(57)【要約】【課題】有機ＴＦＴの特性変化の状態に応じて有機ＴＦＴに逆バイアス電圧の印加を行なうタイミング及び時間を決める有機トランジスタの駆動方法、及び電気泳動表示装置を提供する。【解決手段】基板に形成された有機トランジスタには、基準累積駆動時間ｔａ駆動するごとに、逆バイアス印加時間ｔｂの時間ゲート電極とソース電極との間に逆バイアス電圧を印加した。これにより、駆動によって閾値電圧Ｖｔｈが使用開始時Ｔ０の閾値電圧Ｖｔｈから基準時Ｔ１の閾値電圧Ｖｔｈまで変化した有機トランジスタにおいて、その変化した閾値電圧Ｖｔｈを、使用開始時Ｔ０の閾値電圧Ｖｔｈまで回復させることができる。その結果、有機トランジスタの動作特性、及び有機トランジスタを用いる表示装置の表示性能を好適に維持することができる。【選択図】図７
2008242388.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成した有機トランジスタの駆動方法であって、
有機トランジスタの駆動時間の累積が予め定めた第１の時間の長さに達するごとに、ゲ
ート電極に、予め定めた値の逆バイアス電圧を、予め定めた第２の時間の長さの間印加す
ることを特徴とする有機トランジスタの駆動方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機トランジスタの駆動方法であって、
前記第１の時間は、予め定めた前記有機トランジスタの駆動回数で規定されることを特
徴とする有機トランジスタの駆動方法。
【請求項３】
請求項１乃至２のいずれか１つに記載の有機トランジスタの駆動方法において、
前記有機トランジスタは、前記ゲート電極に印加する電圧が、ソース電極に印加する電
圧よりも所定の値低くなるとオン状態となる有機トランジスタであり、
前記逆バイアス電圧の与え方は、前記有機トランジスタがオフ状態となる第１の電圧を
前記ゲート電極に印加しているときに、前記第１の電圧より前記所定の値低い第２の電圧
を前記ソース電極に印加することで行うことを特徴とする有機トランジスタの駆動方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１つに記載の有機トランジスタの駆動方法において、
前記有機トランジスタは、前記ゲート電極に印加する電圧が、ソース電極に印加する電
圧よりも所定の値低くなるとオン状態となる有機トランジスタであり、
前記逆バイアス電圧の与え方は、前記有機トランジスタがオフ状態となる第３の電圧よ
り前記所定の値高い第４の電圧を前記ゲート電圧に印加することで行うことを特徴とする
有機トランジスタの駆動方法。
【請求項５】
請求項１乃至２のいずれか１つに記載の有機トランジスタの駆動方法において、
前記有機トランジスタは、前記ゲート電極に印加する電圧が、ソース電極に印加する電
圧よりも所定の値高くなるとオン状態となる有機トランジスタであり、
前記逆バイアス電圧の与え方は、前記有機トランジスタがオフ状態となる第５の電圧を
前記ゲート電極に印加しているときに、前記第５の電圧より前記所定の値高い第６の電圧
を前記ソース電極に印加することで行うことを特徴とする有機トランジスタの駆動方法。
【請求項６】
請求項１、請求項２、請求項５のいずれか１つに記載の有機トランジスタの駆動方法に
おいて、
前記有機トランジスタは、前記ゲート電極に印加する電圧が、ソース電極に印加する電
圧よりも所定の値高くなるとオン状態となる有機トランジスタであり、
前記逆バイアス電圧の与え方は、前記有機トランジスタがオフ状態となる第７の電圧よ
り前記所定の値低い第８の電圧を前記ゲート電圧に印加することで行うことを特徴とする
有機トランジスタの駆動方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに１つに記載の有機トランジスタの駆動方法において、
上記基板は可撓性を有する基板であることを特徴とする有機トランジスタの駆動方法。
【請求項８】
共通電極を有する透明である対向基板と、
前記対向基板と対向して有機トランジスタから電圧を供給される画素電極を有する素子
基板と、
前記共通電極と前記素子基板の間に備えられた分散系と、
前記共通電極と前記画素電極が作る電界に基づいて前記分散系を泳動する電子泳動粒子
とを備え、
前記有機トランジスタは、請求項１乃至７のいずれか１つに記載の有機トランジスタの
駆動方法によって駆動されることを特徴とした電気泳動表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機トランジスタの駆動方法、及び電気泳動表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子ペーパなどのフレキシブル性を要求される機器に用いられる表示デバイスと
して、フレキシブルな構造の非発光型の表示デバイスが用いられるようになってきている
。このような非発光型の表示デバイスの一つとして、電気泳動現象を利用した電気泳動表
示装置がある。ここで、電気泳動現象とは、液体中（分散媒）に微粒子（電気泳動粒子）
を分散させた分散系に、電界を印加したときに微粒子がクーロン力により泳動する現象で
ある。
【０００３】
この電気泳動表示装置の駆動は、電気泳動粒子を挟んで対向する電極間の電位を薄膜ト
ランジスタの駆動によって変化させ、該電極間に電界を生じさせることにより行なわれる
。そして、電気泳動表示装置としてフレキシブル性が要求される用途にあっては、薄膜ト
ランジスタとしてもフレキシブル性を有する有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）が用い
られることが多い。
【０００４】
ところで、有機ＴＦＴは、環境雰囲気、とりわけ湿度に対して影響を受けやすいといっ
た問題点がある。例えば、有機トランジスタを湿度のある雰囲気中において動作させると
