(57)【要約】【課題】高容量キャパシタ素子を配線回路板内に収率良く形成すること。【解決手段】平滑性に優れた剥離層４１上に誘電体層５２を形成した積層体４０を作成する。次に、キャパシタ素子２０の第一電極２３が少なくとも形成された絶縁基板１１上に、この積層体４０を剥離層４１が上側になるように配置し、第一電極２３と誘電体層５２とを流動性のある絶縁樹脂シート６０を介して貼り合せる。さらに、剥離層４１を剥離し、誘電体層５２をパターニングした後、誘電体層５２上に第二電極２４を形成し、キャパシタ素子２０を内蔵する配線回路板１００を得る。【選択図】図１
2008112815.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線回路基板に内蔵され第一電極と第二電極とを有するキャパシタ素子の製造方法において、
平滑性に優れる剥離層上に誘電体層を形成して積層体とする工程と、
前記キャパシタの第一電極を形成した絶縁基板の主面上に、前記誘電体層が当該主面と向かい合うように前記積層体を、流動性の絶縁樹脂を介して貼り合わせる工程と、
を備えることを特徴とする配線回路板内蔵キャパシタ素子の製造方法。
【請求項２】
前記剥離層を剥離した後、前記誘電体層上にパターニング用のマスクを形成する工程と、
前記誘電体層をパターニングし前記マスクを剥離することにより、誘電体パターンを形成する工程と、
前記誘電体パターン上に前記キャパシタの第二電極となる導体層を形成する工程と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の配線回路板内蔵キャパシタ素子の製造方法。
【請求項３】
前記剥離層上に薄膜導体層をさらに積層して前記積層体とし、
前記薄膜導体層をパターニングして前記マスクを形成することを特徴とする請求項２に記載の配線回路板内蔵キャパシタ素子の製造方法。
【請求項４】
絶縁基板上に形成された第一電極、当該第一電極上に形成された誘電体層、および当該誘電体層上に形成された第二電極を有するキャパシタ素子を含む配線回路基板において、
前記誘電体層は、当該誘電体層が剥離層上に形成された後、当該剥離層が剥離されてなる滑らかな層であり、
前記誘電体層の一方の面であって前記第一電極と向かい合う面は、流動性の絶縁樹脂を介して前記第一電極と貼り合わされていることを特徴とする配線回路基板。
【請求項５】
前記誘電体層は、スパッタリング法もしくは真空蒸着法で形成された誘電体薄膜であることを特徴とする請求項４記載の配線回路板。
【請求項６】
前記誘電体層は、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化チタンのいずれか１種類もしくは２種類以上を含む層であることを特徴とする請求項４または５記載の配線回路板。
【請求項７】
前記キャパシタ素子は、前記第二電極と前記誘電体層との間に薄膜導体層をさらに有することを特徴とする請求項４から６いずれか記載の配線回路板。
【請求項８】
前記流動性の絶縁樹脂は、流動性の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求項４から７いずれか記載の配線回路板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路板内に組み込まれる基板内蔵キャパシタ素子の製造方法およびキャパシタ素子を内蔵する配線回路板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、高密度化、高性能化が進んでいる。そして、電子機器内に組み込まれる配線回路板も小型化、高密度化、高速化の要求が高まっており、それらの要求を満たした配線回路板が求められている。
【０００３】
従来、配線回路板には半導体チップ、抵抗体、キャパシタ、インダクタ等の部品（以下、これらを「回路板実装部品」と総称する場合がある）が表面実装されている。近年では、配線回路板の高密度化等の要求に対して配線回路板に実装する部品を小型化することで配線回路板の小型化、高密度化対応を図っている。
【０００４】
しかしながら、さらなる部品実装密度の向上が求められ、表面実装だけでは限界があるため、抵抗素子、キャパシタ、インダクタ等の部品を内蔵した部品内蔵型の配線回路板の開発が進められている。配線回路板にキャパシタを内蔵する場合、キャパシタの形状としては、配線回路板内部に設けた誘電体層の両面に電極を形成する構造が一般的である。
【０００５】
