(57)【要約】【課題】レーザ光を用いてスクライブするときに、レーザ光による損傷を受けにくい電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】基板５２と基板６３とを接合して、液晶表示装置３３を形成する製造方法に関する。第１スクライブ工程において、基板５２にレーザ光を照射して改質部５７を形成する。この工程で、基板５２に改質部５７が形成される場所と対向する、基板６３の場所の一部には、データ線駆動回路３９、実装端子４０、配線４２ａが配置されている。続いて、接合工程において、基板５２と基板６３とを接合する。第２スクライブ工程において、基板５２と基板６３とをスクライブする。分断工程において、基板５２と基板６３とを分断する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、第２基板とを接合して形成する電気光学装置の製造方法であって、
前記第１基板にレーザ光を照射して改質部を形成する第１スクライブ工程と、
前記第１基板と前記第２基板とを接合する接合工程と、
前記第２基板をスクライブする第２スクライブ工程と、
前記第１基板と前記第２基板とを分断する分断工程とを有し、
前記第１スクライブ工程は、前記接合工程の前に行われ、前記第１基板に前記改質部が形成される場所と対向する、前記第２基板の場所の一部には、レーザ光の照射により損傷する部材が配置されていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記損傷する前記部材は、電極又は配線であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第２スクライブ工程では、前記第２基板にレーザ光を照射して改質部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第２スクライブ工程では、前記第２基板に加えて、前記第１基板をスクライブすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第２スクライブ工程では、前記第１基板にレーザ光を照射して改質部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光透過性のある基板を品質良く切断するために、レーザ光を基板に照射して基板内部に改質領域（以下、改質部と称す。）を形成するレーザスクライブ方法が特許文献１に開示されている。それによると、パルス幅が１μｓ以下のレーザ光を出射し、集光レンズで基板内部に集光し、集光点におけるピークパワー密度を１×１０8（Ｗ／ｃｍ2）以上にする。これにより、加工対象物の内部に多光子吸収による改質部を形成するものである。
【０００３】
また、このレーザスクライブ方法において、加工対象物の内部に形成される改質部あるいはこれを起点として形成される改質部の大きさは、集光レンズの特性と、レーザ光のピークパワー密度に依存する。例えば、上記特許文献１に示されたガラス（厚さ７００μｍ）に対してＹＡＧレーザを用いて切断する実施例では、集光レンズの開口数が０．５５の場合、ピークパワー密度がおよそ１×１０11（Ｗ／ｃｍ2）では、改質部の大きさは、およそ１００μｍである。また、ピークパワー密度がおよそ５×１０11（Ｗ／ｃｍ2）では、およそ２５０μｍである。基板の内部に改質部を配列して形成し、改質部を押圧することで、基板を改質部に沿って品質良く分断することができる。
【０００４】
液晶表示装置などの電気光学装置は、外形が矩形の１対の基板を用いて、１対の基板の間に液晶や発光素子を配置して形成されることが多い。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
１対の基板を接合した後に、基板にレーザ光を照射してスクライブするとき、一部のレーザ光は、形成される改質部を透過する。集光レンズに近い場所に位置する基板に形成される改質部を透過するレーザ光は、集光レンズから離れている場所に位置する基板を照射する。集光レンズから離れている場所に位置する基板に、配線、端子、電気素子などが配置されているとき、改質部を透過するレーザ光はこれらを照射する。レーザ光を照射される配線、端子、電気素子は、レーザ光により損傷を受ける可能性がある。その結果、損傷を受ける配線、端子、電気素子は、電気的機能を正常に機能できなくなる可能性がある。
【０００７】
本発明は、このような従来の問題点に着目してなされたもので、その目的は、レーザ光を用いてスクライブするときに、レーザ光による損傷を受けにくい電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、第１基板と、第２基板とを接合して形成する電気光学装置の製造方法であって、第１基板にレーザ光を照射して改質部を形成する第１スクライブ工程と、第１基板と第２基板とを接合する接合工程と、第２基板をスクライブする第２スクライブ工程と、第１基板と第２基板とを分断する分断工程とを有し、第１スクライブ工程は、接合工程の前に行われ、第１基板に改質部が形成される場所と対向する、第２基板の場所の一部には、レーザ光の照射により損傷する部材が配置されていることを特徴とする。
【０００９】
この電気光学装置の製造方法によれば、電気光学装置は、第１基板と、第２基板とが接合して形成される。まず、第１スクライブ工程において、第１基板にレーザ光を照射して改質部を形成する。続いて、接合工程では、第１基板と第２基板とを接合する。次に、第２スクライブ工程において、第２基板にレーザ光を照射して改質部を形成する。その後、分断工程において、第１基板と第２基板とを分断する。
【００１０】
第１基板と第２基板とを接合し、第１基板にレーザ光を照射して、改質部を形成する場合に、第１基板を通過するレーザ光が第２基板を照射する。第２基板に形成されている素子、配線等の部材は、レーザ光が照射され、損傷を受ける可能性がある。
【００１１】
本発明では、接合工程の前に、第１スクライブ工程が行われる。つまり、第１基板と第２基板とが接合される前に、第１基板にレーザ光が照射されて、改質部が形成される。接合工程の後、第２スクライブ工程では、第１基板において、改質部が形成されている場所には、レーザ光を照射する必要がない。
【００１２】
