(57)【要約】【課題】ライトギャップの測定精度を向上させる薄膜磁気ヘッドのライトギャップ測定方法を得る。【解決手段】薄膜磁気ヘッドの媒体対向面となる位置にイオンビームを照射してウエハを一部切断し、該切断面を測定対象面とする。次に、測定対象面にカーボンガスを供給しつつイオンビームを照射することにより、測定対象面にカーボンを付着させ、グレインの見えないＳＩＭ像を得る。このグレインの見えないＳＩＭ像を用いて所定の演算を行い、薄膜磁気ヘッドのライトギャップを算出する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜磁気ヘッドの測定対象面を集束イオンビーム装置で撮像し、該撮像により取得したＳＩＭ像を用いて薄膜磁気ヘッドのライトギャップを測定する方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドの媒体対向面となる位置に切断加工用の集束イオンビームを照射し、該切断面を前記薄膜磁気ヘッドの測定対象面とするステップと、
この薄膜磁気ヘッドの測定対象面に、カーボンガスを供給するステップと、
このカーボンガスを含む雰囲気中で前記薄膜磁気ヘッドの測定対象面に観察用の集束イオンビームを照射することにより、該測定対象面にカーボンを付着させてグレインの見えないＳＩＭ像を得るステップと、
このグレインの見えないＳＩＭ像を用いて所定の演算を行い、前記薄膜磁気ヘッドのライトギャップを算出するステップと、
を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドのライトギャップ測定方法。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜磁気ヘッドのライトギャップ測定方法は、前記観察用の集束イオンビームの照射開始タイミングを、前記カーボンガスを供給してからの経過時間に基づいて制御する薄膜磁気ヘッドのライトギャップ測定方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドのライトギャップ測定方法において、前記薄膜磁気ヘッドのライトギャップを算出する際に、
前記測定対象面のライトギャップの境界位置を含む領域を測定領域とし、該測定領域の明度データを、前記取得したＳＩＭ像から画素単位で換算するステップと、
前記測定領域を、前記薄膜磁気ヘッドのトラック幅方向及び積層方向に複数の画素からなる微小領域に仮想的に分割するステップと、
すべての微小領域について明度データの平均値を算出するステップと、
算出した明度データの平均値を前記トラック幅方向に並ぶ複数の微小領域からなる列毎に平均化して、トラック幅方向の平均化データを得るステップと、
このトラック幅方向の平均化データを前記積層方向の順番で並べ、微分し、該微分値の第１のピークと第２のピークを求めるステップと、
求めた第１のピークから第２のピークまでの前記積層方向の距離を、前記ライトギャップとして得るステップと、
を有する薄膜磁気ヘッドのライトギャップ測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＩＭ像を利用した薄膜磁気ヘッドのライトギャップ測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜磁気ヘッドは、周知のように、単一のウエハ上に薄膜を積層してなるヘッド構造部を複数列状に並べて形成した後、ウエハを各列に切断し、さらに研磨加工によって媒体対向面を形成することで、ウエハ上に複数のヘッド構造部を有するバー状の磁気ヘッド基板、あるいは、ウエハ上に１つのヘッド構造部を有するチップ状の薄膜磁気ヘッドとして形成される。このように多数同時に形成される薄膜磁気ヘッドでは、低コスト化及び生産性向上を図るため、製造工程の途中で設計通りに形成されているか否かの出来栄えを確認することが必要となる。具体的には例えば、ウエハ切断前の状態で薄膜磁気ヘッドのライトギャップが測定される。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドのライトギャップ測定では、集束イオンビーム装置によるＳＩＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｉｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）像を用いてライトギャップの境界位置（積層方向の下端と上端）を検出し、該境界位置の距離間隔をライトギャップとして求めることができる。