(57)【要約】      （修正有）【課題】外形寸法を拡大することなく、対向する二面に外部電極を有する半導体集積回路の検査を行うことが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】一方の面１ｂに設けられた外部電極８はインターポーザ基板３の表面および内部に設けられた配線１０により半導体チップ２に電気的に接続されている。他方の面１ａには、半導体チップ２にインターポーザ基板３の表面および内部に設けられた配線により電気的に接続された外部電極４が設けられている。インターポーザ基板３の表面および内部に設けられた配線の一端が、半導体チップ２と電気的に接続され、他端が分岐され、一方の面１ａに設けられた外部電極５ａと他の面１ｂに設けられた外部電極５ｂに電気的に接続されている。これにより、一方の面１ａに設けられた外部電極５ａおよび外部電極８と検査装置とを電気的に接続することで検査することが可能となる。【選択図】図１
2008263150.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の相反する表裏の主面に外部電極を有し、少なくとも何れか一方の主面に半導体チップを実装した半導体装置であって、前記基板は、相反する一方の主面に存在する外部電極にのみ前記半導体チップを電気的に接続する配線構造と、相反する他方の主面に存在する外部電極にのみ前記半導体チップを電気的に接続する配線構造と、相反する双方の主面に存在する複数の外部電極に同時に前記半導体チップを電気的に接続する配線構造とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップ内にテスト回路を設け、前記基板は、相反する一方の主面に存在する外部電極にのみ前記テスト回路を電気的に接続する配線構造と、相反する他方の主面に存在する外部電極にのみ前記テスト回路を電気的に接続する配線構造と、相反する双方の主面に存在する複数の外部電極に同時に前記テスト回路を電気的に接続する配線構造とを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置を検査する検査方法であって、前記半導体装置の一方の主面に存在する前記外部電極と検査装置の検査回路基板との電気的接続を得て第一の検査を実施し、さらに前記半導体装置の他方の主面に存在する前記外部電極と前記検査装置の検査回路基板との電気的接続を得て第二の検査を実施することを特徴とする検査方法。
【請求項４】
前記第一の検査と前記第二の検査とにおいて、前記半導体装置の姿勢を反転させることにより前記検査装置の検査回路基板に対して同一方向でそれぞれの主面に存在する前記外部電極と前記検査装置の検査回路基板との電気的接続を得ることを特徴とする請求項３に記載の検査方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置を検査する検査方法であって、複数の前記半導体装置を同一面内に同一姿勢で配置し、全ての前記半導体装置の一方の主面に存在する前記外部電極と検査装置の検査回路基板との電気的接続を一括して第一の検査を実施し、さらに全ての前記半導体装置の他方の主面に存在する前記外部電極と前記検査装置の検査回路基板との電気的接続を一括して第二の検査を実施することを特徴とする検査方法。
【請求項６】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置を検査する検査装置であって、外周部に配置する半導体装置加圧部と、中心部に配置する複数のクランプ部品と、前記クランプ部品を開閉させるための開閉部品と、前記クランプ部品の保持部を備え、前記半導体装置加圧部が前記半導体装置の主面に形成した凸形状をなす外部電極の外形形状に相応し、かつ前記外部電極と接触しない凹形状のくぼみを有し、前記クランプ部品が前記外部電極を機械的に挟み込んで保持するばね性を有することを特徴とする検査装置。
