(57)【要約】      （修正有）【課題】外周リング電極に隣接する素子のレジストの段差（盛り上がり）を低減し、また各素子の端部にある凸部上のレジスト厚さの減少を抑制することができる絶縁膜形成方法を提供する。【解決手段】外周リング電極２と素子６の凸部３ａの間にダミーパターン４を形成することで、凸部３ａのＧ部におけるレジスト厚を凸部３ｂのＫ部におけるレジスト厚とほぼ等しくすることができる。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周部に外周リング電極と前記外周部の内側に素子を形成し表面に凸部を有する基板上に絶縁性有機材料を真空ラミネートすることによって絶縁膜を形成する絶縁膜形成方法において、前記外周リング電極と前記素子の間の基板に第１ダミーパターンを形成したことを特徴とする絶縁膜形成方法。
【請求項２】
前記絶縁性有機材料がドライフィルムレジストであることを特徴とする請求項１に記載の絶縁膜形成方法。
【請求項３】
前記第１ダミーパターンが、基板上に形成しためっきパターンまたは基板にスルーホールパターンもしくは基板の表面から深さ方向に穴を形成した凹部パターンであることを特徴とする請求項１または２に記載の絶縁膜形成方法。
【請求項４】
前記第１ダミーパターンが、前記外周リング電極の端部線に対して長手方向が直角または平行である長方形パターンあるいは楕円パターンであるか、もしくは長手方向が直角のものと平行のものをそれぞれ組み合わせたことを特徴とする請求項３に記載の絶縁膜形成方法。
【請求項５】
前記第１ダミーパターンが、正方形パターンまたは円形パターンであることを特徴とする請求項３に記載する絶縁膜形成方法。
【請求項６】
前記第１ダミーパターンを格子状に配列したことを特徴とする請求項５に記載する絶縁膜形成方法。
【請求項７】
前記第１ダミーパターンと素子の間隔を、基板内に形成した素子間隔と同一とすることを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の絶縁膜形成方法。
【請求項８】
前記請求項４〜６に記載の前記第１ダミーパターンを組み合わせたことを特徴とする請求項１または２に記載の絶縁膜形成方法。
【請求項９】
前記第１ダミーパターンが、前記素子パターンの全部もしくは前記素子パターンの一部と同形であり、前記基板内に形成した素子の周期と同じ周期で繰り返されることを特徴とする請求項１または２に記載の絶縁膜形成方法。
【請求項１０】
素子を形成し表面に凸部を有する基板上に絶縁性有機材料を真空ラミネートすることによって絶縁膜を形成する絶縁膜形成方法において、前記素子の素子端部側に第２ダミーパターンを形成したことを特徴とする絶縁膜形成方法。
【請求項１１】
外周部に外周リング電極と前記外周部の内側に素子を形成し表面に凸部を有する基板上に絶縁性有機材料を真空ラミネートすることによって絶縁膜を形成する絶縁膜形成方法において、前記素子の素子端部側に第２ダミーパターンを形成したことを特徴とする絶縁膜形成方法。
【請求項１２】
外周部に外周リング電極と前記外周部の内側に素子を形成し表面に凸部を有する基板上に絶縁性有機材料を真空ラミネートすることによって絶縁膜を形成する絶縁膜形成方法において、前記外周リング電極と前記素子の間の基板に第１ダミーパターンを形成し、前記素子の素子端部側に第２ダミーパターンを形成したことを特徴とする絶縁膜形成方法。
【請求項１３】
前記絶縁性有機材料がドライフィルムレジストであることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の絶縁膜形成方法。
【請求項１４】
前記第１ダミーパターンを形成したことを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の絶縁膜形成方法。
【請求項１５】
