(57)【要約】【課題】液晶注入口における液晶材料の漏れを抑制する。【解決手段】互いに対向して配置されたＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０と、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の間に設けられた液晶層１５と、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の間で液晶層１５を包囲するように設けられ、液晶層１５を構成する液晶材料を注入するための液晶注入口１６ａが形成されたシール材１６と、液晶注入口１６ａを塞ぐように設けられた封止材１７とを備えた薄型の液晶表示パネル３０であって、ＣＦ基板２０には、液晶注入口１６ａに達する貫通孔Ｈが形成され、貫通孔Ｈには、封止材１７が充填されている。【選択図】図３
2008139641.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向して配置された第１基板及び第２基板と、
上記第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層と、
上記第１基板及び第２基板の間で上記液晶層を包囲するように設けられ、上記液晶層を構成する液晶材料を注入するための液晶注入口が形成されたシール材と、
上記液晶注入口を塞ぐように設けられた封止材とを備えた薄型の液晶表示パネルであって、
上記第１基板及び第２基板の少なくとも一方には、上記液晶注入口に達する貫通孔が形成され、
上記貫通孔には、上記封止材が充填されていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
請求項１に記載された液晶表示パネルにおいて、
上記貫通孔は、上記液晶注入口の幅方向に沿った両端部の少なくとも一方に達するように設けられていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項３】
請求項１に記載された液晶表示パネルにおいて、
上記貫通孔は、上記第１基板及び第２基板のうちの薄い方の基板に設けられていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項４】
請求項３に記載された液晶表示パネルにおいて、
上記薄い方の基板は、カラーフィルター層が形成されたカラーフィルター基板であることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項５】
各々、表示領域が形成された第１基板及び第２基板を、該表示領域の周囲に設けられ、液晶材料を注入するための液晶注入口が形成されたシール材を介して貼り合わせることにより、貼合体を作製する貼り合わせ工程と、
上記貼り合わせ工程で作製された貼合体の内部に上記液晶注入口より液晶材料を注入する液晶注入工程と、
上記液晶注入工程で液晶材料が注入された貼合体の側面に上記液晶注入口を塞ぐように封止材を塗布することにより、上記液晶材料を封止する封止工程とを備える薄型の液晶表示パネルの製造方法であって、
上記貼り合わせ工程で作製された貼合体における第１基板及び第２基板の少なくとも一方に上記液晶注入口に達する貫通孔を形成する貫通孔形成工程を備え、
上記封止工程では、上記貫通孔形成工程で形成された貫通孔に上記封止材を充填することを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載された液晶表示パネルの製造方法において、
上記貼り合わせ工程で作製された貼合体の外面をエッチングして、上記第１基板及び第２基板の少なくとも一方を薄肉化するエッチング工程を備えることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネル及びその製造方法に関し、特に、薄型の液晶表示パネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルは、薄型で軽量であるので、従来より多様な分野で利用されている。この液晶表示パネルは、例えば、ガラス基板上に薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と称する）などを形成したＴＦＴ基板と、別のガラス基板上にカラーフィルター（以下、「ＣＦ」と称する）層を形成したＣＦ基板とを、液晶材料を注入するための注入口を有する枠状のシール材によって貼り合わせ、それらの貼り合わせた基板間のシール材で囲まれた空間内に液晶材料を注入した後に、上記注入口をＵＶ硬化型の樹脂などで封止することにより製造される。ここで、液晶表示パネルでは、上記シール材で囲まれた空間内に気泡などが混入すると、上記液晶材料などにより構成される液晶層における電気光学特性が不良になるので、上記封止の信頼性を向上させることが必要である。
