(57)【要約】【課題】反射板形成材料をスパッタリングする前の基板の表面状態が均一になるようにし、反射部の基板の色が黄色がかったものが作製されることがない反射板を備えた反射型ないし半透過型液晶表示パネルの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の反射板を有する液晶表示パネルの製造方法は以下の（１）〜（３）の工程を含むことを特徴とする。（１）基板上に形成された有機絶縁物からなる層間膜を予め定めた所定温度まで加熱して脱ガスする工程、（２）前記（１）の工程で得られた基板を冷却する工程、（３）前記（２）の工程で得られた基板の層間膜の表面に、スパッタリング法によって反射板を形成する工程。本発明により製造された反射板の表面状態は、非常に滑らかとなり、得られる反射板を有する液晶表示パネルの色味のバラツキが少なくなる。【選択図】図７
2008242152.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の（１）〜（３）の工程を含むことを特徴とする反射板を有する液晶表示パネルの
製造方法。
（１）基板上に形成された有機絶縁物からなる層間膜を予め定めた所定温度まで加熱して
脱ガスする工程、
（２）前記（１）の工程で得られた基板を冷却する工程、
（３）前記（２）の工程で得られた基板の層間膜の表面に、スパッタリング法によって反
射板を形成する工程。
【請求項２】
前記層間膜の反射板形成部位の表面は凹凸構造が形成されていることを特徴とする請求
項１に記載の反射板を有する液晶表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記（１）〜（３）の工程をスパッタリング装置内で行うことを特徴とする請求項１に
記載の反射板を有する液晶表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記（２）の工程を不活性ガスを吹き付けることによって行うことを特徴とする請求項
１〜３のいずれかに記載の反射板を有する液晶表示パネルの製造方法。
【請求項５】
基板上に形成された有機絶縁物からなる層間膜と、前記層間膜の表面に形成された反射
板とを有するアレイ基板を備えた反射板を有する液晶表示パネルにおいて、
前記反射板は請求項１〜４のいずれかの製造方法により製造されたものであり、
前記反射板の色度は、ｘ−ｙ色度座標系において、ｘ座標が０．３２〜０．３２５及び
ｙ座標が０．３２〜０．３３の範囲にあることを特徴とする反射板を有する液晶表示パネ
ル。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶表示パネルを備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、反射光が黄色がかることが少ない反射板を備えた反射型ないし半透過型液
晶表示パネルの製造方法、この製造方法により製造された液晶表示パネル及びこの液晶表
示パネルを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信機器のみならず一般の電子機器においても液晶表示装置の適用が急速に
普及している。液晶表示装置は、自ら発光しないために、バックライトを備えた透過型の
液晶表示パネルが多く使用されている。しかしながら、バックライトの消費電力が大きい
ために、特に携帯型のものについては消費電力を減少させるためにバックライトを必要と
しない反射型の液晶表示パネルが用いられているが、この反射型液晶表示装置は、外光を
光源として用いるために、暗い室内などでは見え難くなってしまう。そこで、近年に至り
特に透過型と反射型の性質を併せ持つ半透過型の液晶表示装置の開発が多く進められてき
ている（下記特許文献１及び２参照）。
【０００３】
この半透過型の液晶表示装置に使用される液晶表示パネルは、一つの画素領域内に画素
電極を備えた透過部と画素電極及び反射板の両方を備えた反射部とを有している。そして
、暗い場所においてはバックライトを点灯して画素領域の透過部を利用して画像を表示し
、明るい場所においてはバックライトを点灯することなく反射部において外光を利用して
