(57)【要約】【課題】      半導体層の表面のローカルなエリアのキャリアライフタイムを測定することができる技術を提供する。【解決手段】  半導体層の表面に一対の電極を接触させる工程と、その一対の電極間の抵抗を繰返し測定し続ける抵抗値測定工程と、その抵抗値測定工程の途中で、少なくとも前記一対の電極間の半導体層の表面にレーザ光４０の照射を開始して停止する励起光照射工程と、レーザ光４０の照射開始前に測定された抵抗値をｒ１とし、レーザ光４０の照射開始後に抵抗値が低下して安定した期間に測定された抵抗値をｒ２としたときに、励起光照射停止タイミングから測定された抵抗値がｒ１−（ｒ１−ｒ２）／ｅまで上昇するのに要する時間τを測定することによって半導体層のキャリアライフタイムを特定する工程を備えている。【選択図】  図４
2008305859.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層のキャリアライフタイムを測定する方法であり、
その半導体層の表面に一対の電極を接触させる工程と、
その一対の電極間の抵抗値を繰返し測定し続ける抵抗値測定工程と、
その抵抗値測定工程の途中で、少なくとも前記一対の電極間の半導体層の表面に励起光の照射を開始して停止する励起光照射工程と、
励起光の照射開始前に測定された抵抗値をｒ１とし、励起光の照射開始後に抵抗値が低下して安定した期間に測定された抵抗値をｒ２としたときに、励起光照射停止タイミングから、測定された抵抗値がｒ１−（ｒ１−ｒ２）／ｅまで上昇するのに要する時間ｔを測定することによって半導体層のキャリアライフタイムを特定する工程と、
を備えているキャリアライフタイム測定方法。
【請求項２】
複数の半導体層が積層されている半導体基板のキャリアライフタイムを半導体層毎に測定する方法であり、
半導体基板を斜めに切り出し、各々の半導体層が斜めに露出している測定斜面を形成する工程と、
その測定斜面に露出している各々の半導体層の表面に一対の電極を接触させる工程と、
各々の半導体層に接触している一対の電極間の抵抗値を繰返し測定し続ける抵抗値測定工程と、
各々の半導体層の抵抗値測定工程の途中で、少なくとも前記一対の電極間の半導体層の表面に励起光の照射を開始して停止する励起光照射工程と、
各々の半導体層について、請求項１に記載の前記時間ｔを測定することによって各々の半導体層のキャリアライフタイムを特定する工程と、
を備えている特徴とするキャリアライフタイムの測定方法。
【請求項３】
前記抵抗値測定工程に先立って、
前記測定斜面に露出している隣接する半導体層の境界に沿って、半導体基板の深さ方向に向けて５μｍ以上伸びるトレンチを形成する工程を実施することを特徴とする請求項２のキャリアライフタイムの測定方法。
【請求項４】
前記トレンチを形成する工程を実施した後に、
前記トレンチ内に絶縁体を充填する工程を実施することを特徴とする請求項３のキャリアライフタイムの測定方法。
【請求項５】
前記トレンチを形成する工程を実施した後に、
前記トレンチの側壁をパッシベーションする工程を実施することを特徴とする請求項３又は４のキャリアライフタイムの測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体層のキャリアライフタイムを測定する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体層のキャリアライフタイムを測定する方法が知られている。特許文献１に、一般的な測定方法であるμＰＣＤ(microwave Photo Conductivity Decay)法が記載されている。μＰＣＤ法では、半導体層の表面にレーザ光を照射することによって半導体層にキャリアを誘起する状態と、レーザ光の照射を停止することによって誘起したキャリアが消失する状態を作り出してキャリアのライフタイムを測定する。キャリア量を測定するために、半導体層の表面にマイクロ波を照射してマイクロ波の反射率を測定する。
本明細書に添付した図７に、経過時間Ｔとマイクロ波の反射率Ｍの関係を示す。測定の開始時には、レーザ光を照射しないでマイクロ波の反射率Ｍを測定する。この時の反射率Ｍをｍ１とする。時刻ｓ１で、半導体層の表面にレーザ光を照射し始める。するとレーザ光に励起されて半導体層にキャリアが誘起される。キャリアの密度が高くなる程、マイクロ波の反射率Ｍは増加する。レーザ光を照射し続けていると、誘起されるキャリア量と、再結合等によって消失するキャリア量が平衡する状態が得られ、マイクロ波の反射率Ｍは一定値に安定する。この時のマイクロ波の反射率Ｍをｍ２とする。
