(57)【要約】【課題】効率的で容易な大判基板の分断が可能な電気光学装置の製造方法、電気光学装置の製造装置及びこれらの方法や装置により製造される電気光学装置を提供すること。【解決手段】レーザ光Ｄをその焦点Ｅが第１の大判基板３５の第２の大判基板側表面３５ｂ内側から反対側表面３５ｃ内側までの間の所定の位置に結ぶように第１の大判基板３５に照射することとしたので、分断する第１の大判基板３５の内部を効率的に高熱化することができる。また、第１の大判基板３５の予定分断線Ｇ１に沿ってレーザ光Ｄを照射する第１のレーザ光照射工程後、第１の大判基板３５のレーザ光照射領域としての領域Ｉを冷却することとしたので、第１の大判基板３５の内部で場所によって大きな収縮が生じ、その収縮率の違いにより大きな熱応力が発生して、第１の大判基板３５をレーザ光Ｄの照射方向に沿って分断できることとなる。【選択図】  図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の大判基板を貼り合わせて、前記第１及び第２の大判基板のいずれかを分断する電気光学装置の製造方法であって、
前記分断は、
前記第１の大判基板の厚さの範囲内の所定の位置に焦点を結ぶように、前記第１の大判基板の表面にレーザ光を照射する第１のレーザ光照射工程と、
前記第１の大判基板の予定分断線に沿って前記レーザ光を照射する第１のレーザ光照射工程後、前記第１の大判基板のレーザ光照射領域を冷却して前記第１の大判基板のみを分断する分断工程と
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記レーザ光照射が焦点を結ぶ所定の位置は、前記第１の大判基板の前記第２の大判基板側の表面に近接していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記レーザ光照射が焦点を結ぶ所定の位置は、前記第１の大判基板の前記第２の大判基板側の表面から約６０ミクロン以上で約８０ミクロン以下前記第１の大判基板の内側寄りの位置であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記レーザ光照射が焦点を結ぶ所定の位置は、前記第１の大判基板の厚さの範囲内の複数の位置であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記レーザ光照射が焦点を結ぶ所定の位置は、前記第１のレーザ光照射工程中に移動することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のうちのいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記冷却は、前記第１の大判基板表面の前記レーザ光が照射された位置に冷水を噴射して冷却するものであることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のうちのいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記レーザ光は、フェムト秒レーザ光であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のうちのいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第１の大判基板は、複数の第１基板を有し、
前記第２の大判基板は、複数の第２基板を有し、
前記分断は、前記第１基板に前記第２基板の外周縁から張り出した張り出し部を形成するように前記第１の大判基板の予定分断線に重ならない前記第２の大判基板の予定分断線に沿って前記レーザ光を照射する第２のレーザ光照射工程を更に具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
第１及び第２の大判基板を貼り合わせて、前記第１及び第２の大判基板のいずれかを分断する電気光学装置の製造装置であって、
前記第１の大判基板の厚さの範囲内の所定の位置に焦点を結ぶように、前記第１の大判基板の表面にレーザ光を照射するレーザ光照射部と、
前記第１の大判基板の予定分断線に沿って前記レーザ光が照射された前記第１の大判基板のレーザ光照射領域を冷却する冷却部と
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項１０】
貼り合わされた第１及び第２の大判基板のいずれから分断された基板を備えた電気光学装置であって、
前記基板は、前記第１の大判基板の厚さの範囲内の所定の位置に焦点を結ぶように前記第１の大判基板の表面にレーザ光を照射し、前記第１の大判基板の予定分断線に沿って前記レーザ光を照射後、当該第１の大判基板を冷却して分断されたものであることを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機等に用いられる電気光学装置、その電気光学装置の製造方法及びその電気光学装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器の表示装置として液晶装置等の電気光学装置があり、例えばその液晶装置の液晶パネルでは、大判基板に複数の基板分の配線パターン等を形成し、製造工程の途中まで当該大判基板のままで処理を行っている。そして、その後の工程の１次ブレイク、２次ブレイクにより大判基板を個々の基板に分断することが行われている。
【０００３】
しかし、１次ブレイク、２次ブレイクの方法として、例えば罫書き線を機械的な方法で形成し、その罫書き線上にレーザ光を照射して切断する方法では、罫書き線の形成時にガラスのパーティクルが発生し、ガラス板上に付着してしまうなどの問題がある。
【０００４】
そこで、基板表面に炭酸ガスレーザ光を照射して該基板を割断する際に、予め割断線のための割断ガイド溝を化学的なエッチング技術によって形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１１−１０４８６９号公報（段落[００１４]）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら上述の方法によりガラスのパーティクルの発生を抑えながら高精度に割断ガイド溝を形成することが可能となったが、照射するレーザ光の焦点を何処にするか特に明確ではなく、レーザ光によるガラスの加熱が必ずしも効率的ではないという問題がある。
【０００６】
また、分断の方法がガイド溝の深さ方向と幅方向の熱分布の違いにより亀裂を発生させるので、その分断が必ずしも容易ではないという点が考えられる。
