(57)【要約】【課題】遮光領域を除去又は減少させ得るフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置を提供する。【解決手段】下部基板と、上部基板と、基板の間に挿入された液晶層とを含む。下部基板には、相互交差するゲートラインとデータラインによって各画素領域が規定される。ゲートライン及びデータラインの交差部には、スイッチング素子が配置されている。画素領域内に、透明画素電極と、絶縁層を間に置いて透明画素電極と所定領域が重畳するように離隔配置される透明共通電極とを備える。透明共通電極は、データラインを覆う第１櫛歯と、第１櫛歯と隣接し、画素領域の中央部側に形成される第２櫛歯とを備える。第１及び第２櫛歯の距離は、画素領域の内部に形成された櫛歯間の距離より大きい。透明画素電極の一端部は、第１櫛歯とこれに隣接する第２櫛歯との間に配置される。【選択図】図１ａ
2008191669.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部基板と、上部基板と、前記基板の間に挿入された液晶層とを含み、前記下部基板には、相互交差する方向に形成されるゲートラインとデータラインによって各画素領域が規定され、前記ゲートライン及びデータラインの交差部には、スイッチング素子が配置されているフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置において、
前記液晶層に電界を印加して光透過量を調節するために、前記画素領域内には、透明画素電極と、絶縁層を間に置いて前記透明画素電極と所定領域が重畳されるように離隔配置される透明共通電極とを具備し、
前記透明共通電極は、前記データラインと実質的に平行な方向に所定幅を有する複数の櫛歯を具備し、
前記透明共通電極は、前記データラインを覆う構造で形成される第１櫛歯と、前記第１櫛歯と隣接し、前記画素領域の中央部側に形成される第２櫛歯とを具備し、
前記第１及び第２櫛歯間の距離は、画素領域内部に形成された櫛歯間の距離より大きく、
前記透明画素電極の一端部は、前記データラインを覆う前記透明共通電極の第１櫛歯とこれに隣接する第２櫛歯との間に配置されることを特徴とするフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置。
【請求項２】
前記データラインを覆う前記透明共通電極の第１櫛歯の幅は、隣接する前記透明共通電極の第２櫛歯の幅より広いことを特徴とする請求項１に記載のフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置。
【請求項３】
前記透明画素電極は、前記データラインと同一層上に配置されることを特徴とする請求項１に記載のフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置。
【請求項４】
前記透明画素電極と前記データラインとは、前記絶縁層を間に置いて配置されることを特徴とする請求項１に記載のフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置。
【請求項５】
前記透明画素電極の一端部は、前記第１及び第２櫛歯のうち前記第１櫛歯にさらに隣接することを特徴とする請求項１に記載のフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置。
【請求項６】
前記透明画素電極の一端部は、前記第１及び第２櫛歯の間の中央部に位置することを特徴とする請求項１に記載のフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置。
【請求項７】
前記データラインを基準にして光透過量の最低点が１０％未満の不透過領域が前記データラインの幅の内部に含まれることを特徴とする請求項１に記載のフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置。
【請求項８】
前記データラインを基準にして光透過量の最低点が７％未満の不透過領域が前記データラインの幅の内部に含まれることを特徴とする請求項７に記載のフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置。
【請求項９】
前記透明画素電極は、プレート形状または櫛歯形状であることを特徴とする請求項１に記載のフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置。
【請求項１０】
前記透明共通電極は、各画素領域が互いに連結され、同一の電圧が印加される構造であることを特徴とする請求項１に記載のフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置。
【請求項１１】
下部基板と、上部基板と、前記基板の間に挿入された液晶層とを含み、前記下部基板には、相互交差する方向に形成されるゲートラインとデータラインによって各画素領域が規定され、前記ゲートライン及びデータラインの交差部には、スイッチング素子が配置されているフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置において、
