(57)【要約】【課題】液浸リソグラフィー処理用の良好な方法、及び良好な液浸リソグラフィー処理を得るための適切な材料を提供する。【解決手段】リソグラフィー処理方法が記載されている。該方法は、所定のレジスト特性を有するレジスト材料２５０を取得し、リソグラフィー処理されたデバイスにレジスト層４を設けるため上記レジスト材料を使用し、及び、得るべき所定パターンによって上記レジスト層を照明することを備える。これにより得られたレジスト材料２５０は、上記リソグラフィー処理されたデバイスのウオータマーク欠陥を低減するように、調整された光酸発生剤成分２５４の濃度、及び／又は調整されたクェンチャー成分２５６の濃度、及び／又は調整された酸移動性を備える。本発明は、また、対応のレジスト材料２５０、レジスト材料群、そのような材料の使用、及びリソグラフィー処理の組立方法に関する。【選択図】図３
2008090303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスの液浸リソグラフィー処理にて使用されるレジスト材料（２５０）であって、該レジスト材料は、
上記レジスト材料（２５０）を使用した液浸リソグラフィー処理後、上記デバイスのウオータマーク欠陥を低減するように、調整された光酸発生剤成分（２５４）濃度、及び／又は調整されたクェンチャー成分（２５６）濃度を備え、
それにより、上記光酸発生剤成分濃度、及び／又は上記クェンチャー成分濃度は、上記液浸リソグラフィー処理にて最適なプロセスウインドウとなる濃度よりも実質的に大きい、レジスト材料。
【請求項２】
上記光酸発生剤成分濃度は、２重量パーセントよりも大きい、請求項１記載のレジスト材料。
【請求項３】
上記光酸発生剤成分濃度は、３重量パーセントよりも大きい、請求項２記載のレジスト材料。
【請求項４】
上記光酸発生剤成分濃度は、２０重量パーセントよりも小さい、請求項１から３のいずれかに記載のレジスト材料。
【請求項５】
上記クェンチャー成分濃度は、１５モルパーセントよりも大きい、請求項１から４のいずれかに記載のレジスト材料。
【請求項６】
上記レジスト材料（２５０）は、調整された活性化エネルギーを有する脱保護グループを備える、請求項１から５のいずれかに記載のレジスト材料。
【請求項７】
上記レジスト材料（２５０）は、調整されたガラス転移温度を有するポリマー系樹脂（２５２）を備える、請求項１から６のいずれかに記載のレジスト材料。
【請求項８】
液浸リソグラフィー処理におけるウオータマーク欠陥への感受性を低減するための、請求項１から７のいずれかに記載のレジスト材料（２５０）の使用。
【請求項９】
デバイスのリソグラフィー処理にて使用するためのレジスト材料群（２５０）であって、該レジスト材料群は、複数のレジスト材料を備え、ここで、少なくとも一つのレジスト材料は、請求項１から７のいずれかに記載のレジスト材料である。
【請求項１０】
デバイスのリソグラフィー処理用の所定のレジスト特性を有するレジスト材料を選択する方法であって、該方法は、
リソグラフィー処理されたデバイスのウオータマーク欠陥への感受性を低減し調整されたレジスト材料（２５０）を得るように、光酸発生剤成分（２５４）濃度、及び／又はクェンチャー成分（２５６）濃度を調整することでレジスト材料を調整することを備え、
それにより、上記光酸発生剤成分濃度、及び／又は上記クェンチャー成分濃度が上記液浸リソグラフィー処理にて最適なプロセスウインドウとなる濃度よりも実質的に大きい、レジスト材料の選択方法。
【請求項１１】
上記光酸発生剤成分濃度を調整することは、３重量パーセントよりも大きい光酸発生剤成分濃度を選択することを備える、請求項１０記載のレジスト材料の選択方法。
【請求項１２】
上記クェンチャー成分濃度を調整することは、１５モルパーセントよりも大きいクェンチャー成分濃度を選択することを備える、請求項１０又は１１に記載のレジスト材料の選択方法。
【請求項１３】
デバイスのリソグラフィー処理方法であって、該方法は、
所定のレジスト特性を有するレジスト材料（２５０）を取得し、
リソグラフィー処理されるデバイスにレジスト層（４）を設けるため上記レジスト材料（２５０）を使用し、及び
得るべき所定パターンによって上記レジスト層を照明することを備え、
上記レジスト材料（２５０）は、上記リソグラフィー処理されたデバイスのウオータマーク欠陥を低減するように、調整された光酸発生剤成分（２５４）濃度、及び／又は調整されたクェンチャー成分（２５６）濃度を備え、それにより、上記光酸発生剤成分濃度、及び／又は上記クェンチャー成分濃度は、上記液浸リソグラフィー処理にて最適なプロセスウインドウとなる濃度よりも実質的に大きい、リソグラフィー処理方法。
【請求項１４】
所定のレジスト特性を有するレジスト材料（２５０）を取得することは、リソグラフィー処理にて得られる量又はプロセスウインドウのいずれかに関するリソグラフィー処理パラメータを考慮したレジスト材料（２５０）を得ることを備える、請求項１３記載のリソグラフィー処理方法。
【請求項１５】
所定のレジスト特性を有するレジスト材料（２５０）を取得することは、レジスト材料群（２５０）からレジスト材料（２５０）を選択することを備える、請求項１３又は１４記載のリソグラフィー処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体プロセスにおけるデバイスのリソグラフィー処理の分野に関する。詳しくは、本発明は、液浸リソグラフィー処理用のシステム及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
昨今の集積回路製造において、光学リソグラフィーは、重要技術の一つである。集積回路又は他のデバイスにおける小型化の進展は、多くの問題を生じ、それらは光学リソグラフィー処理の間に現れるかもしれない。光学リソグラフィーシステムにおいて、光源から生じた光がマスクに入射するとき、光は回折する。このマスク上の構造が小さい程、光は、より拡散する。よって、マスク上の構造が小さくなる程、レジスト層に合焦されるように対物レンズによって集光される拡散光は少なくなる。その結果、レジスト層に形成されたマスク構造の像は、低品質になる。光拡散を処理してマスク像の十分な品質を得るための公知の解決法は、高開口数（ＮＡ）を有するシステムを使用することである。一般的な液浸液体が水への高い入射角を有する対応の光入射角を処理するために使用される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
