(57)【要約】【課題】十分な帯域外減衰量を確保でき、受信用のフィルタとして好適に使用できる弾性表面波装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の弾性表面波装置は、圧電基板１０の一主面上にＩＤＴ電極および反射器を二重モード構造に配置した入力段および出力段のフィルタ要素が二段縦続接続されたフィルタの形成された弾性表面波素子１が配線基板２上に搭載されており、配線基板２は入力配線２１の一部と電磁気的に結合するとともに出力側共通グランド２６に接続された結合配線２８を具備する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の一主面上に入力電極と、出力電極と、ＩＤＴ電極および反射器を二重モード構造に配置した入力段および出力段のフィルタ要素が二段縦続接続されたフィルタと、前記入力段のフィルタ要素に接続された入力段接地電極と、前記出力段のフィルタ要素に接続された出力段接地電極とが形成された弾性表面波素子が、配線基板上に搭載されてなる弾性表面波装置であって、
前記配線基板は、前記入力電極に接続された入力配線と、前記出力電極に接続された出力配線と、前記入力段接地電極に一端が接続された入力側接地配線と、該入力側接地配線に接続された入力側共通グランドと、前記出力段接地電極に一端が接続された出力側接地配線と、該出力側接地配線に接続された出力側共通グランドと、前記入力側共通グランドおよび前記出力側共通グランドに接続されたインダクタ配線とを具備し、さらに前記入力配線の一部と電磁気的に結合するとともに前記出力側共通グランドに接続された結合配線を具備することを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】
前記圧電基板の一主面の外縁に沿って環状導体が形成されているとともに、該環状導体に対応して前記結合配線の一部が前記配線基板上に環状に形成されており、
前記弾性表面波素子は、前記環状導体と前記環状に形成された結合配線の一部とが接合されて弾性表面波を伝播するための密閉空間を形成しつつ配線基板上にフリップチップ実装され、
前記入力配線の一部が前記配線基板の内部に形成され、前記結合配線と対向することにより電磁気的に結合していることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話等の電子通信機器において特定の周波数帯域を通過させるフィルタとして用いられる弾性表面波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話においては、アナログとデジタルの２つの方式の無線通信システムが利用されており、使用する周波数も８００〜１０００ＭＨｚ帯、１．５〜２．０ＧＨｚ帯と多岐に亘っている。これらの移動体通信機器では、アンテナを通して送受信される信号の分岐・生成を行なうＲＦ部（分波器）における部品として、圧電基板上にＩＤＴ電極をラダー型に配置した構造の弾性表面波素子や圧電基板上にＩＤＴ電極を二重モード構造に形成した弾性表面波素子が用いられている。
【０００３】
ここで、分波器の重要な特性として、送信配線と受信配線とのアイソレーション特性がある。これは、送信周波数帯域において受信配線側に漏洩する信号強度、あるいは受信周波数帯域において送信配線側へ漏洩する信号強度として評価されるもので、これら漏洩信号の強度が所定の水準よりも小さくなければならず、一般には送信周波数帯域で要求される水準のほうが受信周波数帯域で要求される水準よりも厳しい。このアイソレーション特性を良好なものとするためには、弾性表面波素子の帯域外減衰量を十分に確保することが不可欠であり、特に要求水準の厳しい受信用弾性表面波素子の送信周波数帯域における減衰量の十分な確保が必要である。
【０００４】
そこで、アイソレーション特性を改善した分波器として、ＤＭＳフィルタ（二重モード構造のフィルタ要素）を２段カスケード接続（従属接続）してなる弾性表面波素子を配線基板上に搭載した構造のものが提案されている（特許文献１参照）。
【０００５】
なお、この構造において採用される配線基板としては、図９および図１０に示すように、弾性表面波素子１に高周波信号を入力する入力配線２１と、弾性表面波素子１によるフィルタを通過した高周波信号を出力するための出力配線２２と、弾性表面波素子１の入力段接地電極に入力側接地配線２３を介して接続された入力側共通グランド２４と、弾性表面波素子１の出力段接地電極に出力側接地配線２５を介して接続された出力側共通グランド２６と、入力側共通グランド２４と出力側共通グランド２６とに接続されたインダクタ配線２７とを具備する構成が挙げられる。
