(57)【要約】【課題】  例えばラインアンドスペースのような特殊な形状であっても、欠陥を適正に結合して正確に欠陥を検出することが可能な欠陥検出方法を提供すること。【解決手段】  隣接検出欠陥Ｄn の外接矩形を隣接欠陥外接矩形５２として設定する隣接欠陥外接矩形設定工程と、注目欠陥外接矩形５２を拡大することにより、拡大外接矩形５５を得る外接矩形拡大工程と、拡大外接矩形５５と隣接欠陥外接矩形５１、５３、５４との位置が重複するか否かにより、注目検出欠陥Ｄn と隣接検出欠陥Ｄn-1 、Ｄn+1 、Ｄn+2 とを結合するか否かを判定する判定工程とを備える。【選択図】        図５
2008241298.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
注目検出欠陥と、この注目検出欠陥と隣接する隣接検出欠陥とを、所定の条件により結合する欠陥検出方法において、
注目検出欠陥の外接矩形を注目欠陥外接矩形として設定する注目欠陥外接矩形設定工程と、
前記注目欠陥外接矩形を、結合したい欠陥が存在する第１の方向と、前記第１の方向と直交する第２の方向に、各々拡大することにより、拡大外接矩形を得る外接矩形拡大工程と、
前記拡大外接矩形と前記隣接検出欠陥の位置との関係から、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合するか否かを判定する判定工程と、
を備えたことを特徴とする欠陥検出方法。
【請求項２】
注目検出欠陥と、この注目検出欠陥と隣接する隣接検出欠陥とを、所定の条件により結合する欠陥検出方法において、
注目検出欠陥の外接矩形を注目欠陥外接矩形として設定する注目欠陥外接矩形設定工程と、
隣接検出欠陥の外接矩形を隣接欠陥外接矩形として設定する隣接欠陥外接矩形設定工程と、
前記注目欠陥外接矩形を、結合したい欠陥が存在する第１の方向と、前記第１の方向と直交する第２の方向に、各々拡大することにより、拡大外接矩形を得る外接矩形拡大工程と、
前記拡大外接矩形と前記隣接欠陥外接矩形との位置が重複するか否かにより、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合するか否かを判定する判定工程と、
前記拡大外接矩形と前記隣接欠陥外接矩形との位置が重複する場合には、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合する結合工程と、
を備えたことを特徴とする欠陥検出方法。
【請求項３】
注目検出欠陥と、この注目検出欠陥と隣接する隣接検出欠陥とを、所定の条件により結合する欠陥検出方法において、
注目検出欠陥の外接矩形を注目欠陥外接矩形として設定する注目欠陥外接矩形設定工程と、
前記注目欠陥外接矩形を、結合したい欠陥が存在する第１の方向と、前記第１の方向と直交する第２の方向に、各々拡大することにより、拡大外接矩形を得る外接矩形拡大工程と、
前記拡大外接矩形と前記隣接検出欠陥の前記第１の方向の領域とが重複し、かつ、前記拡大外接矩形と前記隣接欠陥の重心の前記第２方向の位置とが重複するか否かにより、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合するか否かを判定する判定工程と、
前記拡大外接矩形と前記隣接検出欠陥の前記第１の方向の領域とが重複し、かつ、前記拡大外接矩形と前記隣接欠陥の重心の前記第２方向の位置とが重複する場合には、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合する結合工程と、
を備えたことを特徴とする欠陥検出方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の欠陥検出方法において、
前記注目検出欠陥における輪郭線上で最も離隔する二点を結ぶ直線を最大長線として求め、前記注目欠陥外接矩形は、その長辺が前記最大長線と平行な矩形とする欠陥検出方法。
【請求項５】
請求項２に記載の欠陥検出方法において、