【請求項７】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置を検査する検査装置であって、外周部に配置する半導体装置加圧部と、中心部に配置する真空吸着部と、前記真空吸着部の上部に配置する保持部を備え、半導体装置加圧部が前記半導体装置の主面に形成した凸形状をなす外部電極の外形形状に相応し、かつ前記外部電極と接触しない凹形状のくぼみを有し、前記真空吸着部が気密性能を有する耐熱性の弾性材料内に、前記半導体装置の外部電極の配列に合わせて、耐熱性を有するスポンジ状の弾性体を層状に配置してなり、前記保持部が前記真空吸着部に相対する面に真空室と、外部の真空源と前記真空室を接続する真空孔を有することを特徴とする検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、相反する二平面に外部電極を有する半導体装置の構造および半導体装置の電気特性を測定して検査する検査装置および検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高密度化の要求にともない新たな半導体装置のパッケージ形態が開発されている。これは相反する二平面にそれぞれ電極を有する半導体装置であり、組立後の半導体装置を三次元積層するパッケージ・オン・パッケージ（以下、ＰＯＰと略記）構造を可能とするものである。
【０００３】
このために、前述のような半導体装置を容易に検査するための構造やそれらを検査する装置や方法が必要となってきた。また、積層する半導体装置の相互間で交わす電気信号の高速化に伴い、検査装置にも電気的性能の向上、特に伝送経路の低損失化が要求されている。
【０００４】
特許文献１は、ＰＯＰタイプの半導体装置の構造に関して記載している。
【特許文献１】特開平６−１３５４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図１５に示すように、従来形態の半導体装置３２は、インターポーザ基板３８の相反する表裏の主面３２ａ、３２ｂのうちで、一方の主面３２ｂに外部電極３４、３５を備えるとともに、半導体チップ３３を実装しており、他方の主面３２ａに外部電極３６、３７を備えている。インターポーザ基板３８はその表面および内部に設けた配線によって、一方の主面３２ｂに設けた半導体チップ３３と外部電極３５とを電気的に接続するとともに、半導体チップ３３と他方の主面３３ａに設けた外部電極３６とを電気的に接続し、一方の主面３２ｂに設けた外部電極３４と他方の主面３２ａに設けた外部電極３７とを電気的に接続している。
【０００６】
しかしながら、従来の検査装置４０では、検査装置４０の本体部と電気的に接続されている検査治具をなす検査回路基板３９が、上述した半導体装置３２の何れかの主面側にのみ対向して配置してある。このため、半導体装置３２の一方の主面３２ａを検査回路基板３９に相対させて配置した場合に、半導体装置３２の他方の主面３２ｂに存在する外部電極３４、３５と検査回路基板３９のランド電極４１とを電気的に接続することが困難であった。
【０００７】
このため、図１６に示すような半導体装置がある。これは図１６に示すように、半導体装置４２が、インターポーザ基板４７の相反する表裏の主面４２ａ、４２ｂのうちで、一方の主面４２ｂに外部電極４３、４５を備えるとともに、半導体チップ４６を実装しており、他方の主面４２ａに外部電極４９、５５を備えている。
【０００８】
インターポーザ基板４７はその表面および内部に設けた配線によって、一方の主面４２ｂに設けた半導体チップ４６と外部電極４５とを電気的に接続するとともに、半導体チップ４６と他方の主面４２ａに設けた外部電極４９とを電気的に接続し、一方の主面４２ｂに設けた外部電極４３と他方の主面４２ａに設けた外部電極５５とを電気的に接続している。
【０００９】
さらに、インターポーザ基板４７の他方の主面４２ａには複数の検査用外部電極４８が追加して設けられており、検査用外部電極４８は、インターポーザ基板４７の一方の主面４２ｂにおいて半導体チップ４６にのみ電気的に接続されている全ての外部電極４５とインターポーザ基板４７の表面および内部に設けられた配線４４によって電気的に接続している。
【００１０】
半導体装置４２の電気的特性を検査する際には、検査装置５４と電気的に接続された検査回路基板５１に半導体装置４２の一方の面４２ａを相対して配置し、導電性接触子５０を用いて他方の主面４２ａの外部電極４９と検査回路基板５１のランド電極５２とを電気的に接続するとともに、他方の主面４２ａの検査用外部電極４８と検査回路基板５０のランド電極５２とを電気的に接続する。このことにより、半導体装置４２の一方の主面４２ｂの外部電極４５と検査回路基板５１のランド電極５２とが電気的に接続されること等価の状態となり、半導体装置４２に対して検査を行うことができる。
【００１１】
しかしながら、この構造ではインターポーザ基板４７の他方の主面４２ａに外部電極５５、４９に加えて検査用外部電極４８を設けるので、他方の主面４２ａに外部電極４８を搭載するためのエリアを確保しなければならない。
【００１２】