【特許文献１】特開２００３−２４９８４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１で提案された分波器はそれ以前の分波器に比べてアイソレーション特性が改善されたものの、極めて良好な受信品質を確保できる程度に送信回路と受信回路とのアイソレーション特性を満足するためには、さらに大きな帯域外減衰量を確保する必要があった。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、十分な帯域外減衰量を確保でき、受信用のフィルタとして好適に使用できる弾性表面波装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、圧電基板の一主面上に入力電極と、出力電極と、ＩＤＴ電極および反射器を二重モード構造に配置した入力段および出力段のフィルタ要素が二段縦続接続されたフィルタと、前記入力段のフィルタ要素に接続された入力段接地電極と、前記出力段のフィルタ要素に接続された出力段接地電極とが形成された弾性表面波素子が、配線基板上に搭載されてなる弾性表面波装置であって、前記配線基板は、前記入力電極に接続された入力配線と、前記出力電極に接続された出力配線と、前記入力段接地電極に一端が接続された入力側接地配線と、該入力側接地配線に接続された入力側共通グランドと、前記出力段接地電極に一端が接続された出力側接地配線と、該出力側接地配線に接続された出力側共通グランドと、前記入力側共通グランドおよび前記出力側共通グランドに接続されたインダクタ配線とを具備し、さらに前記入力配線の一部と電磁気的に結合するとともに前記出力側共通グランドに接続された結合配線を具備することを特徴とする弾性表面波装置である。
【０００９】
ここで、前記圧電基板の一主面の外縁に沿って環状導体が形成されているとともに、該環状導体に対応して前記結合配線の一部が前記配線基板上に環状に形成されており、前記弾性表面波素子は、前記環状導体と前記環状に形成された結合配線の一部とが接合されて弾性表面波を伝播するための密閉空間を形成しつつ配線基板上にフリップチップ実装され、前記入力配線の一部が前記配線基板の内部に形成され、前記結合配線と対向することにより電磁気的に結合しているのが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、入力配線と電磁気的に結合する結合配線を設け、これを出力側共通グランドに接続することで、十分な帯域外減衰量を確保し、受信用のフィルタとして好適に使用できる弾性表面波装置が得られる。
【００１１】
これは、入力配線と結合配線との磁界結合により、入力電流の一部が結合配線を経由して出力側共通グランドに流れ、弾性表面波素子に入る漏洩信号が小さくなるからであると考えられる。また、電位の低い２段目の共通グランド（出力側共通グランド）の電位を電位の高い１段目の共通グランド（入力側共通グランド）の電位に近づけることができるので、弾性表面波素子本来の特性が発揮されるからであると考えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の一実施形態を説明する。    
本発明の弾性表面波装置は、図１に示す圧電基板１０の一主面上に入力電極１１と、出力電極１２と、ＩＤＴ電極および反射器を二重モード構造に配置した入力段および出力段のフィルタ要素が二段縦続接続されたフィルタと、入力段のフィルタ要素１３に接続された入力段接地電極１４と、出力段のフィルタ要素１５に接続された出力段接地電極１６とが形成された弾性表面波素子１を、図２の概略説明図に示す配線基板２上に搭載した（図示しない）ものである。
【００１３】
弾性表面波素子１は、タンタル酸リチウム単結晶、ランガサイト型結晶構造を有するランタン−ガリウム−ニオブ系単結晶および四ホウ酸リチウム単結晶等の材料からなる圧電基板１０の一主面に銀、銅等でＩＤＴ電極やその他の電極が形成されたものである。
【００１４】
