(57)【要約】【課題】画素開口率が十分に確保でき、明るい表示が実現できる液晶装置を提供する。【解決手段】本発明の液晶装置は、一方の基板上に、第１電極（共通電極２１）と、第１電極との間に生じる電界を液晶層に印加する第２電極（画素電極１３）とが設けられ、第１電極および第２電極が、複数の電極部（帯状電極部１３ａ，２１ａ）と、複数の電極部間を連結する連結部１３ｂ，２１ｂと、をそれぞれ有し、第１電極の連結部の少なくとも一部および第２電極の連結部の少なくとも一部が、データ線または走査線の少なくともいずれか一方の配線と重なるとともに、一方の配線に沿った直線上に並ぶように配置されている。【選択図】図５
2008242415.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶層と、を備え、前記一対の基板のうちの一方の基板にデータ線と走査線とが互いに交差して設けられるとともに、複数の画素がマトリクス状に配置された液晶装置であって、
前記一方の基板上に、第１電極と、前記第１電極との間に生じる電界を前記液晶層に印加する第２電極と、が設けられ、
前記第１電極および前記第２電極が、複数の電極部と、前記複数の電極部間を連結する連結部と、をそれぞれ有し、
前記第１電極の連結部の少なくとも一部および前記第２電極の連結部の少なくとも一部が、前記データ線または前記走査線の少なくともいずれか一方の配線と重なるとともに、前記一方の配線に沿った直線上に並ぶように配置されたことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
対向配置された一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶層と、を備え、前記一対の基板のうちの一方の基板に設けられたデータ線および走査線と、列状に配置された複数の画素からなる第１画素群と、前記第１画素群と隣り合うとともに列状に配置された複数の画素からなる第２画素群と、を備え、
前記一方の基板上に、複数の第１電極と、前記第１電極との間に生じる電界を前記液晶層に印加する複数の第２電極と、が設けられ、
前記第１電極および前記第２電極が、複数の電極部と、前記複数の電極部間を連結する連結部と、をそれぞれ有し、
前記第２画素群に対応する１つの第２電極の連結部の少なくとも一部が、前記第１画素群に対応する２つの第１電極の連結部の間に配置されたことを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
前記第１電極および前記第２電極の各連結部の少なくとも一部が、前記データ線もしくは前記走査線と重なることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第１電極の電極部および前記第２電極の電極部が、前記データ線もしくは前記走査線に対して斜めに交差することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第１電極の電極部が、隣り合う２つの画素に跨って配置されたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
対向配置された一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶層と、を備え、前記一対の基板のうちの一方の基板にデータ線と走査線とが互いに交差して設けられるとともに、複数の画素がマトリクス状に配置された液晶装置であって、
前記一方の基板上に、第１電極と、前記第１電極との間に生じる電界を前記液晶層に印加する第２電極と、が設けられ、
前記第１電極および前記第２電極が、複数の電極部と、前記複数の電極部間を連結する連結部と、をそれぞれ有し、
列状に配置された複数の画素からなる第１画素群と、前記第１画素群と隣り合うとともに列状に配置された複数の画素からなる第２画素群と、を備え、
前記第１画素群と前記第２画素群とを、前記複数の画素が配列する方向にずらして配置し、
前記第１画素群に対応する複数の第１電極および第２電極と、前記第２画素群に対応する複数の第１電極および第２電極とを、前記複数の画素が配列する方向にずらして配置し、
前記複数の画素が配列する方向に沿って隣り合う前記第１電極の前記連結部と、前記第２電極の前記連結部とを、交互に配置したことを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
前記第１電極および前記第２電極の各連結部の少なくとも一部が、前記データ線もしくは前記走査線と重なることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
複数の前記画素によって表示領域が構成されており、
前記第１画素群および前記第２画素群を、前記表示領域の水平方向に対して傾けて配置したことを特徴とする請求項６または７に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記第１電極の連結部もしくは前記第２電極の前記連結部の少なくともいずれか一方の一部が、前記電極部側から窄まった形状をなしていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記データ線もしくは前記走査線のいずれか一方の配線の延在方向に沿って隣り合う複数の前記第１電極が、連続した電極パターンで構成されたことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１１】
前記一方の基板上に、共通電位が供給される共通電位配線が設けられ、
前記第１電極と前記共通電位配線とが、各前記画素毎に対応して設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続されたことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１２】
前記第１電極、前記第２電極の少なくとも一方が透明導電材料で構成されたことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１３】
光源と、
前記光源から射出された光を変調する請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の液晶装置を含む光変調手段と、
前記光変調手段によって変調された光を投射する投射手段と、を有することを特徴とするプロジェクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置およびプロジェクタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のＴＮ（Twisted Nematic）方式などの液晶表示装置は、液晶を封入した一対の基板のそれぞれに設けた電極によって基板面に略垂直な方向に電界を印加して液晶分子の配向を制御し、光透過率を変調している。これに対し、近年では、一対の基板のうちの一方の基板に設けた電極によって基板面に略平行な方向に電界を印加する方式が知られている。この種の液晶表示装置は、横電界方式、あるいはＩＰＳ（In-Plane Switching）方式などと呼ばれている。
【０００３】
横電界方式は、ＶＡ（Vertical Alignment, 垂直配向）方式と並んで直視型の大画面テレビジョン向け液晶パネルに採用されている方式であり、液晶分子のダイレクタが面内でスイッチングするので、視野角依存性が小さいという特長を持っている。そこで、横電界方式の液晶パネルを、直視型の表示装置のみならず、プロジェクタの液晶ライトバルブに適用することが提案されている。特に、横電界方式で画素スイッチング素子が薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）である場合、対向基板上の共通電極が不要になるというメリットもある。
【０００４】
図１５は、従来の横電界方式の液晶装置の一例を示す画素の平面図である。従来の液晶装置においては、図１５に示すように、複数のデータ線１０１と複数の走査線１０２とが直交し、データ線１０１と走査線１０２との交差個所の近傍にＴＦＴ１０３が設けられている。櫛歯状の画素電極１０４と櫛歯状の共通電極１０５とが互いに噛み合うように設けられ、画素電極１０４はコンタクトホール１０６を介してＴＦＴ１０３に接続されている。共通電極１０５はコンタクトホール１０７を介して共通電極配線１０８と電気的に接続されている。この構成により、画素電極１０４にデータ線１０１からＴＦＴ１０３を介して画像信号に応じた電位が印加され、共通電極１０５には共通電極配線１０８からコンタクトホール１０７を介して各画素に共通の電位が印加される。各櫛歯状電極のうち、互いに平行に延在する複数の電極部分を「帯状電極部」、複数の帯状電極部間を連結する部分を「連結部」と呼ぶとすると、各電極１０４，１０５の連結部１０４ｂ，１０５ｂがデータ線１０１に沿って配置され、画素電極１０４の帯状電極部１０４ａと共通電極１０５の帯状電極部１０５ａとが交互に対向配置され、これら帯状電極部１０４ａ，１０５ａ間で横電界が発生する。液晶はこの横電界によって駆動される（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−２５８２４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１には、データ線や走査線等のバスラインと櫛歯状電極を異なる層に形成したことによって、バスラインと櫛歯状電極を平面的に重なる位置に配置することができ、開口率を上げることができる、と記載されている。しかしながら、各電極の帯状電極部同士が対向している個所（図１５で円Ａで囲んだ部分）は液晶層に均一な横電界が生じ、正常に表示できるが、バスラインと一部重なる各電極の連結部の直上では横電界が生じ難いため、明表示時にこの部分では光の透過率が低下する。さらに、帯状電極部と連結部とが対向する個所（図１５で円Ｂで囲んだ部分）では様々な方向に横電界が生じるため、液晶の配向が乱れ、この個所でも明表示時の光の透過率が低下する。