(57)【要約】      （修正有）【課題】生成物層スタック上にプリントされたオブジェクトのプロファイルを測定する際に、スタック中の生成物層によって再構成式に組み込まれる自由度の数を低減、または、排除することができる検査装置、リソグラフィ装置等を提供する。【解決手段】オブジェクトプロファイルの測定に影響を与える１つ以上の生成物層の不明なパラメータが生じないように、層上にあるスキャトロメトリオブジェクトのプロファイルを測定する前に１つ以上の生成物層の厚さが測定される。実施形態においては、直前に露光された生成物層の自由度のみが各測定工程において不明な状態となるように、複数の生成物層における各層が、露光される際に測定される。複数の生成物層における各層が測定された後で、かつスキャトロメトリオブジェクトが層の最上部にあるとき、該スキャトロメトリオブジェクトの自由度のみが不明であり、オブジェクトのプロファイルのみ測定する必要がある。【選択図】図４ｃ
2008139303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オブジェクトを照射する放射により生じる回折パターンからオブジェクトの形状を再構成する方法であって、
基板上の生成物層の厚さを測定すること、
該測定された厚さを使用して前記生成物層上に置かれるオブジェクトの前記基板に対する位置を推定すること、
前記オブジェクトから回折した放射の回折パターンを検出すること、
前記オブジェクトの形状を推定すること、
前記推定されたオブジェクト位置を考慮して該推定された形状からモデル回折パターンを得ること、
該モデル回折パターンと前記検出された回折パターンとを比較すること、および
前記モデル回折パターンと前記検出された回折パターンとの差から、前記オブジェクトの実際の形状を決定すること、
を含む方法。
【請求項２】
前記生成物層の厚さは前記基板全体にわたり粗いグリッド上で測定される、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記オブジェクト位置の推定は、モデルとなる生成物層の前記オブジェクト位置での厚さを使用して前記基板からの前記オブジェクトの距離を推定することを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記基板上に複数の生成物層を備え、各生成物層は個別に測定される、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
各生成物層は、露光された後に、かつ、適切な場合には次の生成物層を塗布する前に測定される、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記生成物層厚さの変動を、前記基板全体にわたり測定することをさらに含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
次に続く複数の生成物層が均一である場合、該次に続く複数の生成物層は１つの均一層として測定される、
請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記基板上の生成物層の測定された厚さをメモリに格納すること、および該格納した測定された厚さと、基板層上の別の生成物層の測定された厚さとを組み合わせて前記オブジェクトの位置を推定することをさらに含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基板特性を測定する検査装置であって、
基板上のオブジェクトに関連する実際のスペクトル信号を検出するディテクタ、
モデルプロファイルの複数の可変パラメータおよび不可変パラメータに基づいてライブラリから第１のモデルプロファイルを選択するコントローラ、
前記第１のモデルプロファイルに関連する第１のスペクトル信号を生成するジェネレータ、および、
前記第１のスペクトル信号と前記実際のスペクトル信号とを比較するコンパレータであって、前記第１のスペクトル信号と前記実際のスペクトル信号とが所望の許容誤差内で一致しない場合、前記ジェネレータおよび該コンパレータはそれぞれ、各種の可変プロファイルを有する第２のモデルプロファイルの生成および前記第１のモデルプロファイルと該第２のモデルプロファイルとの比較を行う、コンパレータと、
を備え、
該検査装置は前記基板上の生成物層のパラメータを測定し、該測定されたパラメータを使用して前記基板に対するオブジェクト位置を推定し、前記コントローラは、該推定されたオブジェクト位置を不可変パラメータとして考慮して前記モデルプロファイルを選択する、
検査装置。
【請求項１０】
前記測定された生成物層のパラメータは前記生成物層の厚さを含む、
請求項９に記載の検査装置。
【請求項１１】
測定された基板上の生成物層厚さをメモリに格納し、該格納した測定された厚さと、基板層上の他の生成物層の測定された厚さとを組み合わせて前記オブジェクトの位置を推定する、
請求項９に記載の検査装置。
【請求項１２】
リソグラフィ装置およびプロセス装置に並設され、前記基板上に前記生成物層を形成し、また、複数の生成物層における各生成物層を、各生成物層が形成された後に個別に測定する、
請求項９に記載の検査装置。
【請求項１３】
基板特性を測定する検査装置を備えたリソグラフィ装置であって、
基板上のオブジェクトから回折した放射により生じる実際のスペクトル信号を受けるディテクタ、
モデルプロファイルの複数の可変パラメータおよび不可変パラメータに基づいてライブラリから第１のモデルプロファイルを選択するコントローラ、
前記第１のモデルプロファイルに関連する第１のスペクトル信号を生成するジェネレータ、および、  前記第１のスペクトル信号と前記実際のスペクトル信号とを比較するコンパレータであって、前記第１のスペクトル信号と前記実際のスペクトル信号とが所望の許容誤差内で一致しない場合、前記ジェネレータおよび該コンパレータはそれぞれ、各種の可変パラメータを有する第２のモデルプロファイルの生成および前記第１のモデルプロファイルと該第２のモデルプロファイルとの比較を行う、コンパレータと、
を備え、
前記オブジェクトを形成する前に、前記プロセス装置と連動して複数の生成物層を前記基板上に形成し、前記ディテクタ、コントローラ、ジェネレータ、およびコンパレータは、複数の生成物層における各生成物層のパラメータを測定し、該測定されたパラメータを使用して前記基板に対する前記オブジェクトの位置を推定し、前記コントローラは、該推定されたオブジェクト位置を不可変パラメータとして考慮して前記モデルプロファイルを選択する、
リソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記測定されたパラメータは各生成物層の厚さである、
請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
リソグラフィ装置、プロセス装置、および検査装置を備え、基板特性を測定するリソグラフィセルであって、
基板上のオブジェクトから回折した放射により生じる実際のスペクトル信号を受けるディテクタ、
モデルプロファイルの複数の可変パラメータおよび不可変パラメータに基づいて、プロファイルのライブラリから第１のモデルプロファイルを選択するコントローラ、
前記第１のモデルプロファイルに関連する第１のスペクトル信号を生成するジェネレータ、および、
前記第１のスペクトル信号と前記実際のスペクトル信号とを比較するコンパレータであって、前記第１のスペクトル信号と前記実際のスペクトル信号とが所望の許容誤差内で一致しない場合、前記ジェネレータおよび該コンパレータはそれぞれ、各種の可変パラメータを有する第２のモデルプロファイルの生成および前記第１のモデルプロファイルと該第２のモデルプロファイルとの比較を行う、コンパレータと
を備え、
前記リソグラフィ装置および前記プロセス装置は、前記オブジェクトを形成する前に前記基板上に複数の生成物層を形成し、前記ディテクタ、コントローラ、ジェネレータ、およびコンパレータは前記複数の生成物層における各生成物層のパラメータを測定し、該測定されたパラメータを使用して前記基板に対する前記オブジェクトの位置を推定し、前記コントローラは、該推定されたオブジェクト位置を不可変パラメータとして考慮して前記モデルプロファイルを選択する、リソグラフィセル。
【請求項１６】
前記測定されたパラメータは各生成物層の厚さである、
請求項１５に記載のリソグラフィセル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、例えば、リソグラフィ技術によるデバイスの製造において有用な検査方法、およびリソグラフィ技術を用いたデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]   リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常は基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によってなされる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、及び、放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時にこの方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ工程をモニターするために、一般的には、パターン付与された基板の１つ以上のパラメータ、たとえば基板中または基板上に形成される連続した層間のオーバーレイエラーが測定される。走査電子顕微鏡および各種専用ツールの使用を含め、リソグラフィ工程において形成される微小構造を測定するための様々な技術が存在する。専用の検査ツールの１つに、放射ビームを基板表面のターゲット上に誘導し、その散乱ビームまたは反射ビームの１つ以上の特性を測定するスキャトロメータがある。基板により反射または散乱する前後における１つ以上のビーム特性を比較することによって、基板の１つ以上の特性を決定することができる。これは、たとえば反射ビームと、既知の基板特性に関連する既知の測定値のライブラリに格納されているデータとを比較することによって行うことができる。スキャトロメータは、主に二つのタイプのものが知られている。分光スキャトロメータは広帯域放射ビームを基板上に誘導し、特定の狭い角度範囲に散乱した放射のスペクトル（波長の関数としての強度）を測定する。角度分解スキャトロメータは単色放射ビームを使用して角度の関数としての散乱放射強度を測定する。また、エリプソメータは偏光状態を測定する。
【０００４】
[0004]  基板に衝突する放射が回折されるように、特定のプロファイルおよびピッチを有するオブジェクトが基盤上にプリントされ、該オブジェクトはしばしば、スキャトロメトリオブジェクトまたはスキャトロメトリプロファイルとして知られる。オブジェクトはバーまたはその他の周期構造物のアレイで構成される回折格子などであってよい。基板表面から上方に見た場合の構造物の断面は、プロファイルとして知られる。理想的には、基板上にプリントされるオブジェクト（または複数の異なるオブジェクト）は所定の形状を有し、プリントが行われる度に完全にプリントされる。しかし、オブジェクトのサイズが小さく（たとえば３２〜２５０ｎｍの範囲）、このサイズはあらゆる種類の処理変化の影響を受け易い。したがって、オブジェクトがどの程度正確に形成されるかをシステムが判定すること、すなわち、オブジェクトのプロファイルをシステムが認識していることが望ましい。
【０００５】
[0005]   一般的に、スキャトロメトリオブジェクトのプロファイルは、オブジェクトからの放射ビームを回折し、回折パターンと、モデルパターンを作成するモデルプロファイルと共に回折パターンライブラリに格納されているモデル回折パターンとを比較することによって決定し得る。たとえば、米国特許出願公報ＵＳ２００３／００２８３５８では、スキャトロメトリオブジェクトからの実際の信号と、格納された信号のライブラリとが比較され、最も近い信号同士を探し出そうとするシステムが開示されている。保存された信号はそれぞれ、オブジェクトプロファイルパラメータと関連がある。オブジェクトプロファイルパラメータには、たとえばクリティカルディメンション（ＣＤ）、オブジェクトの幅（高さによって変化し得る）、オブジェクトの高さ、またはオブジェクトの側面角度（the angle of a side surface：この角度は基板表面から、または基板表面の法線から測定される）がある。該特許出願公報はさらに、スキャトロメトリオブジェクトの各パラメータと最も近い信号を検出する方法を開示している。すなわち、スキャトロメトリオブジェクトから得られた実際の信号に可能な限り近い信号を生じる組み合わせを検出するために、使用し得る各種パラメータおよびパラメータの順列（permutation）が検証される。これにより、一続きの「モデル信号」の繰返し（iterations）が得られる。この方法は、モデル信号が可能な限り実際の信号に近づくまで繰り返され、該モデル信号は使用されたパラメータと共に格納される。最終的に、パラメータを含むデータベースをコンピュータがチェックして、すべてのパラメータの組み合わせが入力されたか否かを判断する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
