(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳ部を有する半導体装置において製造の歩留まりを上げて生産性の向上を図るとともに、高い信頼性を確保した半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板２と、半導体基板２の表面に形成されるＭＥＭＳ部３と、ＭＥＭＳ部３とは離間して配置されＭＥＭＳ部３を覆うように半導体基板２の表面に設けられるキャップ部とを有する半導体装置であって、キャップ部は、ＭＥＭＳ部３を囲む側壁領域Ｅと、中空層を有し半導体基板２と側壁領域Ｅとともに閉空間を形成する天板領域Ｆとから構成される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板表面に形成されるＭＥＭＳ部と、
前記ＭＥＭＳ部とは離間して配置され前記ＭＥＭＳ部を覆うように前記半導体基板表面に設けられるキャップ部と、
を有する半導体装置であって、
前記キャップ部は、前記ＭＥＭＳ部を囲む側壁領域と、中空層を有し前記半導体基板と前記側壁領域とともに閉空間を形成する天板領域とから構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記キャップ部は、前記ＭＥＭＳ部と離間して対向配置される第１のキャップ層と、前記第１のキャップ層に積層して設けられる第２のキャップ層とを有し、前記第１のキャップ層と前記第２のキャップ層との間に前記中空層が形成されれていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体基板表面に形成されたＭＥＭＳ部とともに前記ＭＥＭＳ部の周辺領域の前記半導体基板を覆う第１の犠牲層を形成する工程と、
前記第１の犠牲層及びその周辺領域の前記半導体基板を覆う第１のキャップ層を形成する工程と、
前記第１のキャップ層の前記第１の犠牲層を挟んで前記半導体基板と対向する位置に、前記第１のキャップ層を貫通し、前記第１の犠牲層に達する第１の貫通孔を設ける工程と、
前記第１の貫通孔を通して前記第１の犠牲層と連通させるとともに、前記ＭＥＭＳ部と対向する位置であって前記第１のキャップ層の上に第２の犠牲層を形成する工程と、
前記第１のキャップ層及び前記第２の犠牲層を覆う第２のキャップ層を形成する工程と、
前記第２の犠牲層の領域に形成された前記第２のキャップ層に前記第２の犠牲層に達する第２の貫通孔を設ける工程と、
前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔を介して、前記第１の犠牲層及び前記第２の犠牲層を除去する工程と、
前記第２の貫通孔を塞ぐ工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板表面に形成されるＭＥＭＳ部を封止する構造を持つ半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、多くの分野において種々のマイクロマシンが用いられている。これに伴って、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術と言われる微細加工技術が進展している。この技術を使用して製造されたＭＥＭＳ装置を基板上に接続した半導体装置の製造方法としては、以下のようなものを挙げることができる。
【０００３】
すなわち、半導体基板の上に、所望の領域の外周を取り囲むように形成された側壁枠、及び側壁枠に支持されて半導体基板の面と対向する板状の天井壁から構成された容器構造を形成し、この容器構造の内部に可動電極を備える可変容量素子が封止されるように半導体装置を製造する（特許文献１参照）。このような製造方法を採用することにより、製造後には通常の半導体装置等と同様に取り扱うことができるとともに、可変容量素子を封止するための構造体の機械的な位置合わせが不要となり、高い寸法精度を有する汎用的な半導体製造プロセスのみで素子を封止することができるので、より小型、より薄型の可変容量素子が実現できるとされる。
【０００４】
また、図１８ないし図２３に示すような半導体装置１００の製造方法もある。図１８に示すようにシリコン基板１０１ａ上に絶縁膜として酸化シリコン膜１０１ｂを形成した基板１０１を用意し、この基板１０１上にＭＥＭＳ装置１０２を接続する。そして、基板１０１上であって、ＭＥＭＳ装置１０２を覆うように犠牲層１０３を設ける（図１９参照）。この犠牲層１０３には、例えば、ポリイミド等を利用することができる。
