(57)【要約】      （修正有）【課題】要求される形状を備えつつ、小型化および薄型化を図ることが可能な半導体メモリカードを提供する。【解決手段】外部装置に接続してデータを入出力する半導体メモリカード１００は、該外部装置にデータを入出力するための入出力端子が上面の先端側に形成された略矩形の回路基板２と、この回路基板２の下面側に載置され、入出力端子と電気的に接続され、データを記憶する半導体メモリチップ３と、回路基板２の下面側に載置され、半導体メモリチップ３を制御するコントローラチップ４と、回路基板２の下面側の全面に渡って形成され、半導体メモリチップ３およびコントローラチップ４を封止する封止樹脂層５と、を備える。【選択図】図１Ｄ
2008112408.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置に接続してデータを入出力する半導体メモリカードであって、
前記外部装置にデータを入出力するための入出力端子が上面の先端側に形成された回路基板と、
前記回路基板の下面側に載置され、前記データを記憶する半導体メモリチップと、
前記回路基板の下面側に載置され、前記入出力端子と電気的に接続され、前記半導体メモリチップを制御するコントローラチップと、
前記回路基板の下面側の全面に渡って形成され、前記半導体メモリチップおよび前記コントローラチップを封止する封止樹脂層と、を備え、
前記封止樹脂層は、左側端部または右側端部の少なくとも何れか一方の膜厚が前記半導体メモリチップおよび前記コントローラチップが載置された部分における膜厚よりも薄くなっている
ことを特徴とする半導体メモリカード。
【請求項２】
前記封止樹脂層の下面の後端側に溝が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリカード。
【請求項３】
前記封止樹脂層の下面の後端側に突起部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリカード。
【請求項４】
前記封止樹脂層は、前記左側端部または前記右側端部の膜厚が後端側で厚くなっていることを特徴とする請求項１ないし３の何れかに記載の半導体メモリカード。
【請求項５】
前記回路基板は、先端側に向けて前記回路基板の上面から下面側に傾斜する傾斜部が形成されていることを特徴とする請求項１ないし４の何れかに記載の半導体メモリカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部機器と接続して使用する半導体メモリカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルビデオカメラ、携帯電話、携帯音楽プレーヤなどのデジタル機器用データ記憶媒体として、半導体メモリチップを内蔵した半導体メモリカードが広く使用されている。この半導体メモリカードは、外部装置であるデジタル機器のソケットに挿入し電気的に接続することによって、当該デジタル機器の内部回路とのアクセスが行われ、データの書き込みや読み出しが実行されるものである。
【０００３】
そして、携帯電話などの小型・軽量機器の多機能化が進むため、機器内部に必要な電子部品の数が増加しておりそれら電子部品の小型子化が要求されている。特に、多機能化により情報量が増え、情報を記憶するのに必須なメモリ部品への小型化要求は増すと考えられる。
【０００４】
ここで、従来の半導体メモリカードには、例えば、外部装置にデータを入出力するための入出力端子が上面の先端側に形成された略矩形の回路基板と、この回路基板の下面側に載置された半導体メモリチップと、該回路基板の下面側に載置されたコントローラチップと、回路基板表面上に渡って形成され、該半導体メモリチップおよび該コントローラチップを封止する封止樹脂層と、を備えるものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
しかし、上記従来技術では、封止樹脂層の膜厚が回路基板上に一様に形成されており、例えば、ソケットの案内溝に半導体メモリカードの端部を案内させて、該半導体メモリカードを挿入するように対応するものではなかった。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４／０２５９２９１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、要求される形状を備えつつ、小型化および薄型化を図ることが可能な半導体メモリカードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体メモリカードは、
外部装置に接続してデータを入出力する半導体メモリカードであって、
前記外部装置にデータを入出力するための入出力端子が上面の先端側に形成された回路基板と、
前記回路基板の下面側に載置され、前記データを記憶する半導体メモリチップと、
前記回路基板の下面側に載置され、前記入出力端子と電気的に接続され、前記半導体メモリチップを制御するコントローラチップと、
前記回路基板の下面側の全面に渡って形成され、前記半導体メモリチップおよび前記コントローラチップを封止する封止樹脂層と、を備え、
