(57)【要約】【課題】高ＯＲを実現しながら、Ｈｃｒの低下が少ない高記録密度磁気記録媒体を提供する。【解決手段】非磁性基板、第１シード層、第２シード層、第１下地層、第２下地層および磁気記録層をこの順に備え、第１シード層は、Ｎｉ−Ｔｉ系合金、Ｃｒ−Ａｌ系合金、Ｃｒ−Ｔａ系合金およびＣｒ−Ｔｉ系合金からなる群から選ばれるいずれか１種以上の材料からなる単層または２層以上で構成され、第２シード層は、Ｎｉ−Ｗ系合金、Ｎｉ−Ｒｕ−Ｗ系合金、Ｃｏ−Ｗ系合金からなる群から選ばれるいずれか１種以上の材料からなる単層または２層以上で構成され、第１下地層は、Ｃｒ−Ｒｕ合金からなる単層または２層以上で、第２下地層は、Ｍｏ、Ｂ、ＴｉおよびＷからなる群から選ばれるいずれか１種以上の元素とＣｒとからなるＣｒ系合金からなる単層または２層以上で構成されることを特徴とする。【選択図】図１
2008047253.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板、シード層、下地層、磁気記録層をこの順に備えた長手磁気記録媒体において、
前記シード層は、第１シード層と第２シード層がこの順に積層され、
該第１シード層は、Ｎｉ−Ｔｉ系合金、Ｃｒ−Ａｌ系合金、Ｃｒ−Ｔａ系合金およびＣｒ−Ｔｉ系合金からなる群から選ばれるいずれか１種以上の材料からなる単層または２層以上で構成され、
該第２シード層は、Ｎｉ−Ｗ系合金、Ｎｉ−Ｒｕ−Ｗ系合金、Ｃｏ−Ｗ系合金からなる群から選ばれるいずれか１種以上の材料からなる単層または２層以上で構成され、
前記下地層は、第１下地層と第２下地層がこの順に積層され、
該第１下地層は、Ｃｒ−Ｒｕ合金からなる単層または２層以上で構成され、
該第２下地層は、Ｍｏ、Ｂ、ＴｉおよびＷからなる群から選ばれるいずれか１種以上の元素とＣｒとからなるＣｒ系合金からなる単層または２層以上で構成されることを特徴とする長手磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第１シード層と第２シード層が非晶質構造であることを特徴とする請求項１に記載の長手磁気記録媒体。
【請求項３】
前記非磁性基板の表面に円周状の溝を形成するテクスチャ加工が施され、前記溝の密度が１０本／μｍ以上で、テクスチャ加工後の基板粗さが０．１ｎｍ以上、１ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし２のいずれかに記載の長手磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第１シード層の膜厚が４ｎｍ以上、２０ｎｍ以下、前記第２シード層の膜厚が２ｎｍ以上、１２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の長手磁気記録媒体。
【請求項５】
前記第１シード層がＮｉ−Ｔｉ系合金を含有し、Ｎｉ−Ｔｉ系合金のＴｉの濃度が２０原子％以上、８０原子％以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の長手磁気記録媒体。
【請求項６】
前記第２シード層がＮｉ−Ｗ系合金を含有し、Ｎｉ−Ｗ系合金中のＷの濃度が２０原子％以上、８０原子％以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の長手磁気記録媒体。
【請求項７】
前記第１下地層のＣｒの濃度が６０原子％以上、９５原子％以下であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の長手磁気記録媒体。
【請求項８】
前記第１下地層の膜厚が１ｎｍ以上、７ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の長手磁気記録媒体。
【請求項９】
