(57)【要約】【課題】信頼性を向上可能であり、バットジョイント構造を有する半導体光集積素子を作製する方法を提供する。【解決手段】半導体レーザの活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体１７ａを第１のエリア１１ｂ上に分子線ビームエピタキシ装置を用いて形成した後に、有機金属気相成長装置４３を用いて第１のアニール４５を行う。電界吸収型変調器の活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体５１を第２のエリア１１ｃ上に有機金属気相成長装置４３を用いて形成した後に、有機金属気相成長装置４３を用いて第２のアニール６１を行う。III−Ｖ化合物半導体１７ａは、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含み、III−Ｖ化合物半導体５１は、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含む。【選択図】図３
2008053697.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体光集積素子を作製する方法であって、
第１の素子のための第１のエリアおよび第２の素子のための第２のエリアを含む主面を有する基板上に、前記第１の素子の活性層のための第１のIII−Ｖ化合物半導体膜を含む積層体を形成する工程と、
前記積層体を形成した後に、前記積層体を覆うマスクを前記第１のエリア上に形成する工程と、
前記マスクを用いて前記第２のエリア上の前記積層体をエッチングして前記第１のエリア上に第１の半導体積層を形成する工程と、
前記第１の半導体積層を形成した後に、前記マスクを用いて前記第２のエリア上に第２の半導体積層を成長する工程と
を備え、
積層体を形成する前記工程は、前記第１のIII−Ｖ化合物半導体膜を前記第１および第２のエリア上に分子線ビームエピタキシ装置を用いて成長する工程を含み、
前記第１のIII−Ｖ化合物半導体膜は、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含み、
第２の半導体積層を形成する前記工程は、前記第２の素子の活性層のための第２のIII−Ｖ化合物半導体膜を前記第２のエリア上に有機金属気相成長炉を用いて成長する工程を含み、
前記第２のIII−Ｖ化合物半導体膜は、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含み、
前記第１のIII−Ｖ化合物半導体膜のバンドギャップ波長は前記第２のIII−Ｖ化合物半導体膜のバンドギャップ波長と異なる、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１の半導体積層を形成した後に、前記第２の半導体積層を形成するに先立って、前記有機金属気相成長炉を用いて前記第１のIII−Ｖ化合物半導体膜のアニールを行う工程を更に備える、ことを特徴する請求項１に記載された方法。
【請求項３】
前記第１の半導体積層を形成した後、前記第２の半導体積層を形成するに先立って、前記有機金属気相成長炉を用いて第１のアニールを行う工程と、
前記第２の半導体積層を形成した後に、前記有機金属気相成長炉を用いて第２のアニールを行う工程と
を更に備える、ことを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項４】
半導体光集積素子を作製する方法であって、
第１の素子のための第１のエリアおよび第２の素子のための第２のエリアを含む主面を有する基板上に、前記第１の素子の活性層のための第１のIII−Ｖ化合物半導体膜を含む積層体を形成する工程と、
前記積層体を形成した後に、前記積層体を覆うマスクを前記第１のエリア上に形成する工程と、
前記マスクを用いて前記第２のエリア上の前記積層体をエッチングして前記第１のエリア上に第１の半導体積層を形成する工程と、
前記第１の半導体積層を形成した後、前記有機金属気相成長炉を用いて第１のアニールを第１のアニール温度で行う工程と、
活性水素を生成しない第１のガスを流しながら、前記第１のアニール温度から第１の温度へ降温する工程と、
前記第１の半導体積層を形成した後に、前記マスクを用いて前記第２のエリア上に第２の半導体積層を前記第１の温度で成長する工程と、
前記第２の半導体積層を形成した後に、前記有機金属気相成長炉を用いて第２のアニールを第２のアニール温度で行う工程と、
活性水素を生成しない第２のガスを流しながら、前記第２のアニール温度から降温する工程と
を備え、
積層体を形成する前記工程は、前記第１のIII−Ｖ化合物半導体膜を前記第１および第２のエリア上に分子線ビームエピタキシ装置を用いて成長する工程を含み、
前記第１のIII−Ｖ化合物半導体膜は、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含み、
第２の半導体積層を形成する前記工程は、前記第２の素子の活性層のための第２のIII−Ｖ化合物半導体膜を前記第２のエリア上に有機金属気相成長炉を用いて成長する工程を含み、
前記第２のIII−Ｖ化合物半導体膜は、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含み、
前記第１のIII−Ｖ化合物半導体膜のバンドギャップ波長は前記第２のIII−Ｖ化合物半導体膜のバンドギャップ波長と異なる、ことを特徴とする方法。
【請求項５】
前記第１および第２のガスはＨ２を含む、ことを特徴とする請求項４に記載された方法。
【請求項６】
前記第１のアニールの熱処理温度は前記第２のアニールの熱処理温度よりも高い、ことを特徴とする請求項３〜請求項５のいずれか一項に記載された方法。
【請求項７】
前記第１のアニールの熱処理温度は摂氏７００度以上であり、
前記第１のアニールの熱処理温度は摂氏８００度以下であり、
前記第２のアニールの熱処理温度は摂氏５５０度以上であり、
前記第２のアニールの熱処理温度は摂氏６５０度以下である、ことを特徴とする請求項６に記載された方法。
【請求項８】
前記第１のIII−Ｖ化合物半導体膜は、ＧａＩｎＮＡｓまたはＧａＩｎＮＡｓＳｂからなり、
