(57)【要約】【課題】微細な繰り返しパターンと太いパターンとの双方を精度良く形成することができるフォトマスクおよびそれを用いた電子デバイスの製造方法、ならびに電子デバイスを提供する。【解決手段】フォトマスク１０の太線パターン２ｃは、繰り返しパターン２ａ、２ｂと並走するように延び、かつラインパターン２ａおよびスペースパターン２ｂよりも太い線幅Ｗ１を有している。ラインパターン２ａのピッチをＰ１とし、ｎを整数としたとき、太線パターン２ｃの線幅Ｗ１は、Ｐ１×（ｎ±０．２５）の範囲内にある。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光に対して透明な基板と、
前記基板の表面上に形成された、前記露光光の透過を遮るための遮光膜パターンとを備え、
前記遮光膜パターンは、
ラインパターンとスペースパターンとが交互に繰り返された繰り返しパターンと、
前記繰り返しパターンと並走するように延び、かつ前記ラインパターンおよび前記スペースパターンよりも太い幅を有する太いパターンとを有し、
前記ラインパターンのピッチをＰ１とし、ｎを整数としたとき、前記太いパターンの幅Ｗ１が、Ｐ１×（ｎ±０．２５）の範囲内にある、フォトマスク。
【請求項２】
前記太いパターンの線幅Ｗ１が、Ｐ１×（ｎ±０．１）の範囲内にあることを特徴とする、請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記繰り返しパターンは、平面視において前記太いパターンの一方側に配置された第１の繰り返しパターン部と、前記太いパターンの他方側に配置された第２の繰り返しパターン部とを有することを特徴とする、請求項１または２に記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記太いパターンは、結像面に解像しない寸法のダミーパターンを有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記遮光膜パターンは前記繰り返しパターンと前記太いパターンとの間に第２のスペースパターンを有し、
前記第２のスペースパターンの幅は、前記繰り返しパターン内の前記スペースパターンの幅の１倍以上１．５倍以下の寸法であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のフォトマスク。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の前記フォトマスクの光学像を斜光照明により基板上の感光体に投影して前記感光体を露光する第１の露光工程と、
露光された前記感光体を現像して、前記感光体パターンを形成する工程と、
前記感光体パターンをマスクとして前記基板を選択的にエッチングしてパターニングする工程とを備えた、電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記斜光照明を用いた前記第１の露光工程後であって前記感光体の現像前に、他のフォトマスクの光学像を前記感光体に投影して前記感光体を露光する第２の露光工程をさらに備えたことを特徴とする、請求項６に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記斜光照明を用いた前記第１の露光工程によって、太いパターンの投影領域と、前記太いパターンの投影領域を挟む第１および第２の繰り返しパターン領域の投影領域とを前記感光体に露光し、
前記第２の露光工程によって、前記第１および第２の繰り返しパターン領域の投影領域のいずれか一方の投影領域全体を露光して消失させることを特徴とする、請求項７に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面上に形成された被転写パターンとを備え、
前記被転写パターンは、
被転写ラインパターンと被転写スペースパターンとが交互に繰り返された被転写繰り返しパターンと、
前記被転写繰り返しパターンと並走するように延び、かつ前記被転写ラインパターンおよび前記被転写スペースパターンよりも太い幅を有する被転写太いパターンとを有し、
前記被転写ラインパターンのピッチをＰ２とし、ｎを整数としたとき、前記被転写太いパターンの幅Ｗ２が、Ｐ２×（ｎ±０．２）の範囲内にある、電子デバイス。
【請求項１０】
前記被転写太いパターンの幅Ｗ１が、Ｐ１×（ｎ±０．１）の範囲内にあることを特徴とする、請求項９に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
前記被転写繰り返しパターンは、平面視において前記被転写太いパターンの一方側に配置された第１の被転写繰り返しパターン部と、前記被転写太いパターンの他方側に配置された第２の被転写繰り返しパターン部とを有することを特徴とする、請求項９または１０に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
前記被転写パターンは前記被転写繰り返しパターンと前記被転写太線パターンとの間に第２の被転写スペースパターンを有し、
前記第２の被転写スペースパターンの幅は、前記被転写繰り返しパターン内の前記被転写スペースパターンの幅の１倍以上１．５倍以下の寸法であることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれかに記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクおよびそれを用いた電子デバイスの製造方法、ならびに電子デバイスに関し、特に、繰り返しパターンと太いパターンとを含むパターンの形成に用いられるフォトマスクおよびそれを用いた電子デバイスの製造方法、ならびにそれにより得られた電子デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体回路パターンの微細化は、光リソグラフィ技術の進展によるところが大きく、それは主に露光光源の短波長化によりもたらされてきた。しかし、露光装置の価格の高騰および短波長化以外の方法によるパターンの微細化の検討が多方面で進められている。たとえば、スキャナ型露光技術によるレンズの大口径化、変形照明技術、超解像マスク技術等の進展により、現在は露光波長を維持したままで加工寸法を微細化する傾向にある。０．１８μｍ（１８０ｎｍ）世代からは、加工寸法が露光波長（ＫｒＦエキシマレーザ：２４８ｎｍ）を下回るという逆転現象が出てきた。
【０００３】
露光の際に用いられる光の波長以下の微細パターンを形成するための技術として、ハーフトーン位相シフトマスクなどの位相シフトマスクや、変形照明技術の利用が良く知られている。位相シフトマスクを用いた技術とは、たとえば、マスク上に露光波長の光の位相を反転させる部分を作り、光干渉効果で結像面での光学強度のコントラストを高める、特殊なマスクを用いる技術である。
【０００４】
また、変形照明技術ではマスク上にデザインされている複雑な回路パターンの寸法および二次元形状に対し、全てのパターンが安定して形成できるように照明の形状が最適化される。このような形状の照明を用いてマスク面を照明することにより、結像面で全てのパターンの光学強度コントラストを高めることができる。
【０００５】
典型的な例としては、照明光学系の中央を円形に遮光した輪帯照明がある。この輪帯照明では外側の外輪郭半径（外径Ｒ１）と内輪郭半径（内径Ｒ２）とを最適化する等の手法がとられてきた。また、クアトロポール照明（４点照明）においても、４ケ所の開口部分の大きさを最適化することが成されてきた。
【０００６】
このような位相シフトマスクや変形照明技術を用いた技術は、たとえば特開平１１−８１７９号公報、特開平６−３１３９６４号公報などに開示されている。
【特許文献１】特開平１１−８１７９号公報
【特許文献２】特開平６−３１３９６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
光学的解像力を表すレイリーの式を以下に式(1)として示す。
Ｒ＝ｋ１・（λ／ＮＡ）・・・（１）
なお、上記式（１）において、Ｒはパターン解像度、λは露光波長、ＮＡはレンズ開口数で、ｋ１はプロセスファクターである。
【０００８】
ここで、プロセスファクターｋ１が「０．３」を下回る微細な繰り返しパターンとプロセスファクターｋ１が「０．９ないし１．５」レベルの太いラインパターンもしくはスペースパターンとをパターニングすることを想定する。この微細回路パターン用のレジストパターンでは、繰り返しパターンと太いラインパターンもしくはスペースパターンとが共存することを要求される場合もある。
【０００９】
たとえば、コントロールゲートとその下層にあるフローティングゲートとを接続し、基板に対しリーク電流の少ない単純なＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタ構造を形成する場合がある。この場合、コントロールゲートとフローティングゲートとの間を接続するパターンにマスクの重ね合わせずれによる位置ズレが生じることを考慮して、これらの配線パターンの線幅を太くする必要がある。また、コントロールゲート上に後の工程でコンタクトホールを形成し、上層のアルミニウム配線等と接続する場合にも、そのコントロールゲートをコンタクトパッドとして形成するために太い配線パターンとする必要がある。
【００１０】
また、同様にコントロールゲートを避けて半導体基板とアルミニウム配線を直接接続するコンタクトホールを形成する場合もある。この場合には、コンタクトホールとコントロールゲートとの接触による電気的短絡（ショート）を防ぐために広いスペースパターンを形成する必要もある。そのため、プロセスファクターｋ１が「０．９ないし１．５」レベルの太いラインもしくはスペースが必要となる。
【００１１】
