(57)【要約】【課題】十分な小型化を達成し得る光ヘッド、当該光ヘッドを用いた露光装置、画像形成装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板１０１上に配列された複数の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０よって発光素子列１１０Ａが構成され、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の各々を、発光素子駆動回路１８１、ソースドライバ１８０を含む駆動部が駆動する。発光素子列１１０Ａの配列方向における略延長線上の位置において、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に電荷を供給する陰極１３８と、駆動部の基板１０１に対する接地線１２２が接続され、陰極コンタクト部１２０が定義される。【選択図】図２２
2008149678.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配列された複数の発光素子によって構成される発光素子列と、
前記発光素子の各々を駆動する駆動部と、
前記発光素子に電荷を供給する電極と、
前記発光素子列の配列方向における略延長線上の位置に設けられ、前記電極と前記駆動部の接地線を接続するコンタクト部と、
を備える光ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載の光ヘッドであって、
前記電極が、少なくとも二つの発光素子に対して共通に、かつ前記発光素子列の配列方向に沿って前記発光素子列から延長して設けられた光ヘッド。
【請求項３】
請求項２に記載の光ヘッドであって、
前記第電極が、前記発光素子列を覆うように形成された光ヘッド。
【請求項４】
請求項２または３に記載の光ヘッドであって、
前記発光素子列から延長した前記電極の部分において、前記コンタクト部が存在する光ヘッド。
【請求項５】
請求項４に記載の光ヘッドであって、
前記コンタクト部が、前記電極の略端部に設けられた光ヘッド。
【請求項６】
請求項１に記載の光ヘッドであって、
前記電極が、少なくとも二つの発光素子に対して共通に、かつ前記発光素子列の配列方向に沿って設けられ、
前記電極の延設方向の略両端の位置において、前記コンタクト部が設けられた光ヘッド。
【請求項７】
請求項６に記載の光ヘッドであって、
前記略両端の位置において前記電極と前記コンタクト部を接続する引き出し電極を更に有する光ヘッド。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項記載の光ヘッドを含む露光装置。
【請求項９】
請求項８記載の露光装置を含む画像形成装置。
【請求項１０】
基板上に複数の発光素子の各々を駆動する駆動部および駆動電極を形成する工程と、
前記発光素子の発光部として機能する有機エレクトロルミネッセンス材料を塗布する工程と、
塗布した前記有機エレクトロルミネッセンス材料を除去して前記駆動部の接地領域を露出させる工程と、
前記複数の発光素子に対する共通電極を、当該共通電極と前記駆動部の露出した前記接地領域が接触するように形成する工程と、
を備える光ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の光ヘッドの製造方法であって、
前記共通電極の前記接地領域と接触した部分を封止する封止部材を形成する工程を更に含む光ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
基板上に配列された複数の発光素子によって構成される発光素子列と、
前記発光素子の各々を駆動する駆動部と、
前記発光素子列を覆うように形成された電極と、
前記発光素子列の配列方向における略延長線上の位置に設けられ、前記電極と前記駆動部の接地線を接続するコンタクト部と、
前記発光素子列の配列方向における略延長線上の位置に設けられたテスト素子と、
を備える光ヘッド。
【請求項１３】
請求項１２に記載の光ヘッドであって、
前記発光素子列から見て、前記テスト素子より遠い位置に前記コンタクト部が形成された光ヘッド。
【請求項１４】
請求項１３に記載の光ヘッドであって、
前記コンタクト部が、前記発光素子と前記テスト素子間で共通である光ヘッド。
【請求項１５】
請求項１２に記載の光ヘッドであって、
前記テスト素子の近傍でかつ前記基板の端部に設けられた前記テスト素子の駆動電極を更に備える光ヘッド。
【請求項１６】
請求項１２に記載の光ヘッドであって、
一の封止部材で前記発光素子と前記テスト素子を封止した光ヘッド。
【請求項１７】
請求項１６に記載の光ヘッドであって、
前記封止部材が前記コンタクト部の少なくとも一部を覆う光ヘッド。
【請求項１８】
請求項１６に記載の光ヘッドであって、
前記封止部材が前記コンタクト部の全部を覆い、前記コンタクト部と接続された引き出し線が前記封止部材の外部に引き出された光ヘッド。
【請求項１９】
請求項１２に記載の光ヘッドであって、
少なくとも二つのテスト素子が、前記発光素子列の配列方向の両側の略延長線上の位置に配置され、二つのテスト素子の発光領域の大きさが異なる光ヘッド。
【請求項２０】
請求項１２から１９のいずれか１項に記載の光ヘッドであって、
前記発光素子が有機エレクトロルミネッセンス素子により構成され、前記テスト素子が、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の有機エレクトロルミネッセンス材料の膜厚を測定可能である光ヘッド。
【請求項２１】
請求項１２から２０のいずれか１項記載の光ヘッドを含む露光装置。
【請求項２２】
請求項２１記載の露光装置を含む画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光ヘッドおよび画像形成装置に係り、特に発光素子をライン状に配置して発光素子列を形成した光ヘッドおよびこの光ヘッドを有する露光装置、当該光ヘッド、露光装置を備えた画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
予め所定の電位に帯電した感光体を画像情報に応じて露光して静電潜像を形成し、この静電潜像をトナーにより現像し、顕画化されたトナー像を記録紙に転写、加熱定着して画像を得る、いわゆる電子写真プロセスを応用した画像形成装置に用いられる露光装置として、レーザダイオードを光源とした光ビームをポリゴンミラーと呼称される回転多面鏡を介して感光体上を走査して静電潜像を形成する方式と、発光ダイオード（以降ＬＥＤと呼称する）や有機エレクトロルミネッセンス材料を用いて構成した発光素子をライン状に配置した発光素子列を用いて各発光部を個別に点灯（ＯＮ／ＯＦＦ）制御して感光体上に静電潜像を形成する方式が知られている。
【０００３】
一般にＬＥＤや有機エレクトロルミネッセンス材料を用いた発光素子列を構成要素として含む露光装置は、感光体のごく近傍で各発光素子を選択的に点灯して感光体上に露光光を照射するので、これらを搭載した画像形成装置はレーザダイオードを用いた画像形成装置における回転多面鏡のような可動部がなく信頼性、静粛性が高く、またレーザダイオードの出射光を感光体に導く光学系や、光の経路となる大きな光学的空間が不要で画像形成装置を小型化することが可能である。
【０００４】
特に発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した露光装置は、ガラスなどの基板上に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以降ＴＦＴと呼称する）から成るスイッチング素子で構成される駆動回路と有機エレクトロルミネッセンス素子を一体として形成できるため、構造、製造工程がシンプルであり、発光素子としてＬＥＤを搭載した露光装置と比較して更なる小型化、低コスト化を実現できる可能性がある。
【０００５】
しかしその一方で有機エレクトロルミネッセンス素子はその駆動に伴って発光輝度が徐々に低下する、いわゆる光量劣化が発生することが知られている。一般的なディスプレイ装置などに応用される有機エレクトロルミネッセンス素子の発光輝度は高々１０００［ｃｄ／ｍ2］程度でよいのに対し、電子写真装置などの画像形成装置に搭載される露光装置に応用される有機エレクトロルミネッセンス素子には、例えば画像形成装置の仕様として６００ｄｐｉ（dot／inch）、２０ｐｐｍ（pages／minute）程度のスペックを想定すると１００００［ｃｄ／ｍ2］以上の発光輝度が要求され、その駆動条件は高電圧、大電流の非常に過酷なものとなる。このために露光装置に応用される有機エレクトロルミネッセンス素子は、表示装置に応用される場合と比較して光量劣化の影響を受けやすく、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子から出射する光量を初期と同等の状態に維持するために何らかの光量補正が必要となる。
【０００６】
また有機エレクトロルミネッセンス素子の発光輝度は温度依存性があることも知られている。この温度依存性は有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する有機材料によって決まり、正特性、負特性のいずれもがあり得る。上述した電子写真装置の画像形成過程には熱と圧力によって記録紙上のトナー像を定着する工程が含まれており、装置内部に大熱量を発生可能な熱源を有するため、装置内部の温度変化に伴って有機エレクトロルミネッセンス素子の発光輝度が変化する。この場合にも個々の有機エレクトロルミネッセンス素子から出射する光量の補正が必要となる。
【０００７】
また、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子間において、発光輝度のばらつき発生を防止することは困難であるため、素子間における光量のばらつきを防ぐ光量補正も必要となる。
【０００８】
さて光量補正に関して、従来の有機エレクトロルミネッセンス素子を応用した露光装置を搭載した画像形成装置では、例えば特許文献１に開示される構成が知られている。特許文献１における露光装置は有機エレクトロルミネッセンス素子を形成したガラス基板上に光検出素子を配置し、各有機エレクトロルミネッセンス素子の発光光量をこの光検出素子で検出するという構成を有している。
【特許文献１】特開２００４−０８２３３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このような画像形成装置においては、装置の小型化への要求は高まる一方である。そこで、ガラス基板上に形成、配置される各種の素子、回路の配置態様にも工夫を凝らし、装置の小型化を図ることが考えられる。
【００１０】
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、十分な小型化を達成し得る光ヘッド、当該光ヘッドを用いた露光装置、画像形成装置を提供することを目的とする。更に本発明は、このような光ヘッドの製造に適した光ヘッドの製造方法をも提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、第１に、基板上に配列された複数の発光素子によって構成される発光素子列と、前記発光素子の各々を駆動する駆動部と、前記発光素子に電荷を供給する電極と、前記発光素子列の配列方向における略延長線上の位置に設けられ、前記電極と前記駆動部の接地線を接続するコンタクト部と、を備える光ヘッドが提供されるものである。
が提供されるものである。
【００１２】
この構成により、光ヘッドの幅方向の長さを小さくすることができ、光ヘッドの小型化を図ることができる。また、発光素子の陰極の接地を容易に確保することができる。
【００１３】
本発明は、第２に、第１に記載の光ヘッドであって、前記電極が、少なくとも二つの発光素子に対して共通に、かつ前記発光素子列の配列方向に沿って前記発光素子列から延長して設けられた光ヘッドが提供されるものである。
【００１４】
この構成により、光ヘッドの幅方向の長さを小さくすることができ、光ヘッドの小型化を図ることができるとともに、光ヘッドを容易に製造することができる。
【００１５】
本発明は、第３に、第２に記載の光ヘッドであって、前記電極が、前記発光素子列を覆うように形成された光ヘッドが提供されるものである。
【００１６】
この構成により、光ヘッドの幅方向の長さを小さくすることができ、光ヘッドの小型化を図ることができるとともに、光ヘッドを容易に製造することができる。
【００１７】
本発明は、第４に、第２または第３に記載の光ヘッドであって、前記発光素子列から延長した前記電極の部分において、前記コンタクト部が存在する光ヘッドが提供されるものである。
【００１８】
この構成により、光ヘッドの幅方向の長さを小さくすることができ、光ヘッドの小型化を図ることができるとともに、光ヘッドを容易に製造することができる。
【００１９】
本発明は、第５に、第４に記載の光ヘッドであって、前記コンタクト部が、前記電極の略端部に設けられた光ヘッドが提供されるものである。
【００２０】
この構成により、光ヘッドの幅方向の長さを小さくすることができ、光ヘッドの小型化を図ることができるとともに、光ヘッドを容易に製造することができる。
【００２１】
本発明は、第６に、第１に記載の光ヘッドであって、前記電極が、少なくとも二つの発光素子に対して共通に、かつ前記発光素子列の配列方向に沿って設けられ、前記電極の延設方向の略両端の位置において、前記コンタクト部が設けられた光ヘッドが提供されるものである。
【００２２】
この構成により、また、発光素子の陰極の接地を容易に確保することができる。
【００２３】
本発明は、第７に、第６に記載の光ヘッドであって、前記略両端の位置において前記電極と前記コンタクト部を接続する引き出し電極を更に有する光ヘッドが提供されるものである。
【００２４】
この構成により、発光素子の陰極の接地を容易に確保することができる。
【００２５】
本発明は、第８に、第１から７に記載の光ヘッドを含む露光装置が提供されるものである。さらに本発明は、第９に、第８に記載の露光装置を含む画像形成装置が提供されるものである。
【００２６】
本発明の光ヘッドを用いることにより、露光装置、画像形成装置の小型化を図ることができる。
【００２７】
本発明は、第１０に、基板上に複数の発光素子の各々を駆動する駆動部および駆動電極を形成する工程と、前記発光素子の発光部として機能する有機エレクトロルミネッセンス材料を塗布する工程と、塗布した前記有機エレクトロルミネッセンス材料を除去して前記駆動部の接地領域を露出させる工程と、前記複数の発光素子に対する共通電極を、当該共通電極と前記駆動部の露出した前記接地領域が接触するように形成する工程と、を備える光ヘッドの製造方法が提供されるものである。
【００２８】
この構成により、小型化を達成する光ヘッドを容易に製造することができる。
【００２９】
本発明は、第１１に、第１０記載の光ヘッドの製造方法であって、前記共通電極の前記接地領域と接触した部分を封止する封止部材を形成する工程を更に含む光ヘッドの製造方法が提供されるものである。
【００３０】
この構成により、小型化を達成する光ヘッドを容易かつ確実に製造することができる。
【００３１】
本発明は、第１２に、基板上に配列された複数の発光素子によって構成される発光素子列と、前記発光素子の各々を駆動する駆動部と、前記発光素子列を覆うように形成された電極と、前記発光素子列の配列方向における略延長線上の位置に設けられ、前記第１の電極と前記駆動部の接地線を接続するコンタクト部と、前記発光素子列の配列方向における略延長線上の位置に設けられたテスト素子と、を備える光ヘッドが提供されるものである。
【００３２】
この構成により、光ヘッドの量産時において信頼性の検査サンプルを容易に確保するとともに小型化の可能な光ヘッドを提供することができる。
【００３３】
本発明は、第１３に、第１２に記載の光ヘッドであって、前記発光素子列から見て、前記テスト素子より遠い位置に前記コンタクト部が形成された光ヘッドが提供されるものである。
【００３４】
この構成により、光ヘッドの量産時において信頼性の検査サンプルを容易に確保するとともに小型化の可能な光ヘッドを提供することができる。更にテスト素子は封止部のより内側に設けられるため、水分の浸入等によるテスト素子の劣化を有効に防止することができる。
【００３５】
本発明は、第１４に、第１３に記載の光ヘッドであって、前記コンタクト部が、前記発光素子と前記テスト素子間で共通である光ヘッドが提供されるものである。
【００３６】
この構成により、光ヘッドの量産時において信頼性の検査サンプルを容易に確保するとともに小型化の可能な光ヘッドを提供することができる。更に発光素子とテスト素子の陰極は一つのマスクによって一括して形成されるため、生産性を向上することができる。
【００３７】
本発明は、第１５に、第１２に記載の光ヘッドであって、前記テスト素子の近傍でかつ前記基板の端部に設けられた前記テスト素子の駆動電極を更に備える光ヘッドが提供されるものである。
【００３８】
この構成により、光ヘッドの量産時において信頼性の検査サンプルを容易に確保するとともに小型化の可能な光ヘッドを提供することができる。更にテスト素子の駆動電極が個別独立に、かつ外部から直接電位付与が可能に設けられるため、簡易な設備で検査を実施することができる。
【００３９】
本発明は、第１６に、第１２に記載の光ヘッドであって、一の封止部材で前記発光素子と前記テスト素子を封止した光ヘッドが提供されるものである。
【００４０】
この構成により、単一の封止部材で発光素子とテスト素子を封止することから、余分な工程が発生せず、製造コストを抑えることができる。
【００４１】
本発明は、第１７に、第１６に記載の光ヘッドであって、前記封止部材が前記コンタクト部の少なくとも一部を覆う光ヘッドが提供されるものである。
【００４２】
この構成により、封止部材から外部に突出したコンタクト部分には、外部から直接電位を付与できることから、簡易な設備で検査を実施することができる。
【００４３】
本発明は、第１８に、第１６に記載の光ヘッドであって、前記封止部材が前記コンタクト部の全部を覆い、前記コンタクト部と接続された引き出し線が前記封止部材の外部に引き出された光ヘッドが提供されるものである。
【００４４】
この構成により、発光素子の発光性能を犠牲としない範囲で、引き出し線を細くして封止領域から引き出せるため、外部から封止部への水分等の侵入を抑制し光ヘッドの信頼性を確保することができる。
【００４５】
本発明は、第１９に、第１２に記載の光ヘッドであって、少なくとも二つのテスト素子が、前記発光素子列の配列方向の両側の略延長線上の位置に配置され、二つのテスト素子の発光領域の大きさが異なる光ヘッドが提供されるものである。
【００４６】
この構成により、光ヘッドの様々な信頼性の検査を行うことが可能となる。しかも複数種類の検査を行うための製造工程の増加などは一切不要である。
【００４７】
本発明は、第２０に、第１２から１９のいずれかに記載の光ヘッドであって、前記発光素子が有機エレクトロルミネッセンス素子により構成され、前記テスト素子が、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の有機エレクトロルミネッセンス材料の膜厚を測定可能である光ヘッドが提供されるものである。
【００４８】
この構成により、光ヘッドの信頼性の検査を詳細に行うことが可能となる。しかも詳細な検査を行うための製造工程の増加などは一切不要である。
【００４９】
本発明は、第２１に、第１２から２０のいずれかに記載の光ヘッドを含む露光装置が提供されるものである。更に本発明は、第２２に、第２１記載の露光装置を含む画像形成装置が提供されるものである。
【発明の効果】
【００５０】
本発明によれば、信頼性を確保しつつ、十分な小型化を達成し得る光ヘッドが提供される。また、このような光ヘッドを簡易に製造する方法が提供される。さらに、当該光ヘッドを用いて小型化を達成する露光装置、画像形成装置が提供される。