前記第２ダミーパターンが、基板上に形成しためっきパターンであることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の絶縁膜形成方法。
【請求項１６】
前記めっきパターンが、素子端部に対し平行に配置した長方形パターンであることを特徴とする請求項１５に記載の絶縁膜形成方法。
【請求項１７】
前記めっきパターンが、三角形状のパターンまたは台形状のパターンであることを特徴とする請求項１５に記載の絶縁膜形成方法。
【請求項１８】
前記めっきパターンが、概略四角形状のパターンであり、該パターンを複数個配置したことを特徴とする請求項１５に記載の絶縁膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、素子を形成した半導体基板上や絶縁体基板上に保護膜として用いるフィルム状の絶縁性有機材料（ドライフィルムレジスト）を真空ラミネートする絶縁膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板に半導体素子が形成された半導体装置、あるいは絶縁体基板上にコイルやコンデンサなどの受動素子，ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）などの半導体素子を形成もしくは実装した電子部品を保護するため、半導体素子表面あるいは絶縁体基板表面をフィルム状の絶縁性有機材料（ドライフィルムレジスト）にて覆って保護する場合が多い。また、半導体基板表面には半導体素子の形成に伴う凸部が存在し、また例えばインダクタを形成した絶縁体基板表面には厚さ数十μｍのコイルパターンなどの形成に伴う凸部が存在し、これらの基板上では凸部が立体構造を形成している。そのため、通常のラミネート方法では、隙間に空気が入り込んでしまう。
【０００３】
そこで、空気の流入を防止する技術として、半導体基板あるいは絶縁体基板上に保護膜となるフィルム状の絶縁性有機材料（ドライフィルムレジスト）をラミネートする装置の一種として、真空ラミネータが知られている。この真空ラミネータは、真空引きによって内部に真空雰囲気を形成することができるチャンバを備えている。
また、圧力を調整することによってチャンバ内に膨張する加熱可能な膜体を備えており、チャンバに収容できる基板とドライフィルムレジスト（以下、単にレジストと略す）とを一組または数組ずつ導入してから真空引きをして膨張した膜体によりレジストを基板に圧着させて、基板をレジストで被覆する。
【０００４】
尚、特許文献１では、真空ラミネートに関する説明がなされており、感光性ドライフィルム（レジスト）と隆起したレリーフを有する基板の間の実質的に空隙のない界面を得るための方法が開示されている。
【特許文献１】特開平２−２２６１５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、前記した従来技術では、基板の外周部にレジストが集中（溜まって）してしまい、基板中央部のレジストの平坦部に対して基板の外周部のレジストに盛り上がり（後述の段差）が生じてしまう。このレジストが盛り上がった部分に位置する素子は、レジストが厚くなるため規格外となってしまう。そのため、この盛り上がりによって、不良素子の数が増加してしまうという問題点がある。
【０００６】
前記の外周部のレジストの盛り上がりは、レジストを真空ラミネートした時に、レジストを押さえている後述の図２に示したＰＥＴフィルムで閉じられている基板の端部に、加熱され柔軟になったレジストが、ＰＥＴフィルムを大気圧等の圧力で加圧することにより基板の外周方向に圧延されて伸びて行き、基板の外周部に集中する（溜まる）ことで引き起こされる。基板外周のエッジは、ＰＥＴフィルム１５を介してレジスト５を基板１に押し付ける図示しないダイヤフラムのうち、基板１のない部分に大気圧等で加わる力を受ける支点となるため、ダイヤグラム／ＰＥＴフィルムに強く当てつけられ、かつ支点となったエッジよりすぐ内側の部分でダイヤフラムがたわんで持ち上がるため、この部分に圧延されたレジストが溜まってしまう。これにより、基板外周部にレジストの盛り上がりが生じるのである。また基板の外周部に外周リング電極があるとこの盛り上がりはさらに大きくなる。
