(57)【要約】【課題】より低背化及び集積化を図ることができる電子部品モジュールを提供する。【解決手段】インダクタＬは、ＩＣ内蔵基板１２と当接する主面３１を有する。ＩＣ内蔵基板１２は、表面側にインダクタＬの主面３１と当接する主面３２を有する。ＩＣ内蔵基板１２は、端面側に第２面と互いに隣接する側面３３を有する。インダクタＬの主面３１とＩＣ内蔵基板１２の側面３３とが、ハンダ１４によって電気的及び機械的に接合されてインダクタＬとＩＣ内蔵基板１２とは一体化されている。インダクタＬの主面３１とＩＣ内蔵基板１２の主面３２とが当接し、インダクタＬの主面３１に設けられた一対の電極端子とＩＣ内蔵基板１２の側面３３に設けられた一対の電極端子とが電気的及び機械的に接合されてインダクタＬとＩＣ内蔵基板１２とが一体化されているため、より低背化、省面積化及び高集積化を図ることができる。【選択図】図１
2008112941.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を収納する部品の主面と、受動部品の主面とが、重なり合うように配置され、前記半導体素子を収納する部品の前記主面に隣接する側面に設けられた一対の電極端子と、前記受動部品に設けられた一対の電極端子とが、互いに電気的及び機械的に接合されている、電子部品モジュール。
【請求項２】
前記半導体素子を収納する部品の前記電極端子と、前記受動部品の前記電極端子とが、前記受動部品の前記主面上で電気的及び機械的に接合されている、請求項１に記載の電子部品モジュール。
【請求項３】
前記半導体素子を収納する部品の前記側面には凹部が形成されている、請求項１または２に記載の電子部品モジュール。
【請求項４】
前記受動部品の前記主面は、前記半導体素子を収納する部品の前記主面よりも面積が大きい、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品モジュール。
【請求項５】
前記受動部品の前記主面は、前記半導体素子を収納する部品の前記主面よりも面積が小さい、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品モジュール。
【請求項６】
前記受動部品は、前記主面の反対側に反対面を更に有し、前記反対面上には配線が形成されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品モジュール。
【請求項７】
前記受動部品はインダクタであり、前記インダクタ及び前記半導体素子を収納する部品の少なくともいずれかと一体化されたキャパシタを更に備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品モジュール。
【請求項８】
前記半導体素子を収納する部品は、前記主面の反対側に反対面を更に有し、前記反対面上に前記キャパシタが一体化されている、請求項７に記載の電子部品モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品モジュールに関し、特に、受動部品と半導体素子を収納する部品とを一体化して実装された電子部品モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機等の小型電子機器はインダクタやキャパシタ等の受動素子とＩＣとにより構成されている。携帯電話機のような電子機器の高集積化はとどまるところを知らず、受動素子及びＩＣの基板への実装形態において、更なる低背化の要求がある。例えば、特許文献１には、半導体チップと薄膜磁気誘導素子とをスタッドバンプを介して超音波接合により固着する技術が記載されている。
【０００３】
また、特許文献２には、チップ部品状のマイクロインダクタと制御回路等が形成された半導体集積回路とにより構成され、電源電圧の変換や安定化を行うマイクロコンバータにおいて、モジュール基板上にスタッド端子を配設し、このスタッド端子にマイクロインダクタを載置の形で実装するとともに、上記マイクロインダクタと上記半導体集積回路を上下に重ねて配置することにより、携帯電話機等の電子機器の小型化を図る技術が記載されている。
【特許文献１】特開２００５−９３７７４号公報
【特許文献２】特開２００４−６３６７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の技術では、半導体チップと薄膜磁気誘導素子とを、スタッドバンプを介して超音波接合により固着するため、スタッドバンプの高度によってモジュール全体の低背化を図ることができない。
【０００５】
