(57)【要約】      （修正有）【課題】ウエハの表面での層厚の均一性が向上し、トレンチの深みに沿って堆積された層の厚みに関しても、その上端領域における層厚の増大を抑方法を提供する。【解決手段】所定の低温度において、基板に、前駆体を用いて層を堆積し、その後、上記基板の温度を所定の高温度まで上昇させ、次に、上記所定の高温度において、上記堆積層の酸化を行う、原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）を実施する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子層堆積プロセスにおいて、材料を基板に堆積し、
上記原子層堆積プロセスにおいて、上記基板のプロセス温度を、加熱段階の後に低温度と高温度との間の温度範囲内に変動させる、原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項２】
複数の温度サイクルを実施し、
上記プロセス温度を、１回の温度サイクルにおいて、所定の低温度から所定の高温度まで上昇させ、その後再び上記所定の低温度まで低下させる、請求項１に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項３】
上記プロセス温度を、上記加熱段階後、摂氏１００度から摂氏４００度の間の範囲内に変動させる、請求項１または請求項２に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項４】
上記プロセス温度を、上記加熱段階後、摂氏１５０度から摂氏３００度の間の温度範囲内に変動させる、請求項１または請求項２に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項５】
所定の低温度において、上記基板に、前駆体を用いて材料を堆積する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項６】
所定の低温度において、上記基板に、前駆体を用いて層を堆積し、その後、上記基板の温度を所定の高温度まで上昇させ、次に、上記所定の高温度において、上記堆積層の酸化を行う、請求項１〜５のいずれか１項に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項７】
所定の高温度における、１回の酸化を行う少なくとも３つの温度サイクルと、所定の低温度における、一方の堆積段階と他方の堆積段階との間に行う酸化段階を有する３つの堆積段階とを交互に実施する、請求項２〜６のいずれか１項に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項８】
所定の低温度における１回の堆積段階と所定の高温度における１回の酸化段階とを有する１回の温度サイクルを、５分から５０分の間続ける、請求項２〜７のいずれか１項に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項９】
上記高温度を、３０秒から５分の間の範囲の時間以上に持続させ、上記酸化を行う、請求項１〜８のいずれか１項に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項１０】
所定の低温度を、３０秒から５分の間の範囲の堆積時間以上に持続させ、少なくとも１つの層を上記前駆体を用いて堆積する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項１１】
所定の高温度と所定の低温度との間の上記プロセス温度を、５分から９０分の間の任意の時間だけかけて低下させる、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項１２】
上記層の堆積にアミド前駆体を用いる、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項１３】
誘電体を堆積する、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項１４】
