(57)【要約】【課題】本発明は、プリント回路基板やハイブリッドＩＣ（ＨＩＣ）上に実装される実装面を備えた表面実装型のコイル部品に関し、インピーダンス特性に優れ、小型・低背のコイル部品を提供することを目的とする。【解決手段】配線数３の多配線領域と、多配線領域に対向配置された配線数２の少配線領域とを備え、多配線領域の最外周からそれと対向する基板の一側面部２までの間隔である多配線側間隔ａが、少配線領域の最外周からそれと対向する基板の他側面部４までの間隔である少配線側間隔ｂより長くなるように配置されたコイル導体３３、３５を有するコイル部品である。【選択図】図２
2008053754.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間にスパイラル状に形成され、配線数Ｎの多配線領域と、前記多配線領域に対向配置された配線数（Ｎ−１）の少配線領域とを備え、前記多配線領域の最外周からそれと対向する前記基板の一側面部までの間隔である多配線側間隔が、前記少配線領域の最外周からそれと対向する前記基板の他側面部までの間隔である少配線側間隔より長くなるように配置されたコイル導体とを有し、
２つの前記コイル導体が、並設して形成されており、
前記２つのコイル導体のうちの一方の前記多配線側間隔と、他方の前記多配線側間隔とは、重複して配置されていること
を特徴とするコイル部品。
【請求項２】
請求項１記載のコイル部品であって、
前記２つのコイル導体は、前記多配線領域を向き合わせて形成されていることを特徴とするコイル部品。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のコイル部品であって、
前記２つのコイル導体の間にさらに別のコイル導体が形成されていることを特徴とするコイル部品。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のコイル部品であって、
前記多配線側間隔内の磁束通過面積は、前記少配線側間隔内の磁束通過面積より広いことを特徴とするコイル部品。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のコイル部品であって、
前記コイル導体に絶縁膜を介して対向配置されてコモンモードチョークコイルを構成するコイル導体がさらに形成されていることを特徴とするコイル部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板やハイブリッドＩＣ（ＨＩＣ）上に実装される実装面を備えた表面実装型のコイル部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器の内部回路に実装されるコイル部品には、フェライトコアに銅線を巻回した巻線型や、フェライト等の磁性体シート表面にコイル導体パターンを形成して当該磁性体シートを積層した積層型や、薄膜形成技術を用いて絶縁膜と金属薄膜のコイル導体とを交互に形成した薄膜型が知られている。
【０００３】
特許文献１には、薄膜型のコイル部品としてのコモンモードチョークコイルが開示されている。また、特許文献２には、薄膜型のコイル部品として２個のコモンモードチョークコイルが並設されたコモンモードチョークコイルアレイが開示されている。コモンモードチョークコイルは対向配置された２枚の磁性基板間にほぼ同一形状の２つのコイル導体が絶縁膜を介して積層された構造を有している。図６は、従来のコモンモードチョークコイルのコイル導体の配置形状を示している。図６（ａ）は、コモンモードチョークコイル１０１の実装面側から見たコイル導体の平面形状を示している。図６（ａ）では、図示を明確にするため、積層された２つのコイル導体１３３、１３５のうち、コイル導体１３３だけを示している。図６（ｂ）は、図６（ａ）に示された、コイル導体１３３の中心軸を通る仮想線Ａ−Ａで切断した断面を示している。
【０００４】
図６（ａ）に示すように、コイル導体１３３は、絶縁膜１０７ｂ上でスパイラル状に形成されている。コイル導体１３３の内周側端部は絶縁膜１０７ｂに形成されたスルーホール１３１を介して、絶縁膜１０７ｂ下層に形成された図中破線で示すリード線１２９の一端部に接続されている。リード線１２９の他端部は絶縁膜１０７ｂ周囲端部に形成された内部電極端子１２１に接続されている。また、コイル導体１３３の外周側端部は内部電極端子１２１に対向して絶縁膜１０７ｂ周囲端部に形成された内部電極端子１２５に接続されている。
