(57)【要約】【課題】基板載置面に載置する基板の高温における脱着応答性が優れる静電チャックヒータを提供する。【解決手段】  アルミナ焼結体４１の上面及び下面に、バインダを含む導電性ペースト４３，４５を塗布して静電電極及びヒータ電極をそれぞれ印刷したのち、このアルミナ焼結体４１に仮焼を施し、静電電極の上にアルミナ粉体４９を配置し、ヒータ電極の下側にアルミナ粉体４７を配置した状態で、これらのアルミナ粉体４７，４９及びアルミナ焼結体４１を加圧成形して加圧焼成を施すことにより、基体を形成してなる静電チャックヒータである。誘電体層中の静電電極近傍における導電性物質の拡散面積率は、０．２５％以下に設定されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミナ焼結体からなる基体と、該基体の上部側に埋設され、導電性物質を含む静電電極と、基体の下部側に埋設され、導電性物質を含むヒータ電極とを備え、
前記基体は、静電電極から基体上面までの誘電体層と、静電電極からヒータ電極までの基板層と、ヒータ電極から基体下面までの支持層とから構成され、
前記基板層となるアルミナ焼結体の上面に、バインダを含む導電性ペーストを塗布して静電電極を印刷するとともに、前記アルミナ焼結体の下面に、バインダを含む導電性ペーストを塗布してヒータ電極を印刷し、このアルミナ焼結体に仮焼を施した後、静電電極の上側及びヒータ電極の下側にアルミナ粉体を配置した状態で、これらのアルミナ粉体及びアルミナ焼結体を加圧成形して加圧焼成を施すことにより、前記誘電体層中の静電電極近傍における前記導電性物質の拡散面積率を０．２５％以下に設定したことを特徴とする静電チャックヒータ。
【請求項２】
前記基板層となるアルミナ焼結体の仮焼温度を、４５０℃以上に設定したことを特徴とする請求項１に記載の静電チャックヒータ。
【請求項３】
前記静電電極中の導電性物質を、タングステン金属、又はタングステンカーバイドにしたことを特徴とする請求項１又は２に記載の静電チャックヒータ。
【請求項４】
前記ヒータ電極中の導電性物質を、タングステン金属、又はタングステンカーバイドにしたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の静電チャックヒータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、クーロンタイプの静電チャックヒータに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体などを製造する際にクーロンタイプの静電チャックヒータが用いられることがある。
【０００３】
この静電チャックヒータは、セラミックからなる基体と、該基体の内部に設けられた静電電極及びヒータ電極と、これらの静電電極及びヒータ電極に接続された給電部材と、各種の周辺部材とから構成されている（例えば、特許文献１参照）。また、基体の上面は、ウエハ等の基板が載置される基板載置面に形成されている。そして、前記静電電極から基板載置面までの部分は誘電体層に形成され、静電電極からヒータ電極までの部位は基板層に形成され、ヒータ電極から基体の下面までの部分は支持層に形成されている。
【０００４】
この静電チャックヒータを構成する基体の製造方法の一例を、以下に説明する。なお、この製造方法は、静電チャックヒータを構成する基体を上下逆に配置して形成するものである。即ち、一般的に静電チャックヒータでは、上側から、誘電体層、基板層及び支持層の順番に配置されている。しかし、製造時には、誘電体層を最も下側に配置し、誘電体層の上に基板層を形成し、該基板層の上に支持層を形成して基体を作製したのち、基体を上下逆に配置する。以下、簡単に製造手順を説明する。
【０００５】
まず、誘電体層となる板状の第１アルミナ焼結体、基板層となるグリーンシート、及び支持層となる第２アルミナ焼結体を用意する。これらの第１アルミナ焼結体及び第２アルミナ焼結体はホットプレス成形にて作製する。
【０００６】
次に、前記第１アルミナ焼結体を上下逆に配置して第１アルミナ焼結体の裏面を上側にし、この裏面の上側に静電電極を形成する。そして、静電電極の上にグリーンシートを形成し、該グリーンシートの上にヒータ電極を形成し、該ヒータ電極の上側に第２アルミナ焼結体を配置する。そして、これらの第１アルミナ焼結体、グリーンシート及び第２アルミナ焼結体を上下方向に加圧しながら、ホットプレスで焼成して一体化することにより、基体を作製する。最後に、基体に給電部材や周辺部材を取り付けて、静電チャックヒータが完成する。
