(57)【要約】【課題】  従来の発光装置では、ベース基板上に発光素子を積層する構造であるので、発光装置の薄型化に限界があった。【解決手段】  本発明の発光装置では、絶縁基板の一主面に設けた第１の導電箔と、他の主面に設けた第２の導電箔と、絶縁基板に設けた素子載置孔と、素子載置孔の下方の固着部と、発光素子と、第１の導電箔１１により構成された取り出し電極と、発光素子の第１電極と取り出し電極を接続する金属細線と、透明樹脂から構成され、素子載置孔内に発光素子と配置し、発光素子３１の発光を素子載置孔の傾斜面に設けた導電性金属層で反射させる。絶縁基板の厚みを切削により大幅に低減した固着部に発光素子を配置するので発光装置の薄型化が実現し、固着部上に導電性金属層を積層することにより支持材としての強度を確保できる。【選択図】  図１
2008305834.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の両主面に設けた第１の導電箔および第２の導電箔と、
前記絶縁基板に設けられ、前記絶縁基板の厚みの２分の１以上の深さを有する素子載置孔と、
前記素子載置孔の底部の前記絶縁基板よりなる固着部と、
前記素子載置孔に埋め込まれ、前記固着部上に配置された発光素子と、
前記第１の導電箔より形成された前記発光素子の第１電極と金属細線で接続された取り出し電極とを具備することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記発光素子は非導電ペーストで前記固着部上に固着され、前記発光素子の第２電極が他の金属細線により前記第２の導電箔で形成された裏面実装電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１及び第２の導電箔は銅から成り、前記固着部は金または銀メッキ層が積層されることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記素子載置孔の内壁にはスルーホールメッキ層が設けられ、該スルーホールメッキ層上にも前記金または銀メッキ層が積層されことを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記スルーホールメッキ層は前記固着部上に設けられて前記取り出し電極および前記裏面実装電極と接続し、前記発光素子からの発熱を伝えることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記スルーホールメッキ層上の前記金または銀メッキ層は前記発光素子のリフレクタとして共用されることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項７】
両主面には第１の導電箔および第２の導電箔が貼着された絶縁基板を準備する工程と、
前記絶縁基板を選択的に切削して素子載置孔と、該素子載置孔の下方の固着部とを形成する工程と、
スルーホールメッキにより前記第１の導電箔および前記素子載置孔の内壁にスルーホールメッキ層を形成する工程と、
前記第１の導電箔および第２の導電箔を所望の形状にエッチングして取り出し電極、裏面実装電極を形成する工程と、
前記取り出し電極、裏面実装電極、前記素子載置孔の内壁のスルーホールメッキ層に金または銀メッキ層を積層して形成する工程と、
前記固着部上に発光素子を固着する工程と、
前記発光素子の第１電極と前記取り出し電極とを金属細線で接続する工程と、
前記発光素子及び前記金属細線を透明樹脂で被覆する工程と、
各セルごとに個別の発光装置に分割する工程とを具備することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記切削はルーター加工により行われることを特徴とする請求項７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記ルーター加工においてリーマーの切削角度を選択し、前記素子載置孔の内壁の角度を調節することを特徴とする請求項７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
各セルは短冊形状に形成され、行列状に多数個を配列されることを特徴とする請求項７に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面に導電箔を貼り付けた絶縁基板に組み込まれる薄型の発光装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７に発光素子から発せられる光がベース基板内に吸収されることを防止し、発光損失を抑えて全体の輝度の向上を図る発光装置が示されている。
【０００３】