前記第２下地層のＣｒの含有量が６０原子％以上、９５原子％以下であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の長手磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記磁気記録層がＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金およびＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金の内から選ばれる何れか１種以上の材料からなる単層または２層以上であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の長手磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記下地層と磁気記録層の間に、中間層を有することを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の長手磁気記録媒体。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の長手磁気記録媒体の製造方法であって、
基板バイアス電圧を印加するスパッター法を用いて前記第２シード層を形成することを特徴とする長手磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
前記基板バイアスは−３０Ｖ〜−５００Ｖの範囲内であることを特徴とする請求項１２に記載の長手磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
前記第２シード層を形成後、該第２シード層表面にプラズマ処理を行うことを特徴とする請求項１２ないし１３のいずれかに記載の長手磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
前記プラズマ処理は、Ａｒを用いることを特徴とする請求項１４に記載の長手磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
前記第２シード層を形成後、該第２シード層表面を酸素を含む雰囲気中に暴露する工程を含むことを特徴とする請求項１２ないし１５のいずれかに記載の長手磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
前記酸素を含む雰囲気の酸素の分圧が１×１０−４Ｐａ以上、１Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１２ないし１６に記載の長手磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等に使用される長手磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク磁気記録媒体はアルミ合金もしくはガラス等を用いた基板上に、非磁性金属下地層、金属磁気記録層、保護層及び潤滑層等を積層して構成される。非磁性金属下地層、金属磁気記録層及び保護層を高真空中にてスパッター法等を用いて成膜し、潤滑剤を浸漬塗布等を用いて形成し、磁気ヘッドによって、信号の記録と再生を行う。
一般に、アルミニウム系材料を用いた磁気記録媒体用基板は、アルミ合金基板上にＮｉ−Ｐメッキを施し、その表面にテクスチャと呼ばれる円周状の溝を形成するテクスチャ加工が行なわれる。ガラス基板の場合は、ガラス基板表面上に直接テクスチャ加工が行なわれる。テクスチャを加工した表面に高真空中で非磁性金属下地層、金属磁気記録層、カーボン保護層等を順次成膜する。
【０００３】
非磁性金属下地層としてはＣｒあるいはＣｒ系合金の下地層（以下、Ｃｒ系下地層と略す。）が良く知られている。下地層の成膜時に酸素暴露、基板加熱等のプロセス条件を制御することによって、Ｃｒ系下地層の結晶配向をｂｃｃ（１００）に配向させ、その上にＣｏ合金磁気記録層をｈｃｐ（１１０）配向でエピタキシャル成長させる。Ｃｏ合金磁気記録層の磁化容易軸であるｈｃｐ［００１］が基板表面に平行となるため、基板面内方向の残留磁化（Ｍｒ）を基板垂直方向の残留磁化より大きくすることができる。
