(57)【要約】      （修正有）【課題】低電圧駆動、長寿命などの優れた特性を有するカルバゾ−ル含有アミン化合物を提供する。【解決手段】下記一般式で表されるカルバゾ−ル含有アミン化合物。2008044923.tif 000160【選択図】図１
2008044923.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式［１］で表されるカルバゾ−ル含有アミン化合物。
一般式［１］
【化１】
2008044923.tif 000155
（式中、Ａｒ1は、下記一般式［２］で表されるカルバゾリル基を表し、
Ａｒ2〜Ａｒ4は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の複素環基（但し、下記一般式［２］の場合を除く。）を表し、
Ａは、置換基を有してもよい炭素数１０〜３０のアリ−レン基を表す。）
一般式［２］
【化２】
2008044923.tif 000156
（式中、Ａｒ5は置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、または置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表し、
Ｒ1〜Ｒ7は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、もしくは、一価の有機残基を表す。）
【請求項２】
Ａが、下記一般式［３］で表されるビフェニレン基で表されることを特徴とする請求項１記載のカルバゾ−ル含有アミン化合物。
一般式［３］
【化３】
2008044923.tif 000157
（式中、Ｒ20〜Ｒ24のうちの一つと、Ｒ25〜Ｒ29のうちの一つは、結合手を表し、残りは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、もしくは一価の有機残基を表し、隣接した有機残基が互いに環を形成しても良い。）
【請求項３】
Ａが、下記一般式［４］で表されることを特徴とする請求項１もしくは２記載のカルバゾ−ル含有アミン化合物。
一般式［４］
【化４】
2008044923.tif 000158
（式中、Ｒ30〜Ｒ37は、水素原子、ハロゲン原子、または一価の有機残基を表し、
Ｒ30とＲ31、Ｒ32とＲ33、Ｒ34とＲ35、または、Ｒ36とＲ37が、置換基同士で結合して環を形成しても良い。）
【請求項４】
Ａｒ5が、下記一般式［５］で表されることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載のカルバゾ−ル含有アミン化合物。
一般式［５］
【化５】
2008044923.tif 000159
（式中、Ｒ38は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜３のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の一価の芳香族炭化水素基、もしくは、置換基を有してもよい炭素数２〜５の一価の複素環基を表す。）
【請求項５】
請求項１〜４いずれか記載のカルバゾ−ル含有アミン化合物を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項６】
一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも一層が、請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
正孔注入層および／または正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔注入層および／または正孔輸送層が、請求項６記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は新規なカルバゾ−ル含有アミン化合物に関し、さらに詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下有機ＥＬ素子と略記）に用いた場合、分子の結晶性が低く、かつ、ガラス転移温度（Ｔｇ）が高いため、優れた性能（低電圧駆動、長寿命、高安定性）を有するカルバゾ−ル含有アミン化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、カルバゾ−ル誘導体は各種機能材料、電子材料への応用が検討されてきた。カルバゾ−ル骨格が、正孔輸送性の性質を有すること、耐熱性の高い構造であることを利用して、例えば、電子写真感光体の電荷輸送材料や有機ＥＬ素子用材料等への応用が検討されている。代表的なものとしては、ポリビニルカルバ−ゾ−ル（ＰＶＫ）や、Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾイル−４，４’−ビフェニル（ＣＢＰ）は有機ＥＬ素子用材料として広く検討されている（非特許文献１，２参照）。通常高温環境下で有機ＥＬ素子を駆動させたり、保管したりすると、発光色の変化、発光効率の低下、駆動電圧の上昇、発光寿命の短時間化等の悪影響が生じる。これを防ぐためには材料のガラス転移温度（Ｔｇ）を高くする必要がある。ＰＶＫやＣＢＰのようなカルバゾ−ル類はＴｇが比較的高く、耐熱性を有しているものの、対称性の高い構造故、真空蒸着や、スピンコ−ティングなどで薄膜を形成した際に、膜の安定性が低く、容易に結晶化してしまい、素子の寿命が極端に短いという問題点を有していた。
【０００３】
このような状況の中、Ｎ−エチルカルバゾ−ルの３位をアミノ基で置換したジアミン化合物が開示されている（非特許文献３，４，特許文献１参照）。これらのジアミン化合物は、正孔注入材料、正孔輸送材料として適正なＩｐを有していることと、カルバゾ−ル環の非対称性によって非結晶性となっているため、高い膜安定性を有しているが、一方でＴｇがそれほど高くなく、耐熱性に劣りＥＬ素子として十分な寿命特性が得られなかった。
【０００４】
【非特許文献１】Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，２００１年発行，７８巻，２７８頁
【非特許文献２】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ２００１年発行，１２３巻，４３０４頁
【非特許文献３】Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ２００５年発行，４１巻，１８２１頁
【非特許文献４】Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ  ａｎｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ２００２年発行，  ２４巻，  ３０頁
【特許文献１】特表２００４−５３６１３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、高いＴｇを有しながらも、分子が結晶化しにくく、有機ＥＬ素子用材料として用いた場合に、低電圧駆動、長寿命である。また昇華法等による精製の際、有機材料に対するダメ−ジが少なく、精製も容易である。また、蒸着法により、有機エレクトロルミネッセンス素子を作成する際も、有機化合物に対するダメ−ジも少なく、容易に素子作成が可能である。などの優れた特性を有するカルバゾ−ル含有アミン化合物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、前記諸問題を解決するために、鋭意研究を重ねた結果、本発明に至った。
すなわち本発明は、下記一般式［１］で表されるカルバゾ−ル含有アミン化合物に関する。
【０００７】
一般式［１］
【化１】
2008044923.tif 000003
【０００８】
（式中、Ａｒ1は、下記一般式［２］で表されるカルバゾリル基を表し、
Ａｒ2〜Ａｒ4は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の複素環基（但し、下記一般式［２］の場合を除く。）を表し、
Ａは、置換基を有してもよい炭素数１０〜３０のアリ−レン基を表す。）
【０００９】
一般式［２］
【化２】
2008044923.tif 000004
【００１０】
（式中、Ａｒ5は置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、または置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表し、
Ｒ1〜Ｒ7は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、もしくは、一価の有機残基を表す。）
【００１１】
また、本発明は、Ａが、下記一般式［３］で表されるビフェニレン基で表されることを特徴とする請求項１記載のカルバゾ−ル含有アミン化合物に関する。
【００１２】
一般式［３］
【化３】
2008044923.tif 000005
【００１３】
（式中、Ｒ20〜Ｒ24のうちの一つと、Ｒ25〜Ｒ29のうちの一つは、結合手を表し、残りは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、もしくは一価の有機残基を表し、隣接した有機残基が互いに環を形成しても良い。）
また、本発明は、Ａが、下記一般式［４］で表されることを特徴とする請求項１もしくは２記載のカルバゾ−ル含有アミン化合物に関する。
【００１４】
一般式［４］
【化４】
2008044923.tif 000006
【００１５】
（式中、Ｒ30〜Ｒ37は、水素原子、ハロゲン原子、または一価の有機残基を表し、
Ｒ30とＲ31、Ｒ32とＲ33、Ｒ34とＲ35、または、Ｒ36とＲ37が、置換基同士で結合して環を形成しても良い。）
【００１６】
また、本発明は、Ａｒ5が、下記一般式［５］で表されることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載のカルバゾ−ル含有アミン化合物に関する。
【００１７】
一般式［５］
【化５】
2008044923.tif 000007
【００１８】
（式中、Ｒ38は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜３のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の一価の芳香族炭化水素基、もしくは、置換基を有してもよい炭素数２〜５の一価の複素環基を表す。）
【００１９】
また、本発明は、上記カルバゾ−ル含有アミン化合物を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に関する。
【００２０】
また、本発明は、一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも一層が、上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【００２１】
また、本発明は、正孔注入層および／または正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔注入層および／または正孔輸送層が上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のカルバゾ−ル含有アミン化合物を有機ＥＬ素子用材料として用いた有機ＥＬ素子は、薄膜の安定性が非常に高く、低い駆動電圧で発光し、かつ、長寿命であるため、壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや平面発光体として好適に使用することができ、複写機やプリンタ−等の光源、液晶ディスプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等への応用が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、詳細にわたって本発明を説明する。まず、一般式［１］で表されるカルバゾ−ル含有アミン化合物について説明する。
【００２４】
一般式［１］で表されるカルバゾ−ル含有アミン化合物において、Ａは、置換基を有してもよい炭素数１０〜３０のアリ−レン基を表す。
【００２５】
ここで、アリ−レン基としては、例えば、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、フェナントリレン基、フルオレニレン基、ピレニレン基、３−メチルフェニレン基、３−メトキシフェニレン基、３−フルオロフェニレン基、３−トリクロロメチルフェニレン基、３−トリフルオロメチルフェニレン基、３−ニトロフェニレン基などが挙げられる。
【００２６】
また、アリ−レン基の置換基は、隣接基同士で互いに結合して縮合５員環、縮合６員環、縮合へテロ５員環、または、縮合へテロ６員環を形成していても良い。
【００２７】
隣接基同士で互いに結合した結果形成される５員環としては、シクロペンタン環、シクロペンテン環などが挙げられる。
【００２８】
隣接基同士で互いに結合した結果形成される６員環としては、シクロヘキサン環、シクロヘキセン環、ベンゼン環などが挙げられる。
【００２９】
隣接基同士で互いに結合した結果形成されるヘテロ５員環としては、ジヒドロフラン環、ピロリジン環、ジヒドロチオフェエン環、フラン環、ピロ−ル環、チオフェン環、イミダゾ−ル環、ピラゾ−ル環、オキサゾ−ル環、チアゾ−ル環などが挙げられる。
【００３０】
隣接基同士で互いに結合した結果形成されるヘテロ６員環としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラノン環などが挙げられる。
【００３１】
アリ−レン基の中で好ましくは、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、フェナントリレン基、フルオレニレン基であり、更に好ましくは一般式［３］で表されるビフェニレン基であり、特に好ましくは一般式［４］で表されるビフェニレン基である。
【００３２】
一般式［１］においては、Ａｒ2〜Ａｒ4は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の複素環基（但し、一般式［２］の場合を除く。）を表す。
【００３３】
ここで、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、３−メチルフェニル基、３−メトキシフェニル基、３−フルオロフェニル基、３−トリクロロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、３−ニトロフェニル基などが挙げられる。これらの中でフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、フェナントリル基、フルオレニル基が好ましい。
【００３４】
また、置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の複素環基としては、例えば、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、インドリニル基、キノリニル基、アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキサニル基、ピペリジニル基、モルホリニル基、ピペラジニル基、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、プラニル基などが挙げられる。これらの中で、ピリジニル基、キノリニル基、カルバゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基が好ましい。ただし、一般式［２］で示されるカルバゾリル基は除かれる。
【００３５】
一般式［２］において、Ａｒ5は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数２〜３０の一価の複素環基を、Ｒ1〜Ｒ7は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、もしくは、一価の有機残基を表す。
【００３６】
ここで、Ａｒ5における、一価の芳香族炭化水素基、および、一価の複素環基は、前述のＡｒ2〜Ａｒ4における一価の芳香族炭化水素基、および、一価の複素環基、で説明したものと同義である。
【００３７】
Ｒ1〜Ｒ7におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【００３８】
Ｒ1〜Ｒ7における一価の有機残基としては、特に制限はないが、置換基を有してもよい１価の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の脂肪族複素環基、置換基を有してもよい１価の芳香族複素環基、シアノ基、アルコキシ基、アリ−ルオキシ基、アルキルチオ基、アリ−ルチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリ−ルオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリ−ルスルホニル基などがあげられる。
【００３９】
ここで、１価の脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜１８の１価の脂肪族炭化水素基を指し、そのようなものとしては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基があげられる。
【００４０】
したがって、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基といった炭素数１〜１８のアルキル基があげられる。
【００４１】
また、アルケニル基としては、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、イソプロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１−オクテニル基、１−デセニル基、１−オクタデセニル基といった炭素数２〜１８のアルケニル基があげられる。
【００４２】
また、アルキニル基としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、１−オクチニル基、１−デシニル基、１−オクタデシニル基といった炭素数２〜１８のアルキニル基があげられる。
【００４３】
また、シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロオクタデシル基といった炭素数３〜１８のシクロアルキル基があげられる。
【００４４】
さらに、１価の芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜１８の１価の単環、縮合環、環集合炭化水素基があげられる。ここで、炭素数６〜１８の１価の単環芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，４−キシリル基、ｐ−クメニル基、メシチル基等の炭素数６〜１８の１価の単環芳香族炭化水素基があげられる。
【００４５】
また、１価の縮合環炭化水素基としては、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アンスリル基、２−アンスリル基、５−アンスリル基、１−フェナンスリル基、９−フェナンスリル基、１−アセナフチル基、２−アズレニル基、１−ピレニル基、２−トリフェニレル基等の炭素数１０〜１８の１価の縮合環炭化水素基があげられる。
【００４６】
また、１価の環集合炭化水素基としては、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、ｐ−ビフェニリル基等の炭素数１２〜１８の１価の環集合炭化水素基があげられる。
【００４７】
また、１価の脂肪族複素環基としては、２−ピラゾリノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、２−モルホリニル基といった炭素数３〜１８の１価の脂肪族複素環基があげられる。
【００４８】
また、１価の芳香族複素環基としては、トリアゾリル基、３−オキサジアゾリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、１−ピロ−リル基、２−ピロ−リル基、３−ピロ−リル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−ピラジル基、２−オキサゾリル基、３−イソオキサゾリル基、２−チアゾリル基、３−イソチアゾリル基、２−イミダゾリル基、３−ピラゾリル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、２−ベンゾフリル基、２−ベンゾチエニル基、Ｎ−インドリル基、Ｎ−カルバゾリル基、Ｎ−アクリジニル基といった炭素数２〜１８の１価の芳香族複素環基があげられる。