、図１５に示すように、当初のゲート電圧ＶＧとドレイン電流Ｉｄとの関係は（特性曲線
ａ）は、動作回数の累積に応じて閾値電圧Ｖｔｈが矢印ｆで示す方向にシフトした関係（
特性曲線ｂ）となることが知られている。
【０００５】
すなわち、湿度を有する環境雰囲気中で駆動される有機ＴＦＴは、有機ＴＦＴの駆動回
数の累積に応じて有機ＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈに変化を生じるようになり、その閾値電圧
Ｖｔｈの変化は電気泳動表示装置の表示性能を低下させるおそれがあった。
【０００６】
この閾値電圧Ｖｔｈのマイナスシフトに関してのメカニズムは、一般的にキャリア（チ
ャージ）トラップによる現象と説明されている。詳述すると、ｐ型有機半導体（有機半導
体層）におけるキャリア（ホール）の実態は、中性の状態からπ電子を１電子失われ、陽
イオン（カチオン）と不対電子（ラジカル）が存在するラジカルカチオンである。このラ
ジカルカチオンが、電界方向に対し、他の中性分子から電子を奪って新たなラジカルカチ
オンを生成して、自らは中性状態に戻ることを繰り返すことによって、キャリアとして機
能している。ところが、該有機半導体中に水分子（水分）が存在すると、ラジカルカチオ
ンと水分子でＣｈａｒｇｅ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ（弱い電荷相互作用）の状態になると考え
られている。そしてこの状態はエネルギー的に準安定的な状態であるため、中性の状態に
戻るにはより大きな活性化エネルギーが必要になる。そのため、＋電荷（チャージ）を保
持したまま固定化され、キャリアとして動作できない状態となっている。このためにソー
ス電極とドレイン電極の間を流れる電流量が減り、閾値電圧Ｖｔｈのマイナスシフトを引
き起こすと考えられる。
【０００７】
このように、使用によりマイナスシフトした閾値電圧Ｖｔｈは、有機ＴＦＴのゲート電
極とソース電極と間に通常の駆動電圧とは逆方向の電圧（逆バイアス電圧）を印加するこ
とにより使用前の閾値電圧Ｖｔｈに戻すことができることが知られている。発光素子を形
成する有機エレクトロルミネッセンスにおいては、使用に伴い生じた発光素子の特性劣化
を逆バイアス電圧の印加で改善及び長寿命化できることが知られており、発光素子へ逆バ
イアス電圧を印加する方法が提案されている（特許文献１）。特許文献１は、発光素子の
輝度を一定に保つために発光素子に流れる電流を、ＴＦＴに印加する電圧ではなく流れる
電流を制御して所定の値に保つとともに、発光素子の特性劣化を防ぐために一定期間毎に
電源線の電圧を発光素子に逆方向電圧を印加できるように変化させてから発光素子に逆バ
イアス電圧を印加することとした。
【特許文献１】特開２００３−２１６１０４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献１では、発光素子に逆バイアス電圧を印加するタイミングは、１スキ
ャン毎、１フレーム毎、もしくはそれには限られないとしているものの、そのタイミング
を決定するための基準は明確にされていなかった。また、発光素子に逆バイアス電圧を印
加する時間の長さも自由としているものの、これも逆バイアス電圧を印加する時間の長さ
を決定するための基準は明確にされていなかった。
【０００９】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、有機ＴＦＴの
特性変化の状態に応じて有機ＴＦＴに逆バイアス電圧の印加を行なうタイミング及び時間
を決める有機トランジスタの駆動方法、及び電気泳動表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の有機トランジスタの駆動方法は、基板上に形成した有機トランジスタの駆動方
法であって、有機トランジスタが予め定めた時間駆動するごとに、ゲート電極に、予め定
めた値の逆バイアス電圧を、予め定めた時間印加した。
【００１１】
本発明の有機トランジスタの駆動方法によれば、予め定めた時間駆動するごとに、ゲー
ト電極に、予め定めた値の逆バイアス電圧を、予め定めた時間印加した。従って、駆動に
よって閾値電圧が使用開始時の閾値電圧から変化する有機トランジスタにおいて、その変
化した閾値電圧を、ゲート電極とソース電極の間に逆バイアス電圧を印加することによっ
てほぼ使用開始時の閾値電圧まで回復させることができる。その結果、有機トランジスタ
の動作特性を好適に維持することができる。
【００１２】
本発明の有機トランジスタの駆動方法の１つの形態は、基板上に形成した有機トランジ
スタの駆動方法であって、有機トランジスタの駆動時間の累積が予め定めた第１の時間の
長さに達するごとに、ゲート電極に、予め定めた値の逆バイアス電圧を、予め定めた第２
の時間の長さの間印加することを特徴とする。
【００１３】
本発明の１つの形態として、前記第１の時間は、予め定めた前記有機トランジスタの駆
動回数で規定されるようにしてもよい。
この有機トランジスタの駆動方法によれば、前記有機トランジスタを駆動する回数が予
め定めた回数に達したとき、逆バイアス電圧を予め定めた時間印加することとなる。
【００１４】
この有機トランジスタの駆動方法によれば、有機トランジスタを駆動する回数が予め定
めた回数に達したときに逆バイアス電圧を印加する。従って、カウンタのような簡単な回
路構成を用いて、有機トランジスタの駆動に対して影響が生じないように、有機トランジ
スタに逆バイアス電圧を印加するタイミングを設定することができる。
【００１５】
この有機トランジスタの駆動方法は、前記有機トランジスタは、ゲート電極に印加され
た電圧がソース電極に印加された電圧よりも所定の値だけ低くなるとオン状態になる有機
トランジスタであって、前記逆バイアス電圧は、ゲート電極には前記有機トランジスタを
