(57)【要約】【課題】寄生的電気容量が釣り合ったCPP読取ヘッド構造を提供する。【解決手段】CPP読取ヘッド構造は、MR読取ヘッド100が基板上で第１と第２のシールド（S1、S2）の間に配置されており、シャント抵抗R1がS1を基板に接続し、シャント抵抗R2がS2を基板に接続している。R1とR2の値がほぼ等しいので、低周波数領域で重大な干渉ピックアップは起きない。これらのシャント抵抗は高抵抗性金属窒化物あるいは陶性合金で形成することができる。基板とS1との間のスペースdをS1と基板の間の電気容量とS2と基板の間の電気容量をほぼ等しくして、高周波数領域内での干渉ピックアップをかなり低減することができる。等化コンダクタ(EC1、EC2)は電気絶縁性素材によって基板に接続し、S2及びS1からそれぞれ切り離して、追加的な電気容量をつくりだし、S2上の総電気容量をS1上の総電気容量とほぼ等しくするように、それらの値を設定する。【選択図】図８
2008112562.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜面に垂直に電流を流す読取ヘッド構造において、
基板と、
前記基板上に配置された磁気透過性素材による第１のシールドS１と、
磁気透過性素材による第２のシールドS2であって、第２のシールドS2と前記基板との間に前記第1のシールドS1が配置されている第２のシールドS２と、
前記第1及び第２のシールドの間にそれらと接触した状態で配置されている磁気抵抗読取ヘッドと、
前記第1のシールドを前記基板に接続している第1のシャント抵抗と、
前記第２のシールドを前記基板に接続している第２のシャント抵抗と、
を有し、前記第1及び第２のシャント抵抗の電気抵抗がほぼ等しいことを特徴とする膜面に垂直に電流を流す読取ヘッド構造。
【請求項２】
前記SIと前記基板との間の電気容量がC1によって示され、前記S2と前記基板との間の電気容量がC2で示され、そして、前記基板と前記SIとの間の間隔が、前記C1とC2とがほぼ等しくなるように選択されることを特徴とする請求項1に記載の構造。
【請求項３】
前記基板に電気的に接続され、電気絶縁性素材によって前記S2から隔てられている第1の等化コンダクタEC1をさらに備え、該EC1とS2との間の電位容量がC4で示され、該C4が前記S2上の総寄生電気容量を前記S1上の総寄生電気容量とほぼ等しくする値を有していることを特徴とする、請求項１に記載の構造。
【請求項４】
前記基板に電気的に接続され、電気絶縁性素材によって前記S1から隔てられている第2の等化コンダクタEC2をさらに備え、該EC2と前記S1との間の電位容量がC5で示され、前記C4及びC5が前記S2上の総寄生電気容量を前記S1上の総寄生電気容量とほぼ等しくする値を有していることを特徴とする、請求項３に記載の構造。
【請求項５】
前記第１及び第２のシャント抵抗が金属窒化物及び金属と不混和性酸化物で構成される多相素材で構成される群から選択される素材で形成されていることを特徴とする、請求項１記載の構造。
【請求項６】
前記第１及び第２のシャント抵抗が不混和性酸化ケイ素で構成される多相素材で形成されていることを特徴とする請求項５に記載の構造。
【請求項７】
膜面に垂直に電流を流す読取ヘッド構造において、
基板と、
前記基板上に配置された磁気透過性素材による第１のシールドS１と、
磁気透過性素材による第２のシールドS２であって、第２のシールドS2と前記基板との間に前記第1のシールドSIが配置されている第２のシールドS２と、
前記第1及び第２のシールドの間にそれらと接触した状態で配置されている磁気抵抗読取ヘッドと、
前記S1を前記基板に接続している第1のシャント抵抗と、
前記S2を前記基板に接続している第２のシャント抵抗と、
前記基板に電気的に接続され電気的絶縁性素材によって前記S2から隔てられている第1の等化コンダクタEC1と、を有し、該EC1と前記S2との間の電気容量がC4で示され、該C4が前記S2上の総寄生電気容量を前記S1上の総寄生電気容量とほぼ等しくする値を有していることを特徴とする、膜面に垂直に電流を流す読取ヘッド構造。
【請求項８】