この発光装置は発光素子１００、ベース基板２００、基板電極３００、接続電極部４００、光反射部５００、孔部６００およびメッキ層７００から構成される。発光素子１００は三族窒化物系化合物半導体発光素子である。ベース基板２００はポリイミド、ガラスエポキシあるいはＢＴレジン等の樹脂で形成された絶縁性の基板であり、当該表面から裏面にかけて形成される銅箔膜からなる一対の基板電極部３００と、発光素子１００の載置面と反対側の面に形成される銅箔膜からなる光反射部５００と、一対の基板電極部３００が対向する絶縁部をベース基板２００の厚み方向に開設した孔部６００と、この孔部６００から露出する光反射部５００の露出面と孔部６００の内周面とに形成される金または銀によるメッキ層７００で作られている。また、ベース基板２００の裏面に設けられ、基板電極部３００と導通する導電膜からなる電極は、マザーボード等の装置基板に実装する接続電極部４００である。
【特許文献１】特開２００５−１７５３８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した発光装置では、以下のような問題点がある。
【０００５】
例えば携帯端末機器などでは小型化、薄型化が進み、発光装置の薄型化は市場要求である。
【０００６】
しかし、図７の如き発光装置では、発光素子１００がベース基板２００上に配置される構造であるため、実装後の厚みは少なくとも発光素子１００厚みとベース基板２００の厚みの総和以上は必要である。ベース基板２００の材料を改良するなどして薄型化も進んではいるが、支持材としてある程度の強度を確保する必要があり、製造工程における取り扱いの容易さ等も考慮するとこれ以上の大幅な薄型化には限界があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされ、第１に、絶縁基板の両主面に設けた第１の導電箔および第２の導電箔と、前記絶縁基板に設けられ、前記絶縁基板の厚みの２分の１以上の深さを有する素子載置孔と、前記素子載置孔の底部の前記絶縁基板よりなる固着部と、前記素子載置孔に埋め込まれ、前記固着部上に配置された発光素子と、前記第１の導電箔より形成された前記発光素子の第１電極と金属細線で接続された取り出し電極とを具備することにより解決するものである。
【０００８】
また、前記発光素子は非導電ペーストで前記固着部上に固着され、前記発光素子の第２電極が他の金属細線により前記第２の導電箔で形成された裏面実装電極と電気的に接続されることを特徴とするものである。
【０００９】
また、前記第１及び第２の導電箔は銅から成り、前記固着部は金または銀メッキ層が積層されることを特徴とするものである。
【００１０】
また、前記素子載置孔の内壁にはスルーホールメッキ層が設けられ、該スルーホールメッキ層上にも前記金または銀メッキ層が積層されことを特徴とするものである。
【００１１】
また、前記前記スルーホールメッキ層は前記固着部上に設けられて前記取り出し電極および前記裏面実装電極と接続し、前記発光素子からの発熱を伝えることを特徴とするものである。
【００１２】
また、前記スルーホールメッキ層上の前記金または銀メッキ層は前記発光素子のリフレクタとして共用されることを特徴とするものである。
【００１３】
第２に、両主面には第１の導電箔および第２の導電箔が貼着された絶縁基板を準備する工程と、前記絶縁基板を選択的に切削して素子載置孔と、該素子載置孔の下方の固着部とを形成する工程と、スルーホールメッキにより前記第１の導電箔および前記素子載置孔の内壁にスルーホールメッキ層を形成する工程と、前記第１の導電箔および第２の導電箔を所望の形状にエッチングして取り出し電極、裏面実装電極を形成する工程と、前記取り出し電極、裏面実装電極、前記素子載置孔の内壁のスルーホールメッキ層に金または銀メッキ層を積層して形成する工程と、前記固着部上に発光素子を固着する工程と、前記発光素子の第１電極と前記取り出し電極とを金属細線で接続する工程と、前記発光素子及び前記金属細線を透明樹脂で被覆する工程と、各セルごとに個別の発光装置に分割する工程とを具備することにより解決するものである。
【００１４】
また、前記切削はルーター加工により行われることを特徴とするものである。
【００１５】
また、前記ルーター加工においてリーマーの切削角度を選択し、前記素子載置孔の内壁の角度を調節することを特徴とするものである。
【００１６】
各セルは短冊形状に形成され、行列状に多数個を配列されることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、以下の効果が得られる。
【００１８】
第１に、発光装置の支持材となる絶縁基板に設けた素子載置孔に発光素子を埋め込んで、素子載置孔下方の絶縁基板からなる薄い固着部に発光素子を実装することにより、発光装置の大幅な薄型化が可能となる。支持材（ベース基板）上に発光素子を積層する実装構造では、発光素子と支持材の総厚み以上が必要となり、発光装置の薄型化が進まない問題がある。しかし本発明の構造によれば、発光素子は絶縁基板の厚みを大幅に（２分の１以上）低減した固着部上に配置できるので、従来どおりの厚みの発光素子および支持材（絶縁基板）を採用しても、発光装置の薄型化を図ることができる。
【００１９】
また、発光素子は、絶縁基板の一部からなる固着部に配置されるので、発光素子の支持・実装領域としての強度を確保できる。
【００２０】
第２に、発光素子は大部分が素子載置孔に埋め込まれ、その上面が絶縁基板表面より高くなるように配置されるので、発光効率の劣化を防止できる、また金属細線によるワイヤボンドが容易となる。