画像を表示する。そのため、常時バックライトを点灯する必要がなくなるので、消費電力
を大幅に低減させることができるという利点を有している。
【０００４】
このような反射型ないし半透過型の液晶表示パネルは、透明基板上に形成された有機絶
縁物からなる層間膜（平坦化膜とも言われる）の表面にスパッタリング法により形成され
たアルミニウム、アルミニウム合金、銀等からなる反射板が設けられている。なお、この
層間膜の反射板が形成される部分の表面は、視認性が良好になるように、反射光を拡散反
射とするための微細な凹凸が形成されている。
【特許文献１】特開２００７−  ４１３７４号公報
【特許文献２】特開２００６−１５４５８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の反射型ないし半透過型液晶表示パネルにおける反射板の形成工程は、層間膜が形
成された基板を、スパッタリング装置内に挿入し、２２０℃程度までプリヒートして脱ガ
スし、プリヒートを停止後に直ちにスパッタリング法により反射板を形成している。しか
しながら、このような反射板の形成工程を経て得られた反射板を備えた反射型ないし半透
過型液晶表示パネルは、時折、反射部からの反射光が黄色側へシフトしてスペックアウト
しているものが見受けられた。
【０００６】
発明者等は、上述した反射部からの反射光が黄色側へシフトしたものと正常なものとの
構造上の差異について調査した結果、両者間には反射板の表面状態に相違があることに気
付いた。このような反射部からの反射光が黄色側へシフトしているものと正常なものとの
反射板の表面状態の差異を図７を用いて説明する。
【０００７】
なお、図８Ａは反射部の基板の色が黄色側へシフトしているものの反射部と透過部の境
界領域における走査型電子顕微鏡写真であり、図８Ｂは反射部の基板の色が正常なものの
反射部と透過部の境界領域における走査型電子顕微鏡写真である。なお、図８Ａ及び図８
Ｂにおいて、参照符号７１ａ及び７１ｂは層間膜を示し、参照符号７２ａ及び７２ｂは反
射板部分を示す。
【０００８】
図８Ａ及び図８Ｂを対比すると明らかなように、反射部からの反射光が正常なものの反
射板７２ｂの表面は滑らかとなっている（図８Ｂ参照）が、反射部からの反射光が黄色側
へシフトしているものの反射板７２ａの表面には極めて微細な凹凸が生じている（図８Ｂ
参照）ことが分かる。
【０００９】
発明者等は、上述のような反射板の表面に極めて微細な凹凸が生じる原因について種々
検討を重ねた結果、反射板形成材料をスパッタリングする前の熱処理工程において基板の
状態にバラツキが生じており、このバラツキが成膜後の反射板の表面状態の差異として現
れてくることを見出した。すなわち、反射板は、層間膜が形成された基板を２２０℃程度
までプリヒートして脱ガスした後に直ちにスパッタリング方により成膜されている。しか
しながら、プリヒートの際の蓄熱板の表面状態の差異、プリヒートからスパッタリングま
での処理時間のバラツキ等のため、成膜時の基板温度にバラツキが発生し、このバラツキ
が成膜後の反射板の表面状態の差異に繋がっている訳である。
【００１０】
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、その目
的は、反射板形成材料をスパッタリングする前の基板の基板温度が均一になるようにし、
反射部からの反射光が黄色側へシフトしない反射板を備えた反射型ないし半透過型液晶表
示パネルの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、上記の反射型ないし
半透過型液晶表示パネルの製造方法により製造された液晶表示パネル及びこの液晶表示パ
ネルを用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明の反射板を有する液晶表示パネルの製造方法は、以下
の（１）〜（３）の工程を含むことを特徴とする。
（１）基板上に形成された有機絶縁物からなる層間膜を予め定めた所定温度まで加熱して
脱ガスする工程、
（２）前記（１）の工程で得られた基板を冷却する工程、
