(57)【要約】      （修正有）【課題】微細化に伴うボンディング性の低下を抑制する半導体装置の検査方法、半導体検査装置及び検査用部材を提供する。【解決手段】検査対象にコンタクトプローブ（５）を接続させ、前記コンタクトプローブ（５）が受ける信号に基づいて行われる半導体検査を、以下のステップを含む方法で実行する。その半導体検査方法は、  ［ａ］前記半導体装置（１１）と前記コンタクトプローブ（５）との間に、導電部材（１０）を配置するステップと、  ［ｂ］前記導電部材（１０）を介して前記コンタクトプローブ（５）を前記半導体装置（１１）のパッド（１２）に接続させるステップとを具備するものである。【選択図】図１０
2008047703.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象にコンタクトプローブを接続させ、前記コンタクトプローブが受ける信号に基づいて半導体装置の検査を行う半導体検査方法において、
（ａ）前記半導体装置と前記コンタクトプローブとの間に、導電部材を配置するステップと、
（ｂ）前記導電部材を介して前記コンタクトプローブを前記半導体装置のパッドに接続させるステップと
を具備する
半導体装置の検査方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の検査方法において、
前記（ｂ）ステップは、
前記コンタクトプローブの端部が前記導電部材の端面に接触しているときに、前記導電部材の他の端面が前記パッドに接触するステップ
を含む
半導体装置の検査方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体の検査方法において、
前記導電部材は、
前記パッドに平行に配置された複数の導体と、
前記複数の導体の間に備えられた絶縁体と
を含み、
前記複数の導体の各々は、
前記端であるプローブ側接触部と、
前記他端であるパッド側接触部と
を有し、
前記（ｂ）ステップは、
前記パッドに接触する面積が前記端部の面積よりも小さいパッド側接触部で、前記パッドに接触するステップ
を含む
半導体の検査方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体検査方法において、
前記（ｂ）ステップは、
前記端部が前記導電部材に接するときに、前記複数の導体の少なくとも一つに接触するステップを含む
半導体の検査方法。
【請求項５】
半導体検査装置本体と、
前記半導体検査装置本体に接続され、検査対象の半導体装置に送受信する信号を受ける端部を有するコンタクトプローブと、
前記コンタクトプローブと前記半導体装置との間に配置され、前記半導体装置に接触する接触面を備える導電部材と
を具備し、
前記コンタクトプローブは、
前記端部を前記導電部材に接触させ、前記導電部材を介して前記半導体装置に対する前記信号の送受信を実行し、
前記接触面は、
前記端部が前記半導体装置に接触する場合の接触面積よりも小さい面積で構成される
半導体検査装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体検査装置において、
前記半導体装置は、前記信号を提供するパッドを含み、
前記導電部材は、
前記パッドに平行に配置された複数の導体と、
前記複数の導体の間に備えられた絶縁体と
を含み、
前記複数の導体の各々は、
前記端部に接触するプローブ側接触部と、
前記パッドに接触し、前記パッドに接触する面積が前記端部の面積よりも小さいパッド側接触部と
を有する
半導体検査装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体検査装置において、
前記複数の導体は、
前記端部が前記導電部材に接するときに、前記複数の導体の少なくとも一つに接触するような間隔で配置される
半導体検査装置。
【請求項８】
コンタクトプローブを半導体装置の電極パッドに接触させて前記半導体装置の導電性を検査する半導体検査装置に使用される検査用部材であって、
前記検査用部材は、
シートフィルム状に構成された絶縁体と、
前記絶縁体に配置された複数の導体と、
を含み、
前記複数の導体の各々は、
前記コンタクトプローブの端部に接触するプローブ側接触部と、