ハフニウムを有する前駆体を用いる、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項１５】
酸化ハフニウムを材料として堆積する、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項１６】
ハフニウムシリコン酸化物を材料として堆積する、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項１７】
所定の高温度における酸化にオゾンを用いる、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項１８】
所定の低温度において、少なくとも２つの層を順番に堆積する、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項１９】
１つの堆積段階中に、上記基板が所定の低温度である場合に、前駆体ガスと酸化剤とを交互に上記基板に導入する、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【請求項２０】
所定の低温度における複数の上記堆積段階、および、所定の高温度における複数の上記酸化を、繰り返し実施することにより、１つの層のみを段階的に堆積する、請求項６〜１９のいずれか１項に記載の原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）の実施方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、ＡＬＤプロセスを用いて基板に層を堆積する方法に関する。
【０００２】
原子層堆積プロセス（ＡＬＤ）を用いて、原子の層厚に層を堆積することが知られている。
【０００３】
上記プロセスでは、基板を反応炉に入れ、その後、該反応炉にガス状の前駆体を導入する。上記ガス状の前駆体は、化学吸着によって上記基板の表面と反応し、該基板の表面に層を堆積する。その後、上記反応炉を、不活性のパージガスによってパージする。これによって、第２の層を、例えば同一の前駆体または、他の前駆体を用いて、既に堆積された層上に堆積することができる。そのために、そのいずれかの前駆体を上記反応炉に導入する。上記ＡＬＤ堆積方法では、上記堆積層は、モノレイヤのサイズの層厚に堆積される。
【０００４】
例えば酸化ハフニウムのような、大きな誘電定数ｋを有する誘電体材料をＡＬＤ堆積する場合、ＣＶＤ反応のような、望ましくない副反応が生じる。これによって、層厚の均一性が劣化する。上記層厚の不均一性は、平面上で既に認められ、例えばディープトレンチ構造を形成するような場合、該層厚の不均一性によって、ウエハ表面上の層厚は増大する。特にウエハのエッジ範囲において、層厚が増大する。上記増大した層厚は、特にトレンチを形成する場合、堆積中にトレンチの閉鎖を招き得る。
【特許文献１】ＵＳ２００５／００７００６３Ａ１
【特許文献２】ＵＳ２００４／０２６６２１１Ａ１
【特許文献３】ＵＳ６９７４７７９Ｂ２
【特許文献４】ＵＳ２００２／００６６４１１Ａ１
【特許文献５】ＤＥ６０３０２９５０Ｔ２
【特許文献６】特開２００４−０８３４０２号公報
【０００５】
本発明の目的は、層を堆積するための改善されたＡＬＤ方法を提供することである。
【０００６】
本発明の目的は、請求項１に記載の方法によって達成される。
【０００７】
実験の結果、上記層厚の均一性を、ＡＬＤ堆積プロセスにおいてプロセス温度を高温および低温に変化させることによって、改善できることが明らかになった。この方法によって、均一性が改善された層厚を有する層をウエハの表面に形成できた。さらに、トレンチの深みに沿って堆積された層の厚みに関しても、本発明の方法を用いて、該トレンチの上端領域における層厚の増大を抑えることができることが明らかになった。
【０００８】
本発明のさらに有効な形態を、従属請求項において記載する。
【０００９】
上記層厚の均一性を、堆積プロセスにおいて複数の温度サイクルを循環させることによって、さらに改善できた。これにより、上記堆積層の質を全体的に改善できる。
【００１０】
さらに、上記プロセス温度が低温度と高温度との間で変化する温度範囲は、基板の温度に関して、１００度から４００度の範囲内にあることが明らかになった。
【００１１】
