(57)【要約】【課題】リーク電流検査工程にかかる時間を短縮することが可能なＣＯＧ型の有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、素子基板１０１上に形成されたセグメント電極１０２と、セグメント電極１０２に対向して形成されたコモン電極１０４と、セグメント電極１０２とコモン電極１０４との間に配置された有機ＥＬ層１０８とを備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、素子基板１０１上にドライバＩＣ１１３を実装する工程と、ドライバＩＣ１１３を実装した後に、セグメント電極１０２とコモン電極１０４との間に第１の逆バイアス電圧を印加してリーク電流を安定化する工程と、第１の逆バイアス電圧を印加した後に、当該第１の逆バイアス電圧よりも小さい第２の逆バイアス電圧を印加して、リーク電流検査を行う工程とを含む。【選択図】  図３
2008112649.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極に対向して形成された第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された発光層とを備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記基板上に駆動回路を実装する工程と、
前記駆動回路を実装した後に、前記第１の電極と前記第２の電極との間に第１の逆バイアス電圧を印加して、リーク電流を安定化する工程と、
前記第１の逆バイアス電圧を印加した後に、当該第１の逆バイアス電圧よりも小さい第２の逆バイアス電圧を印加して、リーク電流検査を行う工程とを含む有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の逆バイアス電圧を印加する時間は、前記第２の逆バイアス電圧を印加する時間よりも短い請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の逆バイアス電圧を印加する前に、前記発光層の点灯状態を確認する工程を含む請求項１又は２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置の製造方法に関し、特に、リーク電流検査工程を含む有機ＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＦＰＤ(Flat Panel Display)として有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置は自発光表示装置であり、液晶表示装置と比較して視野角が広く、バックライトが不要なため薄型化が可能である。また、応答速度も速く、有機物が有する発光性の多様性から、携帯電話や車載用等の様々な分野での使用が期待されている（非特許文献１参照）。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、画素となる複数の有機ＥＬ素子がマトリクス状に配置された有機ＥＬパネルを備えている。例えば、パッシブ型の有機ＥＬパネルは、ストライプ状に配列された複数の陽極電極と、陽極電極に交差するようにストライプ状に配列された複数の陰極電極と、両電極間に有機ＥＬ層が挟持された構造を有する。陽極電極と陰極電極との交差部が、それぞれ１つの画素となる。このように画素がマトリクス状に配置された有機ＥＬパネルを単純マトリクス駆動する場合、例えば、陽極電極をセグメント電極とし陰極電極をコモン電極とする。
【０００４】
有機ＥＬ素子は陰極電極から陽極電極へ順方向に電流が流れる際に発光し、逆方向へは電流が流れにくい、いわゆるダイオード特性を有している。単純マトリクス型においては、逆方向への電流（リーク電流）があると、クロストークや、輝度ムラ等の表示品質の低下を招き、さらには不要な素子の発熱などの発光に寄与しないエネルギー消費が起こり、発光効率が低下する。
【０００５】
