(57)【要約】【課題】    高調波に対する基本波のバランスが変化することによる悪影響を抑制できる高調波レーザ装置及びその制御方法を提供する。【解決手段】    高調波レーザ装置は、所定光路の両端に配置され、キャビティを構成する一対のミラーと、前記所定光路上に配置され、励起エネルギに基づき、所定波長の基本波を発生する活性部と、前記所定光路上に配置され、基本波に基づき高調波を発生させる波長変換素子と、前記所定光路からの漏れ光中の基本波の光量をモニタする第１モニタと、高調波の光量をモニタする第２モニタと、第１モニタからの第１モニタ信号が、第２モニタからのモニタ信号に対して大きくなりすぎた時、活性部をオフさせる制御回路と、を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定光路の両端に配置され、キャビティを構成する一対のミラーと、
前記所定光路上に配置され、励起エネルギに基づき、所定波長の基本波を発生する活性部と、
前記所定光路上に配置され、前記基本波に基づき高調波を発生させる波長変換素子と、
前記所定光路からの漏れ光中の基本波の光量をモニタする第１モニタと、
前記所定光路からの漏れ光中の高調波の光量をモニタする第２モニタと、
前記第１モニタからの第１モニタ信号が、第２モニタからのモニタ信号に対して大きくなりすぎた時、前記活性部をオフさせる制御回路と、
を有する高調波レーザ装置。
【請求項２】
前記一対のミラー間に配置され、前記所定光路を閉鎖する光路閉鎖部材、
をさらに有し、前記制御回路が、前記第１モニタからの第１モニタ信号が、第２モニタからのモニタ信号に対して大きくなりすぎた時、前記光路閉鎖部材も稼動させる請求項１記載の高調波レーザ装置。
【請求項３】
前記所定光路上に配置され、前記基本波と前記高調波とに対して異なる光路を設定し、前記高調波を前記キャビティ外に取り出す高調波取り出し素子をさらに有する請求項１または２記載の高調波レーザ装置。
【請求項４】
前記一対のミラーが誘電体多層膜で形成され、前記高調波取り出し素子が誘電体多層膜で形成されたダイクロイックミラーであり、前記波長変換素子が、非線形光学結晶を含む請求項３記載の高調波レーザ装置。
【請求項５】
前記活性部が励起光源とポンピングチャンバとを含み、活性部のオフは励起光源のオフによって行う請求項１〜４のいずれか１項記載の高調波レーザ装置。
【請求項６】
前記ポンピングチャンバがＮｄ：ＹＡＧ結晶、Ｎｄ：ＹＬＦ結晶、Ｎｄ：ＹＶＯ４結晶のいずれかを含む請求項５記載の高調波レーザ装置。
【請求項７】
前記励起光源が発光波長７８０ｎｍ〜８２０ｎｍのレーザダイオードである請求項６記載の高調波レーザ装置。
【請求項８】
前記所定光路上に配置され、伝播光に対してＱスイッチを行い、パルス発振を生じさせるＱスイッチ素子をさらに有する請求項２記載の高調波レーザ装置。
【請求項９】
前記制御回路が、発生すべきパルスが発生しないパルス抜けも検出し、パルス抜けを検出した時は、前記活性部をオフし、前記光路閉鎖部材を稼動させる請求項８記載の高調波レーザ装置。
【請求項１０】
前記第１モニタ、第２モニタからの第１モニタ信号、第２モニタ信号が急激な増大を示した時、前記制御回路は過大パルス発生と判断し、前記活性部をオフし、前記光路閉鎖部材を稼動させる請求項８記載の高調波レーザ装置。
【請求項１１】
前記第１モニタ、第２モニタがパルス光の時間波形をモニタする請求項８〜１０のいずれか１項記載の高調波レーザ装置。
【請求項１２】
前記第１モニタ、第２モニタからの第１モニタ信号、第２モニタ信号のピーク値が変動した時、前記制御回路は前記活性部をオフし、前記光路閉鎖部材を稼動させる請求項１１記載の高調波レーザ装置。
【請求項１３】
前記制御回路は、前記第２モニタからの第２モニタ信号のパルス幅が変動した時、アラーム信号を発生する請求項１１または１２記載の高調波レーザ装置。
【請求項１４】
前記制御回路からのアラーム信号に基づきアラームを発生するアラーム装置をさらに有する請求項１３記載の高調波レーザ装置。
【請求項１５】
（ａ）キャビティを構成する一対のミラー間の所定光路上に、励起エネルギに基づき、所定波長の基本波を発生する活性部と、前記基本波に基づき高調波を発生させる波長変換素子と、を備えたレーザ発振器からの漏れ光から、基本波の光量および高調波の光量をモニタする工程と、