レーザ光で誘起されるキャリア量と消失するキャリア量が平衡する状態が得られたら、レーザ光の照射を停止する。図７では、時刻ｓ２でレーザ光の照射を停止している。その後はキャリアが発生しなくなるので、キャリアは消失していき、それに伴ってマイクロ波の反射率Ｍも指数関数的に低下していく。マイクロ波の反射率Ｍの低下速度を測定すると、キャリアの消失速度が判明し、キャリアのライフタイムが判明する。実際の測定では、反射率Ｍがｍ１＋（ｍ２−ｍ１）／ｅにまで低下する時刻ｓ３を測定する。時刻ｓ２から時刻Ｓ３までの経過時間τが、半導体層のキャリアライフタイムを示す。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−４８９５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来は、半導体層のキャリア量を測定するために、半導体層の表面にマイクロ波を照射してマイクロ波の反射率Ｍを測定していた。測定によって得られるのは、半導体層の広い表面全体の平均的反射率であった。したがって、従来の測定方法は、半導体層の広い表面領域全体の平均的キャリアライフタイムを測定するものであり、ローカルなエリアに限定してキャリアライフタイムを測定することはできなかった。
本発明では、半導体層のローカルなエリアのキャリアライフタイムを測定することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の半導体層のキャリアライフタイムを測定する方法は、その半導体層の表面に一対の電極を接触させる工程と、その一対の電極間の抵抗値を繰返し測定し続ける抵抗値測定工程と、その抵抗値測定工程の途中で、少なくとも前記の一対の電極間の半導体層の表面に励起光の照射を開始して停止する励起光照射工程と、励起光の照射開始前に測定された抵抗値をｒ１とし、励起光の照射開始後に抵抗値が低下して安定した期間に測定された抵抗値をｒ２としたときに、励起光照射停止タイミングから、測定された抵抗値がｒ１−（ｒ１−ｒ２）／ｅまで上昇するのに要する時間ｔを測定することによって半導体層のキャリアライフタイムを特定する工程を備えている。
【０００６】
一対の電極間の半導体層の表面に励起光を照射すると、一対の電極間の表面領域内（以降、測定領域という）の半導体層にキャリアが誘起される。この結果、測定領域でのキャリア密度が増加し、測定領域での抵抗値が低下し、一対の電極間の抵抗値が低下する。励起光の照射を停止すると、測定領域に存在しているキャリアが再結合等によって消失する。この結果、測定領域でのキャリア密度が減少し、測定領域での抵抗値が上昇し、一対の電極間の抵抗値が増加する。本発明のキャリアライフタイムの測定方法では、一対の電極間の抵抗値の経時的変化からキャリアライフタイムを測定する。
【０００７】
上記した測定方法によると、一対の電極間の表面領域内というローカルなエリア（測定領域）での抵抗値の変化を測定することができる。これにより、測定領域のキャリアライフタイムを測定することができる。
【０００８】
上記した測定方法によると、複数の半導体層が積層されている半導体基板のキャリアライフタイムを半導体層毎に測定することができる。
このためには、半導体基板を斜めに切り出して各々の半導体層が斜めに露出している測定斜面を形成する工程と、その測定斜面に露出している各々の半導体層の表面に一対の電極を接触させる工程と、各々の半導体層に接触している一対の電極間の抵抗を繰返し測定し続ける抵抗値測定工程と、各々の半導体層の抵抗値測定工程の途中で、少なくとも前記の一対の電極間の半導体層の表面に励起光の照射を開始して停止する励起光照射工程と、各々の半導体層について、前述した時間ｔを測定することによって各々の半導体層のキャリアライフタイムを特定する工程を実施する。
【０００９】
この場合には、半導体層毎のキャリアライフタイムを特定することができる。
