(57)【要約】【課題】金属層が積層されているキャリアの金属層に凸状パターンを形成し、これを絶縁層に転写することにより高密度の回路パターンを形成できる回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明による回路基板の製造方法は、金属層が積層されているキャリアの金属層に回路パターンに対応する凸状パターンを形成する段階と、凸状パターンが絶縁層を向くようにキャリアを絶縁層に積層して圧着する段階と、キャリアを除去して金属層及び凸状パターンを絶縁層に転写する段階と、金属層が転写された絶縁層にビアホールを形成する段階と、金属層が転写された絶縁層をメッキしてビアホールを充填し、金属層にメッキ層を形成する段階と、を含むことを特徴とする。【選択図】図２
2008263188.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層が積層されているキャリアの前記金属層に回路パターンに対応する凸状パターンを形成する段階と、
前記凸状パターンが絶縁層を向くように前記キャリアを前記絶縁層に積層して圧着する段階と、
前記キャリアを除去して前記金属層及び前記凸状パターンを前記絶縁層に転写する段階と、
前記金属層が転写された前記絶縁層にビアホールを形成する段階と、
前記金属層が転写された前記絶縁層をメッキして、前記ビアホールを充填し、前記金属層にメッキ層を形成する段階と、
を含む回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記ビアホールを形成する段階以後に、
前記ビアホールにシード層を形成する段階をさらに含み、
前記メッキ層を形成する段階は、
前記金属層と前記シード層とを電極にして電解メッキすることにより行われることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記メッキ層を形成する段階以後に、
前記メッキ層を除去する段階と、
前記金属層を除去する段階と、
をさらに含む請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記凸状パターンを形成する段階が、
前記金属層に前記凸状パターンに対応するように選択的にメッキレジストを形成する段階と、
前記金属層を電極にして電解メッキする段階と、
前記メッキレジストを除去する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記凸状パターンと前記金属層とは、互いに異なる材質の金属からなることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記メッキ層と前記金属層とは、互いに異なる材質の金属からなることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記キャリアは金属板であり、
前記金属層と前記金属板とは、互いに異なる材質の金属からなることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記金属板または前記金属層は、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、及びアルミニウム（Ａｌ）の中の何れか一つからなることを特徴とする請求項７に記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記キャリアは金属板であり、
前記転写する段階は、前記金属板をエッチングすることにより行われることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記ビアホールを形成する段階は、
前記金属層、前記回路パターン、及び前記絶縁層の一部をＣＯ２レーザーで除去する段階と、
前記絶縁層の残りの一部をＹＡＧレーザーで除去する段階と、
を含む請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記ビアホールを形成する段階は、ＣＮＣ（Computer Numerical Control）ドリルまたはレーザードリルを用いて行われることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記レーザーは、ＣＯ２レーザー、ＹＡＧレーザーの少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項１１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記凸状パターンを形成する段階は、
