(57)【要約】【課題】画像記録手段を読取光によって走査し、それによりこの画像記録手段から発せられた光を光電変換して画像情報を読み取る画像読取画像読取装置において、大きなコストアップを招くことなく読取画像の鮮鋭度を高め、また読取光の強度を高く確保する。【解決手段】画像情報を潜像として記録した画像記録手段（記録用光導電層）１２を、光源３０から発せられた読取光により走査し、それによりこの画像記録手段１２から発せられた光を光電変換して前記画像情報を読み取る画像読取装置において、光源３０として、第一電極３２、この第一電極３２に画像記録手段１０側から対面する状態に配された半透過性の第二電極３４、およびこれら両電極３２、３４の間に配置された発光層３３を有し、この発光層３３から発せられた光を第一電極３２と第二電極３４との間で共振させた上で第二電極３４を通して画像記録手段１０側に射出するものを用いる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像情報を潜像として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査して前記画像情報を読み取る画像読取装置において、
前記光源として、第一電極、この第一電極に前記画像記録手段側から対面する状態に配された半透過性の第二電極、およびこれら両電極の間に配置された発光層を有し、この発光層から発せられた光を前記第一電極と第二電極との間で共振させた上で第二電極を通して前記画像記録手段側に射出するものが用いられたことを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記第二電極の、可視光波長領域４２０ｎｍ〜６５０ｎｍでの透過率が２５〜７０％であることを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記光源が、有機ＥＬ発光素子であることを特徴とする請求項１または２記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記光源が、面状光源であることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の画像読取装置。
【請求項５】
画像情報を潜像電荷として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査し、そのとき前記潜像電荷に対応して流れた電流を検出して前記画像情報を読み取る構成を有することを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の画像読取装置。
【請求項６】
画像情報を潜像として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査し、それによりこの画像記録手段から発せられた光を光電変換して前記画像情報を読み取る画像読取方法において、
請求項１から５いずれか１項記載の画像読取装置を用いて前記画像情報を読み取ることを特徴とする画像読取方法。
【請求項７】
画像情報を潜像として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査して前記画像情報を読み取る画像読取装置に用いられる光源であって、
第一電極、この第一電極に前記画像記録手段側から対面する状態に配された半透過性の第二電極、およびこれら両電極の間に配置された発光層を有し、この発光層から発せられた光を前記第一電極と第二電極との間で共振させた上で第二電極を通して前記画像記録手段側に射出する構成を有することを特徴とする画像読取装置用光源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は画像読取装置、特に詳細には、画像情報を潜像として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査して画像情報を読み取る画像読取装置に関するものである。
【０００２】
また本発明は、上述のような画像読取装置を用いて画像情報を読み取る方法に関するものである。
【０００３】
また本発明は、上述のような画像読取装置に用いられる光源に関するものである。
【背景技術】
【０００４】
