(57)【要約】【課題】斜め方向からの迷光が、薄膜トランジスタのチャネル部に入ることで光励起キャリアを発生させる場合がある。この現象は特に高輝度の光学系を用いる場合に顕著となり、画質の低下を招いているという課題がある。【解決手段】ポリシリコンを用いた第１遮光層４を、酸化シリコン基板１と酸化シリコンを用いた第１絶縁層５との間に挟み、伝播減衰が大きい等価スラブ型導波路を形成し、迷光を当該等価スラブ型導波路に通す。等価スラブ型導波路のコア層となる第１遮光層４の層厚ｔ（ｎｍ）を可視光最短波長として４００（ｎｍ）の波長の光をカットオフできるようｔ≧３１６（ｎｍ）を用いることで第１遮光層４の側面から入射された迷光を減衰させることができる。【選択図】図２
2008203711.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１遮光層と、
第２遮光層と、
前記第１遮光層と前記第２遮光層との間に位置する酸化シリコン層と、
前記酸化シリコン層と前記第２遮光層との間に位置する半導体層と、
前記半導体層と前記第２遮光層との間に位置するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層と前記第２遮光層との間に位置するゲート電極と、を有し、
前記第１遮光層に含まれる物質の屈折率をｎ、前記第１遮光層の層厚をｔ（ｎｍ）としたとき、
ｔ≧１０００／（ｎ2−２．２５）0.5（ｎｍ）・・・（関係式１）
の関係を満たす、ことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項２】
第１遮光層と、
第２遮光層と、
前記第１遮光層と前記第２遮光層との間に位置する窒化シリコン層と、
前記窒化シリコン層と前記第２遮光層との間に位置する酸化シリコン層と、
前記酸化シリコン層と前記第２遮光層との間に位置する半導体層と、
前記半導体層と前記第２遮光層との間に位置するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層と前記第２遮光層との間に位置するゲート電極と、を有し、
前記第１遮光層がシリコンを含み、前記第１遮光層の膜厚をｔ（ｎｍ）としたとき、ｔ≧３３３（ｎｍ）の関係を満たす、ことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
請求項２に記載のアクティブマトリクス基板において、
平面視において、前記第１遮光層が前記窒化シリコン層と重なり、かつ、前記第１遮光層が前記窒化シリコン層内に位置する、ことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項４】
請求項２に記載のアクティブマトリクス基板において、
平面視において、前記第１遮光層と、前記窒化シリコン層と、前記第２遮光層と、が重なり、かつ、前記第１遮光層が前記窒化シリコン層内に位置し、前記窒化シリコン層が前記第２遮光層内に位置する、ことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板において、
さらに、酸化シリコン基板を有し、前記第１遮光層が前記酸化シリコン基板と前記窒化シリコン層との間に位置し、平面視において前記第１遮光層の外周の少なくとも一部が前記窒化シリコン層の一部に囲まれ、前記窒化シリコン層の前記一部が前記第１遮光層と前記酸化シリコン基板とに接する、ことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板において、
平面視において、前記窒化シリコン層が光を透過する開口部と重ならない領域に位置する、ことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置を含むことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
プロジェクタ等の電子機器に用いられる電気光学装置としての液晶装置では、たとえば当該液晶装置の一方の面から光が入射される。そして、当該液晶装置の光透過性を電気的に制御する薄膜トランジスタを駆動し、液晶領域に電位を与えることで、入射された光を空間的に変調する。そして光を、当該液晶装置の他方の面から出射させることで画像や文字のパターンを形成させている。ここで、当該光が薄膜トランジスタのチャネル領域に入射することで発生する光リーク電流を抑えるため、薄膜トランジスタと前記光の光源との間に遮光層を設ける構造が用いられている。
