(57)【要約】【課題】 プラズマ処理装置において、電子密度を高くしてプラズマ生成効率を向上する。【解決手段】 対向する一対の平板電極３、１７間にガスを供給し、一対の平板電極の少なくとも一方の平板電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させて基板４にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、前記高周波電力が印加されるひとつながりの平板電極１７に複数の突起５０を設け、前記複数の突起５０に前記ガスを供給するガス供給孔４０を設けた。【選択図】 図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の平板電極間にガスを供給し、一対の平板電極の少なくとも一方の平板電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させて基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
前記高周波電力が印加されるひとつながりの平板電極に複数の突起を設け、
前記複数の突起に前記ガスを供給するガス供給孔を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
対向する一対の平板電極間にガスを供給し、一対の平板電極の少なくとも一方の平板電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させて基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
前記高周波電力が印加されるひとつながりの平板電極に複数の突起を設け、
前記平板電極の突起間の平板部にガス供給孔を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程に用いるプラズマ処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理装置は、エッチングや薄膜堆積など、プラズマ固有の性質を生かした加工技術の実現により、今や産業界に不可欠な半導体基盤技術としてその重要度が増している。
中でも種々の基板上に電子材料の層を堆積するプラズマ促進化学気相堆積法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition：ＰＥＣＶＤ）を用いたプラズマ処理装置は、半導
体デバイスの製造に広く用いられている。
【０００３】
ＰＥＣＶＤを用いたプラズマ処理装置としては、ホローカソード現象を利用して高密度プラズマを得るとともに、メンテナンスサイクルを延ばし、電極のフッ化減少を改善したものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
特許文献１のプラズマ処理装置は、図１６に示すように、平行平板電極構造をしてお
り、気密な処理室１に基板４を収容し、処理室１内に設けられている一対の平板電極２、３間に成膜ガスを供給しながら高周波電力を印加してプラズマを発生させ、成膜ガス中の
ガス分子を分解して化学反応を起こし、基板表面上に薄膜を形成するものである。
成膜ガスは、カソード電極２に接続されたガス導入口１５を通って供給され、カソード電極２に設けた分散板１２、ガス導入孔５を経由してカソード電極２とアノード電極３間へと導入される。アノード電極３と対向するカソード電極２の平板部４５に、電極面積を拡大するための凹部７０を複数設けてある。この凹部７０にはガス供給口は設けずに、凹部７０を設けずに残ったアノード電極３の平板部分にガス供給孔５を設けてある。ガス導入口１５から先に非成膜ガスを導入し、後から成膜ガスを導入する。これにより非成膜ガスを凹部に入り込ませ、後から導入される成膜ガスが凹部７０に入らないようにしている。
電極２、３間へ導入された成膜ガスに、結合コンデンサ１９、ガス導入口１５、アノードサセプタ１３を経由したＲＦ高周波電源９の高周波電力を電極３に印加してプラズマを発生させ、基板４上に所定の成膜を行う。なお、上ヒータ１０と下ヒータ１１は、基板４を一定の温度に均一に加熱するために設けられている。
【０００５】