二つのキャリアの前記金属層のそれぞれに凸状パターンを形成する段階を含み、
前記圧着する段階は、
前記凸状パターンが互いに対向するように前記絶縁層の両面に前記二つのキャリアをそれぞれ積層して圧着する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子産業の発達により、携帯電話を始めとして電子部品が小型化、高機能化になることにつれ、印刷回路基板においても小型化、高密度化に対する要求がますます増加している。このような電子製品の軽薄短小化の傾向から、印刷回路基板においても微細パターン化、小型化、及びパッケージ化がともに進んでいる。
【０００３】
今まで広く用いられている微細回路パターンの製作技術中の一つは、フォトリソグラフィ（photolithography）方法であって、これは、フォトレジスト薄膜が覆われている基板の上にパターンを形成する方法である。しかし、このような方法は、半導体素子の集積度が高くなるほど微細パターンを形成するためには、波長の短い露光技術を要する。
【０００４】
また、微細回路パターンの高密度化のための方法としては、薄い銅膜を使用し、これをベースにして回路を選択的に成長させていく技術のＭＳＡＰ（Modified Semi Additive Process）法やＳＡＰ（Semi Additive Process）法などを用いてきたが、回路のベースとなる薄い銅膜中の、回路に使用されない部分を除去する際に、既に形成されている回路を損傷させて、目標とした回路幅を形成できず、また、材料及び新規設備投資などの追加的なインフラが必要とされるため、その適用が困難であるという問題点がある。また、上記方法により形成された回路パターンは絶縁基板の上部に露出されているため、基板の全体的な高さが大きくなり、回路パターンと絶縁基板との接合部分にアンダーカット（under cut）が発生して回路が絶縁基板から剥離されるという問題点がある。
【０００５】
一方、電子部品の高性能化、高密度化により、ＳＩＰ（System in package）、３Ｄパッケージなどの高密度表面実装部品用基板が浮かび上がっている。このように、基板の高密度化及び薄板化の要求に応えるために、回路パターンの層間高密度接続が求められている。
【０００６】
多層回路パターン基板の層間電気的接続のためには、メッキによる技術、金属ペーストを用いてビアホール内部を伝導体で充填する技術、円錐形等にペーストを形成して層間接続を行う、いわゆる「Ｂ２ｉｔ（Buried bump interconnection technology）」技術などが用いられている。
【０００７】
メッキによる技術は、多層回路パターン基板の回路層を貫通するＰＴＨ（Plated through hole）、ＢＶＨ（Blind via hole）のようなビアホールを加工した後に、ビアホールの内周面を銅メッキするか、ビアホールの内に銅メッキ層を充填して層間接続を具現する方式である。
【０００８】
金属ペーストを充填する技術は、レーザーを用いてビアホールを加工した後に、ビアホールの内に銅（Ｃｕ）ペーストなどを充填して層間接続を具現する技術である。この技術によれば、層間接続が具現された多数のコア層を配列し、加熱、加圧して一括にコア層を接着することにより、層間電気的信号が連結される。
【０００９】
「Ｂ２ｉｔ」技術は、銅箔の上に特定の伝導性ペーストを円錐形等に印刷し、硬化させてペーストスタッド（Paste Stud）を形成した後、これに絶縁層を貫通させ、熱圧着することにより層間接続を具現する方式である。
【００１０】
しかし、前述した従来技術は、層間高密度接続には限界があり、完全な生産技術として適用することができない。
【００１１】
図１は、従来技術に係る回路基板の層間接続方法を示す工程図である。図１に示すように、回路パターン１０６が埋め込まれている絶縁体１０４にビアホール１０８を加工し、電解メッキの電極となるシード層を形成した後、ビアホール１０８の充填のためのウィンドウ（window）を選択的に形成しながらメッキレジスト１０２を積層する。以後、前記シード層を電極にして電解メッキを行って伝導性材料１１２をビアホール１０８に充填した後、メッキレジスト１０２を除去すれば、絶縁体１０４の両面に形成されている回路パターン１０６の層間接続のためのビアが形成される。このようなビアの露出面は、電子部品の実装のためのランド（land）となるか、または他のビアを接続するためのランドとなる。