【０００３】
また、表面から入射した光がアクティブマトリクス基板の他方の面からの反射などにより、光がトランジスタのチャネル部に入射されることがある。このような光が薄膜トランジスタに入射されるのを防ぐため、薄膜トランジスタとアクティブマトリクス基板の第２面との間に別の遮光層を設ける構造が用いられている。この別の遮光層によって薄膜トランジスタのチャネル部に反射光が直接入射するのを防いでいる。
【０００４】
また、近年では表示装置の多画素化に伴う１画素あたりの書き込み時間の短縮化や、高コントラスト化の要請に伴い、ＳＯＩ技術が検討されてきている。ＳＯＩ技術を用いることで多結晶の薄膜トランジスタに代えて単結晶の薄膜トランジスタを用いることができるため、高速スイッチングが可能となる。ＳＯＩ技術を用いて基板に近い側の遮光層を得る製造方法はたとえば特許文献１に記載されている。この製造方法は、光透過性基板表面に遮光層を形成し、その上を酸化シリコン層で覆って研磨により平坦化し、その平坦面に単結晶シリコン基板を貼り合わせ、単結晶シリコン薄層を残して単結晶シリコン基板を除きＳＯＩを有する基板を形成するものである。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２９３３２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
液晶装置を使った表示装置の内部では、多くの光学部品や構成部材などからの乱反射光が存在し、薄膜トランジスタを形成したアクティブマトリクス基板に対して垂直に入射する光以外に、迷光として斜めに入射してくる光の成分が生じている。特に近年ではより明るい映像を得るために光源の明るさが上昇してきており、薄膜トランジスタ中へ侵入する迷光強度が増加する傾向にある。迷光によるキャリア発生に伴う表示画質の低下を防ぐためには、この斜めに入射する光に対しても十分な遮光性能を有するアクティブマトリクス基板が必要である。
【０００７】
また薄膜トランジスタを構成する半導体として結晶性に優れた単結晶シリコン層を用いた場合、光の入射による励起によって発生した電子や正孔などのキャリアは殆ど再結合しない。そのため光の入射による半導体素子のソース・ドレイン間を通過する光リーク電流を抑制するには多結晶シリコン層を用いる場合と比べ、より高い遮光性を必要とする。本願発明者の調査によると、結晶欠陥の多い多結晶シリコン層を用いた場合に比べて、単結晶シリコン層の場合では約１０倍程度光リーク電流は増加し、表示画質の低下を招くという課題がある。
よって本発明は、表示画質を向上させるアクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本出願では、「上」とは基板の第１面を介して、当該基板を構成する物体から離れて行く方向と定義する。また、「開口部」とは、画素電極と重なる領域のうち、表示に寄与する部分と定義する。
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係るアクティブマトリクス基板は、第１遮光層と、第２遮光層と、前記第１遮光層と前記第２遮光層との間に位置する酸化シリコン層と、前記酸化シリコン層と前記第２遮光層との間に位置する半導体層と、前記半導体層と前記第２遮光層との間に位置するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層と前記第２遮光層との間に位置するゲート電極と、を有し、前記第１遮光層に含まれる物質の屈折率をｎ、前記第１遮光層の層厚をｔ（ｎｍ）としたとき、ｔ≧１０００／（ｎ2−２．２５）0.5（ｎｍ）・・・（関係式１）の関係を満たす、ことを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、酸化シリコン基板と酸化シリコン層に挟まれる、第１遮光層をコア層として、スラブ型の導波路が形成される。酸化シリコンに挟まれたスラブ型導波路の光伝播条件は、コア層となる第１遮光層の層厚をｔ（ｎｍ）、第１遮光層の屈折率をｎ、光の波長をλ、酸化シリコンの屈折率を１．５、導波モードをｍとした場合に、ｔ≧λ×ｍ／（２×（ｎ2−２．２５）0.5）（ｎｍ）・・・（関係式２）を満たす層厚を有する第１遮光層を用いることで、一旦第１遮光層に入射した迷光は第１遮光層中を伝播しながら減衰する。そのためチャネル領域を含む半導体層への迷光の侵入を抑制することができ、光キャリアの発生を抑制することができる。ここで、λを可視光の波長下限である４００ｎｍ、導波モードを、第１遮光層の側面に対して浅い角度で侵入した迷光を捕獲できるようｍ＝５として数値計算すると、ｔ≧１０００／（ｎ2−２．２５）0.5（ｎｍ）・・・（関係式１）が導かれる。この関係を満たすように第１遮光層の層厚をとることで、迷光のチャネル領域を含む半導体層への侵入を抑制することができる。
