(57)【要約】【課題】薄型化を実現可能な電子モジュールおよび電子モジュールの実装方法を提供する。【解決手段】サブモジュール１は、サブ基板３の下面に設けられた複数の外部接続端子４を介してメイン基板１０の上面に実装される。サブモジュール１が実装されたメイン基板１０はケース１１内に収納される。サブ基板３の上面にはチューナ２が設けられ、サブ基板３の下面には各外部接続端子４の直径よりも大きい高さを有する電子部品である水晶振動子５およびバイパスコンデンサ６が設けられる。ケース１１の側面にはＲＦ（高周波）コネクタ９が設けられる。メイン基板１０に略正方形状の貫通孔８が設けられる。サブモジュール１がメイン基板１０に実装された場合に、サブモジュール１の水晶振動子５およびバイパスコンデンサ６が貫通孔８内に挿入される。【選択図】図２
2008053393.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面および他面を有するとともに開口部を有する主回路基板と、
一面および他面を有するとともに前記主回路基板の一面上に配置される副回路基板と、
前記副回路基板の一面に設けられる半導体チップと、
前記副回路基板の他面に設けられ、当該副回路基板と前記主回路基板とを電気的に接続する接続部と、
前記副回路基板の他面に設けられる１または複数の電子部品とを備え、
前記１または複数の電子部品のうち少なくとも１つは、前記主回路基板に垂直な方向において前記接続部よりも大きな寸法を有し、
前記主回路基板の前記開口部は、前記接続部を介して前記副回路基板と前記主回路基板とが接続された状態で前記１または複数の電子部品が前記開口部内に位置するように配置されたことを特徴とする電子モジュール。
【請求項２】
前記主回路基板は複数の第１の配線パターンを有し、
前記副回路基板は複数の第２の配線パターンを有し、
前記複数の第２の配線パターンの少なくとも一部は、前記複数の第１の配線パターンよりも小さい幅および間隔を有することを特徴とする請求項１記載の電子モジュール。
【請求項３】
前記半導体チップは、高周波信号を処理する電子回路を含むことを特徴とする請求項１または２記載の電子モジュール。
【請求項４】
前記半導体チップは、チューナを含むことを特徴とする請求項３記載の電子モジュール。
【請求項５】
前記副回路基板および前記主回路基板を収納する収納体をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子モジュール。
【請求項６】
前記１または複数の電子部品は、高周波信号を取り込むコネクタを含むこと特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電子モジュール。
【請求項７】
前記１または複数の電子部品は、水晶振動子、コンデンサおよび抵抗のうち１以上を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の電子モジュール。
【請求項８】
前記収納体の側面に設けられ、高周波信号を取り込むコネクタをさらに備え、
前記１または複数の電子部品は、水晶振動子、コンデンサおよび抵抗のうち１以上を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電子モジュール。
【請求項９】
前記主回路基板の開口部は、貫通孔または切り欠きからなることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の電子モジュール。
【請求項１０】
前記副回路基板と前記主回路基板との間において接続部を覆う充填剤をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の電子モジュール。
【請求項１１】
前記充填剤は、樹脂を含むことを特徴とする請求項１０記載の電子モジュール。
【請求項１２】
前記副回路基板の他面で前記主回路基板の前記開口部に対応する位置に、前記副回路基板の前記主回路基板への接続時における位置調整のための調整マークをさらに備えたことを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の電子モジュール。
【請求項１３】
前記接続部は複数の半田ボールを含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の電子モジュール。
【請求項１４】
一面および他面を有する主回路基板に開口部を形成する工程と、
一面および他面を有する副回路基板の一面に半導体チップを設ける工程と、
前記副回路基板の他面に当該副回路基板と前記主回路基板とを電気的に接続する接続部を設ける工程と、