第２基板にレーザ光の照射による損傷を受ける部材が配置されているとき、第１基板において、レーザ光の照射による損傷を受ける部材が配置されている場所と対向する場所に改質部を形成する場合は、第１スクライブ工程にて、改質部を形成する。この場所には、第２スクライブ工程において、レーザ光を照射することがない為、レーザ光の照射による損傷を受ける部材が損傷を受けることがない。その結果、電気光学装置は品質の良い装置とすることができる。
【００１３】
本発明の電気光学装置の製造方法では、損傷する部材は、電極又は配線であることを特徴とする。
【００１４】
この電気光学装置の製造方法によれば、第２基板において、第１スクライブ工程で第１基板に形成される改質部と対向する場所に、接合工程後に、レーザ光を照射されることがない。従って、第２基板において、第１スクライブ工程で第１基板に形成される改質部と対向する場所に、電極又は配線が配置されているとき、電極又は配線は、レーザ光の照射により、損傷を受けることがない。つまり、第１基板に改質部が形成される場所に対向する、第２基板の場所に電極又は配線を配置することができる。その結果、電極、配線の配置を設計し易い電気光学装置の製造方法とすることができる。
【００１５】
本発明の電気光学装置の製造方法は、第２スクライブ工程では、第２基板にレーザ光を照射して改質部を形成することを特徴とする。
【００１６】
この電気光学装置の製造方法によれば、第２スクライブ工程において、第２基板にレーザ光を照射して改質部を形成し、スクライブしている。従って、分断工程では、第１基板と第２基板とから発生する粉を少なく分断することができる。その結果、電気光学装置は、第１基板と第２基板とから発生する粉の付着の少ない電気光学装置とすることができる。
【００１７】
本発明の電気光学装置の製造方法は、第２スクライブ工程では、第２基板に加えて、第１基板をスクライブすることを特徴とする。
【００１８】
この電気光学装置の製造方法によれば、第１スクライブ工程において、第１基板をスクライブする予定の場所の一部をスクライブする。続いて、接合工程の後、第１基板をスクライブする予定の場所を総てスクライブする。
【００１９】
第１スクライブ工程では、第１基板において、スクライブする予定の場所の一部がスクライブされていることから、スクライブする予定の場所を総てスクライブされている場合に比べて、第１基板の強度が強くなっている。従って、接合工程において、第１基板が分断されて、不良品となることを防止することができる。
【００２０】
本発明の電気光学装置の製造方法は、第２スクライブ工程では、第１基板にレーザ光を照射して改質部を形成することを特徴とする。
【００２１】
この電気光学装置の製造方法によれば、第２スクライブ工程において、第１基板にレーザ光を照射して改質部を形成し、スクライブしている。従って、分断工程では、第１基板から発生する粉を少なく分断することができる。その結果、電気光学装置は、第１基板から発生する粉の付着の少ない電気光学装置とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材に縮尺を異ならせて図示している。
【００２３】
（実施形態）
本発明の実施形態に係る電気光学装置の製造方法について図１〜図９に従って説明する。
【００２４】
（レーザ照射装置）
最初にレーザ照射装置について説明する。図１は、レーザ照射装置の構成を示す概略図である。
図１に示すように、レーザ照射装置１は、レーザ光を出射するレーザ光源２と、出射されたレーザ光をワークに照射する光学経路部３と、光学経路部３に対してワークを相対的に移動させるテーブル部４と、動作を制御する制御装置５を主として構成されている。
【００２５】
レーザ光源２は、出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、レーザ光源２は、本実施形態において、ＬＤ励起Ｎｄ：ＹＡＧ（Ｎｄ：Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）のレーザ媒質からなり、第３高調波（波長：３５５ｎｍ）のＱスイッチパルス発振のレーザ光を出射する発光条件を採用している。パルス幅はおよそ１４ｎｓ（ナノ秒）、パルス周期は１０ｋＨｚ、出力はおよそ６０μＪ／パルスのレーザ光を出射する発光条件を採用している。
【００２６】
光学経路部３はハーフミラー６を備えている。ハーフミラー６は、レーザ光源２から照射されるレーザ光の光軸７上に配置されている。ハーフミラー６はレーザ光源２から照射されるレーザ光を反射して、光軸７の進行方向を変更する。ハーフミラー６に反射したレーザ光が通過する光軸７上に集光レンズ８が配置されている。テーブル部４にはワーク９が配置され、集光レンズ８を通過したレーザ光がワーク９に照射されるようになっている。
【００２７】
集光レンズ８はレンズ支持部１０により、レンズ移動機構１１に支持されている。レンズ移動機構１１は、図示しない直動機構を有し、集光レンズ８を光軸７方向（図中Ｚ方向）に移動させて、集光レンズ８を通過したレーザ光が集光する場所を移動可能としている。
直動機構は、例えばＺ方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを供えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が所定のパルス信号を受けて所定のステップ単位で正逆転する図示しないＺ軸モータに連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号がＺ軸モータに入力されると、Ｚ軸モータが正転又は反転して、レンズ移動機構１１が同ステップ数に相当する分だけ、光軸７方向に沿って往動又は復動するようになっている。
【００２８】
集光レンズ８とハーフミラー６とを通過する光軸７の延長線上にあって、ハーフミラー６に対して集光レンズ８と反対側には、撮像装置１２を備えている。撮像装置１２は、例えば、図示しない同軸落射型光源とＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ８を透過してワーク９を照射する。撮像装置１２は、集光レンズ８とハーフミラー６とを通してワーク９を撮像することが可能となっている。
【００２９】
