(57)【要約】【課題】  既存の方式のインクジェットヘッドが有していた課題を解決するとともに、高速かつ高精細で経時安定した品質の画像プリントを可能にする。【解決手段】  平行に形成された複数の液室と該液室からインクを吐出するためのノズルと振動板を有し、該振動板の変形にともなう該液室の容積変化によりインクを吐出するインクジェットヘッドにおいて、該振動板上に磁性体薄膜を形成し、該液室と平行な少なくとも１対の配線を配置させ、該配線に電流を流して発生した磁界と該磁性体薄膜による磁界との相互作用を利用した該振動板の変形でインクの吐出を行行う。【選択図】  図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平行に形成された複数の液室と該液室からインクを吐出するためのノズルと振動板を有し、該振動板の変形にともなう該液室の容積変化によりインクを吐出するインクジェットヘッドにおいて、該振動板上に磁性体薄膜を形成し、該液室と平行な少なくとも１対の配線を配置させ、該配線に電流を流して発生した磁界と該磁性体薄膜による磁界との相互作用を利用した該振動板の変形でインクの吐出を行うことを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項２】
前記少なくとも一対の配線に逆向きの電流を流してインクを吐出することを特徴とする請求項１に記載のインクジェットヘッド。
【請求項３】
前記液室を隔てる隔壁に前記配線が形成されていることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のインクジェットヘッド。
【請求項４】
前記隔壁に形成された配線で生じた磁界が、隣り合う液室の薄膜磁性体の磁界と相互作用することを特徴とする請求項３に記載のインクジェットヘッド。
【請求項５】
隣り合った液室からは同時に吐出しないことを特徴とする請求項４に記載のインクジェットヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
インク滴を吐出するノズル、ノズルに連通する液室、液室の一部に形成された振動板を含み、振動板の変位により液室に圧力を発生させインクを滴を吐出させるオンデマンド方式インクジェットヘッドに本発明は関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、オンデマンド方式のインクジェットヘッドには種々のインク吐出方式のものが提案されている。
【０００３】
その１つには、熱エネルギを利用した所謂サーマルインクジェット方式があり、インク吐出口内方に設けられた電気熱変換体（吐出ヒータ）を通電加熱し、発生した熱で液体（インク）を発泡させ、発泡の圧力によりインクを例えば小液滴として吐出口から吐出させ、これをプリント媒体上に付着させてプリントを行う方式である。この技術は、例えば特開昭５４−５９９３６号公報や、キヤノン（株）製インクジェットプリンタＢＪ−１０ｖに添付された操作説明書等に原理図および記録装置の構造などが詳説されている。
【０００４】
別のインク吐出方式によるインクジェットヘッドとしては、ピエゾ素子などの圧電体を利用したものがある。これは、ピエゾ素子に通電し、素子の変形により発生した圧力をインクに与えることでインクを小液滴として吐出させるものである。本方式の記録ヘッドは、特開昭４７−２００６号公報（発明者エドモンド・エル・カイザー）に開示されており、今日のインクジェットヘッドの原点とも言うべき技術である。近年の例としては、特開平５−２４１８９号公報に開示されており、同号公報開示のヘッドはセイコーエプソン社製インクジェットプリンタＨＧ５１３０，Ｓｔｙ１ｕｓ８００などに搭載されている。
【０００５】
さらに他のインク吐出方式によるインクジェットヘッドとしては、静電駆動方式によるものがあり、特開平６−８４４９号公報などに開示されている。その動作原理は、狭い空間に電位を与え、クーロン力で電極を変位させ、その圧力でインクを押し出すというものである。
【特許文献１】特開昭５４−５９９３６号公報
【特許文献２】特開昭４７−２００６号公報
【特許文献３】特開平５−２４１８９号公報
【特許文献４】特開平６−８４４９号公報