【０００７】
つぎに、この外周部のレジストの盛り上がりに影響を与える外周リング電極について説明する。
半導体装置やインダクタなどの電子部品を製造する工程において、めっきを利用する場合が多い。特に金属膜の膜厚を数十μｍと厚くしたい場合にはめっきが多用される。めっきに電解めっきを用いる場合には、めっきする基板（例えばシリコン基板やフェライト基板など）に通電する必要がある。通電するためには基板の周囲に外周リング電極を形成する必要がある。この外周リング電極とめっき装置の電極とを接触させてめっきを行う。めっき工程ではこの外周リング電極にもめっきされる。
【０００８】
前記したように、外周リング電極のある基板端部近傍にレジストが集中し（溜まり）、厚くなる。そのために、外周リング電極に隣接する素子（インダクタや半導体素子）の端部側に形成される接続端子（実装端子／電極パット）の表面高さと接続端子上のレジスト表面の最大高さの差、すなわち、段差が規格外になり、不良素子の数が増大してしまう。この段差が大きくなると、素子の接続端子とプリント基板の配線パターンとのはんだ付けが良好に行われなくなる。
【０００９】
図１５は、レジストが形成された基板の要部断面図である。この図では実際はめっきパターンで形成される凸部３は素子６の表面で複雑な平面および断面パターンをしているがここでは便宜的に、１つの素子上に形成される凸部３の断面を１つの四角形で表した。
基板１に凸部３のめっきパターンが形成された素子６と外周リング電極２を形成後、真空ラミネートする。外周リング電極２に隣接する凸部３ａから外周リング電極２にかけてレジスト５が厚く盛り上がる。この凸部３はめっきパターンなどである。
【００１０】
凸部３ａ上のレジスト５の段差Ｑは凸部３ｂ上のレジスト５の段差Ｒ（２０μｍ程度）より大きくなり、３０μｍ〜４０μｍ程度になる。この段差Ｑが３０μｍを超えると素子６の図示しない接続端子とプリント基板とのはんだ付けが良好に行われなくなる。
また、基板１内に多数形成された素子６においては、素子６の端部に形成される凸部３と隣接する素子の端部に形成される凸部３との隙間が広くなると、凸部３端上のレジスト５が薄くなるという問題がある。つぎにそれを説明する。
【００１１】
図１６はレジストが形成された素子の構成図であり、同図（ａ）は要部断面図、同図（ｂ）は要部平面図である。同図（ａ）は同図（ｂ）のＸ１−Ｘ１線で切断した要部断面図である。
基板１内に多数形成された素子６に凸部１１（図１５の凸部３を詳細に示したものに相当する）のめっきパターンを形成後、真空ラミネートによってレジスト５を形成する。凸部１１はここでは長方形である素子６に対して斜めの配置とした。これはインダクタのコイル導体などを想定した場合に相当し、図１５の場合は素子６に形成される凸部３は便宜的に１個としたが、ここでは素子６に形成される凸部１１は実素子に近い形として斜めに複数個配置した。
【００１２】
素子６中央のレジスト５厚み（凸部表面とレジスト表面高さの差、つまり段差Ｓ）に対し、素子６端部側の凸部１１上のレジスト５厚み（段差Ｐ）は薄くなり（段差Ｐ＜段差Ｓ）、極端な場合凸部１１のめっきパターンが露出する。
レジスト５厚みが薄くなったりめっきパターンが露出すると保護膜の役目をしなくなり素子の信頼性が低下する。尚、長方形の素子に対して、その端部線に対して凸部１１のめっきパターンが斜めでなく平行な場合もあるが、この場合も素子６端部側のレジスト５の厚さが薄くなったり露出したりして信頼性を低下させる。
【００１３】
尚、図１７は図１６（ｂ）のＸ２−Ｘ２線で切断した要部断面図であり、隣接する素子６で互いに対向して向かい合う凸部１１の間隔Ｗ１がＸ１−Ｘ１で切断した場合もＸ２−Ｘ２で切断した場合も同じであるため、凸部１１上のレジスト５の断面形状は図１６（ａ）の場合と同じである。
