(57)【要約】【課題】高集積の配線構造を有する電気機械装置組立体、光変調装置組立体、及びこられを用いた高解像度を実現できる画像生成装置を提供する。【解決手段】１次元型の光変調装置１３と、光変調装置１３を変調する駆動部１６と、これらを支持する支持部材２５とを有する光変調装置組立体４３において、光変調装置１３と駆動部１６とを接続する配線が、前記支持部材２５の内部の配線回路を介して結線される。【選択図】図２
2008139486.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電駆動型の複数の電気機械素子を有する電気機械装置と、前記電気機械装置を駆動する駆動部と、これらを支持する支持部材とを有する電気機械装置組立体であって、
前記電気機械装置と前記駆動部とを接続する配線が、前記支持部材の内部の配線回路を介して結線される
ことを特徴とする電気機械装置組立体。
【請求項２】
静電駆動型の複数の電気機械素子を有する電気機械装置と、前記電気機械装置を駆動する駆動部と、これらを支持する支持部材とを有する電気機械装置組立体であって、
前記電気機械装置と前記駆動部とを接続する配線が、前記電気機械装置と前記駆動部との間に設けられた配線用部材の内部の配線回路を介して結線される
ことを特徴とする電気機械装置組立体。
【請求項３】
静電駆動型の複数の電気機械素子を有する電気機械装置と、前記電気機械装置を駆動する駆動部と、
これらを支持する支持部材とを有する画像生成装置であって、
前記電気機械装置と前記駆動部とを接続する配線が、前記支持部材の内部の配線回路、または前記電気機械装置と前記駆動部との間に設けられた配線用部材の内部の配線回路を介して結線される
ことを特徴とする画像生成装置。
【請求項４】
１次元型の光変調装置と、前記光変調装置を変調する駆動部と、これらを支持する支持部材とを有する光変調装置組立体であって、
前記光変調装置と前記駆動部とを接続する配線が、前記支持部材の内部の配線回路を介して結線される
ことを特徴とする光変調装置組立体。
【請求項５】
前記光変調装置を構成する複数の光変調素子と、前記配線回路とが、夫々略同一長さの前記配線により接続される
ことを特徴とする請求項４記載の光変調装置組立体。
【請求項６】
前記光変調装置及び前記駆動部が、前記支持部材に形成したキャビティー内に配置されて成る
ことを特徴とする請求項４に記載の光変調装置組立体。
【請求項７】
前記光変調装置又は前記駆動部の端子部と、前記配線回路に接続された電極パッドとが略同一面上に形成される
ことを特徴とする請求項６記載の光変調装置組立体。
【請求項８】
前記支持部材の内部の配線回路が、２層以上の多層配線層によって構成される
ことを特徴とする請求項４に記載の光変調装置組立体。
【請求項９】
１次元型の光変調装置と、前記光変調装置を変調する駆動部と、これらを支持する支持部材とを有する光変調装置組立体であって、
前記光変調装置と前記駆動部とを接続する配線が、前記光変調装置と前記駆動部との間に設けられた配線用部材の内部の配線回路を介して結線される
ことを特徴とする光変調装置組立体。
【請求項１０】
前記光変調装置を構成する複数の光変調素子と、前記配線回路とが、夫々略同一長さの前記配線により接続される
ことを特徴とする請求項９記載の光変調装置組立体。
【請求項１１】
前記光変調装置又は前記駆動部の端子部と、配線用部材上の電極パッドとが略同一面上に形成される
ことを特徴とする請求項９に記載の光変調装置組立体。
【請求項１２】
前記配線用部材の内部の配線回路が、２層以上の多層配線層によって構成される
ことを特徴とする請求項９に記載の光変調装置組立体。
【請求項１３】
光源と、前記光源から出射される光を情報に応じて変調する光変調部と、前記光変調部から出射される光を投射する投射部とを有する画像生成装置であって、
前記光変調部には一以上の光変調装置組立体が配置され、
前記光変調装置組立体は、１次元型の光変調装置と、光変調装置を変調する駆動部と、これらを支持する支持部材とを有し、
前記光変調装置と駆動部とを接続する配線が前記支持部材内部または前記電気機械装置と前記駆動部との間に設けられた配線用部材内部の配線回路によって結線される
ことを特徴とする画像生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細な電気機械素子を有する電気機械装置を有する電気機械装置組立体及びこれを用いた画像生成装置に関する。より具体的には、例えば回折格子より成る１次元型の光変調装置を有する光変調装置組立体及び、これを用いた画像生成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学的な機能を有する微小電気機械素子、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子を用いた製品開発は現在数多く行われており、その多くは光の進行方向の制御や光のオン／オフを行うような、広義の光スイッチングシステムとして用いられている。この光スイッチングシステムの一種として、回折格子の機能を有する光ＭＥＭＳ素子より成るいわゆる１次元型の光変調装置が知られている（特許文献１及び２参照。）。
【０００３】
近年、プロジェクターやレーザプリンタ等の画像生成装置において、このような１次元型の光変調装置を用い、この光変調装置からの光束を光走査手段で走査しながら画像形成手段に投影することで２次元画像を生成する画像生成装置の開発がなされている。
【０００４】
図１４は、このような1次元型の光変調装置の一例の要部の概略斜視構成図である。この光変調素子１は、基板１２上に形成した下部電極３３と、この下部電極３３をブリッジ状に跨ぐように配置した梁（ビーム）となるリボン状の第１の電極３１及び第２の電極３２とを有して構成される。第１の電極３１及び第２の電極３２は例えば交互に配置され、これら第１の電極３１及び第２の電極３２と下部電極３３とは、その間の空間によって電気的に絶縁されている。また、第１の電極３１及び第２の電極３２は、例えばその両端が屈曲されて支持部３１Ａ及び３１Ｂ、３２Ａ及び３２Ｂとされ、この支持部３１Ａ及び３１Ｂ、３２Ａ及び３２Ｂを介して基板１２に支持されて構成される。
【０００５】
ここで基板１２は、例えば、シリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体基板上に絶縁膜を形成した基板、石英基板やガラス基板のような絶縁性基板などが用いられる。下部電極３３は、不純物をドーピングした多結晶シリコン膜、金属膜（多結晶Ｗ，Ｃｒ）などで形成される。第１の電極３１及び第２の電極３２は、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）等の絶縁性材料より成る下地膜７と、その上面に形成され、導電性を有する材料から成る上部電極８とから構成される。この場合上部電極８としては、例えば高い反射率を有するＡｌ等より成り、少なくともその上面中央部が反射領域９として構成される。
