(57)【要約】【課題】記録媒体への意図しない記録や消去を回避できる垂直磁気記録ヘッドを得る。【解決手段】主磁極層の磁極部のトラック幅方向の両側に、軟磁性材料からなる一対のサイドシールド層を備えた垂直磁気記録ヘッドにおいて、一対のサイドシールド層は、媒体対向面に露出する前端面と、この前端面のトラック幅方向の磁極部に遠い一端部からハイト方向奥側に延びる側端面とを有し、前端面と側端面の間のなす角度が９０°以上をなしている。【選択図】図５
2008305513.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主磁極層の磁極部のトラック幅方向の両側に、軟磁性材料からなる一対のサイドシールド層を備えた垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記一対のサイドシールド層は、媒体対向面に露出する前端面と、この前端面のトラック幅方向の前記磁極部に遠い一端部からハイト方向奥側に延びる側端面とを有し、前端面と側端面の間のなす角度が９０°以上をなしていることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記一対のサイドシールド層は、前記媒体対向面と平行に延在して前記前端面を構成する直線領域と、前記媒体対向面からハイト方向奥側に屈曲し、前記前端面と側端面の間のなす角度が９０°より大きな側端面を構成する屈曲領域とにより形成されている垂直磁気記録ヘッド。
【請求項３】
請求項２記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記一対のサイドシールド層は、前記屈曲領域におけるハイト方向の寸法が前記直線領域におけるハイト方向の寸法より大きく形成されている垂直磁気記録ヘッド。
【請求項４】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記一対のサイドシールド層の側端面は、前記前端面よりハイト方向奥側に位置して所定の曲率半径を有する湾曲部と、この湾曲部から延出して前記前端面に直交する直線部とにより形成されている垂直磁気記録ヘッド。
【請求項５】
請求項４記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記一対のサイドシールド層は、前記側端面のハイト方向の寸法が前記湾曲部の曲率半径より大きく形成されている垂直磁気記録ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録媒体平面に垂直な記録磁界を印加して記録動作する垂直磁気記録ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直記録磁気ヘッドは、周知のように、記録媒体との対向面（媒体対向面）に露出する前端面を有し、且つ、該媒体対向面よりハイト方向奥側で磁気的に接続された主磁極層及びリターンヨーク層と、媒体対向面で主磁極層とリターンヨーク層の間に介在する磁気ギャップ層と、通電により主磁極層とリターンヨーク層の間に記録磁界を誘導するコイル層とを有している。主磁極層とリターンヨーク層の間に誘導された記録磁界は、主磁極層の前端面から記録媒体のハード膜に垂直に入射し、同記録媒体のソフト膜を通ってリターンヨーク層の前端面に戻る。これにより、主磁極層の前端面との対向部分で磁気記録がなされる。主磁極層の前端面のトラック幅方向の寸法、すなわち、記録トラック幅寸法は、ハードディスク装置の高記録密度化に伴ってますます狭小化される傾向にある。
【０００３】
挟トラック化された垂直磁気記録ヘッドでは、スキュー時のサイドフリンジングをいかに抑制するかが課題となっている。従来では、例えば特許文献１に記載されているように、主磁極層の磁極部のトラック幅方向の両側に一対のサイドシールド層を設け、磁極部のトラック幅方向の両側面から漏れた側方磁束を一対のサイドシールド層で吸収して記録媒体に到達させないことで、サイドフリンジングを抑制することが広く知られている。この一対のサイドシールド層は、フォトリソグラフィ技術を用いて、矩形状で形成されることが従来一般的である。