その結果、半導体装置４２の外形寸法が大きくなり、積層による高密度化、小平面積化の効果を阻害するといった問題がある。
さらに、検査用外部電極４８と半導体チップ４６との間の配線長が長くなるために伝送経路での損失が発生し、半導体装置４２の機能としては不必要である検査用外部電極４８および検査用外部電極４８と外部電極４５と間の配線４４が浮遊容量となり、半導体装置間での電気信号の高速動作、および高速の実動作スピードで行う検査の妨げとなる。
【００１３】
本発明は、半導体装置の外形寸法を拡大させることなく、相対する二面に電極を有する半導体装置において電気的特性検査を高品質に行うことが可能な半導体装置の構造と検査装置および検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の第１の構成に係る半導体装置は、基板の相反する表裏の主面に外部電極を有し、少なくとも何れか一方の主面に半導体チップを実装した半導体装置であって、前記基板は、相反する一方の主面に存在する外部電極にのみ前記半導体チップを電気的に接続する配線構造と、相反する他方の主面に存在する外部電極にのみ前記半導体チップを電気的に接続する配線構造と、相反する双方の主面に存在する複数の外部電極に同時に前記半導体チップを電気的に接続する配線構造とを有することを特徴とする。
【００１５】
これにより、相反する主面に外部電極を有する半導体装置の電気的特性検査において、相反する何れの主面が検査装置の検査回路基板と相対する位置に配置されても、前記半導体装置は前記検査回路基板に相対する側の面に存在する外部電極と前記検査回路基板の電極とを電気的接続することで半導体チップの電気的特性検査が可能となる。
【００１６】
さらには、相反する主面に外部電極を有する半導体装置の一方の主面と被積層半導体装置との間で信号を授受するので、前記半導体装置の他方の主面に検査用外部電極を設ける必要がない。その結果、前記半導体装置と被積層半導体装置間で信号を授受する信号経路は電気信号の高速動作が可能であり、さらに高速の実動作スピードでの検査が可能となる。
【００１７】
本発明の第２の構成に係る半導体装置は、前記半導体チップ内にテスト回路を設け、前記基板は、相反する一方の主面に存在する外部電極にのみ前記テスト回路を電気的に接続する配線構造と、相反する他方の主面に存在する外部電極にのみ前記テスト回路を電気的に接続する配線構造と、相反する双方の主面に存在する複数の外部電極に同時に前記テスト回路を電気的に接続する配線構造とを有することを特徴とする。
【００１８】
従来の検査装置と半導体装置の内部回路間の検査信号の授受はパラレル形式で行っている。しかし、テスト回路を設けることで、半導体装置とテスト回路との間は従来と同形式で信号の授受を行い、前記テスト回路と検査装置との間はシリアル形式で検査信号の授受を行なうことで、検査装置とテスト回路との間の信号配線数を減らすことが可能となる。その結果、半導体チップの電気的特性検査を行うために必要な外部電極数を減らすことができ、前記相反する二つの主面に外部電極を有する半導体装置の外形寸法を拡大することなく電気的特性検査が可能となる。
【００１９】
さらに、テスト回路と複数の面に設けられた外部電極とを電気的に接続させることで、相反する二つの主面のどちらの面を検査回路基板と相対する位置に配置しても、前記外部電極と前記検査回路基板のランド電極を電気的接続することで半導体チップのテスト回路を駆動させることが可能となる。
【００２０】
本発明の第３の構成に係る半導体装置の検査方法は、半導体装置の一方の主面に存在する前記外部電極と検査装置の検査回路基板との電気的接続を得て第一の検査を実施し、さらに前記半導体装置の他方の主面に存在する前記外部電極と前記検査装置の検査回路基板との電気的接続を得て第二の検査を実施することを特徴とする。
【００２１】
また、前記第一の検査と前記第二の検査とにおいて、前記半導体装置の姿勢を反転させることにより前記検査装置の検査回路基板に対して同一方向でそれぞれの主面に存在する前記外部電極と前記検査装置の検査回路基板との電気的接続を得ることを特徴とする。
【００２２】
これにより、前記検査回路基板の配置位置や姿勢を変更配置するための配線や部品が不必要になり、伝送経路の短縮化が可能となる。
また、複数の前記半導体装置を同一面内に同一姿勢で配置し、全ての前記半導体装置の一方の主面に存在する前記外部電極と検査装置の検査回路基板との電気的接続を一括して第一の検査を実施し、さらに全ての前記半導体装置の他方の主面に存在する前記外部電極と前記検査装置の検査回路基板との電気的接続を一括して第二の検査を実施することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
