(57)【要約】      （修正有）【課題】小型化かつ高性能な共振器、バンドパスフィルタ、並びにこれらを用いた高周波部品および通信装置を提供する。【解決手段】入力端子と出力端子を有し、前記入力端子とグラウンドの間に第１の伝送線路が接続され、前記出力端子とグラウンドの間に第２の伝送線路が接続され、前記第１の伝送線路の一端とグラウンドとの間に第１のインダクタンス素子が接続され、前記第２の伝送線路の一端とグラウンドとの間に第２のインダクタンス素子が接続され、前記第１の伝送線路および第２の伝送線路は複数の誘電体層を積層してなる積層基板の基板内に電極パターンを用いて構成され、前記第１の伝送線路と第２の伝送線路の少なくとも一部を積層方向に重ね合わせることにより前記第１の伝送線路と第２の伝送線路を電磁結合させた共振器を特徴とする。【選択図】図１
2008098843.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子と出力端子を有し、前記入力端子とグラウンドの間に第１の伝送線路が接続され、前記出力端子とグラウンドの間に第２の伝送線路が接続され、前記第１の伝送線路の一端とグラウンドとの間に第１のインダクタンス素子が接続され、前記第２の伝送線路の一端とグラウンドとの間に第２のインダクタンス素子が接続され、前記第１の伝送線路および第２の伝送線路は複数の誘電体層を積層してなる積層基板の基板内に電極パターンを用いて構成され、前記第１の伝送線路と第２の伝送線路の少なくとも一部を積層方向に重ね合わせることにより前記第１の伝送線路と第２の伝送線路を電磁結合させた共振器。
【請求項２】
請求項１に記載の共振器において、前記第１のインダクタンス素子および前記第２のインダクタンス素子は、前記積層基板の基板内の電極パターンを用いて構成されていることを特徴とする共振器。
【請求項３】
請求項２に記載の共振器において、前記第１のインダクタンス素子と前記第２のインダクタンス素子を構成する電極パターンが、前記積層基板の基板内の異なる層に形成されていることを特徴とする共振器。
【請求項４】
請求項１に記載の共振器において、前記第１のインダクタンス素子および前記第２のインダクタンス素子は、前記積層基板の表面または積層体中に搭載されていることを特徴とする共振器。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の共振器と、前記第１の伝送線路と並列に前記入力端子とグラウンドとの間に接続された第１の容量素子と、前記第２の伝送線路と並列に前記出力端子とグラウンドとの間に接続された第２の容量素子とを有することを特徴とするバンドパスフィルタ。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかに記載の共振器と、前記第１の伝送線路と並列に前記入力端子とグラウンドとの間に接続された第１の容量素子と、前記第２の伝送線路と並列に前記出力端子とグラウンドとの間に接続された第２の容量素子と、前記入力端子と前記出力端子との間に接続された第３の容量素子を有することを特徴とするバンドパスフィルタ。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれかに記載の共振器と、前記第１の伝送線路の他端と前記入力端子との間に接続された第４の容量素子と、前記第２の伝送線路の他端と前記出力端子との間に接続された第５の容量素子と、前記第１の伝送線路の他端と前記第２の伝送線路の他端との間に接続された第３の容量素子と、前記第１の伝送線路の他端と前記入力端子との接続経路の途中に一端が接続されるとともに他端がグラウンドに接続された第１の容量素子と、前記第２の伝送線路の他端と前記出力端子との接続経路の途中に一端が接続されるとともに他端がグラウンドに接続された第２の容量素子とを有するバンドパスフィルタ。
【請求項８】
一端が前記第４の容量素子と入力端子との接続経路の途中に、他端が前記第５の容量素子と前記第２の伝送線路との接続経路の途中に接続された第７の容量素子と、
一端が前記第５の容量素子と出力端子との接続経路の途中に、他端が前記第４の容量素子と前記第１の伝送線路との接続経路の途中に接続された第８の容量素子を有する請求項７に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項９】
請求項１乃至４のいずれかに記載の共振器と、
前記第１の伝送線路の他端と前記入力端子との間に接続された第４の容量素子と、
前記第２の伝送線路の他端と前記出力端子との間に接続された第５の容量素子と、
一端が前記第４の容量素子と入力端子との接続経路の途中に、他端が前記第５の容量素子と出力端子との接続経路の途中に接続された第６の容量素子と、
前記第１の伝送線路の他端と前記入力端子との接続経路の途中に一端が接続されるとともに他端がグラウンドに接続された第１の容量素子と、
前記第２の伝送線路の他端と前記出力端子との接続経路の途中に一端が接続されるとともに他端がグラウンドに接続された第２の容量素子とを有するバンドパスフィルタ。
【請求項１０】
一端が前記第４の容量素子と入力端子との接続経路の途中に、他端が前記第５の容量素子と前記第２の伝送線路との接続経路の途中に接続された第７の容量素子と、
一端が前記第５の容量素子と出力端子との接続経路の途中に、他端が前記第４の容量素子と前記第１の伝送線路との接続経路の途中に接続された第８の容量素子を有する請求項９に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１１】
少なくとも一つのアンテナ端子と、少なくとも一つの送信端子と、少なくとも一つの受信端子を備え、複数の周波数帯域の信号の送受信において、前記アンテナ端子と、前記送信端子または前記受信端子との接続の切り換えを行う高周波部品であって、前記送信端子の少なくとも一つと、前記アンテナ端子と前記送信端子とを接続する経路に設けられた信号増幅素子との間に、請求項５乃至１０のいずれかに記載のバンドパスフィルタが挿入された高周波部品。
