(57)【要約】【課題】表面に形成された電極表面の酸化を抑制し、酸化雰囲気下においても電気的接続性に優れた配線基板を提供する。【解決手段】酸化雰囲気下で用いられる配線基板１であって、絶縁基板２と、少なくとも一部が絶縁基板２の表面に設けられた電極３と、表面に設けられた電極３ａを覆う耐酸化性の被覆層４とを備える。また、好ましくは、絶縁基板２は、熱膨張率が４ｐｐｍ以下の絶縁体から成り、電極３は、熱膨張率が４ｐｐｍ以下の導電性材料から成る。【選択図】  図１
2008263169.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化雰囲気下で用いられる配線基板であって、絶縁基板と、少なくとも一部が前記絶縁基板の表面に設けられた電極と、前記電極を覆う耐酸化性の被覆層とを備えた配線基板。
【請求項２】
前記配線基板は、４００度以上の高温下で用いられ、前記絶縁基板は、熱膨張率が４ｐｐｍ以下の絶縁体から成り、前記電極は、熱膨張率が４ｐｐｍ以下の導電性材料から成る請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記絶縁基板は、コージライトから成り、前記電極は、モリブデンまたはタングステンから成る請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記絶縁基板は凹部を有し、前記電極は前記凹部の内面に設けられ、前記被覆層は前記凹部の内部において前記電極を覆って配置されている請求項１から３のいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
前記凹部の内面は曲面形状であり、前記電極および前記被覆層は、前記凹部の内面の形状に沿って設けられている請求項４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記凹部は、深さ方向に垂直な断面の面積が、該凹部の開口部から底部まで漸次小さくなり、
前記電極および前記被覆層は、前記凹部の内面の形状に沿って設けられている請求項４に記載の配線基板。
【請求項７】
前記凹部の開口部に露出する前記被覆層の表面は、前記絶縁基板における前記凹部の周囲の領域と同一平面上にある請求項４から６のいずれかに記載の配線基板。
【請求項８】
前記被覆層はメタライズ法により形成される請求項１から７のいずれかに記載の配線基板。
【請求項９】
前記被覆層は、メタライズ法により形成された金からなり、前記被覆層上に、めっき法により形成された金からなる保護層が設けられることを特徴とする請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記被覆層は、金、パラジウム、ルテニウム、イリジウムおよび銀−パラジウム合金のいずれか１種からなる請求項１から８のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１１】
前記被覆層は、めっき法により形成されたイリジウムからなる請求項１から７のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１２】
前記被覆層と前記電極との間に酸素透過抑制層が設けられている請求項１から１１のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１３】
前記酸素透過抑制層は、めっき法により形成される請求項１２に記載の配線基板。
【請求項１４】
前記酸素透過抑制層は、ニッケルからなる請求項１２または１３に記載の配線基板。
【請求項１５】
前記被覆層と前記酸素透過抑制層との間に拡散抑制層が設けられている請求項１２から１４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１６】
前記拡散抑制層は、めっき法により形成される請求項１５に記載の配線基板。
【請求項１７】
前記拡散抑制層は、白金族の金属からなる請求項１５または１６に記載の配線基板。
【請求項１８】
前記電極と前記被覆層との間に、前記電極側から酸素透過抑制層、拡散抑制層、および接合層が順に設けられている請求項１から１０のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１９】
前記接合層は、めっき法により形成される請求項１８に記載の配線基板。
【請求項２０】
前記接合層は、前記被覆層と同一の材料からなる請求項１９に記載の配線基板。
【請求項２１】
前記被覆層の表面に磨耗抑制層が形成されている請求項１から８、および１０から２０のいずれかに記載の配線基板。
【請求項２２】
前記磨耗抑制層は、メタライズ法またはめっき法により形成される請求項２１に記載の配線基板。
【請求項２３】
前記磨耗抑制層は、導電性酸化物、ケイ化タングステン、または白金族元素から成る請求項２１または２２に記載の配線基板。
【請求項２４】
前記電極と前記被覆層との間に、前記電極側から第１の内側めっき層、および白金族の金属からなる白金族層が順に設けられる請求項１から７のいずれかに記載の配線基板。
【請求項２５】
前記白金族層と前記被覆層との間に、第２の内側めっき層が設けられる請求項２４に記載の配線基板。
【請求項２６】
前記第２の内側めっき層は、前記被覆層と同一の材料からなる請求項２５に記載の配線基板。
【請求項２７】
前記被覆層上に、外側めっき層が設けられる請求項１から７、および２４から２６のいずれかに記載の配線基板。
【請求項２８】
酸化雰囲気下で用いられるプラズマ発生体であって、
内部に固定された電極と該電極に沿って延びる流路からなる放電空間とを有する絶縁基体と、
前記絶縁基体の表面に設けられ、前記電極に電気的に接続される端子と、
前記端子を覆う耐酸化性の被覆層と
を備えることを特徴とするプラズマ発生体。
【請求項２９】
前記絶縁基体は、コージライトから成り、前記電極は、モリブデンまたはタングステンから成ることを特徴とする請求項２８に記載のプラズマ発生体。
【請求項３０】
前記被覆層は、金、パラジウム、ルテニウム、イリジウムまたは銀−パラジウム合金のいずれか１種からなることを特徴とする請求項２８または２９に記載のプラズマ発生体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば高温ガス中などの酸化雰囲気下で用いられる配線基板およびプラズマ発生体に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミックス材料は、耐熱性および耐食性に優れることから高温環境下での使用に適した材料である。なかでもコージライトは熱膨張率が低いために耐熱衝撃性に優れ、車のエンジン近傍や焼却炉の排気ガス管中などの急激な温度変化にさらされる環境下で用いるのに適した材料である。このような環境下でコージライトからなる多層配線基板を用いるには、電極材料の熱膨張率も低くし、コージライトと電極の界面で熱応力による破壊が生じないことが求められている。
