(57)【要約】【課題】  鏡筒等光学要素を支持する支持体の弾性変形による光学要素間の相対位置の変動を防止する。【解決手段】  光学装置は、第１の要素10_m6の位置を計測する第１計測器20_m6と、第２の要素10_m2の位置を計測する第２計測器20_m2と、鏡筒POの変形を計測する第３計測器50とを備える。第２の要素の位置を制御する制御器100は、第１〜第３計測器の計測結果に基づいて、第１及び第２の要素の間の相対位置を保つように第２の要素の位置を制御する。【選択図】  図１
2008047653.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光学要素と、
第２の光学要素と、
前記第１及び第２の光学要素を支持する支持体と、
前記支持体に対する前記第１の光学要素の位置を計測する第１計測器と、
前記支持体に対する前記第２の光学要素の位置を計測する第２計測器と、
前記支持体の変形を計測する第３計測器と、
前記第１計測器と前記第２計測器と前記第３計測器との計測結果に基づいて、前記第１及び第２の光学要素の間の相対位置を制御する制御器とを備える光学装置。
【請求項２】
前記第３計測器が、前記支持体の変形によるＺ方向の相対変位を計測するＺ計測器を３個以上含むことを特徴とする請求項１に記載される光学装置。
【請求項３】
前記Ｚ計測器はヘテロダイン型レーザー干渉計であり、前記第１及び第２の光学要素にそれぞれ対応する第１及び第２の計測ミラーが、前記支持体に反射面がＺ軸に垂直に交わるように固定されており、レーザーヘッドから出射されたレーザー光を反射光及び透過光に分割する偏向ビームスプリッタと、前記反射光を前記第１の計測ミラーに向けてさらに反射させる反射ミラーとが備えられ、前記偏向ビームスプリッタと前記反射ミラーとが同一支持部材に固定されていることを特徴とする請求項２に記載される光学装置。
【請求項４】
前記第３計測器が、前記支持体の変形によるＸ方向の相対変位を計測するＸ計測器２個以上と、Ｙ方向の相対変位を計測するＹ計測器１個以上とをさらに含む、又は、前記支持体の変形によるＸ方向の相対変位を計測するＸ計測器１個以上と、Ｙ方向の相対変位を計測するＹ計測器２個以上とをさらに含む、ことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載される光学装置。
【請求項５】
前記Ｘ計測器又はＹ計測器はヘテロダイン型レーザー干渉計であり、前記第１の光学要素に対応する計測ミラーがその反射面をＺ軸に平行にして前記支持体に固定されており、前記第２の光学要素に対応するプリズムが前記支持体に固定されており、レーザーヘッドから出射されたレーザー光を反射光及び透過光に分割する偏向ビームスプリッタと、前記偏向ビームスプリッタを透過し前記プリズムから出射された光を反射する反射ミラーとが備えられ、前記偏向ビームスプリッタと前記反射ミラーと前記計測ミラーとが同一支持部材に固定されていることを特徴とする請求項４に記載される光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の光学装置を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の露光装置を用いてウエハを露光する工程と、
前記ウエハを現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学装置、露光装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体露光装置は、数多くの異なる種類のパターンを有する原版（レチクル）をシリコンウエハ（基板）に転写する装置である。高集積度の回路を作成するためには、解像性能だけでなく重ね合わせ精度の向上が不可欠である。
【０００３】
半導体露光装置における重ね合わせ誤差は、アライメント誤差、像歪み及び倍率誤差に分類される。アライメント誤差は、原版（レチクル）と基板（ウェハ）との相対変位調整によって軽減することができる。一方、像ひずみや倍率誤差は、光学系の一部の光学要素を移動させることによって調整可能である。光学要素を移動させる際には、平行偏芯及び傾き偏芯誤差成分が大きくならないようにしなければならない。
【０００４】
光学要素を移動させるためには、位置サーボ系を構成して位置決めを行う。光学要素の位置計測は、鏡筒もしくは鏡筒外部の基準構造体に取り付けられたレーザー干渉計によって行われる。