前記副回路基板の他面に１または複数の電子部品を設ける工程と、
前記接続部を介して前記副回路基板と前記主回路基板とを接続する工程とを備え、
前記１または複数の電子部品のうち少なくとも１つは、前記主回路基板に垂直な方向において前記接続部よりも大きな寸法を有し、
前記主回路基板の前記開口部は、前記接続部を介して前記副回路基板と前記主回路基板とが接続された状態で前記１または複数の電子部品が前記開口部内に位置するように配置されたことを特徴とする電子モジュールの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子モジュールおよび電子モジュールの実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の電子部品における高密度実装技術の要望に応えるために、実装構造としてのＢＧＡ（Ball Grid Array）が実用化されている。このＢＧＡは、ＬＳＩ等の電子部品をプリント配線板（マザーボード）に高歩留りで実装可能な電子モジュールとして開発されたものである。
【０００３】
例えば、特許文献１には、インターポーザ基板、ＬＳＩおよび半田ボールを備えたＢＧＡをマザーボードに実装する構造が提案されている。
【０００４】
上記ＢＧＡの実装構造においては、ＬＳＩと半田ボールとを、マザーボードに対向するインターポーザ基板における面上に設ける。
【０００５】
そして、上記ＢＧＡの実装構造においてマザーボードに貫通孔を設け、当該貫通孔にインターポーザ基板上に設けられた上記ＬＳＩを収納する。このような構成によって、ＢＧＡの薄型化を実現している。
【０００６】
ここで、電子モジュールにチューナが含まれる場合について図面を参照しながら説明する。
【０００７】
図７は、従来のインターポーザ基板にチューナが設けられた状態を示す平面図であり、図７（ａ）はその上面図を示し、図７（ｂ）はその下面図を示す。
【０００８】
また、図８は、図７のインターポーザ基板がマザーボードに実装されることにより完成されるチューナモジュールを示す模式図であり、図８（ａ）はその下面図を透過的に示し、図８（ｂ）は図８（ａ）のＣ−Ｃ線断面図を示す。
【０００９】
図７（ａ）に示すように、基板１０３の上面にチューナ１０２が設けられることによりサブモジュール１０１が製造される。
【００１０】
また、図７（ｂ）に示すように、基板１０３の下面には、各々半田ボールからなる複数の外部接続端子１０４が設けられている。
【００１１】
図８（ｂ）に示すように、サブモジュール１０１の基板１０３上に設けられた複数の外部接続端子１０４が設けられる。図７のサブモジュール１０１が複数の外部接続端子１０４を介してマザーボード１０８の上面に実装される。そして、サブモジュール１０１が実装されたマザーボード１０８はケース１０９内に収納される。これにより、チューナモジュール２００が製造される。
【００１２】
ケース１０９の側面にはＲＦ（高周波）コネクタ１０７が設けられる。マザーボード１０８の上面には導体パターン１１０ｂが設けられている。ＲＦコネクタ１０７の接続部１１０ａは、マザーボード１０８の上面の導体パターン１１０ｂに接続される。
【００１３】
上記のように、サブモジュール１０１および導体パターン１１０ｂが設けられる他、マザーボード１０８の上面には、水晶振動子１０５およびチップコンデンサ１１１、またはチップ抵抗が設けられる。なお、水晶振動子１０５により発振周波数が決定される。
【００１４】
また、図８（ａ），（ｂ）に示すように、マザーボード１０８の下面には、バイパスコンデンサ１０６が設けられるとともに、コネクタ１１２を構成する複数のコネクタ端子１１２ａが設けられる。
【００１５】
ＲＦ信号（高周波信号）をチューナ１０２に取り込む際には、ＲＦコネクタ１０７に図示しないケーブルを接続する。ＲＦコネクタ１０７からのＲＦ信号は、導体パターン１１０ｂ、外部接続端子１０４、および基板１０３を介してチューナ１０２に取り込まれる。
【特許文献１】特開平１１−２９７８７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、上記従来のチューナモジュール２００においては、マザーボード１０８の上面に設けられる水晶振動子１０５、およびマザーボード１０８の下面に設けられるバイパスコンデンサ１０６の高さが高いことから、高さ方向の空間を確保する必要が生じる。その結果、チューナモジュール２００の薄型化を実現することが困難である。
【００１７】
本発明の目的は、薄型化を実現可能な電子モジュールおよび電子モジュールの実装方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