【０００４】
また、Ｃｒ系下地層がｂｃｃ（１００）配向で成長する時、前記テクスチャ加工によってできた基板表面上の円周方向溝が原因となって、基板円周方向のｂｃｃ（０１１）面の面間隔が基板半径方向のｂｃｃ（０１(−)１）面の面間隔より小さくなる。この面間隔のずれによって、下地層上にヘテロエピタキシャル成長する中間層またはＣｏ合金磁気記録層のｈｃｐ［００１］方向が円周方向に平行に配向する傾向が生じる。Ｃｏ合金磁気記録層はｈｃｐ［００１］方向が磁化容易軸であるため、磁気記録層の残留磁化は円周方向と半径方向で差異が生じることになる。円周方向の残留磁化と膜厚（ｔ）の積をＭｒｔｃｉｒ、半径方向の残留磁化と膜厚の積をＭｒｔｒａｄとすると、この差異はＯＲ＝Ｍｒｔｃｉｒ／Ｍｒｔｒａｄで表される。多結晶Ｃｏ合金磁気記録層のｈｃｐ［００１］方向が円周方向に配向する程度が高ければ高いほど、ＯＲが高くなる。
【０００５】
磁気記録媒体のＯＲを高くすることによりＭｒｔｃｉｒが大きくなるため、記録した信号の再生出力が高く、また信号対雑音比（ＳＮＲ）が高くなる。このため、ＯＲを向上する試みが種々行われてきた。例えば、ガラス基板を用いた磁気記録媒体において、Ｃｒ系下地層とテクスチャ加工された基板の間に一層または多層のシード層を配置することによって、ＯＲを向上する方法が提案されている（例えば、特許文献１ないし３参照。）。また、下地層を形成する前に、シード層表面を酸素を含むガス雰囲気中に暴露することによって、ＯＲを向上することができることが周知されている（例えば、特許文献１、２参照。）。
【０００６】
一方、長手磁気記録媒体において、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の高記録密度を実現するためには、更なるＯＲの向上が必要である。また、ＯＲの向上に従い、同じ出力を得られる磁性膜厚が薄くなる一方である。磁性層が薄くなるにつれて、媒体の保磁力（Ｈｃｒ）を上げることが熱揺らぎ耐性の観点から必要である。また、媒体半径方向のトラック密度（ＴＰＩ）を上げるためには、高Ｈｃｒ媒体の方が隣のトラックに書き込まれたデータを消去し難く、ＴＰＩを上げるために有効であることが知られている。
【０００７】
下地層を形成する前に、シード層への酸素曝露を行う前記の方法は、ＯＲを上げることは可能であるが、酸素分圧と曝露時間の増加に従って、シード層表面に吸着した酸素が磁性層の保磁力を低下させる問題を抱えている。
【特許文献１】特開２００３−３０８２５号公報
【特許文献２】特開２００４−３９１９６号公報
【特許文献３】米国特許出願公開第２００４／２５８９２５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上述の問題点に鑑みなされたもので、高いＯＲを実現しながら、Ｈｃｒの低下が少ない高記録密度磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る長手磁気記録媒体は、非磁性基板、シード層、下地層および磁気記録層をこの順に備え、前記シード層は、第１シード層と第２シード層がこの順に積層され、該第１シード層は、Ｎｉ−Ｔｉ系合金、Ｃｒ−Ａｌ系合金、Ｃｒ−Ｔａ系合金およびＣｒ−Ｔｉ系合金からなる群から選ばれるいずれか１種以上の材料からなる単層または２層以上で構成され、該第２シード層は、Ｎｉ−Ｗ系合金、Ｎｉ−Ｒｕ−Ｗ系合金、Ｃｏ−Ｗ系合金からなる群から選ばれるいずれか１種以上の材料からなる単層または２層以上で構成され、前記下地層は、第１下地層と第２下地層がこの順に積層され、該第１下地層は、Ｃｒ−Ｒｕ合金からなる単層または２層以上で構成され、該第２下地層は、Ｍｏ、Ｂ、ＴｉおよびＷからなる群から選ばれるいずれか１種以上の元素とＣｒとからなるＣｒ系合金からなる単層または２層以上で構成されることを特徴とする。
【００１０】
前記第１シード層と第２シード層は非晶質構造であることが好ましい。