【００１２】
しかし、従来技術に係る印刷回路基板の層間接続方法は、ビアホール１０８を充填するために、レジストを塗布した後に、露光、現像工程を経てウィンドウを形成するが、この場合、露光時、露光公差などが生じるため、ビアホール１０８の外径よりウィンドウを大きく開放しなくてはならなくなり、これにより、ビアホール１０８に伝導性材料１１２が充填される際に、ビアのランドが開放されているウィンドウに対応して広く形成されるので、微細回路パターンの具現化が困難となり、回路設計の設計自由度を低下するという問題点があった。
【００１３】
また、絶縁体の一面からランドの一部が突出されて回路基板の全体的な厚さが増加するため、回路基板の薄型化の制約となるという問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
こうした従来技術の問題点に鑑み、本発明は金属層が積層されているキャリアの金属層に凸状パターンを形成し、これを絶縁層に転写することにより高密度の回路パターンを形成できる回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
本発明の他の目的は、多層印刷回路基板において、回路パターンの層間接続を高密度化することにより、回路設計の設計自由度を高めて回路の高密度化及び薄板化を具現することができ、ビア形成時、露光工程が省略されるため、ランドの大きさを小さくすることができる回路基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の一実施形態によれば、金属層が積層されているキャリアの金属層に回路パターンに対応する凸状パターンを形成する段階と、凸状パターンが絶縁層を向くようにキャリアを絶縁層に積層して圧着する段階と、キャリアを除去して金属層及び凸状パターンを絶縁層に転写する段階と、金属層が転写された絶縁層にビアホールを形成する段階と、金属層が転写された絶縁層をメッキし、ビアホールを充填して金属層にメッキ層を形成する段階と、を含む回路基板の製造方法が提供される。
【００１７】
ビアホールを形成する段階以後に、ビアホールにシード層を形成する段階をさらに含むことができ、この場合、メッキ層を形成する段階は金属層とシード層とを電極にして電解メッキすることにより行われることができる。
【００１８】
メッキ層を形成する段階以後に、メッキ層を除去する段階及び金属層を除去する段階をさらに含むことができる。
【００１９】
凸状パターンを形成する段階は、金属層に凸状パターンに対応するように選択的にメッキレジストを形成する段階と、金属層を電極にして電解メッキを行う段階と、メッキレジストを除去する段階と、を含むことができる。
【００２０】
凸状パターンと金属層とは、互いに異なる材質の金属からなることがよい。
【００２１】
メッキ層と金属層とは、互いに異なる材質の金属からなることがよい。
【００２２】
キャリアは金属板であってもよく、この場合、金属層と金属板とは、互いに異なる材質の金属からなることがよい。ここで、金属板または金属層は、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、及びアルミニウム（Ａｌ）の中の何れか一つからなることができる。
【００２３】
キャリアが金属板である場合、転写する段階は金属板をエッチングすることにより行われることができる。
【００２４】
ビアホールを形成する段階は、金属層、回路パターン、及び絶縁層の一部をＣＯ２レーザーで除去する段階及び絶縁層の残りの一部をＹＡＧレーザーで除去する段階を含むことができる。
【００２５】
ビアホールを形成する段階は、ＣＮＣドリルまたはレーザードリルを用いて行われることができる。
【００２６】
レーザーは、ＣＯ２レーザーまたはＹＡＧレーザーの中の少なくとも何れか一つを含むことができる。
【００２７】
凸状パターンを形成する段階は、二つのキャリアの金属層のそれぞれに凸状パターンを形成する段階を含むことができ、圧着する段階は、凸状パターンが互いに対向するように絶縁層の両面に二つのキャリアをそれぞれ積層して圧着する段階を含むことができる。
【００２８】
