(57)【要約】      （修正有）【課題】熱放出の効率が向上された表面実装型発光ダイオードランプを提供する。【解決手段】第１領域１２および第２領域１３で分離される金属層１１、上記の金属層の上部に位置する支持層１５を有し、上記の金属層の第１領域の上部に位置する支持層の一部が除去、好ましくはレーザー穿孔により除去され、上記の支持層が除去された部分１７で上記の金属層の第１領域が露出される。発光ダイオードチップは上記の露出された金属層に実装され、上記の金属層の第１領域および第２領域に各々電気的に繋がれる。【選択図】図１
2008263205.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域および第２領域に分離された下部金属層、
下部金属層の上部に位置する支持層、
支持層の上部に位置する光反射層、
下部金属層の第１領域の上部に位置する支持層および光反射層の一部を除去した部分であるチップ実装部、および
下部金属層の第１領域が露出された下部金属層部分に実装され、ダイオードの各極が下部金属層の第１領域および第２領域に各々電気的に繋がれた発光ダイオードチップを含む表面実装型発光ダイオードランプ。
【請求項２】
第１領域および第２領域に分離された下部金属層、
下部金属層の上部に位置する支持層、
支持層の上部に位置する光反射層、
下部金属層の第１領域の上部に位置する支持層および光反射層の一部を除去した部分であるチップ実装部、下部金属層の第２領域の上部に位置する支持層および光反射層の一部が除去された第２領域露出部、および支持層および光反射層が除去された部分で下部金属層の第１領域および第２領域が露出され、露出された下部金属層の第１領域部分に実装され、露出された下部金属層の第１領域および第２領域にダイオードの各極が各々電気的に繋がれた発光ダイオードチップを含む表面実装型発光ダイオードランプ。
【請求項３】
請求項１または２の発光ダイオードランプにおいて、
支持層の上部に位置する光反射層は金属層からなるものであり、
第１領域の上部に位置する支持層および金属層の一部、および第２領域の上部に位置する支持層および金属層の一部が各々除去された部分において上記の下部金属層の第１領域および第２領域が露出され、上記の露出された下部金属層の第１領域に実装され、上記の露出された下部金属層の第１領域および第２領域に各々電気的に繋がれた発光ダイオードチップを含む表面実装型発光ダイオードランプ。
【請求項４】
支持層および光反射層の一部が除去された部分が、レーザー穿孔によって形成される事を特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の、表面実装型発光ダイオードランプ。
【請求項５】
支持層および上部金属層が除去され発光ダイオードチップが実装される領域に、 CuまたはAg等の光反射金属によるメッキで形成された光反射構造が含まれている、請求項１〜４のいずれかに記載の表面実装型発光ダイオードランプ。
【請求項６】
発光ダイオードチップが覆われる光抽出部をさらに含む、請求項１〜５記載の表面実装型発光ダイオードランプ。
【請求項７】
光抽出部は蛍光剤、拡散剤、色素等のチップから放出される光を変換する添加物をさらに含むものである、請求項６記載の表面実装型発光ダイオードランプ。
【請求項８】
支持層および光反射層に剥離防止の契合部がさらに含まれるのを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の、表面実装型発光ダイオードランプ。
【請求項９】
支持層の一表面に金属層を設けた基板の、金属層の一部を除去して第１領域と第２領域に分離する段階、
金属層の第１領域の上部に位置する支持層の一部および金属層の第２領域の上部に位置する支持層の一部を各々レーザーで照射して除去し、下部金属層の第１領域および第２領域の一部を露出させる段階、および
露出された下部金属層の第１領域に発光ダイオードチップを実装して、ダイオードの各電極をそれぞれ第１領域および第２領域に電気的に繋ぐ段階を含む、表面実装型発光ダイオードランプを製造する方法。
【請求項１０】