【特許文献１】特開平１１−１２０５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前記従来の静電チャックヒータにおいては、誘電体層及び支持層となる部位は、アルミナ焼結体を２回焼成して形成されるため、アルミナ焼結体中の結晶粒子の粒径が粗大化する傾向にあった。従って、クーロンタイプの静電チャックヒータとして使用する場合は、誘電体層の体積抵抗率が低下し、常温では問題なく基板の脱着応答性を示しても、高温においては基体上面に載置される基板の脱着応答性が悪化するという問題があった。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、高温でも基板の脱着応答性に優れる静電チャックヒータを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するために、本発明に係る静電チャックヒータは、アルミナ焼結体からなる基体と、該基体の上部側に埋設され、導電性物質を含む静電電極と、基体の下部側に埋設され、導電性物質を含むヒータ電極とを備え、前記基体は、静電電極から基体上面までの誘電体層と、静電電極からヒータ電極までの基板層と、ヒータ電極から基体下面までの支持層とから構成され、前記基板層となるアルミナ焼結体の上面に、バインダを含む導電性ペーストを塗布して静電電極を印刷し、下面にはヒータ電極を印刷し、このアルミナ焼結体に仮焼を施した後、静電電極の上側及びヒータ電極の下側にアルミナ粉体を配置した状態で、これらのアルミナ粉体及びアルミナ焼結体を加圧成形して加圧焼成を施すことにより、前記誘電体層中の静電電極近傍における前記導電性物質の拡散面積率を０．２５％以下に設定している。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る静電チャックヒータは、以下の効果を有する。
【００１１】
１）誘電体層となる部位は、アルミナ粉体を１回のみ焼成することによって形成されるため、結晶粒子の肥大化を抑制することができる。従って、誘電体層の体積抵抗率を高く保持することができ、クーロンタイプの静電チャックヒータとして使用する場合に、高温時における基板の脱着応答性が向上する。
【００１２】
２）基体における誘電体層となる部位を、アルミナ粉体を加圧成形したのち加圧焼成することにより形成する。このため、焼成過程において、静電電極中の導電性物質が導電性ペースト中のバインダを介してアルミナ粉体中に拡散するおそれがある。しかし、本発明では、基板層となるアルミナ焼結体に導電性ペーストを塗布した後、仮焼を施すため、この仮焼によって、導電性ペースト中のバインダを消散させる。これによって、静電電極中の導電性物質がアルミナ粉体中に拡散することがなくなり、誘電体層の体積抵抗率の低下を防止することができる。また、クーロンタイプの静電チャックヒータとして使用する場合に、高温時における基板の脱着応答性が向上するため、静電チャックヒータとして非常に好適に使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１４】
［静電チャック］
図１は本発明の実施形態による静電チャックヒータを示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線による断面図である。
【００１５】
本発明の実施形態による静電チャックヒータ１は、図１，２に示すように、アルミナ焼結体からなる基体３と、該基体３中の上部側に埋設された静電電極５と、基体３の下部側に埋設されたヒータ電極７とを備えている。本実施形態においては、ヒータ電極７を設けた静電チャックヒータについて説明するが、このヒータ電極７を備えていない静電チャックにも本発明を適用することができる。
【００１６】
［基体］
前記基体３は、図１及び図２に示すように略円盤状に形成されており、基体３の上面（表面）は、ウエハ等の基板が載置される基板載置面９に形成されている。
【００１７】
また、基体３中の静電電極５から基板載置面９までの部位は誘電体層１１に形成され、静電電極５からヒータ電極７までの部分は基板層２９に形成され、ヒータ電極７から基体下面２３までの部位は支持層３１に形成されている。これらの誘電体層１１、基板層２９及び支持層３１は一体に形成されている。
【００１８】
［静電電極］