【００１１】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板は、第１遮光層と、第２遮光層と、前記第１遮光層と前記第２遮光層との間に位置する窒化シリコン層と、前記窒化シリコン層と前記第２遮光層との間に位置する酸化シリコン層と、前記酸化シリコン層と前記第２遮光層との間に位置する半導体層と、前記半導体層と前記第２遮光層との間に位置するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層と前記第２遮光層との間に位置するゲート電極と、を有し、前記第１遮光層がシリコンを含み、前記第１遮光層の膜厚をｔ（ｎｍ）としたとき、ｔ≧３３３（ｎｍ）の関係を満たす、ことを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、酸化シリコン基板と、窒化シリコン層に挟まれる、シリコンを用いた第１遮光層をコア層として、スラブ型の導波路が形成される。スラブ型導波路の光伝播条件は、コア層となる第１遮光層の層厚をｔ（ｎｍ）、第１遮光層の屈折率をｎ、光の波長をλ、酸化シリコン基板の屈折率を１．５、窒化シリコン層の屈折率を２．１、導波モードをｍとした場合に、ｔ≧λ×ｍ／（２×（ｎ2−３．１５）0.5）（ｎｍ）・・・（関係式３）を満たす層厚を有する第１遮光層を用いることで、一旦第１遮光層に入射した迷光は第１遮光層中を伝播しながら減衰する。そのためチャネル領域を含む半導体層への迷光の侵入を抑制することができ、光キャリアの発生を抑制することができる。ここで、λを可視光の波長下限である４００ｎｍ、導波モードを、第１遮光層の側面に対して浅い角度で侵入した迷光を捕獲できるようｍ＝５とし、シリコンの屈折率を３．５として数値計算すると、ｔ≧３３３（ｎｍ）が導かれる。この関係を満たすようにシリコンを用いた第１遮光層の層厚をとることで、迷光のチャネル領域を含む半導体層への侵入を抑制することができる。
【００１３】
また、シリコンを含む第１遮光層の少なくとも側面を窒化シリコン層で覆うため、屈折率１．５の酸化シリコンと、屈折率３．５のシリコンを用いた第１遮光層側面との間に屈折率２．１の窒化シリコンが挟まれるため、屈折率３．５のシリコンを用いた第１遮光層側面での光の反射が抑えられ、入射された迷光の乱反射を抑制し、減衰させることが可能となる。
【００１４】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板は、平面視において、前記第１遮光層が前記窒化シリコン層と重なり、かつ、前記第１遮光層が前記窒化シリコン層内に位置する、ことを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、屈折率の高い第１遮光層の側面部に屈折率が第１遮光層よりも小さい窒化シリコン層が挿入されることでの光の反射が抑えられ、入射された迷光の乱反射を抑制し、減衰させることが可能になることに加え、第１遮光層の層厚を薄くし、段差の少ない構造を得ることが可能となる。
【００１６】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板は、平面視において、前記第１遮光層と、前記窒化シリコン層と、前記第２遮光層と、が重なり、かつ、前記第１遮光層が前記窒化シリコン層内に位置し、前記窒化シリコン層が前記第２遮光層内に位置する、ことを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、屈折率の高い第１遮光層の側面部に屈折率が第１遮光層よりも小さい窒化シリコン層が挿入されることでの光の反射が抑えられ、入射された迷光の乱反射を抑制し、減衰させることが可能になる。さらに窒化シリコン層が第２遮光層内に位置するため、窒化シリコン層が有する色分散による透過光への着色を防止できる。
