(57)【要約】【課題】装置に生じた異常を検出した場合に、揮発性記憶手段に記憶されているデータを保護し、又データを保護する処理における電力消費量を少なくできる。【解決手段】半導体ディスク装置１０は、装置内部に異常が生じたことを検出する内部モニタ部１１２を備え、装置内部に異常が生じたときには、電源供給元を商用電源から無停電電源である外部ＵＰＳ１６に切り替える。また、半導体ディスク装置１０は、半導体メモリカード１００に記憶されているデータを、インターフェース接続部１２１とバックアップインターフェース１２４とで構成されるデータ転送用インターフェース１２０を介して、半導体ディスク装置１０に接続されている外部記憶装置１２６に転送することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
定常時に電力を供給する第１の電源部と、
少なくとも前記第１の電源部からの電力供給が不可能となる非定常時に電力を供給する第２の電源部と、
データを記憶する揮発性記憶手段と、
前記揮発性記憶手段に記憶されているデータを必須パラメータとして所定のプログラムを実行する制御端末機器との前記データの送受信を制御する制御手段と、
前記非定常時とは異なる所定の異常を検出する異常検出手段と、
前記揮発性記憶手段から読み出された前記データをバックアップ用記憶装置へ転送するためのデータ転送用インターフェースと、
前記異常検出手段が所定の異常を検出した場合に、前記第２の電源部からの電力で前記揮発性記憶手段及び前記データ転送用インターフェースを動作させる異常時バックアップ制御手段と、
を有する半導体ディスク装置。
【請求項２】
前記制御手段による前記揮発性記憶手段からのデータ読み出し時に、当該読み出したデータを前記バックアップ記憶装置へ転送することを特徴とする請求項１記載の半導体ディスク装置。
【請求項３】
前記データ転送用インターフェースは、前記データを、バッファを介して送信することを特徴とする請求項２記載の半導体ディスク装置。
【請求項４】
前記データ転送用インターフェースは、前記揮発性記憶手段から読み出された前記データの送信先を、前記バックアップ用記憶装置又は前記制御手段の何れか一方となるように、選択的に切り替えることを特徴とする請求項２記載の半導体ディスク装置。
【請求項５】
前記揮発性記憶手段から読み出された前記データを電気信号データから光信号データに変換する電気−光変換手段と、光信号データを電気信号データに変換する光−電気変換手段と、をさらに備え、光信号データの間に所定の処理を施し、
前記制御手段とのデータ送受信には、前記電気信号データを適用し、
前記バックアップ用記憶手段とのデータ送受信には、前記電気信号データまた光信号データを選択的に適用することを特徴とする請求項１記載の半導体ディスク装置。
【請求項６】
前記データ転送用インターフェースが、外部からの制御信号に基づいて、前記揮発性記憶手段に直接アクセス可能なバックアップインターフェースを備え、
このバックアップインターフェースから前記制御信号を前記揮発性記憶手段が受信することにより、前記揮発性記憶手段から読み出されたデータを、前記制御信号が揮発性記憶手段へ送信される専用の通信線と前記バックアップインターフェースとを介して、前記バックアップ用記憶装置へ送信することを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１項記載の半導体ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ディスク装置に関し、特に異常が生じた場合のデータのバックアップに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ディスク装置は、データを記憶するために、例えばＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等の揮発性である半導体メモリを備える。半導体メモリは、記憶容量を大容量とできる不揮発性の記憶装置であるＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等の磁気ディスク装置に比べデータに対するアクセス速度が速い。そのため、半導体メモリを備える半導体ディスク装置は、例えば、サーバ等のコンピュータに接続され、コンピュータと磁気ディスク装置との間で入出力されるデータを一時的に記憶するために用いられる。
【０００３】
しかし、半導体メモリは、揮発性の記憶装置であるため、停電等により半導体メモリディスク装置への電力供給が停止すると、半導体メモリが記憶しているデータが失われてしまう。
