(57)【要約】【課題】固体撮像装置内で水素の供給を有効に行い、ノイズの発生を有効に抑制し、画質の向上を図る。【解決手段】フォトダイオード１１０や画素トランジスタ１２０等が形成されたシリコン基板１００の上にフォトダイオード１１０やトランジスタ１２０に水素を供給する水素放出膜１６０を形成し、その上に水素の拡散防止を行う水素遮断膜１７０を形成している。シリコン基板１００の上面近傍に水素放出膜１６０を配置し、その上に水素遮断膜１７０を配置したことから、水素放出膜１６０の水素が上層方向に拡散するのを遮断でき、フォトダイオード１１０やトランジスタ１２０に対する水素の供給効率を改善でき有効にノイズ抑制を図ることができる。【選択図】図３
2008211003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ光電変換部を含む複数の画素が形成される半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた積層膜とを有し、
前記積層膜は、水素を放出する水素放出膜と、前記水素放出膜の上層に配置された水素遮断膜とを含む、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記半導体基板と水素放出膜の間に介在する水素を通過し難い膜の開口部を設けたことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記半導体基板と水素放出膜の間に水素通過膜を配置したことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記水素放出膜と水素遮断膜との間に水素通過膜を配置したことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記積層膜は、前記半導体基板に近接する層に前記光電変換部を駆動するための電極膜を含む層を有し、前記水素放出膜は前記電極膜を含む層の上に形成されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項６】
固体撮像装置を用いた撮像部と、前記撮像部を制御する制御部と、前記撮像部を操作する操作部とを有し、
前記固体撮像装置は、
それぞれ光電変換部を含む複数の画素が形成される半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた積層膜とを有し、
前記積層膜は、水素を放出する水素放出膜と、前記水素放出膜の上層に配置された水素遮断膜とを含む、
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
前記半導体基板と水素放出膜の間に介在する水素を通過し難い膜の開口部を設けたことを特徴とする請求項６記載の撮像装置。
【請求項８】
前記半導体基板と水素放出膜の間に水素通過膜を配置したことを特徴とする請求項６記載の撮像装置。
【請求項９】
前記水素放出膜と水素遮断膜との間に水素通過膜を配置したことを特徴とする請求項６記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記積層膜は、前記半導体基板に近接する層に前記光電変換部を駆動するための電極膜を含む層を有し、前記水素放出膜は前記電極膜を含む層の上に形成されていることを特徴とする請求項６記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサといった各種の固体撮像装置に関し、特に撮像信号のノイズ低減を有効に行うことが可能な固体撮像装置、及びそれを用いた撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサに代表される固体撮像装置の開発が活発化しており、各種のカメラ装置や携帯電話機等に用いられている。
例えば、ＣＣＤイメージセンサは、半導体基板にフォトダイオード（光電変換部）を含む複数の画素を２次元方向に配置し、各画素列の間にＣＣＤ垂直転送レジスタを設けるとともに、各垂直転送レジスタの出力端にＣＣＤ水平転送レジスタを設けたものである。
また、半導体基板上には、絶縁膜、転送電極膜、遮光膜といった積層膜が順次形成され、さらに平坦化膜等を介してカラーフィルタ、マイクロレンズ等が形成されている。
