(57)【要約】【課題】安定的なアドレス放電を行うプラズマ表示装置及びその駆動方法を提供すること。【解決手段】プラズマ表示装置は複数の第１電極を含み、複数の第１電極は少なくとも２個のグループに分離される。このようなプラズマ表示装置で、第１グループの第１電極に形成される第１グループのセルを初期化し、第１グループのセルの中で発光セルと非発光セルを選択した後に維持放電させる。そして、第２グループの第１電極に形成される第２グループのセルを初期化し、第２グループのセルの中で発光セルと非発光セルを選択した後に維持放電させる。これによって、アドレス低放電を防止することができる。そして、各グループの選択回路を利用して各グループを選択的にリセットさせることによって駆動回路を追加する必要がない。【選択図】図２
2008242417.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１電極、そして前記複数の第１電極と交差する複数の第２電極を含むプラズマ表示装置を駆動する方法において：
前記複数の第１電極を少なくとも２個のグループに分離する段階と;
第１期間で第１グループの第１電極に形成される第１グループのセルを初期化する段階と;
第２期間で前記第１グループのセルの中で発光セルと非発光セルを選択する段階と;
第３期間で、前記第２期間で発光セル状態に設定された第１発光セルを維持放電させる段階と;
第４期間で第２グループの第１電極に形成される第２グループのセルを初期化する段階と;
第５期間で前記第２グループのセルの中で発光セルと非発光セルを選択する段階と;
第６期間で、前記第５期間で発光セル状態に設定された第２発光セルを維持放電させる段階と；
を含むことを特徴とする、プラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項２】
前記第４期間で前記第１グループのセルは初期化されず、
前記第６期間で前記第１発光セルが維持放電されることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項３】
第７期間で前記第１グループのセルを初期化する段階と;
第８期間で前記第１グループのセルの中で発光セルと非発光セルを選択する段階と;
及び第９期間で、前記第８期間で発光セロ設定された第３発光セルを維持放電させる段階と；をさらに含み、
前記第７期間で前記第２グループのセルは初期化されず、
前記第９期間で前記第２発光セルが維持放電されることを特徴とする、請求項２に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項４】
前記第３期間で発生する維持放電回数は、前記第９期間で発生する維持放電回数と同一であることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項５】
前記第１グループのセルを初期化する段階は、
前記第１期間で、第１電圧から第２電圧まで漸進的に上昇して第３電圧まで漸進的に下降する第１波形を前記第１グループの走査電極に印加し、第４電圧まで漸進的に上昇して第５電圧まで漸進的に下降する第２波形を前記第２グループの走査電極に印加する段階を含み、
前記第２電圧は前記第４電圧より高い電圧であることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項６】
前記第２期間で前記第１グループの第１電極の中で選択しようとする第１電極に第６電圧の走査パルスが印加され、選択しようとしない第１電極に前記第６電圧より高い第７電圧が印加され、
前記第７電圧と前記第６電圧の差は前記第１電圧と同一であることを特徴とする、請求項５に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項７】
前記第１期間で前記第２グループのセルは初期化されないことを特徴とする、請求項５に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項８】
前記第２グループのセルを初期化する段階は、
前記第４期間で前記第１波形を前記第２グループの第１電極に印加し、前記第２波形を前記第１グループの第１電極に印加する段階を含み、
前記第４期間で前記第１グループのセルは初期化されないことを特徴とする、請求項５に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項９】
前記第２電圧と前記第４電圧の差は前記第７電圧と前記第６電圧の差と同一であることを特徴とする、請求項６に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項１０】
前記プラズマ表示装置は前記複数の第１電極と同一方向に形成される複数の第３電極をさらに含み、
前記第６期間で前記複数の第３電極に第１電圧を印加した状態で前記第１グループの第１電極と前記第２グループの第１電極にそれぞれ第２電圧と第３電圧が印加されて、最後の維持放電が前記第２発光セルでのみ発生し、
前記第７期間で前記第１グループの第１電極及び前記第２グループの第１電極の電圧が前記第１電圧より低い第４電圧まで漸進的に下降し、
前記第２電圧及び前記第３電圧は前記第１電圧より低いことを特徴とする、請求項３に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項１１】
前記第２電圧は前記第３電圧より高いことを特徴とする、請求項１０に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項１２】
前記第７期間では前記第１発光セルでのみリセット放電が発生することを特徴とする、請求項１０に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項１３】
前記第１期間、前記第２期間及び前記第３期間は第１グループの第１サブフィールドに対応し、
前記第４期間、前記第５期間及び前記第６期間は第２グループの第１サブフィールドに対応し、
前記第１グループの第１サブフィールド及び前記第２グループの第１サブフィールドは加重値の最も低いサブフィールドであることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項１４】
前記第３期間では前記第１発光セルのみが維持放電され、
前記第６期間では前記第２発光セルのみが維持放電されることを特徴とする、請求項１３に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項１５】
前記第１グループのセルを初期化する段階は、前記第１期間で前記第１グループの第１電極及び前記第２グループの第１電極の電圧を第１電圧まで漸進的に上昇させた後、第２電圧まで漸進的に下降させる段階を含み、
前記第２グループのセルを初期化する段階は、前記第４期間で前記第１グループの第１電極及び前記第２グループの第１電極の電圧を第３電圧まで漸進的に上昇させた後、第４電圧まで漸進的に下降させる段階を含み、
前記第１期間で前記第１グループのセルと前記第２グループのセルが初期化され、前記第４期間で前記第１グループのセルと前記第２グループのセルが初期化されることを特徴とする、請求項１３に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項１６】
前記第１電圧と前記第３電圧は同一な電圧であり、前記第２電圧と前記第４電圧は同一な電圧であることを特徴とする、請求項１５に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項１７】
前記第１期間、前記第２期間及び前記第３期間は第１グループの第１サブフィールドに対応し、前記第４期間、前記第５期間及び前記第６期間は第２グループの第１サブフィールドに対応し、
前記第１グループの第１サブフィールド及び前記第２グループの第１サブフィールドより低い加重値を有する第２サブフィールドで、
前記複数の第１電極に形成されるすべての放電セルを初期化する段階;
前記全ての放電セルの中で発光セルと非発光セルを選択した後、維持放電させる段階；をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項１８】
前記第１乃至前記第９期間は連続する期間であることを特徴とする、請求項３に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項１９】
前記第１グループの第１電極は前記複数の第１電極の中で奇数番目第１電極であり、前記第２グループの第１電極は前記複数の第１電極の中で偶数番目第１電極であることを特徴とする、請求項１乃至１８のいずれかに記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項２０】
複数の第１電極、そして前記複数の第１電極と交差する複数の第２電極を含むプラズマ表示装置を駆動する方法において、
第１サブフィールドの第１期間で前記複数の第１電極に形成されるセルを初期化する段階と;
前記第１サブフィールドの第２期間で前記セルの中で発光セルと非発光セルを選択した後、維持放電させる段階と;
第２サブフィールドの第１期間で、前記複数の第１電極の中で第１グループの第１電極に形成される第１グループのセルを初期化する段階と;
前記第２サブフィールドの第２期間で、前記第１グループのセルの中で発光セルと非発光セルを選択する段階と;
前記第２サブフィールドの第３期間で、前記第２サブフィールドの第２期間で発光セルに設定された第１発光セルを維持放電させる段階と;
前記第２サブフィールドの第４期間で、前記複数の第１電極の中で第２グループの第１電極に形成される第２グループのセルで発光セルと非発光セルを選択する段階と;
前記第２サブフィールドの第５期間で、前記第２サブフィールドの第４期間で発光セル状態に設定された第２発光セルを維持放電させる段階と；
を含むことを特徴とする、プラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項２１】
前記第２サブフィールドの第１期間で前記第２グループのセルも初期化されることを特徴とする、請求項２０に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項２２】
第２サブフィールドの第６期間で前記第２グループのセルを初期化する段階をさらに含み、
前記第２サブフィールドの第６期間は前記第２サブフィールドの第３期間と前記第２サブフィールドの第４期間との間の期間であることを特徴とする、請求項２１に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項２３】
前記第２サブフィールドの第６期間では前記第１グループのセルは初期化されず、
前記第１発光セルは前記第２サブフィールドの第５期間で維持放電されることを特徴とする、請求項２２に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項２４】
前記第１サブフィールドは加重値の最も低いサブフィールドであることを特徴とする、請求項２０に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項２５】
前記第１サブフィールドの第１期間で前記セルを初期化する段階は、
前記複数の第１電極の電圧を第１電圧から第２電圧まで漸進的に上昇させる段階;
前記複数の第１電極の電圧を前記第２電圧より低い第３電圧まで漸進的に下降させる段階を含み、
前記第１サブフィールドの第２期間で前記複数の第１電極の中で選択しようとする第１電極に第４電圧の走査パルスが印加され、選択しようとしない第１電極に前記第４電圧より高い第５電圧が印加され、
前記第５電圧と前記第４電圧の差は前記第１電圧と同一であることを特徴とする、請求項２０に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項２６】
前記第２グループのセルを初期化する段階は、
前記第２サブフィールドの第６期間で、第１電圧から第２電圧まで漸進的に上昇して第３電圧まで漸進的に下降する波形を前記第１グループの走査電極に印加し、第４電圧まで漸進的に上昇して第５電圧まで漸進的に下降する波形を前記第２グループの走査電極に印加する段階を含み、
前記第２電圧は前記第４電圧より高い電圧であることを特徴とする、請求項２２に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項２７】
前記第２サブフィールドの第４期間で前記第２グループの第１電極の中で選択しようとする第１電極に第６電圧の走査パルスが印加され、選択しようとしない第１電極に前記第６電圧より高い第７電圧が印加され、
前記第７電圧と前記第６電圧の差は前記第１電圧と同一であることを特徴とする、請求項２６に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項２８】
前記第２サブフィールドは前記第１サブフィールドの次に加重値が高いことを特徴とする、請求項２４に記載のプラズマ表示装置の駆動方法。
【請求項２９】
第１方向に形成される複数の第１電極及び前記第１方向と交差する方向の第２方向に形成される複数の第２電極を含み、前記複数の第１電極は第１グループの第１電極及び第２グループの第１電極を含む複数のグループに分けられるプラズマ表示パネル;及び
１つのフレームを複数のサブフィールドに分けて前記プラズマ表示パネルを駆動する駆動部を含み、
前記駆動部は、
第１サブフィールドの第１期間で前記第１グループの第１電極に形成される第１グループのセルを初期化し、前記第１サブフィールドの第２期間で第１グループのセルの中で発光セルと非発光セルを選択し、前記第１サブフィールドの第１期間で発光セルに設定された第１発光セルを前記第１サブフィールドの第３期間で維持放電させ、
前記第１サブフィールドの第４期間で前記第２グループの第１電極に形成される第２グループのセルを初期化し、前記第１サブフィールドの第５期間で前記第２グループのセルの中で発光セルと非発光セルを選択し、前記第１サブフィールドの第５期間で発光セル状態に設定された第２発光セルを前記第１サブフィールドの第６期間で維持放電させることを特徴とするプラズマ表示装置。
【請求項３０】
前記駆動部は、
前記第１サブフィールドの第４期間で、第１電圧から第２電圧まで漸進的に上昇した後、第３電圧まで漸進的に下降する第１波形を前記第２グループの第１電極に印加し、第４電圧まで漸進的に上昇した後、第５電圧まで漸進的に下降する第２波形を前記第１グループの第１電極に印加し、
前記第２電圧は前記第４電圧より高く、前記第１サブフィールドの第４期間では前記第１グループのセルは初期化されないことを特徴とする、請求項２９に記載のプラズマ表示装置。
【請求項３１】
前記第１発光セルは前記第１サブフィールドの第６期間で維持放電されることを特徴とする、請求項３０に記載のプラズマ表示装置。
【請求項３２】
前記第２電圧は前記第１グループのセルの中で前記第１サブフィールドの直前サブフィールドで維持放電されたセルのみをリセット放電させる電圧レベルであることを特徴とする、請求項３０に記載のプラズマ表示装置。
【請求項３３】
前記第２電圧は前記第１グループのセルの全てのセルをリセット放電させる電圧レベルであることを特徴とする、請求項３０に記載のプラズマ表示装置。
【請求項３４】
前記駆動部は、