先に述べた従来技術では、照明形状を如何に最適化しても上記微細回路パターンを安定して解像することが難しい。たとえば、ＡｒＦ波長(１９３ｎｍ)でＮＡを「０．８５」とした場合、繰り返しパターンが６５ｎｍＬ／Ｓ（ライン・アンド・スペース）の場合はプロセスファクターｋ１は「０．２８」となる。この場合、プロセスファクターｋ１が「０．３」を下回る特性を有する位相シフトマスク技術を用いれば、微細な繰り返しパターンを精度良く加工することができる。しかしながら、プロセスファクターｋ１が「０．９ないし１．５」レベルの太いラインパターンを精度良く加工することはできない。このように、微細な繰り返しパターンと太いラインパターンとの双方を精度良く加工することは極めて困難であった。
【００１２】
なぜなら、微細な繰り返しパターンに適した位相シフトマスクを用いた場合、パターンの任意性から必然的に生じる位相シフトマスクの原理に関わる位相不整合が発生するため、通常パターン側に意図しない不要パターンが残存してしまう不具合が発生するからである。また、これを回避するため、一般にネガ型レジストが使用されるが、ＡｒＦ波長用で解像特性の良いネガ型レジストの材料が無く、またそのような材料が存在しても回路の構成上必然的に発生する同位相間の解像力が不足するからである。
【００１３】
また２回露光の手法を用いることも考えられる。この手法では、第１の露光処理として、微細な繰り返しパターンが形成されるレジストの第１の領域に対して２点照明で２光束干渉によりレンズ最外周を用いた露光処理が行なわれる。この後、第２の露光処理として、太いラインパターンが形成されるレジストの第２の領域に対して通常照明を用いた露光処理が行なわれる。しかし、微細な繰り返しパターンの最後のラインパターンと太いラインパターンとの間のスペースは繰り返しパターン内のスペース寸法の１．０倍ないし１．５倍程度でなければならない。そのため２回の露光を有する上記方法では、重ね合わせずれが発生した場合、上記制約を満たすことは極めて困難である。広いスペースのパターンについても同様のことが言える。
【００１４】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、微細な繰り返しパターンと太いパターンとの双方を精度良く形成することができるフォトマスクおよびそれを用いた電子デバイスの製造方法、ならびに電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の実施の形態に係るフォトマスクは、基板と、遮光膜パターンとを備えている。基板は、露光光に対して透明である。遮光膜パターンは、露光光の透過を遮るためのものであり、基板の表面上に形成されている。遮光膜パターンは、繰り返しパターンと、太いパターンとを有している。繰り返しパターンでは、ラインパターンとスペースパターンとが交互に繰り返されている。太いパターンは、繰り返しパターンと並走するように延び、かつラインパターンおよびスペースパターンよりも太い幅を有している。ラインパターンのピッチをＰ１とし、ｎを整数としたとき、太いパターンの幅Ｗ１は、Ｐ１×（ｎ±０．２５）の範囲内にある。
【発明の効果】
【００１６】
本実施の形態によれば、ラインパターンのピッチをＰ１とし、ｎを整数としたとき、太いパターンの幅Ｗ１がＰ１×（ｎ±０．２５）の範囲内にある。このため、太いパターン内において繰り返しパターンの空間的周期性を崩すことができ、焦点深度が向上し、繰り返しパターンおよび太いパターンの双方を精度良く形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の原理および実施の形態について図に基づいて説明する。
（原理）
まず本発明の原理について、図１に示すフォトマスク１０を図２に示す２点照明（２眼照明）絞り１１４を用いて斜光照明することにより、図１に示すフォトマスク１０のパターンを図３に示すように電子デバイス２０の感光体（たとえばフォトレジスト）２３もしくは被加工膜２２に転写する場合について説明する。
【００１８】
図１は、本発明の原理を説明するためのフォトマスクの構成を概略的に示す断面図（ａ）および平面図（ｂ）である。図１（ａ）、（ｂ）を参照して、このフォトマスク１０は、透明基板１と、遮光膜パターン２とを有している。透明基板１は、露光光に対して透明な材質よりなっている。遮光膜パターン２は、透明基板１の表面上に形成され、かつ露光光の透過を遮ることのできる材質よりなっている。この遮光膜パターン２は、たとえば６％程度の透過率を有するとともに透過する光の位相を逆位相に反転させるハーフトーン位相シフト膜であってもよい。
【００１９】
遮光膜パターン２は、繰り返しパターン領域と太いパターン領域とを有している。繰り返しパターン領域と太いパターン領域とは、スペースパターン２ｄを挟んで互いに隣り合っている。
【００２０】
繰り返しパターン領域には、微細な線幅ＷL1を有するラインパターン２ａと微細な線幅ＷS1を有するスペースパターン２ｂとが交互に繰り返して配置された繰り返しパターンが形成されている。この繰り返しパターン領域においてはラインパターン２ａが所定のピッチＰ１（＝ＷL1＋ＷS1）で配置されている。ラインパターン２ａは遮光膜が残存されたパターンであり、スペースパターン２ｂは遮光膜が除去された抜きパターンである。
【００２１】
太いパターン領域には、太線パターン２ｃが形成されている。この太線パターン２ｃは、ラインパターン２ａの線幅ＷL1およびスペースパターン２ｂの線幅ＷS1より広い線幅Ｗ１を有している。この太線パターン２ｃは、平面視において繰り返しパターンのラインパターン２ａおよびスペースパターン２ｂと並走するように延びている。
【００２２】
このフォトマスク１０においては、平面視において太線パターン２ｃの両側方に繰り返しパターンが配置されている。つまり、太線パターン２ｃの一方側に第１の繰り返しパターン部が配置されており、太線パターン２ｃの他方側に第２の繰り返しパターン部が配置されている。
【００２３】
図２は、本発明の原理を説明するための２点照明絞りの構成を概略的に示す平面図である。図２を参照して、２点照明絞り１１４は、２つの開口部１１４ａを有している。この２点照明絞り１１４の２つの開口部１１４ａはなるべく外周側に配置されていることが好ましい。この２点照明絞り１１４においては、インナーシグマσinはたとえば０．７５であり、アウターシグマσoutはたとえば０．９５である。
【００２４】
ここで、インナーシグマσinおよびアウターシグマσoutとは、それぞれ照明絞り１１４全体の半径を１としたときの開口部１１４ａの内接円および外接円の半径である。このように開口部１１４ａを配置することにより、この２点照明絞り１１４を用いて強斜光照明を実現することができる。なお本明細書における強斜光照明は、σin／σoutが３／４以上のものを意味する。
【００２５】
図３は、本発明の原理を説明するための電子デバイスの構成を概略的に示す断面図（ａ）、（ｃ）および平面図（ｂ）である。図３（ａ）、（ｂ）は感光体パターン２３がある状態を示している。また図３（ｃ）はその感光体パターン２３をマスクとして被加工膜２２をパターニングし、さらに感光体パターン２３を除去した状態を示している。
【００２６】
図３（ａ）、（ｂ）を参照して、上記の斜光照明による露光とその後の現像とを施された電子デバイス２０は、基板２１、２２と、感光体パターン２３とを有している。基板は、下地層２１と、その下地層２１上に形成された被加工膜２２とを有している。感光体パターン２３は、被加工膜２２上に形成されており、たとえばポジ型のフォトレジストよりなっている。
【００２７】
この感光体パターン２３は、図１に示すフォトマスク１０の遮光膜パターン２に対応したパターンを有している。つまり、感光体パターン２３は、図１に示すフォトマスク１０の繰り返しパターン２ａ、２ｂおよび太線パターン２ｃのそれぞれに対応した繰り返しパターン２３ａ、２３ｂおよび太線パターン２３ｃを有している。また感光体パターン２３は、図１に示すフォトマスク１０のスペースパターン２ｄに対応したスペースパターン２３ｄも有している。
【００２８】
繰り返しパターン２３ａ、２３ｂが形成された繰り返しパターン領域と太線パターン２３ｃが形成された太いパターン領域とは、スペースパターン２３ｄを挟んで互いに隣り合っている。
【００２９】
繰り返しパターン領域には、微細な線幅ＷL2を有するラインパターン２３ａと微細な線幅ＷS2を有するスペースパターン２３ｂとが交互に繰り返して配置されている。太いパターン領域には、ラインパターン２３ａの線幅ＷL2およびスペースパターン２３ｂの線幅ＷS2より広い線幅Ｗ２を有する太線パターン２３ｃが形成されている。太線パターン２３ｃは、ラインパターン２３ａおよびスペースパターン２３ｂと並走するように延びている。
【００３０】
図３（ｃ）を参照して、上記の形状の感光体パターン２３をマスクとして被加工膜２２をエッチング等によりパターニングすることにより、被加工膜２２に図１に示す遮光膜パターン２が転写されたパターン（以下、「被転写」パターンと称する）が形成されている。つまり、被加工膜２２のパターンは、図１に示すフォトマスク１０の繰り返しパターン２ａ、２ｂおよび太線パターン２ｃのそれぞれが転写された被転写繰り返しパターン２２ａ、２２ｂおよび被転写太線パターン２２ｃを有している。また被加工膜パターン２２は、図１に示すフォトマスク１０のスペースパターン２ｄが転写された被転写スペースパターン２２ｄも有している。
【００３１】
被転写繰り返しパターン２２ａ、２２ｂが形成された被転写繰り返しパターン領域と被転写太線パターン２２ｃが形成された被転写太いパターン領域とは、被転写スペースパターン２２ｄを挟んで互いに隣り合っている。
【００３２】