【００４９】
また、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基といった炭素数１〜８のアルコキシル基があげられる。
【００５０】
また、アリ−ルオキシ基としては、フェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、９−アンスリルオキシ基といった炭素数６〜１４のアリ−ルオキシ基があげられる。
【００５１】
また、アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基といった炭素数１〜８のアルキルチオ基があげられる。
【００５２】
また、アリ−ルチオ基としては、フェニルチオ基、２−メチルフェニルチオ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルチオ基といった炭素数６〜１４のアリ−ルチオ基があげられる。
【００５３】
また、置換アミノ基としては、Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノ基、Ｎ−ベンジルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基、Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ビス（ｍ−トリル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ビス（ｐ−トリル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ビス（ｐ−ビフェニリル）アミノ基、ビス［４−（４−メチル）ビフェニリル］アミノ基、Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−β−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基等の炭素数２〜１６の置換アミノ基があげられる。
【００５４】
また、アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ピバロイル基、シクロヘキシルカルボニル基、ベンゾイル基、トルオイル基、アニソイル基、シンナモイル基等の炭素数２〜１４のアシル基があげられる。
【００５５】
また、アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基等の炭素数２〜１４のアルコキシカルボニル基があげられる。
【００５６】
また、アリ−ルオキシカルボニル基としては、フェノキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等の炭素数２〜１４のアリ−ルオキシカルボニル基があげられる。
【００５７】
また、アルキルスルホニル基としては、メシル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基等の炭素数２〜１４のアルキルスルホニル基があげられる。
【００５８】
また、アリ−ルスルホニル基としては、ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基等の炭素数２〜１４のアリ−ルスルホニル基があげられる。
【００５９】
これらＲ1〜Ｒ7における、１価の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、脂肪族複素環基、芳香族複素環基は、さらに他の置換基によって置換されていても良い。また、これら置換基同士が結合し、環を形成していても良い。そのような置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシル基、アリ−ルオキシ基、アルキルチオ基、アリ−ルチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリ−ルオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリ−ルスルホニル基等があげられる。これらの置環基の例としては、前述のものが挙げられる。
【００６０】
次に一般式［３］で表されるビフェニレン基について説明する。Ｒ20〜Ｒ24のうちの一つと、Ｒ25〜Ｒ29のうちの一つは、結合手を表し、残りは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、もしくは一価の有機残基を表す。
【００６１】
Ｒ25〜Ｒ29におけるハロゲン原子、もしくは、一価の有機残基は、前述のＲ1〜Ｒ7におけるハロゲン原子、もしくは、一価の有機残基で説明したものと同義である。
【００６２】
また、隣接した有機残基が互いに環を形成しても良い。
【００６３】
一般式［３］においては、Ｒ20〜Ｒ24のうちの一つと、Ｒ25〜Ｒ29のうちの一つが、結合手であり、ビフェニレン基を形成する。
【００６４】
結合手の位置については、特に制限はなく一般式［３］のビフェニレン結合となる場合には、２，２’−ビフェニレン、３，３’−ビフェニレン、４，４’−ビフェニレン、２，３’−ビフェニレン、２，４’−ビフェニレン、３，４’−ビフェニレン等であってよい。
【００６５】
これらの結合のうち好ましいものとしては、Ｒ20とＲ25が結合手である４，４’−ビフェニレンが挙げられる。これは、分子の対称性が高いほど、高い耐熱性、高いＴｇが期待できるからであり、また、化合物を合成する際にも容易であるためである。
【００６６】
Ｒ16〜Ｒ19、結合手でないＲ21〜Ｒ24および、結合手でないＲ26〜Ｒ28のうち、より好ましい例としては、水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、フェニル基、トリル基等が挙げられる。これらの置換基とした場合には、分子量も比較的小さく、蒸着等で化合物（材料）を昇華する場合に、容易であり、また、安定性の面からも好ましい。
【００６７】
次に、一般式［４］について説明する。Ｒ30〜Ｒ37は、水素原子、ハロゲン原子、または一価の有機残基を表す。
【００６８】
Ｒ30〜Ｒ37におけるハロゲン原子、もしくは、一価の有機残基は、前述のＲ1〜Ｒ7におけるハロゲン原子、もしくは、一価の有機残基で説明したものと同義である。
【００６９】
また、Ｒ30とＲ31、Ｒ32とＲ33、Ｒ34とＲ35、または、Ｒ36とＲ37が、置換基同士で結合して環を形成しても良い。
【００７０】
次に、一般式［５］について説明する。Ｒ38は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜３のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の一価の芳香族炭化水素基、もしくは、置換基を有してもよい炭素数２〜５の一価の複素環基を表す。
【００７１】
炭素数１〜３のアルキル基、炭素数６〜１２の一価の芳香族炭化水素基、炭素数２〜５の一価の複素環基としては、Ｒ1〜Ｒ7の一価有機残基の項で説明したもののうち、該当する炭素数のものが上げられる。また有してもよい置換基としては、前述のハロゲン原子や、一価の有機残基が挙げられる。
【００７２】
Ｒ38のうち特に好ましい例としては、水素原子、フェニル基、ビフェニル基、トリル基、キシリル基や、メチル基、エチル基、フッ素原子等があげられる。
【００７３】
ここで、一般式［２］の３−カルバゾリル基は、Ｒ1〜Ｒ7が水素原子である場合であることが、より好ましい。このような構造をとった場合には、分子量も比較的小さく、蒸着等で化合物（材料）を昇華して薄膜を形成する際に、容易であり、また、安定性の面からも優れているからである。
【００７４】
さらに、一般式［２］の中のＡｒ5は一般式［５］の構造をとることがより好ましい。
【００７５】
以下に一般式［２］の３−カルバゾリル基をもつことの優位性を説明する。
【００７６】
一般的に、カルバゾ−ル化合物は、結合を有さないジフェニルアミノ化合物と比較してその構造が強固であり、熱安定性が高い傾向にある（化６参照）。
【００７７】
【化６】
2008044923.tif 000008
【００７８】
カルバゾ−ル化合物においては、窒素上のもうひとつの結合位置にはアルキル基を配したＮ−アルキル化合物が良く知られているが、本発明の化合物は、この位置に結合している置換基（＝Ａｒ5）が、芳香族基、または、複素芳香族基であることを特徴のひとつとしている。芳香族基や複素芳香族基は、さらに、安定性を高める効果が大きく、その中でも、安定性を高める効果が期待できるのが、Ａｒ5が一般式［５］、すなわち、窒素原子上にＲ38を置換基として持つフェニル基である場合である。
【００７９】
ところで、３位で結合したカルバゾリル基の効果について触れておく。通常、アミノ基は電子ドナ−として働くが、カルバゾ−ルの窒素原子は、窒素原子上に結合した置換基に対してはドナ−性をほとんど有さない。これはカルバゾ−ル環が平面性を有していて、かつ、非常に嵩高い置換基となってしまっているためであり、窒素原子上の置換基と平面構造をとりにくい事に起因していると考えられる。逆に、３位で結合したカルバゾ−ル環は環の平面性があるため、そのベンゼン環部分に対しては電子ドナ−性となりうる（化７参照）。
【００８０】
【化７】
2008044923.tif 000009
【００８１】
このため、本発明のカルバゾ−ル含有アミン化合物においては、カルバゾ−ル環に結合したアミノ基とカルバゾ−ル環の窒素原子の両方がカルバゾ−ル環のベンゼン環に対して電子ドナ−となっており、フェニレンジアミン構造と同等かそれ以上の電子ドナ−効果を発揮しうると考えられる（化８参照）。
【００８２】
【化８】
2008044923.tif 000010
【００８３】
このような理由から、本発明のカルバゾ−ル含有アミン化合物は、イオン化ポテンシャルの小さな化合物（有機分子の基底状態がより高いレベルにある化合物）となりやすく、有機ＥＬ素子を作成する際には、正孔注入輸送性の高い化合物とすることが可能である。
【００８４】
さらに、３位で結合したカルバゾ−ル環は、窒素原子上で結合したカルバゾ−ル環に比較して、分子の対称性が低いので、分子の結晶性が低くなり、アモルファス性が高くなるため、薄膜形成した際の安定性向上にも大きく寄与することが可能である。
【００８５】
特に、本発明のカルバゾ−ル含有アミン化合物は、非対称であるのでアモルファス性が高くなり、その結果として結晶化が起こりにくい。この性状は、有機ＥＬ素子用の材料として用いる場合、薄膜の安定性が向上し、ダ−クスポットが起き難くなり、有機ＥＬ素子寿命が長くなる。
【００８６】
また、本発明のカルバゾ−ル含有アミン化合物は、カルバゾリル基が分子中に１個のみ導入されているので、ジカルバゾ−ル化合物に比較して、分子量が小さくなり、それにより昇華法等による精製の際、比較的低い温度で昇華精製出来るので、有機材料に対するダメ−ジが少なく、精製も容易である。即ち、化合物の分子量としては、１５００以下が好ましく、１３００以下がより好ましく、１２００以下がさらに好ましく、１１００以下が特に好ましい。この理由として、分子量が大きと、蒸着によって素子を作成する場合の蒸着性が悪くなる懸念があるためである。
【００８７】
また、蒸着法により、有機エレクトロルミネッセンス素子を作成する際も、分子量が大きいと、蒸着によって素子を作成する場合の蒸着性が悪くなる懸念があるが、本発明のカルバゾ−ル含有アミン化合物は、蒸着時の有機化合物に対するダメ−ジも少なく、容易に素子作成が可能である。塗布法により、有機ＥＬ素子を作成する際も、モノカルバゾリル化合物は、汎用性有機溶媒に対する溶解性が高いため、広範囲な溶媒での使用が可能となる。
【００８８】
また、本発明のカルバゾ−ル含有アミン化合物は、ガラス転移点や融点が高くなり電界発光時における有機層中、有機層間もしくは、有機層と金属電極間で発生するジュ−ル熱に対する耐性（耐熱性）が向上するので、有機ＥＬ素子材料として使用した場合、高い発光効率を示し、長時間発光させる際にも有利である。
【００８９】
本発明の化合物の代表例を、以下の表１示すが、本発明は、この代表例に限定されるものではない。
【００９０】
表１
【表１】
2008044923.tif 000011
【００９１】
【表１】
2008044923.tif 000012
【００９２】
【表１】
2008044923.tif 000013
【００９３】
本発明のカルバゾ−ル含有アミン化合物は、種々の用途に用いることができる。増感効果、発熱効果、発色効果、退色効果、蓄光効果、相変化効果、光電変換効果、光磁気効果、光触媒効果、光変調効果、光記録効果、ラジカル発生効果等の機能を発現する材料として、あるいは逆にこれらの効果を受けて発光機能を有する材料としても用いることができる。より具体的には、発光材料、光電変換材料、光記録材料、画像形成材料、フォトクロミック材料、有機ＥＬ材料、光導電材料、二色性材料、ラジカル発生材料、酸発生材料、塩基発生材料、蓄光材料、非線形光学材料、第２高調波発生材料、第３高調波発生材料、感光材料、光吸収材料、近赤外吸収材料、フォトケミカルホ−ルバ−ニング材料、光センシング材料、光マ−キング材料、光化学治療用増感材料、光相変化記録材料、光焼結記録材料、光磁気記録材料、光線力学療法用色素等が挙げられる。
【００９４】
これら挙げた種々の用途のうち、特に好ましくは、有機ＥＬ材料（有機ＥＬ用材料、有機ＥＬ素子用材料）として用いられる。
【００９５】
有機ＥＬ素子用材料として用いる等の場合には、特に、高純度の材料が要求されるが、このような場合に、本発明のカルバゾ−ル含有アミン化合物は、昇華精製法や再結晶法、再沈殿法、ゾ−ンメルティング法、カラム精製法、吸着法など、あるいはこれら方法を組み合わせて行うことができる。これら精製法の中でも再結晶法によるのが好ましい。昇華性を有する化合物においては、昇華精製法によることが好ましい。昇華精製においては、目的化合物が昇華する温度より低温で昇華ボ−トを維持し、昇華する不純物を予め除去する方法を採用するのが好ましい。また昇華物を採集する部分に温度勾配を施し、昇華物が不純物と目的物に分散するようにするのが望ましい。以上のような昇華精製は不純物を分離するような精製であり、本発明に適用しうるものである。また、昇華精製を行うことにより、材料の蒸着性の難易度を予測するのに役立つ。
【００９６】
ここで、本発明のカルバゾ−ル含有アミン化合物を用いて作成することができる有機ＥＬ素子について詳細に説明する。
【００９７】
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に一層または多層の有機層を形成した素子から構成されるが、ここで、一層型有機ＥＬ素子とは、陽極と陰極との間に発光層のみからなる素子を指す。一方、多層型有機ＥＬ素子とは、発光層の他に、発光層への正孔や電子の注入を容易にしたり、発光層内での正孔と電子との再結合を円滑に行わせたりすることを目的として、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子注入層などを積層させたものを指す。したがって、多層型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、（１）陽極／正孔注入層／発光層／陰極、（２）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極、（３）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極、（４）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極、（５）陽極／正孔注入層／発光層／正孔阻止層／電子注入層／陰極、（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子注入層／陰極、（７）陽極／発光層／正孔阻止層／電子注入層／陰極、（８）陽極／発光層／電子注入層／陰極等の多層構成で積層した素子構成が考えられる。
【００９８】
また、上述した各有機層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良く、いくつかの層が繰り返し積層されていても良い。そのような例として、近年、光取り出し効率の向上を目的に、上述の多層型有機ＥＬ素子の一部の層を多層化する「マルチ・フォトン・エミッション」と呼ばれる素子構成が提案されている。これは例えば、ガラス基板／陽極／正孔輸送層／電子輸送性発光層／電子注入層／電荷発生層／発光ユニット／陰極から構成される有機ＥＬ素子に於いて、電荷発生層と発光ユニットの部分を複数層積層するといった方法があげられる。
【００９９】
本発明のカルバゾ−ル含有アミン化合物（有機エレクトロルミネッセンス素子用材料）は、上述したいかなる層に用いても構わないが、特に正孔注入層、正孔輸送層、発光層に好適に使用することができる。また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、単一の化合物での使用はもちろんのこと、２種類以上の化合物を組み合わせて、すなわち混合、共蒸着、積層するなどして使用することが可能である。さらに、上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光層において、他の材料と共に用いても構わない。
【０１００】
正孔注入層には、発光層に対して優れた正孔注入効果を示し、かつ陽極界面との密着性と薄膜形成性に優れた正孔注入層を形成できる正孔注入材料が用いられる。また、このような材料を多層積層させ、正孔注入効果の高い材料と正孔輸送効果の高い材料とを多層積層させた場合、それぞれに用いる材料を正孔注入材料、正孔輸送材料と呼ぶことがある。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、正孔注入材料、正孔輸送材料いずれにも好適に使用することができる。これら正孔注入材料や正孔輸送材料は、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギ−が通常５．５ｅＶ以下と小さい必要がある。このような正孔注入層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０4 〜１０6 Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０-6ｃｍ2 ／Ｖ・秒であるものが好ましい。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料と混合して使用することができる、他の正孔注入材料および正孔輸送材料としては、上記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１０１】
このような正孔注入材料や正孔輸送材料としては、具体的には、例えばトリアゾ−ル誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾ−ル誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾ−ル誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリ−ルアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−５３４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５４−１１９９２５号公報等参照）、アリ−ルアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，１８０，７０３号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾ−ル誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５５−８５４９５号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同第６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４５５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）、特開平１−２１１３９９号公報に開示されている導電性高分子オリゴマ−（特にチオフェンオリゴマ−）等を挙げることができる。
【０１０２】
