(57)【要約】【課題】バンプと接触する稜線を有するとともに、大きな弾性力を発揮する接触子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の接触子１Ａにおいては、弾性力を発揮する金属ばね膜２Ａおよび稜線３ａを有する金属接触膜３を別個独立に形成して備える（図３Ｋ）。この接触子１Ａは工程Ａ〜Ｊを経て製造される。金属ばね膜２Ａに稜線３ａを形成する必要がないので、この膜厚を容易に厚くすることができる（図３Ｆ）。また、金属ばね膜２Ａの断面が半円状になっており、バンプとの対向面２Ａａが略水平になるので、その対向面２Ａａに稜線３ａを有する精密な形状の金属接触膜３を容易に形成できる（図３Ｉ）。【選択図】図３
2008053034.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円錐らせん状もしくは多角錐らせん状に形成されている金属ばね膜と、
前記金属ばね膜からバンプとの対向方向に突出させて形成されている金属接触膜と
を備えているとともに、
前記金属接触膜が前記バンプに対向する稜線を有している
ことを特徴とする接触子。
【請求項２】
前記金属接触膜は、前記金属ばね膜における前記バンプとの対向面に沿って円錐らせん状もしくは多角錐らせん状に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の接触子。
【請求項３】
絶縁基板の表面に円錐形状もしくは多角錐形状のレジスト錐を形成する工程Ａと、
前記レジスト錐の表面にシード膜を形成する工程Ｂと、
前記シード膜の表面に第１レジスト膜を形成した後、前記第１レジスト膜に対して前記レジスト錐の頂部を中心とする円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝をパターンニングする工程Ｃと、
前記円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝から表面に露出している前記シード膜を除去することにより前記レジスト錐の表面上に円錐らせん状もしくは多角錐らせん状のシード膜を形成する工程Ｄと、
前記第１レジスト膜を除去する工程Ｅと、
前記第１レジスト膜の除去後に表面に露出している前記円錐らせん状もしくは多角錐らせん状のシード膜をめっきすることにより前記シード膜の表面上に金属ばね膜を形成する工程Ｆと、
前記金属ばね膜の表面に第２レジスト膜を形成した後、前記第２レジスト膜に対して前記金属ばね膜におけるバンプとの対向面を表面に露出させる溝をパターンニングする工程Ｇと、
前記工程Ｇにおいて形成された溝から表面に露出している前記対向面をめっきすることにより前記工程Ｇにおいて形成された溝の深さを最大厚さとする金属接触膜を前記対向面の表面上に形成する工程Ｈと、
前記金属接触膜の形成後に前記第２レジスト膜を除去する工程Ｉと、
前記第２レジスト膜の除去後に前記レジスト錐を除去する工程Ｊと
を備えていることを特徴とする接触子の製造方法。
【請求項４】
前記レジスト錐は、レジストエッチング液に対する耐薬品性および絶縁性を有する保護膜をその表面上に有しており、
前記工程Ａにおいては、絶縁基板の表面上に形成されたレジスト膜をパターンニングすることにより円錐形状もしくは多角錐形状のレジスト錐本体を形成した後、前記レジスト錐本体の表面上に保護膜を形成することにより、前記レジスト錐を形成するとともに、
前記工程Ｊにおいては、前記保護膜をイオンエッチングにより除去した後に前記レジスト錐本体をレジストエッチング液により除去することにより、前記レジスト錐を除去する
ことを特徴とする請求項３に記載の接触子の製造方法。
【請求項５】
前記保護膜は、レジスト錐本体の表面にＳｉＯ２をスパッタすることにより形成されている
ことを特徴とする請求項４に記載の接触子の製造方法。
【請求項６】
絶縁基板の表面に円錐形状もしくは多角錐形状のレジスト錐を形成する工程Ａと、
前記レジスト錐の表面にシード膜を形成する工程Ｂと、
前記シード膜の表面に第１レジスト膜を形成した後、前記第１レジスト膜に対して前記レジスト錐の頂部を中心とする円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝をパターンニングする工程Ｃと、
前記円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝から露出している前記シード膜をめっきすることにより前記シード膜の表面上に金属ばね膜を前記円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝の深さよりも厚く形成する工程Ｋと、
前記金属ばね膜の表面に第２レジスト膜を形成した後、前記第２レジスト膜または前記第１レジスト膜および前記第２レジスト膜に対して前記金属ばね膜におけるバンプとの対向面を露出させる溝をパターンニングする工程Ｇと、
前記工程Ｇにおいて形成された溝から表面に露出している前記対向面をめっきすることにより前記工程Ｇにおいて形成された溝の深さを最大厚さとする金属接触膜を前記対向面の表面上に形成する工程Ｈと、
前記金属接触膜の形成後に前記第２レジスト膜を除去する工程Ｉと、
前記工程Ｋの後または前記工程Ｉの後に前記第１レジスト膜を除去するとともに前記第１レジスト膜の除去部分から露出している前記シード膜を除去する工程Ｌと、
前記工程Ｉの後または前記工程Ｌの後に前記レジスト錐を除去する工程Ｊと
を備えていることを特徴とする接触子の製造方法。
【請求項７】
前記第２レジスト膜は、スプレーコーティングにより形成されている
ことを特徴とする請求項３から請求項６のいずれか１項に記載の接触子の製造方法。
【請求項８】
前記金属接触膜は、前記対向面に沿って円錐らせん状もしくは多角錐らせん状に形成されている
ことを特徴とする請求項３から請求項７のいずれか１項に記載の接触子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接触子およびその製造方法に係り、特に、球状やランド状に形成されたバンプ（突起電極）を有する半導体デバイスと電気的に接続を行うために好適に利用できる接触子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、ＩＣ（Integrated Circuit：集積回路）やＬＳＩ（Large Scale Integration：素子の集積度が1000個〜10000個のＩＣ）などの半導体デバイスの製造工程においては、製造された半導体デバイスをプローブカードと称される検査用配線板に接続させることによってその半導体デバイスに対する電気信号の入出力検査を行ない、半導体デバイスの不良品をパッケージに組み込んでしまうという無駄を低減させている。
【０００３】
