(57)【要約】【課題】ミストによって金属薄膜が腐食することを防止し、断裁時における品質劣化を抑制する。【解決手段】この放射線画像変換プレートの断裁方法は、高分子材料により形成され、その表面に金属薄膜層を有する支持体に対して、気相堆積法により前記金属薄膜層上に蛍光体層を形成することで作成された放射線画像変換プレートをレーザー光により断裁する断裁方法である。断裁方法は、放射線画像変換プレートの断裁前、断裁中又は断裁後に、放射線画像変換プレートの断裁端部中の前記金属薄膜層にミストが付着することを予め防止するミスト付着防止工程を有する。【選択図】図１
2008203068.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子材料により形成され、その表面に金属薄膜層を有する支持体に対して、気相堆積法により前記金属薄膜層上に蛍光体層を形成することで作成された放射線画像変換プレートをレーザー光により断裁する断裁方法であって、
前記放射線画像変換プレートの断裁前、断裁中又は断裁後に、前記放射線画像変換プレートの断裁端部中の前記金属薄膜層にミストが付着することを予め防止するミスト付着防止工程を有することを特徴とする放射線画像変換プレートの断裁方法。
【請求項２】
請求項１記載の放射線画像変換プレートの断裁方法において、
前記ミスト付着防止工程は、前記放射線画像変換プレートの断裁端部周辺の湿度を少なくとも５０％ＲＨ以下とする除湿工程を含むことを特徴とする放射線画像変換プレートの断裁方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の放射線画像変換プレートの断裁方法において、
前記ミスト付着防止工程は、前記放射線画像変換プレートの断裁端部周辺の前記ミストを集塵する集塵工程を含むことを特徴とする放射線画像変換プレートの断裁方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の放射線画像変換プレートの断裁方法において、
前記ミスト付着防止工程は、断裁が実行される空間と外気とを実質的に遮断する外気遮断工程を含むことを特徴とする放射線画像変換プレートの断裁方法。
【請求項５】
高分子材料により形成され、その表面に金属薄膜層を有する支持体に対して、気相堆積法により前記金属薄膜層上に蛍光体層を形成することで作成された放射線画像変換プレートをレーザー光により断裁する断裁手段と、
前記断裁手段の断裁によって露出する前記放射線画像変換プレートの断裁端部中の前記金属薄膜層にミストが付着することを予め防止するミスト付着防止手段とを有することを特徴とする放射線画像変換プレートの断裁装置。
【請求項６】
請求項５記載の放射線画像変換プレートの断裁装置において、
前記ミスト付着防止手段は、前記放射線画像変換プレートの断裁端部周辺の湿度を少なくとも５０％ＲＨ以下とする除湿手段を含むことを特徴とする放射線画像変換プレートの断裁装置。
【請求項７】
請求項５又は６記載の放射線画像変換プレートの断裁装置において、
前記ミスト付着防止手段は、前記放射線画像変換プレートの断裁端部周辺の前記ミストを集塵する集塵手段を含むことを特徴とする放射線画像変換プレートの断裁装置。
【請求項８】
請求項５〜７の何れか一項に記載の放射線画像変換プレートの断裁装置において、
前記ミスト付着防止手段は、前記断裁工程が実行される空間と外気とを実質的に遮断する外気遮断手段を含むことを特徴とする放射線画像変換プレートの断裁装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像変換プレートの断裁方法及び断裁装置に関し、特に気相堆積法により形成される放射線画像変換プレートをレーザー光により断裁する放射線画像変換プレートの断裁方法及び断裁装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、病気診断等を目的として、Ｘ線画像に代表される放射線画像が用いられている。
このような放射線画像を得るための方式として、近年では、輝尽性蛍光体を採用した放射線画像読取方式が提案され、実用化されている。この方式においては、例えば、被写体を透過させた放射線を放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に照射して、被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させる。そして、この輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって蓄積させた放射線エネルギーを輝尽発光光として放出させ、光電変換手段を用いてこの輝尽発光光を画像信号に変換して、デジタル画像データとして放射線画像を得ている。