有機ＥＬ表示装置の製造時に、陽極電極と陰極電極との間に配置されている有機ＥＬ層に異物が混入したり、陽極電極に突起が生じて突起が有機ＥＬ層に侵入したりすることにより、欠陥部が生じることがある。リーク電流は、この欠陥部に起因して発生する。欠陥部に電荷が集中すると、陽極電極と陰極電極との短絡が生じ、素子特性の劣化や非発光にいたるという問題がある。このような問題を解決するために、あらかじめ、異物が混入している欠陥部にパルス状の逆バイアス電圧を印加し、欠陥部を不動態化するエージング処理を行っている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
一般的に、このような有機ＥＬパネルを製造する場合、１枚のマザー基板上に複数の有機ＥＬパネルを形成する。エージング処理を効率的に実行するために、マザー基板を切断しそれぞれの有機ＥＬパネルごとに分離する前に、複数の有機ＥＬパネルに一括してエージング処理が実施されることが好ましい。このため、通常、複数の有機ＥＬパネルが形成されるマザー基板上に、複数の有機ＥＬパネルのそれぞれにエージング電圧を印加するためのエージング配線を形成している。
【０００７】
近年、電子機器の小型化に伴い、有機ＥＬパネルの小型化が望まれている。このため、ＣＯＧ（Chip On Glass）実装技術を用いて、有機ＥＬパネルを構成する基板上に駆動回路を実装する場合がある。図７は、従来のＣＯＧ型の有機ＥＬパネル１０の構成を模式的に示す図である。図７に示すように、従来の有機ＥＬパネル１０では、基板１１上にドライバＩＣ１２が実装されている。また、基板１１上には、垂直方向にセグメント電極１３が、水平方向にコモン電極１４が形成されている。
【０００８】
基板１１上において、ドライバＩＣ１２の上辺の近傍には、セグメント電極１３に表示信号を供給するための接続端子（不図示）が設けられている。セグメント電極１３は、セグメント引き回し配線１５を介して、この接続端子と接続されている。また、ドライバＩＣ１２の裏面側の左右両辺の近傍には、コモン電極に走査信号を供給するための接続端子（不図示）が設けられている。コモン電極１４は、コモン引き回し配線１６を介してこの接続端子と接続されている。また、ドライバＩＣ１２の下辺の近傍には、表示に必要な各種の制御信号を供給するためのフレキシブル基板を接続するための接続端子１７が設けられている。
【０００９】
このような場合、上述したマザー基板上の複数の有機ＥＬパネルのセグメント電極１３に一度にエージング処理を行うためのエージング配線を形成することが難しい。このため、複数設けられたマザー基板の状態で、一括してエージング処理を行うことができなかった。また、エージング処理は加熱処理を含むため、ドライバＩＣ１２を実装した有機ＥＬパネルにエージング処理を施すと、ドライバＩＣ１２に不具合が発生するおそれがある。このため、ＣＯＧ型の有機ＥＬパネルには、エージング処理を行っていなかった。
【非特許文献１】「月間ディスプレイ」、テクノタイムズ社、２００６年８月２５日、ｐ．１〜１０
【特許文献１】特開平１１−１６２６３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、上記のＣＯＧ型の有機ＥＬパネルにおいては、個々の有機ＥＬパネルに分断し、ドライバＩＣ１２、フレキシブル基板等を実装した後に、これを実際に駆動させて、点灯検査及びリーク電流検査などが行われる。リーク電流検査では、コモン電極１４及びセグメント電極１３間に逆バイアス電圧を印加して、上述のリーク電流の大きさを測定することにより、良品／不良品の判定を行っている。
【００１１】
ＣＯＧ型の有機ＥＬパネルでは、エージング処理がなされていないため、リーク電流の原因となる欠陥部が存在することが多い。従って、リーク電流検査において、基準となる規格化電流値を超えて不良品と判定される有機ＥＬパネルが多く、製造歩留が悪いという問題がある。
【００１２】
そこで、製造歩留を上げるために、上述のリーク電流検査工程において、コモン電極１４及びセグメント電極１３間に逆バイアス電圧を何度も印加して、欠陥部を不動態化している。図８に、リーク電流検査時のリーク電流値の変化を示す。図８において、規格化リーク電流値が１を下回ると、良品として判定するものとする。図８に示すように、１回目から６回目までは、規格化電流値１以上であり、不良品と判定される。しかし、何度も逆バイアス電圧を印加し続けて７回目には、規格化電流値１を下回る結果となり、ようやく良品として判定される。
【００１３】