【０００３】
例えば、特許文献１には、第１及び第２のガラス基板を所定の間隙を保って接合する枠状シール材に液晶注入穴が形成されており、この液晶注入穴に対応する両ガラス基板のそれぞれの端面部及びそれらの両側の端面部が、液晶注入穴に向かって徐々に対向間隔が狭まる斜面に形成され、この奥細状に形成された各傾斜端面部の対向部中に、十分な量の封止材（シール材）が注入されると共に液晶注入穴内に隙間無く充填されている液晶素子が開示されている。そして、これによれば、液晶注入穴に対応する一対の基板端面部を傾斜面に形成したから、端面を傾斜させることにより拡大された傾斜端面部に封止材を十分に塗布できると共に塗布した封止材が基板から突出する不具合も防止でき、その結果、本液晶素子を搭載する製品の小型薄型化を促進できると共に、液晶を長期にわたり高い信頼性で封止することができる、と記載されている。
【特許文献１】特開２００６−２３４８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、液晶表示パネルでは、例えば、上記ＴＦＴ基板及びＣＦ基板がそれぞれ０．３ｍｍ程度及び０．１ｍｍ程度の厚さに形成されるなどして、その薄型化が急速に進展している。
【０００５】
図５は、従来の薄型化された液晶表示パネル１３０の平面図である。そして、図６は、図５中の領域Ｃを拡大した平面模式図であり、図７は、図６中のVII−VII線に沿った断面模式図である。
【０００６】
液晶表示パネル１３０は、図５に示すように、ＴＦＴ基板１１０と、ＴＦＴ基板１１０に対向して配置され、表示領域Ｄの周囲に遮光層１２１を有するＣＦ基板１２０とを備えいる。ここで、ＴＦＴ基板１１０及びＣＦ基板１２０は、図６に示すように、遮光層１２１に設けられ、液晶注入口１１６ａを有する枠形状のシール材１１６を介して接合されている。そして、液晶表示パネル１３０では、図６及び図７に示すように、液晶材料１１５がＴＦＴ基板１１０及びＣＦ基板１２０の間でシール材１１６及び封止材１１７によって封入されている。
【０００７】
ところで、液晶表示パネル１３０では、上記のように、薄型化が進んでいるので、例えば、図７に示すように、ＴＦＴ基板１１０よりも一般的に単純な構成のＣＦ基板１２０が薄く形成されることが多くなっている。そのため、封止材１１７を形成するために、液晶表示パネル１３０の液晶注入口１１６ａが配置する端面にＵＶ硬化型樹脂を塗布したとしても、ＣＦ基板１２０の端面の表面積がＴＦＴ基板の端面の表面積よりも小さくなっているので、封止材１１７を構成するＵＶ硬化型の樹脂がＴＦＴ基板１１０側の端面には十分に接触するものの、ＣＦ基板１２０側の端面には十分に接触しないおそれがある。そうなると、図８の写真に示すように、シール材１１６及び封止材１１７の間に気泡１１８が挟み込まれてしまうので、液晶材料１１５内に気泡１１８が混入したり、封入されるべき液晶材料１１５が気泡１１８を介して外部に漏れることが懸念される。
【０００８】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、液晶注入口における液晶材料の漏れを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、第１基板及び第２基板の少なくとも一方に液晶注入口に達する貫通孔が形成され、その貫通孔に封止材が充填されるようにしたものである。
【００１０】
具体的に本発明に係る液晶表示パネルは、互いに対向して配置された第１基板及び第２基板と、上記第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層と、上記第１基板及び第２基板の間で上記液晶層を包囲するように設けられ、上記液晶層を構成する液晶材料を注入するための液晶注入口が形成されたシール材と、上記液晶注入口を塞ぐように設けられた封止材とを備えた薄型の液晶表示パネルであって、上記第１基板及び第２基板の少なくとも一方には、上記液晶注入口に達する貫通孔が形成され、上記貫通孔には、上記封止材が充填されていることを特徴とする。
【００１１】
上記の構成によれば、液晶層を構成する液晶材料を注入するための液晶注入口を塞ぐ封止材が、第１基板及び第２基板の側面から塗布されたものと、第１基板及び第２基板の少なくとも一方に形成された貫通孔を介して充填されたものとの双方により構成されることになる。そのため、封止材によって液晶注入口を確実に塞ぐことが可能になるので、液晶注入口における液晶材料の漏れが抑制される。
【００１２】
上記貫通孔は、上記液晶注入口の幅方向に沿った両端部の少なくとも一方に達するように設けられていてもよい。