[0006]   スキャトロメトリオブジェクトが、基板上に存在する生成物層にプリントされる場合がある。生成物層は、プリントされた層または均一な層であり得る。生成物層スタックの最上部にプリントされたオブジェクトのプロファイルを測定する際、生成物層の厚さが回折ビームに影響を与える。スタック全体を測定するためにスタック中の全層の特性を考慮することは、困難な、場合によっては解決不可能な数学的問題となる。たとえば、スタック表面から受け取る測定信号において、対応するバリエーションをもたらし得る自由度（または可変パラメータ）が過度に多く存在するかもしれない。そのため、生成物層により再構成式に組み込まれる自由度の数を最小限にする、好ましくは排除することが望ましい。
【０００７】
[0007]  プリントされたオブジェクト層の下に生成物層が存在する場合、生成物層の厚さによってさらなるパラメータまたはさらなる自由度がもたらされるが、米国特許出願公報ＵＳ２００３／００２８３５８Ａ１ではこのようなパラメータまたは自由度は考慮されていない。各自由度によってパラメータ間または自由度間の相互相関が生じる可能性があり、そのため誤った結果を得る可能性が高くなる。
【０００８】
[0008]  例えば、オブジェクトを照射する放射により生じる回折パターンからオブジェクトの形状を再構成する方法であって、
基板上の生成物層の厚さを測定すること、
該測定された厚さを使用して前記生成物層上に置かれるオブジェクトの前記基板に対する位置を推定すること、
前記オブジェクトから回折した放射の回折パターンを検出すること、
前記オブジェクトの形状を推定すること、
前記推定されたオブジェクトの位置を考慮して、該推定された形状からモデル回折パターンを得ること、
該モデル回折パターンと前記検出された回折パターンとを比較すること、および
前記モデル回折パターンと前記検出された回折パターンとの差から、前記オブジェクトの実際の形状を決定すること、
を含む方法を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
[0009]  本発明のある様態によれば、基板特性を測定する検査装置であって、
基板上のオブジェクトに関連する実際のスペクトル信号を検出するディテクタ、
モデルプロファイルの複数の可変パラメータおよび不可変パラメータに基づいてライブラリから第１のモデルプロファイルを選択するコントローラ、
前記第１のモデルプロファイルに関連する第１のスペクトル信号を生成するジェネレータ、および、
前記第１のスペクトル信号と前記実際のスペクトル信号とを比較するコンパレータであって、前記第１のスペクトル信号と前記実際のスペクトル信号とが所望の許容誤差内で一致しない場合、前記ジェネレータおよび該コンパレータはそれぞれ、各種の可変プロファイルを有する第２のモデルプロファイルの生成および前記第１のモデルプロファイルと該第２のモデルプロファイルとの比較を行う、コンパレータと、
を備え、
該検査装置は前記基板上の生成物層のパラメータを測定し、該測定されたパラメータを使用して前記基板に対するオブジェクトの位置を推定し、前記コントローラは、該推定されたオブジェクト位置を不可変パラメータとして考慮して前記モデルプロファイルを選択する、検査装置が提供される。
【００１０】
[0010]  本発明の他の様態によれば、リソグラフィ装置、プロセス装置、および検査装置を備え、基板特性を測定するリソグラフィセルであって、
基板上のオブジェクトから回折した放射により生じる実際のスペクトル信号を受けるディテクタ、
モデルプロファイルの複数の可変パラメータおよび不可変パラメータに基づいて、プロファイルのライブラリから第１のモデルプロファイルを選択するコントローラ、
前記第１のモデルプロファイルに関連する第１のスペクトル信号を生成するジェネレータ、および、
前記第１のスペクトル信号と前記実際のスペクトル信号とを比較するコンパレータであって、前記第１のスペクトル信号と前記実際のスペクトル信号とが所望の許容誤差内で一致しない場合、前記ジェネレータおよび該コンパレータはそれぞれ、各種の可変プロファイルを有する第２のモデルプロファイルの生成および前記第１のモデルプロファイルと該第２のモデルプロファイルとの比較を行う、コンパレータを備え、 
前記リソグラフィ装置および前記プロセス装置は、前記オブジェクトを形成する前に前記基板上に複数の生成物層を形成し、前記ディテクタ、コントローラ、ジェネレータ、およびコンパレータは前記複数の生成物層における各生成物層のパラメータを測定し、該測定されたパラメータを使用して前記基板に対する前記オブジェクトの位置を推定し、前記コントローラは、該推定されたオブジェクト位置を不可変パラメータとして考慮してモデルプロファイルを選択する、リソグラフィセルが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
[0011]  以下、添付の概略図面を参照しながら、単なる例として、本発明の実施形態を説明する。図面において、同じ参照符号は同じ部分を示す。
【００１２】
[0018]   図１ａは本発明のリソグラフィ装置を概略的に示している。リソグラフィ装置は以下を備える。
【００１３】
[0019]  −  放射ビームＢ（たとえばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ。
【００１４】
[0020]  −  パターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ一定のパラメータにしたがってパターニングデバイスを正確に位置付けするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴ。
【００１５】
[0021]  −  基板（たとえばレジストコートされたウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ一定のパラメータにしたがって基板を正確に位置付けするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（たとえばウェーハテーブル）ＷＴ。
【００１６】
[0022]  −  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（たとえば屈折投影レンズシステム）ＰＬ。
【００１７】
