(57)【要約】【課題】製造工程を増加することなく、変換効率の高いＦＤ部を得る。【解決手段】ＦＤ部１２０は、読み出しトランジスタ１３０側の領域とリセットトランジスタ１４０側の領域とで異なる不純物構造を有する。まず、リセットトランジスタ１４０側の領域は、従来例と同様のＬＤＤ構造のソース・ドレイン領域である。一方、読み出しトランジスタ１３０側の領域はフォトダイオード１１０に用いたＮ型イオンを用いて形成される。ここで、ＦＤ部１２０におけるドーズ量は、ＬＤＤ構造のソース・ドレイン領域のドーズ量の総和よりも少ないことから、上記従来例に比較して、より少ないドーズ量のＦＤ部を形成することになり、ＦＤ部のＮ領域の容量及びＰ型ウェル領域の容量が減少し、ＦＤ部の変換効率を向上できる。【選択図】図４
2008211006.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成される複数の画素内に、
受光量に応じた信号電荷を生成し、蓄積する光電変換部と、
前記光電変換部に蓄積された信号電荷をフローティングデフュージョン部に読み出す読み出しトランジスタと、
前記フローティングデフュージョン部の電位変動を画素信号に変換する増幅トランジスタとを有し、
前記フローティングデフュージョン部は前記光電変換部を形成するためのイオン注入を用いて形成されている、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記フローティングデフュージョン部の電位をリセットするリセットトランジスタを有し、前記読み出しトランジスタのソース・ドレイン領域とリセットトランジスタのソース・ドレイン領域と前記フローティングデフュージョン部とを共有した構造を有することを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記画素内に形成されるトランジスタのソース・ドレイン領域が前記フローティングデフュージョン部の読み出しトランジスタ側の領域を除いてＬＤＤ構造で形成されていることを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記光電変換部を形成するためのイオン注入がＮ型イオン注入であることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記光電変換部を形成するためのイオン注入を用いて前記フローティングデフュージョン部に注入されるイオンのドーズ量が前記画素内に形成されるＬＤＤ構造のソース・ドレイン領域に注入されるイオンのドーズ量の総和より少ないことを特徴とする請求項３記載の固体撮像装置。
【請求項６】
半導体基板に形成される複数の画素内に、
受光量に応じた信号電荷を生成し、蓄積する光電変換部と、
前記光電変換部に蓄積された信号電荷をフローティングデフュージョン部に読み出す読み出しトランジスタと、
前記フローティングデフュージョン部の電位変動を画素信号に変換する増幅トランジスタとを有する固体撮像装置の製造方法であって、
前記フローティングデフュージョン部を前記光電変換部を形成するためのイオン注入を用いて形成する、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記フローティングデフュージョン部の電位をリセットするリセットトランジスタを有し、前記読み出しトランジスタのソース・ドレイン領域とリセットトランジスタのソース・ドレイン領域と前記フローティングデフュージョン部とを共有した構造を有することを特徴とする請求項６記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記画素内に形成されるトランジスタのソース・ドレイン領域を前記フローティングデフュージョン部の読み出しトランジスタ側の領域を除いてＬＤＤ構造で形成することを特徴とする請求項７記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記光電変換部を形成するためのイオン注入がＮ型イオン注入であることを特徴とする請求項６記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記光電変換部を形成するためのイオン注入を用いて前記フローティングデフュージョン部に注入されるイオンのドーズ量が前記画素内に形成されるＬＤＤ構造のソース・ドレイン領域に注入されるイオンのドーズ量の総和より少ないことを特徴とする請求項８記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＣＭＯＳイメージセンサのように光電変換部で蓄積した信号電荷をフローティングデフュージョン（ＦＤ）部に読み出し、このＦＤ部の電位変動を検出して画素信号に変換する構造の固体撮像装置、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＭＯＳイメージセンサに代表される増幅型の固体撮像装置の開発が活発化しており、各種のカメラ装置や携帯電話機等に用いられている。
