(57)【要約】【課題】簡単な構成で十分に雑音を抑制することができる光伝送用トランシーバ及びその送信方法を得る。【解決手段】電源電圧を昇圧させた後フィルタを通して得られた低周波をＬＤ駆動電流に重畳させる光送信部を備えたことにより、従来のＳＢＳ（誘導ブリユアン散乱）抑圧用回路を不要とし、内部の電源回路のみでＳＢＳ抑圧特性を実現することが可能となる。この結果、簡単な構成で光伝送用トランシーバの雑音を十分に抑制することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光伝送用トランシーバにおいて、電源電圧を昇圧させた後フィルタを通して得られた低周波をＬＤ駆動電流に重畳させる光送信部を備えたことを特徴とする光伝送用トランシーバ。
【請求項２】
光伝送用トランシーバにおいて、光送信部は、電源電圧を昇圧させる昇圧回路と、該昇圧回路で昇圧された電圧のうち雑音の抑制に必要な低周波を通過させるフィルタと、該フィルタを通過した低周波が駆動電流に重畳される光送信器とを備えたことを特徴とする光伝送用トランシーバ。
【請求項３】
前記光送信器の光出力パワーモニタに基づいて前記駆動電流をフィードバック制御するＡＰＣ回路を備えたことを特徴とする請求項２記載の光伝送用トランシーバ。
【請求項４】
前記光送信器は、レーザダイオード素子と、該レーザダイオード素子に接続された電界吸収型変調素子と、前記レーザダイオード素子の戻り光をモニタするモニタ用フォトダイオードと、前記電界吸収型変調素子の逆バイアスを変化させる駆動部とを備えたことを特徴とする請求項２または３記載の光伝送用トランシーバ。
【請求項５】
前記レーザダイオード素子と前記電界吸収型変調素子との接続部の電位がグランドレベルであり、前記逆バイアスが負電源であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の光伝送用トランシーバ。
【請求項６】
前記低周波は、数十〜１００ｋＨｚ程度の範囲内にあることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項の光伝送用トランシーバ。
【請求項７】
光伝送用トランシーバの送信方法において、電源電圧を昇圧させた後フィルタを通して得られた低周波をＬＤ駆動電流に重畳させることを特徴とする光伝送用トランシーバの送信方法。
【請求項８】
光伝送用トランシーバの送信方法において、電源電圧を昇圧させるステップと、昇圧された電圧のうち雑音の抑制に必要な低周波を通過させるステップと、通過した低周波を駆動電流に重畳させることを特徴とする光伝送用トランシーバの送信方法。
【請求項９】
光送信器の光出力パワーモニタに基づいて駆動電流をフィードバック制御することを特徴とする請求項８記載の光伝送用トランシーバの送信方法。
【請求項１０】
レーザダイオード素子に接続された電界吸収型変調素子の逆バイアスを変化させることを特徴とする請求項８または９記載の光伝送用トランシーバの送信方法。
【請求項１１】
前記レーザダイオード素子と前記電界吸収型変調素子との接続部の電位をグランドレベルとし、前記逆バイアスを負電源とすることを特徴とする請求項７から１０のいずれか１項記載の光伝送用トランシーバの送信方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光伝送用トランシーバ及びその送信方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光伝送用トランシーバ製品の仕様において、世界的な標準化が進む中、その規定の中でも小型化・低電源化・低消費電力化への要求が厳しくなってきている。また、装置部門もしくは顧客環境における汎用性を求められることに起因する単一電源化、負電源削除の要望も強くなっているといった現状に対応すべく昇圧回路採用の必要性が高まり、同時に光伝送用トランシーバ小型化、低消費電力化の必要性が高まった。
【０００３】
