(57)【要約】【課題】本発明は、水平封止装置で発生した封止時基板の撓み現象及び大型化された基板に適用時取扱上の難しさ等を解決して精密パターンを遂行することができて、大気中でも製作可能な垂直形封止装置及びそれによる有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は封止基板を垂直に安着する封止基板ステージと；一側面に工程対象物である下部基板を吸着固定し、封止基板に封止作業可能に垂直に形成された下部基板ステージと；下部基板ステージを固定する固定ブラケットと；固定ブラケットの他側面中心部に形成され下部基板ステージを左右に移動する水平シャフトと；水平シャフトの外側に嵌め込み結合していて水平シャフトをすべり作用により封止基板ステージに移動できるピローボールベアリングと；該ベアリングの外側を包む円筒状であり、固定ブラケットの中心部に形成された貫通孔に離脱しないように結合しているベアリングハウジングを含む。【選択図】図７
2008047514.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着される封止基板を垂直に安着する封止基板ステージと；
前記封止基板ステージと対応するように一定間隔離隔されて位置して、一側面に工程対象物である下部基板を吸着固定し、前記封止基板に対して封止作業が行われるように垂直に形成されている下部基板ステージと；
前記下部基板ステージを固定する固定ブラケットと；
前記固定ブラケットの他側面中心部に形成されていて、前記下部基板ステージを左右に一定間隔移動するようにする水平シャフトと；
前記水平シャフトの外側に嵌め込み結合していて前記水平シャフトをすべり作用により封止基板ステージに移動させることができるピローボールベアリングと；
前記ピローボールベアリングの外側を包む円筒状になっていて、前記固定ブラケットの中心部に形成された貫通孔に離脱しないように結合しているベアリングハウジングを含むことを特徴とする封止装置。
【請求項２】
前記下部基板ステージはホルダーに固定付着されて水平シャフトと連結されていることを特徴とする請求項１に記載の封止装置。
【請求項３】
前記水平シャフトの一側面を加圧するコイルスプリングが内設されて前記固定ブラケット上に形成されているスプリングハウジングをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の封止装置。
【請求項４】
前記封止基板ステージの一側面にレーザー照射装置がさらに具備されていることを特徴とする請求項１に記載の封止装置。
【請求項５】
前記レーザー照射装置は封止基板に形成されているガラスフリットと対応する封止基板ステージの外側面に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の封止装置。
【請求項６】
前記下部基板は半導体層、ゲート電極及びソース／ドレイン電極を含む薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の封止装置。
【請求項７】
ガラスフリットが形成されている封止基板を垂直に形成されている封止基板ステージに安着して、
前記封止基板ステージと対応するように一定間隔離隔されて垂直に形成されている下部基板ステージに工程対象物である下部基板を吸着固定し、
前記下部基板ステージを封止基板ステージに移動して前記下部基板を封止基板ステージに固定付着されている封止基板に加圧密着して合着して、
前記封止基板ステージの外側に形成されているレーザを前記ガラスフリットに照射して前記封止基板を下部基板と接着することを含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記ガラスフリットは下部基板の画素領域に対応する封止基板の外周面に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記下部基板の画素領域に対応する封止基板の領域とガラスフリット間に溝が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ガラスフリットは酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）、三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、三酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、三酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化鉛（ＰｂＯ）、五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