前記電極パッドに接触するパッド側接触部を有し、
前記パッド側接触部の面積は、前記端部の面積よりも小さい面積である
検査用部材。
【請求項９】
請求項８に記載の検査用部材において、
前記複数の導体は、
前記端部が前記導電部材に接するときに、前記複数の導体の少なくとも一つに接触するような間隔で配置される
検査用部材。
【請求項１０】
請求項９に記載の検査用部材において、
前記複数の導体と前記絶縁体との少なくとも一方が透明である
検査用部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の検査方法、半導体検査装置および検査用部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路は、様々な工程を経て製造されている。最終的にＩＣチップとなる半導体集積回路は、ウェハに形成される。ウェハに半導体集積回路を形成した後、その半導体集積回路を検査装置に接続させて回路の動作を検証する検査（以下、ウェハ検査と呼ぶ）が行われている。ウェハ検査を行うことによって、不良品をパッケージに組み立ててしまう無駄を低減させることにより生産性の向上が図られている。
【０００３】
このようなウェハ検査では、その半導体集積回路の電極パッドの配置に合わせて電気的接点（以下、コンタクトプローブと呼ぶ）を配置したＩＣ検査用カード（以下、プローブカードと呼ぶ）を用いている。そして、検査装置と半導体集積回路の電極パッドとを一時的に接続するために、プローブカードのコンタクトプローブをウェハに押しつける方法がとられている。
【０００４】
図１は、従来の半導体検査装置の構成を例示するブロック図である。図１を参照すると、従来の半導体検査装置１０１は、計測装置１０２と位置合わせ装置１０３とを含んで構成されている。計測装置１０２と位置合わせ装置１０３とは、信号線を介して接続されている。計測装置１０２は、半導体ウェハに設けられた一個一個のチップと電気信号の送受信を行って、それぞれのチップの電気的特性を測定している。計測装置１０２は、プローブカード１０４を介してウェハ１０８に接続され、そのプローブカード１０４を介してウェハ１０８を検査するための電気信号の送受信を行っている。
【０００５】
位置合わせ装置１０３は、ウェハ１０８に設けられた複数のチップの電気的特性を測定するために、それぞれのチップのボンディングパッドに、コンタクトプローブ１０５の先端を接触させる装置である。コンタクトプローブ１０５は、ウェハ１０８上のチップのボンディングパッドに対応してプローブカード１０４に配置されている。図１に示されているように、位置合わせ装置１０３は、コンタクトプローブ１０５の先端をウェハ１０８のボンディングパッドに自動的に接触させて各チップの電気的特性の測定させている。
【０００６】
以下に、図１の領域１１０を拡大した図を参照して、従来の半導体検査に関して説明を行う。図２は、半導体検査における領域１１０を示す斜視図である。図２を参照すると、検査対象のＩＣチップ１１１には、複数の電極パッド１１２が配置されている。上述したように、コンタクトプローブ１０５は、その複数の電極パッド１１２に対応して設けられている。
【０００７】
図３は、電極パッド１１２にコンタクトプローブ１０５の先端を接触させたときの状態を示す斜視図である。図３を参照すると、プローブカード１０４に設けされた複数のコンタクトプローブ１０５は、ＩＣチップ１１１に配置された複数の電極パッド１１２と一対一に対応している。図３に示されているように、従来の半導体検査装置１０１において、位置合わせ装置１０３は、コンタクトプローブ１０５を電極パッド１１２に直接接触させて、ＩＣチップ１１１の電気的特性を測定している。
【０００８】
また、半導体検査において、検査対象に直接検査針を接触させることなく検査を実行する技術が知られている（例えば、特許文献１〜３参照。）。特許文献１（特開２０００−１８０５０６号公報）に記載の技術では、パッケージに組み立てた後に行われる機能検査において、ＩＣパッケージの良・不良を判定する検査に両面コンタクトシートと、弾性を有する異方性導電シートを使用している。
【０００９】
