(57)【要約】【課題】寄生キャパシタンスを小さくしゲート抵抗を小さくする。【解決手段】マルチフィンガートランジスタ４００は、アクティブ領域４２０、マルチフィンガーゲート４５０、ソース領域４６０、及びドレイン領域４７０を含む。アクティブ領域は、基板の単位セル内に定義され、二つに形成される。マルチフィンガーゲートは、アクティブ領域内に形成された複数のゲートフィンガー４５２、及びゲートフィンガーを互いに接続して二つのアクティブ領域の間に形成されたゲート接続部４５４を含む。ソース領域は、ゲートフィンガーに隣接するアクティブ領域の一部に形成される。ドレイン領域は、ゲートフィンガーに隣接するアクティブ領域の一部に複数形成される。マルチフィンガートランジスタは、小さい面積を有しかつ、低い抵抗及び寄生キャパシタンスを有する。【選択図】図４
2008211215.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の単位セル内に定義された二つのアクティブ領域と、
前記アクティブ領域内に形成された複数のゲートフィンガー、及び前記ゲートフィンガーを互いに接続して前記二つのアクティブ領域の間に形成されたゲート接続部を含むマルチフィンガーゲートと、
前記ゲートフィンガーに隣接する前記アクティブ領域の一部に形成された複数のソース領域と、
前記ゲートフィンガーに隣接する前記アクティブ領域の一部に形成された複数のドレイン領域と、を含むことを特徴とするマルチフィンガートランジスタ。
【請求項２】
前記各ゲートフィンガーは第１方向に延長して形成され、前記ゲート接続部は前記第１方向と垂直方向の第２方向に延長して形成されることを特徴とする請求項１に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項３】
前記各ソース及びドレイン領域は、前記第１方向に延長して形成され、前記第２方向に交互に形成されることを特徴とする請求項２に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項４】
前記マルチフィンガーゲートと電気的に接続された第１配線と、
前記ソース領域と電気的に接続された第２配線と、
前記ドレイン領域と電気的に接続された第３配線と、を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項５】
前記第２及び第３配線は、前記基板から同一の高さに形成されて互いに対向することを特徴とする請求項４に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項６】
前記単位セルは、不純物のドープされたガードリングによって定義され、前記ガードリングと電気的に接続された第４配線を更に含むことを特徴とする請求項４に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項７】
前記第１及び第４配線は、前記基板から同一の高さに形成されることを特徴とする請求項６に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項８】
前記ソース及びドレイン領域はＮ型不純物を含み、前記ガードリングはＰ型不純物を含むことを特徴とする請求項６に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項９】
前記第２及び第４配線は接地され、前記第３配線は入出力信号の印加を受けることを特徴とする請求項６に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項１０】
前記第１ないし第４配線は金属性物質を含むことを特徴とする請求項６に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項１１】
前記第３配線は前記第２配線と同一の金属を含み、前記第１配線は前記第２配線と異なる金属を含むことを特徴とする請求項１０に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項１２】
前記マルチフィンガーゲート、前記ソース領域、前記ドレイン領域、及び前記ガードリングは、前記第１ないし第４配線とそれぞれ第１、第２、第３、及び第４プラグを通じて電気的に接続されることを特徴とする請求項６に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項１３】