【０００６】
図１４においては、複数の電極３１、３２のうち、１つおきに設けた第１の電極３１を例えば固定電極とし、他の１つおきの第２の電極３２を可動電極としてこれに電圧を印加して、静電引力によって基板１２側にたわませた状態を示す。図示の例においては、３本の第１の電極３１と２本の第２の電極のみを示しているが、光変調素子１としては、１本〜数本ずつ、例えば３本ずつの合計６本の第１の電極３１及び第２の電極３２より構成することができる。図１４に示す状態の第１の電極３１の長手方向の概略断面構成図を図１５Ａに示し、第２の電極３２の長手方向の概略断面構成図を図１５Ｂに示す。
上述したように、第２の電極３２に電圧を印加すると、下部電極３３は例えば接地状態にあるので、第２の電極３２と下部電極３３との間に静電気力（クーロン力）が発生し、この静電気力によって第２の電極３２が下部電極３３側に変位する。そして、このような第２の電極３２の変位に基づき、第２の電極３２と第１の電極３１とによって反射型の回折格子が形成される。図１５Ｂにおいて、電圧を印加しない状態の第２の電極３２の形状を破線で示す。
ここで、隣接する第１の電極３１の間の間隔をｄ、第１の電極３１及び第２の電極３２に入射する光の入射角をθｉ、波長をλ、回折角をθmとすると、
ｄ×［ｓｉｎ（θｉ）−ｓｉｎ（θm）］＝ｍ×λ
で表すことができる。ここで、ｍは次数であり、０，±１，±２・・・の値をとる。
そして、第２の電極３２の頂面と第１の電極３１の頂面の高さの差が（λ／４）のとき、回折光の光強度は最大の値となる。第２の電極３２に印加する電圧を適切に制御することによって、回折角度を連続的に変化させることが可能である。
【０００７】
図１６Ａは電圧を印加しない非駆動状態の電極の断面構成図を示し、図１６Ｂは電圧を印加した駆動状態の電極の断面構成図を示す。図１６Ａ及びＢにおいて、図１４と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。第１の電極３１及び第２の電極３２の上側表面を反射面とすることによって、図１６Ａに示すように、非駆動状態では、入射光Ｌｉに対し入射方向に戻る０次光Ｌ０が反射される。一方、図１６Ｂに示すように、電圧を印加した駆動状態では、第２の電極３２が矢印Ｓで示すように下部電極３３側に変位して回折格子が構成されることにより、入射光Ｌｉに対し±１次回折光Ｌ（＋１）及びＬ（−１）が回折される。
この回折作用により、第２の電極３２の駆動位置に応じてその光の反射方向が異なることを利用して、一方向の反射光を検出してスイッチ機能を持たせた光スイッチに適用できる。またこのような回折素子を多数並列配置して、所定の方向へ反射（回折）する光の強度を連続的に変える光変調装置として用いることができる。具体的には、例えば画像表示素子として、米国Silicon Light Machine社が開発した回折ライトバルブ（ＧＬＶ：Grating Light Valve）が知られている。この回折ライトバルブをプロジェクターの光変調素子として用いる場合には、第１及び第２の電極を一列に並べてできる１次元の画像をスキャニング、すなわち走査照射することによって２次元の画像を表示することができる。
【０００８】
更に、このような光変調素子において、第１及び第２の電極がその幅方向に傾斜するいわゆるブレーズ構造を採用することで、より高いコントラスト、輝度を実現することが可能である。これは、ブレーズ構造として電極を傾けることによって、回折光を２方向から１方向に限定できるためである。
図１７Ａ及びＢはこの様子を示す。図１７Ａは、電圧を印加しない非駆動状態第１の電極３１及び第２の電極３２の概略断面構造を示したものであり、図１７Ｂは、電圧を印加した駆動状態の電極の断面構造図を示したものである。図１７Ａにおいては、入射光Ｌ０に対し０次回折光Ｌ０と２次回折光Ｌ２が生じている。これに対し、図１７Ｂに示すように、1つおきの第２の電極３２に適切な電圧を印加すると、静電引力により下部電極３３側にこれら第２の電極３２がたわみ、回折格子が構成され、入射光Ｌ０に対し＋1次回折光Ｌ１のみが生じる。したがって、プロジェクターなどの光学装置にこのような光変調素子を用いる場合は、1次回折光が射出される方向に空間フィルターを設けることによって、より高いコントラスト及び輝度を実現できることとなる。
例えばＭ×Ｎ（例えば１９２０×１０８０）の画素（ピクセル）から構成された２次元画像を表示するためには、Ｎ個（＝１０８０個）の光変調素子から光変調装置を構成すればよい。更には、カラー表示のためには、３つの光変調装置組立体を用いればよい。
【０００９】
上述したような光変調装置をモジュールに組み込んだ光変調装置組立体の一例の概略断面構成図を図１８に示す。また、その概略平面構成図を図１９に示す。
この光変調装置組立体１０は、例えば図１４に示す構成の光変調素子が基体１２上に多数配置されて成る光変調装置１３を用いるもので、この光変調装置１３は、その実質的な光変調部分となる第１の電極３１及び第２の電極３２が配列された所謂リボン領域の部分（リボン部分）１３ａが、ガラス等の光透過性部材から成るカバー部１５に覆われ、低融点金属材料等より成る封止材１４により例えば気密に封止される。そしてこの光変調装置１３に隣接してこれを駆動する駆動部１６、いわゆるドライバーチップが、光変調装置１３と共に、枠体を有する支持部材（いわゆるパッケージ）２５上に接着剤２１を介して配置される。
【００１０】
以上のような光変調装置組立体１０においては、光変調装置１３と駆動部１６は、それぞれワイヤーボンドによるワイヤー配線５６によって接続される。このとき、光変調装置１３側のワイヤー配線５６は、基体１２の表面領域の封止材１４よりも外側の部分にある接続端子（電極パッド）に接続される。そして、支持部材２５上の光変調装置１３及び駆動部１６等は、光透過性材料により成る埋め込み樹脂２４により埋め込まれる。さらに、支持部材２５の枠体の外部には、例えばフレキシブルプリント基板等の配線取り出し部５５を有し、駆動部１６からのワイヤー配線により導電層５９を介して駆動部１６と接続される。
【００１１】
このような従来の光変調装置組立体１０は、図１９に示すように、例えば１０８０個の光変調素子に対して４つの駆動部１６を有し、４つの駆動部１６は、光変調装置１３が配置された列に沿うように、両脇に２つずつ並列配置される。そして、光変調装置１３と駆動部１６はワイヤー配線５６によって接続されている。