誘電体層を配線回路板に形成する方法としては、誘電体層の片面側の電極（第一電極）を形成した後、樹脂にチタン酸バリウムなどの高誘電率フィラーを混錬したフィルムをラミネートする方法やスクリーン印刷することにより誘電体層を形成する方法が採られている（例えば、特許文献１参照）。この場合、フィラーの添加量に応じて比誘電率は上がるが、材料中の空隙やフィラーの凝集により比誘電率は飽和するので、高誘電率化には限界があり、高容量のキャパシタを内蔵することは困難であった。
【０００６】
高容量のキャパシタを配線回路板内に作り込む方法としては、ゾルゲル法、CVD法、スパッタリング法、蒸着法等により形成したセラミックス系薄膜を回路板内に形成する方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。このように、内蔵キャパシタを構成する材料としてセラミックス系薄膜等の無機系の誘電体を用いれば、高い容量のキャパシタを得ることができる。
【０００７】
【特許文献１】特開平８−１２５３０２号公報
【特許文献２】特開２００５−４４８３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献２に開示された従来技術では、ゾルゲル法等を用いて導体層上に無機系の誘電体層を形成するが、誘電体層を形成する下地によっては、誘電体層に不具合が生じる場合がある。具体的には、セラミックス系薄膜等の誘電体層を形成する際、下地となる基材の表面粗さのために、誘電体層にクラックやピンホールが発生し不良となることが問題となっていた。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、高容量キャパシタ素子を配線回路板内に収率良く形成する手法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の請求項１に係る発明は、配線回路基板に内蔵され第一電極と第二電極とを有するキャパシタ素子の製造方法において、平滑性に優れる剥離層上に誘電体層を形成して積層体とする工程と、前記キャパシタの第一電極を形成した絶縁基板の主面上に、前記誘電体層が当該主面と向かい合うように前記積層体を、流動性の絶縁樹脂を介して貼り合わせる工程と、を備えることを特徴とする配線回路板内蔵キャパシタ素子の製造方法としたものである。
【００１１】
本発明の請求項２に係る発明は、前記剥離層を剥離した後、前記誘電体層上にパターニング用のマスクを形成する工程と、前記誘電体層をパターニングし前記マスクを剥離することにより、誘電体パターンを形成する工程と、前記誘電体パターン上に前記キャパシタの第二電極となる導体層を形成する工程と、をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の配線回路板内蔵キャパシタ素子の製造方法としたものである。
【００１２】
本発明の請求項３に係る発明は、前記剥離層上に薄膜導体層をさらに積層して前記積層体とし、前記薄膜導体層をパターニングして前記マスクを形成することを特徴とする請求項２に記載の配線回路板内蔵キャパシタ素子の製造方法としたものである。
【００１３】
本発明の請求項４に係る発明は、絶縁基板上に形成された第一電極、当該第一電極上に形成された誘電体層、および当該誘電体層上に形成された第二電極を有するキャパシタ素子を含む配線回路基板において、前記誘電体層は、当該誘電体層が剥離層上に形成された後、当該剥離層が剥離されてなる滑らかな層であり、前記誘電体層の一方の面であって前記第一電極と向かい合う面は、流動性の絶縁樹脂を介して前記第一電極と貼り合わされていることを特徴とする配線回路基板としたものである。
【００１４】
本発明の請求項５に係る発明は、前記誘電体層は、スパッタリング法もしくは真空蒸着法で形成された誘電体薄膜であることを特徴とする請求項４記載の配線回路板としたものである。
【００１５】
本発明の請求項６に係る発明は、前記誘電体層は、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化チタンのいずれか１種類もしくは２種類以上を含む層であることを特徴とする請求項４または５記載の配線回路板としたものである。
【００１６】
本発明の請求項７に係る発明は、前記キャパシタ素子は、前記第二電極と前記誘電体層との間に薄膜導体層をさらに有することを特徴とする請求項４から６いずれか記載の配線回路板としたものである。
【００１７】