（３）前記（２）の工程で得られた基板の層間膜の表面に、スパッタリング法によって反
射板を形成する工程。
【００１２】
本発明は、（１）の基板上に形成された有機絶縁物からなる層間膜を予め定めた所定温
度まで加熱して脱ガスする工程の後に、（２）の基板を冷却する工程を設けることが必要
である。この基板を冷却する工程を設けると、基板毎の表面温度のバラツキが少なくなる
ので、この後に（３）のスパッタリング工程を行って反射板を形成しても、従来例のよう
に反射部からの反射光が黄色側へシフトしているものが生じ難くなる。そのため、本発明
の製造方法によれば、得られる反射型ないし半透過型液晶表示パネルの色味のバラツキが
非常に小さくなる。
【００１３】
本発明の反射板を有する液晶表示パネルの製造方法においては、前記層間膜の反射板形
成部位の表面は凹凸構造が形成されていることが好ましい。このような構成を備えている
と、この凹凸構造はその表面に形成される反射板にも引き継がれ、反射光が拡散反射光と
なるため、反射光の視認性が向上する。
【００１４】
また、本発明の反射板を有する液晶表示パネルの製造方法においては、前記（１）〜（
３）の工程をスパッタリング装置内で行うことが好ましい。このような方法を採用すると
、製造工程中の基板が外気と触れる機会が少なくなるため、微細なゴミ等による表面汚染
が少なくなり、しかも、各工程の処理時間を精密に制御することができるので、バラツキ
が少なく、品質が良好な反射板を有する液晶表示パネルが得られる。加えて、製造工程中
の基板をスパッタリング装置内で連続的に処理することができるため、製造時間を短くす
ることもできる。
【００１５】
また、本発明の反射板を有する液晶表示パネルの製造方法においては、前記（２）の工
程を不活性ガスを吹き付けることによって行うことが好ましい。このような方法を採用す
ると、急速に基板温度を所定の一定温度にまで下げることができるから、基板毎の表面温
度のバラツキが少なくなるとともに処理時間を短縮することができる。
【００１６】
また、本発明の反射板を有する液晶表示パネルは、基板上に形成された有機絶縁物から
なる層間膜と、前記層間膜の表面に形成された反射板とを有するアレイ基板を備え、前記
反射板は前記のいずれかの製造方法により製造されたものであり、前記反射板の色度は、
ｘ−ｙ色度座標系において、ｘ座標が０．３２〜０．３２５及びｙ座標が０．３２〜０．
３３の範囲にあることを特徴とする。
【００１７】
本発明の反射板を有する液晶表示パネルによれば、反射部からの反射光が黄色側へシフ
トしているものが少なく、色味のバラツキが非常に小さい反射板を有する液晶表示パネル
となる。
【００１８】
また、本発明の電子機器は、上記本発明の反射板を有する液晶表示パネルを備えている
ことを特徴とする。
【００１９】
本発明の電子機器によれば、反射部の基板の色が黄色側へシフトしているものが少なく
、色味のバラツキが非常に小さい反射板を有する液晶表示パネルを備えた電子機器が得ら
れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、実施例、比較例及び図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を説明す
るが、以下に示す実施例は、本発明をここに記載したものに限定することを意図するもの
ではなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行
ったものにも均しく適用し得るものである。
【００２１】
まず、実施例及び比較例に共通する逆スタガ型ａ−ＳｉＴＦＴを備えた半透過型液晶表
示パネルの構成を説明する。
【００２２】
なお、図１は実施例及び比較例で共通する液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視
して表したアレイ基板側の平面図であり、図２は同じくカラーフィルタ基板を透視して表
したアレイ基板の１画素分の平面図であり、図３は図２のIII−III線断面図である。
【００２３】
最初に液晶表示パネル１０の概略的な構成について説明する。この液晶表示パネル１０