このようなＣＣＤイメージセンサでは、半導体基板上に設けた転送電極に駆動パルスを供給して各転送レジスタを駆動し、各画素のフォトダイオードにて生成した信号電荷をＣＣＤ垂直転送レジスタ及びＣＣＤ水平転送レジスタを通して順次転送して行き、この信号電荷をＣＣＤ水平転送レジスタの出力端に設けた変換部によって電圧信号または電流信号に変換し、画素信号として出力する。
【０００３】
一方、ＣＭＯＳイメージセンサは、同一半導体基板上に、フォトダイオードを含む複数の画素を２次元方向に配置した撮像領域と、この撮像領域の外部に形成された周辺回路領域とを設けたものである。
そして、撮像領域には、各画素毎に、フォトダイオードの信号電荷をＦＤ（フローティングデフュージョン）に読み出す読み出しトランジスタ（転送ゲート）、ＦＤの電位に応じた画素信号を生成する増幅トランジスタ、画素信号を出力する画素を選択する選択トランジスタ、ＦＤをリセットするリセットトランジスタ等の各種画素トランジスタを設け、各画素のフォトダイオードで検出した信号電荷を各画素トランジスタの駆動によって画素信号に変換し、画素列毎に設けた信号線より出力する。
また、周辺回路領域には、画素アレイ部に各種の制御パルスを供給して画素信号の読み出しを制御する駆動制御回路、読み出された画素信号に対して各種の信号処理を行う信号処理回路、駆動電源を生成する電源制御回路等が設けられている。
また、半導体基板上には、絶縁膜、トランジスタの駆動電極膜、配線膜、遮光膜といった積層膜が順次形成され、さらに平坦化膜等を介してカラーフィルタ、マイクロレンズ等が形成されている。
このようなＣＭＯＳイメージセンサでは、各画素トランジスタの駆動によって各画素のフォトダイオードに蓄積した信号電荷を各画素毎に画素信号に変換し、これを画素列毎に出力して後段の信号処理回路に送り、ノイズ除去や信号処理等を施して出力する。
【０００４】
ところで、上記のような各種の固体撮像装置においては、近年の多画素化に伴い、１画素あたりのフォトダイオードの面積の減少が起こり、光電変換部に到達する光量も減少し、感度低下が起こっている。
このため、特に低照度において、画質に及ぼすノイズの影響が大きくなり、Ｓ／Ｎ比を改善することが必要となる。
そこで従来は、光電変換部やトランジスタ領域に水素を供給することにより、ノイズを抑制することが知られている。
【０００５】
図７は従来例によるＣＭＯＳイメージセンサの画素構造を示す断面図である。
まず、シリコン（Ｓｉ）基板４００の上層部には、素子分離部４０１で分離された領域にフォトダイオード（ＰＤ）４１０や画素トランジスタ（Ｔｒ）４２０が形成されている。また、シリコン基板４００の表面には、ゲート絶縁膜、トランジスタ駆動用のゲート電極膜等を含む下層積層膜４３０が配置されており、その上に各種の層間絶縁膜４４０を介して複数層の配線膜４５０が形成されている。
そして、従来例では、この層間絶縁膜４４０の上に水素を含有した水素放出膜４６０が形成され、その上に保護膜４７０を介してカラーフィルタ４８０及びオンチップマイクロレンズ４９０が形成されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−２３１９１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来技術において、水素放出膜からの水素が、フォトダイオードやトランジスタ以外の領域に拡散してしまい、その分、フォトダイオードやトランジスタに供給される水素量が減少し、有効なノイズ除去が行えなくなるという問題があった。
【０００７】
そこで本発明は、固体撮像装置内で水素の供給を有効に行い、ノイズの発生を有効に抑制し、画質の向上を図ることが可能な固体撮像装置及び撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置は、  それぞれ光電変換部を含む複数の画素が形成される半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた積層膜とを有し、前記積層膜は、水素を放出する水素放出膜と、前記水素放出膜の上層に配置された水素遮断膜とを含むことを特徴とする。
また、本発明の撮像装置は、固体撮像装置を用いた撮像部と、前記撮像部を制御する制御部と、前記撮像部を操作する操作部とを有し、前記固体撮像装置は、それぞれ光電変換部を含む複数の画素が形成される半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた積層膜とを有し、前記積層膜は、水素を放出する水素放出膜と、前記水素放出膜の上層に配置された水素遮断膜とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の固体撮像装置によれば、固体撮像装置の積層膜に、水素を放出する水素放出膜と、この水素放出膜の上層に配置された水素遮断膜とを設けたことから、水素放出膜から放出した水素を不要な領域に拡散させることなく、効率的に半導体基板側の光電変換部やその他のトランジスタあるいは転送レジスタ等に供給でき、十分な水素の供給によって高いノイズ抑制効果を実現でき、固体撮像装置における画質の向上を図ることが可能となる。