被転写繰り返しパターン領域には、微細な線幅ＷL2を有する被転写ラインパターン２２ａと微細な線幅ＷS2を有する被転写スペースパターン２２ｂとが交互に繰り返して配置されている。この被転写繰り返しパターン領域においては被転写ラインパターン２２ａが所定のピッチＰ２（＝ＷL2＋ＷS2）で配置されている。被転写太いパターン領域には、被転写ラインパターン２２ａの線幅ＷL2および被転写スペースパターン２２ｂの線幅ＷS2より広い線幅Ｗ２を有する被転写太線パターン２２ｃが形成されている。被転写太線パターン２２ｃは、被転写ラインパターン２２ａおよび被転写スペースパターン２２ｂと並走するように延びている。
【００３３】
この電子デバイス２０においては、平面視において被転写太線パターン２２ｃの両側方に被転写繰り返しパターンが配置されている。つまり、被転写太線パターン２２ｃの一方側に第１の被転写繰り返しパターン部が配置されており、被転写太線パターン２２ｃの他方側に第２の被転写繰り返しパターン部が配置されている。
【００３４】
本発明者は、図１に示すパターンレイアウトのフォトマスク１０を用いて図２に示す２点照明で露光した場合の電界の投影像と光強度（＝電界の２乗）とを完全２光干渉として、どのような干渉を起こすかを簡単にフーリエ級数的にシミュレートした。ここでは、フーリエ変換による各周波数の振幅強度比は求めていない。また、図１においてラインパターン２ａの線幅ＷL1とスペースパターンの線幅ＷS1とをそれぞれ６５ｎｍとし（ラインパターン２ａの繰り返しピッチＰ１（＝ＷL1＋ＷS1）は１３０ｎｍ）、太線パターン２ｃの線幅Ｗ１を変えてシミュレートした。その結果を図４および図５に示す。
【００３５】
図４は、太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２をラインパターン２３ａの繰り返しピッチＰ２の半分（ハーフピッチ：６５ｎｍ）の奇数倍（３倍）としたときの感光体パターン２３の形状を示す図（ａ）と、電界の投影像（表記Ｅ）および光強度（表記ｉｎｔ）を示す図（ｂ）である。図４においては、図４（ａ）の感光体パターンが図４（ｂ）の投影像および光強度と位置的に対応するように示されている。
【００３６】
図４（ａ）を参照して、太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２が上記ハーフピッチ（Ｐ２／２）の奇数倍の場合、太線パターン２３ｃの中央部の右下がりのハッチングの部分が抜きパターン（つまりスペースパターン）であったとすると、太線パターン２３ｃの図中左側から右側にかけて空間的周期性が保たれることになる。つまり、太線パターン２３ｃの中央部の右下がりのハッチングの部分を抜きパターンとすることで、太線パターンの図中右側の繰り返しパターンと図中左側の繰り返しパターンとがほぼ同じピッチで連続的に繋がることになる。
【００３７】
上記のように空間的周期性が保たれるため、図４（ｂ）に示すように、太線パターンの図中左側と右側の各繰り返しパターンにおける光強度の波形が太いパターン領域の中央部において互いに重なり合う。これにより、太いパターン領域の中央部において他の領域よりも光強度が強くなる。結果として、図４（ａ）に示す太いパターン領域において光学像が明るくなり、フォトレジスト２３が解像してしまい、太線パターン２３ｃを精度良く形成することができなくなる。
【００３８】
一方、図５は、太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２をラインパターン２３ａの繰り返しピッチＰ２の半分（ハーフピッチ：６５ｎｍ）の偶数倍（４倍）としたときの感光体パターン２３の形状を示す図（ａ）と、電界の投影像（表記Ｅ）および光強度（表記ｉｎｔ）を示す図（ｂ）である。図５においては、図５（ａ）の感光体パターンが図５（ｂ）の投影像および光強度と位置的に対応するように示されている。
【００３９】
図５（ａ）を参照して、太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２が上記ハーフピッチ（Ｐ２／２）の偶数倍の場合、太線パターン２３ｃの図中左側の繰り返しパターンから見て空間的周期性を保つためには、太線パターン２３ｃの右下がりハッチングの部分が抜きパターンである必要がある。これに対して、太線パターン２３ｃの図中右側の繰り返しパターンから見て空間的周期性を保つためには、太線パターン２３ｃの左下がりハッチングの部分が抜きパターンである必要がある。
【００４０】
このように太線パターン２３ｃの図中左側と右側の繰り返しパターンにおいて空間的周期性が不整合を生じている。このため、図５（ｂ）に示すように、太線パターンの図中左側と右側の各繰り返しパターンにおける光強度の波形が太いパターン領域内において互いに反転する。これにより、太いパターン領域内における光強度は図４（ｂ）の場合よりも低くなる。結果として、図５（ａ）に示す太いパターン領域において光学像が明るくなることが抑制され、太線パターン２３ｃを精度良く形成することが可能となる。
【００４１】
以上のように、太いパターン領域に太線パターン２３ｃを有効に残すためには空間的周期性を如何に崩すかがキーといえる。そして、上記の空間的周期性を効果的に崩すためには、太線パターン２３ｃの左側と右側の繰り返しパターンにおける電界の波の波長（２Ｐ）の位相差（θ）がハーフピッチ（Ｐ／２）であれば良いことが分かる。このことから、図１に示すフォトマスク１０における太線パターン２ｃの線幅Ｗ１がラインパターン２ａの繰り返しピッチＰ１の半分（ハーフピッチ）の偶数倍であれば良いことが分かる。
【００４２】
以上より、ｎを整数としたとき、太線パターン２ｃの線幅Ｗ１とラインパターン２ａの繰り返しピッチＰ１との関係が、Ｗ１＝（Ｐ１／２）×２ｎ＝Ｐ１×ｎの式を満たしていればよい。
【００４３】
また太線パターン２ｃの線幅Ｗ１が、Ｐ１×（ｎ±０．２５）の範囲内にあれば、上記の偶数倍とした効果が得られる。なぜなら、太線パターン２ｃの線幅Ｗ１が、（Ｐ１／２）×（２ｎ±０．５）の範囲内であれば、太線パターン２ｃの線幅Ｗ１が繰り返しピッチＰ１の半分の奇数倍（２ｎ＋１）よりも偶数倍（２ｎ）に近い値となり、空間的周期性を崩す効果が顕著となるからである。
【００４４】
このため、上記のフォトマスク１０（図１）を用いて製造された電子デバイス２０（図３（ｃ））においても、被転写ラインパターン２２ａの繰り返しピッチをＰ２とし、ｎを整数としたとき、被転写太線パターン２２ｃの線幅Ｗ２が、Ｗ２＝Ｐ２×（ｎ±０．２５）の範囲内となる。
【００４５】
また本発明者は、上記位相差θを連続的に変化させたときの太線パターン内部の光強度の変化を以下の式で計算した。その結果を図６に示す。
【００４６】
Appearance Light＝〔ｓｉｎ（π・ｘ／Ｐ）＋ｓｉｎ{（π・ｘ／Ｐ）−θ}〕2
図６における位相ズレ量の原点は、図５に示すように太線パターン２３ｃの左側と右側の繰り返しパターンの電界の波の波長が１／４波長ずれた状態を示している。また図６における位相ズレ量が０．５の状態は、図４に示すように太線パターン２３ｃの左側と右側の繰り返しパターンの電界の波の波長が１／２波長ずれた状態を示している。
【００４７】
図５の状態（位相のズレ量の原点）では光強度が０．２５であるが、通常はレジストパターン崩れが生じないように、この光強度の１．５〜１．６倍程度の光強度が用いられている。よって、光強度は、０．２５×１．６≒０．４程度であることが好ましい。この０．４程度の光強度を得るためには、図６の関係から０．１の位相ズレ量が必要である。
【００４８】
以上より、空間的周期性を崩しつつ、適度な光強度を得るためには、図１のフォトマスク１０における太線パターン２ｃの線幅Ｗ１は、Ｗ１＝Ｐ１×（ｎ±０．１）の範囲内にあることが好ましい。
【００４９】
このため、上記のフォトマスク１０（図１）を用いて製造された電子デバイス２０（図３（ｃ））においても、被転写太線パターン２２ｃの線幅Ｗ２が、Ｗ２＝Ｐ２×（ｎ±０．１）の範囲内にあることが好ましい。
【００５０】
上記の原理に基づいて以下の実施の形態１〜４がなされている。
（実施の形態１）
図７は、本発明の比較例におけるフォトマスクの断面構成（ａ）、電子デバイスの断面構成（ｂ）およびパターンの各位置における光強度の光学シミュレーション結果（ｃ）を示す図である。また図８は、本発明の実施の形態１におけるフォトマスクの断面構成（ａ）、電子デバイスの断面構成（ｂ）およびパターンの各位置における光強度の光学シミュレーション結果（ｃ）を示す図である。なお、図７および図８のグラフ内に示される各種の線（０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍ、１５０ｎｍ、２００ｎｍ、２５０ｎｍ、３００ｎｍを示す線）は、ベストフォーカス（０ｎｍ）からのフォーカスのズレ量を表している。
【００５１】
図８（ａ）に示す本実施の形態のフォトマスク１０の構成は、図１に示したフォトマスク１０の構成と比較して、太線パターン２ｃの一方側にだけ繰り返しパターンが配置されている点において異なっている。また本実施の形態のフォトマスク１０における太線パターン２ｃの線幅Ｗ１は、ラインパターン２ａの繰り返しピッチＰ１の半分（ハーフピッチ）の偶数倍（たとえば４倍）である。
【００５２】
また、図８（ｂ）に示す本実施の形態の電子デバイス２０の構成も、図３（ａ）、（ｂ）に示した電子デバイス２０の構成と比較して、太線パターン２３ｃの一方側にだけ繰り返しパターンが配置されている点において異なっている。また本実施の形態の電子デバイス２０における太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２は、ラインパターン２３ａの繰り返しピッチＰ２の半分（ハーフピッチ）の偶数倍（たとえば４倍）である。
【００５３】