【０００５】
次に図２０に示すように、この犠牲層１０３及び基板１０１上に、例えば、ポリシリコンを積層して第１のキャップ層１０４を形成する。この状態で基板１０１上にあるＭＥＭＳ装置１０２は、犠牲層１０３及び第１のキャップ層１０４に覆われている。さらに、第１のキャップ層１０４に犠牲層１０３まで貫通するように貫通孔１０５を設ける。
【０００６】
そして、貫通孔１０５から第１のキャップ層１０４とＭＥＭＳ装置１０２との間にあってＭＥＭＳ装置１０２を覆う犠牲層１０３をエッチングにより取り除く（図２１参照）。これにより、第１のキャップ層１０４は、ＭＥＭＳ装置１０２から離間した位置にある。そして、この第１のキャップ層１０４の上からさらに同一または別の材料を用いた第２のキャップ層１０６を設ける。第２のキャップ層１０６は、同時に犠牲層１０３を取り除いた貫通孔１０５を塞ぐことになる（図２２参照）。
【０００７】
その後、第１のキャップ層１０４及び第２のキャップ層１０６を貫通させて電極部１０７を設けるとともに、樹脂１０８で第２のキャップ層１０６を覆うようにモールドすることによって、図２３に示すような半導体装置１００が形成される。
【特許文献１】特開２００６−１４７９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した特許文献１や図１８ないし図２３までを用いて説明した半導体装置の製造方法では、次のような問題点がある。
【０００９】
すなわち、ＭＥＭＳ装置、例えば、スイッチとして利用される場合は、スイッチの機能を維持するために、ＭＥＭＳ装置１０２と第１のキャップ層１０４との間には空間を設けなければならない（中空封止）。また、この第１のキャップ層１０４は、上述したように側壁領域と天板領域によってＭＥＭＳ装置１０２を覆っているが、この場合、ＭＥＭＳ装置１０２が水平方向に大きくなるに伴って第１のキャップ層１０４の大きさも大きくならざるを得ない。但し、第１のキャップ層１０４の広がりが大きくなると、第１のキャップ層１０４自身がその形状を支えることが難しくなる。
【００１０】
さらに製品化するためには、例えば外乱を防ぐためにも樹脂１０８でモールドする必要がある。上述の製造方法ではいずれもこのような構造を採用しているが、一般的な樹脂モールドの工程を考えると、樹脂を充填する際に半導体装置にかかる充填圧力は、例えば１０ＭＰａにもなる。従って、キャップ層の構造によっては、この充填圧力に耐えられないことも考えられ、この場合にはＭＥＭＳ装置１０２と第１のキャップ層１０４との間に空間を確保することができず、例えば、ＭＥＭＳ装置が損傷を受ける等、影響も大きい。
【００１１】
また、図１８ないし図２３を用いて説明した製造方法によって製造された半導体装置はキャップ層がドーム型をしている。但し、実際の製造工程ではこのドーム型の形状を形成するために必要となる犠牲層１０３をドーム型の形状に成形するのは非常に難しい。さらに、例えば、ＭＥＭＳ装置１０２を接続した空間を気密に封止する場合に、貫通孔１０５を封止して第２のキャップ層１０６を設けるが、このときに封止材としての役割を果たす第２のキャップ層１０６がＭＥＭＳ装置１０２の領域に流れ、ＭＥＭＳ装置１０２の特性を悪化させることも考えられる。
【００１２】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、ＭＥＭＳ部を有する半導体装置において製造の歩留まりを上げて生産性の向上を図るとともに、高い信頼性を確保した半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の実施の形態に係る第１の特徴は、半導体装置において、半導体基板と、半導体基板表面に形成されるＭＥＭＳ部と、ＭＥＭＳ部とは離間して配置されＭＥＭＳ部を覆うように半導体基板表面に設けられるキャップ部とを有する半導体装置であって、キャップ部は、ＭＥＭＳ部を囲む側壁領域と、中空層を有し半導体基板と側壁領域とともに閉空間を形成する天板領域とから構成される。
【００１４】