【特許文献１】特許第３４０１２５０号公報
【特許文献２】特許第３１６４８２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述したように、従来の光変調装置組立体１０にあっては、光変調素子の数は１０８０個であるが、今後の超高解像度ディスプレイを考慮すると、その光変調素子の数は必ずしも十分とは言えない。よって、解像度をさらに高めるために一次元型の光変調素子の数を例えば２１６０個、さらには４３２０個と増やしていく必要がある。図２０に、光変調素子を従来のものよりも増やした場合の光変調装置組立体５７を上面から見た概略構成図を示す。図２０において、図１９と対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
この光変調装置組立体５７は、２１６０個の光変調素子を備える光変調装置１３から成り、８つの駆動部１６を備える。８つの駆動部１６は、駆動部１６は、光変調装置１３のｘ方向に２つ、ｙ方向に４つ配置される。
【００１３】
図２０に示すように、光変調装置１３の光変調素子の数が増えることによって、必要な駆動部１６の数も増え、光変調装置１３の端部になればなるほど、光変調装置１３と駆動部１６とを結ぶワイヤー配線５６も長くなってしまう。このため、光変調装置１３の端部においては、光変調装置１３の中心部に比べ、ワイヤー配線５６の配線抵抗が増大してしまう。
【００１４】
このような光変調装置組立体５７を画像生成装置に用いた場合、光変調装置１３の端部と中心部でのワイヤー配線５６の長さの違いに起因して、端部と中心部の配線容量の違いがおこるので、画像の面内均一性が低下する。さらには、光変調装置１３の端部において、配線が斜めになってしまい、支持部材２５上で配線が放射状になってしまうため、光変調装置１３の周辺におけるワイヤー配線５６の間隔と駆動部１６の周辺におけるワイヤー５６の間隔の疎密差が大きくなる。このため、実装歩留まり、及び信頼性が大幅に低下してしまう。
【００１５】
一方、上述した１つの可動電極を有する単体のＭＥＭＳ素子、すなわち微細電気機械素子を複数、１次元的に配列した電気機械装置と、その駆動部とをワイヤ配線によって接続した電気機械装置組立体に対しても、同様の課題が発生する。この電気機械組立体は、例えばインクジェットプリンタなどの画像生成装置にも適用することができる。その場合の微細電気機械素子はアクチュエータとして機能する。
【００１６】
本発明は、上述の点に鑑み、高集積の配線構造を有する電気機械装置組立体、光変調装置組立体、及びこれらを用いた高解像度を実現できる画像生成装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決し、本発明の目的を達成するため、本発明の電気機械装置組立体は、静電駆動型の複数の電気機械素子を有する電気機械装置と、電気機械装置を駆動する駆動部と、これらを支持する支持部材とを有する電気機械装置組立体であって、電気機械装置と駆動部とを接続する配線が、支持部材の内部の配線回路を介して結線されることを特徴とする。
また、静電駆動型の複数の電気機械素子を有する電気機械装置と、前記電気機械装置を駆動する駆動部と、これらを支持する支持部材とを有する電気機械装置組立体であって、電気機械装置と駆動部とを接続する配線が、電気機械装置と駆動部との間に設けられた配線用部材の内部の配線回路を介して結線されることを特徴とする。
【００１８】
本発明の光変調装置組立体は、１次元型の光変調装置と、光変調装置を変調する駆動部と、これらを支持する支持部材とを有する光変調装置組立体であって、光変調装置と駆動部とを接続する配線が、支持部材の内部の配線回路を介して結線されることを特徴とする。
また、１次元型の光変調装置と、光変調装置を変調する駆動部と、これらを支持する支持部材とを有する光変調装置組立体であって、光変調装置と駆動部とを接続する配線が、光変調装置と駆動部との間に設けられた配線用部材の内部の配線回路を介して結線されることを特徴とする。
【００１９】
本発明の電気機械装置組立体、及び光変調装置組立体では、電気機械装置と駆動部からのワイヤー配線がそれぞれ支持部材、又は配線用部材に接続されるため、ワイヤー配線の長さをすべて略同一長にすることができ、且つ平行に配線がなされる。また、電気機械装置と駆動部とは、支持部材又は配線用部材内部の配線回路によって結線されるので、配線の抵抗値を低減させ、且つ、均一化することができる。
【００２０】
本発明の画像生成装置は、静電駆動型の複数の電気機械素子を有する電気機械装置と、電気機械装置を駆動する駆動部と、これらを支持する支持部材とを有する画像生成装置であって、電気機械装置と駆動部とを接続する配線が、支持部材の内部の配線回路、または電気機械装置と駆動部との間に設けられた配線用部材の内部の配線回路を介して結線されることを特徴とする。
また、光源と、光源から出射される光を情報に応じて変調する光変調部と、光変調部から出射される光を投射する投射部とを有する画像生成装置であって、光変調部には一以上の光変調装置組立体が配置され、光変調装置組立体は、１次元型の光変調装置と、光変調装置を変調する駆動部と、これらを支持する支持部材とを有し、光変調装置と駆動部とを接続する配線が支持部材内部または電気機械装置と駆動部との間に設けられた配線用部材内部の配線回路によって結線されることを特徴とする。
【００２１】
本発明の画像生成装置では、配線が支持部材、又は配線用部材の内部にて行われるために、高解像度化のため、電気機械装置または光変調装置の数を増やした場合でも、ワイヤー配線を略同一長で行うことが出来、配線の抵抗値も低減できる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の光変調装置組立体によれば、高集積のために、微細電気機械素子、光変調素子の数が増えた場合でも、電気機械装置組立体、電気機械装置、光変調装置とこれを駆動するための駆動部とを接続するワイヤー配線を容易且つ確実に行うことができる。また、各ワイヤー配線を同一長にすることができるので、配線抵抗を均一化することができる。よって、本発明の電気機械装置組立体あるいは光変調装置組立体を画像生成装置に用いた場合は、光変調素子の高密度のため、画像の面内均一性が向上し高解像度化を図ることができる。
