(57)【要約】【課題】十分な輝度を有し、信頼性が高く、作製コストの低い発光装置を得ることを課題とする。【解決手段】第１の電極を形成し、前記第１の電極上に、硫化亜鉛及びマンガンを含む発光層を形成し、前記発光層上に第２の電極を形成し、前記発光層を形成後、前記発光層を加熱処理する工程を有する半導体装置の作製方法に関する。硫化亜鉛格子中のマンガン原子は、成膜時には非平衡な対称的な格子位置にあるが、加熱処理によってエネルギー的に安定な原子配置を取る。加熱処理をした発光装置は、加熱処理をしない発光装置よりも輝度が上昇し、かつ輝度劣化を抑えることができる。さらに、加熱処理をしない発光装置は単色光しか発光しないのに対して、加熱処理を行った発光装置では混色光を発光することができる。そのため白色光を容易に得ることができ、作製コストの低い発光装置を作製することができる。【選択図】図１
2008042179.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硫化亜鉛及びマンガンを含む発光層を有する発光素子であって、
前記発光層は波長５００ｎｍから７００ｎｍの範囲内に発光スペクトルを有し、
前記発光スペクトルは、波長５８０ｎｍよりも短波長側の第１のピークと、波長５８０ｎｍよりも長波長側の第２のピークを有することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
硫化亜鉛及びマンガンを含む発光層を有し、
前記発光層が波長５００ｎｍから７００ｎｍの範囲内に発光スペクトルを有し、
前記発光スペクトルが、波長５８０ｎｍよりも短波長側の第１のピークと、波長５８０ｎｍよりも長波長側の第２のピークを有する発光素子と、
前記発光素子の発光を制御する駆動回路を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
波長５００ｎｍから７００ｎｍの範囲内に、発光スペクトルが一の発光ピークを有する硫化亜鉛及びマンガンを含む発光層を形成する工程と、
前記一の発光ピークを有する発光スペクトルを、波長５８０ｎｍよりも短波長側の第１のピークと、波長５８０ｎｍよりも長波長側の第２のピークを有するように前記発光層を熱処理する工程とを有することを特徴とする発光素子の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子の発光材料に関する。エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子に関する。また、発光素子を有する発光装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した発光素子（以下、「ＥＬ素子」ともいう）の研究開発が活発に行われている。発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の物質を挟んでなるものであり、両電極間に電圧を印加することによって発光性の物質からの発光を得ている。
【０００３】
このような発光素子は、自発光型であることから液晶ディスプレイに比べて視野角が広く、視認性に優れているという点に加えて、応答速度が速く、薄型軽量化が可能であると言われている。
【０００４】
また、発光素子は、エレクトロルミネセンスを発現する発光性の物質として、有機化合物を用いた有機ＥＬ素子と、無機化合物を用いた無機ＥＬ素子が知られている。
【０００５】
有機ＥＬ素子と無機ＥＬ素子は、発光材料のみでなく、その発光メカニズムも異なっている。
【０００６】
無機ＥＬ素子は、その素子構成により分散型と薄膜型とに分類されている。前者は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有し、後者は、発光材料の薄膜からなる発光層を有している点に違いはあるが、高電界で加速された電子を必要とする点では共通である。なお、得られる発光のメカニズムとしては、ドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−アクセプター再結合型発光と、金属イオンの内殻電子遷移を利用する局在型発光とがある。
【０００７】
このうち薄膜型の無機ＥＬ素子は、図２に示すように一対の電極（第１の電極１５０１、第２の電極１５０５）間に絶縁膜（第１の絶縁膜１５０２、第２の絶縁膜１５０４）で挟まれた発光層１５０３を有する絶縁二重構造を有しており、両電極（第１の電極１５０１、第２の電極１５０５）にそれぞれの電源（第１の電源１５０６、第２の電源１５０７）から電圧を印加することにより発光が得られている。無機ＥＬ素子において電極間に形成する第１の絶縁膜１５０２及び第２の絶縁膜１５０４は重要な要素であると考えられている。例えば、無機ＥＬ素子の発光輝度を高めるために、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜により形成される容量比を適切に保つ工夫がされている（特許文献１参照）。
【０００８】
また、無機ＥＬ素子の信頼性を向上させるために、誘電体膜として用いる第１の絶縁膜１５０２及び第２の絶縁膜１５０４の形成方法を工夫することが考えられている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−２５０６９１号公報
【特許文献２】特開２００４−３１１４２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、電極間に挟まれる絶縁膜を改良しても、実用的な発光輝度を維持したまま、高い信頼性を得ることが困難であった。そこで本発明は、十分な輝度を有し、信頼性の高い発光素子及びそれを用いた発光装置を得ることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、硫化亜鉛及びマンガンを含む発光層を有する発光素子であって、前記発光層は波長５００ｎｍから７００ｎｍの範囲内に発光スペクトルを有し、前記発光スペクトルは、波長５８０ｎｍよりも短波長側の第１のピークと、波長５８０ｎｍよりも長波長側の第２のピークを有する発光素子である。
【００１１】
また本発明は、硫化亜鉛及びマンガンを含む発光層を有し、前記発光層が波長５００ｎｍから７００ｎｍの範囲内に発光スペクトルを有し、前記発光スペクトルが、波長５８０ｎｍよりも短波長側の第１のピークと、波長５８０ｎｍよりも長波長側の第２のピークを有する発光素子と、前記発光素子の発光を制御する駆動回路を有することを特徴とする発光装置である。
【００１２】
また本発明は、波長５００ｎｍから７００ｎｍの範囲内に、発光スペクトルが一の発光ピークを有する硫化亜鉛及びマンガンを含む発光層を形成する工程と、前記一の発光ピークを有する発光スペクトルを、波長５８０ｎｍよりも短波長側の第１のピークと、波長５８０ｎｍよりも長波長側の第２のピークを有するように前記発光層を熱処理する工程とを有することを特徴とする発光素子の作製方法に関するものである。
【００１３】
本発明は、母体発光材料に添加する不純物元素の原子配置の対称性を、発光層を形成した後に異ならせることを要旨としている。本発明の作製方法においては、母体発光材料に不純物元素を含ませて発光層を形成した後、不純物元素の原子配置の対称性を異ならせるために、当該発光層にエネルギーを与え原子的な構造変化を誘起する処理を行うものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、発光輝度を高めた状態で、該輝度の経時変化を小さくした発光素子を得ることができる。特に、可視光域での発光特性を安定化させることができる。また、発光スペクトルを広げ、混色発光に変えることができるので、さまざまな用途に適用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の態様について、図面を参照して説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１６】
本実施の形態を図１、図３、図４、図５、図１０を用いて説明する。
【００１７】
本実施の形態で示す発光素子は、図４に示すように基板１００の上に、第１の電極１０１と第２の電極１０５を有し、第１の電極１０１と第２の電極１０５との間に、発光層１０３を有し、第１の電極１０１と発光層１０３との間に第１の誘電体層１０２を有し、発光層１０３と第２の電極１０５の間に第２の誘電体層１０４を有する構成とする。
【００１８】
なお、発光素子の構成は図４に示すものに限らず、第１の誘電体層１０２又は第２の誘電体層１０４のいずれか一方だけを有する構成としてもよい。なお、本実施の形態では、第１の電極１０１は陽極として機能し、第２の電極１０５は陰極として機能するものとして以下説明をする。
【００１９】
基板１００は発光素子の支持体として用いられる。基板１００としては、例えば、ガラス、石英などを用いることができる。なお、発光素子を作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでも用いることができる。
【００２０】
第１の電極１０１及び第２の電極１０５は、金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、例えば、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ））、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯともいう）、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ（ＩＺＯともいう））、酸化タングステンと酸化亜鉛を含む酸化インジウム等が挙げられる。
【００２１】
これらの導電性金属酸化物膜はスパッタリング法、イオンプレーティング法などにより成膜される。例えば、酸化インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いたスパッタリングにより形成することができる。また、酸化タングステンと酸化亜鉛を含む酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いたスパッタリングにより形成することができる。この他、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、又は金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等用いることができる。
【００２２】
なお、第１の電極１０１または第２の電極１０５を、透光性を有する電極とする場合、可視光の透過率の低い材料であっても、１ｎｍ〜５０ｎｍ、好ましくは５ｎｍ〜２０ｎｍ程度の厚さで成膜することで、透光性の電極として用いることができる。なお、スパッタリング以外にも、真空蒸着、ＣＶＤ、ゾル−ゲル法を用いて電極を作製することもできる。
【００２３】
ただし、発光は、第１の電極１０１もしくは第２の電極１０５を通って外部に取り出されるため、第１の電極１０１および第２の電極１０５のうち、少なくとも一方は透光性を有する材料で形成されている必要がある。また、第２の電極１０５よりも第１の電極１０１の方が仕事関数が大きくなるように材料を選択することが好ましい。
【００２４】
第１の電極１０１及び第２の電極１０５の両方が透光性を有する材料で形成される場合は、本実施の形態の発光素子を有する発光装置は、両面射出型発光装置となる。また第１の電極１０１または第２の電極１０５のいずれか一方が反射性を有する材料で形成される場合は、本実施の形態の発光素子を有する発光装置は、片面射出型発光装置（トップエミッション型発光装置あるいはボトムエミッション型発光装置）となる。
【００２５】
本実施の形態では、第１の電極１０１として、スパッタ法により酸化珪素を含むインジウム錫酸化物膜を形成する。また第２の電極１０５としては、スパッタ法によりアルミニウム膜を形成する。
【００２６】
発光層１０３を構成する材料は、発光層の母体材料である硫化物などの無機材料と発光中心となる不純物元素を有している。
【００２７】
母体材料として硫化亜鉛（ＺｎＳ）を用い、不純物元素としてマンガン（Ｍｎ）を用いた場合、母体材料であるＺｎＳのＺｎの一部が発光中心であるＭｎと置換される。
【００２８】
本実施の形態では、Ｍｎを０．５ｗｔ％含むＺｎＳのターゲットを用い、スパッタガスをアルゴン（Ａｒ）として、スパッタ法にてＭｎを含むＺｎＳ（以下「ＺｎＳ：Ｍｎ」ともいう）を５００ｎｍの厚さで形成する。
【００２９】