従来、例えばファクシミリ、複写機あるいは放射線撮像装置などにおいて、画像情報を一旦画像記録手段に潜像として記録させ、その後この画像記録手段から画像情報を読み取ることが広範になされている。
【０００５】
例えば医療用放射線画像の記録再生においては、特許文献１等に示されるように、Ｘ線等の放射線に感応する例えばａ−Ｓｅから成るセレン板等の光導電体を感光体（放射線画像記録媒体）として用い、該感光体等に放射線画像情報を担持する放射線を照射して放射線画像情報に対応する潜像電荷を蓄積させ、その後レーザビームで該感光体を走査し、そのとき感光体内に生じる電流を感光体両側の平板電極あるいはクシ電極を介して検出することにより、潜像電荷が担持する静電潜像すなわち放射線画像情報を読み取るシステムが知られている。
【０００６】
上述のように、画像情報を潜像として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査して画像情報を読み取る画像読取装置においては、読取画像の鮮鋭度を高める上で、より指向性の高い光で画像記録手段を走査することが求められている。特許文献２には、そのような要求に応えるために、有機ＥＬ発光素子等からなる光源の画像記録手段側の表面に、そこから出射する光を多重干渉させる誘電体多層膜を形成し、該表面から比較的小さな出射角で出射する光のみを互いに強め合うように干渉させる一方、比較的大きな出射角で出射する光は減衰させることにより、読取光の指向性を向上させる技術が記載されている。
【０００７】
ここで上記の有機ＥＬ発光素子は、第一電極と第二電極との間に有機発光層を挟持してなるものであるが、このような構造の発光素子において、光が出射する側の電極を半透過性のものとして、該電極と発光層との間で光を多重干渉させることが特許文献３において提案されている。そのような構造の発光素子においては、多重干渉により強め合う所定波長（共振波長）の光のみが電極を通過するので、出射光の狭スペクトル化が達成される。
【０００８】
ただし、この特許文献３に示された発光素子は、表示素子に適用されることを前提としているので、上記多重干渉による出射光の狭スペクトル化は、画像表示の面では別の問題も招くものとなっている。すなわち、上記の多重干渉を起こさせると出射光の指向性も高くなるので、素子の発光特性の視野角依存性が高くなり、表示素子を斜め方向から見た場合に、光の波長がシフトしたり強度が低下したりする問題がある。したがって特許文献３でも、上記の多重干渉は、出射光の指向性という点からは好ましくないものとして扱われている。
【特許文献１】米国特許第４１７６２７５号明細書
【特許文献２】特開２０００−１６２７２６号公報
【特許文献３】特開２００２−３６７７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
先に述べた特許文献２に示される技術は、所期の目的通り読取光の指向性向上に寄与するものであるが、その半面、誘電体多層膜を形成するために画像読取装置のコストアップを招く、誘電体多層膜での光吸収のために読取光の強度が減衰する、といった問題も有している。
【００１０】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、読取画像の鮮鋭度を高めることが可能で、またそのために大きなコストアップを招くことがなく、しかも読取光の強度を高く確保できる画像読取装置および画像読取方法を提供することを目的とする。
【００１１】
さらに本発明は、上述のような画像読取装置を実現できる光源を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明による画像読取装置は、先に述べたように画像情報を潜像として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査して前記画像情報を読み取る画像読取装置において、読取光を多重干渉により共振させてその指向性を高めるようにしたものであり、より具体的には、
前記光源として、第一電極、この第一電極に前記画像記録手段側から対面する状態に配された半透過性の第二電極、およびこれら両電極の間に配置された発光層を有し、この発光層から発せられた光を前記第一電極と第二電極との間で共振させた上で第二電極を通して前記画像記録手段側に射出するものが用いられたことを特徴とするものである。
【００１３】