前記基板に接続され、電気絶縁性素材によって前記S1から隔てられている第２の等化コンダクタEC2をさらに備え、該EC2と前記S1との間の電気容量がC5で示され、前記C4及びC5が前記S2上の総寄生電気容量を前記S1上の総寄生電気容量とほぼ等しくする値を有していることを特徴とする、請求項７に記載の構造。
【請求項９】
前記第１及び第２のシャント抵抗が金属窒化物及び金属と不混和性酸化物で構成される多相素材で構成される群から選択される素材で形成されていることを特徴とする、請求項７に記載の構造。
【請求項１０】
前記第１及び第２のシャント抵抗が不混和性酸化ケイ素で形成されていることを特徴とする請求項９に記載の構造。
【請求項１１】
膜面に垂直に電流を流す（CPP）読取ヘッド構造において、
基板と、
前記基板上に配置された磁気透過性素材による第１のシールドS１と、
磁気透過性素材による第２のシールドS2であって、第２のシールドS2と前記基板との間に前記第1のシールドSIが配置されている第２のシールドS２と、
前記第1及び第２のシールドの間にそれらと接触した状態で配置されている磁気抵抗（MR）読取ヘッドと、
前記第1のシールドを前記基板に接続しており、金属窒化物及び金属と不混和性酸化物で構成される多相素材によって構成される群から選択される素材で形成される第1のシャント抵抗と、
前記第２のシールドを前記基板に接続しており、金属窒化物及び金属と不混和性酸化物で構成される多相素材によって構成される群から選択される素材で形成される第２のシャント抵抗と、
を有し、前記第1及び第２のシャント抵抗の電気抵抗がほぼ等しいことを特徴とする膜面に垂直に電流を流す読取ヘッド構造。
【請求項１２】
前記第１及び第２のシャント抵抗が不混和性酸化ケイ素で構成される多相素材で形成されていることを特徴とする、請求項１１に記載の構造。
【請求項１３】
前記S1と前記基板との間の電気容量がC1で示され、前記S2と前記基板との間の電気容量がC2で示され、そして、前記基板と前記S1との間の間隔が、前記Ｃ１とC2とがほぼ等しくなるように選択されることを特徴とする、請求項１１に記載の構造。
【請求項１４】
前記基板に電気的に接続され、電気絶縁性素材によって前記S2から隔てられている第1の等化コンダクタEC1をさらに備え、該EC1と前記S2 との間の電気容量がC4によって示され、該C4が前記S2上の総寄生電気容量を前記S1上の総寄生電気容量とほぼ等しくする値を有していることを特徴とする、請求項１１に記載の構造。
【請求項１５】
前記基板に電気的に接続され、電気絶縁性素材によって前記S1から隔てられている第２の等化コンダクタEC2をさらに備え、該EC２と前記S１ との間の電気容量がC５によって示され、前記C4とC5が前記S2上の総寄生電気容量を前記S1上の総寄生電気容量とほぼ等しくする値を有していることを特徴とする、請求項１４に記載の構造。
【請求項１６】
前記MR読取ヘッドがスピン・バルブ読取ヘッドであることを特徴とする、請求項１１に記載の構造。
【請求項１７】
前記MR読取ヘッドがトンネリングMR読取ヘッドであることを特徴とする、請求項１１に記載の構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はセンサ・スタックを構成する層の平面に対して垂直に向けられたセンス電流で作動する膜面に垂直に電流を流す(CPP)磁気抵抗センサに関するものであり、より具体的には電気的干渉を減らすためのインピーダンス調整機能を有するCCPセンサーに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
読取ヘッドとして従来磁気記録ディスク・ドライブで用いられている磁気抵抗センサの１つのタイプは『スピン−バルブ』(SV)センサである。SV磁気抵抗(MR)センサーは通常は銅であるところの非磁性導電性スペーサ層によって隔てられた２つの強磁性層を含む層の積層（スタック）を有している。１つの強磁性層は、例えば交換カップリングによって隣接反強磁性層に固定するなどの方法でその磁化方向が固定されており、他方の強磁性層はその磁化方向が外部磁場の存在下で『自由』に回転できるようになっている。センサにセンス電流が流されると、固定された層の磁化方向に対する前記自由な層の磁化方向の回転が電気抵抗の変化として検出できるようになっている。
