(57)【要約】【課題】ＥＬ表示装置の表示ばらつき補正を小規模メモリを用いて実現する。【解決手段】検査対象の画素に対し、検査用表示信号を供給してＥＬ素子を動作させ、カソード電流を検出する。メモリには、得られるカソード電流の変動範囲や精度などの特性に応じ、映像信号から各画素に供給するために作成する表示データ信号のビット数よりも少ないビット数のカソード電流検出信号を記憶し、ばらつき補正に利用する。例えばオン電流検出信号の変動許容範囲を考慮して、値の変動しうるビット位置のみを記憶する等により、ばらつきの補正精度に影響を与えずにメモリへの記憶容量の削減を図ることができる。【選択図】図４
2008242323.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光表示装置であって、
マトリクス配置された複数の画素を備える表示部と、各画素での表示ばらつきの検査結果を検出するばらつき検出部と、表示ばらつきを補正するための補正部と、を備え、
前記表示部の前記複数の画素のそれぞれは、エレクトロルミネッセンス素子と、該エレクトロルミネッセンス素子に接続され、該エレクトロルミネッセンス素子に流れる電流を制御するための素子駆動トランジスタと、を備え、
前記ばらつき検出部は、
検査行の画素に供給する検査用信号を発生し、かつ、映像信号に応じた表示の実行中の所定タイミングで、前記検査行の画素に該検査用信号を供給する検査用信号発生部と、
前記検査用信号に応じて生ずる前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流を検出して電流検出信号を出力する電流検出部と、
前記電流検出信号に応じたデジタルデータを記憶するメモリ部と、を備え、
前記補正部では、前記メモリ部に記憶されたデジタルデータに基づいて、映像信号から得たデジタルデータ信号に前記複数の画素の各特性に応じたばらつき補正を行って、前記複数の画素に供給するための表示データ信号を作成し、
前記メモリ部には、前記電流検出信号の特性に応じ、前記前記表示データ信号よりもビット数の少ないデジタルデータが記憶されることを特徴とする発光表示装置。
【請求項２】
発光表示装置であって、
マトリクス配置された複数の画素を備える表示部と、各画素での表示ばらつきの検査結果を検出するばらつき検出部と、表示ばらつきを補正するための補正部と、を備え、
前記表示部の前記複数の画素のそれぞれは、発光素子と、該発光素子に接続され、該発光素子に流れる電流を制御するための素子駆動トランジスタと、を備え、
前記ばらつき検出部は、
検査行の画素に供給する検査用信号として、前記発光素子を発光レベルとする検査用オン信号と前記発光素子を非発光レベルとする検査用オフ信号を発生する検査用信号発生部と、
前記検査用オン信号の印加時のオンカソード電流及び前記検査用オフ信号印加時のオフカソード電流を検出し、オン電流検出信号及びオフ電流検出信号を得る電流検出部と、
前記オン電流検出信号及び前記オフ電流検出信号をそれぞれデジタルデータに変換するアナログデジタル変換部と、
デジタルオン電流検出信号及びデジタルオフ電流検出信号とのオンオフ電流差に応じたデジタルデータを記憶するメモリ部と、を備え、
前記補正部では、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータに基づいて、映像信号から得たデジタルデータ信号に前記複数の画素の各特性に応じたばらつき補正を行って、前記複数の画素に供給するための表示データ信号を作成し、
前記メモリ部に記憶される前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータのビット数は、前記表示データ信号のビット数よりも少ないことを特徴とする発光表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発光表示装置において、
前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータの取り得る範囲は、前記オン電流検出信号及び前記オフ電流検出信号の変動許容範囲に応じて決まり、
前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータをＮビットで表現した場合に、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータの取り得る範囲に応じて、前記Ｎビットのうちの変動しうるＮ−１ビット目以下のビット位置のデータを、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータとして前記メモリ部に記憶させることを特徴とする発光表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発光表示装置において、
前記アナログデジタル変換部は、前記オン電流検出信号及び前記オフ電流検出信号の変動許容範囲内に対応するＮ−１ビット目以下の位置のデータのみを、前記オン電流検出信号及び前記オフ電流検出信号にそれぞれ対応するデジタルオン電流検出信号及びデジタルオフ電流検出信号として出力することを特徴とする発光表示装置。
【請求項５】
請求項２に記載の発光表示装置において、
前記メモリ部は、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータをＮビットで表現した場合に、前記Ｎビットのうち、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータの変動許容範囲に応じて変動しうるＮ−１ビット目以下のビット位置のデータを、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータとして記憶することを特徴とする発光表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発光表示装置において、
前記アナログデジタル変換部は、前記オン電流検出信号及び前記オフ電流検出信号にそれぞれ対応するＮビットデジタルデータの内、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータの変動許容範囲に応じて変動しうるＮ−１ビット目以下のビット位置のデータのみを出力することを特徴とする発光表示装置。
【請求項７】
請求項２に記載の発光表示装置において、
前記デジタルオン電流検出信号と前記デジタルオフ電流検出信号とから、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータを求める演算部を備え、
該演算部では、前記デジタルオン電流検出信号と前記デジタルオフ電流検出信号とからＮビットの前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータを求め、
前記メモリ部には、前記デジタルオン電流検出信号及び前記デジタルオフ電流検出信号の精度に応じて、前記Ｎビットの下位側のビットを省略して得られたビット数Ｎ−１以下の前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータを記憶することを特徴とする発光表示装置。
【請求項８】
請求項２に記載の発光表示装置において、
前記アナログデジタル変換部は、前記オン電流検出信号及び前記オフ電流検出信号を、前記表示データ信号のビット数がＮの場合に、少なくとも前記オン電流検出信号の精度に応じたビット数Ｎ−１以下のデジタルデータにそれぞれ変換し、
前記メモリ部は、前記ビット数Ｎ−１以下の前記デジタルオン電流検出信号及び前記デジタルオフ電流検出信号から得たビット数Ｎ−１以下の前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータを記憶することを特徴とする発光表示装置。
【請求項９】
請求項２〜請求項８のいずれか一項に記載の発光表示装置において、
前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータを求める際に用いる前記デジタルオン電流検出信号と前記デジタルオフ電流検出信号の内、
前記デジタルオン電流検出信号は、前記検査用信号発生部が、対応する画素に前記検査用オン信号を供給し、新たなオン電流検出信号が得られる度に更新される信号であり、
前記デジタルオフ電流検出信号は、予め求められて設定されている信号であることを特徴とする発光表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の発光表示装置において、
前記設定されている信号は、特定の画素に対し前記検査用オフ信号を供給した場合、または所定の周期で対応する画素に前記検査用オフ信号を供給した場合に得たオフカソード電流に応じたデジタルオフ電流検出信号であることを特徴とする発光表示装置。
【請求項１１】
請求項１〜請求項１０のいずれか一項に記載の発光表示装置において、
前記検査用信号発生部は、前記映像信号に応じた表示の実行中のブランキング期間において、前記検査用信号を発生することを特徴とする発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子を各画素に有する発光表示装置、その表示ばらつきの補正を備える表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
自発光素子であるエレクトロルミネッセンス素子（以下ＥＬ素子という）等を各画素の表示素子に採用した発光表示装置は、次世代の平面表示装置として期待され、研究開発が行われている。
【０００３】
このような発光表示装置は、ガラスやプラスチックなどの基板上にＥＬ素子及びこのＥＬ素子を画素毎に駆動するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを形成したＥＬパネルを作成した後、幾度かの検査を経て製品として出荷されることとなる。
【０００４】
各画素にＴＦＴを備える現在のアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置において、このＴＦＴに起因した表示ムラ、特にＴＦＴのしきい値Ｖｔｈのばらつきに起因してＥＬ素子の輝度ばらつきが生じ、歩留まり低下の大きな要因となっている。このような製品の歩留まりの向上は、非常に重要であり、素子設計、材料、製造方法等の改良によって表示欠陥や表示ムラ（表示ばらつき）を低減することが要求されると共に、下記特許文献１などにおいて表示ムラなどが発生した場合にはこれを補正することにより良品パネルとする試みがなされている。
【０００５】
