(57)【要約】【課題】画素内機能液の厚さ測定および／または体積測定を精度良く行なうことができる画素内機能液の形態測定方法等を提供する。【解決手段】画素領域７を画成するバンク６を有する基板Ｗ上に、機能液滴吐出ヘッド２から機能液滴を吐出して画素領域７内に着弾させ、着弾した画素内機能液Ｋの厚さまたは体積を測定する画素内機能液Ｋの形態測定方法であって、画素内機能液Ｋの表面形状とバンク６の表面形状とを測定して、表面形状に関する計測パラメータＰを生成する表面形状測定工程と、生成した画素内機能液Ｋの表面における計測パラメータＫＰに、バンクの高さパラメータＨＰを加算するバンク高さ加算工程と、加算後の計測パラメータＰに基づいて、画素内機能液Ｋの厚さまたは体積を算出する形態算出工程と、を備えた。【選択図】図４
2008185372.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域を画成するバンクを有する基板上に、機能液滴吐出ヘッドから機能液滴を吐出して前記画素領域内に着弾させ、干渉計から成る表面形状測定装置により、前記画素領域内に着弾した画素内機能液の厚さまたは体積の少なくとも一方を測定する画素内機能液の形態測定方法であって、
前記表面形状測定装置により、前記画素内機能液の表面形状と前記バンクの表面形状とを測定して、前記表面形状に関する計測パラメータを生成する表面形状測定工程と、
生成した前記計測パラメータの前記画素内機能液の表面における計測パラメータに、前記バンク高さ分の高さパラメータを加算するバンク高さ加算工程と、
加算後の前記画素内機能液の表面における前記計測パラメータおよび前記バンクの表面における前記計測パラメータに基づいて、前記画素内機能液の厚さまたは体積の少なくとも一方を算出する形態算出工程と、を備えたことを特徴とする画素内機能液の形態測定方法。
【請求項２】
画素領域を画成するバンクを有する基板上に、機能液滴吐出ヘッドから機能液滴を吐出して前記画素領域内に着弾させ、干渉計から成る表面形状測定装置により、前記画素領域内に着弾した画素内機能液の厚さまたは体積の少なくとも一方を測定する画素内機能液の形態測定方法であって、
前記表面形状測定装置により、前記画素内機能液の表面形状と前記バンクの表面形状とを測定して、前記表面形状に関する計測パラメータを生成する表面形状測定工程と、
生成した前記計測パラメータの前記バンクの表面における計測パラメータに、前記バンク高さ分の高さパラメータを減算するバンク高さ減算工程と、
減算後の前記バンクの表面における前記計測パラメータおよび前記画素内機能液の表面における前記計測パラメータに基づいて、前記画素内機能液の厚さまたは体積の少なくとも一方を算出する形態算出工程と、を備えたことを特徴とする画素内機能液の形態測定方法。
【請求項３】
前記バンクの表面の計測ポイントが、光反射性材料により表面処理されていることを特徴とする請求項１または２に記載の画素内機能液の形態測定方法。
【請求項４】
画素領域を画成するバンクを有する基板上に、機能液滴吐出ヘッドから機能液滴を吐出して前記画素領域内に着弾させ、前記画素領域内に着弾した画素内機能液の厚さまたは体積の少なくとも一方を測定する画素内機能液の形態測定装置であって、
前記画素内機能液の表面形状と前記バンクの表面形状とを測定する表面形状測定手段と、
前記表面形状測定手段による測定結果に基づいて、前記表面形状に関する計測パラメータを生成する計測パラメータ生成手段と、
生成した前記計測パラメータの前記画素内機能液の表面における計測パラメータに、前記バンク高さ分の高さパラメータを加算するバンク高さ加算手段と、
加算後の前記画素内機能液の表面における前記計測パラメータおよび前記バンクの表面における前記計測パラメータに基づいて、前記画素内機能液の厚さまたは体積の少なくとも一方を算出する形態算出手段と、を備えたことを特徴とする画素内機能液の形態測定装置。
【請求項５】
画素領域を画成するバンクを有する基板上に、機能液滴吐出ヘッドから機能液滴を吐出して前記画素領域内に着弾させ、前記画素領域内に着弾した画素内機能液の厚さまたは体積の少なくとも一方を測定する画素内機能液の形態測定装置であって、
前記画素内機能液の表面形状と前記バンクの表面形状とを測定する表面形状測定手段と、
前記表面形状測定手段による測定結果に基づいて、前記表面形状に関する計測パラメータを生成する計測パラメータ生成手段と、
生成した前記計測パラメータの前記バンクの表面における計測パラメータに、前記バンク高さ分の高さパラメータを減算するバンク高さ減算手段と、
減算後の前記バンクの表面における前記計測パラメータおよび前記画素内機能液の表面における前記計測パラメータに基づいて、前記画素内機能液の厚さまたは体積の少なくとも一方を算出する形態算出手段と、を備えたことを特徴とする画素内機能液の形態測定装置。
【請求項６】
請求項４または５に記載の画素内機能液の形態測定装置と、
複数の前記機能液滴吐出ヘッドをサブキャリッジに搭載したヘッドユニットと、
前記基板に対し、前記ヘッドユニットを相対的に移動させながら、前記複数の機能液滴吐出ヘッドから機能液滴を吐出して描画を行なう描画手段と、を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項７】
前記ヘッドユニットには、Ｒ色の機能液を導入する機能液滴吐出ヘッド、Ｇ色の機能液を導入する機能液滴吐出ヘッドおよびＢ色の機能液を導入する機能液滴吐出ヘッド、が搭載されていることを特徴とする請求項６に記載の液滴吐出装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の液滴吐出装置を用い、前記基板上に機能液滴による成膜部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６または７に記載の液滴吐出装置を用い、前記基板上に機能液滴による成膜部を形成したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の電気光学装置の製造方法により製造した電気光学装置または請求項９に記載の電気光学装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素領域を画成するバンクを有する基板上に、機能液滴吐出ヘッドから機能液滴を吐出して画素領域内に着弾させ、干渉計から成る表面形状測定装置により、画素領域内に着弾した画素内機能液の厚さまたは体積の少なくとも一方を測定する画素内機能液の形態測定方法、画素内機能液の形態測定装置および液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の形態測定装置は、干渉光源により出射した干渉光束を２分し、一方の干渉光束を被測定物の表面に入射角８２°以上の角度で且つスリット状の照射光束で照射し、被測定物からの反射光束を検出アレイセンサに導く一方、他方の干渉光束をスリット状の参考光束として検出アレイセンサに導き、検出アレイセンサの受光面において反射光束と参考光束とを干渉させ、その干渉位相信号から被測定物、例えばカラーフィルタのＲ・Ｇ・Ｂフィルタ材料の高さ（膜厚）検出するようになっている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−１２１３２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような従来の形態測定装置では、３次元形状の被測定物（フィルタ材料）表面の高さを精度良く測定することができるが、その膜厚（や体積）を測定する場合には、表面に対する裏面（画素の底面）も精度良く測定する必要がある。すなわち、画素の底面の高さは、基板が精度良く形成されていても、基板が搭載されているステージの平坦度、或いは吸着形態の影響により、一様ではなく、設計上の画素の底面の高さにより膜厚を求めると、精度が悪化する（色むらの原因となる）。