【０００３】
磁気記録ディスク・ドライブSV読取センサあるいはセンサにおいては、固定即ちピン止めされた層の磁化は全体的にはディスク平面に対して垂直であり、自由な層の磁化は、外部磁場が存在しない場合に、全体としてディスクの平面に対して平行である。ディスク上に記録されたデータからの外部磁場に曝されると、自由な層の磁化方向が回転して、電気抵抗に変化を起こさせる。SVを通じて流れる電流がセンサ・スタック内の層の平面に対して平行に向けられていると、前記センサーが平面内(CIP)センサと呼ばれ、センサ電流がセンサ・スタック内の層の平面に対して垂直方向に向けられていると、それは膜面垂直電流（CPP）センサと呼ばれる。CPP-SV読取ヘッドは非特許文献１に記載されている。別のタイプのCPPセンサは磁気トンネル結合(MTJ)センサで、その非磁性スペーサ層は非常に薄い非磁性トンネル・バリア層となっている。MTJセンサでは、前記層を通じて垂直方向に流れるトンネル電流は２つの強磁性層の磁化方向の相対的な向きに依存している。トンネリングMR(TMR)読取ヘッドとも呼ばれるMTJ MR読取ヘッドでは、スペーサ層がTiO2、MgOあるいはAl2O3などの電気絶縁性素材で形成されているが、CPP-SV MR読取ヘッドでは、スペーサ層はCuなどの導電性素材で形成される。
【０００４】
【非特許文献１】A.Tanaka 他「超高密度記録用の平面垂直電流モードでのスピン−バルブ・ヘッド」（IEEE TDANSACTIONS ON MAGNETICS, 38(1):84-88 Part 1 JAN 2002）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
磁気記録ディスク・ドライブでは、CPP読取ヘッド構造が相互接続対を形成する２つのコンダクタによって差動プレアンプに接続されている。この相互接続対に寄生的な電気容量が不均等に分布していると、共通モードの電気的干渉が差動モード干渉に送られて読取データ信号に付加される。しかしながら、寄生的電気容量が前記相互接続対間で釣り合っていると、共通モードの電気的干渉が共通モードのままであって、これは差動プレアンプで拒絶することができる。
必要なのは、寄生的電気容量が釣り合ったCPP読取ヘッド構造である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は寄生的電気容量が釣り合ったCPP読取ヘッド構造である。MR読取ヘッドは基板上で第１と第２のシールド(S1、S2)間に配置されており、シャント抵抗R1はS1を前記基板に接続しており、シャント抵抗R2はS2を基板に接続し、そしてR1とR2はほぼ等しくなっている。S1と基板との間の電気容量をC1で示し、S2と基板との間の電気容量はC2で示すことができる。R1とR2は値が十分に近いので、低周波数領域では重大な干渉ピックアップは起こらない。前記シャント抵抗は高抵抗金属窒化物あるいは陶性合金（セラミックと金属性素材の複合物）で形成することができ、使用可能な陶性合金としては金属と不混和性酸化物（例えば、Pt-SiO及びCr-SiO）、及びＴａＮなどの金属窒化物で構成される多相物質などがある。
【０００７】
前記構造の１つの実施の形態で、前記基板とS1との間のスペースは、高周波数領域で干渉ピックアップを相当程度減少させるようにC1がC2とほぼ等しくなるように設定される。
【０００８】
この構造の別の実施の形態では、第1の等化コンダクタEC1は基板に接続され、S2からは電気絶縁性素材で切り離されており、EC1とS2との間の電気容量はC4で示す。C4の値はS2上の総寄生電気容量がS1上の総寄生電気容量とほぼ等しくなるように設定される。第２の等化コンダクタEC2は基板に接続され、S1からは電気絶縁性素材で切り離されており、EC2とS1との間の電気容量はC5で示す。この場合、C4とC5の値はS2上の総寄生電気容量がS1上の総寄生電気容量とほぼ等しくなるように設定される。