【特許文献１】特開２００５−２３６２５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、半導体デバイスパターンの高精細化に伴い、要求される結像を得るために、光学要素には従来に比べて高い位置・姿勢精度、及び、収差等を補正するための駆動位置決め精度が要求されるようになってきている。かかる位置決め精度を悪化させるものとして外乱がある。従来の位置決め制御の下では外乱の影響は無視可能であったが、高い位置決め精度の要請に伴い、外乱の影響を無視できなくなってきた。例えば、特許文献１に示されるように、光学要素の位置決め制御を、鏡筒等光学要素を支持する支持体を基準として計測した位置情報のみで行うと、支持体の弾性変形の影響が計測誤差となり、光学要素の位置決め精度を悪化させる。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、例えば光学要素を支持する支持体の弾性変形に伴う光学要素間の相対位置の変動を防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の側面は、第１の光学要素と、第２の光学要素と、第１及び第２の光学要素を有する光学系を支持する支持体と、支持体に対する第１及び第２の光学要素の位置を計測する第１及び第２計測器と、支持体の変形を計測する第３計測器と、制御器とを備える光学装置である。そして、制御器は、第１〜３計測器の計測結果に基づいて、第１及び第２の光学要素の間の相対位置を制御することを特徴とする。
【０００８】
本発明の実施態様によれば、第３計測器は支持体の変形によるＺ方向の相対変位を計測するＺ計測器を３個以上含むことが好ましい。Ｚ計測器はヘテロダイン型レーザー干渉計であって、第１及び第２の要素にそれぞれ対応する第１及び第２の計測ミラーが、支持体に反射面がＺ軸に垂直に交わるように固定されていることが好ましい。さらに、レーザーヘッドから出射されたレーザー光を反射光及び透過光に分割する偏向ビームスプリッタと、反射光を第１の計測ミラーに向けてさらに反射させる反射ミラーとが備えられうる。そして、偏向ビームスプリッタと反射ミラーとは同一支持部材に固定されていることが好ましい。
【０００９】
本発明の実施態様によれば、第３計測器は、支持体の変形によるＸ方向の相対変位を計測するＸ計測器２個以上と、Ｙ方向の相対変位を計測するＹ計測器１個以上とをさらに含みうる。また、第３計測器は、支持体の変形によるＸ方向の相対変位を計測するＸ計測器１個以上と、Ｙ方向の相対変位を計測するＹ計測器２個以上とをさらに含みうる。
【００１０】
本発明の実施形態によれば、Ｘ計測器又はＹ計測器はヘテロダイン型レーザー干渉計であることが好ましい。その場合、第１の光学要素に対応する計測ミラーがその反射面をＺ軸に平行にして支持体に固定され、第２の光学要素に対応するプリズムが支持体に固定されている。さらに、レーザーヘッドから出射されたレーザー光を反射光及び透過光に分割する偏向ビームスプリッタと、偏向ビームスプリッタを透過しプリズムから出射された光を反射する反射ミラーとが備えられる。そして、偏向ビームスプリッタと反射ミラーと計測ミラーとは同一支持部材に固定されている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、例えば光学要素を支持する支持体の弾性変形に伴う光学要素間の相対位置の変動を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を実施形態に基づいて説明する。
【００１３】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態の露光装置は、例えば極紫外線（ＥＵＶ；Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光を露光光として使用する露光装置（ＥＵＶ露光装置）として構成されうる。当該露光装置は、図１に示すように、原版（レチクル）Ｒを保持する原版ステージＲＳＴと、投影光学系と、基板（ウエハ等）Ｗを保持する基板ステージＷＳＴとを備える。ここで、図１は、露光装置の単純化された光路図である。
【００１４】
波長２乃至４０ｎｍの光（例えば、ＥＵＶ光やＸ線）を露光光とする露光装置においてはミラー等の反射型光学素子が用いられる。かかる波長域では物質による吸収が非常に大きくなるので、可視光や紫外光で用いられるような光の屈折を利用したレンズ光学系は実用的ではない。この場合、原版Ｒも多層膜反射鏡の上に吸収体によって転写すべきパターンを形成した反射型レチクル等が使用される。このような反射型光学素子では光の反射を利用するため、光学素子が外乱の影響を受けて傾斜すると反射光は特にその影響を受けやすい。従って、本発明は、波長２乃至４０ｎｍの光（例えば、ＥＵＶ光やＸ線）を露光光とする露光装置に特に有効である。
【００１５】
光源には、例えば、レーザープラズマ光源を使用しうる。レーザープラズマ光源は、真空容器中のターゲット材に高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマを発生させ、これから放射される例えば波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。ＥＵＶ光源には、当業界で周知のいかなる技術をも適用することができるので、ここでは詳しい説明は省略する。