一般にＣＭＯＳイメージセンサは、同一半導体基板上に、フォトダイオードを含む複数の画素を２次元方向に配置した撮像領域と、この撮像領域の外部に形成された周辺回路領域とを設けたものである。
そして、撮像領域には、各画素毎に、受光量に応じた信号電荷を生成し、蓄積するフォトダイオードと、フォトダイオードの信号電荷をＦＤ（フローティングデフュージョン）部に読み出す読み出しトランジスタ（転送ゲート）と、ＦＤの電位に応じた画素信号を生成する増幅トランジスタと、画素信号を出力する画素を選択する選択トランジスタと、ＦＤをリセットするリセットトランジスタ等の各種画素トランジスタとを設け、各画素のフォトダイオードで検出した信号電荷を各画素トランジスタの駆動によって画素信号に変換し、画素列毎に設けた信号線より出力する。
【０００３】
また、周辺回路領域には、画素アレイ部に各種の制御パルスを供給して画素信号の読み出しを制御する駆動制御回路、読み出された画素信号に対して各種の信号処理を行う信号処理回路、駆動電源を生成する電源制御回路等が設けられている。
また、半導体基板上には、絶縁膜、トランジスタの駆動電極膜、配線膜、遮光膜といった積層膜が順次形成され、さらに平坦化膜等を介してカラーフィルタ、マイクロレンズ等が形成されている。
このようなＣＭＯＳイメージセンサでは、各画素トランジスタの駆動によって各画素のフォトダイオードに蓄積した信号電荷を各画素毎に画素信号に変換し、これを画素列毎に出力して後段の信号処理回路に送り、ノイズ除去や信号処理等を施して出力する。
【０００４】
また、フォトダイオードとしては、例えばシリコン基板の上層に形成されたＰ型ウェル領域に対し、Ｎ型イオン領域を設けるとともに、その表面にＰ型イオン領域を設けたＨＡＤ構造のものが採用されている。
また、読み出しトランジスタはソース・ドレイン領域のうちの一方をフォトダイオード領域と共有する状態で配置されており、また、読み出しトランジスタのソース・ドレイン領域とリセットトランジスタのソース・ドレイン領域とＦＤ部が共有した構造で形成されている。
そして、フォトダイオードから信号電荷を読み出す際には、読み出しトランジスタがオンしてフォトダイオードの信号電荷をＦＤ部に転送し、これによるＦＤ部の電位変動を増幅トランジスタで検出し、画素信号に変換する。また、信号電荷をリセットする際には、リセットトランジスタがオンしてＦＤ部を電源電位に接続する。
【０００５】
ところで、上述のようなＣＭＯＳイメージセンサは、撮像領域から周辺回路領域にわたる全領域にかけて、通常の半導体装置を作成する場合と同様のＣＭＯＳ・ＬＳＩプロセスで作成できる利点がある。
したがって、画素内の各トランジスタやその他のトランジスタも共通の工程で作成しており、上述のように読み出しトランジスタ及びリセットトランジスタのソース・ドレイン領域で共有するＦＤ部についても他のトランジスタのソース・ドレイン領域と共通のイオン注入工程によって作成していた。
また近年では、各トランジスタのソース・ドレイン領域にＬＤＤ（lightly doped drain）構造を採用することが行われている。
【０００６】
図６は従来のＬＤＤ構造を採用したＣＭＯＳイメージセンサのＦＤ部周辺の構造を示す断面図である。
図示のように、このＣＭＯＳイメージセンサは、Ｎ型シリコン基板４００の上層にＰ型ウェル領域４０１を形成し、ここにフォトダイオード４１０、読み出しトランジスタ４２０、ＦＤ部４３０、リセットトランジスタ４４０を設けたものである。
フォトダイオード４１０は、Ｎ型領域４１１の表層にＰ＋型領域４１２を形成したＨＡＤ構造となっている。
