(57)【要約】【課題】光センサ用フィルタにおいて、製造コスト、欠陥の発生、分光シフトを抑制する。【解決手段】本発明の一態様に係る光センサ用フィルタＦ１は、複数の受光素子３１，３２に対となる複数のフィルタ４，５を含む光センサ用フィルタである。複数のフィルタ４，５は、複数の受光素子３１，３２の光入射側に配置されており顔料分散レジストにて形成される赤フィルタ４と、複数の受光素子３１，３２の一部の光入射側に配置されており顔料分散レジストにて形成される青フィルタとを具備する。赤フィルタ４と青フィルタ５とは、積層されている。【選択図】      図１
2008203544.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光素子に対となる複数のフィルタを含む光センサ用フィルタにおいて、
前記複数のフィルタは、前記複数の受光素子の光入射側に配置されており顔料分散レジストにて形成される赤フィルタと、前記複数の受光素子の一部の光入射側に配置されており顔料分散レジストにて形成される青フィルタとを具備し、
前記赤フィルタと前記青フィルタとは、積層されている
ことを特徴とする光センサ用フィルタ。
【請求項２】
請求項１記載の光センサ用フィルタにおいて、
前記青フィルタと積層されない前記赤フィルタのみの配置位置と、前記青フィルタの配置位置とは、光入射側から見て市松模様となる
ことを特徴とする光センサ用フィルタ。
【請求項３】
複数の受光素子に対となる複数のフィルタとを含む光センサ用フィルタにおいて、
前記複数のフィルタは、前記複数の受光素子の光入射側に配置されており顔料分散レジストにて形成される赤フィルタと、前記複数の受光素子の一部の光入射側に配置されており顔料分散レジストにて形成されるシアンフィルタとを具備し、
前記赤フィルタと前記シアンフィルタとは、積層されている
ことを特徴とする光センサ用フィルタ。
【請求項４】
請求項３記載の光センサ用フィルタにおいて、
前記シアンフィルタと積層されない前記赤フィルタのみの配置位置と、前記シアンフィルタの配置位置とは、光入射側から見て市松模様となる
ことを特徴とする光センサ用フィルタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の光センサ用フィルタにおいて、
前記赤フィルタは、前記複数の受光素子の光入射側一面に形成されている
ことを特徴とする光センサ用フィルタ。
【請求項６】
複数の受光素子と、
前記複数の受光素子に対となる複数のフィルタと
を具備し、
前記複数のフィルタは、前記複数の受光素子の光入射側に配置されており顔料分散レジストにて形成される赤フィルタと、前記複数の受光素子の一部の光入射側に配置されており顔料分散レジストにて形成される青フィルタとを具備し、
前記赤フィルタと前記青フィルタとは、積層されている
ことを特徴とする光センサ。
【請求項７】
複数の受光素子と、
前記複数の受光素子に対となる複数のフィルタと
を具備し、
前記複数のフィルタは、前記複数の受光素子の光入射側に配置されており顔料分散レジストにて形成される赤フィルタと、前記複数の受光素子の一部の光入射側に配置されており顔料分散レジストにて形成されるシアンフィルタとを具備し、
前記赤フィルタと前記シアンフィルタとは、積層されている
ことを特徴とする光センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ある波長域の光を抽出するために用いられる光センサ用フィルタ及びこの光センサ用フィルタを備えた光センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
光センサとして用いられるＣＣＤ、ＣＭＯＳなどの受光素子は入射した光を電気信号に変換する。
【０００３】
しかし、受光素子は、入射した光の波長を判別することはできず、入射した光をこの光の強さに応じた電気信号に変換し、入射した光の明るさを検知するのみである。
【０００４】