【０００３】
このような放射線画像読取方式に用いられる放射線画像変換パネルは、まず、支持体の表面上に金属薄膜層を形成し、その後金属薄膜層上に輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を塗布して放射線画像変換プレート（基材プレート）を形成し、この放射線画像変換プレートを、打ち抜き刃を用いて断裁して、所望のサイズに成形する手法によって製造されるのが一般的である（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。近年においては、より欠陥の少ない放射線画像変換プレートを作成するため、レーザー光の照射により対象物を断裁するものが開発されている。
【０００４】
ところで、放射線画像変換パネルは、その使用目的に鑑みて、できる限り放射線に対する感度が高く、画質（鮮鋭度、粒状性など）の良い画像を与えるものであることが望まれている。しかしながら、塗布型の放射線画像変換パネルにおいては、その塗布材料にバインダ樹脂等の発光に寄与しない成分を含有するため、一定水準以上の感度や画質を得ることが困難であるという問題があった。
【０００５】
そこで、このような問題を解決するため、気相堆積法による放射線画像変換プレートの製造方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
気相堆積法により放射線画像変換プレートを製造する方法では、例えば、蛍光体材料を蒸発・気化させ、金属薄膜層上に付着した結晶を成長させることにより、支持体表面に柱状結晶など、結晶が整然と並んだ構成の輝尽性蛍光体層を金属薄膜層上に形成することができる。このようにして製造された放射線画像変換プレートは、輝尽性蛍光体層を形成する材料に発光に寄与しない成分を含有しないため放射線に対して高い感度を得ることができる。
【特許文献１】特開平１１−２２３８９１号公報
【特許文献２】特開２００４−１５４９１３号公報
【特許文献３】特開２００６−９８７０５公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、気相堆積法により製造された放射線画像変換プレートを断裁する場合、プレートの断裁面から金属薄膜層が露出してしまうので、その金属薄膜層に蛍光体ミストや空気中の水分ミストが付着して、腐食してしまうおそれがあった。
本発明の課題は、ミストによって金属薄膜が腐食することを防止し、断裁時における品質劣化を抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１記載の発明に係る放射線画像変換プレートの断裁方法は、
高分子材料により形成され、その表面に金属薄膜層を有する支持体に対して、気相堆積法により前記金属薄膜層上に蛍光体層を形成することで作成された放射線画像変換プレートをレーザー光により断裁する断裁方法であって、
前記放射線画像変換プレートの断裁前、断裁中又は断裁後に、前記放射線画像変換プレートの断裁端部中の前記金属薄膜層にミストが付着することを予め防止するミスト付着防止工程を有することを特徴としている。
【０００８】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の放射線画像変換プレートの断裁方法において、
前記ミスト付着防止工程は、前記放射線画像変換プレートの断裁端部周辺の湿度を少なくとも５０％ＲＨ以下とする除湿工程を含むことを特徴としている。
【０００９】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の放射線画像変換プレートの断裁方法において、
前記ミスト付着防止工程は、前記放射線画像変換プレートの断裁端部周辺の前記ミストを集塵する集塵工程を含むことを特徴としている。
【００１０】
請求項４記載の発明は、請求項１〜３の何れか一項に記載の放射線画像変換プレートの断裁方法において、
前記ミスト付着防止工程は、断裁が実行される空間と外気とを実質的に遮断する外気遮断工程を含むことを特徴としている。
【００１１】
請求項５記載の発明に係る放射線画像変換プレートの断裁装置は、
高分子材料により形成され、その表面に金属薄膜層を有する支持体に対して、気相堆積法により前記金属薄膜層上に蛍光体層を形成することで作成された放射線画像変換プレートをレーザー光により断裁する断裁手段と、
前記断裁手段の断裁によって露出する前記放射線画像変換プレートの断裁端部中の前記金属薄膜層にミストが付着することを予め防止するミスト付着防止手段とを有することを特徴としている。
【００１２】
請求項６記載の発明は、請求項５記載の放射線画像変換プレートの断裁装置において、
前記ミスト付着防止手段は、前記放射線画像変換プレートの断裁端部周辺の湿度を少なくとも５０％ＲＨ以下とする除湿手段を含むことを特徴としている。