【特許文献５】特公昭６２−９４３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
これら各種方式のうち、サーマルインクジェット方式は、水を主成分として、染料などの色剤と有機溶剤とからなるインクを使用している。このインクを吐出ヒータ上で好ましく発泡させるには約３００℃の温度が必要である一方、３００℃程度以上の高温では染料が分解して吐出ヒータ表面に分解物が堆積していわゆるコゲーションを生成することがある。コゲーションは発泡の均一性を損ない、吐出されるインクの体積や吐出速度の変動をもたらし、画像品質をさらに向上する上での課題となりつつある。また、泡が消える瞬間に起こるキャビテーション衝撃により吐出ヒータ表面が機械的損傷を受け、インクジェットヘッドの寿命に影響を与えるため、更なる長寿命化技術が望まれている。
【０００７】
また、ピエゾ素子方式においては、液滴吐出に必要十分な圧力を発生させるためにはピエゾ素子を大きくしなければならず、多数のノズルを高密度に実装することが困難である。また、インクジェットヘッドの製造工程では、主にセラミックであるピエゾ素子を製作するのに機械加工を伴うが、インクジェットヘッド内の各ノズルのインク吐出量が揃うように精密な機械加工を施すことが比較的困難である。さらに、発生圧力が弱いため、インク中に泡が生成ないし混入すると、この泡に圧力を吸収されてしまい、吐出が不安定になる場合がある。
【０００８】
さらに、静電駆動方式のインクジェットヘッドは、ピエゾ方式より簡単な構成を有するものの、クーロン力が極めて微弱であるため、必要なサイズのインク滴を吐出できるようにするためにはアクチュエータ部の寸法を大きくせざるを得ず、従って多数のノズルを高密度に実装することが困難である。また、アクチュエータ部のサイズの大きさがインク流路の設計を制約し、高速記録のための構成に課題を残している。
【０００９】
ここで、かかる電磁力を利用したインク吐出方式の従来例として、本発明者は特公昭６２−９４３１号公報に開示されたものがあることを見出した。しかし、近年では数百〜千数百ｄｐｉ（ドット／インチ。参考値）にも及ぶ記録密度で、数ピコリットルのインク滴を用いての高精細なプリントが望まれており、このような要望に対応するためには多数の吐出口を高密度に実装することが不可欠であるが、同号公報には電磁力を利用したインク吐出方式の基本的な概念の開示はあるものの、上記要望に応え得るようなインクジェットヘッドないしはその製造方法についての具体的な示唆は見られない。
【００１０】
本発明の主な目的は、電磁力を利用する吐出方式を採用するとともに、その主要部である電磁力作用部としてのアクチュエータに新規な構成を採用することによって、従来の技術の項で述べたような既存の方式のインクジェットヘッドが有していた課題を解決するとともに、高速かつ高精細で経時安定した品質の画像プリントを可能にすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
そのために、本発明では、平行に形成された複数の液室と該液室からインクを吐出するためのノズルと振動板を有し、該振動板の変形にともなう該液室の容積変化によりインクを吐出するインクジェットヘッドにおいて、該振動板上に磁性体薄膜を形成し、該液室と平行な少なくとも１対の配線を配置させ、該配線に電流を流して発生した磁界と該磁性体薄膜による磁界との相互作用を利用した該振動板の変形でインクの吐出を行うことを特徴とする。これにより吐出安定性および吐出パワーを高めることが出来る。また、電磁力を利用する吐出方式の主要部である電磁力作用部としてのアクチュエータやインクジェットヘッドをマイクロマシニング技術を用いて製造することにより多数の吐出口の高密度実装が可能となる。さらにドット単位での階調表現を得ることができる。
【００１２】
また前記少なくとも一対の配線に逆向きの電流を流してインクを吐出することを特徴とする。これにより磁性体薄膜に作用させる磁界を効率よく発生させることができる。
【００１３】
また前記液室を隔てる隔壁に前記配線が形成されていることを特徴とする。これによりノズルの高密度化が可能となる。
【００１４】