【請求項１２】
少なくとも一つのアンテナ端子と、少なくとも一つの送信端子と、少なくとも一つの受信端子を備え、複数の周波数帯域の信号の送受信において、前記アンテナ端子と、前記送信端子または前記受信端子との接続の切り換えを行う高周波部品であって、前記受信端子の少なくとも一つと、前記アンテナ端子と前記受信端子とを接続する経路に設けられた低雑音信号増幅素子との間に、請求項５乃至１０のいずれかに記載のバンドパスフィルタが挿入された高周波部品。
【請求項１３】
前記高周波部品を構成する回路素子のうちインダクタンス素子および容量素子の一部は積層基板に内蔵され、前記回路素子のうち残りの部分は積層基板上または積層基板内に搭載されていることを特徴とする請求項１１また１２に記載の高周波部品。
【請求項１４】
請求項１乃至４のいずれかに記載の共振器、
請求項５乃至１０のいずれかに記載のバンドパスフィルタまたは、
請求項１１乃至１３のいずれかに記載の高周波部品を用いたことを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばマイクロ波帯など高周波帯域で用いられる共振器、バンドパスフィルタ、さらにはこれらを用いたマルチバンドアンテナスイッチモジュール等の高周波部品や通信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯無線通信システムには、例えば欧州で盛んなＥＧＳＭ方式（送信：８８０〜９１５ＭＨｚ、受信９２５〜９６０ＭＨｚ）ならびにＤＣＳ方式（送信：１７１０〜１７８５ＭＨｚ、受信：１８０５〜１８８０ＭＨｚ）、また米国で盛んなＰＣＳ方式（送信：１８５０〜１９１０ＭＨｚ、受信：１９３０〜１９９０ＭＨｚ）があり、また日本ではＰＤＣ方式（送信８１０〜８２６ＭＨｚ、受信：９４０〜９５６ＭＨｚ）などの様々なシステムがある。またＣＤＭＡ方式では欧州や日本で先駆けて立ち上がったＷＣＤＭＡ方式（送信１９２０〜１９８０ＭＨｚ、受信２１１０〜２１７０ＭＨｚ）などがある。また近年ではＩＰ携帯電話と言われる製品も徐々に普及しつつある。ＩＰ携帯電話は、無線ＬＡＮ８０２．１１ｂ／ｇ方式（２４００〜２５００ＭＨｚ）によってＩＰネットワークに接続する。
【０００３】
急激な携帯電話の普及に伴い、特に先進国などの主要な大都市部においては、各システムに割り当てられた周波数帯域ではシステム利用者を賄いきれず、接続が困難になったり、通話途中での切断したりするなどの問題が生じている。そこで利用者が複数のシステムを利用できるようにして、実質的に利用可能な周波数の増加を図り、更にサービス区域の拡充や各システムの通信インフラを有効活用することが提唱されている。
【０００４】
利用者が複数のシステムを利用したい場合には、各システムに対応した通信機器をそれぞれ所持するか、もしくは複数のシステムで通信できる通信機器を所持する必要がある。後者の場合、１台の携帯通信機で複数のシステムを利用するためには、システム毎の部品を用いて携帯通信機を構成すれば良いが、信号の送信系においては、例えば希望の送信周波数の送信信号を通過させるフィルタ、送受信回路を切り換える高周波スイッチや送受信信号を入放射するアンテナ、また信号の受信系においては、前記高周波スイッチを通過した受信信号の希望の周波数を通過させるフィルタなどの高周波回路部品が各々のシステム毎に必要となる。このため、携帯通信機が高価となるとともに、体積および重量ともに増加してしまい携帯用としては不適であった。
【０００５】
そこで複数のシステムに対応した小型軽量の高周波回路部品が必要になってきた。例えばＥＧＳＭ、ＤＣＳ、ＷＣＤＭＡのシステムに対応した携帯通信機に用いられるトリプルバンド対応のアンテナスイッチモジュールが知られている（例えば特許文献１参照）。また、近年複数のシステムに対応する小型軽量の高周波回路部品が必要になる中で、例えばＥＧＳＭ，ＤＣＳ，ＷＣＤＭＡに対応した携帯通信機に、さらにＩＰ電話機能を内蔵した携帯通信機が発売されている。このＩＰ電話は、前記で述べたように無線ＬＡＮ通信方式を利用する。
【０００６】
無線ＬＡＮ通信方式のブロック部のフロントエンドの一例として、図４に示す等価回路が考えられる。ＡＮＴは信号を入出力するアンテナ端子、ＳＷ１は送信と受信を切り換えるスイッチング素子、ＰＡ１は送信信号を増幅するパワーアンプ回路、ＬＮＡ１は受信信号を増幅するローノイズアンプ、ＢＡＬは不平衡信号を平衡信号にするためのバラン回路である。ＢＰＦ１、ＢＰＦ２で示すバンドパスフィルタ回路では、無線ＬＡＮ周波数帯域の信号を通過させ、そのほかの帯域の信号を減衰する必要がある。そのため高性能かつ小型化したバンドパスフィルタを他の回路構成と組み合わせてアンテナスイッチモジュールとすることが求められていた。
【０００７】
バンドパスフィルタ回路については、従来から高性能化と小型化が求められ、それに対して例えば特許文献２、３に示すような提案がなされてきた。図１９に、特許文献２に開示された積層バンドパスフィルタ回路の等価回路図を示す。図１９に示す構成は、互いに電磁結合する３本のストリップラインを同一層に配置し、第１と第２のストリップライン及び、第２と第３のストリップラインをそれぞれ容量結合したものである。図２０には、特許文献３に開示された１／４波長型ストリップラインを用いた積層型誘電体フィルタの等価回路図を示す。２本のストリップラインを共振させ、開放端部分の導体幅を短絡側よりも広くしたものである。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−１６５２８８号公報
【特許文献２】特開２００２−２９９９８７号公報
