(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の周縁部の不要な塗布膜を高い形状精度、幅精度で除去できる技術を提供すること。【解決手段】塗布膜（レジスト膜）が形成されたウエハＷの周縁部に対して露光処理を行う周辺露光装置４において、スピンチャック４１に保持されたウエハＷの外縁の位置データを検出するための位置検出手段７と、ウエハＷの周縁部に対して露光処理を行うための露光部６と、前記露光された領域に現像液を供給する現像ノズル８１と、スピンチャック４１を水平方向に移動させるための位置合わせ手段とを備える。前記位置検出手段７によって検出したウエハＷの外縁の位置データに基づいて、当該ウエハＷの外縁と露光部６との位置関係が一定になるように前記位置合わせ手段を制御しながら、前記露光部６によりスピンチャック４１に保持されたウエハＷの周縁部に対して露光処理を行う。【選択図】図７
2008098520.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布膜が形成された基板の周縁部に対して露光処理を行う周辺露光装置において、
表面に塗布膜が形成された基板を水平に保持するための基板保持部と、
この基板保持部に保持された基板の外縁の位置データを検出するための位置検出手段と、
前記基板保持部に保持された基板の周縁部に対して露光処理を行うための周辺露光手段と、  
前記基板保持部に保持され、前記周縁部に露光処理が行われた基板に対して、その露光された領域に現像液を供給し、前記露光された領域の塗布膜を溶解して除去するための現像液供給手段と、
前記基板保持部に保持された基板と前記周辺露光手段とを相対的に水平方向に移動させるための位置合わせ手段と、
前記周辺露光手段により露光処理を行う際に、前記基板の外縁の位置データに基づいて、基板の外縁と周辺露光手段との位置関係が一定になるように前記位置合わせ手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする周辺露光装置。
【請求項２】
前記基板保持部に保持され、前記周縁部の露光処理が行われた基板に対して、前記露光された領域に洗浄液を供給して当該領域を洗浄するための洗浄液供給手段を備えることを特徴とする請求項１記載の周辺露光装置。
【請求項３】
前記請求項１又は２記載の周辺露光装置を備え、
キャリア載置部にキャリアにより搬入された基板を処理部に受け渡し、この処理部にて前記基板に対して塗布膜の形成を行なった後、前記周辺露光装置において、基板の周縁部の不要な塗布膜に対する露光処理と、この露光が行われた領域の現像処理とを行ない、次いで基板をインターフェイス部を介して露光装置に搬送し、前記インターフェイス部を介して戻ってきた露光処理後の基板を前記処理部にて現像処理して前記キャリア載置部に受け渡すことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項４】
前記露光装置は、基板表面に液層を形成して露光を行う液浸露光処理が行われる装置であることを特徴とする請求項３記載の塗布、現像装置。
【請求項５】
前記請求項１又は２記載の周辺露光装置は、前記インターフェイス部に設けられることを特徴とする請求項３又は４記載の塗布、現像装置。
【請求項６】
前記塗布膜は、反射防止膜とこの上に形成されるレジスト膜とを含むことを特徴とする請求項３ないし５のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項７】
前記周辺露光装置にて処理される基板は、基板表面に反射防止膜形成用の塗布液が塗布された後、基板の周縁部の不要な反射防止膜が除去され、次いでこの反射防止膜の上にレジスト液が塗布された後、基板の周縁部の不要なレジスト膜が除去されているものであることを特徴とする請求項３ないし６のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項８】
塗布膜が形成された基板に対して、前記基板の周縁部に露光処理を行う周辺露光方法において、
表面に塗布膜が形成された基板を基板保持部に水平に保持させる工程と、
次いで前記基板保持部に保持された基板の外縁の位置データを検出する工程と、
次いで前記基板の外縁の位置データに基づいて、前記基板保持部に保持された基板に対して周辺露光手段を相対的に水平方向に移動させて、前記基板の外縁と前記周辺露光手段との位置関係が一定になるように位置合わせを行ないながら、前記周辺露光手段により基板の周縁部に対して露光処理を行う工程と、
次いで前記基板の外縁の位置データに基づいて、前記基板保持部に保持された基板に対して現像液供給手段を相対的に水平方向に移動させて、前記基板の外縁と前記現像液供給手段との位置関係が一定になるように位置合わせを行ないながら、現像液供給手段により前記基板の周縁部の露光された領域に現像液を供給し、前記露光された領域の塗布膜を溶解して除去する工程と、を含むことを特徴とする周辺露光方法。
【請求項９】
基板の表面に塗布膜を形成する工程と、
次いで請求項９記載の周辺露光方法を用いて、基板の周縁部の塗布膜を除去する工程と、
次いで前記前記周縁部の塗布膜が除去された基板に対して、基板表面に液層を形成して露光を行う液浸露光処理を行う工程と、
次いで前記液浸露光処理が行われた基板に対して現像処理を行う工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１０】
塗布膜が形成された基板の周縁部に対して露光を行う周辺露光装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項８記載の周辺露光方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば塗布膜が形成された基板に対して、前記基板の周縁部の不要な塗布膜を除去する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により基板に対してレジストパターンの形成が行なわれている。この技術は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板に、レジスト液を塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われている。このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行われる。
【０００３】
ところで、近年、デバイスパターンは益々微細化、薄膜化が進む傾向にあり、これに伴い、露光の解像度を上げる要請が強まっている。そこで例えばフッ化アルゴン（ＡｒＦ）やフッ化クリプトン（ＫｒＦ）による露光技術を更に改良して解像度を上げるため、基板の表面に光を透過させる液層を形成した状態で露光する手法（以下「液浸露光」という）の検討が成されている。この液浸露光は例えば光を純水の中を透過させる技術であり、水中では光の波長が短くなることから１９３ｎｍのＡｒＦの波長が水中では実質１３４ｎｍになる、という特徴を利用するものである。
