(57)【要約】      （修正有）【課題】駆動効率の低下、映像輝度の低下、誤動作の発生を防止するプラズマディスプレイ装置を提供する。【解決手段】映像を表示するプラズマディスプレイパネル１００と、プラズマディスプレイパネル１００の前面に配置されるフィルタ１１０とを含み、プラズマディスプレイパネル１００は互いに並んで第１電極と第２電極が形成される前面基板と、第１電極及び第２電極と交差する第３電極が形成される背面基板と、前面基板と背面基板の間で放電セルを区切る隔壁と、を含み、放電セル内には放電ガスが満たされて、放電ガスにはキセノン（Ｘｅ）が放電ガス全体の１０％以上含まれ、背面基板には排気ユニット（Ｕｎｉｔ）が形成されておらず、フィルタ１１０は近赤外線を吸収／反射する近赤外線遮蔽層を含む。【選択図】図１
2008047508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像を表示するプラズマディスプレイパネルと、
前記プラズマディスプレイパネルの前面に配置されるフィルタと、
を含み、
前記プラズマディスプレイパネルは、
互いに並んで第１電極と第２電極が形成される前面基板と、
前記第１電極及び前記第２電極と交差する第３電極が形成される背面基板と、
前記前面基板と前記背面基板の間で放電セルを区切る隔壁と、
を含み、
前記放電セル内に満たされる放電ガスにはキセノン（Ｘｅ）が放電ガス全体の１０％以上含まれており、
前記背面基板には排気ユニット（Ｕｎｉｔ）が形成されておらず、
前記フィルタは近赤外線（Ｎｅａｒ Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｒａｙ）を吸収または反射する近赤外線遮蔽層を含む、プラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記前面基板と前記背面基板の間には前記前面基板と前記背面基板を合着するシール材層（Ｓｅａｌ Ｌａｙｅｒ）が形成されており、
前記シ-ル材層は光硬化性材質を含む、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記放電セル内に満たされる放電ガスにはキセノン（Ｘｅ）が放電ガス全体の１３％以上３０％以下含まれる、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記排気ユニットは排気ホール（Ｈｏｌｅ）、排気チップ（Ｔｉｐ）、排気管の内の少なくとも一つである、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記近赤外線遮蔽層は屈折率が互いに異なる複数の層（Ｌａｙｅｒ）が積層された構造を有する、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記フィルタは、
ベース部と、
前記ベースに形成されて、前記ベース部の色より暗い色を有するパターン部と、
を含む、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記パターン部の進行方向と前記ベース部の長辺は所定の角度を成しており、
前記パターン部の進行方向と前記ベース部の長辺の成す角度は０．５度以上９度以下である、請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記パターン部の屈折率は前記ベース部の屈折率より小さい、請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記パターン部の屈折率は前記ベース部の屈折率の０．８倍以上０．９９９倍以下である、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記ベース部の高さは前記パターン部の高さの１．０１倍以上２．２５倍以下である、請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
隣接する二つの前記パターン部の最短間隔は前記パターン部の底面の幅の１．１倍以上５倍以下である、請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
隣接する二つの前記パターン部の最上部間の間隔は隣接する二つの前記パターン部の最短間隔の１．１倍以上３．２５倍以下である、請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記パターン部の高さは隣接する二つの前記パターン部の最短間隔の０．８９倍以上４．２５倍以下である、請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的にプラズマディスプレイ装置はプラズマ放電を利用して映像を表示するプラズマディスプレイパネルとプラズマディスプレイパネルの前面に配置されるフィルタを含む。
【０００３】
ここでプラズマディスプレイパネルには隔壁に区画された放電セル（Ｃｅｌｌ）内に蛍光体層が形成されて、同時に複数の電極（Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）が形成される。
【０００４】
このような電極を通じて、放電セルに駆動信号が供給される。
【０００５】
このとき、放電セル内では供給される駆動信号によって放電が発生する。ここで、放電セル内で駆動信号によって放電される時、放電セル内に充填されている放電ガスが真空紫外線（Ｖａｃｕμｍ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｒａｙｓ）を発生して、このような真空紫外線が放電セル内に形成された蛍光体を発光させて可視光を発生させる。このような可視光によってプラズマディスプレイパネルの画面上に映像が表示される。
【０００６】
従来技術には、パネル内部の放電ガスの分布にばらつきが生じ、不純ガスが残存するために、駆動効率を低下させたり、パネル内部に満たされる放電ガスにおけるキセノン（Ｘｅ）の含量が低いために、具現される映像の輝度が低下したりするという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、排気ユニットの形成を省略することで、パネル内部の放電ガスの分布を均一にして駆動効率の低下を防止するプラズマディスプレイ装置を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、放電ガスにおけるキセノンの含量を１０％以上にして、具現される映像の輝度の低下を防止するプラズマディスプレイ装置を提供することにある。
【０００９】
また、本発明のさらに他の目的は、パネルの前面に近赤外線遮蔽層を含むフィルタを配置して誤動作を防止するプラズマディスプレイ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によるプラズマディスプレイ装置は、映像を表示するプラズマディスプレイパネルと、当該プラズマディスプレイパネルの前面に配置されるフィルタと、を含み、当該プラズマディスプレイパネルは、互いに並んで第１電極と第２電極が形成される前面基板と、当該第１電極及び第２電極と交差する第３電極が形成される背面基板と、当該前面基板と背面基板の間で放電セルを区切る隔壁と、を含み、当該放電セル内に満たされる放電ガスにはキセノン（Ｘｅ）が放電ガス全体の１０％以上含まれており、背面基板には排気ユニット（Ｕｎｉｔ）が形成されておらず、当該フィルタは近赤外線（Ｎｅａｒ Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｒａｙ）を吸収または反射する近赤外線遮蔽層を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、駆動効率を向上させたり、具現される映像の輝度を増加させたり、誤動作を防止したりする効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下では本発明による具体的な実施形態を添付の図面を参照して説明する。
【００１３】
図１は本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置の構成の一例を説明するための図である。
【００１４】
図１を注意深く参照すると、本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、映像を具現するプラズマディスプレイパネル１００と、このようなプラズマディスプレイパネル１００の前面に配置されるフィルタ（Ｆｉｌｔｅｒ）１１０と、を含む。
【００１５】
ここで、フィルタ１１０は、プラズマディスプレイパネル１００の駆動時に発生する近赤外線（Ｎｅａｒ Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｒａｙ：ＮＩＲ）を吸収または反射して遮断する近赤外線遮蔽層を含む。このように、フィルタ１１０が近赤外線遮蔽層を含む理由については以後でさらに詳しく説明する。
【００１６】
プラズマディスプレイパネル１００はプラズマ放電を利用して映像を表示する。このようなプラズマディスプレイパネル１００について、添付の図２Ａ〜図２Ｄを注意深く参照すると、次の通りである。
【００１７】
図２Ａ〜図２Ｄは、本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルの構造の一例を説明するための図面である。
【００１８】
先ず、図２Ａを注意深く参照すると、本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルは、電極（Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）、例えば互いに並んで第１電極（２０２、Ｙ）と第２電極（２０３、Ｚ）とが形成される前面基板２０１を含む前面パネル２００と、第１電極（２０２、Ｙ）及び第２電極（２０３、 Ｚ）と交差する電極、例えば第３電極（２１３、 Ｘ）が形成される背面基板２１１を含む背面パネル２１０を合着して構成することができる。