前記封止樹脂層は、左側端部または右側端部の少なくとも何れか一方の膜厚が前記半導体メモリチップおよび前記コントローラチップが載置された部分における膜厚よりも薄くなっていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様に係る半導体メモリカードによれば、要求される形状を備えつつ、小型化および薄型化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、各実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１Ａは、本発明の実施例１に係る半導体メモリカード１００の下面側を示す下面図である。また、図１Ｂは、図１Ａの半導体メモリカード１００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。また、図１Ｃは、図１Ａの半導体メモリカード１００の上面側を示す上面図である。また、図１Ｄは、図１Ａの半導体メモリカード１００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。
【００１１】
図１Ａないし図１Ｄに示すように、外部装置（図示せず）に接続してデータを入出力する半導体メモリカード１００は、該外部装置にデータを入出力するための入出力端子１が上面の先端側に形成された略矩形の回路基板２と、この回路基板２の下面側に載置され、入出力端子１と電気的に接続され、データを記憶する半導体メモリチップ３と、回路基板２の下面側に載置され、半導体メモリチップ３を制御するコントローラチップ４と、回路基板２の下面側の全面に渡って形成され、半導体メモリチップ３およびコントローラチップ４を封止する封止樹脂層５と、を備える。
【００１２】
回路基板２は、例えば、フレキシブル基板が用いられる。この回路基板２上には、入出力端子１と基板配線（図示せず）により電気的に接続されたボンディングパッド（図示せず）が形成されている。  
また、回路基板２は、先端側に向けて回路基板２の上面から下面側に傾斜する傾斜部２ｂが形成されている。
【００１３】
また、回路基板２の左側端部２ｃおよび右側端部２ｄには、例えば、半導体メモリカードの規格に適合させて形成された凹部２ａが形成されている。
【００１４】
半導体メモリチップ３は、回路基板２上に載置され、半導体メモリチップ３のパッド電極（図示せず）は、回路基板２上に形成された既述のボンディングパッドにボンディングワイヤ３ａを介して接続されている。
【００１５】
この半導体メモリチップ３は、例えば、所望のデータを格納するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、ＮＯＲ型フラッシュメモリ等の不揮発性メモリである。
【００１６】
コントローラチップ４は、ここでは、半導体メモリチップ３上に載置され、この半導体メモリチップ３と電気的に接続されている。このコントローラチップ４のパッド電極（図示せず）は、回路基板２上に形成された既述のボンディングパッドにボンディングワイヤ４ａを介して接続されている。
【００１７】
封止樹脂層５は、左側端部５ｅおよび右側端部５ｄの少なくとも何れか一方（本実施例では両方）の膜厚が半導体メモリチップ３およびコントローラチップ４が載置された部分５ｈにおける膜厚よりも薄くなるように、段差５ｇが形成されている。これにより、例えば、外部装置のソケットに案内溝が形成されている場合に、左側端部５ｅ、２ｄおよび右側端部５ｄ、２ｃを該案内溝に挿入しスライドさせることにより、半導体メモリカード１００を該ソケットの所定の位置に案内することができる。
【００１８】
なお、左側端部または右側端部の何れか一方の膜厚が、例えば、外部装置のソケットに適合させて、部分５ｈにおける膜厚よりも薄くなるように、段差５ｇが形成されてもよい。
【００１９】
また、封止樹脂層５の下面の後端側には、外部装置のソケットに挿入しまたは該ソケットから取り出す際に、ユーザの指等を係止するための溝５ｃが形成されている。
【００２０】
また、封止樹脂層５は、左側端部５ｅおよび右側端部５ｄの膜厚が後端側で厚くなった突起部５ｆが形成されている。これにより、例えば、外部装置のソケットに案内溝が形成されている場合に、左側端部５ｅおよび右側端部５ｄを該案内溝に挿入しスライドさせる際、半導体メモリカード１００を該ソケット内の所定の位置に係止することができる。
【００２１】
なお、左側端部５ｅまたは右側端部５ｄの何れか一方に突起部５ｆが形成されていてもよい。
【００２２】
また、封止樹脂層５の左側端部５ｅおよび右側端部５ｄには、例えば、半導体メモリカードの規格に適合させて形成された凹部５ａが形成されている。この凹部５ａの形状は、回路基板２の凹部２ａと同様である。
【００２３】
また、封止樹脂層５は、先端側に向けて封止樹脂層５の上面から下面側に傾斜し、傾斜部２ｂと連続する傾斜部５ｂが形成されている。これにより、例えば、外部装置のソケットに挿入される際に、傾斜部２ｂ、５ｂが該ソケットの案内部に接触しスライドすることにより、半導体メモリカード１００を該ソケットの所定の位置に案内することができる。
【００２４】
また、封止樹脂層５の周囲の面と回路基板２の周囲の面とは連続している。ここで、半導体メモリカード１００の製造方法は、回路基板２のベースとなる基板上面に半導体メモリチップ３、コントローラチップ４を載置し、ボンディングする。そして、該基板に封止樹脂を塗布して封止樹脂層５を形成した後、基板と封止樹脂層５とをダイシング等により所定の区画（回路基板２の形状）に切断する。このように、半導体メモリカード１００は、ダイシング等により容易に形成できるようになっている。
【００２５】
