(57)【要約】【課題】スループットを向上させた研磨装置を提供する。【解決手段】本発明に係る研磨装置１は、研磨工具１０により複数の半導体ウェハＷを連続的に研磨する一連の研磨工程を開始する前のアジャスト工程において、研磨制御部６０により、ドレッサ３０のドレスポジション制御におけるゲイン値および研磨パッド１３のドレス時間をドレスレートに応じて設定するようになっている。【選択図】図１
2008264944.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨パッドが取り付けられた研磨工具と、研磨対象物を保持する研磨対象物保持手段とを備え、前記研磨対象物保持手段に保持された前記研磨対象物に前記研磨パッドを接触させた状態で前記研磨工具と前記研磨対象物保持手段とを相対移動させることにより前記研磨対象物の表面の研磨を行う研磨装置において、
前記研磨工具に取り付けられた状態の前記研磨パッドの表面に回転させたドレス面を接触させて前記研磨パッドのドレスを行うドレッサと、
前記研磨工具に取り付けられた状態の前記研磨パッドの形状計測を行うパッド形状計測手段と、
前記研磨工具により複数の前記研磨対象物を連続的に研磨する一連の研磨工程を開始する前の研磨パッド形状作成工程において、前記ドレッサによる前記研磨パッドのドレスと前記パッド形状計測手段による前記研磨パッドの形状計測とを交互に繰り返し行うことにより、前記研磨パッドの回転軸と前記ドレッサの回転軸との間の距離によって表されるドレスポジションと前記研磨パッドの形状変化との関係を示すデータを取得しながら、前記ドレスポジションを制御しつつ、前記研磨パッドを所定の目標形状に加工するパッド加工制御手段とを有し、
前記研磨パッド形状作成工程において、前記ドレスポジションの制御におけるゲイン値を前記パッド形状計測手段により前記形状計測が行われる際に算出されたドレスレートに応じて設定するゲイン設定手段と、
前記研磨パッド形状作成工程において、前記ドレッサによる前記研磨パッドのドレス時間を前記ドレスレートに応じて設定するドレス時間設定手段とが設けられることを特徴とする研磨装置。
【請求項２】
前記研磨パッド形状作成工程において、前記ドレスポジションと前記研磨パッドの形状変化との関係を示す前記データに基づいて、前記研磨パッドの凹凸変位の変化速度がほぼ零となる前記ドレスポジションである仮形状キープポジションを算出し、前記仮形状キープポジションを基準にして前記研磨パッドの形状変化を最小にするドレスポジションを設定するドレスポジション設定手段を有して構成されており、
前記仮形状キープポジションは、前記パッド形状計測手段により前記形状計測が行われる毎に算出された仮形状キープポジションの平均値であることを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
【請求項３】
前記研磨パッド形状作成工程において、前記パッド形状計測手段により前記形状計測された前記研磨パッドの形状が前記目標形状とほぼ同じになる条件を所定回数連続して満足し、かつ、前記パッド加工制御手段により取得された前記データのうち有効なデータの個数が所定個数以上となる条件を満足し、かつ、前記研磨パッドの削り量が所定量を超える条件を満足したとき、前記研磨パッド形状作成工程を終了させる研磨パッド形状作成工程終了手段を有して構成されることを特徴とする請求項１もしくは請求項２に記載の研磨装置。
【請求項４】
前記研磨対象物が半導体ウェハであり、
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の研磨装置を用いて前記半導体ウェハの表面を平坦化する工程を有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体デバイス製造方法により製造されたことを特徴とする半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨対象物の表面を研磨する研磨装置に関する。また本発明は、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造された半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
研磨対象物（例えば半導体ウェハ）の表面研磨を行う研磨装置は、研磨パッドが取り付けられた研磨工具と、研磨対象物を保持する回転台などの研磨対象物保持手段とを備えており、研磨対象物保持手段に保持された研磨対象物に研磨パッドを接触させた状態で研磨工具と研磨対象物保持手段とを相対移動させることにより研磨対象物の表面の研磨を行うように構成されている。このような研磨装置における研磨パッドの表面は、その表面研磨が進行するに連れて研磨により生じた研磨対象物の削りかすや研磨対象物の被研磨面に供給されるスラリーの残渣等によって目詰まりを起こすため、別途備えたドレッサによってドレスを行う必要がある。
【０００３】
研磨工具に備えられた研磨パッドは、その形状によって研磨対象物の研磨状態が変化する。換言すると、研磨パッドの形状を所定の形状に整えておくことにより、研磨対象物の研磨状態を調節することが可能である。従って、研磨パッドのドレスは単にパッド表面の目詰まりを解消するだけでなく、研磨パッドの形状が上記所定の形状となるように行う必要がある。研磨パッドに対するドレッサの相対位置を変えると研磨パッドの削れ方は変化するため、研磨パッドの表面形状の変化を計測しながら研磨パッドのドレスを行っていくことにより、研磨パッドの形状を徐々に所定の形状に近づけていくことができる。
【０００４】
従来、研磨パッドを所定の形状に仕上げる作業は、オペレータが試行錯誤をしながら、いわば手作業で行っていた。そのため、研磨工程（研磨工具により複数の研磨対象物を連続的に研磨する一連の工程のこと）の前段階である研磨パッド形状作成工程（以降、アジャスト工程と呼ぶ）において、研磨パッドの形状調整に時間がかかってしまい、研磨工程全体のスループットを低下させてしまう場合があった。そこで、研磨パッドを所定の形状に仕上げる作業を自動的に行う研磨装置が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【特許文献１】国際公開第０６／１０６７９０号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような従来の研磨装置においては、ドレッサによる研磨パッドの切削速度（ドレスレート）が高くなると、アジャスト工程における研磨パッドの削り量（ブレークイン量）が設定よりも大きくなる傾向があった。その結果、研磨工程において研磨パッドのドレスを行える回数が減少するため、１枚の研磨パッドで研磨可能な研磨対象物の量が減少し、研磨パッドの交換回数が増加することから、研磨工程全体のスループットを低下させてしまう場合があった。