ここで、ＢＧＡ（Ball Grid Array：ボール状格子電極）方式の半導体デバイスやＬＧＡ（Land Grid Array：ランド状格子電極）方式の半導体デバイスを検査するプローブカードにおいては、電気信号を通電させる検査用配線がその絶縁基板に形成されているとともに、半導体デバイスに数十μｍの狭ピッチで多数形成された外径数十μｍの球状バンプ（突起電極）もしくは数十μｍ幅のランド状バンプと接触させるため、中央を頂部とする外径数十μｍの円錐らせん状の接触子が数十μｍの狭ピッチで形成された検査用配線の接続端子に接続されている。
【０００４】
従来の接触子１０１は、主に図８に示すような３つの工程を経て製造される。第１工程においては、図８Ａに示すように、レジスト材を用いて円錐状に形成された凸型条部（以下、「レジスト錐」という。）１２２の表面上にシード膜１０４およびレジスト膜１２３を形成し、そのレジスト膜１２３に円錐らせん状の溝１２３ａをパターンニングすることにより、その円錐らせん状の溝１２３ａからシード膜１０４を露出させる。第２工程においては、図８Ｂに示すように、円錐らせん状の溝１２３ａから露出したシード膜１０４をＮｉ−Ｐ合金めっきすることにより、円錐らせん状の溝１２３ａに接触子１０１の本体となる金属ばね膜１０２を形成する。良好な導通性を得るため、金属ばね膜１０２の表面にＡｕ膜やＣｕ膜などの導通膜（図示せず）を形成しても良い。そして、第３工程においては、図８Ｃに示すように、金属ばね膜１０２の形成後に、パターンニングされたレジスト膜１２３およびその下層のシード膜１０４ならびにレジスト錐１２２を順に除去する（特許文献１を参照）。
【０００５】
ここで、接触子１０１と接触するバンプ（図示せず）はＡｌを用いて形成されており、その表面には膜厚０．１μｍ程度の酸化膜（アルミナ）が形成されているので、接触子１０１がバンプと導通するためにはバンプと接触する際にその酸化膜を切削しなければならない。そのため、従来の接触子１０１は、バンプとのの対向位置にバンプの酸化膜を切削するための稜線１０２ａを金属ばね膜１０２に有するように形成されていた。また、その稜線１０２ａを形成するため、従来の接触子１０１の製造方法においては、金属ばね膜１０２の膜厚をレジスト膜１２３における円錐らせん状の溝１２３ａの深さよりも薄く形成することにより、金属ばね膜１０２の断面を円錐らせん状の溝１２３ａの断面と同様の矩形状に形成していた。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−５０５９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、一般的なレジスト材を用いて形成されたレジスト膜１２３は膜厚１μｍ〜２０μｍ程度であるため、金属ばね膜１０２の膜厚はレジスト膜１２３の膜厚以上の厚さに厚くすることができない。そのため、金属ばね膜１０２が酸化膜の切削に必要な弾性力を十分に発揮することができないという問題があった。特に、接触子１０１の外径および高さが小さい場合、その弾性力不足は顕著に現れる。
【０００８】
ここで、粘度の高いレジスト材を用いてレジスト膜１２３を形成すればそのレジスト膜１２３の膜厚を厚くすることができるので、金属ばね膜１０２の膜厚も厚くすることはできる。しかしながら、膜厚の厚いレジスト膜１２３を形成すると、金属ばね膜１０２の断面を稜線を有するように精密に形成することが困難となるばかりでなく、レジスト膜１２３のパターンニングにおける露光回数および現像回数がその膜厚に比例して増加するので、レジスト膜１２３のパターンニング効率が悪化するという問題があった。
【０００９】
また、金属ばね膜１０２の弾性力を大きくするため、金属ばね膜１０２の膜幅を大きくすることも考えられる。しかしながら、要求される接触子１０１の外径寸法は日々小さくなってきており、それに伴って金属ばね膜１０２の膜幅も小さくなるので、金属ばね膜１０２の膜幅を大きくすることによって金属ばね膜１０２の弾性力を大きくすることは事実上困難であった。
【００１０】
そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、バンプの表面に形成された酸化膜を切削する稜線を有するとともに、接触子の外径および高さが小さい場合であっても大きな弾性力を発揮することができる接触子を提供することをその目的としている。
【００１１】
また、本発明は、バンプの表面に形成された酸化膜を切削する稜線を有するとともに、接触子の外径および高さが小さい場合であっても大きな弾性力を発揮することができる接触子を容易に形成することができる接触子の製造方法を提供することを他の目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前述した目的を達成するため、本発明の接触子は、その第１の態様として、円錐らせん状もしくは多角錐らせん状に形成されている金属ばね膜と、金属ばね膜からバンプとの対向方向に突出させて形成されている金属接触膜とを備えているとともに、金属接触膜がバンプに対向する稜線を有していることを特徴としている。
【００１３】
第１の態様の接触子によれば、金属ばね膜と別個に形成された金属接触膜が稜線を有しているので、金属ばね膜の断面形状に依存することなく、その金属接触膜の稜線によりバンプの表面に形成された酸化膜を切削することができる。また、稜線を有する金属接触膜が別個形成されているので、金属ばね膜の断面形状はどのように形成されていても良いことになる。つまり、金属ばね膜の断面形状の形成自由度が高くなるので、金属ばね膜の膜厚を容易に厚くすることができ、金属ばね膜の弾性力を大きくすることができる。
【００１４】
本発明の第２の態様の接触子は、第１の態様の接触子において、金属接触膜は、金属ばね膜におけるバンプとの対向面に沿って円錐らせん状もしくは多角錐らせん状に形成されていることを特徴としている。
【００１５】
第２の態様の接触子によれば、バンプが接触子と接触した際、金属接触膜における円錐らせん状もしくは多角形らせん状の稜線がバンプの酸化膜に接触しながらそのらせん形を拡大していくので、金属接触膜がバンプの酸化膜をらせん状に切削しながらバンプと接触子とを接触させることができる。また、金属接触膜がバンプとらせん状に接触するので、バンプと金属接触膜との接触長さが長くなり、バンプと接触子との導通不良を確実に防止することができる。
【００１６】
また、本発明の接触子の製造方法は、その第１の態様として、絶縁基板の表面に円錐形状もしくは多角錐形状のレジスト錐を形成する工程Ａと、レジスト錐の表面にシード膜を形成する工程Ｂと、シード膜の表面に第１レジスト膜を形成した後、第１レジスト膜に対してレジスト錐の頂部を中心とする円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝をパターンニングする工程Ｃと、円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝から表面に露出しているシード膜を除去することによりレジスト錐の表面上に円錐らせん状もしくは多角錐らせん状のシード膜を形成する工程Ｄと、第１レジスト膜を除去する工程Ｅと、第１レジスト膜の除去後に表面に露出している円錐らせん状もしくは多角錐らせん状のシード膜をめっきすることによりシード膜の表面上に金属ばね膜を形成する工程Ｆと、金属ばね膜の表面に第２レジスト膜を形成した後、第２レジスト膜に対して金属ばね膜におけるバンプとの対向面を表面に露出させる溝をパターンニングする工程Ｇと、工程Ｇにおいて形成された溝から表面に露出している対向面をめっきすることにより工程Ｇにおいて形成された溝の深さを最大厚さとする金属接触膜を対向面の表面上に形成する工程Ｈと、金属接触膜の形成後に第２レジスト膜を除去する工程Ｉと、第２レジスト膜の除去後にレジスト錐を除去する工程Ｊとを備えていることを特徴としている。