【０００４】
一方、従来からレジスト液の塗布後には、ウエハの回路形成領域の外側の周縁部のレジスト膜を除去するエッジリンスが行われている。ウエハの周縁部は搬送アームにより保持されるためにベベル構造になっているが、ここにレジスト膜が存在すると、当該レジスト膜が搬送アームに付着してしまい、搬送工程において搬送アームからレジスト膜が剥がれ、欠陥原因となるパーティクルの発生原因となり、それが装置内に飛散したり、或いは他のウエハＷに転写したりして、パーティクル汚染を引き起こす要因になるからである。
【０００５】
前記エッジリンスは、例えば図１３（ａ）に示すように、レジスト液の塗布処理を行う塗布ユニットにおいて、ウエハ１０表面にレジスト液を塗布して、レジスト膜１１を形成した後、ウエハ１０の周縁部に向けてノズル１２からシンナー液等の有機溶剤を吐出することにより行われている。また特許文献１に記載されるように、ウエハの周縁部の不要な塗布膜を高い精度で除去するためのエッジリンス工程専用の塗布膜除去装置を用いて行われる場合もある。
【０００６】
しかしながら有機溶剤にてエッジリンスを行うと、有機溶剤と塗布膜との相性があるため、レジスト液の種類によっては前記ウエハの周縁部のレジスト膜を、端部形状が直線的になるように切れの良い状態で切断することが難しく、例えば図１３（ｂ）に示すように、レジスト膜がコブ状に盛り上がる部位１３や、除去しようとする領域にレジスト膜の溶解成分が液ダレしてきてウエハの外縁近傍にレジスト膜が薄く残ってしまう部位１４が存在し、レジスト膜が切れが悪い状態で切断される場合が多い。特にウエハＷの周縁部はベベル構造になっていることから、前記レジスト膜が除去されにくく、ウエハＷの周縁部の傾斜面に残留する可能性がある。
【０００７】
このような状態になると、既述の液浸露光処理では、図１３（ｃ）に示すように、ウエハ１０と露光部１５とを水１６を介して接触させた状態で前記露光部１５を移動させて処理を行っているので、コブ状の部位１３の存在により、水流や露光部１５の移動の際の影響が変化して、ウエハ１０からレジスト膜が剥がれる現象が発生するおそれがある。また前記ウエハの外縁近傍に薄く残るレジスト膜１１とウエハＷとの間から、水１６が毛細管現象により入り込み、これが原因となって図１３（ｄ）に示すように、レジスト膜１１の膜剥がれが発生するおそれもある。さらに例えばレジスト膜１１の下に反射防止膜を形成する場合等のように複数の塗布膜を積層する場合には、反射防止膜とレジスト膜１１との境界付近に水１６が侵入しやすく、当該領域から膜剥がれが発生することもある。このように液浸露光処理時にレジスト膜１１等の塗布膜の膜剥がれが発生すると、これがウエハ１０に再付着し、欠陥として検出されることが報告されている。
【０００８】
また有機溶剤によるエッジリンスは、既述のようにレジスト液と有機溶剤との相性があり、これによって除去しようとする膜の切れ幅の精度が悪化したり、切れ面の形状が悪化する。さらに例えばレジスト膜の下に反射防止膜を形成する場合等のように複数の塗布膜を積層する場合には、下層側の塗布膜のエッジリンスを行ってから上層側の塗布膜が形成されるので、下層側の塗布膜では上層側の塗布膜が形成される分を見越して切れ幅を設定しなければならず、切れ幅のマージンをより大きくする必要がある。このため結果として切れ幅が大きくなり、その分ウエハ１０の回路形成領域が小さくなってしまうというおそれもある。
【０００９】
ここでウエハの周縁部の不要なレジスト膜を除去する手法として、周辺露光処理を行う場合もある。この周辺露光とは、露光処理を行う前に、ウエハの周縁部の不要なレジスト膜に対して選択的に露光処理を行っておき、後の現像工程において前記周縁部の不要なレジスト膜を除去しようとするものである。この手法によれば、前記周縁部のレジスト膜を光学的に除去しているので、前記不要なレジスト膜を端部形状が直線的になるように切れのよい状態で除去できるという利点がある。しかしながら露光処理後の現像処理を行なわないと周縁部の不要なレジスト膜を除去できないので、現像処理に至るまでの搬送工程において、既述のように搬送アームにレジスト膜が付着し、パーティクルが発生するおそれがあるし、液浸露光処理時にはウエハの周縁部にはレジスト膜が存在するため、水との接触によって膜剥がれを発生させるおそれもある。
【００１０】
ところで上述の特許文献１は、基板の外縁位置を検出し、これに基づいてリンス液吐出部の位置を位置決めすることにより、ウエハの周縁部に形成された不要な塗布膜を高い精度で除去するものであり、特許文献１の構成によっても、液浸露光処理時のレジスト膜のウエハ１０からの膜剥がれについては解決できない。
【００１１】
【特許文献１】特開２００１−１１０７１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、基板の周縁部の不要な塗布膜を高い形状精度、幅精度で除去できる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このため本発明の周辺露光装置は、塗布膜が形成された基板の周縁部に対して露光処理を行う周辺露光装置において、
表面に塗布膜が形成された基板を水平に保持するための基板保持部と、
この基板保持部に保持された基板の外縁の位置データを検出するための位置検出手段と、
前記基板保持部に保持された基板の周縁部に対して露光処理を行うための周辺露光手段と、  
前記基板保持部に保持され、前記周縁部に露光処理が行われた基板に対して、その露光された領域に現像液を供給し、前記露光された領域の塗布膜を溶解して除去するための現像液供給手段と、
前記基板保持部に保持された基板と前記周辺露光手段とを相対的に水平方向に移動させるための位置合わせ手段と、
前記周辺露光手段により露光処理を行う際に、前記基板の外縁の位置データに基づいて、基板の外縁と周辺露光手段との位置関係が一定になるように前記位置合わせ手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
ここで前記周辺露光装置に、前記基板保持部に保持され、前記周縁部の露光処理が行われた基板に対して、前記露光された領域に洗浄液を供給して当該領域を洗浄するための洗浄液供給手段を備えるようにしてもよい。
【００１５】
また本発明の塗布、現像装置は、前記請求項１又は２記載の周辺露光装置を備え、キャリア載置部にキャリアにより搬入された基板を処理部に受け渡し、この処理部にて前記基板に対して塗布膜の形成を行なった後、前記周辺露光装置において、基板の周縁部の不要な塗布膜に対する露光処理と、この露光が行われた領域の現像処理とを行ない、次いで基板をインターフェイス部を介して露光装置に搬送し、前記インターフェイス部を介して戻ってきた露光処理後の基板を前記処理部にて現像処理して前記キャリア載置部に受け渡すことを特徴とする。
