(57)【要約】【課題】無機レジストを有する透光性スタンパにおいて、無機レジストを基板表面まで抜き切ったスタンパは、基板面が露出する。その結果、多層光記録媒体の中間層を形成する際に、光硬化性樹脂はレジスト面と基板面の両方に接することになる。基板面と光硬化性樹脂との密着力は強いので、基板が露出した側に光硬化性樹脂の残渣が残りやすい。スタンパに残渣が残ると、次回から製造する光記録媒体の欠陥に繋がり、その再生信号の劣化に繋がってしまう。【解決手段】透光性基板上に、順次、透光性補助層、及び無機レジスト層を形成し、前記無機レジスト層に光ビームを選択的に照射することにより無機レジスト層の表面から透光性補助層の表面までの無機レジストを変質させ、該光ビームにより変質した部分あるいは変質しなかった部分を現像によって選択的に前記透光性補助層が露出するまで除去し、前記無機レジスト層に情報パターンに対応する凹凸パターンを形成する。【選択図】図１
2008269720.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光記録媒体の情報パターンを光硬化性樹脂を用いて形成するための透光性スタンパであって、透光性基板の上に、順次、前記光硬化性樹脂との剥離性が透光性基板よりも優れる透光性補助層、前記情報パターンに対応した凹凸パターンが形成された無機レジスト層とを有し、該無機レジスト層の前記凹凸パターンの凹部には前記透光性補助層が露出していることを特徴とする透光性スタンパ。
【請求項２】
前記無機レジスト層は化学量論組成から酸素が欠損した酸化タングステン、酸化モリブデン又は酸化タングステンのタングステンの一部がモリブデンで置換された酸化物を主成分としてなることを特徴とする請求項１に記載の透光性スタンパ。
【請求項３】
前記透光性補助層が無機酸化物、無機窒化物又はこれらの混合物からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の透光性スタンパ。
【請求項４】
前記透光性補助層がスパッタリングにより形成された窒化シリコン、酸化シリコン、酸化チタン、酸化タングステン又はこれらの混合物からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの請求項に記載の透光性スタンパ。
【請求項５】
前記透光性補助層はレジストの機能を有する層であって、前記無機レジスト層がポジ型レジストである場合は前記透光性補助層がネガ型レジストであり、前記無機レジストがネガ型レジストである場合は前記透光性補助層がポジ型レジストであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの請求項に記載の透光性スタンパ。
【請求項６】
前記無機レジスト層と前記透光性補助層が同一の構成元素を有し、その組成比が異なることを特徴とする請求項５に記載の透光性スタンパ。
【請求項７】
前記無機レジスト層はポジ型レジストであり、かつ化学量論組成から酸素が欠損した酸化タングステンからなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかの請求項に記載の透光性スタンパ。
【請求項８】
光記録媒体の情報パターンを光硬化性樹脂を用いて形成するための透光性スタンパの製造方法であって、
透光性基板の上に、順次、前記光硬化性樹脂との剥離性が透光性基板よりも優れる透光性補助層、及び無機レジスト層を形成し、
前記無機レジスト層に光ビームを選択的に照射することにより無機レジスト層の無機レジストを変質させ、
該光ビームにより変質した部分あるいは変質しなかった部分を現像によって選択的に前記透光性補助層が露出するまで除去し、
前記無機レジスト層に前記情報パターンに対応する凹凸パターンを形成することを特徴とする透光性スタンパの製造方法。
【請求項９】
前記透光性補助層の現像におけるエッチング速度は、前記無機レジスト層の選択的に除去される部分のエッチング速度より遅いことを特徴とする請求項８に記載の透光性スタンパの製造方法。
【請求項１０】
前記無機レジスト層は化学量論組成から酸素が欠損した酸化タングステン、酸化モリブデン又は酸化タングステンのタングステンの一部がモリブデンで置換された酸化物を主成分としてなることを特徴とする請求項８又は９に記載の透光性スタンパの製造方法。
【請求項１１】
前記透光性補助層が無機酸化物、無機窒化物又はこれらの混合物からなることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれかの請求項に記載の透光性スタンパの製造方法。
【請求項１２】
前記透光性補助層が窒化シリコン、酸化シリコン、酸化チタン、酸化タングステン又はこれらの混合物からなることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれかの請求項に記載の透光性スタンパの製造方法。
【請求項１３】
前記透光性補助層はレジストの機能を有する層であって、前記無機レジスト層がポジ型レジストである場合は前記透光性補助層がネガ型レジストであり、前記無機レジストがネガ型レジストである場合は前記透光性補助層がポジ型レジストであることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれかの請求項に記載の透光性スタンパの製造方法。
【請求項１４】
前記無機レジスト層と前記透光性補助層が同一の構成元素を有し、その組成比が異なることを特徴とする請求項１３に記載の透光性スタンパの製造方法。
【請求項１５】
前記無機レジスト層はポジ型レジストであり、かつ化学量論組成から酸素が欠損した酸化タングステンからなることを特徴とする請求項８乃至１４のいずれかの請求項に記載の透光性スタンパの製造方法。
【請求項１６】
ａ）光記録媒体の基板の上に記録膜を成膜する工程と、
ｂ）前記記録膜の上に中間層用の光硬化性樹脂を塗布する工程と、
ｃ）請求項１乃至７のいずれかの請求項に記載の透光性スタンパを介して、前記中間層用の光硬化性樹脂に紫外線を照射することにより、情報パターンを前記中間層用の光硬化性樹脂に転写する工程と、
ｄ）前記中間層用の光硬化性樹脂の上に記録膜を積層する工程とを有することを特徴とする多層光記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体の製造方法に関し、特に、スピンコート等を用いて光硬化性樹脂を基板に塗布し記録層を積層する多層光記録媒体の製造方法、及び多層光記録媒体を製造するための透光性スタンパ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高密度な情報記録再生技術として、ＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤ（Ｂｌｕ−ｒａｙ（登録商標）  Ｄｉｓｃ）等の光記録媒体が脚光を浴びている。近年、動画像のデジタル化、装置の小型化と相まって、さらなる記録の高密度化及び大容量化が要求されている。