（ｂ）前記基本波の光量が、前記高調波の光量に対して大きくなりすぎた時、前記活性部をオフさせる工程と、
を含む高調波レーザ装置の制御方法。
【請求項１６】
前記レーザ発振器が、前記所定光路を閉鎖する光路閉鎖部材をさらに備え、前記基本波の光量が、前記高調波の光量に対して大きくなりすぎた時、前記工程（ｂ）が前記光路閉鎖部材も稼動させる請求項１５記載の高調波レーザ装置の制御方法。
【請求項１７】
前記活性部が励起光源とポンピングチャンバとを含み、
前記活性部のオフは前記励起光源のオフによって行われる請求項１５記載の高調波レーザ装置の制御方法。
【請求項１８】
前記レーザ発振器が、前記所定光路上に配置され、伝播光に対してＱスイッチを行い、パルス発振を生じさせるＱスイッチ素子をさらに有し、
（ｃ）前記基本波の光量および高調波の光量から、発生すべきパルスが発生しないパルス抜けを検出し、パルス抜けを検出した時は、前記活性部をオフし、前記光路閉鎖部材を稼動させる工程、
を含む請求項１６記載の高調波レーザ装置の制御方法。
【請求項１９】
（ｄ）前記基本波の光量および高調波の光量が急激な増大を示した時、過大パルス発生と判断し、前記活性部をオフし、前記光路閉鎖部材を稼動させる工程、
を含む請求項１６記載の高調波レーザ装置の制御方法。
【請求項２０】
前記工程（ａ）が、パルス光の時間波形をモニタしてピーク値とパルス幅を測定し、
（ｅ）前記基本波、前記高調波のピーク値が変動した時、前記活性部をオフし、前記光路閉鎖部材を稼動させる工程、
を含む請求項１６記載の高調波レーザ装置の制御方法。
【請求項２１】
前記工程（ａ）が、パルス光の時間波形をモニタしてピーク値とパルス幅を測定し、
（ｆ）前記高調波のパルス幅が変動した時、アラームを発生する工程、
を含む請求項１６記載の高調波レーザ装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高調波レーザ装置及びその制御方法に関し、特にイントラキャビティ方式の高調波レーザ装置及びその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザは、レーザ媒体から誘導放出を生じさせることによりレーザ光を発生させる。レーザ媒体としては、ガス、固体、半導体などが用いられる。固体レーザ、半導体レーザは、ガスレーザと比べると安定な動作が得やすく、保守が容易である。しかし、ガスレーザと比べて波長選択性が乏しい傾向を有する。
【０００３】
非線形光学材料は、入射光の高調波を発生する。例えば、波長λの基本波を非線形光学素子に入射し、波長λ／２の２次高調波を得ることができる。非線形光学素子の出力光には、基本波と２次高調波とが含まれる。基本波と２次高調波とを非線形光学素子に入射して３次高調波を得ることもできる。即ち、非線形光学素子は、入射光のうちの２つ以上のフォトンを結合し、和のエネルギを有するより短波長の新たなフォトンを発生させることができる。このような非線形光学材料としては、ＬｉＢ３Ｏ５（ＬＢＯ），βＢａＢ２Ｏ４（ＢＢＯ）、ＫＴｉＯＰＯ４（ＫＴＰ）、ＢｉＢ３Ｏ６（ＢＩＢＯ）、ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ３、ＫＤＰ、ＤＫＤＰ、ＫＤ＊Ｐ、ＬｉＩＯ３、ＬｉＮｂＯ３等が知られている。
【０００４】
特開２００６−３０５９４号は、分布帰還（ＤＦＢ）型レーザからの波長１．５４７μｍの基準光を、励起光源からの光で励起されるＥｒ３＋添加光ファイバ増幅器に供給し、増幅する基本波発生部に、２倍波、３倍波、４倍波発生用非線形光学結晶としてＬｉＢ３Ｏ５（ＬＢＯ）結晶を、７倍波発生用非線形光学結晶としてβＢａＢ２Ｏ４（（ＢＢＯ）結晶を、８倍波発生用非線形光学結晶としてＣｓＬｉＢ６Ｏ１０（ＣＬＢＯ）結晶を用いた波長変換部を接続し、発振波長１９３ｎｍの８倍波を出力し、８倍波出力を光量モニタリング装置でモニタするレーザ装置を提案している。
【０００５】
