(57)【要約】      （修正有）【課題】  基板上に半導体チップが搭載され、半導体チップ上の接続パッドと基板上の上層接続パッドとがボンディングワイヤを介して接続され、半導体チップを含む基板上に封止膜が設けられた半導体装置において、ボンディングワイヤの基板に平行な方向のピッチが狭くなっても、封止膜を形成するための液状樹脂からなる封止膜形成用膜中の気泡がボンディングワイヤに引っかからずに大気中に抜け出るようにする。【解決手段】  ボンディングワイヤ１１、１２とは１本おきに配置されている。ボンディングワイヤ１２の最高点はボンディングワイヤ１１の最高点よりも３０μｍ以上高い位置にある。これにより、ボンディングワイヤ１１、１２の基板１に平行な方向のピッチが狭くなっても、相隣接するボンディングワイヤ１１、１２の各最高点間の間隔をピッチよりも大きくすることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体チップが搭載され、前記半導体チップ上の複数の接続パッドと前記基板上の複数の上層接続パッドとが複数のボンディングワイヤを介して接続され、前記ボンディングワイヤおよび前記半導体チップを含む前記基板上に封止膜が設けられた半導体装置において、前記ボンディングワイヤは１本おきに配置された第１、第２のボンディングワイヤからなり、前記第１、第２のボンディングワイヤの前記基板に平行な方向のピッチは一定であり、前記第２のボンディングワイヤの最高点は前記第１のボンディングワイヤの最高点よりも３０μｍ以上高い位置にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記基板下に複数の下層接続パッドが前記上層接続パッドに接続されて設けられ、該下層接続パッド下に半田ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発明において、前記ピッチは８０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記第１、第２のボンディングワイヤの各最高点の高低差は６０μｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、基板の上面中央部に半導体チップをフェースアップ状態で搭載し、半導体チップの上面周辺部に設けられた複数の接続パッドと基板の上面周辺部に設けられた複数の上層接続パッドとを複数のボンディングワイヤを介して接続し、ボンディングワイヤを含む半導体チップを樹脂からなる封止膜で覆い、基板下に設けられた下層接続パッド下に半田ボールを設けたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−２２４４０号公報（図９）
【０００４】
ところで、封止膜形成方法としては、スクリーン印刷により、ボンディングワイヤおよび半導体チップを含む基板の上面に液状樹脂からなる封止膜形成用膜を形成し、この封止膜形成用膜を加熱して硬化させることにより、封止膜を形成する方法がある。この場合、スクリーン印刷を大気中で行なうと、スキージで液状樹脂をスクリーンに押し付けるため、封止膜形成用膜中に空気が気泡として巻き込まれてしまう。このような場合には、スクリーン印刷後に一定の時間放置しておくと、封止膜形成用膜中の気泡がほとんど大気中に抜け出てしまう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、最近では、半導体チップの接続パッド数の増大がより一層進行し、接続パッドの狭ピッチ化が進行している。この結果、半導体チップの接続パッドと基板の上層接続パッドとを接続するボンディングワイヤのピッチも狭くなっている。そして、ボンディングワイヤのピッチが８０μｍ以下となると、封止膜形成用膜中の気泡がボンディングワイヤに引っかかり、抜け切れずに残ってしまう。この気泡が残った状態で封止膜形成用膜を加熱して硬化させると、気泡が膨張して、ボンディングワイヤを切断してしまうことがある。
【０００６】
そこで、この発明は、ボンディングワイヤのピッチが狭くなっても、封止膜を形成するための液状樹脂からなる封止膜形成用膜中の気泡がボンディングワイヤに引っかからずに大気中に抜け出るようにすることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、上記目的を達成するため、基板上に半導体チップが搭載され、前記半導体チップ上の複数の接続パッドと前記基板上の複数の上層接続パッドとが複数のボンディングワイヤを介して接続され、前記ボンディングワイヤおよび前記半導体チップを含む前記基板上に封止膜が設けられた半導体装置において、前記ボンディングワイヤは１本おきに配置された第１、第２のボンディングワイヤからなり、前記第１、第２のボンディングワイヤの前記基板に平行な方向のピッチは一定であり、前記第２のボンディングワイヤの最高点は前記第１のボンディングワイヤの最高点よりも３０μｍ以上高い位置にあることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、第２のボンディングワイヤの最高点を第１のボンディングワイヤの最高点よりも３０μｍ以上高い位置としているので、第１、第２のボンディングワイヤの基板に平行な方向のピッチが狭くなっても、相隣接する第１、第２のボンディングワイヤの各最高点間の間隔が当該ピッチよりも大きくなり、ひいては封止膜を形成するための液状樹脂からなる封止膜形成用膜中の気泡が第１、第２のボンディングワイヤに引っかからずに大気中に抜け出るようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１はこの発明の一実施形態としての半導体装置の断面図を示し、図２は図１のII−II線に沿う断面図を示す。