以上のように、本発明によれば、相反する二つの主面に外部電極を有する半導体装置の電気的特性検査を従来の検査装置を用いて、高品質で行うことができる。また、検査に必要な半導体装置の外部電極の個数の増加を抑制して、半導体装置の外形寸法の大型化を防止することができる。また、前記相反する二つの主面に外部電極を有する半導体装置と被積層半導体装置間で信号を授受する信号経路は半導体装置間での電気信号の高速動作が可能でありさらに高速の実動作スピードでの検査が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明における実施の形態を図面に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１に示すように、半導体装置１は、インターポーザ基板３の相反する表裏の主面のうち一方の主面１ｂが被積層半導体装置９に相対する面をなし、この一方の主面１ｂに半導体チップ２を実装している。
【００２５】
インターポーザ基板３の一方の主面１ｂには、被積層半導体装置９の外部電極１２と接続するための外部電極８および外部電極７を設けており、外部電極７はインターポーザ基板３の表面および内部に設けられた配線によって、他方の主面１ａに設けた外部電極６に電気的に接続している。これらの外部電極６、７は実装基板もしくは検査回路基板から被積層半導体装置９へ直接に電気信号の授受および電源や接地の供給を行うためのものである。
【００２６】
他方の面１ａには外部電極４が設けられており、外部電極４は電気的特性検査の際に半導体装置１の単体動作を検査するために必要なものであり、インターポーザ基板３の表面および内部に設けられた配線により外部電極４が半導体チップ２の内部回路と電気的に接続している。
【００２７】
さらに、インターポーザ基板３の表面および内部に設けられた一部の配線は、一端が被積層半導体装置９と関連する動作を検査するために必要な半導体チップ２の内部回路と電気的に接続し、他端が他方の主面１ａに設けた外部電極５ａと一方の主面１ｂに設けた外部電極５ｂとに電気的に接続している。
【００２８】
インターポーザ基板３の一方の主面１ｂに設けた外部電極８は、インターポーザ基板３の表面および内部に設けられた配線１０により半導体チップ２と電気的に接続している。  この構成では、半導体装置１としての単体動作を行う上では不必要である検査用外部電極や配線は排除されており、外部電極８と半導体チップ２とを接続する配線１０は短くて良く、被積層半導体装置９と半導体装置１との間で高速な信号の授受が可能となる。また、他方の主面１ａに設けた外部電極５ａおよび一方の主面１ｂに設けた外部電極８を検査装置に電気的に接続することで被積層半導体装置９と関連する動作を検査することが可能となる。
（実施の形態２）
図２は本発明の実施の形態２の半導体装置を示すものであり、図１におけるものと同様の構成要素には同符号を付してその説明を省略する。
【００２９】
図２に示すように、半導体装置１は、インターポーザ基板３に実装する半導体チップ２の内部にテスト回路１３を設けており、テスト回路１３を動作させるための信号を授受する外部電極としてインターポーザ基板３の一方の主面１ｂに外部電極８を設けている。この外部電極８はインターポーザ基板３の表面および内部に設けられた配線によりテスト回路１３にのみ電気的に接続されている。
【００３０】
また、インターポーザ基板３の他方の主面１ａには、インターポーザ基板３の表面および内部に設けられた配線によりテスト回路１３とのみ電気的に接続された外部電極４が設けられている。
【００３１】
さらに、インターポーザ基板３の表面および内部に設けられた一部の配線は、一端がテスト回路１３に電気的に接続し、他端が他方の主面１ａに設けた外部電極５ａと一方の主面１ｂに設けた外部電極５ｂとに電気的に接続している。
【００３２】
この構成により、従来の検査装置と半導体装置１の内部回路間において検査信号の授受はパラレル形式で行っていたが、テスト回路１３を設けることで、半導体装置１の内部回路とテスト回路１３との間は従来と同形式で信号の授受を行い、テスト回路１３と検査装置との間はシリアル形式で検査信号の授受を行なうことができる。これにより検査装置とテスト回路１３との間の信号配線数を減らすことが可能となる。その結果、半導体チップの電気的特性検査を行うために必要な外部電極数を減らすことができ、半導体装置１の外形寸法を拡大することなく電気的特性検査が可能となる。
