(57)【要約】【課題】高精細な電極が正確且つ簡便に配線される配線基板の製造方法、およびその配線基板製造方法に用いられるマスクを提供すること。【解決手段】エッチングガス２６が付与される間、磁性体で構成される閉塞部２４は磁力により撥水層１８側へ強く引きつけられ、撥水層１８と閉塞部１９とが強く密着する。よって、撥水層１８と閉塞部２４との間へのエッチングガス２６の回り込みが抑制され、閉塞部２４に密着する撥水層１８の分解が確実に抑制される。一方で、撥水層１８に対して離隔して配置される網状支持体２２は非磁性体で構成されるので、網状支持体２２は磁力の影響を受けず、撥水層１８側に垂れることが抑制される。そして、塗布される電極材料２８は親水性であるので、撥水層１８が残存した領域には滲まない。よって、高精細な電極であっても、正確且つ簡便に配線することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の電極配線面に成膜された撥水層のうち、電極を配線すべき領域の撥水層を分解し、露出された電極配線面に電極を配線する配線基板の製造方法であって、
複数の貫通孔を有する網状支持体と、前記撥水層を残存させるべき領域において前記網状支持体の貫通孔を閉塞する閉塞部とを備えるマスクを、前記網状支持体と前記撥水層とを離隔させ且つ前記閉塞部と前記撥水層とを接触させた状態で配置するマスク工程と、
前記撥水層を分解する気体を前記マスク側から前記撥水層へ付与して撥水層を分解する撥水層分解工程と、
前記撥水層が分解されることにより露出した電極配線面に親水性の電極材料を塗布することにより、電極を配線する電極配線工程とを有し、
前記マスクの網状支持体は非磁性体で構成される一方、前記マスクの閉塞部は磁性体で構成され、
前記撥水層分解工程は、前記撥水層に対して基板の裏面側に磁石を配置した状態で、前記気体を前記撥水層へ付与することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記網状支持体は可撓性を有するものであることを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記マスクはフッ素樹脂またはシリコン樹脂がコーティングされたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記閉塞部は前記撥水層に接する面に樹脂層を有するものであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記撥水層分解工程において付与される前記気体はオゾンで構成されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記撥水層分解工程において付与される前記気体は酸素プラズマを含む大気圧プラズマで構成されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記電極配線工程において、電極材料はインクジェット法により塗布されるものであることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記電極配線工程において、電極材料はディップコート法により塗布されるものであることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記電極配線工程において、電極材料はスクリーン印刷法により塗布されるものであることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記親水性の電極材料は金属粒子コロイド分散液で構成されることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記親水性の電極材料は導電性の高分子材料で構成されることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記網状支持体は樹脂で構成されることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記網状支持体は非磁性の金属材料で構成されることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記撥水層は末端にフッ素を含有する単分子膜で構成されることを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記撥水層は末端に炭化水素を含有する単分子膜で構成されることを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１６】