本発明の請求項８に係る発明は、前記流動性の絶縁樹脂は、流動性の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求項４から７いずれか記載の配線回路板としたものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、平滑性に優れた剥離可能な剥離層を基材とし、この基材上に誘電体層を形成するので、下地の凹凸によるクラックやピンホールの発生を防ぐことができる。さらに、第一電極が形成された絶縁基板上へ誘電体層を転写する際にも、第一電極と誘電体層との間を流動性の絶縁樹脂で埋め込むことで、誘電体層へかかる応力を抑制し、誘電体層が破壊されるのを防ぐことができる。このため、本発明によれば、収率良く高容量のキャパシタ素子を配線回路板へ内蔵することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明について詳細に説明する。なお、図面は説明の便宜のため、各部材を適宜、縮小または拡大して示している。
【００２０】
図１は、本発明に係る配線回路板内蔵キャパシタ素子の製造方法の一例を示す。まず、誘導体層を含む積層体を作成する工程（以下、「誘導体積層工程」と称する場合がある）として、剥離層４１上に薄膜導体層５１を成膜し、薄膜導体層５１上に誘電体層５２をさらに成膜して積層体４０を作成する（図１（ａ）参照）。
【００２１】
剥離層４１としては、平滑性に優れたものを用い、例えば天然ゴム誘導体、熱可塑性樹脂、および熱硬化性樹脂等をシート状にした樹脂シートを用いることができる。ここで、「平滑性に優れる剥離層」とは、少なくとも皺、孔、窪み、襞等の凹凸を生じることなく平坦に広げることができ、その上に流動物を実質的に均一に流し広げることができる（すなわち流動物が溜まった部分や剥離層が露出する部分が実質的に生じない）ことを意味するものとする。より具体的には、日本工業規格ＪＩＳ  Ｂ０６３３により測定される算術平均粗さＲａの値が１μｍ以下であることを意味するものとする。
【００２２】
剥離層４１の形成に用いることのできる熱可塑性樹脂としては、アクリル系、ポリウレタン系、ポリアミド系、ポリイミド系、ポリエステル系、ポリアセタール系、塩素系ポリオレフィン系、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体系、およびエチレン−酢酸ビニル供重合体系などの樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、メラミン系、エポキシ系、ポリウレタン系などの樹脂が挙げられる。また、剥離層４１としては、剛性、および耐熱性に優れたシリカなどの無機材料をシート状にしたものを単独または樹脂シートと組み合わせて用いることもできるがこれらに限定されるものではない。
【００２３】
剥離層４１を構成する材料としては、常温では粘着性を有する一方、加熱または冷却などの温度変化により粘着性を失う材料を用いることが望ましい。例えば、温水に浸漬すると剥離可能となる加熱剥離フィルム（株式会社トーヨーアドテック製、商品名テンプロック）や加熱や冷却により剥離可能なフィルム（ソマール株式会社製、商品名ソマタック）などが挙げられる。
【００２４】
薄膜導体層５１と誘電体層５２とは、導電体と誘電体とをスパッタリング法または真空蒸着法などの方法により連続成膜することにより容易に形成できるがこれに限定されるものではない。薄膜導体層５１を構成する導電体としては、キャパシタ素子の電極の材料として使用される金属を用いることができ、例えば銅が挙げられる。
【００２５】
積層体４０は少なくとも剥離層４１と誘電体層５２とを積層したものであればよく、剥離層４１上に直接、誘電体層５２を成膜するようにして薄膜導体層５１を省略してもよい。しかし、剥離層４１と誘電体層５２との間に薄膜導体層５１を成膜しておくと、後述するとおり、誘電体層５２をパターニングする際、薄膜導体層５１が誘電体層５２を保護することができる。
【００２６】
誘電体層５２は、無機系の誘電体、具体的には酸化ニオブ、酸化タンタル、および酸化チタン等の金属酸化物で構成すると高い容量を得ることができ、好ましい。誘電体層５２は、樹脂やゴム製の剥離層４１上に直接、または薄膜導体層５１を介して、スパッタリング法や真空蒸着法などにより上記金属酸化物を成膜して構成できる。これらの金属酸化物はスパッタリング法や真空蒸着法により成膜可能であり、常誘電特性を有することから、強誘電体と比較して温度特性、高周波特性に優れ、ＤＣバイアス電圧を印加しても静電容量がほとんど変化しないなどの特徴があり、容量制御がしやすい。このため、上記金属酸化物は、造り込み後のリペアが困難な配線回路板内蔵キャパシタ素子の誘電体として好適である。
【００２７】