なお、これ以外の本実施の形態のフォトマスク１０および電子デバイス２０の各々の構成は、図１および図３に示した構成とほぼ同じであるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００５４】
本発明者は、本実施の形態におけるフォトマスク１０の光学像を結像したときの光学像の強度分布についてシミュレーションを行った。以下、そのことについて説明する。
【００５５】
図７（ｂ）および図８（ｂ）の各々で、感光体２３のラインパターン２３ａとスペースパターン２３ｂとからなる繰り返しパターンを１３０ｎｍピッチ（６５ｎｍＬ／Ｓ）とし、繰り返しパターンと太線パターン２３ｃとの間のスペースパターン２３ｄの幅を６５ｎｍとした。太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２を、図７（ｂ）では６５の奇数倍である１９５ｎｍ（６５×３ｎｍ）とし、図８（ｂ）では６５の偶数倍である２６０ｎｍ（６５×４ｎｍ）とした。
【００５６】
これらの感光体２３のパターンレイアウトに対応した遮光膜パターン２を有するフォトマスク１０（図７（ａ）、図８（ａ））を用い、露光波長をＡｒＦ波長（１９３ｎｍ）とし、開口数（ＮＡ）を０．８５とし、照明を２点照明とした条件にてシミュレーションを行った。
【００５７】
その結果、図７（ｃ）に示すように太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２が１９５ｎｍの場合には、フォーカスがずれた時に太いパターン領域内に繰り返しの空間的周期性が出現してしまう。そのため、太いパターン領域の中央部の光学像が明るくなりレジストが解像してしまう。一方、図８（ｃ）に示すように太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２が２６０ｎｍの場合には、デフォーカス時の像の反転を１９５ｎｍの時よりも抑制することができる。
【００５８】
これを図７（ｂ）と図８（ｂ）を参照して説明する。
図７（ｂ）に示すように太線パターン２３ｃが１９５ｎｍ（６５×３ｎｍ）の時は、太線パターン２３ｃの図中右側の繰り返しパターンから見て空間的周期性を保つためには、太線パターン２３ｃ内の右下がりハッチングの部分が抜きパターンである必要がある。これに対して、太線パターン２３ｃの図中左側に、右側と同様の繰り返しパターンがあったとすると、この仮想の左側の繰り返しパターンから見て空間的周期性を保つためには、太線パターン２３ｃ内の右下がりハッチングの部分が抜きパターンである必要がある。つまり、太線パターン２３ｃ内の右下がりハッチングの部分が抜きパターンであるとすると、太線パターン２３ｃの図中右側の繰り返しパターンと、図中左側の下層の繰り返しパターンとの空間的周期性が整合する。このため、太線パターン２３ｃ内での像の反転が助長される。
【００５９】
一方、図８（ｂ）に示す太線パターン２３ｃが２６０ｎｍ（６５×４ｎｍ）の時は、太線パターン２３ｃの図中右側の繰り返しパターンから見て空間的周期性を保つためには、太線パターン２３ｃ内の右下がりハッチングの部分が抜きパターンである必要がある。これに対して、太線パターン２３ｃの図中左側に、右側と同様の繰り返しパターンがあったとすると、この仮想の左側の繰り返しパターンから見て空間的周期性を保つためには、太線パターン２３ｃ内の左下がりハッチングの部分が抜きパターンである必要がある。このように太線パターン２３ｃの図中右側と仮想の左側の繰り返しパターンにおいて空間的周期性が不整合を生じている。このため、太線パターン２３ｃ内での像の反転が抑えられる。
【００６０】
太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２が３２５ｎｍ（６５×５ｎｍ）の場合と３９０ｎｍ（６５×６ｎｍ）の場合も同様にシミュレーションを行った。その結果を図９、図１０に示す。
【００６１】
図９（ｂ）に示す太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２が３２５（６５×５）ｎｍの場合には、図９（ｃ）に示すようにデフォーカス時に太線パターン内において光学像の光強度が部分的に高くなっている。これに対して、図１０（ｂ）に示す太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２が３９０（６５×６）ｎｍの場合には、図１０（ｃ）に示すように太線パターン内において、デフォーカス時の反転していた光学像の光強度が抑制されていることが分かる。このように図１０のパターンレイアウトにおいて図９の場合よりも光強度が抑制できる理由は、上記と同様に説明することができる。
【００６２】
以上より、図８（ａ）および図１０（ａ）に示すように太線パターン２ｃの一方側のみに繰り返しパターンが配置されている場合でも、太線パターン２ｃの線幅Ｗ１が繰り返しパターンのハーフピッチ（Ｐ１／２）の偶数倍であれば、太線パターン２ｃを精度良く電子デバイスに転写することができる。
【００６３】
図８（ｂ）および図１０（ｂ）を参照して、一般的に太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２が太くなる程、遮光効率が上がり、図８（ｃ）および図１０（ｃ）に示すように焦点深度は伸びる傾向にある。しかし、それとはトレードオフに、太線パターン２３ｃと隣接するスペースパターン２３ｄの解像性は下がる傾向にある。たとえば、図１１に太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２と焦点深度（ＤＯＦ：Depth of Focus）との関係を光学シミュレーション結果より求めたグラフを示す。
【００６４】
図１１を参照して、焦点深度のシミュレーションにおいては太線パターン２３ｃのみに着目し、太線パターン２３ｃと繰り返しパターンとの間のスペースパターン２３ｄを無視している。上述したように、一般的には太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２が太くなる程、焦点深度は向上するはずである。しかし、シミュレーションの結果では、本実施の形態のように太線パターン２３ｃの一方側のみに繰り返しパターンがある場合には、太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２が２６０ｎｍ（６５×４ｎｍ）のときの焦点深度は、線幅Ｗ２が３２５ｎｍ（６５×５ｎｍ）のときの焦点深度と同程度に高くなっている。このことから、太線パターン２３ｃが繰り返しパターンのハーフピッチの奇数倍の時より偶数倍の時の方が焦点深度は向上することが確認された。
【００６５】
また、たとえば図１０（ｂ）において、太線パターン２３ｃが太くなる程、遮光効率が上がるため、太線パターン２３ｃの隣のラインパターン２３ａも太くなる。これにより、太線パターン２３ｃと繰り返しパターンとの間のスペースパターン２３ｄの解像性が劣化して、太線パターン２３ｃとその隣のラインパターン２３ａとが繋がる、いわゆるブリッジという現象が生じる。
【００６６】
このブリッジの解消について、本発明者は検討した。その結果、図１０（ｂ）に示すように、当該スペースパターン２３ｄの幅をラインパターン２３ａの線幅である６５ｎｍにした場合には、図１０（ｃ）に示すようにスペースパターン２３ｄの光強度が高くなり、ブリッジを防止することができた。また、図１２に示すように、当該スペースパターン２３ｄの幅をラインパターン２３ａの線幅である６５ｎｍの１．３８倍である９０ｎｍにした場合には、図１２（ｃ）に示すようにスペースパターン２３ｄの光強度がさらに高くなり、ブリッジを防止することができた。このことから、ブリッジは、当該スペースパターン２３ｄの幅ＷS3を、ラインパターン２３ａの１．０倍以上１．５倍以下にすることで解消することができ、かつこの調整によって上記の周期性の効果も失われないことがわかった。
【００６７】
よって、図１２（ａ）に示すフォトマスク１０において、スペースパターン２ｄの幅はラインパターン２ａの線幅の１．０倍以上１．５倍以下であることが好ましい。また図３（ｃ）に示す電子デバイス２０において、スペースパターン２２ｄの幅はラインパターン２２ａの線幅の１．０倍以上１．５倍以下であることが好ましい。
【００６８】
なお、図１２（ｂ）においては、スペースパターン２３ｄに隣接するラインパターン２３ａの線幅のみが４０ｎｍとされている。
【００６９】
本実施の形態においては、太いパターンとして太いラインパターン２３ｃについて説明したが、太いパターンは図１３（ｂ）に示すように太いスペースパターン２３ｃであってもよい。この場合においても上記と同様、太いスペースパターン２３ｃが繰り返しパターンのハーフピッチの奇数倍の場合には空間的周期性が整合し、太いスペースパターン２３ｃの中央部に本来存在しないはずのラインパターンが出現する。一方、太いスペースパターン２３ｃを繰り返しパターンのハーフピッチの偶数倍にすれば、空間的周期性を崩すことができ、上記のラインパターンの出現を防ぐことができる。
【００７０】
また、これに対応して、図１３（ａ）に示すようにフォトマスク１０における太いパターン領域中のパターンも太いスペースパターン２ｃであってもよい。
【００７１】
なお、フォトマスク１０上の遮光膜パターン２の寸法がたとえば２６０ｎｍの場合、そのパターンを等倍転写したレジストパターンの仕上がり寸法は２６０±２０ｎｍ程度となる。
【００７２】
（実施の形態２）
図１４は、本発明の比較例におけるフォトマスクの断面構成（ａ）、電子デバイスの断面構成（ｂ）およびパターンの各位置における光強度の光学シミュレーション結果（ｃ）を示す図である。また図１５は、本発明の実施の形態２におけるフォトマスクの断面構成（ａ）、電子デバイスの断面構成（ｂ）およびパターンの各位置における光強度の光学シミュレーション結果（ｃ）を示す図である。
【００７３】