そのため、本構成では実質的に表示に寄与できる面積が小さくなり、画素の開口率を十分に確保できず、明るい表示が得られない、という問題が生じる。この開口率低下の問題は、特に液晶ライトバルブ用の液晶装置のように、画素ピッチが小さくなればなるほど深刻な問題である。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、画素開口率が十分に確保でき、明るい表示が実現できる液晶装置を提供することを目的とする。また、この液晶装置を備え、表示品位に優れたプロジェクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の液晶装置は、対向配置された一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶層と、を備え、前記一対の基板のうちの一方の基板にデータ線と走査線とが互いに交差して設けられるとともに、複数の画素がマトリクス状に配置された液晶装置であって、前記一方の基板上に、第１電極と、前記第１電極との間に生じる電界を前記液晶層に印加する第２電極と、が設けられ、前記第１電極および前記第２電極が、複数の電極部と、前記複数の電極部間を連結する連結部と、をそれぞれ有し、前記第１電極の連結部の少なくとも一部および前記第２電極の連結部の少なくとも一部が、前記データ線または前記走査線の少なくともいずれか一方の配線と重なるとともに、前記一方の配線に沿った直線上に並ぶように配置されたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の第１の液晶装置においても、第１電極、第２電極の電極部同士が対向している個所は液晶層に均一な横電界が生じることで正常に表示でき、第１電極、第２電極の連結部の直上、および電極部と連結部とが対向する個所は均一な横電界が生じないため、明表示時に光の透過率が低下する、という状況自体は従来と変わらない。しかしながら、本発明の第１の液晶装置によれば、第１電極の連結部の少なくとも一部および第２電極の連結部の少なくとも一部が、データ線または走査線の少なくともいずれか一方の配線と重なるとともに、一方の配線に沿った直線上に並ぶように配置しているため、透過率が低下する領域の面積を従来に比べて小さくでき、開口率が向上し、明るい表示が可能な液晶装置を実現することができる。
【０００９】
すなわち、第１電極および第２電極の電極部をデータ線（もしくは走査線）の延在方向に沿って交互に配置した場合、第１電極と第２電極を短絡させることなく、複数の電極部を連結するためには、第１電極と第２電極とで電極部の長手方向に対して連結部を互いに反対側に配置し、電極部の開放端側（連結部と反対側）が第１電極と第２電極で逆を向くように各電極を配置する必要がある。このとき、一般的には、図１５に示した従来例のように、第１電極（例えば共通電極）および第２電極（例えば画素電極）の両連結部を並べて配置することが考えられるが、このような配置にすると、透過率低下領域の幅が非常に広くなり、画素開口率が低下してしまう。これに対して、本発明の液晶装置では、第１電極の連結部と第２電極の連結部を並置することなく、データ線または走査線の少なくともいずれか一方の配線と重ね、一方の配線に沿った直線上に並ぶように配置しているため、透過率低下領域の幅を上記の従来例に比べて十分に狭くすることができる。その結果、画素開口率を向上させることができる。
【００１０】
また、本発明の第２の液晶装置は、対向配置された一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶層と、を備え、前記一対の基板のうちの一方の基板に設けられたデータ線および走査線と、列状に配置された複数の画素からなる第１画素群と、前記第１画素群と隣り合うとともに列状に配置された複数の画素からなる第２画素群と、を備え、前記一方の基板上に、複数の第１電極と、前記第１電極との間に生じる電界を前記液晶層に印加する複数の第２電極と、が設けられ、前記第１電極および前記第２電極が、複数の電極部と、前記複数の電極部間を連結する連結部と、をそれぞれ有し、前記第２画素群に対応する１つの第２電極の連結部の少なくとも一部が、前記第１画素群に対応する２つの第１電極の連結部の間に配置されたことを特徴とする。なお、ここで言う「第１画素群」、「第２画素群」とは、列状に並んだ複数の画素からなる画素列のことであり、例えば、１本の走査線に対応する複数の画素から構成される。
【００１１】
本発明の第２の液晶装置においても、第２画素群に対応する１つの第２電極の連結部の少なくとも一部が、第１画素群に対応する２つの第１電極の連結部の間に配置されているため、透過率が低下する領域の面積を従来に比べて小さくでき、開口率が向上し、明るい表示が可能な液晶装置を実現することができる。
【００１２】
また本発明の第２の液晶装置において、前記第１電極および前記第２電極の各連結部の少なくとも一部が、前記データ線もしくは前記走査線と重なることが望ましい。
液晶装置において、データ線や走査線が配置された領域は、もともと表示に寄与しない非開口領域（遮光領域）である。したがって、第１電極および第２電極の各連結部の少なくとも一部をデータ線や走査線と重なる位置に配置することによって、開口率の低下を最小限に抑えることができる。
【００１３】
また、前記第１電極の電極部および前記第２電極の電極部が、前記データ線もしくは前記走査線に対して斜めに交差することが望ましい。
第１、第２電極の電極部をデータ線や走査線に対して斜めに交差させることによって、第１、第２電極の連結部を交互に配置し、各連結部の少なくとも一部を直線上に並べるように配置する設計を実現しやすくなる。電極部は各画素に対応して配置する必要がある一方、連結部は隣り合う２つの画素の間に嵌め込む必要があるからである。
【００１４】
また、前記第１電極の電極部が、隣り合う２つの画素に跨って配置された構成を採用することもできる。
この構成によれば、隣り合う２つの画素に跨って配置された第１電極の電極部が、これら２つの画素に共通の電極（共通電極）として機能する。これにより、むやみに第１電極の電極部を増やすことがないばかりか、画素の周縁部も表示に有効利用でき、開口率の更なる向上を図ることができる。
【００１５】
また、本発明の第３の液晶装置は、対向配置された一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶層と、を備え、前記一対の基板のうちの一方の基板にデータ線と走査線とが互いに交差して設けられるとともに、複数の画素がマトリクス状に配置された液晶装置であって、前記一方の基板上に、第１電極と、前記第１電極との間に生じる電界を前記液晶層に印加する第２電極と、が設けられ、前記第１電極および前記第２電極が、複数の電極部と、前記複数の電極部間を連結する連結部と、をそれぞれ有し、列状に配置された複数の画素からなる第１画素群と、前記第１画素群と隣り合うとともに列状に配置された複数の画素からなる第２画素群と、を備え、前記第１画素群と前記第２画素群とを、前記複数の画素が配列する方向にずらして配置し、前記第１画素群に対応する複数の第１電極および第２電極と、前記第２画素群に対応する複数の第１電極および第２電極とを、前記複数の画素が配列する方向にずらして配置し、前記複数の画素が配列する方向に沿って隣り合う前記第１電極の前記連結部と、前記第２電極の前記連結部とを、交互に配置したことを特徴とする。なお、ここで言う「第１画素群」、「第２画素群」とは、列状に並んだ複数の画素からなる画素列のことであり、例えば、１本の走査線に対応する複数の画素から構成される。
【００１６】
本発明の第３の液晶装置においても、第１電極、第２電極の電極部同士が対向している個所は液晶層に均一な横電界が生じることで正常に表示でき、第１電極、第２電極の連結部の直上、および電極部と連結部とが対向する個所は均一な横電界が生じないため、明表示時に光の透過率が低下する、という状況自体は従来と変わらない。しかしながら、本発明の第３の液晶装置によれば、第１画素群と前記第２画素群とを、複数の画素が配列する方向にずらして配置し、第１画素群に対応する複数の第１および第２電極と第２画素群に対応する複数の第１および第２電極とを、複数の画素が配列する方向にずらして配置し、複数の画素が配列する方向に沿って隣り合う第１電極の連結部と第２電極の前記連結部とを、交互に配置しているため、透過率が低下する領域の面積を従来に比べて小さくでき、開口率が向上し、明るい表示が可能な液晶装置を実現することができる。
【００１７】
すなわち、第１電極の電極部と第２電極の電極部をデータ線（もしくは走査線）の延在方向に沿って交互に配置した場合、第１電極と第２電極を短絡させることなく、複数の電極部を連結するためには、第１電極と第２電極とで電極部の長手方向に対して連結部を互いに反対側に配置し、電極部の開放端側（連結部と反対側）が第１電極と第２電極で逆を向くように各電極を配置する必要がある。このとき、一般的には、図１５に示した従来例のように、第１電極（例えば共通電極）および第２電極（例えば画素電極）の両連結部を並べて配置することが考えられるが、このような配置にすると、透過率低下領域の幅が非常に広くなり、画素開口率が低下してしまう。これに対して、本発明の第３の液晶装置では、第１電極の連結部と第２電極の連結部を並置することなく、複数の画素が配列する方向に沿って隣り合う第１電極の連結部と第２電極の連結部とを交互に配置しているため、透過率低下領域の幅を上記の従来例に比べて十分に狭くすることができる。その結果、画素開口率を向上させることができる。
【００１８】
また、前記第１電極および前記第２電極の各連結部の少なくとも一部が、前記データ線もしくは前記走査線と重なることが望ましい。
液晶装置において、データ線や走査線が配置された領域は、もともと表示に寄与しない非開口領域（遮光領域）である。したがって、第１電極および第２電極の各連結部の幅方向の少なくとも一部をデータ線や走査線と重なる位置に配置することによって、開口率の低下を最小限に抑えることができる。
