(57)【要約】【課題】  高価なＧａＮの薄膜を堆積した種結晶基板を用いることなく、結晶性に優れたＧａＮ単結晶等の窒化物単結晶を得ること。【解決手段】  窒化物単結晶の製造方法は、種結晶基板４の表面に化学式ＸＮ（ただし、ＸはＧａ，Ａｌ及びＩｎから選ばれる少なくとも１種である。）で表される窒化物単結晶８をフラックス法によって成長させる窒化物単結晶８の製造方法であって、種結晶基板４は窒化物単結晶８を成長させる成長面が窒素で終端されている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
種結晶基板の表面に化学式ＸＮ（ただし、ＸはＧａ，Ａｌ及びＩｎから選ばれる少なくとも１種である。）で表される窒化物単結晶をフラックス法によって成長させる窒化物単結晶の製造方法であって、前記種結晶基板は前記窒化物単結晶を成長させる成長面が窒素で終端されていることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法。
【請求項２】
前記種結晶基板を窒素源を含む雰囲気中で窒化処理して前記成長面に窒化物層を形成することによって、前記種結晶基板の前記成長面を窒素で終端させることを特徴とする請求項１記載の窒化物単結晶の製造方法。
【請求項３】
前記種結晶基板は、Ａｌ2Ｏ3，ＧａＡｓ，ＺｒＢ2，ＬｉＧａＯ2，ＬｉＡｌＯ2，Ｇａ2Ｏ3またはＳｉＣの単結晶から成ることを特徴とする請求項１または２記載の窒化物単結晶の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種結晶基板を用いてＧａＮやＡｌＧａＮ等の窒化物単結晶を成長させる窒化物単結晶の製造方法に関し、特に、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザ（ＬＤ）等の発光素子やトランジスターやパワーデバイス等の電子デバイスに応用される窒化物単結晶の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮやＡｌＧａＮ等の窒化物単結晶（窒化物半導体）は、高融点であることや、Ｎの平衡蒸気圧が高いことから、バルク型の単結晶の製造が困難である。そのため、サファイア（Ａｌ2Ｏ3）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の異種材料基板（成長する単結晶と異なる材料から成る基板）の上に、窒化物単結晶から成る薄膜を成長させて、その薄膜を各種デバイス用として利用している。
【０００３】
しかし、サファイア等の基板は、その上に成長させるＧａＮやＡｌＧａＮ等の薄膜との格子定数差が大きい。例えば、サファイアはＧａＮとの格子ミスマッチが１３．７％もあるため、成長した薄膜には転位が多く発生している。特に、ＬＥＤでは高輝度化、電子デバイスではハイパワーが必要なため、結晶の転位の低減が必要となっている。また、これらのデバイスが汎用品になるためには基板の低コスト化が不可欠である。
【０００４】
そこで、最近、ナトリウムを用いたＧａＮ単結晶のフラックス成長法が提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。この成長法では、種結晶として、サファイア基板上にＧａＮ層をＭＯＶＰＥ法等で成長させたものを使用している（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００２−１２８５８６号公報
【特許文献２】国際公開第２００４／０１３３８５号パンフレット
【特許文献３】特開２０００−３２７４９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、実際に製造されたＧａＮ単結晶は、サファイア基板上にＧａＮ層をＭＯＶＰＥ法等で薄膜成長させた種結晶を使用しているため、ＭＯＶＰＥ法等で薄膜成長させたＧａＮ単結晶よりも高コストになっている。これは、サファイア基板の表面はＧａと親和性の低い酸素で終端されているため、フラックス成長法ではサファイア基板上には直接ＧａＮ単結晶が成長しないことが原因である。従って、フラックス成長法においては、ＧａＮの薄膜が表面に形成された種結晶が必要となる。
【０００６】