【００３３】
さらに、インターポーザ基板３の一方の主面１ｂに設けられた外部電極５ｂおよび外部電極８を検査装置と電気的に接続させる場合に、一方の主面１ｂを検査装置の検査回路基板と相対する位置に配置した状態で、半導体チップ２のテスト回路１３を駆動させることが可能となる。
【００３４】
一方、インターポーザ基板３の他方の主面１ａに設けた外部電極５ａおよび外部電極４を検査装置と電気的接続することで、他方の主面１ａを検査装置の検査回路基板と相対する位置に配置した状態で、半導体チップ２のテスト回路１３を駆動させることが可能となる。
（実施の形態３）
図３は本発明の実施の形態３における検査方法を示すものであり、図１におけるものと同様の構成要素には同符号を付してその説明を省略する。
【００３５】
図３に示すように、検査装置１８ａは電気的に接続した検査回路基板１７ａと検査回路基板１７ｂを有しており、下側の検査回路基板１７ａと上側の検査回路基板１７ｂを電気的に接続している。下側の検査回路基板１７ａは導電性接触子１６ｂを備え、上側の検査回路基板１７ａは導電性接触子１６ｂを備えている。
【００３６】
図３（ａ）に示すように、第一の検査は、インターポーザ基板３の他方の主面１ａに存在する外部電極４と下側の検査回路基板１７ａとを導電性接触子１６ａを用いて電気的に接続して実施する。
【００３７】
図３（ｂ）に示すように、第二の検査は、インターポーザ基板３の一方の主面１ｂに存在する外部電極５ｂ、８と上側の検査回路基板１７ｂとを導電性接触子１６ｂを用いて電気的に接続して実施する。
【００３８】
このため検査装置１８ａの検査回路基板１７ａおよび１７ｂの規模は、それぞれの検査において対応する半導体装置１の主面に存在する外部電極数に対応する導電性接触子１６ａ、１６ｂを備えたもので良い。
【００３９】
このように、電気特性検査を２回以上に分けることで、従来と同等の構成の検査装置を用いて検査が可能となる。
（実施の形態４）
図４は本発明の実施の形態４における検査方法を示すものであり、図１および図３におけるものと同様の構成要素には同符号を付してその説明を省略する。
【００４０】
図４に示すように、検査装置１８ａは電気的に接続した検査回路基板１７ａと検査回路基板１７ｂを有し、検査回路基板１７ａと検査回路基板１７ｂは半導体装置１に対して同様の姿勢、つまり上方に向けて配置しており、半導体装置１の反転により半導体装置１の相反する主面にそれぞれ対応する。
図４（ａ）に示すように、第一の検査は、インターポーザ基板３の一方の主面１ａに存在する外部電極４、５ａ、６と検査回路基板１７ａとを導電性接触子１６ａを用いて電気的に接続して実施する。
図４（ｂ）に示すように、第二の検査は、第一の検査後に半導体装置１を反転させ、インターポーザ基板３の他方の面１ｂに存在する外部電極５ｂ、７、８と検査回路基板１７ｂとを導電性接触子１６ｂを用いて電気的に接続して実施する。
【００４１】
本実施の形態４では、導電性接触子１６ａおよび１６ｂがポゴピン形式の導電性接触子であるが、低自己インピーダンス特性を有するシートコンタクトなどの他の形式の導電性接触子を用いても良い。
【００４２】
これにより、相反する主面に外部電極を有する半導体装置１と検査回路基板１７ａもしくは１７ｂとを電気的に接続する媒体が導電性接触子１６ａもしくは１６ｂだけとなり、導電性接触子１６ａおよび１６ｂの電気特性を低自己インピーダンスとすることで、半導体装置１と検査回路基板１７ａの伝送経路、および半導体装置１と検査回路基板１７ｂの間の伝送経路の損失を最小にすることが可能となり、相反する主面に外部電極を有する半導体装置１をその高速実動作スピードで検査することが可能となる。
【００４３】
さらに、相反する主面に外部電極を有する半導体装置１において、一方の主面１ａに存在する複数の外部電極４、５ａ、６の配列と、他方の主面１ｂに存在する複数の外部電極５ｂ、７、８の配列のピッチおよび投影位置を一致させておくことで、一方の主面１ａに存在する複数の外部電極４、５ａ、６の配列に合せて導電性接触子１６ａを選択配置し、他方の主面１ｂに存在する複数の外部電極５ｂ、７、８の配列にあわせて導電性接触子１６ｂを選択配置することで、導電性接触子１６ａと導電性接触子１６ｂを兼用化し、検査回路基板１７ａと検査回路基板１７ｂを兼用化し、検査装置１８ａと検査装置１８ｂを兼用化することが、検査装置のプログラムを変更することで可能となる。
（実施の形態５）