【特許文献３】特開平６−１２０７０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献２に記載の積層バンドパスフィルタでは、誘電率が７程度の材料を用いて、バンドパスフィルタ回路をモジュール化している。しかし共振ラインの電磁結合を高めるために、３本のストリップラインを同一層で横に並べ、長さを３ｍｍ以上に設計する必要があった。これはバンドパスフィルタ回路の小型化に大きな支障となり、ついてはフロントエンドを集積化したフロントエンドモジュールの小型化についても妨げとなっていた。
【００１０】
また特許文献３に記載の１／４波長型ストリップライン構造のバンドパスフィルタでは、積層体の誘電率を大きくして１／４波長の短縮化が可能となり、これらの機能を組み合わせたフロントエンドモジュールの小型化を行うことが可能である。しかし積層体の誘電率を大きくした場合には、例えば積層体内にて容量成分を設計した場合、少々の積層ずれが発生すると高周波特性が大きくずれる恐れがある。そのためフロントエンドモジュールにする場合には、高誘電率の材料を用いることは非常に難しい。これを避ける方法として、異種誘電率材料などの同時焼成法などがあるが、工程の複雑化などが伴い、従来品に比べて大幅なコストアップとなる。
【００１１】
以上のように携帯通信機などに使用する場合、従来の積層型誘電体フィルタならびにバンドパスフィルタなどを用いたのでは、バンドパスフィルタ回路を小型化し、フロントエンドモジュール化することが困難であった。
【００１２】
そこで本発明は、従来技術の問題点を解決し、小型化かつ高性能な共振器、バンドパスフィルタ、並びにこれらを用いた高周波部品および通信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するための第１の発明は、入力端子と出力端子を有し、前記入力端子とグラウンドの間に第１の伝送線路が接続され、前記出力端子とグラウンドの間に第２の伝送線路が接続され、前記第１の伝送線路の一端とグラウンドとの間に第１のインダクタンス素子が接続され、前記第２の伝送線路の一端とグラウンドとの間に第２のインダクタンス素子が接続され、前記第１の伝送線路および第２の伝送線路は複数の誘電体層を積層してなる積層基板の基板内に電極パターンを用いて構成され、前記第１の伝送線路と第２の伝送線路の少なくとも一部を積層方向に重ね合わせることにより前記第１の伝送線路と第２の伝送線路を電磁結合させた共振器である。
【００１４】
また、前記共振器において、前記第１のインダクタンス素子および前記第２のインダクタンス素子は、前記積層基板の基板内の電極パターンを用いて構成されていることが望ましい。
【００１５】
また、前記共振器において、前記積層基板の基板内にて、前記第１のインダクタンス素子と前記第２のインダクタンス素子を構成する電極パターンが、異なる層に形成されていることが望ましい。
【００１６】
また、前記共振器において、前記第１のインダクタンス素子および前記第２のインダクタンス素子は、前記積層基板の表面または積層体中に搭載されていることが好ましい。
【００１７】
また、本発明のバンドパスフィルタは、前記共振器と、前記第１の伝送線路と並列に前記入力端子とグラウンドとの間に接続された第１の容量素子と、前記第２の伝送線路と並列に前記出力端子とグラウンドとの間に接続された第２の容量素子とを有することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の他のバンドパスフィルタは、前記共振器と、前記第１の伝送線路と並列に前記入力端子とグラウンドとの間に接続された第１の容量素子と、前記第２の伝送線路と並列に前記出力端子とグラウンドとの間に接続された第２の容量素子と、前記入力端子と前記出力端子との間に接続された第３の容量素子を有することを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の他のバンドパスフィルタは、前記共振器と、前記第１の伝送線路の他端と前記入力端子との間に接続された第４の容量素子と、前記第２の伝送線路の他端と前記出力端子との間に接続された第５の容量素子と、前記第１の伝送線路の他端と前記第２の伝送線路の他端との間に接続された第３の容量素子と、前記第１の伝送線路の他端と前記入力端子との接続経路の途中に一端が接続されるとともに他端がグラウンドに接続された第１の容量素子と、前記第２の伝送線路の他端と前記出力端子との接続経路の途中に一端が接続されるとともに他端がグラウンドに接続された第２の容量素子とを有することを特徴とする。
【００２０】
また、前記バンドパスフィルタにおいて、一端が前記第４の容量素子と入力端子との接続経路の途中に、他端が前記第５の容量素子と前記第２の伝送線路との接続経路の途中に接続された第７の容量素子と、一端が前記第５の容量素子と出力端子との接続経路の途中に、他端が前記第４の容量素子と前記第１の伝送線路との接続経路の途中に接続された第８の容量素子を有することが望ましい。
【００２１】
また、本発明の他のバンドパスフィルタは、前記共振器と、前記第１の伝送線路の他端と前記入力端子との間に接続された第４の容量素子と、前記第２の伝送線路の他端と前記出力端子との間に接続された第５の容量素子と、一端が前記第４の容量素子と入力端子との接続経路の途中に、他端が前記第５の容量素子と出力端子との接続経路の途中に接続された第６の容量素子と、前記第１の伝送線路の他端と前記入力端子との接続経路の途中に一端が接続されるとともに他端がグラウンドに接続された第１の容量素子と、前記第２の伝送線路の他端と前記出力端子との接続経路の途中に一端が接続されるとともに他端がグラウンドに接続された第２の容量素子とを有することを特徴とする。
【００２２】
また、前記バンドパスフィルタにおいて、一端が前記第４の容量素子と入力端子との接続経路の途中に、他端が前記第５の容量素子と前記第２の伝送線路との接続経路の途中に接続された第７の容量素子と、一端が前記第５の容量素子と出力端子との接続経路の途中に、他端が前記第４の容量素子と前記第１の伝送線路との接続経路の途中に接続された第８の容量素子を有することが望ましい。
【００２３】