オン状態とする際にソース電極に印加する電圧を印加し、ソース電極には前記有機トラン
ジスタをオン状態とする際にゲート電極に印加する電圧を印加した電圧であるとよい。
【００１６】
この有機トランジスタの駆動方法によれば、逆バイアス電圧は、有機トランジスタをオ
ン状態にする際にゲート電極とソース電極に印加される電圧を、それぞれソース電極とゲ
ート電極に印加した電圧である。従って、有機トランジスタに逆バイアス電圧を印加する
際に、有機トランジスタに耐圧性が要求されず、また別途の電源や昇圧回路なども不要と
することができる。その結果、有機トランジスタに容易に逆バイアス電圧を印加すること
ができる。
【００１７】
本発明の１つの形態として、前記有機トランジスタは、前記ゲート電極に印加する電圧
が、前記ソース電極に印加する電圧よりも所定の値低くなるとオン状態となる有機トラン
ジスタであり、前記逆バイアス電圧の与え方は、前記有機トランジスタがオフ状態となる
第１の電圧を前記ゲート電極に印加しているときに、前記第１の電圧より前記所定の値低
い第２の電圧を前記ソース電極に印加することで行うようにしてもよい。
【００１８】
この有機トランジスタの駆動方法は、前記有機トランジスタは、ゲート電極に印加され
た電圧がソース電極に印加された電圧よりも所定の値だけ低くなるとオン状態になり、そ
れ以外ではオフ状態である有機トランジスタであって、前記逆バイアス電圧は、有機トラ
ンジスタをオフ状態のまま、ゲート電極の電圧をソース電極に印加されている電圧よりも
所定の値だけ高い電圧にして印加する電圧であってもよい。
【００１９】
この有機トランジスタの駆動方法によれば、有機トランジスタに印加される逆バイアス
電圧はソース電極に印加される電圧より所定の値だけ高い電圧である。従って、有機トラ
ンジスタをロジック回路などに用いた場合であっても、ロジックをリセットすることなく
、有機トランジスタに逆バイアス電圧を印加することができる。
【００２０】
本発明の１つの形態として、前記有機トランジスタは、前記ゲート電極に印加する電圧
が、前記ソース電極に印加する電圧よりも所定の値低くなるとオン状態となる有機トラン
ジスタであり、前記逆バイアス電圧の与え方は、前記有機トランジスタがオフ状態となる
第３の電圧より前記所定の値高い第４の電圧を前記ゲート電圧に印加することで行うよう
にしてもよい。
【００２１】
さらに、本発明の１つの形態として、前記有機トランジスタは、前記ゲート電極に印加
する電圧が、前記ソース電極に印加する電圧よりも所定の値高くなるとオン状態となる有
機トランジスタであり、前記逆バイアス電圧の与え方は、前記有機トランジスタがオフ状
態となる第５の電圧を前記ゲート電極に印加しているときに、前記第５の電圧より前記所
定の値高い第６の電圧を前記ソース電極に印加することで行うようにしてもよい。
【００２２】
また、本発明の１つの形態として、前記有機トランジスタは、前記ゲート電極に印加す
る電圧が、前記ソース電極に印加する電圧よりも所定の値高くなるとオン状態となる有機
トランジスタであり、前記逆バイアス電圧の与え方は、前記有機トランジスタがオフ状態
となる第７の電圧より前記所定の値低い第８の電圧を前記ゲート電圧に印加することで行
うようにしてもよい。
【００２３】
この有機トランジスタの駆動方法は、上記基板は可撓性を有する基板であってもよい。
この有機トランジスタの駆動方法によれば、有機トランジスタが形成された基板は可撓
性を有する。従って、この有機トランジスタの駆動方法は、可撓性が求められる表示装置
、例えば、電子ペーパなどの機器にも用いることができる。
【００２４】
本発明の電気泳動表示装置は、前記対向基板と対向して有機トランジスタから電圧を供
給される画素電極を有する素子基板と、前記共通電極と前記素子基板の間に備えられた分
散系と、前記共通電極と前記画素電極が作る電界に基づいて前記分散系を泳動する電子泳
動粒子とを備え、前記有機トランジスタは、上記に記載の有機トランジスタの駆動方法に
よって駆動されることを特徴とする。
【００２５】
本発明の電気泳動表示装置によれば、有機トランジスタは、予め定めた時間駆動するご
とに、ゲート電極に、予め定めた値の逆バイアス電圧を、予め定めた時間印加された。従
って、有機トランジスタの閾値電圧を所定時間ごとに使用開始時の閾値電圧まで回復して
、有機トランジスタの動作特性を好適に維持する。その結果、有機トランジスタを用いた
電気泳動表示装置の表示性能の劣化を防いで好適な画像などの表示を維持することができ
る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
（第１の実施形態）
以下、本発明にかかる有機トランジスタの駆動方法及び電気泳動表示装置を具体化した
第１の実施形態を図面に従って説明する。
【００２７】
図１は、電気泳動表示装置の全体の平面図を示すものである。
図１に示すように、電気泳動表示装置（表示装置）１０は、封止材３０にて封止された
表示パネル１１を有している。表示パネル１１は、電気泳動現象を利用して所定のパター
ンを表示する表示パネルである。表示パネル１１の左側には、表示パネル１１と外部電源
や制御装置等とを接続して電気や信号等を授受するためのフレキシブルプリント配線板(
ＦＰＣ)２１が接続されている。そして、表示パネル１１は、ＦＰＣ２１の一部を含めて
、外部の雰囲気から隔離する封止材３０によって、外面全体が覆われた構成になっている
。
【００２８】
ここで、まずは上記表示パネル１１についてその具体的な構成を説明する。
図２は、表示パネル１１の平面構造を示す平面図である。
図２において、表示パネル１１は、素子基板１２と対向基板１３を有し、その素子基板
１２と対向基板１３との間には、図３に示すように、電気泳動表示層１４が配置されてい
る。
【００２９】
