(57)【要約】【課題】放熱部に起因する信頼性の劣化が抑制され、且つ、放熱性の向上した半導体モジュールを提供する。【解決手段】半導体モジュールは、表面Ｓに回路素子２の電極２ａが形成された半導体基板１と、電極２ａのピッチをより広くするために電極２ａと接続する再配線パターン４と、この再配線パターン４と一体的に形成された電極４ａと、半導体基板１の裏面Ｒに形成された絶縁層７と、この絶縁層７の上に形成された放熱部８と、この放熱部８と一体的に設けられ、絶縁層７を貫通して半導体基板１の裏面Ｒと接続する突起部８ａとを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子が設けられた第１の主表面と、この第１の主表面に対向する第２の主表面を有する半導体基板と、
前記第１の主表面上に設けられ、前記回路素子と電気的に接続された電極と、
前記第２の主表面上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた放熱部と、
前記放熱部と一体的に設けられ、前記絶縁層を貫通して前記第２の主表面と接続された突起部とを有している、半導体モジュール。
【請求項２】
前記突起部は複数個設けられ、前記放熱部に対して平面的にマトリクス状に配列されている、請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記突起部はその先端が前記半導体基板内に埋め込まれている、請求項１または２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記突起部を除く前記放熱部と前記絶縁層との間に隙間が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記放熱部は前記半導体基板の特定の領域を選択的に覆うようにパターニングされていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記絶縁層は、加圧によって可塑流動性を起こす絶縁樹脂で形成され、
前記放熱部を前記絶縁層に圧着することにより、前記突起部が前記絶縁層を貫通し、前記突起部と前記回路素子とが熱的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
筐体と、
前記筐体に収容された請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体モジュールと、
を備えることを特徴とする携帯機器。
【請求項８】
前記半導体モジュールの放熱部は前記筐体の内面と接していることを特徴とする請求項７に記載の携帯機器。
【請求項９】
第１の主表面に回路素子が設けられた半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板の第２の主表面に開口部を有する絶縁層を形成する工程と、
前記開口部の内部に金属を埋め込むとともに、前記開口部および前記絶縁層の上部に金属を被覆することにより、突起部が一体的に設けられた放熱部を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項１０】
第１の主表面に回路素子が設けられた半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板の第２の主表面に絶縁層を形成する工程と、
突起部が一体的に設けられた放熱部を前記半導体基板の第２の主表面に対して圧着し、前記絶縁層を貫通した前記突起部を前記半導体基板の第２の主表面に接触させる工程と、
を備えることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁層は加圧によって可塑流動性を起こす絶縁樹脂で形成されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項１２】
前記放熱部を選択的に除去してパターン形成を行う工程をさらに備えることを特徴とする請求項１０または１１に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項１３】
前記半導体基板の第２の主表面に対して圧着される前記放熱部に予めパターンを形成することを特徴とする請求項１０または１１に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁層は接着性を有することを特徴とする請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の半導体モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュールに関し、特に放熱材を備えた半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、ＰＤＡ、ＤＶＣ、ＤＳＣといったポータブルエレクトロニクス機器の高機能化が加速するなか、こうした製品が市場で受け入れられるためには小型・軽量化が必須となっており、その実現のために高集積のシステムＬＳＩが求められている。一方、これらのエレクトロニクス機器に対しては、より使い易く便利なものが求められており、機器に使用されるＬＳＩに対し、高機能化、高性能化が要求されている。このため、ＬＳＩチップの高集積化にともないそのＩ／Ｏ数が増大する一方でパッケージ自体の小型化要求も強く、これらを両立させるために、半導体部品の高密度な基板実装に適合した半導体パッケージの開発が強く求められている。こうした要求に対応するため、ＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれるパッケージ技術が種々開発されている。
【０００３】
ＣＳＰでは、一主面にＬＳＩ（回路素子）およびこれに接続された外部接続電極が形成された半導体ウエハ（半導体基板）をダイシングして個別化ことによりパッケージが形成される。このため、ＣＳＰは、ＬＳＩチップと同等のサイズにて実装基板に固着することが可能となり、ＣＳＰが実装される側の実装基板を小型化することが可能となる。したがって、ＣＳＰを採用することにより、エレクトロニクス機器等のセット全体を小型化することも可能となる。
【０００４】