【０００３】
これに対しては、モリブデンやタングステンといった低熱膨張率を有する金属を電極に用いる方法がある（たとえば特許文献１参照）。
【０００４】
この方法によれば、コージライトと電極の熱膨張率差が小さくなるので、多層配線基板に急激な温度変化を与えた場合においても、コージライトと電極の界面で発生する熱応力が小さくなり、熱応力により多層配線基板が破壊することを抑制できる。
【特許文献１】特開平１０−２０９２５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、一般に、モリブデン又はタングステン等の熱膨張率の低い金属は酸化されやすいことから、従来の方法では、酸化雰囲気下で用いられた場合に、絶縁基板の表面に露出した電極の表面が酸化してしまい、多層配線基板内部の電極と外部電源等の外部装置との間の電気的接続が十分に得られないという問題が発生することがある。
【０００６】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、表面に設けられた電極表面の酸化を抑制し、酸化雰囲気下においても電気的接続性に優れた配線基板およびプラズマ発生体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の配線基板は、酸化雰囲気下で用いられる配線基板であって、絶縁基板と、少なくとも一部が前記の絶縁基板の表面に設けられた電極と、前記の電極を覆う耐酸化性の被覆層とを備える。
【０００８】
好ましくは、前記の第１の配線基板は、４００度以上の高温下で用いられ、前記の絶縁基板は、熱膨張率が４ｐｐｍ以下の絶縁体から成り、前記の電極は、熱膨張率が４ｐｐｍ以下の導電性材料から成る。この配線基板を第２の配線基板という。
【０００９】
好ましくは、前記の第１および第２の配線基板において、前記の絶縁基板は、コージライトから成り、前記の電極は、モリブデンまたはタングステンから成る。この配線基板を第３の配線基板という。
【００１０】
好ましくは、前記の第１から第３のいずれかの基板において、前記の絶縁基板は凹部を有し、前記の電極は前記凹部の内面に設けられ、前記の被覆層は前記凹部の内部において前記の電極を覆って配置されている。この配線基板を第４配線基板という。
【００１１】
好ましくは、前記の第４基板において、前記の凹部の内面は曲面形状であり、前記の電極および前記の被覆層は、前記の凹部の内面の形状に沿って設けられている。この配線基板を第５配線基板という。
【００１２】
好ましくは、前記の第４基板において、深さ方向に垂直な断面の面積が、該凹部の開口部から底部まで漸次小さくなり、前記の電極および前記の被覆層は、前記の凹部の内面の形状に沿って設けられている。この配線基板を第６配線基板という。
【００１３】
好ましくは、前記第４から第６のいずれかの配線基板において、前記の凹部の開口部に露出する前記被覆層の表面は、前記絶縁基板における前記凹部の周囲の領域と同一平面上にある。この配線基板を第７配線基板という。
【００１４】
好ましくは、前記の第１から第７のいずれかの配線基板において、前記の被覆層はメタライズ法により形成される。この配線基板を第８の配線基板という。
【００１５】
好ましくは、前記の第８の配線基板において、前記の被覆層は、メタライズ法により形成された金からなり、前記の被覆層上に、めっき法により形成された金からなる保護層が設けられる。この配線基板を第９の配線基板という。
【００１６】
好ましくは、前記の第１から第８のいずれかの配線基板において、前記の被覆層は、金、パラジウム、ルテニウム、イリジウムおよび銀−パラジウム合金のいずれか１種からなる。この配線基板を第１０の配線基板という。
【００１７】
好ましくは、前記の第１から第７のいずれかの配線基板において、前記の被覆層は、めっき法により形成されたイリジウムからなる。この配線基板を第１１の配線基板という。
【００１８】
好ましくは、前記の第１から第１１のいずれかの配線基板において、前記の被覆層と前記の電極との間に酸素透過抑制層が設けられている。この配線基板を第１２の配線基板という。
【００１９】
好ましくは、前記の第１２の配線基板において、前記の酸素透過抑制層は、めっき法により形成される。この配線基板を第１３の配線基板という。
【００２０】
好ましくは、前記の第１または第１３の配線基板において、前記の酸素透過抑制層は、ニッケルからなる。この配線基板を第１４の配線基板という。
【００２１】
好ましくは、前記の第１２から第１４のいずれかの配線基板において、前記の被覆層と前記の酸素透過抑制層との間に拡散抑制層が設けられている。この配線基板を第１５の配線基板という。
【００２２】
好ましくは、前記の第１５の配線基板において、前記の拡散抑制層は、めっき法により形成される。この配線基板を第１６の配線基板という。
【００２３】
好ましくは、前記の第１５または第１６の配線基板において、前記の拡散抑制層は、白金族の金属からなる。この配線基板を第１７の配線基板という。
【００２４】
好ましくは、第１から第１０のいずれかの配線基板において、前記の電極と前記の被覆層との間に、前記の電極側から酸素透過抑制層、拡散抑制層、および接合層が順に設けられている。この配線基板を第１８の配線基板という。
【００２５】
好ましくは、第１８の配線基板において、前記の接合層は、めっき法により形成される。この配線基板を第１９の配線基板という。
【００２６】
好ましくは、第１９の配線基板において、前記の接合層は、前記の被覆層と同一の材料からなる。この配線基板を第２０の配線基板という。
【００２７】
好ましくは、第１から９、および第１０から第２０のいずれかの配線基板において、前記の被覆層の表面に磨耗抑制層が形成されている。この配線基板を第２１の配線基板という。
【００２８】
好ましくは、前記の第２１の配線基板において、前記の磨耗抑制層は、メタライズ法またはめっき法により形成される。この配線基板を第２２の配線基板という。
【００２９】
好ましくは、前記の第２１または第２２の配線基板において、前記の磨耗抑制層は、導電性酸化物、ケイ化タングステンまたは白金族元素から成る。この配線基板を第２３の配線基板という。
【００３０】