図５は本発明の実施の形態５における検査方法を示すものであり、図１および図３におけるものと同様の構成要素には同符号を付してその説明を省略する。
【００４４】
図５に示すように、相反する主面に外部電極を有する半導体装置１の検査において、同一平面内に同一姿勢で複数個の半導体装置１を配置し、検査装置１８ａの検査回路基板１７ａと複数の半導体装置１の他方の主面１ａの外部電極４、５ａ、６とを一括して電気的に接続して第一の検査を実施する。その後に、複数個の半導体装置１を反転させ、一方の主面１ｂの外部電極５ｂ、７、８と検査装置１８ｂの検査回路基板１７ｂとを一括して電気的に接続して第二の検査を実施する。
【００４５】
これにより、相反する主面に外部電極を有する半導体装置の複数個を同時に検査することが可能となるため、検査コストの低減が図れる。
（実施の形態６）
図６および図７は本発明の実施の形態６における検査装置を示すものであり、図１および図３におけるものと同様の構成要素には同符号を付してその説明を省略する。
【００４６】
図６および図７に示すように、検査装置は搬送装置１００を有しており、搬送装置１００は半導体装置１を搬送し、半導体装置１と検査回路基板とのコンタクト動作を行なう装置であって、半導体装置１は相反する表裏の主面のうち少なくとも搬送装置１００に対向する主面１ａに外部電極１９を有し、外部電極１９は半田ボールあるいは半田バンプなどからなり、主面１ａから突出する凸形状をなす。
【００４７】
搬送装置１００は外周部に半導体装置加圧部１２４を有しており、半導体装置加圧部１２４は、外部電極１９の外形形状に相応し、かつ外部電極１９と接触しない凹形状のくぼみを有している。搬送装置１００は、中心部に外部電極１９を機械的に挟み込んで保持するばね性を有するクランプ部品１２０を有し、上部にクランプ部品１２０の保持部１２１を有し、保持部１２１の下方にクランプ部品１２０を開閉させるためのクランプ部品開閉部１２３を有しており、保持部１２１はクランプ部品１２０から熱の授受を少なくするための温度調節機構１２２を有している。
【００４８】
クランプ部品１２０は逆Ｕの字形状をなし、下方先端の間隔は外部電極１９の最外形直径寸法より少ない寸法となっており、上部で保持部１２１に機械的に固定されている。クランプ部品開閉部１２３は保持部１２１によって上下移動可能な状態で保持されている。クランプ部品開閉部１２３にはクランプ部品１２０の先端部を挿入できるように貫通穴１２３ａが開口しており、貫通穴１２３ａの形状は下端開口が上端開口より狭くなっている。
【００４９】
図７（ａ）に示すように、クランプ部品開閉部１２３が上方端に位置するときは、貫通穴１２３ａにおいてクランプ部品開閉部１２３とクランプ部品１２０との接触が無くなって、自由状態のクランプ部品１２０の下方先端間隔が狭くなる。
【００５０】
図７（ｂ）に示すように、クランプ部品開閉部１２３が下方端に位置するときは、貫通穴１２３ａにおいてクランプ部品開閉部１２３がクランプ部品１２０と接触し、規制状態のクランプ部品１２０の下方先端間隔が外部電極１９の最外形直径寸法より広く広がる寸法となる。
【００５１】
次に、上述の構成による一連の動作を図８〜図１２に示す。
図８に示すように、初期状態では、クランプ部品開閉部１２３が下方端に位置することで、クランプ部品１２０の下方先端間隔は外部電極１９の最外形部直径寸法より広く開いている。この状態で半導体装置１に向けて移動させる。クランプ部品１２０の下方先端が半導体装置１の主面１ａに近づいた位置において、クランプ部品１２０の下方先端は外部電極１９と外部電極１９の間に挿入される。
【００５２】
次に、図９に示すように、半導体装置加圧部１２４が半導体装置１の主面１ａに接した時点で搬送装置１００の移動を停止し、クランプ部品開閉部１２３を上方端に移動させる。この動作により、クランプ部品１２０とクランプ部品開閉部１２３との接触が無くなり、クランプ部品１２０はそのバネ性により下方先端部が初期の間隔に復元しようとして閉動し、外部電極１９に当接することで初期の間隔である外部電極１９の外形直径より狭い間隔には復元せずに、外部電極１９を保持するクランプ力が発生する。
【００５３】
次に、図１０に示すように、搬送装置１００は外部電極１９をクランプした状態で半導体装置１を上下水平搬送、つまり昇降移動および水平移動を含む搬送を行なう。そして、導電性接触子１６ｂにコンタクト圧力が発生する位置まで、半導体装置１を検査装置１８ｂの検査回路基板１７ｂへ半導体装置加圧部１２４で押し込んで検査を開始する。
【００５４】