液浸リソグラフィーを実行することは、例えば、リソグラフィー処理にて使用されるレジスト層に接する液浸液体の使用に関連して、多くの特別の問題を生じさせている。生じる問題の一つは、リソグラフィー処理されるデバイス上にウオータマーク欠陥が存在することである。ウオータマーク欠陥は、例えば、液浸フードのノズルにより落ちた水滴が処理されるデバイス上に残り、表面上で乾燥され、溶解成分の残留物が残ったときに発生する。水滴は、例えば液浸液体と基板表面との間の後退接触角が小さすぎるときに残ることがある。図１に、液浸液体２と、基板６上のレジスト又はレジストスタック４との間の後退接触角θが示されている。更に、液浸フード８も示されている。一般的に、そのような欠陥は、現像プロセスに影響を与える場合があり、円形パターンにて発生するブリッジング又はＴトッピングとなる。ウオータマーク欠陥は、一般的に１μｍから５μｍの直径を有し、高い欠陥比率となる。したがって、ウオータマーク欠陥の発生は、基板上にて非有用なダイとなる。
【０００４】
ウオータマーク欠陥を減少あるいは防止するための既知の一つの技術は、液浸フードとレジストとの間の後退接触角を大きくすることである。後退接触角は、例えば、走査速度、シャワー・ヘッドのタイプ等を調節することでレジスト又は最上層の表面の疎水性特性を調節することにより、変更することができる。それらの例示は、例えば、SPIE 6154(2006)の会報内にStreefkerk B.等により、及びSPIE 6154(2006)の会報内にKocsis M.等によって記載されている。ウオータマークを低減又は防止する他の方法は、Polym. Adv. Technol. 17 (2006) 122内に、Kusumoto S.等によって記述されている。文献は、水に多孔性でない保護膜の使用を記載している。ウオータマーク欠陥のすすぎの効果も研究されている。上述の解決策は、例えばレジスト又はレジストスタックの湿潤性に関して使用されるレジスト又はレジストスタックに関して、及び／又は、例えば液浸フードの形状及び走査速度に関して使用されるリソグラフィーシステムに関して、制限を加える。
【０００５】
本発明の目的は、液浸リソグラフィー処理用の良好な方法、及び良好な液浸リソグラフィー処理を得るための適切な材料を提供することである。レジスト材及びそのような材料のリソグラフィー処理における使用は、ウオータマーク欠陥の低下となり、このことは、本発明の実施形態の利点である。したがって、ウオータマーク欠陥の低減は、例えばリソグラフィー処理を使用して作製されたダイを破壊することを容量にて低減することになり、ウオータマーク欠陥の数における低減とともに強度における低減の両方を低減することになる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の目的は、本発明による方法及びデバイスによって達成される。
本発明は、デバイスの液浸リソグラフィー処理にて使用されるレジスト材料に関し、該レジスト材料は、該レジスト材を使用した液浸リソグラフィー処理後、デバイス上のウオータマーク欠陥を減少するように、調整された光酸発生剤成分、及び／又は調整されたクェンチャー成分を備える。
【０００７】
ウオータマーク欠陥を減少するために、容易にアクセス可能なパラメータがレジストの特性を調整するために使用可能であることは本発明に係る実施形態の利点である。例えば、取得可能な解像度、取得可能なプロセスウインドウ、及び／又は取得可能な臨界の寸法のような他のリソグラフィー処理の基準を考慮して、上記パラメータの最適化が可能であることは更に上記実施形態の利点である。考慮可能な他のパラメーターは、ＭＥＥＦ、ラインエッジの粗さ、解像度、等のいずれか、又はこれらの組み合わせである。よれによりＭＥＥＦは、マスク・エラー増強ファクターである。ＭＥＥＦを伴うことは、対応のマスク加工寸法（feature size）における単位変化当たりの最終のレジスト加工寸法における増加変化を意味する。ここで、マスクの寸法は、画像ツールの縮小率によりウエハサイズまで拡大縮小される。光酸発生剤及び／又はクェンチャーの成分の一つ又は各々の濃度として上記成分が調整可能である。光酸発生剤成分の濃度が調整され、及び／又は、クェンチャーの成分の濃度が調整される。
【０００８】
濃度を調整することで、標準のローディングを参照したウオータマーク欠陥の低減を最適化できることが本発明の実施形態の利点であり、それにより、リソグラフィー処理工具又はその成分を修正する必要がなくウオータマーク欠陥の低減を可能にする。
【０００９】
光酸発生剤の成分濃度及び/又はクェンチャーの成分濃度は、上記液浸リソグラフィー処理とともに最適プロセスウインドウとなる濃度よりも実質的に大きくなるように調整される。考慮される他のパラメーターは、ＭＥＥＦ、ラインエッジの粗さ、解像度などのいずれか又は組み合わせである。それによりＭＥＥＦは、マスク・エラー増強ファクターである。光酸発生剤成分濃度は、２重量パーセントよりも大きい、例えば、３重量パーセントであってもよい。それにより重量パーセントは、存在するポリマーの全重量当たりの重量パーセントである。
【００１０】
光酸発生剤の成分濃度は、例えば、６重量パーセントより大きいか、９重量パーセントより大きいか、又は１２重量パーセントより大きなものであるかもしれない。それにより重量パーセントは、存在するポリマーの全重量当たりの重量パーセントである。それにより、光酸発生剤成分の最大濃度は、２０重量パーセントまでに制限される。それにより重量パーセントは、存在するポリマーの全重量当たりの重量パーセントである。
【００１１】
クェンチャー成分濃度は、15モルパーセント(ＰＡＧローディングに対して)より大きいことがある。
クェンチャー成分濃度は、例えば、少なくとも３０モルパーセント、少なくとも６０モルパーセント、又は少なくとも９０モルパーセントであることがある。それによりモルパーセントは、ＰＡＧ濃度に対するモルパーセントである。
【００１２】
レジスト材料は、調整された活性化エネルギーを有する脱保護グループを備えることができる。
レジスト材料は、調整されたガラス転移温度を有するポリマー系樹脂を備えることができる。
【００１３】
本発明は、また、液浸リソグラフィー処理におけるウオータマーク欠陥の感受性を低減する、上述のようなレジスト材料の使用に関する。
【００１４】
本発明は、また、デバイスのリソグラフィー処理にて使用されるレジスト材料群に関する。ここで、レジスト材料の少なくとも一つは、レジスト材料を使用する液浸リソグラフィー処理後、デバイスにおけるウオータマーク欠陥を低減するように、異なって調整された光酸発生剤成分、及び/又は異なって調整されたクェンチャー成分を有するレジスト材料である。それにより、光酸発生剤成分濃度、及び/又はクェンチャー成分濃度は、液浸リソグラフィー処理を有する最適のプロセスウインドウに帰着する濃度よりも実質的に大きい。
