(57)【要約】【課題】ヘッドの記憶媒体面からの浮上量をより少なくする。【解決手段】本発明に係る磁気ヘッドスライダ１００は、アルミナ部１０９の内部において、第１のヒータ１０３、第１のレジスト１０４、シールド１０６ａより上層部に、第２のレジスト１０２で全体を被覆された第２のヒータ１０１が配されている。また、第２のレジストに所定面で接するようにシールド１０６ｂが配されている。第２のレジストは、第１のレジストよりも熱膨張率が大きく、シールド１０６ｂを塑性変形させることが可能である。このような構成で、第１のレジスト１０４の熱膨張によるシールド１０６ａの弾性変形に加え、第２のレジスト１０２の熱膨張によるシールド１０６ｂの塑性変形を利用して、リード素子１０７およびライト素子１０８の突出量をさらに確保し、ヘッドの記憶媒体面からの浮上量を要求される水準まで少なくすることを可能にした。【選択図】        図１
2008112545.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に配される熱膨張体を加熱して膨張させることによって記憶媒体との間で情報の読み書きを行うヘッドを突出させて該ヘッドの該記憶媒体からの浮上量を調整するヘッドスライダを、該記憶媒体に対して所定状態に支持するヘッドスライダ支持部材を備えたヘッドスライダ支持機構の製造方法であって、
前記ヘッドスライダの内部において前記ヘッドの近傍に配される第１の熱膨張体より上層に配された第２の熱膨張体を加熱して該ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることによって該ヘッドを突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第１の加熱ステップ
を含んだことを特徴とするヘッドスライダ支持機構の製造方法。
【請求項２】
内部に配される熱膨張体を加熱して膨張させることによって記憶媒体との間で情報の読み書きを行うヘッドを突出させて該ヘッドの該記憶媒体からの浮上量を調整するヘッドスライダを、該記憶媒体に対して所定状態に支持するヘッドスライダ支持部材を備えたヘッドスライダ支持機構の製造方法であって、
前記ヘッドスライダの内部において前記ヘッドの近傍に配される第１の熱膨張体を加熱して該ヘッドスライダの所定部位を弾性変形させることによって該ヘッドを突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第１の加熱ステップと、
前記第１の熱膨張体より上層に配された第２の熱膨張体を加熱して前記ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることによって前記ヘッドをさらに突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第２の加熱ステップと
を含んだことを特徴とするヘッドスライダ支持機構の製造方法。
【請求項３】
前記第１の熱膨張体をさらに加熱して前記ヘッドスライダの所定部位を弾性変形させることによって前記ヘッドをさらに突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を測定する測定ステップと、
前記測定ステップによって測定された前記浮上量を保持するため、前記第２の熱膨張体をさらに加熱して前記ヘッドスライダの所定部位をさらに塑性変形させることによって前記ヘッドをさらに突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第３の加熱ステップと
をさらに含んだことを特徴とする請求項２に記載のヘッドスライダ支持機構の製造方法。
【請求項４】
前記第１の熱膨張体をさらに加熱して前記ヘッドスライダの所定部位を弾性変形させることによって前記ヘッドをさらに突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を測定する測定ステップと、
前記測定ステップによって測定された前記浮上量を保持するため前記第１の熱膨張体への加熱を調整する加熱調整ステップと
をさらに含んだことを特徴とする請求項２に記載のヘッドスライダ支持機構の製造方法。
【請求項５】
前記ヘッドスライダの内部に該ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることが可能な前記第２の熱膨張体が複数備えられており、
前記ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量に応じて少なくとも一つの前記第２の熱膨張体を選択する選択ステップをさらに含み、
前記選択ステップによって選択された前記第２の熱膨張体を所定量だけ加熱して前記ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることによって前記ヘッドを突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のヘッドスライダ支持機構の製造方法。
【請求項６】
内部に配される熱膨張体を加熱して膨張させることによって記憶媒体との間で情報の読み書きを行うヘッドを突出させて該ヘッドの該記憶媒体からの浮上量を調整するヘッドスライダであって、
前記ヘッドスライダの内部において前記ヘッドの近傍に配され、加熱により前記ヘッドスライダの所定部位を弾性変形させることによって前記ヘッドを突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第１の熱膨張体と、
前記ヘッドスライダの内部において前記第１の熱膨張体より上層に配され、加熱により前記ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることによって前記ヘッドを突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第２の熱膨張体と
を備えたことを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項７】
前記ヘッドスライダの内部に該ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることが可能な前記第２の熱膨張体が複数備えられたことを特徴とする請求項６に記載のヘッドスライダ。
【請求項８】
内部においてヘッドの近傍に配される第１の熱膨張体を加熱することにより該第１の熱膨張体を膨張させることによって所定部位を弾性変形させて記憶媒体との間で情報の読み書きを行うヘッドを突出させて該ヘッドの該記憶媒体からの浮上量を調整するヘッドスライダを、該記憶媒体に対して所定状態に支持するヘッドスライダ支持部材を備えた記憶装置であって、
前記ヘッドスライダの内部において前記第１の熱膨張体より上層に配され、加熱により前記ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることによって前記ヘッドを突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第２の熱膨張体と、
前記ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を所定値とするための前記第１の熱膨張体および前記第２の熱膨張体への加熱制御量を保持する保持手段と
を備えたことを特徴とする記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部に配される熱膨張体を加熱して膨張させることによって記憶媒体との間で情報の読み書きを行うヘッドを突出させて該ヘッドと該記憶媒体との距離を調整するヘッドスライダ支持機構の製造方法、ヘッドスライダおよび記憶装置に関し、特に、ヘッドの記憶媒体面からの浮上量が大きい場合でも、熱膨張体の膨張によるヘッドスライダの変形によってヘッドの記憶媒体面からの浮上量を有意に少なくすることを可能とするヘッドスライダ支持機構の製造方法、ヘッドスライダおよび記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置などの記憶装置の高性能化の要求が高く、特に、ヘッドを介した磁気ディスクなどの記憶媒体に対する情報の読み書き性能の向上が図られている。このようなヘッドの読み書き性能を良くするために、ヘッドの記憶媒体面からの浮上量をより少なくする努力が払われている。