【００１３】
請求項７記載の発明は、請求項５又は６記載の放射線画像変換プレートの断裁装置において、
前記ミスト付着防止手段は、前記放射線画像変換プレートの断裁端部周辺の前記ミストを集塵する集塵手段を含むことを特徴としている。
【００１４】
請求項８記載の発明は、請求項５〜７の何れか一項に記載の放射線画像変換プレートの断裁装置において、
前記ミスト付着防止手段は、前記断裁工程が実行される空間と外気とを実質的に遮断する外気遮断手段を含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ミスト付着防止工程によって、放射線画像変換プレートの断裁端部中の金属薄膜層にミストが付着することが予め防止されるので、金属薄膜層がミストによって腐食することが防止され、切断時における品質劣化を抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図を参照しつつ、本発明に係る放射線画像変換プレートの断裁装置の一実施形態について説明する。ただし、発明の範囲を図示例に限定するものではない。
【００１７】
図１は、本実施形態における断裁装置の要部構成を示す斜視図である。
本実施形態における断裁装置１は、支持体２３上に輝尽性蛍光体層２４を設けた基材プレート２にレーザー光を走査することにより、基材プレート２から所望のサイズの放射線画像変換パネル２１を切り出す基材プレート２（放射線画像変換プレート）の断裁装置１である。基材プレート２は、断裁装置１によって断裁することにより、製品となる放射線画像変換パネル２１と非製品部分である非パネル部２２とに切り分けられる。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態において断裁装置１は、箱型に形成されたパージ室３を備えている。パージ室３は、基材プレート２を出し入れするために開閉可能となっている。ここで、パージ室３は、閉状態である場合には外気中に浮遊する塵やミスト等の進入を防ぐために、内部がほぼ密閉された空間となっている。これにより、パージ室３の内部と外気とは遮蔽された状態となる。つまり、パージ室３が本発明に係る外気遮断手段である。なお、パージ室３内は、低湿環境であることが好ましい。また、パージ室３の上面には、レーザー光を透過させる透光窓３１が設けられている。
【００１９】
パージ室３内部の底面には、基材プレート２を載置する支持台４が設けられている。
支持台４は、平板状の部材であり、本実施形態における断裁装置１で断裁される基材プレート２の最大サイズよりも大きく形成されている。支持台４は、支持台移動手段１３（図５参照）により図１のＸ-Ｙ方向に水平に移動可能に構成されている。
【００２０】
また、支持台４の表面（基材プレート２が載置される面）には、例えば、図示しない複数の吸引孔が設けられており、支持台４の内部であって吸引孔の設けられている位置に対応する部分には、吸引孔と連通する通気路（図示せず）が配設されている。
【００２１】
また、支持台４には、吸引手段１２（図５参照）が備えられており、前記通気路を介して吸引孔から空気を吸引することにより、支持台４に載置された基材プレート２を支持台４の表面に吸着させるようになっている。なお、基材プレート２を支持台４の表面に吸着させる手段はここに例示したものに限定されず、例えば、静電的に基材プレート２を支持台４の表面に吸着させる静電吸着手段であってもよい。
【００２２】
また、実施形態において、支持台４に設置される基材プレート２は、図２に示すように、枠体８に張設されており、支持台４の表面（基材プレート２が載置される面）には、基材プレート２の張設された枠体をねじ等の機械的な手法により固定する固定手段４１が設けられている。なお、固定手段４１の設けられる位置等は図示例に限定されない。
【００２３】
この支持台４の上方には、パージ室３内に発生した塵やすす、ミスト等の浮遊物を集塵する略環状の集塵手段５が設けられている。
集塵手段５には、集塵手段５によって集められたミスト等の浮遊物をパージ室３の外に導く排出管６の一端が連通している。排出管６の他端は、パージ室３の上面を貫通してパージ室３の外部に露出しており、集塵手段５によって集められた浮遊物は排出管６を介してパージ室３の外に排出されるようになっている。
【００２４】
ここで、ミストとは、空気中の水蒸気だけでなく、断裁時に発生した蛍光体ミストも含まれる。
集塵手段５は、当該集塵手段５の中空部分が前記透光窓３１に対向する位置で、なおかつ、集塵手段５自体が基材プレート２の上方近傍位置にくるように配置されている。基材プレート２の上方近傍位置とは、当該断裁装置１で断裁された基材プレート２の断裁端部周辺のミストを集塵できる位置である。具体的には、基材プレート２の断裁端部に付着するミストが腐食を誘発する量未満となるように、集塵手段５の集塵力、ミストの発生量等から、実験やシミュレーションを行い、集塵手段５の配置箇所が決定される。