誘電体層５２は、１つの材料を成膜した単一の層であってもよく、異なる材料を２層以上積層した層であってもよい。ただし、誘電体層５２の厚さは、厚くなると単位面積あたりの容量が小さくなるため１μｍ以下とすることが望ましい。
【００２８】
以上の手順で、剥離層４１、薄膜導体層５１、および誘電体層５２が積層された積層体４０を得た後、この積層体４０を第一電極２３が形成された絶縁基板１１に積層する工程（以下、「誘電体接着工程」と称する場合がある）を実施する。以下において、第一電極２３が形成された状態の絶縁基板１１を単に「基板」と称する。図１（ｂ）に示すように、基板１０は絶縁基板１１を基材とし、この基材の一方の主面上に銅の配線基本パターン２１および第一電極２３が形成された構成を有する。絶縁基板１１は、絶縁材料を板状にして構成され、絶縁材料としては、例えば、ガラスエポキシ、ガラスコンポジット、ポリイミド、紙エポキシ、および紙フェノールなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００２９】
配線基本パターン２１および第一電極２３は、絶縁基板１１の一方の主面上に銅箔が貼り付けられてなる片面銅張積層板の銅箔をパターニングすることによって形成される。すなわち、片面銅張積層板の銅箔上にドライフィルムを貼り合わせる等の方法で感光層（レジスト）を形成し、第一電極２３等のパターンが形成されたマスクを用いるなどして露光、現像等を行い、銅箔をパターニングする。これにより、絶縁基板１１上に銅を材料とする配線基本パターン２１および第一電極２３が形成された基板１０が得られる。
【００３０】
誘電体接着工程では、基板１０の銅貼面上、具体的には、配線基本パターン２１および第一電極２３上に、絶縁樹脂を介して上述した誘導体積層工程で得られた積層体４０を貼り合わせる（図１（ｃ）および（ｄ）参照）。絶縁樹脂としては、流動性を有する材料を用いる。本実施態様では、絶縁樹脂はシート状にして絶縁樹脂シート６０として基板１０上に積層するが、絶縁樹脂の流動体を用いることは除外されない。絶縁樹脂は、例えば、基板１０と積層体４０とを積層して貼り合せるために押圧されることによって、空隙に入り込むように流動する程度の流動性を備えていればよい。絶縁樹脂は、特に、基板１０と積層体４０とを積層して貼り合せる際に、空隙を埋める程度の良流動性を備えることが好ましい。
【００３１】
このように、絶縁樹脂が流動性、あるいは良流動性を有する場合、絶縁基板１１と誘電体層５２との間に第一電極２３および配線基本パターン２１を平滑に埋め込み、薄い誘電体層５２を破損することなく接着できる利点がある。絶縁樹脂はまた、熱硬化性または熱可塑性であることが望ましい。絶縁樹脂の材料としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂、およびポリイミド樹脂などが挙げられる。
【００３２】
誘電体接着工程で基板１０上の配線基本パターン２１および第一電極２３に誘電体層５２を貼り合せた後、剥離層４１を除去する工程（以下、「剥離層除去工程」と称する場合がある）を実施する。剥離層除去工程では、剥離層４１の性質により選ばれる適切な方法で剥離層４１を除去すればよい。本実施態様では、剥離層４１として、温度変化により剥離する素材を使用しているため、剥離層除去工程では、加熱または冷却するなどの方法により剥離層４１を薄膜導体層５１より剥離する（図１（ｅ）参照）。
【００３３】
剥離層除去工程で剥離層４１を除去して薄膜導体層５１を露出させた後、次工程として薄膜導体層５１上にドライフィルムを貼り合わせる等の方法で感光層（図示せず）を形成する。次いで第一電極２３上の薄膜導体層５１のパターンが形成されたマスクを用いるなどして感光層を露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン３１を形成する（図１（ｆ）参照）。
【００３４】
次いで、レジストパターン３１をマスクにして、第一電極２３上の薄膜導体層５１を残し、他の部分の薄膜導体層５１を除去するように薄膜導体層５１をエッチング処理する（図１（ｇ）参照）。薄膜導体層５１をエッチングした後、レジストパターン３１は専用の剥離液で除去する。これにより、薄膜導体層５１がパターニングされて形成され第一電極２３と同様のパターンを描く薄膜導体パターン５１ｐが形成され、基板１０上には、誘電体層５２が薄膜導体パターン５１ｐで覆われた部分と、誘電体層５２が露出する部分とが形成される（図２（ｈ）参照）。
【００３５】