【０００３】
一般に、光記録媒体の記録密度は、記録再生光学系のレーザー光の波長λ及び対物レンズの開口数ＮＡに大きく依存することが知られている。すなわち、信号再生可能な記録ピットの空間周波数は２ＮＡ／λ程度となる。そのため、短波長技術や高ＮＡ化技術を用いた記録の高密度化の研究が盛んに行われている。例えば、ＣＤでは、記録再生用のレーザー光の波長が７８０ｎｍであり、レンズの開口数ＮＡが０．４５であるので、記録容量は約６５０ＭＢであった。ＤＶＤ−ＲＯＭでは、レーザー光として波長６５０ｎｍのものを使用し、レンズを開口数ＮＡ０．６のものとすることで、該容量は約４．７ＧＢとなっている。さらに、ＢＤでは、レーザー光は波長４０５ｎｍと短く、レンズの開口数ＮＡも０．８５となり、記録容量も２３ＧＢ超まで大容量化が進んでいる。
【０００４】
一方で、記録面を複数積層することで、大容量化を実現しようという研究も盛んに行われている。例えば、ＤＶＤやＢＤでは記録面を二層積層することで二倍の記録容量を実現している。ＢＤでは次世代への高集積化を目指した４層メディアの開発も進んでいる。
【０００５】
従来、多層構造の光記録媒体の製造方法として、次のようなものがある。まず、基板面にピットや案内溝を成形し、反射層や記録層を成膜して、第１の情報記録層を形成する。その後、第１の情報記録層上に紫外線硬化樹脂（光硬化性樹脂）又はドライフォトポリマー層を形成する（工程１）。その紫外線硬化樹脂又はドライフォトポリマー層に当該記録層に必要な情報（ピット、案内溝等）を担持したスタンパを重ね合わせ、硬化してピットや案内溝を形成し、スタンパを剥離する（このピットや案内溝が形成された層を中間層と称す）（工程２）。ピットや案内溝上に半透明膜を形成することにより第２の情報記録層が形成される（工程３）。これらの工程を繰り返すことでさらに第３、第４の記録層が形成される（例えば、特許文献１、非特許文献１等参照）。
【０００６】
ここで、記録層（半透明膜）を通して、紫外線硬化型樹脂やドライフォトポリマーを硬化させる場合、照射する紫外線が減衰してしまう。そのため、上記提案では、紫外線に対して透光性があるスタンパ（透光性スタンパ）を用いることにより、スタンパ側から紫外線を照射する必要があった。
【０００７】
透光性スタンパとしては、通常、樹脂製のものが用いられるが、生産性や品質上、樹脂製スタンパを再利用することが困難であり、層形成に使用される毎にスタンパは使い捨てられるので、コストが高くなる問題があった。
【０００８】
また、エッチングによりガラス素材に情報パターンに対応したパターンを形成して、これを透光性スタンパとして使用する方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。このガラス製の透光性スタンパの製造法は図３に示すようなものである。まず、石英ガラス基板３１上にフォトレジスト３２を均一に塗布する（図３（ａ））。次に、このフォトレジスト３２に光ビーム３３を用いて情報パターンに対応した潜像を形成し（図３（ｂ））、続いて、現像処理により所望のパターンを担持したフォトレジスト３２とする（図３（ｃ））。フォトレジスト３２面よりこの石英ガラス基板３１にＣＦ4ガスプラズマ３４でドライエッチングを行い、所望の深さで停止させる（図３（ｄ））。その後、残存するフォトレジスト３２を酸素（Ｏ2）によりアッシング除去し、ガラス製の透光性スタンパを得る（図３（ｅ））。
【０００９】
特許文献２に記載のこの方法では、透光性スタンパの繰り返し利用が可能となるが、透光性スタンパ製造にはドライエッチング工程やアッシング工程の複雑な工程管理が必要である。また、ドライエッチングに用いるＣＦ4ガスやＣＨＦ3ガスは、温室効果ガスであり、使用が制限されており、好ましくは使用しないことが望ましい。さらに、この方法ではガラス基板に直接パターンを形成してしまうので、ガラス基板の再利用には、研磨して再生する必要がある。
【特許文献１】特開２００３−２０３４０２号公報
【特許文献２】特開平０１−１８８３３２号公報
【非特許文献１】松下テクニカルジャーナル、Ｖｏｌ．５０（Ｎｏ．５）、Ｏｃｔ．２００４、ｐ．６４〜６８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このような状況に鑑み、本発明の目的は、紫外線に対する透光性を有し、かつ繰り返し使用することのできる耐久性を有する透光性スタンパを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る透光性スタンパは、
光記録媒体の情報パターンを光硬化性樹脂を用いて形成するための透光性スタンパであって、透光性基板の上に、順次、前記光硬化性樹脂との剥離性が透光性基板よりも優れる透光性補助層、前記情報パターンに対応した凹凸パターンが形成された無機レジスト層とを有し、該無機レジスト層の前記凹凸パターンの凹部には前記透光性補助層が露出していることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る透光性スタンパの製造方法は、
光記録媒体の情報パターンを光硬化性樹脂を用いて形成するための透光性スタンパの製造方法であって、
透光性基板の上に、順次、前記光硬化性樹脂との剥離性が透光性基板よりも優れる透光性補助層、及び無機レジスト層を形成し、
前記無機レジスト層に光ビームを選択的に照射することにより無機レジスト層の無機レジストを変質させ、
該光ビームにより変質した部分あるいは変質しなかった部分を現像によって選択的に前記透光性補助層が露出するまで除去し、
前記無機レジスト層に前記情報パターンに対応する凹凸パターンを形成することを特徴とする。
【００１３】
さらに、本発明に係る多層光記録媒体の製造方法は、
ａ）光記録媒体の基板の上に記録層を成膜する工程と、
ｂ）前記記録層の上に中間層用の光硬化性樹脂を塗布する工程と、
ｃ）上記本発明の透光性スタンパを介して、前記中間層用の光硬化性樹脂に紫外線を照射することにより、情報パターンを前記中間層用の光硬化性樹脂に転写する工程と、
ｄ）前記中間層用の光硬化性樹脂の上に記録層を積層する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、露光現像のみの簡単な工程で製造でき、良好なピット又は溝の形状を有し、かつ、光硬化性樹脂との剥離性が良く、多層構造の光記録媒体の製造に繰り返し使用可能な透光性スタンパを提供できる。また、本発明によれば、使い捨てのスタンパとは異なり、繰り返し使用可能なため、光記録媒体の低コスト化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本出願に係る発明者は、上記問題点に鑑み、透光性を有する基板上に酸化タングステンを含む無機レジストを用いて情報パターンに対応したパターンを形成し、これを上記透光性スタンパとして使用する方法を見出した（特願２００６−２０８９５）。なお、本明細書において「透光性」とは、少なくとも紫外線を通す性質をいうものとする。