【００１９】
ここで、背面基板２１１は排気ユニット（Ｕｎｉｔ）が省略して形成される。または、背面基板２１１及び前面基板２０１のそれぞれは排気ユニットが省略して形成されてもよい。ここで、排気ユニットは、排気ホール（Ｈｏｌｅ）、排気チップ（Ｔｉｐ）または排気管の内の少なくとも一つ以上で形成してもよい。これについては、図３以後でさらに詳しく説明する。
【００２０】
ここで、前面基板２０１上に形成される電極、例えば第１電極（２０２、Ｙ）と第２電極（２０３、Ｚ）は、放電空間、すなわち放電セル(Cell)で放電を発生させると同時に、放電セルの放電を維持することができる。
【００２１】
このような第１電極（２０２、Ｙ）と第２電極（２０３、Ｚ）が形成された前面基板２０１の上部には、第１電極（２０２、Ｙ）と第２電極（２０３、Ｚ）を覆うように誘電体層、例えば上部誘電体層２０４を形成することができる。
【００２２】
このような上部誘電体層２０４は、第１電極（２０２、Ｙ）と第２電極（２０３、Ｚ）の放電電流を制限して、第１電極（２０２、Ｙ）と第２電極（２０３、Ｚ）の間を絶縁することができる。
【００２３】
このような上部誘電体層２０４上面には、放電条件を容易にするための保護層２０５が形成される。このような保護層２０５は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などの材料を上部誘電体層２０４上部に蒸着する方法などを通じて形成することができる。
【００２４】
一方、背面基板２１１上には、電極、例えば第３電極（２１３、Ｘ）が形成される。このような第３電極（２１３、Ｘ）が形成された背面基板２１１の上部には、第３電極（２１３、Ｘ）を覆うように誘電体層、例えば下部誘電体層２１５を形成することができる。
【００２５】
このような下部誘電体層２１５は、第３電極（２１３、Ｘ）を絶縁することができる。
【００２６】
このような下部誘電体層２１５の上部には、放電空間すなわち、放電セルを区切るためのストライプタイプ（Ｓｔｒｉｐｅ Ｔｙｐｅ）、ウェルタイプ（Ｗｅｌｌ Ｔｙｐｅ）、デルタタイプ（Ｄｅｌｔａ Ｔｙｐｅ）または蜂の巣タイプなどの隔壁２１２を形成することができる。これによって、前面基板２０１と背面基板２１１の間に赤色（Ｒｅｄ：Ｒ）、緑色（Ｇｒｅｅｎ：Ｇ）、青色（Ｂｌｕｅ：Ｂ）などの放電セルを形成することができる。
【００２７】
また、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）放電セル以外に白色（Ｗｈｉｔｅ：Ｗ）または黄色（Ｙｅｌｌｏｗ：Ｙ）放電セルをさらに形成することも可能である。
【００２８】
一方、本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含むことができるプラズマディスプレイパネルにおける赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）放電セルのピッチ（Ｐｉｔｃｈ）は、実質的に同じでようにしてもよいが、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ） 放電セルでの色温度を合わせるために、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）放電セルのピッチを異なるようにしてもよい。
【００２９】
このような場合、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）放電セルのピッチをそれぞれ異なるようにすることもできるが、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）放電セルの内の一つ以上の放電セルのピッチを他の放電セルのピッチと異なるようにすることもできる。例えば、図２Ｂのように、赤色（Ｒ）放電セルのピッチ（ａ）が一番小さく、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ） 放電セルのピッチ（ｂ、ｃ）を赤色（Ｒ）放電セルのピッチ（ａ）より大きくすることもできる。
【００３０】
ここで、緑色（Ｇ）放電セルのピッチ（ｂ）は、青色（Ｂ）放電セルのピッチ（ｃ）と実質的に同一としてもよいし、異なるようにしてもよい。
【００３１】
また、本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含むことができるプラズマディスプレイパネルは、図２Ａに示す隔壁２１２の構造だけではなく、多様な形状の隔壁構造を有してもよい。例えば、隔壁２１２は、第１隔壁２１２ｂと、第２隔壁２１２ａとを含み、ここで、第１隔壁２１２ｂの高さと第２隔壁２１２ａの高さが互いに異なる差等型隔壁構造、第１隔壁２１２ｂまたは第２隔壁２１２ａの内の一つ以上に排気通路として使用可能なチャネル（Ｃｈａｎｎｅｌ）が形成されたチャネル型隔壁構造、第１隔壁２１２ｂまたは第２隔壁２１２ａの内の一つ以上に溝（Ｈｏｌｌｏｗ）が形成された溝型隔壁構造などが可能である。
【００３２】
ここで、差等型隔壁構造の場合には、図２Ｂに示すように、第１隔壁２１２ｂまたは第２隔壁２１２ａの内、第１隔壁２１２ｂの高さ（ｈ１）を第２隔壁２１２ａの高さ（ｈ２）よりさらに低く形成してもよい。また、チャネル型隔壁構造や溝型隔壁構造の場合には、第１隔壁２１２ｂにチャネルや溝を形成してもよい。
【００３３】
一方、本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルにおいては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）放電セルのそれぞれを同一線上に配列することが図示及び説明されているが、他の形状に配列することも可能である。例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）放電セルが三角形状に配列されるデルタ（Ｄｅｌｔａ）タイプの配列も可能である。また、放電セルの形状も四角形だけではなく五角形、六角形などの多様な多角形形状も可能である。
【００３４】
ここで、隔壁２１２によって区画された放電セル内には所定の放電ガスが満たされる。このような放電セル内に満たされる放電ガスにはキセノン（Ｘｅ）が放電ガス全体の１０％以上含まれる。または、放電ガスにはキセノン（Ｘｅ）を放電ガス全体の１３％以上３０％以下含むことができる。このような放電ガスについては、以後の説明を通じてさらに明確にする。
【００３５】
同時に、隔壁２１２によって区画された放電セル内には、アドレス放電時に画像を表示するための可視光を放出する蛍光体層２１４を形成することができる。例えば、赤色（Ｒｅｄ：Ｒ）、緑色（Ｇｒｅｅｎ：Ｇ）、青色（Ｂｌｕｅ：Ｂ）蛍光体層を形成することができる。
【００３６】
また、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）蛍光体層以外に、白色（Ｗｈｉｔｅ：Ｗ）及び/または黄色（Ｙｅｌｌｏｗ：Ｙ）蛍光体層をさらに形成することも可能である。
【００３７】
また、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）放電セルの蛍光体層２１４は、厚さが実質的に同一、または、一つ以上で異なるようにすることができる。例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）放電セルの内少なくとも何れか一つの放電セルにおける蛍光体層２１４の厚さが、その他の放電セルの蛍光体層２１４の厚さと異なる場合には、図２Ｄに示すように、緑色（Ｇ）または青色（Ｂ）放電セルでの蛍光体層（２１４ｂ、２１４ａ）の厚さ（ｔ２、ｔ３）を赤色（Ｒ）放電セルにおける蛍光体層２１４ｃの厚さ（ｔ１）よりさらに厚く形成してもよい。ここで、緑色（Ｇ）放電セルにおける蛍光体層２１４ｂの厚さ（ｔ２）は、青色（Ｂ）放電セルにおける蛍光体層（２１４ａ）の厚さ（ｔ３）と実質的に同一であってもよいし、異っていてもよい。
【００３８】
一方、以上では本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイパネルの一例のみを示して説明したに過ぎず、本発明が以上で説明した構造のプラズマディスプレイパネルに限定されるのではないことを明らかにしておく。例えば、以上の説明では、上部誘電体層２０４及び下部誘電体層２１５がそれぞれ一つの層（Ｌａｙｅｒ）の場合のみを示しているが、このような上部誘電体層及び下部誘電体層の内の一つ以上を複数の層で形成することも可能なのである。
【００３９】
同時に、隔壁２１２による外部光の反射を防止するために、隔壁２１２の上部に外部光を吸収することができるブラック層（図示せず）をさらに形成することもできる。
【００４０】
また、隔壁２１２と対応する前面基板２０１上の特定位置にブラック層（図示せず）をさらに形成することも可能である。
【００４１】
また、背面基板２１１上に形成される第３電極２１３の幅や厚さを実質的に一定にすることもできるが、放電セル内部での幅や厚さが放電セル外部での幅や厚さと異なるようにすることもできる。例えば、放電セル内部での幅や厚さを放電セル外部での幅や厚さよりさらに広く、厚くすることができる。
【００４２】
このように、本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルの構造を多様に変更することができるのである。
【００４３】
以上で説明したプラズマディスプレイパネルの前面基板２０１はガラス材質を含むので、外部の衝撃などによって損傷を被る可能性が大きい。
【００４４】