【０００５】
図６（ｂ）に示すように、磁性基板１０３、１０５間には、絶縁膜１０７ａ、絶縁膜１０７ｂ、導電性のコイル導体１３３、絶縁膜１０７ｃ、導電性のコイル導体１３５、絶縁膜１０７ｄ、絶縁膜１０７ｅ及び接着層１１１がこの順に積層されている。コイル導体１３５は、コイル導体１３３とほぼ同様のスパイラル状に形成され、絶縁膜１０７ｃを挟んでコイル導体１３３と対面している。また、コイル導体１３５は絶縁膜１０７ｄに形成されたスルーホール（不図示）を介して、絶縁膜１０７ｄ上に形成されたリード線（不図示）に接続されている。
【０００６】
コイル導体１３３、１３５、リード線１２９及びコイル導体１３５に接続されたリード線は、絶縁膜１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ、１０７ｄ、１０７ｅからなる絶縁層７中に埋め込まれて１つのチョークコイルを構成している。また、コイル導体１３３はリード線１２９及び内部電極端子１２１、１２５を介して磁性基板１０３、１０５の周囲に形成された外部電極（不図示）にそれぞれ接続されている。同様に、コイル導体１３５はリード線及び内部電極端子を介して磁性基板１０３、１０５の周囲に形成された別の外部電極（不図示）にそれぞれ接続されている。
【特許文献１】特開平８−２０３７３７号公報
【特許文献２】特開２００３−２１７９３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器の小型化に伴い、コイル部品等の電子部品にはチップサイズの小型化及び部品厚の薄型化（低背化）が求められている。巻線型のコイルは構造上の制約から小型化が困難であるという問題を有している。これに対し、積層型のコイルや薄膜型のコモンモードチョークコイル１０１は小型化・低背化が可能である。
【０００８】
また、コモンモードチョークコイル１０１のインピーダンスを高くするためには、磁性基板１０３、１０５や絶縁層１０７の比透磁率を上げたりコイル導体１３３、１３５の巻数を増やしたりすることが必要になる。ところが、どのような材料であっても、コイル導体１３３、１３５に通電する電流の周波数が高くなると比透磁率は減少するので、高周波帯域では高い比透磁率を得難いという問題を有している。
【０００９】
また、コイル導体１３３、１３５の巻数を増やすためには、導体幅を細くしたり、狭ピッチ化したりしなければならない。ところが、コモンモードチョークコイル１０１の小型化に伴い、コイル導体１３３、１３５の細線化や狭ピッチ化は困難になりつつある。
【００１０】
図６（ｂ）に示すコイル導体１３３、１３５の中心軸を含む断面において、コイル導体１３３、１３５は中心軸の左右で配線数が異なっている。コイル導体１３３、１３５に通電することにより生じる磁束線の数は配線数の多い方が多くなる。コイル導体１３３、１３５の最外周から磁性基板１０３、１０５の側面部までの間隔を間隔ｃとした場合、配線数の少ない領域では発生する磁束線の数が少ないため、当該磁束線はコイル導体１３３、１３５の最外周から磁性基板１０３、１０５の側面部までの領域を通過することができる。このため、コイル導体１３３、１３５に通電することにより、配線数の少ない領域において、磁性基板１０３、コイル導体１３３、１３５の内周部の絶縁層１０７、絶縁層１０７上の接着層１１１、磁性基板１０５、接着層１１１及びコイル導体１３３、１３５の外周部の絶縁層１０７をこの順に通る磁路Ｍが形成される。
【００１１】
ところが、配線数の多い領域では発生する磁束線の数が配線数の少ない領域より多くなるため、当該磁束の一部はコイル導体１３３、１３５の最外周から磁性基板１０３、１０５の側面部までの領域を通過することができず、コモンモードチョークコイル１０１の外部に漏洩してしまう。このため、コイル導体１３３、１３５のインダクタンスを十分に大きくすることができなくなってしまい、コモンモードチョークコイル１０１のインピーダンスを十分に高くすることが困難であるという問題を有している。
【００１２】