を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５１】
以下、本発明の実施形態を、図面を用いて説明する。
【００５２】
（基本構成）
図１は本発明の実施形態に係る画像形成装置の構成図である。図１において、画像形成装置１は、樹脂などで構成された筐体２内に感光体（像担持体）、帯電器９、転写ローラ１６、現像ステーション（現像装置）５０、露光装置６０、コントローラ７０、エンジン制御部８０、電源部４３等を備えて構成される。
【００５３】
現像ステーション５０は、イエロー現像ステーション５０Ｙ、マゼンタ現像ステーション５０Ｍ、シアン現像ステーション５０Ｃ、ブラック現像ステーション５０Ｋの４色分のユニットを含み、これらの現像ステーションが縦方向に階段状に配列されている。また、その上方には記録媒体である記録紙Ｒが収容される給紙トレイ４が配設されると共に、各現像ステーション５０Ｙ〜５０Ｋ に対応した箇所には給紙トレイ４から供給された記録紙Ｒの搬送路となる記録紙搬送路Ｐを上方から下方の縦方向に構成したものである。
【００５４】
現像ステーション５０Ｙ〜５０Ｋは記録紙搬送路Ｐの上流側から順に、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックのトナー像を形成するものである。イエロー現像ステーション５０Ｙは感光体８Ｙ、マゼンタ現像ステーション５０Ｍには感光体８Ｍ、シアン現像ステーション５０Ｃには感光体８Ｃ、ブラック現像ステーション５０Ｋには感光体８Ｋが、各々対応して配置されている。
【００５５】
現像ステーション５０Ｙ〜５０Ｋは充填された現像剤の色が異なっているが、構成は現像色に関わらず同一であるため、以降の説明を簡単にするため特に明示する必要がある場合を除いて現像ステーション５０、感光体８、露光装置６０のごとく特定の色を明示せずに説明する。
【００５６】
図２は本発明の画像形成装置１における現像ステーション５０の周辺を示す構成図である。図２において、現像ステーション５０の内部にはキャリアとトナーの混合物である現像剤ＤＬが充填されている。現像ステーション５０は、攪拌パドル５１（５１ａ，５１ｂ）、現像スリーブ５３、薄層化ブレード５２を備える。
【００５７】
攪拌パドル５１ａ，５１は、その回転によって現像剤ＤＬ中のトナーをキャリアとの摩擦によって所定の電位に帯電し、トナーとキャリアを現像ステーション２の内部を巡回させることで十分に攪拌混合する。帯電器９は、図示しない駆動源によって方向Ｄ３に回転する感光体８の表面を所定の電位に帯電する。現像スリーブ５３は内部に複数の磁極が形成されたマグネットロール５４を有している。薄層化ブレード５２によって現像スリーブ５３の表面に供給される現像剤ＤＬの層厚が規制されると共に、現像スリーブ５３は図示しない駆動源によって方向Ｄ４に回転し、この回転およびマグネットロール５４の磁極の作用によって現像剤ＤＬは現像スリーブ５３の表面に供給され、後述する露光装置６０によって感光体８に形成された静電潜像を現像するとともに、感光体８に転写されなかった現像剤ＤＬは現像ステーション５０の内部に回収される。
【００５８】
各現像ステーション２Ｙ〜２Ｋの下部には感光体８Ｙ〜８Ｋの表面を露光して静電潜像を形成するための露光装置６０Ｙ〜６０Ｋが配置されている。露光装置６０は露光光源としての有機エレクトロルミネッセンス素子を６００ｄｐｉ（dot／inch）の解像度で列状に配置した発光素子列を有しており、帯電器９によって所定の電位に帯電した感光体８に対し、画像データに応じて選択的に有機エレクトロルミネッセンス素子をＯＮ／ＯＦＦすることで、最大Ａ４サイズの静電潜像を形成する。現像ステーション５０の現像スリーブ５３に所定の電位（現像バイアス）を印加すると、この静電潜像部分と現像スリーブ５３の間に電位勾配が生じる。そして、現像スリーブ５３の表面に供給され、所定の電位に帯電している現像剤ＤＬ中のトナーにクーロン力が作用し、感光体８には現像剤ＤＬのうちトナーのみが付着し、静電潜像が顕画化される。
【００５９】
露光装置６０には、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光量を計測する光量計測部（光量計測手段）が設けられている。露光装置６０の構成は後に詳細に説明する。
【００６０】
また、図２に示すように、転写ローラ１６が、感光体８に対し記録紙搬送路Ｐと対向する位置に設けられており、図示しない駆動源により方向Ｄ５に回転する。転写ローラ１６には所定の転写バイアスが印加されており、感光体８上に形成されたトナー像を、記録紙搬送路Ｐを搬送されてきた記録紙Ｒに転写する。
【００６１】
そして、図１に示すように、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックのトナーを格納するトナーボトル１７が、筐体２の上部に取り付けられている。トナーボトル１７から各現像ステーション５０Ｙ〜５０Ｋには図示しないトナー搬送用のパイプが配設され、各現像ステーション５０Ｙ〜５０Ｋにトナーを供給している。更にトナーボトル１７に隣接して、記録紙Ｒを保持する給紙トレイ４が、筐体２の上部に取り付けられている。
【００６２】
トナーボトル１７の下方には給紙ローラ１８が設けられ、図示しない電磁クラッチを制御することで方向Ｄ１に回転し、給紙トレイ４に装填された記録紙Ｒを記録紙搬送路Ｐに送り出す。
【００６３】
給紙ローラ１８と最上流のイエロー現像ステーション５０Ｙの転写部位との間に位置する記録紙搬送路Ｐには、入口側のニップ搬送部（ニップ搬送手段）としてレジストローラ１９、ピンチローラ２０対が設けられている。レジストローラ１９、ピンチローラ２０対は、給紙ローラ１８により搬送された記録紙Ｒを一時的に停止させ、所定のタイミングでイエロー現像ステーション５０Ｙの方向に搬送する。この一時停止によって記録紙Ｒの先端がレジストローラ１９、ピンチローラ２０対の軸方向と平行に規制され、記録紙Ｒの斜行を防止する。
【００６４】
そして、レジストローラ１９に隣接して、記録紙通過検出センサ２１が設けられている。記録紙通過検出センサ２１は反射型センサ（フォトリフレクタ）によって構成され、反射光の有無で記録紙Ｒの先端および後端を検出する。
【００６５】
図示しない電磁クラッチによって動力伝達を制御し、レジストローラ１９の回転を開始すると、記録紙Ｒは記録紙搬送路Ｐに沿ってイエロー現像ステーション５０Ｙの方向に搬送されるが、レジストローラ１９の回転開始のタイミングを起点として、各現像ステーション５０Ｙ〜５０Ｋの近傍に配置された露光装置６０Ｙ〜６０Ｋによる静電潜像の書込みタイミング、現像バイアスのＯＮ／ＯＦＦ、転写バイアスのＯＮ／ＯＦＦなどがそれぞれ独立して制御される。
【００６６】
図２に示す露光装置６０から現像領域（感光体８と現像スリーブ１０の間隔が最も狭い部位の近傍）までの距離は設計事項であるから、例えば露光装置６０による露光を開始して感光体８上に形成された潜像が現像領域に到達する時間も設計事項である。
【００６７】
本実施形態ではレジストローラ１９の回転開始のタイミングを起点として、後に説明するように複数ページを連続して印字する際に、記録紙搬送路Ｐを搬送される記録紙と記録紙の間（即ち紙間）において露光装置６０を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の光量を設定して点灯させるとともに、感光体８上に形成された潜像位置に対して現像バイアスをＯＦＦにするような制御を行っている。
【００６８】
さらに図１に基づき筐体２の内部構成を説明する。最下流のブラック現像ステーション２Ｋの更に下流側に位置する記録紙搬送路Ｐには出口側のニップ搬送部（ニップ搬送手段）として定着器２３が設けられている。定着器２３は加熱ローラ２４と加圧ローラ２５から構成されている。
【００６９】
さらに温度センサ２７が加熱ローラ２４の上方に設けられ、加熱ローラ２４の温度を検出する。温度センサ２７は金属酸化物を主原料とし、高温で焼結して得られるセラミック半導体であり、温度に応じて負荷抵抗が変化することを応用して接触した対象物の温度を計測することができる。温度センサ２７の出力は後述するエンジン制御部８０に入力され、エンジン制御部８０は温度センサ２７の出力に基づいて加熱ローラ２４に内蔵された熱源（図示せず）に供給する電力を制御し、加熱ローラ２４の表面温度が約１７０゜Ｃとなるように制御する。
【００７０】
この温度制御がなされた加熱ローラ２４と加圧ローラ２５によって形成されるニップ部にトナー像が形成された記録紙Ｒが通紙されると、記録紙Ｒ上のトナー像は加熱ローラ２４と加圧ローラ２５によって加熱および加圧され、トナー像が記録紙Ｒ上に定着される。
【００７１】
さらに記録紙３の排出状況を監視する記録紙後端検出センサ２８が、筐体２の底部に設けられるとともに、その近傍にはトナー像検出センサ３２が設けられている。トナー像検出センサ３２は発光スペクトルの異なる複数の発光素子（共に可視光）と単一の受光素子を用いた反射型センサユニットであり、記録紙Ｒの地肌と画像形成部分とで、画像色に応じて吸収スペクトルが異なることを利用して画像濃度を検出するものである。またトナー像検出センサ３２は画像濃度のみならず画像形成位置も検出できるため、実施形態における画像形成装置１ではトナー像検出センサ３２を画像形成装置１の幅方向に２ヶ所設け、記録紙Ｒ上に形成した画像位置ずれ量検出パターンの検出位置に基づき画像形成タイミングを制御している。
【００７２】
定着器２３の下方には記録紙搬送ドラム３３が設けられている。記録紙搬送ドラム３３は表面を２００μｍ程度の厚さのゴムで被覆した金属製ローラであり、定着後の記録紙Ｒは記録紙搬送ドラム３３に沿って方向Ｄ２に搬送される。このとき記録紙Ｒは記録紙搬送ドラム３３によって冷却されると共に、画像形成面と逆方向に曲げられて搬送される。これによって記録紙全面に高濃度の画像を形成した場合などに発生するカールを大幅に軽減することができる。その後、記録紙Ｒは蹴り出しローラ３５によって方向Ｄ６に搬送され、排紙トレイ３９に排出される。
【００７３】
また、フェイスダウン排紙部３４が、筐体２に取り付けられた支持部材３６を中心に回動可能に構成されている。フェイスダウン排紙部３４を開放状態にすると、記録紙Ｒは方向Ｄ７に排紙される。このフェイスダウン排紙部３４の閉状態において、記録紙搬送ドラム３３と共に記録紙Ｒの搬送をガイドするように、背面に搬送経路に沿ったリブ３７が形成されている。
【００７４】
本実施形態では、駆動源３８はステッピングモータにより構成されている。駆動源３８によって給紙ローラ１８、レジストローラ１９、ピンチローラ２０、感光体８Ｙ〜８Ｋ、および転写ローラ１６（図２参照）を含む各現像ステーション５０Ｙ〜５０Ｋの周辺部、定着器２３、記録紙搬送ドラム３３、蹴り出しローラ３５の駆動を行っている。
【００７５】
コントローラ７０は、外部のネットワークを介して図示しないコンピュータなどからの画像データを受信し、プリント可能な画像データを展開、生成する。後に詳細に説明するように、コントローラ７０に搭載されたコントローラＣＰＵ（図示せず）は露光装置６０Ｙ〜６０Ｋから発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子の光量の計測データを受け取り光量補正データの生成を行う光量補正部（光量補正手段）であるとともに、この光量補正データに基づき有機エレクトロルミネッセンス素子の光量を設定する光量設定部（光量設定手段）でもある。
【００７６】
エンジン制御部８０は画像形成装置１のハードウェアやメカニズムを制御し、コントローラ７０から転送された画像データおよび光量補正データ（点灯データ）に基づいて記録紙Ｒにカラー画像を形成すると共に、上述した定着器２３の加熱ローラ２４の温度制御を含む画像形成装置１の制御全般を行っている。
【００７７】
電源部４３は、露光装置６０Ｙ〜６０Ｋ、駆動源３８、コントローラ７０、エンジン制御部８０へ所定電圧の電力供給を行うと共に、定着器２３の加熱ローラ２４への電力供給を行っている。また感光体８の表面を帯電するための帯電電位、現像スリーブ（図２参照）に印加する現像バイアス、転写ローラ１６に印加する転写バイアスなどのいわゆる高圧電源系もこの電源部に含まれている。エンジン制御部８０は電源部４３を制御することで、高圧電源のＯＮ／ＯＦＦのみならず出力電圧値や出力電流値を調整している。
【００７８】
また電源部４３には電源監視部４４が含まれ、少なくともエンジン制御部８０に供給される電源電圧、および電源部４３の出力電圧をモニタできるようになっている。このモニタ信号はエンジン制御部８０おいて検出され、電源スイッチのオフや停電などの際に発生する電源電圧の低下や、特に高圧電源の出力異常を検出している。
【００７９】
以上のように構成された画像形成装置１について、図１と図２を用いてその動作について説明する。
【００８０】
なお、以降の説明において、画像形成装置１の構成および動作全般に関わる説明については主に図１を用い、現像ステーション５０Ｙ〜５０Ｋ、感光体８Ｙ〜８Ｋ、露光装置６０Ｙ〜６０Ｋのように色を区別して説明するが、露光や現像過程など単色に関わる説明については主に図２を用い、簡単のために現像ステーション５０、感光体８、露光装置６０のように色を区別せずに説明する。
【００８１】
（初期化動作）
まず画像形成装置１に電源が投入された際の初期化動作について説明する。
【００８２】
電源が投入されると、エンジン制御部８０に搭載されたエンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は画像形成装置１を構成する電気的リソース、即ち書込み／読出しが可能なレジスタ、メモリなどのエラーチェックを実行する。このエラーチェックが完了するとエンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は駆動源３８の回転を開始する。上述したように駆動源３８によって給紙ローラ１８、レジストローラ１９、ピンチローラ２０、感光体８Ｙ〜８Ｋ、および転写ローラ１６を含む各現像ステーション５０Ｙ〜５０Ｋの周辺部、定着器２３、記録紙搬送ドラム３３、蹴り出しローラ３５が駆動される。ただし電源投入直後は記録紙Ｒの搬送にかかわる給紙ローラ１８およびレジストローラ１９は、これらに駆動力を伝達する電磁クラッチ（図示せず）は直ちにＯＦＦに設定され、記録紙Ｒを搬送することがないように制御されている。
【００８３】
図２に示すように、駆動源３８（図１参照）の回転に伴って現像ステーション５０の攪拌パドル５１ａ，５１ｂおよび現像スリーブ５３も回転を始め、これによって現像ステーション５０に充填されたトナーとキャリアからなる現像剤ＤＬは現像ステーション５０内を周回するとともに、トナーとキャリアの相互の摩擦によってトナーはマイナス電荷を付与される。
【００８４】
エンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は駆動源３８（図１参照）の回転を開始して所定時間経過後に、電源部４３（図１参照）を制御して帯電器９をＯＮにする。帯電器９によって感光体８の表面は例えば−６５０Ｖの電位に帯電される。感光体８は方向Ｄ３に回転しており、エンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は帯電領域が現像領域、即ち感光体８と現像スリーブ５３の最近接位置に到達した後に、電源部４３（図１参照）を制御して現像スリーブ５３に例えば−２５０Ｖの現像バイアスを印加する。このとき感光体８の表面電位は−６５０Ｖであり、現像スリーブ５３に印加された現像バイアスは−２５０Ｖであるから、電気力線は現像スリーブ５３から感光体８の方向を向き、マイナス電荷を有するトナーに作用するクーロン力は感光体８から現像スリーブ５３の方向となる。よってトナーは感光体８に付着することはない。
【００８５】
既に述べたように電源部４３（図１参照）には高圧電源の出力異常（例えばリークなど）をモニタする機能があり、エンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は帯電器９や現像スリーブ５３に高電圧を印加した際の異常をチェックすることができる。
【００８６】
これら一連の初期化動作の最後に、又は後述するような所定の他のタイミングにおいて、エンジン制御ＣＰＵ８２（図７参照）は、露光装置１３の光量補正を実行する。エンジン制御部８０（図１参照）に搭載されたエンジン制御ＣＰＵ８２はコントローラ７０（図１参照）に対して光量補正用のダミーイメージ情報の作成要求を出力する。この作成要求に基づきコントローラ７０（図１参照）は光量補正用のダミーイメージ情報を生成し、これに基づいて露光装置６０を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子は初期化の時点で実際に点灯制御される。
【００８７】
更に本発明に係る画像形成装置１は複数の発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）を列状に形成した発光素子列を設けた露光装置６０と、この露光装置６０によって潜像が形成される感光体８と、この感光体８に形成された潜像を現像して顕画化する現像手段（現像ステーション５０を構成する現像スリーブ５３）を有しており、これも後に詳細に説明するように、発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）の光量を設定する光量設定部（コントローラ４１に搭載されたコントローラＣＰＵ）と、発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）の光量を計測する光量計測部を有する。
【００８８】
後述するような所定のタイミングにおいて、露光装置６０を構成する露光光源としての有機エレクトロルミネッセンス素子を発光させ、この光量を計測することで、光量ひいては感光体に対する露光量を補正しても感光体８にトナーは付着せずトナーを無駄に消費することはない。更に感光体８と接触回動する転写ローラ１６にトナーが付着し、初期化動作に引き続いて行われる画像形成において、転写ローラ１６に付着したトナーが記録紙Ｒの裏面に付着して記録紙Ｒを汚染することもなくなる。
【００８９】
この光量補正において有機エレクトロルミネッセンス素子を点灯することによって感光体８が露光された領域が現像スリーブ５３に近接し、いわゆる現像領域を通過する際、即ち有機エレクトロルミネッセンス素子の光量を計測する計測期間に露光された感光体８の領域に対しては現像スリーブ５３に印加する現像バイアスはＯＦＦにしておくことが望ましい。これによって更に効果的に感光体８へのトナー付着を防止することが可能となる。
【００９０】
（画像形成動作）
次に画像形成装置１の画像形成時の動作について、引き続き図１に図２を併用して説明する。
【００９１】
コントローラ７０に外部からイメージ情報が転送されると、コントローラ７０はイメージ情報を印字可能な例えば２値画像データとしてイメージメモリ（図示せず）に展開する。イメージ情報の展開が完了するとコントローラ７０に搭載されたコントローラＣＰＵ（図示せず）はエンジン制御部８０に対して起動要求を発する。この起動要求はエンジン制御部８０に搭載されたエンジン制御ＣＰＵ（図示せず）によって受信され、起動要求を受信したエンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は直ちに駆動源３８を回転させて画像形成の準備を開始する。
【００９２】
上述した過程を経て画像形成の準備が完了すると、エンジン制御部８０に搭載されたエンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は、電磁クラッチ（図示せず）を制御して給紙ローラ１８を回転させ記録紙Ｒの搬送を開始する。給紙ローラ１８は例えば全周の一部を欠いた半月ローラであって、記録紙Ｒをレジストローラ１９の方向に搬送するとともに、一回転するとその回転を停止する。エンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は搬送された記録紙Ｒの先端が記録紙通紙センサ２１で検出すると、所定のディレイ期間を設けた上で電磁クラッチ（図示せず）を制御してレジストローラ１９を回転させる。このレジストローラの回転に伴って記録紙Ｒは記録紙搬送路Ｐに供給される。