【０００４】
この問題を解決するために、２つの電源を備え停電時に半導体メモリに記憶されているデータを不揮発性記憶部へ転送する発明（特許文献１）が開示されている。この、特許文献１によると、停電が発生すると２つの電源のうち、バックアップ用電源として用いられる電源が、半導体メモリや不揮発性記憶部等にのみ電力を供給し、半導体メモリに記憶されているデータを不揮発性記憶部に転送する。
【０００５】
また、電源にコンデンサ又は二次電池が接続されている発明（特許文献２、３）が開示されている。この特許文献２、３によると、電源にバックアップ用のコンデンサ又は二次電池が接続されており、停電時には、コンデンサからの電力供給により半導体メモリと、半導体メモリに記憶されているデータをバックアップするためのメモリとを動作させる。
【０００６】
また、装置内に主電源、二次電池、一次電池を内蔵させ、切り替えて電力供給を行う発明（特許文献４）が開示されている。この、特許文献４によると、主電源からの電力供給が停止すると、二次電池から半導体ディスク装置が備える半導体メモリへの電力供給を行い、二次電池からの電力供給量が低下すると、一次電池が電力供給を行う。
【特許文献１】特開平３−２６９７４７号公報
【特許文献２】特開平６−３０９２３４号公報
【特許文献３】特開昭６１−６５３４４号公報
【特許文献４】特開平３−５８１１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１乃至４に開示されている発明は、停電時における半導体ディスク装置への電力供給手段であるため、半導体ディスク装置を構成する電源ユニットが出力する電圧の変動、冷却ファンの異常、装置内部の温度上昇等の半導体ディスク装置内部の異常時等には対応できない。また、記憶容量の大規模化、データの伝送速度の高速化、データの読み出し並びに書き込み処理の高速化のために、半導体ディスク装置の消費電力は大きくなっている。そのため、半導体ディスク装置がバックアップ用のコンデンサや電池を備える場合は、消費電力の増大に合わせて大きな電気容量を持たせなければならず、それに伴い、半導体ディスク装置の大型化や製造コストの増大を招く。
【０００８】
本発明は上記事実を考慮し、装置に生じた異常を検出した場合に、揮発性記憶手段に記憶されているデータを保護し、又データを保護する処理における電力消費量を少なくできる半導体ディスク装置を得ることが目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、定常時に電力を供給する第１の電源部と、少なくとも前記第１の電源部からの電力供給が不可能となる非定常時に電力を供給する第２の電源部と、データを記憶する揮発性記憶手段と、前記揮発性記憶手段に記憶されているデータを必須パラメータとして所定のプログラムを実行する制御端末機器との前記データの送受信を制御する制御手段と、前記非定常時とは異なる所定の異常を検出する異常検出手段と、前記揮発性記憶手段から読み出された前記データをバックアップ用記憶装置へ転送するためのデータ転送用インターフェースと、前記異常検出手段が所定の異常を検出した場合に、前記第２の電源部からの電力で前記揮発性記憶手段及び前記データ転送用インターフェースを動作させる異常時バックアップ制御手段と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、揮発性記憶手段に記憶されているデータは、制御手段の制御により、例えばコンピュータ等の制御端末機器と送受信され、異常検出手段が非定常時とは異なる装置内部の異常を検出した場合に、データ転送用インターフェースを介して、装置外部のバックアップ用記憶手段に転送される。なお、非定常時とは停電等による第１の電源部からの電力供給の停止であり、異常検出手段が非定常時とは異なる異常として検出するものは、例えば、装置に供給される電力の異常や、冷却ファンの異常、温度センサにより測定された温度の異常等である。異常検出手段が異常を検出した場合は、異常時バックアップ制御手段が、装置に対する電力供給元を、商用電源であり定常時に電力を供給する第１の電源部から、例えば無停電電源等である装置の非定常時に電力を供給する第２の電源部へ切り替える。また、第２の電源部が電力を供給する先は、揮発性記憶手段及びデータ転送用インターフェースである。
【００１１】