少なくとも一つのレジスト材料は、上述のものであることがある。
【００１５】
本発明は、また、液浸リソグラフィー処理におけるウオータマーク欠陥の感受性を低減する、上述のようなレジスト材料群の使用に関する。
【００１６】
本発明は、また、デバイスのリソグラフィー処理用の所定のレジスト特性を有するレジスト材料の選択方法に関する。該方法は、
リソグラフィー処理されたデバイス上のウオータマーク欠陥の感受性を低減するように光酸発生剤の成分濃度、及び/又はレジスト材料におけるクェンチャーの成分濃度を調整することによりレジスト材料を調整することを含む。
【００１７】
光酸発生剤の成分、及び/又はクェンチャーの成分を調整することは、光酸発生剤の成分濃度を選択することを含み、及び/又は、クェンチャーの成分濃度が液浸リソグラフィー処理を有する最適プロセスウインドウに帰着する濃度よりも実質的に大きい。
【００１８】
光酸発生剤の成分濃度を調整することは、２重量パーセントよりも大きい、例えば３重量パーセントの光酸発生剤の成分濃度を選択することを備えることができる。それにより、重量パーセントは、存在するポリマーの全重量当たりの重量パーセントである。
【００１９】
光酸発生剤の成分濃度は、例えば、６重量パーセントより大きい、９重量パーセントより大きい、又は１２重量パーセントより大きな場合がある。光酸発生剤の最大濃度は、２０重量パーセントであることがある。それにより、重量パーセントは、存在するポリマーの全重量当たりの重量パーセントである。クェンチャー成分濃度を調整することは、１５モルパーセント、つまりＰＡＧ濃度に対して１５モルパーセントよりも大きなクェンチャー成分濃度を選択することを備えることがある。
【００２０】
クェンチャー成分濃度は、例えば少なくとも３０モルパーセント、少なくとも６０モルパーセント、又は少なくとも９０モルパーセントであることがある。それ故、モルパーセントは、存在するＰＡＧ濃度当たりのモルパーセントである。本発明は、また、デバイスのリソグラフィー処理方法に関する。該方法は、所定のレジスト特性を有するレジスト材料を得ること、リソグラフィー処理されるデバイスにレジスト層を設けるために上記レジスト材料を使用すること、及び、得られた所定のパターンにより上記レジスト層を照明することを備える。上記レジスト材料は、調整された光酸発生剤の成分濃度、及び/又は上記リソグラフィー処理されたデバイスのウオータマーク欠陥を低減するように、調整されたクェンチャーの成分濃度を備える。光酸発生剤の成分、及び/又はクェンチャー成分を調整することは、光酸発生剤の成分濃度を選択することを備え、及び/又はクェンチャーの成分濃度は、液浸リソグラフィー処理を有する最適プロセスウインドウに帰着する濃度よりも実質的に大きい。
【００２１】
所定のレジスト特性を有するレジスト材料を得ることは、リソグラフィー処理にて得られる一定量又はプロセスウインドウのいずれかに関するリソグラフィー処理パラメータを考慮するレジスト材料を得ることを備えることができる。
【００２２】
所定のレジスト特性を有するレジスト材料を得ることは、レジスト材料群からレジスト材料を選択することを備えることができる。
【００２３】
本発明の特定の及び好ましい態様は、添付の独立請求項及び従属請求項に述べられている。従属請求項からの特徴は、請求項に適切なだけでなく明確に述べられるように、独立請求項の特徴、及び他の従属請求項の特徴と組み合わせ可能である。
【００２４】
この分野では、デバイスの一定の改良、変化、及び発展があるけれども、本件の概念は、従来の慣習からの逸脱を含み、より効率的な安定して信頼できるこの種のデバイスの供給に帰着する、本質的に新しい新規な改良を表すと信じている。
【００２５】
本発明の教えは、例えばより高い生産性を有する電子デバイスのリソグラフィー処理を可能にする、改善されたリソグラフィー方法及びシステムの設計を可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の、上述した及び他の特性、特徴及び利点は、本発明の原理を例示により示している添付の図面を参照して、以下の詳細な説明から明らかになるであろう。以下の記述は、例のためにのみなされたもので、本発明の範囲を制限するものではない。以下で引用される参考図は、添付の図面を参照する。又、各図において、同一又は同様の構成部分については同じ符号を付している。
【００２７】
本発明は、特別の実施態様に関して、及びある図面を参照して記載されるが、しかし、本発明は、それに限定されるものではなく、請求項によってのみ規定される。記載された図面は、単に概略であり限定するものではない。図面では、いくつかの要素のサイズは、誇張され、図示の目的のため縮尺通りに描かれていない場合がある。寸法及び相対的な寸法は、本発明の実施への実際の縮小に対応していない。
【００２８】
請求項にて使用されている用語「備える」は、以下に記載の意味に限定されるように解釈されるべきではないということに注意されたい。それは他の要素又はステップを除外しない。それは、参照するように、述べた特徴、整数、ステップ、又は部品の存在を特定するように解釈されるものであるが、しかし、一つ若しくは複数の他の特徴、整数、ステップ、若しくは部品、又はそれらのグループの存在又は追加を排除するものではない。したがって、表現「手段Ａ及びＢを備えたデバイス」の範囲は、部品Ａ及びＢのみからなるデバイスに限定されるべきではない。それは、本発明に関して、デバイスの適切な部品のみがＡ及びＢであることを意味する。
【００２９】
本明細書を通して「一つの実施形態」又は「実施形態」の参照は、実施態様に関して記載された特別の特色、構造、又は特徴が本発明の少なくとも一つの実施形態に含まれているということを意味する。したがって、本明細書における種々の箇所におけるフレーズ「一実施形態において」又は「ある実施形態において」は、必ずしも同じ実施形態を参照することではないが、そうすることもできる。さらに、特別の特色、構造、又は特徴は、一若しくは複数の実施形態において、ここの開示内容から当業者に明らかであるような適切な方法にて組み合わせることができる。様々な特色は、単一の実施形態、図、又は説明においてグループ化されることがある。しかしながら、それは、請求項に記載された発明が各請求項に明示されたものよりも多くの特色を要するという意図を反映するように解釈されるべきではない。詳細な説明に従う請求項は、各請求項が本発明の分離された実施形態としてそれ自身存在する状態で、ここの詳細な説明内に明らかに組み込まれる。
【００３０】
