(57)【要約】      （修正有）【課題】処理装置内への外気の流入を防止し、処理部近傍のガス雰囲気を保ち、処理部からの処理ガスの流出を防止してプロセスガス使用量を削減する雰囲気制御装置の提供。【解決手段】被処理物１は搬送機構２に搭載され、搬送機構２により処理部７ａ，７ｂ方向（矢印Ｂの方向）へ搬送される。処理部７ａ，７ｂは、ガスカーテン機構３ａ−１，３ａ−２，３ｂ−１，３ｂ−２，３ｃ−１，３ｃ−２，３ｄ−１，３ｄ−２と、排気処理機構４ａ−１，４ａ−２，４ｂ−１，４ｂ−２，４ｃ−１，４ｃ−２，４ｄ−１，４ｄ−２と、プラズマ処理部５ａ，５ｂとを備える。ガスカーテン機構３ａ−１，３ａ−２，３ｂ−１，３ｂ−２，３ｃ−１，３ｃ−２，３ｄ−１，３ｄ−２はそれぞれガス噴出ノズル１０を備え、排気処理機構４ａ−１，４ａ−２４ｂ−１，４ｂ−２，４ｃ−１，４ｃ−２，４ｄ−１，４ｄ−２は、それぞれ排気ノズル１１を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に処理ガスを導入して被処理物を処理するための処理室の雰囲気を制御する装置であって、外部に露出する開口から処理室へ被処理物を搬入・搬出する通路を有する筐体と、前記通路に遮へいガスを噴出する複数のガスカーテン機構と、前記通路からガスを排出する複数の排気機構とを備え、ガスカーテン機構と排気機構とを前記開口から処理室の方向に向かって交互に隣接して設け、それによって処理室の雰囲気を制御する雰囲気制御装置。
【請求項２】
被処理物を処理する処理機構と、処理機構と被処理物とを相対的に移動させる搬送機構とをさらに備える請求項１記載の雰囲気制御装置。
【請求項３】
隣接するガスカーテン機構と排気機構は所定の間隔を有する請求項１又は２記載の雰囲気制御装置。
【請求項４】
前記開口に最も近くに位置するガスカーテン機構は、ガスが被処理物に反射して開口に流出するようにガスを噴出する機構を備える請求項１〜３のいずれか１つに記載の雰囲気制御装置。
【請求項５】
前記開口に最も近く位置するガスカーテン機構は、前記開口から所定距離だけ処理室寄りに位置する請求項１〜４のいずれか１つに記載の雰囲気制御装置。
【請求項６】
被処理物が平板状であり、複数のガスカーテン機構と排気機構とが被処理物の両面に対向するように配置される請求項１〜５のいずれか１つに記載の雰囲気制御装置。
【請求項７】
前記開口が搬入開口と搬出開口からなり、前記通路が搬入開口と処理室を結ぶ搬入通路と、処理室と搬出開口を結ぶ搬出通路からなり、搬入および搬出通路は、それぞれ搬入および搬出開口から処理室に向かってガスカーテン機構と排気機構を交互に備える請求項１〜６のいずれか１つに記載の雰囲気制御装置。
【請求項８】
被処理物が平板状であり、処理機構が被処理物の片面を処理する処理部を備える請求項２記載の雰囲気制御装置。
【請求項９】
被処理物が平板状であり、処理機構が被処理物の両面を同時に処理する処理部を備える請求項２記載の雰囲気制御装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１つに記載の雰囲気制御装置において、前記開口から処理室に向かって、第１および第２ガスカーテン機構を設け、第１および第２ガスカーテン機構の間と、第２ガスカーテン機構および処理室の間に、それぞれ、第１および第２排気機構を設け、第１ガスカーテン機構によって外気の流入を阻止し、第１排気機構によって第２ガスカーテン機構から噴出されるガスを排気し、第２排気機構によって処理室の処理ガスを排気する処理室の雰囲気制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、雰囲気制御装置に関し、例えば薄膜形成・加工、および、表面処理用のプラズマ処理装置やＣＶＤ処理装置などに用いられる。
【背景技術】
【０００２】