従って、本発明は、上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、高価なＧａＮの薄膜を堆積した種結晶基板を用いることなく、結晶性に優れたＧａＮ単結晶等の窒化物単結晶を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の窒化物単結晶の製造方法は、種結晶基板の表面に化学式ＸＮ（ただし、ＸはＧａ，Ａｌ及びＩｎから選ばれる少なくとも１種である。）で表される窒化物単結晶をフラックス法によって成長させる窒化物単結晶の製造方法であって、前記種結晶基板は前記窒化物単結晶を成長させる成長面が窒素で終端されていることを特徴とするものである。
【０００８】
また、本発明の窒化物単結晶の製造方法は好ましくは、前記種結晶基板を窒素源を含む雰囲気中で窒化処理して前記成長面に窒化物層を形成することによって、前記種結晶基板の前記成長面を窒素で終端させることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の窒化物単結晶の製造方法は好ましくは、前記種結晶基板は、Ａｌ２Ｏ３，ＧａＡｓ，ＺｒＢ２，ＬｉＧａＯ２，ＬｉＡｌＯ２，Ｇａ２Ｏ３またはＳｉＣの単結晶から成ることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の窒化物単結晶の製造方法は、種結晶基板の表面に化学式ＸＮ（ただし、ＸはＧａ，Ａｌ及びＩｎから選ばれる少なくとも１種である。）で表される窒化物単結晶をフラックス法によって成長させる窒化物単結晶の製造方法であって、種結晶基板は窒化物単結晶を成長させる成長面が窒素で終端されていることから、種結晶基板の成長面に化学式ＸＮで表される窒化物単結晶を容易に成長させることができる。従って、製造された窒化物単結晶から成る基板を用いて、その基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させると、窒化ガリウム系化合物半導体の結晶の品質が改善し、窒化ガリウム系化合物半導体から成る各種デバイスの特性が向上する。
【００１１】
また、本発明の窒化物単結晶の製造方法は好ましくは、種結晶基板を窒素源を含む雰囲気中で窒化処理して成長面に窒化物層を形成することによって、種結晶基板の成長面を窒素で終端させることから、種結晶基板の成長面の最表面に窒素原子を揃えて配列させることが容易に可能となる。
【００１２】
また、本発明の窒化物単結晶の製造方法は好ましくは、種結晶基板は、Ａｌ2Ｏ3，ＧａＡｓ，ＺｒＢ2，ＬｉＧａＯ2，ＬｉＡｌＯ2，Ｇａ2Ｏ3またはＳｉＣの単結晶から成ることから、窒化物単結晶と格子定数差が大きい材料から成る種結晶基板であっても使用することができ、製造の自由度が大きくなり、また低コストに窒化物単結晶を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の窒化物単結晶の製造方法の実施の形態について以下に説明する。本実施の形態では、種結晶基板としてサファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板、化学式ＸＮ（ただし、ＸはＧａ，Ａｌ及びＩｎから選ばれる少なくとも１種である。）で表される窒化物単結晶としてＧａＮを例にとって、詳細に説明する。
【００１４】
本発明の窒化物単結晶の製造方法は、種結晶基板の表面に化学式ＸＮ（ただし、ＸはＧａ，Ａｌ及びＩｎから選ばれる少なくとも１種である。）で表される窒化物単結晶をフラックス法によって成長させる窒化物単結晶の製造方法であって、種結晶基板は窒化物単結晶を成長させる成長面が窒素で終端されている構成である。
【００１５】
図１は、窒化物単結晶の製造装置である高圧ＬＰＥ（Liquid Phase Epitaxy）装置の単結晶成長炉Ｓ内の要部を示す断面図である。単結晶成長炉Ｓ内には、加熱ヒーター１の中に窒化ボロン（ＢＮ）やＡｌ2Ｏ3から成る容器２が配置されており、容器２の中にはナトリウムとガリウムの混合溶液３が、７００〜１０００℃の温度で充填されている。ナトリウムとガリウムの混合溶液３の混合比は、ナトリウム：ガリウム＝０．５：１．０（ｍｏｌ％）〜２．５：１．０（ｍｏｌ％）がよい。ナトリウムの混合比が０．５ｍｏｌ％未満では、窒素の過飽和度が低く結晶が成長し難いものとなる。２．５ｍｏｌ％を超えると、ナトリウムが窒化物単結晶中に不純物として混入し、結晶品質を低下させる。