複数の貫通孔を有する網状支持体と、前記網状支持体の貫通孔を閉塞する閉塞部とを備えるマスクであって、
前記網状支持体は非磁性体で構成される一方、前記閉塞部は磁性体で構成されていることを特徴とするマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板の製造方法およびマスクに関し、特に、高精細な電極を正確且つ簡便に配線することができる配線基板の製造方法、およびその製造方法に用いることができるマスクに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板に電極が配線された配線基板の製造方法に関しては、従来より様々な方法が知られている。よく知られている方法としては、例えば、スクリーン印刷法、スパッタリング法がある。スクリーン印刷法は、枠にメッシュを張り、電極配線部以外は樹脂などで網目を閉塞し、露出している網目を通して基板上へ電極材料を印刷する方法である。この手法は、網目を通して所望の位置に電極材料を印刷することができると共に比較的低コストであるが、印刷された電極材料が基板上で滲むために高精細な電極は形成できないという不都合がある。一方、スパッタリング法は、不活性ガスプラズマによりターゲットをスパッタリングし、基板表面に電極用薄膜を形成する方法であり、高精細な電極を形成することができるが、この手法は真空装置などの大がかりな設備を必要とし、高コストであるという不都合がある。
【０００３】
スクリーン印刷法やスパッタリング法は上述のような不都合を有するので、スクリーン印刷法やスパッタリング法に代わる新たな手法が、特許文献１に示唆されている。特許文献１では、基板面を撥水層で覆い、薄膜材料を形成しようとする領域のみ撥水層を除去して基板面を露出させ、その後、親水性の薄膜材料を配置する方法が開示されている。このようにすれば、撥水層で覆われた領域には親水性薄膜材料が滲まないので、薄膜材料を高精細に配置することができる。この方法によれば、スクリーン印刷法よりも高精細、且つスパッタリング法よりも安価且つ簡便に電極を配線することができる。
【０００４】
この方法は電極を配線する前の準備工程として、電極を配線すべきでない領域を撥水層で覆う工程が必要である。従来は、基板の全面に設けられた撥水層のうち、撥水層を残存させたい部分をマスクで覆う一方、電極を配線すべき領域の撥水層のみを露出し、プラズマガスなどのエッチングガスを吹き付けることにより、不要な領域の撥水層を除去していた。
【特許文献１】特開２００４−２７３４３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来は、撥水層を覆うマスクに何ら工夫が為されていなかったため、本来は除去すべき撥水層が残存してしまったり、残存させるべき撥水層までが除去される場合が生じ、その結果、本来電極が配線されるべきではない領域まで電極材料が滲んだり、或いは、本来電極が配線されるべき領域に電極材料が定着しない部分が生じるという問題点があった。
【０００６】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、高精細な電極を正確且つ簡便に配線することができる配線基板の製造方法、およびその製造方法に用いることができるマスクを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的を達成するために、請求項１記載の配線基板の製造方法は、基板の電極配線面に成膜された撥水層のうち、電極を配線すべき領域の撥水層を分解し、露出された電極配線面に電極が配線された配線基板を製造する方法であって、複数の貫通孔を有する網状支持体と、前記撥水層を残存させるべき領域において前記網状支持体の貫通孔を閉塞する閉塞部とを備えるマスクを、前記網状支持体と前記撥水層とを離隔させ且つ前記閉塞部と前記撥水層とを接触させた状態で配置するマスク工程と、前記撥水層を分解する気体を前記マスク側から前記撥水層へ付与して撥水層を分解する撥水層分解工程と、前記撥水層が分解されることにより露出した電極配線面に親水性の電極材料を塗布することにより、電極を配線する電極配線工程とを有し、前記マスクの網状支持体は非磁性体で構成される一方、前記マスクの閉塞部は磁性体で構成され、前記撥水層分解工程は、前記撥水層に対して基板の裏面側に磁石を配置した状態で、前記気体を前記撥水層へ付与することを特徴とする。
【０００８】