また、本発明の高周波部品は、少なくとも一つのアンテナ端子と、少なくとも一つの送信端子と、少なくとも一つの受信端子を備え、複数の周波数帯域の信号の送受信において、前記アンテナ端子と、前記送信端子または前記受信端子との接続の切り換えを行う高周波部品であって、前記送信端子の少なくとも一つと、前記アンテナ端子と前記送信端子とを接続する経路に設けられた信号増幅素子との間に、前記バンドパスフィルタが挿入されていることを特徴とする。
【００２４】
また、本発明の他の高周波部品は、少なくとも一つのアンテナ端子と、少なくとも一つの送信端子と、少なくとも一つの受信端子を備え、複数の周波数帯域の信号の送受信において、前記アンテナ端子と、前記送信端子または前記受信端子との接続の切り換えを行う高周波部品であって、前記受信端子の少なくとも一つと、前記アンテナ端子と前記受信端子とを接続する経路に設けられた低雑音信号増幅素子との間に、前記バンドパスフィルタが挿入されていることを特徴とする。
【００２５】
さらに、前記高周波部品において、前記高周波部品を構成する回路素子のうちインダクタンス素子および容量素子の一部が積層基板に内蔵され、前記回路素子のうち残りの部分は積層基板上または積層基板内に搭載されていることが望ましい。
【００２６】
また、本発明の通信装置は、前記記載の共振器、前記バンドパスフィルタまたは前記高周波部品を用いていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によると、電磁界結合させる伝送線路を積層構造で構成することにより、共振器の小型化が可能となる。その結果、この共振器を用いた、バンドパスフィルタ、高周波部品、およびこれらを用いた通信装置全体の小型化も可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の具体的な実施形態について図面参照して詳細な説明を行う。本発明の共振器の一実施形態を図１に示す。図１に示す回路では、入力端子Ｐ１１と出力端子Ｐ１２を有し、前記入力端子Ｐ１１とグラウンドの間に第１の伝送線路Ｓ１１が接続され、前記出力端子とグラウンドの間に第２の伝送線路Ｓ１２が接続されている。また、前記第１の伝送線路Ｓ１１の一端とグラウンドとの間に第１のインダクタンス素子Ｌ１１が接続され、前記第２の伝送線路Ｓ１２の一端とグラウンドとの間に第２のインダクタンス素子Ｌ１２が接続されている。ここで、前記第１の伝送線路Ｓ１１および第２の伝送線路Ｓ１２は複数の誘電体層を積層してなる積層基板の基板内に電極パターンを用いて構成される。前記第１の伝送線路Ｓ１１と第２の伝送線路Ｓ１２の少なくとも一部を積層方向に重ね合わせる、すなわち平面視で重なる部分を有するようにすることにより、前記第１の伝送線路Ｓ１１と第２の伝送線路Ｓ１２を電磁結合させる。なお、図１におけるＥＭは第１の伝送線路Ｓ１１と第２の伝送線路Ｓ１２との電磁結合状態を示している。かかる点が、本発明の共振器の特徴の一つである。この電磁結合について、以下詳細に説明する。
【００２９】
一般的なストリップラインの電磁界分布を図１０に示す。電界の分布は接地側に対して線路導体に直流電圧を加えたものと同じとなり、図１０に示す実線で表されるようになり、また磁界分布はそれに直角な点線となる。この伝送線路を２つ備えた場合の電磁界分布の模式図を図１１（ａ）および（ｂ）に示す。図１１（ａ）は２つの伝送線路を積層方向に重ね合わせた場合であり、図１１（ｂ）は２つの伝送線路を平行に配置した場合である。図に示したように伝送線路を積層方向に重ねて対向させたほうが、同一平面で対向させて配置した場合よりも、電界結合が強くなる。また伝送線路を積層方向に重ねることにより容量結合成分も発生するため、総合すると同一平面に配置した場合よりもより結合度が大きくなる。そのため、伝送線路を積層方向に重ねて構成した場合は、従来の同一平面で構成した場合に比べて、共振器の長さを大幅に短くすることができる。
【００３０】
第１の伝送線路Ｓ１１と第２の伝送線路Ｓ１２とは少なくとも一部が重なっていればよい。すなわち、同じ幅の２つの伝送線路が幅方向にずれた状態で重なっていてもよいし、一方の伝送線路の幅が他方の伝送線路の幅よりも狭く、積層方向から見て、他方の伝送線路が一方の伝送線路に含まれるようになっていてもよい。ただし、効率よく電磁結合させるためには、伝送線路の長手方向の所定の範囲おいて、２つの伝送線路の幅方向の両端部が重なる、すなわち２つの伝送線路の幅が略同一で、積層方向から見て幅方向の位置も一致していることが好ましい。また、重なる部分のパターン形状は直線状であることが好ましい。
【００３１】
また積層構造で共振器構造を構成した場合には、伝送線路の長さは前記のとおり短くなり、並列共振のインダクタンス成分が足りなくなる。それを補うために第１の伝送線路Ｓ１１の一端とグラウンドとの間に第１のインダクタンス素子Ｌ１１を接続し、前記第２の伝送線路Ｓ１２の一端とグラウンドとの間に第２のインダクタンス素子Ｌ１２を接続する。これによりＬＣ共振周波数の調整が可能となる。このインダクタンス素子は、積層基板の基板内の電極パターンを用いて構成すればよい。例えば、積層体中の電極パターンを用いた巻線構造でインダクタンス素子を形成する。巻線構造としたほうが小型化しやすくなる。
【００３２】
また、このときインダクタンス素子Ｌ１１とインダクタンス素子Ｌ１２の電極パターンは、積層基板の基板内にて、異なる層で形成することが好ましい。各々の電極パターンを異なる層で形成し、段違いとすることにより、インダクタンス素子Ｌ１１とインダクタンス素子Ｌ１２の干渉をより一層防ぐことができる。また、インダクタンス素子Ｌ１１とインダクタンス素子Ｌ１２とは、干渉を防ぐため、積層体の積層方向から見た平面視において、第１の伝送線路Ｓ１１と第２の伝送線路の重なり部分を介して配置することが好ましい。
【００３３】
