(57)【要約】【課題】製造工程を別途追加することなく、斜め入射光が各配線層間で反射して隣接画素部に漏れ込むことを抑制する。【解決手段】遮光膜としても兼用される多層アルミニウム配線層４上にＳｉＯＮ膜などの反射防止膜５を堆積させ、同時にエッチングして多層アルミニウム配線層４上に反射防止膜５を形成する。この反射防止膜５の材料、膜厚、屈折率、光吸収率をフォトマスクパターンニング時に使用される光源波長と可視光とに対して反射を低減させることができるように設定して、配線層や遮光膜による反射を抑制する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に、入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部が２次元状に複数設けられ、平面視で隣接受光部間の領域上に、配線層が層間絶縁膜を介して複数層設けられた固体撮像装置において、該複数層の配線層上にそれぞれ反射防止膜が設けられている固体撮像装置。
【請求項２】
半導体基板に、入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部が２次元状に複数設けられ、平面視で隣接受光部間の領域上に、配線層が層間絶縁膜を介して複数層設けられた固体撮像装置において、該複数層の配線層のうちの最上層以外の配線層上に反射防止膜が設けられている固体撮像装置。
【請求項３】
前記複数層の配線層は、各間に層間絶縁膜を介して２層、３層および４層のうちの少なくともいずれかの層数設けられている請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記配線層は、遮光膜としても兼用されている請求項１〜３のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記反射防止膜は、前記複数層の配線層のうちの最下位層以外の配線層下にも設けられている請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記反射防止膜は、前記複数層の配線層下にもそれぞれ設けられている請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記反射防止膜は、前記配線層の上下で互いに対向して設けられている請求項５または６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記反射防止膜は、配線形成用のフォトマスクのパターンニング時に使用される光源波長と可視光とに対して反射が抑制されるように、材料、膜厚、屈折率および光吸収率が設定されている請求項１、２および５〜７のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記反射防止膜は、斜め方向から入射される光に対して該反射防止膜により反射される反射光と、前記配線層で反射される反射光とで位相が反転するように、膜厚が設定されている請求項１、２および５〜７のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記反射防止膜の膜厚は、５〜５０ｎｍである請求項８または９に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記反射防止膜の膜厚は、１０〜３０ｎｍである請求項８または９に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記配線層は、Ａｌ膜またはＡｌ合金膜を含む請求項１〜４のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記配線層は、Ａｌ−Ｃｕ膜、ＴｉＮ膜およびＴｉ膜が積層された多層配線層である請求項１〜４および１２のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記反射防止膜は、無機材料膜からなっている請求項１、２および５〜１１のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
前記反射防止膜は、ＳｉＯＮ膜またはＳｉＮ膜からなっている請求項１４に記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
前記複数層の配線層は、前記受光部からの信号電荷を信号電圧に変換し、変換された信号電圧に応じて増幅して撮像信号として読み出す信号読出回路の配線を構成している請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項１７】
ＣＭＯＳイメージセンサである請求項１、２および１６のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１８】
前記受光部および複数層の配線層の上方に、各受光部に対応するようにカラーフィルタさらにマイクロレンズが設けられている請求項１、２および１６のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１９】
半導体基板に、入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部を２次元状に複数形成し、平面視で隣接受光部間の領域上に、配線層を、その間に層間絶縁膜を介して複数層形成する固体撮像装置の製造方法において、
該配線層を形成する配線形成工程は、
該半導体基板の層間絶縁膜上に、該配線層となる導電性材料膜を成膜する導電性材料膜成膜工程と、
該導電性材料膜上に反射防止材料膜を成膜する反射防止材料膜成膜工程と、
該反射防止材料膜上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により該フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスクを形成するフォトマスク形成工程と、
該フォトマスクを用いて該導電性材料膜および該反射防止材料膜を同一工程でエッチングすることにより、該配線層を形成すると共に該配線層上に反射防止膜を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有する固体撮像装置の製造方法。
【請求項２０】
半導体基板に、入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部を２次元状に複数形成し、平面視で隣接受光部間の領域上に、配線層を、その間に層間絶縁膜を介して複数層形成する固体撮像装置の製造方法において、
該配線層を形成する配線形成工程は、
該半導体基板の層間絶縁膜上に、第１反射防止材料膜を成膜する第１反射防止材料膜成膜工程と、
第１反射防止材料膜上に、該配線層となる導電性材料膜を成膜する導電性材料膜成膜工程と、
該導電性材料膜上に第２反射防止材料膜を成膜する第２反射防止材料膜成膜工程と、
該第２反射防止材料膜上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により該フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスクを形成するフォトマスク形成工程と、
該フォトマスクを用いて該導電性材料膜および該反射防止材料膜を同一工程でエッチングすることにより、該配線層を形成すると共に該配線層上に反射防止膜を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有する固体撮像装置の製造方法。
【請求項２１】
