(57)【要約】【課題】基板への加熱を均一にするとともに、短時間で基板を昇温させることができる基板加熱装置及びその基板加熱装置を用いた液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】液晶表示パネルに用いられる基板１２を加熱するステージ１１を備え、基板１２は、ステージ１１上に載置され、少なくとも所定の処理温度に基板１２を加熱した際、ステージ１１は、加熱されることによって変形した基板１２と密着可能な形状となるように構成した。【選択図】図１
2008263085.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が載置される載置面を有するステージと、
前記ステージを加熱するヒータと、
を備え、
所定の処理温度に前記基板が加熱された際、前記ステージの前記載置面は、加熱されることによって変形した前記基板の形状に応じた曲面形状となっている基板加熱装置。
【請求項２】
前記ステージは、前記載置面を備える載置部と、前記ヒータを内蔵する加熱部と、を備え、
前記載置部は、前記加熱部と着脱可能となっている請求項１に記載の基板加熱装置。
【請求項３】
前記ステージは、加熱により変形可能な追従伝熱部材を備え、
前記追従伝熱部材は、前記基板が載置される載置面を有し、
前記載置面の形状が、前記曲面形状となるように、前記追従伝熱部材は、加熱されることによって変形する請求項１に記載の基板加熱装置。
【請求項４】
前記追従伝熱部材は、形状記憶合金により形成される請求項３に記載の基板加熱装置。
【請求項５】
前記追従伝熱部材は、熱膨張率の異なる複数の材料を貼り合わせた複合材料により形成される請求項３に記載の基板加熱装置。
【請求項６】
前記追従伝熱部材は、袋状に形成された袋状部材と、前記袋状部材の内部に充填される熱媒体と、前記熱媒体を前記袋状部材の内部に循環させる循環部と、を備えて構成され、
前記袋状部材は、前記基板が載置される載置面を有し、
前記載置面の形状が、前記曲面形状となるように、前記袋状部材が膨らむ請求項３に記載の基板加熱装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板加熱装置を用いて、前記基板上に形成された配向膜の乾燥処理を行う液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板加熱装置及びその基板加熱装置を用いた液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ホットプレートステージ（以下、ステージと称する。）を利用した基板加熱装置は、基板のアニール工程や乾燥工程において比較的短時間で基板を昇温できるため、使用されることが多い。
通常、基板加熱装置では、例えば、図７（ａ）に示すように、配向膜転写後の基板７０（ガラス基板）がステージ８０上に載置される。また、ステージ８０の基板７０の縁部に相当する位置に備えられた吸着孔８１により基板７０がステージ８０上に吸着固定される。ステージ８０の吸着孔８１部分における基板７０への熱伝導状態は他の部分と異なる。従って、当該吸着孔８１に相当する基板７０の部分に乾燥ムラが生じ、当該乾燥ムラに起因する表示ムラが生じる。そのため、吸着孔８１は、ステージ８０において、基板７０の表示領域ではない基板７０の縁部に相当する位置に備えられている。
【０００３】
しかしながら、液晶パネル等に使用される基板は、当該基板と表面に形成された配向膜との熱膨張率の違いにより、加熱されると反ってしまう。ステージを利用した基板加熱装置では、基板とステージとが直接接触することにより基板を加熱する。そのため、例えば、図７（ｂ）に示すように、基板７０に反りが生じると、基板７０とステージ８０とが密着しなくなる。その結果、基板７０への加熱が不均一となってしまう。特に、配向性膜転写後の仮乾燥工程等のように基板の熱分布や乾燥速度分布に敏感な工程では、加熱の不均一は基板の乾燥ムラ、さらに、それによって引き起こされる表示ムラ等の工程不良を引き起こしてしまう。
そこで、特許文献１では、多孔質材料を介して、基板をステージに吸着している。基板は、多孔質材料を介する吸気による吸引力によりステージに吸着されている。これにより、強制的に基板を平坦な状態として基板加熱を行っている（例えば、特許文献１）。
また、液晶表示パネルの製造における上基板と下基板とを貼り合わせる工程において、下基板を押圧することにより上基板の反りに合わせて当該下基板を反らせて貼り合わせる方法が知られている（例えば、特許文献２）。
【特許文献１】特開平１１−９７１６１号公報
【特許文献２】特開２００３−０９８５３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１では、基板が多孔質材料を介してステージに吸着されるため、基板への熱の伝導は多孔質材料を介して行われることとなる。その結果、金属等の比較的熱伝導の良い材料により構成されたステージが基板に直接接触して短時間で基板を昇温できるというステージを用いた基板加熱装置本来の利点が損なわれてしまう。以上のように、基板への加熱を均一にするとともに短時間で基板を昇温させることができる基板加熱装置は実現されていなかった。