ここに提供される説明では、多数の特定の細部が述べられている。しかしながら、本発明の実施形態は、これらの特定の細部なしで実行可能であることが理解される。他の例では、公知の方法、構造、及び技術は、この記述の理解を不明瞭にしないように、詳細には示されていない。
【００３１】
以下の用語は、本発明の理解を援助するために単独で提供される。本出願の実施形態において、用語「基板」は、基本的なキャリア材料だけでなく、処理される材料及びそれに限定されないが例えば底部の非反射コーティングのようなリソグラフィー処理ステップを実行するために塗布された典型的な材料も含むことができる。用語「基板」は、また更に、例えば半導体処理にて使用されるような他の材料も含むことができる。基本的なキャリア材料は、例えば、ドープされた又はドープされていないシリコン、絶縁体基板上のシリコン（ＳＯＩ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、ガリウムヒ素リン（ＧａＡｓＰ）、インジウムリン（ＩｎＰ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、又はシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ガラス又は石英であってもよい。
【００３２】
本出願において、「光」又は「放射」になされる言及では、液浸リソグラフィーシステムにて一般的に使用される電磁放射が参照される。本出願では、しばしば、１９３ｎｍの波長を有する電磁放射が使用されるが、しかし、本発明はそれに制限されない。また、紫外線及び／又は深い紫外線範囲の波長、又は他のタイプの電磁放射における波長が使用可能である。
【００３３】
重量パーセントは、存在する全ポリマー容量当たりの重量パーセントである。即ち、重量パーセントは、存在するポリマーの全重量に対して表現される。よって、溶剤の量は、考慮されない。
【００３４】
他の方法で言及されないならば、クェンチャー濃度は、モルパーセントで表現される。それらの濃度は、存在するＰＡＧ濃度に関係する。
【００３５】
本発明の実施形態は、一般的に液浸リソグラフィー処理システムに関する。それに限定されないが図２に示される構成のような、図示のみにより示されたいずれのタイプの液浸リソグラフィー構成にて実行可能なリソグラフィー処理において、方法は適用可能である。透過構成を有する光学リソグラフィーシステムが示されているが、本発明は、それに限定されない。例えば、反射構成を有するシステムにも適用可能である。それは、例えば液浸リソグラフィーステッパーシステム、又はリソグラフィースキャナシステムであってもよい。光学液浸リソグラフィーシステム１００は、一般的に、例えば放射源２０２である電磁放射源を備える。放射源２０２からの放射は、一般的に、レンズを備える光学系２０４を通して伝送され、マスク２０６上に入射する。マスク２０６は、レジスト層つまりレジストスタック４にて生成される画像に関する情報を含んでおり、基本的にそれによって形成される。一般的にマスク２０６は、リソグラフィーを用いてデバイス又は回路を作成するために使用される一揃いのマスクの一部であってもよい。異なるタイプのマスクが存在する。例えば交番型位相シフトマスク、減衰型位相シフトマスク、バイナリーマスクなどである。マスク情報を伝える光は、その後、例えば、最終レンズ表面１０６を有することができる画像モジュール２０８を通過し、基板６上のレジスト層つまりレジストスタック４に案内される。画像モジュール２０８の光学部品は、本質的に画像モジュール２０８の開口数（Ｎ．Ａ．）を規定する。デバイス１０２は、一般的に、基板ステージ２１０に取り付けられる。一般的に、液浸フード８と呼ばれる液浸シャワー・ヘッド８は、システム１００の開口数の増加を可能にするため、レジスト層つまりレジストスタック４と、画像モジュール２０８、例えば最終レンズ表面１０６との間に、液浸液体２を供給する。他の任意の、及び／又は追加の部品は、図２に示されていない。示されたシステムは、単に例示として示される。例えば、使用可能な代わりのシステムは、例えば光学マスクライターとして使用されるシステムのような、マイクロミラーとともに作動するシステムである。
【００３６】
本発明は、さらに、多くの異なる態様及び実施形態に関して記述される。
第１態様では、本発明は、液浸リソグラフィー処理方法に関し、ここで、ウオータマーク欠陥の数を減少することができ、又は、任意に、さらにウオータマーク欠陥を防止することができる。ウオータマーク欠陥の低減は、ウオータマーク欠陥のサイズ又は強度の減少、及び／又は、液浸リソグラフィー処理にて処理された基板上に発生するウオータマーク欠陥数の減少を参照することができる。ウオータマーク欠陥の相対的な強さは、例えば、一定容量の水滴が付着したときの種々の材料又は処理条件に関してウオータマークによるパターン損傷の全面積により決定することができる。ウオータマーク欠陥は、例えば液浸リソグラフィー処理における照明の間にデバイスの表面に残り、そしてレジストと相互作用する、しばしば液浸液滴である液滴に起因する。本発明では、ウオータマーク欠陥の低減は、使用されるレジスト材料の調整又は調整されたレジスト材料の選択により得られる。リソグラフィー処理は、一般的に、所定の特性を有するレジスト材料を得ることを含む。そのようなレジスト材料２５０は、図３に示されるように、リソグラフィー処理されるデバイス、例えば基板６のレジスト層４に供給するために使用される。レジスト材料２５０は、図３に示すように、好ましくはポリマー系樹脂２５２、光酸発生剤（ＰＡＧ）２５４、クェンチャー２５６、及びフォトレジスト溶剤２５８を備える。レジスト材料２５０は、例えばポジ又はネガのレジスト材料のような、いずれかの適切なタイプのレジスト材料であってもよい。それは、化学上増幅されたレジスト材料であってもよい。それは、液浸リソグラフィーの特定のレジスト材料であってもよい。使用可能なレジスト材料の代表例は、それにより本発明を限定せずに、住友社から入手可能な、ＰＡＲ−８１７レジスト及びＰＡＲ−ＩＭ８５０レジストである。ポリマー系樹脂２５２は、レジスト材料の現像後に基板上で残っている成分である。レジスト材料の中で使用可能なポリマー系樹脂の代表例は、保護基及びラクトン基を有するメタクリル酸塩ポリマー（ＡｒＦタイプ、レジスト用）、アセトオキシスチレン・モノマーに基づくポリマー等であってもよい。
【００３７】
一旦レジスト材料が照明されれば、光酸発生剤成分２５４は、レジスト材料２５０において酸成分を提供する。この成分は、ポリマー系樹脂２５２の分子構造を変換し、現像及びエッチングの間に、除去されるのが容易又は困難ないずれかのポリマー構造となる。クェンチャー２５６は、光酸発生剤によって生成された酸の拡散距離を制御する機能を提供する。フォトレジスト溶剤２５８は、フォトレジスト材料の粘性を制御することを可能にする。リソグラフィー方法は、また、デバイスに生成されるパターンに基づいた、所定パターンによりレジスト層を照明することを備える。