前記第１サブフィールドの第５期間で前記第２グループの第１電極の中で選択しようとする第１電極に第６電圧の走査パルスを印加し、選択しようとしない第１電極に前記第６電圧より高い第７電圧を印加し、
前記第７電圧と前記第６電圧の差は前記第１電圧と同一であることを特徴とする、請求項３０に記載のプラズマ表示装置。
【請求項３５】
前記駆動部は、
前記第１サブフィールドの第１期間で第６電圧から第７電圧まで漸進的に上昇した後、第８電圧まで漸進的に下降する第３波形を前記第１グループの第１電極に印加し、第９電圧まで漸進的に上昇した後、第１０電圧まで漸進的に下降する第４波形を前記第２グループの第１電極に印加し、
前記第７電圧は前記第９電圧より高く、前記第１サブフィールドの第１期間では前記第２グループのセルは初期化されないことを特徴とする、請求項３０に記載のプラズマ表示装置。
【請求項３６】
前記第１サブフィールドの直前サブフィールドで前記第２グループのセルの中で発光セル状態に設定されて維持放電されたセルは、前記第１サブフィールドの第３期間で維持放電されることを特徴とする、請求項３５に記載のプラズマ表示装置。
【請求項３７】
前記第１サブフィールドは加重値の最も少ないサブフィールドであり、
前記駆動部は前記第１サブフィールドの第１期間で前記第１グループの第１電極及び前記第２グループの第１電極の電圧を第１電圧から第２電圧まで漸進的に上昇させた後、第３電圧まで下降させ、
前記第１サブフィールドの第１期間で前記第２グループのセルも初期化されることを特徴とする、請求項２９に記載のプラズマ表示装置。
【請求項３８】
前記駆動部は前記第１サブフィールドの第４期間で前記第１グループの第１電極及び前記第２グループの第１電極の電圧を前記第１電圧から第４電圧まで漸進的に上昇させた後、前記第３電圧まで漸進的に下降させ、
前記第４電圧を前記第２電圧より低い電圧であり、前記第１サブフィールドの第４期間で前記第１グループのセルも初期化されることを特徴とする、請求項３７に記載のプラズマ表示装置。
【請求項３９】
前記駆動部は、
前記第１サブフィールドより低い加重値を有する第２サブフィールドで、
前記複数の第１電極に形成される全ての放電セルを初期化し、前記全ての放電セルの中で発光セルと非発光セルを選択した後に維持放電させることを特徴とする、請求項２９に記載のプラズマ表示装置。
【請求項４０】
前記プラズマ表示パネルは前記第１方向と同一方向に形成される複数の第３電極をさらに含み、
前記駆動部は、
前記第１サブフィールドの第３期間で前記複数の第３電極に第１電圧を印加した状態で前記第１グループの第１電極と前記第２グループの第２電極にそれぞれ第２電圧と第３電圧を印加して前記第１発光セルでのみ最後の維持放電を発生させ、
前記第１サブフィールドの第４期間で前記第１グループの第１電極及び前記第２グループの第１電極の電圧を前記第１電圧より低い第４電圧まで漸進的に下降させ、
前記第２電圧と前記第３電圧は前記第１電圧より低いことを特徴とする、請求項２９に記載のプラズマ表示装置。
【請求項４１】
前記第３電圧は前記第２電圧より高いことを特徴とする、請求項４０に記載のプラズマ表示装置。
【請求項４２】
複数の走査電極を含み、前記複数の走査電極は第１グループ及び第２グループを含む複数のグループに分けられるプラズマ表示パネル;及び
前記第１グループの走査電極と前記第２グループの走査電極にそれぞれ電気的に接続される第１グループの選択回路と第２グループの選択回路を含み、前記プラズマ表示パネルを駆動する駆動部を含み、
前記選択回それぞれは相互間の接続点が前記複数の走査電極それぞれに電気的に接続される第１トランジスターと第２トランジスターを含み、
前記駆動部は、
前記第１グループの選択回路の第１トランジスターと前記第２グループの選択回路の第１トランジスターに一端が電気的に接続され、前記第１グループの選択回路の第１トランジスターと前記第２グループの選択回路の第２トランジスターに他端が電気的に接続され、アドレス期間に前記走査電極に印加される週四電圧と非走査電圧の差である第１電圧が充電されているキャパシタ;及び
第２電圧を供給する第１電源と前記キャパシタの前記他端の間に電気的に接続する第３トランジスターをさらに含み、
第１リセット期間で前記第１電源、前記第３トランジスター、前記キャパシタ及び前記第１グループの選択回路の第１トランジスターを通って前記第１グループの走査電極に第１リセット波形が印加され、
前記第１リセット期間で前記第１電源、前記第３トランジスター、前記第２グループの選択回路の第２トランジスターを通って前記第２グループの走査電極に第２リセット波形が印加されることを特徴とするプラズマ表示装置。
【請求項４３】
前記第１リセット期間で、前記第１グループの走査電極の電圧は前記第１電圧と前記第２電圧の合計に相当する電圧まで漸進的に上昇し、前記第２グループの走査電極の電圧は前記第２電圧まで漸進的に上昇することを特徴とする、請求項４２に記載のプラズマ表示装置。
【請求項４４】
前記第３トランジスターはランプスイッチであることを特徴とする、請求項４３に記載のプラズマ表示装置。
【請求項４５】
前記駆動部は前記第２電圧より低い第３電圧を供給する第２電源と前記キャパシタの前記他端の間に電気的に接続する第４トランジスターをさらに含み、
第２リセット期間で前記第２電源、前記第４トランジスター、前記キャパシタ及び前記第１グループの選択回路の第１トランジスターを通って前記第１グループの走査電極に第３リセット波形が印加され、
前記第２リセット期間で前記第２電源、前記第４トランジスター、前記第２グループの選択回路の第２トランジスターを通って前記第２グループの走査電極に第４リセット波形が印加されることを特徴とする、請求項４２に記載のプラズマ表示装置。
【請求項４６】
前記第２リセット期間で、前記第１グループの走査電極の電圧は前記第３電圧と前記第１電圧の合計に相当する電圧まで漸進的に上昇し、前記第２グループの走査電極の電圧は前記第３電圧まで漸進的に上昇することを特徴とする、請求項４５に記載のプラズマ表示装置。
【請求項４７】
前記第１電圧と前記第２電圧の合計は前記第１グループの走査電極及び前記第２グループの走査電極に形成される全てのセルをリセット放電させる電圧であることを特徴とする、請求項４３に記載のプラズマ表示装置。
【請求項４８】
前記第３電圧と前記第１電圧の合計は前記第２リセット期間が含まれるサブフィールドの直前サブフィールドで維持放電されたセルのみをリセット放電させる電圧であることを特徴とする、請求項４６に記載のプラズマ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ表示装置の駆動方法及びプラズマ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ表示装置は気体放電によって生成されたプラズマを利用して文字または映像を表示するプラズマ表示パネルを利用する表示装置である。このようなプラズマ表示パネルには複数の放電セルがマトリックス形態に配列されている。
【０００３】
このようなプラズマ表示装置は１つのフレームがそれぞれの加重値を有する複数のサブフィールドに分割されて駆動され、各サブフィールドはリセット期間、アドレス期間及び維持期間で構成される。リセット期間はアドレス放電を安定的に行うためにセルの状態を初期化する期間であり、アドレス期間は複数のセルの中で発光セルと非発光セルを選択する期間である。そして、維持期間は実際に画像を表示するために発光セルに対して維持放電を行う期間である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般にリセット期間後の壁電荷状態はアドレス放電が安定的に行われるように設定される。そして、アドレス期間では走査電極に順次にスキャンパルスを印加し、発光セルに対応するアドレス電極にアドレス電圧を印加して発光セルが選択される。しかしながら、時間的に遅くスキャンパルスが印加される走査電極に対応するセルの場合はリセット期間後の壁電荷状態が消失する場合が発生する。つまり、リセット期間で設定された壁電荷状態が時間の経過に伴って消失が発生し、時間的に遅く選択される放電セルの場合には壁電荷消失がさらに激しくなる。このような壁電荷の消失によって時間的に遅く選択されるセルの場合、アドレス低放電が発生することがある。一方、このような壁電荷の消失は高温またはプライミング粒子が多い場合にさらに激しくなる。
【０００５】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、安定的なアドレス放電を行うことが可能な、新規かつ改良されたプラズマ表示装置及びその駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、複数の第１電極、そして前記複数の第１電極と交差する複数の第２電極を含むプラズマ表示装置を駆動する方法が提供される。この駆動方法は、前記複数の第１電極を少なくとも２個のグループに分離する段階;第１期間で第１グループの第１電極に形成される第１グループのセルを初期化する段階;第２期間で前記第１グループのセルの中で発光セルと非発光セルを選択する段階;第３期間で、前記第２期間で発光セル状態に設定された第１発光セルを維持放電させる段階;第４期間で第２グループの第１電極に形成される第２グループのセルを初期化する段階;第５期間で前記第２グループのセルの中で発光セルと非発光セルを選択する段階;及び第６期間で、前記第５期間で発光セル状態に設定された第２発光セルを維持放電させる段階を含む。ここで、前記第４期間で前記第１グループのセルは初期化されず、前記第６期間で前記第１発光セルが維持放電されるものであってもよい。
【０００７】
そして、前記駆動方法は、第７期間で前記第１グループのセルを初期化する段階;第８期間で前記第１グループのセルの中で発光セルと非発光セルを選択する段階;及び、第９期間で、前記第８期間で発光セルに設定された第３発光セルを維持放電させる段階をさらに含み、前記第７期間で前記第２グループのセルは初期化されず、前記第９期間で前記第２発光セルが維持放電されるものであってもよい。ここで、前記第３期間で発生される維持放電回数は前記第９期間で発生される維持放電回数と同一であってよい。
【０００８】
また、前記第１グループのセルを初期化する段階は、前記第１期間で、第１電圧から第２電圧まで漸進的に上昇して第３電圧まで漸進的に下降する第１波形を前記第１グループの走査電極に印加し、第４電圧まで漸進的に上昇して第５電圧まで漸進的に下降する第２波形を前記第２グループの走査電極に印加する段階を含み、前記第２電圧は前記第４電圧より高い電圧であってもよい。また、前記第２期間で前記第１グループの第１電極の中で選択しようとする第１電極に第６電圧の走査パルスが印加され、選択しようとしない第１電極に前記第６電圧より高い第７電圧が印加され、前記第７電圧と前記第６電圧の差は前記第１電圧と同一であってもよい。また、前記第１期間で前記第２グループのセルは初期化されないものであってもよい。また、前記第２グループのセルを初期化する段階は、前記第４期間で前記第１波形を前記第２グループの第１電極に印加し、前記第２波形を前記第１グループの第１電極に印加する段階を含み、前記第４期間で前記第１グループのセルは初期化されないものであってもよい。また、前記第２電圧と前記第４電圧の差は前記第７電圧と前記第６電圧の差と同一であってもよい。
【０００９】
前記プラズマ表示装置は前記複数の第１電極と同一方向に形成される複数の第３電極をさらに含み、前記第６期間で前記複数の第３電極に第１電圧を印加した状態で前記第１グループの第１電極と前記第２グループの第１電極にそれぞれ第２電圧と第３電圧が印加されて最後の維持放電が前記第２発光セルでのみ発生し、前記第７期間で前記第１グループの第１電極及び前記第２グループの第１電極の電圧が前記第１電圧より低い第４電圧まで漸進的に下降し、前記第２電圧及び前記第３電圧は前記第１電圧より低いものであってもよい。
【００１０】
また、前記第２電圧は前記第３電圧より高いものであってもよい。また、前記第７期間では前記第１発光セルでのみリセット放電が発生するものであってもよい。
【００１１】
一方、前記第１期間、前記第２期間及び前記第３期間は第１グループの第１サブフィールドに対応し、前記第４期間、前記第５期間及び前記第６期間は第２グループの第１サブフィールドに対応し、前記第１グループの第１サブフィールド及び前記第２グループの第１サブフィールドは加重値の最も低いサブフィールドであっても良い。ここで、前記第３期間では前記第１発光セルのみが維持放電され、前記第６期間では前記第２発光セルのみが維持放電されるものであってもよい。
【００１２】
また、前記第１グループのセルを初期化する段階は、前記第１期間で前記第１グループの第１電極及び前記第２グループの第１電極の電圧を第１電圧まで漸進的に上昇させた後、第２電圧まで漸進的に下降させる段階を含み、前記第２グループのセルを初期化する段階は、前記第４期間で前記第１グループの第１電極及び前記第２グループの第１電極の電圧を第３電圧まで漸進的に上昇させた後、第４電圧まで漸進的に下降させる段階を含み、前記第１期間で前記第１グループのセルと前記第２グループのセルが初期化され、前記第４期間で前記第１グループのセルと前記第２グループのセルが初期化されるものであってもよい。
【００１３】
また、前記第１電圧と前記第３電圧は同一な電圧であり、前記第２電圧と前記第４電圧は同一な電圧であってもよい。
【００１４】
前記第１期間、前記第２期間及び前記第３期間は第１グループの第１サブフィールドに対応し、前記第４期間、前記第５期間及び前記第６期間は第２グループの第１サブフィールドに対応し、前記第１グループの第１サブフィールド及び前記第２グループの第１サブフィールドより低い加重値を有する第２サブフィールドで、前記複数の第１電極に形成される全ての放電セルを初期化する段階;及び、前記全ての放電セルの中で発光セルと非発光セルを選択した後、維持放電させる段階をさらに含むことができる。また、前記第１乃至前記第９期間は連続する期間であってもよい。また、前記第１グループの第１電極は前記複数の第１電極の中で奇数番目第１電極であり、前記第２グループの第１電極は前記複数の第１電極の中で偶数番目第１電極であってもよい。
【００１５】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、複数の第１電極、そして前記複数の第１電極と交差する複数の第２電極を含むプラズマ表示装置を駆動する方法が提供される。この駆動方法は、第１サブフィールドの第１期間で前記複数の第１電極に形成されるセルを初期化する段階;前記第１サブフィールドの第２期間で前記セルの中で発光セルと非発光セルを選択した後に維持放電させる段階;第２サブフィールドの第１期間で、前記複数の第１電極の中で第１グループの第１電極に形成される第１グループのセルを初期化する段階;前記第２サブフィールドの第２期間で、前記第１グループのセルの中で発光セルと非発光セルを選択する段階;前記第２サブフィールドの第３期間で、前記第２サブフィールドの第２期間で発光セルに設定された第１発光セルウル維持放電させる段階;前記第２サブフィールドの第４期間で、前記複数の第１電極の中で第２グループの第１電極に形成される第２グループのセルで発光セルと非発光セルを選択する段階;及び、前記第２サブフィールドの第５期間で、前記第２サブフィールドの第４期間で発光セル状態に設定された第２発光セルを維持放電させる段階を含む。ここで、前記第２サブフィールドの第１期間で前記第２グループのセルも初期化されるものであってもよい。そして、前記駆動方法は、第２サブフィールドの第６期間で前記第２グループのセルを初期化する段階をさらに含むことができ、前記第２サブフィールドの第６期間は前記第２サブフィールドの第３期間と前記第２サブフィールドの第４期間の間の期間であってもよい。