前述した以外の他の実施形態、特徴、利点が以下の図面、本発明の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明より明確になるだろう。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の好ましい実施例によれば、金属層が積層されているキャリアの金属層に凸状パターンを形成し、これを絶縁層に転写することにより高密度の回路パターンを形成することができる。
【００３０】
また、多層印刷回路基板において、回路パターンの層間接続を高密度化することにより、回路設計の設計自由度を高めて回路の高密度化及び薄板化を具現することができる。
【００３１】
また、ビア形成時、露光工程が省略されるので、ビアのランドの大きさを小さくすることができるだけでなく、回路基板の製造工程を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明に係る回路基板の製造方法の好ましい実施例を添付図面に基づいて詳しく説明し、添付図面を参照して説明することにおいて、同一かつ対応する構成要素は同じ図面番号を付し、これに対する重複される説明は省略する。
【００３３】
図２は、本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法を示すフローチャートであり、図３は、本発明の一実施例に係る回路基板の製造方法を示す順序図である。図２及び図３を参照すると、キャリア１２、金属層１４、メッキレジスト１６、伝導性材料１８、凸状パターン２０、回路パターン２１、絶縁層２２、ビアホール２４、シード層２６、メッキ層２８、ビア３０が示されている。
【００３４】
本実施例に係る回路基板の製造方法は、金属層１４が積層されているキャリア１２の金属層１４に凸状パターン２０を形成する段階と、凸状パターン２０が絶縁層２２を向くようにキャリア１２を絶縁層２２に積層して圧着する段階と、キャリア１２を除去して金属層１４及び凸状パターン２０を絶縁層２２に転写する段階と、金属層１４が転写された絶縁層２２にビアホール２４を形成する段階と、金属層１４が転写された絶縁層２２をメッキし、ビアホール２４を充填して金属層１４にメッキ層２８を形成する段階と、を含み、高密度の回路パターン２１を形成するとともに回路設計の設計自由度を高めてビア３０のランドの大きさを小さくすることができる。
【００３５】
本実施例は、絶縁層２２の両面に凸状パターン２０を埋め込み、両面に形成された回路パターン２１間の層間接続のためのビア３０を形成する過程を中心に説明する。勿論、図６に示すように、絶縁層２２の一面には埋め込まれた回路パターン２１が形成され、絶縁層２２の他面には突出された回路パターン２１が形成されている、絶縁層２２の両面に形成された回路パターン２１間の層間接続のためのビア３０も形成可能である。
【００３６】
本実施例によれば、絶縁層２２の両面それぞれに回路パターン２１を形成するために、絶縁層２２の一面に形成される回路パターン２１に対応する凸状パターン２０を一つのキャリア１２に形成し、絶縁層２２の他面に形成される回路パターン２１に対応する凸状パターン２０を他の一つのキャリア１２に形成した後、二つのキャリア１２を絶縁層２２に対向するように積層、圧着して絶縁層２２の両面に回路パターン２１を形成する。
【００３７】
これのために、先ず、金属層１４が積層されている二つのキャリア１２の金属層１４のそれぞれに凸状パターン２０を形成する。キャリア１２が金属板である場合、キャリア１２の一面に形成される金属層１４はキャリア１２の金属板と異なる材質の金属からなることがよい。金属板または金属層１４は、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、及びアルミニウム（Ａｉ）の中の何れか一つからなることができる。単に、金属板と金属層１４との材質は、互いに異なる金属であればよい。例えば、キャリア１２として銅薄板を用いた場合、金属層１４としては銅（Ｃｕ）以外のニッケル（Ｎｉ）を使用すればよい。
【００３８】
図３の（ａ）に示すように、銅薄板からなったキャリア１２にニッケル（Ｎｉ）からなった金属層１４を積層するために、銅薄板を電極にして電解メッキを行い、銅薄板の一面にニッケル（Ｎｉ）層を形成することができる。
【００３９】
一方、キャリア１２が絶縁材からなった場合、キャリア１２の一面に接着剤を塗布し金属層１４を接着させて、キャリア１２に接着された金属層１４に凸状パターン２０を形成することも可能である。
【００４０】
