる差動積分回路の一例を示す回路図である。
【図６】本発明に用いる低域通過フィルタの例を示す回路図である。
【図７】本発明に係る熱型赤外線固体撮像素子の画素構造の例を示す断面図（ａ）及び斜視図（ｂ）である。
【図８】本発明に用いるサンプルホールド回路の例を示す回路図である。
【図９】本発明に用いるサンプルホールド回路の別の例を示す回路図である。
【図１０】本発明の実施の形態２による熱型赤外線固体撮像素子を示す回路ブロック図である。
【図１１】本発明に用いる平均回路の例を示す回路ブロック図である。
【図１２】本発明の実施の形態３による熱型赤外線固体撮像素子を示す回路ブロック図である。
【符号の説明】
【００４８】
１ 画素、 ２ 第１群の定電流源、 ３ 駆動線、 ４ 垂直駆動回路、 ７ 差動積分回路、 ８ 水平駆動回路、 １２ 参照画素、 １３  第１のサンプルホールド回路、 １４ バイアス発生回路、 １６及び１８ 低域通過フィルタ、 １７ バッファアンプ、 ２０ 第２群の定電流源、 ２１ 第２のサンプルホールド回路、 ２２ 平均回路、 ２３ 第１の欠陥判定回路、 ２４ 第２の欠陥判定回路、 ２５ 第３のサンプルホールド回路、 ２６ 第４のサンプルホールド回路、 ２７ 第１のＡＮＤ回路、 ２８ 第２のＡＮＤ回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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