前記第２のIII−Ｖ化合物半導体膜は、ＧａＩｎＮＡｓまたはＧａＩｎＮＡｓＳｂからなる、ことを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載された方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体光集積素子を作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
非特許文献１には、ＤＦＢ半導体レーザが電界吸収型変調器と集積されている。ＤＦＢ半導体レーザおよび電界吸収型変調器のための半導体膜は、全て有機金属気相成長法で成長された。このＤＦＢ半導体レーザは半絶縁性ＩｎＰ基板上に形成された電界吸収型変調器とのバットジョイントを含む。
【非特許文献１】Electronics  Letters,  vol.  32,  no.  02,  18th  January, 1996,  p.120-122
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
非特許文献１に記載された光集積素子は、四元ＧａＩｎＡｓＰ半導体を用いる活性層を有するので、温度特性の改善が望まれる。一方、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓＳｂといった窒素含有III−Ｖ化合物半導体は、ＧａＩｎＡｓＰ半導体の温度特性よりも優れた温度特性を示す。このため、窒素含有III−Ｖ化合物半導体を用してバットジョイント構造の光集積素子を作製することが好ましい。このような光集積素子において、分子線エピタキシ法により成長された発光層を含む光集積素子の信頼性は、有機金属気相成長法により成長された発光層を含む光集積素子の信頼性に比べて優れている。これ故に、光集積素子のためのIII−Ｖ化合物半導体膜を分子線エピタキシ法で成長することが望まれる。しかしながら、分子線エピタキシ法では、バットジョイントを形成するために、マスクを用
いて２種の活性層を成長することができない。
【０００４】
本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、信頼性を向上可能であり、バットジョイント構造を有する半導体光集積素子を作製する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一側面は、半導体光集積素子を作製する方法に係る。この方法は、（ａ）第１の素子のための第１のエリアおよび第２の素子のための第２のエリアを含む主面を有する基板上に、前記第１の素子の活性層のための第１のIII−Ｖ化合物半導体膜を含む積層体を形成する工程と、（ｂ）前記積層体を形成した後に、前記積層体を覆うマスクを前記第１のエリア上に形成する工程と、（ｃ）前記マスクを用いて前記第２のエリア上の前記積層体をエッチングして前記第１のエリア上に第１の半導体積層を形成する工程と、（ｄ）前記第１の半導体積層を形成した後に、前記マスクを用いて前記第２のエリア上に第２の半導体積層を成長する工程とを備える。積層体を形成する前記工程は、前記第１のIII−Ｖ化合物半導体膜を前記第１および第２のエリア上に分子線ビームエピタキシ装置を用いて成長する工程を含み、前記第１のIII−Ｖ化合物半導体膜は、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含む。第２の半導体積層を形成する前記工程は、前記第２の素子の活性層のための第２のIII−Ｖ化合物半導体膜を前記第２のエリア上に有機金属気相成長炉を用いて成長する工程を含み、前記第２のIII−Ｖ化合物半導体膜は、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含み、前記第１のIII−Ｖ化合物半導体膜のバンドギャップ波長は前記第２のIII−Ｖ化合物半導体膜のバンドギャップ波長と異なる。
【０００６】
この方法によれば、第１の素子の活性層のための第１のIII−Ｖ化合物半導体膜を分子線ビームエピタキシ装置を用いて成長した後に、第２の素子のための活性層のための第２のIII−Ｖ化合物半導体膜を有機金属気相成長炉を用いて成長するので、バットジョイント構造を形成するために好適な第１および第２の半導体積層が形成される。また、良好な活性層を得るために有機金属気相成長法に比べて好適な分子線ビームエピタキシ法で第１の素子の活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜を成長することができる。
【０００７】
本発明に係る方法は、前記第１の半導体積層を形成した後に、前記第２の半導体積層を形成するに先立って、前記有機金属気相成長炉を用いて前記第１のIII−Ｖ化合物半導体膜のアニールを行う工程を更に備えることができる。
【０００８】
この方法によれば、分子線エピタキシ法で成長された第１のIII−Ｖ化合物半導体膜に好適な温度で有機金属気相成長炉を用いて該第１のIII−Ｖ化合物半導体膜をアニールできる。このアニールの後に、この有機金属気相成長炉を用いて、引き続く結晶成長を行うことができる。
【０００９】
本発明に係る方法は、前記第１の半導体積層を形成した後、前記第２の半導体積層を形成するに先立って、前記有機金属気相成長炉を用いて第１のアニールを行う工程と、前記第２の半導体積層を形成した後に、前記有機金属気相成長炉を用いて第２のアニールを行う工程とを更に備えることができる。
【００１０】
この方法によれば、分子線エピタキシ法で成長された第１のIII−Ｖ化合物半導体膜に好適な温度で有機金属気相成長炉を用いて該第１のIII−Ｖ化合物半導体膜をアニールできる。このアニールの後に、この有機金属気相成長炉を用いて、引き続く結晶成長を行うことができる。この成長の後に、有機金属気相成長炉を用いて、第２のIII−Ｖ化合物半導体膜に好適な温度で第２のIII−Ｖ化合物半導体膜のアニールを行うことができる。
【００１１】