ここでいう「撥水層」とは、有機単分子層、フッ素樹脂層、メッキ層、シリコン樹脂層等、公知の撥水処理により電極配線面上に形成される層のことであり、「親水性の電極材料」とは、上記撥水層によりはじかれる性質を有する電極材料のことをいう。
【０００９】
請求項２記載の配線基板の製造方法は、請求項１記載の配線基板の製造方法において、前記網状支持体は可撓性を有するものであることを特徴とする。
【００１０】
請求項３記載の配線基板の製造方法は、請求項１または２に記載の配線基板の製造方法において、前記マスクはフッ素樹脂またはシリコン樹脂がコーティングされたものであることを特徴とする。
【００１１】
請求項４記載の配線基板の製造方法は、請求項１から３のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、前記閉塞部は前記撥水層に接する面に樹脂層を有するものであることを特徴とする。
【００１２】
請求項５記載の配線基板の製造方法は、請求項１から４のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、前記撥水層分解工程において付与される前記気体はオゾンで構成されることを特徴とする。
【００１３】
請求項６記載の配線基板の製造方法は、請求項１から４のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、前記撥水層分解工程において付与される前記気体は酸素プラズマを含む大気圧プラズマで構成されることを特徴とする。
【００１４】
請求項７記載の配線基板の製造方法は、請求項１から６のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、前記電極配線工程において、電極材料はインクジェット法により塗布されるものであることを特徴とする。
【００１５】
請求項８記載の配線基板の製造方法は、請求項１から６のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、前記電極配線工程において、電極材料はディップコート法により塗布されるものであることを特徴とする。
【００１６】
請求項９記載の配線基板の製造方法は、請求項１から６のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、前記電極配線工程において、電極材料はスクリーン印刷法により塗布されるものであることを特徴とする。
【００１７】
請求項１０記載の配線基板の製造方法は、請求項１から９のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、前記親水性の電極材料は金属粒子コロイド分散液で構成されることを特徴とする。
【００１８】
請求項１１記載の配線基板の製造方法は、請求項１から９のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、前記親水性の電極材料は導電性の高分子材料で構成されることを特徴とする。
【００１９】
請求項１２記載の配線基板の製造方法は、請求項１から１１のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、前記網状支持体は樹脂で構成されることを特徴とする。
【００２０】
請求項１３記載の配線基板の製造方法は、請求項１から１１のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、前記網状支持体は非磁性の金属材料で構成されることを特徴とする。
【００２１】
請求項１４記載の配線基板の製造方法は、請求項１から１３のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、前記撥水層は末端にフッ素を含有する単分子膜で構成されることを特徴とする。
【００２２】
請求項１５記載の配線基板の製造方法は、請求項１から１３のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、前記撥水層は末端に炭化水素を含有する単分子膜で構成されることを特徴とする。
【００２３】
請求項１６記載のマスクは、複数の貫通孔を有する網状支持体と、前記網状支持体の貫通孔を閉塞する閉塞部とを備えるものであって、前記網状支持体は非磁性体で構成される一方、前記閉塞部は磁性体で構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