また、特許文献２（特開２００５−０４３３４２号公報）に記載の技術では、硬いテスト基板に半導体装置の電極を押し付けて検査した後、その検査基板を取り外すときに、その電極に生じる破損を防止することを、解決しようとする課題としている。特許文献２に記載の技術では、多孔質体層からなるコンタクトシートをテスト装置のテスト基板上に設けてテストを行っている。特許文献２に記載の技術では、コンタクトシートの接続電極と、検査対象の電子部品の電極である半田バンプとを溶融接続している。そして、テストを実行したことによって接続された接続電極と半田バンプとを、コンタクトシートの界面で破断させている。
【００１０】
また、特許文献３（特開２００３−１４９２８８号公報）に記載の技術では、半導体検査に使用するコンタクトシートに金属細線が埋め込まれている。その金属細線の熱膨張による位置ずれを防止するために、検査用基板の電極を半田バンプなどで構成している。
【００１１】
【特許文献１】特開２０００−１８０５０６号公報
【特許文献２】特開２００５−０４３３４２号公報
【特許文献３】特開２００３−１４９２８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述のように、従来のウェハ検査は、プローブカード１０４に細い針状の電極で構成されたコンタクトプローブ１０５を、半導体集積回路の電極パッドに接触させている。このとき、電極パッド１１２にコンタクトプローブ１０５の先端を接触させるときの圧力によっては、電極パッド１１２の表面を摺動し、電極パッド１１２に接触痕ができてしまうことがある。図４は、検査が終了したＩＣチップ１１１の状態を示す平面図である。図４の（ａ）は、一つのチップを示す平面図であり、図４の（ｂ）は、領域１１３に対応する電極パッド１１２を示す平面図である。図４の（ｂ）を参照すると、従来の半導体検査では、コンタクトプローブ１０５の先端が接触する箇所に、接触痕１１４ができてしまっている。
【００１３】
近年、半導体技術の進歩に伴う半導体集積回路の微細化が進んできている。それに伴って、ＩＣチップ１１１に配置される電極パッド１１２の間隔が狭くなってきている。また、複数の電極パッド１１２が配置されるＩＣチップ１１１では、各電極パッド１１２の各々の面積が小さくなってきている。そのため、コンタクトプローブ１０５の先端が従来と変化がなくても、相対的に電極パッドの面積に対して接触痕１１４が大きくなってしまう。
【００１４】
電極パッド１１２の発生する接触痕１１４が大きくなると、ボンディングワイヤーを電極パッド１１２に接続する場合の、ボンディング性が低下してしまうことがある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
以下に、［発明を実施するための最良の形態］で使用される番号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１６】
上記課題を解決するために、検査対象にコンタクトプローブ（５）を接続させ、前記コンタクトプローブ（５）が受ける信号に基づいて半導体装置（１１）の検査を行う半導体検査方法において、
［ａ］前記半導体装置（１１）と前記コンタクトプローブ（５）との間に、導電部材（１０）を配置するステップと、
［ｂ］前記導電部材（１０）を介して前記コンタクトプローブ（５）を前記半導体装置（１１）のパッド（１２）に接続させるステップと
を具備する半導体装置の検査方法によって検査を実行する。
【００１７】
上記のコンタクトシート１０は、コンタクトプローブ５の先端部分が直接電極パッド１２に触れるのを抑制している。また、コンタクトシート１０は、電極パッド１２に接触する面積が小さい複数の導電体２１を備えたものである。そのため、コンタクトプローブ５が直接電極パッド１２に触れるように検査したときよりも、電極パッド１２に生じる接触痕が小さくなる。
【００１８】