そこで、フィルタ材料を透過した測定光により、画素領域の底面の高さを測定することが好ましいが、入射角８２°以上の測定光により高さ測定する従来の装置では、画素領域を画成するバンクが邪魔になって測定が不可能となる。もっとも、入射角を小さくすれば測定可能であるが、フィルタ材料による乱反射により十分な反射光を得られず、高い精度の検出が不可能な問題がある。
【０００４】
本発明は、画素内機能液の厚さ測定および／または体積測定を精度良く行なうことができる画素内機能液の形態測定方法、画素内機能液の形態測定装置および液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の画素内機能液の形態測定方法は、画素領域を画成するバンクを有する基板上に、機能液滴吐出ヘッドから機能液滴を吐出して画素領域内に着弾させ、干渉計から成る表面形状測定装置により、画素領域内に着弾した画素内機能液の厚さまたは体積の少なくとも一方を測定する画素内機能液の形態測定方法であって、表面形状測定装置により、画素内機能液の表面形状とバンクの表面形状とを測定して、表面形状に関する計測パラメータを生成する表面形状測定工程と、生成した計測パラメータの画素内機能液の表面における計測パラメータに、バンク高さ分の高さパラメータを加算するバンク高さ加算工程と、加算後の画素内機能液の表面における計測パラメータおよびバンクの表面における計測パラメータに基づいて、画素内機能液の厚さまたは体積の少なくとも一方を算出する形態算出工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００６】
また、本発明の画素内機能液の形態測定装置は、画素領域を画成するバンクを有する基板上に、機能液滴吐出ヘッドから機能液滴を吐出して画素領域内に着弾させ、画素領域内に着弾した画素内機能液の厚さまたは体積の少なくとも一方を測定する画素内機能液の形態測定装置であって、画素内機能液の表面形状とバンクの表面形状とを測定する表面形状測定手段と、表面形状測定手段による測定結果に基づいて、表面形状に関する計測パラメータを生成する計測パラメータ生成手段と、生成した計測パラメータの画素内機能液の表面における計測パラメータに、バンク高さ分の高さパラメータを加算するバンク高さ加算手段と、加算後の画素内機能液の表面における計測パラメータおよびバンクの表面における計測パラメータに基づいて、画素内機能液の厚さまたは体積の少なくとも一方を算出する形態算出手段と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の他の画素内機能液の形態測定方法は、画素領域を画成するバンクを有する基板上に、機能液滴吐出ヘッドから機能液滴を吐出して画素領域内に着弾させ、干渉計から成る表面形状測定装置により、画素領域内に着弾した画素内機能液の厚さまたは体積の少なくとも一方を測定する画素内機能液の形態測定方法であって、表面形状測定装置により、画素内機能液の表面形状とバンクの表面形状とを測定して、表面形状に関する計測パラメータを生成する表面形状測定工程と、生成した計測パラメータのバンクの表面における計測パラメータに、バンク高さ分の高さパラメータを減算するバンク高さ減算工程と、減算後のバンクの表面における計測パラメータおよび画素内機能液の表面における計測パラメータに基づいて、画素内機能液の厚さまたは体積の少なくとも一方を算出する形態算出工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の他の画素内機能液の形態測定装置は、画素領域を画成するバンクを有する基板上に、機能液滴吐出ヘッドから機能液滴を吐出して画素領域内に着弾させ、画素領域内に着弾した画素内機能液の厚さまたは体積の少なくとも一方を測定する画素内機能液の形態測定装置であって、画素内機能液の表面形状とバンクの表面形状とを測定する表面形状測定手段と、表面形状測定手段による測定結果に基づいて、表面形状に関する計測パラメータを生成する計測パラメータ生成手段と、生成した計測パラメータのバンクの表面における計測パラメータに、バンク高さ分の高さパラメータを減算するバンク高さ減算手段と、減算後のバンクの表面における計測パラメータおよび画素内機能液の表面における計測パラメータに基づいて、画素内機能液の厚さまたは体積の少なくとも一方を算出する形態算出手段と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
これらの構成によれば、バンクの高さは所定の高さに設計されており、画素内機能液およびバンクの表面形状を測定し、このバンク高さを、画素内機能液の表面に加算あるいはバンク表面に減算することで、画素内機能液の厚さまたは体積の少なくとも一方を測定することができる。つまり、画素内機能液の裏面、すなわち画素領域の底面の高さを測定すべく、干渉計による測定光を、機能液を透過させて画素領域の底面に照射する必要が無いため、バンクが邪魔になることがない。また、干渉計が、白色干渉計である場合には、機能液を透過させることにより必要となる測定光の色補正等を行なう必要もない。さらに、機能液が不透過物である場合も、この測定方法は有効である。なお、干渉計は、白色干渉計やレーザー干渉計等であっても良い。
【００１０】
この場合、バンクの表面の計測ポイントが、光反射性材料により表面処理されていることが、好ましい。
【００１１】
この構成によれば、バンクの表面において反射率が良くなるため、干渉計によるバンクの表面形状の測定を、精度良く行うことができる。
【００１２】
本発明の液滴吐出装置は、上記の画素内機能液の形態測定装置と、複数の機能液滴吐出ヘッドをサブキャリッジに搭載したヘッドユニットと、基板に対し、ヘッドユニットを相対的に移動させながら、複数の機能液滴吐出ヘッドから機能液滴を吐出して描画を行なう描画手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、機能液の厚さや体積を測定しながら、描画を行うことができるため、機能液の厚さや体積が均一であるか否かを判別して、良品または不良品を選別することができる。
【００１４】
この場合、ヘッドユニットには、Ｒ色の機能液を導入する機能液滴吐出ヘッド、Ｇ色の機能液を導入する機能液滴吐出ヘッドおよびＢ色の機能液を導入する機能液滴吐出ヘッド、が搭載されていることが、好ましい。
【００１５】
この構成によれば、３色の機能液を画素領域内に着弾させたカラーフィルタを作成することができ、また、上記の画素内機能液の形態測定装置により、カラーフィルタの色むら検査を行うことができる。
【００１６】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記した液滴吐出装置を用い、ワーク上に機能液滴による成膜部を形成することを特徴とする。
【００１７】