前記隣接検出欠陥における輪郭線上で最も離隔する二点を結ぶ直線を最大長線として求め、前記隣接欠陥外接矩形は、その長辺が前記最大長線と平行な矩形とする欠陥検出方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の欠陥検出方法において、
前記第１の方向に対する拡大量は、前記第２の方向に対する拡大量よりも大きい欠陥検出方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の欠陥検出方法において、
前記第１の方向に対する拡大量と前記第２の方向に対する拡大量とを、前記注目欠陥外接矩形の長辺と短辺の比に基づいて決定する欠陥検出方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の欠陥検出方法において、
欠陥検出対象は、直線状の導電部と直線状の空白部とが交互に配置されたラインアンドスペース形状を有し、
前記第１の方向は、前記直線状の導電部と同一の方向である欠陥検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は欠陥検出方法に関し、特に、注目検出欠陥とこの注目検出欠陥と隣接する隣接検出欠陥とを所定の条件により結合する欠陥検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体製品の製造工程等においては、欠陥を検査するための外観検査装置が使用されている。このような外観検査装置においては、ノイズ等の影響により、検査装置により検出された検出欠陥と実際に存在する実在欠陥とが一致しないという現象が発生する。
【０００３】
図１１は、実在欠陥と検出欠陥とを模式的に示す説明図である。なお、図１１（ａ）は実在欠陥を示し、図１１（ｂ）は検出欠陥を示している。
【０００４】
この図に示す欠陥検出対象は、直線状の導電部１００と直線状の空白部とが交互に配置されたラインアンドスペース形状の半導体素子であり、この半導体素子には、図１１（ａ）に示すように、実在欠陥として、導電部１００が大きく欠落したオープン欠陥１１０と、各導電部１００間が広範囲に短絡したショート欠陥１２０と、導電部１００が欠落したオープン欠陥１４０と、各導電部１００間が短絡したショート欠陥１３０とが存在している。
【０００５】
この欠陥検出対象に対し、外観検査装置により欠陥を検出した場合には、図１１（ｂ）に示すように、ショート欠陥１３０とオープン欠陥１４０とは、各々、欠陥１３１、１４１として正確に検出される。しかしながら、例えば、オープン欠陥１１０は４個の欠陥１１１、１１２、１１３、１１４に分かれて検出され、また、ショート欠陥１２０は３個の欠陥１２１、１２２、１２３に分かれて検出される場合がある。
【０００６】
図１２は、スクラッチ欠陥と呼称される欠陥について、実在欠陥と検出欠陥とを模式的に示す説明図である。なお、図１２（ａ）は実在欠陥を示し、図１２（ｂ）は検出欠陥を示している。
【０００７】
この図に示す欠陥検出対象も、直線状の導電部１００と直線状の空白部とが交互に配置されたラインアンドスペース形状の半導体素子であり、この半導体素子には、図１２（ａ）に示すように、複数の導電部１００に亘る実在欠陥１５０が存在している。この欠陥検出対象に対し、外観検査装置により欠陥を検出した場合にも、図１２（ｂ）に示すように、単一の実在欠陥１５０が、３個の欠陥１５１、１５２、１５３に分かれて検出される場合がある。
【０００８】
このように、単一の実在欠陥が複数の欠陥として検出された場合には、実在欠陥の数と検出欠陥の数とが一致しないことになり、正確な欠陥検出が実行できないことになる。このような問題は、欠陥検出対象物を撮像してその欠陥を検出する場合のみならず、電子ビームを用いたＶＣ（ボルテージコントラスト）検査により欠陥を検出する場合にも同様に生ずる現象である。
【０００９】
このため、特許文献１には、検出した欠陥の位置情報を抽出し、この位置情報に基づいて各欠陥の座標と各欠陥間の距離を求め、この距離が予め設定した設定値よりも小さいときには、単一の欠陥が別の欠陥と認識されたものと判定し、これらの欠陥を結合する外観検査方法が開示されている。