このような損傷を防止するために、プラズマディスプレイパネルとフィルタの間に緩衝部をさらに備えることができる。これについて添付の図３を注意深く参照すると、次の通りである。
【００４５】
図３はプラズマディスプレイパネルとフィルタの間に緩衝部をさらに備えた構造の一例を説明するための図面である。
【００４６】
図３を注意深く参照すると、プラズマディスプレイパネル１００とフィルタ１１０の間に一つ以上の緩衝部（１２０、１３０）をさらに備えることができる。このような緩衝部（１２０、１３０）は樹脂材質またはガラス材質を含むことができる。
【００４７】
このような緩衝部（１２０、１３０）は、外部からプラズマディスプレイパネル１００に加えられる衝撃を吸収して、プラズマディスプレイパネル１００を損傷から保護することができる。ここで、プラズマディスプレイパネル１００を損傷からより効果的に保護するために、緩衝部（１２０、１３０）の厚さ(ｔ１またはｔ２の内一つ以上)をおおよそ２００μｍ(マイクロメータ)以上４００μｍ(マイクロメータ)以下に設定することができる。
【００４８】
このような緩衝部（１２０、１３０）は、衝撃吸収フィルム（Ｉｍｐａｃｔ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ Ｆｉｌｍ）を含むことができる。例えば、緩衝部１２０が衝撃吸収フィルムを含み、緩衝部１３０が樹脂材質で構成することができる。
【００４９】
一方、図３では緩衝部（１２０、１３０）の個数を２個で設定したが、１個、３個または４個の緩衝部を備えることも可能なのである。すなわち、緩衝部の個数を多様に調節することができる。
【００５０】
図４は排気ユニットを省略して形成した本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルの製造工程の一例を説明するための図である。
【００５１】
図４を注意深く参照すると、チャンバ３００には前面基板３２０と背面基板３３０が配置されており、排気部３１０ａはチャンバ３００内のガスを排気し、ガス注入部３１０ｂはチャンバ３００内に放電ガスを注入し、塑性付与部３５０はシール材層３４０を硬化させて塑性を付与する。
【００５２】
先ず、所定の製造工程を経った前面基板３２０と背面基板３３０がチャンバ（Ｃｈａｍｂｅｒ）３００内に配置される。
【００５３】
ここで、前面基板３２０または背面基板３３０の内、少なくとも何れか一つの一部には前面基板３２０と背面基板３３０を合着するシール材層３４０を形成することができる。または、背面基板３３０上に形成してもよい。
【００５４】
その後、排気部３１０ａが前面基板３２０と背面基板３３０が配置されたチャンバ３００内のガスを排気する。すなわち、チャンバ３００内の不純ガスを外部に排気するのである。
【００５５】
その後、ガス注入部３１０ｂがチャンバ３００内に放電ガスを注入することができる。例えば、チャンバ３００内の温度がおおよそ２００℃以上４００℃以下の雰囲気で、チャンバ３００の圧力がおおよそ４×１０-２ｔｏｒｒ以上２ｔｏｒｒ以下になるように、キセノン（Ｘｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）などの放電ガスを注入することができる。
【００５６】
その後、図示しない所定の合着手段を利用して、前面基板３２０と背面基板３３０を合着することができる。ここで、塑性付与部３５０はシール材層３４０に熱または光を加えて、シール材層３４０を硬化させることにより、前面基板３２０と背面基板３３０とを充分強く合着することができる。
【００５７】
ここで、シール材層３４０は光硬化性材質を含むことができる。ここで、塑性付与部３５０は、前面基板３２０と背面基板３３０の合着時にシール材層３４０に所定の光を加えて、シール材層３４０を硬化させ、塑性を付与することができる。このような工程を経れば、シール材層３４０の塑性付与時に不純ガスの発生を防止することができる。
【００５８】
以上で説明した方法により、前面基板３２０と背面基板３３０とを合着して、プラズマディスプレイパネルを形成するようにすれば、合着工程時に放電セル内に放電ガスを同時に注入することができるようになるので、背面基板３３０（または、背面基板３３０と前面基板３２０のそれぞれ）に例えば排気ホール（排気ユニットの一例）を形成する必要がない。これにより排気ユニットの形成を省略することができる。
【００５９】
このように、排気ユニット（例えば排気ホール）の形成を省略することによって、排気ユニットを通じて放電ガスを注入するガス注入部を連結するための従来の排気チップ（Ｔｉｐ）の形成も省略することができる。ここで言う排気チップは、排気管と解釈することができる。
【００６０】
従来技術によって、例えば排気ホール（排気ユニットの一例）を利用してプラズマディスプレイパネル内部の不純ガスを排気して放電ガスを注入する場合には、排気ホールがプラズマディスプレイパネル上の特定位置にだけ形成し、同時に前面基板と背面基板の合着後に排気及びガス注入工程が実施されことになるので、プラズマディスプレイパネル内部、すなわち放電セル内に不純ガスが残存する可能性が相対的に大きい。これにより、従来の排気ホールが含まれた構造では、不純ガスが放電を邪魔することで、放電電圧がさらに上昇する可能性があり、また、排気の偏差によって放電が不安定になり、これによって駆動効率が低減される可能性がある。
【００６１】
一方に、先の図４のように合着工程時にガス注入を同時に実施するようにすれば、不純ガスを充分除去することができると同時に、放電ガスも充分に均等に注入することができる。
【００６２】
これによって、従来の排気ユニット（例えば排気ホール）を含む構造に比べて、図４のように排気ユニットを省略して形成した構造（例えばＴｉｐ-ＬｅｓｓまたはＨｏｌｅ-Ｌｅｓｓ構造）のプラズマディスプレイパネルでは、放電電圧、すなわち駆動電圧を相対的に低減しても充分安定した放電を発生させることができる。
【００６３】
同時に、従来の排気ユニットを含む構造では、排気ホール形成工程、合着工程、排気チップ結合工程、排気工程、ガス注入工程などの工程を順次含まれなければならない。
【００６４】
一方、排気ユニットの形成を省略した構造（例えばＴｉｐ-ＬｅｓｓまたはＨｏｌｅ-Ｌｅｓｓ構造）のプラズマディスプレイパネルでは、合着工程時に排気工程とガス注入工程とを同時に実施するので、製造工程数及び工程時間を短縮することができる。これによって、製造単価をさらに低減することができる。
【００６５】
また、従来の排気ユニットを含む構造では、駆動時に排気ホールまたは排気チップを通じてプラズマディスプレイパネル内部で発生した騷音を外部に排出する。これによって、騷音全体が増加する。
【００６６】
一方、本発明のような排気ユニットを省略して形成した構造のプラズマディスプレイパネルでは、駆動時に内部で発生した騷音が外部に排出される通路が遮られることで、騷音全体を従来の排気ユニットを含む構造に比べて低減することができる。
【００６７】
一方、以上のように本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルは、排気ユニットを省略して形成した構造を有し、パネル内での放電ガスの分布が均一であるので、これにより放電電圧の大きさを相対的に低減することができる。したがって、放電セル内に満たされる放電ガスにおけるキセノン（Ｘｅ）の割合を相対的に高く設定することができる。これに対して注意深くみれば、次の通りである。
【００６８】
キセノン（Ｘｅ）は、放電時真空紫外線の発生を増加させることができる特性を有する。これによって、放電セル内に満たされた放電ガスのキセノン（Ｘｅ）含量が増加するようになれば、放電セルで発生する光の量が増加されることで具現される映像の輝度を向上させることができる。
【００６９】
一方、キセノン（Ｘｅ）は放電電圧を増加させる。例えば、キセノン（Ｘｅ）の含量が２％の場合に、放電開始電圧を１５０Ｖ、一つの駆動信号によって発生する光の量を定量的に１００と仮定しよう。
【００７０】
ここで、キセノン（Ｘｅ）の含量が１０％で上昇するようになれば、一つの駆動信号によって発生する光の量は例えば１００より多い１５０になるが、放電開始電圧は例えば１５０Ｖより高い２５０Ｖになる。
【００７１】
すなわち、放電ガスのキセノン（Ｘｅ）の含量が増加するにつれて発生する光の量が増加し、具現される映像の輝度は向上するが、放電電圧が相対的に高く上昇する。
【００７２】
一方、本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルは、排気ユニットの形成を省略した構造を有し、パネル内での放電ガスの分布が均一である。これにより、放電電圧の大きさを相対的に低くすることができるので、放電ガスのキセノン（Ｘｅ）含量を相対的に高く設定しても、放電電圧が過度に上昇することを防止することができる。
【００７３】
以上で説明したキセノン（Ｘｅ）の含量と放電電圧の大きさ、及び、キセノン（Ｘｅ）の含量と輝度との関係について添付の図５Ａ乃至図５Ｂを注意深く参照すると、次の通りである。
【００７４】
図５Ａ乃至図５Ｂは、キセノン（Ｘｅ）の含量と放電電圧の大きさ、及び、キセノン（Ｘｅ）の含量と輝度との関係について説明するための図である。
【００７５】
先ず、図５Ａは、排気ユニットを含む場合と、本発明の一つの実施形態のように排気ユニットの形成を省略した場合のそれぞれにおいて、放電ガスのキセノン（Ｘｅ）の含量を２％から５０％までの範囲内で変化させながら、サステイン放電を発生させることができるサステイン駆動電圧の大きさを測定したものである。
【００７６】
図５Ａによれば、キセノン（Ｘｅ）の含量が２％から１０％まで変化する間では、従来技術のように排気ユニットを含む場合、サステイン駆動電圧はおおよそ１７４Ｖから１８７Ｖの間の値を有し、キセノン（Ｘｅ）の含量が１０％から５０％まで変化する間では、サステイン駆動電圧はおおよそ１８７Ｖから２０３Ｖの間の値を有する。このように、従来技術のように排気ユニットを含む場合、キセノン（Ｘｅ）の含量が１０％以上である場合に、サステイン駆動電圧が急激に上昇することが分かる。
