(57)【要約】      （修正有）【課題】レチクルを静止させた状態での検査の際の、検査光照射によるレチクルの損傷を抑制するレチクル欠陥検査装置およびレチクル検査方法を提供する。【解決手段】パターンが形成されたレチクル１０１に光を照射して得られるパターン画像を用いてレチクル上の欠陥を検査するレチクル欠陥検査装置であって、光のレチクルへの照射量を測定する照射量モニタ手段７２と、この照射量モニタ手段で測定された照射量から積算照射量を算出し、予め定められた閾値と比較する手段７４と、比較の結果、積算照射量が前記閾値を超えた場合に、光のレチクルへの照射を停止する手段７６とを有することを特徴とするレチクル欠陥検査装置およびレチクル欠陥検査方法。【選択図】図１
2008268424.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成されたレチクルに光を照射して得られるパターン画像を用いて前記レチクル上の欠陥を検査するレチクル欠陥検査装置であって、
前記光のレチクルへの照射量を測定する照射量モニタ手段と、
前記照射量モニタ手段で測定された前記照射量から積算照射量を算出し、予め定められた閾値と比較する手段と、
前記比較の結果、前記積算照射量が前記閾値を超えた場合に、前記光の前記レチクルへの照射を停止する手段と、
を有することを特徴とするレチクル欠陥検査装置。
【請求項２】
前記光の前記レチクルへの照射を停止した場合に、予め定められた緩和時間経過後に、再度前記光の前記レチクルへの照射を開始する手段を有することを特徴とする請求項１記載のレチクル欠陥検査装置。
【請求項３】
前記パターン画像を記憶する画像記憶手段と、
前記光の前記レチクルへの照射を停止する直前に、前記画像記憶手段に前記パターン画像を記憶させる手段と、
前記レチクルへの照射を停止中に、前記パターン画像を表示する表示手段と、
を有することを特徴とする請求項２記載のレチクル欠陥検査装置。
【請求項４】
前記レチクルがＥＵＶ露光用の反射型レチクルであることを特徴とする請求項１ないし請求項３いずれかに記載のレチクル欠陥検査装置。
【請求項５】
パターンが形成されたレチクルに光を照射して得られるパターン画像を用いて前記レチクル上の欠陥を検査するレチクル欠陥検査方法であって、
前記レチクルが静止した状態で、前記光を前記レチクルに照射し、前記パターン画像を検査するステップと、
前記光の前記レチクルへの積算照射量が予め定められた閾値を超えた場合に、前記光の前記レチクルへの照射を停止するステップと、
を有することを特徴とするレチクル欠陥検査方法。
【請求項６】
前記光の前記レチクルへの照射を停止するステップの後に、
前記停止から、予め定められた緩和時間経過後に、再度前記光の前記レチクルへの照射を開始するステップを有することを特徴とする請求項５記載のレチクル欠陥検査方法。
【請求項７】
前記光の前記レチクルへの照射を停止するステップの直前に、前記パターン画像を記憶するステップと、
前記停止するステップから、前記開始するステップの間に、
前記記憶した前記パターン画像を表示するステップと、
を有することを特徴とする請求項６記載のレチクル欠陥検査方法。
【請求項８】
前記レチクルがＥＵＶ露光用の反射型レチクルであることを特徴とする請求項５ないし請求項７いずれかに記載のレチクル欠陥検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レチクル欠陥検査装置およびレチクル欠陥検査方法に関し、特に、試料に光を照射して得られる画像を用いて検査するレチクル欠陥検査装置およびレチクル欠陥検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
大規模集積回路（ＬＳＩ）を構成するパターンには、１ギガビット級のＤＲＡＭに代表されるように、サブミクロンからナノメータのオーダーにまで最小寸法が縮小されるものがある。このようなＬＳＩの製造工程における歩留まり低下の大きな原因の一つとして、リソグラフィー技術を用いて半導体ウェハ上に超微細パターンを露光、転写する際に使用するレチクル（または、マスクともいう）に含まれる欠陥があげられる。
【０００３】
