(57)【要約】  【課題】配線層の厚さのバラツキがなく、しかも配線の断面形状の矩形性を損なうことなく、簡単かつ歩留まりよく製作することのできるＣＯＦ配線基板を提供すること。  【解決手段】ＣＯＦ配線基板は、絶縁フィルム1と、絶縁フィルム1の表面に設けられた配線パターンとからなり、前記配線パターンが、絶縁フィルム１の面側より、順に積層された、シード層２と、導電層３と、電気めっき層とから構成され、シード層２と導電層３は乾式めっき法で作成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムと、該絶縁フィルムの表面に設けられた配線パターンとからなるＣＯＦ配線基板において、前記配線パターンが、前記絶縁フィルムの面上に順に積層された、シード層と、導電層と、電気めっき層とから構成され、前記シード層と導電層とが乾式めっき法で作成されていることを特徴とするＣＯＦ配線基板。
【請求項２】
乾式めっき法がスパッタリング法または蒸着法である請求項１に記載のＣＯＦ配線基板。
【請求項３】
前記シード層の厚さが５０〜４００Åであり、前記導電層の厚さが０．１〜０．６μｍである請求項１または２に記載のＣＯＦ配線基板。
【請求項４】
前記シード層の材質がＮｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｍｏまたはこれらを主成分とする合金であり、前記導電層が銅または銅を主成分とする合金である請求項１〜３のいずれかに記載のＣＯＦ配線基板。
【請求項５】
ＣＯＦ配線基板用基材を用いてセミアディティブ法によりＣＯＦ配線基板を製造する方法において、前記ＣＯＦ配線基板用基材として、絶縁フィルムの表面に乾式めっき法でシード層を設け、このシード層の上に乾式めっき法で銅もしくは銅を主成分とする導電層を設けたことを特徴とするＣＯＦ配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記乾式めっき法がスパッタリング法または蒸着法である請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記シード層の厚さが５０〜４００Åであり、かつ前記導電層の厚さが０．１〜０．６μｍである請求項５または６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記シード層の材質がＮｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉまたはこれらを主成分とする合金であり、前記導電層が銅または銅を主成分とする合金である請求項５〜７のいずれかに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電気機器に使用する半導体パッケージ用配線基板、特に液晶ディスプレイ、液晶ＴＶなどに使用されるＣＯＦ（Chip on Film）配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＯＦ配線基板は、ポリイミドフィルム等の絶縁性フィルムの表面に金属配線が形成された薄型フィルム基板であり、主として液晶ディスプレイのドライバＩＣ用半導体パッケージの配線材料として用いられる。
【０００３】
従来のＣＯＦ配線基板は、金属配線パターンの厚みに相当する金属層付き絶縁性フィルムを出発材料にし、金属層をエッチングして金属配線パターンを形成する、いわゆるサブトラクティブ法により製造するのが一般的であった。しかしながら、この方法により形成された配線パターンは、その断面形状が台形となり、配線上面の幅に比較し配線下面の幅が大きくなる。従って、断面が矩形形状の配線パターンと比較すると、サブトラクティブ法でより微細な配線パターンを形成しようとすると、絶縁性が良好な状態となる間隔で配線間隔を確保することが難しくなる。また、配線の断面形状が台形であるがゆえに、断面形状が矩形である配線より断面積が小さくなり、配線の電気抵抗が大きく、放熱性も劣ることになる。
従って、微細な配線で高密度化された配線パターンを有するＣＯＦ配線基板を得るためには、配線パターンの配線の断面が矩形形状であるＣＯＦ配線基板を得ることが必要となる。この問題を解決すべく、いわゆるセミアディティブ法でＣＯＦ配線基板を製造することが行われるようになってきている。
【０００４】
セミアディティブ法でＣＯＦ配線基板を作製するには、例えば、先ず絶縁性フィルム上にスパッタあるいは無電解めっきで薄い下地銅層を形成し、次に前記下地銅層の表面にめっき用のフォトレジストのマスクパターンを形成し、次に電解めっき法で銅配線パターンを形成し、次にフォトレジストのマスクパターンを剥離し、最後に、ソフトエッチングで下地銅層の不要となった部分を除去することによって、銅配線パターンを形成するようにしていた。
この方法に従えば、確かに、サブトラクティブ法よりも微細なパターンを形成することができるものの、下地銅層をスパッタや無電解めっきで形成するために銅配線パターンと絶縁性フィルムとの間に十分な密着強度が得られないという問題が発生する。さらに、ソフトエッチング工程で下地銅層の不要となった部分を除去する際に銅配線パターンにもダメージを与えてしまうという問題も発生する。
【０００５】