本発明の実施の形態に係る第２の特徴は、半導体装置の製造方法において、半導体基板表面に形成されたＭＥＭＳ部とともにＭＥＭＳ部の周辺領域の半導体基板を覆う第１の犠牲層を形成する工程と、第１の犠牲層及びその周辺領域の半導体基板を覆う第１のキャップ層を形成する工程と、第１のキャップ層の第１の犠牲層を挟んで半導体基板と対向する位置に、第１のキャップ層を貫通し、第１の犠牲層に達する第１の貫通孔を設ける工程と、第１の貫通孔を通して第１の犠牲層と連通させるとともに、ＭＥＭＳ部と対向する位置であって第１のキャップ層の上に第２の犠牲層を形成する工程と、第１のキャップ層及び第２の犠牲層を覆う第２のキャップ層を形成する工程と、第２の犠牲層の領域に形成された第２のキャップ層に第２の犠牲層に達する第２の貫通孔を設ける工程と、第１の貫通孔及び第２の貫通孔を介して、第１の犠牲層及び第２の犠牲層を除去する工程と、第２の貫通孔を塞ぐ工程とを備える。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ＭＥＭＳ部を有する半導体装置において製造の歩留まりを上げて生産性の向上を図るとともに、高い信頼性を確保した半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
本発明の実施の形態に係る半導体装置１の全体は、図１に示すような形状をしている。半導体基板２の中央領域には、ＭＥＭＳ部を格納する空間を確保するために、周囲よりも盛り上がった形状とされている。
【００１８】
図２は、図１に示した半導体装置１をＡ−Ａ線で切断したＡ−Ａ線切断断面図である。詳しくは、図２は半導体基板２上に形成されるキャップ部のみをＡ−Ａ線で切断した状態を示しており、端面には斜線を付してある。また半導体基板２上に接続されるＭＥＭＳ部は図２においては省略している。キャップ部は半導体基板２中央領域においてＭＥＭＳ部を格納するために空間Ｃ１を有する。また、キャップ部の断面図から理解できるように、キャップ部には中空層Ｃ２が設けられている。
【００１９】
図３は、図１に示す半導体装置１をＢ−Ｂ線で切断して示したＢ−Ｂ線切断断面図である。半導体基板２は、半導体基板２ａと、その半導体基板２ａの全面に配設された絶縁膜２ｂから構成されている。この絶縁膜２ｂとしては、パッシベーション膜（最終保護膜）であってもレジストであっても良い。パッシベーション膜の場合は、例えば、緻密な膜質を有するプラズマＣＶＤ法により成膜されたシリコン窒化膜と、このシリコン窒化膜上のポリイミドとを積層した複合膜により形成されている。レジストの場合は、例えば、エポキシ樹脂を主成分とするソルダーレジストである。なお、図３では図示していないが、半導体基板２ａの主面にはトランジスタ、抵抗、容量等の素子が配設されるとともに、素子間を結線する配線が配設され、集積回路が構築されている。
【００２０】
半導体基板２上であってその中央領域には、ＭＥＭＳ部３が形成されている。ＭＥＭＳ部３の製造工程についてはここでは触れないが、ＭＥＭＳ部３は例えば、シリコン半導体基板上にアルミニウムで導体層が設けられた構成とされている。
【００２１】
さらに、半導体基板２上には、第１のキャップ層４がＭＥＭＳ部３と離間して設けられている。これにより空間Ｃ１が確保される。この空間Ｃ１は、ＭＥＭＳ部３がその特性を発揮することができるように気密に封止されている。
【００２２】
第１のキャップ層４上には、第１のキャップ層４をさらに覆うように第２のキャップ層５が設けられている。このように第１のキャップ層４と第２のキャップ層５は、ＭＥＭＳ部３の周囲を囲む側壁領域Ｅと、半導体基板２と側壁領域Ｅとともに閉空間を形成する天板領域Ｆとから構成される。また、キャップ部を２層としたのは、上述したようにＭＥＭＳ部３が水平方向に大きく広がるとそれに伴ってキャップ部も広がることになるが、その際の特に天板領域Ｆにおける強度の低下を防止するためである。このように構成することによって、ＭＥＭＳ部３をより確実に保護することができる。
【００２３】
そしてこの第１のキャップ層４と第２のキャップ層５のそれぞれの天板領域Ｆであって、互いの層の間に中空層Ｃ２が設けられている。このようにキャップ部に中空層が設けられているのは、後述するように天板領域Ｆの強度を確保するためにキャップ部を２層構造としても、第１のキャップ層４と第２のキャップ層５とが接していると第２のキャップ層の天板領域Ｆにかかる力を分散して受けることができなくなるためである。
【００２４】
次に、半導体装置１の製造方法について、図４ないし図１２を使用して説明する。
【００２５】
