(57)【要約】      （修正有）【課題】基板上に形成した薄膜上へ吸着する有機物などの微粒子の量を低減させ、形成する薄膜の膜厚均一性を向上させ、ヘイズ性パーティクルを低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板２００を支持具に装填する工程と、基板を装填した支持具２１７を処理室２０１内に搬入する工程と、処理室内で支持具に装填された基板を熱処理する工程と、熱処理後の基板を装填した支持具を処理室内から搬出する工程と、処理室内より搬出した支持具から熱処理後の基板を回収する工程と、を有し、熱処理後の基板を回収する工程は、基板の温度が、基板表面に吸着した有機物の揮発温度を下回らない間に行う。【選択図】図１
2008263064.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持具に装填する工程と、
前記基板を装填した前記支持具を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内で前記支持具に装填された前記基板を熱処理する工程と、
前記熱処理後の基板を装填した前記支持具を前記処理室内から搬出する工程と、
前記処理室内より搬出した前記支持具から前記熱処理後の基板を回収する工程と、
を有し、
前記熱処理後の基板を回収する工程は、前記基板の温度が、前記基板表面に吸着した有機物の揮発温度を下回らない間に行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を処理する半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造工程の一工程として行う基板処理工程は、基板を支持具に装填するための移載室と、基板を装填するための支持具と、基板を処理するための処理室と、を備えた基板処理装置により実施されていた。
そして、かかる基板処理装置において、（１）移載室にて支持具に基板を装填し、（２）移載室から処理室へと支持具を搬入し、（３）処理室を所定温度まで昇温し、（４）処理室にて基板に成膜処理やアニール処理を実施し、（５）処理室から移載室へと支持具を搬出し、（６）移載室にて基板を冷却し、（７）移載室にて支持具から基板回収容器へと基板を回収する、といった各工程が実施されていた。
【０００３】
ここで、上記（６）の基板を冷却する工程は、基板の温度を基板回収用容器の耐熱温度よりも降下させる目的で実施するものである。具体的には、支持具を処理室から移載室へと搬出した後、移載室にて支持具を保持して、支持具に装填した基板を移載室内の雰囲気に所定時間暴露することにより行っていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記（６）に示した基板の冷却工程を実施すると、移載室内の雰囲気に含まれる有機物などの微粒子が基板上に形成した薄膜上に吸着し、その結果、形成した薄膜の膜厚均一性が劣化したように観察される場合があることが判明した。また、ヘイズ性パーティクルが生じる場合があることも判明した。
【０００５】
そこで本発明は、基板上に形成した薄膜上へ吸着する有機物などの微粒子の量を低減させることで、形成する薄膜の膜厚均一性を向上させ、ヘイズ性パーティクルを低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、基板を支持具に装填する工程と、前記基板を装填した前記支持具を処理室内に搬入する工程と、前記処理室内で前記支持具に装填された前記基板を熱処理する工程と、前記熱処理後の基板を装填した前記支持具を前記処理室内から搬出する工程と、前記処理室内より搬出した前記支持具から前記熱処理後の基板を回収する工程と、
を有し、前記熱処理後の基板を回収する工程は、前記基板の温度が、前記基板表面に吸着した有機物の揮発温度を下回らない間に行う半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、基板上に形成した薄膜上へ吸着する有機物などの微粒子の量を低減させることができ、形成する薄膜の膜厚均一性を向上させ、ヘイズ性パーティクルを低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
上述の通り、従来の基板の冷却工程を実施すると、移載室内の雰囲気に含まれる有機物などの微粒子が、基板上に形成した薄膜上へ吸着し、膜厚均一性が損なわれてしまう場合があった。
【０００９】