キャリア１２の金属層１４に回路パターン２１に対応する凸状パターン２０を形成する方法は、金属層１４に凸状パターン２０に対応するように選択的にメッキレジスト１６を形成し、金属層１４を電極にして電解メッキを行ってメッキレジスト１６が形成されていない領域を充填した後、メッキレジスト１６を除去することによりキャリア１２に凸状パターン２０を形成する。この場合、凸状パターン２０と金属層１４とは、互いに異なる材質の金属からなることがよい。これは、後述する金属層１４の除去の際に、回路パターン２１に対して金属層１４を選択的に除去するためである。
【００４１】
段階Ｓ１００で、図３の（ｂ）に示すように、金属層１４が積層されているキャリア１２の金属層１４に、凸状パターン２０の形成のためのレジストを塗布した後、凸状パターン２０に対応するように選択的に露光、現像工程を経てメッキレジスト１６を形成する。次に、図３の（ｃ）及び（ｄ）に示すように、凸状パターン２０に対応するメッキレジスト１６が形成されたら、金属層１４を電極にして電解メッキを行うことでメッキレジスト１６が形成されていない領域に伝導性材料１８を充填し、メッキレジスト１６を剥離すれば、キャリア１２の金属層１４の上に凸状パターン２０が形成される。一方、メッキレジスト１６が形成されていない領域に伝導性材料１８を充填する方法としては、キャリア１２と同じ材質の銅（Ｃｕ）を伝導性材料１８として用いて、金属層１４または銅薄板を電極にして電解メッキを行うことにより充填することができる。
【００４２】
次に、段階Ｓ２００で、図３の（ｅ）に示すように、前述した工程から二つのキャリア１２の金属層１４にそれぞれ凸状パターン２０を形成した後、二つのキャリア１２に形成された凸状パターン２０が互いに対向するように絶縁層２２の両面に積層して圧着する。ここで、絶縁層２２は熱可塑性樹脂及びガラスエポキシ樹脂の少なくとも何れか一つを含み、キャリア１２の金属層１４に形成された凸状パターン２０を絶縁層２２に転写する際に、絶縁層２２は軟化状態にある。すなわち、熱可塑性樹脂やガラスエポキシ樹脂の軟化温度以上に加熱して絶縁層２２を軟化状態にした後、キャリア１２の金属層１４の凸状に形成された凸状パターン２０が軟化状態の絶縁層２２に埋め込まれるように積層して圧着する。
【００４３】
一方、ガラス纎維に熱硬化性樹脂を浸透させて半硬化状態にしたプリプレグ（Prepreg）を絶縁層２２として用いることも可能である。
【００４４】
次に、段階Ｓ３００で、図３の（ｆ）に示すように、凸状パターン２０が形成された二つのキャリア１２を凸状パターン２０が互いに対向するように絶縁層２２の両面にそれぞれ積層して圧着した後、キャリア１２を除去して絶縁層２２に凸状パターン２０と金属層１４とを転写する。
【００４５】
キャリア１２が金属板からなった場合、金属板の材質に対応するエッチング液を塗布してキャリア１２を除去することができる。この場合、金属板と金属層１４とに互いに異なる金属を用いることにより、金属板からなったキャリア１２を選択的に除去することができる。
【００４６】
一方、キャリア１２が絶縁材からなり、キャリア１２の一面に熱可塑性接着剤を塗布して接着層を形成してから金属層１４を積層した場合には、凸状パターン２０が絶縁層２２に埋め込まれるようにキャリア１２を絶縁層２２に積層して圧着した後、一定温度をかけて接着層の接着力を落としてキャリア１２を分離、除去すればよい。
【００４７】
キャリア１２が除去されると、絶縁層２２には凸状パターン２０が埋め込まれ、絶縁層２２の両面には金属層１４が残っていて金属層１４と凸状パターン２０とが絶縁層２２に転写される。このように凸状パターン２０が絶縁層に埋め込まれることにより、絶縁層２２に埋め込まれた回路パターン２１が形成される。
【００４８】
次に、段階Ｓ４００で、図３の（ｇ）に示すように、凸状パターン２０と金属層１４とが絶縁層２２に転写されたら、絶縁層２２の両面に形成された回路パターン２１の間の層間接続のためのビアホール２４を加工する。ビアホール２４の加工については、図７を用いて後述する。
【００４９】
次に、 凸状パターン２０と金属層１４とが転写された絶縁層２２に、層間接続のためのビアホール２４が加工されたら、絶縁層２２の両面に形成された回路パターン２１の層間の電気的導通のためにビアホール２４に伝導性材料を充填する。これのために、本実施例では電解メッキを行う。電解メッキを行うためには、電極が必要であるため、段階Ｓ５００で、図３の（ｈ）に示すように、絶縁層２２の全体にかけて無電解メッキを行って電解メッキのシード層２６を形成する。以後、段階Ｓ６００で、図３の（ｉ）に示すように、シード層２６を電極にして絶縁層２２全体にかけて電解メッキを行ってビアホール２４を充填することにより、ビア３０（via）を形成するともに金属層１４の外面にメッキ層２８を形成する。
