(57)【要約】【課題】  それぞれが独立して動作可能な多数の小さいセグメントを有する、ＬＣＤ用のバックライト、又は低い製造コストを可能にするＦＥＤ用の電子放出素子アレイを提供する。【解決手段】  複数のナノワイヤ２１６を、陰極層２１４を有する基板上に堆積させることにより、電界効果電子放出素子が作製される。堆積は、ナノワイヤ２１６をめっき溶液中に懸濁させ、基板を金属層２０２でめっきして、ナノワイヤを埋め込むことによって行われる。ナノワイヤ２１６は、導電性の磁性材料から成る。堆積プロセスは、ナノワイヤ２１６が磁界によって整列されるように、基板２００に対して垂直な磁界の存在下で実行される。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された１つ又は複数の陰極と、
前記１つ又は複数の陰極と電気的に接触する金属層と、
前記金属層に埋め込まれ、少なくとも一部が当該金属層から露出し、磁性材料からなる複数のナノワイヤと
を具備する電界効果電子放出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電界効果電子放出装置であって、
前記陰極上に、又は前記陰極に隣接して形成され、複数配列された孔を有する絶縁層と
前記絶縁層上に設けられた１つ又は複数のゲート電極と
をさらに具備する電界効果電子放出装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電界効果電子放出装置であって、
前記各ナノワイヤの、前記基板から最も遠い先端は、前記ゲート電極と実質的に同一平面上にある
電界効果電子放出装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の電界効果電子放出装置であって、
前記ナノワイヤの露出した部分の平均長Ｌと、前記各ナノワイヤ間の平均距離Ｓとは、Ｓ／Ｌ＞１を満たす
電界効果電子放出装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電界効果電子放出装置であって、
前記ナノワイヤの材料は、Ｎｉ、Ｆｅ、又はＣｏのうちの少なくとも１つを含む
電界効果電子放出装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の電界効果電子放出装置であって、
前記ナノワイヤの材料は、金属又は金属酸化物である
電界効果電子放出装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の電界効果電子放出装置であって、
前記ナノワイヤの平均直径は、２００ｎｍ未満である
電界効果電子放出装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電界効果電子放出装置であって、
当該電界効果電子放出装置は複数の前記陰極を有し、
前記金属層は、前記各陰極と接触する複数の領域に分割される
電界効果電子放出装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電界効果電子放出装置であって、
前記複数のナノワイヤのうち少なくとも９０％のナノワイヤにおいて、前記金属層から露出した部分の長さが、当該露出した部分の平均長から±１０％の範囲内に入る
電界効果電子放出装置。
【請求項１０】
陰極を有する基板を、当該基板の主面に垂直な磁界の存在下で、磁性ナノワイヤを含有するめっき液と接触させ、
前記基板上に第１の金属層をめっきすることで、前記磁性ナノワイヤを前記第１の金属層に埋め込む
電界効果電子放出装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電界効果電子放出装置の製造方法であって、さらに、
複数配列された孔を有する絶縁層を、前記陰極上に、又は前記陰極に隣接して形成し、
ゲート電極を、前記絶縁層上に、又は前記絶縁層に隣接して設ける
電界効果電子放出装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電界効果電子放出装置の製造方法であって、
前記ナノワイヤは、平均直径が５００ｎｍ未満であり、平均長さが１μｍよりも長い
電界効果電子放出装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の電界効果電子放出装置の製造方法であって、