図３に示すように、素子基板１２は、可撓性を有する背面基板１５を備え、その一面（
図３における上面）には、形成層１６が形成されている。背面基板１５は、可撓性、弾性
等に優れた熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂材料、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リカーボネート、ポリイミド、ポリエチレン等により形成されている。また、形成層１６
には、複数の導電層、絶縁層が形成されており、例えば、有機トランジスタＴｒ、画素電
極、各種の配線が形成されている。なお、本実施形態では、ｐ型チャンネルの有機トラン
ジスタＴｒについて説明するが、有機トランジスタの構成は、ｎ型チャンネルやその他の
形式の有機トランジスタであってもよい。
【００３０】
有機トランジスタＴｒは、図４に示すように、背面基板１５の上面にソース電極４２及
びドレイン電極４３がそれぞれ形成されていて、それら電極４２，４３の間には、有機半
導体層４４が形成されている。そして、ソース電極４２，ドレイン電極４３、有機半導体
層４４の全てを覆うように絶縁層４５（形成層１６）が形成され、その上部であって有機
半導体層４４に対応する位置にゲート電極４６が形成されることで構成されている。この
とき、各電極４２，４３，４６は、いずれも導電性のある材料、例えば、金、銅もしくは
アルミニウム等の金属、インジウムスズ酸化物等、又は、ポリアニリン等の電子導電性高
分子等により形成されている。一方、絶縁層４５は絶縁性のある材料、例えば、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアル
コール、ポリビニルアセテート等のうちの１種の材料、又はこれらを２種以上組み合わせ
た材料から形成されている。また、有機半導体層４４は、例えば、ペンタセン、アリール
アミン、P３ＨＴ、ＰＱＴ、Ｆ８Ｔ２、ＤＰｈ−ＢＴＢＴ等により形成されている。
【００３１】
対向基板１３は、これも可撓性を有する透明基板１７を備え、その一面（図３における
下面）には、共通電極１８が形成されている。透明基板１７は、透明性、可撓性等に優れ
た熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂材料、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカー
ボネート、ポリイミド、ポリエチレン等により形成されている。共通電極１８は、透明性
を有する導電性の材料、例えば、インジウムスズ酸化物等、もしくはポリアニリン等の電
子導電性高分子等により形成されている。
【００３２】
電気泳動表示層１４は、バインダ１９によって一体化された多数のマイクロカプセル２
０によって構成されている。マイクロカプセル２０には、図３に示すように、分散系とし
ての電気泳動分散媒３４と、電気泳動粒子３５とが封入されている。電気泳動粒子３５は
、正あるいは負に帯電した白色粒子３５ｗ、及び、その白色粒子３５ｗとは異なる極性に
帯電した黒色粒子３５ｂとからなり、それぞれマイクロカプセル２０に印加された電界の
向きに応じて電気泳動分散媒３４中を泳動する。
【００３３】
マイクロカプセル２０は、例えば、アラビアゴム・ゼラチン系化合物、ウレタン系化合
物等により形成されている。電気泳動分散媒３４は、例えば、水、メタノール、エタノー
ル等からなる。また、電気泳動粒子３５は、例えば、アニリンブラック、カーボンブラッ
ク、二酸化チタン等により形成されている。
【００３４】
そして、表示パネル１１の外面全体は、図１に示すように、封止材３０によって覆われ
ている。封止材３０は、フィルム状の材料からなり、例えば外側に配置される高分子樹脂
フィルム層と、その内側に配置される無機材料バリア層とにより構成され、外部から表示
パネル１１への水分の侵入を防ぐようになっている。高分子樹脂フィルム層は、例えば、
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−ビニルアルコ
ール共重合体樹脂、液晶ポリマーフィルム等からなる。無機材料バリア層は、例えば、層
状ケイ酸塩（酸化珪素）、窒化珪素、酸化アルミニウム、インジウムスズ酸化物、フッ素
ドープ酸化スズ化合物等よりなる。また、裏面に用いる封止材としては上記と同一材料に
よって同一構成に形成することができるとともに、透明性を必要とはされないことから、
材料として金属材料、例えば、銅箔やアルミニウム等や、金属コーティングされた樹脂製
フィルム等も用いることができる。
【００３５】
一方、素子基板１２は、アクティブマトリクス方式の基板として構成されている。図２
に示すように、素子基板１２の上面には、ＦＰＣ２１が電気的に接続されるとともに、Ｆ
ＰＣ２１を通じて授受される信号等に基づいてそれぞれ所定の信号等を生成する制御回路
２２、走査線駆動回路２３、及びデータ線駆動回路２４が設けられている。
【００３６】
素子基板１２の上面、つまり形成層１６には、図２において横方向略全幅にわたって延
びる複数の走査線Ｌｙが配列形成されている。各走査線Ｌｙは、それぞれ素子基板１２の
一側に配設される走査線駆動回路２３に電気的に接続されている。
【００３７】
形成層１６には、図２において縦方向略全幅にわたって延びる複数のデータ線Ｌｘが配
列形成されている。各データ線Ｌｘは、それぞれ素子基板１２の図２において上側に配設
されるデータ線駆動回路２４に電気的に接続されている。形成層１６にあって、走査線Ｌ
ｙとデータ線Ｌｘの交差する位置には、対応する走査線Ｌｙ及びデータ線Ｌｘに接続され
てマトリックス状に配列される複数の画素２６が形成されている。そして、各画素２６に
は、それぞれ有機トランジスタＴｒなどの制御素子や、透明導電膜などからなる光透過性
