(57)【要約】【課題】単板式の固体撮像素子において、光の波長毎のウエハ内での光の吸収率の違いを利用した分光検出方式を採用しつつ、特に、青（Ｂ）と緑（Ｇ）の分光特性を向上させる。【解決手段】緑（Ｇ）画素４４ｂ上にのみカラーフィルタを設け、赤（Ｒ），青（Ｂ）用のカラーフィルタは省略する。カラーフィルタが省略された部分は、平坦化膜で埋込む。赤（Ｒ）／青（Ｂ）用の画素４４ａでは、半導体基板における各色の光の吸収特性の違いを利用した分光検出方式にて、各色の入射光を分離して検出する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ)の各色光学像を一個の固体撮像素子で受光する単板式固体撮像素子であって、
緑（Ｇ）検出用の受光部に緑（Ｇ）用のカラーフィルタのみを設け、赤（Ｒ），青（Ｂ）検出用の受光部については、カラーフィルタを設けずに赤（Ｒ），青（Ｂ）の光を半導体基板内での各色の光の吸収率の違いを利用した分光検出法によりそれぞれ検出することを特徴とする単板式固体撮像素子。
【請求項２】
請求項１記載の単板式固体撮像素子であって、
同一の半導体基板内に、赤（Ｒ）用の高濃度不純物層と、緑（Ｇ）用の高濃度不純物層と、青（Ｂ）用の高濃度不純物層と、が設けられ、
前記赤（Ｒ）および青（Ｂ）用の高濃度不純物層は、同一の検出位置で、かつ前記半導体基板の異なる深さ位置に形成され、
前記緑（Ｇ）用の高濃度不純物層は、前記赤（Ｒ）および青（Ｂ）用の高濃度不純物層とは異なる検出位置に形成され、かつ、前記緑（Ｇ）用の高濃度不純物層の上方に、前記緑（Ｇ)用のカラーフィルタが配設されていることを特徴とする単板式固体撮像素子。
【請求項３】
請求項２記載の単板式固体撮像素子であって、
前記青（Ｂ）用の高濃度不純物層が前記半導体基板の表面部に形成され、前記赤（Ｒ）用の高濃度不純物層が前記青（Ｂ）用の高濃度不純物層より深層に形成されることを特徴とする単板式固体撮像素子。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか記載の単板式固体撮像素子であって、
前記赤（Ｒ）および青（Ｂ）用のカラーフィルタが省かれた部分は、平坦化膜で埋め込まれていることを特徴とする単板式固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ)の各色光学像を一個の固体撮像素子で受光する単板式固体撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
単板式のカラー固体撮像装置は、色分解プリズムを用いずにＲ，Ｇ，Ｂの各色光学像を一個の固体撮像素子で受光する。
単板式の固体撮像素子の構成としては、色分解のためにカラーフィルタを使用するもの（特許文献１参照）と、カラーフィルタを使用せずに、光電変換素子の光電変換特性が入射光の波長および半導体基板の深さ方向の位置に依存する性質（つまり、光の波長に依存して、ウエハ内での光の吸収率が相違する特性）を利用して、各色を分離して検出するもの（特許文献２参照）とが存在する。後者の場合、半導体基板内に深さ方向に分離した高濃度不純物層が３層、設けられる。
【０００３】
図１０は、ウエハ内での各色の光の吸収率が相違する特性を利用して各色の光を分離して検出する方式を採用した固体撮像素子における、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の分光特性の一例を示す図である。図１０において、横軸は波長（ｎｍ）であり、縦軸は感度を示している。図１０からわかるように、カラーフィルタを用いなくても、赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の各色を分離して検出することができるが、その一方、各色の分光特性が重なり合っているため、各色の分離が必ずしも十分ではない。
【特許文献１】特開２００２−１３５７９２号公報