また、上記課題を解決するために、半導体検査装置本体（２）と、前記半導体検査装置本体（２）に接続され、検査対象の半導体装置（１１）に送受信する信号を受ける端部を有するコンタクトプローブ（５）と、前記コンタクトプローブ（５）と前記半導体装置（１１）との間に配置され、前記半導体装置（１１）に接触する接触面を備える導電部材（１０）とを具備する半導体検査装置（１）を構成する。そして、前記コンタクトプローブ（５）は、前記端部を前記導電部材（１０）に接触させ、前記導電部材（１０）を介して前記半導体装置（１１）に対する前記信号の送受信を実行する。ここにおいて、前記接触面は、前記端部が前記半導体装置（１１）に接触する場合の接触面積よりも小さい面積で構成されるものとする。
【００１９】
このような半導体検査装置を構成することによって、コンタクトプローブ５の端部の面積よりも小さな面積でＩＣチップ１１の電極パッド１２に触れることとなる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によると、本発明によると、ボンディング性の低下の原因となる電極パッドの接触痕を小さくすることができる。したがって、微細化に伴ってＩＣチップの電極パッドの面積が小さくなっても、適切にボンディングを行うことができる。
【００２１】
また、本発明によると、コンタクトプローブと検査対象のＩＣチップとを電気的に接続させるときに、そのコンタクトプローブが摺動した場合であっても、電極パッドの形状が変わるのを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
［第１の実施形態］
以下に、図面を参照して本発明を実施するための形態について説明を行う。図５は、本実施形態における検査対象であるＩＣチップ１１の構成を例示する平面図である。ＩＣチップ１１はウェハ８に複数形成される。図５を参照すると、ＩＣチップ１１は、複数の電極パッド１２を含んで構成されている。電極パッド１２は、一辺が概ね正方形の導電体で構成され、その一辺の長さは長さＡ１である。電極パッド１２は、ＩＣチップ１１の仕様に対応して配置される。したがって、図５に示されているように、ＩＣチップ１１に配置される複数の電極パッド１２は、ＩＣチップ１１の周縁部の全てに一様に配置されるとは限らない。後述するプローブカード４に配置される複数のコンタクトプローブ５の各々は、各電極パッド１２に対応して構成される。なお、領域１３は、後述する検査の実行結果の説明時に参照する領域である。
【００２３】
図６は、本実施形態の半導体検査装置の構成を例示するブロック図である。本実施形態の半導体検査装置１は、計測装置２と位置あわせ装置３とを含んで構成されている。計測装置２は、ウェハ８に設けられた一個一個のＩＣチップ１１と電気信号の送受信を行って、それぞれのＩＣチップ１１の電気的特性を測定している。図６に示されているように、計測装置２と位置あわせ装置３とは、信号線を介して接続されている。計測装置２は、その信号線を介して、検査対象のウェハ８に接続される。
【００２４】
位置あわせ装置３は、ウェハ８に設けられた複数のＩＣチップ１１の電気的特性を測定するために、それぞれのＩＣチップ１１の電極パッド（ボンディングパッド）１２に、コンタクトプローブ１０５の先端を接触させる装置である。位置あわせ装置３には、検査実行時において、検査対象であるウェハ８に対応したプローブカード４が設置される。そのプローブカード４には、検査対象のＩＣチップ１１に配置されている複数の電極パッド１２に対応した複数のコンタクトプローブ５が構成されている。
【００２５】
図６に示されているように、位置あわせ装置３は、ウェハ８を搭載するチャック６と、そのチャック６の位置を特定するステージ７とを含んで構成されている。ステージ７は、所定の座標軸に対応して、チャック６の位置や角度を変更する機能を備えている。チャック６が可動的に構成されていることで、ウェハ８に形成されている複数のＩＣチップの全てに対し、それらの電気的特性を検査することが可能となる。
【００２６】
図６を参照すると、本実施形態における半導体検査装置１は、ウェハ８とコンタクトプローブ５との間にコンタクトシート１０を備えて半導体検査を実行している。コンタクトシート１０は、プローブカード４に備えられたコンタクトプローブ５とウェハ８に形成されたＩＣチップ１１との導電性を確保する機能を備えている。なお、コンタクトシート１０の詳細な構成に関する説明は後述する。図６に示されているように、コンタクトシート１０は、ウェハ８の上層に配置されている。コンタクトシート１０は、ウェハ８に対して着脱可能に構成されている。本実施形態において、半導体検査を実行していないときは、コンタクトシート１０とコンタクトプローブ５とは、電気的に接続されていない。検査を実行するときに、コンタクトプローブ５とウェハ８とは、コンタクトシート１０を介して接続される。