本発明の電気光学装置は、上記した液滴吐出装置を用い、ワーク上に機能液滴による成膜部を形成したことを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、高品質の電気光学装置を効率良く製造することができる。なお、機能材料としては、有機ＥＬ装置の発光材料（Electro-Luminescence発光層・正孔注入層）は元より、液晶表示装置に用いるカラーフィルタのフィルタ材料（フィルタエレメント）、電子放出装置（Field Emission Display, ＦＥＤ）の蛍光材料（蛍光体）、ＰＤＰ（plasma Display Panel）装置の蛍光材料（蛍光体）、電気泳動表示装置の泳動体材料（泳動体）等であって、機能液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）により吐出可能な液体材料を言う。また、電気光学装置（Flat Panel Display, ＦＰＤ）としては、有機ＥＬ装置、液晶表示装置、電子放出装置、ＰＤＰ装置、電気泳動表示装置等がある。
【００１９】
本発明の電子機器は、上記した電気光学装置の製造方法により製造した電気光学装置または上記した電気光学装置を搭載したことを特徴とする。
【００２０】
この場合、電子機器としては、いわゆるフラットパネルディスプレイを搭載した携帯電話、パーソナルコンピュータのほか、各種の電気製品がこれに該当する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、添付の図面を参照して、本実施形態に係る画素内機能液の形態測定装置およびその測定方法について説明する。この画素内機能液の形態測定装置は、基板上の画素領域内に着弾した画素内機能液の厚さや体積を測定し、隣接する画素内機能液の厚さまたは体積が均一であるか否かにより、カラーフィルタ等の色むら検査を行なうためのものである。先ず、画素内機能液の形態測定装置を説明する前に、検査対象物となるカラーフィルタについて説明する。
【００２２】
図１に示すように、カラーフィルタＣＦは、基板Ｗと、基板Ｗ上に着弾したＲ色、Ｇ色およびＢ色の機能液Ｋから成る着色層１と、で構成され、着色層１は、モザイク、ストライプやデルタ等の配列パターンとなっている。つまり、カラーフィルタＣＦは、Ｒ色、Ｇ色およびＢ色の機能液滴を吐出する３種類の機能液滴吐出ヘッド２を有したヘッドユニットにより、基板Ｗ上を描画して作成されている。
【００２３】
基板Ｗは、方形状の基板本体５と、基板本体５上にマトリクス状に形成したバンク６と、で構成されており、このバンク６は、各画素領域７を区画する区画壁部となっている。バンク６は、基板本体５表面からの高さが所定のバンク高さＨとなるよう設計され、また、バンク６の表面（上面）は、一部または全体が光反射性材料により表面処理されており、後述する白色干渉計１１による光の反射率を高めている。これにより、白色干渉計１１によるバンク６の表面形状（表面高さ）を精度良く測定することができる。この基板Ｗの各画素領域７内に、各機能液滴吐出ヘッド２からフィルタ材料である機能液滴を吐出すると、各画素領域７内には着弾した機能液滴が、画素内機能液Ｋとして貯留し、各画素領域７内に着色層１が形成され、乾燥処理を行なうことで成膜され、カラーフィルタＣＦの各画素となる。
【００２４】
次に、図２を参照して、画素領域７内に着弾した画素内機能液Ｋの厚さまたは体積を測定する画素内機能液Ｋの形態測定装置１０について説明する。形態測定装置１０は、カラーフィルタＣＦの表面形状を測定する白色干渉計（表面形状測定手段）１１と、白色干渉計１１からの測定結果を解析して画素内機能液Ｋの厚さまたは体積を算出すると共に、白色干渉計１１を制御する制御コンピュータ１２と、を備えている。なお、本実施形態においては、測定時間を短縮すべく白色干渉計１１を用いているが、これに限らず、レーザー干渉計等を用いても良い。また、画素内機能液Ｋの厚さまたは体積を測定するタイミングとしては、基板Ｗへの描画直後であっても良いし、乾燥処理が行なわれた後でも良い。
【００２５】
白色干渉計１１は、カラーフィルタＣＦを平面内において移動自在に搭載するＸＹテーブル２０と、白色光を照射する光源となる白色ＬＥＤ２１と、白色ＬＥＤ２１の照射方向下流側に設けられ、白色光をフィルタリングする干渉フィルタ（バンドパスフィルタ）２２と、干渉フィルタ２２の下流側に設けられ、白色光を直角に反射する反射鏡２３と、反射鏡２３の下流側に設けられ、後述する干渉式対物レンズ（ミラウ型）２４に向けて白色光を直角に反射させる一方、カラーフィルタＣＦから反射した反射光を透過するビームスプリッタ２５と、ビームスプリッタ２５の下流側に設けられた干渉式対物レンズ２４と、干渉式対物レンズ２４をＺ軸方向に微小振動させるピエゾＺ軸テーブル２６と、カラーフィルタＣＦから反射した反射光を干渉式対物レンズ２４およびビームスプリッタ２５を介して撮像する撮像カメラ（ＣＣＤカメラ）２７と、を備えている。
【００２６】
ＸＹテーブル２０は、微小単位で移動させることが可能な精密テーブルで構成されると共に、制御コンピュータ１２により駆動制御されており、ＸＹテーブル２０上に載置したカラーフィルタＣＦをＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させる。同様に、ピエゾＺ軸テーブル２６も制御コンピュータ１２により駆動制御されており、測定の際には、ピエゾＺ軸テーブル２６を振動させる。
【００２７】
図３に示すように、制御コンピュータ１２は、撮像カメラ２７により撮像した撮像画像を解析処理する画像処理部３０と、画像処理部３０による画像解析に基づいて、測定した基板Ｗの表面形状を計測パラメータＰとして数値化（データ化）する計測パラメータ生成部３１と、生成した計測パラメータＰの画素内機能液Ｋの表面における計測パラメータＰに、バンク高さ分の高さパラメータＨＰを加算するバンク高さ加算部３２と、加算後の画素内機能液Ｋの表面における計測パラメータＰおよびバンク６の表面における計測パラメータＰに基づいて、画素内機能液Ｋの厚さまたは体積を算出する形態算出部３３と、を有している。また、ＸＹテーブル２０の駆動制御を行なうテーブル駆動制御部３４と、ピエゾＺ軸テーブル２６の駆動制御を行なうピエゾ駆動制御部３５と、を備えている。
【００２８】
以下、図４を参照して、画素内機能液Ｋの厚さまたは体積を測定する画素内機能液Ｋの形態測定方法に関する一連の動作について説明する。先ず、カラーフィルタＣＦを、ＸＹテーブル２０上に位置決めして載置する。そして、白色ＬＥＤ２１によりカラーフィルタＣＦ上に白色光が照射されると、ピエゾＺ軸テーブル２６により干渉式対物レンズ２４を振動させると共にＸＹテーブル２０を移動させ、撮像カメラ２７によりカラーフィルタＣＦから反射した白色光を撮像する（同図（ａ）参照）。
【００２９】
撮像した撮像画像は、制御コンピュータ１２の画像処理部３０により画像解析されると共に、計測パラメータ生成部３１により、表面形状が計測パラメータＰとして数値化される（同図（ｂ）参照）。この計測パラメータＰは、バンク６の表面におけるバンクパラメータＢＰと、画素内機能液Ｋの表面における機能液パラメータＫＰと、で構成されている。
【００３０】
計測パラメータＰが生成されると、今度は、バンク高さ加算部３２により、機能液パラメータＫＰに、設計上のバンク高さＨ分に相当する高さパラメータＨＰを加算する（同図（ｃ）参照）。これにより、計測パラメータＰのバンクパラメータＢＰは、画素領域７の底面に相当するパラメータとなる。そして、形態算出部３３により、バンクパラメータＢＰおよび加算後の機能液パラメータＫＰに基づいて、画素内機能液Ｋの厚さまたは体積を算出する（同図（ｄ）参照）。
【００３１】
ところで、複数の機能液滴吐出ヘッド２を搭載したヘッドユニットを、相対的に主走査方向および副走査方向に往復移動させてカラーフィルタＣＦを製造する場合、ヘッドユニットの主走査方向における往動作と復動作との境界部分に色むら（スジむら）が生じることがある。そこで、好ましくは、境界部分において隣接する画素内機能液Ｋの厚さまたは体積をそれぞれ測定し、その厚さの差または体積の差における測定値を、予め色むらとなるか否かのしきい値と比較して、色むらを判断する。