【特許文献１】特開２００５−９２９２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、図９（Ａ）に示されるように矩形状のサイドシールド層４００を形成しようとすると、レジスト露光時に光の近接効果により狭小領域ほど露光されにくいことから角部４０１が丸くなり、図９（Ｂ）に示されるように鋭角部４０２が媒体対向面Ｆに露出してしまうことが判明した。媒体対向面に磁性材料からなる鋭角部が露出していると、該鋭角部に外部磁界や記録媒体から戻ってくる記録磁界が集中しやすく、この磁界集中により角部から漏れ磁束が生じて、記録媒体に意図しない記録や消去が行われてしまう。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑み、記録媒体への意図しない記録や消去を回避できる垂直磁気記録ヘッドを得ることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、媒体対向面に磁性材料からなる鋭角部が存在することが磁界集中の要因であることを認識し、レジスト露光により生じる一対のサイドシールド層の鋭角部を媒体対向面に露出させないこと、すなわち、一対のサイドシールド層の媒体対向面に露出する角部を９０°以上に形成することに着目して完成されたものである。
【０００７】
すなわち、本発明は、主磁極層の磁極部のトラック幅方向の両側に、軟磁性材料からなる一対のサイドシールド層を備えた垂直磁気記録ヘッドにおいて、一対のサイドシールド層は、媒体対向面に露出する前端面と、この前端面のトラック幅方向の磁極部に遠い一端部からハイト方向奥側に延びる側端面とを有し、前端面と側端面の間のなす角度が９０°以上をなしていることを特徴としている。前端面と側端面の間に形成される角部が９０°以上であれば、該角部への磁界集中は緩和される。
【０００８】
一対のサイドシールド層は、第１の態様によれば、媒体対向面と平行に延在して上記前端面を構成する直線領域と、媒体対向面からハイト方向奥側に屈曲し、前端面と側端面の間のなす角度が９０°より大きな側端面を構成する屈曲領域とにより形成することができる。屈曲領域におけるハイト方向の寸法は、直線領域におけるハイト方向の寸法より大きいことが好ましい。
【０００９】
一対のサイドシールド層は、第２の態様によれば、前端面からハイト方向奥側に延びる側端面を、前端面よりハイト方向奥側に位置して所定の曲率半径を有する湾曲部と、この湾曲部から延出して前端面に直交する直線部とにより形成することができる。側端面におけるハイト方向の寸法は、湾曲部の曲率半径より大きくすることが実際的である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、一対のサイドシールド層の媒体対向面に露出する角部が９０°以上をなしているので、媒体対向面での外部磁界集中が生じず、記録媒体への意図しない記録や消去を回避できる垂直磁気記録ヘッドが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながら本発明を説明する。各図において、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、トラック幅方向、ハイト方向及び垂直磁気記録ヘッドを構成する各層の積層方向（膜厚方向）でそれぞれ定義される。
【００１２】
図１〜図６は本発明の第１実施形態を示している。図１は垂直磁気記録ヘッドＨ１の積層構造を示す断面図、図２は主磁極形状を示す斜視図、図３は垂直磁気記録ヘッドＨ１の積層構造を媒体対向面側から見て示す断面図、図４は図３のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。
【００１３】
垂直磁気記録ヘッドＨ１は、記録媒体Ｍに垂直な記録磁界Φを与え、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させる。記録媒体Ｍは、残留磁化の高いハード膜Ｍａを媒体表面側に、磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂをハード膜Ｍａよりも内側に有している。この記録媒体Ｍは、例えばディスク状であり、ディスクの中心が回転軸中心となって回転させられる。スライダ１０１はＡｌ2Ｏ3・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、スライダ１０１の媒体対向面１０１ａが記録媒体Ｍに対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ１０１が記録媒体Ｍの表面から浮上する。
【００１４】
スライダ１０１のトレーリング側端面１０１ｂには、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2などの無機材料による非磁性絶縁層１０２が形成されて、この非磁性絶縁層１０２の上に再生部Ｒが形成されている。再生部Ｒは、下部シールド層１０３と、上部シールド層１０６と、この下部シールド層１０３及び上部シールド層１０６の間を埋める無機絶縁層（ギャップ絶縁層）１０５と、この無機絶縁層１０５内に位置する再生素子１０４とを有している。再生素子１０４は、ＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの磁気抵抗効果素子である。