この発明の目的は、前記の課題を解決して、外周リング電極でのレジストの集中（溜まり）を抑制して外周リング電極に隣接する素子に形成された凸部のレジストの段差（盛り上がり）を低減し、また素子の端部に形成された凸部上のレジスト厚さの減少を抑制することができる絶縁膜形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記の目的を達成するために、外周部に外周リング電極と前記外周部の内側に素子を形成し表面に凸部を有する基板上に絶縁性有機材料を真空ラミネートすることによって絶縁膜を形成する絶縁膜形成方法において、前記外周リング電極と前記素子の間の基板に第１ダミーパターンを形成する。
また、前記絶縁性有機材料がドライフィルムレジストであるとよい。
【００１５】
また、前記第１ダミーパターンが、基板上に形成しためっきパターンまたは基板にスルーホールパターンもしくは基板の表面から深さ方向に穴を形成した凹部パターンであるとよい。
また、前記第１ダミーパターンが、前記外周リング電極の端部線（エッジライン）に対して長手方向が直角または平行である長方形パターンあるいは楕円パターンであるか、もしくは長手方向が直角のものと平行のものをそれぞれ組み合わせたパターンであるとよい。
【００１６】
また、前記第１ダミーパターンが、正方形パターンまたは円形パターンであるとよい。
また、前記第１ダミーパターンを格子状に配列するとよい。
また、前記第１ダミーパターンと素子の間隔を、基板内に形成した素子間隔と同一とする（同一ピッチとする）とよい。
また、前記第１ダミーパターンを組み合わせてもよい。
【００１７】
また、前記第１ダミーパターンが、前記素子パターンの全部もしくは前記素子パターンの一部と同形であり、前記基板内に形成した素子の周期と同じ周期で繰り返されるとよい。
また、素子を形成し表面に凸部を有する基板上に絶縁性有機材料を真空ラミネートすることによって絶縁膜を形成する絶縁膜形成方法において、前記素子の素子端部側に第２ダミーパターンを形成する。
【００１８】
また、外周部に外周リング電極と前記外周部の内側に素子を形成し表面に凸部を有する基板上に絶縁性有機材料を真空ラミネートすることによって絶縁膜を形成する絶縁膜形成方法において、前記素子の素子端部側に第２ダミーパターンを形成するとよい。
また、外周部に外周リング電極と前記外周部の内側に素子を形成し表面に凸部を有する基板上に絶縁性有機材料を真空ラミネートすることによって絶縁膜を形成する絶縁膜形成方法において、前記外周リング電極と前記素子の間の基板に第１ダミーパターンを形成し、前記素子端部側に第２ダミーパターンを形成するとよい。
【００１９】
また、前記絶縁性有機材料がドライフィルムレジストであるとよい。
また、前記第２パターンの他に前記第１ダミーパターンを形成するとよい。
また、前記第２ダミーパターンが、基板上に形成しためっきパターンであるとよい。
また、前記めっきパターンが、素子端部に対し平行に配置した長方形パターンであるとよい。
【００２０】
また、前記めっきパターンが、三角形状のパターンまたは台形状のパターンであるとよい。
また、前記めっきパターンが、概略四角形状のパターンであり、該パターンを複数個配置するとよい。
【発明の効果】
【００２１】
この発明によれば、外周リング電極と素子の間にダミーパターン（第１ダミーパターン）を設けることによって、レジストの溜まり（集中）が発生する箇所をダミーパターン上に位置させることで、外周リング電極に隣接する素子の絶縁膜（レジスト）の段差を低減することができる。これによって外周リング電極に隣接する不良素子の数を低減できて、素子の良品率の向上を図ることができる。尚、この第１ダミーパターンをめっきパターン（凸部パターン）やスルーホールで形成する。
【００２２】