具体的には、図１に示すように、ＩＤＴ電極は互いに交差した複数本の電極指を有する一対の櫛歯電極により構成されたもので、ＩＤＴ電極１３１、１３２、１３３が３個横並びに配置されるとともにその両側（ＳＡＷ伝搬方向両側）にそれぞれ反射器１３４が配置されてなる二重モード構造の入力段フィルタ要素１３と、ＩＤＴ電極１５１、１５２、１５３が３個横並びに配置されるとともにその両側（ＳＡＷ伝搬方向両側）にそれぞれ反射器１５４が配置されてなる二重モード構造の出力段フィルタ要素１５とが２段に縦続接続されている。
【００１５】
入力段フィルタ要素１３における横並びに配置された３個のＩＤＴ電極１３１、１３２、１３３のうちの真ん中にあるＩＤＴ電極１３２において、一対の櫛歯電極のうちの一方が入力電極１２に接続され、他方が入力段接地電極１４に接続されている。そして、ＩＤＴ電極１３１において、一対の櫛歯電極のうちの一方が出力段フィルタ要素１５のＩＤＴ電極１５１に接続され、他方が入力段接地電極１４に接続されている。同様に、ＩＤＴ電極１３３において、一対の櫛歯電極のうちの一方が出力段フィルタ要素１５のＩＤＴ電極１５３に接続され、他方が入力段接地電極１５に接続されている。反射器１３４はＩＤＴ電極からの漏洩弾性表面波を反射する機能を有している。ＩＤＴ電極で励起される弾性表面波のエネルギーを両反射器間に閉じこめることにより、縦１次モードと縦３次モードを分離して励起し、この二つのモードの共振周波数差を利用してＤＭＳフィルタを実現する。
【００１６】
また、出力段フィルタ要素１５における横並びに配置された３個のＩＤＴ電極１５１、１５２、１５３のうちの真ん中にあるＩＤＴ電極１５２において、一対の櫛歯電極のうちの一方が出力電極１２に接続され、他方が出力段接地電極１６に接続されている。そして、ＩＤＴ電極１５１において、一対の櫛歯電極のうちの一方が入力段フィルタ要素１３のＩＤＴ電極１３１に接続され、他方が出力段接地電極１６に接続されている。同様に、ＩＤＴ電極１５３において、一対の櫛歯電極のうちの一方が入力段フィルタ要素１３のＩＤＴ電極１３３に接続され、他方が出力段接地電極１６に接続されている。反射器１５４はＩＤＴ電極からの漏洩弾性表面波を反射する機能を有している。ＩＤＴ電極で励起される弾性表面波のエネルギーを両反射器間に閉じこめることにより、縦１次モードと縦３次モードを分離して励起し、この二つのモードの共振周波数差を利用してＤＭＳフィルタを実現する。
【００１７】
なお、ＩＤＴ電極１３１からＩＤＴ電極１５１までの経路は、ＩＤＴ電極１３３からＩＤＴ電極１５３までの経路と接続されている。これにより、それぞれの経路を伝達される信号の位相がずれにくくなっている。
【００１８】
入力電極１１から入力された信号は、ＩＤＴ電極１３２を経てＩＤＴ電極１３１とＩＤＴ１３３とに二分される。すなわち、弾性表面波（ＳＡＷ）がＩＤＴ電極１３２からＩＤＴ電極１３１およびＩＤＴ電極１３３へ伝搬する。そして、入力段フィルタ要素１３で二分された信号の一方はＩＤＴ電極１３１から出力段のフィルタ要素１５におけるＩＤＴ電極１５１に伝えられるとともに、二分された他方の信号はＩＤＴ電極１３３から出力段のフィルタ要素１５におけるＩＤＴ電極１５３に伝えられる。さらに、ＩＤＴ電極１５１からの信号とＩＤＴ電極１５３からの信号がＩＤＴ電極１５２で合流する。すなわち、弾性表面波（ＳＡＷ）がＩＤＴ電極１５１およびＩＤＴ電極１５３からＩＤＴ電極１５２へ伝搬する。そして、信号は出力電極１６から出力される。
【００１９】
なお、図１に示す弾性表面波素子１には、フリップチップ実装（フェースダウン実装）するために圧電基板１０の一主面の外縁に沿って環状導体１７が形成されており、配線基板２上にこの環状導体１７に対応して環状に形成された導体パターン（図２には示していない）と半田接合されて、弾性表面波を伝播するための密閉空間を形成するようになっている。ただし、本発明においては、弾性表面波素子１の実装方法は、フリップチップ実装（フェースダウン実装）に限定されるものではない。
【００２０】
そして本発明の弾性表面波装置における配線基板２は、図２に示すように、絶縁基体２０と、絶縁基体２０の表面または内部に形成された各種配線とから構成されている。各種配線は、具体的には入力電極１１に接続された入力配線２１と、出力電極１２に接続された出力配線２２と、入力段接地電極１４に一端が接続された入力側接地配線２３と、入力側接地配線２３に接続された入力側共通グランド２４と、出力段接地電極１６に一端が接続された出力側接地配線２５と、出力側接地配線２５に接続された出力側共通グランド２６と、入力側共通グランド２４および出力側共通グランド２６に接続されたインダクタ配線２７と、入力配線２１の一部と電磁気的に結合するとともに出力側共通グランド２６に接続された結合配線２８とを含んでいる。なお、図２は本発明の一実施形態における配線基板２の各種配線のみを取り出し、積層方向に引き伸ばしてわかりやすくした概略説明図である。