また前記隔壁に形成された配線で生じた磁界が、隣り合う液室の薄膜磁性体の磁界と相互作用することを特徴とし、隣り合った液室からは同時に吐出しないことを特徴とする。これによりノズルの高密度化が可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明によれば従来のインクジェットヘッドで課題とされていた吐出安定性および吐出パワーを高めることが出来る。また、電磁力を利用する吐出方式の主要部である電磁力作用部としてのアクチュエータやインクジェットヘッドをマイクロマシニング技術を用いて製造することにより多数の吐出口の高密度実装が可能となる。さらにドット単位での階調表現を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
前記従来技術で述べた各種吐出方式にはそれぞれ、長所がある一方で上述のような解決すべき課題もあることに鑑み、本発明者等はそれらとは異なる吐出方式の採用を検討した。その過程で、振動板上に磁性体薄膜を形成し、その磁性体薄膜に対して図1のように平行に少なくとも一対の配線を形成し、その電流配線に電流を互いに逆に流すことで発生する磁界を磁性体薄膜に作用させることで振動板を変形させてインクを吐出する方式を見出した。図中、１は配線、２は磁性体薄膜、３は振動板である。
【００１７】
以下に、図面を参照して本発明における振動板・磁性体薄膜・電流配線などのアクチュエータ部分の構成と製造方法の一例について説明する。
【００１８】
まずアクチュエータの駆動原理を図2（ａ）（ｂ） を用いて詳細に説明する。図中、１は配線、２は磁性体薄膜である。
【００１９】
磁性体薄膜を図2（ａ）のように紙面上側をＮ極、下側をＳ極となるように形成した場合を説明する。図面上では分かりやすく配線は一対としている。液室に対して並行に形成された対の配線に互いに異なる方向に電流を流す。紙面右側の配線には紙面裏側から表側、紙面左側の配線には紙面表側から裏側へ流す。磁束線は交差することはないので、磁性体薄膜に配線から生じた磁束により内向きに力が働き、磁性体薄膜の形成された振動板は凸形状に変形する。振動板に工夫を加えれば上もしくは下に凸形状に変形させることが可能である。例えば、内部応力の異なる膜を重ねることで所望の方向に変形させることが出来る。電流の向きを反転させた場合には磁性体薄膜に引っ張りの力が働き、電流をオフにするよりも早く元の形状に復元する。また磁性体薄膜の磁極を反転させた場合には前記とは逆の振る舞いをする。
【００２０】
磁性体薄膜を図2（ｂ）のように紙面左側にＮ極、左側にＳ極となるように形成した場合を説明する。液室に対して並行に形成された対の配線に互いに異なる方向に電流を流す。紙面右側の配線には紙面裏側から表側、紙面左側の配線には紙面表側から裏側へ流す。この時に磁性体薄膜には配線から生じた磁束により下側に力が働き、磁性体薄膜の形成された振動板は下に凸形状に変形する。電流の向きを反転させれば上に凸に変形する。また磁性体薄膜の磁極を反転させた場合には前記とは逆の特性を持つ。
【００２１】
このような駆動原理を実現するには図3（ｄ）のようなアクチュエータがあげることができる。このアクチュエータを製造する方法について説明する。尚、以下の工程（ａ）〜（ｄ）は図3の（ａ）〜（ｄ）に対応する。図中、４は基板、５はキャビティである。
【００２２】
工程（ａ）
基板を用意する。基板には、シリコン基板・ガラス基板・プラスチック基板などが用いられる。この中でシリコン基板はアルカリ液を用いた異方性エッチングにより微細加工が可能であり、（１００）や（１１０）などの面方位のシリコン基板を使い分けることで所望の微細加工が可能となるので好適に用いられる。しかし所望の機械的強度、微細加工の容易性等の必要特性を有するものであれば他の材料でも構わない。
【００２３】
基板上に振動板を形成する。材料としてはＳｉＮ・ＳｉＣなどのセラミックス膜、ＳｉＯ２膜などがあげられる。しかし所望の弾性・所望の機械的強度を有していれば他の材料でも構わない。振動板を所望の方向に変形させるために振動板を多層構造にしても良い。内部応力の異なる膜を重ねることで所望の方向に変形させることが出来る。
【００２４】