また、前記非磁性基板の表面に円周状の溝を形成するテクスチャ加工が施され、前記溝の密度が１０本／μｍ以上で、テクスチャ加工後の基板粗さが０．１ｎｍ以上、１ｎｍ以下であることが好ましい。
また、前記第１シード層の膜厚が４ｎｍ以上、２０ｎｍ以下、前記第２シード層の膜厚が２ｎｍ以上、１２ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１１】
また、前記第１シード層がＮｉ−Ｔｉ系合金を含有し、Ｎｉ−Ｔｉ系合金のＴｉの濃度が２０原子％以上、８０原子％以下であることが好ましい。
また、前記第２シード層がＮｉ−Ｗ系合金を含有し、Ｎｉ−Ｗ系合金中のＷの濃度が２０原子％以上、８０原子％以下であることが好ましい。
また、前記第１下地層の、Ｃｒ−Ｒｕ合金中のＣｒの濃度が６０原子％以上、９５原子％以下であることが好ましい。
【００１２】
また、前記第１下地層の膜厚が１ｎｍ以上、７ｎｍ以下であることが好ましい。
また、前記第２下地層のＣｒの含有量が６０原子％以上、９５原子％以下であることが好ましい。
また、前記磁気記録層がＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金およびＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金の内から選ばれる何れか１種以上の材料からなる単層または２層以上であることが好ましい。
【００１３】
また、前記下地層と磁気記録層の間に、中間層を有することが好ましい。
また、上述したいずれかの長手磁気記録媒体の製造方法であって、基板バイアス電圧を印加するスパッター法を用いて前記第２シード層を形成することを特徴とする。
前記基板バイアス電圧は−３０Ｖ〜−５００Ｖの範囲内であることが好ましい。
また、前記第２シード層を形成後、該第２シード層表面にプラズマ処理を行うことが好ましい。
【００１４】
また、前記プラズマ処理はＡｒガスの雰囲気中で行うことが好ましい。
また、前記第２シード層を形成後、該第２シード層表面を酸素を含む雰囲気中に暴露する工程を含むことが好ましく、酸素を含む雰囲気の酸素の分圧は１×１０−４Ｐａ以上、１Ｐａ以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
長手磁気記録媒体を上記のように構成することで、高いＯＲと高いＨｃｒを両立して、高記録密度に適する長手磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。  図１は、本発明の長手磁気記録媒体の構成例を説明するための断面模式図で、磁気記録媒体は、非磁性基板１上に、シード層２、下地層３、中間層４、磁気記録層５、保護層６、潤滑層７が順次形成されて構成されている。シード層２は第１シード層２ａ、第２シード層２ｂから構成され、下地層３は第１下地層３ａ、第２下地層３ｂから構成され、中間層４は第１中間層４ａ、第２中間層４ｂから構成され、磁気記録層５は第１磁気記録層５ａ、第２磁気記録層５ｂから構成されている。
【００１７】
本発明の磁気記録媒体において、非磁性基板１としては、通常の磁気記録媒体用に用いられるＮｉＰメッキを施したＡｌ合金やガラス、強化ガラス、あるいは結晶化ガラス等を用いることができる。
基板１には、テクスチャ加工を施す。テクスチャ加工に先立ち、基板に通常の方法でポリッシュ加工を施して表面を平滑化しておくことが好ましい。ポリッシュ加工後の中心線平均粗さ（Ｒａ）は好ましくは０．２〜０．５ｎｍである。表面を平滑化した基板に対してテクスチャ加工を施して、円周方向に略同心円状の溝を形成する。該テクスチャ加工を施した基板には１μｍあたり１０本以上の円周方向の同心円状の溝が形成されることが好ましい。１０本未満では所望の残留磁化異方性を得られずＯＲが低下する。溝の数は多いほうが好ましいが、６０本を超えると所望の溝の深さを得ることが困難となる。
【００１８】