【００２１】
絶縁基体２０の構成材料としては、アルミナなどのセラミックス、あるいは低温焼成が可能なガラスセラミックス、ＦＲ４などの樹脂が挙げられ、特に限定はされない。そして、絶縁基体２０に形成される各種配線は絶縁基体２０との同時焼成により形成されるために、絶縁基体２０を形成する材料の焼成温度に応じてその構成材料が選択される。例えば、絶縁基体２０がアルミナなどのセラミックスからなる場合には、各種配線としてはタングステン、モリブデンなどの高融点材料を主成分とするものが用いられ、絶縁基体２０がガラスセラミックスからなる場合には、各種配線としては銅、銀、金などの低抵抗材料を主成分とするものが用いられる。
【００２２】
図２に示すように、絶縁基体２０の表面には、半導体素子から送られてくる高周波信号を入力する入り口となる入力パッド２１１、入力接地パッド２１２が形成されている。高周波信号の伝送線路がこのような一対の組み合わせからなることから、これら入力パッド２１１と入力接地パッド２１２も一対の組み合わせとなっている。なお、入力接地パッド２１２は入力側共通グランド２４に接続されている。
【００２３】
そして、入力パッド２１１には入力配線２１の一端が接続され、この入力配線２１の他端は弾性表面波素子１の入力電極１１に対応して絶縁基体２０の表面に設けられた入力側接続パッド２１３に接続されており、入力パッド２１１から入力配線２１および入力側接続パッド２１３を経て弾性表面波素子１の入力電極１１へと高周波信号が送られるようになっている。なお、入力配線２１は入力パッド２１１と入力側接続パッド２１３との間の経路の配線のことをいい、通常は絶縁基体２０の内部に形成され、入力配線パターン２１４を含んでいる。
【００２４】
入力側接地接続パッド２３１は、弾性表面波素子１の入力段接地電極１４に対応して絶縁基体２０の表面に設けられたものである。この入力側接地接続パッド２３１は、絶縁基体２０の内部に形成された入力側接地配線２３に接続されており、入力側接地配線２３を経て絶縁基体２０の裏面に設けられた入力側共通グランド２４に接続されている。なお、図１に示す弾性表面波素子１のフィルタ要素１３におけるＩＤＴ電極は３個設けられているが、それぞれの接地側は合流して１個の入力段接地電極１４に接続されている。この入力段接地電極１４が半田バンプなどで入力側接地接続パッド２３１に接続される。
【００２５】
また、絶縁基体２０の表面には、出力側接続パッド２２１と出力側接地接続パッド２５１が設けられており、弾性表面波素子１を通過した高周波信号を受けとるようになっている。そして、出力側接続パッド２２１は、絶縁基体２０の内部に形成された出力配線２２に接続されており、出力配線２２を経て絶縁基体２０の裏面に形成された出力パッド２２２に接続されている。なお、出力配線２２は出力側接続パッド２２１と出力パッド２２２との間の経路の配線のことをいう。
【００２６】
出力側接地接続パッド２５１は、弾性表面波素子１の出力段接地電極１６に対応して絶縁基体２０の表面に設けられたもので、出力側接地配線２５を経て絶縁基体２０の裏面に設けられた出力側共通グランド２６に接続されている。なお、図１に示す弾性表面波素子１のフィルタ要素１５におけるＩＤＴ電極は３個設けられているが、それぞれの接地側は合流して１個の出力段接地電極１６に接続されている。この出力段接地電極１６が半田バンプなどで出力側接地接続パッド２５１に接続される。
【００２７】
入力側共通グランド２４と出力側共通グランド２６とは、高周波的に分離されつつインダクタ配線２７により接続されている。入力側共通グランド２４と出力側共通グランド２６とが接続されないと通過帯域内の信号が伝播しなくなってしまい、インダクタ配線２７によらずに接続されると入力配線から出力配線への信号漏れが大きくなってしまうためである。
【００２８】
そして、出力パッド２２２と出力側共通グランド２６とが一対の組み合わせとなって、外部回路の伝送線路に接続され、高周波信号が出力される。
【００２９】
配線基板２を構成する絶縁基体２０の内部には本発明の特徴部分である結合配線２８が設けられており、この結合配線２８の一部である結合配線パターン２８１が入力配線２１の一部である入力配線パターン２１４と電磁気的に結合する位置に設けられている。図３には、入力配線２１の一部である入力配線パターン２１４と結合配線２８の一部である結合配線パターン２８１とを同一層に形成したものを例示している。なお、結合配線２８とは、結合配線パターン２８１とビアホール導体２８２とを含むものを意味する。