【００１６】
この際例えば前記露光装置としては、基板表面に液層を形成して露光を行う液浸露光処理が行われる装置を用いることができる。ここで前記周辺露光装置は、例えば前記インターフェイス部に設けられていることが望ましい。また前記塗布膜は、反射防止膜とこの上に形成されるレジスト膜とを含むものとすることができ、前記周辺露光装置にて処理される基板は、基板表面に反射防止膜形成用の塗布液が塗布された後、基板の周縁部の不要な反射防止膜が除去され、次いでこの反射防止膜の上にレジスト液が塗布された後、基板の周縁部の不要なレジスト膜が除去されているものとすることができる。
【００１７】
また本発明の周辺露光方法は、塗布膜が形成された基板に対して、前記基板の周縁部に露光処理を行う周辺露光方法において、
表面に塗布膜が形成された基板を基板保持部に水平に保持させる工程と、
次いで前記基板保持部に保持された基板の外縁の位置データを検出する工程と、
次いで前記基板の外縁の位置データに基づいて、前記基板保持部に保持された基板に対して周辺露光手段を相対的に水平方向に移動させて、前記基板の外縁と前記周辺露光手段との位置関係が一定になるように位置合わせを行ないながら、前記周辺露光手段により基板の周縁部に対して露光処理を行う工程と、
次いで前記基板の外縁の位置データに基づいて、前記基板保持部に保持された基板に対して現像液供給手段を相対的に水平方向に移動させて、前記基板の外縁と前記現像液供給手段との位置関係が一定になるように位置合わせを行ないながら、現像液供給手段により前記基板の周縁部の露光された領域に現像液を供給し、前記露光された領域の塗布膜を溶解して除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１８】
さらに本発明の塗布、現像方法は、基板の表面に塗布膜を形成する工程と、
次いで既述の周辺露光方法を用いて、基板の周縁部の塗布膜を除去する工程と、
次いで前記前記周縁部の塗布膜が除去された基板に対して、基板表面に液層を形成して露光を行う液浸露光処理を行う工程と、
次いで前記液浸露光処理が行われた基板に対して現像処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。
【００１９】
さらにまた本発明の記憶媒体は、塗布膜が形成された基板の周縁部に対して露光を行う周辺露光装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、既述の周辺露光方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
以上において本発明の周辺露光装置及び周辺露光方法では、基板の周縁部の塗布膜に対して周辺露光を行い、次いで同じ装置にて前記周辺露光された領域に現像液を供給しているので、この装置内において、基板の周縁部の不要な塗布膜が除去される。このため次工程に搬送する際に、基板の周縁部の不要な塗布膜の膜剥がれが原因となるパーティクル汚染の発生を抑えることができる。また塗布膜の周縁部を露光して当該領域を感光させ、次いで現像処理を行うことにより、感光領域を溶解させるという光学的な手法により、基板周縁部の不要な塗布膜を除去しているので、前記塗布膜を直線的な断面形状を有するように高い形状精度で切断できる。また基板の外縁の位置データを検出し、この位置データに基づいて基板と周辺露光手段との位置関係が一定になるように位置合わせを行いながら周辺露光手段による露光を行っているので、基板の外縁からの露光幅が一定になり、基板周縁部の塗布膜を高い幅精度で除去することができる。
【００２１】
また本発明の塗布、現像装置及び塗布、現像方法では、前記周辺露光装置及び周辺露光方法を含んでいるので、露光装置にて露光処理を行う前に、基板の周縁部の不要な塗布膜を形状精度や幅精度が高い状態で除去することができ、露光装置における、前記基板の周縁部の不要な塗布膜の膜剥がれが原因となるパーティクル汚染の発生を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
先ず本発明の周辺露光装置が組み込まれる塗布、現像装置に、露光装置を接続したレジストパターン形成システムの全体構成について図１及び図２を参照しながら簡単に説明する。図中Ｂ１は、基板例えばウエハＷが、例えば１３枚密閉収納されたキャリア２を搬入出するためのキャリア載置部であり、キャリア２を複数個並べて載置可能な載置部２０ａを備えたキャリアステーション２０と、このキャリアステーション２０から見て前方の壁面に設けられる開閉部２１と、前記開閉部２１を介してキャリア２からウエハＷを取り出すための受け渡し手段Ａ１とが設けられている。
【００２３】
前記キャリア載置部Ｂ１の奥側には、筐体２２にて周囲を囲まれる処理部Ｂ２が接続されており、この処理部Ｂ２には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３と、これら棚ユニットＵ１〜Ｕ３及び液処理ユニットＵ４，Ｕ５の各ユニット間のウエハＷの受け渡しを行う主搬送手段Ａ２，Ａ３とが交互に配列して設けられている。即ち、棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３及び主搬送手段Ａ２，Ａ３はキャリア載置部Ｂ１側から見て前後一列に配列されており、各々の接続部位には図示しないウエハ搬送用の開口部が形成されていて、ウエハＷは処理部Ｂ２内を一端側の棚ユニットＵ１から他端側の棚ユニットＵ３まで自由に移動できるようになっている。
【００２４】
また主搬送手段Ａ２，Ａ３は、キャリア載置部Ｂ１から見て前後一例に配列される棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３側の一面側と、後述する例えば右側の液処理ユニットＵ４，Ｕ５側の一面側と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁２３により囲まれる空間内に置かれている。また、図中２４は各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調整ユニットである。
【００２５】
前記棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、液処理ユニットＵ４，Ｕ５にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば１０段に積層した構成とされており、その組み合わせは、受け渡しユニット、ウエハＷを所定温度に調整するための温調ユニット（ＣＰＬ）、レジスト液の塗布前にウエハＷの加熱処理を行うための加熱ユニット（ＢＡＫＥ）、レジスト液の塗布後にウエハＷの加熱処理を行うためのプリベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＡＢ）、現像処理後のウエハＷを加熱処理するポストベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＯＳＴ）等が含まれている。