【０００６】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、研磨工程全体のスループットを向上させることが可能な研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造された半導体デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的達成のため、本発明に係る研磨装置は、研磨パッドが取り付けられた研磨工具と、研磨対象物を保持する研磨対象物保持手段とを備え、前記研磨対象物保持手段に保持された前記研磨対象物に前記研磨パッドを接触させた状態で前記研磨工具と前記研磨対象物保持手段とを相対移動させることにより前記研磨対象物の表面の研磨を行う研磨装置において、前記研磨工具に取り付けられた状態の前記研磨パッドの表面に回転させたドレス面を接触させて前記研磨パッドのドレスを行うドレッサと、前記研磨工具に取り付けられた状態の前記研磨パッドの形状計測を行うパッド形状計測手段とを有している。
【０００８】
さらに、前記研磨工具により複数の前記研磨対象物を連続的に研磨する一連の研磨工程を開始する前のアジャスト工程において、前記ドレッサによる前記研磨パッドのドレスと前記パッド形状計測手段による前記研磨パッドの形状計測とを交互に繰り返し行うことにより、前記研磨パッドの回転軸と前記ドレッサの回転軸との間の距離によって表されるドレスポジションと前記研磨パッドの形状変化との関係を示すデータを取得しながら、前記ドレスポジションを制御しつつ、前記研磨パッドを所定の目標形状に加工するパッド加工制御手段を有し、前記アジャスト工程において、前記ドレスポジションの制御におけるゲイン値を前記パッド形状計測手段により前記形状計測が行われる際に算出されたドレスレートに応じて設定するゲイン設定手段と、前記アジャスト工程において、前記ドレッサによる前記研磨パッドのドレス時間を前記ドレスレートに応じて設定するドレス時間設定手段とが設けられている。
【０００９】
なお、上述の研磨装置において、前記アジャスト工程において、前記ドレスポジションと前記研磨パッドの形状変化との関係を示す前記データに基づいて、前記研磨パッドの凹凸変位の変化速度がほぼ零となる前記ドレスポジションである仮形状キープポジションを算出し、前記仮形状キープポジションを基準にして前記研磨パッドの形状変化を最小にするドレスポジションを設定するドレスポジション設定手段を有して構成されており、前記仮形状キープポジションは、前記パッド形状計測手段により前記形状計測が行われる毎に算出された仮形状キープポジションの平均値であることが好ましい。
【００１０】
また、上述の研磨装置において、前記アジャスト工程において、前記パッド形状計測手段により前記形状計測された前記研磨パッドの形状が前記目標形状とほぼ同じになる条件を所定回数連続して満足し、かつ、前記パッド加工制御手段により取得された前記データのうち有効なデータの個数が所定個数以上となる条件を満足し、かつ、前記研磨パッドの削り量が所定量を超える条件を満足したとき、前記アジャスト工程を終了させるアジャスト工程終了手段を有して構成されることが好ましい。
【００１１】
また、本発明に係る半導体デバイス製造方法は、前記研磨対象物が半導体ウェハであり、本発明に係る研磨装置を用いて前記半導体ウェハの表面を平坦化する工程を有することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る半導体デバイスは、本発明に係る半導体デバイス製造方法により製造されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、研磨工程全体のスループットを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。図１は本発明の一実施形態に係る研磨装置１を示している。この研磨装置１は研磨対象物を研磨する研磨工具１０、研磨工具１０に取り付けられた研磨パッド１３をドレスするドレッサ３０、研磨対象物を保持する回転台４０及び研磨パッド１３の形状計測を行うパッド形状計測器２０、研磨対象物や研磨パッド１３の搬送等のプロセス作業を行うプロセス作業部７０のほか、これらの動作制御を行う制御部（研磨制御部６０、計測制御部６１及び監視制御部６２）を備えて構成されている。
【００１５】
また、この研磨装置１にはパッド形状計測ステーションＳＴ１、ドレスステーションＳＴ２及び研磨ステーションＳＴ３からなる３つの作業ステーションが備えられており、研磨工具１０はこれら３つのステーションＳＴ１，ＳＴ２，ＳＴ３の間を移動することができるようになっている。以下の説明では研磨対象物は半導体ウェハであるとし、研磨装置１はこの半導体ウェハの表面に対して化学的機械的研磨を行うＣＭＰ装置であるとする。
【００１６】
研磨工具１０は上下方向に延びた回転軸１１と、この回転軸１１の下端部に取り付けられた工具本体１２とからなり、上記研磨パッド１３はプレート１４に両面テープ等で取り付けられており、プレート１４と研磨パッド１３は一体で運用される。プレート１４は工具本体１２に真空吸着されて、研磨パッド１３はプレート１４とともに交換可能に取り付けられている。研磨パッド１３は発泡性のポリウレタン等からなっており、その形状は単純な円盤状のほか、中央に穴の開いた薄厚のドーナツ型等に形成されている。本実施形態では研磨パッド１３は薄厚のドーナツ型であるとする（図２参照）。研磨工具１０の回転軸１１の回転制御は図示しないモータによってなされ、そのモータの駆動制御は研磨制御部６０によってなされる。
【００１７】