また、各素子の端部側にダミーパターン（第２ダミーパターン）を設けることで、素子の端部側の絶縁膜（レジスト）の厚みの減少を抑制し、絶縁膜が薄くなるのを防止して、素子の良品率の向上を図ることができる。尚、この第２ダミーパターンをめっきパターン（凸部パターン）で形成する。
また、ダミーパターンを素子の凸部であるめっきパターンと同じにすることで、前記の効果をさらに大きくすることができる。
【００２３】
さらに、外周リング電極と素子の間にダミーパターンを形成することで、外周リング電極に隣接する素子の凸部であるめっきパターンが薄くなることを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下の説明において、従来構造と同一部位には同一の符号を付した。
図１は、この発明の実施の形態に係わる絶縁膜形成方法の処理手順の一部を示すフローチャートである。ここでは絶縁膜はドライフィルムレジスト（以下、レジストと称す）を例として挙げた。
図１のフローチャートにおいて、まず、基板に素子を形成する（Ｓ１）。この素子は半導体素子やインダクタであり、半導体素子の場合にはシリコン基板上の表面に回路配線や接続端子が形成されている。また、インダクタの場合にはフェライト基板上にコイル導体や接続端子が形成されている。これらの回路配線、コイル導体および接続端子がめっきなどで形成され基板表面から凸状に突出している。つまり素子表面に凸部がある。そのため、回路配線、コイル導体および接続端子を形成した基板表面は凹凸状態をしている。つまり、基板はその表面に多数の凸部を有することなる。
【００２５】
次に、凸部のある基板表面をレジストで真空ラミネート（Ｓ２）し、フォトマスクを用いてレジストを露光（Ｓ３）し、接続端子を開口するためのパターンを現像する（Ｓ４）。
その後、紫外線照射（ＵＶキュア）（Ｓ５）し、熱ベーク（Ｓ６）を実施し、レジストによる保護膜形成の一連の処理を終了する。
【００２６】
図２は、真空ラミネート時の基板、レジストおよびＰＥＴフィルムの配置した状態の要部断面図である。
下ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム１６上に回路配線などを有する基板１を設置し、基板１上にレジスト５を設置、さらにその上に上ＰＥＴフィルム１５を設置している。
【００２７】
下ＰＥＴフィルム１６は搬送用ＰＥＴフィルムとしても良いし、搬送用ＰＥＴフィルム上に別途ＰＥＴフィルムを追加しても良い。
上下のＰＥＴフィルム１５、１６は、ラミネート時のレジスト５の染み出しによるＰＥＴフィルム１５、１６を介して加圧する図示しないダイヤフラムへの密着や汚染を防止するために通常利用されているものである。
【００２８】
この発明は、この製造方法を用いて絶縁膜（レジスト５）の膜厚を平坦化（絶縁膜の面内段差を小さく）するために、基板（や素子）にダミーパターンを形成するものである。
図３は、レジストの膜厚が最大になる箇所を示した図であり、同図（ａ）は外周リング電極とこれに隣接する凸部の間隔が狭い場合の図、同図（ｂ）は外周リング電極とこれに隣接する凸部の間隔が広い場合の図、同図（ｃ）は外周リング電極とこれに隣接する凸部の間にダミーパターンを配置した場合の図である。
【００２９】
同図（ａ）ではレジスト５膜厚最大箇所Ａは凸部３ａ端部８近傍にくる。また凸部３ａ上のレジスト５膜厚の最大値Ｈ１は内側の凸部３ｂ上のレジスト５膜厚の最大値Ｈ０より大きくなる。
同図（ｂ）ではレジスト５膜厚最大箇所Ｂは外周リング電極２上にくる。また凸部３ａの端部のレジスト５膜厚（Ｄ部）は薄くなり、凸部３ａ上のレジスト５膜厚の最大値Ｈ２は凸部３ｂ上のレジスト５膜厚の最大値Ｈ０より小さくなる。
【００３０】
同図（ｃ）は本発明であるが、レジスト５膜厚最大箇所Ｃは外周リング電極２とダミーパターン４との間にくる。また凸部３ａ端部のレジスト５膜厚(Ｅ部)は凸部３ｂ端部のレジスト５膜厚（Ｆ部）とほぼ同じになり、凸部３ａ上のレジスト５膜厚の最大値Ｈ３は凸部３ｂ上のレジスト５膜厚の最大値Ｈ０と同じになる。尚、図中の１は基板、３は凸部、６は素子および９はスクライブラインである。