特許文献２に開示されているコモンモードチョークコイルアレイでは、互いに隣り合うようにチップ素体中に配設された２つのコモンモードチョークコイル素子は、互いに隣り合う側の巻回数が隣り合わない側の巻回数より少なくなるように配置されている。このため、磁性体基板の周囲端部側にはコモンモードチョークコイル素子の巻回数の多い方が配置されることになる。従って、コモンモードチョークコイルアレイの小型化を図ると、コモンモードチョークコイル素子の最外周部と磁性体基板の周囲端部との間隔が短くなり、コモンモードチョークコイル素子によって生じた磁束線の一部がコモンモードチョークコイルアレイの外部に漏洩し、インピーダンスを十分に高くできないという問題を有している。
【００１３】
また、磁束線がコモンモードチョークコイル１０１外部に漏れないようにコイル導体１３３、１３５の最外周から磁性基板１０３、１０５の側面部までの間隔ｃを長くすると、コモンモードチョークコイル１０１が大きくなってしまうので、部品の小型化が図れないという問題を有している。  
【００１４】
本発明の目的は、インピーダンス特性に優れ、小型・低背のコイル部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的は、対向配置された一対の基板と、前記一対の基板間にスパイラル状に形成され、配線数Ｎの多配線領域と、前記多配線領域に対向配置された配線数（Ｎ−１）の少配線領域とを備え、前記多配線領域の最外周からそれと対向する前記基板の一側面部までの間隔である多配線側間隔が、前記少配線領域の最外周からそれと対向する前記基板の他側面部までの間隔である少配線側間隔より長くなるように配置されたコイル導体とを有することを特徴とするコイル部品によって達成される。
【００１６】
上記本発明のコイル部品であって、２つの前記コイル導体が、前記多配線領域を向き合わせて並設して形成されていることを特徴とする。
【００１７】
上記本発明のコイル部品であって、前記２つのコイル導体の間にさらに別のコイル導体が形成されていることを特徴とする。
【００１８】
上記本発明のコイル部品であって、前記多配線側間隔内の磁束通過面積は、前記少配線側間隔内の磁束通過面積より広いことを特徴とする。
【００１９】
上記本発明のコイル部品であって、前記コイル導体に絶縁膜を介して対向配置されてコモンモードチョークコイルを構成するコイル導体がさらに形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、インピーダンス特性に優れ、小型・低背のコイル部品が実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態によるコイル部品について図１乃至図３を用いて説明する。本実施の形態では、コイル部品として、平衡伝送方式における電磁妨害の原因となるコモンモード電流を抑制するコモンモードチョークコイルを例にとって説明する。図１は、コモンモードチョーク１を示す斜視図である。図１では理解を容易にするため、外部電極１３で覆われて本来視認できない内部電極端子２１、絶縁層７中に形成されたコイル導体３３、スルーホール３１及びコイル導体３３にスルーホール３１を介して接続されたリード線２９並びにコイル導体３３に接続された内部電極端子２５を透過的に示している。また、コイル導体３３上に絶縁膜を介して積層されたコイル導体３５等の図示は省略している。
【００２２】
図１に示すように、コモンモードチョークコイル１は、対向配置された薄板直方体状の２つの磁性基板３、５間に薄膜を積層して形成した直方体状の外形を有している。磁性基板３、５間には、絶縁層７、コイル導体３３等を形成したコイル層及び接着層１１が薄膜形成技術を用いて順次形成されている。コイル層には、絶縁膜を介してコイル導体３３に対面するコイル導体３５（図２（ｂ）参照）が形成されている。
【００２３】
外部電極１３は、内部電極端子２１の露出する側面部上と、磁性基板３、５のそれぞれの実装面上とに形成されている。外部電極１５、１７、１９も外部電極１３と同様の形状に形成されている。外部電極１３、１７は、側面部に露出した内部電極端子２１、２５と電気的にそれぞれ接続されている。外部電極１３はリード線２９及びコイル導体３３を介して外部電極１７に電気的に接続されている。また、外部電極１５は、絶縁膜を介してコイル導体３３に対面して形成された不図示のコイル導体３５を介して、外部電極１９に電気的に接続されている。