このため、液晶パネル駆動用に電源電圧を昇圧するための昇圧回路を有し、この昇圧回路が発光素子のための昇圧回路としても共用されるように構成された電源装置（例えば、特許文献１参照。）、入力信号に基づいて光源からの光を強度変調する強度変調手段と、強度変調の変調速度よりも十分低い変調速度で光源について周波数変調する周波数変調手段とを備えた光送信装置（例えば、特許文献２参照。）が挙げられる。
【０００４】
また、所定の周波数の搬送波を発生する搬送波発生回路と、データ信号と搬送波とを合成し送信信号を生成する合成回路と、搬送波により駆動され、電源電圧を基に電源電圧より赤い電圧の昇圧電圧を生成する昇圧回路と、送信信号に応じて、昇圧電圧に対応する光量光信号を出力する発光手段とを有する光通信装置（例えば、特許文献３参照。）、主信号により与えられる帯域幅を有する光信号を生成する第１の手段と、制御信号を受け制御信号に基づき光信号を変調して帯域幅を拡大する第２の手段と、光伝送路及び第１の手段に動作的に接続され光信号を光伝送路に供給すると共に光伝送路で発生した誘導ブリユアン散乱光を含む帰還光を抽出する第３の手段と、帰還光を受け誘導ブリユアン散乱光のパワーが一定になるように制御信号を発生する第４の手段とを備えた光送信機（例えば、特許文献４参照。）が挙げられる。
【特許文献１】特開２００５−８０３９４号公報
【特許文献２】特開平４−１８８６８６号公報
【特許文献３】特開平８−１９１２７１号公報
【特許文献４】特開平１０−６５６２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した特許文献１〜４に記載の発明は、いずれも装置が複雑化しており、また雑音抑制が不十分であった。
そこで、本発明の目的は、簡単な構成で十分に雑音を抑制することができる光伝送用トランシーバ及びその送信方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、請求項１記載の発明は、光伝送用トランシーバにおいて、電源電圧を昇圧させた後フィルタを通して得られた低周波をＬＤ駆動電流に重畳させる光送信部を備えたことを特徴とする。
【０００７】
請求項１記載の発明によれば、電源電圧を昇圧させた後フィルタを通して得られた低周波をＬＤ駆動電流に重畳させる光送信部を備えたことにより、従来のＳＢＳ（誘導ブリユアン散乱）抑圧用回路を不要とし、内部の電源回路のみでＳＢＳ抑圧特性を実現することが可能となる。この結果、簡単な構成で十分に雑音を抑制することができる光伝送用トランシーバが得られる。
【０００８】
請求項２記載の発明は、光伝送用トランシーバにおいて、光送信部は、電源電圧を昇圧させる昇圧回路と、該昇圧回路で昇圧された電圧のうち雑音の抑制に必要な低周波を通過させるフィルタと、該フィルタを通過した低周波が駆動電流に重畳される光送信器とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
請求項２記載の発明によれば、光送信部は、電源電圧を昇圧させる昇圧回路と、昇圧回路で昇圧された電圧のうち雑音の抑制に必要な低周波を通過させるフィルタと、フィルタを通過した低周波が駆動電流に重畳される光送信器とを備えたことにより、従来のＳＢＳ（誘導ブリユアン散乱）抑圧用回路を不要とし、内部の電源回路のみでＳＢＳ抑圧特性を実現することが可能となる。この結果、簡単な構成で十分に雑音を抑制することができる光伝送用トランシーバが得られる。
【００１０】
請求項３記載の発明は、請求項２記載の発明において、前記光送信器の光出力パワーモニタに基づいて前記駆動電流をフィードバック制御するＡＰＣ回路を備えたことを特徴とする。
【００１１】
請求項３記載の発明によれば、光送信器の光出力パワーモニタに基づいて駆動電流をフィードバック制御するＡＰＣ回路を備えたことにより、雑音抑制効果の他に安定した出力が得られる。
【００１２】