【００３２】
以上の構成によれば、バンク高さＨは、設計上所定の高さとなっているため、測定したカラーフィルタＣＦの表面形状における計測パラメータＰの機能液パラメータＫＰに、バンク６の高さパラメータＨＰを加算することで、バンクパラメータＢＰが画素領域７の底面に相当するパラメータとなり、機能液パラメータＫＰとバンクパラメータＢＰとに基づいて、画素内機能液Ｋの厚さまたは体積を測定することができる。このため、カラーフィルタＣＦの表面形状を測定するだけで、各画素内機能液Ｋの厚さまたは体積を測定することができるため、白色干渉計１１により機能液を透過して画素領域７の底面を測定する必要が無い。つまり、白色光の照射角度を考慮する必要が無く、また、機能液Ｋを透過する際に必要となる機能液Ｋの物性データや屈折率等の補正を行なう必要も無い。さらに、画素内機能液Ｋが不透過物である場合でも、この測定方法は有効である。これにより、カラーフィルタＣＦの各画素内機能液Ｋの厚さや体積を測定することができるため、色むら検査を行なうことができる。
【００３３】
なお、本発明の画素内機能液Ｋの形態測定装置１０を、複数の機能液滴吐出ヘッド２を搭載したヘッドユニットを移動させて、基板Ｗ上に描画を行なう液滴吐出装置に組み込んでも良い。このとき、上記のＸＹテーブル２０は、液滴吐出装置のＸＹテーブルで兼用することが、好ましい。
【００３４】
次に、第２実施形態における画素内機能液Ｋの形態測定装置１０およびその形態測定方法について説明する。なお、重複した記載を避けるべく、異なる部分について説明する。この形態測定装置１０は、第１実施形態におけるバンク高さ加算部３２に代えて、計測パラメータＰのバンクパラメータＢＰから、バンク高さ分の高さパラメータＨＰを減算するバンク高さ減算部を、有している。
【００３５】
以下、図５を参照して、画素内機能液Ｋの形態測定方法について説明する。白色干渉計１１によりカラーフィルタＣＦの表面形状を測定し（同図（ａ）参照）、その表面形状に関する計測パラメータＰを生成する（同図（ｂ）参照）と、バンク高さ減算部により、計測パラメータＰのバンクパラメータＢＰから、バンク高さ分の高さパラメータＨＰを減算する（同図（ｃ）参照）。この後、形態算出部３３により、機能液パラメータＫＰと減算後のバンクパラメータＢＰとに基づいて、画素内機能液Ｋの厚さまたは体積を算出する（同図（ｄ）参照）。この構成においても、カラーフィルタＣＦの表面形状を測定するだけで、画素内機能液Ｋの厚さまたは体積を測定することができる。
【００３６】
次に、本実施形態の形態測定装置１０を組み込んだ液滴吐出装置に製造される電気光学装置（フラットパネルディスプレイ）として、カラーフィルタ、液晶表示装置、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ装置）、電子放出装置（ＦＥＤ装置、ＳＥＤ装置）、さらにこれら表示装置に形成されてなるアクティブマトリクス基板等を例に、これらの構造およびその製造方法について説明する。なお、アクティブマトリクス基板とは、薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタに電気的に接続するソース線、データ線が形成された基板をいう。
【００３７】
まず、液晶表示装置や有機ＥＬ装置等に組み込まれるカラーフィルタの製造方法について説明する。図６は、カラーフィルタの製造工程を示すフローチャート、図７は、製造工程順に示した本実施形態のカラーフィルタ５００（フィルタ基体５００Ａ）の模式断面図である。
まず、ブラックマトリクス形成工程（Ｓ１０１）では、図７（ａ）に示すように、基板（Ｗ）５０１上にブラックマトリクス５０２を形成する。ブラックマトリクス５０２は、金属クロム、金属クロムと酸化クロムの積層体、または樹脂ブラック等により形成される。金属薄膜からなるブラックマトリクス５０２を形成するには、スパッタ法や蒸着法等を用いることができる。また、樹脂薄膜からなるブラックマトリクス５０２を形成する場合には、グラビア印刷法、フォトレジスト法、熱転写法等を用いることができる。
【００３８】
続いて、バンク形成工程（Ｓ１０２）において、ブラックマトリクス５０２上に重畳する状態でバンク５０３を形成する。即ち、まず図７（ｂ）に示すように、基板５０１およびブラックマトリクス５０２を覆うようにネガ型の透明な感光性樹脂からなるレジスト層５０４を形成する。そして、その上面をマトリクスパターン形状に形成されたマスクフィルム５０５で被覆した状態で露光処理を行う。
さらに、図７（ｃ）に示すように、レジスト層５０４の未露光部分をエッチング処理することによりレジスト層５０４をパターニングして、バンク５０３を形成する。なお、樹脂ブラックによりブラックマトリクスを形成する場合は、ブラックマトリクスとバンクとを兼用することが可能となる。
このバンク５０３とその下のブラックマトリクス５０２は、各画素領域５０７ａを区画する区画壁部５０７ｂとなり、後の着色層形成工程において機能液滴吐出ヘッド２により着色層（成膜部）５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂを形成する際に機能液滴の着弾領域を規定する。
【００３９】
以上のブラックマトリクス形成工程およびバンク形成工程を経ることにより、上記フィルタ基体５００Ａが得られる。
なお、本実施形態においては、バンク５０３の材料として、塗膜表面が疎液（疎水）性となる樹脂材料を用いている。そして、基板（ガラス基板）５０１の表面が親液（親水）性であるので、後述する着色層形成工程においてバンク５０３（区画壁部５０７ｂ）に囲まれた各画素領域５０７ａ内への液滴の着弾位置のばらつきを自動補正できる。
【００４０】
次に、着色層形成工程（Ｓ１０３）では、図７（ｄ）に示すように、機能液滴吐出ヘッド２によって機能液滴を吐出して区画壁部５０７ｂで囲まれた各画素領域５０７ａ内に着弾させる。この場合、機能液滴吐出ヘッド２を用いて、Ｒ・Ｇ・Ｂの３色の機能液（フィルタ材料）を導入して、機能液滴の吐出を行う。なお、Ｒ・Ｇ・Ｂの３色の配列パターンとしては、ストライプ配列、モザイク配列およびデルタ配列等がある。
【００４１】
その後、乾燥処理（加熱等の処理）を経て機能液を定着させ、３色の着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂを形成する。着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂを形成したならば、保護膜形成工程（Ｓ１０４）に移り、図７（ｅ）に示すように、基板５０１、区画壁部５０７ｂ、および着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂの上面を覆うように保護膜５０９を形成する。
即ち、基板５０１の着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂが形成されている面全体に保護膜用塗布液が吐出された後、乾燥処理を経て保護膜５０９が形成される。
そして、保護膜５０９を形成した後、カラーフィルタ５００は、次工程の透明電極となるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの膜付け工程に移行する。
【００４２】