半導体、フラットパネルディスプレイ、太陽電池などのさまざまな電子デバイスの製造には、エッチング、成膜、アッシング、表面処理などのさまざまな処理を行うプロセス（処理）装置が用いられている。上記のデバイスのうち、特にフラットパネルディスプレイや薄膜アモルファスシリコンを用いた薄膜太陽電池などのデバイスは、デバイスの大型化と製造コスト削減のため、基板などの被処理物が２ｍ以上のサイズに大型化しており、これに伴ってプラズマプロセス装置も大型化してきている。
【０００３】
これらプロセス装置の多くは、被処理物を処理するために使用される処理装置内に極めて純度の高いガス雰囲気を維持することを必要とする。プロセス雰囲気内への外気中に含まれる微粒子などの汚染物や湿分及び酸素などの混入は最小限に抑えなければならない。処理部近傍のガス雰囲気に外気が混入することにより、被処理物の酸化、生成した膜の酸化、エッチング部の酸化等が生じる場合があるため、密閉容器により外気と遮断し、プロセスガス雰囲気を保つのが通例である。
しかしながら、プロセスガス雰囲気を保つために、密閉容器内で一旦真空引きして処理を行うと、低圧下の処理と同じく処理効率の向上や大面積基板等に対応できないのが現状であった。
【０００４】
これに対し、第１の方法として、処理部近傍のプロセスガス雰囲気を保つために、ガスカーテンにより外気を遮断する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、第２の方法として、ガスカーテンにより外気の流入及び処理ガスの流出を防ぎ、またガスカーテンと装置とで形成される空間内に処理ガスを閉じ込めて、処理ガスの使用量を低減する方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００２−１５１４９４
【特許文献２】特開２００６−１４００５１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、第１の方法では、プラズマと被処理体との接触部近傍をガス雰囲気調整機構により不活性ガス雰囲気に保つ場合、外気を遮断するカーテンガスにプロセスガスである不活性ガスを用いているため、プロセスガスである不活性ガスの使用量が大幅に増加してしまう。
また、第２の方法では定常時は外気の流入及び処理ガスの流出を防ぐことが可能であるが、基板搬入時の外気の流入防止、及び基板搬出時の処理ガス流出防止が十分でないという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、内部に処理ガスを導入して被処理物を処理するための処理室の雰囲気を制御する装置であって、外部に露出する開口から処理室へ被処理物を搬入・搬出する通路を有する筐体と、前記通路に遮へいガスを噴出する複数のガスカーテン機構と、前記通路からガスを排出する複数の排気機構とを備え、ガスカーテン機構と排気機構とを前記開口から処理室の方向に向かって交互に隣接して設け、それによって処理室の雰囲気を制御する雰囲気制御装置を提供するものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、処理室と外部開口との間に開口から処理室に向けてガスカーテン機構、排気機構、ガスカーテン機構、排気機構の順に設置されたガスカーテン機構と排気機構を備えることにより、外部開口側に設置されたガスカーテン機構が主に外気の流入を遮断し、外部開口側に設置された排気機構が主に処理室側に設置されたガスカーテン機構から噴出されるカーテンガスを排気することによって生じる気流により開口側と処理室とを分離し、被処理物搬入搬出時においても外気の流入を防ぎ、処理ガスの流出を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
