(57)【要約】      （修正有）【課題】接合体の反りを実用上十分に抑制できる基板と半導体素子の接合方法を提供する。【解決手段】接合材料３を半導体素子２及び基板１で挟持した積層物を、前記接合材料が加熱されるようにして積層方向に加圧する加圧工程を備える、半導体素子の接合方法であって、前記加圧工程において、前記接合材料と対向する面とは反対の前記基板の面のうち加圧力が印加される加圧部分と、前記半導体素子の前記接合材料と対向する対向面との、前記積層方向に見た重なり部分の面積が、前記積層方向に見た前記半導体素子と前記基板の重なり部分の面積よりも小さくなるようにし、且つ、前記半導体素子の重心から前記積層方向に伸びる直線が前記加圧部分と交わるようにして、加圧を行う接合方法を提供する。【選択図】図６
2008263160.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合材料を半導体素子及び基板で挟持した積層物を、前記接合材料が加熱されるようにして積層方向に加圧する加圧工程を備える、半導体素子の接合方法であって、
前記加圧工程において、
前記接合材料と対向する面とは反対の前記基板の面のうち加圧力が印加される加圧部分と、前記半導体素子の前記接合材料と対向する対向面との、前記積層方向に見た重なり部分の面積が、前記積層方向に見た前記半導体素子と前記基板の重なり部分の面積よりも小さくなるようにし、且つ、
前記半導体素子の重心から前記積層方向に伸びる直線が前記加圧部分と交わるようにして、加圧を行う接合方法。
【請求項２】
前記加圧工程において、前記加圧部分を押圧する加圧具を配し、前記加圧を行う、請求項１記載の接合方法。
【請求項３】
前記接合材料は、絶縁樹脂に導電粒子を含有させた導電フィルム又は導電ペーストである、請求項１又は２に記載の接合方法。
【請求項４】
前記導電フィルムは、異方導電フィルムである、請求項３記載の接合方法。
【請求項５】
前記接合材料は、絶縁樹脂フィルム又は絶縁樹脂ペーストである、請求項１又は２に記載の接合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板と半導体素子の接合方法及び接合体に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板と半導体素子とを接合材料を介して接合する方法としては、厚さ３０ミクロン以下、ヤング率１×１０１０Ｐａ以上のフィルムを介して、半導体素子側から加圧加熱する方法などが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−２２９１２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記のような接合方法で接合された接合体は、実用上十分に反りが抑制されたものではなかった。そこで本発明は、接合体の反りを実用上十分に抑制できる、基板と半導体素子の接合方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の接合方法は、接合材料を半導体素子及び基板で挟持した積層物を、上記接合材料が加熱されるようにして積層方向に加圧する加圧工程を備える、半導体素子の接合方法であって、上記加圧工程において、上記接合材料と対向する面とは反対の上記基板の面のうち加圧力が印加される加圧部分と、上記半導体素子の上記接合材料と対向する対向面との、上記積層方向に見た重なり部分の面積が、上記積層方向に見た上記半導体素子と上記基板の重なり部分の面積よりも小さくなるようにし、且つ、上記半導体素子の重心から上記積層方向に伸びる直線が上記加圧部分と交わるようにして、加圧を行うことを特徴とする。
【０００５】
図１６は従来の接合方法により半導体素子と基板を接合する方法を説明するための断面図である。従来の接合方法は、図１６に示すように、表面が平らなステージ６上に、基板１、接合材料３、半導体素子基板２ａと電極２ｂを備える半導体素子２、及びフィルム５とをこの順に配置した後、高温の加熱圧着具４により矢印の方向に加圧するものである。加熱圧着具４により接合材料３が加熱され硬化反応が誘起されるとともに、加圧力の印加により半導体素子２が基板１に接合される。図１７は、上述の方法により、接合が終了した状態を示す断面図である。図１７に示すように、加圧力が印加されている状態では、半導体素子２は基板１に正常に接続している。