【特許文献１】特許２９８６８６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１に記載の外観検査方法においては、各欠陥間の距離を利用して判定を行っていることから、ライン状欠陥等の形状に特徴がある欠陥の結合について、誤判定を行ってしまう場合がある。
【００１１】
図１３は、従来の外観検査方法の説明図である。
【００１２】
図１３（ａ）に示すように、ラインアンドスペース形状のパターンに実在欠陥Ｄａ、Ｄｂが存在したとする。このとき、このパターンを外観検査装置により欠陥検査した場合には、ノイズ等の影響により、図１３（ｂ）に示すように、実在欠陥Ｄａに対して４個の検出欠陥Ｄａ１、Ｄａ２、Ｄａ３、Ｄａ４が検出され、実欠陥Ｄｂに対して１個の検出欠陥Ｄｂ１が検出された場合を示している。
【００１３】
このような場合に、図１３（ｃ）に示すように、各欠陥間の距離を求め、この距離が予め設定した設定値よりも小さいときには単一の欠陥が別の欠陥と認識する処理を実行した場合には、図１３（ｄ）に示すように、検出欠陥Ｄａ１、Ｄａ２、Ｄｂ２が単一の欠陥Ｄ１として認識され、検出欠陥Ｄａ３およびＤａ４が、各々、単一の欠陥Ｄ２およびＤ３として認識されてしまうという問題を生ずる。
【００１４】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、例えばラインアンドスペースのような特殊な形状であっても、欠陥を適正に結合して正確に欠陥を検出することが可能な欠陥検出方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
請求項１に記載の発明は、注目検出欠陥と、この注目検出欠陥と隣接する隣接検出欠陥とを、所定の条件により結合する欠陥検出方法において、注目検出欠陥の外接矩形を注目欠陥外接矩形として設定する注目欠陥外接矩形設定工程と、前記注目欠陥外接矩形を、結合したい欠陥が存在する第１の方向と、前記第１の方向と直交する第２の方向に、各々拡大することにより、拡大外接矩形を得る外接矩形拡大工程と、前記拡大外接矩形と前記隣接検出欠陥の位置との関係から、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合するか否かを判定する判定工程とを備えたことを特徴とする。
【００１６】
請求項２に記載の発明は、注目検出欠陥と、この注目検出欠陥と隣接する隣接検出欠陥とを、所定の条件により結合する欠陥検出方法において、注目検出欠陥の外接矩形を注目欠陥外接矩形として設定する注目欠陥外接矩形設定工程と、隣接検出欠陥の外接矩形を隣接欠陥外接矩形として設定する隣接欠陥外接矩形設定工程と、前記注目欠陥外接矩形を、結合したい欠陥が存在する第１の方向と、前記第１の方向と直交する第２の方向に、各々拡大することにより、拡大外接矩形を得る外接矩形拡大工程と、前記拡大外接矩形と前記隣接欠陥外接矩形との位置が重複するか否かにより、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合するか否かを判定する判定工程と、前記拡大外接矩形と前記隣接欠陥外接矩形との位置が重複する場合には、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合する結合工程とを備えたことを特徴とする。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、注目検出欠陥と、この注目検出欠陥と隣接する隣接検出欠陥とを、所定の条件により結合する欠陥検出方法において、注目検出欠陥の外接矩形を注目欠陥外接矩形として設定する注目欠陥外接矩形設定工程と、前記注目欠陥外接矩形を、結合したい欠陥が存在する第１の方向と、前記第１の方向と直交する第２の方向に、各々拡大することにより、拡大外接矩形を得る外接矩形拡大工程と、前記拡大外接矩形と前記隣接検出欠陥の前記第１の方向の領域とが重複し、かつ、前記拡大外接矩形と前記隣接欠陥の重心の前記第２方向の位置とが重複するか否かにより、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合するか否かを判定する判定工程と、前記拡大外接矩形と前記隣接検出欠陥の前記第１の方向の領域とが重複し、かつ、前記拡大外接矩形と前記隣接欠陥の重心の前記第２方向の位置とが重複する場合には、前記注目検出欠陥と前記隣接検出欠陥とを結合する結合工程とを備えたことを特徴とする。