[0023]   照明システムは、放射を誘導、整形または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組み合わせなどさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。 
【００１８】
[0024]  サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、たとえばパターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどといったその他の条件に応じた様態でパターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、たとえば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、たとえば、投影システムに対して任意の位置に確実に置くことができる。本明細書において使われる用語「レチクル」または「マスク」はすべて、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義であると考えてよい。
【００１９】
[0025]  本明細書において使われる用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように放射ビームの断面にパターンを付与するために使うことができるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付与したパターンは、たとえば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の任意のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付与したパターンは、集積回路などの、ターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００２０】
[0026]  パターニングデバイスは、透過型または反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型(Alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(Attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームさまざまな方向に反射するように、個別に傾斜することができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射された放射ビームにパターンを付与する。
【００２１】
[0027]  本明細書において使われる用語「投影システム」は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学システム、またはそれらのあらゆる組み合わせを含むあらゆるタイプの投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使われる用語「投影レンズ」はすべて、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えるとよい。
【００２２】
[0028]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイ又は反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２３】
[0029]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のサポート構造）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機構においては、追加のテーブルおよび／またはサポート構造を並行して使うことができ、あるいは、予備工程を１つ以上のテーブルおよび／またはサポート構造上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルおよび／またはサポート構造を露光用に使うこともできる。
【００２４】
[0030]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体、たとえば水によって、基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。さらに、リソグラフィ装置内の別の空間、たとえば、マスクと投影システムとの間の空間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は投影システムの開口数を増加させるためのものとして当該技術分野では周知である。本明細書において使われている用語「液浸」は、基板のような構造体を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２５】
[0031]  図１ａを参照すると、イルミネータＩＬは、放射ソースＳＯから放射ビームを受ける。ソースおよびリソグラフィ装置は、たとえば、ソースがエキシマレーザである場合、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、ソースは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、放射ソースＳＯからイルミネータＩＬへ、たとえば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。別の場合においては、ソースは、たとえば、ソースが水銀ランプである場合、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。ソースＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要であればビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２６】
[0032]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するためのアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他の構成要素を含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調節すれば、放射ビームの断面に任意の均一性および強度分布を持たせることができる。
【００２７】