【特許文献２】特開平１―１３４９６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の３色のカラーフィルタを設ける構成の固体撮像素子では、各カラーフィルタを通過する光は、入射光の略１／３であるため、光電変換の効率が悪くなるのは否めない。
また、カラーフィルタを設けない構成（ウエハ内での各色の光の吸収率が相違する特性を利用する構成）の固体撮像素子では、よりハイレベルの各色の分光感度を得ようとすると、青（Ｂ)と緑（Ｇ）の分離（分光）が不十分となる場合があり得る。つまり、カラーフィルタを用いない方式では、光の波長に依存して、ウエハ内での吸収率が異なることを利用して分光感度を得ているが、その吸収特性は、青（Ｂ）と緑（Ｇ）でそれほど大きな差がある訳ではない。すなわち、シリコン単結晶中の光強度が半分になる距離を色毎に比較すると、青（Ｂ：波長４６０ｎｍ）は０．３２μｍであり、緑（Ｇ：波長５３０ｎｍ）は０．７９μｍであり、赤（Ｒ：波長７００ｎｍ）は３．０μｍであり、赤（Ｒ）は、他の２色とは特性上の大きな差があるが、青（Ｂ）と緑（Ｇ）は、それほど大きな差がないことがわかる。したがって、光の波長に依存したウエハ内での光の吸収率の違いを利用した分光検出方式の場合、青（Ｂ）と緑（Ｇ）の分光に限界があり、厳密にみた場合、ある程度の混色が発生することは否めない。
【０００５】
本発明はこのような考察に基づいてなされたものであり、その目的は、固体撮像素子において、光の波長毎のウエハ内での光の吸収率の違いを利用した分光検出方式を採用しつつ、青（Ｂ）と緑（Ｇ）の分光特性を向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の上記目的は、下記構成によって達成される。
（１）赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ)の各色光学像を一個の固体撮像素子で受光する単板式固体撮像素子であって、緑（Ｇ）検出用の受光部に緑（Ｇ）用のカラーフィルタのみを設け、赤（Ｒ），青（Ｂ）検出用の受光部については、カラーフィルタを設けずに赤（Ｒ），青（Ｂ）の光を半導体基板内での各色の光の吸収率の違いを利用した分光検出法によりそれぞれ検出することを特徴とする単板式固体撮像素子。
【０００７】
この単板式固体撮像素子は、緑（Ｇ）と青（Ｂ）の分光感度を向上させるために、緑（Ｇ）のみにカラーフィルタを使用するものである。緑（Ｇ）についてカラーフィルタを用いるのは、３色の光の波長を比べた場合に、緑（Ｇ）が３色の中間に位置するからである。つまり、青（Ｂ:波長４６０ｎｍ），緑（Ｇ：波長５３０ｎｍ），赤（Ｒ：波長７００ｎｍ）の順に波長が長くなるが、緑（Ｇ）を、カラーフィルタを用いて正確に検出することができれば、残るのは、赤（Ｒ）と青（Ｂ）であり、赤（Ｒ）と青（Ｂ）の波長は大きく異なるため、分光検出法によって精度よく分離して検出することができる。したがって、従来のカラーフィルタを全く使用しない構成の単板式の固体撮像素子に比べて、緑（Ｇ）と青（Ｂ）の分光感度が向上し、混色が低減される。また、３色のフィルタを用いる構成に比べると、赤（Ｒ），青（Ｂ）に関してはカラーフィルタがない分、入射光を有効利用でき、したがって感度が向上する。また、カラーフィルタを省略する部分は、例えば、平坦化膜等で埋め込めば何ら問題は生じない。また、カラーレジストの総量を削減できることから材料費の削減の効果も得られる。
【０００８】
（２）（１）記載の単板式固体撮像素子であって、同一の半導体基板内に、赤（Ｒ）用の高濃度不純物層と、緑（Ｇ）用の高濃度不純物層と、青（Ｂ）用の高濃度不純物層と、が設けられ、前記赤（Ｒ）および青（Ｂ）用の高濃度不純物層は、同一の検出位置で、かつ前記半導体基板の異なる深さ位置に形成され、前記緑（Ｇ）用の高濃度不純物層は、前記赤（Ｒ）および青（Ｂ）用の高濃度不純物層とは異なる検出位置に形成され、緑（Ｇ）用の高濃度不純物層の上方に、前記緑（Ｇ)用のカラーフィルタが配設されていることを特徴とする単板式固体撮像素子。