、三酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、五酸化燐（Ｐ２Ｏ５）、三酸化二ホウ素（Ｂ２Ｏ３）及び二酸化硅素（ＳｉＯ２）で構成された群から選択された１種の物質またはこれらの組合で構成されたことを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ガラスフリットは高さが１０ないし３００μｍであることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記溝は２０ないし３００μｍの深さで封止基板の外周面全体に形成されていることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記封止基板は下部基板の画素領域と対応する領域にシーラントが形成されていることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記シーラントはＵＶ硬化型または熱硬化型であることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記シーラントは透明シーラントであることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記溝はエッチング、サンドブラスティングまたはモールディング法を利用して形成することを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記ガラスフリットはスクリーン印刷法またはディスペンシング法を利用して形成することを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記レーザをガラスフリットに照射することは大気中で遂行することを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は垂直形封止装置及びそれによる有機電界発光表示装置の製造方法に係り、さらに詳細にはガラスフリット（ｆｒｉｔ）を封止基板上に形成して前記フリットが形成された封止基板と下部基板を垂直形封止装置に吸着固定してレーザーを照射することによって、封止基板と下部基板を合着する垂直形封止装置及びそれによる有機電界発光表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、有機電界発光表示装置は電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）注入電極（ｃａｔｈｏｄｅ）と正孔（ｈｏｌｅ）注入電極（ａｎｏｄｅ）からそれぞれ電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と正孔（ｈｏｌｅ）を発光層内部に注入させて、注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と正孔（ｈｏｌｅ）が結合した励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時発光する発光表示装置である。このような原理によって従来の液晶薄膜表示素子とは違って別途の光源を必要としないので素子の体積と重量を減らすことができる長所がある。
【０００３】
前記有機電界発光表示装置を駆動する方式は手動マトリックス方式（ｐａｓｓｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ  ｔｙｐｅ）とアクティブマトリックス方式（ａｃｔｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ  ｔｙｐｅ）に分けることができる。前記手動マトリックス方式有機電界発光表示装置はその構成が単純であって製造方法も単純であるが、高い消費電力と表示素子の大面積化に難しさがあって配線の数が増加すればするほど開口率が低下する短所がある。したがって、小型の表示素子に適用する場合には手動マトリックス方式の有機電界発光表示装置を用いるのに対して、大面積の表示素子に適用する場合にはアクティブマトリックス方式の有機電界発光表示装置を用いる。
【０００４】
また、有機電界発光表示装置は発光層から発生した光が放出される方向によって背面発光構造と前面発光構造に分けることができるのに、背面発光構造は形成された基板側に光が放出されることであって上部電極で反射電極や反射膜が形成されて下部電極で透明電極が形成される。ここで、有機電界発光表示装置は薄膜トランジスタが形成されるアクティブマトリックス方式を採択する場合に薄膜トランジスタが形成された部分は光が透過できなくなるので光が出ることができる面積が減ることができる。これと違って、前面発光構造は上部電極で透明電極が形成されて下部電極で反射電極や反射膜が形成されることによって光が基板方向と反対される方向に放出されるので光が透過する面積が広くなるので輝度を向上することができる。