なお上記構成の画像読取装置においては、光源の第二電極の、可視光波長領域４２０ｎｍ〜６５０ｎｍでの透過率が２５〜７０％の範囲にあることが望ましい。また光源としては、有機ＥＬ発光素子を好適に用いることができる。さらにこの光源は、面状光源であることが望ましい。
【００１４】
また本発明による画像記録装置は、画像情報を潜像電荷として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査し、そのとき前記潜像電荷に対応して流れた電流を検出して画像情報を読み取る構成を有するものであることが望ましい。
【００１５】
一方、本発明による画像読取方法は、画像情報を潜像として記録した画像記録手段を光源から発せられた読取光で走査し、それによりこの画像記録手段から発せられた光を光電変換して前記画像情報を読み取る画像読取方法において、上述した本発明による画像読取装置を用いて画像情報を読み取ることを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明による画像読取装置用光源は、
画像情報を潜像として記録した画像記録手段を、光源から発せられた読取光により走査して前記画像情報を読み取る画像読取装置に用いられる光源において、
第一電極、この第一電極に前記画像記録手段側から対面する状態に配された半透過性の第二電極、およびこれら両電極の間に配置された発光層を有し、この発光層から発せられた光を前記第一電極と第二電極との間で共振させた上で第二電極を通して前記画像記録手段側に射出する構成を有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明による画像読取装置においては、光源の発光層から発せられた光を第一電極と第二電極との間で共振させるようにしたので、前述の特許文献２に示される誘電体多層膜を形成した場合と同様にして、読取光の指向性を高めることができる。そこでこの画像読取装置によれば、高指向性の読取光を用いることにより、読取画像の鮮鋭度を高めることが可能となる。
【００１８】
そしてこの画像読取装置においては、光源に対して別途誘電体多層膜等の共振手段を形成するのではなく、本来必要な第一電極および第二電極の間で光を共振させるようにしているので、読取光の指向性向上のために多大なコストアップを招くこともないし、誘電体多層膜等での光吸収のために読取光の強度が減衰するようなことも防止できる。
【００１９】
また本発明による画像読取方法は、上述した通りの本発明による画像読取装置を用いて画像記録手段から画像情報を読み取るようにしたので、高指向性の読取光を用いることによる読取画像の鮮鋭度向上の効果を同様に得ることができる。
【００２０】
また本発明による画像読取装置用光源は、前述した通りの第一電極、第二電極、および発光層を有し、この発光層から発せられた光を第一電極と第二電極との間で共振させた上で第二電極を通して画像記録手段側に射出するものであるので、本発明による画像読取装置を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００２２】
図１は、画像記録手段を含む放射線画像検出器１０と、本発明の一実施形態による放射線画像読取装置２０とが一体化されてなる放射線画像検出読取装置１の概略斜視形状を示すものであり、また図２は図１中のＸ−Ｚ断面形状を、図３は同じく図１中のＸ−Ｙ断面形状を示している。なお図１においては、放射線画像検出器１０に静電潜像を記録する記録装置の電源等と、読取装置の面状光源３０を制御する光源制御手段４０および電流検出手段５０も併せて示している。
【００２３】
画像記録手段としての放射線画像検出器１０は、放射線画像情報を静電潜像として記録し、読取光で走査されることにより、記録している静電潜像に応じた電流を発生するものであり、具体的には、記録用の放射線を透過させる第１の導電体層１１、記録用電磁波の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層１２、導電体層１１に帯電される電荷（潜像極性電荷；例えば負電荷）に対しては略絶縁体として作用し、かつ該電荷と逆極性の電荷（輸送極性電荷；上記例においては正電荷）に対しては略導電体として作用する電荷輸送層１３、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層１４、読取光に対して透過性を有する第２の導電体層１５がこの順に積層されてなるものである。図中斜線部として示す上記導電体層１５はクシ歯状に形成されており、以下このクシ歯部分を「クシ電極１５ａ」と称する。なおこのようなクシ電極については、例えば特開２０００−１０５２９７号公報に詳しい記載がなされている。