本発明に係る方法は、半導体光集積素子を作製する方法である。この方法は、（ａ）第１の素子のための第１のエリアおよび第２の素子のための第２のエリアを含む主面を有する基板上に、前記第１の素子の活性層のための第１のIII−Ｖ化合物半導体膜を含む積層体を形成する工程と、（ｂ）前記積層体を形成した後に、前記積層体を覆うマスクを前記第１のエリア上に形成する工程と、（ｃ）前記マスクを用いて前記第２のエリア上の前記積層体をエッチングして前記第１のエリア上に第１の半導体積層を形成する工程と、（ｄ）前記第１の半導体積層を形成した後、前記有機金属気相成長炉を用いて第１のアニールを第１のアニール温度で行う工程と、（ｅ）活性水素を生成しない第１のガスを流しながら、前記第１のアニール温度から第１の温度へ降温する工程と、（ｆ）前記第１の半導体積層を形成した後に、前記マスクを用いて前記第２のエリア上に第２の半導体積層を前記第１の温度で成長する工程と、（ｇ）前記第２の半導体積層を形成した後に、前記有機金属気相成長炉を用いて第２のアニールを第２のアニール温度で行う工程と、（ｈ）活性水素を生成しない第２のガスを流しながら、前記第２のアニール温度から降温する工程とを備える。積層体を形成する前記工程は、前記第１のIII−Ｖ化合物半導体膜を前記第１および第２のエリア上に分子線ビームエピタキシ装置を用いて成長する工程を含み、前記第１のIII−Ｖ化合物半導体膜は、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含み、第２の半導体積層を形成する前記工程は、前記第２の素子の活性層のための第２のIII−Ｖ化合物半導体膜を前記第２のエリア上に有機金属気相成長炉を用いて成長する工程を含み、前記第２のIII−Ｖ化合物半導体膜は、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含み、前記第１のIII−Ｖ化合物半導体膜のバンドギャップ波長は前記第２のIII−Ｖ化合物半導体膜のバンドギャップ波長と異なる。
【００１２】
この方法によれば、第１の素子の活性層のための第１のIII−Ｖ化合物半導体膜を分子線ビームエピタキシ装置を用いて成長した後に、第２の素子のための活性層のための第２のIII−Ｖ化合物半導体膜を有機金属気相成長炉を用いて成長するので、バットジョイント構造を形成するために好適な第１および第２の半導体積層が形成される。また、良好な活性層を得るために有機金属気相成長法に比べて好適な分子線ビームエピタキシ法で第１の素子の活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜を成長することができる。また、分子線エピタキシ法で成長された第１のIII−Ｖ化合物半導体膜に好適な温度で有機金属気相成長炉を用いて該第１のIII−Ｖ化合物半導体膜をアニールできる。このアニールの後に、この有機金属気相成長炉を用いて、引き続く結晶成長を行うことができる。この成長の後に、有機金属気相成長炉を用いて、第２のIII−Ｖ化合物半導体膜に好適な温度で第２のIII−Ｖ化合物半導体膜のアニールを行うことができる。さらに、アニール後の温度を下げる工程においてに、ＡｓＨ３等の活性水素（不対電子を持った水素）を発生させるガス雰囲気を避けて、水素等の活性水素を含まない雰囲気で温度の変更を行うことによって、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含む半導体層の品質が向上する。なぜなら、降温工程において、この半導体層に活性水素が拡散し、多数の活性水素が該半導体層中に存在すると、非発光再結合中心として作用する窒素と活性水素との化学結合の生成が促進されるからである。本発明によれば、これが避けられる。
本発明に係る方法では、前記第１および第２のガスはＨ２を含むことが好ましい。
【００１３】
本発明に係る方法では、前記第１のアニールの熱処理温度は前記第２のアニールの熱処理温度よりも高いことが好ましい。発明者の知見によれば、この温度条件が、それぞれの活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜に好適である。
【００１４】
本発明に係る方法では、前記第１のアニールの熱処理温度は摂氏７００度以上であることが好ましい。前記第１のアニールの熱処理温度は摂氏８００度以下であることが好ましい。前記第２のアニールの熱処理温度は摂氏５５０度以上であることが好ましい。前記第２のアニールの熱処理温度は摂氏６５０度以下であることが好ましい。
【００１５】
本発明に係る方法では、前記第１のIII−Ｖ化合物半導体膜はＧａＩｎＮＡｓまたはＧａＩｎＮＡｓＳｂからなることができる。また、前記第２のIII−Ｖ化合物半導体膜は、ＧａＩｎＮＡｓまたはＧａＩｎＮＡｓＳｂからなることができる。
【００１６】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明によれば、信頼性を向上可能であり、バットジョイント構造を有する半導体光集積素子を作製する方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の半導体光集積素子を作製する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００１９】
図１、図２、図３、図４および図５は、本実施の形態に係る半導体光集積素子を作製する方法の主要な工程を示す図面である。引き続く説明では、第１および第２の素子を含む半導体光集積素子を作製する方法を説明する。第１の素子としては、例えば半導体レーザ素子があり、第２の素子としては、例えば電界吸収型変調素子がある。まず、基板を準備する。
【００２０】
図１（Ａ）に示されるように、基板として、例えばＧａＡｓ基板１１といった半導体基板を用いることができる。ＧａＡｓ基板１１を分子線ビームエピタキシ装置１３に配置する。分子線ビームエピタキシ装置１３には、ガリウム、インジウム、ヒ素、アルミニウムおよび燐のための固体ソース並びに窒素のためのＲＦラジカルガンを含む。ＧａＡｓ基板１１は主面１１ａを有する。主面１１ａは、第１の素子のための第１のエリア１１ｂおよび第２の素子のための第２のエリア１１ｃを含む。
【００２１】
分子線ビームエピタキシ装置１３を用いて、複数の半導体膜を含む積層１５を第１および第２のエリア１１ｂ、１１ｃ上に形成する。引き続く説明から理解されるように、積層１５は、第１の素子の活性層のための第１のIII−Ｖ化合物半導体１７を含む。第１のIII−Ｖ化合物半導体１７は、例えばIII族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含む領域を有することができ、例えばＧａＩｎＮＡｓまたはＧａＩｎＮＡｓＳｂからなることができる。
【００２２】