【００９３】
エンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は、このレジストローラ１９の回転を開始のタイミングを起点として、各露光装置６０Ｙ〜６０Ｋによる静電潜像の書込みタイミングをそれぞれ独立に制御する。静電潜像の書込みタイミングは画像形成装置１における色ずれなどに直接的に影響するため、この書込みタイミングはエンジン制御ＣＰＵ（図示せず）が直接発生させることはない。具体的にはエンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は、図示しないハードウェアであるタイマなどに各露光装置６０による静電潜像の書込みタイミングを予め設定しておき、上述したレジストローラ１９の回転を起点として各露光装置６０Ｙ〜６０Ｋに対応するタイマの動作を同時に開始する。各タイマは予め設定された時間が経過すると、コントローラ７０に対して画像データ転送要求を出力する。
【００９４】
画像データ転送要求を受信したコントローラ７０のコントローラＣＰＵ（図示せず）は、コントローラ７０のタイミング生成部（図示せず）で生成されたタイミング信号（クロック信号、ライン同期信号など）に同期して２値画像データを各露光装置６０Ｙ〜６０Ｋに独立して転送する。このようにして２値画像データが露光装置６０Ｙ〜６０Ｋに送られ、この２値画像データに基づき露光装置６０Ｙ〜６０Ｋを構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の点灯／消灯が制御され各色に対応した感光体８Ｙ〜８Ｋが露光される。
【００９５】
露光によって形成された潜像は、図２に示すように現像スリーブ５３上に供給された現像剤ＤＬに含まれるトナーによって顕画化される。顕画化された各色のトナー像は記録紙搬送路Ｐを搬送されてきた記録紙Ｒに順次転写される。４色のトナー像の転写を完了した記録紙Ｒは定着器２３に搬送され、定着器２３を構成する過熱ローラ２４と加圧ローラ２５によって挟持搬送され、この熱と圧力によってトナー像は記録紙Ｒに定着される。
【００９６】
形成されるべき画像が複数ページの場合は、エンジン制御ＣＰＵ（図示せず）は１ページ目の記録紙Ｒの後端を記録紙通過検出センサ２１で検出した後、レジストローラ１９の回転を一旦停止し、所定の時間経過後に給紙ローラ１８を回転させて次の記録紙３の搬送を開始し、更に所定時間経過後に再度レジストローラ１９の回転を開始して、次のページの記録紙Ｒを記録紙搬送路Ｐに供給する。このようにレジストローラ１９の回転ＯＮ／ＯＦＦのタイミング制御によって、複数のページにわたって画像を形成する場合に記録紙Ｒの間の紙間を設定することができる。この紙間による時間（以降紙間時間と呼称する）は画像形成装置１の仕様によっても異なるが、一般に５００ｍｓ程度を設定することが多い。もちろんこの紙間の期間には通常の画像形成動作（即ち露光装置６０による感光体８に対する露光動作）が行われることはない。
【００９７】
図３は本発明の実施形態の画像形成装置１における露光装置６０の構成図である。露光装置６０は、筐体Ａ（下筐体）６１ａ、筐体Ｂ（上筐体）６１ｂ、レンズアレイ６２、中継基板６３、コネクタＡ（第１のコネクタ）６４ａ、コネクタＢ（第２のコネクタ）６４ｂ、ケーブル６５、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit；フレキシブルプリント回路）６６、光学ヘッド１００（ガラス基板１０１）から構成されている。
【００９８】
光学ヘッド１００を構成する必須部材の中で、面積的に大きな部分を占めるガラス基板１０１は無色透明なガラスより構成されている。本実施形態ではガラス基板１０１としてコスト的に有利なホウケイ酸ガラスを用いているが、発光素子やガラス基板１０１上に薄膜トランジスタにより形成される制御回路、駆動回路などの発熱をより効率的に放熱する必要がある場合にはＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯ、ＺｎＯなどの熱伝導度加成因子を含有するガラス、または石英を用いてもよい。
【００９９】
ガラス基板１０１の面Ａには発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子が図面と垂直な方向（主走査方向）に６００ｄｐｉ（dot／inch）の解像度で形成されている。そして、ガラス基板１０１の面Ａと逆側の面には、プラスティックまたはガラスで構成される棒レンズ（図示せず）を列状に配置したレンズアレイ６２が配置されている。レンズアレイ６２は、ガラス基板１０１の面Ａに形成された有機エレクトロルミネッセンス素子の出射光を正立等倍の像として感光体８の表面に導く。レンズアレイ６２の一方の焦点はガラス基板１０１の面Ａであり、もう一方の焦点は感光体８の表面となるようにガラス基板１０１、レンズアレイ６２、感光体８の位置関係が調整されている。即ち面Ａからレンズアレイ６２の近い方の面までの距離Ｌ１と、レンズアレイ６２の他方の面と感光体８の表面までの距離Ｌ２とするとき、Ｌ１＝Ｌ２となるように設定される。
【０１００】
中継基板６３は、例えばガラスエポキシ基板の上に電子回路を構成して形成され、その上に少なくともコネクタＡ６４ａおよびコネクタＢ６４ｂが実装されている。中継基板６３は例えばフレキシブルフラットケーブルなどのケーブル６５によって露光装置６０に外部から供給される画像データや光量補正データ、およびその他の制御信号をコネクタＢ６４ｂを介して一旦中継し、これらの信号を光学ヘッド１００に渡す。
【０１０１】
光学ヘッド１００のガラス基板１０１の表面にコネクタを直接実装することは接合強度や多様な環境における信頼性を考慮すると困難であるため、本実施形態では中継基板６３のコネクタＡ６４ａとガラス基板１０１との接続手段としてＦＰＣ６６を採用し、ガラス基板１０１とＦＰＣの接合は例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film；異方性導電フィルム）を用いて、予めガラス基板１０１上に形成された例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide；錫ドープ酸化インジウム）電極に直接接続する構成としている。
【０１０２】
一方コネクタＢ６４ｂは、露光装置１３を外部と接続するためのコネクタである。一般的にＡＣＦなどによる接続は接合強度が問題となる場合が多いが、このように中継基板５２上にユーザが露光装置１３を接続するためのコネクタＢ６４ｂを設けることで、ユーザが直接アクセスするインタフェースに十分な強度を確保することができる。
【０１０３】
筐体Ａ６１ａは金属板を例えば折り曲げ加工により成型したものである。筐体Ａ６１ａの感光体８に対向する側にはＬ字状部位Ｌが形成されており、Ｌ字状部位Ｌに沿って光学ヘッド１００およびレンズアレイ６２が配設されている。筐体Ａ６１ａの感光体８側の端面とレンズアレイ６２の端面を同一面に合わせ、更に筐体Ａ６１ａによってガラス基板１０１の一端部を支持する構造とすることで、Ｌ字状部位Ｌの成型精度を確保すれば、光学ヘッド１００とレンズアレイ６２の成す位置関係を精度よく合わせ込むことが可能となる。このように筐体Ａ６１ａは寸法精度を要求されるため、金属にて構成することが望ましい。また筐体Ａ６１ａを金属製とすることで、ガラス基板１０１上に形成される制御回路およびガラス基板１０１上に表面実装されるＩＣチップなどの電子部品へのノイズの影響を抑制することが可能である。
【０１０４】
筐体Ｂ６１ｂは樹脂を成型して得られる。筐体Ｂ６１ｂのコネクタＢ６４ｂの近傍には切欠き部（図示せず）が設けられており、ユーザはこの切欠き部からコネクタＢ６４ｂにアクセスが可能となっている。コネクタＢ６４ｂに接続されたケーブル６５を介して既に説明したコントローラ７０（図１参照）から露光装置６０に画像データ、光量補正データ、クロック信号やライン同期信号などの制御信号、制御回路の駆動電源、発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源などが供給される。
【０１０５】
図４は、図３における面Ａ側から見た露光装置６０における光ヘッド１００の上面図である。光ヘッド１００は、ガラス基板１０１の上面に、各種素子、回路がパターン形成されるか、またはチップの形式にて配置されることにより構成されている。光ヘッド１００は、感光体８を露光する光を生成するとともに、光量を補正するために光を検知する機能も備えるユニットである。
【０１０６】
光ヘッド１００におけるガラス基板１０１は、厚みが約０．７ｍｍの少なくとも長辺と短辺を有する長方形形状の基板であり、その長辺方向（主走査方向）には、発光素子である複数の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が列状に形成され、発光素子列１１０Ａを形成している。実施形態ではガラス基板１０１の長辺方向には少なくともＡ４サイズ（２１０ｍｍ）の露光に必要な有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が配置されている。また、実施形態では簡単のためにガラス基板１０１を長方形として説明するが、ガラス基板１０１を筐体Ａ６１ａに取り付ける際の位置決め用などのために、ガラス基板１０１の一部に切り欠きを設けるような変形を伴っていてもよい。
【０１０７】
ＦＰＣ６６は、中継基板６３のコネクタ６４ａと光ヘッド１００とを接続するインタフェースであり、ガラス基板１０１に設けられた回路パターンに直接接続されている。既に説明したように露光装置６０に外部から供給された、２値画像データ、光量補正データおよびクロック信号やライン同期信号などの制御信号、制御回路の駆動電源、発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動電源は、図３に示す中継基板６３を一旦経由した後にＦＰＣ６６を介して光ヘッド１００に供給される。尚、本実施形態ではＦＰＣ６６は、ガラス基板１０１の長手方向に沿って３組（６６ａ，６６ｂ，６６ｃ）並べられている。後述するように、両端のＦＰＣ６６ａ，６６ｃは、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動する信号を供給し、中央のＦＰＣ６６ｂは、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を検出、処理するための信号を供給するとともに、処理結果であるディジタルデータを出力する。
【０１０８】
有機エレクトロルミネッセンス素子１１０は、露光装置６０における露光光源であり、実施形態では有機エレクトロルミネッセンス素子１１０は主走査方向に６００ｄｐｉの解像度で５１２０個が列状に形成され、発光素子列１１０Ａを形成している。個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０はそれぞれ独立に後述のＴＦＴ回路によって点灯／消灯を制御される。
【０１０９】
ガラス基板１０１上には、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動を制御するＩＣチップとして供給される（発光素子用）ソースドライバ１８０（１８０ａ，１８０ｂ）がフリップチップ実装されている。ガラス面へ表面実装を行うことを考慮し、ソースドライバ１８０はベアチップ品を採用している。ソースドライバ１８０には露光装置６０の外部からＦＰＣ６６を介して８ｂｉｔの光量補正データに基づく点灯データ（図８参照）が供給される。
【０１１０】
ソースドライバ１８０は、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対する駆動電流設定部である。より具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量補正部であり光量設定部でもある、コントローラ７０（図１参照）に搭載されたコントローラＣＰＵ（図示せず）によって生成された光量補正データに基づいて、ソースドライバ１８０は個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動するための駆動電流を設定する。光量補正データに基づくソースドライバ１８０の動作については後に詳細に説明する。
【０１１１】
ガラス基板１０１においてＦＰＣ６６の接合部とソースドライバ１８０は、例えば表面にメタルを形成したＩＴＯの回路パターン（図示せず）を介して接続されている。
【０１１２】
また、斜線部で示された部分は、ガラス基板１０１上に形成された発光素子駆動回路（発光素子駆動部）１８１に相当する。発光素子駆動回路１８１は、後述するようにシフトレジスタ、データラッチ部など、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の点灯／消灯のタイミングを制御するゲートコントローラ１１４、および個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に駆動電流を供給するピクセル回路１１３等を含む（図８参照）。発光素子駆動回路１８１は、ガラス基板１０１上にパターン形成されたＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路１９０（図８参照）により構成されるが、後述する光量センサ２２０（図１０参照）、光量検出対象である所望の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対応した光量センサ２２０を能動状態にする選択信号発生回路（スイッチング回路）２４０、さらには有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動するピクセル回路１１３（図８参照）もＴＦＴによって形成されている。ピクセル回路１１３は各有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対して１つずつ設けられ、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が形成する発光素子列１１０Ａと並列に設けられている。駆動パラメータ設定部であるソースドライバ１８０によって、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動するための駆動電流値がこのピクセル回路１１３に設定される。
【０１１３】
ＴＦＴ回路１９０を構成するゲートコントローラ１１４（図８参照）には露光装置６０の外部からＦＰＣ６６を介して電源、クロック信号、ライン同期信号などの制御信号および２値画像データが供給され、ゲートコントローラ１１４はこれらの電源および信号に基づいて個々の発光素子の点灯／消灯タイミングを制御する。ゲートコントローラ１１４およびピクセル回路１１３（図８参照）の動作については後に図面を用いて詳細に説明する。また、ＴＦＴ回路１９０の光量センサ２２０（図１０参照）側の構成についても後に詳述する。
【０１１４】
また一点鎖線で示された領域ＳＬには封止ガラスが形成されている。有機エレクトロルミネッセンス素子１１０は水分の影響を受けると発光領域の経時的な収縮（シュリンキング）や、発光領域内に非発光部位（ダークスポット）が生じるなどして発光特性が極端に劣化するため、水分を遮断するための封止が必要である。実施形態ではガラス基板１０１に接着剤を介して封止ガラスを貼り付けるベタ封止法を採用しているが、封止領域は一般に有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が構成する発光素子列１１０Ａから副走査方向に２０００μｍ程度が必要とされており、実施形態でも封止しろとして２０００μｍを確保している。
【０１１５】
また、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の奥側（図４の紙面奥行き方向）、すなわちガラス基板１０１に近いほうの側には、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を計測する光検出素子としての光量センサ２２０が、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０と重畳形成されている。両者の間には例えば酸化シリコンや窒化シリコンなどの絶縁層や保護層（共に図示せず）が配置されており、これらの絶縁層や保護層によって光量センサ２２０と有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の分離が図られている。
【０１１６】
さて、発光光量の計測に際しては原則的には有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を一つ一つ個別に点灯して光量を計測する必要があるが、計測の対象となる有機エレクトロルミネッセンス素子１１０から十分に離間した光量センサ２２０には、その発光の影響が殆どない。有機エレクトロルミネッセンス素子１１０からの出射光はガラス基板１０１の内部を反射しながら伝播するが、ガラス基板１０１の表面には既に述べたＴＦＴや配線用のメタル層が形成されているため、基本的に鏡面反射となる。鏡面反射を多数回繰り返すことによって、光は減衰してしまう。これによって、実施形態では光量センサ２２０を複数の光量センサで構成することで複数の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を同時に計測することを可能としている。尚、本実施形態では有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の一つ一つに対して光量センサ２２０が形成されており、発光素子列１１０Ａと総ての光量センサ２２０の組合せにより、発光ユニット１０５が構成されるが、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対して１つの光量センサ２２０を対応づけて（即ち有機エレクトロルミネッセンス素子１１０：光量センサ２２０＝多：１）配置するようにしてもよい。
【０１１７】
上述したように、本実施形態においては、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０、光量センサ２２０、選択信号発生回路２４０、発光素子駆動回路１９０（図８参照）は、ポリシリコンのモノシリックデバイスとしてＴＦＴ回路１９０内に集積化して形成されている。ＴＦＴ回路１９０を構成する低温ポリシリコンの光透過率は比較的高いため、ガラス基板１０１を介して露光光を取り出すいわゆるボトムエミッション構成であっても、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０と対応する光量センサ２２０を、ＴＦＴ回路１９０と事実上一体に形成することができる。
【０１１８】
なお光量センサ２２０は、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光面の直下全面に形成されるが、その一部に対応して形成してもよい。
【０１１９】