【０００９】
本発明の性質と利点をさらに十分に理解してもらえるように、以下の図面と共に詳細な説明を参照していただきたい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、寄生的電気容量が釣り合ったCPP読取ヘッド構造を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明のCPPセンサは、磁気記録ディスク・ドライブの磁気抵抗読取ヘッドとして利用することができる。その作動の形態を、図１〜３を参照して簡略に示す。図１は、従来式の磁気記録ハードディスク・ドライブの構成図である。このディスク・ドライブは、磁気記録ディスク12、及びディスク・ドライブのハウジング又はベース16上で支持される回転式ボイスコイルモータ（VCM）アクチュエータ14を含んでいる。このディスク12は回転の中心13を有し、ベース16上に搭載されたスピンドルモータ（図示せず）によって、15の方向に回転する。このアクチュエータ14は軸17を中心に旋回し、また剛性アクチュエータアーム18を含む。可撓性サスペンション20はフレクシャ素子23を含み、アーム18の端部に取り付けられる。ヘッド・キャリア又は空気ベアリング・スライダ22は、このフレクシャ23に取り付けられる。磁気読取／書込ヘッド24は、スライダ22のトレーリング面25上に形成される。このフレクシャ23及びサスペンション20によって、スライダが、ディスク12の回転によって発生する空気ベアリング上で、“垂直”および“水平方向”に揺動することが可能となる。通常、スピンドルモータによって回転する１つのハブ上に複数のディスクが積み重ねられ、各ディスク面に別個のスライダ及び読取／書込ヘッドが備えられる。
【００１２】
図２は、図１の２‐２の方向から見た、スライダ22及びディスク12の一部分の拡大端面図である。スライダ22はフレクシャ23に取り付けられ、そしてディスク12に対向する空気ベアリング面（ABS）27、及びこのABSに対してほぼ垂直なトレーリング面25を有する。このABS27は、回転ディスク12による空気流から空気のベアリングを発生させ、この空気ベアリングによって、回転ディスク12の表面に極めて近接、又はほぼ接触した状態にあるスライダ22が支持される。読取／書込ヘッド24は、トレーリング面25上に形成され、またトレーリング面25上の端子パッド29への電気的接続によって、ディスク・ドライブの読取／書込エレクトロニクスへと接続される。
【００１３】
図３は、図２の３‐３の方向から見た図であり、ディスク12から見た読取／書込ヘッド24の端面を示す。読取／書込ヘッド24は、スライダ22のトレーリング面25上に堆積され、またリソグラフパターニングされた一連の薄膜である。スライダ本体（SB）は、通常、アルミナ／炭化チタン（A12O3/TiC）複合体などのセラミック材である。書込ヘッドは、書込ギャップ30によって分離される磁気書込ポールP２及びP１を含む。CPP-SV磁気抵抗センサー又は読取ヘッド100は、２つの磁気シールドS１及びS２間に配置される。このシールドS１及びS２は、透磁性材、通常電気めっきNiFe合金膜によって形成され、導電性であるので、読取ヘッド100への電気リードとして機能することができる。また別々の電気リードを使用することもでき、この場合読取ヘッド100は、シールドS１、S２と接触した、タンタル、金または銅などの導電性リード材の層と接触して形成される。読取ヘッド100は、２つの磁気シールド層S１及びS２間に形成される積層によって構成される。下側のシールドS１は、積層の増大にとって必要な平滑な基板を得るため、通常、化学機械的研磨（CMP）によって研磨される。読取ヘッド100の層の構造は周知の事項であって、この構造には、通常、磁気モーメントの固定した、又は磁化の向きが中心軸に直交する方向（ページ方向）である基準強磁性層と、ディスク12からの、中心軸に直交する外部磁界に応じて層の膜面で回転する、磁気モーメント又は磁化方向を有する自由強磁性層と、そしてこれら基準層及び自由層間のスペーサ層とが含まれる。CPP-SV読取ヘッドにおいて、スペーサは導電性を有しており、一方MTJタイプのCPP読取ヘッドにおいて、スペーサ層は電気的絶縁性を有している。シールドS１及びS２間の領域40、及びP２及び書込ギャップ30を囲む領域42などにおいて、読取／書込ヘッド24を全体的に囲む材料は、絶縁材、通常アルミナである。