支持層の上部に光反射物質を塗布する段階をさらに含む、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
支持層の両面に金属層を設けた基板の、下部金属層の一部を除去して第１領域と第２領域に分離する段階、
第１領域の上部に位置する上部金属層にレーザーマスクを形成する段階、
レーザーマスクで表示された領域の内部にレーザーを照射して支持層を除去し、下部金属層の一部を露出させる段階、 および
上記の露出された下部金属層の第１領域に発光ダイオードチップを実装して、ダイオードの各電極をそれぞれ第１領域および第２領域に電気的に繋ぐ段階を含む、表面実装型発光ダイオードランプを製造する方法。
【請求項１２】
レーザーマスクが、上部金属層の一部をエッチングで除去する事によって形成されるのを特徴とする、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
露出された下部金属層にチップが実装される領域に、反射構造を形成する段階をさらに含む、請求項９〜１１のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板に用いられるような、表面導体層が支持基板表面に形成されている基板を用いた、大電流表面実装型発光ダイオードランプであって、表面導体層に発光ダイオードチップを直接実装して最短の熱放出経路を確保して熱放出の効率を向上させた表面実装型発光ダイオードランプに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のLED(Light Emitting Diode)ランプはLEDチップをリードフレームに実装してパッケージし、これをまた回路基板に再実装してシステムに応用したり、モジュール形態の部品として利用したりしてきた。
従来のリードフレームの構造には、熱放出効率が落ちるという問題があり、その問題を克服するために開発された、熱放出貫通路を持つセラミックス構造、金属スラーグまたはアルミニウムナイトライド(AlN)セラミックス基板が含まれるリードフレームを用いたLEDランプの場合には、熱放出性能はある程度向上されたが、相変わらず熱放出性能が良好ではないだけではなく、これらの構成では熱放出間通路をわざわざ設けるために構造が複雑となり、製造工程も複雑となるので、生産費用が高く、チップ実装の後のモールド作業も難しくて量産性が悪い、また生産歩留りが落ちる等の短所があった。
また、従来の薄型で指向性を有する表面実装型発光ダイオードランプにおいては、発光ダイオードチップから放出される熱を伝導除去するための熱伝導体構造(ルーターなど)を必要とし、また熱放出の効率を高めるために、これらの構造体を大容量とする試みもあったが、熱放出の効率も良好ではないだけではなく、これによってモルド材料との接着性が弱まり素子の剥離の問題が発生した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
そこで本発明者は、回路基板に用いられるような、表面導体層が支持基板表面に形成されている基板の、表面導体層のみを残して他の層を除去した部分を形成し、発光ダイオードチップを、該除去部分において表面導体層に支持基板側から直接実装すれば、最短の熱放出経路を確保することができる発光ダイオードランプが得られることを見出し、簡単でありながら再現性が優れた断熱材料の除去ができるレーザー照射による断熱材料除去によってこれが実際に可能であることをさらに見出すことによって、本発明の構造の発光ダイオードランプを作成し、本発明を完成した。
因みに、回路基板の表面導体層のような薄い層のみを有する部分に直接発光ダイオードチップを基板側から載置する構造自体が、従来存在しておらず、それは本発明において見出した、レーザー照射による基板の支持層除去という方法により初めて実現可能となった構造であるといえるものである。
【発明の効果】
【０００４】
本発明は従来の小型表面実装型発光ダイオードランプに比較して、放熱特性を向上させたものであるので、素子のエネルギー効率改善はもちろん、点光源である発光ダイオードの特性を最大限利用することができ、高密度であると同時に大電力駆動ができるようになる。特に従来の放熱性に配慮した発光ダイオードランプと比較して、均一性、歩留り、量産性、性能の向上が実現できる。従って、例えば照明器具の光エネルギー源として使用された場合には、巨大な照明マーケットの需要に対して大きい波及効果が期待できる。