【００１０】
また、本発明の撮像装置によれば、撮像部に用いた固体撮像装置の積層膜に、水素を放出する水素放出膜と、この水素放出膜の上層に配置された水素遮断膜とを設けたことから、水素放出膜から放出した水素を不要な領域に拡散させることなく、効率的に半導体基板側の光電変換部やその他のトランジスタあるいは転送レジスタ等に供給でき、十分な水素の供給によって高いノイズ抑制効果を実現でき、撮像部における画質の向上を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は本発明の実施例における固体撮像装置の具体例を示す平面図であり、ＣＭＯＳイメージセンサの例を示している。また、図２は図１に示す固体撮像装置の画素内の回路構成を示す回路図である。なお、以下の実施例はＣＭＯＳイメージセンサを中心に説明するが、本発明はＣＣＤイメージセンサにも同様に適用できるものである。
【００１２】
本実施例の固体撮像装置は、図１に示すように、２次元方向に配置された複数の画素１６によって撮像領域を構成する画素アレイ部２０と、画素アレイ部２０の各画素を垂直方向に走査して画素信号の読み出し動作を制御する垂直走査回路２１と、画素アレイ部２０の各画素列（カラム）から導かれた垂直信号線２８を制御する負荷ＭＯＳトランジスタ回路２４と、画素アレイ部２０の各画素列から読み出された画素信号を取り込み、相関二重サンプリング処理によるノイズ除去を行うＣＤＳ回路２６と、ＣＤＳ回路２６の画素信号を水平信号線２７に出力する水平選択トランジスタ回路２６と、水平選択トランジスタ回路２６を水平方向に順次選択して画素信号の出力を制御する水平走査回路２２とを有する。
そして、水平信号線２７に出力された画素信号はバッファアンプを介して後段の回路に伝送される。
【００１３】
また、各画素１６は、図２に示すように、入射した光を光電変換するフォトダイオード（ＰＤ）１と、光電変換された電気信号を転送パルス（ΦＴＲＧ）に基づいてフローティングデフュージョン（ＦＤ）部３に転送するトランジスタ（ＴＧ）１２と、リセットパルス（ΦＲＳＴ）に基づいてＦＤ部３の電位を電源電圧ＶＤＤにリセットするリセットトランジスタ（ＲＳＴ）１４、ＦＤ部３の電位変動を電圧信号または電流信号に変換する増幅トランジスタ（ＡＭＰ）１３と、選択信号（ΦＳＥＬ）に基づいて増幅トランジスタ１３の出力を垂直信号線２８に接続する選択トランジスタ１５とを有する。
したがって、画素１６の近傍には、垂直方向に垂直信号線２８や電源線等が配線され、水平方向に読み出し線１７、リセット線１８、選択線１９等が配線されている。
【００１４】
図３は本実施例によるＣＭＯＳイメージセンサの画素構造を示す断面図である。
まず、シリコン（Ｓｉ）基板１００の上層部には、素子分離部１０１で分離された領域にフォトダイオード（ＰＤ）１１０や画素トランジスタ（Ｔｒ）１２０等が形成されている。なお、画素トランジスタ１２０には、上述した転送、増幅、リセット等の各トランジスタが含まれる。
また、シリコン基板１００の表面には、ゲート絶縁膜、トランジスタ駆動用のゲート電極膜、その他の機能膜（例えばＣｏＢｌｏｃｋ膜等）を含む下層積層膜１３０が配置されている。
【００１５】
そして、本実施例では、この下層積層膜１３０の上に、フォトダイオード１１０やトランジスタ１２０に水素を供給する水素放出膜１６０が形成され、この水素放出膜１６０上に水素の拡散防止を行う水素遮断膜１７０が形成されている。
水素放出膜１６０は水素を含有しており、安定的に水素を放出する膜である。
また、水素遮断膜１７０は水素放出膜１６０から放出される水素の上方への拡散を防止し、シリコン基板１００方向に導くものである。
なお、本例では、水素放出膜１６０に例えばＵＶ−ＳｉＮを用い、水素遮断膜１７０に例えばＰ−ＳｉＮを用いている。ただし、同様の機能を有するものであれば、他の膜を用いることは勿論である。
なお、場合によっては、シリコン基板１００の表面で水素放出膜１６０よりも下層に形成される膜のうち、水素の透過性が悪い膜については必要に応じて細かい開口部（図示略）を形成し、シリコン基板１００内への水素の供給を助けるようにしてもよい。