一実施例では、積層１５を形成するために、下記の手順を行う。ＧａＡｓ基板１１の主面１１ａ上に、ｎ型クラッド層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜１９を成長する。III−Ｖ化合物半導体膜１９上に、下部導波路層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜２１を成長する。このIII−Ｖ化合物半導体膜２１上に、活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体１７を成長する。活性層は、例えばバルク構造または量子井戸構造を有することができる。III−Ｖ化合物半導体１７上に、上部導波路層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜２３を成長する。必要な場合には、ＧａＡｓ基板１１の主面１１ａ上に、バッファ層を成長することができる。バッファ層は、例えばｎ型ＧａＡｓからなる。
【００２３】
図１（Ｂ）に示されるように、マスク２５を積層１５上に形成する。マスク２５は、グレーティングパターンを有する。例えばグレーティングパターンは、電子線リソグラフィまたは干渉露光法を用いて形成されることができる。
【００２４】
図１（Ｃ）に示されるように、マスク２５を用いてIII−Ｖ化合物半導体膜２３のエッチング２６を行って、回折格子のための構造を有するIII−Ｖ化合物半導体膜２３ａを形成する。エッチング２６は、例えばウエットエッチングにより行われる。この後に、マスク２５を積層１５ａ上から除去する。
【００２５】
積層１５ａを搭載したＧａＡｓ基板１１を結晶成長装置２７に配置する。結晶成長装置２７として、例えば分子線エピタキシ装置または有機金属気相成長装置を用いていることができる。図２（Ａ）に示されるように、結晶成長装置２７を用いて以下の半導体膜を第１および第２のエリア１１ｂ、１１ｃ上に成長する。ｐ型クラッド層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜２９を成長する。III−Ｖ化合物半導体膜２９上に、ｐ型コンタクト層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜３１を成長する。III−Ｖ化合物半導体膜３１上に、キャップ層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜３３を成長する。これらの工程により、ＧａＡｓ基板１１上に積層３５が形成された。本実施例では、積層３５は、分布帰還型半導体レーザのための回折格子構造を含む。
【００２６】
一例の積層３５は、
III−Ｖ化合物半導体１７：
量子井戸構造ＧａＩｎＮＡｓ（７ｎｍ）／ＧａＡｓ（１０ｎｍ）／ＧａＩｎＮＡｓ（７ｎｍ）、ステージ温度：摂氏４００度III−Ｖ化合物半導体膜１９：ｎ型Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓクラッド層（１．５μｍ）、ステージ温度：摂氏５８０度
III−Ｖ化合物半導体膜２１：ＧａＡｓ（０．２μｍ）、ステージ温度：摂氏５８０度
III−Ｖ化合物半導体膜２３：ＧａＡｓ（０．２μｍ）、ステージ温度：摂氏５８０度
III−Ｖ化合物半導体膜２９：ｐ型Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓクラッド層（１．５μｍ）、ステージ温度：摂氏５８０度
III−Ｖ化合物半導体膜３１：ｐ型ＧａＡｓ（２００ｎｍ）、ステージ温度：摂氏５８０度
III−Ｖ化合物半導体膜３３：ＩｎＧａＰ、ステージ温度：摂氏５００度
を含む。回折格子構造３７は、例えば１３１０ｎｍのレーザ光を発生するように設けられている。
【００２７】
図２（Ｂ）に示されるように、積層３５を形成した後に、積層３５を覆うマスク３９を第１のエリア１１ｂ上に形成する。マスク３９は、例えばシリコン酸化物またはシリコン窒化物等の誘電体からなる。
【００２８】
図２（Ｃ）に示されるように、マスク３９を用いて第２のエリア１１ｃ上の積層３５のエッチング４１を行う。このエッチング４１は、第２のエリア１１ｃ上に位置する以下の半導体膜（III−Ｖ化合物半導体膜３３、III−Ｖ化合物半導体膜３１、III−Ｖ化合物半導体膜２９、III−Ｖ化合物半導体膜２３、III−Ｖ化合物半導体１７およびIII−Ｖ化合物半導体膜２１）を除去するように行われる。最下層のIII−Ｖ化合物半導体膜２１を確実に除去するために、III−Ｖ化合物半導体膜１９の一部をエッチングにより除去することができる。このエッチング４１は、例えば反応性イオンエッチングにより行われることができる。エッチング条件の一例としては、ＣＨ４／Ｈ２の混合ガスを用いて室温において行われる。エッチングのための高周波電力は、例えば１００Ｗ程度である。ＣＨ４系のガスを用いたエッチングの後に、エッチングチャンバ内を真空排気した後に、エッチングの残さ（例えば、ハイドロカーボン等）をＯ２プラズマを用いて除去することが好ましい。或いは、エッチングガスとして、ＳｉＣｌ４、Ｃｌ２といった塩素系ガスを用いることができる。或いは、ドライエッチングに替えてウエットエッチングを用いることができる。このエッチング４１により、積層３５はエッチングされて、この結果、エッチングされた積層３５ａが第１のエリア１１ｂ上に形成される。積層３５ａは、エッチングされたIII−Ｖ化合物半導体膜３３ａ、III−Ｖ化合物半導体膜３１ａ、III−Ｖ化合物半導体膜２９ａ、III−Ｖ化合物半導体膜２３ａ、III−Ｖ化合物半導体１７ａおよびIII−Ｖ化合物半導体膜２１ａを含む。
【００２９】
図３（Ａ）に示されるように、積層３５ａを形成した後に、積層３５ａを搭載するＧａＡｓ基板１１を有機金属気相成長装置４３に配置する。好適な実施例では、有機金属気相成長装置４３を用いて積層３５ａの熱処理を行う。この熱処理により、分子線エピタキシ装置２７で形成された活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体１７の第１のアニール４５がなされる。このアニールは、例えばＡｓＨ３、Ｈ２等の雰囲気中で行われる。加えて、有機金属気相成長装置４３を用いる熱処理により、引き続く結晶成長のために再成長界面のクリーニングも同時に行なわれる。したがって、第１のアニール４５により、第１の素子の発光層の結晶性の改善と、ロスの少ない再成長界面の形成とが提供される。
【００３０】