液晶層に電界を印加して光透過量を調節するために、画素領域内には、透明画素電極と、絶縁層を間に置いて透明画素電極と所定領域が重畳されるように離隔配置される透明共通電極とを具備し、
前記透明共通電極は、データラインと平行な方向に所定幅を有し、複数の櫛歯を具備し、前記複数の櫛歯のうち少なくとも１つは、データラインの一部または全部を絶縁するように覆う構造で形成され、
前記データラインを含む領域で形成される電界が、前記画素領域の中心部領域で形成される電界に比べて垂直電界成分がさらに小さいことを特徴とするフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置。
【請求項１２】
前記データラインの全部を覆うように前記透明共通電極の第１櫛歯が具備され、前記画素領域内には、前記第１櫛歯と隣接する前記透明共通電極の第２櫛歯が具備されることを特徴とする請求項１１に記載のフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置。
【請求項１３】
前記透明画素電極の一端部は、前記透明共通電極の第１及び第２櫛歯の間に位置することを特徴とする請求項１２に記載のフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置。
【請求項１４】
前記透明画素電極の一端部は、前記第１櫛歯にさらに隣接することを特徴とする請求項１２に記載のフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置。
【請求項１５】
前記透明画素電極の一端部は、前記第１及び第２櫛歯の間の中心部に位置することを特徴とする請求項１２に記載のフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置。
【請求項１６】
前記データラインを基準にして光透過量の最低点が１０％未満の不透過領域が前記データラインの幅の内部に含まれることを特徴とする請求項１２に記載のフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置。
【請求項１７】
下部基板と、上部基板と、前記基板の間に挿入された液晶層とを含み、前記下部基板には、相互交差する方向に形成されるゲート及びデータラインによって各画素領域が規定され、前記ゲート及びデータラインの交差部にはスイッチング素子が配置されているフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置において、
前記液晶層に電界を印加して光透過量を調節するために、前記画素領域内には、透明画素電極と、絶縁層を間に置いて前記画素領域と前記ゲートライン及びデータラインが形成された非開口部領域に前記透明画素電極と離隔配置される透明共通電極とを具備し、
前記ゲートラインとデータラインが形成された非開口部領域の透明共通電極の上部または下部に一定厚さの金属ラインが前記透明共通電極と電気的に接続されるように形成されることを特徴とするフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置。
【請求項１８】
前記金属ラインは、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ：Aluminum Neodymium）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）またはモリブデン−タングステン（ＭｏＷ）のうちいずれか１つ以上またはいずれか１つ以上の合金の低抵抗金属物質からなることを特徴とする請求項１７に記載のフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フリンジフィールドスイッチングモード（Fringe Field Switching Mode；ＦＦＳ  Ｍｏｄｅ）液晶表示装置に関し、より詳細には、特別な工程を開発することなく、最小の費用で透過率及び開口率が増加されたデザインが可能なフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置は、ＩＰＳモード（In-Plane Switching Mode；ＩＰＳ  Ｍｏｄｅ）液晶表示装置の低い開口率及び透過率を改善させるために提案され、これに関するものが大韓民国特許出願第１９９８−０００９２４３号に出願されている。
【０００３】
このようなフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置は、共通電極と画素電極を透明な導電体で形成し、ＩＰＳモード液晶表示装置に比べて開口率及び透過率を高めると共に、共通電極と画素電極との間の間隔を上／下部ガラス基板の間の間隔より狭く形成し、共通電極と画素電極との間にフリンジフィールドを形成することによって、電極の上部に存在する液晶分子までも全て動作するようにして、一層向上した透過率を得る。
【０００４】
【特許文献１】大韓民国特許出願第１９９８−０００９２４３号
【特許文献２】特開２００６−３５０２７８号公報