[0033]  放射ビームＢは、サポート構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束させる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば干渉デバイス、リニアエンコーダ、２Ｄエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、たとえば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使い、たとえば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置づけることもできる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてよく、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って、位置合わせされていてもよい。例示では基板アライメントマークがそれ専用のターゲット部分に置かれているが、基板アライメントマークをターゲット部分の間の空間（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）内に置くこともできる。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイの間に置かれてもよい。  
【００２８】
[0034]  例示の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使うことができると考えられる。 
【００２９】
[0035]  １．ステップモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付与されたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。基板テーブルＷＴは、つぎにＸおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃが露光されることが可能になる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に投影されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００３０】
[0036]  ２．スキャンモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同時にスキャンする一方で、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００３１】
[0037]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ、サポート構造ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かすまたはスキャンする一方で、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３２】
[0038]  上述の使用モードの組み合わせおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なるモードもまた採用可能である。
【００３３】
[0039]  図１ｂに示すように、リソグラフィ装置ＬＡはリソグラフィセルＬＣの一部を構成する。リソグラフィセルは「リソ・セル」または「リソ・クラスタ」と呼ばれる場合もあり、１つ以上の前処理および後処理を基板に対して行う装置をさらに含む。従来、これらの装置は、レジスト層を堆積する１つ以上のスピンコータＳＣ、露光されたレジストを現像する１つ以上のデベロッパＤＥ、１つ以上のチルプレート（chill plate）ＣＨ、および１つ以上のベークプレートＢＫを含む。基板ハンドラ、すなわちロボットＲＯは入出力ポートＩ／Ｏ１およびＩ／Ｏ２から基板を取り出し、他のプロセス装置間へ移動し、リソグラフィ装置のローディングベイ（loading bay）ＬＢへと搬送する。これらの装置はしばしば「トラック」と総称され、監督制御システムＳＣＳにより制御されるトラック制御部ＴＣＵの制御下にある。監督制御システムＳＣＳはさらに、リソグラフィ制御部ＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。このように、さまざまな装置を作動してスループットならびに処理効率を最大限にすることができる。
【００３４】
[0040]  リソグラフィ装置によって露光する基板を正確かつ一貫して露光するために、露光した基板を検査して、引き続く層間のオーバーレイエラー、ライン幅、クリティカルディメンション（ＣＤ）など、一つ以上の特性を測定することが望ましい。エラーが検出された際、特に同じバッチの他の基板もさらに露光するのに十分なまでに即座かつ迅速に検査を実行できる場合は、引き続く１つ以上の基板の露光を調節することができる。また、既に露光した基板を取り除いて再加工し、歩留まりを改善するか、あるいは廃棄し、それによって欠陥があると分かっている基板に対する露光の実行を回避することができる。基板の一部のターゲット部分にのみ欠陥がある場合は、良好であるターゲット部分に対してのみさらなる露光を実行することができる。それとは別に、エラーを補償するために、引き続くプロセス工程の設定を適応させることもできる。たとえば、トリムエッチング工程の時間を調節して、リソグラフィプロセス工程によって生じる基板毎のＣＤの変動を補償することができる。
【００３５】
[0041]  基板の１つ以上の特性を、特に異なる基板間または同じ基板の異なる層間で、１つ以上の特性が層毎におよび／または基板全体でいかに異なるかを求めるために、検査装置が使用される。検査装置は、リソグラフィ装置ＬＡまたはリソセルＬＣに組み込んでよく、あるいは独立型デバイスあってもよい。最も迅速な測定を可能にするために、検査装置は、露光したレジスト層における１つ以上の特性を露光直後に測定することが望ましい。しかし、レジストの潜像はコントラストが非常に低く、放射で露光したレジストの部分と露光していない部分とには、屈折率に非常に小さい差しかなく、潜像を有効に測定するほど十分な感度を全ての検査装置が有するわけではない。したがって、習慣的に露光した基板で実行する最初のステップであり、レジストの露光部分と非露光部分とのコントラストを向上させる露光後ベーク工程（ＰＥＢ）の後に、測定を行うことができる。この段階で、レジスト内の像を半潜在性と呼んでよい。レジストの露光部分または非露光部分が除去されているポイントで、またはエッチングなどのパターン転写ステップの後に、現像したレジスト像を測定することも可能である。後者の可能性は、欠陥がある基板を再加工する可能性を制限するが、それでも例えばプロセス制御の目的などに有用な情報を提供することができる。
