(57)【要約】【課題】厚膜で形成する振動板の応力を抑制できる圧電アクチュエーターと、その製造方法、更に、その圧電アクチュエーターを備えた液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置の提供を課題とする。【解決手段】振動板４８と、振動板４８を変位させる圧電素子４６と、を備えた圧電アクチュエーターであって、振動板４８を、不純物が添加されたシリコン酸化膜８２で形成する。そして、この圧電アクチュエーターを備えた液滴吐出ヘッド３２とし、この液滴吐出ヘッド３２を備えた液滴吐出装置１０とする。【選択図】図６
2008047689.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動板と、
前記振動板を変位させる圧電素子と、
を備えた圧電アクチュエーターであって、
前記振動板は、不純物が添加されたシリコン酸化膜で形成されていることを特徴とする圧電アクチュエーター。
【請求項２】
振動板と、
前記振動板を変位させる圧電素子と、
を備えた圧電アクチュエーターであって、
前記振動板は、不純物が添加されたシリコン酸化膜の片面又は両面に、該シリコン酸化膜に対して耐湿性を備えた保護膜が積層されて形成されていることを特徴とする圧電アクチュエーター。
【請求項３】
振動板と、
前記振動板を変位させる圧電素子と、
を備えた圧電アクチュエーターであって、
前記振動板は、不純物が添加されたシリコン酸化膜の片面又は両面に、該シリコン酸化膜に対して耐薬品性を備えた保護膜が積層されて形成されていることを特徴とする圧電アクチュエーター。
【請求項４】
振動板と、
前記振動板を変位させる圧電素子と、
を備えた圧電アクチュエーターであって、
前記振動板は、不純物が添加されたシリコン酸化膜の片面又は両面に、シリコン酸化膜が積層されて形成されていることを特徴とする圧電アクチュエーター。
【請求項５】
前記不純物が、ゲルマニウムであることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の圧電アクチュエーター。
【請求項６】
前記ゲルマニウムの添加量は、濃度にして３５ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項５に記載の圧電アクチュエーター。
【請求項７】
前記不純物が、リンであることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の圧電アクチュエーター。
【請求項８】
前記リンの添加量は、濃度にして３５ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項７に記載の圧電アクチュエーター。
【請求項９】
前記不純物が、ボロンであることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の圧電アクチュエーター。
【請求項１０】
前記ボロンの添加量は、濃度にして３５ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項９に記載の圧電アクチュエーター。
【請求項１１】
前記振動板の厚さが、１μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項１０の何れか１項に記載の圧電アクチュエーター。
【請求項１２】
前記不純物が添加されたシリコン酸化膜の膜厚が、前記振動板の厚さの１／２以上であることを特徴とする請求項２乃至請求項１１の何れか１項に記載の圧電アクチュエーター。
【請求項１３】
振動板と、
前記振動板を変位させる圧電素子と、
を備えた圧電アクチュエーターの製造方法であって、
プラズマ−ＣＶＤ法で、酸素及びシリコン原料を含むガスに、アルコキシド系のガスを添加することにより、不純物が添加されたシリコン酸化膜を成膜して、前記振動板を形成することを特徴とする圧電アクチュエーターの製造方法。
【請求項１４】
振動板と、
前記振動板を変位させる圧電素子と、
を備えた圧電アクチュエーターの製造方法であって、
プラズマ−ＣＶＤ法で、酸素及びシリコン原料を含むガスにより、シリコン酸化膜を成膜し、更に酸素及びシリコン原料を含むガスに、アルコキシド系のガスを添加することにより、不純物が添加されたシリコン酸化膜を成膜する処理を連続的に行うことにより、前記振動板を形成することを特徴とする圧電アクチュエーターの製造方法。
【請求項１５】
前記不純物が添加されたシリコン酸化膜を成膜した後に熱処理を行うことを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の圧電アクチュエーターの製造方法。
【請求項１６】
前記熱処理の温度は、前記不純物が添加されたシリコン酸化膜を成膜した後の工程における最高熱処理温度よりも高い温度であることを特徴とする請求項１５に記載の圧電アクチュエーターの製造方法。
【請求項１７】
前記熱処理の温度は、６００℃以上１１００℃以下であることを特徴とする請求項１５又は請求項１６に記載の圧電アクチュエーターの製造方法。
【請求項１８】
前記シリコン原料を含むガスが、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、シランの何れかであることを特徴とする請求項１３乃至請求項１７の何れか１項に記載の圧電アクチュエーターの製造方法。
【請求項１９】
前記アルコキシド系のガスが、テトラメチルゲルマニウムであることを特徴とする請求項１３乃至請求項１８の何れか１項に記載の圧電アクチュエーターの製造方法。
【請求項２０】
前記アルコキシド系のガスが、テトラメチルリンであることを特徴とする請求項１３乃至請求項１８の何れか１項に記載の圧電アクチュエーターの製造方法。
【請求項２１】
前記アルコキシド系のガスが、テトラメチルボロンであることを特徴とする請求項１３乃至請求項１８の何れか１項に記載の圧電アクチュエーターの製造方法。
【請求項２２】
請求項１乃至請求項１２の何れか１項に記載の圧電アクチュエーターを備えたことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項２３】
請求項２２に記載の液滴吐出ヘッドを備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出ヘッドからインク等の液滴を吐出するための圧電アクチュエーターと、その製造方法に関し、更には、その圧電アクチュエーターを備えた液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液滴吐出ヘッドの一例としてのインクジェット記録ヘッドの複数のノズルから選択的にインク滴を吐出し、記録用紙等の記録媒体に画像（文字を含む）等を印刷するインクジェット記録装置（液滴吐出装置）は知られている。このようなインクジェット記録装置において、低コストで高密度かつ高精度のインクジェット記録ヘッドを実現するためには、振動板に発生する応力（ストレス）を抑制するなど、様々な課題がある。
【０００３】
振動板に発生する応力（ストレス）を改善する手法としては、例えばシリコン（Ｓｉ）基板の両面に、膜応力の異なるテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）膜を別々に成膜することで、膜厚が１μｍ以下の振動板において、振動板の撓み方向及び撓み量を容易に制御できるようにしたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、積層薄膜の残留応力による製造プロセス上の不良及び特性低下を改善するために、振動板を構成する弾性膜を、少なくともボロン（Ｂ）が拡散されたシリコン（Ｓｉ）で構成して、振動板の膜応力を緩和できるようにしたものがある（例えば、特許文献２参照）。このように、振動板に発生する応力（ストレス）を抑制する手段は、従来から種々提案されているが、例えば、膜厚が１μｍ以上、例えば１０μｍ程度とされた厚膜振動板の応力を抑制する手段等については、未だ改善の余地がある。
【特許文献１】特開２００３−３００３２６号公報
【特許文献２】特開平１１−５８７３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は、このような問題点に鑑み、厚膜で形成する振動板の応力を抑制できる圧電アクチュエーターと、その製造方法、更には、その圧電アクチュエーターを備えた液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１に記載の圧電アクチュエーターは、振動板と、前記振動板を変位させる圧電素子と、を備えた圧電アクチュエーターであって、前記振動板が、不純物が添加されたシリコン酸化膜で形成されていることを特徴としている。
【０００７】
また、本発明に係る請求項２に記載の圧電アクチュエーターは、振動板と、前記振動板を変位させる圧電素子と、を備えた圧電アクチュエーターであって、前記振動板が、不純物が添加されたシリコン酸化膜の片面又は両面に、該シリコン酸化膜に対して耐湿性を備えた保護膜が積層されて形成されていることを特徴としている。
【０００８】
また、本発明に係る請求項３に記載の圧電アクチュエーターは、振動板と、前記振動板を変位させる圧電素子と、を備えた圧電アクチュエーターであって、前記振動板が、不純物が添加されたシリコン酸化膜の片面又は両面に、該シリコン酸化膜に対して耐薬品性を備えた保護膜が積層されて形成されていることを特徴としている。
【０００９】
また、本発明に係る請求項４に記載の圧電アクチュエーターは、振動板と、前記振動板を変位させる圧電素子と、を備えた圧電アクチュエーターであって、前記振動板が、不純物が添加されたシリコン酸化膜の片面又は両面に、シリコン酸化膜が積層されて形成されていることを特徴としている。
【００１０】
また、請求項５に記載の圧電アクチュエーターは、請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の圧電アクチュエーターにおいて、前記不純物が、ゲルマニウムであることを特徴としている。
【００１１】
そして、請求項６に記載の圧電アクチュエーターは、請求項５に記載の圧電アクチュエーターにおいて、前記ゲルマニウムの添加量が、濃度にして３５ｍｏｌ％以下であることを特徴としている。
【００１２】