ＦＤ部４３０は、読み出しトランジスタ４２０とリセットトランジスタ４４０のソース・ドレイン領域を共有したものであり、Ｎ型不純物濃度の高いＳＤ領域４３１の周辺にＮ型不純物濃度の低いＬＤＤ領域４３２を設けたものである。このようにソース・ドレイン領域の周辺部に不純物濃度の小さいＬＤＤ領域を設けることにより、濃度分布をなだらかにして、ドレイン電界を緩和したものである。
また、ＦＤ部４３０には上部配線からのＦＤコンタクト４３３が接続され、増幅トランジスタ（図示略）のゲート配線に接続されている。
【０００７】
また、読み出しトランジスタ４２０はフォトダイオード４１０とＦＤ部４３０との間に形成されるチャネル上にゲート絶縁膜を介して読み出しゲート電極４２１を配置したものであり、リセットトランジスタ４４０はＦＤ部４３０と電源配線（図示略）の間に形成されるチャネル上にゲート絶縁膜を介してリセットゲート電極４４１を配置したものである。
なお、このＣＭＯＳイメージセンサは、図６に示す構造の上層に複数層の配線膜と層間絶縁膜、平坦化膜、カラーフィルタ、マイクロレンズ等を配した構造となっている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−３０３３８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来のＣＭＯＳイメージセンサでは、他のトランジスタのソース・ドレイン領域と共通の工程でＬＤＤ構造のＦＤ部を形成する構造であるため、ＦＤ部へ注入されるイオンのドーズ量が大きくなり、Ｎ型領域やＰ型ウェル領域の容量が大きくなりすぎ、ＦＤ部自体の変換効率を十分に向上させることが困難な場合がある。
そこで、仮にＦＤ部に専用のイオン注入を行うようにした場合には、その分、工程数が増加し、製造コストが増大するという問題がある。
【０００９】
そこで本発明は、製造工程を増加することなく、変換効率の高いＦＤ部を得ることができる固体撮像装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置は、半導体基板に形成される複数の画素内に、受光量に応じた信号電荷を生成し、蓄積する光電変換部と、前記光電変換部に蓄積された信号電荷をフローティングデフュージョン部に読み出す読み出しトランジスタと、前記フローティングデフュージョン部の電位変動を画素信号に変換する増幅トランジスタとを有し、前記フローティングデフュージョン部は前記光電変換部を形成するためのイオン注入を用いて形成されていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の製造方法は、半導体基板に形成される複数の画素内に、受光量に応じた信号電荷を生成し、蓄積する光電変換部と、前記光電変換部に蓄積された信号電荷をフローティングデフュージョン部に読み出す読み出しトランジスタと、前記フローティングデフュージョン部の電位変動を画素信号に変換する増幅トランジスタとを有する固体撮像装置の製造方法であって、前記フローティングデフュージョン部を前記光電変換部を形成するためのイオン注入を用いて形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の固体撮像装置及びその製造方法によれば、ＦＤ部を前記光電変換部を形成するためのイオン注入を用いて形成することから、他のトランジスタのソース・ドレイン領域用のイオン注入条件に制約されることなく、かつ専用の工程を追加せず、ＦＤ部に適したイオン注入を行うことができ、製造工程を増加することなく、変換効率の高いＦＤ部を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１は本発明の実施例における固体撮像装置の具体例を示す平面図であり、ＣＭＯＳイメージセンサの例を示している。また、図２は図１に示す固体撮像装置の画素内の回路構成を示す回路図である。
本実施例の固体撮像装置は、図１に示すように、２次元方向に配置された複数の画素１６によって撮像領域を構成する画素アレイ部２０と、画素アレイ部２０の各画素を垂直方向に走査して画素信号の読み出し動作を制御する垂直走査回路２１と、画素アレイ部２０の各画素列（カラム）から導かれた垂直信号線２８を制御する負荷ＭＯＳトランジスタ回路２４と、画素アレイ部２０の各画素列から読み出された画素信号を取り込み、相関二重サンプリング処理によるノイズ除去を行うＣＤＳ回路２６と、ＣＤＳ回路２６の画素信号を水平信号線２７に出力する水平選択トランジスタ回路２６と、水平選択トランジスタ回路２６を水平方向に順次選択して画素信号の出力を制御する水平走査回路２２とを有する。