の画素電極２７が備えられている。
【００３８】
次に、図２及び図５、図６を参照して表示パネル１１の電気的構成ついて説明する。
図５は、素子基板１２上に形成されたアクティブマトリクス方式の回路を示した回路図
である。
【００３９】
図２における各データ線Ｌｘは、詳しくは、図５に示す、ｍ本のデータ線Ｌｘ１，Ｌｘ
２，…，Ｌｘｍ（ｍは自然数）のそれぞれに対応していると共に、同じく図２における各
走査線Ｌｙは、図５に示す、ｎ本の走査線Ｌｙ１，Ｌｙ２，…，Ｌｙｎ（ｎは自然数）に
それぞれ対応している。
【００４０】
つまり、各データ線Ｌｘ１〜Ｌｘｍがデータ線駆動回路２４と電気的に接続され、各走
査線Ｌｙ１〜Ｌｙｎが走査線駆動回路２３に電気的に接続されている。そして各データ線
Ｌｘ１〜Ｌｘｍと各走査線Ｌｙ１〜Ｌｙｎとの交差した位置に形成された各画素２６は、
対応するデータ線Ｌｘ１〜Ｌｘｍと、対応する走査線Ｌｙ１〜Ｌｙｎとにそれぞれ接続さ
れている。
【００４１】
図６は、ｍ番目のデータ線Ｌｘｍとｎ番目の走査線Ｌｙｎとの交差部にそれぞれ対応し
て形成された画素２６の画素回路である。画素２６は、１個の有機トランジスタＴｒと画
素電極２７に対応した広さの電気泳動表示層１４とから構成されている。
【００４２】
有機トランジスタＴｒは、そのゲート電極４６がｎ番目の走査線Ｌｙｎに接続されてい
る。有機トランジスタＴｒのソース電極４２はｍ番目のデータ線Ｌｘｍに接続されている
。また、有機トランジスタＴｒのドレイン電極４３は、画素電極２７に接続されている。
画素電極２７に対向する位置には電気泳動表示層１４を介して共通電極１８が形成されて
いる。共通電極１８は、共通端子ＣＯＭに接続されている。
【００４３】
走査線駆動回路２３は、ＦＰＣ２１を介して伝達される垂直同期信号に基づいて、素子
基板１２に設けられた前記ｎ本の走査線Ｌｙｎのうち、１本の走査線を、本実施形態では
画面の上段から下段に向かってＬｙ１，Ｌｙ２，…，Ｌｙｎ−１，Ｌｙｎの順に選択する
。そして、走査線駆動回路２３は、その選択された走査線に対応する走査信号ＳＣ１〜Ｓ
Ｃｎ（ｎは自然数）を出力する。そして、これら走査信号ＳＣ１〜ＳＣｎによって、デー
タ線駆動回路２４から出力されるデータ信号ＶＤ１〜ＶＤｍを、選択された走査線上の画
素２６に対して供給するタイミングが制御される。
【００４４】
データ線駆動回路２４は、表示データに対応したデータ信号ＶＤ１〜ＶＤｍを作成する
。そして、走査線駆動回路２３から順番に出力される前記走査信号ＳＣ１〜ＳＣｎによっ
て選択された走査線Ｌｙ１〜Ｌｙｎ上の各画素２６においては、その有機トランジスタＴ
ｒがそれぞれオン状態に設定される。このことによって、データ線駆動回路２４からデー
タ線Ｌｘ１〜Ｌｘｍを介してそれぞれの画素２６に出力されたデータ信号ＶＤ１〜ＶＤｍ
が前記有機トランジスタＴｒを介して画素電極２７に供給される。つまり、電気泳動表示
層１４を介して対向する画素電極２７と共通電極１８の間には、各データ信号ＶＤ１〜Ｖ
Ｄｍの電圧に基づいた電界が生じる。そして、画素電極２７と共通電極１８との間に生じ
た電界に基づいて、電気泳動粒子３５としての白色粒子３５ｗ及び黒色粒子３５ｂがそれ
ぞれの帯電に対応する電位を有する画素電極２７もしくは共通電極１８のいずれかの方向
に移動して、表示パネル１１の表面に白色もしくは黒色を基本とした画像等を表示させる
ようになっている。
【００４５】
制御回路２２は、走査線駆動回路２３とデータ線駆動回路２４と電気的に接続されてい
る。制御回路２２は、走査線駆動回路２３に走査線タイミング信号ＳＣを、データ線駆動
回路２４にデータタイミング信号ＶＤを出力して表示パネル１１に画像を表示させる。
【００４６】
また、制御回路２２は、各画素２６の形成された有機トランジスタＴｒの閾値電圧Ｖｔ
ｈを元の閾値電圧Ｖｔｈに戻すため、所定の時間経過するごとに、有機トランジスタＴｒ
に逆バイアス電圧を印加するようになっている。具体的には、所定の時間が経過すると、
制御回路２２は、走査線駆動回路２３とデータ線駆動回路２４を制御して、有機トランジ
スタＴｒのゲート電極４６の電位がソース電極４２の電位よりも高くなるように、いわゆ
る逆バイアス電圧を印加させるようになっている。
【００４７】
詳述すると、図７に示すように、有機トランジスタＴｒが使用開始時Ｔ０から使用され
続け予め定めた第１の時間としての基準累積駆動時間ｔａを経過した基準時Ｔ１になると
、基準時Ｔ１の閾値電圧Ｖｔｈは、使用開始時Ｔ０に比べて低い値になることが知られて
いる。すなわち、駆動により閾値電圧Ｖｔｈがマイナスシフトすることを示している。
【００４８】
そこで、有機トランジスタＴｒのゲート電極４６とソース電極４２との間に、基準時Ｔ
１が経過したとき、予め定めた第２の時間としての逆バイアス印加時間ｔｂの間だけ逆バ
イアス電圧を印加させると、閾値電圧Ｖｔｈが、図７に示すように、プラスシフトをして
、ほぼ、使用開始時Ｔ０の閾値電圧Ｖｔｈにまで回復する。
【００４９】
そして、この逆バイアス印加時間ｔｂは、基準累積駆動時間ｔａよりも短くてよく、逆
バイアス印加時間ｔｂは、基準累積駆動時間ｔａの１０分の１以下でよいことが実験より
わかっている。例えば、有機トランジスタＴｒを１００分（＝ｔａ）間駆動した場合に、
その駆動によりマイナスシフトした閾値電圧Ｖｔｈは、およそ１０分（＝ｔｂ）間の逆バ
イアス電圧が印加されれば、使用開始時Ｔ０の閾値電圧Ｖｔｈに回復する。
【００５０】
そして、本実施形態では、基準累積駆動時間ｔａと逆バイアス印加時間ｔｂの関係及び
有機トランジスタＴｒに印加する逆バイアス電圧について、好適な値を実験で求めている
。制御回路２２は、その求めた基準累積駆動時間ｔａが経過すると、有機トランジスタＴ
ｒに対して求めた逆バイアス印加時間ｔｂの間同じく求めた逆バイアス電圧を印加するよ
うに制御する。
【００５１】