【００１６】
また、水素遮断膜１７０の上に各種の層間絶縁膜１８０を介して複数層の配線膜１９０が形成され、その上にカラーフィルタ２１０及びオンチップマイクロレンズ２２０が形成されている。
このような構成では、シリコン基板１００の上面近傍に水素放出膜１６０を配置したことにより、下層のフォトダイオード１１０やトランジスタ１２０に十分な水素を供給でき、有効にノイズ抑制を図ることができる。また、水素放出膜１６０の直上に水素遮断膜１７０を配置したことから、水素放出膜１６０の水素が上層方向に拡散するのを遮断でき、フォトダイオード１１０やトランジスタ１２０に対する水素の供給効率を改善できる。
【００１７】
図４は図３に示す実施例の製造工程を示す断面図である。
まず、図４（ａ）において、シリコン基板１００には素子分離部１０１、フォトダイオード１１０、画素トランジスタ１２０等が形成され、シリコン基板１００の表面に、ゲート絶縁膜、ゲート電極膜、その他の機能膜を含む下層積層膜１３０が形成されている。
そこで図４（ｂ）では、これらの膜にフォトリソグラフィ及びエッチングを用いて開口部１３１を含む所定のパターンを形成する。この際、必要なパターンとは別に、水素がシリコン基板１００側に供給され易いようにするための細かい開口部を形成する。勿論この開口部は各膜の機能に支障のない形状で形成するものとする。
そして、図４（ｃ）では、この上に水素放出膜１６０を形成し、さらに図４（ｄ）では水素放出膜１６０の上に水素遮断膜１７０を形成する。
この後、従来の工程と同様にして上層の膜を順次作成していき、図４（ｅ）に示すような固体撮像装置の構造を得る。
【００１８】
以上のような本実施例の固体撮像装置では、シリコン基板１００上に積層される積層膜内に、水素放出膜１６０と水素遮断膜１７０を配置したことにより、フォトダイオードやトランジスタ（画素領域以外のトランジスタを含む）に十分な水素を供給でき、ノイズの抑制に寄与できる。
また、水素放出膜１６０の下層（シリコン基板側）に水素を通し難い膜がある場合に、この膜に適宜開口部を形成するようにしたことから、水素放出膜１６０の水素を有効にフォトダイオードやトランジスタに水素を供給でき、さらに高いノイズ抑制効果を得ることが可能である。
【００１９】
次に他の実施例について説明する。
図５は本実施例によるＣＭＯＳイメージセンサの画素構造を示す断面図である。なお、図５において図３に示すものと共通の構成については同一符号を付している。
図３に示した実施例では、開口部１３１を有する下層積層膜１３０の上に水素放出膜１６０を形成し、水素放出膜１６０とシリコン基板１００が直接接触するようにしたが、図５に示す実施例では、水素放出膜１６０とシリコン基板１００の間に水素通過膜２３０を設けたものである。
図５において、まず、シリコン（Ｓｉ）基板１００の上層部には、素子分離部１０１で分離された領域にフォトダイオード（ＰＤ）１１０や画素トランジスタ（Ｔｒ）１２０等が形成されている。
また、シリコン基板１００の表面には、ゲート絶縁膜、トランジスタ駆動用のゲート電極膜、その他の機能膜等を含む下層積層膜１３０が配置されている。
【００２０】
そして、この下層積層膜１３０には、下層積層膜１３０のパターンに応じた開口部１３１やシリコン基板１００内への水素の供給を助けるための開口部が形成されているが、これらの開口部に対応する下層領域に水素通過膜２３０が形成されている。この水素通過膜２３０は、例えばＳｉＯ２より形成されている。そして、その上に、下層積層膜１３０が形成され、さらにその上に水素放出膜１６０及び水素遮断膜１７０が形成されている。
このような水素通過膜２３０を設けることにより、シリコン基板１００と水素放出膜１６０との直接的な接触を避けることができ、界面順位の発生を抑え、信号特性の安定化を図ることができる。
なお、その他は図３に示す実施例と同様であるので説明は省略する。
【００２１】
以上、本発明による固体撮像装置の具体的な実施例について説明したが、本発明はさらに種々の変形が可能である。例えば、上記実施例ではＣＭＯＳイメージセンサを例に説明したが、本発明はＣＭＯＳイメージセンサに限定されず、例えばＣＣＤイメージセンサ等の他の固体撮像装置にも適用できるものである。
例えばＣＣＤイメージセンサにおいて、シリコン基板上の転送電極膜や遮光膜の上に水素放出膜及び水素遮断膜を設けることにより、この水素放出膜及び水素遮断膜によってフォトダイオードや転送レジスタ部に水素を有効に供給し、ノイズの抑制を図ることが可能である。