また、前記インダクタンス素子は、積層基板の表面または積層体中に搭載してもよい。この場合は、インダクタンス素子は、チップインダクタなどのチップ部品として構成されたものを用いる。なお、積層体中に搭載とは、積層体に窪みや貫通孔を設け、該窪みや貫通孔の中にインダクタンス素子を搭載することをいう。かかる場合は、チップインダクタなどのチップ部品を用いた場合は、インダクタンスのＱ値は一般的に積層基板内の電極パターンで構成した場合よりも高いという利点がある。
【００３４】
また、図２に示した構成は、第１の伝送線路Ｓ１１と並列に、入力端子Ｐ１１とグラウンドとの間に接続された第１の容量素子Ｃ１１と、第２の伝送線路Ｓ１２と並列に前記出力端子Ｐ１２とグラウンドとの間に接続された第２の容量素子Ｃ１２とを設け、バンドパスフィルタを構成したものである。この場合、図１２に示すように、第１の伝送線路Ｓ１１、第１のインダクタンス素子Ｌ１１および第１の容量素子Ｃ１１は並列共振回路を構成する。同様に第２の伝送線路Ｓ１２、第２のインダクタンス素子Ｌ１２および第２の容量素子Ｃ１２はも並列共振回路を構成する。このとき、伝送線路Ｓ１１と容量素子Ｃ１１は、干渉しないようにすることがより好ましい。そのためには、積層基板を基板面垂直方向、すなわち積層方向から見た場合（平面視）において、容量素子Ｃ１１と容量素子Ｃ１２は、伝送線路Ｓ１１ならびに伝送線路Ｓ１２と重ならないようにすることが好ましい。
【００３５】
図５に示す構成は、図２に示した共振器の第１の伝送線路Ｓ１１の他端と、第２の伝送線路の他端の間に第３の容量素子Ｃ１３を追加した構成し、バンドパスフィルタを構成したものである。すなわち、図１に示した共振器と、前記第１の伝送線路Ｓ１１と並列に前記入力端子Ｐ１１とグラウンドとの間に接続された第１の容量素子Ｃ１１と、前記第２の伝送線路Ｓ１２と並列に前記出力端子Ｐ１２とグラウンドとの間に接続された第２の容量素子Ｃ１２と、前記入力端子Ｐ１１と前記出力端子Ｐ１２との間に接続された第３の容量素子Ｃ１３を有する構成である。第３の容量素子Ｃ１３は、伝送線路Ｓ１１と伝送線路Ｓ１２との間に干渉しないようにすることがより好ましい。そのためには、積層基板を基板面垂直方向から見た場合（平面視）において、容量素子Ｃ１３は、伝送線路Ｓ１１ならびに伝送線路Ｓ１２と重ならないようにすることがより好ましい。
【００３６】
また、バンドパスフィルタの他の実施形態として、図６に示す構成を用いてもよい。図６に示す構成は、図５に示すバンドパスフィルタの入力端子Ｐ１１側および出力端子側Ｐ１２に、それぞれ第４の容量素子Ｃ１４、第５の容量素子Ｃ１５を付加した構成である。すなわち、図６に示すバンドパスフィルタは、図１に示した共振器の構成に加えて、前記第１の伝送線路Ｓ１１の他端と前記入力端子Ｐ１１との間に接続された第４の容量素子Ｃ１４と、前記第２の伝送線路Ｓ１２の他端と前記出力端子Ｐ１２との間に接続された第５の容量素子Ｃ１５を備える。そして、前記第１の伝送線路Ｓ１１の他端と前記第２の伝送線路Ｓ１２の他端との間には、第３の容量素子Ｃ１３が接続される。さらに、該バンドパスフィルタは、前記第１の伝送線路Ｓ１１の他端と前記入力端子Ｐ１１との接続経路の途中に一端が接続されるとともに他端がグラウンドに接続された第１の容量素子Ｃ１１と、前記第２の伝送線路Ｓ１２の他端と前記出力端子Ｐ１２との接続経路の途中に一端が接続されるとともに他端がグラウンドに接続された第２の容量素子Ｃ１２とを備える。バンドパスフィルタの入力端子Ｐ１１側および出力端子側Ｐ１２に、それぞれ第４の容量素子Ｃ１４、第５の容量素子Ｃ１５を付加することによって、これらの容量素子はハイパスフィルタとして機能し、バンドパスフィルタの低周波側での減衰量を増大させることができる。
【００３７】
さらに、バンドパスフィルタの他の実施形態として、図７に示す構成を用いても良い。図７に示す構成では、図６に示すバンドパスフィルタに加えて、入力端子Ｐ１１側と容量素子Ｃ１４の間と、伝送線路Ｓ１２の一端と容量素子Ｃ１５との間に容量素子Ｃ１７を接続し、また出力端子Ｐ１２側と容量素子Ｃ１５の間と、伝送線路Ｓ１１の一端と容量素子Ｃ１４との間に容量素子Ｃ１８を接続する。すなわち図７に示すバンドパスフィルタは、図１に示した共振器の構成に加えて、前記第１の伝送線路Ｓ１１の他端と前記入力端子Ｐ１１との間に接続された第４の容量素子Ｃ１４と、前記第２の伝送線路Ｓ１２の他端と前記出力端子Ｐ１２との間に接続された第５の容量素子Ｃ１５とを備える。そして、前記第１の伝送線路Ｓ１１の他端と前記第２の伝送線路Ｓ１２の他端との間には、第３の容量素子Ｃ１３が接続される。そして、第７の容量素子Ｃ１７の一端が前記第４の容量素子Ｃ１４と入力端子Ｐ１１との接続経路の途中に、他端が前記第５の容量素子Ｃ１５と伝送線路Ｓ１２との接続経路の途中に接続される。そして、第８の容量素子Ｃ１８の一端が前記第５の容量素子Ｃ１５と出力端子Ｐ１２との接続経路の途中に、他端が前記第５の容量素子Ｃ１５と伝送線路Ｓ１１との接続経路の途中に接続される。かかる構成とすることで、バンドパスフィルタ間の容量結合度を大きくし、より特性の良いバンドパスフィルタを構成することができる。
【００３８】
さらに、バンドパスフィルタの他の実施形態として、図８に示す構成を用いてもよい。図８に示す構成では、バンドパスフィルタの第１の伝送線路側と第２の伝送線路側とを接続する容量素子として、伝送線路の他端同士を接続する図６に示す容量素子Ｃ１３を、入力端子Ｐ１１と出力端子Ｐ１２を接続する容量素子Ｃ１６に置き換えている。すなわち、図８に示すバンドパスフィルタは、図１に示した共振器の構成に加えて、前記第１の伝送線路Ｓ１１の他端と前記入力端子Ｐ１１との間に接続された第４の容量素子Ｃ１４と、前記第２の伝送線路Ｓ１２の他端と前記出力端子Ｐ１２との間に接続された第５の容量素子Ｃ１５とを備える。そして、第６の容量素子Ｃ１６の一端が前記第４の容量素子Ｃ１４と入力端子Ｐ１１との接続経路の途中に、他端が前記第５の容量素子Ｃ１５と出力端子Ｐ１２との接続経路の途中に接続される。さらに、該バンドパスフィルタは、前記第１の伝送線路Ｓ１１の他端と前記入力端子Ｐ１１との接続経路の途中に一端が接続されるとともに他端がグラウンドに接続された第１の容量素子Ｃ１１と、前記第２の伝送線路Ｓ１２の他端と前記出力端子Ｐ１２との接続経路の途中に一端が接続されるとともに他端がグラウンドに接続された第２の容量素子Ｃ１２とを備える。かかる構成とすることで、バンドパスフィルタ間の容量結合度を大きくし、より特性の良いバンドパスフィルタを構成することができる。