前記接触させるステップに先立って、前記ナノワイヤを電気めっきにより形成する
電界効果電子放出装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の電界効果電子放出装置の製造方法であって、
前記接触させるステップに先立って、前記ナノワイヤを、電気めっき及びその後の酸化により形成する
電界効果電子放出装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の電界効果電子放出装置の製造方法であって、さらに、
前記第１の金属層上に第２の金属層をめっきして、前記ナノワイヤを前記第２の金属層に埋め込み、
前記第２の金属層を、前記ナノワイヤの先端が露出されるまで研磨し、
前記第２の金属層を選択的にエッチングする
電界効果電子放出装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の電界効果電子放出装置の製造方法であって、さらに、
前記金属層を、前記ナノワイヤの先端が露出されるまで研磨し、
前記金属層を、前記ナノワイヤがより多く露出されるようにエッチングする
電界効果電子放出装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電界効果電子放出装置と、
前記電界効果電子放出装置の基板に対して平行であり、１つ又は複数の陽極が設けられた蛍光体スクリーンと
を具備する電界効果型ディスプレイ。
【請求項１８】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電界効果電子放出装置と、
前記電界効果電子放出装置の基板に対して平行であり、１つ又は複数の陽極が設けられた蛍光体スクリーンと
を具備する照明装置。
【請求項１９】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電界効果電子放出装置と、
前記電界効果電子放出装置の基板に対して平行であり、１つ又は複数の陽極が設けられた蛍光スクリーンと、
前記１つ又は複数の陰極、前記ゲート電極、及び／又は前記陽極に接続され、それらを独立して動作可能なセグメントとして電力供給する電子回路と
を具備する液晶ディスプレイ用のバックライト装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界放出型ディスプレイ装置（Field Emission Display device：ＦＥＤ）、液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）用のバックライト、又は電子放出を必要とする任意の他の装置に用いることができる電子放出素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイ（Flat Panel Display：ＦＰＤ）は、従来技術と比較して設置面積が小さく、且つ画面が大きく平面であるため、近年普及している。多くの家庭機器用途において、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）が陰極線管（Cathode Ray Tube：ＣＲＴ）に取って代わりつつある。しかしながら、ほとんどのＬＣＤは、コントラスト比が従来のＣＲＴ技術（１，０００，０００：１）と比較して低い（５０００：１）という欠点を有する。ＬＣＤのコントラスト比を改善するために、多くの研究者により、バックライトのマルチセグメント動作が盛んに研究されている。マルチセグメント動作は、画像の明るい部分に位置するディスプレイのセグメントをより明るく照明し、画像の暗い部分に位置する他のセグメントをあまり照明しない方法である。各セグメントの照度は、表示される画像に従って制御される。セグメントの大きさが小さいほど、表示画像の忠実度は向上する。マルチセグメント動作のバックライトの光源としては、通常、発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）が用いられる。例えば、バックライトパネル上に、４００個のＬＥＤを２０×２０のマトリックス状に配列することが知られている。このＬＥＤアレイは、各セグメントが１６（＝４×４）個のＬＥＤを有するように、２５個のセグメントに分割される。ＬＣＤパネルによって表示される画像は予め分析され、各セグメントの照度は、表示される画像のコントラスト比を最大にするように確定される。ＬＥＤバックライトは通常、３種類のＬＥＤ、すなわち赤色、青色及び緑色の各ＬＥＤから白色光を形成するため、セグメントの大きさを非常に小さくすることは難しい。セグメントの面積が小さすぎると、３色が十分に混ざらないため、適切な白色光を得ることができない。