【００２１】
発光素子が完全に素子載置孔に埋め込まれてしまうと、外部への発光効率が劣化するおそれがある。また、発光素子はそのサイズ（厚み）によって発光する角度が変わるため、発光素子の構造を大幅に変更すると発光の特性が変化するおそれがある。
【００２２】
しかし本実施形態によれば、発光素子が配置される固着部は、絶縁基板を薄く切削した領域であるので、絶縁基板の厚みによる制約を大幅に低減できる。従って、従来と同様の発光素子を用いて、発光効率の劣化や発光の特性を変化させることなく、容易に発光装置の薄型化を図ることができる。
【００２３】
第３に、発光素子は、素子載置孔の底部の固着部上に非導電ペーストで固着され、発光素子の第２の電極は絶縁基板表面の金または銀メッキ層に金属細線により接続することにより第２の導電箔で形成された裏面実装電極と電気的な接続が可能となる。これにより発光装置の薄型化が実現する。
【００２４】
第４に、固着部は金または銀メッキ層が積層されるので、薄型化を実現した構造でありながら、発光素子を支持・実装する領域として十分な強度を確保できる。
【００２５】
第５に、素子載置孔の内壁（固着部上を含む）にはスルーホールメッキ層、金または銀メッキ層とが積層されることにより、発光素子が実装される固着部が薄い絶縁基板であっても、固着部およびその周囲を補強できるので、発光素子の支持材として十分な強度を確保できる。
【００２６】
第６に、固着部上にスルーホールメッキ層が設けられ、当該スルーホールメッキ層は取り出し電極および裏面実装電極と一体に形成されるので、発光素子からの発熱を、それぞれ取り出し電極および裏面実装電極に伝えることができる。
【００２７】
第７に、素子載置孔内壁のスルーホールメッキ層上に設けられた金または銀メッキ層は、発光素子の側面と対向するので、これらを発光素子のリフレクタとして共用することができる。
【００２８】
本発明の製造方法によれば、第１に、絶縁基板に設けられた素子載置孔の内部に発光素子を埋め込んで、絶縁基板の一部からなる固着部に発光素子を配置することで発光装置の薄型化を実現する製造方法を提供できる。また素子載置孔を切削で形成することにより正確で且つ容易に所定深さの素子載置孔を形成でき、同時に発光素子が配置される固着部を形成することができる。
【００２９】
また、取り出し電極、裏面実装電極、素子載置孔の内壁のスルーホールメッキ層、固着部に、金または銀メッキ層を積層して形成する工程により、薄い絶縁基板からなる固着部の強度を補強するためのメッキ層の形成と、ボンディング用のメッキ層の形成および、発光素子のリフレクタの形成を一工程で実施でき、製造工程を簡素化できる。
【００３０】
更に、発光素子の取り出し電極と第１電極および、発光素子の第２電極と裏面実装電極に接続する金または銀メッキ層とをほぼ同等の高さに揃えることができるので、金属細線のボンディングを容易にすることが可能となる。
【００３１】
第２に、素子載置孔をルーター加工で形成することにより、正確な深さの素子載置孔を容易に形成できる。また、リーマーの切削角度を選択することにより、素子載置孔内壁のすり鉢状に形成できるので、リフレクタとして活用できる。またすり鉢状であるので、発光素子の実装も容易となる。
【００３２】
第３に、リーマーの切削角度を適宜選択することにより、素子載置孔の内壁の角度を調節できる。従って、発光素子を固着部に実装するチップマウンタに適した大きさおよび形状の素子載置孔を容易に形成できる。また、またリフレクタとして活用する場合の傾斜角を容易に選択できる。
【００３３】
第４に、第１の導電箔及び第２の導電箔は銅で構成され、スルーホールメッキ層も銅メッキで形成されることにより、これらの上に形成される金または銀メッキ層は、電解メッキ層でそれぞれを均一な厚みに形成できる。
【００３４】
第５に、各セルを短冊状のセル群にして行列状に多数個並べて配置することで、発光装置を大量に製造することが可能であり、しかも必ず必要であるリフレクタも素子載置孔内に作り込むことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
図１から図６を参照し、本発明の実施形態を説明する。
【００３６】
まず、図１に本発明の発光装置を示す。図１（Ａ）はその上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のａ−ａ線断面図である。
【００３７】
本実施形態の発光装置は、絶縁基板１０と、第１の導電箔１１と、第２の導電箔１２と、素子載置孔２５と、固着部１０ａと、発光素子３１と、金属細線３０と、取り出し電極と１１ａとから構成される。
【００３８】
絶縁基板１０は、第１および第２の導電箔１１、１２の支持基板として働き、ＦＲ４(エポキシド織ガラス布)、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板、ガラスエポキシ基板、ガラスポリイミド基板などである。本実施形態では一例としてＢＴ樹脂からなる基板を用いる。絶縁基板１０の厚みｔ１は例えば６０μｍ程度である。