【００３６】
[0042]  図２は、本発明の実施形態で使用できるスキャトロメータを示す。これは基板Ｗに放射を投影する広帯域（白色光）放射プロジェクタ２を備える。反射した放射はスペクトロメータディテクタ４へと渡り、スペクトロメータディテクタ４は鏡面反射した放射のスペクトル１０（すなわち波長の関数としての強度の測定値）を測定する。このデータから、検出したスペクトルを生じさせる構造またはプロファイルを、たとえば厳密結合波分析および非線形回帰によって、または図２の底部に示すようにシミュレートされたスペクトルのライブラリとの比較によって、処理部ＰＵにより再構成することができる。概して、再構築のために、構造の全体的形態は知られており、幾つかのパラメータは構造を作成したプロセスの知識から想定され、少しの構造のパラメータのみがスキャトロメトリデータから決定されるように残されている。このようなスキャトロメータは、垂直入射スキャトロメータまたは斜め入射スキャトロメータとして構成することができる。
【００３７】
[0043]  本発明の実施形態で使用できる別のスキャトロメータが、図３に図示されている。このデバイスでは、放射源２により放出された放射は、レンズシステム１２を使用して干渉フィルタ１３および偏光器１７を通して集束され、部分反射表面１６によって反射し、望ましくは少なくとも０．９または少なくとも０．９５という高い開口数（ＮＡ）を有する顕微鏡の対物レンズ１５を介して基板Ｗ上に集束される。液浸スキャトロメータは、開口数が１を超えるレンズを有してもよい。反射した放射は、次に部分反射表面１６を通過して、散乱スペクトルを検出するためにディテクタ１８に入る。ディテクタは、逆投影された瞳面１１に配置することができる。瞳面１１はレンズシステム１５の焦点距離にあるが、補助光学系（図示せず）でディテクタ１８上へ再結像することができる。瞳面は、放射の半径方向位置が入射角度を規定し、角度位置が放射の方位角を規定する面である。ディテクタは、基板ターゲットの２次元角度散乱スペクトル（すなわち散乱角度の関数としての強度の測定値）を測定できるように、２次元ディテクタであることが望ましい。ディテクタ１８は、例えばＣＣＤまたはＣＭＯＳセンサのアレイでよく、例えば１フレーム当たり４０ミリ秒という積分時間を有してよい。
【００３８】
[0044]  基準ビームは、例えば入射放射の強度を測定するために使用されることが多い。これを実行するために、放射ビームが部分反射表面１６に入射すると、その一部が基準ビームとして基準ミラー１４に向かってその表面を透過する。次に、基準ビームを同じディテクタ１８の異なる部分上に投影する。
【００３９】
[0045]   例えば４０５〜７９０ｎｍの範囲、または２００〜３００ｎｍなどのさらに低い範囲で対象の波長を選択するために、１つ以上の干渉フィルタ１３が使用可能である。干渉フィルタは、１セットの様々なフィルタを備えるのではなく、調整可能でもよい。１つ以上の干渉フィルタの代わりに、またはそれに加えて回折格子を使用することもできる。
【００４０】
[0046]   ディテクタ１８は、１つの波長（または狭い波長範囲）で散乱線の強度を測定するか、複数の波長で別個に強度を測定するか、ある波長範囲にわたって積分された強度を測定できる。さらに、ディテクタは、ＴＭ偏光およびＴＥ偏光放射の強度および／またはＴＭ偏光放射とＴＥ偏光放射との間の位相差を別個に測定することができる。
【００４１】
[0047]   広帯域放射源（すなわち放射の周波数または波長、したがって色が広範囲にわたる放射源）の使用が可能であり、これによって高エタンデュが与えられ、複数波長の混合が可能になる。広帯域の複数の波長は、それぞれλδの帯域幅および少なくとも２λδの間隔（すなわち波長帯域幅の２倍）を有することが望ましい。幾つかの放射「源」は、例えばファイバ束を使用して分割されている拡張放射源の異なる部分でよい。この方法で、角度分解散乱スペクトルを複数の波長にて並列に測定することができる。３次元スペクトル（波長および２つの異なる角度）を測定することができ、これは２次元スペクトルより多くの情報を含む。これによって、より多くの情報を測定することができ、そのことが測定プロセスのロバスト性を向上させる。これについては、参照により全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願公開ＥＰ１，６２８，１６４Ａ号にさらに詳細に記載されている。
【００４２】
[0048]   基板Ｗ上のターゲットは、現像後にバーが中実レジストラインで形成されるようにプリントされた回折格子でもよい。あるいは、バーを基板にエッチングしてよい。ターゲットパターンは、リソグラフィ投影装置の焦点、線量、オーバーレイ、色収差などの対象となるパラメータに対して敏感であるように選択され、したがって関連するパラメータの変動は、印刷されたターゲットの変動として明らかになる。たとえば、ターゲットパターンは、リソグラフィ装置、特に投影システムＰＬにおける色収差の影響を受けやすいことがあり、照明シンメトリ、およびこのような収差の存在は、プリントされたターゲットパターンの変化に現れる。したがって、プリントされたターゲットパターンのスキャトロメトリデータを使用して、該ターゲット部分を再構成する。プリント工程および／またはスキャトロメトリプロセスの知識から、ターゲットパターンの線幅や形状といったパラメータを、処理ユニットＰＵが行う再構成プロセスに入力してもよい。
【００４３】
[0049]  本発明の実施形態は、基板Ｗ上のターゲットオブジェクトの再構成に関する。上述のように、ターゲットオブジェクトの断面形状はそのプロファイルとして知られる。ターゲットオブジェクトはまた、スキャトロメトリオブジェクトとして知られる。
【００４４】
[0050]  再構成の目的で、プロファイルは通常、均一な矩形断面層およびオブジェクトを形成するその他の形状（台形など）のスタックからなると見なされる。放射ビームはスキャトロメトリオブジェクトの表面と、基板上の他の生成物層とから回折する。この回折ビームはディテクタにより検出され、ディテクタはその後、回折パターンからスキャトロメトリ測定信号を生成する。測定信号は、均一な層および形状のスタックにより定義されるモデルプロファイルに基づく算出信号と比較される。算出信号が測定信号と一致しない場合、関連するモデル信号が実際のオブジェクトの実際のプロファイルとより近くなるように、モデルプロファイルが変更される。このプロセスは、測定信号と算出信号とが許容誤差内で一致するようになるまで続けられる。繰返しの数が増えるほど、オブジェクトのプロファイルを決定するためにより高度な処理能力が求められることは明らかである。同様に、比較の工程間で変更されるパラメータの数が増えるほど、より高度な処理能力が求められる。可変パラメータの閾値数を越えると、数学的再構成は不可能となる。