また、請求項７に記載の圧電アクチュエーターは、請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の圧電アクチュエーターにおいて、前記不純物が、リンであることを特徴としている。
【００１３】
そして、請求項８に記載の圧電アクチュエーターは、請求項７に記載の圧電アクチュエーターにおいて、前記リンの添加量が、濃度にして３５ｍｏｌ％以下であることを特徴としている。
【００１４】
また、請求項９に記載の圧電アクチュエーターは、請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の圧電アクチュエーターにおいて、前記不純物が、ボロンであることを特徴としている。
【００１５】
そして、請求項１０に記載の圧電アクチュエーターは、請求項９に記載の圧電アクチュエーターにおいて、前記ボロンの添加量が、濃度にして３５ｍｏｌ％以下であることを特徴としている。
【００１６】
また、請求項１１に記載の圧電アクチュエーターは、請求項１乃至請求項１０の何れか１項に記載の圧電アクチュエーターにおいて、前記振動板の厚さが、１μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴としている。
【００１７】
更に、請求項１２に記載の圧電アクチュエーターは、請求項２乃至請求項１１の何れか１項に記載の圧電アクチュエーターにおいて、前記不純物が添加されたシリコン酸化膜の膜厚が、前記振動板の厚さの１／２以上であることを特徴としている。
【００１８】
請求項１乃至請求項１２に記載の発明によれば、シリコン酸化膜に、ゲルマニウム、リン、ボロンの何れかの不純物を、それぞれ濃度にして３５ｍｏｌ％以下となるように添加したので、安定した剛性を得るために、膜厚が１μｍ以上２０μｍ以下とされた厚膜振動板の応力（ストレス）を好適に制御（抑制）することができる。また、請求項２乃至請求項１２に記載の発明によれば、吸湿による経時的な応力の変化を防止することができ、製造プロセスへの適合性を向上させることができる。
【００１９】
また、本発明に係る請求項１３に記載の圧電アクチュエーターの製造方法は、振動板と、前記振動板を変位させる圧電素子と、を備えた圧電アクチュエーターの製造方法であって、プラズマ−ＣＶＤ法で、酸素及びシリコン原料を含むガスに、アルコキシド系のガスを添加することにより、不純物が添加されたシリコン酸化膜を成膜して、前記振動板を形成することを特徴としている。
【００２０】
また、本発明に係る請求項１４に記載の圧電アクチュエーターの製造方法は、振動板と、前記振動板を変位させる圧電素子と、を備えた圧電アクチュエーターの製造方法であって、プラズマ−ＣＶＤ法で、酸素及びシリコン原料を含むガスにより、シリコン酸化膜を成膜し、更に酸素及びシリコン原料を含むガスに、アルコキシド系のガスを添加することにより、不純物が添加されたシリコン酸化膜を成膜する処理を連続的に行うことにより、前記振動板を形成することを特徴としている。
【００２１】
また、請求項１５に記載の圧電アクチュエーターの製造方法は、請求項１３又は請求項１４に記載の圧電アクチュエーターの製造方法において、前記不純物が添加されたシリコン酸化膜を成膜した後に熱処理を行うことを特徴としている。
【００２２】
そして、請求項１６に記載の圧電アクチュエーターの製造方法は、請求項１５に記載の圧電アクチュエーターの製造方法において、前記熱処理の温度が、前記不純物が添加されたシリコン酸化膜を成膜した後の工程における最高熱処理温度よりも高い温度であることを特徴としている。
【００２３】
更に、請求項１７に記載の圧電アクチュエーターの製造方法は、請求項１５又は請求項１６に記載の圧電アクチュエーターの製造方法において、前記熱処理の温度が、６００℃以上１１００℃以下であることを特徴としている。
【００２４】
また、請求項１８に記載の圧電アクチュエーターの製造方法は、請求項１３乃至請求項１７の何れか１項に記載の圧電アクチュエーターの製造方法において、前記シリコン原料を含むガスが、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、シランの何れかであることを特徴としている。
【００２５】
また、請求項１９に記載の圧電アクチュエーターの製造方法は、請求項１３乃至請求項１８の何れか１項に記載の圧電アクチュエーターの製造方法において、前記アルコキシド系のガスが、テトラメチルゲルマニウムであることを特徴としている。
【００２６】
また、請求項２０に記載の圧電アクチュエーターの製造方法は、請求項１３乃至請求項１８の何れか１項に記載の圧電アクチュエーターの製造方法において、前記アルコキシド系のガスが、テトラメチルリンであることを特徴としている。
【００２７】
また、請求項２１に記載の圧電アクチュエーターの製造方法は、請求項１３乃至請求項１８の何れか１項に記載の圧電アクチュエーターの製造方法において、前記アルコキシド系のガスが、テトラメチルボロンであることを特徴としている。
【００２８】
請求項１３乃至請求項２１に記載の発明によれば、シリコン酸化膜に、ゲルマニウム、リン、ボロンの何れかの不純物を添加して熱処理したので、厚膜とされた振動板でも、その応力（ストレス）を好適に制御（抑制）することができる。また、請求項１４乃至請求項２１に記載の発明によれば、吸湿による経時的な応力の変化を防止することができ、製造プロセスへの適合性を向上させることができる。
【００２９】
また、本発明に係る請求項２２に記載の液滴吐出ヘッドは、請求項１乃至請求項１２の何れか１項に記載の圧電アクチュエーターを備えたことを特徴としている。
【００３０】
そして、本発明に係る請求項２３に記載の液滴吐出装置は、請求項２２に記載の液滴吐出ヘッドを備えたことを特徴としている。
【００３１】
請求項２２及び請求項２３に記載の発明によれば、低コストで高密度かつ高精度の液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を実現することができる。また、液滴吐出ヘッドにおける圧力室の初期容量を精度よく制御することができる。
【発明の効果】
【００３２】
以上のように、本発明によれば、厚膜で形成する振動板の応力を抑制できる圧電アクチュエーターと、その製造方法、更には、その圧電アクチュエーターを備えた液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の最良な実施の形態について、図面に示す実施例を基に詳細に説明する。なお、液滴吐出装置としてはインクジェット記録装置１０を例に採って説明する。したがって、液体はインク１１０とし、液滴吐出ヘッドはインクジェット記録ヘッド３２として説明をする。また、記録媒体は記録用紙Ｐとして説明をする。
【００３４】
インクジェット記録装置１０は、図１で示すように、記録用紙Ｐを送り出す用紙供給部１２と、記録用紙Ｐの姿勢を制御するレジ調整部１４と、インク滴を吐出して記録用紙Ｐに画像形成する記録ヘッド部１６及び記録ヘッド部１６のメンテナンスを行うメンテナンス部１８を備える記録部２０と、記録部２０で画像形成された記録用紙Ｐを排出する排出部２２とから基本的に構成されている。
【００３５】
用紙供給部１２は、記録用紙Ｐが積層されてストックされているストッカー２４と、ストッカー２４から１枚ずつ取り出してレジ調整部１４に搬送する搬送装置２６とから構成されている。レジ調整部１４は、ループ形成部２８と、記録用紙Ｐの姿勢を制御するガイド部材２９とを有しており、記録用紙Ｐは、この部分を通過することによって、そのコシを利用してスキューが矯正されるとともに、搬送タイミングが制御されて記録部２０に供給される。そして、排出部２２は、記録部２０で画像が形成された記録用紙Ｐを、排紙ベルト２３を介してトレイ２５に収納する。
【００３６】
記録ヘッド部１６とメンテナンス部１８の間には、記録用紙Ｐが搬送される用紙搬送路２７が構成されている（用紙搬送方向を矢印ＰＦで示す）。用紙搬送路２７は、スターホイール１７と搬送ロール１９とを有し、このスターホイール１７と搬送ロール１９とで記録用紙Ｐを挟持しつつ連続的に（停止することなく）搬送する。そして、この記録用紙Ｐに対して、記録ヘッド部１６からインク滴が吐出され、記録用紙Ｐに画像が形成される。
【００３７】
メンテナンス部１８は、インクジェット記録ユニット３０に対して対向配置されるメンテナンス装置２１を有しており、インクジェット記録ヘッド３２に対するキャッピングや、ワイピング、更には、ダミージェットやバキューム等の処理を行う。
【００３８】
図２で示すように、各インクジェット記録ユニット３０は、矢印ＰＦで示す用紙搬送方向と直交する方向に配置された支持部材３４を備えており、この支持部材３４に複数のインクジェット記録ヘッド３２が取り付けられている。インクジェット記録ヘッド３２には、マトリックス状に複数のノズル５６が形成されており、記録用紙Ｐの幅方向には、インクジェット記録ユニット３０全体として一定のピッチでノズル５６が並設されている。
【００３９】
そして、用紙搬送路２７を連続的に搬送される記録用紙Ｐに対し、ノズル５６からインク滴を吐出することで、記録用紙Ｐ上に画像が記録される。なお、インクジェット記録ユニット３０は、例えば、いわゆるフルカラーの画像を記録するために、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｋ）の各色に対応して、少なくとも４つ配置されている。
【００４０】
図３で示すように、それぞれのインクジェット記録ユニット３０のノズル５６による印字領域幅は、このインクジェット記録装置１０での画像記録が想定される記録用紙Ｐの用紙最大幅ＰＷよりも長くされており、インクジェット記録ユニット３０を紙幅方向に移動させることなく、記録用紙Ｐの全幅にわたる画像記録が可能とされている。つまり、このインクジェット記録ユニット３０は、シングルパス印字が可能なＦｕｌｌ  Ｗｉｄｔｈ  Ａｒｒａｙ（ＦＷＡ）となっている。
【００４１】
ここで、印字領域幅とは、記録用紙Ｐの両端から印字しないマージンを引いた記録領域のうち最大のものが基本となるが、一般的には印字対象となる用紙最大幅ＰＷよりも大きくとっている。これは、記録用紙Ｐが搬送方向に対して所定角度傾斜して（スキューして）搬送されるおそれがあるためと、縁無し印字の要望が高いためである。
【００４２】
以上のような構成のインクジェット記録装置１０において、次にインクジェット記録ヘッド３２について詳細に説明する。図４は第１実施形態のインクジェット記録ヘッド３２の構成を示す概略平面図である。すなわち、図４（Ａ）はインクジェット記録ヘッド３２の全体構成を示すものであり、図４（Ｂ）は１つの素子の構成を示すものである。