パッド形状計測ステーションＳＴ１は研磨パッド１３の形状計測を行う作業ステーションであり、パッド形状計測器２０は、このパッド形状計測ステーションＳＴ１に移動した研磨工具１０の下方に位置し得るようになっている。パッド形状計測器２０はセンサ保持部２１とこのセンサ保持部２１に保持されたセンサ２２とからなり、センサ２２はセンサ保持部２１に対して水平面内で移動自在になっている。センサ２２は発光素子と受光素子からなる光学式の（すなわち非接触型の）変位センサからなり、発光した光のスポットが研磨パッド１３上の計測位置において反射し、その光の反射スポットの位置ずれから、パッド形状計測器２０と研磨パッド１３上の計測位置との間の距離を計測し得るようになっている。従ってこのパッド形状計測器２０によれば、研磨パッド１３上の相異なる計測位置間の相対高さを算出することが可能である。
【００１８】
なお、この実施形態では、センサ２２は光学式の変位センサとしているが、これは一例に過ぎず、非接触型であれば超音波式の変位センサ等であってもよいし、接触型であればプローブを用いたもの等であっても構わない。センサ２２のセンサ保持部２１に対する相対移動制御は図示しないモータによってなされ、そのモータの駆動制御は研磨制御部６０と繋がる計測制御部６１によってなされる。また、センサ２２により得られた研磨パッド１３の形状計測データは計測制御部６１から研磨制御部６０に送信される。
【００１９】
ドレスステーションＳＴ２は研磨パッド１３のドレスを行う作業ステーションであり、ドレッサ３０は、このドレスステーションＳＴ２に移動した研磨工具１０の下方に位置し得るようになっている。ドレッサ３０は上下方向に（すなわち研磨工具１０の回転軸１１と平行に）延びた回転軸３１と、この回転軸３１の上部にジンバル機構３２を介して取り付けられた円盤状のドレスプレート３３とからなり、ドレスプレート３３の上面がドレス面となっている。ドレッサ３０の回転軸３１の回転制御は図示しないモータによってなされ、このモータの駆動制御は研磨制御部６０によりなされる。このドレッサ３０は研磨工具１０に取り付けられた状態の研磨パッド１３の表面を研磨することにより研磨パッド１３の表面のドレスを行うものであり、下記の研磨ステーションＳＴ３において複数枚の半導体ウェハＷの研磨を行うごとに研磨工具１０をこのドレスステーションＳＴ２に移動させたうえで、回転させた研磨工具１０の研磨パッド１３に、回転させたドレスプレート３３の上面（ドレス面）を接触させて（押し当てて）研磨パッド１３のドレスを行う。
【００２０】
また、このような研磨パッド１３のドレスは、上記のような研磨パッド１３の目立てをする目的のほか、研磨パッド１３の形状を所定の形状に加工することも目的としており、従って複数の半導体ウェハＷを連続的に研磨する一連の研磨工程を開始する前段階のほか、この研磨工程の中間過程においても複数回行われる。ここで、研磨工具１０の回転軸１１とドレッサ３０の回転軸３１との間の距離は研磨制御部６０により正確に制御することが可能になっており、後述するように、その距離に応じて研磨パッド１３を所望の形状に仕上げることができる。以下、この研磨工具１０の回転軸１１とドレッサ３０の回転軸３１との間の距離をドレスポジションＰと称することにする（図２参照）。
【００２１】
研磨ステーションＳＴ３は研磨工具１０を用いて半導体ウェハＷの表面研磨を行う作業ステーションであり、回転台４０はこの研磨ステーションＳＴ３に移動した研磨工具１０の下方に位置し得るようになっている。回転台４０は上下方向に（すなわち研磨工具１０の回転軸１１と平行に）延びた回転軸４１と、この回転軸４１の上部に固定された回転プレート４２とからなり、回転軸４１を回転させることにより回転プレート４２を水平面内で回転させることができる。回転プレート４２の上面には図示しない真空吸着チャック機構が設けられており、この真空チャック機構により半導体ウェハＷを回転プレート４２上に吸着保持させることができる。回転軸４１の回転制御及び回転軸の水平方向揺動制御はともに図示しないモータによってなされ、これらモータの駆動制御は研磨制御部６０によりなされる。そして、半導体ウェハＷの表面に研磨パッド１３を上方から接触させた状態で回転台４０と研磨工具１０との双方を回転させ、かつ研磨工具１０を回転台４０に対して水平方向に揺動移動させることにより半導体ウェハＷの表面全体について研磨を行う。
【００２２】
プロセス作業部７０は、研磨対象物である半導体ウェハＷや研磨パッド１３の搬送を行うロボットアームや、半導体ウェハＷの被研磨面へのスラリーの供給を行うスラリー供給装置（図示せず）等から構成される。また、監視制御部６２は、例えば研磨制御部６０によって行われる半導体ウェハＷの研磨工程（後述）の進捗状況を監視し、その研磨工程の進捗状況に応じてプロセス作業部７０の作動制御を行う。
【００２３】
本研磨装置１における半導体ウェハＷの研磨工程は、（１）プロセス作業部７０による研磨パッド１３の研磨工具１０への取り付け→（２）ドレッサ３０による研磨パッド１３の加工（ドレス）→（３）プロセス作業部７０による半導体ウェハＷの搬入及び回転台４０への取り付け→（４）ドレッサ３０による研磨パッド１３のドレス→（５）研磨パッド１３による半導体ウェハＷの研磨→（６）プロセス作業部７０による半導体ウェハＷの回転台４０からの取り外し及び搬出→（３）→（４）→（５）→（６）→（３）→・・・という手順で行われる。この研磨装置１では前述のように、研磨工具１０により複数の半導体ウェハＷを連続的に研磨する一連の研磨工程を開始する前に、研磨工具１０に備えられた研磨パッド１３の加工を行うアジャスト工程（上記（２）に相当する工程）を有するが、本研磨装置１では、この研磨パッド１３の加工工程が自動で行われるようになっており、以下、アジャスト工程の詳細について説明する。
【００２４】
先ず、研磨パッド１３のとり得る形状について説明する。研磨パッド１３の形状は研磨対象物である半導体ウェハＷの研磨状態に大きな影響を及ぼすものであるが、その具体的形状は、中央部が周辺部よりも下方に突出した凸円錐形状（図２（Ａ）参照）、表面全体がフラットな（平坦な）平坦形状（図２（Ｂ）参照）、中央部が周辺部よりも上方に窪んだ凹円錐形状（図２（Ｃ）参照）の３種類となる。
【００２５】