【０００７】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、効率的で容易な大判基板の分断が可能な電気光学装置の製造方法、電気光学装置の製造装置及びこれらの方法や装置により製造される電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の主たる観点に係る電気光学装置の製造方法は、第１及び第２の大判基板を貼り合わせて、前記第１及び第２の大判基板のいずれかを分断する電気光学装置の製造方法であって、前記分断は、前記第１の大判基板の厚さの範囲内の所定の位置に焦点を結ぶように、前記第１の大判基板の表面にレーザ光を照射する第１のレーザ光照射工程と、前記第１の大判基板の予定分断線に沿って前記レーザ光を照射する第１のレーザ光照射工程後、前記第１の大判基板のレーザ光照射領域を冷却して前記第１の大判基板のみを分断する分断工程とを具備することを特徴とする。
【０００９】
ここで、「第１及び第２の大判基板」とは、例えばガラス基板であり、単品である第１基板や第２基板をそれぞれ複数マトリックス状に有するものをいうが、これに限定されない。例えば、ガラス基板以外や単品である第１基板を短冊状に複数有するものも含めるものとする。
【００１０】
本発明は、レーザ光の焦点を第１の大判基板の厚さの範囲内の所定の位置に結ぶように第１の大判基板に照射することとしたので、分断する第１の大判基板の内部を効率的に高熱化することができる。
【００１１】
また、第１の大判基板の予定分断線に沿ってレーザ光を照射する第１のレーザ光照射工程後、第１の大判基板のレーザ光照射領域を冷却することとしたので、第１の大判基板の内部で場所によって大きな収縮が生じ、その収縮率の違いにより大きな熱応力が発生して、第１の大判基板をレーザ光の照射方向に沿って分断できることとなる。
【００１２】
したがって、通常のスクライブブレイクのようなブレイク工程を省くことができ、コストを低減できる他、ガイド溝の深さ方向と幅方向の熱分布の違いにより亀裂が発生するものではないので、分断が容易でありブレイク困難から生じる端材残り等の不用品の発生を防ぐことができる。
【００１３】
本発明の一の形態によれば、前記レーザ光照射が焦点を結ぶ所定の位置は、前記第１の大判基板の前記第２の大判基板側の表面に近接していることを特徴とする。これにより、レーザ光が照射される第１の大判基板表面に最も遠い反対側表面の内側に近接させて当該レーザ光の焦点が結ばれ、レーザ光の照射方向に沿ってより第１の大判基板内部全体を高温化でき、確実にかつ、綺麗な断面で分断できる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記レーザ光照射が焦点を結ぶ所定の位置は、前記第１の大判基板の前記第２の大判基板側の表面から約６０ミクロン以上で約８０ミクロン以下前記第１の大判基板の内側寄りの位置であることを特徴とする。これにより、レーザ光が照射される第１の大判基板表面に最も遠い第２の大判基板側表面の内側も確実に高温化でき、冷却するだけで分断が可能となる。尚、８０ミクロンより離れると第２の大判基板側表面まで高温化できない可能性も生じ、反対に６０ミクロンより近づくとレーザ光のエネルギーが無駄になる可能性がある。
【００１５】
本発明の一の形態によれば、前記レーザ光照射が焦点を結ぶ所定の位置は、前記第１の大判基板の厚さの範囲内の複数の位置であることを特徴とする。これにより、例えば第１の大判基板の厚さ方向に等間隔で複数の焦点でレーザ光が結ばれ、当該厚さ方向での高温化がより均一化され、分断面にマイクロクラック等の生じない綺麗な断面として分断できる。
【００１６】
本発明の一の形態によれば、前記レーザ光照射が焦点を結ぶ所定の位置は、前記第１のレーザ光照射工程中に移動することを特徴とする。これにより、例えば第１の大判基板の厚さ方向にレーザ光の焦点が移動すると、その移動した部分でより確実に均一な高温化が図れ、分断面にマイクロクラック等の生じない綺麗な断面として分断できる。
【００１７】
本発明の一の形態によれば、前記冷却は、前記第１の大判基板表面の前記レーザ光が照射された位置に冷水を噴射して冷却するものであることを特徴とする。ここで「冷水」とは、少なくとも室温より低い温度をいう。これにより、高温化された第１の大判基板を冷却することでより急激に収縮し、その収縮率の場所による大きな違いにより容易に第１の大判基板を分断することができる。
【００１８】
本発明の一の形態によれば、前記レーザ光は、フェムト秒レーザ光であることを特徴とする。ここで、「フェムト秒レーザ光」とは例えば数兆〜数百兆分の１秒にまで短パルス化したレーザから出射されたレーザ光をいう。これにより、ガラスなどの透光性基板であってもより確実に内部を高熱化でき、熱応力を発生可能となる。
【００１９】
本発明の一の形態によれば、前記第１の大判基板は、複数の第１基板を有し、前記第２の大判基板は、複数の第２基板を有し、前記分断は、前記第１基板に前記第２基板の外周縁から張り出した張り出し部を形成するように前記第１の大判基板の予定分断線に重ならない前記第２の大判基板の予定分断線に沿って前記レーザ光を照射する第２のレーザ光照射工程を更に具備することを特徴とする。これにより、張出し部を形成する際も分断する第２の大判基板の内部を効率的に高熱化することができ、通常のスクライブブレイクのようなブレイク工程を省くことが可能となり、コストを低減できる。
【００２０】
本発明の他の観点に係る電気光学装置の製造装置は、第１及び第２の大判基板を貼り合わせて、前記第１及び第２の大判基板のいずれかを分断する電気光学装置の製造装置であって、前記第１の大判基板の厚さの範囲内の所定の位置に焦点を結ぶように、前記第１の大判基板の表面にレーザ光を照射するレーザ光照射部と、前記第１の大判基板の予定分断線に沿って前記レーザ光が照射された前記第１の大判基板のレーザ光照射領域を冷却する冷却部とを具備することを特徴とする。
【００２１】
本発明は、第１の大判基板の厚さの範囲内の所定の位置に焦点を結ぶように、前記第１の大判基板にレーザ光を照射するレーザ光照射部を有することとしたので、分断する第１の大判基板の内部を効率的に高熱化することができる。
【００２２】
また、第１の大判基板の予定分断線に沿ってレーザ光が照射された第１の大判基板のレーザ光照射領域を冷却する冷却部をすることとしたので、第１の大判基板の内部で場所によって大きな収縮が生じ、その収縮率の違いにより大きな熱応力が発生して、第１の大判基板をレーザ光の照射方向に沿って分断できることとなる。更にガイド溝の深さ方向と幅方向の熱分布の違いにより亀裂が発生するものでないので、分断が容易である。
