(57)【要約】【課題】封止膜による封止状態が良好になし、長寿命化が図られた有機ＥＬ装置を提供する。【解決手段】隣接する第１、第２の画素領域を有する基板１００と、第１、第２の画素領域の境界部を跨ぐように前記基板上に形成され、且つ前記境界部に沿った溝部１０４ａを有する下部電極１０４と、前記下部電極上に形成され、且つ前記第１の画素領域側に配される第１の有機層と、前記下部電極上に形成され、且つ前記第２の画素領域側に配される第２の有機層と、前記第１、第２の有機層上に形成され、且つ溝部１０４ａにより分離される上部電極１０６と、前記上部電極上に形成される封止膜１１０とで有機ＥＬ装置を構成する。【選択図】図２
2008112656.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隣接する第１、第２の画素領域を有する基板と、
前記第１、第２の画素領域の境界部を跨ぐように前記基板上に形成され、且つ前記境界部に沿った溝部を有する下部電極と、
前記下部電極上に形成され、且つ前記第１の画素領域側に配される第１の有機層と、
前記下部電極上に形成され、且つ前記第２の画素領域側に配される第２の有機層と、
前記第１、第２の有機層上に形成され、且つ前記溝部により分離される上部電極と、
前記上部電極上に形成される封止膜と、を有する有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記第１の有機層の外周部と前記下部電極との間に介在される第１の層間絶縁膜と、
前記第２の有機層の外周部と前記下部電極との間に介在される第２の層間絶縁膜と、
を有し、
前記第１、第２の層間絶縁膜の前記境界部側の端部が、互いに間隔を空けた状態で前記溝部の上面まで延在されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記基板に対向して配置される封止基板と、前記封止基板と前記基板とを接着するシール材と、を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬディスプレイ等の有機ＥＬ（Electroluminescent）装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置として、アノードをコモン電極とし、カソード電位を画素ごとに分離させ、発光時、カソード電極が画素ごとに異なる電位を供給するようにした形態の有機ＥＬ装置が従来より広く用いられている。
【０００３】
このような有機ＥＬ装置を製造する際、カソード電極を画素毎に分離して形成する方法として、断面形状が逆台形をなす隔壁を、各画素を囲うように配置する方法が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００４】
図１６に、従来の有機ＥＬ装置の構成を示す。図１６に示すように従来の有機ＥＬ装置は、素子基板５０１上に形成された回路層５０２と、回路層５０２上に形成された平坦化膜５０３と、平坦化膜５０３上に形成されたアノード電極５０４と、アノード電極５０４上に形成された有機層５０５と、有機層５０５上に形成されたカソード電極５０６と、カソード電極５０６と回路層５０２とを電気的に接続するカソードコンタクト５０７と、層間絶縁膜５０８と、層間絶縁膜５０８上にネガレジスト（ＮＲ）により形成された隔壁５０９と、パネル全体を覆って設けられた封止膜５１０と、を備えて構成されている。
【０００５】
このような逆台形の構造を有する隔壁５０９がオーバーハング部５０９ａを有することによって、カソード電極５０６となる材料をパネルの表面に蒸着した際に、成膜されたカソード電極をより確実に分離することができ、画素ごとに電気的に独立したカソード電極５０６を作製することができる。
【特許文献１】特開平１０−３１２８８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、有機ＥＬ装置の有機層、カソード電極およびアノード電極は、水分や酸素の影響によりその機能が損なわれ易く、水分や酸素が浸入した場合には製品寿命の低下を招くこととなる。そこで、窒化シリコン（ＳｉＮ）等の封止膜でパネル全体を覆うことで、外部からの水分や酸素の浸入を防ぐ手法が取られている。
【０００７】
封止膜５１０は通常、蒸着やスパッタ等により形成されるが、隔壁５０９のオーバーハング部５０９ａでは、封止膜５１０の膜厚が薄くなり易く、この部分で封止膜５０９のカバレッジが低下する傾向にある。このように封止膜５１０の膜厚が薄くなった部分では、水分や酸素が浸入しやすく、有機ＥＬ装置のさらなる長寿命化を図る上で問題となっていた。