【００１６】
以下、特願２００６−２０８９５に記載した発明について図４により説明する。透光性基板４１上に無機レジスト層４２を形成する（図４（ａ））。無機レジスト層は、化学量論組成から酸素が欠損した組成の酸化タングステン（ＷＯと略す）、ＷＯ中のタングステン（Ｗ）の一部がモリブデン（Ｍｏ）で置換された酸化物（ＷＭｏＯと略す）又は酸化モリブデン（ＭｏＯと略す）を主成分として用いて構成される。
【００１７】
本明細書において、「化学量論組成から酸素が欠損した組成」とは、Ｗ又はＭｏのとりうる価数に応じた化学量論組成より酸素含有量が少ない方向にずれた組成のこという。例えば、Ｍｏを例に挙げて説明する。Ｍｏは３価の酸化物（ＭｏＯ3）が最も安定であるが、化学式ＭｏＯ3の酸化状態を組成割合Ｍｏ1-xＯxに換算すると、ｘ＝０．７５の場合が化学量論組成であるのに対して、０＜ｘ＜０．７５で表される場合に化学量論組成から酸素が欠損した組成となる。また、Ｗ又はＭｏでは１つの元素が価数の異なる酸化物を形成可能であるが、この場合には、とりうる価数に応じた化学量論組成より実際の酸素含有量が不足している組成が「化学量論組成から酸素が欠損した組成」である。例えばＭｏは、先に述べた３価の酸化物（ＭｏＯ3）が最も安定であるが、その他に１価の酸化物も存在する。この場合には組成割合Ｍｏ1-xＯxに換算すると、０＜ｘ＜０．５の範囲内であるとき「化学量論組成から酸素が欠損した組成」といえる。
【００１８】
ここで、上記無機レジスト層の材料として使用するＷＯ、ＷＭｏＯ又はＭｏＯは、化学量論組成においては光ビームに対して吸収が著しく小さいが、化学量論組成から僅かでも酸素含有量が少ない方にずれると、光ビームに対する吸収が大きくなる。したがって、化学量論組成から酸素を欠損させたＷＯ、ＷＭｏＯ又はＭｏＯは、光ビームを吸収し、発熱する。それによりＷＯ、ＷＭｏＯ又はＭｏＯが変質し、露光部（変質部）と未露光部（未変質部）とでアルカリ溶液に対する溶解性に差が現れる。ここで、変質とは、相状態の変化を示す。相状態とは、例えば、結晶状態、非晶質状態、非晶質状態から結晶性が増して結晶状態へ遷移している過程の遷移状態、または異なる結晶状態が混ざった状態等が含まれる。非晶質状態には、密度が異なる相状態が混ざった状態が含まれる。相状態の変化には、非晶質状態から結晶状態への変化、結晶状態から非晶質状態への変化、非晶質状態あるいは結晶状態における結晶性の変化、非晶質状態における密度の変化が含まれる。
【００１９】
光ビームの照射においては、例えば、半導体レーザーや、アルゴンレーザー等の気体レーザー、ＹＡＧレーザー（固体レーザー）等の高調波発生装置を使用できる。光ビームを照射する際、光ビームの照射条件（パワー、照射速度、集光条件など）を調整して無機レジストの相状態を変えることができる。
【００２０】
化学量論組成から酸素を欠損させたＷＯ、ＷＭｏＯ又はＭｏＯから成る薄膜は、光ビームにより露光（集光照射）することによりアルカリ溶液に対するエッチングレートが変化するため、レジストとして機能する。また、この無機レジスト成分は低分子であるために、高分子からなる有機レジストに比べて未露光部と露光部との境界が明瞭となるので、高精度なレジストパターンを得ることができる。
【００２１】
ＷＯ、ＷＭｏＯ又はＭｏＯは、組成（酸素含有量）と膜厚を調整することで、光ビームに対しては充分な吸収率を持たせ、中間層用の光硬化性樹脂を硬化させるのに用いる光（スタンパとして使用する際に用いられる紫外線）に対しては硬化に充分な透過率を持たせることが可能になる。
【００２２】
また、ＷＯは、成膜条件を変えてその酸素含有量を調整することで、ポジ型レジストとしてもネガ型レジストとしても機能させることができる。さらに、ＷＯにＭｏを添加すると、露光時の感度を高くすることができる。
【００２３】
以下、さらに上記透光性スタンパを用いた多層構造を有する光記録媒体の製造方法について述べるが、ここではポジ型レジストとしたＷＯを用いた例について説明する。図４（ａ）は透光性基板４１の上に上記無機レジスト層４２を形成した透光性スタンパの原盤を示している。また、図４（ｂ）は該透光性スタンパの原盤を斜め上から見た状況を示している。まず、光ビーム４３を無機レジスト層に集光させ、透光性基板を回転させながら、光ビームを透光性基板の半径方向４４に移動させ、無機レジスト層４２上に情報パターン（ピットや案内溝）に対応した露光パターンを形成する。光ビームの集光照射により、照射部の少なくとも一部の無機レジストが変質する（図４（ｃ））。次に、所望の溝深さが得られる条件で現像を行うことで情報パターン（ピットや案内溝）に対応する凹凸パターンを得る（図４（ｄ））。こうして得られた、透光性基板上に無機レジストで情報パターン（ピットや案内溝）に対応する凹凸パターンを形成したものを透光性スタンパ４５として使用する。
【００２４】
この透光性スタンパは、従来透光性スタンパを製造するために必要とされる電鋳装置、裏面研磨装置、射出成型機、ＲＩＥ装置等を使用する必要が無く、成膜及び露光現像と言う簡便な方法で製造することができる。また、該透光性スタンパは、低分子レジストを用いているため高精度な情報パターンを有している。
【００２５】
次に、中間層用の光硬化性樹脂４７が塗布された多層光記録媒体基板（又は支持基板）４６と、透光性スタンパ４５とを重ね合わせ、その後、該透光性スタンパ４５を通して紫外線を照射することによって、中間層用の光硬化性樹脂４７を硬化させる（図４（ｅ））。その後、多層光記録媒体基板４６から透光性スタンパ４５を剥離することで情報パターン４８を光硬化性樹脂４７上に形成することができる。ここで、光硬化性樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂又はエポキシ系樹脂等の紫外線又は可視光で硬化する樹脂を用いることができる。
【００２６】
上述のように、この透光性スタンパのレジスト層は無機材料でできているため、耐久性に優れており、紫外線によって劣化することなく繰り返し使用することができる。
【００２７】
以上、特願２００６−２０８９５に記載の発明について述べたが、この発明による透光性スタンパには、再生信号の良好性の観点から、ピット又は溝の対応パターン形状をさらに改良する余地があった。
【００２８】
したがって、本発明にかかる発明者は、良好なピット又は溝の対応パターン形状を有し、かつ、多層構造の光記録媒体の製造に繰り返し使用可能な透光性スタンパを提供するため、さらに鋭意検討を行った。
【００２９】