【００１６】
また、容器２の中にはＧａＮ単結晶を成長させるための直径５０．８ｍｍ、厚み０．３ｍｍの円板状のサファイア製の種結晶基板４が配置されている。種結晶基板４は、窒素源としてのアンモニアガスから成る雰囲気中での４００℃以上の熱処理、または高電圧（５００ｋＨｚ、２００Ｖ程度）により励起した窒素ガス中での４００℃以上の温度での熱処理等の窒化処理を施したものを用いるのがよい。これにより、種結晶基板４の成長面に窒化物層が形成されて、種結晶基板４の成長面が窒素で終端される。
【００１７】
種結晶基板４をアンモニアガスから成る雰囲気中で４００℃以上で熱処理する場合、１〜１０分程度の時間熱処理すればよい。１分未満では、窒化反応が進まず不十分であり、１０分を超えると、種結晶基板４の表面状態は飽和し変化がなくなり、無駄である。
【００１８】
種結晶基板４を高電圧により励起した窒素ガス中で４００℃以上の温度で熱処理する場合、１〜１５分程度の時間熱処理すればよい。１分未満では、窒化反応が進まず不十分であり、１５分を超えると種結晶基板４の表面状態は飽和し変化がなくなり、無駄である。
【００１９】
種結晶基板４の成長面に形成される窒化物層の厚みは１０ｎｍ以下程度がよい。１０ｎｍを超えると、種結晶基板４と窒化物層との間の材料物性の不一致によって生じる窒化物層の欠陥が増加する。
【００２０】
種結晶基板４の成長面に形成される窒化物層（７）は、図３に示すように、種結晶基板４の成長面の全面に形成しなくてもよく、部分的に形成することができる。例えば、ストライプ状、格子状、島状等の規則的な繰り返しのパターンとして形成することが好ましい。この場合、種結晶基板４の成長面にＧａＮ単結晶を成長させると、二次元方向への結晶成長が促進されるという作用によって、成長面の全面に窒化物層を形成した場合よりも、成長したＧａＮ単結晶の転移密度が小さくなり、結晶性が向上する。
【００２１】
容器２は圧力容器５の中に設置されており、圧力容器５内の雰囲気ガスとして窒素ガスが２〜１０ＭＰａで充填されており、ＧａＮ単結晶を成長させるための窒素源となっている。
【００２２】
このような装置構成において、容器２内のナトリウムとガリウムの混合溶液の温度を一定（７８０℃程度）とするか、または徐冷することにより、図２に示すように、種結晶基板４上の最表面が窒素終端された窒化物層７上に、ＧａＮ単結晶８を成長させることができる。徐冷する場合、７８５℃程度から７７５℃程度まで、２℃／日程度の温度勾配で徐冷すればよい。
【００２３】
種結晶基板４上に成長した直径５０．８ｍｍ、厚み０．８ｍｍの円板状のＧａＮ単結晶の表面を、ダイアモンド砥粒及びＳｉＣ砥粒を用いて粗研磨した後に、コロイダルシリカを用いた鏡面研磨を施し、直径５０．８ｍｍ、厚み０．４ｍｍのＧａＮ単結晶から成る基板を作製する。作製されたＧａＮ単結晶は、表面の転位密度２×１０4ｃｍ-2であり、従来にない大口径かつ高品質の結晶となる。
【００２４】
以上より、窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシャル成長に好適なＧａＮ単結晶から成る基板が製造可能となる。
【００２５】
種結晶基板４としては、Ａｌ2Ｏ3の他にＧａＡｓ，ＺｒＢ2，ＬｉＧａＯ2，ＬｉＡｌＯ2，Ｇａ2Ｏ3またはＳｉＣの単結晶から成るものを使用することができる。これらは、窒化物単結晶と格子定数差が大きい材料から成るが、このような種結晶基板であっても使用することができる。従って、製造の自由度が大きくなり、また低コストに窒化物単結晶を製造することができる。
【００２６】
窒化物単結晶は、化学式ＸＮ（ただし、ＸはＧａ，Ａｌ及びＩｎから選ばれる少なくとも１種である。）で表されるものであり、例えばＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＮの単結晶、またはＧａ，Ａｌ，Ｉｎの混晶系の単結晶である。窒化物単結晶は、例えば発光素子や電子素子を構成する半導体層を形成するための基板として用いられる。
【００２７】