これらの新たな問題を解決すべく、特許文献１に、銅箔付き絶縁基板を用い、化学研磨液で銅箔をエッチングして薄くし、電解めっき導通用の厚さ０．１〜１０μｍの下地銅層を形成し、この下地銅層の上に銅配線パターンをめっきで形成するためのマスクパターンを形成し、電解めっき法で銅配線パターンを形成し、マスクパターンを剥離し、次いでソフトエッチングにより不要となった下地銅層を除去して、所要の配線パターンを形成する方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−７８２３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、絶縁性フィルムの表面に設けられた銅層をエッチングして薄くし、これを用いてセミアディティブ法でＣＯＦ配線基板を作成すると、下地層自体の厚みのバラツキが大きくなり、後のソフトエッチングによる下地除去工程で、配線層の厚さのバラツキが大きくなるという問題や、下地層に含まれる湿式めっき特有のめっき欠陥を解消できず、配線層にこの欠陥が反映されるという問題があり、歩留まり良く矩形形状の金属配線パターンを形成できないという問題がある。
更に、この方法でも、配線幅が更に狭くなった場合には、配線と絶縁フィルムとの密着性は、必ずしも良好なものとならない。
【０００７】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、配線層の厚さのバラツキがなく、しかも配線の断面形状の矩形性を損なうことなく、簡単かつ歩留まりよく製作することのできるＣＯＦ配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本第１の発明によるＣＯＦ配線基板は、絶縁フィルムと、該絶縁フィルムの表面に設けられた配線パターンとからなるＣＯＦ配線基板において、前記配線パターンが、前記絶縁フィルムの面上に順に積層された        、シード層と、導電層と、電気めっき層とから構成され、シード層と導電層とが乾式めっき法で作成されることを特徴とする。
【０００９】
本第２の発明によれば、前記ＣＯＦ配線基板における前記乾式めっき法は、スパッタリング法または蒸着法により実現される。
【００１０】
本第３の発明によれば、前記ＣＯＦ配線基板における前記シード層の厚さは５０〜４００Åであり、前記導電層の厚さは０．１〜０．６μｍである。
【００１１】
本第４の発明によれば、前記ＣＯＦ配線基板における前記シード層の材質はＮｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｍｏまたはこれらを主成分とする合金であり、導電層は銅または銅を主成分とする合金である。
【００１２】
本第５の発明によれば、前記ＣＯＦ配線基板の製造方法は、ＣＯＦ配線基板用基材を用いてセミアディティブ法によりＣＯＦ配線基板を製造する方法において、前記ＣＯＦ配線基板用基材として、絶縁フィルムの表面に乾式めっき法でシード層を設け、このシード層の上に乾式めっき法で、銅もしくは銅を主成分とする導電層を設けたことを特徴とする。
【００１３】
本第６の発明によれば、前記ＣＯＦ配線基板の製造方法における前記乾式めっき法は、スパッタリング法または蒸着法により実現される。
【００１４】
本第７の発明によれば、前記ＣＯＦ配線基板の製造方法における前記シード層の厚さは５０〜４００Åであり、前記導電層の厚さは０．１〜０．６μｍである。
【００１５】
本第８の発明によれば、前記ＣＯＦ配線基板の製造方法における前記シード層の材質はＮｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉまたはこれらを主成分とする合金であり、導電層は銅または銅を主成分とする合金である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、厚さ５０〜４００Åのシード層と、厚さ０．２〜０．５μｍの導電層とをスパッタリング法や蒸着法といった乾式めっき法で形成するため、シード層と導電層との厚さを均一にすることができる。このことによりセミアディティブ法で、微細な配線が集積された配線パターンを形成した後、配線パターン以外の導電層とシード層を除去するに際して、導電層の厚さのバラツキによる配線パターンの部分的な過剰エッチングが防止でき、得られる配線の断面形状の矩形性を損なうことなく、簡単かつ歩留まりよく目的のＣＯＦ配線基板を製造することが可能となる。
【００１７】
また、本発明のＣＯＦ配線基板では、配線の矩形性を保つことで、一般的なエッチング方式と比較してより配線間隔の密な微細な配線形成が可能となりうる。また、配線を矩形に保つことで配線の電気抵抗が低く、配線表面積が広がることで放熱性も高いＣＯＦ基板の製造が容易に可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態を、図１に例示したＣＯＦ配線基板を製造する主要工程で得られる要部断面図を用いて説明する。
図１（１）は絶縁フィルム１の断面図を示したものである。本実施例では、市販されている一般的なポリイミドフィルムを用いたが、ポリアミドフィルム等の他の絶縁性フィルムも使用できる。一般的なポリイミドフィルムとしては、東レデュポン社製のカプトン（商品名）、宇部興産製のユーピレックス（商品名）、カネカ製のアピカル（商品名）などがある。ポリイミドフィルムの厚さは、所望に応じて選定するが、近時要求されている微細な配線が集積されたＣＯＦ配線基板用としては、２０〜４０μｍのものが好ましい。
