(57)【要約】      （修正有）【課題】デバイスの品質を低下させることなく裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着したデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】ウエーハ２の裏面側から分割予定ラインに沿って切削ブレード４２１ｂにより切削しデバイスの仕上がり厚さより薄い未切削部を表面側に残して切削溝を形成する工程と、ウエーハの裏面をデバイスの仕上がり厚さになるまで研削し裏面に切削溝を残存させる工程と、ウエーハの裏面に接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程と、接着フィルムが装着されたウエーハの接着フィルム側をダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、ウエーハの表面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードにより切削し未切削部を切断してウエーハを個々のデバイスに分割するとともに接着フィルムを切削するウエーハ切断工程と、ダイシングテープを拡張して接着フィルムをデバイス毎に分離する接着フィルム分離工程とを含む。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するデバイスの製造方法であって、
ウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードにより切削し、デバイスの仕上がり厚さより薄い未切削部を表面側に残して切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハの裏面をデバイスの仕上がり厚さになるまで研削し、裏面に該切削溝を残存させる裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程と、
該接着フィルムが装着されたウエーハの該接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、
該ダイシングテープの表面に該接着フィルムを介して貼着されたウエーハの表面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードにより切削し、該未切削部を切断してウエーハを個々のデバイスに分割するとともに該接着フィルムを切削するウエーハ切断工程と、
該ウエーハ切断工程を実施した後、該ダイシングテープを拡張して該接着フィルムをデバイス毎に分離する接着フィルム分離工程と、を含む、
ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項２】
該ウエーハ切断工程において切削する切削ブレードの厚みは、該切削溝形成工程において切削する切削ブレードの厚みより薄く設定されている、請求項１記載のデバイスの製造方法。
【請求項３】
該ウエーハ切断工程においては、該接着フィルムを完全切断する、請求項２記載のデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリート（分割予定ライン）によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域を分割予定ラインに沿って分割することにより個々のデバイスを製造している。半導体ウエーハを分割する分割装置としては一般にダイシング装置と呼ばれる切削装置が用いられており、この切削装置は厚さが４０μｍ程度の切削ブレードによって半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切削する。このようにして分割されたデバイスは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。
【０００３】
個々に分割されたデバイスは、その裏面にエポキシ樹脂等で形成された厚さ７０〜８０μｍのダイアタッチフィルムと称するダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介してデバイスを支持するダイボンディングフレームに加熱することによりボンディングされる。デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成された分割予定ラインに沿って切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断することにより、裏面に接着フィルムが装着されたデバイスを形成している。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２０００−１８２９９５号公報
【０００４】
しかるに、切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断して個々のデバイスに分割すると、デバイスの裏面に欠けが発生するという問題がある。
【０００５】
近年、携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、より薄いデバイスが要求されている。より薄くデバイスを分割する技術として所謂先ダイシング法と称する分割技術が実用化されている。この先ダイシング法は、半導体ウエーハの表面から分割予定ラインに沿って所定の深さ（デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成し、その後、表面に分割溝が形成された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させ個々のデバイスに分割する技術であり、デバイスの裏面に欠けが発生することなくデバイスの厚さを１００μｍ以下に加工することが可能である。
【０００６】
しかるに、上述した先ダイシング法によって半導体ウエーハを個々のデバイスに分割する場合には、半導体ウエーハの表面から分割予定ラインに沿って所定の深さの分割溝を形成した後に半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させるので、ダイボンディング用の接着フィルムを前もって半導体ウエーハの裏面に装着することができない。従って、先ダイシング法によって製作されたデバイスをダイボンディングフレームにボンディングする際には、デバイスとダイボンディングフレームとの間にボンド剤を挿入しながら行わなければならず、ボンディング作業を円滑に実施することができないという問題がある。
