(57)【要約】【課題】イオン注入型のフォトニック結晶面発光レーザの単一横モード発振の安定性を向上させる。【解決手段】フォトニック結晶面発光レーザ素子は、上部ＤＢＲミラー１５内の１層又は複数層から成る、イオン注入によって形成した電流狭窄層１４を有する。２次元円孔配列２０の中央部には、円孔が形成されない点欠陥が形成され、その点欠陥の幅をＤとすると、電流狭窄構造の電流開口の幅Ｚを、       ０．３×Ｄ＜Ｚ＜０．７×Ｄとしてある。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された上部反射鏡構造及び下部反射鏡構造と、該上部反射鏡構造と下部反射鏡構造との間に配置された発光層とを備える面発光半導体レーザ素子において、
前記上部反射鏡構造には、空孔が存在しない点欠陥を中央部に有する２次元空孔配列が形成され、前記上部反射鏡構造及び前記下部反射鏡構造の少なくとも一方には、前記発光層の近傍に、中央部に電流開口を残し周囲にイオンが注入された電流狭窄部を有する電流狭窄層が形成されており、
前記電流開口の幅（Ｚ）が、前記点欠陥に最も近接する空孔中心を結ぶ円の直径（Ｄ）よりも小さいことを特徴とする面発光半導体レーザ素子。
【請求項２】
Ｚ＜０．７×Ｄであることを特徴とする、請求項１に記載の面発光半導体レーザ素子。
【請求項３】
０．３×Ｄ＜Ｚ＜０．５×Ｄであることを特徴とする、請求項２に記載の面発光半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記２次元空孔配列の空孔が円孔であることを特徴とする、請求項１〜３の何れか一に記載の面発光半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記２次元空孔配列が三角格子であることを特徴とする、請求項１〜４の何れか一に記載の面発光半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記２次元空孔配列が正方格子であることを特徴とする、請求項１〜４の何れか一に記載の面発光半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記注入されたイオンが水素イオンであることを特徴とする、請求項１〜６の何れか一に記載の面発光半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記注入されたイオンが酸素イオンであることを特徴とする、請求項１〜６の何れか一に記載の面発光半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記基板がｎ型ＧａＡｓ基板であることを特徴とする、請求項１〜８の何れか一に記載の面発光半導体レーザ素子。
【請求項１０】
前記電流狭窄層は、ｍを１以上の自然数、媒質内発振波長をλとして、（（ｍ／２）＋１／４）λの厚みを有する１層の半導体層から形成される、請求項１〜９の何れか一に記載の面発光半導体レーザ素子。
【請求項１１】
発振波長が１μｍ以上で１．６μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜１０の何れか一に記載の面発光半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光半導体レーザ素子に関し、更に詳しくは、フォトニック結晶構造、及び、イオン注入法による電流狭窄構造を有する垂直共振器型面発光半導体レーザ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直共振器型面発光半導体レーザ素子（VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Semiconductor Laser、以下、単に面発光レーザと称する）は、その名の示す通り、光の共振する方向が基板面に対して垂直であり、光インターコネクションを始めとして、通信用光源として、或いは、センサー用途などの様々なアプリケーション用デバイスとして注目されている。
【０００３】