【００１６】
また、前記第２サブフィールドの第６期間では前記第１グループのセルは初期化されず、前記第１発光セルは前記第２サブフィールドの第５期間で維持放電されるものであってもよい。また、前記第１サブフィールドは加重値の最も低いサブフィールドであってもよい。また、前記第１サブフィールドの第１期間で前記セルを初期化する段階は、前記複数の第１電極の電圧を第１電圧から第２電圧まで漸進的に上昇させる段階;前記複数の第１電極の電圧を前記第２電圧より低い第３電圧まで漸進的に下降させる段階を含み、前記第１サブフィールドの第２期間で前記複数の第１電極の中で選択しようとする第１電極に第４電圧の走査パルスが印加され、選択しようとしない第１電極に前記第４電圧より高い第５電圧が印加され、前記第５電圧と前記第４電圧の差は前記第１電圧と同一であるものであってもよい。また、前記第２グループのセルを初期化する段階は、前記第２サブフィールドの第６期間で、第１電圧から第２電圧まで漸進的に上昇して第３電圧まで漸進的に下降する波形を前記第１グループの走査電極に印加し、第４電圧まで漸進的に上昇して第５電圧まで漸進的に下降する波形を前記第２グループの走査電極に印加する段階を含み、前記第２電圧は前記第４電圧より高い電圧であるものであってもよい。また、前記第２サブフィールドの第４期間で前記第２グループの第１電極の中で選択しようとする第１電極に第６電圧の走査パルスが印加され、選択しようとしない第１電極に前記第６電圧より高い第７電圧が印加され、前記第７電圧と前記第６電圧の差は前記第１電圧と同一であるものであってもよい。
【００１７】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、他のプラズマ表示装置が提供される。このプラズマ表示装置は、第１方向に形成される複数の第１電極及び前記第１方向と交差する方向である第２方向に形成される複数の第２電極を含み、前記複数の第１電極は第１グループの第１電極及び第２グループの第１電極を含む複数のグループに分けられるプラズマ表示パネル;及び、１つのフレームを複数のサブフィールドに分けて前記プラズマ表示パネルを駆動する駆動部を含む。前記駆動部は、第１サブフィールドの第１期間で前記第１グループの第１電極に形成される第１グループのセルを初期化し、前記第１サブフィールドの第２期間で第１グループのセルの中で発光セルと非発光セルを選択し、前記第１サブフィールドの第１期間で発光セルに設定された第１発光セルを前記第１サブフィールドの第３期間で維持放電させ、前記第１サブフィールドの第４期間で前記第２グループの第１電極に形成される第２グループのセルを初期化し、前記第１サブフィールドの第５期間で前記第２グループのセルの中で発光セルと非発光セルを選択し、前記第１サブフィールドの第５期間で発光セル状態に設定された第２発光セルを前記第１サブフィールドの第６期間で維持放電させる。
【００１８】
前記駆動部は、前記第１サブフィールドの第４期間で、第１電圧から第２電圧まで漸進的に上昇した後第３電圧まで漸進的に下降する第１波形を前記第２グループの第１電極に印加し第４電圧まで漸進的に上昇した後、第５電圧まで漸進的に下降する第２波形を前記第１グループの第１電極に印加し、前記第２電圧は前記第４電圧より高く、前記第１サブフィールドの第４期間では前記第１グループのセルは初期化されないものであってもよい。そして、前記第１発光セルは前記第１サブフィールドの第６期間で維持放電されることができる。前記第２電圧は前記第１グループのセルの中で前記第１サブフィールドの直前サブフィールドで維持放電されたセルのみをリセット放電させる電圧レベルであるものであってもよい。また、前記第２電圧は前記第１グループのセルの全てのセルをリセット放電させる電圧レベルであってもよい。
【００１９】
また、前記第１サブフィールドの第５期間で前記第２グループの第１電極の中で選択しようとする第１電極に第６電圧の走査パルスを印加し、選択しようとしない第１電極に前記第６電圧より高い第７電圧を印加し、前記第７電圧と前記第６電圧の差は前記第１電圧と同一であるものであってもよい。前記駆動部は、前記第１サブフィールドの第１期間で第６電圧から第７電圧まで漸進的に上昇した後、第８電圧まで漸進的に下降する第３波形を前記第１グループの第１電極に印加し、第９電圧まで漸進的に上昇した後、第１０電圧まで漸進的に下降する第４波形を前記第２グループの第１電極に印加し、前記第７電圧は前記第９電圧より高く、前記第１サブフィールドの第１期間では前記第２グループのセルは初期化されないものであってもよい。また、前記第１サブフィールドの直前サブフィールドで前記第２グループのセルの中で発光セル状態に設定されて維持放電されたセルは、前記第１サブフィールドの第３期間で維持放電されるものであってもよい。
【００２０】
一方、前記第１サブフィールドは加重値の最も少ないサブフィールドであり、前記駆動部は前記第１サブフィールドの第１期間で前記第１グループの第１電極及び前記第２グループの第１電極の電圧を第１電圧から第２電圧まで漸進的に上昇させた後に第３電圧まで下降させ、前記第１サブフィールドの第１期間で前記第２グループのセルも初期化されるものであってもよい。ここで、前記駆動部は前記第１サブフィールドの第４期間で前記第１グループの第１電極及び前記第２グループの第１電極の電圧を前記第１電圧から第４電圧まで漸進的に上昇させた後に前記第３電圧まで漸進的に下降させ、前記第４電圧を前記第２電圧より低い電圧であり、前記第１サブフィールドの第４期間で前記第１グループのセルも初期化されるものであってもよい。また、前記駆動部は、前記第１サブフィールドより低い加重値を有する第２サブフィールドで、前記複数の第１電極に形成される全ての放電セルを初期化し、前記全ての放電セルの中で発光セルと非発光セルを選択した後に維持放電させるものであってもよい。
【００２１】
前記プラズマ表示パネルは前記第１方向と同一方向に形成される複数の第３電極をさらに含み、前記駆動部は、前記第１サブフィールドの第３期間で前記複数の第３電極に第１電圧を印加した状態で前記第１グループの第１電極と前記第２グループの第２電極にそれぞれ第２電圧と第３電圧を印加し、前記第１発光セルでのみ最後の維持放電を発生させ、前記第１サブフィールドの第４期間で前記第１グループの第１電極及び前記第２グループの第１電極の電圧を前記第１電圧より低い第４電圧まで漸進的に下降させ、前記第２電圧と前記第３電圧は前記第１電圧より低いものであってもよい。
【００２２】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、他のプラズマ表示装置が提供される。このプラズマ表示装置は、複数の走査電極を含み、前記複数の走査電極は第１グループ及び第２グループを含む複数のグループに分けられるプラズマ表示パネル;及び、前記第１グループの走査電極と前記第２グループの走査電極にそれぞれ電気的に接続される第１グループの選択回路と第２グループの選択回路を含み、前記プラズマ表示パネルを駆動する駆動部を含む。前記選択回路それぞれは相互間の接続点が前記複数の走査電極それぞれに電気的に接続される第１トランジスターと第２トランジスターを含む。前記駆動部は、前記第１グループの選択回路の第１トランジスターと前記第２グループの選択回路の第１トランジスターに一端が電気的に接続され、前記第１グループの選択回路の第１トランジスターと前記第２グループの選択回路の第２トランジスターに他端が電気的に接続され、アドレス期間に前記走査電極に印加される週四電圧と非走査電圧の差である第１電圧が充電されるキャパシタ;及び、第２電圧を供給する第１電源と前記キャパシタの前記他端の間に電気的に接続する第３トランジスターをさらに含み、第１リセット期間で前記第１電源、前記第３トランジスター、前記キャパシタ及び前記第１グループの選択回路の第１トランジスターを通って前記第１グループの走査電極に第１リセット波形が印加され、前記第１リセット期間で前記第１電源、前記第３トランジスター、前記第２グループの選択回路の第２トランジスターを通って前記第２グループの走査電極に第２リセット波形が印加される。
【００２３】
ここで、前記第１リセット期間で、前記第１グループの走査電極の電圧は前記第１電圧と前記第２電圧の合計に相当する電圧まで漸進的に上昇し、前記第２グループの走査電極の電圧は前記第２電圧まで漸進的に上昇するものであってもよい。前記第３トランジスターはランプスイッチであってもよい。
【００２４】
一方、前記駆動部は前記第２電圧より低い第３電圧を供給する第２電源と前記キャパシタの前記他端の間に電気的に接続される第４トランジスターをさらに含み、第２リセット期間で前記第２電源、前記第４トランジスター、前記キャパシタ及び前記第１グループの選択回路の第１トランジスターを通って前記第１グループの走査電極に第３リセット波形が印加され、前記第２リセット期間で前記第２電源、前記第４トランジスター、前記第２グループの選択回路の第２トランジスターを通って前記第２グループの走査電極に第４リセット波形が印加されるものであってもよい。ここで、前記第２リセット期間で、前記第１グループの走査電極の電圧は前記第３電圧と前記第１電圧の合計に相当する電圧まで漸進的に上昇し、前記第２グループの走査電極の電圧は前記第３電圧まで漸進的に上昇するものであってもよい。また、前記第１電圧と前記第２電圧の合計は前記第１グループの走査電極及び前記第２グループの走査電極に形成される全てのセルをリセット放電させる電圧であってもよい。また、前記第３電圧と前記第１電圧の合計は前記第２リセット期間が含まれるサブフィールドの直前サブフィールドで維持放電されたセルのみをリセット放電させる電圧であるものであってもよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、複数の走査電極を各グループに分けて駆動することによって、リセット期間の後、アドレス期間終了までの時間を減らすことができ、これによってアドレス低放電を防止することができる。そして、各グループの選択回路を利用して各グループを選択的にリセットさせることによって駆動回路を追加する必要がなくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２７】
本明細書全体においてある部分が他の部分と“接続”されていると記載している場合、これは“直接的に接続”されている場合だけでなく、その中間に他の素子を介して“電気的に接続”されている場合も含む。また、ある部分がある構成要素を“含む”と記載している場合、特にこれに反する記載がない限り、他の構成要素を除くことではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【００２８】
また、明細書全体で言及する“壁電荷”とはセルの壁（例えば、誘電体層）上で各電極に近く形成される電荷のことを言う。そして壁電荷は実際に電極自体に接触されるわけではないが、ここでは電極に“形成される”、“蓄積される”または“積もる”のように説明、記載する。“壁電圧”は壁電荷によりセルの壁に形成される電位差のことである。
【００２９】
そして、明細書全体で電圧を維持するという表現は、特定２点間の電位差が時間経過によって変化してもその変化が設計上許容できる範囲内であるか、変化の原因が当業者の設計慣行では無視されている寄生成分による場合を含む。また、放電電圧に比べて半導体素子（トランジスタ、ダイオードなど）のしきい電圧が非常に低いので、しきい電圧を０Ｖと見なして近似処理する場合がある。
【００３０】
次に、本発明の実施形態によるプラズマ表示装置及びその駆動方法について図面を参照して詳細に説明する。
【００３１】
図１は本発明の実施例によるプラズマ表示装置の概略的な構成を示す図面である。図１に示したように、本発明の実施例によるプラズマ表示装置はプラズマ表示パネル１００、制御部２００、アドレス電極駆動部３００、走査電極駆動部４００及び維持電極駆動部５００を含む。
【００３２】
プラズマ表示パネル１００は列方向に伸びる複数のアドレス電極（以下、“Ａ電極”と言う；Ａ１〜Ａｍ）、そして行方向に互いに対をなして伸びる複数の走査電極（以下、“Ｙ電極”と言う；Ｙ１〜Ｙｎ）及び複数の維持電極（以下、“Ｘ電極”と言う；Ｘ１〜Ｘｎ）を含む。Ｘ電極（Ｘ１〜Ｘｎ）は各Ｙ電極（Ｙ１〜Ｙｎ）に対応して形成され、一般にその一端が互いに共通に接続されている。そしてプラズマ表示パネル１００はＸ及びＹ電極（Ｘ１〜Ｘｎ、Ｙ１〜Ｙｎ）が配列された基板（図示せず）とＡ電極（Ａ１〜Ａｍ）が配列された基板（図示せず）からなる。２つの基板はＹ電極（Ｙ１〜Ｙｎ）とＡ電極（Ａ１〜Ａｍ）及びＸ電極（Ｘ１〜Ｘｎ）とＡ電極（Ａ１〜Ａｍ）がそれぞれ直交するように放電空間を介して対向配置される。この時、Ａ電極（Ａ１〜Ａｍ）とＸ及びＹ電極（Ｘ１〜Ｘｎ、Ｙ１〜Ｙｎ）の交差部にある放電空間が放電セルを形成する。このようなプラズマ表示パネル１００の構造は一例であり、以下で説明する駆動方法が適用できる他の構造のパネルも本発明に適用できる。
【００３３】
制御部２００は外部から映像信号を受信してアドレス電極駆動制御信号、走査電極駆動制御信号及び維持電極駆動制御信号を出力する。そして制御部２００は１つのフレームを複数のサブフィールドに分割して駆動し、各サブフィールドは時間的な動作変化で表現すると、リセット期間、アドレス期間及び維持期間からなる。一方、以下で説明するように本発明の実施例ではアドレス低放電を防止するためにＹ電極（Ｙ１〜Ｙｎ）を少なくとも２個のグループに分割後、各グループのＹ電極に対してリセット期間、アドレス期間及び維持期間が行われる。
【００３４】
アドレス駆動部３００は制御部２００からアドレス電極駆動制御信号を受信して表示しようとする放電セルを選択するための表示データ信号を各Ａ電極（Ａ１〜Ａｍ）に印加する。
【００３５】
走査電極駆動部４００は制御部２００から走査電極駆動制御信号を受信してＹ電極（Ｙ１〜Ｙｎ）に駆動電圧を印加する。
【００３６】
維持電極駆動部５００は制御部２００から維持電極駆動制御信号を受信してＸ電極（Ｘ１〜Ｘｎ）に駆動電圧を印加する。
【００３７】
次に、図２及び図３を参照して本発明の第１実施例によるプラズマ表示装置の駆動方法について説明する。
【００３８】
図２は本発明の第１実施例によるプラズマ表示装置のサブフィールド構造を示す図面であり、図３は図２のようなサブフィールド構造に適用される駆動波形を示す図面である。
【００３９】
図２及び図３では便宜上複数のＹ電極（Ｙ１〜Ｙｎ）が２つのグループ（ＹＧ１、ＹＧ２）に分けられた場合、各グループに適用されるサブフィールド構造及び駆動波形を示している。このような複数のＹ電極（Ｙ１〜Ｙｎ）は少なくとも２つのグループ（ＹＧ１、ＹＧ２）に分けることができ、第１グループのＹ電極ＹＧ１は奇数番目Ｙ電極であり、第２グループのＹ電極ＹＧ２は偶数番目Ｙ電極であり得る。一方、図２及び図３でＧ１の記号は第１グループのＹ電極ＹＧ１に形成されるセルを示し、Ｇ２の記号は第２グループのＹ電極ＹＧ２に形成されるセルを示す。
【００４０】
