(57)【要約】【課題】  封止樹脂層の形成時において高い精度を要求されることなく、センサ機能の損なわれることのない指紋情報取得装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  指を接触させて指紋情報を取得する複数の画素領域で構成された指紋センサ２と、指紋センサ２が備える複数の画素領域のうち指紋情報の取得が可能な有効画素領域に係る有効座標情報を記憶する不揮発性メモリ素子５と、指紋センサ２に対して、所定の対象座標に位置する画素の読み出し指示を行う読み出し指示部５１と、を備え、読み出し指示部５１が、対象座標に係る前記指紋情報の読み出し指示を受けると、不揮発性メモリ素子５から有効座標情報を読み出すとともに、当該有効座標情報が示す有効座標と対象座標とに基づいて実際に読み出し対象となる修正対象座標を算出し、指紋センサ２に対して修正対象座標に位置する画素の読み出し指示を行う。【選択図】        図６
2008305028.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
指を接触させて指紋情報を取得する複数の画素領域で構成された指紋センサと、
前記指紋センサが備える複数の画素領域のうち前記指紋情報の取得が可能な有効画素領域に係る有効座標情報を記憶する不揮発性メモリ素子と、
前記指紋センサに対して、所定の対象座標に位置する画素の読み出し指示を行う読み出し指示部と、を備え、
前記読み出し指示部が、
前記対象座標に係る前記指紋情報の読み出し指示を受けると、前記不揮発性メモリ素子から前記有効座標情報を読み出すとともに、当該有効座標情報が示す有効座標と前記対象座標とに基づいて実際に読み出し対象となる修正対象座標を算出し、前記指紋センサに対して前記修正対象座標に位置する画素の読み出し指示を行うことを特徴とする指紋情報取得装置。
【請求項２】
請求項１に係る指紋情報取得装置の製造方法であって、
半導体基板上に、初期有効画素領域と初期冗長画素領域を有する前記指紋センサと前記不揮発性メモリ素子を実装後、少なくとも前記指紋センサの上面の一部を露出させた状態で封止樹脂層を形成する第１工程と、
前記第１工程終了後、前記初期有効画素領域及び前記初期冗長画素領域を含む全ての画素領域のうち、前記封止樹脂層に覆われていない認証可能画素領域の座標を認識するとともに、前記初期有効画素領域を構成する画素数に対応して前記認証可能画素領域内の画素の一部または全部の画素領域を前記有効画素領域に指定し、当該有効画素領域内の画素の座標を前記有効座標情報として前記不揮発性メモリ素子に記憶する第２工程と、を有することを特徴とする指紋情報取得装置の製造方法。
【請求項３】
前記指紋センサが備える全ての画素が、それぞれの座標情報の認識が可能なマーカを有して構成され、
前記第２工程が、
前記封止樹脂層と画素領域との境界に係る画素が備える前記マーカを読み出すことで前記有効座標情報を認識することを特徴とする請求項２に記載の指紋情報取得装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、指紋情報取得装置に関し、特に半導体基板上に形成された指紋センサが表面に露出された状態でパッケージ化された指紋情報取得装置に関するものである。また、本発明はかかる指紋情報取得装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子情報通信が普及する中で、個人情報を保護するために電子機器において個人認識を行うという要求が高まっている。個人認識手段として様々な技術が開発され実用化されており、指紋による判別技術もそのうちの一つとして挙げられる。指紋情報取得装置は、人間の指の指紋パターンを認識するための装置であり、半導体基板上に指紋情報を取得可能な指紋センサを有して構成される。指紋センサは、一般的に圧力センサや静電容量型センサからなり、指紋情報取得装置はこれらのセンサによって取得された情報を半導体基板上の演算処理部において所定の演算処理を行うことで指紋の識別、判定を行う。
【０００３】
このような指紋センサが実装された半導体チップは、一般の半導体チップと同様、樹脂封止されてパッケージングされた状態で、指紋センサ用半導体装置として電子機器に組み込まれる。