【００２４】
放射線画像読取装置２０は、面状光源３０と、この面状光源３０を制御する光源制御手段４０と、電流検出手段５０とから構成されている。
【００２５】
面状光源３０は有機ＥＬ発光素子であって、基本的に、絶縁基板３１と、この絶縁基板３１の上に形成された第一電極としての平板状全面電極３２と、この全面電極３２と向かい合うように配置された第二電極としてのクシ電極３４と、このクシ電極３４と全面電極３２との間に挟持された有機ＥＬ発光層３３と、クシ電極３４の上に形成された絶縁層３５と、この絶縁層３５の上に形成されて面状光源３０を放射線画像検出器１０の導電体層１５と接着する接着層３６とから構成されている。
【００２６】
上記クシ電極３４は、有機ＥＬ発光層３３が発する光に対して半透過性の材料から形成され、放射線画像検出器１０のクシ電極１５ａと略直交する向きに形成されている。一方上記全面電極３２は、有機ＥＬ発光層３３が発する光を略１００％反射する材料から形成されている。なお有機ＥＬ発光素子においては通常、上記の各構成要素に加えて正孔輸送層や電子輸送層等が設けられるが、図１ではそれらを省略してある。
【００２７】
有機ＥＬ発光層３３から発せられるＥＬ光の波長は、放射線画像検出器１０から静電潜像を読み取るのに適した波長領域に含まれることは勿論であるが、後述する前露光用の光として適した波長領域にも含まれることが望ましい。有機ＥＬ発光層３３から発せられる光の波長は、該発光層３４の材料によって定まる。例えば、読取用光導電層１４が、ａ−Ｓｅ，ＰｂＩ2 ，Ｂｉ12（Ｇｅ，Ｓｉ）Ｏ20，ペリレンビスイミド（Ｒ＝ｎ−プロピル），ペリレンビスイミド（Ｒ＝ｎ−ネオペンチル）等のうち少なくとも１つを主成分とする、近紫外から青の領域の波長（３００〜５５０ｎｍ）の光に対して高い感度を有し、赤の領域の波長の光に対して低い感度を有するものである場合には、近紫外から青の領域の波長の光を発するように有機ＥＬ発光層３３の材料を選択する。
【００２８】
光源制御手段４０は、クシ電極３４とそれに対向する全面電極３２との間において、クシ電極３４の一個毎に、あるいは複数または全てのクシ電極３４を対象として、所定の電圧を印加するものである。この電圧の印加により有機ＥＬ発光層３３からＥＬ光が発せられ、このＥＬ光が読取光および前露光用の光として利用される。
【００２９】
電流検出手段５０は、導電体層１５の各クシ電極１５ａ毎に接続された多数の電流検出アンプ５１を有しており、読取光の照射により各クシ電極１５ａに流れる電流をクシ電極１５ａ毎に並列的に検出する。放射線画像検出器１０の導電体層１１は接続手段５２の一方の入力および電源５３の負極に接続されており、電源５３の正極は接続手段５２の他方の入力に接続されている。なお図示は省いてあるが、接続手段５２の出力端は各電流検出アンプ５１に接続されている。電流検出アンプ５１の構成の詳細については説明を省略するが、周知の構成を種々適用することが可能である。
【００３０】
以下、上記構成の放射線画像検出読取装置１の作用について説明する。放射線画像検出器１０に放射線画像情報を記録する際には、先ず接続手段５２を電源５３側に切り替え、導電体層１１と導電体層１５のクシ電極１５ａとの間に直流電圧を印加して、両導電体層を帯電させる。これにより放射線画像検出器１０内の導電体層１１とクシ電極１５ａとの間に、クシ電極１５ａをＵ字の凹部とするＵ字状の電界が形成される。
【００３１】
次にＸ線等の放射線を図示外の被写体に爆射し、この被写体を透過した放射線、すなわち被写体の放射線画像情報を担持する放射線を放射線画像検出器１０に照射する。すると、放射線画像検出器１０の記録用光導電層１２内で正負の電荷対が発生し、その内の負電荷が上述の電界分布に沿ってクシ電極１５ａに集中し、記録用光導電層１２と電荷輸送層１３との界面に負電荷が蓄積される。この蓄積される負電荷（潜像電荷）の量は照射放射線量に略比例するので、この潜像電荷が静電潜像を担持することとなる。このようにして静電潜像が放射線画像検出器１０に記録される。一方、記録用光導電層１２内で発生する正電荷は導電体層１１に引き寄せられ、電源５３から注入された負電荷と再結合して消滅する。