基本波発生部は、所望光量の基本波を発生する機能を有する。波長変換部は基本波発生部から供給された基本波を８倍波に変換する機能を有する。基本波発生部と波長変換部とは基本的に独立の機能を有する。波長変換部の高次の高調波発生用非線形素子、特に７倍波発生用非線形光学素子（ＢＢＯ結晶）は劣化が避けがたく、寿命が短い。非線形光学素子が劣化すると、出力される８倍波の光量が低下してしまう。出力される８倍波の光量を光量モニタリング装置でモニタし、制御回路が８倍波のパワーを一定に保つように励起光源を制御する。非線形光学素子の劣化に対処するため、基本波の出力が徐々に増大して一定値に達すると、寿命の短いＢＢＯ結晶を所定量傾け、傾きだけでは制御できなくなった時ＢＢＯ結晶への入射位置を変更して、長時間動作を可能にする。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−３０５９４号公報  基本波発生部と波長変換部とを結合する構成は、寸法が大きくなりやすい。小型化を容易にする、キャビティ内に波長変換機能を備えたイントラキャビティ方式の高調波レーザ装置が、知られている。例えば、発振波長１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザ、発振波長１０４７ｎｍもしくは１０５３ｎｍのＮｄ：ＹＬＦレーザ、発振波長１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＶＯ４レーザのキャビティ内に波長変換素子を組み込み、２倍波、３倍波の出力を得る高調波レーザが知られている。これらイントラキャビティ方式の高調波レーザにおいては、キャビティ内に基本波、高調波が存在し、高調波のみがキャビティ外に導出される。正常動作においては基本波と高調波とのバランスがとれ、安定した出力を得ることができる。
【０００７】
しかし、波長変換に支障が生じて高調波の出力が低下することがある。基本波から高調波への変換効率が低下すると、基本波から高調波へ変換される光量が減少するので、キャビティ内の基本波の光量が増大する。一定の高調波出力を得ようとして基本波を増大すると、さらに基本波の光量が大きくなる。基本波の光量がキャビティ内の光学素子のダメージスレッショルドを越えると、光学素子にダメージを生じさせることになる。一旦光学素子にダメージが生じると、回復には多大の手間とコストと時間を要する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
イントラキャビティ方式の高調波レーザ装置においては、キャビティ内の基本波と高調波とが影響を及ぼしあう。基本波から高調波への変換効率が低下すると、基本波の光量が増大する。
【０００９】
本発明の目的は、高調波に対する基本波のバランスが変化することによる悪影響を抑制できる高調波レーザ装置及びその制御方法を提供することである。
【００１０】
本発明の他の目的は、高調波に対する基本波のパワーが大きくなりすぎた時、これを検出し、動作を停止することのできる高調波レーザ装置及びその制御方法を提供することである。
【００１１】
本発明のさらに他の目的は、光学系の異常を検出し、ダメージを抑制することのできるイントラキャビティ方式の高調波レーザ装置及びその制御方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の１観点によれば、
所定光路の両端に配置され、キャビティを構成する一対のミラーと、
前記所定光路上に配置され、励起エネルギに基づき、所定波長の基本波を発生する活性部と、
前記所定光路上に配置され、前記基本波に基づき高調波を発生させる波長変換素子と、
前記所定光路からの漏れ光中の基本波の光量をモニタする第１モニタと、
前記所定光路からの漏れ光中の高調波の光量をモニタする第２モニタと、
前記第１モニタからの第１モニタ信号が、第２モニタからのモニタ信号に対して大きくなりすぎた時、前記活性部をオフさせる制御回路と、
を有する高調波レーザ装置
が提供される。
【００１３】
本発明の他の観点によれば、
（ａ）キャビティを構成する一対のミラー間の所定光路上に、励起エネルギに基づき、所定波長の基本波を発生する活性部と、前記基本波に基づき高調波を発生させる波長変換素子と、を備えたレーザ発振器からの漏れ光から、基本波の光量および高調波の光量をモニタする工程と、