テクスチャ加工後のＲａは０．１ｎｍ以上、１ｎｍ以下が好ましい。Ｒａが０．１ｎｍ未満の場合はテクスチャ加工による残留磁化異方性の発現が抑制され、ＯＲが低下する。Ｒａが１ｎｍを超えると磁気ヘッドの浮上高さが高くなり記録再生特性が低下する。
このようにテクスチャ加工された基板はよく洗浄し、表面の異物を取り除いたのち、成膜を行う。
【００１９】
シード層２は第１シード層２ａ、第２シード層２ｂがこの順に積層されて構成される。第１シード層２ａは反応性金属を含み、基板との密着性を向上させるために設ける層で、第２シード層２ｂは、その上に形成される下地層の結晶配向および結晶粒径等を制御して磁気記録媒体の所望の特性を得るために設ける層である。
第１シード層２ａは、Ｃｒ−Ａｌ系合金、Ｎｉ−Ｔｉ系合金、Ｃｒ−Ｔａ系合金およびＣｒ−Ｔｉ系合金からなる群から選ばれるいずれか１種以上の材料により構成する。第２シード層２ｂは、Ｎｉ−Ｗ系合金、Ｎｉ−Ｒｕ−Ｗ系合金、Ｃｏ−Ｗ系合金からなる群から選ばれるいずれか１種以上の材料により構成する。第１シード層２ａ、第２シード層２ｂはそれぞれ上述の材料の中から異なる材料または異なる組成を用いて２層以上の積層構成としても良い。
【００２０】
シード層２は非晶質であることが好ましい。ここで、非晶質とはＸ線回折スペクトラムにおいてハローパターン以外の明瞭な回折ピークを示さないこと、もしくは高分解能電子顕微鏡にて撮影した格子像から得られた平均粒径が５ｎｍ以下であることを指す。非晶質膜中に微結晶粒子を含むこともできる。非晶質もしくは非晶質類似の膜とすることにより、その表面が滑らかとなり、シード層の上に成膜される第１下地層であるＣｒ−Ｒｕ合金層の粒子の微細化あるいは磁気記録層の高ＯＲ化をもたらすことになる。
【００２１】
シード層が結晶性の膜である場合は、その上に第１下地層３ａのＣｒ−Ｒｕ合金がエピタキシャル成長しやすくなり、結晶粒子の継続成長による粒径の増大が生じるか、または、シード層結晶粒子の配向によってはＣｒ−Ｒｕ合金第１下地層３ａが（１００）配向以外で配向する場合も生じるので好ましくない。Ｃｒ−Ｒｕ合金第１下地層３ａがシード層上に非エピタキシャル的に成長する場合であっても、シード層中の結晶粒子の成長によるシード層表面の粗さが基板テクスチャの溝によるＣｒ−Ｒｕ合金第１下地層中の円周方向の圧縮歪みを緩和させてしまい、ＯＲを低減させることとなる。以上の理由で、非晶質か非晶質類似なシード層が高ＯＲ化のために好ましい。
【００２２】
第１シード層２ａをＮｉ−Ｔｉ系合金で構成する場合は、Ｎｉ−Ｔｉ系合金のＴｉの濃度が２０原子％以上、８０原子％以下であることが好ましい。Ｔｉの濃度が２０原子％より少ない場合、或いは８０原子％より大きい場合は、膜が結晶化しやすいため、ＯＲが低下する。
第１シード層２ａをＣｒ−Ａｌ系合金で構成する場合は、Ｃｒ−Ａｌ系合金中のＡｌの濃度を２５原子％以上、６０原子％以下とすることが好ましい。その理由はＮｉ−Ｔｉ系合金の場合と同様である。
【００２３】
第１シード層２ａをＣｒ−Ｔｉ系合金で構成する場合は、Ｃｒ−Ｔｉ系合金中のＴｉの濃度を３０原子％以上、８０原子％以下とすることが好ましい。その理由はＮｉ−Ｔｉ系合金の場合と同様である。
第１シード層２ａをＣｒ−Ｔａ系合金で構成する場合は、Ｃｒ−Ｔａ系合金中のＴａの濃度を３０原子％以上、８０原子％以下とすることが好ましい。その理由はＮｉ−Ｔｉ系合金の場合と同様である。
【００２４】
第２シード層２ｂは、その表面エネルギーを低下させることにより、シード層２の上に形成される下地層３の結晶配向および結晶粒径等を好適に制御することが可能となる。その理由は次のように考えられる。
下地層３は基板表面に対してｂｃｃ（１００）に配向することが好ましいが、第１下地層３ａとしてＣｒ系合金を用いる場合はｂｃｃ（１１０）面の表面エネルギーが最も低いため、ｂｃｃ（１１０）に配向しやすい。しかしながら、第２シード層２ｂの表面エネルギーを下げることにより、第１下地層の濡性を変化させ、さらに第１下地層としてＣｒ−Ｒｕ合金を用いることにより、ｂｃｃ（１００）結晶核を良好に形成することができ、配向をｂｃｃ（１００）に好適に制御することが可能となる。