【０００３】
例えば、特許文献１および２には、ヘッドスライダの内部において、加熱によって膨張する熱膨張体をヘッドの近傍に配し、該熱膨張体の膨張によってヘッドスライダを変形させ、以ってヘッドの記憶媒体面からの浮上量を少なくする技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２０６３５号公報
【特許文献２】特開２００５−１１４１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１および２に代表される従来技術では、ヘッドの記憶媒体面からの浮上量が大きい場合では、熱膨張体が塑性変形によって膨張量に制限があるため、熱膨張体の膨張によるヘッドスライダの変形によってもヘッドの記憶媒体面からの浮上量を、要求される水準まで少なくすることが不可能である場合があった。
【０００６】
本発明は、上記問題点（課題）を解消するためになされたものであって、ヘッドの記憶媒体面からの浮上量が大きい場合でも、熱膨張体の膨張によるヘッドスライダの変形によって、ヘッドの記憶媒体面からの浮上量を要求される水準まで少なくすることを可能とするヘッドスライダ支持機構の製造方法、ヘッドスライダおよび記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した問題を解決し、目的を達成するため、本発明は、内部に配される熱膨張体を加熱して膨張させることによって記憶媒体との間で情報の読み書きを行うヘッドを突出させて該ヘッドの該記憶媒体からの浮上量を調整するヘッドスライダを、該記憶媒体に対して所定状態に支持するヘッドスライダ支持部材を備えたヘッドスライダ支持機構の製造方法であって、前記ヘッドスライダの内部において前記ヘッドの近傍に配される第１の熱膨張体より上層に配された第２の熱膨張体を加熱して該ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることによって該ヘッドを突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第１の加熱ステップを含んだことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明は、内部に配される熱膨張体を加熱して膨張させることによって記憶媒体との間で情報の読み書きを行うヘッドを突出させて該ヘッドの該記憶媒体からの浮上量を調整するヘッドスライダであって、前記ヘッドスライダの内部において前記ヘッドの近傍に配され、加熱により前記ヘッドスライダの所定部位を弾性変形させることによって前記ヘッドを突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第１の熱膨張体と、前記ヘッドスライダの内部において前記第１の熱膨張体より上層に配され、加熱により前記ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることによって前記ヘッドを突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第２の熱膨張体とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、内部においてヘッドの近傍に配される第１の熱膨張体を加熱することにより該第１の熱膨張体を膨張させることによって所定部位を弾性変形させて記憶媒体との間で情報の読み書きを行うヘッドを突出させて該ヘッドの該記憶媒体からの浮上量を調整するヘッドスライダを、該記憶媒体に対して所定状態に支持するヘッドスライダ支持部材を備えた記憶装置であって、前記ヘッドスライダの内部において前記第１の熱膨張体より上層に配され、加熱により前記ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることによって前記ヘッドを突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第２の熱膨張体と、前記ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を所定値とするための前記第１の熱膨張体および前記第２の熱膨張体への加熱制御量を保持する保持手段とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
これらの発明によれば、第２の熱膨張体によるヘッドスライダの所定部位の弾性変形によってヘッドを突出させてヘッドの記憶媒体からの浮上量を調整した後に第１の熱膨張体を加熱して測定されたヘッドの浮上量に基づいてヘッドの該記憶媒体からの浮上量を決定し、この決定された浮上量を保持するため第１の熱膨張体への加熱を調整するので、第１の熱膨張体への加熱のみでは調整しきれない程度の大きな浮上量であっても、調整可能となり、また、きめ細かく浮上量を調整することが可能となる。
【００１１】
また、本発明は、内部に配される熱膨張体を加熱して膨張させることによって記憶媒体との間で情報の読み書きを行うヘッドを突出させて該ヘッドの該記憶媒体からの浮上量を調整するヘッドスライダを、該記憶媒体に対して所定状態に支持するヘッドスライダ支持部材を備えたヘッドスライダ支持機構の製造方法であって、前記ヘッドスライダの内部において前記ヘッドの近傍に配される第１の熱膨張体を加熱して該ヘッドスライダの所定部位を弾性変形させることによって該ヘッドを突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第１の加熱ステップと、前記第１の熱膨張体より上層に配された第２の熱膨張体を加熱して前記ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることによって前記ヘッドをさらに突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第２の加熱ステップとを含んだことを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、第１の熱膨張体によるヘッドスライダの所定部位の弾性変形によってヘッドを突出させてヘッドの記憶媒体からの浮上量を調整した後に第２の熱膨張体によるヘッドスライダの所定部位の塑性変形によってヘッドをさらに突出させて浮上量をさらに調整するので、第１の熱膨張体への加熱のみでは調整しきれない程度の大きな浮上量であっても、調整可能となる。
【００１３】
また、本発明は、上記発明において、前記第１の熱膨張体をさらに加熱して前記ヘッドスライダの所定部位を弾性変形させることによって前記ヘッドをさらに突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を測定する測定ステップと、前記測定ステップによって測定された前記浮上量を保持するため、前記第２の熱膨張体をさらに加熱して前記ヘッドスライダの所定部位をさらに塑性変形させることによって前記ヘッドをさらに突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第３の加熱ステップとをさらに含んだことを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、第１の熱膨張体をさらに加熱して測定されたヘッドの浮上量に基づいてヘッドの該記憶媒体からの浮上量を決定し、この決定された浮上量を保持するため第２の熱膨張体への加熱を調整するので、第１の熱膨張体への加熱のみでは調整しきれない程度の大きな浮上量であっても、調整可能となる。
【００１５】