複数の光量センサ２２０の出力はチップ部品を含んで構成された光量センサ出力処理部２１０（２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃ，２１０ｄ）に入力される。後述する光量センサの出力（光量センサ出力）は、光量センサ出力処理部２１０において電荷蓄積法による電圧変換を施され、更に所定の増幅率で増幅された後にアナログ−ディジタル変換され、このディジタル変換後のディジタルデータ（以降、光量計測データと呼称する）が、ＦＰＣ６６ｂ、中継基板６３、ケーブル６５（ともに図３参照）を介して露光装置６０の外部に出力される。後に詳細に説明するように光量計測データはコントローラ７０（図１参照）に搭載されたコントローラＣＰＵ（図示せず）にて受信、処理されて例えば８ｂｉｔの光量補正データが生成される。
【０１２０】
後に図２２を用いて詳細に説明するが、本実施形態の光ヘッド１００では、発光素子列１１０Ａ、光量センサ２２０から見て副走査（＋）方向に離間した位置、すなわち実質的に他の部品が存在しない側に選択信号発生回路２４０（図１０参照）、選択トランジスタ２３２（図１３参照）が配置、形成されている。一方、発光素子列１１０Ａ、光量センサ２２０から見て副走査（−）方向に離間した位置、すなわち、ＦＰＣ６６が配置されている側に、ソースドライバ１８０、発光素子駆動回路１８１、光量センサ出力処理部２１０が配置されている。具体的には、発光ユニット１０５の両側（図４の副走査（±）方向）に隣接して選択信号発生回路２４０、発光素子駆動回路１８１が配置され、更に発光素子駆動回路２２０から見て、副走査（−）方向の位置に、光量センサ出力処理部２１０（２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃ，２１０ｄ）が配置されている。各光量センサ出力処理部２１０は、チャージアンプ２５０、アナログ・ディジタル変換器（ＡＤＣ）２６０を含むが、後に詳述する。
【０１２１】
即ち、本実施形態においては、基板１０１上に配列された複数の発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子１１０）によって構成される発光素子列と、発光素子の各々から出力される光を検出する複数の光検出素子（光量センサ２２０）と、光検出素子の出力を処理する第１の処理部（選択信号発生回路２４０、選択トランジスタ２３２）と第２の処理部と（光量センサ出力処理部２１０）を備え、この第１の処理部と第２の処理部の間に発光素子列と光検出素子を配置している。
【０１２２】
このような配置とすることで、図４に示す選択信号発生回路２４０の形成領域を封止ガラスの配置された領域ＳＬと兼用することができ、光ヘッド１００の副走査方向のサイズを小さくすることが可能となる。
【０１２３】
また、チップ部品を含む光量センサ出力処理部２１０（２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃ，２１０ｄ）の配置領域は、光ヘッド１００への電源供給も担うＦＰＣ６６の近傍となるため、これらのＩＣチップの電源ラインが安定するという効果がある。
【０１２４】
更に選択信号発生回路２４０によって選択された各光量センサ２２０（正確にはセンサピクセル回路２３０）からの出力電流は微小なものであるが、この伝送経路ＲｏＡ〜ＲｏＰ（いずれも図１０参照）は、いずれも選択信号発生回路２４０の配置される側、即ち発光素子列を挟んで、発光素子駆動回路１８１とは逆の側に設けられるため、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動する際のノイズの影響を受けにくくなる。
【０１２５】
図４に示すように、光ヘッド１００全体の副走査方向の幅Ａは例えば２８ｍｍ、選択信号発生回路２４０が配置された側の幅Ｂは４ｍｍに設定されている。全体の幅Ａに比べ、かなり小さい幅Ｂ（＝Ａ／７）の領域に選択信号発生回路２４０が配置されている。また、光量センサ出力処理部２１０が配置された領域の幅Ｃは、幅Ｂより大きい。
【０１２６】
図５は本発明の実施形態の画像形成装置１におけるコントローラ７０の構成を示すブロック構成図である。以降図５を用いてコントローラ７０の動作を説明する。コントローラ７０は、イメージメモリ７１ａ、光量補正データメモリ７１ｂ、バッファメモリ７１ｃ、ネットワークインタフェース７２、ＲＯＭ（Read Only Memory）７３、ＲＡＭ（Random Access Memory）７４、ＣＰＵ（Central Processing Unit）７５、画像処理部７６、タイミング生成部７７、プリンタインタフェース７８を備える。
【０１２７】
図５に示すように、外部のコンピュータ３００がネットワークＮに接続され、ネットワークＮを経由してコントローラ７０にイメージ情報や印字枚数や印字モード（例えばカラー／モノクロ）などのプリントジョブ情報を転送する。コントローラ７０はネットワークインタフェース７２を介してコンピュータ３００から転送されたイメージ情報やプリントジョブ情報を受信し、イメージ情報を印字可能な２値画像データに展開するとともに、逆に画像形成装置側で検出されたエラー情報などをいわゆるステータス情報としてネットワークＮ経由でコンピュータ３００に送信する。
【０１２８】
コントローラＣＰＵ７５は、ＲＯＭ８４に格納されたプログラムに基づきコントローラ７０の動作を制御する。ＲＡＭ８５はコントローラＣＰＵ７５のワークエリアとして使用されるとともに、ネットワークインタフェース７２を介して受信したイメージ情報やプリントジョブ情報などが一時的に記憶される。
【０１２９】
画像処理部７６はコンピュータ３００から転送されたイメージ情報とプリントジョブ情報に基づき、ページ単位に画像処理（例えばプリンタ言語に基づくイメージ展開処理、色補正、エッジ補正、スクリーン生成など）を行って印字可能な２値画像データを生成し、これをページ単位にイメージメモリ７１ａに格納する。
【０１３０】
図６は例えばＥＥＰＲＯＭなど書き換え可能な不揮発性メモリによって構成された光量補正データメモリ７１ｂの内容を示す説明図である。本図を用いて光量補正データメモリにおけるデータ構造およびデータの内容について説明する。
【０１３１】
図６に示すように光量補正データメモリ７１ｂは第１エリアから第３エリアの三つの領域を有している。それぞれの領域は露光装置６０（図３参照）を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０（図４参照）の個数と等しい５１２０個の８ｂｉｔのデータを含み、合計１５３６０バイトを占有している。
【０１３２】
まず第１エリアに格納されているデータＤＤ［０］〜ＤＤ［５１１９］について図６に図３と図４を併用して説明する。
【０１３３】
既に説明した露光装置６０（図３参照）は、その製造工程において露光装置６０を構成する個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０（図４参照）の光量を調整する工程を含んでいる。この工程において露光装置６０は所定の治具（図示せず）に取り付けられ、露光装置６０の外部から供給される制御信号に基づいて、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が個別に点灯制御される。
【０１３４】
更に治具（図示せず）に設けられたＣＣＤカメラによって、感光体８（図３参照）の像面位置における個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の二次元の露光量分布が計測される。治具（図示せず）はこの露光量分布に基づき感光体８上に形成される潜像の電位分布を計算し、更に実際の現像条件（現像バイアス値）に基づいてトナー付着量との相関が高い潜像断面積を計算する。治具（図示せず）では有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動するための駆動電流値を変化させ｛既に説明したようにソースドライバ１８０（図４参照）を介してＴＦＴ回路１９０（図４参照）を構成するピクセル回路１１３（図８参照）にアナログ値をプログラムすることで有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動する電流値を設定することができる。｝個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０によって形成される潜像断面積のどれもが略等しくなるような駆動電流値、即ちピクセル回路１１３への設定値（制御する観点からはソースドライバ１８０への設定データ）を決定する。
【０１３５】
さて有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光面積および発光面内における発光光量分布が等しく、かつ通常の現像条件を想定した場合、上述の潜像断面積は露光量とほぼ比例する。更に「露光時間を一定としたときの（発光）光量」と「露光量」は同義であり、また一般的に有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光光量と駆動電流値（即ちピクセル回路１１３（図８参照）への設定値）は比例するから、全てのピクセル回路１１３への駆動電流設定を同一とした上で個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光光量を一度計測することで、各有機エレクトロルミネッセンス素子１１０による潜像断面積を一定にするピクセル回路１１３への設定値（前述のごとくソースドライバ１８０への設定データ）を計算によって求めることも可能である。
【０１３６】
光量補正データメモリ７１ｂの第１エリアには、このようにして求めたソースドライバ１８０への設定データが格納されている。その個数は前述のごとく露光装置６０を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の個数と等しい（即ちピクセル回路の個数とも等しい）５１２０個である。このように光量補正データメモリ７１ｂの第１エリアには「初期状態において個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０によって形成される潜像断面積を等しくするためのソースドライバ１８０の設定値」が格納されている。
【０１３７】
次に第２エリアに格納されているデータＩＤ［０］〜ＩＤ［５１１９］について図６に図３と図４を併用して説明する。
【０１３８】
治具は第１エリアに格納されるデータを取得するとの同時に、露光装置６０のソースドライバ１８０（図４参照）を介して光量センサ２２０（図４、１０参照）の出力に基づく８ｂｉｔの光量計測データを取得する。これによって「初期状態において個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０によって形成される潜像断面積を等しくした際の光量計測データ」を取得できる。第２エリアにはこの８ｂｉｔの光量計測データＩＤ［ｎ］が格納されている。
【０１３９】
さて治具によってＩＤ［ｎ］を取得する際の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動条件は、光量計測時と同等にしておく必要があり、実施形態では後述するように画像形成装置１の１ライン期間（ラスタ期間）である３５０μｓを複数回適用して総計約３０ｍｓの点灯期間を付与している。
【０１４０】
このようにして露光装置６０の製造工程において第１エリアおよび第２エリアに格納されるデータが取得され、これらのデータは図示しない電気的な通信手段によって治具から光量補正データメモリ７１ｂに書き込まれる。
【０１４１】
次に第３エリアに格納されているデータＮＤ［０］〜ＮＤ［５１１９］について図６に図３と図４および図５を併用して説明する。
【０１４２】
本発明の実施形態に係る画像形成装置１は、光量計測手段としての光量センサ２２０による計測結果に基づき、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の各々の光量を略等しく補正する光量補正部（光量補正手段）｛コントローラＣＰＵ７５（図５参照）｝を有し、この光量補正部の出力に基づいて、光量設定部（同じくコントローラＣＰＵ７５）は画像形成を行う際の各有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を設定する。第３エリアには光量補正手段たるコントローラＣＰＵ７５によって画像形成を行う際の各有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量の設定値、即ち光量補正データが書き込まれる。
【０１４３】
実施形態の画像形成装置１では、画像形成装置１の初期化動作、画像形成動作の起動時、紙間、画像形成動作の完了時など、後述するような所定のタイミングにおいて、露光装置６０を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を計測することは既に述べたとおりである。コントローラＣＰＵ７５はこれらの時点で計測された光量計測データと、露光装置６０の製造工程において第１エリアに格納された「初期状態において個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０によって形成される潜像断面積を等しくするためのソースドライバ１８０の設定値」と、同じく露光装置６０の製造工程において第２エリアに格納された「初期状態において個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０によって形成される潜像断面積を等しくした際の光量計測データ」とに基づいて光量補正データを生成する。すなわち、コントローラＣＰＵ７５は、光量センサ２２０によって検出された有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を参照し、当該素子の光量を補正する光量補正部として機能する。
【０１４４】
以降コントローラＣＰＵ７５による光量補正データの計算内容について説明するが、本発明のポイントを明確にするため、まず光量計測時の光量を画像形成時と等しくしたと想定して説明する。
【０１４５】
第１エリアに格納された「初期状態において個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０によって形成される潜像断面積を等しくするためのソースドライバ１８０の設定値」をＤＤ［ｎ］（ｎは主走査方向における個々の有機エレクトロルミネッセンス素子番号、以下同じ）、第２エリアに格納された「初期状態において個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０によって形成される潜像断面積を等しくした際の光量計測データ」をＩＤ［ｎ］、初期化動作などにおいて新たに計測された光量計測データをＰＤ［ｎ］とするとき、第３のエリアに書き込まれる新たな光量補正データＮＤ［ｎ］は（数１）に基づきコントローラＣＰＵ７５によって生成される。尚、光量計測データＩＤ［ｎ］は、計測された有機エレクトロルミネッセンス素子の光量に該当するが、光量補正データＮＤ［ｎ］は、ソースドライバ１８０に設定される個々の素子に流される電流値に該当する。
【０１４６】
【数１】
2008149678.tif 000003
【０１４７】
このようにして生成された光量補正データＮＤ［ｎ］は一旦光量補正データメモリ７１ｂ（図５参照）の第３エリアに書き込まれる。以降画像形成に先立って光量補正データＮＤ［ｎ］は光量補正データメモリ７１ｂからイメージメモリ７１ａ（図５参照）の所定の領域にコピーされる。画像を形成するにあたってイメージメモリ７１ａにコピーされた光量補正データＮＤ［ｎ］は、２値画像データとともに後述するバッファメモリ７１ｃ（図５参照）に一時的に蓄積され、プリンタインタフェース７８（図５参照）を介してエンジン制御部８０（図５参照）に出力される。
【０１４８】
なお、本実施形態においては、光量補正データＮＤ［ｎ］は、上述のように比例演算を用いて求めているが、光量補正データＮＤ［ｎ］を決定した後に、再度有機エレクトロルミネッセント素子１１０を点灯させて光量計測データを取得し、これと当初の光量計測データＩＤを比較した差が予め定めた値よりも大きい場合は、再度光量計測動作を繰り返すように構成してもよい。
【０１４９】
また、計測された光量計測データが当初の光量計測データＩＤ［ｎ］と略一致するまで光量計測を繰り返し、これによって光量補正データＮＤ［ｎ］を求めることも可能である。
【０１５０】
光量計測データは光量センサ出力処理部２１０において電荷蓄積法による電圧変換を施される。電荷蓄積法はＳＮ比を向上させるために有効であるが、光量センサ２２０（図４、１０参照）の出力（電流値）は微小であるため、電荷蓄積にはある程度の蓄積時間を必要とする。これについては後述する。
【０１５１】
上述したように、イメージメモリ７１ａに格納された２値画像データおよび前述の光量補正データは、エンジン制御部８０への転送にあたって一旦バッファメモリ７１ｃに蓄積される。バッファメモリ７１ｃはイメージメモリ７１ａからバッファメモリ７１ｃへの転送速度と、バッファメモリ７１ｃからエンジン制御部８０へのデータ転送速度の差を吸収するため、いわゆるデュアルポートＲＡＭによって構成されている。
【０１５２】
イメージメモリ７１ａに格納されたページ単位の２値画像データおよび光量補正データは、タイミング生成部７７が生成するクロック信号やライン同期信号と同期してプリンタインタフェース７８を介してエンジン制御部８０に転送される。
【０１５３】
なお、本実施形態では光量補正を実行する主体をコントローラ７０として説明したが、この光量補正の機能はコントローラ７０以外の構成要素で実行してもよく、例えば上述した光量補正データＮＤ［ｎ］の算出機能を、全て露光装置６０に持たせるように構成しても構わない。この場合は露光装置６０にＣＰＵなどの演算装置や、メモリ等を構成すればよい。
【０１５４】
図７は本発明の実施形態の画像形成装置１におけるエンジン制御部８０の構成を示すブロック構成図である。エンジン制御部８０は、コントローラインタフェース８１、エンジン制御ＣＰＵ８２、ＲＯＭ８３、ＲＡＭ８４、不揮発性メモリ８５、シリアルインタフェース８６、バス８７を備える。
【０１５５】
コントローラインタフェース８１は、コントローラ７０から転送される光量補正データ、ページ単位の２値画像データなどを受信する。
【０１５６】
エンジン制御ＣＰＵ８２は、ＲＯＭ８３に格納されたプログラムに基づき画像形成装置１における画像形成動作を制御している。ＲＡＭ８４はエンジン制御ＣＰＵ８２が動作する際のワークエリアとして使用される。不揮発性メモリ８５はＥＥＰＲＯＭなどのいわゆる書き換え可能な不揮発性メモリにより構成され、例えば画像形成装置１の感光体８の回転時間、定着器２３（図１参照）の動作時間など、構成要素の寿命に関する情報が格納されている。
【０１５７】
記録紙通過検出センサ２１（図１参照）や記録紙後端検出センサ２８（図１参照）などのセンサ群からの情報や電源監視部４４（図１参照）の出力は、図示しないシリアル変換部によって所定の周期のシリアル信号に変換され、シリアルインタフェース８６で受信される。シリアルインタフェース８６で受信されたシリアル信号はパラレル信号に変換された後にバス８７を介してエンジン制御ＣＰＵ８２に読取られる。
【０１５８】
一方給紙ローラ１８や駆動源３８（ともに図１参照）の起動・停止、給紙ローラ１８（図１参照）に対する駆動力伝達を制御する電磁クラッチ（図示せず）などのアクチュエータ群４５に対する制御信号や、現像バイアス、転写バイアス、帯電電位などの電位設定を管理する高圧電源制御部４６に対する制御信号などは、パラレル信号としてシリアルインタフェース８６に送られる。シリアルインタフェース８６ではパラレル信号をシリアル信号に変換してアクチュエータ群４５、高圧電源制御部４６に出力する。このように実施形態では高速に検出する必要のないセンサ入力やアクチュエータ制御信号の出力は全てシリアルインタフェース８６を介して行っている。一方ある程度の高速性が要求される例えばレジストローラ１９を駆動／停止させるための制御信号はエンジン制御部８０の出力端子に直接接続されている。
【０１５９】