特許文献１では、ＥＬパネルを発光させてその輝度のばらつきを測定し、画素に供給するデータ信号（映像信号）を補正している。また、他の方法として、各画素に、ＥＬ素子に流す電流を制御する素子駆動トランジスタのＶｔｈのばらつきを補正する回路を組み込むことが提案されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−３１６４０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１のようにＥＬパネルを発光させ、これをカメラで撮像して輝度ばらつきを測定する方法は、出荷後においては実行することができず、パネルの経時変化などに対応した補正を実行することは不可能である。また、ＥＬパネルが高精細化して画素数が増大すると、各画素毎にその輝度ばらつきを測定するには測定及び補正対象が多く、カメラの高解像度化、補正情報の格納部の容量拡大などが必要となる。
【０００８】
また、Ｖｔｈ補償用の回路素子を画素に組み込まない場合であっても、ＴＦＴのＶｔｈのばらつきに起因した表示ムラを補正したいという要求は非常に強く、特に、このような補正を常時実行することが望まれる。
【０００９】
本発明は、出荷後においても、表示ばらつきを測定し、その表示ばらつきの補正を行うことの可能な発光表示装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、発光表示装置であって、マトリクス配置された複数の画素を備える表示部と、各画素での表示ばらつきの検査結果を検出するばらつき検出部と、表示ばらつきを補正するための補正部と、を備え、前記表示部の前記複数の画素のそれぞれは、エレクトロルミネッセンス素子と、該エレクトロルミネッセンス素子に接続され、該エレクトロルミネッセンス素子に流れる電流を制御するための素子駆動トランジスタと、を備え、前記ばらつき検出部は、検査行の画素に供給する検査用信号を発生し、かつ、映像信号に応じた表示の実行中の所定タイミングで、前記検査行の画素に該検査用信号を供給する検査用信号発生部と、前記検査用信号に応じて生ずる前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流を検出して電流検出信号を出力する電流検出部と、前記電流検出信号に応じたデジタルデータを記憶するメモリ部と、を備え、前記補正部では、前記メモリ部に記憶されたデジタルデータに基づいて、映像信号から得たデジタルデータ信号に前記複数の画素の各特性に応じたばらつき補正を行って、前記複数の画素に供給するための表示データ信号を作成し、前記メモリ部には、前記電流検出信号の変動特性に応じ、前記前記表示データ信号よりもビット数の少ないデジタルデータが記憶される。
【００１１】
本発明の他の態様では、発光表示装置であって、マトリクス配置された複数の画素を備える表示部と、各画素での表示ばらつきの検査結果を検出するばらつき検出部と、表示ばらつきを補正するための補正部と、を備え、前記表示部の前記複数の画素のそれぞれは、発光素子と、該発光素子に接続され、該発光素子に流れる電流を制御するための素子駆動トランジスタと、を備え、前記ばらつき検出部は、検査行の画素に供給する検査用信号として、前記発光素子を発光レベルとする検査用オン信号と前記発光素子を非発光レベルとする検査用オフ信号を発生する検査用信号発生部と、前記検査用オン信号の印加時のオンカソード電流及び前記検査用オフ信号印加時のオフカソード電流を検出し、オン電流検出信号及びオフ電流検出信号を得る電流検出部と、前記オン電流検出信号及び前記オフ電流検出信号をそれぞれデジタルデータに変換するアナログデジタル変換部と、デジタルオン電流検出信号及びデジタルオフ電流検出信号とのオンオフ電流差に応じたデジタルデータを記憶するメモリ部と、を備え、前記補正部では、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータに基づいて、映像信号から得たデジタルデータ信号に前記複数の画素の各特性に応じたばらつき補正を行って、前記複数の画素に供給するための表示データ信号を作成し、前記メモリ部に記憶される前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータのビット数は、前記表示データ信号のビット数よりも少ない。
【００１２】
本発明の他の態様では、上記発光表示装置において、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータの取り得る範囲は、前記オン電流検出信号及び前記オフ電流検出信号の変動許容範囲に応じて決まり、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータをＮビットで表現した場合に、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータの取り得る範囲に応じて、前記Ｎビットのうちの変動しうるＮ−１ビット目以下のビット位置のデータを、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータとして、前記メモリ部に記憶する。
【００１３】
本発明の他の態様では、上記発光表示装置において、前記アナログデジタル変換部は、前記オン電流検出信号及び前記オフ電流検出信号の変動許容範囲内に対応するＮ−１ビット目以下の位置のデータのみを、前記オン電流検出信号及び前記オフ電流検出信号にそれぞれ対応するデジタルオン電流検出信号及びデジタルオフ電流検出信号として出力する。
【００１４】
本発明の他の態様では、上記発光表示装置において、前記メモリ部は、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータをＮビットで表現した場合に、前記Ｎビットのうち、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータの変動許容範囲に応じて変動しうるＮ−１ビット目以下のビット位置のデータを、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータとして記憶する。
【００１５】
本発明の他の態様では、上記発光表示装置において、前記アナログデジタル変換部は、前記オン電流検出信号及び前記オフ電流検出信号にそれぞれ対応するＮビットデジタルデータの内、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータの変動許容範囲に応じて変動しうるＮ−１ビット目以下のビット位置のデータのみを出力する。
【００１６】
本発明の他の態様では、上記発光表示装置において、前記デジタルオン電流検出信号と前記デジタルオフ電流検出信号とから、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータを求める演算部を備え、該演算部では、前記デジタルオン電流検出信号と前記デジタルオフ電流検出信号とからＮビットの前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータを求め、前記メモリ部には、前記デジタルオン電流検出信号及び前記デジタルオフ電流検出信号の精度に応じて、前記Ｎビットの下位側のビットを省略して得られたビット数Ｎ−１以下の前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータを記憶する。
【００１７】
本発明の他の態様では、上記発光表示装置において、前記アナログデジタル変換部は、前記オン電流検出信号及び前記オフ電流検出信号を、前記表示データ信号のビット数がＮの場合に、少なくとも前記オン電流検出信号の精度に応じたビット数Ｎ−１以下のデジタルデータにそれぞれ変換し、前記メモリ部は、前記ビット数Ｎ−１以下の前記デジタルオン電流検出信号及び前記デジタルオフ電流検出信号と、から得たビット数Ｎ−１以下の前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータを記憶する。
【００１８】
本発明の他の態様では、上記発光表示装置において、前記オンオフ電流差に応じたデジタルデータを求める際に用いる前記デジタルオン電流検出信号と前記デジタルオフ電流検出信号の内、前記デジタルオン電流検出信号は、前記検査用信号発生部が、対応する画素に前記検査用オン信号を供給し、新たなオン電流検出信号が得られる度に更新される信号であり、前記デジタルオフ電流検出信号は、予め求められて設定されている信号である。
【００１９】
本発明の他の態様では、上記発光表示装置において、前記設定されている信号は、特定の画素に対し前記検査用オフ信号を供給した場合、または所定の周期で対応する画素に前記検査用オフ信号を供給した場合に得たオフカソード電流に応じたデジタルオフ電流検出信号である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明では、検査用信号を画素に供給してその際に得られるカソード電流を検出し、その検出信号に応じたデジタルデータをメモリに記憶し、このデジタルデータに基づいて映像信号から得るデジタルデータ信号に対するばらつき補正を行う。このメモリに記憶するデジタルデータのビット数を、カソード電流の変動特性や精度などに応じ、映像信号から得る表示データ信号のビット数よりも少なくすることで、メモリに格納すべき容量を最小限としつつ、精度良く検出した各画素の特性に応じた表示ばらつきを補正することが可能となる。
【００２１】
例えば、検査用信号として、オン表示信号とオフ表示信号を検査行の画素に供給し、その際に生ずるＥＬ素子のオン電流、オフ電流を検出し、得られたオン電流検出信号とオフ電流検出信号との電流差に応じたデジタルデータをメモリ部に記憶する場合、オン電流検出信号の変動範囲や、電流差に応じたデジタルデータの範囲に応じたビット位置のデータを選択的に記憶することで、記憶する信号の精度を損なうことなく記憶すべき容量を削減することができる。あるいはオン電流検出信号等の精度に応じてその下位ビットや電流差に応じたデジタルデータの下位ビットを省略することも可能である。
【００２２】
なお、発光輝度ではなく測定対象をカソード電流とすることにより、装置の出荷後においても簡易な構成によって所定タイミングでカソード電流の検出をすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を用いてこの発明の最良の実施の形態（以下、実施形態という）について説明する。
【００２４】
［検出原理］