【００１９】
また、本発明の第３の液晶装置において、複数の前記画素によって表示領域が構成されており、前記第１画素群および前記第２画素群を前記表示領域の水平方向に対して傾けて配置した構成としても良い。
本発明の第３の液晶装置の構成によれば、複数の画素をずらして配置しているため、それだけでは表示領域の水平方向に延在する直線を表示する場合、あるいは表示領域の垂直方向に延在する直線を表示する場合に直線が斜めになってしまう欠点を持っている。そこで、走査線の延在方向に沿って並ぶ複数の画素を表示領域の水平方向に対して傾けて配置すれば、上記の直線が斜めになることを抑制できる。
【００２０】
また、本発明の第１〜第３の液晶装置に共通する、望ましい構成として、以下のいくつかの点が挙げられる。
前記第１電極の連結部もしくは前記第２電極の連結部の少なくともいずれか一方の一部が、前記電極部側から窄まった形状をなしていることが望ましい。
第１電極（もしくは第２電極）の連結部の一部を電極部側から窄まった形状とすることによって、第１電極、第２電極のいずれか一方の電極の連結部を他方の電極の隣り合う２つの連結部の間に嵌め込みやすくなり、本発明特有の設計が容易になる。また、透過率低下領域の面積をより小さくでき、開口率をさらに向上させることができる。
【００２１】
また、前記データ線もしくは前記走査線のいずれか一方の配線の延在方向に沿って隣り合う複数の前記第１電極が、連続した電極パターンで構成されたものとしても良い。
この構成によれば、複数の第１電極に共通電位を安定して供給することができる。
【００２２】
また、前記一方の基板上に、共通電位が供給される共通電位配線が設けられ、前記第１電極と前記共通電位配線とが、各前記画素毎に対応して設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続される構成としても良い。
この構成によれば、第１電極が画素毎に孤立していたとしても、引き回し配線等を要することなく、共通電位配線を通じて第１電極に共通電位を供給することができる。また、もともと共通電位が供給される配線（例えば容量線等）を有効利用しており、第１電極に共通電位を供給するための他の配線を形成しなくて済むので、開口率の向上を図ることができる。
【００２３】
さらに、隣り合う複数の第１電極を連続した電極パターンとする上述の構成と、第１電極と共通電位配線をコンタクトホールを介して電気的に接続する上述の構成を併用した場合には、いずれか一方の接続構造が不良となった場合でも他方の接続構造で電気的接続を確保できるため、これら２つで冗長構造を実現でき、高い信頼性を有する液晶装置を提供することができる。
【００２４】
また、前記第１電極、前記第２電極の少なくとも一方が透明導電材料で構成されることが望ましい。
この構成によれば、第１電極、第２電極の直上も表示に寄与させることができ、開口率をさらに高めることができる。
【００２５】
本発明のプロジェクタは、光源と、前記光源から射出された光を変調する本発明の液晶装置を含む光変調手段と、前記光変調手段によって変調された光を投射する投射手段と、を有することを特徴とする。
上記本発明の液晶装置を光変調手段として備えたことによって、明るい画像表示が可能なプロジェクタを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施の形態を図１〜図６を参照しつつ説明する。
本実施形態の液晶装置は、プロジェクタの液晶ライトバルブ用途を想定したＩＰＳ方式の透過型液晶装置の例である。
図１は、本実施形態の液晶装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図３は、同液晶装置の等価回路図である。図４、図５は、同液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の隣り合う複数の画素の平面図である。ただし、各構成要素を見やすくするため、図４は画素電極および共通電極が形成された層よりも下層側の構成要素のみを示し、図５は画素電極および共通電極のパターンを中心に示している。また、図６は、図４と図５を重ねた状態におけるＡ−Ａ’線に沿う断面図である。なお、各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２７】
図１および図２に示すように、本実施形態の液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板２と対向基板３とがシール材４によって貼り合わされ、このシール材４によって区画された領域内に液晶層５が封入されている。液晶層５は、負の誘電率異方性を有する液晶材料から構成されている。シール材４の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）６が形成されている。シール材４の外側の周辺回路領域には、データ線駆動回路７および外部回路実装端子８がＴＦＴアレイ基板２の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路９が形成されている。ＴＦＴアレイ基板２の残る一辺には、表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路９の間を接続するための複数の配線１０が設けられている。また、対向基板３の角部においては、ＴＦＴアレイ基板２と対向基板３との間で電気的導通をとるための基板間導通材１１が配設されている。
なお、表示領域Ｒの水平方向を矢印Ｈ、表示領域Ｒの垂直方向を矢印Ｖで表す。水平方向Ｈは矩形状の表示領域Ｒの一辺（図１における横方向の辺）に沿う方向であり、垂直方向Ｖは前記一辺に隣り合う一辺（図１における縦方向の辺）に沿う方向である。
【００２８】
図３は、本実施形態の液晶装置の等価回路図である。液晶装置の表示領域を構成すべくマトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極１３がそれぞれ形成されている。また、画素電極１３の側方には、当該画素電極１３への通電制御を行うための画素スイッチング素子であるＴＦＴ１４が形成されている。このＴＦＴ素子のソースには、データ線１５が電気的に接続されている。各データ線１５には画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがそれぞれ供給される。なお画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、各データ線１５に対してこの順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線１５に対してグループ毎に供給してもよい。
【００２９】
また、ＴＦＴ１４のゲートには、走査線１６が電気的に接続されている。走査線１６には、所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが供給される。なお、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍは、各走査線１６に対してこの順に線順次で印加される。また、ＴＦＴ１４のドレインには、画素電極１３が電気的に接続されている。そして、走査線１６から供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ１４を一定期間だけオン状態にすると、データ線１５から供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれる。
【００３０】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極１３と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極１３と容量配線１７との間に蓄積容量１８が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて階調表示がなされる。
【００３１】
図４および図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板２上には、複数のデータ線１５と複数の走査線１６とが格子状に設けられており、これらデータ線１５と走査線１６とに囲まれた領域に対応する複数の画素２０がマトリクス状に設けられている。そして、各画素２０に対応して画素電極１３（第２電極）と共通電極２１（第１電極）とが設けられている。データ線１５は、後述するようにアルミニウム膜等を含む積層構造を有し、走査線１６は、例えば導電性のポリシリコン膜等から構成されている。走査線１６は、半導体層２２のうち、図４中に右上がりの斜線領域で示したチャネル領域２２ａに対向するゲート電極２３にコンタクトホール２４を介して電気的に接続されており、ゲート電極２３のパターンは走査線１６のパターンの内側に含まれる形となっている。そして、ゲート電極２３とデータ線１５との交差する箇所には、チャネル領域２２ａ上にゲート電極２３が対向配置された画素スイッチング素子であるＴＦＴ１４が設けられている。
【００３２】
液晶装置１は、図６に示すように、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板２６を有するＴＦＴアレイ基板２と、例えばガラス基板、石英基板等の基板２７を有する対向基板３とを備えている。ＴＦＴアレイ基板２上には、画素電極１３と共通電極２１とが設けられており、その上層側にはラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２８が設けられている。画素電極１３は、例えばインジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電性材料から構成されている。他方、対向基板３上には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２９が設けられている。ＴＦＴアレイ基板２と対向基板３との間には、前述のシール材４（図１および図２参照）により囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層５が形成されている。液晶層５は、電界が印加されていない状態で配向膜２８，２９により所定の初期配向状態をとる。