まず、図４に示すような半導体基板２ａを用意し、この半導体基板２ａの上全面に絶縁膜２ｂを配設する。この半導体基板２ａは、例えば、ガラスエポキシや単結晶シリコンでできている。このような半導体基板２の上にＭＥＭＳ部３を形成する。
【００２６】
その後、半導体基板２上であってＭＥＭＳ部３を覆うように第１の犠牲層Ｄ１を形成する（図５参照）。この第１の犠牲層Ｄ１の形状が、そのまま空間Ｃ１の形状となる。また、第１の犠牲層Ｄ１の形状は成形の容易さを考慮して本発明の実施の形態においては、ＭＥＭＳ部３を覆い断面が台形となるような形状とされている。第１の犠牲層Ｄ１としては、例えば、ポリイミド等の材料を好適に使用することができる。
【００２７】
次に、図６に示すように、第１の犠牲層Ｄ１を覆うとともに半導体基板２の全域を覆うように第１のキャップ層４が形成される。第１のキャップ層４は、例えば、アルミニウム等の材料を好適に使用することができる。そして、図７に示すように第１の犠牲層Ｄ１と接する第１のキャップ層４の天板領域Ｆに第１の貫通孔Ｈ１が設けられる。この設けられる第１の貫通孔Ｈ１の数は、単数または複数いずれであっても良い。
【００２８】
図８は、第１の貫通孔Ｈ１を充填するとともに、さらに第１のキャップ層４上に第２の犠牲層Ｄ２を形成したことを示している。このように第２の犠牲層Ｄ２を設けることで第１の貫通孔Ｈ１を介して第１の犠牲層Ｄ１と第２の犠牲層Ｄ２とが接する。この第２の犠牲層Ｄ２は、中空層Ｃ２を形成するために設けるものである。本発明の実施の形態においては、図８に示されているように、第２の犠牲層Ｄ２は断面形状が長方形となるような形状に形成されている。この第２の犠牲層Ｄ２は、第１の犠牲層Ｄ１と同一の材料で形成されても異種の材料で形成されても構わない。
【００２９】
この第２の犠牲層Ｄ２及び第１のキャップ層４の全面を覆うように第２のキャップ層５が積層される（図９参照）。第２のキャップ層５は第１のキャップ層４と同種或いは異種の材料のいずれであっても良い。
【００３０】
図１０に示すように、第２の犠牲層Ｄ２に接する第２のキャップ層５の天板領域Ｆに第２の貫通孔Ｈ２を設ける。第２の貫通孔Ｈ２は、後述する図１３を用いた説明のように配置されることが好ましいが、基本的には第２のキャップ層５の天板領域Ｆに配置されれば構わない。また、この第２の貫通孔Ｈ２の数は、単数または複数いずれであっても良い。
【００３１】
次に、図１１に示すように、第１の犠牲層Ｄ１及び第２の犠牲層Ｄ２を、例えばドライエッチングによって取り除く。これは、第２のキャップ層５に設けられた第２の貫通孔Ｈ２と第１のキャップ層４に設けられた第１の貫通孔Ｈ１を利用して行われる。第１の犠牲層Ｄ１が取り除かれた後には空間Ｃ１が形成され、第２の犠牲層Ｄ２が取り除かれた後には中空層Ｃ２が形成される。そして、第２の貫通孔Ｈ２を塞ぐことで図３に示すような半導体装置１が形成される。さらに、第２のキャップ層５の全面を覆うように樹脂をモールドすることにより、図１２に示すような半導体装置１が形成される。
【００３２】
なお、第１の貫通孔Ｈ１及び第２の貫通孔Ｈ２は、それぞれ単数或いは複数設けても良いことは上述したが、第１の貫通孔Ｈ１及び第２の貫通孔Ｈ２は、その設けられる数が多い程、第１の犠牲層Ｄ１と第２の犠牲層Ｄ２とを取り除くための時間を短縮することができる。また、それらの位置は、例えば図１３に示すように互いに対向する位置となるように設けられることが好ましい。
【００３３】
図１２で示したように、樹脂をモールドする工程の前に第２の貫通孔Ｈ２を塞ぎ中空層Ｃ２及び空間Ｃ１を封止する。このように第１の貫通孔Ｈ１と第２の貫通孔Ｈ２とを対向する位置に設けて、第１の貫通孔Ｈ１と第２の貫通孔Ｈ２との間の距離を可能な限り離すようにしたのは、この封止材が中空層Ｃ２を流れて空間Ｃ１に達し、ＭＥＭＳ部３の特性に影響を与えることを避けるためである。
【００３４】
以上のように、中空層Ｃ２が設けられることにより、樹脂モールドの工程において樹脂が充填される際にキャップ層に圧力が加えられてもＭＥＭＳ部３への影響は最小限にくい止めることができる。そして、封止に伴うＭＥＭＳ部の特性悪化を防止するとともに、ＭＥＭＳ部の正常な動作を確保することが可能となる。
【００３５】