正孔注入材料や正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９６５号公報）、芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同５４−１４９６３４号公報、同５４−６４２９９号公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報等参照）を用いることもできる。例えば、米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル等や、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスタ−バ−スト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン等を挙げることができる。また、正孔注入材料として銅フタロシアニンや水素フタロシアニン等のフタロシアニン誘導体もあげられる。さらに、その他、芳香族ジメチリデン系化合物、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料や正孔輸送材料の材料として使用することができる。
【０１０３】
芳香族三級アミン誘導体の具体例としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−Ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４’−ジフェニルアミノ−４−ビフェニリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４’−ジフェニルアミノ−４−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４’−ジフェニルアミノ−４−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４’−フェニル（１−ナフチル）アミノ−４−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４’−フェニル（１−ナフチル）アミノ−４−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）ベンジジン等があげられ、これらは正孔注入材料、正孔輸送材料いずれにも使用することができる。
【０１０４】
本発明の化合物（有機ＥＬ素子用材料）とともに用いる正孔注入材料、正孔輸送材料はさらに以下一般式［６］〜［１１］のようなものを用いることが出来る。
【０１０５】
一般式［６］
【化９】
2008044923.tif 000014
【０１０６】
（式中、Ra11〜Ra14は、それぞれ独立に、水素原子、アルコキシル基、もしくはシアノ基を表すが、全てが同時に水素原子となることはない。）
【０１０７】
ここで、アルコキシル基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、２−ボルニルオキシ基、２−イソボルニルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基等の炭素数１〜１８のアルコキシル基があげられる。特にRa11〜Ra14の好ましい組み合わせとしては、Ra11〜Ra14が全てメトキシ基、エトキシ基、もしくはシアノ基の場合であることが好ましい。
【０１０８】
一般式［７］
【化１０】
2008044923.tif 000015
【０１０９】
（式中、Z21は連結基であり、単結合、２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、酸素原子、硫黄原子のいずれかを表す。Ra21〜Ra26は、それぞれ独立に、１価の芳香族炭化水素基を表す。）
【０１１０】
Z21の連結基としては、単結合、ビニレン基、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、９，１０−フェナントリレン基、９，１０−アンスリレン基が好ましく、単結合、ビニレン基、ｐ−フェニレン基、１，４−ナフチレン基がさらに好ましい。また、Ra21〜Ra26としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基より選ばれる１価の芳香族炭化水素基が好ましい。
【０１１１】
一般式［８］
【化１１】
2008044923.tif 000016
【０１１２】
（式中、Z31は連結基であり、単結合、２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、酸素原子、硫黄原子のいずれかを表す。Ra31〜Ra36は、それぞれ独立に、１価の芳香族炭化水素基を表す。）
【０１１３】
Z31の連結基としては、単結合、ビニレン基、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、９，１０−フェナントリレン基、９，１０−アンスリレン基が好ましく、単結合、ビニレン基、ｐ−フェニレン基、１，４−ナフチレン基がさらに好ましい。また、Ra31〜Ra36としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基より選ばれる１価の芳香族炭化水素基が好ましい。
【０１１４】
一般式［９］
【化１２】
2008044923.tif 000017
【０１１５】
（式中、Ra41〜Ra48は、それぞれ独立に、１価の芳香族炭化水素基を表す。）
【０１１６】
Ra41〜Ra48としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基より選ばれる１価の芳香族炭化水素基が好ましい。
【０１１７】
一般式［１０］
【化１３】
2008044923.tif 000018
【０１１８】
（式中、Ra51〜Ra56は、それぞれ独立に、１価の芳香族炭化水素基を表す。）
【０１１９】
Ra51〜Ra56としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基より選ばれる１価の芳香族炭化水素基が好ましい。
【０１２０】
一般式［１１］
【化１４】
2008044923.tif 000019
【０１２１】
（式中、Ra61〜Ra64は、それぞれ独立に、１価の芳香族炭化水素基を表し、ｐは１〜４の整数を表す。）
【０１２２】
Ra61〜Ra64としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基より選ばれる１価の芳香族炭化水素基が好ましい。
【０１２３】
以上述べた一般式［６］〜［１１］で示した化合物は特に正孔注入材料として、好適に用いられる。以下の表２に特に好ましい例を示す。
【０１２４】
表２
【表２】
2008044923.tif 000020
【０１２５】
【表２】
2008044923.tif 000021
【０１２６】
【表２】
2008044923.tif 000022
【０１２７】
【表２】
2008044923.tif 000023
【０１２８】
また、本発明の化合物（有機ＥＬ素子用材料）と共に用いることが出来る正孔輸送材料としては、下記表３に示す公知の化合物もあげられる。
【０１２９】
表３
【表３】
2008044923.tif 000024
【０１３０】
【表３】
2008044923.tif 000025
【０１３１】
【表３】
2008044923.tif 000026
【０１３２】
【表３】
2008044923.tif 000027
【０１３３】
【表３】
2008044923.tif 000028
【０１３４】
【表３】
2008044923.tif 000029
【０１３５】
【表３】
2008044923.tif 000030
【０１３６】
この正孔注入層を形成するには、上述の化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコ−ト法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化するが、正孔注入層の膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。
【０１３７】
一方、電子注入層には、発光層に対して優れた電子注入効果を示し、かつ陰極界面との密着性と薄膜形成性に優れた電子注入層を形成できる電子注入材料が用いられる。そのような電子注入材料の例としては、金属錯体化合物、含窒素五員環誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ペリレンテトラカルボン酸誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、シロ−ル誘導体、トリアリ−ルホスフィンオキシド誘導体、カルシウムアセチルアセトナ−ト、酢酸ナトリウムなどがあげられる。また、セシウム等の金属をバソフェナントロリンにド−プした無機／有機複合材料（高分子学会予稿集，第５０巻，４号，６６０頁，２００１年発行）や、第５０回応用物理学関連連合講演会講演予稿集、Ｎｏ．３、１４０２頁、２００３年発行記載のＢＣＰ、ＴＰＰ、Ｔ５ＭＰｙＴＺ等も電子注入材料の例としてあげられるが、素子作成に必要な薄膜を形成し、陰極からの電子を注入できて、電子を輸送できる材料であれば、特にこれらに限定されるものではない。
【０１３８】
上記電子注入材料の中でも特に効果的な電子注入材料としては、金属錯体化合物、含窒素五員環誘導体、シロ−ル誘導体、トリアリ−ルホスフィンオキシド誘導体があげられる。本発明に使用可能な好ましい金属錯体化合物としては、８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体が好適である。８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体の具体例としては、トリス（８−ヒドロキシキノリナ−ト）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）アルミニウム、トリス（５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナ−ト）（１−ナフトラ−ト）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナ−ト）（２−ナフトラ−ト）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナ−ト）（フェノラ−ト）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナ−ト）（４−シアノ−１−ナフトラ−ト）アルミニウム、ビス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）（１−ナフトラ−ト）アルミニウム、ビス（５−メチル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）（２−ナフトラ−ト）アルミニウム、ビス（５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）（フェノラ−ト）アルミニウム、ビス（５−シアノ−８−ヒドロキシキノリナ−ト）（４−シアノ−１−ナフトラ−ト）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナ−ト）クロロアルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナ−ト）（ｏ−クレゾラ−ト）アルミニウム等のアルミニウム錯体化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリナ−ト）ガリウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）ガリウム、トリス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）ガリウム、トリス（５−メチル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）ガリウム、トリス（２−メチル−５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）（１−ナフトラ−ト）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）（２−ナフトラ−ト）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）（フェノラ−ト）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）（４−シアノ−１−ナフトラ−ト）ガリウム、ビス（２、４−ジメチル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）（１−ナフトラ−ト）ガリウム、ビス（２、５−ジメチル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）（２−ナフトラ−ト）ガリウム、ビス（２−メチル−５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）（フェノラ−ト）ガリウム、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−ヒドロキシキノリナ−ト）（４−シアノ−１−ナフトラ−ト）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）（ｏ−クレゾラ−ト）ガリウム等のガリウム錯体化合物の他、８−ヒドロキシキノリナ−トリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナ−ト）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナ−ト）マンガン、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナ−ト）ベリリウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナ−ト）亜鉛、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナ−ト）亜鉛等の金属錯体化合物があげられる。
【０１３９】
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、好ましい含窒素五員環誘導体としては、オキサゾ−ル誘導体、チアゾ−ル誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、チアジアゾ−ル誘導体、トリアゾ−ル誘導体があげられ、具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾ−ル、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾ−ル、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾ−ル、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）１，３，４−オキサジアゾ−ル、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾ−ル、１，４−ビス［２−（５  −フェニルオキサジアゾリル）。）ベンゼン、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’−ｔｅｒｔ−  ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−チアジアゾ−ル、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾ−ル、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル）。）ベンゼン、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−トリアゾ−ル、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾ−ル、１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル）。］ベンゼン等があげられる。
【０１４０】
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、特に好ましいオキサジアゾール誘導体としては下記一般式［１２］で表されるオキサジアゾール誘導体を示すことができる。
【０１４１】
一般式［１２］
【化１５】
2008044923.tif 000031
【０１４２】
（式中、Arr1およびArr2は、それぞれ独立に、置換基を有しても良い、１価の芳香族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基を表す。）
【０１４３】
１価の含窒素芳香族複素環基としては、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、３−ピリダジル基、４−ピリダジル基、２−ピリミジル基、４−ピリミジル基、５−ピリミジル基、２−ピラジル基、１−イミダゾリル基等の１価の含窒素単環芳香族複素環基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、２−キナゾリル基、４−キナゾリル基、５−キナゾリル基、２−キノキサリル基、５−キノキサリル基、６−キノキサリル基、１−インドリル基、９−カリバゾリル基等の１価の含窒素縮合環芳香族複素環基、２，２’−ビピリジル−３−イル基、２，２’−ビピリジル−４−イル基、３，３’−ビピリジル−２−イル基、３，３’−ビピリジル−４−イル基、４，４’−ビピリジル−２−イル基、４，４’−ビピリジル−３−イル基等の１価の含窒素環集合芳香族複素環基があげられ、さらに、これら１価の含窒素芳香族複素環基上の水素原子は、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の芳香族炭化水素基で置換されていても良い。
【０１４４】
Arr1およびArr2として、好ましい１価の芳香族炭化水素基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基で置換されていても良い、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基があげられ、また好ましい１価の含窒素芳香族複素環基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の芳香族炭化水素基で置換されていても良い、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２，２’−ビピリジル−３−イル基、および２，２’−ビピリジル−４−イル基があげられる。
【０１４５】
以下、表４に本発明に使用可能なオキサジアゾール誘導体の具体例を示す。
【０１４６】
表４
【表４】
2008044923.tif 000032
【０１４７】
【表４】
2008044923.tif 000033
【０１４８】
【表４】
2008044923.tif 000034
【０１４９】
【表４】
2008044923.tif 000035
【０１５０】
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、特に好ましいトリアゾール誘導体としては、下記一般式［１３］で表されるトリアゾール誘導体があげられる。
【０１５１】
一般式［１３］
【化１６】
2008044923.tif 000036
【０１５２】
（式中、Art1〜Art3は、それぞれ独立に、置換基を有しても良い、１価の芳香族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基を表す。）
【０１５３】