【００３８】
本発明では、レジスト材料２５０を得ることは、ウオータマーク欠陥を減少するために、光酸発生剤２５４、及び／又はクェンチャー２５６、及び／又は酸移動性が調整されるレジスト材料２５０を得ることを含む。換言すると、本発明では、レジスト層の光酸発生剤２５４、及び／又はクェンチャー２５６、及び／又は酸の移動性は、デバイスの液浸リソグラフィー処理がウオータマーク欠陥への感受性が低くなるように、レジスト材料を最適化するためのパラメーターとして使用される。よって、得られるレジスト材料は、ウオータマーク欠陥への感受性が低いデバイスの液浸リソグラフィー処理を得ることをレジスト材料が可能にするような所定の特性を備える。一つの実施形態では、レジスト材料２５０を得ることは、それぞれが異なるレジスト特性を有し、それぞれが異なる光酸発生剤成分又は濃度であり、それぞれが異なるクェンチャー成分又は濃度であり、それぞれが異なる酸移動性であり、あるいはこれらの組み合わせにてなる、多数の所定のレジスト材料から一つのレジスト材料を選択することを備えている。そのような選択は、それぞれが所定のレジスト特性を有し、互いに異なるレジスト材料２５０群からの選択であってもよい。そのような選択は、例えば、リソグラフィー処理、つまり得るべき解像度つまり臨界寸法に関する、又は使用される照明量に関する、特定のリソグラフィー設定の関数としてなすことができる。そのような特別のリソグラフィー設定は、特定の応用例であり、例えば生成されるパターンに依存するであろう設定であってもよい。
【００３９】
選択は、また、得られる他のリソグラフィー処理パラメーターの関数として、許容可能なレジスト調整を決定するためのシミュレーション・ステップ又は計算ステップを備えることができる。後者は、自動化された、及び／又は自動的な方法にて実行可能である。それは、ニューラル・ネットワークを使用して、又は予め得た若しくはその時点で得た参照シミュレーション結果又は測定結果を使用する等により、試行錯誤に基づく所定のアルゴリズムにより実行可能である。任意で他のリソグラフィー処理要求と組み合わされた許容可能な感受性の選択、つまり得られる感受性の度合の選択は、例えば、ウオータマーク数が所定値よりも小さい、ウオータマークの平均径が所定値よりも小さい等の、所定のルール又は要求に関して実行可能である。使用されるレジストの選択は、レジスト材料群から、あるレジスト材料を選択することを備えることができ、選択されたレジスト材料は、ウオータマーク欠陥への感受性を低減するために、好ましいレジスト特性に最も近いレジスト特性を有する。
【００４０】
上記方法は、更に、得られたレジスト材料を使用するレジスト層を基板上に設けること、及び所定パターンによりレジスト層を照明することを備える。レジスト層を基板上に設けることは、例えばスピンコーティング、ディップコーティング、等による、いずれかの適切な方法で実行可能である。リソグラフィー処理用の他の任意のステップは、ベーキング工程、現像工程、エッチング工程、洗浄工程、等を含むことができ、及び従来公知のものである。
【００４１】
リソグラフィー処理システム又は応用例の多くのパラメーターは、特定のシステム及び応用例であり、及び／又は得られるプリントにおける有効性又はそれらの影響の関数として選択可能である。例として、本発明はそれによって制限されないが、可能なパラメーター群は以下のようなものである。
使用される基板は、Brewer science から入手可能な、反反射コーティングＡＲＣ２９Ａを有するベアシリコン基板（１２インチ）であってもよい。レジストフィルム厚さは、１５０ｎｍであってもよい。レジストフィルムは、東京エレクトロンのCLEAN TRAC ACT12システムを用いて適用可能である。露光ツールは、パラメーターＮＡ＝０．８５、アニューラ（０．８９／０．５７）を備えた照明システムを有する、ＡＳＭＬ  ＸＴ１２５０ｉのリソグラフィーシステムである。使用されるレチクルは、欠陥を探すため、１００ｎｍＬ／Ｓパターンを備えたバイナリーレチクルである。使用される現像液は、ＬＦＣＳ社から入手可能なＴＭＡＨ２．３８ｗｔ％（２３°Ｃ、６０秒）である。入手可能な臨界寸法は、日立ハイテクノロジーによるHitachi 9380IIによって特徴づけられる。使用されるパターンサイズは、１００ｎｍＬ／２００ｎｍＰのトップダウンのパターンである。ベアシリコンのスタック、底非反射コーティング、及びレジスト層は、用いられてもよく、ここで、底非反射コーティングは、９０秒間、２０５℃の下で適用され、レジストコーティングは６０秒間、１２０℃のソフトベークで行う。欠陥のチェックのために用いられるツールは、ＫＬＡ２３５１欠陥ツールである。
【００４２】
本発明は、さらに、特別の実施形態及び例により記述される。本発明は、それらに制限されない。
第１の特別な実施形態では、本発明は、上述したようなリソグラフィー処理用の方法に関し、ここでは、レジスト材料を得ることは、そのようなリソグラフィー処理の後に、デバイスにおけるウオータマーク欠陥への感受性を低減するために、光酸成分２５４が調整されるレジスト材料を得ることを備える。よって、光酸発生剤成分２５４を調整することは、光酸成分の選択、及び／又は光酸成分２５４の濃度の選択の両方を備えることができる。光酸発生剤の調整は、レジスト特定、つまりそのレジストに存在する成分材料の特定であってもよい。一例において、対応するリソグラフィー処理のウオータマーク欠陥への感受性は、光酸成分２５４の濃度を増加させることにより弱めることができる。その濃度は、光酸発生剤成分２５４の標準濃度に対して増加することができる。そのような標準濃度は、異なる標準レジスト材料には異なることがある。それは、例えば、得られる最大のプロセスウインドウに基づいて決定可能である。それは、例えば、ウオータマーク欠陥を考慮することなく得ることができる液浸リソグラフィー処理にて得ることができる最適なプロセスウインドウに基づいて決定可能である。本実施形態により、光酸濃度は、上記標準濃度よりも高く選択されている。光酸発生剤成分の濃度は、例えば、３重量パーセントより大きい、５重量パーセントより大きい、７重量パーセントより大きい、又は１０重量パーセントより大きくてもよい。よって、重量パーセントは、存在するポリマーの全重量当たりの重量パーセントである。原則として、光酸発生剤成分が大きいほど、より良い。光酸発生剤成分の最大濃度は、１５重量パーセント、又は２０重量パーセントであってもよい。よって、重量パーセントは、存在するポリマーの全重量当たりの重量パーセントである。