また、筐体２の所定部分に設置された操作パネル４７がシリアルインタフェース８６に接続されている。ユーザが操作パネル４７に対して行った指示はシリアルインタフェース８６を介してエンジン制御ＣＰＵ８２によって認識される。尚、実施形態ではユーザの指示を入力する指示入力部としての操作パネルを有し、この操作パネルへの入力に基づいて、露光装置６０を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を計測し、光量を補正するようにしてもよい。この指示は外部のコンピュータなどからコントローラ７０を経由して与えることももちろん可能である。具体的な使用態様としては、例えば大量の印字を行った際にユーザが印字面に濃度ムラを発見したような場合に、ユーザが光量の補正を強制的に行って画質確保を図るような場合が想定される。画像形成装置１が待機中であればユーザはいつでも強制的な光量補正の実行を指示することが可能であるし、画像形成時であっても画像形成装置１をオフラインに遷移させ画像形成を一時的に保留することで、ユーザは光量補正の実行を指示することができる。
【０１６０】
いずれにしても指示部としての操作パネル４７などから光量の補正要求が入力されると、エンジン制御ＣＰＵ８２は（初期化動作）で説明したように、画像形成装置１の構成要素の駆動を開始し、コントローラ７０に対して光量補正用のダミーイメージ情報の作成要求を出力する。この要求に基づきコントローラ７０に搭載されたコントローラＣＰＵ７５は光量補正用のダミーイメージ情報を生成し、これに基づいて露光装置１３を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０は点灯制御される。このときに上述した露光装置６０に設けられた光量センサ２２０で、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を検出し、この光量の検出結果に基づいて個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量が略等しくなるように光量の補正を行う。
【０１６１】
次に有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を計測する際の動作について、図７に図１、図５および図６を併用して詳細に説明する。
【０１６２】
光量の補正は、後述するように画像形成装置１の起動直後の初期化動作、印字開始前、紙間、印字開始後、操作パネル４７などによるユーザ指定時のタイミングで行われるが、簡単のために画像形成装置１の初期化動作時点で光量の計測を実行する場合について説明する。また実施形態の画像形成装置１はフルカラー画像を形成可能に構成されたものであり、既に説明したように４色に対応した露光装置６０Ｙ〜６０Ｋ（図１参照）を有しているが、これも簡単のために１色に対する動作のみを説明し、露光装置６０のように記載する。また以下に示す状況において例えば駆動源３８（図１参照）や現像ステーション５０（図２参照）などは、（初期化動作）にて既に詳細を示したように既に起動されているものとする。
【０１６３】
画像形成装置１において画像形成動作を管理しているのはエンジン制御部８０であるため、光量の補正シーケンスはエンジン制御部８０のエンジン制御ＣＰＵ８２によって起動される。まずエンジン制御ＣＰＵ８２はコントローラ７０に対して、画像形成に係る正規の２値画像データとは異なるダミーイメージ情報の作成要求を出力する。
【０１６４】
エンジン制御部８０とコントローラ７０は双方向のシリアルインタフェース（図示せず）で接続されており、リクエストコマンド（要求）およびこれに対するアクノリッジ（応答情報）を相互にやり取りすることができる。エンジン制御ＣＰＵ８２が発するダミーイメージ情報の作成要求は、この双方向のシリアルインタフェース（図示せず）を用いてバス８７を経由し、コントローラインタフェース８１からコントローラ７０に出力される。
【０１６５】
この要求に基づいてコントローラ７０に搭載されたコントローラＣＰＵ７５はダミーイメージ情報、即ち光量の計測に用いる２値画像データをイメージメモリ７１ａに直接的に作成する。更にコントローラＣＰＵ７５は光量補正データメモリ７１ｂの第１エリア（図６参照）に格納された「初期状態において個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０によって形成される潜像断面積を等しくするためのソースドライバ１８０の設定値」ＤＤ［ｎ］（ｎ：０〜５１１９）を読出し、この値をイメージメモリ７１ａの所定領域に書き込む。これらの処理を完了するとコントローラＣＰＵ７５はプリンタインタフェース７８を介して応答情報をエンジン制御部８０に出力する。
【０１６６】
上述の応答情報を受信したエンジン制御部８０のエンジン制御ＣＰＵ８２は、直ちに露光装置６０に対して書込みタイミングを設定する。即ちエンジン制御ＣＰＵ８２は図示しないハードウェアであるタイマなどに露光装置６０による静電潜像の書込みタイミングを設定し、応答情報を受信したら直ちにタイマの動作を開始する（この機能はもともと複数の露光装置６０の色毎の起動タイミングを定めるためのものである。光量の計測においてはこのような厳密なタイミング設定は不要であり、例えばタイマに０を設定してもよい）。各タイマは予め設定された時間が経過すると、コントローラ７０に対して画像データ転送要求を出力する。画像データ転送要求を受信したコントローラ７０はコントローラインタフェース８１を介してタイミング生成部７７で生成されたタイミング信号（クロック信号、ライン同期信号など）に同期して２値画像データを露光装置６０に転送する。これと同時に既にイメージメモリ７１ａに書き込まれた光量の設定値も上述のタイミング信号に同期して露光装置６０に転送される。
【０１６７】
このようにタイミング信号に同期して転送された２値画像データは露光装置６０のＴＦＴ回路１９０に入力され、同時に光量の設定値は露光装置６０のソースドライバ１８０に入力される。露光装置６０では入力された２値画像データ、即ちＯＮ／ＯＦＦ情報に基づいて該当する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の点灯と消灯が制御される。そしてこのときの個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量は光量センサ２２０で計測される。
【０１６８】
以上述べたようにして有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の点灯が制御され、その光量が光量センサ２２０によって計測される。光量センサ２２０の出力（アナログ電流値）は、後に図１３を用いて詳細に説明するように、センサピクセル回路２３０において電荷蓄積法によって電圧に変換され、光量センサ出力処理部２１０において所定の増幅率で増幅された後、アナログ−ディジタル変換を施されて８ｂｉｔの光量計測データ（ディジタルデータ）として光量センサ出力処理部２１０から出力される。
【０１６９】
光量センサ出力処理部２１０から出力された光量計測データはコントローラインタフェース８１を経由してエンジン制御部８０からコントローラ７０に転送され、コントローラ７０のコントローラＣＰＵ７５によって受信される。
【０１７０】
図８は本発明の実施形態の画像形成装置１における露光装置６０の回路図である。以降図８を用いてＴＦＴ回路１９０およびソースドライバ１８０による点灯制御についてより詳細に説明する。尚、ここでは光量センサ２２０、選択信号発生回路２４０（図４参照）等を含む光量計測に関する構成の図示は省略されている。また、図７のエンジン制御部８０の記載も省略されている。
【０１７１】
ここでのＴＦＴ回路１９０はピクセル回路１１３とゲートコントローラ１１４とに大別されている。ピクセル回路１９０は個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対して一つずつ設けられており、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０のＭ画素分を一つのグループとしてガラス基板１０１上にＮグループ設けられている。また、図４における発光素子駆動回路１８１は、図８ではＴＦＴ回路１９０の部分に相当する。
【０１７２】
実施形態においては一つのグループを８画素（即ちＭ＝８）とし、このグループを６４０個（即ちＮ＝６４０）としている。従って全画素数は８×６４０＝５１２０画素となる。各ピクセル回路１１３は有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に電流を供給して駆動するドライバ部１１１と、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を点灯制御するにあたってドライバが供給する電流値（即ち有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動電流値）を内部に含むコンデンサに記憶させる、いわゆる電流プログラム部１１２を有しており、予め所定のタイミングでプログラムされた駆動電流値に従って有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を定電流駆動することができる。
【０１７３】
ゲートコントローラ１１４は入力された２値画像データを順次シフトするシフトレジスタと、シフトレジスタと並列に設けられシフトレジスタに所定の画素数の入力が完了した後にこれらを一括して保持するラッチ部と、これらの動作タイミングを制御する制御部からなる（共に図示せず）。ゲートコントローラ１１４はコントローラ７０から２値画像データ（画像形成時はコントローラ７０によって変換されたイメージ情報、光量計測時はコントローラ７０によって変換されたダミーイメージ情報）を渡され、この２値画像データ即ちＯＮ／ＯＦＦ情報に基づいてＳＣＡＮ＿ＡおよびＳＣＡＮ＿Ｂ信号を出力し、これによってピクセル回路１１３に接続された有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の点灯／消灯を行う期間および、駆動電流を設定する電流プログラム期間のタイミングを制御する。
【０１７４】
一方ソースドライバ１８０は内部に有機エレクトロルミネッセンス素子１１０のグループ数Ｎに相当する数（実施形態では６４０個）のＤ／Ａコンバータ１８２を有している。ソースドライバ１８０はＦＰＣ６６を介して供給された８ｂｉｔの光量補正データに基づく点灯データによって、個々の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対する駆動電流を設定する。点灯データは、印刷すべき画像データに対応したデータであり、光量補正データをベースにして決定される。例えば画像形成装置がＯＮ／ＯＦＦ、即ち画素単位で２値の画像を再現するものであれば、ＯＮに対応した点灯データは、光量補正データと一致する。また画像形成装置がＯＦＦ状態を含めて画素単位で多値の画像を再現するものであれば、ＯＮに対応した点灯データの最大値は光量補正データと一致する。一方、ＦＰＣ６６を介して制御信号がＴＦＴ回路１９０のゲートコントローラに直接入力される。制御信号は、ＴＦＴ回路１９０に対して動作タイミングを与えるための信号であり、画像形成装置における１ラインの同期をとる同期信号や、クロック信号が含まれる。尚、図８のソースドライバ１８０は、図４におけるソースドライバ１８０ａ，１８０ｂに相当するが、図４とは異なる配置を例示するものであり、図４ではソースドライバが一つのみ示されている。このように、本実施形態においてソースドライバの数、配置の仕方等は特に限定されるものではない。
【０１７５】
図９は本発明の実施形態の画像形成装置１における露光装置６０に係る電流プログラム期間と有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の点灯期間を示す説明図である。以降図９に図８を併用して実施形態の点灯制御について更に詳細に説明する。以降説明を簡単にするために８画素から成る一つの画素グループ（例えば図９の「主走査方向における画素番号」＝１〜８）について説明を行う。
【０１７６】
実施形態では露光装置６０の１ライン期間（ラスタ期間）は３５０μｓに設定されており、この１ライン期間のうち１／８（４３．７７μｓ）を電流プログラム部１１２に形成されたコンデンサに対し駆動電流値を設定するプログラム期間として当てている。
【０１７７】
まずゲートコントローラ１１４（図８参照）は画素番号＝１の画素に対してＳＣＡＮ＿Ａ信号をＯＮに、ＳＣＡＮ＿Ｂ信号をＯＦＦにしてプログラム期間を設定する。プログラム期間にソースドライバ１８０（図８参照）に内蔵されたＤ／Ａコンバータ１８２には８ｂｉｔの光量補正データに基づく点灯データが供給されており、この供給されたディジタルデータをＤ／Ａ変換したアナログレベル信号によって電流プログラム部１１２（図８参照）のコンデンサが充電される。このプログラム期間はゲートコントローラ１１４に入力される２値画像データのＯＮ／ＯＦＦに係らず実行される。これによって電流プログラム部１１２に形成されたコンデンサには、８ｂｉｔの点灯データに基づくアナログ値が１ライン期間の都度、毎回書き込まれる。即ち電流プログラム部１１２に形成されたコンデンサの蓄積電荷は常にリフレッシュされ、これに基づき決定される有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動電流は常に一定に保たれるのである。
【０１７８】
プログラム期間が完了するとゲートコントローラ１１４（図８参照）は直ちにＳＣＡＮ＿Ａ信号をＯＦＦに、ＳＣＡＮ＿Ｂ信号をＯＮに切り替えて点灯期間を設定する。既に説明したようにゲートコントローラ１１４（図８参照）には画像形成時、光量計測時に応じて２値画像データが供給されており、点灯期間であっても画像データがＯＦＦの場合、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０は点灯しない。一方画像データがＯＮの場合、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０は残りの３０６．２５μｓ（３５０μｓ−４３．７５μｓ）の期間、点灯を継続する（実際は制御信号の切り替わり時間が存在するため発光時間は若干短くなる）。既に述べたように実施形態では有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を計測する際は３０ｍｓの計測期間を想定しているから、光量計測時の点灯回数は例えば１００回（即ち１００ライン）となるように、コントローラ７０でダミーイメージ情報が生成されることとなる。
【０１７９】
一方、図９に示す画素番号＝１のピクセル回路１１３（図８参照）に対するプログラム期間が終了すると、ゲートコントローラ１１４（図８参照）は直ちに画素番号＝８のピクセル回路１１３（図８参照）に対する電流プログラム期間を設定する。以降、画素番号１のピクセル回路１１３に対する手順と同様に、画素番号８のピクセル回路１１３に対するプログラム期間が完了すると直ちに当該画素番号の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０（図８参照）の点灯期間に移行する。
【０１８０】
このようにしてゲートコントローラ１１４（図８参照）は主走査方向における画素番号＝「１→８→２→７→３→６→４→５→１．．．．」の順にプログラム期間と点灯期間を設定していく。このような点灯順序とすることで、隣接する画素グループ間において最も近い画素の点灯タイミングが時間的に近接するため、１ライン形成時の画像段差を目立たなくすることができる。
【０１８１】
（光量計測動作）
次に、本発明の実施形態に係る画像形成装置における光量計測に関する部分である光量計測部２００について説明する。光量計測部２００は、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が出射する光の光量を計測するものである。
【０１８２】
図１０は、本発明の実施形態に係る光量計測部２００の主要な構成を示す説明図である。図１０に示すように、光量計測部２００は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の各々に対応して設けられた複数の光量センサ２２０と、各光量センサ２２０に対応して設けられたセンサピクセル回路２３０と、センサピクセル回路２３０の各々に対してセンサ選択信号を出力する選択信号発生回路２４０と、１６個の検出処理回路２７０Ａ〜２７０Ｐとを備える。この検出処理回路２７０Ａ〜２７０Ｐによって、既に説明した光量センサ出力処理部２１０が構成されている。なお、光量計測部２００は光量計測装置の一例であり、センサピクセル回路２３０は光量検出回路の一例である。
【０１８３】
なお、検出処理回路２７０Ａ〜２７０Ｐはそれぞれ同一の構成を有しており、これらを区別する必要がない場合は、検出処理回路２７０として説明する。また、検出処理回路２７０の数は１６個に限るものではなく、ｍ個（ｍは１以上の正の整数）設けられればよい。
【０１８４】
なお、上述したように、光量センサ２２０、センサピクセル回路２３０及び選択信号発生回路２４０は、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０と共に、ＴＦＴ回路１９０のポリシリコンのモノシリックデバイスとして集積化して形成されている。したがって、センサピクセル回路２３０やＴＦＴ回路１９０等において、トランジスタ等の同じ種類の素子を形成する場合には同一工程で形成することが可能となるため、製造工程の簡略化が可能となる。
【０１８５】
なお、図１０では光量センサ２２０、センサピクセル回路２３０、選択信号発生回路２４０によって構成されるＴＦＴ回路１９０と、光量センサ出力処理部２１０は、極めて近傍に配置されるように描かれているが、本実施形態では後に詳細に説明するように、これらは有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が構成する発光素子列の両側に分離して配置される。
【０１８６】
選択信号発生回路２４０は、ＦＰＣ６６を介してエンジン制御部８０に接続されると共に、選択信号線ＳＥＬ１〜ＳＥＬ５１２０を介して各々のセンサピクセル回路２３０に接続される。なお、選択信号線ＳＥＬ１〜ＳＥＬ５１２０の符号「ＳＥＬＸ」の「Ｘ」は、接続先となるセンサピクセル回路２３０に付されたセンサピクセル番号ＳＰＮＯであり、これらを区別する必要がない場合には、選択信号線ＳＥＬとして説明する。
【０１８７】
そして、選択信号発生回路２４０は、ＦＰＣ６６を介してエンジン制御部８０から入力されたセンサ制御入力ＳＣに基づいて、センサピクセル回路２３０の動作を制御するセンサ選択信号を、選択信号線ＳＥＬを介してセンサピクセル回路２３０へ出力する。これにより、センサピクセル回路２３０の各々について、光量検出のタイミングを制御することができる。すなわち、選択信号発生回路２４０は、複数ある光量センサ２２０のいずれかを所定のタイミングにて選択する選択回路として機能し、選択された光量センサ２２０の出力を処理することにより、対応する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光光量を計測することができる。
【０１８８】
センサピクセル回路２３０は、選択信号線ＳＥＬを介して選択信号発生回路２４０に接続されると共に、ドライバ線ＲｏＡ〜ＲｏＰのいずれかを介して検出処理回路２７０Ａ〜２７０Ｐに接続されている。そして、選択信号発生回路２４０から入力されたセンサ選択信号に基づいて光量検出を行い、センサピクセル回路出力信号を検出処理回路２７０へ出力する。なお、ドライバ線ＲｏＡ〜ＲｏＰの符号「ＲｏＸ」の「Ｘ」は、接続先となる検出処理回路２７０に付された出力ＩＤ（Ａ〜Ｐ）であり、これらを区別する必要がない場合には、ドライバ線Ｒｏとして説明する。
【０１８９】