図１，２に示すように、基体３の上部側には、基体３の外径よりも径の小さい円板状の静電電極５が埋設されている。この静電電極５は、タングステン又はタングステンカーバイドを含んでいる。静電電極５は、導電性物質であるタングステンの金属粉末、もしくは炭化物を含む導電性ペーストを印刷して形成することができる。静電電極５の形状は、円板に限定されず、メッシュ状、櫛形状、円形状等に形成しても良い。なお、誘電体層１１中における静電電極５の近傍では、後述するように、静電電極５に含まれる導電性物質（例えば、タングステン又はタングステンカーバイド）の粒子の拡散面積率が０．２５％以下となっている。
【００１９】
また、図２に示すように、基体３の中心部に、基体３の下面２３から上方に向けて延びる収容孔１５が形成されており、該収容孔１５内に静電電極用給電部材２１が配設されている。この静電電極用給電部材２１の上端は、接続部材１９を介して静電電極５に接続されている。静電電極用給電部材２１から接続部材１９を介して静電電極５に電圧が印加されると、基体３の誘電体層１１に静電吸着力（クーロン力）が発生して基体３の基板載置面９に、ウエハ等の基板が吸着される。なお、静電電極用給電部材２１の上端は、接続部材１９を介さず静電電極５に直接に接続されていてもよい。
【００２０】
［ヒータ電極］
ヒータ電極７も、導電性ペーストを塗布して印刷したものを用いることができる。導電性ペーストは、タングステン、もしくはタングステンカーバイドの粉末とバインダーとを含む。
【００２１】
また、図２に示すように、ヒータ電極７は、基体３の下部側、具体的には静電電極５よりも下側に配置されている。そして、基体３の下面２３から上方に向けて延びる収容孔１７が形成されており、該収容孔１７内にヒータ電極用給電部材２５が配設されている。このヒータ電極用給電部材２５の上端は、接続部材２７を介してヒータ電極７に接続されている。ヒータ電極用給電部材２５から接続部材２７を介してヒータ電極７に電圧が印加されると、ヒータ電極７が加熱し、基板載置面９に載置された基板に熱を供給するように構成されている。なお、ヒータ電極用給電部材２５の上端は接続部材２７を介さずにヒータ電極７に直接に接続されていてもよい。
【００２２】
［静電チャックの製造方法］
本実施形態による静電チャックヒータを製造する手順を図３を用いて説明する。
【００２３】
〈アルミナ焼結体の作製、及び仮焼〉
まず、図３（ａ）に示すように、基体３の基板層２９となるアルミナ焼結体４１を作製し、該アルミナ焼結体４１の表面（上面）及び裏面（下面）に導電性ペースト４３，４５を塗布することにより、アルミナ焼結体４１の表面には静電電極５を形成し、裏面にはヒータ電極７を形成する。
【００２４】
静電電極５を形成する導電性ペースト４３は、導電性物質であるタングステン（Ｗ）又はタングステンカーバイド（ＷＣ）の粉末とバインダとを含んでいる。
【００２５】
従って、導電性ペースト４３，４５を塗布したアルミナ焼結体４１に仮焼を行うことにより、導電性ペースト４３，４５中のバインダを外気中に発散させる。仮焼は、不活性ガスもしくは真空中などの、導電性物質が酸化されない非酸化性雰囲気で行う。
【００２６】
〈アルミナ粉体の加圧成形、及び焼成〉
アルミナ粉体の作成方法は、例えば以下のとおりである。セラミックス原料粉として、高い純度（例えば９９．７％）のアルミナ粉末と焼結助剤であるＭｇＯ原料粉とを使用する。このセラミックス原料粉にバインダであるポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、水、及び分散剤などを添加し、トロンメルで所定時間（例えば、１６時間）混合し、スラリーを作製する。ここで、ＰＶＡの混合量は例えば２ｗｔ％である。得られたスラリーをスプレードライヤを用いて噴霧乾燥し、造粒したアルミナ粉体を得る。
【００２７】
次いで、図３（ｂ）に示すように、図外の金型内にアルミナ粉体４７を収容し、該アルミナ粉体４７上に、前記導電性ペースト４３，４５を塗布したアルミナ焼結体４１を載置し、該アルミナ焼結体４１上にアルミナ粉体４９を収容する。このように、アルミナ焼結体４１の両面側にアルミナ粉体４７，４９を配置し、この状態で、図３（ｃ）に示すように、アルミナ粉体４７，４９及びアルミナ焼結体４１を圧力Ｐにて加圧してアルミナ成形体５１を成形したのち、非酸化性雰囲気中にて加圧焼成を行う。この加圧焼成によって、アルミナ成形体５１をアルミナ焼結体とすることができる。
【００２８】