【００１６】
光源から照射される露光光は、照明光学系を通過し、原版Ｒ上のパターンに照射される。照明光学系はＥＵＶ光を伝播して原版Ｒを照明する機能を有し、複数のミラーと、オプティカルインテグレータと、アパーチャとを有する。オプティカルインテグレータは原版Ｒを均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。アパーチャは、原版Ｒと共役な位置に設けられ、原版Ｒ面で照明される領域を円弧状に限定する。
【００１７】
原版Ｒにより選択的に反射されたＥＵＶ光は、複数枚の反射ミラーで構成された投影光学系によってレジストが塗布されたウエハＷに縮小投影され、原版Ｒ上のパターンをウエハＷに転写する。
【００１８】
図１に示す投影光学系は、６枚の多層膜反射ミラーから構成されているが、例えば２枚、５枚、８枚など他の複数枚の構成でもよい。露光光が照射される順番に、第１光学要素10_m1、第２光学要素10_m2等と呼ぶこととする。多層膜反射ミラーの反射面の形状は凸面、凹面の球面又は非球面である。開口数ＮＡは０．２〜０．３程度である。
【００１９】
ここでは光学的な敏感度が一番高い光学要素を第６光学要素10_m6とする。第６光学要素10_m6は保持機構30_m6を介して、第１〜第６光学要素の支持体である鏡筒ＰＯから支持されている。ここでは、光学要素10の計測基準を鏡筒とする。それ以外の光学要素10_m1〜10_m5は、微動機構40_m1〜40_m5によって、光学的な敏感度の一番高い第６光学要素10_m6との相対的な位置関係を保つように制御される。微動機構40として、ここでは６軸パラレルリンク機構を用いているが、リニアモータ等による６軸制御であっても良い。６軸パラレルリンク機構のアクチュエータとしてピエゾ（圧電）素子を用いているが、ピコモータ等を用いても構わない。
【００２０】
光学要素10の位置決め制御方法を第２光学要素10_m2を例にして述べる。この場合、第６光学要素10_m6が第１の光学要素にあたり、第２光学要素10_m2が第２の光学要素にあたる。図２に示す第２光学要素10_m2の６自由度の位置は、計測器20_m2（第２計測器）により、鏡筒ＰＯを基準に計測される。図２では、簡単のため計測器20_m2の具体的な配置については省略している。同様に、第６光学要素10_m6の６自由度の位置は、計測器20_m6（第１計測器）により、鏡筒ＰＯを基準に計測される。第２光学要素10_m2は、計測器20_m2と計測器20_m6の計測情報を用いて、第６光学要素10_m6との相対位置を保つように制御される。制御器100'により第２光学要素10_m2を制御するためのブロック線図を図３に示す。
【００２１】
図３では、第２光学要素10_m2の指令値をR_m2、計測情報をC_m2と表している。第６光学要素10_m6の指令値をR_m6、計測情報をC_m6で表している。Gc_m2は第２光学要素10_m2の制御補償器、Go_m2は第２光学要素10_m2の伝達関数を表している。H_m2は計測器20_m2の計測情報C_m2を制御点の６軸の位置情報に変換する非干渉化マトリクス、F_m2は制御点へ制御力を加えるために微動機構40_m2の各アクチュエータに推力を分配する推力分配マトリクスを表している。また、K_m2_m6は、第６光学要素10_m6のズレに伴う、第２光学要素10_m2の位置のズレを求めるための変換マトリクスである。
【００２２】
図３のブロック線図で表される位置決め制御を行うことによって、第２光学要素10_m2の位置が図４の点線で示す位置にズレた場合、制御器100'は、第６光学要素10_m6との相対位置を保つように第２光学要素10_m2を制御する。また、制御器100'は、図５に示すように、第６光学要素10_m6の位置がズレた場合、第６光学要素10_m6と第２光学要素10_m2の相対的な位置関係を保つように、第２光学要素10_m2の位置を制御する。制御器100'は、第１、第３、第４、第５光学要素についても第２光学要素10_m2と同様の位置決め制御を行っている。
【００２３】
しかし、図３に示すブロック線図では、図６に示すように鏡筒ＰＯが弾性変形した場合、制御器100'は、第６光学要素10_m6と第２光学要素10_m2の相対位置関係を保つように制御することが出来ない。そこで本発明の好適な実施形態では、図６に示すように鏡筒ＰＯの弾性変形量を計測するための計測器50_m2（第３計測器）を設けて、鏡筒ＰＯの弾性変形量も含めて第２光学要素10_m2を制御する。この場合の制御器100のブロック線図を図７に示す。図７中のCpo_m2は計測器50_m2の計測情報を表しており、Rpo_m2は鏡筒の変形の目標値（例えば０）を表している。Kpo_m2_m6は、鏡筒ＰＯの変形量にある補正量をかける補正マトリクスである。これにより鏡筒ＰＯの弾性変形が原因で第２光学要素10_m2が図６の点線に示す位置にズレた場合にも、制御器100は第６光学要素10_m6との相対位置関係を保つよう制御することができる。