また、誘電体層１０２と誘電体層１０４を構成する材料は、窒化物や酸化物などの無機材料である。本実施の形態では、珪素（Ｓｉ）をターゲットとし、窒素（Ｎ２）をスパッタガスとして、スパッタ法にて厚さ２００ｎｍの窒化珪素の誘電体層１０２及び１０４を形成する。
【００３０】
誘電体層１０４を形成後、加熱処理を行う。ここでＺｎＳ：Ｍｎ系のＥＬ素子の輝度の加熱処理時間依存性について示す。ＺｎＳ：Ｍｎ成膜後の６００℃の熱処理時間を５分、１５分、３０分、２４０分で条件振りし、窒素（Ｎ２）を流しながらＥＬスペクトルを測定した。図１にＥＬスペクトル熱処理時間依存性を示す。
【００３１】
図１から加熱処理なし（加熱処理０分）では黄（Ｙｅｌｌｏｗ）（５８８ｎｍ）のピークが一つみられるが、加熱処理を５ｍｉｎ行うと黄（Ｙｅｌｌｏｗ）の発光スペクトルのピークは緑（Ｇｒｅｅｎ）と橙（Ｏｒａｎｇｅ）の境界付近の二つの発光スペクトルのピークに分裂することがわかる。さらに熱処理を２４０分（４時間）行った試料でも同様に二つの発光スペクトルのピークが観測される。
【００３２】
加熱処理によって発光スペクトルのピークが分裂する原因の一つとして、ＺｎＳ格子中に入るＭｎ原子の原子配置の対称性が変わることが考えられる。
【００３３】
ＺｎＳの結晶構造にはせん亜鉛構造（立方晶）とウルツ鉱構造（六方晶）があり、一般にはせん亜鉛構造をとる。そしてイオン結合性が強く、ＺｎＳ格子中のＺｎ原子はＺｎ２＋として、Ｓ原子はＳ２−としてイオン結合する。
【００３４】
Ｚｎ原子とＭｎ原子の最外殻電子はともに４Ｓ２であり、ＺｎＳ中にＭｎを添加するとＭｎ原子はＺｎＳ格子中のＺｎと置換しＭｎ２＋としてイオン性を持つ。
【００３５】
Ｍｎ原子のイオン化エネルギー（１７１ｋｃａｌ／ｍｏｌ）はＺｎ原子のイオン化エネルギー（２１６ｋｃａｌ／ｍｏｌ）と比べて小さく、プラスイオンになりやすい。そのためＳ２−イオンとの結合力はＭｎ２＋の方がＺｎ２＋よりも大きくなる。更にＭｎ原子の原子半径（０．１１７ｎｍ）はＺｎ原子の原子半径（０．１２５ｎｍ）よりも小さいため正規の格子位置から変位することが可能である。
【００３６】
以上のことからＺｎＳ格子中のＺｎ原子と置換したＭｎ原子はエネルギー的に安定するためにＺｎ原子から離れつつＳ原子に近づくように正規の格子位置から変位する。スパッタ成膜時には図３（Ａ）のようにＺｎＳ格子中のＭｎ原子は非平衡な対称的な格子位置にあるが、熱処理によってエネルギー的に安定な原子配置を取る結果、図３（Ｂ）のように対称性が悪くなり結晶格子が歪む。
【００３７】
この結晶格子の歪みから生じるエネルギー（変形ポテンシャル）をＭｎ原子が受けることで、Ｍｎ原子の原子軌道エネルギーの縮退が解け分裂する。
【００３８】
その結果、図５に示すように、電子励起と緩和の経路が遷移Ａ、遷移Ｂの二つになるため発光スペクトルのピークも二つに分裂すると考えられる。
【００３９】
このように発光スペクトルのピークが二つになるということは、発光スペクトルのピークが分裂する前は黄（Ｙｅｌｌｏｗ）の単色光であったのが、加熱処理後は緑（Ｇｒｅｅｎ）と橙（Ｏｒａｎｇｅ）の混色になったということである。本実施の形態により、単色光を容易に混色光にすることができる。このため白色光を容易に作り出すことができる。
【００４０】
また加熱処理を行わない発光層を含む発光素子と加熱処理を行った発光層を含む発光素子の輝度を比較した（表１参照）。その結果、加熱処理を行わない発光層を含む発光素子の輝度は８００ｃｄ／ｍ２であったのに対し、加熱処理を行った発光層を含む発光素子では１６００ｃｄ／ｍ２と、輝度が上昇した。
【００４１】
【表１】
2008042179.tif 000003
【００４２】
また図１０は、加熱処理を行った発光層を含む発光素子の輝度劣化を示すものである。図１０に示されるように、本発明の発光素子は、輝度劣化が非常に小さいことが分かる。
【００４３】
以上から、発光輝度を高めた状態で、該輝度の経時変化を小さくした発光素子を得ることができる。特に、可視光域での発光特性を安定化させることができる。また、発光スペクトルを広げ、混色発光に変えることができるので、さまざまな用途に適用することができる。これにより、信頼性が高く、コストの低い発光装置を作製することができる。
【００４４】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の発光素子を有する発光装置について図６を用いて説明する。
【００４５】
本実施の形態で示す発光装置は、トランジスタ等の駆動用の素子を発光素子と同一基板上に設けずに、発光素子を駆動させるパッシブマトリクス型の発光装置である。図６（Ａ）には本発明を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置の斜視図を、図６（Ｂ）には、図６（Ａ）において線Ｘ−Ｙの断面図の一部を示す。
【００４６】
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）において、基板９５１上には、電極９５２と電極９５６との間には層９５５が設けられている。なお、層９５５は実施の形態１で示したＺｎＳを母体材料とし、Ｍｎを発光中心として発光材料を用いた発光層を含んでいる。
【００４７】
電極９５２の端部は絶縁層９５３で覆われている。そして、絶縁層９５３上には隔壁層９５４が設けられている。隔壁層９５４の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層９５４の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接する辺）の方が上辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層９５４を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。また、パッシブマトリクス型の発光装置においても、低駆動電圧で動作する本発明の発光素子を設けることによって、低消費電力で駆動させることができる。また、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）のような形状の隔壁層９５４が設けられていることによって、自己整合的に層９５５、第２の電極９５６を形成することができる。
【００４８】
本実施の形態では一つの発光素子の構成を示したが、それにとらわれることなく、誘電体層を電極上に形成することを行ったり、発光層を含む層をｐ型半導体とｎ型半導体の積層構造にしても良い。さらに有機ＥＬ素子の機能分離型の発光素子のように、発光層だけではなく発光層を含む層に接する層を設けることもできる。この発光層を含む層に接する層としては発光層の配向性を高めたり、キャリア注入層もしくはキャリア輸送層のような役割を果たす。
【００４９】
本実施の形態によれば、実施の形態１と同様に発光輝度を高めた状態で、該輝度の経時変化を小さくした発光素子を得ることができる。特に、可視光域での発光特性を安定化させることができる。また、発光スペクトルを広げ、混色発光に変えることができるので、さまざまな用途に適用することができる。
【００５０】
また本発明の発光装置は、混色光を容易に作り出すことができるので、白色光を得るのも容易である。また輝度の劣化が小さいので、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
【００５１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、発光素子を有する発光装置およびその作製方法を、図７（Ａ）〜図７（Ｂ）、図１１（Ａ）〜図１１（Ｄ）、図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）、図１３（Ａ）〜図１３（Ｂ）、図１４、図１５（Ａ）〜図１５（Ｂ）を用いて、以下詳細に説明する。
【００５２】
図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は本発明の発光装置の一様態を示した図面である。図７（Ａ）は本発明の発光装置の上面図、図７（Ｂ）は断面図である。なお、図７（Ａ）のＡ−Ｂは、ＦＰＣ６９４及び薄膜トランジスタの配線が電気的に接続される領域（以下、外部端子接続領域７０２ａと示す。）を示す。また、図７（Ａ）のＣ−Ｄは、ＦＰＣ６９４及び発光素子の第１の電極層が電気的に接続される領域（以下、外部端子接続領域７０２ｂと示す）を示す。
【００５３】
図７（Ａ）のＡ−Ｂの断面図が図７（Ｂ）となり、図７（Ａ）のＣ−Ｄの断面図が図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）となる。また図７（Ｂ）に示す発光装置の作製工程について、図１１（Ａ）〜図１１（Ｄ）、図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）、図１３（Ａ）〜図１３（Ｂ）、図１４を用いて説明する。
【００５４】
なお薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＴＦＴ））は、その主要な構成要素として、半導体層、ゲート絶縁層及びゲート電極層が挙げられ、半導体層に形成されるソース領域及びドレイン領域に接続する配線層がそれに付随する。構造的には基板側から半導体層、ゲート絶縁層及びゲート電極層を配設したトップゲート型と、基板側からゲート電極層、ゲート絶縁層及び半導体層を配設したボトムゲート型などが代表的に知られているが、本発明においてはそれらの構造のどのようなものを用いても良い。
【００５５】
基板６００としてはガラス基板、石英基板やシリコン基板、金属基板（例えばステンレス基板）の表面に絶縁膜を形成したものを用いて良い。基板を通して発光素子が発する光を取り出す場合はガラス基板や石英基板など透光性を有する基板が望ましい。ガラス基板は８００℃より高温になると変形してしまうため、発光層を加熱処理する温度がそれ以上の場合は石英基板やサファイヤ基板を用いる方が好ましい。
【００５６】
また、発光素子が発する光を基板を通して取り出さず、後の工程で形成するＴＦＴ素子側に光を取り出す場合は透光性を有さない基板を用いることができ、具体的にはアルミナ、窒化珪素、炭化珪素等のセラミックス基板を挙げることができる。
【００５７】
また、剥離層を設けた基板上にＴＦＴ素子を有する発光素子を形成した後、該発光素子を基板から剥離して使用する場合は基板の光透過性については特に制約はなく、具体的にはガラス、石英、アルミナ、窒化珪素、炭化珪素、セラミックス基板等を挙げることができる。
【００５８】
絶縁表面を有する基板６００の上に下地膜として、スパッタリング法、ＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、減圧ＣＶＤ法（ＬＰＣＶＤ法）、またはプラズマＣＶＤ法等のＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などにより酸素を含む窒化珪素膜（ＳｉＮＯともいう）を用いて下地膜６０１ａを１０〜２００ｎｍ（好ましくは５０〜１００ｎｍ）形成し、窒素を含む酸化珪素膜（ＳｉＯＮともいう）を用いて下地膜６０１ｂを５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）積層する。
【００５９】
本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法を用いて下地膜６０１ａ、下地膜６０１ｂを形成する。
【００６０】
下地膜としては、酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素などを用いることができ、単層でも２層、３層といった積層構造でもよい。なお本明細書中において窒素を含む酸化珪素とは酸素の組成比が窒素の組成比より大きい物質である。同様に、酸素を含む窒化珪素とは、窒素の組成比が酸素の組成比より大きい物質である。本実施の形態では、基板上にＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｏ、Ｎ２及びＨ２を反応ガスとして酸素を含む窒化珪素膜を膜厚５０ｎｍ形成し、ＳｉＨ４及びＮ２Ｏを反応ガスとして窒素を含む酸化珪素膜を膜厚１００ｎｍで形成する。また酸素を含む窒化珪素膜の膜厚を１４０ｎｍ、積層する窒素を含む酸化珪素膜の膜厚を１００ｎｍとしてもよい。
【００６１】