ＳＩＭ像は、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面となる端面を測定対象面とし、該測定対象面上を集束イオンビーム（ＦＩＢ；Ｆｏｃｕｓｅｄ  ｉｏｎ  ｂｅａｍ）で走査した際に二次的に発生する二次電子を検出して生成したもので、測定対象面のグレイン観察が可能である（特許文献１）。このＳＩＭ像において、ライトギャップの境界位置は、磁極層とギャップ層との材質の違いからコントラスト差が生じるために判別可能であるが、ライトギャップ境界位置の近傍にグレインが見えていると、グレインと境界位置との判別が難しい。そこで従来は、ＳＩＭ像のコントラストの標準偏差を算出し、この標準偏差が大きければグレイン、標準偏差が小さければライトギャップの境界位置として検出している。
【特許文献１】特開平０７−０２９５３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年では、更なる高記録密度化に対応すべく、薄膜磁気ヘッドの狭トラック化が進められている。ライトトラック幅が狭小化されると、薄膜磁気ヘッドの測定対象面も狭くなることから、ＳＩＭ像中で観察可能なグレインの個数が減少し、グレインにおけるコントラストの標準偏差とライトギャップの境界位置におけるコントラストの標準偏差との差分が小さくなる。このため、ライトギャップの境界位置を正確に検出することが難しくなり、ライトトラック幅が小さくなるほど測定のばらつきが増大するという課題が生じてきた。
【０００５】
本発明は、上述の従来課題に鑑みてなされたもので、ライトギャップの測定精度を向上させる薄膜磁気ヘッドのライトギャップ測定方法を得ることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、薄膜磁気ヘッドの測定対象面にカーボンガスを供給しつつ観察用の集束イオンビームを照射すればグレインの見えないＳＩＭ画像が得られること、及び、グレインなしのＳＩＭ画像を利用すれば、該ＳＩＭ像中のコントラストからライトギャップの境界位置を判別でき、グレインの個数に影響されずにライトギャップを測定可能なことに着目して完成されたものである。
【０００７】
すなわち、本発明は、薄膜磁気ヘッドの測定対象面を集束イオンビーム装置で撮像し、該撮像により取得したＳＩＭ像を用いて薄膜磁気ヘッドのライトギャップを測定する方法であって、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面となる位置に切断加工用の集束イオンビームを照射し、該切断面を薄膜磁気ヘッドの測定対象面とするステップと、この薄膜磁気ヘッドの測定対象面に、カーボンガスを供給するステップと、このカーボンガスを含む雰囲気中で薄膜磁気ヘッドの測定対象面に観察用の集束イオンビームを照射することにより、該測定対象面にカーボンを付着させてグレインの見えないＳＩＭ像を得るステップと、このグレインの見えないＳＩＭ像を用いて所定の演算を行い、薄膜磁気ヘッドのライトギャップを算出するステップとを有することを特徴としている。
【０００８】
観察用の集束イオンビームの照射開始タイミングは、カーボンガスを供給してからの経過時間に基づいて制御することが望ましい。
【０００９】
薄膜磁気ヘッドのライトギャップを算出する際には、測定対象面中のライトギャップの境界位置を含む領域を測定領域とし、該測定領域の明度データを、取得したＳＩＭ像から画素単位で換算するステップと、測定領域を、薄膜磁気ヘッドのトラック幅方向及び積層方向に複数の画素からなる微小領域に仮想的に分割するステップと、すべての微小領域について明度データの平均値を算出するステップと、算出した明度データの平均値をトラック幅方向に並ぶ複数の微小領域からなる列毎に平均化して、トラック幅方向の平均化データを得るステップと、このトラック幅方向の平均化データを積層方向の順番で並べ、微分し、該微分値の第１のピークと第２のピークを求めるステップと、求めた第１のピークから第２のピークまでの積層方向の距離を、ライトギャップとして得るステップとを行うことが実際的である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、グレインの見えないＳＩＭ像を用いてライトギャップの境界位置を検出するので、グレインに影響されない測定を実現でき、ライトギャップの測定精度を向上させる薄膜磁気ヘッドのライトギャップ測定方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面に基づいて本発明を説明する。各図においてＸ方向はトラック幅方向、Ｙ方向はハイト方向、Ｚ方向は薄膜磁気ヘッドを構成する各層の積層方向及び記録媒体の移動方向で定義される。