形成方法としてはスパッタリング・ＣＶＤ法・蒸着法などがあげられるが、薄膜を大面積にわたり均一に形成するにはスパッタリング・ＣＶＤ法が好適に用いられる。振動板の形状としては全面に形成しても良いし、フォトリソ技術などを使用して所望のパターンに形成してもよい。膜厚としては振動板の性質を有していれば良く１μｍ〜５μｍ程度が好ましい。
【００２５】
工程（ｂ）
振動板上に磁性体薄膜を形成する。磁性体薄膜の材料としてはＦｅを含む合金材料があげられる。Ｆｅを含む合金材料は高透磁率および大きな磁気機械結合係数を備えているからである。例えば、Ｆｅ−Ｎｉ・Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ・Ｔｂ−Ｆｅ・Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｂ・Ｆｅ−Ｐｔ・Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ・などの各合金で構成されるものがあげられる。加熱した基板上に磁性体薄膜を成膜しながら結晶化することにより膜面に対して垂直な方向に結晶成長させる方法と、磁性体薄膜を成膜後熱処理して結晶化させる方法がある。前者の場合は垂直方向に磁化し、後者の場合は着磁装置により所望の方向に着磁することが可能である。堆積方法としてはスパッタリング・ＣＶＤ法・蒸着法などがあげられるが、薄膜を大面積にわたり均一に形成するにはスパッタリング・ＣＶＤ法が好適に用いられる。膜厚は、配線によって生じる磁界の強さや適用目的に合致したゆがみ量を生じることが可能な程度にする。例えば本発明においては厚みを０．５μｍ〜５μｍ程度に設定するのが好ましい。磁性体薄膜形状は、配線からの磁界を受けやすい形であればよく限定はないが細長い矩形の形状が好ましい。フォトリソ技術などを使用して前記所望のパターンを形成する。
【００２６】
工程（ｃ）
磁界を発生させるための配線を形成する。配線の材料としては、Ｃｕ・Ａｇ・Ｐｔ・Ａｕ・Ａｌその他の金属を使用することが出来る。Ａｌがコストの面から好適に用いられる。形成方法としては、スパッタリング・ＣＶＤ法・蒸着法などがあげられるが薄膜を大面積にわたり均一に形成するにはスパッタリングやＣＶＤ法が好適に用いられる。この後フォトリソ技術などを使用して所望のパターンを形成する。配線で発生させる磁界の強さが足りないときには、配線に流す電流量を増やすだけでなく、配線を複数対にすることでも発生する磁界を強くすることが出来る。また複数対にする場合、配線を積層構造にすればノズルピッチを広げることはない。この時、配線の断面における幅や厚さは磁性体薄膜の特性によって適切に設定する。
【００２７】
工程（ｄ）
基板の裏側からキャビティを形成する。形成方法としてはドライエッチング・ウェットエッチングなどがあげられる。基板にシリコン基板を使用している場合、アルカリ液を使った異方性エッチングが好適に用いられる。一度に複数の基板を処理することが可能だからである。またこの時、ＳｉＮ・ＳｉＣなどのセラミック膜やＳｉＯ２膜を振動板に使用していれば、これらの膜がエッチングストップ層としても機能する。
【００２８】
エッチング工程前に、基板に構成した回路がエッチングによってダメージを受けないようにするために保護膜の形成を行うことが好ましい。特にアルカリ液を使った異方性エッチングの時には必須である。保護膜には環化ゴム系の樹脂やワックス等を用いることができる。環化ゴム系の樹脂は常温でコーティングできエッチング後に溶剤で容易に除去るので好適に用いられる。
【００２９】
またこの時に、インクタンクから液室へインクを導入するインク流路を同時に形成しても良い。
【００３０】
以上のような工程を経て前記の駆動原理を実現するアクチュエータ部分を作ることが出来る。このアクチュエータ部分を利用したインクジェットヘッドを作るには、さらに隔壁・ノズルプレ−トを形成する必要がある。図4（ｇ）・図5・図6（ｆ’）・図7などがその例である。例は、全てルーフシューター型である。これは本発明におけるインクジェットヘッドが配線の構成上ルーフシュータ型に作成するのが容易であるからである。しかしエッジシュータでも配線の構成を工夫すれば実現できるのでルーフシュータ型に限定するものではない。
【００３１】