【０００５】
一方、有機電界発光表示装置の上部電極と下部電極間に積層される有機膜は酸素または水分と容易に反応して、これにより有機電界発光表示装置の特性が低下する現象が発生する。したがって有機電界発光表示装置の製作に使われる有機薄膜を水分または酸素等から保護するための方法で有機膜等が蒸着された基板に一定空間を維持した状態で高分子フィルムやステンレススチール等を主材料にするキャップをかぶせる封止工程（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）をするようになって前記キャップは内部に吸湿剤が装着されて有機膜等で発生するガス及び外部からの水分と酸素の影響を減少させるように製造される。
【０００６】
図１は従来の封止処理された有機電界発光表示装置を概略的に見せてくれる断面図である。
【０００７】
図１を参照すると、ガラスやステンレススチールで構成された下部基板１０上にアノードと少なくとも発光層を含む有機膜及びカソードが積層された有機電界発光素子１２が形成されていて、前記有機電界発光素子１２を密封するように封止基板１４が下部基板１０上の非発光領域上に接着剤（ｓｅａｌａｎｔ）１６で接着されている。ここで、封止基板１４の内側面には吸湿剤または乾燥剤（図示せず）が通常的に具備されていて内部で発生したり残存する水分及び酸素を除去するようになる。
【０００８】
図２は有機電界発光素子が形成された下部基板に対して封止基板を接着させる作業を遂行する封止装置を概略的に示す図面である。
【０００９】
図２を参照すると、封止装置５０は封止工程時高さが固定されていてその上面部に封止基板１４が固定付着される下部ステージ（ｌｏｗｅｒ  ｓｔａｇｅ）３０と、前記下部ステージ３０に対応するように上部に具備されて封止工程時下降されて、下面部に工程対象物である下部基板１０が吸着固定される上部ステージ（ｕｐｐｅｒ  ｓｔａｇｅ）２０を含む。したがって、下部ステージ３０上の封止基板１４の縁部に未図示されたシリンジ（ｓｙｒｉｎｇｅ）装置により接着剤（ｓｅａｌａｎｔ）（図１の１６）が塗布された後、前記下部ステージ３０に対して前記上部ステージ２０が下降して下面部に吸着固定された下部基板１０を下部ステージ３０上の封止基板１４に加圧密着させて塗布された接着剤１６が押されながら接着が行われる。
【００１０】
ここで、図示していないが上部ステージ２０にはその下面部に下部基板１０を固定するための真空吸着力を提供する真空ノズル（ｖａｃｕｕｍ  ｎｏｚｚｌｅ）が具備されていて上部には上部ステージ２０と密着するように小さな大きさの固定ブラケット（ｂｒａｃｋｅｔ）２２が横切って具備されて固定ブラケット２２の両側上面部には昇下降のためのリニアシャフト（ｌｉｎｅａｒ  ｓｈａｆｔ）２８がそれぞれ具備されている。
【００１１】
しかし、前記した従来の封止装置を利用した封止工程は下部基板１０と封止基板１４を水平状態に維持して工程を行なうことによって、図３に示したように、大面積の基板に適用する時上部ステージ２０により支持された下部基板１０が圧着及び封止工程中に変形されて基板が下に撓む問題点が発生して、封止基板１４と接触して有機電界発光素子の特性が低下する問題点が発生された。また、封止工程時真空状態で工程を遂行したりＵＶ照射をしなければならない等工程遂行上の多くの問題点と精密パターンをしにくい問題等があった。
【特許文献１】特開１９９８−０７４５８３号公報
【特許文献２】特開２００５−５１０８３１号公報
【特許文献３】韓国出願公報２００５−００２１８２２号
【特許文献４】韓国特許第０２７９５２８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は前記した従来技術の問題点を解決するためのものであって、下部基板と封止基板を垂直に位置させて、前記封止基板の縁にフリット（ｆｒｉｔ）を形成してレーザで照射することによって、水平封止装置で発生した封止時基板の撓み現象及び大型化された基板に適用時取扱上の難しさ等を解決して精密パターンを遂行することができて、大気中でも製作が可能な垂直形封止装置及びそれによる有機電界発光表示装置の製造方法を提供することに目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記した目的を達成するために本発明による垂直形封止装置は、
接着される封止基板を垂直に安着する封止基板ステージと；
前記封止基板ステージと対応するように一定間隔離隔されて位置して、一側面に工程対象物である下部基板を吸着固定し、前記封止基板に対して封止作業が行われるように垂直に形成されている下部基板ステージと；