また、特許文献２の技術では、モジュール基板上にスタッド端子を配設してインダクタを載置の形で実装するため、スタッド端子を配設する高度と工程が必要となり、モジュール全体の低背化を図ることができない上に実装工程の複雑化を招く欠点がある。
【０００６】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、より低背化を図ることができる電子部品モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、半導体素子を収納する部品の主面と、受動部品の主面とが、重なり合うように配置され、半導体素子を収納する部品の主面に隣接する側面に設けられた一対の電極端子と、受動部品に設けられた一対の電極端子とが、互いに電気的及び機械的に接合されている、電子部品モジュールである。
【０００８】
この構成によれば、半導体素子を収納する部品の主面と、受動部品の主面とが、重なり合うように配置されているため、スタッドバンプやスタッド端子を、インダクタとＩＣ内蔵基板との間に介在させて両者を接合する場合に比べて、より低背化を図ることができ、結果として、より小型化及び高集積化を図ることができる。また、半導体素子を収納する部品の主面に隣接する側面に設けられた一対の電極端子と、受動部品に設けられた一対の電極端子とが、互いに電気的及び機械的に接合されているため、半導体素子を収納する部品で発生する熱が、受動部品に拡散し易くなり、より放熱効果を有するものとできる。
【０００９】
この場合、半導体素子を収納する部品の電極端子と、受動部品の電極端子とが、受動部品の主面上で電気的及び機械的に接合されていることが好適である。
【００１０】
この構成によれば、半導体素子を収納する部品の電極端子と、受動部品の電極端子とが、受動部品の主面上で電気的及び機械的に接合されているため、半導体素子を収納する部品は、受動部品の主面上に納められることになり、より小型化及び高集積化を図ることができる。
【００１１】
この場合、半導体素子を収納する部品の側面には凹部が形成されていることが好適である。
【００１２】
この構成によれば、半導体素子を収納する部品の側面には凹部が形成されているため、凹部にハンダ等の接合部材が食い込んでＩＣ内蔵基板がインダクタとより強固に固定されることが可能になるため、接合強度をより向上させることができる。
【００１３】
この場合、受動部品の主面は、半導体素子を収納する部品の主面よりも面積が大きいものとすることができる。
【００１４】
この構成によれば、半導体素子を収納する部品の面積を小さくできるため、より高集積化を図ることができる。
【００１５】
一方、受動部品の主面は、半導体素子を収納する部品の主面よりも面積が小さいものとすることができる。
【００１６】
この構成によれば、例えば、多数個の半導体素子を収納する部品を内蔵した集合基板（ウエーハ）を用意し、集合基板中の半導体素子を収納する部品の各々に受動部品を接合した後に、集合基板中の半導体素子を収納する部品の各々を切り離して個片化することにより、多数の電子部品モジュールを一括して製造することができる。
【００１７】
なお、本発明において半導体素子を収納する部品の側面に凹部が形成されているときの半導体素子を収納する部品の主面の面積とは、凹部が形成されていないと仮定した場合における半導体素子を収納する部品の主面の面積を指すものとする。
【００１８】
あるいは、本発明の電子部品モジュールは、受動部品は、主面の反対側に反対面を更に有し、反対面上には配線が形成されているものとできる。
【００１９】
この構成によれば、受動部品の反対面上の配線に任意の素子を配設して様々な回路を構成することが可能となる。
【００２０】
一方、本発明の電子部品モジュールは、受動部品はインダクタであり、前記インダクタ及び半導体素子を収納する部品の少なくともいずれかと一体化されたキャパシタを更に備えるものとできる。
【００２１】
この構成によれば、インダクタ及び半導体素子を収納する部品の少なくともいずれかと一体化されたキャパシタを備えるため、インダクタ、半導体素子を収納する部品及びキャパシタを備えた電子部品モジュールを全体として一層小型化することができる。
【００２２】
この場合、半導体素子を収納する部品は、主面の反対側に反対面を更に有し、反対面上にキャパシタが一体化されていることが好適である。
【００２３】
