(57)【要約】【課題】アイレット上にサブマウントと半導体チップを接着するパッケージへの実装形態において、組立装置の精度の影響によりアイレットの中心線とレーザダイオードの中心線が傾き、ワイヤボンディングのためのＡｕボールが電極外にはみ出してしまう。【解決手段】ワイヤボンディング用の電極パターンが、ワイヤボンド基準パターンと、ワイヤボンド認識パターンを有し、ワイヤボンド基準パターンからワイヤボンディング位置までの距離と、ワイヤボンド認識パターンからワイヤボンディング位置までの距離を所定の値に設定することで、精度良くワイヤボンディングを行うことができる。【選択図】図１
2008263165.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
短辺と長辺を有するワイヤボンド用の電極パターンであって、
ワイヤボンドの位置を決めるための基準位置を示すワイヤボンド基準パターンとワイヤボンド認識パターンを有し、
前記電極パターンに接着されたワイヤボンディング用の金属部位で前記短辺に平行な方向の幅が最大となる位置を通る前記短辺に平行な方向の線と前記基準位置との距離Ｌと、
前記ワイヤボンド認識パターンの前記長辺方向における中心を通る前記短辺に平行な方向の線と前記金属部位の前記短辺に平行な方向の幅が最大となる位置を通る前記短辺に平行な方向の線との距離Ｌｂが
Ｌ≧１４．３×（Ｗ−３ｄ／４）
Ｌｂ≦１４．３×（Ｗ−３ｄ／４）
ただし、
ｄ：電極パターンに接着されたワイヤボンディング用金属部位の前記短辺に平行な方向の幅の最大値
Ｗ：電極パターンの短辺に平行な方向の幅
であることを特徴とする電極パターン。
【請求項２】
前記ワイヤボンド基準パターンが電極パターン端部であることを特徴とする請求項１に記載の電極パターン。
【請求項３】
前記電極パターンに接着された前記ワイヤボンディング用金属部位がＡｕボールであることを特徴とする請求項１あるいは２に記載の電極パターン。
【請求項４】
前記電極パターンに接着された前記ワイヤボンディング用金属部位が、ウェッジボンドのためにつぶされたワイヤ端部であることを特徴とする請求項１あるいは２に記載の電極パターン。
【請求項５】
前記Ｗが１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電極パターン。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電極パターンにワイヤボンドするワイヤボンディング方法であって、パッケージ外形を認識した後に前記ワイヤボンド用認識パターンを認識してワイヤボンド位置を決め、ワイヤボンドを行うことを特徴とするワイヤボンディング方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電極パターンにワイヤボンドするワイヤボンディング方法であって、パッケージ外形を認識した後に前記ワイヤボンド基準パターンを認識し、さらに前記ワイヤボンド用認識パターンを認識した後にワイヤボンドを行うことを特徴とするワイヤボンディング方法。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のワイヤボンド用認識パターンの認識方法であって、パッケージ外形を認識した後に前記ワイヤボンド用認識パターンを認識し、さらに電極端のパターンを認識した後にワイヤボンドを行うことを特徴とするワイヤボンディング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置や基板などの電極上にワイヤボンドを行うための電極パターンおよびワイヤボンディング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電極と金属ワイヤを結線するワイヤボンディングを行う際、ボンディング装置にボンディング位置をティーチングする必要がある。通常、Ａｕボールなどでワイヤボンディングする際、Ａｕボールがワイヤボンディングされる電極内に充分に収まるように設計されている。半導体装置製造の際のワイヤボンディング工程において、ワイヤボンディング装置が結線すべき場所を把握するための技術として特開２００１−３２６２４１号公報に記載のものがある。
【０００３】
レーザダイオードにワイヤボンディングする場合には、ワイヤボンディング用の電極パターンは細長い形状をしている。記録型レーザダイオードは、記録時の倍速が上がるにつれてレーザダイオードに要求される光出力が益々増大する一方で、低価格化の要求が非常に強い。これらの要求に応えるため、高出力を得るためにはレーザダイオードの縦方向の長さを長くし、低価格化のためにはレーザダイオードの横方向の長さを縮めて、単一ウエハ内から取れるチップ数を増やしている。そのため、例えば３５０ｍＷ級の記録型高出力レーザダイオードの場合、縦方向長さは２０００μｍ超、横方向長さは１５０μｍ以下という非常に細長い形状となっている。