こののち、アルミナ焼結体の表面をダイヤモンド砥石にて平面研削加工を行い、アルミナ焼結体の厚みを調整する。さらに、アルミナ焼成体の側面を研削するとともに、必要な穴あけ加工等を行うことにより、静電チャックヒータ１の基体３が完成する。
【００２９】
なお、本実施形態においては、アルミナ粉体４７，４９を４５０℃以上の温度にて予め、酸化雰囲気中にて仮焼することにより、アルミナ粉体４７，４９中のバインダを消散させてから、成形体に用いることが好ましい。なお、仮焼の上限温度は、１４００〜１５００℃が好ましい。１５００℃よりも高い温度にすると、アルミナ粉体４７，４９に、焼結に伴う結合等が生じるおそれがあるからである。
【００３０】
本発明の実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
【００３１】
１）誘電体層１１となる部位は、アルミナ粉体４９を焼成によって１回のみ焼成して形成されるため、結晶粒子が肥大化することがなくなる。従って、誘電体層１１の体積抵抗率を高く保持することができ、クーロンタイプの静電チャックヒータ１として使用する場合に、高温における基板の脱着応答性が向上する。
【００３２】
２）従来は、基体３における誘電体層１１となる部位を、アルミナ粉体４９を加圧成形したのち焼成することにより形成するため、焼成過程において、静電電極５中の導電性物質（タングステン又はタングステンカーバイド）が導電性ペースト４３中のバインダを介してアルミナ粉体４９中に拡散するおそれがあった。しかし、本実施形態では、導電性ペーストを印刷したアルミナ焼結体４１に仮焼を施すため、この仮焼によって、導電性ペースト４３中のバインダを発散及び消失させる。これによって、静電電極５中の導電性物質がアルミナ粉体４９中に拡散することがなくなり、誘電体層１１の体積抵抗率の低下を防止することができる。クーロンタイプの静電チャックヒータ１として使用する場合に、高温での誘電層の体積抵抗率が高い。このため、基板の脱着応答性が向上することから静電チャックヒータ１として非常に好適に使用できる。
【００３３】
３）本実施形態においては、基体３に、静電電極５とヒータ電極７とを配設している。ここで、基体３には、リフターピン等を挿通させるための貫通孔が上下方向に沿って形成されているものがある。この場合、基体３の貫通孔に対応させて、静電電極５とヒータ電極７にも別途に貫通孔を設ける必要がある。
【００３４】
従来技術によれば、複数のアルミナ焼結体同士又はグリーンシートを加圧して基体を成形していたため、静電電極５とヒータ電極７との位置合せが困難であった。例えば、両電極５，７に貫通孔を形成する場合、基体３に設けた貫通孔と静電電極５及びヒータ電極７に設けた貫通孔との絶縁距離を確保するために、両電極の孔位置の位置ずれを考慮して、電極５，７の貫通孔の径を大きめに設定する必要があった。すなわち、静電電極５やヒータ電極７を形成できない領域が大きくなるため、静電気吸着力や発熱密度が均一にできなかった。
【００３５】
しかし、本実施形態によれば、１つのアルミナ焼結体４１の表裏面に静電電極５とヒータ電極７を印刷して形成するので、静電電極５とヒータ電極７との位置合せが非常に容易になり、電極同士の絶縁距離を例えば０．５ｍｍ〜１ｍｍと非常に小さくすることができる。このため、静電吸着力の分布がより均一になり、かつ、ヒータ電極密度が向上し、ヒータの均熱性が向上する。
【００３６】
４）従来は、アルミナ焼結体を焼成する過程において、静電電極５に含まれる導電性物質（Ｗ又はＷＣ）がアルミナ粉体４９中にバインダを介して拡散するおそれがあった。この場合、誘電体層１１の実質的な体積抵抗率が減少し、基板の脱着応答性が低下したり、誘電体層１１の厚みが薄い場合は絶縁破壊するため、誘電体層１１を厚くする必要があった。誘電体層１１が厚い場合は印加電圧を高くする必要があり、制御が困難であった。
【００３７】
しかし、本実施形態によれば、導電性ペーストを印刷したアルミナ焼結体に仮焼を施すため、導電性ペースト４３内のバインダが外気中に消散する。よって、バインダを介して導電性物質がアルミナ粉体４９中に拡散することを防止できるため、誘電体層１１の体積抵抗率を実質的に高く、脱着応答性が向上する。また、これにより、誘電体層１１を、例えば０．１〜０．２ｍｍという薄い厚みに形成することができ、印加電圧を下げることができる。
【００３８】