【００１７】
第１の態様の接触子の製造方法によれば、工程Ｆにおける金属ばね膜の形成前に工程Ｅにおいて第１レジスト膜が除去されていることから、金属ばね膜の形成に型を使用せずに金属ばね膜をめっき成長させている。そのため、金属ばね膜の断面が半円状もしくは半楕円状になり、金属ばね膜におけるバンプとの対向面（上面）が略水平面となるので、金属ばね膜の対向面上に形成する金属接触膜の断面形状を精密に形成することができる。そして、金属接触膜の膜厚は工程Ｇにおいて形成された溝の深さを最大厚さとしているので、その溝の内壁が金属接触膜の側面の型となり、バンプに対向する稜線を金属接触膜に精密に形成することができる。
【００１８】
また、第１の態様の接触子の製造方法によれば、稜線を有する金属接触膜が別個形成されていることから、金属ばね膜を第１レジスト膜の膜厚に依存せずに形成することができる。このことから、任意の膜厚に設定することができるので、接触子の外径および高さが小さくなったとしても大きな弾性力を有する金属ばね膜を形成することができる。
【００１９】
さらに、第１の態様の接触子の製造方法によれば、第１レジスト膜はシード膜を円錐らせん状もしくは多角錐らせん状にパターンニングするために形成されており、金属ばね膜の形成に一切関与していない。このことから、第１レジスト膜の膜厚を薄くすることができるので、その第１レジスト膜に円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝を容易にパターンニングすることができる。
【００２０】
本発明の第２の態様の接触子の製造方法は、第１の態様の接触子の製造方法において、レジスト錐は、レジストエッチング液に対する耐薬品性および絶縁性を有する保護膜をその表面上に有しており、工程Ａにおいては、絶縁基板の表面上に形成されたレジスト膜をパターンニングすることにより円錐形状もしくは多角錐形状のレジスト錐本体を形成した後、レジスト錐本体の表面上に保護膜を形成することにより、レジスト錐を形成するとともに、工程Ｊにおいては、保護膜をイオンエッチングにより除去した後にレジスト錐本体をレジストエッチング液により除去することにより、レジスト錐を除去することを特徴としている。
【００２１】
本発明の第２の態様の接触子の製造方法によれば、レジスト錐の保護膜が耐薬品性および絶縁性を有しているので、レジスト錐本体および第１レジスト膜に用いられるレジスト材が同じであったとしても、工程Ｅにおける第１レジスト膜の除去の際にレジスト錐本体が除去されてしまうことを防止することができる。
【００２２】
本発明の第３の態様の接触子の製造方法は、第３態様の接触子の製造方法において、保護膜は、レジスト錐本体の表面にＳｉＯ２をスパッタすることにより形成されていることを特徴としている。
【００２３】
本発明の第３の態様の接触子の製造方法によれば、ＳｉＯ２は優れた耐薬品性および絶縁性を有しているので、良好な特性を有する保護膜を形成することができる。
【００２４】
本発明の第４の態様の接触子の製造方法は、絶縁基板の表面に円錐形状もしくは多角錐形状のレジスト錐を形成する工程Ａと、レジスト錐の表面にシード膜を形成する工程Ｂと、シード膜の表面に第１レジスト膜を形成した後、第１レジスト膜に対してレジスト錐の頂部を中心とする円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝をパターンニングする工程Ｃと、円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝から露出しているシード膜をめっきすることによりシード膜の表面上に金属ばね膜を円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝の深さよりも厚く形成する工程Ｋと、金属ばね膜の表面に第２レジスト膜を形成した後、第２レジスト膜または第１レジスト膜および第２レジスト膜に対して金属ばね膜におけるバンプとの対向面を露出させる溝をパターンニングする工程Ｇと、工程Ｇにおいて形成された溝から表面に露出している対向面をめっきすることにより工程Ｇにおいて形成された溝の深さを最大厚さとする金属接触膜を対向面の表面上に形成する工程Ｈと、金属接触膜の形成後に第２レジスト膜を除去する工程Ｉと、工程Ｋの後または工程Ｉの後に第１レジスト膜を除去するとともに第１レジスト膜の除去部分から露出しているシード膜を除去する工程Ｌと、工程Ｉの後または工程Ｌの後にレジスト錐を除去する工程Ｊとを備えていることを特徴としている。
【００２５】
第４の態様の接触子の製造方法によれば、金属ばね膜が円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝の深さよりも厚くなるようにめっき形成されていることから、金属ばね膜の断面が長方形もしくは正方形の一辺に半円もしくは半楕円を重ね合わせて得た形状になり、金属ばね膜におけるバンプとの対向面（上面）が略水平面となるので、金属ばね膜の対向面上に形成する金属接触膜の断面形状を精密に形成することができる。そして、金属接触膜の膜厚は工程Ｇにおいて形成された溝の深さを最大厚さとしているので、その溝の内壁が金属接触膜の側面の型となり、バンプに対向する稜線を金属接触膜に精密に形成することができる。
【００２６】
また、第４の態様の接触子の製造方法によれば、稜線を有する金属接触膜が別個形成されていることから、第１レジスト膜の膜厚にかかわらずに金属ばね膜の膜厚を任意の厚さに設定することができるので、接触子の外径および高さが小さくなったとしても大きな弾性力を有する金属ばね膜を形成することができる。
【００２７】
さらに、第４の態様の接触子の製造方法によれば、第１レジスト膜は金属ばね膜の形成位置を決定するためのものであって、金属ばね膜の膜厚を厚く形成するためのものではない。このことから、第１レジスト膜の膜厚を薄くすることができるので、その第１レジスト膜に円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の溝を容易にパターンニングすることができる。
【００２８】
本発明の第５の態様の接触子の製造方法は、第１から第４の態様の接触子の製造方法において、第２レジスト膜は、スプレーコーティングにより形成されていることを特徴としている。
【００２９】
本発明の第５の態様の接触子の製造方法によれば、円錐らせん状もしくは多角錐らせん状の金属ばね膜の表面に均一の厚さの第２レジスト膜を形成することができる。