【００３３】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、上述の画素電極１３、共通電極２１、配向膜２８の他、これらを含む各種の構成要素が積層構造をなして備えられている。以下の説明では、図６において下から順に、走査線１６を含む層を「第１層」、ゲート電極２３、ＴＦＴ１４等を含む層を「第２層」、蓄積容量１８を含む層を「第３層」、データ線１５等を含む層を「第４層」、容量配線１７等を含む層を「第５層」、画素電極１３、共通電極２１、および配向膜２８等を含む層を「第６層（最上層）」と称する。また、第１層と第２層との間には下地絶縁膜３１、第２層と第３層との間には第１層間絶縁膜３２、第３層と第４層との間には第２層間絶縁膜３３、第４層と第５層との間には第３層間絶縁膜３４、第５層と第６層との間には第４層間絶縁膜３５がそれぞれ設けられており、前述の各要素間の短絡を防止している。また、これら各種の絶縁膜３１，３２，３３，３４，３５には、上下の導電層間を電気的に接続するコンタクトホール等も設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。なお、前述の層のうち、第１層から第４層までを下層部分として図４に図示しており、第５層、第６層を上層部分として図５に図示している。
【００３４】
（積層構造・第１層の構成：走査線等）
第１層には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらの積層体、あるいは導電性ポリシリコン等からなる走査線１６が設けられている。この走査線１６は、平面的に見て、図４の水平方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、ストライプ状の走査線１６は、図４の水平方向に沿うように延びる本線部と、データ線１５が延在する図４の垂直方向に延びる突出部とを備えている。なお、隣り合う走査線１６から延びる突出部は相互に接続されることはなく、したがって、走査線１６は１本ずつ分断された形となっている。
【００３５】
（積層構造・第２層の構成：ＴＦＴ等）
第２層として、ゲート電極２３を含むＴＦＴ１４が設けられている。ＴＦＴ１４は、例えばｎチャネル型ＴＦＴとして形成され、図６に示すように、チャネル領域２２ａ、低濃度ソース領域２２ｂ、高濃度ソース領域２２ｃ、低濃度ドレイン領域２２ｄ、高濃度ドレイン領域２２ｅからなるＬＤＤ構造を有している。ＴＦＴ１４の半導体層２２は、例えばポリシリコン膜により形成されている。なお、ＴＦＴ１４は、図６に示したようなＬＤＤ構造を持つことが好ましいが、低濃度ソース領域２２ｂおよび低濃度ドレイン領域２２ｄに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造であってもよい。もしくは、ゲート電極２３をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域および高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００３６】
また、この第２層に、上述のゲート電極２３と同一の材料からなる第１中継電極３７が形成されている。第１中継電極３７は、平面的に見て、図４に示すように、各画素２０の水平方向に延びる一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。第１中継電極３７とゲート電極２３とは、例えば導電性ポリシリコン膜等から形成されている。また、ＴＦＴアレイ基板２上において、ＴＦＴ１４の半導体層２２より下層側で、かつ、下地絶縁膜３１より上層側に、平面的に見て後述のコンタクトホール３９に重なる位置にシート層３８が形成されている。
【００３７】
（積層構造・第１層と第２層との層間の構成：下地絶縁膜）
以上説明した走査線１６の上層側、かつ、ＴＦＴ１４の下層側には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜３１が設けられている。下地絶縁膜３１は、走査線１６からＴＦＴ１４を絶縁する機能の他、基板２６の全面に形成されることにより、基板２６の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等によるＴＦＴ１４の特性変動を防止する機能を有している。
【００３８】
この下地絶縁膜３１には、平面的に見て図４に示す半導体層２２の両側方に、データ線１５に沿って延びる半導体層２２のチャネル長の方向に沿ったコンタクトホール２４が形成されており、ゲート電極２３の一部がコンタクトホール２４の内部を埋めるように形成されている。すなわち、ゲート電極２３には、これと一体的に形成された側壁部２３ｂが延設された形態になっている。これにより、ＴＦＴ１４の半導体層２２は、図４に示したように、平面的に見て側方から覆われ、少なくともこの部分からの光の入射が抑制される構成になっている。また、側壁部２３ｂは、コンタクトホール２４を埋めるように形成されるとともに、その下端が走査線１６と接している。これにより、走査線１６とゲート電極２３とが電気的に接続されている。走査線１６は、上述のようにストライプ状に形成されていることから、１つの行に存在するゲート電極２３は常に同電位となる。
【００３９】
（積層構造・第３層の構成：蓄積容量等）
第３層には、蓄積容量１８が設けられている。蓄積容量１８は、ＴＦＴ１４の高濃度ドレイン領域２２ｅと画素電極１３とに電気的に接続された下部電極４１と容量電極４２とが、誘電体膜４３を介して対向配置されて構成されている。蓄積容量１８によって、画素電極１３における電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、本実施形態の蓄積容量１８は、図４の平面図に示すように、表示領域にかからないように形成されているため（換言すれば、画素２０間の遮光領域内に収まるように形成されているため）、画素開口率を低下させることがなく、明るい画像を表示することが可能となる。
【００４０】
より詳細には、下部電極４１は、例えば導電性のポリシリコン膜で形成され、画素電位側容量電極として機能する。なお、下部電極４１は金属または合金を含む単層膜、または多層膜から構成してもよい。また、下部電極４１は、画素電位側容量電極としての機能の他、画素電極１３とＴＦＴ１４の高濃度ドレイン領域２２ｅとを中継接続する機能を持っている。この中継接続は、下部電極４１の他、前述の第１中継電極３７を介して行われている。
【００４１】
容量電極４２は蓄積容量１８の固定電位側容量電極として機能する。本実施形態においては、固定電位とされた容量配線１７と容量電極４２とが電気的に接続されることにより、容量電極４２が固定電位とされている。また、容量電極４２は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらの積層体、あるいはタングステンシリサイドから形成されている。この種の金属材料で構成されることにより、容量電極４２はＴＦＴ１４に上側から入射しようとする光を遮る機能を有する。
【００４２】
誘電体膜４３は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成されている。本実施形態の場合、誘電体膜４３は、下層に酸化シリコン膜４３ａ、上層に窒化シリコン膜４３ｂというように２層構造を有している。上層の窒化シリコン膜４３ｂは画素電位側容量電極の下部電極４１より少し大きなサイズにパターニングされ、遮光領域（非開口領域）内で収まるように形成されている。なお、本実施形態では、誘電体膜４３は、２層構造を有しているが、場合によっては、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜というような３層構造や、あるいはそれ以上の積層構造を有するように構成してもよい。勿論、単層構造としてもよい。
【００４３】
（積層構造、第２層と第３層との層間の構成：第１層間絶縁膜）
以上説明したＴＦＴ１４、ゲート電極２３、および第１中継電極３７の上層側で、かつ、蓄積容量１８の下層側には、例えばＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜からなる第１層間絶縁膜３２が形成されている。
【００４４】
第１層間絶縁膜３２には、ＴＦＴ１４の高濃度ソース領域２２ｃとデータ線１５とを電気的に接続するコンタクトホール３９が、第２層間絶縁膜３３の表面から第２層間絶縁膜３３、第１層間絶縁膜３２を貫通して、半導体層２２の表面に至るように開孔されている。また、第１層間絶縁膜３２には、ＴＦＴ１４の高濃度ドレイン領域２２ｅと蓄積容量１８を構成する下部電極４１とを電気的に接続するコンタクトホール４５が開孔されている。さらに、第１層間絶縁膜３２には、蓄積容量１８を構成する下部電極４１と第１中継電極３７とを電気的に接続するコンタクトホール４６が開孔されている。さらに加えて、第１層間絶縁膜３２には、第１中継電極３７と後述する第２中継電極４７とを電気的に接続するコンタクトホール４８が、第２層間絶縁膜３３、第１層間絶縁膜３２を貫通して開孔されている。
【００４５】
（積層構造・第４層の構成：データ線等）
第４層には、第２層間絶縁膜３３の表面から、コンタクトホール３９の側壁、およびコンタクトホール３９の底部に露出したＴＦＴ１４の半導体層２２の表面に連続的に形成されたデータ線１５が設けられている。データ線１５は、図６に示すように、下層より順に、アルミニウム層１５ａ、窒化チタン層１５ｂ、窒化シリコン層１５ｃの３層構造で形成されている。窒化シリコン層１５ｃは、その下層のアルミニウム層１５ａと窒化チタン層１５ｂを覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。また、第４層には、データ線１５と同一の材料の３層構造で容量配線用中継層４９と第２中継電極４７とが形成されている。