テーブル部４は、基台１５を備えている。基台１５の光学経路部３側には、レール１６が凸設して配置されており、レール１６上にはＸ軸スライド１７が配置されている。Ｘ軸スライド１７は、図示しない直動機構を備え、レール１６上のＸ方向に移動可能となっている。直動機構は、レンズ移動機構１１が備える直動機構と同様な機構であり、所定のステップ数に相当する駆動信号に対応してＸ軸スライド１７が同ステップ数に相当する分だけ、Ｘ方向に沿って往動又は復動するようになっている。
【００３０】
Ｘ軸スライド１７の光学経路部３側にはレール１８が凸設して配置されており、レール１８上にはＹ軸スライド１９が配置されている。Ｙ軸スライド１９は、Ｘ軸スライド１７と同様な直動機構を備え、レール１８上をＹ方向に移動可能となっている。
【００３１】
Ｙ軸スライド１９の光学経路部３側には、ステージ２０が配置され、ステージ２０の上面には図示しない吸引式のチャック機構が設けられている。そして、ワーク９を載置すると、チャック機構によって、ワーク９がステージ２０の上面における所定の位置に位置決めされて固定されるようになっている。
【００３２】
制御装置５は、メインコンピュータ２４を備えている。メインコンピュータ２４は内部に図示しないＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）やメモリを備えている。ＣＰＵはメモリ内に記憶されたプログラムソフトに従って、レーザ照射装置１の動作を制御するものである。
メインコンピュータ２４は、図示しない入出力インターフェースを備え、入力装置２５、表示装置２６、レーザ制御装置２７、レンズ制御装置２８、画像処理装置２９、ステージ制御装置３０と接続されている。
【００３３】
入力装置２５は、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する装置であり、表示装置２６はレーザ加工時の各種情報を表示する装置である。ＣＰＵは、入力される各種加工条件とプログラムソフトとに従って、レーザ加工を行い、加工状況を表示装置２６に表示する。操作者が表示装置２６に表示される各種情報を見て、レーザ加工状況を確認して操作するようになっている。
【００３４】
レーザ制御装置２７は、レーザ光源２を駆動するパルス信号のパルス幅、パルス周期、出力の開始と停止、等を制御する装置であり、メインコンピュータ２４の制御信号により制御される。
レンズ制御装置２８は、レンズ移動機構１１の移動、停止を制御する装置である。レンズ移動機構１１には、移動距離を検出可能な図示しない位置センサが内蔵されており、レンズ制御装置２８は、この位置センサの出力を検出することにより、集光レンズ８の光軸７方向の位置を認識する。レンズ制御装置２８は、レンズ移動機構１１にパルス信号を送信し、レンズ移動機構１１を所望の位置に移動することができるようになっている。
【００３５】
画像処理装置２９は、撮像装置１２から出力される画像データを演算する機能を備えている。ステージ２０にワーク９を配置し、撮像装置１２で撮像した画像を観察するとき、レンズ移動機構１１を操作して、集光レンズ８とワーク９との距離を変えることにより画像が鮮明になるときとぼやけるときが存在する。集光レンズ８を移動して、ワーク９のステージ２０側の面に焦点が合うときと、ワーク９の光学経路部３側の面に焦点が合うときに、撮像される画像が鮮明になる。一方、焦点が合っていないとき、撮像される画像は、ぼやけた画像となる。画像処理装置２９は、撮像される画像のコントラストを演算し、コントラストデータをメインコンピュータ２４に送信する。
【００３６】
メインコンピュータ２４は、集光レンズ８を光軸７の方向に移動して、撮像装置１２が撮像する画像が鮮明になるときの集光レンズ８の位置を、内蔵する位置センサで検出することにより、ワーク９の厚みを測定することが可能となる。
【００３７】
撮像装置１２で撮像するときに焦点が合う合焦点位置と、レーザ光を照射したときに、集光レンズ８により集光される集光位置との差の距離を計測することで、合焦点位置と集光位置の差の距離であるオフセット距離を知ることができる。例えば、透明な２枚の基板を重ねた物をワーク９としてステージ２０に設置し、２枚の基板の接触部に撮像装置１２の焦点が合うように集光レンズ８を移動する。次に、レーザ光を照射して改質部を形成する。２枚の基板の接触部と改質部との距離を計測することでオフセット距離を設定することができる。
【００３８】
集光レンズ８を光軸７方向（図中Ｚ方向）に移動して、ワーク９の光学経路部３側の面に撮像装置１２の焦点を合わせる。レーザ光を照射したい位置とオフセット距離とで集光レンズ８の移動距離を演算し、演算した移動距離に対応する距離分、集光レンズ８を移動させる。この方法でワーク９における所定の深さにレーザ光を集光することが可能となる。
【００３９】
ステージ制御装置３０は、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置情報の取得と移動制御を行う。Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とには図示しない位置センサが内蔵されており、ステージ制御装置３０は位置センサの出力を検出することにより、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置を検出する。ステージ制御装置３０は、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置情報を取得し、メインコンピュータ２４から指示される位置情報とを比較し、差に相当する距離に対応して、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とを駆動して移動する。ステージ制御装置３０はＸ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とを駆動して、所望の位置にワーク９を移動することが可能となっている。
【００４０】