半導体基板に、入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部を２次元状に複数形成し、平面視で隣接受光部間の領域上に、配線層を、その間に層間絶縁膜を介して複数層形成する固体撮像装置の製造方法において、
該複数層の配線層を形成する配線形成工程は、
該半導体基板の層間絶縁膜上に、該配線層となる導電性材料膜を成膜する導電性材料膜成膜工程と、該導電性材料膜上に反射防止材料膜を成膜する反射防止材料膜成膜工程と、  該反射防止材料膜上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により該フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスクを形成するフォトマスク形成工程と、該フォトマスクを用いて該導電性材料膜および該反射防止材料膜を同一工程でエッチングすることにより、該配線層を形成すると共に該配線層上に反射防止膜を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有して下側の配線層・反射防止膜を形成し、
該下側の配線層・反射防止膜上に層間絶縁膜を介して、配線層となる導電性材料膜を成膜する導電性材料膜成膜工程と、当該導電性材料膜上に反射防止材料膜を成膜する反射防止材料膜成膜工程と、当該反射防止材料膜上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により該フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスクを形成するフォトマスク形成工程と、該フォトマスクを用いて当該導電性材料膜および当該反射防止材料膜を同一工程でエッチングすることにより、当該配線層を形成すると共に当該配線層上に反射防止膜を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有して上側の配線層・反射防止膜を形成する固体撮像装置の製造方法。
【請求項２２】
半導体基板に、入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部を２次元状に複数形成し、平面視で隣接受光部間の領域上に、配線層を、その間に層間絶縁膜を介して複数層形成する固体撮像装置の製造方法において、
該複数層の配線層を形成する配線形成工程は、
該半導体基板の層間絶縁膜上に、該配線層となる導電性材料膜を成膜する導電性材料膜成膜工程と、該導電性材料膜上に反射防止材料膜を成膜する反射防止材料膜成膜工程と、  該反射防止材料膜上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により該フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスクを形成するフォトマスク形成工程と、該フォトマスクを用いて該導電性材料膜および該反射防止材料膜を同一工程でエッチングすることにより、該配線層を形成すると共に該配線層上に反射防止膜を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有して下側の配線層・反射防止膜を形成し、
該下側の配線層・反射防止膜上に層間絶縁膜を介して、反射防止材料膜を成膜する反射防止材料膜成膜工程と、当該反射防止材料膜上に、配線層となる導電性材料膜を成膜する導電性材料膜成膜工程と、当該導電性材料膜上に別の反射防止材料膜を成膜する反射防止材料膜成膜工程と、該別の反射防止材料膜上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により該フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスクを形成するフォトマスク形成工程と、該フォトマスクを用いて当該導電性材料膜および当該反射防止材料膜を同一工程でエッチングすることにより、当該配線層を形成すると共に当該配線層上に当該反射防止膜を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有して上側の配線層・反射防止膜を形成する固体撮像装置の製造方法。
【請求項２３】
半導体基板に、入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部を２次元状に複数形成し、平面視で隣接受光部間の領域上に、配線層を、その間に層間絶縁膜を介して複数層形成する固体撮像装置の製造方法において、
該複数層の配線層を形成する配線形成工程は、
該半導体基板の層間絶縁膜上に、該配線層となる導電性材料膜を成膜する導電性材料膜成膜工程と、該導電性材料膜上に反射防止材料膜を成膜する反射防止材料膜成膜工程と、  該反射防止材料膜上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により該フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスクを形成するフォトマスク形成工程と、該フォトマスクを用いて該導電性材料膜および該反射防止材料膜を同一工程でエッチングすることにより、該配線層を形成すると共に該配線層上に反射防止膜を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有して下側の配線層・反射防止膜を形成し、
該下側の配線層・反射防止膜上に層間絶縁膜を介して、配線層となる導電性材料膜を成膜する導電性材料膜成膜工程と、当該導電性材料膜上に反射防止材料膜を成膜する反射防止材料膜成膜工程と、当該反射防止材料膜上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により該フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスクを形成するフォトマスク形成工程と、該フォトマスクを用いて当該導電性材料膜および当該反射防止材料膜を同一工程でエッチングすることにより、当該配線層を形成すると共に当該配線層上に当該反射防止膜を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有して上側の配線層・反射防止膜を形成する固体撮像装置の製造方法。
【請求項２４】
前記反射防止膜は、前記フォトマスクのパターンニング時に使用される光源波長と可視光とに対して反射が抑制されるように、材料、膜厚、屈折率および光吸収率を設定する請求項１９〜２３のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項２５】
前記反射防止膜は、斜め方向から入射される光に対して該反射防止膜により反射する反射光と、該配線層で反射する反射光とで位相が互いに反転するように、膜厚を設定する請求項１９〜２３のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項２６】
前記配線層は、Ａｌ膜またはＡｌ合金膜を含み、前記反射防止膜は無機材料膜からなる請求項１９〜２３のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項２７】
前記配線層は、Ａｌ−Ｃｕ膜、ＴｉＮ膜およびＴｉ膜が積層された多層配線であり、前記反射防止膜は、ＳｉＯＮ膜からなる請求項１９〜２３および２６のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項２８】
前記反射防止膜は、無機材料膜からなっている請求項１９〜２５のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項２９】
