(57)【要約】      （修正有）【課題】基材との密着性に優れ、かつ良好な導電性を有するパターンを形成することができる導電性パターン形成方法、及び前記導電性パターン形成方法に用いることができる積層体を提供する。【解決手段】ガラス基材上に、ラジカル重合開始部位と前記ガラス基材に直接化学結合可能な部位とを有するポリマーが前記ガラス基材に化学結合して形成された厚さ０．１μｍ以上１００μｍ以下の重合開始層、及び、分子内に（メタ）アクリル酸エステル及び（メタ）アクリル酸アミドから選択される構造に由来する骨格を有し且つラジカル重合可能な不飽和部位と無電解めっき触媒を吸着する部位とを有するポリマーを含有するグラフトポリマー前駆体層、を有することを特徴とする積層体、並びに、該積層体を用いた導電性パターン形成方法。【選択図】図１
2008242412.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基材上に、ラジカル重合開始部位と前記ガラス基材に直接化学結合可能な部位とを有するポリマーが前記ガラス基材に化学結合して形成された厚さ０．１μｍ以上１００μｍ以下の重合開始層、及び、分子内に（メタ）アクリル酸エステル及び（メタ）アクリル酸アミドから選択される構造に由来する骨格を有し且つラジカル重合可能な不飽和部位と無電解めっき触媒を吸着する部位とを有するポリマーを含有するグラフトポリマー前駆体層、を有することを特徴とする積層体。
【請求項２】
前記ラジカル重合可能な不飽和部位が、（メタ）アクリロイルメチル基であることを特徴とする請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
前記ラジカル重合開始部位と前記ガラス基材に直接化学結合可能な部位とを有するポリマーの重量平均分子量が、１０００〜１００００００の範囲であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の積層体。
【請求項４】
前記ガラス基材に直接化学結合可能な部位が、ハロシリル基、アルコキシシリル基、環状エーテル基またはイソシアナート基であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の積層体。
【請求項５】
前記ガラス基材が、酸化ケイ素を主成分とすることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の積層体。
【請求項６】
前記ガラス基材の表面が、アミノ基、水酸基、メルカプト基、カルボキシル基、エポキシ基、イソシアナート基の中から選択される少なくとも１種類以上の官能基で修飾されていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の積層体。
【請求項７】
前記ガラス基材の表面が、アミノ基、水酸基、メルカプト基、カルボキシル基、エポキシ基、又はイソシアナート基を有するシランカップリング剤を用いて修飾されたことを特徴とする請求項６に記載の積層体。
【請求項８】
前記重合開始層の厚さが０．３μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の積層体。
【請求項９】
前記グラフトポリマー前駆体層の厚さが０．３μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれか1項に記載の積層体。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の積層体上にパターン状にエネルギーを付与して、該積層体が有する前記重合開始層におけるポリマーのラジカル重合開始部位にラジカルを生成させ、該ラジカルを起点としてグラフトポリマーを生成させる工程、及び、
前記生成したグラフトポリマーに無電解めっき触媒又はその前駆体を吸着させた後、無電解めっきを行い、導電性膜を形成する工程、
を有することを特徴とする導電性パターン形成方法。
【請求項１１】
前記導電性膜を形成する工程の後に、更に電気めっき処理工程を有することを特徴とする請求項１０に記載の導電性パターン形成方法。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１に記載の導電性パターン形成方法を用いて形成された導電性パターン。
【請求項１３】
請求項１２に記載の導電性パターンを備えたことを特徴とするプリント配線基板。
【請求項１４】
請求項１２に記載の導電性パターンを備えたことを特徴とする薄層トランジスタ。
【請求項１５】
請求項１３に記載のプリント配線基板を備えたことを特徴とする装置。
【請求項１６】
請求項１４に記載の薄層トランジスタを備えたことを特徴とする装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体、該積層体を用いた導電性パターン形成方法及び導電性パターン、該導電性パターンを備えたプリント配線基板及び薄層トランジスタ、並びにそれらを用いた装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板などの電子配線形成において、大面積基板に電気配線を形成する要求が増大している。高精細で導電性に優れた微細配線は、真空成膜法などの気相法により形成されることが一般的である。しかし、この方法では、広い面積にわたって膜厚や膜質が均一な金属膜を成膜することが困難であり、信頼性の高い配線、電極などの形成が切望されていた。
さらに、大面積のパネルに気相法で金属膜を製膜する場合、巨大な真空成膜装置とガス供給設備などの付帯設備が必要となり、莫大な設備投資が必要になるといった問題も発生する。
また、スパッタ装置、ＣＶＤ装置などの真空成膜装置は、真空ポンプを駆動する電力、基板加熱を行なう電力、プラズマを発生させる電力等多くの電力を必要とするが、当然ながら装置の巨大化に伴いこれら製造装置の消費エネルギーが増大するといった問題も発生する。
さらに、金属配線などを形成する際、従来は、真空成膜装置を用いて基板の全面に金属膜を成膜した後、その不要部分をエッチングにより除去することで、電気配線パターンを形成していた。しかし、この手法では、配線の解像度が限定され、金属材料の無駄が発生するといった問題もあった。近年、環境への配慮から、製造工程における消費エネルギーの低減や、材料資源の有効利用が求められ、より簡易に所望の解像度の金属膜パターンを形成しうる方法が求められている。
【０００３】
これに対して、例えば、無電解めっきの反応に必要な触媒層を予め基板上にパターン配置し、触媒層の存在する領域にのみ選択的に金属膜を形成する無電解めっき技術（例えば、特許文献１参照。）や、基板表面に金属酸化膜（例えばＺｎＯ）を形成した後、金属酸化膜をパターニングして、形成された金属酸化膜パターン上に選択的に金属膜パターンを形成する方法（例えば、特許文献２参照。）が提案されている。これらの方法では、所望のパターンで金属配線が形成できるが、前者では、ガラス基板などの表面が平滑な基板上に無電解めっきで金属膜パターンを形成した場合、基板とめっき被膜の密着性が非常に弱く、実用上問題のあるレベルであり、さらに、めっき膜の膜厚を増加させることが困難であった。また、後者では、基板全面に形成された酸化亜鉛膜をパターン化する工程において、レジスト樹脂などの使用が必要であり、工程が煩雑で、且つ、酸化亜鉛の耐薬品性の低さに起因して、エッチングレートの微妙な調整が要求されるとともに、大面積基板上ではエッチング速度の面内均性を向上させることが困難であった。
【０００４】
また、これらの改良技術として、感光膜に触媒となる材料を担持させ、紫外線露光でパターン化された触媒層を形成し、その領域のみに酸化亜鉛膜を形成し、これを基点として無電解めっきにより金属パターンを形成する方法が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。この方法によれば、解像度の高い酸化亜鉛膜パターンが形成されるという利点を有するが、感光膜などの特殊な材料を必要とし、また、金属膜の形成までに、２つの触媒層の形成を含む５工程を要し、工程が煩雑であった。
【０００５】
これをうけて本願出願人は、２５０ｎｍ〜７００ｎｍの波長のレーザーを走査することによりデジタルデータに基づき直接画像形成が可能な導電性パターン材料及びその形成方法について提案した（例えば、特許文献４参照）。しかしながら、この手法で作製できるめっき膜に関しては、無電解めっき法のみを利用するフルアディティブ法による金属配線の形成には、導電性、耐久性などの観点から数μｍのめっき厚さが必要であるのに対し、基材が石英ガラスを含む様々のガラス基板の場合、無電解めっき処理時にめっき浴が強アルカリ性であることが多く、アルカリによって基板表面が侵食されてしまい、金属配線部を密着させることができない問題が生じる。処理時間を短縮することによりこの問題を解決することも可能であるが、めっき法で配線を形成する場合、処理時間と配線膜厚は比例の関係にあり、抵抗値などの電気特性を満足する配線を形成するのは非常に困難である。
【特許文献１】特開２０００−１４７７６２公報
【特許文献２】特開２００１−８５３５８公報
【特許文献３】特開２００３−２１３４３６公報
【特許文献４】特開２００６−１０４０４５公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の前記従来における問題点を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明の目的は、基材との密着性に優れ、かつ良好な導電性を有するパターンを形成することができる導電性パターン形成方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、前記導電性パターン形成方法に用いることができる積層体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、検討の結果、グラフト重合を利用した導電性パターン等の作製において、ガラス基材上に、ラジカル重合開始能を有する厚さ０．１μｍ以上の重合開始層、及び特定のグラフトポリマー前駆体を有する層を形成することにより、上記問題点を解決しうることを見出し、本発明を完成した。
【０００８】
前記課題を解決するための手段は以下の通りである。
即ち、本発明の積層体は、ガラス基材上に、ラジカル重合開始部位と前記ガラス基材に直接化学結合可能な部位とを有するポリマーが前記ガラス基材に化学結合して形成された厚さ０．１μｍ以上１００μｍ以下の重合開始層、及び、分子内に（メタ）アクリル酸エステル及び（メタ）アクリル酸アミドから選択される構造に由来する骨格を有し且つラジカル重合可能な不飽和部位と無電解めっき触媒を吸着する部位とを有するポリマーを有することを特徴とする。
この結果、基材との密着性に優れ、かつ良好な導電性を有する導電性パターンの形成に用いうる積層体を得ることができる。尚、前記重合開始層の厚さは、０．３μｍ〜５０μｍであることが好ましく、０．５μｍ〜１０μｍがより好ましい。
【０００９】
前記ラジカル重合可能な不飽和部位は、（メタ）アクリロイルメチル基から選択される基であることが好ましい。ここで、（メタ）アクリロイルメチル基とは、アクリロイルメチル基又は（メタ）アクリロイルメチル基又はそれらの双方を意味するものである。