このように、良品を得るためには逆バイアス電圧を何度も印加する必要があり、リーク電流検査工程に時間がかかり、製造タクトが長くなるという問題があった。
【００１４】
本発明は、このような事情を背景としてなされたものであり、本発明の目的は、リーク電流検査工程にかかる時間を短縮することが可能なＣＯＧ型の有機ＥＬ装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極に対向して形成された第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された発光層とを備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記基板上に駆動回路を実装する工程と、前記駆動回路を実装した後に、前記第１の電極と前記第２の電極との間に第１の逆バイアス電圧を印加して、リーク電流を安定化する工程と、前記第１の逆バイアス電圧を印加した後に、当該第１の逆バイアス電圧よりも小さい第２の逆バイアス電圧を印加して、リーク電流検査を行う工程とを含む。これにより、リーク電流検査工程にかかる時間を短くすることができ、製造タクトを短縮することができる。
【００１６】
本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、上記の製造方法において、前記第１の逆バイアス電圧を印加する時間は、前記第２の逆バイアス電圧を印加する時間よりも短い。これにより、製造タクトを確実に短縮することができる。
【００１７】
本発明の第３の態様に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、上記の製造方法において、前記第１の逆バイアス電圧を印加する前に、前記発光層の点灯状態を確認する工程を含む。これにより、有機ＥＬ装置に検査治具が適切に接続されたか否かを確認することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、リーク電流検査工程にかかる時間を短縮することが可能なＣＯＧ型の有機ＥＬ装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の実施の形態に係る製造方法にて製造される有機ＥＬ装置について、図１及び図２を参照して説明する。ここでは、有機ＥＬ装置の一例として、有機ＥＬ表示装置について説明するが、本発明は、例示する構成の有機ＥＬ表示装置に限定するものではない。図１は、有機ＥＬパネル１００の構成の一例を示す図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。なお、図１においては、説明のため、封止基板１１０の図示を省略している。また、本実施の形態においては、陽極電極をセグメント電極、陰極電極をコモン電極として説明するが、逆であってもよい。
【００２０】
図１及び図２に示すように、本実施の形態にかかる有機ＥＬパネル１００は、素子基板１０１、セグメント電極１０２、セグメント引き回し配線１０３、コモン電極１０４、コモン引き回し配線１０５、絶縁層１０６、開口部１０７、有機ＥＬ層１０８、有機ＥＬ素子１０９、封止基板１１０、捕水材１１１、シール材１１２、ドライバＩＣ１１３、入力信号線１１４を備えている。
【００２１】
セグメント電極１０２は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明性導電材料からなり、素子基板１０１上に形成されている。図１に示すように、複数のセグメント電極１０２は、一定間隔を隔ててそれぞれ平行に形成されている。また、素子基板１０１上には、それぞれのセグメント電極１０２から延設されたセグメント引き回し配線１０３が設けられる。また、素子基板１０１上には、後述するそれぞれのコモン電極１０４に接続されたコモン引き回し配線１０５が設けられる。コモン引き回し配線１０５はコモン電極１０４から素子基板１０１の一辺側まで延設して形成されている。セグメント引き回し配線１０３、コモン引き回し配線１０５などは、低抵抗化のために下層にＩＴＯ、接続部となる上層に金属材料の積層膜から形成される。
【００２２】