前記マルチフィンガーゲートは、ポリシリコンを含むことを特徴とする請求項１に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項１４】
前記二つのアクティブ領域は、互いに同一の面積を有することを特徴とする請求項１に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチフィンガートランジスタに係り、より詳細には、面積が縮小化され及び優れた特性を有するマルチフィンガートランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、入出力回路またはＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ；ＲＦ）においてＭＯＳトランジスタの最大発振周波数（ｍａｘｉｍｕｍ  ｏｓｃｉｌｌａｔｉｏｎ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を増加させるために、単一ゲートよりは複数のゲートフィンガーを有するマルチフィンガーゲートが用いられ、前記マルチフィンガーゲートを用いたトランジスタをマルチフィンガートランジスタという。
【０００３】
図１ないし図３は、従来のフィンガートランジスタのレイアウトを説明するための平面図である。
【０００４】
図１を参照すると、マルチフィンガートランジスタ１００は、基板１１０に形成されたガードリング１４０によって定義される単位セルを有する。前記単位セル内にはアクティブ領域１２０とフィールド領域１３０が定義される。アクティブ領域１２０には複数のゲートフィンガー１５２が形成され、ゲートフィンガー１５２は、ゲート接続部１５４によって電気的に接続される。ゲートフィンガー１５２及びゲート接続部１５４は、マルチフィンガーゲート１５０に命名することができる。ゲートフィンガー１５２に隣接するアクティブ領域１２０にはソース領域１６０及びドレイン領域１７０が形成される。
【０００５】
第１プラグ１５５は、マルチフィンガーゲート１５０を第１配線（図示せず）に電気的に接続させる。一方、示していないが、ソース領域１６０及びドレイン領域１７０も第２及び第３配線に第２及び第３プラグを通じて電気的に接続される。第４プラグ１４５は、ガードリング１４０を第４配線（図示せず）に電気的に接続させる。
【０００６】
図２及び図３を参照すると、マルチフィンガートランジスタ（２００、３００）は、ゲート接続部（２５４、３５４）及び第１プラグ（２５５、３５５）を除くと図１のマルチフィンガートランジスタ１００と同一であるか類似である。一般的に、ゲート接続部（１５４、２５４、３５４）の形態によって、図１ないし図３のマルチフィンガートランジスタ（１００、２００、３００）をそれぞれミアンダー（ｍｅａｎｄｅｒ）タイプトランジスタ、コーム（ｃｏｍｂ）タイプトランジスタと呼ぶ。
【０００７】
図１のマルチフィンガートランジスタ１００のゲート接続部１５４は、ゲートフィンガー１５２を直列接続させ、図２のマルチフィンガートランジスタ２００のゲート接続部２５４はゲートフィンガー２５２をアクティブ領域２２０の一側面で互いに接続させることに対し、図３のマルチフィンガートランジスタ３００のゲート接続部３５４は、ゲートフィンガー３５２をアクティブ領域３２０の両側面で全て互いに接続させる。
【０００８】
図３のフォルデッドタイプトランジスタ３００は、図１のミアンダータイプトランジスタ１００または図２のコームタイプトランジスタ２００に比べて１／２または１／４のゲート抵抗を有するので相対的に高い最大発振周波数を有することができるが、寄生キャパシタンス面から不利な点を有する。
【０００９】
即ち、フォルデッドタイプトランジスタ３００は、第１プラグ３５５を通じてゲート接続部３５４と電気的に接続される第１配線（図示せず）とガードリング３４０との間の寄生キャパシタンスがミアンダータイプのトランジスタ１００またはコームタイプトランジスタ２００が有する寄生キャパシタンスより大きい値を有する。具体的に、フォルデッドタイプトランジスタ３００におけるガードリング３４０に隣接する前記第１配線の面積は、コームタイプトランジスタ２００におけるガードリング２４０に隣接する第１配線の面積の２倍になり、またミアンダータイプトランジスタ１００におけるガードリング１４０に隣接する前記第１配線の面積よりも大きいので、相対的に大きな寄生キャパシタンス値を有するようになる。
【００１０】