前記反射防止膜は、ＳｉＯＮ膜またはＳｉＮ膜からなっている請求項２８に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３０】
請求項１９〜２９のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法により製造された固体撮像装置。
【請求項３１】
請求項１〜１８のいずれかに記載の固体撮像装置を画像入力デバイスとして撮像部に用いた電子情報機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の半導体素子（複数の受光部）で構成された固体撮像装置およびその製造方法、この固体撮像装置を、画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、各種の画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＣＭＯＳ型の固体撮像装置は、配線層として、例えば、Ａｌ−Ｃｕ膜、ＴｉＮ膜およびＴｉ膜がこの順で順次積層された多層配線（以下、多層アルミニウム配線という）が用いられている。この多層アルミニウム配線は、遮光膜としても兼用されている。
【０００３】
一方、従来の固体撮像素子において、ＳｉＯＮ膜を遮光膜として用いる従来技術は、例えば特許文献１〜７に開示されている。特許文献１〜３では、Ａｌ膜が遮光膜として用いられているものの、ＳｉＯＮ膜は、層間絶縁膜としてのパッシベーション膜や、光導波路形成部材として用いられている。また、特許文献４および特許文献５では、ＳｉＯＮ膜が反射防止膜ではなく保護絶縁膜として用いられている。さらに、特許文献６および特許文献７では、ＳｉＯＮ膜が反射防止膜として用いられている。
【特許文献１】特開平１１−１２１７２８号公報
【特許文献２】特開平１０−１３５４３８号公報
【特許文献３】特開２００６−１２０８４５号公報
【特許文献４】特開平８−１８０２５号公報
【特許文献５】特開２００７−５９８３４号公報
【特許文献６】特開２００６−１５６６１１号公報
【特許文献７】特開２００６−１３５２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来技術には、以下のような問題がある。
【０００５】
多層アルミニウム配線を用いた従来の固体撮像素子では、隣接画素部から斜め方向に漏れ込んだ光が上下の配線層と配線層との間に入射され、その各配線層のＡｌ膜により反射して配線層間で反射が繰り返されて、隣の受光部としてのフォトダイオード側に入射されるため、混色の要因となる。
【０００６】
特許文献１〜３に開示されている従来技術では、Ａｌ膜が遮光膜として用いられているが、ＳｉＯＮ膜がパッシベーション膜または光導波路形成部材として用いられており、これらの従来技術は、そのＡｌ膜上の反射防止膜としてＳｉＯＮ膜を用いるものではない。
【０００７】
特許文献４および特許文献５に開示されている従来技術では、ＳｉＯＮ膜が保護絶縁膜として用いられており、これらの従来技術は、Ａｌ膜上の反射防止膜としてＳｉＯＮ膜を用いるものではない。
【０００８】
特許文献６に開示されている従来技術では、反射防止のためにＳｉＯＮ膜が用いられているものの、ＳｉＯＮ膜が最上層の配線層上にのみ形成されており、この従来技術では、上下の配線層間や配線層−遮光膜間での横方向に伝播する反射光を抑制することはできない。さらに、ＳｉＯＮ膜が層間絶縁膜とパッシベーション膜の間に形成されており、最上層の配線層上だけでなく、光を通す必要がある固体撮像素子全体の上方にＳｉＯＮ膜が形成されている。
【０００９】
特許文献７に開示されている従来技術では、ＳｉＯＮ膜が反射防止膜として用いられているが、この従来技術は、多層アルミニウム配線を遮光膜として用いたものではない。さらに、この従来技術においては、ＳｉＯＮ膜はアルミニウム配線上に設けるのではなく、受光部上方に反射防止膜を作製し、遮光膜を開口させるなど、追加工程が必要となる。何れにせよ、ＳｉＯＮ膜は、多層アルミニウム配線間を横方向に伝播して行く光に対して反射防止機能を有するものではない。
【００１０】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、斜め入射光が上下の配線層間で反射して隣接画素部側に漏れ込むことを抑制できる固体撮像装置およびその製造方法、この固体撮像装置を、画像入力デバイスとして撮像部に用いた電子情報機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の固体撮像装置は、半導体基板に、入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部が２次元状に複数設けられ、平面視で隣接受光部間の領域上に、配線層が層間絶縁膜を介して複数層設けられた固体撮像装置において、該複数層の配線層上にそれぞれ反射防止膜が設けられているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００１２】
また、本発明の固体撮像装置は、半導体基板に、入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部が２次元状に複数設けられ、平面視で隣接受光部間の領域上に、配線層が層間絶縁膜を介して複数層設けられた固体撮像装置において、該複数層の配線層のうちの最上層以外の配線層上に反射防止膜が設けられているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００１３】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における複数層の配線層は、各間に層間絶縁膜を介して２層、３層および４層のうちの少なくともいずれかの層数設けられている。
【００１４】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における配線層は、遮光膜としても兼用されている。
【００１５】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における反射防止膜は、前記複数層の配線層のうちの最下位層以外の配線層下にも設けられている。
【００１６】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における反射防止膜は、前記複数層の配線層下にもそれぞれ設けられている。
【００１７】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における反射防止膜は、前記配線層の上下で互いに対向して設けられている。
【００１８】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における反射防止膜は、配線形成用のフォトマスクのパターンニング時に使用される光源波長と可視光とに対して反射が抑制されるように、材料、膜厚、屈折率および光吸収率が設定されている。
【００１９】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における反射防止膜は、斜め方向から入射される光に対して該反射防止膜により反射される反射光と、前記配線層で反射される反射光とで位相が反転するように、膜厚が設定されている。
【００２０】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における反射防止膜の膜厚は、５〜５０ｎｍである。
【００２１】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における反射防止膜の膜厚は、１０〜３０ｎｍであ。