【０００８】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、封止膜による封止状態が良好になし、長寿命化が図られた有機ＥＬ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するため、本発明の有機ＥＬ装置は、隣接する第１、第２の画素領域を有する基板と、前記第１、第２の画素領域の境界部を跨ぐように前記基板上に形成され、且つ前記境界部に沿った溝部を有する下部電極と、前記下部電極上に形成され、且つ前記第１の画素領域側に配される第１の有機層と、前記下部電極上に形成され、且つ前記第２の画素領域側に配される第２の有機層と、前記第１、第２の有機層上に形成され、且つ前記溝部により分離される上部電極と、前記上部電極上に形成される封止膜と、を有することを特徴とする。
【００１０】
また本発明の有機ＥＬ装置は、前記第１の有機層の外周部と前記下部電極との間に介在される第１の層間絶縁膜と、前記第２の有機層の外周部と前記下部電極との間に介在される第２の層間絶縁膜と、を有し、前記第１、第２の層間絶縁膜の前記境界部側の端部が、互いに間隔を空けた状態で前記溝部の上面まで延在されていることを特徴とする。
【００１１】
また本発明の有機ＥＬ装置は、前記基板に対向して配置される封止基板と、前記封止基板と前記基板とを接着するシール材と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、膜厚の薄い封止膜により、パネル全体をカバレッジ良く封止することにより、外部からの水分や酸素の浸入を良好に防ぐことができ、水分や酸素の影響を受けやすい有機層等を良好に水分や酸素から保護することができる。したがって、この発明によれば、封止膜による封止状態を良好になし、長寿命化が図られた有機ＥＬ装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明にかかる有機ＥＬ装置の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【００１４】
図１は、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置の平面図であり、図２は図１における線分Ａ−Ａ’の断面図、図３は図１における線分Ｂ−Ｂ’の断面図である。なお本実施形態の有機ＥＬ装置は、上面側（有機電界発光素子部側）から光を取り出すトップエミッション型構造を採用している。
【００１５】
図１に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置は、略矩形状をなす複数の画素領域がマトリクス状に配列され、各画素領域には発光素子１２０が設けられている。発光素子１２０は、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかを発光する機能を有し、有機ＥＬ装置をフルカラーのディスプレイパネルとして使用する場合には、Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれの発光素子１２０を所定の規則に従って配列する。また有機ＥＬ装置をモノカラーのディスプレイパネルとして使用する場合には、そのカラーの単色の発光素子を各画素領域に設ければよい。なお本発明では、これら複数の画素領域のうち、隣り合う任意の画素領域同士を第１、第２の画素領域と称する。
【００１６】
図２、３に示すように本発明の有機ＥＬ装置は、基板１００と、基板１００上に形成された発光素子１２０と、発光素子１２０を被覆する封止膜１１０とから主に構成されている。
【００１７】
基板１００は、素子基板１０１と、素子基板１０１上に形成された回路層１０２と、回路層１０２上に形成された平坦化膜１０３とから構成されるものである。素子基板１０１は、たとえばプラスチックやガラスを用いることができるが、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置はトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置であるため、透光性を有しない素子基板を採用することもできる。素子基板１０１上に形成される回路層１０２は、発光素子１２０の駆動制御等を行うためのトランジスタやコンデンサ等の各種回路素子（図示せず）から構成されている。そして、回路層１０２上の平坦化を行うために回路層１０２を覆う平坦化膜１０３が形成され、該平坦化膜１０３の上に発光素子１２０が形成されることとなる。
【００１８】
基板１００上に形成される発光素子１２０は、下部電極１０４と、下部電極１０４上に形成される有機層１０５と、有機層１０５上に形成される上部電極１０６とから構成されるものである。
【００１９】
この有機ＥＬ装置では、下部電極１０４がコモン電極となっており、隣接する画素領域の下部電極同士は電気的に接続されている。下部電極１０４は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金等を用いて、従来周知のフォトリソグラフィー法等により所定のパターンに形成される。なお、本実施形態においては、下部電極１０４が陽極（アノード）として機能している。