本実施形態において、発光表示装置は、具体的には、例えば発光素子としてＥＬ素子を用い、各画素にスイッチを備えるアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置である。図１は、この実施形態に係るアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置の等価回路の一例を示す図である。ＥＬパネル１００の表示部には、マトリクス状に複数の画素が配置され、マトリクスの水平（Ｈ）走査方向（行方向）には、順次選択信号が出力される選択ライン（ゲートラインＧＬ）１０が形成されており、垂直（Ｖ）走査方向（列方向）には、データ信号（Ｖｓｉｇ）が出力されるデータライン１２（ＤＬ）と、被駆動素子である有機ＥＬ素子（以下、単に「ＥＬ素子」という）１８に、駆動電源ＰＶＤＤを供給するための電源ライン１６（ＶＬ）が形成されている。
【００２５】
各画素は、概ねこれらのラインによって区画される領域に設けられており、各画素は、被駆動素子としてＥＬ素子１８を備え、また、ｎチャネルのＴＦＴより構成された選択トランジスタＴｒ１（以下、「選択Ｔｒ１」）、保持容量Ｃｓ、ｐチャネルのＴＦＴより構成された素子駆動トランジスタＴｒ２（以下、「素子駆動Ｔｒ２」）が設けられている。
【００２６】
選択Ｔｒ１は、そのドレインが垂直走査方向に並ぶ各画素にデータ電圧（表示データ信号）Ｖsigを供給するデータライン１２に接続され、ゲートが１水平走査ライン上に並ぶ画素を選択するためのゲートライン１０に接続され、そのソースは素子駆動Ｔｒ２のゲートに接続されている。
【００２７】
また、素子駆動Ｔｒ２のソースは電源ライン１６に接続され、ドレインはＥＬ素子１８のアノードに接続されている。ＥＬ素子のカソードは各画素共通で形成され、カソード電源ＣＶに接続されている。
【００２８】
ＥＬ素子１８は、ダイオード構造で下部電極と上部電極の間に発光素子層を備える。発光素子層は、例えば少なくとも有機発光材料を含む発光層を備え、発光素子層に用いる材料特性などにより、単層構造や、２層、３層あるいは４層以上の多層構造を採用することができる。本実施形態では、下部電極が画素毎に個別形状にパターニングされ上記アノードとして機能し、素子駆動Ｔｒ２に接続されている。また、上部電極が複数の画素に共通でカソードとして機能する。
【００２９】
画素毎に上記のような回路構成を備えるアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置において、素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値Ｖｔｈがばらつくと、同一のデータ信号を各画素に供給しても、ＥＬ素子には駆動電源ＰＶＤＤから同一の電流が供給されず、これが輝度ばらつき（表示ばらつき）の原因となる。
【００３０】
図２は、素子駆動Ｔｒ２の特性ばらつき（電流供給特性のばらつき、例えば、動作しきい値Ｖｔｈのばらつき）が生じた場合の画素の等価回路と、素子駆動Ｔｒ２及びＥＬ素子のＶｄｓ−Ｉｄｓ特性とを示している。素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値Ｖｔｈがばらついた場合、回路的には、図２（ｂ）に示すように、素子駆動Ｔｒ２のドレイン側に正常よりも大きな抵抗又は小さな抵抗が接続されたことと見なすことができる。よって、ＥＬ素子が流す電流（本実施形態では、カソード電流Ｉｃｖ）特性は、正常画素と変わらないが、実際にＥＬ素子に流れる電流は素子駆動Ｔｒ２の特性ばらつきに応じて変化することとなる。
【００３１】
素子駆動Ｔｒ２への印加電圧がＶｇｓ−Ｖｔｈ＜Ｖｄｓを満たす場合、素子駆動Ｔｒ２は飽和領域で動作する。素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値Ｖｔｈが正常画素より高い画素においては、図２（ａ）に示すように、該トランジスタのドレインソース間電流Ｉｄｓが、正常のトランジスタよりも小さくなり、ＥＬ素子への供給電流量、つまり、ＥＬ素子の流す電流は、正常画素よりも小さく（ΔＩ大）、その結果、この画素の発光輝度は、正常画素の発光輝度よりも低くなり、表示ばらつきとなる。
【００３２】
逆に、素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値Ｖｔｈが正常画素より低い画素においては、該トランジスタのドレインソース間電流Ｉｄｓが、正常のトランジスタよりも大きくなり、ＥＬ素子の流す電流は、正常画素より多くなり、発光輝度は高くなる。
【００３３】
素子駆動Ｔｒ２への印加電圧が、Ｖｇｓ−Ｖｔｈ＞Ｖｄｓを満たす場合、この素子駆動Ｔｒ２は線形領域で動作し、この線形領域では、しきい値Ｖｔｈが高い素子駆動Ｔｒ２と低い素子駆動Ｔｒ２とで、Ｖｄｓ−Ｉｄｓ特性の差が小さいため、ＥＬ素子への供給電流量の差（ΔＩ）も小さい。このため、ＥＬ素子は、素子駆動Ｔｒ２の特性ばらつきの有無によらず、概ね同様の発光輝度を示し、線形領域においては特性ばらつきに起因した表示ばらつきを検出することは難しい。しかし、上記のように、素子駆動Ｔｒ２を飽和領域で動作させることで、この素子駆動Ｔｒ２の特性ばらつきに起因した表示ばらつきを検出することができる。
【００３４】
また、検出した電流値に基づいて、各画素に供給するデータ信号を補正することで、確実に表示ばらつきを補正できる。例えば素子駆動Ｔｒ２のしきい値の絶対値｜Ｖｔｈ｜が正常より低い場合、基準のデータ信号を供給したときのＥＬ素子の発光輝度は通常より高くなる。したがって、この場合、しきい値の絶対値｜Ｖｔｈ｜の基準に対するずれに応じてデータ信号の絶対値｜Ｖｓｉｇ｜を小さくすることにより輝度ばらつきを補正することができる。素子駆動Ｔｒ２のしきい値の絶対値｜Ｖｔｈ｜が正常より高い場合には、しきい値の絶対値｜Ｖｔｈ｜の基準に対するずれに応じてデータ信号の絶対値｜Ｖｓｉｇ｜を大きくすることにより輝度ばらつきを補正することができる。
【００３５】
なお、以上の画素回路では、素子駆動トランジスタとして、ｐチャネルのＴＦＴを採用したが、ｎチャネルのＴＦＴを用いてもよい。さらに、以上の画素回路では、１画素について、トランジスタとして、選択トランジスタと駆動トランジスタの２つのトランジスタを備える構成を採用した例を説明したが、トランジスタが２つのタイプ及び上記回路構成には限られない。
【００３６】
以上のような原理に基づいて、各画素に上記のような検査用信号を供給し、その際に得られるＥＬ素子のカソード電流から、各画素の素子駆動Ｔｒの特性ばらつきに起因したＥＬ素子の輝度ばらつきを検出を知ることができる。なお、検出したカソード電流は、電流検出信号としてデジタルデータに変換し、メモリに記憶する。そしてこのデジタルデータを、しきい値のばらつき補正のための補正データの作成に利用する。作成された補正データは、さらに、画素に供給するために映像信号から作成する表示データ信号に対する二次元ばらつき補正に用いる。
【００３７】
ここで、本実施形態では、カソード電流の変動許容範囲、変動予測範囲、精度などの特性に応じ、メモリに格納するデジタルデータのビット数を、補正データを用いて二次元ばらつき補正を実行して得られるデジタル表示データ信号のビット数よりも低減する。
【００３８】
なお、上記電流検出（ばらつき検出）及び補正は、不良品の判別の観点からも表示装置の出荷前においても実行することが好適であるが、出荷後において実行することが経時変化に応じた補正を実行する上で効果的である。例えば、出荷後の表示装置の電源起動時や、通常動作時に実行し、表示自体に違和感を与えることなくばらつきを検査し、かつ、常時最適な補正を施すことが可能となる。
【００３９】
通常動作時に検査を行う場合、映像信号のブランキング期間中に検査を実行することができる。このブランキング期間中に、表示部の所定の１行を検査行として選択し、対応する画素に検査用信号を供給し、その画素のＥＬ素子のカソード電極からカソード端子に流れ出るカソード電流Ｉcvを検出する。なお、ブランキング期間は、垂直ブランキング期間又は水平ブランキング期間である。駆動方式としては、詳しくは後述するが、以下のような方式が採用可能である。
【００４０】
（駆動方式１）カソード電極が全画素共通の共通電極で、水平ブランキング期間中にカソード電流検出を実行する場合
【００４１】
ｙ行ｘ列マトリクスのＥＬパネル１００に対し、１水平ブランキング期間に所定の１検査行（ｎ行目）を選択し、かつ所定の１列（ｋ列目）の画素に検査用信号を供給してそのときのカソード電流を検出する。この作業を順次選択行を変更して繰り返すことで１フレーム（１垂直（Ｖ）走査）期間でｋ列目の全画素についてのカソード電流検出を実行する。この処理を全列に対して実行することで、ＥＬパネル１００の全画素に対する検出処理が完了する。ＥＬパネル１００がＶＧＡ型のサイズである場合、４８０行×６４０列の画素が存在し、上記方式では、１フレーム６０Ｈｚで、合計約１０．７秒（＝１／６０秒×６４０列）で全画素についてのカソード電流検出が実行できる。もちろん、後述する設定例１〜４のいずれかの方法によりメモリ３７０に格納する検出信号のビット数を表示データ信号のビット数Ｎよりも削減する。
【００４２】
（駆動方式２）カソード電極が全画素共通で、垂直ブランキング期間中にカソード電流検出を実行した場合
【００４３】
１垂直ブランキング期間中、所定の１検査行（ｎ行目）に属する全画素に、順次、検査用信号を供給し、そのときのカソード電流を検出する。この手順を垂直ブランキング期間毎に検査行を変更して実行し全行に対して行うことで、全画素のカソード電流を得る。この方式では、上記同様のＶＧＡパネルの場合、合計約８秒（＝１／６０秒×４８０行）で全画素についてのカソード電流検出が実行できる。メモリ３７０への記憶容量削減については、駆動方式１での説明と同様である。
【００４４】
（駆動方式３）カソード電極が列毎に分割され、垂直ブランキング期間中にカソード電流の検出を実行した場合
【００４５】
１垂直ブランキング期間中に所定の１検査行（ｎ行目）の全画素に、それぞれ検査用信号を供給し、各列におけるカソード電流を検出する。この手順を垂直ブランキング期間毎に検査行を変更して実行し全行に対して行うことで、全画素のカソード電流を得る。この方式では、上記同様のＶＧＡパネルの場合、合計約８秒（＝１／６０秒×４８０行）で全画素についてのカソード電流検出が実行できる。
【００４６】
なお、ドライバ部分の駆動能力（駆動速度）が十分であれば、水平ブランキング期間中に所定の１行に属する全画素に対して検査用信号を供給し、各列のカソード電極からその電流を検出することも可能である。この場合には、１フレーム期間で全画素についてのカソード電流を測定することができる。
【００４７】
また、駆動方式３においても、駆動方式１，２と同様、後述する設定例１〜４のような方法によりメモリ容量削減を図る。
【００４８】
［装置構成例］
次に、本実施形態に係るばらつき補正機能を備えたエレクトロルミネッセンス表示装置の構成例について図３及び図４を参照して説明する。図３は、エレクトロルミネッセンス表示装置の全体的な構成の一例を示している。この表示装置は、上述のような画素を備える表示部が形成されたＥＬパネル１００と、表示部での表示及び動作を制御する駆動部２００を備え、駆動部２００は、概略して、表示制御部２１０と、ばらつき検出部３００を備える。