この発明の処理装置は、内部に処理ガスを導入して被処理物を処理するための処理室の雰囲気を制御する装置であって、外部に露出する開口から処理室へ被処理物を搬入・搬出する通路を有する筐体と、前記通路に遮へいガスを噴出する複数のガスカーテン機構と、前記通路からガスを排出する複数の排気機構とを備え、ガスカーテン機構と排気機構とを前記開口から処理室の方向に向かって交互に隣接して設け、それによって処理室の雰囲気を制御する雰囲気制御装置であることを特徴とする。
【０００９】
被処理物を処理する処理機構と、処理機構と被処理物とを相対的に移動させる搬送機構を備えてもよい。
隣接するガスカーテン機構と排気機構は所定の間隔を有してもよい。
前記開口に最も近く位置するガスカーテン機構は、前記開口に向けてガスを噴出する機構であってもよい。
前記開口に最も近く位置するガスカーテン機構は、開口から所定距離だけ処理室寄りに位置してもよい。
被処理物が平板状であり、複数のガスカーテン機構と排気機構とが被処理物の両面に対向するように配置されてもよい。
【００１０】
前記開口が搬入開口と搬出開口からなり、前記通路が搬入開口と処理室を結ぶ搬入通路と、処理室と搬出開口を結ぶ搬出通路からなり、搬入および搬出通路は、それぞれ搬入および搬出開口から処理室に向かって第１ガスカーテン機構、第２排気機構を交互に備えてもよい。
被処理物が平板状であり、処理機構が被処理物の片面を処理する処理部を備えてもよい。
被処理物が平板状であり、処理機構が被処理物の両面を同時に処理する処理部を備えてもよい。
この発明は、別の観点から、上記雰囲気制御装置において、前記開口から処理室に向かって、第１および第２ガスカーテン機構を設け、第１および第２ガスカーテン機構の間と、第２ガスカーテン機構および処理室の間に、それぞれ、第１および第２排気機構を設け、第１ガスカーテン機構によって外気の流入を阻止し、第１排気機構によって第２ガスカーテン機構から噴出されるガスを排気し、第２排気機構によって処理室の処理ガスを排気する処理室の雰囲気制御方法を提供するものである。
【００１１】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。尚、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００１２】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１による雰囲気制御装置を用いたプラズマ処理装置の構成を説明する図である。
図１に示すように、実施形態１による装置は、平板状の被処理物１の上方に配置されている処理部７ａ、及び、被処理物１を搭載する導電性のステージ６を備える。処理部７ａは図示しない搬送機構によりステージ６上を矢印Ａ方向に移動するようになっている。
【００１３】
処理部７ａは、ガスカーテン機構３ａ−１，３ａ−２，３ｂ−１，３ｂ−２と、排気処理機構４ａ−１，４ａ−２，４ｂ−１，４ｂ−２と、プラズマ処理部５ａとを備える。ガスカーテン機構３ａ−１，３ａ−２，３ｂ−１，３ｂ−２はそれぞれガス噴出ノズル１０を備え、排気処理機構４ａ−１，４ａ−２，４ｂ−１，４ｂ−２は、それぞれ排気ノズル１１を備える。
【００１４】
隣接するガスカーテン機構および排気機構は、５０ｍｍの間隔を有している。
図３はカーテンガス、排気、プロセスガスの流れを説明する図である。
被処理物入口側、及び出口側に設置されたガスカーテン機構３ａ−１，３ｂ−１は装置内への外気の流入を遮断する。被処理物入口側、及び出口側に設置された排気機構４ａ−１，４ｂ−１は、主にプラズマ処理部５ａ側に設置されたガスカーテン機構３ａ−２，３ｂ−２から噴出されるカーテンガスの流量と同量の流量を排気し、それによって生じる気流により、被処理物入口側、及び出口側とプラズマ処理部５ａを分離する。そして、被処理物搬入時における外気の流入、及び被処理物搬出時における処理ガスの流出を防ぐ。また、プラズマ処理部側に設置された排気機構４ａ−２，４ｂ−２によりプラズマ処理部５ａでプラズマ処理を行った後の処理ガスの排気を行う。
【００１５】