【特許文献３】特開２００６−３５０２８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の場合、通常、データラインの上部に光を遮断する遮光領域を形成するが、これは、開口率を減少させる問題点があった。
【０００６】
また、開口率を向上させるために、遮光領域を除去すれば、光の漏れ現象によってＣＲ（Contrast Ratio）が低下するという問題点があるため、遮光領域を除去することができないことが現況である。
【０００７】
本発明は、前述した問題点を解決するためになされたもので、その目的は、データライン近くで印加される電界と画素領域中心で印加される電界とが異なるように構成することによって、遮光領域を除去するか、又は遮光領域が形成される領域を減少させることができるようにすることにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、開口率を向上させると共に、光の漏れ現象を防止することにある。
【０００９】
本発明のさらに他の目的は、データライン、透明共通電極、及び透明画素電極のスリット間隔、配置関係などを調節することによって、特別な工程を開発することなく、最小の費用で開口率が増加されたフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置を提供することにある。
【００１０】
本発明のさらに他の目的は、ゲートラインとデータラインが通過する非開口部領域の透明共通電極上に低抵抗金属ラインを形成し、電気的に導通させて透明共通電極の抵抗を減少させることによって、液晶パネル内の共通電極線の負荷（Vcom Load）を効果的に減少させることができ、共通電極線の負荷の増加によるグリニッシュ（Greenish）やフリッカー（Flicker）などの画面品位問題を効果的に解決することができる高輝度のフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置は、下部基板と、上部基板と、前記基板の間に挿入された液晶層とを含み、前記下部基板には、相互交差する方向に形成されるゲートラインとデータラインによって各画素領域が規定され、前記ゲートライン及びデータラインの交差部には、スイッチング素子が配置されているフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置において、前記液晶層に電界を印加して光透過量を調節するために、前記画素領域内には、透明画素電極と、絶縁層を間に置いて前記透明画素電極と所定領域が重畳されるように離隔配置される透明共通電極とを具備し、前記透明共通電極は、前記データラインと実質的に平行な方向に所定幅を有する複数の櫛歯を具備し、前記透明共通電極は、前記データラインを覆う構造で形成される第１櫛歯と、前記第１櫛歯と隣接し、前記画素領域の中央部側に形成される第２櫛歯とを具備し、前記第１及び第２櫛歯間の距離は、画素領域内部に形成された櫛歯間の距離より大きく、前記透明画素電極の一端部は、前記データラインを覆う前記透明共通電極の第１櫛歯とこれに隣接する第２櫛歯との間に配置されることを特徴とする。
【００１２】
好ましくは、前記透明共通電極の第１櫛歯の幅は、前記データラインの幅より１倍乃至５倍大きく形成されることができる。
【００１３】
一方、前記透明画素電極の一端部は、前記第１及び第２櫛歯のうち前記第１櫛歯にさらに隣接することが好ましく、前記透明画素電極の一端部は、前記第１及び第２櫛歯の間の中央部に位置することが好ましい。
【００１４】
好ましくは、前記データラインを基準にして光透過量の最低点が１０％未満の不透過領域が前記データラインの幅の内部に含まれる場合に、前記データライン上部の遮光領域が存在しないか大幅に減少しても、データライン上部を効果的に遮光することができる。より好ましくは、前記データラインを基準にして光透過量の最低点が７％未満の不透過領域が前記データラインの幅の内部に含まれる。
【００１５】
一方、前記透明画素電極は、プレート形状または櫛歯形状であることができる。
【００１６】
好ましくは、前記透明共通電極は、各画素領域が互いに連結され、同一の電圧が印加される構造にすれば、全体抵抗を低減することができる。
【００１７】
本発明の他の態様に係るフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置は、下部基板と、上部基板と、前記基板の間に挿入された液晶層とを含み、前記下部基板には、相互交差する方向に形成されるゲートラインとデータラインによって各画素領域が規定され、前記ゲートライン及びデータラインの交差部には、スイッチング素子が配置されているフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置において、液晶層に電界を印加して光透過量を調節するために、画素領域内には、透明画素電極と、絶縁層を間に置いて透明画素電極と所定領域が重畳されるように離隔配置される透明共通電極とを具備し、前記透明共通電極は、データラインと平行な方向に所定幅を有し、複数の櫛歯を具備し、前記複数の櫛歯のうち少なくとも１つは、データラインの一部または全部を絶縁するように覆う構造で形成され、前記データラインを含む領域で形成される電界が前記画素領域の中心部領域で形成される電界に比べて垂直電界成分がさらに小さいことを特徴とする。