請求項１記載の配線基板の製造方法によれば、撥水層分解工程において気体が付与されると、気体は網状支持体の貫通孔を通過するので、撥水層が気体に晒される。ここで、マスクの閉塞部は磁性体で構成されるものであり、撥水層分解工程では、撥水層に対して基板の裏面側に磁石を配置した状態で、気体が付与されるので、気体が付与される間、磁性体で構成される閉塞部は磁力により撥水層側に引きつけられ、撥水層と閉塞部とが密着する。したがって、撥水層と閉塞部との間への気体の回り込みが抑制され、閉塞部に密着する撥水層の分解が確実に抑制される。一方で、撥水層に対して離隔して配置される網状支持体は非磁性体で構成されるので、網状支持体が磁力の影響を受けて撥水層側に垂れることが抑制される。よって、網状支持体と撥水層との間の距離が保たれるので、閉塞部により貫通孔が閉塞されていない領域の撥水層を、確実に気体に晒し分解することができる。これに対し、網状支持体が磁性体で構成されていると、網状磁性体が磁力の影響を受けて撥水層側に垂れ、網状支持体と撥水層とが近接し、気体が網状支持体の裏側（撥水層側）に十分に回り込まず、撥水層が網目形状に残存してしまうのである。
【００２５】
このように、電極を配線すべき領域の撥水層を確実に除去する一方で、閉塞部を密着させた領域の撥水層は確実に残存させることができるので、高精細な電極を正確且つ簡便に配線することができるという効果がある。
【００２６】
さらに、閉塞部はそれぞれ網状支持体に設けられているので、各閉塞部の相対的な位置関係を正確に保つことができ、電極を正確且つ簡便に配線できるという効果がある。すなわち、各閉塞部が網状支持体を介して一連一体に設けられているので、他の閉塞部との接点が無く島状に孤立した閉塞部であっても、他の閉塞部との相対的な位置関係を正確に保ったまま、撥水層に接触させることができるのである。
【００２７】
請求項２記載の配線基板の製造方法によれば、請求項１記載の配線基板の製造方法の奏する効果に加え、網状支持体は可撓性を有するので、撥水層に段差があったり又は閉塞部の厚みにバラツキがあったとしても、撥水層の段差や閉塞部の厚みのバラツキに合わせて網状支持体が撓むことにより、撥水層と閉塞部との間の密着性を良好に保つことができ、高精細な電極を容易に配線することができるという効果がある。
【００２８】
請求項３記載の配線基板の製造方法によれば、請求項１または２に記載の配線基板の製造方法の奏する効果に加え、マスクはフッ素樹脂またはシリコン樹脂がコーティングされているので、撥水層を分解するための気体として、例えば、オゾンや大気圧プラズマなどの腐食性の高い気体が用いられても、マスクの劣化が抑制される。したがって、同一のマスクを何度も再利用して配線基板を製造することができるので、高精細な電極であっても線幅や線間にバラツキのない配線基板を簡便に大量生産することができるという効果がある。
【００２９】
請求項４記載の配線基板の製造方法によれば、請求項１から３のいずれかに記載の配線基板の製造方法の奏する効果に加え、閉塞部は、撥水層に接する面に樹脂層が設けられているので、撥水層に対する密着性が向上すると共に、閉塞部による撥水層の損傷を抑制できる。その結果、閉塞部に対応した領域の撥水層が確実に残存し、高精度な電極を正確に配線することができるという効果がある。
【００３０】
請求項５記載の配線基板の製造方法によれば、請求項１から４のいずれかに記載の配線基板の製造方法の奏する効果に加え、撥水層分解工程において付与される気体はオゾンで構成されるので大気圧下で紫外光を照射することで容易に処理することができ、真空装置を要さず、製造設備が簡便化するという効果がある。
【００３１】
請求項６記載の配線基板の製造方法によれば、請求項１から４のいずれかに記載の配線基板の製造方法の奏する効果に加え、撥水層分解工程において付与される気体は酸素プラズマを含む大気圧プラズマで構成されるので大気圧下で容易に処理することができ、真空装置を要さず、製造設備が簡便化するという効果がある。
【００３２】
請求項７記載の配線基板の製造方法によれば、請求項１から６のいずれかに記載の配線基板の製造方法の奏する効果に加え、電極配線工程において、電極材料はインクジェット法により塗布されるので、簡便な手法で電極材料を塗布することができるという効果がある。
【００３３】
請求項８記載の配線基板の製造方法によれば、請求項１から６のいずれかに記載の配線基板の製造方法の奏する効果に加え、電極配線工程において、電極材料はディップコート法により塗布されるので、簡便な手法で電極材料を塗布することができるという効果がある。
【００３４】