特に、半導体ウェハ上に形成されるＬＳＩのパターン寸法の微細化に伴い、パターン欠陥として検出しなければならない寸法も極めて小さくなっている。このため、極めて小さな欠陥を検査するレチクル欠陥検査装置の開発が精力的に進められている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
一方、半導体ウェハへの露光装置の性能向上の方法のひとつとしては、光源の短波長化が有効である。このため、露光装置の光源として、波長の短いＤＵＶ（Ｄｅｅｐ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光、例えば、ＡｒＦレーザを用いた波長１９３ｎｍの光が用いられている。また、さらに分解能を高めるために、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅａｍ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光、例えば、プラズマ発光を用いた波長１３．５ｎｍ程度の光を用いることも検討されている。
【特許文献１】特開２００６−９８１５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
通常、レチクル検査を行う場合、検査効率を上げるために被検査試料であるレチクルを移動させながらパターン画像を取り込んでいく。これに対し、このレチクルの移動による検査で欠陥が見つかった後、今度は、欠陥を確認するためにレチクルを静止させた状態でパターン画像を取り込みながら検査（以後、レチクル静止状態での検査を、観察ともいう）を行う場合がある。
【０００６】
このような、レチクルを静止させた状態での検査の場合、検査光の同一パターンへの照射量（またはエネルギー量）が、レチクルを移動させての検査の場合に比べて格段に増大する。具体的には、例えば、１９９ｎｍのレーザ光を用いる場合、センサ分解能７０ｎｍにてレチクルを移動させて検査を実施する際には、３．５ｍＪ／ｃｍ２程度のエネルギーが、レチクル面に照射される。一方、レチクルを静止させた状態での欠陥観察では、レチクルの観察箇所に検査光が継続して照射されるため、観察時間に応じたエネルギーがレチクル面に蓄積される。例えば、観察時のレチクル面照度が０．７Ｗ／ｃｍ２とすると、観察１秒で０．７Ｗ／ｃｍ２×１（秒）＝０．７Ｊ／ｃｍ２、１０秒で０．７Ｗ／ｃｍ２×１０（秒）＝７Ｊ／ｃｍ２となる。したがって、１０秒の観察では検査時と比較して１０００倍以上のエネルギーが照射されることになる。したがって、レチクルを静止した状態での観察時にレチクルに損傷、すなわち透過率や反射率の変化が生じる。このような損傷は、このレチクルを用いて露光を行う際のパターン転写不良を引き起こす要因となるため問題である。
【０００７】
上述のＥＵＶ光を用いた露光装置では、ＥＵＶ光の物質に対する透過率が極めて低いため、例えば、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）の多層膜の上に、光吸収体でパターンを形成した反射型レチクルが必須となる。このような反射型レチクルは、透過型レチクルに比較して、検査光の逃げ場が無いこと等から、検査光の照射によるエネルギーをパターン部に蓄積しやすい。したがって、検査、観察時のレチクルの損傷の問題も深刻になることが予想される。
【０００８】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、レチクルを静止させた状態での検査の際の、検査光照射によるレチクルの損傷を抑制するレチクル欠陥検査装置およびレチクル検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様のレチクル欠陥検査装置は、パターンが形成されたレチクルに光を照射して得られるパターン画像を用いて前記レチクル上の欠陥を検査するレチクル欠陥検査装置であって、前記光のレチクルへの照射量を測定する照射量モニタ手段と、前記照射量モニタ手段で測定された前記照射量から積算照射量を算出し、予め定められた閾値と比較する手段と、前記比較の結果、前記積算照射量が前記閾値を超えた場合に、前記光の前記レチクルへの照射を停止する手段と、
を有することを特徴とする。
【００１０】
上記装置において、前記光の前記レチクルへの照射を停止した場合に、予め定められた緩和時間経過後に、再度前記光の前記レチクルへの照射を開始する手段を有することが望ましい。