【０００７】
このような問題を解消するために、先ダイシング法によって個々のデバイスに分割された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、各デバイス間の間隙に露出された接着フィルムの部分をカッターで切断するようにした半導体デバイスの製造方法、および上記各デバイス間の間隙に露出された接着フィルムの部分に、デバイスの表面側から上記間隙を通してレーザー光線を照射し、接着フィルムの上記間隙に露出された部分を除去するようにした半導体デバイスの製造方法が提案されている。（例えば、特許文献２参照。）
【特許文献２】特開２００２−１１８０８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
而して、先ダイシング法によって半導体ウエーハを個々のデバイスに分割する場合に半導体ウエーハの裏面を分割溝が表出するまで研削すると、個々に分割されたデバイスが動き、直線状に切削された分割溝が歪んでしまう。このため、分割溝に挿入したカッターを歪んだ分割溝に沿って相対移動することは困難であり、また、歪んだ分割溝に沿ってレーザー光線を照射することは困難である。
【０００９】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、デバイスの品質を低下させることなく裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着したデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、各デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するデバイスの製造方法であって、
ウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードにより切削し、デバイスの仕上がり厚さより薄い未切削部を表面側に残して切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたウエーハの裏面をデバイスの仕上がり厚さになるまで研削し、裏面に該切削溝を残存させる裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面に接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程と、
該接着フィルムが装着されたウエーハの該接着フィルム側を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と、
該ダイシングテープの表面に該接着フィルムを介して貼着されたウエーハの表面側から分割予定ラインに沿って切削ブレードにより切削し、該未切削部を切断してウエーハを個々のデバイスに分割するとともに該接着フィルムを切削するウエーハ切断工程と、
該ウエーハ切断工程を実施した後、該ダイシングテープを拡張して該接着フィルムをデバイス毎に分離する接着フィルム分離工程と、を含む、
ことを特徴とするデバイスの製造方法が提供される。
【００１１】
上記ウエーハ切断工程において切削する切削ブレードの厚みは、上記切削溝形成工程において切削する切削ブレードの厚みより薄く設定されていることが望ましい。そして、上記ウエーハ切断工程においては接着フィルムを完全切断する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ウエーハ切断工程を実施する際には、ウエーハの表面側には未切削部が残存しているので、切削溝は直線状に維持されるため、切削ブレードにより切削溝に沿って切削することができる。また、ウエーハ切断工程においては、切削ブレードによって切削される領域におけるウエーハの裏面には上記切削溝形成工程において既に切削溝が形成されているので、切断されたデバイスの裏面に欠けが発生することはない。特に、ウエーハ切断工程を実施する切削ブレードの厚みが上記切削溝形成工程を実施した切削ブレードの厚みより薄い場合には、切断するデバイスの裏面周辺に切削ブレードが接触しないので、デバイスの裏面に欠けが発生ことを確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明によるデバイスの製造方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
図１には、ウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが７００μmのシリコンウエーハからなっており、表面２ａには複数の分割予定ライン２１が格子状に形成されている。そして、半導体ウエーハ２の表面２aには、格子状に形成された複数の分割予定ライン２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。
【００１５】
上述した半導体ウエーハ２を分割予定ライン２１に沿って分割し個々のデバイスを製造するには、図２に示すように先ず半導体ウエーハ２の表面２ａ（デバイス２２が形成されている面）に、保護テープ３を貼着する（保護テープ貼着工程）。なお、保護テープ３は、図示の実施形態においては厚さが１５０μｍのポリオレフィンシートが用いられている。
【００１６】
上記保護テープ貼着工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面側から分割予定ライン２１に沿って切削し、デバイス２２の仕上がり厚さより薄い未切削部を表面側に残して切削溝を形成する切削溝形成工程を実施する。この切削溝形成工程は、図３の（ａ）に示す切削装置４を用いて実施する。図３の（ａ）に示す切削装置４は、吸引保持手段を備えたチャックテーブル４１と、切削ブレード４２１aを備えた切削手段４２と、撮像手段４３を具備している。なお、切削ブレード４２１aは、図示の実施形態においては厚みが５０μmのものを用いる。また、撮像手段４３は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されている。