前記下部基板ステージを固定する固定ブラケットと；
前記固定ブラケットの他側面中心部に形成されていて、前記下部基板ステージを左右に一定間隔移動するようにする水平シャフトと；
前記水平シャフトの外側に嵌め込み結合していて前記水平シャフトをすべり作用により封止基板ステージに移動させることができるピローボールベアリングと；
前記ピローボールベアリングの外側を包む円筒状になっていて、前記固定ブラケットの中心部に形成された貫通孔に離脱しないように結合しているベアリングハウジングを含むことを特徴とする封止装置により達成される。
【００１４】
また、前記目的を達成するための本発明による有機電界発光表示装置の製造方法は、
ガラスフリットが形成されている封止基板を垂直に形成されている封止基板ステージに安着して、
前記封止基板ステージと対応するように一定間隔離隔されて垂直に形成されている下部基板ステージに工程対象物である下部基板を吸着固定し、
前記下部基板ステージを封止基板ステージに移動して前記下部基板を封止基板ステージに固定付着されている封止基板に加圧密着して合着して、
前記封止基板ステージの外側に形成されているレーザを前記ガラスフリットに照射して前記封止基板を下部基板と接着することを含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法によっても達成される。
【００１５】
本発明の前記目的と技術的構成及びそれによる作用効果に関する詳細な事項は本発明の望ましい実施形態を示している図面を参照した以下詳細な説明によりさらに明確に理解されることである。しかし、本発明はここで説明される実施形態に限定されなくて他の形態に具体化されることができる。むしろここで紹介される実施形態は開示された内容が徹底して完全になることができるようにそして当業者に本発明の思想が十分に伝達されることができるようにするために提供されることである。図面において、層が異なる層または基板“上”にあると言及される場合にそれは他の層または基板上に直接形成されることができたりまたはそれら間に第３の層が介在されることもある。本発明の望ましい実施形態を示している図面は明確な説明のために誇張されるように示される事もでき、明細書全体にかけて同じ参照番号は同じ構成要素を示す。
【発明の効果】
【００１６】
上述したように本発明によると、水平型封止装置で発生された封止時下部基板の撓み現象及び大型化された基板における適用時取扱難しさ等を解決して精密パターンを遂行することができて大気中でも製作が可能な垂直形封止装置及び有機電界発光表示装置を得ることができる。
【００１７】
また、本願発明による封止工程前に垂直形蒸着方式で有機膜を成膜した場合には従来のように水平に下部基板を移動する必要がなく封止工程を遂行することができて生産性が向上して工程収率が向上する。
【００１８】
一方、前記内容は本発明の望ましい一実施形態を例示したことであって、本発明の当業者は本発明の要旨を変更させることがなく本発明に対する修正と変更を加えることができることが分かることである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明をさらに具体的に説明するために本発明による望ましい実施形態を添付した図面を参照してさらに詳細に説明する。
【００２０】
図４は本発明による有機電界発光表示装置の単位画素に対する平面図である。
【００２１】
図４を参考にすると、一方向に配列されたスキャンライン２、前記スキャンライン２と相互に絶縁されながら交差するデータライン１及び前記スキャンライン２と相互に絶縁されながら交差して前記データライン１に平行するように共通電源ライン３が位置する。前記スキャンライン２、前記データライン１及び共通電源ライン３により複数の単位画素、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のうちのいずれか一つを示す単位画素で定義される。
【００２２】
これによって、前記単位画素には前記スキャンライン２に印加された信号によって前記データライン１に印加されたデータ信号を、例えば、データ電圧と前記共通電源ライン３に印加された電圧差による電荷を蓄積するキャパシタ７及び前記キャパシタ７に蓄積された電荷による信号を前記スイッチング薄膜トランジスタ５を介して駆動薄膜トランジスタ６に入力する。続いて、データ信号を入力を受けた前記駆動薄膜トランジスタ６は下部電極８、上部電極及び両電極間に少なくとも有機発光層を含む有機膜を具備した前記有機電界発光素子９に電気的信号を送り光を放出するようにする。
【００２３】
図５Ａは図４の単位画素をＡ−Ａ’方向に切った断面を示した概略図であって、図５Ｂは図５ＡのＢ領域を拡大して単位画素を示した断面図である。
【００２４】