【００３１】
以下、実施例にて基板１や素子６に形成されるダミーパターン４について具体的に説明する。
【実施例１】
【００３２】
図４は、この発明の第１実施例の絶縁膜形成方法を示す製造工程図（ダミーパターン配置図）であり、同図（ａ）は絶縁膜が形成された基板の要部断面図、同図（ｂ）は基板の要部平面図である。この絶縁膜はここではレジスト５を例として挙げた。また、この実施例ではダミーパターン４をめっきで形成した例で説明する。このダミーパターン４は前記の特許請求の範囲で述べた第１ダミーパターンのことである。
【００３３】
前記の図１の工程において、前記したように、基板１に凸部３であるめっきパターンがある素子６と、外周リング電極２と、外周リング電極２と素子６の間にめっきによるダミーパターン４を形成した後、真空ラミネートする。この図では１つの素子６に形成しためっきパターンである凸部３の平面パターンを便宜的に１つの四角形で示した。実際は回路配線やコイル導体および電極などのパターンでありその平面および断面パターンは複雑な形状をしている。
【００３４】
前記の外周リング電極２とダミーパターン４は素子に形成される凸部３と同時にめっきで形成する。
また、ダミーパターン４と凸部３ａの間隔Ｌ２は凸部３ａと凸部３ｂの間隔Ｌ１とほぼ等しくする。
外周リング電極２の幅を従来より狭くし、ダミーパターン４を設けている。この配置にすることによってレジスト５の盛上り（レジスト膜厚最大となる箇所Ｃ）は外周リング電極２とダミーパターン４との間に発生し、ダミーパターン４の直ぐ隣の素子６の凸部３ａ上のレジスト５の段差Ｔを凸部３ｂ上のレジストの段差Ｔとほぼ同じにすることができる。また凸部３ａの端部のレジスト膜厚（Ｇ部、Ｊ部）および凸部３ｂの端部のレジスト膜厚（Ｋ部、Ｍ部）をほぼ同じにすることができる。さらにダミーパターン４の配置について説明する。
【００３５】
図４では、ダミーパターン４を長方形パターンとして、外周リング電極２の端部線２１（エッジライン）に対して長方形パターンの長手方向を平行に配置し、長方形パターンを２本、素子６に対応して配置させている。
また、図５のようにダミーパターン４を外周リング電極２の端部線（エッジライン）２１に対して垂直（直角）に配置しても良い。また、パターンの本数は２本に限るものではない。
【００３６】
また、図示しないが、前記長方形パターンを楕円形パターンとしても良い。
また、図６のようにダミーパターン４として、正方形パターンにし、それらを格子状に配列しても良い。形状としては正方形パターン以外に図示しないが円形パターンにしても良い。尚、ダミーパターンとしては前記した形状に限るものではない。
また、これらのパターンを組み合わせても良い。
【００３７】
また、図７のようにダミーパターン４を素子６と同じ周期で繰り返す繰り返しパターンとしても良い。つまり、ダミーパターンのピッチＬ４を素子６のピッチＬ３と同じにする。これはダミーパターン４が素子６と同じ周期で繰り返されることを意味する。
また、図８のように、ダミーパターン４を素子６の凸部のパターンの全部もしくは一部と同じに形成して、そのダミーパターン４を素子６と同じ周期で繰り返すことでレジスト５の下地のパターンが、ダミーパターン４を形成した箇所と素子６の凸部のパターンを形成した箇所とが同じになるので、基板外周部でレジスト貼り付けに関する条件が不連続なる影響をダミーパターン４が吸収し、ダミーパターン４より内側の素子６に対するレジスト貼り付け条件をほぼ均一にすることができる。このため、ダミーパターン４を除く各素子６の凸部上のレジスト５の段差を基板１内で均一にして、周辺部の素子６で段差が大きくなることを防止することができる。図８では素子６はインダクタの場合でありａはコイル導体、ｂは接続端子である。またダミーパターンである図８のイ、ロは素子６の凸部のパターンの一部、ハ、ニ、ホは素子６の凸部のパターンの全部、ヘ、ト、チは素子６の凸部のパターンの一部であり、素子６と同じ周期で繰り返されている。