このため、受光素子を所定波長の光を検出する光センサに用いる場合には、この受光素子の前面に、所定の波長の光を透過するフィルタを配置し、所定の波長の光を受光素子に入射させる必要がある。
【０００５】
一般的に、光センサ用フィルタには、光干渉型の無機フィルタが用いられる。
【特許文献１】特開平０３−３８０６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
無機質の膜からなる光干渉型の無機フィルタを、光センサ用フィルタとして使用する場合には、以下のような課題が生じる。
【０００７】
第１に、入射角依存により分光がシフトし、測定精度が低下する場合がある。
【０００８】
第２に、成膜に時間がかかり、生産性が低下する場合がある。
【０００９】
第３に、デバイスへのオンチップ化の要求があるが、蒸着、スパッタリングにより形成された無機フィルタを剥離することは困難である。また、分光異常が発生した場合にリワークが困難であり、高価なデバイスが無駄になる場合がある。
【００１０】
無機フィルタは、ＴｉＯ2等の無機材料を真空蒸着方式により成膜して製造されるため、数十μｍレベルの欠陥が発生する場合がある。
【００１１】
本発明は、以上のような実情に鑑みてなされたもので、製造コスト、欠陥の発生、分光シフトを抑制できる光センサ用フィルタ及びこの光センサ用フィルタを備えた光センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題は、複数の受光素子に対となる複数のフィルタを含む光センサ用フィルタにおいて、複数のフィルタは、複数の受光素子の光入射側に配置されており顔料分散レジストにて形成される赤フィルタと、複数の受光素子の一部の光入射側に配置されており顔料分散レジストにて形成される青フィルタとを具備し、赤フィルタと青フィルタとは積層されている光センサ用フィルタにより、解決される。
【００１３】
上記課題は、複数の受光素子に対となる複数のフィルタとを含む光センサ用フィルタにおいて、複数のフィルタは、複数の受光素子の光入射側に配置されており顔料分散レジストにて形成される赤フィルタと、複数の受光素子の一部の光入射側に配置されており顔料分散レジストにて形成されるシアンフィルタとを具備し、赤フィルタとシアンフィルタとは積層されている光センサ用フィルタにより、解決される。
【００１４】
上記課題は、複数の受光素子と、複数の受光素子に対となる複数のフィルタとを具備し、複数のフィルタは、複数の受光素子の光入射側に配置されており顔料分散レジストにて形成される赤フィルタと、複数の受光素子の一部の光入射側に配置されており顔料分散レジストにて形成される青フィルタとを具備し、赤フィルタと青フィルタとは積層されている光センサにより、解決される。
【００１５】
上記課題は、複数の受光素子と、複数の受光素子に対となる複数のフィルタとを具備し、複数のフィルタは、複数の受光素子の光入射側に配置されており顔料分散レジストにて形成される赤フィルタと、複数の受光素子の一部の光入射側に配置されており顔料分散レジストにて形成されるシアンフィルタとを具備し、赤フィルタとシアンフィルタとは積層されている光センサにより、解決される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明により、製造コスト、欠陥の発生、分光シフトを抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の各図において同様の機能を実現する部分については同一の符号を付して説明を省略する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
本実施の形態においては、顔料分散レジストにて形成される光センサ用フィルタについて説明する。
【００１９】
図１は、本実施の形態に係る光センサ用フィルタを具備する光センサの一例を示す断面図である。
【００２０】