【０００５】
また、現在まで携帯電話のキーパッドおよび表示用素子で使用されてきた１６０８、１４１５サイズの超小型表面実装型発光ダイオードランプの光度を２倍以上向上させることができ、電力を２倍以上にした駆動ができるので、この分野のマーケットおよび関連新規マーケットに応用できる。
本発明に対する従来技術として、支持基板上に導体層が設けられた、一般に印刷回路において使用されている構成の基板を用いて、その支持部分を除去し導体層を露出させた部分に発光ダイオードチップを直接載置し、そのために熱放出性能が格段に向上した発光ダイオードランプ、という構成は従来知られていなかった。本発明において、支持層および光反射層のみ除去して導電体層は残すという加工を、レーザーエッチングによる選択的除去によって実現できるから、この構成が簡便安価に製造が可能であり、従ってそのような大電力ダイオードが可能な構成が、簡便安価に製造可能であることが初めて明らかにされたのである。
【０００６】
本発明の目的は、回路基板等に用いられる表面導体層を有する絶縁体板からなる支持基板の、絶縁体部の除去を行って導体層のみとした部分に発光ダイオードチップを直接実装した、最短の熱放出経路を持つ表面実装型発光ダイオードランプを提供する事である。ここにおいて、回路基板等に用いられる表面導体層を有する支持基板とは、表面導体層が、一般によく用いられる、印刷回路基板に使われる金属(Cu, Alなど)で構成されたものであり、好ましくは金属層(１１)の厚みが１０μｍ以上で、さらに好ましくは１００μｍ以上８００μｍ以下で構成されるものをいう。また支持基板(１５)はたとえばFR-１, FR-４, または樹脂類で形成され、FR-１, FR-４, またはBTレジン(Bismaleimidetraizine Resin)であって、支持層の厚みは４００μｍ以下であるのが好ましいものをいう。
本発明の他の目的は回路基板等に用いられる表面導体層を有する支持基板に、発光ダイオードチップを直接実装し、チップ上部に光抽出部を形成して光の利用効率を向上させた表面実装型発光ダイオードランプを提供する事である。
本発明のまた他の目的は回路基板等に用いられる表面導体層を有する支持基板に発光ダイオードチップを実装して最短の熱放出経路を持つ表面実装型発光ダイオードランプを製造する方法を提供する事である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的のために、本発明は、下部金属層; 上記の下部金属層の上部に位置する支持層; 上記の支持層の上部に位置する光反射層からなる基板の、下部金属層を互いに断熱された第１領域および第２領域に電気的に分離し、第１領域上部に位置する支持層および光反射層の一部を、下部金属層が露出されるように除去し、露出された下部金属層上に発光ダイオードチップが載置され、下部金属層の第１領域および第２領域に、発光ダイオードチップの各電極が各々電気的に繋がれた構造を有する、表面実装型発光ダイオードランプを提供する。
また、本発明は、上記ダイオードランプの構造に加え、さらに下部金属層の第２領域の上部に位置する支持層および光反射層の一部を除去し下部金属層の第２領域が露出されるようにし、露出された下部金属層の第２領域に発光ダイオードチップの一方の電極を電気的に繋ぐ構造を有する表面実装型発光ダイオードランプを提供する。
【０００８】
本発明は、上記ダイオードランプにおける上記の支持層および光反射層の一部の除去が、レーザー穿孔によっておこなわれたものであることを特徴とする表面実装型発光ダイオードランプを提供する。
本発明はまた、上記の支持層および上部金属層が除去され、上記の発光ダイオードチップが実装される領域に光反射構造がさらに含まれることを特徴とする表面実装型発光ダイオードランプを提供する。
本発明は上記の発光ダイオードチップを覆う光抽出部がさらに含まれることを特徴とする表面実装型発光ダイオードランプを提供する。