好ましくは、前記の第１乃至第７の配線基板のいずれかにおいて、前記の電極と前記の被覆層との間に、前記の電極側から第１の内側めっき層、および白金族の金属からなる白金族層が順に設けられる。この配線基板を第２４の配線基板という。
【００３１】
好ましくは、第２４の配線基板において、前記の白金族層と前記の被覆層との間に、第２の内側めっき層が設けられる。この配線基板を第２５の配線基板という。
【００３２】
好ましくは、第２５の配線基板において、前記の第２の内側めっき層は、前記の被覆層と同一の材料からなる。
【００３３】
好ましくは、第１から第７、および第２４から第２６のいずれかの配線基板において、前記の被覆層上に、外側めっき層が設けられる。
【００３４】
本発明のプラズマ発生体は、酸化雰囲気下で用いられるプラズマ発生体であって、内部に固定された電極と該電極に沿って延びる流路からなる放電空間とを有する絶縁基体と、前記の絶縁基体の表面に形成され、前記の電極に電気的に接続される端子と、前記の端子を覆う耐酸化性の被覆層とを備える。このプラズマ発生体を第１のプラズマ発生体という。
【００３５】
好ましくは、前記の第１のプラズマ発生体において、前記の絶縁基体は、コージライトから成り、前記の電極は、モリブデンまたはタングステンから成る。このプラズマ発生体を第２のプラズマ発生体という。
【００３６】
好ましくは、前記の第１または第２のプラズマ発生体において、前記の被覆層は、金、パラジウム、ルテニウム、イリジウムまたは銀−パラジウム合金のいずれか１種からなる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明の配線基板によれば、絶縁基板と、少なくとも一部が絶縁基板の表面に設けられた電極と、電極を覆う耐酸化性の被覆層とを備えていることから、酸化雰囲気下であっても、電極が直接雰囲気にさらされて酸化することを抑制することができる。
【００３８】
本発明のプラズマ発生体によれば、内部に固定された電極と該電極に沿って延びる流路からなる放電空間とを有する絶縁基体と、絶縁基体の表面に形成され、電極に電気的に接続される端子と、端子を覆う耐酸化性の被覆層とを備えることから、酸化雰囲気下であっても、端子が直接雰囲気にさらされて酸化することを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下に、本発明の配線基板の実施の形態について詳細に説明する。
【００４０】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１による配線基板の構成例を示す断面図である。図１に示されるように、本実施の形態による配線基板１は、絶縁基板２と、絶縁基板２の内部に設けられ、その一部が絶縁基板２の表面に露出した電極３と、絶縁基板２の表面に露出した電極３を覆う被覆層４とを備える。なお、以下では、絶縁基板２の内部および表面に設けられた配線導体を「電極３」といい、特に表面に設けられた配線導体をいうときは、「表面電極３ａ」という。
【００４１】
絶縁基板２は、セラミックスから成り、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、または炭化珪素質焼結体などの電気絶縁体材料からなる。絶縁基板２が酸化アルミニウム質焼結体から成る場合には、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ（ＳｉＯ２）、カルシア（ＣａＯ）、およびマグネシア（ＭｇＯ）等の原料粉末に有機バインダ及び有機溶剤などを混合したセラミックスラリーを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等を採用し、支持体の表面部にシート状に成形することによってセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を得、次にセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに必要に応じて複数枚積層し、高温（約１3００〜１８００℃）で焼成することによって作製される。
【００４２】
セラミックスラリーに用いる有機バインダとしては、実績のあるグリーンシートに使用されているものが使用可能であり、たとえばアクリル系（アクリル酸，メタクリル酸若しくはそれらのエステルの単独重合体または共重合体，具体的にはアクリル酸エステル共重合体，メタクリル酸エステル共重合体，またはアクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等），ポリビニルブチラ−ル系，ポリビニルアルコール系，アクリル−スチレン系，ポリプロピレンカーボネート系，若しくはセルロース系などの単独重合体または共重合体が挙げられる。焼成工程での分解および揮発性を考慮すると、アクリル系バインダがより好ましい。
【００４３】
セラミックスラリーに用いる溶剤としては、上記のセラミック粉末と有機バインダとを良好に分散させて混合できるようなものであればよく、トルエン，ケトン類，若しくはアルコール類の有機溶媒または水などが挙げられる。これらの中で、トルエン，メチルエチルケトン，またはイソプロピルアルコールなどの蒸発係数の高い溶剤は、スラリー塗布後の乾燥工程が短時間で実施できるので好ましい。
【００４４】
電極３は、絶縁基板２の内部および表面に設けられている。表面電極３ａは、絶縁基板２の表面に設けられており、外部電極との接続に用いられる。電極３は、導体ペーストをスクリーン印刷法等の印刷手段を用いて、絶縁基板２のセラミックグリーンシートの所定の位置に電極３用の導体ペーストを印刷塗布し、絶縁基板２のセラミックグリーンシートと同時焼成することによって絶縁基板２の所定のパターンに形成することができる。導体ペーストは、主成分の金属粉末に有機バインダ、有機溶剤、および必要に応じて分散剤等を加えてボールミル、三本ロールミル、またはプラネタリーミキサー等の混練手段により混合および混練することで作製される。また、導体ペーストには、セラミックグリーンシートの焼結挙動に合わせたり、焼結後の絶縁基板２との接合強度を高めたりするためにガラスまたはセラミックスの粉末を添加しても良い。
【００４５】
導体ペーストに用いる導体材料としては、例えばタングステンまたはモリブデン等が挙げられる。その導体材料は、アトマイズ法または還元法などによって製造されたもの粉末であり、必要により酸化抑制および凝集抑制などの処理をおこなってもよい。また、その導体材料は、分級などにより微粉末または粗粉末を導体粉末から除去し粒度分布を調整したものであってもよい。
【００４６】