【００４９】
また、表示制御部２１０は、信号処理部２３０、ばらつき補正部２５０、タイミング信号作成（Ｔ／Ｃ）部２４０、ドライバ２２０等を有する。
【００５０】
信号処理部２３０は、外部からのカラー映像信号をＥＬパネル１００における表示に適した表示データ信号を作成し、タイミング信号作成部２４０は、外部から供給されるドットクロック（DOTCLK）、同期信号（Hsync、Vsync）などに基づいて、Ｈ方向、Ｖ方向のクロックＣＫＨ、ＣＫＶ、水平、垂直スタート信号ＳＴＨ、ＳＴＶ等、表示部で必要な各種タイミング信号を作成する。ばらつき補正部２５０は、ばらつき検出部３００で得られた補正データを利用して映像信号を駆動対象であるＥＬパネルの特性に合わせて補正する。
【００５１】
ドライバ２２０は、タイミング信号作成部２４０から得られる各種タイミング信号に基づいてＥＬパネル１００をＨ方向、Ｖ方向に駆動する信号を作成して画素に供給すると共に、ばらつき補正部２５０から供給される補正後の映像信号を対応する各画素に表示データ信号（Ｖsig）として供給する。なお、ドライバ２２０は、図１に例示するように表示部のＨ（行）方向の駆動を制御するＨドライバ２２０Ｈ及びＶ（列）方向の駆動を制御するＶドライバ２２０Ｖを備える。図１に示すように、このＨドライバ２２０Ｈ及びＶドライバ２２０Ｖは、ＥＬパネル１００の表示領域の周辺に、図１の画素回路と同様にパネル基板上に内蔵させることもできるし、ＥＬパネル１００とは別に図３の駆動部２００と一緒又は別の集積回路（ＩＣ）によって構成することも可能である。
【００５２】
ばらつき検出部３００は、ＥＬパネル１００の通常使用環境下における所定タイミング、例えばブランキング期間に表示ばらつきを検出して補正値を得るための動作をする。
【００５３】
図３の例では、ばらつき検査を制御する検査制御部３１０、検査用信号を発生しＥＬパネルの検査行の画素に供給するための検査用信号発生回路３２０、上記検査用信号を供給した際にカソード電極から得られるカソード電流を検出するカソード電流検出部３３０を有する。また、アナログデジタル（Ａ／Ｄ）変換部３４０、ラッチ回路３５０、演算部３６０、メモリ３７０、補正データ作成部３８０等を有する。Ａ／Ｄ変換部３４０は、検出されたカソード電流（カソード電流検出信号）をデジタルデータに変換し、ラッチ回路３５０は、得られたデジタルデータを一旦保持する。演算部３６０は、ラッチ回路３５０に保持されているデジタル電流検出信号から所定の演算値（例えばオンオフ電流差）を求め、メモリ３７０は、その演算結果を記憶する。補正データ作成部３８０は、このメモリ３７０に記憶された演算値に基づいて補正データを作成する。
【００５４】
検査時に、検査行の画素を選択し、検査するために必要な選択信号の作成や、後述するような所定ラインの電位制御のための制御信号発生回路（図示しない）は、ドライバ２２０内に組み込んで検査制御部３１０の制御に応じて実行させることができる。
【００５５】
なお、制御信号発生のための構成は、専用の検査用の制御信号発生回路によって実行しても良いし、検査制御部３１０が実行しても良い。
【００５６】
図４は、図３の駆動部２００のより具体的な構成の一部を示す。カソード電流検出部３３０は、電流検出アンプ３３２を備え、図４の例では、アンプの出力と電流入力側との間に抵抗Ｒを備え、ＥＬパネルのカソード電極端子Ｔcvから得られるカソード電流Ｉｃｖを、このカソード電流Ｉｃｖが抵抗Ｒに流れて生ずる電圧［ＩＲ］と基準電圧Ｖrefとに基づき、［Ｖref＋ＩＲ］で表される電流検出信号（電圧データ）として得る。Ａ／Ｄ変換部３４０は、電流検出アンプ３３２で得られた電流検出信号を所定ビット数のデジタル信号に変換し、得られたデジタル電流検出信号は、一旦ラッチ回路３５０に保持され、演算部３６０に所定のタイミングで供給され、演算結果がメモリ３７０に供給されて記憶される。
【００５７】
検査用信号としては、ＥＬ素子の発光を発光レベルとする検査用オン表示信号を供給することで、原理的に素子駆動Ｔｒ２のしきい値ばらつきに応じた表示ムラを検出することができる。しかし、検査用信号として、上記検査用オン表示信号と、さらにＥＬ素子を非発光レベルとする検査用オフ表示信号とを検査行の画素に対して供給し、検査用オン表示信号の印加時のオンカソード電流及び前記検査用オフ表示信号印加時のオフカソード電流を検出し、その差ΔＩｃｖを求める方法を採用することにより、検査の高速化及び検査の高精度化を図ることが可能となる。
【００５８】
このように検査の高速化や高精度化が可能となるのは、オフカソード電流Ｉｃｖoffを測定し、このＩｃｖoffを基準としてオン表示信号の時のオンカソード電流Ｉｃｖonを相対的に把握できるため、オンカソード電流Ｉｃｖonの絶対値を正確に判断する必要や、別途基準となるオフカソード電流Ｉｃｖoffを測定する必要がないからである。つまり、オンカソード電流とオフカソード電流との差分（カソード電流差：オンオフ電流差）を用いることで、上記電流検出アンプ３３２の特性ばらつきなどの影響をこのカソード電流差からキャンセルすることができ、また、オンカソード電流値の絶対値を判定するための基準値を必要としないためである。具体的には、電流検出アンプ３３２が、オンカソード電流をＶｒｅｆ＋Ｉｃｖon＊Ｒとして検出し（オン電流検出信号）、オフカソード電流をＶｒｅｆ＋Ｉｃｖoff＊Ｒとして検出し（オフ電流検出信号）、Ａ／Ｄ変換部３４０でデジタル変換し、その２つのデジタルデータの差分を演算部３６０が演算することで、（Ｉｃｖon−Ｉｃｖoff）＊Ｒを求めればよい。これによりオンオフ電流差（オンオフカソード電流差）に応じたデータ（オンオフ電流差信号）として、Ｖ（ΔＩｃｖ）＝Ｖ（Ｉｃｖon）−Ｖ（Ｉｃｖoff）が得られる。
【００５９】
メモリ３７０は、上記（駆動方式１）〜（駆動方式３）に説明したように、例えば１０秒程度で全画素についてのカソード電流検出信号としてオンオフ電流差に応じたデジタルデータ（オンオフ電流差信号）を記憶し、このデータを全画素について少なくとも次に全画素について新しいカソード電流が検出されるまで格納しておく。なお、このメモリ３７０は、高速でのデータ書き込み及び読み出しが可能な揮発性メモリを用いることができる（例えばＳＲＡＭ）。なお、図示しないが、装置電源がオフしてもデータ保持が可能で、書き換えの可能なＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性メモリを二次メモリとして併用しても良い。二次メモリを併用する場合、装置電源をオフする前に、予め、揮発性メモリに記憶されたオンオフ電流差信号を二次メモリに退避させる。装置電源投入時には、この二次メモリに記憶されたオンオフ電流差信号を用いることにより、装置電源投入直後から二次元ばらつき補正を実行することが可能となる。
【００６０】
補正データ作成部３８０は、メモリ３７０に蓄積された画素毎の電流差検出信号を随時読み出し、この信号に基づいて、映像信号に対し各画素の素子駆動Ｔｒ２の特性ばらつきに起因した表示ばらつきを補正するための補正データを作成する。以下、この補正データの求め方及び二次元ばらつき補正の方法について説明する。
【００６１】
まず、ＥＬ素子を発光状態とする同一の検査用信号を印加した場合において、測定対象の画素の素子駆動Ｔｒ２のしきい値Ｖｔｈが正常の素子駆動Ｔｒ２のしきい値Ｖｔｈよりも高圧側にシフトしていると（図中の一点鎖線）、得られるカソード電流は、正常画素がＩｃｖａであるのに対し、シフトした画素ではＩｃｖｂとなる（図５参照）。
【００６２】
そこで、補正データ作成部３８０は、図５に示すように、素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値Ｖｔｈが正常なＴＦＴよりもずれている場合、カソード電流検出データからその動作しきい値Ｖｔｈのずれを補償する補正データを求める。概念的には、この補正データにより、図５において点線で示す特性のように動作しきい値Ｖｔｈのずれ分に応じて各画素に供給するデータ信号の電圧をシフトさせることとなる。
【００６３】
このようなデータ信号の電圧をシフトさせるための補正データの作成方法の一例を具体的に説明すると以下の通りである。まず、各画素の動作しきい値の基準からのずれは、下記式（１）によって求めることができる。
【００６４】
【数１】
2008242323.tif 000003
式（１）において、Ｖｔｈ（ｉ）、Ｖ（Ｉｃｖ）  、Ｖｓｉｇｏｎおよびγは、以下のように定義される。
Ｖｔｈ（ｉ）：検査対象画素の動作しきい値ずれ
Ｖ（ΔＩｃｖ）：検査対象画素のオンオフ電流差（電圧データ）
Ｖ（ΔＩｃｖｒｅｆ）：基準オンオフ電流差（電圧データ）
Ｖｓｉｇｏｎ：検査用オン表示信号の階調レベル
γ：表示パネルの発光効率特性（定数値）
【００６５】
検査用オン表示信号の階調レベル［Ｖｓｉｇｏｎ］を、例えば、８ビットで表し、２４０（０〜２５５）に設定した場合、この階調レベル２４０、検査対象画素のオンオフ電流差［Ｖ（ΔＩｃｖ）］、基準のオンオフ電流差［Ｖ（ΔＩｃｖｒｅｆ）］、定数の発光効率特性γに基づいて、上記式（１）から各画素の基準に対する動作しきい値ずれＶｔｈ（ｉ）を求めることができる。例えば、Ａ〜Ｅの画素について、以下のようにそれぞれ基準からのしきい値ずれ量Ｖｔｈ（ｉ）が得られたとする。
Ｖｔｈ（Ａ）＝０
Ｖｔｈ（Ｂ）＝１３．４
Ｖｔｈ（Ｃ）＝１７．０
Ｖｔｈ（Ｄ）＝３．２
Ｖｔｈ（Ｅ）＝２０．７
【００６６】
上記例では、画素Ｅのしきい値Ｖｔｈずれが最大であり、各画素に同一階調レベルのデータ信号を供給すると、画素Ｅが表示部の中で最も低輝度で発光することとなる。一方で、各画素に供給できるデータ信号の最大値には限度がある。そこで、このＶｔｈ（ｉ）maxの画素Ｅを基準にデータ信号の最大値Ｖｓｉｇmaxを決定する。つまり、得られた各画素のＶｔｈ（ｉ）の中から、最大値Ｖｔｈ（ｉ）maxを求め、このＶｔｈ（ｉ）maxに対する他の画素のＶｔｈの差ΔＶｔｈ（ｉ）をそれぞれ得る。さらに、その画素に供給すべきデータ信号の最大値Ｖｓｉｇmax（ｉ）を、Ｖｓｉｇmaxから、得られたΔＶｔｈ（ｉ）を減算して［Ｖｓｉｇmax−ΔＶｔｈ（ｉ）］を求め、後述する式（２）の補正値を反映した初期補正データＲＳＦＴ（init）としてばらつき補正部２５０に供給する。
【００６７】
なお、以上のようにして補正データ作成部３８０で作成された各画素の補正データは、例えば図３に示す補正値記憶部２８０などに記憶しておくことができる。この補正データは、次に全画素分について補正データが揃うまで記憶しておくことが好適である。
【００６８】