【００１４】
図４は読取ヘッド100とシールドS1、Ｓ２を有する一般的なCPP読取ヘッド構造の図であり、寄生的電気容量要素を示している。製造工程に特有な結果から、この構造は基準線A-Aに対して固有の非対称性を有している。この非対称性によって、ＳＢからＳ１とＳＢからＳ２までの不均等な容量値を生成する。CPP読取ヘッドでは、相互接続システム内で不均等に分布された電気容量は、共通モード電気干渉が差動モード干渉に伝えられて、読取データ信号に加えられ、ディスク・ドライブ読取／書込み集積回路(IC)内で差動プレアンプを用いて拒絶することが不可能である。しかしながら、その電気容量の釣り合いが取れていると、共通モード電気干渉は共通モード干渉のままで、差動プレアンプで簡単に拒絶することができる。
【００１５】
これらのシールドの総電気容量は以下の式で示される。
シールド１総電気容量(C1T): C1T=C1+C2C3/(C2+C3)          (１)
シールド２総電気容量(C2T): C2T=C2+C1C3/(C1+C3)          (２)
前記の寄生電気容量要素に加えて、各シールドをスライダ本体(SB)に接続する抵抗性要素が存在する可能性がある。従って、この構造の干渉結合には低周波数(LF)領域と高周波数(HF)領域の２つの周波数領域が存在する。
【００１６】
本発明によるインピーダンス調整CPP読取ヘッドでは、LF及びHF領域のインピーダンス・レベルを等化することで、干渉が低減される。LF領域の場合、R1とR2をそれぞれS1とS2に接続するシャント抵抗が用いられる。図５はこれらのシャント抵抗接続を示す図である。抵抗値R1とR2はほぼ等しく設定され、R1とR2の通常の値は約10から約100ＫΩの範囲である。R1とR2の電気抵抗は値が十分に近いので、LF領域で重大な干渉ピックアップは起こらない。
【００１７】
HF等化の場合、インピーダンス調整CPP読取ヘッドは寄生的電気容量を減少させ等化することによって干渉を低減する。これを達成するためには、以下の３つの方法がある。
１）  図６に示すように、寄生的電気容量C1をできるだけ低減する。
２）  図７に示すように、S2の近くで、あるいはそれに取り付けて導電性構造を導入し、あるいは用いて、寄生的電気容量C1T及びC2Tを増大及び／又は等化させる。そして
３）  図８に示すように、S1及びS2の近くで導電性構造を導入し、あるいは用いて、寄生的電気容量C1T及びC2Tを増大及び／又は等化させる。
【００１８】
これら２つのコンダクタ間の電気容量は以下の式３で決められる。
C=Aε/d                              （３）
この式で、Ａは２つのコンダクタ間の断面積、ｄは前記２つのコンダクタ間の距離、そしてεはこれら２つのコンダクタ間の素材の誘電率を、それぞれ示す。
式３から、図６で距離dを増大させると、電気容量C1とC2がほぼ等しくなり、それによって、C1TとC2T（式１と2）がほぼ等しくなる。電気容量C1とC2は十分に値が近いので、HF領域で重大な干渉ピックアップは起きない。
【００１９】
図７で、シールドS2近くの等化コンダクタ（EC1）が電気容量C4を加えることで各シールドに対する総電気容量を修正する。EC1は、例えば、その構造上に適切な断面積と厚みを有する銅あるいはその他の導電性素材の層をパターン形成することで、付加することができる。EC1の機能は書込ヘッド用に用いられるコンダクタなどの隣接するコンダクタによっても行うことができる。電気容量C4を加えた場合、式１と式２は以下の式に変更される。
シールド１総電気容量(C1T): C1T=C1+(C2+C4)C3/(C2+C3+C4)              (４)
シールド2総電気容量(C2T): C2T=C2+C4+C1C3/(C1+C3)    (５)