画像処理装置２９が集光レンズ８とワーク９との距離を検出する。検出する距離に基づいて、レンズ制御装置２８が集光レンズ８とワーク９との距離を制御する。続いて、ステージ制御装置３０がワーク９をＸＹ方向に移動して、ワーク９にレーザ光が照射される位置を制御する。レーザ制御装置２７がレーザ光源２を制御しレーザ光を発光させる。発光されるレーザ光が、光学経路部３を通過してワーク９を照射する。上述した制御を行い所望の位置にレーザ光を集光して照射することが可能となっている。
【００４１】
ここで、多光子吸収による改質部の形成について説明する。集光レンズ８によって集光されたレーザ光は、ワーク９に入射する。そして、ワーク９がレーザ光を透過する材料であっても、材料の吸収バンドギャップより光子のエネルギーが非常に大きいときには、ワーク９は光子エネルギーを吸収する。これを多光子吸収と呼び、レーザ光のパルス幅を極めて短くすることでエネルギーを高めて、多光子吸収をワーク９の内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、永続的な構造変化が誘起された領域が形成される。
【００４２】
本実施形態では、この構造変化領域を改質部と呼ぶ。改質部のうち、大きく構造変化した結果、クラックが形成された領域をクラック部と呼ぶ。尚、材料の種類によっては、例えば石英ガラスなどの場合には、クラック部は、空洞状のクラックが形成される場合もある。また、レーザ光を用いて改質部を配列して形成することをレーザスクライブ、又はスクライブと称す。
【００４３】
このような改質部を形成するためのレーザ光の照射条件は、加工対象物ごとにレーザ光の出力やパルス幅、パルス周期、レーザスキャン速度等の設定が必要になる。特に、レーザ光源２が照射するレーザ光の出力は、ハーフミラー６や集光レンズ８のような光軸７上に配置される透過性物質による吸収で減衰することを考慮する必要がある。従って、実際の加工対象物を用いた予備試験を実施して、最適な照射条件を導くことが望ましい。
【００４４】
（液晶表示装置）
次に液晶表示装置について説明する。図２は、液晶表示装置の模式平面図であり、図３は、図２の液晶表示装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。
【００４５】
図２及び図３において、本実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置３３は、対をなすＴＦＴアレイ基板３４と対向基板３５とが熱硬化性の封止材であるシール３６によって貼り合わされ、このシール３６によって区画される領域内に封入された液晶３７からなる液晶層を狭持している。シール３６は、基板面内の領域において閉ざされた枠形状に形成されている。
【００４６】
シール３６を形成する場所の内側で対向基板３５の液晶３７側の面には、遮光性材料で配線を隠すための周辺見切り３８が形成されている。シール３６の外側の場所には、データ線駆動回路３９及び電極としての実装端子４０がＴＦＴアレイ基板３４の辺３４ａ（図２中下側の辺）に沿って形成されており、この辺３４ａに隣接する辺３４ｂ及び辺３４ｃ（図２中左右の辺）に沿って走査線駆動回路４１が形成されている。データ線駆動回路３９、実装端子４０及び走査線駆動回路４１はアルミニウムを素材とする配線４２ａにより電気的に接続されている。ＴＦＴアレイ基板３４の残る辺３４ｄ（図２中上側の辺）には、２つの走査線駆動回路４１の間を接続するための配線４２ｂが設けられている。また、対向基板３５のコーナー部の４箇所においては、ＴＦＴアレイ基板３４と対向基板３５との間で電気的導通をとるための基板間導通材４３が配設されている。
【００４７】
また、液晶表示装置３３はカラー表示用として構成しており、対向基板３５において、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂが図示しない保護膜とともに形成されている。カラーフィルタ４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂの各フィルタ素子の間には、遮光膜４５が形成されており、カラーフィルタ４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂを通過しない光は遮光膜４５が遮断するようになっている。さらに、カラーフィルタ４４Ｒ，４４Ｇ，４４ＢのＴＦＴアレイ基板３４側には対向電極４６と配向膜４７とが配置されている。
【００４８】
液晶は、該液晶を挟持する電極に電圧を印加すると液晶の傾き角度が変化する性質を持っており、ＴＦＴのスイッチング動作により、液晶にかける電圧をコントロールして液晶の傾き角度を制御し、画素毎に光を透過させたり遮ったりする動作を行う。それにより、透過した光は、画素毎に相対して設置される赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の色フィルタを有するカラーフィルタを透過することで、画素毎に対応する各色フィルタの色を色光として透過する。なお、光が液晶により遮られた画素に対応する色フィルタには当然光は入射しないため、黒色となる。このようにＴＦＴのスイッチング動作により、液晶をシャッタとして動作させて、画素毎に光の透過をコントロールし、画素を明滅させることにより、カラー映像を表示させることができる。
【００４９】
このような構造を有する液晶表示装置３３の画像を表示する領域には、複数の画素がｍ行ｎ列のマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素の各々には、画素信号をスイッチングするＴＦＴ（スイッチング素子）が形成されている。画素信号を供給するデータ線（ソース配線）がＴＦＴのソース電極に電気的に接続され、走査信号を供給する走査線（ゲート配線）がＴＦＴのゲート電極に電気的に接続され、ＴＦＴのドレイン電極に画素電極４８が電気的に接続されている。画素電極４８はカラーフィルタ４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂの各フィルタ素子と対向する場所に形成されている。走査線が接続されるＴＦＴのゲート電極には、所定のタイミングで、走査線からパルス信号の走査信号が供給される。
【００５０】