【００２４】
光学要素10が反射型光学素子である場合、光の反射を利用するため、光学要素10の６軸の位置決め精度のうち、特に角度（Ｘ軸周り、Ｙ軸周り）に関する精度が厳しくなる。そのため鏡筒POの弾性変形のうち少なくともＸ軸周り、及びＹ軸周りの変形量を計測し光学要素10の位置決めにフィードバックする必要がある。そこで次に鏡筒POのＺ軸方向、Ｘ軸周り、Ｙ軸周りの弾性変形量を計測するための計測方法を説明する。
【００２５】
計測器50zはＺ方向の相対変位を計測するヘテロダイン型のレーザー干渉計（Ｚ計測器）である。図８に示すように、第６光学要素に対応する計測ミラー51z_m2を鏡筒の第６光学要素の近傍にミラー面がＺ軸と垂直に交わるように固定する。第２光学要素に対応する計測ミラー52z_m2をここでは第２光学要素10_m2の近傍にミラー面がＺ軸と垂直に交わるようにして鏡筒ＰＯに固定する。更に、レーザーヘッドから出射されたレーザー光を反射光及び透過光に分割する偏向ビームスプリッタ53z_m2を設ける。また、レーザーヘッドと計測ミラー51z_m2との光路上に、偏向ビームスプリッタ53z_m2で分割された反射光を計測ミラー51z_m2に向けてさらに反射させる反射ミラー54z_m2を設ける。偏向ビームスプリッタ53z_m2と反射ミラー54z_m2とは同じ支持部材に取り付けられる。これにより計測ミラー51z_m2と計測ミラー52z_m2との間のＺ軸方向の相対変化量を計測することが出来る。
【００２６】
また、図９に示すように計測器50zを鏡筒に３組取り付けて、それぞれの計測結果から、鏡筒の弾性変形によるＸ軸周りの回転量、Ｙ軸周りの回転量を求めることができる。図８では、計測器50を鏡筒の外側に取り付けているが、鏡筒の内部に取り付けても良い。鏡筒の内部の方が鏡筒の外に比べて真空度が高いので、空気のゆらぎによるレーザー干渉計の計測誤差が少なくなると言うメリットがある。
【００２７】
図８では、第２光学要素10_m2を第６光学要素10_m6に追従させるために、計測ミラー52z_m2を第２光学要素10_m2の近傍に取り付けた。他の光学要素を第６光学要素10_m6に追従させるためには、追従させたい光学要素の近傍に計測ミラーを取り付ければよい。
【００２８】
また、計測器50zによって計測された鏡筒のある位置の変形量にある係数をかけて、鏡筒の別の位置の変形量を推定しても良い。
【００２９】
本実施形態では、光学要素10の位置計測を鏡筒ＰＯから行っている。光学要素10の位置計測を鏡筒ＰＯ以外の基準構造体から行う場合は、計測器50zを基準構造体に取り付けて、基準構造体の変形をフィードバックすれば良い。
【００３０】
また、本実施形態では、計測器50として、レーザー干渉計を用いたが、圧電（ピエゾ）素子、静電容量センサ、渦電流センサなどを用いても構わない。
【００３１】
［第２実施形態］
第１実施形態では、鏡筒の弾性変形計測をＺ軸方向、Ｘ軸周り、Ｙ軸周りのみ行ったが、第１実施形態に更に計測器50xyを付け加えることで、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸周りの弾性変形量を計測することができる。Ｘ、Ｙ軸方向の変形量を計測するための計測器50xy（Ｘ計測器、Ｙ計測器）を図10に示す。また第１実施形態と同様に、第２光学要素近傍と第６光学要素近傍間の鏡筒の変形量を計測する。
【００３２】
計測器50xyはヘテロダイン型のレーザー干渉計である。図10に示すように、計測ミラー51xy_m2を鏡筒の第６光学要素10_m6の近傍にミラー面がＺ軸と平行になるように固定する。プリズム55xy_m2をここでは鏡筒の第２光学要素10_m2の近傍に固定する。レーザーヘッドから出射されたレーザー光を反射光及び透過光に分割する偏向ビームスプリッタ53xy_m2を設ける。偏向ビームスプリッタ53xy_m2を透過しプリズム55xy_m2から出射された計測光を反射する反射ミラー56xy_m2をさらに設ける。反射ミラー56xy_m2と偏向ビームスプリッタ53xy_m2と計測ミラー51xy_m2とは同一支持部材に取り付けられる。第２光学要素の計測光と第６光学要素の計測光の光路差には、計測ミラー51xy_m2とプリズム55xy_m2間のＸあるいはＹ軸方向の変位量と、Ｚ軸方向の変位量が含まれている。従って、第１実施形態に示した計測器50zによって計測されたＺ軸方向の相対変化量を差し引くことで、ＸあるいはＹ軸方向の変位量を得ることができる。
【００３３】