面発光レーザが注目される理由は、面発光レーザが、従来の端面発光型半導体レーザと比較して、素子の２次元配列構造を容易に形成できること、ミラーの形成前に劈開する必要がないので、ウエハレベルのテストができること、活性層の体積が格段に小さいので、極めて低いしきい値電流で発振ができ、消費電力が小さいこと、などの種々の利点を有していることが挙げられる。
【０００４】
面発光レーザでは、共振器長が極端に短いことから、発振スペクトルの縦モードに関しては、容易に基本モード発振が得られる利点がある。しかし、その一方で、横モードに関しては制御機構を有していないため、複数の高次モードが発振してしまう。この複数の高次の横モードによって発振したレーザ光は、光伝送時、特に高速変調時に伝送距離に比例して著しい劣化を引き起こす原因となる。そこで、面発光レーザでは、基本横モードでのレーザ発振を実現する様々な構造が提案されている。
【０００５】
面発光レーザにおいて、発光面積を広くし、かつ基本横モード発振を得るための手段として、例えば、特許文献１に開示されているような構造が挙げられる。図８は、その従来の面発光レーザの一部断面斜視図である。この面発光レーザは、フォトニック結晶構造と呼ばれる光狭窄構造を持ち、上部反射鏡構造（上部ＤＢＲミラー）内に周期的な２次元円孔配列を形成している。２次元円孔配列は、光が感じる屈折率を僅かに低下させ、中央部の円孔が存在しない点欠陥領域に対してクラッドとして働く。この面発光レーザでは、このような弱い屈折率閉じ込めによる横モード制御を行うため、基本横モードのみを発振させる発光領域の面積を大きくすることができる。従って、面発光レーザを高出力化し、且つ、低抵抗化できる可能性があるとして注目されている。この構造の面発光レーザは、フォトニック結晶面発光レーザとも呼ばれている。
【０００６】
電流狭窄構造としては、主にＡｌＡｓ選択酸化法（例えば、非特許文献１）やイオン注入法（例えば、非特許文献２）の何れかが用いられる。ＡｌＡｓ選択酸化法は、電流狭窄構造の厚みが例えば２０ｎｍ程度と小さいので、その狭窄構造に起因する素子抵抗の増大を抑えることが出来る利点がある。しかし、その反面、選択酸化によって応力歪みが発生し、その応力歪みによって素子が発振中に破壊するなど、素子信頼性を損なうという欠点がある。一方、イオン注入法では、そのような応力歪みが発生しない利点がある。
【特許文献１】特表２００７−５０２０２９
【非特許文献１】IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Vol.9, No.5, pp.1439-1445, September/October 2003
【非特許文献２】IEE Electronics Letters, Vol.41, No.6, pp.326-328, March 2005
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、イオン注入法を用いた場合にも、非特許文献２に記載のように、高電流注入時や高速変調時に高次モードの発振が起こり、発振モードが不安定になり易いという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記に鑑み、イオン注入法を用いた電流狭窄構造を有するフォトニック結晶面発光レーザを改良し、高電流注入時や高速変調を採用した場合にも、基本モードで安定した単一横モード発振が容易なフォトニック結晶面発光レーザを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上記課題を解決するためになされたものである。すなわち本発明は、基板上に形成された上部反射鏡構造及び下部反射鏡構造と、該上部反射鏡構造と下部反射鏡構造との間に配置された発光層とを備える面発光半導体レーザ素子において、
前記上部反射鏡構造には、空孔が存在しない点欠陥を中央部に有する２次元空孔配列が形成され、前記上部反射鏡構造及び前記下部反射鏡構造の少なくとも一方には、前記発光層の近傍に、中央部に電流開口を残し周囲にイオンが注入された電流狭窄層が形成されており、
前記電流開口の幅（Ｚ）が、前記点欠陥に最も近接する空孔中心を結ぶ円の直径（Ｄ）よりも小さいことを特徴とする面発光半導体レーザ素子を提供する。
【００１０】
本発明の面発光レーザ素子では、Ｚ＜０．７×Ｄであることが好ましく、０．３×Ｄ＜Ｚ＜０．５×Ｄであることが更に好ましい。
【００１１】