図８は、上記のカラーフィルタ５００を用いた液晶表示装置の一例としてのパッシブマトリックス型液晶装置（液晶装置）の概略構成を示す要部断面図である。この液晶装置５２０に、液晶駆動用ＩＣ、バックライト、支持体などの付帯要素を装着することによって、最終製品としての透過型液晶表示装置が得られる。なお、カラーフィルタ５００は図７に示したものと同一であるので、対応する部位には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００４３】
この液晶装置５２０は、カラーフィルタ５００、ガラス基板等からなる対向基板５２１、および、これらの間に挟持されたＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶組成物からなる液晶層５２２により概略構成されており、カラーフィルタ５００を図中上側（観測者側）に配置している。
なお、図示していないが、対向基板５２１およびカラーフィルタ５００の外面（液晶層５２２側とは反対側の面）には偏光板がそれぞれ配設され、また対向基板５２１側に位置する偏光板の外側には、バックライトが配設されている。
【００４４】
カラーフィルタ５００の保護膜５０９上（液晶層側）には、図８において左右方向に長尺な短冊状の第１電極５２３が所定の間隔で複数形成されており、この第１電極５２３のカラーフィルタ５００側とは反対側の面を覆うように第１配向膜５２４が形成されている。
一方、対向基板５２１におけるカラーフィルタ５００と対向する面には、カラーフィルタ５００の第１電極５２３と直交する方向に長尺な短冊状の第２電極５２６が所定の間隔で複数形成され、この第２電極５２６の液晶層５２２側の面を覆うように第２配向膜５２７が形成されている。これらの第１電極５２３および第２電極５２６は、ＩＴＯなどの透明導電材料により形成されている。
【００４５】
液晶層５２２内に設けられたスペーサ５２８は、液晶層５２２の厚さ（セルギャップ）を一定に保持するための部材である。また、シール材５２９は液晶層５２２内の液晶組成物が外部へ漏出するのを防止するための部材である。なお、第１電極５２３の一端部は引き回し配線５２３ａとしてシール材５２９の外側まで延在している。
そして、第１電極５２３と第２電極５２６とが交差する部分が画素であり、この画素となる部分に、カラーフィルタ５００の着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂが位置するように構成されている。
【００４６】
通常の製造工程では、カラーフィルタ５００に、第１電極５２３のパターニングおよび第１配向膜５２４の塗布を行ってカラーフィルタ５００側の部分を作成すると共に、これとは別に対向基板５２１に、第２電極５２６のパターニングおよび第２配向膜５２７の塗布を行って対向基板５２１側の部分を作成する。その後、対向基板５２１側の部分にスペーサ５２８およびシール材５２９を作り込み、この状態でカラーフィルタ５００側の部分を貼り合わせる。次いで、シール材５２９の注入口から液晶層５２２を構成する液晶を注入し、注入口を閉止する。その後、両偏光板およびバックライトを積層する。
【００４７】
実施形態の液滴吐出装置は、例えば上記のセルギャップを構成するスペーサ材料（機能液）を塗布すると共に、対向基板５２１側の部分にカラーフィルタ５００側の部分を貼り合わせる前に、シール材５２９で囲んだ領域に液晶（機能液）を均一に塗布することが可能である。また、上記のシール材５２９の印刷を、機能液滴吐出ヘッド２で行うことも可能である。さらに、第１・第２両配向膜５２４，５２７の塗布を機能液滴吐出ヘッド２で行うことも可能である。
【００４８】
図９は、本実施形態において製造したカラーフィルタ５００を用いた液晶装置の第２の例の概略構成を示す要部断面図である。
この液晶装置５３０が上記液晶装置５２０と大きく異なる点は、カラーフィルタ５００を図中下側（観測者側とは反対側）に配置した点である。
この液晶装置５３０は、カラーフィルタ５００とガラス基板等からなる対向基板５３１との間にＳＴＮ液晶からなる液晶層５３２が挟持されて概略構成されている。なお、図示していないが、対向基板５３１およびカラーフィルタ５００の外面には偏光板等がそれぞれ配設されている。
【００４９】
カラーフィルタ５００の保護膜５０９上（液晶層５３２側）には、図中奥行き方向に長尺な短冊状の第１電極５３３が所定の間隔で複数形成されており、この第１電極５３３の液晶層５３２側の面を覆うように第１配向膜５３４が形成されている。
対向基板５３１のカラーフィルタ５００と対向する面上には、カラーフィルタ５００側の第１電極５３３と直交する方向に延在する複数の短冊状の第２電極５３６が所定の間隔で形成され、この第２電極５３６の液晶層５３２側の面を覆うように第２配向膜５３７が形成されている。
【００５０】
液晶層５３２には、この液晶層５３２の厚さを一定に保持するためのスペーサ５３８と、液晶層５３２内の液晶組成物が外部へ漏出するのを防止するためのシール材５３９が設けられている。
そして、上記した液晶装置５２０と同様に、第１電極５３３と第２電極５３６との交差する部分が画素であり、この画素となる部位に、カラーフィルタ５００の着色層５０８Ｒ、５０８Ｇ、５０８Ｂが位置するように構成されている。
【００５１】
図１０は、本発明を適用したカラーフィルタ５００を用いて液晶装置を構成した第３の例を示したもので、透過型のＴＦＴ（Thin Film Transistor）型液晶装置の概略構成を示す分解斜視図である。
この液晶装置５５０は、カラーフィルタ５００を図中上側（観測者側）に配置したものである。
【００５２】
この液晶装置５５０は、カラーフィルタ５００と、これに対向するように配置された対向基板５５１と、これらの間に挟持された図示しない液晶層と、カラーフィルタ５００の上面側（観測者側）に配置された偏光板５５５と、対向基板５５１の下面側に配設された偏光板（図示せず）とにより概略構成されている。
カラーフィルタ５００の保護膜５０９の表面（対向基板５５１側の面）には液晶駆動用の電極５５６が形成されている。この電極５５６は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなり、後述の画素電極５６０が形成される領域全体を覆う全面電極となっている。また、この電極５５６の画素電極５６０とは反対側の面を覆った状態で配向膜５５７が設けられている。
【００５３】
対向基板５５１のカラーフィルタ５００と対向する面には絶縁層５５８が形成されており、この絶縁層５５８上には、走査線５６１および信号線５６２が互いに直交する状態で形成されている。そして、これらの走査線５６１と信号線５６２とに囲まれた領域内には画素電極５６０が形成されている。なお、実際の液晶装置では、画素電極５６０上に配向膜が設けられるが、図示を省略している。
【００５４】
また、画素電極５６０の切欠部と走査線５６１と信号線５６２とに囲まれた部分には、ソース電極、ドレイン電極、半導体、およびゲート電極とを具備する薄膜トランジスタ５６３が組み込まれて構成されている。そして、走査線５６１と信号線５６２に対する信号の印加によって薄膜トランジスタ５６３をオン・オフして画素電極５６０への通電制御を行うことができるように構成されている。
【００５５】
なお、上記の各例の液晶装置５２０，５３０，５５０は、透過型の構成としたが、反射層あるいは半透過反射層を設けて、反射型の液晶装置あるいは半透過反射型の液晶装置とすることもできる。
【００５６】
次に、図１１は、有機ＥＬ装置の表示領域（以下、単に表示装置６００と称する）の要部断面図である。
【００５７】
この表示装置６００は、基板（Ｗ）６０１上に、回路素子部６０２、発光素子部６０３および陰極６０４が積層された状態で概略構成されている。