【００１１】
上記装置において、前記パターン画像を記憶する画像記憶手段と、前記光の前記レチクルへの照射を停止する直前に、前記画像記憶手段に前記パターン画像を記憶させる手段と、前記レチクルへの照射を停止中に、前記パターン画像を表示する表示手段と、を有することが望ましい。
【００１２】
上記装置において、前記レチクルがＥＵＶ露光用の反射型レチクルであることが望ましい。
【００１３】
本発明の一態様のレチクル欠陥検査方法は、パターンが形成されたレチクルに光を照射して得られるパターン画像を用いて前記レチクル上の欠陥を検査するレチクル欠陥検査方法であって、前記レチクルが静止した状態で、前記光を前記レチクルに照射し、前記パターン画像を検査するステップと、前記光の前記レチクルへの積算照射量が予め定められた閾値を超えた場合に、前記光の前記レチクルへの照射を停止するステップと、を有することを特徴とする。
【００１４】
上記方法において、前記光の前記レチクルへの照射を停止するステップの後に、前記停止から、予め定められた緩和時間経過後に、再度前記光の前記レチクルへの照射を開始するステップを有することが望ましい。
【００１５】
上記方法において、前記光の前記レチクルへの照射を停止するステップの直前に、前記パターン画像を記憶するステップと、前記停止するステップから、前記開始するステップの間に、前記記憶した前記パターン画像を表示するステップと、を有することが望ましい。
【００１６】
上記方法において、前記レチクルがＥＵＶ露光用の反射型レチクルであることが望ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、レチクルを静止させた状態での検査の際の、検査光照射によるレチクルの損傷を抑制するレチクル欠陥検査装置およびレチクル検査方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
【００１９】
（第１の実施の形態）
本実施の形態のレチクル欠陥検査装置は、パターンが形成されたレチクルに光を照射して得られるパターン画像を用いてレチクル上の欠陥を検査するレチクル欠陥検査装置である。そして、この光のレチクルへの照射量を測定する照射量モニタ手段と、この照射量モニタ手段で測定された照射量から積算照射量を算出し、予め定められた閾値と比較する手段と、比較の結果、積算照射量が閾値を超えた場合に、光のレチクルへの照射を停止する手段とを有する。
【００２０】
なお、本実施の形態においては、レチクル欠陥検査装置の被測定試料であるレチクルが、ＤＵＶ露光用の透過型レチクルである。そして、この透過型レチクルを、透過光および反射光の両方を検査光とし、透過・反射同時検査することが可能な検査装置を例に以下説明する。
【００２１】
図２は、本実施の形態のレチクル欠陥検査装置の全体構成および機能の概要を説明する図である。図２に示すレチクル欠陥検査装置１００は、光学画像データ取得部１５０と、制御系回路１６０とで構成される。
【００２２】
そして、被測定試料であるレチクル１０１に形成されたパターンにおける被検査領域は、図３に示されるように、仮想的にスキャン幅Ｗの短冊状の検査ストライプに分割されている。そして、この分割された検査ストライプが連続的に操作されるように、図２に示すＸＹθテーブル１０２上にレチクル１０１を搭載し、１軸のステージを連続移動させながら検査が実行される。他の１軸の移動については、１つのストライプ検査が終了したら、隣のストライプを観察するためにステップ移動が行われる。
【００２３】
レチクル１０１は、オートローダ１３０とオートローダ制御回路１１３を用いて、ＸＹθテーブル１０２の上に載置されるが、テーブルの走行軸に対してパターンが平行になっているとは限らない。そのため、走行軸に平行に搭載できるように回転可能なθステージの上に固定される場合が多い。上記のＸＹθテーブル１０２の制御は、Ｘ軸モータ、Ｙ軸モータ、θ軸モータとテーブル制御回路１１４を用いて行われる。また、ＸＹθテーブル１０２の移動距離はレーザ測長システム１２２でモニタされる。
【００２４】