また、本発明は、上記発明において、前記第１の熱膨張体をさらに加熱して前記ヘッドスライダの所定部位を弾性変形させることによって前記ヘッドをさらに突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を測定する測定ステップと、前記測定ステップによって測定された前記浮上量を保持するため前記第１の熱膨張体への加熱を調整する加熱調整ステップとをさらに含んだことを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、第１の熱膨張体をさらに加熱して測定されたヘッドの浮上量に基づいてヘッドの該記憶媒体からの浮上量を決定し、この決定された浮上量を保持するため第２の熱膨張体への加熱を調整するので、第１の熱膨張体への加熱のみでは調整しきれない程度の大きな浮上量であっても、調整可能となり、また、きめ細かく浮上量を調整することが可能となる。
【００１７】
また、本発明は、上記発明において、前記ヘッドスライダの内部に該ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることが可能な前記第２の熱膨張体が複数備えられており、前記ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量に応じて少なくとも一つの前記第２の熱膨張体を選択する選択ステップをさらに含み、前記選択ステップによって選択された前記第２の熱膨張体を所定量だけ加熱して前記ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることによって前記ヘッドを突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明は、上記発明において、前記ヘッドスライダの内部に該ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることが可能な前記第２の熱膨張体が複数備えられたことを特徴とする。
【００１９】
これらの発明によれば、ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることが可能な複数の第２の熱膨張体から一の第２の熱膨張体を選択し、この選択された第２の熱膨張体への加熱を調整することによってヘッドの記憶媒体からの浮上量を調整するので、第１の熱膨張体への加熱のみでは調整しきれない、あるいは単一の第２の熱膨張体への加熱のみでは調整しきれない程度の大きな浮上量であっても、調整可能となり、また、きめ細かく浮上量を調整することが可能となる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ヘッドと磁気ディスク間の距離がヘッド取り付け当初の誤差により従来よりも大きくとも、塑性変形によってヘッドを突出させることによって補正することが可能となり、ヘッドの記憶装置への取り付け精度への要求が緩和され、記憶装置生産に係る歩留り率の向上が見込める。また、記憶装置使用中にヘッドスライダへなんら通電等をせずとも、ヘッドスライダの所定部位が塑性変形しているため、弾性変形量を低減することができ、そのため弾性変形を起こすための電力を低減することが可能となる。これによって、磁気ディスク装置の消費電力の低減を図ることが可能となる。また、弾性変形量が低減することによって、磁気ディスク装置の消費電力を増加させることなく、ヘッドの突出にかかる時間を短縮することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に添付図面を参照し、本発明のヘッドスライダ支持機構（ＨＧＡ（Head Gimbal Assembly））の製造方法、ヘッドスライダおよび記憶装置に係る実施例を詳細に説明する。なお、以下に示す実施例では、記憶媒体として磁気ディスク、記憶装置として磁気ディスク装置に本発明を適用した場合を示すこととするが、本発明はこれに限らず、他の記憶媒体及びディスク装置、例えば、光ディスク及び光ディスク装置、もしくは光磁気ディスク又は光磁気ディスク装置などにも適用可能である。
【００２２】
実施例の説明に先立って、本発明がなされるに至った背景について説明する。磁気ディスク装置の記憶容量向上のために、磁気ディスクと磁気ヘッド（もしくは、単に「ヘッド」と呼ぶ）との距離を近づけるために、ヘッド近傍に配されたヒータに通電・加熱しヘッドを突出させ(弾性変形させ)、ヘッドの磁気ディスクからの浮上量を制御する技術（以下、ＤＦＨ（Dynamic Flying Height））が用いられている。
【００２３】
しかし、突出し量が所定値を超えると塑性変形が生じてしまい、ヘッドが突出したままで戻らなくなってしまうため、ヘッドを突出できる距離は必然的に制限されることとなる。そのため、磁気ディスク装置の製造工程における部材の取り付け精度の影響で、磁気ディスクとヘッドとの距離が所定値以上となってしまった場合には、磁気ディスク装置の製造時における試験・検査等の工程において異常と判断されることとなり歩留りを低下させる要因となっている。
【００２４】
逆に、各部材の取り付け精度に応じて磁気ヘッドスライダと記憶媒体との距離を調整することができれば歩留り率を向上させることができるため、磁気ディスク装置の品質向上、製造コスト低減等の効果を生み出すことが可能となる。
【００２５】
また、ＤＦＨにおいては、磁気ディスクへの毎アクセス時にヘッドを突出させるために所定の通電処理が必要となるが、これに伴う磁気ディスク装置の消費電力を低減することが重要であり、そのためには突出量自体を低減することが望ましい。例えば、ノートパソコンや携帯情報端末などに用いられる、バッテリーで駆動する磁気ディスク装置においては、消費電力の低減効果は重要になる。また、磁気ディスク装置の高性能化に伴って、所定の距離ヘッドを突出させるのにかかる時間を低減することも重要であり、そのためにも突出量を低減することが望ましい。本発明は、このような要請のもとになされるに至った。
【実施例】
【００２６】
先ず、実施例に係る磁気ヘッドスライダの構成について説明する。図１は、実施例に係る磁気ヘッドスライダの構成を概略的に示す断面図である。磁気ヘッドスライダは、ヘッドが搭載され、ヘッドサスペンションから磁気ディスクの表面に向かう押圧力で磁気ヘッドの磁気ディスクの表面への接近状態を維持させるブロック状の部材である。
【００２７】
なお、磁気ヘッドを扇状に回転させる原動力を供給するヘッドアクチュエータは、垂直方向に延びる支軸に回転自在に支持されるアクチュエータブロックを有する。このアクチュエータブロックには、支軸から水平方向に剛体のアクチュエータアームが延設される。このアクチュエータアームの先端に取り付けられているものがヘッドサスペンションである。
【００２８】
同図に示すように、磁気ヘッドスライダ１００は、アルチックからなるアルチック部１１０と、所定量以上の熱を加えると復原しない塑性変形の性質は有さず、熱を加えても必ず形状が復原するアルミナからなるアルミナ部１０９とを有する。アルミナ部１０９の内部における底面付近には、磁気ディスクから情報を読み出すための読み出しヘッドであるリード素子１０７、および磁気ディスクへ情報を書き込むための書き込みヘッドであるライト素子１０８とが配されている。
【００２９】
リード素子１０７は、磁気ディスクの記録層から発生する磁界を検知することによって該磁気ディスクから情報を読み取るＭＲ（Magneto Resistive）ヘッドまたはＧＭＲ（Giant Magneto Resistive）ヘッドである。ライト素子１０８は、後述のライトコイル１０５から出力された磁界により磁気ディスクの記録層を磁化することによって、情報を磁気ディスクに記録するためのヘッドである。
【００３０】
図示のとおり、アルミナ部１０９の内部において、リード素子１０７を挟むようにシールド１０６ａが配されている。また、アルミナ部１０９の内部において、ライト素子１０８を挟んだ部分を含んでシールド１０６ａが配されている。シールド１０６ａは、所定量以上の熱を加えると復原せず塑性変形するパーマロイ系合金（Ni-Fe合金）からなる。ライト素子１０８を挟んだ部分を含んで配されるシールド１０６ａで囲まれた部分およびその近傍において、第１のレジスト１０４により全体を被覆されるライトコイル１０５が配されている。
【００３１】
第１のレジスト１０４は、所定量以上の熱を加えると復原しない塑性変形の性質は有さず、熱を加えても必ず形状が復原する部材である。ライトコイル１０５は、磁気ディスクへの情報の書き込みのためにライト素子１０８から出力させる磁界を発生させるためのコイルである。