【００４３】
また、図５（Ａ）乃至図５（Ｃ）は、それぞれ図４（Ｂ）の各部をＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線の断面にて示すものである。ただし、後述するシリコン基板７２及びプール室部材３９等は省略している。更に、図６はインクジェット記録ヘッド３２を部分的に取り出して主要部分が明確になるように示した概略縦断面図である。
【００４４】
このインクジェット記録ヘッド３２には、天板部材４０が配置されている。本実施形態では、天板部材４０を構成するガラス製の天板４１は板状で、かつ配線を有しており、インクジェット記録ヘッド３２全体の天板となっている。天板部材４０には、駆動ＩＣ６０と、駆動ＩＣ６０に通電するための金属配線９０が設けられている。金属配線９０は、樹脂保護膜９２で被覆保護されており、インク１１０による浸食が防止されるようになっている。
【００４５】
また、この駆動ＩＣ６０の下面には、図７で示すように、複数のバンプ６０Ｂがマトリックス状に所定高さ突設されており、天板４１上で、かつプール室部材３９よりも外側の金属配線９０にフリップチップ実装されるようになっている。したがって、圧電素子４６に対する高密度配線と低抵抗化が容易に実現可能であり、これによって、インクジェット記録ヘッド３２の小型化が実現可能となっている。なお、駆動ＩＣ６０の周囲は樹脂材５８で封止されている。
【００４６】
天板部材４０には、耐インク性を有する材料で構成されたプール室部材３９が貼着されており、天板４１との間に、所定の形状及び容積を有するインクプール室３８が形成されている。プール室部材３９には、インクタンク（図示省略）と連通するインク供給ポート３６が所定箇所に穿設されており、インク供給ポート３６から注入されたインク１１０は、インクプール室３８に貯留される。
【００４７】
天板４１には、後述する圧力室１１５と１対１で対応するインク供給用貫通口１１２が形成されており、その内部が第１インク供給路１１４Ａとなっている。また、天板４１には、後述する上部電極５４に対応する位置に、電気接続用貫通口４２が形成されている。天板４１の金属配線９０は電気接続用貫通口４２内にまで延長されて、その電気接続用貫通口４２の内面を覆い、更に上部電極５４に接触している。
【００４８】
これにより、金属配線９０と上部電極５４とが電気的に接続され、後述する圧電素子基板７０の個別配線が不要になっている。なお、電気接続用貫通口４２の下部は金属配線９０によって閉塞された底部４２Ｂ（図１１−１（Ｂ）参照）となっており、電気接続用貫通口４２は、上方にのみ開放された以外は閉じた空間となっている。
【００４９】
流路基板としてのシリコン基板７２には、インクプール室３８から供給されたインク１１０が充填される圧力室１１５が形成され、圧力室１１５と連通するノズル５６からインク滴が吐出されるようになっている。そして、インクプール室３８と圧力室１１５とが同一水平面上に存在しないように構成されている。したがって、圧力室１１５を互いに接近させた状態に配置することが可能であり、ノズル５６をマトリックス状に高密度に配設することが可能となっている。
【００５０】
シリコン基板７２の下面には、ノズル５６が形成されたノズルプレート７４が貼着され、シリコン基板７２の上面には、圧電素子基板７０が形成（作製）される。圧電素子基板７０は振動板４８を有しており、振動板４８の振動によって圧力室１１５の容積を増減させて圧力波を発生させることで、ノズル５６からのインク滴の吐出が可能になっている。したがって、振動板４８が圧力室１１５の１つの面を構成している。
【００５１】
振動板４８は、Ｐｌａｓｍａ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（Ｐ−ＣＶＤ）法で、ゲルマニウム（Ｇｅ）が添加されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）で形成され、少なくとも上下方向に弾性を有し、圧電素子４６に通電されると（電圧が印加されると）、上下方向に撓み変形する（変位する）構成になっている。なお、振動板４８の厚さは、安定した剛性を得るために、１μｍ以上２０μｍ以下（１μｍ〜２０μｍ）とされている。
【００５２】
また、圧電素子４６は、圧力室１１５毎に振動板４８の上面に接着されている。圧電素子４６の下面には一方の極性となる下部電極５２が配置され、圧電素子４６の上面には他方の極性となる上部電極５４が配置されている。そして、圧電素子４６は、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０で被覆保護されている。圧電素子４６を被覆保護している低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０は、水分透過性が低くなる条件で着膜するため、水分が圧電素子４６の内部に侵入して信頼性不良となること（ＰＺＴ膜内の酸素を還元することにより生ずる圧電特性の劣化）を防止できる。
【００５３】
更に、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０上には、隔壁樹脂層１１９が積層されている。図４（Ｂ）で示すように、隔壁樹脂層１１９は、圧電素子基板７０と天板部材４０との間の空間を区画している。隔壁樹脂層１１９には、天板４１のインク供給用貫通口１１２と連通するインク供給用貫通口４４が形成されており、その内部が第２インク供給路１１４Ｂとなっている。
【００５４】
第２インク供給路１１４Ｂは、第１インク供給路１１４Ａの断面積よりも小さい断面積を有しており、インク供給路１１４全体での流路抵抗が所定の値になるように調整されている。つまり、第１インク供給路１１４Ａの断面積は、第２インク供給路１１４Ｂの断面積よりも充分に大きくされており、第２インク供給路１１４Ｂでの流路抵抗と比べて実質的に無視できる程度とされている。したがって、インクプール室３８から圧力室１１５へのインク供給路１１４の流路抵抗は、第２インク供給路１１４Ｂのみで規定される。
【００５５】
また、このように、隔壁樹脂層１１９に形成したインク供給用貫通口４４によってインク１１０を供給するようにしたことで、供給途中における圧電素子４６領域へのインク漏れが防止されている。なお、隔壁樹脂層１１９には大気連通孔１１６が形成されており、インクジェット記録ヘッド３２の製造時や画像記録時における天板４１と圧電素子基板７０の空間の圧力変動を低減している。
【００５６】
また、電気接続用貫通口４２に対応する位置にも隔壁樹脂層１１８が積層されている。図４（Ｂ）で示すように、隔壁樹脂層１１８には、金属配線９０が貫通する貫通孔１２０が形成されており、金属配線９０の下端を上部電極５４に接触可能としている。なお、図４（Ｂ）では、隔壁樹脂層１１８と隔壁樹脂層１１９が分離された位置での断面としているが、これらは、実際には部分的に繋がっている。
【００５７】
また、隔壁樹脂層１１８、１１９によって、天板部材４０と圧電素子４６（厳密には、圧電素子４６上の低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０）との間に間隙が構成され、空気層となっている。この空気層により、圧電素子４６の駆動や振動板４８の振動に影響を与えないようになっている。
【００５８】
そして、電気接続用貫通口４２の内部には、金属配線９０に接触するようにして、半田８６が充填されている。これにより、実質的に金属配線９０が補強されて、上部電極５４に対する接触状態（電気的な接続状態）が向上されており、例えば、熱ストレスや機械的ストレスなどによって接触状態が低下しそうになった場合でも、半田８６によって、その接触状態が良好に維持される。
【００５９】
したがって、駆動ＩＣ６０からの信号が、天板部材４０の金属配線９０に通電され、更に金属配線９０から上部電極５４に通電される。そして、所定のタイミングで圧電素子４６に電圧が印加され、振動板４８が上下方向に撓み変形することにより、圧力室１１５内に充填されたインク１１０が加圧されて、ノズル５６からインク滴が吐出する。
【００６０】
なお、振動板４８、圧電素子４６、上部電極５４、下部電極５２が圧電アクチュエーターの主構成要素である。また、隔壁樹脂層１１９と隔壁樹脂層１１８は、その上面の高さが一定、即ち面一になるように構成されている。したがって、天板４１から測った隔壁樹脂層１１９と隔壁樹脂層１１８の対向面の高さ（距離）も同一になっている。これにより、天板４１が接触する際の接触性が高くなり、シール性も高くなっている。また、金属配線９０にはフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）１００も接続される。
【００６１】
以上のような構成のインクジェット記録ヘッド３２において、次に、その製造工程（製造プロセス）について、図８乃至図１２を基に詳細に説明する。図８で示すように、このインクジェット記録ヘッド３２は、流路基板としてのシリコン基板７２の上面に圧電素子基板７０を作製し、その後、シリコン基板７２の下面にノズルプレート７４（ノズルフィルム６８）を接合（貼着）することによって製造される。
【００６２】
図９−１（Ａ）で示すように、まず、シリコン基板７２を用意する。そして、図９−１（Ｂ）で示すように、Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ（ＲＩＥ）法により、そのシリコン基板７２の連通路５０となる領域に開口部７２Ａを形成する。具体的には、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング、ＲＩＥ法によるエッチング、酸素プラズマによるレジスト剥離である。
【００６３】
次いで、図９−１（Ｃ）で示すように、ＲＩＥ法により、そのシリコン基板７２の圧力室１１５となる領域に溝部７２Ｂを形成する。具体的には、上記と同様に、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング、ＲＩＥ法によるエッチング、酸素プラズマによるレジスト剥離である。これにより、圧力室１１５と連通路５０とからなる多段構造が形成される。
【００６４】
その後、図９−１（Ｄ）で示すように、連通路５０を構成する開口部７２Ａと、圧力室１１５を構成する溝部７２Ｂに、スクリーン印刷法（図１３（Ｂ）参照）により、ガラスペースト７６を充填する（埋め込む）。スクリーン印刷法を用いると、深い貫通開口部７２Ａや溝部７２Ｂでも確実にガラスペースト７６を埋め込むことができるので好ましい。