【００２５】
第２シード層２ｂの表面エネルギーをさらに低減するため、シード層２の表面を、酸素を含む雰囲気中に暴露することが好ましい。酸素暴露することによって、シード層２ｂ表面の活性化ボンドを酸素と結合し、安定化する。
酸素暴露の方法としては、酸素の分圧が１×１０−４Ｐａ以上、１Ｐａ以下の範囲で、暴露時間が１秒以上、４秒以下の範囲が好ましい。酸素の分圧が１×１０−４Ｐａより低い場合または暴露時間が１秒より短い場合は、十分な暴露効果が得られないため、ＯＲは改善しない。酸素の分圧が１Ｐａより高い場合または暴露時間が４秒より長い場合は、磁気記録媒体のＨｃｒが低下する。
【００２６】
第２シード層２ｂを形成する時に、マイナスのバイアス電圧を基板に印加することにより、シード層表面がＡｒ＋イオンに叩かれ、不純物ガス分子などが吸着しにくく、表面の活性化ボンドをより形成しやすい。その結果、酸素暴露を受けた後、より表面エネルギーの低いシード層表面になる。
印加する基板バイアス電圧は、−３０Ｖ以下、−５００Ｖ以上が好ましい。基板バイアス電圧が−３０Ｖを超えると、十分なバイアス効果が得られなく、基板バイアス電圧が−５００Ｖを下回ると異常放電などのプロセストラブルが起こりやすくなる。
【００２７】
同様の理由で、シード層表面を酸素に暴露する前に、プラズマ処理を行って、表面の不純物を取り除いてから、より表面エネルギーを下げることが出来る。
また、シード層２を形成した後に、基板を１５０〜２５０℃に加熱することで第１下地層３ａのｂｃｃ（１００）配向をより促進することができる。
第２シード層２ｂをＮｉ−Ｗ系合金で構成する場合は、Ｎｉ−Ｗ系合金中のＷの濃度を２０原子％以上、８０原子％以下とすることが好ましい。Ｗの濃度が２０原子％より少ない場合はＯＲが低下する。また、８０原子％を超えると結晶化しやすくなり、やはりＯＲが低下する。Ｗの濃度は、３０原子％以上、８０原子％以下であることがさらに好ましい。Ｗの濃度が３０原子％未満になると磁性を持つこととなり特性が低下する。
【００２８】
第２シード層２ｂをＮｉ−Ｒｕ−Ｗ系合金で構成する場合は、Ｎｉ−Ｒｕ−Ｗ系合金中のＷ濃度を２０原子％以上、８０原子％以下で、Ｒｕ濃度を５０原子％以下とすることが好ましい。ＲｕとＷの合計濃度を３０原子％以上とすることがさらに好ましい。この理由はＮｉ−Ｗ系合金の場合と同様である。また、Ｒｕ濃度を５原子％以上、５０原子％以下とすることにより効果的にＯＲを向上できるため、さらに好ましい。
【００２９】
第２シード層２ｂをＣｏ−Ｗ系合金で構成する場合は、Ｎｉ−Ｗ系合金中のＷの濃度を２０原子％以上、８０原子％以下とすることが好ましい。
第１シード層２ａの膜厚は４ｎｍ以上、２０ｎｍ以下が好ましく、第２シード層２ｂの膜厚は２ｎｍ以上、１２ｎｍ以下が好ましい。特に好ましくは、第１シード層２ａの膜厚は６ｎｍ以上、１６ｎｍ以下で、第２シード層２ｂの膜厚は２ｎｍ以上、６ｎｍ以下である。第１シード層２ａ、第２シード層２ｂをそれぞれ２層以上の積層で構成する場合は、積層膜の合計膜厚を上記の範囲とすることが好ましい。
【００３０】
下地層３は第１下地層３ａ、第２下地層３ｂがこの順に形成されて構成される。第１下地層３ａはＣｒ−Ｒｕ合金で構成する。第２下地層３ｂは、Ｍｏ、Ｂ、ＴｉおよびＷの内から選ばれる１種以上の元素とＣｒとからなるＣｒ系合金により構成する。第２下地層３ｂは、これらの元素の構成を変えて２層以上の積層構成としても良い。
第１下地層３ａはＣｒとＲｕからなるＣｒ−Ｒｕ合金により構成され、Ｃｒの含有量が６０原子％以上、９５原子％以下であることが好ましい。Ｃｒ含有量が６０％未満になる場合、ｂｃｃ（１００）に配向し難くなる。Ｒｕ含有量を５原子％以上とすることで、シード層の酸素暴露によるＨｃｒの低下を小さくすることができる。これは、下地層中にＲｕが存在することにより、シード層表面の酸素が磁性層に拡散し難く、Ｈｃｒの低下を阻止するものと考えられる。第１下地層３ａの厚さは１ｎｍ以上、７ｎｍ以下が好ましい。１ｎｍより薄い場合は、Ｃｒ−Ｒｕ層がまだ結晶化していないので、ＯＲが低くなる。７ｎｍより厚い場合は、下地層３の粒径が増大することとなり、ＳＮＲが劣化する。