まず図４（ｇ）のようなインクジェットヘッドを製造するには以下の方法が例としてあげられる。尚、以下の工程（ｅ）〜（ｇ）は図4の（ｅ）〜（ｇ）に対応する。図中、６は型材、７はノズルプレート兼隔壁となる材料および撥水膜である。
【００３２】
工程（ｅ）
工程（ａ）〜（ｄ）まで作成された基板に後に除去されることにより液室が形成される型材を通常のフォトリソ技術でパターニングする。インクが導電性を持つ場合この工程以前に配線を絶縁層で覆う必要がある。
【００３３】
工程（ｆ）
型材を被覆するように、ノズルプレート兼隔壁となる材料を形成後、撥水膜を形成し、レーザーやフォトリソ技術により吐出口を形成する。
【００３４】
工程（ｇ）
型材を溶剤などで除去する。
【００３５】
また、以下のような方法で図6（ｆ’）のようなインクジェットヘッドを作成することもできる。尚、以下の工程（ｅ’）（ｆ’）は図Ｘの（ｅ’）（ｆ’）に対応する。図中、９は隔壁、１０はノズルプレートである。
【００３６】
工程（ｅ’）
工程（ａ）〜（ｄ）まで作成された基板にまずフォトリソ技術により隔壁を形成する。インクが導電性を持つ場合この工程以前に配線を絶縁層で覆う必要がある。
【００３７】
工程（ｆ’）
レーザーやフォトリソでドライフィルムにノズルを形成したノズルプレートや、電鋳法・プレス加工・エッチング・放電加工等で吐出口が形成された金属ノズルプレートを撥水処理して接合する。
【００３８】
図5（ａ）や図7（ａ）のようなインクジェットヘッドを製造するには、図4（ｇ）や図6（ｆ’）の工程において配線の上にノズルプレート兼隔壁となる材料や、隔壁が形成されるようにすれば良い。この時、配線を覆う材料が絶縁性を持つ場合には配線を絶縁層で覆う工程を削減することができる。
【００３９】
図5（ｂ）や図7（ｂ）ではさらに配線を隣接液室と共有することで、配線数を減らしノズルピッチを短くすることができる。ただこのような構成の時には隣り合った液室からは同時に吐出しないようにしなくてはならない。
【００４０】
図8（ａ）のようなインクジェットヘッドを製造するには、レーザーやフォトリソでドライフィルムにノズルを形成したノズルプレートや、電鋳技術で吐出口が形成されたノズルプレートに撥水処理をして、キャビティ−が形成されている側に貼り付ければよい。
【００４１】
図8（ｂ）ではさらに配線を隣接液室と共有することで、配線数を減らしノズルピッチを短くすることができる。ただこのような構成の時には隣り合った液室からは同時に吐出しないようにしなくてはならない。
【００４２】
さらに以上のようにして得られた基板を所望のパターンで切断すれば、本発明の駆動原理をもつインクジェットヘッドを作成することが可能である。これらは本発明の駆動原理を持つインクジェットヘッドの作成の例でありこれに限るものではない。また工程順もこれに限るものではない。
【００４３】
以下、実施例にて本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００４４】
図9を用いて説明する。尚、以下の工程（9-1）〜（9-８）は図Ｘの（9-1）〜（9-８）に対応する。図中の右図は左図の点線における断面図である。図中、８はエッチング保護膜、１２はインク流路である。
【００４５】
工程（9−１）
（１００）面の結晶方位を持ち、厚さ６２５μｍ、６インチサイズのシリコン基板全面にＳｉＮ膜を２層形成した。１層目を圧縮応力が働くように２層目を引っ張り応力が働くように成膜した。膜厚は１層目を０．５μｍ・２層目を０．５μｍとした。裏面にはＳｉＯ２膜を２μｍの厚さに形成した。裏面の熱酸化ＳｉＯ２膜は後工程のエッチング保護膜となる。裏面側は所望のキャビティを形成するために、フォトリソ技術によりパターニングした。
【００４６】
工程（９−２）
前工程で得られた基板に磁性体薄膜を形成する。Ｆｅ板上にＮｄ及びＢのチップを配置したものをターゲットとし、到達真空度２×１０−６Ｔｏｒｒ、Ａｒガス圧５×１０−３Ｔｏｒｒ、高周波電力３５０Ｗの条件で、基板への加熱を行わずにＲＦスパッタリングを行い、厚み約４μｍ、組成がＮｄ−Ｆｅ−Ｂからなる磁性体薄膜を成膜する。最後に、磁性体薄膜上に３００Å厚みのＴｉ薄膜をスパッタリングにて成膜した後、真空中で６５０℃、３０分間の熱処理を施した。Ｔｉ薄膜は、磁性体薄膜の酸化を防止し保磁力の低下防止の役割を持つ。磁性体薄膜は幅６０μｍ・長さ５０００μｍの矩形にパターニングした。