【００１５】
上部シールド層１０６の上には、コイル絶縁下地層１０７を介して、導電性材料で形成された複数本の第１コイル層１０８が形成されている。第１コイル層１０８は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。第１コイル層１０８の周囲には、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2などからなるコイル絶縁層１０９が形成されている。
【００１６】
コイル絶縁層１０９の上面は平坦化されていて、この平坦面の上に図示しないメッキ下地層が形成され、さらにメッキ下地層の上に、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏなどの飽和磁束密度の高い強磁性材料からなる主磁極層１１０が形成されている。
【００１７】
主磁極層１１０は、図２に示されるように、媒体対向面Ｆ側から順に磁極部（ポールストレート部）１１０Ａ、１ｓｔフレア部１１０Ｂ、２ｎｄフレア部１１０Ｃ及び基部１１０Ｄを有している。磁極部１１０Ａは、媒体対向面Ｆに露出する前端面１１０Ａ１を有し、トレーリングエッジＴＥにおけるトラック幅方向の寸法が記録トラック幅Ｔｗで形成され、ハイト方向の寸法が所定のネックハイトＮｈで形成されている。この磁極部１１０Ａは、その全長に渡って一様に、媒体対向面Ｆから見た形状がトレーリングエッジＴＥ側よりリーディングエッジＲＥ側で幅狭の台形形状（ベベル形状）をなしている。磁極部１１０Ａのベベル化により、リーディングエッジＲＥ側から記録媒体Ｍ上の隣接トラックまで到達する漏れ磁界を減らすことができ、サイドフリンジング抑制効果が得られる。現状では、記録トラック幅Ｔｗが１００〜１５０ｎｍ程度、ネックハイトＮｈが１００〜１５０ｎｍ程度、膜厚寸法が２００〜３００ｎｍ程度、ベベル角度αが７〜９°程度である。１ｓｔフレア部１１０Ｂは、基部１１０Ｄから磁極部１１０Ａに向かって記録磁界を絞り込むための領域であって、磁極部１１０Ａからハイト方向奥側に向かってトラック幅方向の寸法が広がっている。２ｎｄフレア部１１０Ｃは、励磁の後、基部１１０Ｄに発生する磁区構造がトラック幅方向に向くように整えるための領域であって、１ｓｔフレア部１１０Ｂと基部１１０Ｄを接合する。本実施形態の主磁極層１１０は、コイル絶縁層１０９の上に全面的に形成されたものではなく、媒体対向面Ｆ側のみに局所的に形成されていて、基部１１０Ｄで補助ヨーク層１２０に磁気的に接続されている。補助ヨーク層１２０は、主磁極層１１０よりも磁束飽和密度の低い磁性材料からなり、記録コイル（第１コイル層１０８、第２コイル層１１８）により誘導された記録用磁束を主磁極層１１０に伝える。主磁極層１１０の周囲には非磁性材料層１１１が形成されていて、主磁極層１１０の上面と非磁性材料層１１１の上面が同一面となるように平坦化されている。
【００１８】
主磁極層１１０の磁極部１１０Ａのトラック幅方向の両側には、図３に示されるように、リーディングエッジＲＥ側に偏在させた一対のサイドシールド層２００が形成されている。サイドシールド層２００は、コイル絶縁層１０９上に非磁性材料層１１１を介して形成されていて、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ等の軟磁性材料からなり、記録動作時に、主磁極層１１０の磁極部１１０Ａのトラック幅方向の両側面１１０Ａ２から漏れる側方磁束を吸収する磁気シールド効果を発揮する。この一対のサイドシールド層２００は、トラック幅方向には長く延び、ハイト方向には主磁極層１１０の磁極部１１０Ａから１ｓｔフレア部１１０Ｂにかけて形成されており、その周囲を埋める非磁性材料層１１１によって磁気的に分離された状態（他の磁性材料層との磁気的な接続がない状態）とされている。サイドシールド層２００の主磁極層１１０側の端面２１０Ａ２は、対向する磁極部１１０Ａの台形形状に対応し且つ磁極部１１０Ａの側面１１０Ａ２からトラック幅方向に離れるに従って膜厚が増大するテーパー面をなし、側面１１０Ａ２と平行な位置関係にある。この端面２１０Ａ２は、磁極部１１０Ａの側面１１０Ａ２から漏れる側方磁束をより多く吸収できるように、磁極部１１０Ａとのオーバーラップ領域β（図３）に位置させてある。オーバーラップ領域βは、磁極部１１０ＡのトレーリングエッジＴＥにおけるトラック幅方向の側面位置からリーディングエッジＲＥにおけるトラック幅方向の側面位置までの領域である。一対のサイドシールド層２００の端面２１０Ａ２と磁極部１１０Ａの両側面１１０Ａ２との対向間隔は、磁極部１１０Ａのベベル角度αに応じて設定できる。各サイドシールド層２００の膜厚は、端面２１０Ａ２を除いて、一定である。