【００１９】
図１（２）は絶縁フィルム１の上にシード層２を設けたものの断面図である。シード層２の材質としては、ニッケル、コバルト、クロム、チタン、モリブデンやこれらを主成分とする合金を使用することができる。こうした材質を選択するのは、絶縁フィルム１とシード層２との密着性と耐食性とが確保できるからである。
シード層を得る方法としては、スパッタリング法や蒸着法といった乾式めっき法を適用する。そうするのは、乾式めっき法によれば、極薄で、かつ厚さが均一なシード層をポリイミドフィルム表面に直接設けることができるためである。
シード層の厚さとしては５０〜４００Åが好ましい。この範囲より薄いと、乾式めっき法で成膜した膜自体に欠陥が多くなり、後工程で導電層３を形成するに際して均質な膜ができなるからである。また、この範囲を超えると、配線形成時のシード層２の除去工程でのシード層２の溶解時間が長くなり、配線先端部下部のシード層まで浸食され、配線の信頼性を損なうおそれが出てくるからである。
なお、本実施例では、ニッケル・クロム合金をターゲットとし、スパッタリング法により厚さ２３０Åのニッケル・クロム合金膜を成膜した。
【００２０】
図１（３）は、前記シード層２の上に導電層３を設けたものの断面図である。この導電層３は、配線を形成する材質と少なくとも溶解特性が同じものであることが好ましい。従って、通常は銅または銅合金を用いる。
導電層３の厚さは０．１〜０．６μｍ、好ましくは０．２〜０．５μｍとする。導電層３の厚さをこのようするのは、これ以下では配線パターンを電解めっき法で形成する際に電気抵抗が高くなって著しく生産性が落ちるためであり、これ以上では、後に配線パターン以外の部分の導電層３を除去する際、配線パターン部分の溶解量も多くなって断面形状や寸法精度が悪くなったり、除去するための薬品使用量が多くなりコストアップとなるからである。
【００２１】
次に、導電層の表面に感光性ドライフィルムレジストを貼り合わせ、あるいは感光性液状レジストを塗布してレジスト層を形成し、所望の配線パターンを有するマスクを用いて紫外線露光を行ない、現像してめっき用マスクを得る。この際、最終ＣＯＦ基板の配線部にあたる部分のレジストが除去されて開口が形成される。図１（４）はこうして得られた配線部の断面図例である。
【００２２】
次に、めっき用マスクの開口部に電解めっき法により銅、または銅合金を電析させて配線パターンを形成する。このとき、導電層３の厚さがあまりに薄いと、通電抵抗が高くなり、良好な電着が得られないばかりか、甚だしい場合には導電層３が溶解してしまう。このため、導電層３の厚さは０．１μｍ以上とすることが好ましい。なお、図１（５）は、電解めっき法により配線パターンを形成したものの配線部の断面図例である。
【００２３】
次に、めっき用マスクを除去し（図１（６））、配線４と導電層３とをソフトエッチングして導電層３を完全に除去する（図１（７））。この際、下地層があまりに厚いと、配線層の表面が荒れ、好ましくない。従って、導電層の厚さを０．６μｍ以下とすることが好ましい。
【００２４】
次に、シード層２を除去して、図１（８）に示すように配線パターンを完成させるが、通常、シード層２を除去するためのエッチング液には、銅あるいは銅合金が溶解し難いものを選定する。しかしながら、このようにエッチング液を選定したとしても、エッチング液が銅や銅合金と長時間接触すると、銅や銅合金も犯されるので配線表面が荒れるおそれがある。また、前記したように、配線端縁部のシード層が犯され、配線４の信頼性を損なうおそれがでる。従って、シード層２の除去に要される時間は短ければ短いほど好ましい。このため、シード層２の厚さは、前記したように４００Å以下とすることが好ましい。
【００２５】
その後図１（９），図１（１０）に示すように、配線パターンの所望箇所にはめっき５を施し、所定部分にはソルダーレジスト６をコートしてＣＯＦ基板を完成させる。ソルダーレジスト６のコートは配線４へのめっき工程の前に施してもよい。配線４へのめっきは、錫めっきやニッケル金めっきなどを用いる。なお、ソルダーレジスト６としては日本ポリテック社製のＮＰＲ−３３００などが使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明に係るＣＯＦ配線基板を製造する主要工程を説明するための各工程の要部断面図である。
【符号の説明】
【００２７】
１                                  絶縁性フィルム
２                                  シート層
３                                  導電層
４                                  銅めっき配線
５                                  錫，ニッケル及び金などのめっき
６                                  ソルダーレジスト
【図１】
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