【００５０】
この場合、メッキ層２８は金属層１４と異なる材質の金属からなることがよい。メッキ層２８と金属層１４とに異なる材質の金属を用いることにより、後述するメッキ層２８及び金属層１４を除去する際に、それぞれに対応するエッチング液を塗布して選択的に除去することができる。
【００５１】
次に、段階Ｓ７００で、図３の（ｊ）に示すように、ビアホール２４に伝導性材料が充填され、金属層１４の外面にメッキ層２８の形成が終わったら、メッキ層２８を除去する。メッキ層２８と金属層１４とを互いに異なる材質の金属から形成することにより、金属層１４に対してメッキ層２８を選択的に除去することができる。すなわち、メッキ層２８に対応するエッチング液を用いて金属層１４を損傷することなく、メッキ層２８をエッチングして除去する。本実施例では、前述したように、金属層１４としてニッケル（Ｎｉ）を使用し、メッキ層２８として銅（Ｃｕ）を使用して、銅（Ｃｕ）に対応するエッチング液を塗布することにより金属層１４に対してメッキ層２８を選択的に除去する。
【００５２】
次に、メッキ層２８が除去されたら、段階Ｓ８００で、図３の（ｋ）に示すように、金属層１４を除去する。金属層１４に形成されたメッキ層２８を除去し、金属層１４を除去することにより、絶縁層２２の両面に形成された回路パターン２１の層間接続のためのビア３０が形成される。この場合、前述したように、回路パターン２１と金属層１４とが互いに異なる材質の金属からなることにより、回路パターン２１に対して金属層１４を選択的に除去することができる。例えば、回路パターン２１が銅（Ｃｕ）からなり、金属層１４がニッケル（Ｎｉ）からなった場合、ニッケル（Ｎｉ）に対応するエッチング液を塗布して、銅（Ｃｕ）からなった回路パターン２１を損傷することなく、金属層１４を選択的に除去することができる。
【００５３】
前述した工程を経て埋め込まれた形態の回路パターン２１を絶縁層２２に形成することにより、高密度の微細回路パターンを具現でき、ビア３０の形成のためのレジストによるウィンドウの開放作業が省略されて、ビア３０のランドの大きさを小さくすることができるため、回路設計の設計自由度を高めることができる。
【００５４】
図４は、本発明の第１実施例に係る回路基板を示す断面図であり、図５は、本発明の第２実施例に係る回路基板を示す断面図であり、図６は、本発明の第３実施例に係る回路基板を示す断面図である。図４〜図６を参照すると、回路パターン２１、絶縁層２２、ビア３０が示されている。
【００５５】
従来技術に係る回路基板の層間接続のためにビアを形成する場合、ビアホールの充填のためには、レジストを塗布した後に、露光、現像工程を経てウィンドウを形成するが、この場合、露光時の露光公差などが生じるため、ビアホールの外径よりウィンドウを大きく開放しなくてはならなくなり、これにより、ビアホールに伝導性材料が充填される際に、ビアのランドが開放されているウィンドウに対応して広く形成されるので、ランドが絶縁層の一面に突出されることになり、回路基板の全体的な厚さが増加する。反面、本実施例ではウィンドウを形成するためのメッキレジストの形成作業が省略されて、ランドの大きさを小さくすることができるので、設計自由度を高めることができる。
【００５６】
また、金属層１４とメッキ層２８とを異なる材質の金属から形成することにより、金属層１４を選択的に除去してランドが実質的に絶縁層２２の外側面の一直線上に形成されて回路基板の全体的な厚さを減らすことができる。
【００５７】
図４の実施例に係る回路基板は、ビア３０が下方向に向かって漸次狭くなるテーパ形状を有している。これは、ビアホールの加工時、図面上の上方向から下方向に向かってレーザーを照射することにより、ビアホールが下方向に向かって狭くなるテーパ形状を有することになる。図５の実施例に係る回路基板は、ビア３０が円筒形状を有している。これは、ＣＮＣ（Computer Numerical Control）ドリルを用いてビアホールを機械的に加工する場合、ビア３０が全体的に円筒形状を有することになる。この場合、勿論、レーザー加工によっても円筒形状のビア３０を形成することが可能である。
【００５８】