【００１８】
一方、前記透明画素電極と透明共通電極に印加される電圧と各電極の配置関係、及びスリット間隔などを調節することによって、データラインとそれに隣接する領域で透過率が顕著に減少し、その上部の遮光領域を除去したり、遮光領域が形成される領域を大幅に低減することができ、ディスクリネイションが発生しないように誘導することができる。
【００１９】
本発明のさらに他の態様に係るフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置は、下部基板と、上部基板と、前記基板の間に挿入された液晶層とを含み、前記下部基板には、相互交差する方向に形成されるゲート及びデータラインによって各画素領域が規定され、前記ゲート及びデータラインの交差部にはスイッチング素子が配置されているフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置において、前記液晶層に電界を印加して光透過量を調節するために、前記画素領域内には、透明画素電極と、絶縁層を間に置いて前記画素領域と前記ゲートライン及びデータラインが形成された非開口部領域に前記透明画素電極と離隔配置される透明共通電極とを具備し、前記ゲートラインとデータラインが形成された非開口部領域の透明共通電極の上部または下部に一定厚さの金属ラインが前記透明共通電極に電気的に接続されるように形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置によれば、光を遮断する役目をする遮光領域のうちデータラインの上部に形成される遮光領域を除去するか減少させることができ、光の漏れ現象やディスクリネイション現象を防止することができる効果がある。
【００２１】
また、本発明は、データライン、透明共通電極、及び透明画素電極の幅、配置関係などを調節することによって、特別な工程を開発することなく、最小の費用で開口率を増加させることができる効果がある。
【００２２】
また、本発明によれば、小型サイズの液晶パネルだけではなく、例えば、ノート・パソコンアプリケーション（Note Book Application）などの中型サイズでも開口率減少やグリニッシュ（Greenish）などの画面品位問題なしに高輝度が可能な高開口率ＦＦＳ構造の液晶パネルに容易に適用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付の図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。しかし、下記実施例は、様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が下記実施例に限定されるものではない。本発明の実施例は、当業界で通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されれるものである。
【００２４】
フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置は、下部基板と、上部基板と、基板に挿入された液晶層とを含み、前記下部基板には、相互交差する方向に形成されるゲートラインとデータラインによって各画素領域が規定され、前記ゲートライン及びデータラインの交差部には、スイッチング素子が配置されており、前記液晶層に電圧を印加して光透過量を調節するために、画素領域内には、透明画素電極と、前記透明画素電極と絶縁層を間に置いて所定領域が重畳されるように離隔配置される透明共通電極とを具備する。
【００２５】
図１ａは、本発明の一実施例に係るフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の下部基板において画素領域の一部が製造過程によって形成された平面図であり、図１ｂ乃至図１ｅは、各層が段階的に形成されて重畳されて行く状況を順に示す平面図であり、図２は、図１ａのＩ−Ｉ’線に沿う断面図であり、図３は、図１ａのII−II’線に沿う断面図である。
【００２６】
図１ａ乃至図１ｅ、図２、及び図３を参照すれば、下部基板１００には、不透明金属からなるゲートラインＧとデータライン６００が垂直交差するように配列されて単位画素を形成する。このような単位画素領域内には、透明共通電極８００と透明画素電極４００とが絶縁層７００を介在して配置される。また、透明画素電極４００は、例えば、プレート形態でデータライン６００と同一層に配置され、透明共通電極８００は、絶縁層７００上に蒸着された透明導電層のパターニングによって多数の櫛歯を有する形態で設けられ、透明画素電極４００と所定領域が重畳される。
【００２７】
ゲートラインＧにおいてゲート電極２００上には、ゲート絶縁膜３００を介在してａ−Ｓｉ膜とｎ＋ａ−Ｓｉ膜が順に蒸着されたアクティブパターン５００と、ソース／ドレーン電極６００ａ、６００ｂが設けられ、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）Ｔを形成する。ドレーン電極６００ｂは、透明画素電極４００に電気的に接続され、単位画素にデータ信号が印加される。