【０００４】
記録型高出力レーザダイオードのパッケージへの実装形態は、アイレット上にサブマウントとレーザダイオードをＡｕＳｎ半田等で接着している。そしてレーザダイオードの電極と、リードもしくはアイレットとをワイヤボンディングするが、電極上の所定の位置にＡｕボールを形成するために、電極端部の特徴的なパターンを認識し、次にレーザの長手方向に所定量ずらした場所にＡｕボールをボンディングしている。アイレット上にサブマウントとレーザダイオードを接着する際、組立装置の精度の影響によりアイレットの中心線とレーザダイオードの中心線が最大２°程度傾くことがわかっている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３２６２４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
レーザダイオード中心とアイレット中心に傾きがない場合、Ａｕボールは電極中心にボンディングできる。しかし、傾きがあるとＡｕボールが電極外にはみ出してしまうという問題があった。電極の長手方向の長さが長く、短辺方向の長さ（電極幅）が短いと短辺方向へのずれが大きくなり、Ａｕボールのはみ出し量が多くなる。電極端部のすぐ近傍にＡｕボールを形成すれば傾き誤差によるＡｕボールはみ出し量を少なくできるが、この場合、Ａｕボール近傍と離れた場所ではレーザダイオードに供給できる電流密度が変わってしまい正常なレーザダイオードの動作が困難になるという問題があった。そのため、Ａｕボールはレーザダイオードの中心付近に形成する必要がある。記録型高出力レーザダイオードのように細長い電極パターンにＡｕボールを形成する場合にはその影響はより顕著となる。
【０００７】
本発明は、上記のような問題を解消するためになされたもので、精度よくワイヤボンディングを行うことができる電極パターンおよびワイヤボンディング方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係る電極パターンは、短辺と長辺を有するワイヤボンド用の電極パターンであって、ワイヤボンドの位置を決めるための基準位置を示すワイヤボンド基準パターンとワイヤボンド認識パターンを有し、前記電極パターンに接着されたワイヤボンディング用の金属部位で前記短辺に平行な方向の幅が最大となる位置を通る前記短辺に平行な方向の線と前記基準位置との距離Ｌと、前記ワイヤボンド認識パターンの前記長辺方向における中心を通る前記短辺に平行な方向の線と前記金属部位の前記短辺に平行な方向の幅が最大となる位置を通る前記短辺に平行な方向の線との距離Ｌｂが
Ｌ≧１４．３×（Ｗ−３ｄ／４）
Ｌｂ≦１４．３×（Ｗ−３ｄ／４）
ただし、
ｄ：電極パターンに接着されたワイヤボンディング用金属部位の前記短辺に平行な方向の幅の最大値
Ｗ：電極パターンの短辺に平行な方向の幅
であることを特徴とする電極パターンである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、上述の構成を備えることにより、細長い電極パターンの任意の位置に、ワイヤボンディング用ワイヤを形成することができる電極パターンを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
実施の形態１．
図１に本発明の実施の形態に係るワイヤボンド用の電極パターンの概略図を示す。また、図２に本発明の実施の形態に係るワイヤボンド用の電極パターンを用いた半導体素子の概略図を示す。以下、図１、図２を用いて説明する。本発明の実施の形態では細長いレーザダイオードチップにワイヤボンドを行った半導体素子を例とする。レーザダイオードチップには、ワイヤボンドのための電極パターン１０３が形成されている。この電極パターン１０３上のワイヤボンドを行う領域１１１内に直径ｄのＡｕボール１０９を形成してワイヤボンドを行う。その際、図２に示すアイレット２０１中心とレーザダイオード２０５の中心の傾きずれが無い状態（θ＝０）のときには、中心が電極パターン１０３の短辺に平行な方向における中心を通る長辺方向の線上となるように、Ａｕボール１０９を形成してワイヤボンドを行う。電極パターン１０３にはワイヤボンド認識パターン１０７となる特徴的なパターンが形成されている。本実施の形態では電極パターン１０３の長手方向の１辺に矩形の切り抜きを形成し、ワイヤボンド認識パターン１０７としている。各寸法を以下のように定める。