【００２０】
図５は下部電極１０４の概略的なパターン形状を説明するための平面図である。同図に示すように、下部電極１０４は、コンタクトホール１０７の周囲（図の白抜き部分）等、一部を除いて基板１００の上面に略全面的に形成されている。したがって、下部電極１０４は画素領域間の境界を跨ぐパターン形状となっている。また、下部電極４には画素領域間の境界部に沿って、溝部１０４ａが形成されている。この溝部１０４ａは後述する上部電極１０６を画素ごとに分離するためのものであり、例えば、エッチングにより所定の深さに形成される。
【００２１】
なお下部電極１０６は、単層の金属でもよいが、エッチングにより溝部１０４ａを形成する場合には、エッチングレートの異なる金属層を積層させた多層構造とし、エッチングレートの大きい金属層が上側に配置されるように形成することが好ましい。これにより、エッチングによる溝部１０４ａの形成を効率よく行うことができる。
【００２２】
下部電極１０４上に形成される有機層１０５は、有機系材料を発光体として用いた発光層を含んで構成され、単層構造もしくは多層構造のいずれも採用することができる。例えば、有機層１０５が発光層のみからなる単層構造では、発光層が正孔輸送特性と電子輸送特性とを兼ね備えた材料からなり、その材料中に発光材料をドープする方法や、発光材料自体に電化輸送特性が付与された材料を用いる方法等を採用することができる。このような単層構造は、素子形成プロセスを簡略化できることから、有機ＥＬ装置の生産性を向上させることができる。一方、有機層１０５の構造として多層構造を採用する場合、発光層に加え、正孔輸送層、正孔注入層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層等を任意に選択して設けることができる。
【００２３】
また下部電極１０４上には層間絶縁膜１０８が設けられている。図６は層間絶縁膜１０８の概略的なパターン形状を示す平面図であり、図中、網掛け部分が層間絶縁膜１０８が形成されている領域である。同図に示すように層間絶縁膜１０８は、発光素子１２０の形成領域、上部電極１０６とコンタクトホール１０７との接続部分、および画素領域間の境界を除く部分に全面的に形成されている。層間絶縁膜１０８は、その一部が有機層１０５の下面外縁部に潜り込むような形で下部電極１０４と有機層１０５との間に介在されている。このように層間絶縁膜１０８を形成することによって下部電極１０４と上部電極１０６との短絡を防止することができる。また本発明において特徴的なことは画素領域間の境界部には層間絶縁膜１０８が形成されていないことである。従来のように隔壁を設ける構造においては、通常、画素領域間の境界部を跨ぐようにして層間絶縁膜が形成され、この境界部を跨ぐ層間絶縁膜上に隔壁を形成することとなる。これに対し、本発明の有機ＥＬ装置では、隔壁を設けず下部電極１０４の境界に沿った部分に溝部１０４ａを形成するため、画素領域間の境界部には層間絶縁膜１０８が形成されていない。
【００２４】
層間絶縁膜１０８の材料としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ等）、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＮｘ等）等の無機材料、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、シリコン樹脂等の有機材料を用いることができる。
【００２５】
一方、有機層１０５上に形成される上部電極１０６は、陰極（カソード）として機能するものである。本実施形態では、トップエミッション型の有機ＥＬ装置を採用しているため、上部電極１０６は光を透過する電極材料を使用する。光透過性の電極材料としては、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の透明金属材料が使用できる。また、本来透明ではないＣａやＭｇ、Ａｇ等の金属材料であっても極めて薄く被着させることにより、光を透過させることができるためこれらの材料を使用してもよい。
【００２６】
この上部電極１０６は、画素領域ごとに独立して設けられており、隣接する画素領域、すなわち第１の画素領域と第２の画素領域の上部電極は互いに絶縁されている。これを図４を参照しながら詳しく説明する。図４は図３におけるＺ部分の拡大図である。同図に示すように、第１、第２の画素領域の境界部を跨ぐように形成された下部電極１０４には、境界部に沿った溝部１０４ａが設けられており、第１の層間絶縁膜１０８ａの端部と第２の層間絶縁膜１０８ｂの端部が、互いに間隔を空けた状態で溝部１０４ａの開口面まで延在されている。換言すれば、溝部１０４ａの外縁部が第１、第２の層間絶縁膜１０８ａ、１０８ｂの端部の下に回り込むようして溝部１０４ａが形成されている。このように溝部１０４ａの外縁部が層間絶縁膜の端部の下に回り込むことによって、層間絶縁膜１０８の端部の下面と溝部１０４ａの底面との間に隙間ができる。一般的に、上部電極１０６は金属材料を蒸着等により堆積させることによって形成されるが、金属材料を堆積させた際、層間絶縁膜１０８の端部の下面と溝部１０４ａの底面との間に形成された隙間により、金属膜が途切れるため、第１、第２の層間絶縁膜上に形成された上部電極１０６を分離することができる。