このように特許文献１のプラズマ処理装置によれば、電極に複数の凹部を設けたので、非成膜ガスが凹部７０内に滞留することになって、凹部７０内に成膜ガスによる累積形成膜が形成されにくくなり、メンテナンスサイクルの長期化を可能としている。また、非成膜ガスが滞留した凹部７０からホローカソード現象により高密度エネルギーが出て、凹部７０以外の平板部分に設けたガス供給孔５から導入される成膜ガスを有効に電離するので、凹部７０を形成していないものに比べて、必要とする高周波電力を低減でき、電極２、３間に加わる直流電圧が大幅に小さくなり、電極シース電位勾配を緩やかにすることができる。その結果、高周波電力を印加する側の電極２でのスパッタリング現象等が抑制され、電極２へのフッ化物の生成を低減している。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１３５６２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した特許文献１によれば、一対の平板電極のうち高周波電力を印加する側の平板電
極に複数の凹部を設けて電極面積を増加したので、凹部を設けないものに比べて、フッ化物の生成の低減とともに、低い高周波電力で成膜ガスを有効に電離できるので、プラズマ生成効率は改善されている。しかしながら、この場合でも、ガス供給孔が電極の平板部分に設けられているので、高周波電力によって形成される電極間の電界を、この平板部分に設けられているガス供給孔から導入されるガス分子に、より有効に作用するようには企図されていないため、プラズマ生成効率に改善の余地がある。
【０００８】
そこで本発明の目的は、ガス供給孔から導入されるガス分子に、より有効に電界を作用するようして、プラズマ生成効率を向上させることを可能としたプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するために、本発明は、対向する一対の平板電極間にガスを供給し、一対の平板電極の少なくとも一方の平板電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させて基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、前記高周波電力が印加される平板電極に複数の突起を設け、前記複数の突起に前記ガスを供給するガス供給孔を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置である。
【００１０】
このように構成することにより、突起を設けた平板電極の周囲に存在する電子が加速され、突起に設けられたガス供給孔を通って平板電極間に供給されたガスの分子と衝突する。このガス分子は衝突によって正イオンと電子に分れ、分子に衝突した電子、及び分子から電離した電子は、さらに別のガス分子と衝突する。これが連鎖的に繰り返されることによってガス分子の電離が促進され、プラズマが生成する。平板電極に設けた突起には電界の勾配が形成され、突起先端に向かって電界が高くなるので、その周辺の電子は加速されやすく、連鎖的な衝突及びガス分子の電離が激しく繰り返されて電子密度が高くなり、プラズマ生成効率が向上する。
【００１１】
また、突起を設けた平板電極では、平板電極間に突出した突起先端で最もホロー放電が生じやすく、突起先端で生じたホロー放電による効果は突起側面を伝わり電極表面に達する。電極表面は突起によって分断されることなく全体がひとつながりであるため、突起先端から生じたホロー放電による効果は電極全体に広がる。
【００１２】
前記突起が設けられた平板電極の突起間の平板部にも、前記ガス供給孔を設けることが好ましい。これにより、平板電極の突起間の平板部に設けたガス供給口から突起間にガスが供給されると、平板電極の突起間に生じるホローカソード現象が促進し、より電子密度を高くすることができる。また、平板電極の突起間の平板部にガスが流れると、突起間の平板部に滞留するパーティクルが、このガスにより突起間から押し出されるので、滞留したパーティクルを有効に除去できる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、突起のガス供給孔を通るガスの分子は電界により加速されるため、他のガス分子と衝突して、この衝突のエネルギーによって分子はイオンと電子に分かれ、さらに軽量の電子等は別の分子と衝突し、このような衝突が連鎖的に繰り返されるので、電子密度を大きくすることができ、プラズマ生成効率を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