また、前記２次元空孔配列の空孔が円孔である構成が採用できる。前記２次元空孔配列は、三角格子であってもよく、或いは、正方格子であってもよい。
【００１２】
電流狭窄層に注入されたイオンは、水素イオン、酸素イオン、或いは、絶縁領域が形成できれば他のイオンであってもよい。
【００１３】
前記基板がｎ型ＧａＡｓ基板であってもよい。
【００１４】
前記電流狭窄層は、ｍを１以上の自然数、媒質内発振波長をλとして、（（ｍ／２）＋１／４）λの厚みを有する１層の半導体層で構成を採用してもよい。或いは、複数層の半導体層で構成してもよい。
【００１５】
本発明は、特に発振波長が１μｍ以上で１．６μｍ以下の面発光レーザ素子に好適に適用できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のフォトニック結晶構造を有する面発光レーザでは、イオン注入による絶縁層の開口幅（Ｚ）の大きさが、２次元空孔配列の点欠陥の幅（Ｄ）よりも小さい構成（Ｚ＜Ｄ）を採用することにより、基本モードに比べて電界強度分布の広がりが大きい高次モードに利得が得られ難くなり、従って高電流注入時や高速変調時であっても、基本モードのみの安定した発振が可能となる。
【００１７】
フォトニック結晶構造を有しない従来構造の面発光レーザ素子では、酸化狭窄構造を採用する際には、電流開口部と絶縁領域（電流狭窄部）との屈折率差が大きいことに鑑み、基本モードによる単一横モード発振のために、開口部の面積を小さくする努力が払われてきた。一方、従来構造の面発光レーザ素子で、イオン注入法による電流狭窄構造を採用する場合には、素子抵抗の低減のために、開口部の面積を大きくする努力が払われてきた。フォトニック結晶構造を有する面発光レーザ素子では、イオン注入法を用いた電流狭窄構造を形成する際には、上記従来構造との類推から、素子抵抗低減を目的として、開口幅を大きくする構造が採用されていた。本発明では、フォトニック結晶面発光レーザについて、上記Ｚ＜Ｄなる構造を採用し、開口部の面積を抑えることにより、単一横モード発振が安定して得られることを実験により確認し、上記本発明の構成を得たものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る発光レーザの一部断面斜視図である。この面発光レーザ１００は、発振波長が８５０ｎｍとなるように設計されている。面発光レーザ１００は、ｎ型ＧａＡｓ基板１１上に形成されており、下部ＤＢＲミラー１２と、上部ＤＢＲミラー１５と、下部ＤＢＲミラー１２と上部ＤＢＲミラー１５との間に形成された活性層（発光層）１３と、上部ＤＢＲミラー１５上に形成された上部電極１６と、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の裏面に形成された下部電極１７とを有する。
【００１９】
上部ＤＢＲミラー１５内には、フォトニック結晶構造が形成されており、フォトニック結晶構造を構成する２次元円孔配列２０の中央部分には、円孔が存在しない点欠陥が形成されている。また、電流狭窄層１４が、上部ＤＢＲミラー１５内に形成されたており、ｐ又はｎ型の不純物注入によって形成された導電部を成す中央の電流開口と、不純物注入による導電性を打ち消す不純物注入によって絶縁性を有するように形成された周囲の絶縁部（電流狭窄部）とから構成される。電流狭窄層１４は、上部ＤＢＲミラー１５内に形成された層のうち特定の１層又は複数層から成る。
【００２０】
本実施形態では、中央の点欠陥に最も近接する複数の円孔の中心を結んで得られる円の直径Ｄと、電流狭窄層の電流開口の直径Ｚとの関係が、
０．３×Ｄ＜Ｚ＜０．５×Ｄ
となるように円孔の配列及び電流開口の大きさが決められている。なお、Ｚは、０．７×Ｄ以下であればよい。Ｚを０．７×Ｄよりも小さくすることにより、基本モード発振による単一横モード発振が容易になり、更に０．５×Ｄ以下とすることにより、単一横モード発振が更に容易になる。また、Ｚを０．３×Ｄよりも大きくすることにより、素子抵抗の増大を防止している。
【００２１】