上記堆積層の質は、上記温度サイクルの温度範囲を１５０度から３００度の間の範囲内に選択することによって、さらに改善された。
【００１２】
この方法の一発展形態では、上記堆積層を上記高温度において酸化させる。そのために、例えばオゾンまたは水蒸気を供給する。
【００１３】
上記方法の一発展形態では、上記低温度において上記堆積プロセスを実施し、これに応じて、該低温度において前駆体を供給する。
【００１４】
本発明の方法は、特に、高いｋ値を有する誘電体の堆積に適している。例えば、良質な酸化ハフニウムまたは良質なハフニウムシリコン酸化物を堆積できる。
【００１５】
さらに、上記した方法を、例えばＴＥＭＡ−ＨｆまたはＴＥＡＤ−Ｈｆのようなアミド前駆体を用いた発展形態において実施してもよい。
【００１６】
以下に、図面を参照しながら、本発明をさらに詳しく説明する。
図１は、上記方法を実施するための装置を概略的に示す図である。
図２は、上記方法の一実施形態のシーケンスを概略的に示す図である。
図３は、ＡＬＤ堆積方法の他のシーケンスを示す図である。
【００１７】
図１は、基板支持体２が配置されている反応炉１を概略的に示す図である。基板支持体２上には、例えば半導体材料から成る基板３が配置されている。基板３は、例えば半導体ウエハとして形成されうる。さらに、加熱装置４と冷却装置５とが、基板支持体２に設けられている。冷却装置５の設置は、任意に選択してもよく、この冷却装置５により、基板３が高温度から低温度に冷却される時間を短縮することができる。反応炉１は、吸引ポンプ６に接続されている。さらに反応炉１は、前駆体源７、パージガス源８、および、酸化剤源９に接続されている。
【００１８】
前駆体源７、パージガス源８、および、酸化剤源９は、それぞれ、制御可能な弁１０を介して反応炉１に接続されている。さらに、制御配線１２を介して、制御可能な弁１０と、吸引ポンプ６と、加熱装置４と、冷却装置５とに接続されている制御ユニット１１が設けられている。同様に、多数のウエハを有する反応炉を用いてもよい。
【００１９】
基板３に層を堆積するために、最初に、基板３をプロセス温度まで加熱する。そのために、加熱装置４を、適切な方法を用いて制御装置１１によって駆動する。低プロセス温度に達した後、前駆体源７の弁１０を開けることによって、前駆体ガスを反応炉１に導入する。その後、上記前駆体ガスと基板３の表面とが反応し、その結果、第１の層が、ＡＬＤプロセス（原子層堆積）によって基板３の表面に堆積される。その後、第２のプロセスポイントでは、反応炉１をパージガスを用いてパージする。第３のプロセスステップでは、基板３を高温度、つまり高プロセス温度まで加熱する。上記高温度に達した時、または、その直前に、酸化剤源９から反応炉１に酸化剤を導入する。上記高温度では、上記堆積層の酸化が生じる。
【００２０】
その後、第４のプロセスステップでは、反応炉１を再びパージガスを用いてパージし、上記酸化剤を反応炉から除去する。そのために、適切な方法を用いて、吸引ポンプ６を制御装置１１によって駆動する。
【００２１】
次の第５プログラムステップ５では、基板３の温度は再び低温度、つまり低プロセス温度まで低下する。例えば、加熱装置４の電源を切り、周囲の温度を低下させることにより、基板３を冷却することが可能である。他の一実施形態では、冷却装置５を用いて、さらに基板３を冷却することができる。これによって、上記低温度に達する時間を短縮する。
【００２２】
上記低温度に達した後、第２の層を堆積するために、新たに前駆体ガスを導入する。上記第２の層の堆積後、反応炉１を再びパージガスを用いてパージする。その後、基板３の温度は再び高温度、つまり上記高プロセス温度まで上昇する。上記高温度に達した時に、再び、酸化剤を反応炉１に導入する。上記酸化剤によって、堆積された第２の層の酸化が上記高温度において行われる。従って、再びパージ工程を行い、反応炉１から、上記酸化剤が除去される。従って基板３の温度は、低温度、つまり上記低プロセス温度まで再び低下する。
【００２３】
上記の方法では、多数の温度サイクルを堆積サイクルと共に実施する。温度サイクルとは、低温度（低プロセス温度）から高温度（高プロセス温度）まで、および、低温度に戻るまで循環するプロセスサイクルであると解釈される。この場合、前駆体を用いた層の堆積は、低温度の場合のみ、上記温度サイクルに含まれる。