計測器50xyを、Ｘ、Ｙ軸方向にそれぞれ配置することによって鏡筒ＰＯのＸ、Ｙ軸方向の弾性変位量を計測することができる。また、Ｘ軸方向あるいはＹ軸方向のどちらか一方に計測器50xyをもう一つ追加して、２つの計測値から鏡筒ＰＯの弾性変形によるＺ軸周りの回転量を求めることができる。
【００３４】
図10では、第２光学要素10_m2を第６光学要素10_m6に追従させるために、計測器50xyのためのプリズム55xy_m2を第２光学要素10_m2の近傍に取り付けた。他の光学要素を第６光学要素10_m6に追従させるためには、追従させたい光学要素の近傍にプリズムを取り付ければよい。
【００３５】
また、計測器50xyによって計測された鏡筒のある位置の変形量にある係数をかけて、鏡筒の別の位置の変形量を推定しても良い。
【００３６】
本実施形態では、光学要素10の位置計測を鏡筒ＰＯから行っている。光学要素10の位置計測を鏡筒ＰＯ以外の基準構造体から行う場合は、計測器50xyを基準構造体に取り付けて、基準構造体の変形をフィードバックすれば良い。
【００３７】
また、本実施形態では、計測器50として、レーザー干渉計を用いたが、圧電（ピエゾ）素子、静電容量センサ、渦電流センサなどを用いても構わない。
【００３８】
［第３実施形態］
第１、２実施形態は第２光学要素10_m2を第６光学要素10_m6を基準にして位置決め制御している。第１、２実施形態と同様の手段を用いて、図11に示すように、原版ステージRSTを鏡筒POの弾性変形量も加味して、第６光学要素10_m6を基準にして制御しても良い。この場合、計測ミラー52z_r又はプリズム55xy_r(不図示)はできるだけ原版ステージRSTの近傍に設けることが望ましい。また、鏡筒POの別の部分の変形量から原版ステージRST近傍の変形量を推測しても良い。この時の制御器100のブロック線図を図12に示す。図12中のR_rは原版ステージRSTの目標値、C_rは計測器20_rの計測情報を表している。Gc_rは原版ステージRSTの制御補償器、Go_m2は原版ステージRSTの伝達関数を表している。H_rは計測器20_rの計測情報C_rを制御点の６軸の位置情報に変換する非干渉化マトリクスを表している。F_rは制御点へ制御力を加えるために原版ステージRST の各アクチュエータに推力を分配する推力分配マトリクスを表している。また、K_r_m6は、第６光学要素10_m6のズレに伴う、原版ステージRSTの位置のズレを求めるための変換マトリクスである。Kpo_r_m6は、鏡筒ＰＯの変形量にある補正量をかける補正マトリクスである。
【００３９】
本実施形態では、原版ステージRSTの位置計測を鏡筒ＰＯを基準に計測している。原版ステージRSTの位置計測を鏡筒ＰＯ以外の基準構造体から行う場合は、計測器50を基準構造体に取り付けて、基準構造体の変形をフィードバックすれば良い。
【００４０】
また、本実施形態では、計測器50として、レーザー干渉計を用いたが、圧電（ピエゾ）素子、静電容量センサ、渦電流センサなどを用いても構わない。
【００４１】
［第４実施形態］
第３実施形態は原版ステージRSTを第６光学要素10_m6を基準にして位置決め制御している。第３実施形態と同様の手段を用いて、図13に示すように、基板ステージWSTを鏡筒の弾性変形量も加味して、第６光学要素10_m6を基準にして制御しても良い。この場合、計測ミラー52z_w又はプリズム55xy_w(不図示)はできるだけ基板ステージWSTの近傍に設けることが望ましい。また、鏡筒POの別の部分の変形量から基板ステージWST近傍の変形量を推測しても良い。更に基板ステージWSTは原版ステージRSTに同期制御されている。この場合の制御器100のブロック線図を図14に示す。図14中のR_wは基板ステージWSTの目標値、C_wは計測器20_wの計測情報を表している。Gc_wは基板ステージWSTの制御補償器、Go_wは基板ステージWSTの伝達関数を表している。H_wは計測器20_wの計測情報C_wを制御点の６軸の位置情報に変換する非干渉化マトリクスを表している。F_wは制御点へ制御力を加えるために基板ステージWSTの各アクチュエータに推力を分配する推力分配マトリクス等を表している。K_w_m6は、第６光学要素10_m6のズレに伴う、基板ステージWSTの位置のズレを求めるための変換マトリクスである。また、K_r_wは基板ステージWSTを原版ステージRSTに同期させるための同期マトリクスであり、縮小倍率や補正方向に関する情報が含まれている。Kpo_w_m6は、鏡筒ＰＯの変形量にある補正量をかける補正マトリクスである。
【００４２】
本実施形態では、基板ステージWSTの位置計測を鏡筒ＰＯを基準に計測している。基板ステージWSTの位置計測を鏡筒ＰＯ以外の基準構造体から行う場合は、計測器50を基準構造体に取り付けて、基準構造体の変形をフィードバックすれば良い。
【００４３】