セグメント電極１０２、セグメント引き回し配線１０３、コモン引き回し配線１０５が形成された素子基板１０１上には、画素を区画するための絶縁層１０６が形成される。絶縁層１０６は、セグメント電極１０２と後述するコモン電極１０４との絶縁性を確保するために設けられる。絶縁層１０６は、ポリイミドなどの絶縁材料からなる。絶縁層１０６には、セグメント電極１０２と後述するコモン電極１０４との交差位置、すなわち画素となる位置に対応して開口部１０７が設けられている。つまり、絶縁層１０６は、有機ＥＬ層１０８とセグメント電極１０２とが接触する開口部１０７を画定する役割を果たしている。
【００２３】
なお、ここでは図示していないが、絶縁層１０６上には、隔壁が形成される。隔壁は、コモン電極１０４を分離形成するため、コモン電極１０４を蒸着などにより形成する前に所望のパターンに形成される。セグメント電極１０２に対し垂直に、コモン電極１０４に対して平行に設けられる。コモン電極１０４の分離をより確実なものとするため、隔壁は逆テーパ構造を有している。すなわち、素子基板１０１から離れるにつれて、断面が広がるように形成される。
【００２４】
有機ＥＬ層１０８は、前述したセグメント電極１０２、絶縁層１０６、隔壁の上に、所定の大きさで配置される。有機ＥＬ層１０８は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層を順次積層した構成を有している。
【００２５】
コモン電極１０４は、光反射性を有するアルミニウムなどの導電性材料からなり、有機ＥＬ層１０８上に設けられる。コモン電極１０４は、隔壁によって分離されるため、隔壁の間に配設される。従って、コモン電極１０４はセグメント電極１０２に対して垂直に設けられる。セグメント電極１０２とコモン電極１０４とが交差する位置が画素となる。有機ＥＬ素子１０９は、素子基板１０１上に順次積層されたセグメント電極１０２、有機ＥＬ層１０８、コモン電極１０４を備える。複数の画素から構成される領域が、表示領域となる。
【００２６】
封止基板１１０は、パネル中に水分や酸素が入らないように設けられる。封止基板１１０としては、ステンレス、アルミニウム又はその合金などの金属類のほか、ガラス、アクリル系樹脂などの１種類又は、２種類以上からなるものを使用することができる。封止基板１１０の画素に対向する面上には、捕水材１１１を配置するための凹部が形成されている。
【００２７】
封止基板１１０と素子基板１０１とは、光硬化型のシール材１１２を介して固着されている。シール材１１２としては、水分などの透過性の低い紫外線硬化型のエポキシ系シール材などを用いることができる。シール材１１２は、表示領域を囲むように形成されている。シール材１１２は、封止基板１１０と素子基板１０１とを固着し、表示領域を含む空間を封止する。すなわち、有機ＥＬ素子１０９は、素子基板１０１、封止基板１１０、シール材１１２で形成される気密空間に配置されている。従って、セグメント引き回し配線１０３やコモン引き回し配線１０５の一部、後述するドライバＩＣ１１３などは、素子基板１０１、封止基板１１０、シール材１１２で形成される気密空間外に配置される。この素子基板１０１、封止基板１１０、シール材１１２で形成される気密空間外を周辺領域とする。
【００２８】
気密空間内には、画素などへの水分や酸素の影響を抑制し、安定した発光特性を維持するための捕水材１１１が設けられている。捕水材１１１は、封止基板１１０上の、有機ＥＬ素子１０９と対向する面に形成された凹部に設けられている。捕水材１１１としては、無機系の乾燥剤や、水分と反応性の高い有機金属化合物を膜状にしたもの、フッ素系オイルからなる不活性液体中に固体の吸湿剤を混合したものなどを用いることができる。
【００２９】
また、素子基板１０１の周辺領域の一辺側には、ドライバＩＣ１１３が実装されている。ドライバＩＣ１１３には、コモン電極１０４にコモン電圧を供給するコモン電極駆動回路と、セグメント電極１０２に表示電圧を供給するセグメント電極駆動回路とが内蔵されている。
【００３０】
ドライバＩＣ１１３の表示電圧出力端子と各セグメント電極１０２とは、セグメント引き回し配線１０３を介して接続されている。また、コモン電圧出力端子と各コモン電極１０４とは、コモン引き回し配線１０５を介して接続されている。また、ドライバＩＣ１１３には、有機ＥＬパネル１００の外部から、図１中下側の辺近傍に設けられた入力信号線１１４を介して、表示に必要な各種の制御信号、電源などが供給される。
【００３１】