【００１７】
このように構成された切削装置４を用いて切削溝形成工程を実施するには、チャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２の保護テープ３側を載置する。従って、チャックテーブル４１に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２bが上側となる。次に、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ２をチャックテーブル４１上に保護テープ３を介して吸引保持する。このようにして、半導体ウエーハ２を保護テープ３を介して吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない切削送り機構によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。
【００１８】
チャックテーブル４１が撮像手段４３の直下に位置付けられると、撮像手段４３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の切削溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段４３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と、切削ブレード４２１aとの位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角に延びる分割予定ライン２１に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１が形成されている表面２ａは下側に位置しているが、撮像手段４３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面２ｂから透かして分割予定ライン２１を撮像することができる。
【００１９】
以上のようにしてチャックテーブル４１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域のアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル４１を切削領域の切削開始位置に移動する。そして、切削ブレード４２１aを図３の（ａ）において矢印４２aで示す方向に回転しつつ下方に移動して所定量の切り込み送りを実施する。この切り込み送り位置は、切削ブレード４２１aの外周縁が半導体ウエーハ２の表面（下面）からデバイスの仕上がり厚さ（例えば、１００μｍ）より表面側に至る位置（例えば、裏面（上面）から６２０μｍの深さ位置）に設定されている。このようにして、切削ブレード４２１aの切り込み送りを実施したならば、切削ブレード４２１aを例えば４００００ｒｐｍの回転速度で回転しつつチャックテーブル４１を図３の（ａ）において矢印Ｘで示す方向に例えば５０ｍｍ／秒の切削送り速度で切削送りする。この結果、図３の（b）に示すように分割予定ライン２１に沿って裏面２bから深さが６２０μｍの切削溝２１０が形成される。従って、半導体ウエーハ２の表面２a側には、厚さが８０μｍの未切削部２１１が残存することになる。この切削溝形成工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての分割予定ライン２１に沿って実施する。
【００２０】
上述した切削溝形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面をデバイスの仕上がり厚さ（例えば、１００μｍ）になるまで研削する。この裏面研削工程は、図示の実施形態においては図４の（ａ）に示す研削装置５によって実施する。図４の（ａ）に示す研削装置５は、吸引保持手段を備えたチャックテーブル５１と、研削砥石５２を備えた研削手段５３とを具備している。このように構成された研削装置５によって上記裏面研削工程実施するには、チャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２の保護テープ３側を載置する。従って、チャックテーブル５１に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２bが上側となる。そして、チャックテーブル５１を矢印５１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段５３の研削砥石５２を５２aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転せしめて半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接触することにより、半導体ウエーハ２の厚さがデバイスの仕上がり厚さである例えば、１００μｍになるまで研削する。この結果、半導体ウエーハ２の裏面２bには、図４の（ｂ）および図４の（ｃ）に示すように第１の切削溝２１０が２０μｍの深さで残存する。このように半導体ウエーハ２の裏面２ｂを研削することにより、上記切削溝形成工程の際に第１の切削溝２１０の両側の裏面付近に発生した欠け（チッピング）が除去される。
【００２１】
次に、上述した裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂに、ダイボンディング用の接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程を実施する。即ち、図５の（ａ）および（ｂ）に示すように接着フィルム６を半導体ウエーハ２の裏面２ｂに装着する。このとき、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム６を半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して貼着する。
【００２２】