【０００４】
図８は、従来の指紋情報取得装置の一部の概略断面構造図である。指紋情報取得装置９０は、半導体基板１上に指紋センサ用半導体チップ２０が実装されている。指紋センサ用半導体チップ２０は、回路形成面に指紋センサ２を有し、指紋センサ２の周囲に電極が配置され、半導体基板１上の電極とワイヤ線４によってワイヤボンディングされる。そして、指紋センサ用半導体チップ２０上の指紋センサ２の形成面を除き、ワイヤ線４の形成領域を含む半導体基板１の上面に対して封止樹脂層３によりモールドされる。指紋センサ２は指を直接接触させて指紋を認識する部分であるので、封止樹脂層３によって覆われることなく、表面に露出された状態である。このように、指紋センサ２の上面を封止樹脂層３が覆うことを防止すべく、通常、封止樹脂層３形成前にモールド金型と指紋センサ２の間にスペーサを配置し、封止樹脂層３を形成後に当該スペーサを除去することで指紋センサ２の上面が封止樹脂層３によって覆われないようにするのが一般的である。
【０００５】
しかしながら、封止樹脂層３の形成時において、前記スペーサと指紋センサ２の隙間に樹脂が入り込むことがある（図８内の領域６）。かかる現象が生じると、指紋センサ２の一部が封止樹脂層３によって覆われてしまい、当該領域に係るセンサはその機能を奏しないこととなる。このような問題を解決すべく、下記特許文献１では封止樹脂層３の開口部の底部と指紋センサ２の端部の間に所定の離隔距離を確保する方法が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特許第３７６００３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１の方法によれば、封止樹脂層３の開口部の底部と指紋センサ２の端部との間に一定の距離が確保されているため、指紋センサ２の上面が封止樹脂層３で覆われる事態を回避することができる。
【０００８】
しかしながら、上記特許文献１の方法の場合、封止樹脂層３の開口部の底部と指紋センサ２の端部との間に十分な離隔距離を確保するために、プロセス時において高い精度が要求されることとなる。
【０００９】
本発明は、上記の問題点に鑑み、封止樹脂層の形成時において高い精度を要求されることなく、センサ機能の損なわれることのない指紋情報取得装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するための本発明に係る指紋情報取得装置は、指を接触させて指紋情報を取得する複数の画素領域で構成された指紋センサと、前記指紋センサが備える複数の画素領域のうち前記指紋情報の取得が可能な有効画素領域に係る有効座標情報を記憶する不揮発性メモリ素子と、前記指紋センサに対して、所定の対象座標に位置する画素の読み出し指示を行う読み出し指示部と、を備え、前記読み出し指示部が、前記対象座標に係る前記指紋情報の読み出し指示を受けると、前記不揮発性メモリ素子から前記有効座標情報を読み出すとともに、当該有効座標情報が示す有効座標と前記対象座標とに基づいて実際に読み出し対象となる修正対象座標を算出し、前記指紋センサに対して前記修正対象座標に位置する画素の読み出し指示を行うことを第１の特徴とする。
【００１１】
本発明に係る指紋情報取得装置の上記第１の特徴構成によれば、例えば製造時に封止樹脂層がその上部に形成されたことにより指紋センサ上の一部の画素において指紋情報の取得が不可能な状態となっている場合であっても、あらかじめ指紋情報の取得が可能な有効画素領域に係る情報が不揮発性メモリ素子に記録されているため、当該有効画素領域内の画素によって指紋情報の取得が可能になる。
【００１２】
すなわち、指紋センサ上には複数の画素が備えられており、その一部の画素上に封止樹脂層が形成された場合、当該封止樹脂層が形成されていない残りの画素領域のみが実際に情報取得が可能な画素領域となる。利用者は、露出されている指紋センサの中央部に指を接触させて指紋情報の認証を行うことが考えられるところ、一部領域に封止樹脂層が形成されている場合には、露出されている指紋センサ上の中央部に位置する画素が、実際の指紋センサ内の中央部の画素と異なる場合が考えられる。このため、一部に封止樹脂層が形成された状態で利用者が指紋情報の認証を行った場合、認証後の指紋情報に係る画像が、四辺のうちのいずれかの一辺または二辺が途中で切れてしまったり、中央の位置がいずれかの方向にずれてしまうということが起こり得る。