特殊な容量性要素（C1、C2、及びC3）の場合、電気容量C1TとC2Tをほぼ等しくするように電気容量C4を調節することができる。
【００２０】
図８で、シールドS1近くの等化コンダクタ2（EC2）はEC1によって付加される電気容量C4と組み合わせて電気容量C5を付加することで、各シールドに対する総電気容量を修正する。電気容量C5を加え場合、式４と５は以下の式に変更される。
シールド１総電気容量(C1T): C1T=C1+C5+(C2+C4)C3/(C2+C3+C4)        (６)
シールド2総電気容量(C2T): C2T=C2+C4+(C1+C5)C3/(C1+C3)              (７)
前記特定の容量性素子（C1、C2、C3、及びC4）を用いることにより、容量C5を調整して、電気容量C1TとC2Tとほぼ等しくすることができる。
【００２１】
前記インピーダンス調整CCP読取ヘッドの製造においては、シャント抵抗R1、R2は約10−100KΩの間の抵抗を有していることが求められる。しかしながら、R1 とR2 は物理的に小さくなくてはならず、さもないと、それらの素子がそれ自体の寄生容量に寄与してしまう。従って、R1 とR2 は抗抵抗性素材を用いて製造する必要がある。
【００２２】
本発明においては、シャント抵抗は高抵抗金属窒化物あるいは陶性合金（セラミックと金属性素材の複合物）によって形成されている。金属窒化物の例としては、TaNあるいは大抵抗範囲で合成することができるいずれかの金属窒化物などがある。陶性合金の例としては、Cr、Pt、Ta、Ni、Mo、Pt、Au及びAg などの金属とケイ素、アルミニウム、タンタル、及びクロムなどの酸化物（例えばSiO、SiO2、Al2O3、Ta2O3及びCrOxなど）の不混和性のものとの複合物を含む。Cr-SiO(例えば、Cr60-SiO40)などのケイ素含有陶性合金が特に好ましい。このタイプの素材を用いることにより、約200から約10,000マイクロオーム/cmの抵抗率を容易に達成することができる。この程度の抵抗があれば、シャント抵抗用の比較的厚い膜（例えば30−100nm）を製造することができる。固定表面エリアでの薄膜の抵抗は膜厚と逆比例するので、これらの高抵抗性素材を用いて薄膜をかなり薄くすることができ、それによって、高い抵抗性を達成するために非常に薄い薄膜をつくる必要性を回避することができる。より薄い薄膜を使うことができると、抵抗の制御がより簡単になり、それらの薄膜との抵抗性接触を行うことを必要とする場合もある表面処理プロセスに対する適応性を広げてくれる。陶性合金と金属窒化物薄膜はスパッタリング、反応性スパッタリング、イオン・ビーム・スパッタリング、反応性イオン・ビーム・スパッタリング、プラズマ蒸着（PVD）、蒸発、あるいは化学的蒸着（CVD）などの技術で簡単に沈着させることができる。これらの薄膜を沈着させ、その後、酸化あるいは窒化させることができる。こうした化学的処理は反応性イオン、化学的方法、イオン注入、オゾン、水蒸気、あるいはその他の手法を用いて行うことができる。シャント抵抗のための望ましいエリアを確保するための薄膜のパターン形成は、リフト・オフ、イオン・ミリング、反応性イオン・エッチング（RIE）、あるいは化学的エッチングなどの減法技術を用いて行うことができる。
【００２３】
図９は本発明によるインピーダンス調整CPP読取ヘッドがその上に加工されるウエハの平面図で、シャント抵抗と等化コンダクタをどのようにつくるかを示している。図９は抵抗器R1、R2 及び等化コンダクタEC1を有する、図７に示す実施の形態の一例を示している。基板はスライダ（SB）である。シールドS1はSB上に沈着される電気的絶縁性素材、通常はアルミナ上にパターン形成される。形状が異なっており、従って面積もS1とは異なるシールドS2がS1の上方に形成され、S1とS2との間に読取ヘッド100が配置されている。S2上にさらに追加的なアルミナ層が形成される。この追加的なアルミナ層を通じて、R1用のビア110及び120、R2用のビア130及び140、そしてEC1用のビア150が形成される。