上述したように接着フィルム装着工程を実施したならば、図６に示すように接着フィルム６が装着された半導体ウエーハ２の接着フィルム６側を、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。そして、半導体ウエーハ２の表面２aに貼着されている保護テープ３を剥離する（保護テープ剥離工程）。なお、ダイシングテープの表面に予め接着フィルムが貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを使用する場合には、上述した裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂに、ダイシングテープの表面に貼着された接着フィルムを装着する。そして、上記保護テープ剥離工程を実施する。
【００２３】
次に、ダイシングテープTの表面に接着フィルム６を介して貼着された半導体ウエーハ２の表面側から分割予定ライン２１に沿って切削し、上記未切削部２１１を切断して半導体ウエーハ２を個々のデバイス２２に分割するとともに接着フィルム６を切削するウエーハ切断工程を実施する。このウエーハ切断工程は、図7の（ａ）に示すように上記図３の（ａ）に示す切削装置４と同様の切削装置を用いて実施することができる。このとき、切削ブレード４２１bは、上記切削溝形成工程において用いた切削ブレード４２１aの厚み（５０μm）より薄い厚み（２０μm）のものを用いる。ウエーハ切断工程を実施するには、図7の（ａ）に示すように切削装置４のチャックテーブル４１上に上述したウエーハ支持工程において半導体ウエーハ２が貼着されたダイシングテープTを載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープTを介して半導体ウエーハ２をチャックテーブル４１上に保持する。従って、チャックテーブル４１保持された半導体ウエーハ２は、表面２aが上側となる。なお、図7の（ａ）においてはダイシングテープＴが装着された環状のフレームＦを省いて示しているが、環状のフレームＦはチャックテーブル４１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない切削送り機構によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。
【００２４】
チャックテーブル４１が撮像手段４３の直下に位置付けられると、上記切削溝形成工程と同様に撮像手段４３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の切削すべき領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち、撮像手段４３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と、切削ブレード４２１bとの位置合わせを行う。
【００２５】
以上のようにしてチャックテーブル４１上に保持されている半導体ウエーハ２に形成されている分割予定ライン２１を検出し、切削領域のアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル４１を切削領域の切削開始位置に移動する。そして、切削ブレード４２１bを図７の（ａ）において矢印４２bで示す方向に回転しつつ下方に移動して所定量の切り込み送りを実施する。この切り込み送り位置は、切削ブレード４２１bの外周縁が少なくとも半導体ウエーハ２の裏面２bに装着された接着フィルム６に達する位置、好ましくは切削ブレード４２１bの外周縁がダイシングテープTに達する位置に設定されている。このようにして、切削ブレード４２１bの切り込み送りを実施したならば、切削ブレード４２１bを例えば４００００ｒｐｍの回転速度で回転しつつチャックテーブル４１を図７の（ａ）において矢印Ｘで示す方向に例えば５０ｍｍ／秒の切削送り速度で切削送りする。この結果、半導体ウエーハ２には図７の（b）または図７の（c）に示すように上記切削溝形成工程によって形成された切削溝２１０と対応する未切削部２１１が切断される。そして、切削ブレード４２１bの外周縁が半導体ウエーハ２の裏面２bに装着された接着フィルム６に達する位置に設定されている場合は、図７の（b）に示すように接着フィルム６が一部切削される。また、切削ブレード４２１bの外周縁がダイシングテープTに達する位置に設定されている場合には、図７の（c）に示すように接着フィルム６が完全切断される。
【００２６】
このように、ウエーハ切断工程を実施する際には、半導体ウエーハ２の表面２a側には未切削部２１１が残存しているので、切削溝２１０は直線状に維持されるため、切削ブレード４２１bにより切削溝２１０に沿って切削することができる。また、ウエーハ切断工程においては、切削ブレード４２１bによって切削される領域における半導体ウエーハ２の裏面２b（下面）には上記切削溝形成工程において既に切削溝２１０が形成されているので、切断されたデバイスの裏面に欠けが発生することはない。特に、ウエーハ切断工程を実施する切削ブレード４２１bの厚みが上記切削溝形成工程を実施した切削ブレード４２１aの厚みより薄い場合には、切断するデバイス２２の裏面周辺に切削ブレード４２１bが接触しないので、デバイスの裏面に欠けが発生ことを確実に防止することができる。
【００２７】
上述したようにウエーハ切断工程を実施したならば、ダイシングテープTを拡張して接着フィルム6をデバイス毎に分離する接着フィルム分離工程を実施する。この接着フィルム分離工程は、図示の実施形態においては図８に示すテープ拡張装置７を用いて実施する。図８に示すテープ拡張装置７は、上記環状のフレームFを保持するフレーム保持手段７１と、該フレーム保持手段７１に保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段７２を具備している。フレーム保持手段７１は、環状のフレーム保持部材７１１と、該フレーム保持部材７１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ７１２とからなっている。フレーム保持部材７１１の上面は環状のフレームFを載置する載置面７１１ａを形成しており、この載置面７１１ａ上に環状のフレーム４が載置される。そして、載置面７１１ａ上に載置された環状のフレーム４は、クランプ７１２によってフレーム保持部材７１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段７１は、テープ拡張手段７２によって上下方向に進退可能に支持されている。
【００２８】