図２は、本実施の形態に係る光センサ用フィルタの一例を示す正面図である。この図２では、画素配列を示している。
【００２１】
光センサ（撮像素子）１は、基板２、複数の受光素子３１，３２、赤フィルタ４、青フィルタ５を具備する。
【００２２】
複数の受光素子３１，３２は、平面視マトリクス上に基板２に配置されている。
【００２３】
複数の受光素子３１，３２の光入射側には、一面に赤フィルタ４が形成されている。
【００２４】
複数の受光素子３１，３２の一部の光入射側には、青フィルタ５が形成されている。
【００２５】
光入射側から見た場合、赤フィルタ４と青フィルタ５とは、市松模様となるような配置関係である。言い換えると、光センサ用フィルタＦ１では、赤フィルタ４を形成した上に青フィルタ５が千鳥状に配置されており、これにより積層フィルタ部６が形成されている。
【００２６】
赤フィルタ４及び青フィルタ５は、顔料分散レジストにて形成される。
【００２７】
すなわち、本実施の形態においては、複数の受光素子３１，３２と、この複数の受光素子３１，３２に対となる複数のフィルタとから、画素が形成される。そして、それぞれの受光素子３１，３２上に配置されるフィルタは、顔料分散レジストにて形成される赤フィルタ４、及び顔料分散レジストにて形成される赤フィルタ４及び青フィルタ５の積層フィルタ部６である。
【００２８】
本実施の形態に係る光センサ用フィルタＦ１を配置した光センサ１は、以下に示すように、所定の波長の光を検出する。
【００２９】
積層フィルタ部６は、青フィルタ５と赤フィルタ４との重ね合わせである。
【００３０】
演算部７は、赤フィルタ４経由で受光素子３１に入射した光により受光素子３１で得られた観測値Ｖ1から、積層フィルタ部６経由で受光素子３２に入射した光により受光素子３２で得られた観測値Ｖ2を引き算した観測値Ｖ3（＝Ｖ1−Ｖ2）を求め、出力する。この出力により、所定の波長の光を検出した結果を得ることができる。すなわち、本実施の形態に係る光センサ用フィルタＦ１は、波長６００ｎｍ付近〜波長８００ｎｍ付近の間の光を検出できる。光センサ用フィルタＦ１を備えた光センサ１は、波長６００ｎｍ付近〜波長８００ｎｍ付近の間の波長の光を検出するセンサとして用いることができる。
【００３１】
以下に、従来の無機フィルタによる光センサ用フィルタと本実施の形態に係る光センサ用フィルタＦ１との比較結果の一例について説明する。
【００３２】
図３は、無機フィルタによる光センサ用フィルタの一例を示す断面図である。
【００３３】
無機フィルタ８は、シリコンウエハ上に、真空蒸着によりＴｉＯ2を１層目とし、ＳｉＯ2とＴｉＯ2を交互に重ねて形成される。
【００３４】
本実施の形態において、無機フィルタ８は、各層の膜厚は一定膜厚ではなく、ランダムに形成され、トータル膜厚は４．０μｍになるとする。
【００３５】
ＴｉＯ2の成膜時は、ガス圧１．５×１０-2、温度３４０℃にて成膜した。ＳｉＯ2の成膜時は、ガス圧１．４×１０-3、温度３４０℃で成膜した。
【００３６】
この無機フィルタ８による分光特性の一例を、図４に示す。この図４において、縦軸を波長、横軸を透過率としている。なお、以下で説明するグラフについても同様である。
【００３７】
一方、本実施の形態に係る光センサ用フィルタＦ１のカラーフィルタの膜厚について、赤フィルタ４を１．５μｍ、青フィルタ５を１．５μｍ、画素ピッチを５μｍとしたとする。
【００３８】
図５に、赤フィルタ４、青フィルタ５、赤フィルタ４と青フィルタ５の積層フィルタ部６の分光特性の一例を示す。
【００３９】
この図５において、青フィルタ５の光の透過率は、光の波長４００ｎｍに対して３０％〜４０％の間であり、光の波長４００ｎｍから高波長側になるほど透過率が上昇し、光の波長４５０ｎｍ付近〜４６０ｎｍ付近の間では７０%〜８０％の間となる。青フィルタ５の透過率は、光の波長４５０ｎｍ付近〜４６０ｎｍ付近の間より高波長側になるほど透過率が低下し、光の波長５６０ｎｍ付近で０％〜３％の間となる。そして、青フィルタ５の透過率は、光の波長７７０ｎｍ付近〜９００ｎｍ付近の間で高波長側になるほど急激に上昇する。青フィルタ５の透過率は、光の波長８６０ｎｍ付近よりも高波長側で９０%〜１００％の間を維持する。