【００２４】
図２は、コモンモードチョークコイル１のコイル導体３３、３５の配置形状を示している。図２（ａ）は、コモンモードチョークコイル１の実装面側から見たコイル導体３３の平面形状を示している。図２（ａ）では、図示を明確にするため、積層されたほぼ同一形状の２つのコイル導体３３、３５のうちコイル導体３３だけを示しているが、以下の説明におけるコイル導体３３の形状や配置関係等はコイル導体３５にも同様に適用される。図２（ｂ）は、図２（ａ）に示された、コイル導体３３の中心軸を通る仮想線Ａ−Ａで切断した断面を示している。図２（ａ）に示すように、コイル導体３３はスパイラル状に形成されている。コイル導体３３の内周側端部は絶縁膜７ｂに形成されたスルーホール３１を介して、絶縁膜７ｂ下層に形成された図中破線で示すリード線２９の一端部に接続されている。リード線２９の他端部は絶縁膜７ｂ周囲端部に形成された内部電極端子２１に接続されている。また、コイル導体３３の外周側端部は内部電極端子２１に対向して絶縁膜７ｂ周囲端部に形成された内部電極端子２５に接続されている。
【００２５】
図２（ｂ）に示すように、磁性基板３、５間には、絶縁膜７ａ、絶縁膜７ｂ、導電性のコイル導体３３、絶縁膜７ｃ、導電性のコイル導体３５、絶縁膜７ｄ、絶縁膜７ｅ及び接着層１１がこの順に積層されている。コイル導体３５は、コイル導体３３とほぼ同様のスパイラル状に形成され、絶縁膜７ｃを挟んでコイル導体３３と対面している。また、コイル導体３５は絶縁膜７ｄに形成されたスルーホール（不図示）を介して、絶縁膜７ｄ上に形成されたリード線（不図示）に接続されている。コイル導体３３、３５、リード線２９及びコイル導体３５に接続されたリード線は絶縁膜７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅからなる絶縁層７中に埋め込まれて１つのチョークコイルを構成している。
【００２６】
磁性基板３、５は焼結フェライト、複合フェライト等の磁性材料で形成されている。絶縁膜７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅはそれぞれポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の絶縁性に優れ加工性のよい材料を塗布して所定形状にパターンニングして形成されている。コイル導体３３、３５、リード線２９及び内部電極端子２１、２５は、電気伝導性及び加工性に優れたＣｕ、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等を成膜して所定形状にパターンニングして形成されている。
【００２７】
図２（ａ）に示すようにコイル導体３３は、図右下の内部電極端子２１を始点としてリード線２９を介してスルーホール３１から反時計回りに外側に２回と約１／４回だけ巻き回されたスパイラル状を呈しており、終点は図右上の内部電極端子２５に接続されている。これにより、図２（ｂ）に示すように少なくともコイル導体３３の中心軸を通るＡ−Ａ線での切断面に示されるコイル導体３３の配線数（巻回数）は図右側が３本で図左側が２本となる。一般にコイル導体の始点と終点とが対向配置される場合には、図２に示すように、コイル導体３３の配線数Ｎ（図２ではＮ＝３）の領域（以下、多配線領域という）と、多配線領域に対向する配線数（Ｎ−１）の領域（以下、少配線領域という）とが必ず形成される。
【００２８】
そこで、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル１では、コイル導体３３の配置位置を従来に比して基板側面部４側にずらして、多配線領域の最外周端部からそれと対向する基板側面部２までの間隔（以下、多配線側間隔という）ａが、少配線領域の最外周端部からそれと対向する基板側面部４までの間隔（以下、少配線側間隔）ｂより長くなるようにしている。つまり、多配線側間隔ａ、少配線側間隔ｂ、及び従来の間隔ｃの関係を、ａ＞ｃ＞ｂであって、ａ＋ｂ＝２ｃとなるようにしている。
【００２９】