【００２７】
上部電極１０６の分離しやすさは、層間絶縁膜１０８の端部の先端部下面と溝部１０４ａの底面との間の距離Ｌに大きく影響される。すなわち距離Ｌが長いほど上部電極１０６が途切れやすくなり、上部電極１０６を確実に分離することができるようになる。図４に示すように、上部電極１０６を形成する際に、溝部１０４ａの底面における第１、第２の層間絶縁膜の間に設けた間隔に対応する部分にも金属膜１０６ａが同時に形成されることになる。このため、距離Ｌが短すぎると上部電極１０６が金属膜１０６ａと繋がりやすくなり、隣接する画素領域間の上部電極１０６が短絡する危険性が高くなる。したがって、距離Ｌは十分に長くしておくことが好ましく、具体的には、上部電極１０６の厚みＴに対し距離Ｌが、Ｌ≧２Ｔの関係にあることが好ましい。距離Ｌがこの関係を満たすことにより、上部電極１０６が金属膜１０６ａと繋がるのを防止して、より確実に上部電極１０６の分離を行うことができる。
【００２８】
上部電極１０６は、図２に示すように、各画素領域に設けたコンタクトホール１０７を通じて回路層１０２と電気的に接続されている。コンタクトホール１０７は、平坦化膜１０３を厚み方向に貫く貫通孔の内面に導体を被着させることにより形成されている。また、コンタクトホール１０７の内部には導体を被覆するようにして絶縁部材１０９が設けられている。絶縁部材１０９はコンタクトホール１０７の導体を被覆することにより導体の腐食等を防止している。この絶縁部材１０９は、先に述べた層間絶縁膜１０８と同じ材料を用いて層間絶縁膜１０８と同一工程で作製することができる。
【００２９】
また上部電極１０６の上には封止膜１１０が設けられている。封止膜１１０は、少なくとも上部電極１０６を被覆し、発光素子１２０を水分や外気から保護している。この封止膜１１０は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＮ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮ等）、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＮｘ等）等の無機材料からなり、従来周知の蒸着、スパッタ、ＣＶＤ等により形成される。
【００３０】
本発明の有機ＥＬ装置では、下部電極１０４に設けた溝部１０４ａにより上部電極１０６を分離させていることから、従来の有機ＥＬ装置のように、基板１００の上面側に大きく突出する隔壁を設ける必要がない。これにより、隔壁のオーバーハング部に見られたような封止膜１１０の厚みが薄くなり易い部分が少なくなり、パネル全体をカバレッジ良く封止することができる。これにより水分や酸素の浸入を有効に防止して、有機層１０５や上部電極１０６など、水分や酸素の影響を受けやすい部材を良好に水分や酸素から保護することができる。その結果、有機ＥＬ装置のさらなる長寿命化を達成することができる。
【００３１】
上述の有機ＥＬ装置は、図７に示すように、構成部材としてさらに基板１００に対向して配置される封止基板１１１と、封止基板１１１と基板１００とを接着するシール材１１２とを有している。シール材１１２は、全ての画素領域を取り囲むように基板１００の外周に沿って環状に形成されており、基板１００、封止基板１１１、およびシール材１１２で囲まれた空間に発光素子１２０が封止されることになる。封止基板１１１は、例えば、プラスチックやガラス等の透光性の基板により形成される。また、シール材１１２は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂等を用いて形成される。
【００３２】
ここで有機ＥＬ装置の信頼性に大きく影響する水分は、パネル周辺に設けたシール材１１２から主に侵入する。水分の透過率はシール部材１１２の断面積に比例して大きくなるので、シール材１１２の厚みが厚くなると侵入する水分の量も増加することとなる。従来の有機ＥＬ装置では、隔壁を設けているためその分、シール材を高くしなければならず、水分が浸入しやすい構造となる。これに対し本発明の有機ＥＬ装置によれば、隔壁を設ける必要がないため、シール材１１２の高さＨを低くするすることができ、シール材１１２から進入する水分の量を少なくすることができる。これにより有機ＥＬ装置をより高寿命化することができる。
【００３３】
つぎに上記のような本実施の形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法について図８〜図１４を参照ながら説明する。なお、以下の説明図は図１の線分Ｂ−Ｂ’の断面に対応するものである。