例えば、ＩＧＢＴの裏面には、ｐ型不純物の拡散領域であるコレクタ領域が形成されている。コレクタ領域の上には、ｎ＋型不純物の拡散領域であるフィールドストップ領域が形成されている。従来のキャリアライフタイムの測定方法では、コレクタ領域の表面（ＩＧＢＴの裏面）にレーザ光を照射することによってキャリアを誘起し、キャリア密度の変化をマイクロ波の反射率によって測定していた。したがって、フィールドストップ領域の個別のキャリアライフタイムを特定することができなかった。
本方法のキャリアライフタイムの測定方法によると、コレクタ領域のキャリアライフタイムとフィールドストップ領域のキャリアライフタイムを個別に特定することができる。各領域のキャリアライフタイムが適切であるか否かを評価することができる。
【００１０】
抵抗値測定工程に先立って、測定斜面に露出している隣接する半導体層の境界に沿って、半導体基板の深さ方向に向けて５μｍ以上伸びるトレンチを形成することが好ましい。
トレンチが半導体基板の深さ方向に向けて５μｍ以上伸びていると、励起光の照射によって一対の電極間の半導体層に発生したキャリアが、測定斜面に沿って別の半導体層に移動することを確実に防止することができる。したがって、積層されている半導体層毎のキャリアライフタイムの測定精度を確実に向上させることができる。
なお、トレンチが半導体基板の深さ方向に向けて伸びる寸法が５μｍ未満であっても、積層されている半導体層毎のキャリアライフタイムの測定精度を向上させることができることがある。
請求項３以外の本発明に係わるキャリアライフタイムの測定方法は、トレンチを形成しない場合、あるいは半導体基板の深さ方向に向けて伸びる寸法が５μｍ未満のトレンチを形成する場合を含む。
【００１１】
トレンチを形成する工程を実施した後に、トレンチ内に絶縁体を充填する工程を実施することが好ましい。
トレンチをエッチングする際に、トレンチ側壁に結晶欠陥が発生する。この結晶欠陥が再結合の中心となり、キャリアが再結合してしまい易い。これにより、キャリアライフタイムの測定値が、測定領域の本来のキャリアライフタイムよりも小さくなってしまうことがある。トレンチ内に絶縁体を充填すると、結晶欠陥をパッシベートすることができるので、結晶欠陥によるキャリアの再結合を防止することができる。キャリアライフタイムの測定精度を向上させることができる。
【００１２】
トレンチを形成する工程を実施した後に、トレンチの側壁にパッシベーションを行う工程を実施することが好ましい。
これにより、トレンチをエッチングする際に発生してトレンチ側壁に残留している結晶欠陥を削減することができる。キャリアライフタイムの測定精度を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、限定された表面領域内での半導体層のキャリアライフタイムを測定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に説明する実施例の主要な特徴を列記しておく。
（第１特徴）  励起光としてレーザ光４０を用いる。
（第２特徴）  トレンチ６０，７０の内面をよう素に浸すことにより、トレンチ６０，７０の側壁をパッシベーションする。
（第３特徴）  ＩＧＢＴの裏面のコレクタ領域３０のキャリアライフタイムと、フィールドストップ領域２０のキャリアライフタイムを個別に測定することができる。
【実施例】
【００１５】
（第１実施例）
本発明を具現化した半導体装置とその製造方法の第１実施例を、図１〜図４を参照して説明する。なお、本実施例は、本発明を、複数の半導体層が積層されている半導体基板のキャリアライフタイムを半導体層毎に測定する方法に適用したものである。
第１実施例のキャリアライフタイムの測定方法の特徴としては、図１に示すように、一対の電極間（電極パッド２２，２４間や電極パッド３２，３４間）といった限定された表面領域内（測定領域）のキャリアライフタイムを特定することである。また、ＩＧＢＴのコレクタ領域３０のキャリアライフタイムとフィールドストップ領域２０のキャリアライフタイムを個別に特定することである。
【００１６】
まず、半導体基板を数ｍｍ〜数ｃｍ単位に切り出した試料を準備する。
本実施例の半導体基板には、ＩＧＢＴが形成されている。したがって、図１の斜視図に示すように、試料１は、ｐ型不純物の拡散領域であるコレクタ領域３０と、ｎ型不純物の拡散領域であるフィールドストップ領域２０と、ｎー型のドリフト領域１０を備えている。