画素電極４８は、ＴＦＴのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴを一定期間だけオン状態とすることにより、データ線から供給される画素信号が各画素の画素電極４８に所定のタイミングで供給される。このようにして画素電極４８に供給された所定レベルの画素信号の電圧レベルは、図３に示す対向基板３５の対向電極４６との間で保持され、画素信号の電圧レベルに応じて、液晶３７の光透過量が変化する。液晶表示装置３３はカラーフィルタを備えており、カラーフィルタ４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂを透過する光を液晶３７からなる液晶層を挟持する電極に印加する画像信号により制御することで、液晶表示装置３３はカラー画像を表示することができる。
【００５１】
画素電極４８の対向基板３５側には配向膜４９が配置されている。配向膜４７と配向膜４９とにはその表面に溝状の凹凸が形成されており、配向膜４７と配向膜４９との間に充填された液晶３７は、溝状の凹凸に沿って配列して形成される。
【００５２】
ＴＦＴアレイ基板３４及び対向基板３５において、液晶３７と反対側の面には、図示しない偏光シートが配置され、偏光シート及び液晶３７の作用により、液晶表示装置３３を透過する光透過量が変化するようになっている。
【００５３】
（液晶表示装置の製造方法）
次に上述した液晶表示装置３３における基板の分断方法について図４〜図９にて説明する。図４は、基板の分断方法のフローチャートであり、図５〜９は基板の分断方法を説明する図である。
【００５４】
図４のフローチャートにおいて、ステップＳ１は対向マザー基板の第１スクライブ工程に相当し、対向基板３５の一部にレーザ光を照射して、改質部を形成し、スクライブする工程である。また、ステップＳ１を、ステップＳ１１とする。ステップＳ１１は第１スクライブ形成工程に相当する工程である。次にステップＳ２に移行する。
【００５５】
ステップＳ２は接合工程に相当し、ＴＦＴアレイ基板３４と対向基板３５とを接合する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は対向マザー基板の第２スクライブ工程に相当し、対向基板３５でスクライブされた部分以外の残りの場所にレーザ光を照射して、改質部を形成し、スクライブする工程である。次にステップＳ４に移行する。ステップＳ４は素子マザー基板の第１スクライブ工程に相当し、ＴＦＴアレイ基板３４の一部にレーザ光を照射して、改質部を形成し、スクライブする工程である。次にステップＳ５に移行する。ステップＳ５は素子マザー基板の第２スクライブ工程に相当し、ＴＦＴアレイ基板３４において、ステップＳ４でスクライブされた部分以外の残りの場所にレーザ光を照射して、改質部を形成し、スクライブする工程である。次にステップＳ６に移行する。
【００５６】
ステップＳ６は素子マザー基板の第１分断工程に相当し、ステップＳ４にてスクライブされている場所を分断する工程である。次にステップＳ７に移行する。ステップＳ７は素子マザー基板の第２分断工程に相当し、ステップＳ５にてスクライブされている場所を分断する工程である。次にステップＳ８に移行する。ステップＳ８は対向マザー基板の第１分断工程に相当し、ステップＳ１にてスクライブされている場所を分断する工程である。次にステップＳ９に移行する。ステップＳ９は対向マザー基板の第２分断工程に相当し、ステップＳ３にてスクライブされている場所を分断する工程である。
【００５７】
ステップＳ３〜ステップＳ５とを合わせて、ステップＳ１２とする。ステップＳ１２は第２スクライブ工程に相当し、対向基板３５とＴＦＴアレイ基板３４とにレーザ光を照射して、改質部を形成し、スクライブする工程である。また、、ステップＳ６〜ステップＳ９を合わせて、ステップＳ１３とする。ステップＳ１３は分断工程に相当し、対向基板３５とＴＦＴアレイ基板３４とを分断する工程である。以上の工程で、液晶表示装置３３が形成される。
【００５８】
次に、図５〜図９を用いて、図４に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図５（ａ）は、対向基板が区画形成されたマザー基板である対向マザー基板を示す模式平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った模式断面図である。
【００５９】
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、第１基板としての対向マザー基板５１は、円板状に形成されている第１基板としての基板５２に、周辺見切り３８、カラーフィルタ４４、遮光膜４５が形成されている。さらに、周辺見切り３８、カラーフィルタ４４、遮光膜４５の表面には、光透過性及び通電性のある対向電極４６が形成されている。対向電極４６の表面には、配向膜４７が形成され、表面に凹凸を形成する配向処理が施されている。基板５２は、光透過性のある材質であれば良く、例えば、本実施形態では石英ガラスを採用している。
【００６０】
対向マザー基板５１に配列して形成される周辺見切り３８において、両端の周辺見切り３８の外側には、一対のマークとしての位置決めマーク５３が形成されており、ステップＳ３において用いられる。
【００６１】
対向マザー基板５１から液晶表示装置３３を切り出すために分断する予定の面のうち、Ｘ軸方向に切断する予定の面をＨ対向切断面５４とする。Ｈ対向切断面５４は一点鎖線で示した基板５２の切断面であり、図５（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄ，５４ｅはそれぞれＨ対向切断面５４である。
【００６２】
ステップＳ１では、対向マザー基板５１をＨ対向切断面５４に沿ってスクライブする。対向マザー基板５１のＨ対向切断面５４ａは、図３に示す対向基板３５の辺３５ｄに対応し、Ｈ対向切断面５４ｂは対向基板３５の辺３５ａに対応する。
【００６３】
図６（ａ）〜図６（ｃ）はステップＳ１に対応する図である。図６（ａ）に示すように、集光レンズ８を用いて、レーザ光５６を基板５２の内部に集光して照射する。レーザ光５６が集光される場所には、改質部５７が形成され、図６（ｂ）に示すように、改質部５７の中央にはクラック部５８が形成される。
【００６４】