【００２３】
本発明の他の観点に係る電気光学装置は、貼り合わされた第１及び第２の大判基板のいずれから分断された基板を備えた電気光学装置であって、前記基板は、前記第１の大判基板の厚さの範囲内の所定の位置に焦点を結ぶように前記第１の大判基板の表面にレーザ光を照射し、前記第１の大判基板の予定分断線に沿って前記レーザ光を照射後、当該第１の大判基板を冷却して分断されたものであることを特徴とする。
【００２４】
本発明は、第１の大判基板の厚さの範囲内の所定の位置に焦点を結ぶように当該第１の大判基板の表面にレーザ光を照射し、第１の大判基板の予定分断線に沿ってレーザ光を照射後、当該第１の大判基板を冷却して分断された基板を用いて電気光学パネルとした。これにより、低コストで高品質な電気光学装置とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。なお、以下実施形態を説明するにあたっては、電気光学装置の例としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス型の液晶装置、またその液晶装置を製造する方法及び製造装置について説明するが、これに限られるものではない。また、以下の図面においては各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００２６】
（第１の実施形態）
【００２７】
図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図及び図２は図１のＡ−Ａ線部分断面図（ドライバーＩＣは切断していない。）である。
【００２８】
（液晶装置の構成）
【００２９】
液晶装置１は、例えば図１に示すように液晶パネル２、当該液晶パネル２に電気的に接続されたフレキシブル基板３及び照明装置４等を有する。ここで、液晶装置１には、照明装置４の他にも、ケース等のその他の付帯機構が必要に応じて付設される。
【００３０】
液晶パネル２は、図１または図２に示すようにシール材５を介して貼り合わされた第１基板６、第２基板７及び両基板の間隙に封入された電気光学物質としてのＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶８を有する。
【００３１】
第１及び第２基板６，７は、それぞれ例えばガラスといった透光性を有する板状部材からなる第１基材９及び第２基材１０を有し、図２に示すように第１及び第２基材９，１０の外側（液晶側と反対側）には、入射光を偏光させるための偏光板１１，１２がそれぞれ貼着されている。
【００３２】
ここで、第１及び第２基板６，７は、後述するようにシール材を介して貼り合わされた第１の大判基板及び第２の大判基板の当該第１の大判基板の厚さの範囲内、例えば第２の大判基板側表面の内側から反対側表面の内側までの所定の位置を焦点として照射されたレーザ光により、加熱され、冷水により冷却されて分断されたものである。
【００３３】
また、第１基材９はその内側（液晶側）に例えば図１及び図２に示すようにＹ軸方向に複数の走査線１３が並行して形成され、Ｘ軸方向に複数のデータ線１４が並行して形成されており、更にその走査線１３及びデータ線１４等の液晶側には配向膜１５が形成されている。走査線１３及びデータ線１４は、例えばニッケル等から形成されており、図示しないＴＦＴに電気的に接続されている。また、ＴＦＴはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等からなる画素電極１６に電気的に接続されている。
【００３４】
すなわち、走査線１３の一端はＴＦＴの図示しないゲート電極に、他端は後述する出力用接続端子１７にそれぞれ電気的に接続されている。更にデータ線１４の一端はＴＦＴの図示しないデータ線に、他端は後述する出力用接続端子１７にそれぞれ電気的に接続されている。
【００３５】
また、第１基材９は例えば図１または図２に示すように第２基材１０の外周縁から張り出した張出し部１８を有し、当該張出し部１８には、液晶駆動用のドライバーＩＣ１９が実装されている。また、走査線１３及びデータ線１４は、シール材５で囲まれる領域から当該張出し部１８に延在されており、ドライバーＩＣ１９の実装領域に並設された出力用接続端子１７に電気的に接続されている。
【００３６】
更に張出し部１８は、例えば図２に示すようにフレキシブル基板３等から電流をドライバーＩＣ１９等に供給する入力用配線２０を有する。ここで、入力用配線２０は例えば図２に示すように一端がフレキシブル基板３の後述する配線パターンに電気的に接続される外部用端子２１として形成されており、他端がドライバーＩＣ１９の実装領域に並設された入力用接続端子２２に電気的に接続されている。
【００３７】
ドライバーＩＣ１９は、例えば図２に示すように第１基材９の張出し部１８に実装する実装面に出力用接続端子１７及び入力用接続端子２２に電気的に接続する複数配列されたバンプ２３を有し、当該バンプ２３は例えば略直方体に、ニッケル（Ｎｉ）等で形成されている。
【００３８】
一方、第２基材１０は例えば図２に示すようにその内側（液晶側）に共通電極２４が形成されており、その共通電極２４の液晶側には配向膜２５が形成されている。
【００３９】
尚、第１及び第２基材９，１０の液晶側には、図示しないが必要に応じて下地層、反射層、着色層及び光遮蔽層等が形成されている。
【００４０】
次に、フレキシブル基板３は例えば図１及び図２に示すようにベース基材２６上に銅（Ｃｕ）等から形成された配線パターン２７等が形成され、実装されている。
【００４１】
ここで、ベース基材２６は可撓性を有するフイルム状の部材である。また、配線パターン２７は、ベース基材２６の張出し部側の端に形成されている接続用端子（図示しない。）に電気的に接続されており、その接続用端子は、例えば液晶パネル２の外部用端子２１に異方性導電膜２８を介して電気的に接続されている。
【００４２】
次に、照明装置４は例えば図２に示すように導光板２９、反射シート３０等を有し、第１基板６に図示しない光源からの光を照射する。
【００４３】
（液晶装置の製造装置）
【００４４】
次に、以上のように構成された液晶装置（電気光学装置）の製造装置は、各種の装置を有するが第１及び第２の大判基板の分断に用いられる基板分断装置について説明する。
【００４５】
図３は本実施形態に係る基板分断装置の概略側面図及び図４は基板分断装置の概略正面図である。尚、図３及び図４ともＸＹ軸ステージに第１及び第２の大判基板を載置している状態を表している。