Ｌ：電極パターンのエッジ部（電極端部１０５）とワイヤボンド領域１１１に形成されたＡｕボール１０９の中心との最短距離
Ｌｂ：ワイヤボンド認識パターン１０７の長辺方向における中心を通る短辺に平行な方向の線とワイヤボンド領域１１１に形成されたＡｕボール１０９の中心との最短距離
ｄ：Ａｕボール１０９の直径
Ｗ：電極パターン１０３の短辺に平行な方向の幅
アイレット２０１中心とレーザダイオード２０５の中心の傾きずれ量θは組立て装置精度より最大２°となる。ワイヤボンド領域１１１にＡｕボール１０９を形成する際に、ワイヤボンド領域１１１からはみ出す量をｘとすると、ｘは次式で表される。
ｘ＝ｄ／２−Ｗ／２＋Ｌｔａｎθ
ここではみ出し量ｘをｄ／８まで許容した場合、ｔａｎ２°＝０．０３４９なので、ＬとＬｂはそれぞれ次式となる。
Ｌ＝１４．３×（Ｗ−３ｄ／４）
Ｌｂ＝１４．３×（Ｗ−３ｄ／４）
本実施の形態では、電極端部１０５をワイヤボンドの位置を特定するための基準となるワイヤボンド基準パターンとしている。このワイヤボンド基準パターンとワイヤボンド領域１１１内の直径ｄのＡｕボール１０９の中心との距離Ｌが、
Ｌ≧１４．３×（Ｗ−３ｄ／４）となる位置にワイヤボンドされる。このとき、電極パターン１０３上に形成されたワイヤボンド認識パターン１０７の長手方向における中心を通る短辺に平行な方向の線とＡｕボール１０９の中心との距離Ｌｂは
Ｌｂ≦１４．３×（Ｗ−３ｄ／４）（μｍ）
となるように位置決めされる。記録型高出力レーザダイオードを例にすると、レーザダイオードの長手方向の長さを２０００μｍ、幅１２０μｍ、電極の幅を８０μｍとして、Ａｕボール径が８０±１０μｍでは、Ｌは２８６μｍ程度となり、ワイヤボンド認識パターン無しでは、細長い電極の端の方にしかＡｕボールが形成できず、注入される電流密度が電極上端部と下端部で変わってしまい、レーザダイオードの動作が安定しない。本発明のワイヤボンド認識パターンを所望の位置に形成することにより、注入される電流密度の不均一を簡単に解消することができる。
本実施の形態では、ワイヤボンド基準パターンとして電極端部１０５を用いたが、電極端部以外にも、電極内の特徴的なパターンをワイヤボンド基準パターンとすることができる。例えば、電極パターン１０３の四隅のひとつには、チップの前後確認等のための切り欠きが形成されており、この切り欠きをワイヤボンド基準パターンとすることもできる。本実施の形態では、この切り欠きは矩形を組合わせた形状となっているが、円形や三角形など他の形状でも構わない。また、本実施の形態では、Ａｕボール１０９を形成してワイヤボンドを行ったが、ウェッジボンドの場合にはＡｕボールを形成せず、ワイヤ先端を超音波圧着して結線する。
【００１１】
実施の形態２．
図３および図４に本発明の実施の形態２に係るワイヤボンド用の電極パターンの概略図を示す。実施の形態１では、図１に示すようにワイヤボンド認識パターン１０７を矩形の切り欠きパターンとしていたが、本実施の形態ではワイヤボンド認識パターンを図３に示すような丸い認識パターン形状、あるいは図４に示すような三角形状にした。円状のワイヤボンド認識パターン３０７では、このワイヤボンド認識パターン３０７を小さくした場合や、加工精度の低いエッチング法を用いた場合にエッチングだれが生じても、形状は丸い円状のまま変わらず、認識エラーを防ぐことができる。また、三角形状のワイヤボンド認識パターン４０７の場合は、同じ大きさの四角い形状に比べて直線部の長さを長くできるためにエッチングだれ等によるパターン崩れの影響を少なくすることができる効果がある。
ワイヤボンド認識パターン３０７、４０７は電極パターン３０３、４０３の長手方向の一辺の側部に形成することによりリフトオフ法で容易に形成することができる。また、エッチング等の方法を用いる場合には、図５に示すように、ワイヤボンド認識パターン５０７を電極パターン５０３の内部に形成してもよい。
【００１２】
実施の形態３．
本実施の形態は、ワイヤボンド認識パターンを認識しワイヤボンディングを行う方法に関するものである。
図１および図２を参照し、アイトレット２０１の外形を認識することでワイヤボンド認識パターン１０７のおおよその位置を知ることができる。次に、電極パターン１０３に形成されたワイヤボンド認識パターン１０７を認識する。このとき必要であればカメラ倍率を変更してワイヤボンド認識パターン１０７を認識する。最後にワイヤ２１１、２１３でワイヤボンドを行い、リード２０７、ＧＮＤへの結線を行う。この方法を用いた場合、アイレット２０１上のレーザダイオード２０５が、設定ミス、プリアライメントの不具合等や位置決め治具の不具合等で所定の位置からずれてしまったときにそれを即座に見つけることが可能となる。すなわちアイレット外形の認識後に予想位置にワイヤボンド認識パターンがないため、装置はそこで停止する。これはレーザダイオード接着工程での位置ずれ不良品の生産を最低限にできるため、不良品を作り続けることによるロスを抑える効果がある。