そして、レチクル１０１に検査光を照射する照明光学系１７０と、検査光が照射されたレチクル１０１のパターン画像を検出する検出光学系１０４を備えている。レチクル１０１に形成されたパターンには、適切な光源１０３から発せられた光が照明光学系１７０を介し、検査光として照射される。レチクルを通過した検査光は検出光学系１０４を介して、検査用撮像手段であるフォトダイオードアレイ１０５に入射される。フォトダイオードアレイ１０５の上には、図３に示す仮想的に分割されたパターンの短冊状領域の一部が拡大され、光学像（パターン画像）として結像される。結像状態を良好に保つために検出光学系１０４がオートフォーカス制御回路１４２により制御されている。
【００２５】
フォトダイオードアレイ１０５上に結像したパターンの像は、フォトダイオードアレイ１０５によって光電変換され、さらにセンサ回路１０６によりＡ／Ｄ変換される。このセンサ回路１０６から出力された測定画像データは、位置回路１０７から出力されたＸＹθテーブル１０２上のレチクル１０１の位置を示すデータと共に比較回路１０８に送られる。
【００２６】
一方、レチクル１０１のパターン形成時に用いた設計データは、磁気ディスク１０９から制御計算機１１０を介して展開回路１４０に読み出される。展開回路１４０では、読み出された設計データが、２値または多値の設計画像データに変換され、この設計画像データが参照回路１４４に送られる。参照回路１４４は、送られてきた図形の設計画像データに対して適切なフィルタ処理を施す。
【００２７】
このフィルタ処理は、センサ回路１０６から得られた測定パターンデータには、拡大光学系１０４の解像特性やフォトダイオードアレイ１０５のアパーチャ効果等によってフィルタが作用した状態になるため、設計画像データにもフィルタ処理を施して、測定画像データに合わせるために行われる。比較回路１０８は、測定画像データと適切なフィルタ処理が施された設計画像データとを適切なアルゴリズムにしたがって比較し、一致しない場合には欠陥有りと判定する。
【００２８】
このように、被検査試料であるレチクル表面に形成されたパターンに存在する欠陥や異物を検査する本実施の形態のレチクル検査装置では、高分解能顕微鏡と同様の光学系を用いてレチクルパターン像を形成する。そして、例えば、上記のフォトダイオードアレイのようなＣＣＤカメラや、あるいはラインセンサ等の撮像素子によって画像情報として取得し、別に取得あるいは形成した基準画像との比較を行ってパターン内の欠陥や異物を見つけるようになっている。
【００２９】
なお、図２では、透過・反射同時検査を実現させるための透過照明光学系、反射照明光学系、および検出光学系等の詳細構成については記載していない。透過・反射同時検査を実現させるためには、透過照明光学系、反射照明光学系およびこれに対応する検出光学系をもうけ、さらに、欠陥検出のための比較回路１０８等を２系統設ける必要がある。
【００３０】
図１は、本実施の形態のレチクル欠陥検査装置の光学系および制御システムの要部を示す図である。図２に示した全体構成図のうち、光源１０３、照明光学系１０７、レチクル１０１、ＸＹθテーブル１０２、拡大光学系１０４、フォトダイオードアレイ１０５およびセンサ回路１０６に相当する部分を示している。
【００３１】
まず、図１の光学系は紫外レーザ、例えば、ＡｒＦレーザを用いた波長１９３ｎｍの光を発する光源１０３を備えている。そして、光源１０３を発した光を拡大するビームエキスパンダ１２、および、面光源化するオプティカルインテグレータ１４を備えている。オプティカルインテグレータ１４としては、具体的には、フライアイレンズや拡散板などを使用することが可能である。
【００３２】
そして、オプティカルインテグレータ１４を通過した光を平行光線とするコリメータ１８を備えている。また、第１のビームスプリッタ２０は、コリメータ１８を通過した平行光線を、第１の検査光である透過照明光と、第２の検査光である反射照明光に分離する機能を有する。ここで、この第１のビームスプリッタ２０以降、第１の検査光である透過照明光を検査試料であるテーブル１０２上のレチクル１０１に照射するまでの光学系を、透過照明光学系と称する。また、第２の検査光である反射照明光を検査試料であるレチクル１０１に照射するまでの光学系を、反射照明光学系と称する。
【００３３】
透過照明光と反射照明光は、それぞれ、透過視野絞り２２および反射視野絞り２４の位置でケーラー照明されるように、透過照明光学系と反射照明光学系が構成されている。そして、透過視野絞り２２位置はレチクル１０１のパターン面と共役となるように設定されており、この透過視野絞り２２で規定されて照明される領域が透過照明領域となる。また、視野位置を設定するために透過視野絞り２２を駆動する第１のパルスモータ２６を有している。そして、透過視野絞り２２を通過した光が、レチクル１０１のパターン面にケーラー照明されるよう、コンデンサレンズ３０が配置されている。