次いで、第１の電極層８０２を形成する。第１の電極層８０２としては、発光素子が発する光を基板側に取り出す場合は透光性を有する導電性材料からなる透明導電膜を用いればよく、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ））や酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ（ＩＺＯ））、酸化タングステンと酸化亜鉛を含む酸化インジウム、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物などを用いることができる。
【００６２】
第１の電極層８０２は、蒸着法、スパッタ法などを用いて形成することができる。スパッタ法を用いる場合、ガスとして水分（水蒸気（Ｈ２Ｏ））、又はＨ２を含むガスを用いるとよい。本実施の形態では、第１の電極層８０２として、酸化珪素の添加された酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物のターゲットを用いて、水分（Ｈ２Ｏ）、又はＨ２を含むガスを用いてスパッタリング法によって、酸化珪素及び酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物膜を作製する。
【００６３】
本実施の形態では、酸化珪素は酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物に、１０ｗｔ％添加する。第１の電極層８０２は、好ましくは総膜厚１００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で用いればよく、本実施の形態では膜厚１８５ｎｍとする。
【００６４】
本実施の形態では、アルゴン（Ａｒ）を５０ｓｃｃｍ、酸素（Ｏ２）を１．０ｓｃｃｍ、Ｈ２Ｏガスを０．２ｓｃｃｍの流量のガスを用いて形成する。本発明で用いる水分（水蒸気（Ｈ２Ｏ））を含むガスは作製法、保管法などによって若干の水分を含むものというのではなく、主成分の一つとして積極的に水分が含まれているガスである。Ｈ２Ｏガスは０．５ｓｃｃｍ以下が好ましい。本実施の形態で形成する酸化珪素及び酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物膜は加工性が良好であり、弱酸によるウエットエッチングで、残渣なくエッチング加工することができる。このような膜を表示装置の画素電極に用いると発光素子の光の取り出し効率も良好で、電極のエッチング不良などに起因する不良も抑えられた信頼性の高い表示装置を作製することができる。
【００６５】
また、光をＴＦＴ素子側にのみ取り出す場合は、第１の電極層８０２を耐熱性に優れた金属膜からなる複層もしくは単層の反射電極とすることができる。
【００６６】
膜厚２０〜１００ｎｍの第１の導電膜と、膜厚１００〜４００ｎｍの第２の導電膜とを積層して第１の電極層８０２を形成してもよい。
【００６７】
導電膜はタンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジウム（Ｎｄ）から選ばれた元素、又は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成すればよい。
【００６８】
また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。
【００６９】
また、単層構造に限定されず、２層構造、３層構造としてもよい。
【００７０】
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスクを形成し、第１の電極層８０２を所望の形状に加工してもよい（図１５（Ａ）参照。）。
【００７１】
ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング条件（コイル型の電極層に印加される電力量、基板側の電極層に印加される電力量、基板側の電極温度等）を適宜調節することにより、所望のテーパー形状を有するようにエッチングすることができる。なお、エッチング用ガスとしては、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＳｉＣｌ４もしくはＣＣｌ４などを代表とする塩素系ガス、ＣＦ４、ＣＦ５、ＳＦ６もしくはＮＦ３などを代表とするフッ素系ガス又はＯ２を適宜用いることができる。
【００７２】
次いで第１の誘電体層を形成後、発光層８０４を形成する。第１の誘電体層及び発光層８０４の形成方法については、実施の形態１及び実施の形態２の記載と同様である。
【００７３】
発光層８０４を構成する材料は、発光層の母体材料である硫化物などの無機材料と発光中心となる不純物元素を有している。
【００７４】
母体材料として硫化亜鉛（ＺｎＳ）を用い、不純物元素としてマンガン（Ｍｎ）を用いた場合、母体材料であるＺｎＳのＺｎの一部が発光中心であるＭｎと置換される。
【００７５】
また、発光層８０４は発光中心となる不純物元素を含む母体材料層の単層である必要はなく、例えばキャリア輸送層として機能する層との積層構造であってもよい。具体的には、ｐ型半導体層やｎ型半導体層と積層してもよい。
【００７６】
また、発光層８０４を所望の形状に微細加工する方法としては、フォトレジストでパターンを形成し、エッチングにより不要部分を除去する従来のフォトリソグラフィ法やリフトオフ法を用いることができる。
【００７７】
このようにして第１の電極層８０２上に発光層８０４を積層したのち、第２の誘電体層を形成し、その後５００℃〜８００℃、例えば６００℃で加熱する。これにより発光層８０４の発光スペクトルは、加熱しなければ黄（Ｙｅｌｌｏｗ）（５８８ｎｍ）のピークが１つだけ見られる発光層であったのが、加熱処理を行ったため、波長５８０ｎｍよりも短波長側の第１のピークと、波長５８０ｎｍよりも長波長側の第２のピーク、すなわち緑（Ｇｒｅｅｎ）と橙（Ｏｒａｎｇｅ）の境界付近の２つのピークが見られる発光層となる。すなわち、熱処理後の発光スペクトルは、波長５００ｎｍから７００ｎｍの範囲内に分布し、波長５８０ｎｍよりも短波長側の第１のピークと、波長５８０ｎｍよりも長波長側の第２のピークを有している。なお発光層８０４を高い温度、例えば９００℃以上に加熱すると、発光が見られなくなってしまう。これは硫化亜鉛が酸化されてしまうためであると考えられる。そのため加熱処理の温度は、例えば６００℃、好ましくは５００℃〜８００℃であればよい。
【００７８】
次いで、発光層上に隔壁として機能する絶縁層８０３を形成する。隔壁として機能する絶縁層８０３としては酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸素含有量が窒素含有量よりも多い窒素を含む酸化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、窒素含有量が酸素含有量よりも多い酸素を含む窒化アルミニウム（ＡｌＮＯ）または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素を含む炭素膜（ＣＮ）、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）、アルミナ膜、その他の無機絶縁性材料を含む物質から選ばれた材料で形成することができる。
【００７９】
隔壁として機能する絶縁層８０３の形成方法として、ディップ、スプレー塗布、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター、ＣＶＤ法、蒸着法等を採用することができる。液滴吐出法により隔壁として機能する絶縁層８０３を形成してもよい。液滴吐出法を用いた場合には材料液を節約することができる。また、液滴吐出法のようにパターンを転写、または描写できる方法、例えば印刷法（スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンを形成する方法）なども用いることができる。
【００８０】
次に、図７（Ｂ）及び図１１（Ａ）に示すように、隔壁として機能する絶縁層８０３に開口部を形成する。隔壁として機能する絶縁層８０３は、画素部においてエッチングする。また、図７（Ｂ）、図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）に示すように、第１の電極層８０２が接続端子と接続される外部端子接続領域７０２ａ及び７０２ｂ等では広面積にエッチングする必要がある。
【００８１】
エッチングは平行平板ＲＩＥ装置やＩＣＰエッチング装置を用いることができる。なおエッチング時間は、配線層や第１の電極がオーバーエッチングされる程度とするとよい。このようにオーバーエッチングされる程度とすると、基板内の膜厚バラツキと、エッチングレートのバラツキを低減することができる。このようにして外部端子接続領域７０２ａ及び７０２ｂには開口部がそれぞれ形成される。
【００８２】
本実施の形態では、外部端子接続領域７０２ａ及び７０２ｂ、画素領域７０６に所定の開口部が設けられたマスクで、隔壁として機能する絶縁層８０３をエッチングする場合を説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、接続領域の開口部は広面積であるため、エッチングする量が多い。このような広面積な開口部は、複数回エッチングしてもよい。また、その他の開口部と比較して、深い開口部を形成する場合、同様に複数回エッチングしてもよい。
【００８３】
次いで、発光層８０４の上に第２の電極層８０５を形成する。第２の電極層８０５はのちに形成されるＴＦＴのソース電極またはドレイン電極と接することになる。
【００８４】
発光層８０４上の第２の電極層８０５（画素電極層ともいう）として用いる導電膜はタンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジウム（Ｎｄ）から選ばれた元素、又は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成すればよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。
【００８５】
また、第２の電極層８０５は単層構造に限定されず、２層構造、３層構造であってもよい。
【００８６】
第２の電極層８０５を反射性を有する導電膜で形成する場合は、発光素子が発する光は基板側に取り出される。また第２の電極層８０５を透明導電膜で形成する場合は、発光素子が発する光は、基板側及び封止基板側、すなわち両面に取り出される。
【００８７】
本実施の形態では、導電膜としてタングステン（Ｗ）を膜厚３７０ｎｍ形成する。次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスクを形成し、第２の電極層８０５を形成する（図１１（Ａ）参照）。
【００８８】
ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング条件（コイル型の電極層に印加される電力量、基板側の電極層に印加される電力量、基板側の電極温度等）を適宜調節することにより、導電膜を所望のテーパー形状を有するようにエッチングすることにより、第２の電極層８０５を形成することができる。なお、エッチング用ガスとしては、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＳｉＣｌ４もしくはＣＣｌ４などを代表とする塩素系ガス、ＣＦ４、ＣＦ５、ＳＦ６もしくはＮＦ３などを代表とするフッ素系ガス又はＯ２を適宜用いることができる。
【００８９】
次に第１の層間絶縁層８０６を形成する。第１の層間絶縁層８０６としては酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸素含有量が窒素含有量よりも多い窒素を含む酸化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、窒素含有量が酸素含有量よりも多い酸素を含む窒化アルミニウム（ＡｌＮＯ）または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素を含む炭素膜（ＣＮ）、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）、アルミナ膜、その他の無機絶縁性材料を含む物質から選ばれた材料で形成することができる。
【００９０】
第１の層間絶縁層８０６の作製方法として、ディップ、スプレー塗布、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター、ＣＶＤ法、蒸着法等を採用することができる。液滴吐出法により第１の層間絶縁層８０６を形成してもよい。液滴吐出法を用いた場合には材料液を節約することができる。また、液滴吐出法のようにパターンを転写、または描写できる方法、例えば印刷法（スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンを形成する方法）なども用いることができる。