【００１３】
上記の構成によれば、シール材と封止材との境界に当たる液晶注入口の幅方向に沿った両端部には、封止材が行き渡りにくく、気泡が発生し易いので、その部分に貫通孔を形成し、その貫通孔を介して封止材が充填されるように構成することにより、液晶注入口を確実に塞ぐことが可能になる。
【００１４】
上記貫通孔は、上記第１基板及び第２基板のうちの薄い方の基板に設けられていてもよい。
【００１５】
上記の構成によれば、基板に貫通孔を形成するのが容易になるので、本発明の作用効果が有効に奏される。
【００１６】
上記薄い方の基板は、カラーフィルター層が形成されたカラーフィルター基板であってもよい。
【００１７】
上記の構成によれば、カラーフィルター基板は、一般的に、ＴＦＴ基板よりも単純な構成であり、容易に薄肉化がされるので、本発明の作用効果が有効に奏される。
【００１８】
また、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法は、各々、表示領域が形成された第１基板及び第２基板を、該表示領域の周囲に設けられ、液晶材料を注入するための液晶注入口が形成されたシール材を介して貼り合わせることにより、貼合体を作製する貼り合わせ工程と、上記貼り合わせ工程で作製された貼合体の内部に上記液晶注入口より液晶材料を注入する液晶注入工程と、上記液晶注入工程で液晶材料が注入された貼合体の側面に上記液晶注入口を塞ぐように封止材を塗布することにより、上記液晶材料を封止する封止工程とを備える薄型の液晶表示パネルの製造方法であって、上記貼り合わせ工程で作製された貼合体における第１基板及び第２基板の少なくとも一方に上記液晶注入口に達する貫通孔を形成する貫通孔形成工程を備え、上記封止工程では、上記貫通孔形成工程で形成された貫通孔に上記封止材を充填することを特徴とする。
【００１９】
上記の方法によれば、封止工程において、液晶層を構成する液晶材料を注入するための液晶注入口を塞ぐ封止材が、第１基板及び第２基板の側面から塗布されると共に、第１基板及び第２基板の少なくとも一方に形成された貫通孔を介して充填されることになる。そのため、封止材によって液晶注入口を確実に塞ぐことが可能になるので、液晶注入口における液晶材料の漏れが抑制される。
【００２０】
上記貼り合わせ工程で作製された貼合体の外面をエッチングして、上記第１基板及び第２基板の少なくとも一方を薄肉化するエッチング工程を備えてもよい。
【００２１】
上記の方法によれば、エッチング工程において、第１基板及び第２基板を構成する各ガラス基板の少なくとも一方が薄肉化されるので、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、第１基板及び第２基板の少なくとも一方に液晶注入口に達する貫通孔が形成され、その貫通孔に封止材が充填されているので、液晶注入口における液晶材料の漏れを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２４】
図１は、本発明の実施形態に係る液晶表示パネル３０の平面図である。そして、図２は、図１中の領域Ａを拡大した平面模式図であり、図３は、図２中のIII−III線に沿った断面模式図である。
【００２５】
液晶表示パネル３０は、図１〜図３に示すように、第１基板であるＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板１０に対向して配置された第２基板であるＣＦ基板２０と、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の間に設けられた液晶層１５と、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０を接合すると共にＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の間において液晶層１５を包囲するように枠状に設けられたシール材１６とを備えている。
【００２６】
ＴＦＴ基板１０は、互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線（不図示）と、各ゲート線と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線（不図示）と、各ゲート線及び各ソース線の交差部分にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ（不図示）と、画像の最小単位である画素毎にそれぞれ設けられた複数の画素電極（不図示）とを備えている。
【００２７】