【００２８】
一方、前記上部基板には、下部基板１００に形成された画素領域それぞれに対応して画面の色相を示すカラーフィルター（不図示）が設けられる。また、データライン６００の上部には、従来技術とは異なって、遮光領域（例えば、ブラックマットリックス（Black Matrix））が除去されることもでき、遮光領域を従来に比べて減少させて形成することもできる。好ましくは、データライン６００の上部には、従来技術とは異なって、遮光領域が除去される。また、従来技術によれば、透明共通電極８００は、データライン６００の上部には形成されていないが、本発明の一実施例では、データライン６００の上部にも透明共通電極８００が形成されている。
【００２９】
次に、図１ａ乃至図１ｅ、図２、及び図３を参照して本発明のフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の製造方法について詳細に説明する。
【００３０】
図１ａ乃至図１ｅ、図２、及び図３を参照すれば、下部基板１００上にゲート電極２００を含むゲートラインＧを形成する。すなわち、下部基板１００上に不透明金属膜を蒸着しパターニングすることによって、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）Ｔ形成部の下部基板１００の部分上にゲート電極２００を含むゲートラインＧを形成する。
【００３１】
その後、ゲート電極２００を含むゲートラインＧを覆うように、下部基板１００の全体上部にゲート絶縁膜３００を蒸着した後、ゲート絶縁膜３００上に透明導電層を蒸着しパターニングすることによって、各画素領域内に配置されるようにプレート形状の透明画素電極４００を形成する。
【００３２】
次に、基板結果物上にａ−Ｓｉ膜とｎ＋ａ−Ｓｉ膜を順に蒸着した状態で、これらをパターニングして、ゲート電極２００上部のゲート絶縁膜３００の部分上にアクティブパターン５００を形成する。
【００３３】
その後、ソース／ドレーン（Source/Drain）用金属膜を蒸着した後、これをパターニングして、ソース／ドレーン電極６００ａ、６００ｂを含むデータライン６００を形成し、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）Ｔを構成する。この時、ドレーン電極６００ｂは、透明画素電極４００に電気的に接続されるように形成する。
【００３４】
次に、薄膜トランジスターＴが形成された結果構造物上に、例えばＳｉＮｘ材質の絶縁層７００を塗布した後、透明画素電極４００と少なくとも一部が重畳するように櫛歯形態を有する透明共通電極８００を形成する。その後、図示してはいないが、透明共通電極８００が形成された基板結果物の最上部に配向膜を塗布し、アレイ基板の製造を完成する。
【００３５】
一方、前記上部基板には、カラーフィルターを選択的に形成し、その上部に配向膜を形成する。前記上部基板と下部基板１００は、液晶層を介在して積層させて、本発明の一実施例に係るフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の製造を完成する。勿論、基板の積層後には、各基板の外側面に偏光板を取り付けることが好ましい。
【００３６】
一方、図１ａでは、透明画素電極４００をプレート形状で示しているが、櫛歯形状なども可能であり、透明画素電極４００をプレート形状で形成した場合、さらに効果的である。
【００３７】
また、図４を参照すれば、多数の櫛歯で形成された透明共通電極８００は、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）Ｔ（図１ａ及び図２参照）が形成される領域を除いた全体部分を覆い、別途の配線なしに各画素領域が互いに電気的に連結された構造を有する。
【００３８】
以下、図３及び図４を参照して、本発明の一実施例をさらに詳しく説明する。
透明共通電極８００は、データライン６００と実質的に平行な方向に所定幅を有する複数の櫛歯を具備し、透明共通電極８００の第１櫛歯Ｃ１は、データライン６００の全体を覆う構造で形成され、データライン６００の上部には、従来技術で適用された遮光領域が除去されることもでき、遮光領域が大幅に減少されることもできる。
【００３９】
すなわち、データライン６００の上部に第１櫛歯Ｃ１を配置することによって、ディスクリネイションを低減し、光透過率を増加させることができる。この場合、第１櫛歯Ｃ１の幅Ｌ１は、データライン６００の幅Ｌ３よりさらに大きく形成し、データライン６００の全体を覆う構造で形成することが効果的である。このような構造によれば、データライン６００の電界を第１櫛歯Ｃ１が遮断する役目をすることができる。好ましくは、第１櫛歯Ｃ１の幅Ｌ１は、データライン６００の幅Ｌ３より２倍乃至５倍位大きく形成し、より好ましくは、第１櫛歯Ｃ１の幅Ｌ１は、データライン６００の幅Ｌ３より２倍乃至４．５倍程度で形成する。
【００４０】