この構成によれば、半導体素子を収納する部品は、主面の反対側に反対面を更に有し、反対面上にキャパシタが一体化されているため、インダクタと半導体素子を収納する部品とがスタッドバンプやスタッド端子を間に介在させて接合され、さらにキャパシタを備えた電子部品モジュールに比べて、高集積化及び低背化を一層図ることができる。また、この構成によれば、配線を単純化することができ、動作の安定化、ノイズの低減を図ることが可能になる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の電子部品モジュールによれば、より低背化を図ることができ、結果としてより小型化及び高集積化を図ることができる。また、本発明の電子部品モジュールによれば、より放熱効果を有するものとできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態に係る受動部品について添付図面を参照して説明する。
【００２６】
図１は第１実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの正面図であり、図２はその左側面図であり、図３はその平面図であり、図４はその底面図である。
【００２７】
図１〜４に示すように、本実施形態のＤＣ−ＤＣコンバータモジュール１０ａは、インダクタＬ，ＩＣ１３を内蔵したＩＣ内蔵基板１２及びキャパシタＣ１，Ｃ２から構成され、マザーボード１８上に接合されている。本実施形態のＤＣ−ＤＣコンバータモジュール１０ａは、図５に示すようなＤＣ−ＤＣコンバータ回路を構成するものである。ＩＣ１３中の制御回路ＣＵは、スイッチング素子（ＣＭＯＳ）Ｓ１，Ｓ２を駆動して所定の昇圧・降圧を行う。なお、制御回路ＣＵには、イネーブル（ｅｎａｂｌｅ）端子ＥＮが取り付けられている。インダクタＬ，キャパシタＣ１，Ｃ２は、電圧入力端子Ｖｉｎから入力された入力直流電圧を、電圧出力端子Ｖｏｕｔから平滑な出力直流電圧として出力する。
【００２８】
図１〜４に示すように、インダクタＬは、例えば縦１．５〜３．５ｍｍ、横１．０〜３．０ｍｍ、高さ１．０ｍｍ以下の略平板状をなし、ＩＣ内蔵基板１２と当接する主面３１を有する。インダクタＬの全体形状としては、平板状以外にも円柱状、多角柱状等の形状を適用することができるが、実装時における低背化の見地から可能な限り主面３１からの高さを低くすることが好ましい。インダクタＬの主面３１には、一対の電極端子が設けられている。
【００２９】
ＩＣ内蔵基板１２には、内部に制御回路ＣＵ及びスイッチング素子Ｓ１，Ｓ２を含むＩＣ１３が埋め込まれている。図１に示すように、ＩＣ内蔵基板１２は、表面側にインダクタＬの主面３１と当接する主面３２を有する。また、ＩＣ内蔵基板１２は、端面側に主面３２と互いに隣接する一対の側面３３を有する。ＩＣ内蔵基板１２の側面３３には、一対の電極端子が設けられている。インダクタＬの主面３１に設けられた一対の電極端子と、ＩＣ内蔵基板１２の側面３３に設けられた一対の電極端子とが、インダクタＬの主面３１上において、接合部材としてのハンダ１４によって電気的及び機械的に接合されており、これによりインダクタＬとＩＣ内蔵基板１２とは一体化されている。また、図１及び４に示すようにインダクタＬの主面３１の面積は、ＩＣ内蔵基板１２の主面３２の面積に比べて大きくされている。図４に示すように、ＩＣ内蔵基板１２の側面３３上には、凹部２０が形成されており、凹部２０内にハンダ１４が流し込まれている。凹部２０は、ＩＣ内蔵基板１２の厚さ方向の全域にわたって形成されていることが、ハンダ１４が食い込んで、接合強度が向上するために好適である。
【００３０】
図１，２及び４に示すように、インダクタＬと一体化されたＩＣ内蔵基板１２は、ハンダボール１６によってマザーボード１８上に電気的及び機械的に接合されている。図４に示すように、ＩＣ内蔵基板１２のマザーボード１８と接する面には、電圧入力端子Ｖｉｎ、電圧出力端子Ｖｏｕｔ、イネーブル（ｅｎａｂｌｅ）端子ＥＮ、グランド端子ＧＮＤに相当するハンダボール１６が接合されている。また、マザーボード１８上には、キャパシタＣ１，Ｃ２が電気的及び機械的に接合されている。
【００３１】
本実施形態においては、インダクタＬの主面３１とＩＣ内蔵基板１２の主面３２とが少なくとも一部で当接し、インダクタＬの主面３１に設けられた一対の電極端子と、ＩＣ内蔵基板１２の側面３３に設けられた一対の電極端子とが、インダクタＬの主面３１上において電気的及び機械的に接合されることにより、インダクタＬとＩＣ内蔵基板１２とが一体となって構成されているため、スタッドバンプやスタッド端子をインダクタＬとＩＣ内蔵基板１２との間に介在させて接合する場合に比べて、より低背化を図ることができる。また、インダクタＬの主面３１とＩＣ内蔵基板１２の第２面３２とが少なくとも一部で当接しているため、ＩＣ内蔵基板１２で発生する熱がインダクタＬに移動し易くなり、より放熱効果を有するものとできる。
【００３２】