【００９１】
次に、図７（Ｂ）及び図１１（Ｂ）に示すように、第１の層間絶縁層８０６に開口部を形成する。第１の層間絶縁層８０６は、接続領域（図示せず）、配線領域７０３、外部端子接続領域７０２ａ等では広面積にエッチングする必要がある。しかし、画素領域７０６においては開口面積が、接続領域等の開口面積と比較して非常に小さく、微細なものとなる。従って、画素領域７０６の開口部形成用のフォトリソグラフィ工程と、接続領域の開口部形成用のフォトリソグラフィ工程とを設けることにより、エッチング条件のマージンをより広げることができる。その結果、歩留まりを向上させることができる。またエッチング条件のマージンが広がることにより、画素領域７０６に形成されるコンタクトホールを高精度に形成することができる。
【００９２】
具体的には、接続領域、配線領域７０３、外部端子接続領域７０２ａ、周辺駆動回路領域７０４の一部に設けられた第１の層間絶縁層８０６に広面積な開口部を形成する。そのため、画素領域７０６、接続領域の一部、及び周辺駆動回路領域７０４の一部の絶縁層８０６を覆うようにマスクを形成する。エッチングは平行平板ＲＩＥ装置やＩＣＰエッチング装置を用いることができる。なおエッチング時間は、第２の電極や隔壁として機能する絶縁層がオーバーエッチングされる程度とするとよい。このようにオーバーエッチングされる程度とすると、基板内の膜厚バラツキと、エッチングレートのバラツキを低減することができる。このようにして外部端子接続領域７０２ａには開口部が形成される。
【００９３】
次いで、第１の層間絶縁層８０６上に半導体膜を形成する。半導体膜は２５〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜１５０ｎｍ）の厚さで手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜すればよい。半導体膜を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質半導体（以下「アモルファス半導体：ＡＳ」ともいう）、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、或いはセミアモルファス（微結晶若しくはマイクロクリスタルとも呼ばれる。以下「ＳＡＳ」ともいう）半導体などを用いることができる。
【００９４】
ＳＡＳは、非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいる。
【００９５】
ここで、主に成膜時に取り込まれる不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分に由来する不純物は１×１０２０ｃｍ−３以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は５×１０１９ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１９ｃｍ−３以下となるようにすることが好ましい。また、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで安定性が増し良好なＳＡＳが得られる。また半導体膜としてフッ素系ガスより形成されるＳＡＳ層に水素系ガスより形成されるＳＡＳ層を積層してもよい。
【００９６】
セミアモルファス半導体として、例えばセミアモルファスシリコンが挙げられる。セミアモルファスシリコンは、少なくとも膜中の一部の領域には、０．５〜２０ｎｍの結晶領域を観測することができ、珪素を主成分とする場合にはラマンスペクトルが５２０ｃｍ−１よりも低波数側にシフトしている。Ｘ線回折では珪素結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。未結合手（ダングリングボンド）を終端化させるために水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。
【００９７】
セミアモルファスシリコンは、珪素を含む気体をグロー放電分解（プラズマＣＶＤ）して形成する。珪素を含む気体としては、ＳｉＨ４、その他にもＳｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４などを用いることが可能である。またＦ２、ＧｅＦ４を混合させても良い。この珪素を含む気体をＨ２、又は、Ｈ２とＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｎｅから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈しても良い。希釈率は２〜１０００倍の範囲、圧力は０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲、電源周波数は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚである。基板加熱温度は３００℃以下が好ましく、１００〜２００℃の基板加熱温度でも形成可能である。
【００９８】
半導体膜は、非晶質半導体膜を、レーザ結晶化し、結晶性半導体膜とするものを用いるのが好ましい。
【００９９】
レーザ結晶化では、連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第２高調波〜第４高調波のレーザ光を照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、代表的には、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いるのが望ましい。具体的には、連続発振のＹＶＯ４レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換し、出力数Ｗ以上のレーザ光を得る。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、半導体膜に照射する。このときのエネルギー密度は０．００１〜１００ＭＷ／ｃｍ２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２）が必要である。そして、走査速度を０．５〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度（好ましくは１０〜２００ｃｍ／ｓｅｃ）とし、照射する。
【０１００】
レーザのビーム形状は、線状とすると好ましい。その結果、スループットを向上させることができる。またさらにレーザは、半導体膜に対して入射角θ（０＜θ＜９０度）を持たせて照射させるとよい。レーザの干渉を防止することができるからである。
【０１０１】
このようなレーザと、半導体膜とを相対的に走査することにより、レーザ照射を行うことができる。またレーザ照射において、ビームを精度よく重ね合わせたり、レーザ照射開始位置やレーザ照射終了位置を制御するため、マーカーを形成することもできる。マーカーは非晶質半導体膜と同時に、基板上へ形成すればよい。
【０１０２】
なおレーザは、連続発振またはパルス発振の気体レーザ、固体レーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザなどを用いることができる。気体レーザとして、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザなどがあり、固体レーザとして、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザなどが挙げられる。
【０１０３】
また、パルス発振のレーザ光の発振周波数を０．５ＭＨｚ以上とし、通常用いられている数十Ｈｚ〜数百Ｈｚの周波数帯よりも著しく高い周波数帯を用いてレーザ結晶化を行っても良い。パルス発振でレーザ光を半導体膜に照射してから半導体膜が完全に固化するまでの時間は数十ナノ秒〜数百ナノ秒と言われている。よって上記周波数帯を用いることで、半導体膜がレーザ光によって溶融してから固化するまでに、次のパルスのレーザ光を照射できる。したがって、半導体膜中において固液界面を連続的に移動させることができるので、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を有する半導体膜が形成される。具体的には、含まれる結晶粒の走査方向における幅が１０〜３０μｍ、走査方向に対して垂直な方向における幅が１〜５μｍ程度の結晶粒の集合を形成することができる。該走査方向に沿って長く延びた単結晶の結晶粒を形成することで、少なくとも薄膜トランジスタのチャネル方向には結晶粒界のほとんど存在しない半導体膜の形成が可能となる。
【０１０４】
また、希ガスや窒素などの不活性ガス雰囲気中でレーザ光を照射するようにしても良い。これにより、レーザ光の照射により半導体表面の荒れを抑えることができ、界面準位密度のばらつきによって生じる薄膜トランジスタのしきい値のばらつきを抑えることができる。
【０１０５】
次にマスクを用いて結晶性半導体膜６０２を所望の形状に加工する。本実施の形態では結晶性半導体膜６０２上に形成された酸化膜を除去した後、新たに酸化膜を形成する。そして、フォトマスクを作製し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング処理により、半導体層６０３、半導体層６０４、半導体層６０５、及び半導体層６０６を形成する。
【０１０６】
エッチング処理は、プラズマエッチング（ドライエッチング）又はウエットエッチングのどちらを採用しても良いが、大面積基板を処理するにはプラズマエッチングが適している。エッチングガスとしては、ＣＦ４、ＮＦ３、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、などのフッ素系又は塩素系のガスを用い、ＨｅやＡｒなどの不活性ガスを適宜加えても良い。また、大気圧放電のエッチング加工を適用すれば、局所的な放電加工も可能であり、基板の全面にマスク層を形成する必要はない。
【０１０７】
本発明において、配線層若しくは電極層を形成する導電層や、所定のパターンを形成するためのマスク層などを、液滴吐出法のような選択的にパターンを形成できる方法により形成してもよい。液滴吐出（噴出）法（その方式によっては、インクジェット法とも呼ばれる。）は、特定の目的に調合された組成物の液滴を選択的に吐出（噴出）して所定のパターン（導電層や絶縁層など）を形成することができる。この際、被形成領域にぬれ性や密着性を制御する処理を行ってもよい。また、パターンを転写、または描写できる方法、例えば印刷法（スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンを形成する方法）なども用いることができる。
【０１０８】
本実施の形態において、用いるマスクは、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いる。また、ベンゾシクロブテン、パリレン、フッ化アリーレンエーテル、透過性を有するポリイミドなどの有機材料、シロキサン系ポリマー等の重合によってできた化合物材料、水溶性ホモポリマーと水溶性共重合体を含む組成物材料等を用いることもできる。或いは、感光剤を含む市販のレジスト材料を用いてもよく、例えば、代表的なポジ型レジストである、ノボラック樹脂と感光剤であるナフトキノンジアジド化合物、ネガ型レジストであるベース樹脂、ジフェニルシランジオール及び酸発生剤などを用いてもよい。液滴吐出法を用いる場合、いずれの材料を用いるとしても、その表面張力と粘度は、溶媒の濃度を調整することや、界面活性剤等を加えたりすることで適宜調整する。
【０１０９】
半導体層６０３〜６０６上の酸化膜を除去し、半導体層６０３、半導体層６０４、半導体層６０５、及び半導体層６０６を覆うゲート絶縁層６０７を形成する。ゲート絶縁層６０７はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法などを用い、厚さを１０〜１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。
【０１１０】