また、前記ラジカル重合開始部位と前記ガラス基材に直接化学結合可能な部位とを有するポリマーの重量平均分子量は、特に限定されないが、ポリマー溶解性、塗布適正の観点から、１０００〜１００００００であること好ましく、３０００〜１０００００がより好ましく、５０００〜５００００が特に好ましい。ポリマーの重量平均分子量を１０００〜１００００００とすることにより、容易にポリマー溶液を調製することができ、塗布面状も良好であるため好ましい。
【００１０】
また、前記ガラス基材に直接化学結合可能な部位が、ハロシリル基、アルコキシシリル基、環状エーテル基またはイソシアナート基であることにより、ガラス基材と前記ポリマーが強固に化学結合することから好ましい。更に、前記ガラス基材が酸化ケイ素を主成分とすることが好ましい。
【００１１】
本発明の導電性パターン形成方法は、前記積層体上にパターン状にエネルギーを付与して、該積層体が有する前記重合開始層におけるポリマーのラジカル重合開始部位にラジカルを生成させ、該ラジカルを起点としてグラフトポリマーを生成させる工程、及び、前記生成したグラフトポリマーに無電解めっき触媒又はその前駆体を吸着させた後、無電解めっきを行い、導電性膜を形成する工程、を有する導電性パターン形成方法を提供する。
また、前記導電性膜を形成する工程の後に、更に電気めっき処理工程を有することは、好ましい態様である。
【００１２】
本発明の導電性パターンは、本発明の導電性パターン形成方法を用いて形成された導電性パターンであることを特徴とする。
【００１３】
本発明のプリント配線基板、及び、本発明の薄層トランジスタは、本発明の導電性パターンを備えたことを特徴とする。
また、更に、本発明の装置は、本発明のプリント配線基板又は本発明の薄層トランジスタを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基材との密着性に優れ、かつ良好な導電性を有するパターンを形成することができる導電性パターン形成方法、及びそれにより得られた導電性パターンを提供することができる。
また、本発明によれば、前記導電性パターン形成方法に用いることができる積層体を提供することができる。
また、更に、本発明によれば、基材との密着性に優れ、かつ膜厚で良好な導電性膜を有する、プリント配線基板又は薄層トランジスタ、並びにプリント配線基板又は薄層トランジスタを備えた装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の積層体は、ガラス基材；ラジカル重合開始部位と前記ガラス基材に直接化学結合可能な部位とを有するポリマーが前記ガラス基材に化学結合して形成された厚さ０．１μｍ以上１００μｍ以下の重合開始層；分子内に（メタ）アクリル酸エステル及び（メタ）アクリル酸アミドから選択される構造に由来する骨格を有し且つラジカル重合可能な不飽和部位と無電解めっき触媒を吸着する部位とを有するポリマーを含有するグラフトポリマー前駆体層；を有する。
【００１６】
前記構成を有する本発明の積層体は、基材との密着性に優れ、かつ良好な導電性パターンが形成可能な導電性パターン形成方法に用いることができる。
【００１７】
本発明における「導電性パターン」については、原子間顕微鏡（ＡＦＭ）や電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察することにより確認することができる。
【００１８】
≪積層体≫
［重合開始層］
本発明における重合開始層は、ラジカル重合開始部位とガラス基材に直接化学結合可能な部位とを有するポリマーが、ガラス基材に化学結合して形成される厚さ０．１μｍ以上１００μｍ以下の層である。
【００１９】
ラジカル重合開始部位を有し、かつガラス基材と直接化学結合可能な部位を有するポリマーが、ガラス基材に化学結合することにより、基材と重合開始層との密着性を向上させることができる。また、形成された重合開始層の厚さを０．１μｍ以上１００μｍ以下とすることにより、ガラス基板へ耐アルカリ性を付与することができる。
【００２０】
重合開始層の厚さは、０．１μｍ以上１００μｍ以下とする必要がある。ガラス基板表面へのアルカリの接近を防ぐ点で０．３μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上１０μｍ以下がより好ましい。重合開始層の厚さを０．３μｍ以上５０μｍ以下の範囲とすることにより耐アルカリ性の効果が増大する傾向となる。このような厚みを有する重合開始層は、後述するポリマーを用いることにより、リジットな層となる。
次に、重合開始層の構成成分について説明する。
【００２１】
（ラジカル重合開始部位とガラス基材に直接化学結合可能な部位とを有するポリマー）
重合開始層を形成するポリマーは、ラジカル重合開始部位とガラス基材に直接化学結合可能な部位とを有するポリマーである。該ポリマーとしては、ガラス基材に直接化学結合可能な部位（以下、単に、基材結合部位ともいう。）、及び、光開裂によりラジカル重合開始しうる重合開始部位（以下、単に、重合開始部位ともいう。）を有する化合物であることが好ましい。
【００２２】
以下、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位（重合開始部位（Ｙ））と、ガラス基材に直接化学結合可能な部位（基材結合部位（Ｑ））と、を有するポリマーの構造について具体的に説明する。
【００２３】
このポリマーについて、図１の概念図における、基材結合部位（Ｑ）と重合開始部位（Ｙ）とを有する化合物（Ｑ−Ｙ）のモデルを用いて詳細に説明する。
【００２４】
重合開始部位（Ｙ）は、光により開裂しうる単結合を含む構造である。光により開裂する単結合としては、カルボニルのα開裂、β開裂反応、光フリー転位反応、フェナシルエステルの開裂反応、スルホンイミド開裂反応、スルホニルエステル開裂反応、Ｎ−ヒドロキシスルホニルエステル開裂反応、ベンジルイミド開裂反応、活性ハロゲン化合物の開裂反応などを利用して開裂が可能な単結合が挙げられる。これらの反応により、光により開裂しうる単結合が切断される。この開裂しうる単結合としては、Ｃ−Ｃ結合、Ｃ−Ｎ結合、Ｃ−Ｏ結合、Ｃ−Ｃｌ結合、Ｎ−Ｏ結合、及びＳ−Ｎ結合等が挙げられる。
【００２５】
光により開裂しうる単結合を含む重合開始部位（Ｙ）は、グラフトポリマー生成工程におけるグラフト重合の起点となることから、光により開裂しうる単結合が開裂すると、その開裂反応によりラジカルを発生させる機能を有する。
このように、光により開裂しうる単結合を有し、かつ、ラジカルを発生可能な重合開始部位（Ｙ）の構造としては、芳香族ケトン基、フェナシルエステル基、スルホンイミド基、スルホニルエステル基、Ｎ−ヒドロキシスルホニルエステル基、ベンジルイミド基、トリクロロメチル基、ベンジルクロライド基などの基を含む構造が挙げられる。
【００２６】
重合開始部位（Ｙ）は、露光により開裂してラジカルを発生するため、そのラジカル周辺に重合可能な化合物が存在する場合には、このラジカルがグラフト重合反応の起点として機能し、所望のグラフトポリマーを生成することができる（グラフトポリマー生成領域）。
【００２７】
一方、重合開始部位（Ｙ）が露光されなかった領域においては、重合開始部位（Ｙ）の開裂が起きず、当該領域にはグラフトポリマーは生成しない（グラフトポリマー非生成領域）。
【００２８】
一方、基材結合部位（Ｑ）は、ガラス基材表面に存在する官能基（Ｚ）と反応して結合しうる反応性基で構成される。該反応性基としては、ハロシリル基（好ましくは、トリクロロシリル基、ジクロロアルキルシリル基、クロロジアルキルシリル基、より好ましくは、トリクロロシリル基、ジクロロアルキルシリル基である。）、アルコキシシリル基（好ましくは、炭素数１〜２のアルコキシシリル基である。）、環状エーテル基（好ましくは、炭素数２〜６及び酸素数１〜２、より好ましくは炭素数２〜３及び酸素数１の環状エーテル基である。）、又はイソシアナート基が挙げられる。
前記シリル基に置換するアルキル基としては、炭素数１〜２のアルキル基が好ましい。
基材結合部位（Ｑ）として具体的には、以下に示すような基が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００２９】
【化１】
2008242412.tif 000003
【００３０】
重合開始部位（Ｙ）と、基材結合部位（Ｑ）と、は直接結合していてもよいし、連結基を介して結合していてもよい。この連結基としては、炭素、窒素、酸素、及び硫黄からなる群より選択される原子を含む連結基が挙げられ、具体的には、例えば、飽和炭素基、芳香族基、エステル基、アミド基、ウレイド基、エーテル基、アミノ基、スルホンアミド基等が挙げられる。なお、この連結基は更に置換基を有していてもよく、その導入可能な置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、等が挙げられる。
【００３１】
基材結合部位（Ｑ）と、重合開始部位（Ｙ）と、を有する化合物（Ｑ−Ｙ）の具体例〔例示化合物Ｔ１〜例示化合物Ｔ１０〕を、開裂部と共に以下に示すが、本発明はこれらに制限されるものではない。
【００３２】
【化２】
2008242412.tif 000004
【００３３】
【化３】
2008242412.tif 000005
【００３４】
重合開始層は、ポリマーの化学結合可能な部位を介してガラス基材上に結合させてなる層である。即ち、図１に示すように、重合開始層は、化合物（Ｑ−Ｙ）をガラス基材表面に存在する官能基（Ｚ）に結合させることにより形成できる。化合物（Ｑ−Ｙ）をガラス基材表面に存在する官能基（Ｚ）に結合させる方法としては、例示化合物（Ｑ−Ｙ）を、トルエン、ヘキサン、アセトンなどの適切な溶媒に溶解又は分散し、その溶液又は分散液を基材表面に塗布する方法、又は、溶液又は分散液中に基材を浸漬する方法などを適用すればよい。
【００３５】
このとき、溶液中又は分散液中の化合物（Ｑ−Ｙ）の濃度としては、０．０１質量％〜３０質量％が好ましく、０．１質量％〜１５質量％であることが特に好ましい。溶液又は分散液をガラス基材に接触させる場合の液温としては、０℃〜１００℃が好ましい。接触時間としては、１秒〜５０時間が好ましく、１０秒〜１０時間がより好ましい。
【００３６】
重合開始層を形成するポリマーは、後述の実施例に記載の方法を用いて合成することができる。
【００３７】
［グラフトポリマー前駆体層］
グラフトポリマー前駆体層は、分子内に（メタ）アクリル酸エステル及び（メタ）アクリル酸アミドから選択される構造に由来する骨格を有し且つラジカル重合可能な不飽和部位と無電解めっき触媒を吸着する部位とを有するポリマー（以下、単に、「グラフトポリマー前駆体」ともいう。）を含有する。
【００３８】
ここで、「（メタ）アクリル酸エステル及び（メタ）アクリル酸アミド」とは、アクリル酸エステル、メタアクリル酸エステル、アクリル酸アミド、及びメタクリル酸アミドを意味する。
【００３９】
また、「（メタ）アクリル酸エステル及び（メタ）アクリル酸アミドから選択される構造に由来する骨格」とは、下記構造式（Ａ）〜（Ｄ）で示される骨格から選択されるものを意味する。以下、単に「骨格」と称する場合がある。
【００４０】
【化４】
2008242412.tif 000006
【００４１】
構造式（Ａ）〜（Ｄ）中、「＊」は、グラフトポリマー前駆体において、該構造式で示される骨格とそれに隣接する原子との連結部位を示す。
【００４２】
前記ラジカル重合可能な不飽和部位としては、重合性不飽和基（ラジカル重合性基）が挙げられ、ラジカル重合性の観点から、（メタ）アクリロイルメチル基が好ましい。
【００４３】