（１）第１の発明に係る電子モジュールは、一面および他面を有するとともに開口部を有する主回路基板と、一面および他面を有するとともに主回路基板の一面上に配置される副回路基板と、副回路基板の一面に設けられる半導体チップと、副回路基板の他面に設けられ、当該副回路基板と主回路基板とを電気的に接続する接続部と、副回路基板の他面に設けられる１または複数の電子部品とを備え、１または複数の電子部品のうち少なくとも１つは、主回路基板に垂直な方向において接続部よりも大きな寸法を有し、主回路基板の開口部は、接続部を介して副回路基板と主回路基板とが接続された状態で１または複数の電子部品が開口部内に位置するように配置されたものである。
【００１９】
第１の発明に係る電子モジュールにおいては、開口部を有する主回路基板の一面上に副回路基板が配置される。副回路基板の一面には半導体チップが設けられる。また、副回路基板の他面には、当該副回路基板と主回路基板とを電気的に接続する接続部と、１または複数の電子部品とが設けられる。１または複数の電子部品のうち少なくとも１つは、主回路基板に垂直な方向において接続部よりも大きな寸法を有する。このような構成において、接続部を介して副回路基板と主回路基板とが接続された状態で１または複数の電子部品が開口部内に位置する。
【００２０】
これにより、１または複数の電子部品が開口部に位置されつつ副回路基板が主回路基板に実装される。それにより、１または複数の電子部品が有する主回路基板に垂直な方向における寸法が、電子モジュールの上記方向における寸法に直接的に起因することがない。したがって、電子モジュールの薄型化を実現することができる。
【００２１】
（２）主回路基板は複数の第１の配線パターンを有し、副回路基板は複数の第２の配線パターンを有し、複数の第２の配線パターンの少なくとも一部は、複数の第１の配線パターンよりも小さい幅および間隔を有してもよい。
【００２２】
この場合、複数の第２の配線パターンの少なくとも一部が複数の第１の配線パターンよりも小さい幅および間隔を有することによって、小さい間隔のピンを有する半導体チップを実装することができる。
【００２３】
（３）半導体チップは、高周波信号を処理する電子回路を含んでもよい。この場合、薄型化された電子モジュールにおいて高周波信号の処理が可能となる。
【００２４】
（４）半導体チップは、チューナを含んでもよい。この場合、薄型化された電子モジュールにおいてチューナによる選局の処理が可能となる。
【００２５】
（５）電子モジュールは、副回路基板および主回路基板を収納する収納体をさらに備えてもよい。
【００２６】
この場合、副回路基板および主回路基板が収納体により保護されるとともに、電子モジュールの取り扱い性および携帯性が向上する。
【００２７】
（６）１または複数の電子部品は、高周波信号を取り込むコネクタを含んでもよい。
【００２８】
この場合、当該コネクタから半導体チップとしてのチューナまでの距離を最小限に設定することが可能となる。それにより、各構成部間におけるインピーダンス整合を容易にとることができる。したがって、チューナの受信感度およびＣ／Ｎ（キャリア／ノイズ）比を向上することができる。
【００２９】
また、副回路基板の他面に直接上記コネクタを設けることにより、当該コネクタに接続するための導体パターンを主回路基板の一面に設ける必要がない。したがって、副回路基板と上記コネクタとの一体化を実現することができる。これにより、電子モジュールの取り扱い性をより向上することができる。
【００３０】
（７）１または複数の電子部品は、水晶振動子、コンデンサおよび抵抗のうち１以上を含んでもよい。
【００３１】
この場合、各種電子部品の中で比較的大きな寸法を有する上記水晶振動子、コンデンサおよび抵抗のうち１以上の電子部品が開口部に位置されることによって、電子モジュールの薄型化をさらに図ることができる。
【００３２】
（８）収納体の側面に設けられ、高周波信号を取り込むコネクタをさらに備え、１または複数の電子部品は、水晶振動子、コンデンサおよび抵抗のうち１以上を含んでもよい。
【００３３】
この場合、開口部の大きさが制限される場合で収納体の側面に上記コネクタを設ける領域を確保できる場合に、水晶振動子、コンデンサおよび抵抗のうち１以上の電子部品を上記開口部に配置することができる。このような構成により、開口部の大きさの制限がある場合でも、設計の柔軟性を確保することができる。
【００３４】
（９）主回路基板の開口部は、貫通孔または切り欠きからなってもよい。この場合、開口部としての貫通孔または切り欠きを主回路基板に容易に形成することができる。
【００３５】
（１０）電子モジュールは、副回路基板と主回路基板との間において接続部を覆う充填剤をさらに備えてもよい。
【００３６】