【００４６】
基板分断装置５０は例えば図３または図４に示すようにＸＹ軸ステージ５１、レーザ光照射部５２、冷却部５３及び支柱５４等を有する。
【００４７】
ここで、ＸＹ軸ステージ５１は、例えば図３及び図４に示すように複数の第１基板６となる第１の大判基板３５と複数の第２基板７となる第２の大判基板３６とがシール材５を介して貼り合わされた状態で載置可能となっている。また、ＸＹ軸ステージ５１は例えば図３及び図４の矢印Ｂ，Ｃ（矢印ＢはＹ軸方向であり、矢印ＣはＸ軸方向である。）の方向に移動可能であり、これにより第１及び第２の大判基板３５，３６の横方向及び縦方向に移動させてレーザ光の焦点を結ぶことが可能となる。
【００４８】
また、レーザ光照射部５２は例えば図３及び図４に示すようにレーザ発振器５５及びレンズ系５６を有し、支柱５４によりＸＹ軸ステージ５１平面（図３及び図４中のＸＹ軸平面）に略直交する方向（図３及び図４中のＺ軸方向）に移動可能である。
【００４９】
ここでレーザ発振器５５は、例えば周波数３００Ｈｚ、出力３００Ｗのエキシマレーザ光やＣＯ２レーザ光Ｄ（図３及び図４に示すＤ）を発振し、レンズ系５６に出射する。
【００５０】
レンズ系５６は、レーザ発振器５５から出射されたレーザ光Ｄが第１の大判基板の厚さ（図３及び図４のＺ軸方向の長さ）の範囲内の所定の位置に焦点Ｅを結ぶように構成されている。これにより、第１の大判基板内部を高熱化することが可能となる。
【００５１】
更に冷却部５３は、例えば図４に示すようにノズル５７をレーザ光照射部５２と一体的に有し、レーザ光Ｄが第１の大判基板３５表面に入射した直後に当該レーザ光Ｄが照射された位置としての入射位置Ｆ（図４中のＦ）に当該ノズル５７の先端から冷水５８を噴射する。ここで、冷水５８は室温より低い温度例えば約１７℃となっている。これにより、一旦高熱になった第１の大判基板３５は冷水５８により急冷され、収縮率の場所による相違により亀裂が生じ分断することとなる。尚、ノズル５７はレーザ光Ｄの光束がかからない位置に配置されている。
【００５２】
（液晶装置の製造方法）
【００５３】
次に、以上のように構成された液晶装置（電気光学装置）の製造装置を用いて液晶装置の製造方法について第１及び第２の大判基板の分断を中心に説明する。
【００５４】
図５は本実施形態に係る液晶装置の製造方法のフローチャート図、図６は１次ブレイクの説明図、図７はレーザ光の焦点の説明図、図８はレーザ光照射から基板の分断までの説明図及び図９は２次ブレイクの説明図である。
【００５５】
例えば複数の第１基板６となる第１の大判基板３５の液晶側にＴＦＴ、走査線１３、データ線１４、画素電極１６等を形成し、その液晶側に配向膜１５を形成して、ラビング処理を施して第１の大判基板３５を製造する（ＳＴ１０１）。
【００５６】
また、複数の第２基板７となる第２の大判基板３６の液晶側に必要に応じて下地層や反射膜、着色層等をそれぞれ形成すると共にその液晶側に共通電極２４を形成し、更に配向膜２５を形成してラビング処理を施して第２の大判基板３６を製造する（ＳＴ１０２）。
【００５７】
そして、第２の大判基板３６上にギャップ材３７をドライ散布等により散布し、シール材５を介して第１の大判基板３５と第２の大判基板３６とを貼り合わせる（ＳＴ１０３）。その後、貼り合わされた第１及び第２の大判基板３５，３６を１次ブレイクして複数の第１及び第２基板からなる短冊状第１及び第２の大判基板に分断する（ＳＴ１０４）。
【００５８】
以下、１次ブレイクについて詳説する。１次ブレイクは、第１及び第２の大判基板３５，３６を例えば図６（ａ）の予定分断線としての破線Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３に示すように一辺３５ａに平行に離間して分断させて、図６（ｂ）に示すような短冊状第１及び第２の大判基板３８，３９を形成する。尚、例えば図６（ａ）に示すようにレーザ光Ｄが最初に第１の大判基板３５に入ることになる側辺３５ｄには、レーザ光Ｄがガラス内に入り易いように凹部３５ｅが設けられている。
【００５９】
具体的には図３に示すように貼り合わされた第１及び第２の大判基板３５，３６を第１の大判基板３５が上になる様に基板分断装置５０のＸＹ軸ステージ５１上に真空吸着等により所定の位置に保持する。そして、ＸＹ軸ステージ５１をＸ軸及びＹ軸方向に移動させ例えば図６（ａ）の破線Ｇ１上にレーザ光Ｄが入射するように位置決めをする。
【００６０】
第１の大判基板３５の位置決めができたら、レーザ光Ｄの焦点Ｅが第１の大判基板３５の厚さの範囲内の所定の位置Ｈ、例えば図７に示すように第２の大判基板側表面３５ｂから内側寄りに６０ミクロンから８０ミクロンのところに結ばれるように、レーザ光照射部５２を支柱５４により上下動させ、適正なところで固定する。
【００６１】
更にその状態で、例えば図４に示すように冷却部５３のノズル先端方向をレーザ光Ｄが入射する第１の大判基板３５表面の入射位置Ｆに合わせて固定する。
【００６２】
以上の準備ができたら、レーザ発振器５５からレーザ光Ｄを出射させ、レンズ系５６に入射させて当該レンズ系５６により、例えば図８（ａ）に示すように第１の大判基板３５の第２の大判基板側表面３５ｂから内側の所定の位置Ｈ（例えば６０ミクロンから８０ミクロンの所）にレーザ光Ｄの焦点Ｅが結ばれる（第１のレーザ光照射工程）（ＳＴ１０４）。
【００６３】
その結果、例えば図８（ｂ）に示すように第１の大判基板３５中の焦点Ｅを含む第２の大判基板側表面３５ｂから反対側表面３５ｃまでの略円柱形のレーザ光照射領域としての領域Ｉが高温化（例えば１０００℃）する。
【００６４】
その直後に、例えば図８（ｃ）に示すように冷却部５３のノズル５７から冷水５８が、第１の大判基板３５のレーザ光Ｄが入射された入射位置Ｆに噴射される。これにより、高温化された領域Ｉは、一気に冷却されて収縮するが、そのときの周りとの収縮率の違いにより、亀裂が第１の大判基板３５の第２の大判基板側表面３５ｂから反対側表面３５ｃまで走ることになる（ＳＴ１０５）。
【００６５】
このとき、例えば図４に示すように貼り合わされた第１の大判基板３５は、ＸＹ軸ステージ５１によって矢印Ｃ方向に所定速度で移動する。これによって、第１のレーザ光照射工程としてレーザ光照射部５２から出射されるレーザ光Ｄが、例えば図６（ａ）に示す破線Ｇ１に沿うように第１の大判基板３５の反対側表面３５ｃに照射され、直後に冷水５８により冷却されるので、図８（ｄ）に示すように完全に第１の大判基板３５の第２の大判基板側表面３５ｂから反対側表面３５ｃまで分断される。
【００６６】