発明者等の研究によれば、基板を冷却させるために移載室内に支持具を所定時間保持すると、基板が移載室内の雰囲気に長時間にわたって暴露され、雰囲気中に含まれる有機物等が、基板上に形成した薄膜上に吸着してしまう場合があることが判明した。そして、有機物などの微粒子が吸着することにより、形成した薄膜の膜厚分布も劣化して観測される場合があることが判明した。
【００１０】
図２及び図３に、移載室での基板の冷却時間を変化させた場合における膜厚分布を示す。参照する図面において、図２は、移載室での基板の冷却時間を３０分とした場合における基板面内の膜厚分布を示す概略図であり、（ａ）は支持具の上部に、（ｂ）は中央部に、（ｃ）は下部に装填された基板における膜厚分布をそれぞれ示す。また、図３は、移載室での基板の冷却時間を１０分とした場合における基板面内の膜厚分布を示す概略図であり、（ａ）は支持具の上部に、（ｂ）は支持具の中央部に、（ｃ）は支持具の下部に装填された基板における膜厚分布をそれぞれ示す。
【００１１】
図２及び図３を比較した結果、冷却時間が長い図２の方が、冷却時間が短い図３に比べて膜厚分布が偏っており、有機物などの微粒子の吸着量が多く、膜厚均一性も劣化していることが判る。図２及び図３においては、クリーンエアを基板の左方向から基板に吹き当てるようにファンが設けらているが、その結果、冷却時間が長い図２において、雰囲気中に含まれる微粒子が基板の左側に多く吸着してしまい、膜厚分布が偏ったものと考えられる。
【００１２】
発明者等は、移載室内の雰囲気に基板が暴露される時間を短縮させることが、基板表面への有機物などの微粒子の吸着量を低減させ、形成する薄膜の膜厚均一性を向上させるのに、また、ヘイズ性パーティクルを低減するのに有効であるとの知見を得て、本発明を完成させるに至った。
【００１３】
（１）基板処理装置の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図１及び図５を用いて説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造工程の一工程において好適に用いられる基板処理装置の処理炉の概略構成図であり、縦断面図として示されている。また、図５は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の処理炉に連通する移載室の概略構成図である。
【００１４】
（１−１）処理炉の上部構成
図１に示されているように、処理炉２０２は、加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００１５】
ヒータ２０６の内側には、例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状である均熱管（外管）２０５が、ヒータ２０６と同心円状に配設されている。
【００１６】
均熱管２０５の内側には、例えば、石英（ＳｉＯ２）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状である反応管（内管）２０４が、均熱管２０５と同心円状に配設されている。
【００１７】
反応管２０４の筒中空部には、基板としてのウエハ２００を処理するための処理室２０１が形成されている。処理室２０１の内部には、基板支持具としてのボート２１７が設けられている。ボート２１７は、複数枚のウエハ２００を、水平姿勢で垂直方向に多段に整列させた状態で装填（支持）することができるように構成されている。ボート２１７は、例えば、石英や炭化珪素等の耐熱性材料から構成されている。
【００１８】
ボート２１７の下方には、ボート２１７を下方から支持するように断熱筒２１８が設けられている。断熱筒２１８は、ヒータ２０６からの熱が反応管２０４の下端側に伝わりにくくなるように、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円筒形状をした断熱部材により構成されている。
【００１９】
均熱管２０５と反応管２０４との間には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６及び温度センサ２６３には、温度制御部２３８が電気的に接続されている。温度制御部２３８は、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づいて、処理室２０１内が所望のタイミングで所望の温度分布となるように、ヒータ２０６への通電具合を制御する。
【００２０】
（１−２）処理炉の下部構成
上述した反応管２０４の下端部には、反応管２０４の下端開口を気密に閉塞可能な保持体としてのベース２５７と、炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。
シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。ベース２５７は、例えば石英からなり、円盤状に形成され、シールキャップ２１９の上に取付けられている。ベース２５７の上面には反応管２０４の下端と接触し、処理室２０１内を気密に保つシール部材としてのＯリング２２０が設けられる。
【００２１】
シールキャップ２１９の底部（すなわち処理室２０１と反対側）には、ボート２１７を回転させるための回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９とベース２５７とを貫通して、断熱筒２１８に接続されている。そして、断熱筒２１８を介してボート２１７を回転させることで、ウエハ２００を処理室２０１内で回転させることが出来る。
【００２２】
シールキャップ２１９は、反応管２０４の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって、垂直方向に昇降させることが出来るように構成されている。そして、ボートエレベータ１１５を作動させることにより、ボート２１７及びボート２１７に支持されるウエハ２００を、処理室２０１に対して搬入し、搬出することが出来る。
【００２３】
回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部２３７が電気的に接続されている。駆動制御部２３７は、所望のタイミングで所望の動作をするように回転機構２５４及びボートエレベータ１１５を制御する。
【００２４】
（１−３）ガス導入部の構成
反応管２０４の下端側面部には、ガス導入部２３０が設けられている。そして、ガス導入部２３０から反応管２０４の天井部２３３に至るまで、反応管２０４の外壁に添ってガス導入管としての細管２３４が配設されている。ガス導入部２３０から導入されたガスは、細管２３４内を流通して天井部２３３に至り、天井部２３３に設けられた複数のガス導入口２３３ａから、処理室２０１内へと導入される。
【００２５】
ガス導入部２３０には、ガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２の上流側（すなわちガス導入部２３０との接続側と反対側）には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して、図示しない処理ガス供給源、キャリアガス供給源、不活性ガス供給源が接続されている。なお、処理室２０１内に水蒸気を供給する必要がある場合は、ガス供給管２３２のＭＦＣ２４１よりも下流側に、図示しない水蒸気発生装置が設けられる。
【００２６】
ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されている。ＭＦＣ２４１は、処理室２０１内に所望のタイミングで所望の量のガスを供給するように、ＭＦＣ２４１を制御する。
【００２７】
（１−４）ガス排気部の構成
反応管２０４の下端側面部の、ガス導入部２３０と異なる位置には、反応管２０４内の雰囲気を排気口２３１ａから排気するためのガス排気部２３１が設けられている。そして、ガス排気部２３１には、ガス排気管２２９が接続されている。ガス排気管２２９の下流側（すなわちガス排気部２３１との接続側とは反対側）には、圧力調節器２４２を介して排気装置２４６が接続されている。ガス排気部２３１と圧力調節器２４２との間には、処理室２０１内の圧力を検出するための圧力センサ２４５が設けられている。
【００２８】
圧力調節器２４２および圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されている。圧力制御部２３６は、圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいて、処理室２０１内が所望のタイミングで所望の圧力になるように、圧力調節器２４２を制御する。
【００２９】
（１−５）移載室の構成
また、図５に示すとおり、処理室２０１の外には、ウエハ２００をボート２１７に装填し、あるいはウエハ２００をボート２１７から回収するための移載室３０１が、処理室２０１と連通するように設けられている。
【００３０】
ボート２１７は、ボートエレベータ１１５を作動させることにより、処理室２０１と移載室３０１との間を相互に移動することが出来るように構成されている。
【００３１】
また、移載室３０１の外部には、ウエハ２００を格納するためのウエハ回収容器３０３を載置する載置台３０３ｃが設けられている。ウエハ回収容器３０３とボート２１７との間のウエハ２００の移動は、移載室３０１内に設けられた搬送ロボット３０２により実施される。
【００３２】