【００３９】
第１の導電箔１１および第２の導電箔１２は絶縁基板１０の両面に接着剤で圧着して貼り付けられる。第１の導電箔１１および第２の導電箔１２としては、エッチング可能な金属であればよい。本実施形態では、銅から成る金属箔を採用した。これらは配線の一部を構成する。
【００４０】
つまり、これらの膜厚は、配線として必要な厚さが選択される。配線の厚さは、実装される回路素子の電流容量などによって任意に決定することができる。第１の導電箔１１と第２の導電箔１２の膜厚は同等であり、例えば９μｍ〜３５μｍである。
【００４１】
素子載置孔２５は、絶縁基板１０のほぼ中央付近で、絶縁基板１０を、絶縁基板１０の厚みの２分の１以上の深さまで切削して設けられる。本実施形態では一例として、ＮＣ工作機（ＮＣルーター）を用いたルータ加工により形成する。より具体的には、リーマーによる切削加工であり、素子載置孔２５の側面は傾斜面２６となる。切削加工であるので、例えば深さに応じて水平方向にも大きくエッチングされる化学的エッチングで形成する場合と異なり、内部に配置される発光素子３１に対して必要十分な大きさに形成でき、発光装置５０の小型化が可能である。
【００４２】
本実施形態では、素子載置孔２５の下方に、絶縁基板１０の一部を残して固着部１０ａを形成する。ルーター加工であるので、正確で容易に素子載置孔２５および所望の厚みの固着部１０ａを形成できる。
【００４３】
素子載置孔２５の大きさは収納される発光素子３１よりは大きい正方形、円、楕円、あるいは多角形等の形に形成される。
【００４４】
一例として素子載置孔２５の形状は、上面開口の径は０．３ｍｍであり、下面開口の径は０．１６ｍｍのすり鉢状であり、高さは０．１ｍｍである。素子載置孔２５の傾斜面２６の傾斜角度は、１２５度である。また固着部１０ａの厚みｔ２は、発光素子３１の支持材としての強度を考慮して選択され、一例として３０μｍ程度である。尚、リーマーに変えて、エンドミルまたはドリルを用いてもよい。
【００４５】
固着部１０ａは、素子載置孔２５の下部の絶縁基板１０より形成される。すなわち、絶縁基板１０の一主面（第１の導電箔１１）側から絶縁基板１０を所定の深さまで研削し、残存した絶縁基板１０の一部が固着部１０ａとなる。
【００４６】
発光素子３１は三族窒化物系化合物半導体（例えば、ガリウムナイトライド）発光素子であり、素子の両端に第１電極３４および第２電極３５が設けられる。発光素子３１の形状は、底面が０．１５ｍｍ四方であり、高さは６０μｍ〜１００μｍである。ここでは一例として高さが１００μｍの発光素子３１を用いた。発光素子３１は、素子載置孔２５に埋め込まれるように配置され、素子載置孔２５の底部（固着部１０ａ上）に接着剤３３によって固着される。尚、後述するが、発光素子３１が実際に固着されるのは、固着部１０ａ上に積層された導電性金属層２３（２３ｄ）である。
【００４７】
接着剤３３は、例えば非導電ペーストである。また、発光素子３１は裏面から電極を取り出すことはないが、導電ペーストで固着されても問題はなく、固着部１０ａ上に金（Ａｕ）メッキを施し、Ａｕ共晶により固着してもよい。
【００４８】
発光素子３１は大部分を素子載置孔２５に埋め込まれ、その上面は絶縁基板１０表面（一主面）より若干突出する。発光素子は、絶縁基板１０の厚みを切削により低減した固着部１０ａ上に配置されるので、発光装置の大幅な薄型化が可能となる。また、本実施形態では、発光素子３１の上面は絶縁基板１０から若干突出しており、上面に設けられた第１電極３４（および第２電極３５）のワイヤボンドも容易である。
【００４９】
取り出し電極１１ａは、第１の導電箔１１を所望の形状にパターンニングすることにより形成され、発光素子３１の第１電極３４と金属細線３０で接続される。
【００５０】
裏面実装電極１２ｂは、第２の導電箔１２を所望の形状にパターンニングすることにより形成され、発光素子３１の第２電極３５と電気的に接続する。
【００５１】
発光素子３１の第２電極３５は、第１電極３４と同様に発光素子３１の上面に設けられ（図１（Ａ）参照）、他の金属細線３０により裏面実装電極１２ｂとなる第２の導電箔１２と接続する。
【００５２】
また、素子載置孔２５の内壁（側壁および底面）にはスルーホールメッキで形成されたスルーホールメッキ層１３が設けられる。スルーホールメッキ層１３は例えば銅箔（例えば厚み１５μｍ程度）であり、第１の導電箔１１と固着部１０ａ表面にも形成される。つまり、素子載置孔２５の内壁はスルーホールメッキ層１３のみが形成されるが、それ以外の領域ではスルーホールメッキ層１３は第１の導電箔１１と一体化し、第１の導電箔１１と第２の導電箔１２が接続する。
【００５３】
導電性金属層２３は、ボンディング可能で硬度の高い多層金属層である。ここでは例えば、金（Ａｕ）層またはＡｇ層あるいはパラジウム（Ｐｄ）層上に、Ｎｉ層を全面あるいは選択的に積層した金属層である。導電性金属層２３は、金属細線３０とのボンディングを可能とする。
【００５４】