【００４０】
図５の赤フィルタ４の透過率は、光の波長４００ｎｍ付近〜５７０ｎｍ付近まで０％〜３％の間となる。赤フィルタ４の透過率は、光の波長５７０ｎｍ付近〜６４０ｎｍ付近の間で高波長側になるほど急激に上昇する。そして、赤フィルタ４の透過率は、光の波長６３０ｎｍ付近よりも高波長側で９０%〜１００％の間を維持する。
【００４１】
赤フィルタ４と青フィルタ５との積層フィルタ部６の光の透過率は、（赤フィルタ４の透過率×青フィルタ５の透過率）により、求められる。
【００４２】
この図５のグラフにおいて、赤フィルタ４と青フィルタ５との積層フィルタ部６の透過率は、光の波長７７０ｎｍ付近よりも低波長側で０％〜３％の間を維持する。そして、赤フィルタ４と青フィルタ５との積層フィルタ部６の透過率は、光の波長７７０ｎｍ付近〜９００ｎｍ付近の間で高波長側になるほど急激に上昇する。赤フィルタ４と青フィルタ５との積層フィルタ部６の透過率は、光の波長８６０ｎｍ付近よりも高波長側で９０%〜１００％の間を維持する。
【００４３】
すなわち、赤フィルタ４と青フィルタ５との積層フィルタ部６の分光特性は、光の波長８００ｎｍ付近において、波長が高くなるにつれて急激に透過率が上昇し、立ち上がる。
【００４４】
図６は、赤フィルタ４経由で受光素子３１に入射した光により受光素子３１で得られた観測値Ｖ1から、積層フィルタ部６経由で受光素子３２に入射した光により受光素子３２で得られた観測値Ｖ2を引く演算結果（Ｖ3）に対応する分光特性の一例を示すグラフである。
【００４５】
赤フィルタ４経由で受光素子３１に入射した光により受光素子３１で得られた観測値Ｖ1から、積層フィルタ部６経由で受光素子３２に入射した光により受光素子３２で得られた観測値Ｖ2を引く演算結果に対応する分光特性の透過率は、光の波長４００ｎｍ〜５７０ｎｍ付近まで０％〜３％の間となり、光の波長５７０ｎｍ付近〜６４０ｎｍ付近の間で高波長側になるほど急激に上昇する。赤フィルタ４経由で受光素子３１に入射した光により受光素子３１で得られた観測値Ｖ1から、積層フィルタ部６経由で受光素子３２に入射した光により受光素子３２で得られた観測値Ｖ2を引く演算結果に対応する分光特性の透過率は、光の波長６３０ｎｍ付近よりも高波長側で９０%〜１００％の間を維持する。
【００４６】
さらに、赤フィルタ４経由で受光素子３１に入射した光により受光素子３１で得られた観測値Ｖ1から、積層フィルタ部６経由で受光素子３２に入射した光により受光素子３２で得られた観測値Ｖ2を引く演算結果に対応する分光特性の透過率は、光の波長７７０ｎｍ付近〜９００ｎｍ付近の間で高波長側になるほど急激に下降する。そして、赤フィルタ４経由で受光素子３１に入射した光により受光素子３１で得られた観測値Ｖ1から、積層フィルタ部６経由で受光素子３２に入射した光により受光素子３２で得られた観測値Ｖ2を引く演算結果に対応する分光特性の透過率は、光の波長９００ｎｍよりも高波長側で０%〜５％の間を維持する。
【００４７】
この赤フィルタ４経由で受光素子３１に入射した光により受光素子３１で得られた観測値Ｖ1から、積層フィルタ部６経由で受光素子３２に入射した光により受光素子３２で得られた観測値Ｖ2を引く演算結果に対応する分光特性は、透過率が半値（５０％）を超える光の波長が６００ｎｍ付近〜８００ｎｍ付近の範囲に含まれる特性を持つ。このような本実施の形態に係る光センサ用フィルタＦ１を備えた光センサは、波長６００ｎｍ付近〜波長８００ｎｍ付近の間の波長の光を検出することが可能になる。
【００４８】
赤フィルタ４経由で受光素子３１に入射した光により受光素子３１で得られた観測値Ｖ1から、積層フィルタ部６経由で受光素子３２に入射した光により受光素子３２で得られた観測値Ｖ2を引く演算結果に対応する分光特性では、無機フィルタ８の分光特性よりも、高透過率（例えば９０％以上）の波長域における透過率の変動が少なく、同等の分光を得ることができる。