【００３４】
一方、反射視野絞り２４位置はレチクル１０１のパターン面と共役となるように設定されており、この反射視野絞り２４で規定されて照明される領域が反射照明領域となる。また、視野位置を設定するために反射視野絞り２４を駆動する第２のパルスモータ３４を有している。そして、反射視野絞り２４を通過した光が、レチクル１０１のパターン面にケーラー照明されるよう、コリメータ３６、対物レンズ３８が配置されている。コリメータ３６と対物レンズ３８の間には、反射照明光をパターン面に導入する第２のビームスプリッタ４０が配置されている。
【００３５】
そして、本実施の形態のレチクル欠陥検査装置は、第１の検査光のレチクル１０１への照射による透過光と、第２の検査光の試料への照射による反射光とを同時に検出可能な検出光学系を有している。まず、検出光学系の構成要素として、透過光と反射光の両方を集光する対物レンズ３８が備えられている。さらに、対物レンズ３８で集光された光を、透過光と反射光に分離する第３のビームスプリッタ４２が備えられている。また、第３のビームスプリッタ４２で分離された透過光を結像する第１の結像光学系４４と、第３のビームスプリッタ４２で分離された反射光を結像する第２の結像光学系４６とを備えている。
【００３６】
さらに、本実施の形態のレチクル欠陥検査装置は、第１の結像光学系４４によって結像された透過光によるパターン画像の検査用撮像手段である第１の撮像センサ５４と、第２の結像光学系４６によって結像された反射光によるパターン画像の検査用撮像手段である第２の撮像センサ５６を備えている。
【００３７】
さらに、本実施の形態のレチクル欠陥検査装置は、レチクルを移動させながら行われる上記欠陥検査で欠陥が見つかった場合に、このレチクルをこの欠陥座標に移動した後、静止させ、この欠陥を確認（いわゆる欠陥レビュー）するための観察用撮像手段を備えている。この観察用撮像手段は、検出光学系で得られるパターン画像の検査用撮像手段である第１の撮像センサ５４と、第２の撮像センサ５６とは独立して設けられている。これは、通常、第１の撮像センサ５４と、第２の撮像センサ５６は、移動するレチクルの検査を効率よく行うため、ＴＤＩセンサが用いられるが、ＴＤＩセンサはその特性上、レチクルを静止しての観察には不向きだからである。
【００３８】
この観察用撮像手段は、対物レンズ３８と第３のビームスプリッタ４２の間の光路に、パルスモータ（図示せず）等により挿入可能にミラー６０、ミラー６０で導入された光から欠陥部のパターン画像を結像させる第３の結像光学系６２、第３の結像光学系６２で結像された画像を撮像するＣＣＤ等の第３の撮像センサ５８を備えている。この第３の撮像センサは、静止したレチクルの画像を観察するという役割から、ＣＣＤやＣＭＯＳセンサアレイのような２次元画像センサであることが望ましい。そして、第３の撮像センサ５８で取得されたパターン画像は、パターンモニタ１１８等の表示装置に表示され観察可能となっている。
【００３９】
さらに、本実施の形態のレチクル欠陥検査装置は、光源１０３からのレーザ光のレチクル１０１への照射量を測定する照射量モニタ手段を備えている。この照射量モニタ手段は、具体的には、例えば、光源１０３から発せられるレーザ光の光路に設けられた照射量モニタ用ビームスプリッタ７０と、例えば、フォトダイオードあるいは黒体放射を使ったエネルギーメータ等の照射量センサ７２から構成される。
【００４０】
そして、この照射量モニタ手段で測定された前記照射量から、レチクルの同一箇所に照射された光の積算照射量を算出し、予め定められた閾値と比較する手段として照射量演算比較回路７４を備えている。この照射量演算比較回路７４は、照射量センサ７２に入力される照射量を積算し積算照射量を常時計算し、例えば、回路内に設けられたメモリに記憶する。そして、例えば、やはり回路内のメモリに入力され記憶されている積算照射量の閾値との比較を回路基板というハードウェアにより常時行う機能を有する。
【００４１】