図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、下部基板１００上には有機電界発光素子２００が位置する。前記有機電界発光素子２００は単位画素で構成され、前記単位画素は配線、薄膜トランジスタ（Ｔｒ）、キャパシタ及び前記素子と連結された有機発光素子で構成される。
【００２５】
図面を参照して前記単位画素を形成することを細部的に説明すると、下部基板１００上に薄膜トランジスタ（Ｔｒ）を形成する。前記下部基板１００はガラスや合成樹脂、ステンレススチール等の材質で構成されることができる。前記薄膜トランジスタ（Ｔｒ）には半導体層１１０を形成して、前記半導体層１１０上にゲート絶縁膜とゲート電極１２０を形成して、前記半導体層１１０とコンタクトされるようにソース電極１３０ａ及びドレイン電極１３０ｂを形成する。
【００２６】
次に、前記薄膜トランジスタ（Ｔｒ）上に絶縁膜１４１を形成する。前記絶縁膜１４１は無機膜、有機膜またはそれらの二重層であることがある。例えば、前記絶縁膜１４１は無機保護膜１３５、有機平坦化膜１４０、またはそれらの二重層であることがある。
【００２７】
続いて、前記絶縁膜１４１上にビアホールを形成して、その上部に導電膜を積層してパターニングすることによって下部電極１４５を形成する。次に、前記下部電極１４５上に絶縁膜を積層してパターニングすることによって前記下部電極１４５を露出させて画素領域Ｉを定義する画素定義膜１５０を形成する。
【００２８】
続いて、前記下部電極１４５上に少なくとも発光層を含む有機膜１６０を形成して前記有機膜１６０上部に上部電極１７０を形成することによって有機電界発光素子２００を完成するのに、前記下部電極１４５は基板１００上にＩＴＯ、ＩＺＯ等の伝導性の物質を蒸着してパターニングしてアノード電極で形成することができる。
【００２９】
また、前記下部電極１４５上に少なくとも発光層を含む有機膜１６０を形成するのに、前記有機膜１６０は前記下部電極１４５と後続されて形成される上部電極１７０間に形成されて、用途によって正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）のうち少なくとも発光層を含む一つの層以上でなった多層構造を有する。
【００３０】
また、前記有機膜１６０上に上部電極１７０を形成するのに、前記上部電極１７０はカソード電極で形成することができる。前記カソード電極としては仕事関数（ｗｏｒｋ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ）が低いＣａ、Ｍｇ、Ａｌ等やこれらの合金等を用いることが望ましい。
【００３１】
前記した工程で有機膜１６０等の成膜は多様な方式で遂行することができる。すなわち、上向式回転成膜方式、上向蒸着方式、下向蒸着方式及び垂直形蒸着方式等を利用することができる。ここで、上向式回転成膜方式はクヌーセン（Ｋｎｕｄｓｅｎ）またはエフュージョン（Ｅｆｆｕｓｉｏｎ）形態の蒸着源に基板を回転させながら成膜することであって、上向蒸着方式は基板を水平移送させてエフュージョン方式を線形蒸着源を基板の下で移動させながら成膜したり基板を水平移送させてノズルを介した噴射方式の線形蒸着源を平面上に移動しながら成膜することである。また、下向蒸着方式は基板を水平に移送させながら蒸着源の線形または平面ノズルを介して有機物を下向噴射して成膜することであって、垂直形蒸着方式はエフュージョン方式またはノズル方式の垂直形線形蒸着源を固定させて基板を垂直に立てて移送しながら成膜することである。
【００３２】
続いて図６を参照すると、封止基板２６０を提供する。前記封止基板２６０は絶縁ガラスまたはプラスチックであることがある。続いて、前記封止基板２６０の一定領域に溝２７０（ｇｒｏｏｖｅ）を形成する。さらに詳細には前記封止基板に形成された溝２７０は前記有機電界発光素子２００の画素領域（図５ＢのＩ）に対応する前記封止基板２６０の外側面縁に形成される。さらに望ましくは前記有機電界発光素子２００の画素領域Ｉ外側面を完全に囲むように形成する。
【００３３】
この時、前記溝２７０はエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）、サンドブラスティング（ｓａｎｄ  ｂｌａｓｔｉｎｇ）またはモールディング（ｍｏｌｄｉｎｇ）法を用いて形成することができるが、これに限られるのではない。また、前記溝２７０の形状は限定されることではないがシーラントがある領域はその角が緩やかでシーラントが溝に流れこんできやすくて、ガラスフリットがある領域はその角が垂直に形成されて流れ込んだシーラントがガラスフリットに接触しにくいように形成することが望ましい。
【００３４】