また近年では、ＬＳＩのさらなる高性能化、高機能化にともない、その消費電力は増加の傾向にある。このため、ＬＳＩが設けられたＣＳＰ（半導体モジュール）の体積当たりの消費電力（熱密度）は上昇し、その放熱対策の必要性が高まっている。この対策として、ＣＳＰ（半導体モジュール）を構成する半導体基板の裏面に熱放射率の高い熱放射膜（たとえば、セラミックス粉末を含有した皮膜）や熱伝導率の高い熱伝導膜（たとえば、銅やアルミニウム）を形成し、ＣＳＰ（半導体モジュール）で生じた熱を効率的に外部へ放出させる方法が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−１７２５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般にＣＳＰ（半導体モジュール）に採用される放熱材（特に、熱伝導膜）には形成過程に生じる内部応力（放熱材が伸長する方向の応力）が備わっており、ＣＳＰとして個別化された状態においても放熱材には内部応力が残存している。このため、半導体基板と放熱材との間で剥がれが生じ、ＣＳＰ（半導体モジュール）の信頼性が損なわれることになる。特に、ＣＳＰ（半導体モジュール）に熱が加わった場合にはその可能性がさらに増大することになる。
【０００６】
また、今後、ＣＳＰ（半導体モジュール）の薄型化を実現するために半導体基板の薄膜化を進めていく場合には、この放熱材に残留する内部応力の影響が相対的に強くなる。このため、たとえば、放熱材の残留応力が半導体基板の剛性を超える応力となった場合には、半導体基板と放熱材との間で剥がれが生じなくても、半導体基板を含むＣＳＰ（半導体モジュール）が反り返って変形してしまうことが懸念される。
【０００７】
本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、放熱材に起因する信頼性の劣化を抑制し、半導体モジュールの放熱性を高めることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のある態様の半導体モジュールは、回路素子が設けられた第１の主表面と、この第１の主表面に対向する第２の主表面を有する半導体基板と、第１の主表面上に設けられ、回路素子と電気的に接続された電極と、第２の主表面上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に設けられた放熱部と、放熱部と一体的に設けられ、絶縁層を貫通して第２の主表面と接続された突起部とを有していることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、放熱部に一体的に設けた突起部によって放熱部の内部応力（放熱部が伸長する方向の応力）が低減されるので、放熱部自体の反りが抑制される。このため、こうした放熱部を半導体基板に設けた半導体モジュールでは、従来に比べ、半導体基板との剥がれや半導体基板の反り（変形）といった問題を抑制することができる。また、突起部を介して半導体基板からの熱を放熱部に伝導させ、熱を外部へ放出させることができるので、半導体基板に絶縁層を介して放熱部（突起部のない放熱部）を設けた場合に比べて、半導体モジュールの放熱性の向上を図ることができる。したがって、放熱部に起因する信頼性の劣化を抑制しつつ、半導体モジュールの放熱性を高めることが可能となる。
【００１０】
上記構成において、突起部は複数個設けられ、放熱部に対して平面的にマトリクス状に配列されていることが好ましい。このようにすることで、放熱部の内部応力を効果的に低減することができるので、半導体モジュールの信頼性をさらに向上させることができる。
【００１１】
上記構成において、突起部はその先端が半導体基板内に埋め込まれていることが好ましい。このようにすることで、半導体基板と放熱部との間にずれ応力が加わった場合、半導体基板に食い込んだ部分の突起部によって両者のずれを防止することができるので、半導体基板と放熱部との間の接続信頼性をさらに高めることができる。
【００１２】
上記構成において、突起部を除く放熱部と絶縁層との間に隙間が形成されていてもよい。
【００１３】
上記構成において、放熱部は半導体基板の特定の領域を選択的に覆うようにパターニングされていてもよい。この場合、パターンの一部が配線として利用されてもよい。この場合、放熱部の一部を配線として利用することができるので、配線の設計自由度が向上し、半導体モジュールの小型化を実現することができるようになる。また、絶縁層は、加圧によって可塑流動性を起こす絶縁樹脂で形成され、放熱部を絶縁層に圧着することにより、突起部が絶縁層を貫通し、突起部と回路素子とが熱的に接続されていてもよい。
【００１４】
本発明の他の様態は携帯機器である。当該携帯機器は、筐体と、筐体に収容された上記いずれかの構成の半導体モジュールと、を備える。上記構成の携帯機器において、半導体モジュールの放熱部は筐体の内面と接していてもよい。
【００１５】
本発明の他の態様は半導体モジュールの製造方法である。当該半導体モジュールの製造方法は、第１の主表面に回路素子が設けられた半導体基板を用意する工程と、半導体基板の第２の主表面に開口部を有する絶縁層を形成する工程と、開口部の内部に金属を埋め込むとともに、開口部および絶縁層の上部に金属を被覆することにより、突起部が一体的に設けられた放熱部を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１６】
本発明のさらに他の態様は半導体モジュールの製造方法である。当該半導体モジュールの製造方法は、第１の主表面に回路素子が設けられた半導体基板を用意する工程と、半導体基板の第２の主表面に絶縁層を形成する工程と、突起部が一体的に設けられた放熱部を半導体基板の第２の主表面に対して圧着し、絶縁層を貫通した突起部を半導体基板の第２の主表面に接触させる工程と、を備えることを特徴とする。上記構成の半導体モジュールの製造方法において、絶縁層は接着性を有してもよい。
【００１７】
上記構成の半導体モジュールの製造方法において、絶縁層は加圧によって可塑流動性を起こす絶縁樹脂で形成されてもよい。また、上記構成の半導体モジュールの製造方法において、放熱部を選択的に除去してパターン形成を行う工程をさらに備えてもよい。また、上記構成の半導体モジュールの製造方法において、半導体基板の第２の主表面に対して圧着される放熱部に予めパターンを形成してもよい。また、上記構成の半導体モジュールの製造方法において、絶縁層は接着性を有してもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、放熱部に起因する信頼性の劣化が抑制され、且つ、放熱性の向上した半導体モジュールが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を具現化した実施形態について図面に基づいて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００２０】
（第１実施形態）
図１は本発明の第１実施形態に係る半導体モジュールの概略断面図である。図１に基づいて第１実施形態の半導体モジュールについて説明する。
【００２１】