請求項９記載の配線基板の製造方法によれば、請求項１から６のいずれかに記載の配線基板の製造方法の奏する効果に加え、電極配線工程において、電極材料はスクリーン印刷法により塗布されるので、簡便な手法で電極材料を塗布することができるという効果がある。
【００３５】
請求項１０記載の配線基板の製造方法によれば、請求項１から９のいずれかに記載の配線基板の製造方法の奏する効果に加え、親水性の電極材料は金属粒子コロイド分散液で構成されるので、例えば、インクジェット法などの簡便な手法で電極材料を塗布することができるという効果がある。
【００３６】
請求項１１記載の配線基板の製造方法によれば、請求項１から９のいずれかに記載の配線基板の製造方法の奏する効果に加え、親水性の電極材料は導電性の高分子材料で構成されるので、例えば、インクジェット法などの簡便な手法で電極材料を塗布することができるという効果がある。
【００３７】
請求項１２または請求項１３に記載の配線基板の製造方法によれば、網状支持体が非磁性体で構成されるので、請求項１から１１のいずれかに記載の配線基板の製造方法と同様の効果を奏する。
【００３８】
請求項１４または請求項１５に記載の配線基板の製造方法によれば、請求項１から１３のいずれかに記載の配線基板の製造方法の奏する効果に加え、撥水層が単分子膜で構成されるので、層の厚みが薄く、配線基板全体の厚みを薄くすることができるという効果がある。また、層の厚みが薄いため、効率的に分解および除去することができるという効果がある。
【００３９】
請求項１６記載のマスクによれば、複数の貫通孔を有する網状支持体と、網状支持体の貫通孔を閉塞する閉塞部とを備え、網状支持体は非磁性体で構成される一方、閉塞部は磁性体で構成されているので、処理対象面をマスクで覆い、処理対象面の裏面側に磁石を配置すると、磁性体で構成される閉塞部は磁力により処理対象面へ引きつけられ、処理対象面と閉塞部とが密着する。よって、その状態で、例えばエッチングガスを付与すると、閉塞部と処理対象面との間に、エッチングガスが回り込むことが抑制されるから、閉塞部にうより覆われる処理対象面は、確実に保護することができる。一方、網状支持体は非磁性体で構成されるので、網状支持体が磁力の影響を受けて処理対象面側に垂れることが抑制される。よって、網状支持体と処理対象面との間の距離が保たれるので、閉塞部により貫通孔が閉塞されていない領域の処理対象面を、確実にエッチングガスに晒し処理することができる。
【００４０】
このように、電極を配線すべき領域の処理対象面を確実に気体に晒す一方で、閉塞部を密着させた領域の処理対象面は確実に保護することができるので、高精細な電極を正確且つ簡便に配線することができるという効果がある。また、閉塞部はそれぞれ網状支持体に設けられているので、各閉塞部の相対的な位置関係を正確に保つことができ、電極を正確且つ簡便に配線できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、本発明の好ましい実施例について、添付図面を参照して説明する。図１は、本発明の配線基板の製造方法を説明する図であり、図１（ａ）は本発明の配線基板の製造方法において、最初に準備される基板１２を示す断面図であり、図１（ｂ）はエッチングガス２６付与時における基板１２等の断面図であり、図１（ｃ）は、電極を配線すべき領域の撥水層１８が選択的に分解された基板１２の断面図であり、図１（ｄ）は電極材料２８が塗布された基板１２の断面図である。なお、図１は模式的な図であって、図示された各部材の厚みの相対関係は、実物の厚みを正確に反映してはいない。
【００４２】
まず、図１（ａ）に示すように、基板１２を準備する。基板１２は、基板本体１４と、撥水層１８とを備える。基板本体１４は板状部材であって、その材質として、プラスチック、天然樹脂、紙、セラミックス、ガラス、金属などが挙げられる。本実施例では、基板本体１４の上表面である電極配線面１６に電極が配線される。また、本実施例において、電極配線面１６の裏面側の面を、基板裏面１５と称する。
【００４３】
撥水層１８は、電極配線面１６に予め成膜された略均一な薄膜であって、上表面が撥水性を有する。図１（ａ）向かって右側に撥水層１８を拡大して図示する。本実施例では、撥水層１８は、末端Ｍに疎水性のフッ素または炭化水素を含有する有機単分子膜で構成されるものとして説明する。有機単分子膜は、厚み方向には一分子のみで幅方向に有機分子が配列した膜であるため、膜厚が極めて薄い（図１（ａ）拡大図参照）。よって、後述する撥水層分解工程において、効率良く分解および除去することができる。このような有機単分子膜は、末端官能基Ｓを電極配線面１６に化学吸着させることにより、疎水性の末端Ｍが上表面側に密集した状態で、有機単分子が規則的に配列して自己組織的に形成されるので、自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ：以下、ＳＡＭ）とも称される。