【００２４】
上記の方法では、例えば図２に示したような多数の温度サイクルを実施する。図２は該温度サイクルを示す図であり、基板３の温度は、上記プロセス開始時に低プロセス温度まで上昇し、その後も高プロセス温度までさらに上昇する。基板３の温度は、所定の時間、上記高プロセス温度を保持し、その後に低プロセス温度まで低下する。基板３の温度は、所定の第２の時間、上記低プロセス温度を保持することにより、層が堆積した後、ＡＬＤ方法によって再び高プロセス温度まで上昇する。上記高プロセス温度において、再び上記酸化剤を用いて、上記堆積層を酸化させる。その後、基板３の温度は、再び低プロセス温度まで低下する。
【００２５】
上記低プロセス温度は、１５０度から１８０度の間の温度範囲内とすることができる。上記高プロセス温度は、２４０度から３５０度の間の温度範囲内とすることができる。
【００２６】
本発明の方法の一発展形態では、上記基板の温度が、酸化工程を有する高プロセス温度まで再び上昇する前に、低プロセス温度において、複数の層を、それらの層と層との間に酸化工程を行うことによって順番に堆積する。例えば、３つの層を１回の低温中に堆積することができる。そのため、各低温中毎に、まず反応炉１をパージガスを用いてパージする。その後１つの層を前駆体を用いて堆積し、さらにその後、再び反応炉１をパージガスを用いてパージする。次に、酸化工程を行うために酸化剤を供給し、この酸化の後、再びパージガスを用いて上記反応炉をパージする。その次に、第２の層を堆積するために、再び前駆体を反応炉１に導入することにより、該第２の層が堆積された後、上記反応炉を再びパージガスを用いてパージする。さらにその次に、酸化工程を行うために酸化剤を供給し、この酸化の後、再びパージガスを用いて上記反応炉をパージする。このパージの後、第３の層を、上記前駆体を用いて、つまり該前駆体を反応炉１に導入することによって、上記第２の層上に堆積し、その後、上記反応炉を再びパージガスを用いてパージする。
【００２７】
上記方法では、低温度時間の低プロセス温度中、低温度において、異なる複数の層を、異なる前駆体を用いて堆積することもできる。
【００２８】
基板３が高プロセス温度を有している時間を、短く選択してもよい。基板３が高プロセス温度を有している時間を、３０秒から５分の間に選択してもよい。上記前駆体を用いて、１以上の層を低温度で堆積する時間は、３０秒から５分の間の範囲内であってよい。
【００２９】
低温度と高温度との間の移行は、１０分から５０分の間の範囲において行われうる。
【００３０】
上記原子層堆積プロセスを用いて層を堆積するために、例えばＴＥＭＡ−ＨｆまたはＴＥＡＤ−Ｈｆのようなアミド前駆体を用いることができる。
【００３１】
上記方法を用いて、複数の層を、例えば酸化ハフニウムまたはハフニウムシリコン酸化物のような、大きな誘電定数を有する誘電体として、堆積することができる。
【００３２】
用いられた上記前駆体は、例えば、Ｐｒ、Ｇｄ、エルビウム、または、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒのような、ランタノイドを含有しうる。
【００３３】
上記前駆体は、前駆体源７において、前駆体オーブンによって所定の温度まで加熱されうる。該所定の温度は、２０度から２５０度の間の範囲内とすることができる。
【００３４】
加熱装置４を、レーザ、紫外線加熱装置、アーク灯、閃光灯、または、赤外線装置、または、これらを複合したものの形で、形成できる。
【００３５】
１つの層または複数の層を堆積するために、異なる複数の前駆体ガスを反応炉１に導入してもよい。そのために、例えば、異なる前駆体を有する複数の前駆体源が利用可能である。該異なる前駆体をそれぞれ、別々の弁および別々の配管を介して、反応炉１に導入できる。この方法によって、組成が異なる複数の層に区切られた化合物層を上記基板に形成することも可能である。
【００３６】
反応炉１の圧力は、吸引ポンプ６を用いてガスを吸引することによって、および／または、前駆体源７および／または酸化剤源９およびパージガス源８を用いてガスを供給することによって、調整される。反応炉１のガスの圧力は、約１００ｍＴｏｒｒ（１３．３Ｐａ）と１０Ｔｏｒｒ（１３３ｈＰａ）との間の範囲内とすることができる。