従って、データ転送用インターフェースを介して揮発性記憶手段に記憶されているデータを外部のバックアップ用記憶装置に転送できるため、半導体ディスク装置に種々の異常が生じた場合でも、揮発性記憶手段に記憶されているデータを保護することができる。また、異常が生じた場合は、半導体ディスク装置の電力供給元を定常時に使用する第１の電源部から異常時に使用する第２の電源部に切り替えることにより、揮発性記憶手段からデータをバックアップ用記憶手段へ転送するための電力を確保することができる。このとき、電力供給先を揮発性記憶手段並びにデータ転送用インターフェースとすることで、第２の電源部の電力消費量を少なくすることができる。また、異常時に使用する第２の電源部を半導体ディスク装置外に有するため、半導体ディスク装置の小型化、簡素化、コストアップの抑制がなされる。
【００１２】
また、本発明において、前記制御手段による前記揮発性記憶手段からのデータ読み出し時に、当該読み出したデータを前記バックアップ記憶装置へ転送することを特徴とする。
【００１３】
従って、揮発性記憶手段の出力が１系統のみでも、揮発性記憶手段から出力されるデータをバックアップ記憶装置と制御手段とに送信することができる。
【００１４】
さらに、本発明において、前記データ転送用インターフェースは、前記データを、バッファを介して送信することを特徴とする。
【００１５】
従って、揮発性記憶手段から出力されたデータを、高速でバックアップインターフェースと制御手段とに送信することができる。
【００１６】
また、本発明において、前記データ転送用インターフェースは、前記揮発性記憶手段から読み出された前記データの送信先を、前記バックアップ用記憶装置又は前記制御手段の何れか一方となるように、選択的に切り替えることを特徴とする。
【００１７】
データ転送用インターフェースに、例えばマルチプレクサ等の切替器を用いることで、揮発性記憶手段から出力されたデータを、バックアップインターフェース又は制御手段の何れか一方に送信することができる。
【００１８】
さらに、本発明において、前記揮発性記憶手段から読み出された前記データを電気信号データから光信号データに変換する電気−光変換手段と、光信号データを電気信号データに変換する光−電気変換手段と、をさらに備え、光信号データの間に所定の処理を施し、前記制御手段とのデータ送受信には、前記電気信号データを適用し、前記バックアップ用記憶手段とのデータ送受信には、前記電気信号データまた光信号データを選択的に適用することを特徴とする。
【００１９】
揮発性記憶手段から読み出されたデータは、電気−光信号変換手段を用いて、電気信号データから光信号データに変化される。そして、光信号データは、分岐され、制御手段並びにデータ転送用インターフェースに送信される。そして、制御手段へ送信される光信号データは、光−電気変換手段で光信号データから電気信号データへ変換される。一方、データ転送用インターフェースを介してバックアップ用記憶手段に送信される光信号データは、光信号データのまま、又は光−電気信号変換手段を用いて電気信号データに変換される。
【００２０】
従って、データ転送用インターフェースにバッファ等を用いた場合に比べ、揮発性記憶手段からバックアップインターフェースへデータを送信する速度を高速にすることができ、又データ送信時の耐ノイズ性も向上する。
【００２１】
また、本発明において、前記データ転送用インターフェースが、外部からの制御信号に基づいて、前記揮発性記憶手段に直接アクセス可能なバックアップインターフェースを備え、このバックアップインターフェースから前記制御信号を前記揮発性記憶手段が受信することにより、前記揮発性記憶手段から読み出されたデータを、前記制御信号が揮発性記憶手段へ送信される専用の通信線と前記バックアップインターフェースとを介して、前記バックアップ用記憶装置へ送信することを特徴とする。
【００２２】
半導体ディスク装置に異常が生じ、揮発性記憶手段からデータをデータ転送用インターフェースに送信する場合は、データ転送用インターフェースが備える揮発性記憶手段に直接アクセス可能なバックアップインターフェースを介して外部から揮発性記憶手段に記憶されているデータを読み出すための制御信号が入力される。当該制御信号は、バックアップインターフェースと揮発性記憶手段とに接続される専用の通信線を介して揮発性記憶手段に送信される。そして、揮発性記憶手段から読み出されたデータは、専用の通信線を介してバックアップインターフェースへ送信される。
【００２３】
従って、半導体記憶手段からバックアップ用記憶装置へ転送するときにバッファ等を用いてデータを送信するときに比べ、データの伝送速度は遅くなるが、バッファ等に電力を供給する必要が無いため第２の電源部が消費する電力量を少なくすることができる。
【発明の効果】
【００２４】