【００１２】
図１は、本発明方法の適用対象である薄膜磁気ヘッドＨ１の積層構造を、媒体対向面側から見て示した断面図である。薄膜磁気ヘッドＨ１は、スライダ１０１のトレーリング側端面１０１ｂ上に、磁気抵抗効果を利用して記録媒体から再生信号を読み出す再生部Ｒと、記録媒体に対して記録磁界を印加することで記録動作する記録部Ｗとを順に積層したヘッド構造部を有している。再生部Ｒは、トレーリング側端面１０１ｂを覆う非磁性絶縁層１０２上に形成した下部シールド層１０３と、下部シールド層１０３より上層に位置する上部シールド層１０６と、この下部シールド層１０３及び上部シールド層１０６の間を埋める無機絶縁層（ギャップ絶縁層）１０５と、無機絶縁層１０５内に位置する再生素子１０４とを有している。再生素子１０４は、ＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの磁気抵抗効果素子であり、その図示Ｘ方向の寸法がリードトラック幅に規定されている。記録部Ｗは、上部シールド層１０６上に分離層１０７を介して積層形成されていて、飽和磁束密度の高い強磁性材料からなる下部磁極層１０８及び上部磁極層１１１と、媒体対向面で下部磁極層１０８と上部磁極層１１１の間に介在する磁気ギャップ層１１０と、媒体対向面よりハイト方向奥側に配置され、下部磁極層１０８に記録磁界を与えるコイル層（不図示）とを有している。下部磁極層１０８は、媒体対向面に露出する前端面の図示Ｘ方向の寸法がライトトラック幅Ｔｗに規定されており、上部磁極層１１１は、媒体対向面に露出する前端面で下部磁極層１０８と所定間隔（ライトギャップＷＧ）をあけ、該前端面よりハイト方向奥側に位置する接続部で下部磁極層１０８と磁気的に接続する。下部磁極層１０８の周囲には非磁性絶縁層１０９が形成されている。磁気ギャップ層１１０は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｕ、Ｒｕ等の非磁性材料からなり、その膜厚によってライトギャップＷＧを規定する。すなわち、磁気ギャップ層１１０の下端１１０ｂ（磁気ギャップ層１１０と下部磁極層１０８との境界位置）から上端１１０ｕ（磁気ギャップ層１１０と上部磁極層１１１の境界位置）までの図示Ｚ方向の距離が、ライトギャップＷＧである。上部磁極層１１１の上には、Ａｌ2Ｏ3からなる保護層１１２が形成されている。
【００１３】
上記薄膜磁気ヘッドＨ１は、スライダ１０１となる１枚のウエハ上に仮想的に複数列状のヘッド形成領域を設定し、すべてのヘッド形成領域に同一のヘッド構造部を同時形成した後、各ヘッド形成領域毎にウエハを切断し、さらに切断後の各薄膜磁気ヘッドに研磨加工を施して媒体対向面を形成することにより、完成する。この製造過程において、ウエハを切断する前に、ヘッド構造部の各種寸法や形状が設計どおりに形成されているか否かの判定を実施する。ここで、判定結果がＯＫであれば製造を続行し、ＮＧなら不良品となるので以降の製造工程は行わない。上記判定の一つとして、ライトギャップ測定が実施される。
【００１４】
本実施形態のライトギャップ測定方法は、上部磁極層１１１の形成直後（保護層１１２の形成前）に、ウエハ切断前の状態で、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面となる端面に露出するライトギャップＷＧの大きさを集束イオンビーム装置２０により測定するものである。
【００１５】