本発明は上記の光抽出部が発光ダイオードチップに結合されるモールド部材からなる表面実装型発光ダイオードランプ、および上記光抽出部に拡散剤、蛍光剤または色素を含む表面実装型発光ダイオードランプを提供する。
【０００９】
本発明は上記の支持層に契合部がさらに含まれるのを特徴とする表面実装型発光ダイオードランプを提供する。
本発明は上記光抽出部に隣接して光ガイドがさらに形成されることを特徴とする表面実装型発光ダイオードランプを提供する。
本発明は上記光ガイドが白色顔料または金属粉末を含む樹脂で作成されるのを特徴とする 表面実装型発光ダイオードランプを提供する。
【００１０】
本発明はまた、回路基板等に用いられる表面導体層を有する支持基板の、下部金属層の一部を除去して第１領域と第２領域を分離する段階; 第１領域の上部に位置する支持層の一部および上記の下部金属層の第２領域の上部に位置する支持層の一部を各々レーザーで照射して除去し、下部金属層の第１領域および第２領域の一部を露出させる段階; および上記上記露出された下部金属層の第１領域に発光ダイオードチップを実装し、ダイオードチップの各電極をそれぞれ第１領域および第２領域に電気的に繋げる段階を含む表面実装型発光ダイオードランプを製造する方法を提供する。
本発明はまた、上記の支持層上部に光反射物質を塗布する段階をさらに含むことを特徴とする表面実装型発光ダイオードランプを製造する方法を提供する。
【００１１】
本発明はまた、回路基板等に用いられる表面導体層を両面に有する支持基板の、下部金属層の一部を除去して第１領域と第２領域を分離する段階; 第１領域の上部に位置する支持層および上部金属層の一部をレーザーで照射して除去するために、下部金属層の第１領域の上部に位置する上部金属層にレーザーマスクを形成する段階; 上記のレーザーマスクで表示された領域の内部にレーザーを照射して支持層を除去し、上記の下部金属層の第１領域の一部を露出させる段階; および上記の露出された下部金属層の第１領域に発光ダイオードチップを実装して第１領域および第２領域に電気的に繋ぐ段階を含む表面実装型発光ダイオードランプ製造する方法を提供する。
本発明は上記のレーザーマスクが上部金属層の一部をエッチングで除去する事で形成されるのを特徴とする表面実装型発光ダイオードランプを製造する方法および上記のレーザーマスクがドーナツ形象で上部金属層をパターン化して形成されるのを特徴とする表面実装型発光ダイオードランプの製造方法を提供する。
本発明は上部金属層にレーザーマスクを形成した後、光反射物質を塗布する段階をさらに含むのを特徴とする表面実装型発光ダイオードランプの製造方法を提供する。
【００１２】
本発明は上記各製造方法において、露出された下部金属層の第１領域のチップ実装領域に反射構造を形成する段階をさらに含むのを特徴とする表面実装型発光ダイオードランプの製造方法、および上記の反射構造がCuメッキで形成されるのを特徴とする表面実装型発光ダイオードランプの製造方法を提供する。
本発明は発光ダイオードチップを覆う光抽出部を形成する段階が追加で含まれるのを特徴とする表面実装型発光ダイオードランプの製造方法を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
本発明は一般に回路基板において用いられる、表面導体層が支持基板表面に形成されている構成の基板の、表面導体層のみを残して他の層を除去し、発光ダイオードチップを表面導体層に支持基板側から直接実装することを特徴とする。本発明では通常の印刷回路基板に用いる基板が使用でき、具体的には支持層とその片面に設けた金属層で構成された印刷回路用基板、または支持層の両面に金属層を設けた印刷回路用基板が、ダイオードランプの基板として使用できる。
【００１４】
図１は発光ダイオードチップを実装して本発明の発光ダイオードパッケージとして機能できるように構成された印刷回路用基板を模式的に示す。印刷回路用基板の導電層である下部金属層(１１)は第１領域 (１２)と第２領域(１３)を含み、第１領域(１２)と第２領域(１３)は電気絶縁部(１４)によって分離される。印刷回路基板の下部金属層が第１領域と第２領域で分離される事で、発光ダイオードチップが実装される時、下部金属層(１１)がP, N電極リードとして作用できる。この時、下部金属層(１１)の第１領域と第２領域を分離する電気絶縁部(１４)はレーザー、パンチング、またはエッチング工程によって形成される事ができる。例えば、回路基板にパンチングまたはルーター方法で後工程のモールド領域を形成した後に、下部金属層をエッチング工法で分離して電極部分を形成することができる。