また、本実施形態では、計測器50として、レーザー干渉計を用いたが、圧電（ピエゾ）素子、静電容量センサ、渦電流センサなどを用いても構わない。
【００４４】
［第５実施形態］
次に、図１５及び図１６を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施形態を説明する。図１５は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
【００４５】
ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップＳ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。ステップＳ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。ステップＳ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップＳ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程である。この工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップＳ６（検査）では、ステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップＳ７）される。
【００４６】
図１６は、ステップ４のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップＳ１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ１２（ＣＶＤ）では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１３（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１４（イオン打ち込み）では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップＳ１５（レジスト処理）では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップＳ１６（露光）では、露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに露光する。ステップＳ１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステップＳ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップＳ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００４７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】装置概略図である。
【図２】光学要素の制御機構である。
【図３】光学要素の制御ブロック線図である。
【図４】光学要素のズレを表す図である。
【図５】基準となる光学要素のズレを表す図である。
【図６】鏡筒の変形による光学要素のズレを表す図である。
【図７】鏡筒の変形をフィードバックした光学要素の制御ブロック線図である。
【図８】鏡筒のＺ方向の変形を計測するためのＺ計測器の概略図である。
【図９】鏡筒のＺ方向の変形を計測するためのＺ計測器の配置図である。
【図１０】鏡筒のＸＹ方向の変形を計測するためのＸ計測器、Ｙ計測器の概略図である。
【図１１】原版ステージ近傍の鏡筒の変形を計測するための計測器の概略図である。
【図１２】鏡筒の変形をフィードバックした原版ステージの制御ブロック線図である。
【図１３】基板ステージ近傍の鏡筒の変形を計測するための計測器の概略図である。
【図１４】鏡筒の変形をフィードバックした基板ステージの制御ブロック線図である。
【図１５】露光装置を使用したデバイスの製造を説明するためのフローチャートである。
【図１６】図１５に示すフローチャートのステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００４９】
10 光学要素
20 計測器（第１、第２計測器）
30 保持機構
40 微動機構
50 計測器（第３計測器）
51 計測ミラー（第１の要素に対応する計測ミラー）
52 計測ミラー（第２の要素に対応する計測ミラー）
53 偏向ビームスプリッタ
54 反射ミラー
55 プリズム
56 反射ミラー
100 制御器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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