なお、封止樹脂層５の形状は、モールド時に、金型等により成形可能である。また、封止樹脂層５の溝５ｃは、エッチング等により成形可能である。
【００２６】
このように、半導体メモリカード１００は、プラスチック等の筐体を必要としない構造のため、半導体チップの容量を増加し、小型化および薄型化することができる。
【００２７】
以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、要求される形状を備えつつ、小型化および薄型化を図ることができる
【実施例２】
【００２８】
実施例１では、半導体メモリカードの封止樹脂層の下面の後端側に溝が形成されている構成について述べた。
【００２９】
本実施例では、半導体メモリカードの封止樹脂層の下面の後端側に突起部が形成されている構成について述べる。
【００３０】
図２Ａは、本発明の実施例２に係る半導体メモリカード２００の下面側を示す下面図である。また、図２Ｂは、図２Ａの半導体メモリカード２００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。また、図２Ｃは、図２Ａの半導体メモリカード２００の上面側を示す上面図である。また、図２Ｄは、図２Ａの半導体メモリカード２００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。
【００３１】
なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示している。
【００３２】
図２Ａないし図２Ｄに示すように、外部装置（図示せず）に接続してデータを入出力する半導体メモリカード２００は、該外部装置にデータを入出力するための入出力端子１が上面の先端側に形成された略矩形の回路基板２と、この回路基板２の下面側に載置され、入出力端子１と電気的に接続され、データを記憶する半導体メモリチップ３と、回路基板２の下面側に載置され、半導体メモリチップ３を制御するコントローラチップ４と、回路基板２の下面側の全面に渡って形成され、半導体メモリチップ３およびコントローラチップ４を封止する封止樹脂層５と、を備える。
【００３３】
また、封止樹脂層５の下面の後端側には、溝５ｃに代えて、外部装置のソケットに挿入しまたは該ソケットから取り出す際に、ユーザの指等を係止するための突起部６が形成されている。
【００３４】
また、実施例１と同様に、封止樹脂層５の周囲の面と回路基板２の周囲の面とは連続している。ここで、半導体メモリカード２００の製造方法は、実施例１と同様に、回路基板２のベースとなる基板上面に半導体メモリチップ３、コントローラチップ４を載置し、ボンディングする。そして、該基板に封止樹脂を塗布して封止樹脂層５を形成した後、基板と封止樹脂層５とをダイシング等により所定の区画（回路基板２の形状）に切断する。このように、半導体メモリカード２００は、実施例１と同様に、ダイシング等により容易に形成できるようになっている。
【００３５】
なお、封止樹脂層５の突起部６は、モールド時に、金型等により成形可能である。
【００３６】
このように、半導体メモリカード２００は、実施例１と同様、プラスチック等の筐体を必要としない構造のため、半導体チップの容量を増加し、小型化および薄型化することができる。
【００３７】
以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、実施例１と同様に、要求される形状を備えつつ、小型化および薄型化を図ることができる。
【実施例３】
【００３８】
実施例１では、半導体メモリカードの封止樹脂層が回路基板の下面側の全面に渡って形成された構成について述べた。
【００３９】
本実施例では、半導体メモリカードの封止樹脂層が回路基板の下面側の側端部上には形成されていない構成について述べる。
【００４０】
図３Ａは、本発明の実施例３に係る半導体メモリカード３００の下面側を示す下面図である。また、図３Ｂは、図３Ａの半導体メモリカード３００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。また、図３Ｃは、図３Ａの半導体メモリカード３００の上面側を示す上面図である。また、図３Ｄは、図３Ａの半導体メモリカード３００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。
【００４１】
なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示している。
【００４２】
図３Ａないし図３Ｄに示すように、外部装置（図示せず）に接続してデータを入出力する半導体メモリカード２００は、該外部装置にデータを入出力するための入出力端子１が上面の先端側に形成された略矩形の回路基板２と、この回路基板２の下面側に載置され、入出力端子１と電気的に接続され、データを記憶する半導体メモリチップ３と、回路基板２の下面側に載置され、半導体メモリチップ３を制御するコントローラチップ４と、回路基板２の下面側に形成され、半導体メモリチップ３およびコントローラチップ４を封止する封止樹脂層５と、を備える。
【００４３】
封止樹脂層５は、回路基板２の下面側の左側端部２ｃおよび右側端部２ｄ上には、後端部側の突起部５ｆのみが形成されている。これにより、例えば、外部装置のソケットに案内溝が形成されている場合に、左側端部２ｄおよび右側端部２ｃを該案内溝に挿入しスライドさせることにより、実施例１と同様に、半導体メモリカード２００を該ソケットの所定の位置に案内することができる