【００１５】
下部金属層(１１)の第１領域(１２)と第２領域(１３)を分離する電気絶縁部(１４)は電気支持で充填されることができる。本発明の下部金属層(１１)は一般によく用いられる、印刷回路基板に使われる金属(Cu, Alなど)で構成されてもよく、Cuが使われるのが適切である。下部金属層(１１)の厚みは１０μｍ以上で、１００μｍ以上８００μｍ以下で構成されるのが適切である。本発明の支持層(１５)は下部金属層(１１)の上部に位置する。支持層はたとえばFR-１, FR-４, または樹脂類で形成され、FR-１, FR-４, またはBTレジン(Bismaleimidetraizine Resin)で構成されるのが適切である。支持層の厚みは４００μ以下であるのが好ましい。
【００１６】
本発明においては、上記の支持層(１５)の上部に光反射層(１６)がさらに含まれてもよい。上記の光反射層は光反射物質を塗布する事によって構成することができ、上記の光反射物質は例えばレジスト類、正しくは白色レジスト(white resist)や金属薄膜で構成される事ができる。上記の光反射層は発光ダイオードチップからの光を上向に反射させる役割をすることで、本発明の発光ダイオードランプの光利用効率を増加させる。
【００１７】
本発明で上記の下部金属層(１１)の第１領域(１２)の上部に位置する支持層および光反射層の、ダイオードチップを載置するための部分、および上記の下部金属層の第２領域(１３)の上部に位置する支持および光反射層の一部が各々除去され、下部金属層の第１領域および第２領域の一部が露出されて各々発光ダイオードチップの実装領域(１７)および切開部(１８)が形成される。上記の発光ダイオードチップの実装領域(１７)に発光ダイオードチップが実装され、発光ダイオードチップの両極はそれぞれ実装領域(１７)および切開部(１８)において各々下部金属層(１１)の第１領域(１２)および第２領域(１３)に電気的に繋がれる。発光ダイオードチップの二つの電極はワイヤーボンディング (２２, ２３)を通して第１領域(１２)および第２領域に電気的に繋がれてもよく、この時、チップが実装された第１領域の金属層とワイヤーボンドされた第２領域の金属層はダイオードのそれぞれの極の電極となる。
【００１８】
図２は本発明の表面実装型発光ダイオードランプのチップ実装構造を示す。本発明では印刷回路基板に用いられるような、表面導体層が支持基板表面に形成されている基板の、支持層の一部が除去されて露出された下部金属層に発光ダイオードチップを直接実装する事で最短の熱伝導経路を確保することだけではなく、発光ダイオードチップから発生した熱が熱伝導度が高い下部金属層を通して直接放出されるので、熱放出の効率が非常に向上する。
【００１９】
図３は上記の支持層(１５)の上部に上部金属層(３１)をさらに含む本発明の他の実施例を示す。この場合、上記の除去される支持層とともに、上部金属層 (３１)の除去部分も除去されて、チップの実装領域を形成する。また、上部金属層(３１)は、支持層の全面を覆っていてもよく、部分的に覆っていて他の部分は光反射層(１６)が覆うようにしてもよい。
【００２０】
本発明の他の実施例として、上記の支持層(１５)および上部金属層(３１)が除去され発光ダイオードチップが実装される領域(１７)に、さらに光反射構造(３２)を設けてもよい。上記の反射構造は反射率が良い金属材料、好ましくはCuでメッキして形成することができる。反射構造(３２)を金属材料でメッキする事によって、上部金属層(３１)と下部金属層(１１)はメッキによって繋がれる。上部金属層および下部金属層がメッキで形成される場合、Cuメッキで反射構造を形成するのが適切である。このような反射構造を導入されることによって発光ダイオードチップの側面または下方から出る光を前面に放出することができ、光の利用効率を極大化することができる。また、本発明は、チップ実装領域を形成するためにレーザー照射によって支持層を除去することを特徴とする。