一方、カットオフ周波数は、寄生キャパシタンスに反比例するので、前記寄生キャパシタンスの増加は前記カットオフ周波数の減少を招来し、これによってフォルデッドタイプトランジスタ３００の特性が劣化する問題点を有する。一方、前記寄生キャパシタンスを減少させるためには、マルチフィンガーゲート３５０とガードリング３４０との距離が増加しなければならないが、この場合にはトランジスタの全面積が増加するという問題点を有する。
【特許文献１】特開２００５−６４４６２号明細書
【特許文献２】特開平１１−１６８１７８号明細書
【特許文献３】特開２００２−２９９４６３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
これによって、本発明の目的は、小さい面積を有しかつ低いゲート抵抗及び低い寄生キャパシタンスを有するマルチフィンガートランジスタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前述した本発明の目的を実現するために、本発明の実施形態によるマルチフィンガートランジスタは、アクティブ領域、マルチフィンガーゲート、ソース領域、及びドレイン領域を含む。前記アクティブ領域は、基板の単位セル内に定義され、二つに形成される。前記マルチフィンガーゲートは、前記アクティブ領域内に形成された複数のゲートフィンガー、及び前記ゲートフィンガーを互いに接続して前記二つのアクティブ領域の間に形成されたゲート接続部を含む。前記ソース領域は、前記ゲートフィンガーに隣接する前記アクティブ領域の一部に複数に形成される。前記ドレイン領域は、前記ゲートフィンガーに隣接する前記アクティブ領域の一部に形成される。
【００１３】
本発明の一実施形態によると、前記各ゲートフィンガーは第１方向に延長して形成され、前記ゲート接続部は前記第１方向と垂直する第２方向に延長して形成することができる。
【００１４】
本発明の一実施形態によると、前記各ソース及びドレイン領域は、前記第１方向に延長して形成することができ、前記第２方向に交互に形成することができる。
【００１５】
本発明の一実施形態によると、前記マルチフィンガーゲートと電気的に接続された第１配線と、前記ソース領域と電気的に接続された第２配線と、前記ドレイン領域と電気的に接続された第３配線と、を更に含むことができる。
【００１６】
本発明の一実施形態によると、前記第２及び第３配線は、前記基板から同一の高さに形成されて互いに対向することができる。
【００１７】
本発明の一実施形態によると、前記単位セルは、不純物のドープされたガードリングによって定義され、前記マルチフィンガートランジスタは、前記ガードリングと電気的に接続された第４配線を更に含むことができる。
【００１８】
本発明の一実施形態によると、前記第１及び第４配線は、前記基板から同一の高さに形成することができる。
【００１９】
本発明の一実施形態によると、前記ソース及びドレイン領域はＮ型不純物を含み、前記ガードリングはＰ型不純物を含むことができる。
【００２０】
本発明の一実施形態によると、前記第２及び第４配線は接地され、前記第３配線は入出力信号の印加を受けることができる。
【００２１】
本発明の一実施形態によると、前記第１ないし第４配線は、金属性物質を含むことができる。
【００２２】
本発明の一実施形態によると、前記第３配線は前記第２配線と同一の金属を含み、前記第１配線は前記第２配線と異なる金属を含むことができる。
【００２３】
本発明の一実施形態によると、前記マルチフィンガーゲート、前記ソース領域、前記ドレイン領域、及び前記ガードリングは前記第１ないし第４配線とそれぞれ第１、第２、第３、及び第４プラグを通じて電気的に接続することができる。
【００２４】
本発明の一実施形態によると、前記マルチフィンガーゲートは、ポリシリコンを含むことができる。
【００２５】
本発明の一実施形態によると、前記二つのアクティブ領域は互いに同一の面積を有することができる。
【００２６】
本発明の実施例によるマルチフィンガートラジスタでは、ガードリングに定義される単位セル内のアクティブ領域が二つに形成され、前記アクティブ領域の間にゲート接続部を形成する。これによって、前記ゲート接続部の上部に形成される配線と前記ガードリングとの距離が増加することによって、前記マルチフィンガートランジスタは小さい寄生キャパシタンスを有することができ、高いカットオフ周波数を有することができる。
【００２７】