【００２２】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における配線層は、Ａｌ膜またはＡｌ合金膜を含む。
【００２３】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における配線層は、Ａｌ−Ｃｕ膜、ＴｉＮ膜およびＴｉ膜が積層された多層配線層である。
【００２４】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における反射防止膜は、無機材料膜からなっている。
【００２５】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における反射防止膜は、ＳｉＯＮ膜またはＳｉＮ膜からなっている。
【００２６】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における複数層の配線層は、前記受光部からの信号電荷を信号電圧に変換し、変換された信号電圧に応じて増幅して撮像信号として読み出す信号読出回路の配線を構成している。
【００２７】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置はＣＭＯＳイメージセンサである。
【００２８】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置における受光部および複数層の配線層の上方に、各受光部に対応するようにカラーフィルタさらにマイクロレンズが設けられている。
【００２９】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板に、入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部を２次元状に複数形成し、平面視で隣接受光部間の領域上に、配線層を、その間に層間絶縁膜を介して複数層形成する固体撮像装置の製造方法において、該配線層を形成する配線形成工程は、該半導体基板の層間絶縁膜上に、該配線層となる導電性材料膜を成膜する導電性材料膜成膜工程と、該導電性材料膜上に反射防止材料膜を成膜する反射防止材料膜成膜工程と、該反射防止材料膜上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により該フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスクを形成するフォトマスク形成工程と、該フォトマスクを用いて該導電性材料膜および該反射防止材料膜を同一工程でエッチングすることにより、該配線層を形成すると共に該配線層上に反射防止膜を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３０】
また、好ましくは、本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板に、入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部を２次元状に複数形成し、平面視で隣接受光部間の領域上に、配線層を、その間に層間絶縁膜を介して複数層形成する固体撮像装置の製造方法において、該配線層を形成する配線形成工程は、該半導体基板の層間絶縁膜上に、第１反射防止材料膜を成膜する第１反射防止材料膜成膜工程と、第１反射防止材料膜上に、該配線層となる導電性材料膜を成膜する導電性材料膜成膜工程と、該導電性材料膜上に第２反射防止材料膜を成膜する第２反射防止材料膜成膜工程と、該第２反射防止材料膜上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により該フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスクを形成するフォトマスク形成工程と、該フォトマスクを用いて該導電性材料膜および該反射防止材料膜を同一工程でエッチングすることにより、該配線層を形成すると共に該配線層上に反射防止膜を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３１】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板に、入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部を２次元状に複数形成し、平面視で隣接受光部間の領域上に、配線層を、その間に層間絶縁膜を介して複数層形成する固体撮像装置の製造方法において、該複数層の配線層を形成する配線形成工程は、該半導体基板の層間絶縁膜上に、該配線層となる導電性材料膜を成膜する導電性材料膜成膜工程と、該導電性材料膜上に反射防止材料膜を成膜する反射防止材料膜成膜工程と、  該反射防止材料膜上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により該フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスクを形成するフォトマスク形成工程と、該フォトマスクを用いて該導電性材料膜および該反射防止材料膜を同一工程でエッチングすることにより、該配線層を形成すると共に該配線層上に反射防止膜を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有して下側の配線層・反射防止膜を形成し、その後、該下側の配線層・反射防止膜上に層間絶縁膜を介して、配線層となる導電性材料膜を成膜する導電性材料膜成膜工程と、当該導電性材料膜上に反射防止材料膜を成膜する反射防止材料膜成膜工程と、当該反射防止材料膜上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により該フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスクを形成するフォトマスク形成工程と、該フォトマスクを用いて当該導電性材料膜および当該反射防止材料膜を同一工程でエッチングすることにより、当該配線層を形成すると共に当該配線層上に反射防止膜を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有して上側の配線層・反射防止膜を形成するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３２】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板に、入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部を２次元状に複数形成し、平面視で隣接受光部間の領域上に、配線層を、その間に層間絶縁膜を介して複数層形成する固体撮像装置の製造方法において、該複数層の配線層を形成する配線形成工程は、該半導体基板の層間絶縁膜上に、該配線層となる導電性材料膜を成膜する導電性材料膜成膜工程と、該導電性材料膜上に反射防止材料膜を成膜する反射防止材料膜成膜工程と、  