(57)【要約】【課題】近年の大容量ＮＡＮＤ型フラッシュメモリが増加し、ラージブロックタイプを採用するため、今までのスモールブロックタイプからラージブロックタイプへと書き換える必要が生じてきた。しかし、順次書き込んでいくと、ラージブロックタイプのバッドブロックマークの位置にスモールブロックタイプのデータが書き込まれることになる。そうすると、ラージブロックタイプのブロックは誤って不良と判断される恐れがある。【解決手段】そこで、スモールブロックタイプからラージブロックタイプへと書き換える際に、双方のバッドブロックマークのある位置のデータを交換することにより、ラージブロックタイプのバッドブロックマークを保存することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのバッドブロックマークの保存方法において、複数のスモールブロックタイプのページをラージブロックタイプのページに置換するとき、ラージブロックタイプのバッドブロックマークのある位置は、スモールブロックタイプのデータをＦＦに書き換え、その位置にあったデータはスモールブロックタイプの冗長部に書くことを特徴とするバッドブロックマークの保存方法。
【請求項２】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのバッドブロックマークの保存方法において、複数のスモールブロックタイプのページをラージブロックタイプのページに置換するとき、ラージブロックタイプのバッドブロックマークのある位置は、スモールブロックタイプのデータを書き込まずスキップし、以下を続けて書き込むことを特徴とするバッドブロックマークの保存方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バッドブロックマークの保存方法であって、スモールブロックタイプのページをラージブロックタイプのページに書き換えるときに生じるバッドブロックマークの保存に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは今までスモールブロックタイプ、すなわち１ページが５１２バイトのデータ部と１６バイトの冗長部で構成され、３２ページで１ブロックを構成するものであった。近年は、ラージブロックタイプ、すなわち１ページが２０４８バイトのデータ部と６４バイトの冗長部で構成され、６４ページで１ブロックを構成するものが多い。また、それらのブロックが不良か否かを判断する場所であるバッドブロックマークはスモールブロックタイプの場合は冗長部の中ほどから前に、ラージブロックタイプの場合は、データ部の先頭または冗長部の先頭にある。
【０００３】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリがその大容量の必要性からスモールブロックタイプからラージブロックタイプへと変遷しつつある。しかし、過去のソフトウェア資産はスモールブロックタイプの構成にあわせて書かれているものが多く、近年の大容量ＮＡＮＤ型フラッシュメモリが採用するラージブロックタイプの構成にあわせて書き換える必要が生じてきた。
【０００４】
このようにバッドブロックマークの保存に関する文献は無いが、フラッシュメモリに関するバッドブロックについては下記文献のように存在する。
【特許文献１】特開２００６−２８６１７９
【特許文献２】特開２００６−０３１６９６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、スモールブロックタイプのページのデータをラージブロックタイプのページのデータに書き移すとき、幸いにもラージブロックタイプの１ページがスモールブロックタイプの４ページの大きさに相当するため、ラージブロックタイプ１ページにスモールブロックタイプ４ページを順次書き込んでいけばよかった。しかし、順次書き込んでいくと、ラージブロックタイプのバッドブロックマークの位置にスモールブロックタイプのデータが書き込まれることになる。そうすると、ラージブロックタイプのブロックは誤って不良と判断される恐れがある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
課題を解決するため、本発明はスモールブロックタイプのデータをラージブロックタイプのデータに置換するとき、ラージブロックタイプのバッドブロックマークのある位置は、スモールブロックタイプのデータをＦＦに書き換え、その位置にあったデータはスモールブロックタイプの冗長部に書く、または、ラージブロックタイプのバッドブロックマークのある位置は、スモールブロックタイプのデータを書き込まずスキップし、以下を続けて書き込むようにした。なおここで、その位置にあったデータはスモールブロックタイプの冗長部に書くとしたが、常に決められた位置にしたほうが機械的な作業にできるため。冗長部の中ほどより前にあるスモールブロックタイプのバッドブロックマークの位置に固定するのが望ましい。またこのようにすると、逆にラージブロックタイプのページから順次読み出し、スモールブロックタイプのページに戻すときは、ラージブロックタイプのバッドブロックマークのある位置のデータとスモールブロックタイプのバッドブロックマークのある位置のデータを交換して出せばよい。
【発明の効果】
【０００７】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの大規模化に伴いスモールブロックタイプのページをラージブロックタイプのページに置き換えることが多くなり、そのときにラージブロックタイプのバッドブロックマークを保存しながら書き換えることが可能となる。また、ラージブロックタイプのページからスモールブロックタイプのページに変換するときも、逆の動作により機械的に変換することが可能で間違いを起すことが無い。
【実施例１】
【０００８】
図１はスモールブロックタイプの構成図であって、ページは５１２バイトのデータ部と１６バイトの冗長部で構成される。またブロックは３２ページで構成される。スモールブロックが不良か否かを示す位置は冗長部の任意の１バイトを使用し、全てのページの同一位置に設定する。例えば、冗長部の前から６バイト目に位置することが多い。
【０００９】