図１５（ａ）に示す本実施の形態のフォトマスク１０の構成は、図１に示したフォトマスク１０の構成とほぼ同じであり、太線パターン２ｃの両側に繰り返しパターンが配置されている。また本実施の形態のフォトマスク１０における太線パターン２ｃの線幅Ｗ１は、ラインパターン２ａの繰り返しピッチＰ１の半分（ハーフピッチ）の偶数倍（たとえば４倍）である。
【００７４】
また、図１５（ｂ）に示す本実施の形態の電子デバイス２０の構成も、図７（ｂ）に示す実施の形態１における電子デバイス２０の構成とほぼ同じであり、太線パターン２３ｃの両側に繰り返しパターンが配置されている。また本実施の形態の電子デバイス２０における太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２は、ラインパターン２３ａの繰り返しピッチＰ２の半分（ハーフピッチ）の偶数倍（たとえば４倍）である。
【００７５】
なお、本実施の形態のフォトマスク１０および電子デバイス２０の各々の構成は、図１および図３に示した構成とほぼ同じであるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００７６】
本発明者は、本実施の形態におけるフォトマスク１０の光学像を結像したときの光学像の強度分布についてシミュレーションを行った。以下、そのことについて説明する。
【００７７】
図１４（ｂ）および図１５（ｂ）の双方において、感光体２３のラインパターン２３ａの線幅とスペースパターン２３ｂの幅とを６５ｎｍとした。太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２を、図１４（ｂ）では６５の奇数倍である１９５ｎｍ（６５×３ｎｍ）とし、図１５（ｂ）では６５の偶数倍である２６０ｎｍ（６５×４ｎｍ）とした。
【００７８】
これらの感光体２３のパターンレイアウトに対応した遮光膜パターン２を有するフォトマスク１０（図１４（ａ）、図１５（ａ））を用い、露光波長をＡｒＦ波長（１９３ｎｍ）とし、開口数（ＮＡ）を０．８５とし、照明を２点照明とした条件にてシミュレーションを行った。
【００７９】
その結果、図１４（ｃ）に示すように太線パターンの寸法が１９５ｎｍの場合には、フォーカスがずれた時に太線パターン２３ｃ内に繰り返しの空間的周期性が出現してしまう。そのため、本来レジストを残すべき太線パターンの中央部の光学像が明るくなりレジストが解像してしまう。一方、図１５（ｃ）に示す太線パターン２３ｃの寸法が２６０ｎｍの場合には、太線パターン２３ｃの左右で空間的周期性が不整合を起こすので、デフォーカス時の像の反転を１９５ｎｍの時よりも抑制することができる。またこの場合には、焦点深度も奇数倍である１９５ｎｍ（６５×３ｎｍ）の場合よりも向上する。
【００８０】
太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２が３２５ｎｍ（６５×５ｎｍ）の場合と３９０ｎｍ（６５×６ｎｍ）の場合も同様にシミュレーションを行った結果を図１６、図１７に示す。
【００８１】
図１６（ｂ）に示す太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２が３２５ｎｍ（６５×５ｎｍ）の場合には、図１６（ｃ）に示すようにデフォーカス時に太いパターン領域内において光学像の光強度が部分的に高くなっている。これに対して、図１７（ｂ）に示す太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２が３９０ｎｍ（６５×６ｎｍ）の場合には、図１７（ｃ）に示すように太いパターン領域内において、デフォーカス時の反転していた光学像の光強度が抑制され、焦点深度が向上していることが分かる。このように図１６のパターンレイアウトにおいて図１７の場合よりも光強度が抑制できる理由は、上記と同様に説明することができる。
【００８２】
さらに図１１を参照して、本実施の形態のように太線パターン２３ｃの両側に繰り返しパターンがある場合には、太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２が２６０ｎｍ（６５×４ｎｍ）のときの焦点深度が、３２５ｎｍ（６５×５ｎｍ）の線幅Ｗ２のときの焦点深度よりも高くなる。このことから、太線パターン２３ｃの線幅Ｗ２が繰り返しパターンのハーフピッチの奇数倍の時より偶数倍の時の方が焦点深度は向上することが確認された。これは、太線パターン２３ｃの両側に６５ｎｍＬ／Ｓの繰り返しパターンを配置することで、左右からの空間的周期性が顕在化することにより双方の空間的周期性が互いに打ち消し合う効果が大きくなるからである。
【００８３】
また、太線パターン２３ｃの両側に繰り返しパターンを配置し、太線パターン２３ｃを中心として左右対称のパターン配置にすることにより、図９（ｃ）、図１０（ｃ）に見られるデフォーカス時に顕著になる太線パターン等の位置ずれを、図１６（ｃ）、図１７（ｃ）に示すように防ぐことができる。
【００８４】
また実施の形態１と同様、当該スペースパターン２３ｄの幅を、ラインパターン２３ａの１．０倍以上１．５倍以下にすることでブリッジを解消することができ、かつこの調整によって上記の周期性の効果も失われない。図１７に示すように、当該スペースパターン２３ｄの幅ＷS3をラインパターン２３ａの線幅である６５ｎｍにした場合には、図１７（ｃ）に示すようにスペースパターン２３ｄの光強度が高くなり、ブリッジを防止することができた。また、図１８に示すように、当該スペースパターン２３ｄの幅ＷS3をラインパターン２３ａの線幅である６５ｎｍの１．３８倍である９０ｎｍにした場合には、図１８（ｃ）に示すようにスペースパターン２３ｄの光強度がさらに高くなり、ブリッジを防止することができる。
【００８５】
よって、図１８（ａ）に示すフォトマスク１０において、スペースパターン２ｄの幅はラインパターン２ａの線幅の１．０倍以上１．５倍以下であることが好ましい。また図３（ｃ）に示す電子デバイス２０において、スペースパターン２２ｄの幅はラインパターン２２ａの線幅の１．０倍以上１．５倍以下であることが好ましい。
【００８６】
なお、図１８（ｂ）においては、スペースパターン２３ｄに隣接するラインパターン２３ａの線幅のみが４０ｎｍとされている。
【００８７】
また、フォトマスク１０の太線パターン２ｃにはウエハ上の感光体に解像しない寸法を有する非解像ダミーパターンが形成されていてもよい。図１９は、フォトマスクの太線パターン内に非解像ダミースペースを設けた時のフォトマスクの断面構成（ａ）、電子デバイスの断面構成（ｂ）およびパターンの各位置における光強度の光学シミュレーション結果（ｃ）を示す図である。
【００８８】
図１９を参照して、非解像ダミースペース２ｃ1の寸法はマスク製造技術の解像限界の寸法より小さいため、ウエハ上の感光体に解像しない。この非解像ダミースペース２ｃ1の寸法はウエハ上で２０ｎｍ〜４０ｎｍ（４倍マスク上で８０ｎｍ〜１６０ｎｍ）である。また非解像ダミースペース２ｃ1は、太線パターン２ｃのエッジ（つまり太いパターン領域のエッジ）から太線パターンの線幅の０．２２〜０．２７倍の距離を置いて、太線パターン２ｃ内に配置されている。本実施の形態においては、たとえば太線パターン２ｃの線幅が２６０ｎｍで、その太線パターン２ｃのエッジから０．２３倍の距離の６０ｎｍ内側に３４ｎｍ線幅の非解像ダミースペース２ｃ1を設けることで、より空間的周期性を崩すことができ、像の反転を抑えることができた。
【００８９】
本実施の形態においては、太線パターンとして太いラインパターン２３ｃについて説明したが、太線パターンは図２０に示すように太いスペースパターン２３ｃであってもよい。この場合においても上記と同様、太いスペースパターン２３ｃの幅が繰り返しパターンのハーフピッチの奇数倍の寸法の場合には空間的周期性が整合し、太いスペースパターン２３ｃの中央部に本来存在しないはずのラインパターンが出現する。一方、太いスペースパターン２３ｃの幅を繰り返しパターンのハーフピッチの偶数倍の寸法にすれば、空間的周期性を崩すことができ、上記のラインパターンの出現を防ぐことができる。
【００９０】
また、これに対応して、図２０（ａ）に示すようにフォトマスク１０の太いパターン領域内のパターンも太いスペースパターン２ｃであってもよい。
【００９１】
（実施の形態３）
まず本実施の形態の電子デバイスとして、実施の形態１のフォトマスクを用いて製造される電子デバイスの構造について説明する。
【００９２】
図２１は、本発明の実施の形態３における電子デバイスの構成を概略的に示す平面図である。図２１を参照して、本実施の形態の電子デバイス２０は、下地層２１と、下地層２１上に形成された被加工膜２２とを有している。被加工膜２２は、たとえば図７（ａ）に示すフォトマスク１０の遮光膜パターン２が転写されたパターン（以下、「被転写」パターンと称する）を有している。つまり、被加工膜パターン２２は、被転写繰り返しパターン２２ａ、２２ｂおよび被転写太線パターン２２ｃを有している。この被転写繰り返しパターン２２ａ、２２ｂは図１に示すフォトマスク１０の繰り返しパターン２ａ、２ｂが転写されたものである。また被転写太線パターン２２ｃは図１に示す太線パターン２ｃが転写されたものである。被転写繰り返しパターン２２ａ、２２ｂが形成された被転写繰り返しパターン領域と被転写太線パターン２２ｃが形成された被転写太いパターン領域とは、被転写スペースパターン２２ｄを挟んで互いに隣り合っている。
【００９３】
被転写繰り返しパターン領域には、微細な線幅ＷL2を有する被転写ラインパターン２２ａと、微細な線幅ＷS2を有する被転写スペースパターン２２ｂとが交互に繰り返して配置されている。また被転写ラインパターン２２ａは等ピッチＰ２で配置されている。被転写太いパターン領域には、被転写太線パターン２２ｃが形成されている。被転写太線パターン２２ｃは、被転写ラインパターン２２ａの線幅ＷL2および被転写スペースパターン２２ｂの線幅ＷS2より広い線幅Ｗ２を有している。この被転写太線パターン２２ｃは、被転写ラインパターン２２ａおよび被転写スペースパターン２２ｂと並走するように延びている。