【０００９】
この単板式固体撮像素子は、緑（Ｇ）を担当する１画素と、赤（Ｒ）と青（Ｂ）の２色を担当する１画素（Ｒ／Ｂ画素と記載）とを、半導体基板上の異なる位置に配設すると共に、緑（Ｇ）画素の上方には緑（Ｇ）用のカラーフィルタを設け、一方、Ｒ／Ｂ画素においては、半導体基板の異なる深さに位置に、各色用の光電変換用の高濃度層を設けたものである。この構成によれば、カラー撮像のための画素をよりコンパクトに配置することができる。
【００１０】
（３）（２）記載の単板式固体撮像素子であって、前記青（Ｂ）用の高濃度不純物層が前記半導体基板の表面部に形成され、前記赤（Ｒ）用の高濃度不純物層が前記青（Ｂ）用の高濃度不純物層より深層に形成されることを特徴とする単板式固体撮像素子。
【００１１】
この単板式固体撮像素子は、短波長の青（Ｂ）による信号電荷は半導体基板の表面に発生することから、Ｒ／Ｂ画素において、青（Ｂ）用の高濃度層は半導体基板の表面に設け、長波長の赤（Ｒ）用の高濃度層は、より深層に設けるものである。
【００１２】
（４）（１）〜（３）のいずれか記載の単板式固体撮像素子であって、前記赤（Ｒ）および青（Ｂ）用のカラーフィルタが省かれた部分は、平坦化膜で埋め込まれていることを特徴とする単板式固体撮像素子。
【００１３】
この単板式固体撮像素子は、カラーフィルタが省略された部分は平坦化膜で埋め込め込まれることを明らかとしたものである。これによってデバイスの平坦性は確保され、何ら問題は生じない。また、製造工程が特に複雑化することもない。また、赤（Ｒ），青（Ｂ）用のカラーフィルタが省略されることから、カラーカラーレジストの総量を削減することができる。このことは、コストの低減に寄与する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、緑（Ｇ）にのみカラーフィルタを使用する構成を採用することによって、従来のカラーフィルタをまったく使用しない構成の単板式の固体撮像素子に比べて、緑（Ｇ）と青（Ｂ）の分光感度が向上し、混色が低減される。また、３色のフィルタを用いる構成に比べると、赤（Ｒ），青（Ｂ）に関してはカラーフィルタがない分、入射光を有効利用でき、したがって感度が向上する。そして、カラーフィルタを省略する部分は、例えば、平坦化膜等で埋め込めば何ら問題は生じない。さらに、カラーレジストの総量を削減できることから材料費の削減の効果も得られる。また、Ｒ／Ｂを１画素とする画素構成を採ることによって、カラー撮像のための画素をよりコンパクトに配置することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、本発明の単板式固体撮像素子の好適な実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
（第１の実施形態）
【００１６】
図１は、本発明の固体撮像素子（ＣＣＤ）のレイアウト構成を示す図である。
図１において、ＣＣＤ３６は、半導体基板４３の表面部分に形成された多数の画素（受光部）４４（Ｒ／Ｂ画素４４ａ，Ｇ画素４４ｂ）と、垂直転送路４５と、水平転送路（ＨＣＣＤ）４６と、出力アンプ（ＡＭＰ）と、を有する。
画素４４（４４ａ，４４ｂ）は、半導体基板４３の表面において正方格子状に配置される。垂直転送路４５は、画素４４（４４ａ，４４ｂ）の各列の右隣に配置される。水平転送路（ＨＣＣＤ）４６は、各画素４４から読み出され垂直転送路４５を通して転送されてきた信号電荷を水平方向に転送する。
【００１７】
図１において、画素４４ａには“Ｒ／Ｂ”と記しているが、これは、このＣＣＤ３６の各画素４４が、カラーフィルタ無しに赤色（Ｒ）と青色（Ｂ）とを別々に検出する分光検出機能を備えていることを示している（この点は、図４を用いて後述する）。
【００１８】
図２は、図１の固体撮像素子における、画素ならびに転送電極のレイアウト構成を説明するため図である。