請求項４記載の発明は、請求項２または３記載の発明において、前記光送信器は、レーザダイオード素子と、該レーザダイオード素子に接続された電界吸収型変調素子と、前記レーザダイオード素子の戻り光をモニタするモニタ用フォトダイオードと、前記電界吸収型変調素子の逆バイアスを変化させる駆動部とを備えたことを特徴とする。
【００１３】
請求項４記載の発明によれば、光送信器は、レーザダイオード素子と、レーザダイオード素子に接続された電界吸収型変調素子と、レーザダイオード素子の戻り光をモニタするモニタ用フォトダイオードと、電界吸収型変調素子の逆バイアスを変化させる駆動部とを備えたことにより、雑音抑制効果の他に安定した出力が得られる。
【００１４】
請求項５記載の発明は、請求項１から４のいずれか１項記載の発明において、前記レーザダイオード素子と前記電界吸収型変調素子との接続部の電位がグランドレベルであり、前記逆バイアスが負電源であることを特徴とする。
【００１５】
請求項５記載の発明によれば、レーザダイオード素子と電界吸収型変調素子との接続部の電位がグランドレベルであり、逆バイアスが負電源であることにより、雑音抑制効果の他にＩＥＣ国際規格に対して有効になる。
【００１６】
請求項６記載の発明は、請求項１から５のいずれか１項記載の発明において、前記低周波は、数十〜１００ｋＨｚ程度の範囲内にあることを特徴とする。
【００１７】
請求項７記載の発明は、光伝送用トランシーバの送信方法において、電源電圧を昇圧させた後フィルタを通して得られた低周波をＬＤ駆動電流に重畳させることを特徴とする。
【００１８】
請求項７記載の発明によれば、電源電圧を昇圧させた後フィルタを通して得られた低周波をＬＤ駆動電流に重畳させる光送信部を備えたことにより、従来のＳＢＳ（誘導ブリユアン散乱）抑圧用回路を不要とし、内部の電源回路のみでＳＢＳ抑圧特性を実現することが可能となる。この結果、簡単な構成で十分に雑音を抑制することができる光伝送用トランシーバが得られる。
【００１９】
請求項８記載の発明は、光伝送用トランシーバの送信方法において、電源電圧を昇圧させるステップと、昇圧された電圧のうち雑音の抑制に必要な低周波を通過させるステップと、通過した低周波を駆動電流に重畳させることを特徴とする。
【００２０】
請求項８記載の発明によれば、電源電圧を昇圧させるステップと、昇圧された電圧のうち雑音の抑制に必要な低周波を通過させるステップと、通過した低周波を駆動電流に重畳させることにより、従来のＳＢＳ（誘導ブリユアン散乱）抑圧用回路を不要とし、内部の電源回路のみでＳＢＳ抑圧特性を実現することが可能となる。この結果、簡単な構成で十分に雑音を抑制することができる光伝送用トランシーバが得られる。
【００２１】
請求項９記載の発明は、請求項８記載の発明において、光送信器の光出力パワーモニタに基づいて駆動電流をフィードバック制御することを特徴とする。
【００２２】
請求項９記載の発明によれば、光送信器の光出力パワーモニタに基づいて駆動電流をフィードバック制御することにより、光送信器の光出力パワーモニタに基づいて駆動電流をフィードバック制御するＡＰＣ回路を備えたことにより、雑音抑制効果の他に安定した出力が得られる。
【００２３】
請求項１０記載の発明は、請求項８または９記載の発明において、レーザダイオード素子に接続された電界吸収型変調素子の逆バイアスを変化させることを特徴とする。
【００２４】
請求項１０記載の発明によれば、レーザダイオード素子に接続された電界吸収型変調素子の逆バイアスを変化させることにより、雑音抑制効果の他に安定した出力が得られる。
【００２５】
請求項１１記載の発明は、請求項７から１０のいずれか１項記載の発明において、前記レーザダイオード素子と前記電界吸収型変調素子との接続部の電位をグランドレベルとし、前記逆バイアスを負電源とすることを特徴とする。
【００２６】