【０００３】
ＬＣＤに代わる技術が、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ）である。典型的なＦＥＤには、微細な金属チップ又はカーボンナノチューブ（Carbon Nano-Tube：ＣＮＴ）の大きなアレイが組み込まれており、このアレイが、電界放出として知られているプロセスにより電子を放出する。ＦＥＤは、ＣＲＴに類似の原理に基づいて動作する、すなわち電子放出素子及び蛍光体を用いるため、十分に高いコントラスト比を得られる。
【非特許文献１】Jean-Marc Bonard他、"Tuning the Field Emission Properties of Patterned Carbon Nanotube Films"、 「Advanced Material 2001」、13、No. 3、２００１年２月５日、Ｐ．１８４−１８８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ほとんどのＦＥＤシステムに用いられる、いわゆるスピンドタイプの放出素子の製造には複雑なプロセスが必要とされ、パネルのコストが増加する。ＣＮＴを合成したものも、高価な設備を必要とするためコストがかかる。これらが、ＦＥＤが、高いコントラスト比を達成する能力があるにも関わらずＦＰＤ産業において主役となることができない主な理由である。
【０００５】
したがって、それぞれが独立して動作可能な多数の小さいセグメントを有する、ＬＣＤ用のバックライト、又は低い製造コストを可能にするＦＥＤ用の電子放出素子アレイを提供することが望ましい。
したがって、本発明の目的は、新規且つ有用な電子放出素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
包括的に、本発明の第１の態様は、ナノワイヤ電子放出素子を用いる電界効果電子放出装置を提案する。各ナノワイヤは磁性材料からなる。
【０００７】
この概念は、電子放出装置の製造プロセス中、基板に対して垂直になるようにワイヤに磁界を印加すると、磁界がナノワイヤを基板に対して垂直に整列させることができるという利点を提供する。なお、スピンドタイプのＦＥＤの放出素子を形成するためには、既知のモリブデン（Ｍｏ）が用いられ、ＣＮＴタイプのＦＥＤには炭素が用いられる。いずれも磁性材料ではない。
【０００８】
包括的に、本発明の第２の態様は、ナノワイヤが磁界によって整列されるように、磁性材料からなるナノワイヤを、基板に対して垂直な磁界の存在下で基板に取り付けるステップを含む、電界効果電子放出装置の製造方法を提案する。
【０００９】
本発明のいずれの態様においても、基板上のナノワイヤの密度及び向きの制御がより簡単になる。それにより、製造された電子放出素子は、電子放出の閾値電圧がより低くできる。
【００１０】
典型的には、ナノワイヤは、めっき液を用いた電気化学的又は非電気的なめっきプロセスによって金属材料が基板上に堆積されるのと同時に取り付けられる。磁性ナノワイヤは、めっき液中に拡散され、磁界により整列されて、基板に対してほぼ垂直な向きを維持しながら、電気化学的又は化学的に堆積される金属膜に組み込まれる。したがって、ナノワイヤの固定は、電気化学的又は非電気的なめっき等の簡単なプロセスによって達成される。これにより、既知の技術に比べて製造コストが低減される。
【００１１】
ナノワイヤの材料は、導電性の材料であってよい。しかしながら、非導電性の磁性材料（金属酸化物等）、非導電性の磁性材料を後に導電性材料で被膜したもの、又は導電性の磁性材料を別の導電性材料若しくは非導電性材料で被膜したものからナノワイヤを形成することも可能である。
【００１２】
本発明のいくつかの実施形態は、小さいセグメントに分割することができ、且つ陰極及びゲート電極をパターニングすることにより独立して動作することができる電子放出素子である。こうした放出素子は、ＬＣＤ又はＦＥＤパネル用のマルチセグメント化されたバックライトとして特に有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