また、前記配線が単位セルの中央部分に一つのみを配置することで、従来のフォルデッドタイプトランジスタに比べて小さいゲート抵抗を有することができ、高い最大発振周波数を有することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によるマルチフィンガートランジスタでは、ガードリングに定義される単位セル内のアクティブ領域を二つに分けて形成し、前記アクティブ領域の間にゲート接続部を形成する。これによって、前記ゲート接続部の上部に形成される配線と前記ガードリングとの距離が増加するため、前記マルチフィンガートランジスタは小さい寄生キャパシタンスを有することができ、高いカットオフ周波数を有することができる。
【００２９】
また、前記配線が単位セルの中央部分に一つのみが配置されることによって、従来のフォルデッドタイプトランジスタに比べて小さいゲート抵抗とすることができ、高い最大発振周波数を有することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、添付する図面を参照して本発明の望ましい実施形態によるマルチフィンガートランジスタに対して詳細に説明する。
【００３１】
図４は、本発明の実施形態によるマルチフィンガートランジスタのレイアウトを説明するための平面図であり、図５ないし図８は、図４に示したマルチフィンガートランジスタをＩ−Ｉ、ＩＩ−ＩＩ、ＩＩＩ−ＩＩＩ、及びＩＶ−ＩＶに沿って見た断面図である。図面の簡単明瞭さのために、図４では第４配線の図示を省略し、図５ないし図８では各層の間に形成された層間絶縁膜の図示を省略した。
【００３２】
図４及び図５ないし図８を参照すると、マルチフィンガートランジスタ４００は、複数の単位セルを有し、前記単位セルはガードリング４４０によって定義される。図面では、一つの単位セルのみを示し、これからは一つの単位セルについてのみ説明する。
【００３３】
マルチフィンガートランジスタ４００は、基板４１０内に第１アクティブ領域４２２及び第２アクティブ領域４２４を含むアクティブ領域４２０を有する。アクティブ領域４２０は、素子分離膜４３５によって定義されるフィールド領域４３０と区分される。素子分離膜４３５は酸化物を含むことができる。
【００３４】
基板４１０は、シリコンまたはゲルマニウムを含むことができる。基板４１０の上部にはＰ型またはＮ型不純物のドープされたＰ型またはＮ型ウェル（ｗｅｌｌ）を形成することができる。本発明の一実施形態によると、基板４１０の上部にはＰ型ウェルが形成され、ガードリング４４０は、Ｐ＋拡散領域であって前記Ｐ型ウェルにバイアス（ｂｉａｓ）を提供する。
【００３５】
本発明の一実施形態によると、第１及び第２アクティブ領域（４２２、４２４）は実質的に同一の形状と面積を有する。これとは違って、第１及び第２アクティブ領域（４２２、４２４）は互いに異なる形状または面積を有することができる。特に、第１アクティブ領域４２２の幅である第１幅（Ｗ１）と第２アクティブ領域の幅である第２幅（Ｗ２）が互いに異なる値を有することができる。
【００３６】
アクティブ領域４２０には、複数のゲートフィンガー４５２が形成される。本発明の一実施形態によると、各ゲートフィンガー４５２は、互いに平行でありかつ第１方向に延長するように形成する。
【００３７】
ゲートフィンガー４５２は、第１アクティブ領域４２２と第２アクティブ領域４２４との間に形成されたゲート接続部４５４によって互いに接続される。ゲート接続部４５４が第１アクティブ領域４２２と第２アクティブ領域４２４との間に形成されることによって、アクティブ領域とガードリングとの間にゲート接続部の形成された従来マルチフィンガーゲートに比べて、本発明の実施形態によるマルチフィンガーゲート４００はゲート接続部４５４とガードリング４４０との距離を大きくすることができる。これによって、ゲート接続部４５４の上部に形成される第１配線４８０とガードリング４４０との距離（Ｌ１）も増加し、本発明の実施形態によるマルチフィンガーゲート４００は低い寄生キャパシタンスを有することができる。
【００３８】
一方、本発明の一実施例によると、ゲート接続部４５４は、前記第１方向に実質的に垂直する第２方向に延長して形成される。
【００３９】
本発明の一実施形態によると、ゲートフィンガー４５２及びゲート接続部４５４は、ポリシリコンを含む。これとは違って、ゲートフィンガー４５２及びゲート接続部４５４は、金属を含むことができる。
【００４０】
ゲートフィンガー４５２に隣接するアクティブ領域４２０には、ソース領域４６０及びドレイン領域４７０が形成される。具体的に、アクティブ領域４２０のゲートフィンガー４５２によってカバーされた部分間に複数のソース領域４６０及びドレイン領域４７０が交互に形成される。本発明の一実施形態によると、各ソース及びドレイン領域（４６０、４７０）は、前記第１方向に延長するように形成される。一方、基板４１０がＰ型ウェルを含む場合、ソース及びドレイン領域（４６０、４７０）はＮ型不純物のドープされたＮ＋拡散領域になってもよい。