【００４６】
（積層構造・第３層と第４層との層間の構成：第２層間絶縁膜）
以上説明した蓄積容量１８の上層側、かつ、データ線１５の下層側には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、からなる第２層間絶縁膜３３が形成されている。第２層間絶縁膜３３には、ＴＦＴ１４の高濃度ソース領域２２ｃとデータ線１５とを電気的に接続するコンタクトホール３９が開孔されているとともに、容量配線用中継層４９と蓄積容量１８の容量電極４２とを電気的に接続するコンタクトホール５０が開孔されている。さらに、第２層間絶縁膜３３には、第２中継電極４７と第１中継電極３７とを電気的に接続するコンタクトホール４８が形成されている。
【００４７】
（積層構造・第５層の構成：容量配線等）
第５層には、容量配線１７が形成されている。容量配線１７は、複数の画素が配置された液晶装置１の画像表示領域からその周囲に延設され、所定の定電位源と電気的に接続されることで固定電位とされている。また、第５層には、このような容量配線１７と同一の材料で第３中継電極５２が形成されている。第３中継電極５２は、後述のコンタクトホール５３，５４を介して第２中継電極４７と画素電極１３との間の電気的接続を中継する。容量配線１７および第３中継電極５２は、下層にアルミニウム層、上層に窒化チタン層の２層構造を有している。
【００４８】
（積層構造・第４層と第５層との間の構成：第３層間絶縁膜）
データ線１５の上層側、かつ、容量配線１７の下層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第３層間絶縁膜３４が形成されている。第３層間絶縁膜３４には、容量配線１７と容量配線用中継層４９とを電気的に接続するコンタクトホール５５、および、第３中継電極５２と第２中継電極４７とを電気的に接続するコンタクトホール５３がそれぞれ開孔されている。
【００４９】
（積層構造・第６層、第５層と第６層との層間の構成：画素電極、共通電極等）
第６層には、画素電極１３と共通電極２１とが形成され、これら画素電極１３上および共通電極２１上に配向膜２８が形成されている。画素電極１３、共通電極２１の下層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第４層間絶縁膜３５が形成されている。第４層間絶縁膜３５には、画素電極１３と第３中継電極５２との間を電気的に接続するコンタクトホール５４が開孔されている。すなわち、図５に示すコンタクトホール５４は、画素電極１３と第３中継電極５２とが重なる領域に形成されている。画素電極１３とＴＦＴ１４とは、コンタクトホール５４、第３中継電極５２、コンタクトホール５３、第２中継電極４７、コンタクトホール４８、第１中継電極３７、コンタクトホール４６、下部電極４１、コンタクトホール４５を介して電気的に接続される。
【００５０】
また、第４層間絶縁膜３５には、共通電極２１と容量配線１７（共通電位配線）との間を電気的に接続するコンタクトホール５６が開孔されている。すなわち、図５に示すコンタクトホール５６は、共通電極２１と容量配線１７とが重なる領域に形成されている。これにより、共通電極２１と容量配線１７とはコンタクトホール５６を介して電気的に接続され、共通電極２１に容量配線１７を通じて共通電位（固定電位）が供給される。換言すると、共通電極２１には固定電位を供給する必要があるが、本実施形態の構成によれば、共通電極２１の下層側に固定電位が供給される容量配線１７が通っているため、この容量配線１７を利用して共通電極２１に固定電位を供給しようという構成である。なお、本実施形態においては、容量配線１７を利用して共通電極２１に固定電位を供給する構成としたが、容量配線１７以外にも固定電位が供給可能な配線があればそれを利用しても良い。
【００５１】
一方、対向基板３側は、基板２７上に走査線１６に沿う方向に延在するブラックマトリクス５８（遮光層、図５参照）が形成され、ブラックマトリクス５８を覆うように配向膜２９が形成されている。本実施形態の液晶装置１はＩＰＳ方式の液晶装置であるから、対向基板３側には液晶駆動用の電極を有していない。本実施形態のブラックマトリクス５８は走査線１６に沿う方向にのみ延在するようにストライプ状に形成されているが、データ線１５に沿う方向に関してはデータ線１５や容量配線１７が金属で形成されているため、データ線１５や容量配線１７が遮光層として機能する。したがって、ブラックマトリクス５８はストライプ状であっても、各画素２０の４辺ともに遮光膜で取り囲まれた状態となる。また、ＴＦＴアレイ基板２、対向基板３双方の配向膜２８，２９は、ポリイミド等の有機配向膜を用いても良いが、プロジェクタの液晶ライトバルブ用として高輝度の光が照射されることを考慮すると、耐光性の高いシリコン酸化膜等の無機配向膜を用いることが望ましい。
【００５２】
（画素電極と共通電極の構成）
次に、本実施形態の最大の特徴点である画素電極１３と共通電極２１の構成について、図５を用いて説明する。
図５に示すように、画素電極１３は、２本の帯状電極部１３ａ（電極部）と、２本の帯状電極部１３ａ間を連結する連結部１３ｂとを有し、いわゆるＵ字状に形成されている。ここでは、画素電極１３の各部を帯状電極部、連結部と分けて呼ぶが、実際には一体の電極パターンであり、例えばインジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電材料で形成されている。２本の帯状電極部１３ａは、データ線１５（図５では図示略）および走査線１６に対して斜めに交差する方向に延在し、互いに平行に配置されている。本実施形態の場合、帯状電極部１３ａの延在方向と走査線１６の延在方向とのなす角度は７０°に設定されている。画素電極１３は、図５における各帯状電極部１３ａの下端側で連結部１３ｂと連結されており、各帯状電極部１３ａの上端側が開放端となっている。
【００５３】
一方、共通電極２１も画素電極１３と同様、２本の帯状電極部２１ａと、２本の帯状電極部２１ａ間を連結する連結部２１ｂとを有し、Ｕ字状に形成されている。共通電極２１もＩＴＯ等の透明導電材料で形成された一体のパターンである。２本の帯状電極部２１ａは、走査線１６の延在方向に対して７０°の角度をなすように互いに平行に延在している。共通電極２１は、画素電極１３とは逆に、図５における各帯状電極部２１ａの上端側で連結部２１ｂと連結されており、各帯状電極部２１ａの下端側が開放端となっている。画素電極１３や共通電極２１をＩＴＯ等の透明導電材料で形成したことによって、これら電極１３，２１の帯状電極部１３ａ，２１ａの直上もある程度表示に寄与させることができるため、開口率をより高めることができる。
【００５４】
画素電極１３の２本の帯状電極部１３ａの間に共通電極２１の１本の帯状電極部２１ａが配置され、共通電極２１の２本の帯状電極部２１ａの間に画素電極１３の１本の帯状電極部１３ａが配置されている。すなわち、Ｕ字状の画素電極１３と共通電極２１とが噛み合うように配置されており、走査線１６の延在方向に沿って見ると、画素電極１３の帯状電極部１３ａと共通電極２１の帯状電極部２１ａとが１本ずつ交互に配置されている。画素電極１３の２本の帯状電極部１３ａの大部分は、ブラックマトリクス５８が開口した各画素２０の光透過領域内に位置している。その一方、共通電極２１の２本の帯状電極部２１ａのうち、１本の帯状電極部２１ａ（図５における左側の帯状電極部２１ａ）の大部分は各画素２０の光透過領域内に位置するが、残りの１本の帯状電極部２１ａ（図５における右側の帯状電極部２１ａ）はデータ線１５（図５では図示略）や容量配線１７等と交差し、走査線１６の延在方向に沿って隣り合う２つの画素２０に跨って配置されている。
【００５５】
本実施形態の場合、画素電極１３と共通電極２１とでは、２本の帯状電極部１３ａ，２１ａの開放端が互いに逆向きとなるように配置されている。そして、画素電極１３、共通電極２１双方の連結部１３ｂ，２１ｂの配置に着目すると、画素電極１３の連結部１３ｂと共通電極２１の連結部２１ｂは、互いに平行にデータ線１５の延在方向に沿って並んで配置されているのではなく（Ｕ字状の画素電極１３と共通電極２１とが背中合わせになるように配置されているのではなく）、走査線１６の延在方向に沿って交互に配置され、かつ、各連結部１３ｂ，２１ｂの一部が走査線１６に沿った同一直線上に並ぶように配置されている。
【００５６】
すなわち、データ線１５の延在方向に隣り合う複数の行を見たときに、ある任意の行（図５の２行の画素のうちの例えば上側の行）において走査線１６の延在方向に並ぶ画素電極１３の配置と、その行に隣り合う行（図５の例えば下側の行）において走査線１６の延在方向に並ぶ画素電極１３の配置とは、走査線１６の延在方向に画素電極１３の半ピッチ分ずれている。同様に、任意の行において走査線１６の延在方向に並ぶ共通電極２１の配置と、それに隣り合う行において走査線１６の延在方向に並ぶ共通電極２１の配置とは、走査線１６の延在方向に共通電極２１の半ピッチ分だけずれている。なお、本実施形態における各部の寸法は、一例として、画素２０のピッチが１２μｍ×１２μｍ、帯状電極部１３ａ，２１ａの幅が１μｍ（画素電極１３と共通電極２１で同一）、帯状電極部１３ａ，２１ａのピッチが３μｍである。
【００５７】
また、画素電極１３、共通電極２１ともに、各帯状電極部１３ａ，２１ａと連結部１３ｂ，２１ｂとの接続部分に着目すると、帯状電極部１３ａ，２１ａと連結部１３ｂ，２１ｂとが７０°の角度で直線的に１回だけ折れ曲がっているのではなく、帯状電極部１３ａ，２１ａの延在方向と連結部１３ｂ，２１ｂの延在方向に対して鈍角の角度をなす斜めの部分を有しており、本実施形態の例で言えば、帯状電極部１３ａ，２１ａと連結部１３ｂ，２１ｂとが略１２５°の角度で２回折れ曲がった形状となっている。すなわち、画素電極１３および共通電極２１の外形は、帯状電極部１３ａ，２１ａの開放端側から前記接続部分側に向けて狭まった形状となっている。