この半導体装置は平面正方形状の多層配線構造の回路基板１を備えている。回路基板１の上面周辺部には複数の上層接続パッド２が設けられ、下面には複数の下層接続パッド３が設けられている。上層接続パッド２と下層接続パッド３とは、回路基板１の内部に設けられた内部配線（図示せず）を介して接続されている。下層接続パッド３の下面には半田ボール４が設けられている。
【００１０】
回路基板１の上面中央部には平面正方形状の半導体チップ５が接着層６を介して接着されて搭載されている。半導体チップ５は平面正方形状のシリコン基板（半導体基板）７を備えている。シリコン基板７の上面には所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部には複数の接続パッド８が集積回路に接続されて設けられている。接続パッド８の中央部を除くシリコン基板７の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜９が設けられ、接続パッド８の中央部は絶縁膜９に設けられた開口部１０を介して露出されている。
【００１１】
半導体チップ５の接続パッド８と回路基板１の上層接続パッド２とは金からなる第１、第２のボンディングワイヤ１１、１２を介して接続されている。この場合、第１のボンディングワイヤ１１と第２のボンディングワイヤ１２とは１本おきに配置されている。そして、第２のボンディングワイヤ１２の最高点は第１のボンディングワイヤ１１の最高点よりもある程度高い位置にある。第１、第２のボンディングワイヤ１１、１２および半導体チップ５を含む回路基板１の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜１３が設けられている。
【００１２】
ここで、図２に示すように、半導体チップ５の一辺部の接続パッド８と回路基板１の一辺部の上層接続パッド２とを接続する第１、第２のボンディングワイヤ１１、１２は、回路基板１と平行な方向に一定のピッチＰで配置されている。第２のボンディングワイヤの最高点は第１のボンディングワイヤ１１の最高点よりもある程度高い位置にあるので、相隣接する第１、第２のボンディングワイヤ１１、１２の各最高点間の間隔ＤはピッチＰよりもある程度大きくなる。なお、図２においては、第１、第２のボンディングワイヤ１１、１２は合計７本のみを図示しているが、実際には多数である。
【００１３】
このように、この半導体装置では、第２のボンディングワイヤ１２の最高点を第１のボンディングワイヤ１１の最高点よりも高い位置としているので、第１、第２のボンディングワイヤ１１、１２のピッチＰが狭くなっても、相隣接する第１、第２のボンディングワイヤ１１、１２の各最高点間の間隔ＤがピッチＰよりも大きくなり、ひいては封止膜１３を形成するための液状樹脂からなる封止膜形成用膜中の気泡が第１、第２のボンディングワイヤ１１、１２に引っかからずに大気中に抜け出るようにすることができる。
【００１４】
具体的には、第１、第２のボンディングワイヤ１１、１２の最高点を同一とし、ピッチＰを８０μｍ以下とすると、封止膜１３を形成するための封止膜形成用膜中の気泡が第１、第２のボンディングワイヤ１１、１２に引っかかり、抜け切れずに残ってしまう。これに対し、ピッチＰが８０μｍ以下であっても、第１、第２のボンディングワイヤ１１、１２の各最高点の高低差を３０μｍ以上、好ましくは６０μｍ以上とすると、間隔ＤがピッチＰよりも大きくなり（ピッチＰ８０μｍ、高低差６０μｍであると間隔Ｄは１００μｍ）、封止膜１３を形成するための液状樹脂からなる封止膜形成用膜中の気泡が第１、第２のボンディングワイヤ１１、１２に引っかからずに大気中に抜け出るようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】この発明の一実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図。
【符号の説明】
【００１６】
１  回路基板
２  上層接続パッド
３  下層接続パッド
４  半田ボール
５  半導体チップ
６  接着層
７  シリコン基板
８  接続パッド
９  絶縁膜
１１  第１のボンディングワイヤ
１２  第２のボンディングワイヤ
１３  封止膜
【図１】
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【図２】
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