ばらつき補正部２５０は、新しい補正データが得られるまでは、この記憶されている補正データを用い、信号処理部２３０から供給される映像信号に対して、各画素毎にばらつき補正を実行する（２次元表示ムラ補正）。ばらつき補正部２５０での補正演算に必要なタイミングで（映像信号のタイミングに合わせて）、補正データ作成部３８０が補正データを作成し、ばらつき補正部２５０に供給しても良い。この場合、Ｖｓｉｇmax（ｉ）のみを例えば上記のように補正値記憶部２８０に記憶しておき、補正データ作成部３８０がメモリ３７０から必要な画素アドレスについてのカソード電流検出データ（デジタルデータ）を読み出し、そのデータとＶｓｉｇmax（ｉ）とを利用して補正データを作成し、これをばらつき補正部２５０に供給する。
【００６９】
信号処理部２３０は、外部からのカラー映像信号をＥＬパネル１００での表示に適した表示信号にするための信号処理回路であり、一例として図４に示すような構成を有する。シリアル・パラレル変換部２３２は、外部から供給される映像信号をパラレルデータに変換し、得られたパラレル映像信号は、マトリクス変換部２３６に供給される。マトリクス変換部２３６において、外部から供給される映像信号がＹＵＶ形式の場合には、ＥＬパネルの表示する色調に応じたオフセット処理が行われる。なお、Ｙは輝度信号、Ｕは輝度信号と青色成分の差、Ｖは輝度信号と赤色成分の差であり、ＹＵＶ形式は、この３つの情報で色を表している。また、マトリクス変換部２３６は、パラレル映像信号をこのＥＬパネル１００に適した形式への間引きなどの変換処理を行う。また、併せて、色空間補正、ブライト・コントラスト補正なども実行する。さらにガンマ値設定部２３８が、マトリクス変換部２３６からの映像信号に対し、ＥＬパネル１００に応じたγ値の設定（ガンマ補正）を行い、ガンマ補正後の映像信号が上記ばらつき補正部２５０に供給される。
【００７０】
ここで、ばらつき補正部２５０では、一例として下記式（２）
【００７１】
【数２】
2008242323.tif 000004
を用いて二次元表示ムラ補正を実行する。式（２）において、ＲＳＦＴ（init）は、補正データ作成部３８０において求められた補正値を反映した初期補正データである（工場出荷前に各画素についての補正データが存在する場合にはその補正データも反映した値である）。Ｒｉｎは、信号処理部２３０から供給される入力映像信号で、ここでは、９ビットデータであり、０〜５１１のいずれかの値を備える。ＡＤＪ＿ＳＦＴは、補正値調整（重み付け）パラメータであり、Ｒ＿ＳＦＴは、二次元表示ムラ補正後の表示データである。
【００７２】
図５に示されているように、素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値Ｖｔｈにずれが生じた場合、このＴＦＴの特性カーブの傾きβは、正常なＴＦＴの特性カーブの傾きとは異なる。したがって、表示データ信号を単純にＶｔｈのずれ分だけシフトするのみでは、正確な階調表現をすることができない。そこで、ばらつき補正部２５０では、上記式（２）等を用いて、傾きβ、つまり、上記式（２）の重み付けパラメータを考慮して実映像信号の値（輝度レベル）に応じて最適な補正を施し、正常のＴＦＴ特性に合ったカソード電流がＥＬ素子に流れるように調整する。このような補正により、単純なΔＶthのシフト補正だけの場合にＴＦＴ特性の傾きの違いに起因して生ずる低階調側の白うき（高階調側へのずれ）等を、確実に防止する。
【００７３】
以上のようにして二次元表示ムラ補正が施された映像信号（表示データ信号）は、デジタルアナログ（ＤＡ）変換部２６０に供給され、ここで各画素に供給するためのアナログ表示データ信号に変換される。このアナログ表示データ信号は、表示部の対応するデータライン１２に出力すべきデータであり、パネル１００に設けられたビデオ線に出力され、Ｖドライバ２２０Ｖの制御に従って対応するデータライン１２に供給される。なお、ばらつき補正部２６０は、信号処理部２３０から供給されるデータ信号から消費電力を推測し、ＥＬパネル１００のピーク電流を最適制御するためのＡＣＬ信号を発生し、ＤＡ変換部２６０に供給している。これにより、パネル１００での過大な消費電流の発生が抑制される。
【００７４】
［メモリへの記憶データビット数の制御］
次に、メモリ３７０に記憶するデジタルデータのビット数について説明する。図４に示す例では、映像信号から作成され、二次元ばらつき補正が施されてＤ／Ａ変換部２６０に供給されるデジタル表示データ信号は、Ｒ，Ｇ，Ｂのそれぞれについてビット数Ｎ（ここでは９ビット）である。一方、メモリ３７０に記憶される各画素についてのデジタルデータのビット数は、Ｎ−１以下に設定されている（ここでは８ビット）。ここで、このメモリ３７０に記憶するデジタルデータのビット数Ｎ−１としては、以下のような設定例がある。
【００７５】
（設定例１）
設定例１では、検査用信号として検査用オン信号、検査用オフ信号を供給し、演算部３６０で得られるオンオフ電流差信号のビット数をＮ−１とし、これをメモリ３７０に記憶する。ここで、図６は、各画素に供給されるデータ信号Ｖsigに対して得られるカソード電流（カソード電流検出信号Ｖｌcvとして）の特性であり、本設定例１ではこの図６の特性を考慮している。また、図７は、設定例１に係る処理を実行するための駆動回路２００の要部を示している。
【００７６】
ＥＬ素子１８に駆動電流を供給する素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値Ｖｔｈがばらつくと、得られるカソード電流Ｉｃｖ（Ｉｏｌｅｄ）の値にも差を生ずる。上記のように、本実施形態ではそのばらつきを補正するが、ばらつきが許容範囲を超える場合、表示データ信号を最大限シフトさせても補正できない。つまり、ばらつきの許容範囲がオン電流検出信号及びオフ電流検出信号の変動範囲（変動許容範囲）とすることができる。
【００７７】
設定例１は、このオン電流検出信号及びオフ電流検出信号の変動範囲を考慮してメモリ３７０に記憶するオンオフ電流差信号のビット数を決定している。つまり、オンオフ電流差信号の取り得る範囲に応じて、Ｎビットのうち、最上位ビット（ＭＳＢ：Most Significant Bit）以外の変動しうるＮ−１ビット目以下のビット位置のデータを、オンオフ電流差信号として記憶する。
【００７８】
図６に示す例では、検査用オン信号を供給した際に得られるオン電流検出信号（発光（白）検出信号：Ｖｗ）の変動許容範囲と、検査用オフ信号を供給した際に得られるオフ電流検出信号（非発光（黒）検出信号：Ｖｂ）の変動許容範囲がそれぞれ２N−１レベルの内の２N-2の範囲である。この場合、ＥＬ素子の電流電圧特性上、Ｖｗは常にＶｂより大きいから、そのオンオフ電流差信号Ｖ（ΔＩｃｖ）（＝Ｖｗ−Ｖｂ）は、２(N-1)〜２N−１の範囲で変化する。つまり、Ｖｗ−Ｖｂの変動範囲は、Ｎビットの内の下位Ｎ−１ビットのみとなる（Ｖｗ−Ｖｂ−２(N-1)＝０〜２(N-1)−１）。つまりオン電流検出信号及びオフ電流検出信号の下位Ｎ−１だけを減算処理することで正確な値を求めることができる。
【００７９】
そこで、Ａ／Ｄ変換部３４０では、電流検出アンプ３３２から供給されるオン電流検出信号及びオフ電流検出信号を、それぞれ対応するＮビットのデジタルデータに変換するが、Ｎビットの内、変動する下位のＮ−１ビットだけを、対応する信号Ｖｗ、Ｖｂとして出力する。
【００８０】
Ａ／Ｄ変換部３４０から出力されたオン電流検出信号、オフ電流検出信号の各下位Ｎ−１ビット信号Ｖｗ、Ｖｂは、それらデータの供給タイミングに合わせて切替制御されるスイッチＳＷ１，ＳＷ２を介し、対応するＶｗラッチ３５２、Ｖｂラッチ３５４に供給され、次に新しいデータが供給されるまで保持される。
【００８１】
演算部３６０は、下位Ｎ−１ビットのデジタルオン電流検出信号Ｖｗ、デジタルオフ電流検出信号Ｖｂの差分を求め、Ｎ−１ビットのデジタルオンオフ電流差信号を得る。メモリ３７０には、このＮ−１ビットのデジタルオンオフ電流差信号が記憶され、補正データ作成部３７０は、このＮ−１ビットのデジタルオンオフ電流差信号を利用して上述のような演算によって補正データを作成する。
【００８２】
作成される補正データは、Ｎ−１ビットで表すことも可能であるし、メモリ３７０から読み出したオンオフ電流差信号の最上位ビットの値が既知（固定）であるから、読み出したオンオフ電流差信号の最上位ビットのデータを自動的に付加してＮビットのオンオフ電流差信号として補正データ作成部３７０に供給しても良い。したがって、ばらつき補正部２５０では、映像信号から作成し画素毎に表示内容に応じて供給されるＮビットのデジタル表示データ信号に対し、Ｎ−１ビットの補正データ又はＮビットの補正データを利用し、上記のような演算によって二次元ばらつき補正を行う。
【００８３】
以上、設定例１のようにオン電流検出信号及びオフ電流検出信号の変動範囲に応じてメモリ３７０に記憶するオンオフ電流差信号のビット数を削減することで、このオンオフ電流差信号の精度を損なうことなく記憶データ量を削減することが可能となる。なお、オン電流検出信号、オフ電流検出信号の変動範囲が２(N-2)よりも小さい場合、メモリ３７０への記憶ビット数をＮ−１未満とすることも可能である。
【００８４】
また、Ａ／Ｄ変換部３４０からはそれぞれＮビットのオン電流検出信号及びオフ電流検出信号を出力し、ラッチ回路３５０がそれらＮビットの信号を保持し、演算部３６０が、オンオフ電流差信号のＮビット中、最上位ビットを省略し、変動しうる下位Ｎ−１ビットのみを求め、得られたＮ−１ビットのオンオフ電流差信号をメモリ３７０に記憶しても良い。
【００８５】
（設定例２）
上記設定例２では、オンオフ電流差信号の変動範囲に応じて、表示データ信号のＮビットのうちの変動しうる下位ビットのみをメモリ３７０に記憶する。オン電流検出信号Ｖｗの基準値（取り得る最大値）、オフ電流検出信号Ｖｂの基準値（取り得る最小値）が、表示データ信号の最大値（２N−１）に対し、図８に示すように設定される場合、Ｖｗ＞Ｖｂは常に維持されるから、オンオフ電流差信号の取り得る範囲（変動許容範囲）は、０〜２(N-1)−１となる。即ち、オン電流検出信号Ｖｗの基準値が表示データ信号の最大値（２N−１）に対して、２(N-2)だけ低い値であり、オフ電流検出信号の基準値が０よりも、２(N-2)だけ大きい値である場合、その差分であるオンオフ電流差信号は、Ｎ−１ビットで表すことができる。
【００８６】
設定例２では、このようなオンオフ電流差信号の変動範囲を考慮して、ビット数Ｎ−１以下のデジタルオンオフ電流差信号をメモリ３７０に記憶する。上記例において、図８よりもＶｗの基準値が低く、Ｖｂの基準値が高ければ、オンオフ電流差信号は、Ｎビット中のＮ−２ビット目以下の位置しか変動しない場合もあり、この倍は、メモリ３７０にオンオフ電流差信号として変動するＮ−２ビット目以下の下位ビットのみを記憶すればよく、一層の記憶容量の削減を図ることが可能となる。