また、前記無電解めっき触媒を吸着する部位としては、極性基が挙げられ、該極性基は無電解めっき触媒の吸着性（付着性）の観点から、親水性基であることが好ましい。親水性基としては、例えば、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、アミノ基、水酸基、アミド基、及びエーテル基、等が挙げられる。
【００４４】
本発明におけるグラフトポリマー前駆体としては、前記骨格を有し、かつ、分子内にラジカル重合可能な不飽和部位と無電解めっき触媒を吸着する部位と有するポリマーであれば特に限定されない。中でも、無電解めっき触媒を吸着する部位としては、極性基である親水性基が好ましいことから、グラフトポリマー前駆体としては、重合性不飽和基を有する親水性ポリマー、親水性マクロマーなどであって、かつ、前記骨格を有するものが好ましい。
【００４５】
以下、重合性不飽和基を有する親水性ポリマー及び親水性マクロマーの合成について説明する。
【００４６】
−重合性不飽和基を有する親水性ポリマー−
重合性不飽和基を有する親水性ポリマーとは、分子内に、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリロイル基などのエチレン付加重合性不飽和基が導入されたラジカル重合性基含有親水性ポリマーを指す。このラジカル重合性基含有親水性ポリマーは、重合性基を主鎖末端又は側鎖に有することが好ましく、その双方に重合性基を有することがより好ましい。
【００４７】
このようなラジカル重合性基含有親水性ポリマーは以下のようにして合成することができる。
合成方法としては、（ａ）親水性モノマーとエチレン付加重合性不飽和基を有するモノマーとを共重合する方法、（ｂ）親水性モノマーと二重結合前駆体を有するモノマーとを共重合させ、次に塩基などの処理により二重結合を導入する方法、（ｃ）親水性ポリマーの官能基とエチレン付加重合性不飽和基を有するモノマーとを反応させる方法、が挙げられる。これらの中でも、特に好ましいのは、合成適性の観点から、（ｃ）親水性ポリマーの官能基とエチレン付加重合性不飽和基を有するモノマーとを反応させる方法である。
【００４８】
上記（ａ）や（ｂ）の方法において、ラジカル重合性基含有親水性ポリマーの合成に用いられる親水性モノマーとしては、（メタ）アクリル酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、イタコン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−モノメチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ジメチロール（メタ）アクリルアミド、アリルアミン若しくはそのハロゲン化水素酸塩、３−ビニルプロピオン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、ビニルスルホン酸若しくはそのアルカリ金属塩及びアミン塩、２−スルホエチル（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールモノ（メタ）アクリレートなどの、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、アミノ基若しくはそれらの塩、水酸基、アミド基及びエーテル基などの親水性基を有するモノマーが挙げられる。
【００４９】
また、（ｃ）の方法で用いられる親水性ポリマーとしては、これらの親水性モノマーから選ばれる少なくとも一種を用いて得られる親水性ホモポリマー若しくはコポリマーが用いられる。
【００５０】
（ａ）の方法でラジカル重合性基含有親水性ポリマーを合成する際、親水性モノマーと共重合するエチレン付加重合性不飽和基を有するモノマーとしては、例えば、アリル基含有モノマーがあり、具体的には、アリル（メタ）アクリレート、２−アリルオキシエチルメタクリレートが挙げられる。
【００５１】
また、（ｂ）の方法でラジカル重合性基含有親水性ポリマーを合成する際、親水性モノマーと共重合する二重結合前駆体を有するモノマーとしては、２−（３−クロロ−１−オキソプロポキシ）エチルメタクリレー卜が挙げられる。
【００５２】
更に、（ｃ）の方法でラジカル重合性基含有親水性ポリマーを合成する際、親水性ポリマー中のカルボキシル基、アミノ基若しくはそれらの塩と、水酸基及びエポキシ基などの官能基と、の反応を利用して不飽和基を導入することが好ましい。このために用いられる付加重合性不飽和基を有するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸、グリシジル（メタ）アクリレート、アリルグリシジルエーテル、２−イソシアナトエチル（メタ）アクリレートなど挙げられる。
【００５３】
−親水性マクロモノマー−
本発明において用い得るマクロモノマーの製造方法は、例えば、平成１年９月２０日にアイピーシー出版局発行の「マクロモノマーの化学と工業」（編集者  山下雄也）の第２章「マクロモノマーの合成」に各種の製法が提案されている。
本発明で用い得る親水性マクロモノマーで特に有用なものとしては、アクリル酸、メタクリル酸などのカルホキシル基含有のモノマーから誘導されるマクロモノマー、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、ビニルステレンスルホン酸、及びその塩のモノマーから誘導されるスルホン酸系マクロモノマー、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−ビニルカルボン酸アミドモノマーから誘導されるアミド系マクロモノマー、ヒドロキシエチルメタクリレー卜、ヒドロキシエチルアクリレート、グリセロールモノメタクリレートなどの水酸基含有モノマーから誘導されるマクロモノマー、メトキシエチルアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレートなどのアルコキシ基若しくはエチレンオキシド基含有モノマーから誘導されるマクロモノマーである。また、ポリエチレングリコール鎖若しくはポリプロピレングリコール鎖を有するモノマーも本発明のマクロモノマーとして有用に使用することができる。
これらの親水性マクロモノマーのうち有用なものの分子量は、２５０〜１０万の範囲で、特に好ましい範囲は４００〜３万である。
【００５４】
本発明におけるグラフトポリマー前駆体は、具体的には、前記重合性不飽和基を有する親水性ポリマー、及び親水性マクロマーを用いて、後述の実施例の記載の方法にて合成することができる。
【００５５】
グラフトポリマー前駆体層を重合開始層上に形成する方法としては、グラフトポリマー前駆体が溶解された溶液又は分散された分散液を塗布する方法、その溶液又は分散液に重合開始層を形成した基材を浸漬する方法などがある。
【００５６】
このとき、溶液中又は分散液のグラフトポリマー前駆体の濃度としては、０．１質量％〜５０質量％が好ましく、特に１質量％〜１０質量％であることが好ましい。
【００５７】
グラフトポリマー前駆体の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５８】
【化５】
2008242412.tif 000007
【００５９】
−溶媒−
上述のグラフトポリマー前駆体を溶解、分散するための溶媒としては、該化合物や必要に応じて添加される添加剤が溶解可能ならば特に制限はない。
例えば、グラフトポリマー前駆体として親水性の化合物が適用される場合であれば、水、水溶性溶剤などの水性溶剤が好ましく、これらの混合物や、溶剤に更に界面活性剤を添加したものなどが好ましい。水溶性溶剤は、水と任意の割合で混和しうる溶剤を言い、そのような水溶性溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリンの如きアルコール系溶剤、酢酸の如き酸、アセトンの如きケトン系溶剤、ホルムアミドの如きアミド系溶剤などが挙げられる。
【００６０】
グラフトポリマー前駆体層の厚みとしては、特に限定されないが、めっき触媒の金属吸着の観点から０．３μｍ〜５μｍが好ましく、０．５μｍ〜２μｍがより好ましい。
前記グラフトポリマー前駆体層の厚さを０．３μｍ〜５μｍの範囲とすることによりめっき触媒の金属の吸着量が増加の傾向となり好ましい。
【００６１】
［ガラス基材］
本発明において用いられるガラス基材としては、特に制限はなく、基材表面に、水酸基、カルボキシル基、アミノ基などの官能基（Ｚ）を有するガラス基材などを適用できる。
前記ガラス基材の成分としては、特に制限はないが、化学的修飾が容易であるという観点から酸化ケイ素を主成分とすることが好ましい。
【００６２】
化学的修飾には、シランカップリング剤（片末端にアルコキシシリル基またはハロシリル基を有し、もう一方の末端に特定の官能基を有する化合物）を用いることが、工程が簡易であり、且つ、表面の被覆が効果的で望ましい。この時、特定の官能基として望ましいのがアミノ基、水酸基、メルカプト基、カルボキシル基、エポキシ基、イソシアナート基であり、この中でもラジカル重合開始剤との反応性が高いアミノ基、カルボキシル基、イソシアナート基が好ましい。
【００６３】
前記シランカップリング剤の具体例としては、上記構成を有するものであれば特に限定されず、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、１１−アミノウンデシルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、（３−トリメトキシシリルプロピル）ジエチレントリアミン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、１１−メルカプトウンデシルトリメトキシシラン、メルカプトメチルメチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、（イソシアナートメチル）メチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、（３−グリシジルプロピル）トリエトキシシラン、（３−グリシジルプロピル）トリメトキシシラン、５，６−エポキシヘキシルトリエトキシシラン、（３−グリシジルプロピル）メチルジエトキシシラン、（３−グリシジルプロピル）メチルジメトキシシラン、（３−グリシジルプロピル）ジメチルエトキシシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン三酢酸ナトリウム、３−（トリエトキシシリル）プロピルコハク酸無水物、等が挙げられ、ラジカル重合開始剤との反応性が高い観点から、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、３−（トリエトキシシリル）プロピルコハク酸無水物が好ましい。
【００６４】
また、一般的には、平板状のガラス基材が用いられるが、必ずしも平板状のガラス基材に限定されず、円筒形などの任意の形状のガラス基材であっても用いることができる。これらのガラス基材についてもグラフトポリマーを導入することができる。
【００６５】
本発明に好適な基材として、具体的には、表面に水酸基を有する各種ガラス基材、及び表面を化学修飾し、表面に前記特定官能基を有する各種ガラス基材が挙げられる。
ガラス基材の厚みは、使用目的に応じて選択され、特に限定はないが、一般的には、１０μｍ〜１０ｃｍ程度である。
【００６６】
≪導電性パターン形成方法≫