そして、水平信号線２７に出力された画素信号はバッファアンプを介して後段の回路に伝送される。
【００１４】
また、各画素１６は、図２に示すように、入射した光を光電変換するフォトダイオード（ＰＤ）１と、光電変換された電気信号を転送パルス（ΦＴＲＧ）に基づいてフローティングデフュージョン（ＦＤ）部３に転送するトランジスタ（ＴＧ）１２と、リセットパルス（ΦＲＳＴ）に基づいてＦＤ部３の電位を電源電圧ＶＤＤにリセットするリセットトランジスタ（ＲＳＴ）１４、ＦＤ部３の電位変動を電圧信号または電流信号に変換する増幅トランジスタ（ＡＭＰ）１３と、選択信号（ΦＳＥＬ）に基づいて増幅トランジスタ１３の出力を垂直信号線２８に接続する選択トランジスタ１５とを有する。
したがって、画素１６の近傍には、垂直方向に垂直信号線２８や電源線２３等が配線され、水平方向に読み出し線１７、リセット線１８、選択線１９等が配線されている。
【００１５】
図３は本実施例によるＣＭＯＳイメージセンサの画素内の配線構造を示す平面図である。
図示のように、シリコン基板１００の各画素の領域内には、略巳字形の不純物活性化領域１０２が設けられ、この領域に、フォトダイオード（ＰＤ）１１０、ＦＤ部１２０、各トランジスタ１３０、１４０、１５０、１６０等が設けられている。
まず、フォトダイオード１１０は略長方形状に形成されており、そのコーナー部の近傍に読み出しトランジスタ１３０のゲート電極１３１が配置され、その外側にＦＤ部１２０が形成されている。このＦＤ部１２０にはＦＤコンタクト１２１が設けられ、増幅トランジスタ１５０のゲート電極１５１の配線に接続されている。
【００１６】
また、ＦＤ部１２０の外側にはリセットトランジスタ１４０のゲート電極１４１が設けられ、その外側には、電源配線（図２に示す電源線２３）に接続されるコンタクト１７１が設けられている。
また、コンタクト１７１の外側には増幅トランジスタ１５０のゲート電極１５１が設けられ、その外側に選択トランジスタ１６０のゲート電極１６１が設けられ、その外側に信号取り出し用配線（図２に示す垂直信号線２８）へのコンタクト１７２が配置されている。
なお、読み出しトランジスタ１３０のゲート電極１３１、リセットトランジスタ１４０のゲート電極１４１、選択トランジスタ１６０のゲート電極１６１には、それぞれの制御パルスが供給される配線（図２に示す読み出し線１７、リセット線１８、選択線１９）が接続される。
【００１７】
このような本実施例のＣＭＯＳイメージセンサにおいて、撮像領域及び周辺回路部領域の各ＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域は、必要に応じてＬＤＤ構造で形成されているが、ＦＤ部については、ＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域のイオン注入を用いるのではなく、フォトダイオードのＮ型領域を形成するためのイオン注入を用いて形成する。
なお、一般にフォトダイオードのＮ型領域を形成するためのイオン注入工程で用いるドーズ量は、ＭＯＳトランジスタのＬＤＤ構造のソース・ドレイン領域を形成するためのイオン注入工程で用いるドーズ量の総和よりも少ないものとなっている。
したがって、本実施例のＣＭＯＳイメージセンサにおいては、上記従来例に比較して、より少ないドーズ量のＦＤ部を形成することになる。
【００１８】
図４は本実施例のＬＤＤ構造を採用したＣＭＯＳイメージセンサのＦＤ部周辺の構造を示す断面図であり、図３のＡ−Ａ´線断面を示している。
図示のように、このＣＭＯＳイメージセンサは、Ｎ型シリコン基板１００の上層にＰ型ウェル領域１０１を形成し、ここにフォトダイオード１１０、読み出しトランジスタ１３０、ＦＤ部１２０、リセットトランジスタ１４０を設けたものである。
フォトダイオード１１０は、Ｎ型領域１１１の表層にＰ＋型領域１１２を形成したＨＡＤ構造となっている。
また、読み出しトランジスタ１３０はフォトダイオード１１０とＦＤ部１２０との間に形成されるチャネル上にゲート絶縁膜を介して読み出しゲート電極１３１を配置したものであり、リセットトランジスタ１４０はＦＤ部１２０と電源配線の間に形成されるチャネル上にゲート絶縁膜を介してリセットゲート電極１４１を配置したものである。
【００１９】
また、ＦＤ部１２０は、読み出しトランジスタ１３０側の領域とリセットトランジスタ１４０側の領域とで異なる不純物構造を有している。