ビア110はS1と接続し、ビア120はSBと接続している。ビア130はS2 と接続し、ビア140はSB に接続している。ビア150はSB と接続している。シャント抵抗R1 はこの追加的アルミナ層の上面にパターン形成され、２つのビア110、120に接続されている。R1 は沈着される素材の知られている厚み及び抵抗性に基づいて、望ましいR1の値をつくるような幅及び全長を有するようにパターン形成される。R1の長さはそのライン・パターンの曲がりくねった部分115の程度を増やしたり減らしたりすることによって調整することができる。これによって図７に示すように、S1とSBとの間にR1シャント抵抗が形成される。シャント抵抗R2はこの追加的なアルミナ層の上面にパターン形成され、２つのビア130、140に接続されている。R2 は沈着される素材の知られている厚み及び抵抗性に基づいて、望ましいR2の値をつくるような幅及び全長を有するようにパターン形成される。R2の長さはそのライン・パターンの曲がりくねった部分135の程度を増やしたり減らしたりすることによって調整することができる。これによって図７に示すように、S２とSBとの間にR2シャント抵抗が形成される。通常は銅でつくられるこの等化コンダクタEC1は、この追加アルミナ層上にもパターン形成され、これもSBに接続されている別のビア150に接続されている。これによって、図７に示されるようにEC1が形成される。EC1 の面積は、S2の面積とS2とEC1との間の追加的アルミナ層の厚みに基づいて、望ましい電気容量値C4 をつくりだすように調整することができる。
【００２４】
好ましい実施の形態を参照して本発明を具体的に図示し、説明したが、当業者であれば、本発明の精神と範囲を逸脱せずに形状及び詳細部分をいろいろ変化させることが可能であることは自明であろう。よって、開示された本発明は、単に例示され、添付された特許請求の範囲に指定された範囲のみに限定されると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】カバーを取り外した、従来の磁気記録ハードディスク・ドライブを上から見た概略図である。
【図２】図１の２‐２の方向から見た、スライダ及びディスクの一部分の拡大端面図である。
【図３】図２の３‐３の方向から見た図であって、ディスク側から見た読取／書込ヘッドの端面を示している。
【図４】寄生容量要素を示す、読取ヘッド100及びシールドS１、S２を有する標準的なCPP読取ヘッド構造の概略図である。
【図５】本発明の、インピーダンス調整されたCPP読取ヘッドの概略図であって、低周波（LF）領域においてインピーダンス・レベルを等しくするために、シャント抵抗器R１、R２がシールドS１、S２に接続される構図を示す。
【図６】本発明の、インピーダンス調整されたCPP読取ヘッドの概略図であって、抵抗器R１、R２によって低周波及び高周波の等化がつくられる構図、そして間隔dが増大することでC１が減少する構図を示す。
【図７】本発明によるインピーダンス調整CPP読取ヘッドの図であり、抵抗R1とR2で低及び高周波数等化がもたらされ、等化コンダクタが電気容量C4に付加されている。
【図８】本発明によるインピーダンス調整CPP読取ヘッドの図であり、抵抗R1とR2で低及び高周波数等化がもたらされ、電気容量C4及びC5にこれらの等化コンダクタが付加されている。
【図９】その上に本発明によるインピーダンス調整CPP読取ヘッドが形成されるウエハの平面図であり、シャント抵抗と等化コンダクタをどのようにつくるかを示している。
【符号の説明】
【００２６】
２２…スライダ、
２４…読取／書込ヘッド、
２５…トレーリング面、
２７…空気ベアリング面(ABS)、
１００…読取ヘッド、
１１０，１２０，１３０，１４０，１５０…ビア。
【図１】
2008112562.tif 000003
【図２】
2008112562.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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