次に、上記のように構成した表示装置１０の動作について説明する。
図８は、上記構成により形成されたアクティブマトリクス回路にて有機トランジスタＴ
ｒに逆バイアス電圧を印加する場合のタイムチャートを示す。
【００５２】
図８に示すように、各走査線Ｌｙ１〜Ｌｙｎはそれぞれ一定の間隔で順次選択され、順
次その電圧レベルが第１及び３の電圧としてのＨレベル（本実施形態では駆動電圧）から
第２の電圧としてのＬレベル（本実施形態では「０」）へ変化する。そして選択された際
に、各データ線Ｌｘに与えたれていたデータ信号ＶＤ１〜ＶＤｍに基づいて電気泳動粒子
３５が泳動させられる。
【００５３】
つまり、表示装置１０は、通常の画像を表示する。この時、制御回路２２は、内蔵した
タイマにて使用開始時Ｔ０から計時している時間が基準累積駆動時間ｔａに到達したか否
かを判断している。
【００５４】
そして、使用開始時Ｔ０から基準累積駆動時間ｔａが経過すると、直ちに、又は、表示
動作中には、１スキャンが終了したタイミングｔｍにおいて、制御回路２２は、逆バイア
ス電圧の印加を開始する。すなわち、制御回路２２は、走査線駆動回路２３とデータ線駆
動回路２４を通じて、全ての走査線Ｌｙ１〜Ｌｙｎの電位をＨレベルにして、一方、デー
タ線Ｌｘ１〜Ｌｘｍの電位をＬレベルにし、かつ共通端子ＣＯＭのインピーダンスを高く
する。
【００５５】
そして、タイミングｔｍから所定の逆バイアス印加時間ｔｂ、有機トランジスタＴｒに
対して逆バイアス電圧を印加する。このときの逆バイアス電圧は、本実施形態では駆動電
圧としている。これにより、基準累積駆動時間ｔａの間の駆動によりマイナスシフトした
閾値電圧Ｖｔｈを使用開始時Ｔ０の閾値電圧Ｖｔｈに回復させることができる。制御回路
２２は、逆バイアス電圧を逆バイアス印加時間ｔｂだけ印加した後に、内蔵したタイマを
リセットする。そして、再びタイマにて有機トランジスタＴｒの駆動時間を計時して、そ
の計時している時間が基準累積駆動時間ｔａに到達すると逆バイアス印加時間ｔｂだけ逆
バイアス電圧を印加して閾値電圧Ｖｔｈを使用開始時Ｔ０の閾値電圧Ｖｔｈに回復する動
作を繰り返すようになっている。
【００５６】
その結果、有機トランジスタＴｒは、駆動時間に基づく閾値電圧Ｖｔｈのマイナスシフ
トが回復されて、表示特性の優れた電気泳動表示装置１０が提供できる。
以上説明したように、本実施形態にかかる有機トランジスタの駆動方法、及び電気泳動
表示装置によれば、以下に列記するような効果が得られるようになる。
【００５７】
（１）上記実施形態によれば、有機トランジスタＴｒには、基準累積駆動時間ｔａ駆動
するごとに、ゲート電極４６に逆バイアス印加時間ｔｂの間逆バイアス電圧を印加した。
従って、駆動によって閾値電圧Ｖｔｈが使用開始時Ｔ０の閾値電圧Ｖｔｈから変化する有
機トランジスタＴｒにおいて、その変化した閾値電圧Ｖｔｈを、ゲート電極４６とソース
電極４２の間に逆バイアス電圧を印加して使用開始時Ｔ０の閾値電圧Ｖｔｈまで回復させ
ることができる。その結果、有機トランジスタＴｒの動作特性を好適に維持することがで
きる。
【００５８】
（２）上記実施形態によれば、素子基板１２はもとより、対向基板１３、封止材３０と
も可撓性を有したので、可撓性が求められる表示装置１０、例えば、電子ペーパなどの機
器にも用いることができる。
【００５９】
（３）上記実施形態によれば、逆バイアス印加時間ｔｂは、基準累積駆動時間ｔａの１
０分の１以下とした。従って、有機トランジスタＴｒの駆動に対して影響が生じないよう
に、有機トランジスタＴｒに逆バイアス電圧を印加するタイミングｔｍを設定することが
できる。
【００６０】
（４）上記実施形態によれば、逆バイアス電圧は、Ｈレベルとしたので、有機トランジ
スタＴｒに逆バイアス電圧を印加する際に、有機トランジスタＴｒに耐圧性が要求されず
、また別途の電源や昇圧回路なども不要とすることができる。
【００６１】
（５）上記実施形態によれば、表示パネル１１は、封止材３０によって封止されたので
、有機トランジスタＴｒは、外部の雰囲気の影響によって閾値電圧Ｖｔｈが変化すること
を抑制された。従って、閾値電圧Ｖｔｈの変化が小さくなり、有機トランジスタＴｒに印
加する逆バイアス電圧やその逆バイアス印加時間ｔｂを小さな値に設定することができる
。
【００６２】
（６）上記実施形態によれば、電気泳動表示装置１０の有機トランジスタＴｒを好適に
駆動した。その結果、有機トランジスタＴｒを用いた電気泳動表示装置１０の表示性能の
劣化を防いで好適な画像などの表示を維持することができる。
【００６３】
（第２の実施形態）
図９は、有機トランジスタＴｒによって形成されたインバータロジック回路を示す図で
ある。
【００６４】
有機トランジスタＴｒについては、上記第１の実施形態で説明したものと同様のｐ型有
機トランジスタであるので、同様の符号を付して詳しい説明は省略する。
図９に示すように、有機トランジスタＴｒ１は、ゲート電極４６には入力電圧Ｖｉｎが
印加され、ソース電極４２には電源電圧Ｖｓｓが印加され、ドレイン電極４３は、出力電
圧Ｖｏｕｔを出力するとともに、抵抗Ｒ１を介して接地ＧＮＤされている。
【００６５】
このような構成のインバータロジック回路は、Ｈレベルの入力電圧Ｖｉｎがゲート電極
４６に印加されると、有機トランジスタＴｒはオフして出力電圧ＶｏｕｔがＬレベルに、
逆にＬレベルの入力電圧Ｖｉｎがゲート電極４６に印加されると、有機トランジスタＴｒ
はオンして出力電圧ＶｏｕｔがＨレベルになるようになっている。
【００６６】
ここでも、有機トランジスタＴｒの閾値電圧Ｖｔｈは、駆動に伴ってマイナスシフトす
る。そこで、図１０に示すように、第１の時間としての基準累積駆動時間ｔａだけ駆動し
た後のタイミングｔｎにて、ゲート電極４６の電圧を第１及び３の電圧としてのＨレベル
、ソース電極４２の電圧を第２の電圧としてのＬレベルにする。そして、基準累積駆動時