さらにひいては前記溝２７０は２０ないし３００μｍの深さＤを有するように形成することが望ましい。これは前記溝２７０の深さＤが２０μｍ以内ならば、今後形成されるシーラントが前記溝を充填しながらガラスフリットに接触できて、前記溝２７０の深さＤが３００μｍ以上ならば、前記封止基板２６０の耐久性が低下するという短所がある。また、前記溝２７０は０．１ないし５ｍｍの幅Ｗを有するように形成することが望ましい。これは前記溝２７０の幅が０．１ｍｍ以内ならば、今後形成されるシーラントが前記溝を充填しながらガラスフリットに接触できて、前記溝２７０の幅が５ｍｍ以上ならば、前記有機電界発光表示装置が不要に大きくなるという短所がある。
【００３５】
続いて、前記封止基板２６０に形成されている前記溝２７０の外周面に沿ってガラスフリット２８０を形成する。前記ガラスフリット２８０は酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）、三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、三酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、三酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化鉛（ＰｂＯ）、五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、三酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、五酸化燐（Ｐ２Ｏ５）、三酸化二ホウ素（Ｂ２Ｏ３）及び二酸化硅素（ＳｉＯ２）で構成された群から選択された１種の物質またはこれらの組合で構成されることができる。また、前記ガラスフリット２８０はスクリーン印刷法またはディスペンシング法で形成することができる。この時、前記ガラスフリット２８０の高さは１０ないし３００μｍで形成することが望ましい。これは前記ガラスフリット２８０の高さが１０μｍ以下ならば、前記封止基板２６０と前記有機電界発光素子２１０が接触するようになって素子の信頼性を低下させることができて、前記ガラスフリット２８０の高さが３００μｍ以上であれば、有機電界発光表示装置の厚さが不要に厚くなる短所がある。
【００３６】
続いて、前記封止基板２６０の前記溝２７０により定義された領域内にシーラント２９０を形成することができる。前記シーラント２９０は前記下部基板１００の画素領域Ｉに対応した封止基板２６０上に位置することができる。
【００３７】
この時、前記シーラント２９０はＵＶ硬化型または熱硬化型の物質を用いることができて、例えば、アクリル系樹脂またはポリイミド系樹脂を用いることができるが、望ましくはウレタンアクリルを用いることができる。
【００３８】
また、前記シーラント２９０は透明シーラントであることが望ましい。これによって、前記有機電界発光素子２００から放出される光が前記封止基板２６０を介して外部に放出されることができて前面発光型有機電界発光表示装置を具現することができる。しかしこれに限られないで、前記下部基板１００を介して光を放出する背面発光型または前記下部基板１００及び前記封止基板２６０全てを介して光を放出する両面発光型有機電界発光表示装置を具現することも可能である。
【００３９】
図７は本発明による下部基板と封止基板を合着するための封止装置を示した断面図である。
【００４０】
図７を参照すると、封止装置３００は封止作業時固定されて側面上に接着される封止基板２６０が安着されて固定される封止基板ステージ３１０と、前記封止基板ステージ３１０に対応するように一側に具備されて封止作業時側面に移動されて工程対象物である下部基板３２０がホルダー３３５により吸着固定される下部基板ステージ３３０を含む。ここで、図示していないが、下部基板ステージ３３０にはその一側面上に下部基板３２０を固定するための真空吸着力を提供する真空ノズルが具備されるようになる。本発明によると下部基板ステージ３３０の一側面中心部には一定の長さの水平シャフト（ｓｈａｆｔ）３３２が具備されて水平シャフト３３２の一側にはピローボールベアリング（ｐｉｌｌｏｗ  ｂａｌｌ  ｂｅａｒｉｎｇ）３３４が嵌め込み結合されている。また、前記ピローボールベアリング３３４の外側を包むように円筒形のベアリングハウジング３３６が垂直方向に具備されて前記ベアリングハウジング３３６は側面に移動のためのリニアシャフト３２８がそれぞれ具備される固定ブラケット３２２の中心部に形成された貫通孔３２２ａが離脱しないように挿入されて結合されるようになる。これによって、前記下部基板ステージ３３０は固定ブラケット３２２に対して水平シャフト３３２のピローボールベアリング３３４のすべり作用によって自由に傾くように動くことができるようになって封止基板２６０に加圧時封止基板ステージ２６０に密着しながら正確に調整されることができる。