図６（ａ）に戻って、集光レンズ８と対向マザー基板５１とを相対的に、移動させながら、レーザ光５６を照射し、改質部５７を配列して形成する。このとき、集光レンズ８と対向マザー基板５１とは、対向マザー基板５１の平面方向に、図５に示すＨ対向切断面５４に沿って相対移動する。続いて、レーザ光５６を集光する場所を基板５２の厚み方向に移動する。移動した後、集光レンズ８と対向マザー基板５１とを相対的に、移動しながら、レーザ光５６を照射し、改質部５７を配列して形成する。これを繰り返し、対向マザー基板５１における総てのＨ対向切断面５４に改質部５７を配列して形成する。
【００６５】
図６（ｃ）に示すように、その結果、対向マザー基板５１における総てのＨ対向切断面５４に改質部５７が形成され、改質部５７の中央部にはクラック部５８が形成される。これにより、Ｈ対向切断面５４にクラック部５８が配列して形成されたクラック面５９が形成される。
【００６６】
図７（ａ）及び図７（ｂ）はステップＳ２に対応する図である。図７（ａ）は液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を示す模式図である。図７（ａ）は、対向基板側から見た模式平面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った模式断面図である。
【００６７】
図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、第２基板としての素子マザー基板６２は、円板状に形成されている第２基板としての基板６３に、画素電極４８が形成され、画素電極４８の表面には配向膜４９が配置されている。配向膜４９には配向処理が施されている。基板６３には図示しないトランジスタ素子が形成され、各画素電極４８とデータ線駆動回路３９及び図２に示す走査線駆動回路４１と電気的に接続されている。基板６３には、実装端子４０が形成されており、データ線駆動回路３９及び図２に示す走査線駆動回路４１と電気的に接続されている。
【００６８】
基板６３上にシール３６の材料であるシール材３６ａを枠形状に塗布する。シール材３６ａを塗布する方法は、シール３６を所望の形状に塗布できれば良く、例えば、本実施形態においては、スクリーン印刷法を採用している。シール材３６ａは、固化後に接着力が得られ、液晶３７に接触して劣化しない材料であれば良く、例えば、本実施形態においては、熱硬化性のエポキシ樹脂を採用している。
【００６９】
枠形状にシール材３６ａを塗布した後、シール材３６ａの内側にディスペンサを用いて液晶３７を塗布する。図示しない真空チャンバに素子マザー基板６２を配置して、真空チャンバ内を脱気して真空にする。真空中で、対向マザー基板５１と素子マザー基板６２との相対位置を合わせて押圧する。
このとき、素子マザー基板６２には、図５に示す位置決めマーク５３と対応する場所に位置決めマーク６４が形成されている。対向マザー基板５１に形成されている位置決めマーク５３と素子マザー基板６２に形成されている位置決めマーク６４とを合わせて、対向マザー基板５１と素子マザー基板６２との相対位置を合わせる。
【００７０】
一つの素子マザー基板６２には、複数の液晶表示装置３３に対応する形状にシール材３６ａが塗布されており、一つの素子マザー基板６２に一つの対向マザー基板５１を配置する。素子マザー基板６２に対向マザー基板５１を押圧した後、真空チャンバ内に空気を流入する。大気圧により対向マザー基板５１と素子マザー基板６２とが加圧される。
【００７１】
対向マザー基板５１と素子マザー基板６２との相対位置を保持した状態で加熱し、シール材３６ａを固化してシール３６を形成する。対向マザー基板５１と素子マザー基板６２とがシール３６を介して接合されているマザー基板６５が完成し、ステップＳ３が完了する。
【００７２】
マザー基板６５から液晶表示装置３３を切出すために分断する予定の面を、Ｈ対向切断面５４に加え、それぞれ、Ｈ素子切断面６６、Ｖ素子切断面６７、Ｖ対向切断面６８と表記する。Ｈ素子切断面６６は、一点鎖線で示した素子マザー基板６２の切断面であり、図７（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。Ｖ素子切断面６７は、一点鎖線で示した素子マザー基板６２の切断面であり、図７（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。Ｖ対向切断面６８は、一点鎖線で示した対向マザー基板５１の切断面であり、図７（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。図７（ａ）に示した、６６ａ，６６ｂ，６６ｃは、それぞれＨ素子切断面６６であり、６７ａ，６７ｂ，６７ｃは、それぞれＶ素子切断面６７である。また、６８ａ，６８ｂ，６８ｃは、それぞれＶ対向切断面６８である。
【００７３】
ステップＳ１で、対向マザー基板５１にスクライブしたＨ対向切断面５４と対向する素子マザー基板６２には、レーザ光により損傷するデータ線駆動回路３９、実装端子４０、配線４２ａが配置されている。
【００７４】
図８（ａ）及び図８（ｂ）はステップＳ３に対応する図である。図８（ａ）に示すように、集光レンズ８を用いて、レーザ光５６を基板５２の内部に集光して照射する。レーザ光５６が集光される場所には、改質部５７が形成され、改質部５７の中央にはクラック部５８が形成される。
【００７５】
集光レンズ８と対向マザー基板５１とを相対的に、移動しながら、レーザ光５６を照射し、改質部５７を配列して形成する。このとき、集光レンズ８と対向マザー基板５１とは、対向マザー基板５１の平面方向に、図７に示すＶ対向切断面６８に沿って相対移動する。続いて、レーザ光５６を集光する場所を基板５２の厚み方向に移動する。移動した後、集光レンズ８と対向マザー基板５１とを相対的に、移動しながら、レーザ光５６を照射し、改質部５７を配列して形成する。これを繰り返し、対向マザー基板５１における総てのＶ対向切断面６８に改質部５７が配列して形成されたクラック面５９を形成する。
【００７６】
図８（ｂ）に示すように、その結果、対向マザー基板５１における総てのＶ対向切断面６８に改質部５７が配列して形成されたクラック面５９が形成される。
【００７７】
ステップＳ４では、マザー基板６５を反転し、図７に示す素子マザー基板６２のＨ素子切断面６６に沿ってレーザ光５６を照射する。その結果、ステップＳ３と同様に、素子マザー基板６２における総てのＨ素子切断面６６に改質部５７が配列して形成されたクラック面５９が形成される。