【００３２】
アルミナ部１０９の内部において、複数のシールド１０６ａに挟まれるように、第１のヒータ１０３が配されている。第１のヒータ１０３は、コイル等の加熱手段である。この第１のヒータ１０３への通電による発熱によって第１のレジストが熱膨張する。この熱膨張によって、シールド１０６ａが弾性変形し、図示の通り、リード素子１０７およびライト素子１０８が、より磁気ディスク３００の表面へ近づくように突出される。弾性変形とは、復原可能な変形のことである。
【００３３】
ただし、第１のヒータへの通電は、第１のレジストの熱膨張によってシールド１０６ａが塑性変形しない範囲内に制御される。よって、シールド１０６ａは、弾性変形するのみであって、決して塑性変形はしない。
【００３４】
アルミナ部１０９の内部において、上記した第１のヒータ１０３、第１のレジスト１０４、シールド１０６ａより上層部には、第２のレジスト１０２で全体を被覆された第２のヒータ１０１が配されている。第２のヒータ１０１も、コイル等の加熱手段である。第２のレジスト１０２は、第１のレジスト１０４よりも熱膨張率が大きく、例えば、フェノール系ボラック樹脂からなる部材である。すなわち、第１のレジスト１０４は、シールド１０６ａに弾性変形を生じさせ、第２のレジスト１０２は、シールド１０６ｂに塑性変形を生じさせる。磁気ヘッドスライダ１００と磁気ディスクとの距離に応じて、第２のレジスト１０２の膨張作用により、磁気ヘッドスライダ１００に塑性変形を生じさせる。
【００３５】
アルミナ部１０９の内部において、上記した第１のヒータ１０３、第１のレジスト１０４、シールド１０６ａ側の層で、第２のレジスト１０２に所定面で接するようにシールド１０６ｂが配されている。
【００３６】
第２のヒータ１０１への通電による発熱によって第２のレジストが熱膨張する。この熱膨張によって、シールド１０６ｂが変形し、シールド１０６ａの弾性変形と同様に、図示の通り、リード素子１０７およびライト素子１０８が、磁気ディスク３００の表面へより近づくように突出される。
【００３７】
ただし、第２のヒータへの通電は、第２のレジストが熱膨張によってシールド１０６ｂが塑性変形するまで可能としている。よって、第２のレジストが熱膨張によって、シールド１０６ａは、先ず弾性変形する。さらに第２のヒータへ通電することによって、第２のレジストがさらに熱膨張し、シールド１０６ａは、塑性変形するに至る。
【００３８】
なお、シールド１０６ａが塑性変形後も、第２のヒータによって第２のレジストをさらに熱膨張させることによって、シールド１０６ａの塑性変形の変形量を増すことが可能である。よって、第２のヒータへの通電を制御することによって、シールド１０６ａの塑性変形の変形量を制御可能である。
【００３９】
上記のような磁気ヘッドスライダ１００の構成によって、第１のレジスト１０４の熱膨張によるシールド１０６ａの弾性変形に加え、第２のレジスト１０２の熱膨張によるシールド１０６ｂの塑性変形を利用して、リード素子１０７およびライト素子１０８のヘッドスライダ面からの突出量をさらに確保し、ヘッドの記憶媒体面からの浮上量を要求される水準まで少なくすることが可能となる。
【００４０】
次に、実施例に係る記憶装置の構成を概略的に説明する。図２は、実施例に係る記憶装置の構成を概略的に示す斜視図である。なお、図２においては、本発明に関連するアクチュエータブロック２０２、このアクチュエータブロック２０２の支軸２０１ｂから水平方向に延設される剛体のアクチュエータアーム２０１、このアクチュエータアーム２０１の先端に取り付けられるヘッドサスペンション２０１ａ、このヘッドサスペンション２０１ａによって磁気ディスクの表面に向かう押圧力を加えられて磁気ディスクの表面への接近状態を維持する磁気ヘッドスライダ１００と、磁気ヘッドスライダ１００の第１のヒータおよび第２のヒータに通電して発熱させることによってリード素子１０７およびライト素子１０８を磁気ディスク３００の表面へ向けて突き出させる制御を行い、かつ磁気ディスク３００の表面へ向けて突き出させられたリード素子１０７およびライト素子１０８と、磁気ディスク３００の表面との接触（タッチダウン）を検知する素子浮上量制御装置４００と、この素子浮上量制御装置４００に対して操作指示を入力し、素子浮上量制御装置４００から素子浮上量制御結果を受け取って表示する端末装置５００との概要を選択的に示す。
【００４１】
アクチュエータアーム２０１およびヘッドサスペンション２０１ａは、磁気ヘッドスライダ１００のヘッドスライダ支持部材を構成する。また、このヘッドスライダ支持部材と、アクチュエータブロック２０２および支軸２０１ｂとで、ヘッドスライダ支持機構が構成される。アクチュエータアーム２０１の先端のヘッドサスペンション２０１ａを介して磁気ヘッドスライダ１００を有するヘッドスライダ支持機構は、アクチュエータアーム２０１がディスクの回転方向に対してほぼ垂直になるように該アクチュエータアーム２０１を支持する。
【００４２】
上記した、記憶装置本来の構成に加えて、ヘッドスライダ支持部材およびヘッドスライダ支持機構の製造工程時において、磁気ヘッドスライダ１００の第１のヒータおよび第２のヒータに通電して発熱させることによってリード素子１０７およびライト素子１０８を磁気ディスク３００の表面へ向けて突出させる制御を行うため、磁気ヘッドスライダ１００に素子浮上量制御装置４００が電気的に接続される。
【００４３】
素子浮上量制御装置４００は、ヘッドテスタ部４０１と、増幅部４０２と、通電制御部４０３とを有する。各機能ブロックの説明は、図３を参照して後述する。通電制御部４０３から延びる通電線は、第１のヒータおよび第２のヒータに接続されている。第１のヒータおよび第２のヒータは、通電制御部４０３から電力を供給されることにより発熱する。
【００４４】
また、増幅部４０２へ延びる通電線は、リード素子１０７およびライト素子１０８から接続されている。増幅部４０２は、リード素子１０７およびライト素子１０８のヘッド出力を増幅する。
【００４５】
次に、実施例に係る素子浮上量制御装置の制御回路の構成を説明する。図３は、実施例に係る素子浮上量制御装置の制御回路の構成を示す機能ブロック図である。同図に示すように、素子浮上量制御装置４００は、ヘッドテスタ部４０１と、増幅部４０２と、通電制御部４０３とを有する。
【００４６】
ヘッドテスタ部４０１は、第１のヒータ１０３および第２のヒータ１０１への通電量に応じて変化するリード素子１０７およびライト素子１０８のヘッド出力の変化を監視し、変化がなくなった時点でリード素子１０７およびライト素子１０８が磁気ディスク３００の表面に接触したか否かを監視する接触監視手段である。ヘッドテスタ部４０１は、この監視状況を、所定のインターフェースを介して接続される端末装置５００に表示させる。また、ヘッドテスタ部４０１は、端末装置５００からの操作に基づいて、素子浮上量制御動作を行う。
【００４７】
増幅部４０２は、リード素子１０７およびライト素子１０８からのヘッド出力を増幅して、ヘッドテスタ部４０１へ受け渡す。通電制御部４０３は、ヘッドテスタ部４０１からの指示に基づき、第１のヒータ１０３および第２のヒータ１０１への通電量を制御し、第１のヒータ１０３および第２のヒータ１０１の発熱を制御する。
【００４８】
次に、素子浮上量制御装置４００における素子浮上量制御処理について説明する。図４は、素子浮上量制御処理手順を示すフローチャートである。同図に示すように、まず、図示しない素子浮上量制御装置４００の制御部は、素子と磁気ディスクとの間に所用のスペースを確保するか否かを判定する（ステップＳ１０１）。素子と磁気ディスクとの間に所要のスペース量を確保すると判定された場合は（ステップＳ１０１肯定）、ステップＳ１０２へ移り、素子と磁気ディスクとの間に所要のスペース量を確保すると判定されなかった場合は（ステップＳ１０１否定）、ステップＳ１０５へ移る。
【００４９】
ステップＳ１０２では、通電制御部４０３は、第１のヒータ１０３による第１のレジスト１０４への加熱量を増加させる。続いて、ステップＳ１０１でいう所要のスペース量だけ第１のレジスト１０４の熱膨張によって素子(リード素子１０７およびライト素子１０８)が突出されたか否かを判定する（ステップＳ１０３）。なお、後述のWallaceの式を用いて、素子の突出量が、第１のレジスト１０４の熱膨張のために第１のヒータ１０３に通電した結果のヒータ出力から推定される。