以上説明した如く本発明では、装置に生じた異常を検出した場合に、揮発性記憶手段に記憶されているデータを保護し、又データを保護する処理における電力消費量を少なくできるという優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
（第１の実施の形態）
図１に、本実施の形態に係る、半導体ディスク装置１０を用いたシステム構成図を示す。
【００２６】
半導体ディスク装置１０は、制御端末機器であるホストコンピュータ１２と接続される。半導体ディスク装置１０は、ホストコンピュータ１２と、ホストコンピュータ１２が備える磁気ディスク装置やホストコンピュータ１２とローカル接続される外部ストレージ１４等と、の間で入出力されるデータを一時的に記憶する。ホストコンピュータ１２は、例えば、サーバ、パーソナルコンピュータ、ワークステーション等である。
【００２７】
また、半導体ディスク装置１０は、その外部に第２の電源部である外部ＵＰＳ（Ｕｎｉｎｔｅｒｒｕｐｔｉｂｌｅ  Ｐｏｗｅｒ  Ｓｕｐｐｌｙ）１６と接続される。外部ＵＰＳ１６は、無停電電源であり、例えば、停電等を原因とする半導体ディスク装置１０への電力供給の停止である非定常時や半導体ディスク装置１０に異常が生じた場合に、半導体ディスク装置１０へ電力を供給する。そのため、半導体ディスク装置１０は、装置内部に無停電電源を備えない。
【００２８】
なお、外部ＵＰＳ１６は、ホストコンピュータや他の装置と共有されるものとしてもよい。但し、外部ＵＰＳ１６は直流電源であることが好ましい。この理由は、半導体ディスク装置１０内部に、交流から直流へ変換する変換装置や、変換装置を動作させるためのバッテリ等を内蔵する必要がなくなるためである。
【００２９】
外部ストレージ１４は、例えば、大容量の磁気ディスク装置であり、ホストコンピュータ１２からデータを受信し、記憶する。また。ホストコンピュータ１２は、ネットワーク１８に接続され、ネットワーク１８を経由して、ネットワークストレージ２０にデータを記憶させることができる。ネットワークストレージ２０は、外部ストレージ１４と同様に、例えば、大容量の磁気ディスク装置であり、複数のホストコンピュータと共有されてもよい。
【００３０】
図２に、半導体ディスク装置１０の構成を機能ブロック図で示す。
【００３１】
半導体ディスク装置１０は、揮発性記憶手段である半導体メモリカード１００を備える。
【００３２】
半導体メモリカード１００は、メモリコントローラ１０２と半導体メモリモジュール１０４とから構成される。メモリコントローラ１０２は、半導体メモリモジュール１０４を制御し、半導体メモリモジュール１０４に対してデータの読み込み並びに書き出しの制御を行う。なお、半導体ディスク装置１０は、複数の半導体メモリカード１００を備えることとしてもよい。
【００３３】
半導体メモリカード１００へのホストコンピュータ１２からのデータの入出力は、制御手段であるホストインターフェースコントローラ１０６を介して行われる。ホストインターフェースコントローラ１０６は、外部インターフェース１０８、内部制御部１１０、異常検出手段である内部モニタ部１１２で構成される。
【００３４】
外部インターフェース１０８は、ホストコンピュータ１２と接続することにより、半導体メモリカード１００に記憶されるデータの入出力を行う。
【００３５】
内部制御部１１０は、内部モニタ部１１２からの異常検出信号を受けて、半導体ディスク装置１０の停止等の判断を行い、実行する。
【００３６】
内部モニタ部１１２は、電源ユニット１１４、冷却ファンユニット１１６、温度センサ１１８と接続され、半導体ディスク装置１０の異常を検出する。内部モニタ部１１２が異常を検出した場合は、内部制御部１１０に対して、異常検出信号を送信する。
【００３７】
ここで、電源ユニット１１４は、半導体ディスク装置１０が定常時に、半導体ディスク装置１０へ電力を供給する第１の電源部であり、商用電源である交流電源１１９と接続され、半導体メモリカード１００、ホストインターフェースコントローラ１０６、冷却ファンユニット１１６、温度センサ１１８、後述するインターフェース接続部１２１、電源切替部１２８へ電力の供給を行う。そのため、電源ユニット１１４に異常が生ずると、各構成部に供給される電圧が変動したり、電力供給が停止したりし、データの破損や消滅が生じる恐れがある。
【００３８】
また、冷却ファンユニット１１６は、ファンを回転させることで、半導体ディスク装置１０の各構成部を冷却する。そのため、冷却ファンユニット１１６に異常が生じると、発熱した各構成部の冷却を行うことができず、高熱により各構成部が機能低下又は機能停止を起こし、データの破損や消滅が生じる恐れがある。
【００３９】