半導体基板１は、Ｐ型シリコン基板などが採用され、その表面Ｓ（下面側）に周知の技術により所定の電気回路などの回路素子２が形成され、実装面となる表面Ｓ（特に周辺部）に回路素子２の電極２ａが形成されている。この電極２ａを除いた半導体基板１の表面上の領域には保護膜３が形成されている。さらに電極２ａのピッチをより広くするために、電極２ａの露出面に接続して再配線パターン４およびこの再配線パターン４と一体的に設けられた電極４ａが形成されている。なお、半導体基板１は本発明の「半導体基板」、回路素子２は本発明の「回路素子」、表面Ｓは本発明の「第１の主表面」、及び電極４ａは本発明の「電極」の一例である。
【００２２】
絶縁層７は、半導体基板１の裏面Ｒ（上面側）に形成されている。絶縁層７にはエポキシ樹脂を主成分とする膜が採用され、その厚さは、たとえば、約１００μｍである。ここで、エポキシ樹脂を主成分とする絶縁層７としては、編み込まれたガラス繊維に樹脂を含浸させたタイプの膜であってもよく、あるいは、絶縁層７に約２μｍ〜１０μｍ程度の直径を有するフィラーが添加された膜であってもよい。このフィラーとしては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、及び窒化ホウ素（ＢＮ）などがある。こうしたフィラーの重量充填率は約３０％〜約８０％が好適である。なお、絶縁層７は接着性を有することが望ましい。これによれば、後述する放熱部８が半導体基板１から剥離することが抑制される。
【００２３】
絶縁層７には、約６０μｍの直径を有するとともに、絶縁層７を厚み方向に貫通する複数の開口部７ａが所定の間隔（たとえば、約３００μｍ）を隔てて形成されている。この複数の開口部７ａは、放熱部８の内部応力を効果的に低減するために、放熱部８に対して平面的にマトリクス状に設けられている。マトリクス配列としては、たとえば、正方格子状やハニカム状（正六角形とその中心に配置する状態）が挙げられる。なお、裏面Ｒは本発明の「第２の主表面」および絶縁層７は本発明の「絶縁層」の一例である。
【００２４】
放熱部８は絶縁層７の上に形成され、放熱部８には絶縁層７を貫通する開口部７ａ内に形成された突起部８ａが一体的に設けられている。放熱部８および突起部８ａには、たとえば、銅やアルミニウムなどの金属膜が採用され、放熱部８の厚さは、たとえば、約１００μｍである。放熱部８は半導体基板１の裏面Ｒを覆うように全面に設けられ、突起部８ａの先端は半導体基板１の裏面Ｒと直に接するように形成されている。このようにすることで、突起部８ａと半導体基板１とは熱的に結合した状態となり、半導体基板１からの熱が突起部８ａを介して放熱部８に伝導することになり、半導体基板１の熱が効率的に放熱される。突起部８ａは、約６０μｍの直径を有する丸型に設けられ、開口部７ａの個々に対応して設けられている。したがって、複数の突起部８ａは、開口部７ａと同様、平面的にマトリクス状の配列を有し、図２に示すように、放熱部８に対して（Ａ）正方格子状あるいは（Ｂ）ハニカム状に等間隔（間隔Ｘ）で並べられている。なお、放熱部８は本発明の「放熱部」および突起部８ａは本発明の「突起部」の一例である。
（製造方法）
図３および図４は、図１に示した第１実施形態による半導体モジュールの製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図１、図３、及び図４を参照して、第１実施形態による半導体モジュールの製造プロセスについて説明する。
【００２５】
図３（Ａ）に示すように、表面Ｓに回路素子２の電極２ａおよび保護膜３を有する半導体基板１がマトリクス状に形成した半導体ウエハを用意する。なお、半導体ウエハは、複数のスクライブライン５によって複数の半導体モジュール形成領域６に区画されている。この半導体モジュール形成領域６は先に述べた半導体モジュールが形成される領域である。具体的には、Ｐ型シリコン基板などの半導体ウエハ内のそれぞれの半導体基板１に対して、その表面Ｓ（下面側）に周知の技術により所定の電気回路などの回路素子２およびその周辺部あるいは上部に電極２ａを形成する。電極２ａの材料には一般的にアルミニウム（Ａｌ）等の金属が採用される。この電極２ａを除いた半導体基板１の表面Ｓ上の領域に、半導体基板１を保護するための絶縁性の保護膜３を形成する。保護膜３としてはシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）等が採用される。
【００２６】
図３（Ｂ）に示すように、電極２ａのピッチをより広くするために、電極２ａの露出面に接続するように、銅（Ｃｕ）からなる再配線パターン４およびこの再配線パターン４と一体化した電極４ａを形成する。ここでは、レジストパターン形成、銅めっき処理、及びレジスト除去を２回繰り返して所望の再配線パターン４および電極４ａを形成している。このように、再配線パターン４と電極４ａとを一体化して形成しておくことで、回路素子２の電極２ａから電極４ａに至るまでの経路には異種材料間の接続部がなくなる。したが
って、半導体モジュールの使用状況下の温度変化等により、この部分に熱応力が作用しても断線等の恐れの少ない構成となる。
【００２７】
図３（Ｃ）に示すように、銅箔８ｚ付きの絶縁層７を半導体基板１（半導体ウエハ）の裏面Ｒ（上面側）から真空下または減圧下で熱圧着する。ここで、絶縁層７の厚さは、たとえば、約１００μｍとし、銅箔８ｚの厚さは、たとえば、約１０μｍとする。絶縁層７としては先に示した材料が採用される。なお、絶縁層７として、編み込まれたガラス繊維に樹脂を含浸させたタイプの膜あるいはフィラーが添加された膜を採用する場合には、絶縁層７の熱伝導率が高くなるので、半導体基板１からの熱が絶縁層７を介して放熱部８に伝導されるようになり、半導体モジュールの放熱性を向上させることができる。
【００２８】
図３（Ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて開口部７ａ（図１参照）の形成領域に位置する銅箔８ｚを除去する。これにより、絶縁層７における開口部７ａの形成領域が露出される。
【００２９】
次に、図４（Ａ）に示すように、銅箔８ｚの上方から炭酸ガスレーザまたはＵＶレーザを照射することによって、絶縁層７の露出した表面から半導体基板１の裏面Ｒに達するまでの領域を除去する。これにより、絶縁層７に、約６０μｍの直径を有し、絶縁層７を貫通する開口部７ａを形成する。
【００３０】
図４（Ｂ）に示すように、無電解めっき法を用いて、銅箔８ｚの表面および開口部７ａの内面上に銅を約１μｍの厚みでめっきする。続いて、電解めっき法を用いて、銅箔８ｚの表面および開口部７ａの内部に銅をめっきする。なお、本実施形態では、めっき液中に抑制剤および促進剤を添加することによって、抑制剤を銅箔８ｚの表面上に吸着させるとともに、促進剤を開口部７ａの内面上に吸着させる。これにより、開口部７ａの内面上の銅めっきの厚みを大きくすることができるので、開口部７ａ内に銅を埋め込むことができる。その結果、図４（Ｂ）に示すように、絶縁層７上に約１００μｍの厚みを有する放熱部８が半導体基板１（半導体ウエハ）の全面を覆うように形成されるとともに、開口部７ａ内に突起部８ａが埋め込み形成される。すなわち、突起部８ａは放熱部８と一体的に形成されるとともに、突起部８ａは絶縁層７を貫通し、その先端が半導体基板１（半導体ウエハ）の裏面Ｒと直に接するように形成される。