【００５０】
所要のスペース量だけ第１のレジスト１０４の熱膨張によって素子が突出されたと判定された場合に（ステップＳ１０３肯定）、ステップＳ１０４へ移り、所要のスペース量だけ第１のレジスト１０４の熱膨張によって素子が突出されたと判定されなかった場合に（ステップＳ１０３否定）、ステップＳ１０３を繰り返す。
【００５１】
ステップＳ１０４では、通電制御部４０３は、第１のヒータ１０３による第１のレジスト１０４への加熱量を維持する。これによって、シールド１０６ａの弾性変形によるリード素子１０７およびライト素子１０８の突出量が、ステップＳ１０１でいう所要のスペース量だけ保持される。この処理が終了すると、ステップＳ１０５へ移る。
【００５２】
ステップＳ１０５では、通電制御部４０３は、第２のヒータ１０１による第２のレジスト１０２への加熱量を増加させる。続いて、ヘッドテスタ部４０１は、素子と磁気ディスクとの接触を検知したか否かを判定する（ステップＳ１０６）。素子と磁気ディスクとの接触を検知したと判定された場合に（ステップＳ１０６肯定）、ステップＳ１０７へ移り、素子と磁気ディスクとの接触を検知したと判定されなかった場合に（ステップＳ１０６否定）、ステップＳ１１２へ移る。
【００５３】
ステップＳ１０７では、通電制御部４０３は、第２のヒータ１０１による素子突出量を所定の記憶領域に記憶する。なお、後述するWallaceの式を用いて、素子の突出量が、第２のレジスト１０２の熱膨張のために第２のヒータ１０１に通電した結果のヒータ出力から推定される。逆に、第２のヒータ１０１による素子突出量を所定の記憶領域に記憶する場合は、素子の突出量に対応する第１のヒータ１０３への通電した結果のヒータ出力を記憶することとなる。
【００５４】
続いて、通電制御部４０３は、第２のヒータ１０１への通電を停止し、第２のレジスト１０２への加熱を停止する（ステップＳ１０８）。続いて、通電制御部４０３は、第１のヒータ１０３による第１のレジスト１０４への加熱量を増加させる（ステップＳ１０９）。
【００５５】
続いて、通電制御部４０３は、第１のヒータ１０３によって、ステップＳ１０７で記憶した第２のヒータ１０１による素子突出量まで素子が突出されたか否かを判定する（ステップＳ１１０）。第２のヒータ１０１による素子突出量まで素子が突出されたと判定された場合に（ステップＳ１１０肯定）、通電制御部４０３は、第１のヒータ１０３による第１のレジスト１０４への加熱量を維持し（ステップＳ１１１）、第２のヒータ１０１による素子突出量まで素子が突出されたと判定されなかった場合に（ステップＳ１１０否定）、ステップＳ１１０を繰り返す。
【００５６】
一方、ステップＳ１１２では、通電制御部４０３は、シールド１０６ｂが塑性変形するに至るまで第２のヒータ１０１へ通電されて第２のレジスト１０２が熱膨張したか否かを判定する。すなわち、第２のレジスト１０２によってシールド１０６ｂが塑性変形したか否かを判定する。第２のレジスト１０２によってシールド１０６ｂが塑性変形したと判定された場合に（ステップＳ１１２肯定）、ステップＳ１１３へ移り、第２のレジスト１０２によってシールド１０６ｂが塑性変形したと判定されなかった場合に（ステップＳ１１２否定）、ステップＳ１０６へ移る。
【００５７】
ステップＳ１１３では、通電制御部４０３は、第２のヒータ１０１への通電を停止し、第２のレジスト１０２への加熱を停止する。続いて、通電制御部４０３は、第１のヒータ１０３による第１のレジスト１０４への加熱量を増加させる（ステップＳ１１４）。続いて、ヘッドテスタ部４０１は、素子と磁気ディスクとの接触を検知したか否かを判定する（ステップＳ１１５）。素子と磁気ディスクとの接触を検知したと判定された場合に（ステップＳ１１５肯定）、ステップＳ１１６へ移り、素子と磁気ディスクとの接触を検知したと判定されなかった場合に（ステップＳ１１５否定）、ステップＳ１１５を繰り返す。
【００５８】
ステップＳ１１６では、通電制御部４０３は、第１のレジスト１０４に対する加熱量増加による素子突出量の増加量を所定の記憶領域に記憶する。続いて、素子突出量が、ステップＳ１１６で記憶した素子突出量の増加量に一致するように、第１のヒータ１０３への通電量を制御して、第１のレジスト１０４への加熱量を調整する（ステップＳ１１７）。
【００５９】
上記したように、磁気ヘッドスライダ１００と磁気ディスクとの距離を確認しながら塑性変形量を増加させていくことにより、磁気ヘッドスライダ毎に最適なスペーシング（ヘッドの磁気ディスクからの浮上量調整）を実現することが可能となる。
【００６０】
また、上記した素子浮上量制御処理を行うことにより、塑性変形の作用によって、ヘッドが電力消費をあまり必要とせずに磁気ディスクに向けて所定の距離突出することになるので、磁気ディスク装置使用中にヘッドを記憶媒体に近づけるための弾性変形量を低減することが可能となる。
【００６１】
次に、記憶媒体と磁気ヘッドスライダとの間に所要のスペース量を必要とせず、第２のレジストの塑性変形がない場合の素子突出量制御の概要について説明する。図５は、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダとの間に所要のスペース量を必要とせず、第２のレジストの塑性変形がない場合の素子突出量制御の概要を説明するための説明図である。
【００６２】
同図の前提として、第２のレジストの熱膨張によってシールド１０６ｂの塑性変形が起こる素子突出量は、１０ｎｍであり、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダとの隙間（磁気ヘッドスライダの浮上量）は、当初７ｎｍであるとする。先ず、ヘッドスライダ支持部材およびヘッドスライダ支持機構の製造工程時において、第２のヒータ１０１のみへの通電による第２のレジスト１０２の熱膨張によるシールド１０６ｂの変形によって、７ｎｍの素子突出量が確保されたとする。
【００６３】
このとき、素子の先端が、磁気ディスクの表面と接触する。この場合、シールド１０６ｂの変形は、弾性変形である。この状況から磁気ディスク装置を実施に使用する段階へ移行すると、第２のヒータ１０１への通電を停止して第１のヒータ１０３のみへの通電を行う。そして、第１のヒータ１０３のみへの通電による第１のレジスト１０４の熱膨張によるシールド１０６ａの弾性変形によって、７ｎｍの素子突出量を確保することとなる。このようにして、実使用時においても、磁気ディスク表面への素子の先端の接触が維持されることとなる。
【００６４】
次に、記憶媒体と磁気ヘッドスライダとの間に所要のスペース量を必要とせず、第２のレジストの塑性変形がある場合の素子突出量制御の概要について説明する。図６は、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダとの間に所要のスペース量を必要とせず、第２のレジストの塑性変形がある場合の素子突出量制御の概要を説明するための説明図である。
【００６５】
同図の前提として、第２のレジストの熱膨張によってシールド１０６ｂの塑性変形が起こる素子突出量は、１０ｎｍであり、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダとの隙間は、当初１４ｎｍであるとする。先ず、ヘッドスライダ支持部材およびヘッドスライダ支持機構の製造工程時において、第２のヒータ１０１への通電による第２のレジスト１０２の熱膨張によるシールド１０６ｂの変形によって、１０ｎｍの素子突出量が確保され、第１のヒータ１０３への通電による第１のレジスト１０４の熱膨張によるシールド１０６ａの変形によって、４ｎｍの素子突出量が確保されたとする。このとき、素子の先端が、磁気ディスクの表面と接触する。
【００６６】
この場合、シールド１０６ａの変形は、弾性変形であり、シールド１０６ｂの変形は、塑性変形である。この状況から磁気ディスク装置を実施に使用する段階へ移行すると、第２のヒータ１０１への通電を停止して第１のヒータ１０３のみへの通電を行う。そして、シールド１０６ｂの弾性変形によって確保される１０ｎｍの素子突出量と、第１のヒータ１０３のみへの通電による第１のレジスト１０４の熱膨張によるシールド１０６ａの弾性変形によって確保される４ｎｍの素子突出量とをあわせて、１４ｎｍの素子突出量が確保される。このようにして、実使用時においても、磁気ディスク表面への素子の先端の接触が維持されることとなる。