研磨パッド１３の形状は、研磨工具１０の回転軸１１とドレッサ３０の回転軸３１との間の距離、すなわちドレスポジションＰによって一意に定まらない。唯一、ドレスポジションＰが図２（Ｂ）に示すように或る所定値Ｐｖとなっている状態で研磨パッド１３をドレス（研磨）した場合、その研磨パッド１３の形状が変わらないという特性がある。ここで、研磨パッド１３の形状変化が最小となるドレスポジションＰを「形状キープポジションＰｖ」と称することにすると、ドレスポジションＰが形状キープポジションＰｖよりも大きい状態（Ｐ＞Ｐｖ）では、図２（Ａ）のように凸形状が増大し、ドレスポジションＰが形状キープポジションＰｖよりも小さい状態（Ｐ＜Ｐｖ）では、図２（Ｃ）のように凹形状が増大する。つまり、研磨パッド１３の凹凸形状の変化速度が形状キープポジションＰｖでは０であり、Ｐ＞Ｐｖでは凸形状（＋）を進行させ、Ｐ＜Ｐｖでは凹形状（−）を進行させる。なお、形状キープポジションＰｖは、研磨パッド１３の硬度、形状、およびドレッサ３０（ドレスプレート３３）の形状、目の粗さ（番手）などの特性によって異なる値をとり得る。
【００２６】
また、ドレスポジションＰは形状キープポジションＰｖからのずれ量εを用いて、次の（Ａ１）式で表すことができる。そのため、研磨パッド１３の形状は、ε＝０のときにはそのままの形状を維持、ε＞０のときには凸状に円錐形状が進行、ε＜０のときには凹状に円錐形状が進行すると表現することもできる（図２を参照）。
【００２７】
Ｐ＝Ｐｖ＋ε  …（Ａ１）
【００２８】
ここで、オペレータが所望している研磨パッド１３の形状を「目標形状」と称する。目標形状は、所定の表面の凹凸状態、或いは所定のブレークイン量、或いは所定範囲の溝深さを指す。そして、この目標形状を実現する場合には、形状の凹凸を数値で定義する図２で示すような凹凸変位δの値と、パッド厚さｔｈ、溝深さｄｅを規定する必要がある。凹凸変位δは研磨パッド１３の表面を円錐状に近似して得られた円錐頂角の補角θに対し研磨パッド１３の外半径と内半径の差分長Ｌを乗じた値である。補角θは微少量であるので先の計算は三角関数を用いることなく、乗じるだけで成り立つ。従って目標形状は凹凸変位δの目標値を定めることと同じになり、目標形状に対応して定められる凹凸変位δの値を以後、本文中では「目標凹凸変位δＴ」と称することにする。
【００２９】
なお、目標形状の凹凸の違いは目標凹凸変位δＴの極性によって判別することができるので、所望の目標形状は符号を含んだ目標凹凸変位δＴのみによって規定することが可能である。具体的には、δＴ＞０のときは凸円錐形状が目標形状、δＴ＝０のときは平坦形状が目標形状、δＴ＜０のときは凹円錐形状が目標形状と規定される。パッド厚さｔｈは研磨パッド１３の平均的な表面位置からプレート１４の研磨パッド１３の貼り付け面までの距離である。溝深さｄｅは各溝の平均的な深さである。
【００３０】
ある目標凹凸変位δＴを得るためには、現在の凹凸変位δから、その差分の凹凸量を決める必要がある。先の形状キープポジションＰｖに対し、ずれ量εと凹凸変位δの単位時間当たりの変化量との関係にはほぼ直線的な関係があるので、ずれ量εとドレスする時間の積が加工する凹凸量に相当する。このずれ量εとドレス時間とをうまく制御することで、研磨パッド１３を目標形状にすることができる。しかしながら、ずれ量εを決定するには形状キープポジションＰｖが既知である必要がある。
【００３１】
その実現手段として、ドレスの形状キープポジションＰｖはドレッサ３０による研磨パッド１３のドレスとパッド形状計測器２０による研磨パッド１３の形状計測とを交互に繰り返し行い、ドレスポジションＰと研磨パッド１３の形状変化（凹凸変位変化量）との関係を示すデータを採取しながら、ドレスの形状キープポジションＰｖを推定制御しつつ、目標凹凸変位δＴに加工することが可能となる。同時に次の半導体ウェハＷの研磨の際のドレスポジションを先の形状キープポジションＰｖに設定し、目標凹凸変位δＴを常に維持することが可能となる。
【００３２】
形状キープポジションＰｖを推定する方法は種々考えられるが、本実施形態では、現在のパッド形状計測器２０による研磨パッド１３の形状計測値と、前回の形状計測値の差分から形状キープポジションＰｖを類推する方法を用いた。詳細を以降に示す。
【００３３】
研磨パッド１３の目標形状は前述のように、図２（Ａ）に示す凸円錐形状、図２（Ｂ）に示す平坦形状、図２（Ｃ）に示す凹円錐形状のいずれかであるが、ドレッサ３０のドレスポジションＰを形状キープポジションＰｖに或るずらし量εcを加えた位置（Ｐｖ＋εc）に設定して研磨パッド１３のドレスを行えば、ドレス後の研磨パッド１３の形状は、εc＝０のときには加工前形状と同一、εc＞０のときには加工前形状よりも凸円錐形状、εc＜０のときには加工前形状よりも凹円錐形状となる。
【００３４】
上記のことより、ドレッサ３０の形状キープポジションＰｖが明らかであれば、その形状キープポジションＰｖを基準にドレッサ３０をずらし量εcだけ移動させて、所定のドレス時間のドレスを行うことで、凹凸形状の変化量を規定することができるが、実際には形状キープポジションＰｖの値は不明であるため、初めに形状キープポジションＰｖのおおよその位置を知る必要がある。これには先ず、形状キープポジションＰｖと推定されるドレスポジションＰ（実際にはＰ＝Ｐｖ＋ε）にドレッサ３０をセットしたうえで所定のドレス時間Ｔｄだけドレスを行い、そのドレスによる研磨パッド１３の凹凸変位δの変化速度ｄδ／ｄｔ（＝Ｖδとする）を次の（Ａ２）式により算出する。
【００３５】
Ｖδ＝ｄδ／ｄｔ＝Ｅδ／Ｔｄ  …（Ａ２）
【００３６】
但し、Ｅδはドレス前後の凹凸変位の差である。ここで、ドレッサ３０による研磨パッド１３のドレス、及びこのドレスの前後における研磨パッド１３の凹凸変位δの計測は、研磨制御部６０及び計測制御部６１が研磨工具１０の移動及び回転制御、ドレッサ３０の回転制御、パッド形状計測器２０の作動制御などを行うことによって自動的になされる。
【００３７】
ここで、（Ａ２）式によって算出された凹凸変位δの変化速度Ｖδは、形状キープポジションＰｖからのずれ量εと比例関係にあることが知られており、従って、その比例定数を１／Ｋｖとすれば、ＶδはＫｖおよびεを用いて、次の（Ａ２）式のように表すことができる。
【００３８】
Ｖδ＝（１／Ｋｖ）×ε  …（Ａ３）
【００３９】