そして、貼り合わされた第１及び第２の大判基板３５，３６を第２の大判基板３６が上になるように置き直して、例えば図６（ａ）に示す破線Ｇ２の位置で分断するように第１の大判基板３５の場合と同様に基板分断装置５０のレーザ光照射部５２からレーザ光Ｄを第２の大判基板３６に照射し、直後に冷却部５３のノズル５７から冷水５８を当該レーザ光Ｄの入射位置に噴射する。すなわち破線Ｇ１の場合と同様に、破線Ｇ２に沿ってレーザ光Ｄが第２の大判基板３６に照射され、直後に冷水５８により冷却されるようにＸＹ軸ステージ５１を所定速度で移動させ、完全に第２の大判基板３６が分断される。
【００６７】
また、各第１基板６の張出し部１８を形成するように第１の大判基板３５の予定分断線である破線Ｇ１に重ならない第２の大判基板３６の予定分断線としての破線Ｇ３に沿ってレーザ光Ｄを照射する。すなわち、例えば図６（ａ）に示す破線Ｇ３の位置で分断するように基板分断装置５０のレーザ光照射部５２からレーザ光Ｄを第２の大判基板３６に照射し、直後に冷却部５３のノズル５７から冷水５８を当該レーザ光Ｄの入射位置に噴射する。これにより、第２のレーザ光照射工程として、破線Ｇ２の場合と同様に破線Ｇ３に沿ってレーザ光Ｄが第２の大判基板３６に照射され、冷却されるようにＸＹ軸ステージ５１を所定速度で移動させ、完全に第２の大判基板３６が分断される。
【００６８】
このとき、破線Ｇ３が例えば図６（ａ）に示すように破線Ｇ１，Ｇ２とずれているので、このずれにより生じた端材が取り除かれ、第１基板６の張出し部１８が形成される。
【００６９】
これにより、例えば図６（ｂ）に示すように複数の第１及び第２基板６，７をそれぞれ一列に有する短冊状第１及び第２の大判基板３８，３９が製造される。
【００７０】
更にシール材５の図示しない注入口から液晶８を注入し、シール材５の注入口を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止して当該液晶８を封入する（ＳＴ１０６）。
【００７１】
次に、２次ブレイクをするが、当該２次ブレイクについてはレーザ光Ｄの照射や冷水５８の噴射などは第１ブレイクと同様であるので、簡単に説明する。
【００７２】
２次ブレイクは、短冊状第１及び第２の大判基板３８，３９を例えば図９（ａ）の破線Ｊに示すように側辺３８ｄに平行に離間して分断させて、図９（ｂ）に示すような各第１及び第２基板６，７を形成する。すなわち、破線Ｊに沿ってレーザ光Ｄをレーザ光照射部５２から照射し（ＳＴ１０７）、直後に冷却部５３のノズル５７から冷水５８をレーザ光Ｄの入射位置に噴射して（ＳＴ１０８）、短冊状第１の大判基板３８を破線Ｊに沿って分断させる。同様に、短冊状第２の大判基板３９も分断して図９（ｂ）に示すような各第１及び第２基板６，７を形成する。
【００７３】
尚、例えば図９（ａ）に示すようにレーザ光Ｄが最初に短冊状第１の大判基板３８に入ることになる一辺３８ａには、レーザ光Ｄがガラス内に入り易いように凹部３８ｅが設けられている。また、図９（ｂ）に示すように破線Ｇ３が１次ブレイクのときの破線Ｇ１，Ｇ２とずれているため第１基板６には、張出し部１８が形成されている。
【００７４】
以上で１次ブレイク及び２次ブレイクが終了する。
【００７５】
次に、ドライバーＩＣ１９を図示しない圧着ヘッドにより出力用接続端子１７や入力用接続端子２２に異方性導電膜を介して所定の圧力で押圧し、約３００℃に加熱して圧着し、張出し部１８の液晶側面に実装する（ＳＴ１０９）。
【００７６】
また、例えばベース基材２６に必要な配線パターン２７や接続用端子等を形成し実装してフレキシブル基板３を製造する。そして、当該フレキシブル基板３の配線パターン２７に電気的に接続された接続用端子を、異方性導電膜２８を介して液晶パネル２の外部用端子２１に電気的に接続し、第１及び第２基材９，１０の液晶側と反対側面に偏光板１１，１２をそれぞれ貼着する（ＳＴ１１０）。
【００７７】
その後、照明装置４等を取り付けて（ＳＴ１１１）、液晶装置１が完成する（ＳＴ１１２）。
【００７８】
以上で液晶装置の製造方法の説明を終了する。
【００７９】
尚、上述の説明ではレーザ光として例えば周波数３００Ｈｚ、出力３００Ｗのエキシマレーザ光やＣＯ２レーザ光を用いることとして説明したが勿論これに限られるものではない。例えばレーザ光Ｄは、フェムト秒レーザ光であってもよい。これにより、ガラスなどの透光性基板であってもより確実に内部を高熱化でき、熱応力を容易に発生可能とできる。
【００８０】
また、上述の説明では分断の順序を予定分断線としての破線Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３の順序で行う場合を説明したが、無論これに限定されるものではなく、例えば破線Ｇ２，Ｇ３や破線Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３に沿って同時にレーザ光を照射し、冷却して分断しても良い。また、分断の順序を変えても勿論良い。
【００８１】
このように本実施形態によれば、レーザ光Ｄをその焦点Ｅが第１の大判基板３５の第２の大判基板側表面３５ｂ内側から反対側表面３５ｃ内側までの間の所定の位置に結ぶように第１の大判基板３５に照射することとしたので、分断する第１の大判基板３５の内部を効率的に高熱化することができる。
【００８２】
また、第１の大判基板３５の予定分断線Ｇ１に沿ってレーザ光Ｄを照射する第１のレーザ光照射工程後、第１の大判基板３５のレーザ光照射領域としての領域Ｉを冷却することとしたので、第１の大判基板３５の内部で場所によって大きな収縮が生じ、その収縮率の違いにより大きな熱応力が発生して、第１の大判基板３５をレーザ光Ｄの照射方向に沿って分断できることとなる。
【００８３】
したがって、通常のスクライブブレイクのようなブレイク工程を省くことができ、コストを低減できる他、ガイド溝の深さ方向と幅方向の熱分布の違いにより亀裂が発生するものではないので分断が容易であり、ブレイク困難から生じる端材残り等の不用品の発生を防ぐことができる。
【００８４】
更にレーザ光Ｄの焦点位置は、第２の大判基板側表面３５ｂに近接していることとしたので、レーザ光Ｄが照射される第１の大判基板表面（反対側表面３５ｃ）に遠い第２の大判基板側表面３５ｂの内側に近接させて当該レーザ光Ｄの焦点Ｅが結ばれ、レーザ光Ｄの照射方向に沿ってより第１の大判基板内部全体（例えば図８（ｂ）に示す領域Ｉを高温化でき、確実にかつ、綺麗な断面で分断できる。
【００８５】