【００６７】
次に、記憶媒体と磁気ヘッドスライダとの間に所要のスペース量を必要とし、第２のレジストの塑性変形がない場合の素子突出量制御の概要について説明する。図７は、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダとの間に所要のスペース量を必要とし、第２のレジストの塑性変形がない場合の素子突出量制御の概要を説明するための説明図である。
【００６８】
同図の前提として、第２のレジストの熱膨張によってシールド１０６ｂの塑性変形が起こる素子突出量は、１０ｎｍであり、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダとの隙間（磁気ヘッドスライダの浮上量）は、当初１０ｎｍであるとする。また、当該磁気ディスク装置が必要とする、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダとの所要の隙間（磁気ヘッドスライダの浮上量）は、３ｎｍであるとする。先ず、第１のヒータ１０３への通電による第１のレジスト１０４の熱膨張によるシールド１０６ａの変形によって、３ｎｍの素子突出量を確保しておき、さらに第２のヒータ１０１への通電による第２のレジスト１０２の熱膨張によるシールド１０６ｂの変形によって、７ｎｍの素子突出量を確保する。このとき、素子の先端が、磁気ディスクの表面と接触する。なお、第１のヒータ１０３への通電による第１のレジスト１０４の熱膨張によるシールド１０６ａの変形によって確保される３ｎｍの素子突出量は、当該磁気ディスク装置が必要とする所要の隙間に一致する。
【００６９】
この場合、シールド１０６ａおよびシールド１０６ｂの変形は、ともに塑性変形である。この状況から磁気ディスク装置を実施に使用する段階へ移行すると、第２のヒータ１０１への通電を停止して第１のヒータ１０３のみへの通電を行う。そして、第１のヒータ１０３のみへの通電による第１のレジスト１０４の熱膨張によるシールド１０６ａの弾性変形によって、７ｎｍの素子突出量を確保することとなる。このようにして、実使用時においても、磁気ディスク表面からの素子の浮上量として３ｎｍが確保されることとなる。
【００７０】
次に、記憶媒体と磁気ヘッドスライダとの間に所要のスペース量を必要とし、第２のレジストの塑性変形がある場合の素子突出量制御の概要を説明する。図８は、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダとの間に所要のスペース量を必要とし、第２のレジストの塑性変形がある場合の素子突出量制御の概要を説明するための説明図である。
【００７１】
同図の前提として、第２のレジストの熱膨張によってシールド１０６ｂの塑性変形が起こる素子突出量は、１０ｎｍであり、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダとの隙間は、当初１５ｎｍであるとする。また、当該磁気ディスク装置が必要とする、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダとの所要の隙間（磁気ヘッドスライダの浮上量）は、３ｎｍであるとする。先ず、第１のヒータ１０３への通電による第１のレジスト１０４の熱膨張によるシールド１０６ａの変形によって、３ｎｍの素子突出量を確保しておき、さらに第２のヒータ１０１への通電による第２のレジスト１０２の熱膨張によるシールド１０６ｂの塑性変形によって、１０ｎｍの素子突出量を確保する。さらに、第１のヒータ１０３への通電を継続し、第１のレジスト１０４の熱膨張によるシールド１０６ａの変形によって、２ｎｍの素子突出量の増加量がさらに確保されたとする。このとき、素子の先端が、磁気ディスクの表面と接触する。この２ｎｍの素子突出量の増加量に相当する通電制御量は、通電制御部４０３によって所定の記憶領域に記憶される。
【００７２】
この場合、シールド１０６ａの変形は、弾性変形であり、シールド１０６ｂの変形は、塑性変形である。この状況から磁気ディスク装置を実施に使用する段階へ移行すると、第２のヒータ１０１への通電を停止して第１のヒータ１０３のみへの通電を行う。そして、シールド１０６ｂの弾性変形によって確保される１０ｎｍの素子突出量と、第１のヒータ１０３のみへの通電の制御による第１のレジスト１０４の熱膨張の調整によるシールド１０６ａの弾性変形によって確保される、前述の素子突出量の増加量と一致する２ｎｍの素子突出量とをあわせて、１２ｎｍの素子突出量が確保される。このようにして、実使用時においても、磁気ディスク表面からの素子の浮上量として３ｎｍが確保されることとなる。
【００７３】
次に、図２および３に示したヘッドテスタ部４０１が、磁気ディスク３００の表面へ向けて突き出させられたリード素子１０７およびライト素子１０８と、磁気ディスク３００の表面との接触（タッチダウン）を検知する手法について説明する。図９は、磁気ディスクと磁気ヘッドスライダとのタッチダウンポイントを検出するためのヒータ出力と素子出力との関係を示す図である。
【００７４】
ヘッドテスタ部４０１は、第１のヒータ１０３および第２のヒータ１０１が通電されることによって出力するヒータ出力（ｍＷ）に対するヘッド（リード素子１０７およびライト素子１０８）のヘッド出力（μＶ）を監視する。ヒータ出力がｘ（ｍＷ）のときのヘッド出力をＶＦ２（ｘ）（μＶ）とする。ヘッド出力は、増幅部４０２によって検知された上で増幅され、ヘッドテスタ部４０１へ入力される。
【００７５】
ｘ＝０（ｍＷ）のときのヘッド出力ＶＦ２（０）と、ｘ＝ｘ1（ｍＷ）のときのヘッド出力ＶＦ２（ｘ1）とから、以下に示す数式（Wallaceの式）を用いて、ヘッドの磁気ディスク表面からの浮上量の変化（リード素子１０７またはライト素子１０８を突出させたことによってスペーシング量の変化、すなわち、リード素子１０７またはライト素子１０８の突出量、以下、これを「Delta_SP」とする）を推定することが可能である。そして、タッチダウンポイント（リード素子１０７またはライト素子１０８が磁気ディスクに接触したポイント）を検出することによって、リード素子１０７またはライト素子１０８の磁気ディスクからの浮上量を見積もることが可能となる。
【００７６】
ヘッドが浮上して位置する磁気ディスクの回転半径をＲ（ｍｍ）、磁気ディスク回転数をｒ（ｒｐｍ）、ヘッド出力周波数をＦ（Ｍｆｒｐｓ）とすると、ヒータ出力がｘ＝ｘ1（ｍＷ）およびヘッド出力がＶＦ２（ｘ1）のときのDelta_SPは、次式で算出される。なお、Ｒ、ｒは、測定条件に基づく定数である。また、ＶＦ２（ｘ1）はｘ1に依存する変数となる。
【００７７】
【数１】
2008112545.tif 000003
【００７８】
すなわち、上記（１）式を用いることによって、ヒータ出力およびヘッド出力が分かっていれば、Delta_SPが推定されることとなる。ただし、（１）式中の対数は、自然対数である。
【００７９】
また、ヘッドテスタ部４０１は、第１のヒータ１０３および第２のヒータ１０１が通電されることによって出力するヒータ出力（ｍＷ）に対するヘッド（リード素子１０７およびライト素子１０８）のヘッド出力（μＶ）を監視した結果、ヒータ出力の変化に対してヘッド出力の変化が“０”または“ほぼ０”となったとき、すなわち、ＶＦ２（ｘ）の飽和が検出されたとき、ヘッドが磁気ディスク３００の表面と接触したと見なす（これがタッチダウンポイントの検出である）。
【００８０】
なお、ヘッドの記憶媒体からの浮上量を算出するための手法は、上記に示したものに限られるものではない。例えば、所定の記憶領域に、ヒータへの通電量と素子の突出量との関係、もしくはヒータ出力と素子の突出量との関係を予め保持しておき、この保持内容から浮上量を算出することとしてもよい。
【００８１】