次に、図１１に示すように、搬送装置１００は検査装置１８ｂによる検査を行った後に、上下水平搬送を行って所定位置に半導体装置１搬送し、クランプ部品開閉部１２３を下方端位置に移動させることで、クランプ部品１２０の下方先端部を開放して外部電極１９から離間させる。
【００５５】
次に、図１２に示すように、搬送装置１００が半導体装置１から離間するように移動することで、半導体装置１を検査装置から取り出す。
（実施の形態７）
図１３は本発明の実施の形態７における検査装置を示すものであり、図１および図３におけるものと同様の構成要素には同符号を付してその説明を省略する。
【００５６】
図１３に示すように、半導体装置１は相反する表裏の主面のうち少なくとも一つの主面１ａに外部電極１９を有し、外部電極１９は半田ボールあるいは半田バンプなどからなり、主面１ａから突出する凸形状をなす。検査装置は搬送装置１００ａを有しており、搬送装置１００ａは半導体装置１を搬送し、半導体装置１と検査回路基板とのコンタクト動作を行なう装置である。
【００５７】
搬送装置１００ａは異方性通気樹脂部１３０と半導体装置加圧部１３１と保持部１３２からなる。搬送装置１００ａの中心部に設ける異方性通気樹脂部１３０は、気密性能を有する耐熱性の弾性材料１２９と、弾性材料１２９の内部に半導体装置１の外部電極１９の配列に合わせて層状に配置した通気性を有する耐熱性のスポンジ状の弾性体１２８を有している。保持部１３２は異方性通気樹脂部１３０の上面に面する真空室１２５を有し、外部の真空源と真空室１２５を接続する真空孔１２６を備えている。搬送装置１００ａの外周部に設ける半導体装置加圧部１３１は外部電極１９に接することがないように外部電極１９の外形形状にあわせた凹形状のくぼみを有している。
【００５８】
この構成による作用を以下に説明する。図１４に示すように、搬送装置１００ａは半導体装置１を吸着した真空吸着状態で移動し、半導体装置１を搬送する。真空吸着時に、搬送装置１００ａは、通気性を有する耐熱性のスポンジ状の弾性体１２８で半導体装置１の外部電極１９を押圧し、スポンジ状の弾性体１２８が外部電極１９の外形形状に合わせて変形することで外部電極１９の周囲を満たす。
【００５９】
この状態で真空孔１２６および真空室１２５を通して、気密性能を有する耐熱性の弾性材料１２９の内部を真空吸引し、その空気を排出して真空状態にすることで、半導体装置１を真空吸着する。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、相反する二つの主面に外部電極を有する半導体装置の電気的特性検査を高品質に行うことが可能なので、半導体装置の検査装置および検査方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態２における半導体装置を示す断面図
【図３】本発明の実施の形態３における検査方法を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態４における検査方法を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態５における検査方法を示す断面図
【図６】本発明の実施の形態６における検査装置を示す断面図
【図７】同実施の形態６における検査装置の動作を示す断面図
【図８】同実施の形態６における検査装置の動作を示す断面図
【図９】同実施の形態６における検査装置の動作を示す断面図
【図１０】同実施の形態６における検査装置の動作を示す断面図
【図１１】同実施の形態６における検査装置の動作を示す断面図
【図１２】同実施の形態６における検査装置の動作を示す断面図
【図１３】本発明の実施の形態７における検査装置を示す断面図
【図１４】同実施の形態７における検査装置の動作を示す断面図
【図１５】従来の半導体装置および検査装置を示す断面図
【図１６】従来の半導体装置および検査装置を示す断面図
【符号の説明】
【００６２】
１            半導体装置
１ａ          一方の主面
１ｂ          他方の主面
２            半導体チップ
３            インターポーザー基板
４、５ａ、５ｂ、６、７、８  外部電極
９            被積層半導体装置
１０          被積層半導体装置の外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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