さらに、本発明の電気機械素子組立体、及び光変調装置組立体によれば、上述のワイヤー配線を平行に設けることができるので、歩留まり及び信頼性の向上が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本実施の形態に係る電気機械装置組立体は、静電駆動型の複数の微細電気機械素子（いわゆるＭＥＭＳ素子）を有する電気機械装置と、この電気機械装置を駆動する駆動部と、これらを支持する支持部材とにより構成される。そして、本実施の形態では、電気機械装置と駆動部とを接続する配線を、支持部材の内部に形成した配線回路を介して結線するように構成される。あるいは、他の実施の形態では、支持部材上に別途、配線回路を内部に形成した配線用部材を配置し、電気機械装置と駆動部とを接続する配線を、配線用部材の配線回路を介して結線するように構成される。支持部材内の配線回路、あるいは配線用部材の配線回路と、光変調装置及び駆動部との接続はワイヤー配線でなされる。すなわち、支持部材側、あるいは配線用部材側では、表面に配線回路に接続する電極パッドが形成される。この電極パッドと光変調装置側の各光変調素子上の端子部とがワイヤー配線で接続される。
【００２４】
本実施の形態では、電気機械装置組立体として、光変調装置組立体として構成することができる。この光変調装置組立体では、複数の微細電気機械素子にて形成した光変調素子を１次元配列して光変調装置を構成し、この光変調装置と駆動部を支持部材上に支持し、光変調装置と駆動部とを上記構成の配線回路を介して結線して構成される。
また、本実施の形態では、電気機械組立体として、微細電気機械素子をいわゆるアクチエータとする駆動源として構成することもできる。さらに本実施の形態では、駆動源となる電気機械装置上に被駆動部を配置して電気機械装置組立体として構成することもできる。
【００２５】
本実施の形態に係る画像生成装置は、静電駆動型の複数の電気機械素子を有する電気機械装置と、電気機械装置を駆動する駆動部を、少なくとも有する画像生成装置であって、電気機械層装置と、駆動部が支持部材に支持され、電気機械装置と駆動部とを接続する配線が、支持部材の内部の配線回路、または別途設けられた配線用部材の内部の配線回路を介して結線されて構成される。
【００２６】
電気機械素子は、画像生成に用いられる画像生成要素を制御する。ここで、画像生成要素とは、例えば、画像生成装置がプロジェクター、レーザプリンタ等の場合は、レーザ光を指し、画像生成装置がインクジェットプリンタの場合には、吐出するインクを指す。
【００２７】
本実施の形態に係る画像生成装置は、例えば、上記光変調装置組立体を用いたレーザプロジェクタ、あるいはレーザプリンタとして構成することができる。また本実施の形態の画像生成装置は、例えば、電気機械装置を駆動源として、その上にインク吐出手段を配置した電気機械装置組立体をインクジェットプリンタヘッドと成し、このインクジェットプリンタヘッドを用いてインクジェットプリンタとして構成することもできる。
【００２８】
本実施の形態によれば、電気機械装置、あるいは光変調装置とその駆動部との配線を、支持部材の内部に形成した配線回路、あるいは別途配置した配線用部材の内部の配線回路を介して結線することにより、微細電気機械素子、あるいはこれを用いた光変調素子の高集積化に伴う駆動部との間の配線が容易に行え、信頼性の高い高集積の電気機械装置組立体、光変調装置組立体を提供することができる。
また、高解像度の画像生成装置を提供することができる。
【００２９】
以下、本発明に係る実施の形態を説明する。
先ず、本発明の光変調装置組立体に用いることができる1次元型の光変調装置の一例について図面を参照して説明する。
図１に回折格子の機能を有する光変調装置の要部の概略平面構成を示す。この光変調装置１３は、静電駆動型の微細電気機械素子（ＭＥＭＳ素子）からなる複数の光変調素子を有して構成される。すなわち、この光変調装置１３は、シリコン等の基体１２上に、例えば不純物がドーピングされたポリシリコンから成る下部電極３３と、この下部電極３３とは空間を介して対向し、両端の支持部により張架された梁（ビーム）となるリボン状の第１の電極３１及び第２の電極３２とを備える構成とされる。基体１２は少なくとも表面が絶縁性を有する基板で形成され、シリコン半導体基板を用いるときは、シリコン半導体基板表面に絶縁膜を形成し構成される。第１の電極３１及び第２の電極３２は、ＳｉＮ等の誘電体材料より成る下層と、Ｃｕを例えば０．５重量％添加したＡｌ等より成る上層の光反射層との積層構造とされる。これら第１の電極３１及び第２の電極３２と、下部電極３３との位置関係を明確にするために、第１の電極３１及び下部電極３３に斜線を付して示す。第１の電極３１及び第２の電極３２は、その長手方向を矢印Ｘ、幅方向を矢印Ｙで示すように、幅方向（Ｙ方向）に交互に並置配列され、１〜数本ずつ、図示の例では６本ずつの第１の電極３１及び第２の電極３２によって、回折格子型の光変調素子が構成される。
【００３０】
ここで例えば第１の電極３１を固定電極とし、第２の電極３２を可動電極とする。そして、可動電極となる第２の電極３２を、情報に対応したオン／オフを行う共通の制御電極に、接続端子部（図示せず）を介して接続する。固定電極となる第１の電極３１及び可動電極となる第２の電極３２は、直流バイアス電圧を供給するための共通のバイアス電極（図示せず）に同様に接続される。バイアス電極は、複数の第１の電極３１及び第２の電極３２の全てに共通とされており、バイアス電極の延在部であるバイアス電極端子部（図示せず）を介して駆動回路等の外部回路に接続され、接地される。下部電極３３も複数の光変調素子において共通とされ、下部電極３３の延在部である下部電極用端子部（図示せず）を介して駆動回路等の外部回路に接続され、接地される。なお、製造プロセス時のばらつき等を考慮して、一部の固定電極すなわち第１の電極３１に例えば光変調素子毎に、或いは共通の適切なバイアス電圧を印加してもよい。
【００３１】
なお、図１における矢印Ｂ−Ｂ線上の第１の電極３１の概略断面構成図は、前述の図９Ａにおいて説明した例と同様であり、図１における矢印Ａ−Ａ線上の第２の電極３２の概略断面構成図は、駆動状態においては、前述の図１５Ｂにおいて説明した例と同様となる。
すなわち駆動状態では、接続端子部を介して外部回路からの光変調装置１３内の各電極への電圧の印加、具体的には第２の電極３２への電圧の印加、及び、下部電極３３の電圧の印加（接地）に基づき発生した第２の電極３２と下部電極３３との間に働く静電気力（クーロン力）によって、下部電極３３に向かって第２の電極３２が変位する。即ち、外部回路から接続端子部、制御電極を介して第２の電極３２へ電圧を印加し、且つ、外部回路から下部電極端子部を介して下部電極３３へ電圧を印加すると（実際には、下部電極３３は接地状態にある）、第２の電極３２と下部電極３３との間に静電気力（クーロン力）が発生する。そして、この静電気力によって、下部電極３３に向かって第２の電極３２が下方に変位する。第２の電極３２の変位前の状態では、前述の図１６Ａ又は図１７Ａにおいて説明した例と同様に、入射光を入射方向に反射し、変位後の状態では、前述の図１６Ｂ又は図１７Ｂにおいて説明した例と同様に、±1次回折光を反射する。このように、第２の電極３２の変位に基づき、第２の電極３２と第１の電極３１とによって反射型の回折格子が形成される。