また、記憶媒体と磁気ヘッドスライダとのタッチダウンポイントを検出するための手法も、上記に示したものに限られるものではない。例えば、ヘッドが磁気ディスク表面と接触した場合に発生する微小な振動を検知するアコースティック・エミッション・センサを利用してヘッドと磁気ディスク表面との接触を検知することとしてもよい。また、光学的手法を利用してヘッドと磁気ディスク表面との接触を検知することとしてもよい。
【００８２】
以上説明した実施例によれば、塑性変形によって突出したヘッドが、ヘッドと磁気ディスク間の距離が、ヘッド取り付け当初の誤差により従来よりも大きくとも、これを補正することが可能であるため、ヘッドの記憶装置への取り付け精度への要求が緩和され歩留り率の向上が見込める。
【００８３】
また、磁気ディスク装置使用中に磁気ヘッドスライダへなんら通電等をせずとも、磁気ヘッドスライダの所定部位が塑性変形しているため、弾性変形量を低減することができ、そのため弾性変形を起こすための電力を低減することが可能となる。これによって、磁気ディスク装置の消費電力の低減を図ることが可能となる。また、弾性変形量が低減することによって、磁気ディスク装置の消費電力を増加させることなく、ヘッドの突出にかかる時間を短縮することが可能となる。
【００８４】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明は、これに限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した技術的思想の範囲内で、更に種々の異なる実施例で実施されてもよいものである。また、実施例に記載した効果は、これに限定されるものではない。
【００８５】
例えば、磁気ヘッドスライダ１００の所定の部位を塑性変形させる複数のレジストを利用して、磁気ヘッドスライダ１００の複数箇所において塑性変形を発生させることにより、多段階にスペーシングを制御することとしてもよい。
【００８６】
なお、この場合に、塑性変形を起こすしきい値の異なるレジストを複数組み合わせて、スペーシングに応じて塑性変形させるレジストを選択することとしいてもよい。例えば、レジストＡ（５ｎｍで塑性変形を発生させることが可能）とレジストＢ（１０ｎｍで塑性変形を発生させることが可能)とで、磁気ディスク装置使用時の必要な空間が３ｎｍだった場合を考える。これらのレジストは、一度塑性変形を起こすとそれ以上塑性変形できない場合を想定している。
【００８７】
このとき、磁気ディスク製造時におけるヘッドと磁気ディスクとの空間が“３〜７ｎｍ”の場合は、レジストＡおよびレジストＢの両方とも塑性変形を発生させない。また、磁気ディスク製造時におけるヘッドと磁気ディスクとの空間が“８〜１２ｎｍ”の場合は、レジストＡのみ塑性変形を発生させる。また、磁気ディスク製造時におけるヘッドと磁気ディスクとの空間が“１３〜１７ｎｍ”の場合は、レジストＢのみ塑性変形を発生させる。また、磁気ディスク製造時におけるヘッドと磁気ディスクとの空間が“１８ｎｍ以上”の場合は、レジストＡおよびレジストＢの両方とも塑性変形を発生させる。このようにして、磁気ディスク製造時におけるヘッドと磁気ディスクとの空間に応じてきめ細かにスペーシングを行うことが可能となる。
【００８８】
本発明は、塑性変形量が固定（もしくは増加のみ）なので、温度・気圧等の環境など使用環境が比較的変動しにくい箇所で用いられる磁気ディスク装置に適用することが好適であり、より効果的である。この場合に、磁気ディスクが本来備える性能を十分に発揮させることが可能となる。
【００８９】
上記実施例において説明した各処理のうち、自動的におこなわれるものとして説明した処理の全部または一部を手動的におこなうこともでき、あるいは、手動的におこなわれるものとして説明した処理の全部または一部を公知の方法で自動的におこなうこともできる。この他、上記実施例で示した処理手順、制御手順、具体的名称、各種のデータやパラメータを含む情報については、特記する場合を除いて任意に変更することができる。
【００９０】
また、図示した各装置の各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示のように構成されていることを要しない。すなわち、各装置の分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず、その全部または一部を、各種の負荷や使用状況などに応じて、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することができる。
【００９１】
さらに、各装置にて行なわれる各処理機能は、その全部または任意の一部が、ＣＰＵ（Central Processing Init）（またはＭＰＵ（Micro Processing Unit）、ＭＣＵ（Micro Controller Unit）などのマイクロ・コンピュータ）および当該ＣＰＵ（またはＭＰＵ、ＭＣＵなどのマイクロ・コンピュータ）にて解析実行されるプログラムにて実現され、あるいは、ワイヤードロジックによるハードウェアとして実現されてもよい。
【００９２】
（付記１）内部に配される熱膨張体を加熱して膨張させることによって記憶媒体との間で情報の読み書きを行うヘッドを突出させて該ヘッドの該記憶媒体からの浮上量を調整するヘッドスライダを、該記憶媒体に対して所定状態に支持するヘッドスライダ支持部材を備えたヘッドスライダ支持機構の製造方法であって、
前記ヘッドスライダの内部において前記ヘッドの近傍に配される第１の熱膨張体より上層に配された第２の熱膨張体を加熱して該ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることによって該ヘッドを突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第１の加熱ステップ
を含んだことを特徴とするヘッドスライダ支持機構の製造方法。
【００９３】
（付記２）前記第１の熱膨張体を加熱して前記ヘッドスライダの所定部位を弾性変形させることによって前記ヘッドをさらに突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を測定する測定ステップと、
前記測定ステップによって測定された前記ヘッドの浮上量に基づいて、該ヘッドの該記憶媒体からの浮上量を決定する浮上量決定ステップと、
前記浮上量決定ステップにより決定された前記浮上量を保持するため前記第１の熱膨張体への加熱を調整する第２の加熱ステップと
を含んだことを特徴とする付記１に記載のヘッドスライダ支持機構の製造方法。
【００９４】
（付記３）内部に配される熱膨張体を加熱して膨張させることによって記憶媒体との間で情報の読み書きを行うヘッドを突出させて該ヘッドの該記憶媒体からの浮上量を調整するヘッドスライダを、該記憶媒体に対して所定状態に支持するヘッドスライダ支持部材を備えたヘッドスライダ支持機構の製造方法であって、
前記ヘッドスライダの内部において前記ヘッドの近傍に配される第１の熱膨張体を加熱して該ヘッドスライダの所定部位を弾性変形させることによって該ヘッドを突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第１の加熱ステップと、
前記第１の熱膨張体より上層に配された第２の熱膨張体を加熱して前記ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることによって前記ヘッドをさらに突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第２の加熱ステップと
を含んだことを特徴とするヘッドスライダ支持機構の製造方法。
【００９５】
（付記４）前記第１の熱膨張体をさらに加熱して前記ヘッドスライダの所定部位を弾性変形させることによって前記ヘッドをさらに突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を測定する測定ステップと、
前記測定ステップによって測定された前記浮上量を保持するため、前記第２の熱膨張体をさらに加熱して前記ヘッドスライダの所定部位をさらに塑性変形させることによって前記ヘッドをさらに突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第３の加熱ステップと