請求項１１記載の発明によれば、レーザダイオード素子と電界吸収型変調素子との接続部の電位がグランドレベルであり、逆バイアスが負電源であることにより、雑音抑制効果の他にＩＥＣ国際規格に対して有効になる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、電源電圧を昇圧させた後フィルタを通して得られた低周波をＬＤ駆動電流に重畳させる光送信部を備えたことにより、従来のＳＢＳ（誘導ブリユアン散乱）抑圧用回路を不要とし、内部の電源回路のみでＳＢＳ抑圧特性を実現することが可能となる。この結果、簡単な構成で光伝送用トランシーバの雑音を十分に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明に係る光伝送用トランシーバの一実施の形態は、光伝送用トランシーバにおいて、電源電圧を昇圧させた後フィルタを通して得られた低周波をＬＤ駆動電流に重畳させる光送信部を備えたことを特徴とする。
【００２９】
上記構成によれば、電源電圧を昇圧させた後フィルタを通して得られた低周波をＬＤ駆動電流に重畳させる光送信部を備えたことにより、従来のＳＢＳ（誘導ブリユアン散乱）抑圧用回路を不要とし、内部の電源回路のみでＳＢＳ抑圧特性を実現することが可能となる。この結果、簡単な構成で十分に雑音を抑制することができる光伝送用トランシーバが得られる。
【００３０】
本発明に係る光伝送用トランシーバの他の実施の形態は、光伝送用トランシーバにおいて、光送信部は、電源電圧を昇圧させる昇圧回路と、昇圧回路で昇圧された電圧のうち雑音の抑制に必要な低周波を通過させるフィルタと、フィルタを通過した低周波が駆動電流に重畳される光送信器とを備えたことを特徴とする。
【００３１】
上記構成によれば、光送信部は、電源電圧を昇圧させる昇圧回路と、昇圧回路で昇圧された電圧のうち雑音の抑制に必要な低周波を通過させるフィルタと、フィルタを通過した低周波が駆動電流に重畳される光送信器とを備えたことにより、従来のＳＢＳ（誘導ブリユアン散乱）抑圧用回路を不要とし、内部の電源回路のみでＳＢＳ抑圧特性を実現することが可能となる。この結果、簡単な構成で十分に雑音を抑制することができる光伝送用トランシーバが得られる。
【００３２】
本発明に係る光伝送用トランシーバの他の実施の形態は、上記構成に加え、光送信器の光出力パワーモニタに基づいて駆動電流をフィードバック制御するＡＰＣ回路を備えたことを特徴とする。
【００３３】
上記構成によれば、光送信器の光出力パワーモニタに基づいて駆動電流をフィードバック制御するＡＰＣ回路を備えたことにより、雑音抑制効果の他に安定した出力が得られる。
【００３４】
本発明に係る光伝送用トランシーバの他の実施の形態は、上記構成に加え、光送信器は、レーザダイオード素子と、レーザダイオード素子に接続された電界吸収型変調素子と、レーザダイオード素子の戻り光をモニタするモニタ用フォトダイオードと、電界吸収型変調素子の逆バイアスを変化させる駆動部とを備えたことを特徴とする。
【００３５】
上記構成によれば、光送信器は、レーザダイオード素子と、レーザダイオード素子に接続された電界吸収型変調素子と、レーザダイオード素子の戻り光をモニタするモニタ用フォトダイオードと、電界吸収型変調素子の逆バイアスを変化させる駆動部とを備えたことにより、雑音抑制効果の他に安定した出力が得られる。
【００３６】
本発明に係る光伝送用トランシーバの他の実施の形態は、上記構成に加え、レーザダイオード素子と電界吸収型変調素子との接続部の電位がグランドレベルであり、逆バイアスが負電源であることを特徴とする。
【００３７】
上記構成によれば、レーザダイオード素子と電界吸収型変調素子との接続部の電位がグランドレベルであり、逆バイアスが負電源であることにより、雑音抑制効果の他にＩＥＣ国際規格に対して有効になる。
【００３８】
本発明に係る光伝送用トランシーバの他の実施の形態は、上記構成に加え、低周波は、数十〜１００ｋＨｚ程度の範囲内にあることを特徴とする。
【００３９】
本発明に係る光伝送用トランシーバの送信方法の一実施の形態は、光伝送用トランシーバの送信方法において、電源電圧を昇圧させた後フィルタを通して得られた低周波をＬＤ駆動電流に重畳させることを特徴とする。