【００１３】
これに対し、あらかじめ指紋情報の取得が可能な有効画素領域、すなわち、前記の例で言えば、封止樹脂層が上面に形成されていない画素領域に係る座標情報（有効座標情報）が不揮発性メモリ素子に記録されていることで、指紋センサ上の中央部の画素から見て、実際の有効画素領域内の中央部の画素がどの程度ずれているかを認識することができる。つまり、読み出し指示部が不揮発性メモリ素子から有効座標情報を読み出すとともに、読み出し指示を受けた対象座標に対応した有効画素領域上の修正対象座標を算出して、当該修正対象座標に位置する画素の読み出し指示を行うことにより、一部の画素が指紋情報取得が困難な状態となっている場合であっても、取得画像が途中で切れたりいずれかの方向にずれが生じたりするという現象を最小限に抑制することができる。
【００１４】
また、通常、指紋センサ上に備えられる画素領域のうち、一部の画素、特に指紋センサ上の中央部以外の周辺部に存在する画素については、実際には指紋情報取得に用いられない冗長画素として備えられている場合が多い。あらかじめこの冗長画素を含む全ての画素のうち、指紋情報の取得が可能な有効座標情報を不揮発性メモリ素子に記録しておき、この冗長画素についても指紋情報取得時に利用することで、一部の画素において指紋情報取得が困難な状態となっている場合であっても、指紋情報取得が可能な有効画素領域の減少を極力抑制することができ、これによって指紋情報取得・認証の精度を高いレベルで維持することが可能となる。
【００１５】
また、本発明に係る指紋情報取得装置の製造方法は、上記第１の特徴構成を有する指紋情報取得装置の製造方法であって、半導体基板上に、初期有効画素領域と初期冗長画素領域を有する前記指紋センサと前記不揮発性メモリ素子を実装後、少なくとも前記指紋センサの上面の一部を露出させた状態で封止樹脂層を形成する第１工程と、前記第１工程終了後、前記初期有効画素領域及び前記初期冗長画素領域を含む全ての画素領域のうち、前記封止樹脂層に覆われていない認証可能画素領域の座標を認識するとともに、前記初期有効画素領域を構成する画素数に対応して前記認証可能画素領域内の画素の一部または全部の画素領域を前記有効画素領域に指定し、当該有効画素領域内の画素の座標を前記有効座標情報として前記不揮発性メモリ素子に記憶する第２工程と、を有することを第１の特徴とする。
【００１６】
本発明に係る指紋情報取得装置の製造方法の上記第１の特徴によれば、第１工程において指紋センサ上の一部の画素に封止樹脂層が形成された場合であっても、初期冗長画素領域を含む認証可能画素領域が認識されているため、認証可能画素領域の一部または全部の画素を有効画素領域として指定することで、指紋情報の取得に利用できる画素数の減少を最小限に抑制することができる。特に、上面に封止樹脂層が形成されていない初期冗長画素領域内の画素数が、封止樹脂層が上面に形成された初期有効画素領域内の画素数以上存在する場合、この認証可能な初期冗長画素領域内の画素を有効画素領域に指定することで、指紋情報取得に利用できる画素数が減少することが回避することができる。これにより、初期有効画素領域内の一部に封止樹脂層が形成された場合であっても、指紋認証が可能な画素領域を最大限減少させることなく利用することができるため、かかる場合でも精度の高い指紋情報検出機能を発揮することができる。
【００１７】
また、製造時において、封止樹脂層の端部と指紋センサ端部との離間距離を精度良く調整する必要がないため、高い加工精度が要求されることがなく、生産性が向上するという効果を有する。
【００１８】
また、本発明に係る指紋情報取得装置の製造方法は、上記第１の特徴に加えて、前記指紋センサが備える全ての画素が、それぞれの座標情報の認識が可能なマーカを有して構成され、前記第２工程が、前記封止樹脂層と画素領域との境界に係る画素が備える前記マーカを読み出すことで前記有効座標情報を認識することを第２の特徴とする。