【００３０】
ここで、入力配線パターン２１４および結合配線パターン２８１の厚みは通常５〜１０μｍ程度である。そして、この形態における入力配線２１（入力配線パターン２１４）と結合配線２８（結合配線パターン２８１）とが近接する領域（結合領域）の長さＬおよび間隔Ｄは、誘電損失が大きくなりすぎないことおよび結合量が小さすぎることのないことを考慮して、長さＬが１００〜１０００μｍ、間隔Ｄが５０〜３００μｍであるのが好ましい。
【００３１】
また、結合配線２８はインダクタンス成分に敏感ではないが、長くなりすぎると低い電位である出力側共通グランド２６の電位を高い電位である入力側共通グランド２４の電位に近づけることができず、弾性表面波素子１本来の性能を発揮させ帯域外減衰量を大きくすることができるという効果が小さくなってしまうことから、結合配線２８の全長は３０００μｍ以下であるのが好ましい。
【００３２】
さらに、結合配線２８と出力側共通グランド２６との接続点は、出力側接地配線２５と出力側共通グランド２６との接続点に近い方がよく、遠すぎると出力側共通グランド２６の低い電位を入力側共通グランド２４の高い電位に近づけることができず、弾性表面波素子１本来の性能を発揮させ帯域外減衰量を大きくすることができるという効果が小さくなってしまう。したがって、これらの距離は、２０００μｍ以下であるのが好ましい。
【００３３】
ここで、図１乃至図４に示すように、同一層に形成された入力配線パターンの一部と結合配線パターンの一部とで電磁気的に結合させた構造であって、結合領域の長さＬを６００μｍ、間隔Ｄを７５μｍとしたものについて、フィルタの挿入損失を１．８１ＧＨｚから１．９３ＧＨｚまで評価した。その結果を図５に示す。
【００３４】
図５によれば、帯域外減衰量が−５０ｄＢ以下の帯域は１．８５ＧＨｚから１．９１ＧＨｚとなっている。また、比較例として図９および図１０に示すような結合配線を設けていない構造の従来の弾性表面波装置について、フィルタの挿入損失を１．８１ＧＨｚから１．９３ＧＨｚまで評価した。その結果は、図１１に示すように帯域外減衰量−５０ｄＢ以下の帯域が１．８９ＧＨｚから１．９１ＧＨｚであった。したがって、本発明によりフィルタ特性（帯域外減衰特性）が良くなっており、帯域外減衰量が十分に確保されていることがわかる。
【００３５】
このような特性となるように設計するには、まず図９および図１０に示すような結合配線を設けていない構造のもので、入力接地配線２３や出力接地配線２５のインダクタンス調整などにより帯域外を減衰させた所望のフィルタ特性を有する配線基板を設計する。そして、入力配線２１の一部と電磁気的に結合し、一端を出力側共通グランド２６に接続させた結合配線２８を設ける。このとき、結合領域の長さＬや間隔Ｄを上述のように好ましい範囲に設定して結合量を調整することで、帯域外減衰量を十分に確保することができる。このような効果が現れるのは、以下の２点によるものと考えられる。
【００３６】
一つめの考察としては、入力配線の一部と結合配線の一部との磁界結合により、入力電流の一部が結合配線を経由して出力側共通グランドに流れ、弾性表面波素子に入る信号が小さくなると考えられる点である。
【００３７】
もう一つの考察としては、従来の配線構造では、入力側接地配線と入力側共通グランドの接続点の電位に比べて、出力側接地配線と出力側共通グランドの接続点の電位が低くなってしまう。つまり、弾性表面波素子は、１段目の共通グランド（入力側共通グランド）と２段目の共通グランド（出力側共通グランド）が異なる状態で作動しているため、弾性表面波素子本来の特性が発揮されない。これに対し、本発明の構造では、最も電位の高い入力配線と結合配線とを電界結合させることにより、結合配線の電位が上昇し、結合配線が接続されている出力側共通グランドの電位も上昇する。この結果、電位の低い出力側共通グランドの電位が入力側共通グランドの電位に近づき、弾性表面波素子本来の性能が発揮され、帯域外減衰量が大きくなると考えられる点である。
【００３８】
次に本発明の他の実施形態を説明する。    