【００４０】
上記構成によれば、電源電圧を昇圧させた後フィルタを通して得られた低周波をＬＤ駆動電流に重畳させる光送信部を備えたことにより、従来のＳＢＳ（誘導ブリユアン散乱）抑圧用回路を不要とし、内部の電源回路のみでＳＢＳ抑圧特性を実現することが可能となる。この結果、簡単な構成で十分に雑音を抑制することができる光伝送用トランシーバが得られる。
【００４１】
本発明に係る光伝送用トランシーバの送信方法の他の実施の形態は、光伝送用トランシーバの送信方法において、電源電圧を昇圧させるステップと、昇圧された電圧のうち雑音の抑制に必要な低周波を通過させるステップと、通過した低周波を駆動電流に重畳させることを特徴とする。
【００４２】
上記構成によれば、電源電圧を昇圧させるステップと、昇圧された電圧のうち雑音の抑制に必要な低周波を通過させるステップと、通過した低周波を駆動電流に重畳させることにより、従来のＳＢＳ（誘導ブリユアン散乱）抑圧用回路を不要とし、内部の電源回路のみでＳＢＳ抑圧特性を実現することが可能となる。この結果、簡単な構成で十分に雑音を抑制することができる光伝送用トランシーバが得られる。
【００４３】
本発明に係る光伝送用トランシーバの送信方法の他の実施の形態は、上記構成に加え、光送信器の光出力パワーモニタに基づいて駆動電流をフィードバック制御することを特徴とする。
【００４４】
上記構成によれば、光送信器の光出力パワーモニタに基づいて駆動電流をフィードバック制御することにより、光送信器の光出力パワーモニタに基づいて駆動電流をフィードバック制御するＡＰＣ回路を備えたことにより、雑音抑制効果の他に安定した出力が得られる。
【００４５】
本発明に係る光伝送用トランシーバの送信方法の他の実施の形態は、上記構成に加え、レーザダイオード素子に接続された電界吸収型変調素子の逆バイアスを変化させることを特徴とする。
【００４６】
上記構成によれば、レーザダイオード素子に接続された電界吸収型変調素子の逆バイアスを変化させることにより、雑音抑制効果の他に安定した出力が得られる。
【００４７】
本発明に係る光伝送用トランシーバの送信方法の他の実施の形態は、上記構成に加え、レーザダイオード素子と電界吸収型変調素子との接続部の電位をグランドレベルとし、逆バイアスを負電源とすることを特徴とする。
【００４８】
上記構成によれば、レーザダイオード素子と電界吸収型変調素子との接続部の電位がグランドレベルであり、逆バイアスが負電源であることにより、雑音抑制効果の他にＩＥＣ国際規格に対して有効になる。
【００４９】
なお、上述した実施の形態は、本発明の好適な実施の形態の一例を示すものであり、本発明はそれに限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲内において、種々変形実施が可能である。
【実施例】
【００５０】
〔構成の説明〕
本発明による回路方式を、光アンプを用いた光伝送用トランシーバ（外部変調型半導体レーザ内蔵）に盛り込むことで、従来のＳＢＳ（誘導ブリユアン散乱）抑圧用回路を不要とし、内部の電源回路のみでＳＢＳ抑圧特性を実現することが可能となる。
図１は、本発明に係る光伝送用トランシーバの一実施例を示す概念図である。
同図に示す光伝送用トランシーバ１００の外部電源１０１を内部の昇圧回路１０２にてＬＤ駆動電流に必要な電圧を出力させる。
昇圧回路１０２としては、例えば、ＤＣ−ＤＣコンバータが挙げられる。
その昇圧回路１０２とフィルタ１０４を含めた出力側の周波数成分を最適にし、ＬＤ駆動電流を低周波を重畳させることでＳＢＳ抑圧に必要な光のスペクトル幅を持たせることができる。
フィルタ１０４としては、例えば、図示しない抵抗ＲとコンデンサＣとを直交するように組み合わせた公知のローパスフィルタ若しくはオペアンプの非反転入力端子と出力端子との間に抵抗ＲとコンデンサＣとを並列接続した公知のローパスフィルタが挙げられる。