間ｔａのおよそ１０分の１の第２の時間としての逆バイアス印加時間ｔｂ、有機トランジ
スタＴｒに逆バイアス電圧を印加する。その結果、有機トランジスタＴｒは、駆動時間に
基づく閾値電圧Ｖｔｈのマイナスシフトが回復されて、好適に駆動される。
【００６７】
もしくは、図１１に示すように、基準累積駆動時間ｔａだけ駆動した後のタイミングｔ
ｎにて、ゲート電極４６の電圧を第４の電圧としてのＨレベル＋１０Ｖ、ソース電極４２
の電圧をＨレベルに維持したまま、基準累積駆動時間ｔａのおよそ１０分の１の逆バイア
ス印加時間ｔｂ、有機トランジスタＴｒに逆バイアス電圧を印加することもできる。この
場合は、有機トランジスタＴｒに耐圧性が求められるが、ロジックがリセットされること
が無い点が優れている。この方法であっても、有機トランジスタＴｒは、駆動時間に基づ
く閾値電圧Ｖｔｈのマイナスシフトが回復されて、好適に駆動される。
【００６８】
以上説明したように、本実施形態にかかる有機トランジスタの駆動方法、及び電気泳動
表示装置によれば、第１の実施形態に加えて以下に列記するような効果が得られるように
なる。
【００６９】
（７）上記実施形態によれば、有機トランジスタＴｒには、逆バイアス電圧をＨレベル
よりも１０Ｖ高い電圧とした。従って、有機トランジスタＴｒのロジックをリセットする
ことなく、有機トランジスタＴｒに逆バイアス電圧を印加することができる。
【００７０】
（第３の実施形態）
図１２は、有機トランジスタＴｒ用い有機ＥＬ素子を発光させる回路図を示す図である
。この実施形態は、例えば、有機ＥＬ素子による表示装置の一回路を示したものである。
【００７１】
ここでも、有機トランジスタＴｒについては、上記第１の実施形態で説明したものと同
様のｐ型有機トランジスタであるので、同様の符号を付して詳しい説明は省略する。
図１２に示すように、有機トランジスタＴｒ２は、ゲート電極４６には走査線Ｌｙから
電圧が印加され、ソース電極４２にはデータ線Ｌｘから電圧が印加される。そして、ドレ
イン電極４３には、容量Ｃ２と、有機ＥＬ素子Ｄ２とが接続されていて、それぞれが接地
ＧＮＤされている。
【００７２】
このような構成の回路は、走査線ＬｙからＨレベルの電圧がゲート電極４６に印加され
ると、有機トランジスタＴｒはオフしてドレイン電極４３の電圧がＬレベルになり、有機
ＥＬ素子Ｄ２は消灯する。一方、逆に走査線ＬｙからＬレベルの電圧がゲート電極４６に
印加されると、有機トランジスタＴｒはオンしてドレイン電極４３の電圧がＨレベルにな
り、有機ＥＬ素子Ｄ２が発光するようになっている。そして、このような複数の回路が集
まることで表示装置を構成している。
【００７３】
ここでも、有機トランジスタＴｒの閾値電圧Ｖｔｈは、駆動に伴ってマイナスシフトす
る。そこで、図１３に示すように、第１の時間としての基準累積駆動時間ｔａだけ駆動し
た後のタイミングｔｎにて、ゲート電極４６の電圧を第１及び３の電圧としてのＨレベル
、ソース電極４２の電圧を第２の電圧としてのＬレベルにする。そして、基準累積駆動時
間ｔａのおよそ１０分の１の第２の時間としての逆バイアス印加時間ｔｂ、有機トランジ
スタＴｒに逆バイアス電圧を印加する。その結果、有機トランジスタＴｒは、駆動時間に
基づく閾値電圧Ｖｔｈのマイナスシフトが回復されて、好適に駆動される。
【００７４】
もしくは、図１４に示すように、基準累積駆動時間ｔａだけ駆動した後のタイミングｔ
ｎにて、ゲート電極４６の電圧を第４の電圧としてのＨレベル＋１０Ｖにして、ソース電
極４２の電圧をＨレベルに維持したまま、基準累積駆動時ｔａのおよそ１０分の１の逆バ
イアス印加時間ｔｂ、有機トランジスタＴｒに逆バイアス電圧を印加することもできる。
この場合は、有機トランジスタＴｒに耐圧性が求められるが、ロジックがリセットされる
ことが無い点が優れている。この方法であっても、有機トランジスタＴｒは、駆動時間に
基づく閾値電圧Ｖｔｈのマイナスシフトが回復されて、好適に駆動される。
【００７５】
以上説明したように、本実施形態にかかる有機トランジスタの駆動方法、及び電気泳動
表示装置によれば、第１及び第２の実施形態に加えて以下に列記するような効果が得られ
るようになる。
【００７６】
（８）上記実施形態によれば、有機トランジスタＴｒを、有機ＥＬ素子の駆動に用いる
ことができた。従って、この有機トランジスタＴｒの駆動方法は、電気泳動表示装置に限
らず、有機ＥＬ素子を用いた表示装置にも用いることができる。
【００７７】
（その他の実施形態）
なお、上記実施形態は、例えば以下のような態様にて実施することもできる。
・第１の実施形態では、有機トランジスタＴｒには、基準累積駆動時間ｔａの経過後に
逆バイアス電圧を印加した。このとき、基準累積駆動時間ｔａは、走査線Ｌｙ１から走査
線Ｌｙｎまでを走査する１スキャンの長さでもよい。この場合、例えば、１スキャンが１
秒であるならば、逆バイアス印加時間ｔｂは１０分の１秒以下とすることができて、逆バ
イアス印加時間ｔｂが、画像の更新タイミングに影響を与えるおそれを少なくすることが
できる。
【００７８】
・第１の実施形態では、表示装置１０は、封止材３０にて封止された。しかし、これに
限らず、表示装置１０は、封止材３０にて封止されていなくても、又は、雰囲気から十分
には隔離できないような封止でもよい。有機トランジスタＴｒは、通常の雰囲気に放置し
ただけでは劣化がおこりづらいので、本発明の有機トランジスタの駆動方法を用いれば、
雰囲気中でも好適に駆動させることができるとともに、表示装置１０の構造を容易にする
ことができる。
【００７９】
・第２及び第３の実施形態では、Ｈレベルを４０Ｖ、Ｌレベルを０Ｖとした。しかし、
これに限らず、ＨレベルやＬレベルの電圧は、有機トランジスタＴｒの特性に合わせたも
のであればどのような電圧でもよい。また、Ｈレベルのさらにプラスする電圧を＋１０Ｖ