【００２１】
図４はレーザー照射工程における、レーザー照射設計の平面図を示す。本発明では除去すべきの支持層の領域で、一回の照射で形成されるレーザー穿孔(４１)を相互に多数個重ねるように形成して、支持層を除去してゆく事によってチップ実装構造(１７)を形成できる。即ち、レーザーを繰り返して照射してチップが実装される領域の寸法となるまで、支持層を除去できる。本発明では支持層を除去するの適当なレーザーとして、当業界で通常使われるレーザーが使用でき、例えば、Nd:YAGレーザーまたは CO２ レーザーなどを使うことができ、波長１０.６μｍのレーザーを使用することができる。この波長のレーザーを使用することによって、支持層の除去はおこなわれるが、金属の除去はおこなわない、という選択的なレーザーエッチングが可能となる。
【００２２】
支持層をNCマシンまたはドリールを用いて除去する方法、またはパンチング、エッチングのような従来の方法で除去する方法は、歩留りが低く、費用がより多く必要なだけではなく、再現性が低いという問題が発生する可能性があるが、レーザーを重複照射して支持層を除去する本発明の方法は、簡単で容易でありながら、再現性が優れた構造が製造できるという利点がある。
【００２３】
図５は発光ダイオードチップを覆う光抽出部(５１)が追加で含まれる本発明の他の実施例を示す。上記の光抽出部は発光ダイオードチップの上部領域にモールドで形成され、２００〜１０００μｍの厚みを持つ。光抽出部は屈折率が１.４や２.５の範囲のシリコンまたはエポキシのような透光性材料を用い、特にモールド部材は光が発光ダイオードチップに再吸収されるのを防ぐために発光ダイオードチップに比べて屈折率が低い物質を使用するのが好ましい。上記のモールド部材には発光ダイオードチップが放出される光の波長を変換したり、光を拡散するための各種添加物を含めることができる。例えば、光の波長を変換するために蛍光剤、光の拡散のために拡散剤、または色素を含めることができる。
【００２４】
図６は光抽出部の形成の際にモルド部材と発光ダイオードチップの間の剥離現象を防ぐために光反射層(１６)および支持層(１５)に一つ以上の契合部(６１)が設置された本発明の実施例を示す。契合部(６１)は光反射層(１６)から支持層(１５)の方へ垂直方向で上部金属層と支持層の一部分を除去する事で形成されるが、光抽出部の形成の際に契合部でモールド部材が流入されて硬化されるので、モールド部材と回路基板の間に剥離の生成を抑制できる。
【００２５】
図７は、光抽出部と隣接して形成さえる光ガイド(７１)をさらに含む実施例を示す。光ガイドは発光ダイオードチップから放出される光をチップの上方に向けて放出できるように誘導する役割をする。光ガイドは白色レジスト(white resist)のような反射率が高い物質を用いるのが好ましく、さらにに白色顔料や光反射性が優れた金属物質で形成してもよい。光ガイドはモールドまたはテーピング(テープで接着する方法)によって形成できる。光ガイドの内部壁はモールド部材に対して４５°から９０°間の傾斜面を持つようにしてもよい。
【００２６】
本発明は、また、下記段階を含む表面実装型発光ダイオードランプを製造する方法を提供する。
回路基板等に用いられる表面導体層を有する支持基板の、下部金属層の一部を除去して第１領域と第２領域を分離する段階;
上記の下部金属層の第１領域の上部に位置する支持層の一部および上記の下部金属層の第２領域の上部に位置する支持層の一部を各々レーザーで照射して除去し、下部金属層の第１領域および第２領域の一部を露出させる段階; および
上記の露出された下部金属層の第１領域に発光ダイオードチップを実装して第１領域および第２領域へ電気的に繋げる段階;
【００２７】
図８は本発明の発光ダイオードランプ製造方法を示す。
また、図９は上記の支持層(１５)の上部に上部金属層(３１)をさらに含む本発明の他の実施例の製造方法を示す。
【００２８】
本発明は下記段階を含む表面実装型発光ダイオードランプを製造する方法を提供する。
回路基板等に用いられる表面導体層を有する支持基板の下部金属層の一部を除去して第１領域と第２領域を分離する段階;