透明共通電極８００の第１櫛歯Ｃ１とこれに隣接する第２櫛歯Ｃ２との間の距離Ｄ１は、画素内部に形成された櫛歯間の距離Ｄ２より大きく形成する。このような構造によって、データライン６００を含む領域（図４のＢ領域）において透明画素電極４００と透明共通電極８００及びデータライン６００によって形成される電界が、画素領域の中心部領域（図４のＡ領域）において透明画素電極４００と透明共通電極８００によって形成される電界に比べて垂直電界成分がさらに小さくなる。好ましくは、第１櫛歯Ｃ１とこれに隣接する第２櫛歯Ｃ２との間の距離Ｄ１は、画素内部に形成された櫛歯間の距離Ｄ２より０．５乃至３μｍさらに大きく形成される。
【００４１】
また、第２櫛歯Ｃ２の幅Ｌ２は、第１櫛歯Ｃ１と第２櫛歯Ｃ２との間の距離Ｄ１より小さく形成され、第２櫛歯Ｃ２と該第２櫛歯Ｃ２と画素領域側に隣接する第３櫛歯Ｃ３との間の距離Ｄ２より小さく形成されることが好ましい。より好ましくは、第２櫛歯Ｃ２の幅Ｌ２は、第１櫛歯Ｃ１と第２櫛歯Ｃ２との間の距離Ｄ１より２乃至４μｍ小さく形成される。また、第２櫛歯Ｃ２の幅Ｌ２は、第２櫛歯Ｃ２と該第２櫛歯Ｃ２と画素領域側に隣接する第３櫛歯Ｃ３との間の距離Ｄ２より１．５乃至２．５μｍ小さく形成される。
【００４２】
透明画素電極４００の一端部Ｅは、データライン６００を覆う透明共通電極８００の第１櫛歯Ｃ１とこれと隣接する第２櫛歯Ｃ２との間に配置され、好ましくは、透明画素電極４００の一端部Ｅは、第１櫛歯Ｃ１と第２櫛歯Ｃ２のうち第１櫛歯Ｃ１にさらに隣接する。この場合、透明画素電極４００の一端部Ｅは、第１櫛歯Ｃ１と第２櫛歯Ｃ２のうち第１櫛歯Ｃ１にさらに隣接するように構成することが可能である。より好ましくは、透明画素電極４００の一端部Ｅは、第１櫛歯Ｃ１と第２櫛歯Ｃ２との間の中央部に位置する。“中央部”という意味は、実質的に中央付近に該当する領域を意味し、実際工程では、真中に比べて所定の誤差（真中の地点を基準にして左右±０．５μｍ程度の範囲）を有することができることは勿論である。
【００４３】
一方、このような構造により、データライン６００の上部に不透過領域がデータライン程度の広さ（幅）で形成され、透過率面でも大きい低下がなく、光の漏れ現象も発生しないようにすることができる。したがって、データライン６００の上部で、従来技術で適用された遮光領域を低減したり、除去しても、遮光効果を得ることができる。
【００４４】
図５ａ乃至図５ｄは、本発明の一実施例において透明画素電極４００の一端部Ｅが第１櫛歯Ｃ１と第２櫛歯Ｃ２との間に位置する地点によって変化する光透過率を比較するためのシミュレーション結果図である。
【００４５】
図５ａ乃至図５ｄを参照すれば、透明画素電極４００の一端部Ｅが第１櫛歯Ｃ１より第２櫛歯Ｃ２に隣接するように配置される場合、６３．９４％の光透過率を示すのに対し（図５ａ参照）、透明画素電極４００の一端部Ｅが第１櫛歯Ｃ１と第２櫛歯Ｃ２の真中に配置される場合、７４．４６％の光透過率を示し（図５ｂ参照）、透明画素電極４００の一端部Ｅが第１櫛歯Ｃ１に隣接するように配置される場合、７５．７２％の光透過率を示し（図５ｃ参照）、透明画素電極４００の一端部Ｅが第１櫛歯Ｃ１まで延長された場合は、７６．１２％の光透過率を示す（図５ｄ参照）。 図５ａ乃至図５ｄの光透過率は偏光版がある場合を仮定すれば理論的にそれぞれの半分になる。
【００４６】
図５ａの場合は、透過率の最低点に該当する領域（例えば、透過率が１０％未満）を不透過領域として見なす時、不透過領域の幅（図５ａのＸ）は、データライン６００の幅Ｌ３に比べて比較的広く形成されることによって開口率が減少し、全体的に光透過率も低い結果を示す。
【００４７】
また、図５ｄの場合は、光透過率は高いが、データラインの上部に透過率曲線の最低点が透過率１０％を上回るので、不透過領域がほとんど形成されないので、光の漏れ現象が発生し、上部の遮光領域を除去したり低減することができないという問題点がある。
【００４８】
したがって、本発明者らは、図５ｂ及び図５ｃの場合のように、透明画素電極４００の一端部Ｅは、第１櫛歯Ｃ１と第２櫛歯Ｃ２との間に存在しつつ、第１櫛歯Ｃ１にさらに隣接するか、又は透明画素電極４００の一端部Ｅが第１櫛歯Ｃ１と第２櫛歯Ｃ２との中心部に位置することがさらに効果的であることを知見した。
【００４９】
図５ｂ及び図５ｃを参照すれば、透過率の最低点に該当する領域（例えば、透過率が１０％未満）を不透過領域として見なす時、不透過領域の幅Ｘは、データライン６００の幅Ｌ３に比べて小さいか同一に形成することができる。すなわち、このような領域において、本発明者は、光透過率を確保しながら、光の漏れ現象を防止し、データラインと類似な領域の適切な不透過領域の形成を全て満足する効果を得ることができることを確認した。
【００５０】
一方、図５ａでは、データライン６００の上部領域での光透過率は、画素領域の最高値と類似な水準より非常に低い最高値から低くなる曲線を有するようになり、 全体的に光透過率が減少する現象が発生し、図５ｄでは、データライン６００の上部に形成される光透過率の最低値が図５ａ、図５ｂ、図５ｃより相対的に高い部位で形成され、不透過領域を形成しなかった。
【００５１】
図６を参照してさらに詳しく説明する。
図６は、データライン６００を基準にして光透過量の最低点を示すグラフである。図６を参照すれば、データライン６００を基準にして抛物線形態の光透過率曲線がデータライン６００の中心部を最低点にして描かれる（図５ａ乃至図５ｄ参照）。
【００５２】