導体ペーストに用いる有機バインダとしては、実績のある導体ペーストに使用されているものが使用可能である。有機バインダとして、たとえばアクリル系，ポリビニルブチラ−ル系，ポリビニルアルコール系，アクリル−スチレン系，ポリプロピレンカーボネート系，若しくはセルロース系などの単独重合体または共重合体が挙げられる。アクリル系の重合体としては、アクリル酸，メタクリル酸若しくはそれらのエステルの単独重合体、または共重合体，具体的にはアクリル酸エステル共重合体，メタクリル酸エステル共重合体，若しくはアクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体などが挙げられる。焼成工程での分解および揮発性を考慮すると、アクリル系またはアルキド系の有機バインダがより好ましい。有機バインダの添加量としては、導体粒子により異なるが、有機バインダの分解性に問題なく、かつ導体粒子を分散できる量であればよい。
【００４７】
導体ペーストに用いる有機溶剤としては、上記の導体粉末と有機バインダとを良好に分散させて混合できるようなものであればよく、テルピネオール，ブチルカルビトールアセテートまたはフタル酸などの可塑剤などが使用可能であるが、電極３の形成後の溶剤の乾燥性を考慮し、テルピネオールなどの低沸点溶剤などが好ましい。
【００４８】
被覆層４は、表面電極３ａの酸化を抑制するために形成されている。被覆層４は，表面電極３ａの被覆効果を高めるために、０．５μｍ〜１００μｍ程度の厚みが好ましく、メタライズ法、若しくはめっき法によって作製された金属、または箔状金属を用いる方法がある。被覆層４が０．５μｍ以上であれば、表面電極３ａを十分に被覆して表面電極３ａの酸化を抑制することができるため、電気的接続性の劣化を抑制することができる。また、被覆層４を１００μｍ以下にすると、電極３と被覆層４の熱膨張率の差異によって被覆層４が表面電極３ａから剥がれることを抑制することができる。被覆層４が、例えばメタライズ法により形成されている場合、被覆層４用ペーストは、金、パラジウム、ルテニウム、または銀−パラジウム合金などの耐酸化性の強い金属粉末に有機バインダ、有機溶剤、および必要に応じて分散剤等を加えてボールミル、三本ロールミル、またはプラネタリーミキサー等の混練手段により混合および混練することで作製される。また、被覆層４用ペーストは、セラミックグリーンシートの焼結挙動に合わせたり、焼結後の絶縁基板との接合強度を高めたりするためにガラスまたはセラミックスの粉末を添加しても良い。
【００４９】
被覆層４用ペーストに用いる有機バインダとしては、実績のある導体ペーストに使用されているものが使用可能である。有機バインダとして、たとえばアクリル系，ポリビニルブチラ−ル系，ポリビニルアルコール系，アクリル−スチレン系，ポリプロピレンカーボネート系，若しくはセルロース系などの単独重合体または共重合体が挙げられる。アクリル系の重合体としては、アクリル酸，メタクリル酸若しくはそれらのエステルの単独重合体または共重合体，具体的にはアクリル酸エステル共重合体，メタクリル酸エステル共重合体，またはアクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体などが挙げられる。焼成工程での分解および揮発性を考慮すると、アクリル系、またはアルキド系の有機バインダがより好ましい。有機バインダの添加量としては、金属粒子により異なるが、有機バインダの分解性に問題なく、かつ導体粒子を分散できる量であればよい。
【００５０】
被覆層４用ペーストに用いる有機溶剤としては、上記の金属粉末と有機バインダとを良好に分散させて混合できるようなものであればよく、テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート、またはフタル酸などの可塑剤などが使用可能であるが、被覆層４形成後の溶剤の乾燥性を考慮し、テルピネオールなどの低沸点溶剤などが好ましい。
【００５１】
なお、絶縁基板２に凹部を設け、この凹部の内面に表面電極３ａを設け、凹部の内部において表面電極３ａを覆う形で被覆層４を設けてもよい。図２および図３は、凹部の内面に表面電極３ａおよび被覆層４を設けた場合の配線基板の構成例を示す断面図である。図２に示されるように、凹部の内面に表面電極３ａおよび被覆層４を設けると、表面電極３ａと絶縁基板２の表面との間の接触面積が増大するので、表面電極３ａおよび被覆層４が絶縁基板２から剥がれてしまうことを抑制することができる。また、外部電極と凹部内の表面電極３ａとを接触させることにより，配線基板と外部装置とを電気的に接続する場合には、外部電極に合わせて凹部の形状を設定すればよい。そのようにすれば、表面電極３ａと外部電極との接触面積が増大するので、表面電極３ａと外部電極との接合性が高まり、電気的接続の信頼性を向上させることができる。
【００５２】
また、絶縁基板２の凹部内面に表面電極３ａを設ける場合には、例えば、絶縁基板２に用いるセラミックグリーンシートの所望の位置に、金型による打ち抜き、またはレーザー加工等の方法により所望の凹形状を設け、該凹部に対応する位置に表面電極３ａを形成すればよい。
【００５３】
例えば、図２に示されるように、絶縁基板２の凹部を曲面形状とし、電極３ａおよび被覆層４をその凹部の曲面形状に沿って設けてもよい。この場合は、凹部が曲面形状を有しているため、凹部に対応する曲率半径を有する球状の外部電極と組み合わせると、ひねり、またはずり等の外的応力が加えられて、外部電極が多少動く場合であっても、外部電極と凹部の内面に設けられた電極３ａとの接触面積が大きいことから、外部電極と電極３ａとの接続を保持することができ、接続信頼性を向上させることができる。
【００５４】
また、絶縁基板２に形成される凹部の深さ方向に垂直な断面の面積を、凹部の開口部から底部まで漸次小さくし、電極３ａおよび被覆層４は、凹部の内面の形状に沿って設けられていてもよい。このとき、凹部の形状を外部電極の先端形状に対応させて形成し、外部電極の先端が電極３ａに埋設されるように凹部の内面に電極３ａを設ければよい。このような状態で外部電極と配線基板１の電極３ａとを接続すると、外部電極と凹部内の電極３ａとの間の接触点における接触面積が小さくなり、接触点における接触応力が高まるために、接続信頼性を向上させることができる。
【００５５】