窒化物単結晶から成る基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る半導体層を形成して、発光素子を構成する場合、その構成は以下のようになる。
【００２８】
例えば、ＧａＮ単結晶から成る基板上にＧａＮ等から成るバッファ層を介して窒化ガリウム系化合物半導体層が形成される。なお、バッファ層は省くことができる。例えば窒化ガリウム系化合物半導体層は、化学式Ｇａ1-x1-y1Ｉｎy1Ａｌx1Ｎ（ただし、０≦ｘ１＋ｙ１≦１、ｘ１≧０、ｙ１≧０とする。）で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と、化学式Ｇａ1-x2-y2Ｉｎy2Ａｌx2Ｎ（ただし、０≦ｘ２＋ｙ２≦１、ｘ２≧０、ｙ２≧０とする。）で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、化学式Ｇａ1-x3-y3Ｉｎy3Ａｌx3Ｎ（ただし、０≦ｘ３＋ｙ３≦１、ｘ３≧０、ｙ３≧０とする。）で表される窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層が挟まれて接合されている構成（ただし、（ｘ３，ｙ１，ｙ２）＜（ｘ１，ｘ２），（ｘ３，ｙ１，ｙ２）≦ｙ３とする。）である。
【００２９】
また、例えば第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層及び第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層は、それぞれｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層である。窒化ガリウム系化合物半導体をｐ型半導体とするには、元素周期律表において２族の元素であるマグネシウム（Ｍｇ）等をドーパントとして、窒化ガリウム系化合物半導体に混入させればよい。また、窒化ガリウム系化合物半導体をｎ型半導体とするには、元素周期律表において４族の元素であるシリコン（Ｓｉ）等をドーパントとして窒化ガリウム系化合物半導体に混入させればよい。
【００３０】
また、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層及び第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層は、両方ともアルミニウム（Ａｌ）を含む窒化ガリウム系化合物半導体から成るものとし、いずれも発光層に含まれるアルミニウムよりもその含有量を多くすることがよい。このようにすると、第１及び第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層の禁制帯幅が両方とも発光層の禁制帯幅よりも大きくなるので、発光層に電子と正孔とを閉じ込めて、これら電子と正孔を効率良く再結合させて強い発光強度で発光させることができる。また、第１及び第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層は、アルミニウムを含んだ窒化ガリウム系化合物半導体からなることにより、第１及び第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層における禁制帯幅が比較的大きくなり、第１及び第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層における紫外光等の短波長側の光の吸収を小さくすることができる。なお、第１及び第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層は、いずれか一方がアルミニウムを含んだ窒化ガリウム系化合物半導体からなっていてもよい。
【００３１】
なお、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層及び第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層はそれぞれｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層としても構わない。
【００３２】