【００２６】
また液処理ユニットＵ４，Ｕ５は、例えば図２に示すように、ウエハＷに反射防止膜形成用の塗布液を塗布して反射防止膜を形成するための反射防止膜形成ユニット（ＢＡＲＣ）２６、ウエハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するための塗布ユニット（ＣＯＴ）２７、ウエハＷに現像液を供給して現像処理するための現像ユニット（ＤＥＶ）２８等を複数段、例えば５段に積層して構成されている。
【００２７】
前記処理部Ｂ２における棚ユニットＵ３の奥側には、インターフェイス部Ｂ３を介して例えば液浸露光を行う露光装置Ｂ４が接続されている。前記インターフェイス部Ｂ３は、処理部Ｂ２と露光装置Ｂ４との間に前後に設けられる第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂにより構成されており、夫々に昇降自在及び鉛直軸周りに回転自在かつ進退自在な第１の搬送アーム３１及び第２の搬送アーム３２を備えている。
【００２８】
さらにまた第１の搬送室３Ａには、第１の搬送アーム３１を挟んでキャリア載置部Ｂ１側から見た右側に棚ユニットＵ６が設けられており、この棚ユニットＵ６には、例えば本発明の周辺露光装置４や、受け渡しユニット、高精度温調ユニット（ＣＰＬ）、及び液浸露光済みのウエハＷをポストエクスポージャーべーク処理する加熱・冷却ユニット（ＰＥＢ）等が例えば上下に積層して設けられている。なお前記周辺露光装置４や高精度温調ユニット（ＣＰＬ）、加熱・冷却ユニット（ＰＥＢ）は、処理部Ｂ２の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３に設けるようにしてもよい。
【００２９】
前記液浸露光を行う露光装置Ｂ４について図３を用いて簡単に説明すると、図示しない保持機構により水平姿勢に保持されたウエハＷの上方には、ウエハＷの表面と隙間を開けて対向するように露光手段３３が配置されている。この露光手段３３の中央先端部にはレンズ３４が介設されており、このレンズ３４の外周側にはウエハＷの表面に液層を形成するための溶液例えば純水を供給するための供給口３５と、ウエハＷに供給した純水を吸引して回収するための吸引口３６とが夫々設けられている。この場合、前記供給口３５からウエハＷの表面に純水を供給すると共に、この純水を吸引口３６により回収することにより、レンズ３４とウエハＷの表面との間に液膜（純水膜）が形成される。そして図示しない光源から光が発せられ、この光は当該レンズ３４を通過し、当該液膜を透過してウエハＷに照射されることで所定の回路パターンがレジストに転写される。
【００３０】
続いて例えば図４に示すように、レンズ３４とウエハＷの表面との間に液膜を形成した状態で、露光手段３３を横方向にスライド移動させて次の転写領域（ショット領域）３７に対応する位置に当該露光手段３３を配置し、光を照射する動作を繰り返すことによりウエハＷの表面に所定の回路パターンを順次転写していく。なおショット領域３７は実際よりも大きく記載してある。
【００３１】
次にウエハＷに対してレジスト液の塗布処理を行う塗布ユニット２７について図５を用いて簡単に説明すると、図５中５は、ウエハＷの裏面側中央部を吸引吸着して水平に保持するための基板保持部をなすスピンチャックである。このスピンチャック５は駆動機構５１によりウエハＷを保持した状態で回転及び昇降自在に構成されている。前記スピンチャック５に保持されたウエハＷの周縁外側には、このウエハＷを囲むようにして上部側が開口するカップ体５２が設けられている。前記カップ体５２の底部側には凹部状をなす液受け部５３がウエハＷの周縁下方側に全周に亘って設けられており、その底部には貯留した塗布液などのドレインを排出するための排液路５３ａと排気路５３ｂとが接続されている。
【００３２】
図中５４はウエハＷに塗布液であるレジスト液を供給するための塗布液ノズルであり、この塗布液ノズル５４は、ノズル駆動部５４Ａによって、例えば昇降自在、及びスピンチャック５に保持されたウエハＷの中央部にレジスト液を供給する処理位置と、カップ体５２の外部に設けられた待機位置との間で回転自在に構成されている。
【００３３】
さらに図中５５は、スピンチャック５に保持されたウエハＷの回路形成領域の外側の周縁部に、当該領域の不要なレジスト液を除去するために、リンス液例えばシンナー液などの有機溶剤を供給するためのエッジリンス機構であり、このエッジリンス機構５５は、スピンチャック５に保持されたウエハＷにリンス液を供給するためのリンスノズル５６と、当該リンスノズル５６を昇降自在及び、スピンチャック５に保持されたウエハＷの周縁部にリンス液を供給する処理位置と、カップ体５２の外部に設けられた待機位置との間で回転自在に駆動させる駆動部５６Ａとで構成されている。
【００３４】
そしてこのような塗布ユニット２７では、スピンチャック５上にウエハＷを保持させ、当該ウエハＷの中心に塗布液であるレジスト液を供給しながら、ウエハＷを回転させることにより、ウエハＷ表面にレジスト液を伸展させてレジスト液の塗布が行われ、次いでリンスノズル５６からウエハＷ表面の周縁部に有機溶剤よりなるリンス液を吐出しながら、ウエハＷを回転させることにより、ウエハＷの周縁部の不要なレジスト液の除去が行われる。
【００３５】
また反射防止膜形成ユニット２６も塗布ユニット２７と同様に構成され、スピンチャック５上にウエハＷを保持させ、当該ウエハＷの中心に反射防止膜形成用の塗布液を供給しながら、ウエハＷを回転させることにより、ウエハＷ表面に反射防止膜形成用の塗布液の塗布が行われ、次いでリンスノズル５６からウエハＷ表面の周縁部に有機溶剤よりなるリンス液を吐出しながら、ウエハＷを回転させることにより、ウエハＷの周縁部の不要な反射防止膜の除去が行われる。
【００３６】
このようなレジストパターン形成システムにおけるウエハＷの流れの一例について、図６を参照しながら説明すると、キャリア載置部Ｂ１に載置されたキャリア２内のウエハＷは、温調ユニット（ＣＰＬ）→反射防止膜形成ユニット２６の経路で搬送され、ウエハＷの表面に既述のように反射防止膜Ｂが形成される（図６（ａ）参照）。そして反射防止膜形成ユニット２６では、既述のように反射防止膜形成用の塗布液の塗布が終了した後、エッジリンス処理が行われ、周縁部の不要な反射防止膜が有機溶剤により溶解されて除去される（図６（ｂ）参照）。
【００３７】