そこで、上記透光性スタンパにおいては、溝形又はピットの断面形状の観点から、集光照射により変質した無機レジスト部分を透光性基板の表面まで抜き取ることが望ましいことが分かった。
【００３０】
このことについて、図５を用いて説明する。図５は、透光性基板５１とポジ型とした無機レジスト層５２のトラック方向の模式的断面図である。無機レジスト層は、光ビームの集光照射による発熱によって変質する。そのため、ポジ型レジストにおいて、レジストの集光照射部分を基板面まで抜き切らない場合、図５（ａ）に示すように、集光照射による変質部５３の深さがピットの長さによってｄやｄ’のように異なってしまう。また、ピット又は溝の断面形状が、矩形性の悪いエッジ部が鈍った形状になってしまう。次に、現像を行うと、図５（ｂ）に示すように、変質部５３の形状をそのまま反映した形状のピット５４が得られる。このような透光性スタンパを用いて光記録媒体を製造すると、再生信号の悪化に繋がる。
【００３１】
そこで、図５（ｃ）に示すように、現像後に、所望するピット又は溝の深さと同じ厚さとなるように無機レジスト層を形成しておく。その後、無機レジスト層のレジスト表面から基板面に達するまでの領域を集光照射によって変質させることで、変質部５５の深さが揃い、かつ、変質部の側壁が急峻な角度で形成される。そして、現像によって変質部を基板面までエッチングすることで、図５（ｄ）に示すような、深さが均一な凹部５６の形状が得られることが分かった。なお、無機レジスト層のレジスト表面から基板面までの領域を変質させるには、無機レジスト層の厚さや組成（酸素含有率、元素の種類）によって条件が変わってくるが、光ビームの波長、パワー、線速を適当に調整することで対応可能である。
【００３２】
ところが、ここで、新たな課題が発見された。基板面まで無機レジストを抜き取った透光性スタンパは、基板面５８が露出する。その結果、多層光記録媒体の中間層を形成する際に、光硬化性樹脂は、レジスト面５７と基板面５８の両方に接する。基板面５８と光硬化性樹脂との密着力は強いため、基板面５８に光硬化性樹脂の残渣が残りやすくなる。透光性スタンパに残渣が残ると、次回から製造する光記録媒体の欠陥に繋がり、その再生信号の劣化に繋がってしまう。また、基板面まで無機レジストを抜き取った場合、無機レジストが基板面と接する面積が小さくなる。その結果、無機レジストが透光性基板から剥離しやすくなるため、光硬化性樹脂を透光性スタンパから剥離する際に無機レジストも一緒に剥離されてしまい、透光性スタンパが破損するおそれがある。
【００３３】
解決策として、スタンパ製造後に剥離層をスタンパ表面に形成する方法が考えられるが、この方法では無機レジストに露光現像を行った後、再び透光性スタンパを真空成膜装置に搬入し、剥離層を形成するという余計な工程が増えてしまう。
【００３４】
そこで、上記課題を解決するためにさらに検討を行ったところ、本発明者は、無機レジスト層と透光性基板の間に光硬化性樹脂との剥離性に優れる透光性補助層を設けることで、透光性スタンパと光硬化性樹脂との剥離性がよくなり、透光性スタンパに残渣が残りにくくなることを見出した。また、無機レジスト層と透光性補助層との密着力が高いため、光硬化性樹脂を剥離する際に無機レジストが一緒に剥れることもなく、透光性スタンパの破損を防止することができることを見出した。
【００３５】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は本発明を適用できる透光性スタンパの製造方法及び、光記録媒体の製造方法を説明する模式図である。
【００３６】
図１（ａ）に示すように、透光性基板１０１上に透光性補助層１００、無機レジスト層１０２を形成する。
【００３７】
透光性基板１０１としては、情報信号パターンを転写させる際に充分な強度及び透過率があれば良く、ガラス基板、石英基板、透光性セラミック基板等を用いることができる。例えば、厚さ０．５ｍｍ〜２０ｍｍ、直径８０〜１２０ｍｍ、中心孔径１０〜１５ｍｍとすることができる。以下の実施例では、直径及び中心孔径は最終的に製造されるディスクと同じで、それぞれ１２０ｍｍ、１５ｍｍの例を用いて説明する。また、前記材料以外でも、前記特性を満たせば、他の物質や、他の形状を使用することができる。
【００３８】
透光性補助層１００としては、無機酸化物、無機窒化物又はこれらの混合物を用いることができ、現像の際にエッチング速度が無機レジストの選択的に減膜される部分のエッチング速度より遅く、かつ、情報パターンを転写させる際に十分な光硬化性樹脂との剥離性を有し、さらに光硬化性樹脂を硬化させるのに十分な透過率があれば良い。ここで、透光性補助層に求められる剥離性としては、情報パターンが形成される光硬化性樹脂との剥離性が、少なくとも、透光性基板と光硬化性樹脂との剥離性よりも優れている必要がある。例えば、透光性補助層として、スパッタリングにより形成された、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化チタン、酸化タングステン等を用いることができる。また、前記特性を満たせば、他の物質を使用することができる。さらに、形成される透光性補助層１００の厚さは、前記特性を満たす条件であれば良く特に限定するものではないが、例えば１ｎｍ〜５００ｎｍとすることができる。
【００３９】
無機レジスト層１０２の材料としては、化学量論組成から酸素が欠損した組成のＷＯ、ＷＭｏＯ又はＭＯを用いることができる。形成される無機レジスト層１０２の厚さは、現像後に所望の深さとなるような厚さを選べば良く特に限定されるものではないが、例えば、２０ｎｍ〜２００ｎｍとすることができる。ここで、無機レジストの光ビームに対する吸収率は限定されるものでなく、また、光ビームの波長も限定されない。露光現像によって無機レジスト層１０２のレジスト表面から透光性補助層１００の表面までの領域を抜き取るには、無機レジストの組成、光ビームの波長・パワー又は線速等の条件を適宜調整することで可能である。
【００４０】
ここで、透光性補助層１００と無機レジスト層１０２とを、大気に曝すことなく、スパッタリングにより真空中にて連続して形成することで、透光性補助層と無機レジスト層との間に十分な密着性をもたせる事ができる。
【００４１】
次に、図１（ｂ）に示すように、光ビーム１０３を無機レジスト層に集光させ、透光性基板を回転させながら、光ビームを透光性基板の半径方向に移動させることで、情報パターン（ピットや案内溝）に対応して無機レジストを変質させる（変質部１０４’）。このとき、光ビームの波長や出力は、無機レジスト層のレジスト表面から透光性補助層の表面までを変質させることができるように、無機レジストの組成や無機レジスト層の厚さに応じて適宜調整する。
【００４２】