【００４７】
工程（９−３）
前工程で得られた基板に半導体製造技術と同様の方法で、磁界を発生させるための配線やこの配線に電流を供給する電極などを形成した。ここで発生させる磁界の強度をあげるために配線は２層構造にし、配線間にはＳｉＯ２を形成した。配線一層の形状は厚さ１μｍ・幅５μｍとした。最後に配線にはインクと絶縁するためにＳｉＯ２を形成した。
【００４８】
工程（９−４）
前工程で得られた基板にスピンナーを使い除去可能な型材をフォトリソグラフィー技術により形成した。この型材はそれが除去されることにより液室が形成されるものである。本実施例ではこの型材５を、ポジ型フォトレジストを用い、スピンナーで塗付後、フォトリソにより所定のパターンを形成した。
【００４９】
工程（９−５）
前工程で形成された型材を被覆するように、ノズルプレート兼隔壁となる材料及び撥水膜を積層した後フォトリソグラフィ技術によりインクの吐出口を形成した。ノズルプレート兼隔壁となる材料としては、ネガ型の感光性アクリル樹脂を形成した後、シリコン系の撥水材を積層し、フォトリソにより所定のパターンを形成する。
【００５０】
工程（９−６）
前工程で得られた基板にエッチング保護膜を形成した。エッチング保護膜としては環化ゴム系樹脂を用いた。エッチング保護膜の膜厚は３０μｍに設定した。
【００５１】
工程（９−７）
前工程で得られた基板に対し異方性エッチングを行った。本実施形態では、ＴＭＡＨ２２ｗｔ％溶液を用いて、エッチング液温度８０℃にて所定の時間、異方性エッチングを行った。
【００５２】
工程（９−８）
最後に、裏面の熱酸化ＳｉＯ２膜およびインク流路となる部分の熱酸化ＳｉＯ２膜をドライエッチングで除去し、エッチング保護膜をキシレンで除去し、さらに液室を形成すべく型材を溶解除去した。
【００５３】
この後基板を切断して得られたインクジェットヘッドをインクジェットプリント装置に組み込んで動作評価を行った。水７０％、エチレングリコール２５％、残部染料からなる粘度２．５ｍＰａ・ｓの水性インクを供給し吐出状態を観察した。連続してインクを吐出させたところ吐出液滴のサイズが常に一定であり、吐出速度の変動もみられなかった。またドット単位の階調表現が可能であることを確認した。さらに本実施形態のインクジェットヘッドに２４時間連続してインク吐出を行わせたが、吐出が不安定になることはなかった。
【実施例２】
【００５４】
図10（ａ）を用いて説明する。図中の右図は左図の点線における断面図である。磁界を発させるための配線上にノズルプレート兼隔壁となる材料が覆うように形成し配線に絶縁層は形成しない以外は実施例１と同様にインクジェットヘッドを作成した。実施例１の配線を覆っていた絶縁層の役目をノズルプレート兼隔壁となる材料が担っている。切断後に得られたインクジェットヘッドをインクジェットプリント装置において動作評価を行ったところ実施例１と同様に良好なものであった。
【実施例３】
【００５５】
図10（ｂ）を用いて説明する。図中の右図は左図の点線における断面図である。磁界を発させるための配線上にノズルプレート兼隔壁となる材料が覆うように形成し配線に絶縁層は形成しないことと、隣りあう液室で配線を共有すること以外は実施例１と同様にインクジェットヘッドを作成した。切断後に得られたインクジェットヘッドをインクジェットプリント装置において動作評価を行った。この時、隣り合った液室からは同時に吐出しないように駆動した。実施例１と同様に良好なものであった。
【実施例４】
【００５６】
図11を用いて説明する。尚、以下の工程（11-1）〜（11-6）は図Ｘの（11-1）〜（11-6）に対応する。図中の右図は左図の点線における断面図である。図中、１０はノズルプレート、１１はインク流路を形成したドライフィルムである。
【００５７】
工程（11−１）
（１1０）面の結晶方位を持ち、厚さ６２５μｍ、６インチサイズのシリコン基板全面に熱酸化ＳｉＮ膜を２層形成した。１層目を引っ張り応力が働くように２層目を圧縮応力が働くように成膜した。膜厚は１層目を０．５μｍ・２層目を０．５μｍとした。裏面には熱酸化ＳｉＯ２膜を２μｍの厚さに形成した。裏面の熱酸化ＳｉＯ２膜は後工程のエッチング保護膜となる。裏面側は所望のキャビティを形成するために、フォトリソグラフィー技術によりパターニングした。