図１において、処理部７ａの外部へ噴出されたガスは、処理部７ａを覆う筐体１３ａを介して２つの筐体排気ポート１４ａから外部へ排気される。
プラズマ処理部５ａには電極１２ａが設置されている。電極１２ａと導電性ステージ６には電源３０ａが接続されて電力が供給される。プラズマ処理部５ａには、プロセスガス用ガス流路２３を介してプロセスガス用ガスボンベ２１からプロセスガスが供給される。また、ガスカーテン機構３ａ−１，３ａ−２，３ｂ−１，３ｂ−２には、カーテンガス用流路２２を介してカーテンガス用ガスボンベ２０からカーテンガスが供給される。
【００１６】
電極１２ａは、アルミニウム（Ａｌ）、又は、ステンレス（ＳＵＳ）などの導電率の高い金属からなる金属部を備え、アーク放電を防ぐため、金属部を固体誘電体で被覆している。また、電極１２ａの近傍にプロセスガスを供給するために図示しないガス流路を設けている。
また、ガスカーテン機構３ａ−１，３ｂ−１においては、図４に示すように、ガス噴出ノズル１０がガスカーテン機構３ａ−１の被処理物入口側の端部にあり、このガス噴出ノズル１０から被処理物１に向けガスが噴出される。噴出されたガスは被処理物１に反射して被処理物入口へ流出する。
【００１７】
このとき、ガス噴出ノズル１０がガスカーテン機構３ａ−１の被処理物入口側の端部にあるため、前記端部からガスが噴出することにより、プラズマ処理部５ａからのプロセスガスの流出が少なくなる。
次に、図１に示すプラズマ処理装置を用いたプラズマプロセス処理について説明する。
被処理物１であるガラス基板はステージ６上に静止させており、処理部７ａがガラス基板方向へ移動し、プラズマ処理を行う。
ステージ６上にガラス基板をステージ６上に静止させることにより、被処理物１を搬送する場合に比べ、被処理物の平面度及び被処理物１と電極１２ａとのギャップの精度が高くなり、またギャップをより小さくすることができる。
ガラス基板と電極１２ａ間のギャップは約２ｍｍとしている。
【００１８】
大気圧、あるいは、大気圧近傍の圧力下で、プラズマ処理部間へ、例えば、Ｈｅ＝８０Ｌ／分、Ｎ２＝４０Ｌ／分、Ｏ２＝０．６Ｌ／分、を混合したプロセスガスを数１０秒以上導入し続けて、プラズマ処理部間付近の雰囲気を空気からプロセスガス雰囲気に置換する。
ガスカーテン機構、及び排気機構の流量は、被処理物入口側、及び出口側に設置されたガスカーテン機構３ａ−１，３ｂ−１＝３００Ｌ／分、被処理物入口側、及び出口側に設置された排気機構４ａ−１，４ｂ−１＝２００Ｌ／分、プラズマ処理部側に設置されたガスカーテン機構３ａ−２，３ｂ−２＝１８０Ｌ／分、プラズマ処理部側に設置された排気機構４ａ−２，４ｂ−２＝１１０Ｌ／分としている。
【００１９】
プロセスガス雰囲気はガスカーテン機構、及び排気機構により外気と遮断され、プロセスガス雰囲気を保っている。
その後、電極１２ａとステージ６との間に周波数３０ｋＨｚ、電圧７．５ｋＶを高周波電源から印加すると、電極１２ａとガラス基板の間にプラズマが生成される。
このように２組のガスカーテン機構、及び排気機構を用いて、装置内のプロセスガス濃度の指標として酸素濃度を、装置外に流出される処理ガス濃度としてオゾン濃度を評価した場合、装置内のプロセスガス濃度、及び装置外に流出される処理ガスの濃度は、従来の雰囲気調整機構に比べ向上し、またプロセスガスの消費量は低減している。
【００２０】
（実施形態２）
図２は、本発明の実施形態２による雰囲気制御装置を用いたプラズマ処理装置の構成を  説明する説明図である。
この装置は、インライン方式の基板処理や、シート状、あるいは、ロール状の被処理物の処理をするプラズマ処理装置である。
図２に示すように、実施形態２による装置は、上下に対向する処理部７ａ，７ｂ及び搬送機構２を備える。処理部７ａ，７ｂは、それぞれ板状の被処理物１の上方、及び、下方に配置されている。被処理物１は搬送機構２に搭載され、搬送機構２により処理部７ａ，７ｂ方向（矢印Ｂの方向）へ搬送される。
【００２１】