【００８７】
Ａ／Ｄ変換部３４０からはＮビットのオン電流検出信号、オフ電流検出信号をそれぞれ出力し、演算部３６０からは演算結果として、Ｎビットの内の下位Ｎ−１ビット以下のオンオフ電流差信号を出力し、メモリ３７０に記憶することができる。Ａ／Ｄ変換部３４０から出力するオン電流検出信号及びオフ電流検出信号を、それぞれＮビットの内の下位Ｎ−１ビット以下とし、演算部３６０でＮ−１ビットのオンオフ電流差信号を求め、これをメモリ３７０に記憶させても良い。
【００８８】
（設定例３）
設定例３では、オン電流検出信号Ｖｗ、オフ電流検出信号Ｖｂの精度に応じ、メモリ３７０に記憶するオンオフ電流差信号のビット数を削減する。例えば、オン電流検出信号Ｖｗ及びオフ電流検出信号Ｖｂの精度が１／２である場合、最下位ビット：ＬＳＢ（Least Significant Bit）は、無視することができる。そこで、この場合、Ａ／Ｄ変換部３４０は、得られたオン電流検出信号及びオフ電流検出信号の最下位ビットを省略し、映像信号から得るデジタル表示データ信号のビット数Ｎに対し、最下位ビットを含まない上位のビットのみをそれぞれＮ−１ビットのオン電流検出信号及びオフ電流検出信号として出力する。なお、Ａ／Ｄ変換器３４０として、供給されるアナログデータ（オン及びオフカソード電流）をＮ−１ビットのデジタルデータ（オン電流検出信号及びオフ電流検出信号）に変換するＮ−１ビット変換器を採用しても良い。
【００８９】
（設定例４）
設定例４では、オフ電流検出信号の変動範囲がオン電流検出信号よりも狭い、つまり、オン電流検出信号と比較するとその値の変化が小さいことを利用し、オフ電流検出信号の更新周期をオン電流検出信号よりも長くするか、このオフ電流検出信号として、固定値を採用する。但し、固定値は、カソード電流検出部３３０に用いた電流検出アンプ３３２の特性を考慮して決定する。
【００９０】
図９は、設定例４の動作を実行する駆動回路の構成の一例を示している。図７に示す構成と相違する点はラッチ回路３５０である。オン電流検出信号Ｖｗを保持するラッチ回路３５２は図７と共通するが、オン電流検出信号と前後して得られるオフ電流差信号について得られる度には、Ｖｂ設定部３５４に設定しない。オフ電流検出信号Ｖｂを設定するタイミングは、例えばＶｂ設定部３５４とＡ／Ｄ変換器３４０との間に設けたスイッチＳＷ２の開タイミング制御して所定の複数画素への検査用信号の供給毎とすることなどによって実行できる。具体的には、所定行毎に１回、所定列毎に１回というように、想定されるオフ電流検出信号の特性変動の顕在化する長さに応じて供給周期を設定することができる。
【００９１】
また、表示装置の出荷前など、予めこのオフ電流検出信号を求め、固定値としてＶｂ設定部３５４に設定してもよい。但し、オフ電流検出信号についても素子駆動Ｔｒ２の特性の経時変化の影響を多少とも受けるので、所定の周期（例えば、装置電源投入毎、１日毎、１ヶ月毎など）で、オフ電流検出信号を更新することにより、ばらつき補正精度の維持の観点に有利である。
【００９２】
なお、カソード電極を列毎に分割して、複数の列で１つの共通の電流検出部３３０を用いて電流検出を実行する場合、オン電流検出特性とオフ電流特性の両方が、電流検出アンプ３３２毎にばらつく可能性がある。そこで、Ｖｂ設定部３５４に対し、周期的にオフ電流検出信号を更新する場合にも、初期値を固定的に設定する場合にも、上述のように、対応する電流検出アンプ３３２毎に得られたオフ電流検出信号を設定することが好適である。
【００９３】
［駆動方式］
次に、カソード電流の検査を実行する表示装置の駆動方法について説明する。以下の駆動方法では、検査行の画素に対し、検査用表示信号Ｖｓｉｇとして、検査用オン表示信号（ＥＬ発光）と検査用オフ表示信号（ＥＬ非発光）とを連続して印加する高速検査方式を採用した場合を例に説明する。なお、検査用のオン表示信号とオフ表示信号の順番は特に限定されないが、以下の例では、オフ、オンの順番としている。
【００９４】
（駆動方式１）
駆動方式１では、上述のようにカソード電極を全画素共通とし、水平ブランキング期間中にカソード電流の検出を実行する。ＥＬパネル１００として、ｙ行ｘ列のマトリクスのパネルを最少した場合を例に、図１０に示す駆動方式１におけるタイミングチャートを参照して以下説明する。
【００９５】
駆動方式１では、１水平ブランキング期間中に所定の１行のｋ列の画素に検査用信号を供給し、１フレーム期間かけてｋ列について全行（ｎ行）の画素の検査を行い、さらにこれをｙ回繰り返すことで全画素についてのカソード電流の検出を行う。
【００９６】
水平スタート信号ＳＴＨは、１水平走査（１Ｈ）期間の開始を示しており、図１０に示すようにｎ行目のＳＴＨの立ち上がりから次行（ｎ＋１）目のＳＴＨの立ち上がりまでがｎ行目の１Ｈ期間である。１Ｈ期間の最後には、水平（Ｈ）ブランキング期間が設けられ、ｎ行目のＳＴＨの立ち上がりからＨブランキング期間開始までの間には、通常通りｎ行目の全画素が選択され、各画素に表示データＶｓｉｇが書き込まれ、データに応じてＥＬ素子が発光して表示が行われる。なお、ＥＬ素子の発光は、基本的に、次のフレームで同じ画素に次フレームのデータ信号が書き込まれるまで維持される。
【００９７】
本方式では、このｎ行目の１Ｈ期間のＨブランキングにおいて、所定の１列（ｋ列目）の画素に、データライン１２から検査用信号（検査用オフ・オン表示信号）Ｖｓｉｇが供給される。
【００９８】
検査用信号は上述のように対応する画素の素子駆動Ｔｒ２を飽和領域で動作させ、かつＥＬ素子を非発光状態及び発光状態とするための所定の振幅の信号であり、カソード電極ＣＶからは図１０のカソード電流Ｉｃｖに示されるような電流が得られ、カソード電流検出部３３０がオンカソード電流、オフカソード電流を検出し、演算部３６０で差を求めることでオンオフ電流差信号Ｖ（ΔＩｃｖ）を得る。
【００９９】
本方式では、カソード電流検出部３３０がカソード電流を検出した後、測定対象画素についてこの画素に測定直前まで保持されていたデータ信号Ｖｓｉｇを再度書き込む。これは、１Ｈブランキング期間にｎ行目のｋ列画素に対して検査用信号を書き込むことで、この画素への通常の書き込みデータＶｓｉｇが失われるため、そのままでは、ｎ行目の１Ｈ期間の後、次のフレームでこのｎ行ｋ列目の画素に新たなデータ信号Ｖｓｉｇが書き込まれるまでの表示ができなくなってしまうためである。
【０１００】
ここで、行毎に設けられている容量ライン１４（ＳＣ）の電位は、ブランキング期間中におけるカソード電流検出を妨げないように、ブラキング期間中、素子駆動Ｔｒ２のゲートソース電圧｜Ｖｇ−ＰＶＤＤ｜が、その動作しきい値｜Ｖｔｈ｜を超えないように設定する。つまり、素子駆動Ｔｒ２を自発的に動作しない非動作レベルとする第１電位に固定する。これにより、素子駆動Ｔｒ２に接続されたＥＬ素子１８は非点灯で、カソード電流は発生しない。
【０１０１】
図１のように、素子駆動Ｔｒ２としてｐ−ｃｈ型ＴＦＴが採用されている場合、上記第１電位は所定のＨｉｇｈレベル（例えば、ＰＶＤＤと同レベル、又は、ゲートライン１０のＨｉｇｈレベル）とする。
【０１０２】
なお、以上では、容量ライン１４の第１電位について素子駆動Ｔｒ２の「非動作レベル」と説明しているが、データライン１２から選択Ｔｒ１を介して検査用オン信号が素子駆動Ｔｒ２のゲートに供給された際、この素子駆動Ｔｒ２のゲートには保持容量Ｃｓが接続されているから、そのゲート電位Ｖｇは、検査用オン信号の電位と、上記容量ライン１４［ｎ］の第１電位によって固定された所定ゲート電位との電位差分だけ変動する。よって、検査用オン信号によって素子駆動Ｔｒ２のゲート電位をそのソース電位（ＰＶＤＤ）より十分低くなるようにすると（Ｔｒ２がｐ−ｃｈ型の場合）、素子駆動Ｔｒ２は検査用オン信号に応じてＥＬ素子に対応する電流を供給することができる。
【０１０３】
容量ライン１４のレベルは、Ｈブランキング期間において、全行について同様に素子駆動Ｔｒ２の非動作レベルとすることもできる。しかし、本方式では、検査行であるｎ行の容量ライン１４［ｎ］については、データ信号の再書き込み期間において、その電位を通常書き込み時と同じ第２電位（ここではＬｏｗレベル：一例としてＧＮＤ）に変更し、再書き込みをより確実に行っている。
【０１０４】
また、後述する図１２のように電源ライン１６（ＰＶＤＤ）を行毎に形成し、行毎にその電位を制御可能な回路構成を採用した場合には、図１０のように、検査対象であるｎ行目の電源ライン１６［ｎ］（ＰＶＤＤｎ）について、対応するＨブランキング期間中のデータ信号再書き込み期間中に所定のＬｏｗレベルに変更することも可能である。検査用信号の書き込み後、この行のＰＶＤＤ電位をＬｏｗレベルとすることで、データ信号再書き込み期間中に、データ信号の書き込みはするが、そのＥＬ素子を非点灯とすることができ、検査の対象でない全画素はＨブランキング期間中に非点灯であるのに、検査対象の画素（列）が発光し、検査対象でない画素よりも、その発光期間の分だけ明るく視認されることを防止することができる。
【０１０５】
なお、容量ライン１４と電源ライン１６（ＰＶＤＤ）の電位を上記のように検査行について制御する場合において、少なくともデータ信号の再書き込み期間中には容量ライン１４の電位を固定しておくことが好適である。容量ライン１４の第１電位から通常の第２電位への変更タイミングは、再書き込み開始前とする。電源ラインの電位の変更は、上述の通り、通常電位から低電位へ変更することで検査用信号の供給によるＥＬ素子の発光を停止させる効果を持つため、表示には無関係な発光期間を短縮する観点からは、やはり再書き込み開始前とすることが好適であるが、再書き込み開始後とすることもできる。
【０１０６】
以上、駆動方式１によれば、既に説明したように、ＶＧＡパネルの場合に、１１秒弱で全画素についてのカソード電流（ΔＩｃｖ）を検出することができる。
【０１０７】
（駆動方式２）
図１１は、駆動方式２に係るタイミングチャートを示している。駆動方式２では、カソード電極が各画素共通で、１垂直ブランキング期間中に１検査行に属する全画素に対するカソード電流検出を実行する。
【０１０８】
図１１において、垂直スタート信号ＳＴＶは、１垂直走査（１Ｖ）期間の開始を示しており、ｎフレーム目の１Ｖ期間は、ｎ回目のＳＴＶの立ち上がりからｎ＋１回目のＳＴＶの立ち上がりまでである。１Ｖ期間の最後には、垂直（Ｖ）ブランキング期間が設けられている。
【０１０９】
ＳＴＶの立ち上がりからＶブランキング開始までの間には、通常通りｙ行ｘ列のパネルの全画素が選択され、各画素に表示データ信号Ｖｓｉｇが書き込まれ、そのデータ信号に応じてＥＬ素子が発光して表示が行われる。
【０１１０】