本実施形態の転送電極４７，４８，４９は３層ポリシリコン構造となっており、全画素読み出し可能なインターラインＣＣＤを構成する。図示する例では、第３ポリシリコン電極４９が緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の信号電荷を読み出す読出ゲート電極を兼用し、第２ポリシリコン電極４８が赤色（Ｒ）の信号電荷を読み出す読出ゲート電極とされている。図２中、φ１，φ２，φ３は３相のクロックを示している。
【００１９】
図３は、図２のＡ−Ａ線に沿う、緑（Ｇ）画素の断面図である。
図示されるように、ｎ型半導体基板４３上にＰ型不純物層５０が形成され、このＰ型不純物層５０内の表面部には、信号電荷の蓄積層（Ｎ＋層）５８が形成される。この蓄積層５８は、その端部において転送電極４９の一部からなる読出ゲート電極下まで延在し、緑（Ｇ）の入射光によって発生した信号電荷が蓄積される。Ｎ＋層５８の不純物濃度は、約５×１０16〜17／ｃｍ３であり、その深さは、例えば、０．５〜１．５μｍ程度である。
【００２０】
半導体基板の表面にはシリコン酸化膜５４が形成され、このシリコン酸化膜５４上には、読出し電極４８，４９が形成されている。電荷転送部４５に光が入射しないように、遮光膜５５が設けられている。
【００２１】
遮光膜５５上には、第１の平坦化膜５６ａが設けられ、その平坦化膜５６ａ上の、Ｎ＋層５８に対応する位置には、緑（Ｇ）用のカラーフィルタ８が設けられている。その上に、さらに第２の平坦化膜５６ｂが形成されており、その平坦化膜５６ｂ上には、マイクロレンズ５７が形成されている。
【００２２】
図４は、図２のＢ−Ｂ線に沿う、赤（Ｒ）／青（Ｂ）画素の断面図である。本実施形態に係るＣＣＤ３６では、シリコン基板における各色の光の吸収率の違い（シリコン基板の持つ光学的性質）を利用して赤（Ｒ）と青（Ｂ）の色信号成分を分離する。図３と異なり、カラーフィルタは設けられない。
【００２３】
すなわち、本構成においては、シリコン基板の光吸収係数が長波長光である赤（Ｒ）から短波長光である青（Ｂ）に至る可視域において異なるため、光吸収係数の大きい波長域の光はシリコン基板の浅い領域で吸収されシリコン基板の深部には到達しにくいが、逆に、光吸収係数の小さい波長域の光はシリコン基板の深い領域まで達するので、シリコン基板の深部においても光電変換が可能になるという性質を利用している。
【００２４】
図４において、ｎ型半導体基板４３には、表面側にＰ型不純物層５０が形成されている。このＰ型不純物層５０内の浅い部分には、Ｎ＋層５１が形成され、深い部分にはＮ＋層５２が形成されている。つまり、半導体基板内の、異なる深さ方向の位置において高濃度層が設けられているのであり、浅い部分に設けられたＮ＋層５１が、波長の短い青（Ｂ）用の高濃度不純物領域であり、深い部分に設けられたＮ＋層５２が、波長の長い赤（Ｒ）用の高濃度領域である。
【００２５】
青（Ｂ）の入射光によって発生した信号電荷は、半導体基板４３の厚さ方向に対して最も浅い位置に設けられたＮ＋層５１に蓄積される。この信号電荷蓄積部を形成するＮ＋層５１（不純物（リンまたは砒素（Ｐ又はＡｓ））濃度は約５×１０１６〜１７／ｃｍ３、深さ０．２〜０．５μｍ：なお、この深さは、不純物濃度にも依存する。以下同様）が読出ゲート電極４９下まで延在することで、青（Ｂ）の入射光によって発生した電荷のみが、ゲート部を通って垂直転送路４５に読み出される。
【００２６】
深部に形成されたＮ＋層５２は、端部において半導体基板４３の表面まで立ち上がるＮ＋領域（電荷通路）５２ａを有し、このＮ＋領域５２ａが、転送電極の一部からなる読出ゲート電極４８下まで延在される。このＮ＋層５２には、赤（Ｒ）の入射光によって発生した信号電荷が蓄積される。この信号電荷蓄積部を形成するＮ＋層５２（不純物濃度は約５×１０１６〜１７／ｃｍ３、深さ１．０μｍ〜２．５μｍ）が読み出しゲート電極４８下まで延在することで、赤（Ｒ）の入射光によって発生した電荷がゲート部を通って垂直転送路４５に読み出される。
【００２７】