なお、移載室３０１の内部には、クリーンエア（大気）あるいは不活性ガスを充填することが出来るように構成されていることが好ましい。また、搬送ロボット３０２及びウエハ回収容器３０３は昇温されたウエハ２００と直接接触するため、ウエハ２００の温度に耐えうる高い耐熱温度を有する部材から構成されている。
【００３３】
（１−６）制御系の構成
上述のガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、及び温度制御部２３８は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、及び主制御部２３９は、コントローラ２４０として構成されている。また、搬送ロボット３０２の動作も、コントローラ２４０により制御される。
【００３４】
（２）基板処理工程
続いて、上記構成に係る処理炉２０２を用いて、半導体装置の製造工程の一工程として基板に酸化あるいは拡散等の処理を施す方法について、図４を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。
【００３５】
（２−１）ウエハ装填工程（Ｓ１）
まず、フタ開閉機構３０３ｂにより、載置台３０３ｃ上のウエハ回収容器３０３のフタ３０３ａを開き、複数枚のウエハ２００をウエハ回収容器３０３内から取り出し、移載室３０１の内部においてボート２１７へ装填する。なお、ボート２１７へのウエハ２００の装填は、搬送ロボット３０２により実施する。
【００３６】
（２−２）ボート搬入工程（Ｓ２）
続いて、炉口シャッタ２０４ａを開き、ボートエレベータ１１５を作動させて、移載室３０１内から処理室２０１内へとボート２１７を搬入する（ボートローディング）。なお、ボート２１７を上昇させた結果、反応管２０４の下端は、ベース２５７及びＯリング２２０を介して、シールキャップ２１９によりシールされ、処理室２０１内は気密に保たれた状態となる。
【００３７】
（２−３）昇温工程（Ｓ３）
続いて、処理室２０１内を処理温度まで昇温する。具体的には、処理室２０１内が所望の処理温度となるように、また、所望の温度分布となるように、ヒータ２０６への供給電力を調整する。この際、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づいて、ヒータ２０６への通電具合をフィードバック制御する（温度調整工程）。同時に、処理室２０１内が所望の圧力となるように、処理室２０１内を排気装置２４６を用いて排気する。この際、圧力センサ２４５が検出した圧力情報に基づいて、圧力調節器２４２をフィードバック制御する（圧力調整工程）。
【００３８】
続いて、回転機構２５４を作動させて、断熱筒２１８、ボート２１７、ウエハ２００を処理室２０１内で回転させる。
【００３９】
（２−４）ウエハ処理工程（Ｓ４）
続いて、処理ガス供給源及びキャリアガス供給源からガスを供給する。この際、ＭＦＣ２４１を用いてガスの流量を制御する。供給されるガスは、ガス供給管２３２からガス導入部２３０および細管２３４を経由して天井部２３３に至り、複数のガス導入口２３３ａから処理室２０１内へとシャワー状に導入される。なお、ウエハ２００に対してウェット酸化等の水蒸気を用いた処理を行う場合には、ＭＦＣ２４１にて流量制御されたガスを水蒸気発生装置に供給し、水蒸気発生装置にて生成された水蒸気（Ｈ２Ｏ）を含むガスを処理室２０１に導入する。
【００４０】
ガス導入口２３３ａから処理室２０１内へと導入されたガスは、ボート２１７に装填されているウエハ２００の表面と接触して、ウエハ２００の表面を酸化あるいはドーパントを拡散させる等の処理を行う。そして、ウエハ２００の処理に使用した後のガスは、排気口２３１ａから排気する。
【００４１】
予め設定された処理時間が経過したら、不活性ガス供給源から不活性ガスを供給して処理室２０１内を不活性ガスに置換し、処理室２０１内の圧力を常圧に復帰させる。
【００４２】
なお、一例まで、本実施の形態の処理炉２０２にてウエハ２００を処理する際の処理条件としては、例えば、酸化処理においては、処理温度５００〜９５０℃、処理圧力１Ｐａ〜大気圧、ガス種およびガス供給流量Ｏ２：２０ｓｃｃｍ〜５０００ｓｃｃｍ、Ｈ２：１０ｓｃｃｍ〜２０００ｓｃｃｍが例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウエハ２００に処理がなされる。
【００４３】
（２−５）降温工程（Ｓ５）
その後、ボート２１７を処理室２０１内に保持したまま、ヒータ２０６への通電量を減らすことにより処理室２０１内の温度を下げるとともに、ボート２１７に装填されているウエハ２００の温度を下げる。
【００４４】
（２−６）ボート搬出工程（Ｓ６）