５）また、アルミナ粉体４７，４９を、４５０℃以上の温度で酸化性雰囲気中にて予め仮焼すれば、アルミナ粉体４７，４９中のバインダを消散させることできる。この仮焼したアルミナ粉体を成形に用いることにより、導電性ペースト４３，４５中の導電性物質の拡散を更に抑制することができる。
【実施例】
【００３９】
次いで、本発明を実施例を用いて具体的に説明する。
【００４０】
［実施例１］
まず、実施例１として、アルミナ焼結体の両面に静電電極及びヒータ電極を形成し、このアルミナ焼結体の両面側にアルミナ粉体を配置し、これらのアルミナ粉体及びアルミナ焼結体を加圧して焼成した。以下、表１を参照しながら詳細に説明する。
【表１】
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【００４１】
〈本発明例１〉
まず、基板層２９となるアルミナ焼結体を作製した。アルミナ焼結体中の炭素含有量は０．１ｗｔ％以下とした。また、相対密度は９８％以上、純度は９５％以上であった。なお、焼結する際には、常圧でもホットプレスを用いても良いが、本実施例ではホットプレスを用いてアルミナ焼結体を作製した。
【００４２】
次いで、アルミナ焼結体の表面及び裏面に、静電電極及びヒータ電極を印刷した。具体的には、タングステンカーバイド（ＷＣ）の粉末及びバインダを含むスラリーをアルミナ焼結体の両面に塗布して乾燥させた。
【００４３】
そして、スラリーを塗布したアルミナ焼結体を非酸化性雰囲気中にて温度４５０℃で仮焼を施すことにより、スラリー中のバインダを発散させた。
【００４４】
そして、金型内にアルミナ粉体を収容し、該アルミナ粉体の上に前記アルミナ焼結体を載置し、該アルミナ焼結体の上からアルミナ粉体を収容し、この状態で、アルミナ粉体及びアルミナ焼結体を加圧成形することにより、アルミナ成形体を作製した。
【００４５】
最後に、ホットプレス（温度１６００℃で２時間保持）を用いて、このアルミナ成形体に加圧焼成を施すことにより、本発明例１による基体を作製した。
【００４６】
〈本発明例２〉
本発明例２は、前述した本発明例１の基体に対して、前記仮焼の温度を、１０００℃に変えており、この仮焼の温度以外は、本発明例１と同一の条件及び方法にて作製した。
【００４７】
〈比較例１〉
まず、誘電体層となるアルミナ焼結体をホットプレスを用いて作製した。このアルミナ焼結体中の炭素含有量は、０．１ｗｔ％以下とした。また、相対密度は９８％以上とし、純度は９５％以上とした。
【００４８】
次いで、前記アルミナ焼結体の下面に静電電極を印刷した。具体的には、タングステンカーバイド（ＷＣ）の粉末及びバインダを含むスラリーをアルミナ焼結体の下面に塗布して乾燥させた。
【００４９】
そして、支持層となるアルミナ焼結体を作製した。このアルミナ焼結体の上面に、タングステン（Ｗ）の粉末及びバインダを含むスラリーを塗布して乾燥させることにより、ヒータ電極を形成した。
【００５０】
次に、これら２つのアルミナ焼結体同士を、それぞれの静電電極とヒータ電極とを互いに対向させ、これらのアルミナ焼結体の間にアルミナ粉体を挟持し、これらのアルミナ粉体及びアルミナ焼結体を加圧成形することにより、アルミナ成形体を作製した。
【００５１】
最後に、ホットプレス（温度１６００℃で２時間保持）を用いて、このアルミナ成形体に焼成を施すことにより、比較例１による基体を作製した。
【００５２】
〈比較例２〉
比較例２は、前述した比較例１に対して、アルミナ焼結体同士の間にグリーンシートを挟持する点が異なるが、他は比較例１と同一の条件及び方法によって作製した。
【００５３】
〈比較例３〉
比較例３は、前述した本発明例１に対して、静電電極及びヒータ電極を形成したアルミナ焼結体に仮焼を施す工程を省略した点が異なるが、その他は本発明例１と同一の条件及び方法を採用した。
【００５４】
［評価］
前述した本発明例２と比較例１におけるタングステンカーバイド粒子の拡散度合いを比較した。図４は、本発明例２による誘電体層と基板層との境界近傍における倍率が１５０倍の電子顕微鏡写真（ＳＥＭ写真）である。また、図５は、比較例１による誘電体層と基板層との境界近傍における倍率が１５０倍の電子顕微鏡写真（ＳＥＭ写真）である。
【００５５】
さらに、図６は、図４を二値化した画像データであり、誘電体層中の３００μｍ×８５０μｍの断面範囲におけるタングステンカーバイド粒子の拡散度合いを示している。図７は図５を二値化した画像データであり、基板層中の３００μｍ×８５０μｍの断面範囲におけるタングステンカーバイド粒子の拡散度合いを示している。
【００５６】