図２は、集束イオンビーム装置２０の概略構成を示している。集束イオンビーム装置２０は、ＦＩＢチャンバー２１と、試料Ｓを載置する試料ステージ２２と、この試料ステージ２２をイオンビーム軸方向、その垂直方向及び軸回転方向に可動させる駆動機構２３と、イオンビーム２５を試料表面上に焦点を合わせて照射するイオンビーム照射部２４と、イオンビーム２５の照射によって試料表面から発生する二次電子またはイオンを検出する検出器２６と、検出器２６が検出した二次電子またはイオンを電子画像化する処理部２７と、処理部２７で処理したＳＩＭ像を表示するモニタ２８と、試料表面（イオンビーム２５の照射領域）にカーボンガスを供給するカーボンガス送管２９及びカーボンガス源３０とを備えている。イオンビーム照射部２４には、イオン源２４ａと、イオン源２４から発せられたイオンを細く集束させてイオンビーム２５を形成する集束光学系（コンデンサレンズ）２４ｂと、試料表面にイオンビーム２５の焦点を合わせる対物光学系２４ｄと、この集束光学系２４ｂと対物光学系２４ｄの間に配置されたアパーチャ２４ｃとが少なくとも備えられている。本実施形態では、エスアイアイナノテクノロジー社製の集束イオンビーム装置（型番；ＳＭＩ３２００）を使用する。
【００１６】
また本実施形態において、試料Ｓは測定する薄膜磁気ヘッドが形成されたウエハであり、イオンビーム２５はガリウムイオンによるものである。イオンビーム２５は、試料表面の観察（撮像）のほか、試料表面の加工（ＦＩＢスパッタリングによる切断やＦＩＢアシストデポジションによる膜形成など）に利用される。ここで、観察用のイオンビームは、例えば、アパーチャ２４ｃに１ｐＡ用のアパーチャを用い、かつ、イオンビーム２５に０．８ｐＡの電流が流れるように集束光学系２４ｂの電圧を設定して形成したイオンビームである。一方、切断加工用のイオンビームは、例えば、アパーチャ２４ｃに３０００ｐＡ用アパーチャを用い、かつ、イオンビーム２５に３０００ｐＡの電流が流れるように集束光学系２４ｂの電圧を設定して形成したイオンビームである。
【００１７】
次に、図３〜図５を参照し、本実施形態のライトギャップ測定方法について説明する。図３は、ライトギャップ測定方法の手順を示すフローチャートである。
【００１８】
先ず、薄膜磁気ヘッドＨ１の上面（最上面）が表面となるようにウエハを試料ステージ２２に搭載し、ＦＩＢチャンバー２１内へ導入する（Ｓ１１）。次に、ウエハ上の測定する薄膜磁気ヘッドＨ１に対し、測定範囲（少なくとも下部磁極層１０８、磁気ギャップ層１１０及び上部磁極層１１１のトラック幅方向の両側領域）を保護するカーボン膜２００を部分的に形成する（Ｓ１３）。このカーボン膜２００（図５参照）は、次工程で実施されるＦＩＢスパッタリングのダメージから測定範囲を保護し、磁気ギャップ層１１０の欠けや変形を防止する。
【００１９】
続いて、駆動機構２３を介して試料ステージ２２を所定角度傾けた状態で、測定する薄膜磁気ヘッドＨ１の媒体対向面となる位置にイオンビーム２５を照射し、該媒体対向面となる端面を切り出す（Ｓ１５）。この切断面が測定対象面となる。切断加工後は、切り出した測定対象面を撮像しやすいように、駆動機構２３を介して試料ステージ２２の角度及び位置を調整する（Ｓ１７）。
【００２０】
そして、カーボンガス源３０からカーボンガス送管２９を介して、測定対象面上にカーボンガスを供給し、所定時間経過するまで待機する（Ｓ１９、Ｓ２１；Ｎ）。この待機時間中にカーボンガスはＦＩＢチャンバー２１内に拡散する。本実施形態では、カーボンガスの供給を開始してから１秒間待機する。
【００２１】
所定時間経過したら（Ｓ２１；Ｙ）、薄膜磁気ヘッドＨ１の測定対象面にイオンビーム２５を照射して、グレインの見えないＳＩＭ像を取得する（Ｓ２３）。薄膜磁気ヘッドＨ１の測定対象面にカーボンガスが供給されている状態でイオンビーム２５が照射されると、イオンビーム２５の照射と同時に、ＦＩＢアシストデポジションにより測定対象面にカーボンが付着し、グレインが見えない状態となる。このグレインが見えない状態で撮像されたＳＩＭ像は、図５に示されるように、グレインを含まないコントラスト画像となり、グレインが見える通常のＳＩＭ像（図６）に比べてライトギャップの境界位置でコントラスト差が大きくなる。
【００２２】
ここで、測定対象面にカーボンを付着させることでグレインの見えないＳＩＭ像が得られるのは、以下のように推測している。従来のように測定対象面にカーボンガスを供給しない状態でイオンビーム２５を照射した場合、図６に示されるように、グレインの見えるＳＩＭ像が得られる。このようなグレインのコントラストが現れるのは、結晶方位による二次電子の放出角度依存性、あるいは、一次イオンの入射角度依存性によるコントラストであると考える。すると、測定対象面にカーボンが付着している場合には、放出された二次電子あるいは一次イオンがカーボンにより散乱され、結晶方位によるコントラストは生じにくくなる。すなわち、測定対象面にカーボンが付着したことでグレインからの二次電子放出量が減少し、グレインのコントラストが消えているのではないかと推測できる。