【０００６】
図１８は、上述の方法による加熱及び加圧が終了し、常温に戻った接合体を示す断面図である。図１８に示すように、従来の接合方法によれば、半導体素子２に接合された基板１には反りが生じる。従来の接合方法では、高温の加熱圧着具４を用いて加熱加圧する工程で、半導体素子２の上面からのみ加熱されることになるため、半導体素子２と基板１との間に温度差が生じ、半導体素子２の熱膨張量より基板１の熱膨張量が小さくなることで、接合後の接合体の冷却時に接合体に反りが生じると考えられる。
【０００７】
一方、本発明の接合方法は、上記接合材料と対向する面とは反対の上記基板の面のうち一部にのみ加圧力を印加することを特徴としている。これにより、冷却後に発生する反りとは反対方向の反りを、加熱圧着時にあらかじめ与えることができる。したがって、冷却後に半導体素子及び基板が収縮した際には互いの反り量が打ち消し合い結果的には反りを抑制することができる。
【０００８】
本発明の接合方法は、上記加圧工程において、上記加圧部分を押圧する加圧具を配し、上記加圧を行ってもよい。
【０００９】
このような加圧具を用いることで、接合体の反りの抑制がより容易となる。
【００１０】
本発明の接合方法において、その接合材料は、絶縁樹脂に導電粒子を含有させた導電フィルム又は絶縁樹脂に導電粒子を含有させた導電ペーストであってもよく、導電フィルムは、異方導電フィルムであってもよい。導電フィルム又は導電ペーストを用いた場合には、導電粒子により半導体素子と基板の電気的接合を確保することができる。接合材料は、絶縁樹脂フィルム又は絶縁樹脂ペーストであってもよい。絶縁樹脂フィルム又は絶縁樹脂ペーストを用いた場合には、半導体素子の電極と基板が直接接触するように接合させて電気的接合を確保することが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の接合方法によれば、実用上十分に反りの抑制された、半導体素子と基板の接合体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら、好適な実施形態を説明する。なお、図面の説明において同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は理解を容易にするため一部を誇張して描いており、寸法比率は説明のものとは必ずしも一致しない。
【００１３】
図１は、本発明の接合方法によって得られる接合体を模式的に示す断面図である。図１に示す接合体１００は、基板１と、半導体素子基板２ａと電極２ｂを備える半導体素子２と、基板１及び半導体素子２との間に配置されこれらを接合する接合材料３と、を備えている。接合体１００においては、半導体素子２の電極２ｂが基板１に対向するようにして配置されている。
【００１４】
実施形態に係る半導体素子の接合方法は、接合材料を半導体素子及び基板で挟持した積層物を準備する積層工程と、上記接合材料が加熱されるようにして積層方向に加圧する加圧工程を備える。
【００１５】
図２は、積層工程を説明するための断面図である。積層工程では、基板１上に、接合材料３、半導体素子基板２ａと電極２ｂを備える半導体素子２を、電極２ｂが接合材料３側になるように、この順に配置し、積層物２００を得る。
【００１６】
図３は加圧工程を説明するための斜視図であり、図４はこの加圧工程を説明するための断面図である。図３及び４に示すように、加圧工程においては、ステージ６の片面にスペーサー７を備える加圧具８の上に、基板１がスペーサー７と接触するようにして、上記積層工程で得た積層物２００を配置する。図５は、積層方向に見たスペーサー７と半導体素子２との重なり部分を示す図である。図５に示すように、基板１、接合材料３及び半導体素子２がこの順に積層された積層物２００においては、接合材料３と対向する面とは反対の基板１の面のうち、斜線で示す部分にスペーサー７が接しており、このスペーサー７の部分に加圧力が印加される。また、加圧部分と、半導体素子２の接合材料３と対向する対向面との、積層方向に見た重なり部分の面積（すなわちスペーサー７と基板１が接する斜線部の面積）が、積層方向に見た半導体素子２と基板１の重なり部分の面積（図５においては半導体素子２の接続材料３と接する面の面積である）よりも小さくなっている。図３の矢印は積層物２００の積層方向を示すが、同図に示すように、半導体素子２の重心から積層方向に伸びる直線５が加圧部分と交わっている。この位置関係は、図５にも示されている。すなわち、直線５は、積層方向に見たスペーサー７と半導体素子２との重なり部分（斜線部分）と交わっている。図３〜５は、基板１、半導体素子２及び接合材料３が平板状である場合を示すものであるが、これらは平板状に限らず種々の形状を取ることができる。その場合において、基板１、半導体素子２及び接合材料３からなる積層物２００を水平面に設置したときに、その水平面から垂直に伸びる線が積層方向となる。