【００２５】
そして、パージ室３の閉状態時に集塵手段５を稼働するとミストの集塵が行われる。また、基材プレート２の断裁端部周辺の湿度が所定値以下となるように、除湿手段としてのドライエアー（又は窒素）封入装置（図示せず）の除湿力が設定されている。ここで、本発明者らは、実験等により、前記所定値が５０％ＲＨ以下であると、その機能を十分発揮可能な放射線画像変換パネル２１を断裁することが可能であることを見出した。特に、所定値を５％ＲＨ以下とすると、安定して品質の高い放射線画像変換パネル２１が取得可能であることも突き止めた。このため除湿手段の除湿力は、基材プレート２の断裁端部周辺の湿度が５０％ＲＨ以下、好ましくは５％ＲＨ以下に設定される。なお、集塵手段５が除湿手段を兼ねるようにしてもよい。
【００２６】
また、パージ室３の上方には、パージ室３内の支持台４上に載置された基材プレート２にレーザー光を照射する断裁手段としてのレーザー発生装置７が設けられている。
【００２７】
図３を参照しつつ、レーザー発生装置７の構成について説明する。
【００２８】
図３は、本実施形態におけるレーザー発生装置７を示す概略図である。
レーザー発生装置７は、レーザー光を発生させるレーザー発振部７１、レーザー発振部７１より発振されたレーザー光のビーム径を調整するビームエキスパンダー７２、及びレーザー光の光路を調整し、基材プレート２上にレーザー光を照射する加工ヘッド７３等から構成されている。
【００２９】
レーザー発振部７１には、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet  イットリウム・アルミニウム・ガーネット結晶）等のレーザー光学媒体と、これを挟んで対向した一対の反射ミラーと、からなる光共振器（図示せず）が備えられており、所定の周波数のＵＶ波長のレーザー光が発振されるように構成されている。なお、レーザー発振部７１から発振されるレーザー光は、パルスレーザーであり、レーザー発振部７１は、レーザー光を所定のパルス幅で発振させるようになっている。なお、本実施形態においては、レーザー発振部７１にＹＡＧ等を備える固体レーザーを例として説明するが、レーザー発振部はこれに限定されず、例えばガスレーザー等、固体以外の媒体を用いるものであってもよい。
【００３０】
レーザー発振部７１より発振されたレーザー光は、ビームエキスパンダー７２を介して所定のビーム径に調整され、加工ヘッド７３に出射される。
【００３１】
加工ヘッド７３は、折り返しミラー７４、ガルバノミラー７５、集光レンズ７６等を備えて構成されている。
折り返しミラー７４は、全反射ミラーであり、レーザー発振部７１から発振されビームエキスパンダー７２を介して照射されたレーザー光は、折り返しミラー７４に入射し、折り返しミラー７４により基材プレート２に向かってほぼ直角に方向変換がなされる。
【００３２】
さらに、折り返しミラー７４により方向変換されたレーザー光は、ガルバノミラー７５に入射する。ガルバノミラー７５は、例えばレーザー光を全反射させる反射ミラーと、この反射ミラーの角度を変更させる角度調整手段と（いずれも図示せず）を備えて構成されており、ガルバノミラー７５に入射したレーザー光は、角度を調整された上で集光レンズ（ｆθレンズ）７６に入射する。そして、レーザー光は、集光レンズ７６によって加工対象物である基材プレート２上の一点に集光されるとともに、ガルバノミラー７５の動きに応じて照射角度を調整され、基材プレート２上の所定の走査線Ｓ上を走査可能となっている。
なお、本実施形態においては、前記支持台移動手段１３とガルバノミラー７５とにより、レーザー光を基材プレート２上で走査させる走査手段が構成される。
【００３３】
図１において、加工ヘッド７３から照射されるレーザー光の光軸を二点鎖線で示している。図１に示すように、レーザー発生装置７の加工ヘッド７３は、透光窓３１及び集塵手段５の中空部分に対応する位置に向けられており、レーザー光は、加工ヘッド７３から矢印方向に照射され、透光窓３１及び集塵手段５の中空部分を透過して支持台４上の基材プレート２に照射されるようになっている。
【００３４】
ここで、図４を参照しつつ、本実施形態における断裁装置１によって断裁される基材プレート２（放射線画像変換プレート）について説明する。
【００３５】