また、本実施形態においては、ＩＣ内蔵基板１２が主面３２に隣接する側面３３を更に有し、インダクタＬの主面３１に設けられた一対の電極端子と、ＩＣ内蔵基板１２の側面３３に設けられた一対の電極端子とが、インダクタＬの主面３１上においてハンダ１４を介して電気的及び機械的に接合されているため、接合強度を一層向上させることができる。
【００３３】
また、本実施形態においては、インダクタＬの主面３１はＩＣ内蔵基板１２の主面３２よりも面積が大きいため、インダクタＬの主面３１とＩＣ内蔵基板１２の主面３２に隣接する側面３３とを接合し易くなり、接合強度を向上させることができる。また、ＩＣ内蔵基板１２の面積を小さくできるため、より高集積化を図ることができる。
【００３４】
さらに、ＩＣ内蔵基板１２の側面３３には凹部２０が形成されているため、凹部２０にハンダ１４が食い込んでＩＣ内蔵基板１２がインダクタＬとより強固に固定されることになるため、接合強度をより向上させることができる。
【００３５】
以下、本発明の第２実施形態について説明する。図６は第２実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの正面図であり、図７はその左側面図であり、図８はその平面図であり、図９はその底面図である。本実施形態のＤＣ−ＤＣコンバータモジュール１０ｂでは、インダクタＬと一体化されたＩＣ内蔵基板１２は、ハンダボール１６を用いずにマザーボード上に電気的及び機械的に接合されている。図６及び９に示すように、本実施形態のＤＣ−ＤＣコンバータモジュール１０ｂでは、ＩＣ内蔵基板１２とマザーボード１８とは、ＬＧＡハンダパッド２２、及びインダクタＬとＩＣ内蔵基板１２との接合に用いたハンダ１４によって接合されている。なお、図中のハンダ１４は、内部で接続していないノンコネクション（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）端子ＮＣとなる。
【００３６】
本実施形態では、ＩＣ内蔵基板１２はハンダボール１６を用いずにＬＧＡハンダパッド２２によってマザーボード１８上に接合されているため、モジュール全体をより低背化することができる。
【００３７】
以下、本発明の第３実施形態について説明する。図１０は第３実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの正面図であり、図１１はその左側面図であり、図１２はその平面図であり、図１３はその底面図である。本実施形態のＤＣ−ＤＣコンバータモジュール１０ｃでは、インダクタＬはＩＣ内蔵基板１２と当接する主面３１とは反対側に反対面３４を有する。図１２に示すようにインダクタＬの反対面３４上には配線２４が形成されており（反対面３４上に絶縁部と配線２４となる導電部とを有する）、配線２４にはキャパシタＣ１，Ｃ２が電気的及び機械的に接合され一体化されている。また、図１３に示すように、本実施形態のＤＣ−ＤＣコンバータモジュール１０ｃでは、ＩＣ内蔵基板１２の対向する２対の側面３３にそれぞれ凹部２０が設けられており、それぞれの凹部２０にハンダ１４が流し込まれることによりインダクタＬとＩＣ内蔵基板１２とが一体化されている。また、一部の凹部とＧＮＤ端子が接続することで、受動部品上に形成した回路の接地線としても利用することができる。
【００３８】
本実施形態では、インダクタＬの反対面３４上の配線２４に任意の素子を配設して様々な回路を構成することが可能となる。特に本実施形態では、インダクタＬ及びＩＣ内蔵基板１２と一体化されたキャパシタＣ１，Ｃ２を備えるため、インダクタＬ、ＩＣ内蔵基板１２及びキャパシタＣ１，Ｃ２を備えた電子部品モジュール１０ｃを全体として一層小型化することができる。加えて、本実施形態では、ＩＣ内蔵基板１２の対向する２対の側面３３にそれぞれ凹部２０が設けられており、それぞれの凹部２０にハンダ１４が流し込まれることによりインダクタＬとＩＣ内蔵基板１２とが一体化されているため、より接合強度が向上したものとなる。
【００３９】
以下、本発明の第４実施形態について説明する。図１４は第４実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの正面図であり、図１５はその左側面図であり、図１６はその平面図であり、図１７はその底面図である。本実施形態のＤＣ−ＤＣコンバータモジュール１０ｄでは、インダクタＬ、キャパシタＣ１，Ｃ２と一体化されたＩＣ内蔵基板１２は、ハンダボール１６を用いずにマザーボード上に電気的及び機械的に接合されている。図１４及び１７に示すように、本実施形態のＤＣ−ＤＣコンバータモジュール１０ｄでは、ＩＣ内蔵基板１２とマザーボード１８とは、ＬＧＡハンダパッド２２、及びインダクタＬとＩＣ内蔵基板１２との接合に用いたハンダ１４によって接合されている。
【００４０】