【００１８】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板は、さらに、酸化シリコン基板を有し、前記第１遮光層が前記酸化シリコン基板と前記窒化シリコン層との間に位置し、平面視において前記第１遮光層の外周の少なくとも一部が前記窒化シリコン層の一部に囲まれ、前記窒化シリコン層の前記一部が前記第１遮光層と前記酸化シリコン基板とに接する、ことを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、屈折率の低い酸化シリコン層と、屈折率の高い第１遮光層の側面部に屈折率が酸化シリコン層と第１遮光層との間の屈折率を有する窒化シリコン層が挿入されることで光の反射が抑えられ、入射された迷光の乱反射を抑制し、減衰させることが可能になることに加え、第１遮光層の層厚を薄くし、段差の少ない構造を得ることが可能となる。
【００２０】
また、本発明に係るアクティブマトリクス基板は、平面視において、前記窒化シリコン層が光を透過する開口部と重ならない領域に位置する、ことを特徴とする。
【００２１】
この構成によれば、平面視にて窒化シリコン層は第２遮光領域内にのみ配置されているため、窒化シリコン層が有する色分散による透過光への影響は抑制され、開口部を通過する光に対する着色を防止できる。そのため、画質の高いアクティブマトリクス基板を得ることができる。
【００２２】
また、本発明に係る電気光学装置は、上記記載のアクティブマトリクス基板を含むことを特徴とする。
【００２３】
この構成によれば、迷光キャリアの発生が抑制されたアクティブマトリクス基板を含むため、高輝度で表示可能な電気光学装置を提供することが可能となる。
【００２４】
また、本発明に係る電子機器は、上記記載の電気光学装置を含むことを特徴とする。
【００２５】
この構成によれば、高輝度で表示可能な電気光学装置を含むため、視認性に優れた表示部を有する電子機器を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
（第１の実施形態）
以下、第１の実施形態について図面を用いて説明する。図１は、薄膜トランジスタを含むアクティブマトリクス基板の平面図である。薄膜トランジスタ２０５は信号配線１２とゲート配線６を介して駆動される。そしてドレイン電極８はたとえばＩＴＯを用いた画素電極１９と接続され、画素電極１９の電位を制御している。
【００２７】
図２は、図１のＡ−Ａ方向に切断した場合の薄膜トランジスタを含むアクティブマトリクス基板の断面図である。酸化シリコン基板１には、ポリシリコンを用いた第１遮光層４が配置されている。ここで、第１遮光層４の材質としてタングステンシリサイドに代えてモリブデン、タングステン、タンタルなど、アクティブマトリクス基板２２０を形成する最大温度に耐える金属や、多結晶シリコン、モリブデンシリサイドなどを用いることができる。
【００２８】
そして、第１遮光層４を覆うように酸化シリコン層としての第１絶縁層５が配置されている。薄膜トランジスタ２０５は、第１絶縁層５の一部を覆い、平面視にて第１遮光層４の内側に位置するチャネル領域２００を含むよう配置されている。
【００２９】
薄膜トランジスタ２０５はシリコン層２を用いたチャネル領域２００、及びチャネル領域２００の両脇に配置されたＬＤＤ領域２０１、ソース／ドレイン領域２０２をそれぞれ有している。そしてゲート絶縁層１４を介してゲート電極３が配置されている。ゲート電極３の材質としてここではポリシリコンを用いている。ここでゲート電極３の材質としてポリシリコンに代えて、タングステンシリサイドや、モリブデン、タングステン、タンタル、モリブデンシリサイドなどアクティブマトリクス基板２２０を形成するゲート電極３を形成した後の工程での最大温度に耐える導電性を有する物質を用いることができる。そしてゲート絶縁層１４として酸化シリコンを用いている。ここで、ゲート絶縁層１４として窒化酸化シリコンや酸化ハフニウムなどを含む高誘電率を有する材質を用いても良い。
【００３０】
そして、薄膜トランジスタ２０５のチャネル領域２００、ＬＤＤ領域２０１、ソース／ドレイン領域２０２、ゲート電極３を覆う位置に酸化シリコンを用いた第１層間絶縁層１５が配置されている。そして、第１層間絶縁層１５及びゲート絶縁層１４を貫通し、ソース／ドレイン領域２０２と接続するドレイン電極８とソース電極９とが配置されている。信号配線１２はソース電極９と接続され、信号配線１２から印加される電気信号を薄膜トランジスタ２０５に伝達する。そして、第１層間絶縁層１５を覆うように第２層間絶縁層１０が位置している。