（ｂ）前記基本波の光量が、前記高調波の光量に対して大きくなりすぎた時、前記活性部をオフさせる工程と、
を含む高調波レーザ装置の制御方法
が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
基本波が高調波に比べて大きくなりすぎて光学素子にダメージを与える可能性を抑制できる。  
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
【００１６】
図１Ａは、本発明の実施例による高調波レーザ装置の構成を概略的に示すブロック図である。
【００１７】
イントラキャビティ方式の高調波固体レーザ１０は、一対のエンドミラーＭ１、Ｍ２の間の光路上に、ポンピングチャンバ１２、Ｑスイッチ１４、波長変換素子１５、シャッター１６を配置している。エンドミラーＭ１、Ｍ２は、石英基板上に形成した誘電体多層膜で構成される。エンドミラーＭ１、Ｍ２は、基本波、２次高調波に対する完全反射鏡であるが、０．３％、０．１％等わずかな漏れ光を許す。ポンピングチャンバ１２は、励起用光源であるレーザダイオード１３からの出射光を受け、励起状態を発生させる。ポンピングチャンバ１２は、例えば発振波長１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＡＧ結晶、発振波長１０４７ｎｍもしくは１０５３ｎｍのＮｄ：ＹＬＦ結晶、又は発振波長１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＶＯ4結晶で形成される。Ｎｄ：ＹＬＦ結晶の最も吸収係数の高い波長は、条件により、７９２ｎｍ、または７９７ｎｍである。Ｎｄ：ＹＡＧ結晶とＮｄ：ＹＶＯ４結晶の最も吸収係数の高い波長は、８０８ｎｍである。最も吸収係数の高い波長から少しずれた波長でも、十分励起光源として使える。従って、励起用レーザダイオード１３は、発振波長７８０ｎｍ〜８２０ｎｍの半導体レーザダイオードで構成される。以下、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶の場合を例として説明する。Ｑスイッチ１４は、例えば音響光学結晶で形成され、ピエゾ素子のトランスジューサから発生する音波により、進行波あるいは定在波を生じさせる。屈折率の周期的な配置により、所定波長の入射光を回折する。Ｑスイッチは、音響光学素子の他。ＡＤＰ，ＫＤＰ等の電気光学結晶を用いたポッケルスセルで構成することもできる。シャッター１６は、例えばステンレス製のメカニカルシャッターで構成され、エンドミラーＭ１、Ｍ２間の所定の光路を遮断する機能を有する。波長変換素子１５は、例えばＬｉＢ３Ｏ５（ＬＢＯ）結晶で形成され、波長１０６４ｎｍの基本波を受け、波長５３２ｎｍの２次高調波を発生する。なお、ＬＢＯ結晶は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの２次高調波及び３次高調波の位相整合が可能である。室温での２次高調波発生では、５５１ｎｍから約３μｍの広い波長域でタイプ１位相整合が得られ、ＸＹ面、及びＸＺ面で最大ＳＨＧ係数を有する。最適タイプＩＩ位相整合は、ＹＺ面及びＸＺ面で降下する。
【００１８】
波長変換素子として、ＬＢＯ結晶の他、βをＢａＢ２Ｏ４（ＢＢＯ）結晶、ＫＴｉＰＯ４（ＫＴＰ）結晶、ＢｉＢ３Ｏ６（ＢＩＢＯ）結晶、ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ３結晶、ＫＤＰ結晶、ＤＫＤＰ結晶、ＫＤ＊Ｐ結晶、ＬｉＩＯ３結晶、ＬｉＮｂＯ３結晶等を用いることもできる。
【００１９】
図の構成において、シャッタ１６と波長変換素子１５との間に、基本波は完全反射し、２次光長波は透過させるダイクロイックミラーＤＭ１が配置される。ポンピングチャンバから振興した基本波は、ダイクロイックミラーＤＭ１で完全反射して波長変換素子１５に向かう。エンドミラーＭ２で反射し、波長変換素子１５を通過した基本波は、再びダイクロイックミラーＤＭ１で完全反射し、ポンピングチャンバ１２に向かう。波長変換素子１５で発生した高調波は、エンドミラーＭ２からダイクロイックミラーＤＭ１に向かう向きで、ダイクロイックミラーＤＭ１を透過し、図中下方に取り出される。