また、前記固定ブラケット３２２の一側面上の中心部には他側面が開口されて内部の空いた空間部に水平方向にコイルスプリング（ｃｏｉｌ  ｓｐｒｉｎｇ）３４０が内設されるスプリングハウジング３３８が固定具備されていて開口された面を介して水平シャフト３３２の上端の一部が挿入されて内設されたコイルスプリング３４０が水平シャフト３３２の球面ボール部３３２ａを押すように具備されており、前記水平シャフト３３２の球面ボール部３３２ａとコイルスプリング３４０間には押し板部材３４２が具備されていてさらに円滑に押す作用が可能にさせて前記水平シャフト３３２の球面ボール部３３２ａが円滑に滑るようになる。また、前記スプリングハウジング３３８内のコイルスプリング３４０上部には加圧板部材３４４が具備されていて前記加圧板部材３４４を加圧できるようにスプリングハウジング３３８の閉鎖された面を介して加圧調整用加圧ボルト３４６が締結されている。
【００４１】
続いて、前記下部基板３２０を封止基板ステージ３１０に固定付着されている封止基板２６０に加圧して密着することによって、前記下部基板３２０と封止基板２６０を合着する。
【００４２】
この時、シーラント２９０を形成した場合には前記シーラント２９０は前記下部基板３２０上に形成された有機電界発光素子（図５Ａの２００）を覆うようになる。これと同時に前記シーラント２９０は前記圧力により有機電界発光素子の画素領域（図５ＢのＩ）の外側方向に押し出される。しかし、前記外側方向に押し出されるシーラント２９０は前記溝２７０に会うようになって、前記溝２７０を充填しながら外側進行を止めるようになる。これによって、前記ガラスフリット２８０まで前記シーラント２９０が押し出される現象を防止して前記ガラスフリット２８０が汚染されることを防止することができる。
【００４３】
続いて、前記ガラスフリット２８０にレーザーを照射して、前記ガラスフリット２８０を溶融させて固相化して前記下部基板３２０と封止基板２６０を接着する。
【００４４】
次に、前記シーラント２９０に熱またはＵＶを照射することによって、前記シーラント２９０を硬化させる。
【００４５】
本発明の実施形態では前記ガラスフリット２８０にレーザーを照射した後、前記シーラント２９０にＵＶを照射して硬化したが、これとは違って、前記シーラント２９０にＵＶを照射して前記シーラント２９０を硬化させた後、前記ガラスフリット２８０にレーザーを照射して前記ガラスフリット２８０を鎔融して固相化できる。
【００４６】
これによって、本発明の実施形態による有機電界発光表示装置を完成する。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】従来の封止処理された有機電界発光表示装置を概略的に見せてくれる断面図である。
【図２】従来の下部基板に対して封止基板を接着させる作業を遂行する封止装置を概略的に示す図面である。
【図３】従来の大面積基板に適用する時上部ステージにより支持された下部基板が圧着及び封止工程中に変形されて基板が下に撓むことを示した図面である。
【図４】本発明による有機電界発光表示装置の単位画素に対する平面図である。
【図５Ａ】図４の単位画素をＡ−Ａ’方向に切った断面を示した概略図である。
【図５Ｂ】図５ＡのＢ領域を拡大して単位画素を示した断面図である。
【図６】本発明による封止基板を示した図面である。
【図７】本発明による下部基板と封止基板を合着するための封止装置を示した断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１：データライン
２：スキャンライン
３：共通電源ライン
５：スイッチング薄膜トランジスタ
６：駆動薄膜トランジスタ
７：キャパシタ
８、１４５：下部電極
９：有機電界発光素子
１０、１００、３２０：下部基板
１２、２００：有機電界発光素子
１４、２６０：封止基板
１６：接着剤
２０：上部ステージ
３０：下部ステージ
２８：リニアシャフト
５０、３００：封止装置
１１０：半導体層
１３０ａ：ソース電極
１３０ｂ：ドレイン電極
１３５：無機絶縁膜
１４０：平坦化膜
１４１：絶縁膜
１５０：画素定義膜
１６０：有機膜
１７０：上部電極
２６０：封止基板
２７０：溝
２８０：ガラスフリット
２９０：シーラント
３１０：封止基板ステージ
３２２：固定ブラケット
３２２ａ：貫通孔
３２８：リニアシャフト
３３０：下部基板ステージ
３３５：ホルダー
３３２：水平シャフト
３２２ａ：球面ボール部
３３４：ピローボールベアリング
３３６：ベアリングハウジング
３３８：スプリングハウジング
３４０：コイルスプリング
３４２：押し板部材
３４４：加圧板部材
３４６：加圧調整用加圧ボルト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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