蓄積部（Ｎ+層）５２に対して電荷通路５２ａの不純物濃度が高くなるように濃度勾配を持たせるのがよい。これにより、深部にある蓄積部５２からの信号電荷の読み出しが容易になり、電荷の読み出し残りを防止できる。
【００２８】
深さの異なる２種類の蓄積部５１，５２が設けられた半導体基板４３の表面の一部には、浅いＰ＋層５３が設けられており、さらに、最表面にはＳｉＯ２膜５４が設けられている。Ｐ＋層５３の不純物（ボロン）濃度は約１×１０１８／ｃｍ３、深さ約０．１〜０．２μｍ程度であり、画素の表面における酸化膜―半導体界面の欠陥準位の低減に寄与している。従って、半導体基板４３の深さ方向の最も浅い位置にある蓄積部５１は、Ｐ＋Ｎ＋Ｐ構造となっている。なお、Ｎ＋層５１，５２間のＰ領域のボロン濃度は、例えば１×１０１４〜１６／ｃｍ３に設定され、このＰ領域が蓄積部５１と蓄積部５２との間の電位障壁となって蓄積部５１と蓄積部５２の電荷混合が阻止され、混色の確率が低減される。
【００２９】
ＳｉＯ２膜５４の上部表面には、受光領域を避けた位置に前述の読出し電極（転送電極）４８，４９が形成され、さらにその上部に、受光領域に開口部５５ａを持つ遮光膜５５が設けられ、さらに、その上部に平坦化膜５６（５６ａ，５６ｂ）が形成され、さらにその上部にトップレンズ（マイクロレンズ）５７が形成される。
【００３０】
ここで、図５に、本発明の一実施形態に係るデジタルカメラ（この例ではデジタルスチルカメラ）のブロック構成図を示した。
このデジタルカメラは、本発明の固体撮像素子（ＣＣＤ）３６と、アナログ信号処理回路１００と、Ａ／Ｄ変換器１０２と、信号処理回路(信号圧縮・伸張回路)１０４と、表示装置１０６と、メモリ１０８と、各種の記録媒体１１０と、システムマイクロコンピュータ１１２と、システムバス（ＢＵＳ）と、を有する。
【００３１】
図５のデジタルカメラでは、小型で分光感度が高い固体撮像素子（ＣＣＤ）３６を搭載していることから、混色が低減された高精細な撮像が可能である。
【００３２】
（第２の実施形態）
上述した実施形態では、各画素を正方格子状に配置したＣＣＤを例に説明したが、例えば、ＣＣＤの各画素を各行毎に１／２ピッチずつ、ずらした、いわゆるハニカム画素配置のＣＣＤにおいても本発明を実現できる。
【００３３】
図６は、ハニカム画素配置を採用した固体撮像素子６０のレイアウト構成を示す図である。なお、図６において、図１と共通する部分には、同じ参照符号を付してある。
【００３４】
赤（Ｒ）／青（Ｂ）画素４４ａは、第１の実施形態と同様に、カラーフィルタ無しに赤色（Ｒ）と青色（Ｂ）の各色信号を同一画素で検出する。緑（Ｇ）画素４４ｂは、カラーフィルタを通過した緑（Ｒ）の入射光を検出する。画素４４ａ，４４ｂは、各行毎に１／２ピッチずれており、水平方向に隣接する画素間に、垂直転送路が蛇行して配置される（図６では不図示）。
【００３５】
図７は、図６の固体撮像素子における画素部のレイアウト構成を示す図である。素子分離帯７３により各画素７１が菱形状に形成され、素子分離帯７３の一部を切り欠いて設けられたゲート部７４から、画素間に設けられた垂直転送路に信号電荷が読み出される。垂直転送路上には、２層ポリシリコン構造となる転送電極が重ねて設けられ、１つの画素に対して４本の転送電極８１，８２，８３，８４が対応付けられている。これにより、ハニカム画素配置のＣＣＤは、２層ポリシリコン構造の転送電極で全画素読み出し（プログレッシブ動作可能なＣＣＤとなっている。
【００３６】
（他の実施形態）
図８（ａ），（ｂ）は、緑（Ｇ）用カラーフィルタの配置、および各色の画素の配置の変形例（バリエーション）を示す図である。
図８においても、前掲の実施形態と同様に、緑（Ｇ）用のカラーフィルタのみが設けられ、赤（Ｒ），青（Ｂ）の光は、Ｒ，Ｂそれぞれ異なる位置で、光の吸収率の違いを利用した分光検出方式にて検出される。
【００３７】
図９（ａ）〜（ｃ）は、図８（ａ），（ｂ）に示されるＣＣＤにおける、各色（Ｂ，Ｒ，Ｇ）に対応した画素の構造を示す断面図である。