【００３１】
第２層間絶縁層１０のドレイン電極８が位置する領域では、ドレイン電極８と画素電極１９とが電気的に導通するよう配置されている。そして、薄膜トランジスタ２０５の少なくともチャネル領域２００を覆うよう、たとえば黒色ポリイミド樹脂を用いた第２遮光層２０が配置されている。ここで、シリコン層２を構成する部材としてはアモルファスシリコンや、アモルファスシリコンを改質したポリシリコンを用いることができる。また、張り合わせ法などを用いた単結晶シリコンを用いても良い。
【００３２】
また、黒色ポリイミド樹脂を用いた第２遮光層２０に代えて、ドレイン配線１１を用いて薄膜トランジスタ２０５の、少なくともチャネル領域２００を遮光する構成を用いても良い。この場合、黒色ポリイミド樹脂を用いた場合と比べ、精密に遮光領域を形成できるため、より高い開口率を得ることが可能となる。
【００３３】
ここで、図２を再度用い、遮光機構について説明する。上記した第１遮光層４に用いられる材質は、第１遮光層４を挟む材質に対し高い屈折率を有しているため、第１遮光層４をコア層としてスラブ型の導波路が配置される。スラブ型導波路の光伝播条件は、コア層となる第１遮光層４の層厚をｔ（ｎｍ）、第１遮光層４の屈折率をｎ、光の波長をλ、導波モードをｍ、酸化シリコンの屈折率を１．５とした場合に、ｔ≧λ×ｍ／（２×（ｎ2−１．５2）0.5）（ｎｍ）（関係式２）で表される。一旦第１遮光層４に入射した迷光は第１遮光層４中を伝播しながら減衰する。そのためチャネル領域２００を含むシリコン層２への迷光の侵入を抑制することができ、光キャリアの発生を抑制することができる。ここで、λを可視光の波長下限である４００ｎｍ、導波モードを、第１遮光層の側面に対して浅い角度で侵入した迷光を捕獲できるようｍ＝５として数値計算すると、ｔ≧１０００／（ｎ2−２．２５）0.5（ｎｍ）（関係式１）が導かれる。この関係を満たすように第１遮光層４の層厚をとることで、迷光のチャネル領域を含む半導体層への侵入を抑制することができる。ここで、第１遮光層４の材質にポリシリコンを用いた場合には、ｔ≧３１６（ｎｍ）とすることで関係式１を満たし、第１遮光層４の側面から入射された迷光を減衰させることができる。
【００３４】
（第２の実施形態）
以下、第２の実施形態について図面を用いて説明する。第１の実施形態との主な相違は、第１遮光層の少なくとも側面に窒化シリコン層２５を含んでいることにある。
図３は、薄膜トランジスタを含むアクティブマトリクス基板の平面図である。薄膜トランジスタ２０５は信号配線１２とゲート配線６を介して駆動される。そしてドレイン電極８はたとえばＩＴＯを用いた画素電極１９と接続され、画素電極１９の電位を制御している。
【００３５】
図４は、図３のＡ−Ａ方向に切断した場合の薄膜トランジスタを含むアクティブマトリクス基板の断面図である。酸化シリコン基板１には、ポリシリコンを用いた第１遮光層４が配置されている。そして、第１遮光層４を覆うように窒化シリコン層２５が配置され、窒化シリコン層２５を覆うように酸化シリコンを用いた第１絶縁層５が配置されている。薄膜トランジスタ２０５は、第１絶縁層５の一部を覆い、平面視にて第１遮光層４の内側に位置するチャネル領域２００を含むよう配置されている。
【００３６】
薄膜トランジスタ２０５はシリコン層２を用いたチャネル領域２００、及びチャネル領域２００の両脇に配置されたＬＤＤ領域２０１、ソース／ドレイン領域２０２をそれぞれ有している。そしてゲート絶縁層１４を介してゲート電極３が配置されている。ゲート電極３の材質としてここではポリシリコンを用いている。ここでゲート電極３の材質としてポリシリコンに代えて、タングステンシリサイドや、モリブデン、タングステン、タンタル、モリブデンシリサイドなどアクティブマトリクス基板２２０を形成するゲート電極３を形成した後の工程での最大温度に耐える導電性を有する物質を用いることができる。ゲート絶縁層１４として酸化シリコンを用いている。ここで、ゲート絶縁層１４として窒化酸化シリコンや酸化ハフニウムなどを含む高誘電率を有する材質を用いても良い。
【００３７】