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発明において、前記注目検出欠陥における輪郭線上で最も離隔する二点を結ぶ直線を最大長線として求め、前記注目欠陥外接矩形は、その長辺が前記最大長線と平行な矩形とする。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記隣接検出欠陥における輪郭線上で最も離隔する二点を結ぶ直線を最大長線として求め、前記隣接欠陥外接矩形は、その長辺が前記最大長線と平行な矩形とする。
【００２０】
請求項６に記載の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の発明において、前記第１の方向に対する拡大量は、前記第２の方向に対する拡大量よりも大きい。
【００２１】
請求項７に記載の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の発明において、前記第１の方向に対する拡大量と前記第２の方向に対する拡大量とを、前記注目欠陥外接矩形の長辺と短辺の比に基づいて決定する。
【００２２】
請求項８に記載の発明は、請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の発明において、欠陥検出対象は、直線状の導電部と直線状の空白部とが交互に配置されたラインアンドスペース形状を有し、前記第１の方向は、前記直線状の導電部と同一の方向である。
【発明の効果】
【００２３】
請求項１乃至請求項３に記載の発明によれば、例えばラインアンドスペースのような特殊な形状であっても、欠陥を適正に結合して正確に欠陥を検出することが可能となる。
【００２４】
請求項４に記載の発明によれば、注目検出欠陥の形状に対応した適切な注目欠陥外接矩形を得ることができる。
【００２５】
請求項５に記載の発明によれば、隣接検出欠陥の形状に対応した適切な隣接欠陥外接矩形を得ることができる。
【００２６】
請求項６および請求項７に記載の発明によれば、必要な欠陥を適切に結合させることが可能となる。
【００２７】
請求項８に記載の発明によれば、ラインアンドスペース形状において導電部に対応して発生する欠陥を適切に結合することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１はこの発明を適用する外観検査装置の概要図である。
【００２９】
この外観検査装置は、半導体基板（以下、「基板」という。）Ｗ上のパターンを検査する装置であり、基板Ｗ上の所定の領域を撮像して多階調の対象物画像のデータを取得する撮像部２と、基板Ｗを保持するステージ３と、撮像部２に対してステージ３を相対的に移動させるステージ移動機構４とを有する。
【００３０】
撮像部２は、照明光を出射する光源２１と、この光源２１から出射された照明光を基板Ｗに照射するとともに、基板Ｗからの反射光が入射する光学系２２と、光学系２２により結像された基板Ｗの像を電気信号に変換する撮像デバイス２３を有する。
【００３１】
また、ステージ移動機構４は、ステージ３を、図１における紙面に垂直なＸ方向に移動するＸ方向移動機構４１と、図１における左右方向であるＹ方向に移動するＹ方向移動機構４２とを有する。Ｘ方向移動機構４１はモータ４３に図示を省略したボールねじが接続された構成を有し、モータ４３が回転することにより、Ｙ方向移動機構４２全体がガイドレール４４に沿ってＸ方向に移動する。Ｙ方向移動機構４２もＸ方向移動機構４１と同様の構成となっており、モータ４５が回転することにより、図示を省略したボールねじの駆動でステージ３がガイドレール４６に沿ってＹ方向に移動する。
【００３２】