上記ＴＦＴは、ガラス基板上に設けられ、上記ゲート線の側方に突出した部分であるゲート電極と、そのゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、そのゲート絶縁膜上でゲート電極に対応する位置に島状に設けられた半導体層と、その半導体層上で互いに対峙するように設けられたソース電極及びドレイン電極とを備えている。ここで、上記ソース電極は、上記ソース線の側方に突出した部分である。そして、上記ドレイン電極は、画素電極に電気的に接続されている。
【００２８】
ＣＦ基板２０は、図１〜図３に示すように、ガラス基板１９と、ガラス基板１９上に設けられたＣＦ層２１と、ＣＦ層２１の周囲に枠状に設けられた遮光層２１ｃと、ＣＦ層２１上に設けられた共通電極（不図示）とを備えている。
【００２９】
ＣＦ層２１は、ＴＦＴ基板１０上の各画素電極に対応して、例えば、赤色、緑色又は青色に着色された複数の着色層２１ａと、各着色層２１ａの間に設けられたブラックマトリクス２１ｂとを備えている。
【００３０】
ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０では、図１に示すように、各画素電極及び各着色層２１ａによって、画像の最小単位である画素がそれぞれ構成され、それらの画素をマトリクス状に配置することによって、表示領域Ｄが構成されている。
【００３１】
シール材１６は、ＣＦ基板２０上の遮光層２１ｃに重なるように配置され、図２に示すように、液晶層１５を構成する液晶材料（１５）を注入するための液晶注入口１６ａを有している。
【００３２】
また、ＣＦ基板２０には、図１〜図３に示すように、液晶注入口１６ａの幅方向に沿った両端部に対応する位置に液晶注入口１６ａに達する貫通孔Ｈが設けられている。そして、貫通孔Ｈには、図３に示すように、封止材１７が充填されている。この封止材１７は、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０において、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の側面（図１中の下側端面）に塗布されたものと一体化されている。なお、貫通孔Ｈは、液晶注入口１６ａの幅方向に沿った両端部の一方に形成されていてもよく、また、ＴＦＴ基板１０側の対応する位置に形成されていてもよい。
【００３３】
液晶層１５は、電気光学特性を有するネマチックの液晶材料などにより構成されている。
【００３４】
上記構成の液晶表示パネル３０では、各画素において、ゲート線からゲート信号がゲート電極に送られて、ＴＦＴがオン状態になったときに、ソース線からソース信号がソース電極に送られて、半導体層及びドレイン電極を介して、画素電極に所定の電荷が書き込まれる。このとき、ＴＦＴ基板１０の各画素電極とＣＦ基板２０の共通電極との間において電位差が生じ、液晶層１５に所定の電圧が印加される。そして、液晶表示装置３０では、液晶層１５に印加された電圧の大きさによって、液晶層１５の配向状態を変えることにより、液晶層１５の光透過率を調整して画像が表示される。
【００３５】
次に、本実施形態の液晶表示パネル３０を製造する方法について説明する。本実施形態の製造方法は、ＴＦＴ基板作製工程、ＣＦ基板作製工程、貼り合わせ工程、エッチング工程、貫通孔形成工程、液晶注入工程及び封止工程を備えている。
【００３６】
＜ＴＦＴ基板作製工程＞
まず、厚さ０．７ｍｍ程度のガラス基板の基板全体に、アルミニウムなどの金属膜を厚さ１５００Å程度でスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ゲート線及びゲート電極などを形成する。
【００３７】
続いて、上記ゲート線及びゲート電極が形成された基板全体に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により窒化シリコン膜などを厚さ４０００Å程度で成膜し、ゲート絶縁膜を形成する。
【００３８】
さらに、上記ゲート絶縁膜が形成された基板全体に、ＣＶＤ法により真性アモルファスシリコン膜、及びリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜を、それぞれ、厚さ１５００Å及び４００Å程度で連続して成膜し、その後、フォトリソグラフィによりゲート電極上に島状にパターニングして、真性アモルファスシリコン層及びｎ＋アモルファスシリコン層からなる半導体層を形成する。
【００３９】
そして、上記半導体層が形成された基板全体に、チタンなどの金属膜を厚さ１５００Å程度でスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、ソース線、ソース電極及びドレイン電極を形成する。
【００４０】