は、図１〜３に示すように、その表面に各種配線が設けられた矩形状のガラス等の透明基
板１１を有するアレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲよりも長手方向の長さが短い同じく矩
形状のガラス等の透明基板１２を有するカラーフィルタ基板ＣＦと、を備えている。そし
て、アレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦの周囲がシール材１３を介在させて貼り
合わされ、アレイ基板ＡＲ、カラーフィルタ基板ＣＦ及びシール材１３により囲まれた領
域に液晶１４が封入されて液晶表示パネル１０が構成されている。
【００２４】
アレイ基板ＡＲの透明基板１１は、カラーフィルタ基板ＣＦと貼り合わせた状態で外方
に所定長さ延在する延在部１１ａを備えている。また、アレイ基板ＡＲ上には、シール材
１３によって囲まれた表示部ＤＡ内にマトリクス状に設けられた複数の走査線ＧＷ及び信
号線ＳＷが設けられている。そして、これらの走査線ＧＷ及び信号線Ｓの交差部分の近傍
には例えばＴＦＴからなるスイッチング素子が形成されている。これらの走査線ＧＷ及び
信号線ＳＷにより区画された領域が１画素を形成する画素領域となっている。
【００２５】
また、透明基板１１の延在部１１ａには、所定の大きさに矩形状に区画されたＩＣチッ
プ搭載領域１５が設けられている。そして、走査線ＧＷ及び信号線ＳＷは表示部ＤＡ外に
導出されるとともに、ゲート引き回し配線ＧＬ及びソース引き回し配線ＳＬに接続される
。また、このゲート引き回し配線ＧＬ及びソース引き回し配線ＳＬはアレイ基板ＡＲの額
縁部分等を引き回され、端部がＩＣチップ搭載領域１５内まで延びており、このＩＣチッ
プ搭載領域１５内まで引回されたゲート引き回し配線ＧＬ及びソース引き回し配線ＳＬの
端部にはＩＣチップ接続するための端子（図示省略）がそれぞれ形成されている。
【００２６】
次に各画素の具体的構成について説明する。この透明基板１１上の表示部ＤＡには、図
２及び３に示したように、複数の走査線ＧＷが等間隔に平行になるように形成され、更に
走査線ＧＷからＴＦＴのゲート電極Ｇが延設されている。同じく、透明基板１１上の表示
部ＤＡには、隣り合う走査線ＧＷ間の略中央に走査線ＧＷと平行になるように補助容量線
１６が形成され、この補助容量線１６には補助容量線１６よりも幅広となされた補助容量
電極１７が形成されている。
【００２７】
また、透明基板１１の全面に走査線ＧＷ、補助容量線１６、補助容量電極１７及びゲー
ト電極Ｇを覆うようにして窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなるゲート絶縁膜１８が積層
されている。そして、ゲート電極Ｇの上にゲート絶縁膜１８を介してａ−Ｓｉ層１９が形
成されている。また、ゲート絶縁膜１８上に複数の信号線ＳＷが走査線ＧＷと直交するよ
うにして形成され、この信号線ＳＷからａ−Ｓｉ層１９と接触するようにＴＦＴのソース
電極Ｓが延設され、更に、信号線ＳＷ及びソース電極Ｓと同一の材料でかつドレイン電極
Ｄが同じくａ−Ｓｉ層１９と接触するようにゲート絶縁膜１８上に設けられている。
【００２８】
ここで、走査線ＧＷと信号線ＳＷとに囲まれた領域が１画素に相当する。そしてゲート
電極Ｇ、ゲート絶縁膜１８、ａ−Ｓｉ層１９、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄによってス
イッチング素子となるＴＦＴが構成され、それぞれの画素にこのＴＦＴが形成される。こ
の場合、ドレイン電極Ｄと補助容量電極１７によって各画素の補助容量を形成することに
なる。
【００２９】
これらの信号線ＳＷ、ＴＦＴ、ゲート絶縁膜１８を覆うようにして透明基板１１の全面
にわたり例えば無機絶縁材料からなる保護絶縁膜（パッシベーション膜ともいわれる）２
０が積層され、この保護絶縁膜２０上に例えばネガ型の感光材料を含むアクリル樹脂等か
らなる層間膜（平坦化膜ともいわれる）２１が透明基板１１の全体にわたり積層されてい
る。
【００３０】
この層間膜２１は例えば次のようにして形成される。層間膜２１の形成材料としては、