それの代わりに、又は追加して、光酸発生剤成分２５４は、また、光酸発生剤成分の化学合成品の変更により調整可能である。光酸発生剤成分は、例えば、ノナフルオロ-n-ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム  ＴＰＳＴ、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム  ＴＰＳＮ、パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム  ＴＰＳＯのいずれかから選択可能である。例示として、光酸発生剤の効果の２つの例が図５ａから図５ｃ、及び図６ａから図６ｃを参照して提供される。図５ａから図５ｃは、光酸発生剤の濃度がリソグラフィー処理に用いられるレジスト材料において変更されるときに、ウオータマーク欠陥に関して得られた結果を示す。その結果は、ＪＳＲ社から入手可能なようなポリマー、ＪＳＲ社から入手可能なようなクェンチャー、及びプロピレン・グリコール・モノメチル・エーテル酢酸塩溶剤（ＰＧＭＥＡ）に基づいた、モデルレジストのために得られる。ここで、光酸発生剤２５４の濃度は、３重量パーセント、６重量パーセント、及び９重量パーセントから１２重量パーセントまで変更される。そのような重量パーセントは、存在するポリマーの全重量に比例して表現される。図５ａは、３重量パーセントで見られたウオータマーク欠陥を示し、図５ｂは、６重量パーセントで見られたウオータマーク欠陥を示し、図５ｃは、９重量パーセントで見られたウオータマーク欠陥を示している。１２重量パーセントでは、ウオータマーク欠陥は、これ以上見つからなかった。本例は、光酸発生剤２５４濃度を調整することにより、ウオータマーク欠陥が低減され、あるいは完全に除去することができることを示す。光酸発生剤２５４の濃度を増加させることにより、実際に、対応するデバイスのリソグラフィー処理の間、ウオータマーク欠陥への感受性は減少する。第２の例が図６ａから図６ｃに示されている。ここでは、３つの異なるタイプの光酸発生剤２５４の成分が使用され、ウオータマーク欠陥へのそれぞれ異なる感受性となっている。図６ａは、ＴＰＳＴ光酸発生剤に関する結果を示し、図６ｂは、ＴＰＳＮ光酸発生剤に関する結果を示し、図６ｃは、ＴＰＳＯ光酸発生剤に関する結果を示している。光酸発生剤２５４が選択されるところのパラメータは、例えば、酸強度、分子サイズ、拡散距離などである。
【００４３】
第２の特別の実施形態において、本発明は、上述のような、また、任意に第１の実施形態によるリソグラフィー処理の方法に関する。ここで、レジスト材料２５０を得ることは、デバイスの対応リソグラフィー処理でのウオータマーク欠陥への感受性を低減するように調整されたクェンチャー成分２５６の濃度を有するレジスト材料２５０を得ることを備える。本実施形態において、クェンチャー成分２５６の濃度を調整することは、レジスト２５０内に存在する他の成分に依存するかもしれない。クェンチャー成分２５６を調整することは、例えば、レジスト材料２５０内に存在するクェンチャー成分２５６の標準濃度に対するクェンチャー成分２５６の濃度を増加させることを備えることができる。しばしば、そのような標準濃度は、ポリマー当たり０．２５〜１．５重量パーセントの範囲、即ち、存在するポリマーの全重量当たり０．２５〜１．５重量パーセントの範囲であってもよい。
【００４４】
また、上記標準濃度は、例えばウオータマーク欠陥を考慮せずに得られた、上記液浸リソグラフィー処理で得ることができる最適プロセスウインドウに基づいて決定可能である。考慮可能な他のパラメータは、ＭＥＥＦ、ライン・エッジ粗さ、解像度などのいずれか、又はこれらの組み合わせであってもよい。よってＭＥＥＦは、マスク・エラー増強要因である。例として、本発明はそれに限定されないが、モデルレジストの調整例が図７ａ、図７ｂ、図７ｃに示され、これらは、クェンチャー濃度が１５モルパーセント、３０モルパーセント、及び６０モルパーセントでのウオータマーク欠陥を示している。よって、モルパーセントは、ＰＡＧ負荷に関して相関的である。９０モルパーセントのクェンチャー成分濃度では、ウオータマーク欠陥は見つからなかった。よって、その濃度は、存在するＰＡＧ濃度に相関的に表現される。本例において、ウオータマーク欠陥への感受性は、クェンチャー成分濃度を増加させることで減少する。さらなる例において、図８ａ及び図８ｂに示すように、クェンチャー成分２５６及び光酸発生剤成分２５４の濃度は、クェンチャー成分２５６への光酸発生剤成分２５４の比率が一定であるように同時に調整される。結果は、光酸発生剤濃度が３重量パーセント、６重量パーセント、９重量パーセント、及び１２重量パーセントに関して得られ、それにより、クェンチャー成分２５６は、光酸発生剤／クェンチャー比率に関して０．２重量／モルの比率が得られるように、同時に変更される。図８ａは、光酸発生剤濃度が３重量パーセントのレジストを用いて得られたデバイスに関するウオータマーク欠陥を示す。また、図８ｂは、光酸発生剤濃度が６重量パーセントのレジストを用いて得られたデバイスに関するウオータマーク欠陥を示す。９重量パーセント及び１２重量パーセントの光酸発生剤濃度に関して、ウオータマーク欠陥をこれ以上識別することができないことがある。これらの重量割合は、存在するポリマーの全重量当たりの重量パーセントとして表現される。換言すると、光酸発生剤濃度、及びクェンチャー成分濃度の両方を増加することは、また、ウオータマーク欠陥への感受性を低減することになる。
【００４５】
第３の特別な実施形態では、上述したような、本発明に係るリソグラフィー処理方法が開示される。ここで、レジスト材料２５０、即ちより詳しくは、上記レジスト材料２５０で作製されたレジスト層４における酸移動性は、そのようなレジスト材料２５０を用いたデバイスのリソグラフィー処理におけるウオータマーク欠陥への感受性を低減するように調整される。レジスト層４内の酸移動性のかかる調整は、多くの方法で得ることができる。レジスト材料２５０内の酸移動性を調整する一つの方法は、リソグラフィー処理においてレジスト材料２５０を用いることに必要な温度処理を制御することによるものである。例えば、ベーキング工程の温度、例えば、露光後のベーキング工程の温度が制御可能であり、それにより、低い温度での露光後ベーキングは、低い酸移動性となり、一方、高い温度での露光後ベーキングは、高い酸移動性となる。必要な温度は、レジスト内に特別の成分を用いることにより調整することができる。このように、酸移動性は、使用されるポリマー系樹脂２５２のガラス転移温度を調整することにより間接的に影響を受ける場合がある。