また、図３に示されるように、絶縁基板２の凹部の開口部に露出する被覆層４の表面は、絶縁基板２における凹部周囲の領域と同一平面上にしてもよい。この場合は、被覆層４が形成された部分と周囲の領域の絶縁基板２との間で段差がないので、被覆層４に平面状の外部電極を接続したときに外部電極と被覆層４との密着性を向上させることができ、被覆層４を介した外部電極と電極３ａとの接続信頼性を向上させることができる。被覆層４の表面を絶縁基板２における凹部周囲の領域と同一平面上とする方法としては、例えば被覆層４をめっき法で形成させるときのめっき析出時間の調整により被覆層４の厚みを調整する方法がある。
【００５６】
なお、被覆層４をより緻密な膜で被覆すると、メタライズ法による形成過程で発生する被覆層４の空隙などから酸素が入り込んで電極３が酸化し電気的接続性が低下する可能性をより抑制できるので好ましい。これには、例えば、被覆層４の表面に、金などの耐酸化性の強い金属からなる保護層をめっき法により形成する方法がある。また、電解めっき法を行うための電気配線を設けることが可能ならば、保護層を形成する手段として電解めっき法および無電解めっき法のどちらの手法を用いても構わない。
【００５７】
図４は、被覆層４上に保護層を形成した場合の配線基板１１の構成例を示す断面図である。この配線基板１１において、保護層１２が例えば金から成る場合は、以下のように形成することができる。無電解めっき法により保護層１２を形成する場合、例えばシアン化金カリウム、水素化ホウ素カリウム、およびトリエタノールアミンなどからなる金めっき液を用い、摂氏５０度から摂氏７５度の金めっき液に３分から３０分程度、被覆層４を形成した配線基板を浸漬させることにより被覆層４の表面にめっき法膜を形成できる。
【００５８】
上述のように、被覆層４をメタライズ法により形成すると、比較的容易に厚い被覆層４を形成することができ、電極３の被覆効果を高めることができる。また、被覆層４上に保護層１２を形成することにより、たとえ被覆層４にピンホール等の微細な欠陥が生じていた場合でも、保護層１２により欠陥を充填することができ、電極３の酸化抑制効果を高めることができる。
【００５９】
また、被覆層４を箔状金属から構成することもできる。ここで、箔状金属（又は、「金属箔」ともいう。）とは、金属を薄く紙のように圧延したものである。図５は、被覆層４が箔状金属から成る場合の配線基板の構成例を示す図である。被覆層４が箔状金属により形成される場合、金属箔は非常に緻密な膜であるため、被覆層４を薄くしても表面電極３ａを十分に被覆することができる。ここで、被覆層４はパラジウム、ルテニウムまたは銀−パラジウム合金などの耐酸化性の強い金属箔を用いることができる。また、表面電極３ａと被覆層４との接着性を高めるために、被覆層４を表面電極３ａの周囲において絶縁基板２の表面に押し当てる押当部２２を利用してもよい。具体的には、表面電極３ａと被覆層４を貼り合わせた後、被覆層４の端部をエポキシ樹脂、またはガラスペーストなどを用いて接着することが好ましい。
【００６０】
上述のように、箔状金属からなる被覆層４を用いると、比較的容易に被覆層４を緻密にすることができる。
【００６１】
また、メタライズ法によって形成する被覆層４および金属箔からなる被覆層４は、金に限らず、パラジウム、ルテニウム、または銀−パラジウム合金等であってよい。これらの材料を用いることにより、表面電極３ａの耐酸化性を高めることができる。
【００６２】
また、被覆層４をめっき法により形成することもできる。被覆層４がめっき法により形成される場合、めっき皮膜は非常に緻密な膜であるため、被覆層４を薄くしても表面電極３ａを十分に被覆することができる。ここで、被覆層４はパラジウム、ルテニウム、またはイリジウムなどの耐酸化性の強い金属を用いることができる。
【００６３】
本実施の形態による配線基板によれば、絶縁基板２の表面に露出している電極３ａ上に耐酸化性の被覆層４を設けたことから、表面電極３ａが直接雰囲気にさらされて酸化することを抑制することができる。それ故、電極が酸化することによる導通不良の発生を抑制し、電気的接続性に優れた配線基板を得ることができる。
【００６４】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２による配線基板について説明する。本実施の形態による配線基板が、実施の形態１による配線基板と異なる点は、表面電極３ａと被覆層４との間に、外部雰囲気中の酸素が被覆層４を透過して表面電極３ａに達することを防ぐように酸素透過抑制層を設け、被覆層４と酸素透過抑制層との間に、被覆層４と酸素透過抑制層の相互拡散による、被覆層４および酸素透過抑制層における空隙の発生等を抑制拡散抑制層を設けた点である。
【００６５】
図６は、表面電極３ａと被覆層４との間に、酸素透過抑制層と拡散抑制層とを設けた場合の配線基板の構成例を示す断面図である。図６に示されるように、配線基板３１は、表面電極３ａと被覆層４との間に設けられた酸素透過抑制層３２および拡散抑制層３３を備える。さらに、図６に示された配線基板３１では、被覆層４の表面に磨耗抑制層３４が設けられている。
【００６６】
酸素透過抑制層３２は、表面電極３ａと被覆層４の間に設けられており、表面電極３ａの酸化をより抑制するために用いられる。酸素透過抑制層３２は、ニッケル膜などから成り、表面電極３ａの酸化をより抑制するために緻密であることが必要であるため、めっき法を用いて形成されることが望ましい。電解めっき法を行うための電気配線を設けることが可能ならば、酸素透過抑制層３２を形成する手段として、電解めっき法および無電解めっき法のどちらの手法を用いても構わない。
【００６７】
酸素透過抑制層３２をめっき法により形成すると、比較的容易に緻密な膜を形成することができ、表面電極３ａの酸化抑制効果を高めることができる。また、ニッケルめっき皮膜は熱処理を加えることで結晶化が進行し、緻密な膜構造を得ることができるため、ニッケルめっき法で酸素透過抑制層３２を形成すると、表面電極３ａの酸化抑制効果をより高めることができる。
【００６８】
ここで、めっき法を用いて酸素透過抑制層３２を形成する一例を以下に示す。無電解めっき法を用いて酸素透過抑制層３２を形成する場合、例えば硫酸ニッケル、ホウ酸、塩化ナトリウム、およびジメチルアミノボランなどからなるニッケルめっき液を用い、摂氏５０度から摂氏７０度のニッケルめっき液に配線基板を２分から３０分程度浸漬させる。その後８００度から９００度で１時間から１２時間焼成することにより、表面電極３ａの表面に緻密な酸素透過抑制層３２を形成できる。これにより、表面電極３ａの表面に、酸素透過抑制層３２を形成できる。その後、酸素透過抑制層３２の表面に、被覆層４を形成することができる。
【００６９】