ここで、図３を参照して、上述した有機ＥＬパネル１００の製造方法を説明する。図３は、本発明に係る有機ＥＬパネル１００の製造方法を示すフロー図である。図３に示すように、有機ＥＬパネル１００は、素子基板１０１上に上述した配線群及び複数の有機ＥＬ素子１０９等を形成する有機ＥＬ素子形成工程（ステップＳ１）、有機ＥＬ素子を水分などから守るために封止基板１１０で外気から隔離する封止工程（ステップＳ２）、ドライバＩＣ１１３を実装する実装工程（ステップＳ３）、検査工程（ステップＳ４〜Ｓ７）を経て製造される。
【００３２】
第１に、素子基板１０１上に有機ＥＬ素子１０９を形成する（ステップＳ１）。具体的には、まず素子基板１０１上にＩＴＯを成膜し、感光性樹脂をＩＴＯ上に塗布し、露光、現像、エッチングをして、複数のセグメント電極１０２、複数のセグメント引き回し配線１０３、複数のコモン引き回し配線１０５を形成する。また、接続部の低抵抗化ため、セグメント引き回し配線１０３、コモン引き回し配線１０５上に金属材料を積層してもよい。
【００３３】
次に、この層の上に、絶縁層１０６材料を塗布し露光、現像を行って開口部１０７を形成する。さらに、ネガ型の感光性樹脂を塗布した後、露光現像を行う表示領域中の隔壁（不図示）を形成する。また、表示領域内の隔壁の形成と同時に、壁構造体１１９を形成する。そして、隔壁を形成した後、有機ＥＬ層１０８を形成する各層を順次積層する。例えば、有機ＥＬ層１０８として、順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を形成する。
【００３４】
最後に、蒸着により、コモン電極１０４をアルミニウム等の金属で形成し、コモン電極１０４をコモン引き回し配線１０５に接続する。このとき、隔壁が有機ＥＬ層１０８やコモン電極１０４を分離することにより、隔壁間に有機ＥＬ層１０８が形成され、ストライプ状にパターニングされたコモン電極１０４が形成される。
【００３５】
その後、有機ＥＬ素子形成工程（ステップＳ１）で素子基板１０１上に形成された有機ＥＬ素子１０９を水分から守るために、封止基板１１０で有機ＥＬ素子１０９を封止する（ステップＳ２）。素子基板１０１とは異なる他の封止基板１１０を、素子基板１０１に対して対向配置する。そして、シール材１１２によって双方の基板を接着し、２枚の基板とシール材１１２により形成された気密空間内に乾燥窒素ガスと微量の酸素ガスを封入する。
【００３６】
その後、実装工程（ステップＳ３）で、ドライバＩＣ１１３を素子基板１０１上に実装し、入力信号線１１４に外部周辺回路を接続するフレキシブル基板を実装して有機ＥＬパネル１００を得る。なお、実装工程（ステップＳ３）の後に、ドライバＩＣ１１３及びセグメント引き回し配線１０３、コモン引き回し配線１０５などを保護するために、有機ＥＬパネル１００における周辺領域に紫外線硬化型の樹脂を塗布してもよい。
【００３７】
そして、素子基板１０１上にドライバＩＣ１１３を実装した状態で、製造された有機ＥＬパネル１００の検査を行う（ステップＳ４〜Ｓ７）。有機ＥＬパネル１００の検査工程は、点灯確認工程（ステップＳ４）、リーク電流安定化工程（ステップＳ５）、リーク電流検査工程（ステップＳ６）、点灯検査工程（ステップＳ７）などからなる。本発明では、リーク電流検査を実施する前に、リーク電流安定化波形を印加することを特徴としている。
【００３８】
具体的には、まず、上述のとおり製造された有機ＥＬパネル１００に、電圧を印加するための検査治具を接続し、順バイアス電圧を印加して点灯検査を行う（ステップＳ４）。このとき、点灯していない画素があれば、検査治具が正常に有機ＥＬパネル１００に接続されていない場合が考えられる。この場合には、有機ＥＬパネル１００に検査治具を接続しなおして、後のリーク電流検査、点灯検査を正確に実施できるようにすることができる。
【００３９】
そして、点灯確認工程（ステップＳ４）が終了した後、リーク電流安定化工程を実施する（ステップＳ５）。具体的には、リーク電流を安定化するために、リーク電流検査工程において印加される逆バイアス電圧よりも大きい逆バイアス電圧を印加する。このように、リーク電流検査工程において印加される逆バイアス電圧よりも大きい逆バイアス電圧を印加することによって、コモン電極１０４とセグメント電極１０２との間に配置されている有機ＥＬ層１０９への異物の混入等により発生する欠陥部を不動態化することができる。このため、欠陥部において生じるリーク電流を安定化させることができる。