そして、薄膜トランジスタ２０５のチャネル領域２００、ＬＤＤ領域２０１、ソース／ドレイン領域２０２、ゲート電極３を覆う位置に酸化シリコン層を用いた第１絶縁層としての第１層間絶縁層１５が配置されている。そして、第１層間絶縁層１５及びゲート絶縁層１４を貫通し、ソース／ドレイン領域２０２と接続するドレイン電極８とソース電極９とが配置されている。信号配線１２はソース電極９と接続され、信号配線１２から印加される電気信号を薄膜トランジスタ２０５に伝達する。そして、第１層間絶縁層１５を覆うように第２層間絶縁層１０が位置している。
【００３８】
第２層間絶縁層１０のドレイン電極８が位置する領域では、ドレイン電極８と画素電極１９とが電気的に導通するよう配置されている。そして、薄膜トランジスタ２０５の少なくともチャネル領域２００を覆うよう、たとえば黒色ポリイミド樹脂を用いた第２遮光層２０が配置されている。ここで、シリコン層２を構成する部材としてはアモルファスシリコンや、アモルファスシリコンを改質したポリシリコンを用いることができる。また、張り合わせ法などを用いた単結晶シリコンを用いても良い。
また、黒色ポリイミド樹脂を用いた第２遮光層２０に代えて、ドレイン配線１１を用いて薄膜トランジスタ２０５の、少なくともチャネル領域２００を遮光する構成を用いても良い。この場合、黒色ポリイミド樹脂を用いた場合と比べ、精密に遮光領域を形成できるため、より高い開口率を得ることが可能となる。
【００３９】
ここで、図４を再度用い、遮光機構について説明する。上記した第１遮光層４に用いられるポリシリコンは、第１遮光層４を挟む酸化シリコンや窒化シリコン材質に比べ高い屈折率を有しているため、第１遮光層４をコア層としてスラブ型の導波路が配置される。スラブ型導波路の光伝播条件は、コア層となる第１遮光層４の層厚をｔ（ｎｍ）、第１遮光層４を構成するポリシリコンの屈折率を３．５、光の波長をλ、導波モードをｍ、酸化シリコンの屈折率を１．５、窒化シリコンの屈折率を２．１とした場合に、ｔ≧λ×ｍ／（２×（３．５2−１．５×２．１）0.5）（ｎｍ）（関係式３）で表される。一旦第１遮光層４に入射した迷光は第１遮光層４中を伝播しながら減衰する。そのためチャネル領域２００を含むシリコン層２への迷光の侵入を抑制することができ、光キャリアの発生を抑制することができる。ここで、λを可視光の波長下限である４００（ｎｍ）、導波モードを、第１遮光層の側面に対して浅い角度で侵入した迷光を捕獲できるようｍ＝５として数値計算すると、ｔ≧３３３（ｎｍ）の関係が導かれる。この関係を満たすように第１遮光層４の層厚をとることで、迷光のシリコン層２への侵入を抑制することができる。
【００４０】
ここで、第１遮光層４を覆うように窒化シリコン層２５が配置され、窒化シリコン層２５を覆うように酸化シリコンを用いた第１絶縁層５が配置されている。各層の屈折率はそれぞれ酸化シリコンで１．５、窒化シリコンで２．１、ポリシリコンで３．５であり、窒化シリコン層２５の屈折率は酸化シリコンを用いた第１絶縁層５と第１遮光層４を構成するポリシリコンとの間の値を有する屈折率を有している。窒化シリコン層２５を挟むことで、第１遮光層４の側面から入射する迷光に対する反射率を低減することができる。そのため、迷光の再反射を抑制し、第１遮光層４内部で吸収することができる。
【００４１】
また、窒化シリコン層２５は第１遮光層４を全て覆う必要はなく、たとえば第１遮光層４の側面にのみ配置しても良い。この場合においても、窒化シリコン層２５を第１遮光層４の側面に配置することで、第１遮光層４の側面から入射する迷光に対する反射率を低減することができる。さらに、この場合、ポリシリコンを用いた第１遮光層４をコア層とし、酸化シリコンで挟まれたスラブ型の導波路が配置されるため、第１遮光層４の層厚ｔ（ｎｍ）は、ｔ≧３１６（ｎｍ）を満たすことで迷光を導波減衰させることができるため、窒化シリコン層２５で第１遮光層４を覆う場合と比べ、第１遮光層４を薄くすることができる。
【００４２】
（第３の実施形態）
以下、第３の実施形態として、上記したアクティブマトリクス基板を含む電気光学装置として、液晶パネルについて説明する。図５に示すように、酸化シリコン基板１上には複数の画素電極１９がマトリクス状に配置される表示画素領域２７があり、表示画素領域２７の周辺には、表示信号を処理する駆動回路領域が配置されている。駆動回路領域では、ゲート線駆動回路２１がゲート信号配線（図示せず）を順次走査し、データ線駆動回路２２がソース信号配線（図示せず）に画像データに応じた画像信号を供給する。またパッド領域２６を介して外部から入力される画像データを取り込む入力回路２３や、これらの回路を制御するタイミング制御回路２４などの回路が設けられている。