【００４４】
最初、撥水層１８により電極配線面１６の全面が被覆されているが、後述する撥水層分解工程において撥水層１８の一部が選択的に除去されることにより、電極配線面１６の一部が露出せしめられる（図１（ｃ）参照）。
【００４５】
なお、基板本体１４がプラスチックで構成される場合には、撥水層１８との密着性を向上させるために、撥水層１８に接する面にガラス樹脂またはSiO2やSiNなどで構成される密着力強化層が被膜されていてもよい（図示せず）。その場合には、その密着強化層を含めて基板本体１４と称する。
【００４６】
次に、図１（ｂ）に図示されるように、基板１２を、磁性ステージ１９上に載置し、撥水層１８上にマスク２０を配置する（マスク工程）。そして、マスク２０側から、エッチングガス２６を付与する（撥水層分解工程）。
【００４７】
マスク２０は、網状支持体２２と、閉塞部２４とを備える。網状支持体２２は網目２２ａを有し、シルク、または、合成樹脂、あるいは、非磁性のステンレスの糸体２２ｂで織られた可撓性のあるスクリーンメッシュであって、電極配線面１６全面を覆う大きさを有する。ここで、網状支持体２２を非磁性のステンレス（例えば、ＳＵＳ３０１，ＳＵＳ３０４）で構成すると、後述する撥水層分解工程において用いられる、オゾンや大気圧プラズマなどの腐食性の高いエッチングガス２６に晒されても、網状支持体２２の劣化は少なく、マスク２０が多数回の再利用に耐える。一方、網状支持体２２を合成樹脂（例えば、ナイロン、ポリエステル）の繊維で構成する場合は、マスク２０を予めフッ素樹脂またはシリコン樹脂などのように耐久性のよい樹脂や、SiO2やSiNなどでコーティングしておくと良い。このようにすれば、マスク２０の耐性を向上し、多数回の再利用を可能とすることができる。
【００４８】
閉塞部２４は、網状支持体２２の片面に形成された略均一な厚みを有する薄板部材であって、例えば磁性のステンレス、ニッケル等の、磁性体の金属材料で構成される。この閉塞部２４は、後述する撥水層分解工程において撥水層１８を分解させずに残存させたい領域に設けられ、網目２２ａを閉塞するものである。なお、閉塞部２４は、フォトリソグラフィ法、エレクトロフォーミング、エッチング法など、公知の方法で形成することができる。
【００４９】
このように構成されたマスク２０が、閉塞部２４形成面を撥水層１８に対向させて基板１２上に配置されると、閉塞部２４が撥水層１８に接触する一方、網状支持体２２と撥水層１８との間には、閉塞部２４の厚み分の距離が確保される。
【００５０】
磁性ステージ１９は、基板１２を裏面１５側から支持する台であって、電磁石が設けられている。コイル等に電流を流すことによって電磁石に磁力を発生させると、基板１２上に配置されたマスク２０の閉塞部２４を磁力により基板１２側に引きつけることができる。一方、電流を流さない間は、磁力が発生しない。よって、マスク２０の配置を微調整するとき、或いはマスク２０を取り外す際には、電流をオフして磁力を発生させないことにより、容易に作業をすることができる。
【００５１】
次に、図１（ｂ）に図示するように、エッチングガス２６をマスク２０側から付与する（撥水層分解工程）。エッチングガス２６は、撥水層１８を分解できる気体であればよく、例えば、オゾンまたは酸素プラズマを含む大気圧プラズマなどが好適に用いられる。エッチングガス２６に晒された撥水層１８は、分解され、除去される。オゾンや大気圧プラズマは分子が小さく網状支持体２２を容易に通過すると共に、大気圧で処理できるので、真空装置など大がかりな設備が不要である。図１（ｃ）に示すように、撥水層分解工程によれば、エッチングガス２６を付与することにより、閉塞部２４により覆われていない領域の撥水層１８のみをエッチングガス２６に晒して分解、除去し、閉塞部２４により覆われた領域の撥水層１８は残存させることができる。
【００５２】
ここで、撥水層分解工程では、磁性ステージ１９から磁力を発生させた状態で、エッチングガス２６が付与される。このようにすれば、エッチングガス２６が付与される間、磁性体で構成される閉塞部２４は磁力により撥水層１８側へ強く引きつけられ、撥水層１８と閉塞部１９とが強く密着する。よって、撥水層１８と閉塞部２４との間へのエッチングガス２６の回り込みが抑制され、閉塞部２４に密着する撥水層１８の分解が確実に抑制される。