【００４０】
本実施の形態においては、−２０Ｖの電圧を１秒間印加した。この逆バイアス電圧値及び印加時間は、本工程を行うことによってリーク電流値が安定し、有機ＥＬ素子が破壊されない程度であればよい。
【００４１】
リーク電流を安定化させるための逆バイアス電圧の波形の例を図４に示す。図４（ａ）に示すように、０．２秒間ごとに−２０Ｖの逆バイアス電圧を印加するパルス状の逆バイアス電圧を印加してもよい。また、図４（ｂ）に示すように、１秒間一定の−２０Ｖの逆バイアス電圧を印加するようにしてもよい。このように、リーク電流安定化電圧としては、Ｄｕｔｙ比等にかかわらず、リーク電流検査工程において印加する検査電圧よりも大きい逆バイアス電圧を印加すればよい。
【００４２】
そして、リーク電流安定化電圧を印加した後に、リーク電流検査を行う（ステップＳ５）。リーク電流検査工程では、リーク電流安定化のための電圧よりも小さい逆バイアス電圧をコモン電極１０４及びセグメント電極１０２との間に印加する。本実施の形態においては、−１５Ｖの逆バイアス電圧を印加した。上述のとおり、リーク電流安定化電圧を印加することによって、欠陥部は不動態化されている。このため、リーク電流検査工程（ステップＳ５）において検出されるリーク電流値を小さく、安定化させることができる。
【００４３】
図５に、リーク電流安定化電圧を印加した後に、リーク電流検査を行ったときのリーク電流値の変化を示す。図５において、規格化リーク電流値が１を下回ると、良品として判定するものとする。図５に示すように、リーク電流安定化電圧を印加すると、その後１回目のリーク電流検査のときから、規格化電流値１を下回る結果となり、良品として判定される。その後、複数回のリーク電流検査を行っても、規格化電流値が１以上になることはない。このため、リーク電流検査を１回だけ行うことによって、有機ＥＬパネルの良否判定を行うことができる。従って、リーク電流検査にかかる時間を少なくすることができる。
【００４４】
従来、ドライバＩＣを素子基板１０１上に形成したＣＯＧ型の有機ＥＬパネルでは、エージングを行うことができないため、リーク電流が大きくなり、リーク電流検査工程において、不良品として判定されるものが多かった。また、歩留を上げるためには、リーク電流検査電圧を複数回にわたって印加することによって、上述の欠陥部を不動態化させていた。このように、歩留を上げるためには、リーク電流検査工程にかかる時間が長くなり、製造タクトを短縮することができず、ひいては有機ＥＬパネルのコストアップにつながっていた。
【００４５】
しかしながら、本発明によれば、リーク電流安定化電圧を印加することによって、エージングを行うことができないＣＯＧ型の有機ＥＬパネルであっても、リーク電流検査にかかる時間を短縮することができる。また、リーク電流検査に係る時間を短くしても、従来と同様に高歩留を実現することができる。これにより、有機ＥＬパネルのコストを低減させることができる。なお、リーク電流安定化電圧を印加する時間は、リーク電流検査に係る時間よりも短いことが好ましい。これにより、製造タクトを短くすることができる。
【００４６】
以上説明したように、リーク電流安定化電圧を印加することによって、リーク電流検査時のリーク電流を安定化させることができる。このため、リーク電流検査を安定して行うことができる。また、リーク電流安定化電圧を印加することにより、異物等に起因する欠陥を不動態化することができるため、有機ＥＬパネルの信頼性を向上させることができる。
【００４７】
実施例．
以下、本発明の実施例について説明する。１／３２Ｄｕｔｙ、ＰＭ（Passive Matrix）−フルドット白表示の有機ＥＬパネルを作製した。検査工程においては、まず点灯確認を行った後に、図４（ｂ）に示したように、−２０Ｖで一定の逆バイアス電圧を１秒間印加した（ステップＳ５）。リーク電流安定化電圧を印加する時間は１秒なので、有機ＥＬパネルの製造タクトにほとんど影響しない。その後、リーク電流検査（ステップＳ６）を行った。
【００４８】