次いで余分な誘電体層５２を除去する工程（以下、「誘電体層エッチング工程」と称する場合がある）を実施する。本実施態様の誘電体層エッチング工程では、薄膜導体層５１をパターニングして得られた薄膜導体パターン５１ｐをマスクにして、誘電体層５２を物理的あるいは化学的にエッチングする（図２（ｉ）参照）。ここでは、レジストパターン３１形成後、まず薄膜導体層５１のみパターニングし、続いて誘電体層５２をパターニングする工程について説明しているが、レジストパターン３１形成後、薄膜導体層５１と誘電体層５２を同時にパターニングし、その後レジストパターン３１を剥離してもよい。パターニングの方法としては、サンドブラスト法などの物理的エッチング法や酸やアルカリによる化学的エッチング法が挙げられる。
【００３６】
レジストパターンを剥離する際、一般的にアルカリ溶液が用いられるが、誘電体材料には、アルカリに可溶なものがあることが知られている。このように、パターニングの際に誘電体材料を溶解する剥離液を使用する場合など、パターニングの過程では誘電体層にダメージを与え、絶縁信頼性を低下させる恐れがある。これに対し、本実施態様では、あらかじめ誘電体層５２上に薄膜導体層５１を形成しておくことで、薄膜導体層５１がバリア層の役割を果たし、誘電体層５２を保護する利点がある。
【００３７】
誘電体層エッチング工程では、後述するキャパシタ素子２０となる部分以外の誘電体層５２が除去され、誘電体パターン５２ｐが形成されるとともに、誘電体接着工程で誘電体層５２と貼り合わされた配線基本パターン２１が露出する（図２（ｉ）参照）。なお、本実施態様では誘電体パターン５２ｐは薄膜導体層パターン５１ｐに覆われている。キャパシタ素子２０は、この誘電体パターン５２ｐ上に導電体を積層して第二電極２４を形成することにより得られ、以下、キャパシタ素子２０の第二電極２４を形成する工程（以下、「第二電極形成工程」と称する場合がある）。を実施する。
【００３８】
第二電極形成工程では、まず、必要に応じて前処理を行い、基板１０の銅貼面側の全面を覆うように、無電解銅めっきにより薄付け導体層（図示せず）を形成する。次に、この薄付け導体層を陰極とし電解銅めっきにより導体層２５を形成する（図２（ｊ）参照）。導体層２５は第二電極２４を構成する材料で形成し、薄膜導体層５１と同一の素材、例えば銅で形成することが好ましい。続いて、導体層２５にドライフィルムを貼り合わせる等の方法で感光層を形成し、露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン３２を形成する（図２（ｋ）参照）。
【００３９】
次いで、レジストパターン３２をマスクにして、導体層２５をエッチング処理し、レジストパターン３２を専用の剥離液で除去する。レジストパターン３２は、誘電体パターン５２ｐと配線基本パターン２１に沿ったパターンを有している。このため、レジストパターン３２に沿って導体層２５をエッチングすることでキャパシタ素子の第二電極２４が形成され、配線基本パターン２１上に導体層２５が積層されて配線パターン２２が形成される（図２（ｌ）参照）。このようにして配線回路板内蔵キャパシタ素子２０を得ることができる。
【００４０】
さらに、この上にエポキシ樹脂などの絶縁樹脂１２を積層し（図２（ｍ）参照）、レザー加工による穴あけなど通常の配線回路板の多層化工程を行うことで、キャパシタ素子内蔵配線回路板１００を得ることができる（図２（ｎ）参照）。
【００４１】
上記本発明に係る配線回路板１００では、キャパシタ素子２０の誘電体層５２は、平滑性を有する剥離層４１上に成膜された後、基板１０上に絶縁樹脂シート６０を介して転写され、誘電体層５２はクラックやピンホール等の発生が抑制されている。このため誘電体層５２は、荒れが少なく滑らかである。ここで、「滑らか」とは、誘電体層が形成される下地の凹凸に起因するクラックやピンホール等の粗さが低減されていることを意味するものとする。
【００４２】
また、誘電体層５２の一方の主面であって第二電極２４と向かい合う面は、薄膜導体層５１を介して設けられた剥離層４１が剥離された面である。さらに、誘電体層５２の他方の主面であって第一電極２３と向かい合う面は、絶縁樹脂シート６０を介して第一電極２３と貼り合わされている。ただし絶縁樹脂シート６０は流動性を有するため、第一電極２３と誘電体層５２との間には、絶縁樹脂シート６０はほとんど残留しない。
【００４３】
なお、上記実施態様は、絶縁基板１１の一方の主面上に絶縁樹脂シート６０を介して誘電体層５２が設けられてキャパシタ素子２０が形成された例について説明している。しかし、絶縁基板１１は両面銅張積層板を用いることによって他方の主面上にも配線基本パターンを備えていてもよく、さらに、絶縁基板１１の両方の主面上のそれぞれに、上記手順に従い、キャパシタ素子２０を形成してもよい。