上記実施形態の構造は、例えば以下の製造プロセスにより得られる。まずｎ型ＧａＡｓ基板１１の上に、ＭＯＣＶＤ法で、それぞれの厚みがλ／４ｎ（λは発振波長、ｎは屈折率）であるｎ型Ａｌ0.8Ｇａ0.2Ａｓ層とｎ型ＡｌＡｓ層とを交互に積層して、３５ペアの多層膜からなる下部ＤＢＲミラー１２を形成する。各層のキャリア濃度は、例えば１×１０１８ｃｍ−３とする。次に、その積層上に、図示しない下部クラッド層、４層のＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子井戸構造の活性層１３、図示しない上部クラッド層を順次積層する。
【００２２】
更にその上に、それぞれの厚みがλ／４ｎのｐ型Ａｌ0.8Ｇａ0.2Ａｓ層とｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ層とを交互に積層して、３０ペアからなる上部ＤＢＲミラー１５を形成する。各層のキャリア濃度は、例えば１×１０１８ｃｍ−３とする。この上部ＤＢＲミラー１５の最上層の表面に、ｐ型のＧａＡｓ層を形成し、全体の層構造を構成している。この状態を図２に示した。
【００２３】
次に、上記積層構造の表面に、プラズマＣＶＤ法を用いＳｉＮｘ膜２１を成膜したのち、その上に通常のフォトレジストを用いたフォトリソグラフィーにより、フォトレジスト膜９を直径５μｍ〜７μｍの円柱状に加工する。この幅５μｍ〜７μｍは、フォトレジスト膜９をマスクとする周囲のイオン注入により形成される電流開口の直径（Ｚ）、つまり、電流開口幅に相当する。電流開口幅は、２次元空孔配列の中央部分に形成される点欠陥に最も近接する複数の円孔の中心を結ぶ円の直径（Ｄとする）、１０μｍよりも小さくしてある。なお、イオン注入マスクには、フォトレジスト膜９に代えて、Ａｕ（金）を用いても構わない。
【００２４】
その後、イオン注入装置により、フォトレジスト膜９を注入マスクとして用い、水素イオン（プロトン）を、加速エネルギー４００ｋｅＶ、ドーズ量４×１０１４ｃｍ−２にて注入し、電流狭窄層１４内に、電流狭窄領域と開口（発光領域）１８とを形成する（図３）。なお注入するイオンは水素に限らず、高抵抗な絶縁層を形成可能なものであればよく、酸素などでも構わない。フォトレジストを除去した後、４５０℃にてアニールを行い、その後ＳｉＮｘ膜２１を除去する。
【００２５】
次に、上記積層構造の表面に、プラズマＣＶＤ法を用いて新たにＳｉＮｘ膜を成膜したのち、通常のフォトレジストを用いたフォトリソグラフィーとＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によりＳｉＮｘをエッチングし、２次元円孔配列用ハードマスクを形成する。２次元円孔配列は、中央部に円孔が存在しない点欠陥を有し、周期が５μｍ、各円孔の直径が２μｍの三角格子状の２次元円孔配列構造とする。ここで、点欠陥の幅は、この点欠陥に最も隣接する円孔の中心をつないで形成される円の直径として定義し、この点欠陥の直径として１０μｍを採用する。
【００２６】
なお、点欠陥は、本実施形態のように、２次元円孔配列から１つの円孔を除いたものに限らず、複数（例えば７つ）の円孔を除いたものでもよい。次いで、ＳｉＮｘ膜に形成された円孔配列構造をマスクとして、Ｃｌ２を用いたＩＣＰ（誘導結合プラズマ）ドライエッチングにより、ＳｉＮｘ膜の下層の積層構造に、深さ４μｍ程度の円孔配列構造を形成する。さらに、ＲＩＥにより、ＳｉＮｘ膜を全て除去する（図４）。
【００２７】
次に、上記積層構造の表面に、プラズマＣＶＤ法を用いて新たにＳｉＮｘ膜を成膜したのち、その上に通常のフォトレジストを用いたフォトリソグラフィーとＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により、ＳｉＮｘを除去してリング形状の開口を形成する。ＳｉＮｘ膜を除去した部分に、例えばＡｕＺｎを蒸着して、リング形状をした上部電極１６を形成する。その後、基板厚さが２００μｍ程度になるように、ｎ型ＧａＡｓ基板１１を裏面から研磨し、その研磨した裏面に、例えばＣｒ／Ａｕを蒸着して、下部電極１７を形成する。以上により本実施形態の面発光レーザが得られる。この構造を図５に示した。
【００２８】
本発明の第２の実施形態に係る面発光レーザ素子について説明する。本実施形態の面発光レーザ素子は、発振波長が１３００ｎｍとなるように設計されており、この発振波長が異なることにより、第１の実施形態とは層構造が異なる。第２の実施形態の面発光レーザ素子の製造プロセスについて、第１の実施形態と同様に、図２〜図５を参照して説明する。
【００２９】
まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の上に、ＭＯＣＶＤ法を用いて、それぞれの厚みがλ／４ｎ（λは発振波長、ｎは屈折率）であるｎ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層とｎ型ＧａＡｓ層とを交互に積層して、３５ペアの多層膜からなる下部ＤＢＲミラー１２を形成する。各層のキャリア濃度は１×１０１８ｃｍ−３とする。次に、その上に、ガスソースＭＢＥ法を用いて下部クラッド層、３層のＧａＩｎＮＡｓＳｂ／ＧａＮＡｓ量子井戸構造の活性層１３、上部クラッド層を順次積層する。更にその上に、再度ＭＯＣＶＤ法を用いて、それぞれの厚みがλ／４ｎのｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層とｐ型ＧａＡｓ層とを交互に積層して、２１ペアからなる上部ＤＢＲミラー１５を形成する（図２）。各層のキャリア濃度は１×１０１８ｃｍ−３とする。
【００３０】
次に、上記積層構造の表面に、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮｘ膜２１を成膜したのち、その上に通常のフォトレジストを用いたフォトリソグラフィーにより、フォトレジスト膜９を、直径５μｍ〜７μｍの円柱状に加工する。この幅５μｍ〜７μｍは、イオン注入により形成される絶縁層の開口の直径（Ｚ）、すなわち電流開口幅に相当する。開口幅Ｚは、後述する２次元空孔配列中央部の点欠陥に最も近接する円孔中心を結ぶ円の直径（Ｄ）１０μｍよりも小さくしてある。このイオン注入マスクとして用いるフォトレジスト膜に代えて、Ａｕ（金）を用いてもよい。その後、イオン注入装置により、フォトレジスト膜９をイオン注入マスクとして用い、水素イオン（プロトン）を加速エネルギー４００ｋｅＶ、ドーズ量４×１０１４ｃｍ−２にて注入し、電流狭窄層１４と発光領域１８とを形成する（図３）。なお注入するイオンは水素に限らず、高抵抗な絶縁層を形成可能なものであれば良く、酸素などでも構わない。フォトレジスト膜９を除去した後に、５５０℃にてアニールを行い、その後ＳｉＮｘ膜を除去する。
【００３１】
次に、上記積層構造の表面に、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮｘ膜を成膜したのち、通常のフォトレジストを用いたフォトリソグラフィーとＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により、ＳｉＮｘをエッチングして２次元円孔配列を形成する。２次元円孔配列は、円孔が形成されていない点欠陥を中央部に有し、周期が５μｍ、円孔直径が２μｍの三角格子状の円孔配列構造を有する。この場合、点欠陥の直径は、点欠陥に最も隣接する円孔の中心間をつないだ円の直径として定義され、この直径は１０μｍとする。なお、点欠陥は、２次元円孔配列のうち１つの円孔が存在しない点欠陥に限らず、複数（例えば７つ）の円孔が存在しない点欠陥でもよい。このＳｉＮｘ膜からなる円孔配列構造をマスクとして、Ｃｌ２を用いたＩＣＰ（誘導結合プラズマ）ドライエッチングにより、ＳｉＮｘ膜下の積層構造に、深さ４μｍ程度の円孔配列構造を形成する（図４）。さらにＲＩＥにより、ＳｉＮｘを全て除去する。
【００３２】
次に、再度これら層構造の表面にプラズマＣＶＤ法でＳｉＮｘ膜を成膜したのち、その上に通常のフォトレジストを用いたフォトリソグラフィーとＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により、ＳｉＮｘを除去してリング形状の開口を形成し、そこに例えばＡｕＺｎを蒸着して、リング形状をした上部電極１６を形成する。その後、基板を厚さ２００μｍ程度になるように研磨し、裏面に例えばＣｒ／Ａｕを蒸着して、下部電極１７を形成する（図５）。以上により本実施形態に係る面発光レーザが完成する。
【実施例】
【００３３】
上記第１の実施形態の面発光レーザと従来の面発光レーザの特性を比較することとした。第１の実施形態の面発光レーザとして、開口幅Ｚを、点欠陥の幅であるＤ＝１０μｍに対して、０．７μｍ及び０．５μｍのレーザ素子を作成した。また、従来の面発光レーザとして、開口幅ＭをＭ＝１０μｍ（＝Ｄ）とし、その他の構成は、第１の実施形態と同様にした面発光レーザを作製した。