この場合、接続部を介しての副回路基板と主回路基板との接続の信頼性を向上することができる。
【００３７】
（１１）充填剤は、樹脂を含んでもよい。この場合、副回路基板と主回路基板との間の接続部を樹脂により容易に覆うことができる。
【００３８】
（１２）電子モジュールは、副回路基板の他面で主回路基板の開口部に対応する位置に、副回路基板の主回路基板への接続時における位置調整のための調整マークをさらに備えてもよい。
【００３９】
この場合、副回路基板を主回路基板に接続（実装）するときに、主回路基板の他面側から開口部を介して調整マークを認識することができる。それにより、接続の位置決めが容易となる。
【００４０】
（１３）接続部は複数の半田ボールを含んでもよい。この場合、主回路基板と副回路基板との電気的接続が複数の半田ボールにより容易かつ確実に行われる。
【００４１】
（１４）第２の発明に係る電子モジュールの実装方法は、一面および他面を有する主回路基板に開口部を形成する工程と、一面および他面を有する副回路基板の一面に半導体チップを設ける工程と、副回路基板の他面に当該副回路基板と主回路基板とを電気的に接続する接続部を設ける工程と、副回路基板の他面に１または複数の電子部品を設ける工程と、接続部を介して副回路基板と主回路基板とを接続する工程とを備え、１または複数の電子部品のうち少なくとも１つは、主回路基板に垂直な方向において接続部よりも大きな寸法を有し、主回路基板の開口部は、接続部を介して副回路基板と主回路基板とが接続された状態で１または複数の電子部品が開口部内に位置するように配置されたものである。
【００４２】
第２の発明に係る電子モジュールの実装方法においては、開口部を有する主回路基板の一面上に副回路基板が配置される。副回路基板の一面には半導体チップが設けられる。また、副回路基板の他面には、当該副回路基板と主回路基板とを電気的に接続する接続部と、１または複数の電子部品とが設けられる。１または複数の電子部品のうち少なくとも１つは、主回路基板に垂直な方向において接続部よりも大きな寸法を有する。このような構成において、接続部を介して副回路基板と主回路基板とが接続された状態で１または複数の電子部品が開口部内に位置する。
【００４３】
これにより、１または複数の電子部品が開口部に位置されつつ副回路基板が主回路基板に実装される。それにより、１または複数の電子部品が有する主回路基板に垂直な方向における寸法が、電子モジュールの上記方向における寸法に直接的に起因することがない。したがって、電子モジュールの薄型化を実現することができる。
【発明の効果】
【００４４】
本発明によれば、電子モジュールの薄型化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、本発明の実施の形態に係る電子モジュールおよび電子モジュールの実装方法について図面を参照しながら説明する。
【００４６】
本実施の形態の電子モジュールは、例えばテレビ受像機に設けられ、選局を行うチューナを含むチューナモジュールとして機能するものである。以下では、電子モジュールの一例としてチューナモジュールについて説明する。
【００４７】
（１）第１の実施の形態
（１−１）チューナモジュールを構成するサブモジュール
図１は、第１の実施の形態に係るチューナモジュールを構成するサブモジュールの模式図である。図１（ａ）はサブモジュールの斜視図であり、図１（ｂ）はサブモジュールの上面図であり、図１（ｃ）はサブモジュールの下面図である。
【００４８】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、サブモジュール１は、例えば約２ｃｍ角のサブ回路基板（以下、サブ基板と呼ぶ）３を備える。サブ基板３の一方の面（以下、サブ基板３の上面と呼ぶ）上には半導体チップからなるチューナ２が設けられる。
【００４９】
また、図１（ａ）に示すように、サブ基板３の他方の面（以下、サブ基板３の下面と呼ぶ）上には水晶振動子５が略中心領域に設けられる。そして、水晶振動子５の配設領域を除いたサブ基板３の下面上には、例えば数百μｍの直径の半田ボールからなる複数の外部接続端子４がマトリクス状に設けられている。なお、水晶振動子５により発振周波数が決定される。
【００５０】
さらに、図１（ｃ）に示すように、サブ基板３の下面における水晶振動子５の近傍には、バイパスコンデンサ６が設けられるとともに、アライメントマーク７がサブ基板３の下面に付される。なお、アライメントマーク７は、後述のメイン基板１０（図２）にサブモジュール１を実装する際における実装位置の調整のための印である。
【００５１】
（１−２）サブモジュールのメイン基板への実装