また、比較例１、２として、実施例と同様に、１／３２Ｄｕｔｙ、ＰＭ（Passive Matrix）−フルドット白表示の有機ＥＬパネルを作製した。検査工程においては、まず点灯確認（ステップＳ４）を行った後に、リーク電流安定化電圧を印加せずに、リーク電流検査（ステップＳ６）を行った。比較例１では、リーク電流検査に係る時間を本発明の実施例と同一とした。また、比較例２では、従来と同様に、リーク電流値が判定値よりも下回り良品判定となるまで、リーク電流検査を複数回行った。
【００４９】
このときの結果を、下記の表１及び図６に示す。下記の表１において、Ａは点灯確認工程、Ｂはリーク電流安定化工程、Ｃはリーク電流検査工程、Ｄは点灯検査工程を示している。
【表１】
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【００５０】
表１及び図６に示すように、実施例１のリーク電流検査を行う前にリーク電流安定化電圧を印加することによって、リーク電流検査を１回だけ行えば有機ＥＬパネルの良否判定を行うことができる。このとき、１回のリーク電流検査にかかる時間は、１分であった。また、このときのＣの歩留は９７％であった。一方、比較例１のように、リーク電流検査を行う前にリーク電流安定化電圧を印加しない場合、実施例と同様にリーク電流検査を１回だけ行っても、リーク電流値が規格化電流値１よりも高いままである。このため、製造タクトは実施例と同じであるが、比較例１におけるＣの歩留は、実施例よりも低い８７％であった。
【００５１】
また、比較例２のように、実施例と同様に製造歩留を上げるため、複数回にわたってリーク電流検査を行った場合、Ｃの歩留は改善されて実施例と同じ９７％とすることができた。しかしながら、図７に示すように、比較例２においては、７回のリーク電流検査を行わなければ、上述の高い歩留を実現することができなかった。このため、比較例２では実施例よりも製造タクトが長くなる結果となった。
【００５２】
このように、リーク電流検査を行う前に、リーク電流検査で印加する逆バイアス電圧よりも高い逆バイアス電圧を印加することによって、歩留を維持しつつ、製造タクトを短くすることができる。これにより、有機ＥＬパネルの低コスト化を実現することが可能となる。また、リーク電流検査の回数を少なくすることができるため、工程負荷を軽減することができる。
【００５３】
なお、本実施の形態においては、フルドットの有機ＥＬ表示パネルについて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、キャラクタ表示であってもよく、ドットマトリクスとキャラクタ表示とが混在した有機ＥＬパネルであっても、本発明を適用することができる。また、モノカラーの有機ＥＬパネルに限らず、エリアカラー、フルカラーなど、様々な有機ＥＬパネルに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施の形態に係る有機ＥＬパネルの構成を示す平面図である。
【図２】実施の形態に係る有機ＥＬパネルの構成を示す断面図である。
【図３】実施の形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法を説明するフロー図である。
【図４】実施の形態係る有機ＥＬパネルの検査に用いられるリーク電流安定化電圧の波形を示す図である。
【図５】実施の形態に係る有機ＥＬパネルのリーク電流検査の回数に対するリーク電流値の変化を示す図である。
【図６】実施例に係る有機ＥＬパネルの歩留及びリーク電流検査にかかる時間を示す図である。
【図７】従来の有機ＥＬパネルの構成を示す平面図である。
【図８】従来の有機ＥＬパネルのリーク電流検査の回数に対するリーク電流値の変化を示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
１００  有機ＥＬパネル
１０１  素子基板
１０２  セグメント電極
１０３  セグメント引き回し配線
１０４  コモン電極
１０５  コモン引き回し配線
１０６  絶縁層
１０７  開口部
１０８  有機ＥＬ層
１０９  有機ＥＬ素子
１１０  封止基板
１１１  捕水材
１１２  シール材
１１３  ドライバＩＣ
１１４  入力信号線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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