【００５１】
図１におけるＬＤ駆動電流の電流値は外部変調型光送信器１０６からの光出力パワーモニタを観測し、出力一定になるようにＡＰＣ（オートパワーコントローラ）回路１０５にてフィードバック制御がかかるようになっている。
【００５２】
従来、発振器とフィルタなどとで構成した別回路１５０（図１参照）を設けその出力でＬＤ駆動電流に低周波を重畳する構成であったのに対し、本回路構成では、内蔵している電源用昇圧回路（フィルタ含む）の出力をＳＢＳ抑圧も考慮した駆動電流用電圧制御として最適にすることで別回路が不要なＳＢＳ抑圧機能を有する光伝送用トランシーバ動作を実現することが可能となる。
【００５３】
図２は、本発明に係る光伝送用トランシーバの光送信部の全体構成の一実施例を示す構成例である。
光伝送用トランシーバ１００は、光通信において電気−光変換および光−電気変換による信号処理を行う機能を有する。また、その信号処理を実現するために、マイクロコンピュータ、駆動回路、電源回路、温度調整回路などを構成する半導体電気部品、光送信器、及び光受信器等の光素子が搭載される。その中でも、本発明において、光送信器１０６には電界吸収型光変調器集積化半導体レーザ(ＥＭＬ)１１０を搭載するアプリケーションでの駆動およびその電源構成の実施例を述べる。
【００５４】
ＥＭＬ１１０は、発光部であるレーザ素子１１１と電界吸収型変調素子１０６とが集積されたものであり、ＬＤ駆動電流を注入することでレーザを発光させるのが発光部であるのに対し、逆バイアスを印加することで光の吸収率が変化する特性を利用し、ＥＭＬ１１０としての光出力のＯＮ／ＯＦＦを決めるのが変調部である。
【００５５】
また図２において、レーザの戻り光をモニタＰＤ１１２が受光し、光出力パワーモニタとして  電気変換することでＡＰＣ回路１０５へ、現状の光出力パワーを観測しＬＤ駆動電流を制御することで光出力パワーを一定に保つようなフィードバック制御回路構成になっている。
またＬＤ駆動電流に必要な電源は、昇圧回路１０２の出力から供給されており、この昇圧回路１０２は一定周波数のスイッチング動作と周辺回路により外部電源１０１の昇圧を行っている。
尚、１１３はカップリングコンデンサ、１１４は駆動ＩＣである。
【００５６】
信号処理の観点で見た場合、電気信号入力に従って逆バイアスを変化させることで変調部の光の吸収特性に基づき、発光部からのレーザ発光を消光制御する。その結果、電気入力信号をＥＭＬ１１０の光信号出力へ変換する。
【００５７】
また、本発明の一実施においては、光伝送用トランシーバ１００内のＬＤ駆動用電源回路構成である昇圧回路１０２におけるスイッチング周波数を利用し、その出力電圧に残る周波数成分を最適にすることでＡＰＣ１０５制御によるＬＤ駆動電流を数十〜１００ｋＨｚ程度の低周波で変調する。この低周波を重畳したＬＤ駆動電流を、発光部において対中間電位の方向に電流を流し、レーザ発振させることでその発振スペクトルの単一縦モードを維持したままスペクトル幅を広げることが可能となり、結果良好なＳＢＳ抑圧特性を実現することができる。
【００５８】
〔動作の説明〕
図２は従来の回路構成では、別回路１５０が追加されており、大きくは発振器、フィルタからなる構成であったのに対し、本発明では、光伝送用トランシーバ１００の仕様や市場環境上、必要となっている昇圧回路１０２を用いたＳＢＳ抑圧特性を付加するため追加となる回路が不要となる。
【００５９】
図３は、図１に示した光伝送用トランシーバの測定系を示す概念図である。図４は、図１に示した光伝送用トランシーバのＳＢＳ抑圧特性を示す図である。図４に置いて横軸は光学パワーレベルを示し、縦軸は反射パワーレベルを示す。
【００６０】
図３において光伝送用トランシーバ１００の出力を光ファイバを介して光アンプ２０に接続し、光アンプ２０からの出力をアッテネータ２１で測定に必要な値に減衰させ、光分波器２２で９５％と５％に分波する。分波された光のうち一方（９５％）はＤＣＦファイバ２３に入力した後無反射板２５に吸収され、他方（５％）はパワーメータ２４に入力してパワーが測定される。