【００５３】
一方で、撥水層１８に対して離隔して配置される網状支持体２２は非磁性体で構成されるので、網状支持体２２は磁力の影響を受けず、撥水層１８側に垂れることが抑制される。よって、網状支持体２２と撥水層１８との間の距離が保たれるので、閉塞部２４が設けられていない網状支持体２２の下層には、エッチングガス２６が十分に回り込み、撥水層１８が確実に分解される。これに対し、網状支持体２２が磁性体で構成されていると、網状支持体２２が磁力の影響を受けて撥水層１８側に垂れ、網状支持体２２と撥水層１８とが近接し、エッチングガス２６が網状支持体の裏側（撥水層１８側）に十分に回り込まず、撥水層１８が網目形状に残存してしまうという不都合が生じ得るのである。
【００５４】
次に、図１（ｄ）に示すように、撥水層１８が分解されることにより露出した電極配線面１６に、電極材料２８を塗布する（電極配線工程）。電極材料２８として親水性の材料を用いることにより、塗布された電極材料２８は撥水層１８の残存領域へは滲まないので、撥水層１８が除去された領域に正確に対応した電極を配線することができる。
【００５５】
親水性の電極材料２８としては、例えば、金属粒子コロイド分散液、親水性の導電性有機高分子など種々の材料が用いられる。また、電極材料２８を塗布する方法としては、例えば、インクジェットプリンタを用いて電極材料２８の微少液滴を目的位置に噴出するインクジェット法、基板１２を電極材料２８に浸せきし、一定速度で引き上げて塗布量を調節するディップコート法、基板１２を回転させ遠心力を利用して電極材料２８を塗布するスピンコート法、スクリーン印刷法などが好適に用いられる。塗布された電極材料２８を定着させることにより、目的位置に電極が配線された配線基板を製造することができる。
【００５６】
このように、本実施例の配線基板の製造方法によれば、電極を配線すべき領域の撥水層１８を確実に除去する一方で、閉塞部２４を密着させた領域の撥水層１８は確実に残存させることができる。そして、その後の工程で塗布される電極材料２８は親水性であるので、撥水層１８が残存した領域には滲まず、撥水層１８が除去された領域に、高精細な電極を正確且つ簡便に配線することができる。
【００５７】
図２は、上面（閉塞部２４形成面と反対側の面）からみたマスク２０の一例を示す概略平面図である。このようなマスク２０を用いてエッチングガス２６を付与すると、上述したように、閉塞部２４ａ，２４ｂ，２４ｃの領域以外の撥水層１８が除去され、その撥水層１８が除去された領域に電極を配線することができる。ここで、網状支持体２２がない場合は、各閉塞部２４ａ，２４ｂ，２４ｃをそれぞれ個別に撥水層１８に対し配置することになる。ここで、図２に示す閉塞部２４ａのように、一端から他端まで伸びるパターンの場合は、正確な位置を取ることは比較的容易であるが、閉塞部２４ｂ，２４ｃのように、他の閉塞部２４との接点が無く島状に孤立していると、他の閉塞部２４との相対的な位置関係を正確にとることが困難でありまた手間がかかる。本実施例のマスク２０は、網状支持体２２に各閉塞部２４が予め設けられ、各閉塞部２４ａ，２４ｂ，２４ｃが網状支持体２２により一連一体に結合されているので、各閉塞部２４の相対的な位置関係を正確に保つことができ、一度、正確なマスク２０を作成すれば、そのマスク２０を用いることにより、電極の線幅や線間にバラツキのない配線基板を大量生産することができる。
【００５８】
図３および図４を参照して、マスク２０の網目２２ａのサイズと配線電極の精度との関係について説明する。図３は、網目２２ａのサイズを表す各種パラメータを示す図である。ここでは、網目サイズ２２を表すパラメータとして、図３に示すように、１インチ内に含まれる網目２２ａの数を表すメッシュ数Ａ、網状支持体２２を構成する糸体２２ｂの径を表す線径（線幅）Ｂ、網目２２ａの一辺の長さ（開口長さ）を示すメッシュ孔径Ｃを用いて説明する。
【００５９】
図４は、網状支持体２２の網目２２ａサイズと形成される電極との関係を示す図である。図４（ａ）に示すように、例えば、線幅１０μｍの電極Ｅを形成したい場合、１０μｍ幅を残して閉塞部２４を設けることになるが、この場合、メッシュ数Ａが５９０、線径Ｂが１３μｍ、メッシュ孔径Ｃが３０μｍのスクリーンマスクを網状支持体２２として用いると、１０μｍ幅の電極を精度良く形成することができた。エッチングガス２６は気体であるため、図４（ｂ）に示すように、糸体２２ｂの下層にも均一に回り込み、線径Ｂよりも細かい電極を配線することができるのである。
【００６０】