例えば、低温がレジスト材料２５０内のポリマー系樹脂２５２の処理に必要であるように、低いガラス転移温度は、より低い酸移動性に帰着し、一方、高温がレジスト材料２５０内のポリマー系樹脂２５２の処理に必要であるように、高いガラス転移温度は、より高い酸移動性に帰着する。それに代わり、又はそれに追加して、脱保護グループの活性化エネルギーが調整可能である。活性化エネルギーを調整することで、レジスト材料２５０の処理に必要な温度が異なり、また、酸移動性が調整されることもある。酸移動性を調整するために調整可能な他のパラメーターは、使用される光酸発生剤２５４のタイプである。選択は、ノナフルオロ-n-ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム  ＴＰＳＴ、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム  ＴＰＳＮ、パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム  ＴＰＳＯのような多くの光酸発生剤からなすことができる。
【００４６】
酸移動性の調整は、レジスト層として使用される特別の材料に依存して、例えば最上層の存在に依存して、多かれ少なかれ有効である場合がある。以下の例では、ウオータマーク欠陥への感受性において露光後ベーキング温度の影響が示されている。後者は、間接的にウオータマーク欠陥への感受性に対する酸移動性の影響を示す。結果は、図９ａから図９ｄに示され、これらはそれぞれ、１００℃（図９ａ）、１０５℃（図９ｂ）、１００℃（図９ｃ）、１１５℃（図９ｄ）の露光後ベーキング温度を使用したリソグラフィー処理されたデバイスで発生したウオータマークを示している。本例では、高い露光後ベーキング温度は、より少ないウオータマーク欠陥に帰着することが明らかである。この結果は、上述の例により与えられるようなリソグラフィー処理パラメーターを用いて得られる。レジスト内で使用される標準ポリマーに関する基準ガラス転移温度は、一般的に、１５０℃から１８０℃の間で変化する。さらに特別の実施形態では、本発明は、第１の態様に記述されるようなリソグラフィー処理用の方法に関し、ここで該方法は、得られるプリントの結果を特徴づけるリソグラフィーパラメーターを得ること、及び得られるプリントの結果を特徴づけるリソグラフィーのパラメーターを考慮することを備えたレジスト材料を得ることを備える。後者は、例えば、ウオータマーク低減の観点においてレジスト特性が調整可能であるパラメータ範囲を減少する。それの代わりに又はさらに加えて、上記方法は、得られるプリントに特有なレジストのパラメータ及びリソグラフィー処理のパラメータの両方を調整することを備え、したがって、使用されるリソグラフィー処理のパラメータ及び使用されるレジスト材料を得ることを備える。
【００４７】
第２の態様において、本発明は、例えば第１の態様に記述されるように、リソグラフィー処理で使用されるレジスト材料２５０に関する。ここで、レジスト材料２５０のレジスト特性は、レジスト材料２５０を用いる液浸リソグラフィー処理後のデバイス上のウオータマーク欠陥を減少するように調整される。レジスト材料２５０は、調整された光酸発生剤成分２５４、及び／又は調整されたクェンチャー成分２５６、及び／又は調整された酸移動性を備えることができる。言い換えれば、光酸発生剤成分２５４、例えばその濃度、及び／又は、クェンチャー成分２５６、例えばその濃度、及び／又は、酸移動性の程度は、デバイスのリソグラフィー処理に使用されるときにデバイス上のウオータマーク欠陥を低減することに帰着するレジスト材料２５０を得るためのパラメータとして使用される。上記調整は、光酸発生剤２５４の濃度、及び／又はクェンチャー成分濃度の選択であってもよい。調整された成分は、標準濃度よりも高い濃度の光酸発生剤成分２５４、又は標準濃度よりも高い濃度のクェンチャー成分２５６が得られるように、調整されてもよい。そのような標準濃度は、使用される液浸リソグラフィー処理で入手可能な最適のプロセスウインドウに基づいて決定された濃度であってもよい。考慮に入れることができる他のパラメーターは、ＭＥＥＦ、ライン・エッジ粗さ、解像度などのいずれか、又は組み合わせである。よってＭＥＥＦは、マスク・エラー増強要因である。光酸発生剤成分濃度は、２重量パーセントより大きな、例えば３重量パーセントより大きな、例えば６重量パーセントより大きな、例えば９重量パーセントより大きな、例えば１２重量パーセントより大きなものでもよい。よって最大濃度は、２０重量パーセントであってもよい。よって、重量パーセントは、存在するポリマーの全重量当たりの重量パーセントである。クェンチャー濃度は、１５モルパーセントより大きく、例えば３０モルパーセントより大きく、例えば６０モルパーセントより大きく、例えば９０モルパーセントより大きくなるように選択可能である。よって、クェンチャー濃度は、ＰＡＧ濃度に相関して表現される。よって、最大濃度は、２重量パーセントであることがある。重量パーセントは、存在するポリマーの全重量当たりの重量パーセントである。クェンチャー濃度の濃度範囲に関する下限値は、０．２重量パーセントであることがある。よって、重量パーセントは、存在するポリマーの全重量当たりの重量パーセントである。
【００４８】
レジスト材料２５０、又はより詳しくは、そのようなレジスト材料２５０で作製された層における酸移動性は、また、制御されあるいは調整されてもよい。調整されたガラス転移温度を有する高分子材料２５２を備えたレジストが選択可能である。ガラス転移温度は、ガラス転移温度がレジスト処理の露光後ベーキング温度よりも高いように、調整可能である。
【００４９】
レジスト材料２５０は、活性化エネルギーが調整される脱保護グループを備えることができる。
更に、レジスト材料２５０は、第１の態様にて記述したレジスト特性のような同様の特徴及び利点を備えてもよい。
【００５０】
第３の態様では、本発明は、デバイスの液浸リソグラフィー処理においてウオータマーク欠陥への感受性を低減するために、第２の態様に記述されるようなレジスト材料２５０の使用に関する。後者は、リソグラフィー処理方法の高い生産性を得ることを可能にする。更に、それは、使用されるリソグラフィーシステムへの変更の必要なくウオータマーク欠陥の低減を得ることができるので、液浸リソグラフィー処理用のそのようなレジスト材料を使用することは、実施形態における利点である。
【００５１】