検出処理回路２７０Ａ〜２７０Ｐは、光量センサ出力処理部２１０に設けられ、各々ドライバ線ＲｏＡ〜ＲｏＰを介して各センサピクセル回路２３０と接続されると共に、センサ出力信号線ＤｏＡ〜ＤｏＰからＦＰＣ６６を介してエンジン制御部８０に接続されている。そして、センサピクセル回路２３０からのセンサピクセル回路出力信号を取得し、ＦＰＣ６６へ光量計測データを出力する。なお、センサ出力信号線ＤｏＡ〜ＤｏＰの符号「ＤｏＸ」の「Ｘ」は、接続される検出処理回路２７０の出力ＩＤ（Ａ〜Ｐ）であり、これらを区別する必要がない場合には、センサ出力信号線Ｄｏとして説明する。
【０１９０】
なお、センサピクセル回路２３０は、複数のグループに区分されており、その区分に応じて、ドライバ線ＲｏＡ〜ＲｏＰのいずれか一つに接続されている。これらのセンサピクセル回路２３０の区分について、図１１を参照して説明する。
【０１９１】
図１１は、本発明の実施形態に係る光量計測部２００におけるセンサピクセル回路のグループを示す説明図である。図１１に示すように、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０は、主走査方向に、５１２０個、６００ｄｐｉの解像度で列状に形成されている。有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の各々には識別番号（以下、ＥＬＮＯという）が付されている。このＥＬＮＯは、１から始まる連続番号であり、主走査方向の端部に形成された有機エレクトロルミネッセンス素子１１０から順に割り当てられる。
【０１９２】
センサピクセル回路２３０は、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０と１対１で対応して５１２０個形成され、各々が対応する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を検出する。そして、センサピクセル回路２３０の識別番号（以下、ＳＰＮＯという）は、対応する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０のＥＬＮＯと同じ番号が付される。例えば、ＥＬＮＯが３０００の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対応して設けられたセンサピクセル回路２３０のＳＰＮＯは３０００である。
【０１９３】
そして、ＳＰＮＯが連続するｎ（以下、本実施形態の説明では、ｎ＝１６とする）個のセンサピクセル回路２３０を一単位として、３２０個（５１２０÷１６＝３２０）のセンサグループが構成されている。なお、各センサグループには、センサグループに含まれるＳＰＮＯが小さいものから順に、１〜３２０のグループＮＯが付される。また、各センサグループ内において、ＳＰＮＯが小さいセンサピクセル回路２３０から順に、ａ，ｂ，・・・，ｐのラインＩＤが付される。つまり、センサピクセル回路２３０は、ｎ個（１６個）毎に同じラインＩＤが付されることとなる。
【０１９４】
更に、グループＮＯが連続するｍ個（上述したように、ｍは検出処理回路２７０の数であり、本実施形態ではｍ＝１６）のセンサグループを一単位として、２０個（３２０÷１６＝２０）のブロックが構成されている。なお、各ブロックには、センサグループに含まれるグループＮＯが小さいものから順に、１〜２０のブロックＮＯが付される。
【０１９５】
また、各ブロック内において、グループＮＯが小さいセンサグループから順に、Ａ，Ｂ，・・・，Ｐの出力ＩＤが付される。出力ＩＤがＡ，Ｂ，・・・，Ｐが付されたセンサグループに含まれるセンサピクセル回路２３０は、それぞれドライバ線ＤｏＡ，ＤｏＢ，・・・，ＤｏＰを介して、検出処理回路２７０Ａ，２７０Ｂ，・・・，２７０Ｐに接続される。つまり、つまり、センサグループは、ｍ個（１６個）毎に同じ出力ＩＤが付されることとなる。
【０１９６】
なお、以下の説明では、便宜上、各センサグループの識別情報として、ブロックＮＯと出力ＩＤとを組み合わせて表されるグループＩＤも用いる。例えば、グループＮＯが１７のセンサグループは、ブロックＮＯが２、出力ＩＤがＡであるので、グループＩＤは２Ａである。
【０１９７】
図１２は、本実施形態の光量計測部２００の一部の内部構成を示す回路図である。図１２に示すように、同じセンサグループに属するセンサピクセル回路２３０は、同じドライバ線Ｒｏに接続される。また、各センサグループは、同じ出力ＩＤ（Ａ〜Ｐ）が付されたドライバ線Ｒｏに接続されている。例えばグループ１Ａ，２Ａ・・・２０Ａ（合計２０グループ）は、ドライバ線ＲｏＡに接続され、グループ１Ｐ，２Ｐ・・・２０Ｐは、ドライバ線ＲｏＰに接続されている。
【０１９８】
各ドライバ線ＲｏＡ〜ＲｏＰはそれぞれ、光量センサ出力処理部２１０内に設けられた検出処理回路２７０Ａ〜２７０Ｐに接続されている。すなわち総てのドライバ線ＲｏＡ〜ＲｏＰ各々に対応して、合計１６個の検出処理回路２７０Ａ〜２７０Ｐが、光量センサ出力処理部２１０内に設けられている。一方、選択信号発生回路２４０は、図８に示したゲートコントローラ６８と同様、ＴＦＴ回路１９０内に形成されている。選択信号発生回路２４０（及び選択トランジスタ２３２：図１３）は、後述する所定のタイミングにて光量センサを駆動するためのセンサ駆動信号を、選択線ＳｅｌＸを介してセンサピクセル回路２３０に入力するスイッチング回路として機能する。
【０１９９】
図１３は、本発明の実施形態に係るセンサピクセル回路２３０及び検出処理回路２７０の内部構成を示す回路図である。
【０２００】
図１３に示すように、センサピクセル回路２３０は、光量センサ２２０と、当該光量センサ２２０に並列に接続され、容量素子を構成するコンデンサ２３１と、光量センサ２２０及びコンデンサ２３１と直列に接続され、ドライバ線Ｒｏを介したチャージアンプ２５０との電気的な接続を切り替えるスイッチング用の選択トランジスタ２３２とを有する。光量センサ２２０及びコンデンサ２３１の選択トランジスタ２３２が接続される側である一端側の電位をＶｓとする。なお、光量センサ２２０及びコンデンサ２３１の他端側は、所定の電位Ｖｐに固定されている。なお、光量センサ２２０は、光量検出素子の一例である。
【０２０１】
選択トランジスタ２３２は、選択信号発生回路２４０とともに光量センサのスイッチング回路を構成する。選択線Ｓｅｌは選択トランジスタ２３２のゲートに接続され、選択信号発生回路２４０から出力されたＯＮ・ＯＦＦ信号からなるセンサ選択信号が、選択トランジスタ２３２に入力され、当該センサ選択信号に従い、選択トランジスタ２３２はＯＮ・ＯＦＦ動作を行う。
【０２０２】
そして、同じ出力ＩＤ（Ａ〜Ｐ）が付された合計２０グループ（ブロック番号が１から２０）のセンサグループ、言い換えると合計３２０個のセンサピクセル回路（１６×２０）２３０が、同一の出力ＩＤが付された一つのドライバ線Ｒｏに接続されている。各ドライバ線Ｒｏは、検出処理回路２７０に接続されている。
【０２０３】
検出処理回路２７０は、チャージアンプ２５０と、アナログ・ディジタル変換器（以下、ＡＤＣという）２６０とを備える。チャージアンプ２５０は、非反転入力端子と反転入力端子との二つの入力信号端子、及び一つの出力信号端子を有する演算増幅器２５１と、演算増幅器２５１の反転入力端子と出力端子との間に接続されたアンプ容量素子の一例であるコンデンサ２５２と、コンデンサ２５２と並列に接続された充放電選択トランジスタ２５３とを有して構成されている。
【０２０４】
演算増幅器２５１の非反転入力端子は所定の基準電圧Ｖｒｅｆに固定されており、反転入力端子には、ドライバ線Ｒｏを介してセンサピクセル回路２３０が接続されている。なお、演算増幅器２５１の出力電圧をＶｒｏとする。
【０２０５】
充放電選択トランジスタ２５３のゲートには信号線ＣＨＧが接続され、ＯＮ・ＯＦＦ信号からなるチャージリセット信号に従って、充放電選択トランジスタ２５３はＯＮ・ＯＦＦ動作を行う。なお、信号線ＣＨＧを介して入力されるチャージリセット信号は、図１０に示すセンサ制御入力ＳＣのうちの一つである。
【０２０６】
上述したチャージアンプ２５０は、センサピクセル回路２３０のコンデンサ２３１と協同してセンサ駆動部を構成する。
【０２０７】
ＡＤＣ２６０は、チャージアンプ２５０の演算増幅器２５１の出力端子に接続されている。センサ制御入力ＳＣの一つであるＡＤ変換開始トリガ信号ＳＭＰＬに基づいてチャージアンプ２５０の出力電圧Ｖｒｏを取り込んでアナログ／ディジタル変換し、光量計測データを出力する。
【０２０８】
図１４は、本発明の実施形態に係る各光量センサに関する光量検出動作を示すタイミングチャートである。すなわち、光量センサ２２０毎に行われる光量計測データの読み出し動作のタイミングチャートに該当する。上述したように、光量計測データの基礎となる光量センサ２２０の出力は、光量センサ出力処理部２１０において電荷蓄積法による電圧変換を施され、更に所定の増幅率で増幅された後にアナログ−ディジタル変換されることにより生成されるが、以下のタイミングチャートは当該工程に該当する。
【０２０９】
光量センサ２２０の光量センサ出力に基づく光量計測データは、図１４（ａ）乃至（ｇ）のタイミングチャートに示すように、選択トランジスタ２３２のスイッチングを契機とし、予めコンデンサ２３１に蓄積された電荷を、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量センサ２２０への光の照射により抽出し、失われた電荷を補うために用いられたコンデンサ２５２の電荷に基づいて測定する。従って、本実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光照射により失われた電荷が基礎となる光量センサ出力に該当する。
【０２１０】
ここで、図１４（ａ）は、チャージアンプ２５０内のコンデンサ２５２のチャージの状態（充電状態）を示す図、図１４（ｂ）は選択トランジスタ２３２の動作を示す図、図１４（ｃ）は有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の点灯タイミングを示す図、図１４（ｄ）はコンデンサ２３１の選択トランジスタ２３２が接続される一端側の電位（Ｖｓ）を示す図、図１４（ｅ）は演算増幅器２５１の出力電圧（Ｖｒｏ）を示す図、図１４（ｆ）はアナログ・ディジタル変換器（ＡＤＣ）２６０に与えるＡＤ変換開始トリガ信号（ＳＭＰＬ）を示す図、図１４（ｇ）は最終的に有効に光量計測データが得られた状態を示す図である。
【０２１１】
まず、選択線Ｓｅｌを介し、時刻ｔ１から時刻ｔ２までのタイミングにて選択信号発生回路２４０からＯＮ信号を受信することにより、選択トランジスタ２３２がＯＮとなり（図１４（ｂ）参照）、図１４（ｄ）に示すようにコンデンサ２３１がチャージされ、コンデンサ２３１の一端側の電位Ｖｓは、基準電圧Ｖｒｅｆとなる（Ｓ１：リセットステップ）。なお、このリセットステップは、第１の期間の一例である。
【０２１２】
そして、時刻ｔ２において選択トランジスタ２３２がＯＦＦとなると（図１４（ｂ）参照）、コンデンサ２３１にチャージされた電荷が、光量センサ２２０を流れる光電流Ｉｓにより放電され減少するとともに、図１４（ｄ）に示すように、コンデンサ２３１の一端側の電位Ｖｓが、基準電圧Ｖｒｅｆから徐々に減少する（Ｓ２：光照射放電ステップ）。
【０２１３】
そして、この状態で予め定められた時間経過後、時刻ｔ３において、チャージアンプ２５０の充放電選択トランジスタ２５３がＯＦＦとなり（図１４（ａ）参照）、コンデンサ２５２の電荷が移動可能となり、チャージアンプ２５０は有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を測定可能な状態となる（Ｓ３：測定開始ステップ）。
【０２１４】
さらに充放電選択トランジスタ２５３がＯＦＦとなったのを契機として、時刻ｔ３と同時刻又は時刻ｔ３から所定時間後となる時刻ｔ４において、選択トランジスタ２３２がＯＮとなり（図１４（ｂ）参照）、時刻ｔ２から時刻ｔ４までの間に電荷が失われたコンデンサ２３１に、チャージアンプ２５０のコンデンサ２５２から電荷が供給される。その結果、コンデンサ２３１の一端側の電位がＶｒｅｆに戻るとともに（図１４（ｄ）参照）、図１４（ｅ）に示すようにチャージアンプ２５０の演算増幅器２５１の出力電圧Ｖｒｏが上昇する（Ｓ４：電荷転送ステップ）。尚、この電荷転送ステップＳ４の期間も光量センサ２２０の光電流Ｉｓは流れるため、非常に小さい値ではあるが、Ｖｒｏは上昇する。なお、時刻ｔ２からｔ４までの期間は第二の期間の一例であり、時刻ｔ４からｔ５までの期間（電荷転送ステップ）は第三の期間の一例である。
【０２１５】
その後、時刻ｔ５において選択トランジスタ２３２が再びＯＦＦとなり、Ｖｒｏが確定する。この確定した電圧を、アナログ・ディジタル変換器（ＡＤＣ）２６０が、時刻ｔ５と同時刻又は時刻ｔ５から所定時間後に、ＡＤ変換開始トリガ信号ＳＭＰＬ（図１４（ｆ）参照）に連動して読み取ることにより、図１４（ｇ）に示すように有効な光量計測データをセンサ出力信号線Ｄｏを介した光量計測部２００から出力することにより、光量計測データの読取動作が時刻ｔ８において完了する（Ｓ５：リードステップ）。
【０２１６】
なお、ＡＤ変換開始トリガ信号ＳＭＰＬが入力された後の時刻ｔ６において、チャージアンプ２５０の充放電選択トランジスタ２５３がＯＮとなり（図１４（ａ）参照）、コンデンサ２５２の容量がリセットされる。
【０２１７】
尚、上述のステップＳ２〜ステップＳ４の蓄積期間、すなわち、時刻ｔ２において選択トランジスタ２３２をＯＦＦにしてから、チャージアンプ２５０の充放電選択トランジスタ２５３をＯＦＦとし、時刻ｔ５において選択トランジスタ２３２をＯＮとするタイミングの設定については、画像印刷装置の待ち時間を短縮するという観点からは、できるかぎり短いことが好ましい。しかしながら、所定のＳＮ、電圧検出分解能を確保するという観点からは、図１４（ｅ）に示されるように時刻ｔ５において確定する出力電圧Ｖｒｏと基準電圧Ｖｒｅｆとの電位差Ｖｏｕｔをなるべく大きくとることが望ましく、この場合できるだけ長い蓄積期間を確保することが要求される。従って、蓄積時間についてはこれら両方の観点から設定される。
【０２１８】
図１４（ｃ）に示すように、本実施形態の光量計測部２００では、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光動作は、点灯する点灯Ｔｅｌｏｎ及び消灯するプログラム期間Ｔｐｒｏを含む画像形成装置１の１ラスタ期間Ｔｒａｓを有する。このラスタ期間Ｔｒａｓは、上記述べたとおり３５０μｓ程度の短い期間である。また、光量センサ２２０では、ポリシリコン等の光透過率の高い材料により構成された場合、照射された光に基づいて流れる光電流Ｉｓが微量となってしまう。
【０２１９】
そこで、本実施形態では、光量検出の対象となる有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を、時刻ｔ０から時刻ｔ７までの、複数回数のラスタ期間Ｔｒａｓにて駆動させ、ステップＳ２〜ステップＳ４までの蓄積期間を、複数ラスタ期間に渡って設定する。１ラスタ期間Ｔｒａｓは、上述した露光装置６０の１ライン期間であり、つまり、画像形成装置１における有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光期間（露光期間）の１単位である。そこで、１ラスタ期間Ｔｒａｓ以上、すなわち発光素子の１発光期間以上の間について光量検出を行うことにより、所定のＳＮ、電圧検出分解能を確保することができる。
【０２２０】
このように、センサピクセル回路２３０内に設けられた選択トランジスタ２３２により、チャージアンプ２５０と、光量センサ２２０・コンデンサ２３１との間の電気的な接続が切り替えられるので、所望の蓄積期間を正確に切り替えることができる。
【０２２１】
また、選択トランジスタ２３２により、時刻ｔ２から時刻ｔ４まで期間において、光量センサ２２０・コンデンサ２３１と、ドライバ線Ｒｏとは遮断される。したがって、光量センサ２２０及びコンデンサ２３１に対する、チャージアンプ２５０やドライバ線Ｒｏからのノイズの影響が排除されるので、高精度な光量検出が可能となる。
【０２２２】
次に、センサ選択信号を出力する選択信号発生回路２４０について説明する。図１５は、本発明の実施形態に係る選択信号発生回路２４０の内部構成を示す回路図である。図１５に示すように、選択信号発生回路２４０は、５１２０個のＡＮＤ回路２４１と、グループ選択信号出力回路２４２と、ライン選択信号出力回路２４３とを備える。
【０２２３】
図１５に示すように、ＡＮＤ回路２４１は、３つの入力の論理積を出力する回路である。ＡＮＤ回路２４１に入力される信号は、センサ制御入力ＳＣの一つである選択タイミング信号ＲＯＥＮと、グループ選択信号出力回路２４２から出力されたグループ選択信号ｇｓと、ライン選択信号出力回路２４３から出力されたライン選択信号ｌｓとである。また、ＡＮＤ回路２４１の各々の出力は、選択線ＳＥＬ１〜ＳＥＬ５１２０を介して、センサピクセル回路２３０の選択トランジスタ２３２のゲートに入力される。
【０２２４】
グループ選択信号出力回路２４２には、センサ制御入力ＳＣとして、ブロック切替信号ＧＳｅｌＤＡＴ及びブロック切替クロック信号ＧＳｅｌＣＬＫが入力される。そして、グループ選択信号出力回路２４２は、入力されたブロック切替信号ＧＳｅｌＤＡＴ及びブロック切替クロック信号ＧＳｅｌＣＬＫに基づいて、グループ選択信号ｇｓ１〜ｇｓ２０を出力する。このグループ選択信号ｇｓ１〜ｇｓ２０は、図１１に示すブロックＩＤ毎に対応して生成されるものであり、それぞれ、ブロックＮＯ１〜２０が付されたセンサグループのセンサピクセル回路２３０に接続されるＡＮＤ回路２４１へ出力される。
【０２２５】
図１６は、本発明の実施形態に係るグループ選択信号出力回路２４２の内部構成を示す回路図である。図１６に示すように、グループ選択信号出力回路２４２は、直列に接続された２０個のＤフリップフロップＤＦＦｇ１，ＤＦＦｇ２，・・・ＤＦＦｇ２０を有して構成されるシフトレジスタである。ＤフリップフロップＤＦＦｇ１〜ＤＦＦｇ２０はそれぞれ、グループ選択信号ｇｓ１〜ｇｓ２０を出力する。
【０２２６】
ライン選択信号出力回路２４３には、センサ制御入力ＳＣとして、ライン切替信号ＬＳｅｌＤＡＴ及びライン切替クロック信号ＬＳｅｌＣＬＫが入力される。そして、ライン選択信号出力回路２４３は、入力されたライン切替信号ＬＳｅｌＤＡＴ及びライン切替クロック信号ＬＳｅｌＣＬＫに基づいて、ライン選択信号ｌｓａ〜ｌｓｐを出力する。このライン選択信号ｌｓａ〜ｌｓｐは、図１１に示すラインＩＤ毎に対応して生成されるものであり、それぞれ、ラインＩＤａ〜ｐが付されたセンサグループのセンサピクセル回路２３０に接続されるＡＮＤ回路２４１へ出力される。例えば、ライン選択信号ｌｓａは、ラインＩＤがａのセンサピクセル回路２３０、すなわち、ＳＰＮＯが１，１７，・・・５１０５のセンサピクセル回路２３０に接続されるＡＮＤ回路２４１へ出力される。
【０２２７】
図１７は、本発明の実施形態に係るライン選択信号出力回路２４３の内部構成を示す回路図である。図１７に示すように、ライン選択信号出力回路２４３は、直列に接続された１６個のＤフリップフロップＤＦＦｌａ，ＤＦＦｌｂ，・・・ＤＦＦｌｐを有して構成されるシフトレジスタである。ＤフリップフロップＤＦＦｌａ〜ＤＦＦｌｐはそれぞれ、ライン選択信号ｌｓａ〜ｌｓｐを出力する。
【０２２８】
次に、図１８及び図１９を用いて、選択信号発生回路２４０の動作を説明する。図１８は、本発明の実施形態に係る選択信号発生回路２４０の一部の構成を示す図、図１９は、本発明の実施形態に係る選択信号発生回路２４０の動作を説明するタイミングチャートである。なお、図１８及び図１９では、選択信号線ＳＥＬ２５９に出力する選択信号を発生するための動作について説明する。
【０２２９】