をさらに含んだことを特徴とする付記３に記載のヘッドスライダ支持機構の製造方法。
【００９６】
（付記５）前記第１の熱膨張体をさらに加熱して前記ヘッドスライダの所定部位を弾性変形させることによって前記ヘッドをさらに突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を測定する測定ステップと、
前記測定ステップによって測定された前記浮上量を保持するため前記第１の熱膨張体への加熱を調整する加熱調整ステップと
をさらに含んだことを特徴とする付記３に記載のヘッドスライダ支持機構の製造方法。
【００９７】
（付記６）前記ヘッドスライダの内部に該ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることが可能な前記第２の熱膨張体が複数備えられており、
前記ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量に応じて少なくとも一つの前記第２の熱膨張体を選択する選択ステップをさらに含み、
前記選択ステップによって選択された前記第２の熱膨張体を所定量だけ加熱して前記ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることによって前記ヘッドを突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整することを特徴とする付記１〜５のいずれか一つに記載のヘッドスライダ支持機構の製造方法。
【００９８】
（付記７）前記複数の第２の熱膨張体は、前記ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させるために必要な加熱量のしきい値が異なっており、
前記選択ステップは、前記しきい値が大きい前記第２の熱膨張体を優先的に選択することを特徴とする付記６に記載のヘッドスライダ支持機構の製造方法。
【００９９】
（付記８）内部に配される熱膨張体を加熱して膨張させることによって記憶媒体との間で情報の読み書きを行うヘッドを突出させて該ヘッドの該記憶媒体からの浮上量を調整するヘッドスライダであって、
前記ヘッドスライダの内部において前記ヘッドの近傍に配され、加熱により前記ヘッドスライダの所定部位を弾性変形させることによって前記ヘッドを突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第１の熱膨張体と、
前記ヘッドスライダの内部において前記第１の熱膨張体より上層に配され、加熱により前記ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることによって前記ヘッドを突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第２の熱膨張体と
を備えたことを特徴とするヘッドスライダ。
【０１００】
（付記９）前記ヘッドスライダの内部に該ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることが可能な前記第２の熱膨張体が複数備えられたことを特徴とする付記８に記載のヘッドスライダ。
【０１０１】
（付記１０）前記複数の第２の熱膨張体は、前記ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させるために必要な加熱量のしきい値が異なっていることを特徴とする付記９に記載のヘッドスライダ。
【０１０２】
（付記１１）内部においてヘッドの近傍に配される第１の熱膨張体を加熱することにより該第１の熱膨張体を膨張させることによって所定部位を弾性変形させて記憶媒体との間で情報の読み書きを行うヘッドを突出させて該ヘッドの該記憶媒体からの浮上量を調整するヘッドスライダを、該記憶媒体に対して所定状態に支持するヘッドスライダ支持部材を備えた記憶装置であって、
前記ヘッドスライダの内部において前記第１の熱膨張体より上層に配され、加熱により前記ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させることによって前記ヘッドを突出させて該ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を調整する第２の熱膨張体と、
前記ヘッドの前記記憶媒体からの浮上量を所定値とするための前記第１の熱膨張体および前記第２の熱膨張体への加熱制御量を保持する保持手段と
を備えたことを特徴とする記憶装置。
【０１０３】
（付記１２）前記保持手段は、前記加熱制御量として、前記第１の熱膨張体および前記第２の熱膨張体へ加熱する加熱手段への通電量を保持することを特徴とする付記１１に記載の記憶装置。
【０１０４】
（付記１３）前記ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させる前記第２の熱膨張体を複数備えたことを特徴とする付記１１または１２に記載の記憶装置。
【０１０５】
（付記１４）前記複数の第２の熱膨張体は、前記ヘッドスライダの所定部位を塑性変形させるために必要な加熱量のしきい値が異なっていることを特徴とする付記１３に記載の記憶装置。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明は、磁気ディスク装置の磁気ヘッドの記憶媒体面からの浮上量が大きい場合でも、磁気ヘッドの記憶媒体面からの浮上量を要求される水準まで少なくしたい場合に有用であり、特に、磁気ディスクの読み書き性能の向上を図るとともに、磁気ヘッドの記憶媒体面からの浮上量を要求される水準まで少なくすることによって、要求水準を満たさずに破棄されていた磁気ヘッドを含むヘッドスライダ支持部材およびヘッドスライダ支持機構を救済して、生産歩留まりを向上させたい場合に有効である。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】実施例に係る磁気ヘッドスライダの構成を概略的に示す断面図である。
【図２】実施例に係る記憶装置の構成を概略的に示す斜視図である。
【図３】実施例に係る素子浮上量制御装置の制御回路の構成を示す機能ブロック図である。
【図４】素子浮上量制御処理手順を示すフローチャートである。
【図５】磁気ディスクと磁気ヘッドスライダとの間に所要のスペース量を必要とせず、第２のレジストの塑性変形がない場合の素子突出量制御の概要を説明するための説明図である。
【図６】磁気ディスクと磁気ヘッドスライダとの間に所要のスペース量を必要とせず、第２のレジストの塑性変形がある場合の素子突出量制御の概要を説明するための説明図である。
【図７】磁気ディスクと磁気ヘッドスライダとの間に所要のスペース量を必要とし、第２のレジストの塑性変形がない場合の素子突出量制御の概要を説明するための説明図である。
【図８】磁気ディスクと磁気ヘッドスライダとの間に所要のスペース量を必要とし、第２のレジストの塑性変形がある場合の素子突出量制御の概要を説明するための説明図である。
【図９】磁気ディスクと磁気ヘッドスライダとのタッチダウンポイントを検出するためのヒータ出力と素子出力との関係を示す図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１００    磁気ヘッドスライダ
１０１    第２のヒータ
１０２    第２のレジスト
１０３    第１のヒータ
１０４    第１のレジスト
１０５    ライトコイル
１０６ａ    シールド
１０６ｂ    シールド
１０７    リード素子
１０８    ライト素子
１０９    アルミナ部
１１０    アルチック部
２０１    アクチュエータアーム
２０１ａ    ヘッドサスペンション
２０１ｂ    支軸
２０２    アクチュエータブロック
３００    磁気ディスク
４００    素子浮上量制御装置
４０１    ヘッドテスタ部
４０２    増幅部
４０３    通電制御部
５００    端末装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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