【００６５】
また、このガラスペースト７６は、熱膨張係数が、１×１０−６／℃〜６×１０−６／℃であり、軟化点は、５５０℃〜９００℃である。この範囲のガラスペースト７６を使用することで、ガラスペースト７６にクラックや剥離が発生するのを防止でき、更には、圧電素子４６や振動板４８となる膜に形状歪みが発生するのを防止できる。
【００６６】
そして、ガラスペースト７６を充填後、シリコン基板７２を、例えば８００℃で１０分間、加熱処理する。このガラスペースト７６の硬化熱処理に使用する温度は、後述する圧電素子４６の成膜温度（例えば５５０℃）や振動板４８の成膜温度（例えば７００℃）よりも高い温度である。これにより、振動板４８及び圧電素子４６の成膜工程において、ガラスペースト７６に高温耐性ができる。
【００６７】
つまり、少なくともガラスペースト７６を硬化熱処理した温度までは、後工程で使用可能となるので、後工程での使用温度の許容範囲が広がる。その後、シリコン基板７２の上面（表面）を研磨して余剰ガラスペースト７６を除去し、その上面（表面）を平坦化する。これにより、圧力室１１５及び連通路５０となる領域上にも薄膜等を精度よく形成することが可能となる。
【００６８】
次に、図９−２（Ｅ）で示すように、シリコン基板７２の上面（表面）に、スパッタ法により、ゲルマニウム（Ｇｅ）膜７８（膜厚１μｍ）を着膜する。このＧｅ膜７８は、後工程でガラスペースト７６をフッ化水素（ＨＦ）溶液でエッチング除去するときに、ＳｉＯ２膜８２（振動板４８）が一緒にエッチングされないように保護するエッチングストッパー層として機能する。なお、このＧｅ膜７８は、蒸着やＣＶＤ法でも成膜できる。また、エッチングストッパー層としては、シリコン（Ｓｉ）膜も使用できる。
【００６９】
そして、図９−２（Ｆ）で示すように、そのＧｅ膜７８の上面に振動板４８となる厚膜、即ちＧｅが添加されたＳｉＯ２膜８２（膜厚１０μｍ）をＰ−ＣＶＤ法により成膜する。具体的には、酸素（Ｏ２）及びシリコン（Ｓｉ）原料を含むガス、例えばテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、シラン（ＳｉＨ４）の何れかを含むガスに、アルコキシド系のガスであるテトラメチルゲルマニウム（ＴＭＧｅ）を添加することにより成膜する。
【００７０】
なお、ＳｉＯ２膜８２（振動板４８）に添加するＧｅの量、即ちＳｉＯ２膜８２（振動板４８）におけるＧｅ濃度は、図１４で示すように、３５ｍｏｌ％以下、好ましくは２０ｍｏｌ％以下である。Ｇｅ濃度が３５ｍｏｌ％より高いと、ＨＦ溶液によるエッチングレートが上昇し、インク耐性及び薬品耐性が低下する。つまり、後述するように、振動板４８（Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜８２）をパターニングする際には、濃度２０％のＨＦ溶液によるウェットエッチングを行う場合がある。このとき、Ｇｅ濃度が３５ｍｏｌ％より高いと、振動板４８（Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜８２）全体がエッチングされてしまう。したがって、Ｇｅ濃度は上記範囲とする。
【００７１】
振動板４８（Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜８２）を成膜したら、窒素（Ｎ２）雰囲気下で１時間、これ以降の工程における最高温度よりも高い温度、例えば７００℃でアニール（熱処理）する。図１５で示すように、７００℃でアニールすると、振動板４８の応力（ストレス）増加は６０ＭＰａとなるが、一度アニールすることにより、それ以上に応力（ストレス）が変化しないようにできる。つまり、図１６で示すように、７００℃でアニールすると、Ｇｅ濃度が３５ｍｏｌ％以下、特に２０ｍｏｌ％程度とされた振動板４８では、アニールしないものに比べて、応力（ストレス）を略０ＭＰａにできる。なお、アニール温度は７００℃に限定されるものではなく、６００℃以上１１００℃以下（６００℃〜１１００℃）であればよい。
【００７２】
こうして、アニールが終了したら、図９−２（Ｇ）で示すように、スパッタ法により、例えば厚み０．５μｍ程度のＩｒとＴｉとの積層膜６２、即ち下部電極５２を成膜する。そして、図９−３（Ｈ）で示すように、下部電極５２の上面に、圧電素子４６の材料であるＰＺＴ膜６４と、上部電極５４となるＩｒ膜６６を順にスパッタ法で積層（成膜）し、図９−３（Ｉ）で示すように、圧電素子４６（ＰＺＴ膜６４）及び上部電極５４（Ｉｒ膜６６）をパターニングする。
【００７３】
具体的には、ＰＺＴ膜スパッタ（膜厚５μｍ）、Ｉｒ膜スパッタ（膜厚０．５μｍ）、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング（Ｃｌ２系又はＦ系のガスを用いたドライエッチング）、酸素プラズマによるレジスト剥離である。下部及び上部の電極材料としては、圧電素子４６であるＰＺＴ材料との親和性が高く、耐熱性がある、例えばＩｒ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｔａ、ＰｔＯ２、ＴａＯ４、ＩｒＯ２等が挙げられる。また、ＰＺＴ膜６４の成膜温度は５５０℃であり、ＰＺＴ膜６４の積層（成膜）には、ＡＤ法、ゾルゲル法等も用いることが可能である。
【００７４】
次に、図９−３（Ｊ）で示すように、振動板４８の上面に積層された下部電極５２をパターニングする。具体的には、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング、ＲＩＥ法による（Ｃｌ２系のガスを用いた）ドライエッチング、酸素プラズマによるレジスト剥離である。この下部電極５２が接地電位となる。
【００７５】
その後、図９−４（Ｋ）で示すように、振動板４８（Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜８２）にインク供給路１１４形成用の孔部４８Ａをパターニングする。具体的には、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング（濃度２０％のＨＦ溶液によるウェットエッチング又はＨＦを含むガスによるドライエッチング）、酸素プラズマによるレジスト剥離である。
【００７６】
次に、図９−４（Ｌ）で示すように、上面に露出している下部電極５２と上部電極５４の上面に低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を積層する。そして、パターニングにより、上部電極５４と金属配線９０を接続するための開口８４（コンタクト孔）を形成する。具体的には、ＣＶＤ法にてダングリングボンド密度が高い低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を着膜する、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング（濃度２０％のＨＦ溶液によるウェットエッチング又はＨＦを含むガスによるドライエッチング）、酸素プラズマによるレジスト剥離である。なお、ここでは低透水性絶縁膜としてＳｉＯｘ膜を用いたが、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｘＮｙ膜等であってもよい。
【００７７】
次いで、図９−４（Ｍ）で示すように、隔壁樹脂層１１９及び隔壁樹脂層１１８をパターニングする。具体的には、隔壁樹脂層１１９、隔壁樹脂層１１８を構成する感光性樹脂を塗布し、露光・現像することでパターンを形成し、最後にキュアする。このとき、隔壁樹脂層１１９にインク供給用貫通口４４を形成しておく。なお、隔壁樹脂層１１９と隔壁樹脂層１１８とは、同一膜であるが、設計パターンが異なっている。また、隔壁樹脂層１１９、隔壁樹脂層１１８を構成する感光性樹脂は、ポリイミド系、ポリアミド系、エポキシ系、ポリウレタン系、シリコーン系等、耐インク性を有していればよい。
【００７８】
こうして、シリコン基板７２（流路基板）の上面に圧電素子基板７０が作製され、この圧電素子基板７０の上面に、例えばガラス板を支持体とする天板部材４０が結合（接合）される。天板部材４０の製造においては、図１０（Ａ）で示すように、天板部材４０自体が支持体となる程度の強度を確保できる厚み（０．３ｍｍ〜１．５ｍｍ）の天板４１を含んでいるので、別途支持体を設ける必要がない。この天板４１に、図１０（Ｂ）で示すように、インク供給用貫通口１１２及び電気接続用貫通口４２を形成する。
【００７９】
具体的には、ホトリソグラフィー法で感光性ドライフィルムのレジストをパターニングし、このレジストをマスクとしてサンドブラスト処理を行って開口を形成した後、そのレジストを酸素プラズマにて剥離する。なお、インク供給用貫通口１１２及び電気接続用貫通口４２は、断面視で内面が下方に向かって次第に接近するようなテーパー状（漏斗状）に形成されている。
【００８０】
このようにしてインク供給用貫通口１１２及び電気接続用貫通口４２が形成された天板４１（天板部材４０）を、図１１−１（Ａ）で示すように、圧電素子基板７０に被せて、両者を熱圧着（例えば３５０℃、２ｋｇ／ｃｍ２で２０分間）により結合（接合）する。このとき、隔壁樹脂層１１９と隔壁樹脂層１１８とは面一（同一高さ）になるように構成されているので、天板４１が接触する際の接触性が高くなり、高いシール性で接合することができる。
【００８１】
そして、図１１−１（Ｂ）で示すように、天板４１の上面に金属配線９０を成膜してパターニングする。具体的には、スパッタ法によるＡｌ膜（膜厚１μｍ）の着膜、ホトリソグラフィー法によるレジストの形成、Ｈ3ＰＯ4薬液を用いたＡｌ膜のウェットエッチング、酸素プラズマによるレジスト剥離である。
【００８２】
なお、電気接続用貫通口４２の段差は非常に大きいので、ホトリソグラフィー工程ではレジストのスプレー塗布法と長焦点深度露光法を用いている。このとき、金属配線９０の一部が、電気接続用貫通口４２の内面から、上部電極５４へと達するようにパターニングしておく。これにより、電気接続用貫通口４２の底部４２Ｂが金属配線９０で閉塞され、電気接続用貫通口４２は、上方にのみ開放された以外は閉じた空間となる。
【００８３】