【００４１】
ゲート接続部４５４は、第１プラグ４５５を通じて第１配線４８０と電気的に接続される。第１ピラグ４５５は、導電性物質を含むことができる。
【００４２】
第１配線４８０は、第１プラグ４５５を通じてゲート接続部４５４と直接接続される第１接続部４８２及び第１接続部４８２から延長して外部信号の印加を受ける延長部４８４を含む。図示していないが、第１プラグ４５５は、第１層間絶縁膜を貫通するように形成することができ、第１配線４８０は、前記第１層間絶縁膜上に形成することができる。第１配線４８０は、金属のような導電性物質を含むことができる。
【００４３】
ガードリング４４０は、第４プラグ４４５を通じて第４配線４４７と電気的に接続される。第４プラグ４４５は導電性物質を含むことができる。
【００４４】
第４配線４４７は、接地線に接続することができ、金属のような導電性物質を含むことができる。また、第４プラグ４４５は、前記第１層間絶縁膜を貫通するように形成することができ、第４配線４４７は、前記第１層間絶縁膜上に形成することができる。
【００４５】
ソース領域４６０は、第２プラグ４６５を通じて第２配線４９０と電気的に接続される。第２プラグ４６５は導電性物質を含むことができる。
【００４６】
第２配線４９０は、第２プラグ４６５を通じて複数のソース領域４６０と直接接続される複数の第２接続部４９１及び第２接続部４９１とを互いに電気的に接続する第１接続部４９３を含む。第２配線４９０は、接地線に接続することができる。図示していないが、第２プラグ４６５は、前記第１層間絶縁膜及び前記第１層間絶縁膜上に形成された第２層間絶縁膜を貫通するように形成することができ、第２配線４９０は、前記第２層間絶縁膜上に形成することができる。第２配線４９０は、金属のような導電性物質を含むことができる。
【００４７】
第３配線４９５は、第３プラグ４７５を通じて複数のドレイン領域４７０と直接接続される複数の第３接続部４９７及び第３接続部４９７を互いに電気的に接続する第２接続部４９９を含む。第３配線４９５には入出力信号を印加することができる。本発明の一実施例によると、第３プラグ４７５は、前記第１及び第２層間絶縁膜を貫通するように形成することができ、第３配線４９５は、前記第２層間絶縁膜上に形成することができる。ここで、第２及び第３接続部（４９１、４９７）は前記第１方向に延長し、前記第２方向に交互に配置することができる。また、第１及び第２接続部（４９３、４９９）は前記第２方向に延長され、互いに対向するように配置することができる。
【００４８】
第３配線４９５は、金属のような導電性物質を含むことができる。本発明の一実施例よると、第２及び第３配線（４９０、４９５）は、同一の金属を含むことができ、第１配線４８０が含む金属と異なる金属を含むことができる。
【００４９】
図９は、比較例によるマルチトランジスタのレイアウトを説明するための平面図である。図９のマルチフィンガートランジスタ３００は、従来の技術で言及したフォルデッドタイプトランジスタであって、図３に示したマルチフィンガートランジスタ３００と同一である。ただし、本発明の実施例によるマルチフィンガートランジスタ４００と比較するために、第１ないし第３配線を更に示した。
【００５０】
図９を参照すると、アクティブ領域３２０の両側面にゲート接続部３５４が形成される。また、第１配線３８０が第１プラグ３５５を通じてゲート接続部３５４と電気的に接続されるようにゲート接続部３５４の上部に形成される。これによって、第１配線３８０とガードリング３４０との距離（Ｌ２）が図４に示したマルチフィンガートランジスタ４００における第１配線４８０とガードリング４４０との距離（Ｌ１）よりも短い。よって、本発明の実施形態によるマルチフィンガートランジスタ４００の寄生キャパシタンスが比較例によるマルチフィンガートランジスタ３００の寄生キャパシタンスよりも小さくすることができ、これによって相対的に大きい値のカットオフ周波数を有することができる。
【００５１】
また、本発明の実施例によるマルチフィンガートランジスタ４００は、比較例によるマルチフィンガートランジスタ３００に比べて同一の単位セル面積で相対的に小さい寄生キャパシタンスを有するので、同一の寄生キャパシタンスを有すると仮定するとき、相対的に小さい単位セル面積を有することができる。
【００５２】