本実施形態において基材プレート２（放射線画像変換プレート）は、支持体２３と、支持体２３の上に形成された輝尽性蛍光体層２４とを備える多層構造となっており、この基材プレート２を断裁することにより切り出される放射線画像変換パネル２１は、被写体を透過した放射線を輝尽性蛍光体層２４に吸収させ、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積することができる。そして、その後、可視光線、赤外線などの電磁波（励起光）によって輝尽性蛍光体を時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光として放出させる。この光の強弱による信号を、例えば、光電変換することにより電気信号を得て、ハロゲン化銀写真感光材料などの記録材料、ＣＲＴなどの表示装置上に可視像として再生することができる。
【００３６】
支持体２３としては、各種高分子材料（ポリマー）、例えば、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルムなどのプラスチックフィルム等を適用することができる。なお、支持体２３を形成する材料はここに例示したものに限定されない。
【００３７】
支持体２３の厚さ寸法は用いる材料の材質等によって異なるが、一般的には８０μｍ〜５０００μｍであり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは２５０μｍ〜４０００μｍである。
【００３８】
本実施形態においては、基材プレート２（放射線画像変換プレート）の製造過程において、支持体２３を枠体８に張設し、少なくとも一方向に伸張された状態に保持したまま支持体２３の上に輝尽性蛍光体層２４を形成する。
【００３９】
支持体２３と輝尽性蛍光体層２４との間には、金属薄膜層２５が配置されている。金属薄膜層２５は、輝尽性蛍光体層２４を支持体２３の上に均一に蒸着させて放射線画像変換パネル２１全体として輝尽発光を取り出す際に下層含め効率良く取り出すためのものであり反射効率の良いものを選定している。例えば金属薄膜層２５はアルミニウム、鉄、銅、クロム等により形成されている。
なお、アルミニウム等からなる金属薄膜層２５に輝尽性蛍光体層２４が直接接触すると金属薄膜層２５の腐食の要因となることから、金属薄膜層２５の表面（輝尽性蛍光体層が形成される側の面）は被覆層２６によって覆われている。
【００４０】
輝尽性蛍光体層２４は、輝尽性蛍光体の柱状結晶からなり、気相堆積法により、支持体２３の一面側に５０μｍ以上、好ましくは１００〜７００μｍの厚さ寸法に形成されるようになっている。
気相堆積法としては、蒸着法、スパッタ法、化学蒸着（ＣＶＤ：chemical vapor deposition）法等が好ましく用いられる。いずれの手法においても、輝尽性蛍光体層２４を支持体２３上に独立した細長い柱状結晶に気相成長させることができる。
【００４１】
次に、図５を参照しつつ、本実施形態における断裁装置１の制御構成について説明する。
【００４２】
図５に示すように、断裁装置１には、制御装置１０が設けられている。
制御装置１０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、各種の制御プログラム等を格納するＲＯＭ（Read Only Memory）、データ等を一時記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）（いずれも図示せず）等を備えて構成されるコンピュータであり、ＲＯＭに記録された制御プログラムをＲＡＭの作業領域に展開してＣＰＵにより実行するようになっている。
【００４３】
また、断裁装置１は、基材プレート２から、いかなるサイズの放射線画像変換パネル２１を切り出すか、一枚の基材プレート２から何枚の放射線画像変換パネル２１を切り出すか等の断裁条件や断裁開始指示等を入力する入力部１１を有しており、入力部１１から入力された情報は、制御装置１０に送られるようになっている。入力部１１は、例えばキーボードや操作パネルであり、ユーザは入力部１１を操作することにより放射線画像変換パネル２１のサイズや枚数等を所望の数値に設定することができる。なお、入力部１１は、断裁装置１の必須の構成要素ではなく、例えば外部のＰＣ（Personal Computer）等から断裁条件や断裁開始指示等を入力するように構成してもよい。
【００４４】
また、制御装置１０は、吸引手段１２を動作させて、通気路を介して吸引孔から空気を吸引し、基材プレート２を支持台４の表面に吸着させるようになっている。
【００４５】
また、制御装置１０は、基材プレート２の断裁によってパージ室３内に発生した塵やすす等の浮遊物を集塵してパージ室３の外に排出させるように、集塵手段５を動作させるようになっている。
【００４６】
また、制御装置１０は、入力部１１から入力された断裁条件等に基づいて支持台移動手段１３を動作させ、支持台４を図１のＸ-Ｙ方向に水平に移動させるとともに、支持台４に載置された基材プレート２の所望の位置に、所望のビーム径でレーザー光が照射されるように、レーザー発生装置７の各部を制御するようになっている。