【００７７】
一方に、本発明の一つの実施形態のように排気ユニットの形成を省略した場合、キセノン（Ｘｅ）の含量が２％から１０％まで変化する間では、サステイン駆動電圧はおおよそ１７０Ｖから１７４Ｖの間の値を有する。また、キセノン（Ｘｅ）の含量が１０％から３０％まで変化する間では、サステイン駆動電圧はおおよそ１７４Ｖから１８１Ｖの間の値を有する。さらに、キセノン（Ｘｅ）の含量が３０％以上の場合では、サステイン駆動電圧はおおよそ１８１Ｖ以上に上昇することが分かる。
【００７８】
このように、本発明の一つの実施形態のように排気ユニットの形成を省略した場合では、従来技術のように排気ユニットを含む場合に比べて、サステイン駆動電圧が低いことが分かる。同時に、キセノン（Ｘｅ）の含量が１０％から３０％まで変化する間、従来技術のように排気ユニットを含む場合のサステイン駆動電圧と、本発明の一つの実施形態のように排気ユニットの形成を省略した場合のサステイン駆動電圧との差が、相対的に大きいことを確認することができる。
【００７９】
次に、図５Ｂは、排気ユニットを含む場合と本発明の一つの実施形態のように排気ユニットの形成を省略した場合のそれぞれにおいて、放電ガスのキセノン（Ｘｅ）の含量を２％から５０％までの範囲内で変化させながら、サステイン信号によって発生する光の輝度、すなわちサステイン輝度を測定したものである。
【００８０】
図５Ｂによれば、キセノン（Ｘｅ）の含量が２％から１０％まで変化する間では、従来技術のように排気ユニットを含む場合、サステイン輝度はおおよそ１６０から３００の間の値を有し、キセノン（Ｘｅ）の含量が１０％から５０％まで変化する間では、サステイン輝度はおおよそ３００から７００の間の値を有する。
【００８１】
一方、本発明の一つの実施形態のように排気ユニットの形成を省略した場合、キセノン（Ｘｅ）の含量が２％から１０％まで変化する間では、サステイン輝度はおおよそ２４０から５６０の間の値を有する。また、キセノン（Ｘｅ）の含量が１０％から３０％まで変化する間では、サステイン輝度はおおよそ５６０から１２００の間の値を有する。さらに、キセノン（Ｘｅ）の含量が３０％以上の場合では、サステイン輝度はおおよそ１２００で飽和状態になることが分かる。
【００８２】
このように、本発明の一つの実施形態のように排気ユニットの形成を省略した場合、従来技術のように排気ユニットを含む場合に比べて、サステイン輝度の大きさがさらに大きいことが分かる。同時に、キセノン（Ｘｅ）の含量が１０％から３０％まで変化する間では、従来技術のように排気ユニットを含む場合のサステイン駆動電圧と、本発明の一つの実施形態のように排気ユニットの形成を省略した場合のサステイン輝度との差が、相対的に大きいことを確認することができる。
【００８３】
以上のように、本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルでは、放電ガスのキセノン（Ｘｅ）の含量を１０％以上に設定する、または、放電ガスのキセノン（Ｘｅ）の含量を１３％以上３０％以下に設定して放電電圧の急激な上昇を抑制して、同時に輝度を向上させることができる。
【００８４】
このように、キセノン（Ｘｅ）の含量が１０％以上、例えば１３％以上３０％以下に設定すれば、本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動時にキセノン（Ｘｅ）の特性によって近赤外線の発生が増加するようになる。すなわち、放電ガスにキセノン（Ｘｅ）の含有量が増加すれば増加するほど近赤外線の発生も増加するのである。
【００８５】
このような近赤外線は、リモートコントローラー(Ｒｅｍｏｔｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ) などの他の器機の誤動作を引き起こして、これによってプラズマディスプレイパネルの誤動作を発生させることになる。
【００８６】
したがって、本発明のようにキセノン（Ｘｅ）の含有量を１０％以上、または１３％以上３０％以下にする場合には、フィルタに近赤外線遮蔽層を含むようにすればよい。このような近赤外線遮蔽層については、以後の図８Ａ乃至図８Ｂでさらに詳しく説明する。
【００８７】
次に、図６Ａ及び図６Ｂはフィルタの配置に対して説明するための図である。
【００８８】
先ず、図６Ａを注意深く参照すると、フィルタ５４０はプラズマディスプレイパネル５３０と所定距離（ｄ）離隔される。
【００８９】
例えば、プラズマディスプレイパネル５３０の背面には放熱フレーム５２０が配置されて、このような放熱フレーム５２０には所定の締結手段（図示せず）によってフロントカバー（Ｆｒｏｎｔ Ｃｏｖｅｒ）５１０を締結してもよい。ここで、フロントカバー５１０にフィルタ５４０がプラズマディスプレイパネル５３０と所定距離（ｄ）離隔した状態で繋がれる。なお、ここで説明しない符号５００はバックカバー（Ｂａｃｋ Ｃｏｖｅｒ）である。
【００９０】
このように、プラズマディスプレイパネル５３０と所定距離だけ離隔するように配置されるフィルタ５４０は、ガラス（Ｇｌａｓｓ）基板をベース部にして、当該ガラス基板上に近赤外線遮蔽層を形成するガラスフィルタタイプ（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｔｅｒ Ｔｙｐｅ)であってもよい。
【００９１】
次に、図６Ｂを注意深く参照すると、フィルタ５５０をラミネイティング（Ｌａｍｉｎａｔｉｎｇ）などの方法を通じて、プラズマディスプレイパネル５３０の前面に付着することができる。
【００９２】
ここで、ラミネイティングは、シート（Ｓｈｅｅｔ）形態のフィルタをプラズマディスプレイパネル５３０の前面にローラ（Ｒｏｌｌｅｒ）などを利用して付着させることを意味する。
【００９３】
例えば、プラズマディスプレイパネル５３０の前面に接着層５６０を形成し、このような接着層５６０によってフィルタ５５０をプラズマディスプレイパネル５３０の前面に付着することができる。
【００９４】
このように、プラズマディスプレイパネル５３０の前面に付着するフィルタ５５０は、高分子樹脂などの樹脂（Ｒｅｓｉｎ）材質の基板をベース部にして、当該樹脂材質の基板上に近赤外線遮蔽層を形成するフィルムフィルタタイプ（Ｆｉｌｍ Ｆｉｔｅｒ Ｔｙｐｅ）であってもよい。
【００９５】
ここで、フィルタ５５０とプラズマディスプレイパネル５３０を接着させる接着層５６０の厚さは、プラズマディスプレイパネル５３０で発生した光の透過率の低下を防止して、同時にプラズマディスプレイパネル５３０とフィルタ５５０の接着力を充分に確保するために、おおよそ１０μｍ(マイクロメータ)以上５０μｍ(マイクロメータ)以下に設定することができ、または、２０μｍ(マイクロメータ)以上４０μｍ(マイクロメータ)以下に設定することができる。
【００９６】
次に、図７は本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるフィルタの一例について説明するための図である。
【００９７】
図７を注意深く参照すると、フィルタは複数の機能性層を積層することにより構成することができる。
【００９８】
例えば、機材層６００上に外光遮蔽層６２０を形成し、当該外光遮蔽層６２０上には近赤外線遮蔽層６４０を形成し、当該近赤外線遮蔽層６４０上に電磁波遮蔽層６６０を形成し、当該電磁波遮蔽層６６０上にカラー層６８０を形成することができる。ここで、外光遮蔽層６２０は、ベース部６２１とパターン部６２２を含むことができる。このようなベース部６２１とパターン部６２２については以後でさらに詳しく説明する。
【００９９】
ここで、各機能性層の間には、当該機能性層を接着する接着層６１０、６３０、６５０、６７０を形成することができる。
【０１００】
図７は本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるフィルタの一例を説明したに過ぎず、本発明がに図７に限定されないことを明らかにしておく。例えば、本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるフィルタは、グレア防止層（Ａｎｔｉ-Ｇｌａｒｅ Ｌａｙｅｒ）または反射防止層（Ａｎｔｉ-Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）など、さらに別の機能性層を含んでもよい。
【０１０１】
または、図７に図示された積層順序と異なる順序で機能性層を積層することができる。例えば、機材層６００、外光遮蔽層６２０、カラー層６８０、電磁波遮蔽層６６０、近赤外線遮蔽層６４０の順で積層してもよい。
【０１０２】
または、図７に示す機材層６００、外光遮蔽層６２０、カラー層６８０、電磁波遮蔽層６６０、近赤外線遮蔽層６４０の内で、近赤外線遮蔽層６４０を除いた機材層６００、外光遮蔽層６２０、カラー層６８０、電磁波遮蔽層６６０の内の一つ以上を省略してもよい。
【０１０３】
機材層６００は、他の機能性層を形成することが可能な基盤を提供する。このような機材層６００は、温度及び湿度などに強い耐性を有し、同時に高い強度を有する材質を含むことができる。例えば、樹脂材質または維持材質を含んでもよい。
【０１０４】
近赤外線遮蔽層６４０は、プラズマディスプレイパネルで発生した近赤外線を反射または吸収して、可視光線を透過させる。例えば、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長を透過させて、８２０ｎｍ以上８８０ｎｍ以下の波長を反射または吸収することができる。
【０１０５】
このような、近赤外線遮蔽層６４０は、有機化合物の染料を含む樹脂材質を含んでもよい。例えばアントラキノン（Ａｎｔｈｒａｑｕｉｎｏｎｅ）系、フタロシアニン（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）系などの有機化合物の染料を含む樹脂または金属着材の有機化合物を含む樹脂材質などを含んでもよい。