これより、本発明の例示的な実施形態を、添付の図面を参照しながら説明する。
【００１４】
図１を参照すると、放出素子アレイ１０２及び蛍光体スクリーン１０４をハウジング１０８内に有する、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ）又はＬＣＤ用のマルチセグメント化されたバックライト１００の原理が示されている。蛍光体スクリーン１０４は、放出素子アレイ１０２に対して平行であり、一連のスペーサ１０６によって放出素子アレイ１０２から離間されている。ハウジング１０８及び蛍光体スクリーン１０４によって囲まれた空洞は、真空に保たれる。蛍光体スクリーン１０４は、ガラスの面板と、蛍光体層と、陽極層とから成る。放出素子アレイ１０２からの加速電子は、蛍光体スクリーン１０４に衝突し、蛍光照明が生成される。
【００１５】
図２に示される本発明の第１の実施形態は、図１の放出素子アレイ１０２の代わりに用いることができる、新規の電子放出素子アセンブリ２２０である。電子放出素子アセンブリ２２０は、基板２００と、陰極２１４と、絶縁層２０３と、金属層２０２と、ナノワイヤ電子放出素子２１６と、ゲート電極２０４とを有する。製造プロセスにおいては、陰極２１４が、基板２００上の一連の平行なストリップとして基板２００上に堆積される。その後、絶縁層２０３が塗布され、陰極２１４上に延在する孔２０１を画定する。その後、一連のゲート電極２０４が、図３に示すように陰極２１４に直交して延在するように、絶縁層２０３上に堆積される。こうして、電子放出素子アセンブリ２２０が製造される。その後、磁性材料製のナノワイヤ２１６が、電気めっきされた金属層２０２と共に陰極層２１４上に取り付けられる。なお、金属層２０２は連続的である必要はなく、その代わりに、複数の異なる陰極２１４にわたって延在する複数の領域を含むように、絶縁層２０３によって分割される。図２に示すように、ナノワイヤ２１６の上端は、ゲート電極２０４と実質的に同一平面上にある。
【００１６】
比Ｓ／Ｌ（ここで、Ｓはナノワイヤ間の離間距離であり、Ｌは露出されたナノワイヤの長さである）が、電子放出特性に影響を与えることは周知である。例えば、Jean-Marc Bonard他（非特許文献１）は、Ｓ／Ｌとβｍ／βｓとの関係は、以下の式（１）によって表すことができることを明らかにした。
βｍ／βｓ＝１−ｅｘｐ（−２．３１７２Ｓ／Ｌ）                      （１）
ここで、βｍは、平面上に均一に立てられた一連のナノワイヤについての電界増強係数であり、βｓは、単一のナノワイヤについての電界増強係数である。この式が、図４にプロットされている。電界増強係数βは、以下の式（２）によって定義される。
Ｆ＝βＥ                                                              （２）
ここで、Ｆはナノワイヤの先端における電界であり、Ｅは印加される外部電界である。図４に示すように、Ｓ／Ｌが１よりも小さい場合、βｍは、βｓよりもはるかに小さい。この観点から、金属層２０２の厚さ、ナノワイヤ２１６の長さ、及びナノワイヤの密度は、Ｓ／Ｌが１よりも大きくなるように確定されるべきである。
【００１７】
図５及び図６を参照すると、本発明の実施形態である第１の製造プロセスが詳細に説明される。まず、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ又は任意の他の金属、合金又はその酸化物等の磁性材料からなるナノワイヤが形成される（図５）。これらのナノワイヤは、弱い又は強い磁気特性を示す。陽極酸化アルミニウム（ＡＡＯ）５０２のシートを、ナノワイヤの型板として用いるのが便利である。例えば、Ｎｉナノワイヤは、ＡＡＯ型板の孔隙において電気めっきできる。１つの特定の例では、直径２０ｎｍの貫通孔５０５を有する厚さ５０μｍのＡＡＯシート５０２の片側に、厚さ２００ｎｍのＣｕ層５０１がシード層として堆積される。めっき液５０４中で、Ｃｕシード層５０１と、Ｐｔ等の材料からなる対極５０３との間に電流を印加することにより、例えば、直径２０ｎｍ及び長さ１０μｍのＮｉナノワイヤ５００が得られる。ナノワイヤの直径及び長さは、ＡＡＯ型板の孔の大きさ及びめっき時間を変更することにより調整可能である。