【００３２】
その後放射線画像検出器１０から静電潜像を読み取る際には、先ず接続手段５２を放射線画像検出器１０の導電体層１１側に接続する。次いで光源制御手段４０が、クシ電極３４を順次切り替えながら、各クシ電極３４と全面電極３２との間に所定の直流電圧を印加する。この直流電圧の印加により、クシ電極３４と全面電極３２とに挟まれた部分の有機ＥＬ発光層３３からＥＬ光が発せられる。クシ電極３４はライン状になっているので、該クシ電極３４を透過したＥＬ光がライン状の読取光として利用される。すなわち面状光源３０は、ライン状の微小光源を面状に配列したものと等価となり、電圧印加するクシ電極３４を順次切り替えてＥＬ発光させることにより、読取光が放射線画像検出器１０を走査することとなる。
【００３３】
上記ライン状の読取光は、放射線画像検出器１０の導電体層１５の各クシ電極１５ａを透過する。すると、光導電層１４内に正負の電荷対が発生し、その内の正電荷が記録用光導電層１２と電荷輸送層１３との界面に蓄積された負電荷（潜像電荷）に引きつけられるように電荷輸送層１３内を急速に移動し、光導電層１２と電荷輸送層１３との界面で潜像電荷と電荷再結合し消滅する。一方、光導電層１４に生じた負電荷は、電源５３から導電体層１５に注入される正電荷と電荷再結合して消滅する。
【００３４】
このようにして、放射線画像検出器１０に蓄積されていた負電荷が電荷再結合により消滅し、この電荷再結合の際の電荷の移動による電流が放射線画像検出器１０内に生じる。この電流は、各クシ電極１５ａ毎に接続された電流検出アンプ５により、各クシ電極１５ａ毎に並列的に検出される。放射線画像読取りの際に放射線画像検出器１０内を流れる電流は、潜像電荷すなわち静電潜像に応じたものであるから、この電流を検出することにより静電潜像を読み取ることができる。
【００３５】
以上述べたように、放射線画像検出器１０と放射線画像読取装置２０とを一体化してなるこの放射線画像検出読取装置１においては、面状光源３０の電圧印加するクシ電極３４を順次切り替える電気的な走査により、ライン状の読取光で放射線画像検出器１０を走査するようにしたので、読取光の走査を機械的に行う必要がなくなり、よって機械走査を部品点数を少なくすることができる。また、走査系に可動部を必要としないから装置の信頼性も向上する。さらに放射線画像検出器１０と放射線画像読取装置２０とを一体的に構成したことにより、可搬型の装置にすることも容易となる。
【００３６】
上記放射線画像検出読取装置１は、放射線画像検出器１０から静電潜像を読み取った後には、潜像電荷が基本的には蓄積されておらず、基本的にはそのまま再記録できるものである。しかしながら、場合によっては潜像電荷を完全に読み取ることができず、放射線画像検出器１０に残留電荷が残されることもある。また、放射線画像検出器１０に静電潜像を記録するとき、放射線照射の前に放射線画像検出器１０に高電圧を印加するが、この電圧印加の際に暗電流が発生し、それによる電荷（暗電流電荷）も放射線画像検出器１０に蓄積される。さらに、それら以外の原因によっても、放射線照射前に種々の電荷が放射線画像検出器１０に蓄積することが知られている。この残留電荷、暗電流電荷等の不要電荷は、放射線照射により蓄積される画像情報を担持する電荷に加算されることになるから、結局放射線画像検出器１０から静電潜像を読み取ったとき、出力される信号には画像情報を担持する電荷に基づく信号以外に、不要電荷による信号成分が含まれることになり、残像現象やＳ／Ｎ劣化等の問題を生じる。
【００３７】
そこで、放射線画像検出器１０に蓄積されている不要電荷を消去し、残像現象やＳ／Ｎ劣化等の問題を解消するために、放射線を放射線画像検出器１０に照射する前に、所定の光を放射線画像検出器１０に照射する、いわゆる前露光を行うことが望ましい。本例の放射線画像検出読取装置１においても、この前露光用の光を面状光源３０から発することができる。
【００３８】
具体的には、複数のクシ電極３４と全面電極３２との間に所定の電圧を同時に印加する。この際、電圧の印加により有機ＥＬ発光層３３から発せられた前露光用の光が放射線画像検出器１０に略一様に照射されればよく、クシ電極３４の数の大小は問わない。例えば、所定間隔で間引いてもよいし、全てのクシ歯３４としてもよい。なお、この前露光に関しては前述の特開２０００−１０５２９７号公報に詳しい記載がなされている。このように読取光と前露光用の光を同一の光源から発生させれば、装置の部品点数を削減することができ、安価な装置にすることができる。