分子線エピタキシ法で成長されたIII−Ｖ化合物半導体１７に好適な温度で、有機金属気相成長炉を用いてIII−Ｖ化合物半導体１７をアニールできる。このアニールの後に、この有機金属気相成長炉を用いて、引き続く結晶成長を行うことができる。
【００３１】
図３（Ｂ）に示されるように、有機金属気相成長装置４３を用いて、複数の半導体膜を含む積層４７を第２のエリア１１ｃ上に形成する。引き続く説明から理解されるように、積層４７は、第２の素子の活性層のための第１のIII−Ｖ化合物半導体４９を含む。このIII−Ｖ化合物半導体４９は、例えばIII族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含む領域を有することができ、例えばＧａＩｎＮＡｓまたはＧａＩｎＮＡｓＳｂからなることができる。
【００３２】
一実施例では、積層４７を形成するために、下記の手順を行う。ＧａＡｓ基板１１の第２のエリア１１ｃ上のIII−Ｖ化合物半導体膜１９ａ上に、下部導波路層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜４９を成長する。このIII−Ｖ化合物半導体膜５１上に、活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体５１を成長する。この活性層は、例えばバルク構造または量子井戸構造を有することができる。III−Ｖ化合物半導体５１上に、上部導波路層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜５３を成長する。III−Ｖ化合物半導体膜５３上に、ｐ型クラッド層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜５５を成長する。III−Ｖ化合物半導体膜５５上に、ｐ型コンタクト層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜５７を成長する。III−Ｖ化合物半導体膜５７上に、キャップ層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜５９を成長する。これらの工程により、ＧａＡｓ基板１１上に積層４７が形成された。
【００３３】
一例の積層４７は、
III−Ｖ化合物半導体５１：
量子井戸構造ＧａＩｎＮＡｓ（７ｎｍ）／ＧａＡｓ（１０ｎｍ）／ＧａＩｎＮＡｓ（７ｎｍ）、成膜温度：摂氏５００度
III−Ｖ化合物半導体膜４９：ＧａＡｓ（０．２μｍ）、成膜温度：摂氏５８０度
III−Ｖ化合物半導体膜５３：ＧａＡｓ（０．２μｍ）、成膜温度：摂氏５００度
III−Ｖ化合物半導体膜５５：ｐ型Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓクラッド層（１．５μｍ）、成膜温度：摂氏５００度
III−Ｖ化合物半導体膜５７：ｐ型ＧａＡｓ（２００ｎｍ）、成膜温度：摂氏５００度III−Ｖ化合物半導体膜５９：ＩｎＧａＰ、成膜温度：摂氏５００度
を含む。この構造により、積層３５ａが積層４７と光学的に結合可能な構造が提供される。または、III−Ｖ化合物半導体膜５５およびIII−Ｖ化合物半導体膜５９の成長温度を摂氏６５０度とし、この成長温度でIII−Ｖ化合物半導体５１のアニールをかねることも可能である。これにより、第１の素子の活性層および第２の素子の活性層の一方を伝搬する光は、第１の素子の活性層および第２の素子の活性層の他方に伝わる。第１の素子の活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体１７ａの構造の禁制帯幅は第２の素子の活性層のIII−Ｖ化合物半導体の構造の禁制帯幅と異なる。例えば、第２の素子の活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体のバンドギャップ波長は、第１の素子の活性層のためIII−Ｖ化合物半導体のバンドギャップ波長よりも６０ｎｍだけ短い。これらの禁制帯幅およびバンドギャップ波長の値は、例えばフォトルミネッセンススペクトルを測定することにより得られる。
【００３４】
図３（Ｃ）に示されるように、積層４７を形成した後に、有機金属気相成長装置４３を用いて、積層４７を搭載するＧａＡｓ基板１１の熱処理を行う。この熱処理により、有機金属気相成長装置４３で形成された活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体５１の第２のアニール６１がなされる。このアニールは、例えばＡｓＨ３、Ｈ２等の雰囲気中で行われる。加えて、有機金属気相成長装置４３を用いる熱処理により、第２の素子の発光層の結晶性が改善される。有機金属気相成長装置４３を用いて第１および第２のアニールを行う。分子線エピタキシ法で成長されたIII−Ｖ化合物半導体１７に好適な温度で有機金属気相成長装置４３を用いて第１のアニールを行った後に、この有機金属気相成長炉を用いて、引き続く結晶成長を行うことができる。さらに、成長の後に、有機金属気相成長装置４３を用いて、III−Ｖ化合物半導体５１に好適な温度で第２のアニールを行うことができる。
【００３５】
この作製方法によれば、第１の素子の活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体１７の構造を分子線ビームエピタキシ装置１３を用いて成長した後に、第２の素子のための活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体５１の構造を有機金属気相成長炉４３を用いて成長するので、マスク３９を用いて有機金属気相成長法による選択成長を利用することができる。また、有機金属気相成長法に比べて良好な活性層を得るために好適な分子線ビームエピタキシ法で第１の素子の活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体１７を成長することができる。これ故に、バットジョイント構造を形成するために好適な第１および第２の半導体積層３５ａ、４７が形成される。
【００３６】
図４（Ａ）に示されるように、マスク３９を除去する。図４（Ｂ）および図４（Ｄ）を参照すると、図４（Ａ）に示されるI−I線に示される断面が示されており、図４（Ｃ）および図４（Ｅ）を参照すると、図４（Ａ）に示されるII−II線に示される断面が示されている。引き続く説明は、図４（Ａ）に示されるI−I線およびII−II線に示される断面を参照しながら為される。