【００５８】
以上、画素電極１３と共通電極２１の位置関係と、各帯状電極部１３ａ，２１ａと連結部１３ｂ，２１ｂとの接続部分の形状とを工夫したことによって、任意の行の１つの画素電極１３の連結部１３ｂを、その行と隣り合う行の２つの共通電極２１の連結部２１ｂの間のスペースに割り込ませるように配置することができる。また、その逆に、任意の行の１つの共通電極２１の連結部２１ｂを、その行と隣り合う行の２つの画素電極１３の連結部１３ｂの間のスペースに割り込ませるように配置することができる。その結果、上述したように、画素電極１３の連結部１３ｂと共通電極２１の連結部２１ｂが、走査線１６の延在方向に沿って交互に配置され、かつ、各連結部１３ｂ，２１ｂの一部が同一直線上に並ぶように配置されることとなる。言い換えると、１本の走査線１６に対応する複数の画素を画素群と呼び、データ線１５の延在方向に隣り合う２つの画素群をそれぞれ「第１画素群」、「第２画素群」としたとき、第２画素群に対応する１つの画素電極１３の連結部１３ｂの少なくとも一部が、第１画素群に対応する２つの共通電極２１の連結部２１ｂの間に配置されている。また、第２画素群に対応する１つの共通電極２１の連結部２１ｂの少なくとも一部が、第１画素群に対応する２つの画素電極１３の連結部１３ｂの間に配置されている。
【００５９】
本実施形態の液晶装置１において、ＴＦＴアレイ基板２と対向基板３の外側には偏光板（図示せず）がそれぞれ設けられている。これら一対の偏光板は、偏光軸がデータ線１５あるいは走査線１６の延在方向と平行になるように配置され、偏光軸同士が互いに直交するように配置（クロスニコル配置）されている。また、ＴＦＴアレイ基板２、対向基板３の双方の配向膜２８，２９の配向方向はいずれかの偏光板の偏光軸の方向に一致している。したがって、液晶層５に電界が生じていない状態において液晶分子の配向方向は偏光板の偏光軸の方向に一致しており、暗（黒）表示となる（ノーマリーブラックモード）。次に、画素電極１３に対して画像信号に応じた電圧（例えば５Ｖ）を印加すると、液晶層５に基板面に略平行な横電界が印加され、液晶分子の配向方向が基板面に略平行な面内で所定の角度だけ回転するため、その角度に応じて光透過率が変調され、所定の階調の明（白）表示が得られる。
【００６０】
例えば、電圧無印加時に液晶分子の配向方向が走査線１６の延在方向に対して平行であったとすると、本実施形態の場合、各電極１３，２１の帯状電極部１３ａ，２１ａが走査線１６に対して７０°の角度をなすように配置されているため、帯状電極部１３ａ，２１ａに対して垂直な方向に横電界が生じたとすると、その横電界の方向は走査線１６に対して２０°の傾きを持つ。この場合、電圧無印加時の液晶分子の配向方向と横電界の方向が２０°の角度をなすことになり、横電界の方向に規制されて液晶層５中の液晶分子が同じ向きに回転する。そのため、液晶の配向乱れ（ディスクリネーション）が生じない。このように、本実施形態の構成によれば、偏光板の偏光軸をデータ線、走査線の延在方向と平行にするという一般的な偏光板の配置を採用しても、配向乱れに起因する表示不良が抑えられ、良好な表示が得られる。
【００６１】
本実施形態の液晶装置１においては、画素電極１３および共通電極２１の帯状電極部１３ａ，２１ａが互いに平行に配置され、これら電極部が対向している個所では液晶層５に均一な横電界が生じ、正常な明表示が得られる。その反面、各電極１３，２１の連結部１３ｂ，２１ｂの直上、および帯状電極部１３ａ，２１ａと連結部１３ｂ，２１ｂとが対向する個所では均一な横電界が生じないため、明表示時に光の透過率が低下してしまう。しかしながら、本実施形態の液晶装置１によれば、走査線１６の延在方向に沿って画素電極１３の連結部１３ｂと共通電極２１の連結部２１ｂを交互に配置し、かつ、画素電極１３および共通電極２１の各連結部１３ｂ，２１ｂの幅方向の一部を同一直線上に並ぶように配置したことによって、透過率が低下する領域の面積を従来に比べて小さくでき、開口率を向上させることができる。その結果、明るい表示が可能な液晶装置を実現することができる。
【００６２】
本実施形態においては、画素電極１３および共通電極２１の連結部１３ｂ，２１ｂが走査線１６と重なる位置に配置されているが、走査線１６が配置された位置はもともとブラックマトリクス５８によって遮光される領域であるため、開口率の低下を最小限に抑えることができる。また、画素電極１３および共通電極２１の帯状電極部１３ａ，２１ａをデータ線１５や走査線１６に対して斜め方向に延在させたこと、各帯状電極部１３ａ，２１ａと連結部１３ｂ，２１ｂとの接続部分の角の形状を斜めにしたことによって、画素電極１３、共通電極２１のうちの一方の連結部を他方の連結部の間に嵌め込むように配置する設計が比較的容易に実現できる。さらに、共通電極２１の一方の帯状電極部２１ａをデータ線１５と斜めに交差させ、走査線１６の延在方向に沿って隣り合う２つの画素２０に跨って配置したため、この帯状電極部２１ａがこれら２つの画素２０で共有の共通電極として機能する。これにより、画素２０の周縁部を表示に有効利用でき、開口率の更なる向上を図ることができる。
【００６３】
本実施形態においては、共通電極１３と容量配線１７とをコンタクトホール５６を介して電気的に接続したため、共通電極１３が画素２０毎に分離していても、容量配線１７を通じて共通電極１３に固定電位を供給することができる。もともと固定電位が供給される容量配線１７を有効利用しており、共通電位供給用の他の配線を形成しなくて済むので、開口率の向上を図ることができる。
【００６４】
［第２の実施の形態］
以下、本発明の第２の実施の形態を図７を参照しつつ説明する。
本実施形態の液晶装置の基本構成は第１実施形態と同様であり、共通電極の構成が異なるのみである。よって、以下では、図７の平面図を用いて第１実施形態と異なる部分のみを説明し、それ以外の共通部分の説明は省略する。なお、図７において図１と共通の構成要素には同一の符号を付す。
【００６５】
本実施形態においては、図７に示すように、共通電極２１の２本の帯状電極部２１ａのうち、一方の帯状電極部２１ａの開放端側がより長く延在し、データ線１５の延在方向で隣り合う共通電極２１の連結部２１ｂと接続されている。したがって、本実施形態の場合、第１実施形態のように共通電極２１が画素毎に孤立しておらず、データ線１５の延在方向に並ぶ複数の画素２０に対応する複数の共通電極２１が全て一体の連続した電極パターンとなっている。この電極パターンはＴＦＴアレイ基板２における画像表示領域の外側にまで引き回され、共通電位に固定される構成となっている。その他、画素電極１３等の構成は第１実施形態と同一である。
【００６６】
本実施形態の構成によれば、データ線１５の延在方向に並ぶ複数の共通電極２１が電気的に接続されたことによって、これら複数の共通電極２１に共通電位を安定して供給することができる。特に本実施形態では、上記の構成と、第１実施形態で説明した共通電極２１と容量配線１７をコンタクトホール５６を介して電気的に接続することで容量配線１７を通じて共通電位を供給する構成を併用しているため、いずれか一方の接続構造が不良となった場合でも他方の接続構造で電気的接続を確保でき、冗長構造が実現できるとともに高い信頼性を有する液晶装置を提供することができる。
【００６７】
［第３の実施の形態］
以下、本発明の第３の実施の形態を図１０、図１１を参照しつつ説明する。
本実施形態の液晶装置の基本構成は第１実施形態と同様であるが、画素の配置とそれに伴う各電極の形状が異なっている。
図１０、図１１は、本実施形態の液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の隣り合う複数の画素の平面図である。ただし、各構成要素を見やすくするため、図１０は画素電極および共通電極が形成された層よりも下層側の構成要素のみを示し、図１１は画素電極および共通電極のパターンを中心に示している。
以下では、図１０、図１１の平面図を用いて第１実施形態と異なる部分のみを説明し、それ以外の共通部分の説明は省略する。液晶装置の断面構造についても第１実施形態と同様である。なお、図１０、図１１において図４、図５と共通の構成要素には同一の符号を付す。
【００６８】
図１０および図１１に示すように、ＴＦＴアレイ基板２上には、複数のデータ線１５と複数の走査線１６とが格子状に設けられており、これらデータ線１５と走査線１６とに囲まれた領域に対応する複数の画素２０がマトリクス状に設けられている。本実施形態の場合、図１０に示すように、データ線１５の延在方向に隣り合う複数の行を見たときに、ある任意の行（図１０の２行の画素のうちの例えば上側の行）において走査線１６の延在方向に並ぶ画素２０の配置と、その行に隣り合う行（図１０の例えば下側の行）において走査線１６の延在方向に並ぶ画素２０の配置とは、走査線１６の延在方向に画素２０の略１／４ピッチ分ずれている。そして、各行毎に走査線１６の延在方向に１／４ピッチずつずれた画素２０の各々に対応して画素電極１３（第２電極）と共通電極２１（第１電極）とが設けられている。すなわち、１本の走査線１６に対応する複数の画素を画素群と呼び、データ線１５の延在方向に隣り合う２つの画素群をそれぞれ「第１画素群」、「第２画素群」としたとき、第１画素群と第２画素群とを複数の画素が配列する方向にずらして配置している。
【００６９】
データ線１５は、アルミニウム膜等を含む積層構造を有し、走査線１６は、例えば導電性のポリシリコン膜等から構成されている。走査線１６は、半導体層２２のうち、図１０中に右上がりの斜線領域で示したチャネル領域２２ａに対向するゲート電極２３にコンタクトホール２４を介して電気的に接続されており、ゲート電極２３のパターンは走査線１６のパターンの内側に含まれる形となっている。そして、ゲート電極２３とデータ線１５との交差する箇所には、チャネル領域２２ａ上にゲート電極２３が対向配置された画素スイッチング素子であるＴＦＴ１４が設けられている。
【００７０】
（画素電極と共通電極の構成）
次に、本実施形態の最大の特徴点である画素電極１３と共通電極２１の構成について、図１１を用いて説明する。