処理部７ａ，７ｂは、ガスカーテン機構３ａ−１，３ａ−２，３ｂ−１，３ｂ−２，３ｃ−１，３ｃ−２，３ｄ−１，３ｄ−２と、排気処理機構４ａ−１，４ａ−２，４ｂ−１，４ｂ−２，４ｃ−１，４ｃ−２，４ｄ−１，４ｄ−２と、プラズマ処理部５ａ，５ｂとを備える。ガスカーテン機構３ａ−１，３ａ−２，３ｂ−１，３ｂ−２，３ｃ−１，３ｃ−２，３ｄ−１，３ｄ−２はそれぞれガス噴出ノズル１０を備え、排気処理機構４ａ−１，４ａ−２４ｂ−１，４ｂ−２，４ｃ−１，４ｃ−２，４ｄ−１，４ｄ−２は、それぞれ排気ノズル１１を備える。
隣接するガスカーテン機構と排気機構は、５０ｍｍの間隔を有している。
【００２２】
被処理物入口側、及び出口側に設置されたガスカーテン機構３ａ−１，３ｂ−１は装置内への外気の流入を遮断する。被処理物入口側、及び出口側に設置された排気機構４ａ−１，４ｂ−１は、主にプラズマ処理部側に設置されたガスカーテン機構３ａ−２，３ｂ−２から噴出されるカーテンガスの流量と同量の流量を排気し、それによって生じる気流により、被処理物入口側、及び出口側とプラズマ処理部５ａを分離する。そして、被処理物搬入時における外気の流入、及び被処理物搬出時における処理ガスの流出を防ぐ。プラズマ処理部側に設置された排気機構４ａ−２，４ｂ−２によりプラズマ処理部５ａでプラズマ処理を行った後の処理ガスの排気を行う。ガスカーテン機構３ｃ−１，３ｃ−２，３ｄ−１，３ｄ−２および排気機構４ｃ−１，４ｃ−２，４ｄ−１，４ｄ−２も同様の動作を行う。
【００２３】
処理部７ａ，７ｂの外部へ噴出されたガスは、処理部７ａ，７ｂを覆う筐体１３ａ，１３ｂを介して筐体排気ポート１４ａ，１４ｂから外部へ排気される。
プラズマ処理部５ａ，５ｂには電極１２ａ，１２ｂがそれぞれ設置されている。電極１２ａ，１２ｂには電源３０ａ，３０ｂが接続されてそれぞれ電力が供給される。プラズマ処理部５ａ，５ｂには、プロセスガス用ガス流路２３を介してプロセスガス用ガスボンベ２１からそれぞれプロセスガスが供給される。
【００２４】
また、ガスカーテン機構３ａ−１，３ａ−２、３ｂ−１，３ｂ−２，３ｃ−１，３ｃ−２，３ｄ−１，３ｄ−２には、ガスカーテン用流路２２を介して、カーテンガス用ガスボンベ２０からカーテンガスが供給される。
電極１２ａ，１２ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、又は、ステンレス（ＳＵＳ）などの導電率の高い金属からなる金属部を備え、アーク放電を防ぐため、金属部を固体誘電体で被覆している。
【００２５】
ここで、ガスカーテン機構３ａ−１〜３ｄ−１の詳細について説明する。図５は、実施形態２による雰囲気制御装置のガスカーテン機構３ａ−１，３ｃ−１を示す説明図である。
図５に示すように、ガス噴出ノズル１０がガスカーテン機構３ａ−１，３ｃ−１被処理物入口側の端部にあり、このガス噴出ノズル１０から被処理物１に向けガスが噴出される。
噴出されたガスは被処理物１に反射して被処理物入口へ流出する。
前記端部からガスが噴出することにより、プラズマ処理部５ａ，５ｂからのプロセスガスの流出が少なくなる。
【００２６】
図６は、ガスカーテン機構３ａ−１，３ｃ−１のガスカーテン噴出ノズル１０の位置が図５と異なる例を示す図である。図６においてもガスカーテン機構３ａ−１，３ｃ−１は、上下に対向しているが、ガス噴出ノズル１０はガスカーテン機構３ａ−１，３ｃ−１の被処理物入口側端部に対して若干の距離（例えば、５ｍｍ）を有して設けられる。そして、このように設けられたガス噴出ノズル１０から被処理物１に向けガスが噴出されると、被処理物１に対してカーテンガスが接する面積が広くなるため、外気混入防止効果が向上する。
【００２７】
次に実施の形態２におけるプラズマプロセス処理について説明する。
被処理物１であるガラス基板は搬送機構２によって処理部７ａ方向へ搬送され、プラズマ処理を行う。