【００２３】
また、測定対象面にカーボンを付着させることでライトギャップの境界位置でコントラストが大きくなるのは、以下のように推測している。本実施形態の測定対象である薄膜磁気ヘッドＨ１では、下部磁極層１０８と上部磁極層１１１がＦｅＮｉにより形成され、磁気ギャップ層１１０がＮｉＰにより形成されている。イオンビーム２５が照射されたときに各層から生じる二次電子の放出量は、一次イオンの最大進入深さと二次電子の最大放出深さに関連しており、元素重量から推測すると、ＮｉＰからなる磁気ギャップ層１１０のほうがＦｅＮｉからなる下部磁極層１０８及び上部磁極層１１１よりも一次イオンの進入深さ及び二次電子の最大放出深さが大きいと思われる。つまり、二次電子の放出量に関して、ＮｉＰからなる磁気ギャップ層１１０のほうがＦｅＮｉからなる下部磁極層１０８及び上部磁極層１１１よりもカーボンの有無の影響を受けにくく、この関係がライトギャップの境界位置でコントラストを大きくしていると思われる。
【００２４】
☆カーボン濃度について；触れないほうが良いでしょうか。
上記グレインの見えないＳＩＭ画像を得るには、測定対象面に供給するカーボンガス量（カーボンガス濃度）を適正に制御する必要がある。これは、測定対象面に付着するカーボンが多すぎるとライトギャップのコントラストが消えてしまい、少なすぎるとグレインが消えないからである。本実施形態では、イオンビーム２５の照射開始タイミングを、カーボンガスを供給してからの経過時間に基づいて制御することで、カーボンガス量を適正にしている。
【００２５】
ＳＩＭ像を取得したら、該ＳＩＭ像に基づいてライトギャップの境界位置（磁気ギャップ層１１０の下端１１０ｂと上端１１０ｕ）を検出し（Ｓ２５）、一方の境界位置から他方の境界位置までの積層方向の距離をライトギャップＷＧとして算出する（Ｓ２７）。
【００２６】
図４は、図３のＳ２５で実行する、ＳＩＭ像に基づいてライトギャップの境界位置を検出する工程の手順を示すフローチャートである。
【００２７】
先ず最初に、取得したＳＩＭ画像において、測定対象面のライトギャップの境界位置を含む領域を測定領域（ウインドウ）Ｋとし、この測定領域Ｋ内の明度データを該ＳＩＭ像から画素単位で換算する（Ｓ３１）。本実施形態の測定領域Ｋの大きさは、縦０．２〜０．５μｍ×横０．２〜０．５μｍ程度である。
【００２８】
次に、上記測定領域Ｋを、トラック幅方向と積層方向に複数並べた微小領域に仮想的に分割し、すべての微小領域について、各微小領域の明度データの平均値を算出する（Ｓ３３、Ｓ３５；Ｎ）。本実施形態では、トラック幅方向に５画素、積層方向に５画素の計２５画素から１つの微小領域を構成する。以下では、トラック幅方向に並ぶ複数の微小領域を「微小領域の列」ということにする。
【００２９】
すべての微小領域について明度データの平均値を算出したら（Ｓ３５；Ｙ）、すべての微小領域の列について、各列毎に、該明度データの平均値を平均化する（Ｓ３７、Ｓ３９；Ｎ）。以下では、すべての微小領域の列について求めた値を「トラック幅方向の平均化データ」という。
【００３０】
トラック幅方向の平均化データを算出したら（Ｓ３９；Ｙ）、該平均化データを積層方向の順番、例えばウエハ側から順に並べる（Ｓ４１）。続いて、積層方向の順番に並べた平均化データを微分し、極大値となる第１ピーク及び第２ピークを検出する（Ｓ４３）。この第１ピーク及び第２ピークは、ウエハに近い側が磁気ギャップ層１１０の下端１１０ｂに対応し、ウエハに遠い側が磁気ギャップ層１１０の上端１００ｕに対応する。
【００３１】
以上により、ライトギャップの境界位置（磁気ギャップ層１１０の下端１１０ｂ、上端１１０ｕ）が検出される。上述した図３のＳ２７では、図４のＳ４５で求めた第１ピークから第２ピークまでの積層方向の距離を算出することで、ライトギャップＷＧが得られる。
【００３２】
表１に、測定領域Ｋのトラック幅方向の寸法を変えてライトギャップＷＧを１０回測定し、１０回分の測定値の標準偏差を結果として示した。
【００３３】
表１
実施例
Ｋ（μｍ）            ０．１８          ０．２４          ０．３０