この表示装置６００においては、発光素子部６０３から基板６０１側に発した光が、回路素子部６０２および基板６０１を透過して観測者側に出射されると共に、発光素子部６０３から基板６０１の反対側に発した光が陰極６０４により反射された後、回路素子部６０２および基板６０１を透過して観測者側に出射されるようになっている。
【００５８】
回路素子部６０２と基板６０１との間にはシリコン酸化膜からなる下地保護膜６０６が形成され、この下地保護膜６０６上（発光素子部６０３側）に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜６０７が形成されている。この半導体膜６０７の左右の領域には、ソース領域６０７ａおよびドレイン領域６０７ｂが高濃度陽イオン打ち込みによりそれぞれ形成されている。そして陽イオンが打ち込まれない中央部がチャネル領域６０７ｃとなっている。
【００５９】
また、回路素子部６０２には、下地保護膜６０６および半導体膜６０７を覆う透明なゲート絶縁膜６０８が形成され、このゲート絶縁膜６０８上の半導体膜６０７のチャネル領域６０７ｃに対応する位置には、例えばＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等から構成されるゲート電極６０９が形成されている。このゲート電極６０９およびゲート絶縁膜６０８上には、透明な第１層間絶縁膜６１１ａと第２層間絶縁膜６１１ｂが形成されている。また、第１、第２層間絶縁膜６１１ａ、６１１ｂを貫通して、半導体膜６０７のソース領域６０７ａ、ドレイン領域６０７ｂにそれぞれ連通するコンタクトホール６１２ａ，６１２ｂが形成されている。
【００６０】
そして、第２層間絶縁膜６１１ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極６１３が所定の形状にパターニングされて形成され、この画素電極６１３は、コンタクトホール６１２ａを通じてソース領域６０７ａに接続されている。
また、第１層間絶縁膜６１１ａ上には電源線６１４が配設されており、この電源線６１４は、コンタクトホール６１２ｂを通じてドレイン領域６０７ｂに接続されている。
【００６１】
このように、回路素子部６０２には、各画素電極６１３に接続された駆動用の薄膜トランジスタ６１５がそれぞれ形成されている。
【００６２】
上記発光素子部６０３は、複数の画素電極６１３上の各々に積層された機能層６１７と、各画素電極６１３および機能層６１７の間に備えられて各機能層６１７を区画するバンク部６１８とにより概略構成されている。
これら画素電極６１３、機能層６１７、および、機能層６１７上に配設された陰極６０４によって発光素子が構成されている。なお、画素電極６１３は、平面視略矩形状にパターニングされて形成されており、各画素電極６１３の間にバンク部６１８が形成されている。
【００６３】
バンク部６１８は、例えばＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の無機材料により形成される無機物バンク層６１８ａ（第１バンク層）と、この無機物バンク層６１８ａ上に積層され、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れたレジストにより形成される断面台形状の有機物バンク層６１８ｂ（第２バンク層）とにより構成されている。このバンク部６１８の一部は、画素電極６１３の周縁部上に乗上げた状態で形成されている。
そして、各バンク部６１８の間には、画素電極６１３に対して上方に向けて次第に拡開した開口部６１９が形成されている。
【００６４】
上記機能層６１７は、開口部６１９内において画素電極６１３上に積層状態で形成された正孔注入／輸送層６１７ａと、この正孔注入／輸送層６１７ａ上に形成された発光層６１７ｂとにより構成されている。なお、この発光層６１７ｂに隣接してその他の機能を有する他の機能層をさらに形成しても良い。例えば、電子輸送層を形成することも可能である。
正孔注入／輸送層６１７ａは、画素電極６１３側から正孔を輸送して発光層６１７ｂに注入する機能を有する。この正孔注入／輸送層６１７ａは、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（機能液）を吐出することで形成される。正孔注入／輸送層形成材料としては、公知の材料を用いる。
【００６５】
発光層６１７ｂは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）のいずれかに発光するもので、発光層形成材料（発光材料）を含む第２組成物（機能液）を吐出することで形成される。第２組成物の溶媒（非極性溶媒）としては、正孔注入／輸送層６１７ａに対して不溶な公知の材料を用いることが好ましく、このような非極性溶媒を発光層６１７ｂの第２組成物に用いることにより、正孔注入／輸送層６１７ａを再溶解させることなく発光層６１７ｂを形成することができる。
【００６６】
そして、発光層６１７ｂでは、正孔注入／輸送層６１７ａから注入された正孔と、陰極６０４から注入される電子が発光層で再結合して発光するように構成されている。
【００６７】
陰極６０４は、発光素子部６０３の全面を覆う状態で形成されており、画素電極６１３と対になって機能層６１７に電流を流す役割を果たす。なお、この陰極６０４の上部には図示しない封止部材が配置される。
【００６８】
次に、上記の表示装置６００の製造工程を図１２〜図２０を参照して説明する。
この表示装置６００は、図１２に示すように、バンク部形成工程（Ｓ１１１）、表面処理工程（Ｓ１１２）、正孔注入／輸送層形成工程（Ｓ１１３）、発光層形成工程（Ｓ１１４）、および対向電極形成工程（Ｓ１１５）を経て製造される。なお、製造工程は例示するものに限られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。
【００６９】
まず、バンク部形成工程（Ｓ１１１）では、図１３に示すように、第２層間絶縁膜６１１ｂ上に無機物バンク層６１８ａを形成する。この無機物バンク層６１８ａは、形成位置に無機物膜を形成した後、この無機物膜をフォトリソグラフィ技術等によりパターニングすることにより形成される。このとき、無機物バンク層６１８ａの一部は画素電極６１３の周縁部と重なるように形成される。
無機物バンク層６１８ａを形成したならば、図１４に示すように、無機物バンク層６１８ａ上に有機物バンク層６１８ｂを形成する。この有機物バンク層６１８ｂも無機物バンク層６１８ａと同様にフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。
このようにしてバンク部６１８が形成される。また、これに伴い、各バンク部６１８間には、画素電極６１３に対して上方に開口した開口部６１９が形成される。この開口部６１９は、画素領域を規定する。
【００７０】
表面処理工程（Ｓ１１２）では、親液化処理および撥液化処理が行われる。親液化処理を施す領域は、無機物バンク層６１８ａの第１積層部６１８ａａおよび画素電極６１３の電極面６１３ａであり、これらの領域は、例えば酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理される。このプラズマ処理は、画素電極６１３であるＩＴＯの洗浄等も兼ねている。
また、撥液化処理は、有機物バンク層６１８ｂの壁面６１８ｓおよび有機物バンク層６１８ｂの上面６１８ｔに施され、例えば四フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）される。
この表面処理工程を行うことにより、機能液滴吐出ヘッド２を用いて機能層６１７を形成する際に、機能液滴を画素領域に、より確実に着弾させることができ、また、画素領域に着弾した機能液滴が開口部６１９から溢れ出るのを防止することが可能となる。