すなわち、樹脂充填時の圧力は第２のキャップ層５及び第１のキャップ層４にかかる。一般的に圧力は直接接する部分にかかるのであり、本発明の実施の形態においては、樹脂の充填に伴う圧力は充填される樹脂が直接接する第２のキャップ層５にのみかかる。また、例えば、側壁領域Ｅのように第１のキャップ層４にも第２のキャップ層５と直接接している部分であれば第２のキャップ層５が受けた圧力、すなわち充填される樹脂の圧力がかかる。
【００３６】
第２のキャップ層５の天板領域Ｆに圧力が加えられた場合、まずは第２のキャップ層５が圧力の影響を受ける。実際には加圧によるたわみが発生する。但し、第２のキャップ層５と第１のキャップ層４との間には中空層Ｃ２が設けられており、この中空層Ｃ２が設けられている領域において第２のキャップ層５と第１のキャップ層４とは直接接してはいない。従って、たとえこの領域において第２のキャップ層５がたわんだとしても、同じ領域にある第１のキャップ層４には第２のキャップ層５にかかった圧力によるたわみは発生しない。一方、この中空層Ｃ２の両端においては、第２のキャップ層５と第１のキャップ層４とは直接接していることから、この部分においては充填される樹脂の圧力がかかる。
【００３７】
キャップ部にこのような中空層Ｃ２が設けられていることにより、空間Ｃ１内に格納されるＭＥＭＳ部３には樹脂をモールドする際にキャップ部にかかる圧力の影響は及ばず、ＭＥＭＳ部３の正常な動作を確保することができる。
【００３８】
ところで、この中空層Ｃ２を設けた場合におけるキャップ部のたわみは、中空層Ｃ２を設けない場合よりもそのたわみの変位量が小さくなることが発明者の計算によって明らかにされている。すなわち、図１４は、発明者が計算を行う際に用いた半導体装置のモデルを示す断面図である。この半導体装置Ｍにおいては、ＭＥＭＳ部の記載は省略しているが、空間Ｃ１及び中空層Ｃ２が設けられている。
【００３９】
ここで、中空層Ｃ２の長さを便宜的に「空洞寸法」とし、Ｌ１で表わす。同じように、空間Ｃ１の半導体基板とＭＥＭＳ部が接する部分の長さを便宜的に「キャップ寸法」とし、Ｌ２で表わす。また、高さに関して、まず半導体基板表面から第１のキャップ層の空間Ｃ１と接する面までの高さをｈ１、第１のキャップ層の厚みをｈ２、中空層Ｃ２の高さをｈ３、第２のキャップ層の厚みをｈ４、第１のキャップ層及び第２のキャップ層を合わせたキャップ部の厚みをｈ５とする。計算で用いた値は、それぞれＬ１＝４００μｍ、Ｌ２＝５００μｍ、ｈ１＝１７μｍ、ｈ２＝５μｍ、ｈ３＝５μｍ、ｈ４＝２０μｍ、ｈ５＝３０μｍである。
【００４０】
図１４に示すように、半導体装置Ｍの中央部（Ｌ２の中心部）を矢印の方向に圧力を加えた場合を想定する。そして、便宜上、中空層Ｃ２が設けられていない半導体装置Ｍ１に対して加圧した場合におけるたわみを１とし、基準値とする。この場合に、上記寸法を持つ半導体装置Ｍに中空層Ｃ２を設けた場合のたわみは、半導体装置Ｍ１のたわみに対する相対変位量として０．６６の値を得た。この相対変位量の値は、小さくなればなるほど基準となる半導体装置Ｍよりも変位量が少ない、すなわち、たわみが少ないことを意味する。従って、キャップ部に加えられる圧力が同じであるならば、キャップ層に中空層Ｃ２を設けた方が設けない場合に比べてキャップ部のたわみが少ないことが明らかになった。
【００４１】
そこで、次に発明者は中空層Ｃ２を設けた場合に、その長さ（空洞寸法Ｌ１）はどのように設定すると最もたわみの量が少なくなるのかを半導体装置のモデルを使用して解析した。
【００４２】
その結果得られたグラフが図１５に示すものである。図１５は、キャップ寸法Ｌ２に対する空洞寸法Ｌ１の比と相対変位量との関係を示すグラフである。このグラフは、横軸に空洞寸法Ｌ１／キャップ寸法Ｌ２の値が示され、縦軸に中空層Ｃ２を設けない半導体装置Ｍ１の変位量を基準値（１．０とする）とした場合の相対変位が示されている。このグラフによれば、空洞寸法Ｌ１／キャップ寸法Ｌ２の値がおおよそ０．４までの場合は変位量は１．０近傍で微減傾向にあるが、空洞寸法Ｌ１／キャップ寸法Ｌ２の値が０．４を超えると相対変位量が小さくなってくる。これはたわみの量が小さくなることを示しており、空洞寸法Ｌ１／キャップ寸法Ｌ２の値が０．８のときに上述したように０．６６の値を示し、最小の値となる。なお、空洞寸法Ｌ１／キャップ寸法Ｌ２の値が０．８以上である場合は、キャップ層の強度が樹脂の充填圧力に耐えられなくなる。従って、空洞寸法Ｌ１／キャップ寸法Ｌ２の値が０．８の場合に最も良好な値を得ることができた。
【００４３】