としたが、この電圧も有機トランジスタＴｒの特性に合わせた値でよい。
【００８０】
・第１の実施形態では、表示装置１０を構成する背面基板１５、透明基板１７及び封止
材３０などは可撓性を有した。しかしこれに限らず、少なくとも一部の材料が可撓性を有
しなくてもよい。
【００８１】
・上記実施形態では、基準累積駆動時間ｔａと逆バイアス印加時間ｔｂの関係を１０対
１以下としたが、基準累積駆動時間ｔａと逆バイアス印加時間ｔｂの関係は定量的であれ
ばこれに限られない。
【００８２】
・上記実施形態では、有機トランジスタＴｒをｐ型チャンネルとした。しかし、これに
限らず、ｎ型チャンネル等の有機トランジスタであってもよい。例えば、ｎ型チャンネル
の有機トランジスタには、ゲート電極に有機トランジスタをオフ状態にする第５及び７の
電圧としてのＬレベルの電圧を印加して、ソース電極に第６の電圧としてのＨレベルの電
圧を印加することで、ゲート電極に逆バイアス電圧を印加することができるようになる。
もしくは、ソース電極にＬレベルの電圧を印加して、ゲート電極に第８の電圧としてのＬ
レベル−１０Ｖの電圧を印加することでも、ゲート電極に逆バイアス電圧を印加すること
ができるようになる。
【００８３】
・上記実施形態では、逆バイアス電圧は、有機トランジスタＴｒを駆動した時間が基準
累積駆動時間ｔａを経過すると印加されるようにした。しかし、これに限らず、逆バイア
ス電圧は、有機トランジスタＴｒを駆動した回数が所定の回数を超えたことにより印加さ
れてもよい。このとき有機トランジスタＴｒの回数として、例えば、１スキャンを１回と
カウントする方法を用いてもよい。
【００８４】
・上記実施形態では、有機トランジスタＴｒの閾値電圧Ｖｔｈは、図７に示すような変
化を生じた。しかし、有機トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈは、図７に示されるような特性
に限られない。つまり、図７とは数値が異なる有機トランジスタでも、閾値電圧Ｖｔｈに
生じるマイナスシフトと累積駆動時間、及び回復させるため逆バイアス時間の関係が定量
的に求められればよい。
【００８５】
・上記実施形態では、有機トランジスタＴｒの駆動方法を、電子ペーパなどの電気泳動
表示装置１０や有機ＥＬ素子を用いた表示装置に用いた。しかし、これに限らず、その他
の表示装置にも用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明にかかる電気泳動粒子を備えた表示装置の第１の実施形態についてその全体の平面図。
【図２】同実施形態の表示パネルの平面構造を示す平面図。
【図３】同実施形態の表示パネルの断面構造を示す図２のＡ−Ａ線断面図。
【図４】同実施形態の有機トランジスタの断面構造を示す断面図。
【図５】同実施形態の素子基板の回路構成を示す回路図。
【図６】同実施形態の画素部分の等価回路を示す回路図。
【図７】同実施形態の有機トランジスタを駆動した場合の閾値電圧の変化と、逆バイアスを印加した場合の閾値電圧の変化を示すグラフ。
【図８】同実施形態の有機トランジスタを用いた表示装置において逆バイアス電圧を印加するタイミングを説明するタイムチャート。
【図９】本発明にかかる有機トランジスタを備えたロジック回路について第２の実施形態を示す回路図。
【図１０】同第２の実施形態の逆バイアス電圧を印加するタイミングの一例を説明するタイムチャート。
【図１１】同第２の実施形態の逆バイアス電圧を印加するタイミングのその他の例を説明するタイムチャート。
【図１２】本発明にかかる有機トランジスタを備えた有機ＥＬ素子を示す第３の実施形態について示す回路図。
【図１３】同第３の実施形態の逆バイアス電圧を印加するタイミングの一例を説明するタイムチャート。
【図１４】同第３の実施形態の逆バイアス電圧を印加するタイミングのその他の例を説明するタイムチャート。
【図１５】有機トランジスタの閾値電圧のシフトを示すグラフ。
【符号の説明】
【００８７】
ＣＯＭ…共通端子、Ｌｘ，Ｌｘ１〜Ｌｘｍ…データ線、Ｌｙ，Ｌｙ１〜Ｌｙｎ…走査線
、Ｔ０…使用開始時、Ｔ１…基準時、ｔａ…基準累積駆動時間、ｔｂ…逆バイアス印加時
間、ｔｎ，ｔｍ…タイミング、Ｔｒ，Ｔｒ１，Ｔｒ２…有機トランジスタ、Ｖｔｈ…閾値
電圧、ＶＤ１〜ＶＤｍ…データ信号、１０…電気泳動表示装置、１１…表示パネル、１２
…素子基板、１３…対向基板、１４…電気泳動表示層、１５…背面基板、１６…形成層、
１７…透明基板、１８…共通電極、１９…バインダ、２０…マイクロカプセル、２１…Ｆ
ＰＣ（フレキシブルプリント配線板）、２２…制御回路、２３…走査線駆動回路、２４…
データ線駆動回路、２６…画素、２７…画素電極、３０…封止材、３４…電気泳動分散媒
、３５…電気泳動粒子、３５ｂ…黒色粒子、３５ｗ…白色粒子、４２…ソース電極、４３
…ドレイン電極、４４…有機半導体層、４５…絶縁層、４６…ゲート電極。
【図１】
2008242388.tif 000003
【図２】
2008242388.tif 000004
【図３】
2008242388.tif 000005
【図４】
2008242388.tif 000006
【図５】
2008242388.tif 000007
【図６】
2008242388.tif 000008
【図７】
2008242388.tif 000009
【図８】
2008242388.tif 000010
【図９】
2008242388.tif 000011
【図１０】
2008242388.tif 000012
【図１１】
2008242388.tif 000013
【図１２】
2008242388.tif 000014
【図１３】
2008242388.tif 000015
【図１４】
2008242388.tif 000016
【図１５】
2008242388.tif 000017