【００３９】
さらに、バンドパスフィルタの他の実施形態として、図９に示す構成を用いることもできる。図９に示す構成では、図８に示すバンドパスフィルタに、第１の伝送線路Ｓ１１の他端と出力端子Ｐ１２とを直接接続する第８の容量素子Ｃ１８と、第２の伝送線路Ｓ１２の他端と入力端子Ｐ１１とを直接接続する第７の容量素子Ｃ１７を付加した構成である。すなわち、図９に示すバンドパスフィルタは、図８に示す構成に加えて、一端が前記第４の容量素子Ｃ１４と入力端子Ｐ１１との接続経路の途中に、他端が前記第５の容量素子Ｃ１５と前記第２の伝送線路Ｓ１２との接続経路の途中に接続された第７の容量素子Ｃ１７と、一端が前記第５の容量素子Ｃ１５と出力端子Ｐ１２との接続経路の途中に、他端が前記第４の容量素子Ｃ１４と前記第１の伝送線路Ｓ１１との接続経路の途中に接続された第８の容量素子Ｃ１８を有する。かかる構成とすることで、バンドパスフィルタ間の容量結合度をいっそう大きくし、より特性の良いバンドパスフィルタを構成することができる。
【実施例】
【００４０】
（実施例１）
小型で高性能なバンドパスフィルタの一実施例をさらに示す。バンドパスフィルタの等価回路図を図９に示す。このバンドパスフィルタは、図８に示す構成に、さらに一端が前記第４の容量素子Ｃ１４と入力端子Ｐ１１との接続経路の途中に、他端が前記第５の容量素子Ｃ１５と前記第２の伝送線路Ｓ１２との接続経路の途中に接続された第７の容量素子Ｃ１７と、一端が前記第５の容量素子Ｃ１５と出力端子Ｐ１２との接続経路の途中に、他端が前記第４の容量素子Ｃ１４と前記第１の伝送線路Ｓ１１との接続経路の途中に接続された第８の容量素子Ｃ１８を付加した構成である。また、この等価回路の積層断面図を図１３に示す。各電極の役割を最上面から順に説明する。また図中で黒塗りの部分はスルーホール電極である。これらのスルーホールにより上下の電極を接続させる。
【００４１】
本実施例のバンドパスフィルタは、ＷＣＤＭＡ帯域（１９２０〜２１７０ＭＨｚ）を減衰させ、８０２．１１ｂ／ｇ帯域（２４００〜２５００ＭＨｚ）を通過させるバンドパスフィルタである。
【００４２】
最上面層（Ｓｈ１）には、電極パターンは無い。実製品では製品の位置を識別するフィデンシャルマークなどを印刷する場合がある。２層目（Ｓｈ２）にはグラウンド電極Ｇ１が印刷されている。スルーホールによりグラウンド電極は裏面のグラウンド電極Ｇ４まで接続されている。グラウンド電極を挿入することにより、外部の影響を受けにくくすることができる。３層目（Ｓｈ３）には電極Ｃ１ａ、Ｃ２ａが印刷されている。電極Ｃ１ａはグラウンド電極Ｇ１との間にコンデンサＣ１１の一部を形成する。また電極Ｃ２ａはグラウンド電極Ｇ１との間にコンデンサＣ１２の一部を形成する。またコンデンサＣ１１はインダクタンス（Ｓ１１＋Ｌ１１）と並列共振器を構成し、コンデンサＣ１２はインダクタンス（Ｓ１２＋Ｌ１２）と並列共振器を構成する。Ｃ１１ならびにＣ１２の容量を増減させることにより、共振周波数の調整が可能である。
【００４３】
４層目（Ｓｈ４）には、電極Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６が印刷されている。電極Ｃ３が電極Ｃ１ａ，Ｃ１ｂに挟まれることにより、コンデンサＣ１４が形成される。同様に電極Ｃ５が電極Ｃ２ａ，Ｃ２ｂに挟まれることにより、コンデンサＣ１５が形成される。また、電極Ｃ２ａ，Ｃ２ｂに電極Ｃ４が挟まれることにより、コンデンサＣ１７が形成される。また電極Ｃ１ａ，Ｃ１ｂに電極Ｃ６が挟まれることにより、コンデンサＣ１８が形成される。５層目（Ｓｈ５）には、電極Ｃ１ｂ、Ｃ２ｂが印刷されている。これは３層目で説明したＣ１ａ、Ｃ２ａ電極と同電位である。６層目（Ｓｈ６）には、伝送線路Ｓ１１が印刷されている。この電極は、１０層目の伝送線路Ｓ１２と積層方向で直線部分において重なっており、伝送線路Ｓ１１と伝送線路Ｓ１２は電磁界結合し、共振器を構成している。またこの伝送線路の長さは１ｍｍ程度であり、従来の共振器のライン長よりも大幅に短い。そのためバンドパスフィルタ回路の大幅な小型化が可能となった。
【００４４】
７層目（Ｓｈ７）、８層目（Ｓｈ８）、９層目（Ｓｈ９）には、電極ｌａ１、ｌａ２、ｌａ３が印刷されている。電極ｌａ１、ｌａ２、ｌａ３はインダクタンス素子Ｌ１１を構成する電極である。これらは巻線構造を構成している。１０層目（Ｓｈ１０）には、伝送線路Ｓ１２と電極ｌｂ１が印刷されている。伝送線路Ｓ１２は、６層目に印刷された伝送線路Ｓ１１と積層方向で直線部分において重なっており、伝送線路Ｓ１１と伝送線路Ｓ１２は電磁界結合し、共振器を構成している。また伝送線路Ｓ１１とＳ１２が積層方向で重なっているため、伝送線路Ｓ１１と伝送線路Ｓ１２との間には、コンデンサＣ１３が形成される。この容量結合により、結合性が増す。
【００４５】
１１層目（Ｓｈ１１）には、電極ｌｂ２が印刷されている。１０層目に印刷された電極ｌｂ１と、該ｌｂ２と合わせてインダクタンスＬ１２を構成している。すなわち、インダクタンス素子Ｌ１１とＬ１２は積層基板の基板内において積層方向に垂直な方向から見て段違い、すなわちシート１層分を介して異なる層に形成されている。このようにインダクタンス素子Ｌ１１、Ｌ１２を段違いにして、複数層に渡って形成することによって、巻線構造となりインダクタンスを大きくすることができる。そのため少ない面積ならびに長さでインダクタンスを設計でき、バンドパスフィルタの小型化ならびに挿入損失の低減が可能となる。１２層目（Ｓｈ１２）にはグラウンド電極Ｇ２が印刷されている。１３層目（Ｓｈ１３）には電極Ｃ１ｃと、電極Ｃ２ｃが印刷されている。これらはグラウンド電極とＧ２とＧ３に挟まれることにより、コンデンサＣ１１、Ｃ１２の一部となる。１４層目（Ｓｈ１４）にはグラウンド電極Ｇ３が印刷されている。１５層目（Ｓｈ１５）は裏面であり、裏面グラウンド（Ｇ４）と入力端子Ｐ１１（ＩＮ）と出力端子Ｐ１２（ＯＵＴ）が印刷されている。