【実施例】
【００４４】
以下の実施例により本発明をさらに詳細に説明する。剥離層として、Ｒａ＝０．５８μｍ（上述したＪＩＳ  Ｂ０６３３の測定による）の樹脂フィルム（株式会社ソマール製、商品名ソマタックＰＳ−５０３ＷＡ）を用い、この剥離層上に銅の薄膜導体層と酸化ニオブの誘電体層を、それぞれスパッタリング法にて形成した。それぞれの膜厚は、薄膜導体層が約０．３μｍ、誘電体層が約０．２μｍであった。
【００４５】
次に絶縁基板に導体層として銅箔を積層した銅張積層板（三菱ガス化学株式会社製、CCL-HL830）の導体層上に、厚さ１５μｍのドライフィルムレジスト（日立化成工業株式会社製、RY-3315）を、ロールラミネータを用いて１１０℃、３ｋｇ／ｃｍでラミネートコーティングを行った。次に、露光、現像を行うことでレジストパターンを形成した。次に、レジストパターンをマスクにして塩化第二鉄液を用いてエッチング処理した。レジストパターンを５％水酸化ナトリウム水溶液により除去することで第一電極および配線基本パターンが形成された基板を得た。
【００４６】
続いて、剥離層上に形成した誘電体層を、熱可塑性の絶縁樹脂シート（三菱樹脂株式会社製  商品名ＩＢＵＫＩ）を介して第一電極および配線パターンを形成した基板上に熱圧着した。次いで、加熱することより剥離層を薄膜導体層から剥離した後、薄膜導体層上にドライフィルムレジスト（日立化成工業株式会社、RY-3315）をラミネートし、露光、現像を経て、誘電体層のレジストパターンを形成した。
【００４７】
次いで、レジストパターンをマスクとし、アルミナ＃２０００を用いてウェットブラスト法により処理し薄膜導体層と誘電体層をパターニングした。パターニング後、レジストパターンを５％水酸化ナトリウム水溶液にて除去した。
【００４８】
次いで、基板全面に無電解銅めっき（シプレイ・ファーイースト株式会社製、CUPOSIT）により1μｍ程度の薄付け導体層として銅めっき層を形成し、さらにこの銅めっき層を陰極とし２Ａ／ｄｍ２で３０分間、電解銅めっきを行い銅厚が１５μｍとなるよう調整して導体層を形成した。
【００４９】
再度、ドライフィルムレジスト（日立化成工業株式会社製、RY-3315）を用いフォトリソグラフィ工程によって露光、現像を行うことでレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして塩化第二鉄液を用いて銅をエッチング処理した後、レジストパターンを５％水酸化ナトリウム水溶液により除去することで第二電極と配線パターンを形成し、キャパシタ素子を得た。
【００５０】
このように形成したキャパシタ素子搭載配線回路基板に対し、プリプレグ（日立化成工業株式会社製  GEA-67N）を真空プレス機により貼り合わせ、絶縁層を形成した。次に、炭酸ガスレーザーの穴あけ装置で、キャパシタ素子の第二電極上および配線パターンのランド上にビアを形成した。過マンガン酸カリウムによるデスミア処理により、ビア内の樹脂残渣を除去した後、無電解銅めっき、電解銅めっきを施し、銅めっき層を形成した。
【００５１】
ドライフィルムレジストを用いたフォトリソグラフィ工程とエッチング処理により、キャパシタ素子の端子を形成した。さらに最上層にソルダーレジストを形成し、ニッケル−金めっき処理を行い、キャパシタ素子内蔵配線回路板を得た。
【００５２】
このようにして作製したキャパシタ素子は、平均１．５ｎF/ｍｍ２の容量を示した。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、キャパシタ素子を内蔵する配線回路板に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】（ａ）〜（ｇ）は、本発明に係る配線回路板の製造工程を説明する図である。
【図２】（ｈ）〜（ｎ）は、本発明に係る配線回路板の製造工程を説明する図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０・・・・基板
１１・・・・絶縁基板
１２・・・・絶縁樹脂
２０・・・・キャパシタ素子
２１・・・・配線基本パターン
２２・・・・配線パターン
２３・・・・第一電極
２４・・・・第二電極
２５・・・・導体層
３１、３２・レジストパターン
４０・・・・積層体
４１・・・・剥離層
５１・・・・薄膜導体層
５１ｐ・・・薄膜導体パターン
５２・・・・誘電体層
５２ｐ・・・誘電体パターン
６０・・・・絶縁樹脂シート
１００・・・配線回路板
【図１】
2008112815.tif 000003
【図２】
2008112815.tif 000004