図２は、図１のサブモジュール１がメイン回路基板（マザーボード：以下、メイン基板と呼ぶ）に実装されることにより製造されたチューナモジュール１００を示す模式図である。図２（ａ）はチューナモジュール１００の下面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のチューナモジュール１００のＡ−Ａ線断面図である。
【００５２】
なお、図２（ｂ）に示すように、本実施の形態では、サブモジュール１およびメイン基板１０等の各種構成部は、チューナモジュール１００のケース１１内に収納される。図２（ａ），（ｂ）は、ケース１１内の構成が分かるように透過的に示した図である。
【００５３】
図２（ｂ）に示すように、サブモジュール１が、サブ基板３の下面に設けられた複数の外部接続端子４を介してメイン基板１０の一方の面（以下、メイン基板１０の上面と呼び、当該上面に対向する面を下面と呼ぶ）上に実装される。
【００５４】
そして、サブモジュール１が実装されたメイン基板１０はケース１１内に収納される。これにより、チューナモジュール１００が製造される。
【００５５】
このように、サブ基板３の上面には半導体チップ（本実施の形態では、チューナ２）が設けられ、当該サブ基板３の下面には各外部接続端子４の直径よりも大きい高さを有する電子部品（本実施の形態では、水晶振動子５およびバイパスコンデンサ６）が設けられる。
【００５６】
ここで、本実施の形態において、チューナ２を構成する半導体チップは高集積化されているので、ピンの間隔が小さい。サブ基板３の特徴としては、配線パターンの幅および配線パターン間の間隔が比較的狭く設計されるとともに、当該サブ基板３は多層基板からなることである。それにより、チューナ２、水晶振動子５、およびバイパスコンデンサ６等の各種電子部品が高密度で実装される。
【００５７】
また、本実施の形態において、メイン基板１０の特徴としては、当該メイン基板１０はプリント配線基板からなり、配線パターンの幅および配線パターン間の間隔が比較的広く設計されることである。
【００５８】
ケース１１の側面にはＲＦ（高周波）コネクタ９が設けられる。メイン基板１０の上面には導体パターン１２ｂが設けられている。ＲＦコネクタ９の接続部１２ａは、メイン基板１０の上面の導体パターン１２ｂに接続される。なお、ＲＦコネクタ９には、図示しないケーブルが接続される。
【００５９】
また、メイン基板１０の上面には、サブモジュール１および導体パターン１２ｂが設けられる他、チップコンデンサ１３またはチップ抵抗が設けられる。
【００６０】
ここで、本実施の形態においては、メイン基板１０に略正方形状の貫通孔８が設けられる。この貫通孔８は、サブモジュール１がメイン基板１０に実装される場合に、当該サブモジュール１の水晶振動子５およびバイパスコンデンサ６が当該貫通孔８に挿入され得る大きさを有する。
【００６１】
このような構成により、サブモジュール１がメイン基板１０に実装された場合に、サブモジュール１の水晶振動子５およびバイパスコンデンサ６が貫通孔８内に挿入される。
【００６２】
また、サブモジュール１がメイン基板１０に実装された場合に、貫通孔８を介してメイン基板１０の下面側から見える位置にアライメントマーク７がサブ基板３の下面において付されている。
【００６３】
また、メイン基板１０の下面には、コネクタ１４を構成する複数のコネクタ端子１４ａが設けられる。
【００６４】
ＲＦコネクタ９からのＲＦ信号（高周波信号）は、導体パターン１２ｂ、外部接続端子４、およびサブ基板３を介してチューナ２に取り込まれる。
【００６５】
ここで、サブ基板３の下面に水晶振動子５、バイパスコンデンサ６、およびアライメントマーク７がそれぞれ設けられるため、当該サブ基板３の下面の全領域に外部接続端子４を設けることができない。その結果、外部接続端子４の数が制限されることになる。
【００６６】
そこで、本実施の形態では、各外部接続端子４の大きさを小さくするとともに、外部接続端子４間の距離を小さくすることにより、外部接続端子４の数を必要数以下に減らさないようにする。それにより、ＲＦコネクタ９からの高周波信号の受信感度を維持することができる。
【００６７】
しかしながら、各外部接続端子４の大きさを小さくし、外部接続端子４間の距離を小さくした場合には、メイン基板１０へのサブモジュール１の位置決めが困難となる。
【００６８】
そこで、上述のように、本実施の形態においては、サブ基板３の下面にアライメントマーク７を付する。それにより、サブモジュール１をメイン基板１０に実装するときに、メイン基板１０の下面側から貫通孔８を介してアライメントマーク７を確認しつつ実装位置を容易に調整することができる。
【００６９】
（１−３）チューナモジュールにおける制御信号の送受信