例えばネガ型の感光材料を含むアクリル樹脂などを用いる。この層間膜２１の形成材料を
基板全面に塗布し、その後プリベークする。次にいわゆるハーフトーンマスクを用いて複
数の異なる強度での露光を行う。ハーフトーンマスクは、目的とする領域に対する露光量
に応じて開口量が異なるように形成されているものであり、この開口量は例えば金属製マ
スクに形成されたピンホール径の大きさや、スリットの幅によって調整する。
【００３１】
このハーフトーンマスクは、反射部２２に対応する位置では、層間膜２１の表面に散乱
用の凹凸を形成するために、開口量が所望のピッチで増減するように構成されている。ま
た、コンタクトホール２５の形成領域では、層間膜２１を貫通する必要があるため、開口
量は最大に設定されている。このようなハーフトーンマスクを上記プリベークの施された
層間膜２１の前に配置し、露光光源を発光させ１回の露光を行う。
【００３２】
以上のように、ハーフトーンマスクを用いて露光を行った後、現像を行い、次いでブリ
ーチング及び焼成を行う。このブリーチングは、例えば低圧水銀ランプを使用し、基板に
短波長ＵＶ光（２５４ｎｍ〜１８５ｎｍ）を照射することで実行する。また、焼成はメル
トベークを８０℃〜１８０℃の温度で１〜２０分実行し、続けて焼成ベークを１４０℃か
ら３００℃の温度で１５〜１８０分実行する。このようにして反射板２４の形成前の基板
を得る。このようにして形成された層間膜２１の表面は、反射部２２においては微細な凹
凸が形成されており、透過部２３においては平らになされている。なお、図２及び図３に
おいては反射部２２における凹凸は図示省略した。
【００３３】
そして、反射部２２の層間膜２１の表面にはスパッタリング法によってアルミニウムな
いしアルミニウム合金製の反射板２４が形成されており、保護絶縁膜２０、層間膜２１及
び反射板２４にはＴＦＴのドレイン電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール２５が形成
されている。なお、この反射板２４の形成工程の詳細については後述する。
【００３４】
更に、それぞれの画素において、反射板２４の表面、コンタクトホール２５内及び透過
部２３に層間膜２１の表面には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）ないしＩＺＯ（Indi
um Zinc Oxide）からなる画素電極２６が形成され、この画素電極２６の表面に全ての画
素を覆うように配向膜（図示せず）が積層されている。
【００３５】
また、カラーフィルタ基板ＣＦは、透明基板１２の表面に、前記アレイ基板ＡＲの少な
くとも表示部ＤＡに対応する位置に、それぞれの画素に対応して例えば赤色（Ｒ）、緑色
（Ｇ）、青色（Ｂ）からなるカラーフィルタ層２７が設けられている。更に、反射部２２
に対応する位置のカラーフィルタ層２７の表面にはトップコート層２８が形成されており
、このトップコート層２８の表面及び透過部２３に対応する位置のカラーフィルタ層２７
の表面には共通電極２９及び配向膜（図示せず）が積層されている。なお、カラーフィル
タ層２４としては、更にシアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、黄色（Ｙ）等のカラーフィルタ
層を適宜に組み合わせて使用する場合もあり、モノクロ表示用の場合にはカラーフィルタ
層を設けない場合もある。
【００３６】
そして、このようにして得られたアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦをそれぞ
れ対向させ、適宜間隔で周縁部のセルギャップを一定に保つための柱状スペーサ（図示せ
ず）を配置するとともに、アレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦの周囲をシール材
１３によりシールし、両基板間に液晶１４を封入することにより、液晶表示パネル１０が
得られる。
【００３７】
［反射板形成工程］
次に、実施例及び比較例における反射板形成工程、反射板が形成された基板のｘ−ｙ色
度分布について図４〜図６を用いて説明する。