発生する磁束線の数はコイル導体３３の配線数に比例するので、多配線領域周囲に生じる磁束線の数は少配線領域周囲に生じる磁束線の数より多くなる。多配線側間隔ａは従来の間隔ｃより長いので多配線側間隔ａ内の磁束通過面積は、従来の間隔ｃ内の磁束通過面積より広くなるため、図２（ｂ）に示すように、発生する全ての磁束線はコイル導体３３、３５の中心軸を含む断面において、磁性基板３、コイル導体３３、３５の内周部の絶縁層７、絶縁層７上の接着層１１、磁性基板５、接着層１１及びコイル導体３３、３５の外周部の絶縁層７（磁路形成部２）をこの順（又は逆順）に通ることができ、磁路Ｍ１は実質的にコモンモードチョークコイル１内だけに形成される。
【００３０】
一方、少配線側間隔ｂは従来の間隔ｃより短いので少配線側間隔ｂ内の磁束通過面積は、従来の間隔ｃ内の磁束通過面積より狭くなる。しかしながら、少配線領域周囲の磁束線の数は多配線領域周囲の磁束線の数より少ないので、少配線領域周囲に生じる全ての磁束線は、コイル導体３３、３５の中心軸を含む断面において、磁性基板３、コイル導体３３、３５の内周部の絶縁層７、絶縁層７上の接着層１１、磁性基板５、接着層１１及びコイル導体３３、３５の外周部の絶縁層７（磁路形成部４）をこの順（又は逆順）に通ることができ、磁路Ｍ２は実質的にコモンモードチョークコイル１内だけに形成される。
【００３１】
これにより、従来と同様の小型、低背化を維持しつつ、コイル導体３３を通電させた際に多配線領域周囲に発生する比較的大きな磁束を側面部２から外部に漏らすことなく通過させる領域を確保できるようになる。従って、コイル導体３３、３５のインダクタンスを大きくすることができ、コモンモードチョークコイル１のインピーダンス特性を向上させることができる。
【００３２】
次に、本実施の形態による電子部品の製造方法についてコモンモードチョークコイル１を例にとって図３を用いて説明する。コモンモードチョークコイル１はウェハ上に同時に多数形成されるが、図３は、１個のコモンモードチョークコイル１の積層構造を分解して斜めから視た状態を示している。図１に示したコモンモードチョークコイル１の構成要素と同一の作用・機能を奏する構成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。
【００３３】
まず、図３に示すように、磁性基板３上にポリイミド樹脂を塗布して絶縁膜７ａを形成する。絶縁膜７ａはスピンコート法、ディップ法、スプレー法又は印刷法等により形成される。後程説明する各絶縁膜は絶縁膜７ａと同様の方法で形成される。
【００３４】
次に、真空成膜法（蒸着、スパッタリング等）又はめっき法により全面にＣｕ等の金属層（不図示）を形成し、フォトリソグラフィを用いたエッチング法又はアディティブ法（めっき）等により当該金属層をパターンニングし、磁性基板３周囲に位置する内部電極端子２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａを形成する。同時に、内部電極端子２１ａに接続されるリード線２９を形成する。後程説明する各金属層は、内部電極端子２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａと同様の形成方法が用いられる。
【００３５】
次に、全面にポリイミド樹脂を塗布してパターンニングし、内部電極端子２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａと、内部電極端子２１ａに接続されていないリード線２９の端部を露出させた開口を有する絶縁膜７ｂを形成する。これにより、リード線２９の端部を露出させたスルーホール３１が形成される。
【００３６】
次に、全面にＣｕ層等の金属層（不図示）を形成して全面にレジストを塗布する。次いで、図３に示す状態において多配線側間隔ａ及び少配線側間隔ｂが従来の間隔ｃについてａ＞ｃ＞ｂであってａ＋ｂ＝２ｃとなるように、配置位置を従来に比して左寄りにしてスルーホール３１から反時計回りに外側に２回と約１／４回だけ巻き回されたスパイラル状のコイルパターンが描画されたレチクルを用いて露光し現像してレジスト層をパターンニングする。次いで、レジストパターンをマスクにＣｕ層をエッチングして、コイル導体３３を形成する。同時に内部電極端子２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａ上に内部電極端子２１ｂ、２３ｂ、２５ｂ、２７ｂも形成する。コイル導体３３の一端子はスルーホール３１に露出しているリード線２９上に形成され、他端子は内部電極端子２５ｂに接続されて形成される。これにより、コイル導体３３を介して内部電極端子２１ａ、２１ｂ及び内部電極端子２５ａ、２５ｂが電気的に接続される。