【００１９】
本発明に係る指紋情報取得装置の上記第２の特徴によれば、封止樹脂層が上面に形成されているか否かを上方よりマーカを確認することで認識することができるため、複雑な処理を必要とすることなく有効画素領域内の画素に係る座標情報（有効座標情報）を認識することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の構成によれば、封止樹脂層の形成時において高い精度を要求されることなく、センサ機能の損なわれることのない指紋情報取得装置が実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下において、本発明に係る指紋情報取得装置（以下、適宜「本発明装置」と称する）、及びその製造方法（以下、適宜「本発明方法」と称する）の実施形態について、図１〜図７の各図を参照して説明する。
【００２２】
図１は、本発明装置の概略断面構造図である。本発明装置１０は、半導体基板１上に指紋センサ半導体チップ２０と、有効画素の範囲を記録するための不揮発性メモリ素子５を備えるマルチチップパッケージとなっている。それぞれの素子は、ワイヤ線４によってワイヤボンディングで基板上の電極と接続されている。また、指紋センサ半導体チップ２０が備える指紋センサ２の上面以外領域が封止樹脂層３によって樹脂封止されている。すなわち、図１は、半導体基板１上に、指紋センサ半導体チップ２０、不揮発性メモリ素子５、電極、配線等を実装後、封止樹脂層３を指紋センサ２の上面以外の全面に堆積することで樹脂封止を行った後の状態を示している。
【００２３】
また、半導体基板１上には、指紋センサ２に対して読み出し指示を与えたり、読み出された情報に基づいて所定の演算処理を行う演算処理部（不図示）が実装されており、半導体基板１上において指紋センサ用半導体チップ２０上の電極、並びに不揮発性メモリ素子５と電気的に接続されている。この演算処理部は、後述する読み出し指示部５１を備えており、読み出し指示部５１は、不揮発性メモリ素子５から情報を読み出して指紋センサ２に対して読み出し指示を行う構成である。
【００２４】
この封止樹脂層３の形成時において、指紋センサ２のセンサ面の一部を封止樹脂層３が覆う場合が考えられる。図１は、センサ面の一部領域６が封止樹脂層３によって覆われている場合を図示している。
【００２５】
図２は図１における本発明装置１０を上面から見た図である。指紋センサ半導体チップ２０と不揮発性メモリ素子５が同一の封止樹脂層３によって封入されており、また、指紋センサ２を構成するセンサ面（画素領域）の一部領域６が封止樹脂層３によって覆われている。図２では、封止樹脂層３の形成時において、指紋センサ２の上面位置に開口領域７を形成する際、当該開口領域７の位置が、指紋センサ２の上面位置から図面上で左斜め上方向（Ｄ１方向）に向かって位置ずれが生じたため、指紋センサ２を構成する画素の一部領域６にも封止樹脂層３が形成されている状態図が示されている。
【００２６】
図３は、指紋センサ２が備える一画素の構成例である。画素１１は点線で囲まれたセンサ部１２を備え、センサ部１２は電極プレート１３と容量センサ１４により構成される。指紋センサ２に指が接触されると、接触による圧電効果等によって電荷が発生し電極プレート１３に蓄積される。この蓄積された電荷量が、容量センサ１４により電圧に変換され、信号線１５を通じて出力される構成である。
【００２７】
また、各画素は、センサ部１２以外の空き領域に、画素の指紋センサ２内での位置を示すマーカ１６を備えている。指紋センサ２は、複数の画素がマトリクス状に配列されており、それぞれの画素の位置を縦，横の座標（Ｘ，Ｙ座標）で表現することができる。図３では、マーカ１６の一例としてバーコードが採用されており、このバーコードによって各画素の指紋センサ２内でのＸ，Ｙ座標が表されている。すなわち、指紋センサ２の上面の封止樹脂層３によって覆われていない領域の上方から、カメラ等を用いて前記バーコードを光学的に読み取ることにより、各画素の位置の認識が可能に構成されている。従って、この各画素の位置情報を利用することにより、指紋センサ２を構成する画素のうち、封止樹脂層３に覆われている領域の画素がどの座標位置に係る画素であるかを認識することができる。