【００６１】
図３に示すように実際に本発明を採用した構成の光伝送用トランシーバにて標準規格に沿った測定系にてＳＢＳ抑制特性の測定を行った結果、図４のように理論値にほぼ一致する結果が得られ、標準規格も十分に満足することを確認した。さらには駆動電流用電源を外部電源１０１からの供給ではなく、昇圧回路１０２の出力から供給することで、消費電力を最適にすることが可能であり、また中間電位がグランドレベルでないことからeye safetyなどのＩＥＣ国際規格に対してもかなり有効な回路構成になっていることがわかる。
【００６２】
〔効果の説明〕
第一の効果は、従来必要であった余分な回路を採用せずに光伝送用トランシーバとしてＳＢＳ抑圧特性という機能を持たせることができる。このため、部品点数の削減や汎用性の向上につながる。さらには従来必要であった発振器も一点削減できることにより  電源ノイズ、ＥＭＩノイズの低減等といったノイズ特性改善が可能であり、小型化が進むトランシーバの特性向上に貢献するものだと考える。また、従来のＳＢＳ抑圧用回路に用いられていた発振器は低周波数用の部品であり、それが不要となることで、高周波用部品が多く搭載されるトランシーバだけに構成部品の標準化やコストといった観点でも有効である。
【００６３】
第二の効果は、ＳＢＳ抑圧特性が必要な伝送系用のトランシーバにおいて、ＬＤ駆動電流用電源を外部電源からの供給ではなく、昇圧回路出力から供給することで、消費電力を最適にすることが可能であり低消費電力につながる。またＥＭＬでの本構成を採用することで、中間電位がグランドレベルでないことからeye safetyなどのＩＥＣ国際規格に対してもかなり有効な回路構成になっていることがわかる。
【００６４】
第三の効果は、光通信用トランシーバは、高機能化、高速化が進むと同時に標準化、小型化、低電源化、低消費電力化などの顧客要求が厳しくなっている。その市場環境においてトランシーバ内での昇圧回路の採用は自然な回路構成の流れであり、それに沿った形で同じく長距離伝送系向けのトランシーバで求められるＳＢＳ抑圧特性を昇圧回路構成からのＬＤ駆動により実現できるという優位性がある。
【００６５】
尚、本実施例ではＥＭＬの電源が、中間電位がグランドレベルではなく、逆バイアスが正電源の場合で説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＥＭＬの電源が、中間電位がグランドレベル、逆バイアスが負電源の構成にて同じくＬＤ駆動電流を昇圧回路構成にてＳＢＳ抑圧のために低周波を重畳するように構成することでも実現できる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明によれば、光伝送装置、ネットワーク装置における光送受信モジュールに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明に係る光伝送用トランシーバの一実施例を示す概念図である。
【図２】本発明に係る光伝送用トランシーバの光送信部の全体構成の一実施例を示す構成例である。
【図３】図１に示した光伝送用トランシーバの測定系を示す概念図である。
【図４】図１に示した光伝送用トランシーバのＳＢＳ抑圧特性を示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
１００    光伝送用トランシーバ
１０１    外部電源
１０２    昇圧回路
１０４    フィルタ
１０５    ＡＰＣ（オートパワーコントローラ）回路
１０６    光送信器
１５０    別回路（従来ＳＢＳ抑圧用回路）
【図１】
2008236551.tif 000003
【図２】
2008236551.tif 000004
【図３】
2008236551.tif 000005
【図４】
2008236551.tif 000006