また、金属配線９０を電気接続用貫通口４２の深部まで厚く成膜したい場合には、スパッタ法よりも段差被覆性の良好なＣＶＤ法を採用すればよい。何れにしても、電気接続用貫通口４２をテーパー状（漏斗状）に形成することで、開口部が広くなり、薄膜形成時の段差被覆性が改善するので、電気接続用貫通口４２内の金属配線９０（金属薄膜）を深部まで厚く形成することができる。
【００８４】
そして、このように金属配線９０がパターニングされた電気接続用貫通口４２内（上記空間内）に、図１１−２（Ｃ）で示すように、半田８６を搭載する。この方法としては、半田ボール８６Ｂを電気接続用貫通口４２内に直接搭載する半田ボール法を用いることができる。
【００８５】
なお、半田ボール法以外に、図１３（Ａ）で示すように、インクジェットの原理を応用した加熱溶融半田吐出供給法を用いてもよい。この方法では、天板４１と非接触で、かつ、マスクを用いることなく、半田８６を所定の位置に供給することができる。更に、図１３（Ｂ）で示すように、スクリーン印刷法を用いて半田８６を供給してもよい。何れの供給方法であっても、電気接続用貫通口４２は、断面視で内面が下方に向かって次第に接近するようなテーパー状（漏斗状）に形成されているので、半田８６が電気接続用貫通口４２の内面に付着しやすい。
【００８６】
次に、図１１−２（Ｄ）で示すように、半田８６をリフロー（例えば２８０℃で１０分間）し、電気接続用貫通口４２の底部４２Ｂにまで行き渡らせる。このとき、電気接続用貫通口４２の底部４２Ｂには、溶融した半田８６が流れ出る経路がないので、高温の環境下で半田８６を充分に溶融させて、電気接続用貫通口４２の底部４２Ｂまで確実に充填することができる。
【００８７】
つまり、この段階で、半田８６の最下部は、天板４１の下面（金属配線９０が形成されていない面）よりも下側の電気接続用貫通口４２内に位置しており、電気接続用貫通口４２内の金属配線９０に確実に接触するようになっている。また、この段階で、溶融した半田８６が、天板４１の上面（厳密には、金属配線９０の上面）よりも上方に位置しないように、充填する半田８６の量は予め所定量に決められている。
【００８８】
ここで、金属配線９０の底部、即ち上部電極５４と接触している部位は、金属配線９０を構成しているＡｌ膜が薄くなることがあり、隔壁樹脂層１１９の熱膨張等で機械的ストレスを受けて、金属配線９０が断線しているおそれがある。しかし、このような場合でも、底部４２Ｂに充填された半田８６が、底部４２Ｂと電気接続用貫通口４２内の金属配線９０を接続しているので、半田８６による導通確保が可能となる。また、溶融した半田８６が流れ出ないので、電気接続用貫通口４２の近傍部分を半田８６が不用意に短絡させてしまうおそれもない。
【００８９】
つまり、半田８６が電気接続用貫通口４２の上方部まで充填されていなくても、下層部の金属配線９０（金属薄膜）が半田８６と接触しているため、良好な電気接続を実現できる。なお、電気接続用貫通口４２に充填されるものは半田８６に限定されるものではなく、溶融金属、金属ペースト、導電性接着剤等でも構わない。これらの材料に求められる抵抗率は、素子に要求される特性に応じて異なって来るため、コストや工程マッチング（耐熱温度等）を考慮して適宜選択すればよい。
【００９０】
次に、図１１−３（Ｅ）で示すように、金属配線９０が形成された面に樹脂保護膜９２（例えば、富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製の感光性ポリイミド  Ｄｕｒｉｍｉｄｅ７３２０）を積層してパターニングする。なお、このとき、第１インク供給路１１４Ａを樹脂保護膜９２が覆わないようにする。また、この樹脂保護膜９２としては、ポリイミド系、ポリアミド系、エポキシ系、ポリウレタン系、シリコーン系等、耐インク性を有していればよい。
【００９１】
次いで、図１１−３（Ｆ）で示すように、樹脂保護膜９２の上面及びインク供給路１１４内に、耐ＨＦ保護用レジスト８８を塗布する。そして、図１１−４（Ｇ）で示すように、シリコン基板７２に充填した（埋め込んだ）ガラスペースト７６を、ＨＦを含む溶解液によって選択的にエッチング除去する。
【００９２】
このとき、Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜８２からなる振動板４８は、Ｇｅ膜７８によりＨＦ溶液から保護されるため、エッチングされることはない。つまり、このＧｅ膜７８は、上記したように、ガラスペースト７６をＨＦ溶液でエッチング除去する際に、Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜８２からなる振動板４８が一緒にエッチング除去されてしまうのを防止するエッチングストッパー層として機能する。
【００９３】
なお、ここではガラスペースト７６の除去に、ＨＦを含んだ液体を用いたが、ガラスペースト７６の除去には、ＨＦを含んだガスや蒸気を使用してもよい。エッチング液を狭い入口から供給する場合には、被エッチング材（この場合はガラスペースト７６）をエッチングした際に発生する気泡が抜けなかったり、新しいエッチング液との置換ができなかったりするため、エッチングの進行が阻害されることがある。ガスや蒸気を用いると、このような不具合は起きないため、上記のような場合には、ガスや蒸気とした方が好ましい。
【００９４】
その後、図１１−４（Ｈ）で示すように、Ｇｅ膜７８の溶解液、例えば６０℃に加熱した過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を圧力室１１５側から供給して、Ｇｅ膜７８の一部をエッチングして除去する。この段階で圧力室１１５及び連通路５０が完成する。こうして、Ｇｅ膜７８をエッチング除去したら、図１１−５（Ｉ）で示すように、耐ＨＦ保護用レジスト８８をアセトンによって除去する。なお、圧力室１１５及び連通路５０を形成した部位以外では、Ｇｅ膜７８が残ったままとなるが、特に問題はない。
【００９５】
そして次に、シリコン基板７２の下面にノズルプレート７４を貼着する。すなわち、図１２−１（Ａ）で示すように、ノズル５６となる開口６８Ａが形成されたノズルフィルム６８をシリコン基板７２の下面に貼り付ける。その後、図１２−１（Ｂ）で示すように、金属配線９０に駆動ＩＣ６０をフリップチップ実装する。このとき、駆動ＩＣ６０は、予め半導体ウエハプロセスの終りに実施されるグラインド工程にて、所定の厚さ（７０μｍ〜３００μｍ）に加工されている。
【００９６】
そして、駆動ＩＣ６０の周囲を樹脂材５８で封止し、駆動ＩＣ６０を水分等の外部環境から保護できるようにする。これにより、後工程でのダメージ、例えば、できあがった圧電素子基板７０をダイシングによってインクジェット記録ヘッド３２に分割する際の水や研削片によるダメージを回避することができる。そして、図１２−２（Ｃ）で示すように、金属配線９０にフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）１００を接続する。
【００９７】
次に、図１２−２（Ｄ）で示すように、駆動ＩＣ６０よりも内側の天板部材４０（天板４１）の上面にプール室部材３９を装着して、これらの間にインクプール室３８を構成する。これにより、インクジェット記録ヘッド３２が完成し、図１２−３（Ｅ）で示すように、インクプール室３８や圧力室１１５内にインク１１０が充填可能とされる。
【００９８】
以上のようにして製造されるインクジェット記録ヘッド３２を備えたインクジェット記録装置１０において、次に、その作用を説明する。まず、インクジェット記録装置１０に印刷を指令する電気信号が送られると、ストッカー２４から記録用紙Ｐが１枚ピックアップされ、搬送装置２６により搬送される。
【００９９】
一方、インクジェット記録ユニット３０では、すでにインクタンクからインク供給ポートを介してインクジェット記録ヘッド３２のインクプール室３８にインク１１０が注入（充填）され、インクプール室３８に充填されたインク１１０は、インク供給路１１４を経て圧力室１１５へ供給（充填）されている。そして、このとき、ノズル５６の先端（吐出口）では、インク１１０の表面が圧力室１１５側に僅かに凹んだメニスカスが形成されている。
【０１００】
そして、記録用紙Ｐを搬送しながら、複数のノズル５６から選択的にインク滴を吐出することにより、記録用紙Ｐに、画像データに基づく画像の一部を記録する。すなわち、駆動ＩＣ６０により、所定のタイミングで、所定の圧電素子４６に電圧を印加し、振動板４８を上下方向に撓み変形させて（面外振動させて）、圧力室１１５内のインク１１０を加圧し、所定のノズル５６からインク滴として吐出させる。こうして、記録用紙Ｐに、画像データに基づく画像が完全に記録されたら、排紙ベルト２３により記録用紙Ｐをトレイ２５に排出する。これにより、記録用紙Ｐへの印刷処理（画像記録）が完了する。
【０１０１】
ここで、このインクジェット記録ヘッド３２は、インクプール室３８と圧力室１１５の間に振動板４８（圧電素子４６）が配置され、インクプール室３８と圧力室１１５が同一水平面上に存在しないように構成されている。したがって、圧力室１１５が互いに近接配置され、ノズル５６が高密度に配設されている。
【０１０２】
また、圧電素子４６に電圧を印加する駆動ＩＣ６０は、圧電素子基板７０よりも外方側へ突出しない構成とされている（インクジェット記録ヘッド３２内に内蔵されている）。したがって、インクジェット記録ヘッド３２の外部に駆動ＩＣ６０を実装する場合に比べて、圧電素子４６と駆動ＩＣ６０の間を接続する金属配線９０の長さが短くて済み、これによって、駆動ＩＣ６０から圧電素子４６までの低抵抗化が実現されている。
【０１０３】
つまり、実用的な配線抵抗値で、ノズル５６の高密度化、即ちノズル５６の高密度なマトリックス状配設が実現されており、これによって、高解像度化（高精度化）が実現可能になっている。しかも、その駆動ＩＣ６０は、天板４１上にフリップチップ実装されているので、高密度の配線接続が容易にでき、更には駆動ＩＣ６０の高さの低減も図れて（薄くできて）、部品点数も低減できる。したがって、インクジェット記録ヘッド３２の小型化及び製造コストの低減が実現される。
【０１０４】
また、天板４１の金属配線９０が、樹脂保護膜９２によって被覆されているので、インク１１０による金属配線９０の腐食を防止することができる。また、駆動ＩＣ６０と上部電極５４とは、天板４１に形成された電気接続用貫通口４２内の金属配線９０で接続されるが、更に電気接続用貫通口４２内は半田８６が充填されており、底部４２Ｂ（図１１−２（Ｂ）参照）が補強されている。
【０１０５】