まず、図１を用いて、ＰＥＣＶＤを用いて成膜処理を行うプラズマ処理装置の全体構成を説明する。
図１に示すように、プラズマ処理装置の処理室１は、インナケース１８とアウタケース
３１とからなる減圧可能な二槽構造となっている。密閉されたアウタケース３１の内部にインナケース１８が設けられる。インナケース１８はアウタケース３１の天井に取り付けられて上部が閉じ底部が開口したケース本体と、底部開口を塞ぐケース外蓋としてのアノードサセプタ１３とから構成される。
【００１５】
処理室１内には一対の平行平板電極が設けられる。一方はアノード電極３、他方はカソード電極１７を構成する。一方のアノード電極３は、アノードサセプタ１３上に支持される。アノード電極３上に基板４が載置され、基板４の外周には絶縁リング１６が設けられる。アノード電極３は、アノード電極３を支持するアノードサセプタ１３を通して接地される。
【００１６】
他方のカソード電極１７は、上部全面をインナケース１８のケース本体内に設けられた絶縁ケース８で覆われる。カソード電極１７の下部外周は絶縁リング２０により支持されることで、接地されている処理室１のインナケース１８及びアウタケース３１とは絶縁されている。
【００１７】
カソード電極１７は、ガス供給ヘッド３５の一部を構成する。すなわち、ガス供給ヘッド３５は、絶縁ケース８から引き出されて成膜ガスを処理室１内に導入するガス導入口１５と、ガス導入口１５から導入されたガスを分散する分散板１２と、高周波電力を印加されるカソード電極１７とから構成される。このカソード電極１７は、ガス導入口１５から分散板１２を介して導入される成膜ガスを一対の電極３、１７間に供給する複数のガス供給孔４０を有する。
【００１８】
ＲＦ高周波電源９はマッチングボックス３７及び結合コンデンサ１９を介してガス導入口１５からカソード電極１７に接続される。アノード電極３を支持するアノードサセプタ１３の接地は、インナケース１８及びアウタケース３１を介してなされる。
【００１９】
成膜ガスは、ガス導入口１５を通って処理室１内へ供給され、カソード電極１７に設けた分散板１２、ガス供給孔４０を経由して電極３、１７間へと導かれる。カソード電極１７に設けられた上ヒータ１０と、アノード電極３に設けられた下ヒータ１１は、基板４を一定の温度に均一に加熱するために設けられている。
【００２０】
基板４を載置するアノードサセプタ１３は昇降移動するようになっている。アノードサセプタ１３は、上昇時、インナケース１８の下部開口を閉じて内槽を形成し、その内槽内に基板４を閉じ込める。下降時、内槽を開いて、基板４を外槽となるアウタケース３１へ取り出す。
【００２１】
成膜時は、アノードサセプタ１３を上昇して内槽を形成する。カソード電極１７とアノード電極３間に導入された成膜ガスに、ＲＦ高周波電源９の高周波電力を印加してプラズマを発生させ、基板４上に所定の成膜を行う。プラズマにより処理された成膜ガスの残留ガスは、処理室１に連通する排気管７を通り、図示しない排気処理系へと処理される。なお、図中、ガス供給系、基板搬送系、排気処理系は省略してある。
【００２２】
図２〜図４は、上述したプラズマ処理装置の構成を機能ごとに捉らえてユニット化して示した説明図である。図２はプラズマ処理装置の基本構成図である。図３は一対の平板電極を構成する高周波プラズマ生成電極の構成図である。図４は高周波プラズマ生成電極を構成するカソード電極を含むガス供給ヘッドの構成図である。
これらの図では、ガス供給ヘッド３５は、ガス導入口１５と、ガス導入口に連通した中空のヘッド本体と、ヘッド本体の底部を構成するカソード電極１７とから主に構成される。ガス導入口１５は３本設けられ、３本のうちの１本には成膜ガスを流し、残りの２本に
はプラズマ生成用ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスを流すように構成される。成膜ガスを流す１本のガス導入口１５には、ＲＦ高周波電源９をマッチングボックス３７及び結合コンデンサ１９を介して接続し高周波電力を印加する。アノード電極３は接地する。
また、カソード電極１７は、アノード電極３と対向する平板部４５と、その平板部４５に電界勾配を形成するための複数の突起５０と、各突起５０に設けられた第１の供給孔となるガス供給孔４０とから構成される。平板部４５と突起５０とは個別に形成しても一体に形成してもよい。この場合、突起５０の一部を平板部４５に設けた孔に圧入することにより一体化してもよい。