上部金属層(３１)にレーザーマスク(９１)を形成する段階;
上記のレーザーマスクで表示された領域の内部にレーザーを照射して支持層を除去し、下部金属層の第１領域の一部を露出させる段階; および
上記露出された下部金属層の第１領域に発光ダイオードチップを実装して第１領域および第２領域に電気的に繋ぐ段階。
【００２９】
上記の実施例においてレーザーマスク(９１)は上部の金属層の一部を、例えばエッチングで除去する事によって形成してもよい。上記レーザーマスクは、図１０に表す通り、円形に上部金属層をパターン化して形成する。即ち、上記のレーザーマスク(９１)は図９(b)で表す通り、上部金属層(３１)で円形の金属層を除いた他の部分をエッチングで除去する事によって形成できる。レーザーマスク(９１)はレーザー照射で支持層を除去するためのパターンを与えるものである。
【００３０】
図１０はこの場合のレーザー照射状況を表す。円形の金属層で形成されたレーザーマスク(９１)の内部にレーザーを重複照射して支持層を除去する。図１０で見られるように、レーザーマスク(９１)を構成する金属層は、熱伝導度が大きく、レーザー照射によって破壊されないため、レーザーマスク内部およびレーザーマスクと接した部分でレーザー穿孔(４１)を重複しておこなうことにより、レーザーマスクの形状に忠実な形で、支持層の除去が可能である。特に、金属層であるレーザーマスクと近接した部分においてレーザー穿孔の密度が高く形成されるように照射することによって、レーザーマスクの形にきわめて忠実な形で支持層を除去できるし、支持層を真円形に近く形成すれば形成するほど、発光ダイオードチップから放出される光の乱反射が防止され光の利用効率を高める事ができる。
【００３１】
本発明の他の実施例として、上部金属層でレーザーマスクを形成した後、光反射物質 (１６)を塗布する段階(絵図 ９(c))をさらに含むものも可能である。
また、本発明の他の実施例で支持層を除去して形成したチップ実装部位(１７)で光反射構造(３２)を形成する段階をさらに含むことができる。この時、光反射構造は金属、好ましくはCuをメッキすることによって形成できる。さらに、本発明の他の実施例として、発光ダイオードチップを覆う光抽出部(５１)を形成する段階 (図 ９(f))を含む事ができる。
【００３２】
上記のように様々な実施例を通じて本発明を詳細に説明したが、これは説明の目的のためであり、本発明の保護範囲を制限するためのではない。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の回路基板模式図
【図２】本発明のチップ実装構造の平面図
【図３】上部金属層が含まれる本発明の他の実施例の模式図
【図４】レーザー照射設計図の平面図
【図５】光抽出部を含む本発明の他の実施例の模式図
【図６ａ】契合部を含む本発明の他の実施例の模式図
【図６ｂ】契合部を含む本発明の他の実施例の模式図
【図７】光ガイドを含む本発明の他の実施例の模式図
【図８】本発明の表面実装型発光ダイオードランプの製造工程を示す模式図
【図９】本発明の他の実施例による表面実装型発光ダイオードランプの製造工程を示す模式図
【図１０】本発明の他の実施例によるレーザー照射設計図の平面図
【符号の説明】
【００３４】
１１: 下部金属層               
１２: 第１領域
１３: 第２領域   
１４: 断熱部
１５: 支持層 
１６: 光反射層
１７: チップ実装部       
１８: 切開部
２１: 発光ダイオードチップ               
２２, ２３: ワイヤーボンド
３１: 上部金属層 
３２: 反射構造
４１: レーザー穿孔 
５１: 光抽出部
６１: 契合部 
７１: 光ガイド
９１: レーザーマスク
【図１】
2008263205.tif 000003
【図２】
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【図３】
2008263205.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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