さらに、図１（ｃ）に示すように、透光性補助層１００の表面が露出するまで現像を行うことで、情報パターン（ピットや案内溝）に対応した凹部１０４を得る。透光性補助層のエッチング速度は、無機レジストの選択的に減膜される部分のエッチング速度より遅いため、透光性補助層はエッチングのストップ層として機能する。現像液としては、例えば、ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ  ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ：水酸化テトラメチルアンモニウム）、ＫＯＨ、ＮａＯＨ等のアルカリ溶液等を用いることができる。
【００４３】
前記、透光性基板上に透光性補助層が形成され、さらにその上の無機レジストに情報パターン（ピットや案内溝）に対応した凹部１０４を形成し、該凹部１０４の底に透光性補助層１００が露出した状態のものを、透光性スタンパ１０５として使用する。
【００４４】
本発明では、上記のようにして得られた透光性スタンパが、光硬化性樹脂を硬化させるために照射する紫外線の波長帯域内で最も透過率が高い波長において１９％以上の透過率を持つことが好ましい。
【００４５】
次に、図１（ｄ）に示すように、例えば、多層光記録媒体の中間層用の光硬化性樹脂１０７が塗布された多層光記録媒体基板１０６と、透光性スタンパ１０５とを重ね合わせる。その後、該透光性スタンパ１０５を通して紫外線を照射することによって、光硬化性樹脂１０７を硬化させる。その後、図１（ｅ）に示すように、多層光記録媒体基板１０６から透光性スタンパ１０５を剥離することで情報パターン１０８が光硬化性樹脂１０７上に形成される。
【００４６】
本発明による透光性スタンパは、光硬化性樹脂と剥離性の良い透光性補助層及び無機レジストが表面に露出しているため、透光性スタンパに残渣が残ることなく剥離することができる。また、透光性基板以外は全て無機材料で構成されているため、紫外線によって劣化することなく、繰り返し使用することができる。さらに、透光性補助層と無機レジストとの密着力は強いため、光硬化性樹脂をスタンパから剥離する際のスタンパの破損も防ぐことができる。
【００４７】
よって、本発明によれば、情報パターンを露光現像した後に剥離層を形成する必要もなく、電鋳装置、裏面研磨装置、射出成型機、ＲＩＥ装置を使用する必要も無い透光性スタンパを得ることができる。また、成膜及び露光現像と言う簡便な手順で、繰り返し使用が可能な、耐久性の良い透光性スタンパを製造することができる。
【実施例】
【００４８】
以下、本発明に従う透光性スタンパ、及び該透光性スタンパを用いた多層構造を有する光記録媒体の製造方法を、詳細な実施例を用いて説明するが、本発明はこれらの構成に限定されるものではない。多層構造を有する光記録媒体としては、Ｌ０とＬ１、２つの情報記録面を持つ光記録媒体の製造方法を例に説明するが、この構成に限定されるものではない。ここで、光記録媒体の記録再生用の光学系に近い側の情報記録面をＬ１と称し、遠い側をＬ０と称す。
【００４９】
（実施例１）
まずは、透光性スタンパを製造する。
【００５０】
透光性基板として厚さ１ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍの石英基板を用いた。まず、石英基板上に、透光性補助層として窒化シリコン（ＳｉＮ）を形成する。ＳｉターゲットをＡｒガス４３ｓｃｃｍとＮ2ガス２４ｓｃｃｍの雰囲気中でスパッタリングすることでＳｉＮを２５ｎｍ形成した。
【００５１】
次に、無機レジスト層として、化学量論組成から酸素が欠損した酸化タングステン（ＷＯ）を形成する。タングステン（Ｗ）金属ターゲットを、Ａｒガス５０ｓｃｃｍとＯ2ガス２０ｓｃｃｍの雰囲気中でスパッタリングすることでＷＯを２３ｎｍ形成した。
【００５２】
次に、光ビームを無機レジストに集光させ、石英基板を回転させながら、露光用の光を石英基板の半径方向に移動させることで、レジスト上にＬ１層の情報パターン（ピットや案内溝）に対応して露光を行った。本実施例では、データ記録領域の露光条件は波長３５１ｎｍの光ビームを用い、線速２．０ｍ／ｓ、パワー４．４ｍＷ、トラックピッチＴＰ３２０ｎｍとした。ここで、本実施例で用いる、化学量論組成から酸素が欠損した酸化タングステン（ＷＯ）は、光ビームを照射することで膜の状態が変わり、アルカリ溶液による現像で露光部がエッチングされるポジ型レジストである。
【００５３】
次に、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）現像液を用いて露光部のレジストを除去（エッチング）し、透光性補助層であるＳｉＮの表面が露出するまで現像を行い、透光性スタンパを製造した。
【００５４】
前記透光性スタンパは、現像後の状態で３５０ｎｍ〜４００ｎｍの波長の光に対して最高６５％の透過率があった。
【００５５】
次に、本実施例による透光性スタンパを用いた光記録媒体の製造方法について、図２を用いて説明する。図２は光記録媒体の片側半分の断面を示すものであり、基板やスタンパの中心孔は省略されている。また、全ての工程は、記録再生用の光束入射面を下にして図示されている。
【００５６】
まず、図２（ａ）に示すように、射出成型により、Ｌ０層の情報パターン２０２（ピットや案内溝）が形成されている厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍ、中心孔径１５ｍｍのポリカーボネート（ＰＣ）基板２０１を形成した。
【００５７】
次に、図２（ｂ）に示すように、Ｌ０層の情報パターン２０２上にＬ０層記録膜２０３を成膜した。Ｌ０層記録膜２０３は典型的には、光を透過しない反射膜か反射膜を含んで構成される。本実施例では、例えばスパッタリング法を用いて、Ｌ０反射膜、誘電体膜、Ｌ０記録膜、誘電体膜、の順に成膜し、Ｌ０層記録膜２０３を形成した。
【００５８】
図２（ｃ）に示すように、Ｌ０層とＬ１層との間の中間層を構成するための中間層用光硬化性樹脂２０４を２５μｍの厚さで塗布した。
【００５９】
図２（ｄ）に示すように、透光性スタンパ１０５は本実施例による透光性スタンパであり、Ｌ１層の情報パターン（ピットや案内溝）に対応した凹部１０４が形成されている。情報トラックがスタンパに対して凹になっており、透光性補助層であるＳｉＮ１００が露出している。中間層用光硬化性樹脂２０４が塗布されたポリカーボネート基板２０１と、透光性スタンパ１０５を、Ｌ０層の情報パターンとＬ１層の情報パターンが対向する向きで重ねあわせた。この時、中心孔（図示せず）を用いて位置合わせをおこなった。その後、透光性スタンパ１０５を通してＵＶ光源より紫外線（ＵＶ）を照射することによって、中間層用光硬化性樹脂２０４を硬化させた。中間層用の光硬化性樹脂２０４を硬化させるために、必要なＵＶ照射時間は１秒未満であった。
【００６０】