【００３８】
また、ダミーパターンを形成する付属的な効果として、図１５において、外周リング電極２に隣接する凸部３ａのめっきパターンは凸部３ｂのめっきパターンより厚さが薄くなる傾向にあり、この薄くなる箇所に図４のようにダミーパターン４を配置することで、素子６での凸部３ａのめっきパターンの厚さを凸部３ｂと同じ厚さにできて、凸部３全体として厚さを均一化できる。
【００３９】
尚、この実施例ではダミーパターン４をめっきで形成した例で説明するが、必ずしもめっきである必要はなく蒸着やスパッタで形成してもよい。また、ダミーパターン４は樹脂などで形成しても構わない。
【実施例２】
【００４０】
図９はこの発明の第２実施例の絶縁膜形成方法を示す製造工程図（ダミーパターン配置図）であり、同図（ａ）は絶縁膜が形成された基板の要部断面図、同図（ｂ）は基板の要部平面図である。この絶縁膜はレジスト５を例として挙げた。ダミーパターン１０は前記の特許請求の範囲で述べた第１ダミーパターンのことである。
第２実施例は、第１実施例のめっきの代わりにスルーホールによるダミーパターン１０とした実施例であり、外周リング電極２の幅を狭くし、外周リング電極２と素子６の間にダミーパターン１０としてスルーホールを設けている。この配置にすることによって、ダミーパターン１０であるスルーホール内にレジスト５が埋め込まれる分、凸部３ａ近傍のレジスト５の盛り上がりを低減させることができて、ダミーパターン１０であるスルーホールの直ぐ隣の素子６の凸部３ａ上のレジスト５の段差Ｔを凸部３ｂ上のレジスト５の段差Ｔとほぼ同じにすることができる。
【００４１】
図９ではダミーパターン１０であるスルーホールを、外周リング電極２の端部線（エッジライン）に対して平行に１本、各素子６に対応して配置させたが、このスルーホールを外周リング電極２の端部線（エッジライン）に対して垂直に配置しても良い。また、スルーホールの本数を１本以上にしても良い。
また、図示しないがダミーパターン１０であるスルーホールを正方形パターンにし、それらを格子状に配列しても良い。形状としては正方形状のパターン以外に円形状のパターンにしても良い。
【００４２】
また、図示しないが、ダミーパターン１０を素子６と同じ周期で繰り返す繰り返しパターンでも良い。
尚、第２実施例は、レジスト５をスルーホールで吸い取るため、第１実施例と比べると外周リング電極２と素子６との間隔を短くすることができる。またスルーホールの代わりに凹状の穴を形成しても同様の効果が得られる。
【実施例３】
【００４３】
図１０は、この発明の第３実施例の絶縁膜形成方法を示す製造工程図（ダミーパターン配置図）であり、同図（ａ）は絶縁膜が形成された素子の要部断面図、同図（ｂ）は素子の要部平面図である。この絶縁膜はここではレジスト５を例として挙げた。図示しない外周リング電極は基板の外周部に形成されている。この外周リング電極と素子６の間には図示しないダミーパターン（図４のダミーパターン４）が形成されている。ダミーパターン１２は前記の特許請求の範囲で述べた第２ダミーパターンのことである
素子６上にはコイル導体のような凸部１１が四角形（平行四辺形）パターンで６本形成され、この凸部１１が形成されていない素子６端部側にダミーパターン１２を形成する。６本の凸部１１が図４の凸部３の１つに相当する。図１０（ａ）の断面図に示すように、ダミーパターン１２は凸部であり素子６の凸部１１と同様にめっきパターンである。このダミーパターン１２は凸部１１の端部線２２に対し平行に配置されその形状は略四角形（平行四辺形）パターンである。
【００４４】
このように素子６端部側にダミーパターン１２を配置することによって、ダミーパターン１２の体積分だけレジスト５が厚くなり、素子６端部側に配置される凸部１１のめっきパターン上のレジスト５厚みが低減するのを緩和することができる。すなわち、レジスト厚みＴ２＞レジスト厚みＰ（図１６）とすることができる。また、レジスト厚みＴ１はレジスト厚みＴ２より厚くなる。