ここで、Art1およびArt2として、好ましい１価の芳香族炭化水素基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基で置換されていても良い、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基があげられ、また好ましい１価の含窒素芳香族複素環基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の芳香族炭化水素基で置換されていても良い、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２，２’−ビピリジル−３−イル基、および２，２’−ビピリジル−４−イル基があげられる。また、Art3として、好ましい１価の芳香族炭化水素基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基で置換されていても良い、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基があげられ、また好ましい１価の含窒素芳香族複素環基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の芳香族炭化水素基で置換されていても良い、２−ピリジル基、３−ピリジル基、および４−ピリジル基があげられる。
【０１５４】
以下、表５に本発明に使用可能なトリアゾール誘導体の具体例を示す。
【０１５５】
表５
【表５】
2008044923.tif 000037
【０１５６】
【表５】
2008044923.tif 000038
【０１５７】
【表５】
2008044923.tif 000039
【０１５８】
【表５】
2008044923.tif 000040
【０１５９】
【表５】
2008044923.tif 000041
【０１６０】
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、特に好ましいシロール誘導体としては、下記一般式［１４］で表されるシロール誘導体があげられる。
一般式［１４］
【０１６１】
【化１７】
2008044923.tif 000042
【０１６２】
（式中、Rp1およびRp2は、それぞれ独立に、置換基を有しても良い、１価の脂肪族炭化水素基、１価の芳香族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基を表す。Arp1〜Arp4は、それぞれ独立に、置換基を有しても良い、１価の芳香族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基を表す。Rp1、Rp2、Arp1〜Arp4の隣接した基同士は互いに連結して環を形成しても良い。）
【０１６３】
ここで、Rp1およびRp2として、好ましい１価の脂肪族炭化水素基としては、１価の芳香族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基で置換されていても良い、メチル基、エチル基、プロピル基、およびブチル基があげられ、好ましい１価の芳香族炭化水素基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基で置換されていても良い、フェニル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基があげられ、好ましい１価の含窒素芳香族複素環基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の芳香族炭化水素基で置換されていても良い、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基があげられる。また、Arp1〜Arp4として、好ましい１価の芳香族炭化水素基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基で置換されていても良い、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基があげられ、また好ましい１価の含窒素芳香族複素環基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の芳香族炭化水素基で置換されていても良い、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２，２’−ビピリジル−３−イル基、および２，２’−ビピリジル−４−イル基があげられる。
【０１６４】
以下、表６に本発明に使用可能なシロール誘導体の具体例を示す。
【０１６５】
表６
【表６】
2008044923.tif 000043
【０１６６】
【表６】
2008044923.tif 000044
【０１６７】
【表６】
2008044923.tif 000045
【０１６８】
【表６】
2008044923.tif 000046
【０１６９】
【表６】
2008044923.tif 000047
【０１７０】
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、好ましいトリアリールホスフィンオキシド誘導体としては、特開２００２−６３９８９号公報、特開２００４−９５２２１号公報、特開２００４−２０３８２８号公報、特開２００４−２０４１４０号公報記載のトリアリールホスフィンオキシド誘導体や下記一般式［１５］で表されるトリアリールホスフィンオキシド誘導体を示すことができる。
【０１７１】
一般式［１５］
【化１８】
2008044923.tif 000048
【０１７２】
（式中、Arq1〜Arq3は、それぞれ独立に、置換基を有しても良い１価の芳香族炭化水素基を表す。）
【０１７３】
ここでArq1〜Arq3として、好ましい１価の芳香族炭化水素基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基で置換されていても良い、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基があげられる。
【０１７４】
以下、表７に本発明に使用可能なトリアリールホスフィンオキシド誘導体の具体例を示す。
【０１７５】
表７
【表７】
2008044923.tif 000049
【０１７６】
【表７】
2008044923.tif 000050
【０１７７】
【表７】
2008044923.tif 000051
【０１７８】
【表７】
2008044923.tif 000052
【０１７９】
【表７】
2008044923.tif 000053
【０１８０】
さらに、正孔阻止層には、発光層を経由した正孔が電子注入層に達するのを防ぎ、薄膜形成性に優れた層を形成できる正孔阻止材料が用いられる。そのような正孔阻止材料の例としては、ビス（８−ヒドロキシキノリナ−ト）（４−フェニルフェノラ−ト）アルミニウム等のアルミニウム錯体化合物や、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナ−ト）（４−フェニルフェノラ−ト）ガリウム等のガリウム錯体化合物、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）等の含窒素縮合芳香族化合物があげられる。
【０１８１】
本発明の有機ＥＬ素子の発光層としては、以下の機能を併せ持つものが好適である。
注入機能；電界印加時に陽極または正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極または電子注入層より電子を注入することができる機能
輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさには、違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。
【０１８２】
有機ＥＬ素子の発光材料は主に有機化合物であり、具体的には所望の色調により、次のような化合物が用いられる。
【０１８３】
たとえば、紫外域から紫色の発光を得る場合には、下記一般式［１６］で表される化合物が好適に用いられる。
【０１８４】
一般式［１６］
【化１９】
2008044923.tif 000054
【０１８５】
（式中、Ｘ１は下記一般式［１７］で表される基を示し、Ｘ２は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基のいずれかを示す。〕
【０１８６】
一般式［１７］
【化２０】
2008044923.tif 000055
【０１８７】
（式中、ｍは２〜５の整数を示す）
【０１８８】
この一般式［１６］のＸ１、Ｘ２で表されるフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、フェニレン基は、単数または複数の炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシル基、水酸基、スルホニル基、カルボニル基、アミノ基、ジメチルアミノ基またはジフェニルアミノ基等の置換基で置換されていてもよい。また、これら置換基が複数ある場合には、それらが互いに結合し、環を形成していてもよい。さらに、Ｘ１で表されるフェニレン基は、パラ位で結合したものが、結合性が良く、かつ平滑な蒸着膜が形成し易いことから好ましい。上記一般式［１６］で表される化合物の具体例を示せば、下記のとおりである（ただし、Ｐｈはフェニル基を表す）。
【０１８９】
【化２１】
2008044923.tif 000056
【０１９０】
【化２２】
2008044923.tif 000057
【０１９１】
これら化合物の中では、特にｐ−クォ−タ−フェニル誘導体、ｐ−クインクフェニル誘導体が好ましい。
【０１９２】
また、可視域、特に青色から緑色の発光を得るためには、例えばベンゾチアゾ−ル系、ベンゾイミダゾ−ル系、ベンゾオキサゾ−ル系等の蛍光増白剤、金属キレ−ト化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物を用いることができる。これら化合物の具体例としては、例えば特開昭５９−１９４３９３号公報に開示されている化合物を挙げることができる。さらに他の有用な化合物は、ケミストリ−・オブ・シンセティック・ダイズ（１９７１）６２８〜６３７頁および６４０頁に列挙されている。
【０１９３】
前記金属キレ−ト化オキシノイド化合物としては、例えば、特開昭６３−２９５６９５号公報に開示されている化合物を用いることができる。その代表例としては、トリス（８−キノリノ−ル）アルミニウム等の８−ヒドロキシキノリン系金属錯体や、ジリチウムエピントリジオン等が好適な化合物として挙げることができる。
【０１９４】
また、前記スチリルベンゼン系化合物としては、例えば、欧州特許第０３１９８８１号明細書や欧州特許第０３７３５８２号明細書に開示されているものを用いることができる。そして、特開平２−２５２７９３号公報に開示されているジスチリルピラジン誘導体も、発光層の材料として用いることができる。このほか、欧州特許第０３８７７１５号明細書に開示されているポリフェニル系化合物も発光層の材料として用いることができる。
【０１９５】
さらに、上述した蛍光増白剤、金属キレ−ト化オキシノイド化合物およびスチリルベンゼン系化合物等以外に、例えば１２−フタロペリノン（Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．，第２７巻，Ｌ７１３（１９８８年））、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（以上Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，第５６巻，Ｌ７９９（１９９０年））、ナフタルイミド誘導体（特開平２−３０５８８６号公報）、ペリレン誘導体（特開平２−１８９８９０号公報）、オキサジアゾ−ル誘導体（特開平２−２１６７９１号公報、または第３８回応用物理学関係連合講演会で浜田らによって開示されたオキサジアゾ−ル誘導体）、アルダジン誘導体（特開平２−２２０３９３号公報）、ピラジリン誘導体（特開平２−２２０３９４号公報）、シクロペンタジエン誘導体（特開平２−２８９６７５号公報）、ピロロピロ−ル誘導体（特開平２−２９６８９１号公報）、スチリルアミン誘導体（Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  第５６巻，Ｌ７９９（１９９０年）、クマリン系化合物（特開平２−１９１６９４号公報）、国際特許公報ＷＯ９０／１３１４８やＡｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ５８，１８，Ｐ１９８２（１９９１）に記載されているような高分子化合物、９，９’，１０，１０’−テトラフェニル−２，２’−ビアントラセン、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）誘導体、ポリフルオレン誘導体やそれら共重合体等、例えば、下記一般式［１８］〜一般式［２０］の構造をもつものや、
【０１９６】
一般式［１８］
【化２３】
2008044923.tif 000058
【０１９７】
（式中、Ｒx1およびＲX2は、それぞれ独立に、１価の脂肪族炭化水素基を、ｎ１は、３〜１００の整数を表す。）
【０１９８】
一般式［１９］
【化２４】
2008044923.tif 000059
【０１９９】
（式中、Ｒx3およびＲX4は、それぞれ独立に、１価の脂肪族炭化水素基を、ｎ２およびｎ３は、それぞれ独立に、３〜１００の整数を表す。）
【０２００】
一般式［２０］
【化２５】
2008044923.tif 000060
【０２０１】
（式中、ＲX5およびＲX6は、それぞれ独立に、１価の脂肪族炭化水素基を、ｎ４およびｎ５は、それぞれ独立に、３〜１００の整数を表す。Ｐｈはフェニル基を表す。）
９，１０−ビス（Ｎ−（４−（２−フェニルビニル−１−イル）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）アントラセン等も発光層の材料として用いることができる。さらには、特開平８−１２６００号公報に開示されているような下記一般式［２１］で示されるフェニルアントラセン誘導体も発光材料として用いることができる。
【０２０２】
一般式［２１］
Ａ１−Ｌ−Ａ２
【０２０３】
（式中、Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立に、モノフェニルアントリル基またはジフェニルアントリル基を示し、これらは同一でも異なっていてもよい。Ｌは、単結合または２価の連結基を表す。）
【０２０４】
ここで、Ｌで示される２価の連結基としては、置換基を有しても良い２価の単環もしくは縮合環芳香族炭化水素基が好ましい。特に、以下の一般式［２２］ないし一般式［２３］で表されるフェニルアントラセン誘導体は好適である。
【０２０５】
一般式［２２］
【化２６】
2008044923.tif 000061
【０２０６】
（式中、ＲZ1〜ＲZ4は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、１価の芳香族炭化水素基、アルコキシル基、アリ−ルオキシ基、ジアリ−ルアミノ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。ｒ１〜ｒ４は、それぞれ独立に、０又は１〜５の整数を表す。ｒ１〜ｒ４が、それぞれ独立に、２以上の整数であるとき、ＲZ1同士、ＲZ2同士、ＲZ3同士、ＲZ4同士は各々同一でも異なるものであってもよく、ＲZ1同士、ＲZ2同士、ＲZ3同士、ＲZ4同士は結合して環を形成してもよい。Ｌ１は単結合又は置換基を有しても良い２価の単環もしくは縮合環芳香族炭化水素基を表し、置換基を有しても良い２価の単環もしくは縮合環芳香族炭化水素基は、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ−（ここでＲはアルキル基又はアリ−ル基を表す）が介在するものであってもよい。）
【０２０７】
一般式［２３］
【化２７】
2008044923.tif 000062
【０２０８】
（式中、ＲZ5及びＲZ6は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、１価の芳香族炭化水素基、アルコキシル基、アリ−ルオキシ基、ジアリ−ルアミノ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。ｒ５及びｒ６は、それぞれ独立に、０又は１〜５の整数を表す。ｒ５及びｒ６が、それぞれ独立に、２以上の整数であるとき、ＲZ5同士及びＲZ6同士は各々同一でも異なるものであってもよく、ＲZ5同士及びＲZ6同士は結合して環を形成してもよい。Ｌ２は単結合又は置換基を有しても良い２価の単環もしくは縮合環芳香族炭化水素基を表し、置換基を有しても良い２価の単環もしくは縮合環芳香族炭化水素基は、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ−（ここでＲはアルキル基又はアリ−ル基を表す）が介在するものであってもよい。）
【０２０９】
前記一般式［２３］の内、下記一般式［２４］ないし一般式［２５］で表されるフェニルアントラセン誘導体がさらに好適である。
【０２１０】
一般式［２４］
【化２８】
2008044923.tif 000063
【０２１１】
（式中、ＲZ11〜ＲZ30は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、１価の芳香族炭化水素基、アルコキシル基、アリ−ルオキシ基、ジアリ−ルアミノ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。また、ＲZ11〜ＲZ30は、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。ｋ１は、０〜３の整数を表す。）
【０２１２】
一般式［２５］
【化２９】
2008044923.tif 000064
【０２１３】
（式中、ＲZ31〜ＲZ50は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、１価の芳香族炭化水素基、アルコキシル基、アリ−ルオキシ基、ジアリ−ルアミノ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。また、ＲZ31〜ＲZ50は、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。ｋ２は、０〜３の整数を表す。）
【０２１４】
また、前記一般式［２５］の内、下記一般式［２６］で表されるフェニルアントラセン誘導体はさらに好適である。
【０２１５】
一般式［２６］
【化３０】
2008044923.tif 000065
【０２１６】
（式中、ＲZ51〜ＲZ60は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、１価の芳香族炭化水素基、アルコキシル基、アリ−ルオキシ基、ジアリ−ルアミノ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。また、ＲZ51〜ＲZ60は、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。ｋ３は、０〜３の整数を表す。）
【０２１７】
上記一般式［２６］〜一般式［２７］の具体例としては、下記化合物があげられる。
【０２１８】
【化３１】
2008044923.tif 000066
【０２１９】
さらには、以下の化合物も具体例として挙げられる。
【０２２０】
【化３２】
2008044923.tif 000067
【０２２１】
また、下記一般式［２７］で示されるアミン化合物も発光材料として有用である。
【０２２２】
一般式［２７］
【化３３】
2008044923.tif 000068
【０２２３】
（式中、ｈは、価数であり１〜６の整数を表す。Ｅ1は、ｎ価の芳香族炭化水素基、Ｅ2は、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。）
【０２２４】
ここで、Ｅ1で示されるＮ価の芳香族炭化水素基の母体構造としては、ナフタレン、アントラセン、９−フェニルアントラセン、９，１０−ジフェニルアントラセン、ナフタセン、ピレン、ペリレン、ビフェニル、ビナフチル、ビアンスリルが好ましく、Ｅ1で示されるアミノ基としては、ジアリ−ルアミノ基が好ましい。また、ｎは、１〜４が好ましく、特に２であることが最も好ましい。一般式［２７］の内、特に以下の一般式［２８］〜一般式［３０］で表されるアミン化合物は好適である。
【０２２５】
一般式［２８］
【化３４】
2008044923.tif 000069
【０２２６】
（式中、Ｒy1〜Ｒy8は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリ−ルオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、もしくは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒy1〜Ｒy8の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒy1〜Ｒy8は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
