(57)【要約】【課題】基板載置面に載置する基板の脱着応答性を向上させると共に、抵抗発熱体のニオブ成分が支持部材中に拡散することを抑制するヒータ付き静電チャックを提供する。【解決手段】アルミナを含む焼結体からなる基体３と、該基体３中の上部側に設けられた電極５と、基体３中の下部側に埋設された抵抗発熱体７とを備え、前記基体３は、電極５から基体上面９までの誘電体層１１と、電極５から基体下面２３までの支持部材１３とから構成されたヒータ付き静電チャック１である。前記誘電体層１１中の炭素含有量が１００ｐｐｍ以下、前記支持部材１３中の炭素含有量が０．０３〜０．２５ｗｔ％であり、前記抵抗発熱体７はコイル状に形成され、かつ、主成分がニオブである。【選択図】図２
2008047881.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミナを含む焼結体からなる基体と、該基体中の上部側に設けられた電極と、基体中の下部側に埋設された抵抗発熱体とを備え、前記基体は、電極から基体上面までの誘電体層と、電極から基体下面までの支持部材とから構成され、
前記誘電体層中の炭素含有量が１００ｐｐｍ以下、前記支持部材中の炭素含有量が０．０３〜０．２５ｗｔ％であり、
前記抵抗発熱体はコイル状に形成され、かつ、主成分がニオブであることを特徴とするヒータ付き静電チャック。
【請求項２】
前記電極は、主成分がタングステンカーバイドであり、かつ、５ｖｏｌ％以上２０ｖｏｌ％以下のアルミナを含むことを特徴とする請求項１に記載のヒータ付き静電チャック。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、クーロンタイプのヒータ付き静電チャックに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体などを製造する際に、クーロンタイプのヒータ付き静電チャックが用いられている。このヒータ付き静電チャックには、セラミックからなる基体が設けられており、該基体の内部に電極及び抵抗発熱体が設けられている。基体の上面は、ウエハ等の基板が載置される基板載置面に形成されている。前記基体における電極から基板載置面までの部分は、誘電体層に形成されており、電極から基体の下面までの部分は支持部材に形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−１２０５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、前記従来のヒータ付き静電チャックにおいては、誘電体層の体積抵抗率が小さいため、基板載置面に載置された基板の脱着応答性が低下するおそれがあった。基板の脱着応答性が低下すると、基板が静電チャックから離れるまでの時間が長くなるため、基板の処理時間が長くなり、単位時間あたりの基板の処理能力が低下する。
【０００４】
また、前記抵抗発熱体の主成分がニオブ（Ｎｂ）であるため、抵抗発熱体が設けられた支持部材中にニオブ成分が拡散するおそれがあった。このニオブ成分が拡散することにより、抵抗発熱体全体の抵抗値が大きくなり、拡散部分の発熱密度が所望の設計値と異なってしまう。また、基体の各部位で拡散度合いがばらつくため、基板戴置面の温度分布が大きくなり、結果として基板の均熱性が低下するという不具合が生じるおそれがあった。基板の均熱性が低下すると、半導体製造プロセスにおいて均一なエッチングや膜形成が得られにくくなる。その結果、製造されるデバイスの歩留まりが悪化するおそれがある。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、基板載置面に載置する基板の脱着応答性を向上させるために誘電体層の体積抵抗率を高くすると共に、抵抗発熱体中の主成分であるニオブが支持部材中に拡散することを抑制するヒータ付き静電チャックを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するために、本発明に係るヒータ付き静電チャックは、アルミナを含む焼結体からなる基体と、該基体中の上部側に設けられた電極と、基体中の下部側に埋設された抵抗発熱体とを備え、前記基体は、電極から基体上面までの誘電体層と、電極から基体下面までの支持部材とから構成され、前記誘電体層中の炭素含有量が１００ｐｐｍ以下、前記支持部材中の炭素含有量が０．０３〜０．２５ｗｔ％であり、前記抵抗発熱体はコイル状に形成され、かつ、主成分がニオブである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係るヒータ付き静電チャックは、以下の効果を有する。