めっき液には、以下の混合物、すなわち、２４０ｇ／ＬのＮｉＳＯ４−６Ｈ２Ｏ、４５ｇ／ＬのＮｉＣｌ２−６Ｈ２Ｏ、及び３５ｇ／ＬのＨ３ＢＯ３が用いられる。めっき後、ＮａＯＨ溶液でのエッチングにより、ＡＡＯ型板は除去される。Ｃｕシード層は、得られた層を（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８又はＦｅＣｌ２溶液で処理することにより除去することができる。こうして、個々のＮｉナノワイヤだけが残る。典型的には、ナノワイヤの長さは、数マイクロメートル〜数十マイクロメートルの範囲内である。本明細書では、ナノワイヤという用語は、直径１ミクロン未満、好ましくは直径５００ｎｍ未満の細長い導体を意味するために用いられる。本発明者による実験では、直径２００ｎｍ未満の金属ナノワイヤが妥当な閾値電圧をもたらすことを示された。
【００１８】
次に、本実施形態の電気めっきプロセスが説明される。パターニングされた絶縁層２０３、電極２０４、及び陰極２１４を有する基板２００を有するアセンブリ２２０が、例えば、２００ｇ／ＬのＣｕＳＯ４−５Ｈ２Ｏ、５０ｇ／ＬのＨ２ＳＯ４、及び１００ｍｇ／ＬのＨＣｌを含有するＣｕめっき液６０１に浸漬される。図５に示すプロセスにより形成された磁性ナノワイヤ５００が、めっき液中に拡散される。磁石６０４によって生成された均一な電界がめっき溶液に印加される。印加される磁界の方向は、基板に対して垂直である。その後、溶液中に拡散された磁性ナノワイヤが、磁界の方向に整列し始める。磁界が印加されるのと同時に、陰極２１４と対極６０２との間に電流も印加される。こうして、Ｃｕ層が、Ｎｉナノワイヤと共に、孔２０１を通って陰極層２１４上に堆積される。Ｎｉナノワイヤは、溶液中で基板に対して垂直に整列しているため、Ｃｕ膜に組み込まれたＮｉナノワイヤのほとんどは、（図２に示すように）基板の主面に対して垂直に方向付けられている。この整列は正確である必要はないことを理解されたい。ナノワイヤの長手方向と、図２における縦方向（図５における横方向）との間に強い相関関係がありさえすればよい。上記の２つの方向間の差は、平均で１０度未満であることが好ましい。隣接するナノワイヤの方向における差の平均は、５度以下であることが好ましい。なお、図２及び図５は、単にナノワイヤの平均的な状態を示しているに過ぎない。倒れている又は異常な大きな角度傾斜しているナノワイヤの割合は少ない。製造された電子放出素子上のナノワイヤの密度は、Ｓ／Ｌ比が１よりも大きくなるように、めっき液中に拡散されるナノワイヤの量、磁界、めっき液の攪拌、及びめっき電流を最適にすることによって調整される。この製造プロセスにより、電界放出の妥当な閾値電圧が得られる。ナノワイヤ及び金属層のための材料は、Ｎｉ及びＣｕに限定される必要はない。実際には、ナノワイヤ及び金属層の両方が、例えばＮｉ等の同一材料で形成されてもよい。ここで図７を参照すると、図６のステップを実行する代替的な方法が示されている。永久磁石７０４が、基板２００の背面側に取り付けられている。磁性ヨーク７０５は、磁界を均一にするのに効果的であり得る。Ｎｉナノワイヤ５００は、磁石７０４に引き付けられ、絶縁層２０３の孔２０１を通って、陰極層２１４に取り付けられている。ナノワイヤ５００は、それらの長手方向が基板に対して垂直になるように整列される。同時に、陰極層２１４と対極７０２との間に電流が印加される。その後、Ｃｕ膜が陰極層２１４上に堆積され、ナノワイヤ５００は、電気めっきされたＣｕ膜２０２によって、陰極層２１４上に固定される。製造された電子放出素子上のナノワイヤの密度は、Ｓ／Ｌ比が１よりも大きくなるように、めっき溶液中に拡散されたナノワイヤの量、磁界、めっき溶液の攪拌、及びめっき電流を最適にすることによって調整される。
【００１９】
図８は、電子放出素子アセンブリ２２０の第２の実施形態の上面図である。参照符号は図３における符号と同じ意味を持つ。この実施形態を、図１に示した形態に適用することもできる。図３に示した第１の実施形態とは異なり、孔２０１が、より小さい孔１２０１の配列に替えられている。
【００２０】
図９は、電子放出素子アセンブリ２２０の第３の実施形態の断面図である。参照符号は図２における符号と同じ意味を持つ。この実施形態を、図１に示した形態に適用することもできる。図２に示す第１の実施形態とは異なり、第３の実施形態のナノワイヤ２１６はより短く、細い。最上部に位置するナノワイヤ２１６の上端は、ゲート電極２０４と実質的に同一平面上にある。