本発明の導電性パターン形成方法は、前記積層体上にパターン状にエネルギーを付与して、該積層体が有する重合開始層におけるポリマーのラジカル重合開始部位にラジカルを生成させ、該ラジカルを起点としてグラフトポリマーを生成させる工程（以下、「グラフトポリマー生成工程」ともいう。）と、前記パターン状に形成されたグラフトポリマーに無電解めっき触媒又はその前駆体を吸着させた後、無電解めっきを行い、導電性膜を形成する工程（以下、「導電性膜形成工程」ともいう。）と、を有することを特徴とする。
【００６７】
この方法を用いることで、基材上に所望の導電性パターンを形成することができ、特に、超微細の導電性パターンを形成することができる。また、導電性パターン形成において、前記積層体を用いることにより、導電性膜と基材との密着性、有用なグラフトポリマーの無電解めっき浴中のアルカリ性への耐性を著しく向上させることができる。
【００６８】
ここで、本発明における「超微細」とは、少なくとも導電性膜（導電性パターン）の幅が１０００ｎｍ以下であるものを指し、好ましくは、ラインアンドスペースの幅がそれぞれ１０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲のものであり、ラインアンドスペースの幅がそれぞれ１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であることがより好ましい。
本発明における「超微細の導電性パターン」については、原子間顕微鏡（ＡＦＭ）や電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察することにより確認することができる。
【００６９】
以下に、本発明の導電性パターン形成方法におけるグラフトポリマー生成工程と導電性膜形成工程について詳細に説明する。
【００７０】
（グラフトポリマー生成工程）
本発明の導電性パターン形成方法におけるグラフトポリマー生成工程では、前記積層体にパターン状にエネルギーを付与（パターン露光）して、重合開始層におけるポリマーのラジカル重合開始部位に発生したラジカルを起点として、グラフトポリマー前駆体との間で、グラフト重合反応を生起、進行させて、その結果、露光領域のみにグラフトポリマーが生成する。
【００７１】
本発明ではグラフトポリマー前駆体として、前記の特定のポリマーを用いるため、厚くで丈夫なグラフト膜ができる。
【００７２】
前記グラフトポリマー生成工程において、前記パターン露光する際に用いうる露光方法には特に制限はなく、エネルギーを付与できる露光であれば、紫外光で、可視光でよい。なかでも、より微細なグラフトパターンを形成する観点から可視領域（３６０〜７００ｎｍ）に極大吸収波長を有するレーザー走査露光、若しくは水銀灯等による紫外領域を含む露光とフォトマスクを用いるパターン露光が好ましい。
【００７３】
前記レーザー走査露光の好ましい前記極大吸収波長は３６０ｎｍ〜５５０ｎｍであり、より好ましくは３６５ｎｍ〜４５０ｎｍである。
【００７４】
また、露光エネルギーとしては、１０００ｍＪ／ｃｍ２以下であることが好ましく５００ｍＪ／ｃｍ２以下がより好ましく、３００ｍＪ／ｃｍ２以下がより好ましい。
【００７５】
露光に用いられる光源としては、紫外光、深紫外光、レーザー光等が挙げられ、具体的には、紫外光、ｉ線、ｇ線、ＫｒＦ、ＡｒＦなどのエキシマレーザーが用いられる。中でも、好ましくは、ｉ線、ｇ線、エキシマレーザーである。
【００７６】
本発明の導電性パターン形成方法における前記グラフトポリマー前駆体は、前述の積層体に含有されるグラフトポリマー前駆体と同様であり、好ましい例も同様である。
【００７７】
本発明における前記グラフトポリマー生成工程により形成されたグラフトパターンの解像度は、前記パターン露光における露光条件に左右される。
本発明における前記グラフトポリマー生成工程により、超微細なグラフトポリマーパターンの形成が可能であり、高精細のパターン露光を施すことにより、露光に応じた高精細なグラフトポリマーパターンが形成される。高精細なグラフトポリマーパターン形成のための露光方法としては、前述の通り、光学系を用いた光ビーム走査露光、マスクを用いた露光などが挙げられ、所望のパターンの解像度に応じた露光方法をとればよい。
特に、ラインアンドスペースの線幅が１０００ｎｍ以下の超微細なグラフトポリマーパターンを形成する際のパターン露光としては、具体的には、ｉ線ステッパー、ｇ線ステッパー、ＫｒＦステッパー、ＡｒＦステッパーのようなステッパー露光や、二光束干渉露光機による露光などが挙げられる。
【００７８】
このように、本発明におけるグラフトポリマー生成工程において、ガラス基材表面にグラフトポリマー生成領域と非生成領域とが形成された基材は、露光後、溶剤浸漬などの処理を行って、残存するグラフトポリマー前駆体やホモポリマーを除去し精製する。具体的には、水やアセトンによる洗浄、乾燥などが挙げられる。グラフトポリマー前駆体やホモポリマーの除去性の観点から、超音波などの手段を採ることが好ましい。
精製後の基材は、その表面に残存するグラフトポリマー前駆体やホモポリマーが完全に除去され、基材と強固に結合したパターン状のグラフトポリマーのみが存在することになる。
【００７９】
上記本発明におけるグラフトポリマー生成工程を経由することにより、露光の解像度に応じた微細なパターンが容易に形成されることから、その応用範囲は広い。
本発明におけるグラフトポリマー生成工程の方法により得られたグラフトポリマーパターンは、例えば、微細加工用レジスト等に適用することができる。
【００８０】
（導電性膜形成工程）
次に、本発明の導電性パターン形成方法における導電性膜を形成する工程（導電性膜形成工程）について説明する。
本工程では、生成されたグラフトポリマーに無電解めっき触媒又はその前駆体を吸着させた後、無電解めっきを行い、導電性膜（以下、単に「めっき膜」ともいう。）を形成する工程である。
【００８１】
（めっき膜の形成）
導電性膜形成工程は、グラフトポリマーが有する極性基に対し、無電解めっき触媒又はその前駆体を吸着させた後、無電解めっきを行い、めっき膜を形成する方法である。この方法により、めっき膜からなる導電性膜が形成される。
このように、めっき膜は、グラフトポリマーの極性基に吸着している触媒や前駆体に対し無電解めっきされて形成されることから、めっき膜とグラフトポリマーとが強固に結合しており、その結果、基材とめっき膜との密着性に優れると共に、めっき条件により導電性を調整することができるという利点を有する。
【００８２】
まず、無電解めっき触媒又はその前駆体の付与方法について説明する。
本発明において用いられる無電解めっき触媒とは、主に０価金属であり、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏなどが挙げられる。本発明においては、特に、Ｐｄ、Ａｇがその取り扱い性の良さ、触媒能の高さから好ましい。０価金属を相互作用性領域に固定する手法としては、例えば、グラフトポリマーの極性基と相互作用するように荷電を調節した金属コロイドを、グラフトポリマーが生成した基材に付与する手法が用いられる。一般に、金属コロイドは、荷電を持った界面活性剤又は荷電を持った保護剤が存在する溶液中において、金属イオンを還元することにより作製することができる。金属コロイドの荷電は、ここで使用される界面活性剤又は保護剤により調節することができ、このように荷電を調節した金属コロイドを、グラフトポリマーが有する極性基と相互作用させることで、グラフトポリマーに金属コロイド（無電解めっき触媒）を付着させることができる。
【００８３】
本発明において用いられる無電解めっき触媒前駆体とは、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば、特に制限なく使用することができる。主には上記無電解めっき触媒で用いた０価金属の金属イオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である０価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンはグラフトポリマーが生成した基材に付与した後、無電解めっき浴への浸漬前に、別途還元反応により０価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよいし、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき浴に浸漬し、無電解めっき浴中の還元剤により金属（無電解めっき触媒）に変化させてもよい。
【００８４】
実際には、無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、金属塩の状態でグラフトポリマーに付与する。使用される金属塩としては、適切な溶媒に溶解して金属イオンと塩基（陰イオン）とに解離されるものであれば特に制限はなく、Ｍ（ＮＯ３）ｎ、ＭＣｌｎ、Ｍ２／ｎ（ＳＯ４）、Ｍ３／ｎ（ＰＯ４）（Ｍは、ｎ価の金属原子を表す）などが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。具体例としては、例えば、Ａｇイオン、Ｃｕイオン、Ａｌイオン、Ｎｉイオン、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ｐｄイオンが挙げられ、Ａｇイオン、Ｐｄイオンが触媒能の点で好ましい。
【００８５】
無電解めっき触媒である金属コロイド、或いは、無電解めっき触媒前駆体である金属塩をグラフトポリマーに付与する方法としては、金属コロイドを適当な分散媒に分散、或いは、金属塩を適切な溶媒で溶解し、解離した金属イオンを含む溶液を調製し、その溶液をグラフトポリマーが生成した基材に塗布するか、或いは、その溶液中にグラフトポリマーが生成した基材を浸漬すればよい。金属イオンを含有する溶液を接触させることで、グラフトポリマーが有する極性基に、イオン−イオン相互作用、又は、双極子−イオン相互作用を利用して金属イオンを付着させること、或いは、相互作用性領域に金属イオンを含浸させることができる。このような付着又は含浸を充分に行なわせるという観点からは、接触させる溶液中の金属イオン濃度、或いは金属塩濃度は０．０１〜５０質量％の範囲であることが好ましく、０．１〜３０質量％の範囲であることが更に好ましい。また、接触時間としては、１分〜２４時間程度であることが好ましく、５分〜１時間程度であることがより好ましい。
【００８６】
次に、無電解めっき方法について説明する。
無電解めっき触媒又はその前駆体が付与された基材に対して、無電解めっきを行うことで、グラフトポリマー生成領域に応じた導電性膜が形成される。
無電解めっきとは、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる操作のことをいう。
【００８７】
本工程における無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与された基材を、水洗して余分な無電解めっき触媒（金属）を除去した後、無電解めっき浴に浸漬して行なう。使用される無電解めっき浴としては、一般的に知られている無電解めっき浴を使用することができる。
【００８８】
また、無電解めっき触媒前駆体が付与された基材の場合、つまり、無電解めっき触媒前駆体がグラフトポリマーに付着又は含浸した状態の基材を無電解めっき浴に浸漬する場合には、基材を水洗して余分な前駆体（金属塩など）を除去した後、無電解めっき浴中へ浸漬される。この場合には、無電解めっき浴中において、前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここ使用される無電解めっき浴としても、上記同様、一般的に知られている無電解めっき浴を使用することができる。