導電性金属層２３は、電解メッキにより第１の導電箔１１、第２の導電箔１２およびスルーホールメッキ層１３上に積層される。すなわち、取り出し電極１１ａ、スルーホールメッキ層１３および裏面実装電極１２ｂの上に、それぞれ導電性金属層２３ａ、２３ｂ、２３ｃが設けられ、固着部１０ａの上にも導電性金属層２３ｄが設けられる。
【００５５】
導電性金属層２３ａは、金属細線３０によって発光素子３１の第１電極３４と電気的に接続され、取り出し電極１１ａ（第１の導電箔１１）とともに発光素子３１のアノード側の電極を形成する。また、導電性金属層２３ｃ、２３ｄは、第１の導電箔１１および裏面実装電極１２ｂ（第２の導電箔１２）とともに発光素子３１のカソード側の電極を形成している。
【００５６】
取り出し電極１１ａと裏面実装電極１２ｂは、分離溝２７、２８で分離され、分離溝２７、２８内壁にも導電性金属層２３が設けられる。
【００５７】
透明樹脂３２は全体を覆い、発光素子３１および金属細線３０の保護と同時に発光素子３１のレンズとして働く。
【００５８】
本実施形態の発光装置５０を実装する際には、裏面に露出する導電性金属層２３が半田などにより実装基板に固着される。
【００５９】
次に、図２に本発明の個別のセルを示す。図２（Ａ）はその上面図であり、図２（Ｂ）はその底面図である。
【００６０】
セルは絶縁基板１０の上面に第１の導電箔１１が、下面には第２の導電箔１２が一体に貼り付けられている。図２においては、最表面の導電性金属層２３が図示されており、第１の導電箔１１および第２の導電箔１２は不図示である。第１の導電箔１１（導電性金属層２３）には、分離溝２７を設けて第１の導電箔１１を左右に分離して一方（導電性金属層２３ａ側）をアノード電極とし、他方（導電性金属層２３側）をカソード電極とする。すなわち、中央付近に凹状のパターンと、凹状のパターンの左方にＬ字状のパターンが形成され、Ｌ字状のパターンを発光素子３１のアノード電極とし、凹状のパターンをカソード電極とする。凹状のパターンのほぼ中央には発光素子３１が載置される素子載置孔２５が設けられる。
【００６１】
第２の導電箔１２は分離溝２８により２つに分離され、左右をそれぞれアノード電極とカソード電極としている。具体的には、左右に短冊状のパターンが設けられ、左の短冊状のパターンがアノード電極となり右の短冊状のパターンがカソード電極となる。左右のパターンの間には、固着部１０ａの裏面となる絶縁基板１０が露出する。
【００６２】
実装基板に接続する際は、図２（Ｂ）に示す左右のパターンを半田等によって実装基板と接続する。本実施形態では、絶縁基板１０裏面の第２の導電箔１２（導電性金属層２３）が、分離溝２８によって分離され、これらの間に絶縁基板１０が配置されるので、半田流れによるアノード−カソード間のショートを防止できる。
【００６３】
素子載置孔２５の側壁にスルーホールメッキ層１３が形成され、これによりアノード電極およびカソード電極となる第１の導電箔１１および第２の導電箔１２が連結され電気的に接続される（図１（Ｂ）参照）。また、セルの周端部にはスルーホール２０が形成され、このスルーホール２０内にもスルーホールメッキ層１３が形成される。これによりセルの周端部でもアノード電極およびカソード電極となる第１の導電箔１１および第２の導電箔１２が連結されており、確実にスルーホール接続されている。
【００６４】
上述したセルは大きなシート状の実装基板（絶縁基板１０）に行列状に並べて多数個配列されて形成される（図６参照）。
【００６５】
本実施形態では、絶縁基板１０を貫通する素子載置孔２５の内部に発光素子３１を埋め込み、絶縁基板１０の厚みを２分の１以上まで低減（薄く）した固着部１０ａ上に配置することで、発光装置５０を大幅に薄型化することができる。
【００６６】
従来（図７）の如く、支持材となるベース基板２００上に発光素子１００を積層する実装構造では、最低でも発光素子１００とベース基板２００の総厚み以上が必要となり、発光装置の薄型化が進まない問題がある。
【００６７】
しかし本実施形態では絶縁基板１０の厚みを切削により低減した固着部１０ａ上に発光素子３１を配置するので、従来大きかった絶縁基板１０の厚みの制約をほとんど無視することができ、切削した絶縁基板１０の厚みの分、発光装置５０としての薄型化が実現する。従って、従来と同等の厚みの発光素子３１および絶縁基板１０を採用しても、発光装置５０の薄型化を図ることができる。具体的には、一例として１５０μｍ〜２００μｍ程度の薄さに形成できる。
【００６８】
本実施形態では固着部１０ａの薄い絶縁基板１０が発光素子３１の支持材となる。固着部１０ａは、例えば厚みｔ２が３０μｍ程度と薄いものであるが、固着部１０ａは発光素子３１の支持材として十分な強度を確保できる。また固着部１０ａの上にはスルーホールメッキ層１３および導電性金属層２３ｄ（厚みがそれぞれ１５μｍ程度、３０μｍ〜４０μｍ程度）が設けられているので、これらも固着部１０ａの補強として寄与できる。
【００６９】
また、素子載置孔２５の側壁も、スルーホールメッキ層１３、導電性金属層２３ｂが積層されることにより、素子載置孔２５で絶縁基板１０の厚み方向の大半が分離された構造であっても、発光素子３１の支持材としての強度を確保できる。
【００７０】