【００４７】
本実施形態においては、断裁装置１は、１枚の基材プレート２から６枚の放射線画像変換パネル２１を１枚ずつ切り出すようになっている。
【００４８】
ここで、図６を参照しつつ本実施形態における放射線画像変換パネル２１の切り出しの手順について説明する。
基材プレート２から放射線画像変換パネル２１を切り出す際、制御装置１０は、まず、支持台移動手段１３を動作させて、基材プレート２から切り出す１枚目の放射線画像変換パネル２１の走査線Ｓ上（外周）の一つの辺３０（例えば、図６における３０ａ）の上にレーザー発生装置７の加工ヘッド７３が来るように支持台４を移動させ、当該辺３０ａを切断するようにレーザー発生装置７の各部を動作させる。当該辺３０ａが完全に切断されると、基材プレート２にかかっていたテンションが解放され、基材プレート２の収縮力が一部減殺される。次に、制御装置１０は、支持台移動手段１３を動作させて、当該辺３０ａに対向する辺３０ｃの走査線Ｓ上にレーザー発生装置７の加工ヘッド７３が来るように支持台４を移動させ、レーザー発生装置７の各部を動作させて辺３０ｃを切断する。当該辺３０ｃが完全に切断されると、制御装置１０は、同様に支持台移動手段１３及びレーザー発生装置７を動作させて辺３０ｂ及び辺３０ｄを切断する。
【００４９】
そして、１枚目の放射線画像変換パネル２１の外周の各辺３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄがすべて切断されると、最後に当該放射線画像変換パネル２１の角部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを順に切断する。これにより、当該放射線画像変換パネル２１は完全に基材プレート２から切り離される。
【００５０】
１枚目の放射線画像変換パネル２１について切断が完了すると、制御装置１０は、２枚目に切り出す放射線画像変換パネル２１の走査線Ｓ上（外周）の一つの辺の上にレーザー発生装置７の加工ヘッド７３が来るように支持台４を移動させ、１枚目と同様に、当該放射線画像変換パネル２１の各辺を切断し、最後に各角部を切断する。同様にして、制御装置１０は、１枚の基材プレート２から６枚の放射線画像変換パネル２１を順次切り出すようになっている。
【００５１】
次に、図７を参照しつつ、本実施形態における断裁装置１による基材プレート２（放射線画像変換プレート）の断裁方法について説明する。
【００５２】
まず、作業者により、基材プレート２がパージ室３内に収められ、パージ室３が閉状態とされて、パージ室３の内部と外気とが実質的に遮断される（ステップＳ１：外気遮断工程）。
【００５３】
そして、入力部１１から断裁条件等が入力・設定され、断裁開始指示が入力されると、制御装置１０は、支持台４の吸引手段１２を動作させて基材プレート２を支持台４の上に吸着させる（ステップＳ２）。
【００５４】
その後、制御装置１０は、集塵手段５を制御して、パージ室３内における基材プレート２の断裁端部周辺の湿度を５０％ＲＨ以下とする（ステップＳ３：除湿工程）。
【００５５】
湿度調節が完了すると、制御装置１０は、基材プレート２の断裁部周辺のミストや埃等の浮遊物を集塵する状態が、これ以降においても継続されるように集塵手段５を制御する（ステップＳ４：集塵工程）。
【００５６】
その後、制御装置１０は、支持台移動手段１３及びレーザー発生装置７を制御して、基材プレート２の所定位置を断裁する（ステップＳ５：断裁工程）。具体的には、制御装置１０は、支持台移動手段１３を動作させて、ｎ枚目に切り出す放射線画像変換パネル２１の走査線Ｓ上の一辺（例えば図６における３０ａ）の上にレーザー発生装置７の加工ヘッド７３が位置するように支持台４の位置を調整する。さらに、制御装置１０はレーザー発生装置７を制御してレーザー発振部７１から所定の周波数のレーザー光を発生させ、発生したレーザー光のビーム径をビームエキスパンダー７２によって調整した上で加工ヘッド７３から照射させる。この際、制御装置１０はガルバノミラー７５を制御して加工ヘッド７３から照射するレーザー光の照射角度を調整し、当該放射線画像変換パネル２１の走査線Ｓ（放射線画像変換パネル２１の外周）に沿ってレーザー光が複数回周回走査されるように加工ヘッド７３からレーザー光を照射させる。これを６枚の放射線画像変換パネル２１の各辺３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ及び角部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄに対して繰り返し、全ての放射線画像変換パネル２１を断裁し、終了する。
【００５７】