【００３９】
ここで、本実施形態の放射線画像読取装置２０の一つの特徴部分として、面状光源３０のクシ電極３４は半透過性のものとされ、またこのクシ電極３４と全面電極３２は互いに、前述のような波長のＥＬ光が共振可能な距離を置いて配置されている。そこで、有機ＥＬ発光層３３から発せられたＥＬ光は、これら両電極３２，３４の間で共振した上で、クシ電極３４を透過して放射線画像検出器１０側に出射する。このような構成においては、有機ＥＬ発光層３３の表面から比較的小さな出射角で出射するＥＬ光のみが互いに強め合うように干渉する一方、比較的大きな出射角で出射するＥＬ光は減衰するので、読取光であるＥＬ光の指向性が向上する。それにより本放射線画像読取装置２０によれば、読取画像の鮮鋭度を高めることが可能になる。
【００４０】
また、この放射線画像読取装置２０においては、面状光源３０に対して別途誘電体多層膜等の共振手段を形成するのではなく、本来必要な全面電極３２およびクシ電極３４の間でＥＬ光を共振させるようにしているので、読取光の指向性向上のために多大なコストアップを招くこともないし、誘電体多層膜等での光吸収のために読取光の強度が減衰することも防止できる。
【００４１】
なお、上述のような共振手段を構成した上でＥＬ光を透過させる第二電極としてのクシ電極３４は一般に、可視光波長領域４２０ｎｍ〜６５０ｎｍでの透過率が２５〜７０％の範囲にある材料から形成することが好ましい。透過率がこの範囲を上回ると十分な共振作用が得られず、反対に透過率がこの範囲を下回ると、読取光として利用可能なＥＬ光の強度が顕著に低下することもある。
【００４２】
以下、面状光源３０のより詳細な実施例について説明する。
【００４３】
〈第１実施例〉
本実施例の面状光源３０における全面電極３２から接着層３６までの層構成を以下に示す。なお、（  ）中の数字は層厚を示している。本実施例においては、第一電極である全面電極３２がAlNdから形成され、第二電極であるクシ電極３４がAgから形成されている。
【００４４】
〔AlNd(400nm)／MoO3(2nm)／10%MoO3+2TNATA(20nm)／0.1%F4-TCNQ+2TNATA(260nm)／NPD(10nm)／10%tbppy+CBP(20nm)／BAlq(10nm)／Alq3(20nm)／LiF(0.5nm)／Al(1.5nm)／Ag(15nm)／ZnS(25nm)／無機封止膜／接着層〕
ここで上記各層を機能の点から順に説明すると、AlNdは全面電極を、MoO3は正孔バッファ層（AlNd電極から有機膜正孔注入層への正孔注入を補強する働きがある）を、10%MoO3+2TNATAは第一正孔注入層を、0.1%F4-TCNQ+2TNATAは第二正孔注入層（正孔注入層は、AlNd電極からの正孔注入を良くする働きがある）を、NPDは正孔輸送層を、10%tbppy+CBPは有機ＥＬ発光層を、BAlqは正孔ブロッキング層（正孔を発光層内に閉じ込めて、発光効率を向上させる働きがある）を、Alq3は電子輸送層を、LiF/Alは電子注入層（Ag電極からの電子注入を良くする働きがある）を、Agはクシ電極を、ZnSは光取出補強層（Ag電極からの光取出しを向上させ、発光効率を向上させる働きがある）をそれぞれ構成している。
【００４５】
〈第２実施例〉
本実施例の面状光源３０における全面電極３２から接着層３６までの層構成を以下に示す。なおこの第２実施例は、第一電極である全面電極３２がAlから形成された点のみが第１実施例と異なるものである。
【００４６】
〔Al(100nm)／MoO3(2nm)／10%MoO3+2TNATA(20nm)／0.1%F4-TCNQ+2TNATA(260nm)／NPD(10nm)／10%tbppy+CBP(20nm)／BAlq(10nm)／Alq3(20nm)／LiF(0.5nm)／Al(1.5nm)／Ag(15nm)／ZnS(25nm)／無機封止膜／接着層〕
〈第３実施例〉
本実施例の面状光源３０における全面電極３２から接着層３６までの層構成を以下に示す。なおこの第３実施例は、第一電極である全面電極３２がAgから形成された点のみが第１実施例と異なるものである。
【００４７】