【００３１】
第２下地層３ｂのＣｒ合金に原子半径の大きい金属であるＭｏ、ＴｉまたはＷを添加することにより、第２下地層の格子定数を増大させて、磁気記録層の格子定数と合わせることが可能となる。組成の異なる２層以上の積層構成とすることにより格子定数の整合性を一層向上することができる。また、第２下地層３ｂのＣｒ合金中にＢを添加することにより、結晶粒子サイズを微細化することが可能となる。
【００３２】
第２下地層３ｂはＣｒを６０原子％以上、９５原子％以下含有することが好ましい。
下地層３と磁気記録層５の間に、１層あるいは２層以上の中間層４を配置しても良い。中間層はＣｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｐｔ、ＢおよびＣｕの内のいずれか少なくとも１種以上の元素より構成されることが好ましい。中間層の結晶構造がｈｃｐであることが好ましい。この場合、ｈｃｐ構造を持つ磁気記録層がｈｃｐ中間層上によくエピタキシャル成長し、ＳＮＲが向上する。
【００３３】
中間層４の膜厚は１ｎｍ以上、６ｎｍ以下が好ましい。１ｎｍより薄い場合は、ｂｃｃ構造からｈｃｐ構造へのヘテロエピタキシャル成長によってできた初期成長層の影響で、中間層がまだ十分にｈｃｐの構造を有していない。中間層が６ｎｍより厚い場合は、結晶粒径が増大する結果、ＳＮＲが悪化する。
磁気記録層５は、通常用いられる磁気記録層材料を用いることが可能であるが、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金またはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金が特に好ましい。所望により、これらを２層以上積層して磁気記録層を構成することもできる。
【００３４】
磁気記録層の組成は、記録再生特性の観点から、ＣｒとＢの合計濃度が１５原子％以上、３０原子％以下、Ｐｔの濃度が１０原子％以上、２５原子％以下、Ｃｕの濃度は８原子％以下であることが特に好ましい。
以下、実施例を用いてさらに詳細に説明する。
【実施例１】
【００３５】
図１の構成を用い、磁気記録媒体を製作した例について説明する。
基板１として、直径６５ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍの非晶質ガラス基板を用い、これにポリッシュ加工を施して表面粗さＲａを０．３ｎｍとした。引き続き、不織布、ダイヤモンドスラリーを用いて、浮遊砥粒法によりテクスチャ加工を施し、１μｍあたり平均４５本の円周方向の略同心円状の溝を形成した。テクスチャ加工後のＲａは０．４ｎｍとした。
【００３６】
引き続き、ガラス基板を良く洗浄した後、成膜装置に導入した。成膜法は、特に明記しない限り、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、Ａｒガスをスパッタガスとして、ガス圧力０．８Ｐａにて成膜した。始めに、ガラス基板上に第１シード層２ａであるＮｉ４０Ｔｉ６０膜を成膜した。成膜されたＮｉ４０Ｔｉ６０の膜厚は８ｎｍで非晶質構造であった。引き続き、Ｎｉ４５Ｗ５５のスパッタターゲットを用い、第２シード層２ｂを成膜した。まず、Ｎｉ４５Ｗ５５を２．５ｎｍ形成後、ターゲットの放電を続けながら基板に−１５０Ｖのバイアスを印加し、さらにＮｉ４５Ｗ５５を２．５ｎｍ形成した。Ｎｉ−Ｗは非晶質構造であった。
【００３７】
２層積層されたシード層２を成膜した基板は、下地層３を成膜する前に、３０体積％のＯ２を添加したＡｒガスを用い、酸素分圧が０．０１〜０．４Ｐａにて２秒間暴露し、第２シード層であるＮｉ４５Ｗ５５の表面に酸素を吸着させる工程を行った。
次にヒータにより２１０℃に基板を加熱した後に、下地層３を成膜した。始めに、Ｃｒ９０Ｒｕ１０からなる第１下地層３ａをＣｒ９０Ｒｕ１０からなるスパッタターゲットを用いて膜厚３．８ｎｍにて成膜した。引き続き、２層構成の第２下地層３ｂのＣｒＭｏを成膜した。ＣｒＭｏ層はＣｒ７０Ｍｏ３０のスパッタターゲットを用いて膜厚１．９ｎｍにて成膜した。