本実施形態では、ＩＣ内蔵基板１２はハンダボール１６を用いずにＬＧＡハンダパッド２２によってマザーボード１８上に接合されているため、モジュール全体をより低背化することができる。
【００４１】
以下、本発明の第５実施形態について説明する。図１８は第５実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの正面図であり、図１９はその左側面図であり、図２０はその平面図であり、図２１はその底面図である。図１８〜２１に示すように、本実施形態のＤＣ−ＤＣコンバータモジュール１０ｅでは、ＩＣ内蔵基板１２は、インダクタＬと当接する主面３２とは反対側に反対面３５を備える。ＩＣ内蔵基板１２の反対面３５上には、キャパシタアレイＣ１２が電気的及び機械的に接合されている。図１８及び２１に示すように、インダクタＬ及びＩＣ内蔵基板１２と一体化されたキャパシタアレイＣ１２は、ハンダ１４によってマザーボード１８上に電気的及び機械的に接合されている。
【００４２】
図２２は、第５実施形態に係るキャパシタアレイの内部構造を示す図である。図２２に示すように、キャパシタアレイＣ１２の内部には、キャパシタＣ１，Ｃ２が並列に配置されることによって一体化されている。
【００４３】
本実施形態においては、ＩＣ内蔵基板１２のインダクタＬと当接する主面３２とは反対側の反対面３５上にキャパシタアレイＣ１２が一体化されているため、高集積化及び低背化を一層図ることができる。また、この構成によれば、配線を単純化することができ、動作の安定化、ノイズの低減を図ることが可能になる。特に、キャパシタアレイＣ１２の内部には、キャパシタＣ１，Ｃ２が並列に配置されることによって一体化されているため、より高集積化を図ることができ、配線を単純化することにより動作の安定化およびノイズの低減を図ることができる。
【００４４】
なお、図２３〜２６の本発明の第６実施形態のＤＣ−ＤＣコンバータモジュール１０ｆに示すように、ＩＣ内蔵基板１２の反対面３５上には、キャパシタアレイＣ１２ではなく、個別のキャパシタＣ１，Ｃ２を一体化することも可能である。
【００４５】
以下、本発明の第７実施形態について説明する。図２７は第７実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの平面図であり、図２８は図２７に示すＤＣ−ＤＣコンバータモジュールのＡ−Ｂ線における断面図であり、図２９はその底面図である。図２７に示すように、本実施形態のＤＣ−ＤＣコンバータモジュール１０ｇにおいては、インダクタＬの主面３１の面積がＩＣ内蔵基板１２の主面３２の面積に比べて小さくされている点が、上記第１実施形態と異なっている。図２７〜２９に示すように、ＩＣ内蔵基板１２の側面３３の凹部２０はインダクタＬの主面３１の内側まで窪んでおり、凹部２０内に流し込まれたハンダ１４が、ＩＣ内蔵基板１２とインダクタＬとの間に食い込んで良好な接合強度で両者を一体化することができるようになっている。
【００４６】
本実施形態においては、図３０に示すように、多数個のＩＣ内蔵基板１２を含む集合基板（ウエーハ）１００を用意し、集合基板１００中のＩＣ内蔵基板１２の各々にインダクタＬを接合した後に、集合基板１００中のＩＣ内蔵基板１２の各々を切り離して個片化することにより、多数のＤＣ−ＤＣコンバータモジュール１０ｇを一括して製造することが可能である。このため、製造時間の短縮化と製造コストの削減を図ることができる。
【００４７】
このようなＤＣ−ＤＣコンバータモジュール１０ｇを量産する際には、例えば、以下の工程を用いることができる。
（１）図３０に示すような多数個のＩＣ内蔵基板１２を面付けした集合基板１００を用意する。
（２）インダクタＬをＩＣ内蔵基板１２の各々にハンダ付けする。
（３）インダクタＬとＩＣ内蔵基板１２の上から合成樹脂を流し込んで封止する。
（４）境界線１０１に沿って集合基板１００をダイシングにより分割して個片化する。
【００４８】
図３０に示すように、上記（１）の工程における集合基板１００を用意する際には、上記（４）の集合基板１００を個片化する工程でのダイシング用の刃の厚さを考慮した切りしろ１０２を加味しておく。また、上記（２）のインダクタＬを集合基板１００中のＩＣ内蔵基板１２にハンダ付けする際に若干の位置ズレが生じた場合において、上記（４）のダイシング時にダイシング用の刃がインダクタＬに触れてインダクタＬに損傷が生じないように、ＩＣ内蔵基板１２の主面３２はインダクタＬの主面３１より僅かに大きめにする。ただし、ハンダ付けの際には凹部２０を用いるため、必要以上に大きくしなくとも良い。また、凹部２０はインダクタＬの主面３１の内側まで窪んでいるようにすることにより、インダクタＬのハンダ付けの精度が低くとも、より確実に、より安定してＩＣ内蔵基板１２にインダクタＬを接合することができる。