【００８９】
一般的な無電解めっき浴の組成としては、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加物が含まれていてもよい。
無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、銅、すず、鉛、ニッケル、金、パラジウム、ロジウムが知られており、中でも、導電性の観点からは、銅、金が特に好ましい。
【００９０】
また、上記金属に合わせて最適な還元剤、添加物がある。例えば、銅の無電解めっき浴は、銅塩としてＣｕ（ＳＯ４）２、還元剤としてＨＣＯＨ、添加剤として銅イオンの安定剤であるＥＤＴＡやロッシェル塩などのキレート剤が含まれている。また、ＣｏＮｉＰの無電解めっきに使用されるめっき浴には、その金属塩として硫酸コバルト、硫酸ニッケル、還元剤として次亜リン酸ナトリウム、錯化剤としてマロン酸ナトリウム、りんご酸ナトリウム、こはく酸ナトリウムが含まれている。また、パラジウムの無電解めっき浴は、金属イオンとして（Ｐｄ（ＮＨ３）４）Ｃｌ２、還元剤としてＮＨ３、Ｈ２ＮＮＨ２、安定化剤としてＥＤＴＡが含まれている。これらのめっき浴には、上記成分以外の成分が入っていてもよい。
【００９１】
このようにして形成される導電性膜の膜厚は、めっき浴の金属塩又は金属イオン濃度、めっき浴への浸漬時間、或いは、めっき浴の温度などにより制御することができるが、導電性の観点からは、０．５μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましい。また、めっき浴への浸漬時間としては、１分〜３時間程度であることが好ましく、１分〜１時間程度であることがより好ましい。
【００９２】
以上のようにして得られる導電性膜は、ＳＥＭによる断面観察により、グラフトポリマー膜中に無電解めっき触媒やめっき金属の微粒子がぎっしりと分散しており、更にその上に比較的大きな粒子が析出していることが確認された。界面はグラフトポリマーと微粒子とのハイブリッド状態であるため、基材表面の平均粗さ（Ｒｚ）が３μｍ以下であっても、基材（有機成分）と無機物（無電解めっき触媒又はめっき金属）との密着性が良好であった。
【００９３】
（電気めっき処理工程）
また、導電性膜形成工程における無電解めっき終了後、電気めっき処理工程を有することが好ましい。即ち、電気めっきは、前述の無電解めっきにより得られた導電性膜を電極として行う。これにより基材との密着性に優れた導電性膜をベースとして、そこに新たに任意の厚みをもつめっき膜を容易に形成することができる。この工程を付加することにより、めっき膜を目的に応じた厚みに形成することができる。
【００９４】
本発明における電気めっきの方法としては、従来公知の方法を用いることができる。なお、電気めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、亜鉛などが挙げられ、導電性の観点から、銅、金、銀が好ましく、銅がより好ましい。
【００９５】
電気めっきにより得られるめっき膜の膜厚については、用途に応じて異なるものであり、めっき浴中に含まれる金属濃度、浸漬時間、或いは、電流密度などを調整することでコントロールすることができる。
【００９６】
以上の通り、本発明の導電性パターン形成方法により、基材との密着性に優れ、且つ、超微細な導電性膜（めっき膜）を有する導電性パターンをガラス基材上に形成することができる。
【００９７】
≪導電性パターン≫
本発明の導電性パターンは、前述の導電性パターン形成方法を用いて形成されたものであり、プリント配線基板、薄層トランジスタなど、精細でかつ導電性に優れた微細配線を必要とする各種の用途に適用できる。
【００９８】
≪プリント配線基板≫
本発明のプリント配線基板は、前述の導電性パターン形成方法を用いて形成された導電性パターンを備えたことを特徴とする。プリント配線基板が前記導電性パターン形成方法を用いて形成される導電性パターンを備えることにより、高精細でかつ導電性に優れた微細配線を広い面積にわたって、膜厚、膜質を均一にすることができる。これにより、信頼性の高い配線、電極を有するプリント配線基板とすることができる。
【００９９】
本発明により得られる高精細で導電性に優れた微細配線は、従来の真空成膜法などに比べて、広い面積にわたって膜厚や膜質が均一な金属膜を成膜することができ、信頼性の高い配線、電極などとすることができる。さらに、莫大な設備投資が必要にないため、消費エネルギーは少なくて済む。真空成膜装置を用いた方法は、基板の全面に金属膜を成膜した後、その不要部分をエッチングにより除去することで、電気配線パターンを形成するが、本発明においては配線の解像度が限定されるため、金属材料の無駄がないことから環境への負荷が極めて少ない。
【０１００】
前記プリント配線基板は、導電性を更に向上させる観点から、前記導電性パターン形成方法を用いて形成される導電性膜（導電性パターン）を備えた後、電気めっき（金属めっき）処理工程を設けて形成されることが好ましい。前記金属めっきとしては、銅めっきであることが好ましい。
【０１０１】
なお、本発明のプリント配線基板を作製する場合、めっき膜の膜厚は、導電性の観点から、０．３μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましい。
【０１０２】
≪薄層トランジスタ≫
本発明の薄層トランジスタは、前述の導電性パターン形成方法を用いて形成された導電性パターンを備えたことを特徴とする。
【０１０３】
更に詳細には、本発明の薄層トランジスタは前記導電性パターン形成方法を用いて形成された導電性パターンである、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極又は金属配線を有することが好ましい。
【０１０４】
薄層トランジスタが前記導電性パターン形成方法を用いて形成される導電性パターンを備えることにより、高精細でかつ導電性に優れた微細配線を広い面積にわたって、膜厚、膜質が均一に形成することができる。これにより、信頼性の高い配線、電極を有する薄層トランジスタとすることができる。
【０１０５】
≪装置≫
本発明の装置は、前記プリント基板又は薄層トランジスタを備えたことを特徴とする。
このような装置としては、液晶表示装置（ＬＣＤ）、フィールドエミッション表示装置（ＦＥＤ）、電気泳動表示装置（ＥＰＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）、エレクトロクロミック表示装置（ＥＣＤ）、エレクトロルミネッセント表示装置（ＥＬＤ）などのフラットパネルディスプレイが挙げられる。本発明のプリント配線基板又は薄層トランジスタを備えた装置とすることにより、所望の解像度で基板との密着性も良好であり、装置の小型化、高集積化を達成することができる。
【０１０６】
本発明の装置としては、前記プリント配線基板又は薄層トランジスタを備えたこと以外は、特に限定されず、公知の構成要素を有することができ、中でも、表示装置であるが好ましい。
【０１０７】
以上のように、本発明の前記により得られた導電性パターンを適用したゲート電極、ドレイン電極、ソース電極或いは金属配線を有する、液晶表示装置（ＬＣＤ）、フィールドエミッション表示装置（ＦＥＤ）、電気泳動表示装置（ＥＰＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）、エレクトロクロミック表示装置（ＥＣＤ）、エレクトロルミネッセント表示装置（ＥＬＤ）などのフラットパネルディスプレイは、所望の解像度で基板との密着性に優れた電極や配線を容易に形成でき、ＴＦＴの小型化、高性能化、或いは液晶表示装置などの配線の低抵抗化のために導電層が使用されるすべての場合に、有効である。
【０１０８】
本発明における好適な液晶表示装置は、ドライ成膜に代わって、湿式成膜による電極或いは配線の形成が求められる場合や、表示面積の大面積化が求められる場合に極めて有用である。また、本発明における好適なアクティブマトリックス型表示装置は、フラットパネルディスプレイのみならず、フラットパネル型イメージセンサにも適用することができ、本発明の薄層トランジスタ（ＴＦＴ素子ともいう。）を組み込んだアクティブマトリクス基板は種々の液晶表示装置に好適に使用しうる。
【実施例】
【０１０９】
以下、本発明について実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１１０】
（合成例１）：重合開始層形成ポリマーＴ１
イルガキュア２９５９（チバスペシャリティケミカルズ社製）９．００ｇをＴＨＦ３０ｍＬに溶解し、ｐ−メトキシフェノール２０ｍｇと２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート６．２８ｇ、ジブチルチンジラウレート８１ｍｇを添加し、５０℃、４時間反応させた。溶媒を減圧除去し、酢酸エチル―ヘキサンを用い再結晶し、白色固体を得た。
次に、この白色固体１０ｇをメチルエチルケトン５０ｍＬに溶解、グリシジルメタクリレート１５．７ｇ、ＡＩＢＮ  １４０ｍｇを添加し、７０℃に加温、６時間反応させた。その後、この溶液をヘキサンで再沈殿することにより重合開始層形成ポリマーＴ１を得た。
なお、重合開始層形成ポリマーＴ１は、化合物（Ｑ−Ｙ）の具体例として挙げた例示化合物Ｔ１である。
【０１１１】
（合成例２）：重合開始層形成ポリマーＴ２
２，４−ビストリクロロメチル−６−（４−ヒドロキシフェニル）トリアジン１６．４ｇをＴＨＦ５０ｍＬに溶解し、ｐ−メトキシフェノール２０ｍｇと２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート６．２８ｇ、ジブチルチンジラウレート８１ｍｇを添加し、５０℃、４時間反応させた。溶媒を減圧除去し、酢酸エチル−ヘキサンを用い再結晶し、黄色固体を得た。
次に、この黄色固体１０ｇをジメチルアセトアミド１６８ｍＬに溶解、グリシジルメタクリレート８．８５ｇ、ＡＩＢＮ  １４０ｍｇを添加し、７０℃に加温、６時間反応させた。その後、この溶液をヘキサンで再沈殿することにより重合開始層形成ポリマーＴ２を得た。なお、重合開始層形成ポリマーＴ２は、化合物（Ｑ−Ｙ）の具体例として挙げた例示化合物Ｔ２である。
【０１１２】
（合成例３）：親水性ポリマーＰ１
ポリアクリル酸（平均分子量２５，０００）１８ｇをＤＭＡｃ３００ｇに溶解し、ハイドロキノン０．４１ｇと２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート３．５３ｇとジブチルチンジラウレート０．２５ｇを添加し、６５℃、４時間反応させた。得られたポリマーの酸価は７．０２ｍｅｑ／ｇであった。１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液でカルボキシル基を中和し、酢酸エチルに加えポリマーを沈殿させ、よく洗浄し親水性ポリマーＰ１を得た。
【０１１３】
（合成例４）：親水性ポリマーＰ２
ポリアクリル酸（平均分子量２５，０００）１８ｇをＤＭＡｃ３００ｇに溶解し、グリコール酸メチル９．００ｇと炭酸水素ナトリウム２２ｇを添加し、６０℃、８時間反応させた。その後、１Ｎ塩酸を用いて中和し、続いてハイドロキノン０．４１ｇと２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート２１．２ｇとジブチルチンジラウレート０．４０ｇを添加し、６５℃、４時間反応させた。この溶液を酢酸エチルに加えポリマーを沈殿させ、よく洗浄し親水性ポリマーＰ２を得た。