【０２２７】
一般式［２９］
【化３５】
2008044923.tif 000070
【０２２８】
（式中、Ｒy11〜Ｒy20は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリ−ルオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、もしくは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒy11〜Ｒy20の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒy11〜Ｒy20は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
【０２２９】
一般式［３０］
【化３６】
2008044923.tif 000071
【０２３０】
（式中、Ｒy21〜Ｒy34は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリ−ルオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、もしくは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒy21〜Ｒy34の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒy21〜Ｒy34は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
【０２３１】
一般式［３１］
【化３７】
2008044923.tif 000072
【０２３２】
（式中、Ｒy35〜Ｒy52は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリ−ルオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、もしくは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒy35〜Ｒy52の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒy35〜Ｒy52は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
【０２３３】
一般式［３２］
【化３８】
2008044923.tif 000073
【０２３４】
（式中、Ｒy53〜Ｒy64は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリ−ルオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、もしくは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒy53〜Ｒy64の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒy53〜Ｒy64は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
【０２３５】
一般式［３３］
【化３９】
2008044923.tif 000074
【０２３６】
（式中、Ｒy65〜Ｒy74は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリ−ルオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、もしくは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒy65〜Ｒy74の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒy65〜Ｒy74は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
【０２３７】
一般式［３４］
【化４０】
2008044923.tif 000075
【０２３８】
（式中、Ｒy75〜Ｒy86は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリ−ルオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、もしくは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒy75〜Ｒy86の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒy75〜Ｒy86は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
【０２３９】
一般式［３５］
【化４１】
2008044923.tif 000076
【０２４０】
（式中、Ｒy87〜Ｒy96は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリ−ルオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、もしくは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒy87〜Ｒy96の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒy87〜Ｒy96は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
【０２４１】
一般式［３６］
【化４２】
2008044923.tif 000077
【０２４２】
（式中、Ｒy97〜Ｒy110は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリ−ルオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、もしくは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒy97〜Ｒy110の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒy97〜Ｒy110は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
【０２４３】
一般式［３７］
【化４３】
2008044923.tif 000078
【０２４４】
（式中、Ｒy111〜Ｒy128は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリ−ルオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、もしくは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒy111〜Ｒy128の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒy111〜Ｒy128は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
【０２４５】
上述した一般式［３４］および一般式［３７］のアミン化合物は、黄色〜赤色発光を得る場合、好適に用いることができる。以上述べた一般式［３４］〜一般式［３７］で表されるアミン化合物の具体例として下記構造の化合物をあげることができる（ただし、Ｐｈはフェニル基を表す）。
【０２４６】
【化４４】
2008044923.tif 000079
【０２４７】
【化４５】
2008044923.tif 000080
【０２４８】
【化４６】
2008044923.tif 000081
【０２４９】
【化４７】
2008044923.tif 000082
【０２５０】
【化４８】
2008044923.tif 000083
【０２５１】
また、上記一般式［３４］〜一般式［３７］において、アミノ基の代わりに、下記一般式［３８］ないし一般式［３９］で表されるスチリル基を少なくとも一つ含有する化合物（例えば、欧州特許第０３８８７６８号明細書、特開平３−２３１９７０号公報などに開示のものを含む）も発光材料として好適に用いることができる。
【０２５２】
一般式［３８］
【化４９】
2008044923.tif 000084
【０２５３】
（式中、Ｒy129〜Ｒy131は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、１価の芳香族炭化水素基を表す。Ｒy129〜Ｒy131は、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
【０２５４】
一般式［３８］
【化５０】
2008044923.tif 000085
【０２５５】
（式中、Ｒy132〜Ｒy138は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、１価の芳香族炭化水素基を表す。Ｒy134〜Ｒy138は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、１価の芳香族炭化水素基、もしくは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒy134〜Ｒy138の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリ−ルアミノ基、アルキルアリ−ルアミノ基から選ばれるアミノ基である。Ｒy132〜Ｒy138は、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
【０２５６】
以上述べた一般式［３７］ないし一般式［３８］で表されるスチリル基を少なくとも一つ含有する化合物の具体例として下記構造の化合物をあげることができる（ただし、Ｐｈはフェニル基を表す）。
【０２５７】
【化５１】
2008044923.tif 000086
【０２５８】
【化５２】
2008044923.tif 000087
【０２５９】
【化５３】
2008044923.tif 000088
【０２６０】
【化５４】
2008044923.tif 000089
【０２６１】
【化５５】
2008044923.tif 000090
【０２６２】
【化５６】
2008044923.tif 000091
【０２６３】
また、特開平５−２５８８６２号公報等に記載されている一般式（Ｒｓ−Ｑ）2 −Ａｌ−Ｏ−Ｌ３（式中、Ｌ３はフェニル部分を含んでなる炭素原子６〜２４個の炭化水素であり、Ｏ−Ｌ３はフェノラ−ト配位子であり、Ｑは置換８−キノリノラ−ト配位子を示し、Ｒｓはアルミニウム原子に置換８−キノリノラ−ト配位子が２個を上回り結合するのを立体的に妨害するように選ばれた８−キノリノラ−ト環置換基を示す〕で表される化合物も挙げられる。具体的には、ビス（２−メチル−８−キノリノラ−ト）（パラ−フェニルフェノラ−ト）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラ−ト）（１−ナフトラ−ト）アルミニウム（ＩＩＩ）等が挙げられる。
【０２６４】
このほか、特開平６−９９５３号公報等によるド−ピングを用いた高効率の青色と緑色の混合発光を得る方法が挙げられる。この場合、ホストとしては、上記の発光材料、ド−パントとしては青色から緑色までの強い蛍光色素、例えばクマリン系あるいは上記のホストとして用いられているものと同様な蛍光色素を挙げることができる。具体的には、ホストとしてジスチリルアリ−レン骨格の発光材料、特に好ましくは４，４’−ビス（２，２−ジフエニルビニル）ビフェニル、ド−パントとしてはジフェニルアミノビニルアリ−レン、特に好ましくは例えばＮ，Ｎ−ジフェニルアミノビニルベンゼンを挙げることができる。
【０２６５】
白色の発光を得る発光層としては特に制限はないが、下記のものを用いることができる。
有機ＥＬ積層構造体の各層のエネルギ−準位を規定し、トンネル注入を利用して発光させるもの（欧州特許第０３９０５５１号公報）。
同じくトンネル注入を利用する素子で実施例として白色発光素子が記載されているもの（特開平３−２３０５８４号公報）。
二層構造の発光層が記載されているもの（特開平２−２２０３９０号公報および特開平２−２１６７９０号公報）。
発光層を複数に分割してそれぞれ発光波長の異なる材料で構成されたもの（特開平４−５１４９１号公報）。
青色発光体（蛍光ピ−ク３８０〜４８０ｎｍ）と緑色発光体（４８０〜５８０ｎｍ）とを積層させ、さらに赤色蛍光体を含有させた構成のもの（特開平６−２０７１７０号公報）。
青色発光層が青色蛍光色素を含有し、緑色発光層が赤色蛍光色素を含有した領域を有し、さらに緑色蛍光体を含有する構成のもの（特開平７−１４２１６９号公報）。
これらの中では、上記の構成のものが特に好ましい。
【０２６６】
さらに、発光材料として、例えば、下記に示す公知の化合物が好適に用いられる（ただし、Ｐｈはフェニル基を表す）。
【０２６７】
【化５７】
2008044923.tif 000092
【０２６８】
【化５８】
2008044923.tif 000093
【０２６９】
【化５９】
2008044923.tif 000094
【０２７０】
【化６０】
2008044923.tif 000095
【０２７１】
【化６１】
2008044923.tif 000096
【０２７２】
【化６２】
2008044923.tif 000097
【０２７３】
【化６３】
2008044923.tif 000098
【０２７４】
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子では、リン光発光材料を用いることができる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に使用できるリン光発光材料またはド−ピング材料としては、例えば有機金属錯体があげられ、ここで金属原子は通常、遷移金属であり、好ましくは周期では第５周期または第６周期、族では６族から１１族、さらに好ましくは８族から１０族の元素が対象となる。具体的にはイリジウムや白金などである。また、配位子としては２−フェニルピリジンや２−（２’−ベンゾチエニル）ピリジンなどがあり、これらの配位子上の炭素原子が金属と直接結合しているのが特徴である。別の例としてはポルフィリンまたはテトラアザポルフィリン環錯体などがあり、中心金属としては白金などがあげられる。例えば、下記に示す公知の化合物がリン光発光材料として好適に用いられる（ただし、Ｐｈはフェニル基を表す）。
【０２７５】
【化６４】
2008044923.tif 000099
【０２７６】
【化６５】
2008044923.tif 000100
【０２７７】
さらに、本発明の有機ＥＬ素子の陽極に使用される材料は、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物またはこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ、ＳＮＯ2 、ＺＮＯ等の導電性材料が挙げられる。この陽極を形成するには、これらの電極物質を、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることができる。この陽極は、上記発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくなるような特性を有していることが望ましい。また、陽極のシ−ト抵抗は、数百Ω／□以下としてあるものが好ましい。さらに、陽極の膜厚は、材料にもよるが通常１０Ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。
【０２７８】
また、本発明の有機ＥＬ素子の陰極に使用される材料は、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。ここで、発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシ−ト抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、さらに、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００Ｎｍである。
【０２７９】
本発明の有機ＥＬ素子を作製する方法については、上記の材料および方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、および必要に応じて電子注入層を形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。
【０２８０】
この有機ＥＬ素子は、透光性の基板上に作製する。この透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、その透光性については、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上、好ましくは９０％以上であるものが望ましく、さらに平滑な基板を用いるのが好ましい。
【０２８１】
これら基板は、機械的、熱的強度を有し、透明であれば特に限定されるものではないが、例えば、ガラス板、合成樹脂板などが好適に用いられる。ガラス板としては、特にソ−ダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英などで成形された板が挙げられる。また、合成樹脂板としては、ポリカ−ボネ−ト樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレ−ト樹脂、ポリエ−テルサルファイド樹脂、ポリサルフォン樹脂などの板が挙げられる。
【０２８２】
本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成方法としては、真空蒸着、電子線ビ−ム照射、スパッタリング、プラズマ、イオンプレ−ティング等の乾式成膜法、もしくはスピンコ−ティング、ディッピング、フロ−コ−ティング、インクジェット法等の湿式成膜法、発光体をドナ−フイルム上に蒸着する方法、また、特表２００２−５３４７８２やS.T.Lee, et al., Proceedings of SID'02, p.784(2002)に記載されているレーザー熱転写法（（Laser Induced Thermal Imaging、ＬＩＴＩ法ともいわれる）のいずれかの方法を適用することができる。有機層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態または液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。また特開昭５７−５１７８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコ−ト法等により薄膜化することによっても、有機層を形成することができる。各層の膜厚は特に限定されるものではないが、膜厚が厚すぎると一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要となり効率が悪くなり、逆に膜厚が薄すぎるとピンホ−ル等が発生し、電界を印加しても充分な発光輝度が得にくくなる。したがって、各層の膜厚は、１ｎｍから１μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍから０．２μｍの範囲がより好ましい。
【０２８３】
また、有機ＥＬ素子の温度、湿度、雰囲気等に対する安定性向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、樹脂等により素子全体を被覆や封止を施したりしても良い。特に素子全体を被覆や封止する際には、光によって硬化する光硬化性樹脂が好適に使用される。
【０２８４】
本発明の有機ＥＬ素子に印加する電流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いてもよい。電流値、電圧値は、素子破壊しない範囲内であれば特に制限はないが、素子の消費電力や寿命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギ−で効率良く発光させることが望ましい。
【０２８５】