【００７８】
ステップＳ５では、図７に示す素子マザー基板６２のＶ素子切断面６７に沿ってレーザ光５６を照射する。その結果、ステップＳ３と同様に、素子マザー基板６２における総てのＶ素子切断面６７に改質部５７が配列して形成されたクラック面５９が形成される。
【００７９】
図９（ａ）及び図９（ｂ）はステップＳ６に対応する図である。図９（ａ）に示すように、素子マザー基板６２を弾性材からなる台７１の上に配置し、Ｈ素子切断面６６のクラック面５９と対向する場所を、加圧部材７２を用いて押圧する。素子マザー基板６２は台７１に沈み込み、クラック部５８に張力が作用する。素子マザー基板６２は、台７１と接する面に近いクラック部５８を起点として破断が進行し、分断する。
【００８０】
図９（ｂ）に示すように、その結果、素子マザー基板６２は、素子マザー基板６２に形成されている総てのＨ素子切断面６６のクラック面５９が分断される。
【００８１】
ステップＳ７では、ステップＳ６と同様に、素子マザー基板６２を弾性材からなる台７１の上に配置し、Ｖ素子切断面６７のクラック面５９と対向する場所を、加圧部材７２を用いて押圧する。素子マザー基板６２は、台７１と接する面に近いクラック部５８を起点として破断が進行し、分断する。その結果、素子マザー基板６２は、素子マザー基板６２に形成されている総てのＶ素子切断面６７のクラック面５９が分断される。
【００８２】
ステップＳ８では、マザー基板６５を反転して、対向マザー基板５１を弾性材からなる台７１の上に配置し、Ｈ対向切断面５４のクラック面５９と対向する場所を、加圧部材７２を用いて押圧する。対向マザー基板５１は、台７１と接する面に近いクラック部５８を起点として破断が進行し、分断する。その結果、対向マザー基板５１は、対向マザー基板５１に形成されている総てのＨ対向切断面５４のクラック面５９が分断される。
【００８３】
ステップＳ９では、対向マザー基板５１を弾性材からなる台７１の上に配置し、Ｖ対向切断面６８のクラック面５９と対向する場所を、加圧部材７２を用いて押圧する。対向マザー基板５１は、台７１と接する面に近いクラック部５８を起点として破断が進行し、分断する。その結果、対向マザー基板５１は、対向マザー基板５１に形成されている総てのＶ対向切断面６８のクラック面５９が分断され、マザー基板６５から、複数の液晶表示装置３３が形成される。
【００８４】
図３に示すＴＦＴアレイ基板３４及び対向基板３５に図示しない偏光シートを貼り付けて液晶表示装置３３が完成する。
【００８５】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、液晶表示装置３３は、対向マザー基板５１と、素子マザー基板６２とが接合して形成される。対向マザー基板５１と素子マザー基板６２とを接合し、対向マザー基板５１にレーザ光５６を照射して、改質部５７を形成する場合には、対向マザー基板５１を通過するレーザ光５６が素子マザー基板６２を照射する。素子マザー基板６２に形成されているデータ線駆動回路３９、実装端子４０、配線４２ａは、レーザ光５６が照射され、損傷を受ける可能性がある。
【００８６】
本実施形態では、ステップＳ２の前に、ステップＳ１において、対向マザー基板５１がスクライブされる。つまり、対向マザー基板５１と素子マザー基板６２とが接合される前に、対向マザー基板５１にレーザ光５６が照射されて、改質部５７が形成される。ステップＳ２の後、ステップＳ３においても、レーザ光５６を対向マザー基板５１に照射して改質部５７を形成する。このとき、ステップＳ１において、改質部５７が形成されている場所には、レーザ光５６を照射する必要がない。
【００８７】
素子マザー基板６２には、データ線駆動回路３９、実装端子４０、配線４２ａが形成されており、対向マザー基板５１において、素子マザー基板６２に形成されているデータ線駆動回路３９、実装端子４０、配線４２ａの場所と、対向する場所に改質部５７を形成する場合は、ステップＳ１にて、改質部５７を形成している。既に改質部５７が形成されている場所には、ステップＳ３において、レーザ光５６を照射することがない為、データ線駆動回路３９、実装端子４０、配線４２ａが損傷を受けることがない。その結果、液晶表示装置３３は品質の良い装置とすることができる。
【００８８】
また、レーザ光の照射による損傷を受けるデータ線駆動回路３９、実装端子４０、配線４２ａの配置を設計し易い、液晶表示装置３３電気光学装置とすることができる。
【００８９】
（２）本実施形態によれば、ステップＳ１とステップＳ１２とにおいて、対向マザー基板５１と素子マザー基板６２とにレーザ光５６を照射して改質部５７を形成し、スクライブしている。従って、ステップＳ１３で、対向マザー基板５１と素子マザー基板６２とを分断するときは、対向マザー基板５１と素子マザー基板６２とから発生する粉を少なく分断することができる。その結果、対向マザー基板５１と素子マザー基板６２とから発生する粉の付着の少ない液晶表示装置３３とすることができる。
【００９０】
（３）本実施形態によれば、ステップＳ１において、対向マザー基板５１のＨ対向切断面５４をスクライブしている。続いて、ステップＳ２の後、対向マザー基板５１のＶ対向切断面６８をスクライブしている。
【００９１】
ステップＳ１では、対向マザー基板５１のＨ対向切断面５４だけがスクライブされていることから、ステップＳ１で対向マザー基板５１のＨ対向切断面５４とＶ対向切断面６８とがスクライブされる場合に比べて、対向マザー基板５１の強度が強くなっている。従って、ステップＳ２において、対向マザー基板５１が分断されて、不良品となることを防止することができる。
【００９２】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記実施形態では、対向マザー基板５１は、一枚の基板５２を基に形成されており、素子マザー基板６２は、一枚の基板６３を基に形成されている。対向マザー基板５１及び素子マザー基板６２は、各々複数の基板が接合された基板であっても良い。この場合においても、前記実施形態の製造方法を用いて、同様の効果を得ることができる。
【００９３】
（変形例２）