【００３７】
次に、全面にポリイミド樹脂を塗布してパターンニングし、内部電極端子２１ｂ、２３ｂ、２５ｂ、２７ｂを露出させた開口を有する絶縁膜７ｃを形成する。
次に、全面にＣｕ層等の金属層（不図示）を形成して全面にレジストを塗布する。次いで、図３に示す状態において多配線側間隔ａ及び少配線側間隔ｂが従来の間隔ｃについてａ＞ｃ＞ｂであってａ＋ｂ＝２ｃとなるように、配置位置を従来に比して左寄りにしてスルーホール３７から反時計回りに外側に２回と約１／２回だけ巻き回されたスパイラル状のコイルパターンが描画されたレチクルを用いて露光し現像してレジスト層をパターンニングする。次いで、レジストパターンをマスクにＣｕ層をエッチングして、コイル導体３５を形成する。同時に内部電極端子２１ｂ、２３ｂ、２５ｂ、２７ｂ上に内部電極端子２１ｃ、２３ｃ、２５ｃ、２７ｃも形成する。
【００３８】
次に、全面にポリイミド樹脂を塗布してパターンニングし、内部電極端子２１ｃ、２３ｃ、２５ｃ、２７ｃと、コイル導体３５の他端子を露出させた開口を有する絶縁膜７ｄを形成する。これにより、コイル導体３５の他端子を露出させたスルーホール３７が形成される。
【００３９】
次に、全面にＣｕ層等の金属層（不図示）を形成してパターンニングし、内部電極端子２１ｃ、２３ｃ、２５ｃ、２７ｃ上に内部電極端子２１ｄ、２３ｄ、２５ｄ、２７ｄを形成する。同時に、内部電極端子２３ｄとスルーホール３７に露出するコイル導体３５の他端子とを接続するリード線３９を形成する。これにより、コイル導体３５及びリード線３９を介して内部電極端子２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ）と内部電極端子２７（２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄ）とが電気的に接続される。
【００４０】
次に、全面にポリイミド樹脂を塗布して絶縁膜７ｅを形成する。次に、絶縁膜７ｅ上に接着剤を塗布して接着層１１を形成する。次いで、磁性基板５を接着層１１に固着する。
【００４１】
次に、ウェハを切断してチップ状の個々のコモンモードチョークコイル１に切断分離する。これにより、コモンモードチョークコイル１の切断面には、内部電極端子２１、２３、２５、２７が露出する。次に、コモンモードチョークコイル１を研磨して角部の面取りを行う。
【００４２】
次に、図示は省略するが、コモンモードチョークコイル１の内部電極端子２１、２３、２５、２７上に外部電極１３、１５、１７、１９と同形状の下地金属膜を形成する。下地金属膜はマスクスパッタ法によりクロム（Ｃｒ）／Ｃｕ膜又はチタン（Ｔｉ）／Ｃｕ膜を連続成膜して形成される。
【００４３】
次に、電気めっきで下地金属膜表面にニッケル（Ｎｉ）と錫（Ｓｎ）との２層構造の外部電極１３、１５、１７、１９を形成して、図１に示すコモンモードチョークコイル１が完成する。
【００４４】
以上説明したように、本実施の形態のコイル部品によれば、従来と同様の製造工程を用いて、多配線側間隔ａが少配線側間隔ｂより長くなるようにして、多配線側間隔ａ、少配線側間隔ｂ、及び従来の間隔ｃの関係を、ａ＞ｃ＞ｂであってａ＋ｂ＝２ｃとなるようにできるので、高いインピーダンスを有する小型・低背のコモンモードチョークコイル１を製造できる。
【００４５】
〔第２の実施の形態〕
本発明の第２の実施の形態によるコイル部品について図４及び図５を用いて説明する。本実施の形態では、コイル部品として、２個のチョークコイルが並設されたコモンモードチョークコイルアレイ４０を例にとって説明する。図４は、本実施の形態によるコモンモードチョークコイルアレイ４０の分解斜視図である。図１に示したコモンモードチョークコイル１の構成要素と同一の作用・機能を奏する構成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。
【００４６】