【００１７】
図２に示すように、試料１を、山型のマウント２に貼り付けて斜めに切り出し（あるいは、研磨し）、コレクタ領域３０とフィールドストップ領域２０とドリフト領域が斜めに露出している測定斜面１ｃを形成する。マウント２の斜面が水平方向と成す角度θは、以下のように決定する。すなわち、キャリアライフタイムを測定したい半導体層であるコレクタ領域３０が測定斜面１ｃ上に露出している面が、一対の電極パッド３２，３４（図１参照）を形成することができる面積となるとともに、フィールドストップ領域２０が測定斜面１ｃ上に露出している面が、一対の電極パッド２２，２４を形成することができる面積となる角度θに決定する。角度θが小さい方が、それぞれの半導体層が測定斜面１ｃ上に露出している面が広い。
【００１８】
次に、図３に示すように測定斜面１ｃにマスクＬを配置する。マスクＬは、電極パッド２２，２４，３２，３４を形成する領域に開孔を形成しておく。マスクＬの開孔に、スパッタリングや蒸着等により、電極パッド２２，２４，３２，３４を形成する（図１参照）。そして、マスクＬを除去する。これにより、図１に示すように、試料１の測定斜面１ｃのうち、コレクタ領域３０が斜めに露出している面に、一対の電極パッド３２，３４を形成する。また、測定斜面１ｃのうち、フィールドストップ領域２０が斜めに露出している面に、一対の電極パッド２２，２４を形成する。
【００１９】
上記したように、測定斜面１ｃと電極パッド２２，２４，３２，３４を形成した試料１を準備し、まず、コレクタ領域３０のキャリアライフタイムを特定する。
図１に示すように、電極パッド３２と電極パッド３４の間に、電源５０を用いて電圧を印加し、電極間の抵抗値の測定を開始する。なお、電源５０の一方の端子に接続されている電極（図示していない）が、電極パッド３２に接触している。また、電源５０の他方の端子に接続されている電極（図示していない）が、電極パッド３４に接触している。
この初期状態では、電極パッド３２と電極パッド３４の間のコレクタ領域３０の表面付近の測定領域のキャリアは、熱平衡状態にある。この状態の電極間の抵抗値をｒ１とする。
【００２０】
そして、電極パッド３２と電極パッド３４の間の測定領域にレーザ光４０を照射する。
これにより、測定領域のキャリアが励起されて、測定領域に過剰キャリアが発生する。測定領域の電気抵抗が低下する。したがって、電極間の電気抵抗が低下する。測定領域にレーザ光４０を照射し続けると、所定時間が経過した後に、発生するキャリアの量と再結合等によって消失するキャリアの量が等しくなり、電極間の電気抵抗が低下しなくなって一定値で安定する。
図４は、経過時間Ｔに対応する一対の電極間の抵抗値Ｒの変化を示すグラフである。
抵抗値Ｒは、時刻ｔ０の初期状態（熱平衡状態）では、ｒ１となっている。時刻ｔ０から測定領域にレーザ光４０の照射が開始され、抵抗値Ｒがｒ１から低下している。抵抗値Ｒは、時刻ｔ１でｒ２に至るまで低下し、その後は低下することなく安定している。
【００２１】
抵抗値Ｒがｒ２で安定している状態に至ったら、レーザ光４０の照射を停止する。
その後はキャリアが発生しなくなり、測定領域に発生していた過剰キャリアが、次々と再結合等によって消失していく。測定領域の電気抵抗が上昇していく。したがって、電極間の電気抵抗が上昇する。充分な時間が経過すると、過剰キャリアが全て消失し、元の熱平衡状態に戻る。電極間の電気抵抗が、上昇しなくなり、熱平衡状態のときの電気抵抗に戻る。
図４に示すように、時刻ｔ２で、抵抗値Ｒがｒ２となっている。時刻ｔ２から測定領域のレーザ光４０の照射が停止され、抵抗値Ｒがｒ２から指数関数的に上昇している。そして、充分な時間が経過した後には抵抗値Ｒが初期状態のｒ１に戻っている。
【００２２】
ここで、測定領域のキャリアライフタイムを測定するための計算式を考察する。
時刻ｔ２でレーザー光４０の照射を停止してからの抵抗値の増加幅が（ｒ１−ｒ２）である。抵抗値が、その増加幅の１／ｅに相当する分だけ熱平衡状態の抵抗値ｒ１よりも少ない抵抗値［ｒ１−（ｒ１−ｒ２）／ｅ］に戻った時刻ｔ３を測定する。時刻ｔ２から時刻ｔ３までの経過時間τにより、測定領域のキャリアライフタイムを算出することができる。このように算出したキャリアライフタイムを、コレクタ領域３０のキャリアライフタイムとすることができる。