【００３１】
図４（Ｃ）に示すように、複数の半導体モジュール形成領域６を区画するスクライブライン５に沿って、半導体ウエハの裏面Ｒ（上面側）から半導体ウエハをダイシングすることにより、半導体基板１と同じ外形寸法を有する半導体モジュールに個別化する。この後、薬液による洗浄処理を行うことで、ダイシング時に発生する残渣などを除去する。この際、半導体モジュールの側壁に露出する絶縁層７がわずかに除去され、放熱部８の表面積が増加しているので、薬液処理を行わない場合に比べて、放熱部８の放熱性が向上している。なお、ダイシングの際に放熱部８の側面および半導体基板１の側面にそれぞれ凹凸を形成する場合には、それぞれの側面の表面積が増加し、その部分での放熱性が増すことになるので、半導体モジュールとしての放熱性を向上させることができる。
【００３２】
これらの工程により、先の図１に示した第１実施形態の半導体モジュールが製造される。
【００３３】
以上説明した第１実施形態の半導体モジュールおよびその製造方法によれば、以下のような効果を得ることができるようになる。
（１）放熱部８と一体的に設けた突起部８ａによって放熱部８の内部応力（放熱部８が伸長する方向の応力）が低減されるので、放熱部８自体の反りが抑制される。このため、こうした放熱部８を半導体基板１に設けた半導体モジュールでは、従来に比べ、半導体基板１との剥がれや半導体基板１の反り（変形）といった問題を抑制することができる。また、突起部８ａを介して半導体基板１からの熱を放熱部８に伝導させ、熱を外部へ放出することができるので、半導体基板に絶縁層を介して放熱部（突起部のない放熱部）を設けた場合に比べて、半導体モジュールの放熱性の向上を図ることができる。したがって、放熱部８に起因する信頼性の劣化を抑制しつつ、半導体モジュールの放熱性を高めることが可能となる。
（２）突起部８ａを放熱部８に対して平面的にマトリクス状に配列したことで、放熱部８の内部応力を効果的に低減することができるので、半導体モジュールの信頼性がさらに向上する。
（３）放熱部８と半導体基板１とを突起部８ａを介して接続したことによって、半導体基板１から放熱部８に熱が伝わって放熱部８が伸長する場合でも、この伸長による半導体基板１への影響（放熱部８と半導体基板１との伸長量の差）を突起部８ａが緩和するので、従来に比べ、半導体モジュールの信頼性を向上させることができる。
（４）半導体モジュールが個別化される前の半導体ウエハの状態で一括して放熱部８等を形成したので、半導体モジュールごとに個別に放熱部８等を形成する場合に比べて、半導体モジュールの製造コストを低減することができる。
【００３４】
（第２実施形態）
図５は本発明の第２実施形態に係る半導体モジュールの概略断面図である。図５に基づいて第２実施形態の半導体モジュールについて説明する。
【００３５】
半導体基板１１は、Ｐ型シリコン基板などが採用され、その表面Ｓ２（下面側）に周知の技術により所定の電気回路などの回路素子１２が形成され、実装面となる表面Ｓ２（特に周辺部）に回路素子１２の電極１２ａが形成されている。この電極１２ａを除いた半導体基板１１の表面上の領域には保護膜１３が形成されている。なお、半導体基板１１は本発明の「半導体基板」、回路素子１２は本発明の「回路素子」、及び表面Ｓ２は本発明の「第１の主表面」の一例である。
【００３６】
絶縁層１７は、半導体基板１１の裏面Ｒ２（上面側）に形成され、その厚さは、たとえば、約１００μｍである。絶縁層１７は、加圧したときに塑性流動を引き起こす材料からなる。加圧したときに塑性流動を引き起こす材料としては、エポキシ系熱硬化型樹脂が挙げられる。絶縁層１７に採用されるエポキシ系熱硬化型樹脂は、たとえば、温度１６０℃、圧力８ＭＰａの条件下で、粘度が１ｋＰａ・ｓの特性を有する材料であればよい。また、温度１６０℃の条件下で、この材料は１５ＭＰａで加圧した場合に、加圧しない場合と比較して、樹脂の粘度が約１／８に低下する。これに対して、熱硬化前のＢステージのエポキシ樹脂は、ガラス転移温度Ｔｇ以下の条件下では、樹脂の加圧しない場合と同程度に、粘性がなく、加圧しても粘性は生じない。なお、裏面Ｒ２は本発明の「第２の主表面」および絶縁層１７は本発明の「絶縁層」の一例である。
【００３７】
放熱部１８は絶縁層１７の上に形成され、放熱部１８にはこの絶縁層１７を貫通する突起部１８ａが一体的に設けられている。放熱部１８および突起部１８ａには、たとえば、銅などの金属膜が採用され、放熱部１８の厚さは、たとえば、約１００μｍであり、突起部１８ａの高さは、たとえば、約１００μｍである。放熱部１８は半導体基板１１の裏面Ｒ２を覆うように全面に設けられている。突起部１８ａは、丸型に設けられ、半導体基板１１の接触面と平行な先端部１８ａ１と、先端部１８ａ１に近づくにつれて径が細くなるように形成された側面部１８ａ２とを備えている。突起部１８ａの先端（先端部１８ａ１）の径および基面の径は、それぞれ約４０μｍφおよび約６０μｍφである。また、複数の突起部１８ａは、放熱部１８に対して平面的にマトリクス状に設けられている。マトリクス状配列としては、たとえば、先の第１実施形態の図２で示したような、正方格子状やハニカム状が挙げられる。複数の突起部１８ａは所定の間隔（たとえば、約３００μｍ）を隔てて形成されている。突起部１８ａの先端（先端部１８ａ１）は半導体基板１１の裏面Ｒ２と直に接するように形成されている。このようにすることで、突起部１８ａと半導体基板１１とは熱的に結合した状態となり、半導体基板１１からの熱が突起部１８ａを介
して放熱部１８に伝導することになり、半導体基板１１の熱が効率的に放熱される。なお、放熱部１８は本発明の「放熱部」および突起部１８ａは本発明の「突起部」の一例である。
【００３８】
半導体基板１１の表面Ｓ２（下面側）では、電極１２ａのピッチをより広くするために、電極１２ａおよび保護膜１３の上に絶縁層１９が形成され、この絶縁層１９を貫通して電極１２ａの露出面に接続する突起状の導体部１４ａと、この導体部１４ａを一体的に設けられた再配線パターン１４とが形成されている。導体部１４ａを介して電極１２ａと接続されている部分の再配線パターン１４には、その外面側（下面側）に電極（はんだバンプ）２０が設けられている。なお、電極２０は本発明の「電極」の一例である。
【００３９】
絶縁層１９は、絶縁層１７と同じ材料が採用され、その厚さは、たとえば、約６０μｍである。
【００４０】