続いて、ボートエレベータ１１５を作動させ、処理室２０１内から移載室３０１内へとボート２１７を搬出する（ボートアンローディング）。ボート２１７の搬出後、処理室２０１は炉口シャッタ２０４ａにより閉塞する。
【００４５】
（２−７）ウエハ回収工程（Ｓ７）
その後、移載室３０１内において、処理済のウエハ２００をボート２１７から回収する（ウエハディスチャージ）。すなわち、ボート２１７から処理済のウエハ２００を取り出し、ウエハ回収容器３０３へと格納する。処理済みのウエハ２００を格納後、ウエハ回収容器３０３のフタ３０３ａを閉じる。なお、ボート２１７からのウエハ２００の回収、すなわちボート２１７からのウエハ２００の取り出し、及び回収したウエハ２００のウエハ回収容器３０３への格納は、搬送ロボット３０２により実施する。
【００４６】
ここで、ボート搬出工程及びウエハ回収工程は、ウエハ２００の温度が、少なくともウエハ２００に吸着する有機物の揮発温度を下回らない間に行う。ボート搬出工程及びウエハ回収工程においてウエハ２００の表面に吸着する有機物を揮発させることが出来るからである。なお、本発明者が実験を行ったところ、ウエハ２００を１５０℃で５分加熱した場合に、ウエハ２００表面に吸着した有機物が揮発することが確認できた。よって、ボート搬出工程及びウエハ回収工程は、ウエハ２００の温度が少なくも１５０℃を下回らない間に行うのが好ましい。
【００４７】
また、上述のウエハ回収工程は、ボート搬出工程の完了直後に連続して実施することが好ましい。すなわち、ボート搬出工程により処理室２０１内から移載室３０１内へとボート２１７を完全に移動させた直後に、ボート２１７を引き出した位置、すなわち処理室２０１の直下の位置でウエハ回収工程を実施することが好ましい。移載室３０１内の雰囲気にウエハ２００が暴露される時間を極力短縮させるためである。
【００４８】
さらには、上述のウエハ回収工程は、ボート搬出工程と並行して実施することがより好ましい。すなわち、ボート２１７に装填されたウエハ２００が処理室２０１から出た時点で、処理室２０１から出た該ウエハ２００をその位置で順次回収するように、ボート搬出工程を実施することがより好ましい。移載室３０１内の雰囲気にウエハ２００が暴露される時間をより短縮させるためである。
【００４９】
（３）本発明の一実施形態における効果
本発明の一実施形態によれば、ボート搬出工程及びウエハ回収工程は、ウエハ２００の温度が、少なくともウエハ２００に吸着する有機物の揮発温度を下回らない間に行う。これにより、ボート搬出工程及びウエハ回収工程においてウエハ２００の表面に吸着した有機物は揮発するため、処理後のウエハ２００の表面に形成された薄膜の膜厚均一性を向上させることが出来る。また、ヘイズ性パーティクルを低減することも出来る。
【００５０】
また、本発明の一実施形態よれば、ウエハ２００の冷却を、移載室３０１ではなく処理室２０１にて実施することが出来る。この場合、移載室３０１内の雰囲気にウエハ２００が暴露される時間を短縮でき、ウエハ２００の表面に吸着する有機物などの微粒子の量を低減させ、形成した薄膜の膜厚均一性を向上させることが出来る。
【００５１】
さらに、本発明の一実施形態によれば、ウエハ回収工程をボート搬出工程の完了直後に連続して実施することが出来る。この場合、移載室３０１内の雰囲気にウエハ２００が暴露される時間を短縮でき、ウエハ２００の表面に吸着する有機物などの微粒子の量を低減させ、形成した薄膜の膜厚均一性を向上させることが出来る。
【００５２】
また、本発明の一実施形態によれば、ウエハ回収工程をボート搬出工程と並行して実施することができる。この場合、移載室３０１内の雰囲気にウエハ２００が暴露される時間を短縮でき、ウエハ２００の表面に吸着する有機物などの微粒子の量を低減させ、形成した薄膜の膜厚均一性を向上させることが出来る。
【００５３】
そして、本発明の一実施形態によれば、ウエハ冷却時間をトータルで短縮することが出来るため、半導体装置の製造の生産性を向上させることが出来る。
【実施例１】
【００５４】
本実施例においては、移載室においてウエハ冷却時間を設けることなく、ボート搬出工程の直後に連続してウエハ回収工程を実施した。なお、ウエハ回収容器３０３及び搬送ロボット３０２の耐熱温度を１５０℃以上とした。
【００５５】
その結果、ウエハ２００を処理室２０１から搬出した後、移載室３０１内の雰囲気にウエハ２００が暴露される時間を短縮できた。そして、移載室３０１内の雰囲気中に含まれる有機物等の微粒子がウエハ２００へ吸着する量を低減でき、膜厚均一性が向上した。
【実施例２】
【００５６】