【０１１４】
（合成例５）：重合開始層形成ポリマーＴ７
イルガキュア２９５９（チバスペシャリティケミカルズ社製）９．００ｇをＴＨＦ３０ｍＬに溶解し、ｐ−メトキシフェノール２０ｍｇと２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート６．２８ｇ、ジブチルチンジラウレート８１ｍｇを添加し、５０℃、４時間反応させた。溶媒を減圧除去し、酢酸エチル―ヘキサンを用い再結晶し、白色固体を得た。
次に、この白色固体１０．０ｇをメチルエチルケトン３５ｍＬに溶解、３−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート１．６４ｇ、ＡＩＢＮ  ６５．０ｍｇを添加し、７０℃に加温、６時間反応させた。その後、この溶液をヘキサンで再沈殿することにより重合開始層形成ポリマーＴ７を得た。
なお、重合開始層形成ポリマーＴ７は、化合物（Ｑ−Ｙ）の具体例として挙げた例示化合物Ｔ７である。
【０１１５】
（合成例６）：重合開始層形成ポリマーＴ８
Ｎ−［４−［４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］−４−ヒドロキシベンズアミド（富士フイルム（株）製）４０．０ｇをＴＨＦ２００ｍＬに溶解。トリエチルアミン１５．８ｍＬ、ピリジン０．６０ｍＬを添加し、氷浴にて０℃に冷却。無水メタクリル酸１２．３ｇを滴下、室温で１２時間撹拌、その後溶媒を減圧除去し、油状物を得た。この油状物をヘキサンで晶出、アセトニトリルで洗浄し、黄色固体を得た。
次に、この黄色固体１０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド６２．２ｍＬに溶解、３−（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート０．４６ｇ、ＡＩＢＮ  １１５ｍｇ添加し、７０℃に加温、６時間反応させた。その後、反応溶液にＴＨＦ３０ｍＬを加え、ヘキサンで最沈殿することにより、重合開始層形成ポリマーＴ８を得た。
なお、重合開始層形成ポリマーＴ８は、化合物（Ｑ−Ｙ）の具体例として挙げた例示化合物Ｔ８である。
【０１１６】
（合成例７）：重合開始層形成ポリマーＴ９
イルガキュア２９５９（チバスペシャリティケミカルズ社製）９．００ｇをＴＨＦ３０ｍＬに溶解し、ｐ−メトキシフェノール２０ｍｇと２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート６．２８ｇ、ジブチルチンジラウレート８１ｍｇを添加し、５０℃、４時間反応させた。溶媒を減圧除去し、酢酸エチル―ヘキサンを用い再結晶し、白色固体を得た。
次に、この白色固体１０．０ｇをメチルエチルケトン１３２ｍＬに溶解、次にカレンズＭＯＩ（昭和電工社製）８．１８ｇ、ベンジルメタクリレート９．２９ｇ、ＡＩＢＮ  ２８７ｍｇを添加し、７０℃に加温、６時間反応させた。その後、この溶液をヘキサンで再沈殿することにより重合開始層形成ポリマーＴ９を得た。
なお、重合開始層形成ポリマーＴ９は、化合物（Ｑ−Ｙ）の具体例として挙げた例示化合物Ｔ９である。
【０１１７】
（合成例８）：重合開始層形成ポリマーＴ１０
Ｎ−［４−［４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン−２−イル］−４−ヒドロキシベンズアミド（富士フイルム製）４０．０ｇをＴＨＦ２００ｍＬに溶解。トリエチルアミン１５．８ｍＬ、ピリジン０．６０ｍＬを添加し、氷浴にて０℃に冷却。無水メタクリル酸１２．３ｇを滴下、室温で１２時間撹拌、その後溶媒を減圧除去し、油状物を得た。この油状物をヘキサンで晶出、アセトニトリルで洗浄し、黄色固体を得た。
次に、この黄色固体１０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８４．０ｍＬに溶解、グリシジルメタクリレート７．１７ｇ、ベンジルメタクリレート２．９６ｇ、ＡＩＢＮ  １７９ｍｇ添加し、７０℃に加温、６時間反応させた。その後、反応溶液にＴＨＦ５０ｍＬを加え、ヘキサンで最沈殿することにより、重合開始層形成ポリマーＴ１０を得た。
なお、重合開始層形成ポリマーＴ１０は、化合物（Ｑ−Ｙ）の具体例として挙げた例示化合物Ｔ１０である。
【０１１８】
［実施例１］
（光開裂化合物結合工程）
ガラス基板（日本板硝子）に、ＵＶオゾンクリーナー（ＵＶ４２、日本レーザー電子社製）を用いて１０分間ＵＶオゾン処理を行うことで表面洗浄を行った。
次に、前記例示化合物Ｔ１を脱水エチルメチルケトン（２−ブタノン）に溶かして２０質量％溶液を調製し、これを前記の基板表面にスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコート後、前記ガラス基板を１７０℃で１時間加熱し、表面をエチルメチルケトンで洗浄した。その後、エアーガンで乾燥して、例示化合物Ｔ１がガラス基板に結合してなる重合開始層を有する基板Ａ１を得た（重合開始層の厚み：５．０μｍ）。
【０１１９】
（グラフトポリマー生成工程）
前記合成例３で得られた親水性ポリマーＰ１  ０．５ｇを炭酸水素ナトリウム水溶液４．６２ｇ、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）０．０５ｇおよびアセトニトリル１．５ｇの混合溶媒に溶解させてグラフトポリマー前駆体層形成用塗布液とした。
上記で得られた前記基板Ａ１の片面表面に前記グラフトポリマー前駆体層形成用塗布液をスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。グラフトポリマー前駆体層形成用塗布液を塗布後の基板を、８０℃で５分間乾燥し、グラフトポリマー前駆体層を形成した。
【０１２０】
（露光）
グラフトポリマー前駆体層形成後の基板Ａ１を、露光機（ユニキュアＵＶＸ−０２５１６Ｓ１ＬＰ０１、ウシオ電機（株）製）で所定のパターンに従って露光した。露光後、基板表面をワイパー（ベンコット、小津産業（株）製）で軽くこすりながら水で洗浄し，次にアセトンで洗浄した。
以上のようにして、表面にパターン状に形成されたグラフトポリマー層を有するガラス基板Ｂ１を形成した。
【０１２１】
得られたパターンを原子間顕微鏡ＡＦＭ（ナノピクス１０００，セイコーインスツルメンツ社製，ＤＦＭカンチレバー使用）で観察した。その結果、ガラス基板Ｂ１の表面に線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在するパターンが形成されていることが確認された。
【０１２２】
（導電性素材層形成工程）
＜無電解めっき＞
得られたガラス基板Ｂ１を硝酸銀（和光純薬製）１．０％水溶液に１分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。その後下記組成の無電解めっき浴（ｐＨ：１２．４）に３０分間浸漬して無電解めっきを行った。無電解めっき後、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。
【０１２３】
−無電解めっき浴の組成−
水                                                      ３００ｇ
硫酸銅（ＩＩ）五水和物                                  ３．０ｇ
ＥＤＴＡ−２Ｎａ二水和物                                ８．９ｇ
ポリエチレングリコール（平均分子量１０００）          ０．０３ｇ
２，２’−ビピリジル                                  ０．３ｍｇ
エチレンジアミン                                      ０．１２ｇ
水酸化ナトリウム                                        ２．５ｇ
ホルムアルデヒド水溶液（３６．０〜３８．０％）          １．６ｇ
【０１２４】
この表面を電子顕微鏡（Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ  ＴＭ−１０００  ＨＩＴＡＣＨＩ製）で観察したところ線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在する導電性パターン１が形成されていることが確認された。
【０１２５】
［実施例２］
（光開裂化合物結合工程）
ガラス基板（日本板硝子）に、ＵＶオゾンクリーナー（ＵＶ４２、日本レーザー電子社製）を用いて１０分間ＵＶオゾン処理を行うことで表面洗浄を行った。
次に、前記例示化合物２を脱水エチルメチルケトン（２−ブタノン）に溶かして１５質量％溶液を調製し、これを前記の基板表面にスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコート後、前記ガラス基板を１７０℃で１時間加熱し、表面をエチルメチルケトンで洗浄した。その後、エアーガンで乾燥して、例示化合物Ｔ２がガラス基板に結合してなる重合開始層を有する基板Ａ２を得た（重合開始層の厚み：４．１μｍ）。
【０１２６】
（グラフトポリマー生成工程）
前記合成例４で得られた親水性ポリマーＰ２  ０．５ｇを炭酸水素ナトリウム水溶液４．６２ｇ、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）０．０５ｇおよびアセトニトリル１．５ｇの混合溶媒に溶解させてグラフトポリマー前駆体層形成用塗布液とした。
上記で得られた前記基板Ａ２の片面表面に前記グラフトポリマー前駆体層形成用塗布液をスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。グラフトポリマー前駆体層形成用塗布液を塗布後の基板Ａ２は、８０℃で５分間乾燥し、グラフトポリマー前駆体層を形成した。
【０１２７】
（露光）
グラフトポリマー前駆体層形成後の基板Ａ２を、露光機（ユニキュアＵＶＸ−０２５１６Ｓ１ＬＰ０１、ウシオ電機（株）製）で所定のパターンに従って露光した。露光後、基板表面をワイパー（ベンコット、小津産業（株）製）で軽くこすりながら水で洗浄し，次にアセトンで洗浄した。
以上のようにして、表面にパターン状に形成されたグラフトポリマー層を有するガラス基板Ｂ２を形成した。
【０１２８】
得られたパターンをＡＦＭ（ナノピクス１０００，セイコーインスツルメンツ社製，ＤＦＭカンチレバー使用）で観察した。その結果、ガラス基板Ｂ２の表面に線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在するパターンが形成されていることが確認された。
【０１２９】
（導電性素材層形成工程）
＜無電解めっき＞
得られたガラス基板Ｂ２を硝酸銀（和光純薬製）１．０％水溶液に１分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。
次に、下記組成の無電解めっき浴（市販品）に３０分間浸漬して、無電解めっきを行った。無電解めっき後、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。
【０１３０】
−無電解めっき浴の組成−
水                                                        ２５８ｇ