再配線パターン１４は絶縁層１９の上に形成され、再配線パターン１４にはこの絶縁層１９を貫通する突起状の導体部１４ａが一体的に設けられている。再配線パターン１４および導体部１４ａには、たとえば、圧延された銅からなる圧延金属が採用される。銅からなる圧延金属は、めっき処理等によって形成された銅からなる金属膜と比較すると、機械的強度の点において強く、再配線のための材料として優れている。再配線パターン１４の厚さは、たとえば、約３０μｍであり、導体部１４ａの高さ（厚さ）は、たとえば、約６０μｍである。導体部１４ａは、丸型に設けられ、半導体基板１１の電極１２ａとの接触面と平行な先端部１４ａ１と、先端部１４ａ１に近づくにつれて径が細くなるように形成された側面部１４ａ２とを備えている。導体部１４ａの先端（先端部１４ａ１）の径および基面の径は、それぞれ約４０μｍφおよび約６０μｍφである。また、導体部１４ａはそれぞれ電極１２ａに対応する位置に設けられている。導体部１４ａの先端（先端部１４ａ１）は半導体基板１１の電極１２ａと直に接するように形成され、電極１２ａと再配線パターン１４とを電気的に接続している。
（製造方法）
図６は、突起部が一体的に形成された銅板の形成方法を説明するための断面図である。図７および図８は、図５に示した第２実施形態による半導体モジュールの製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図５〜図８を参照して、第２実施形態による半導体モジュールの製造プロセスについて説明する。
【００４１】
図６（Ａ）に示すように、少なくとも突起部１８ａの高さと放熱部１８の厚さとの和よりも大きい厚さを有する銅板１８ｚを用意する。ここでは、銅板１８ｚの厚さは約３００μｍである。銅板１８ｚとしては、圧延された銅からなる圧延金属が採用される。
【００４２】
図６（Ｂ）に示すように、通常のリソグラフィ法を用いて、突起部形成領域にレジストマスク２１を形成する。突起部形成領域の配列は、上記の通りである。
【００４３】
図６（Ｃ）に示すように、このレジストマスク２１をマスクとしてエッチング処理を行い、銅板１８ｚに所定のパターンの突起部１８ａを形成する。この際、エッチング条件を調整することにより、突起部の先端部１８ａ１に近づくにつれて径が細くなる側面部１８ａ２を有するように形成する。ここでは、突起部１８ａの高さは約１００μｍとし、突起部１８ａの先端（先端部１８ａ１）の径および基面の径は、それぞれ約４０μｍφおよび約６０μｍφとしている。
【００４４】
図６（Ｄ）に示すように、レジストマスク２１を除去する。これにより、銅板１８ｚに対して先端部１８ａ１および先端部１８ａ１に近づくにつれて径が細くなるように形成された側面部１８ａ２を有する突起部１８ａが形成される。なお、レジストマスク２１に代
えて銀（Ａｇ）などの金属マスクを採用してもよい。この場合には、銅板１８ｚとのエッチング選択比が十分確保されるため、突起部１８ａのパターニングのさらなる微細化を図ることが可能となる。
【００４５】
また、突起状の導体部１４ａが一体的に形成された銅板１４ｚに関しても、上記方法を採用して形成する。これにより、銅板１４ｚに対して先端部１４ａ１および先端部１４ａ１に近づくにつれて径が細くなるように形成された側面部１４ａ２を有する導体部１４ａが形成される。なお、突起状の導体部１４ａの高さは約６０μｍとし、導体部１４ａの先端（先端部１４ａ１）の径および基面の径は、それぞれ約４０μｍφおよび約６０μｍφとしている。
【００４６】
このように製造した銅板１８ｚおよび銅板１４ｚを別途それぞれ用意しておき、以下に説明する第２実施形態での半導体モジュールの製造プロセスに採用する。
【００４７】
まず、図７（Ａ）に示すように、表面Ｓ２に電極１２ａおよび保護膜１３を有する半導体基板１１がマトリクス状に形成した半導体ウエハを用意する。なお、半導体ウエハは、複数のスクライブライン１５によって複数の半導体モジュール形成領域１６に区画されている。この半導体モジュール形成領域１６は先に述べた半導体モジュールが形成される領域である。具体的には、Ｐ型シリコン基板などの半導体ウエハ内のそれぞれの半導体基板１１に対して、その表面Ｓ２（下面側）に周知の技術により所定の電気回路などの回路素子１２およびその周辺部あるいは上部に電極１２ａを形成する。電極１２ａの材料には一般的にアルミニウム等の金属が採用される。この電極１２ａを除いた半導体基板１１の表面Ｓ２上の領域に、半導体基板１１を保護するための絶縁性の保護膜１３を形成する。保護膜１３としてはシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）等が採用される。
【００４８】
図７（Ｂ）に示すように、半導体ウエハ（半導体基板１１）の裏面Ｒ２（上面側）において、半導体基板１１と、突起部１８ａが一体的に形成された銅板１８ｚとの間に、絶縁層１７を挟持する。絶縁層１７の厚さは、突起部１８ａの高さと同程度の約１００μｍである。さらに、半導体ウエハ（半導体基板１１）の表面Ｓ２（下面側）において、半導体基板１１と、突起状の導体部１４ａが一体的に形成された銅板１４ｚとの間に、絶縁層１９を挟持する。絶縁層１９の厚さは、導体部１４ａの高さと同程度の約６０μｍである。なお、突起部１８ａが一体的に形成された銅板１８ｚおよび導体部１４ａが一体的に形成された銅板１４ｚの形成方法は上記の通りである。なお、絶縁層１７および絶縁層１９は接着性を有することが望ましい。これによれば、後述する放熱部１８および再配線パターン１４が半導体基板１から剥離することが抑制される。
【００４９】
図７（Ｃ）に示すように、上記のように挟持した上で、プレス装置を用いて加圧成形することにより、銅板１８ｚ、絶縁層１７、半導体基板１１、絶縁層１９、及び銅板１４ｚを一体化する。プレス加工時の圧力および温度は、それぞれ約１５ＭＰａおよび１８０℃である。プレス加工により、突起部１８ａが絶縁層１７を貫通し、突起部１８ａと半導体基板１１の裏面Ｒ２とが接続される。これと同時に、突起状の導体部１４ａが絶縁層１９を貫通し、導体部１４ａと半導体基板１１の電極１２ａとが電気的に接続される。突起部１８ａ（導体部１４ａ）が先端部１８ａ１（先端部１４ａ１）に近づくにつれて径が細くなるように形成された側面部１８ａ２（側面部１４ａ２）を有することにより、突起部１８ａ（導体部１４ａ）が絶縁層１７（絶縁層１９）にスムースに貫通する。
【００５０】
プレス加工時の圧力により、絶縁層１７（絶縁層１９）の粘度が低下し、絶縁層１７（絶縁層１９）は塑性流動を起こす。これにより、突起部１８ａ（導体部１４ａ）と半導体基板１１の裏面Ｒ２（半導体基板１１の電極１２ａ）との界面から絶縁層１７（絶縁層１９）が押し出されて、絶縁層１７（絶縁層１９）の一部が界面に残存しにくくなる。
【００５１】
図７（Ｄ）に示すように、銅板１８ｚの全体をエッチングすることにより、銅板１８ｚ
を放熱部１８の厚さに調整する。本実施形態の放熱部１８の厚さは約１００μｍである。これにより、絶縁層１７の上に形成され、この絶縁層１７を貫通する突起部１８ａが一体的に設けられた放熱部１８が形成される。
【００５２】
次に、図８（Ａ）に示すように、銅板１４ｚの全体をエッチングすることにより、銅板１４ｚを再配線パターン１４の厚さに調整する。本実施形態の再配線パターン１４の厚さは約３０μｍである。