【００４９】
図３０に示すように、ＩＣ内蔵基板１２にハンダ付けした際に位置ズレが生じたインダクタＬ’があり、インダクタＬの長手方向の長さａ、短手方向の長さｂとし、許容できるズレを角度θ＝３°とする場合、ＩＣ内蔵基板１２は、長手方向の両方にａ／２ｓｉｎ３°、短手方向の両方にｂ／２ｓｉｎ３°以下だけインダクタＬよりも大きい必要がある。例えば、インダクタＬが３．２×２．５ｍｍの大きさである場合、ＩＣ内蔵基板１２の大きさは左右上下各々の方向に０．２ｍｍ程度の余白を含めて３．６×２．９ｍｍとできる。これにダイシングの際の切りしろ１０２を０．３ｍｍだけ含むものとすると、３．９×３．２ｍｍとできる。集合基板１００の大きさが１６０×１６０ｍｍであり、外周部に１０ｍｍの余白をとるものとすると、{（１６０−１０×２）÷３．９}×{（１６０−１０×２）÷３．２}≒１５０５個となり、一枚の集合基板１００から約１５００個のＤＣ−ＤＣコンバータモジュール１０ｇを一括して生産することができる。
【００５０】
また、図３１〜３３の本発明の第８実施形態のＤＣ−ＤＣコンバータモジュール１０ｈに示すように、インダクタＬの主面３１の面積がＩＣ内蔵基板１２の主面３２の面積に比べて小さくし、ＩＣ内蔵基板１２の側面３３の凹部２０はインダクタＬの主面３１の内側まで窪むようにして、凹部２０内に流し込まれたハンダ１４がＩＣ内蔵基板１２とインダクタＬとの間に食い込んで良好な接合強度で両者を一体化することができるようにした上で、インダクタＬの反対面３４上にキャパシタＣ１及びＣ２を一体化するようにしても良い。
【００５１】
このようなＤＣ−ＤＣコンバータモジュール１０ｈを製造する際には、上記第７実施形態のＤＣ−ＤＣコンバータモジュール１０ｇの量産と同様に、多数個のＩＣ内蔵基板１２を面付けした集合基板１００を用意し、ＩＣ内蔵基板１２各々にインダクタＬをハンダ付けし、その上にキャパシタＣ１及びＣ２をハンダ付けした後、その上から合成樹脂２８を流し込んで封止し、ＩＣ内蔵基板１２を個片化することによって製造することができる。
【００５２】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態においては、インダクタＬの主面３１の面積が、ＩＣ内蔵基板１２の主面３２の面積に比べて大きい場合を中心に説明したが、本発明にはインダクタＬの主面３１の面積がＩＣ内蔵基板１２の主面３２の面積と等しい場合や、インダクタＬの主面３１の面積がＩＣ内蔵基板１２の主面３２の面積よりも小さい場合も含まれる。
【００５３】
なお、上記実施形態中、受動部品としてはインダクタＬを例に説明したが、受動部品であれば、いかなるものも適用可能である。例えば、受動部品としては、インダクタとキャパシタが複合されたフィルタや、ＳＡＷデバイス（フィルタ）、キャパシタ、抵抗、抵抗内蔵キャパシタ、バリスタ、サーミスタ、アンテナ、アイソレータ、サーキュレータ等、様々な素子が適用できる。
【００５４】
また、本発明の電子部品モジュールは、ＤＣ−ＤＣコンバータモジュール以外の機器についても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】第１実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの正面図である。
【図２】第１実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの左側面図である。
【図３】第１実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの平面図である。
【図４】第１実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの底面図である。
【図５】第１実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの回路図である。
【図６】第２実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの正面図である。
【図７】第２実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの左側面図である。
【図８】第２実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの平面図である。
【図９】第２実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの底面図である。