【００２３】
同様にして、電極パッド２２と電極パッド２４の間に電圧を印加し、電極間の電気抵抗の測定をしながら、電極パッド３２と電極パッド３４の間にレーザ光４０の照射を開始して停止し、フィールドストップ領域２０のキャリアライフタイムを特定することができる。また、測定斜面１ｃのうちドリフト領域１０が露出している面にも電極パッドを形成することによってドリフト領域１０のキャリアライフタイムを特定することもできる。
【００２４】
本実施例のキャリアライフタイムの測定方法によると、一対の電極間の半導体層の表面領域内という限定された測定領域（ローカルなエリア）での電気抵抗の変化を測定することができる。これにより、測定領域のキャリアライフタイムを特定することができる。
【００２５】
また、本実施例のキャリアライフタイムの測定方法によると、複数の半導体層が積層されている半導体基板のキャリアライフタイムを、半導体層毎に測定することができる。コレクタ領域３０のキャリアライフタイムと、フィールドストップ領域２０のキャリアライフタイムを個別に測定することができる。各領域半導体層について、キャリアライフタイムが適切であるか否かを評価することができる。
【００２６】
（第２実施例）
本発明を具現化したキャリアライフタイムの測定方法の第２実施例を、図５を参照して説明する。なお、図１のキャリアライフタイムの測定方法で用いる構成と略同一の構成に関しては、同一の番号を付してその説明を省略する。
本実施例でキャリアライフタイムを測定するための試料３は、第１実施例で説明した試料１とほぼ同様の構成であるが、試料３には、トレンチ６０，７０が形成されている。
第２実施例の測定方法の特徴としては、試料３について、一対の電極間の抵抗値の測定を開始する前に、図５の要部斜視図に示すように、測定斜面１ｃに露出しているコレクタ領域３０とフィールドストップ領域２０の境界に沿って、半導体基板の深さ方向に向けて
５μｍ以上伸びるトレンチ６０を、エッチングによって形成する。また、測定斜面１ｃに露出しているフィールドストップ領域２０とドリフト領域１０の境界に沿って、半導体基板の深さ方向に向けて５μｍ以上伸びるトレンチ７０を、エッチングによって形成する。各トレンチ６０，７０に絶縁体を充填する。
そして、第１実施例と同様にしてコレクタ領域３０とフィールドストップ領域２０のキャリアライフタイムを測定する。
【００２７】
第２実施例の測定方法では、トレンチ６０，７０が形成されていることにより、レーザ光４０の照射によって一対の電極間の半導体層に発生したキャリアが、測定斜面１ｃに沿って別の半導体層に移動することを防止することができる。したがって、半導体層毎のキャリアライフタイムの測定精度を向上させることができる。
また、トレンチ６０，７０をエッチングにより形成するので、各トレンチ側壁にはエッチングに伴う結晶欠陥が発生してしまい易い。この結晶欠陥が再結合の中心となり、測定領域に発生したキャリアが再結合してしまい易い。すると、キャリアライフタイムの測定値が、コレクタ領域３０あるいはフィールドストップ領域２０の本来のキャリアライフタイムよりも小さくなってしまう。第２実施例の測定方法では、トレンチ６０，７０内に絶縁体を充填している。これにより、結晶欠陥をパッシベートして結晶欠陥によるキャリアの再結合を防止することができる。半導体層毎のキャリアライフタイムの測定精度を向上させることができる。
【００２８】
（第３実施例）
本発明を具現化したキャリアライフタイムの測定方法の第３実施例を、図６を参照して説明する。なお、図１や図５のキャリアライフタイムの測定方法で用いる構成と略同一の構成に関しては、同一の番号を付してその説明を省略する。
本実施例でキャリアライフタイムを測定するための試料５は、第２実施例で説明した試料３とほぼ同様の構成であるが、試料５では、トレンチ６０，７０内に絶縁体が充填されていない。トレンチ６０，７０の内面Ｙ１，Ｙ２がパッシベーションされている。
第３実施例の測定方法の特徴としては、試料５の電極間の抵抗値の測定を開始する前に、トレンチ６０とトレンチ７０を形成する。そしてトレンチ６０の内面Ｙ１とトレンチ７０の内面Ｙ２をよう素で浸し、パッシベーションを行なう。これにより、トレンチ６０，７０のエッチングによる結晶欠陥を減少させ、結晶欠陥でのキャリアの再結合を防止することができる。半導体層毎のキャリアライフタイムの測定精度を向上させることができる。