【００４９】
本実施の形態に係る光センサ用フィルタＦ１の画素は、まず、半導体基板１に受光素子３１，３２を形成し、次に、受光素子３１，３２上に赤フィルタ４を形成し、リソグラフィー法を用いて積層フィルタ部６の形成位置に青フィルタ５を形成することにより、製造される。
【００５０】
以上説明した本実施の形態においては、光センサ用フィルタＦ１が顔料によるフィルタであるため、光の入射角による分光シフトを抑制することができる。
【００５１】
本実施の形態に係る光センサ用フィルタＦ１は、リソグラフィー法により容易かつ安価に形成することができる。
【００５２】
本実施の形態においては、分光異常が発生した場合であっても、リソグラフィー法により形成されたフィルタは溶剤による除去、研磨による除去などでフィルタを剥離することができ、蒸着、スパッタリングで形成した無機フィルタよりもフィルタの剥離が容易であるため、リワークが可能であり、高価なデバイスが無駄になることを防止できる。
【００５３】
本実施の形態に係る光センサ用フィルタＦ１は、上記のように無機フィルタ８と比較して利点が多く、さらに無機フィルタ８と同程度もしくはそれ以上の分光感度を得ることができる。
【００５４】
（第２の実施の形態）
本実施の形態においては、上記第１の実施の形態に係る光センサ用フィルタの変形例について説明する。
【００５５】
本実施の形態においては、上記第１の実施の形態の青フィルタ５に代えて、シアンフィルタを用いた光センサ用フィルタについて説明する。
【００５６】
図７は、本実施の形態に係る光センサ用フィルタを具備する光センサの一例を示す断面図である。
【００５７】
図８は、本実施の形態に係る光センサ用フィルタの一例を示す正面図である。この図２では、画素配列を示している。
【００５８】
光センサ９は、基板２、複数の受光素子３１，３２、赤フィルタ４、シアンフィルタ１０を具備する。
【００５９】
複数の受光素子３１，３２は、平面視マトリクス上に基板２に配置されている。
【００６０】
複数の受光素子３１，３２の光入射側には、一面に赤フィルタ４が形成されている。
【００６１】
複数の受光素子３１，３２の一部の光入射側には、シアンフィルタ１０が形成されている。
【００６２】
光入射側から見て、赤フィルタ４と、赤フィルタ４とシアンフィルタ１０とが積層されている積層フィルタ部１１とは、市松模様となるような配置関係である。言い換えると、光センサ用フィルタＦ１では、赤フィルタ４を形成した上にシアンフィルタ１０が千鳥状に配置されており、これにより積層フィルタ部１１が形成されている
赤フィルタ４及びシアンフィルタ１０は、顔料分散レジストにて形成される。
【００６３】
積層フィルタ部１１は、赤フィルタ４とシアンフィルタ１０との重ね合わせである。
【００６４】
本実施の形態においては、複数の受光素子３１，３２と、この複数の受光素子３１，３２に対となる複数のフィルタとから、画素が形成される。そして、それぞれの受光素子３１，３２上に配置されるフィルタは、顔料分散レジストにて形成される赤フィルタ４、及び顔料分散レジストにて形成される赤及びシアンの積層フィルタ部１１である。
【００６５】
演算部１２は、赤フィルタ４経由で受光素子３１に入射した光により受光素子３１で得られた観測値Ｖ1から、積層フィルタ部１１経由で受光素子３２に入射した光により受光素子３２で得られた観測値Ｖ4を引き算した観測値Ｖ5（＝Ｖ1−Ｖ4）を求め、出力する。この出力により、所定の波長の光を検出した結果を得ることができる。すなわち、本実施の形態に係る光センサ用フィルタＦ２は、波長６００ｎｍ付近〜波長７５０ｎｍ付近の間の光を検出できる。光センサ用フィルタＦ２を備えた光センサ９は、波長６００ｎｍ付近〜波長７５０ｎｍ付近の間の波長の光を検出するセンサとして用いることができる。
【００６６】
以下に、無機フィルタ８による光センサ用フィルタと本実施の形態に係る光センサ用フィルタＦ２との比較結果の一例について説明する。