本方式２では、１Ｖブランキング期間の開始からｎ行目の全画素を選択し、ｎ行目の全画素（１列目〜ｘ列目）に対し、データライン１２から、順次、検査用信号（オンオフ表示信号）Ｖｓｉｇを供給し、各列選択期間（該当列への検査用信号供給期間）におけるカソード電流検出信号（Ｖ（ΔＩｃｖ））を順次得る。全列についての検査用信号の書き込みが終了すると、ブランキング期間の終了までの間に、ｎ行目の全列画素に対し、検査前まで各画素に書き込まれていた表示データ信号を再書き込みする。なお、データライン１２が列毎に設けられているので、ｎ行目の全列の画素に対し、同時にそれぞれ表示データ信号を書き込むことが可能である。
【０１１１】
また、Ｖブランキング期間には、上記方式１のＨブランキング期間と同様、全行の容量ライン１４を素子駆動Ｔｒ２の非動作電位に相当する第１電位とし、検査行の容量ライン１４［ｎ］についてのみ、検査ブランキング期間の再書き込み期間には、書き込みを容易とするため、第２電位とすることが好適である。
【０１１２】
また、方式１と同様に、電源ライン１６（ＰＶＤＤ）を行毎に設けた場合には、図１１に例示するように検査行の電源ラインＰＶＤＤｎを、データ信号の再書き込み期間中のみ所定のＬｏｗレベルに変更する制御をしても良い。検査用信号の書き込み後、検査行ｎの電源ラインＰＶＤＤｎの電位をＬｏｗレベルとすることで、検査用信号の供給によるＥＬ素子の瞬間的な発光期間をより短時間に抑えることができるからである。
【０１１３】
以上の駆動方式２によれば、既に説明したように、ＶＧＡパネルの場合に、約８秒で全画素についてのカソード電流（Ｖ（ΔＩｃｖ））を検出することができる。
【０１１４】
（駆動方式３）
次に、図１２及び図１３を参照して駆動方式３について説明する。本方式では、図１２に示すパネル構成例のように、カソード電極を列毎に分割しており、カソード電極ラインＣＶＬがＣＶＬ［１］〜ＣＶＬ［ｘ］だけ設けられている。また、カソード電流の検出は、図１３に示すように、ｎ回目の１垂直走査期間の１Ｖブランキング期間に、１検査行（ｎ行目）を選択し、このｎ行目の全画素（１列目〜ｘ列目の画素）について、上記列毎のカソード電極ラインＣＶＬを利用して、同時にそれぞれのカソード電流（Ｖ（ΔＩｃｖ））を検出する。
【０１１５】
検査用信号書き込み期間の終了後、上記駆動方式２と同様に、対応するＶブランキング期間の終了までの間に、ｎ行目の全画素に対し、それぞれ検査用信号が供給される前に書き込まれていた表示データ信号の書き込みを行う。
【０１１６】
また、上記方式２と同様に、容量ライン１４の電位制御、及び、電源ライン１６（ＰＶＤＤ）を行毎に設けた場合の電源電位制御については、これを実行することが好適である。つまり、容量ライン１４については、Ｖブランキング期間中は第１電位（素子駆動Ｔｒ２の非動作電位）とし、検査行の容量ライン１４［ｎ］のみ、その検査時のＶブランキング期間のデータ信号再書き込み時に第２電位とする。電源ラインについては、検査行の電源ラインＰＶＤＤｎについてのみ、上記データ信号再書き込み期間中に所定Ｌｏｗレベルとして検査用信号の供給によるＥＬ素子の発光を停止させる。また、容量ライン１４［ｎ］と電源ラインＰＶＤＤｎの電位変化タイミング、特に容量ライン１４［ｎ］の電位変化は、データ信号再書き込み期間中には行わないようにする。
【０１１７】
以上の駆動方式３によれば、１Ｖ期間に１行分のカソード電流検出が実行でき、上述のように約８秒間で全画素についてのカソード電流検出を実行することができる。なお、本方式では、カソード電極を列毎に分割しているため、駆動方式２と異なり、１列当たりの検査期間は、データ信号再書き込み期間以外を全て用いることができ、各データライン１２に検査用信号を出力するための駆動回路の負荷や、電力消費を削減することができる。
【０１１８】
ここで、本方式で分割したカソード電極ラインＣＶＬ［１］〜ＣＶＬ［ｘ］は、図１２に示すように、それぞれ個別に、ＣＯＧ（Chip On Glass）方式でパネル基板上に搭載された集積化駆動回路（駆動部）２００に接続されている。この駆動部２００では、例えば、図４に示したような電流検出アンプ３３２を、各カソード電極ラインＣＶＬ［１］〜ＣＶＬ［ｘ］に１対１で設けることにより、全カソード電極ライン（全列）について同時に、カソード電流を検出することができる。
【０１１９】
また、１つの電流検出アンプ３３２を複数ライン（例えば１０ライン）に対応付けることにより、電流検出アンプ数の削減を図ることもでき、アンプ数を削減することで、駆動部の面積削減に貢献することが可能となる。このように複数電源ライン毎に１つの電流検出アンプ３３２を設けた場合、１アンプに対応付けた電源ライン数（例えば１０）だけ、１行に対する画素のカソード電流検出処理を繰り返すことで、図１３の動作を実行する駆動部と同じドライバ構成により検査を実行することができる。
【０１２０】
もちろん、１Ｖブランキング期間の検出信号書き込み期間を、１アンプに対する電源ライン数に応じて分割し、１アンプで、対応付けた各電源ラインＣＶＬからのカソード電流を順次検出することで、図１３と同様の期間で全画素についてのカソード電流検出を実行することができる。
【０１２１】
なお、図１２の駆動部２００は、カソード電極ラインＣＶＬからのカソード電極の個別検出を行うだけではなく、上述の図３及び図４に示したような機能を備えており、表示部の駆動、ばらつき検出、ばらつき補正等を実行する。さらに、図３に示す駆動部２００内のドライバ２２０については（図１２では示していないが）、その機能の一部又は全てを、図１２のＣＯＧとは別に、Ｈドライバ、Ｖドライバとして、表示部の画素回路と同様にパネル基板上に内蔵形成することも可能である（図１参照）。
【０１２２】
さらに、既に説明したが、このようなカソード電極ラインを列毎に設ける駆動方式３は、１水平走査期間内の水平ブランキング期間内にカソード電流検出を実行する方法に採用することも可能である。
【０１２３】
図１４は、上記駆動方式３を実現可能な画素回路の概略回路構成図を示している。図１に示す回路構成と相違する点は、電源ライン１６（ＰＶＤＤ）が、列方向ではなく行方向に、行毎に設けられていること、カソード電極ラインＣＶＬが列毎に設けられていることである。なお、カソード電極ラインＣＶＬは、ＥＬパネル１００において、カソード電極が上部電極、アノード電極が下部電極として構成されている場合には、ＥＬ層の上に形成するカソード電極を、列毎に分離した形状に形成することで実現することができる。なお、駆動方式１及び２においても、説明したように電源ライン１６（ＰＶＤＤ）の電位を行毎に制御する場合には、図１４のように電源ライン１６を行方向に形成する。
【０１２４】
［電流検出アンプ］
次に、電流検出アンプ３３２の構成例について説明する。図４に示す電流検出アンプ３３２に代えて、図１５に示すようなアンプを採用することによってもカソード電流を検出することができる。図１５のアンプは、いわゆるインスツルメンテーション・アンプ型の構成を有しており、３つのオペアンプＡ１、Ａ２、Ａ３を備える。オペアンプＡ１とＡ２とによって差動回路が構成され、オペアンプＡ３がオペアンプＡ１、Ａ２の差動出力を増幅する差動増幅回路として機能している。このようなインスツルメンテーションアンプを電流検出アンプに用いることで、ノイズの影響を受けに難く、カソード電流を高い精度で検出することが容易となる。
【０１２５】
オペアンプＡ１、Ａ２の出力端Ｐ１、Ｐ２の間には抵抗Ｒ２，Ｒ１，Ｒ３が直列に接続され、抵抗Ｒ２とＲ１の接続点がアンプＡ１の負入力端子に接続されている。また、抵抗Ｒ３とＲ１の接続点はオペアンプＡ２の負入力端子に接続されている。
【０１２６】
一方、オペアンプＡ１，Ａ２の正入力端子の間には、電流検出抵抗Ｒ０が接続され、オペアンプＡ１の正入力端子にはカソード電流Ｉｃｖが供給される。また、オペアンプＡ２の正入力端子には入力信号Ｖｉ２として負電源電圧ＶＥＥが供給されている。オペアンプＡ１の正入力端子への入力信号Ｖｉ１（Ｖｉｎ）は、カソード電流Ｉｃｖが電流検出抵抗Ｒ０に流れて生ずる電圧（Ｉｃｖ・Ｒ０）と、負電源電圧ＶＥＥに応じた値となり、ＶＥＥ＋Ｉｃｖ＊Ｒ０で表される。
【０１２７】
オペアンプＡ１の出力をＶｏ１、オペアンプＡ２の出力をＶｏ２で表すと、
【数３】
2008242323.tif 000005
上記式（３），（４）で示される。
この２つの出力の差が差動回路部の出力であり、
【数４】
2008242323.tif 000006
上記式（５）で表される。
【０１２８】
ここで、オペアンプＡ３の負入力端子側に接続された抵抗Ｒ６と、正入力端子側に接続された抵抗Ｒ４の抵抗値は等しく、オペアンプＡ３の負帰還路に設けられた抵抗Ｒ７と、接地（ＧＮＤ）と、オペアンプＡ３の正入力端子との間に設けられた抵抗Ｒ５との抵抗値が等しい。このようなオペアンプＡ３からの出力Ｖｏは、接地電位に対して、下記式（６）
【数５】
2008242323.tif 000007
で表される。
【０１２９】
図１５に示す例では、インスツルメンテーションアンプのオペアンプＡ２の正入力端子への入力信号として、上記の通り負電源電圧ＶＥＥを供給している。ＥＬパネルを素子駆動Ｔｒ２が飽和状態で動作する条件（通常表示動作に等しい条件）で、カソード電流を正確に検出することを目的とした場合、カソード電源は０Ｖよりも低い電位で、例えば−３Ｖ等に設定されるため、そのような電位におけるカソード電流を検出するには、比較用の入力信号Ｖｏ２として、同程度の電位（−３Ｖ等）の負電源ＶＥＥが必要となる。また、各オペアンプＡ１〜Ａ３の動作電源としては、正動作電源Ｖｄｄ、負動作電源Ｖｅｅが必要で、その内の負動作電源Ｖｅｅには、ＶＥＥより低い電圧が必要となり、Ｖｄｄ、Ｖｅｅは、例えば±１５Ｖが採用される。
【０１３０】
ＥＬパネル１００等を用いる表示装置において、大きな負電源が必要な場合、ＩＣが電源として使用する比較的小さな負電圧（例えば−１Ｖ）程度から、チャージポンプ回路やスイッチングレギュレータ回路などを利用して、大きな負電源を作成することが通常である。しかし、チャージポンプ回路などによって作成した負電源ＶＥＥ、Ｖｅｅには、リップル成分が重畳されることが多い。一方、本発明の各実施形態において、検出するカソード電流は微少であるため、高感度の電流検出アンプの基準電源として上記のような負電源ＶＥＥ、Ｖｅｅを採用する場合、検出結果に負電源のリップルなどのノイズが影響を及ぼす可能性がある。
【０１３１】
これに対し、図１５のような構成のインスツルメンテーションアンプの出力は、各オペアンプの電源Ｖｄｄ、Ｖｅｅに影響を受け難い。また、オペアンプＡ１への入力信号Ｖｉｎは、上記の通り、ＶＥＥ＋Ｉｃｖ＊Ｒ０で表され、出力信号Ｖｏは上記（６）で示されるから、最終的な出力信号Ｖｏから負電源電圧ＶＥＥがキャンセルされる。したがって、電流検査を通常表示と同様の電源条件で実施しても、電流検出アンプとして図１５に示すような構成のインスツルメンテーションアンプを採用することでノイズの重畳を受けずに微弱なカソード電流を精度良く検出することができる。
【０１３２】