【００１７】
図６は、実施形態に係る接合方法に従って、半導体素子と基板を接合する方法を説明するための断面図である。上述の方法で配置を行った後、図６に示すように、半導体素子２の上面より加熱圧着具４により加熱加圧を行うことで、半導体素子２と基板１を接合する。なお、図６に示すように、加熱圧着具４を用いることで、加熱と加圧を同時に行うようにする方法以外に、加熱と加圧を別の手段で実施する方法もある。例えば、加熱されたオーブンの中で加圧力のみを印加する圧着具を用いてもよい。
【００１８】
図７は加圧力が印加されている状態を示す断面図である。図７に示すように、スペーサー７が基板１の下面に存在するため、冷却後に発生する反りとは反対方向の反りを基板１や接合材料３に与えながら加圧力が印加される。したがって、冷却後に半導体素子２及び基板１が収縮した際には互いの反り量が打ち消し合い結果的には反りを抑制することができ、図１に示すような、反りのない接合体１００が得られる。
【００１９】
本発明の接合方法は、前述した実施形態に限定されるものではなく、接合材料と対向する面とは反対の基板の面のうち加圧力が印加される加圧部分と、半導体素子の接合材料と対向する対向面との、積層方向に見た重なり部分の面積が、積層方向に見た半導体素子と上記基板の重なり部分の面積よりも小さく、且つ、半導体素子の重心から積層方向に伸びる直線が加圧部分と交わる限りにおいて様々な実施形態をとることができる。
【００２０】
図８は、上記の方法とは異なる態様において、積層方向に見たスペーサーと半導体素子との重なり部分を示す図である。図８に示すように、基板１、接合材料３及び半導体素子２がこの順に積層された積層物２００においては、接合材料３と対向する面とは反対の基板１の面にスペーサー７が接しており、このスペーサー７の部分に加圧力が印加される。この加圧部分と、半導体素子２の接合材料３と対向する対向面との、積層方向に見た重なり部分の面積（図８の斜線部の面積）が、積層方向に見た半導体素子２と基板１の重なり部分の面積（図８においては半導体素子２が接続材料３と接する面の面積である）よりも小さくなっている。また、直線５は加圧部分（斜線部分）と交わっている。このような方法によっても、図１に示すような、反りの低減された接合体１００を得ることができる。
【００２１】
図９は、上記の方法とは異なる態様において、積層方向に見たスペーサーと半導体素子との重なり部分を示す図である。図９には、積層方向から見て半導体素子２より大きい面積を持つスペーサー７を使用した例が示されている。この場合においても、加圧部分と、半導体素子２の接合材料３と対向する対向面との、積層方向に見た重なり部分の面積（図９の斜線部の面積）が、積層方向に見た半導体素子２と基板１の重なり部分の面積（図９においては半導体素子２が接続材料３と接する面の面積である）よりも小さくなっている。また、直線５は加圧部分（斜線部分）と交わっている。このような方法によっても、図１に示すような、反りの低減された接合体１００を得ることができる。
【００２２】
図１０は、上記の方法とはさらに異なる態様において、積層方向に見たスペーサーと半導体素子との重なり部分を示す図である。図１０には、積層方向から見て半導体素子２より大きい面積を持つスペーサー７を使用した例が示されている。この場合においても、加圧部分と、半導体素子２の接合材料３と対向する対向面との、積層方向に見た重なり部分の面積（図１０の斜線部の面積）が、積層方向に見た半導体素子２と基板１の重なり部分の面積（図１０においては半導体素子２が接続材料３と接する面の面積である）よりも小さくなっている。また、直線５は加圧部分（斜線部分）と交わっている。このような方法によっても、図１に示すような、反りの低減された接合体１００を得ることができる。
【００２３】