【００２８】
図４は、図３に示したマーカ（バーコード）１６を用いて、封止樹脂層３で覆われた指紋センサ２の画素領域の位置を読み取る読み取り方法の一例を示す図である。図４では、指紋センサ２を構成する複数の画素のうち、一部の画素領域２１が封止樹脂層３で覆われている。以下では、封止樹脂層３で覆われている画素領域を「認証不可能画素領域２１」と記載し、封止樹脂層３で覆われていない画素領域を「認証可能画素領域２２」と記載する。
【００２９】
図４に示される状態の下で、カメラ３１を用いて封止樹脂層３が形成されていない指紋センサ２の上方領域（開口領域）から各画素のマーカ１６を読み取る。前記のとおり、マーカ１６には、各画素ごとに指紋センサ２上における座標位置が記載されているため、マーカ１６に付された情報を読み取ることで、読み取られた対象画素の指紋センサ２上における座標位置を認識することができる。
【００３０】
このとき、封止樹脂層３に近接配置されている認証可能画素領域２２内の各画素のマーカ１６内の情報を読み取る。例えば、図４において、左隅に係る画素Ｅ００の座標を（０，０）とし、図面上の右方向をＸ軸の正方向、上方向をＹ軸の正方向とする。このとき、認証可能画素領域２２内の画素であって、画素の２辺が封止樹脂層３に近接する画素Ｅ２２に係るマーカ１６の情報が（Ｘ，Ｙ）＝（２，２）であるとすると、当該画素Ｅ２２よりも原点に近い各画素、すなわち（Ｘ，Ｙ）＝（０，０）、（０，１）、（０，２）、（１，０）、（1，１）、（１，２）、（２，０）、（２，１）の各画素はいずれも封止樹脂層３に覆われている、言い換えれば、これらの画素はいずれも認証不可能画素領域２１内に存在する画素であることが分かる。
【００３１】
以下、順次画素を構成する一辺または二辺が封止樹脂層３と近接する画素のマーカ１６を読み出すことで、認証可能画素領域２２内のうち、封止樹脂層３の境界に最も近い各画素の座標を特定することができる。これにより、認証可能画素領域２２全体の座標範囲を特定することができる。
【００３２】
このように認証可能画素領域２２の座標範囲が特定された後、当該認証可能画素領域２２内の各画素の一部または全部を実際に指紋情報取得に利用する有効画素領域を特定し、当該特定された有効画素領域に係る座標情報（以下、「有効座標情報」と記載）を不揮発性メモリ２に記録する。なお、不揮発性メモリ２に対して記録する情報は、すべての有効座標情報を記録するものとしても構わないし、有効画素領域を特定可能な所定の頂点に係る座標（例えばＸ座標の最下位及び最上位アドレス、Ｙ座標の最下位及び最上位アドレス）を記録するものとしても構わない。
【００３３】
図５は、封止樹脂層３が形成される前の指紋センサ２が備える複数の画素構成を示す図である。図４と同様、左下隅を原点とし、図面上の右方向をＸ軸の正方向、上方向をＹ軸の正方向として以下説明する。
【００３４】
指紋センサ２は、Ｘ，Ｙの両軸方向に１４×１４のマトリクス状に配列されており、最下位アドレスは、座標（Ｘ、Ｙ）＝（０，０）を示し、最上位アドレスは、（Ｘ、Ｙ）＝（Ｄ，Ｄ）を示す（１６進数表記とする）。
【００３５】
ここで、指紋センサ２を構成する画素領域のうち、座標（Ｘ，Ｙ）＝（２，２）〜（Ｂ，Ｂ）の範囲内の領域が、初期状態（封止樹脂層３が形成される前）においてあらかじめ指紋情報の取得が可能な有効画素領域として設定されている領域である（以下、「初期有効画素領域４１」と記載）。一方、前記初期有効画素領域４１以外の画素領域内の画素は、初期状態として、指紋情報の取得が不可能な画素領域として設定されている（以下、「初期冗長画素領域４２」と記載）。すなわち、通常は、（Ｘ，Ｙ）＝（２，２）〜（Ｂ，Ｂ）の範囲内の初期有効画素領域４１内の各画素のみが指紋情報取得用画素として利用され、残りの初期冗長画素領域４２内の各画素は利用されない構成である。
【００３６】