図１８に示すように、選択信号線ＳＥＬ２５９に接続されるＳＰＮＯが２５９のセンサピクセル回路２３０は、ブロックＮＯが２、ラインＩＤがｃであるので、ＡＮＤ回路２４１の入力には、センサ選択タイミング信号ＲＯＥＮの他、グループ選択信号ｇｓ２及びライン選択信号ｌｓｃが入力される。すなわち、ＡＮＤ回路２４１の入力には、グループ選択信号発生回路２４２における２段目のＤフリップフロップＤＦＦｇ２の出力と、ライン選択信号発生回路２４３における３段目のＤフリップフロップＤＦＦｌｃの出力とに接続される。
【０２３０】
図１９に示すように、まず、ライン選択信号発生回路２４３に、ライン切替信号ＬＳｅｌＤＡＴのＯＮが入力されてから、３回目に入力されるライン切替クロック信号ＬＳｅｌＣＬＫの立ち上がり時に、ライン選択信号ｌｓｃがＯＮとなる。このようにして、ラインＩＤがｃのセンサピクセル回路２３０が選択された状態となる。
【０２３１】
次に、グループ選択信号発生回路２４２に、グループ切替信号ＧＳｅｌＤＡＴのＯＮが入力されてから、２回目に入力されるグループ切替クロック信号ＧＳｅｌＣＬＫの立ち上がり時に、グループ選択信号ｇｓ２がＯＮとなる。このようにして、ブロックＩＤが２のセンサピクセル回路２３０が選択された状態となる。
【０２３２】
そして、選択信号発生回路２４０に、いずれかのセンサピクセル回路２３０を選択するためのセンサ選択タイミング信号ＲＯＥＮのＯＮが入力されると、ＡＮＤ回路２４１に入力される信号が全てＯＮとなるので、選択信号線ＳＥＬ２５９を介して出力するセンサ選択信号がＯＮとなる。
【０２３３】
その後、ＲＯＥＮがＯＦＦとなると、センサ選択信号もＯＦＦとなる。そして、３回目に入力されるグループ切替クロック信号ＧＳｅｌＣＬＫの立ち上がり時に、グループ選択信号ｇｓ２がＯＦＦとなり、４回目に入力されるライン切替クロック信号ＬＳｅｌＣＬＫの立ち上がり時に、ライン選択信号ｌｓｃがＯＦＦとなる。
【０２３４】
なお、上記では選択信号線ＳＥＬ２５９を介して出力されるセンサ選択信号がＯＮの場合について説明したが、選択信号線ＳＥＬ２５９のセンサ選択信号がＯＮとなるタイミングでは、ブロックＮＯが２、ラインＩＤがｃのセンサピクセル回路２３０の選択トランジスタ２３２が全てＯＮとなる、すなわち、選択信号線ＳＥＬ２５９，ＳＥＬ２７５，ＳＥＬ２９１，・・・，ＳＥＬ４８３，ＳＥＬ４９９のセンサ選択信号がＯＮとなる。これは、同一ブロックＮＯ、同一ラインＩＤのセンサピクセル回路２３０の選択トランジスタ２３２が同時に切り替えられることにより、同時に光量検出動作の切り替えが行われることを意味する。
【０２３５】
次に、光量計測部２００全体の光量検出シーケンスについて説明する。本実施形態では、各センサグループにおいて所定のラインＩＤが付された一つのセンサピクセル回路２３０の光量検出動作を、全てのセンサグループについて平行して行う。以下、このラインＩＤ一つあたりのセンサグループ全体の光量検出動作をグループリードという。本実施形態では、センサグループ一つにつき、ラインＩＤがａ〜ｐの１６個のセンサピクセル回路２３０があるので、グループリードを１６回行うことにより、全ての有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に関する光量検出が行われる。
【０２３６】
まず、上述したグループリード動作について説明する。図２０は、本発明の実施形態に係るグループリードの動作を説明するタイミングチャートであり、ラインＩＤがａに関するグループリードを示す。
【０２３７】
図２０に示すように、まず、ラインＩＤａに関するグループリードの開始時に、グループ切替信号ＧＳｅｌＤＡＴが入力されると、グループ切替クロック信号ＧＳｅｌＣＬＫの入力により、センサ選択信号が、ブロックＮＯが１のセンサピクセル回路２３０に接続される選択信号線ＳＥＬ１，ＳＥＬ１７，・・・，ＳＥＬ２４１に、同時に出力される。センサ選択信号が入力されたセンサピクセル回路２３０（ブロックＩＤが１，ラインＩＤがａ）では、リセットステップＳ１及び光照射放電ステップＳ２が同時に開始される。
【０２３８】
そして、グループ切替クロック信号ＧＳｅｌＣＬＫの入力される度に、ブロックＮＯが１から順次切り替えられる。すなわち、異なるブロックＮＯのセンサピクセル回路２３０に関するリセットステップＳ１及び光照射放電ステップＳ２が順次開始される。
【０２３９】
次に、電荷転送ステップの開始前に、グループ切替信号ＧＳｅｌＤＡＴが入力されると、グループ切替クロック信号ＧＳｅｌＣＬＫの入力により、センサ選択信号が、ブロックＮＯが１のセンサピクセル回路２３０に接続される選択信号線ＳＥＬ１，ＳＥＬ１７，・・・，ＳＥＬ２４１に、同時に出力される。センサ選択信号が入力されたセンサピクセル回路２３０（ブロックＩＤが１，ラインＩＤがａ）では、電荷転送ステップＳ４及びリードステップＳ５が同時に開始される。すなわち、センサグループ１Ａ〜１ＰのラインＩＤがａである１６個のセンサピクセル回路２３０と、検出処理回路２７０Ａ〜２７０Ｐとの間で同時に電荷転送が行われる。
【０２４０】
そして、グループ切替クロック信号ＧＳｅｌＣＬＫの入力される度に、ブロックＮＯが１から順次切り替えられる。すなわち、異なるブロックＮＯのセンサピクセル回路２３０へ順次センサ選択信号が出力され、電荷転送ステップＳ４及びリードステップＳ５が開始される。
【０２４１】
このようにして、ラインＩＤがａのセンサピクセル回路２３０全てに関する光量検出動作（ラインＩＤａに関するグループリード）が行われる。
【０２４２】
ここで、同一の出力ＩＤが付された複数のセンサピクセル回路２３０は、同一のドライバ線Ｒｏに接続されている。このような構成において、一つのチャージアンプ２５０から同一のドライバ線Ｒｏを介して複数のセンサピクセル回路２３０に対して同時に行うことが可能であるので、リセットステップＳ１は同一ドライバ線Ｒｏに接続された複数のセンサピクセル回路２３０において同時に行われてもよい。また、光照射放電ステップＳ２では、ドライバ線Ｒｏからセンサピクセル回路２３０が電気的に遮断されているので、リセットステップＳ２も、同一ドライバ線Ｒｏに接続された複数のセンサピクセル回路２３０において同時に行われてもよい。
【０２４３】
しかしながら、少なくとも電荷転送ステップＳ４（図１４参照：時刻ｔ４からｔ５まで）では、各センサピクセル２３０からドライバ線Ｒｏを介して検出処理回路２７０へ電荷転送が行われるので、電荷転送ステップＳ４は、同一ドライバ線Ｒｏに接続された複数のセンサピクセル回路２３０において同時に行うことができない。
【０２４４】
そこで、本実施形態の光量計測部２００において、図２０のタイミングチャートに示すように、同一のラインＩＤに関するグループリードでは、同一の出力ＩＤが付されたセンサピクセル回路２３０の各々について、電荷転送ステップＳ４が重複しないようにタイミングが制御されるので、一つの検出処理回路２７０で効率的に複数の光量センサ２２０の光量検出を行うことができる。すなわち、一つの検出処理回路２７０で複数の光量センサ２２０の光量検出を行うことができるので、検出処理回路２７０をセンサピクセル回路２３０と一対で設ける必要がなく、回路規模の削減し、製造コストを抑制することができる。
【０２４５】
更に、同時に行うことが可能な光照射放電ステップＳ２は、同一の出力ＩＤが付された複数のセンサピクセル回路２３０において、互いに一部が重複したタイミングで行われるので、光量検出に要する時間を短縮することができる。
【０２４６】
このように、各センサピクセル回路２３０に設けられた選択トランジスタ２３２を用いて、複数のセンサピクセル回路２３０の各々について、光量検出動作のタイミングを切り替え可能となるので、上述したように、回路規模の削減し、効率のよい光量検出を行うことができる。
【０２４７】
図２１は、本発明の実施形態に係る光量計測部２００全体の動作を説明するタイミングチャートである。図２１に示すように、選択信号発生回路２４０に入力されるライン切替信号ＬＳｅｌＤＡＴを契機として、光量計測部２００全体の光量検出動作が開始される。そして、ライン切替クロック信号ＬＳｅｌＣＬＫが入力されるたびに、グループリードのラインＩＤが切り替えられる。なお、各ラインＩＤに関するグループリードの間は、期間Ｔｂｌが与えられる。
【０２４８】
本実施形態は、ラインＩＤがａからｐまでの１６個あるので、１６回グループリードを行うことで、期間Ｔａｌｌにて全ての光量センサ２２０における光量検出結果の読み出しを行うことができる。
【０２４９】
このように、同一ラインＩＤを有するセンサピクセル回路２３０を一つずつ順番に検出するので、光量検出時には、主走査方向について、ラインＩＤの数（本実施形態では１６個）毎の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が発光すればよい。これにより、光量検出の対象となる有機エレクトロルミネッセンス素子１１０以外の光、例えば近接する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０からの光による影響、所謂クロストークを抑制し、高精度な光量検出が可能となる。
【０２５０】
なお、光量補正を行う際には、明電流及び暗電流のそれぞれについて検出を行うと共に、それぞれの光量検出結果を有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光量に反映して光量検出を行うといったように、上述した光量計測動作を複数回行うことで、より精度の高い光量補正を行うことができる。
【０２５１】
（陰極とグランドの接続構成）
図２２は、図４に示した光ヘッド１００の左側端部の拡大上面図である。図２２（ａ）は、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０、光量センサ２２０等の半導体製造プロセスにおいて、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の陰極が形成される前の状態を示している。図２２（ｂ）は、当該半導体製造プロセスにおいて、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の陰極１３８が形成された後の状態を示している。尚、図４で示した選択信号発生回路２４０、光量センサ２２０の図示は省略されている。
【０２５２】
図示の様に、本実施形態では、ＴＦＴ回路１９０における発光素子駆動回路１８１と基板１０１に対し接地する接地線（ＧＮＤ線；グランド）１２２が発光素子列１１０Ａと略平行に形成されている。この接地線１２２は種々の金属より形成され、例えば図８に示したゲートコントローラ１１４等、各有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動を制御するＴＦＴ回路１９０の接地線である。図８に示すＳＣＡＮ＿ＡやＳＣＡＮ＿Ｂといった制御信号線も、図示しないトランジスタ等を介して間接的に、この接地線１２２と接続されている。接地線１２２は、発光素子列１１０Ａの配列方向の延長線上の位置に設けられた（陰極）コンタクト部１２０に接続されている。そして、陰極コンタクト部１２０には、種々の金属より形成された配線１２４が接続され、配線１２４はＦＰＣ６６へ接続されている。
【０２５３】
ここに図２２（ｂ）で示すように陰極１３８が設けられる。陰極１３８には図８に示す各ピクセル回路１１３における各有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の接地点１１５の総てが接続される。即ち陰極１３８は有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の共通電極として機能する。もっとも、例えば図２８に示すように陰極コンタクト部１２０が、ガラス基板１０１の主走査方向の両端近傍に設けられているような場合には、陰極１３８を分割して構成してもよい。
【０２５４】
接地線１２２は後述するように、保護膜１３６によって被覆されており、少なくとも発光素子列を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が配置されている領域で、接地線１２２と陰極１３８が接触することはない。
【０２５５】
陰極１３８は、例えばアルミニウム等の金属をマスクを介して蒸着して形成したものであり、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０から構成される発光素子列と並列に、かつこれを覆うように形成される。陰極１３８は、発光素子列の配列範囲を超えて、更に陰極コンタクト１２０の位置まで延伸して設けられている。
【０２５６】
尚、上述の説明では、発光素子駆動回路１８１を基板１０１に接地するものとして接地線１２２を挙げた。しかしながら、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動する駆動部を接地するものとして接地線１２２を把握した場合、ここでの駆動部は、ＴＦＴ回路１９０内の発光素子駆動回路１８１のみならず、ＩＣチップより構成されたソースドライバ１８０をも含むものである。
【０２５７】
図２３は、図２２（ａ）で示した陰極コンタクト部１２０周辺のＢ領域における点線Ａに沿った断面図を示している。図２３（ａ）、図２３（ｂ）は、各々図２２（ａ）、図２２（ｂ）に対応している。図２３（ａ）に示すように、ガラス基板１０１の上には、ＳｉＮ、ＳｉＯ2などから形成されるベースコート膜１３２、酸化シリコンなどから形成される絶縁膜１３４が順次積層されている。絶縁層１３４の上には上述した接地線１２２を構成する金属層が形成されているとともに、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動するＴＦＴ回路１９０の表面を被覆する保護膜１３６も形成されている。保護膜１３６は接地線１２２の一部の上にも形成されている。さらに、接地線１２２、保護膜１３６の上には、ＩＴＯ層１２５が積層されている。以上の構成が、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の陰極形成前の状態である。
【０２５８】
図２３（ａ）の状態から、図２３（ｂ）のように有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の陰極（電極）１３８が通常のプロセス（蒸着）により、ＩＴＯ層１２５、保護膜１３６の上に形成され、結果的にＩＴＯ層１２５を介して陰極１３８と接地線１２２の導通（コンタクト）がとられる。さらにその上には封止部材としての封止ガラスＳＬ（図４参照）が形成される。陰極コンタクト部１２０は、陰極１３８と接地線１２２の積層範囲で定義され、本プロセスを経て陰極１３８と接地線１２２が接続される。尚、本実施形態では、陰極１３８と接地線１２２の間にＩＴＯ層１２５が介在している。光ヘッドの製造工程では、ガラス基板１０１上にＴＦＴ回路１９０を形成した後に、保護膜１３６を形成し、更にその後に有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の駆動電極としてＩＴＯ膜を形成する。図２３（ａ）、図２３（ｂ）に示すＩＴＯ層１２５は、この駆動電極の形成プロセスにおいて副次的に形成されるものであり、陰極コンタクト部１２０においては必ずしもＩＴＯ層１２５が介在する必要はない。
【０２５９】
光ヘッド１００の製造にあたっては、まず、基板１０１上にベースコート膜１３２、絶縁膜１３４を形成した後、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動する発光素子駆動回路１８１（接地線１２２を含む）と、図示せぬ陽極（駆動電極）を形成する。そして、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光部（発光層）として機能する有機エレクトロルミネッセンス材料、特に高分子材料を、スピンコート法、フラッドプリント法、インクジェット法などの湿式プロセスを用いて塗布し、その後所定時間のベイク工程を経て有機エレクトロルミネッセンス材料に含まれる溶媒成分を十分に揮発させる。このような湿式プロセス、例えばスピンコート法では、ガラス基板１０１の全面に有機エレクトロルミネッセンス材料が塗布されるため、塗布した有機エレクトロルミネッセンス材料のうち不要部分を除去し、陰極コンタクト部１２０、即ち上述の構成ではＩＴＯ層１２５を露出させる。有機エレクトロルミネッセンス材料の除去には、有機溶媒（キシレンなど）を供給しながらウェブを用いて行なう拭き取り法、レーザーアブレーション法などが使用される。ここまでが、図２３（ａ）の状態を達成する工程である。
【０２６０】
その後、図２３（ｂ）のように、陰極１３８を全有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に渡って共通な共通電極として、露出した陰極コンタクト部１２０と接触するよう、陰極１３８を形成する。ただし、図の例では、接地線１２２上にはＩＴＯ層１２５が存在しており、接地線１２２は露出していないが、ＩＴＯ層１２５は１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度であるから、導通部としての抵抗値は極めて低く、実用上全く問題はない。さらには、陰極コンタクト部１２０の少なくとも一部を封止するよう、封止ガラスＳＬが形成される。
【０２６１】
本例では、図２２に示したように、陰極１３８が、少なくとも二つの有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対して共通に、かつ発光素子列１１０Ａの配列方向に沿って発光素子列１１０Ａから延長して設けられている。さらには、発光素子列１１０Ａから延長した陰極１３８の部分（対応する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が存在しない部分）において、陰極コンタクト部１２０が存在する。とりわけ、陰極コンタクト部１２０は、陰極１３８の略端部に設けられている。この構成は表現を変えると、発光素子列の配列方向、即ちガラス基板１０１の主走査方向の端部近傍に陰極コンタクト部１２０を設けた、と言うこともできる。
【０２６２】
有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を用いた光ヘッドにおいては、当該素子のいずれかの電極の基板１０１に対する接地を確保することが必要となる。このような接地のための領域を確保することは、光ヘッドの大型化につながるおそれがある。
【０２６３】
しかしながら、上述した本発明の構成においては、接地を確保する陰極コンタクト部１２０が発光素子列１１０Ａの延長線上の位置に設けられている。従って、光ヘッド１００の副操作方向の幅を小さくすることができ、ひいては、露光装置、画像形成装置の小型化を図ることができる。また、陰極１３８を、製造工程において発光素子列１１０Ａを覆うように形成する過程で、簡易に接地線１２２に接触させることができる。従って、光ヘッド１００の製造が容易なものとなる。尚、陰極１３８は共通電極のため、接地線１２２との接触は陰極コンタクト部１２０の一箇所で確保すればよい。ただし、図示していない光ヘッド１００の右側端部において同様な陰極コンタクト部を設け、陰極１３８と接地線１２２の接触を確保しても良い。この場合は、複数の部位に陰極コンタクト部１２０を設けることとなり、グラウンドレベルの安定化に寄与することができる。
【０２６４】
また、陰極コンタクト部１２０上に封止ガラスＳＬを形成することにより、他の部品の封止もより確実なものとなり、外部の大気、水分から基板１０１上の部品をより確実に保護することが可能となる。尚、図２３（ｂ）の例では、封止ガラスＳＬは陰極１３８の全面を覆っておらず、陰極コンタクト部１２０の全面を覆うものではない。すなわち、封止ガラスＳＬは陰極コンタクト部１２０の少なくとも一部を覆うものであればよいが、陰極コンタクト部１２０の全面を覆うように構成しても良い。
【０２６５】