【００３８】
なお、図４は実施例及び比較例で使用したスパッタリング装置の概略平面図である。更
に、図５はｘ−ｙ色度図であり、図６は実施例及び比較例の反射板におけるｘ−ｙ色度分
布を示す図である。
【００３９】
このスパッタリング装置５０は、中央にロボット搬送装置５１が備えられた搬送室５２
をそなえ、その周囲に入口ゲート室５３、予熱室５４、冷却室５５、スパッタリング室５
６、冷却室５７、出口ゲート室５８が配置されている。そして、このスパッタリング装置
５０内の各室には、それぞれドアが備えられており、これらのドアが個別に制御されて各
室の内部が真空に維持できるようにされているとともに、ロボット搬送装置５１によって
各室内に処理される基板が挿入及び搬出されるようになっている。
【実施例１】
【００４０】
実施例のアレイ基板は次のようにして作製した。すなわち、上述のようにして層間膜が
形成された基板を入口ゲート室５３内に載置すると、この基板は予熱室５４内へ搬送され
る。この予熱室５４内では例えば２２０℃で８４０〜１０００秒間予熱すると共に脱ガス
を行う。次いで、予熱処理された基板を予熱室５４から冷却室５５内に搬送する。この冷
却室５５内では例えば６０秒間、室温の不活性ガス、例えばアルゴンガスを標準状態換算
で１００ｃｍ３吹きつけて冷却を行う。この不活性ガスとしては、窒素ガスなども使用し
得る。この冷却工程が本発明の重要な工程である。この冷却工程を経ると、予熱後には、
基板毎に温度にバラツキがあっても、更には基板に温度分布があっても、冷却工程後には
基板毎の温度のバラツキ及び基板の温度分布は非常に小さくなる。
【００４１】
冷却工程を経た基板は、次いで冷却室５５から室温に維持されスパッタリング室５６に
搬送され、例えばＡｌ−Ｎｄ合金からなる反射板形成材料がスパッタリングされ、反射板
が成膜される。反射板が成膜された基板は、次いで、冷却室５７において冷却された後、
出口ゲート室５８を経て取り出される。このようにして作製された実施例に係る層間膜の
表面に反射板が形成された複数の基板についてｘ−ｙ色度測定を行った。結果をまとめて
図６に示した。なお、図６の参照符号「α」で示した領域が実施例に対応する反射板のｘ
−ｙ色度分布を示す。
【００４２】
［比較例］
従来技術においては、層間膜が形成された基板を所定温度に予熱した後に直ちにスパッ
タリング工程において反射板の成膜を行っている。そこで、比較例としては、上記のスパ
ッタリング装置５０において、冷却室５５における不活性ガスによる冷却工程を省略した
以外は実施例の場合と同様にして作製した。すなわち、層間膜が形成された基板を入口ゲ
ート室５３内に載置すると、予熱室５４内において２２０℃で８４０〜１０００秒間予熱
すると共に脱ガスが行われる。ここまでの工程は実施例の場合と同様である。
【００４３】
次いで、予熱室５４で予備加熱された基板は直接スパッタリング室５６に搬送され、こ
のスパッタリング室５６では、実施例の場合と同様にして、Ａｌ−Ｎｄ合金からなる反射
板形成材料がスパッタリングされ、反射板が成膜される。反射板が成膜された基板は、次
いで、冷却室５７において冷却された後、出口ゲート室５８を経て取り出される。このよ
うにして作製された比較例に係る層間膜の表面に反射板が形成された複数の基板試料につ
いて、ｘ−ｙ色度測定を行った。結果をまとめて図６に示した。なお、図６の参照符号「
β」で示した領域が比較例に対応する反射板のｘ−ｙ色度分布を示す。
【００４４】
なお、図５はｘ−ｙ色度座標と色の関係を説明するために提示したものである。図５に
おいて、Ｒ、Ｇ、Ｂはそれぞれ液晶表示パネルに一般的に使用されている赤（Ｒ）、緑（
Ｇ）及び青（Ｂ）のカラーフィルタ層のピーク吸収波長のｘ−ｙ色度座標を示し、Ｃ、Ｍ
、Ｙはそれぞれシアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）及び黄色（Ｙ）のカラーフィルタ層のピー
ク吸収波長のｘ−ｙ色度座標を示す。
【００４５】
図６に示された結果によると、比較例で得られた反射板のｘ−ｙ色度分布は、参照符号
βで示したとおり、ｘ座標が０．３２５〜０．３４２の範囲、ｙ座標が０．３３５〜０．