そして、積算照射量と閾値の比較の結果、積算照射量が閾値を超えたと照射量演算比較回路７４が判断した場合に、レチクルの損傷を避けるために、レーザ光のレチクルへの照射を停止する手段として光源制御回路７６を有している。この光源制御回路７６は、照射量演算比較回路７４の判断を基に、レーザ光のレチクルへの照射を停止する。レーザ光の照射の停止方法は、具体的には、例えば光源自体をオフする方法や、シャター等で光を遮断する方法、あるいは、ミラーの挿入により光路自体を曲げる方法等、いかなる方法を用いるものであっても構わない。
【００４２】
なお、レチクルの損傷を生じさせないための積算照射量の閾値は、照射される検査光の波長や強度、レチクルの材質、レチクルの仕様として許容されうる損傷程度など、様々な要素を勘案して決定される。
【００４３】
本実施の形態のレチクル欠陥検査装置によれば、レチクルの同一箇所を照射する検査光の積算量を損傷発生レベル以下に容易に制御できる。よって、レチクルを静止させた状態での検査の際の、検査光照射によるレチクルの損傷を抑制することが可能となる。
【００４４】
さらに、レーザ光のレチクルへの照射を停止した場合に、予め定められた緩和時間経過後に、再度レチクルへの照射を開始する手段を有することが望ましい。ある緩和時間が経過した後であれば、再度、レチクルの同一箇所に検査光を照射しても、損傷が生じない場合がある。このような場合には、上記手段によって、所定の緩和時間経過後に再度レチクルの観察が継続して可能となるという利点がある。
【００４５】
具体的には、例えば、照射量演算比較回路７４中にタイマーが設けられ、停止後からの経過時間をモニタするとともに、照射量演算比較回路７４内のメモリに記憶された緩和時間と比較し、緩和時間経過の有無を判断する機構とすることが出来る。そして、照射量演算比較回路７４が、緩和時間が経過したと判断した場合、光源制御回路７６に制御信号が送られ、光源制御回路７６からの制御信号により、再度レチクルへの照射を開始するという機構とすることが可能である。あるいは、光源制御回路７６自体に緩和時間経過の判断機構を持たせることも可能である。
【００４６】
さらに、観察するパターン画像を記憶する画像記憶手段と、レーザ光のレチクルへの照射を停止する直前に、画像記憶手段にパターン画像を記憶させる手段と、レーザ光のレチクルへの照射を停止中に、パターン画像を表示する表示手段とを有することが望ましい。このような構成とすることで、レーザ光の停止中も欠陥部分の観察が継続でき、検査効率が向上するからである。
【００４７】
具体的には、画像記憶手段として、例えば、第３の撮像センサ５８に接続されるハードディスク、半導体メモリ等の観察画像記憶装置７８を設ける。そして、パターン画像を表示する表示手段としては、例えば、ＣＲＴ等のパターンモニタ１１８を儲けて観察画像記憶装置７８と接続する。さらに、照射量演算比較回路７４と観察画像記憶装置７８を接続することにより、光の照射の停止直前に照射量演算比較回路７４から、パターン画像保存のための制御信号を観察画像記憶装置７８に出す機構を設ける。これによって、レーザ光のレチクルへの照射を停止する直前に、画像記憶手段である観察画像記憶装置７８にパターン画像を記憶させることが可能となる。さらに、観察画像記憶装置７８とパターンモニタ１１８を接続しておき、先の照射量演算比較回路７４からの制御信号で、記憶したパターン画像を表示手段であるパターンモニタ１１８に表示することが可能となる。
【００４８】
次に、本実施の形態のレチクル欠陥検査方法について、図１を参照しつつ説明する。
【００４９】
まず、レチクル１０１を移動させての欠陥検査を行い、欠陥が検出された座標位置を観察できるようにステージ１０２を移動する。次に、ステージ１０２を静止させた状態で、レチクル１０１に検査光であるレーザ光を照射し、ミラー６０を、対物レンズ３８と第３のビームスプリッタ４２の間に挿入し、第３の撮像センサ５８で欠陥箇所の画像パターンを撮像し、パターンモニタ１１８に表示することによって観察（検査）を行う。
【００５０】
この観察開始と同期して、レチクル１０１へのレーザ光の照射量のモニタを、照射量センサ７２を用いて開始する。そして、積算照射量が予め定められた閾値を超えた場合、例えば、照射量演算比較回路７４にて閾値を超えたと判断された場合に、レーザ光のレチクル１０１への照射を停止する。この停止は、自動的に行われるものであっても、あるいは、閾値超過を確認して人為的に停止させるものであっても構わない。