また、本実施形態では、共通電極としての陰極１３８に複数の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の接地点１１５が接続され、一方接地線１２２に有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光を制御する発光素子駆動回路１８１であるＴＦＴ回路１９０が接続とれ、この陰極１３８と接地線１２２は陰極コンタクト部１２０によって接続されている。
【０２６６】
図８に示す各接地点１１５を個別に陰極１３８に接触させることは、構成上非常に困難であり、仮に可能だとしても個々の接触部のスペースを確保するために基板サイズが大型化するなどの欠点があるので、本実施形態のような構成とするのが望ましい。
【０２６７】
また、必ずしも陰極１３８と接地線１２２が陰極コンタクト部１２０において接触する必要はない。発光素子駆動回路１８１（接地点１１５を含む）の接地点と陰極１３８は電気回路的にどこかで共通化（接続）されていれば良く、ガラス基板１０１上のどこかで共通化（接続）されれば良いが、本実施形態においては、小型化の観点を重視し、前述のように、発光素子列の略延長線上に設けた陰極コンタクト部１２０において共通化（接続）している。
【０２６８】
図２４は、光ヘッド１００端部における陰極形成前の他の構成例を示したものである。この例では、図２２、２３のものとは異なり、陰極コンタクト部１２０を、発光素子列１１０Ａの配列方向の延長線上の位置からずらして配置した例を示すものである。すなわち、陰極コンタクト部１２０は、発光素子列の配列方向における基板１０１の端部近傍に配置されている。本例では、発光素子列１１０Ａの配列方向の延長線よりもやや副走査（−）方向側に陰極コンタクト部１２０が配置されている。陰極コンタクト部１２０が、発光素子列１１０Ａの配列方向のちょうど延長線上の位置に設けられていなくても、本発明の効果が得られる。すなわち、陰極コンタクト部１２０が陰極１３８の略延長線上の位置に配置されるよう、光ヘッド１００を構成することができる。
【０２６９】
図２５は、光ヘッド１００端部における陰極形成前の更に他の構成例を示したものである。この例では、発光素子列１１０Ａに沿って複数の接地線１２２（本例では１２２ａ，１２２ｂの２本）を設け、２本の接地線１２２ａ，１２２ｂの間に発光素子列１１０Ａが配置されている。２本の接地線１２２ａ，１２２ｂの間にはバイパス線１２６が形成されている。光ヘッド１００の場合、グランドレベルの変動による画質劣化の影響は、表示装置の場合より大きいが、このような構成とすることでグランドレベルがより安定化し、画質の安定化に寄与することができる。
【０２７０】
図２６は、光ヘッド１００端部における陰極形成前の更に他の構成例を示したものである。有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を駆動する発光素子駆動回路（発光素子駆動部）１８１は、ＴＦＴ回路１９０内に形成可能である。本例では、ＴＦＴ回路１９０における分離した少なくとも二つの領域である第１のＴＦＴ領域１９０ａ、第２のＴＦＴ領域１９０ｂ各々に発光素子駆動回路１８１を形成している。これら二つのＴＦＴ領域は、発光素子列１１０Ａに沿ってその両側に形成されている。さらに、各ＴＦＴ領域に対応した接地線１２２ａ，１２２ｂが、そのＴＦＴ領域と発光素子列１１０Ａの間に設けられている。本例の場合は、主走査方向における有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の位置、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の左から順番に第１のＴＦＴ領域１９０ａに形成されたピクセル回路１１３（図８）、第２のＴＦＴ領域１９０ｂに形成されたピクセル回路１１３で交互に駆動するように構成するのが望ましい。
【０２７１】
図２７は、光ヘッド１００端部における陰極形成前の更に他の構成例を示したものであり、図２６の光ヘッド１００の変形例に相当する。上述した光ヘッド１００では、発光素子列１１０Ａを一列に構成したものを示したが、本例では、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を千鳥状に配置することにより、二つの発光素子列１１０Ａ１、発光素子列１１０Ａ２が結果的に構成されている。そして、第１の発光素子列１１０Ａ１を、第１の接地線１２２ａに接続された第１のＴＦＴ領域１９０ａに形成された発光素子駆動回路１８１で駆動し、第２の発光素子列１１０Ａ２を、第２の接地線１２２ｂに接続された第２のＴＦＴ領域１９０ｂに形成された発光素子駆動回路１８１で駆動するよう光ヘッド１００を構成している。この場合、例えば２段の千鳥状に配置された有機エレクトロルミネッセンス素子１１０は、配列ピッチを最大２倍まで拡張可能であり、発光領域を大きく形成することができる。発光領域が大きくなり有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に供給される電流値が大きくなったとしても、接地線は各素子列単位に設けられているから、グランドレベルを安定に保つことが可能となる。
【０２７２】
図２８は、光ヘッド１００の他の実施形態を示す。図４の光ヘッド１００と異なり、本実施形態では、図２２から図２７で示した陰極コンタクト部１２０に加え、別の（陰極）コンタクト部１２１、テスト素子駆動電極１２３、テスト素子１４０が基板１０１上に設けられている。前述の例と同様、陰極１３８は、少なくとも二つの有機エレクトロルミネッセンス素子１１０に対して共通に、かつ発光素子列１１０Ａの配列方向に沿って設けられている。
【０２７３】
本実施形態では、陰極１３８の延設方向に沿った複数の位置において、陰極コンタクト部１２１が複数設けられている。この陰極コンタクト部１２１は、図２３で示した陰極コンタクト部１２１と同様な構成を示しており、複数の位置において陰極１３８から引き出された図示せぬ引き出し電極により、陰極１３８は接地線１２２に接続され、接続箇所にて陰極コンタクト部１２１が定義される。
【０２７４】
また、本実施形態では、発光素子列１１０Ａの両側において、二つのテスト素子１４０が発光素子列１１０Ａの配列方向における略延長線上の位置に設けられている。二つのテスト素子１４０は互いに形状の同じものであっても、異なるもの（発光領域の大きさが異なる）であってもよい。テスト素子１４０は、発光素子列１１０Ａから見て、陰極コンタクト部１２０より近い位置に形成されている。すなわち、テスト素子１４０は、陰極コンタクト部１２０より内側に形成されている。また、陰極コンタクト部１２０は、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０とテスト素子１４０間で共通に使用される。さらに、テスト素子１４０の近傍で、基板１０１の端部には、テスト素子１４０を駆動するテスト素子駆動電極１２３が設けられている。
【０２７５】
光ヘッドの製造後、出荷前に有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光特性を検査するため、本例のようなテスト素子１４０をガラス基板１０１上に形成しておくとよい。この構成により、光ヘッドの量産時において信頼性の検査サンプルを容易に確保するとともに小型化の可能な光ヘッドを提供することができる。
【０２７６】
また、上述の様に、発光素子列１１０Ａから見て、テスト素子１４０より遠い位置に陰極コンタクト部１２０部を形成することができる。テスト素子１４０は封止ガラスＳＬより内側に設けられるため、水分の浸入等によるテスト素子１４０の劣化を有効に防止することができる。
【０２７７】
さらに、陰極コンタクト部１２０を有機エレクトロルミネッセンス素子１１０とテスト素子１４０間で共通にすることにより、両者の陰極を一つのマスクによって一括して形成することができ、生産性を向上することができる。
【０２７８】
さらに、テスト素子１４０の近傍でかつ基板１０１の端部にテスト素子１４０の駆動電極を設けることにより、テスト素子１４０の駆動電極が個別独立に、かつ外部から直接電位付与が可能に設けられるため、簡易な設備で検査を実施することができる。
【０２７９】
さらに、一の封止部材である封止ガラスＳＬにより有機エレクトロルミネッセンス素子１１０とテスト素子１４０を封止した場合、余分な工程が発生せず、製造コストを抑えることができる。さらに封止ガラスＳＬが陰極コンタクト部１２０の少なくとも一部を覆うように構成することにより、封止ガラスＳＬから外部に突出した陰極コンタクト部１２０の部分に、外部から直接電位を付与できることから、簡易な設備で検査を実施することができる。
【０２８０】
さらに、二つのテスト素子の発光領域の大きさが異なる場合、光ヘッドの様々な信頼性の検査を行うことが可能となる。しかも複数種類の検査を行うための製造工程の増加などは一切不要である。
【０２８１】
更に本実施形態では、封止ガラスＳＬによって、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０、テスト素子１４０、陰極コンタクト部１２０の少なくとも一部が覆われているため、外部の大気、水分から基板１０１上の部品をより確実に保護することが可能となる。また、封止ガラスＳＬが陰極コンタクト部１２０の全部を覆うようにし、陰極コンタクト部１２０と接続された引き出し線が、封止ガラスＳＬの外部に引き出されるように光ヘッド１００を構成しても良い。  この構成により、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光性能を犠牲としない範囲で、引き出し線を細くして封止領域から引き出せるため、外部から封止部への水分等の侵入を抑制し光ヘッドの信頼性を確保することができる。
【０２８２】
有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の発光部は有機エレクトロルミネッセンス材料により構成されるが、テスト素子１４０は当該発光部の膜厚を測定可能に構成されている。
【０２８３】
膜厚の測定には、例えばプローブを当てて計測する、いわゆる段差法を用いればよい。この場合、測定対象である有機エレクトロルミネッセンス素子の発光領域は、封止されていてはならない。よって本実施形態における膜厚の測定は、光ヘッドの製造工程において封止ガラスＳＬを装着する前に、サンプルを抜き取って膜厚を計測すればよい。
【０２８４】
また膜厚は、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光光量分布を計測することでも、おおまかな傾向が分かるから、封止をした後においても計測は可能である。この構成により、光ヘッドの信頼性の検査を詳細に行うことが可能となる。しかも詳細な検査を行うための製造工程の増加などは一切不要である。
【０２８５】
さて実施形態においては露光装置６０を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の点灯時間を一定とし、電流値を変化させることで、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を制御する構成を前提として説明してきたが、本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子１１０などの発光素子の駆動電流値を固定的に設定し、点灯時間を変化させて発光素子の光量を制御する、いわゆるＰＷＭ方式においても容易に適用できる。この場合は図６を用いて説明した第１エリアの内容を「潜像断面積を等しくするための駆動時間の設定値」と置き換えればよい。
【０２８６】
また露光装置によっては有機エレクトロルミネッセンス素子などによって構成された発光素子列を複数列有し、感光体の回転方向に対して略同じ位置に複数回の露光を行うことで、潜像を形成するものも知られている。このような露光装置であっても複数回の露光によって形成される潜像が現像に寄与しないように光量やＰＷＭ時間を設定することで、本発明の技術的思想を適用することが可能となる。このような露光装置では単一の発光素子列では現像に寄与する潜像は形成されないから、例えば紙間において列単位で光量を計測するようなシーケンスが考えられる。
【０２８７】
また、実施形態ではＴＦＴ回路、有機エレクトロルミネッセンス素子と同じポリシリコンのモノシリックデバイスとして構成された光量センサを用いて有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の光量を計測しているが、本発明の技術的思想はこれに限定されるものではない。例えば、アモルファスシリコンにて複数のフィルム状の光量センサを構成し、ガラス基板１０１の端面（図４参照）に沿って配置した構成に対しても、本発明は適用可能である。
【０２８８】
以上述べてきたように、実施形態では電子写真法を応用した画像形成装置について説明したが、本発明は電子写真法に限られるものではない。有機エレクトロルミネッセンス素子によってＲＧＢ光源は容易に実現できるため、例えば露光光源としてＲ光源、Ｇ光源、Ｂ光源をそれぞれ有する複数の露光装置を配置し、ＲＧＢ各色の画像データに基づいて印画紙を直接的に露光する画像形成装置に対しても容易に応用が可能であることは言うまでもない。
【０２８９】
本発明の各種実施形態を説明したが、本発明は前記実施形態において示された事項に限定されず、明細書の記載、並びに周知の技術に基づいて、当業者がその変更・応用することも本発明の予定するところであり、保護を求める範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０２９０】
本発明の光ヘッドによれば、その小型化を達成することができると共に、これを用いた露光装置、および画像形成装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２９１】
【図１】本発明の基本実施形態の画像形成装置の構成図
【図２】同実施形態の画像形成装置における現像ステーションの周辺を示す構成図
【図３】同実施形態の画像形成装置における露光装置の構成図
【図４】同実施形態の画像形成装置における露光装置に係る光ヘッドの上面拡大図
【図５】同実施形態の画像形成装置におけるコントローラの構成を示すブロック構成図
【図６】同実施形態の画像形成装置における光量補正データメモリの内容を示す説明図
【図７】同実施形態の画像形成装置におけるエンジン制御部の構成を示すブロック構成図
【図８】同実施形態の画像形成装置における露光装置の回路図
【図９】同実施形態の画像形成装置における露光装置に係る電流プログラム期間と有機エレクトロルミネッセンス素子の点灯期間を示す説明図
【図１０】本発明の実施形態に係る光量計測部の主要な構成を示す説明図
【図１１】本発明の実施形態に係る光量計測部におけるセンサピクセル回路のグループを示す説明図
【図１２】本実施形態の光量計測部の一部の内部構成を示す回路図
【図１３】本発明の実施形態に係るセンサピクセル回路及び出力処理回路の内部構成を示す回路図
【図１４】本発明の実施形態に係る各光量センサに関する光量検出動作を示すタイミングチャートである
【図１５】本発明の実施形態に係る選択信号発生回路の内部構成を示す回路図
【図１６】本発明の実施形態に係るグループ選択信号出力回路の内部構成を示す回路図
【図１７】本発明の実施形態に係るライン選択信号出力回路の内部構成を示す回路図
【図１８】本発明の実施形態に係る選択信号発生回路の一部の構成を示す図
【図１９】本発明の実施形態に係る選択信号発生回路の動作を説明するタイミングチャート
【図２０】本発明の実施形態に係るグループリードの動作を説明するタイミングチャート
【図２１】本発明の実施形態に係る光量計測部全体の動作を説明するタイミングチャート
【図２２】本発明の実施形態に係る光ヘッドの構成を模式的に説明する図
【図２３】本発明の実施形態にかかる光ヘッド端部の陰極形成前および形成後の上面図
【図２４】図２３に対応した光ヘッド端部の陰極形成前および形成後の断面図
【図２５】本発明の他の実施形態にかかる光ヘッド端部の上面図
【図２６】本発明の他の実施形態にかかる光ヘッド端部の上面図
【図２７】本発明の他の実施形態にかかる光ヘッド端部の上面図
【図２８】本発明の他の実施形態の画像形成装置における露光装置に係る光ヘッドの上面拡大図
【符号の説明】
【０２９２】
１      画像形成装置
２      筐体
４      給紙トレイ
８，８Ｙ，８Ｍ，８Ｃ，８Ｋ  感光体
１７    トナーボトル
１９    レジストローラ
２０    ピンチローラ
２１    記録紙通過検出センサ
２３    定着器
２４    加熱ローラ
２５    加圧ローラ
２７    温度センサ
２８    記録紙後端検出センサ
３２    トナー像検出センサ
３３    記録紙搬送ドラム
３４    フェイスダウン排紙部
３５    蹴り出しローラ
３６    支持部材
３７    リブ
３８    駆動源
３９    排紙トレイ
４３    電源部
４４    電源監視部
４５    アクチュエータ群
４６    高圧電源制御部
４７    操作パネル
５０，５０Ｙ，５０Ｍ，５０Ｃ，５０Ｋ  現像ステーション
５１，５１ａ，５１ｂ  攪拌パドル
５２    薄層化ブレード
５３    現像スリーブ
５４    マグネットロール
６０，６０Ｙ，６０Ｍ，６０Ｃ，６０Ｋ  露光装置
６１ａ  筐体Ａ（下筐体）
６１ｂ  筐体Ｂ（上筐体）
６２    レンズアレイ
６３    中継基板６３
６４ａ  コネクタＡ
６４ｂ  コネクタＢ
６５    ケーブル
６６    ＦＰＣ
７０    コントローラ
７１ａ  イメージメモリ
７１ｂ  光量補正データメモリ
７１ｃ  バッファメモリ
７２    Ｄ／Ａコンバータ
７３    ＲＯＭ
７４    ＲＡＭ
７５    コントローラＣＰＵ
７６    画像処理部
７７    タイミング生成部
７８    プリンタインタフェース
８０    エンジン制御部
８１    コントローラインタフェース
８２    エンジン制御ＣＰＵ
８３    ＲＯＭ
８４    ＲＡＭ
８５    不揮発性メモリ
８６    シリアルインターフェース
８７    バス
１００  光ヘッド
１０１  ガラス基板
１０５  発光ユニット
１１０  有機エレクトロルミネッセンス素子
１１０Ａ    発光素子列
１１１  ドライバ部
１１２  電流プログラム部
１１３  ピクセル回路
１１４  ゲートコントローラ
１１５  接地点
１２０  陰極コンタクト部
１２１  陰極コンタクト部
１２３  テスト素子駆動電極
１２２  接地線
１２４  配線
１２６  バイパス線
１３２  ベースコート膜
１３４  絶縁膜
１３６  保護膜
１３８  陰極
１４０  テスト素子
１８０，１８０ａ，１８０ｂ  ソースドライバ
１８１  発光素子駆動回路
１９０  ＴＦＴ回路
２００  光量計測部
２１０，２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃ，２１０ｄ  光量センサ出力処理部
２２０  光量センサ
２３０  センサピクセル回路
２３１  コンデンサ
２３２  選択トランジスタ
２４０  選択信号発生回路
２４１  ＡＮＤ回路
２４２  グループ選択信号出力回路
２４３  ライン選択信号出力回路
２５０  チャージアンプ
２５１  演算増幅器
２５２  コンデンサ
２５３  充放電選択トランジスタ
２６０  アナログ・ディジタル変換器（ＡＤＣ）
２７０，２７０Ａ〜２７０Ｐ  検出処理回路
３００    コンピュータ
ＤＦＦｇ１〜ＤＦＦｇ２０，ＤＦＦｌａ〜Ｄｆｆｌｐ  Ｄフリップフロップ
ＤＬ      現像剤
Ｎ      ネットワーク
Ｒ      記録紙
Ｐ      記録紙搬送路
ＳＬ    封止ガラス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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