このため、底部４２Ｂへ熱ストレスや機械的ストレスが作用した場合でも金属配線９０と上部電極５４との接触状態を確実に維持できる。また、万が一、金属配線９０が断線した場合であっても、半田８６によって導通状態を確保できる。また、天板４１の裏面（下面）に、配線やバンプを形成することなく、天板部材４０を圧電素子基板７０と電気的に接続できる。すなわち、天板４１に対して片面（上面）のみに加工を施せばよいので、製造が容易になる。
【０１０６】
しかも、例えばバンプ等によって金属配線９０と上部電極５４とを電気的に接続する場合には、バンプの高さに大きなばらつきがあると接合が困難になることがあるが、本実施形態では、半田８６の量にばらつきがあっても、過分の半田８６は電気接続用貫通口４２内に収容されているので、天板部材４０と圧電素子基板７０とを好適に接合できる。つまり、半田８６の量のばらつきに対して、マージンを大きくとれるので、この点においても製造が容易になっている。
【０１０７】
また、金属配線９０と上部電極５４との接続部分では、実質的に、金属配線９０と、上部電極５４と、半田８６のみが存在しており、これらは高温耐性がある。このため、加工方法や材料選択の自由度が高くなる。更に、シリコン基板７２が圧電素子基板７０の支持体となって形成される（圧電素子基板７０をシリコン基板７２で支持した状態で作製できる）ので、インクジェット記録ヘッド３２を製造しやすい。しかも、製造された（完成した）インクジェット記録ヘッド３２は、天板４１によっても支持されるので（天板４１が支持体になるので）、その剛性は充分に確保される。
【０１０８】
また、本実施形態における振動板４８は、Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜８２が、Ｐ−ＣＶＤ法により成膜されて形成されている。振動板４８の材料に求められる性能は、例えば膜厚１０μｍ程度で、所望とする安定した剛性が確保できることであり、前後の熱プロセスや加工プロセスとの適合性などから、ＳｉＯ２膜が有効とされている。ＳｉＯ２膜は、１０００℃までの耐熱性に優れるとともに、数十μｍまでの膜厚制御が容易であり、更に膜の剛性を表すヤング率も、数十ＧＰａと充分な値が得られる。
【０１０９】
しかし、ＳｉＯ２膜は、成膜条件下で応力（ストレス）が発生する問題がある。すなわち、振動板４８の形成直後及び製造プロセス完了時のＳｉＯ２膜８２自体の応力制御が難しく、結果として、上下に積層される膜（下部電極５２、Ｇｅ膜７８）に、剥離やクラックが発生したり、圧力室１１５の初期的な容量の精度にも影響するなどの不具合が発生する。つまり、インクジェット記録ヘッド３２の性能及び信頼性が劣化する懸念がある。
【０１１０】
これを具体的に説明すると、Ｐ−ＣＶＤ法による成膜では、ＲＦパワーにより応力を制御できるが、＋数ＭＰａ〜−数十ＭＰａの低応力の膜を得る場合、図１７（Ａ）で示すように、電力の印加領域がかなり狭く、圧力などの他のパラメーターにも影響を受ける。このため、制御性に乏しいといった傾向が見受けられる。つまり、ＲＦパワーによる応力制御は不安定である。
【０１１１】
しかし、ＳｉＯ２膜８２に所定量のＧｅを添加し、所定温度でアニールすると、振動板４８の応力（ストレス）を制御（抑制）することが容易にできる。図１７（Ｂ）に、ＴＥＯＳ／Ｏ２ガスにＴＭＧｅを添加したときのＳｉＯ２膜の応力値を示す。このグラフから、ＴＭＧｅの添加量が増加するに従って、膜応力は圧縮から引っ張り側に変化することが判る。そして、プロセス条件（ＲＦパワー）による応力制御と比べて、応力値ゼロ付近の応力変化量が少なく、制御性があることが判る。
【０１１２】
この応力値は、圧力やＲＦパワーといったパラメーターには殆ど依存せず、ＴＭＧｅの添加量によってほぼ決定される。Ｇｅの添加量は、Ｐ−ＣＶＤ法による成膜プロセスの際に添加するガス（ＴＭＧｅ）の量をコントロールすることで容易に制御できる。本実施形態では、図１４乃至図１６で示すように、振動板４８（ＳｉＯ２膜８２）のＧｅ濃度を３５ｍｏｌ％以下としている。また、振動板４８は、アニールすることにより、応力（ストレス）が増加するが、一度アニールすると、それ以上、応力が変化しない。これにより、応力の変化を抑制することができる。
【０１１３】
なお、ＳｉＯ２膜８２に添加する不純物としては、Ｇｅの他にリン（Ｐ）やボロン（Ｂ）でもよい。この場合、添加するアルコキシド系のガスは、テトラメチルリン（ＴＭＰ）、テトラメチルボロン（ＴＭＢ）とされる。そして、このときの振動板４８（ＳｉＯ２膜８２）のＰ濃度は３５ｍｏｌ％以下とされ、Ｂ濃度も３５ｍｏｌ％以下とされる。何れにしても、こうして作製された振動板４８の応力値は殆ど変化せず、優れた熱安定性を有している。これにより、圧力室１１５の初期容量を精度よく制御することが可能となる。
【０１１４】
次に、第２実施形態のインクジェット記録ヘッド３２について説明する。なお、以下において、第１実施形態のインクジェット記録ヘッド３２と同一の構成要素、部材等は同一符号を付して、その詳細な説明（作用を含む）を省略する。Ｇｅを添加したＳｉＯ２膜８２は、何も添加しないＳｉＯ２膜に比べて吸湿性能が顕著となり、その結果、経時的に応力が変化してしまう懸念がある。また、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を始めとする洗浄プロセス中の薬品に対する耐性が乏しいことから、製造プロセス適合性が懸念される。
【０１１５】
そこで、第２実施形態のインクジェット記録ヘッド３２においては、図１８で示すように、振動板４８を、Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜８２の単層のみで形成するのではなく、Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜８２の上下に、不純物が何も添加されていないＳｉＯ２膜８１、８３を積層して形成した３層構造とした。以下、この第２実施形態のインクジェット記録ヘッド３２の製造方法（製造工程）について、図１９乃至図２１を基に詳細に説明する。
【０１１６】
まず、図１９−１（Ａ）で示すように、シリコン基板７２を用意する。そして、図１９−１（Ｂ）で示すように、ＲＩＥ法により、そのシリコン基板７２の連通路５０となる領域に開口部７２Ａを形成する。具体的には、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング、ＲＩＥ法によるエッチング、酸素プラズマによるレジスト剥離である。
【０１１７】
次いで、図１９−１（Ｃ）で示すように、ＲＩＥ法により、そのシリコン基板７２の圧力室１１５となる領域に溝部７２Ｂを形成する。具体的には、上記と同様に、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング、ＲＩＥ法によるエッチング、酸素プラズマによるレジスト剥離である。これにより、圧力室１１５と連通路５０とからなる多段構造が形成される。
【０１１８】
その後、図１９−１（Ｄ）で示すように、連通路５０を構成する開口部７２Ａと、圧力室１１５を構成する溝部７２Ｂに、スクリーン印刷法（図１３（Ｂ）参照）により、ガラスペースト７６を充填する（埋め込む）。そして、ガラスペースト７６を充填後、シリコン基板７２を、例えば８００℃で１０分間、加熱処理する。その後、シリコン基板７２の上面（表面）を研磨して余剰ガラスペースト７６を除去し、その上面（表面）を平坦化する。これにより、圧力室１１５及び連通路５０となる領域上にも薄膜等を精度よく形成することが可能となる。
【０１１９】
次に、図１９−２（Ｅ）で示すように、シリコン基板７２の上面（表面）に、スパッタ法により、Ｇｅ膜７８（膜厚１μｍ）を着膜する。このＧｅ膜７８は、後工程でガラスペースト７６をフッ化水素（ＨＦ）溶液でエッチング除去するときに、ＳｉＯ２膜８１（振動板４８）が一緒にエッチングされないように保護するエッチングストッパー層として機能する。なお、このＧｅ膜７８は、蒸着やＣＶＤ法でも成膜できる。また、エッチングストッパー層としては、シリコン（Ｓｉ）膜も使用できる。
【０１２０】
そして、図１９−２（Ｆ）で示すように、そのＧｅ膜７８の上面に振動板４８の一部となる薄膜、即ち不純物が何も添加されていないＳｉＯ２膜８１（膜厚０．４μｍ）をＰ−ＣＶＤ法により成膜し、次いで、振動板４８の一部となる薄膜、即ちＧｅが添加されたＳｉＯ２膜８２（膜厚９．２μｍ）をＰ−ＣＶＤ法により成膜し、更に、振動板４８の一部となる薄膜、即ち不純物が何も添加されていないＳｉＯ２膜８３（膜厚０．４μｍ）をＰ−ＣＶＤ法により成膜する。
【０１２１】
なお、Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜８２の成膜の仕方は、上記第１実施形態と同様である。また、Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜８２の厚さは、振動板４８全体の厚さの１／２以上となるようにする。更に、そのＳｉＯ２膜８２（振動板４８）におけるＧｅ濃度は、３５ｍｏｌ％以下、好ましくは２０ｍｏｌ％以下とする。そして、ＳｉＯ２膜８１、８２、８３を連続して成膜したら、窒素（Ｎ２）雰囲気下で１時間、これ以降の工程における最高温度よりも高い温度、例えば７００℃でアニール（熱処理）する。
【０１２２】
こうして、ＳｉＯ２膜８１、８２、８３を成膜してアニールし、３層構造の振動板４８を形成したら、図１９−２（Ｇ）で示すように、スパッタ法により、例えば厚み０．５μｍ程度のＩｒとＴｉとの積層膜６２、即ち下部電極５２を振動板４８（ＳｉＯ２膜８３）の上に成膜する。そして、図１９−３（Ｈ）で示すように、下部電極５２の上面に、圧電素子４６の材料であるＰＺＴ膜６４と、上部電極５４となるＩｒ膜６６を順にスパッタ法で積層（成膜）し、図１９−３（Ｉ）で示すように、圧電素子４６（ＰＺＴ膜６４）及び上部電極５４（Ｉｒ膜６６）をパターニングする。
【０１２３】
具体的には、ＰＺＴ膜スパッタ（膜厚５μｍ）、Ｉｒ膜スパッタ（膜厚０．５μｍ）、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング（Ｃｌ２系又はＦ系のガスを用いたドライエッチング）、酸素プラズマによるレジスト剥離である。なお、ＰＺＴ膜６４の成膜温度は５５０℃である。次に、図１９−３（Ｊ）で示すように、振動板４８の上面に積層された下部電極５２をパターニングする。具体的には、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング、ＲＩＥ法による（Ｃｌ２系のガスを用いた）ドライエッチング、酸素プラズマによるレジスト剥離である。