【００５１】
さらに、レーザ光のレチクルへの照射を停止した後に、停止から、予め定められた緩和時間経過後に、再度レチクルへの照射を開始することが望ましい。これによって、所定の緩和時間経過後に再度レチクルの観察が継続して可能となり作業効率が向上するからである。
【００５２】
さらに、損傷防止のためレチクルへの照射を停止する直前に、パターン画像を例えば、観察画像記憶装置７８に記憶させる。そして、照射が停止してから開始するステップの間に、観察画像記憶装置７８に記憶したパターン画像を、例えば、パターンモニタ１１８に表示することが望ましい。この方法によって、本来、欠陥検出箇所の観察が不能な時間帯に、観察が可能となり、検査効率が一層向上するからである。
【００５３】
なお、本実施の形態においては、照射量のモニタを、光源からのレーザ光を分岐して直接モニタする構成とした。しかしながら、照射量のモニタは必ずしも、直接モニタに限られるものではなく、例えば、照射時間の経過をモニタすることで、間接的に照射量をモニタし、積算照射量を算出する構成であっても構わない。
【００５４】
（第２の実施の形態）
本実施の形態のレチクル欠陥検査装置は、被測定試料であるレチクルがＥＵＶ露光用の反射型レチクルであること、このため、照明光学系が反射照明光学系のみとなっていること以外は第１の実施の形態と同様であるので記述を省略する。レチクル欠陥検査方法についても、レチクルがＥＵＶ露光用であること以外は基本的に第１の実施の形態と同様であるので記述を省略する。
【００５５】
図４は、本実施の形態のレチクル欠陥検査装置の光学系および制御システムの要部を示す図である。図４のように、本実施の形態のレチクル欠陥検査装置は、透過照明光学系を有しておらず、反射照明光学系のみでレチクル検査を行う構成となっている。これは、被検査試料であるレチクルがＥＵＶ露光用の反射型レチクルであるため、透過観察が不能であることによる。
【００５６】
先に述べたように、反射型レチクルは、透過型レチクルに比較して、検査光の逃げ場が無いこと等から、検査光の照射によるエネルギーをパターン部に蓄積しやすい。したがって、レチクルの損傷の問題も深刻になることが予想される。したがって、本実施の形態のように、レチクル静止時の検査光の照射による損傷を、効果的に抑制できるレチクル欠陥検査装置およびレチクル欠陥検査方法は、特にＥＵＶ露光用の反射型レチクル有効であるといえる。
【００５７】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。実施の形態の説明においては、レチクル欠陥検査装置やレチクル欠陥検査方法等で、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされるレチクル欠陥検査装置やレチクル欠陥検査方法の構成要素を適宜選択して用いることができる。
【００５８】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのレチクル欠陥検査装置やレチクル欠陥検査方法は、本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】第１の実施の形態のレチクル欠陥検査装置の光学系および制御システムの要部を示す図。
【図２】第１の実施の形態のレチクル欠陥検査装置の全体構成および機能の概要を示す図。
【図３】第１の実施の形態の被検査領域の検査ストライプの説明図。
【図４】第２の実施の形態のレチクル欠陥検査装置の光学系および制御システムの要部を示す図。
【符号の説明】
【００６０】
５８          第３の撮像センサ
６０          ミラー
６２          第３の結像光学系
７０          照射量モニタ用ビームスプリッタ
７２          照射量センサ
７４          照射量演算比較回路
７６          光源制御回路
７８          観察画像記憶装置
１００        レチクル欠陥検査装置
１０１        レチクル
１０３        光源
【図１】
2008268424.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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