【００３２】
この光変調装置１３を後述する画像投射装置に適用する場合は、光変調素子を１次元アレイ状に配置する。具体的には、第１の電極３１及び第２の電極３２の矢印Ｙで示す幅方向に沿って、複数（例えば１０８０個）の光変調素子が配列され、各光変調素子に、それぞれ例えば３本ずつの第１の電極３１及び第２の電極３２が並置配列される。すなわち第１の電極３１及び第２の電極３２の総計は、例えば、１０８０×６（本）、又は２１６０×６（本）、又は４３２０×６（本）となる。
【００３３】
一例として、下部電極３３の頂面と第１の電極３１の頂面の高さの差Δｈ０及び各電極３１及び３２の寸法形状を示すと、以下の通りとなる。なお、第１の電極３１のピッチ（回折格子のピッチとなる）をｄ、隣接する第１の電極３１と第２の電極３２との間の間隔をＳＰ、第１の電極３１の幅をＷＦ、第１の電極３１の実効長さをＬＦ、第２の電極３２の幅をＷＭ、第２の電極３２の実効長さをＬＮとして示す。
Δｈ０＝８５０ｎｍ
ｄ＝８μｍ
ＳＰ＝４００ｎｍ
ＷF＝４μｍ
ＬF＝２００μｍ
ＷM＝４μｍ
ＬN＝２００μｍ
【００３４】
なお、光変調装置１３の非駆動時における第２の電極３２の頂面と第１の電極３１の頂面の高さの差は、できる限り０に近い値とすることが望ましい。また、光変調装置１３の駆動時における第２の電極３２の頂面と第１の電極３１の頂面の高さの差Δｈ１（第２の電極３２の下方への変位量）の最大値Δｈ１ｍａｘは、光変調素子あるいは光変調装置１３への入射光の波長をλとしたとき、
Δｈ１ｍａｘ＝λ／４
となるように設計される。また、Δｈ１ｍａｘとΔｈ０との関係は、
Δｈ１ｍａｘ≦３Δｈ０
を満足しているものとする。
このような構成において、第２の電極３２に印加する電圧を変化させることで、第２の電極３２の頂面と第１の電極３１の頂面の高さの差Δｈ１（第２の電極３２の下方への変位量）を変化させることができる。そして、これによって、回折光の強度を変化させることができるので、階調制御を行うことができる。
【００３５】
次にこのような構成の光変調装置１３を組み込んだ光変調装置組立体１０の各実施の形態について説明する。
【００３６】
図２に、本発明の第１の実施形態に係る光変調装置組立体の概略平面構成を示す。また、図３に、図２における矢印Ａ−Ａ線上における光変調装置組立体の概略断面構成を示す。本実施の形態における光変調装置組立体４３においては、枠体２５aを有する支持部材２５上に、光変調装置１３と、光変調装置１３を駆動するための駆動部１６、いわゆるドライバーチップを有する。この支持部材２５は、本発明の第１の実施形態では多数のセラミックシートを積層して形成した周側壁を有するセラミックパッケージで構成される。従って、光変調装置１３、駆動部１６はこのセラミックパッケージ２５内に配置される。光変調装置１３の光変調素子の数は、本発明の第１の実施形態では従来の光変調素子の２倍である２１６０個であり、駆動部１６としては、８つのドライバーチップを用いる。図１中矢印Ｘ及びＹで示す方向に対応する方向を、図２においては、ｘ、及びｙとして示す。駆動部１６は、光変調装置１３のｘ方向に２つ、ｙ方向に４つ配置される。また、光変調装置１３は、その実質的な光変調部分となる第１の電極３１及び第２の電極３２が配列された所謂リボン領域の部分（リボン部分）１３ａが、ガラス等の光透過性部材から成るカバー部１５に覆われ、低融点金属材料等より成る封止材１４により例えば気密に封止される。
【００３７】
また、上述した光変調装置１３における接続端子部、下部電極端子部、バイアス電極端子部等の端子部（電極パッド）２６は、封止材よりも外側の基体上の表面領域に設けられる。光変調装置１３の第１の電極３１、第２の電極３２、及び下部電極３３と電極パッド２６とは、下部電極３３が形成されるシリコン等の基体１２に形成した不純物拡散層による配線を介して接続される。また、駆動部１６にも同様に端子部（電極パッド）２７が設けられる。
そして、本実施の形態においては、特に、支持部材２５の一部の内部、すなわち光変調装置と駆動部との間に対応する領域の内部に配線回路５０を形成し、この配線回路５０を介して、光変調装置１３の各光変調素子と駆動部１６とを結線するように構成される。配線回路５０は、光変調装置１３と駆動部１６とを接続する配線数に対応した数の配線層から成る。図２の拡大図及び図３の断面図に示すように、配線回路５０が形成された支持部材２５の領域表面には、光変調装置１３側と駆動部１６側とにそれぞれ導電性ビア５１を介して電気的に接続された電極パッド２８及び２９が形成される。そして、光変調装置１３の端子部２６と上記配線回路５０の一方の電極パッド２８とが、ワイヤー配線２３で電気的に接続され、駆動部１６の端子部２７と上記配線回路５０の他方の電極パッド２９とが、同様のワイヤー配線２２で電気的に接続される。
また、支持部材２５上の光変調装置１３及び駆動部１６等は、光透過性材料により成る埋め込み樹脂２４により埋め込まれる。
【００３８】
支持部材２５には、駆動部１６と接続される複数の導電層５９が形成され、この導電層５２は支持部材２５の内部から外部に延在するように形成される。各駆動部１６の他方の端子部（図示せず）はワイヤー配線２２を介して導電層５９に接続される。支持部材２５の外部に延在した導電層５９には、例えばフレキシブルプリント基板等の取り出し電極５５を接続する。また、本発明の第１の実施形態における支持部材２５には、線膨張係数の比較的低いセラミック材料を用いる。
【００３９】
図４に上述のような構成の光変調装置組立体４３における光変調装置１３及び駆動部１６間の配線の要部を示す。図２及び図３と同一部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
破線部分は、支持部材２５の内部に形成された配線回路５０の様子である。このような支持部材２５内の配線回路５０は、金、銅などによって、その他の配線回路と共に予め形成される。