【図１０】第３実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの正面図である。
【図１１】第３実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの左側面図である。
【図１２】第３実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの平面図である。
【図１３】第３実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの底面図である。
【図１４】第４実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの正面図である。
【図１５】第４実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの左側面図である。
【図１６】第４実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの平面図である。
【図１７】第４実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの底面図である。
【図１８】第５実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの正面図である。
【図１９】第５実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの左側面図である。
【図２０】第５実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの平面図である。
【図２１】第５実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの底面図である。
【図２２】第５実施形態に係るキャパシタアレイの内部構造を示す図である。
【図２３】第６実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの正面図である。
【図２４】第６実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの左側面図である。
【図２５】第６実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの平面図である。
【図２６】第６実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの底面図である。
【図２７】第７実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの平面図である。
【図２８】図２７に示すＤＣ−ＤＣコンバータモジュールのＡ−Ｂ線における断面図である。
【図２９】第７実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの底面図である。
【図３０】第７実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールを集合基板から作製する様子を示す平面図である。
【図３１】第８実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの平面図である。
【図３２】図３１に示すＤＣ−ＤＣコンバータモジュールのＣ−Ｄ線における断面図である。
【図３３】第７実施形態に係るＤＣ−ＤＣコンバータモジュールの底面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０ａ，１０ｂ、１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ，１０ｇ，１０ｈ…ＤＣ−ＤＣコンバータモジュール、１２…ＩＣ内蔵基板、１３…ＩＣ、１４…ハンダ、１６…ハンダボール、１８…マザーボード、２０…凹部、２２…ＬＧＡハンダパッド、２４…配線、２６…電極、２８…合成樹脂、３１…主面、３２…主面、３３…側面、３４…反対面、３５…反対面、１００…集合基板、１０１…境界線、１０２…切りしろ、ＣＵ…制御回路、Ｓ１，Ｓ２…スイッチング素子、Ｌ…インダクタ、Ｃ１，Ｃ２…キャパシタ、Ｃ１２…キャパシタアレイ、Ｖｉｎ…電圧入力端子、Ｖｏｕｔ…電圧出力端子、ＥＮ…イネーブル端子、ＧＮＤ…グランド端子、ＮＣ…ノンコネクション端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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