【０１０６】
または、近赤外線遮蔽層６４０は、複数層が積層された構造であってもよい。このような近赤外線遮蔽層について添付の図８を注意深く参照すると、次の通りである。
【０１０７】
図８は近赤外線遮蔽層についてさらに詳しく説明するための図である。
【０１０８】
図８を注意深く参照すると、近赤外線遮蔽層６４０は、屈折率が互いに異なる複数層（Ｌａｙｅｒ）７２０〜７９０が積層された構造を有する。
【０１０９】
ここで、層７２０、７４０、７６０、７８０の屈折率が実質的に等しく、層７３０、７５０、７７０、７９０の屈折率も実質的に等しくてもよい。
【０１１０】
同時に、層７２０、７４０、７６０、７８０の屈折率と、層７３０、７５０、７７０、７９０の屈折率は互いに異なってもよい。
【０１１１】
例えば、層７２０、７４０、７６０、７８０は、屈折率が相対的に高いＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２などの単層や、Ｐｒ６Ｏ１１とＴｉＯ２の多層であってもよい。また、層７３０、７５０、７７０、７９０は、屈折率が相対的に低いＭｇＦ２、ＳｉＯ２であってもよい。
【０１１２】
また、層７２０、７４０、７６０、７８０はＡｇ材質を含み、層７３０、７５０、７７０、７９０の層はＩＴＯ材質を含んでもよい。
【０１１３】
このように、屈折率が互いに異なる複数層を積層して近赤外線遮蔽層６４０を形成すれば、互いに異なる層間で屈折率の差によって近赤外線を反射することができる。これによって、プラズマディスプレイパネルで発生した近赤外線が外部に放出されることを防止することができる。
【０１１４】
一方、図８では本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるフィルタに含まれる近赤外線遮蔽層の一例を図示したに過ぎず、本発明は図８に限定されない。例えば、図８では近赤外線遮蔽層が合計８個の層からなる場合を示しているが、合計４個、５個、６個の層で構成してもよい。
【０１１５】
また、図８では屈折率が互いに異なる二つの層が交互に積層されたことを示しているが、屈折率が互いに異なる三種類または四種類の層を積層してもよい。
【０１１６】
このように、近赤外線遮蔽層６４０の構造を多様に変更することができるのである。
【０１１７】
一方、以上の図８のように複数層を積層して近赤外線遮蔽層を形成すれば、このような近赤外線遮蔽層は電磁波遮蔽層の機能も同時に遂行することができるようになる。
【０１１８】
さらに詳しく説明すれば、屈折率が互いに異なる複数層は実質的に電気伝導性の金属材質を含むので、このような近赤外線遮蔽層を接地（ＧＮＤ）させるようにすれば、電磁波の発生原因となる電荷粒子が移動可能な経路を提供することができるようになる。したがって、駆動時に発生する電磁波を遮蔽して、電磁波障害（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ：ＥＭＩ）の発生を低減することができる。
【０１１９】
これによって、近赤外線遮蔽層を図８のように屈折率が互いに異なる複数層を含むようにすれば、電磁波遮蔽層を省略することができる。
【０１２０】
次に、図９は電磁波遮蔽層についてさらに詳しく説明するための図である。
【０１２１】
図９を注意深く参照すると、電磁波遮蔽層６６０はメッシュ（Ｍｅｓｈ）タイプにすることができる。すなわち、電極８００がメッシュタイプに形成されるのである。
【０１２２】
このように、電極８００をメッシュタイプに形成するようにすれば、駆動時に発生する電磁波を遮蔽して、電磁波障害（ＥＭＩ）の発生を充分に低減することができる。
【０１２３】
同時に、このような電極８００は電磁波を発生させる電荷粒子を効果的にアースに落とすように接地（ＧＮＤ）することができる。
【０１２４】
一方、以上の図９では、電磁波遮蔽層６６０がメッシュタイプである場合のみを示したが、スパッタ（Ｓｐｕｔｔｅｒ）タイプに形成することもできる。例えば、電磁波遮蔽層６６０は、ＩＴＯなどの透明材質を含む透明電極層と、Ａｇなどの電気伝導性が相対的に優れた金属材質を含む金属電極層と、が積層された構造を有することができる。このようなスパッタタイプの電磁波遮蔽層の構造は、上記の図７と実質的に等しくてもよい。
【０１２５】
次に、図１０は外光遮蔽層についてさらに詳しく説明するための図である。図１０を注意深く参照すると、本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置のフィルタの外光遮蔽層は、パターン部９１０及びベース部９２０を含む。
【０１２６】
パターン部９１０はベース部９２０に形成される。このようなパターン部９１０が複数形成され、複数のパターン部９１０が所定周期で互いに離隔されて形成される。また、パターン部９１０は光吸収材質を含んでもよい。このような光吸収材質は、炭素（Ｃａｒｂｏｎ）材質、顔料材質または染料材質の内の少なくとも一つを含むことができる。
【０１２７】
ベース部９２０は、パターン部９１０が形成される基盤として用意され、同時にパターン部９１０の屈折率よりさらに大きい屈折率を有する。このようなベース部９２０は実質的に透明な材質を含むことができる。
【０１２８】
ここで、パターン部９１０は、ベース部９２０よりさらに暗い色を有することができる。例えば、パターン部９１０は実質的に黒い色を有する。同時に、パターン部９１０は、ベース部９２０の方向に進行するほど幅が漸進的に減少する部分を含んでもよい。例えば、パターン部９１０の断面形状はおおよそ二等辺三角形である。
【０１２９】
これによって、パターン部９１０の底面と並ぶベース部９２０の一面と、パターン部９１０は、所定の角度（θ１）を成す。このような角度（θ１）をおおよそ７０度以上９０度未満に設定してもよい。
【０１３０】
このように、パターン部９１０の機能について添付の図１１Ａ乃至図１１Ｅを注意深く参照すると、次の通りである。
【０１３１】
図１１Ａ乃至図１１Ｅはパターン部の機能について説明するための図である。
【０１３２】
先ず、図１１Ａを注意深く参照すると、フィルタの内側に位置する点ａで発生した光は直接外側に放出されて、同時に点ｂ、ｃで発生した光はパターン部９１０によって全反射されて、外側に放出される。
【０１３３】
一方、フィルタの外側に位置する点ｄ、ｅから入射される光は、パターン部９１０で吸収される。これは、パターン部９１０の屈折率がベース部９２０の屈折率よりさらに小さく、同時にパターン部９１０の底面と並ぶベース部９２０の一面とパターン部９１０が所定の角度（θ１）を成すからである。
【０１３４】
このように、フィルタの内側で発生した光は外側に効果的に放出され、その一方で、フィルタの外側から入射される光は吸収されることで、プラズマディスプレイパネルに表示される映像のコントラスト（Ｃｏｎｔｒａｓｔ）特性を向上させることができる。
【０１３５】
ここで、フィルタの外側から入射する光をより効果的に吸収して、同時にフィルタの内側で発生した光をより効果的に放出するために、パターン部９１０の屈折率をベース部９２０の屈折率の０．８倍以上０．９９９倍以下に設定することができる。
【０１３６】
また、パターン部９１０の上部幅は下部幅より小さく、このようなパターン部９１０の上部幅と下部幅の割合は、外部から入射される光の遮断効率及び内部から放出される光の反射効率を充分確保するように設定することができる。
【０１３７】
例えば、図１１Ｂに示すように、パターン部９１０の下部幅が２３．０μｍの場合、パターン部９１０の上部幅を２３．０μｍ以下に形成すれば、開口率を５０％以上確保することができる。一方、パターン部９１０の上部幅を８．０μｍ以下に形成すると、外部から入射される光、すなわち外光遮断効率を減少することができる。なお、図１１Ｂにおいて、パターン部９１０の上部幅は、パターン部９１０の高さをｔ２とする時、ｔ２/２の高さに相当する地点でのパターン部９１０の幅である。
【０１３８】
以上の内容を考慮する時、パターン部９１０の上部幅が下部幅の１倍以上３．５倍以下であれば、外光遮断及び開口率確保に有利となる。
【０１３９】
また、パターン部９１０の下部幅（ｔ１）は、上記の図２Ａに図示した第１電極２０２と第２電極間２０３の最短間隔より小さくてもよい。このように設定すれば、外部から入射される光をより効果的に遮断することができ、同時に内部から放出される光の反射効率を増加させることができる。
【０１４０】
また、パターン部９１０の下部幅（ｔ１）は、第１電極と第２電極の幅に応じて決定することができる。例えば、図１１Ｃに示すように、パターン部９１０の下部幅（ｔ１）が上記の図２Ａに図示した第１電極２０２または第２電極２０３の幅の０．２倍以上０．５倍以下の場合に、二つ以上の周期パターン（Ｐｅｒｉｏｄｉｃ Ｐａｔｔｅｒｎ）が重なる時に発生する干渉縞（Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ Ｆｒｉｎｇｅ）、すなわちモアレ縞（Ｍｏｉｒｅ Ｆｒｉｎｇｅ）を減少させて、外光を効果的に遮断することができる。したがって、パターン部９１０の下部幅（ｔ１）は、第１電極または第２電極の幅の０．２倍以上０．５倍以下であれば、モアレ縞遮断及び外光遮断に有利となる。
【０１４１】
一方、第１電極と第２電極が透明電極とバス電極を含む場合に、パターン部９１０の下部幅（ｔ１）は第１電極または第２電極のバス電極の幅の０．２倍以上０．５倍以下であってもよい。
【０１４２】
また、ベース部９２０の高さ（ｔ３）とパターン部９１０の高さ(ｔ２)の割合は、外光を遮断し、絶縁破壊を防止するように設定することができる。
【０１４３】