図２を参照すると、第１グループＧ１に対して１つのフィールドは複数のサブフィールド（ＳＦ１〜ＳＦ８）に分けられ、第２グループＧ２に対しても１つのフィールドは複数のサブフィールド（ＳＦ１'〜ＳＦ８'）に分けられる。そして各サブフィールドはリセット期間（図２に図示せず）、アドレス期間及び維持期間からなり、各サブフィールドは階調表示のために所定の加重値を有する。図２では便宜上リセット期間を示さなかったが、各グループのアドレス期間の前には当該グループを初期化するためのリセット期間が位置する。各グループのアドレス期間で発光セルが選択された後、各グループに対する維持期間が直ちに位置する。一方、図２では各グループに対して１つのフィールドが８個のサブフィールドに分けられたことを示しているが、それ以上或いはそれ以下のサブフィールドに分けられてもよい。
【００４１】
まず、第１グループの第１サブフィールドＳＦ１で、第１グループＧ１のセルの中で発光セルと非発光セルを選択するアドレス期間ＡＤ１が行われた後、第１グループの維持期間Ｓ１１が行われる。そして、第２グループＧ２のセルの中で発光セルと非発光セルを選択するアドレス期間ＡＤ１'が行われた後、第２グループの維持期間Ｓ１１'が行われる。第２グループの維持期間Ｓ１１'では第１グループの維持期間Ｓ２１も共に行われる。つまり、第１グループのアドレス期間（ＡＤ１で発光セル状態に設定されたセルは第２グループの維持期間Ｓ１１'でも依然として発光セル状態で残っているので、第２グループの維持期間Ｓ１１'でも維持期間Ｓ２１が行われる。一方、第１グループの維持期間Ｓ１１では第２グループに対する直前フィールドの最後のサブフィールドの一部維持期間Ｓ８２'も共に行われる。
【００４２】
次に、第１グループの第２サブフィールドＳＦ２で第１グループＧ１のセルの中で発光セルと非発光セルを選択するアドレス期間ＡＤ２が行われた後、第１グループの維持期間Ｓ２１が行われる。ここで、第１グループの維持期間Ｓ２１では第２グループの維持期間Ｓ１２'も共に行われる。そして、第２グループＧ２のセルの中で発光セルと非発光セルを選択するアドレス期間ＡＤ２'が行われた後、第２グループの維持期間Ｓ２１'が行われる。第２グループの維持期間Ｓ２１'では第１グループの維持期間Ｓ２２も共に行われる。
【００４３】
このように方法で他のサブフィールドに対しても各グループのアドレス期間後、直ちに維持期間が位置し、第１グループの一部維持期間と第２グループの一部維持期間は互いに共に行われる。これとサブフィールド構造を通って既に全ての放電セルに対してアドレス期間を行った後、維持期間を行う従来に比べて当該グループのリセット期間後にアドレス期間終了までの間隔を半分に減らすことができる。もし、グループをｎ個のグループに分けた場合には、当該グループのリセット期間後、アドレス期間終了までの間隔を１/ｎに減らすことができる。
【００４４】
一方、第１グループＧ１と第２グループＧ２間に同一な加重値を有するサブフィールドは互いに所定の時間差を有する。例えば、第１グループに第２サブフィールドＳＦ２が行われる間に第２グループの第１サブフィールドＳＦ１'が一部行われる。このように第１グループＧ１と第２グループＧ２間に所定の時間差を有するので、第１グループＧ１のフィールドと第２グループＧ２のフィールドも互いに時間差が発生する。
【００４５】
そして、各グループに対して同一な加重値を有するサブフィールドの維持期間（つまり、維持放電回数）を合わせるために、各サブフィールドは単位（ｕｎｉｔ）維持期間を共通に有する。つまり、図２に示したように第１グループの各サブフィールドで最初に発生する維持期間（Ｓ１１、Ｓ２１、Ｓ３１…Ｓ８１）は互いに同一な長さを有する単位維持期間であり、第２グループの各サブフィールドで２番目に発生する維持期間（Ｓ１２'、Ｓ２２'、Ｓ３２'…Ｓ８２'）も単位維持期間である。
【００４６】
以下、図３を参照して図２のようなサブフィールド構造に適用される駆動波形について説明する。
【００４７】
図３では便宜上各グループに対する複数のサブフィールドのうちの一部サブフィールドのみを示した。つまり、第１グループＧ１の第１乃至第３サブフィールド（ＳＦ１〜ＳＦ３）と第２グループＧ２の第１乃至第３サブフィールド（ＳＦ１'〜ＳＦ３'）のみを示した。また、図３では便宜上１つのセルを形成するＡ電極、Ｘ電極、第１グループ及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）に印加される駆動波形についてのみ説明する。
【００４８】
図３に示したように、各グループのアドレス期間の前には当該グループに対してリセット放電を発生させるリセット期間が位置する。図３で、第１グループ第１サブフィールドのリセット期間Ｒ１はメインリセット期間で示し、第１グループの残りリセット期間（Ｒ２、Ｒ３…）は補助リセット期間で示した。そして、第２グループ第１サブフィールドのリセット期間Ｒ１’はメインリセット期間で示し、第２グループの残りリセット期間（Ｒ２'、Ｒ３'…）は補助リセット期間で示した。ここで、メインリセット期間は当該グループの全てのセルでリセット放電を起こすリセット期間を意味し、補助リセット期間は直前サブフィールドで維持放電が起こった発光セルでのみリセット放電を起こすリセット期間を意味する。
【００４９】
図３を参照すると、まず、第１グループ第１サブフィールドのメインリセット期間Ｒ１でＸ電極とＡ電極に基準電圧（図３で基準電圧を接地電圧（０Ｖ）に仮定した、以下でも同一）を印加した状態で、第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧をＶｓｃＨ電圧からＶｓｅｔ１電圧まで漸進的に増加させる。図３では第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧がランプ形態で増加することを示したが、漸進的に上昇する他の形態の電圧波形が印加されることもできる。第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧が増加する間に第１グループのＹ電極ＹＧ１とＸ電極の間及び第１グループのＹ電極ＹＧ１とＡ電極の間で約放電が起こりながら、第１グループのＹ電極ＹＧ１には（-）壁電荷が形成され、Ａ電極及びＸ電極には（+）壁電荷が形成される。この時、第１グループＧ１の全てのセルで放電が起こるようにＶｓｅｔ１電圧はＸ電極とＹ電極の間の放電開始電圧Ｖｆｘｙより大きく設定することができる。
【００５０】
一方、図３では第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧をＶｓｃＨ（ＶｓｃＨ-ＶｓｃＬ）で上昇させることを示したが、これはの以下の図９で説明する１つの走査電極駆動回路を通って２つのグループに対してリセット動作を選択的に印加するためである。したがって、波形的な観点ではＶｓｃＨ電圧を他の電圧に設定することができる。
【００５１】
次いで、Ａ電極とＸ電極にそれぞれ基準電圧とＶｅ電圧を印加した状態で、第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧を基準電圧からＶｎｆ電圧まで減少させる。第１グループのＹ電極ＹＧ１が減少する間に第１グループのＹ電極ＹＧ１とＸ電極の間で約放電が発生し、第１グループのＹ電極ＹＧ１とＡ電極の間で約放電が発生する。その結果、第１グループのＹ電極ＹＧ１に形成された（-）壁電荷が消去され、Ｘ電極とＡ電極の（+）壁電荷が消去される。一般に、アドレス期間で選択されていないセルが維持期間で誤放電が起こることを防止するために、Ｙ電極とＸ電極の間の壁電圧がほとんど０Ｖに近くＶｅ電圧とＶｎｆ電圧が設定される。つまり、（Ｖｅ-Ｖｎｆ）電圧がＹ電極とＸ電極の間の放電開始電圧Ｖｆｘｙ程度に設定される。
【００５２】
一方、第１グループ第１サブフィールドのメインリセット期間Ｒ１で、第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧を基準電圧からＶｓｅｔ３電圧まで上昇させた後、基準電圧からＶｎｆ電圧まで下降させる。ここで、Ｖｓｅｔ３電圧は第２グループのセルに対してリセット放電が起こらない程度のレベルに設定される。その結果、第２グループのセルについてはリセット放電が発生せず、既存の壁電荷状態をそのまま維持する。一方、以下の図９で説明するように、１つの走査電極駆動回路を通って２つのグループに対してリセット動作を選択的に印加するためにＶｓｅｔ３は（Ｖｓｅｔ１-ＶｓｃＨ）に設定することができる。
【００５３】
第１グループ第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１ではＸ電極にＶｅ電圧を印加した状態で第１グループＧ１のセルの中で発光セルを選択するために第１グループのＹ電極ＹＧ１電極とＡ電極にそれぞれＶｓｃＬ電圧を有する走査パルス及びＶａ電圧を有するアドレスパルスを印加する。そして、第１グループＹ電極ＹＧ１の中で選択されないＹ電極にはＶｓｃＬ電圧より高いＶｓｃＨ電圧でバイアスされ、非発光セルのＡ電極には基準電圧が印加される。一方、第２グループのＹ電極ＹＧ２にはＶｓｃＨ電圧が印加される。その結果、第１グループ第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１では第１グループＧ１のセルに対してのみ発光セルが選択される。ここで、ＶｓｃＬ電圧はＶｎｆ電圧と同一であるか低い電圧であり得る。
【００５４】
次に、第１グループ第１サブフィールドの維持期間Ｓ１１ではハイレベル電圧Ｖｓとローレベル電圧（０Ｖ）を有する維持放電パルスを第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）とＸ電極に反対地位で交互に印加する。その結果、第１グループ第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。ここで、図３では維持放電パルスの回数を２回印加することを示したが、単位維持期間に設定される維持放電パルスの回数に応じて変動することができる。
【００５５】
一方、第１グループ第１サブフィールドの維持期間Ｓ１１では第２グループＧ２のセルの中で直前フィールドの最後サブフィールドで発光セル状態に設定されたセル（つまり、第２グループ直前フィールドの第８サブフィールドＳＦ８'で維持放電されたセルである）も維持放電されることができる。
【００５６】
次に、第２グループ第１サブフィールドのメインリセット期間Ｒ１’で、Ｘ電極とＡ電極に基準電圧を印加した状態で第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧をＶｓｃＨ電圧からＶｓｅｔ１電圧まで漸進的に増加させる。そして、Ａ電極とＸ電極にそれぞれ基準電圧とＶｅ電圧を印加した状態で第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧を基準電圧からＶｎｆ電圧まで減少させる。Ｖｓｅｔ１電圧は全てのセルが放電できるレベルであるので、第２グループＧ２の全てのセルでリセット放電が発生する。
【００５７】
一方、第２グループ第１サブフィールドのメインリセット期間Ｒ１’で第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧をＶｓｅｔ３電圧まで上昇させた後、Ｖｎｆ電圧まで下降させる。ここで、Ｖｓｅｔ３電圧はリセット放電が起こらない程度のレベルであるので、第１グループＧ１のセルではリセット放電が発生しない。したがって、第１グループＧ１のセルは直前状態である発光セル状態をそのまま維持する。
【００５８】
第２グループ第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１'ではＸ電極にＶｅ電圧を印加した状態で第２グループＧ２のセルの中で発光セルを選択するために第２グループのＹ電極ＹＧ２電極とＡ電極にそれぞれＶｓｃＬ電圧を有する走査パルス及びＶａ電圧を有するアドレスパルスを印加する。そして、第２グループＹ電極ＹＧ２の中で選択されないＹ電極にはＶｓｃＬ電圧より高いＶｓｃＨ電圧でバイアスされ、非発光セルのＡ電極には基準電圧が印加される。一方、第１グループのＹ電極ＹＧ１にはＶｓｃＨ電圧が印加される。その結果、第２グループ第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１'では第２グループＧ１のセルに対してのみ発光セルが選択される。
【００５９】
次に、第２グループ第１サブフィールドの維持期間Ｓ１１'ではハイレベル電圧Ｖｓとローレベル電圧（０Ｖ）を有する維持放電パルスを第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）とＸ電極に反対地位で交互に印加する。その結果、第２グループ第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１'で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。つまり、第２グループＧ２のセルの中で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。一方、前記で説明したように第１グループＧ１のセルも第２グループ第１サブフィールドのメインリセット期間Ｒ１’でリセットされていないので、第１グループＧ１のセルの中でアドレス期間ＡＤ１で発光セル状態に設定されたセルも維持放電される。つまり、第２グループ第１サブフィールドの維持期間Ｓ１１'で第１グループ第１サブフィールドの維持期間Ｓ１２も共に行われる。
【００６０】
第１グループ第２サブフィールドの補助リセット期間Ｒ２で、Ｘ電極とＡ電極に基準電圧を印加した状態で第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧をＶｓｃＨ電圧からＶｓｅｔ２電圧まで漸進的に増加させる。そして、Ａ電極とＸ電極にそれぞれ基準電圧とＶｅ電圧を印加した状態で、第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧を基準電圧からＶｎｆ電圧まで減少させる。Ｖｓｅｔ２電圧は直前サブフィールドで維持放電されたセルのみを放電させることができるレベルに設定される。その結果、第１グループＧ１のセルの中で直前サブフィールドＳＦ１で維持放電されたセルでのみリセット放電が発生する。そして、第１グループＧ１のセルの中で直前サブフィールドＳＦ１で発光セル状態に設定されずに維持放電されていないセルは直前サブフィールドリセット期間Ｒ１の壁電荷状態をそのまま維持している。したがって、第１グループＧ１第２サブフィールドの補助リセット期間Ｒ２では第１グループＧ１のセルが初期化される。
【００６１】
一方、第１グループ第２サブフィールドの補助リセット期間Ｒ２で第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧をＶｓｅｔ４電圧まで上昇させた後、Ｖｎｆ電圧まで下降させる。ここで、Ｖｓｅｔ４電圧はリセット放電が起こらない程度のレベルであるので、第２グループＧ２のセルはリセット放電が発生しない。したがって第２グループＧ２のセルは直前状態の発光セル状態をそのまま維持する。下記の図９で説明するように、１つの走査電極駆動回路を通って２つのグループに対してリセット動作を選択的に印加するために、Ｖｓｅｔ４は（Ｖｓｅｔ２-ＶｓｃＨ）に設定することができる。
【００６２】