図９（ａ）に示されるように、青（Ｂ）を担当する画素位置には、Ｐ型不純物９５の表面に高不純物濃度層（ｎ+層）９６が設けられる。図９（ｂ）に示されるように、赤（Ｒ）を担当する画素位置には、Ｐ型不純物９５の深い位置に、高不純物濃度層（ｎ+層）９７が設けられる。図９（ｃ）に示すように、緑（Ｇ）を担当する画素位置の上方には、緑（Ｇ）用のカラーフィルタ８が設けられており、また、Ｐ型不純物９５の表面には、高不純物濃度層（ｎ+層）９９が設けられる。
【００３８】
本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で、種々、変形が可能である。上述した実施形態では、固体撮像素子としてＣＣＤを用いた例を説明したが、ＣＭＯＳ型イメージセンサを用いることもできる。
【００３９】
以上説明したように、本発明によれば、緑（Ｇ）にのみカラーフィルタを使用する構成を採用することによって、従来のカラーフィルタをまったく使用しない構成の単板式の固体撮像素子に比べて、青（Ｂ）と緑（Ｇ）の分光感度が向上し、混色を低減することができ、また、カラーフィルタを省略できる分、入射光を有効利用でき、カラーレジストの総量を削減できることから材料費の削減の効果も得られる。また、Ｒ／Ｂを１画素とする画素構成を採ることによって、画素をよりコンパクトに配置することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、固体撮像素子の分光感度の向上、入射光の有効利用、材料費の低減といった効果を奏し、したがって、単板式の固体撮像素子として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施形態に係るデジタルカメラ（この例ではデジタルスチルカメラ）のブロック構成図である。
【図２】図１の固体撮像素子における、画素ならびに転送電極のレイアウト構成を説明するため図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う、緑（Ｇ）画素の断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ線に沿う、赤（Ｒ）／青（Ｂ）画素の断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るデジタルカメラ（この例ではデジタルスチルカメラ）のブロック構成図である。
【図６】ハニカム画素配置を採用した固体撮像素子のレイアウト構成を示す図である。
【図７】図６の固体撮像素子における画素部のレイアウト構成を示す図である。
【図８】（ａ），（ｂ）は、緑（Ｇ）用カラーフィルタの配置、および各色の画素の配置の変形例（バリエーション）を示す図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、図８（ａ），（ｂ）に示されるＣＣＤにおける、各色（Ｂ，Ｒ，Ｇ）に対応した画素の構造を示す断面図である。
【図１０】ウエハ内での各色の光の吸収率が相違する特性を利用して各色の光を分離して検出する方式を採用した固体撮像素子における、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の分光特性の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
８  緑（Ｇ）用カラーフィルタ
３６  固体撮像素子
４０  Ｎ型半導体基板
４４（４４ａ，４４ｂ）  画素
４５  垂直転送路
４６  水平転送路
４８  読出し電極（転送電極）
５０  Ｐ型不純物層
５１，５２，５８  高濃度不純物層
５４  酸化シリコン膜（絶縁膜）
５５  遮光膜
５６（５６ａ，５６ｂ）  平坦化膜
５７  マイクロレンズ
６０  ＣＣＤ
ＡＭＰ  出力アンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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