【００６７】
本実施の形態においても、上記第１の実施形態と同様の従来の無機フィルタ８を用いるとする。
【００６８】
本実施の形態に係る光センサ用フィルタＦ２のカラーフィルタの膜厚について、赤フィルタ４を１．５μｍ、シアンフィルタ１０を１．５μｍとし、画素ピッチを５μｍとしたとする。
【００６９】
図９に、赤フィルタ４、シアンフィルタ１０、赤フィルタ４とシアンフィルタ１０の積層フィルタ部１１の分光特性の一例を示す。
【００７０】
この図９において、シアンフィルタ１０の透過率は、光の波長４００ｎｍに対して４０％〜５０％の間であり、光の波長４００ｎｍから高波長側になるほど透過率が上昇する。シアンフィルタ１０の透過率は、光の波長４７０ｎｍ付近〜４９０ｎｍ付近では９０%〜１００％の間となる。シアンフィルタ１０の透過率は、光の波長４８０ｎｍ付近より高波長側になるほど透過率が低下し、光の波長６００ｎｍ付近で０％〜５％の間となる。そして、シアンフィルタ１０の透過率は、光の波長７１０ｎｍ付近〜８００ｎｍ付近の間で高波長側になるほど急激に上昇し、光の波長８００ｎｍ付近よりも高波長側で９０%〜１００％の間を維持する。
【００７１】
図９の赤フィルタ４の透過率は、光の波長４００ｎｍ付近〜５７０ｎｍ付近まで０％〜３％の間となる。赤フィルタ４の透過率は、光の波長５７０ｎｍ付近〜６４０ｎｍ付近の間で高波長側になるほど急激に上昇し、光の波長６３０ｎｍ付近よりも高波長側で９０%〜１００％の間を維持する。
【００７２】
赤フィルタ４とシアンフィルタ１０との積層フィルタ部１１の透過率は、（赤フィルタ４の透過率×シアンフィルタ１０の透過率）により、求められる。
【００７３】
この図９のグラフにおいて、赤フィルタ４とシアンフィルタ１０との積層フィルタ部１１の透過率は、光の波長７１０ｎｍ付近よりも低波長側で０％〜３％の間を維持する。そして、赤フィルタ４とシアンフィルタ１０との積層フィルタ部１１の透過率は、光の波長７１０ｎｍ付近〜８００ｎｍ付近の間で高波長側になるほど急激に上昇し、光の波長８００ｎｍよりも高波長側で９０%〜１００％の間を維持する。
【００７４】
すわわち、赤フィルタ４とシアンフィルタ１０との積層フィルタ部１１の分光特性は、光の波長７５０ｎｍ付近において、波長が高くなるにつれて急激に透過率が上昇し、立ち上がる。
【００７５】
図１０は、赤フィルタ４経由で受光素子３１に入射した光により受光素子３１で得られた観測値Ｖ1から、積層フィルタ部１１経由で受光素子３２に入射した光により受光素子３２で得られた観測値Ｖ4を引く演算結果に対応する分光特性の一例を示すグラフである。
【００７６】
赤フィルタ４経由で受光素子３１に入射した光により受光素子３１で得られた観測値Ｖ1から、積層フィルタ部１１経由で受光素子３２に入射した光により受光素子３２で得られた観測値Ｖ4を引く演算結果に対応する分光特性の透過率は、波長４００ｎｍ付近〜５７０ｎｍ付近まで０％〜３％の間となり、波長５７０ｎｍ付近〜６４０ｎｍ付近の間で高波長側になるほど急激に上昇する。
【００７７】
また、赤フィルタ４経由で受光素子３１に入射した光により受光素子３１で得られた観測値Ｖ1から、積層フィルタ部１１経由で受光素子３２に入射した光により受光素子３２で得られた観測値Ｖ4を引く演算結果に対応する分光特性の透過率は、光の波長６００ｎｍ付近〜７５０ｎｍ付近の間で５０％以上の透過率を有し、光の波長６３０ｎｍ付近〜７３０ｎｍ付近まで９０%〜１００％の間を維持する。
【００７８】
さらに、赤フィルタ４経由で受光素子３１に入射した光により受光素子３１で得られた観測値Ｖ1から、積層フィルタ部１１経由で受光素子３２に入射した光により受光素子３２で得られた観測値Ｖ4を引く演算結果に対応する分光特性の透過率は、光の波長７２０ｎｍ付近〜８００ｎｍ付近の間で高波長側になるほど急激に下降し、光の波長８００ｎｍよりも高波長側で０%〜１０％の間を維持する。
【００７９】