ゲート絶縁層６０７としては、窒化珪素、酸化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素に代表される珪素の酸化物材料又は窒化物材料等の材料で形成すればよく、積層でも単層でもよい。また、絶縁層は窒化珪素膜、酸化珪素膜、窒化珪素膜の３層の積層、窒素を含む酸化珪素膜の単層、上記の材料を２層積層した層でも良い。好適には、緻密な膜質を有する窒化珪素膜を用いるとよい。さらに半導体層とゲート絶縁層の間に、膜厚１〜１００ｎｍ、好ましくは１〜１０ｎｍ、さらに好ましくは２〜５ｎｍである膜厚の薄い酸化珪素膜を形成してもよい。薄い酸化珪素膜の形成方法としては、ＧＲＴＡ法、ＬＲＴＡ法等を用いて半導体領域表面を酸化し、熱酸化膜を形成することで、膜厚の薄い酸化珪素膜を形成することができる。なお、低い成膜温度でゲートリーク電流の少ない緻密な絶縁膜を形成するには、アルゴンなどの希ガス元素を反応ガスに含ませ、形成される絶縁膜中に混入させると良い。本実施の形態では、ゲート絶縁層６０７として窒素を含む酸化珪素膜を膜厚１１５ｎｍ形成する。
【０１１１】
次いで、ゲート絶縁層６０７上にゲート電極層として用いる膜厚２０〜１００ｎｍの第１の導電膜６０８と、膜厚１００〜４００ｎｍの第２の導電膜６０９とを積層して形成する（図１１（Ｂ）参照）。第１の導電膜６０８及び第２の導電膜６０９は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法等の手法により形成することができる。第１の導電膜６０８及び第２の導電膜６０９はタンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジウム（Ｎｄ）から選ばれた元素、又は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成すればよい。また、第１の導電膜６０８及び第２の導電膜６０９としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。また、２層構造に限定されず、例えば、第１の導電膜として膜厚５０ｎｍのタングステン膜、第２の導電膜として膜厚５００ｎｍのアルミニウムとシリコンの合金（Ａｌ−Ｓｉ）膜、第３の導電膜として膜厚３０ｎｍの窒化チタン膜を順次積層した３層構造としてもよい。また、３層構造とする場合、第１の導電膜のタングステン膜に代えて窒化タングステン膜を用いてもよいし、第２の導電膜のアルミニウムとシリコンの合金（Ａｌ−Ｓｉ）膜に代えてアルミニウムとチタンの合金膜（Ａｌ−Ｔｉ）を用いてもよいし、第３の導電膜の窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。また、単層構造であってもよい。本実施の形態では、第１の導電膜６０８として窒化タンタルを膜厚３０ｎｍ形成し、第２の導電膜６０９としてタングステン（Ｗ）を膜厚３７０ｎｍ形成する。
【０１１２】
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスク６１０ａ、マスク６１０ｂ、マスク６１０ｄ、マスク６１０ｅ、及びマスク６１０ｆを形成し、第１の導電膜６０８及び第２の導電膜６０９を所望の形状に加工し、第１のゲート電極層６２１、第１のゲート電極層６２２、第１のゲート電極層６２４、第１のゲート電極層６２５、及び第１のゲート電極層６２６、並びに導電層６１１、導電層６１２、導電層６１４、導電層６１５、及び導電層６１６を形成する（図１１（Ｃ）参照）。
【０１１３】
ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用い、エッチング条件（コイル型の電極層に印加される電力量、基板側の電極層に印加される電力量、基板側の電極温度等）を適宜調節することにより、第１のゲート電極層６２１、第１のゲート電極層６２２、第１のゲート電極層６２４、第１のゲート電極層６２５、及び第１のゲート電極層６２６、並びに導電層６１１、導電層６１２、導電層６１４、導電層６１５、及び導電層６１６を所望のテーパー形状を有するようにエッチングすることができる。また、テーパー形状は、マスク６１０ａ、マスク６１０ｂ、マスク６１０ｄ、マスク６１０ｅ、及びマスク６１０ｆの形状によっても角度等を制御することができる。なお、エッチング用ガスとしては、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＳｉＣｌ４もしくはＣＣｌ４などを代表とする塩素系ガス、ＣＦ４、ＣＦ５、ＳＦ６もしくはＮＦ３などを代表とするフッ素系ガス又はＯ２を適宜用いることができる。本実施の形態では、ＣＦ５、Ｃｌ２、Ｏ２からなるエッチング用ガスを用いて第２の導電膜６０９のエッチングを行い、連続してＣＦ５、Ｃｌ２からなるエッチング用ガスを用いて第１の導電膜６０８をエッチングする。
【０１１４】
次に、マスク６１０ａ、マスク６１０ｂ、マスク６１０ｄ、マスク６１０ｅ、及びマスク６１０ｆを用いて、導電層６１１、導電層６１２、導電層６１４、導電層６１５、及び導電層６１６を所望の形状に加工する。このとき、導電層を形成する第２の導電膜６０９と、第１のゲート電極層を形成する第１の導電膜６０８との選択比の高いエッチング条件で、導電層をエッチングする。このエッチングによって、導電層６１１、導電層６１２、導電層６１４、導電層６１５、及び導電層６１６をエッチングし、第２のゲート電極層６３１、第２のゲート電極層６３２、第２のゲート電極層６３４、第２のゲート電極層６３５、及び第２のゲート電極層６３６を形成する。
【０１１５】
本実施の形態では、第２のゲート電極層もテーパー形状を有しているが、そのテーパー角度は、第１のゲート電極層６２１、第１のゲート電極層６２２、第１のゲート電極層６２４、第１のゲート電極層６２５、及び第１のゲート電極層６２６の有するテーパー角度より大きい。なおテーパー角度とは第１のゲート電極層、第２のゲート電極層それぞれの、導電層表面に対する側面の角度である。よって、テーパー角度を大きくし、９０度の場合導電層は垂直な側面を有すようになる。本実施の形態では、第２のゲート電極層を形成するためのエッチング用ガスとしてＣｌ２、ＳＦ６、Ｏ２を用いる。
【０１１６】
本実施の形態では第１のゲート電極層、導電層、及び第２のゲート電極層をテーパー形状を有する様に形成するため、２層のゲート電極層両方がテーパー形状を有している。しかし、本発明はそれに限定されず、ゲート電極層の一層のみがテーパー形状を有し、他方は異方性エッチングによって垂直な側面を有していてもよい。本実施の形態のように、テーパー角度も積層するゲート電極層間で異なっていても良いし、同一でもよい。テーパー形状を有することによって、その上に積層する膜の被覆性が向上し、欠陥が軽減されるので信頼性が向上する。
【０１１７】
以上の工程によって、周辺駆動回路領域７０４に第１のゲート電極層６２１及び第２のゲート電極層６３１からなるゲート電極層６１７、第１のゲート電極層６２２及び第２のゲート電極層６３２からなるゲート電極層６１８、画素領域７０６に第１のゲート電極層６２４及び第２のゲート電極層６３４からなるゲート電極層６２７、第１のゲート電極層６２５及び第２のゲート電極層６３５からなるゲート電極層６２８、第１のゲート電極層６２６及び第２のゲート電極層６３６からなるゲート電極層６２９を形成することができる（図１１（Ｄ）参照）。本実施の形態では、ゲート電極層の形成をドライエッチングで行うがウエットエッチングでもよい。
【０１１８】
ゲート電極層を形成する際のエッチング工程によって、ゲート絶縁層６０７は多少エッチングされ、膜厚が減る（いわゆる膜減り）ことがある。
【０１１９】
ゲート電極層を形成する際、ゲート電極層の幅を細くすることによって、高速動作が可能な薄膜トランジスタを形成することができる。ゲート電極層をチャネル方向の幅を細く形成する２つの方法を以下に示す。
【０１２０】
第１の方法はゲート電極層のマスクを形成した後、マスクを幅方向にエッチング、アッシング等により細らせ、さらに幅の細いマスクを形成する。あらかじめ幅細い形状に形成されたマスクを用いることによって、ゲート電極層も幅細い形状に形成することができる。
【０１２１】
次に、第２の方法は通常のマスクを形成し、そのマスクを用いてゲート電極層を形成する。次に得られたゲート電極層を幅方向にさらにサイドエッチングして細らせる。よって最終的に幅の細いゲート電極層を形成することができる。以上の工程を経ることによって、後にチャネル長の短い薄膜トランジスタを形成することが可能であり、高速度動作が可能な薄膜トランジスタを作製することが可能である。
【０１２２】
次に、マスク６１０ａ、マスク６１０ｂ、マスク６１０ｄ、マスク６１０ｅ、及びマスク６１０ｆを除去し、ゲート電極層６１７、ゲート電極層６１８、ゲート電極層６２７、ゲート電極層６２８、ゲート電極層６２９をマスクとして、ｎ型を付与する不純物元素６５１を添加し、第１のｎ型不純物領域６４０ａ、第１のｎ型不純物領域６４０ｂ、第１のｎ型不純物領域６４１ａ、第１のｎ型不純物領域６４１ｂ、第１のｎ型不純物領域６４２ａ、第１のｎ型不純物領域６４２ｂ、第１のｎ型不純物領域６４２ｃ、第１のｎ型不純物領域６４３ａ、第１のｎ型不純物領域６４３ｂを形成する（図１２（Ａ）参照）。
【０１２３】
本実施の形態では、不純物元素を含むドーピングガスとしてホスフィン（ＰＨ３）（ドーピングガスはＰＨ３を水素（Ｈ２）で希釈しており、ガス中のＰＨ３の比率は５％）を用い、ガス流量８０ｓｃｃｍ、ビーム電流５４μＡ／ｃｍ、加速電圧５０ｋＶ、添加するドーズ量７．０×１０１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２でドーピングを行う。ここでは、第１のｎ型不純物領域６４０ａ、第１のｎ型不純物領域６４０ｂ、第１のｎ型不純物領域６４１ａ、第１のｎ型不純物領域６４１ｂ、第１のｎ型不純物領域６４２ａ、第１のｎ型不純物領域６４２ｂ、第１のｎ型不純物領域６４２ｃ、第１のｎ型不純物領域６４３ａ、第１のｎ型不純物領域６４３ｂに、ｎ型を付与する不純物元素が１×１０１７〜５×１０１８／ｃｍ３程度の濃度で含まれるように添加する。本実施の形態では、ｎ型を付与する不純物元素としてリン（Ｐ）を用いる。
【０１２４】
本実施の形態では、不純物領域がゲート絶縁層を介してゲート電極層と重なる領域をＬｏｖ領域とし、不純物領域がゲート絶縁層を介してゲート電極層と重ならない領域をＬｏｆｆ領域とする。図１２では、不純物領域においてハッチングと白地で示されているが、これは、白地部分に不純物元素が添加されていないということを示すのではなく、この領域の不純物元素の濃度分布がマスクやドーピング条件を反映していることを直感的に理解できるようにしたためである。なお、このことは本明細書の他の図面においても同様である。
【０１２５】
次に半導体層６０３、半導体層６０５の一部、半導体層６０６を覆うマスク６５３ａ、マスク６５３ｂ、マスク６５３ｃ、及びマスク６５３ｄを形成する。マスク６５３ａ、マスク６５３ｂ、マスク６５３ｃ、マスク６５３ｄ、第２のゲート電極層６３２をマスクとしてｎ型を付与する不純物元素６５２を添加し、第２のｎ型不純物領域６４４ａ、第２のｎ型不純物領域６４４ｂ、第３のｎ型不純物領域６４５ａ、第３のｎ型不純物領域６４５ｂ、第２のｎ型不純物領域６４７ａ、第２のｎ型不純物領域６４７ｂ、第２のｎ型不純物領域６４７ｃ、第３のｎ型不純物領域６４８ａ、第３のｎ型不純物領域６４８ｂ、第３のｎ型不純物領域６４８ｃ、第３のｎ型不純物領域６４８ｄが形成される。
【０１２６】
本実施の形態では、不純物元素を含むドーピングガスとしてＰＨ３（ドーピングガスはＰＨ３を水素（Ｈ２）で希釈しており、ガス中のＰＨ３の比率は５％）を用い、ガス流量８０ｓｃｃｍ、ビーム電流５４０μＡ／ｃｍ、加速電圧７０ｋＶ、添加するドーズ量５．０×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２でドーピングを行う。ここでは、第２のｎ型不純物領域６４４ａ、第２のｎ型不純物領域６４４ｂにｎ型を付与する不純物元素が５×１０１９〜５×１０２０／ｃｍ３程度の濃度で含まれるように添加する。第３のｎ型不純物領域６４５ａ、第３のｎ型不純物領域６４５ｂは、第３のｎ型不純物領域６４８ａ、第３のｎ型不純物領域６４８ｂ、第３のｎ型不純物領域６４８ｃ、第３のｎ型不純物領域６４８ｄと同程度、もしくは少し高めの濃度でｎ型を付与する不純物元素を含むように形成される。また、半導体層６０４にチャネル形成領域６４６、半導体層６０５にチャネル形成領域６４９ａ及びチャネル形成領域６４９ｂが形成される。
【０１２７】