【００２２】
また、画素アレイ部の構成としては、必ずしも２次元配列のエリアセンサ型の固体撮像装置に限らず、１次元配列のリニアセンサ型の固体撮像装置にも適用可能である。
また、水素放出膜及び水素遮断膜を設ける積層内の位置についても適宜変更が可能であり、適用する固体撮像装置の積層構造に応じて柔軟に対応し得るものである。
また、上述した水素放出膜と水素遮断膜との間に水素通過膜を形成することにより、水素放出膜と水素遮断膜とが直接接触しない構造とし、特性の安定化を図るような構造とすることも可能である。
また、水素放出膜や水素遮断膜は、半導体チップの全面に形成することも可能であるが、特に水素供給を制御したい部分的な領域に形成するようにしてもよい。
【００２３】
また、固体撮像装置は１チップ上にイメージセンサ等を構成したものに限らず、撮像部と信号処理部や光学系がまとめてパッケージ化されたモジュールであってもよい。また、カメラシステムや携帯電話器に利用される装置であってもよい。なお、本発明では、ＣＭＯＳイメージセンサの機能を単体で有する構成を固体撮像装置といい、固体撮像装置と他の要素（制御回路、操作部、表示部、さらにはデータ蓄積機能、通信機能等）と一体化された構成を撮像装置というものとする。
【００２４】
以下、本発明を適用した撮像装置の具体例を説明する。
図６は本例のＣＭＯＳイメージセンサを用いたカメラ装置の構成例を示すブロック図である。
図６において、撮像部３１０は、例えば図１に示したＣＭＯＳイメージセンサを用いて被写体の撮像を行うものであり、撮像信号をメイン基板に搭載されたシステムコントロール部３２０に出力する。
すなわち、撮像部３１０では、上述したＣＭＯＳイメージセンサの出力信号に対し、ＡＧＣ（自動利得制御）、ＯＢ（オプティカルブラック）クランプ、ＣＤＳ（相関二重サンプリング）、Ａ／Ｄ変換といった処理を行い、デジタル撮像信号を生成して出力する。
【００２５】
なお、本例では、撮像部３１０内で撮像信号をデジタル信号に変換してシステムコントロール部３２０に出力する例について示しているが、撮像部３１０からアナログ撮像信号をシステムコントロール部３２０に送り、システムコントロール部３２０側でデジタル信号に変換する構成であってもよい。
また、撮像部３１０内での具体的な制御動作や信号処理等も従来から種々の方法が提供されており、本発明の撮像装置において特に限定しないことは勿論である。
【００２６】
また、撮像光学系３００は、鏡筒内に配置されたズームレンズ３０１や絞り機構３０２等を含み、ＣＭＯＳイメージセンサの受光部に被写体像を結像させるものであり、システムコントロール部３２０の指示に基づく駆動制御部３３０の制御により、各部を機械的に駆動してオートフォーカス等の制御が行われる。
【００２７】
また、システムコントロール部３２０には、ＣＰＵ３２１、ＲＯＭ３２２、ＲＡＭ３２３、ＤＳＰ３２４、外部インターフェース３２５等が設けられている。
ＣＰＵ３２１は、ＲＯＭ３２２及びＲＡＭ３２３を用いて本カメラ装置の各部に指示を送り、システム全体の制御を行う。
ＤＳＰ３２４は、撮像部３１０からの撮像信号に対して各種の信号処理を行うことにより、所定のフォーマットによる静止画または動画の映像信号（例えばＹＵＶ信号等）を生成する。
外部インターフェース３２５には、各種エンコーダやＤ／Ａ変換器が設けられ、システムコントロール部３２０に接続される外部要素（本例では、ディスプレイ３３０、メモリ媒体３４０、操作パネル部３５０）との間で、各種制御信号やデータをやり取りする。
【００２８】
ディスプレイ３３０は、本カメラ装置に組み込まれた例えば液晶パネル等の小型表示器であり、撮像した画像を表示する。なお、このようなカメラ装置に組み込まれた小型表示器に加えて、外部の大型表示装置に画像データを伝送し、表示できる構成とすることも勿論可能である。
メモリ媒体３４０は、例えば各種メモリカード等に撮影された画像を適宜保存しておけるものであり、例えばメモリ媒体コントローラ３４１に対してメモリ媒体を交換可能なものとなっている。メモリ媒体３４０としては、各種メモリカードの他に、磁気や光を用いたディスク媒体等を用いることができる。
操作パネル部３５０は、本カメラ装置で撮影作業を行うに際し、ユーザが各種の指示を行うための入力キーを設けたものであり、ＣＰＵ３２１は、この操作パネル部３５０からの入力信号を監視し、その入力内容に基づいて各種の動作制御を実行する。
【００２９】