【０００８】
１）支持部材中の炭素含有量が０．０３〜０．２５ｗｔ％であるため、抵抗発熱体中の主成分であるニオブの拡散を防止することができる。このニオブ成分の拡散防止により、抵抗発熱体が規定の抵抗を有することになるため、所望の設計値通りの発熱密度を発現するという効果が得られる。さらに、支持部材中のアルミナ焼結体が灰黒色から黒色に着色し、抵抗発熱体からの熱を効率良く放射し、加熱効率を改善する効果が得られる。そのため、加熱される基板の均熱性を良好にするという効果が得られる。
【０００９】
２）抵抗発熱体はコイル状に形成されて支持部材中に埋設されているため、スクリーン印刷等の薄膜からなる抵抗発熱体に比較して、支持部材における抵抗発熱体の上側部分と下側部分とが確実に結合する。また、抵抗発熱体はコイル状に形成されて三次元状に熱を発散するため、スクリーン印刷等の薄膜からなる抵抗発熱体と比較して、熱を基板載置面まで効率的に伝達することができる。
【００１０】
３）誘電体層は、炭素含有量が１００ｐｐｍ以下と小さいため、体積抵抗率が高くなる。従って、クーロンタイプの静電チャックとして採用する場合に、基板載置面に載置された基板の脱着応答性を向上させることができる。
【００１１】
４）抵抗発熱体の主成分はニオブであるため、アルミナを含む基体と前記抵抗発熱体との熱膨張係数差が小さくなる。従って、抵抗発熱体が加熱された場合に、抵抗発熱体の周囲の部分と抵抗発熱体との間に生じる熱歪みを大幅に低減させることができる。このため、繰り返し熱サイクルに対し、長寿命で破損しにくく、長期的信頼性が高いヒータ付き静電チャックを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１３】
［静電チャック］
図１は本発明の実施形態によるヒータ付き静電チャックを示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線による断面図である。
【００１４】
本発明の実施形態によるヒータ付き静電チャック１は、図１，２に示すように、アルミナを含む焼結体からなる基体３と、該基体３中の上部側に埋設された電極５と、基体３の下部側に埋設された抵抗発熱体７とを備えている。
【００１５】
［基体］
前記基体３は、図１及び図２に示すように円盤状に形成されており、基体３の上面（表面）は、ウエハ等の基板が載置される基板載置面９に形成されている。また、基体３中の電極５から上側、即ち、電極５から基板載置面９までの部分は誘電体層１１に形成されている。また、電極５から下側、即ち、電極５から基体３の下面（裏面）までの部分は支持部材１３に形成されている。
【００１６】
前記誘電体層１１中の炭素含有量は、１００ｐｐｍ以下と小さいため、誘電体層１１の体積抵抗率が高くなる。従って、本実施形態のヒータ付き静電チャック１をクーロンタイプとして採用する場合に、基板載置面９に載置された基板の脱着応答性を向上させることができる。
【００１７】
［電極］
図１，２に示すように、基体３の上部側には、基体３よりも径の小さい円板状の電極５が埋設されている。この電極５は、主成分がタングステンカーバイドであり、かつ、５vol％以上２０vol％以下のアルミナを含んでいる。ここで、電極５中におけるタングステンカーバイドの含有量は、７０ｖｏｌ％〜９５ｖｏｌ％が好ましい。
【００１８】
また、図２に示すように、基体３の径方向中心部に、基体３の下面から上方に向けて延びる収容孔１５が形成されており、該収容孔１５内に電極用給電部材２１が配設されている。この電極用給電部材２１の上端は、接続部材１９を介して電極５に接続されている。電極用給電部材２１から接続部材１９を介して電極５に電力が供給されると、基体３の誘電体層１１に静電吸着力（クーロン力）が発生して基体３の基板載置面９に基板が吸着される。
【００１９】
電極５は、アルミナ及びタングステンカーバイドの金属粉末を含む印刷ペーストを、メッシュ状、櫛形状、円形状等に印刷したものを用いることができる。なお、電極５は、金網やパンチングメタルを用いても良い。
【００２０】