図２（ｅ）に示すように、中間層用の光硬化性樹脂２０４を硬化後、透光性スタンパ１０５を剥離することで、Ｌ１層の情報パターン１０８が形成される。本発明による透光性スタンパは、剥離性の良い透光性補助層及び無機レジストが表面に露出しているため、スタンパに残渣が残ることなく剥離をすることができた。また、全て無機材料で構成されているため、紫外線によって劣化することなく、繰り返し使用することが可能である。
【００６１】
図２（ｆ）に示すように、Ｌ１層の情報パターン１０８にＬ１層記録膜２０６を成膜した。Ｌ１層記録膜２０６は、半透光性膜で構成され、スパッタリング法を用いてＬ１高屈折率膜、Ｌ１反射膜、Ｌ１誘電体膜、Ｌ１記録膜、誘電体膜の順に成膜した。
【００６２】
図２（ｇ）に示すように、Ｌ１層記録膜２０６上に、カバー層用光硬化性樹脂（樹脂保護層）２０７を構成した。カバー層用光硬化性樹脂２０７は７５μｍ塗布した。その後、ＵＶ光源から紫外線を照射して硬化し、本実施例における２層構造の光記録媒体を作製した。
【００６３】
こうして作製した光記録媒体に対して、カバー層用光硬化性樹脂２０７側から、レーザー波長４０５ｎｍ、対物レンズのＮ．Ａを０．８５の光学系を用いて、線速４．９２ｍ／ｓにおいて信号の再生評価を行った。なお、評価には容量２５ＧＢの（１−７）変調のランダムデータを用いた。リミットイコライザで等化してＤａｔａ  ｔｏ  Ｃｌｏｃｋでジッタを測定したところ、Ｌ０層では５．５％、Ｌ１層では６．７％の値が得られた。
【００６４】
次に、本実施例で製造した透光性スタンパを用いて、５０００枚光記録媒体を製造した後、５００１枚目に製造した光記録媒体の信号の再生評価を行った。結果として、Ｄａｔａ  ｔｏ  ＣｌｏｃｋはＬ０層では５．５％、Ｌ１層では６．７％の値が得られた。
以上のことから、光記録媒体全体にわたって残渣の影響、及び欠陥が無いことが確認された。
【００６５】
本実施例の光記録媒体の製造方法によれば、製造工程が簡便でかつ、繰り返し利用可能な透光性スタンパを用いるため、安価な多層構造の光記録媒体を供給することが可能になる。
【００６６】
（実施例２）
本実施例では、無機レジスト層として酸化モリブデン（ＭｏＯ）を用いる例を説明する。まず、実施例１と同様の石英基板上に、透光性補助層として窒化シリコン（ＳｉＮ）を形成する。ＳｉターゲットをＡｒガス４３ｓｃｃｍとＮ2ガス２４ｓｃｃｍの雰囲気中でスパッタリングすることでＳｉＮを２５ｎｍ形成した。
【００６７】
次に、無機レジスト層として、ポジ型レジストのＭｏＯを形成する。Ｍｏ金属ターゲットを、Ａｒガス５０ｓｃｃｍとＯ2ガス１１．５ｓｃｃｍの雰囲気中でスパッタリングすることでＭｏＯを２５ｎｍ形成した。
【００６８】
本実施例では、データ記録領域の露光条件は波長３５１ｎｍの光ビームを用い、線速２．０ｍ／ｓ、パワー２．５ｍＷ、トラックピッチＴＰ３２０ｎｍとした。次に、ＴＭＡＨ現像液を用いて露光部のレジストを除去（エッチング）し、透光性補助層であるＳｉＮの表面が露出するまで現像を行い、透光性スタンパを製造した。
【００６９】
前記透光性スタンパは、現像後の状態で３５０ｎｍ〜４００ｎｍの波長の光に対して最高６４％の透過率があった。
【００７０】
次に、本実施例による透光性スタンパを用いて、実施例１と同様の方法で光記録媒体を製造し、実施例１と同様に信号の再生評価を行ったところ、実施例１と同等の特性が得られた。
【００７１】
次に、本実施例で製造したスタンパを用いて、５０００枚光記録媒体を製造した後、５００１枚目に製造した光記録媒体の信号の再生評価を行ったところ、特性の悪化は無く、かつ、光記録媒体全体にわたって残渣の影響、及び欠陥が無いことが確認された。
【００７２】
（比較例１）
本比較例では、透光性補助層を形成しない以外は、実施例１と同様の方法により、透光性スタンパ及び光記録媒体を製造した。
【００７３】
まず、実施例１と同様の石英基板上に、化学量論組成から酸素が欠損した酸化タングステン（ＷＯ）を形成する。Ｗ金属ターゲットを、Ａｒガス５０ｓｃｃｍとＯ2ガス２０ｓｃｃｍの雰囲気中でスパッタリングすることでＷＯを２３ｎｍ形成した。
【００７４】
次に、光ビームを無機レジスト層に集光させ、石英基板を回転させながら、露光用の光を石英基板の半径方向に移動させることで、レジスト上にＬ１層の情報パターン（ピットや案内溝）に対応して露光を行った。
【００７５】
本比較例では、データ記録領域の露光条件は波長３５１ｎｍの光ビームを用い、線速２．０ｍ／ｓ、パワー４．６ｍＷ、トラックピッチＴＰ３２０ｎｍとした。
【００７６】
次に、ＴＭＡＨ現像液を用いて露光部のレジストを除去（エッチング）し、石英基板の表面が露出するまで現像を行い、透光性スタンパを製造した。
【００７７】
前記透光性スタンパは、現像後の状態で３５０ｎｍ〜４００ｎｍの波長の光に対して最高７２％の透過率があった。
【００７８】
次に、本比較例による透光性スタンパを用いて、実施例１と同様の方法で光記録媒体を製造し、実施例１と同様に信号の再生評価を行ったところ、実施例１と同等の特性が得られた。
【００７９】
ところが、５０００枚光記録媒体を製造した後、５００１枚目に製造した光記録媒体の信号の再生評価を行ったところ、Ｌ１層では光記録媒体の一部でジッターが７．５％まで悪化し、別の一部では９.０％まで悪化してしまった。顕微鏡を用いてスタンパを検査したところ、７．５％まで悪化した領域では情報トラックである凹部に光硬化樹脂の残渣が確認された。また、９．０％まで悪化した領域では、一部無機レジストが、石英基板から剥離した欠陥が確認された。
【００８０】
（実施例３）
本実施例では、透光性補助層として酸化シリコンを用いた例を説明する。
【００８１】
まず、実施例１と同様の石英基板上に、透光性補助層として酸化シリコン（ＳｉＯ2）を形成する。ＳｉＯ2ターゲットをＡｒガス４０ｓｃｃｍとＯ2ガス１０ｓｃｃｍの雰囲気中でスパッタリングすることでＳｉＯ2を１０ｎｍ形成した。
【００８２】
次に、透光性無機レジストとして、実施例１と同様にポジ型レジストのＷＯを２３ｎｍ形成した。
【００８３】
本実施例では、データ記録領域の露光条件は波長３５１ｎｍの光ビームを用い、線速２．０ｍ／ｓ、パワー４．６ｍＷ、トラックピッチＴＰ３２０ｎｍとした。次に、ＴＭＡＨ現像液を用いて露光部のレジストを除去（エッチング）し、透光性補助層であるＳｉＯ2の表面が露出するまで現像を行い、透光性スタンパを製造した。
【００８４】
前記透光性スタンパは、現像後の状態で３５０ｎｍ〜４００ｎｍの波長の光に対して最高７０％の透過率があった。
【００８５】
次に、本実施例による透光性スタンパを用いて、実施例１と同様の方法で光記録媒体を製造し、実施例１と同様に信号の再生評価を行ったところ、実施例１と同等の特性が得られた。
【００８６】
次に、本実施例で製造したスタンパを用いて、５０００枚光記録媒体を製造した後、５００１枚目に製造した光記録媒体の信号の再生評価を行ったところ、特性の悪化は無く、かつ、光記録媒体全体にわたって残渣の影響、及び欠陥が無いことが確認された。
【００８７】