【００５３】
図８（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、再配線パターン１４となるようにパターニングする。
【００５４】
図８（Ｃ）に示すように、はんだ印刷法を用いて、導体部１４ａを介して電極１２ａと接続されている部分の再配線パターン１４に対して外部接続端子として機能する電極（はんだボール）２０を形成する。具体的には、樹脂とはんだ材をペースト状にした「はんだペースト」を、スクリーンマスクにより所望の箇所に印刷し、はんだ溶融温度に加熱することで、電極（はんだボール）２０を形成する。あるいは、別の方法として再配線パターン１４側にあらかじめフラックスを塗布しておき、はんだボールを再配線パターン１４にマウントしてもよい。
【００５５】
図８（Ｄ）に示すように、複数の半導体モジュール形成領域１６を区画するスクライブライン１５に沿って、半導体ウエハの裏面Ｒ２（上面側）から半導体ウエハをダイシングすることにより、半導体基板１１と同じ外形寸法を有する半導体モジュールに個別化する。この後、薬液による洗浄処理を行うことで、ダイシング時に発生する残渣などを除去する。
【００５６】
これらの工程により、先の図４に示した第２実施形態の半導体モジュールが製造される。
【００５７】
この第２実施形態の半導体モジュールおよびその製造方法によれば、以下のような効果を得ることができるようになる。
（５）放熱部１８と一体的に設けた突起部１８ａによって放熱部１８の内部応力（放熱部１８が伸長する方向の応力）が低減されるので、放熱部１８自体の反りが抑制される。このため、こうした放熱部１８を半導体基板１１に設けた半導体モジュールでは、従来に比べ、半導体基板１１との剥がれや半導体基板１１の反り（変形）といった問題を抑制することができる。また、突起部１８ａを介して半導体基板１１からの熱を放熱部１８に伝導させ、熱を外部へ放出することができるので、半導体基板に絶縁層を介して放熱部（突起部のない放熱部）を設けた場合に比べて、半導体モジュールの放熱性の向上を図ることができる。したがって、放熱部１８に起因する信頼性の劣化を抑制しつつ、半導体モジュールの放熱性を高めることが可能となる。
（６）突起部１８ａを放熱部１８に対して平面的にマトリクス状に配列したことで、放熱部１８の内部応力を効果的に低減することができるので、半導体モジュールの信頼性がさらに向上する。
（７）放熱部１８と半導体基板１１とを突起部１８ａを介して接続したことによって、半導体基板１１から放熱部１８に熱が伝わって放熱部１８が伸長する場合でも、この伸長による半導体基板１１への影響（放熱部１８と半導体基板１１との伸長量の差）を突起部１８ａが緩和するので、従来に比べ、半導体モジュールの信頼性を向上させることができる。
（８）突起部１８ａが一体的に形成された銅板１８ｚ（放熱部１８）を別工程で製造し、良品のみを選別して貼り付けることができ、さらに１工程（プレス加工）のみで自己整合的に絶縁層１７を貫通する突起部１８ａを形成することができるので、先の第１実施形態に比べ、突起部と一体化する放熱部の製造歩留まりを高収率に達成することが可能になる。このため、半導体モジュールの低コスト化を実現することができる。
（９）半導体基板１１の表面Ｓ２（下面側）に導体部１４ａと一体化した再配線パターン
１４を設けたことで、放熱部１８が半導体基板１１に及ぼす応力（突起部１８ａにより低減された放熱部１８の応力）を、再配線パターン１４が半導体基板１１に及ぼす応力（導体部１４ａにより低減された再配線パターン１４の応力）によって相殺することが可能になる。したがって、突起部１８ａによる放熱部１８の内部応力の低減効果に加え、両者による応力の相殺効果により、半導体モジュール全体の反りを抑制することができるので、半導体モジュールの信頼性がさらに向上する。
（１０）放熱部１８および再配線パターン１４の基礎となる銅板１８ｚおよび銅板１４ｚのプレス加工を同時に行ったことで、その後の製造工程において半導体モジュールに掛かる内部応力の影響を低減・抑制することができるので、半導体モジュールの製造歩留まりを高収率に達成することが可能になる。このため、半導体モジュールの低コスト化を実現することができる。
（１１）半導体モジュールが個別化される前の半導体ウエハの状態で一括して放熱部１８および再配線パターン１４等を形成したので、半導体モジュールごとに個別に放熱部１８および再配線パターン１４等を形成する場合に比べて、半導体モジュールの製造コストを低減することができる。
【００５８】
（第３実施形態）
図９は本発明の第３実施形態に係る半導体モジュールの概略断面図である。第２実施形態と異なる箇所は、突起部１８ａの一部が半導体基板１１の裏面Ｒ２（上面側）に埋め込まれていることである。それ以外については、第２実施形態と同様である。
【００５９】
このような突起部１８ａの埋め込み構造は、先の図７（Ａ）において用意した半導体ウエハ（半導体基板１１）の裏面Ｒ２（上面側）に対して、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、突起部１８ａが接続する領域に予め凹部２２を形成しておくことで実現できる。凹部２２の形状は突起部１８ａの埋め込ませる部分に対応してテーパ状に形成する。なお、凹部２２の深さＤは、たとえば、約２０μｍであり、これに合わせて突起部１８ａの高さを高く形成しておく。
【００６０】
この第３実施形態の半導体モジュールおよびその製造方法によれば、第２実施形態の上記（５）〜（１１）の効果に加え、以下のような効果を得ることができるようになる。
（１２）突起部１８ａの先端部を半導体基板１１内に食い込ませて形成したことで、半導体基板１１と突起部１８ａとの接触面積が増加し、両者間の密着性が向上するので、半導体基板１１と放熱部１８（突起部１８ａ）との間の接続信頼性をさらに高めることができる。また、半導体基板１１と突起部１８ａとの接触面積が増加することで、半導体基板１１からの熱がより効率的に突起部１８ａに伝導するようになるので、半導体モジュールの放熱性をさらに高めることができる。
（１３）半導体基板１１と放熱部１８との間にずれ応力が加わった場合、半導体基板１１に食い込ませた部分の突起部１８ａによって両者のずれを防止することができるので、半導体基板１１と放熱部１８との間の接続信頼性をさらに高めることができる。
（１４）半導体基板１１の裏面Ｒ２（上面側）に凹部２２を設けたことで、突起部１８ａが一体的に形成された銅板１８ｚをプレス加工する工程において、凹部２２に対して自己整合的に位置合せをすることができるので、半導体モジュールを容易に製造することが可能になる。
【００６１】
（第４実施形態）