上述の方法において、接合体の反りを抑制するという観点では、〔（加圧部分と半導体素子２との重なり部分の面積／半導体素子２と基板１の重なり部分の面積）×１００〕は１〜７０であることが好ましく、１〜３０であることが好ましい。
【００２４】
基板１としては、例えば、外形：５ｍｍ×５ｍｍ〜６００ｍｍ×６００ｍｍ、厚み：０．１ｍｍ〜１．５ｍｍの形状を有するものを用いることができる。
【００２５】
半導体素子２としては、例えば、外形：０．５ｍｍ×０．５ｍｍ〜２ｍｍ×３０ｍｍ、厚み：０．５ｍｍ〜０．８ｍｍの形状を有するものを用いることができる。
【００２６】
また、上述の形状の基板１及び半導体素子２を接合する場合、スペーサー７の厚みは、１〜１０μｍであることが好ましい。このような厚みのスペーサー７を用いた場合、加熱圧着具４による半導体素子２の加熱の均一性が増し、より接合体の反りを抑制することができる。また、このような厚みのスペーサー７を用いると、電気的導通を必要とする場合にも、実用上十分な範囲の接続抵抗を得ることができる。
【００２７】
このとき、接合信頼性を保持する観点からは、スペーサー７の厚みは１〜５μｍであることが更に好ましい。また、薄型の接合体、特に厚さが０．６ｍｍ以下の接合体の接合に用いる場合には、１〜３μｍであることが好ましい。
【００２８】
スペーサー７の材質としては、半導体素子２と基板１の加熱加圧による接合を妨げないものであれば特に制限はなく、例えば、ＳＵＳ箔、銅箔、アルミ箔、チタン箔等の金属箔、ＰＥＴ、ポリフッ化エチレン系繊維等の有機材料が挙げられる。
【００２９】
また、上述の方法では、スペーサー７と基板１が接する部分の形状は四角形であるが、五角形、六角形等の多角形、丸形など多種の形のものを使用してもよい。
【００３０】
また、加圧具８としては、ステージ６の片面上にスペーサー７を単に載せたものを使用することもできるが、ステージ６とスペーサー７が一体化した加圧具８を使用してもよい。
【００３１】
図１１は、他の実施形態に係る接合方法に従って、半導体素子と基板を接合する方法を説明するための断面図である。この実施形態では、上記と同様の方法で積層物２００を準備した後、断面が弓形の曲面を有する加圧具８を準備する。このような加圧具８の上に、上記積層工程で準備した積層物２００を加圧具８と基板１が接するように配置する。このとき加圧具８と基板１の接触部分（加圧部分）の面積は、半導体素子２の積層方向に見た面積よりも小さいものを用いる。また、半導体素子の重心から積層方向に伸びる直線が、直線状の加圧部分と交わるようにする。なお、加圧部分が線である場合には、その面積は０となるが、この場合も「面積」があるものとして扱う。上述のように配置した後、半導体素子２の上面より加熱圧着具４により加熱加圧を行い半導体素子２と基板１を接合する。
【００３２】
このような実施形態によっても、図１に示すような、反りの低減された接合体１００を得ることができる。
【００３３】
図１２は、上記とはさらに異なる実施形態に係る接合方法に従って、半導体素子と基板を接合する方法を説明するための断面図である。この実施形態では、上記と同様の方法で積層物２００を準備した後、断面が切妻形状を有する加圧具８を準備する。このような加圧具８の上に、上記積層工程で準備した積層物２００を加圧具８と基板１が接するように配置する。このとき加圧具８と基板１の接触部分（加圧部分）の面積は、半導体素子２の積層方向に見た面積よりも小さいものを用いる。また、半導体素子の重心から積層方向に伸びる直線が、直線状の加圧部分と交わるようにする。上述のように配置した後、半導体素子２の上面より加熱圧着具４により加熱加圧を行い半導体素子２と基板１を接合する。
【００３４】
このような実施形態によっても、図１に示すような、反りの低減された接合体１００を得ることができる。
【００３５】
基板１としては、例えば、ガラス基板、ガラス強化エポキシ基板、紙フェノール基板、セラミック基板、積層板を用いることができる。
【００３６】
半導体素子２としては、例えば、ＩＣチップ、ＬＳＩチップ、抵抗、コンデンサを用いることができる。ＩＣチップ、ＬＳＩチップ等部品サイズが大きく、接合端子数が多い実装材料を用いた場合に本発明の効果が顕著に表れる傾向にある。
【００３７】