ＷＧ（ｎｍ）          １７．５          １６．３          １２．８
比較例
Ｋ（μｍ）            ０．１８          ０．２４          ０．３０
ＷＧ（ｎｍ）          ３２．６          ２３．６          １６．８
【００３４】
実施例は、図３及び図４に示される本実施形態のライトギャップ測定方法により、グレインの見えないＳＩＭ像（図５）を用いてライトギャップＷＧを算出している。
【００３５】
比較例は、従来のライトギャップ測定方法により、グレインの見えるＳＩＭ像（図６）を用いてライトギャップＷＧを算出している。具体的な測定手順は、先ず、測定する薄膜磁気ヘッドの媒体対向面となる位置に切断加工用の集束イオンビームを照射してウエハを局所的に切り出し、該切断面を測定対象面とする。次に、観察用の集束イオンビームで薄膜磁気ヘッドの測定対象面を走査してＳＩＭ像（図６）を取得し、このＳＩＭ像から、測定対象面のライトギャップ境界位置を含む測定領域の明度データを算出する。続いて、上記測定領域を、薄膜磁気ヘッドのトラック幅方向及び積層方向に複数の画素からなる微小領域に仮想的に分割し、すべての微小領域について明度データの平均値を算出する。さらに、トラック幅方向に並ぶ複数の微小領域からなる列毎に、上記明度データの平均値の標準偏差を算出し、このトラック幅方向の標準偏差を薄膜磁気ヘッドの積層方向の順番（例えばウエハ側からの順）に並べて、微分し、該微分値の第１、第２ピークを検出する。そして、検出した第１ピークから第２ピークまでの積層方向の距離間隔を、薄膜磁気ヘッドのライトギャップＷＧとして求める。
【００３６】
表１から明らかなように、実施例と比較例の両方において測定領域Ｋのトラック幅方向の寸法が狭くなると測定値にばらつきが生じる傾向があるが、そのばらつき度合いは、実施例のほうが比較例より少ないことが分かる。すなわち、実施例によれば、比較例よりライトギャップＷＧの測定精度が向上する。
【００３７】
以上のように本実施形態によれば、薄膜磁気ヘッドＨ１の測定対象面にカーボンガスを供給しつつイオンビーム２５を照射することによりグレインの見えないＳＩＭ像を取得し、このグレインの見えないＳＩＭ像を用いて上記所定の演算によりライトギャップＷＧを算出するので、グレインに影響されない測定を実現できる。これにより、ライトギャップＷＧの測定精度が向上し、ライトトラック幅が狭小化されてもライトギャップＷＧの測定ばらつきを抑えることができる。また本実施形態によれば、グレインの見えないＳＩＭ像を用いることで、該ＳＩＭ像のコントラストの平均値からライトギャップの境界位置を検出可能となり、これによっても測定精度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】（Ａ）本発明方法の測定対象である薄膜磁気ヘッドの積層構造を、媒体対向面側から見て示す断面図、（Ｂ）（Ａ）の部分拡大断面図である。
【図２】本発明のライトギャップ測定方法に用いる集束イオンビーム装置の概略構成図である。
【図３】本発明によるライトギャップ測定方法の手順を示すフローチャートである。
【図４】図３のライトギャップの境界位置を検出する工程の手順を示すフローチャートである。
【図５】本発明のライトギャップ測定方法で用いるＳＩＭ像である。
【図６】従来のライトギャップ測定方法で用いるＳＩＭ像である。
【符号の説明】
【００３９】
２０  集束イオンビーム装置
２１  ＦＩＢチャンバー
２２  試料ステージ
２３  駆動機構
２４  イオン照射部
２５  イオンビーム
２６  検出器
２７  処理部
２８  モニタ
２９  カーボンガス送管
３０  カーボンガス源
１０８  下部磁極層
１１０  磁気ギャップ層
１１０ｂ  下端（境界位置）
１１０ｕ  上端（境界位置）
１０９  上部磁極層
２００  カーボン膜
Ｈ１  薄膜磁気ヘッド
Ｓ    試料（薄膜磁気ヘッドが形成されたウエハ）
ＷＧ  ライトギャップ
【図１】
2008305511.tif 000003
【図２】
2008305511.tif 000004
【図３】
2008305511.tif 000005
【図４】
2008305511.tif 000006
【図５】
2008305511.tif 000007
【図６】
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