また、拡散抑制層３３は、被覆層４と酸素透過抑制層３２の間に設けられており、被覆層４と酸素透過抑制層３２の相互拡散による空隙の発生や、酸素透過抑制層３２の酸化による電気的接続性の劣化を抑制することができる。被覆層４と酸素透過抑制層３２の相互拡散を抑えるために、拡散抑制層３３は０．０５μｍ以上の厚さにすることが好ましい。拡散抑制層３３が０．０５μｍ以上の場合は、拡散抑制層３３の厚さが十分であるために、被覆層４と酸素透過抑制層３２の相互拡散を抑制することができる。拡散抑制層３３は、パラジウム、イリジウムまたは白金などのピンホールが少なく、酸素透過抑制層３２の拡散を抑制できる白金族の金属から成る。拡散抑制層３３は、被覆層４と酸素透過抑制層３２の相互拡散を抑制するために、より緻密な膜を形成する必要があるため、めっき法を用いることが好ましい。電解めっき法を行うための電気配線を設けることが可能ならば、拡散抑制層３３を形成するための手段として電解めっき法および無電解めっき法のどちらの手法を用いても構わない。
【００７０】
拡散抑制層３３を、めっき法により形成することで、比較的容易に緻密な膜を形成することができ、被覆層４と酸素透過抑制層３２との拡散抑制効果を高めることができる。また、拡散抑制層３３をパラジウム、イリジウムまたは白金で形成すると、酸素透過抑制層３２への被覆性を高め、被覆層４と酸素透過抑制層３２の拡散抑制効果を高めることができる。なお、拡散抑制効果を高めるには、パラジウムを用いることが最も好ましい。
【００７１】
ここで、めっき法を用いて拡散抑制層３３を形成する一例を以下に示す。無電解めっき法を用いる場合、塩化パラジウム、エチレンジアミンまたは次亜リン酸ナトリウムなどからなるパラジウムめっき液を用い、摂氏４０度から摂氏８０度のパラジウムめっき液に配線基板を２分から３０分浸漬させることで、酸素透過抑制層３２の表面に緻密な拡散抑制層３３を形成できる。その後、拡散抑制層３３の表面に、被覆層４を形成すればよい。
【００７２】
磨耗抑制層３４は、被覆層４の表面に設けられており、被覆層４と外部電極との機械的磨耗により電極が雰囲気に曝され、電気的接続信頼性が劣化をする可能性を抑制できる。磨耗抑制層３４は、被覆層４と外部電極との磨耗を抑制するために０．５μｍから５０μｍの厚さにすることが好ましく、例えばメタライズ法などにより作製される。磨耗抑制層３４が０．５μｍ以上の場合、被覆層４の磨耗抑制効果が十分となる。また、被覆層４が５０μｍ以下の場合、磨耗抑制層３４の電気抵抗が上昇して電気特性が劣化することを抑制することができる。磨耗抑制層３４は、磨耗抑制層３４用ペーストをスクリーン印刷法等の印刷手段を用いて、被覆層４の表面に磨耗抑制層３４用ペーストを印刷塗布し、焼成することによって所定のパターンに形成することができる。磨耗抑制層３４用ペーストは、導電性酸化物粉末に有機バインダ、有機溶剤、および必要に応じて分散剤等を加えてボールミル、三本ロールミル、またはプラネタリーミキサー等の混練手段により混合および混練することで作製される。磨耗抑制層３４用ペーストは、焼結後の配線基板との接合強度を高めたりするために、ガラスまたはセラミックスの粉末を添加しても良い。
【００７３】
磨耗抑制層３４用ペーストに用いる粉末としては、電極との電気的な接続が必要であり、また耐摩耗性に優れる必要があることから、導電性酸化物、イリジウムあるいはケイ化タングステンのペーストが挙げられる。
【００７４】
磨耗抑制層３４用ペーストに用いる有機バインダとしては、実績のある導体ペーストに使用されているものが使用可能である。有機バインダとして、たとえばアクリル系，ポリビニルブチラ−ル系，ポリビニルアルコール系，アクリル−スチレン系，ポリプロピレンカーボネート系，若しくはセルロース系などの単独重合体または共重合体が挙げられる。アクリル系の重合体としては、アクリル酸，メタクリル酸、若しくはそれらのエステルの単独重合体または共重合体，具体的にはアクリル酸エステル共重合体，メタクリル酸エステル共重合体，またはアクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体などが挙げられる。焼成工程での分解および揮発性を考慮すると、アクリル系、またはアルキド系の有機バインダがより好ましい。有機バインダの添加量としては、導電性酸化物粒子により異なるが、有機バインダの分解性に問題なく、かつ導電性酸化物粒子を分散できる量であればよい。
【００７５】
磨耗抑制層３４用ペーストに用いる有機溶剤としては、上記の導電体酸化物粉末と有機バインダとを良好に分散させて混合できるようなものであればよく、テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート、またはフタル酸などの可塑剤などが使用可能であるが、磨耗抑制層３４形成後の溶剤の乾燥性を考慮し、テルピネオールなどの低沸点溶剤などが好ましい。
【００７６】
上述のように、被覆層４の表面に磨耗抑制層３４を形成することにより、被服層４が外部の接続端子と直接接することによって機械的摩擦によって磨耗および消失し、表面電極３ａが雰囲気に曝されることを抑制でき、電気的接続性の長期信頼性を高めることができる。また、磨耗抑制層３４をメタライズ法により形成することにより、比較的容易に磨耗抑制層３４を厚くすることができ、被覆層４の磨耗抑制効果を高めることができる。また、磨耗抑制層３４は、例えば導電性酸化物あるいはケイ化タングステンにより形成される。磨耗抑制層３４をこのような材料により形成すると、耐磨耗性に優れ、かつ磨耗抑制層４が導電性を有するため、被覆層４の磨耗を抑制することができるとともに、電気的接続性の長期信頼性を高めることができる。
【００７７】
また、磨耗抑制層３４をめっき法により形成することもできる。めっき法を用いると、メタライズ法よりも薄い磨耗抑制層３４を形成することができる。磨耗抑制層３４がめっき法によって形成される場合、めっき皮膜は非常に緻密な膜であるため、磨耗抑制層３４を薄くしても被覆層４の磨耗抑制効果を得ることができる。また、同じ厚さの層であれば、めっき法で形成した層は、メタライズ法で形成した層よりも緻密であり、より高い磨耗抑制効果を得ることができる。磨耗抑制層３４は、例えばイリジウムなどにより形成され、その厚さは例えば２μｍ程度である。磨耗抑制層３４をイリジウム等の材料により形成すると、耐磨耗性に優れ、さらに導電性を有する磨耗抑制層３４が得られるため、被覆層４の磨耗を抑制することができるとともに、電気的接続性の長期信頼性を高めることができる。
【００７８】
さらに、本実施の形態による配線基板においても、基板に凹部を設け、その凹部内に、電極および被覆層を含む各層を設けることができる。図７，図８は、そのような場合の配線基板の構成例を示す断面図である。図７，図８において、図１乃至図６に示した構成要素と同一の構成要素については同一の符号を付し、説明を省略する。これらの場合においても、実施の形態１において図２および図３を用いて述べた効果と同様の効果が得られる。