【００２３】
また、カソード電極１７の突起５０の間の平板部４５には、第２の供給孔となるガス供給孔４１を設けることが好ましい。この平板部４５のガス供給孔４１の径は、突起５０のガス供給孔４１の径との関係で決められる。例えば、第１のガス供給孔４１の直径を０．８ｍｍとすれば、その倍の直径１．６ｍｍがよい。
このガス供給孔４１は、例えば、カソード電極１７の平板部４５に多数の貫通孔を設け、これら貫通孔の一部に突起５０を設けて、残りの貫通孔をガス供給孔４１として利用するようにしてもよい。
なお、ガス導入口１５とアノード電極３とをつなぐ中空のヘッド本体は、内部の分散板１２の記載を省略してある。
【００２４】
カソード電極１７の平板部４５に設ける複数の突起５０は、平板部４５のほぼ全面に配置するが、例えば、図５〜図７に示すように配置するとよい。図５では碁盤の目状に配置して隣り合う４つの突起を直線で結ぶと四角形状になるようにしている。図６は碁盤の目をずらして隣り合う４つの突起を直線で結ぶと菱形となるようにしている。図７ではさらにずらしてランダム状に配置している。
突起５０の形状は、電界勾配を付けることができるように形成し、例えばアノード電極３に向って突出する形状に形成される。具体的には、図９〜図１２に例示するような形状とするとよい。図９には先端部が半球形をした円柱状のもの、図１０は先端部が円錐形をした円柱状のもの、図１１は円錐状のもの、図１２は断面半楕円状のものがそれぞれ示されている。なおこの他に、先端部が三角錐状、四角錐状、多角錐状をしていてもよい。
これらに示された突起５０は、カソード電極１７の平板部４５（例えば貫通孔）に装着される円柱状の装着部５１と、その装着部５１に同軸に一体的に設けられ、装着部５１との境目（基端部）５２が装着部５１及び平板部４５の貫通孔より径が大きく形成されて平板部４５から突出する突出部５３とから形成されている。この突起５０の軸にその軸方向に沿ってガス供給孔４０が設けられている。
【００２５】
装着部５１の直径は、平板部４５の貫通孔の径と同じか若干小さな径に形成される。また、突起５０が圧入により装着される場合には、装着部５１の直径は、平板部４５の貫通孔の径より若干大きな径に形成される。また、装着部５１の軸方向の長さは、平板部４５の厚さにもよるが、好ましくは平板部４５の厚さと同じにすることがよい。
【００２６】
突起５０の平板部４５への装着は、例えば、平板部４５に貫通孔を設け、この貫通孔に突起５０の装着部５１を圧入して行ってもよいし、平板部４５の貫通孔に突起５０の装着部５１を挿入した後、溶接等により固着して行ってもよい。また、装着部５１の外周にねじ山を設け、このねじ山に螺合するねじ溝を平板部４５の貫通孔を形成する壁に設けて、ねじ止めによって行うようにしてもよい。
【００２７】
このように、カソード電極１７のアノード電極３と対向する側の面に、突起先端にいくほど電界強度が高くなる電界勾配を形成するための突起５０を複数配置し、この突起５０内に設けたガス供給孔４０を通過するガス分子が、電界勾配によって加速されるようにする。
【００２８】
このことを、図１４を用いて説明する。この図１４は、カソード電極１７に高周波電力が印加されていると共に、突起５０内に設けた第１の供給孔であるガス供給孔４０から成膜ガスが供給されている状態を示すものである。
まず、カソード電極１７に高周波電力が印加されると、アノード電極３に向って突出する突起５０は、先端にいくにつれて電界が高くなる。図１４では、電界が高くなる様子を分かり易いようにドットの濃淡で表示した。このように電界が突起５０の先端にいくにつれて高くなると、突起５０の周囲に存在する電子ｅ-は加速されることになる。
【００２９】
カソード電極１７の平板部４５に設けた突起５０の周囲に存在する電子ｅ-が加速され
ると、この加速された電子ｅ-は、突起５０に設けられたガス供給孔４０を通って電極３
、１７間の空間に供給された成膜ガスの分子Ａと衝突する（図１４（ａ））。このガス分子Ａは衝突によってＡ+イオンと電子ｅ-に分れ、ガス分子Ａに衝突した電子ｅ-及びガス
分子Ａから電離した電子ｅ-は、軽量であるためさらに別のガス分子と衝突する（図１４
（ｂ））。これが連鎖的に繰り返されることによってガス分子の電離が促進され、プラズマが生成する。平板部４５に設けた突起５０には電界の勾配が形成され、突起先端で電界が高くなるので、その周辺の電子ｅ-は特に高速に加速されやすく、連鎖的な衝突及びガ