【０１２４】
その後、図１９−４（Ｋ）で示すように、３層構造の振動板４８（不純物が何も添加されていないＳｉＯ２膜８３／Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜８２／不純物が何も添加されていないＳｉＯ２膜８１）にインク供給路１１４形成用の孔部４８Ａをパターニングする。具体的には、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング（ＨＦを含むガスによるドライエッチング）、酸素プラズマによるレジスト剥離である。なお、この場合、ＨＦ溶液によるウェットエッチングでは、振動板４８のエッチング面（孔部４８Ａにおいて露出する面）に段差が生じてしまうため、不適である。
【０１２５】
次に、図１９−４（Ｌ）で示すように、上面に露出している下部電極５２と上部電極５４の上面に低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を積層する。そして、パターニングにより、上部電極５４と金属配線９０を接続するための開口８４（コンタクト孔）を形成する。具体的には、ＣＶＤ法にてダングリングボンド密度が高い低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を着膜する、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング（濃度２０％のＨＦ溶液によるウェットエッチング又はＨＦを含むガスによるドライエッチング）、酸素プラズマによるレジスト剥離である。
【０１２６】
次いで、図１９−４（Ｍ）で示すように、隔壁樹脂層１１９及び隔壁樹脂層１１８をパターニングする。具体的には、隔壁樹脂層１１９、隔壁樹脂層１１８を構成する感光性樹脂を塗布し、露光・現像することでパターンを形成し、最後にキュアする。このとき、隔壁樹脂層１１９にインク供給用貫通口４４を形成しておく。こうして、シリコン基板７２（流路基板）の上面に圧電素子基板７０が作製され、この圧電素子基板７０の上面に、例えばガラス板を支持体とする天板部材４０が結合（接合）される。天板部材４０の製造については、第１実施形態と同様であるため、その説明は省略する。
【０１２７】
次に、図２０−１（Ａ）で示すように、天板４１（天板部材４０）を、圧電素子基板７０に被せて、両者を熱圧着（例えば３５０℃、２ｋｇ／ｃｍ２で２０分間）により結合（接合）する。そして、図２０−１（Ｂ）で示すように、天板４１の上面に金属配線９０を成膜してパターニングする。具体的には、スパッタ法によるＡｌ膜（膜厚１μｍ）の着膜、ホトリソグラフィー法によるレジストの形成、Ｈ3ＰＯ4薬液を用いたＡｌ膜のウェットエッチング、酸素プラズマによるレジスト剥離である。
【０１２８】
このとき、金属配線９０の一部が、電気接続用貫通口４２の内面から、上部電極５４へと達するようにパターニングしておく。これにより、電気接続用貫通口４２の底部４２Ｂが金属配線９０で閉塞され、電気接続用貫通口４２は、上方にのみ開放された以外は閉じた空間となる。そして、このように金属配線９０がパターニングされた電気接続用貫通口４２内（上記空間内）に、図２０−２（Ｃ）で示すように、半田８６を搭載する。
【０１２９】
次に、図２０−２（Ｄ）で示すように、半田８６をリフロー（例えば２８０℃で１０分間）し、電気接続用貫通口４２の底部４２Ｂにまで行き渡らせる。そして、図２０−３（Ｅ）で示すように、金属配線９０が形成された面に樹脂保護膜９２（例えば、富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製の感光性ポリイミド  Ｄｕｒｉｍｉｄｅ７３２０）を積層してパターニングする。なお、このとき、第１インク供給路１１４Ａを樹脂保護膜９２が覆わないようにする。
【０１３０】
次いで、図２０−３（Ｆ）で示すように、樹脂保護膜９２の上面及びインク供給路１１４内に、耐ＨＦ保護用レジスト８８を塗布する。そして、図２０−４（Ｇ）で示すように、シリコン基板７２に充填した（埋め込んだ）ガラスペースト７６を、ＨＦを含む溶解液によって選択的にエッチング除去する。このとき、振動板４８（ＳｉＯ２膜８１）は、Ｇｅ膜７８によりＨＦ溶液から保護されるため、エッチングされることはない。
【０１３１】
その後、図２０−４（Ｈ）で示すように、Ｇｅ膜７８の溶解液、例えば６０℃に加熱した過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を圧力室１１５側から供給して、Ｇｅ膜７８の一部をエッチングして除去する。この段階で圧力室１１５及び連通路５０が完成する。こうして、Ｇｅ膜７８をエッチング除去したら、図２０−５（Ｉ）で示すように、耐ＨＦ保護用レジスト８８をアセトンによって除去する。
【０１３２】
そして次に、シリコン基板７２の下面にノズルプレート７４を貼着する。すなわち、図２１−１（Ａ）で示すように、ノズル５６となる開口６８Ａが形成されたノズルフィルム６８をシリコン基板７２の下面に貼り付ける。その後、図２１−１（Ｂ）で示すように、金属配線９０に駆動ＩＣ６０をフリップチップ実装する。そして、駆動ＩＣ６０の周囲を樹脂材５８で封止し、駆動ＩＣ６０を水分等の外部環境から保護できるようにする。その後、図２１−２（Ｃ）で示すように、金属配線９０にフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）１００を接続する。
【０１３３】
次いで、図２１−２（Ｄ）で示すように、駆動ＩＣ６０よりも内側の天板部材４０（天板４１）の上面にプール室部材３９を装着して、これらの間にインクプール室３８を構成する。これにより、インクジェット記録ヘッド３２が完成し、図２１−３（Ｅ）で示すように、インクプール室３８や圧力室１１５内にインク１１０が充填可能とされる。
【０１３４】
以上、説明したように、この第２実施形態のインクジェット記録ヘッド３２においては、振動板４８が３層構造とされている。つまり、この振動板４８は、Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜８２を、Ｇｅ等の不純物が添加されていないＳｉＯ２膜８１、８３で、上下から挟んで構成されるとともに、Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜８２が振動板４８の大部分を占めるように、そのＳｉＯ２膜８２の厚さが他のＳｉＯ２膜８１、８３の厚さよりも厚くされている（振動板４８全体の厚さの１／２以上を占めている）。
【０１３５】
したがって、第１実施形態のインクジェット記録ヘッド３２と同様に、応力（ストレス）及び圧力室１１５の初期容量を制御することができる。図２２に、３層構造の振動板４８を形成した後の各工程時、即ち下部電極５２形成時、圧電素子４６形成時、上部電極５４形成時における応力（ストレス）による圧電素子基板７０の反り量の変化を表したグラフを示す。なお、ＳｉＯ２膜８２におけるＧｅ濃度は７％、１８％、０％（Ｇｅの添加無し）とした。また、反り方が凹のときをプラス値とし、反り方が凸のときをマイナス値とした。
【０１３６】
このグラフで示すように、ＳｉＯ２膜８２にＧｅが添加されている場合は、上部電極５４形成後の圧電素子基板７０の反り量を略０にすることができる。また、この第２実施形態によれば、Ｇｅを添加したＳｉＯ２膜８２のみ（単層膜）で振動板４８が構成されることによって生じた問題、即ち吸湿による経時的な応力変化や、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を始めとする薬品耐性などの製造プロセス適合性の問題を解決することができる。
【０１３７】
図２３に、温度７０℃で３００時間経過した後の単層構造とされた振動板４８（Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜８２）と、３層構造とされた振動板４８（不純物が何も添加されていないＳｉＯ２膜８３／Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜８２／不純物が何も添加されていないＳｉＯ２膜８１）に対するインク接液の結果を、インク１１０の種類毎に評価した表を示す。この表から、３層構造とされた振動板４８では、どの種類のインク１１０でもＳｉＯ２膜８１、８２、８３に損傷が無いことが判る。なお、この３層構造とするためのＳｉＯ２膜８１、８２、８３の着膜は、Ｐ−ＣＶＤプロセスの添加ガスを切り替えるだけで済むため、製造時間や工数を殆ど増大させることなく実現できる。
【０１３８】
また、この第２実施形態のインクジェット記録ヘッド３２では、振動板４８を、不純物が何も添加されていないＳｉＯ２膜８３／Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜８２／不純物が何も添加されていないＳｉＯ２膜８１の３層構造としたが、この振動板４８は、少なくともＧｅ膜７８に積層する下側のＳｉＯ２膜８１と、Ｇｅが添加されたＳｉＯ２膜８２で構成されていればよく、本発明における「片面」とは、ＳｉＯ２膜８１側のことを指す。そして、本発明における「耐湿性、耐薬品性を備えた保護膜」とは、不純物が何も添加されていないＳｉＯ２膜８１、８３を指す。
【０１３９】
また、本発明に係る液滴吐出ヘッドとして、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｋ）の各色のインク滴を吐出するインクジェット記録ヘッド３２を挙げ、液滴吐出装置としても、インクジェット記録ヘッド３２を備えたインクジェット記録装置１０を挙げたが、本発明に係る液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置は、記録用紙Ｐ上への画像（文字を含む）の記録に限定されるものではない。
【０１４０】
すなわち、上記実施形態のインクジェット記録装置１０では各色のインクジェット記録ユニット３０のインクジェット記録ヘッド３２から画像データに基づいて選択的にインク滴が吐出されてフルカラーの画像が記録用紙Ｐに記録されるようになっているが、記録媒体は記録用紙Ｐに限定されるものでなく、また、吐出する液体もインク１１０に限定されるものではない。
【０１４１】