また、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層及び第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層にはそれぞれ、発光層に電流を注入するための導電層（電極）を形成する。これにより、ＬＥＤや半導体レーザ（ＬＤ）等の発光素子が形成される。
【００３３】
また、発光層を成す窒化ガリウム系化合物半導体の組成は、所望の発光波長が得られる適当なものに設定すればよい。例えば、発光層を、アルミニウムもインジウムも含まないＧａＮからなるものとすれば、禁制帯幅は約３．４エレクトロンボルト（ｅＶ）となり、約３６５ナノメートル（ｎｍ）の発光波長である紫外光によって発光層を発光させることができる。また、これよりも発光波長を短波長とする場合、発光層は、禁制帯幅を大きくする元素であるアルミニウムを発光波長に応じて設定される量だけ含ませた窒化ガリウム系化合物半導体から成るものとすればよい。
【００３４】
また、発光層に禁制帯幅を小さくする元素であるインジウム（Ｉｎ）を含有させてもよく、所望の発光波長となるようにアルミニウムをより多く含有させる等して、アルミニウム，インジウム及びガリウムの組成比を適宜設定すればよい。また、発光層は、禁制帯幅の広い障壁層と禁制帯幅の狭い井戸層とから成る量子井戸構造が複数回繰り返し規則的に積層された超格子である多層量子井戸構造（ＭＱＷ：Multi Quantum Well）としてもよい。
【００３５】
このような発光素子は次のように動作する。即ち、発光層を含む窒化ガリウム系化合物半導体にバイアス電流を流して、発光層で波長３５０〜４００ｎｍ程度の紫外光〜近紫外光を発生させ、発光素子の外側にその紫外光〜近紫外光を取り出すように動作する。
【００３６】
発光素子は、ＣＤ，ＤＶＤ等の光記録媒体の光ピックアップ用の光源としての半導体レーザに適用できるものであり、波長３５０〜４００ｎｍ程度の紫外光〜近紫外光や紫光を用いることにより、高記録密度で長時間の記録・再生が可能な光記録媒体を製造、使用することができる。このような光ピックアップは、周知の構成のものでよく、例えば、発光素子と、発光素子から発光した光の光軸上に設置されたビームスプリッタや偏光ビームスプリッタ，プリズム，反射鏡，回折格子，スリット，集光レンズ等とを組み合わせることにより、容易に構成することができる。
【００３７】
また、発光素子は照明装置に利用できるものであり、その照明装置は、発光素子と、発光素子からの発光を受けて光を発する蛍光体及び燐光体の少なくとも一方とを具備している構成である。この構成により、輝度及び照度の高い照明装置を得ることができる。この照明装置は、発光素子を透明樹脂等で覆うか内包するようにし、その透明樹脂等に蛍光体や燐光体を混入させた構成とすればよく、蛍光体や燐光体によって発光素子の紫外光〜近紫外光を白色光等に変換するものとすることができる。また、集光性を高めるために透明樹脂等に凹面鏡等の光反射部材を設けることもできる。このような照明装置は、従来の蛍光灯等よりも消費電力が小さく、小型であることから、小型で高輝度の照明装置として有効である。
【００３８】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。
【実施例１】
【００３９】
本発明の窒化物単結晶の製造方法の実施例について以下に説明する。
【００４０】
種結晶基板４として、直径５０．８ｍｍ、厚み０．３ｍｍの円板状であって、片面（成長面）が鏡面研磨されたサファイア基板を用い、成長面を４００℃以上のアンモニアガス雰囲気中で１分〜５分熱処理した。
【００４１】
また、比較例として、未処理のサファイア基板から成る種結晶基板を用意した。
【００４２】
実施例１及び比較例の種結晶基板のそれぞれについて、表面を２次イオン質量分析したところ、実施例１の種結晶基板は窒素の検出が認められ、アンモニアガス雰囲気中での熱処理により、最表面が窒素終端していることがわかった。一方、比較例の種結晶基板は、表面において窒素が検出されなかった。
【００４３】
次に、単結晶成長炉Ｓの圧力容器５内に設置された、内径６０ｍｍ、深さ１５ｍｍの円筒状で窒化ボロン（ＢＮ）から成る容器２に、サファイア基板を収容した。そして、容器２内にナトリウム１６．５ｇとガリウム１００ｇの混合物を充填した。