例えば、図１１Ｄに示すように、ベース部９２０の高さ（ｔ３）が1２０μｍの場合に、パターン部９１０の高さ(ｔ２)を1２０μｍ以上に形成すれば、相対的にベース部９２０の厚さが薄くなり、これによりパターン部９１０が絶縁破壊される危険があるので、製品の不良率が増加する可能性がある。また、パターン部９１０の高さ(ｔ２)が５０μｍ以下に形成されれば、所定角度に入射される光を遮断することができないので、外光遮断効率が減少する可能性がある。
【０１４４】
以上の内容を考慮する時、ベース部９２０の高さ（ｔ３）をパターン部９１０の高さ(ｔ２)の１．０１倍以上２．２５倍以下に設定することができる。
【０１４５】
また、パターン部９１０の下部幅（ｔ１）と隔壁の幅の割合は、モアレ縞を遮断して、外光遮断効率を充分に確保するように設定することができる。
【０１４６】
例えば、図１１Ｅに示すように、パターン部９１０の下部幅（ｔ１）が上記の図２Ａの第２隔壁２１２ａの幅の０．３倍以上０．８倍以下の場合、モアレ縞（Ｍｏｉｒｅ Ｆｒｉｎｇｅ）を減少させて、外光を効果的に遮断することができる。したがって、パターン部９１０の下部幅（ｔ１）を第２隔壁の幅の０．３倍以上０．８倍以下に形成すれば、モアレ縞（Ｍｏｉｒｅ Ｆｒｉｎｇｅ）の減少または外光遮断に有利になる。
【０１４７】
また、隣接する二つのパターン部９１０間の最短の間隔（ｔ４）をパターン部９１０の底面の幅（ｔ１）の１．１倍以上５倍以下に設定することができる。このように設定すれば、フィルタの開口率を充分確保することができ、同時にフィルタの外側から入射する光を充分遮断することができ、同時にパターン部９１０の製造工程が容易になる。
【０１４８】
また、隣接する二つのパターン部９１０間の上部頂点間の距離、すなわち最長間隔（ｔ５）は、隣接する二つのパターン部９１０間の最短の間隔（ｔ４）の１．１倍以上３．２５倍以下に設定することができる。このように設定すれば、フィルタの開口率を充分確保することができ、同時にパターン部９１０の角度（θ１）を理想的に設定することができるようになり、フィルタの外側から入射する光を充分遮断することができる。
【０１４９】
また、パターン部９１０の高さ(ｔ２)を隣接する二つのパターン部９１０間の最短の間隔（ｔ４）の０．８９倍以上４．２５倍以下に設定することができる。このように設定すれば、フィルタの開口率を充分確保することができ、同時にフィルタの外側から入射する光を充分遮断することができる。
【０１５０】
例えば、パターン部９１０の底面の幅（ｔ１）を１８μｍ(マイクロメータ)以上３５μｍ(ミクロメータ)以下に設定することができる。
【０１５１】
または、パターン部９１０の高さ(ｔ２)を８０μｍ(マイクロメータ)以上１７０μｍ(マイクロメータ)以下に設定することができる。
【０１５２】
または、ベース部９２０の高さ（ｔ３）を１００μｍ(マイクロメータ)以上1８０μｍ(マイクロメータ)以下に設定することができる。
【０１５３】
または、パターン部９１０の下部間の間隔（ｔ４）を４０μｍ(マイクロメータ)以上９０μｍ(マイクロメータ)以下に設定することができる。
【０１５４】
または、パターン部９１０の上部頂点間の間隔（ｔ５）を９０μｍ(マイクロメータ)以上１３０μｍ(マイクロメータ)以下に設定することができる。
【０１５５】
次に、図１２Ａ乃至図１２Ｅはパターン部のさらに別の形態について説明するための図である。
【０１５６】
先ず、図１２Ａを注意深く参照すると、パターン部１１１０は幅が異なる二つの部分を含む。例えば、パターン部１１１０は、点ａで第１幅を有し、点ａより上部である点ｂでは第１幅より小さな第２幅を有することができる。他の観点から説明すれば、パターン部１１１０は点ａまでは第１の割合でその幅が減少して、点ｂまでは第１の割合より大きい第２の割合でその幅が減少する。
【０１５７】
次に、図１２Ｂを注意深く参照すると、上記の図１２Ａとは異なり、パターン部１１３０は点ａまでは第１割合でその幅が減少して、一方、点ｂからは第１の割合よりさらに小さな第２の割合でその幅が減少する。
【０１５８】
次に、図１２Ｃを注意深く参照すると、パターン部１１５０は、その末端が実質的に平坦な形状を有する。
【０１５９】
次に、図１２Ｄを注意深く参照すると、パターン部１１４０はその側面が緩い曲率を有する。
【０１６０】
次に、図１２Ｅを注意深く参照すると、パターン部１１６０の側面は点ａまでは実質的に直線形状で、点ｂからは曲率を有することができる。
【０１６１】
以上のように、パターン部の形状を多様に変更することができる。
【０１６２】
次に、図１３Ａ乃至図１３Ｂはパターン部の進行方向について説明するための図である。
【０１６３】
先ず、図１３Ａを注意深く参照すると、パターン部１２００の進行方向とベース部１２１０の長辺を実質的に並んで形成することができる。
【０１６４】
次に、図１３Ｂを注意深く参照すると、パターン部１２２０の進行方向は、ベース部１２１０の長辺と所定角度（θ２）を成すことができる。
【０１６５】
このように、パターン部１２２０の進行方向とベース部１２１０の長辺が所定角度（θ２）を成すようにすれば、モアレ縞を効果的に遮断することができる。
【０１６６】
同時に、このようなモアレ縞をさらに効果的に遮断するために、パターン部１２２０の進行方向とベース部１２１０の長辺が成す所定角度（θ２）をおおよそ０．５度以上９度以下に設定する、または、おおよそ０．５度以上４．５度以下に設定することができる。
【０１６７】
一方、上記の図１３Ａ乃至図１３Ｂの説明では、ストライプタイプ（Ｓｔｒｉｐｅ Ｔｙｐｅ）のパターン部のみを示して説明したが、このようなパターン部のタイプを多様に変更することができる。
【０１６８】
次に、図１４Ａ〜図１４Ｃはパターン部の多様なタイプ（Ｔｙｐｅ）に対して説明するための図である。
【０１６９】
先ず、図１４Ａを注意深く参照すると、パターン部１３００はマトリックスタイプ（Ｍａｔｒｉｘ Ｔｙｐｅ）に形成することができる。
【０１７０】
次に、図１４Ｂを注意深く参照すると、パターン部１３２０を波状タイプに形成することができる。
【０１７１】
次に、図１４Ｃを注意深く参照すると、パターン部１３３０を突起タイプに形成することができる。例えば、半球状に突起するタイプの複数のパターン部１３３０を所定間隔で配列することができる。
【０１７２】
以上のように、パターン部のタイプを多様に変更することができる。
【０１７３】
次に、図１５は互いに異なるパターンを有する二つ以上のパターン部を同時に使用する場合の一例を説明するための図である。
【０１７４】
図１５を注意深く参照すると、第１ベース部１４０２と、第１ベース部１４０２の長辺と並んで形成される第１パターン部１４０１と、を含む第１外光遮蔽層１４００と、第２ベース１４１２と、第２ベース部１４１２の短辺と並んで形成される第２パターン部１４１１と、を含む第２外光遮蔽層１４１０を、一つのフィルタに含むことができる。
【０１７５】
このように、お互いに異なるパターンを有する二つ以上のパターン部を同時に使用すれば、プラズマディスプレイパネルの視野角を多様に調節することができる。
【０１７６】
次に、図１６はパターン部のさらに別の構造について説明するための図である。
【０１７７】
図１６を注意深く参照すると、パターン部１５１０は複数の層（Ｌａｙｅｒ）を有する。例えば、パターン部１５１０は、上部パターン部１５１１と、下部パターン部１５１２と、を含むことができる。ここで、上部パターン部１５１１を下部パターン部１５１２を覆うように形成することができる。
【０１７８】
同時に、上部パターン部１５１１の屈折率はベース部１５２０の屈折率よりは小さくてもよい。また、上部パターン部１５１１の色はベース部１５２０の色より暗くてもよい。
【０１７９】
また、下部パターン部１５１２の屈折率は上部パターン部１５１１の屈折率と異なってもよいし、等しくてもよい。例えば、下部パターン部１５１２の屈折率は上部パターン部１５１１の屈折率よりさらに小さくてもよい。
【０１８０】
以上で詳しく説明した本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルは、鉛（Ｐｂ）成分の含量が１０００ＰＰＭ（Ｐａｒｔｓ Ｐｅｒ Ｍｉｌｌｉｏｎ）以下であってもよい。
【０１８１】
ここで、プラズマディスプレイパネルの全体における鉛の含量を１０００ＰＰＭ以下にすることで、鉛成分の全体含量を１０００ＰＰＭ以下にすることができる。
【０１８２】
また、プラズマディスプレイパネルの特定構成要素における鉛成分の含量を１０００ＰＰＭ以下にすることも可能である。例えば、隔壁の鉛成分または誘電体層内の少なくとも何れか一つにおける鉛成分の含量を１０００ＰＰＭ以下にしてもよい。
【０１８３】
また、プラズマディスプレイパネルの構成要素のそれぞれの鉛成分の含量を１０００ＰＰＭ以下にすることも可能である。すなわち、プラズマディスプレイパネルの隔壁、誘電体層、電極、蛍光体層等のすべての構成要素の鉛成分の含量をそれぞれ１０００ＰＰＭ以下にしてもよい。
【０１８４】
このように、鉛成分の全体含量を１０００ＰＰＭ以下で設定する理由は、プラズマディスプレイパネルに過度な量の鉛が含まれる場合、人体に悪影響を及ぼす可能性があるからである。
【０１８５】
以上で説明した本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイパネルの動作を注意深くみれば、次の通りである。
【０１８６】
図１７は本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置で映像の階調を具現するための映像フレーム（Ｆｒａｍｅ）について説明するための図である。
【０１８７】
また、図１８は本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置の動作の一例を説明するための図である。
【０１８８】
まず、図１７を注意深く参照すると、本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置で映像の階調（Ｇｒａｙ Ｌｅｖｅｌ）を具現するための映像フレームは発光回数が異なる多くのサブフィールドに分割することができる。