【００９４】
この電子デバイス２０においては、平面視において被転写太線パターン２２ｃの片側のみに被転写繰り返しパターンが配置されている。
【００９５】
太線パターンの線幅Ｗ２は、Ｐ２×（ｎ±０．２５）の範囲内である。また、太線パターンの線幅Ｗ２は、Ｐ２×（ｎ±０．１）の範囲内であることがより好ましい。
【００９６】
次に、実施の形態１のフォトマスクを用いて図２１に示す電子デバイスを製造する方法について説明する。
【００９７】
図２２は図２１に示す電子デバイスの製造方法のフローチャートを示す図であり、図２３は図２１に示す電子デバイスの製造方法を工程順に示す概略断面図である。図２２および図２３（ａ）を参照して、まず、所定の基板上にフォトレジスト（感光体）２３が塗布される（ステップＳ１）。ここでいう所定の基板とは、たとえばシリコンウエハ２１上にポリシリコン、タングステン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミニウム等の被加工膜２２が形成された基板もしくは基板そのものを意味する。
【００９８】
また、フォトレジスト２３は、たとえば膜厚１８０ｎｍ程度のメタアクリル系化学増幅ポジ型レジストであり、上記所定の基板上に成膜された、たとえば７８ｎｍ程度の膜厚の有機反射防止膜（図示せず）上に塗布される。
【００９９】
図２２および図２３（ｂ）を参照して、その後、露光前の加熱処理（ソフトベーク）が施される（ステップＳ２）。このソフトベークは、たとえば１１０℃程度の温度で６０秒間程度行なわれる。
【０１００】
図２２および図２３（ｃ）を参照して、たとえば図７（ａ）に示すフォトマスク１０の光学像が強斜光照明によりフォトレジスト２３に投影され、フォトレジスト２３が露光されることで露光処理が実行される（ステップＳ３）。この露光処理では、露光光源として、たとえばＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）が使用される。
【０１０１】
図２２および図２３（ｄ）を参照して、上記露光後に加熱処理（ＰＥＢ（Post Exposure Bake）または露光後ベーク）が施される（ステップＳ４）。当該加熱処理は、たとえば、１１０℃程度の温度で６０秒間程度行なわれる。
【０１０２】
図２２および図２３（ｅ）を参照して、その後、フォトレジスト２３に現像処理が施されて（ステップＳ５）、フォトレジスト２３がパターニングされる。この現像処理には、現像液として、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．３８質量％（ｗｔ％）水溶液を使用することができる。その結果、上記所望のパターンにフォトレジスト２３がパターニングされる。なお、現像後、水分を乾燥させるために、１１５℃程度の温度下で、約６０秒間の加熱処理が施される。
【０１０３】
図２２および図２３（ｆ）を参照して、上記においてパターニングされたフォトレジスト２３をマスクとして、ドライエッチングなどの周知のエッチング方法により、被加工膜２２がパターニングされる（ステップＳ６）。この後、フォトレジスト２３がたとえばアッシング等により除去される。これにより、図２１に示す平面レイアウトのパターンが形成される。また、上記の工程を繰り返すことにより半導体装置などの電子デバイスが製造される。
【０１０４】
上記製造方法のステップＳ３の露光処理（図２３（ｃ））においては、図２４に示す投影露光装置が用いられる。図２４は、上記の電子デバイスの製造方法に用いられる投影露光装置の構成を概略的に示す図である。図２４を参照して、この投影露光装置は、フォトマスク１０上のパターンを基板２１、２２表面のフォトレジスト２３に投射するものである。また投影露光装置は、光源１１１からフォトマスク１０のパターンまでの照明光学系と、フォトマスク１０のパターンから基板２１、２２までの投影光学系とを有している。
【０１０５】
照明光学系は、光源であるランプ１１１と、反射鏡１１２と、集光レンズ１１８と、フライアイレンズ１１３と、斜光照明用の絞り１１４と、集光レンズ１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃと、ブラインド絞り１１５と、反射鏡１１７とを有している。また投影光学系は投影レンズ１１９ａ、１１９ｂと、瞳面絞り１２５とを有している。
【０１０６】
その露光動作においては、まずランプ１１１から発せられた光１１１ａは、反射鏡１１２により反射されて、単波長の光となる。次に、光１１１ａは、集光レンズ１１８を通過して、フライアイレンズ１１３の各フライアイ構成レンズ１１３ａの各々に入射し、その後に絞り１１４を通過する。
【０１０７】
ここで、光１１１ｂは、１個のフライアイ構成レンズ１１３ａによって作り出された光路を示し、光１１１ｃはフライアイレンズ１１３によって作り出される光路を示している。絞り１１４を通過した光１１１ａは、集光レンズ１１６ａ、ブラインド絞り１１５および集光レンズ１１６ｂを通過して、反射鏡１１７により所定角度で反射される。
【０１０８】
反射鏡１１７により反射された光１１１ａは、集光レンズ１１６ｃを透過した後、所定のパターンが形成されたフォトマスク１０の全面を均一に照射する。この後、光１１１ａは投影レンズ１１９ａ、１１９ｂにより所定の倍率に縮小され、基板２１、２２上のフォトレジスト２３を露光する。
【０１０９】
また、上記の斜光照明用の絞り１１４における開口部の配置位置は以下のように決められる。図２５は、フォトマスクにおける露光光の回折の様子を示す概略断面図である。図２５を参照して、フォトマスク１０に照射される露光光３６と露光光３７との光路差Δは次の式（２）により表される。
【０１１０】
Δ＝ｄ１＋ｄ２＝Ｐ・（ｓｉｎθｉ＋ｓｉｎθｄ）＝λ    ・・・（２）
上記式（２）において、Ｐは、遮光膜２の繰り返しパターンのピッチであり、θｉは露光光の入射角、θｄは露光光の回折角であり、上述したようにλは露光波長である。この式（２）により、（λ／Ｐ）＝ｓｉｎθｉ＋ｓｉｎθｄとなる場合が理想的な光学干渉条件となる。
【０１１１】
ここで、λ＝１９３ｎｍ、ＮＡ＝０．８５、Ｐ＝１３０ｎｍ（スペースとラインが６５ｎｍピッチで配列している繰り返しパターン）、およびｉＮＡ＝０．８１の条件の場合に、インナーシグマσinおよびアウターシグマσoutは、上記式（２）で得られた（λ／Ｐ）を用い、以下の式（３）、（４）を適用することにより得ることができる。なお、ｉＮＡは投影露光装置の照明開口数であり、ＮＡは投影レンズ１１９ａ、１１９ｂの開口数である。
【０１１２】
σin＝｛（λ／Ｐ）−ＮＡ｝／ＮＡ    ・・・（３）
σout＝ｉＮＡ／ＮＡ    ・・・（４）
その結果、インナーシグマσinは０．７５、アウターシグマσoutは０．９５として得ることができ、図２に示す開口部１１４ａのインナーシグマσinおよびアウターシグマσoutが設定される。
【０１１３】
また、図２に示す２点照明用の照明系絞りの開口部１１４ａの円弧の切り出し角度を大きくすると、コントラストが劣化するが、照度は向上する。したがって、当該切り出し角度については、両者のトレードオフの関係により、最適値が選択される。
【０１１４】
また上記製造方法のステップＳ３の露光処理（図２３（ｃ））で用いられるフォトマスク１０は、たとえばハーフトーン（ＨＴ）位相シフトマスクである。この場合、図２３（ｃ）に示されるフォトマスク１０の遮光膜２は、６％程度の透過率を有するとともに透過する光の位相を逆位相に反転させる材質よりなっている。このようなハーフトーン位相シフトマスクを使用した露光技術を採用することにより、結像面でのコントラストを向上させることができる。
【０１１５】
このように、上述した２点照明でハーフトーン位相シフトマスクを用いた露光によって、繰り返しパターンおよび太線パターンの露光処理が実行される。
【０１１６】
本実施の形態によれば、図２１に示す太線パターン２２ｃの線幅Ｗ２が、繰り返しパターンのハーフピッチ（Ｐ２／２）の偶数倍である。このため、プロセスファクターｋ１の値が０．３以下レベルの微小な繰り返しパターンと、プロセスファクターがたとえば０．９〜１．５レベルの太線パターンとが共存する回路パターン用のレジストパターンを精度良く得ることができる。したがって、安定的に太線パターン２２ｃと繰り返しパターン２２ａ、２２ｂとを含む所望のパターン（図２１など）を形成することができる。
【０１１７】
（実施の形態４）
実施の形態２のフォトマスクを用いて図２１に示す電子デバイスを製造する方法について説明する。
【０１１８】
図２６は図２１に示す電子デバイスの製造方法のフローチャートを示す図であり、図２７は図２１に示す電子デバイスの製造方法を工程順に示す概略断面図である。本実施の形態の製造方法は、まず図２６および図２７（ａ）に示すステップＳ１１および図２６および図２７（ｂ）に示すステップＳ１２を経る。
【０１１９】
これらの図２６および図２７（ａ）に示すステップＳ１１および図２６および図２７（ｂ）に示すステップＳ１２は、実施の形態３における図２２および図２３（ａ）に示すステップＳ１および図２２および図２３（ｂ）に示すステップＳ２とほぼ同じであるため、その説明を省略する。
【０１２０】
この後、図２６および図２７（ｃ）を参照して、たとえば図１５（ａ）に示すフォトマスク１０の光学像が強斜光照明によりフォトレジスト２３に投影され、フォトレジスト２３が露光されることで第１の露光処理が実行される（ステップＳ１３）。この第１の露光処理では、露光光源として、たとえばＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）が使用される。また第１の露光処理では、フォトマスク１０の太線パターン２ｃの光学像と、その両側の繰り返しパターン２ａ、２ｂの光学像とがフォトレジスト２３に投影される。