【００１９】
主磁極層１１０及び補助ヨーク層１２０の上には、例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2等の無機非磁性絶縁材料からなる磁気ギャップ層１３０が所定のギャップ間隔に対応する膜厚で形成されている。磁気ギャップ層１３０の膜厚は、現状５０ｎｍ程度である。磁気ギャップ層１３０上には、媒体対向面Ｆからハイト方向奥側に所定のスロートハイトＴｈだけ後退させた位置にハイト決め層１１５が形成され、このハイト決め層１１５のハイト方向奥側にコイル絶縁下地層１１７を介して第２コイル層１１８が形成されている。
【００２０】
第２コイル層１１８は第１コイル層１０８と同様に、導電性材料によって複数本形成されている。第２コイル層１１８は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。上記第１コイル層１０８と第２コイル層１１８とは、ソレノイド状になるように、それぞれのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における端部同士が電気的に接続されている。コイル層（磁界発生手段）の形状は特にソレノイド形状に限定されるものではない。第２コイル層１１８の周囲には、コイル絶縁層１１９が形成されている。
【００２１】
コイル絶縁層１１９からハイト決め層１１５及び磁気ギャップ層１３０上にかけて、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏなどの飽和磁束密度の高い強磁性材料からなるリターンヨーク層１５０が形成されている。リターンヨーク層１５０は、媒体対向面Ｆに露出し、磁気ギャップ層１１３を介して主磁極層１１０の磁極部１１０Ａに対向する前端面１５０ａと、ハイト方向奥側で補助ヨーク層１２０を介して主磁極層１１０の基部１１０Ｄに磁気的に接続する接続部１５０ｂとを有している。リターンヨーク層１５０のスロートハイトＴｈは、ハイト決め層１１５により規定されている。このリターンヨーク層１５０は、無機非磁性絶縁材料からなる保護層１６０で覆われている。
【００２２】
上記全体構成を有する垂直磁気記録ヘッドＨ１は、一対のサイドシールド層２００の平面形状に特徴を有している。以下では、図５及び図６を参照し、一対のサイドシールド層２００について、より詳細に説明する。図５は一対のサイドシールド層２００を示す平面図である。
【００２３】
一対のサイドシールド層２００は、主磁極層１１０の磁極部１１０Ａを間に挟んで対称な位置関係にあり、各々が媒体対向面Ｆに露出する直線領域２１０と、媒体対向面Ｆからハイト方向奥側に向けて所定角度（１８０°−θ）だけ屈曲させた屈曲領域２２０とにより形成されている。
【００２４】
直線領域２１０は、媒体対向面Ｆに露出する前端面２１１と、トラック幅方向で主磁極層１１０の磁極部１１０Ａに対向する端面２１０Ａ２とを有し、この端面２００Ａの反対側の端部（トラック幅方向の両端部のうち磁極部１１０Ａに遠い側）で屈曲領域２２０に連続している。直線領域２１０のハイト方向の寸法ｄ１は、略一定である。
【００２５】
屈曲領域２２０は、直線領域２１０の前端面２１１のトラック幅方向の磁極部１１０Ａに遠い側の端部からハイト方向奥側にびる側端面２２１と、該側端面２２１のハイト方向後端に、製造工程中のレジスト露光時に生じる光の近接効果により形成された曲線部２２２とを有している。屈曲領域２２０のハイト方向の寸法ｄ２は、直線領域２１０のハイト方向の寸法ｄ１より大きく設定されている。
【００２６】
このサイドシールド層２００において、前端面２１１と側端面２２１の間には角部２３０が生じるものの、この角部２３０は鈍角（前端面２１１と側端面２２１の間のなす角度θ＞９０°）であるから、記録媒体Ｍを通過してリターンヨーク層１５０に戻ってくる垂直記録磁界Φや外部磁界が角部２３０に一極集中せず、前端面２１１や側端面２２１の広い範囲に分散して吸収される。よって、記録コイルへの非通電状態（記録コイルへの通電を終了した状態）で角部２３０から記録媒体に向かう漏れ磁束は低減し、該角部２３０での意図しない記録及び消去を回避できる。これにより、高記録密度化に対応した記録特性が得られる。
【００２７】
上記一対のサイドシールド層２００は、例えばフレームメッキ法、スパッタ成膜法を用いて、形成することができる。
【００２８】