第１グループ第２サブフィールドのアドレス期間ＡＤ２ではＸ電極にＶｅ電圧を印加した状態で第１グループＧ１のセルの中で発光セルを選択するために第１グループのＹ電極ＹＧ２電極とＡ電極にそれぞれＶｓｃＬ電圧を有する走査パルス及びＶａ電圧を有するアドレスパルスを印加する。そして、第１グループＹ電極ＹＧ１の中で選択されないＹ電極にはＶｓｃＬ電圧より高いＶｓｃＨ電圧でバイアスされ、非発光セルのＡ電極には基準電圧が印加される。一方、第２グループのＹ電極ＹＧ２にはＶｓｃＨ電圧が印加される。その結果、第１グループ第２サブフィールドのアドレス期間ＡＤ２では第１グループＧ１のセルに対してのみ発光セルが選択される。
【００６３】
次に、第１グループ第２サブフィールドの維持期間Ｓ２１ではハイレベル電圧Ｖｓとローレベル電圧（０Ｖ）を有する維持放電パルスを第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）とＸ電極に反対地位で交互に印加する。その結果、第１グループ第２サブフィールドのアドレス期間ＡＤ２で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。つまり、第１グループＧ１のセルの中で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。一方、前記で説明したように第２グループＧ１のセルも第１グループ第２サブフィールドの補助リセット期間Ｒ２でリセットされていないので、第２グループＧ２のセルの中でアドレス期間ＡＤ１’で発光セル状態に設定されたセルも維持放電される。つまり、第１グループ第２サブフィールドの維持期間Ｓ２１で第２グループ第１サブフィールドの維持期間Ｓ１２’も共に行われる。
【００６４】
第２グループ第２サブフィールドの補助リセット期間Ｒ２’で、Ｘ電極とＡ電極に基準電圧を印加した状態で第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧をＶｓｃＨ電圧からＶｓｅｔ２電圧まで漸進的に増加させる。次に、Ａ電極とＸ電極にそれぞれ基準電圧とＶｅ電圧を印加した状態で、第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧を基準電圧からＶｎｆ電圧まで減少させる。Ｖｓｅｔ２電圧は直前サブフィールドで維持放電されたセルのみを放電させることができるレベルに設定されるので、第２グループＧ２のセルの中で直前サブフィールドＳＦ１’で維持放電されたセルでのみリセット放電が発生する。そして、第２グループＧ２のセルの中で直前サブフィールドＳＦ１’で発光セル状態に設定されずに維持放電されていないセルは直前サブフィールドのメインリセット期間Ｒ１’の壁電荷状態をそのまま維持している。したがって、第２グループ第２サブフィールドの補助リセット期間Ｒ２’では第２グループＧ２のセルが初期化される。
【００６５】
一方、第２グループ第２サブフィールドのリセット期間Ｒ２’で第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧をＶｓｅｔ４電圧まで上昇させた後、Ｖｎｆ電圧まで下降させる。ここで、Ｖｓｅｔ４電圧はリセット放電が起こらない程度のレベルであるので、第１グループＧ１のセルはリセット放電が発生しない。したがって、第１グループＧ１のセルは直前状態の発光セル状態をそのまま維持する。
【００６６】
第２グループ第２サブフィールドのアドレス期間ＡＤ２’ではＸ電極にＶｅ電圧を印加した状態で第２グループＧ２のセルの中で発光セルを選択するために第２グループのＹ電極ＹＧ２電極とＡ電極にそれぞれＶｓｃＬ電圧を有する走査パルス及びＶａ電圧を有するアドレスパルスを印加する。そして、第２グループのＹ電極ＹＧ２の中で選択されないＹ電極にはＶｓｃＬ電圧より高いＶｓｃＨ電圧でバイアスされ、非発光セルのＡ電極には基準電圧が印加される。一方、第１グループのＹ電極ＹＧ１にはＶｓｃＨ電圧が印加される。その結果、第２グループ第２サブフィールドのアドレス期間ＡＤ２’では第２グループＧ２のセルに対してのみ発光セルが選択される。
【００６７】
次に、第２グループ第２サブフィールドの維持期間Ｓ２１’ではハイレベル電圧Ｖｓとローレベル電圧（０Ｖ）を有する維持放電パルスを第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）とＸ電極に反対地位で交互に印加する。その結果、第２グループ第２サブフィールドのアドレス期間ＡＤ２’で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。つまり、第２グループＧ２のセルの中で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。一方、前記で説明したように第１グループＧ１のセルも第２グループ第２サブフィールドの補助リセット期間Ｒ２’でリセットされていないので、第１グループＧ１のセルの中でアドレス期間ＡＤ２で発光セル状態に設定されたセルも維持放電される。つまり、第２グループ第２サブフィールドの維持期間Ｓ２１’で第１グループ第２サブフィールドの維持期間Ｓ２２も共に行われる。
【００６８】
そして、第３サブフィールド乃至第８サブフィールドに印加する駆動波形もまた前記で説明した第１乃至第２サブフィールドの駆動波形で当該加重値に対応する維持放電パルス回数を変更することを除いては同一であるので、以下では具体的な説明を省略する。
【００６９】
一方、本発明の第１実施例で第１グループの第１サブフィールドＳＦ１に発生する維持放電回数は２つの単位維持期間（Ｓ１１、Ｓ１２）に印加される維持放電パルスの回数によって決められる。そして、第２グループの第１サブフィールドＳＦ１’に割り当てられる維持放電の回数も２つの単位維持期間（Ｓ１１'、Ｓ１２'）に印加される維持放電パルスの回数によって決められる。このように加重値の最も低いサブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ１'）がそれぞれ２つの単位維持期間を有する場合、低階調表現力を高めるのに限界がある。以下の第２実施例では加重値の最も低いサブフィールドに割り当てられる維持放電回数を減らす方法について説明する。
【００７０】
次に、図４及び図５を参照して本発明の第２実施例によるプラズマ表示装置の駆動方法について説明する。
【００７１】
図４は本発明の第２実施例によるプラズマ表示装置のサブフィールド構造を示す図面であり、図５は図４のようなサブフィールド構造に適用される駆動波形を示す図面である。
【００７２】
図４に示したように、本発明第２実施例のサブフィールド構造は第１サブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ１'）及び第２サブフィールド（ＳＦ２、ＳＦ２'）が異なることを除いては第１実施例のサブフィールド構造と同一であるので、以下では重複する部分の説明を省略する。
【００７３】
まず、第１グループの第１サブフィールドＳＦ１で、第１グループＧ１のセルの中で発光セルと非発光セルを選択するアドレス期間ＡＤ１が行われた後、第１グループの維持期間Ｓ１が行われる。そして、第２グループの第１サブフィールドＳＦ１’で第２グループＧ２に形成されるセルの中で発光セルと非発光セルを選択するアドレス期間ＡＤ１’が行われた後、第２グループの維持期間Ｓ１'が行われる。第１実施例とは異なって第２実施例では第１サブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ１'）で第１グループと第２グループの間の維持期間が互いに同時に行われない。したがって、第２実施例の場合に、最小加重値を有する第１サブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ１'）は１個の単位維持期間を有するので、低階調表現力をさらに高めることができる。
【００７４】
次に、第１グループの第２サブフィールドＳＦ２で、第１グループＧ１に形成されるセルの中で発光セルと非発光セルを選択するアドレス期間ＡＤ２が行われた後、第１グループの維持期間Ｓ２１が行われる。そして、第２グループの第２サブフィールドＳＦ２’で、第２グループＧ２に形成されるセルの中で発光セルと非発光セルを選択するアドレス期間ＡＤ２’が行われた後、第２グループの維持期間Ｓ２１’が行われる。ここで、第２グループの維持期間Ｓ２１’では第１グループの維持期間Ｓ２２も共に行われる。
【００７５】
また、残りサブフィールドでは第１実施例と同様な方法で各グループのアドレス期間後に維持期間が位置し、第１グループの一部維持期間と第２グループの一部維持期間が互いに共に行われる。このような方法で各サブフィールドを駆動する場合、図４に示したように第２グループの第８サブフィールドの維持期間の場合には単位維持期間だけの維持期間Ｓ８２'が追加的に必要である。この追加的な維持期間Ｓ８２'では第１グループの維持期間は行われない。
【００７６】
このような本発明の第２実施例のようなサブフィールド構造を通じても第１実施例と同様にリセット期間後にアドレス期間終了までの間隔を減らすことができる。
【００７７】
以下では図５を参照して図４のようなサブフィールド構造に適用される駆動波形について説明する。
【００７８】
図５でも便宜上各グループに対する複数のサブフィールドのうちの一部サブフィールドのみを示した。つまり、第１グループＧ１の第１乃至第３サブフィールド（ＳＦ１〜ＳＦ３）と第２グループＧ２の第１乃至第３サブフィールド（ＳＦ１'〜ＳＦ３'）のみを示した。そして、図５でも便宜上１つのセルを形成するＡ電極、Ｘ電極、第１グループ及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）に印加される駆動波形についてのみ説明する。一方、図５に示したように第２実施例による駆動波形は第１乃至第２サブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ１'、ＳＦ２、ＳＦ２'）に印加される駆動波形を除いて第１実施例の駆動波形と同一であるので、重複する部分の説明は省略する。
【００７９】
図５を参照すると、まず、第１グループ第１サブフィールドのメインリセット期間Ｒ１で、Ｘ電極とＡ電極に基準電圧を印加した状態で第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧をＶｓｃＨ電圧からＶｓｅｔ１電圧まで漸進的に増加させる。そして、Ａ電極とＸ電極にそれぞれ基準電圧とＶｅ電圧を印加した状態で、第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧を基準電圧からＶｎｆ電圧まで減少させる。Ｖｓｅｔ１電圧は全ての放電セルが放電できるレベルであるので、第１グループＧ１のセルで全てリセット放電が発生して初期化される。
【００８０】
第１グループ第１サブフィールドのメインリセット期間Ｒ１で、第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧ΔＶｓｃＨ電圧からＶｓｅｔ１電圧まで漸進的に増加させた後、Ｖｎｆ電圧まで漸進的に減少させる。その結果、第２グループの放電セルもリセット放電が発生して初期化される。つまり、第２グループ第１サブフィールドのメインリセット期間Ｒ１１'が第１グループ第１サブフィールドのメインリセット期間Ｒ１と共に行われる。
【００８１】
第１グループ第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１ではＸ電極にＶｅ電圧を印加した状態で第１グループＧ１のセルの中で発光セルを選択するために第１グループのＹ電極ＹＧ１とＡ電極にそれぞれＶｓｃＬ電圧を有する走査パルス及びＶａ電圧を有するアドレスパルスを印加する。そして、第１グループのＹ電極ＹＧ１の中で選択されないＹ電極にはＶｓｃＨ電圧でバイアスされ、非発光セルのＡ電極には基準電圧が印加される。一方、第２グループのＹ電極ＹＧ２にはＶｓｃＨ電圧が印加される。その結果、第１グループ第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１では第１グループＧ１のセルに対してのみ発光セルが選択される。
【００８２】
次に、第１グループ第１サブフィールドの維持期間Ｓ１では維持放電パルスを第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）とＸ電極に反対地位で交互に印加する。その結果、第１グループ第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。つまり、第１グループＧ１のセルの中で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。一方、第２グループＧ２のセルは発光セル状態に設定されていないので、維持放電が発生しない。
【００８３】
第２グループ第１サブフィールドのリセット期間Ｒ１２’で、Ｘ電極とＡ電極に基準電圧を印加した状態で第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧をＶｓｃＨ電圧からＶｓｅｔ２電圧まで漸進的に増加させる。そして、Ｘ電極とＡ電極にそれぞれＶｅ電圧と基準電圧を印加した状態で第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧を基準電圧からＶｎｆ電圧まで漸進的に下降させる。ここで、Ｖｓｅｔ２電圧レベルは直前サブフィールドで維持放電されたセルのみを放電させるレベルである。したがって、第２グループＧ２のセルは既にメインリセット期間Ｒ１１'でリセット放電が発生したので、リセット期間Ｒ１２’ではリセット放電が発生しないこともある。しかし、第２グループＧ２のセルの中でメインリセット期間Ｒ１１’で完全に初期化されていないセルはリセット期間Ｒ１２’で初期化されることができる。このように第１サブフィールドＳＦ１’で第２グループＧ２のセルは２つのリセット期間（Ｒ１１'、Ｒ１２'）で初期化される。
【００８４】
一方、第２グループ第１サブフィールドのリセット期間Ｒ１２’では第１グループ第２サブフィールドの補助リセット期間Ｒ２１も共に行われる。第１グループ第２サブフィールドの補助リセット期間Ｒ２１でも第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧をＶｓｅｔ２電圧まで漸進的に上昇させた後、Ｖｎｆ電圧まで漸進的に下降させる。ここで、Ｖｓｅｔ２電圧レベルは直前サブフィールドで維持放電されたセルのみを放電させるレベルに設定される。第１グループのセルＧ１の中で直前サブフィールドＳＦ１で維持放電されたセルでのみリセット放電が発生する。そして、第１グループＧ１のセルの中で直前サブフィールドで発光セル状態に設定されずに維持放電されていないセルは直前サブフィールドリセット期間Ｒ１の壁電荷状態をそのまま維持している。したがって、第１グループＧ１第２サブフィールドの補助リセット期間Ｒ２１では第１グループＧ１のセルが初期化される。
【００８５】
第２グループ第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１’ではＸ電極にＶｅ電圧を印加した状態で第２グループＧ２のセルの中で発光セルを選択するために第２グループのＹ電極ＹＧ２とＡ電極にそれぞれＶｓｃＬ電圧を有する走査パルス及びＶａ電圧を有するアドレスパルスを印加する。そして、第２グループのＹ電極ＹＧ２の中で選択されないＹ電極にはＶｓｃＨ電圧でバイアスされ、非発光セルのＡ電極には基準電圧が印加される。一方、第１グループのＹ電極ＹＧ１にはＶｓｃＨ電圧が印加される。その結果、第２グループ第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１’では第２グループＧ２のセルに対してのみ発光セルが選択される。