３４５の範囲に分布しており、非常にばらついていることがわかる。この比較例で得られ
た反射板について走査型電子顕微鏡により観察すると、反射板の表面状態は全て図８Ａに
示したものと同様に表面に微細な凹凸が見られた。更に、これらの試料は、光学顕微鏡に
より目視観察では黄色がかった白色を呈していた。
【００４６】
しかしながら、実施例で得られた反射板のｘ−ｙ色度分布は、参照符号αで示したとお
り、ｘ座標が０．３２〜０．３２５の範囲、ｙ座標が０．３２〜０．３３の範囲に密に分
布していた。この実施例で得られた反射板について走査型電子顕微鏡により観察すると、
反射板の表面状態は全て図８Ｂに示したものと同様に表面は滑らかであった。また、これ
らの実施例の試料は、光学顕微鏡による目視観察では僅かに青みがかった白色を呈し、正
常色の範囲内であった。
【００４７】
したがって、予熱工程の後に冷却工程を行わない（比較例）と、得られる反射板のｘ−
ｙ色度分布は、スパッタリング時の反射板の表面温度のバラツキが非常に大きいため、図
６の参照符号βで示したとおり、バラツキが非常に大きくなる。それに対し、予熱工程の
後に冷却工程を行なう（実施例）と、スパッタリング時の反射板の表面温度のバラツキが
非常に小さいため、図６の参照符号αで示したとおり、バラツキが非常に小さくなる。
【００４８】
以上の図６に示した結果から、層間膜が形成された基板を予備加熱した後に一旦冷却工
程を経ると、表面温度のバラツキが少なくなるため、スパッタリング工程を経て得られる
反射板の表面は滑らかになり、実質的に同一の色味反射板を有する液晶表示パネルが得ら
れることが分かる。
【００４９】
以上、本発明の実施例として液晶表示パネルの例を説明した。この液晶表示パネルは、
パーソナルコンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末などの電子機器に使用することがで
きる。このうち、パーソナルコンピュータ及び携帯電話機に使用した例を図７に示す。
【００５０】
なお、図７Ａは液晶表記パネル４１を搭載したパーソナルコンピュータ４０を示す図で
あり、図７Ｂは液晶表記パネル４６を搭載した携帯電話機４５を示す図である。これらの
パーソナルコンピュータ４０及び携帯電話機４５の基本的構成は当業者に周知であるので
、詳細な説明は省略する。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して表したアレイ基板側の平面図である。
【図２】カラーフィルタ基板を透視して表したアレイ基板の１画素分の平面図である。
【図３】図２のIII−III線断面図である。
【図４】実施例及び比較例で使用したスパッタリング装置の概略平面図である。
【図５】ｘ−ｙ色度図である。
【図６】実施例及び比較例の反射板におけるｘ−ｙ色度分布を示す図である。
【図７】液晶表記パネルを搭載したパーソナルコンピュータ及び携帯電話機を示す図である。
【図８】反射部と透過部の境界領域における走査型電子顕微鏡写真であり、図８Ａは黄色シフトが見られるもの、図８Ｂは正常なものを示す。
【符号の説明】
【００５２】
１０：半透過型液晶表示パネル、１１：透明基板、１１ａ：延在部、１２：透明基板、１
３：シール剤、１４：液晶、１５：ＩＣチップ搭載領域、１６：補助容量線、１７：補助
容量電極、１８：ゲート絶縁膜、１９：ａ−Ｓｉ層、２０：保護絶縁膜、２１：層間膜、
２２：透過部、２３：透過部、２４：反射板、２５：コンタクトホール、２６：画素電極
、２７：カラーフィルタ層、２８：トップコート層、２９：共通電極、５０：スパッタリ
ング装置、５１：ロボット搬送装置、５２：搬送室５２、５３：入口ゲート室、５４：予
熱室５４、５５：冷却室、５６：スパッタリング室、５７：冷却室、５８：出口ゲート室
、ＡＲ：アレイ基板、ＣＦ：カラーフィルタ基板、ＧＷ：走査線、ＳＷ、信号線、ＧＬ：
ゲート引き回し配線、ＳＬ：ソース引き回し配線、ＤＡ：表示部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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