温度センサ１１８は、半導体ディスク装置１０の内部の温度を測定する。半導体ディスク装置１０の内部の温度が高温になりすぎると、異常に発熱した構成部が存在している可能性があり、そのためにデータの破損や消滅が生じる恐れがある。
【００４０】
上記のことから、内部モニタ部１１２は、例えば電源ユニット１１４が出力する電圧変動の異常、冷却ファンユニット１１６の停止、温度センサ１１８が異常な温度上昇を検知、等を半導体ディスク装置１０の異常として検出する。
【００４１】
さらに、内部モニタ部１１２は、半導体メモリカード１００におけるデータの読み出し、書き込み動作時にエラーが発生した場合にそれを半導体ディスク装置１０の異常として検出する。
【００４２】
また、半導体メモリカード１００から読み出されるデータは、データ転送用インターフェース１２０を介して、ホストインターフェースコントローラ１０６に伝送される。
【００４３】
データ転送用インターフェース１２０は、インターフェース接続部１２１とバックアップインターフェース１２４とから構成される。
【００４４】
インターフェース接続部１２１は、半導体メモリカード１００から読み出されたデータを、２つの経路に分配し、それぞれの経路に高速でデータの伝送を可能とするためにバッファを設ける（２分配バッファ１２２）。２つの経路とは、半導体メモリカード１００からホストインターフェースコントローラ１０６へデータを伝送する経路と、半導体メモリカード１００からバックアップインターフェース１２４へデータを伝送する経路である。この場合、半導体メモリカード１００から読み出されたデータは、常に、ホストインターフェースコントローラ１０６とバックアップインターフェース１２４とに伝送されることになる。
【００４５】
なお、インターフェース接続部１２１をマルチプレクサで構成するものとしてもよい。この場合も、インターフェース接続部１２１は、ホストインターフェースコントローラ１０６とバックアップインターフェース１２４と接続されるが、マルチプレクサを適宜制御することにより、データの送信先をホストインターフェースコントローラ１０６又はバックアップインターフェース１２４に選択的に切り替えることができる。なお、半導体ディスク装置１０が正常に動作している場合は、マルチプレクサを介したデータの送信先はホストインターフェースコントローラ１０６である。
【００４６】
また、半導体ディスク装置１０が、複数の半導体メモリカード１００を備える場合、インターフェース接続部１２１は、半導体メモリカード１００毎に、２分配バッファ１２２又はマルチプレクサを備える。
【００４７】
バックアップインターフェース１２４は、コネクタであり、内部モニタ部１１２が半導体ディスク装置１０の異常を検出したときに、半導体メモリカード１００に記憶されているデータを、半導体ディスク装置１０外に備えられるバックアップ用記憶装置である外部記憶装置１２６へ転送するためのインターフェースである。
【００４８】
また、半導体メモリカード１００に記憶されているデータを外部記憶装置１２６に転送するときは、バックアップインターフェース１２４を介して、半導体ディスク装置１０の外部からメモリコントローラ１０２へ制御信号線１２５を通じて、バックアップ制御信号が送信される。制御信号線１２５は、バックアップ制御信号を送信するための専用の通信線である。このバックアップ制御信号は、半導体ディスク装置１０に異常が生じたときに、バックアップインターフェース１２４にユーザーが、例えば、パーソナルコンピュータを接続することで、メモリコントローラ１０２に対して入力する。また、例えば、ホストコンピュータ１２が半導体ディスク装置１０から異常発生信号（例えば、半導体ディスク装置１０に異常が生じた場合に、無信号となる。）を受信した場合に、ホストコンピュータ１２から自動的にバックアップインターフェース１２４にバックアップ制御信号が入力されるようにてもよい。
【００４９】
バックアップ制御信号がバックアップインターフェース１２４を介してメモリコントローラ１０２へ送信されると、メモリコントローラ１０２は、半導体メモリモジュール１０４からデータを読み出し、インターフェース接続部１２１並びにバックアップインターフェース１２４を介して外部記憶装置１２６へ転送する。
【００５０】
外部記憶装置１２６は、ローカル接続によりホストコンピュータ１２が備える磁気ディスク装置やホストコンピュータに接続される外部ストレージ１４あるいは、ネットワーク１８に接続されているネットワークストレージ２０等である。
【００５１】
また、半導体ディスク装置１０は、異常時バックアップ制御手段である電源切替部１２８を備える。
【００５２】