フレームメッキ法を用いる場合には、先ず、主磁極層１１０及び非磁性材料層１１１の上にレジストを塗布し、サイドシールド形状を画定するマスクパターンＭｋを形成したフォトマスクを用いて、主磁極層１１０及び非磁性材料層１１１上のレジストを露光する。次に、レジストを現像し、上記サイドシールド形状に対応するレジストパターン（フレーム）Ｒを得る。続いて、このレジストパターンＲで画定された空間に、軟磁性材料膜をメッキにより形成する。そして、レジストパターンＲを除去すれば、上記軟磁性材料膜からなる一対のサイドシールド層２００が得られる。
【００２９】
スパッタ成膜法を用いる場合には、先ず、主磁極層１１０及び非磁性材料層１１１の上に、後に一対のサイドシールド層となる軟磁性材料膜をスパッタ成膜する。次に、軟磁性材料膜上にレジストを塗布し、サイドシールド形状を画定するマスクパターンＭｋを形成したフォトマスクを用いて、軟磁性材料膜上のレジストを露光する。続いて、レジストを現像し、上記サイドシールド形状に対応するレジストパターンＲを得る。そして、エッチング処理によりレジストパターンＲで覆われていない軟磁性材料膜を除去し、さらにレジストパターンＲを除去する。これにより、上記軟磁性材料膜からなる一対のサイドシールド層２００が得られる。
【００３０】
上記いずれの方法においても、一対のサイドシールド層２００の平面形状はレジストパターンＲによって画定される。図６（Ａ）はマスクパターンＭｋを示す平面図、図６（Ｂ）はレジストパターンＲを示す平面図であって、ハッチングを付した領域がサイドシールド形状に対応している。
【００３１】
レジスト露光時に用いるマスクパターンＭｋは、所望のサイドシールド形状（露光領域と遮光領域の境界）を直線的に規定した設計パターン（設計値）であり、媒体対向面Ｆとなる位置からハイト方向に離れた位置に９０°以上の角部γを複数含んでいる。このマスクパターンＭｋを用いたレジスト露光では、光の近接効果により狭小領域ほど露光されにくい傾向がある。このため、現像後に実際に得られるレジストパターンＲは、図６（Ｂ）に示されるように、すべての角部γに丸みが生じる。本実施形態では、上記直線領域２１０と屈曲領域２２０を有するサイドシールド層２００とすることで、光の近接効果によって丸くなる角部を媒体対向面Ｆよりハイト方向奥側に逃し、さらに、媒体対向面Ｆに露出する角部２３０（前端面２１１と側端面２２１の交差角部）を９０°より大きくして、媒体対向面Ｆに鋭角部が生じないようにしている。媒体対向面Ｆは媒体対向面となる側の端面に研磨加工を施して形成するので、マスクパターンＭｋ、レジストパターンＲ及び一対のサイドシールド層２００となる軟磁性材料膜は、図６（Ａ）（Ｂ）に破線で示されるように、研磨加工によって除去される側（媒体対向面Ｆより図示上側）にも形成してある。
【００３２】
図７及び図８は本発明の第２実施形態を示している。垂直磁気記録ヘッドＨ２は、第１実施形態とは平面形状が異なる一対のサイドシールド層３００を備えた実施形態であって、一対のサイドシールド層の平面形状以外の構成は第１実施形態と同一である。図７は一対のサイドシールド層３００を示す平面図、図８（Ａ）はマスクパターンＭｋを示す平面図、図８（Ｂ）はレジストパターンＲを示す平面図である。図８では、ハッチングを付した領域がサイドシールド形状に対応している。
【００３３】
一対のサイドシールド層３００は、主磁極層１１０の磁極部１１０Ａを間に挟んで対称な位置関係にあり、各々が媒体対向面Ｆに露出する前端面３１１と、トラック幅方向で主磁極層１１０の磁極部１１０Ａに対向する端面３１０Ａ２と、この端面３１０Ａ２とは反対側の端部（トラック幅方向の両端部のうち磁極部１１０Ａに遠い側）からハイト方向奥側に延びる側端面３２１を有する略矩形状をなしている。側端面３２１は、製造工程中のレジスト露光時の光の近接効果によりハイト方向後端に形成された湾曲部３２１ａと、この湾曲部３２１から媒体対向面Ｆ側に延出して前端面３１１に直交する直線部３２１ｂから形成されている。ここで、湾曲部３２１ａの曲率半径をｒとすると、側端面３２１（前端面３１１からサイドシールド層３００のハイト方向後端まで）のハイト方向の寸法ｄ３は、条件式；ｄ３＞ｒを満足する。湾曲部３２１ａの曲率半径ｒは、一対のサイドシールド層３００の平面形状を規定するレジストパターンを形成する際のレジスト露光時に使用する光の波長λの１／２で定まる（ｒ＝λ／２）。すなわち、サイドシールド層３００の側端面３２１でのハイト方向の寸法ｄ３をλ／２より大きく形成することで、サイドシールド層３００の側端面３２１には必ず直線部３２１ｂが生じ、媒体対向面Ｆに湾曲部３２１ａを露出させることがない。よって、前端面３１１と側端面３２１の間に生じる角部３３０は直角（９０°）となり、角部３３０での磁界集中を緩和することができる。これにより、第１実施形態と同様に、記録コイルへの非通電状態（記録コイルへの通電を終了した状態）で角部３３０から記録媒体に向かう漏れ磁束は低減し、該角部３３０での意図しない記録及び消去を回避できる。例えば露光波長３６５ｎｍで露光する場合は、サイドシールド層３００の側端面３２１でのハイト方向の寸法ｄ３を１８２．５ｎｍより大きく設定する必要がある。