【００４３】
図６は図５で述べた液晶パネルのＡ−Ａ断面図である。液晶パネルは、酸化シリコン基板１上に表示画素領域と駆動回路領域を配置した素子基板３１と、ＬＣコモン電位が印加される透明導電膜として、たとえばＩＴＯを含む対向電極３３を有する対向基板３２が一定間隔をおいて配置されている。そして、周辺をシール材３５で封止した隙間内にＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ＿Ｎｅｍａｔｉｃ）型液晶３４又は電圧無印加状態で液晶分子がほぼ垂直に配向されたＳＨ（Ｓｕｐｅｒ＿Ｈｏｍｅｏｔｒｏｐｉｃ）型液晶などが充填されている。電気光学装置としての液晶パネル３０には上記した構成が用いられている。なお、外部から信号を入力できるように、パッド領域２６は上記シール材３５の外側に来るようにシール材３５を設ける位置が設定されている。液晶パネル３０は、上記したように斜め方向からの迷光が薄膜トランジスタ２０５の少なくともチャネル領域２００への侵入が防止されているため、高輝度光源を用いる（迷光強度が強い）場合の応用に好適な電気光学装置としての液晶パネル３０を提供することができる。
【００４４】
（第４の実施形態）
以下、第４の実施形態として、上記した電気光学装置としての液晶パネルを用いた電子機器について説明する。図７は電子機器として上記した電気光学装置としての液晶パネルを搭載したリア型プロジェクタの模式図である。リア型プロジェクタ２３０は、上記した液晶パネル３０をライトバルブとして用いている。光源２３１より供給される光は液晶パネル３０により画像情報が与えられる。そして、光学系２３２により光束を制御する。そして、反射鏡２３３と反射鏡２３４によりスクリーン２３５に画像が表示される。リア型プロジェクタ２３０に用いられる液晶パネル３０に入射する光強度は極めて高く、また高画質が要求される。光強度が極めて高いことから、その迷光の強度は高い。上記した構成を有する液晶パネル３０はこの迷光の影響を抑制することができる。そのため、液晶パネル３０を含む電子機器としてのリア型プロジェクタ２３０は迷光に由来する影響を抑えることができ、出力画像の高画質化を実現することができる。また、リア型プロジェクタ２３０以外の応用分野として、フロント型プロジェクタ、携帯電話、ビデオカメラ、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示板、宣伝公告用ディスプレイ、ＩＣカードなどの電子機器にも適用することができる。
【００４５】
（変形例）
第１の実施形態及び第２の実施形態では、トップゲート型の薄膜トランジスタを用いた例について説明したが、これはボトムゲート型の薄膜トランジスタを用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】薄膜トランジスタを含むアクティブマトリクス基板の平面図。
【図２】チャネルの長さ方向に沿うＡ−Ａ断面図。
【図３】薄膜トランジスタを含むアクティブマトリクス基板の平面図。
【図４】チャネルの長さ方向に沿うＡ−Ａ断面図。
【図５】電気光学装置としての、液晶パネルの平面図。
【図６】電気光学装置としての、液晶パネルの断面図。
【図７】液晶パネルを搭載したリア型プロジェクタの模式図。
【符号の説明】
【００４７】
１…酸化シリコン基板、２…シリコン層、３…ゲート電極、４…第１遮光層、５…第１絶縁層、６…ゲート配線、８…ドレイン電極、９…ソース電極、１０…第２層間絶縁層、１１…ドレイン配線、１２…信号配線、１４…ゲート絶縁層、１５…第１層間絶縁層、１９…画素電極、２０…第２遮光層、２１…ゲート線駆動回路、２２…データ線駆動回路、２３…入力回路、２４…タイミング制御回路、２６…パッド領域、２７…表示画素領域、３０…液晶パネル、３１…素子基板、３２…対向基板、３３…対向電極、３４…ＴＮ型液晶、３５…シール材、２００…チャネル領域、２０１…ＬＤＤ領域、２０２…ソース／ドレイン領域、２０５…薄膜トランジスタ、２２０…アクティブマトリクス基板、２３０…リア型プロジェクタ、２３１…光源、２３２…光学系、２３３…反射鏡、２３４…反射鏡、２３５…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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