ここで、係数Ｋｖは経験的に設定（仮定）される値であり、また研磨パッド１３の凹凸変位の変化速度Ｖδは研磨パッド１３の形状計測に基づいて求められる（実測される）値であって既知であるので、これら両値と（Ａ３）式を変形した次の（Ａ３）′式とによって、形状キープポジションＰｖからのずれ量εの値を算出することができる。
【００４０】
ε＝Ｋｖ×Ｖδ  …（Ａ３）′
【００４１】
このように、（Ａ３）′式からずれ量εを算出することができるので、前述の（Ａ１）式を変形した次の（Ａ１）′式から形状キープポジションＰｖを求めることができる。
Ｐｖ＝Ｐ−Ｋｖ×Ｖδ  …（Ａ１）′
【００４２】
ここで、係数Ｋｖは速度ゲインと称されるものであり、設定した（仮定した）速度ゲインＫｖがばらつきのない（換言すると正確な）値であれば、上式（Ａ１）′より求められた形状キープポジションＰｖは正確なものとなるが、実際には速度ゲインＫｖは一般にばらつきをもっていることから、ここで求められる形状キープポジションＰｖは必ずしも正確なものではない。したがって、ここで計算により求められた形状キープポジションＰｖはあくまで仮のものであるとして、以下「仮形状キープポジションＰｆ」と称することにする。なお、本実施形態においては、速度ゲインＫｖをドレスレートに応じて設定するようになっている。
【００４３】
上記のようにして仮形状キープポジションＰｆを求めたら、ドレス時間Ｔｄによるドレスによって目標凹凸変位δＴが得られるようにするためのずらし量εc（前述）を研磨パッド１３の形状計測に基づいて求め、前述の式（Ａ１）においてＰ＝Ｐｃ、Ｐｖ＝Ｐｆ、ε＝εcとおいて得られる（Ａ４）式によって、形状制御のためのドレスポジションＰｃ（以下、「制御ドレスポジション」と称する）を算出する。
【００４４】
Ｐｃ＝Ｐｆ＋εc  …（Ａ４）
【００４５】
ここで、仮形状キープポジションＰｆにずらし量εcを加えた制御ドレスポジションＰｃ（＝Ｐｆ＋εc）において、ドレス時間Ｔｄだけドレスすることによって研磨パッド１３の凹凸変位δを目標凹凸変位δＴにすることができるものとすると、そのドレスによる凹凸変位δの変化速度Ｖδは、（δＴ−δ）／Ｔｄとなることから、前述の（Ａ３）′式から次の（Ａ５）式を得ることができる。
【００４６】
εc＝Ｋｖ×｛（δＴ−δ）／Ｔｄ｝…（Ａ５）
【００４７】
ここで、Ｋｖ／Ｔｄ＝Ｋｐとすると、前述の（Ａ４）式および（Ａ５）式から、次の（Ａ６）式を得ることができる。
【００４８】
Ｐｃ＝Ｐｆ−Ｋｐ×（δ−δＴ）  …（Ａ６）
【００４９】
なお、係数Ｋｐは位置ゲインと称されるものであり、制御ドレスポジションＰｃは、パッド形状計測器２０により計測される凹凸変位δに応じたフィードバック制御により制御されることになる。なお、本実施形態においては、速度ゲインＫｖと同様に、位置ゲインＫｐをドレスレートに応じて設定するようになっている。
【００５０】
次に、図３に示すフローチャートを用いてアジャスト工程の詳細を説明する。ここでは、研磨パッド１３の回転軸１１とドレッサ３０の回転軸３１との間の距離、すなわちドレスポジションＰをＰ(n-1)で表し、そのときのドレス時間をｔ(n-1)で表す。なお、Ｐ(n-1)およびｔ(n-1)の添え字nは、後述の第１処理（研磨パッド１３の形状計測）で得られたデータの数を意味する。
【００５１】
アジャスト工程は、先ず、ステップＳ１において、初期ドレスポジションＰ(0)および初期ドレス時間ｔ(0)を設定する。このとき、上述のデータ数をｎ＝０に設定するとともに、形状計測した凹凸変位δが目標凹凸変位δＴとほぼ同じになる良プロファイル数ｇをｇ＝０に設定する。なお、初期ドレスポジションＰ(0)は、経験的に得られる平均的な形状キープポジション、或いは既に求めて記憶されていた形状キープポジションとする。また、初期ドレス時間ｔ(0)は、例えば経験的に得られたドレス時間が用いられる。
【００５２】
次に、ステップＳ２おいて、研磨制御部６０により、研磨パッド１３のドレスおよび形状計測が行われる第１処理を行う。この第１処理では、図４に示すように、まず、ステップＳ２１において、ステップＳ１もしくはステップＳ６で設定したドレスポジションＰ(n-1)およびドレス時間ｔ(n-1)の入力を行う。
【００５３】
次に、ステップＳ２２において、ドレスポジションＰ(n-1)が研磨工具１０の可動範囲内であるか否かを判定する。判定がＹｅｓである場合、ステップＳ２３に進み、研磨工具１０をドレスステーションＳＴ２に移動させて、ステップＳ２１で入力したドレスポジションＰ(n-1)およびドレス時間ｔ(n-1)による研磨パッド１３のドレスを行う。一方、判定がＮｏである場合、位置エラーであるとしてアジャスト工程を終了する。
【００５４】
ステップＳ２３が終了すると、ステップＳ２４に進み、研磨パッド１３のドレスが正常に終了したか否かを判定する。判定がＹｅｓである場合、研磨工具１０をパッド形状計測ステーションＳＴ１に移動させて、パッド形状計測器２０により研磨パッド１３の凹凸変位δ、厚さｔｈ、および溝深さｄｅを計測する（ステップＳ２５）。なお、計測終了後、研磨パッド１３の下面に水を掛ける水掛処理が行われる。一方、判定がＮｏである場合、ドレスの失敗であるとしてアジャスト工程を終了する。
【００５５】
ここで、図２に示すように凹凸変位δは、研磨パッド１３の表面を円錐状に近似して得られた円錐頂角の補角θに対し研磨パッド１３の外半径と内半径の差分長Ｌを乗じた値である。また、図２に示すように、パッド厚さｔｈは、研磨パッド１３の平均的な表面位置から研磨工具１０の研磨パッド１３の貼り付け面までの距離である。また、研磨パッド１３の溝深さｄｅは、ここでは、研磨パッド１３の各溝の深さｄ（図２参照）の全ての平均値と定義する。なお、データ数がｎのときにドレス終了後に計測された研磨パッド１３の凹凸変位をδ(n-1)とし、研磨パッド１３の厚さをｔｈ(n-1)とし、研磨パッド１３の溝深さをｄｅ(n-1)とする。
【００５６】
ステップＳ２５が終了すると、ステップＳ２６に進み、ステップＳ２５の計測において有効な計測数が閾値以上であるか否かを判定する。判定がＹｅｓである場合、ステップＳ２７に進み、判定がＮｏである場合、計測の失敗であるとしてアジャスト工程を終了する。
【００５７】