また、この外観検査装置は、電気的回路により構成される検査出力部５、および、各種演算処理を行うＣＰＵや各種情報を記憶するメモリ等により構成されたコンピュータ６をさらに有する。検査出力部５は、撮像部２から対象物画像を示すデータを取得して画像処理を行う。また、コンピュータ６は画像処理後の画像データに基づいて、後述する判定等を実行するとともに、外観検査装置の他の構成を制御する制御部としても機能する。
【００３３】
次に、この外観検査装置による欠陥検出動作について説明する。図２は、外観検査装置による欠陥検出動作を示すフローチャートである。
【００３４】
欠陥検査動作を実行する場合には、最初に、欠陥検出動作を実行する（ステップＳ１）。この場合には、撮像部２により基板Ｗの表面を撮像して得られた画像と、リファレンス画像とを比較し、その際が閾値以上となる領域を欠陥として検出する。なお、リファレンス画像としては、検査対象たる基板Ｗ上に存在する同形状のパターン画像を用いてもよく、また、ＣＡＤデータからリファレンス画像を形成して比較に用いてもよい。この欠陥検出動作としては、従来の周知の手法を利用することができる。
【００３５】
欠陥の検出が完了すれば、欠陥に関する情報を抽出し、欠陥情報としてコンピュータ６におけるメモリ等に記憶する（ステップＳ２）。この欠陥情報としては、例えば、欠陥が位置するダイチップインデックス、欠陥が位置する検査エリア識別番号、欠陥の外接矩形、欠陥の重心座標、欠陥の面積、欠陥画像等である。なお、欠陥が位置するダイチップインデックス、欠陥が位置する検査エリア識別番号、欠陥の外接矩形等については、後程、詳細に説明する。
【００３６】
次に、欠陥サイズフィルタを実行する（ステップＳ３）。ここでは、撮像系のノイズ成分が微小な疑似欠陥として検出されることを防止するため、検出欠陥の欠陥面積が予め指定した閾値面積より小さい場合に、その検出欠陥を疑似欠陥と認定して、処理対象から除外する処理を実行する。
【００３７】
次に、検出欠陥を処理単位にグループ分けする（ステップＳ４）。
【００３８】
図３は、検査対象である基板Ｗのダイマップと検査エリアとを模式的に示す説明図である。
【００３９】
この図に示すように、基板Ｗは、例えば、互いに直交するＩ、Ｊ方向に、各々、−３〜３の７個のエリアに分割され、分割後の各ダイチップには、ダイチップインデックス（Ｉ、Ｊ）が付与される。そして、各ダイチップには、二つの検査領域が存在し、各検査領域には、各々識別番号Ａ１、Ａ２が付与される。
【００４０】
基板Ｗ上の検出欠陥の数は、数万個をこえる場合があり、これらの全てについて後述する結合判定を実行すると、その組み合わせが膨大となり判定に時間がかかる。このため、検出欠陥を処理単位にグループ分けし、判定の組み合わせの数を減らしている。より具体的には、検出欠陥が位置するダイチップインデックス（Ｉ、Ｊ）が同一で、かつ、検査エリアの識別番号が同じ検出欠陥のみを同一グループとしてグループ分けする。
【００４１】
そして、それらのグループのうちの一つを処理グループとして選択し（ステップＳ５）、以下の動作においては、各処理グループ毎に以下の動作を繰り返す。
【００４２】
処理グループを選択したら、その処理グループについて検出欠陥結合判定を行う（ステップＳ６）。この検出欠陥結合判定は、注目検出欠陥と、この注目検出欠陥に隣接する隣接検出欠陥とを結合すべきか否かを判定するものである。この判定を行うに当たっては、外接矩形という考え方を利用する。
【００４３】
図４は、検出欠陥Ｄに対する外接矩形Ｒを示す説明図である。
【００４４】
この外接矩形Ｒを求めるに当たっては、検出欠陥Ｄにおける輪郭線上で最も離隔する二点を結ぶ直線を最大長線Ｌとして求める。そして、検出欠陥Ｄに外接する矩形のうち、その長辺がこの最大長線Ｌと平行な矩形を、この発明における外接矩形Ｒとして特定する。
【００４５】
図５は、検出欠陥結合判定工程における判定動作を説明する説明図である。
【００４６】
検出欠陥結合判定を行う場合には、複数の検出欠陥のうちのある検出欠陥を注目検出欠陥Ｄn とし、それに隣接する検出欠陥を隣接検出欠陥Ｄn-1 、Ｄn+1 、Ｄn+2 とする。
【００４７】
そして、注目検出欠陥Ｄn に対する外接矩形を、注目欠陥外接矩形５２として設定する。また、隣接検出欠陥Ｄn-1 、Ｄn+1 、Ｄn+2 に対する外接矩形を、隣接欠陥外接矩形５１、５３、５４として設定する。