図１０は本発明の第４実施形態に係る半導体モジュールの概略断面図である。第２実施形態と異なる箇所は、絶縁層１７と放熱部１８との間に隙間Ｈを設けていることである。それ以外については、第２実施形態と同様である。なお、隙間Ｈは、突起部１８ａを除く放熱部１８と絶縁層１７との間の少なくとも一部に設けられていればよい。隙間Ｈは、半導体モジュールの断面方向において外気と通じていてもよい。これによれば、半導体モジュールが発熱した場合に、温められた隙間Ｈの空気が外気と入れ替わることにより半導体モジュールの放熱性を向上させることができる。また、隙間Ｈは密閉空間であってもよい。これによれば、外部から半導体モジュールに力が加わった場合に、隙間Ｈが衝撃緩和層として働くため、半導体モジュールの損傷を抑制することができる。
【００６２】
このような構造は、突起部１８ａが一体的に形成された銅板１８ｚをプレス加工する工程において、絶縁層１７の膜厚を突起部１８ａの高さよりも薄くすることで実現できる。絶縁層１７の厚さとしては、たとえば、約７５μｍとする。これにより、絶縁層１７と放
熱部１８との間に隙間Ｈは約２５μｍとなる。
【００６３】
この第４実施形態の半導体モジュールおよびその製造方法によれば、第２実施形態の上記（５）〜（１１）の効果に加え、以下のような効果を得ることができるようになる。
（１５）絶縁層１７と放熱部１８との間に隙間を設けたことで、放熱部１８の外部環境（大気）との接触面積が増加するので、半導体モジュールとしての放熱性がさらに向上する。
【００６４】
（第５実施形態）
図１１は本発明の第５実施形態に係る半導体モジュールの概略断面図である。第２実施形態と異なる箇所は、絶縁層１７および放熱部１８の厚さを、半導体基板１１の表面Ｓ２（下面側）に設けた絶縁層１９および再配線パターン１４の厚さと同じにした上で、放熱部１８をパターン加工していることである。それ以外については、第２実施形態と同様である。なお、絶縁層１７および放熱部１８の厚さは、半導体基板１１の表裏で熱膨張係数が同じであれば、必ずしも表裏で同じにする必要はない。
【００６５】
このような構造は、図７（Ａ）に示した工程に続き、放熱部１８を半導体基板１１に圧着する前に、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、放熱部１８を所定のパターンとなるように予めパターニング加工することで実現される。なお、放熱部１８をハーフエッチ加工した後に放熱部１８を半導体基板１１に圧着し、さらに放熱部１８をフルエッチング加工してもよい。
【００６６】
また、このような構造は、図７（Ｂ）に示した工程に続き、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、放熱部１８を所定のパターンとなるようにパターニング加工することで実現される。
【００６７】
この第５実施形態の半導体モジュールおよびその製造方法によれば、第２実施形態の上記（５）〜（１１）の効果に加え、以下のような効果を得ることができるようになる。
（１６）放熱部１８を所定のパターンに加工したことで、放熱部１８の一部を配線（たとえば、グランド配線）として利用することができるので、配線の設計自由度が向上し、半導体モジュールの小型化を実現することができるようになる。
【００６８】
（第６実施形態）
次に、上記いずれかの実施形態の半導体モジュールを備えた携帯機器について説明する。なお、携帯機器として携帯電話に搭載する例を示すが、たとえば、個人用携帯情報端末（ＰＤＡ）、デジタルビデオカメラ（ＤＶＣ）、音楽プレーヤ、及びデジタルスチルカメラ（ＤＳＣ）といった電子機器であってもよい。
【００６９】
図１２は本発明の第６実施形態に係る携帯電話の構成を示す図である。携帯電話１１０は、第１の筐体１１２と第２の筐体１１４が可動部１２０によって連結される構造になっている。第１の筐体１１２と第２の筐体１１４は可動部１２０を軸として回動可能である。第１の筐体１１２には文字や画像等の情報を表示する表示部１１８やスピーカ部１２４が設けられている。第２の筐体１１４には操作用ボタンなどの操作部１２２やマイク部１２６が設けられている。なお、本実施形態では、第２実施形態に係る半導体モジュール（図５参照）が携帯電話１１０の内部に搭載されている。なお、このように、携帯電話に搭載した半導体モジュールとしては、各回路を駆動するための電源回路、ＲＦ発生するＲＦ発生回路、ＤＡＣ、エンコーダ回路、携帯電話の表示部に採用される液晶パネルの光源としてのバックライトの駆動回路などとして採用することが可能である。
【００７０】
図１３は図１２に示した携帯電話の部分断面図（第１の筐体１１２の断面図）である。本発明の第６実施形態に係る半導体モジュール１３０は、電極２０を介してプリント基板１２８に搭載され、こうしたプリント基板１２８を介して表示部１１８などと電気的に接続されている。また、半導体モジュール１３０の裏面側（電極２０とは反対側の面）には突起部を有する放熱部１８が設けられている。放熱部１８の一方の面は、第１の筐体１１２に接している。これによれば、半導体モジュール１３０から発生する熱を第１の筐体１１２内部に篭もらせることなく、効率的に第１の筐体１１２の外部に放熱することができる。
【００７１】
本発明の第６実施形態に係る携帯機器によれば、以下の効果を得ることができる。
【００７２】
（１７）放熱部１８を介して半導体モジュール１３０からの熱を効率的に外部に放熱することができるので、半導体モジュール１３０の温度上昇が抑制され、再配線パターン１４と絶縁層１９との間の熱応力、および放熱部１８と絶縁層１７との間の熱応力が低減される。このため、半導体モジュール内の再配線パターン１４が絶縁層１９から剥離すること、および放熱部１８が絶縁層１７から剥離することが防止され、半導体モジュール１３０の信頼性（耐熱信頼性）が向上する。この結果、携帯機器の信頼性（耐熱信頼性）を向上させることができる。
【００７３】
（１８）上記実施形態で示したウエハレベルＣＳＰ（Chip Size Package）プロセスに
より製造された半導体モジュール１３０は薄型化・小型化されるので、こうした半導体モジュール１３０を搭載した携帯機器の薄型化・小型化を図ることができる。
【００７４】
なお、上記第１実施形態では、放熱部８を半導体基板１の裏面Ｒを覆うように全面に設けた例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、第５実施形態のように、放熱部８をパターニング加工して半導体基板１の特定の領域のみを選択的に覆うようにしてもよい。この場合にも、放熱部８および突起部８ａを設けた領域では上記効果を享受することができる。この例は、第２実施形態にも同様に適用可能であり、同様の効果を享受することができる。
【００７５】