第２のｎ型不純物領域６４４ａ、第２のｎ型不純物領域６４４ｂ、第２のｎ型不純物領域６４７ａ、第２のｎ型不純物領域６４７ｂ、第２のｎ型不純物領域６４７ｃは高濃度ｎ型不純物領域であり、ソース領域またはドレインとして機能する。一方、第３のｎ型不純物領域６４５ａ、第３のｎ型不純物領域６４５ｂ、第３のｎ型不純物領域６４８ａ、第３のｎ型不純物領域６４８ｂ、第３のｎ型不純物領域６４８ｃ、第３のｎ型不純物領域６４８ｄは低濃度不純物領域であり、ＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域となる。
【０１２８】
第３のｎ型不純物領域６４５ａ、第３のｎ型不純物領域６４５ｂは、ゲート絶縁層６０７を介して、第１のゲート電極層６２２に覆われているのでＬｏｖ領域であり、ドレイン近傍の電界を緩和し、ホットキャリアによるオン電流の劣化を抑制することが可能である。この結果、高速動作が可能な薄膜トランジスタを形成することができる。一方、第３のｎ型不純物領域６４８ａ、第３のｎ型不純物領域６４８ｂ、第３のｎ型不純物領域６４８ｃ、第３のｎ型不純物領域６４８ｄはゲート電極層６２７、ゲート電極層６２８に覆われていないのでＬｏｆｆ領域であり、ドレイン近傍の電界を緩和してホットキャリア注入による劣化を防ぐとともに、オフ電流を低減する効果がある。この結果、信頼性の高く、低消費電力の半導体装置を作製することが可能である。
【０１２９】
次に、マスク６５３ａ、マスク６５３ｂ、マスク６５３ｃ及びマスク６５３ｄを除去し、半導体層６０４、半導体層６０５を覆うマスク６５５ａ、マスク６５５ｂを形成する。マスク６５５ａ、マスク６５５ｂ、ゲート電極層６１７及びゲート電極層６２９をマスクとしてｐ型を付与する不純物元素６５４を添加し、第１のｐ型不純物領域６６０ａ、第１のｐ型不純物領域６６０ｂ、第１のｐ型不純物領域６６３ａ、第１のｐ型不純物領域６６３ｂ、第２のｐ型不純物領域６６１ａ、第２のｐ型不純物領域６６１ｂ、第２のｐ型不純物領域６６４ａ、第２のｐ型不純物領域６６４ｂが形成される。
【０１３０】
本実施の形態では、不純物元素としてボロン（Ｂ）を用いるため、不純物元素を含むドーピングガスとしてジボラン（Ｂ２Ｈ６）（ドーピングガスはＢ２Ｈ６を水素（Ｈ２）で希釈しており、ガス中のＢ２Ｈ６の比率は１５％）を用い、ガス流量７０ｓｃｃｍ、ビーム電流１８０μＡ／ｃｍ、加速電圧８０ｋＶ、添加するドーズ量２．０×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２でドーピングを行う。ここでは、第１のｐ型不純物領域６６０ａ、第１のｐ型不純物領域６６０ｂ、第１のｐ型不純物領域６６３ａ、第１のｐ型不純物領域６６３ｂ、第２のｐ型不純物領域６６１ａ、第２のｐ型不純物領域６６１ｂ、第２のｐ型不純物領域６６４ａ、第２のｐ型不純物領域６６４ｂにｐ型を付与する不純物元素が１×１０２０〜５×１０２１／ｃｍ３程度の濃度で含まれるように添加する。
【０１３１】
本実施の形態では、第２のｐ型不純物領域６６１ａ、第２のｐ型不純物領域６６１ｂ、第２のｐ型不純物領域６６４ａ、第２のｐ型不純物領域６６４ｂは、ゲート電極層６１７及びゲート電極層６２９の形状を反映し、自己整合的に第１のｐ型不純物領域６６０ａ、第１のｐ型不純物領域６６０ｂ、第１のｐ型不純物領域６６３ａ、第１のｐ型不純物領域６６３ｂより低濃度となるように形成する。また、半導体層６０３にチャネル形成領域６６２、半導体層６０６にチャネル形成領域６６５が形成される。
【０１３２】
第１のｐ型不純物領域６６０ａ、第１のｐ型不純物領域６６０ｂ、第１のｐ型不純物領域６６３ａ、第１のｐ型不純物領域６６３ｂは高濃度ｎ型不純物領域であり、ソース領域またはドレインとして機能する。一方、第２のｐ型不純物領域６６１ａ、第２のｐ型不純物領域６６１ｂ、第２のｐ型不純物領域６６４ａ、第２のｐ型不純物領域６６４ｂは低濃度不純物領域であり、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域となる。第２のｐ型不純物領域６６１ａ、第２のｐ型不純物領域６６１ｂ、第２のｐ型不純物領域６６４ａ、第２のｐ型不純物領域６６４ｂは、ゲート絶縁層６０７を介して、第１のゲート電極層６２１、第１のゲート電極層６２６に覆われているのでＬｏｖ領域であり、ドレイン近傍の電界を緩和し、ホットキャリアによるオン電流の劣化を抑制することが可能である。
【０１３３】
マスク６５５ａ、マスク６５５ｂをＯ２アッシングやレジスト剥離液により除去し、酸化膜も除去する。その後、ゲート電極層の側面を覆うように、絶縁膜、いわゆるサイドウォールを形成してもよい。サイドウォールは、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）法を用いて、珪素を有する絶縁膜により形成することができる。
【０１３４】
不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、又はレーザ光の照射を行ってもよい。活性化と同時にゲート絶縁層へのプラズマダメージやゲート絶縁層と半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。
【０１３５】
次いで、ゲート電極層とゲート絶縁層とを覆う層間絶縁層を形成する。本実施の形態では、絶縁膜６６７と絶縁膜６６８との積層構造とする（図１３（Ａ）参照）。絶縁膜６６７として酸素を含む窒化珪素膜を膜厚１００ｎｍ形成し、絶縁膜６６８として窒素を含む酸化珪素膜を膜厚９００ｎｍ形成し、積層構造とする。また、ゲート電極層、ゲート絶縁層を覆って、窒素を含む酸化珪素膜を膜厚３０ｎｍ形成し、酸素を含む窒化珪素膜を膜厚１４０ｎｍ形成し、窒素を含む酸化珪素膜を膜厚８００ｎｍ形成し、３層の積層構造としてもよい。
【０１３６】
本実施の形態では、絶縁膜６６７及び絶縁膜６６８を下地膜と同様にプラズマＣＶＤ法を用いて連続的に形成する。絶縁膜６６７と絶縁膜６６８は上記材料に限定されるものでなく、スパッタ法、またはプラズマＣＶＤを用いた窒化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜、窒素を含む酸化珪素膜、酸化珪素膜でもよく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または３層以上の積層構造として用いても良い。
【０１３７】
絶縁膜６６７、絶縁膜６６８としては他に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸素含有量が窒素含有量よりも多い窒素を含む酸化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、窒素含有量が酸素含有量よりも多い酸素を含む窒化アルミニウム（ＡｌＮＯ）または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素を含む炭素膜（ＣＮ）その他の無機絶縁性材料を含む物質から選ばれた材料で形成することができる。
【０１３８】
また、シロキサン樹脂を用いてもよい。なお、シロキサン樹脂とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素（アリール基））が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、有機絶縁性材料を用いてもよく、有機材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、ポリシラザンを用いることができる。平坦性のよい塗布法によってされる塗布膜を用いてもよい。
【０１３９】
さらに、窒素雰囲気中で、３００〜５５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い、半導体層を水素化する工程を行う。好ましくは、４００〜５００℃で行う。この工程は層間絶縁層である絶縁膜６６７に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。本実施の形態では、４１０℃で１時間加熱処理を行う。
【０１４０】
次いで、レジストからなるマスクを用いて絶縁膜６６７、絶縁膜６６８、ゲート絶縁層６０７に半導体層に達するコンタクトホール（開口部）と、絶縁膜６６７、絶縁膜６６８、ゲート絶縁層６０７、第１の層間絶縁層８０６に第２の電極層８０５に達するコンタクトホール（開口部）を形成する。エッチングは、用いる材料の選択比によって、一回で行っても複数回行っても良い。本実施の形態では、窒素を含む酸化珪素膜である絶縁膜６６８と、酸素を含む窒化珪素膜である絶縁膜６６７、ゲート絶縁層６０７及び第１の層間絶縁層８０６と選択比が取れる条件で、第１のエッチングを行い、絶縁膜６６８を除去する。
【０１４１】
次に第２のエッチングによって、絶縁膜６６７及びゲート絶縁層６０７を除去し、ソース領域またはドレイン領域である第１のｐ型不純物領域６６０ａ、第１のｐ型不純物領域６６０ｂ、第１のｐ型不純物領域６６３ａ、第１のｐ型不純物領域６６３ｂ、第２のｎ型不純物領域６４４ａ、第２のｎ型不純物領域６４４ｂ、第２のｎ型不純物領域６４７ａ、第２のｎ型不純物領域６４７ｂに達する開口部を形成する。
【０１４２】
また、第２のエッチングによって、絶縁膜６６７及び第１の層間絶縁層８０６を除去し、電極層８０５に達する開口部を形成する。
【０１４３】
本実施の形態では、第１のエッチングをウエットエッチングによって行い、第２のエッチングをドライエッチングによって行う。ウエットエッチングのエッチャントは、フッ化水素アンモニウム及びフッ化アンモニウムを含む混合溶液のようなフッ酸系の溶液を用いるとよい。エッチング用ガスとしては、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＳｉＣｌ４もしくはＣＣｌ４などを代表とする塩素系ガス、ＣＦ４、ＳＦ６もしくはＮＦ３などを代表とするフッ素系ガス又はＯ２を適宜用いることができる。また用いるエッチング用ガスに不活性気体を添加してもよい。添加する不活性元素としては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種の元素を用いることができる。
【０１４４】
開口部を覆うように導電膜を形成し、導電膜をエッチングして各ソース領域またはドレイン領域の一部とそれぞれ電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層である電極層６６９ａ、ソース電極層またはドレイン電極層である電極層６６９ｂ、ソース電極層またはドレイン電極層である電極層６７０ａ、ソース電極層またはドレイン電極層である電極層６７０ｂ、ソース電極層またはドレイン電極層である電極層６７１ａ、ソース電極層またはドレイン電極層である電極層６７１ｂ、ソース電極層またはドレイン電極層である電極層６７２ａ、ソース電極層またはドレイン電極層である電極層６７２ｂを形成する。また、ソース電極層またはドレイン電極層である電極層６７２ｂは第２の電極とも電気的に接続する。
【０１４５】
ソース電極層またはドレイン電極層は、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、蒸着法等により導電膜を成膜した後、所望の形状にエッチングして形成することができる。また、液滴吐出法、印刷法、電解メッキ法等により、所定の場所に選択的に導電層を形成することができる。更にはリフロー法、ダマシン法を用いても良い。ソース電極層またはドレイン電極層の材料は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂａ等の金属、及びＳｉ、Ｇｅ、又はその合金、若しくはその窒化物を用いて形成する。また、これらの積層構造としても良い。
【０１４６】
本実施の形態では、チタン（Ｔｉ）膜を膜厚６０ｎｍ形成し、窒化チタン膜を膜厚４０ｎｍ形成し、アルミニウム膜を膜厚７００ｎｍ形成し、チタン（Ｔｉ）膜を膜厚２００ｎｍ形成して積層構造とし、所望な形状に加工する。
【０１４７】
以上の工程で、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＴＦＴ））が形成される。周辺駆動回路領域７０４に、ｐチャネル型薄膜トランジスタ６７３、ｎチャネル型薄膜トランジスタ６７４を、画素領域７０６に、マルチチャネル型のｎチャネル型薄膜トランジスタ６７５、ｐチャネル型薄膜トランジスタ６７６を有するアクティブマトリクス基板を作製することができる（図１３（Ｂ）参照）。
【０１４８】
本実施の形態に限定されず、薄膜トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、周辺駆動回路領域の薄膜トランジスタも、シングルゲート構造、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