上記の導電性金属層２３の厚みは一例であり、発光素子３１および絶縁基板１０の厚みおよびこれを支持することができる強度を考慮して、適宜選択される。
【００７１】
また、スルーホールメッキ層１３によって、取り出し電極１１ａ（第１導電箔１１）および裏面実装電極１２ｂは接続され、第１導電箔１１および第２導電箔１２は、絶縁基板１０の両主面に設けられる。
【００７２】
つまり、発光素子３１の第２電極３５は、金属細線３０によって絶縁基板１０表面の導電性金属層２３と接続し、裏面側の導電性金属層２３ｃおよび裏面実装電極１２ｂと電気的に接続する。
【００７３】
尚、裏面側でパターンニングされた導電性金属層２３間は絶縁基板１０が配置されるので、ショート防止のためのレジスト層は不要となる。
【００７４】
更に、スルーホールメッキ層１３上の導電性金属層２３ｂは、発光素子３１のリフレクタとしても活用できる。既述の如く、素子載置孔２５の側面はリーマーの切削角度を選択することにより所望の角度の傾斜面２６を有しているため、発光素子３１からの発光を効率よくその焦点方向（上方）に反射できる。
【００７５】
続いて、図３および図４を参照して本発明の製造方法について説明する。
【００７６】
本発明の製造方法は、両主面には第１の導電箔および第２の導電箔が貼着された絶縁基板を準備する工程と、絶縁基板を選択的に切削して素子載置孔と素子載置孔の下方の固着部とを形成する工程と、スルーホールメッキにより第１の導電箔および素子載置孔の内壁にスルーホールメッキ層を形成する工程と、第１の導電箔および第２の導電箔を所望の形状にエッチングして取り出し電極、裏面実装電極を形成する工程と、取り出し電極、裏面実装電極、素子載置孔の内壁のスルーホールメッキ層に金または銀メッキ層を積層して形成する工程と、固着部上に発光素子を固着する工程と、発光素子の第１電極と前記取り出し電極とを金属細線で接続する工程と、発光素子及び前記金属細線を透明樹脂で被覆する工程と、各セルごとに個別の発光装置に分割する工程とから構成される。
【００７７】
第１工程（図３（Ａ））：両主面には第１の導電箔および第２の導電箔が貼着された絶縁基板を準備する工程。
【００７８】
一の主面に銅などの第１の導電箔１１を貼着し、他の主面に第１の導電箔１１と同等の厚みの第２の導電箔１２を貼着した絶縁基板１０を準備する。
【００７９】
絶縁基板１０としては、例えばＦＲ４またはＢＴ樹脂からなる基板、ガラスエポキシ基板またはガラスポリイミド基板、場合によってはフッ素基板、ガラスＰＰＯ基板またはセラミック基板など、フレキシブルシート、フィルムなどでもよい。本実施形態では、一例として厚さｔ１が６０μｍ程度のＢＴ樹脂基板を採用した。
【００８０】
第１の導電箔１１および第２の導電箔１２としては、エッチングが可能な金属であればよい。本形態では、銅から成る金属箔を採用した。第１の導電箔１１、第２の導電箔１２の膜厚は同等であり、９μｍ〜３５μｍ（例えば１３μｍ）程度である。
【００８１】
第１の導電箔１１および第２の導電箔１２は、配線の高さに対応した厚さの導電箔が用いられる。配線の厚さは、実装される回路素子の電流容量などによって任意に決定することができる。
【００８２】
そしてスルーホール２０が、ＮＣ工作機を用いてドリル等で第１の導電箔１１、第２の導電箔１２および絶縁基板１０を貫通して開けられる。スルーホール２０は、複数のセルに連続してセルの両端にスリット状に形成され、これにより隣り合うセルが分離される（図６参照）。
【００８３】
第２工程（図３（Ｂ））：絶縁基板を選択的に切削して素子載置孔と、素子載置孔の下方の固着部とを形成する工程。
【００８４】
素子載置孔が形成される予定の領域を選択的に切削する。ここでは、ＮＣ工作機（ＮＣルーター）を用いてリーマーにより切削加工する。リーマーに限らず、エンドミルやドリルによる切削でもよい。
【００８５】
例えば、絶縁基板１０をその厚みの２分の１程度の深さまで（３０μｍ程度）切削して素子載置孔２５を形成し、素子載置孔２５の下方に残存した絶縁基板１０の一部により固着部１０ａ（厚みｔ２：３０μｍ程度）を形成する。
【００８６】
本実施形態では、ルーターにより正確且つ容易に、素子載置孔２５と、その素子載置孔２５の底部を覆う固着部１０ａを形成することができる。
【００８７】
また、リーマーの切削角度を適宜選択することにより、素子載置孔２５は、その側壁が傾斜面２６にすることができる。素子載置孔２５の大きさは収納される発光素子３１よりは大きい正方形、円、楕円、あるいは多角形等の形に形成される。一例として、素子載置孔２５の形状は、上面開口の径は０．３ｍｍであり、下面開口の径は０．１６ｍｍのすり鉢状である。素子載置孔２５の傾斜面２６の傾斜角度は、１２５度である。
【００８８】
傾斜面２６の傾斜角度は、上記の例に限らない。本実施形態ではリーマーの切削角度を選択することにより素子載置孔２５の内壁の角度は、適宜調節する。後述するが素子載置孔２５は、発光素子のリフレクタとして活用できる。つまり、傾斜面２６の傾斜角度は、リフレクタとして適切な角度になるよう、選択される。
【００８９】
第３工程（図３（Ｃ））：スルーホールメッキにより第１の導電箔および素子載置孔の内壁にスルーホールメッキ層を形成する工程。