ス分子Ａの電離が激しく繰り返されて電子密度が特に高くなり、プラズマ生成効率が向上する。
【００３０】
なお、衝突により分かれたＡ+イオンが衝突の勢いで別の分子に衝突することもあるが
、Ａ+イオンより電子ｅ-のほうがはるかに軽量であるので、圧倒的に電子による衝突が多いと考えられる。
また、衝突の激しさは、ガスの圧力や高周波電源の出力などによって変わるが、基本的な衝突の原理は図１４を用いて説明したものと同じであると考えられる。
【００３１】
なお、従来例で説明した図１６のカソード電極２も、平板部に凹部を設けることで、カソード電極２に相対的に凸部が形成されることになる。しかし、この従来例の凸部と実施の形態の突起５０とは基本的に構成が異なる。従来例のものでは、平板部に設けた凹部７０は互いに独立して存在しているが、この凹部７０を設けることなく取り残された平板部分は、凹部７０からみて相対的に凸部になっているとしても、この凸部は独立して存在しているわけではなく、面一のものとして互いにつながっている。これに対して実施の形態の突起５０は、平板部４５から突出させているので、独立した存在であり、つながっていない。また、従来例のものでは、相対的に凸部となっている平板部分にガス供給孔５を設けているため、このガス供給孔５に沿って電界の勾配が生じない。これに対して、実施の形態のものでは平板部４５から突出した突起にガス供給孔５０を設けているので、電界勾配が生じ、先端にいくにしたがって電界集中を起こすことができる。
したがって、従来例のものでは、ガス分子はこれを加速するように電界の影響をガス供給孔５０内で受けないので、ガス供給孔５から出るガスの分子が凸部によっては加速されることはなく、したがって電子密度は高めることができない。
【００３２】
したがって、実施の形態のように、電界勾配を形成するための突起５０を設け、この突起５０からガスを供給することにより、ガスの分子及び電子による衝突が増えるので、電子密度が高くなり、その結果、プラズマ生成効率を向上でき、必要とする高周波電力をより低減できる。
【００３３】
また、突起５０を設けると、ホローカソード現象によるプラズマ密度を増加できる。ホローカソード現象を生かした電極構造として、既に図１７の（ａ）のような平板電極２の電極表面に多数の凹部（くぼみ）７０を設けたものが知られている。しかし、ホロー放電は空間に突出した部分ほど生じやすいので、この凹部構造では凹部７０の周縁部で最もホ
ロー放電が起こりやすく、しかも周縁部は分断されることなく全体がひとつながりであるため、放電による効果は矢印で示すように周縁部全体に広がってしまい、凹部７０の内側には伝播しにくい（ホローカソード現象によるプラズマ密度の増加は、凹部が１つだけの場合が最も効果的である）。一方、実施の形態による平板電極１７では、空間に突出した突起５０の先端で最もホロー放電が生じやすく、図１７（ｂ）に示すように、突起先端で生じたホロー放電による効果は突起５０側面を伝わり平板電極１７の電極表面に達する。電極表面は突起５０によって分断されることなく、全体がひとつながりであるため、突起先端から生じた放電による効果は矢印で示すように平板電極全体に広がる。
【００３４】
また、カソード電極１７の突起５０の間の平板部４５にガス供給孔４１を設けると、このガス供給孔４１から供給されたガスによって突起５０の間にガスの分子が滞留することなく、突起５０の間以外の平板電極３、１７間に押し出される。これにより、突起５０の間にガスの分子が滞留する場合に比して突起５０の間以外の平板電極３、１７間にガスの分子が多く存在するので、前記の衝突が起こりやすくなり、より電子密度を高くすることができる。また、カソード電極１７の突起５０の間の平板部４５にガス供給孔４１を設けて、このガス供給孔４１から突起５０間に直接ガスを流すことにより、エネルギーの拡散を強めてホローカソード現象を促進することができ、より一層電子密度を高くすることができる。
【００３５】
また、カソード電極１７の突起５０の間の平板部４５にガス供給孔４１を設けると、突起５０の間の平板部４５の表面上にパーティクルがたまりやすいが、ガス供給孔４１からのガスの供給により、そのパーティクルを除去することができるので、パーティクルの集積も防ぐことが可能となる。
【実施例】
【００３６】
凹凸電極であって凹凸部両方に孔を設けた突起付のカソード電極１７を用いて電子密度の圧力依存性を調べた。