【００７１】
そして、以上の工程を経ることにより、表示装置基体６００Ａが得られる。この表示装置基体６００Ａは、液滴吐出装置のセットテーブルに載置され、以下の正孔注入／輸送層形成工程（Ｓ１１３）および発光層形成工程（Ｓ１１４）が行われる。
【００７２】
図１５に示すように、正孔注入／輸送層形成工程（Ｓ１１３）では、機能液滴吐出ヘッド２から正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を画素領域である各開口部６１９内に吐出する。その後、図１６に示すように、乾燥処理および熱処理を行い、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、画素電極（電極面６１３ａ）６１３上に正孔注入／輸送層６１７ａを形成する。
【００７３】
次に発光層形成工程（Ｓ１１４）について説明する。この発光層形成工程では、上述したように、正孔注入／輸送層６１７ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる第２組成物の溶媒として、正孔注入／輸送層６１７ａに対して不溶な非極性溶媒を用いる。
しかしその一方で、正孔注入／輸送層６１７ａは、非極性溶媒に対する親和性が低いため、非極性溶媒を含む第２組成物を正孔注入／輸送層６１７ａ上に吐出しても、正孔注入／輸送層６１７ａと発光層６１７ｂとを密着させることができなくなるか、あるいは発光層６１７ｂを均一に塗布できない虞がある。
そこで、非極性溶媒並びに発光層形成材料に対する正孔注入／輸送層６１７ａの表面の親和性を高めるために、発光層形成の前に表面処理（表面改質処理）を行うことが好ましい。この表面処理は、発光層形成の際に用いる第２組成物の非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒である表面改質材を、正孔注入／輸送層６１７ａ上に塗布し、これを乾燥させることにより行う。
このような処理を施すことで、正孔注入／輸送層６１７ａの表面が非極性溶媒になじみやすくなり、この後の工程で、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層６１７ａに均一に塗布することができる。
【００７４】
そして次に、図１７に示すように、各色のうちのいずれか（図１７の例では青色（Ｂ））に対応する発光層形成材料を含有する第２組成物を機能液滴として画素領域（開口部６１９）内に所定量打ち込む。画素領域内に打ち込まれた第２組成物は、正孔注入／輸送層６１７ａ上に広がって開口部６１９内に満たされる。なお、万一、第２組成物が画素領域から外れてバンク部６１８の上面６１８ｔ上に着弾した場合でも、この上面６１８ｔは、上述したように撥液処理が施されているので、第２組成物が開口部６１９内に転がり込み易くなっている。
【００７５】
その後、乾燥工程等を行うことにより、吐出後の第２組成物を乾燥処理し、第２組成物に含まれる非極性溶媒を蒸発させ、図１８に示すように、正孔注入／輸送層６１７ａ上に発光層６１７ｂが形成される。この図の場合、青色（Ｂ）に対応する発光層６１７ｂが形成されている。
【００７６】
同様に、機能液滴吐出ヘッド２を用い、図１９に示すように、上記した青色（Ｂ）に対応する発光層６１７ｂの場合と同様の工程を順次行い、他の色（赤色（Ｒ）および緑色（Ｇ））に対応する発光層６１７ｂを形成する。なお、発光層６１７ｂの形成順序は、例示した順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決めることも可能である。また、Ｒ・Ｇ・Ｂの３色の配列パターンとしては、ストライプ配列、モザイク配列およびデルタ配列等がある。
【００７７】
以上のようにして、画素電極６１３上に機能層６１７、即ち、正孔注入／輸送層６１７ａおよび発光層６１７ｂが形成される。そして、対向電極形成工程（Ｓ１１５）に移行する。
【００７８】
対向電極形成工程（Ｓ１１５）では、図２０に示すように、発光層６１７ｂおよび有機物バンク層６１８ｂの全面に陰極６０４（対向電極）を、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等によって形成する。この陰極６０４は、本実施形態においては、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。
この陰極６０４の上部には、電極としてのＡｌ膜、Ａｇ膜や、その酸化防止のためのＳｉＯ2、ＳｉＮ等の保護層が適宜設けられる。
【００７９】
このようにして陰極６０４を形成した後、この陰極６０４の上部を封止部材により封止する封止処理や配線処理等のその他処理等を施すことにより、表示装置６００が得られる。
【００８０】
次に、図２１は、プラズマ型表示装置（ＰＤＰ装置：以下、単に表示装置７００と称する）の要部分解斜視図である。なお、同図では表示装置７００を、その一部を切り欠いた状態で示してある。
この表示装置７００は、互いに対向して配置された第１基板７０１、第２基板７０２、およびこれらの間に形成される放電表示部７０３を含んで概略構成される。放電表示部７０３は、複数の放電室７０５により構成されている。これらの複数の放電室７０５のうち、赤色放電室７０５Ｒ、緑色放電室７０５Ｇ、青色放電室７０５Ｂの３つの放電室７０５が組になって１つの画素を構成するように配置されている。
【００８１】
第１基板７０１の上面には所定の間隔で縞状にアドレス電極７０６が形成され、このアドレス電極７０６と第１基板７０１の上面とを覆うように誘電体層７０７が形成されている。誘電体層７０７上には、各アドレス電極７０６の間に位置し、且つ各アドレス電極７０６に沿うように隔壁７０８が立設されている。この隔壁７０８は、図示するようにアドレス電極７０６の幅方向両側に延在するものと、アドレス電極７０６と直交する方向に延設された図示しないものを含む。
そして、この隔壁７０８によって仕切られた領域が放電室７０５となっている。
【００８２】
放電室７０５内には蛍光体７０９が配置されている。蛍光体７０９は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの色の蛍光を発光するもので、赤色放電室７０５Ｒの底部には赤色蛍光体７０９Ｒが、緑色放電室７０５Ｇの底部には緑色蛍光体７０９Ｇが、青色放電室７０５Ｂの底部には青色蛍光体７０９Ｂが各々配置されている。
【００８３】
第２基板７０２の図中下側の面には、上記アドレス電極７０６と直交する方向に複数の表示電極７１１が所定の間隔で縞状に形成されている。そして、これらを覆うように誘電体層７１２、およびＭｇＯなどからなる保護膜７１３が形成されている。
第１基板７０１と第２基板７０２とは、アドレス電極７０６と表示電極７１１が互いに直交する状態で対向させて貼り合わされている。なお、上記アドレス電極７０６と表示電極７１１は図示しない交流電源に接続されている。
そして、各電極７０６，７１１に通電することにより、放電表示部７０３において蛍光体７０９が励起発光し、カラー表示が可能となる。
【００８４】
本実施形態においては、上記アドレス電極７０６、表示電極７１１、および蛍光体７０９を、液滴吐出装置を用いて形成することができる。以下、第１基板７０１におけるアドレス電極７０６の形成工程を例示する。
この場合、第１基板７０１を液滴吐出装置のセットテーブルに載置された状態で以下の工程が行われる。