ＡＴＳアドカッパーＩＷ−Ａ                                １５ｍＬ
ＡＴＳアドカッパーＩＷ−Ｍ                                ２４ｍＬ
ＡＴＳアドカッパーＩＷ−Ｃ                                  ３ｍＬ
【０１３１】
この表面を電子顕微鏡（Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ  ＴＭ−１０００  ＨＩＴＡＣＨＩ製）で観察したところ線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在する導電性パターン２が形成されていることが確認された。
【０１３２】
［実施例３］
（光開裂化合物結合工程）
ガラス基板（日本板硝子）に、ＵＶオゾンクリーナー（ＵＶ４２、日本レーザー電子社製）を用いて１０分間ＵＶオゾン処理を行うことで表面洗浄を行った。そのガラス基板を１質量％の３−アミノプロピルトリエトキシシラン（東京化成製）水溶液に浸漬し、１０分間静置した。基板を取り出し、蒸留水で洗浄を行い、乾燥させた。
次に、前記例示化合物Ｔ２を脱水エチルメチルケトン（２−ブタノン）に溶かして１５質量％溶液を調製し、これを前記の基板表面にスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコート後、前記ガラス基板を１７０℃で１時間加熱し、表面をエチルメチルケトンで洗浄した。その後、エアーガンで乾燥して、例示化合物Ｔ２がガラス基板に結合してなる重合開始層を有する基板Ａ３を得た（重合開始層の厚み：４．１μｍ）。
【０１３３】
（グラフトポリマー生成工程）
前記合成例４で得られた親水性ポリマーＰ２  ０．５ｇを炭酸水素ナトリウム水溶液４．６２ｇ、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）０．０５ｇおよびアセトニトリル１．５ｇの混合溶媒に溶解させてグラフトポリマー前駆体層形成用塗布液とした。
上記で得られた基板Ａ３の片面表面にグラフトポリマー前駆体層形成用塗布液をスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。グラフトポリマー前駆体層形成用塗布液の塗布後の基板Ａ３は、８０℃で５分間乾燥し、グラフトポリマー前駆体層を形成した。
【０１３４】
（露光）
グラフトポリマー前駆体層形成後の基板Ａ２を、露光機（ユニキュアＵＶＸ−０２５１６Ｓ１ＬＰ０１、ウシオ電機（株）製）で所定のパターンに従って露光した。露光後、基板表面をワイパー（ベンコット、小津産業（株）製）で軽くこすりながら水で洗浄し，次にアセトンで洗浄した。
以上のようにして、表面にパターン状に形成されたグラフトポリマー層を有するガラス基板Ｂ３を形成した。
【０１３５】
得られたパターンをＡＦＭ（ナノピクス１０００，セイコーインスツルメンツ社製，ＤＦＭカンチレバー使用）で観察した。その結果、ガラス基板Ｂ３の表面に線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在するパターンが形成されていることが確認された。
【０１３６】
（導電性素材層形成工程）
＜無電解めっき＞
得られたガラス基板Ｂ３を硝酸銀（和光純薬製）１．０％水溶液に１分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。その後、前記実施例１記載の無電解めっき浴（ｐＨ：１２．４）に３０分間浸漬して無電解めっきを行った。無電解めっき後、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。
【０１３７】
この表面を電子顕微鏡（Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ  ＴＭ−１０００  ＨＩＴＡＣＨＩ製）で観察したところ線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在する導電性パターン３が形成されていることが確認された。
【０１３８】
［実施例４］
（光開裂化合物結合工程）
ガラス基板（日本板硝子）に、ＵＶオゾンクリーナー（ＵＶ４２、日本レーザー電子社製）を用いて１０分間ＵＶオゾン処理を行うことで表面洗浄を行い、その基板を３−アミノプロピルトリメトキシシランの１質量％水溶液に１０分間浸漬、水で洗浄し、エアーガンで乾燥した。
次に、前記例示化合物Ｔ１を脱水エチルメチルケトン（２−ブタノン）に溶かして２０質量％溶液を調製し、これを前記の基板表面にスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコート後、前記ガラス基板を１７０℃で１時間加熱し、表面をエチルメチルケトンで洗浄した。その後、エアーガンで乾燥して、例示化合物Ｔ１がガラス基板に結合してなる重合開始層を有する基板Ａ４を得た（重合開始層の厚み：５．０μｍ）。
【０１３９】
（グラフトポリマー生成工程）
前記合成例３で得られた親水性ポリマーＰ１  ０．５ｇを炭酸水素ナトリウム水溶液４．６２ｇ、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）０．０５ｇおよびアセトニトリル１．５ｇの混合溶媒に溶解させてグラフトポリマー前駆体層形成用塗布液とした。
上記で得られた前記基板Ａ４の片面表面に前記グラフト形成層用塗布液をスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。グラフトポリマー前駆体層形成用塗布液を塗布後の基板を、８０℃で５分間乾燥し、グラフトポリマー前駆体層を形成した。
【０１４０】
（露光）
グラフトポリマー前駆体層形成後の基板Ａ１を、露光機（ユニキュアＵＶＸ−０２５１６Ｓ１ＬＰ０１、ウシオ電機（株）製）で所定のパターンに従って露光した。露光後、基板表面をワイパー（ベンコット、小津産業（株）製）で軽くこすりながら水で洗浄し，次にアセトンで洗浄した。
以上のようにして、表面にパターン状に形成されたグラフトポリマー形成層を有するガラス基板Ｂ４を形成した。
【０１４１】
得られたパターンを原子間顕微鏡ＡＦＭ（ナノピクス１０００，セイコーインスツルメンツ社製，ＤＦＭカンチレバー使用）で観察した。その結果、ガラス基板Ｂ４の表面に線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在するパターンが形成されていることが確認された。
【０１４２】
（導電性素材層形成工程）
＜無電解めっき＞
得られたガラス基板Ｂ４を硝酸銀（和光純薬製）１．０％水溶液に１分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。その後、実施例２記載の市販無電解めっき浴（ＡＴＳアドカッパー、ｐＨ＝１２．７、奥野製薬工業（株）製）に２０分間浸漬して、無電解めっきを行った。無電解めっき後、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。
【０１４３】
この表面を電子顕微鏡（Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ  ＴＭ−１０００  ＨＩＴＡＣＨＩ製）で観察したところ線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在する導電性パターン４が形成されていることが確認された。
【０１４４】
［実施例５］
（光開裂化合物結合工程）
ガラス基板（日本板硝子）に、ＵＶオゾンクリーナー（ＵＶ４２、日本レーザー電子社製）を用いて１０分間ＵＶオゾン処理を行うことで表面洗浄を行った。
次に、前記例示化合物Ｔ７を脱水エチルメチルケトン（２−ブタノン）に溶かして２０質量％溶液を調製し、これを前記の基板表面にスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコート後、前記ガラス基板を８０℃で２０分間加熱し、表面をエチルメチルケトンで洗浄した。その後、エアーガンで乾燥して、例示化合物Ｔ７がガラス基板に結合してなる重合開始層を有する基板Ａ５を得た（重合開始層の厚み：５．４μｍ）。
【０１４５】
（グラフトポリマー生成工程）
前記合成例３で得られた親水性ポリマーＰ１  ０．５ｇを炭酸水素ナトリウム水溶液４．６２ｇ、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）０．０５ｇおよびアセトニトリル１．５ｇの混合溶媒に溶解させてグラフト形成層用塗布液とした。
上記で得られた前記基板Ａ５の片面表面に前記グラフトポリマー前駆体層形成用塗布液をスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。グラフトポリマー前駆体層形成層用塗布液を塗布後の基板を、８０℃で５分間乾燥し、グラフトポリマー前駆体層を形成した。
【０１４６】
（露光）
グラフトポリマー前駆体層形成後の基板Ａ５を、露光機（ユニキュアＵＶＸ−０２５１６Ｓ１ＬＰ０１、ウシオ電機（株）製）で所定のパターンに従って露光した。露光後、基板表面をワイパー（ベンコット、小津産業（株）製）で軽くこすりながら水で洗浄し，次にアセトンで洗浄した。
以上のようにして、表面にパターン状に形成されたグラフトポリマー層を有するガラス基板Ｂ５を形成した。
得られたパターンを原子間顕微鏡ＡＦＭ（ナノピクス１０００，セイコーインスツルメンツ社製，ＤＦＭカンチレバー使用）で観察した。その結果、ガラス基板Ｂ５の表面に線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在するパターンが形成されていることが確認された。
【０１４７】
（導電性素材層形成工程）
＜無電解めっき＞  
得られたガラス基板Ｂ５を硝酸銀（和光純薬製）１．０％水溶液に１分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。その後下記組成の無電解めっき浴（ｐＨ：１２．４）に３０分間浸漬して無電解めっきを行った。無電解めっき後、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。
−無電解めっき浴の組成−
水                                                    ３００ｇ
硫酸銅（ＩＩ）五水和物                                ３．０ｇ
ＥＤＴＡ−２Ｎａ二水和物                              ８．９ｇ
ポリエチレングリコール（平均分子量１０００）        ０．０３ｇ
２，２’−ビピリジル                                ０．３ｍｇ
エチレンジアミン                                    ０．１２ｇ
水酸化ナトリウム                                      ２．５ｇ
ホルムアルデヒド水溶液（３６．０〜３８．０％）        １．６ｇ
【０１４８】
この表面を電子顕微鏡（Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ  ＴＭ−１０００  ＨＩＴＡＣＨＩ製）で観察したところ線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在する導電性パターン５が形成されていることが確認された。