ここで、光透過率曲線が１０％に該当する領域を不透過領域として定義すれば、光透過率曲線が１０％以下の領域がデータライン６００の幅Ｌ３に比べて小さいか同一に形成される場合、本発明の効果が最も優れていることを本発明者は知見した。
【００５３】
すなわち、図６で、光透過率曲線が（ａ）乃至（ｄ）のように存在する時、データライン６００の幅Ｌ３と各光透過率曲線の不透過領域の幅とを比較すれば、光透過率曲線（ａ）は、データライン６００の幅Ｌ３に比べて過度に大きく、（ｂ）は、不透過領域がデータライン６００の幅Ｌ３と類似な大きさであり、（ｃ）は、不透過領域がデータライン６００の幅Ｌ３より小さく、（ｄ）は、不透過領域が形成されていない。
【００５４】
一方、光透過率曲線の不透過領域がデータライン６００の幅Ｌ３より小さいか同一になる場合、光透過率を確保しながら、光の漏れ現象を防止し、データラインと類似な領域の適切な不透過領域の形成で別途の遮光領域（一般的に基板の上部に形成される）を具備しないか、大幅に減少された遮光領域を形成することが可能になる。
【００５５】
一方、図６においては、不透過領域を光透過率の１０％未満に設定されたものとして説明したが、光透過率の１０％未満を不透過領域として決めることが好ましく、 場合よって光透過率の５乃至７％未満を不透過領域として決めることもできる。
【００５６】
図７は、本発明の他の実施例に係るフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置を概略的に示す平面図であり、図８は、図７のＩ−Ｉ’線に沿う断面図であり、図９は、図７のII−II’線に沿う断面図であり、図１０は、図７の他の変形例のＩ−Ｉ’線に沿う断面図であり、図１１は、図７の他の変形例のII−II’線に沿う断面図である。
【００５７】
図７乃至図１１を参照すれば、本発明の他の実施例に係るフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置は、大きく、互いに対向するように積層された上部基板１１００及び下部基板１２００と、２つの基板とスペーサ（Spacer）（不図示）によって設けられた液晶空間に充填された液晶層１３００とを含む。
【００５８】
ここで、上部基板１１００は、通常、カラーフィルターアレイ基板とも言い、大きく、絶縁性の基板１１１０、遮光領域１１２０及びカラーフィルター（Color Filter）１１３０などで構成されている。
【００５９】
遮光領域１１２０は、光の漏洩を防止するための遮光部であって、基板１１１０の上部に一定の間隔で形成されており、一般的に赤色Ｒ、緑色Ｇ及び青色Ｂのカラーフィルターの間を区分し、通常、黒色顔料が添加された感光性有機物質からなる。
【００６０】
カラーフィルター１１３０は、各遮光領域１１２０の間に赤色Ｒ、緑色Ｇ及び青色Ｂのカラーフィルターパターンが交互に配列されてなり、バックライトユニット（不図示）から照射され、液晶層１３００を通過した光に色相を付与する役目を行う。
【００６１】
これを具体的に説明すれば、下部基板１２００には、不透明金属からなるゲートラインＧＬとデータラインＤＬが垂直交差するように配列されて単位画素を形成する。このような単位画素領域内には、透明共通電極１２２０と透明画素電極１２３０が絶縁層１２４０を介在して配置される。また、透明画素電極１２３０は、例えば、プレート形態でデータラインＤＬと同一層に配置され、透明共通電極１２２０は、絶縁層１２４０上に蒸着された透明導電層のパターニングによって多数の櫛歯を有する形態で設けられ、透明画素電極１２３０と所定領域が重畳される。      
【００６２】
また、ゲートラインＧＬにおいてゲート電極１２５０上には、ゲート絶縁膜１２６０を介在してａ−Ｓｉ膜とｎ＋ａ−Ｓｉ膜が順に蒸着されたアクティブパターン１２７０と、ソース／ドレーン電極１２８０ａ、１２８０ｂが設けられ、薄膜トランジスターＴＦＴを形成する。ドレーン電極１２８０ｂは、透明画素電極１２３０に電気的に接続され、単位画素にデータ信号が印加される。
【００６３】
特に、透明共通電極１２２０の抵抗を減少させるための低抵抗金属ライン１２９０が、ゲートラインＧＬとデータラインＤＬが形成された非開口部領域（または不透過領域）の透明共通電極１２２０上に一定の厚さで形成されており、透明共通電極１２２０に電気的に接続される。
【００６４】
この時、低抵抗金属ライン１２９０の厚さは、できれば、約数百Å程度に薄くして、金属ライン上に形成された透明共通電極１２２０が段差によって断線されるか、またはラビング段差によって発生する光の漏れを最小化させなければならない。但し、液晶表示装置の大きさが増加するにしたがって透明共通電極１２２０の抵抗を低減するために、約１０００Å程度以上に形成させることができる。
【００６５】
一方、図１０及び図１１に示されたように、低抵抗金属ライン１２９０の位置は、必要に応じて透明共通電極１２２０の下部に形成されることもできる。
【００６６】
このような低抵抗金属ライン１２９０は、例えば、銅(Ｃｕ)、アルミニウム(Ａｌ)、アルミニウム合金(ＡｌＮｄ：Aluminum Neodymium)、モリブデン(Ｍｏ)、チタニウム(Ｔｉ)、またはモリブデン−タングステン(ＭｏＷ)のうちいずれか１つ以上またはいずれか１つ以上の合金の低抵抗金属物質からなることが好ましい。