前記電極５は、主成分がタングステンカーバイドであり、５vol％以上２０vol％以下のアルミナを含んでいるため、アルミナ部分が三次元的に連結してタングステン層を網状に貫通し、支持部材１３及び誘電体層１１のアルミナと結合する。従って、タングステンカーバイドのみで電極を作成した場合に比べて、電極５と支持部材１３、及び、電極５と誘電体層１１の接合強度が向上する。タングステンカーバイドはアルミナと反応しないが、熱膨張係数がアルミナに比べて小さい。このため、タングステンカーバイドのみから形成される電極は、接合強度が低く、熱サイクルによって劣化するおそれがある。しかし、基体３中にアルミナを混合することにより電極５の熱膨張係数をアルミナに近づけ、長期信頼性を高めることができる。
【００２１】
［抵抗発熱体］
抵抗発熱体７は、コイル状に形成されており、ニオブを主成分としている。ここで、抵抗発熱体７中におけるニオブの含有量は、９５ｗｔ％以上が好ましい。なお、抵抗発熱体７中には、ニオブ以外の金属成分、例えば白金（Ｐｔ）が含まれていても良い。
【００２２】
また、図２に示すように、抵抗発熱体７は、支持部材１３中に埋設されており、電極５よりも下側に配置されている。そして、基体３の下面２３から上方に向けて延びる収容孔１７が形成されており、該収容孔１７内に抵抗発熱体用給電部材２５が配設されている。この抵抗発熱体用給電部材２５の上端は、接続部材２７を介して抵抗発熱体７に接続されている。抵抗発熱体用給電部材２５から接続部材２７を介して抵抗発熱体７に電力が供給されると、抵抗発熱体７が加熱し、基板載置面９に載置された基板に熱を供給するように構成されている。
【００２３】
本実施形態による抵抗発熱体７は、コイル状に形成されて支持部材１３中に埋設されている。このため、スクリーン印刷等の薄膜からなる抵抗発熱体と比較すると、支持部材１３における抵抗発熱体７の上側部分２９と下側部分３１とを強固に結合することができる。
【００２４】
抵抗発熱体７がコイル状に形成されて三次元的に熱を放出するため、スクリーン印刷等の薄膜に比較して、熱を基板載置面９に効率的に熱を伝達することができる。抵抗発熱体７は白金又はニオブを含むため、アルミナを含む基体３との熱膨張係数の差違が低減する。
【００２５】
支持部材１３中の炭素含有量が０．０３〜０．２５ｗｔ％と高い。従って、この炭素がニオブ成分と反応し、抵抗発熱体の表面に極めて薄い炭化相と酸化相とを形成する。この炭化相及び酸化相中のニオブの拡散速度はきわめて遅く、かつ、炭化相はアルミナと反応しにくい。このように炭化相と酸化相がバリアー膜となるため、抵抗発熱体７中のニオブ成分が支持部材１３中に拡散することを抑制することができる。
【００２６】
［ヒータ付き静電チャックの製造方法］
本実施形態によるヒータ付き静電チャックを製造する手順を説明する。静電チャック１は、図２を上下逆にした位置関係で製造される。即ち、誘電体層１１を作製し、この誘電体層１１の上から電極５を形成し、該電極５の上から支持部材１３を形成する。
【００２７】
〈誘電体層の作製〉
まず、基体３の誘電体層１１を作製する。この誘電体層１１は、前述したように、炭素含有量が１００ｐｐｍ以下に設定される。
【００２８】
セラミックス原料粉として、高い純度（例えば９９．７％）のアルミナ粉末と焼結助剤であるＭｇＯ原料粉とを使用する。このセラミックス原料粉にバインダであるポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、水、及び分散剤などを添加し、トロンメルで所定時間（例えば、１６時間）混合し、スラリーを作製する。ここで、ＰＶＡの混合量は例えば２ｗｔ％が好ましい。得られたスラリーをスプレードライヤを用いて噴霧乾燥し、造粒粉を得た後、仮焼する。仮焼は、空気中等の酸化性雰囲気中で、例えば、５００℃で５時間保持して行うことにより、バインダを造粒粉から除去する。このようにして仮焼アルミナ造粒粉を作製する。バインダには炭素が含有されているため、バインダの除去により、誘電体層１１の炭素含有量を低減することができる。
【００２９】
次に、前記仮焼アルミナ造粒粉を金型に充填し、所定圧力でプレス成形を行ってアルミナ成形体を作製する。続いて、このアルミナ成形体をカーボン製のサヤにセットし、ホットプレス焼成法を用いて焼成する。焼成は、所定圧力を加えた状態で、かつ窒素雰囲気中で行うことにより、アルミナ焼結体が得られる。このようにして作成された、誘電体層１１となるアルミナ焼結体の炭素含有量は１００ｐｐｍ以下である。