なお、図４（ｂ）に示すように、網状支持体２２と撥水層１８との距離Ｌを１０μｍ以上とすることにより、網状支持体２２と撥水層１８との間に十分な距離を確保すると、エッチングガス２６が網状支持体２２の下層において十分に回り込み、撥水層１８をエッチングガス２６に均一に晒すことができる。
【００６１】
また、網状支持体２２と撥水層１８との間の距離Ｌは閉塞部２４の厚みに略等しいものであるが、これを２０μｍ以下とすると、微細な閉塞部２４であっても精度良く形成することができる。すなわち、エレクトロフォーミング等の公知の手法で、網状支持体２２の片面に閉塞部２４を形成する場合、閉塞部２４は厚み方向と幅方向に同程度の速度で成長するので、閉塞部２４に２０μｍ以上の厚さを与えようとすると、閉塞部２４が幅方向（図４（ｂ）の横方向）にも２０μｍ以上成長し、微細な閉塞部２４が得られないおそれが生じるのである。よって、閉塞部２４の厚みを２０μｍ以下とすることにより、微細な平素部２４であっても形成することができるのである。
【００６２】
以上、実施例に基づき本発明を説明したが、本発明は上述した実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良変更が可能であることは容易に推察できるものである。
【００６３】
例えば、本実施例では、閉塞部２４をニッケルまたは磁性のステンレスで構成される一層の薄膜であるものとして説明したが、閉塞部２４は少なくとも一部に磁性体を有していれば良く、例えば２層以上から構成されていても良い。
【００６４】
図５は変形例の閉塞部３４を示す断面図である。図５において、図１に示した実施例と同一の構成については同一の符号を付して説明を省略する。変形例の閉塞部３４は、磁性体で構成される磁性層３４ａと、撥水層１８に接する面に設けられた合成樹脂層３４ｂとから構成される。このようにすれば、合成樹脂層３４ｂにより、撥水層１８との密着性が良く、且つ閉塞部３４ｂにより撥水層１８が損傷することを抑制できる。また、合成樹脂層３４ｂの上層には磁性層３４ａが設けられていることから、基板１２の裏面１５に磁石を配置すれば、磁性層３４ａが磁力により基板１２側に引きつけられ、閉塞部３４と撥水層１８とを密着させることができる。
【００６５】
また、本実施例では、網状支持体２２と撥水層１８との間の距離が、閉塞部２４のみによって保たれるものとして説明したが、網状支持体２２と撥水層１８との間の距離を保つための枠体を、網状支持体２２の周縁に設けても良い。このようにすれば、網状支持体２２の周縁部においても、網状支持体２２と撥水層１８との間の距離が確保され、全面において、高精細な電極を正確に配置することができる。
【００６６】
また、本実施例では、マスク２０を用いて基板上に電極を配線していたが、電極以外の構造体、例えば、絶縁体、半導体、保護膜などの配設にもマスク２０を好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】（ａ）は本発明の配線基板の製造方法において、最初に準備される基板を示す断面図であり、（ｂ）はエッチングガス付与時における基板等の断面図であり、（ｃ）は、電極を配線すべき領域の撥水層が選択的に分解された基板の断面図であり、（ｄ）は電極材料が塗布された基板の断面図である。
【図２】上面からみたマスクの一例を示す概略平面図である。
【図３】網目のサイズを表す各種パラメータを示す図である。
【図４】網状支持体の網目サイズと形成される電極との関係を示す図であり、（ａ）は概略平面図であり、（ｂ）は概略断面図である。
【図５】変形例の閉塞部を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１２                基板
１６                電極配線面
１８                撥水層
１９                磁性ステージ（磁石）
２０                マスク
２２                網状支持体
２２ａ              網目（貫通孔）
２４，３４          閉塞部
２６                エッチングガス（気体）
２８                電極材料
３４ｂ              樹脂層
Ｅ                  電極
Ｍ                  末端
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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