本実施例においては、ウエハ回収工程をボート搬出工程と並行して実施した。すなわち、ボート２１７に装填されたウエハ２００が処理室２０１から出た時点で、処理室２０１から出た該ウエハ２００をその位置で順次回収するように、ボート搬出工程を実施した。なお、ウエハ回収容器３０３及び搬送ロボット３０２の耐熱温度を１５０℃以上とした。
【００５７】
その結果、移載室３０１内の雰囲気にウエハ２００が暴露される時間をさらに短縮できた。そして、移載室３０１内の雰囲気中に含まれる有機物等の微粒子がウエハ２００へ吸着する量をさらに低減でき、膜厚均一性がさらに向上された。
【００５８】
＜本発明の好ましい態様＞
第１の態様は、基板を支持具に装填する工程と、前記基板を装填した前記支持具を処理室内に搬入する工程と、前記処理室内で前記支持具に装填された前記基板を熱処理する工程と、前記熱処理後の基板を装填した前記支持具を前記処理室内から搬出する工程と、前記処理室内より搬出した前記支持具から前記熱処理後の基板を回収する工程と、を有し、  前記熱処理後の基板を回収する工程は、前記基板の温度が、前記基板表面に吸着した有機物の揮発温度を下回らない間に行う半導体装置の製造方法である。
第１の態様によれば、基板上へ吸着する有機物などの微粒子の量を低減させ、基板処理の均一性を向上させることが出来る。
【００５９】
第１の態様にかかる半導体装置の製造方法においては、前記基板を熱処理する工程の後であって、前記支持具を前記処理室内から搬出する工程の前に、前記処理室内で前記基板の温度を降下させる工程を有することが好ましい。
このように構成することで、処理室外の雰囲気に基板が暴露される時間を短縮でき、基板上へ吸着する有機物などの微粒子の量をさらに低減させ、基板処理の均一性をさらに向上させることが出来るためである。
【００６０】
また、第１の態様にかかる半導体装置の製造方法においては、前記熱処理後の基板を回収する工程は、前記支持具を前記処理室内から搬出する工程の完了直後に行うことが好ましく、前記支持具を前記処理室内から搬出する工程の完了直後に、前記基板を冷却する時間を設けることなく行うことがより好ましい。また、前記熱処理後の基板を回収する工程は、前記支持具を前記処理室内から搬出する工程と並行して行うことがさらに好ましく、前記支持具を前記処理室内から搬出する工程中に前記基板が前記処理室内から外部に出ると同時に順次行うことが一層好ましい。
このように構成することで、処理室外の雰囲気に基板が暴露される時間を短縮でき、基板上へ吸着する有機物などの微粒子の量をさらに低減させ、基板処理の均一性をさらに向上させることが出来るためである。
【００６１】
また、第１の態様にかかる半導体装置の製造方法においては、前記熱処理後の基板を回収する工程は、前記熱処理後の基板の温度が少なくとも１５０℃を下回らない間に行うことが好ましい。
このように構成することで、支持具を処理室から搬出した後に基板表面に吸着した有機物を揮発させることができ、基板上へ吸着する有機物などの微粒子の量をさらに低減させ、基板処理の均一性をさらに向上させることが出来るためである。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の処理炉の概略構成図である。
【図２】移載室での基板の冷却時間を３０分とした場合における基板面内の膜厚分布を示す概略図であり、（ａ）は支持具の上部に、（ｂ）は支持具の中央部に、（ｃ）は支持具の下部に装填された基板における膜厚分布をそれぞれ示す。
【図３】移載室での基板の冷却時間を１０分とした場合における基板面内の膜厚分布を示す概略図であり、（ａ）は支持具の上部に、（ｂ）は支持具の中央部に、（ｃ）は支持具の下部に装填された基板における膜厚分布をそれぞれ示す。
【図４】本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造工程の一工程として、基板に酸化あるいは拡散等の処理を施す工程を示す概略図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の処理炉に連通する移載室の概略構成図である。
【符号の説明】
【００６３】
２００  ウエハ（基板）
２０１  処理室
２１７  ボート（支持具）
３０１  移載室
３０２  搬送ロボット
３０３  ウエハ回収容器
【図４】
2008263064.tif 000003
【図５】
2008263064.tif 000004
【図１】
2008263064.tif 000005
【図２】
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【図３】
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