図４に示すように、コモンモードチョークコイルアレイ４０は、磁性基板３、５の対向面に平行な面内で、絶縁膜を介して積層されたコイル導体３３、３５及びリード線２９、３９からなるコモンモードチョークコイルと、当該コモンモードチョークコイルに隣接して絶縁膜を介して積層されたコイル導体５３、５５及びリード線４９、５９からなるコモンモードチョークコイルとを有している。コイル導体３３、３５で構成されるコモンコモンモードチョークコイルは、上記実施の形態のコモンモードチョークコイル１と同様の構成を有している。
【００４７】
すなわち、コイル導体３３は、内部電極端子２１を始点としてリード線２９を介してスルーホール３１から反時計回りに外側に２回と約１／４回だけ巻き回されたスパイラル状を呈しており、終点は内部電極端子２５に接続されている。コイル導体３５は、内部電極端子２３を始点としてリード線３９を介してスルーホール３７から反時計回りに外側に２回と約１／２回だけ巻き回されたスパイラル状を呈し、終点は内部電極端子２７に接続されている。これにより、コイル導体３３、３５の多配線領域が素子中心部に向き、少配線領域が素子外方に向いて配置されるので、図４に示すように少配線側間隔ｂに対し十分長い多配線側間隔ａを確保することができる。
【００４８】
コイル導体５３、５５で構成されるコモンモードチョークコイルも同様に、磁性基板３、５間に、絶縁膜７ａ、導電性のリード線４９、絶縁膜７ｂ、導電性のコイル導体５３、絶縁膜７ｃ、導電性のコイル導体５５、絶縁膜７ｄ、導電性のリード線５９、絶縁膜７ｅ及び接着層１１がこの順に積層されている。
【００４９】
コイル導体５３は、内部電極端子４３を始点としてリード線４９を介してスルーホール５１から時計回りに外側に２回と約１／４回だけ巻き回されたスパイラル状を呈しており、終点は内部電極端子４７に接続されている。コイル導体５５は、内部電極端子４１を始点としてリード線５９を介してスルーホール５７から時計回りに外側に２回と約１／２回だけ巻き回されたスパイラル状を呈し、終点は内部電極端子４５に接続されている。これにより、コイル導体５３、５５の多配線領域が素子中心部に向き、少配線領域が素子外方に向いて配置されるので、図４に示すように、少配線側間隔ｂ’（＝ｂ）に対し十分長い多配線側間隔ａ’（＝ａ）を確保することができる。
【００５０】
コイル導体３３、３５及びコイル導体５３、５５は、互いに多配線領域が向き合うように配置されている。このため、多配線側間隔ａと多配線側間隔ａ’とを重複して配置できるので、従来と同一の外観形状及び寸法で素子外部に漏れ磁束を生じさせずにコモンモードチョークコイルアレイ４０内のみに閉磁路を形成できる。従って、各チョークコイルにおける漏れ磁束の発生が防止され、各コイル導体のインダクタンスを大きくすることができる。
【００５１】
図５は、本実施の形態のコモンモードチョークコイルアレイ４０と従来のコモンモードチョークコイルアレイのインダクタンスの周波数特性を示している。横軸は周波数（ＭＨｚ）を対数表示し、縦軸はインダクタンスＬ（ｎＨ）を線形表示している。また、図中の曲線Ａは本実施の形態のコモンモードチョークコイルアレイ４０の特性を表し、曲線Ｂは従来のコモンモードチョークコイルアレイの特性を表している。コモンモードチョークコイルアレイ４０と従来のコモンモードチョークコイルアレイは共にいわゆる２０１０型のコイル部品であり、外形寸法は、横の長さが２．０ｍｍであり、縦の長さが１．０ｍｍであり、高さが０．８５ｍｍである。コモンモードチョークコイルアレイ４０の多配線側間隔ａ、ａ’は１．２ｍｍであり、少配線側間隔ｂ、ｂ’は０．２ｍｍである。
【００５２】
従来のコモンモードチョークコイルアレイは、並設された２つのコイル導体の少配線領域が向き合うように配置されている。このため、従来のコモンモードチョークコイルアレイは、多配線側間隔は０．２ｍｍであり、少配線側間隔は１．２ｍｍになっている。本実施の形態のコモンモードチョークコイルアレイ４０と従来のコモンモードチョークコイルアレイは、チョークコイルの配置以外については全て同様に形成されている。
【００５３】