（実施例４）
本実施例では、透光性補助層として酸化チタンを用いた例を説明する。
【００８８】
まず、実施例１と同様の石英基板上に、透光性補助層として酸化チタン（ＴｉＯ2）を形成する。ＴｉＯ2ターゲットをＡｒガス５０ｓｃｃｍとＯ2ガス５ｓｃｃｍの雰囲気中でスパッタリングすることでＴｉＯ2を２４ｎｍ形成した。
【００８９】
次に、透光性無機レジストとして、実施例１と同様にポジ型レジストのＷＯを２３ｎｍ形成した。
【００９０】
本実施例では、データ記録領域の露光条件は波長３５１ｎｍの光ビームを用い、線速２．０ｍ／ｓ、パワー４．３ｍＷ、トラックピッチＴＰ３２０ｎｍとした。次に、ＴＭＡＨ現像液を用いて露光部のレジストを除去（エッチング）し、透光性補助層であるＴｉＯ2の表面が露出するまで現像を行い、透光性スタンパを製造した。
【００９１】
前記透光性スタンパは、現像後の状態で３５０ｎｍ〜４００ｎｍの波長の光に対して最高６３％の透過率があった。
【００９２】
次に、本実施例による透光性スタンパを用いて、実施例１と同様の方法で光記録媒体を製造し、実施例１と同様に信号の再生評価を行ったところ、実施例１と同等の特性が得られた。
【００９３】
次に、本実施例で製造したスタンパを用いて、５０００枚光記録媒体を製造した後、５００１枚目に製造した光記録媒体の信号の再生評価を行ったところ、特性の悪化は無く、かつ、光記録媒体全体にわたって残渣の影響、及び欠陥が無いことが確認された。
【００９４】
（実施例５）
本実施例では、無機レジスト層と透光性補助層が同一の構成元素からなり、かつその組成比が異なる場合の例について、図６を用いて説明する。
【００９５】
まず、図６（ａ）に示すように、実施例１と同様の石英基板６０１上に、透光性補助層６００としてネガ型レジストのＷＯを形成する。Ｗ金属ターゲットをＡｒガス１５ｓｃｃｍとＯ2ガス１６ｓｃｃｍの雰囲気中でスパッタリングすることでＷＯを２５ｎｍ形成した。
【００９６】
次に、無機レジスト層６０２としてポジ型レジストのＷＯを形成する。Ｗ金属ターゲットを、Ａｒガス５０ｓｃｃｍとＯ2ガス２０ｓｃｃｍの雰囲気中でスパッタリングすることでＷＯを２３ｎｍ形成した。
【００９７】
次に、図６（ｂ）に示すように、光ビーム６０３をレジストに集光させ、石英基板を回転させながら、露光用の光を石英基板の半径方向に移動させることで、情報パターン（ピットや案内溝）に対応して露光を行った。本実施例では、データ記録領域の露光条件は波長３５１ｎｍの光ビームを用い、線速２．０ｍ／ｓ、パワー４．５ｍＷ、トラックピッチＴＰ３２０ｎｍとした。
【００９８】
本実施例では、透光性補助層としてネガ型レジストを用いたため、透光性補助層の光ビーム照射部も変質する。ネガ型のレジストであるため前記変質部は現像液によって除去（エッチング）されない（若しくはエッチング速度が遅い）。そのため、ＴＭＡＨ現像液を用いて現像を行うと、図６（ｃ）に示すように、ポジ型の無機レジスト層６０２の変質部が除去（エッチング）され、ネガ型レジストである透光性補助層の変質部が露出した時点でエッチングが止まることとなる（又は遅くなる）。したがって、深さが均一な凹部を有する透光性スタンパ６０５を製造することができる。
【００９９】
前記透光性スタンパは、現像後の状態で３５０ｎｍ〜４００ｎｍの波長の光に対して最高６６％の透過率があった。
【０１００】
次に、本実施例による透光性スタンパを用いて、実施例１と同様の方法で光記録媒体を製造し、実施例１と同様に信号の再生評価を行ったところ、実施例１と同等の特性が得られた。
【０１０１】
次に、本実施例で製造したスタンパを用いて、５０００枚光記録媒体を製造した後、５００１枚目に製造した光記録媒体の信号の再生評価を行ったところ、特性の悪化は無く、かつ、光記録媒体全体にわたって残渣の影響、及び欠陥が無いことが確認された。
【０１０２】
本実施例の光記録媒体の製造方法によれば、一つのターゲットを用いスパッタガスの流量を変えるだけで、透光性補助層及び無機レジスト層を形成することができ、より製造工程が簡便な、透光性スタンパを提供することが可能になる。
【０１０３】
（実施例６）
本実施例では、ネガ型の無機レジストを用いた例を説明する。
【０１０４】
ネガ型の無機レジストにおいては、光ビーム照射により無機レジストを変質させ、その後、現像によって非変質部を選択的に減膜させることで情報パターンを形成する。ここで、変質部はほとんどエッチングされない。このとき、現像液によって減膜させた領域の無機レジスト表面性が悪化し、再生信号の劣化に繋がってしまう場合がある。また、現像時間によって、情報パターンに対応する凹部の深さを数ｎｍの精度で制御することは困難である。ここで、ネガ型の無機レジストにおいては変質部がエッチングされずに残るが、無機レジストに形成された情報パターンに対応する形状を凸部又は凹部と捉えるかは表現の差にすぎないため、実施例６においては凹部と統一して表現することとした。
【０１０５】
ネガ型の無機レジストにおいても、前記課題を解決するために、本発明の透光性補助層を設けることが有効になる。前記課題を解決するために、透光性を有する基板上に、順次透光性補助層、現像後に所望の溝深さを得るための厚さを有した無機レジスト層を形成し、情報パターンに対応して露光を行い、透光性補助層の表面が露出するまで現像を行う。
【０１０６】
本発明によれば、無機レジストの非変質部を透光性補助層の表面まで抜き取ってしまうため、表面性の悪化による再生信号の劣化は起こらない。また、無機レジストの変質部はほとんどエッチングされないため、透光性補助層の表面まで抜き取ることで、情報パターンに対応する凹部の深さを数ｎｍの精度で制御することができる。
【０１０７】
まずは、透光性スタンパを製造する。まず、実施例１と同様の石英基板上に、実施例１と同様の透光性補助層を形成した。
【０１０８】
次に、ネガ型レジストのＷＯを形成する。タングステン（Ｗ）金属ターゲットを、Ａｒガス１５ｓｃｃｍとＯ2ガス１６ｓｃｃｍの雰囲気中でスパッタリングすることでＷＯを２２ｎｍ形成した。
【０１０９】
次に、光ビームを無機レジスト層に集光させ、石英基板を回転させながら、露光用の光を石英基板の半径方向に移動させることで、無機レジスト上にＬ０層の情報パターン（ピットや案内溝）に対応して露光を行った。本実施例では、データ記録領域の露光条件は波長３５１ｎｍの光ビームを用い、線速２．０ｍ／ｓ、パワー４．６ｍＷ、トラックピッチＴＰ４００ｎｍとした。
【０１１０】
次に、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）現像液を用いて未露光部のレジストをエッチングし、透光性補助層であるＳｉＮの表面が露出するまで現像を行い、透光性スタンパを製造した。
【０１１１】
前記透光性スタンパは、現像後の状態で３５０ｎｍ〜４００ｎｍの波長の光に対して最高７５％の透過率があった。