前記実施形態では、対向マザー基板５１と素子マザー基板６２とを接合する前のステップＳ１において、基板５２にレーザ光５６を照射して改質部５７を形成し、Ｈ対向切断面５４にクラック面５９を形成している。素子マザー基板６２において、Ｈ対向切断面５４と対向する場所には、データ線駆動回路３９、実装端子４０、配線４２ａが形成されている。これに限らず、コンデンサ、抵抗、コイル、センサ素子、電気光学素子等のレーザ光５６の照射により損傷を受ける素子を形成してもよい。Ｈ対向切断面５４にクラック面５９を形成するとき、これらの素子にレーザ光５６を照射しない為、これらの素子がレーザ光５６により損傷を受けることがない。従って、損傷を受ける素子の配置を設計し易くすることができる。
【００９４】
（変形例３）
前記実施形態では、図４に示すように、対向マザー基板５１にレーザ光５６を照射して改質部５７を形成する工程を、ステップＳ１とステップＳ３とで行っている。ステップＳ２の後にステップＳ３を行っているが、ステップＳ１とステップＳ３とを行った後、ステップＳ２を行っても良い。つまり、ステップＳ１１は、ステップＳ１とステップＳ３として、ステップＳ１２は、ステップＳ４とステップＳ５としても良い。
【００９５】
この工程のとき、ステップＳ１２では、素子マザー基板６２にのみレーザ光５６を照射し、対向マザー基板５１にはレーザ光５６を照射しないことから、レーザ照射装置１のステージ２０上で、マザー基板６５を反転する必要がない。従って、生産性良く改質部５７を形成することができる。
【００９６】
（変形例４）
前記実施形態では、ステップＳ１２において、基板５２及び基板６３にレーザ光５６を照射し、改質部５７を形成している。これに限らず、ガラスカッタを用いてスクライブしても良い。また、ダイサー式切断機を用いて切断しても良い。ステップＳ１において、基板５２にレーザ光５６を照射し、改質部５７を形成することにより、前記実施形態と、同様の効果を得ることができる。
【００９７】
（変形例５）
前記実施形態では、ステップＳ１において、基板５２にレーザ光５６を照射して改質部５７を形成し、Ｈ対向切断面５４にクラック面５９を形成している。このとき、Ｈ対向切断面５４の全体にクラック面５９を形成している。一方、Ｈ対向切断面５４において、対向マザー基板５１と素子マザー基板６２とを接合するとき、レーザ光５６により損傷を受ける素子と対向する場所に限って、クラック面５９を形成しても良い。ステップＳ１２で、Ｈ対向切断面５４における残りの場所をスクライブすることにより、Ｈ対向切断面５４の総ての場所をスクライブできる。この場合においても、前記実施形態と、同様の効果を得ることができる。
【００９８】
また、ステップＳ１で対向マザー基板５１のＨ対向切断面５４における総ての場所がスクライブされる場合に比べて、対向マザー基板５１の強度が強くなっている。従って、ステップＳ２において、対向マザー基板５１が分断されて、不良品となることを防止することができる。
【００９９】
（変形例６）
前記実施形態では、基板５２及び基板６３に石英ガラスを用いているが、これに限らない。光透過性があり、液晶表示装置３３を構成できる脆性材料であれば良く、例えば、石英ガラスの他に、ソーダ石灰ガラス、パイレックス（登録商標）等のホウ珪酸ガラス、ＯＡ−１０（日本電気硝子社製）等の無アルカリガラス、ネオセラム（登録商標）等の耐熱結晶化ガラス、光学ガラス、水晶等を挙げることができる。この場合においても、前記実施形態と、同様の効果を得ることができる。
【０１００】
（変形例７）
前記実施形態では、液晶表示装置３３に本発明の製造方法を用いたが、液晶表示装置３３以外の電気光学装置にも用いることができる。基板を備えた電気光学装置として、例えば、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ（ＥＬＥＣＴＲＯＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ）ディスプレイ、真空蛍光ディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ等における製造方法として好適に用いることができる。いずれの場合でも、前記実施形態と、同様の効果を得ることができる。
【０１０１】
（変形例８）
前記実施形態では、レーザ光源２にＹＡＧレーザを用いたが、フェムト秒レーザを用いても良い。出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、チタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザを採用しても良い。発光条件及び集光レンズの条件の例としては、パルスレーザ光は、波長分散特性を有しており、中心波長が８００ｎｍであり、その半値幅はおよそ２０ｎｍである。またパルス幅はおよそ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力はおよそ７００ｍＷである。集光レンズは、この場合、倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８、ＷＤ（Ｗｏｒｋｉｎｇ  Ｄｉｓｔａｎｃｅ）が３ｍｍの対物レンズを採用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】実施形態に係るレーザ照射装置の構成を示す概略図。
【図２】液晶表示装置の模式平面図。
【図３】液晶表示装置の模式断面図。
【図４】基板の分断方法のフローチャート。
【図５】（ａ）は、対向マザー基板の模式平面図、（ｂ）は、対向マザー基板の模式断面図。
【図６】基板の分断方法を説明する図。
【図７】（ａ）は、マザー基板の模式平面図、（ｂ）は、マザー基板の模式断面図。
【図８】基板の分断方法を説明する図。
【図９】基板の分断方法を説明する図。
【符号の説明】
【０１０３】
３３…電気光学装置としての液晶表示装置、４０…電極としての実装端子、４２ａ…配線、５１…第１基板としての対向マザー基板、５２…第１基板としての基板、５６…レーザ光、５７…改質部、６２…第２基板としての素子マザー基板、６３…第２基板としての基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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