該反射防止材料膜上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により該フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスクを形成するフォトマスク形成工程と、該フォトマスクを用いて該導電性材料膜および該反射防止材料膜を同一工程でエッチングすることにより、該配線層を形成すると共に該配線層上に反射防止膜を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有して下側の配線層・反射防止膜を形成し、その後、該下側の配線層・反射防止膜上に層間絶縁膜を介して、反射防止材料膜を成膜する反射防止材料膜成膜工程と、当該反射防止材料膜上に、配線層となる導電性材料膜を成膜する導電性材料膜成膜工程と、当該導電性材料膜上に別の反射防止材料膜を成膜する反射防止材料膜成膜工程と、該別の反射防止材料膜上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により該フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスクを形成するフォトマスク形成工程と、該フォトマスクを用いて当該導電性材料膜および当該反射防止材料膜を同一工程でエッチングすることにより、当該配線層を形成すると共に当該配線層上に当該反射防止膜を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有して上側の配線層・反射防止膜を形成するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３３】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板に、入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部を２次元状に複数形成し、平面視で隣接受光部間の領域上に、配線層を、その間に層間絶縁膜を介して複数層形成する固体撮像装置の製造方法において、該複数層の配線層を形成する配線形成工程は、該半導体基板の層間絶縁膜上に、該配線層となる導電性材料膜を成膜する導電性材料膜成膜工程と、該導電性材料膜上に反射防止材料膜を成膜する反射防止材料膜成膜工程と、  該反射防止材料膜上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により該フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスクを形成するフォトマスク形成工程と、該フォトマスクを用いて該導電性材料膜および該反射防止材料膜を同一工程でエッチングすることにより、該配線層を形成すると共に該配線層上に反射防止膜を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有して下側の配線層・反射防止膜を形成し、その後、該下側の配線層・反射防止膜上に層間絶縁膜を介して、配線層となる導電性材料膜を成膜する導電性材料膜成膜工程と、当該導電性材料膜上に反射防止材料膜を成膜する反射防止材料膜成膜工程と、当該反射防止材料膜上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により該フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスクを形成するフォトマスク形成工程と、該フォトマスクを用いて当該導電性材料膜および当該反射防止材料膜を同一工程でエッチングすることにより、当該配線層を形成すると共に当該配線層上に当該反射防止膜を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有して上側の配線層・反射防止膜を形成するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３４】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置の製造方法における反射防止膜は、前記フォトマスクのパターンニング時に使用される光源波長と可視光とに対して反射が抑制されるように、材料、膜厚、屈折率および光吸収率を設定する。
【００３５】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置の製造方法における反射防止膜は、斜め方向から入射される光に対して該反射防止膜により反射する反射光と、該配線層で反射する反射光とで位相が互いに反転するように、膜厚を設定する。
【００３６】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置の製造方法における配線層は、Ａｌ膜またはＡｌ合金膜を含み、前記反射防止膜は無機材料膜からなる。
【００３７】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置の製造方法における配線層は、Ａｌ−Ｃｕ膜、ＴｉＮ膜およびＴｉ膜が積層された多層配線であり、前記反射防止膜は、ＳｉＯＮ膜からなる。
【００３８】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置の製造方法における反射防止膜は、無機材料膜からなっている。
【００３９】
さらに、好ましくは、本発明の固体撮像装置の製造方法における反射防止膜は、ＳｉＯＮ膜またはＳｉＮ膜からなっている。
【００４０】
本発明の固体撮像装置は、本発明の上記固体撮像装置の製造方法により製造されたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００４１】
本発明の電子情報機器は、本発明の上記固体撮像装置を画像入力デバイスとして撮像部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００４２】
上記構成により、以下に、本発明の作用について説明する。
【００４３】
近年、チップの縮小化が進み、配線層形成時にフォトマスクをパターンニングする工程においても、微細化技術（超解像技術）が必要とされている。そのうちの技術の一つとして、フォトリソグラフィ時の加工精度を向上させるために、Ａｌ膜上にＳｉＯＮ膜を成膜して、フォトマスクパターンニング時に使用される光源波長に対して、Ａｌ膜による反射を抑制する方法が用いられている。
【００４４】
本発明にあっては、この技術を適用し、遮光膜としても兼用される多層アルミニウム配線などの導電性材料膜上にＳｉＯＮ膜などの反射防止材料を堆積させ、同時にエッチングすることにより配線層上に反射防止膜を形成する。この反射防止膜の材料、膜厚、屈折率および光吸収率などをフォトマスクのパターンニング時に使用される光源波長と可視光とに対して反射を低減させることができるように設定することにより、配線層や遮光膜による反射を抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００４５】
以上により、本発明によれば、固体撮像装置内で隣接画素部から漏れ込んだ斜め入射光の配線層や遮光膜による反射を抑制することが可能となり、異なる色のカラーフィルターを通過した光が漏れ込んで配線層により繰り返し反射されて、隣の受光部へ入射されることによる混色を防ぐことができる。さらに、遮光膜としても兼用される多層アルミニウム配線層により反射された光による多重干渉させて受光部の感度劣化を防ぐことができる。この反射防止膜は、フォトマスクパターンニング時の加工精度を向上させるために形成され、その膜厚、屈折率および光吸収率などをフォトマスクパターンニング時に使用される光源波長と共に、可視光に対しても反射を低減させることができるように設定されているため、工程を追加することなく、配線層や遮光膜による反射を抑制することができる。したがって、高感度で高画質な画像が得られる固体撮像装置を、追加の工程を行うことなく、低コストで作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