【００４５】
図１１は、ダミーパターン１２を素子６の凸部１１であるめっきパターンより短くした場合である。短いためにダミーパターン１２が無い領域があるが、当該領域における凸部１１と隣の素子６との間隔Ｗ２は隣同士の素子６の凸部１１の間の間隔Ｗ１より狭くなるので、このようなダミーパターン１２でもレジスト５の厚さが減少するのを防ぐことができる。ただし、ダミーパターン１２を配置するスペースに余裕がある場合には、ダミーパターン１２を素子６端部側の凸部１１と同じ長さで配置すると良い。
【００４６】
図１２はダミーパターン１２として、三角形パターンとした場合であるが、このような形状にしても上記実施例と同様の効果が得られる。
図１３はダミーパターン１２として、台形パターンとした場合であるが、このような形状にしても同様の効果が得られる。
図１４はダミーパターン１２は小さな台形パターンを数個配置した場合である。このようなダミーパターンにしても同様の効果が得られる。勿論、長方形パターンを多数配置してもよい。また、ダミーパターン１２の面積を広くするとめっきの厚み（凸部１１の厚さ）が局所的に薄くなり、それによる不具合が生じる場合には、小さなダミーパターン１２を複数個配置させた方がより良い効果が得られる。
また、図示しないが、ダミーパターン１２を複数の概略四角形パターンとしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】この発明の実施の形態に係わる絶縁膜形成方法の処理手順の一部を示すフローチャート図
【図２】真空ラミネート時の基板、レジストおよびＰＥＴフィルムを配置した状態の要部断面図
【図３】レジストの膜厚が最大になる箇所を示した図であり、（ａ）は外周リング電極とこれに隣接する凸部の間隔が狭い場合の図、（ｂ）は外周リング電極とこれに隣接する凸部の間隔が広い場合の図、（ｃ）は外周リング電極とこれに隣接する凸部の間にダミーパターンを配置した場合の図
【図４】この発明の第１実施例の絶縁膜形成方法を示す製造工程図（ダミーパターン配置図）であり、（ａ）は絶縁膜が形成された基板の要部断面図、（ｂ）は凸部が形成された基板の要部平面図
【図５】ダミーパターンの別の配置図
【図６】ダミーパターンの別の配置図
【図７】ダミーパターンの別の配置図
【図８】ダミーパターンを素子を構成するパターンと同一パターンで形成した場合の図
【図９】この発明の第２実施例の絶縁膜形成方法を示す製造工程図（ダミーパターン配置図）であり、（ａ）は絶縁膜が形成された基板の要部断面図、（ｂ）は基板の要部平面図
【図１０】この発明の第３実施例の絶縁膜形成方法を示す製造工程図（ダミーパターン配置図）であり、同図（ａ）は絶縁膜が形成された素子の要部断面図、同図（ｂ）は素子の要部平面図
【図１１】素子の別の平面図
【図１２】素子の別の平面図
【図１３】素子の別の平面図
【図１４】素子の別の平面図
【図１５】レジストが形成された従来の基板の要部断面図
【図１６】レジストが形成された従来の素子の構成図であり、（ａ）は要部断面図、（ｂ）は要部平面図
【図１７】図１６（ｂ）のＸ２−Ｘ２線で切断した要部断面図
【符号の説明】
【００４８】
１    基板
２    外周リング電極
３    凸部(基板)
３ａ  凸部（ダミーパターンまたは外周リング電極に隣接する）
３ｂ  凸部（ダミーパターンまたは外周リング電極に隣接しない）
４、１０  ダミーパターン(基板)
５    レジスト
６    素子
７    基板端部
８    凸部３ａ端部
９    スクライブライン
１１    凸部（素子）
１２    ダミーパターン（素子）
１５    上ＰＥＴフィルム
１６    下ＰＥＴフィルム
２１、２２  端部線（エッジライン）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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