図３は、チューナモジュール１００における信号経路を示す図である。図３において、端子ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４は図２のコネクタ１４の４本のコネクタ端子１４ａに相当する。
【００７０】
図３に示すように、ＲＦコネクタ９からの高周波信号（ＲＦ信号）は、最初にメイン基板１０の上面に設けられた導体パターン１２に与えられる。なお、本実施の形態において、ＲＦ信号は放送信号である。
【００７１】
導体パターン１２に与えられたＲＦ信号は複数の外部接続端子４（図２）およびサブ基板３を介してチューナ２に入力される。
【００７２】
チューナ２によりＲＦ信号から所望のチャンネルの周波数を有する信号が選択され、その信号が一定の周波数を有するＩＦ信号（中間周波信号）に変換される。そして、このＩＦ信号は、チューナ２からサブ基板３、複数の外部接続端子４（図２）、およびメイン基板１０上に設けられた端子ｔ１を介してケース１１の外部の図示しない復調器へ送信される。
【００７３】
一方、外部回路から、メイン基板１０上に設けられた端子ｔ２、複数の外部接続端子４（図２）、およびサブ基板３を介してＡＧＣ信号（自動利得制御信号）およびＩ２  Ｃ信号（選局指示信号）がチューナ２に送信される。ＡＧＣ信号は、ＲＦ信号の電圧レベルが変化する場合でもＩＦ信号の電圧レベルが一定となるようチューナ２の利得を制御するための制御信号である。Ｉ２  Ｃ信号は、選局すべきチャンネルの周波数を指示するための制御信号である。端子ｔ３には電源電圧が与えられ、端子ｔ４はケース１１等の接地電位に保持される部分に接続される。
【００７４】
なお、チューナ２には水晶振動子５が電気的に接続されている。水晶振動子５により選局のための同調が高精度に行われる。また、チューナ２にはバイパスコンデンサ６が電気的に接続されている。バイパスコンデンサ６により電源電圧のノイズ成分（雑音）が除去される。
【００７５】
（１−４）実装の信頼性を向上する方法
図４は、図２（ｂ）におけるチューナモジュール１００の拡大図である。
【００７６】
上述したように、本実施の形態では、サブ基板３の下面に設けられる複数の外部接続端子４の大きさは小さく設計される。また、サブモジュール１とメイン基板１０とは複数の外部接続端子４のみにより接続される。
【００７７】
そこで、引張応力等に対する接続の信頼性を向上するために、図４に示すように、サブモジュール１のサブ基板３とメイン基板１０との間において、複数の外部接続端子４をそれぞれ覆うように例えばエポキシ系の樹脂からなるアンダーフィル剤２０を充填し固着させる。
【００７８】
この場合、メイン基板１０の上面側から上記アンダーフィル剤２０を充填する方法、およびメイン基板１０の下面側から貫通孔８を介して上記アンダーフィル剤２０を充填する方法の一方または両方を用いることができる。
【００７９】
ここで、サブ基板３の下面に設けられる複数の外部接続端子４の大きさが小さく、当該外部接続端子４間の距離が小さく設計される場合には、アンダーフィル剤２０が外部接続端子４間を良好に通過することが困難となる。その結果、充填ムラが生じる場合がある。
【００８０】
このような理由により、メイン基板１０の下面側から貫通孔８を介してアンダーフィル剤２０を充填する方法を少なくとも用いることが好ましい。これにより、アンダーフィル剤２０の充填ムラが発生することを防止できる。それにより、サブモジュール１とメイン基板１０との接続の信頼性を向上することができる。
【００８１】
（１−５）第１の実施の形態における効果
従来のように、メイン基板１０の上面および下面にそれぞれ水晶振動子５およびバイパスコンデンサ６を設ける場合には、水晶振動子５およびバイパスコンデンサ６の厚さがチューナモジュール１００の厚さに直接的に起因することとなり、チューナモジュール１００の薄型化を図ることができない。
【００８２】
本実施の形態においては、比較的高い高さを有する水晶振動子５およびバイパスコンデンサ６等の電子部品を、メイン基板１０の上面および下面に設けずに、サブモジュール１のサブ基板３においてメイン基板１０に対向する面（本実施の形態では、サブ基板３の下面）に設ける。そして、メイン基板１０に貫通孔８を設け、上記水晶振動子５およびバイパスコンデンサ６を当該貫通孔８に挿入しつつサブモジュール１をメイン基板１０に実装する。このような構成により、チューナモジュール１００の薄型化を実現することができる。
【００８３】
（２）第２の実施の形態
（２−１）チューナモジュールを構成するサブモジュール
図５は、第２の実施の形態に係るチューナモジュールを構成するサブモジュールの模式図である。図５（ａ）はサブモジュールの斜視図であり、図５（ｂ）はサブモジュールの上面図であり、図５（ｃ）はサブモジュールの下面図である。
【００８４】