【００８６】
次に、第２グループ第１サブフィールドの維持期間Ｓ１’では維持放電パルスを第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）とＸ電極に反対地位で交互に印加する。その結果、第２グループ第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１’で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。つまり、第２グループＧ２のセルの中で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。一方、第１グループＧ１のセルは補助リセット期間Ｒ２１で初期化されて発光セル状態に設定されていないので、維持放電が発生しない。
【００８７】
第１グループ第２サブフィールドのリセット期間Ｒ２２で、Ｘ電極とＡ電極に基準電圧を印加した状態で第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧をＶｓｃＨ電圧からＶｓｅｔ２電圧まで漸進的に増加させる。そして、Ｘ電極とＡ電極にそれぞれＶｅ電圧と基準電圧を印加した状態で第１グループのＹ電極ＹＧ２の電圧を基準電圧からＶｎｆ電圧まで漸進的に下降させる。Ｖｓｅｔ２電圧は直前サブフィールドで維持放電されたセルのみを放電させるレベルであり、第１グループＧ１のセルは既に補助リセット期間Ｒ２１で初期化されたので、リセット期間Ｒ２２では第１グループＧ１のセルはリセット放電が発生しないことがある。しかし、第１グループＧ１のセルの中で補助リセット期間Ｒ２１で完全に初期化されていないセルはリセット期間Ｒ２２で初期化されることもある。このように第２サブフィールドＳＦ２で第１グループＧ１のセルは２つのリセット期間（Ｒ２１、Ｒ２２）で初期化される。
【００８８】
そして、第１グループ第２サブフィールドのリセット期間Ｒ２２では第２グループ第２サブフィールドの補助リセット期間Ｒ２１'も共に行われる。図５に示したように、第１グループ第２サブフィールドのリセット期間Ｒ２２でも第２グループのＹ電極ＹＧ１の電圧をＶｓｅｔ２電圧まで漸進的に上昇させた後、Ｖｎｆ電圧まで漸進的に下降させる。Ｖｓｅｔ２電圧は直前サブフィールドで維持放電されたセルのみを放電させるレベルであるので、第２グループＧ２のセルの中で直前サブフィールドＳＦ１’で維持放電されたセルのみリセット放電が発生する。そして、第２グループＧ２のセルの中で直前サブフィールドＳＦ１’で発光セル状態に設定されずに維持放電されないセルは直前サブフィールドリセット期間Ｒ１２’の壁電荷状態をそのまま維持している。したがって、第２グループＧ２第２サブフィールドの補助リセット期間Ｒ２１'では第２グループＧ２のセルも初期化される。
【００８９】
第１グループ第２サブフィールドのアドレス期間ＡＤ２ではＸ電極にＶｅ電圧を印加した状態で第１グループＧ２のセルの中で発光セルを選択するために第１グループのＹ電極ＹＧ１とＡ電極にそれぞれＶｓｃＬ電圧を有する走査パルス及びＶａ電圧を有するアドレスパルスを印加する。そして、第１グループのＹ電極ＹＧ１の中で選択されないＹ電極にはＶｓｃＨ電圧でバイアスされ、非発光セルのＡ電極には基準電圧が印加される。一方、第２グループのＹ電極ＹＧ２にはＶｓｃＨ電圧が印加される。その結果、第１グループ第２サブフィールドのアドレス期間ＡＤ２では第１グループＧ１のセルに対してのみ発光セルが選択される。
【００９０】
次に、第１グループ第２サブフィールドの維持期間Ｓ２１では維持放電パルスを第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）とＸ電極に反対地位で交互に印加する。その結果、第１グループ第２サブフィールドのアドレス期間ＡＤ２で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。つまり、第１グループＧ１のセルの中で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。一方、第２グループＧ２は補助リセット期間Ｒ２１'で初期化されて発光セル状態に設定されていないので、維持放電が発生しない。
【００９１】
第２グループ第２サブフィールドのリセット期間Ｒ２２’で、Ｘ電極とＡ電極に基準電圧を印加した状態で第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧をＶｓｃＨ電圧からＶｓｅｔ２電圧まで漸進的に増加させる。次に、Ａ電極とＸ電極にそれぞれ基準電圧とＶｅ電圧を印加した状態で、第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧を基準電圧からＶｎｆ電圧まで減少させる。第２グループＧ２のセルは既に補助リセット期間Ｒ２１'で初期化されたので、リセット期間Ｒ２２'ではリセット放電が発生しないこともある。しかし、第２グループＧ２のセルの中で補助リセット期間Ｒ２１’で完全に初期化されていないセルはリセット期間Ｒ２２’で初期化されることができる。このように第２サブフィールドＳＦ２’で第２グループＧ２のセルは２つのリセット期間（Ｒ２１'、Ｒ２２'）で初期化される。
【００９２】
一方、第２グループ第２サブフィールドのリセット期間Ｒ２２’で第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧をＶｓｅｔ４電圧まで漸進的に上昇させた後、Ｖｎｆ電圧まで漸進的に下降させる。ここで、Ｖｓｅｔ４電圧をリセット放電が起こらない程度のレベルであるので、第１グループＧ１のセルではリセット放電が発生しない。したがって、第１グループＧ１のセルは直前状態の発光セル状態をそのまま維持する。
【００９３】
第２グループ第２サブフィールドのアドレス期間ＡＤ２’ではＸ電極にＶｅ電圧を印加した状態で第２グループＧ２のセルの中で発光セルを選択するために第２グループのＹ電極ＹＧ２電極とＡ電極にそれぞれＶｓｃＬ電圧を有する走査パルス及びＶａ電圧を有するアドレスパルスを印加する。そして、第２グループのＹ電極ＹＧ２の中で選択されないＹ電極にはＶｓｃＬ電圧より高いＶｓｃＨ電圧でバイアスされ、非発光セルのＡ電極には基準電圧が印加される。一方、第１グループのＹ電極ＹＧ１にはＶｓｃＨ電圧が印加される。その結果、第２グループ第２サブフィールドのアドレス期間ＡＤ２’では第２グループＧ２のセルに対してのみ発光セルが選択される。
【００９４】
次に、第２グループ第２サブフィールドの維持期間Ｓ２１’ではハイレベル電圧Ｖｓとローレベル電圧（０Ｖ）を有する維持放電パルスを第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）とＸ電極に反対地位で交互に印加する。その結果、第２グループ第２サブフィールドのアドレス期間ＡＤ２’で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。つまり、第２グループＧ２のセルの中で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。一方、前記で説明したように第１グループＧ１のセルも第２グループ第２サブフィールドのリセット期間Ｒ２２’で初期化されていないので、第１グループＧ１のセルの中でアドレス期間ＡＤ２で発光セル状態に設定されたセルも維持放電される。つまり、第２グループ第２サブフィールドの維持期間Ｓ２１’で第１グループ第２サブフィールドの維持期間Ｓ２２も共に行われる。
【００９５】
そして、前記で説明したように第３サブフィールド乃至第８サブフィールドで印加される駆動波形は第１実施例と同一であるので、以下では具体的な説明を省略する。
【００９６】
一方、図４に示したように第２グループの第８サブフィールドＳＦ８’は追加的な維持期間Ｓ８２’が必要である。この追加的な維持期間Ｓ８２’では第１グループのＹ電極ＹＧ１にはＸ電極に印加される維持放電パルスと同一地位の波形などを印加して第１グループＧ１のセルで維持放電が発生しないようにすることができる。
【００９７】
一般に壁電荷消失によってアドレス低放電の問題はプライミング粒子が多い場合にさらに激しくなる。つまり、加重値の高いサブフィールドの場合に、さらにアドレス低放電の問題が深刻となる。したがって、加重値の低いサブフィールドの場合は前記第１実施例及び第２実施例とは異なって全てのセルに対してアドレス動作を行った後、維持放電を行い、加重値の高いサブフィールドは前記第１及び第２実施例のように所定のグループ別にアドレス動作と維持動作を行うことができる。以下の第３実施例ではこのような駆動方法について説明する。
【００９８】
次に、図６及び図７を参照して本発明の第３実施例によるプラズマ表示装置の駆動方法について説明する。
【００９９】
図６は本発明の第３実施例によるプラズマ表示装置のサブフィールド構造を示す図面であり、図７は図６のようなサブフィールド構造に適用される駆動波形を示す図面である。
【０１００】
図６に示したように、本発明の第３実施例のサブフィールド構造は第１サブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ１'）が異なることを除いては第２実施例のサブフィールド構造と同一であるので、以下では重複する部分の説明は省略する。
【０１０１】
図６を参照すると、本発明の第３実施例のサブフィールド構造は第１グループＧ１及び第２グループＧ２の第１サブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ１'）が同時に行われることが分かる。
【０１０２】
第１サブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ１'）で、第１グループＧ１のセルの中で発光セルと非発光セルを選択するアドレス期間ＡＤ１が行われた後、第２グループＧ２のセルの中で発光セルと非発光セルを選択するアドレス期間ＡＤ１’が行われる。次に、第１グループＧ１維持期間Ｓ１及び第２グループＧ２の維持期間Ｓ１’が同時に行われる。つまり、第１グループＧ１のセル及び第２グループＧ２のセルに対して全てアドレス動作が行われた後、同時に２つのグループ（Ｇ１、Ｇ２）に対して維持期間が行われる。
【０１０３】
そして、残りサブフィールド（ＳＦ２〜ＳＦ８）の構造は第２実施例と同一な構造を有する。一方、図６では第１サブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ１'）のみが第１グループＧ１のセル及び第２グループＧ２のセルに対してアドレス期間が行われた後、維持期間が行われることを示したが、アドレス低放電がほとんど発生しない加重値の低いサブフィールドにもこのような方法が適用できる。
【０１０４】
以下では図７を参照して図６のようなサブフィールド構造に適用される駆動波形について説明する。
【０１０５】
図７でも便宜上各グループに対する複数のサブフィールドのうちの一部サブフィールドのみを示した。つまり、第１グループＧ１の第１乃至第３サブフィールド（ＳＦ１〜ＳＦ３）と第２グループＧ２の第１乃至第３サブフィールド（ＳＦ１'〜ＳＦ３'）のみを示した。そして、図７でも便宜上１つのセルを形成するＡ電極、Ｘ電極、第１グループ及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）に印加される駆動波形についてのみ説明する。一方、図７に示したように、第３実施例による駆動波形は第１サブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ１'）に印加される駆動波形を除いて第２実施例の駆動波形と同一であるので、重複する部分の説明は省略する。
【０１０６】
図７を参照すると、第１グループ及び第２グループの第１サブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ１'）のメインリセット期間（Ｒ１、Ｒ１'）では、Ｘ電極とＡ電極に基準電圧を印加した状態で第１グループのＹ電極ＹＧ１及び第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧をＶｓｃＨ電圧からＶｓｅｔ１電圧まで漸進的に増加させる。そして、Ａ電極とＸ電極にそれぞれ基準電圧とＶｅ電圧を印加した状態で、第１グループのＹ電極ＹＧ１及び第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧を基準電圧からＶｎｆ電圧まで減少させる。Ｖｓｅｔ１電圧は全ての放電セルが放電できるレベルであるので、第１グループＧ１のセル及び第２グループＧ２のセルで全てリセット放電が発生して初期化される。
【０１０７】
第１グループ第１サブフィールドのオレス期間ＡＤ１ではＸ電極にＶｅ電圧を印加した状態で第１グループＧ１のセルの中で発光セルを選択するために第１グループのＹ電極ＹＧ１とＡ電極にそれぞれＶｓｃＬ電圧を有する走査パルス及びＶａ電圧を有するアドレスパルスを印加する。そして、第１グループのＹ電極ＹＧ１の中で選択されないＹ電極にはＶｓｃＨ電圧がバイアスされ、非発光セルのＡ電極には基準電圧が印加される。一方、第１グループ第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１では第２グループのＹ電極ＹＧ２にはＶｓｃＨ電圧が印加される。その結果、第１グループの第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１では第１グループＧ１のセルに対して発光セルが選択される。
【０１０８】
次に、第２グループ第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１’ではＸ電極にＶｅ電圧を印加した状態で第２グループＧ２のセルの中で発光セルを選択するために第２グループのＹ電極ＹＧ２とＡ電極にそれぞれＶｓｃＬ電圧を有する走査パルス及びＶａ電圧を有するアドレスパルスを印加する。そして、第２グループのＹ電極ＹＧ２の中で選択されないＹ電極にはＶｓｃＨ電圧がバイアスされ、非発光セルのＡ電極には基準電圧が印加される。一方、第２グループ第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１’では第１グループのＹ電極ＹＧ１にはＶｓｃＨ電圧が印加される。その結果、第２グループの第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１’では第２グループＧ１のセルに対して発光セルが選択する。
【０１０９】
第１グループ及び第２グループ第１サブフィールドの維持期間（Ｓ１、Ｓ１'）では維持放電パルスを第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）とＸ電極に反対地位で交互に印加する。その結果、第１グループ第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１及び第２グループ第１サブフィールドのアドレス期間ＡＤ１’で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。つまり、第１グループＧ１及び第２グループＧ２のセルの中で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。