【０１４９】
なお、本実施の形態で示した薄膜トランジスタの作製方法に限らず、トップゲート型（プレーナー型）、ボトムゲート型（逆スタガ型）、あるいはチャネル形成領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された２つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型やその他の構造においても適用できる。
【０１５０】
次いで、画素領域７０６と周辺駆動回路領域７０４を覆う保護膜８１９を形成する。本実施の形態では保護膜８１９は単層構造であっても積層構造であってもよい。例えば、膜厚１００ｎｍの窒化酸化珪素膜と膜厚９００ｎｍの酸化窒化絶縁膜の積層構造でもよい。また、３層の積層構造としてもよい。
【０１５１】
本実施の形態では、保護膜８１９を下地膜と同様にプラズマＣＶＤ法を用いて連続的に形成する。保護膜８１９は上記材料に限定されるものでなく、スパッタ法、またはプラズマＣＶＤを用いた窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、酸化珪素膜でもよく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または３層以上の積層構造として用いても良い。
【０１５２】
保護膜８１９としては他に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸素含有量が窒素含有量よりも多い窒素を含む酸化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、窒素含有量が酸素含有量よりも多い酸素を含む窒化アルミニウム（ＡｌＮＯ）または酸化アルミニウム、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素を含む炭素膜（ＣＮ）その他の無機絶縁性材料を含む物質から選ばれた材料で形成することができる。
【０１５３】
また、シロキサン樹脂を用いてもよい。なお、シロキサン樹脂とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、有機絶縁性材料を用いてもよく、有機材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、ポリシラザンを用いることができる。平坦性のよい塗布法によってされる塗布膜を用いてもよい。
【０１５４】
次いで、外部端子接続領域７０２ｂに所定の開口部が設けられたレジストからなるマスクで、保護膜８１９をエッチングする（図１４参照）。
【０１５５】
その後、シール材６９２により封止基板６９５と貼り合わせる。空間６９３には、充填材が充填されている。充填材としては、不活性気体（窒素やアルゴン等）を用いてもよいし、シール材で充填してもよい。
【０１５６】
なお、シール材６９２にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６９５に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー（登録商標）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０１５７】
以上の工程により、本発明の発光素子を有する発光装置を製造することができる。
【０１５８】
なお、発光素子の厚み方向において、第１の電極層８０２もしくは第２の電極層８０５と重なるようにＴＦＴを配置することもできる（図１５（Ｂ）参照）。このように配置することにより、素子の面積を小さくすることができる。
【０１５９】
本発明の発光装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と無機ＥＬ素子とを有しているためアクティブマトリクス型の発光装置に応用することができる。
【０１６０】
また、薄膜トランジスタに用いられているアモルファスシリコンやポリシリコンなどからの水素脱離による欠陥増加が生じないため、ＴＦＴの特性が損なわれることなくアクティブマトリックス方式の無機ＥＬディスプレイを作製できる。
【０１６１】
また、アルミニウムなど融点の低い材料や、耐熱性が低い有機材料であっても、無機ＥＬディスプレイのＴＦＴに使用することができる。つまり、使用できる材料の選択肢が広がる。
【０１６２】
本実施の形態によれば、実施の形態１と同様に発光輝度を高めた状態で、該輝度の経時変化を小さくした発光素子を得ることができる。特に、可視光域での発光特性を安定化させることができる。また、発光スペクトルを広げ、混色発光に変えることができるので、さまざまな用途に適用することができる。また、混色の発光を容易に得ることができ、これにより白色の発光を作り出すことができる。また輝度劣化が小さいので、信頼性の高い発光装置を得ることが可能である。
【０１６３】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【０１６４】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明を適用して作製した発光素子を有する発光装置について説明する。
【０１６５】
本実施の形態では、発光装置の一態様として表示装置について、図１６（Ａ）〜図１６（Ｂ）、図１７、図１８、図１９、図２０（Ａ）〜図２０（Ｂ）を参照して説明する。図１７は表示装置の主要部を示す構成図である。
【０１６６】
基板４１０には、第１の電極４１６と、その電極と交差する方向に伸びる第２の電極４１８が設けられている。少なくとも、第１の電極４１６と第２の電極４１８との交差部には、実施の形態１〜実施の形態３で説明したものと同様な方法で作製された発光層が設けられ、発光素子を形成している。図１７の表示装置は、第１の電極４１６と第２の電極４１８を複数本配置して、画素となる発光素子をマトリクス状に配列させ、表示部４１４を形成している。この表示部４１４は、第１の電極４１６と第２の電極４１８の電位を制御して個々の発光素子の発光及び非発光を制御して、動画及び静止画を表示することができる。
【０１６７】
この表示装置は、基板４１０の一方向に延設される第１の電極４１６と、それと交差する第２の電極４１８のそれぞれに映像を表示する信号を印加して発光素子の発光及び非発光を選択する。すなわち、画素の駆動は、もっぱら外部回路から与えられる信号で行う単純マトリクス型の表示装置である。このような表示装置は、構成が簡単であるので、大面積化をしても容易に作製をすることができる。
【０１６８】
第１の電極４１６と第２の電極４１８を、どちらも透明導電膜を用いて形成した場合は、本実施の形態の発光装置は両面射出型発光装置とすることができる。また、第１の電極４１６または第２の電極４１８のいずれか一方を反射性導電膜を用いて形成した場合は、本実施の形態の発光装置を片面射出型発光装置（トップエミッション型発光装置あるいはボトムエミッション型発光装置）とすることができる。
【０１６９】
このような透明導電膜としては、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ））、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯともいう）、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ（ＩＺＯともいう））、酸化タングステンと酸化亜鉛を含む酸化インジウムを用いることが可能である。また反射性導電膜としては、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、又は金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いることが可能である。
【０１７０】
なお、対向基板４１２は必要に応じて設ければ良く、表示部４１４の位置に合わせて設けることで保護部材とすることもできる。これは、板状の硬材としなくても、樹脂フィルム若しくは樹脂材料を塗布して代用することもできる。第１の電極４１６及び第２の電極４１８は基板４１０の端部に引き出され、外部回路と接続する端子を形成している。すなわち第１の電極４１６及び第２の電極４１８は基板４１０の端部で第１と第２のフレキシブル配線基板４２０、４２２とコンタクトを形成する。外部回路としては、映像信号を制御するコントローラ回路の他、電源回路、チューナ回路などが含まれる。
【０１７１】
図１８は図１７における表示部４１４の構成を示す部分拡大図を示す。基板５１０に形成された第１の電極５１６の側端部は隔壁層５２４が形成されている。そして、少なくとも第１の電極５１６の露出面上には発光層（ＥＬ層ともいう）５２６が形成されている。第２の電極５１８は、ＥＬ層５２６上に設けられている。第２の電極５１８は第１の電極５１６と交差するので、隔壁層５２４上に延設されている。隔壁層５２４は、第１の電極５１６と第２の電極５１８の間で短絡が起こらないように絶縁材料で形成されている。隔壁層５２４が第１の電極５１６の端部を覆う部位では、段差が急峻とならないように隔壁層５２４の側端部に勾配を持たせ、所謂テーパー形状としている。隔壁層５２４をこのような形状とすることで、第１の電極５１６の被覆性が向上し、ひび割れや断裂などの不良を無くすことができる。
【０１７２】
図１９は図１７における表示部４１４の平面図であり、基板１１１０上に第１の電極１１１６、第２の電極１１１８、隔壁層１１２４、ＥＬ層１１２６の配置を示している。補助電極１１２８は第２の電極１１１８を酸化インジウムスズ、酸化亜鉛などの透明導電膜で形成する場合に、抵抗損失を低減するために設けると好ましいものである。この場合、補助電極１１２８はチタン、タングステン、クロム、タンタルなどの高融点金属、若しくは高融点金属とアルミニウム、銀などの低抵抗金属とを組み合わせて形成すると良い。
【０１７３】
図１９において、Ｅ−Ｆ線及びＧ−Ｈ線に沿った断面図を図２０（Ａ）及び図２０（Ｂ）に示す。図２０（Ａ）は図１７における第１の電極４１６が配列する断面図であり、図２０（Ｂ）は図１７における第２の電極４１８が配列する断面図を示す。基板１２１０上の第１の電極１２１６と第２の電極１２１８の交差部にはＥＬ層１２２６が形成され、その部位に発光素子が形成される。図２０（Ｂ）で示すように、補助電極１２２８は隔壁層１２２４上にあって、第２の電極１２１８と接触するように設けている。補助電極１２２８を隔壁層１２２４上に設けることにより、第１の電極１２１６と第２の電極１２１８の交差部に形成される発光素子を遮光することがないので、発光した光を有効に利用することができる。また、補助電極１２２８が第１の電極１２１６と短絡してしまうことを防ぐことができる。
【０１７４】
図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）では、図２０（Ａ）及び図２０（Ｂ）に示す発光装置の対向基板１２１２に、色変換層１２３０を配設した一例を示している。色変換層１２３０は、ＥＬ層１２２６で発光した光を波長変換して発光色を異ならせるためのものである。この場合、ＥＬ層１２２６で発光する光は、エネルギーの高い青色若しくは紫外光であることが好ましい。色変換層１２３０として、赤色、緑色、青色に変換するものを配列させれば、ＲＧＢカラー表示を行う表示装置とすることができる。また、色変換層１２３０を着色層（カラーフィルタ）に置き換えることもできる。その場合は、ＥＬ層１２２６は白色発光するように構成すれば良い。充填材１２３２は基板１２１０と対向基板１２１２を固定するものであり適宜設ければ良い。
【０１７５】
本発明の発光装置は、混色の発光を容易に得ることができ、これにより白色の発光を作り出すことができる。また輝度劣化が小さいので、信頼性の高い発光装置を得ることが可能である。
【０１７６】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【０１７７】
（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態１〜実施の形態３に示す発光装置をその一部に含む本発明の電子機器について説明する。本発明の電子機器は、実施の形態１〜実施の形態３で示した発光素子を有する。よって、駆動電圧が低減され、輝度の高い発光素子を有するため、消費電極の低減された輝度の高い電子機器を提供することが可能である。
【０１７８】