【０１２１】
図２６および図２７（ｄ）を参照して、上記第１の露光処理後に、第２の露光処理が実行される（ステップＳ１４）。この第２の露光処理においては、フォトマスク３０の光学像が通常照明によりフォトレジスト２３に投影され、フォトレジスト２３が露光される。
【０１２２】
第２の露光処理で用いられるフォトマスク３０は、透明基板３１と、その透明基板３１上に形成された遮光膜３２とを有している。この遮光膜３２は、第１の露光処理で先に投影された太線パターンとその一方側の繰り返しパターンとの投影部を遮光するとともに、太線パターンの他方側の繰り返しパターンの投影部を開口するようなパターンを有している。また遮光膜３２は、太線パターンおよび繰り返しパターン以外の任意に配置された任意パターン（図示せず）を有している。
【０１２３】
このため第２の露光処理により、太線パターンの他方側の繰り返しパターンと、任意パターンの部分とが露光される。特に太線パターンの他方側の繰り返しパターンは被り露光により消去される（消失する）。
【０１２４】
この第２の露光処理では、露光光源として、たとえばＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）が使用される。
【０１２５】
この第１および第２の露光処理後に、図２６および図２７（ｅ）に示すステップＳ１５と、図２６および図２７（ｆ）に示すステップＳ１６と、図２６および図２７（ｇ）に示すステップＳ１７との処理が施される。これらのステップＳ１５、Ｓ１６、Ｓ１７は、図２２および図２３（ｄ）に示すステップＳ４と、図２２および図２３（ｅ）に示すステップＳ５と、図２２および図２３（ｆ）に示すステップＳ６と同じであるため、その説明を省略する。
【０１２６】
この後、フォトレジスト２３がたとえばアッシング等により除去される。これにより、図２１に示す平面レイアウトのパターンが形成される。また、上記の工程を繰り返すことにより半導体装置などの電子デバイスが製造される。
【０１２７】
上記製造方法のステップＳ１３、Ｓ１４の第１および第２の露光処理（図２７（ｃ）、図２７（ｄ））においては、実施の形態３と同様、図２４に示す投影露光装置が用いられる。また、上記のステップＳ１３の第１の露光処理で用いられる斜光照明用の絞り１１４における開口部の配置位置も、実施の形態３と同様、インナーシグマσinが０．７５、アウターシグマσoutが０．９５となるように設定される。
【０１２８】
本実施の形態によれば、太線パターンの線幅が、繰り返しパターンのハーフピッチの偶数倍である。このため、プロセスファクターｋ１の値が０．３以下レベルの微小な繰り返しパターンと、プロセスファクターがたとえば０．９〜１．５レベルの太線パターンとが共存する回路パターン用のレジストパターンを精度良く得ることができる。したがって、安定的に太線パターンと繰り返しパターンとを含む所望のパターン（図２１など）を形成することができる。
【０１２９】
また第１の露光処理に用いられるフォトマスク１０は太線パターン２ｃを中心として繰り返しパターン２ａ、２ｂが左右対称に配置されている。このため、デフォーカス時に顕著になる太線パターン等の位置ずれを防ぐことができ、さらに安定的に太線パターンと繰り返しパターンとを含む所望のパターン（図２１など）を形成することができる。
【０１３０】
（その他）
上記実施の形態３または４で製造される電子デバイスの一例について説明する。
【０１３１】
図２８は、上記実施の形態３または４で製造される電子デバイスの構成を概略的に示す断面図（ａ）および平面図（ｂ）である。図２８（ａ）は図２８（ｂ）のＸＸＶＩＩＩＡ−ＸＸＶＩＩＩＡ線に沿う断面に対応している。
【０１３２】
図２８（ａ）を参照して、この電子デバイスは、ＮＡＮＤ型ＦＬＡＳＨメモリの構成を有している。このＦＬＡＳＨメモリは複数のメモリセルを有している。このメモリセルは、１対のソース／ドレイン領域２０７、２０７と、フローティングゲート２０３ａと、コントロールゲート２０６ａとを有している。１対のソース／ドレイン領域２０７、２０７は、半導体基板２０１の表面に互いに距離をおいて形成されている。フローティングゲート２０３ａは、１対のソース／ドレイン領域２０７、２０７に挟まれる領域上にゲート絶縁層２０２を介して形成されている。コントロールゲート２０６ａは、フローティングゲート２０３ａ上にゲート間絶縁層２０４ａを介して形成されている。
【０１３３】
またＦＬＡＳＨメモリは、上記メモリセルを制御するためのＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタも有している。このＭＯＳトランジスタは、１対のソース／ドレイン領域２０７と、ゲート絶縁層２０２と、ゲート２０３ｂ、２０５、２０６ｂとを有している。１対のソース／ドレイン領域２０７、２０７は、半導体基板２０１の表面に互いに距離をおいて形成されている。ゲート２０３ｂ、２０５、２０６ｂは、１対のソース／ドレイン領域２０７、２０７に挟まれる領域上にゲート絶縁層２０２を介して形成されている。このゲート２０３ｂ、２０５、２０６ｂは、たとえばセレクトゲートとしての役割を果たす。またゲート２０３ｂ、２０５、２０６ｂは、フローティングゲート２０３ａと同一工程で形成される下層ゲート２０３ｂと、コントロールゲート２０６ａと同一工程で形成される上層ゲート２０６ｂと、下層ゲート２０３ｂおよび上層ゲート２０６ｂ間を電気的に接続する接続層２０５とを有している。この接続層２０５は、ゲート間絶縁層２０４ａと同一工程で成膜される絶縁層２０４ｂに設けられた孔内を埋め込むように形成されている。このようにゲート２０３ｂ、２０５、２０６ｂの線幅を太くすることにより、半導体基板２０１に対しリーク電流の少ない単純なＭＯＳトランジスタ構造が実現されている。
【０１３４】
上記の複数のメモリセルおよびＭＯＳトランジスタを覆うように半導体基板２０１の表面上に層間絶縁層２０８が形成されている。この層間絶縁層２０８には、上層ゲート２０６ｂに達するコンタクトホールやソース／ドレイン領域２０７に達するコンタクトホールが複数個形成されている。各コンタクトホール内には、導電層２０９ａ、２０９ｂが埋め込まれている。上層ゲート２０６ｂおよびソース／ドレイン領域２０７の各々は、この導電層２０９ａ、２０９ｂを介して上層のアルミニウム配線等と電気的に接続される。
【０１３５】
図２８（ｂ）を参照して、複数のコントロールゲート２０６ａの各々は微細な線幅ＷL2を有し、かつ平面視において微細な線幅ＷS2のスペースパターンを介して同一方向に並走するように延びている。また上層ゲート２０６ｂは太い線幅Ｗ２を有しており、平面視において複数のコントロールゲート２０６ａと同一方向に並走するように延びている。
【０１３６】
複数のコントロールゲート２０６ａとその間のスペースパターンとは微細な繰り返しパターンを構成しており、上層ゲート２０６ｂは太線パターンを構成している。上層ゲート２０６ｂの線幅Ｗ２は、コントロールゲート２０６ａのピッチをＰ２とし、ｎを整数としたとき、Ｐ２×（ｎ±０．２５）の範囲内である。また、コントロールゲート２０６ａの線幅Ｗ２は、Ｐ２×（ｎ±０．１）の範囲内であることがより好ましい。
【０１３７】
上記においては、太線パターンとして上層ゲート２０６ｂよりなるラインパターンについて説明したが、太線パターンとして太いスペースラインが用いられてもよい。このような太いスペースパターンは、コントロールゲートを避けて半導体基板とアルミニウム配線を直接接続するコンタクトホールを形成する際に、コンタクトホールとコントロールゲートの接触による電気的短絡（ショート）を防ぐために必要である。
【０１３８】
太いラインパターンに替えて太いスペースパターンを使用した場合でも、実施の形態１〜実施の形態４と同様の効果が得られる。
【０１３９】
また実施の形態３および４で製造される被転写パターンは、図２９に示すように繰り返しパターン領域Ａ１と、任意パターン領域Ａ２とを有していてもよい。繰り返しパターン領域Ａ１は、微細なラインパターン２２ａとスペースパターン２２ｂとが交互に繰り返して配置された繰り返しパターンと、その繰り返しパターンの隣に位置する太線パターン２２ｃとを有している。また任意パターン領域Ａ２は、たとえば微細なラインパターン２２ａに接続されるコンタクトパッド部２２ｅと、太線パターン２２ｃに接続されるコンタクトパッド部２２ｆとを有している。
【０１４０】
また実施の形態３および４で製造される被転写パターンにおいては、図３０に示すように被転写太いパターン領域の両側に被転写繰り返しパターン領域が配置されていてもよい。
【０１４１】
また実施の形態３および４で製造される被転写パターンにおいては、図３１および図３２に示すように、微細なラインパターン２２ａに接続されたコンタクトパッド部２２ｅの幅が微細なラインパターン２２ａの線幅の偶数倍の寸法を有していてもよい。また図３１に示すようにコンタクトパッド部２２ｅの片側のみに微細なラインパターン２２ａが配置されていてもよく、また図３２に示すようにコンタクトパッド部２２ｅの両側に微細なラインパターン２２ａが配置されていてもよい。
【０１４２】
また図３１に示すパターンレイアウトの電子デバイスを実施の形態３の方法で形成する場合、図２３（ｃ）の工程にて、図３３に示すようなフォトマスク１０が用いられる。このフォトマスク１０は、太い幅のコンタクトパッドパターン２ｃと、そのコンタクトパッドパターン２ｃの一方側のみに配置された微細な幅のラインパターン２ａとを含む遮光膜パターン２を有している。
【０１４３】