【００３０】
〈電極の形成〉
次に、前記アルミナ焼結体を研削加工し、所定の大きさ（例えば、Φ３４０ｍｍ、厚さ６ｍｍ）の円盤を作製する。この際、円盤の表面及び裏面のうちの一方の面を研削加工により平滑面に仕上げる。
【００３１】
そして、電極５の材料となるタングステンカーバイド粉末、５vol％以上２０vol％以下のアルミナ粉末、及びバインダを混合し、印刷ペーストを作製し、スクリーン印刷法により、アルミナ焼結体の平滑面上に電極５を形成し、乾燥させる。
【００３２】
〈支持部材の形成〉
電極５が形成されたアルミナ焼結体を金型内にセットし、電極５を覆うようにアルミナ造粒粉を充填し、所定圧力でプレス成形を行う。これにより、図２に示す支持部材１３の上側部分２９を形成する。ここでのアルミナ造粒粉はバインダを含むもので、仮焼を施していない。
【００３３】
アルミナ造粒粉は次のようにして作成しても良い。アルミナ粉末と焼結助剤であるＭｇＯ原料粉にバインダであるポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、水、及び分散剤などを添加し、トロンメルで所定時間（例えば、１６時間）混合し、スラリーを作製する。ここで、バインダとしてＰＶＡを用いる場合の混合量は０．７〜３ｗｔ％が好ましい。得られたスラリーをスプレードライヤを用いて噴霧乾燥し、アルミナ造粒粉を得る。
【００３４】
次に、コイル状の抵抗発熱体７を、支持部材１３の上側部分２９の上（即ち、図２における支持部材１３の上側部分２９の底面）に載置し、さらにその上にアルミナ造粒粉を充填し、所定圧力でプレス成形する。
【００３５】
以上により、基体３となるアルミナ成形体が作製される。
【００３６】
〈基体の焼結〉
次いで、前記アルミナ成形体をカーボン製のサヤにセットし、ホットプレス焼成法等を用いて焼結する。焼結は、所定の加圧下で、かつ窒素雰囲気で行い、高温に所定時間保持することにより行う。この後、２回の焼結工程を経たアルミナ焼結体の表面をダイヤモンド砥石にて平面研削加工を行い、アルミナ焼結体の厚みを調整することで誘電体層１１を形成する。さらに、アルミナ焼成体の側面を研削するとともに、必要な穴あけ加工、給電部材２１，２５の取付けを行うことにより、ヒータ付き静電チャックが完成する。
【００３７】
以上の作成方法によって得られた誘電体層の炭素含有量は１００ｐｐｍ以下であり、支持部材中の炭素含有量は０．０３〜０．２５ｗｔ％とすることができる。支持部材１３中の炭素含有量はアルミナ造粒粉を作成する際のバインダの混合量で制御する。なお、バインダの混合量以外に、焼結時の昇温速度、雰囲気中の酸素濃度等を適宜選択しても良い。
【００３８】
以上の方法によれば、バインダ中の炭素が焼結の際に一部残留し、支持部材１３となるアルミナ焼結体中に不純物炭素として拡散した状態となる。そのため、アルミナ焼結体が灰黒色〜黒色に着色され、抵抗発熱体７からの熱を効率良く放射し、加熱効率を改善する効果が得られる。
【００３９】
抵抗発熱体７とアルミナ焼結体中の炭素が反応し抵抗発熱体７の表面に非常に薄い炭化相と酸化相を形成する。この炭化相と酸化相は金属の拡散速度が極めて小さいので、保護層として作用し、アルミナ焼結体中へのニオブの拡散を抑制する。
【実施例】
【００４０】
次いで、本発明を実施例を用いて具体的に説明する。
【００４１】
［実施例１］
まず、実施例１として、誘電体層１１及び支持部材１３の炭素含有量を変えた基体３を複数作製し、抵抗発熱体７のニオブ成分が支持部材１３中へ拡散するか否か等を検証した。
【００４２】
具体的には、誘電体層１１中の炭素含有量が１００ｐｐｍ未満で、かつ、支持部材１３中の炭素含有量が０．０３〜０．２５ｗｔ％の静電チャック１を本発明例１〜４とし、誘電体層１１中又は支持部材１３中の炭素含有量が前記範囲を外れた静電チャック１を比較例１〜８とした。
【００４３】
まず、本発明例１の静電チャックの作製手順について説明する。
【００４４】
セラミックス原料粉として、純度が９９．７％のアルミナ粉末（粒子径：１μｍ）と焼結助剤であるＭｇＯ原料粉とを使用した。セラミックス原料粉中のＭｇＯの含有量は、０．０４ｗｔ％とした。このセラミックス原料粉に、バインダであるポリビニルアルコール（ＰＶＡ）：２ｗｔ％、水、及び分散剤を添加し、トロンメルで１６時間混合し、スラリーを作製した。
【００４５】