まず、ＦＤ部１２０のリセットトランジスタ１４０側の領域は、従来例と同様のＬＤＤ構造のソース・ドレイン領域であり、Ｎ型不純物濃度の高いＳＤ領域１２２の周辺にＮ型不純物濃度の低いＬＤＤ領域１２３を設けた構造となっている。
また、ＦＤ部１２０の読み出しトランジスタ１３０側の領域はフォトダイオード１１０のＮ型領域１１１に用いたＮ型イオン（センサＮ）を用いて形成されるＮ型領域１２４となっている。そして、このＮ型領域１２４に上部配線からのＦＤコンタクト１２１が接続され、増幅トランジスタ１５０のゲート配線に接続されている。
【００２０】
ここで、ＦＤ部１２０のＮ型領域１２４におけるドーズ量は、ＬＤＤ構造のソース・ドレイン領域のＳＤ領域１２２とＬＤＤ領域１２３のドーズ量の総和よりも少ないことから、上記従来例に比較して、より少ないドーズ量のＦＤ部を形成することになる。この結果、イオン注入工程を増やすことなく、ＦＤ部の容量のみを最適化でき、ＦＤ部のＮ領域の容量及びＰ型ウェル領域の容量が減少し、ＦＤ部の変換効率を向上できる。
【００２１】
次に、このようなＦＤ部を作成するには、主にイオン注入時のマスクパターンの変更を行えばよい。
まず、フォトダイオード１１０のＮ型イオン注入時には、フォトダイオード１１０の領域だけでなく、読み出しトランジスタ１３０のＦＤ部１２０側の領域にも同時にＮ型イオン注入を行う。
また、トランジスタのソース・ドレイン領域にＮ型イオン注入時には、読み出しトランジスタ１３０とリセットトランジスタ１４０との間の領域については、ＳＤ領域１２２のイオン注入用のマスクパターンとＬＤＤ領域１２３のイオン注入用のマスクパターンを読み出しトランジスタ１３０の近傍領域から離間させた形状とし、読み出しトランジスタ１３０側にはイオン注入しないようにする。
なお、これらのイオン注入工程における具体的な作業条件等は実際に作成するイメージセンサの特性等に応じて適宜選択できるものとし、詳細は省略する。
【００２２】
以上、本発明による固体撮像装置の具体的な実施例について説明したが、本発明はさらに種々の変形が可能である。例えば、上記実施例では、１画素内に４つのトランジスタ（読み出し、リセット、増幅、選択）を設けた構成について説明しているが、例えば選択トランジスタを省略した３トランジスタ構成のものや、行選択と列選択の２つのトランジスタを設けた５トランジスタ構成のものも提案されており、いずれも方式においても本発明を適用できるものである。
また、本発明の適用できる固体撮像装置は、図示のような２次元エリア型のＣＭＯＳイメージセンサに限らず、１次元配列のリニアセンサ型の固体撮像装置にも適用可能であり、ＦＤ部を有する固体撮像装置に広くできるものである。
【００２３】
また、固体撮像装置は１チップ上にイメージセンサ等を構成したものに限らず、撮像部と信号処理部や光学系がまとめてパッケージ化されたモジュールであってもよい。また、カメラシステムや携帯電話器に利用される装置であってもよい。なお、本発明では、ＣＭＯＳイメージセンサの機能を単体で有する構成を固体撮像装置といい、固体撮像装置と他の要素（制御回路、操作部、表示部、さらにはデータ蓄積機能、通信機能等）と一体化された構成を撮像装置というものとする。
【００２４】
以下、本発明を適用した撮像装置の具体例を説明する。
図５は本例のＣＭＯＳイメージセンサを用いたカメラ装置の構成例を示すブロック図である。
図５において、撮像部３１０は、例えば図１に示したＣＭＯＳイメージセンサを用いて被写体の撮像を行うものであり、撮像信号をメイン基板に搭載されたシステムコントロール部３２０に出力する。
すなわち、撮像部３１０では、上述したＣＭＯＳイメージセンサの出力信号に対し、ＡＧＣ（自動利得制御）、ＯＢ（オプティカルブラック）クランプ、ＣＤＳ（相関二重サンプリング）、Ａ／Ｄ変換といった処理を行い、デジタル撮像信号を生成して出力する。
【００２５】
なお、本例では、撮像部３１０内で撮像信号をデジタル信号に変換してシステムコントロール部３２０に出力する例について示しているが、撮像部３１０からアナログ撮像信号をシステムコントロール部３２０に送り、システムコントロール部３２０側でデジタル信号に変換する構成であってもよい。
また、撮像部３１０内での具体的な制御動作や信号処理等も従来から種々の方法が提供されており、本発明の撮像装置において特に限定しないことは勿論である。
【００２６】