このようなカメラ装置に、本発明を適用することにより、画質の向上や装置の小型化等、高品位の撮像装置を提供できる。なお、以上の構成において、システムの構成要素となる単位デバイスや単位モジュールの組み合わせ方、セットの規模等については、製品化の実情等に基づいて適宜選択することが可能であり、本発明の撮像装置は、種々の変形を幅広く含むものとする。
【００３０】
また、本発明の固体撮像装置及び撮像装置において、撮像対象（被写体）としては、人や景色等の一般的な映像に限らず、偽札検出器や指紋検出器等の特殊な微細画像パターンの撮像にも適用できるものである。
この場合の装置構成としては、図５に示した一般的なカメラ装置ではなく、さらに特殊な撮像光学系やパターン解析を含む信号処理系を含むことになり、この場合にも本発明の作用効果を十分発揮して、精密な画像検出を実現することが可能となる。
さらに、遠隔医療や防犯監視、個人認証等のように遠隔システムを構成する場合には、上述のようにネットワークと接続した通信モジュールを含む装置構成とすることも可能であり、幅広い応用が実現可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施例における固体撮像装置の具体例を示す平面図である。
【図２】図１に示す固体撮像装置の画素内の回路構成を示す回路図である。
【図３】本発明の実施例によるＣＭＯＳイメージセンサの画素構造を示す断面図である。
【図４】図３に示すＣＭＯＳイメージセンサの製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施例によるＣＭＯＳイメージセンサの画素構造を示す断面図である。
【図６】本発明のさらに他の実施例におけるカメラ装置の構成例を示すブロック図である。
【図７】従来例によるＣＭＯＳイメージセンサの画素構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３２】
１１０……フォトダイオード、１２０……トランジスタ、１３１……開口部、１６０……水素放出膜、１７０……水素遮断膜、１８０……層間絶縁膜、１９０……配線膜、２１０……カラーフィルタ、２２０……オンチップマイクロレンズ、水素通過膜２３０。
【図１】
2008211003.tif 000003
【図２】
2008211003.tif 000004
【図３】
2008211003.tif 000005
【図４】
2008211003.tif 000006
【図５】
2008211003.tif 000007
【図６】
2008211003.tif 000008
【図７】
2008211003.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月14日(2008.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本実施例の固体撮像装置は、図１に示すように、２次元方向に配置された複数の画素１６によって撮像領域を構成する画素アレイ部２０と、画素アレイ部２０の各画素を垂直方向に走査して画素信号の読み出し動作を制御する垂直走査回路２１と、画素アレイ部２０の各画素列（カラム）から導かれた垂直信号線２８を制御する負荷ＭＯＳトランジスタ回路２４と、画素アレイ部２０の各画素列から読み出された画素信号を取り込み、相関二重サンプリング処理によるノイズ除去を行うＣＤＳ回路２５と、ＣＤＳ回路２５の画素信号を水平信号線２７に出力する水平選択トランジスタ回路２６と、水平選択トランジスタ回路２６を水平方向に順次選択して画素信号の出力を制御する水平走査回路２２とを有する。
そして、水平信号線２７に出力された画素信号はバッファアンプを介して後段の回路に伝送される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
そして、この下層積層膜１３０には、下層積層膜１３０のパターンに応じた開口部１３１やシリコン基板１００内への水素の供給を助けるための開口部が形成されているが、これらの開口部に対応する下層領域に水素通過膜２３０が形成されている。この水素通過膜２３０は、例えばＳｉＯ２より形成されている。そして、その上に、下層積層膜１３０が形成され、さらにその上に水素放出膜１６０及び水素遮断膜１７０が形成されている。
このような水素通過膜２３０を設けることにより、シリコン基板１００と水素放出膜１６０との直接的な接触を避けることができ、界面準位の発生を抑え、信号特性の安定化を図ることができる。
なお、その他は図３に示す実施例と同様であるので説明は省略する。