ステップＳ２７では、ステップＳ２５で計測した研磨パッド１３の溝深さｄｅに異常がないか否かを判定する。溝深さｄｅに異常がなく判定がＹｅｓである場合、ステップＳ２８に進み、ステップＳ２５で計測した凹凸変位δ(n-1)のプロファイル、研磨パッド１３の厚さｔｈ(n-1)、および、そのときのドレス時間ｔ(n-1)を、図示しないデータテーブルに記録する。一方、溝深さｄｅに異常があり判定がＮｏである場合、溝エラーであるとしてアジャスト工程を終了する。
【００５８】
ステップＳ２８が終了すると、ステップＳ２９に進んで、ステップＳ２５で計測した研磨パッド１３の凹凸変位δ(n-1)、厚さｔｈ(n-1)、および溝深さｄｅ(n-1)を出力し、ステップＳ３へと進む。
【００５９】
このように第１処理が終了すると、次のステップＳ３において、研磨パッド１３の削り量が所定削り量ＢＡより大きいか否かを判定する。ここで、研磨パッド１３の削り量とは、研磨パッド１３のブレークイン量を表す。すなわち、データ数がｎのときの削り量Ｂ(n-1)は、データ数がｎのときの研磨パッド１３の厚さｔｈ(n-1)と１回目計測時の研磨パッド１３の厚さｔｈ(0)との差をとって、次の（１）式で表される。
【００６０】
Ｂ(n-1)＝ｔｈ(n-1)−ｔｈ(0)  …（１）
【００６１】
ところで、判定がＹｅｓである場合、ステップＳ４へ進み、研磨制御部６０により、速度ゲインおよび位置ゲインの算出が行われる第２処理を行う。一方、判定がＮｏである場合、ステップＳ４を飛ばしてステップＳ５へ進む。ステップＳ４の第２処理では、図５に示すように、まず、ステップＳ４１において、各ステップで得られた研磨パッド１３の厚さｔｈ(n-1)およびドレス時間ｔ(n-1)の入力を行う。
【００６２】
次に、ステップＳ４２において、ステップＳ４１で入力した研磨パッド１３の厚さｔｈ(n-1)およびドレス時間ｔ(n-1)に基づいて、研磨パッド１３の切削速度であるドレスレートを算出する。ドレスレートは、研磨パッド１３の厚さｔｈの変化速度であり、積算ドレス時間をΣｔ(n-1)とすると、データ数がｎのときのドレスレートＲｄ(n-1)は、データ数がｎのときの研磨パッド１３の厚さｔｈ(n-1)と１回目計測時の研磨パッド１３の厚さｔｈ(0)との差から、次の（２）式で表される。
【００６３】
Ｒｄ(n-1)＝｛ｔｈ(n-1)−ｔｈ(0)｝／Σｔ(n-1)  …（２）
【００６４】
次に、ステップＳ４３において、所定の最小ドレスレートをＲｍｉｎとし、所定の最大ドレスレートをＲｍａｘとしたとき、ステップＳ４２で算出したドレスレートＲｄ(n-1)が次の（３）式で表される条件を満足するか否かを判定する。
【００６５】
Ｒｍｉｎ≦Ｒｄ(n-1)≦Ｒｍａｘ  …（３）
【００６６】
判定がＹｅｓである場合、ステップＳ４４へ進み、ステップＳ４２で算出したドレスレートＲｄ(n-1)に応じて速度ゲインおよび位置ゲインを算出する。一方、判定がＮｏである場合、ドレスレートエラーであるとして、アジャスト工程を終了する。なお、速度ゲインＫｖおよび位置ゲインＫｐは、所定の係数をＫＡとすると、例えば、次の（４）式で表される。
【００６７】
Ｋｖ＝Ｋｐ＝ＫＡ×Ｒｄ(n-1)  …（４）
【００６８】
ステップＳ４４が終了すると、ステップＳ４５に進んで、ステップＳ４４で算出した速度ゲインＫｖ、位置ゲインＫｐ、およびそのときのドレスレートＲｄ(n-1)を出力し、ステップＳ５へと進む。
【００６９】
このように第２処理が終了すると、次のステップＳ５において、ｎ≧２であるか否かを判定する。判定がＹｅｓである場合、ステップＳ６へ進み、研磨制御部６０により、次回のドレスポジションおよびドレス時間の算出が行われる第３処理を行う。一方、判定がＮｏである場合、ステップＳ６を飛ばしてステップＳ７へ進む。ステップＳ６の第３処理では、図６に示すように、まず、ステップＳ６１において、各ステップで設定した凹凸変位δ(n-1)のプロファイル、速度ゲインＫｖ、位置ゲインＫｐ、ドレスレートＲｄ(n-1)、並びに、そのときのドレスポジションＰ(n-1)およびドレス時間ｔ(n-1)の入力を行う。
【００７０】
次に、ステップＳ６２において、ステップＳ６１で入力した凹凸変位δ(n-1)のプロファイルおよびドレス時間ｔ(n-1)に基づいて、単位時間あたりの凹凸変位δ(n-1)の変化量Δ（すなわち、前述した凹凸変位δの変化速度Ｖδ）を算出し、さらに、算出したΔより仮形状キープポジションＰｆを算出する。単位時間あたりの凹凸変位δ(n-1)の変化量Δは、ｎ回目計測時の凹凸変位δ(n-1)と１回前の凹凸変位δ(n-2)との差分から求まり、次の（５）式で表される。また、仮形状キープポジションＰｆは、Ｐ＝Ｐ(n-1)とし、Ｖδ＝Δとして、前述の（Ａ１）′式より次の（６）式で表される。
【００７１】
Δ＝｛δ(n-1)−δ(n-2)｝／ｔ(n-1)  …（５）
Ｐｆ＝Ｐ(n-1)−Ｋｖ×Δ  …（６）
【００７２】
次に、ステップＳ６３において、今回までにステップＳ６２で算出した仮形状キープポジションＰｆの平均化処理を行う。
【００７３】
次に、ステップＳ６４において、所定の最小ドレスポジションをＰｍｉｎとし、所定の最大ドレスポジションをＰｍａｘとしたとき、ステップＳ６３で平均化した仮形状キープポジションＰｆが次の（７）式で表される条件を満足するか否かを判定する。
【００７４】
Ｐｍｉｎ≦Ｐｆ≦Ｐｍａｘ  …（７）
【００７５】
判定がＹｅｓである場合、ステップＳ６５へ進み、ステップＳ６３で平均化した仮形状キープポジションＰｆに基づいて、次回ドレスポジションを算出する。一方、判定がＮｏである場合、位置エラーであるとして、アジャスト工程を終了する。なお、次回ドレスポジションｎＰは、Ｐｃ＝ｎＰとし、δ＝δ(n-1)として、前述の（Ａ６）式より次の（８）式で表される。
【００７６】
ｎＰ＝Ｐｆ−Ｋｐ×｛δ(n-1)−δＴ｝  …（８）
【００７７】
ステップＳ６５が終了すると、ステップＳ６６に進み、ステップＳ６１で入力したドレスレートＲｄ(n-1)に応じて、次回ドレス時間を算出する。この次回ドレス時間ｎｔは、所定の係数をＫＢとすると、例えば、次の（９）式で表される。
【００７８】
ｎｔ＝ＫＢ／Ｒｄ(n-1)  …（９）
【００７９】
ステップＳ６６が終了すると、ステップＳ６７に進んで、ステップＳ６５およびステップＳ６６で算出した次回ドレスポジションｎＰおよび次回ドレス時間ｎｔを、次回のドレスに用いるドレスポジションＰ(n-1)およびドレス時間ｔ(n-1)として出力し、ステップＳ７へと進む。