例えば、高分子フィルムやガラス上にインク１１０を吐出してディスプレイ用カラーフィルターを作成したり、溶接状態の半田を基板上に吐出して部品実装用のバンプを形成するなど、工業的に用いられる液滴噴射装置全般に対して、本発明に係るインクジェット記録ヘッド３２を適用することができる。更に、上記実施形態のインクジェット記録装置１０では、ＦＷＡを例に挙げたが、主走査機構と副走査機構を有するＰａｒｔｉａｌ  Ｗｉｄｔｈ  Ａｒｒａｙ（ＰＷＡ）に本発明を適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１４２】
【図１】インクジェット記録装置を示す概略正面図
【図２】インクジェット記録ヘッドの配列を示す説明図
【図３】記録媒体の幅と印字領域の幅との関係を示す説明図
【図４】（Ａ）インクジェット記録ヘッドの全体構成を示す概略平面図、（Ｂ）インクジェット記録ヘッドの１素子の構成を示す概略平面図
【図５】（Ａ）図４（Ｂ）のＡ−Ａ’線断面図、（Ｂ）図４（Ｂ）のＢ−Ｂ’線断面図、（Ｃ）図４（Ｂ）のＣ−Ｃ’線断面図
【図６】第１実施形態のインクジェット記録ヘッドの構成を示す概略断面図
【図７】インクジェット記録ヘッドの駆動ＩＣのバンプを示す概略平面図
【図８】インクジェット記録ヘッドを製造する全体工程の説明図
【図９−１】第１実施形態に係るシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ａ）〜（Ｄ）を示す説明図
【図９−２】第１実施形態に係るシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ｅ）〜（Ｇ）を示す説明図
【図９−３】第１実施形態に係るシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ｈ）〜（Ｊ）を示す説明図
【図９−４】第１実施形態に係るシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ｋ）〜（Ｍ）を示す説明図
【図１０】天板部材を製造する工程（Ａ）〜（Ｂ）を示す説明図
【図１１−１】第１実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ａ）〜（Ｂ）を示す説明図
【図１１−２】第１実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ｃ）〜（Ｄ）を示す説明図
【図１１−３】第１実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ｅ）〜（Ｆ）を示す説明図
【図１１−４】第１実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ｇ）〜（Ｈ）を示す説明図
【図１１−５】第１実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ｉ）を示す説明図
【図１２−１】第１実施形態に係るシリコン基板にノズルプレートを接合した後の工程（Ａ）〜（Ｂ）を示す説明図
【図１２−２】第１実施形態に係るシリコン基板にノズルプレートを接合した後の工程（Ｃ）〜（Ｄ）を示す説明図
【図１２−３】第１実施形態に係るシリコン基板にノズルプレートを接合した後の工程（Ｅ）を示す説明図
【図１３】（Ａ）半田を搭載する別の方法を示す説明図、（Ｂ）半田を搭載する更に別の方法を示す説明図
【図１４】振動板のＧｅ濃度とＨＦ溶液によるエッチングレートの関係を示すグラフ
【図１５】アニール温度と応力増加値の関係を示すグラフ
【図１６】振動板のＧｅ濃度と応力値の関係を示すグラフ
【図１７】（Ａ）ＲＦパワーと振動板の応力値の関係を示すグラフ、（Ｂ）Ｇｅの添加量と振動板の応力値の関係を示すグラフ
【図１８】第２実施形態のインクジェット記録ヘッドの構成を示す概略断面図
【図１９−１】第２実施形態に係るシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ａ）〜（Ｄ）を示す説明図
【図１９−２】第２実施形態に係るシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ｅ）〜（Ｇ）を示す説明図
【図１９−３】第２実施形態に係るシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ｈ）〜（Ｊ）を示す説明図
【図１９−４】第２実施形態に係るシリコン基板上に圧電素子基板を製造する工程（Ｋ）〜（Ｍ）を示す説明図
【図２０−１】第２実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ａ）〜（Ｂ）を示す説明図
【図２０−２】第２実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ｃ）〜（Ｄ）を示す説明図
【図２０−３】第２実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ｅ）〜（Ｆ）を示す説明図
【図２０−４】第２実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ｇ）〜（Ｈ）を示す説明図
【図２０−５】第２実施形態に係る圧電素子基板に天板部材を接合した後の工程（Ｉ）を示す説明図
【図２１−１】第２実施形態に係るシリコン基板にノズルプレートを接合した後の工程（Ａ）〜（Ｂ）を示す説明図
【図２１−２】第２実施形態に係るシリコン基板にノズルプレートを接合した後の工程（Ｃ）〜（Ｄ）を示す説明図
【図２１−３】第２実施形態に係るシリコン基板にノズルプレートを接合した後の工程（Ｅ）を示す説明図
【図２２】Ｇｅ濃度を変えて３層構造の振動板を形成した後の各工程時における反り量の変化を示すグラフ
【図２３】単層構造とされた振動板と３層構造とされた振動板に対する経時的なインク接液の結果をインクの種類毎に評価した表
【符号の説明】
【０１４３】
１０  インクジェット記録装置（液滴吐出装置）
３２  インクジェット記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）
３８  インクプール室
４０  天板部材
４１  天板
４２  電気接続用貫通口
４４  インク供給用貫通口
４６  圧電素子
４８  振動板
５０  連通路
５２  下部電極
５４  上部電極
５６  ノズル
６０  駆動ＩＣ
６４  ＰＺＴ膜
６８  ノズルフィルム
７０  圧電素子基板
７２  シリコン基板
７４  ノズルプレート
７６  ガラスペースト
７８  Ｇｅ膜
８０  ＳｉＯｘ膜
８１  ＳｉＯ２膜
８２  ＳｉＯ２膜
８３  ＳｉＯ２膜
１１０  インク（液体）
１１２  インク供給用貫通口
１１４  インク供給路
１１５  圧力室
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９−１】
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【図９−２】
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【図９−３】
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【図９−４】
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【図１０】
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【図１１−１】
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【図１１−２】
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【図１１−３】
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【図１１−４】
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【図１１−５】
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【図１２−１】
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【図１２−２】
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【図１２−３】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９−１】
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【図１９−２】
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【図１９−３】
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【図１９−４】
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【図２０−１】
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【図２０−２】
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【図２０−３】
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【図２０−４】
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【図２０−５】
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【図２１−１】
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【図２１−２】
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【図２１−３】
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【図２２】
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【図２３】
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