図５に示すように、本実施の形態のコモンモードチョークコイルアレイ４０は、従来のコモンモードチョークコイルアレイより大きいインダクタンスが得られている。従来のコモンモードチョークコイルアレイは多配線側間隔が短いので多数の磁束線が通過する面積が狭くなるので漏れ磁束が生じてしまい、コモンモードチョークコイルアレイのインダクタンスを大きくできない。一方、本実施の形態のコモンモードチョークコイルアレイ４０は多配線側間隔ａを長くして磁束線の通過面積を十分に確保しているので、漏れ磁束の発生を防止して磁路をコモンモードチョークコイルアレイ４０内だけに形成できる。これにより、コモンモードチョークコイルアレイ４０のインダクタンスは、従来のコモンモードチョークコイルアレイのインダクタンスより大きくなる。
【００５４】
コモンモードチョークコイルアレイ４０の製造方法は、上記実施の形態の製造方法と同様であるため、説明は省略する。
以上説明したように、本実施の形態のコイル部品によれば、コモンモードチョークコイルアレイ４０は２つのチョークコイルの多配線領域を互いに向き合わせて配置することによりインダクタンスを大きくできる。これにより、高いインピーダンスを有する小型・低背のコモンモードチョークコイルアレイ４０が製造できる。
【００５５】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
上記第２の実施の形態では、並設された２組のコイル導体３３、３５及びコイル導体５３、５５を有するコモンモードチョークコイルアレイ４０を例に説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、並設された２組のコイル導体の間に１又は２以上のコイル導体をさらに追加して並設してもよい。追加したコイル導体は、２組のコイル導体３３、３５及びコイル導体５３、５５の間に配置されるため多配線領域に対応した十分な長さの多配線側間隔ａが確保できるので、上記実施の形態と同様の効果が得られる。
【００５６】
また、上記第１及び第２の実施の形態によるコイル部品は、コモンモードチョークコイル１及びコモンモードチョークコイルアレイ４０を例に説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、ノイズ対策用、共振回路用及びインピーダンスマッチング用のコイル部品に適用しても同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態によるコモンモードチョークコイル１を示す図である。
【図３】本発明の第１の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法を説明するための分解斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態によるコモンモードチョークコイルアレイ４０の分解斜視図である。
【図５】本発明の第２の形態によるコモンモードチョークコイルアレイ４０と従来のコモンモードチョークコイルアレイのインダクタンスの周波数特性を示す図である。
【図６】従来のコモンモードチョークコイル１０１の断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１、１０１  コモンモードチョークコイル
２、４  側面部
３、５、１０３、１０５  磁性基板
７、１０７  絶縁層
７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅ、１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ、１０７ｄ、１０７ｅ  絶縁膜
１１、１１１  接着層
１３、１５、１７、１９  外部電極
２３、２７、２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａ、２１ｂ、２３ｂ、２５ｂ、２７ｂ、２１ｃ、２３ｃ、２５ｃ、２７ｃ、２１ｄ、２３ｄ、２５ｄ、２７ｄ、４１ａ、４３ａ、４５ａ、４７ａ、４１ｂ、４３ｂ、４５ｂ、４７ｂ、４１ｃ、４３ｃ、４５ｃ、４７ｃ、４１ｄ、４３ｄ、４５ｄ、４７ｄ、１２１、１２５  内部電極端子
２９、３９、４９、５９、１２９  リード線
３３、３５、５３、５５、１３３、１３５  コイル導体
３１、３７、５１、５７、１３１  スルーホール
４０  コモンモードチョークコイルアレイ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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