電源切替部１２８は、内部モニタ部１１２からの異常検出信号を内部制御部１１０が受信したときに、内部制御部１１０から発せられる電力供給元を切り替える電源切替信号に基づいて、半導体ディスク装置１０に電力を供給する経路を、電源ユニット１１４から外部ＵＰＳ１６へ切り替える。さらに、電源切替部１２８は、外部ＵＰＳ１６の電力供給先を、インターフェース接続部１２１と半導体メモリカード１００のみとする（図２の電源切替部１２８からインターフェース接続部１２１並びに半導体メモリカード１００に接続されている太線で示す。）。これにより、電力供給元を外部ＵＰＳ１６に切り替えた場合に、半導体メモリカード１００に記憶されているデータを外部記憶装置１２６に転送するために必要な構成部のみに電力供給をすることにより、外部ＵＰＳ１６が消費する電力量を少なくすることができる。
【００５３】
また、インターフェース接続部１２１にマルチプレクサを用いた場合、電源切替部１２８からマルチプレクサへ切替信号が発せられ、マルチプレクサから出力されるデータの送信先が、ホストインターフェースコントローラ１０６からバックアップインターフェース１２４へ切り替えられる。
【００５４】
なお、半導体メモリカード１００からバックアップインターフェース１２４へのデータの送信を、制御信号線１２５を介して行うこととしてもよい。そのため、データの伝送速度はインターフェース接続部１２１を介して行われるときに比べ遅くなる。しかし、この場合、外部ＵＰＳ１６はインターフェース接続部１２１へ電力供給をしない。そのため、インターフェース接続部１２１を介してデータの送信を行う場合に比べ、外部ＵＰＳ１６が消費する電力量は少なくできる。
【００５５】
次に、本実施の形態の作用について説明する。
【００５６】
図３のフローチャートを用いて、内部モニタ部１１２が半導体ディスク装置１０の異常を検出した場合に、半導体ディスク装置１０が記憶しているデータを外部記憶装置１２６へ転送する処理について説明する。
【００５７】
まず、ステップ３００において、内部モニタ部１１２が、半導体ディスク装置１０に異常を検出したか否かを判断する。内部モニタ部１１２が異常を検出した場合は、肯定と判断し、ステップ３０２へ移行する。一方、内部モニタ部１１２が異常を検出しなかった場合は、内部モニタ部１１２が、電源ユニット１１４、冷却ファンユニット１１６、温度センサ１１８から異常を示す信号が送信されてくることを待つ。
【００５８】
ステップ３０２では、内部制御部１１０が、内部モニタ部１１２から異常検出信号を受信し、電源切替部１２８で、電力供給元を電源ユニット１１４から外部ＵＰＳ１６へ切り替える。
【００５９】
次に、ステップ３０４で、メモリコントローラ１０２が、バックアップインターフェース１２４を介してバックアップ制御信号が受信したか否かを判断する。バックアップ制御信号を受信した場合は、肯定と判断され、ステップ３０６へ移行する。一方、バックアップ制御信号を受信しない場合は、否定と判断され、待ちの状態となる。
【００６０】
次に、ステップ３０６で、メモリコントローラ１０２において、半導体メモリモジュール１０４からバックアップインターフェース１２４へのデータの送信を高速で行うか否かが判断される。高速で行う場合は、肯定と判断され、ステップ３０８へ移行する。一方、低速で行う場合は、否定と判断され、ステップ３１２へ移行する。
【００６１】
ステップ３０８では、半導体メモリカード１００からバックアップインターフェース１２４へのデータの送信が、インターフェース接続部１２１を介して行われる。
【００６２】
次に、ステップ３１０では、メモリコントローラ１０２が、指定されたアドレス領域のデータ全てについて、外部記憶装置１２６への転送が終了したか否かを判断する。全てのデータについて転送が終了した場合は、肯定と判断され、本処理を終了する。一方、全てのデータについて転送が終了していない場合は、否定と判断され、ステップ３０８へ移行し、全てのデータについて転送が終了するまでバックアップインターフェース１２４へデータの送信を繰り返す。
【００６３】
ステップ３１２では、半導体メモリカード１００からバックアップインターフェース１２４へのデータの送信が、制御信号線１２５を介して行われる。
【００６４】
次に、ステップ３１４では、メモリコントローラ１０２が、指定されたアドレス領域のデータ全てについて、外部記憶装置１２６への転送が終了したか否かを判断する。全てのデータについて転送が終了した場合は、肯定と判断され、本処理を終了する。一方、全てのデータについて転送が終了していない場合は、否定と判断され、ステップ３１２へ移行し、全てのデータについて転送が終了するまでバックアップインターフェース１２４へデータの送信を繰り返す。