【００２１】
１つの陰極と１つのゲート電極との間に電界を印加することにより、その陰極とゲート電極との交点において電界電子放出を選択的に誘起することができる。誘起された電子放出により局所的な発光が得られるため、これをＦＥＤのピクセル、又はＬＣＤ用のマルチセグメント化されたバックライトのセグメントに用いることができる。
【００２２】
図１０は、本発明のさらなる実施形態に係る製造方法を示す。第１の実施形態と同じ意味を持つ要素は、図２と同じ参照符号によって示される。第１の実施形態とは異なり、第１の金属層２０２上に、第２の金属層１００１が堆積される。例えば、第１の金属層２０２にはＮｉを用いることができ、第２の金属層１００１にはＣｕを用いることができる。第２の金属層１００１のＣｕを、平らな砥石で研磨することで、図１０（ｂ）の構造が得られる。その後、第２の金属層１００１のＣｕを、（例えば、上述した適切な材料のうちの１つによって）選択的にエッチングし、その後ゲート電極２０４を形成することで、図１０（ｃ）の構造が得られる。
【００２３】
図１１は、本発明のさらなる実施形態に係る製造方法を示す。第１の実施形態と同じ意味を持つ要素は、図２における参照符号によって示される。第１の実施形態とは異なり、金属層２０２ははるかに厚い。任意選択で、ナノワイヤ２１６にはＮｉを用いることができ、金属層２０２にはＣｕを用いることができる。その後、研磨ステップを経て、図１１（ｂ）の構造が形成される。その後、金属層２０２のＣｕを（例えば、上述した適切な溶液のうちの１つによって）選択的にエッチングし、その後ゲート電極２０４を形成することで、図１１（ｃ）の構造が得られる。
【００２４】
図１０及び図１１の実施形態のいずれも、第１の実施形態よりも整列したナノワイヤを提供でき、且つ／又はナノワイヤの露出された長さをより均一にすることができる。
【００２５】
図１２は、上記で説明したすべての実施形態の好適な特性を示す。具体的には、金属層に埋め込まれたナノワイヤの、金属層から露出した部分の長さは概ね同じである。好ましくは、ナノワイヤの露出された部分の平均長がＬＡである場合、ナノワイヤの約９０％は、この平均を上回る差分ΔＬ１及び平均を下回る差分ΔＬ２が、ＬＡの１０％以内である。ＬＡからΔＬ３（１０％を超える）分異なる長を有するナノワイヤの割合は比較的少ない。なお、Ｓ／Ｌ＝１のとき、ナノワイヤの長さの変動が１０％以下である場合、（βｍ／βｓ）の変化は３％未満である。本実施形態のほとんどの用途において、（βｍ／βｓ）における３％の変化は蛍光板の発光にほとんど影響を及ぼさない。よって、平均長の変動が±１０％であることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】既知の電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ）又はＬＣＤ用のマルチセグメント化されたバックライトの断面図である。
【図２】本発明の一実施形態であり、且つ図１の構造に適用可能な電子放出素子アレイの断面図である。
【図３】図２の放出素子アレイの上面図である。
【図４】電子放出素子の、電界放出挙動の計算結果を示すグラフである。
【図５】本発明の図２及び図３の実施形態に係る装置を製造するための第１のステップとして用いることができる、磁性ナノワイヤの製造プロセスを示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係る、電気化学的めっきプロセスを示す図である。
【図７】電気めっきの代替的なプロセスを示す図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る放出素子アレイの上面図である。
【図９】本発明の第３の実施形態に係る放出素子アレイの断面図である。
【図１０】本発明のさらなる実施形態に係る製造方法におけるステップを示す図である。
【図１１】本発明のさらなる実施形態に係る製造方法におけるステップを示す図である。
【図１２】本発明のすべての実施形態の好ましい特性を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【外国語明細書】
2008305792000001.pdf