【００３４】
まず図８に示すように、素子基板１０１、回路層１０２、平坦化膜１０３からなる基板１００を準備する。平坦化膜１０３にコンタクトホール１０７となる貫通孔を形成した後、平坦化膜１０３上にＡｌ，Ａｌ合金、Ａｇ，Ａｇ合金，Ｍｏ等の金属材料からなる導電性膜を形成し、従来周知のフォトリソグラフィー等の方法でパターニングを施すことにより、所定形状の下部電極１０４を形成する。下部電極１０４を平面視したときの形状は図５に示す通りであり、コンタクトホール１０７の周囲を除く領域に略全面的に形成される。
【００３５】
ついで図９に示すように、下部電極１０４上にＳｉ３Ｎ４，ＳｉＮｘ，ＳｉＮ，ＳｉＯ，ＳｉＯ２，ＳｉＮＯ等の無機材料あるいはアクリル樹脂、ノボラック樹脂、シリコン樹脂等の有機材料からなる絶縁膜を形成し、従来周知のフォトリソグラフィー等の方法で、所定の形状にパターニングすることにより、層間絶縁膜１０８を形成する。層間絶縁膜１０８を平面視したときの形状は図６に示す通りであり、発光素子１２０を形成する領域、上部電極１０６とコンタクトホール１０７との接続部分、および画素領域間の境界部を除く領域に形成される。したがって、画素領域間の境界部上には層間絶縁膜１０８の形成されない開口部１０８ａが存在することになる。このように層間絶縁膜１０８に開口部１０８ａを設けることにより、下部電極１０４にエッチングを施して溝部１０４ａを形成することが可能となる。また、層間絶縁膜１０８の開口部１０８ａをエッチングのパターンニングとして使用することにより、溝部１０４ａを精度良く形成することができる。
【００３６】
つづいて図１０に示すように、所定の形状にレジスト膜２０１を形成する。このレジスト膜２０１は、下部電極１０４にエッチングにより溝部１０４ａを形成する際、発光素子１２０の形成領域がエッチングされないように保護するためのものあり、少なくとも下部電極１０４の発光素子１２０の形成領域となる部分を覆うように形成される。また、本実施形態では下部電極１０４に溝部１０４ａを形成する際、層間絶縁膜１０８をマスクとして使用するため、層間絶縁膜１０８の開口部１０８ａが露出するようにレジスト膜２０１を形成することが重要である。この状態で下部電極１０４の露出部をエッチングすることにより、画素領域間の境界部に沿って溝部１０４ａが形成される。エッチングは、例えば、燐酸、硝酸、酢酸等の混合液に１０〜３０分程度浸すことにより行われる。このとき、下部電極１０４に対する層間絶縁膜１０８の選択比[選択比＝（下部電極のエッチング速度）／（層間絶縁膜のエッチング速度）]を１より大きくしておけば、下部電極１０４のエッチング量が層間絶縁膜１０８のエッチング量より多くなり、溝部１０４ａの外周縁が層間絶縁膜１０８の下面に回り込む形状となすことができる。したがって、下部電極１０４に対する層間絶縁膜１０８の選択比は１より大きくしておくことが好ましい。このようにして、最深部の深さ（図４の‘ａ’）が１５０ｎｍ〜０．５μｍ、最長部の幅（図４の‘ｂ’）が０．１μｍ〜０．８μｍ程度の溝部１０４ａが形成される。なお、下部電極１０４のエッチングは、上述のようなウェットエッチングの他にドライエッチングを採用することもできる。
【００３７】
レジスト膜２０１を除去した後、図１１に示すように、発光素子１２０となる部分に対応した複数の開口を有するシャドウマスク２０２を基板１００上に配置した状態で、有機材料を真空蒸着法等によって下部電極上に蒸着することにより有機層１０５を形成する。
【００３８】
次に図１２に示すように、金属材料を真空蒸着法等により蒸着させることにより上部電極１０６を形成する。本実施形態では、トップエミッション型の有機ＥＬ装置を採用しているため、上部電極１０６は光を透過する電極材料を使用する。光透過性の電極材料としては、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の透明金属材料が使用できる。また、本来透明ではないＣａやＭｇ、Ａｇ等の金属材料であっても、数十ｎｍ程度の厚みで薄く被着させることにより、光を透過させることができるためこれらの材料を使用してもよい。上部電極１０６の厚みは、光透過性の材料を用いた場合には１０ｎｍ〜９００ｎｍ、光透過性でない材料を用いる場合には、５ｎｍ〜５０ｎｍ程度に設定される。
【００３９】
ここで、下部電極１０４が溝部１０４ａを有しているため、上部電極１０６となる導電材料を蒸着した際に層間絶縁膜１０８の端部において上部電極１０６が分離されることにより上部電極１０６が画素毎に分離されることとなる。このように本実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法では、従来のように隔壁を設けることなく上部電極１０６を分離することができる。一方、隔壁を設けずに上部電極の形成領域に対応した開口部を有するシャドウマスクを用いて上部電極の蒸着を行うことにより、隔壁を設けることなく上部電極の分離を行う技術も従来より知られている。しかしながら、この方法の場合、金属の蒸着によってシャドウマスクが高温となる上、マスクの交換・洗浄等の頻度も多くなり生産性に劣る。これに対し、本実施形態の製造方法は層間絶縁膜１０８自体がマスクの役割を果たすため生産性に優れるという利点もある。