図４に示すように、接続したい光変調装置１３の端子部２６と駆動部１６の端子部２７の距離が離れている場合においても、支持部材２５内の配線回路５０の経路を自由に設計することができるので、露出するワイヤー配線２２、２３をすべて同じ長さにすることができる。さらには、すべてのワイヤー配線２２、２３をｙ方向に平行に形成することができる。また、配線回路５０においては、その材質や厚さなどを変化させることができるので、その抵抗値は殆ど無視できるようになる。
【００４０】
上述のような本発明の第１の実施形態に係る光変調装置組立体４３によれば、光変調装置１３において、高解像度化により、光変調素子の数が増大し、駆動部１６の数が増大した場合であっても、光変調装置１３の端部と中央部において、ワイヤー配線２２、２３の長さを一定にすることができるので、ワイヤー配線の抵抗をほぼ均一にすることが出来る。従来の図２０による光変調装置組立体５７の抵抗値は、光変調装置１３の端部で最大値４．５ｋΩ、光変調装置１３の中央部で最小値３．２ｋΩであったが、本実施の形態における配線抵抗値は、光変調装置１３の端部で最大値３．５ｋΩ、光変調装置１３の中央部で最小値３．１ｋΩとなり、抵抗値は略均一化できた。
【００４１】
また、本実施の形態を用いることにより、光変調素子のリボン幅やリボン間のピッチ幅が狭まり、光変調装置１３が小型化した場合であっても、表面に露出するワイヤー配線２２、２３の長さを一定にすることができ、光変調装置１３における端子部２６のピッチと駆動部１６における端子部２７のピッチとの間隔を一定にすることができる。
また、ワイヤー配線２２、２３を平行に形成することができることにより、隣り合うワイヤー配線同士の接触を避け、歩留まりを向上させることができる。
以上から、本発明の第１の実施形態の光変調装置組立体４３では、光変調装置１３における光変調素子の高密度化を図ることができる。
【００４２】
次に、図５に、本発明の第２の実施形態に係る光変調装置組立体の概略平面構成を示す。また、図６に、図５における矢印Ｂ−Ｂ線上の光変調装置組立体の概略断面構成を示す。図５、及び図６において、図２及び図３と対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
【００４３】
本発明の第２の実施形態における光変調装置組立体４４は、光変調装置１３及び、駆動部１６を、支持部材２５に形成したキャビティー（凹部）４１内に配置して構成される。このとき、光変調装置１３および駆動部１６の端子部（図示せず）と、支持部材２５側の電極パッド２８、２９とのワイヤーボンド面が略同一面上になるようにキャビティー４１が形成される。
すなわち、光変調装置１３及び駆動部１６が配置される両キャビティー４１の間に対応する支持部材２５の領域内に配線回路５０が形成され、その領域面上に電極パッド２８、２９が形成される。
本発明の第２の実施形態において、キャビティー４１の深さは、例えば０．１ｍｍ〜５ｍｍとする。このキャビティー４１の深さは、光変調装置１３の厚みや、駆動部１６の厚みから好適に選択される。
また、キャビティー４１は、支持部材２５のキャビティー４１の部分に積層しないで形成してもよいし、支持部材２５を積層後、キャビティー４１の部分をエッチングして形成してもよい。
【００４４】
第２実施の形態に係る光変調装置組立体４４によれば、支持部材２５のキャビティー４１に光変調装置１３、及び駆動部１６を配置することによって、光変調装置１３、及び駆動部１６の端子部（図示せず）と、支持部材２５上の電極パッド２８、２９とを略同一面上とすることができる。これにより、端子部と電極パッド２８、２９のいずれか高い面に配線が接触することにより配線がショートすることを防ぐことができる。また、略同一面上になるので、ワイヤー配線２２の高さを低くすることができ、封止樹脂２４を少なくすることができて光偏重装置組立体４４の微細化が図れる。
このような構成によっても、光変調装置１３及び駆動部１６の配線は、支持部材２５内の配線回路５０によって結線されるので、露出するワイヤー配線２２、２３はすべて同一長にそろえることができ、さらに、ｙ方向に平行に設けることができる。よって、光変調装置１３及び駆動部１６間の各配線の配線抵抗を均一化することができ、歩留まりを向上させることが出来る。
本発明の第２の実施形態では、光変調装置１３、及び駆動部１６をキャビティー４１に埋め込む構成としたが、どちらか一方を埋め込む構成としても良い。
【００４５】
次に、図７に、本発明の第３の実施形態に係る光変調装置組立体の概略平面構成を示す。また、図８に、図７におけるＣ−Ｃ線上の光変調装置組立体の概略断面構成を示す。図７、及び図８において、図２及び図３と対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
【００４６】
本発明の第３の実施形態に係る光変調装置組立体４５は、前述の支持部材２５の内部に配線回路５０を形成した構成に代えて、光変調装置１３と駆動部１６との間に対応する支持部材２５の領域上に、別途作製した配線用部材、すなわち内部に前述と同様の配線回路５０を形成し、上面に電極パッド２８、２９を形成した配線用部材４２を配置して構成される。
このとき、配線用部材４２表面の電極パッド２８、２９及び、光変調装置１３表面、及び駆動部１６表面の端子部（図示せず）が略同一平面状になるように配線用部材４２が形成され、ワイヤー配線２２、２３の接続が、ほぼ同一平面上で行われるように構成される。配線用部材４２の厚みは、例えば０．１ｍｍ〜５ｍｍである。この配線用部材４２の厚みは、光変調装置１３や駆動部１６の厚みによって好適に選択される。このような光変調装置組立体４５においては、光変調装置１３及び駆動部１６間の配線は、配線用部材４２内の回路配線５０によって結線される。このような、配線用部材４２の内部における配線回路５０の経路もまた、図４に示したように、好適に設計される。
【００４７】
本発明の第３の実施形態に係る光変調装置組立体４５によれば、光変調装置１３及び駆動部１６間の配線が別途設けられた配線用部材２５の内部に設けられた配線回路５０によって結線されるので、ワイヤー配線２２、２３は、すべて同一長にそろえることが出来、さらに、ｙ方向に平行に設けることが出来る。よって、光変調装置１３および駆動部１６間の各配線の配線抵抗を均一化することができ、歩留まりを向上させることが出来る。
配線用部材４２には、線膨張係数の小さなものが好ましく、セラミック材料あるいはシリコン半導体等で形成することができる。
【００４８】
図９に、本発明の第４の実施形態として、光変調装置１３における光変調素子を、従来の４倍の４３２０個としたときの光変調装置組立体４６の概略平面構成を示す。本発明の第４の実施形態における光変調装置組立体４６においては、第１〜第３の実施形態を全て適応できる。図９において、図５及び図７と対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