なお、負電源電圧ＶＥＥは、カソード電源電圧Ｖｃｖと同程度の電圧であることが好適で、電流検査時に駆動電源ＰＶＤＤとして通常動作時と同一の駆動電源ＰＶＤＤを採用する場合には、ＶＥＥ及びＶｃｖは例えば−３Ｖ程度の電位とする。
【０１３３】
一方、電流検出時にＰＶＤＤの電位を通常動作時よりΔＶだけ高く設定する場合には、カソード電源電圧Ｖｃｖ及び負電源電圧ＶＥＥもΔＶだけ高くすることができ、０Ｖ（ＧＮＤ）程度の電位を採用することができる。この場合、アンプＡ１〜Ａ３の駆動電源Ｖｄｄ、Ｖｅｅとしても、少なくともΔＶ小さい電圧（例えば±１０、又は±５Ｖ程度）を採用することが可能となる。このためチャージポンプ回路などの影響をより受けにくくなり、また、電流検出アンプでの電力消費を低減することが可能となる。さらに、ＥＬ素子のＥＬ材料のＩＶ特性が十分に急峻であれば、小さい電圧振幅差で所望の所望の電流Ｉｃｖが得られる。よって、この場合にもインスツルメンテーションアンプの電源電圧範囲を小さく設定でき、低消費電力化、ＧＮＤ電位を用いることによる検出精度の正確性の向上などを実現することができる。
【０１３４】
［その他］
なお、以上において説明した各方式、構成においては、リアルタイムで各画素のカソード電流検出を行う場合について説明したが、この電流検出と補正処理は、表示装置の起動時においても実行しても良いし、もちろん、工場出荷時に各画素のカソード電流（オンオフ電流差ΔＩｃｖ）を測定して、予め補正データを記憶しておき、随時更新する又は特性の経時変化を検出しながらリアルタイムで補正をしても良い。特に、本実施形態では、工場出荷時において測定したカソード電流検出データ（初期データ）は、不揮発性メモリに記憶しておくことにより、工場の出荷後、電源起動と共に、この初期データを用いて補正をすることができる。
【０１３５】
さらに、以上において説明したばらつき補正部２５０における補正に関しては、最終的に表示ばらつきの生ずる画素に供給するデータ信号が、適切なレベルに調整され、ＥＬ素子の発光輝度が補正されれば、その演算処理や補正処理方法は、特に限定されない。
【０１３６】
また、以上に説明したばらつき検出部３００は、パネル制御部２１０と共に集積化することにより、非常に小型の駆動部によって、表示ばらつきの検出及び補正及び表示部の制御（表示）を実行可能な表示装置を提供することができる。さらに、ばらつき検出部３００内の構成、例えばＡ／Ｄ変換部、ラッチ回路、演算部、メモリ等について、これらをパネル制御部２１０の回路に兼用させることも可能であり、兼用により駆動部２００をＩＣ化した場合、このＩＣチップサイズを低減することに寄与できる。
【０１３７】
ここで、上記駆動方法１〜３のような手法によって全画素についての補正データを作成するには、一例として１０秒程度かそれ以上の時間を要する。このため、装置電源投入時、常時、最上行の画素から順にカソード電流の検出を実行すると、１回の走査時間の短い表示装置などにおいては、特に検査時間が長くなるほど、上部領域の画素に対するカソード電流検出が繰り返し行われることになる。
【０１３８】
そこで、図３に示す検査制御部３１０等が、装置電源の停止前に、検査用信号の供給及びカソード電流の検出を最後に実行した画素アドレスを記憶し、または常時検査を実行する画素アドレスを管理し、次に装置電源が投入された際には、前回の最後の画の次の画素から検査を実行するように制御してもよい。この際、メモリ３７０へのデータの書き込み（データ更新）は、電源停止直前に書き込んだ画素アドレスの次の画素アドレスに相当するデータを対象とする。このような検査対象の制御及びメモリの書き込み制御は、一例として、Ｈブランキング期間毎に検査をする場合には水平スタート信号ＳＴＨ、垂直スタート信号ＳＴＶをカウンタがカウントすることにより、或いは、上述のような上記スタート信号ＳＴＨ、ＳＴＶなどから作成するフレームスタート信号ＳＴＦをカウントし、最新の検査対象、最新の補正データを得た画素アドレスを把握することができる。もちろん、検査対象の画素アドレス、メモリへの書き込みアドレスの制御をカウンタ以外の方法によって制御してもよい。
【０１３９】
さらに、電源投入時における検査対象の画素については、直前の電源停止時において検査対象画素がパネルのマトリクスの行の途中であった場合、次の電源投入時において、途中となった行の先頭画素（先頭列）から検査を実行してもよい。なお、電源投入後における検査対象を電源投入前の続きの画素アドレスから実行する場合の構成は、表示パネル１００上に画素回路と共に内蔵するＶドライバ２１０Ｖの一部として実現することができる。ただし、このような機能を実現するには回路の規模が大きくなるため、集積回路上にＶドライバ２１０Ｖ及び上記制御信号発生回路を形成し、パネル上にＣＯＧ方法などによって搭載することが好適である。この場合の集積回路は、図３の駆動回路２００に示す構成を全て作り込むことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４０】
【図１】本発明の実施形態に係るＥＬ表示装置の概略回路構成の一例を説明する等価回路図である。
【図２】本発明の実施形態に係る素子駆動トランジスタの特性ばらつき測定原理を説明する図である。
【図３】本発明の実施形態に係る表示ばらつき補正機能を備えたＥＬ表示装置の構成例を示す図である。
【図４】図３の駆動部のより具体的な構成の一部を示す図である。
【図５】素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値のずれとそのずれの補正方法について説明する図である。
【図６】本発明の実施形態に係るメモリに記憶するオンオフ電流差信号のビット数削減のための設定例１の方法を説明するための図である。
【図７】本発明の実施形態に係る設定例１を実現する駆動部の構成例の一部を示す図である。
【図８】本発明の実施形態に係るメモリに記憶するオンオフ電流差信号のビット数削減のための設定例２の方法を説明するための図である。
【図９】本発明の実施形態に係る設定例４を実現する駆動部の構成例の一部を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る駆動方式１を説明するタイミングチャートである。
【図１１】本発明の実施形態に係る駆動方式２を説明するタイミングチャートである。
【図１２】本発明の実施形態に係る駆動方式３を実行するパネルの概略構成を説明する図である。
【図１３】本発明の実施形態に係る駆動方式３を説明するタイミングチャートである。
【図１４】本発明の実施形態に係るＥＬ表示装置の概略回路構成の図１とは別の例を説明する概略回路図である。
【図１５】本発明の実施形態に係る電流検出アンプの例を示す図である。
【符号の説明】
【０１４１】
１００  ＥＬパネル、２００  駆動部（パネル駆動装置）、２２０  ドライバ、２２２  検査用制御信号発生回路、２３０  信号処理部、２４０  タイミング信号作成（Ｔ／Ｃ）部、２５０  ばらつき補正部、２８０  補正パラメータ設定部（補正値記憶部）、３００  ばらつき検出部、３１０  検査制御部、３２０  検査用信号発生回路、３３０  カソード（ＣＶ）電流検出部、３３２  電流検出アンプ、３４０  Ａ／Ｄ変換部、３５０  ラッチ回路、３５２  Ｖｗラッチ回路、３５４  Ｖｂラッチ回路、３５６  Ｖｂ設定部、３６０  演算部、３７０  メモリ、３８０  補正データ作成部。
【図１】
2008242323.tif 000008
【図２】
2008242323.tif 000009
【図３】
2008242323.tif 000010
【図４】
2008242323.tif 000011
【図５】
2008242323.tif 000012
【図６】
2008242323.tif 000013
【図７】
2008242323.tif 000014
【図８】
2008242323.tif 000015
【図９】
2008242323.tif 000016
【図１０】
2008242323.tif 000017
【図１１】
2008242323.tif 000018
【図１２】
2008242323.tif 000019
【図１３】
2008242323.tif 000020
【図１４】
2008242323.tif 000021
【図１５】
2008242323.tif 000022
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月11日(2008.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
図９は、設定例４の動作を実行する駆動回路の構成の一例を示している。図７に示す構成と相違する点はラッチ回路３５０である。オン電流検出信号Ｖｗを保持するラッチ回路３５２は図７と共通するが、オン電流検出信号と前後して得られるオフ電流差信号は、得られる度には、Ｖｂ設定部３５６に設定しない。オフ電流検出信号Ｖｂを設定するタイミングは、例えばＶｂ設定部３５６とＡ／Ｄ変換器３４０との間に設けたスイッチＳＷ２の開タイミングを制御して所定の複数画素への検査用信号の供給毎とすることなどによって実行できる。具体的には、所定行毎に１回、所定列毎に１回というように、想定されるオフ電流検出信号の特性変動の顕在化する長さに応じて供給周期を設定することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
また、表示装置の出荷前など、予めこのオフ電流検出信号を求め、固定値としてＶｂ設定部３５６に設定してもよい。但し、オフ電流検出信号についても素子駆動Ｔｒ２の特性の経時変化の影響を多少とも受けるので、所定の周期（例えば、装置電源投入毎、１日毎、１ヶ月毎など）で、オフ電流検出信号を更新することにより、ばらつき補正精度の維持の観点において有利である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
なお、カソード電極を列毎に分割して、複数の列で１つの共通の電流検出部３３０を用いて電流検出を実行する場合、オン電流検出特性とオフ電流特性の両方が、電流検出アンプ３３２毎にばらつく可能性がある。そこで、Ｖｂ設定部３５６に対し、周期的にオフ電流検出信号を更新する場合にも、初期値を固定的に設定する場合にも、上述のように、対応する電流検出アンプ３３２毎に得られたオフ電流検出信号を設定することが好適である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
（駆動方式１）
駆動方式１では、上述のようにカソード電極を全画素共通とし、水平ブランキング期間中にカソード電流の検出を実行する。ＥＬパネル１００として、ｙ行ｘ列のマトリクスのパネルを採用した場合を例に、図１０に示す駆動方式１におけるタイミングチャートを参照して以下説明する。