【００３７】
図４（Ｂ）および図４（Ｃ）に示されるように、積層３５ａ、４７上にマスク６３を形成する。マスク６３は、例えばシリコン酸化物またはシリコン窒化物といった誘電体からなることができる。マスク６３は、積層３５ａと積層４７との境界を横切って伸びており、例えばストライプ形状を成す。
【００３８】
図４（Ｄ）および図４（Ｅ）に示されるように、マスク６３を用いて、積層３５ａ内のキャップ層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜３３ａおよびコンタクト層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜３１ａをエッチングして、キャップ層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜３３ｂおよびコンタクト層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜３１ｂを形成する。また、積層４７内のキャップ層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜５９およびコンタクト層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜５７をエッチングして、キャップ層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜５９ｂおよびコンタクト層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜５７ｂを形成する。該エッチングにより、リッジ形状のIII−Ｖ化合物半導体膜３３ｂおよびIII−Ｖ化合物半導体膜３１ｂ並びにIII−Ｖ化合物半導体膜５９ｂおよびIII−Ｖ化合物半導体膜５７ｂが形成された。
【００３９】
図５（Ａ）に示されるように、マスク６３を除去すると共に、キャップ層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜３３ｂおよびIII−Ｖ化合物半導体膜５９ｂを除去する。このエッチングにより、リッジストライプ形状のコンタクト層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜３１ｂおよびIII−Ｖ化合物半導体膜５７ｂが露出される。
【００４０】
図５（Ｂ）に示されるように、第１の素子および第２の素子の素子分離のために、ジョイント部において接触しているIII−Ｖ化合物半導体膜３１ｂおよびIII−Ｖ化合物半導体膜５７ｂを分離するためのエッチングを行う。このエッチングにより、分離されたIII−Ｖ化合物半導体膜３１ｃおよびIII−Ｖ化合物半導体膜５７ｃが形成される。
【００４１】
図５（Ｃ）に示されるように、コンタクト層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜３１ｃおよびIII−Ｖ化合物半導体膜５７ｃ上に第１の電極６５を電極膜の蒸着およびリフトオフ法を用いて形成すると共に、ＧａＡｓ基板１１の裏面１１ｄ上に第２の電極６７を形成する。
【００４２】
以上の工程により、基板生産物６９が作製された。基板生産物６９には、半導体光集積素子がアレイ状に配列されている。半導体光集積素子は、分布帰還型半導体レーザと電界吸収型変調器とを集積している。基板生産物６９を劈開して、バーを形成する。各バーには、電界吸収型変調器の端面と分布帰還型半導体レーザの端面とが現れている。変調器の端面には反射率０．１％以下の低反射膜を形成し、レーザの端面には反射率８５％以上の高反射率膜を形成する。
【００４３】
クラッド層はＡｌＧａＡｓだけでなく、ＧａＩｎＰ半導体を用いることもできる。また、リッジ型を採用して電流狭窄構造を作製したが、埋め込み型の電流狭窄も可能である。埋め込みのための半導体として、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ等も用いることができる。
【００４４】
分子線エピタキシ法で活性層を形成した半導体レーザＡは、長時間の通電でも光出力が低下することない。また、半導体レーザＡの通電寿命は、有機金属気相成長法で活性層を形成した半導体レーザＢに比較して、２桁以上の長寿命を示した。
【００４５】
この実施例では、１．３μｍ波長帯の半導体レーザを作製したが、この半導体レーザの構造と同様な構造を用いて、組成を調整したＧａＩｎＮＡｓＳｂ半導体を用いて活性層を形成すれば、発光波長１．５５μｍ用の半導体光集積素子を作製できる。変調器のための活性層のフォトルミネッセンス波長は、半導体レーザのための活性層（発光層）のフォトルミネッセンス波長よりも例えば７０ｎｍ短い。分子線エピタキシ法で活性層を形成した半導体レーザは、有機金属気相成長法で活性層を形成した１．５５μｍの半導体レーザに比べて良好な結晶性を有するので、低閾値電流かつ長寿命の半導体レーザを実現できる。
【００４６】
また、本実施の形態では、第１の半導体積層を形成した後に有機金属気相成長炉を用いた第１のアニール４５が第１のアニール温度Ｔ１ＡＮＬで行われる。この後の結晶成長のための第１の温度Ｔ１ＧＲＷに第１のアニール温度Ｔ１ＡＮＬから下げる。この温度変更の際に、活性水素を実質的に生成しない第１のガス（例えば、Ｈ２）を流すことが好ましい。降温工程において、半導体層に活性水素が拡散し、多数の活性水素が該半導体層中存在すると、非発光再結合中心として作用する窒素と活性水素との化学結合の生成が促進されるからである。したがって、ＡｓＨ３等の活性水素（不対電子を持った水素）を発生させるガス雰囲気を避けて、水素等の活性水素を含まない雰囲気で温度の変更を行うことによって、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含む半導体層の品質が向上する。
また、第２の半導体積層を形成した後に有機金属気相成長炉を用いたる第２のアニール６１が第２のアニール温度Ｔ２ＡＮＬで行われる。この後に、第２のアニール温度Ｔ２ＡＮＬから下げる。この温度変更の際に、上記と同様の技術的効果を得るために、活性水素を実質的に生成しない第２のガス（例えば、Ｈ２）を流すことが好ましい。
【００４７】
（実施例１）