【００３０】
本発明の第６の態様の接触子の製造方法は、第１から第５の態様の接触子の製造方法において、金属接触膜は、対向面に沿って円錐らせん状もしくは多角錐らせん状に形成されていることを特徴としている。
【００３１】
本発明の第６の態様の接触子の製造方法によれば、バンプが接触子と接触した際、金属接触膜における円錐らせん状もしくは多角形らせん状の稜線がバンプの酸化膜に接触しながらそのらせん形を拡大していくので、金属接触膜がバンプの酸化膜をその稜線のらせん状に切削しながらバンプと接触子とを導通させることができる。また、金属接触膜がバンプとらせん状に接触するので、バンプと金属接触膜との接触長さが長くなり、バンプと接触子との導通不良を確実に防止することができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の接触子によれば、稜線を有する金属接触膜および弾性力を発揮する金属ばね膜が別個形成されているので、それぞれの特徴が発揮されやすくなる。そのため、接触子の外径および高さが小さい場合であっても、金属接触膜の稜線がバンプの酸化膜を確実に切削することができるとともに、金属ばね膜が大きな弾性力を発揮することができるという効果を奏する。
【００３３】
また、本発明の接触子の製造方法によれば、その金属接触膜が略平面状に形成された金属ばね膜のバンプ対向面上に形成されているので、精密な断面形状を有する金属接触膜を容易に形成することができる。また、本発明の接触子の製造方法によれば、弾性力を発揮する金属ばね膜に稜線を形成する必要がないので、金属ばね膜の膜厚を厚く形成することができ、大きな弾性力を発揮する金属ばね膜を容易に形成することができる。さらに、本発明の接触子の製造方法によれば、第１レジスト膜の膜厚を薄くすることができるので、第１レジスト膜のパターンニングを容易に行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図１から図６を用いて、本発明の接触子およびその製造方法について、その第１および第２の実施形態を説明する。なお、第１および第２の実施形態において共通する工程は同一符号を用いて説明する。
【００３５】
はじめに、図１から図５を用いて、第１の実施形態の接触子１Ａの製造方法を説明する。図１は第１の実施形態の接触子１Ａを示す斜視図であり、図２は第１の実施形態の接触子１Ａを示す縦断面図である。
【００３６】
第１の実施形態の接触子１Ａは、図１に示すように、プローブカード（検査用配線板）１０の絶縁基板１１に形成された接続端子１２に接続されており、図２に示すように、金属ばね膜２Ａおよび金属接触膜３を備えている。また、第１の実施形態の接触子１Ａは、金属ばね膜２Ａの形成補助膜として、絶縁基板１１または接続端子１２と金属ばね膜２Ａとの間にシード膜４を積層させている。
【００３７】
金属ばね膜２Ａは、図１および図２に示すように、円錐らせん状に形成されており、その膜厚は３０μｍとなっている。また、この金属ばね膜２Ａの断面は、半円状もしくは半楕円状に形成されており、この金属ばね膜２Ａにおけるバンプとの対向面（図２においては上面）２Ａａは略水平になっている。
【００３８】
金属接触膜３は、図２に示すように、金属ばね膜２Ａにおける略水平状のバンプとの対向面２Ａａからバンプとの対向方向に３μｍ程度突出させて形成されている。この金属接触膜３は、バンプとの対向面２Ａａに断片的に突出させて形成されていても良いが、第１の実施形態の金属接触膜３は、バンプとの対向面２Ａａに沿って連続的に突出させて円錐らせん状に形成されている。そして、第１の実施形態の金属接触膜３は、その断面を略矩形状に形成することにより、バンプに対向する稜線３ａを有するように形成されている。なお、金属接触膜３は稜線３ａを有していればよいので、その断面は略矩形状に限られるものではない。
【００３９】
図３Ａ〜図３Ｌは、第１の実施形態の接触子１Ａの製造方法を縦断面図により示している。第１の実施形態の接触子１Ａの製造方法は工程Ａ〜工程Ｊまでの１０工程を備えている。
【００４０】
工程Ａにおいては、図３Ａに示すように、絶縁基板１１の表面に外径２００μｍ、高さ５０μｍ程度の円錐形状のレジスト錐２２Ａを形成する。第１の実施形態のレジスト錐２２Ａは、円錐形状のレジスト錐本体２２Ａａの表面上にレジストエッチング液に対する耐薬品性および絶縁性を有する保護膜２２Ａｂを積層させることにより形成されている。
【００４１】
このレジスト錐本体２２Ａａは、絶縁基板１１の表面上に形成されたレジスト膜（図示せず）に対してレジストコート、多重露光および現像を行ない、そのレジスト膜を円錐形状にパターンニングすることにより形成されている。レジスト膜に用いられるレジスト材としてはノボラック系レジスト材が用いられており、現像液としてはＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液が用いられている。また、レジスト錐本体２２Ａａの表面上に積層させる保護膜２２Ａｂは、レジスト錐本体２２Ａａの表面にＳｉＯ２をスパッタすることにより形成されている。
【００４２】
工程Ｂにおいては、図３Ｂに示すように、レジスト錐２２Ａの形成後、電気伝導度に優れた金属をスパッタすることにより、レジスト錐２２Ａの表面にシード膜４を形成する。第１の実施形態のシード膜４は、膜厚１５ｎｍ程度のＴｉ層もしくはＣｒ層を第一層とし、その第一層の表面上に第二層となる膜厚１００ｎｍ程度のＣｕ層を積層させることにより形成されている。
【００４３】
工程Ｃにおいては、図３Ｃに示すように、シード膜４の表面上に第１レジスト膜２３Ａを形成する。第１の実施形態の第１レジスト膜２３Ａは、ノボラック系レジスト材を用いてスプレーコーティングにより形成されており、その膜厚は３μｍである。第１レジスト膜２３Ａの形成後、その第１レジスト膜２３Ａに対し、円錐らせん状の溝２３Ａａをパターンニングする。この円錐らせん状の溝２３Ａａは、レジスト錐２２Ａの頂部を中心として形成されている。第１レジスト膜２３Ａの現像液としてはＴＭＡＨ水溶液が用いられている。
【００４４】
工程Ｄにおいては、図３Ｄに示すように、円錐らせん状の溝２３Ａａから表面に露出しているシード膜４を除去することにより、シード膜４を円錐らせん状に形成する。このシード膜４の除去はイオンミリングにより行なわれる。
【００４５】
工程Ｅにおいては、図３Ｅに示すように、円錐らせん状のシード膜４Ａの表面上に形成されている第１レジスト膜２３Ａを除去する。第１の実施形態のレジスト除去剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（分子式：Ｃ５Ｈ９ＮＯ、商品名：ＮＭＰ）が用いられる。
【００４６】