【００３４】
特性比較として、隣接モード抑圧比（side mode suppression ratio: ＳＭＳＲ）の電流依存性を評価することとした。ＳＭＳＲは、図６に示すように、基本モードにおける発振強度と、その基本モードに隣接する高次モードの発振強度との比をｄＢで示すものであり、単一モードの安定性を示す指標として従来から用いられている。ＳＭＳＲが注入電流に対して安定であるということは、基本モードによる安定な単一モード発振が可能であることを意味する。図７は、上記第１の実施形態及び従来の面発光レーザについて、実際に測定したＳＭＳＲの電流依存性を示す。
【００３５】
図７から理解できるように、電流注入開口幅Ｚを点欠陥の幅Ｄと同じである１０μｍとした従来の面発光レーザ素子では、３０ｍＡ以上の電流注入で、ＳＭＳＲが低下し、その結果高次モードの発振が見られた。しかし、第１の実施形態に係る面発光レーザ素子については、電流注入開口幅Ｚを７μｍ（０．７×Ｄ）とした素子では、３０ｍＡ以上の電流注入下であっても、高次モードの発振は殆ど見られず、また、５μｍ（０．５×Ｄ）とした面発光レーザ素子では、更に５０ｍＡ以上の電流注入でも、高次モードの発振は殆ど見られず、結果として安定した単一モード発振が維持される旨が観測された。
【００３６】
上記のように、開口幅Ｚを点欠陥の幅Ｄよりも小さく、好ましくは０．７×Ｄ以下、より好ましくは０．５×Ｄ以下とすることにより、安定した単一モード発振が得られる。なお、開口幅Ｚは単に小さくすれば良いというものではなく、小さ過ぎると、素子抵抗の上昇、及び、これに伴う基本モードにおける電力損失の増加を招くため、点欠陥の幅Ｄに対して、０．３×Ｄ以上にしておくことが望ましい。
【００３７】
なお、上記第２の実施形態の面発光レーザ素子についても、本発明の原理に従い、同様な単一モード発振が得られることが容易に推測できる。つまり、本発明の面発光レーザ素子は、イオン注入型のフォトニック結晶面発光レーザにおいて、単一モード発振が安定して得られる効果を奏する。
【００３８】
電流狭窄構造を構成する電流狭窄層は、上部ＤＢＲミラー及び／又は下部ＤＢＲミラーを構成する半導体層の内で、活性層に近接する１層以上、任意の層数の特定層で構成できる。例えば、活性層の近傍に配置される特定層として、ｍを１以上の自然数、媒質内発振波長をλとして、（（ｍ／２）＋１／４）λの厚みを有する１層の半導体層で構成してもよい。ここで、ｍとしては、５以上、より好ましくは８以上である。
【００３９】
上記実施形態では、２次元円孔配列の例として、三角格子配置の例を示したが、三角格子に限らず、正方格子配置でも同様な結果が得られる。また、空孔は、円孔に限らず、多角形や楕円などもよい。また、空孔内には、適当な材料から成る媒質を埋め込んでもよい。
【００４０】
以上、本発明をその好適な実施態様に基づいて説明したが、本発明の面発光レーザ素子は、上記実施態様の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施態様の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１及び第２の実施形態に係る面発光レーザ素子の一部断面斜視図。
【図２】図１の面発光レーザ素子について、その製造プロセス中の一工程段階を示す一部断面斜視図。
【図３】図２に後続する製造プロセス中の一工程段階を示す一部断面斜視図。
【図４】図３に後続する製造プロセス中の一工程段階を示す一部断面斜視図。
【図５】図４に後続する製造プロセス中の一工程段階を示す一部断面斜視図。
【図６】ＳＭＳＲの定義を示すグラフ。
【図７】実施形態及び従来の面発光レーザにおけるＳＭＳＲの電流依存性を示すグラフ。
【図８】従来の面発光レーザの一部断面斜視図。
【符号の説明】
【００４２】
１００：面発光レーザ素子
１１：基板
１２：下部ＤＢＲミラー
１３：活性層
１４：電流狭窄層
１５：上部ＤＢＲミラー
１６：上部電極
１７：下部電極
１８：発光領域
２０：２次元円孔配列
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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