【００４８】
図５においては、注目欠陥外接矩形５２の上下左右端部の座標は、（ＲＬN 、ＲＴN 、ＲＲN 、ＲＢN ）となっている。この注目欠陥外接矩形５２を、第１の方向にはＴｘ、第２の方向にはＴｙだけ拡大することにより、拡大外接矩形５５を得る。
【００４９】
ここで、第１の方向とは、一般的には結合したい欠陥が存在する方向であり、図１１乃至図１３に示すように、パターンが直線状の導電部１００と直線状の空白部とが交互に配置されたラインアンドスペース形状をなす場合には、直線状の導電部１００と同一の方向である。そして、第２の方向とは、この第１の方向と直交する方向である。なお、これらの拡大量に関するＴX およびＴY の値は、第１の方向に対する拡大量が第２の方向に対する拡大量より大きくなるよう設定する。
【００５０】
そして、拡大外接矩形５５と、各隣接欠陥外接矩形５１、５３、５４との位置が重複しているか否かを判定する。このときには、各隣接欠陥外接矩形５１、５３、５４のうち、拡大外接矩形５５と位置が重複している隣接欠陥外接矩形５１、５３に対応する隣接欠陥Ｄn-1 およびＤn+1 を、注目検出欠陥Ｄn に結合すべき隣接結合欠陥として判定する。このような結合判定動作は、各検出欠陥毎に、各検出欠陥を注目検出欠陥として繰り返し実行する。
【００５１】
再度図２を参照して、以上の検出欠陥結合判定工程が完了すれば、結合欠陥情報生成工程を実行する（ステップＳ７）。このときには、検出欠陥情報抽出工程（ステップＳ２）で抽出された欠陥が位置するダイチップインデックスや欠陥が位置する検査エリア識別番号等の情報の他、欠陥全体の外接矩形、欠陥全体の重心座標、欠陥全体の面積、欠陥全体の画像等である。このとき、欠陥全体を表すためには、例えば図６に示すように、結合後の全検出欠陥に対する外接矩形５１、５２、５３全体を覆う最小の矩形６１を利用する。
【００５２】
しかる後、全てのグループについて結合判定を完了したか否かを判定する（ステップＳ８）。未処理グループがある場合には、ステップＳ５に戻って処理を繰り返す。一方、全てのグループについて結合判定を完了した場合には、検査結果を保存して（ステップＳ９）、処理を終了する。
【００５３】
図７は、上述した図１３（ａ）に示す実在欠陥Ｄａ、Ｄｂが図１３（ｂ）に示すように４個の検出欠陥Ｄａ１、Ｄａ２、Ｄａ３、Ｄａ４がとして検出された場合に、この発明の第１実施形態に係る外観検査方法によりこれを結合した結果を示す説明図である。この図と、図１３とを比較することにより、この発明の第１実施形態によれば、検出欠陥を適正に結合しうることが明らかとなる。
【００５４】
なお、図５においては、パターンが直線状の導電部１００と直線状の空白部とが交互に配置されたラインアンドスペース形状をなす場合において、各検出欠陥検出欠陥Ｄn-1 、Ｄn 、Ｄn+1 、Ｄn+2 が、直線状の導電部１００と同一の方向である場合について説明した。これに対し、図８に示すように、注目検出欠陥Ｄn や隣接検出欠陥Ｄn-1 、Ｄn+1 が直線状の導電部１００と交差する方向を向く場合がある。
【００５５】
図５に示す実施形態においては、拡大量に関するＴｘおよびＴｙの値として、第１の方向に対する拡大量が第２の方向に対する拡大量より大きくなるよう設定している。これに対して、図８に示すように、注目検出欠陥Ｄn や隣接検出欠陥Ｄn-1 、Ｄn+1 が直線状の導電部１００と交差する方向を向く場合においては、拡大量に関するＴｈおよびＴｖの値を、注目欠陥外接矩形５８の長辺と短辺の比に基づいて決定している。
【００５６】
すなわち、この実施形態においては、Ｔを予め決定されたパラメータとしたときに、下記の式により拡大量に関するＴｈおよびＴｖの値を決定している。
【００５７】
Ｔｈ＝Ｔ・［Ｓｈ／Ｓｖ］
Ｔｖ＝Ｔ・［Ｓｖ／Ｓｈ］
そして、拡大量に関するＴｈおよびＴｖの値を用いて拡大した拡大外接矩形６０に対し、各隣接外接矩形５７、５９の位置が重複している場合には、隣接欠陥外接矩形５７、５９に対応する隣接欠陥Ｄn-1 およびＤn+1 を、注目検出欠陥Ｄn に結合すべき隣接結合欠陥として判定する。このような構成を採用することにより、検出欠陥の形状に応じて、必要な欠陥を適切に結合させることが可能となる。