図１に示す構成のプラズマ処理装置を用い、処理室１内圧力を１００〜１０００ｍＴｏｒｒに維持して、カソード電極１７のガス供給孔４０、４１からアルゴンを流しつつ（凹凸部両方の孔からガス供給し）、２０ｍｍ離間して配設された一対の直径１６５ｍｍの電極１７、３間に周波数１３．５６ＭＨｚ、出力２０Ｗの高周波電力を印加し、一対の電極１７、３間の電子密度を調べた。電子密度は、Ｍｏ製シングルプローブをプラズマの中心位置に挿入して測定し、その結果を図１５に示した。
上記突起付カソード電極としては図８に示すものを用いた。このカソード電極１７は碁盤目状に配置され、その突起５０の個数は３７３個である。平板部４５のガス供給孔４１は、突起５０を避けるように、碁盤目状に配置され、その個数は３５２個であり、その直径は１．６ｍｍである。
突起５０としては図１３に示す形状の、ガス供給孔直径：０．８、突起傾斜広がり角度：４０°、装着部直径：２．２ｍｍ、長さ：２．５ｍｍ、突出部長さ：６．３ｍｍ、基端部直径：６ｍｍのものを用いた。突起５０のカソード電極への取付けは、装着部５１の外周にねじ山５６を設け、このねじ山５６に螺合するねじ溝を平板部４５の貫通孔を形成する壁に設けて、ねじ止めによって行った。
また、比較のために上記突起付カソード電極と同一の電極を用いるが、どちらのガス供給孔からもガスを供給せずに、代りに一対の電極間にアルゴンを供給する場合（凹凸部どちらの孔からもガス供給なし）と、カソード電極として平板円盤状の平行平板電極を用いた場合（平行平板電極）とについても前記と同様にして電子密度を調べた。
【００３７】
図１５に示した結果から、実施の形態の突起付カソード電極１７を用いた（凹凸部両方の孔からガス供給）場合は、圧力１００、２００、４００、６００、８００、１０００ｍＴｏｒｒのいずれにおいても、凹凸のない平行平板電極の場合の２〜４倍ぐらいの電子密
度の値となった。また、突起付カソード電極を用いても凹凸部どちらの孔からもガス供給なしの場合は、平行平板電極の場合の１．５〜２倍ぐらいの電子密度の値となった。
【００３８】
したがって、実施の形態の突起付カソード電極１７を用いて両方の孔からガスを供給することにより、電子密度を大きくすることができ、プラズマ生成効率を向上させることができる。
また、例えば、平行平板電極の場合の１．５倍の電子密度を得たいのであれば、実施の形態のカソード電極１７のガス供給孔４０，４１の半分を閉塞させるとか、またはガスの流量と排気速度を下げるとかすることにより簡単に対応できることになる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】実施形態によるプラズマ処理装置の全体構成図である。
【図２】実施形態によるプラズマ処理装置の基本構成図である。
【図３】実施形態による高周波プラズマ生成電極の構成図である。
【図４】実施形態によるカソード電極を含むガス供給ヘッドの構成図である。
【図５】実施形態によるカソード電極の平板部を示す平面図である。
【図６】実施形態によるカソード電極の平板部を示す平面図である。
【図７】実施形態によるカソード電極の平板部を示す平面図である。
【図８】具体的なカソード電極の平板部を示す平面図である。
【図９】実施形態による突起の断面図である。
【図１０】実施形態による突起の断面図である。
【図１１】実施形態による突起の断面図である。
【図１２】実施形態による突起の断面図である。
【図１３】具体的な突起の断面図である。
【図１４】実施形態による突起のガス供給孔からの分子による衝突を説明する概念図である。
【図１５】実施の形態のカソード電極を含む３種類のカソード電極を用いたプラズマ処理装置における電子密度の圧力依存性を示す比較図である。
【図１６】従来例によるプラズマ処理装置の全体構成図である。
【図１７】従来例と実施の形態とのホロー放電効果を比較した説明図であり、（ａ）は従来例、（ｂ）は実施の形態である。
【符号の説明】
【００４０】
１   処理室
３   アノード電極
４   基板
７   排気管
９   ＲＦ高周波電源
１５ ガス導入口
１７ カソード電極
４０ ガス供給孔
４１ ガス供給孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2008211243.tif 000008
【図７】
2008211243.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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