【００４５】
[0051]   生成物層などの均一層は、図４ａの基板Ｗ上に示すように、１つの幾何学的自由度のみを有しており、この場合は該均一層の厚さｈ１（または基板表面もしくはその下の生成物層からの高さ）である。測定されるオブジェクトと基板との間にある生成物層の数が多くなるほど、より多くの数の厚さｈｎおよびより多くの自由度が再構成演算に関わることになる。再構成演算が複雑になれば、不安定な解が得られたり、異なる自由度間の相互相関が生じる場合が増える。「不安定な解」とは、算出信号の変化が各自由度によって異なることと仮定する。実際には、異なる幾何学的パラメータについての算出信号の変化は似通っている可能性があり、その場合、最適化アルゴリズムにより正確な解を求めることが困難となる。たとえば、二つの生成物層の全体の高さｈＴを有する場合に、下側の生成物層の高さが数ｎｍ高くなると同時に上側の生成物層の高さが数ｎｍ低くなれば、非常に似通った算出信号が得られることとなる（特に全体の高さｈTが変わらない場合）。測定信号がノイズの影響を受けないわけではないため、同じターゲットオブジェクトについて複数の測定値があれば、結果に大きなばらつきが生じ得る。このような結果が不安定な結果として知られる。すなわち、パラメータと自由度には相互相関がある。
【００４６】
[0052]   たとえば、複数ある均一層の最上部が台形であるような複雑なスタックを測定するため、該均一層の厚さが知られていると仮定してモデルが作成される。下にある層の厚さが基板に対して一定であり、また知られているという仮定は、どちらも誤りとなり得る。
【００４７】
[0053]  図４ａ、図４ｂ、および図４ｃは、複雑な基板スタックの一例がどのようにして層ごとに形成されていくかを示す。図４ａに示すスタックの測定は、生成物層ｈ１の高さまたは厚さという１つの自由度しか存在しないため、容易である。図４ｂに示すスタックの測定は、２つの自由度が存在する、すなわち第１の生成物層ｈ１の厚さおよび生成物層ｈ１上の第２の生成物層ｈ２の厚さが積み重なっているため、若干難しくなる。最後に、図４ｃに示すスタックの測定は、介在する層の数が多くなるためいっそう困難となる。各生成物層の厚さｈ１〜ｈｎは別個の自由度であって相互相関を持ち、全ての厚さを同一と仮定すれば悪い結果を得ることとなる。複雑さに加えて、１つ以上の生成物層にパターンが付与され、各自が１つ以上の自由度を有する可能性もある。
【００４８】
[0054]  相互相関が生じ得る理由は、モデルプロファイルと実際のプロファイルを一致させるために使用される最適化アルゴリズムが、特定の生成物層の厚さを前提としてマッチングを行うためである。該アルゴリズムは、生成物層厚さを以下の二通りの方法で扱う可能性がある。つまり、１）生成物層の厚さを最適化プロセスに含める、すなわち、生成物層の厚さを個別の可変パラメータとして扱う。または、２）生成物層の厚さの固定値を用いる。固定値が正確であれば、最適化アルゴリズムによって正確なプロファイルが得られる。しかし、より起こりうる状況として、固定値が正確でない場合、最適化アルゴリズムが「妨げられ」、生成物層厚さを逐次可変パラメータ（iteratively changeable parameter）として考慮せずにモデルプロファイルと実際のプロファイルとの間の差を最小化しようとして、正確でないプロファイルを生成することになる。そのため、再構成されたプロファイルが許容範囲を超えて実際のプロファイルと異なることも考えられる。しかしながら、上述のように生成物層の厚さが可変パラメータであれば、多数のパラメータが導入されることとなり、最適化ルーチンは不可能ではなくとも不必要に複雑になってしまう。
【００４９】
[0055]  この問題を克服するために、本発明の実施形態は、プロファイル再構成方法において、１つ以上の生成物層の厚さが既知のパラメータとなるように基板Ｗと測定されるオブジェクトＯとの間にある１つ以上の生成物層を測定する工程を含む。図４ａに示す場合においては、厚さｈ１のみ測定する必要がある。図４ｂにおいて、第１の生成物層上に第２の生成物層が置かれる場合, 生成物層厚さｈ１は既知である（たとえば、基板上の生成物の厚さはメモリに格納される）ため、不明な自由度は第２の生成物層厚さｈ２のみである。各生成物層が基板Ｗ上のスタックに加わると、新たな生成物層のそれぞれの厚さを各工程で順次測定することができ、測定すべき不明な自由度は１つのみとなる。最後に、図４ｃに示すように、全ての厚さｈ１〜ｈnが既知であれば（たとえば、最後に測定された厚さと以前に保存された厚さを組み合わせてオブジェクトＯの位置を推定することができる）、測定すべき不明な自由度はオブジェクトＯ自体の自由度のみとなる。
【００５０】
[0056]  １つ以上の生成物層がプリントされた層である場合、該プリントされた層のプロファイルを、その上に次の層が形成される前に、再構成技術を用いてより容易に決定することができる。
【００５１】
[0057]  この方法の利点は、基板上の単一層の測定が、複数層のスタックの測定よりも一段と容易となることである。このことは特に、層どうしがわずかに異なる光学定数を有する場合に当てはまる。また、厚さの不明な大きな生成物層スタック上の回折格子（またはその他のスキャトロメトリオブジェクト）についてモデルを作成することが不可能な場合もある。したがって、１つ以上の層が、その最上部にオブジェクトが導入されるより前に測定される場合、演算の大部分の結果は既に決定しており、オブジェクトのモデルについての演算のみなので格段に容易になり得る。
【００５２】
[0058]  本発明の実施形態の利点は、１つ以上の測定された生成物層が、均一の層もしくはパターン付与された生成物層となり得ることである。 既知のどのようなスキャトロメータシステムも、自由度の数が数学的に扱うにはただ単純に大きすぎるため、パターン付与された１つ以上の生成物層（たとえば、測定されたスタック内のスキャトロメトリオブジェクトまたはプリントされた生成物層を含む）を扱い得ないであろう。たとえば、複数のパターン付与された生成物層を有し得ることの利点は、測定（たとえば、アライメントおよびオーバーレイ）対象として利用可能なスクライブラインは、１つ以上の層においては測定対象として利用できるため、該スクライブラインが著しく増加することである。すなわち、１つ以上の層の最上部にある測定オブジェクトがさらに測定オブジェクトを含み得る場合、下方の層に対する測定値を用いることにより、スタック中の全ての層が潜在的に有用なものとなる。