工程（11−２）
前工程で得られた基板に磁性体薄膜を形成する。高周波マグネトロンスパッタ法によりＦｅ−Ｐｔ合金薄膜の成膜を行った。ターゲットとしてはＦｅ上にＰｔチップを配置した複合ターゲットを用いた。Ｐｔチップの面積比を変えることによりＰｔ組成を変化させた。最終到達真空度１．０×１０−６Ｔｏｒｒ以下、成膜中のアルゴンガス圧力５ｍＴｏｒｒ、投入ＲＦ電力１００ Ｗ、基板温度は５００℃の条件下でスパッタリングを行った。膜厚は２μｍに設定した。その後、フォトリソにより幅６０μｍ・長さ５０００μｍの矩形にパターニングした。
【００５８】
工程（11−３）
前工程で得られた基板に半導体製造技術と同様の方法で、磁界を発生させるための配線やこの配線に電流を供給する電極などを形成した。ここで発生させる磁界の強度をあげるために配線は２層構造にし、配線間にはＳｉＯ２を形成した。配線一層の形状は厚さ１μｍ・幅５μｍとした。
【００５９】
工程（11−４）
前工程で得られた基板にエッチング保護膜を形成した。エッチング保護膜としては、環化ゴム系樹脂を用いた。エッチング保護膜の膜厚は３０μｍに設定した。
【００６０】
得られた基板に対し異方性エッチングを行った。本実施形態では、ＴＭＡＨ２２ｗｔ％溶液を用いて、エッチング液温度８０℃にて所定の時間、異方性エッチングを行った。
【００６１】
最後に、裏面の熱酸化ＳｉＯ２膜をドライエッチングで除去した。
【００６２】
工程（11−５）
ノズルプレートをＮｉ電鋳法によって作成した。導電性の基板を用意し、この導電性基板上のノズルの位置に対応する部分に絶縁層を設けＮｉをメッキしてその後剥離する方法である。ノズルプレートの外表面にＮｉとＰＴＦＥの共析メッキを行い、その後加熱し共析メッキ層の表面に露頭しているＰＴＦＥを溶融してノズルプレート表面をＰＴＦＥで完全に覆って撥水性を与えた。
【００６３】
前工程で得られた基板にインク流路の形成するために、かつノズルプレートを接着するためにドライフィルムを形成する。その後前記ノズルプレートを基板とに貼り合わせる。
【００６４】
工程（11−６）
エッチング保護膜を除去する。
【００６５】
この後基板を切断して得られたインクジェットヘッドをインクジェットプリント装置に組み込んで動作評価を行ったところ実施例１と同様に良好なものであった。
【実施例５】
【００６６】
図12を用いて説明する。図中の右図は左図の点線における断面図である。磁隣り合う液室で配線を共有すること以外は実施例4と同様にインクジェットヘッドを作成した。切断後に得られたインクジェットヘッドをインクジェットプリント装置において動作評価を行った。この時、隣り合った液室からは同時に吐出しないように駆動した。実施例3と同様に良好なものであった。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】発明における駆動原理の説明図
【図２】発明における駆動原理の説明図
【図３】発明におけるアクチュエータの例
【図４】発明における隔壁・ノズルプレートの作成方法の例
【図５】発明における隔壁・ノズルプレートの例
【図６】発明における隔壁・ノズルプレートの作成方法の例
【図７】発明における隔壁・ノズルプレートの例
【図８】発明における隔壁・ノズルプレートの例
【図９】施例１におけるインクジェットの製造方法の説明図
【図１０】施例２および３におけるインクジェットの説明図
【図１１】施例４におけるインクジェットの製造方法の説明図
【図１２】施例５におけるインクジェットの説明図
【符号の説明】
【００６８】
1  配線
2  磁性体薄膜
3  振動板
4  基板
5  キャビティ
6  材
7  ズルプレート兼隔壁となる材料および撥水膜
8  エッチング保護膜
9  壁
10  ズルプレート
11  ンク流路を形成したドライフィルム
12  ンク流路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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