より具体的にはレーザ光Ｄの焦点位置は、第２の大判基板側表面３５ｂから約６０ミクロン以上で約８０ミクロン以下第１の大判基板３５の内側寄りの位置であることとしたので、レーザ光Ｄが照射される第１の大判基板表面（反対側表面３５ｃ）に遠い表面も確実に高温化できる。これにより、冷却するだけで分断が可能となる。尚、８０ミクロンより離れると第２の大判基板側表面まで高温化できない可能性も生じ、反対に６０ミクロンより近づくとレーザ光のエネルギーが無駄になる可能性がある。
【００８６】
また、冷却は、第１の大判基板表面（反対側表面３５ｃ）のレーザ光Ｄが照射された位置（入射位置Ｆ）に冷水５８を噴射して冷却するものであることとしたので、高温化された第１の大判基板３５を冷却することでより急激に収縮し、その収縮率の大きな違いにより容易に第１の大判基板３５を分断することができる。
【００８７】
更に第１の大判基板３５は、複数の第１基板６を有し、第２の大判基板３６は、複数の第２基板７を有し、分断は、第１基板６に第２基板７の外周縁から張り出した張り出し部１８を形成するように第１の大判基板３５の予定分断線Ｇ１に重ならない第２の大判基板３６の予定分断線Ｇ３に沿ってレーザ光Ｄを照射する第２のレーザ光照射工程を更に具備することとした。これにより、張出し部１８を形成する際も分断する第２の大判基板３６の内部を効率的に高熱化することができ、通常のスクライブブレイクのようなブレイク工程を省くことが可能となり、コストを低減できる。
【００８８】
また、液晶装置の製造装置である基板分断装置５０は、シール材５を介して貼り合わされた第１基板６を複数有する第１の大判基板３５と第２基板７を複数有する第２の大判基板３６とを分断する液晶装置の製造装置であって、第１の大判基板３５の第２の大判基板側表面３５ｂの内側から第２の大判基板側と反対側表面３５ｃの内側までの所定の位置に焦点Ｅを結ぶように、第１の大判基板３５にレーザ光Ｄを照射するレーザ光照射部５２と、レーザ光Ｄが照射された第１の大判基板３５を冷却する冷却部５３とを具備することとした。
【００８９】
したがって、第１の大判基板３５の第２の大判基板側表面３５ｂの内側から第２の大判基板側と反対側表面３５ｃの内側までの所定の位置に焦点Ｅを結ぶように、第１の大判基板３５にレーザ光Ｄを照射するレーザ光照射部５２をするので、分断する第１の大判基板３５の内部を効率的に高熱化することができる。
【００９０】
更にレーザ光Ｄが照射された第１の大判基板３５を冷却する冷却部５３を有することとしたので、第１の大判基板３５の内部で場所によって大きな収縮が生じ、その収縮率の違いにより大きな熱応力が発生して、第１の大判基板３５をレーザ光Ｄの照射方向に沿って分断できることとなる。
【００９１】
また、液晶装置１の例えば第１基板６は、レーザ光Ｄを第１の大判基板３５の第２の大判基板側表面３５ｂの内側から第２の大判基板側と反対側表面３５ｃの内側までの所定の位置に焦点Ｅを結ぶように第１の大判基板３５に照射し、当該第１の大判基板３５を冷却して分断されたものであることとした。
【００９２】
したがって、所定の焦点Ｅを結ぶレーザ光照射直後の冷却により、第１の大判基板３５の内部で場所によって大きな収縮が生じ、その収縮率の違いにより大きな熱応力が発生して、第１の大判基板３５をレーザ光Ｄの照射方向に沿って分断された第１基板６を用いて液晶パネル２とした。これにより、低コストで高品質な液晶装置１とすることができる。
【００９３】
（第２の実施形態）
【００９４】
次に、本発明に係る液晶装置の第２の実施形態について説明をする。本実施形態においては、第１の実施形態と大判基板内部のレーザ光の焦点が複数形成される点が異なるのでその点を中心に説明する。尚、以下の説明では第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態の構成要素と同一の符号を付してその説明を省略或いは簡略化するものとする。また、液晶装置の構成は第１の実施形態と略同様であるのでその説明は省略する。
【００９５】
図１０は、本発明の第２の実施形態に係るレーザ光の照射と冷却の説明図である。
【００９６】
（液晶装置の製造装置）
【００９７】
液晶装置の製造装置のうち、基板分断装置１５０は、ＸＹ軸ステージ５１、レーザ光照射部１５２、冷却部５３及び支柱５４等を有する。
【００９８】
レーザ光照射部１５２は、例えば図１０に示すようにレーザ発振器１５５ａ，１５５ｂ，１５５ｃとレンズ系１５６ａ，１５６ｂ，１５６ｃとハーフミラー１６０ａ，１６０ｂ及びミラー１６１等を有する。
【００９９】
ここで、レーザ発振器１５５ａ，１５５ｂ，１５５ｃは同じレーザ光を出射できるものであり、例えば周波数３００Ｈｚ、出力３００Ｗのエキシマレーザ光やＣＯ２レーザ光を発振するものである。
【０１００】
レンズ系１５６ａは、例えば図１０に示すようにレーザ発振器１５５ａから出射したレーザ光Ｄ１が入射し、ハーフミラー１６０ａにより反射されて第１の大判基板３５内部の第２の大判基板側表面３５ｂに近接した位置であるＥ１にその焦点を結ぶように形成されている。
【０１０１】
また、レンズ系１５６ｂは例えば図１０に示すようにレーザ発振器１５５ｂから出射したレーザ光Ｄ２が入射し、ハーフミラー１６０ｂにより反射され、更にハーフミラー１６０ａを透過して第１の大判基板３５内部の第２の大判基板側表面３５ｂと反対側表面３５ｃとの略中間位置であるＥ２にその焦点を結ぶように形成されている。
【０１０２】
更にレンズ系１５６ｂは、例えば図１０に示すようにレーザ発振器１５５ｃから出射したレーザ光Ｄ３が入射し、ミラー１６１により反射され、更にハーフミラー１６０ｂ，１６０ａを透過して第１の大判基板３５内部の反対側表面３５ｃに近接した位置であるＥ３にその焦点を結ぶように形成されている。
【０１０３】
ハーフミラー１６０ａは、例えば図１０に示すようにレンズ系１５６ａからのレーザ光Ｄ１を第１の大判基板３５表面に方向を変えると共に、ハーフミラー１６０ｂで反射されたレーザ光Ｄ２やミラー１６１で反射されたレーザ光Ｄ３は、そのまま透過させる性質を有する。
【０１０４】
また、ハーフミラー１６０ｂは、例えば図１０に示すようにレンズ系１５６ｂからのレーザ光Ｄ２を第１の大判基板３５表面に方向を変えると共に、ミラー１６１で反射されたレーザ光Ｄ３は、そのまま透過させる性質を有する。
【０１０５】
（液晶装置の製造方法）
【０１０６】
次に、以上のように構成された液晶装置（電気光学装置）の製造装置を用いて液晶装置の製造方法について、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。
【０１０７】