【０１１０】
また、前記で説明したように第２サブフィールド乃至第８サブフィールドに印加される駆動波形は第２実施例と同一であるので、以下では具体的な説明を省略する。
【０１１１】
一方、本発明の第１実施例乃至第３実施例の場合、補助リセット期間でＹ電極の電圧を上昇させる期間と下降させる期間が存在する。補助リセット期間は直前サブフィールドで維持放電されたセルのみをリセット放電させるが、このような補助リセット期間はＹ電極の電圧を下降させる期間のみを通じて実現することができる。以下では図８を参照してこれについて説明する。
【０１１２】
図８は本発明の第４実施例によるプラズマ表示装置の駆動波形を示す図面である。図８では便宜上図６のようなサブフィールド構造に適用される駆動波形のみを示し、図２及び図４のようなサブフィールド構造に対しても以下で説明する補助リセット期間を通じて実現することができる。
【０１１３】
図８を参照すると、第１グループの第１サブフィールドＳＦ１及び第２グループの第１サブフィールドＳＦ１’に適用される駆動波形は第３実施例とほとんど類似する。ただし、第１グループ及び第２グループの維持期間（Ｓ１、Ｓ１'）で最後の維持放電パルスがＸ電極ではない第１グループ及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）に印加される。一般に次のサブフィールドで補助リセット期間が実現されるためにはＹ電極に（-）壁電荷が形成されていなければならない。したがって、最後の維持放電パルスが第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）に印加され、この最後の維持放電パルスによってＹ電極に（-）壁電荷が形成される。
【０１１４】
第１グループ第２サブフィールドの補助リセット期間Ｒ２で、Ｘ電極とＡ電極にそれぞれＶｅ電圧と基準電圧を印加した状態で第１グループのＹ電極ＹＧ１を電圧を基準電圧からＶｎｆ電圧まで漸進的に下降させる。その結果、直前サブフィールドＳＦ１で維持放電されたセルでのみリセット放電が発生する。維持期間（Ｓ１、Ｓ１'）が終了する時、第１グループのＹ電極ＹＧ１に（-）の壁電荷が形成されるので、第１グループのＹ電極ＹＧ１に漸進的に下降する電圧のみを印加しても第１グループＧ１のセルが初期化される。
【０１１５】
そして、第１グループ第２サブフィールドの補助リセット期間Ｒ２で第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧も基準電圧からＶｎｆ電圧まで漸進的に下降させる。その結果、第２グループＧ１のセルの中で直前サブフィールドＳＦ１’で維持放電されたセルもリセット放電が発生する。したがって、第１グループ第２サブフィールドの補助リセット期間Ｒ２では第２グループ第２サブフィールドの補助リセット期間Ｒ２１’も共に行われる。
【０１１６】
第１グループ第２サブフィールドのアドレス期間ＡＤ２ではＸ電極にＶｅ電圧を印加した状態で第１グループＧ１のセルの中で発光セルを選択するために第１グループのＹ電極ＹＧ１とＡ電極にそれぞれＶｓｃＬ電圧を有する走査パルス及びＶａ電圧を有するアドレスパルスを印加する。そして、第１グループのＹ電極ＹＧ１の中で選択されないＹ電極にはＶｓｃＨ電圧でバイアスされ、非発光セルのＡ電極には基準電圧が印加される。一方、第２グループのＹ電極ＹＧ２にはＶｓｃＨ電圧が印加される。その結果、第１グループ第２サブフィールドのアドレス期間ＡＤ２では第１グループＧ１のセルに対してのみ発光セルが選択される。
【０１１７】
次に、第１グループ第２サブフィールドの維持期間Ｓ２１では維持放電パルスを第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）とＸ電極に反対地位で交互に印加する。その結果、第１グループ第２サブフィールドのアドレス期間ＡＤ２で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。つまり、第１グループＧ１のセルの中で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。一方、第２グループＧ２は発光セル状態に設定されていないので、維持放電が発生しない。
【０１１８】
そして、図８に示したように第１グループ第２サブフィールドの維持期間Ｓ２１で最後の維持放電パルスをＹ電極ではないＸ電極に印加し、第１グループのＹ電極ＹＧ１と第２グループのＹ電極ＹＧ２にそれぞれ基準電圧及びＶｐ電圧を印加する。ここで、Ｖｐ電圧のレベルはＶｓ電圧とＶｐ電圧の差によって発光セルで維持放電が発生しないように設定される。その結果、最後の維持放電パルスを印加する時、第１グループＧ１のセルは維持放電が発生するが、第２グループのセルは維持放電が発生しない。また、Ｖｐ電圧によることだけでなく、第２グループのセルは発光セル状態に設定されていないので、最後の維持放電パルスを印加する時に第２グループのセルで維持放電が発生しない。
【０１１９】
第２グループ第２サブフィールドの補助リセット期間Ｒ２２'ではＸ電極とＡ電極にそれぞれＶｅ電圧と基準電圧を印加した状態で第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧及び第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧を基準電圧からＶｎｆ電圧まで漸進的に下降させる。維持期間Ｓ２１でＸ電極に最後の維持放電パルスに印加によって第１グループのＹ電極ＹＧ１には陽（＋）の壁電荷が形成される。その結果、第２グループ第２サブフィールドの補助リセット期間Ｒ２２'で第１グループＧ１のセルはリセット放電が発生しなくて初期化されない。そして、第２グループＧ２のセルは既に補助リセット期間Ｒ２１’で抄記されたので、補助リセット期間Ｒ２２'ではリセット放電が発生しないこともある。しかし、第２グループＧ２のセルの中で補助リセット期間Ｒ２１’で完全に初期化されないセルはリセット期間Ｒ２２’で初期化されることができる。
【０１２０】
第２グループ第２サブフィールドのアドレス期間ＡＤ２’ではＸ電極にＶｅ電圧を印加した状態で第２グループＧ２のセルの中で発光セルを選択するために第２グループのＹ電極ＹＧ２とＡ電極にそれぞれＶｓｃＬ電圧を有する走査パルス及びＶａ電圧を有するアドレスパルスを印加する。そして、第２グループのＹ電極ＹＧ２の中で選択されないＹ電極にはＶｓｃＨ電圧でバイアスされ、非発光セルのＡ電極には基準電圧が印加される。一方、第１グループのＹ電極ＹＧ１にはＶｓｃＨ電圧が印加される。その結果、第２グループ第２サブフィールドのアドレス期間ＡＤ２’では第２グループＧ２のセルに対してのみ発光セルが選択される。
【０１２１】
第２グループ第２サブフィールドの維持期間Ｓ２１’では維持放電パルスを第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）とＸ電極に反対地位で交互に印加する。その結果、第２グループ第２サブフィールドのアドレス期間ＡＤ２’で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。つまり、第２グループＧ２のセルの中で発光セル状態に設定されたセルで維持放電が発生する。一方、第１グループＧ２のセルの中でアドレス期間ＡＤ２で発光セル状態に設定されたセルは発光セル状態を維持しているので、維持期間Ｓ２１’でも維持放電が発生する。つまり、維持期間Ｓ２１’と維持期間Ｓ２２が共に行われる。
【０１２２】
また、図８に示したように第２グループ第２サブフィールドの維持期間Ｓ２１’で最後の維持放電パルスをＸ電極に印加し、第１グループのＹ電極ＹＧ１と第２グループのＹ電極ＹＧ２にそれぞれＶｐ電圧及び基準電圧を印加する。その結果、最後の維持放電パルスを印加する時、第１グループＧ１のセルでは維持放電が発生せず、第２グループＧ２のセルでは維持放電が発生する。このような最後の維持放電によって第２グループのＹ電極ＹＧ２には（-）の壁電荷が形成されるが、第１グループのＹ電極ＹＧ１には（+）の壁電荷が形成される。そして、Ｖｐ電圧の印加有無によって第１グループと第２グループ間に維持放電回数も調整される。
【０１２３】
第１グループ第３サブフィールドのリセット期間Ｒ３ではＸ電極とＡ電極にそれぞれＶｅ電圧と基準電圧を印加した状態で第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧及び第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧を基準電圧からＶｎｆ電圧まで漸進的に下降させる。前記で説明したように維持期間Ｓ２１’が終了する時に第１グループのＹ電極ＹＧ１には（-）の壁電荷が形成され、第２グループのＹ電極ＹＧ２には（+）の壁電荷が形成される。第１グループのＹ電極ＹＧ１には（-）の壁電荷が形成されるので、第１グループ第３サブフィールドのリセット期間Ｒ３で第１グループＧ１のセルの中で直前サブフィールド（ＳＦ２で維持放電されたセルでリセット放電が発生する。しかし、第２グループのＹ電極ＹＧ２には（+）の壁電荷が形成されるので、第１グループ第３サブフィールドのリセット期間Ｒ３で第２グループＧ２のセルではリセット放電が発生しない。つまり、第１グループ第３サブフィールドのリセット期間Ｒ３では第１グループＧ１のセルのみが初期化される。
【０１２４】
このように本発明の第４実施例では補助リセット期間の実現のためにＹ電極に漸進的に下降する電圧を印加し、補助リセット期間で第１グループＧ１のセルと第２グループＧ２のセルを選択的にリセット放電を発生させるために直前サブフィールドで最後に印加される維持放電パルスを調節する。つまり、第２グループの第３サブフィールドの補助リセット期間Ｒ３’では第２グループＧ２のセルのみをリセット放電させるために、直前サブフィールドＳＦ２’の維持期間Ｓ２２'で最後にＸ電極に維持放電パルスを印加すると同時に、第２グループのＹ電極ＹＧ２にＶｐ電圧を印加する。そして、第１グループ第４サブフィールドの補助リセット期間Ｒ４では第１グループＧ１のセルのみをリセット放電させるために、直前サブフィールドＳＦ３の維持期間Ｓ３２で最後にＸ電極に維持放電パルスを印加すると同時に、第１グループのＹ電極ＹＧ１にＶｐ電圧を印加する。このようなＶｐ電圧の印加を通じて第１グループＧ１と第２グループＧ２間の維持放電回数も調節される。
【０１２５】
残り期間で印加される駆動波形は前記で説明したサブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ１'、ＳＦ２、ＳＦ２'）で印加される駆動波形とほぼ類似しているので、以下では具体的な説明を省略する。
【０１２６】
前記で説明した本発明の実施例による駆動波形で一部のリセット期間では第１グループのＹ電極ＹＧ１と第２グループのＹ電極ＹＧ２に互いに異なるリセット波形が同時に印加される。以下では１つの駆動回路を通ってこのようなリセット波形を発生させる方法について説明する。
【０１２７】
図９は本発明の実施例による走査電極駆動部４００の概略的な回路構成を示す図面である。図９では便宜上リセット波形を印加する部分のみを詳しく示した。
【０１２８】
図９に示したように、本発明の実施例による走査電極駆動部４００は第１グループの選択回路４１０、第２グループの選択回路４２０、走査電極維持放電回路４３０、キャパシタＣｓｃ、ダイオード（Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３）及びトランジスタ（Ｙｒｒ１、Ｙｒｒ２、Ｙｐｎ、Ｙｆｒ、Ｙｓｃｌ）を含む。
【０１２９】
第１グループのスキャンＩＣは第１グループのＹ電極ＹＧ１にそれぞれ接続される複数の選択回路を含むか、図９では便宜上第１グループＹ電極ＹＧ１のうちの１つの走査電極に接続される選択回路４１０のみを示した。そして、第２グループのスキャンＩＣも第２グループのＹ電極ＹＧ２にそれぞれ接続される複数の選択回路を含むが、図９では便宜上第２グループＹ電極ＹＧ２のうちの１つの走査電極に接続される選択回路４２０のみを示した。図９に示したように１つの選択回路は２つのトランジスタを含み、２つのトランジスタのソースとドレインは互いに接続され、その接続点は１つの走査電極に接続される。つまり、第１グループの選択回路４１０は２つのトランジスタ（ＳＣＨ_Ｇ１、ＳＣＬ_Ｇ１）を含み、トランジスタＳＣＨ_Ｇ１のソースとトランジスタＳＣＬ_Ｇ１のドレインは互いに接続され、その接続点が第１グループのＹ電極ＹＧ１に接続される。そして第２グループの選択回路４２０は２つのトランジスタ（ＳＣＨ_Ｇ２、ＳＣＬ_Ｇ２）を含み、トランジスタＳＣＨ_Ｇ２のソースとトランジスタＳＣＬ_Ｇ２のドレインは互いに接続され、その接続点が第１グループのＹ電極ＹＧ２に接続される。
【０１３０】
第１グループ選択回路４１０のトランジスタＳＣＨ_Ｇ１のドレインと第２グループ選択回路４２０のトランジスタＳＣＨ_Ｇ２のドレインはキャパシタＣｓｃの一端に接続され、第１グループ選択回路４１０のトランジスタＳＣＬ_Ｇ１のソースと第２グループ選択回路４２０のトランジスタＳＣＬ_Ｇ２のソースはキャパシタＣｓｃの他端に接続される。そして、ＶｓｃＨ電圧を供給する電源ＶｓｃＨにダイオードＤ３のアノードが接続され、キャパシタＣｓｃの一端にダイオードＤ３のカソードが接続される。
【０１３１】
トランジスタＹｓｃｌのドレインとソースはそれぞれキャパシタＣｓｃの他端とＶｓｃＬ電圧を供給する電源ＶｓｃＬに接続される。トランジスタＹｓｃｌはアドレス期間で導通して走査電極にＶｓｃＬ電圧を供給する。また、トランジスタＹｆｒのドレインとソースはそれぞれキャパシタＣｓｃの他端とＶｎｆ電圧を供給する電源Ｖｎｆに接続される。
【０１３２】
トランジスタＹｐｎのソースはキャパシタＣｓｃの他端に接続され、トランジスタ（Ｙｒｒ１、Ｙｒｒ２）のソースはトランジスタＹｐｎのドレインに接続される。また、トランジスタＹｒｒ２のドレインはダイオードＤ２のカソードに接続され、ダイオードＤ２のアノードはＶｓｅｔ２-ＶｓｃＨ電圧を供給する電源（Ｖｓｅｔ２-ＶｓｃＨ）に接続される。トランジスタＹｒｒ１のドレインはダイオードＤ１のカソードに接続され、ダイオードＤ１のアノードはＶｓｅｔ１-ＶｓｃＨ電圧を供給する電源（Ｖｓｅｔ１-ＶｓｃＨ）に接続される。
【０１３３】
ここで、ダイオード（Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３）はそれぞれ電源（Ｖｓｅｔ１-ＶｓｃＨ、Ｖｓｅｔ２-ＶｓｃＨ、ＶｓｃＨ）から一方向に電流を流す。そして、トランジスタＹｐｎはトランジスタＹｆｒまたはトランジスタＹｓｃｌが導通するの時に走査電極維持放電回路４３０へ流れ得る電流を遮断する役割を果たす。トランジスタ（Ｙｒｒ１、Ｙｒｒ２）はランプスイッチでＹ電極の電圧を漸進的に上昇させ、トランジスタＹｆｒもランプスイッチでＹ電極の電圧を漸進的に下降させる。このようなランプスイッチの役割のためにトランジスタ（Ｙｒｒ１、Ｙｒｒ２、Ｙｆｒ）の駆動回路には所定のランプ回路が接続されている。
【０１３４】