また図３１に示すパターンレイアウトの電子デバイスを実施の形態４の方法で形成する場合、図２７（ｃ）の工程にて、図３４に示すようなフォトマスク１０が用いられる。このフォトマスク１０は、太い幅のコンタクトパッドパターン２ｃと、そのコンタクトパッドパターン２ｃの両側に配置された微細な幅のラインパターン２ａとを含む遮光膜パターン２を有している。
【０１４４】
また図３２に示すパターンレイアウトの電子デバイスを実施の形態３の方法で形成する場合、図２３（ｃ）の工程にて、図３４に示すようなフォトマスク１０が用いられる。
【０１４５】
また図２で示した照明系絞り１１４における開口部１１４ａの形状は一例であり、上記光学干渉条件を満たすのであれば、他の形状であっても良い。たとえば２点照明の他にもクアトロポール照明（図３５に示す４重極照明、図３７に示すクロスポール照明）や図３６に示す輪帯照明などを用いることもできる。ただし、本実施の形態においては２点照明が最も適している。
【０１４６】
また上記においては電子デバイスの一例としてＮＡＮＤ型ＦＬＡＳＨメモリについて説明したが、これ以外の半導体装置、液晶表示装置、薄膜磁気ヘッドなどの電子デバイスおよびその製造方法にも本発明を適用することができる。
【０１４７】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０１４８】
本発明は、繰り返しパターンと太線パターンとを含むパターンの形成に用いられるフォトマスクおよびそれを用いた電子デバイスの製造方法、ならびにそれにより得られた電子デバイスに関するものである。
【図面の簡単な説明】
【０１４９】
【図１】本発明の原理を説明するためのフォトマスクの構成を概略的に示す断面図（ａ）および平面図（ｂ）である。
【図２】本発明の原理を説明するための２点照明絞りの構成を概略的に示す平面図である。
【図３】本発明の原理を説明するための電子デバイスの構成を概略的に示す断面図（ａ）、（ｃ）および平面図（ｂ）である。
【図４】図１における太線パターン２ｃの線幅Ｗ１をラインパターン２ａの繰り返しピッチＰ１の半分（ハーフピッチ：６５ｎｍ）の奇数倍（３倍）としたときの感光体パターン２３の形状を示す図（ａ）と、電界の投影像（表記Ｅ）および光強度（表記ｉｎｔ）を示す図（ｂ）である。
【図５】図１における太線パターン２ｃの線幅Ｗ１をラインパターン２ａの繰り返しピッチＰ１の半分（ハーフピッチ：６５ｎｍ）の偶数倍（４倍）としたときの感光体パターン２３の形状を示す図（ａ）と、電界の投影像（表記Ｅ）および光強度（表記ｉｎｔ）を示す図（ｂ）である。
【図６】左右のパターンの位相ズレ量と太線パターン中央の光強度との関係を示す図である。
【図７】本発明の比較例におけるフォトマスクの断面構成（ａ）、電子デバイスの断面構成（ｂ）およびパターンの各位置における光強度の光学シミュレーション結果（ｃ）を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態１におけるフォトマスクの断面構成（ａ）、電子デバイスの断面構成（ｂ）およびパターンの各位置における光強度の光学シミュレーション結果（ｃ）を示す図である。
【図９】太線パターンの線幅が３２５ｎｍ（６５×５ｎｍ）の場合の、フォトマスクの断面構成（ａ）、電子デバイスの断面構成（ｂ）およびパターンの各位置における光強度の光学シミュレーション結果（ｃ）を示す図である。
【図１０】太線パターンの線幅が３９０ｎｍ（６５×６ｎｍ）の場合の、フォトマスクの断面構成（ａ）、電子デバイスの断面構成（ｂ）およびパターンの各位置における光強度の光学シミュレーション結果（ｃ）を示す図である。
【図１１】太線パターンの線幅と焦点深度との関係を光学シミュレーション結果より求めたグラフを示す図である。
【図１２】繰り返しパターンと太線パターンとの間のスペースパターンの幅を繰り返しパターンにおける微細ラインパターンより大きくしたときのフォトマスクの断面構成（ａ）、電子デバイスの断面構成（ｂ）およびパターンの各位置における光強度の光学シミュレーション結果（ｃ）を示す図である。
【図１３】太いパターン領域のパターンをスペースパターンとしたときのフォトマスクの断面構成（ａ）、電子デバイスの断面構成（ｂ）を示す図である。
【図１４】本発明の比較例におけるフォトマスクの断面構成（ａ）、電子デバイスの断面構成（ｂ）およびパターンの各位置における光強度の光学シミュレーション結果（ｃ）を示す図である。
【図１５】本発明の実施の形態２におけるフォトマスクの断面構成（ａ）、電子デバイスの断面構成（ｂ）およびパターンの各位置における光強度の光学シミュレーション結果（ｃ）を示す図である。
【図１６】太線パターンの線幅が３２５ｎｍ（６５×５ｎｍ）の場合の、フォトマスクの断面構成（ａ）、電子デバイスの断面構成（ｂ）およびパターンの各位置における光強度の光学シミュレーション結果（ｃ）を示す図である。
【図１７】太線パターンの線幅が３９０ｎｍ（６５×６ｎｍ）の場合の、フォトマスクの断面構成（ａ）、電子デバイスの断面構成（ｂ）およびパターンの各位置における光強度の光学シミュレーション結果（ｃ）を示す図である。
【図１８】繰り返しパターンと太線パターンとの間のスペースパターンの幅を繰り返しパターンにおける微細ラインパターンより大きくしたときのフォトマスクの断面構成（ａ）、電子デバイスの断面構成（ｂ）およびパターンの各位置における光強度の光学シミュレーション結果（ｃ）を示す図である。
【図１９】フォトマスクの太線パターン領域にダミーパターンを設けた場合のフォトマスクの断面構成（ａ）、電子デバイスの断面構成（ｂ）およびパターンの各位置における光強度の光学シミュレーション結果（ｃ）を示す図である。
【図２０】太いパターン領域のパターンをスペースパターンとしたときのフォトマスクの断面構成（ａ）、電子デバイスの断面構成（ｂ）を示す図である。
【図２１】本発明の実施の形態３における電子デバイスの構成を概略的に示す平面図である。
【図２２】図２１に示す電子デバイスの製造方法のフローチャートを示す図である。
【図２３】図２１に示す電子デバイスの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図２４】電子デバイスの製造方法に用いられる投影露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２５】フォトマスクにおける露光光の回折の様子を示す概略断面図である。
【図２６】図２１に示す電子デバイスの製造方法のフローチャートを示す図である。
【図２７】図２１に示す電子デバイスの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図２８】実施の形態３または４で製造される電子デバイスの構成を概略的に示す断面図（ａ）および平面図（ｂ）である。
【図２９】繰り返しパターン領域以外に任意パターン領域を有するパターンレイアウトを示す概略平面図である。
【図３０】被転写太いパターン領域の両側に被転写繰り返しパターンを配置したパターンレイアウトを示す概略平面図である。
【図３１】小面積のコンタクトパッドのパターンレイアウトの一例を示す概略平面図である。
【図３２】小面積のコンタクトパッドのパターンレイアウトの他の例を示す概略平面図である。
【図３３】図３１に示す小面積のコンタクトパッドの感光体におけるパターンレイアウトの一例を示す概略平面図である。
【図３４】図３１に示す小面積のコンタクトパッドの感光体におけるパターンレイアウトの他の例を示す概略平面図である。
【図３５】露光処理で用いられる４重極照明用の照明系絞りの構成を示す概略平面図である。
【図３６】露光処理で用いられる輪帯照明用の照明系絞りの構成を示す概略平面図である。
【図３７】露光処理で用いられるクロスポール照明用の照明系絞りの構成を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【０１５０】
１  透明基板、２  遮光膜、２ａ  ラインパターン、２ｂ  スペースパターン、２ｃ  太線パターン、２ｃ1  非解像ダミースペース、２ｄ  スペースパターン、１０  フォトマスク、２０  電子デバイス、２１  下地層、２２  被加工膜、２２ａ  被転写ラインパターン、２２ｂ  被転写スペースパターン、２２ｃ  被転写太線パターン（パッド部）、２２ｄ  被転写スペースパターン、２２ｅ  コンタクトパッド部、２３  感光体（フォトレジスト）、２３ａ  ラインパターン、２３ｂ  スペースパターン、２３ｃ  太線パターン、２３ｄ  スペースパターン、３０  フォトマスク、３１  透明基板、３２  遮光膜、１１１  ランプ、１１１  光源、１１２  反射鏡、１１３  フライアイレンズ、１１３ａ  フライアイ構成レンズ、１１４ａ  開口部、１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃ，１１８  集光レンズ、１１７  反射鏡、１１９ａ  投影レンズ、２０１  半導体基板、２０２  ゲート絶縁層、２０３ａ  フローティングゲート、２０３ｂ  下層ゲート、２０４ａ  ゲート間絶縁層、２０４ｂ  絶縁層、２０５  接続層、２０６ａ  コントロールゲート、２０６ｂ  上層ゲート、２０７  ソース／ドレイン領域、２０８  層間絶縁層、２０９ａ  導電層。
【図１】
2008191403.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008191403.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2008191403.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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