得られたスラリーをスプレードライヤを用いて噴霧乾燥し、その後、５００℃で５時間保持してバインダを除去して平均粒子径が約８０μｍであるアルミナ造粒粉を作製した。このアルミナ造粒粉を金型に充填し、２００ｋｇ／ｃｍ２の圧力でプレス成形を行った。
【００４６】
続いて、このアルミナ成形体をカーボン製のサヤにセットし、ホットプレス焼成法を用いて焼結した。焼結は、１００ｋｇ／ｃｍ２の加圧下で、かつ窒素加圧雰囲気（圧力：１５０ｋＰａ）で行い、３００℃／時で昇温し、１６００℃で２時間保持してアルミナ焼結体を得た。
【００４７】
次に、アルミナ焼結体を研削加工し、Φ３４０ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤を作製した。この際、円盤の表面及び裏面のうちの一方の面を研削加工により、表面粗さＲａが０．８μｍ以下の平滑面に仕上げた。
【００４８】
８０vol％のタングステンカーバイド（ＷＣ）、２０vol％のアルミナ、及びバインダであるテルピネオールを混合し、印刷ペーストを作製し、スクリーン印刷法により、前記アルミナ焼結体の平滑面上にΦ２９０ｍｍ、厚さ１０μｍの電極５を形成し、乾燥させた。
【００４９】
その後、前述した印刷電極５が形成されたアルミナ焼結体をセットし、バインダ添加量が３ｗｔ％で仮焼を施していないアルミナ造粒粉を充填し、２００ｋｇ／ｃｍ２の圧力でプレス成形を行った。
【００５０】
そして、コイル状の抵抗発熱体７を載置し、この抵抗発熱体７の上に、バインダ添加量が３ｗｔ％で仮焼を施していないアルミナ造粒粉を充填し、２００ｋｇ／ｃｍ２の圧力でプレス成形を行った。
【００５１】
続いて、このアルミナ成形体をカーボン製のサヤにセットし、ホットプレス焼成法を用いて焼結した。焼結は、１００ｋｇ／ｃｍ２の加圧下で、かつ窒素加圧雰囲気（圧力：１５０ｋＰａ）で行い、３００℃／時で昇温し、１６００℃で２時間保持した。こうして、電極５と抵抗発熱体７とを埋設したアルミナ焼結体を得た。
【００５２】
この後、２回の焼結工程を経たアルミナ焼結体の表面をダイヤモンド砥石にて平面研削加工を行い、アルミナ焼結体の厚みを調整した。さらに、アルミナ焼結体の側面を研削するとともに、必要な穴あけ加工、給電部材２１，２５の引き出しを行うことにより、本発明例１の静電チャック１を作製した。
【００５３】
なお、本発明例２〜４、及び比較例１〜８の静電チャック１は、前記本発明例１と同様の手順で作製した。ただし、誘電体層１１のバインダー添加量等については、表１及び表２に示す条件とした。
【００５４】
なお、以下の表１〜表３のＥＳＣ電極材料の欄に記載したｖｏｌ％の値は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の含有量を示す。例えば、本発明例１におけるＥＳＣ電極材料では、アルミナが２０ｖｏｌ％含まれていることを意味する。また、後述する表３の比較例１０におけるＥＳＣ電極材料は、タングステンカーバイド（ＷＣ）のみからなる。
【表１】
2008047881.tif 000003
【表２】
2008047881.tif 000004
【００５５】
以上の実施例１において、誘電体層１１の体積抵抗率は、室温及び２００℃ともに、本発明例１〜４の方が比較例１〜８よりも高くなった。すなわち、誘電体層１１中の炭素含有量を１００ｐｐｍ以下とすることにより、クーロンタイプのヒータ付き静電チャックとして最適な高い体積抵抗率を得ることができた。
【００５６】
支持部材１３の絶縁耐圧は、本発明例１〜４の方が比較例６〜８よりも高くなった。また、本発明例１〜４の方が比較例６〜８よりも均熱性が良くなった。すなわち、支持部材１３中の炭素含有量を０．２５ｗｔ％以下とすることにより、支持部材１３の体積抵抗率を実用上十分な絶縁耐圧を確保できるまで維持させるとともに、抵抗発熱体７からのリーク電流が少ないので均熱性も向上させることができた。
【００５７】
支持部材１３中における抵抗発熱体７のニオブ成分の拡散は、本発明例１〜４では全て生じなかったが、比較例４，５では発生した。また、基板載置面９における均熱性の面内バラツキ、及び抵抗発熱体７の抵抗値は、本発明例１〜４の方が比較例１〜８よりも良好となった。この均熱性のバラツキが低減した理由は、支持部材１３中における抵抗発熱体７のニオブの拡散が抑制され、設計通りの温度分布が発現したからであるからと考えられる。すなわち、支持部材１３中の炭素含有量を０．０３ｗｔ％以上とすることでヒータ付き静電チャックに吸着される基板の均熱性を著しく向上させることができた。