一方、図９のマルチフィンガートランジスタ３００において、第１配線３８０は第１プラグ３５５を通じてゲート接続部３５４と直接接続される第１接続部３８２、第１接続部３８２から延長して外部信号の印加を受ける延長部３８４及び第１接続部３８２と延長部３８４とを接続させるブリッジ部３８６を含む。ブリッジ部３８６が存在することによって、ブリッジ部３８６の長さだけゲート抵抗が増加するようになる。よって、本発明の実施例によるマルチフィンガートランジスタ４００は、比較例によるマルチフィンガートランジスタ３００に比べて低いゲート抵抗を有することができ、これによって相対的に大きい値の最大発振周波数を有することができる。
【００５３】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。
【００５４】
本発明によるマルチフィンガートランジスタでは、ガードリングに定義される単位セル内のアクティブ領域を二つに形成され、前記アクティブ領域の間にゲート接続部を形成する。これによって、前記ゲート接続部の上部に形成される配線と前記ガードリングとの距離が増加することによって、前記マルチフィンガートランジスタは小さい寄生キャパシタンスを有することができ、高いカットオフ周波数を有することができる。
【００５５】
また、前記配線が単位セルの中央部分に一つのみが配置されることによって、従来のフォルデッドタイプトランジスタに比べて小さいゲート抵抗を有することができ、高い最大発振周波数を有することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、マルチフィンガートランジスタの寄生キャパシタンスを小さくすることができ、ゲート抵抗を小さくすることができるため、高性能のマルチフィンガートランジスタの製造において使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】従来のマルチフィンガートランジスタのレイアウトを説明するための平面図である。
【図２】従来のマルチフィンガートランジスタのレイアウトを説明するための平面図である。
【図３】従来のマルチフィンガートランジスタのレイアウトを説明するための平面図である。
【図４】本発明の実施形態によるマルチフィンガートランジスタのレイアウトを説明するための平面図である。
【図５】図４に示したマルチフィンガートランジスタをＩ−Ｉ’に沿って見た断面図である。
【図６】図４に示したマルチフィンガートランジスタをＩＩ−ＩＩ’に沿って見た断面図である。
【図７】図４に示したマルチフィンガートランジスタをＩＩＩ−ＩＩＩ’に沿って見た断面図である。
【図８】図４に示したマルチフィンガートランジスタをＩＶ−ＩＶ’に沿って見た断面図である。
【図９】比較例によるマルチフィンガートランジスタのレイアウトを説明するための平面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１００    第１マルチフィンガートランジスタ、
１１０、２１０、３１０、４１０    基板、
１２０、２２０、３２０、４２０    アクティブ領域、
１３０、２３０、３３０、４３０    フィールド領域、
１４０、２４０、３４０、４４０    ガードリング、
１４５、２４５、３４５、４４５    第４プラグ、
１５０、２５０、３５０、４５０    マルチフィンガーゲート、
１５２、２５２、３５２、４５２    ゲートフィンガー、
１５４、２５４、３５４、４５４    ゲート接続部、
１５５、２５５、３５５、４５５    第１プラグ、
１６０、２６０、３６０、４６０    ソース領域、
１７０、２７０、３７０、４７０    ドレイン領域、
２００    第２マルチフィンガートランジスタ、
３００    第３マルチフィンガートランジスタ、
４００    第４マルチフィンガートランジスタ、
４４７    第４配線、
４６５    第２プラグ、
４７５    第３プラグ、
４８０    第１配線、
４９０    第２配線、
４９５    第３配線、
【図１】
2008211215.tif 000003
【図２】
2008211215.tif 000004
【図３】
2008211215.tif 000005
【図４】
2008211215.tif 000006
【図５】
2008211215.tif 000007
【図６】
2008211215.tif 000008
【図７】
2008211215.tif 000009
【図８】
2008211215.tif 000010
【図９】
2008211215.tif 000011