【００８０】
このように第３処理が終了すると、次のステップＳ７において、第１処理（研磨パッド１３の形状計測）で得られたデータ数をｎ＝ｎ＋１とし、ステップＳ８へ進む。
【００８１】
次に、ステップＳ８において、先の第１処理（ステップＳ２）で形状計測した凹凸変位δ(n-1)が目標凹凸変位δＴとほぼ同じ（所定公差内）であるか否かを判定する。判定がＹｅｓである場合、ステップＳ９へ進んで、良プロファイル数をｇ＝ｇ＋１とし、ステップＳ１０に進む。一方、判定がＮｏである場合、ステップＳ１３に進む。
【００８２】
ステップＳ１０では、良プロファイル数ｇが所定のプロファイル数Ｇ以上であるか否かを判定する。判定がＹｅｓである場合、ステップＳ１１へ進み、判定がＮｏである場合、ステップＳ１３に進む。
【００８３】
ステップＳ１１では、研磨パッド１３の削り量が所定の目標削り量ＢＴより大きいか否かを判定する。なお、研磨パッド１３の削り量が目標削り量ＢＴより大きいか否かを判定するのは、研磨パッド１３による研磨の際、研磨パッド１３と半導体ウェハＷとのなじみを得るために、ある程度研磨パッド１３の表層を削り取らなければならないためである。そして、判定がＹｅｓである場合、ステップＳ１２へ進んでアジャスト工程の結果を表示し、正常終了としてアジャスト工程を終了する。一方、判定がＮｏである場合、ステップＳ１３に進む。
【００８４】
ステップＳ１３では、データ数ｎが所定の限界データ数Ｎ以上であるか否かを判定する。判定がＮｏである場合、ステップＳ２へ戻ってステップＳ２からの処理を再び行い、判定がＹｅｓである場合、エラーがあるとしてアジャスト工程を終了する。
【００８５】
これによりアジャスト工程は終了するが、本実施形態の研磨装置１では、上記アジャスト工程の終了形態、すなわち正常終了したか、あるいはエラー終了をしたか等の情報を監視制御部６２に送るようにしている。そして監視制御部６２は、ドレス条件の設定シーケンスが正常終了した旨の情報を受けたときにはプロセス作業部７０の稼動を通常通りとし、エラー終了をした旨の情報を受けたときには、プロセス作業部７０にそのエラー内容に合わせた適切な処置が行われるようにする。例えば、アジャスト工程がエラー終了をした旨の情報を受けたときには、研磨パッド１３の加工工程、ひいては半導体ウェハＷの研磨工程が滞ってしまうことから、プロセス作業部７０に指示を出して、研磨装置１に新たな半導体ウェハＷの投入等をさせないようにする必要がある。
【００８６】
研磨装置１が前述した工程を経ることで、研磨パッド１３は目標凹凸変位δＴに加工され、なおかつ目標凹凸変位δＴを維持することが可能となる。これにより、半導体ウェハＷの研磨工程の準備が終了する。
【００８７】
研磨工程の準備が終了したら、プロセス作業部７０を動作させて半導体ウェハＷを研磨装置１の研磨ステーションＳＴ３に投入させ、これを回転プレート４２の上面に保持させる。そして、研磨工具１０を研磨ステーションＳＴ３に移動させて半導体ウェハＷの上方に位置させたら研磨工具１０と回転台４０の双方を回転させる。研磨工具１０と回転台４０の双方が回転を始めたら研磨工具１０を降下させ、研磨パッド１３を半導体ウェハＷに接触させる。これにより半導体ウェハＷと研磨パッド１３との間には相対移動が生じ、半導体ウェハＷの表面は研磨される。なおこの際、研磨工具１０を水平面内で揺動移動させて、半導体ウェハＷの表面全体が均一に研磨されるようにする。また、この半導体ウェハＷの研磨中には、図示しないスラリー供給装置（前述のようにプロセス作業部７０の一部）によって、半導体ウェハＷと研磨パッド１３との接触面にスラリーを供給し、研磨効率の向上を図るとともに削りかすの除去を行う。
【００８８】
なお、研磨制御部６０は、１枚の半導体ウェハＷの研磨が終了したことを検知したら、プロセス作業部７０に指示を出して、研磨終了後の半導体ウェハＷの研磨装置１外への搬出と、新たに研磨対象となる半導体ウェハＷの研磨装置１への搬出とを行わせる。そして、上記のような半導体ウェハＷの研磨を繰り返す。なお、研磨対象となる半導体ウェハＷが新たに搬入されたときには、その半導体ウェハＷの研磨を開始する前に、研磨パッド１３のドレス（目立て）を行うようにする。
【００８９】
このように、本実施形態の研磨装置１は、研磨工具１０により複数の研磨対象物（半導体ウェハＷ）を連続的に研磨する一連の研磨工程を開始する前のアジャスト工程において、ドレスポジションＰ(n-1)の制御におけるゲイン値（速度ゲインＫｖおよび位置ゲインＫｐ）をドレスレートＲｄ(n-1)に応じて設定する手段（研磨制御部６０）と、ドレス時間ｔ(n-1)をドレスレートＲｄ(n-1)に応じて設定する手段（研磨制御部６０）とが設けられている。
【００９０】
このような構成によれば、ゲイン値がドレスレートに応じて設定されるため、ドレスレートが高くなっても、研磨パッド１３の削り量（ブレークイン量）が設定よりも大きくなるのを回避することが可能になる。その結果、１枚の研磨パッド１３で研磨可能な研磨対象物の量が減少することなく、研磨パッド１３の交換回数の増加を抑えられることから、研磨工程全体のスループットを向上させることができる。
【００９１】
また、従来においては、ドレスレートが高くなると、ドレスが過剰になってアジャスト工程に要する時間が長くなる場合があり、その結果、研磨工程全体のスループットを低下させてしまうおそれがあった。これに対し、本実施形態によれば、ドレス時間がドレスレートに応じて設定されるため、ドレスレートが高くなっても、アジャスト工程に要する時間が長くなることを回避することが可能になり、研磨工程全体のスループットを向上させることができる。
【００９２】
ここで、研磨パッド１３の削り量（ブレークイン量）とドレスレートとの関係を図７に示す。図７に示すように、本実施形態においては、従来の研磨装置と比較して、ドレスレートが高くなっても、削り量（ブレークイン量）が安定していることがわかる。また、アジャスト工程に要する時間（アジャスト時間）とドレスレートとの関係を図８に示す。図８に示すように、本実施形態においては、従来の研磨装置と比較して、ドレスレートが高くなっても、アジャスト工程に要する時間（アジャスト時間）が安定していることがわかる。