分子線エピタキシ法でＧａＩｎＮＡｓを含む第１の半導体積層を成長した後に、選択成長のために１００ｎｍ厚のＳｉＮマスクを作製する。その後、電界吸収型変調器のための活性層を成長に先立って、第１の半導体積層を部分的にエッチングで除去する。次いで、有機金属気相成長装置のチャンバ内で、ＡｓＨ３雰囲気で摂氏７６０度に昇温し、この雰囲気中で約２時間の第１のアニール（高温アニール）を行う。アニールの後に、ＧａＩｎＮＡｓを含む第２の半導体積層を引き続いて成長する。この成長の後、ＡｓＨ３雰囲気で摂氏６５０度で約１０分の第２のアニール（低温アニール）を行う。
【００４８】
図６は、分子線エピタキシ法および有機金属気相成長法で成長されたＧａＩｎＮＡｓのアニール温度とフォトルミネッセンス強度との関係を示す。図６において、特性ＯＭＶＰＥは、有機金属気相成長法で作製されたＧａＩｎＮＡｓのアニール温度とフォトルミネッセンス強度との関係を示しており、特性ＭＢＥは、分子線エピタキシ法で作製されたＧａＩｎＮＡｓのアニール温度とフォトルミネッセンス強度との関係を示す。図６に示されるように、分子線エピタキシ法で作製されたＧａＩｎＮＡｓのアニール温度（第１のアニール）Ｔ１は摂氏７００度以上であることが好ましい。摂氏７００度未満ではデバイスとして十分な特性となるＰＬ強度が得られないからである。また、第１のアニールのアニール温度Ｔ１は摂氏８００度以下であることが好ましい。摂氏８００度を越えるとＰＬ強度が
急激に劣化するからである。有機金属気相成長法で作製されたＧａＩｎＮＡｓのアニール温度（第２のアニール）Ｔ２は摂氏５５０度以上であることが好ましい。摂氏５５０度未満ではデバイスとして十分な特性となるＰＬ強度が得られないからである。第２のアニールのアニール温度Ｔ２は摂氏６５０度以下であることが好ましい。摂氏６５０度を越えるとＰＬ強度が急激に劣化するからである。
【００４９】
第１のアニールの熱処理温度Ｔ１は第２のアニールの熱処理温度Ｔ２よりも高いことが好ましい。発明者の知見によれば、この温度条件が、それぞれの活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜に好適である。
【００５０】
活性層にＩｎＧａＡｓＰ半導体を用いるＤＦＢ半導体レーザ（ＤＦＢ部）および電界吸収型変調器（ＥＡ部）を含む光集積素子ＥＡＤＦＢ（１．３μｍ帯）では、ＥＡ部とＤＦＢ部の活性層の組成を独立に設定できるので、バットジョイント法が広く採用されている。この光集積素子ＥＡＤＦＢでは、ＤＦＢ部およびＥＡ部の半導体は、共に有機金属気相成長法で成長されている。
【００５１】
一方、温度特性に優れた材料として、ＧａＩｎＮＡｓが注目されている。ＧａＩｎＮＡｓは有機金属気相成長法および分子線エピタキシ法のいずれを用いても成長可能であり、半導体レーザの活性層としては、分子線エピタキシ法で作製されたＧａＩｎＮＡｓが、素子寿命および長期通電試験結果の観点で、有機金属気相成長法で作製されたＧａＩｎＮＡｓより優れている。
【００５２】
１．５５μｍ帯のための光集積素子を作製するためには、分子線エピタキシ法による作製が、有機金属気相成長法による作製に比べて容易である。しかしながら、バットジョイント構造を用いてＧａＩｎＮＡｓ活性層を用いる光集積素子を製作する場合に、分子線エピタキシ法では、マスクを用いる選択成長が不可能である。そこで、発光素子のためのＧａＩｎＮＡｓ活性層を分子線エピタキシ法で作製すると共に、発光素子と異なる素子の活性層を有機金属気相成長法で作製することにより、良好な素子寿命および長期通電試験結果を示す発光素子を得ることができるだけでなく、バットジョイント構造を用いて集積素子を作製することができる。例えば、有機金属気相成長法で作製されたＧａＩｎＮＡｓ活性層を電界印加デバイスである電界吸収型変調器に用いても、良好な信頼性が得られる。
【００５３】
加えて、ＧａＩｎＮＡｓの結晶性を向上させるためにはアニールが必要である。分子線エピタキシ法により作製されたＧａＩｎＮＡｓ膜に好適なアニール温度（例えば、７００度以上摂氏８００度以下）は、有機金属気相成長法により作製されたＧａＩｎＮＡｓ膜に好適なアニール温度（５５０度以上摂氏６５０度以下）よりも高い。しかしながら、有機金属気相成長法により作製されたＧａＩｎＮＡｓ膜を高温（例えば７００度〜摂氏８００度）でアニールすると、アニール後のフォトルミネッセンス強度が劣化する。つまり、（１）バットジョント構造を有する光集積素子を作製するにあたり、分子線エピタキシ法により発光素子のためのＧａＩｎＮＡｓ膜を成長すると共に、発光素子を共に集積された素子のＧａＩｎＮＡｓ膜を有機金属気相成長法の選択成長により成長することが必要である
。（２）分子線エピタキシ法によるＧａＩｎＮＡｓ膜および有機金属気相成長法によるＧａＩｎＮＡｓ膜のそれぞれに好適な温度でアニールを行う必要がある。これ故に、それぞれの活性層のための半導体膜を作製する手順だけでなく、成長された半導体膜をアニールする手順を重要である。
【００５４】
（実施例２）
分子線エピタキシ法でＧａＩｎＮＡｓを含む第１の半導体積層を成長した後に、選択成長のために１００ｎｍ厚のＳｉＮマスクを作製する。その後、電界吸収型変調器のための活性層成長に先立って、第１の半導体積層を部分的にエッチングで除去する。次いで、有機金属気相成長装置のチャンバ内で、ＡｓＨ３雰囲気で摂氏７６０度に昇温して、この雰囲気中で約２時間の第１のアニール（高温アニール）を行う。アニールの終了と同時に雰囲気ガスをＨ２のみに切り替える。次に、Ｈ２ガスを流しながら、第２の半導体層を成長する摂氏６５０度に降温する。基板温度が安定した後に、所望のガス比率になるように雰囲気ガスにＡｓＨ３等を加えて、第２の半導体層を成長する。この成長の後に、ＡｓＨ３雰囲気で摂氏６５０度で約１０分の第２のアニール（低温アニール）を行う。アニール終了後に、雰囲気ガスをＨ２のみに切り替えると共に温度を変更する。基板加熱を停止し冷却する。アニール終了後に雰囲気ガスをＨ２に切り替えることにより、ＧａＩｎＮＡｓ層の発光強度が向上する。
以上説明したように、アニール工程を詳細に検討した結果、アニール後の降温工程において、Ｈ２ガス雰囲気を用いることにより活性層の発光強度が、従来に比べて数倍強くなることを見出した。
【００５５】