【００４４】
次に、容器２を円筒状のヒーター１の内側の中心部に配置し、圧力容器５内に雰囲気ガス６として窒素ガスを２〜１０ＭＰａで充填し、ヒーター１に通電することにより、容器２内の混合溶液３が７００〜１０００℃の温度になるまで昇温した。
【００４５】
次に、圧力容器５内の雰囲気ガス圧力を一定（４ＭＰａ）に保持したまま、混合溶液３の温度を一定（７８０℃）に保持することによりサファイア基板上にＧａＮ単結晶を４０時間成長させた。
【００４６】
表面をアンモニアガス雰囲気中で熱処理した実施例１のサファイア基板上には、図２に示すように、種結晶基板上４の最表面が窒素終端された窒化物層７上に、厚み約０．８ｍｍのＧａＮ単結晶８が成長した。
【００４７】
これに対し、表面をアンモニアガス雰囲気中で熱処理していない比較例のサファイア基板上には、ＧａＮ単結晶の形成は認められず、サファイア基板の成長面は鏡面のままであった。
【００４８】
以上より、種結晶基板の表面を窒化処理して最表面を窒素で終端させると、ＧａＮ単結晶の成長が可能となることが確認された。
【００４９】
次に、実施例１のＧａＮ単結晶８の表面をダイアモンド砥粒及びＳｉＣ砥粒を用いて粗研磨した後に、コロイダルシリカを用いて鏡面研磨し、直径５０．８ｍｍ、厚み０．４ｍｍのＧａＮ単結晶から成る円板状の基板を作製した。この基板は、透過型電子顕微鏡像による分析によって、結晶の表面の転位密度が２×１０4ｃｍ-2であり、従来にない低い転位密度でることが判明した。
【００５０】
また、種結晶基板として、ＧａＡｓ，ＺｒＢ2，ＬｉＧａＯ2，ＬｉＡｌＯ2，Ｇａ2Ｏ3，ＳｉＣの単結晶から成るものを用いて表面を窒化処理しても、上記と同様の結果が得られた。
【００５１】
以上より、従来、直接サファイア基板上に成長できなかったＧａＮ単結晶を、本発明の製造方法によって、高品質なものとして成長できることがわかった。
【実施例２】
【００５２】
図３に示すように、種結晶基板４の表面に、窒化物層７を種々のパターンとして形成した。なお、図３において１２は酸素終端面である。
【００５３】
（ａ）は、間隔及び幅が１０μｍのストライプ状のパターンに窒化物層７を形成したものである。
【００５４】
（ｂ）は、１０μｍ×１０μｍの四角形の非形成部を多数有する格子状のパターンに窒化物層７を形成したものである。
【００５５】
（ｃ）は、１０μｍ×１０μｍの四角形の島状部を多数形成したパターンに窒化物層７を形成したものである。
【００５６】
（ａ）〜（ｃ）は、ＳｉＯ２やＴｉ製のマスクを用いて、フォトリソグラフィ法、蒸着法やスパッタリング法を組み合わせて、１μｍの厚みで形成したものである。
【００５７】
そして、実施例１と同様にして、（ａ）〜（ｃ）の種結晶基板のそれぞれに、アンモニアガス雰囲気中で４００℃以上の熱処理を行った。
【００５８】
熱処理後、ＨＦでマスクを除去し、（ａ）〜（ｃ）のパターンの窒化物層７を形成したサファイア基板を用意した。これらを用いて、実施例１と同様の方法でＧａＮ単結晶８を成長させ、鏡面研磨し、直径５０．８ｍｍ、厚み０．４ｍｍのＧａＮ単結晶から成る円板状の基板を作製した。この基板は、透過型電子顕微鏡像による分析によって、結晶の表面のマスクパターンのあった部分は転位密度が１０4ｃｍ-2以下であり、部分的には無転位となり、更に結晶品質を改善できることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】窒化物単結晶を製造するための単結晶成長炉の断面図である。
【図２】種結晶基板上に成長した窒化物単結晶を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、成長面に各種パターンで窒化物層が形成された種結晶基板の平面図である。
【符号の説明】
【００６０】
４：種結晶基板
７：窒化物層
８：窒化物単結晶
【図１】
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【図２】
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【図３】
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