〔Ag(100nm)／MoO3(2nm)／10%MoO3+2TNATA(20nm)／0.1%F4-TCNQ+2TNATA(260nm)／NPD(10nm)／10%tbppy+CBP(20nm)／BAlq(10nm)／Alq3(20nm)／LiF(0.5nm)／Al(1.5nm)／Ag(15nm)／ZnS(25nm)／無機封止膜／接着層〕
〈第４実施例〉
本実施例の面状光源３０における全面電極３２から接着層３６までの層構成を以下に示す。なおこの第４実施例は、第二電極であるクシ電極３４がAg／ITOから形成された点のみが第１実施例と異なるものである。
【００４８】
〔AlNd(400nm)／MoO3(2nm)／10%MoO3+2TNATA(20nm)／0.1%F4-TCNQ+2TNATA(260nm)／NPD(10nm)／10%tbppy+CBP(20nm)／BAlq(10nm)／Alq3(20nm)／LiF(0.5nm)／Al(1.5nm)／Ag(15nm)／ITO(35nm)／無機封止膜／接着層〕
〈比較例〉
次に、本発明の効果を確認するために形成した比較例について説明する。この比較例の面状光源における全面電極から接着層までの層構成を以下に示す。なおこの比較例は、第１実施例に対して第二電極であるクシ電極３４がAgからITOに変更し、ZnS上に誘電体多層膜が形成されている点が異なる。
【００４９】
〔AlNd(400nm)／MoO3(2nm)／10%MoO3+2TNATA(20nm)／0.1%F4-TCNQ+2TNATA(260nm)／NPD(10nm)／10%tbppy+CBP(20nm)／BAlq(10nm)／Alq3(20nm)／LiF(0.5nm)／Al(1.5nm)／ITO(100nm)／ZnS(25nm) ／誘電体多層膜／無機封止膜／接着層〕
この比較例においても、誘電体多層膜を設けていることによりＥＬ光の指向性を高める効果が得られるが、誘電体多層膜においてＥＬ光が吸収されるため、読取光の強度が低下しやすくなっている。
【００５０】
以上、有機ＥＬ発光素子からなる光源を用いる画像読取装置に本発明が適用された実施形態について説明したが、本発明はこのような光源に限らず、発光層を第一電極と第二電極との間に挟持した構造を有するその他の光源にも適用可能であり、そしてその場合も、前述した本発明による効果を同様に奏するものである。なお、以上説明した発明の実施の形態および実施例においては、図１〜図３のように第一電極が全面電極、第二電極がクシ電極の構成であったが、もちろん図４に示すように第一電極32′がクシ電極、第二電極34′が全面電極である構成であっても、本発明による効果を同様に奏することができる。
【００５１】
さらに本発明は、画像記録手段から放射線画像情報を読み取る画像読取装置に限らず、画像情報を潜像として記録した画像記録手段を読取光により走査し、それによりこの画像記録手段から発せられた光を光電変換して画像情報を読み取るように構成された画像読取装置一般に適用可能であり、そのようにした場合も、前述した本発明による効果を同様に奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施形態による画像読取装置を備えた放射線画像検出読取装置を示す概略斜視図
【図２】図１の放射線画像検出読取装置のＸ−Ｚ断面形状を示す断面図
【図３】図１の放射線画像検出読取装置のＸ−Ｙ断面形状を示す断面図
【図４】本発明の別の実施形態による画像読取装置を備えた放射線画像検出読取装置を示す概略斜視図
【符号の説明】
【００５３】
１０    放射線画像検出器
１１    第１の導電体層
１２    記録用光導電層
１３    電荷輸送層
１４    読取用光導電層
１５    第２の導電体層
２０    放射線画像読取装置
３０    面状光源
３１    絶縁基板
３２    全面電極（第一電極）
３２′  クシ電極（第一電極）
３３    有機ＥＬ発光層
３４    クシ電極（第二電極）
３４′  全面電極（第二電極）
３５    絶縁層
３６    接着層
【図１】
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【図２】
2008211689.tif 000004
【図３】
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【図４】
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