【００６５】
以上のように、半導体ディスク装置１０は、装置内部に異常が生じたことを検出する内部モニタ部１１２を備え、装置内部に異常が生じたときには、電源供給元を商用電源から無停電電源である外部ＵＰＳ１６に切り替える。また、半導体ディスク装置１０は、半導体メモリカード１００に記憶されているデータを、インターフェース接続部１２１とバックアップインターフェース１２４とで構成されるデータ転送用インターフェース１２０を介して、半導体ディスク装置１０に接続されている外部記憶装置１２６に転送することができる。
【００６６】
そのため、停電時のみならず、半導体ディスク装置１０内部に異常が生じたときに、半導体メモリカード１００とデータ転送用インターフェース１２０を構成するインターフェース接続部１２１とへ外部ＵＰＳ１６から電力供給をすることで、半導体メモリカード１００に記憶されているデータの保護を行うことができる。また、外部ＵＰＳ１６の電力供給先を半導体メモリカード１００とインターフェース接続部１２１とに限定することで、外部ＵＰＳ１６に切り替えられたときの電力消費量を少なくすることができる。なお、電力消費量をより少なくする場合は、半導体メモリカード１００からバックアップインターフェース１２４へのデータの送信を、制御信号線１２５を介して行えばよい。この場合、インターフェース接続部１２１を介する場合に比べデータの伝送速度は低下するが、インターフェース接続部１２１への電力供給をする必要がないため、外部ＵＰＳ１６の電力消費量を少なくできる。また、半導体ディスク装置１０には、無停電電源として電池やコンデンサ等を備えないため、装置の小型化、配線等の簡素化、コストアップの抑制がされる。
【００６７】
（第２の実施の形態）
第１の実施の形態では、ホストインターフェースコントローラ１０６を介してホストコンピュータ１２から半導体メモリカード１００へ書き込まれるデータは、電気信号として送信されているが、第２の実施の形態においては、半導体メモリカード１００へ書き込まれるデータを、光信号として送信するものとする。なお、第１の実施の形態と同一構成部分については、同一の符号を付して、その構成の説明を省略する。
【００６８】
図４に、第２の実施の形態に係る、４枚の半導体メモリカード１００が備えられている半導体ディスク装置の構成を機能ブロック図で示す。
【００６９】
半導体ディスク装置１０は、電気−光変換部（Ｅ／Ｏ部）２００を備える。
【００７０】
Ｅ／Ｏ部２００は、ホストインターフェースコントローラ１０６を介して、ホストコンピュータ１２から半導体ディスク装置１０へ入力されるデータを電気信号から光信号へ変換する。
【００７１】
光信号に変換されたデータは、光分岐部２０２に送信される。光分岐部２０２は、例えば、入射側に１本の光ファイバを配置し、出射側に４本の光ファイバを配置し、入射側の光ファイバと出射側の光ファイバ間をシート状の光導波路により光学的に結合し、光分岐を行う構成とされている。出射側の４本の光ファイバは、各々光−電気変換部（Ｏ／Ｅ部）２０４に接続される。
【００７２】
Ｏ／Ｅ部２０４は、光分岐部２０２から送信されてきた光信号に変換されたデータを、電気信号に変換する。電気信号に変換されたデータは、半導体メモリカード１００に送信され、記憶される。
【００７３】
なお、Ｅ／Ｏ部２００並びにＯ／Ｅ部２０４は、半導体ディスク装置１０が定常時には、電源ユニット１１４を介して交流電源１１９から電力供給を受ける。
【００７４】
また、インターフェース接続部１２１は、半導体メモリカード１００毎に２分配バッファ１２２を備えている。なお、インターフェース接続部１２１は、２分配バッファ１２２の替わりに、半導体メモリカード１００毎に１つの入力信号を２つに分配するマルチプレクサを用いてもよい。
【００７５】
そして、半導体ディスク装置１０への電力供給が、電源切替部１２８により電源ユニット１１４から外部ＵＰＳ１６へ切り替えられたときには、半導体メモリカード１００とインターフェース接続部１２１にのみ電力供給が行われ、半導体メモリカード１００からデータが外部記憶装置１２６に転送される。
【００７６】
なお、外部ＵＰＳ１６の電力消費量をより少なくしたい場合は、半導体メモリカード１００からバックアップインターフェース１２４へ制御信号線１２５を介してデータを送信してもよい。この場合は、インターフェース接続部１２１へ外部ＵＰＳ１６から電力供給はされない。
【００７７】
以上のことから、ホストインターフェースコントローラ１０６から半導体メモリカード１００へのデータの送信を、データを光信号に変換しない場合に比べ高速に行うことができ、又データ送信時の耐ノイズ性も向上する。