この弾性表面波装置は、図６および図７に示すように、絶縁基体２０の表面に環状の結合配線パターン２８２を形成し、絶縁層を挟んで結合配線パターン２８２の一部と入力配線パターン２１４の一部とを対向させて、この対向する部分で電磁気的な結合がなされており、配線基板２におけるその他の部分は図１乃至図４に示す実施形態とほぼ同様の構造になっている。この実施形態における入力配線２１の一部と結合配線２８の一部との距離（対向する領域の距離）は、誘電損失および結合量を考慮して、数十〜数百μｍ、好ましくは２０〜１００μｍである。また、対向する面積は５０００〜３００００μｍ２であるのが好ましい。
【００３９】
そして、図１に示すように、弾性表面波素子１の圧電基板１０の一主面の外縁に沿って独立して環状導体１７を形成するとともにこの環状導体１７に対応するように結合配線パターン２８２を配線基板（絶縁基体２０）上に形成することにより、弾性表面波素子１が前記環状導体および結合配線パターン２８２が接合されて弾性表面波を伝播するための密閉空間を形成しつつ配線基板（絶縁基体２０）上にフリップチップ実装される。
【００４０】
このような形態によれば、弾性表面波を伝播するための密閉空間の形成と結合電極の形成とを同時に行うことができる。
【００４１】
ここで、図６および図７に示すように、絶縁基体２０の表面に環状の結合配線パターン２８２を形成し、絶縁層を挟んで結合配線パターン２８２の一部と入力配線パターン２１４の一部とを対向させて、この対向する部分で電磁気的に結合させた構造であって、結合領域の面積を９７５０μｍ２、間隔Ｄを４０μｍとしたものについて、フィルタの挿入損失を１．８１ＧＨｚから１．９３ＧＨｚまで評価した。その結果を図８に示す。
【００４２】
図８によれば、帯域外減衰量が−５０ｄＢ以下の帯域が１．８４ＧＨｚから１．９１ＧＨｚとなり、図１１の特性に比べて大幅にフィルタ特性（帯域外減衰特性）が良くなっていることがわかる。なお、図５に示すフィルタ特性よりも良くなっているが、図５に示すフィルタよりも結合量の調整が適していたことによる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施形態における弾性表面波素子の構成の概略説明図である。
【図２】本発明の一実施形態における配線基板の各種配線のみを取り出し、積層方向に引き伸ばした概略説明図である。
【図３】図２に示す結合配線パターンと入力配線パターンとの電磁気的な結合状態を示す概略断面図である。
【図４】本発明の一実施形態の配線構造の概略図である。
【図５】図１乃至図４に示す弾性表面波装置のフィルタ特性を示すグラフである。
【図６】本発明の他の実施形態における配線基板の各種配線のみを取り出し、積層方向に引き伸ばした概略説明図である。
【図７】図６に示す結合配線パターンと入力配線パターンとの電磁気的な結合状態を示す概略断面図である。
【図８】図６および図７に示す弾性表面波装置のフィルタ特性を示すグラフである。
【図９】比較例として結合配線を設けていない配線基板の各種配線のみを取り出し、積層方向に引き伸ばした概略説明図である。
【図１０】比較例の形態の配線構造の概略図である。
【図１１】比較例としての弾性表面波装置のフィルタ特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４４】
１・・・・弾性表面波素子
１０・・・圧電基板
１１・・・入力電極
１２・・・出力電極
１３・・・入力段フィルタ要素
１４・・・入力段接地電極
１５・・・出力段フィルタ要素
１６・・・出力段接地電極
１３１、１３２、１３３、１５１、１５２、１５３・・ＩＤＴ電極
１３４、１５４・・反射器
２・・・・配線基板
２０・・・絶縁基体
２１・・・入力配線
２１１・・入力パッド
２１２・・入力接地パッド
２１３・・入力側接続パッド
２１４・・入力配線パターン
２２・・・出力配線
２２１・・出力側接続パッド
２２２・・出力パッド
２３・・・入力側接地配線
２３１・・入力側接地接続パッド
２４・・・入力側共通グランド
２５・・・出力側接地配線
２５１・・出力側接地接続パッド
２６・・・出力側共通グランド
２７・・・インダクタ配線
２８・・・結合配線
２８１、２８２・・結合配線パターン
【図１】
2008053922.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008053922.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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