次いでウエハＷは、加熱ユニット（ＢＡＫＥ）→温調ユニット（ＣＰＬ）→塗布ユニット２７の経路で搬送されて、反射防止膜Ｂの上にレジスト膜Ｒが形成される（図６（ｃ）参照）。そして塗布ユニット２７では、既述のようにレジスト液の塗布が終了した後、エッジリンス処理が行われ、周縁部の不要なレジスト膜Ｒが有機溶剤により溶解されて除去される（図６（ｄ）参照）。なお図６（ｄ）では、背景技術の欄で記載したように、有機溶剤によるエッジリンス処理によって、ウエハＷの周縁部にレジスト膜がコブ状に盛り上がる部位１３や、液ダレによりレジスト膜が薄く残ってしまう部位１４が存在する状態を描いている。この後ウエハＷは、加熱ユニット（ＰＡＢ）→周辺露光装置４の経路で搬送されて、ここで後述するように、周縁部の不要なレジスト膜が精度よく除去される。
【００３８】
続いてウエハＷは露光装置Ｂ４に搬送されて、ウエハＷの表面に例えば純水の液膜を形成した状態で液浸露光が行われる。液浸露光処理後のウエハＷは、加熱ユニット（ＰＥＢ）→高精度温調ユニット（ＣＰＬ）→現像ユニット２８→加熱ユニット（ＰＯＳＴ）→温調ユニット（ＣＰＬ）→キャリア載置部Ｂ１のキャリア２の経路で搬送される。
【００３９】
続いて上述のレジストパターン形成装置に組み込まれる本発明の周辺露光装置４の実施の形態について図７〜図１２を用いて説明する。図７中４１は、処理容器４０の内部に設けられ、ウエハＷの裏面側中央部を真空吸着して水平に保持するための基板保持部をなすスピンチャック４１である。このスピンチャック４１は軸部４２を介して駆動機構４３に接続されており、この駆動機構４３によりウエハＷを保持した状態で鉛直軸回りに回転自在及び、例えば後述するカップ体４６の上方側の、ウエハの外縁の位置データを取得すると共に、ウエハＷに対して周辺露光処理が行われる第１の位置（図７に一点鎖線で示す位置）と、ウエハＷがカップ体４６の内部に位置し、ウエハＷに対して液処理が行われる第２の位置（図７に実線で示す位置）との間で昇降自在に構成されている。
【００４０】
図中４４は、図８中Ｘ方向に伸張するガイドレール４５にガイドされるように設けられた基台であり、前記駆動機構４３はこの基台４４の上部に配設されている。そして前記基台４４は例えばボールネジを用いた機構やプーリとベルトとを用いた機構からなる駆動部（図示せず）により、ガイドレール４５に沿って移動できるように構成され、こうしてスピンチャック４１はＸ方向に移動自在に構成されている。この例では前記基台４４とガイドレール４５と駆動部とにより位置合わせ手段が構成されている。
【００４１】
前記スピンチャック４１に保持されたウエハＷの周縁外側には、このウエハＷを囲むようにして上部側が開口するカップ体４６が、例えば前記基台４４に取り付けられるような状態で設けられている。なお図８は図示の便宜上、カップ体４６を省略して描いている。前記カップ体４６の側周面上端側は内側に傾斜しており、前記カップ体４６の底部側には貯留した後述する現像液や洗浄液等のドレインを排出するための排液路４７が接続されている。こうしてこのカップ体４６は、スピンチャック４１と共にＸ方向に移動自在に設けられ、さらにスピンチャック４１はカップ体４６とは独立して昇降自在、回転自在に設けられることになる。
【００４２】
図７中６は周辺露光手段をなす露光部であり、この露光部６は例えば処理容器４０に取り付けられていて、図９に模式的に示すように、光源６１とリフレクタ６２と集光レンズ６３とスリット６５を備えた遮光マスク６４とを有している。前記光源６１としては例えば超高圧水銀やキセノンフラッシュなどの放射状に光を発する光源が用いられ、この光源６１の周囲には、当該光源６１を覆うようにリフレクタ６２が設けられていて、リフレクタ６２は光源６１から放射された光の一部を反射することで、集光レンズ６３の入射面に光をビームとして照射するように構成されている。また集光レンズ６３の下部側には、例えば板状の遮光マスク６４が設けられ、この遮光マスク６４には、例えば矩形状のスリット６５が開口し、露光スポット６６の形状を整えている。こうして露光部６では、光源６１から発せられた光ビームが集光レンズ６３上に照射され、集光レンズ６３では前記光ビームをスリット６５の周囲に向けて集光させ、スリット６５を透過した光ビームはスピンチャック４１上に保持されたウエハＷの周縁部の照射領域に照射されることで周辺露光が行われるようになっている。
【００４３】
ここで露光部６は、ウエハＷが、当該ウエハＷの中心とスピンチャック４１の中心とが位置合わせされた状態でスピンチャック４１上に保持されたときに、当該露光部６から常にウエハＷの周縁部の予定された照射領域に露光ビームが照射され、ウエハＷの周縁部を予め設定された均一な幅で露光できる位置に配設されている。
【００４４】
図７中７は位置検出手段である。この位置検出手段７はウエハＷの外縁の位置を検出するための手段であり、ウエハＷの外縁の位置を検出する位置検出部と、この位置検出部を駆動させる位置検出部駆動機構とにより構成される。この例では前記位置検出部は例えばＣＣＤカメラ７１よりなり、このＣＣＤカメラ７１は例えばコ字状の支持部材７２により支持されていて、この支持部材７２がウエハＷのカップ体４６の上方側にて、位置検出部駆動機構７３により、前記ＣＣＤカメラ７１がウエハＷの外縁の位置を検出するときの検出位置と、カップ体４６の外側の待機位置との間で水平方向に移動自在に構成されている。
【００４５】
そしてウエハＷをカップ体４６の上方側の前記第１の位置に配置し、ウエハＷの外縁を前記コ字状の支持部材７２にて外側から挟むようにＣＣＤカメラ７１を位置させ、前記ＣＣＤカメラ７１によって前記ウエハ外縁近傍を撮像しながら、ウエハＷをスピンチャック４１により例えば１００ｒｐｍ程度の回転速度で３６０度回転させることによって、前記ウエハＷの外縁全周の位置データを把握するようになっている。この例では例えばウエハＷの外縁の位置データはＸ，Ｙ座標位置の位置データとして把握され、後述する制御手段に格納されるようになっている。なお位置検出部としては、ＣＣＤカメラ７１以外に、ＣＣＤセンサや発光素子と受光素子とを組み合わせて構成されたもの等を用いることができる。
【００４６】
図７中８１は、スピンチャック４１上に保持されたウエハＷの周縁部に現像液を供給するための現像ノズルであり、この現像ノズル８１は現像ノズル駆動部８２により、例えば昇降自在、及びウエハＷに現像液を供給する現像液供給位置とカップ体４６の外側の待機位置との間で回転自在に構成されている。また図中８３は、スピンチャック４１上に保持されたウエハＷの周縁部に洗浄液例えば純水を供給するための洗浄ノズルであり、この洗浄ノズル８３としては例えば１０ｋＰａ〜１ＭＰａ程度の吐出圧で洗浄液を圧力調整した状態で吐出できるように加圧ノズルが用いられる。このような洗浄ノズル８３は、洗浄ノズル駆動部８４により、例えば昇降自在、及びウエハＷに洗浄液を供給する洗浄液供給位置とカップ体４６の外側の待機位置との間で回転自在に構成されている。