【００４６】
本実施例のバンドパスフィルタの特性を図１４（ａ）、（ｂ）に示す。伝送線路を同一平面上に形成した従来のバンドパスフィルタとの特性比較を行った。太い信号線が本実施例のバンドパスフィルタの結果であり、細い信号線が従来例のバンドパスフィルタの結果である。本発明のバンドパスフィルタは従来例に比べて、低域側での減衰極から通過帯域までの傾きが鋭い（図１４（ａ））。つまり、減衰量を大きく、かつ通過帯域の挿入損失を小さくできる（図１４（ａ）ならびに図１４（ｂ））。本実施例のバンドパスフィルタでは、２１７０ＭＨｚの減衰量は３０ｄＢ以上であり、かつ通過帯域の挿入損失は２ｄＢ以下を実現した。
【００４７】
本実施例では、伝送線路Ｓ１１とＳ１２を積層方向に重ねることにより、共振器を構成している伝送線路の長さを短くすることが可能となり、小型化を実現した。実際にバンドパスフィルタを構成する電極の投影面積は、従来比よりも約４０％削減することができた。また積層方向に重ね、伝送線路の長さを短くすることにより、伝送線路長による損失を小さくし、バンドパスフィルタの挿入損失の低減させることを実現した。
【００４８】
またこのバンドパスフィルタのINポート側もしくはOUTポート側にハイパスフィルタなどを接続しても良い。ハイパスフィルタを接続することにより、１５００MHｚ以下の信号をより大きく減衰させることができる。
【００４９】
（実施例２）
次に、本発明に係る高周波部品、すなわち、少なくとも一つのアンテナ端子と、少なくとも一つの送信端子と、少なくとも一つの受信端子を備え、複数の周波数帯域の信号の送受信において、前記アンテナ端子と、前記送信端子または前記受信端子との接続の切り換えを行う高周波部品であって、前記送信端子の少なくとも一つと、前記アンテナ端子と前記送信端子とを接続する経路に設けられた信号増幅素子との間に、前記バンドパスフィルタが挿入された高周波部品の実施例を示す。図１５には本発明に係るバンドパスフィルタを用いて構成した高周波部品の例として、アンテナスイッチモジュールの回路ブロック図を示す。このアンテナスイッチモジュールは２．４ＧＨｚ帯ＷＬＡＮ信号とＢｌｕｅｔｏｏｔｈ信号の両方を送受信することができる。２つのバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）以外には、送信と受信を切り換えるためのＳＰＤＴスイッチがあり、送信信号を増幅させるためのパワーアンプ（ＰＡ）があり、入出力信号を分配するためのスプリッタがあり、また信号を平衡信号にするためのバランが２つ内蔵されている。該アンテナスイッチモジュールは、アンテナ端子Ａｎｔ、送信端子ＷＬＡＮ−Ｔｘ、受信端子ＷＬＡＮ−ＲｘおよびＢｌｕｅｔｏｏｔｈを備え、ＳＰＤＴスイッチを用いて前記アンテナ端子Ａｎｔと、前記送信端子ＷＬＡＮ−Ｔｘまたは前記受信端子ＷＬＡＮ−ＲｘおよびＢｌｕｅｔｏｏｔｈとの接続の切り換えを行う。本発明に係るバンドパスフィルタは、例えばバンドパスフィルタ２として、送信端子ＷＬＡＮ−Ｔｘと、前記アンテナ端子Ａｎｔと前記送信端子ＷＬＡＮ−Ｔｘとを接続する経路に設けられた信号増幅素子ＰＡとの間に挿入されている。本アンテナスイッチモジュールの縦横サイズは５．４ｘ４．０ｍｍであり高さは１．２ｍｍとした。また本実施例では比較のため、バンドパスフィルタ１の回路構成は従来例の伝送線路を同一平面上に形成する構成とし、バンドパスフィルタ２の回路構成は伝送線路を積層方向に重ね合わせる本発明の構成とした。
【００５０】
なお、図１５に示す例では、バンドパスフィルタ２はアンテナ端子Ａｎｔと送信端子ＷＬＡＮ−Ｔｘ間の送信側に挿入されているが、該バンドパスフィルタは、図４に示す構成の、受信端子ＷＬＡＮ  Ｒｘ＋／−と、前記アンテナ端子Ａｎｔと前記受信端子ＷＬＡＮ  Ｒｘ＋／−とを接続する受信経路に設けられた低雑音信号増幅素子ＬＮＡとの間に挿入してもよい。
【００５１】
このアンテナスイッチモジュールの積層体の斜視図を図１６に示す。図１６に示すように本発明のアンテナスイッチモジュールは誘電体層Ｓｈ１からＳｈ１７までが順に積層されている。積層体表面には、チップ部品（インダクタ、コンデンサ、抵抗）、ＳＰＤＴスイッチおよびパワーアンプのベアチップが搭載されている。ベアチップは積層体表面の電極とワイヤボンディングを行っている。ボンディングワイヤは金ワイヤが望ましい。
【００５２】
２層目（Ｓｈ２）には、グラウンド電極がほぼ一面に印刷されている。グラウンド電極により、積層体内で構成された電極パターンと、積層体上面に搭載されたチップ部品との間の影響を小さくすることができる。３層目から１５層目において、バランを構成する電極はＢＬ１ａ〜ＢＬ１ｊで表している。バンドパスフィルタ１を構成する電極はＢＰＦ１ａ〜ＢＰＦ１ｋで表している。バンドパスフィルタ２を構成する電極はＢＰＦ２ａ〜ＢＰＦ２ｄで表している。バンドパスフィルタ１の共振器を構成する伝送線路は８層目（Ｓｈ８）のＬＯ１，ＬＯ２であり、バンドパスフィルタ２の共振器を構成する伝送線路は６層目（Ｓｈ６）と１０層目（Ｓｈ１０）の伝送線路ＬＮ１，ＬＮ２である。従来例では共振器の長さが２．５ｍｍ程度必要であり、小型化の妨げになっている。しかしバンドパスフィルタ２では共振器の長さは０．６ｍｍ程度であり大幅な小型化が可能となった。勿論バンドパスフィルタ１の回路を改良して本発明の電極構成にすることは可能であり、さらなる小型化が実現できる。１６層目にはグラウンド電極Ｇ３が構成されている。これは２層目に印刷されたグラウンド電極と同様に、積層体内で構成された電極パターンと裏面端子との影響を小さくすることが出来る。裏面にはアンテナ端子、各システムの入出力端子、電源端子ならびにグラウンド端子が構成されている。これらの電極は金メッキされており、ハンダなどによりボードに接続される。