工程Ｆにおいては、図３Ｆに示すように、第１レジスト膜２３Ａの除去後に表面に露出している円錐らせん状のシード膜４Ａの表面を電気めっきする。これにより、シード膜４Ａの表面上に金属ばね膜２Ａが形成される。第１の実施形態の金属ばね膜２Ａは、ばね性に優れたＮｉ−Ｘ合金（Ｘ＝Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのいずれか１元素）のうちの１種であるＮｉ−Ｐ合金を電気めっきすることにより形成されており、その膜厚は３０μｍとなっている。また、図３Ｆに示すように、金属ばね膜２Ａは型を使用せずにめっき形成されているので、その断面は半円形状または楕円形状となっている。
【００４７】
工程Ｇにおいては、図３Ｇに示すように、金属ばね膜２Ａの表面上に第２レジスト膜２３Ｂを形成する。第１の実施形態の第２レジスト膜２３Ｂは、ノボラック系レジスト材を用いてスプレーコーティングにより形成されており、その膜厚は３μｍである。第２レジスト膜２３Ｂの形成後、図３Ｈに示すように、その第２レジスト膜２３Ｂに対して金属ばね膜２Ａにおけるバンプとの対向面２Ａａを表面に露出させる溝２３Ｂａをパターンニングする。第２レジスト膜２３Ｂの現像液としてはＴＭＡＨ水溶液が用いられている。ここで、金属ばね膜２Ａの断面が半円形状または楕円形状となっていることから、このバンプとの対向面２Ａａは略平面状に形成されている。
【００４８】
工程Ｈにおいては、図３Ｉに示すように、工程Ｇにおいて形成された溝２３Ｂａから表面に露出したバンプとの対向面２Ａａをめっきすることにより、金属接触膜３をその対向面２Ａａの表面上に形成する。この金属接触膜３は工程Ｇにおいて形成された矩形断面の溝２３Ｂａを型として使用して形成されているので、その断面は略矩形状になっている。これにより、この金属接触膜３はバンプに対向する稜線３ａを有するように形成されている。
【００４９】
ここで、第１の実施形態の金属接触膜３は、金属ばね膜２Ａと同一材質のＮｉ−Ｐ合金を電気めっきすることにより形成されており、その膜厚は３μｍとなっている。すなわち、この金属接触膜３の膜厚は工程Ｇにおいて形成された溝２３Ｂａの深さを最大厚さとしている。
【００５０】
また、第１の実施形態の金属接触膜３はバンプとの対向面２Ａａに断片的に突出させて形成されていても良いが、前述の通り、この金属接触膜３はバンプとの対向面２Ａａに沿って連続的に突出させて円錐らせん状に形成されている。
【００５１】
工程Ｉにおいては、図３Ｊに示すように、金属接触膜３の形成後、金属ばね膜２Ａの表面上に形成されている第２レジスト膜２３Ｂを除去する。このレジスト除去剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが用いられる。
【００５２】
最後に、工程Ｊにおいては、図３Ｌに示すように、第２レジスト膜２３Ｂの除去後にレジスト錐２２Ａを除去する。ここで、第１の実施形態のレジスト錐２２Ａは、レジスト錐本体２２Ａａの表面上に保護膜２２Ａｂを有して形成されている。つまり、レジスト錐２２Ａを除去するには、図３Ｋに示すように円錐らせん状の金属ばね膜２Ａの間から表面に露出している保護膜２２Ａｂをイオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）により除去した後、図３Ｌに示すようにレジスト錐本体２２Ａａをレジストエッチング液により除去する。このレジスト除去剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが用いられる。
【００５３】
次に、図２から図５を用いて、第１の実施形態の接触子１Ａの製造方法について、その作用を説明する。ここで、図４および図５は、第１の実施形態の接触子１Ａがボール状バンプ１５Ａまたはランド状バンプ１５Ｂに接触して下方に収縮した状態を示している。
【００５４】
第１の実施形態の接触子１Ａは、図２に示すように、金属ばね膜２Ａと別個に形成された金属接触膜３が稜線３ａを有している。そのため、精密な断面形状に形成することが困難な金属ばね膜２Ａに対して酸化膜１５Ａａ、１５Ｂａを切削する稜線３ａを形成する必要が無くなる。よって、第１の実施形態の接触子１Ａは、図４および図５に示すように、金属ばね膜２Ａの断面形状に依存することなく、その金属接触膜３の稜線３ａがボール状バンプ１５Ａまたはランド状バンプ１５Ｂに接触することにより、バンプ１５Ａ、１５Ｂの表面に形成された酸化膜１５Ａａ、１５Ｂａを切削することができる。
【００５５】
また、金属接触膜３が稜線３ａを有しており、その金属接触膜３が金属ばね膜２Ａと別個に形成されているので、金属ばね膜２Ａの断面形状はどのように形成されていても良いことになる。つまり、金属ばね膜２Ａの断面形状は矩形に限定されず、その断面形状を自由に設定することができるので、金属ばね膜２Ａの膜厚を厚く形成しやすくなる。これにより、金属ばね膜２Ａの弾性力を大きくすることができる。
【００５６】
さらに、金属ばね膜２Ａにおけるバンプ１５Ａ、１５Ｂとの対向面２Ａａが円錐らせん状になっていることから、この金属接触膜３はその対向面２Ａａに沿って円錐らせん状に形成されている。図４および図５に示すように、バンプ１５Ａ、１５Ｂが接触子１Ａと接触した際、金属接触膜３に形成された円錐らせん状の稜線３ａは、バンプ１５Ａ、１５Ｂの酸化膜１５Ａａ、１５Ｂａに接触しながらその円錐らせん形を拡大していく。そのため、金属接触膜３はバンプ１５Ａ、１５Ｂの酸化膜１５Ａａ、１５Ｂａをらせん状に切削しながらバンプ１５Ａ、１５Ｂと接触子１Ａとを接触させることができる。また、金属接触膜３がバンプ１５Ａ、１５Ｂとらせん状に接触すると、バンプ１５Ａ、１５Ｂと金属接触膜３との接触長さが長くなるので、バンプ１５Ａ、１５Ｂと接触子１Ａとの導通不良を確実に防止することができる。
【００５７】
この第１の実施形態の接触子１Ａは、図３Ａ〜図３Ｌに示すように、工程Ａ〜工程Ｊまでの１０工程を経て製造される。
【００５８】
ここで、図３Ｄから図３Ｆに示すように、工程Ｅにおいては、工程Ｆにおける金属ばね膜２Ａの形成前に第１レジスト膜２３Ａが除去されている。つまり、従来の接触子１０１の製造方法とは異なり、金属ばね膜２Ａの形成型となる円錐らせん状の溝２３Ａａを使用せず、円錐らせん状に形成されたシード膜４Ａのみを用いて金属ばね膜２Ａをめっき成長させている。そのため、金属ばね膜２Ａの断面が半円状もしくは半楕円状になり、金属ばね膜２Ａにおけるバンプ１５Ａ、１５Ｂとの対向面（上面）２Ａａが略水平状になるので、金属ばね膜２Ａの対向面２Ａａ上に形成する金属接触膜３の形成が容易となり、その断面形状を精密に形成することができる。
【００５９】
ここで、図３Ｉに示すように、金属接触膜３の膜厚は工程Ｇにおいて形成された溝２３Ｂａの深さを最大厚さとしている。このことから、その溝２３Ｂａの内壁が金属接触膜３の側面の型となるので、バンプ１５Ａ、１５Ｂに対向する稜線３ａを金属接触膜３に精密に形成することができる。
【００６０】
また、稜線３ａを有する金属接触膜３が別個形成されていることから、金属ばね膜２Ａの断面形状を精密に形成する必要がなくなる。そのため、金属ばね膜２Ａを任意の膜厚に設定することができる。金属ばね膜２Ａの膜厚が厚くなったとしても接触子１Ａの外径および高さにはあまり影響を及ぼさない。したがって、接触子１Ａの外径および高さが小さくなったとしても、大きな弾性力を有する金属ばね膜２Ａを形成することができる。