【００９０】
裏面をレジストＰＲで被覆し、絶縁基板１０の全体をパラジウム溶液に浸漬して、第１の導電箔１１表面と、素子載置孔２５内にＣｕの無電解メッキを施し、更にＣｕの電解メッキを施して、約２０μｍの膜厚のスルーホールメッキ層１３を形成する。
【００９１】
スルーホールメッキ層１３は、素子載置孔２５の側壁に露出した絶縁基板１０表面を覆つまりスルーホールメッキ層１３は、第１の導電箔１１表面および固着部１０ａの表面に形成され、これらと一体化する。また、スルーホールメッキ層１３は、絶縁基板１０端部のスルーホール２０の内壁にも形成し、絶縁基板１０端部において第１の導電箔１１と第２の導電箔１２を接続する。
【００９２】
第４工程（図４）：第１の導電箔および第２の導電箔を所望の形状にエッチングして取り出し電極、裏面実装電極を形成する工程。
【００９３】
本工程では、絶縁基板１０の第１の導電箔１１および第２の導電箔１２をレジスト層（図示せず）で被覆し、第１の導電箔１１には図２（Ａ）に示すＬ字状のパターンと、凹状のパターンを露光現像し、残ったレジスト層をマスクとして第１の導電箔１１のエッチングを行う。これにより分離溝２７が形成され、第１の導電箔１１がパターンニングされる。第１の導電箔１１が銅のときはエッチング溶液として塩化第２鉄を用いる。続いて、レジスト層の剥離除去を行う。
【００９４】
続いて、図４（Ｂ）の如く、第２の導電箔１２の化学エッチングも行う。再び、絶縁基板１０の第１の導電箔１１および第２の導電箔１２をレジスト層（図示せず）で被覆し、第２の導電箔１２には図２（Ｂ）に示す、左右の短冊形状のパターンを露光現像し、残ったレジスト層をマスクとして第２の導電箔１２のエッチングを行う。これにより、分離溝２８を形成して第２の導電箔１２をパターンニングする。第２の導電箔１２がＣｕのときは同様に塩化第２鉄を用いる。続いて、レジスト層の剥離除去を行う。
【００９５】
これにより、発光素子３１の第１電極３４および第２電極３５とそれぞれ接続する取り出し電極１１ａおよび裏面実装電極１２ｂが形成され、各発光素子３１が載置されるセルのパターンが行列状に多数個形成される。各セルのパターンの形状についてはすでに図２（Ａ）を参照して説明しているので、ここでは省略する。
【００９６】
なお、第２の導電箔１２のセルパターンはそれぞれが接続パターン２９（図２（Ｂ）参照）により電気的に接続されている。これは次工程で導電性金属層をメッキする際に第２の導電箔１２を共通電極として用いるためである。
【００９７】
第５工程（図５（Ａ））：取り出し電極、裏面実装電極、素子載置孔の内壁のスルーホールメッキ層に、金または銀メッキ層を積層して形成する工程。
【００９８】
本工程では連結されている第２の導電箔１２のセルパターンを共通電極として、それにスルーホールメッキ層１３で電気的に接続された第１の導電箔１１のセルパターン、および素子載置孔２５の内壁に、導電性金属層２３を電解メッキにより付着する。導電性金属層２３は、ボンディング可能な金属層である。ここでは例えば、金（Ａｕ）層またはＡｇ層、あるいはパラジウム（Ｐｄ）層上に、Ｎｉ層を全面あるいは選択的に設けた金属層であり、金属細線３０とのボンディングを可能とする。
【００９９】
これにより、取り出し電極１１ａ、スルーホールメッキ層１３、裏面実装電極１２ｂ上にそれぞれ導電性金属層２３ａ、２３ｂ、２３ｃが積層され、固着部１０ａ上に、導電性金属層２３ｄが積層される。
【０１００】
本実施形態の固着部１０ａは、発光素子３１の支持材となる。本実施形態では固着部１０ａのみで発光素子３１の支持に十分な厚みを確保しているが、導電性金属層２３ｄ（及びスルーホールメッキ層１３）がその上に積層されることで、薄い固着部１０ａ部分の強度を補強することができる。
【０１０１】
また、素子載置孔２５の内壁の導電性金属層２３ｂ、２３ｄは発光素子３１のリフレクタとして機能する。
【０１０２】
つまり本工程により、固着部１０ａ部分の強度の補強に寄与するメッキ層（導電性金属層２３ｄ）の形成と、ボンディング用のメッキ層（導電性金属層２３ａ）の形成および、発光素子３１のリフレクタ（導電性金属層２３ｂ、２３ｄ）の形成を一工程で実施でき、製造工程を簡素化できる。
【０１０３】
尚、本実施形態では、導電性金属層２３の下地となる第１の導電箔１１及び第２の導電箔１２は銅で構成され、スルーホールメッキ層１３も銅メッキで形成されるため、これらの上に形成される金または銀メッキ層を、均一に形成することができる。
【０１０４】
第６工程（図５（Ｂ））：固着部上に発光素子を固着する工程。
【０１０５】
発光素子３１の第２電極３５を接着剤３３で固着部１０ａ上に固着する。発光素子３１の固着にはチップマウンターを用いる。発光素子３１が実際に固着されるのは、固着部１０ａ上に積層された導電性金属層２３（２３ｄ）である。素子載置孔２５がすり鉢状に形成されるので、その内部への発光素子３１の実装が容易となる。
【０１０６】
接着剤３３は、例えば非導電性ペーストである。尚、固着部１０ａは絶縁性基板１０であるので、裏面から第２の電極３５を取り出すことはないが、接着剤３３は銀（Ａｇ）などの導電性ペーストであっても問題はなく、固着部１０ａ上に金（Ａｕ）メッキを施し、Ａｕ共晶により固着してもよい。