【００５３】
[0059]  均一な層については、プリントされたパターン付きの層に対して求められるように、基板全体を全ての測定サイトにおいて測定する必要はない。図５ｂに示すような全測定サイトでの回折パターンを測定するよりも、図５ａに示すような粗めのグリッド上の均一層を測定すれば十分である。図５ａに示すサイトでの均一層から得られた測定値は、基板Ｗ全体についての推定に順次使用して、基板Ｗ上の他のサイトにおける他の位置の推定厚さを得ることができる。
【００５４】
[0060]  たとえば複数の均一層が続けてプリントされる場合など、１つ以上の不明な層を同時に測定することが適切な場合もある。
【００５５】
[0061]  上記方法の他の利点は、複雑なスタックの自由度を減らせることである。そのため、スタックのより正確なプロファイル測定値が得られる。このことは特に、スタック中に均一層および／または異なるピッチまたは厚さを有する層が数多く存在する場合に当てはまる。
【００５６】
[0062]  本方法はインラインメトロロジツールとして位置づけられたスキャトロメータにおいて最も有効に実施される。１つ以上の生成物層が測定される場合もそうでない場合も、基板は前処理と後処理との間にこのスキャトロメータを通過するため、基板のスループットには影響がない。そのため、既に実行されているプロセスの範囲（range of processes）に、測定の実行を容易に加えることができ、長時間を要することもない。最終的には、より少ない自由度を伴うプロファイルを頻繁に測定することにより、多くの自由度を伴うより複雑なスタックを最終プロセスとして測定しようとする場合に比べれば、時間を節約することができる。
【００５７】
[0063]  本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造など、他の用途を有することは明らかである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使われている用語「ウェーハ」または「ダイ」はすべて、それぞれより一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義であると考えてよい。本明細書に記載されている基板は、露光の前後に、たとえば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示物を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに、基板は、たとえば積層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使われる基板という用語が、既に多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００５８】
[0064]  本明細書では、光リソグラフィに関連した本発明の実施形態の使用について上記に具体的に言及されたが、本発明は、たとえばインプリントリソグラフィといった他の用途にも使用可能であり、状況が許す場合には光リソグラフィに限定されないことが明らかである。インプリントリソグラフィの場合、パターニングデバイスにおけるトポグラフィが基板上に形成されるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工されてよく、その場合電磁放射、熱、圧力、またはこれらの組み合わせを与えることによってレジストは硬化される。レチクルが硬化された後、パターンはレチクルに残した状態でパターニングデバイスはレジストから外へ移動される。
【００５９】
[0065]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（たとえば、３６５、３５５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｍｍ、あるいはその前後の波長を持つもの）および極端紫外線（ＥＵＶ）放射（たとえば、５−２０ｍｍの範囲の波長を持つもの）を含むあらゆる種類の電磁放射、ならびにイオンビームまたは電子ビームといった粒子ビームを包含する。
【００６０】
[0066]  「レンズ」という用語は、状況が許す場合、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、および静電型光コンポーネントを含む各種光コンポーネントのうちの１つまたは組み合わせを指すことができる。
【００６１】
[0067]  以上、本発明の特定の実施形態を説明してきたが、本発明は説明された以外にも実施可能であることは明らかである。たとえば、本発明は上述された方法を示す機械読取可能な命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、もしくはそのようなコンピュータプログラムが保存されたデータ保存媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態とすることができる。
【００６２】
[0068]  以上の説明は、制限ではなく例示を目的としたものである。したがって、当業者にとって明らかであるように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本発明に変更を加えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１ａ】[0012]  リソグラフィ装置を示す。
【図１ｂ】[0013]  リソグラフィセルまたはクラスタを示す。
【図２】[0014]  第１のスキャトロメータを示す。
【図３】[0015]  第２のスキャトロメータを示す。
【図４ａ】[0016]  本発明の一実施形態による方法を示す。
【図４ｂ】[0016]  本発明の一実施形態による方法を示す。
【図４ｃ】[0016]  本発明の一実施形態による方法を示す。
【図５ａ】[0017]  回折パターンの測定サイトを示す。
【図５ｂ】[0017]  回折パターンの測定サイトを示す。
【図１ａ】
2008139303.tif 000003
【図１ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図５ａ】
2008139303.tif 000010
【図５ｂ】
2008139303.tif 000011
【外国語明細書】
2008139303000001.pdf