【００７９】
本実施の形態による配線基板３１によれば、被覆層４と表面電極３ａとの間に酸素透過抑制層３２が形成されていることから、被覆層４と表面電極３ａとの間の酸素の透過を抑制することができるため、表面電極３ａの酸化抑制を一段と強化することができる。
【００８０】
また、本実施の形態による配線基板３１によれば、被覆層４と酸化透過抑制層３２の間に拡散抑制層３３が形成されている。このように、被覆層４と酸素透過抑制層３２の界面に拡散抑制層３３を形成することにより、高温環境下で被覆層４と酸素透過抑制層３２とが相互拡散することを抑制することができる。すなわち、被覆層４と酸素透過抑制層３２とが相互拡散することによって、カーケンドール効果により、被覆層４および酸素透過抑制層３２において空隙が発生することを抑制でき、電気的接続性の長期信頼性を高めることができる。
【００８１】
なお、本実施の形態による配線基板１１においては、酸素透過抑制層３２、拡散抑制層３３、および磨耗抑制層３４を全て有するが、酸素透過抑制層３２または磨耗抑制層３４のみであってもよく、酸素透過抑制層３２と拡散抑制層３３のみ、または酸素抑制層３２と磨耗抑制層３４のみであってもよい。
【００８２】
（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３による配線基板について説明する。本実施の形態による配線基板３５が、実施の形態２による配線基板と異なる点は、被覆層４と拡散抑制層３３との間に、接合層３６を設けた点である。この接合層３６により、被覆層４と拡散抑制層３３との接合強度をより高めることができる。
【００８３】
図９は、被覆層４と拡散抑制層３３との間に接合層３６を設けた場合の配線基板３５の構成例を示す断面図である。図９に示されるように、配線基板３５は、被覆層４と拡散抑制層３３との間に設けられた接合層３６を備える。接合層３６は、被覆層４と同一の金属であり、例えば、金、パラジウム、ルテニウムまたは銀−パラジウム合金等からなる。このように、接合層３６が被覆層４と同一の金属から成る場合には、被覆層４が焼結する際に被覆層４と接合層３６との界面で相互拡散が生じ、被覆層４と接合層３６の接合強度が向上する。また、接合層３６をめっき法により形成する場合、接合層３６と拡散抑制層３３との界面で電子の授受が起こることから、接合層３６と拡散抑制層３３の接合強度を高めることができる。その結果、接合層３６を介して被覆層４と拡散抑制層３３の接合強度をより高めることができる。
【００８４】
接合層３６は、０．０１μｍ以上の厚さにすることが好ましい。接合層３６が０．０１μｍ以上の場合は、接合層３６の厚さが十分であるために、被覆層４と相互拡散を起こし、被覆層４との接合強度をより高めることができる。電解めっき法を行うための電気配線を設けることが可能ならば、接合層３６を形成する手段として、電解めっき法および無電解めっき法のどちらの手法を用いても構わない。
【００８５】
ここで、めっき法を用いて接合層３６を形成する一例を以下に示す。接合層３６の材料として金を使用し、無電解めっき法を用いる場合、シアン化金カリウムまたはＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸）等からなるめっき液を用い、摂氏５０度から摂氏９０度の金めっき液に、拡散抑制層３３が形成された配線基板を２分から１０分浸漬させる。これにより、拡散抑制層３３の表面に緻密な接合層３６を形成できる。その後、接合層３６の表面に、被覆層４を形成し、さらに必要であれば被覆層４の表面に磨耗抑制層３４を形成すればよい。
【００８６】
ここで、図９を用いて、本発明の配線基板における表面電極３ａ上に設けられた各層についてより具体的な例を説明する。配線基板は、例えばコージライト等のセラミックからなる絶縁基板２と、絶縁基板２の表面上に設けられた、例えばモリブデン若しくはタングステンから成る表面電極３ａとを有する。表面電極３ａ上には、酸素透過抑制層３２として、めっき法により形成された緻密な膜が設けられる。このように表面電極３ａ上に緻密な膜を設けることにより、表面電極３ａの酸化を抑制することができる。また、酸素透過抑制層３２の上には、拡散抑制層３３として、めっき法により白金族の金属から成る膜が設けられる。白金族の金属は、拡散係数が小さいことから、被覆層４と酸素透過抑制層３２との相互拡散を抑えることが可能である。さらに、拡散抑制層３３の上には、接合層３６として、めっき法により形成された膜が形成される。このように接合層３６をめっき法により形成すると、接合層３６と電子を放出しやすい白金族の金属からなる拡散抑制層３３との間で電子の授受が行なわれやすく、接合層３６と拡散抑制層３３との間の結合がより強固になる。そして、接合層３６の上に、接合層３６と同一の材料から成るメタライズにより形成された被覆層４が設けられる。このように、接合層３６と同じ材料からなる被覆層４をメタライズにより形成すると、メタライズを焼結する過程において接合層３６と被覆層４との間で相互拡散が進み、被覆層４と接合層３６との結合をより強固にすることができる。そして、被覆層４の上に、導電性を有しかつ耐磨耗性に優れた、例えば、導電性酸化物、ケイ化タングステン、またはイリジウム等の磨耗抑制層３４が形成される。このように形成した酸素透過抑制層３２、拡散抑制層３４、接合層３６、被覆層４の材料の組み合わせとしては、例えば、ニッケル、パラジウム、金、および金が挙げられる。
【００８７】
なお、被覆層４をめっき法により形成した場合は、メタライズ法により形成した場合よりも拡散抑制層３３との接合がより強固となるため、必ずしも接合層３６を設けなくてもよい。このように形成した酸素透過抑制層３２、拡散抑制層３４、被覆層４、磨耗抑制層３４の材料の組み合わせとしては、例えば、ニッケル、パラジウム、金、およびイリジウムが挙げられる。この場合、各層３２，３４，４，３４は、めっき法により形成される。
【００８８】