上記のような赤フィルタ４経由で受光素子３１に入射した光により受光素子３１で得られた観測値Ｖ1から、積層フィルタ部１１経由で受光素子３２に入射した光により受光素子３２で得られた観測値Ｖ4を引く演算結果に対応する分光特性の透過率は、透過率が半値（５０％透過率）を超える光の波長が６００ｎｍ付近〜７５０ｎｍ付近の範囲に含まれる特性を持つ。光センサ用フィルタＦ２を備えた光センサ９は、光の波長が６００ｎｍ付近〜７５０ｎｍ付近の波長域の光を検出することが可能である。
【００８０】
赤フィルタ４経由で受光素子３１に入射した光により受光素子３１で得られた観測値Ｖ1から、積層フィルタ部１１経由で受光素子３２に入射した光により受光素子３２で得られた観測値Ｖ4を引く演算結果に対応する分光特性の透過率では、無機フィルタ８の分光特性よりも、高透過率（例えば９０％以上）の波長域における透過率の変動が少なく、同等の分光を得ることができる。
【００８１】
本実施の形態に係る光センサ用フィルタＦ２の画素は、まず、半導体基板２に受光素子３１，３２を形成し、次に、受光素子３１，３２上に赤フィルタ４を形成し、リソグラフィー法を用いて積層フィルタ部１１の形成位置にシアンフィルタ１０を形成することにより、製造される。
【００８２】
以上説明した本実施の形態においては、光センサ用フィルタＦ２が顔料によるフィルタであるため、光の入射角による分光シフトを抑制することができる。
【００８３】
本実施の形態に係る光センサ用フィルタＦ２は、リソグラフィー法により容易かつ安価に形成することができる。
【００８４】
本実施の形態においては、分光異常が発生した場合であっても、リソグラフィー法により形成されたフィルタは溶剤による除去、研磨による除去などでフィルタを剥離することができ、蒸着、スパッタリングで形成した無機フィルタよりもフィルタの剥離が容易であるため、リワークが可能であり、高価なデバイスを無駄にすることを防止できる。
【００８５】
本実施の形態に係る光センサ用フィルタＦ２は、上記のように無機フィルタ８と比較して利点が多く、無機フィルタ８と同程度もしくはそれ以上の分光感度を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光センサ用フィルタを具備する光センサの一例を示す断面図。
【図２】第１の実施の形態に係る光センサ用フィルタの一例を示す正面図。
【図３】無機フィルタによる光センサ用フィルタの一例を示す断面図。
【図４】無機フィルタ８による分光特性の一例を示すグラフ。
【図５】赤フィルタ、青フィルタ、赤フィルタと青フィルタの積層フィルタ部の分光特性の一例を示すグラフ。
【図６】第１の実施の形態において、赤フィルタ経由で受光素子に入射した光により受光素子で得られた観測値から、積層フィルタ部経由で受光素子に入射した光により受光素子で得られた観測値を引く演算に対応する分光特性の一例を示すグラフ。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る光センサ用フィルタを具備する光センサの一例を示す断面図。
【図８】第１の実施の形態に係る光センサ用フィルタの一例を示す正面図。
【図９】赤フィルタ、シアンフィルタ、赤フィルタとシアンフィルタの積層フィルタ部の分光特性の一例を示すグラフ。
【図１０】第２の実施の形態において、赤フィルタ経由で受光素子に入射した光により受光素子で得られた観測値から、積層フィルタ部経由で受光素子に入射した光により受光素子で得られた観測値を引く演算に対応する分光特性の一例を示すグラフ。
【符号の説明】
【００８７】
Ｆ１，Ｆ２…光センサ用フィルタ、１，９…光センサ、２…基板、３，３２…受光素子、４…赤フィルタ、５…青フィルタ、６，１１…積層フィルタ部、７，１２…演算部、８…無機フィルタ、１０…シアンフィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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