図５（ａ），（ｂ）に示すように、サブモジュール１ａはサブ基板３を備える。サブ基板３の上面にはチューナ２が設けられる。
【００８５】
また、図５（ａ）に示すように、サブ基板３の下面には水晶振動子５およびＲＦコネクタ９が略中心領域に設けられる。そして、水晶振動子５の配設領域を除いたサブ基板３の下面上には、半田ボールからなる複数の外部接続端子４がマトリクス状に設けられている。
【００８６】
ＲＦコネクタ９の図示しない接続部はサブ基板３の下面に接続される。なお、ＲＦコネクタ９には、図示しないケーブルが接続される。
【００８７】
図５（ｃ）に示すように、サブ基板３の下面における水晶振動子５およびＲＦコネクタ９の近傍には、バイパスコンデンサ６が設けられる。なお、図示していなが、第１の実施の形態におけるアライメントマーク７をサブ基板３の下面に付してもよい。
【００８８】
（２−２）サブモジュールのメイン基板への実装
図６は、図５のサブモジュール１ａがメイン基板（マザーボード）に実装されることにより製造されたチューナモジュール１００ａを示す模式図である。図６（ａ）はチューナモジュール１００ａの下面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のチューナモジュール１００ａのＢ−Ｂ線断面図である。
【００８９】
なお、図６（ｂ）に示すように、本実施の形態では、サブモジュール１ａおよびメイン基板１０等の各種構成部は、チューナモジュール１００ａのケース１１内に収納される。図６（ａ），（ｂ）は、ケース１１内の構成が分かるように透過的に示した図である。
【００９０】
図６（ｂ）に示すように、サブモジュール１ａが、サブ基板３の下面に設けられた複数の外部接続端子４を介してメイン基板１０の上面に実装される。
【００９１】
そして、上述したように、サブモジュール１ａが実装されたメイン基板１０はケース１１内に収納される。これにより、チューナモジュール１００ａが製造される。
【００９２】
また、メイン基板１０の上面には、サブモジュール１が設けられる他、チップコンデンサ１３またはチップ抵抗が設けられる。
【００９３】
ここで、本実施の形態においては、メイン基板１０に略正方形状の貫通孔８が設けられる。この貫通孔８は、サブモジュール１がメイン基板１０に実装される場合に、当該サブモジュール１の水晶振動子５、ＲＦコネクタ９、およびバイパスコンデンサ６が当該貫通孔８に挿入され得る大きさを有する。
【００９４】
このような構成により、サブモジュール１がメイン基板１０に実装された場合に、サブモジュール１の水晶振動子５、ＲＦコネクタ９、およびバイパスコンデンサ６が貫通孔８内に挿入される。
【００９５】
また、メイン基板１０の下面には、コネクタ１４を構成する複数のコネクタ端子１４ａが設けられる。
【００９６】
ＲＦコネクタ９からの高周波信号は、サブ基板３を介してチューナ２に取り込まれる。
【００９７】
（２−３）第２の実施の形態における効果
従来のように、メイン基板１０の上面および下面にそれぞれ水晶振動子５およびバイパスコンデンサ６を設ける場合には、水晶振動子５およびバイパスコンデンサ６の厚さがチューナモジュール１００ａの厚さに直接的に起因することとなり、チューナモジュール１００ａの薄型化を図ることができない。
【００９８】
本実施の形態においては、比較的高い高さを有する水晶振動子５およびバイパスコンデンサ６等の電子部品を、メイン基板１０の上面および下面に設けずに、サブモジュール１ａのサブ基板３においてメイン基板１０に対向する面（本実施の形態では、サブ基板３の下面）に設ける。そして、メイン基板１０に貫通孔８を設け、上記水晶振動子５およびバイパスコンデンサ６を当該貫通孔８に挿入しつつサブモジュール１ａをメイン基板１０に実装する。このような構成により、チューナモジュール１００ａの薄型化を実現することができる。
【００９９】
また、本実施の形態では、サブモジュール１のサブ基板３の下面にＲＦコネクタ９を設けることによって、当該ＲＦコネクタ９からチューナ２までの距離を最小限に設定することが可能となる。それにより、各構成部間におけるインピーダンス整合を容易にとることができる。したがって、チューナ２の受信感度およびＣ／Ｎ（キャリア／ノイズ）比を向上することができる。
【０１００】
さらに、本実施の形態では、サブモジュール１のサブ基板３の下面に直接ＲＦコネクタ９を設けることにより、従来のように、ＲＦコネクタ９に接続するための導体パターンをメイン基板１０の上面に設ける必要がない。したがって、サブモジュール１とＲＦコネクタ９との一体化を実現することができる。これにより、チューナモジュール１００ａの取り扱い性を向上することができる。
【０１０１】
（３）他の実施の形態