【０１０７】
第７工程（図５（Ｃ））：発光素子の第１電極と取り出し電極とを金属細線で接続する工程。
【０１０８】
金の金属細線３０を用いてボンダーで電極の位置をパターン認識しながら超音波熱圧着により、発光素子３１の第１電極３４と、取り出し電極１１ａ上を被覆する導電性金属層２３ａとを接続する。同様に、金属細線３０により、第２電極２５と、表面の導電性金属層２３ｃとを他の金属細線３０で接続し、裏面実装電極１２ｂと電気的に接続する。
【０１０９】
素子載置孔２５により、発光素子３１の第１電極３４（第２電極３５も同様）と導電性金属層２３ａとはほぼ同等か、第１電極３４が若干突出した高さに位置する。つまり、従来構造（図７）の如く発光素子１００とベース基板２００を積層した場合と比較して、金属細線３０のボンディングは高低差がなく効率よく行える。また第１電極３４が若干突出することで、発光素子３１が素子載置孔２５内部に埋め込まれるように実装された場合でもボンディングが容易となる。
【０１１０】
第８工程（図５（Ｃ））:発光素子及び金属細線を透明樹脂で被覆する工程。
【０１１１】
発光素子３１および金属細線３０を透明樹脂３２で被覆する。透明樹脂は、発光素子３１および金属細線３０を外気より保護し、また光を取り出す凸レンズとしても働く。
【０１１２】
第１０工程（図６）：各セルごとに個別の発光装置に分割する工程。
【０１１３】
図６は、本工程におけるシート状の絶縁基板１０の一例を示す図であり、図６（Ａ）が１シートの平面図、図６（Ｂ）が表面の拡大図、図６（Ｃ）が裏面の拡大図である。
【０１１４】
図の如く絶縁基板１０には多数個のセルが行列状に配列される。詳細には各セルをＹ軸方向に複数個ずつ接続パターン２９（図２（Ｂ）参照）により連結して短冊形状のセル群が形成され、複数のセル群がＹ軸方向およびＸ軸方向に行列状に配置される。また各セル群の両端は、スリット状に設けられたスルーホール２０で分離されている。
そして、絶縁基板１０に行列状に配列された多数個のセルをプレスまたはダイシングにより個別の完成した発光装置５０に分離する。この際に第２の導電箔１２を連結する接続パターン２９（図２（Ｂ）参照）も切断されて第２の導電箔１２のセルもそれぞれが電気的に分離される。
【０１１５】
具体的には、一例として絶縁基板１０は６８ｍｍ×１００ｍｍのＢＴ樹脂基板のシートである。周辺には位置合わせ孔４０が複数個設けられ、内部には行列上に多数の短冊形状の各セルが配置される。位置合わせ孔４０はダイシング時の位置決めに利用される。
【０１１６】
各セルを短冊状にして行列状に多数個並べて配置することで、発光装置５０を大量に製造することが可能であり、しかも必ず必要であるリフレクタも素子載置孔２５内に作り込むことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明の発光装置の（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図である。
【図２】本発明に用いる実装基板の（Ａ）上面図、（Ｂ）底面図である。
【図３】本発明の製造方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の製造方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の製造方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の製造方法を説明する平面図である。
【図７】従来の発光装置を説明する断面図である。
【符号の説明】
【０１１８】
１０            絶縁基板
１０ａ          固着部
１１            第１の導電箔
１１ａ          取り出し電極
１２            第２の導電箔
１２ｂ          裏面実装電極
１３            スルーホールメッキ層
２０            スルーホール
２３、２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、２３ｅ  導電性金属層
２５            素子載置孔
２６            傾斜面
２７、２８      分離溝
２９            接続パターン
３０            金属細線
３１            発光素子
３２            透明樹脂
３３            接着剤
３４            第１電極
３５            第２電極
４０            位置合わせ孔
【図１】
2008305834.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2008305834.tif 000007
【図６】
2008305834.tif 000008
【図７】
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