以下に、本発明に係る固体撮像装置およびその製造方法の実施形態１〜３を、ＣＭＯＳ型固体撮像装置およびその製造方法に適用した場合について、図面を参照しながら詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る固体撮像装置の要部構成例を示す概略縦断面図である。
【００４７】
図１において、本実施形態１の固体撮像装置１０は、半導体基板１に、入射光を光電変換させて信号電荷を生成する複数の受光部としての各フォトダイオード部２と、このフォトダイオード部２からの信号電荷を信号電圧に変換し、変換された信号電圧に応じて増幅して撮像信号として読み出す信号読出回路の配線部が接続されている基板接続部３とを有する画素部が２次元状（またはマトリックス状）に行列方向に複数配置されており、隣接する各フォトダイオード部２間の領域の上方、例えば基板接続部３の上方に、遮光膜として兼用される配線層４が複数層（ここでは２層であるが、３層や４層でもよい）設けられている。なお、各フォトダイオード部２の上方でその周囲の配線部の上方には、各フォトダイオード部２にそれぞれ対応するように層間絶縁膜を介してカラーフィルタさらにマイクロレンズが設けられている。
【００４８】
図２は、図１で点線で囲んだ配線層の拡大縦断面図である。
【００４９】
図２に示すように、この配線層４は、Ａｌ−Ｃｕ膜１１、ＴｉＮ膜１２およびＴｉ膜１３が積層された多層アルミニウム配線であり、さらに、その上にはＳｉＯＮ膜からなる反射防止膜５が設けられている。
【００５０】
上記構成により、以下に、本実施形態１の固体撮像装置１０の製造方法について、図３（ａ）〜図３（ｃ）を用いて詳細に説明する。
【００５１】
図３（ａ）〜図３（ｃ）は、本実施形態１の固体撮像装置１０の製造方法について説明するための要部縦断面図である。なお、ここでは、配線層４およびその上の反射防止膜５の形成工程について示している。
【００５２】
まず、図３（ａ）に示すように、半導体基板１上に配線層４となる導電性材料膜４ａとして、Ａｌ−Ｃｕ膜１１ａ、ＴｉＮ膜１２ａおよびＴｉ膜１３ａをこの順に順次成膜する。その上に、反射防止材料膜５ａを成膜する。この反射防止材料膜５ａは、フォトマスクパターンニング時に使用される光源波長と可視光とに対して反射が抑制されるように、材料、膜厚、屈折率および光吸収率が設定されている。これらの最適な材料、膜厚、屈折率および光吸収率は実験を行って求めることができる。この場合のＳｉＯＮ膜の膜厚は例えば５〜５０ｎｍ程度である。より好ましくは、その膜厚は例えば１０〜３０ｎｍである。これは薄いほどよい。
【００５３】
次に、この反射防止材料膜５ａ上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により、図３（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜を所定形状でパターンニングすることにより配線形成用のフォトマスク６を形成する。この場合に、導電性材料膜４上に反射防止材料膜５ａが設けられているので、導電性材料膜４の金属面からの光の反射が眩しくなく、正確にフォトマスク６を形成することができる。
【００５４】
さらに、フォトマスク６を用いてＡｌ−Ｃｕ膜１１ａ、ＴｉＮ膜１２ａ、Ｔｉ膜１３ａおよびＳｉＯＮ膜５ａをエッチングすることにより、図３（ｃ）に示すように、所定の配線形状に配線層４を形成すると共に配線層４上に反射防止膜５を形成する。
【００５５】
要するに、まず、半導体基板１の層間絶縁膜上に、配線層４となる導電性材料膜４ａを成膜する導電性材料膜成膜工程と、この導電性材料膜４ａ上に反射防止材料膜５ａを成膜する反射防止材料膜成膜工程と、反射防止材料膜５ａ上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術によりフォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスク６を形成するフォトマスク形成工程と、このフォトマスク６を用いて導電性材料膜４ａおよび反射防止材料膜５ａを同一工程でエッチングすることにより、配線層４を形成すると共に配線層４上に反射防止膜５を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有する。これによって、半導体基板１の層間絶縁膜上に下側の配線層４・反射防止膜５を形成することができる。
【００５６】
次に、下側の配線層４・反射防止膜５上に層間絶縁膜を介して、配線層４となる導電性材料膜４ａを成膜する導電性材料膜成膜工程と、この導電性材料膜４ａ上に反射防止材料膜５ａを成膜する反射防止材料膜成膜工程と、反射防止材料膜５ａ上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術によりフォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスク６を形成するフォトマスク形成工程と、このフォトマスク６を用いて導電性材料膜４ａおよび反射防止材料膜５ａを同一工程でエッチングすることにより、配線層４を形成すると共に配線層４上に反射防止膜５を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有する。これによって、下側の配線層４・反射防止膜５上に層間絶縁膜を介して上側の配線層４・反射防止膜５を形成することができる。ここでは２層であるが、３層の場合には、さらにその上に最上層の配線層４・反射防止膜５を形成すればよい。
【００５７】
比較のために、図４（ａ）〜図４（ｃ）を用いて、多層アルミニウム配線４上に上記反射防止膜５を設けない場合の形成工程について説明する。
【００５８】
まず、図４（ａ）に示すように、半導体基板１の上方に、絶縁膜を介して配線層４となる導電性材料膜として、Ａｌ−Ｃｕ膜１１ａ、ＴｉＮ膜１２ａおよびＴｉ膜１３ａをこの順に順次成膜する。
【００５９】
次に、このＴｉ膜１３ａ上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により、図４（ｂ）のフォトリソグラフィー工程後に示すように、フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスク６を形成する。
【００６０】
その後、フォトマスク６を用いてＡｌ−Ｃｕ膜１１ａ、ＴｉＮ膜１２ａおよびＴｉ膜１３ａをエッチングすることにより、図４（ｃ）のように配線層４を形成する。
【００６１】
本実施形態１の固体撮像装置１０における図３の配線層形成工程と、図４に示す従来の配線層形成工程との違いは、反射防止膜５が導電性材料膜である配線層４上に堆積されるという点のみである。この反射防止膜５は、エッチングによるアルミニウム配線加工時にフォトリソグラフィーの加工精度を向上させるための反射防止膜５としての機能も兼ね備えており、反射防止膜５は、配線層４であるアルミニウム配線のエッチング時の同一工程時にエッチングされて、アルミニウム配線上のみに残される。
【００６２】
本実施形態１の固体撮像装置１０において、反射防止材料膜５ａは、フォトマスクパターンニング時に使用される光源波長と可視光とに対して反射が抑制されるように、材料、膜厚、屈折率および光吸収率が設定されている。ここで、参考事例として図５を示している。
【００６３】
図５は、多層アルミニウム配線（配線層４）上に反射防止膜５が形成されていない場合の固体撮像装置１０Ａの要部構成例を示す縦断面図である。
【００６４】
図５に示すように、その上に反射防止膜５が形成されていない多層アルミニウム配線４を遮光膜として用いる場合には、隣接画素部側から斜め方向に入射される光が上下の多層アルミニウム配線（配線層４）間で反射されて隣接するフォトダイオード部２側に入射される。カラー固体撮像装置の場合には、隣接画素部間でカラーフィルタの色が異なるため、色が混ざってしまうことによって分光特性に影響をもたらす。