【０１１２】
次に本実施例では、本発明による透光性スタンパ、情報トラックが凹になっているＬ１層用の基板及び有機系の記録材料を用いて光記録媒体を製造した。
【０１１３】
図７を用いて説明する。図７は光記録媒体の片側半分の断面を示すものであり、基板やスタンパの中心孔は省略されている。また、全ての工程は、記録再生用の光束入射面を下にして図示されている。
【０１１４】
まず、図７（ａ）に示すように射出成型により、Ｌ１層の情報パターン７０２（ピットや案内溝）が形成されている厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍ、中心孔径１５ｍｍのポリカーボネート（ＰＣ）基板７０１を形成した。情報トラックが基板に対して凹になっている。
【０１１５】
次に、図７（ｂ）に示すようにＬ１層の情報パターン７０２上にＬ１層記録膜７０３を形成した。Ｌ１層記録膜は半透明膜で構成される。例えばスピンコート法を用いて有機色素系のＬ１記録膜を形成した後に、スパッタリング法を用いてＬ１反射膜を形成した。
【０１１６】
次に、図７（ｃ）に示すようにＬ０層とＬ１層との間の中間層を構成するための光硬化性樹脂７０４を、３５μｍの厚さで塗布した。
【０１１７】
図７（ｄ）に示すように、透光性スタンパ７００は本実施例による透光性スタンパであり、Ｌ０層の情報パターン７０５（ピットや案内溝）が形成されている。情報トラックがスタンパに対して凸になっており、凹部にＳｉＮからなる透光性補助層７１０が露出している。中間層用の光硬化性樹脂７０４が塗布されたポリカーボネート基板７０１と、Ｌ０層の情報パターン７０５が形成された透光性スタンパ７００を、Ｌ０層の情報パターンとＬ１層の情報パターンが対向する向きで重ねあわせた。この時、中心孔（図示せず）を用いて位置合わせをおこなった。その後、透明スタンパ７００を通して紫外線を照射することによって、光硬化性樹脂７０４を硬化させた。光硬化性樹脂７０４を硬化させるために、必要なＵＶ照射時間は１秒未満であった。
【０１１８】
図７（ｅ）に示すように中間層用の光硬化性樹脂７０４を硬化後、透光性スタンパ７００を剥離することで、Ｌ０層の情報パターン７０５が形成される。本発明による透光性スタンパは、剥離性の良い透光性補助層及び無機レジストが表面に露出しているため、スタンパに残渣が残ることなく剥離をすることができた。また、透光性補助層と無機レジストとの密着性が良いため、無機レジストの情報パターンが剥がれてしまうことによる欠陥も発生しなかった。また、中間層用の光硬化性樹脂７０４から剥離された透光性スタンパ７００は、ＵＶ光を照射しても劣化することはなく、繰り返し使用することが可能である。
【０１１９】
図７（ｆ）に示すように、Ｌ０層の情報パターン７０５にＬ０層記録膜７０６を形成した。Ｌ０層記録膜は典型的には、光を透過しない反射膜か反射膜を含んで構成される。本実施例では、例えばスピンコート法を用いて有機色素系のＬ０記録膜を形成した後に、スパッタリング法を用いてＬ０反射膜を形成した。
【０１２０】
図７（ｇ）に示すように、Ｌ０層記録膜上に、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板７０８を、ＵＶ硬化接着材７０９を用いて貼り付け、本実施例における２層構造の光記録媒体を製造した。
【０１２１】
こうして製造した光記録媒体に対して、ポリカーボネート基板７０１側から、レーザー波長４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡが０．６５の光学系を用いて、容量１５ＧＢのＥＴＭ（８／１２）変調を用いて信号の再生評価を行った。ＳｂＥＲ（Ｓｉｍｕｌａｔｅｄ  ｂｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  Ｒａｔｅ）を測定したところ、Ｌ０層では４．２×１０-6、Ｌ１層では７．０×１０-6の値が得られた。
【０１２２】
次に、本実施例で製造したスタンパを用いて、５０００枚光記録媒体を製造した後、５００１枚目に製造した光記録媒体の信号の再生評価を行ったところ、特性の悪化は無く、かつ、光記録媒体全体にわたって残渣の影響、及び欠陥が無いことが確認された。
【０１２３】
本発明に係る光記録媒体の製造方法は、透光性基板上に、順次、透光性補助層、及び無機レジスト層が形成され、前記無機レジスト層に情報パターンに対応する凹部が形成され、凹部に透光性補助層が露出しているスタンパを使用することに特徴がある。透光性スタンパの各層の厚さや材料、光記録媒体情報記録面の数や積層方向、また記録材料等を、上記実施例に限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】本発明による透光性スタンパの製造方法及び、光記録媒体の製造方法を説明する模式図
【図２】実施例１の光記録媒体の製造方法を説明する模式図
【図３】従来のガラス製の透光性スタンパの製造法を説明する模式図
【図４】従来の無機レジストからなる透光性スタンパの製造方法を説明する模式図
【図５】課題を説明するための模式図
【図６】実施例２の透光性スタンパの製造方法を説明する模式図
【図７】実施例３の光記録媒体の製造方法を説明する模式図
【符号の説明】
【０１２５】
１００：透光性補助層
１０１：透光性基板
１０２：無機レジスト層
１０３：光ビーム
１０４：凹部
１０４’：変質部
１０５：透光性スタンパ
１０６：多層光記録媒体基板
１０７：光硬化性樹脂
１０８：情報パターン
１０８’：変質部
２０１：ポリカーボネート基板
２０２：Ｌ０層の情報パターン
２０３：Ｌ０層記録膜
２０４：光硬化性樹脂
２０６：Ｌ１層記録膜
２０７：カバー層用光硬化性樹脂
３１：石英ガラス基板
３２：フォトレジスト
３３：光ビーム
３４：ＣＦ4ガスプラズマ
４０：透光性スタンパの原盤
４１：透光性基板
４２：無機レジスト層
４３：光ビーム
４４：透光性基板の半径方向
４５：透光性スタンパ
４６：多層光記録媒体基板（又は支持基板）
４７：光硬化性樹脂
４８：情報パターン
５１：透光性基板
５２：無機レジスト層
５３：変質部
５４：凹部
５５：変質部
５６：凹部（深さが均一）
５７：レジスト面
５８：基板面
６００：透光性補助層
６０１：石英基板
６０２：無機レジスト層
６０３：光ビーム
６０５：透光性スタンパ
７００：透光性スタンパ
７０１：ポリカーボネート基板
７０２：Ｌ１層の情報パターン
７０３：Ｌ１層記録膜
７０４：光硬化性樹脂
７０５：Ｌ０層の情報パターン
７０６：Ｌ０層記録膜
７０８：ポリカーボネート基板
７０９：ＵＶ硬化接着材
７１０：透光性補助層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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