【０１８９】
同時に、図１７には図示しないが、各サブフィールドはさらに放電セルを初期化させるためのリセット期間（Ｒｅｓｅｔ Ｐｅｒｉｏｄ）、放電する放電セルを選択するためのアドレス期間（Ａｄｄｒｅｓｓ Ｐｅｒｉｏｄ）及び放電回数によって階調を具現するサステイン期間（Ｓｕｓｔａｉｎ Ｐｅｒｉｏｄ）に分割することができる。
【０１９０】
例えば、２５６階調で映像を表示しようとする場合に一つの映像フレームは、例えば、図１７のように８個のサブフィールド（ＳＦ１乃至ＳＦ８)に分割されて、８個のサブフィールド（ＳＦ１乃至ＳＦ８）のそれぞれは、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間にさらに分割される。
【０１９１】
一方、サステイン期間に供給されるサステイン信号の個数を調節して、該当サブフィールドの階調加重値を設定することができる。すなわち、サステイン期間を利用して、それぞれのサブフィールドに所定の階調加重値を付与することができる。例えば、第１サブフィールドの階調加重値を２０に設定して、第２サブフィールドの階調加重値を２１に設定する方法で、各サブフィールドの階調加重値が２n（ただ、ｎ＝０、１、２、３、４、５、６、７）の割合で増加するように各サブフィールドの階調加重値を決定することができる。このように各サブフィールドで階調加重値によって各サブフィールドのサステイン期間に供給されるサステイン信号の個数を調節することで、多様な映像の階調を具現するようになる。
【０１９２】
本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、映像を具現するため、例えば１秒の映像を表示するために、複数の映像フレームを使用する。例えば、１秒の映像を表示するために、６０個の映像フレームを使用するのである。このような場合、一つの映像フレームの長さ（Ｔ）は１/６０秒、すなわち１６．６７ｍｓである。
【０１９３】
図１７では一つの映像フレームが８個のサブフィールドで構成される場合だけを示して説明したが、これとは異なり、一つの映像フレームを構成するサブフィールドの個数を多様に変更することができる。例えば、第１サブフィールドから第１２サブフィールドまでの１２個のサブフィールドで一つの映像フレームを構成することもでき、１０個のサブフィールドで一つの映像フレームを構成することもできるのである。
【０１９４】
また、図１７では一つの映像フレームで階調加重値の大きさが増加する順序でサブフィールドを配列したが、これとは異なり、一つの映像フレームでサブフィールドを階調加重値が減少する順序で配列することもでき、また、階調加重値にかかわらずサブフィールドを配列することもできるのである。
【０１９５】
次に、図１８を注意深く参照すると、上記の図１７に示すような映像フレームに含まれる複数のサブフィールドのいずれか一つのサブフィールド（Ｓｕｂｆｉｅｌｄ）における本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイパネルの動作の一例が図示されている。
【０１９６】
先ず、リセット期間以前のプリリセット（Ｐｒｅ−ｒｅｓｅｔ）期間で第１電極（Ｙ）に第１下降ランプ（Ｒａｍｐ-Ｄｏｗｎ）信号が供給される。
【０１９７】
同時に、第１電極（Ｙ）に第１下降ランプ信号が供給される間に第１下降ランプ信号と反対極性のプリサステイン（Ｐｒｅ−ｓｕｓｔａｉｎ）信号が第２電極（Ｚ）に供給される。
【０１９８】
ここで、第１電極（Ｙ）に供給される第１下降ランプ信号は、第１０電圧（Ｖ１０）まで漸進的に立ち下がる。このような第１下降ランプ信号は、グランドレベル（ＧＮＤ）の電圧から漸進的に立ち下がる。
【０１９９】
同時に、プリサステイン信号は、プリサステイン電圧（Ｖｐｚ）を実質的に一定に維持する。ここで、プリサステイン電圧（Ｖｐｚ）は、以後のサステイン期間に供給されるサステイン信号（ＳＵＳ）の電圧、すなわちサステイン電圧（Ｖｓ）とおおよそ等しい電圧である。
【０２００】
このように、プリリセット期間において、第１電極（Ｙ）に第１下降ランプ信号が供給されて、これと同時に第２電極（Ｚ）にプリサステイン信号が供給されれば、第１電極（Ｙ）上に所定極性の壁電荷（Ｗａｌｌ Ｃｈａｒｇｅ）が蓄積し、第２電極（Ｚ）上には第１電極（Ｙ）と反対極性の壁電荷が蓄積する。例えば、第１電極（Ｙ）上には正（＋）の壁電荷（Ｗａｌｌ Ｃｈａｒｇｅ）が蓄積し、第２電極（Ｚ）上には負（−）の壁電荷が蓄積するようになる。
【０２０１】
これによって、以後のリセット期間で十分な強さのセットアップ放電を発生させることができるようになり、結果的に初期化を充分安定的に遂行することができるようになる。
【０２０２】
さらに、放電セル内に壁電荷の量が不足している場合でも、十分な強さのセットアップ放電を発生させることができる。
【０２０３】
同時に、リセット期間で第１電極（Ｙ）に供給される上昇ランプ信号（Ｒａｍｐ-Ｕｐ）の電圧がさらに小くなっても、十分な強さのセットアップ放電を発生させることができるようになる。
【０２０４】
以上で説明したプリリセット期間は、駆動時間を確保する観点からすると、映像フレームのサブフィールドの内、階調加重値が一番小さな一つのサブフィールドにおいてリセット期間以前にプリリセット期間が含まれてもよいし、映像フレームのサブフィールドの内、２個または３個のサブフィールドにおいてリセット期間以前にプリリセット期間が含まれてもよい。
【０２０５】
また、このようなプリリセット期間がすべてのサブフィールドにおいて省略されてもよい。
【０２０６】
プリリセット期間以後、初期化のためのリセット期間のセットアップ（Ｓｅｔ-Ｕｐ）期間において、第１電極（Ｙ）に第１下降ランプ信号と反対極性の上昇ランプ（Ｒａｍｐ-Ｕｐ）信号を供給する。
【０２０７】
ここで、上昇ランプ信号は第２０電圧（Ｖ２０）から第３０電圧（Ｖ３０）まで第１の傾きで漸進的に上昇する第１上昇ランプ信号と、第３０電圧（Ｖ３０）から第４０電圧（Ｖ４０）まで第２の傾きに上昇する第２上昇ランプ信号と、を含む。
【０２０８】
このようなセットアップ期間においては、上昇ランプ信号によって放電セル内で弱い暗放電（Ｄａｒｋ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）、すなわちセットアップ放電が起きる。このセットアップ放電によって、放電セル内に所定量の壁電荷（Ｗａｌｌ Ｃｈａｒｇｅ）が蓄積するようになる。
【０２０９】
ここで、第２上昇ランプ信号の第２の傾きは、第１の傾きよりさらに緩い傾きであってもよい。このように、第２の傾きを第１の傾きよりさらに緩くすれば、セットアップ放電の発生前までは電圧を相対的に早く上昇させて、セットアップ放電の発生中には電圧を相対的に遅く上昇させる効果を獲得することができ、セットアップ放電によって発生する光の量を低減させることができる。
【０２１０】
これによって、コントラスト（Ｃｏｎｔｒａｓｔ）特性を改善することができる。
【０２１１】
セットアップ期間以後のセットダウン（Ｓｅｔ-Ｄｏｗｎ）期間においては、上昇ランプ信号以後に当該上昇ランプ信号と反対極性の第２下降ランプ（Ｒａｍｐ-Ｄｏｗｎ）信号を第１電極（Ｙ）に供給する。
【０２１２】
ここで、第２下降ランプ信号は、第２０電圧（Ｖ２０）から第５０電圧（Ｖ５０）まで漸進的に立ち下がる。
【０２１３】
これによって、放電セル内で微弱な消去放電（Ｅｒａｓｅ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）、すなわちセットダウン放電が発生する。このセットダウン放電によって、放電セル内にはアドレス放電が安定的に発生可能な程度の壁電荷が均一に残留する。
【０２１４】
一方、図１８とは異なるように、上昇ランプ信号または第２下降ランプ信号を設定することもできる。これについて添付の図１９Ａ乃至図１９Ｂを注意深く参照すると、次の通りである。
【０２１５】
図１９Ａ乃至図１９Ｂは上昇ランプ信号または第２下降ランプ信号のさらに別の形態について説明するための図である。
【０２１６】
先ず、図１９Ａを注意深く参照すると、上昇ランプ信号は、第３０電圧（Ｖ３０）まで急激に上昇した後、第３０電圧（Ｖ３０）から第４０電圧（Ｖ４０）まで漸進的に上昇する形態を有する。
【０２１７】
このように、上昇ランプ信号は、図１８のように二段階にわたって互いに異なる傾きで漸進的に上昇することも可能であり、図１９Ａのように一つの段階で漸進的に上昇することもでき、多様な形態に変更することが可能なのである。
【０２１８】
次に、図１９Ｂを注意深く参照すると、第２下降ランプ信号は第３０電圧（Ｖ３０）から電圧が漸進的に立ち下がる形態である
【０２１９】
このように、第２下降ランプ信号を電圧の立ち下がる時点が異なるように変更することもでき、多様な形態に変更することが可能なのである。
【０２２０】
一方、リセット期間以後のアドレス期間においては、第２下降ランプ信号の第５０電圧（Ｖ５０）よりは高い電圧を実質的に維持するスキャンバイアス信号を第１電極（Ｙ）に供給する。
【０２２１】
同時に、スキャンバイアス信号からスキャン電圧の大きさ（ΔＶｙ）程度立ち下がるスキャン信号（Ｓｃａｎ）をすべての第１電極（Ｙ１〜Ｙｎ）に供給する。
【０２２２】
例えば、複数の第１電極（Ｙ）の内、一番目の第１電極（Ｙ１）に一番目のスキャン信号（Ｓｃａｎ １）を供給し、以後、二番目の第１電極（Ｙ２）に二番目のスキャン信号（Ｓｃａｎ ２）を供給し、ｎ番目の第１電極（Ｙｎ）にはｎ番目のスキャン信号（Ｓｃａｎ ｎ）を供給する。
【０２２３】