【０１４９】
［実施例６］
（光開裂化合物結合工程）
ガラス基板（日本板硝子）に、ＵＶオゾンクリーナー（ＵＶ４２、日本レーザー電子社製）を用いて１０分間ＵＶオゾン処理を行うことで表面洗浄を行い、その基板を３−アミノプロピルトリメトキシシランの１重量％水溶液に１０分間浸漬、水で洗浄し、エアーガンで乾燥した。
次に、前記例示化合物Ｔ９を脱水エチルメチルケトン（２−ブタノン）に溶かして１０質量％溶液を調製し、これを前記の基板表面にスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコート後、前記ガラス基板を１２０℃で４０分間加熱し、表面をエチルメチルケトンで洗浄した。その後、エアーガンで乾燥して、例示化合物Ｔ１がガラス基板に結合してなる重合開始層を有する基板Ａ６を得た（重合開始層の厚み：２．６μｍ）。
【０１５０】
（グラフトポリマー生成工程）
前記合成例４で得られた親水性ポリマーＰ２  ０．５ｇを炭酸水素ナトリウム水溶液４．６２ｇ、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）０．０５ｇおよびアセトニトリル１．５ｇの混合溶媒に溶解させてグラフトポリマー前駆体層形成用塗布液とした。
上記で得られた前記基板Ａ６の片面表面に前記グラフトポリマー前駆体層形成用塗布液をスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。グラフト形成層用塗布液塗布後の基板Ａ６は、８０℃で５分間乾燥し、グラフトポリマー前駆体層を形成した。
【０１５１】
（露光）
グラフトポリマー前駆体層形成後の基板Ａ６を、露光機（ユニキュアＵＶＸ−０２５１６Ｓ１ＬＰ０１、ウシオ電機（株）製）で所定のパターンに従って露光した。露光後、基板表面をワイパー（ベンコット、小津産業（株）製）で軽くこすりながら水で洗浄し、次にアセトンで洗浄した。
以上のようにして、表面にパターン状に形成されたグラフトポリマー層を有するガラス基板Ｂ６を形成した。
得られたパターンをＡＦＭ（ナノピクス１０００，セイコーインスツルメンツ社製，ＤＦＭカンチレバー使用）で観察した。その結果、ガラス基板Ｂ６の表面に線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在するパターンが形成されていることが確認された。
【０１５２】
（導電性素材層形成工程）
＜無電解めっき＞
得られたガラス基板Ｂ６を硝酸銀（和光純薬製）１．０％水溶液に１分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。
次に、下記組成の市販無電解めっき浴ＡＴＳアドカッパー（奥野製薬工業（株）製）に３０分間浸漬して、無電解めっきを行った。無電解めっき後、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。
【０１５３】
−無電解めっき浴の組成−
水                                              ２５８ｇ
ＡＴＳアドカッパーＩＷ−Ａ                      １５ｍＬ
ＡＴＳアドカッパーＩＷ−Ｍ                      ２４ｍＬ
ＡＴＳアドカッパーＩＷ−Ｃ                        ３ｍＬ
【０１５４】
この表面を電子顕微鏡（Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ  ＴＭ−１０００  ＨＩＴＡＣＨＩ製）で観察したところ線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在する導電性パターン６が形成されていることが確認された。
【０１５５】
［実施例７］
（光開裂化合物結合工程）
ガラス基板（日本板硝子）に、ＵＶオゾンクリーナー（ＵＶ４２、日本レーザー電子社製）を用いて１０分間ＵＶオゾン処理を行うことで表面洗浄を行った。そのガラス基板上に１０質量％の３−アミノプロピルトリエトキシシラン（東京化成製）水溶液をスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコート後、前記ガラス基板を１２０℃で２０分間加熱し、基板を取り出し、蒸留水で洗浄を行い、乾燥させた。
【０１５６】
次に、前記例示化合物Ｔ１０を脱水エチルメチルケトン（２−ブタノン）に溶かして１５質量％溶液を調製し、これを前記の基板表面にスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコート後、前記ガラス基板を１７０℃で１時間加熱し、表面をエチルメチルケトンで洗浄した。その後、エアーガンで乾燥して例示化合物Ｔ１０がガラス基板に結合してなる重合開始層を有する基板Ａ７を得た（重合開始層の厚み：３．７μｍ）。
【０１５７】
（グラフトポリマー生成工程）
前記合成例４で得られた親水性ポリマーＰ２  ０．５ｇを２−メトキシー１−プロパノールに溶解させてグラフト形成層用塗布液とした。
上記で得られた基板Ａ３の片面表面にグラフトポリマー前駆体層形成用塗布液をスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。グラフトホ゜リマー前駆体層形成用塗布液を塗布後の基板Ａ７は、８０℃で５分間乾燥し、グラフトポリマー前駆体層を形成した。
【０１５８】
（露光）
グラフトポリマー前駆体層形成後の基板Ａ２を、露光機（ユニキュアＵＶＸ−０２５１６Ｓ１ＬＰ０１、ウシオ電機（株）製）で所定のパターンに従って露光した。露光後、基板表面をワイパー（ベンコット、小津産業（株）製）で軽くこすりながら水で洗浄し、次にアセトンで洗浄した。
以上のようにして、グラフトポリマーが表面にパターン状に形成されたガラス基板Ｂ７を形成した。
【０１５９】
得られたパターンをＡＦＭ（ナノピクス１０００，セイコーインスツルメンツ社製，ＤＦＭカンチレバー使用）で観察した。その結果、ガラス基板Ｂ７の表面に線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在するパターンが形成されていることが確認された。
【０１６０】
（導電性素材層形成工程）
＜無電解めっき＞
得られたガラス基板Ｂ７を硝酸銀（和光純薬製）１．０％水溶液に１分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。その後、前記実施例１記載の無電解めっき浴（ｐＨ：１２．４）に３０分間浸漬して無電解めっきを行った。無電解めっき後、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。
【０１６１】
この表面を電子顕微鏡（Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ  ＴＭ−１０００  ＨＩＴＡＣＨＩ製）で観察したところ線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在する導電性パターン７が形成されていることが確認された。
【０１６２】
［比較例１］
実施例１において、例示化合物Ｔ１の代わりに下記化合物Ｔ７を用い、親水性ポリマーＰ１の代わりに例示化合物Ｐ４（下記参照）を用いた以外は、実施例１と同様の工程を行った。ここで、下記化合物Ｔ７は特開２００６−１０４０４５号公報に記載の化合物を用いた。
導電性膜の膜厚が１μｍ以上の導電性素材層（導電性膜）を形成しようとした場合、無電解めっき処理中で剥離してしまった。
【０１６３】
【化６】
2008242412.tif 000008
【０１６４】
＜導電性・膜厚の評価＞
実施例及び比較例により得られた導電性パターンについて、導電性膜が形成された部分の表面導電性をロレスタ−ＦＰ（ＬＯＲＥＳＴＡ−ＦＰ：三菱化学（株）製）を用いて四探針法により、膜厚をＮａｎｏｐｉｘ１０００（セイコーインスツルメンツ（株）製）を用いて測定した。結果は表１に示す。
【０１６５】
＜導電性膜密着性の評価＞
実施例１〜４と同様にして、導電性領域（導電性膜）（１０（ｍｍ）×２００（ｍｍ））を形成し、ＪＩＳ  ５４００の碁盤目テープ法に準じ、カットした碁盤目に対するテープの引き剥がしテストを行い、膜密着性を評価した。１００個の碁盤目のうち基板側に残った碁盤の数を表１に示す。
【０１６６】
［比較例２］
（光開裂化合物結合工程）
ガラス基板（日本板硝子）に、ＵＶオゾンクリーナー（ＵＶ４２、日本レーザー電子社製）を用いて１０分間ＵＶオゾン処理を行うことで表面洗浄を行った。
次に、前記例示化合物Ｔ２を脱水エチルメチルケトン（２−ブタノン）に溶かして０．０７質量％溶液を調製し、これを前記の基板表面にスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。スピンコート後、前記ガラス基板を１７０℃で１時間加熱し、表面をエチルメチルケトンで洗浄した。その後、エアーガンで乾燥して例示化合物Ｔ２がガラス基板に結合してなる重合開始層を有する基板Ａ９を得た（重合開始層の厚み：２０ｎｍ）。
【０１６７】
（グラフトポリマー生成工程）
前記合成例４で得られた親水性ポリマーＰ２  ０．５ｇを炭酸水素ナトリウム水溶液４．６２ｇ、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）０．０５ｇおよびアセトニトリル１．５ｇの混合溶媒に溶解させてグラフトポリマー前駆体層形成層用塗布液とした。
上記で得られた前記基板Ａ９の片面表面に前記グラフトポリマー前駆体層形成層用塗布液をスピンコートした。スピンコーターは、まず３００ｒｐｍで５秒間、その後７５０ｒｐｍで２０秒間回転させた。グラフトポリマー前駆体層形成層用塗布液を塗布後の基板Ａ９は、８０℃で５分間乾燥し、グラフトポリマー前駆体層を形成した。
【０１６８】
（露光）
グラフトポリマー前駆体層形成後の基板Ａ９を、露光機（ユニキュアＵＶＸ−０２５１６Ｓ１ＬＰ０１、ウシオ電機（株）製）で所定のパターンに従って露光した。露光後、基板表面をワイパー（ベンコット、小津産業（株）製）で軽くこすりながら水で洗浄し，次にアセトンで洗浄した。
以上のようにして、表面にパターン状に形成されたグラフトポリマー層を有するガラス基板Ｂ９を形成した。
【０１６９】
得られたパターンをＡＦＭ（ナノピクス１０００，セイコーインスツルメンツ社製，ＤＦＭカンチレバー使用）で観察した。その結果、ガラス基板Ｂ９の表面に線幅１０μｍ、空隙幅１０μｍが交互に存在するパターンが形成されていることが確認された。
【０１７０】
（導電性素材層形成工程）
＜無電解めっき＞
得られたガラス基板Ｂ２を硝酸銀（和光純薬製）１．０％水溶液に１分間浸漬し、水で洗浄してエアーガンで乾燥した。
次に、下記組成の市販無電解めっき浴ＡＴＳアドカッパー（奥野製薬工業（株）製）に３０分間浸漬して、無電解めっき処理を行ったが、処理中に剥離してしまった。
【０１７１】
【表１】
2008242412.tif 000009
【０１７２】
以上の結果より、本発明の方法で得られた導電性パターン１〜７における導電性領域は、良好な導電性を有し、且つ、基板との密着性に優れることが確認された。一方、比較例１及び２の導電性膜は無電解めっき処理中で剥離してしまって、導電性パターンは得られなかった。
【図面の簡単な説明】
【０１７３】
【図１】本発明の導電性パターン形成方法における光開裂化合物結合工程からグラフトポリマー生成工程の概略を示す概念図である。
【図１】
2008242412.tif 000010