本発明の有機ＥＬ素子の駆動方法は、パッシブマトリクス法のみならず、アクティブマトリックス法での駆動も可能である。また、本発明の有機ＥＬ素子から光を取り出す方法としては、陽極側から光を取り出すボトム・エミッションという方法のみならず、陰極側から光を取り出すトップ・エミッションという方法にも適用可能である。これらの方法や技術は、城戸淳二著、「有機ＥＬのすべて」、日本実業出版社（２００３年発行）に記載されている。
【０２８６】
さらに、本発明の有機ＥＬ素子は、マイクロキャビティ構造を採用しても構わない。これは、有機ＥＬ素子は、発光層が陽極と陰極との間に挟持された構造であり、発光した光は陽極と陰極との間で多重干渉を生じるが、陽極及び陰極の反射率、透過率などの光学的な特性と、これらに挟持された有機層の膜厚とを適当に選ぶことにより、多重干渉効果を積極的に利用し、素子より取り出される発光波長を制御するという技術である。これにより、発光色度を改善することも可能となる。この多重干渉効果のメカニズムについては、Ｊ．Ｙａｍａｄａ等によるＡＭ−ＬＣＤ  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  ＴｅｃｈＮｉｃａｌ  Ｐａｐｅｒｓ，  ＯＤ−２，ｐ．７７〜８０（２００２）に記載されている。
【０２８７】
以上述べたように、本発明のカルバゾ−ル含有アミン化合物を用いた有機ＥＬ素子は、低い駆動電圧で長時間の発光を得ることが可能である。故に、本有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや各種の平面発光体として、さらには、複写機やプリンタ−等の光源、液晶ディスプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等への応用が考えられる。
【実施例】
【０２８８】
以下、本発明を実施例で説明するが、本発明はこれら実施例になんら限定されるものではない。また、説明中、％は重量％を表す。
【０２８９】
実施例１
化合物（１）の製造方法
合成スキ−ムは式１〜３のとおりである。
【０２９０】
式１
【化６６】
2008044923.tif 000101
【０２９１】
式２
【化６７】
2008044923.tif 000102
【０２９２】
式３
【化６８】
2008044923.tif 000103
【０２９３】
以下、式１〜３を参照しながら説明する。
【０２９４】
中間体(III)の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、ニトロベンゼン１０ｇ中に、Ｎ,Ｎ−ジフェニルアミン１０ｇ、４、４'−ジヨ−ドビフェニル３０ｇ、および無水炭酸カリウム９．４ｇ、銅粉０．８ｇを２００℃にて１０時間加熱撹拌した。反応終了後、１００ｇのトルエンで抽出を行ない、トルエン層を濃縮した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−により精製を行ない白色の蛍光を有する粉末８ｇを得た。ＦＤ−ＭＳよる分子量分析により、化合物（III）であることを確認した。
【０２９５】
中間体(VI)の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、１，３−ジメチル−２−イニダゾリジノン１０ｇ中に、３−ブロモ−９−フェニルカルバゾ−ル（IV）６．４ｇ、アニリン２．３ｇ、および無水炭酸カリウム２．０ｇ、銅粉０．２ｇを２００℃にて１０時間加熱撹拌した。反応終了後、１００ｇのトルエンで抽出を行ない、トルエン層を濃縮した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−により精製を行ない白色の個体５ｇを得た。ＦＤ−ＭＳよる分子量分析により、化合物（VI）であることを確認した。
【０２９６】
化合物（１）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(iii)７．４ｇ、中間体(VI)５．５ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（VII）（＝化合物（１））が９．２ｇ（収率８５％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（１）であることを確認した。
以下に、生成物の元素分析結果を、図1に1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【０２９７】
元素分析結果
Ｃ48Ｈ35Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：88.18  Ｈ：5.40  Ｎ：6.43
実測値（％）：Ｃ：88.21  Ｈ：5.38  Ｎ：6.41
なお、化合物（１）の合成に使用した３−ブロモ−９−フェニルカルバゾ−ル（IV）は、工業化学雑誌，１９６７年発行，７０巻，６３頁を参考にして、カルバゾ−ルの３位を臭素化し、ついで銅触媒を用いたウルマン法によりヨ−ドベンゼンを反応させて合成したものを用いた。
【０２９８】
実施例２
化合物（２）の製造方法
合成スキ−ムは式４〜５のとおりである。
【０２９９】
式４
【化６９】
2008044923.tif 000104
【０３００】
式５
【化７０】
2008044923.tif 000105
【０３０１】
以下、式４〜５を参照しながら説明する。
【０３０２】
中間体(IX)の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、ニトロベンゼン１０ｇ中に、Ｎ−フェニル−1−ナフチルアミン１３ｇ、４、４'−ジヨ−ドビフェニル３０ｇ、および無水炭酸カリウム９．４ｇ、銅粉０．８ｇを２００℃にて１０時間加熱撹拌した。反応終了後、１００ｇのトルエンで抽出を行ない、トルエン層を濃縮した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−により精製を行ない淡黄色の蛍光を有する粉末９ｇを得た。ＦＤ−ＭＳよる分子量分析により、化合物(IX)であることを確認した。
【０３０３】
化合物（２）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(IX)７．９ｇ、式２で得られた中間体(VI)５．5ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体を濾取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（Ｘ）（＝化合物（２））が８．１ｇ（収率７２％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（２）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を、図２に1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【０３０４】
元素分析結果
Ｃ52Ｈ37Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：88.73  Ｈ：5.30  Ｎ：5.97
実測値（％）：Ｃ：88.56  Ｈ：5.38  Ｎ：6.03
【０３０５】
実施例３
化合物（３）の製造方法
合成スキ−ムは式６〜７のとおりである。
【０３０６】
式６
【化７１】
2008044923.tif 000106
【０３０７】
式７
【化７２】
2008044923.tif 000107
【０３０８】
以下、式６〜７を参照しながら説明する。
【０３０９】
中間体(XII)の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン１０ｇ中に、３−ブロモ−９−フェニルカルバゾ−ル（IV）６．４ｇ、１−ナフチルアミン３．５ｇ、および無水炭酸カリウム２．０ｇ、銅粉０．２ｇを２００℃にて１０時間加熱撹拌した。反応終了後、１００ｇのトルエンで抽出を行ない、トルエン層を濃縮した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−により精製を行ない白色の個体６ｇを得た。ＦＤ−ＭＳよる分子量分析により、化合物（XII）であることを確認した。
【０３１０】
化合物（３）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、式１より得られた中間体(iii)７．４ｇ、中間体(XII)６．０ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（XIII）（＝化合物（３））が７．３ｇ（収率６５％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（３）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０３１１】
元素分析結果
Ｃ53Ｈ38Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：88.80  Ｈ：5.34  Ｎ：5.86
実測値（％）：Ｃ：88.61  Ｈ：5.38  Ｎ：6.01
【０３１２】
実施例４
化合物（４）の製造方法
合成スキ−ムは式８のとおりである。
【０３１３】
式８
【化７３】
2008044923.tif 000108
【０３１４】
以下、式８を参照しながら説明する。
【０３１５】
化合物（４）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、式４より得られた中間体(IX)７．９ｇ、中間体(XII)６．０ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（XIV）（＝化合物（４））が８．５ｇ（収率７１％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（４）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０３１６】
元素分析結果
Ｃ56Ｈ39Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：89.21  Ｈ：5.21  Ｎ：5.57
実測値（％）：Ｃ：89.25  Ｈ：5.36  Ｎ：5.39
【０３１７】
実施例５
化合物（５）の製造方法
合成スキ−ムは式９〜１１のとおりである。
【０３１８】
式９
【化７４】
2008044923.tif 000109
【０３１９】
式１０
【化７５】
2008044923.tif 000110
【０３２０】
式１１
【化７６】
2008044923.tif 000111
【０３２１】
以下、式９〜１１を参照しながら説明する。
【０３２２】
中間体(XVI)の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、ニトロベンゼン１０ｇ中に、Ｎ、Ｎ−ビス（p-ビフェニル）アミン１３ｇ、４、４'−ジヨ−ドビフェニル３０ｇ、および無水炭酸カリウム９．４ｇ、銅粉０．８ｇを２００℃にて１０時間加熱撹拌した。反応終了後、１００ｇのトルエンで抽出を行ない、トルエン層を濃縮した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−により精製を行ない淡黄色の蛍光を有する粉末９ｇを得た。ＦＤ−ＭＳよる分子量分析により、化合物(XVI)であることを確認した。
【０３２３】
中間体(XVIII)の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン１０ｇ中に、３−ブロモ−９−フェニルカルバゾ−ル（IV）６．４ｇ、４−アミノビフェニル４．２ｇ、および無水炭酸カリウム２．０ｇ、銅粉０．２ｇを２００℃にて１０時間加熱撹拌した。反応終了後、１００ｇのトルエンで抽出を行ない、トルエン層を濃縮した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−により精製を行ない白色の個体４．６ｇを得た。ＦＤ−ＭＳよる分子量分析により、化合物（XVIII）であることを確認した。
【０３２４】
化合物（５）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(XVI)９．６ｇ、中間体(XVIII)６．６ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（XIX）（＝化合物（５））が８．７ｇ（収率６２％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（５）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０３２５】
元素分析結果
Ｃ67Ｈ51Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：89.60  Ｈ：5.72  Ｎ：4.68
実測値（％）：Ｃ：89.50  Ｈ：5.48  Ｎ：5.02
【０３２６】
実施例６
化合物（６）の製造方法
合成スキ−ムは式１２〜１３のとおりである。
【０３２７】
式１２
【化７７】
2008044923.tif 000112
【０３２８】
式１３
【化７８】
2008044923.tif 000113
【０３２９】
以下、式１２〜１３を参照しながら説明する。
【０３３０】
中間体(XXI)の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、ニトロベンゼン１０ｇ中に、Ｎ−フェニル−Ｎ-p−ビフェニリルアミン１５ｇ、４、４'−ジヨ−ドビフェニル３０ｇ、および無水炭酸カリウム９．４ｇ、銅粉０．８ｇを２００℃にて１０時間加熱撹拌した。反応終了後、１００ｇのトルエンで抽出を行ない、トルエン層を濃縮した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−により精製を行ない淡黄色の蛍光を有する粉末１０ｇを得た。ＦＤ−ＭＳよる分子量分析により、化合物(XXI)であることを確認した。
【０３３１】
化合物（６）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(XXI)８．３ｇ、中間体(XVIII)６．５ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（XXIII）（＝化合物（６））が８．９ｇ（収率６７％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（６）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０３３２】
元素分析結果
Ｃ60Ｈ43Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：89.41  Ｈ：5.38  Ｎ：5.21
実測値（％）：Ｃ：89.25  Ｈ：5.35  Ｎ：6.40
【０３３３】
実施例７
化合物（７）の製造方法
合成スキ−ムは式１４〜１５のとおりである。
【０３３４】
式１４
【化７９】
2008044923.tif 000114
【０３３５】
式１５
【化８０】
2008044923.tif 000115
【０３３６】
以下、式１４〜１５を参照しながら説明する。
【０３３７】
中間体(XXV)の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、ニトロベンゼン１０ｇ中に、Ｎ−フェニル−Ｎ−９−フェナントリルアミン２０ｇ、４、４'−ジヨ−ドビフェニル３０ｇ、および無水炭酸カリウム９．４ｇ、銅粉０．８ｇを２００℃にて１０時間加熱撹拌した。反応終了後、１００ｇのトルエンで抽出を行ない、トルエン層を濃縮した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−により精製を行ない淡黄色の蛍光を有する粉末１２ｇを得た。ＦＤ−ＭＳよる分子量分析により、化合物(XXV)であることを確認した。
【０３３８】
化合物（７）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(XXV)８．７ｇ、中間体(VI)６．６ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（XXVI）（＝化合物（７））が８．５ｇ（収率６３％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（７）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を、図３に1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【０３３９】
元素分析結果
Ｃ56Ｈ39Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：89.21  Ｈ：5.21  Ｎ：5.57
実測値（％）：Ｃ：89.31  Ｈ：5.38  Ｎ：5.31
【０３４０】
実施例８
化合物（８）の製造方法
合成スキ−ムは式１６〜１７のとおりである。
【０３４１】
式１６
【化８０】
2008044923.tif 000116
【０３４２】
式１７
【化８１】
2008044923.tif 000117
【０３４３】
以下、式１６〜１７を参照しながら説明する。
【０３４４】
中間体(XXVIII)の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、ニトロベンゼン１０ｇ中に、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（２−ナフチル）アミン１８ｇ、４、４'−ジヨ−ドビフェニル３０ｇ、および無水炭酸カリウム９．４ｇ、銅粉０．８ｇを２００℃にて１０時間加熱撹拌した。反応終了後、１００ｇのトルエンで抽出を行ない、トルエン層を濃縮した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−により精製を行ない淡黄色の蛍光を有する粉末１０ｇを得た。ＦＤ−ＭＳよる分子量分析により、化合物(XXVIII)であることを確認した。
【０３４５】
化合物（８）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(XXVIII)８．７ｇ、中間体(XXIX)６．２ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（XXX）（＝化合物（８））が７．８ｇ（収率６０％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（８）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０３４６】
元素分析結果
Ｃ60Ｈ41Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：89.63  Ｈ：5.14  Ｎ：5.23
実測値（％）：Ｃ：89.50  Ｈ：5.23  Ｎ：5.27
【０３４７】
実施例９
化合物（９）の製造方法
合成スキ−ムは式１８に従う。
【０３４８】
式１８
【化８２】
2008044923.tif 000118
【０３４９】
化合物（９）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(XXXI)７．９ｇ、中間体(XXIX)６．１ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（XXXII）（＝化合物（９））が７．８ｇ（収率６５％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（９）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０３５０】
元素分析結果
Ｃ56Ｈ39Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：89.21  Ｈ：5.21  Ｎ：5.57
実測値（％）：Ｃ：89.02  Ｈ：5.38  Ｎ：5.60
【０３５１】
実施例１０
化合物（１０）の製造方法
合成スキ−ムは式１９に従う。
【０３５２】
式１９
【化８３】
2008044923.tif 000119
【０３５３】
化合物（１０）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(XXXIII)８．７ｇ、中間体(XXIV)７．０ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（XXXV）（＝化合物（１０））が８．２ｇ（収率６０％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（１０）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０３５４】