【００３７】
酸化剤として、例えば、酸化窒素、酸素、オゾン、亜酸化窒素、水蒸気、または、これらを複合したもののような、適切な酸化ガスを用いてもよい。
【００３８】
パージガスとして、例えば、窒素、ヘリウム、アルゴン、または、これらを複合したものを用いてもよい。
【００３９】
基板３の温度は、低温段階の１００度から高温段階の３５０度の間で変動しうる。水を酸化源として使用する場合、上記温度は８００度まで達しうる。低温段階において、上記のように、１つの前駆体または複数の前駆体を用いて、例えば誘電体のような材料の少なくとも１または複数の層を堆積する。高温段階では、上記のように、堆積された少なくとも１つの層の酸化を行う。
【００４０】
他の一実施形態では、基板３のプロセス温度は、低温度の１５０度から高温度の２５０度に変動する。上記低温段階において、少なくとも１つの層を上記前駆体を用いて堆積する。上記高温段階では、少なくとも１つの堆積層の酸化を行う。
【００４１】
例えば、酸化ハフニウムを堆積するために、前駆体として、塩化ハフニウム、ハフニウム  ターシャリ  ブトキシド、テトラキス(ジエチルアミド)ハフニウム（ＩＶ）、テトラキス（エチルメチルアミド）ハフニウム（ＩＶ）、または、テトラキス（ジメチルアミド）Ｈｆ（ＩＶ）を前駆体として用いてもよい。
【００４２】
図２は、ＡＬＤ（原子層堆積方法）を概略的に示す図であり、該ＡＬＤでは、各プロセスステップおよび反応炉１におけるそのときの基板３の温度が示されている。この図では、時間ｔに対する温度Ｔが示されている。本実施形態では、低プロセス温度として１５０度、高プロセス温度として２５０度を選択している。各方法ステップを説明するために、これらを、アルファベットを囲った四角形に示している。アルファベットのＳを囲った四角は、上記反応炉のパージガスを用いたパージを示し、アルファベットのＰを囲った四角は、前駆体の反応炉１への導入を示し、アルファベットのＯを囲った四角は、酸化ガスの上記反応炉への導入を示している。反応炉１の吸引ポンプを用いた排気については、明示していない。
【００４３】
上記方法の開始後、上記基板を１５０度まで加熱し、第１時点ｔ１では、上記反応炉をパージガスを用いてパージする。上記反応炉を十分にパージした後、第２時点ｔ２では上記反応炉に前駆体を導入し、上記基板の表面に原子層堆積方法によって層を堆積する。該層の堆積後、第３時点ｔ３では、再び上記反応炉をパージガスを用いてパージする。従って、上記基板の温度は、高プロセス温度、つまり、この場合２５０度まで上昇する。その後、第４時点ｔ４では、任意選択によって、再び反応炉１のパージをパージガスを用いて行う。その後、第５時点ｔ５では、例えばガス状の酸化剤を上記反応炉に導入する。続いて、上記堆積層が酸化した後、第６時点ｔ６では、再び上記反応炉にパージガスを導入し、該反応炉をパージする。従って、上記基板の温度は、再び低プロセス温度まで低下し、新たに、第７時点ｔ７では、上記反応炉のパージがパージガスを用いて行われる。従って、第８時点ｔ８では、再び同一の前駆体ガスを上記反応炉に導入する。該前駆体ガスによって、第２の層が、既に堆積されている層上に堆積される。この堆積工程の後、第９時点ｔ９では、再び上記反応炉のパージをパージガスを用いて行う。その後、上記基板の温度は、再び高プロセス温度まで上昇し、新たに、酸化および任意選択のパージを伴うパージが任意選択により行われる。
【００４４】
従って、再び基板３の温度は低プロセス温度まで低下し、パージと、１つの層の堆積に伴う前駆体の導入と、新たなパージとを新たに行う。上記低プロセス温度および上記低プロセス温度における上記堆積サイクルおよび上記酸化サイクルは、所望の層数による所望の層構造が基板３上に堆積されるまで、何度も実施される。
【００４５】
上記層構造で、層全体を表している。上記堆積段階で、同一の前駆体または異なる前駆体を用いた場合、上記方法により、層全体として１つの層のみが堆積される。この場合、上記堆積サイクル中に上記全体の層の副層が堆積される。このように、図２の方法は、１つの層だけを堆積する方法を示す。この場合、上記酸化は、上記堆積の場合よりも、より高温において行われる。この方法では、段階的に複数の副層の形で１層だけを堆積する。