【００３４】
この第２実施形態においても、レジスト露光時に用いるマスクパターンＭｋは、図８（Ａ）に示されるように、所望のサイドシールド形状（露光領域と遮光領域の境界）を直線的に規定した設計パターン（設計値）であり、媒体対向面Ｆとなる位置からハイト方向に離れた位置に９０°をなす角部γを複数含んでいる。このマスクパターンＭｋを用いたレジスト露光では、上述したように光の近接効果により狭小領域ほど露光されにくい傾向があるため、現像後に実際に得られるレジストパターンＲは、図８（Ｂ）に示されるように、すべての角部γに丸みが生じる。本実施形態では、サイドシールド層３００のハイト方向の寸法ｄ３をレジスト露光に用いる光の波長λの１／２倍より大きく形成することで、光の近接効果によって形成された湾曲部３２１ａの媒体対向面Ｆよりハイト方向奥側に逃し、さらに媒体対向面Ｆに露出する角部３３０（前端面２１１と直線部３２１ｂのなす角度θ）を９０°にして、媒体対向面Ｆに鋭角部が生じないようにしている。また、媒体対向面Ｆは媒体対向面となる側の端面に研磨加工を施して形成するので、マスクパターンＭｋ、レジストパターンＲ及び一対のサイドシールド層３００となる軟磁性材料膜は、図８（Ａ）（Ｂ）に破線で示されるように、研磨加工によって除去される側（媒体対向面Ｆより図示上側）にも形成される。
【００３５】
以上では、主磁極層１１０の磁極部１１０ＡのリーディングエッジＲＥ側に偏在させた一対のサイドシールド層２００を備えた実施形態について説明したが、一対のサイドシールド層は、磁極部１００ＡのリーディングエッジＲＥからトレーリングエッジＴＥの全域に形成されていてもよい。本発明は、一対のサイシールド層の膜厚によらず、適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の第１実施形態による垂直磁気記録ヘッドの積層構造を示す断面図である。
【図２】主磁極形状を説明する斜視図である。
【図３】図１の垂直磁気記録ヘッドの積層構造を、媒体対向面側から見て示す断面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。
【図５】一対のサイドシールド層を示す平面図である。
【図６】図５の一対のサイドシールド層を形成する際に用いる（Ａ）マスクパターン、（Ｂ）レジストパターンを示す平面図である。
【図７】本発明の第２実施形態による垂直磁気記録ヘッドであって、図５とは異なる平面形状をなす一対のサイドシールド層を示す平面図である。
【図８】図７の一対のサイドシールド層を形成する際に用いる（Ａ）マスクパターン、（Ｂ）レジストパターンを示す平面図である。
【図９】従来のサイドシールド層の（Ａ）設計平面形状（マスクパターンに対応）、（Ｂ）実際に形成された平面形状（レジストパターンに対応）を示す平面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１１０  主磁極層
１１０Ａ  磁極部
１１１  非磁性材料層
２００  一対のサイドシールド層
２１０  直線領域
２１１  前端面
２２０  屈曲領域
２２１  側端面
２２２  曲線部
２３０  角部（鈍角部）
３００  一対のサイドシールド層
３１１  前端面
３２１  側端面
３２１ａ  湾曲部
３２１ｂ  直線部
３３０  角部（直角部）
Ｆ    媒体対向面
Ｈ１、Ｈ２  垂直磁気記録ヘッド
Ｍ    記録媒体
Ｍｋ  マスクパターン
Ｒ    レジストパターン
ｒ    曲率半径
θ    前端面と側端面のなす角度
γ    角部
【図１】
2008305513.tif 000003
【図２】
2008305513.tif 000004
【図３】
2008305513.tif 000005
【図４】
2008305513.tif 000006
【図５】
2008305513.tif 000007
【図６】
2008305513.tif 000008
【図７】
2008305513.tif 000009
【図８】
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【図９】
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