【００７８】
（第３の実施の形態）
第２の実施の形態では、半導体メモリカード１００へ書き込まれるデータは、電気信号により送信されているが、第３の実施の形態においては、半導体メモリカード１００から読み出されたデータも、光信号により送信するものとする。なお、第１の実施の形態及び第２の実施の形態と同一構成部分については、同一の符号を付して、その構成の説明を省略する。
【００７９】
図５に、第３の実施の形態に係る、４枚の半導体メモリカード１００が備えられている半導体ディスク装置の構成を機能ブロック図で示す。
【００８０】
半導体ディスク装置１０は、半導体メモリカード１００から読み出されたデータを電気信号から光信号へ変換するＥ／Ｏ部２００Ｂを半導体メモリカード１００毎に備える。
【００８１】
なお、Ｅ／Ｏ部２００Ｂは、半導体ディスク装置１０が定常時には、電源ユニット１１４を介して交流電源１１９から電力供給を受ける。
【００８２】
半導体メモリカード１００から読み出されて、Ｅ／Ｏ部２００Ｂで光信号に変換されたデータは、インターフェース接続部１２１としての光分岐部２０２Ｂに伝送される。
【００８３】
光分岐部２０２Ｂは、２つの分岐路を有し、２つの分岐路の一方は、バックアップインターフェース１２４へ接続される。バックアップインターフェース１２４へ伝送された光信号に変換されたデータは、半導体ディスク装置１０外に設けられたＯ／Ｅ部２０４で、再び電気信号に変換された後、外部記憶装置１２６に記憶される。もう一方は、ホストインターフェースコントローラ１０６に接続される。ホストインターフェースコントローラ１０６に接続される経路には、光分岐部２０２Ｂ毎にＯ／Ｅ部２０４が備えられ、光信号に変換されたデータを再び電気信号に変換した後に、ホストインターフェースコントローラ１０６に入力される。
【００８４】
そして、半導体ディスク装置１０への電力供給が、電源切替部１２８により電源ユニット１１４から外部ＵＰＳ１６へ切り替えられたときには、半導体メモリカード１００とＥ／Ｏ部２００Ｂとにのみ電力供給が行われ、半導体メモリカード１００からデータが外部記憶装置１２６に転送される。
【００８５】
なお、外部ＵＰＳ１６の電力消費量をより少なくしたい場合は、制御信号線１２５を介してデータを伝送してもよい。この場合は、外部ＵＰＳ１６からＥ／Ｏ部２００Ｂへの電力供給はされない。
【００８６】
また、光分岐部２０２Ｂとバックアップインターフェース１２４との間に、Ｏ／Ｅ部２０４を備えてもよい。この場合、半導体ディスク装置１０外にＯ／Ｅ部２０４を備える必要は無い。
【００８７】
以上のことから、半導体メモリカード１００の出力側にＥ／Ｏ部２００Ｂを備えることで、半導体メモリカード１００からバックアップインターフェース１２４へのデータの送信を、インターフェース接続部１２１に２分配バッファ１２２又はマルチプレクサを用いた場合に比べ、高速に行うことができ、又データ送信時の耐ノイズ性も向上する。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】半導体ディスク装置を用いたシステム構成図である。
【図２】半導体ディスク装置の構成を示す機能ブロック図である。
【図３】内部モニタ部が半導体ディスク装置の異常を検出した場合に、半導体ディスク装置が記憶しているデータを外部記憶装置へ転送する処理に関するフローチャートである。
【図４】第２の実施の形態に係る、半導体ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【図５】第３の実施の形態に係る、半導体ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００８９】
１０    半導体ディスク装置
１６    外部ＵＰＳ（第２の電源部）
１００    半導体メモリカード（揮発性記憶手段）
１０６    ホストインターフェースコントローラ（制御手段）
１１２    内部モニタ部（異常検出手段）
１１９    交流電源（第１の電源部）
１２１    データ転送用インターフェース
１２４    バックアップインターフェース
１２６    外部記憶装置（バックアップ用記憶装置）
１２８    電源切替部（異常時バックアップ制御手段）
２００    Ｅ／Ｏ部（電気−光変換手段）
２０４    Ｏ／Ｅ部（光−電気変換手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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