図６の実施例に係る回路基板は、絶縁層２２の一面には埋め込まれた形態の回路パターン２１が形成され、絶縁層２２の他面には一般の回路パターン２１の形成技術による突出された形態の回路パターン２１が形成された場合、絶縁層２２の一面方向から他面方向にビアホールを加工して絶縁層２２の両面に形成されている回路パターン２１の間の層間導通のためのビア３０を形成したものである。すなわち、金属層１４が形成されている一つのキャリアを用いて、その金属層に、絶縁層２２の一面に形成される回路パターン２１に対応する凸状パターンを形成した後、これを絶縁層２２の一面に転写し、絶縁層２２の他面には一般的な回路パターン２１の形成技術による絶縁層２２の外面に突出される回路パターン２１を形成した後に、前述した方法を用いてビア３０を形成したものである。
【００５９】
図７は、本発明の一実施例に係るビアホールの形成方法を示す順序図である。図７を参照すると、金属層１４、絶縁層２２、回路パターン２１、ビアホール２４が示されている。
【００６０】
前述したように、凸状パターンと金属層１４とが絶縁層２２に転写されたら、絶縁層２２の両面に形成された回路パターン２１の間の層間接続のためのビアホール２４を加工するが、ビアホール２４の加工のために、ＣＮＣドリルまたはレーザードリルを用いることができる。
【００６１】
ＣＮＣドリルを用いてビアホール２４を加工する方法は、通常の加工方法に従うため、これに対する説明は省略する。
【００６２】
レーザードリルを用いてビアホール２４を加工する場合のレーザーは、ＣＯ２レーザーまたはＹＡＧレーザーの少なくとも何れか一つを用いることができる。すなわち、ＣＯ２レーザーまたはＹＡＧレーザーのうちの一つだけを用いてビアホール２４を加工してもよく、ＣＯ２レーザーとＹＡＧレーザーとを並行してビアホール２４を加工してもよい。
【００６３】
レーザーでビアホール２４を加工する場合、加工される材質に応じてドリリングの精度が変わる。すなわち、ビアホール２４を形成するためには、金属層１４、回路パターン２１、及び絶縁層２２の一部を加工するが、金属層１４及び回路パターン２１を形成する材質と絶縁層２２の材質とが異なるため、用いられるレーザーの加工精度が異なることがある。例えば、ＹＡＧレーザードリルを用いてビアホール２４を加工する場合、銅（Ｃｕ）からなった回路パターン２１の加工精度がガラス繊維が含有されている絶縁層２２の加工精度より、よいと知られている。
【００６４】
図７の（ａ）は、ＣＯ２レーザーまたはＹＡＧレーザーの一つだけを用いてビアホール２４を加工する方法を示しており、図７の（ｂ）は、ＣＯ２レーザーとＹＡＧレーザーとを並行してビアホール２４を加工する方法を示している。
【００６５】
図７の（ａ）を参照すると、一つのレーザーを用いて金属層１４、回路パターン２１、及び絶縁層２２を順に加工してビアホール２４を形成するが、この場合、各層のレーザー加工精度に応じてレーザーの強度を調節して所定のビアホール２４を加工する。
【００６６】
図７の（ｂ）を参照すると、先ず、金属層１４、回路パターン２１、及び絶縁層２２の一部をＣＯ２レーザーで除去し、絶縁層２２のその他の一部をＹＡＧレーザーで除去する。ＣＯ２レーザーを用いて金属層１４、回路パターン２１、及び絶縁層２２の一部を除去し、絶縁層２２のその他の一部をＹＡＧレーザーで加工することにより、下部の回路パターン２１の損傷を減らすことができる。
【００６７】
前述した実施例の他の多くの実施例が本発明の特許請求の範囲内に存在する。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】従来技術による回路基板の層間接続方法を示す工程図である。
【図２】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の一実施例による回路基板の製造方法を示す順序図である。
【図４】本発明の第１実施例による回路基板を示す断面図である。
【図５】本発明の第２実施例による回路基板を示す断面図である。
【図６】本発明の第３実施例による回路基板を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施例によるビアホールの形成方法を示す順序図である。
【符号の説明】
【００６９】
１２：キャリア
１４：金属層
１６：メッキレジスト
１８：伝導性材料
２０：凸状パターン
２１：回路パターン
２２：絶縁層
２４：ビアホール
２６：シード層
２８：メッキ層
３０：ビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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