まず、機能液滴吐出ヘッド２により、導電膜配線形成用材料を含有する液体材料（機能液）を機能液滴としてアドレス電極形成領域に着弾させる。この液体材料は、導電膜配線形成用材料として、金属等の導電性微粒子を分散媒に分散したものである。この導電性微粒子としては、金、銀、銅、パラジウム、またはニッケル等を含有する金属微粒子や、導電性ポリマー等が用いられる。
【００８５】
補充対象となるすべてのアドレス電極形成領域について液体材料の補充が終了したならば、吐出後の液体材料を乾燥処理し、液体材料に含まれる分散媒を蒸発させることによりアドレス電極７０６が形成される。
【００８６】
ところで、上記においてはアドレス電極７０６の形成を例示したが、上記表示電極７１１および蛍光体７０９についても上記各工程を経ることにより形成することができる。
表示電極７１１の形成の場合、アドレス電極７０６の場合と同様に、導電膜配線形成用材料を含有する液体材料（機能液）を機能液滴として表示電極形成領域に着弾させる。
また、蛍光体７０９の形成の場合には、各色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）に対応する蛍光材料を含んだ液体材料（機能液）を機能液滴吐出ヘッド２から液滴として吐出し、対応する色の放電室７０５内に着弾させる。
【００８７】
次に、図２２は、電子放出装置（ＦＥＤ装置あるいはＳＥＤ装置ともいう：以下、単に表示装置８００と称する）の要部断面図である。なお、同図では表示装置８００を、その一部を断面として示してある。
この表示装置８００は、互いに対向して配置された第１基板８０１、第２基板８０２、およびこれらの間に形成される電界放出表示部８０３を含んで概略構成される。電界放出表示部８０３は、マトリクス状に配置した複数の電子放出部８０５により構成されている。
【００８８】
第１基板８０１の上面には、カソード電極８０６を構成する第１素子電極８０６ａおよび第２素子電極８０６ｂが相互に直交するように形成されている。また、第１素子電極８０６ａおよび第２素子電極８０６ｂで仕切られた部分には、ギャップ８０８を形成した導電性膜８０７が形成されている。すなわち、第１素子電極８０６ａ、第２素子電極８０６ｂおよび導電性膜８０７により複数の電子放出部８０５が構成されている。導電性膜８０７は、例えば酸化パラジウム（ＰｄＯ）等で構成され、またギャップ８０８は、導電性膜８０７を成膜した後、フォーミング等で形成される。
【００８９】
第２基板８０２の下面には、カソード電極８０６に対峙するアノード電極８０９が形成されている。アノード電極８０９の下面には、格子状のバンク部８１１が形成され、このバンク部８１１で囲まれた下向きの各開口部８１２に、電子放出部８０５に対応するように蛍光体８１３が配置されている。蛍光体８１３は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの色の蛍光を発光するもので、各開口部８１２には、赤色蛍光体８１３Ｒ、緑色蛍光体８１３Ｇおよび青色蛍光体８１３Ｂが、上記した所定のパターンで配置されている。
【００９０】
そして、このように構成した第１基板８０１と第２基板８０２とは、微小な間隙を存して貼り合わされている。この表示装置８００では、導電性膜（ギャップ８０８）８０７を介して、陰極である第１素子電極８０６ａまたは第２素子電極８０６ｂから飛び出す電子を、陽極であるアノード電極８０９に形成した蛍光体８１３に当てて励起発光し、カラー表示が可能となる。
【００９１】
この場合も、他の実施形態と同様に、第１素子電極８０６ａ、第２素子電極８０６ｂ、導電性膜８０７およびアノード電極８０９を、液滴吐出装置を用いて形成することができると共に、各色の蛍光体８１３Ｒ，８１３Ｇ，８１３Ｂを、液滴吐出装置を用いて形成することができる。
【００９２】
第１素子電極８０６ａ、第２素子電極８０６ｂおよび導電性膜８０７は、図２３（ａ）に示す平面形状を有しており、これらを成膜する場合には、図２３（ｂ）に示すように、予め第１素子電極８０６ａ、第２素子電極８０６ｂおよび導電性膜８０７を作り込む部分を残して、バンク部ＢＢを形成（フォトリソグラフィ法）する。次に、バンク部ＢＢにより構成された溝部分に、第１素子電極８０６ａおよび第２素子電極８０６ｂを形成（液滴吐出装置によるインクジェット法）し、その溶剤を乾燥させて成膜を行った後、導電性膜８０７を形成（液滴吐出装置によるインクジェット法）する。そして、導電性膜８０７を成膜後、バンク部ＢＢを取り除き（アッシング剥離処理）、上記のフォーミング処理に移行する。なお、上記の有機ＥＬ装置の場合と同様に、第１基板８０１および第２基板８０２に対する親液化処理や、バンク部８１１，ＢＢに対する撥液化処理を行うことが、好ましい。
【００９３】
また、他の電気光学装置としては、金属配線形成、レンズ形成、レジスト形成および光拡散体形成等の装置が考えられる。上記した液滴吐出装置を各種の電気光学装置（デバイス）の製造に用いることにより、各種の電気光学装置を効率的に製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】（ａ）は、本実施形態に係る画素内機能液の形態測定装置における検査対象物であるカラーフィルタの外観斜視図であり、（ｂ）は、カラーフィルタのＡ−Ａ’断面図である。
【図２】本実施形態に係る画素内機能液の形態測定装置の模式図である。
【図３】制御コンピュータの機能ブロック図である。
【図４】本実施形態に係る画素内機能液の形態測定方法における一連の動作を説明する説明図である。
【図５】第２実施形態に係る画素内機能液の形態測定方法における一連の動作を説明する説明図である。
【図６】カラーフィルタ製造工程を説明するフローチャートである。
【図７】（ａ）〜（ｅ）は、製造工程順に示したカラーフィルタの模式断面図である。
【図８】本発明を適用したカラーフィルタを用いた液晶装置の概略構成を示す要部断面図である。
【図９】本発明を適用したカラーフィルタを用いた第２の例の液晶装置の概略構成を示す要部断面図である。
【図１０】本発明を適用したカラーフィルタを用いた第３の例の液晶装置の概略構成を示す要部断面図である。
【図１１】有機ＥＬ装置である表示装置の要部断面図である。
【図１２】有機ＥＬ装置である表示装置の製造工程を説明するフローチャートである。
【図１３】無機物バンク層の形成を説明する工程図である。
【図１４】有機物バンク層の形成を説明する工程図である。
【図１５】正孔注入／輸送層を形成する過程を説明する工程図である。
【図１６】正孔注入／輸送層が形成された状態を説明する工程図である。
【図１７】青色の発光層を形成する過程を説明する工程図である。
【図１８】青色の発光層が形成された状態を説明する工程図である。
【図１９】各色の発光層が形成された状態を説明する工程図である。
【図２０】陰極の形成を説明する工程図である。
【図２１】プラズマ型表示装置（ＰＤＰ装置）である表示装置の要部分解斜視図である。
【図２２】電子放出装置（ＦＥＤ装置）である表示装置の要部断面図である。
【図２３】表示装置の電子放出部廻りの平面図（ａ）およびその形成方法を示す平面図（ｂ）である。
【符号の説明】
【００９５】
２…機能液滴吐出ヘッド  ６…バンク  ７…画素領域  １０…形態測定装置  １１…白色干渉計  ３１…計測パラメータ生成部  ３２…バンク高さ加算部  ３３…形態算出部  Ｐ…計測パラメータ  ＢＰ…バンクパラメータ  ＫＰ…機能液パラメータ  ＨＰ…高さパラメータ  Ｗ…基板  Ｈ…バンク高さ  Ｋ…画素内機能液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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