【００２７】
以下に、コンタクトシート１０の詳細な構成に関して説明を行う。図７は、コンタクトシート１０の構成を例示する平面図である。図８は、図７における点Ａ−点Ａ’の断面図である。図９は、図７における点Ｂ−点Ｂ’の断面図である。
【００２８】
図７を参照すると、本実施形態のコンタクトシート１０は、シートフィルム状に構成された絶縁体である絶縁シート２２と、その絶縁シート２２にアレイ状に配置された複数の導電体２１とを含んで構成されている。それらの導電体２１は、それぞれ同様の構成である。なお、以下の実施形態において、それぞれの導電体２１を区別する場合には、“符号２１”に枝番号を付して複数の導電体２１を区別する。また、以下の実施形態のコンタクトシート１０においては、導電体２１が円柱形状で構成されている場合を例示する。
【００２９】
本実施形態のコンタクトシート１０において、複数の導電体２１のそれぞれは、円柱の断面の直径が直径Φ１である。図７に示されているように、複数の導電体２１は、ｘ方向に中心間の距離が第１距離Ｌ１で配置されている。また、複数の導電体２１は、ｙ方向に中心間の距離が第２距離Ｌ２で配置されている。なお、以下に述べる実施形態においては、
第１距離Ｌ１＝第２距離Ｌ２
である場合を例示して、本実施形態のコンタクトシート１０に関する説明を行っていく。これによって、例えば、第２導電体２１−２と第３導電体２１−３と第６導電体２１−６の中心を線分で結ぶとで、二等辺三角形が構成される。したがって、図７に示されているように、第２導電体２１−２と第６導電体２１−６とは中心間の第３距離Ｌ３で配置される。
【００３０】
図７を参照すると、本実施形態のコンタクトシート１０において、複数の導電体２１の間隔は、最短で第４距離Ｌ４であり、最長で第５距離Ｌ５となる。上述のように、本実施形態における半導体検査では、コンタクトシート１０を介してコンタクトプローブ５とウェハ８とが接続される。また、コンタクトプローブ５の先端部分において、検査対象に接する接触面は所定の形状で構成されている。本実施形態のコンタクトシート１０は、検査実行時において、導電体２１の少なくとも一つが必ずコンタクトプローブ５に接触するように構成されている。例えば、その接触面が円形状であり、その直径が直径Φ２である場合、
直径Φ２＞第５距離Ｌ５
となるようにコンタクトシート１０を構成する。
【００３１】
例えば、直径Φ２が５０ｕｍである場合、導電体２１を直径Φ１が１０ｕｍ程度の導体（金やタングステンなど）で構成する。そして、第１距離Ｌ１が３０ｕｍとなるように複数の導電体２１を配置する。このとき、第５距離Ｌ５は、約３２ｕｍとなる。また、コンタクトシート１０を構成し、そのコンタクトシート１０に備えられた複数の導電体２１に対応するようなコンタクトプローブ５を構成しても良い。具体的には、コンタクトプローブ５の先端部分を平面的に構成し、その先端部分の幅が第５距離Ｌ５を超えるような構成であれば良い。
【００３２】
図８または図９を参照すると、本実施形態のコンタクトシート１０において、導電体２１は、ｚ方向に第２高さｈ２の円柱形状で構成されている。また、絶縁シート２２は、第１高さｈ１で構成されている。絶縁シート２２の表面から導電体２１の端面までは、第３高さｈ３である。また、絶縁シート２２の裏面から導電体２１の他の端面までは、第４高さｈ４である。図８に示されているように、本実施形態のコンタクトシート１０は、導電体２１の端面が絶縁シート２２の表面と裏面とから一定の距離（第３高さｈ３、第４高さｈ４）を有するように構成されている。
【００３３】
図１０は、本実施形態の半導体検査装置１を動作させた場合における、コンタクトプローブ５とコンタクトシート１０とＩＣチップ１１との対応を示す断面図である。以下では、コンタクトプローブ５の先端部分における接触面が平面である場合を例示して説明を行う。図１０を参照すると、コンタクトプローブ５の先端部分における接触面は、断面のｘ方向の長さが第６距離Ｌ６であり、概ね平面で構成されている。図１０に示されているように、本実施形態のコンタクトシート１０において、複数の導電体２１同士の間隔が、