【００５８】
次に、判定動作の他の実施形態について説明する。図９は、第２実施形態における判定動作を説明する説明図である。なお、この図において第１、第２の方向は、図５と同様の方向である。
【００５９】
この実施形態においても、複数の検出欠陥のうちのある検出欠陥を注目検出欠陥Ｄn とし、それに隣接する検出欠陥を隣接検出欠陥Ｄn-1 、Ｄn+1 、Ｄn+2 、Ｄn+3 とする。また、注目検出欠陥Ｄn に対する外接矩形に対し、第１の方向にはＴｘ、第２の方向にはＴｙだけ拡大した拡大外接矩形を想定する。このときにも、これらの拡大量に関するＴX およびＴY の値は、第１の方向に対する拡大量が第２の方向に対する拡大量より大きくなるよう設定する。
【００６０】
そして、この第２実施形態においては、想定された拡大外接矩形と隣接検出欠陥Ｄn-1 、Ｄn+1 、Ｄn+2 、Ｄn+3 との第１の方向の領域とが重複し、かつ、想定された拡大外接矩形と隣接検出欠陥Ｄn-1 、Ｄn+1 、Ｄn+2 、Ｄn+3 との重心の前記第２方向の位置とが重複するか否かにより、注目検出欠陥Ｄn と隣接検出欠陥Ｄn-1 、Ｄn+1 、Ｄn+2 、Ｄn+3 と注目検出欠陥とを結合するか否かを判定する。図９における実施形態においては、最終的には、注目検出欠陥Ｄn と隣接検出欠陥Ｄn-1 とが結合されることになる。
【００６１】
図１０は、上述した図１３（ａ）に示す実在欠陥Ｄａ、Ｄｂが図１３（ｂ）に示すように４個の検出欠陥Ｄａ１、Ｄａ２、Ｄａ３、Ｄａ４として検出された場合に、この発明の第２実施形態に係る外観検査方法によりこれを結合した結果を示す説明図である。この図と、図１３とを比較することにより、この発明の第２実施形態によれば、検出欠陥を適正に結合しうることが明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】この発明を適用する外観検査装置の概要図である。
【図２】外観検査装置による欠陥検出動作を示すフローチャートである。
【図３】検査対象である基板Ｗのダイマップと検査エリアとを模式的に示す説明図である。
【図４】検出欠陥Ｄに対する外接矩形Ｒを示す説明図である。
【図５】検出欠陥結合判定工程における判定動作を説明する説明図である。
【図６】外接矩形５１、５２、５３全体を覆う最小の矩形６１を示す説明図である。
【図７】４個の検出欠陥Ｄａ１、Ｄａ２、Ｄａ３、Ｄａ４を、この発明の第１実施形態に係る外観検査方法により結合した結果を示す説明図である。
【図８】導電部１００に対して傾斜して配置された注目検出欠陥Ｄn および隣接検出欠陥Ｄn-1 、Ｄn+1 を示す説明図である。
【図９】第２実施形態における判定動作を説明する説明図である。
【図１０】４個の検出欠陥Ｄａ１、Ｄａ２、Ｄａ３、Ｄａ４を、この発明の第２実施形態に係る外観検査方法により結合した結果を示す説明図である。
【図１１】実在欠陥と検出欠陥とを模式的に示す説明図である。
【図１２】実在欠陥と検出欠陥とを模式的に示す説明図である。
【図１３】従来の外観検査方法の説明図である。
【符号の説明】
【００６３】
２      撮像部
３      ステージ
４      ステージ移動機構
５      検査出力部
６      コンピュータ
２１    光源
２２    光学系
２３    撮像デバイス
４１    Ｘ方向移動機構
４２    Ｙ方向移動機構
４３    モータ
４４    ガイドレール
４５    モータ
４６    ガイドレール
５１    隣接欠陥外接矩形
５２    注目欠陥外接矩形
５３    隣接欠陥外接矩形
５４    隣接欠陥外接矩形
１００  導電部
Ｄ      検出欠陥
Ｌ      最大長線
Ｒ      外接矩形
Ｗ      基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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