続いて、上記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして半導体層のｎ＋アモルファスシリコン層をエッチングすることにより、チャネル部をパターニングして、ＴＦＴを形成する。
【００４１】
さらに、上記ＴＦＴが形成された基板全体に、スピンコーティング法を用いて、感光性アクリル樹脂などの有機絶縁膜を厚さ３μｍ程度で成膜し、その後、フォトリソグラフィによりドレイン電極上にコンタクトホールをパターニングして、保護絶縁膜を形成する。
【００４２】
そして、上記保護絶縁膜上の基板全体に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を厚さ１０００Å程度でスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、画素電極を形成する。
【００４３】
最後に、上記画素電極が形成された基板全体に、印刷法により、ポリイミド樹脂を厚さ５００Å程度で塗布し、その後、ラビング処理を行うことにより、配向膜を形成する。
【００４４】
以上のようにして、表面に配向膜が形成されたＴＦＴ基板１０を作製することができる。
【００４５】
＜ＣＦ基板作製工程＞
まず、厚さ０．７ｍｍ程度のガラス基板（１９）の基板全体に、スパッタリング法により、例えば、クロム薄膜を厚さ１０００Å程度で成膜し、その後、フォトリソグラフィによりパターニングして、格子状のブラックマトリクス２１ｂ、及び枠状の遮光層２１ｃを形成する。
【００４６】
続いて、ブラックマトリクス２１ｂの格子間のそれぞれに、例えば、赤、緑又は青に着色された感光性レジスト材料などを厚さ１〜３μｍ程度で塗布した後に、フォトリソグラフィによりパターニングして、選択した色の着色層２１ａを形成する。さらに、他の２色についても同様な工程を繰り返して、各着色層２１ａ及びブラックマトリクス２１ｂからなるＣＦ層２１を形成する。
【００４７】
さらに、ＣＦ層２１上に、スパッタリング法により、例えば、ＩＴＯ膜を厚さ１０００Å程度で成膜して、共通電極を形成する。
【００４８】
最後に、上記共通電極が形成された基板全体に、印刷法により、ポリイミド樹脂を厚さ５００Å程度で塗布し、その後、ラビング処理を行うことにより、配向膜を形成する。
【００４９】
以上のようにして、表面に配向膜が形成されたＣＦ基板２０を作製することができる。
【００５０】
＜貼り合わせ工程＞
まず、例えば、上記ＣＦ基板作製工程で作製されたＣＦ基板２０に対し、スクリーン印刷法により、遮光層２１ｃに重なる位置に熱硬化型のエポキシ樹脂などを厚さ１μｍ〜３μｍで塗布することにより、シール材１６を形成する。ここで、シール材１６は、図４に示すように、例えば、その幅Ｘが０．５ｍｍ〜１．０ｍｍであり、その液晶注入口１６ａの幅が３．０ｍｍである。また、シール材１６は、例えば、長辺の長さが５０ｍｍ程度、及び短辺の長さが４０ｍｍ程度の枠形状である。なお、図４は、図２中の領域Ｂを拡大した平面模式図である。
【００５１】
続いて、例えば、シール材１６が形成されたＣＦ基板２０のシール材１６の内側に、液晶層１５の厚さに相当する直径を有し、プラスチック製のビーズやシリカなどのセラミック製のビーズからなるスペーサを散布する。
【００５２】
さらに、上記スペーサが散布されたＣＦ基板２０と、上記ＴＦＴ基板作製工程で作製されたＴＦＴ基板１０とを貼り合わせた後に、加熱によりシール材１６を硬化させて、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０を接合することにより、貼合体（２５）を作製する。
【００５３】
＜エッチング工程＞
上記貼り合わせ工程で作製された貼合体（２５）をエッチング液に浸漬することにより、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０を構成する各ガラス基板（１９）の外面をエッチングして、各ガラス基板の薄肉化を行う。ここで、薄肉化された貼合体（２５）の厚さは、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍであり、好ましくは、０．３ｍｍ〜０．４ｍｍであるので、例えば、ＴＦＴ基板１０を０．３ｍｍまで薄肉化すると共に、ＣＦ基板２０を０．１ｍｍまで薄肉化することになる。なお、本実施形態では、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の双方の外面をエッチングして薄肉化を行ったが、本発明は、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の一方の外面をエッチングして薄肉化を行ってもよい。
【００５４】
＜貫通孔形成工程＞