図２はラージブロックタイプの構成図であって、ページは２０４８バイトのデータ部と６４バイトの冗長部で構成される。またブロックは６４ページで構成される。ラージブロックが不良か否かを示す位置はデータ部または冗長部の任意の１バイトを使用し、全てのページの同一位置に設定する。例えば、データ部の先頭位置にあったり、冗長部の先頭位置にあったりすることが多い。
【００１０】
ここで、スモールブロックタイプのページをラージブロックタイプのページに移し変えることを考える。ラージブロックタイプの１ページの大きさはスモールブロックタイプの４ページの大きさに相当するから、スモールブロックタイプの４ページをちょうど、ラージブロックタイプの１ページに収めることができる。
【００１１】
次に、ラージブロックタイプのバッドブロックマーク位置が図３のようにデータ部の先頭位置にあるときを考えると、先ず第１のスモールブロックタイプのページの第１バイト目をラージブロックタイプのページの第１バイト目には書かず、スモールブロックタイプ自身の冗長部の中のバッドブロックマークのある位置に書き込む。ラージブロックタイプの第１バイト目のデータはＦＦとし、次にスモールブロックタイプのページの第２バイト目はラージブロックタイプのページの第２バイト目に書き込む。続いて、スモールブロックタイプのページの第３バイト目はラージブロックタイプのページの第３バイト目に書き込み、後はそのまま続けて書き込む。
【００１２】
第１のスモールブロックタイプのページを全部書き込んだら、つぎに第２のスモールブロックタイプのページを書き込み、最後の第４のスモールブロックタイプのページまで順次書き込む。
【実施例２】
【００１３】
次の例として、ラージブロックタイプのバッドブロックマーク位置が図４のように冗長部の先頭位置にあるときを考えると、先ず第１のスモールブロックタイプのページはそのままラージブロックタイプのページの第１バイト目から書き込み、順次第２のスモールブロックタイプのページ、第３のスモールブロックタイプのページと書き込んでいく、最後に第４のスモールブロックタイプのページを書き込むときは、ラージブロックタイプのページの冗長部の先頭に来たとき、そこはラージブロックタイプのバッドブロックマークのある位置だからそこに書くデータはＦＦとし、そこに書く予定であったデータはそれ自身の冗長部の中のバッドブロックマークのある位置に書き込む。そうして、第４のスモールブロックタイプのページを書き終えて終了とする。
【００１４】
以上は、バッドブロックマークの位置に違いのある２つに例を実施例で挙げた。また、どちらもスモールブロックタイプのページを順次書き込んでいく場合の実施例である。次に、請求項２のようにラージブロックタイプのバッドブロックマークのある位置には何もせずにスキップして以降にデータを書き込む方法もある。何れにしろ、ラージブロックタイプのバッドブロックマークの位置にはＦＦのデータが保存される。一方、データ部と冗長部の書き方においても、このような書き込み順序ではなく、各スモールブロックタイプのページのデータ部だけを、第１のスモールブロックタイプのデータ部、第２のスモールブロックタイプのデータ部の順に書き込んでいき、第４のスモールブロックタイプのデータ部を書き込んだ後、第１のスモールブロックタイプの冗長部、第２のスモールブロックタイプの冗長部と書き込み、最後に第４のスモールブロックタイプの冗長部を書き込む方法もある。いずれにしてもラージブロックタイプのバッドブロックマークのある位置に来ると、そのデータをＦＦとし、そのとき書くべきであってデータはそのスモールブロックタイプのバッドブロックマークのある位置に書き込むか、またはバッドブロックマークのある位置をスキップするかによりラージブロックタイプのバッドブロックマークは保存される。
【００１５】
図３はラージブロックタイプのバッドブロックマークがデータ部の先頭にある例で、スモールブロックタイプのページをラージブロックタイプのページに置き換えたときの図であり、ラージブロックタイプのページのバッドブロックマークの位置にはＦＦが保存され、そこに書くべきデータは第１番目のスモールブロックタイプのバッドブロックマークのある位置に移した。
【００１６】
図４はラージブロックタイプのバッドブロックマークが冗長部の先頭にある例で、スモールブロックタイプのページをラージブロックタイプのページに置き換えたときの図であり、ラージブロックタイプのページのバッドブロックマークの位置にはＦＦが保存され、そこに書くべきデータは第４番目のスモールブロックタイプのバッドブロックマークのある位置に移した。
【産業上の利用可能性】
【００１７】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリがその大容量の必要性からスモールブロックタイプからラージブロックタイプへと変遷しつつある。しかし、過去のソフトウェア資産はスモールブロックタイプの構成にあわせて書かれているものが多く、近年の大容量ＮＡＮＤ型フラッシュメモリが採用するラージブロックタイプの構成にあわせて書き換える事は必要不可欠であり、産業上の利用価値は極めて高いものである。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】スモールブロックタイプのブロックの構成図である。
【図２】ラージブロックタイプのブロックの構成図である。
【図３】スモールブロックタイプをラージブロックタイプに書き移した説明図である（実施例１）
【図４】スモールブロックタイプをラージブロックタイプに書き移した説明図である（実施例２）
【符号の説明】
【００１９】
１    スモールブロックタイプのページ
２    スモールブロックタイプのデータ部
３    スモールブロックタイプの冗長部
４    スモールブロックタイプのバッドブロックマークのある位置
５    ラージブロックタイプのページ
６    ラージブロックタイプのデータ部
７    ラージブロックタイプの冗長部
８    ラージブロックタイプのバッドブロックマークのある位置（１例）
９    ラージブロックタイプのバッドブロックマークのある位置（その他の例）
１０  第４のスモールブロックタイプのバッドブロックマークのある位置
１１  第１のスモールブロックタイプのバッドブロックマークのある位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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