【００４６】
実施形態によっては、上記堆積段階中に上記低プロセス温度において、様々な前駆体ガスを用いてもよい。
【００４７】
図３は、原子層堆積方法の他の一実施形態を示す図である。図３においても、該原子層堆積方法における、時間ｔに対する温度Ｔを示す。上記方法を開始後、上記基板の温度を、低プロセス温度の１５０度まで加熱し、第１時間ｔ１では、上記反応炉のパージをパージガスを用いて行う。その後、第２時点ｔ２では、基板３の表面上に第１の層を堆積するために、前駆体ガスを反応炉１に導入する。従って、第３時点では、再び上記反応炉のパージをパージガスを用いて行う。その後、第４時点ｔ４では、反応炉１に酸化剤を導入し、上記第１の層を酸化させる。その後、第５時点ｔ５では、新たに上記反応炉をパージガスを用いてパージし、第６時点ｔ６では、前駆体ガスを導入することによって、第２の層を堆積する。その後、第７時点ｔ７では、上記反応炉のパージをパージガスを用いて行う。続いて、上記基板の温度は高プロセス温度の２５０度まで上昇し、上記反応炉に酸化剤を導入し、上記堆積層の酸化を可能にさせる。該酸化の後、上記基板の温度は、低プロセス温度まで低下する。続いて、上記基板の温度は再び低プロセス温度まで低下する。上記酸化の前および後に、任意選択により上記反応炉のパージを行ってもよい。第９時点ｔ９では、上記反応炉のパージをパージガスを用いて行う。次の第１０時点ｔ１０では、再び前駆体ガスを導入し、上記基板の酸化された第２の層上に、第３の層を堆積する。その後、第１１時点ｔ１１では、上記反応炉のパージをパージガスを用いて行う。続いて、第１２時点ｔ１２では、上記反応炉に酸化剤を導入し、上記第３の層を酸化させる。その後、第１３時点ｔ１３では、再び、上記反応炉のパージをパージガスを用いて行う。続いて、第１４時点ｔ１４では、再び、上記反応炉に前駆体ガスを導入し、第４の層を堆積する。その後、第１５時点ｔ１５では、再び上記反応炉にパージガスを導入し、該反応炉をパージする。従って、上記基板の温度は、再び高プロセス温度まで上昇する。続いて酸化工程を、上記反応炉に酸化剤を導入することによって再び行う。その後、上記基板の温度は、低プロセス温度まで低下する。
【００４８】
上記低プロセス温度における堆積段階および酸化段階と、上記高プロセス温度における酸化段階とを有する、上記プロセスサイクルを、任意の回数、繰り返し行ってもよい。この場合、多数の層を上記低プロセス温度において堆積し、続いて上記高プロセス温度において、該多数の層に酸化工程を施す。上記堆積段階および上記酸化段階の回数は、所望の層厚によって決定される。
【００４９】
実施形態によっては、１回の堆積サイクル中に低プロセス温度において、その一つ一つの堆積段階に、同一の前駆体または異なる前駆体を上記反応炉に導入することによって、同一の材料からなる層、または、異なる材料の膜からなる層を堆積できる。
【００５０】
上記層構造で、層全体を表している。上記堆積段階で、同一の前駆体または異なる前駆体を用いた場合、上記方法により、層全体として１つの層のみが堆積される。この場合、上記堆積サイクル中に上記全体の層の副層が堆積される。このように、図２の方法は、１つの層だけを堆積する方法を示す。この場合、上記酸化は、上記堆積の場合よりも、より高温において行われる。この方法では、段階的に複数の副層の形で１層だけを堆積する。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】図１は、上記方法を実施するための装置を概略的に示す図である。
【図２】図２は、上記方法の一実施形態のシーケンスを概略的に示す図である。
【図３】図３は、ＡＬＤ堆積方法の他のシーケンスを示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  反応炉
２  基板支持体
３  基板
４  加熱装置
５  冷却装置
６  吸引ポンプ
７  前駆体源
８  パージガス源
９  酸化剤源
１０  弁
１１  制御装置
１２  制御配線
【図１】
2008053733.tif 000003
【図２】
2008053733.tif 000004
【図３】
2008053733.tif 000005