大気圧、あるいは、大気圧近傍の圧力下で、プラズマ処理部間へ、例えば、Ｈｅ＝８０Ｌ／分、Ｎ２＝４０Ｌ／分、Ｏ２＝０．６Ｌ／分、を混合したプロセスガスを数１０秒以上導入し続けて、プラズマ処理部間付近の雰囲気を空気からプロセスガス雰囲気に置換する。
ガスカーテン機構、及び排気機構の流量は、被処理物入口側、及び出口側に設置されたガスカーテン機構３ａ−１、３ｂ−１，３ｃ−１，３ｄ−１＝３００Ｌ／分、被処理物入口側、及び出口側に設置された排気機構４ａ−１、４ｂ−１，４ｃ−１，４ｄ−１＝２００Ｌ／分、プラズマ処理部側に設置されたガスカーテン機構３ａ−２、３ｂ−２，３ｃ−２，３ｄ−２＝１８０Ｌ／分、プラズマ処理部側に設置された排気機構４ａ−２、４ｂ−２，４ｃ−２，４ｄ−２＝１１０Ｌ／分としている。
【００２８】
プロセスガス雰囲気はガスカーテン機構、及び排気機構により外気と遮断され、プロセスガス雰囲気を保っている。
その後、電極１２ａ，１２ｂに周波数３０ｋＨｚ、電圧７．５ｋＶを高周波電源からそれぞれ逆位相で印加すると、電極１２ａ，１２ｂ間には１５ｋＶの電圧が印加され、電極１２ａ，１２ｂ間にプラズマが生成される。
【００２９】
このように２組のガスカーテン機構、及び排気機構を用いて、装置内のプロセスガス濃度の指標として酸素濃度を、装置外に流出される処理ガス濃度としてオゾン濃度を評価した場合、装置内のプロセスガス濃度、及び装置外に流出される処理ガスの濃度は、従来の雰囲気調整機構に比べ向上し、またプロセスガスの消費量は低減している。
【００３０】
（実施形態３）
図７は、本発明の実施形態３による雰囲気制御装置を用いたＣＶＤ処理装置の構成を説明する説明図である。この処理装置は、インライン方式の基板処理や、シート状、あるいは、ロール状の被処理物のＣＶＤに用いられる。
図７に示す装置は、平板状の被処理物１（ガラス基板）の上方に配置されている処理部７ａ、及び、被処理物１を搭載する導電性のステージ６を備える。
ステージ６は搬送機構１５により被処理物１を搭載した状態で矢印Ａ方向に移動するようになっている。
【００３１】
搬送機構１５の下にヒーター１６が設置されており、これにより被処理物１を加熱する。
処理部９ａは、ガスカーテン機構３ａ−１，３ａ−２，３ｂ−１，３ｂ−２と、排気処理機構４ａ−１，４ａ−２，４ｂ−１，４ｂ−２と、ＣＶＤ処理部８とを備える。ガスカーテン機構３ａ−１，３ａ−２，３ｂ−１，３ｂ−２はそれぞれガス噴出ノズル１０を備え、排気処理機構４ａ−１，４ａ−２，４ｂ−１，４ｂ−２は、それぞれ排気ノズル１１を備える。
【００３２】
隣接するガスカーテン機構、及び排気機構は、５０ｍｍの間隔を有している。
被処理物入口側、及び出口側に設置されたガスカーテン機構３ａ−１，３ｂ−１は装置内への外気の流入を遮断する。被処理物入口側、及び出口側に設置された排気機構４ａ−１，４ｂ−１は主にＣＶＤ処理部８処理部側に設置されたガスカーテン機構３ａ−２，  ３ｂ−２から噴出されるカーテンガスの流量と同量の流量を排気することによって生じる気流により、被処理物入口側、及び出口側とＣＶＤ処理部８を分離し、ガラス基板搬入時における外気の流入、及びガラス基板搬出時における処理ガスの流出を防ぐ。そして、ＣＶＤ処理部８側に設置された排気機構４ａ−２，４ｂ−２によりＣＶＤ処理部８でＣＶＤ処理を行った後の処理ガスの排気を行う。
処理部７ａの外部へ噴出されたガスは、処理部７ａを覆う筐体１３ａを介して筐体排気ポート１４ａから外部へ排気される。
【００３３】
ＣＶＤ処理部８にはシャワーヘッド１７が設置されている。シャワーヘッド１７と導電性のステージ６には電源３０ａが接続されて電力が供給されると共に、プロセスガス用ガス流路２３を介してプロセスガス用ガスボンベ２１からプロセスガス１が供給され、プロセスガス用ガス流路２９を介してプロセスガス用ガスボンベ２８からプロセスガス２が供給される。
シャワーヘッド１７からはプロセスガス用ガスボンベ２１とプロセスガス用ガスボンベ２８から供給されたプロセスガス１と２が混合されてＣＶＤ処理部８に注入される。