また、撮像光学系３００は、鏡筒内に配置されたズームレンズ３０１や絞り機構３０２等を含み、ＣＭＯＳイメージセンサの受光部に被写体像を結像させるものであり、システムコントロール部３２０の指示に基づく駆動制御部３３０の制御により、各部を機械的に駆動してオートフォーカス等の制御が行われる。
【００２７】
また、システムコントロール部３２０には、ＣＰＵ３２１、ＲＯＭ３２２、ＲＡＭ３２３、ＤＳＰ３２４、外部インターフェース３２５等が設けられている。
ＣＰＵ３２１は、ＲＯＭ３２２及びＲＡＭ３２３を用いて本カメラ装置の各部に指示を送り、システム全体の制御を行う。
ＤＳＰ３２４は、撮像部３１０からの撮像信号に対して各種の信号処理を行うことにより、所定のフォーマットによる静止画または動画の映像信号（例えばＹＵＶ信号等）を生成する。
外部インターフェース３２５には、各種エンコーダやＤ／Ａ変換器が設けられ、システムコントロール部３２０に接続される外部要素（本例では、ディスプレイ３３０、メモリ媒体３４０、操作パネル部３５０）との間で、各種制御信号やデータをやり取りする。
【００２８】
ディスプレイ３３０は、本カメラ装置に組み込まれた例えば液晶パネル等の小型表示器であり、撮像した画像を表示する。なお、このようなカメラ装置に組み込まれた小型表示器に加えて、外部の大型表示装置に画像データを伝送し、表示できる構成とすることも勿論可能である。
メモリ媒体３４０は、例えば各種メモリカード等に撮影された画像を適宜保存しておけるものであり、例えばメモリ媒体コントローラ３４１に対してメモリ媒体を交換可能なものとなっている。メモリ媒体３４０としては、各種メモリカードの他に、磁気や光を用いたディスク媒体等を用いることができる。
操作パネル部３５０は、本カメラ装置で撮影作業を行うに際し、ユーザが各種の指示を行うための入力キーを設けたものであり、ＣＰＵ３２１は、この操作パネル部３５０からの入力信号を監視し、その入力内容に基づいて各種の動作制御を実行する。
【００２９】
このようなカメラ装置に、本発明の固体撮像装置を適用することにより、高品位の撮像装置を提供できる。なお、以上の構成において、システムの構成要素となる単位デバイスや単位モジュールの組み合わせ方、セットの規模等については、製品化の実情等に基づいて適宜選択することが可能であり、本発明の撮像装置は、種々の変形を幅広く含むものとする。
【００３０】
また、本発明の固体撮像装置及び撮像装置において、撮像対象（被写体）としては、人や景色等の一般的な映像に限らず、偽札検出器や指紋検出器等の特殊な微細画像パターンの撮像にも適用できるものである。
この場合の装置構成としては、図５に示した一般的なカメラ装置ではなく、さらに特殊な撮像光学系やパターン解析を含む信号処理系を含むことになり、この場合にも本発明の作用効果を十分発揮して、精密な画像検出を実現することが可能となる。
さらに、遠隔医療や防犯監視、個人認証等のように遠隔システムを構成する場合には、上述のようにネットワークと接続した通信モジュールを含む装置構成とすることも可能であり、幅広い応用が実現可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施例における固体撮像装置の具体例を示す平面図である。
【図２】図１に示す固体撮像装置の画素内の回路構成を示す回路図である。
【図３】本発明の実施例によるＣＭＯＳイメージセンサの画素内の配線構造を示す平面図である。
【図４】図３に示すＣＭＯＳイメージセンサのＦＤ部周辺の構造を示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施例におけるカメラ装置の構成例を示すブロック図である。
【図６】従来のＬＤＤ構造を採用したＣＭＯＳイメージセンサのＦＤ部周辺の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３２】
１００……シリコン基板、１１０……フォトダイオード、１２０……ＦＤ部、１３０……読み出しトランジスタ、１４０……リセットトランジスタ、１５０……増幅トランジスタ、１６０……選択トランジスタ。
【図１】
2008211006.tif 000003
【図２】
2008211006.tif 000004
【図３】
2008211006.tif 000005
【図４】
2008211006.tif 000006
【図５】
2008211006.tif 000007
【図６】
2008211006.tif 000008