本発明の発光装置を用いて作製された電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図８（Ａ）〜図８（Ｄ）に示す。
【０１７９】
図８（Ａ）は本発明に係るテレビ装置であり、筐体９１０１、支持台９１０２、表示部９１０３、スピーカー部９１０４、ビデオ入力端子９１０５等を含む。このテレビ装置において、表示部９１０３は、実施の形態１〜実施の形態３で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。
【０１８０】
本発明により形成された発光素子は、白色光を容易に得ることができ、また輝度劣化が小さいという特徴を有している。これにより本発明の表示装置は、コストが低く、信頼性が高いという利点がある。その発光素子で構成される表示部９１０３も同様の特徴を有するため、このテレビ装置についても、作製のコストが低く、高い信頼性を得ることができる。
【０１８１】
図８（Ｂ）は本発明に係るコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キーボード９２０４、外部接続ポート９２０５、ポインティングデバイス９２０６等を含む。このコンピュータにおいて、表示部９２０３は、実施の形態１〜実施の形態３で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。
【０１８２】
本発明により形成された発光素子は、白色光を容易に得ることができ、また輝度劣化が小さいという特徴を有している。これにより本発明の表示装置は、コストが低く、信頼性が高いという利点がある。その発光素子で構成される表示部９２０３も同様の特徴を有するため、このコンピュータについても、作製のコストが低く、高い信頼性を得ることができる。
【０１８３】
図８（Ｃ）は本発明に係る携帯電話であり、本体９４０１、筐体９４０２、表示部９４０３、音声入力部９４０４、音声出力部９４０５、操作キー９４０６、外部接続ポート９４０７、アンテナ９４０８等を含む。この携帯電話において、表示部９４０３は、実施の形態１〜実施の形態３で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。
【０１８４】
本発明により形成された発光素子は、白色光を容易に得ることができ、また輝度劣化が小さいという特徴を有している。これにより本発明の表示装置は、コストが低く、信頼性が高いという利点がある。その発光素子で構成される表示部９４０３も同様の特徴を有するため、この携帯電話についても、作製のコストが低く、高い信頼性を得ることができる。
【０１８５】
図８（Ｄ）は本発明の係るカメラであり、本体９５０１、表示部９５０２、筐体９５０３、外部接続ポート９５０４、リモコン受信部９５０５、受像部９５０６、バッテリー９５０７、音声入力部９５０８、操作キー９５０９、接眼部９５１０等を含む。このカメラにおいて、表示部９５０２は、実施の形態１〜３で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。
【０１８６】
本発明により形成された発光素子は、白色光を容易に得ることができ、また輝度劣化が小さいという特徴を有している。これにより本発明の表示装置は、コストが低く、信頼性が高いという利点がある。その発光素子で構成される表示部９５０２も同様の特徴を有するため、このカメラについても、作製のコストが低く、高い信頼性を得ることができる。
【０１８７】
以上の様に、本発明の発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。本発明の発光装置を用いることにより、作製コストが小さく、輝度劣化が小さく、信頼性の高い表示部を有する電子機器を提供することが可能となる。
【０１８８】
また、本発明の発光装置は、発光効率の高い発光素子を有しており、照明装置として用いることもできる。本発明の発光素子を照明装置として用いる一態様を、図９を用いて説明する。
【０１８９】
図９は、本発明の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図９に示した液晶表示装置は、筐体５０１、液晶層５０２、バックライト５０３、筐体５０４を有し、液晶層５０２は、ドライバＩＣ５０５と接続されている。また、バックライト５０３は、本発明の発光装置が用いられおり、端子５０６により、電流が供給されている。
【０１９０】
本発明の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、作製コストが低く、輝度劣化が小さく信頼性の高いバックライトが得られる。また、本発明の発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、本発明の発光装置は薄型で低消費電力であるため、表示装置の薄型化、低消費電力化も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０１９１】
【図１】本発明の発光装置のＥＬスペクトルを示す図。
【図２】従来の発光装置の構成を示す図。
【図３】ＺｎＳ：Ｍｎの結晶状態を示す図。
【図４】本発明の発光装置の構成を示す図。
【図５】電子励起と緩和の経路を示す図。
【図６】本発明の発光装置の斜視図と断面図。
【図７】本発明の発光装置の上面図と断面図。
【図８】本発明が適用される電子機器の例を示す図。
【図９】本発明が適用される電子機器の例を示す図。
【図１０】発光素子の輝度劣化を示す図。
【図１１】本発明の発光装置の作製工程を示す図。
【図１２】本発明の発光装置の作製工程を示す図。
【図１３】本発明の発光装置の作製工程を示す図。
【図１４】本発明の発光装置の作製工程を示す図。
【図１５】本発明の発光装置の作製工程を示す図。
【図１６】本発明の発光装置を説明する図。
【図１７】本発明の発光装置を説明する図。
【図１８】本発明の発光装置を説明する図
【図１９】本発明の発光装置を説明する図。
【図２０】本発明の発光装置を説明する図。
【符号の説明】
【０１９２】
１００    基板
１０１    電極
１０２    誘電体層
１０３    発光層
１０４    誘電体層
１０５    電極
４１０    基板
４１２    対向基板
４１４    表示部
４１６    電極
４１８    電極
４２０    フレキシブル配線基板
４２２    フレキシブル配線基板
５０１    筐体
５０２    液晶層
５０３    バックライト
５０４    筐体
５０５    ドライバＩＣ
５０６    端子
５１０    基板
５１６    電極
５１８    電極
５２４  隔壁層
５２６    ＥＬ層
６００    基板
６０１ａ    下地膜
６０１ｂ    下地膜
６０２    結晶性半導体膜
６０３    半導体層
６０４    半導体層
６０５    半導体層
６０６    半導体層
６０７    ゲート絶縁層
６０８    導電膜
６０９    導電膜
６１０ａ    マスク
６１０ｂ    マスク
６１０ｄ    マスク
６１０ｅ    マスク
６１０ｆ    マスク
６１１    導電層
６１２    導電層
６１４    導電層
６１５    導電層
６１６    導電層
６１７    ゲート電極層
６１８    ゲート電極層
６２１    ゲート電極層
６２２    ゲート電極層
６２４    ゲート電極層
６２５    ゲート電極層
６２６    ゲート電極層
６２７    ゲート電極層
６２８    ゲート電極層
６２９    ゲート電極層
６３１    ゲート電極層
６３２    ゲート電極層
６３４    ゲート電極層
６３５    ゲート電極層
６３６    ゲート電極層
６４０ａ    不純物領域
６４０ｂ    不純物領域
６４１ａ    不純物領域
６４１ｂ    不純物領域
６４２ａ    不純物領域
６４２ｂ    不純物領域
６４２ｃ    不純物領域
６４３ａ    不純物領域
６４３ｂ    不純物領域
６４４ａ    不純物領域
６４４ｂ    不純物領域
６４５ａ    不純物領域
６４５ｂ    不純物領域
６４６    チャネル形成領域
６４７ａ    不純物領域
６４７ｂ    不純物領域
６４７ｃ    不純物領域
６４８ａ    不純物領域
６４８ｂ    不純物領域
６４８ｃ    不純物領域
６４８ｄ    不純物領域
６４９ａ  チャネル形成領域
６４９ｂ    チャネル形成領域
６５１    不純物元素
６５２    不純物元素
６５３ａ    マスク
６５３ｂ    マスク
６５３ｃ    マスク
６５３ｄ    マスク
６５４    不純物元素
６５５ａ    マスク
６５５ｂ    マスク
６６０ａ    不純物領域
６６０ｂ    不純物領域
６６１ａ    不純物領域
６６１ｂ    不純物領域
６６２    チャネル形成領域
６６３ａ    不純物領域
６６３ｂ    不純物領域
６６４ａ    不純物領域
６６４ｂ    不純物領域
６６５    チャネル形成領域
６６７    絶縁膜
６６８    絶縁膜
６６９ａ    電極層
６６９ｂ    電極層
６７０ａ    電極層
６７０ｂ    電極層
６７１ａ    電極層
６７１ｂ    電極層
６７２ａ    電極層
６７２ｂ    電極層
６７３    薄膜トランジスタ
６７４    薄膜トランジスタ
６７５    薄膜トランジスタ
６７６    薄膜トランジスタ
６９２    シール材
６９３    空間
６９４    ＦＰＣ
６９５    封止基板
７０２ａ    外部端子接続領域
７０２ｂ    外部端子接続領域
７０３    配線領域
７０４    周辺駆動回路領域
７０６    画素領域
８０２    電極層
８０３    絶縁層
８０４    発光層
８０５    電極層
８０６    層間絶縁層
８１９    保護膜
９５１    基板
９５２    電極
９５３    絶縁層
９５４    隔壁層
９５５    層
９５６    電極
１１１０    基板
１１１６    電極
１１１８    電極
１１２４    隔壁層
１１２６    ＥＬ層
１１２８    補助電極
１２１０    基板
１２１２    対向基板
１２１６    電極
１２１８    電極
１２２４    隔壁層
１２２６    ＥＬ層
１２２８    補助電極
１２３０    色変換層
１５０１    電極
１５０２    絶縁膜
１５０３    発光層
１５０４    絶縁膜
１５０５    電極
１５０６    電源
１５０７    電源
９１０１    筐体
９１０２    支持台
９１０３    表示部
９１０４    スピーカー部
９１０５    ビデオ入力端子
９２０１    本体
９２０２    筐体
９２０３    表示部
９２０４    キーボード
９２０５    外部接続ポート
９２０６    ポインティングデバイス
９４０１    本体
９４０２    筐体
９４０３    表示部
９４０４    音声入力部
９４０５    音声出力部
９４０６    操作キー
９４０７    外部接続ポート
９４０８    アンテナ
９５０１    本体
９５０２    表示部
９５０３    筐体
９５０４    外部接続ポート
９５０５    リモコン受信部
９５０６    受像部
９５０７    バッテリー
９５０８    音声入力部
９５０９    操作キー
９５１０    接眼部
【図１】
2008042179.tif 000004
【図２】
2008042179.tif 000005
【図３】
2008042179.tif 000006
【図４】
2008042179.tif 000007
【図５】
2008042179.tif 000008
【図６】
2008042179.tif 000009
【図７】
2008042179.tif 000010
【図８】
2008042179.tif 000011
【図９】
2008042179.tif 000012
【図１０】
2008042179.tif 000013
【図１１】
2008042179.tif 000014
【図１２】
2008042179.tif 000015
【図１３】
2008042179.tif 000016
【図１４】
2008042179.tif 000017
【図１５】
2008042179.tif 000018
【図１６】
2008042179.tif 000019
【図１７】
2008042179.tif 000020
【図１８】
2008042179.tif 000021
【図１９】
2008042179.tif 000022
【図２０】
2008042179.tif 000023