【００２９】
第１実施例〜第３実施例では、ＩＧＢＴが形成されている半導体基板の裏面を切り出して試料１とし、コレクタ領域３０のキャリアライフタイムと、フィールドストップ領域２０のキャリアライフタイムを測定する場合について説明した。すなわち、複数の半導体層が積層されている半導体基板のキャリアライフタイムを半導体層毎に測定す場合について説明したが、試料は試料１，３，５のように複数の半導体層が積層されているものではなくてもよい。試料が単層であっても、本発明のキャリアライフタイムの測定方法により、一対の電極間という限定された表面領域内の半導体層のキャリアライフタイムを測定することができる。
【００３０】
第１実施例〜第３実施例では、コレクタ領域３０のキャリアライフタイムを測定してから、次にフィールドストップ領域２０のキャリアライフタイムを測定する場合について説明したが、測定の順序は実施例に限定されるものではない。また、各半導体層に形成されている一対の電極パッドのそれぞれに、一対の電極を同時に接触させ、各半導体層のキャリアライフタイムを同時に測定してもよい。
【００３１】
第２実施例と第３実施例では、半導体層の深さ方向に５μｍ以上伸びるトレンチ６０，７０を形成する場合について説明した。トレンチ６０，７０が半導体層の深さ方向に向けて５μｍ以上伸びていると、一対の電極間の半導体層に励起光の照射によって発生したキャリアが、測定斜面１ｃに沿って別の半導体層に移動することを確実に防止することができる。したがって、積層されている半導体層毎のキャリアライフタイムの測定精度を確実に向上させることができる。
なお、トレンチ６０，７０が半導体層の深さ方向に向けて伸びる寸法が５μｍ未満であっても、積層されている半導体層毎のキャリアライフタイムの測定精度が向上することがある。トレンチ６０，７０が半導体層の深さ方向に向けて伸びる寸法は５μｍ未満であってもよく、上記実施例に限定されるものではない。
【００３２】
第２実施例では、トレンチ６０，７０内を絶縁体で充填する場合について説明した。また、第３実施例では、トレンチ６０，７０の壁面をよう素でパッシベーションする場合について説明した。しかしながら、トレンチ６０，７０内はエッチングしたままの空間であってもよい。また、トレンチ６０，７０の壁面をよう素でパッシベーションし、さらに、トレンチ６０，７０内を絶縁体で充填してもよい。また、トレンチ６０，７０の壁面に絶縁体の膜を形成するだけでもよい。
【００３３】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】キャリアライフタイムの測定方法の第１実施例を説明する図である。
【図２】第１実施例の測定方法のうち、測定斜面１ｃを形成する工程を説明する図である。
【図３】第１実施例の測定方法のうち、測定斜面１ｃに露出しているコレクタ領域３０の表面と、測定斜面１ｃに露出しているフィールドストップ領域２０の表面のそれぞれに、一対の電極パッドを形成する工程を説明する図である。
【図４】半導体層のキャリアライフタイムを測定する過程で、経過時間Ｔと一対の電極間の抵抗値Ｒとの関係を示すグラフである。
【図５】キャリアライフタイムの測定方法の第２実施例を説明する図である。
【図６】キャリアライフタイムの測定方法の第３実施例を説明する図である。
【図７】従来技術について、半導体層のキャリアライフタイムを測定する過程で、経過時間Ｔとマイクロ波の反射率Ｍとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３５】
１，３，５：試料
１ｂ：裏面
１ｃ：測定斜面
１０：ドリフト領域
２０：フィールドストップ領域
２２，２４：電極パッド
３０：コレクタ領域
３２，３４：電極パッド
４０：レーザ光
５０：電源
【図１】
2008305859.tif 000003
【図２】
2008305859.tif 000004
【図３】
2008305859.tif 000005
【図４】
2008305859.tif 000006
【図５】
2008305859.tif 000007
【図６】
2008305859.tif 000008
【図７】
2008305859.tif 000009