【００６１】
ここで、図３Ｃおよび図３Ｄに示すように、工程Ｃおよび工程Ｄによれば、第１レジスト膜２３Ａはシード膜４を円錐らせん状にパターンニングするために形成されている。従来の接触子１０１の製造方法であれば、金属ばね膜２Ａの膜厚に応じて第１レジスト膜２３Ａの膜厚が決められてしまうが、第１の実施形態においては、第１レジスト膜２３Ａは金属ばね膜２Ａのめっき形成に一切関与していない。このことから、第１レジスト膜２３Ａの膜厚を薄くすることができる。レジスト膜に対する露光および現像はその膜厚が薄いほど容易になるので、第１レジスト膜２３Ａを薄く形成することにより、工程Ｃにおいて第１レジスト膜２３Ａに円錐らせん状の溝２３Ａａを容易にパターンニングすることができる。
【００６２】
図３Ｄに示すように、工程Ｄにおいて金属ばね膜２Ａの形成補助膜となるシード膜４が円錐らせん状に形成されると、そのシード膜４の除去部分からレジスト錐２２Ａの表面が露出する。ここで、レジスト錐本体２２Ａａおよび第１レジスト膜２３Ａに用いるレジスト材が同じであって、レジスト錐本体２２Ａａの表面上に保護膜２２Ａｂが形成されていない場合、次の工程Ｅにおいて、第１レジスト膜２３Ａの除去時にレジスト錐本体２２Ａａも除去されてしまう。よって、レジスト錐２２Ａが保護膜２２Ａｂを有していない場合、第１レジスト膜２３Ａに用いるレジスト除去剤によってレジスト錐２２Ａが除去されないレジスト材を選択しなければならない。
【００６３】
そこで、第１の実施形態のレジスト錐２２Ａにおいては、レジストエッチング液に対する耐薬品性および絶縁性を有する保護膜２２Ａｂがレジスト錐本体２２Ａａの表面上に形成されている。これにより、レジスト錐本体２２Ａａおよび第１レジスト膜２３Ａに用いられるレジスト材が同じであったとしても、工程Ｅにおける第１レジスト膜２３Ａの除去の際にレジスト錐２２Ａが除去されてしまうことを防止することができる。
【００６４】
また、第１の実施形態の保護膜２２Ａｂは、レジスト錐本体２２Ａａの表面にＳｉＯ２をスパッタすることにより形成されている。ＳｉＯ２は優れた耐薬品性および絶縁性を有しているので、良好な特性を有する保護膜２２Ａｂを形成することができる。
【００６５】
レジスト錐２２Ａの表面上に金属ばね膜２Ａが形成されると、その金属接触膜３の表面上に第２レジスト膜２３Ｂが形成される。この金属ばね膜２Ａは型を使用せずにめっき成長させていることから、その断面は半円状もしくは半楕円状に形成されているので、金属ばね膜３Ａの表面は曲面と平面とによって構成されている。そのため、第２レジスト膜２３Ｂをスピンコーティングにより形成すると、均一な厚さのレジスト膜が得られない。
【００６６】
よって、第１の実施形態の第２レジスト膜２３Ｂは、スプレーコーティングにより形成されている。これにより、円錐らせん状の金属ばね膜２Ａの表面に均一の厚さの第２レジスト膜２３Ｂを形成することができる。
【００６７】
第２レジスト膜２３Ｂの膜厚が均一に形成されると、第２レジスト膜２３Ｂのパターンニング溝２３Ｂａの内部に形成される金属接触膜３の形成精度が向上するので、図４および図５に示すようなバンプ１５Ａ、１５Ｂに対向する良好な形状の稜線３ａが金属接触膜３に形成される。また、金属接触膜３はめっき形成されているので、その膜厚を均一に制御しやすい。金属接触膜３の膜厚を均一にすることができるのであれば、金属接触膜３がバンプ１５Ａ、１５Ｂと部分的に接触することもない。
【００６８】
したがって、第１の実施形態の金属接触膜３は、均一の膜厚を得やすい特性を利用して、金属ばね膜２Ａの対向面２Ａａに沿って円錐らせん状に形成されている。バンプ１５Ａ、１５Ｂが接触子１Ａと接触した際、金属接触膜３は下方に収縮していくとともに、その円錐らせん状の稜線３ａがバンプ１５Ａ、１５Ｂの酸化膜１５Ａａ、１５Ｂａに接触しながらその稜線３ａの巻き数を減少させる方向に拡大していく。これにより、金属接触膜３がバンプ１５Ａ、１５Ｂの酸化膜１５Ａａ、１５Ｂａをらせん状に切削するので、バンプ１５Ａ、１５Ｂと接触子１Ａとを導通させることができる。また、金属接触膜３がバンプ１５Ａ、１５Ｂとらせん状に接触するので、バンプ１５Ａ、１５Ｂと金属接触膜３との接触長さが長くなり、バンプ１５Ａ、１５Ｂと接触子１Ａとの導通不良を確実に防止することができる。
【００６９】
すなわち、第１の実施形態の接触子１Ａによれば、稜線３ａを有する金属接触膜３および弾性力を発揮する金属ばね膜２Ａが別個形成されているので、それぞれの特徴が発揮されやすくなる。そのため、接触子１Ａの外径および高さが小さい場合であっても、金属接触膜３の稜線３ａがバンプ１５Ａ、１５Ｂの酸化膜１５Ａａ、１５Ｂａを確実に切削することができるとともに、金属ばね膜２Ａが大きな弾性力を発揮することができるという効果を奏する。
【００７０】
また、第１の実施形態の接触子１Ａの製造方法によれば、その金属接触膜３が略平面状に形成された金属ばね膜２Ａの対向面２Ａａ上に形成されているので、精密な断面形状を有する金属接触膜３を容易に形成することができる。また、第１の実施形態の接触子１Ａの製造方法によれば、弾性力を発揮する金属ばね膜２Ａに稜線３ａを形成する必要がないので、金属ばね膜２Ａの膜厚を厚く形成することができ、大きな弾性力を発揮する金属ばね膜２Ａを容易に形成することができる。さらに、第１の実施形態の接触子１Ａの製造方法によれば、第１レジスト膜２３Ａの膜厚を薄くすることができるので、第１レジスト膜２３Ａのパターンニングを容易に行なうことができる。
【００７１】
次に、図６を用いて、第２の実施形態の接触子１Ｂおよびその製造方法を説明する。
【００７２】
第２の実施形態の接触子１Ｂは、第１の実施形態と同様、円錐らせん状に形成されているとともに、金属ばね膜２Ｂおよび金属接触膜３を備えている（図１および図２参照）。また、第１の実施形態と同様、第２の実施形態の接触子１Ｂは、金属ばね膜２Ｂの形成補助膜として、絶縁基板１１または接続端子１２と金属ばね膜２Ｂとの間にシード膜４を積層させている。
【００７３】
金属ばね膜２Ｂは、第１の実施形態と同様、円錐らせん状に形成されており、その膜厚は３０μｍとなっている。ただし、図６Ｄに示すように、この金属ばね膜２Ｂの断面は、第１の実施形態と異なり、レジスト錐２２Ｂの側面に従って傾いた長方形もしくは正方形の一辺に半円もしくは半楕円を重ね合わせて得た形状になっている。そのため、この金属ばね膜２Ｂにおけるバンプとの対向面（上面）２Ｂａは略水平になっている。
【００７４】
なお、この断面の相違は接触子１Ｂの製造方法の違いによって生じるものであるが、この断面形状が第１の実施形態の金属ばね膜２Ａの断面形状と異なっていたとしても、その金属ばね膜２Ｂのばね性にほとんど影響を及ぼさない。
【００７５】
金属接触膜３は、第１の実施形態と同様、金属ばね膜２Ｂの対向面２Ｂａからバンプとの対向方向に３μｍ程度突出させており、バンプに対向する稜線３ａを有するように形成されている。（図２参照）。また、この金属接触膜３は、第１の実施形態と同様、バンプとの対向面２Ｂａに沿って連続的に突出させて円錐らせん状に形成されている。