本発明の第４の実施形態のように、光変調装置１３における光変調素子を従来の４倍の４３２０個とした場合でも、第１〜第３の実施形態を用いることで、光変調装置１３及び駆動部１６間における配線が、支持部材２５内部、または配線用部材４２内部の回路配線５０によって結線されるため、表面に露出するワイヤー配線の長さを同一長にそろえることができ、ワイヤー配線の抵抗を均一にし、光変調装置１３及び駆動部１６間の各配線の配線抵抗を均一に出来る。さらに、ワイヤー配線も平行に設けることができるので、ワイヤー配線同士の接触を避け、歩留まりを向上させることが出来る。
【００４９】
図１０に、光変調装置１３または駆動部１６の端子部と支持部材２５または配線用部材４２の電極パッド部２８、２９を接続するワイヤー配線部分の要部の変形例を示す。この変形例では、隣り合うワイヤー配線は接触を避けるために長いワイヤー配線５２と短いワイヤー配線５１が交互に形成されるようにして構成される。
光変調装置１３上面の端子部２６又は駆動部１６の端子部２７からのワイヤー配線５１、５２は、それぞれ支持部材２５、又は配線用部材４２の電極パッド２８、２９に接続されるが、このとき、隣り合うｙ方向のワイヤー配線５１、５２の端子部２６、２７及び、電極パッド部２８、２９は、ｙ方向に千鳥状を成すように形成される。すなわち、ｙ方向に平行に隣り合うワイヤー配線５１、５２が交互に長短となるように千鳥状の端子部及び電極パッド部が形成される。
【００５０】
図１１は、図１０の概略断面図であり、端子部２６又は２７と電極パッド２８又は２９間に段差がある場合の変形例におけるワイヤー配線部の模式図(図１１Ａ)と、第２、第３実施の形態を用いて、段差をなくしたときの変形例におけるワイヤー配線部の模式図（図１１Ｂ）である。
図１１に示すように、長い方のワイヤー配線５２をｚ方向に高く設け、短いほうのワイヤー配線５１を低く設ける。これにより、隣り合うワイヤー配線５１、５２を３次元的に離間して形成することが出来る。
【００５１】
上述の変形例によれば、このように、隣合うワイヤー配線５１、５２の長さを異ならせ、また端子部２６、２７及び電極パッド２８、２９を千鳥配列することにより、ワイヤー配線５１、５２のピッチ間隔が狭くなっても、隣り合う端子部２６、２７及び電極パッド２８、２９がある程度離れ、さらには、隣り合うワイヤー配線の高さを変えることで、ワイヤー配線の接触、特にワイヤー配線の立ち上がり部分の短絡を３次元的に避けることができ、ワイヤーボンディングを容易にできる。このため、更なる歩留まりの向上が期待される。このようなワイヤー配線は第１〜第４の実施形態に用いることができる。
【００５２】
また、図１２に、光変調装置１３と駆動部１６間の配線回路５０の変形例を示す。この変形例においては、二層以上の多層の配線層によって配線回路が形成されている。図１２は、多数のワイヤー配線の配列方向に沿った断面構造（例えば図１０のF−F線上断面）を示し、多層のセラミックシート６１〜６４を積層して形成した、セラミックパッケージによる支持部材２５、あるいは配線用部材４２内に、２層の配線層５０１、５０２からなる配線回路５０を形成した例である。図示の変形例では、最上層から下に２層目のセラミックシート６２上に第１の配線層５０１が所要の間隔を置いて複数、配設形成され、最上層から下の３層目のセラミックシート６３上に第２の配線層５０２が所要に間隔を置いて複数、配列形成される。例えば、第１及び第２の配線層５０１、５０２は、隣合う第１の配線層５０１の間に対応する部分に第２の配線層５０２が配置されるように形成される。各配線層５０１、５０２は、紙面と直交する方向の両端に導電性ビア５１を介して電極パッド２８、２９が形成される。図１２では、電極パッド２８、２９は千鳥に配列された例を示す。そして、光変調装置１３と配線回路５０とのワイヤー配線による接続、また駆動部１６と配線回路５０とのワイヤー配線による接続に際して、ワイヤー配線の配列方向に沿う例えば奇数番目のワイヤー配線は第１の配線層５０１と接続し、偶数番目のワイヤー配線は第２の配線層５０２と接続するようにする。
【００５３】
このように、２層の配線層５０１、５０２を有する構成とすることにより、各層の配線層５０１、５０２の配列ピッチを広くすることができ、高密度配列のワイヤー配線になっても、配線回路５０の形成が容易になり、かつ不要な配線間の短絡を回避することができる。すなわち、支持部材２５内又は、配線用部材４２内の配線回路５０が混み合うことが回避され、実質的に配線可能な領域が増えるため、設計の自由度が高くなる。このような多層の配線層は第１〜第４の実施形態に用いることができる。
図１２では、配線回路５０を２層の配線層５０１、５０２で形成したが、３層以上の多層配線層とすることもできる。
【００５４】
上述の本発明に係る光変調装置組立体は、プロジェクターやレーザプリンタ、さらにはレーザ露光装置などの画像生成装置に用いられる。
【００５５】
次に、本発明の光変調装置組立体を備えた画像生成装置について説明する。図１３に、上述した本発明構成の光変調装置組立体を３つ備えた画像生成装置の概略構成を示す。
この画像生成装置１５０は、その光変調部１３０に、例えば光の３原色である赤色光（破線で示す）、緑色光（実線で示す）、青色光（一点鎖線で示す）を射出する例えば半導体レーザ等を備えた光源１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂ、ミラー１１１〜１１６、光変調装置組立体１１０Ｒ、１１０Ｇ及び１１０Ｂ、各色光の光軸を合成するＬ型プリズム等より成る色合成部１１７を有し、投射光学系１４０としてレンズ１１８、空間フィルター１１９、スキャンミラー、例えばガルバノミラーより成る走査光学系１２０を備える。
【００５６】
このような構成において、光源１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂから射出された光ＬＲ、ＬＧ及びＬＢはそれぞれ、円筒レンズ等の集光レンズ（図示せず）、ミラー１１１、１１３及び１１５を介して光変調装置組立体１１０Ｒ、１１０Ｇ及び１１０Ｂに入射される。なお、集光レンズを円筒レンズとすることによって、図１において示す矢印Ｘで示す長手方向には所定のスポットサイズに集光され、矢印Ｙで示す幅方向には所定幅にコリメートされたコリメート光を光変調装置組立体１１０Ｒ、１１０Ｇ及び１１０Ｂに照射することができる。これらの光変調装置組立体１１０Ｒ、１１０Ｇ及び１１０Ｂによって、所定の画像情報に対応して回折により変調された各色光は、ミラー１１２、１１４及び１１６を介して光軸を合成するＬ型プリズム等より成る色合成部１１７に入射される。この色合成部１１７において光軸を合成された光ＬＦは、レンズ１１８及び空間フィルター１１９を通過して、結像レンズ（図示せず）を介して走査光学系１２０に入射される。空間フィルター１１９は、例えばフーリエ面に配置する。走査光学系１２０として例えばガルバノスキャナーを用いる場合、図１３に示すように、矢印ｒで示すように動かすことによって、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３・・・で示すように光が走査される。走査方向を矢印Ｓｃで示す。このように走査された光をスクリーン１２１に投影することによって、１次元型の光変調装置により情報に対応して変調された線状の光が、スクリーン１２１上において２次元画像となって表示される。