例えば、指紋センサ２を構成する画素領域内に封止樹脂層３が全く形成されなかった場合、または、初期冗長画素領域４２内にのみ封止樹脂層３が形成され、初期有効画素領域４１内には封止樹脂層３が形成されなかった場合には、完成後の指紋情報取得装置は、問題なく指紋情報の取得、認証処理を行うことができる。一方で、初期有効画素領域４１内に封止樹脂層３が形成された場合には、指紋情報取得に用いることができる画素領域が減少するため、完成後に実際に利用する際の認証可能領域が狭くなってしまう。
【００３７】
ここで、図４に示すように、封止樹脂層３の形成過程において一方向にずれが生じた場合、一部の初期有効画素領域４１の上面に封止樹脂層３が形成される可能性がある一方で、一部の初期冗長画素領域４２の上面には封止樹脂層３が形成されていない可能性がある。特に、指紋センサ２を構成する画素領域の中央部に初期有効画素領域４１を構成し、その周辺に位置する画素を初期冗長画素領域４２として設定した場合には、一部の初期有効画素領域４１上に封止樹脂層３が形成された場合であっても、一部の初期冗長画素領域４２の上面には封止樹脂層３が形成されていない可能性が高い。
【００３８】
ここで、前記のとおり、カメラ３１を用いることで封止樹脂層３が上面に形成されていない認証可能画素領域２２の座標情報が認識されている。一部の初期冗長画素領域４２の上面に封止樹脂層３が形成されていない場合、認証可能画素領域２２内には、初期有効画素領域４１のみならず初期冗長画素領域４２内の画素も含まれることとなる。従って、封止樹脂層３が上面に形成されずに残存している初期冗長画素領域４２内の画素を含む認証に有効な画素領域を改めて有効画素領域として設定し直すことで、初期有効画素領域４１内の一部に封止樹脂層３が形成されていた場合であっても、指紋情報取得に用いることが出来る領域を最大限確保することができる。
【００３９】
図６は、本発明装置１０の動作説明のための概念的ブロック図である。前記のとおり、本発明装置１０は、半導体基板１上に指紋センサ用半導体チップ２０、不揮発性メモリ素子５、及び演算処理部５０を備えている。この演算処理部５０は、センサ２上の所定のアドレス位置に係る情報の読み出し指示を行う読み出し指示部５１を備えている。
【００４０】
上述したように、不揮発性メモリ素子５には有効座標情報が記録されている。図６では、書き込み装置３２によって不揮発性メモリ素子５に対して当該有効座標情報の書き込みがされるものとして図示している。ここで、演算処理部５０に対して所定の対象座標に位置する画素の読み出し指示が与えられると、読み出し指示部５１は、不揮発性メモリ素子５から有効座標情報を読み出すとともに、有効座標情報が示す有効座標と指定された対象座標に基づいて、実際に読み出し対象となる座標（以下、「修正対象座標」と記載）を算出する。そして、指紋センサ２に対して当該修正対象座標に位置する画素の読み出し指示を行う。読み出された情報は、演算処理部５０に与えられて所定の演算処理を施された後外部に出力される。
【００４１】
封止樹脂層３が一部の初期有効画素領域上面に形成された場合における読み出し指示部５１の処理内容の一例を、図７を参照して説明する。図７は、一部の初期有効画素領域の上面に封止樹脂層３が形成された場合の本発明装置１０の模式図である。図５と同様、（Ｘ，Ｙ）＝（２，２）〜（Ｂ，Ｂ）の範囲内の領域が初期有効画素領域４１であり、それ以外の領域が初期冗長画素領域４２であるとする。図７では、封止樹脂層３で覆われている領域を網掛けで付し、封止樹脂層３で覆われておらず上面が露出している領域は網掛けを付していない。また、煩雑さを回避するために、初期有効画素領域４１と初期冗長画素領域４２との塗り分けは行っていない。
【００４２】
ここで、前記のようにカメラ３１を用いて各画素のマーカ１６を確認することで、（Ｘ，Ｙ）＝（４，４）〜（Ｄ，Ｄ）の範囲内の領域が認証可能画素領域２２であることが認識される。そして、この認証可能画素領域２２内の画素のうち、初期有効画素領域４１内の画素数と同一の画素数を示す（Ｘ，Ｙ）＝（３，３）〜（Ｃ，Ｃ）の範囲内の領域を有効画素領域として設定する。そして、かかる有効画素領域を示す有効座標情報が書き込み装置３２によって不揮発性メモリ素子５に対して書き込まれる。このとき、上記のように、有効画素領域を示すすべての画素の座標情報が有効座標情報として不揮発性メモリ素子５に対して記録されるものとしても構わないし、Ｘ軸に係る最下位アドレス及びＹ軸に係る最下位アドレス（本例では、ともに３）のみが記録されるものとしても構わない。