第６距離Ｌ６＞第５距離Ｌ５
となるように、それらの導電体２１を配置する。これによって、検査実行時に適切にプローブカード４とＩＣチップ１１とを電気的に接続することが可能となる。
【００３４】
図１１は、本実施形態の半導体検査装置１による半導体検査を実行した実行結果を示す平面図である。図１１の（ａ）は検査が終了したＩＣチップ１１の構成を示す平面図である。図１１の（ｂ）は、ＩＣチップ１１における領域１３を拡大して示す平面図である。図１１を参照すると、本実施形態の半導体検査では、コンタクトプローブ５の先端部分に対応して配置される導電体２１が、電極パッド１２に接触する。図１１の（ｂ）に点線で示される領域は、コンタクトプローブ５の先端部分の接触面を示している。図１１に示されているように、本実形態の半導体検査では、その接触面の面積（＝従来の半導体検査での接触痕１１４の面積）に比較して接触痕１４の面積が小さくなっていることが示されている。
【００３５】
上述してきたように、本実施形態の半導体検査装置１では、コンタクトシート１０を介してコンタクトプローブ５とウェハ８とを接続させている。そのコンタクトシート１０は、コンタクトプローブ５の接触面よりも小面積の導電体２１を、複数備えている。また、複数の導電体２１は、少なくとも一つがコンタクトプローブ５の接触面に触れるように配置されている。このような構成により、本実施形態の半導体検査装置１を動作させたときに、ＩＣチップ１１の電極パッド１２に生じる接触痕１４を小さくすることが可能となる。また、検査を実行したときに、コンタクトプローブ５が摺動してしまうようなときでも、その摺動によって生じる電極パッド１２の表面の磨耗を抑制することが可能である。
【００３６】
［第２の実施形態］
以下に、図面を参照して、本発明の第２の実施形態について説明を行う。図１２は、第２の実施形態の半導体検査装置１に適用されるコンタクトシート１０の構成を例示する平面図である。図１２を参照すると、第２の実施形態におけるコンタクトシート１０は、第１の実施形態のコンタクトシート１０と比較して、導電体２１に配置が異なっている。第２の実施形態のコンタクトシート１０では、２つの導電体２１を選択し、それらの中心を結ぶ直線を特定したときに、その線分と６０°の角度に引かれた直線上に新たな導電体２１が配置されている。
【００３７】
図１２を参照すると、第２の実施形態のコンタクトシート１０において、第８導電体２１−８、第９導電体２１−９および第１０導電体２１−１０を特定したとき、それらの中心を結ぶと、正三角形が構成される。具体的には、
第１角度θ１＝第２角度θ２＝第３角度θ３＝６０°
第７距離Ｌ７＝第８距離Ｌ８＝第９距離Ｌ９
となる。
【００３８】
図１２に示されているように、導電体２１の配置がこのようなコンタクトシート１０を構成することによって、隣り合う導電体２１同士の間隔と全て一定にすることができる。そのため、第２の実施形態のコンタクトシート１０を使用した半導体検査では、より適切にコンタクトプローブ５と電極パッド１２とを接続することが可能となる。
【００３９】
［第３の実施形態］
以下に、本発明の第３の実施形態について説明を行う。第３の実施形態におけるコンタクトシート１０は、第１の実施形態または第２の実施形態のコンタクトシート１０と比較して、絶縁シート２２の構成が異なっている。第３の実施形態では、絶縁シート２２を透明または半透明の部材で構成する。このような絶縁シート２２を構成することによって、検査実行時に電極パッド１２の位置を視覚的に適切に把握することができる。そのため、位置あわせ装置３による自動的な位置合わせだけでなく、手動による位置合わせも可能となる。
【００４０】