【００５７】
なお、このような画像生成装置にあっては、上述した光変調装置内の光変調素子における第２の電極３２が例えば図１６Ａに示すように非駆動状態である場合は、第２の電極３２及び第１の電極３１の頂面で反射された光は空間フィルター１１９で遮られる。一方、第２の電極３２が駆動されて、前述の図１６Ｂに示す駆動状態である場合は、第２の電極３２及び第１の電極３１で回折された±１次（ｍ＝±１）回折光は空間フィルター１１９を通過する。光変調装置として前述の図１７Ａ及びＢにおいて説明したいわゆるブレーズ型構成の光変調装置を用いる場合は、駆動状態では、＋１次回折光のみが空間フィルター１１９を通過する構成となる。このような構成にすることで、スクリーン１２１に投影すべき光のオン／オフ又は階調制御が行われる。すなわち、駆動部から光変調装置の第２の電極３２に印加する電圧を変化させることで、第２の電極３２の頂面と第１の電極３１の頂面の高さの差Δｈ１を変化させることができ、その結果、回折光の角度を変化させることによって空間フィルター１１９を通過する光の強度を変化させ、階調制御を行うことができる。
【００５８】
このような回折格子を利用する光変調装置は、また第１及び第２の電極の寸法形状が、光の波長に対応して非常に微小化されるので、高い解像度、高速なスイッチング動作及び広い帯域幅の表示が可能となる。更には、低い印加電圧で動作させることができるので、非常に小型化された画像生成装置を実現することが期待される。
またこの光変調装置を用いた画像生成装置は、通常の２次元画像表示装置、例えば、液晶パネル等を用いた画像投射装置と比べて、ガルバノミラーなどによってスキャンを行うので、極めて滑らかで自然な画像表現が可能である。しかも、３原色である赤色、緑色、青色のレーザを光源とし、これらの光を混合する構成とすることが可能であり、極めて広い、自然な色再現範囲の画像を表現することができるといった、従来にはない優れた表示性能を有する。
また、本発明によれば、高解像度を実現するために光変調装置の光変調素子の数を増やした場合でも、光変調装置と駆動部間のワイヤー配線の抵抗を均一化できるので、光変調素子の応答速度が均一になり、画像の面内均一性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】光変調装置の一実施形態例の概略平面構成図である。
【図２】本発明の第１の実施形態における光変調装置組立体の概略平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態における光変調装置組立体の概略断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態における光変調装置組立体の配線要部の平面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態における光変調装置組立体の概略平面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態における光変調装置組立体の概略断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態における光変調装置組立体の概略平面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態における光変調装置組立体の概略断面図である。
【図９】本発明の第４の実施形態における光変調装置組立体の概略平面図である。
【図１０】本発明の配線部の変形例における概略平面図である。
【図１１】Ａは本発明の配線部の変形例を第１実施の形態に用いた場合の概略断面図である。Ｂは本発明の配線部の変形例を第２、及び第３実施の形態に用いた場合の概略断面図である。
【図１２】本発明の実施形態の変形例で、ワイヤー配線の配列方向に沿った概略断面構成図である。
【図１３】本発明の実施形態例における画像生成装置の概略構成図である。
【図１４】光変調素子の一例の概略斜視構成図である。
【図１５】Ａは図１４に示す光変調素子の第１の電極の概略断面構成図である。Ｂは図１４に示す光変調素子の第２の電極の駆動状態における概略断面構成図である。
【図１６】Ａは光変調素子の非駆動状態の概略断面構成図である。Ｂは光変調素子の駆動状態の概略断面構成図である。
【図１７】Ａはブレーズ型構成の光変調素子の非駆動状態の概略断面構成図である。Ｂはブレーズ型構成の光変調素子の駆動状態の概略断面構成図である。
【図１８】従来の光変調装置組立体の概略断面構成図である。
【図１９】従来の光変調装置組立体の概略平面構成図である。
【図２０】従来の光変調装置組立体の概略平面構成図である。
【符号の説明】
【００６０】
１・・光変調素子、１０、４３、４４、４５、４６・・変調装置組立体、１２・・基体（基板）、１・・光変調装置、１４・・封止材、１５・・カバー部、１６〜１９・・駆動部、２１・・接着剤、２２、２３、５６・・ワイヤー配線、５０・・配線回路、２４・・埋め込み樹脂、２５・・支持部材、３１・・第１の電極、３２・・第２の電極、３３・・下部電極、５５・・取り出し電極、２８、２９・・電極パッド、２６、２７・・端子部、５３、５８・・多層の配線層、１００Ｒ・・光源、１００Ｇ・・光源、１００Ｂ・・光源、１１０Ｒ・・光変調装置組立体、１１０Ｇ・・光変調装置組立体、１１０Ｂ・・光変調装置組立体、１１１〜１１６・・ミラー、１１７・・色合成部、１１８・・レンズ、１１９・・空間フィルター、１２０・・走査光学系、１２１・・スクリーン、１３０・・光変調部、１４０・・投射光学系、１５０・・画像生成装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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