テープ拡張手段７２は、上記環状のフレーム保持部材７１１の内側に配設される拡張ドラム７２１を具備している。この拡張ドラム７２１は、環状のフレームFの内径より小さく該環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着されるウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム７２１は、下端に支持フランジ７２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段７２は、上記環状のフレーム保持部材７１１を上下方向に進退可能な支持手段７３を具備している。この支持手段７３は、上記支持フランジ７２２上に配設された複数のエアシリンダ７３１からなっており、そのピストンロッド７３２が上記環状のフレーム保持部材７１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ７３１からなる支持手段７３は、環状のフレーム保持部材７１１を載置面７１１ａが拡張ドラム７２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム７２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。従って、複数のエアシリンダ７３１からなる支持手段７３は、拡張ドラム７２１とフレーム保持部材７１１とを上下方向に相対移動する拡張移動手段として機能する。
【００２９】
以上のように構成されたテープ拡張装置７を用いて実施する接着フィルム分離工程について図９を参照して説明する。即ち、半導体ウエーハ２（分割予定ライン２１に沿って個々のデバイス２２に分割されている）の接着フィルム６側が貼着されているダイシングテープTが装着された環状のフレームFを、図９の（ａ）に示すようにフレーム保持手段７１を構成するフレーム保持部材７１１の載置面７１１ａ上に載置し、クランプ７１２によってフレーム保持部材７１１に固定する。このとき、フレーム保持部材７１１は図９の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段７２を構成する支持手段７３としての複数のエアシリンダ７３１を作動して、環状のフレーム保持部材７１１を図９の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材７１１の載置面７１１ａ上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図９の（ｂ）に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム７２１の上端縁に接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。この結果、ダイシングテープTに貼着されている接着フィルム６は放射状に引張力が作用する。このように接着フィルム６に放射状に引張力が作用すると、半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１に沿って個々のデバイス２２に分割されているので、個々のデバイス２２間が広がり、間隔Sが形成される。このため、接着フィルム６には引張力が作用するので、接着フィルム６は上記ウエーハ切断工程において完全切断されていない場合でも、切削ブレード４２１bによって一部が切削された切削溝を基点として破断され、デバイス２２毎に分離される。また、接着フィルム６が上記ウエーハ切断工程において完全切断されている場合には、上記テープ拡張工程によって個々のデバイス２２間に間隔Sが形成されることにより、接着フィルム６はデバイス２２毎に確実に分離される。
【００３０】
上述したように接着フィルム分離工程を実施したならば、図９の（ｂ）に示すようにピックアップ手段のピックアップコレット８によって個々の分割されたデバイス２２（裏面に接着フィルム６が装着されている）を吸着し、ダイシングテープTから剥離することにより、図１０に示すように裏面に接着フィルム６が貼着されたデバイス２２をピックアップすることができる（ピックアップ工程）。このピックアップ工程においては、上述したように接着フィルム６が装着された個々のデバイス２２間の隙間Sが広げられているので、隣接するデバイス２２と接触することなく容易にピックアップすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】ウエーハとしての半導体ウエーハを示す斜視図。
【図２】図１に示す半導体ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程の説明図。
【図３】本発明によるデバイスの製造方法における切削溝形成工程の説明図。
【図４】本発明によるデバイスの製造方法における裏面研削工程の説明図。
【図５】本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム装着工程の説明図。
【図６】本発明によるデバイスの製造方法におけるウエーハ支持工程の説明図。
【図７】本発明によるデバイスの製造方法におけるウエーハ切断工程の説明図。
【図８】本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム分離工程を実施するためのテープ拡張装置の斜視図。
【図９】本発明によるデバイスの製造方法における接着フィルム分離工程を示す説明図。
【図１０】本発明によるデバイスの製造方法によって製造されたデバイスの斜視図。
【符号の説明】
【００３２】
２：半導体ウエーハ
２１：分割予定ライン
２２：デバイス
３：保護テープ
４：切削装置
４１：切削装置のチャックテーブル
４２：切削手段
４２１a：切削ブレード
４２１b：切削ブレード
５：研削装置
５１：研削装置のチャックテーブル
５２：研削砥石
５３：研削手段
６：接着フィルム
７：テープ拡張装置
７１：フレーム保持手段
７１１：フレーム保持部材
７１２：クランプ
７２：テープ拡張手段
７２１：拡張ドラム
７３：支持手段
７３１：エアシリンダ
７３２：ピストンロッド
F：環状のフレーム
T：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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