【００６５】
これに対して、本実施形態１の固体撮像装置１０では、図１に示すように、遮光膜として使用される多層アルミニウム配線４上に反射防止膜５が設けられており、隣接画素部から斜め方向に入射される光が多層アルミニウム配線４により反射されることを抑制して、隣接画素部側への光の漏れ込みを防ぐことができる。
【００６６】
さらに詳細に説明すると、図２に示すように、多層アルミニウム配線４に斜め方向から入射される光Ａに対して、反射防止膜５上で反射される反射光Ｂと、アルミニウム配線４と反射防止膜５との界面で反射される反射光Ｃとが発生する。この反射光Ｂに対して、反射光Ｃの位相が反転するように、反射防止膜５の膜厚を設定することによって、反射光Ｂと反射光Ｃが互いに打ち消し合って（干渉し合って）反射光が発生しないようにすることができる。
（実施形態２）
図６は、本発明の実施形態２に係る固体撮像装置の要部構成例を示す概略縦断面図である。なお、図１の構成部材と同一の作用効果を奏する部材には同一の符号を付すものとする。
【００６７】
図６において、本実施形態２の固体撮像装置２０は、半導体基板１に、入射光を光電変換させて信号電荷を生成する複数の受光部としての各フォトダイオード部２と、このフォトダイオード部２からの信号電荷を信号電圧に変換し、変換された信号電圧に応じて増幅して撮像信号として読み出す信号読出回路の配線部が接続されている基板接続部３とを有する画素部が２次元状（またはマトリックス状）に行列方向に複数配置されており、隣接する各フォトダイオード部２間の領域の上方、例えば基板接続部３の上方に、遮光膜として兼用される配線層４が複数層（ここでは２層であるが、３層や４層でもよい）設けられている。
【００６８】
下側の配線層４は、Ａｌ−Ｃｕ膜１１、ＴｉＮ膜１２およびＴｉ膜１３が積層された多層アルミニウム配線であり、その上面にＳｉＯＮ膜からなる反射防止膜５が設けられている。
【００６９】
また、上側の配線層４は、Ａｌ−Ｃｕ膜１１、ＴｉＮ膜１２およびＴｉ膜１３が積層された多層アルミニウム配線であり、その上面およびその下面にそれぞれＳｉＯＮ膜からなる反射防止膜５が設けられている。このように、配線層４の下面にも反射防止膜５が設けられている点が、上記実施形態１の場合と異なっている。この場合、上記実施形態１の場合よりも、いっそう反射が防止される。要するに、下側と上側の各配線層４・反射防止膜５において、反射防止膜５が互いに対向している。これによって、上下の配線層４間を伝播する光をより消滅させることができる。
【００７０】
上記構成により、以下に、本実施形態２の固体撮像装置２０の製造方法について説明する。
【００７１】
半導体基板１の層間絶縁膜上に、配線層４となる導電性材料膜４ａを成膜する導電性材料膜成膜工程と、この導電性材料膜４ａ上に反射防止材料膜５ａを成膜する反射防止材料膜成膜工程と、反射防止材料膜５ａ上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術によりフォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスク６を形成するフォトマスク形成工程と、このフォトマスク６を用いて導電性材料膜４ａおよび反射防止材料膜５ａを同一工程でエッチングすることにより、配線層４を形成すると共に配線層４上に反射防止膜５を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有する。これによって、半導体基板１の層間絶縁膜上に下側の配線層４・反射防止膜５を形成することができる。これは上記実施形態１の場合と同じである。
【００７２】
次に、下側の配線層４・反射防止膜５上に層間絶縁膜を介して、反射防止材料膜５ａを成膜する反射防止材料膜成膜工程と、この反射防止材料膜５ａ上に、配線層４となる導電性材料膜４ａを成膜する導電性材料膜成膜工程と、導電性材料膜４ａ上に反射防止材料膜５ａを成膜する反射防止材料膜成膜工程と、この反射防止材料膜５ａ上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により該フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスク６を形成するフォトマスク形成工程と、このフォトマスクを用いて該導電性材料膜および該反射防止材料膜を同一工程でエッチングすることにより、配線層４を形成すると共に配線層４の下面および上面に反射防止膜５を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有とを有する。これによって、下側の配線層４・反射防止膜５上に層間絶縁膜を介して上側の配線層４・反射防止膜５を形成することができる。
（実施形態３）
上記実施形態１，２では、複数層の配線層４上にそれぞれ反射防止膜５が設けられている場合について説明したが、本実施形態３では、複数層の配線層４のうちの最上層以外の配線層４上にのみ反射防止膜５が設けられている場合について説明する。
【００７３】
図７は、本発明の実施形態３に係る固体撮像装置の要部構成例を示す概略縦断面図である。なお、図１の構成部材と同一の作用効果を奏する部材には同一の符号を付すものとする。
【００７４】
図７において、本実施形態３の固体撮像装置３０は、半導体基板１に、入射光を光電変換させて信号電荷を生成する複数の受光部としての各フォトダイオード部２と、このフォトダイオード部２からの信号電荷を信号電圧に変換し、変換された信号電圧に応じて増幅して撮像信号として読み出す信号読出回路の配線部が接続されている基板接続部３とを有する画素部が２次元状（またはマトリックス状）に行列方向に複数配置されており、隣接する各フォトダイオード部２間の領域の上方、例えば基板接続部３の上方に、遮光膜として兼用される配線層４が複数層（ここでは２層であるが、３層や４層でもよい）設けられている。
【００７５】
この下側の配線層４は、Ａｌ−Ｃｕ膜１１、ＴｉＮ膜１２およびＴｉ膜１３が積層された多層アルミニウム配線であり、その上面にそれぞれＳｉＯＮ膜からなる反射防止膜５が設けられている。なお、図７の最下側の配線層４下に反射防止膜５が設けられていないが、最下側の配線層４にも反射防止膜５が設けられていてもよい。
【００７６】
この上側の配線層４は、Ａｌ−Ｃｕ膜１１、ＴｉＮ膜１２およびＴｉ膜１３が積層された多層アルミニウム配線であり、その下面にのみＳｉＯＮ膜からなる反射防止膜５が設けられている。このように、配線層４の下面に反射防止膜５が設けられている点が、上記実施形態１の場合と異なっている。この場合には、上記実施形態１の場合よりも、いっそう反射が防止される。これによって、上下の配線層４間を伝播する光を消滅させることができる。なお、図７の最上側の配線層４下にのみ反射防止膜５が設けられているが、最上側の配線層４のみ配線層４だけであってもよい。
【００７７】
上記構成により、以下に、本実施形態２の固体撮像装置３０の製造方法について説明する。
【００７８】
半導体基板１の層間絶縁膜上に、配線層４となる導電性材料膜４ａを成膜する導電性材料膜成膜工程と、この導電性材料膜４ａ上に反射防止材料膜５ａを成膜する反射防止材料膜成膜工程と、この反射防止材料膜５ａ上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術によりフォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスク６を形成するフォトマスク形成工程と、このフォトマスク６を用いて導電性材料膜４ａおよび反射防止材料膜５ａを同一工程でエッチングすることにより、配線層４を形成すると共に配線層４上に反射防止膜５を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有する。これによって、半導体基板１の層間絶縁膜上に下側の配線層４・反射防止膜５を形成することができる。これは上記実施形態１の場合と同じである。