【００１３】
実施の形態４．
本実施の形態は、ワイヤボンド認識パターンを認識しワイヤボンディングを行う他の方法に関するものである。
実施の形態３と同様に、アイトレットの外形を認識することでワイヤボンド認識パターンのおおよその位置を知ることができる。次に、ワイヤボンドの基準となるワイヤボンド基準パターンを認識する。本実施の形態では、電極端部１０５をワイヤボンド基準パターンとして用いる。次に電極パターン１０３に形成されたワイヤボンド認識パターン１０７を認識する。このとき、必要であればカメラ倍率を変更してワイヤボンド認識パターン１０７を認識する。最後にワイヤボンドを行う。この方法を用いた場合、一旦チップの位置を確認するので、実施の形態３よりも正確にワイヤボンド認識パターン１０７の位置を認識することができる。また、電極パターン１０３の四隅のひとつに形成された切り欠きをワイヤボンド基準パターンとして位置確認に使用することもできる。本実施の形態では、この切り欠きは矩形を組合わせた形状となっているが、円形や三角形など他の形状でも構わない。
【００１４】
実施の形態５．
本実施の形態は、ワイヤボンド認識パターンを認識しワイヤボンディングを行う他の方法に関するものである。
まず図１を参照し、アイトレットの外形を認識することでワイヤボンド認識パターン１０７のおおよその位置を知ることができる。次に、電極パターン１０３に形成されたワイヤボンド認識パターン１０７を認識する。このとき必要であればカメラ倍率を変更してワイヤボンド認識パターン１０７を認識する。次に予想される位置にある電極端部１０５のパターンを認識し、最後にワイヤボンドを行う。この方法を用いた場合、実施の形態３のように接着工程での位置ずれを検知できるのに加えて、異機種のレーザダイオードチップを接着してしまったときの不良をすぐに検知できる。レーザダイオードチップは出力できる光パワーにより、レーザダイオード長手方向の長さが異なるので、異機種のチップの場合、電極端部のパターンを認識できなくなり、装置は停止するため、異機種チップ搭載不良を作り続けることによるロスを抑える効果がある。また、電極パターン１０３の四隅のひとつに形成された切り欠きを電極端部の確認に使用することもできる。本実施の形態では、この切り欠きは矩形を組合わせた形状となっているが、円形や三角形など他の形状でも構わない。
【００１５】
なお、本発明は、短辺と長辺を有する電極パターンに関するものであるが、アイレットの中心線に対するレーザダイオードの中心線の傾きずれによる影響は、電極パターンの短辺方向の幅Ｗが小さいほど大きい。Ｗが大きい場合には、ずれに対するマージンが大きくなるが、Ｗが１００μｍ以下になるとこのマージンがほとんど無くなる。従って、本発明は、Ｗが１００μｍ以下の場合に特に効果を有する。
【００１６】
なお、本発明は、記録型高出力レーザダイオードについて説明してきたが、それ以外にも赤色レーザダイオードや青紫色レーザダイオード、通信用レーザダイオード、ＬＥＤ、その他の半導体装置、またはパッケージや基板上等の配線パターンなどのワイヤボンディングを行う電極パターンにも適応することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態における電極パターンを示す概略図
【図２】本発明の実施の形態における電極パターンを用いた半導体素子の概略図
【図３】本発明の実施の形態における電極パターンを示す概略図
【図４】本発明の実施の形態における電極パターンを示す概略図
【図５】本発明の実施の形態における電極パターンを示す概略図
【符号の説明】
【００１８】
１０３  電極パターン
１０５  電極端部
１０７  ワイヤボンド認識パターン
１０９  Ａｕボール
３０３  電極パターン
３０７  ワイヤボンド認識パターン
４０３  電極パターン
４０７  ワイヤボンド認識パターン
５０３  電極パターン
５０７  ワイヤボンド認識パターン
【図１】
2008263165.tif 000003
【図２】
2008263165.tif 000004
【図３】
2008263165.tif 000005
【図４】
2008263165.tif 000006
【図５】
2008263165.tif 000007