図１１に示すように、画素電極１３は、２本の帯状電極部１３ａ（電極部）と、２本の帯状電極部１３ａ間を連結する連結部１３ｂとを有し、いわゆるＵ字状に形成されている。本明細書では、画素電極１３の各部を帯状電極部、連結部と分けて呼ぶが、実際には一体の電極パターンであり、例えばインジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電材料で形成されている。２本の帯状電極部１３ａは、データ線１５（図１１では図示略）に対して平行に延在し、互いに平行に配置されている。画素電極１３は、図１１における各帯状電極部１３ａの下端側で連結部１３ｂと連結されており、各帯状電極部１３ａの上端側が開放端となっている。
【００７１】
一方、共通電極２１も画素電極１３と同様、２本の帯状電極部２１ａと、２本の帯状電極部２１ａ間を連結する連結部２１ｂとを有し、Ｕ字状に形成されている。共通電極２１もＩＴＯ等の透明導電材料で形成された一体のパターンである。２本の帯状電極部２１ａは、データ線１５の延在方向に対して平行、かつ、互いに平行に延在している。共通電極２１は、画素電極１３とは逆に、図１１における各帯状電極部２１ａの上端側で連結部２１ｂと連結されており、各帯状電極部２１ａの下端側が開放端となっている。画素電極１３や共通電極２１をＩＴＯ等の透明導電材料で形成したことによって、これら電極１３，２１の帯状電極部１３ａ，２１ａの直上もある程度表示に寄与させることができるため、開口率をより高めることができる。
【００７２】
画素電極１３の２本の帯状電極部１３ａの間に共通電極２１の１本の帯状電極部２１ａが配置され、共通電極２１の２本の帯状電極部２１ａの間に画素電極１３の１本の帯状電極部１３ａが配置されている。すなわち、Ｕ字状の画素電極１３と共通電極２１とが噛み合うように配置されており、走査線１６の延在方向に沿って見ると、画素電極１３の帯状電極部１３ａと共通電極２１の帯状電極部２１ａとが１本ずつ交互に配置されている。画素電極１３の２本の帯状電極部１３ａの大部分は、ブラックマトリクス５８が開口した各画素２０の光透過領域内に位置している。その一方、共通電極２１の２本の帯状電極部２１ａのうち、１本の帯状電極部２１ａ（図１１における左側の帯状電極部２１ａ）の大部分は各画素２０の光透過領域内に位置するが、残りの１本の帯状電極部２１ａ（図１１における右側の帯状電極部２１ａ）はデータ線１５（図１１では図示略）や容量配線１７等と平面的に重なっており、光透過領域の外側に位置する。
【００７３】
本実施形態の場合、画素電極１３と共通電極２１とでは、２本の帯状電極部１３ａ，２１ａの開放端が互いに逆向きとなるように各画素２０に対応して配置されている。そして、画素電極１３、共通電極２１双方の連結部１３ｂ，２１ｂの配置に着目すると、画素電極１３の連結部１３ｂと共通電極２１の連結部２１ｂは、互いに平行にデータ線１５の延在方向に沿って並んで配置されているのではなく（Ｕ字状の画素電極１３と共通電極２１とが背中合わせになるように配置されているのではなく）、走査線１６の延在方向（画素群を構成する複数の画素の配列方向）に沿って交互に配置され、かつ、各連結部１３ｂ，２１ｂの幅方向の一部が同一直線上に並ぶように配置されている。データ線１５に沿って並ぶ２つの画素２０を１／４ピッチずつずらして配置したことによって、このような配置を採ることができる。
【００７４】
すなわち、データ線１５の延在方向に隣り合う複数の行を見たときに、ある任意の行（図１１の２行の画素のうちの例えば上側の行）において走査線１６の延在方向に並ぶ画素電極１３の配置と、その行に隣り合う行（図１１の例えば下側の行）において走査線１６の延在方向に並ぶ画素電極１３の配置とは、走査線１６の延在方向（画素群を構成する複数の画素の配列方向）に画素電極１３の１／４ピッチ分ずれている。同様に、任意の行において走査線１６の延在方向に並ぶ共通電極２１の配置と、それに隣り合う行において走査線１６の延在方向に並ぶ共通電極２１の配置とは、走査線１６の延在方向に共通電極２１の１／４ピッチ分だけずれている。なお、本実施形態における各部の寸法は、一例として、画素２０のピッチが１２μｍ×１２μｍ、帯状電極部１３ａ，２１ａの幅が１μｍ（画素電極１３と共通電極２１で同一）、帯状電極部１３ａ，２１ａのピッチが３μｍである。
【００７５】
また、画素電極１３、共通電極２１ともに、各帯状電極部１３ａ，２１ａと連結部１３ｂ，２１ｂとの接続部分に着目すると、帯状電極部１３ａ，２１ａと連結部１３ｂ，２１ｂとが直角に１回だけ折れ曲がっているのではなく、帯状電極部１３ａ，２１ａの延在方向と連結部１３ｂ，２１ｂの延在方向に対して鈍角の角度をなす斜めの部分を有しており、本実施形態の例で言えば、帯状電極部１３ａ，２１ａと連結部１３ｂ，２１ｂとが２回折れ曲がった形状となっている。すなわち、画素電極１３および共通電極２１の外形は、帯状電極部１３ａ，２１ａの開放端側から前記接続部分側に向けて狭まった形状となっている。
【００７６】
以上、画素電極１３と共通電極２１の位置関係と、各帯状電極部１３ａ，２１ａと連結部１３ｂ，２１ｂとの接続部分の形状とを工夫したことによって、任意の行の１つの画素電極１３の連結部１３ｂを、その行と隣り合う行の２つの共通電極２１の連結部２１ｂの間のスペースに割り込ませるように配置することができる。また、その逆に、任意の行の１つの共通電極２１の連結部２１ｂを、その行と隣り合う行の２つの画素電極１３の連結部１３ｂの間のスペースに割り込ませるように配置することができる。その結果、上述したように、画素電極１３の連結部１３ｂと共通電極２１の連結部２１ｂが、走査線１６の延在方向に沿って交互に配置され、かつ、各連結部１３ｂ，２１ｂの幅方向の一部が同一直線上に並ぶように配置されることとなる。
【００７７】
本実施形態の液晶装置１において、ＴＦＴアレイ基板２と対向基板３の外側には偏光板（図示せず）がそれぞれ設けられている。これら一対の偏光板は、偏光軸がデータ線１５あるいは走査線１６の延在方向と交差するように配置され、偏光軸同士が互いに直交するように配置（クロスニコル配置）されている。また、ＴＦＴアレイ基板２、対向基板３の双方の配向膜２８，２９の配向方向はいずれかの偏光板の偏光軸の方向に一致している。したがって、液晶層５に電界が生じていない状態において液晶分子の配向方向は偏光板の偏光軸の方向に一致しており、暗（黒）表示となる（ノーマリーブラックモード）。次に、画素電極１３に対して画像信号に応じた電圧（例えば５Ｖ）を印加すると、液晶層５に基板面に略平行な横電界が生じ、液晶分子の配向方向が基板面に略平行な面内で所定の角度だけ回転するため、その角度に応じて光透過率が変調され、所定の階調の明（白）表示が得られる。
【００７８】
例えば、電圧無印加時に液晶分子の配向方向が走査線１６の延在方向に対して鋭角をなしていたとすると、本実施形態の場合、各電極１３，２１の帯状電極部１３ａ，２１ａが走査線１６に対して垂直に配置されているため、帯状電極部１３ａ，２１ａに対して垂直な方向に横電界が生じたとすると、その横電界の方向は走査線１６の延在方向に平行となる。この場合、電圧無印加時の液晶分子の配向方向と横電界の方向が鋭角をなすことになり、横電界の方向に規制されて液晶層５中の液晶分子が同じ向きに回転する。そのため、液晶の配向乱れ（ディスクリネーション）が生じない。
【００７９】
本実施形態の液晶装置１においては、画素電極１３および共通電極２１の帯状電極部１３ａ，２１ａが互いに平行に配置され、これら電極部が対向している個所では液晶層５に均一な横電界が生じ、正常な明表示が得られる。その反面、各電極１３，２１の連結部１３ｂ，２１ｂの直上、および帯状電極部１３ａ，２１ａと連結部１３ｂ，２１ｂとが対向する個所では均一な横電界が生じないため、明表示時に光の透過率が低下してしまう。しかしながら、本実施形態の液晶装置１によれば、走査線１６の延在方向に沿って画素電極１３の連結部１３ｂと共通電極２１の連結部２１ｂを交互に配置し、かつ、画素電極１３および共通電極２１の各連結部１３ｂ，２１ｂの幅方向の一部を同一直線上に並ぶように配置したことによって、透過率が低下する領域の面積を従来に比べて小さくでき、開口率を向上させることができる。その結果、明るい表示が可能な液晶装置を実現することができる。
【００８０】
本実施形態においては、画素電極１３および共通電極２１の連結部１３ｂ，２１ｂが走査線１６と重なる位置に配置されているが、走査線１６が配置された位置はもともとブラックマトリクス５８によって遮光される領域であるため、開口率の低下を最小限に抑えることができる。また、画素電極１３および共通電極２１を走査線１６の延在方向に１／４ピッチずつずらしたこと、各帯状電極部１３ａ，２１ａと連結部１３ｂ，２１ｂとの接続部分の角の形状を斜めにしたことによって、画素電極１３、共通電極２１のうちの一方の連結部を他方の連結部の間に嵌め込むように配置する設計が比較的容易に実現できる。
【００８１】
本実施形態においては、共通電極１３と容量配線１７とをコンタクトホール５６を介して電気的に接続したため、共通電極１３が画素２０毎に分離していても、容量配線１７を通じて共通電極１３に固定電位を供給することができる。もともと固定電位が供給される容量配線１７を有効利用しており、共通電位供給用の他の配線を形成しなくて済むので、開口率の向上を図ることができる。
【００８２】
［第４の実施の形態］
以下、本発明の第２の実施の形態を図１２を参照しつつ説明する。
本実施形態の液晶装置の基本構成は第３実施形態と同様であり、第３実施形態とは共通電極の構成が異なるのみである。よって、以下では、図１２の平面図を用いて第３実施形態と異なる部分のみを説明し、それ以外の共通部分の説明は省略する。なお、図１２において図１１と共通の構成要素には同一の符号を付す。
【００８３】
本実施形態においては、図１２に示すように、共通電極２１の２本の帯状電極部２１ａのうち、一方の帯状電極部２１ａ（図１２の例では右側の帯状電極部２１ａ）の開放端側がより長く延在し、データ線１５の延在方向で隣り合う共通電極２１の連結部２１ｂと接続されている。したがって、本実施形態の場合、第３実施形態のように共通電極２１が画素毎に孤立しておらず、データ線１５の延在方向に並ぶ複数の画素２０に対応する複数の共通電極２１が全て一体の連続した電極パターンとなっている。この電極パターンはＴＦＴアレイ基板２における画像表示領域の外側にまで引き回され、共通電位に固定される構成となっている。その他、画素電極１３等の構成は第３実施形態と同一である。