なお、封止樹脂層５の形状は、モールド時に、金型等により成形可能である。
【００４４】
このように、半導体メモリカード３００は、実施例１と同様、プラスチック等の筐体を必要としない構造のため、半導体チップの容量を増加し、小型化および薄型化することができる。
【００４５】
以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、要求される形状を備えつつ、小型化および薄型化を図ることができる。
【実施例４】
【００４６】
実施例１では、半導体メモリカードの先端側に向けて回路基板の上面から下面側に傾斜する傾斜部が１つ形成された構成について述べた。
【００４７】
本実施例では、半導体メモリカードの先端側に２つ傾斜部が形成された構成について述べる。
【００４８】
図４Ａは、本発明の実施例４に係る半導体メモリカード４００の下面側を示す下面図である。また、図４Ｂは、図４Ａの半導体メモリカード４００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。また、図４Ｃは、図４Ａの半導体メモリカード４００の上面側を示す上面図である。また、図４Ｄは、図４Ａの半導体メモリカード４００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。
【００４９】
なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示している。
【００５０】
図４Ａないし図４Ｄに示すように、外部装置（図示せず）に接続してデータを入出力する半導体メモリカード４００は、該外部装置にデータを入出力するための入出力端子１が上面の先端側に形成された略矩形の回路基板２と、この回路基板２の下面側に載置され、入出力端子１と電気的に接続され、データを記憶する半導体メモリチップ３と、回路基板２の下面側に載置され、半導体メモリチップ３を制御するコントローラチップ４と、回路基板２の下面側の全面に渡って形成され、半導体メモリチップ３およびコントローラチップ４を封止する封止樹脂層５と、を備える。
【００５１】
回路基板２は、先端側に向けて回路基板２の上面から下面側に傾斜する傾斜部２ｂが形成されている。
【００５２】
封止樹脂層５は、先端側に向けて封止樹脂層５の上面から下面側に傾斜し、傾斜部２ｂと連続する傾斜部５ｂが形成されている。
【００５３】
さらに、封止樹脂層５は、先端側に向けて封止樹脂層５の下面から上面側に傾斜する傾斜部５ｉが形成されている。
【００５４】
これにより、例えば、外部装置のソケットに挿入される際に、傾斜部２ｂ、５ｂおよび傾斜部５ｉが該ソケットの案内部に接触しスライドすることにより、実施例１と同様に、半導体メモリカード４００を該ソケットの所定の位置に案内することができる。
【００５５】
なお、封止樹脂層５の形状は、モールド時に、金型等により成形可能である。また、傾斜部２ｂ、５ｂおよび傾斜部５ｉは、エッチング等により形成することもできる。
【００５６】
このように、半導体メモリカード４００は、実施例１と同様、プラスチック等の筐体を必要としない構造のため、半導体チップの容量を増加し、小型化および薄型化することができる。
【００５７】
以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、要求される形状を備えつつ、小型化および薄型化を図ることができる。
【実施例５】
【００５８】
実施例１では、半導体メモリカードの封止樹脂層の周囲の面と回路基板の周囲の面とが連続している構成について述べた。
【００５９】
本実施例では、半導体メモリカードの封止樹脂層の側端部が回路基板の側端部を覆う構成について述べる。
【００６０】
図５Ａは、本発明の実施例５に係る半導体メモリカード５００の下面側を示す下面図である。また、図５Ｂは、図５Ａの半導体メモリカード５００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。また、図５Ｃは、図５Ａの半導体メモリカード５００の上面側を示す上面図である。また、図５Ｄは、図５Ａの半導体メモリカード５００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。
【００６１】
なお、図中、実施例１と同じ符号は、実施例１と同様の構成を示している。
【００６２】
図５Ａないし図５Ｄに示すように、外部装置（図示せず）に接続してデータを入出力する半導体メモリカード５００は、該外部装置にデータを入出力するための入出力端子１が上面の先端側に形成された略矩形の回路基板２と、この回路基板２の下面側に載置され、入出力端子１と電気的に接続され、データを記憶する半導体メモリチップ３と、回路基板２の下面側に載置され、半導体メモリチップ３を制御するコントローラチップ４と、回路基板２の下面側の全面に渡って形成され、半導体メモリチップ３およびコントローラチップ４を封止する封止樹脂層５と、を備える。
【００６３】
また、封止樹脂層５の右側端部５ｄは、回路基板２の右側端部２ｄの側面を覆うように形成されている。同様に、封止樹脂層５の左側端部５ｅは、回路基板２の左側端部２ｃの側面を覆うように形成されている。そして、封止樹脂層５の左側端部５ｅ、右側端部５ｄには凹部５ａが形成されているが、回路基板２に凹部は形成されていない。
【００６４】