【００６７】
上記のように、ゲートラインＧＬとデータラインＤＬが通過する非開口部領域の透明共通電極１２２０の上部または下部に電気的に接続されるように低抵抗金属ライン１２９０を形成し、透明共通電極１２２０の抵抗を減少させることによって、液晶パネル（Panel）内の共通電極線の負荷（Vcom Load）を効果的に減少させることができ、共通電極線の負荷（Vcom Load）の増加によるグリニッシュ（Greenish）やフリッカー（Flicker）などの画面品位問題を効果的に解決することができる。
【００６８】
前述した本発明によるフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の好ましい実施例について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、特許請求範囲と発明の詳細な説明及び添付の図面の範囲中で様々に変形して実施することが可能であり、これも本発明に属する。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１ａ】本発明の一実施例に係るフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の下部基板において画素領域の一部が製造過程によって形成された平面図である。
【図１ｂ】本発明の一実施例に係るフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の下部基板において各層が段階的に形成される状況を示す平面図（その１）である。
【図１ｃ】本発明の一実施例に係るフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の下部基板において各層が段階的に形成される状況を示す平面図（その２）である。
【図１ｄ】本発明の一実施例に係るフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の下部基板において各層が段階的に形成される状況を示す平面図（その３）である。
【図１ｅ】本発明の一実施例に係るフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の下部基板において各層が段階的に形成される状況を示す平面図（その４）である。
【図２】図１ａのＩ−Ｉ’線に沿う断面図である。
【図３】図１ａのII−II’線に沿う断面図である。
【図４】図１ａの一部層だけを示す平面図である。
【図５ａ】本発明の一実施例において透明画素電極の一端部が位置する地点によって変化する光透過率を比較するためのシミュレーション結果図（その１）である。
【図５ｂ】本発明の一実施例において透明画素電極の一端部が位置する地点によって変化する光透過率を比較するためのシミュレーション結果図（その２）である。
【図５ｃ】本発明の一実施例において透明画素電極の一端部が位置する地点によって変化する光透過率を比較するためのシミュレーション結果図（その３）である。
【図５ｄ】本発明の一実施例において透明画素電極の一端部が位置する地点によって変化する光透過率を比較するためのシミュレーション結果図（その４）である。
【図６】本発明の一実施例においてデータラインを基準にして両側の光透過量の最低点を示すグラフである。
【図７】本発明の他の実施例に係るフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置を概略的に示す平面図である。
【図８】図７のＩ−Ｉ’線に沿う断面図である。
【図９】図７のII−II’線に沿う断面図である。
【図１０】図７の他の変形例のＩ−Ｉ’線に沿う断面図である。
【図１１】図７の他の変形例のII−II’線に沿う断面図である。
【符号の説明】
【００７０】
４００  透明画素電極
５００  アクティブパターン
６００  データライン
７００  絶縁層
８００  透明共通電極
Ｇ      ゲートライン
Ｔ      薄膜トランジスター
【図１ａ】
2008191669.tif 000003
【図１ｂ】
2008191669.tif 000004
【図１ｃ】
2008191669.tif 000005
【図１ｄ】
2008191669.tif 000006
【図１ｅ】
2008191669.tif 000007
【図２】
2008191669.tif 000008
【図３】
2008191669.tif 000009
【図４】
2008191669.tif 000010
【図５ａ】
2008191669.tif 000011
【図５ｂ】
2008191669.tif 000012
【図５ｃ】
2008191669.tif 000013
【図５ｄ】
2008191669.tif 000014
【図６】
2008191669.tif 000015
【図７】
2008191669.tif 000016
【図８】
2008191669.tif 000017
【図９】
2008191669.tif 000018
【図１０】
2008191669.tif 000019
【図１１】
2008191669.tif 000020