元素分析結果
Ｃ64Ｈ43Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：90.01  Ｈ：5.07  Ｎ：4.92
実測値（％）：Ｃ：90.20  Ｈ：5.13  Ｎ：4.67
【０３５５】
実施例１１
化合物（１１）の製造方法
合成スキ−ムは式２０に従う。
【０３５６】
式２０
【化８４】
2008044923.tif 000120
【０３５７】
化合物（１１）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(XXXVI)８．７ｇ、中間体(XXXVII)７．０ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（XXXVIII）（＝化合物（１１））が８．３ｇ（収率６２％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（１１）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０３５８】
元素分析結果
Ｃ64Ｈ43Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：90.01  Ｈ：5.07  Ｎ：4.92
実測値（％）：Ｃ：90.12  Ｈ：5.18  Ｎ：4.70
【０３５９】
実施例１２
化合物（１２）の製造方法
合成スキ−ムは式２１に従う。
【０３６０】
式２１
【化８５】
2008044923.tif 000121
【０３６１】
化合物（１２）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(XXXIX)７．３ｇ、中間体(XL)５．６ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（XL）（＝化合物（１２））が６．５ｇ（収率６０％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（１２）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０３６２】
元素分析結果
Ｃ50Ｈ39Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：88.07  Ｈ：5.77  Ｎ：6.16
実測値（％）：Ｃ：88.21  Ｈ：5.81  Ｎ：5.98
【０３６３】
実施例１３
化合物（１３）の製造方法
合成スキ−ムは式２２に従う。
【０３６４】
式２２
【化８６】
2008044923.tif 000122
【０３６５】
化合物（１３）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(XLII)７．４ｇ、中間体(XLIII)５．６ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（XLIV）（＝化合物（１３））が７．０ｇ（収率６４％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（１３）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０３６６】
元素分析結果
Ｃ48Ｈ33Ｆ2Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：83.58  Ｈ：4.82  Ｆ：5.51  Ｎ：6.09
実測値（％）：Ｃ：83.63  Ｈ：4.75  Ｆ：5.46  Ｎ：6.16
【０３６７】
実施例１４
化合物（１４）の製造方法
合成スキ−ムは式２３に従う。
【０３６８】
式２３
【化８７】
2008044923.tif 000123
【０３６９】
化合物（１４）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(XLV)７．６ｇ、中間体(XLVI)５．８ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（XLVII）（＝化合物（１４））が６．９ｇ（収率６１％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（１４）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０３７０】
元素分析結果
Ｃ50Ｈ39Ｎ3Ｏ2として
計算値（％）：Ｃ：84.12  Ｈ：5.51  Ｎ：5.89  Ｏ：4.48
実測値（％）：Ｃ：84.18  Ｈ：5.42  Ｎ：5.68  Ｏ：4.72
【０３７１】
実施例１５
化合物（１５）の製造方法
合成スキ−ムは式２３に従う。
【０３７２】
式２３
【化８８】
2008044923.tif 000124
【０３７３】
化合物（１５）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(XLVIII)７．２ｇ、中間体(XLIX)５．４ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（L）（＝化合物（１５））が６．５ｇ（収率６２％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（１５）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０３７４】
元素分析結果
Ｃ46Ｈ33Ｎ5  として
計算値（％）：Ｃ：84.25  Ｈ：5.07  Ｎ：10.68
実測値（％）：Ｃ：84.21  Ｈ：5.18  Ｎ：10.61
【０３７５】
実施例１６
化合物（１６）の製造方法
合成スキ−ムは式２４に従う。
【０３７６】
式２４
【化８９】
2008044923.tif 000125
【０３７７】
化合物（１６）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(LI)７．２ｇ、中間体(LII)５．４ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（LIII）（＝化合物（１６））が６．８ｇ（収率６３％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（１６）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０３７８】
元素分析結果
Ｃ44Ｈ31Ｎ3Ｓ2として
計算値（％）：Ｃ：79.37  Ｈ：4.69  Ｎ：6.31  Ｓ：9.63
実測値（％）：Ｃ：79.40  Ｈ：4.65  Ｎ：6.25  Ｓ：9.70
【０３７９】
実施例１７
化合物（１７）の製造方法
合成スキ−ムは式２５に従う。
【０３８０】
式２５
【化９０】
2008044923.tif 000126
【０３８１】
化合物（１７）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(iii)７．１ｇ、中間体(LIV)５．５ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（LV）（＝化合物（１７））が８．７ｇ（収率８２％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（１７）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０３８２】
元素分析結果
Ｃ49Ｈ37Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：88.12  Ｈ：5.58  Ｎ：6.29
実測値（％）：Ｃ：88.09  Ｈ：5.38  Ｎ：6.53
【０３８３】
実施例１８
化合物（１８）の製造方法
合成スキ−ムは式２６に従う。
【０３８４】
式２６
【化９１】
2008044923.tif 000127
【０３８５】
化合物（１８）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(iii)７．１ｇ、中間体(LVI)５．６ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（LV）（＝化合物（１８））が８．７ｇ（収率８１％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（１８）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０３８６】
元素分析結果
Ｃ48Ｈ34ＦＮ3  として
計算値（％）：Ｃ：85.82  Ｈ：5.10  Ｆ：2.83  Ｎ：6.25
実測値（％）：Ｃ：85.75  Ｈ：5.12  Ｆ：2.80  Ｎ：6.35
【０３８７】
実施例１９
化合物（１９）の製造方法
合成スキ−ムは式２７に従う。
【０３８８】
式２７
【化９２】
2008044923.tif 000128
【０３８９】
化合物（１９）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(iii)７．１ｇ、中間体(LVIII)６．５ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（LIX）（＝化合物（１９））が８．８ｇ（収率７６％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（１９）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０３９０】
元素分析結果
Ｃ54Ｈ39Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：88.86  Ｈ：5.39  Ｎ：5.76
実測値（％）：Ｃ：88.72  Ｈ：5.28  Ｎ：6.00
【０３９１】
実施例２０
化合物（２０）の製造方法
合成スキ−ムは式２８に従う。
【０３９２】
式２８
【化９３】
2008044923.tif 000129
【０３９３】
化合物（２０）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(LX)７．５、中間体(LXI)５．７ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（LXII）（＝化合物（２０））が７．３ｇ（収率６５％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（２０）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０３９４】
元素分析結果
Ｃ49Ｈ32Ｎ6  として
計算値（％）：Ｃ：83.50  Ｈ：4.58  Ｎ：11.92
実測値（％）：Ｃ：83.45  Ｈ：4.48  Ｎ：12.07
【０３９５】
実施例２１
化合物（２１）の製造方法
合成スキ−ムは式２９に従う。
【０３９６】
式２９
【化９４】
2008044923.tif 000130
【０３９７】
化合物（２１）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(LXIII)８．４、中間体(VI)５．３ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（LXIV）（＝化合物（２１））が７．２ｇ（収率６２％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（２１）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０３９８】
元素分析結果
Ｃ54Ｈ39Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：88.86  Ｈ：5.39  Ｎ：5.76
実測値（％）：Ｃ：88.76  Ｈ：5.28  Ｎ：5.96
【０３９９】
実施例２２
化合物（２２）の製造方法
合成スキ−ムは式３０に従う。
【０４００】
式３０
【化９５】
2008044923.tif 000131
【０４０１】
化合物（２２）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(LXV)１０．０、中間体(VI)５．３ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（LXVI）（＝化合物（２２））が７．４ｇ（収率５６％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（２２）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０４０２】
元素分析結果
Ｃ62Ｈ43Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：89.72  Ｈ：5.22  Ｎ：5.06
実測値（％）：Ｃ：89.65  Ｈ：5.38  Ｎ：5.03
【０４０３】
実施例２３
化合物（２３）の製造方法
合成スキ−ムは式３１に従う。
【０４０４】
式３１
【化９６】
2008044923.tif 000132
【０４０５】
化合物（２３）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(LXVII)１０．０ｇ、中間体(VI)５．３ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（LXVIII）（＝化合物（２３））が５．６ｇ（収率４３％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（２３）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０４０６】
元素分析結果
Ｃ80Ｈ44Ｎ4  として
計算値（％）：Ｃ：87.77  Ｈ：5.40  Ｎ：6.82
実測値（％）：Ｃ：87.70  Ｈ：5.59  Ｎ：6.71
【０４０７】
実施例２４
化合物（２４）の製造方法
合成スキ−ムは式３２に従う。
【０４０８】
式３２
【化９７】
2008044923.tif 000133
【０４０９】
化合物（２４）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(LXVII)７．８ｇ、中間体(VI)５．４ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（LXVIII）（＝化合物（２４））が４．６ｇ（収率４２％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（２４）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０４１０】
元素分析結果
Ｃ50Ｈ39Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：88.07  Ｈ：5.77  Ｎ：6.16
実測値（％）：Ｃ：88.20  Ｈ：5.58  Ｎ：6.22
【０４１１】
実施例２５
化合物（２５）の製造方法
合成スキ−ムは式３３に従う。
【０４１２】
式３３
【化９８】
2008044923.tif 000134
【０４１３】
化合物（２５）の合成方法
窒素気流下、４つ口フラスコ中、中間体(LXIX)７．２ｇ、中間体(LXX)６．２ｇ、酢酸パラジウム０．３５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．３４ｇ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイド２．０ｇを２００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン５０ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノ−ル５００ml中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（LXXI）（＝化合物（２５））が３．５ｇ（収率３１％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物の、元素分析（パ−キンエルマ−社製、２４００II  ＣＨＮＯ／Ｏ型）、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）分析により、化合物（２５）であることを確認した。以下に、生成物の元素分析結果を示す。
【０４１４】
元素分析結果
Ｃ52Ｈ37Ｎ3  として
計算値（％）：Ｃ：88.36  Ｈ：5.30  Ｎ：5.97
実測値（％）：Ｃ：88.55  Ｈ：5.28  Ｎ：6.17
【０４１５】
実施例２６〜３０
実施例２５と同様の合成方法により、化合物（２６）〜（３０）を合成した。表８に、生成物の元素分析結果を示す。
【０４１６】
表８
【表８】
2008044923.tif 000135
【０４１７】
以下に示す実施例においては、特に断りのない限り、混合比は全て重量比を示す。蒸着（真空蒸着）は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板加熱、冷却等の温度制御なしの条件下で行った。また、素子の発光特性評価においては、電極面積２ｍｍ×２ｍｍの有機ＥＬ素子の特性を測定した。
【０４１８】
実施例３１
洗浄したＩＴＯ電極め付きガラス板上に、化合物（１）を真空蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、Ｎ，Ｎ’−ビス（４’−ジフェニルアミノ−４−ビフェニリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンを真空蒸着して２０ｎｍの正孔輸送層を得た。さらに、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体を真空蒸着して膜厚６０ｎｍの電子注入型発光層を作成し、その上に、まずフッ化リチウムを１ｎｍ、次いでアルミニウムを２００ｎｍ蒸着して電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。
【０４１９】
実施例３２〜６０
正孔注入層を化合物（１）のかわりに、表1の化合物（２）〜（３０）を用いた以外は、実施例３１と同様の有機ＥＬ素子を作成した。  実施例３１〜５６の素子を室温および１００℃の環境で、１０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で一定時間連続して発光させ輝度を測定した。結果を表９に示す。
【０４２０】
表９
【表９】
2008044923.tif 000136
【０４２１】
実施例６１
ＩＴＯ電極め付きガラス板上に、銅フタロシアニンを蒸着して膜厚２５ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、表１の化合物１９と化合物（Ａ）とを１００：８の組成比で共蒸着して膜厚４５ｎｍの発光層を形成した。さらに（Ｂ）を蒸着して膜厚２０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。この素子は、直流電圧１０Ｖでの外ｇ量子効率は６．５％を示した。また、発光輝度１５０（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【０４２２】
【化９９】
2008044923.tif 000137
【０４２３】
実施例６２〜６８
発光層を化合物１９のかわりに、表１０の化合物を用いた以外は、実施例６１と同様の有機ＥＬ素子を作成した。  実施例６２〜６８の素子を室温および１００℃の環境で、１０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で一定時間連続して発光させ輝度を測定した。結果を表１０に示す。
【０４２４】
表１０
【表１０】
2008044923.tif 000138
【０４２５】
実施例６９