まず、上記エッチング工程で薄肉化された貼合体（２５）のＣＦ基板２０側の表面に感光性樹脂を塗布した後に、貫通孔Ｈを形成する領域が露出するように、感光性樹脂をパターニングして、フォトレジストを形成する。
【００５５】
続いて、上記フォトレジストが形成された貼合体２５に対し、アルミナやシリコンカーバイドなどにより構成され、粒径４０μｍ〜８０μｍの研磨材を圧縮空気で噴射させるサンドブラスト加工を行うことにより、ＣＦ基板２０に、図４に示すように、直径Ｄが０．１ｍｍである貫通孔Ｈを形成する。ここで、サンドブラスト加工では、φ３０μｍ±５μｍの精度で微細穴が形成される。なお、貫通孔Ｈの横断面形状は、上記円形だけでなく、矩形などの多角形であってもよい。
【００５６】
＜液晶注入工程＞
上記貫通孔形成工程で貫通孔Ｈが形成された貼合体２５に対し、フォトレジストの剥離、及び洗浄を行った後に、減圧法により、液晶材料１５を液晶注入口１６ａからＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の間に注入する。
【００５７】
＜封止工程＞
まず、上記液晶注入工程で液晶材料１５が注入された貼合体２５に対し、界面活性剤などの洗浄液によって、余分に付着した液晶材料１５を除去する。
【００５８】
続いて、貼合体２５の端面に、液晶注入口１６ａを塞ぐように、刷毛などによって、ＵＶ硬化型のアクリル樹脂（２０℃の粘度が１２０００ｍＰａ・ｓ〜２５０００ｍＰａ・ｓ）を塗布すると共に、ディスペンサーなどによって、貫通孔Ｈに上記アクリル樹脂を充填する。
【００５９】
最後に、液晶注入口１６ａにＵＶ光（例えば、３Ｊ／ｃｍ２）を照射することにより、封止材１７を硬化させて、液晶材料１５を封止する。
【００６０】
以上のようにして、液晶表示パネル３０を製造することができる。
【００６１】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネル３０及びその製造方法によれば、封止工程において、液晶層１５を構成する液晶材料を注入するための液晶注入口１６ａを塞ぐ封止材１７が、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の側面から塗布されると共に、ＣＦ基板２０に形成された貫通孔Ｈを介して充填されることになる。そのため、封止材１７によって、液晶注入口１６ａを確実に塞ぐことができるので、液晶注入口１６ａにおける液晶材料１５の漏れを抑制することができる。
【００６２】
また、本実施形態の液晶表示パネル３０及びその製造方法によれば、シール材１６と封止材１７との境界部に当たり、従来の技術では、図８に示すように、封止材１１７が行き渡りにくく、気泡１１８が発生し易い、液晶注入口１６ａの幅方向に沿った両端部に、貫通孔Ｈが形成されているので、その貫通孔Ｈを介して封止材１７が十分に充填されて、液晶注入口１６ａを確実に塞ぐことができる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
以上説明したように、本発明は、液晶表示パネルを構成する各ガラス基板が薄肉化されていても、液晶注入口における液晶材料の漏れを抑制することができるので、薄型の液晶表示パネルについて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示パネル３０の平面図である。
【図２】図１中の領域Ａを拡大した平面模式図である。
【図３】図２中のIII−III線に沿った断面模式図である。
【図４】図２中の領域Ｂを拡大した平面模式図である。
【図５】従来の液晶表示パネル１３０の平面図である。
【図６】図５中の領域Ｃを拡大した平面模式図である。
【図７】図６中のVII−VII線に沿った断面模式図である。
【図８】液晶注入口１１６ａの端部の顕微鏡観察写真である。
【符号の説明】
【００６５】
Ｄ        表示領域
Ｈ        貫通孔
１０      ＴＦＴ基板（第１基板）
１５      液晶層（液晶材料）
１６      シール材
１６ａ    液晶注入口
１７      封止材
２０      ＣＦ基板（第２基板）
２１      カラーフィルター層
２５      貼合体
３０      液晶表示パネル
【図１】
2008139641.tif 000003
【図２】
2008139641.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008139641.tif 000006
【図５】
2008139641.tif 000007
【図６】
2008139641.tif 000008
【図７】
2008139641.tif 000009
【図８】
2008139641.tif 000010