【００２０】
上述のように、エンドミラーは０．１％オーダの漏れ光を生じる。エンドミラーＭ２の漏れ光を受ける位置に、基本波と第２高調波とを分離するダイクロイックミラーＤＭ２が配置されている。図示の構成においては、ダイクロイックミラーＤＭ２は、基本波を反射し、２次光長波を透過させる特性を有する。反射した基本波はセンサ２１に入射し、直進した２次高調波はセンサ２２に入射する。センサ２１，２２は、基本波と２次高調波の光量を測定するセンサであり、例えばシリコン製ホトダイオードで構成される。センサ２１、２２は、入射した光の光量を測定し、モニタ信号Ｓ１、Ｓ２を制御回路２３に供給する。制御回路２３は、基本波光量Ｓ１、２次高調波光量Ｓ２からレーザ発振器の動作状態を判定する。異常が判定された時は、制御信号ＣＬ１、ＣＬ２、ＣＬ３を介してレーザ発振器の動作を制御する。制御信号ＣＬ１、ＣＬ２は、シャッター１６を閉じ、励起用レーザダイオード１３の駆動電流をオフさせる。制御信号ＣＬ３は、アラーム装置２４に供給され、警告の表示、アラーム灯の点滅、アラーム音の発生等を行う。
【００２１】
簡単な構成においては、センサ２１、２２から供給されるモニタ信号Ｓ１、Ｓ２に基づき、制御回路２３は平均化光量を検出する。
【００２２】
図１Ｂは、検出される平均化信号Ｓ１、Ｓ２の波形例を概略的に示す。基本波の光量Ｓ１、２次高調波の光量Ｓ２は、波長変換素子１５の劣化等により、徐々に減少する。例えば９５％以下に光量が減少した時、制御回路２３は励起用レーザダイオード１３の駆動電流を増加させ、所望の２次高調波光量が得られるように制御する。出力高調波の光量を一定量に制御するのは通常の正常動作である。このようなフィードバック動作により、２次高調波の光量は、実効的に一定値に保たれる。
【００２３】
図２は、異常動作例とその対策を示す表である。何らかの原因により、基本波の光量が増加してしまう場合がある。例えば、波長変換素子のアライメントが狂い、キャビティ内の波長変換効率が低下することがある。波長変換効率の低下により、２次高調波Ｓ２が低下し、２次高調波に変換されるべき基本波が基本波のまま残るため、結果として基本波が増大する。ポンピングチャンバ１２により多くの基本波が入射し、基本波の比率が増大する。一定値の２次高調波光量を得ようとして,レーザダイオード１３の駆動電流を上昇させると、２次高調波光量は一定値に保たれても基本波はさらに増大してしまう。このように、基本波が増大し続けると、やがてキャビティ内の光学素子のダメージスレッショールドを超え、光学素子の損傷にいたる。ダメージが発生してしまうと、その回復には多大の手間とコスト及び時間を要することになる。そこで、制御回路２３は、基本波光量と２次高調波光量を比較し、２次高調波光量に比較して基本波の光量が大きくなりすぎた時は、波長変換異常と判定し、シャッタ１６を閉じ、レーザダイオード１３の駆動電流をオフする。この制御を図２の例１に示す。
【００２４】
図１Ａに示す高調波レーザ装置は、Ｑスイッチによりパルス発振を行う。しかしながら、Ｑスイッチが失敗し、パルスが発生しない場合がある。これをパルス抜けと呼ぶ。パルス抜けが生じると、基本波パルスも２次高調波パルスも発生せず、モニタ信号Ｓ１，Ｓ２も立ち上がらない。パルス抜けが生じた時は、制御回路２３は発振異常と判定し、シャッタ１６を閉じ、レーザダイオード１３の駆動電流をオフする。これを図２の異常例２で示す。
【００２５】
パルス抜けが発生した場合、発振動作を継続すると、ポンピングチャンバ１２に多大のエネルギが蓄積され、過大パルスが発生することがある。過大パルスは、エネルギ密度が高く、キャビティ内の光学素子にダメージを与える可能性がある。単発の過大パルスではダメージが発生しなくても、複数の過大パルスが発生するとダメージが発生する可能性が高まる。制御回路２３は、基本波光量Ｓ１,２次高調波光量Ｓ２が急激に増大した時は、過大パルスが発生したと判定し、シャッタ１６を閉じ、レーザダイオード１３の駆動電流をオフする。これを図２の異常例３で示す。
【００２６】