接合材料３としては、基板１と半導体素子２を接合できるものであればよく、例えば、絶縁樹脂に導電粒子を含有させた導電フィルム又は絶縁樹脂に導電粒子を含有させた導電ペースト、異方導電フィルム（ＡＣＦ）、異方導電ペースト（ＡＣＰ）、絶縁性フィルム（ＮＣＦ）、絶縁性ペースト（ＮＣＰ）を使用することができる。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。実施例は、ステージ上にスペーサーを設置し加圧具としたものを用いて行った。
【００３９】
＜実施例１〜２２、比較例１〜６＞
［スペーサーの準備］
スペーサーとして、所定の形状及び厚みの、ＳＵＳ箔、Ａｌ箔、ＰＶＣフィルム、後述の樹脂フィルムＩを準備した。樹脂フィルムＩの作製方法を以下に示す。
【００４０】
フェノキシ樹脂（東都化成社製、商品名：ＹＰ−５０）を２−ブタノン溶液に溶解して、フェノキシ樹脂濃度が４０質量％の溶液１を作製した。また、ビニルブチラールポリマー（電気化学工業社製、商品名：３０００Ｋ）を、２−ブタノン溶液に溶解して、ビニルブチラールポリマー濃度が４０質量％の溶液２を作製した。さらに、溶液１及び溶液２を質量比１：１の割合で混合して、混合溶液を作製した。その後、混合溶液をナイフコーター（康井精機社製）でフィルムに加工し、樹脂フィルムＩを得た。
【００４１】
［接合材料の準備］
接合材料として、日立化成工業製異方導電フィルム（商品名ＡＣ−８４０８）、接合材料（Ａ）異方導電ペースト、接合材料（Ｂ）絶縁樹脂フィルム、接合材料（Ｃ）絶縁樹脂ペーストを準備した。接合材料（Ａ）異方導電ペースト、接合材料（Ｂ）絶縁樹脂フィルム、接合材料（Ｃ）絶縁樹脂ペーストの作製方法を以下に示す。
【００４２】
（接合材料（Ａ）異方導電ペーストの作製）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（東都化成製、商品名：ＹＤ−１２７）、硬化剤（四国化成製、商品名：２Ｅ４ＭＺ）、添加剤（東レダウコーニングシリコーン製、商品名：ＳＨ６０４０）及び導電粒子（積水化学製、商品名：ＡＵ−２０３Ａ）を質量比１００：１０：２：４０の割合で混合し、異方導電性ペーストを作製した。
【００４３】
（接合材料（Ｂ）絶縁樹脂フィルムの作製）
フェノキシ樹脂（東都化成製、商品名：ＰＫＨＣ、４０質量％トルエン溶液）、エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン製、商品名：ＥＰ１０３２Ｈ６０）、潜在性硬化剤（旭化成工業製、商品名：ＨＸ３９４１）及び添加剤（東レダウコーニングシリコーン製、商品名：ＳＨ６０４０）を質量比４０：２０：３０：２の割合で混合した。その後、作製した混合溶液を、ナイフコーター（康井精機社製）で厚み２５μｍの絶縁樹脂フィルムに加工した。
【００４４】
（接合材料（Ｃ）絶縁樹脂ペーストの作製）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（東都化成製、商品名：ＹＤ−１２７）、硬化剤（四国化成製、商品名：２Ｅ４ＭＺ）及び添加剤（東レダウコーニングシリコーン製、商品名：ＳＨ６０４０）を質量比１００：１０：２の割合で混合し、絶縁樹脂ペーストを作製した。
【００４５】
［基板及び半導体素子の準備］
基板として、ガラス基板〔コーニング＃１７３７、外形３８ｍｍ×２８ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ表面にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）配線パターン（パターン幅５０μｍ、電極間スペース５０μｍ）を有するもの〕を準備した。また、半導体素子としては、ＩＣチップ（外形１７ｍｍ×１．７ｍｍ、厚さ０．５５ｍｍ、バンプの大きさ５０μｍ×５０μｍ、バンプ間スペース５０μｍ）を用いた。
【００４６】
［接合体の作製］
ステージ上に直方体又は立方体形状のスペーサーを設置し、スペーサーを材料、厚み及び面方向の形状、接合材料を変えて接合体を作製した。各実施例、各比較例の条件は表１〜４に示す。また、スペーサーはその重心を半導体素子の重心と一致させ、積層方向から見たスペーサーの各辺は、半導体素子の各辺と平行となるように配置した。ここで、スペーサーの長さは、積層方向から見た場合の半導体素子の長い方の辺と平行になる辺の長さを表し、スペーサーの幅は、積層方向から見た場合の半導体素子の短い方の辺と平行になる辺の長さを表す。なお、接合（実装）は、図６に示すものと同様の加熱圧着具を用い加熱圧着具温度２３５℃で、上記半導体素子２を５０ＭＰａ（バンプ面積換算）の加重で行った。