【００４３】
ここで、外部よりアドレス（Ｘ，Ｙ）＝（２，２）に対応する座標に係る画素の読み出し指示が与えられたとする。このとき、有効画素領域は、初期有効画素領域４１から修正されているため、読み出し指示部５１によって修正後の有効画素領域内における読み出し対象座標が算出される。すなわち、初期有効画素領域４１が（Ｘ，Ｙ）＝（２，２）〜（
Ｂ，Ｂ）の範囲内の各画素であったのに対し、修正後の有効画素領域は（Ｘ，Ｙ）＝（３，３）〜（Ｃ，Ｃ）の範囲内に修正されている。両者を比較すると、Ｘ、Ｙの両座標とも＋１ずつ正方向に移動されていることが分かる。従って、読み出し指示部５１は、対象座標（Ｘ，Ｙ）＝（２，２）に対して両座標ともに＋１ずつ加算することで、修正後の有効画素領域内における該当する座標（修正対象座標）として（Ｘ，Ｙ）＝（３，３）を算出し、当該座標に対応する画素の情報の読み出し指示を行う。他の対象座標に係る画素の読み出し指示が外部より与えられた場合においても同様とする。
【００４４】
これにより、初期有効画素領域４１内の一部に封止樹脂層３が形成された場合であっても、指紋認証が可能な画素領域を極力減少させることなく利用することができるため、かかる場合でも精度の高い指紋情報検出機能を発揮することができる。また、製造時において、封止樹脂層３の端部と指紋センサ２（画素部）端部との離間距離を精度良く調整する必要がないため、高い加工精度が要求されることがなく、生産性が向上するという効果を有する。
【００４５】
なお、上記実施形態では本実施例では各画素のマーカ１６をバーコードとしたが、各画素の位置情報を表すことが出来ればこの限りではない。例えば、指紋センサ２上における座標位置を表すＸ，Ｙの数字や、各画素ごとに付与されたシリアルナンバー、それらを表すＱＲコードやドットによる表示等でも構わない。また、初期有効画素領域４１並びに初期冗長画素領域４２の座標設定方法、及び指紋センサ２が備える画素数はあくまで一例であって、この数値に限定されるものではない。
【００４６】
また、上記実施形態では、半導体基板上に指紋センサ用半導体チップ２０と不揮発性メモリ素子５を備えるマルチチップパッケージで構成されるものとしたが、指紋センサ、不揮発性メモリ素子、及び演算処理部が同一の半導体チップ上に実装される構成であっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明に係る指紋情報取得装置の概略断面構造図
【図２】本発明に係る指紋情報取得装置の概略平面構造図
【図３】指紋センサの画素構成例
【図４】封止樹脂層で覆われた指紋センサの画素領域の位置を読み取る方法の一例を示す図
【図５】封止樹脂層が形成される前の指紋センサが備える複数の画素構成を示す図
【図６】本発明に係る指紋情報取得装置の動作説明のためのブロック図
【図７】一部の初期有効画素領域の上面に封止樹脂層が形成された場合の本発明に係る指紋情報取得装置の模式図
【図８】従来の指紋センサが実装された半導体チップの概略断面構造図
【符号の説明】
【００４８】
１：    半導体基板
２：    指紋センサ
３：    封止樹脂層
４：    ワイヤ線
５：    不揮発性メモリ素子
６：    封止樹脂層によって覆われたセンサ面の一部領域
７：    開口領域
１０：    本発明に係る指紋情報取得装置
１１：    指紋センサを構成する一画素
１２：    センサ部
１３：    電極プレート
１４：    容量センサ
１５：    信号線
１６：    マーカ
２０：    指紋センサ用半導体チップ
２１：    認証不可能画素領域
２２：    認証可能画素領域
３１：    カメラ
３２：    書き込み装置
４１：    初期有効画素領域
４２：    初期冗長画素領域
５０：    演算処理部
５１：    読み出し指示部
９０：    従来の指紋情報取得装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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