【００４７】
ここで前記現像液供給位置及び洗浄液供給位置は、ウエハＷが、当該ウエハＷの中心とスピンチャック４１の中心とが位置合わせされた状態でスピンチャック４１上に保持されたときに、前記ウエハＷの前記周辺露光が行われた領域を含む領域に現像液及び洗浄液を夫々供給する位置である。前記現像ノズル８１と洗浄ノズル８３には、夫々現像液供給路８５ａ，洗浄液供給路８６ａ、流量調整部Ｖ１，Ｖ２を介して夫々現像液供給源８５、洗浄液供給源８６が接続されている。この例では、現像ノズル８１と現像ノズル駆動部８２と現像液供給路８５ａと流量調整部Ｖ１と現像液供給源８５とにより現像液供給手段が構成されている。
【００４８】
上述の例では、位置検出手段７と現像ノズル８１と洗浄ノズル８３とは、夫々前記検出位置、現像液供給位置、洗浄液供給位置と、待機位置との間で移動するときに、互いに干渉しない位置に設けられている。そして当該処理容器４０の側壁部にはウエハＷの搬出入口４８が形成されており、ここから搬出入されたウエハＷは、例えば前記第１の位置においてスピンチャック４１との間で受け渡しが行われるようになっている。
【００４９】
この周辺露光装置４には制御手段１００が備えられている。この制御手段１００は、例えばコンピュータからなるプログラム格納部を備えており、プログラム格納部には、後述するような周辺露光装置４の作用、つまりウエハＷの処理、ウエハＷの受け渡しの制御などが実施されるように命令が組まれた例えばソフトウェアからなるプログラムが格納される。そして当該プログラムが制御手段１００に読み出されることにより、制御手段１００はスピンチャック４１の駆動機構４３、基台４４の駆動部、露光部６、流量調整部Ｖ１，Ｖ２、現像ノズル駆動機構８２、洗浄ノズル駆動機構８４等に指令を出力し、後述する周辺露光装置４の作用を制御する。なおこのプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶媒体に収納された状態でプログラム格納される。
【００５０】
さらに制御手段１００は、位置検出手段７にて取得されたウエハＷの外縁の位置データに基づいて、スピンチャック４１に保持されたウエハＷに対して、周辺露光処理時のウエハＷの外縁と露光部６との位置関係が一定になるように、また現像液供給時のウエハＷの外縁と現像ノズル８１との位置関係が一定になるように、さらに洗浄液供給時のウエハＷの外縁と洗浄ノズル８３の位置関係が一定になるように前記位置合わせ手段を制御するようになっている。
【００５１】
既述のようにウエハＷの中心とスピンチャック４１の中心とが位置合わせされた状態でウエハＷがスピンチャック４１上に保持されれば、露光部６から常にウエハＷの周縁部の予定された照射領域に露光ビームが照射されて、ウエハＷの周縁部を均一な幅で露光でき、また現像ノズル８１、洗浄ノズル８３から、常にウエハＷの周縁部の予定された領域に現像液、洗浄液が夫々供給されるようになっているが、ウエハＷの中心とスピンチャック４１の中心とが合わない状態でスピンチャック４１上に保持される場合があり、この場合にもウエハＷの周縁部を均一な幅で露光し、また現像ノズル８１、洗浄ノズル８３からウエハＷの周縁部の予定された領域に現像液、洗浄液を夫々供給するために、この位置合わせ作業が行われる。
【００５２】
具体的に、周辺露光時の露光部６の位置合わせを例にして説明すると、既述のように、位置検出手段７により検出されたウエハＷの外縁のＸ，Ｙ座標位置の位置データは制御手段１００の位置データ格納部１０１に格納される。制御手段１００では、補正量算出部１０２により、ウエハ外縁のＸ，Ｙ座標位置の位置データに基づいて、周辺露光処理時においてウエハＷの外縁と露光部６との位置関係が常に一定になるように、露光部６のＸ，Ｙ座標位置とウエハＷの回転速度と時間とにより、例えばある時間における基台４４のＸ方向の補正量を求める。
【００５３】
つまり露光部６は処理容器４０に取り付けられていて、そのＹ座標位置は固定されているため、ウエハＷの外縁と露光部６との位置関係が一定になるように、例えば常に照射領域がウエハＷの外縁から均一な幅になる状態で露光できるように、ある時間における前記Ｙ座標位置の露光部６のＸ座標位置を算出し、この値とのずれ量を求めることにより、基台４４のＸ方向の補正量を求める。そして補正部１０３により、基台４４の駆動部に前記補正量分Ｘ方向に移動させるように指令を出力し、これに基づいて基台４４をガイドレール４５に沿って移動させながら、スピンチャック４１を回転させることで、ウエハＷの外縁と露光部６との位置関係を常に一定になるようにした状態で周辺露光処理が行い、これによってウエハＷの周縁部を均一な幅で露光する。  
同様に、現像液供給時の現像ノズル８１と、洗浄液供給時の洗浄ノズル８３とについても同様の位置合わせ作業を行い、現像液供給時のウエハＷの外縁と現像ノズル８１との位置関係が一定になるように、洗浄液供給時のウエハＷの外縁と洗浄ノズル８３の位置関係が一定になるように夫々前記位置合わせ手段７を制御しながら、常にウエハＷの周縁部の予定された領域に現像液、洗浄液を夫々供給して、夫々の作業を行う。
【００５４】
続いて周辺露光装置４の作用について、図１０〜図１２を参照しながら説明する。図１０（ａ）に示すように、ウエハＷは処理容器４０内に搬出入口４８を介して搬入され、カップ体４６の上方側の前記第１の位置にてスピンチャック４１上に受け渡される。ここで処理容器４０内に搬入されるウエハＷは、既述の図６（ｄ）に示すように、反射防止膜形成ユニット２６にて反射防止膜用の塗布液が塗布された後、エッジリンス処理により周縁部の不要な反射防止膜が除去され、次いで塗布ユニット２７にてレジスト液が塗布された後、エッジリンス処理により周縁部の不要なレジスト膜が除去されたものであり、この例では反射防止膜Ｂとその上層側のレジスト膜Ｒとにより塗布膜が構成されている。
【００５５】
次いでウエハＷを保持したスピンチャック４１を前記第１の位置に位置させたまま、位置検出手段７を前記検出位置に位置させ、スピンチャック４１を例えば１００ｒｐｍ程度の回転速度で回転させながら、ウエハＷの外縁のウエハＷの外縁の位置データを、既述のようにＸ，Ｙ座標位置の位置データとして検出し、制御手段１００に格納する。制御手段１００では、既述のように周辺露光時のスピンチャック４１の基台４４のＸ方向の補正量と、現像液供給時のスピンチャック４１の基台４４のＸ方向の補正量と、洗浄液供給時のスピンチャック４１の基台４４のＸ方向の補正量とを求める。
【００５６】
そして図１０（ｂ）、図１２（ａ）に示すように、位置検出手段７をカップ体４６の外側の待機位置まで退行させ、露光部６からウエハＷの周縁部に向けて露光ビームを照射し、ウエハＷの外縁と露光部６とが一定の位置関係になるように、制御手段１００により基台４４をガイドレール４５に沿って前記補正量に相当する分移動させながら、スピンチャック４１を回転させることで、ウエハＷの周縁を均一な幅Ｌ１で露光する。