【００４７】
［反りの評価］
図１３は、反りの評価を説明する模式断面図である。図１３に示す基板１及び半導体素子は、接合材料を介在して接合されている。Ｌは、半導体素子の中心における基板の下面の高さを０としたときの、半導体素子の中心から１２．５ｍｍ離れた場所までの基板の下面の高さのうち最も大きい値を表す。反りの評価は、Ｌを指標として行った。Ｌの値が小さいほど、反りが小さいことを示す。各接合体の反り（Ｌ）の測定結果は表１〜４に示す。
【００４８】
［接続抵抗の測定］
作製した接合体を用いて回路接合部を含む回路間の抵抗値を測定した。測定は、マルチメータ（装置名：ＭＬＲ２１、ＥＴＡＣ社製）を用いて行った。各接合体の測定結果は表１〜４に示す。
【００４９】
【表１】
2008263160.tif 000003
【００５０】
【表２】
2008263160.tif 000004
【００５１】
図１４は実施例１における、測定長に対する反りを表すグラフである。また、図１５は比較例１における、測定長に対する反りを表すグラフである。それぞれの反り（Ｌ）を比較すると、実施例１では比較例１に対し、約６０％反りが低減することが確認できた。
【００５２】
【表３】
2008263160.tif 000005
【００５３】
【表４】
2008263160.tif 000006
【００５４】
以上の実験結果から明らかなように、本実施形態によれば、接合体の反りを実用上十分に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の接合方法によって得られる接合体を模式的に示す断面図である。
【図２】積層工程を説明するための断面図である。
【図３】加圧工程を説明するための斜視図である。
【図４】加圧工程を説明するための断面図である。
【図５】積層方向に見たスペーサー７と半導体素子２との重なり部分を示す図である。
【図６】実施形態に係る接合方法に従って、半導体素子と基板を接合する方法を説明するための断面図である。
【図７】加圧力が印加されている状態を示す断面図である。
【図８】積層方向に見たスペーサーと半導体素子との重なり部分を示す図である。
【図９】積層方向に見たスペーサーと半導体素子との重なり部分を示す図である。
【図１０】積層方向に見たスペーサーと半導体素子との重なり部分を示す図である。
【図１１】他の実施形態に係る接合方法に従って、半導体素子と基板を接合する方法を説明するための断面図である。
【図１２】さらに異なる実施形態に係る接合方法に従って、半導体素子と基板を接合する方法を説明するための断面図である。
【図１３】反りの評価を説明する模式断面図である。
【図１４】実施例１における、測定長に対する反りを表すグラフである。
【図１５】比較例１における、測定長に対する反りを表すグラフである
【図１６】従来の接合方法により半導体素子と基板を接合する方法を説明するための断面図である。
【図１７】従来の接合方法により、接合が終了した状態を示す断面図である。
【図１８】従来の接合方法による加熱及び加圧が終了し、常温に戻った接合体を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１…基板、２ａ…半導体素子基板、２ｂ…電極、２…半導体素子、３…接合材料、４…加熱圧着具、５…フィルム、６…ステージ、７…スペーサー、８…加熱加圧具、１００…本発明の接合方法によって得られる接合体、２００…積層物。
【図１】
2008263160.tif 000007
【図２】
2008263160.tif 000008
【図３】
2008263160.tif 000009
【図４】
2008263160.tif 000010
【図５】
2008263160.tif 000011
【図６】
2008263160.tif 000012
【図７】
2008263160.tif 000013
【図８】
2008263160.tif 000014
【図９】
2008263160.tif 000015
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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