一方、走査電極維持放電回路４３０は維持期間でＹ電極に印加される維持放電パルスを生成し、これについての具体的な構成は当業者であれば簡単に分かるので、いかでは具体的な説明を省略する。
【０１３５】
次に、図９のような回路を通じて互いに異なるリセット波形を第１グループ走査電極ＹＧ１と第２グループのＹ電極ＹＧ２に同時に印加する方法について図１０Ａ、１０Ｂ、１１Ａ、１１Ｂを参照して説明する。
【０１３６】
図１０Ａは図３のメインリセット期間Ｒ１で第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）に印加されるリセット波形を生成する方法を示す図面である。つまり、図１０ＡはＶｓｅｔ１電圧まで漸進的に上昇するリセット波形を第１グループのＹ電極ＹＧ１に印加し、Ｖｓｅｔ３電圧まで漸進的に上昇するリセット波形を第２グループのＹ電極ＹＧ２に印加する方法を示す図面である。
【０１３７】
まず、リセット波形が印加される前に、トランジスタＹｓｃｌの導通によってキャパシタＣｓｃにＶｓｃＨ-ＶｓｃＬ、つまり、ＶｓｃＨだけの電圧が充電されていると仮定する。
【０１３８】
図１０Ａに示したように、トランジスタＹｒｒ１、トランジスタＹｐｎ、第１グループ選択回路４１０のトランジスタＳＣＨ_Ｇ１及び第２グループ選択回路４２０のトランジスタＳＣＬ_Ｇ２が導通する。
【０１３９】
トランジスタ（Ｙｒｒ１、Ｙｐｎ、ＳＣＨ_Ｇ１＿の導通によって電源（Ｖｓｅｔ１-ＶｓｃＨ）、ダイオードＤ１、トランジスタＹｒｒ１、トランジスタＹｐｎ、キャパシタＣｓｃ、トランジスタＳＣＨ_Ｇ１及び第１グループＹ電極ＹＧ１の経路（図１０ＡのＩ）に電流経路が形成される。トランジスタＹｒｒ１は一定の電流を流し、この一定の電流によってＹ電極の電圧が漸進的に上昇する。したがって、電流経路（Ｉ）によって第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧はキャパシタＣｓｃに充電された電圧だけ加えられてＶｓｃＨ電圧からＶｓｅｔ１電圧まで漸進的に上昇する。
【０１４０】
また、トランジスタ（Ｙｒｒ１、Ｙｐｎ、ＳＣＬ_Ｇ２）の導通によって電源（Ｖｓｅｔ１-ＶｓｃＨ）、ダイオードＤ１、トランジスタＹｒｒ１、トランジスタＹｐｎ、トランジスタＳＣＬ_Ｇ２及び第２グループＹ電極ＹＧ２の経路（図１０ＡのＩ'）に電流経路が形成される。この電流経路（Ｉ'）によって第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧は基準電圧からＶｓｅｔ１-ＶｓｃＨ電圧まで漸進的に上昇する。図３で説明したようにＶｓｅｔ１-ＶｓｃＨ電圧がＶｓｅｔ３電圧であるので、第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧が基準電圧からＶｓｅｔ３電圧まで漸進的に上昇する。
【０１４１】
図１０Ｂは図３のリセット期間Ｒ１’で第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）に印加されるリセット駆動波形を生成する方法を示す図面である。つまり、図１０ＢはＶｓｅｔ１電圧まで漸進的に上昇するリセット波形を第２グループのＹ電極ＹＧ２に印加し、Ｖｓｅｔ３電圧まで漸進的に上昇するリセット波形を第１グループのＹ電極ＹＧ１に印加する方法を示す図面である。
【０１４２】
図１０Ｂに示したように、トランジスタＹｒｒ１、トランジスタＹｐｎ、第１グループ選択回路４１０のトランジスタＳＣＬ_Ｇ１及び第２グループ選択回路４２０のトランジスタＳＣＨ_Ｇ２が導通する。
【０１４３】
トランジスタ（Ｙｒｒ１、Ｙｐｎ、ＳＣＬ_Ｇ１）の導通によって電源（Ｖｓｅｔ１-ＶｓｃＨ）、ダイオードＤ１、トランジスタＹｒｒ１、トランジスタＹｐｎ、トランジスタＳＣＬ_Ｇ１及び第１グループＹ電極ＹＧ１の経路（図１０ＢのＩＩ）に電流経路が形成される。この電流経路（ＩＩ）によって第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧は基準電圧からＶｓｅｔ３電圧（つまり、Ｖｓｅｔ１-ＶｓｃＨ）まで漸進的に上昇する。
【０１４４】
そして、トランジスタ（Ｙｒｒ１、Ｙｐｎ、ＳＣＨ_Ｇ２）の導通によって電源（Ｖｓｅｔ１-ＶｓｃＨ）、ダイオードＤ１、トランジスタＹｒｒ１、トランジスタＹｐｎ、キャパシタＣｓｃ、トランジスタＳＣＨ_Ｇ２及び第２グループＹ電極ＹＧ２の経路（図１０ＢのＩＩ'）に電流経路が形成される。この電流経路（ＩＩ'）によって第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧はＶｓｃＨからＶｓｅｔ１電圧まで漸進的に上昇する。
【０１４５】
図１１Ａは図３の補助リセット期間Ｒ２で第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）に印加されるリセット駆動波形を生成する方法を示す図面である。つまり、図１１ＡはＶｓｅｔ２電圧まで漸進的に上昇するリセット波形を第１グループのＹ電極ＹＧ１に印加し、Ｖｓｅｔ４電圧まで漸進的に上昇するリセット波形を第２グループのＹ電極ＹＧ２に印加する方法を示す図面である。
【０１４６】
図１１Ａに示したように、トランジスタＹｒｒ２、トランジスタＹｐｎ、第１グループ選択回路４１０のトランジスタＳＣＨ_Ｇ１及び第２グループ選択回路４２０のトランジスタＳＣＬ_Ｇ２が導通する。
【０１４７】
トランジスタ（Ｙｒｒ２、Ｙｐｎ、ＳＣＨ_Ｇ１）の導通によって電源（Ｖｓｅｔ２-ＶｓｃＨ）、ダイオードＤ２、トランジスタＹｒｒ２、トランジスタＹｐｎ、キャパシタＣｓｃ、トランジスタＳＣＨ_Ｇ１及び第１グループＹ電極ＹＧ１の経路（図１１ＡのＩＩＩ）に電流経路が形成される。トランジスタＹｒｒ２は一定の電流を流し、この一定の電流によってＹ電極の電圧を漸進的に上昇させる。したがって、電流経路３によって第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧はキャパシタＣｓｃに充電された電圧だけ加えられてＶｓｃＨ電圧からＶｓｅｔ２電圧まで漸進的に上昇する。
【０１４８】
そして、トランジスタ（Ｙｒｒ２、Ｙｐｎ、ＳＣＬ_Ｇ２）の導通によって電源（Ｖｓｅｔ２-ＶｓｃＨ）、ダイオードＤ２、トランジスタＹｒｒ２、トランジスタＹｐｎ、トランジスタＳＣＬ_Ｇ２及び第２グループＹ電極ＹＧ２の経路（図１１ＡのＩＩＩ'）に電流経路が形成される。この電流経路（ＩＩＩ'）によって第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧は基準電圧からＶｓｅｔ２-ＶｓｃＨ電圧まで漸進的に上昇する。図３で説明したようにＶｓｅｔ２-ＶｓｃＨ電圧がＶｓｅｔ４電圧であるので、第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧が基準電圧からＶｓｅｔ４電圧まで漸進的に上昇する。
【０１４９】
図１１Ｂは図３の補助リセット期間Ｒ２’で第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）に印加されるリセット駆動波形を印加する方法を示す図面である。つまり、図１１ＢはＶｓｅｔ２電圧まで漸進的に上昇するリセット波形を第２グループのＹ電極ＹＧ２に印加し、Ｖｓｅｔ４電圧まで漸進的に上昇するリセット波形を第１グループのＹ電極ＹＧ１に印加する方法を示す図面である。
【０１５０】
図１１Ｂに示したように、トランジスタＹｒｒ２、トランジスタＹｐｎ、第１グループ選択回路４１０のトランジスタＳＣＬ_Ｇ１及び第２グループ選択回路４２０のトランジスタＳＣＨ_Ｇ２が導通する。
【０１５１】
トランジスタ（Ｙｒｒ２、Ｙｐｎ、ＳＣＬ_Ｇ１）の導通によって電源（Ｖｓｅｔ２-ＶｓｃＨ）、ダイオードＤ１、トランジスタＹｒｒ２、トランジスタＹｐｎ、トランジスタ（ＳＣＬ_Ｇ１及び第１グループＹ電極ＹＧ１の経路（図１１ＢのＩＶ）に電流経路が形成される。この電流経路（ＩＶ）によって第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧は基準電圧からＶｓｅｔ４電圧（つまり、Ｖｓｅｔ２-ＶｓｃＨ）まで漸進的に上昇する。
【０１５２】
そして、トランジスタ（Ｙｒｒ２、Ｙｐｎ、ＳＣＨ_Ｇ２）の導通によって電源（Ｖｓｅｔ２-ＶｓｃＨ）、ダイオードＤ１、トランジスタＹｒｒ２、トランジスタＹｐｎ、キャパシタＣｓｃ、トランジスタＳＣＨ_Ｇ２及び第２グループＹ電極ＹＧ２の経路（図１１ＢのＩＶ'）に電流経路が形成される。この電流経路（ＩＶ'）によって第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧はＶｓｃＨからＶｓｅｔ２電圧まで漸進的に上昇する。
【０１５３】
一方、図３に示したように走査電極に印加されるリセット波形は漸進的に上昇する部分と漸進的に下降する部分を含む。漸進的に上昇する部分は第１グループのＹ電極ＹＧ１と第２グループのＹ電極ＹＧ２の間に互いに異ならせて印加する方法については前記１０ａ、１０Ｂ、１１Ａ、１１Ｂで説明した通りである。そして、漸進的に下降する部分は第１グループのＹ電極ＹＧ１と第２グループのＹ電極ＹＧ２の間に互いに同一であるが、以下では図１２を参照してこれについて説明する。
【０１５４】
図１２は第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）に漸進的に下降する電圧を印加する方法を示す図面である。つまり、図１２は第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）にＶｎｆ電圧まで漸進的に下降するリセット波形を印加する方法を示す図面である。
【０１５５】
図１２に示したように、トランジスタＹｆｒ、第１グループ選択回路４１０のトランジスタＳＣＬ_Ｇ１及び第２グループ選択回路４２０のトランジスタＳＣＬ_Ｇ２が導通する。
【０１５６】
トランジスタ（Ｙｆｒ、ＳＣＬ_Ｇ１）に導通によって第１グループのＹ電極ＹＧ１、トランジスタ（ＳＣＬ_Ｇ１、トランジスタＹｆｒ及び電源Ｖｎｆの経路（図１２のＶ）に電流経路が形成される。トランジスタＹｆｒは一定の電流を流し、この一定の電流によってＹ電極の電圧を漸進的に下降させる。したがって、電流経路（Ｖ）によって第１グループＹ電極ＹＧ１の電圧は基準電圧からＶｎｆ電圧まで漸進的に下降する。
【０１５７】
そして、トランジスタ（Ｙｆｒ、ＳＣＬ_Ｇ２）の導通によって第２グループのＹ電極ＹＧ２、トランジスタＳＣＬ_Ｇ２、トランジスタＹｆｒ及び電源Ｖｎｆの経路（図１２のＶ'）に電流経路が形成される。この電流経路（Ｖ'）によって第２グループＹ電極ＹＧ２の電圧も基準電圧からＶｎｆ電圧まで漸進的に下降する。
【０１５８】
一方、図９のような回路を通じて図５のメインリセット期間Ｒ１のように第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）にＶｓｃＨ電圧からＶｓｅｔ１電圧まで漸進的に上昇する電圧を印加することができる。図９の回路で、トランジスタＹｒｒ１、トランジスタＹｐｎ、第１グループの選択回路のトランジスタＳＣＨ_Ｇ１及び第２グループの選択回路のトランジスタＳＣＨ_Ｇ２が導通する。その結果、第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）の電圧が同時にＶｓｅｔ１電圧まで漸進的に上昇する。
【０１５９】
このように図９で示した本発明の実施例による走査電極駆動部４００で第１グループの選択回路４１０と第２グループの選択回路４２０を適切に調節して第１グループのＹ電極ＹＧ１と第２グループのＹ電極ＹＧ２間に同一なリセット波形または互いに異なるリセット波形を印加することができる。
【０１６０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【０１６１】
【図１】本発明の実施例によるプラズマ表示装置の概略的な構成を示す図面である。
【図２】本発明の第１実施例によるプラズマ表示装置のサブフィールド構造を示す図面である。
【図３】図２のようなサブフィールド構造に適用される駆動波形を示す図面である。
【図４】本発明の第２実施例によるプラズマ表示装置のサブフィールド構造を示す図面である。
【図５】図４のようなサブフィールド構造に適用される駆動波形を示す図面である。
【図６】本発明の第３実施例によるプラズマ表示装置のサブフィールド構造を示す図面である。
【図７】図６のようなサブフィールド構造に適用される駆動波形を示す図面である。
【図８】本発明の第４実施例によるプラズマ表示装置の駆動波形を示す図面である。
【図９】本発明の実施例による走査電極駆動部４００の概略的な回路構成を示す図面である。
【図１０Ａ】図３のメインリセット期間Ｒ１で第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）に印加されるリセット波形を生成する方法を示す図面である。
【図１０Ｂ】図３のリセット期間Ｒ１’で第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）に印加されるリセット駆動波形を生成する方法を示す図面である。
【図１１Ａ】図３の補助リセット期間Ｒ２で第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）に印加されるリセット駆動波形を生成する方法を示す図面である。
【図１１Ｂ】図３の補助リセット期間Ｒ２'で第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）に印加されるリセット駆動波形を印加する方法を示す図面である。
【図１２】第１及び第２グループのＹ電極（ＹＧ１、ＹＧ２）に漸進的に下降する電圧を印加する方法を示す図面である。
【符号の説明】
【０１６２】
１００    プラズマ表示パネル
２００    制御部
３００    アドレス電極駆動部
４００    走査電極駆動部
４１０    第１グループの選択回路
４２０    第２グループの選択回路
４３０    走査電極維持放電回路
５００    維持電極駆動部
Ａ１〜Ａｍ    アドレス電極（Ａ電極）
Ｘ１〜Ｘｎ    維持電極（Ｘ電極）
Ｙ１〜Ｙｎ    走査電極（Ｙ電極）
Ｃｓｃ    キャパシタ
Ｇ１    第１グループ
Ｇ２    第２グループ
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３    ダイオード
ＳＦ１〜ＳＦ８、ＳＦ１’〜ＳＦ８’    サブフィールド
ＶｓｃＬ    電源
Ｙｒｒ１、Ｙｒｒ２、Ｙｐｎ、Ｙｆｒ、Ｙｓｃｌ    トランジスタ
【図１】
2008242417.tif 000003
【図２】
2008242417.tif 000004
【図３】
2008242417.tif 000005
【図４】
2008242417.tif 000006
【図５】
2008242417.tif 000007
【図６】
2008242417.tif 000008
【図７】
2008242417.tif 000009
【図８】
2008242417.tif 000010
【図９】
2008242417.tif 000011
【図１０Ａ】
2008242417.tif 000012
【図１０Ｂ】
2008242417.tif 000013
【図１１Ａ】
2008242417.tif 000014
【図１１Ｂ】
2008242417.tif 000015
【図１２】
2008242417.tif 000016