一方、サブフィールド単位でスキャン信号（Ｓｃａｎ）の幅は可変的であってもよい。すなわち、少なくとも一つのサブフィールドにおいて、スキャン信号（Ｓｃａｎ）の幅は他のサブフィールドでのスキャン信号（Ｓｃａｎ）の幅と異なってもよい。例えば、時間的に後に位置するサブフィールドにおけるスキャン信号（Ｓｃａｎ）の幅が、時間的に前に位置するサブフィールドにおけるスキャン信号（Ｓｃａｎ）の幅より小さくてもよい。また、サブフィールドの配列順序によるスキャン信号（Ｓｃａｎ）幅の減少は、２．６μｓ（マイクロ秒）、２．３μｓ（マイクロ秒）、２．１μｓ（マイクロ秒）、１．９μｓ（マイクロ秒）などのように、漸進的に構成することができ、また、２．６μｓ（マイクロ秒）、２．３μｓ（マイクロ秒）、２．３μｓ（マイクロ秒）、２．１μｓ（マイクロ秒）．．．．．．１．９μｓ（マイクロ秒）、１．９μｓ（マイクロ秒）などのように構成することもできる。
【０２２４】
このようにスキャン信号（Ｓｃａｎ）が第１電極（Ｙ）に供給される時、スキャン信号に対応するように第３電極（Ｘ）にデータ電圧の大きさ（ΔＶｄ）程度上昇するデータ信号を供給する。
【０２２５】
このようなスキャン信号（Ｓｃａｎ）とデータ信号（Ｄａｔａ）を供給することによって、スキャン信号（Ｓｃａｎ）の電圧とデータ信号のデータ電圧（Ｖｄ）の間の電圧差と、リセット期間に生成された壁電荷による壁電圧が加わりながら、データ信号の電圧（Ｖｄ）が供給される放電セル内でアドレス放電が発生する。
【０２２６】
ここで、アドレス期間において第２電極（Ｚ）の干渉によってアドレス放電が不安定になることを防止するために、第２電極（Ｚ）にサステインバイアス信号を供給することができる。
【０２２７】
ここで、サステインバイアス信号は、サステイン期間に供給されるサステイン信号の電圧よりは小さく、グランドレベル（ＧＮＤ）の電圧よりは大きいサステインバイアス電圧（Ｖｚ）を実質的に一定に維持することができる。
【０２２８】
以後、映像表示のためのサステイン期間においては、第１電極（Ｙ）及び/または第２電極（Ｚ）にサステイン信号（ＳＵＳ）を交互的に供給することができる。このようなサステイン信号（ＳＵＳ）はΔＶｓ程度の電圧の大きさを有することができる。
【０２２９】
このようなサステイン信号（ＳＵＳ）を供給する場合、アドレス放電によって選択された放電セルにおいて、放電セル内の壁電圧とサステイン信号（ＳＵＳ）のサステイン電圧（Ｖｓ）が加わりながら、サステイン信号（ＳＵＳ）が供給される際に、第１電極（Ｙ）と第２電極（Ｚ）の間にサステイン放電すなわち、表示放電が起きるようになる。
【０２３０】
図２０はサステイン信号のさらに別のタイプについて説明するための図である。
【０２３１】
図２０を注意深く参照すると、第１電極（Ｙ）または第２電極（Ｚ）の内、何れか一つの電極、例えば第１電極に、正（＋）のサステイン信号と負（−）のサステイン信号を交互に供給する。
【０２３２】
このように何れか一つの電極に正のサステイン信号と負のサステイン信号を供給する間に、残り電極、例えば第２電極（Ｚ）にバイアス信号を供給する。
【０２３３】
ここで、バイアス信号はグランドレベル（ＧＮＤ）の電圧を実質的に一定に維持することができる。
【０２３４】
図２０に示すように、第１電極（Ｙ）または第２電極（Ｚ）の内、何れか一つの電極にだけサステイン信号を供給する場合には、第１電極（Ｙ）または第２電極（Ｚ）の内、何れか一つの電極にサステイン信号を供給するための回路を配置する一つの駆動ボードだけを具備すれば良い。
【０２３５】
これによって、駆動部全体の大きさを低減することができ、これによって製造単価を低減することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【０２３６】
【図１】本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置の構成の一例を説明するための図。
【図２Ａ】本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルの構造の一例を説明するための図。
【図２Ｂ】本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルの構造の一例を説明するための図。
【図２Ｃ】本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルの構造の一例を説明するための図。
【図２Ｄ】本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルの構造の一例を説明するための図。
【図３】プラズマディスプレイパネルとフィルタの間に緩衝部をさらに備えた構造の一例を説明するための図。
【図４】排気ユニットを省略して形成した本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルの製造工程の一例を説明するための図。
【図５Ａ】キセノン（Ｘｅ）の含量と、放電電圧の大きさ及びキセノン（Ｘｅ）の含量と輝度との関係について説明するための図。
【図５Ｂ】キセノン（Ｘｅ）の含量と、放電電圧の大きさ及びキセノン（Ｘｅ）の含量と輝度との関係について説明するための図。
【図６Ａ】フィルタの配置について説明するための図。
【図６Ｂ】フィルタの配置について説明するための図。
【図７】本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置に含まれるフィルタの一例について説明するための図。
【図８】近赤外線遮蔽層についてさらに詳しく説明するための図。
【図９】電磁波遮蔽層についてさらに詳しく説明するための図。
【図１０】外光遮蔽層についてさらに詳しく説明するための図。
【図１１Ａ】パターン部の機能について説明するための図。
【図１１Ｂ】パターン部の機能について説明するための図。
【図１１Ｃ】パターン部の機能について説明するための図。
【図１１Ｄ】パターン部の機能について説明するための図。
【図１１Ｅ】パターン部の機能について説明するための図。
【図１２Ａ】パターン部の他の形態について説明するための図。
【図１２Ｂ】パターン部の他の形態について説明するための図。
【図１２Ｃ】パターン部の他の形態について説明するための図。
【図１２Ｄ】パターン部の他の形態について説明するための図。
【図１２Ｅ】パターン部の他の形態について説明するための図。
【図１３Ａ】パターン部の進行方向について説明するための図。
【図１３Ｂ】パターン部の進行方向について説明するための図。
【図１４Ａ】パターン部の多様なタイプ（Ｔｙｐｅ）について説明するための図。
【図１４Ｂ】パターン部の多様なタイプ（Ｔｙｐｅ）について説明するための図。
【図１４Ｃ】パターン部の多様なタイプ（Ｔｙｐｅ）について説明するための図。
【図１５】互いに異なるパターンを有する二つ以上のパターン部を共に使用する場合の一例を説明するための図。
【図１６】パターン部の他の構造について説明するための図。
【図１７】本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置で映像の階調を具現するための映像フレーム（Ｆｒａｍｅ）について説明するための図。
【図１８】本発明の一つの実施形態によるプラズマディスプレイ装置の動作の一例を説明するための図。
【図１９Ａ】上昇ランプ信号または第２下降ランプ信号の他の形態について説明するための図。
【図１９Ｂ】上昇ランプ信号または第２下降ランプ信号の他の形態について説明するための図。
【図２０】サステイン信号の他のタイプについて説明するための図。
【図１】
2008047508.tif 000003
【図２Ａ】
2008047508.tif 000004
【図２Ｂ】
2008047508.tif 000005
【図２Ｃ】
2008047508.tif 000006
【図２Ｄ】
2008047508.tif 000007
【図３】
2008047508.tif 000008
【図４】
2008047508.tif 000009
【図５Ａ】
2008047508.tif 000010
【図５Ｂ】
2008047508.tif 000011
【図６Ａ】
2008047508.tif 000012
【図６Ｂ】
2008047508.tif 000013
【図７】
2008047508.tif 000014
【図８】
2008047508.tif 000015
【図９】
2008047508.tif 000016
【図１０】
2008047508.tif 000017
【図１１Ａ】
2008047508.tif 000018
【図１１Ｂ】
2008047508.tif 000019
【図１１Ｃ】
2008047508.tif 000020
【図１１Ｄ】
2008047508.tif 000021
【図１１Ｅ】
2008047508.tif 000022
【図１２Ａ】
2008047508.tif 000023
【図１２Ｂ】
2008047508.tif 000024
【図１２Ｃ】
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【図１２Ｄ】
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【図１２Ｅ】
2008047508.tif 000027
【図１３Ａ】
2008047508.tif 000028
【図１３Ｂ】
2008047508.tif 000029
【図１４Ａ】
2008047508.tif 000030
【図１４Ｂ】
2008047508.tif 000031
【図１４Ｃ】
2008047508.tif 000032
【図１５】
2008047508.tif 000033
【図１６】
2008047508.tif 000034
【図１７】
2008047508.tif 000035
【図１８】
2008047508.tif 000036
【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図２０】
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