【００８４】
本実施形態の構成によれば、データ線１５の延在方向に並ぶ複数の共通電極２１が電気的に接続されたことによって、これら複数の共通電極２１に共通電位を安定して供給することができる。特に本実施形態では、上記の構成と、第１実施形態で説明した共通電極２１と容量配線１７をコンタクトホール５６を介して電気的に接続することで容量配線１７を通じて共通電位を供給する構成を併用しているため、いずれか一方の接続構造が不良となった場合でも他方の接続構造で電気的接続を確保でき、冗長構造が実現できるとともに高い信頼性を有する液晶装置を提供することができる。
【００８５】
［第５の実施の形態］
以下、本発明の第５の実施の形態を図１３を参照しつつ説明する。
本実施形態の液晶装置の基本構成は第３実施形態と同様であり、画素の配置のみが異なっている。よって、以下では、図１３の平面図を用いて第３実施形態と異なる部分のみを説明し、それ以外の共通部分の説明は省略する。なお、図１３において図１１と共通の構成要素には同一の符号を付す。
【００８６】
本実施形態においては、図１３に示すように、走査線１６を表示領域（図１の符号Ｒ）の水平方向（図１の矢印Ｈ）に対して傾けて配置するとともに、データ線を表示領域の垂直方向（図１の矢印Ｖ）に対して傾けて配置している。また、データ線は走査線１６と交差する個所では屈曲した形状となっている。これにより、走査線１６の延在方向に沿って並ぶ複数の画素が表示領域の水平方向に対して傾き、データ線の延在方向に沿って並ぶ複数の画素が表示領域の垂直方向に対して傾いた配置となっている。
【００８７】
第３、第４実施形態の構成によれば、複数の画素２０を走査線１６の延在方向にずらして配置しているため、画面（表示領域）の水平方向に延在する直線を表示する場合、あるいは画面の垂直方向に延在する直線を表示する場合に直線が斜めになってしまうという欠点を持っている。そこで、本実施形態のように、走査線の延在方向に沿って並ぶ複数の画素を画面の水平方向に対して傾け、データ線の延在方向に沿って並ぶ複数の画素を画面の垂直方向に対して傾けて配置したことによって、上記の直線が多少ギザギザになったとしても斜めになることを抑制でき、直線の表現力を維持することができる。
【００８８】
（プロジェクタ）
上記実施形態の液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１４は、プロジェクタの構成例を示す平面配置図である。図１４に示すように、プロジェクタ１１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６、および２枚のダイクロイックミラー１１０８によって赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ、１１１０Ｇに入射される。
【００８９】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ、１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ光およびＢ光が９０度に屈折する一方、Ｇ光が直進する。したがって、各色の画像が合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン等にカラー画像が投射される。
本実施形態によれば、高い画素開口率を有する上記実施形態の液晶装置をライトバルブとして備えたことにより、明るい表示が可能なプロジェクタを実現することができる。
【００９０】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記実施形態では、各電極の帯状電極部がデータ線の延在方向に延在し、連結部が走査線に重なるように配置したが、例えばこの配置を９０°回転させ、帯状電極部が走査線の延在方向に延在し、連結部がデータ線に重なるように配置し、各電極の連結部がデータ線に沿う直線上に並ぶようにしてもよい。
【００９１】
また、上記実施形態では、画素電極、共通電極のうちの一方の連結部を他方の連結部の間に嵌め込みやすくするため、帯状電極部と連結部の接続部分を鈍角の角度をなすように２回折り曲げた形状としたが、この構成に代えて、帯状電極部と連結部の接続部分の角を曲線的に湾曲させる構成としても良い。あるいは、帯状電極部と連結部の接続部分の角だけで対応するのではなく、開口率を大きく低下させない程度に連結部の全体を中央で折り曲げる構成としても良い。また、上記実施形態では画素ピッチが１２μｍ程度と小さい液晶装置を想定しているため、各電極の帯状電極部の本数は２本で足りたが、帯状電極部の本数や寸法は画素ピッチに合わせて適宜変更すればよい。その他、画素電極、共通電極以外の各部の具体的な構成については、適宜変更が可能である。
【実施例】
【００９２】
以下、本発明者が、本発明の開口率向上効果を実証するために行ったシミュレーション結果について報告する。
実施例１として、誘電率異方性Δε＝−５．５、屈折率異方性Δｎ＝０．１４のネガ液晶を用い、電極の構成については、図８（ａ）に示すように、個々に独立したパターンの画素電極６１と、連結したパターンの共通電極６２とを有する第２実施形態と同様の構成とした。画素のピッチを１２μｍ×１２μｍ、帯状電極部６１ａ，６２ａの幅を１μｍ、帯状電極部６１ａ，６２ａのピッチを３μｍとした。
一方、比較例１として、電極の構成を図９（ａ）に示すように変えた以外は、実施例１と同様の条件とした。図９（ａ）中の符号６３が画素電極、符号６４が共通電極である。
【００９３】
画素電極−共通電極間の印加電圧を５Ｖとして明表示を行ったときの透過率分布のシミュレーションを行った結果を図８（ｂ）、図９（ｂ）にそれぞれ示す。図８（ｂ）が実施例１のシミュレーション結果、図９（ｂ）が比較例１のシミュレーション結果、である。このシミュレーションでは、データ線に対応する個所を幅２μｍ、走査線に対応する個所を幅４μｍのブラックマトリクスＢＭで遮光することを想定している。
【００９４】
比較例１においては、図９（ｂ）に示すように、ブラックマトリクスＢＭの内側の本来明表示となるべき領域内に暗い（光透過率が低い）領域が大きく張り出しているのが判る。この暗い領域は、図９（ａ）に示した各電極６１，６２の帯状電極部６１ａ，６２ａと連結部６１ｂ，６２ｂとが対向している領域に対応している。これに対して、実施例１においては、図８（ｂ）に示したように、明表示となるべき領域内への暗い領域の張り出しが、比較例１に比べて大幅に小さくなっているのが判る。このように、本発明によれば、実効的な画素開口率が向上できることが実証された。また、本発明者は、本発明の液晶装置を実際に試作し、画素開口率を測定しているが、その測定結果も上のシミュレーション結果と良く一致することを確認した。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の第１実施形態の液晶装置の平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図３】同液晶装置の等価回路図である。
【図４】同液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である（下層側）。
【図５】同液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である（上層側）。
【図６】図４と図５を重ねた状態におけるＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態の液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である（上層側）。
【図８】本発明の実施例１の液晶装置の画素開口率のシミュレーションにおいて、（ａ）電極パターン、（ｂ）シミュレーション結果をそれぞれ示す図である。
【図９】比較例１の液晶装置の画素開口率のシミュレーションにおいて、（ａ）電極パターン、（ｂ）シミュレーション結果をそれぞれ示す図である。
【図１０】本発明の第３実施形態の液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である（下層側）。
【図１１】同液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である（上層側）。
【図１２】本発明の第４実施形態の液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である（上層側）。
【図１３】本発明の第５実施形態の液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である（上層側）。
【図１４】本発明のプロジェクタの一例を示す概略構成図である。
【図１５】従来の横電界方式の液晶装置の電極パターンの一例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００９６】
１…液晶装置、２…ＴＦＴアレイ基板、３…対向基板、５…液晶層、１３，６１…画素電極（第２電極）、１３ａ，６１ａ…（画素電極の）帯状電極部（電極部）、１３ｂ，６１ｂ…（画素電極の）連結部、１５…データ線、１６…走査線、１７…容量配線、１８…蓄積容量、２０…画素、２１，６２…共通電極（第１電極）、２１ａ，６２ａ…（共通電極の）帯状電極部（電極部）、２１ｂ，６２ｂ…（共通電極の）連結部、１１００…プロジェクタ。
【図１】
2008242415.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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