これらの図６，７に示すように、本発明例２ではタングステンカーバイド粒子がほとんど拡散していないのに対して、比較例１ではタングステンカーバイド粒子が多く拡散していることが判明した。これは、表１に示すＷＣ拡散面積率のデータからも明らかである。ここで、ＷＣの拡散距離、及び、ＷＣの拡散面積率は次のように定義される。
【００５７】
ＷＣ拡散距離は、二値化した画像データにおいて電極から最も離れたタングステンカーバイド粒子群までの距離である。
【００５８】
ＷＣ拡散面積率は、二値化した画像データにおいて電極に隣接する３００μｍ×８５０μｍの断面範囲における黒色部分の割合であり、８５０μｍの長辺側を電極に隣接したものである。ＷＣの拡散面積率を０．２５％以下に設定すると、高温状態においても、基板の脱着応答時間を大幅に短縮させることができるという効果が得られる。
【００５９】
また、表１にあるように本発明例１，２の方が比較例１、２よりも、誘電体層中のアルミナの粒径が小さいため、誘電体層の体積抵抗率が高いと考えられる。以上のように、本発明例によれば、特に、１００℃と２００℃における誘電体層の体積抵抗率が高いことにより、高温における基板の脱着時間が短くなり、総合評価においても、本発明例１，２の方が比較例１〜３よりも大幅に良好な結果が得られた。
【００６０】
［実施例２］
実施例２においては、実施例１における本発明例１のアルミナ焼結体に対して、仮焼温度を適宜変更した。具体的には、下記表２に示すように、仮焼温度を、室温（即ち、焼成をほどこさない）、３００℃、４００℃、４５０℃及び１０００℃とした場合における、ＷＣ粒子の拡散距離などを測定した。誘電体層の厚さは、０．４ｍｍであった。
【００６１】
なお、仮焼温度に対する基板の２００℃における脱着応答時間を図８のグラフに示し、ＷＣ粒子の拡散距離に対する基板の２００℃における脱着応答時間を図９のグラフに示した。
【表２】
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【００６２】
［評価］
これらの図８，９及び表２によれば、静電電極の焼成温度を４５０〜１０００℃に設定することにより、タングステンカーバイド粒子の拡散面積率を小さくし、かつ、基板の脱着時間も短縮できることが判明した。
【００６３】
以上の実施例からわかるように、本発明によれば、高温においても基板の脱着応答性に優れる静電チャックヒータを提供することができることが判明した。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施形態による静電チャックヒータを示す平面図である。
【図２】は、図１のＡ−Ａ線による断面図である。
【図３】本実施形態による静電チャックの基体を作製する手順を示す断面図であり、（ａ）はアルミナ焼結体の両面に導電性ペーストを塗布した断面図、（ｂ）はアルミナ焼結体の両面側にアルミナ粉体を配置した断面図、（ｃ）は、これらのアルミナ焼結体及びアルミナ粉体を加圧して焼成した断面図である。
【図４】本発明例２による誘電体層と支持部材との境界近傍における倍率が１５０倍の電子顕微鏡写真（ＳＥＭ写真）である。
【図５】比較例１による誘電体層と支持部材との境界近傍における倍率が１５０倍の電子顕微鏡写真（ＳＥＭ写真）である。
【図６】図４を二値化した画像データであり、誘電体層中の３００μｍ×８５０μｍの断面範囲におけるタングステンカーバイド粒子の拡散度合いを示している。
【図７】図５を二値化した画像データであり、支持部材中の３００μｍ×８５０μｍの断面範囲におけるタングステンカーバイド粒子の拡散度合いを示している。
【図８】仮焼温度と、基板の２００℃における脱着応答時間との関係を示すグラフである。
【図９】ＷＣ粒子の拡散距離と、基板の２００℃における脱着応答時間と、の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６５】
１…静電チャックヒータ
３…基体
５…静電電極
９…基板載置面（基体上面）
１１…誘電体層
２３…下面（基体下面）
２９…基板層
３１…支持層
４１…アルミナ焼結体
４７，４９…アルミナ粉体
【図１】
2008047885.tif 000005
【図２】
2008047885.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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