【００５３】
図１７にはアンテナスイッチモジュールの製品の斜視図を示す。積層体上面は、シリコン樹脂やエポキシ樹脂などによりモールディングされている。樹脂は図上で黒色の部分である。もちろん金属パッケージなどのパッケージングを施しても良い。その場合は半導体ベアチップをパッケージングされた部品にする必要がある。金属ケースもしくは耐熱性の樹脂を用いることにより、チップ上面を平坦にすることが可能となり、アンテナスイッチモジュールを自動実装する際に、真空吸引しやすくなる。
【００５４】
図１８には、本発明の一実施形態のアンテナスイッチモジュールのバンドパスフィルタ２のフィルタ特性を示す。２１７０ＭＨｚの減衰量は３０ｄＢ以上を確保し、かつＷＬＡＮ帯域の挿入損失を３ｄＢ以下にすることが可能となった。
【００５５】
前記実施例１、２では、１層の厚みが１５〜８０μｍ（一体焼成後の寸法）の誘電体シートの各層に電極を印刷し、スルーホールで接続した例である。誘電体としては、例えばアルミナ系ガラスセラミック等の低温同時焼成セラミクス（ＬＴＣＣ）材料などが挙げられる。この積層体は、低温焼成が可能なセラミック誘電体材料からなるグリーンシートを用意し、そのグリーンシート上にＡｇ、Ｐｄ、Ｃｕなどの導電ペーストを印刷して、所望の電極パターンを形成し、それを適宜積層し、９００℃程度で一体焼成して構成される。シートの厚さは１０〜１１０μｍの範囲で、使用用途によりドクターブレード法などで制御される。所定の内部電極パターンを多数形成したシートを積層し、一つ一つのチップサイズに切断した後、焼成し、端子電極を形成し、誘電体積層体を作製する。さらに、ＧａＡｓスイッチやダイオードスイッチ、また容量が大きく積層素体内に形成できなかったチップコンデンサや抵抗、インダクタなどを搭載する。
【００５６】
本発明の共振器、フィルタ、バンドパスフィルタはアンテナスイッチモジュールだけではなく、他の高周波部品にも適用可能である。前記共振器等は、各種通信機器にも展開することが可能である。特に高周波を扱う、携帯電話機、Bluetooth通信機器、無線ＬＡＮ通信機器(802.11a/b/g/n)、WIMAX(802.16e)、IEEE802.20(I-burst)などにも応用することが可能である。例えば、２．４ＧＨｚ帯無線ＬＡＮ（ＩＥＥＥ８０２．１１ｂおよび／あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ｇ）と５ＧＨｚ帯無線ＬＡＮ（ＩＥＥＥ８０２．１１ａ）の２つの通信システムを共用可能な高周波フロントエンドモジュールあるいはＩＥＥＥ８０２．１１ｎの規格に対応可能な高周波フロントエンドモジュールとなし、これを備えた小型のマルチバンド通信装置を実現することが出来る。通信システムは上記した周波数帯域や通信規格に限るものではなく各種通信システムに利用可能である。また、２つの通信システムだけではなく、例えば分波回路を更に多段に分岐する態様をとることにより、より多数の通信システムに対応可能となる。マルチバンド通信装置としては、例えば携帯電話に代表される無線通信機器、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、プリンタやハードディスク、ブロードバンドルータ等のＰＣの周辺機器、ＦＡＸ、冷蔵庫、標準テレビ（ＳＤＴＶ）、高品位テレビ（ＨＤＴＶ）、カメラ、ビデオ、等の家庭内電子機器などに展開が出来る。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施形態である共振器の等価回路である。
【図２】本発明の一実施形態であるバンドパスフィルタの等価回路である。
【図３】無線ＬＡＮ通信システムと、ＷＣＤＭＡシステムの両方が使用可能な通信機器のブロック回路の一例である。
【図４】無線ＬＡＮ通信方式のフロントエンドの一例を示すブロック図である。
【図５】本発明の一実施形態であるバンドパスフィルタの等価回路である。
【図６】本発明の他の実施形態であるバンドパスフィルタの等価回路である。
【図７】本発明の他の実施形態であるバンドパスフィルタの等価回路である。
【図８】本発明の他の実施形態であるバンドパスフィルタの等価回路である。
【図９】本発明の他の実施形態であるバンドパスフィルタの等価回路である。
【図１０】一般的なストリップラインの電磁界分布を示す図である。
【図１１】２つの信号線路導体を積層方向に重ねた場合（ａ）と、同一平面で構成した場合（ｂ）の電磁界結合の様子を示す図である。
【図１２】ＬＣ並列共振の様子を模式図で表したものである。
【図１３】本発明の実施例であるバンドパスフィルタの積層体の展開斜視図である。
【図１４】本発明の実施例であるバンドパスフィルタの周波数特性データである。
【図１５】本発明の実施例であるアンテナスイッチモジュールのブロック図である。
【図１６】本発明の実施例であるアンテナスイッチモジュールの積層体の展開斜視図である。
【図１７】本発明の実施例であるアンテナスイッチモジュールの外観である。
【図１８】本発明の実施例であるアンテナスイッチモジュールに設けられたバンドパスフィルタの周波数特性データである。
【図１９】従来の積層バンドパスフィルタ回路の等価回路である。
【図２０】従来の積層バンドパスフィルタ回路の等価回路である。
【符号の説明】
【００５８】
Ｐ１１：入力端子  Ｐ１２：出力端子  Ｃ１１〜Ｃ１８：コンデンサ
Ｓ１１〜Ｓ１２：伝送線路  Ｌ１１〜Ｌ１２：インダクタンス素子
Ｇ１〜Ｇ３：グラウンド電極  Ｓｈ１〜Ｓｈ１７：積層体シート
ＢＰＦ１ａ〜１ｋ：バンドパスフィルタ１を構成する電極
ＢＰＦ２ａ〜２ｄ：バンドパスフィルタ２を構成する電極
ＢＬ１ａ〜１ｊ：バランを構成する電極
ＥＭ：電磁界結合
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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