ＩＴＯ電極め付きガラス板上に、化合物（Ｃ）を蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を形成した後、表１の化合物（１３）を蒸着して膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。次に、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚６０ｎｍの電子注入性発光層を形成し、その上に、フッ化リチウムを１ｎｍ、さらにアルミニウムを２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。この素子の直流電圧５Ｖでの発光効率は１．６（ｌｍ／Ｗ）であった。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【０４２６】
【化１００】
2008044923.tif 000139
【０４２７】
実施例７０〜７２
正孔輸送層の化合物（１３）のかわりに、表１１の化合物を用いた以外は、実施例６９と同様の有機ＥＬ素子を作成した。  実施例６４〜６７の素子を室温および１００℃の環境で、１０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で一定時間連続して発光させ輝度を測定した。結果を表１１に示す。
【０４２８】
表１１
【表１１】
2008044923.tif 000140
【０４２９】
実施例７３
ＩＴＯ電極め付きガラス板上に、Ｎ，Ｎ’−ビス（４’−ジフェニルアミノ−４−ビフェニリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンを真空蒸着して膜厚４０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、化合物（１）と化合物（Ｄ）を９８：３の比率で共蒸着して、膜厚４０ｎｍの発光層を作成し、次いでＡｌｑ３を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を作成した。その上に、フッ化リチウムを０．７ｎｍ、次いでアルミニウムを２００ｎｍ真空蒸着することで電極を形成して、有機燐光発光素子を得た。この素子は、直流電圧５Ｖでの発光輝度３５０（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度７６６００（ｃｄ／ｍ2）の発光が得られた。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は４０００時間であった。
【０４３０】
【化１００】
2008044923.tif 000141
【０４３１】
実施例７４〜７５
発光層の化合物（１）のかわりに、表１２の化合物を用いた以外は、実施例７３と同様の有機ＥＬ素子を作成した。  実施例６８〜７０の素子を室温および１００℃の環境で、１０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で一定時間連続して発光させ輝度を測定した。結果を表１２に示す。
【０４３２】
表１２
【表１２】
2008044923.tif 000142
【０４３３】
実施例７６
ＩＴＯ電極め付きガラス板上に、ＰＥＤＯＴ/ＰＳＳ（ポリ(３,４−エチレンジオキシ)−２,５−チオフェン/ポリスチレンスルホン酸）をスピンコ−ト法で６０ｎｍの膜厚に製膜した。さらに、表１の化合物（３）と化合物（Ａ）とを１００：８の組成比でトルエン溶媒に溶解させスピンコ−ト法にて塗布し、膜厚５０ｎｍの発光層を作成した。この塗布基板に真空蒸着法にさらに（Ｂ）を蒸着して膜厚２０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。この素子は、直流電圧１０Ｖでの外部量子効率は５．３％を示した。また、発光輝度１００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【０４３４】
実施例７７〜８６
化合物（３）のかわりに表１中の化合物（６）、化合物（８）、化合物（９）、化合物（１０）、化合物（１８）、化合物（２１）、化合物（２２）、化合物（２４）、化合物（２５）、化合物（２７）を用いた以外は、実施例７６と同様に素子を作成した。これらの素子を発光輝度１００（ｃｄ／ｍ2）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命はすべて５０００時間以上であった。
【０４３５】
実施例８７
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、表２中のＨＩＭ９を蒸着して膜厚５０ｎｍの正孔注入層を形成した後、化合物（１）を２０ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに、表４中の化合物ＥＸ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウムを１ｎｍ、さらにアルミニウムを１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子は、直流電圧５．０Ｖでの発光輝度は７２０（ｃｄ／ｍ2）を示した。また、素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は、５０００時間以上であった。
【０４３６】
実施例８８〜１０２
化合物ＥＸ３の代わりに電子注入層として、表４中の化合物ＥＸ１、化合物ＥＸ２、化合物ＥＸ４〜化合物ＥＸ１６を用いて、実施例８７と同じ条件で素子を作成した。素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ2）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は５００（ｃｄ／ｍ2）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【０４３７】
実施例１０３〜１１４
化合物（１）のかわりに、表１中の化合物（８）、化合物（９）、化合物（１０）、化合物（１１）、化合物（１３）、化合物（１４）、化合物（１５）、化合物（１６）、化合物（２１）、化合物（２７）、化合物（２８）、化合物（３０）を用いた以外は、実施例８７と同じ条件で素子を作成した。素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ2）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は５００（ｃｄ／ｍ2）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【０４３８】
実施例１１５
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、表２中の化合物ＨＩＭ１０を蒸着して膜厚５５ｎｍの正孔注入層を形成した後、化合物（９）を２０ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに表４中の化合物ＥＴ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウムを１ｎｍ、さらにアルミニウムを１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子は、この素子は、直流電圧５Ｖでの発光輝度は６８０（ｃｄ／ｍ2）を示した。また、素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は、いずれの素子も５０００時間以上であった。
【０４３９】
実施例１１６〜実施例１２８
化合物ＥＴ３の代わりに、電子注入層として化合物ＥＴ２、化合物ＥＴ４、化合物ＥＴ６、化合物ＥＴ９、化合物ＥＴ１０、化合物ＥＴ１２〜化合物ＥＴ１４、化合物ＥＴ１６〜化合物ＥＴ２０を用いて、実施例１１５と同じ条件で素子を作成した。素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ2）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は５００（ｃｄ／ｍ2）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【０４４０】
実施例１２９
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、表２中の化合物ＨＩＭ１１を蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を形成した後、化合物（２０）を１５ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに化合物ＥＳ５を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウムを１ｎｍ、さらにアルミニウムを１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子は、この素子は、直流電圧５．０Ｖでの発光効率は３．５（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は、いずれの素子も５０００時間以上であった。
【０４４１】
実施例１３０
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１１）を１，２−ジクロロエタンに溶解させ、スピンコーティング法により膜厚５０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入性発光層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して素子を得た。この素子の直流電圧８．０Ｖでの発光効率は３．０（ｌｍ／Ｗ）であった。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【０４４２】
実施例１３１
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１２）を蒸着して膜厚３５ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、以下に示す化合物（Ｆ）とＡｌｑ３を１：５０の組成比で共蒸着して膜厚４０ｎｍの発光層を形成した。さらに、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧５．０Ｖでの発光効率は０．７０（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【０４４３】
【化１０１】
2008044923.tif 000143
【０４４４】
実施例１３２
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１３）と化合物（１４）とを１：１の組成比で共蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、以下に示す化合物（Ｇ）を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧５．０Ｖでの発光効率は３．０（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【０４４５】
【化１０２】
2008044923.tif 000144
【０４４６】
実施例１３３
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（７）を蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、以下に示す化合物（Ｈ）と以下に示す化合物（Ｉ）とを２０：１の組成比で共蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧５．０Ｖでの発光効率は６．０（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【０４４７】
【化１０３】
2008044923.tif 000145
【０４４８】
実施例１３４
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１３）を蒸着して膜厚４５ｎｍの正孔注入層を形成した。次に以下に示す化合物（Ｊ）と以下に示す化合物（Ｋ）とを２０：１の組成比で共蒸着して膜厚４０ｎｍの発光層を形成した。さらに、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧４．０Ｖでの発光効率は３．５（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【０４４９】
【化１０４】
2008044923.tif 000146
【０４５０】
実施例１３５
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（６）を蒸着して膜厚７０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、以下に示す化合物（Ｌ）とＡｌｑ３とを１：１の組成比で共蒸着して膜厚４５ｎｍの電子輸送性発光層を形成した。さらに、その上に、マグネシウムと銀を１：３で混合した合金で膜厚２００ｎｍの電極を形成して素子を得た。この素子の直流電圧７．０での発光効率は２．０（ｌｍ／Ｗ）であった。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【０４５１】
【化１０５】
2008044923.tif 000147
【０４５２】
実施例１３６
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１２）を蒸着して膜厚５０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、化合物（Ｊ）と以下に示す化合物（Ｍ）とを１００：１の組成比で共蒸着して膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。さらに、ＢＣＰを蒸着して膜厚２５ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、リチウム（Ｌｉ）を０．５ｎｍ、さらに銀を１５０ｎｍ蒸着して素子を得た。この素子は、直流電圧８．０Ｖでの発光効率は１．５（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【０４５３】
【化１０６】
2008044923.tif 000148
【０４５４】
実施例１３７
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（１５）を蒸着して膜厚４０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、以下に示す化合物（Ｎ）を１０ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成した。さらに以下に示す化合物（Ｏ）と以下に示す化合物（Ｐ）とを１：９の組成比で共蒸着して膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。さらにＢＣＰを蒸着して１５ｎｍの正孔阻止層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２５ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧８Ｖでの外部量子効率は８．０％を示した。また、発光輝度２００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【０４５５】
【化１０７】
2008044923.tif 000149
【０４５６】
実施例１３８
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（１０）を６０ｎｍ蒸着して正孔注入層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。以下に示す化合物（Ｑ）を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して素子を得た。この素子は、この素子は、直流電圧４．０Ｖでの発光効率は３．３（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【０４５７】
【化１０８】
2008044923.tif 000150
【０４５８】
実施例１３９〜１４５
電子注入層として化合物（Ｑ）のかわりにＥＳ１１、ＥＰ２〜５、ＥＰ１０、ＥＰ２２を用いた以外は実施例１３２と同じ条件で実験を行った。素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、実施例１３８と同様に素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ2）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は５００（ｃｄ／ｍ2）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【０４５９】
実施例１４６
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（２）を蒸着して膜厚３５ｎｍの正孔注入層を形成した。さらに、ＨＴＭ９を蒸着して膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。次に以下に示す化合物（Ｒ）と以下に示す化合物（Ｓ）とを５０：１の組成比で共蒸着して膜厚３５ｎｍの発光層を形成した。さらに、以下に示す化合物（Ｔ）を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧３．５Ｖでの発光効率は５．０（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【０４６０】
【化１０９】
2008044923.tif 000151
【０４６１】
実施例１４７〜１５４
化合物（２）のかわりに化合物（４）、化合物（８）、化合物（１２）、化合物（１５）、化合物（１９）、化合物（２２）、化合物（２６）を用いた以外は、実施例１４６と同じ条件で素子を作成した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ2）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は５００（ｃｄ／ｍ2）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【０４６２】
比較例１
正孔注入層を化合物（１）のかわりに以下の化合物（Ｕ）を用いた以外は、実施例３１と同様の有機ＥＬ素子を作成した。
【０４６３】
【化１１０】
2008044923.tif 000152
【０４６４】
比較例２
正孔注入層を化合物（１）のかわりに以下の化合物（Ｖ）を用いた以外は、実施例３１と同様の有機ＥＬ素子を作成した。
【０４６５】
【化１０２】
2008044923.tif 000153
【０４６６】
比較例１，２の素子を室温および１００℃の環境で、１０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で一定時間連続して発光させ輝度を測定した。結果を表１３に示す。
【０４６７】
表１３
【表１３】
2008044923.tif 000154
【０４６８】
表８および表１３より明らかなように、本発明の化合物はいずれも、比較例に示した化合物（Ｕ）、（Ｖ）を用いて作成した素子よりも初期電圧が低く、長寿命で高い輝度が得られていることが明らかとなった。
【０４６９】
以上のように、本発明で示されたカルバゾ−ル含有アミン化合物を用いることにより、高い性能のＥＬ素子が作成できる。また、窒素原子上の置環基がアルキル基である比較化合物に対して格段に高い性能が発揮されることは明らかであり、有機ＥＬ素子の低駆動電圧化、長寿命化が達成できる。
【図面の簡単な説明】
【０４７０】
【図１】図１は、化合物（１）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。（ＴＨＦ‐ｄ8中）
【０４７１】
【図２】図２は、化合物（２）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。（ＴＨＦ‐ｄ8中）
【０４７２】
【図３】図３は、化合物（７）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。（ＴＨＦ‐ｄ8中）
【図１】
2008044923.tif 000161
【図２】
2008044923.tif 000162
【図３】
2008044923.tif 000163