【００７６】
図６Ａ〜図６Ｌは、第２の実施形態の接触子１Ｂの製造方法を縦断面図により示している。第２の実施形態の接触子１Ｂの製造方法は、第１の実施形態における各工程を、工程Ａ、工程Ｂ、工程Ｃ、工程Ｋ、工程Ｌ、工程Ｇ、工程Ｈ、工程Ｉおよび工程Ｊの順に組み替えてなる９工程を主な工程として備えている。
【００７７】
工程Ａにおいては、図６Ａに示すように、絶縁基板１１の表面に外径２００μｍ、高さ５０μｍ程度の円錐形状のレジスト錐２２Ｂを形成する。ただし、第２の実施形態のレジスト錐２２Ｂは、第１の実施形態とは異なり、工程Ｌにおいて第１レジスト膜２３Ａの除去の際にレジスト錐２２Ｂが同時に除去されてしまうことがないため、レジスト錐２２Ｂの表面にレジストエッチング液に対する耐薬品性を有する保護膜（第１の実施形態の保護膜２２Ａｂを参照）を積層させないで形成されている。使用するレジスト材および現像液は第１の実施形態において使用したものと同様である。
【００７８】
工程Ｂにおいては、図６Ｂに示すように、レジスト錐２２Ｂの形成後、電気伝導度に優れた金属をスパッタすることにより、レジスト錐２２Ｂの表面にシード膜４を形成する。第２の実施形態のシード膜４は、第１の実施形態と同様、膜厚１５ｎｍ程度のＴｉ層もしくはＣｒ層を第一層とし、その第一層の表面上に第二層となる膜厚１００ｎｍ程度のＣｕ層を積層させることにより形成されている。
【００７９】
工程Ｃにおいては、図６Ｃに示すように、シード膜４の表面上に第１レジスト膜２３Ａを形成する。第２の実施形態の第１レジスト膜２３Ａは、第１の実施形態と同様、ノボラック系レジスト材を用いてスプレーコーティングにより形成されており、その膜厚は３μｍである。第１レジスト膜２３Ａの形成後、その第１レジスト膜２３Ａに対し、円錐らせん状の溝２３Ａａをパターンニングする。この円錐らせん状の溝２３Ａａは、レジスト錐２２Ｂの頂部を中心として形成されている。第１レジスト膜２３Ａの現像液としてはＴＭＡＨ水溶液が用いられている。
【００８０】
工程Ｋにおいては、図６Ｄに示すように、円錐らせん状の溝２３Ａａから露出しているシード膜４を電気めっきすることにより、円錐らせん状の溝２３Ａａに金属ばね膜２Ｂを形成する。金属ばね膜２Ｂとしては、第１の実施形態と同様、Ｎｉ−Ｐ合金が用いられ、その膜厚は３０μｍとなっている。すなわち、金属ばね膜２Ｂの膜厚は円錐らせん状の溝２３Ａａの深さ（３μｍ）よりも厚くなっており、その断面はレジスト錐２２Ｂの側面に従って傾いた長方形もしくは正方形の一辺に半円もしくは半楕円を重ね合わせて得た形状になっている。そのため、この金属ばね膜２Ｂにおけるバンプとの対向面（上面）２Ｂａは略水平になっている。
【００８１】
工程Ｌは、工程Ｌ１および工程Ｌ２の２工程からなる。工程Ｌ１においては、図６Ｅに示すように、工程Ｋ（金属ばね膜２Ｂの形成工程）の後に第１レジスト膜２３Ａを除去する。レジスト除去剤としてはＮ−メチル−２−ピロリドンが用いられる。工程Ｌ２においては、図６Ｆに示すように、第１レジスト膜２３Ａの除去部分から表面に露出しているシード膜４を除去する。このシード膜４の除去はイオンミリングにより行なわれる。なお、工程Ｌは工程Ｉ（第２レジスト膜２３Ｂの除去工程）の後に行なわれても良い。
【００８２】
工程Ｇにおいては、図６Ｇに示すように、金属ばね膜２Ｂの表面上に第２レジスト膜２３Ｂを形成する。第２レジスト膜２３Ｂは、ノボラック系レジスト材を用いてスプレーコーティングにより形成されており、その膜厚は３μｍである。第２レジスト膜２３Ｂの形成後、図６Ｈに示すように、第２レジスト膜２３Ｂに対して金属ばね膜２Ｂにおけるバンプとの対向面（図６Ｈの上面）２Ｂａを表面に露出させる溝２３Ｂａをパターンニングする。工程Ｋにおいて述べたように、金属ばね膜２Ｂにおけるバンプとの対向面（上面）２Ｂａは略水平になっている。第２レジスト膜２３Ｂの現像液としてはＴＭＡＨ水溶液が用いられている。
【００８３】
なお、工程Ｌが工程Ｉ（第２レジスト膜２３Ｂの除去工程）の後に行われる場合、金属ばね膜２Ｂにおけるバンプとの対向面２Ｂａは、第２レジスト膜２３Ｂだけではなく、第１レジスト膜２３Ａによっても覆われていることも考えられる。その際、工程Ｇにおけるパターンニングは、第１レジスト膜２３Ａおよび第２レジスト膜２３Ｂに対して行なう。
【００８４】
工程Ｈにおいては、図６Ｉに示すように、工程Ｇにおいて形成された溝２３Ｂａから表面に露出したバンプとの対向面２Ｂａをめっきすることにより、金属接触膜３をその対向面２Ｂａの表面上に形成する。この金属接触膜３は工程Ｇにおいて形成された矩形断面の溝２３Ｂａを型として使用して形成されているので、その断面は略矩形状になっている。これにより、この金属接触膜３はバンプに対向する稜線３ａを有するように形成されている。
【００８５】
ここで、第２の実施形態の金属接触膜３は、第１の実施形態と同様、金属ばね膜２Ｂと同一材質のＮｉ−Ｐ合金を電気めっきすることにより形成されており、その膜厚は３μｍとなっている。すなわち、この金属接触膜３の膜厚は工程Ｇにおいて形成された溝２３Ｂａの深さを最大厚さとしている。
【００８６】
また、第２の実施形態の金属接触膜３はバンプとの対向面２Ｂａに断片的に突出させて形成されていても良いが、前述の通り、この金属接触膜３はバンプとの対向面２Ｂａに沿って連続的に突出させて円錐らせん状に形成されている。
【００８７】
工程Ｉにおいては、図６Ｊに示すように、金属接触膜３の形成後、金属ばね膜２Ｂの表面上に形成されている第２レジスト膜２３Ｂを除去する。このレジスト除去剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが用いられる。なお、前述したように、工程Ｉの後に工程Ｌ（第１レジスト膜２３Ａの除去工程およびその除去部から露出するシード膜４の除去工程）を行なっても良い。
【００８８】
最後に、工程Ｊにおいては、図６Ｌに示すように、第２レジスト膜２３Ｂの除去後（工程Ｉの後）にレジスト錐２２Ｂを除去する。第２の実施形態のレジスト錐２２Ｂは、第１の実施形態のレジスト錐２２Ａとは異なり、保護膜２２Ａｂを有していない。よって、レジスト錐２２Ｂはレジストエッチング液のみを用いて除去される。このレジスト除去剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが用いられる。
【００８９】
なお、第２の実施形態のレジスト錐２２Ｂは金属ばね膜２Ｂの形成型となるので、金属ばね膜２Ｂの形成後であればいつ除去されても良い。そのため、工程Ｌ（第１レジスト膜２３Ａの除去工程およびその除去部から露出するシード膜４の除去工程）の後にレジスト錐２２Ｂを除去してもよい。
【００９０】
次に、図６を用いて、第２の実施形態の接触子１Ｂの製造方法について、その作用を説明する。
【００９１】
第２の実施形態の接触子１Ｂは、第１の実施形態と同様、金属ばね膜２Ｂと別個に形成された金属接触膜３が稜線３ａを有している。そのため、金属ばね膜２Ｂの断面形状に依存することなく、バンプの表面に形成された酸化膜を切削することができる。また、金属接触膜３の断面形状を自由に設定することができるため、金属ばね膜２Ｂの膜厚を厚く形成しやすくなり、金属ばね膜２Ｂの弾性力を大きくすることができる。