これにより、例えば、外部装置のソケットに挿入される際に、傾斜部２ｂ、５ｂおよび傾斜部５ｉが該ソケットの案内部に接触しスライドすることにより、実施例１と同様に、半導体メモリカード５００を該ソケットの所定の位置に案内することができる。
【００６５】
なお、封止樹脂層５の形状は、モールド時に、金型等により成形可能である。
【００６６】
このように、半導体メモリカード５００は、実施例１と同様、プラスチック等の筐体を必要としない構造のため、半導体チップの容量を増加し、小型化および薄型化することができる。
【００６７】
以上のように、本実施例に係る半導体メモリカードによれば、要求される形状を備えつつ、小型化および薄型化を図ることができる。
【００６８】
なお、上記各実施例において、コントローラチップを不揮発性メモリチップ上に載置した場合について説明したが、ＩＣパッケージと同じように、コントローラチップを回路基板に直接搭載してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１Ａ】本発明の実施例１に係る半導体メモリカード１００の下面側を示す下面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの半導体メモリカード１００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。
【図１Ｃ】図１Ａの半導体メモリカード１００の上面側を示す上面図である。
【図１Ｄ】図１Ａの半導体メモリカード１００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。
【図２Ａ】本発明の実施例２に係る半導体メモリカード２００の下面側を示す下面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの半導体メモリカード２００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。
【図２Ｃ】図２Ａの半導体メモリカード２００の上面側を示す上面図である。
【図２Ｄ】図２Ａの半導体メモリカード２００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の実施例３に係る半導体メモリカード３００の下面側を示す下面図である。
【図３Ｂ】図３Ａの半導体メモリカード３００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。
【図３Ｃ】図３Ａの半導体メモリカード３００の上面側を示す上面図である。
【図３Ｄ】図３Ａの半導体メモリカード３００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。
【図４Ａ】本発明の実施例４に係る半導体メモリカード４００の下面側を示す下面図である。
【図４Ｂ】図４Ａの半導体メモリカード４００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。
【図４Ｃ】図４Ａの半導体メモリカード４００の上面側を示す上面図である。
【図４Ｄ】図４Ａの半導体メモリカード４００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。
【図５Ａ】本発明の実施例５に係る半導体メモリカード５００の下面側を示す下面図である。
【図５Ｂ】図５Ａの半導体メモリカード５００をＢ方向から見た側面を示す側面図である。
【図５Ｃ】図５Ａの半導体メモリカード５００の上面側を示す上面図である。
【図５Ｄ】図５Ａの半導体メモリカード５００のＡ−Ａ線に沿った断面を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１  入出力端子
２  半導体メモリカード
２ａ  凹部
２ｂ  傾斜部
２ｃ  左側端部
２ｄ  右側端部
３  コントローラチップ
３ａ  ボンディングワイヤ
４  半導体メモリチップ
４ａ  ボンディングワイヤ
５  封止樹脂層
５ａ  凹部
５ｂ、５ｉ  傾斜部
５ｃ  溝
５ｄ  右側端部
５ｅ  左側端部
５ｆ  突起部
５ｇ  段差
５ｈ  部分
６  突起部
１００、２００、３００、４００、５００  半導体メモリカード
【図１Ａ】
2008112408.tif 000003
【図１Ｂ】
2008112408.tif 000004
【図１Ｃ】
2008112408.tif 000005
【図１Ｄ】
2008112408.tif 000006
【図２Ａ】
2008112408.tif 000007
【図２Ｂ】
2008112408.tif 000008
【図２Ｃ】
2008112408.tif 000009
【図２Ｄ】
2008112408.tif 000010
【図３Ａ】
2008112408.tif 000011
【図３Ｂ】
2008112408.tif 000012
【図３Ｃ】
2008112408.tif 000013
【図３Ｄ】
2008112408.tif 000014
【図４Ａ】
2008112408.tif 000015
【図４Ｂ】
2008112408.tif 000016
【図４Ｃ】
2008112408.tif 000017
【図４Ｄ】
2008112408.tif 000018
【図５Ａ】
2008112408.tif 000019
【図５Ｂ】
2008112408.tif 000020
【図５Ｃ】
2008112408.tif 000021
【図５Ｄ】
2008112408.tif 000022