半導体レーザのための活性層を分子線ビームエピタキシ法で成長した後に、引き続く半導体層を有機金属気相成長法で成長する作製方法では、有機金属気相成長炉内における第１のアニール４５が再成長界面のクリーニングも同時に行うことになるので、発光層結晶性の改善と、ロスの少ない再成長界面の形成とが同時に行われる。また、変調器用のＧａＩｎＮＡｓ層の第２のアニール６１が有機金属気相成長炉を用いて行われ、そのアニール温度が、第１のアニール４５の温度よりも低いので、第１のアニール４５によって得られた活性層の特性が、第２のアニールにより損なわれることはない。この際、ＡｓＨ３等の活性水素（不対電子を持った水素）を発生させるガス雰囲気でなく水素等の活性水素を含まない雰囲気でアニール後における温度変更工程を行うことによって、ＧａＩｎＮＡｓ発光層の発光効率を向上させることができる。温度変更工程では、アニール時にＡｓＨ３等の分解により生成された活性水素がＧａＩｎＮＡｓ層中に拡散することなくまた冷却過程においてＧａＩｎＮＡｓ層中の窒素との化学結合を生成することなく、この化学結合（Ｎ−Ｈ結合）の促進により多数の非発光再結合中心が生成されることがないからである。
【００５６】
本実施の形態によれば、分子線エピタキシ法で作製されたＧａＩｎＮＡｓ膜のアニールをＲＴＡ法で行うことなく、有機金属気相成長装置を用いて有機金属気相成長前にアニールを行うと共に、引き続いて膜成長を行うことによって、ＧａＩｎＮＡｓ膜のアニールと再成長界面のクリーニングを同時に行うことができ、光学特性が良好になる。また、第１および第２のアニールを共に、有機金属気相成長装置を用いて行うことによって、生産効率も向上する。
【００５７】
本実施の形態では、分布帰還型半導体レーザと電界吸収型変調器を集積化した光素子を作製したけれども、集積する素子として、ファブリペロー型半導体レーザ、半導体光アンプ、受光素子、マッハツェンダー型変調器、光導波路、合波器、分波器などあらゆる光導波路型の素子が適用される。
【００５８】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）および図１（Ｃ）は、本実施の形態に係る半導体光集積素子を作製する方法の主要な工程を示す図面である。
【図２】図２（Ａ）、図２（Ｂ）および図２（Ｃ）は、本実施の形態に係る半導体光集積素子を作製する方法の主要な工程を示す図面である。
【図３】図３（Ａ）、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）は、本実施の形態に係る半導体光集積素子を作製する方法の主要な工程を示す図面である。
【図４】図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）、図４（Ｄ）および図４（Ｅ）は、本実施の形態に係る半導体光集積素子を作製する方法の主要な工程を示す図面である。
【図５】図５（Ａ）、図５（Ｂ）および図５（Ｃ）は、本実施の形態に係る半導体光集積素子を作製する方法の主要な工程を示す図面である。
【図６】図６は、分子線エピタキシ法および有機金属気相成長法で成長されたＧａＩｎＮＡｓのアニール温度とフォトルミネッセンス強度との関係を示す図面である。
【符号の説明】
【００６０】
１１…ＧａＡｓ基板、１１ａ…ＧａＡｓ基板の主面、１１ｂ…ＧａＡｓ基板の第１のエリア、１１ｃ…ＧａＡｓ基板の第２のエリア、１１ｄ…ＧａＡｓ基板の裏面、１３…分子線ビームエピタキシ装置、１５…積層、１７…活性層のための第１のIII−Ｖ化合物半導体、１７ａ…エッチングされたIII−Ｖ化合物半導体、１９…ｎ型クラッド層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜、２１…下部導波路層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜、２１ａ…エッチングされたIII−Ｖ化合物半導体膜、２３…上部導波路層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜、２３ａ…エッチングされたIII−Ｖ化合物半導体膜、２５…マスク、２６…エッチング、２７…結晶成長装置、２９…ｐ型クラッド層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜、２９ａ…エッチングされたIII−Ｖ化合物半導体膜、３１…ｐ型コンタクト層のためのIII−Ｖ
化合物半導体膜、３１ａ…エッチングされたIII−Ｖ化合物半導体膜、３１ｂ…コンタクト層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜、３１ｃ…分離されたIII−Ｖ化合物半導体膜、３３…キャップ層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜、３３ａ…エッチングされたIII−Ｖ化合物半導体膜、３３ｂ…キャップ層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜、３５、３５ａ…積層、３７…回折格子構造、３９…マスク、４１…エッチング、４３…有機金属気相成長装置、４５…第１のアニール、４７…積層、４９…活性層のための第１のIII−Ｖ化合物半導体、５１…下部導波路層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜、５３…上部導波路層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜、５５…ｐ型クラッド層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜、５７…ｐ型コンタクト層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜、５７ｂ…コンタクト層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜、５７ｃ…III−Ｖ化合物半導体膜、５９…キャップ層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜、５９ｂ…キャップ層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜、６１…第２のアニール、６３…マスク、６９…基板生産物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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