【００４０】
その後、図１３に示すように、基板１００の全面に封止膜１１０を形成する。この封止膜１１０は、例えば、Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＮｘ，ＳｉＮ，ＳｉＯ，ＳｉＯ２，ＳｉＮＯ等の無機材料を用いて、蒸着、スパッタ、ＣＶＤ法等により形成される。従来の有機ＥＬ装置のように、基板１００の上面側に大きく突出する隔壁を設けない状態で封止膜１１０を形成することができるため、パネル全体をカバレッジ良く封止することができる。これにより水分や酸素の浸入を有効に防止して、有機層１０５や上部電極１０６など、水分や酸素の影響を受けやすい部材を良好に水分や酸素から保護することができる。その結果、有機ＥＬ装置のさらなる長寿命化を達成することができる。
【００４１】
最後に全ての画素領域を取り囲むように基板１００の外周に沿って環状のシール材１１２を形成し、封止基板１１１をシール材１１２に接着させることにより製品としての有機ＥＬ装置が完成する。
【００４２】
従来の有機ＥＬ表示装置のように、隔壁のような画素を囲う格子状の高さの高い構造物がある場合は、デバイス作成前の洗浄で異物が残り易く、点灯欠陥の原因となる。これに対して、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法においては、隔壁のような画素を囲う格子状の高さの高い構造物が存在しないため、洗浄した際に異物を除去しやすくなる。これにより、異物に起因した点灯欠陥の発生を抑制することができる。
【００４３】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００４４】
上述した実施形態においては、層間絶縁膜１０８の端部を溝部１０４ａの開口面まで延在させることにより、すなわち溝部１０４ａの外縁部が層間絶縁膜１０８の下面に回り込む形状とすることで上部電極１０６の分離を行ったが、図１４に示すように、隣接する第１、第２の有機層における画素領域間の境界部側の端部を溝部１０４ａの開口面まで延在させることにより、溝部１０４ａの外縁部が第１、第２の有機層の下面に回り込む形状となし、この部分で上部電極１０６を分離するようにしてもよい。
【００４５】
また上述した実施形態においては、環状のシール材１１２を用いて封止基板１１１の接着を行うようにしたが、図１５に示すように、基板１００の主面側を全面的に覆う面状シール材１１３を用いて封止基板１１１を接着するようにしてもよい。この場合も、隔壁のような画素を囲う高さの高い構造物が存在しないため、面状シール材１１３の厚みＨを薄くでき、パネル周辺のシール部から侵入する水分を低減させることができる。これにより、信頼性にすぐれた有機ＥＬ装置を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の平面図である。
【図２】図１における線分Ａ−Ａ’の断面図である。
【図３】図１における線分Ｂ−Ｂ’の断面図である。
【図４】図３におけるＺ部の拡大図である。
【図５】本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の下部電極の概略形状を示す平面図である。
【図６】本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の層間絶縁膜の概略形状を示す平面図である。
【図７】本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の断面図である。
【図８】本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の断面図である。
【図１５】本発明の他の実施形態にかかる有機ＥＬ装置の断面図である。
【図１６】従来の有機ＥＬ装置の断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１００・・・基板
１０１・・・素子基板
１０２・・・回路層
１０３・・・平坦化膜
１０４・・・下部電極
１０５・・・有機層
１０６・・・上部電極
１０７・・・コンタクトホール
１０８・・・層間絶縁膜
１０９・・・絶縁部材
１１０・・・封止膜
【図１】
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【図２】
2008112656.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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