【００５７】
ここでこの幅Ｌ１は、ウエハＷ外縁から長さＬ１分内側までの距離であり、露光領域に相当する。また前記幅Ｌ１はこの例ではレジスト膜Ｒのコブ状の部位１３と液ダレにより形成された部位１４とを含む大きさに設定されている。従って反射防止膜Ｂのエッジリンス幅とレジスト膜Ｒのエッジリンス幅は、周辺露光処理時の前記露光領域内に前記コブ状の部位１３が含まれるように設定され、これにより反射防止膜形成ユニット２６や塗布ユニット２７にて行われる有機溶剤のエッジリンス幅は前記露光領域よりもウエハＷ外縁からの距離が小さく、幅狭に設定されることになる。
【００５８】
続いて図１１（ａ）、図１２（ｂ）に示すように、ウエハＷを保持したスピンチャック４１をカップ体４６の内側の前記第２の位置まで下降させ、現像ノズル８１を前記現像液供給位置に位置させて、現像ノズル８１から所定流量の現像液をウエハＷの周縁部に向けて吐出する。ここで現像液の吐出領域は前記露光領域（幅Ｌ１）を含む領域である。この際、ウエハＷの外縁と現像ノズル８１とが一定の位置関係になるように、制御手段１００により基台４４をガイドレール４５に沿って前記補正量に相当する分移動させながら、スピンチャック４１を回転させることで、ウエハＷの周縁部の幅Ｌ１を含む所定の領域に対して常に正確に現像液が供給される。これによりウエハＷ表面のレジスト膜Ｒでは、前記露光部６により露光された領域の不要なレジスト膜Ｒが現像液に溶解して除去される。
【００５９】
続いて図１１（ｂ）、図１２（ｃ）に示すように、現像ノズル８１を前記待機位置に位置させると共に、洗浄ノズル８３を洗浄液供給位置に位置させて、当該洗浄ノズル８３から所定流量の洗浄液を例えば５０ｋＰａ程度の吐出圧でウエハＷの周縁部に向けて吐出する。ここで洗浄液の吐出領域は前記露光領域（幅Ｌ１）を含む領域である。この際、ウエハＷの外縁と洗浄ノズル８３とが一定の位置関係になるように、制御手段１００により基台４４をガイドレール４５に沿って前記補正量に相当する分移動させながら、スピンチャック４１を回転させることで、ウエハＷの周縁部の幅Ｌ１を含む所定の領域に対して常に正確に洗浄液が供給される。前記所定の領域では洗浄液が圧力調整された状態で供給されるので、当該領域に残存するレジスト膜の溶解成分やパーティクルが速やかに除去される。
【００６０】
次いで図１２（ｄ）に示すように、洗浄ノズル８３を待機位置に位置させ、ウエハＷを例えば１０００ｒｐｍ程度の回転速度で高速回転させることにより、ウエハＷ表面を乾燥させる。続いてスピンチャック４１を前記第１の位置まで上昇させ、こうしてウエハＷの周縁部の不要なレジスト膜Ｒに対して、周辺露光処理と現像処理とが行われ、前記不要なレジスト膜Ｒが除去されたウエハＷは、搬出入口４８を介して図示しない搬送アームにより次工程に搬送される。
【００６１】
このような周辺露光装置４では、ウエハＷの周縁部の不要なレジスト膜Ｒに対して周辺露光を行い、次いで同じ装置にて前記周辺露光された領域に現像液を供給しているので、１つの装置においてウエハＷの周縁部の不要なレジスト膜Ｒを除去することができる。これにより次工程への搬送の際に、ウエハＷの周縁部の不要なレジスト膜が剥がれ落ち、これが原因となってパーティクル汚染を引き起こすおそれがない。
【００６２】
またこの際、レジスト膜の周縁部を露光して当該領域を感光させ、次いで前記露光領域に対して現像液を供給して、前記露光領域（感光領域）を溶解させるという光学的な手法によりウエハＷの周縁部の不要なレジスト膜を除去しているので、有機溶剤によるエッジリンスで問題となるような、有機溶剤とレジスト膜との相性等の問題もなく、レジスト膜の種類によらず、当該レジスト膜を直線的な断面形状を有するように高い形状精度で切断できる。さらにウエハＷの外縁の位置データを検出し、この位置データに基づいてウエハＷと露光部６との位置関係が一定になるようにスピンチャック４１を移動させて位置合わせを行ないながら周辺露光処理を行っているので、ウエハＷの外縁からの露光幅が常に一定になり、ウエハＷの周縁部のレジスト膜を高い幅精度で除去することができる。このため有機溶剤によるエッジリンスで問題となるような切れ幅のマージンを増大する必要がなく、レジスト膜の回路形成領域を大きく設定することができる。
【００６３】
さらにこのような周辺露光装置４を組み込んだ塗布、現像装置では、当該周辺露光装置４において周縁部の不要なレジスト膜Ｒを除去することができるので、例えば露光装置において、ウエハＷの周縁部の不要なレジスト膜が剥がれ落ちて、パーティクル汚染を引き起こし、結果として欠陥を発生させるおそれがない。さらにまたウエハＷに水を接触させて処理が行われる液浸露光処理を行う場合であっても、レジスト膜Ｒにコブ状の部位１３や液ダレにより薄く残る部位１４が存在しないことから、これらが原因となるレジスト膜の膜剥がれ現象が発生するおそれがなく、剥がれたレジスト膜がウエハＷに再付着し、欠陥として検出されるといった事態の発生が抑えられる。
【００６４】
さらにまた反射防止膜形成ユニット２６、塗布ユニット２７において、予めウエハＷの周縁部の不要な反射防止膜Ｂやレジスト膜Ｒに対して有機溶剤のエッジリンスによる除去処理を行うことにより、これら反射防止膜形成ユニット２６、塗布ユニット２７から次工程のユニットに搬送する際の、これら反射防止膜Ｂやレジスト膜Ｒの付着が抑えられるので、反射防止膜Ｂを形成し、レジスト膜Ｒを形成した後から周辺露光装置４までの搬送工程においても、搬送アームへの塗布膜の付着が要因となるパーティクル汚染の発生が抑えられる。
【００６５】
ここで前記周辺露光装置４にて、反射防止膜Ｂとレジスト膜Ｒとの積層膜に対して前記周辺露光処理と現像処理とを行なった場合には、ウエハＷの周縁部の不要なレジスト膜Ｒのみが除去されることになり、前記反射防止膜Ｂについては、反射防止膜形成ユニット２６における有機溶剤によるエッジリンス処理により、コブ状の部位１３や液ダレにより薄く伸びる部位１４が発生するおそれがあるが、反射防止膜Ｂの上層にレジストＲが形成されており、また反射防止膜Ｂの厚さは５０ｎｍ〜１００ｎｍ程度であって、１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚さに形成されるレジスト膜Ｒに対して薄いので、前記コブ状部位１３等が発生したとしても、液浸露光時に膜剥がれ等が発生するおそれは少ない。  
さらに本発明の周辺露光装置４をインターフェイス部に設けることにより、当該周辺露光装置４にて処理されたウエハＷを直ちに露光装置Ｂ４に搬送することができるので、搬送の際のパーティクルの付着等が抑えられ、より露光装置Ｂ４内のパーティクル汚染を抑制した状態で露光処理を行うことができる。
【００６６】