第４の態様では、本発明は、デバイスの液浸リソグラフィー処理用のレジスト材料２５０群に関する。ここでレジスト材料２５０は、異なるレジスト特性を有する。その異なるレジスト特性は、異なる光酸発生剤成分２５４又は異なる光酸発生剤成分濃度、及び／又は異なるクェンチャー濃度、及び／又はレジスト材料２５０、より詳しくは、該レジスト材料を使用して作製されたレジスト層の異なる酸移動性特性であってもよい。そのようなレジスト２５０群は、許容されるウオータマーク感受性に依存し、及び／又はデバイスのリソグラフィー処理用の他の要求に依存する適切なレジスト材料２５０を選択して使用可能である。所定の特性を有するレジスト材料の選択は、例えば、得られるプロセスウインドウ及び帰着した臨界寸法、許容され使用可能な露光量、露光時間等に基づき実行可能である。そのようなレジスト材料群は、各レジスト材料が第２態様にて記述したようなものであるレジスト材料群であってもよい。ここで、リソグラフィー処理に作用される他のパラメータ、例えばパターンを特定可能な露出パラメータに関するパラメータが考慮される。レジスト材料２５０群は、レジスト材料２５０を用いて得ることができるリソグラフィー処理条件を示すように分類された、好ましくは複数のレジスト材料２５０を備える。
【００５２】
第５の態様では、本発明は、デバイスのリソグラフィー処理におけるそのようなレジスト材料２５０群の使用に関する。よってデバイスのリソグラフィー処理は、レジスト材料群からレジスト材料の一つを選択することを備えることができる。そのような選択は、ウオータマーク欠陥への感受性又は非感受性の必要とされる程度に基づくことがある。更に、例えば、ウオータマーク欠陥への感受性又は非感受性の組み合わせにおいて、一つのレジスト材料の選択は、特定の応用例に関して要求されるリソグラフィー処理の目標、又は要求されるプロセスウインドウ、量、及び帰着する臨界寸法のようなパラメータに基づいてもよい。考慮可能な他のパラメーターは、ＭＥＥＦ、ライン・エッジ粗さ、解像度などのいずれか又は組み合わせである。よって、ＭＥＥＦは、マスク・エラー増強要因である。
【００５３】
例えば液浸フードからの液浸液体がしずくの形態で、たとえレジスト表面に残っていても、レジスト表面に近い酸濃度が制御可能であるということが、本発明の実施形態における利点である。
【００５４】
本発明に従うデバイスに関して、好ましい実施形態、特定の構造及び構成、並びに材料が記述されたが、本発明の範囲及び概念から外れることなく、形態及び詳細における種々の変更又は修正がなされることができることは、理解されるべきである。例えば、本発明は、レジスト（群）、その使用、及びリソグラフィー処理方法によって記述されているが、本発明は、また、リソグラフィー処理を組み立てる方法にも関する。ここで、該方法は、上記リソグラフィー処理されたデバイスでのウオータマーク欠陥への感受性を低減するように、光酸発生剤成分、及び／又はクェンチャー成分、及び／又はレジスト材料内の酸移動性を調整することによりレジスト材料を調整することを備え、それにより調整されたレジスト材料を得ることを備える。該調整は、本発明の上述の各態様に記述されるように実行可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】従来から知られている、デバイスの液浸リソグラフィー処理を可能とする液浸フードの概略図である。
【図２】本発明による実施形態にて使用可能な液浸リソグラフィーシステムの概略を示す図である。
【図３】本発明による実施形態によるリソグラフィー構成の一部の概略を示す図である。
【図４】本発明による実施形態により制御可能なウオータマーク欠陥の画像である。
【図５ａ】本発明による実施形態による図であり、レジスト内の光酸発生剤濃度が３重量パーセントにおけるウオータマーク欠陥の画像である。
【図５ｂ】本発明による実施形態による図であり、レジスト内の光酸発生剤濃度が６重量パーセントにおけるウオータマーク欠陥の画像である。
【図５ｃ】本発明による実施形態による図であり、レジスト内の光酸発生剤濃度が９重量パーセントにおけるウオータマーク欠陥の画像である。
【図６ａ】本発明による実施形態による図であり、光酸発生剤がＴＰＳＴでのウオータマーク欠陥の画像である。
【図６ｂ】本発明による実施形態による図であり、光酸発生剤がＴＰＳＮでのウオータマーク欠陥の画像である。
【図６ｃ】本発明による実施形態による図であり、光酸発生剤がＴＰＳＯでのウオータマーク欠陥の画像である。
【図７ａ】本発明による実施形態による図であり、レジスト内のクェンチャー濃度が１５モルパーセントにおけるウオータマーク欠陥の画像である。
【図７ｂ】本発明による実施形態による図であり、レジスト内のクェンチャー濃度が３０モルパーセントにおけるウオータマーク欠陥の画像である。
【図７ｃ】本発明による実施形態による図であり、レジスト内のクェンチャー濃度が６０モルパーセントにおけるウオータマーク欠陥の画像である。
【図８ａ】本発明による実施形態による図であり、一定のＰＡＧ／クェンチャー比にて、異なる光酸発生剤（ＰＡＧ）濃度かつ異なるクェンチャー濃度で、レジスト内のＰＡＧ濃度が３重量パーセントにおけるウオータマーク欠陥の画像である。
【図８ｂ】本発明による実施形態による図であり、一定のＰＡＧ／クェンチャー比にて、異なる光酸発生剤（ＰＡＧ）濃度かつ異なるクェンチャー濃度で、レジスト内のＰＡＧ濃度が６重量パーセントにおけるウオータマーク欠陥の画像である。
【図９ａ】本発明による実施形態による図であり、露光後ベーク温度が１００℃におけるウオータマーク欠陥の画像である。
【図９ｂ】本発明による実施形態による図であり、露光後ベーク温度が１０５℃におけるウオータマーク欠陥の画像である。
【図９ｃ】本発明による実施形態による図であり、露光後ベーク温度が１１０℃におけるウオータマーク欠陥の画像である。
【図９ｄ】本発明による実施形態による図であり、露光後ベーク温度が１１０℃におけるウオータマーク欠陥の画像である。
【符号の説明】
【００５６】
２５０…レジスト材料、２５２…樹脂、２５４…光酸発生剤成分、
２５６…クェンチャー成分。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図６ｃ】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図９ａ】
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【図９ｂ】
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【図９ｃ】
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【図９ｄ】
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【外国語明細書】
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