貼り合わされた第１及び第２の大判基板３５，３６を第１の大判基板３５が上になる様に基板分断装置１５０のＸＹ軸ステージ５１上に真空吸着等により所定の位置に保持する。そして、ＸＹ軸ステージ５１をＸ軸及びＹ軸方向に移動させ例えば図６（ａ）の破線Ｇ１上にレーザ光Ｄ１〜Ｄ３が入射するように位置決めをする。
【０１０８】
第１の大判基板３５の位置決めができたら、レーザ光Ｄ１〜Ｄ３の焦点Ｅ１〜Ｅ３が第１の大判基板３５内部の所定の位置、例えば図１０に示すように第２の大判基板側表面３５ｂから内側寄りに６０ミクロンから８０ミクロンのところにＥ１が結ばれるように、レーザ光照射部１５２を支柱５４により上下動させ、適正なところで固定する。これにより、他の焦点Ｅ２，Ｅ３は図１０に示すようにＥ２が略厚さ方向の中央に結ばれ、Ｅ３が略反対側表面近くに結ばれることとなる。
【０１０９】
更にその状態で、例えば図１０に示すように冷却部５３のノズル先端方向をレーザ光Ｄ１〜Ｄ３が入射する第１の大判基板３５表面の入射位置に合わせて固定する。
【０１１０】
以上の準備ができたら、レーザ発振器１５５ａ，１５５ｂ，１５５ｃからそれぞれレーザ光Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３を出射させ、レンズ系１５６ａ，１５６ｂ，１５６ｃに入射させてそれぞれハーフミラー１６０ａ，１６０ｂやミラー１６１により、例えば図１０に示すように第１の大判基板３５内部の３箇所の位置に各レーザ光の焦点Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３が結ばれる。
【０１１１】
その結果、第１の大判基板３５中の焦点Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３を含む第２の大判基板側表面３５ｂから反対側表面３５ｃまでの略円柱形の領域がより確実に高温化（例えば１０００℃）する。
【０１１２】
この後、例えば図１０に示すように冷却部５３のノズル５７から冷水５８が、第１の大判基板３５のレーザ光が入射した入射位置に噴出され、高温化された領域が急冷され、収縮率の違いにより分断されることとなる。
【０１１３】
以上の分断は、第２の大判基板３６でも略同様であり、更には２次ブレイクでも同様であるのでその説明を省略する。
【０１１４】
このように本実施形態によれば、レーザ光の焦点を第１または第２の大判基板３５，３６の厚さの範囲内の複数の位置に設けることとしたので、例えば第１の大判基板３５の厚さ方向に略等間隔で複数のレーザ光の焦点が同時に結ばれ、当該厚さ方向での高温化がより均一化され、分断面にマイクロクラック等の生じない綺麗な断面として分断できる。
【０１１５】
尚、上述の説明ではレーザ光として例えば周波数３００Ｈｚ、出力３００Ｗのエキシマレーザ光やＣＯ２レーザ光を用いることとして説明したが勿論これに限られるものではない。例えばレーザ光Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３は、フェムト秒レーザ光であってもよい。これにより、ガラスなどの透光性基板であってもより確実に内部を高熱化でき、熱応力を容易に発生可能とできる。
【０１１６】
また、上述の説明では複数の焦点を３つの焦点Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３として説明したが無論これに限られるものではなく、例えば２つの焦点或は４つ以上の焦点を第１の大判基板内部に生じさせるようにしてもよい。これにより、分断すべき基板の厚さなどの条件に最も適切な位置に焦点を生じさせることが可能となる。
【０１１７】
（第３の実施形態）
【０１１８】
次に、本発明に係る液晶装置の第３の実施形態について説明をする。本実施形態においては、第１の実施形態と大判基板内部のレーザ光の焦点が移動される点が異なるのでその点を中心に説明する。
【０１１９】
図１１は、本発明の第３の実施形態に係るレーザ光の照射と冷却の説明図である。
【０１２０】
（液晶装置の製造装置）
【０１２１】
液晶装置の製造装置のうち、基板分断装置２５０は、ＸＹ軸ステージ５１、レーザ光照射部２５２、冷却部５３及び支柱５４等を有する。
【０１２２】
レーザ光照射部２５２は、例えば図１１に示すようにレーザ発振器２５５、レンズ系２５６及びミラー２６０等を有し、支柱５４により図１１の矢印Ｌに示すように上下（図１１中のＺ軸方向）に移動可能である。
【０１２３】
ここで、レーザ発振器２５５は、例えば周波数３００Ｈｚ、出力３００Ｗのエキシマレーザ光やＣＯ２レーザ光を発振するものである。
【０１２４】
レンズ系２５６は、例えば図１１に示すようにレーザ発振器２５５から出射したレーザ光Ｄが入射し、ミラー２６１により反射され、第１の大判基板３５の第２の大判基板側と反対側表面３５ｃの内側に近接した位置に焦点Ｍを結ぶように形成されている。尚、上述のようにレーザ光照射部２５２は上下に移動可能であるので、下方に移動させることで焦点Ｍを第１の大判基板３５の厚さ方向略中央のＭ１や第２の大判基板側表面３５ｂに近接したＭ２の位置等に当該焦点を連続的に移動させることができる。
【０１２５】
勿論、焦点を移動させる方法は、レーザ光照射部２５２自体を移動させる方法に限られるものではなく、レンズ系２５６を変えたりすることでもよい。
【０１２６】
（液晶装置の製造方法）
【０１２７】
次に、以上のように構成された液晶装置（電気光学装置）の製造装置を用いて液晶装置の製造方法について、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。
【０１２８】
貼り合わされた第１及び第２の大判基板３５，３６を第１の大判基板３５が上になる様に基板分断装置２５０のＸＹ軸ステージ５１上に真空吸着等により所定の位置に保持する。そして、ＸＹ軸ステージ５１をＸ軸及びＹ軸方向に移動させ例えば図６（ａ）の破線Ｇ１上にレーザ光Ｄが入射するように位置決めをする。
【０１２９】
第１の大判基板３５の位置決めができたら、レーザ光Ｄの焦点が第１の大判基板３５内部の所定の位置、例えば図１１に示すように第２の大判基板側表面と反対側表面３５ｃの内側に近接して焦点Ｍが結ばれるように、レーザ光照射部２５２を支柱５４により上下動させ、適正なところで固定する。
【０１３０】
更にその状態で、例えば図１１に示すように冷却部５３のノズル先端方向をレーザ光Ｄが入射する第１の大判基板３５表面の入射位置に合わせて固定する。
【０１３１】
以上の準備ができたら、レーザ発振器２５５からレーザ光Ｄを出射させ、レンズ系２５６に入射させてミラー２６１により、例えば図１１に示すように第１の大判基板３５内部の反対側表面に近接した位置にレーザ光の焦点Ｍを結ばせる。