このようにキャップ層に中空層を設けることにより、ＭＥＭＳ部を有する半導体装置において製造の歩留まりを上げて生産性の向上を図るとともに、高い信頼性を確保した半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【００４４】
なお、この発明は、上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。例えば、図１６または図１７に示すように、キャップ部の形状を上述した四角形とする他、例えば、多角形状、或いは楕円形を含む円形状に形成することができる。また、キャップ部の形状が、側壁領域Ｅと天板領域Ｆとの境界が判別しにくい形状、例えばドーム形状であっても圧力を吸収する中空層がキャップ部に設けられていれば良い。その意味では、中空層が設けられている領域が天板領域であるとも言える。
【００４５】
さらに、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることにより種々の発明を形成できる。例えば、実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の全体を示す全体図である。
【図２】図１に示す半導体装置をＡ−Ａ線で切断して示したＡ−Ａ線切断断面図である。
【図３】図１に示す半導体装置をＢ−Ｂ線で切断して示したＢ−Ｂ線切断断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第１の工程断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第２の工程断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第３の工程断面図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第４の工程断面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第５の工程断面図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第６の工程断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第７の工程断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第８の工程断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する第９の工程断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態に係る半導体装置における第１の貫通孔及び第２の貫通孔の位置を示す半導体装置の全体図である。
【図１４】本発明の実施の形態に係る半導体装置に関する計算を行うために各部分の寸法を想定した半導体装置の切断断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態に係る半導体装置に関する計算の結果を表わすグラフである。
【図１６】本発明の実施の形態に係る半導体装置におけるキャップ層の形状例を示す切断断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態に係る半導体装置におけるキャップ層の形状例を示す切断断面図である。
【図１８】従来の半導体装置の製造方法を説明する第１の工程断面図である。
【図１９】従来の半導体装置の製造方法を説明する第２の工程断面図である。
【図２０】従来の半導体装置の製造方法を説明する第３の工程断面図である。
【図２１】従来の半導体装置の製造方法を説明する第４の工程断面図である。
【図２２】従来の半導体装置の製造方法を説明する第５の工程断面図である。
【図２３】従来の半導体装置の製造方法を説明する第６の工程断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１…半導体装置、２…半導体基板、３…ＭＥＭＳ装置、４…第１のキャップ層、５…第２のキャップ層、Ｃ１…空間、Ｃ２…中空層、Ｅ…側壁領域、Ｆ…天板領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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