【００９３】
なお、本実施形態の研磨装置１では、ドレスポジションＰ(n-1)の設定に用いる仮形状キープポジションＰｆとして、研磨パッド１３の形状計測が行われる毎に算出された仮形状キープポジションの平均値を用いている。このようにすれば、仮形状キープポジションＰｆをより正確に算出することができるため、ドレスポジションの制御をより適切に行うことが可能になることから、研磨工程全体のスループットをより向上させることができる。
【００９４】
また、本実施形態の研磨装置１では、図３および図４のフローチャートからわかるように、研磨パッド１３の形状（凹凸変位δ）が目標形状（目標凹凸変位δＴ）とほぼ同じになる条件を所定回数連続して満足し（ステップＳ８〜Ｓ１０）、かつ、パッド形状計測器２０により取得された計測データのうち有効なデータの個数が所定個数（閾値）以上となる条件を満足し（ステップＳ２６）、かつ、研磨パッド１３の削り量が所定量（目標削り量ＢＴ）を超える条件を満足した（ステップＳ２６）とき、アジャスト工程を正常終了させるようになっている。このように、研磨パッド１３の凹凸変位および削り量（ブレークイン量）を用いて終了判定を行うことで、最低限の条件で終了判定を行うことが可能になり、研磨工程全体のスループットをより向上させることができる。
【００９５】
次に、本発明に係る半導体デバイス製造方法の実施形態について説明する。図９は半導体デバイスの製造プロセスを示すフローチャートである。半導体製造プロセスをスタートすると、まずステップＳ２００で次に挙げるステップＳ２０１〜Ｓ２０４の中から適切な処理工程を選択し、いずれかのステップに進む。ここで、ステップＳ２０１はウェハの表面を酸化させる酸化工程である。ステップＳ２０２はＣＶＤ等によりウェハ表面に絶縁膜や誘電体膜を形成するＣＶＤ工程である。ステップＳ２０３はウェハに電極を蒸着等により形成する電極形成工程である。ステップＳ２０４はウェハにイオンを打ち込むイオン打ち込み工程である。
【００９６】
ＣＶＤ工程(Ｓ２０２)若しくは電極形成工程(Ｓ２０３)の後で、ステップＳ２０５に進む。ステップＳ２０５はＣＭＰ工程である。ＣＭＰ工程では本発明による研磨装置１により、層間絶縁膜の平坦化や半導体デバイス表面の金属膜の研磨、誘電体膜の研磨等によるダマシン（damascene）の形成等が行われる。
【００９７】
ＣＭＰ工程(Ｓ２０５)若しくは酸化工程(Ｓ２０１)の後でステップＳ２０６に進む。ステップＳ２０６はフォトソリグラフィ工程である。この工程ではウェハへのレジストの塗布、露光装置を用いた露光によるウェハへの回路パターンの焼き付け、露光したウェハの現像が行われる。更に、次のステップＳ２０７は現像したレジスト像以外の部分をエッチングにより削り、その後レジスト剥離が行われ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くエッチング工程である。
【００９８】
次に、ステップＳ２０８で必要な全工程が完了したかを判断し、完了していなければステップＳ２００に戻り、先のステップを繰り返してウェハ上に回路パターンが形成される。ステップＳ２０８で全工程が完了したと判断されればエンドとなる。
【００９９】
本発明に係る半導体デバイス製造方法では、半導体ウェハＷの研磨工程（ＣＭＰ工程）において本発明に係る研磨装置１を用いているため、半導体ウェハＷの研磨工程のスループットが向上し、従来の半導体デバイス製造方法に比べて低コストで半導体デバイスを製造することができる。なお、上記半導体デバイス製造プロセス以外のＣＭＰ工程に本発明に係る研磨装置１を用いるようにしてもよい。また、本発明に係る半導体デバイスは、本発明に係る半導体デバイス製造方法により製造されているので、低コストの半導体デバイスとなる。
【０１００】
これまで本発明の好ましい実施形態について説明してきたが、本発明の範囲は上述の実施形態において示したものに限定されない。例えば、上述の実施形態に係る研磨装置１は、回転台４０の上面側に取り付けられた研磨対象物の表面を、回転台４０の上方に位置してその下面に研磨パッド１３を備えた研磨工具１０によって研磨する構成であったが、スピンドルの下端に取り付けられた研磨対象物の表面を、その下方に位置する回転テーブルの上面側に取り付けられた研磨パッドにより研磨する構成であってもよい。また、本発明に係る研磨装置１により研磨される対象、すなわち研磨対象物は半導体ウェハに限られず、液晶基板等の他の物であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】研磨装置の構成を示す模式的ブロック図である。
【図２】ドレスポジションと研磨パッドの形状との関係を示す図であり、（Ａ）はドレスポジションが形状キープポジションよりも大きい場合、（Ｂ）はドレスポジションが形状キープポジションに等しい場合、（Ｃ）はドレスポジションが形状キープポジションよりも小さい場合を示している。
【図３】研磨装置におけるアジャスト工程を示すフローチャートである。
【図４】アジャスト工程における第１処理を示すフローチャートである。
【図５】アジャスト工程における第２処理を示すフローチャートである。
【図６】アジャスト工程における第３処理を示すフローチャートである。
【図７】ブレークイン量とドレスレートとの関係を示すグラフである。
【図８】アジャスト時間とドレスレートとの関係を示すグラフである。
【図９】半導体デバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１０２】
１  研磨装置
１０  研磨工具                        １３  研磨パッド
２０  パッド形状計測器（パッド形状計測手段）
３０  ドレッサ                        ４０  回転台（研磨対象物保持手段）
６０  研磨制御部（パッド加工制御手段、ゲイン設定手段、ドレス時間設定手段、
ドレスポジション設定手段、アジャスト工程終了手段）
Ｗ  半導体ウェハ（研磨対象物）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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