上記第１および第２の実施の形態では、メイン基板１０の貫通孔８を、当該メイン基板１０の略中心領域に設けることとしたが、メイン基板１０上であれば特に限定されず、例えば貫通孔８をメイン基板１０のいずれかの辺の近傍に設けてもよい。また、貫通孔８の数、形状および大きさについても特に限定されず、例えば複数の貫通孔８を設けてもよく、円形、楕円形等の貫通孔８を設けてもよい。
【０１０２】
また、上記第２の実施の形態では、サブモジュール１のサブ基板３の下面にＲＦコネクタ９を設けた後、当該サブモジュール１をメイン基板１０に実装することとしているが、これに限定されるものではなく、ＲＦコネクタ９が例えばＬ字型に形成されている場合等、サブ基板３の下面にＲＦコネクタ９を設けた後では、当該ＲＦコネクタ９がメイン基板１０の貫通孔８に挿入できない場合には、サブモジュール１をメイン基板１０に実装した後、ＲＦコネクタ９を取り付けてもよい。
【０１０３】
また、上記第１および第２の実施の形態においては、メイン基板１０の略中心領域に貫通孔８を設けることとしたが、これに限定されるものではなく、メイン基板１０の端部に１または複数の切り欠きを設けてもよい。このような構成において、サブモジュール１がメイン基板１０に実装された場合、サブモジュール１のサブ基板３の下面に設けられた水晶振動子５、バイパスコンデンサ６、およびＲＦコネクタ９のそれぞれが上記切り欠きの部分に配置される。これにより、メイン基板１０に貫通孔８を設けた場合と同様に、チューナモジュール１００，１００ａの薄型化を実現することができる。
【０１０４】
さらに、上記第１および第２の実施の形態においては、サブ基板３にチューナ２を構成する半導体素子を実装しているが、チューナ２に限らず、復調器、デコーダ等の他の電子回路を構成する半導体チップを実装してもよい。
【０１０５】
（４）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各構成部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１０６】
上記実施の形態においては、メイン基板１０が主回路基板に相当し、サブ基板３が副回路基板に相当し、貫通孔８が開口部に相当し、チューナ２が半導体チップおよび高周波信号を処理する電子回路に相当し、外部接続端子４が接続部および複数の半田ボールに相当し、水晶振動子５、バイパスコンデンサ６およびＲＦコネクタ９が電子部品に相当し、ケース１１が収納体に相当し、アンダーフィル剤２０が充填剤に相当し、アライメントマーク７が調整マークに相当する。
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明は、各種電子部品が実装される電子モジュールの薄型化を実現するため等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】第１の実施の形態に係るチューナモジュールを構成するサブモジュールの模式図
【図２】図１のサブモジュールがメイン回路基板（マザーボード）に実装されることにより製造されたチューナモジュールを示す模式図
【図３】チューナモジュールにおける信号経路を示す図
【図４】図２（ｂ）におけるチューナモジュールの拡大図
【図５】第２の実施の形態に係るチューナモジュールを構成するサブモジュールの模式図
【図６】図５のサブモジュールがメイン基板（マザーボード）に実装されることにより製造されたチューナモジュールを示す模式図
【図７】従来のインターポーザ基板にチューナが設けられた状態を示す平面図
【図８】図７のインターポーザ基板がマザーボードに実装されることにより完成されるチューナモジュールを示す模式図
【符号の説明】
【０１０９】
１，１ａ  サブモジュール
２  チューナ
３  サブ基板
４  外部接続端子
５  水晶振動子
６  バイパスコンデンサ
７  アライメントマーク
８  貫通孔
９  ＲＦコネクタ
１０  メイン基板
１１  ケース
１２ａ  接続部
１２ｂ  導体パターン
１３  チップコンデンサ
１４  コネクタ
１４ａ  コネクタ端子
２０  アンダーフィル剤
１００，１００ａ  チューナモジュール
【図１】
2008053393.tif 000003
【図２】
2008053393.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008053393.tif 000006
【図５】
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【図６】
2008053393.tif 000008
【図７】
2008053393.tif 000009
【図８】
2008053393.tif 000010