【００９２】
また、第１の実施形態と同様、この金属接触膜３はその対向面２Ｂａに沿って円錐らせん状に形成されているので、金属接触膜３はバンプの酸化膜をらせん状に切削しながらバンプと接触子１Ｂとを接触させることができる。もちろん、金属接触膜３がバンプとらせん状に接触すると、バンプと金属接触膜３との接触長さが長くなるので、バンプと接触子１Ｂとの導通不良を確実に防止することができる。
【００９３】
この第２の実施形態の接触子１Ｂは、図６に示すように、工程Ａ、工程Ｂ、工程Ｃ、工程Ｋ、工程Ｌ、工程Ｇ、工程Ｈ、工程Ｉおよび工程Ｊの順に、９工程を経て製造される。
【００９４】
ここで、第２の実施形態の接触子１Ｂの製造方法においては、図６Ｉに示すように、工程Ｈにおいて金属ばね膜２Ｂの対向面２Ｂａに稜線３ａを有する金属接触膜３が別個形成されているので、金属ばね膜２Ｂの断面形状を精密に形成する必要がなくなる。そのため、金属ばね膜２Ｂを任意の膜厚に設定することができる。金属ばね膜２Ｂの膜厚が厚くなったとしても接触子１Ｂの外径および高さにはあまり影響を及ぼさない。したがって、接触子１Ｂの外径および高さが小さくなったとしても、大きな弾性力を有する金属ばね膜２Ｂを形成することができる。
【００９５】
また、図６Ｄに示すように、工程Ｋによれば、金属ばね膜２Ｂの膜厚は円錐らせん状の溝２３Ａａの深さ、すなわち第１レジスト膜２３Ａの膜厚以上に厚く形成されている。つまり、第１レジスト膜２３Ａは金属ばね膜２Ｂの形成位置を決定するために用いられるのであって、金属ばね膜２Ｂの膜厚を厚く形成するために用いられるものではない。このことから、第１レジスト膜２３Ａの膜厚を厚く形成する必要はなく、第１レジスト膜２３Ａの膜厚を薄くすることができるので、パターンニングにおける露光および現像が容易となり、その第１レジスト膜２３Ａに円錐らせん状の溝２３Ａａを容易にパターンニングすることができる。
【００９６】
さらに、図６Ｄに示すように、金属ばね膜２Ｂが円錐らせん状の溝２３Ａａの深さよりも厚くなるようにめっき形成されていることから、図６Ｅに示すように、金属ばね膜２Ｂの断面は長方形もしくは正方形の一辺に半円もしくは半楕円を重ね合わせて得た形状になる。そのため、金属ばね膜２Ｂにおけるバンプとの対向面（上面）２Ｂａが略水平面となる。このことから、工程Ｈにおける金属接触膜３の形成が容易になり、金属ばね膜２Ｂの対向面２Ｂａ上に形成する金属接触膜３の断面形状を精密に形成することができる。
【００９７】
また、図６Ｉに示すように、金属接触膜３の膜厚は工程Ｇにおいて形成された溝２３Ｂａの深さを最大厚さとしている。このことから、その溝２３Ｂａの内壁が金属接触膜３の側面の型となるので、バンプに対向する稜線３ａを金属接触膜３に精密に形成することができる。
【００９８】
この金属接触膜３の型となる第２レジスト膜２３Ｂは、第１の実施形態と同様、スプレーコーティングにより形成されている。これにより、曲面と平面とによって構成される円錐らせん状の金属ばね膜２Ｂの表面に均一の厚さの第２レジスト膜２３Ｂを形成することができる。
【００９９】
また、この金属接触膜３は、金属ばね膜２Ｂの対向面２Ｂａに沿って円錐らせん状に形成されている。これによって、バンプが接触子１Ｂと接触した際、金属接触膜３がバンプの酸化膜をらせん状に切削するので、バンプと接触子１Ｂとを導通させることができる。また、金属接触膜３がバンプとらせん状に接触するので、バンプと金属接触膜３との接触長さが長くなり、バンプと接触子１Ｂとの導通不良を確実に防止することができる。
【０１００】
すなわち、第２の実施形態の接触子１Ｂによれば、稜線３ａを有する金属接触膜３および弾性力を発揮する金属ばね膜２Ｂが別個形成されているので、それぞれの特徴が発揮されやすくなる。そのため、接触子１Ｂの外径および高さが小さい場合であっても、金属接触膜３の稜線３ａがバンプの酸化膜を確実に切削することができるとともに、金属ばね膜２Ｂが大きな弾性力を発揮することができるという効果を奏する。
【０１０１】
また、第２の実施形態の接触子１Ｂの製造方法によれば、その金属接触膜３が略平面状に形成された金属ばね膜２Ｂの対向面２Ｂａ上に形成されているので、精密な断面形状を有する金属接触膜３を容易に形成することができる。また、第２の実施形態の接触子１Ｂの製造方法によれば、弾性力を発揮する金属ばね膜２Ｂに稜線３ａを形成する必要がないので、金属ばね膜２Ｂの膜厚を厚く形成することができ、大きな弾性力を発揮する金属ばね膜２Ｂを容易に形成することができる。さらに、第２の実施形態の接触子１Ｂの製造方法によれば、第１レジスト膜２３Ａの膜厚を薄くすることができるので、第１レジスト膜２３Ａのパターンニングを容易に行なうことができる。
【０１０２】
なお、本発明は、前述した実施形態などに限定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である。
【０１０３】
例えば、本発明の接触子は円錐らせん状に限られず、中央部が突出したらせん状であればよい。そのため、他の実施形態においては、図７に示すように、その接触子１Ｅが多角錐らせん状に形成されていても良い。その際、レジスト錐は多角形錐状に形成されているとともに、第１レジスト膜および第２レジスト膜に多角錐らせん状の溝をパターンニングし、多角錐らせん状の金属ばね膜を電気めっきにより形成することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】第１の実施形態の接触子を示す斜視図
【図２】第１の実施形態の接触子を示す縦断面図
【図３】第１の実施形態の接触子の製造方法をＡ〜Ｌの順に示す縦断面図
【図４】第１の実施形態の接触子がボール状バンプに接触して下方に圧力が生じた状態を示す縦断面図
【図５】第１の実施形態の接触子がランド状バンプに接触して下方に圧力が生じた状態を示す縦断面図
【図６】第２の実施形態の接触子の製造方法をＡ〜Ｋの順に示す縦断面図
【図７】他の実施形態の接触子を示す斜視図
【図８】従来の接触子の製造方法をＡ〜Ｃの順に示す縦断面図
【符号の説明】
【０１０５】
１Ａ、１Ｂ  接触子
２Ａ、２Ｂ  金属ばね膜
２Ａａ、２Ｂａ  対向面
３  金属接触膜
３ａ  稜線
４  シード膜
２２Ａ、２２Ｂ  レジスト錐
２３Ａ  第１レジスト膜
２３Ａａ  円錐らせん状の溝
２３Ｂ  第２レジスト膜
２３Ｂａ  溝
【図１】
2008053034.tif 000003
【図２】
2008053034.tif 000004
【図３】
2008053034.tif 000005
【図４】
2008053034.tif 000006
【図５】
2008053034.tif 000007
【図６】
2008053034.tif 000008
【図７】
2008053034.tif 000009
【図８】
2008053034.tif 000010