断裁工程の際には、外気遮断工程、除湿工程、集塵工程によって、放射線画像変換パネル２１の断裁端部付近には、ミストがほぼ発生しないようになっている。このため、断裁により露出した放射線画像変換パネル２１の断裁面にある金属薄膜層２５にミストが付着することが予め防止されている。つまり、外気遮断工程、除湿工程、集塵工程が本発明に係るミスト付着防止工程であり、パージ室３、集塵手段５が本発明に係るミスト付着防止手段である。
【００５８】
以上のように、本実施形態によれば、放射線画像変換パネル２１の断裁端部中の金属薄膜層２５にミストが付着することが予め防止されるので、金属薄膜層２５がミストによって腐食することが防止され、切断時における品質劣化を抑制することが可能となる。
【００５９】
なお、本実施形態においては、集塵手段５が本発明に係る除湿手段を兼ねる場合について例示したが、集塵手段５と除湿手段はそれぞれ別体であっても構わない。
【００６０】
また、本実施形態においては、レーザー発振部７１から発振されるレーザー光がパルスレーザーである場合を例として説明したが、レーザー発振部７１から発振されるレーザー光はこれに限定されず、ＣＷレーザー（Continuous wave laser）であってもよい。
また、レーザー光は、ＵＶ波長以外ものであってもよい。
【００６１】
また、本実施形態においては、レーザー発生装置７のガルバノミラー７５と支持台移動手段１３とにより、レーザー光を基材プレート２上で走査させる走査手段が構成され、基材プレート２からある放射線画像変換パネル２１を切り出す際には、ガルバノミラー７５を動作させることにより、レーザー光を当該放射線画像変換パネル２１の外周（走査線Ｓ）に沿って走査させ、当該放射線画像変換パネル２１の外周を完全に切断したら、支持台移動手段１３を動作させて次に切断する放射線画像変換パネル２１の走査線Ｓにレーザー光が照射される位置まで支持台４を移動させる場合を例としたが、走査手段の構成はここに例示したものに限定されない。
例えば、ガルバノミラー７５を用いずに、支持台移動手段１３のみにより走査手段を構成し、支持台４を移動させながらレーザー光を基材プレート２上で走査させる構成としてもよい。また、ガルバノミラー７５のみにより走査手段を構成し、支持台４を固定した状態で、ガルバノミラー７５によってレーザー光の照射角度を調整することによりレーザー光を基材プレート２上で走査させる構成としてもよい。
【００６２】
また、本実施形態では、パージ室３を閉状態とした場合にパージ室３内部と外気とが遮断される場合を例示して説明したが、実質的に遮断されているのであればパージ室３は完全に密閉されていなくてもよい。例えば、乾燥空気をパージ室３内に供給することで、パージ室３内と外気とを実質的に遮断する乾燥空気供給部を外気遮断手段として設けてもよい。なお、ここで言う「実質的に遮断」とは、基材プレート２の断裁端部に付着するミストが腐食を誘発する量未満となるように、外部からのミスト侵入を遮断することである。
【００６３】
その他、本発明が上記実施の形態に限らず適宜変更可能であるのは勿論である。
例えば、本実施形態では、断裁後にミスト付着防止工程が実行される場合を例示して説明したが、ミスト付着防止工程は断裁前や断裁中に実行されるものであっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本実施形態に係る断裁装置を示す概略構成図である。
【図２】図１に示す断裁装置に備えられる支持台の上に基材プレートが載置された状態を示した上面図である。
【図３】本実施形態に係る断裁装置に搭載されたレーザー発生装置を示す概略図である。
【図４】本実施形態に係る基材プレートの断面図である。
【図５】図１に示す断裁装置の制御機構を示すブロック図である。
【図６】本実施形態における基材プレートの切断手順を説明するための説明図である。
【図７】本発明に係る断裁方法を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【００６５】
１    断裁装置
２    基材プレート
３    パージ室
４    支持台
５    集塵手段
６    排出管
７    レーザー発生装置
１０    制御装置
１１    入力手段
１２    吸引手段
１３    支持台移動手段
２１    放射線画像変換パネル
２２    非パネル部
２３    支持体
２４    輝尽性蛍光体層
２５    金属薄膜
３１    透光窓
７１    レーザー発振部
７２    ビームエキスパンダー
７３    加工ヘッド
７４    折り返しミラー
７５    ガルバノミラー
７６    集光レンズ
Ｓ    走査線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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