【００７９】
次に、下側の配線層４・反射防止膜５上に層間絶縁膜を介して、反射防止材料膜５ａを成膜する反射防止材料膜成膜工程と、この反射防止材料膜５ａ上に、配線層４となる導電性材料膜４ａを成膜する導電性材料膜成膜工程と、導電性材料膜４ａ上に反射防止材料膜５ａを成膜する反射防止材料膜成膜工程と、この反射防止材料膜５ａ上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術により該フォトレジスト膜をパターンニングすることによりフォトマスク６を形成するフォトマスク形成工程と、このフォトマスクを用いて該導電性材料膜および該反射防止材料膜を同一工程でエッチングすることにより、配線層４を形成すると共に配線層４の下面および上面に反射防止膜５を形成する配線層・反射防止膜形成工程とを有とを有する。これによって、下側の配線層４・反射防止膜５上に層間絶縁膜を介して上側の配線層４・反射防止膜５を形成することができる。
【００８０】
以上により、本実施形態１〜３によれば、遮光膜としても兼用される多層アルミニウム配線層４上にＳｉＯＮ膜などの反射防止材料膜５ａを堆積させ、同時にエッチングして多層アルミニウム配線層４上に反射防止膜５を形成する。この反射防止膜５の材料、膜厚、屈折率、光吸収率をフォトマスクパターンニング時に使用される光源波長と可視光とに対して反射を低減させることができるように設定する。
【００８１】
これによって、固体撮像装置１０、２０または３０内で隣接画素部から漏れ込んだ斜め入射光が配線層４（または遮光膜）により反射して横方向に伝播することがないため、隣接画素部に光が漏れ込む混色を防ぎ、フォトダイオード部２の感度劣化を防ぐことができる。この反射防止膜５は、従来のように別途追加工程を行うことなく形成することができるため、高感度で高画質な画像が得られる固体撮像装置１０，２０または３０を、低コストで作製することができる。
【００８２】
なお、上記実施形態１〜３には、特に説明しなかったが、半導体基板１に、入射光を光電変換して信号電荷を生成する受光部が２次元状に複数設けられ、平面視で隣接受光部間の領域上に、配線層４が層間絶縁膜を介して複数層設けられた固体撮像装置において、この複数層の配線層４上にそれぞれ反射防止膜５が設けられているかまたは、複数層の配線４層のうちの最上層以外の配線層４上に反射防止膜が設けられていれば、斜め入射光が上下の配線層間で反射して隣接画素部側に漏れ込むことを抑制できる本発明の目的を達成することができる。
【００８３】
また、上記実施形態１〜３では、反射防止膜５はＳｉＯＮ膜としたが、これに限らず、反射防止膜５はＳｉＮ膜としてもよい。
【００８４】
、上記実施形態１〜３には、特に説明しなかったが、上記実施形態１〜３の固体撮像装置１０，２０および３０の少なくともいずれかを撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラ、ドアホンカメラ、車載カメラ、テレビジョン電話用カメラおよび携帯電話用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの画像入力デバイスを有した電子情報機器について説明する。
【００８５】
本発明の電子情報機器は、本発明の上記実施形態１〜３の固体撮像装置１０，２０および３０の少なくともいずれかを撮像部に用いて得た高品位な画像データを記録用に所定の信号処理した後にデータ記録する記録メディアなどのメモリ部と、この画像データを表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示する液晶表示装置などの表示手段と、この画像データを通信用に所定の信号処理をした後に通信処理する送受信装置などの通信手段と、この画像データを印刷（印字）して出力（プリントアウト）する画像出力手段とのうちの少なくともいずれかを有している。
【００８６】
以上のように、本発明の好ましい実施形態１〜３を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態１〜３に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態１〜３の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する半導体装置で構成された固体撮像装置およびその製造方法、この固体撮像装置を、画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の分野において、固体撮像装置内で隣接画素部から漏れ込んだ斜め入射光の配線層や遮光膜による反射を抑制することが可能となり、異なる色のカラーフィルターを通過した光が漏れ込んで配線層により繰り返し反射されて、隣の受光部へ入射されることによる混色を防ぐことができる。さらに、遮光膜としても兼用される多層アルミニウム配線層により反射された光による多重干渉させて受光部の感度劣化を防ぐことができる。この反射防止膜は、フォトマスクパターンニング時の加工精度を向上させるために形成され、その膜厚、屈折率および光吸収率などをフォトマスクパターンニング時に使用される光源波長と共に、可視光に対しても反射を低減させることができるように設定されているため、工程を追加することなく、配線層や遮光膜による反射を抑制することができる。したがって、高感度で高画質な画像が得られる固体撮像装置を、追加の工程を行うことなく、低コストで作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の実施形態１に係る固体撮像装置の要部構成例を示す概略縦断面図である。
【図２】図１で点線で囲んだ配線層の拡大縦断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態１の固体撮像装置の製造方法について説明するための要部縦断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、多層アルミニウム配線上に反射防止膜を設けていない場合の従来の固体撮像装置の製造方法における配線層形成工程について説明するための要部縦断面図である。
【図５】多層アルミニウム配線上に反射防止膜を設けていない場合の従来の固体撮像装置の要部構成例を示す縦断面図である。
【図６】本発明の実施形態２に係る固体撮像装置の要部構成例を示す概略縦断面図である。
【図７】本発明の実施形態３に係る固体撮像装置の要部構成例を示す概略縦断面図である。
【符号の説明】
【００８９】
１  半導体基板
２  フォトダイオード部
３  基板接続部
４  配線層
４ａ  導電性材料膜
５  反射防止膜
５ａ  反射防止材料膜
６  フォトマスク
１０、２０，３０  固体撮像装置
１１、１１ａ  Ａｌ−Ｃｕ膜
１２、１２ａ  ＴｉＮ膜
１３、１３ａ  Ｔｉ膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2008305873.tif 000006
【図５】
2008305873.tif 000007
【図６】
2008305873.tif 000008
【図７】
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