【００３８】
引き続いて、中間層４を成膜した。始めに、ＣｏＣｒＴａ第１中間層４ａをＣｏ７４Ｃｒ２２Ｔａ４のスパッタターゲットを用いて膜厚３ｎｍにて成膜し、次に、Ｒｕ第２中間層４ｂを純Ｒｕのスパッタターゲットを用いて、膜厚０．８ｎｍにて成膜した。
引き続いて２層構成の磁気記録層５を形成した。始めに、第１磁気記録層５ａをＣｏ５３Ｃｒ２５Ｐｔ１４Ｂ８のスパッタターゲットを用いて膜厚１０．８ｎｍにて成膜し、次に、第２磁気記録層５ｂをＣｏ６４Ｃｒ１３Ｐｔ１３Ｂ１０のスパッタターゲットを用いて膜厚７．２ｎｍにて成膜した。
【００３９】
引き続いてカーボンからなる保護層６をＰＥＣＶＤ法とスパッタ法で形成した。エチレンガスを用い、ＰＥＣＶＤ法で２．０ｎｍの膜厚にて形成し、引き続き、カーボンターゲットを用い、スパッタ法で０．８ｎｍの膜厚にて形成した。
引き続き、パーフロロポリエーテルからなる潤滑剤を浸漬塗布法を用いて１．２ｎｍ塗布して磁気記録媒体を得て、実施例１とした。
（比較例１）
第１下地層３ａを純Ｃｒのスパッタターゲットを用いて膜厚３．８ｎｍにて成膜したこと以外は実施例１と同様に製作して比較例１とした。
（比較例２）
純Ｃｒのターゲットを用いて第１シード層２ａをＮ２雰囲気中にて３．８ｎｍの膜厚で成膜し、引き続きＮｉ６３Ｔａ３７のスパッタターゲットを用いて第２シード層２ｂを１２ｎｍの膜厚で成膜した。これ以外は実施例１と同様に製作して比較例２とした。
【実施例２】
【００４０】
第２シード層２ｂを形成する時の基板バイアスを変えて製作した例である。
第２シード層２ｂのＮｉ４５Ｗ５５を形成する時に基板バイアスを０〜２００Ｖの範囲にて印加した。また、第２シード層であるＮｉ４５Ｗ５５の表面に０．２Ｐａの酸素分圧下で酸素暴露工程を行った。ほかは、実施例１と同様に製作した。
図２に実施例１と比較例１の磁気記録媒体に関して、ＯＲまたはＨｃｒの酸素暴露ガス圧力に対する依存性のデータを示す。実施例の場合は、比較例１より暴露ガス圧の増加に従い、Ｈｃｒの劣化が緩やかであった。
【００４１】
図３に実施例１と比較例２の磁気記録媒体に関して、磁性層の結晶粒径分布のデータを示す。図３ａは実施例１の場合で、図３ｂは比較例２の場合である。実施例１のシード層の場合は、比較例２と比べ、磁性層の結晶粒子の粒径分布が狭いことが分かる。
図４は、実施例２の磁気記録媒体に関して、第２シード層２ｂのＮｉ４５Ｗ５５を形成する時の基板バイアスとＯＲの関係を説明するグラフである。基板バイアスが０〜−１５０Ｖの範囲内でバイアス電圧の絶対値が増加する時、ＯＲが増加する。バイアスの絶対値が−１５０Ｖを超えると、ＯＲが飽和傾向となる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の長手磁気記録媒体の構成例を説明するための断面模式図である。
【図２】実施例１および比較例１に係る磁気記録媒体のシード層２への酸素暴露時の酸素分圧とＯＲまたはＨｃｒとの関係を説明するためのグラフである。
【図３】実施例１および比較例２の磁気記録媒体に関して、磁性層の結晶粒径の分布を説明するためのグラフである。
【図４】実施例２に係る磁気記録媒体のシード層を形成する時の基板バイアス電圧とＯＲの関係を説明するためのグラフである。
【符号の説明】
【００４３】
１  非磁性基板
２  シード層
２ａ  第１シード層
２ｂ  第２シード層
３  下地層
３ａ  第１下地層
３ｂ  第２下地層
４  中間層
４ａ  第１中間層
４ｂ  第２中間層
５  磁気記録層
５ａ  第１磁気記録層
５ｂ  第２磁気記録層
６  保護層
７  潤滑層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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