以上において、本発明は、塗布膜としてレジスト膜のみが形成されたウエハＷの周辺露光処理に対しても適用でき、塗布膜として、レジスト膜の上に保護膜が形成されたウエハＷの周辺露光処理に対しても適用できる。ここで保護膜とは液浸露光処理を行なうにあたり、レジスト膜を液膜側に溶出させないために、ウエハＷにレジスト液を塗布した後液浸露光を行なう前に形成されるものであり、例えばレジスト膜の溶出を抑えると共に、液浸露光時の液体をウエハＷ表面に残りにくくするために、撥水性の保護膜が用いられる。
【００６７】
レジスト膜と保護膜との積層膜の場合には、塗布ユニットにてレジスト膜の形成と、有機溶剤のエッジリンスによるウエハＷ周縁部の不要なレジスト膜の除去が行なわれ、次いで保護膜形成ユニットにて、保護膜の形成と、有機溶剤のエッジリンスによるウエハＷ周縁部の不要な保護膜の除去が行なわれる。そしてこの後、周縁露光装置４にて、ウエハＷ周縁部の不要な保護膜とレジスト膜に対する周縁露光処理と現像処理とが行なわれて、当該領域の不要な保護膜とレジスト膜が除去される。この際、前記保護膜は非感光膜であり、前記周辺露光処理にて露光されても影響は受けないが、現像液に可溶な膜であるため、下層側のレジスト膜が前記周辺露光処理にて露光され、このときの露光領域が現像液によって溶解される過程において、レジスト膜と同時に除去される。
【００６８】
さらに本発明の露光装置は、必ずしも液浸露光処理を行う露光装置に限られるものではなく、液浸露光処理を行う露光装置以外の露光装置を用いた場合についても適用できる。露光処理を行う前に周辺露光装置４にてウエハ周縁部の不要なレジスト膜の除去を行うことにより、露光処理時のレジスト膜の膜剥がれを抑えて、露光装置内部におけるパーティクル汚染の発生を抑えることができるという効果が得られるからである。
【００６９】
さらに上述の例では、洗浄ノズル８３による洗浄液の供給は現像液供給後に行ったが、露光部６による周辺露光処理の前に、ウエハＷの周縁部に圧力調整した状態で洗浄液を供給することにより、この水圧によって予め膜剥がれ要因となりうる部位を洗浄除去するようにしてもよい。
【００７０】
さらにまた上述の例では、現像液供給時と洗浄液供給時についても、ウエハＷの外縁と現像ノズル８１、洗浄ノズル８３との位置関係が一定になるように、位置調整手段７によりスピンチャック４１の位置を調整しながら現像液や洗浄液の供給を行うようにしたが、現像ノズル８１、洗浄ノズル８３から、露光領域を含む領域に現像液、洗浄液を確実に供給できるように構成されていれば、現像液供給時と洗浄液供給時については、スピンチャック４１の位置調整は必ずしも必要ではない。露光領域が正確であり、この露光領域を含む領域に現像液や洗浄液が供給できれば、ウエハ周縁部の不要なレジスト膜は、一定の幅で精度良く除去できるからである。
【００７１】
さらに上述の例では、スピンチャック４１をＸ、Ｙ方向に移動自在に設け、ウエハ外縁の位置データに基づいて、スピンチャック４１をＸ、Ｙ方向に移動させることによって、スピンチャック４１に保持されたウエハの外縁と露光部６、現像ノズル８１、洗浄ノズル８３との位置関係とを一定にさせるようにしてもよい。また露光部６や現像ノズル８１、洗浄液ノズル７３側を水平方向に移動自在に設け、スピンチャック４１に保持されたウエハの外縁と露光部６等との位置関係が一定になるように、露光部６等側を移動させながら、前記周辺露光処理や現像液の供給、洗浄液の供給を行うようにしてもよい。
【００７２】
さらにまた位置検出部としてＣＣＤカメラ７１のようにウエハＷの表面側から撮像して検出する手段を設ける場合には、前記支持部材７２は必ずしもウエハＷの外縁を挟む込む構成にする必要がないのでコ字状に構成しなくてもよく、ウエハ表面側にＣＣＤカメラ７１を配置して位置検出を行うこともできる。従ってこの場合には、例えばＣＣＤカメラ７１と露光部６とをウエハＷ上の所定の位置と、カップ体４６の外側の待機位置との間で移動自在に設け、ウエハＷをカップ体４６内の第２の位置に配置した状態で、位置検出手段７によるウエハ外縁の位置検出や、露光部６によるウエハ周縁部の露光処理を行うようにしてもよい。さらにまた周辺露光装置４のスピンチャック４１には、スピンチャック４１に対してウエハＷの受け渡しを行うために、昇降自在に構成された昇降ピンを設けるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明に係る塗布、現像装置の実施の形態を示す平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置を示す斜視図である。
【図３】液浸露光を説明するための側部断面図である。
【図４】液浸露光を説明するための平面図である。
【図５】前記塗布、現像装置に組み込まれる塗布ユニットを示す側部断面図である。
【図６】前記塗布、現像装置の作用を説明するための工程図である。
【図７】前記塗布、現像装置に組み込まれる周辺露光装置を示す側部断面図である。
【図８】前記周辺露光装置を示す概略斜視図である。
【図９】前記周辺露光装置に含まれる露光部を示す概略斜視図である。
【図１０】前記周辺露光装置の作用を説明するための工程図である。
【図１１】前記周辺露光装置の作用を説明するための工程図である。
【図１２】前記周辺露光装置の作用を説明するための工程図である。
【図１３】前記洗浄装置のさらに他の例を示す側部断面図である。
【符号の説明】
【００７４】
Ｗ          半導体ウエハ
Ｂ          反射防止膜
Ｒ          レジスト膜
２０        キャリア
２６        反射防止膜形成ユニット
２７        塗布ユニット
４          周辺露光装置
４１、５    スピンチャック
４３        駆動機構
４４        基台
４５        ガイドレール
４６        カップ体
５４        塗布液ノズル
５５        エッジリンス機構
６          露光部
７          位置検出手段
７１        ＣＣＤカメラ
８１        現像ノズル
８３        洗浄ノズル
１００      制御手段
【図１】
2008098520.tif 000003
【図２】
2008098520.tif 000004
【図３】
2008098520.tif 000005
【図４】
2008098520.tif 000006
【図５】
2008098520.tif 000007
【図６】
2008098520.tif 000008
【図７】
2008098520.tif 000009
【図８】
2008098520.tif 000010
【図９】
2008098520.tif 000011
【図１０】
2008098520.tif 000012
【図１１】
2008098520.tif 000013
【図１２】
2008098520.tif 000014
【図１３】
2008098520.tif 000015