【００５８】
［実施例２］
次いで、電極５の材質によって電極５の密着強度が変化するか否かを検証した。具体的には、５vol％以上２０vol％以下のアルミナ、及びタングステンカーバイドを含む電極５を備えた静電チャック１を本発明例５〜７とし、この範囲外の静電チャック１を比較例９〜１０とした。
【００５９】
それぞれの静電チャック１の作製手順は、前述した本発明例１と同様の手順とした。ただし、電極５の材質等については、表３に示す条件とした。
【表３】
2008047881.tif 000005
【００６０】
表３に示すように、本発明例５，６，７の方が比較例９，１０よりも電極５の密着強度が高くなることが判明した。なお、アルミナの含有量が２２vol％以上になると、ESC電極のインピーダンスが大きくなり、好ましくなかった。ESC電極には高周波電流を印加することがあるため、インピーダンスが低い方が好ましい。
【００６１】
［測定方法］
なお、以下に、実施例１及び実施例２における各測定値の測定方法について説明する。
【００６２】
まず、アルミナ焼結体中の炭素含有量については、高周波加熱赤外線吸収法により測定した。
【００６３】
また、体積抵抗率については、ＪＩＳ  Ｃ２１４１に準じた方法により大気雰囲気（温度：２３℃）及び２００℃にて測定した。印加電圧を１０００Ｖ／ｍｍとし、電圧を印加した後の３０分経過時における電流値を読み取り、体積抵抗率を算出した。
【００６４】
せん断強度については、マイクロドロプレット法により測定した。測定装置は複合材界面特性評価装置（東栄産業社製）を使用した。作製した基体３から、電極５が径方向の中心になるようにφ９．９ｍｍ、厚さ１２ｍｍの円盤を切り出し、せん断強度の測定を行った。
【００６５】
絶縁耐圧については、ＪＩＳ  Ｃ２１４１に準じた方法により大気雰囲気（温度：２３℃）にて測定した。
【００６６】
抵抗発熱体７の周囲へのＮｂの拡散については、アルミナ焼結体中の抵抗発熱体７を含む部分を切り出して断面を研磨した後、ＥＰＭＡ（Electron Probe Micro-Analysis：Ｘ線マイクロアナライザ）にてＮｂの拡散の有無を確認した。
【００６７】
均熱性については、図３に示すように、静電チャック１を真空チャンバ３５に入れ、低圧（１Ｅ−３  Ｔｏｒｒ未満）にて制御温度を１００℃に設定した状態で、基板載置面９における温度を赤外線カメラにて測定した。
【００６８】
以下に、図３の均熱性測定装置の構造を簡単に説明する。
【００６９】
均熱性測定装置３３は、箱形の真空チャンバ３５と、該真空チャンバ３５の上方に配設された赤外線カメラ３７と、静電チャック１に接続されたコントローラ３９とを備えている。真空チャンバ３５の上壁面４１には、開口部４３が形成され、該開口部４３はサファイアガラス４５によって覆われている。前記赤外線カメラ３７は、開口部４３の上方に配設されている。真空チャンバ３５の底面には、脚部４７が設けられ、該脚部４７の上に静電チャック１が載置される。静電チャック１の抵抗発熱体用給電部材２５をコントローラ３９に接続している。
【００７０】
抵抗発熱体７の抵抗値については、電極端子間の抵抗を
Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｕｌｔｉ−ｍｅｔｅｒ（ＴＲ６８４７：アドバンテスト社製）を用いて、大気雰囲気下（温度：２３℃）にて測定した。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の実施形態によるヒータ付き静電チャックを示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線による断面図である。
【図３】実施例で用いた均熱性測定装置を側方から見た断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１…ヒータ付き静電チャック
３…基体
５…電極
７…抵抗発熱体
９…基板載置面（基体上面）
１１…誘電体層
１３…支持部材
２３…下面（基体下面）
【図１】
2008047881.tif 000006
【図２】
2008047881.tif 000007
【図３】
2008047881.tif 000008