上記第１実施形態では、スクライブライン５に形成された放熱部８を含めてダイシングして半導体モジュールを製造する例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、スクライブライン５内の放熱部８をダイシング前にエッチング除去し、その後ダイシングにより個別化して半導体モジュールを製造するようにしてもよい。この場合には、放熱部８をダイシングする際に生じる応力負荷（放熱部８から突起部８ａに伝わる応力負荷）が抑制され、半導体モジュールの製造安定性が向上するので、半導体モジュールの製造コストを低減することが可能になる。なお、第２実施形態から第５実施形態でも同様である。
【００７６】
上記第１実施形態では、突起部８ａを放熱部８全体に対して平面的にマトリクス状に設けた例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、放熱部８に対して平面的に任意な位置に設けるようにしてもよい。特に、半導体基板１内の発熱部となる回路素子が有する領域に選択的に突起部８ａを設けた場合には、半導体モジュール内において効率的な放熱がなされつつ、接続信頼性を向上させることができるようになる。なお、第２実施形態から第５実施形態でも同様である。
【００７７】
上記第１実施形態では、放熱部８に一体化して形成した突起部８ａを半導体基板１の裏面Ｒと直に接して設けた例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、半導体基板１の裏面Ｒと突起部８ａとの間に絶縁層の一部を介在させていてもよい。この場合には、半導体モジュールの放熱性能の向上効果は減少することになるものの、突起部８ａによって放熱部８
自体の反りが抑制されるので、従来に比べ、半導体基板１との剥がれや半導体基板１の反り（変形）といった問題を抑制することができる。
【００７８】
上記第２実施形態では、半導体基板１１に対して、突起部１８ａを一体的に形成した銅板１８ｚと、突起状の導体部１４ａを一体的に形成した銅板１４ｚとを同時にプレス加工する例を示したが、一方の銅板をプレス加工した後にもう一方の銅板をプレス加工するように２段階でプレス加工してもよい。この場合にも同様に上記効果を享受することができる。また、図３（Ｂ）で示した第１実施形態での再配線パターン４を形成した半導体ウエハに対してこの突起部１８ａを一体的に形成した銅板１８ｚをプレス加工し、放熱部１８を形成するようにしてもよい。この場合には、少なくとも上記（５）〜（８）の効果を享受することができる。
【００７９】
上記第２実施形態では、突起部１８ａを丸型で、その先端部１８ａ１に近づくにつれて径が細くなるように形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、所定の径を有する円柱状の突起部であってもよい。また、突起部１８ａとして丸型のものを採用したが、四角形などの多角形であってもよい。この場合にも、半導体モジュール内において突起部を介して効率的な放熱がなされつつ、その部分での接続信頼性を向上させることができる。
【００８０】
上記第３実施形態では、凹部２２と突起部１８ａの形状を一致させた例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、凹部２２の大きさ（開口部の寸法）に対して突起部１８ａ（特にその先端部）を大きくしておいてもよい。突起部１８ａの先端部はプレス加工時の圧力により潰れて変形する。この場合、突起部１８ａは、凹部２２内を埋め込み、さらにその周辺の半導体基板１１とも接触して設けられる。このため、突起部１８ａと半導体基板１１との接触面積がさらに増加することになり、半導体モジュールの接続信頼性および放熱性が向上する。一方、これとは反対に、凹部２２の大きさ（開口部の寸法）に対して突起部１８ａ（特にその先端部）を小さくする場合には、突起部１８ａがプレス加工時の圧力により潰れて変形しても、それを凹部２２内のみに制御することが可能になるので、突起部１８ａの接触面積のバラツキによる接続信頼性および放熱性の製造バラツキを低減できるようになる。
【００８１】
上記第３実施形態では、すべての突起部１８ａに対して凹部２２を設けた例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、半導体ウエハ内のそれぞれの半導体基板１１に対して凹部２２を設ける部分と設けない部分を設け、突起部１８ａの高さを調整することによって、突起部１８ａが埋め込まれる部分と埋め込まれない部分を混在させてもよい。この場合には、少なくとも突起部１８ａが埋め込まれた部分において、上記（１２）〜（１４）の効果を享受することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体モジュールの概略断面図である。
【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）は、図１中の放熱部に設けられた突起部の配列状態を示す平面図である。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体モジュールの製造プロセスを説明するための概略断面図である。
【図４】図４（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体モジュールの製造プロセスを説明するための概略断面図である。
【図５】図５は、本発明の第２実施形態に係る半導体モジュールの概略断面図である。
【図６】図６（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る突起部が一体的に形成された銅板の形成方法を説明するための概略断面図である。
【図７】図７（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体モジュールの製造プロセスを説明するための概略断面図である。
【図８】図８（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体モジュールの製造プロセスを説明するための概略断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る半導体モジュールの概略断面図である。
【図１０】本発明の第４実施形態に係る半導体モジュールの概略断面図である。
【図１１】本発明の第５実施形態に係る半導体モジュールの概略断面図である。
【図１２】本発明の第６実施形態に係る携帯電話の構成を示す図である。
【図１３】図１２に示した携帯電話の部分断面図（第１の筐体の断面図）である。
【符号の説明】
【００８３】
１・・・半導体基板、２・・・回路素子、２ａ・・・電極、３・・・保護膜、４・・・再配線パターン、４ａ・・・電極、７・・・絶縁層、８・・・放熱部、８ａ・・・突起部。
【図１】
2008053693.tif 000003
【図２】
2008053693.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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