【０１３２】
そして、その状態で支柱５４を例えばレーザ光照射部２５２ごと下降させてレーザ光Ｄの焦点を第１の大判基板内部で焦点Ｍから連続的に焦点Ｍ１，Ｍ２と第２の大判基板側表面に近接した位置まで移動させる（第１のレーザ光照射工程）。
【０１３３】
この直後、例えば図１１に示すように冷却部５３のノズル５７から冷水５８が、第１の大判基板３５のレーザ光が入射した入射位置に噴出され、高温化された領域が急冷され、収縮率の違いにより分断されることとなる。
【０１３４】
以上の分断は、第２の大判基板３６でも略同様であり、更には２次ブレイクでも同様であるのでその説明を省略する。
【０１３５】
このように本実施形態によれば、焦点位置が、第１及び第２のレーザ光照射工程中に移動することとしたので、例えば第１の大判基板３５の厚さ方向にレーザ光Ｄの焦点が移動すると、その移動した部分でより確実に均一な高温化が図れ、分断面にマイクロクラック等の生じない綺麗な断面として分断できる。
【０１３６】
また、上述の説明ではレーザ光として例えば周波数３００Ｈｚ、出力３００Ｗのエキシマレーザ光やＣＯ２レーザ光を用いることとして説明したが勿論これに限られるものではない。例えばレーザ光Ｄは、フェムト秒レーザ光であってもよい。これにより、ガラスなどの透光性基板であってもより確実に内部を高熱化でき、熱応力を容易に発生可能とできる。
【０１３７】
尚、本発明は上述したいずれの実施形態にも限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態を組み合わせえる。
【０１３８】
例えば上述した実施形態では、電気光学装置の一例として薄膜トランジスタ素子アクティブマトリクス型の液晶装置について説明したがこれに限られるものではなく、例えば、薄膜ダイオード素子アクティブマトリクス型やパッシブマトリクス型の液晶装置であってもよい。これにより、多種多様な液晶装置についても、低コストで高品質な液晶装置とすることができる。
【０１３９】
また、液晶装置に限られるものでもなく例えばエレクトロルミネッセンス装置、特に有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、ＬＥＤ表示装置、電気泳動表示装置、プラズマディスプレイ装置等の電気光学装置にも適用可能である。これにより、多種多様な電気光学装置についても、低コストで高品質なものとできる。
【０１４０】
更に上述の説明では、ドライバーＩＣ１９をＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）として説明したがこれに限られるものではなく、例えばフレキシブル基板３に実装するＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）の場合であってもよい。これにより、多種多様な液晶装置についても、低コストで高品質な液晶装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４１】
【図１】第１の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線部分断面図（ドライバーＩＣは切断していない。）である。
【図３】第１の実施形態に係る基板分断装置の概略側面図である。
【図４】第１の実施形態に係る基板分断装置の概略正面図である。
【図５】第１の実施形態に係る液晶装置の製造方法のフローチャート図である。
【図６】第１の実施形態に係る１次ブレイクの説明図である。
【図７】第１の実施形態に係るレーザ光の焦点の説明図である。
【図８】第１の実施形態に係るレーザ光照射から基板の分断までの説明図である。
【図９】第１の実施形態に係る２次ブレイクの説明図である。
【図１０】第２の実施形態に係るレーザ光の照射と冷却の説明図である。
【図１１】第３の実施形態に係るレーザ光の照射と冷却の説明図である。
【符号の説明】
【０１４２】
１  液晶装置、  ２  液晶パネル、  ３  フレキシブル基板、  ４  照明装置、  ５  シール材、  ６  第１基板、  ７  第２基板、  ８  液晶、  ９  第１基材、  １０  第２基材、  １１，１２  偏光板、  １３  走査線、  １４  データ線、  １５，２５  配向膜、  １６  画素電極、  １７  出力用接続端子、  １８  張出し部、  １９  ドライバーＩＣ、  ２０  入力用配線、  ２１  外部用端子、  ２２  入力用接続端子、  ２３  バンプ、  ２４  共通電極、  ２６  ベース基材、  ２７  配線パターン、  ２８  異方性導電膜、  ２９  導光板、  ３０  反射シート、  ３５  第１の大判基板、  ３６  第２の大判基板、  ３７  ギャップ材、  ３８  短冊状第１の大判基板、  ３９  短冊状第２の大判基板、  ５０，１５０，２５０  基板分断装置、  ５１  ＸＹ軸ステージ、  ５２，１５２，２５２  レーザ光照射部、  ５３  冷却部、  ５４  支柱、  ５５，１５５ａ，１５５ｂ，１５５ｃ，２５５  レーザ発振器、  ５６，１５６ａ，１５６ｂ，１５６ｃ，２５６  レンズ系、  ５７  ノズル、  ５８  冷水、  １６０ａ，１６０ｂ  ハーフミラー、  １６１，２６１  ミラー、  Ｂ，Ｃ，Ｌ  矢印、  Ｄ，Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３  レーザ光、  Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｍ，Ｍ１，Ｍ２  焦点、  Ｆ  入射位置、  Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｊ  破線、  Ｈ  位置、  Ｉ  領域
【図１】
2008242151.tif 000003
【図２】
2008242151.tif 000004
【図３】
2008242151.tif 000005
【図４】
2008242151.tif 000006
【図５】
2008242151.tif 000007
【図６】
2008242151.tif 000008
【図７】
2008242151.tif 000009
【図８】
2008242151.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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