以上述べてきた実施形態では、コンタクトプローブ５がカンチレバータイプで構成されている場合を説明してきた。これは本願発明のコンタクトプローブ５の構成を制限するものではない。例えば、ピンタイプのコンタクトプローブ５を使用する半導体検査装置１であっても、本願発明を適用することが可能である。また、上述の実施形態では、ＩＣチップ１１の周辺部に電極パッド１２が配置されている場合を例示して説明を行ってきた。これは、本願発明を適用するＩＣチップ１１の構成を制限するものではない。例えば、ＢＧＡ（Ball   Grid  Array）に対応したＩＣチップ１１に対しても、そのＩＣチップ１１用のプローブカード４と本実施形態のコンタクトシート１０とを使用して検査を行うことで、本願発明の効果を発揮することが可能である。また、上述の実施形態において、コンタクトシート１０を予め、コンタクトプローブ５またはウェハ８のどちらか一方に接触させておいてから、検査を実行しても良い。
【００４１】
また、上述の複数の実施形態では、半導体製造の前工程におけるダイシング前のウェハ検査（ウェハ上に作られた一個一個のチップの良・不良を判定する検査）に本願発明を適用している。これは、本願発明が、ダイシング前のウェハ検査またはＧ／Ｗ（Ｇｏｏｄｃｈｉｐ／Ｗａｆｅｒ）検査のみに適用可能であることを意味するものではない。例えは、ウェハから個々のＩＣチップに切り出された後、ボンディングされる前の電気的特性を検査する場合において、本願発明を適用した検査を実行することが可能である。
【００４２】
なお、上述してきた複数の実施形態は、その構成・動作に矛盾が生じない場合において組み合わせて実施することが可能である。また、本願発明における検査対象としては、パッドへのダメージが懸念される製品全般に適用可能である。さらには、パッドだけでなくバンプ品に対しても適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】図１は、従来の半導体検査装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、従来の半導体検査の概略を示す斜視図である。
【図３】図３は、従来の半導体検査の概略を示す斜視図である。
【図４】図４は、従来の半導体検査の実行結果を示すブロック図である。
【図５】図５は、第１実施形態の検査対象のＩＣチップ１１の構成を例示する平面図である。
【図６】図６は、第１実施形態の半導体検査装置の構成を例示するブロック図である。
【図７】図７は、第１実施形態の半導体検査装置で用いられるコンタクトシート１０の構成を例示する平面図である。
【図８】図８は、第１実施形態の半導体検査装置で用いられるコンタクトシート１０の構成を例示する断面図である。
【図９】図９は、第１実施形態の半導体検査装置で用いられるコンタクトシート１０の構成を例示する断面図である。
【図１０】図１０は、第１実施形態の半導体検査方法の概略を示す概略図である。
【図１１】図１１は、第１実施形態の半導体検査での実行結果を例示する平面図である。
【図１２】図１２は、第２実施形態におけるコンタクトシート１０の構成を例示する平面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１…半導体検査装置
２…計測装置
３…位置あわせ装置
４…プローブカード
５…コンタクトプローブ
６…チャック
７…ステージ
８…ウェハ
１０…コンタクトシート
１１…ＩＣチップ
１２…電極パッド
１３…領域
１４…接触痕
２０…領域
２１…導電体
２１−1…第１導電体
２１−２…第２導電体
２１−３…第３導電体
２１−４…第４導電体
２１−５…第５導電体
２１−６…第６導電体
２１−７…第７導電体
２１−８…第８導電体
２１−９…第９導電体
２１−１０…第１０導電体
２２…絶縁シート
Ｌ１…第１距離
Ｌ２…第２距離
Ｌ３…第３距離
Φ１…直径
Ｌ４…第４距離
Ｌ５…第５距離
Ｌ６…第６距離
Ａ１…長さ
Ｌ７…第７距離
Ｌ８…第８距離
Ｌ９…第９距離
θ１…第１角度
θ２…第２角度
θ３…第３角度
ｈ１…第１高さ
ｈ２…第２高さ
ｈ３…第３高さ
ｈ４…第４高さ
１０１…半導体検査装置
１０２…計測装置
１０３…位置合わせ装置
１０４…プローブカード
１０５…コンタクトプローブ
１０８…ウェハ
１１０…領域
１１１…ＩＣチップ
１１２…電極パッド
１１３…領域
１１４…接触痕
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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