何らかの原因により、キャビティ内の光学的アライメントに変化が生じる場合もある。アライメントが狂うと、レーザ発振の条件が変化し、基本波、２次高調波共に減少する。基本波光量Ｓ１、２次高調波光量Ｓ２が共に減少した時は、制御回路２３は波長変換以外の光学素子異常と判定し、シャッタ１６をオフし、レーザダイオード１３の駆動電流をオフする。なお、異常の対策としてオフを行った時は、アラーム装置２４に対応する表示を行い、アラーム灯を点滅させ、アラーム音を発生させる等の警告も行う。
【００２７】
センサ２１、２２を用い、光量の時間変化をモニタすることも可能である。
【００２８】
図１Ｃは、パルス波形をモニタする場合の光量の時間変化を示す。パルスの時間変化を測定する場合は、代表的にはパルスのピーク値と、半値幅等のパルス幅を測定する。パルス波形を測定する場合、基本波は変わらないが、２次高調波のピーク値が増加し、パルス幅が減少する場合がある。平均化光量のみを測定している場合、この異常は発見できないこともある。このような２次高調波パルスの波形変化は、波長変換効率の異常によって生じる。この異常は、ただちに光学素子のダメージに結びつくものではないが、異常が生じたことは知っておくほうがよい。この場合、制御回路２３は、波長変換効率の異常と判定し、アラーム装置２４にその旨のアラームを発生させる。例えば、メンテナンスを依頼して下さい等の表示を行う。この異常を図２の異常例５に示す。又、基本波Ｓ１,２次高調波Ｓ２の両者にピーク値変動が生じることがある。これは、発振器になんらかの異常が発生していることを示す。このような発振器の異常が発生した時は、制御回路２３はシャッタ１６を閉じ、レーザダイオード１３の駆動電流をオフさせる。この異常を図２の異常例６に示す。
【００２９】
このように、レーザ共振器になんらかの異常が発生したときは、ダメージが発生しないようにレーザ発振器の動作を停止させ、その旨のアラームを発生する。ダメージの危険性が少ない異常の場合には、アラームのみを発生させる。このような対策を採ることにより、図１Ａに示すイントラキャビティ方式の高調波レーザ装置はダメージを発生させる異常動作を抑制することができる。
【００３０】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、イントラキャビティ方式の高調波レーザ装置は、Ｎｄ：ＹＡＧの２次高調波レーザ装置に限らない。上述のように、Ｎｄ：ＹＬＦレーザやＮｄ：ＹＶＯ４レーザの場合にも同様の構成が適応できる。又、励起光源１３としては、レーザダイオードの代わりにフラッシュランプを用いてもよい。キャビティ内にダイクロイックミラーを配置し、高調波を取り出す場合を説明したが、ダイクロイックミラーの代わりにプリズムを用いてもよい。図１Ａの構成におけるダイクロイックミラーを省略し、一方のエンドミラーをダイクロイックミラーとして高調波を取り出すことも可能である。２次高調波を出力する場合を説明したが、他の高調波、例えば３次高調波を出力する場合にも基本波と高調波の光量をモニターすることにより、同様の制御を行うことができる。パルス発振高調波固体レーザに限らず、パルス発振高調波半導体レーザ、連続発振高調波レーザに適用することも可能であろう。連続発振の場合、パルス波形のモニタはない。
【００３１】
その他、種々の変更、改良、組み合わせが可能なことは当業者に自明であろう。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１Ａは、本発明に実施例による高調波レーザ装置の構成を概略的に示すブロック図、図１Ｂ，１Ｃは基本波と高調波の光量のモニタ信号の時間変化を示すグラフである。
【図２】図２は、図１Ａに示す高調波レーザ装置で検出される異常の例を示す表である。
【符号の説明】
【００３３】
１０  高調波固体レーザ装置
１１  ハウジング
１２  ポンピングチャンバ
１３  レーザダイオード
１４  Ｑスイッチ
１５  波長変換素子
１６  シャッタ
Ｍ  ミラー
ＤＭ  ダイクロイックミラー
２１,２２  センサ
Ｓ モニター信号
２３  制御回路
２４  アラーム装置
ＣＬ  制御信号
【図１】
2008070472.tif 000003
【図２】
2008070472.tif 000004