なお、実施の形態１乃至実施の形態３による配線基板は、表面電極３ａを覆う被覆層４を有することから、酸化雰囲気下、すなわち、酸素が含まれている雰囲気下で用いられる場合に、表面電極３ａの酸化を抑制することができる。よって、酸化雰囲気下で用いることができる配線基板として、非常に有用である。ここで、絶縁基板２および電極３の材料を適宜選択することにより、この配線基板は高温環境下でも利用可能となる。例えば、絶縁基板が、熱膨張率が４ｐｐｍ以下の絶縁体から成り、電極が、熱膨張率が４ｐｐｍ以下の導電性材料から成る場合には、絶縁基板および電極の熱膨張率がそれぞれ低いために耐熱衝撃性に優れ、例えば４００度以上の高温の酸化雰囲気下であってもこの配線基板を利用することが可能になる。このような絶縁基板および電極の材料の組み合わせの例としては、コージライト（２ＳｉＯ２・２ＭｇＯ・５Ａｌ２Ｏ３）とモリブデン若しくはコージライトとタングステンがある。このとき、モリブデン若しくはタングステン等の導体ペーストに導体ペーストに用いている導体材料より熱膨張率の低い無機材料を混合して焼成することにより、電極３の熱膨張率を低く調整することが可能である。上述の配線基板によれば、絶縁基板の表面に露出している電極上に耐酸化性の被覆層を設けたことから、電極が耐酸化性の低いモリブデンやタングステンであっても、その電極が直接雰囲気にさらされて酸化することを抑制することができる。それ故、電極が酸化することによる導通不良の発生を未然に抑制し、電気的接続性に優れた配線基板を得ることができる。
【００８９】
なお、高温酸化雰囲気の環境としては、例えば、自動車内の内燃機関近傍等がある。よって、本願の配線基板の構成を、例えば、自動車内で用いられる、排気ガス中に含まれるＮＯｘ、ＳＯｘを分解する分解装置に応用することができる。図１０は、排気ガス中に含まれるＮＯｘ、ＳＯｘをプラズマを用いて分解するプラズマ発生体の構成例を示す外観斜視図である。図１０に示されるように、プラズマ発生体４１は、略直方体状に形成された基体４２を備えている。基体４２は、互いに対向する第１の面Ｓ１及び第２の面Ｓ２と、第１の面Ｓ１及び第２の面Ｓ２に直交し、互いに対向する第３の面Ｓ３及び第４の面Ｓ４と、第１〜第４の面Ｓ１〜Ｓ４に直交し、互いに対向する第５の面Ｓ５及び第６の面Ｓ６とを有している。
【００９０】
基体４２には、プラズマ発生のために放電が行われる３つの放電空間４３Ａ〜４３Ｃが形成されている。放電空間４３Ａ〜４３Ｃは、第１の面Ｓ１及び第２の面Ｓ２に開口する抜け穴状に形成されている。換言すれば、放電空間４３Ａ〜４３Ｃは、四方（第３〜第６の面Ｓ３〜Ｓ６の面する方向）が囲まれ、２方向が開放された空間である。放電空間４３Ａ〜４３Ｃは、例えば、薄型な直方体状に形成されている。なお、放電空間４３Ａ〜４３Ｃの数は、３つに限らない。また、基体４２には、各放電空間４３Ａ〜４３Ｃを挟むように電極４４Ａ〜４４Ｄがそれぞれ埋設されている。この放電空間４３Ａ〜４３Ｃに上記電極４４Ａ〜４４Ｄを用いてプラズマを発生させ、排気ガスを通すと、この放電空間４３Ａ〜４３Ｃ内で排気ガス中に含まれるＮＯｘ、ＳＯｘが分解される。
【００９１】
基体４２の表面には、端子（表面電極）等の種々の部材が露出している。例えば、第３の面Ｓ３には、上記各電極４４Ａ〜４４Ｄに電圧をそれぞれ印加するための端子４５が露出している。図１１は、プラズマ発生体４１の電極４４Ａ〜４４Ｄおよび端子４５の接続関係を示す断面図である。なお、プラズマ発生体４１は、電極４４Ａ〜４４Ｄに電圧を印加して放電空間における放電によりプラズマを発生させるものであればよく、いわゆる高周波放電によりプラズマを発生させるものに限定されない。例えば、対向する電極に直流電圧を印加して放電を行う直流放電によりプラズマを発生させるものであってもよいし、電極に比較的低周波の交流電圧（例えば、５０Ｈｚ〜１００ｋＨｚの交流電圧）を印加する低周波放電によりプラズマを発生させるものであってもよいし、周波数が非常に高い交流電圧（例えば、１ＧＨｚ以上の交流電圧）を電極に印加するマイクロ波放電によりプラズマを発生させるものであってもよい。ここで、基体４３および端子４５を、上述の配線基板１，１１，２１，３１における絶縁基体２および表面電極３ａとみなせば、この端子４５に被覆層４を設けることにより、例えば４００度以上の高温の酸化雰囲気下であっても、表面電極３ａの酸化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の実施の形態１による配線基板の構成例を示す断面図である。
【図２】（ａ）図１の配線基板において絶縁基板の凹部の内面に表面電極が設けられた構成例を示す断面図であり、（ｂ）図１の配線基板において絶縁基板の凹部の内面に表面電極が設けられた他の構成例を示す断面図である。
【図３】図１の配線基板において絶縁基板の凹部の内面に表面電極が設けられた他の構成例を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１による配線基板の他の構成例を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１による配線基板のさらに他の構成例を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２による配線基板の構成例を示す断面図である。
【図７】（ａ）図６の配線基板において絶縁基板の凹部の内面に表面電極が設けられた構成例を示す断面図であり、（ｂ）図６の配線基板において絶縁基板の凹部の内面に表面電極が設けられた他の構成例を示す断面図である。
【図８】図６の配線基板において絶縁基板の凹部の内面に表面電極が設けられた他の構成例を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態３による配線基板の構成例を示す断面図である。
【図１０】プラズマ発生体の構成例を示す外観斜視図である。
【図１１】プラズマ発生体の電極の接続関係を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９３】
１，１１，２１，３１，３５・・配線基板
２・・・・・・絶縁基板
３・・・・・・電極
３ａ・・・・・表面電極
４・・・・・・被覆層
１２・・・・・保護層
２２・・・・・押当部
３２・・・・・酸素透過抑制層
３３・・・・・拡散抑制層
３４・・・・・磨耗抑制層
３６・・・・・接合層
【図１】
2008263169.tif 000003
【図２】
2008263169.tif 000004
【図３】
2008263169.tif 000005
【図４】
2008263169.tif 000006
【図５】
2008263169.tif 000007
【図６】
2008263169.tif 000008
【図７】
2008263169.tif 000009
【図８】
2008263169.tif 000010
【図９】
2008263169.tif 000011
【図１０】
2008263169.tif 000012
【図１１】
2008263169.tif 000013