【００３４】
次に、図７に示すＣＶＤ処理装置を用いたＣＶＤ処理について説明する。
ステージ６が搬送機構１５により被処理物１を搭載した状態で矢印Ａ方向に移動し、処理部９ａにおいてＣＶＤ処理が行われる。
大気圧、あるいは、大気圧近傍の圧力下で、ＣＶＤ処理部８へ、例えば、キャリアガスとしてＮ２をプロセスガス用ボンベ２１から導入し、プロセスガス用ボンベ２８からＳｎＣｌ４、Ｈ２Ｏ／Ｄ２Ｏ、Ｏ２、Ｆドーパントガスを混合したガスを導入する。
ヒーター１６は、被処理物１の温度が４００〜６００℃の所定温度に保持されるよう被処理物１を加熱する。
【００３５】
ガスカーテン機構、及び排気機構の流量は、被処理物入口側、及び出口側に設置されたガスカーテン機構３ａ−１，  ３ｂ−１＝３００Ｌ／分、被処理物入口側、及び出口側に設置された排気機構４ａ−１，  ４ｂ−１＝２００Ｌ／分、ＣＶＤ処理部８側に設置されたガスカーテン機構３ａ−２，  ３ｂ−２＝１８０Ｌ／分、ＣＶＤ処理部８側に設置された排気機構４ａ−２，  ４ｂ−２＝１１０Ｌ／分としている。
【００３６】
ＣＶＤ処理部８は、ガスカーテン機構、及び排気機構により外気と遮断され、プロセスガス雰囲気を保っている。
この２組のガスカーテン機構、及び排気機構を用いて、装置内のプロセスガス濃度の指標として酸素濃度を、装置外に流出される処理ガス濃度としてプロセスガスの濃度を評価した場合、装置内のプロセスガス濃度及び装置外に流出される処理ガスの濃度は、他の雰囲気調整機構に比べ向上し、またプロセスガスの消費量は低減している。
【００３７】
実施形態１、及び、２に示した条件は一例であり、カーテンガス流量、及び排気流量、各ガスカーテン機構・排気機構間の距離は、プロセスガスの種類、構成比率、総流量、流速、電極間ギャップ、及び、電極形状被処理物の搬送速度などによって決定される。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施形態１による雰囲気制御装置を用いたプラズマ処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の実施形態２による雰囲気制御装置を用いたプラズマ処理装置の概略構成を示す図である。
【図３】実施形態１における装置内のガス気流の概略を示す図である。
【図４】実施形態１における装置内のガスカーテン機構の詳細図である。
【図５】実施形態２における装置内のガスカーテン機構の詳細図である。
【図６】実施形態２における装置内のガスカーテン機構の変形例を示す図である。
【図７】本発明の実施形態３による雰囲気制御装置を用いたＣＶＤ処理装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１  被処理物
２  搬送機構
３ａ−１，３ａ−２，３ｂ−１，３ｂ−２，３ｃ−１，３ｃ−２，３ｄ−１，３ｄ−２  ガスカーテン機構
４ａ−１，４ａ−２，４ｂ−１，４ｂ−２，４ｃ−１，４ｃ−２，４ｄ−１，４ｄ−２  排気機構
５ａ，５ｂ  プラズマ処理部
６  ステージ
７ａ，７ｂ，９ａ  処理部
８  ＣＶＤ処理部
１０  ガス噴出ノズル
１１  排気ノズル
１２ａ，１２ｂ  電極
１３ａ，１３ｂ  筐体
１４ａ，１４ｂ  筐体排気ポート
１５  搬送機構
１６  ヒーター
１７  シャワーヘッド
２０  カーテンガス用ガスボンベ
２１  プロセスガス用ガスボンベ
２２  カーテンガス用ガス流路
２３  プロセスガス用ガス流路
２４  プロセスガス流れ方向
２５  排気流れ方向
２６  ガスカーテン流れ方向
２７  装置内ガス気流方向
２８  プロセスガス用ボンベ
２９  プロセスガス流路
３０ａ，３０ｂ  電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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