【０００５】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、基板への加熱を均一にするとともに、短時間で基板を昇温させることができる基板加熱装置及びその基板加熱装置を用いた液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかる基板加熱装置は、基板が載置される載置面を有するステージと、前記ステージを加熱するヒータと、を備え、所定の処理温度に前記基板が加熱された際、前記ステージの前記載置面は、加熱されることによって変形した前記基板の形状に応じた曲面形状となっているものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、所定の処理温度に基板が加熱された際、ステージの載置面は、加熱されることによって変形した基板の形状に応じた曲面形状となっているので、基板を所定の処理温度に加熱した際に、基板がステージの載置面に均一に接触することとなって、基板への伝熱を均一にすることができる。
また、ステージが基板に直接接触するので、短時間で基板を昇温させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下に、本発明を適用可能な実施の形態を説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【０００９】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１にかかる基板加熱装置１００について図１を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態１にかかる基板加熱装置１００の断面図である。基板加熱装置１００は、例えば、液晶表示パネルに用いられるガラス基板を加熱する。具体的には、液晶表示パネルに用いられるＴＦＴアレイ基板、又はカラーフィルタ基板が加熱処理の対象となる。そして、加熱処理を行い、基板上に形成された配向膜を乾燥させる。
【００１０】
本発明の実施の形態１にかかる基板加熱装置１００は、例えば、図１に示すように、ステージ１１と、ヒータ１０等を備えて構成されている。
ヒータ１０は、例えば、電熱線等を備えて構成される。ヒータ１０は、ステージ１１の厚み方向の中央近傍に配置されている。ヒータ１０に電流を供給することによって、ステージ１１が加熱される。
ステージ１１は、例えば、図１に示すように、ガラス基板１２(以下、基板１２と称する)が載置される載置面１１Ａを備えている。ステージ１１の載置面１１Ａの面積は、基板１２の面積よりも大きくなっている。従って、基板１２の全体がステージ１１上からはみ出すことなく載置される。また、ステージ１１は、金属等の伝熱性の高い材料により形成されている。そして、ヒータ１０によりステージ１１を加熱すると、基板１２が加熱される。このように、基板１２は、基板加熱装置１００によって、処理温度まで加熱される。
【００１１】
ステージ１１は、例えば、図１に示すように、吸着孔１３を複数備えている。吸着孔１３は、ステージ１１を貫通している。吸着孔１３は、ステージ１１上に載置される基板１２を吸着する。具体的には、吸着孔１３は、図示しないポンプと接続されている。そして、ポンプが吸着孔１３内の空気を吸引することによって、吸着孔１３が減圧される。これにより、吸着孔１３を介して基板１２がステージ１１に真空吸着されるようになっている。また、吸着孔１３は、ステージ１１の基板１２の縁部に相当する位置に点在している。即ち、吸着孔１３は、基板１２の表示領域外に対応する箇所に形成されている。これにより、表示領域における加熱ムラの発生を防ぐことができる。
【００１２】
ステージ１１の載置面１１Ａは、基板１２と当接する。また、基板１２の下面を当接面１２Ａとする。従って、ステージ１１の載置面１１Ａと、基板１２の当接面１２Ａが当接する。これにより、ステージ１１上に基板１２が保持される。
また、所定の処理温度に基板１２が加熱された際、載置面１１Ａは、加熱されることによって変形した基板１２の形状に応じた曲面形状となっている。具体的には、例えば、ステージ１１の載置面１１Ａが、上に凸の曲面形状に加工されている。従って、載置面１１Ａは、ステージ１１（基板１２）の中心で最も高くなり、端に行くほど低くなっていく。即ち、吸着孔１３近辺の載置面１１Ａの高さは、中心位置よりも低くなる。つまり、載置面１１Ａの高さは、中心位置に対して略対称に湾曲している。このように、載置面１１Ａが所定の高低差を有するように、ステージ１１が加工されている。また、基板１２を所定の処理温度に加熱すると、当接面１２Ａが上に凸の曲面形状に変形する。これにより、載置面１１Ａは、所定の処理温度に加熱されて変形した基板１２の当接面１２Ａに密着する。
【００１３】
より具体的には、ステージ１１は、例えば、図１に示すように、ステージ１１上に載置された基板１２が自重と吸着孔１３による吸着により、上に凸の曲面に変形した際に載置面１１Ａと当接面１２Ａとが密着可能となるように加工されている。即ち、ステージ１１は、載置面１１Ａが、自重と吸着により変形した基板１２の当接面１２Ａと略同一の曲面形状となるように加工されている。具体的には、基板１２が自重と吸着孔１３による吸着により上に凸の曲面形状に変形した際の当接面１２Ａの形状と、基板が所定の処理温度に加熱された際の当接面１２Ａの形状とが略同一となっている。即ち、ステージ１１の載置面１１Ａにおける高低差が、加熱による基板１２の反り量に対応している。従って、設定されている基板１２の処理温度に応じて、載置面１１Ａが設計されている。
そして、ステージ１１上に吸着された基板１２には、自重と吸着孔１３の吸着に起因する変形を元に戻そうとする引っぱり応力が発生する。具体的には、ステージ１１上に吸着された基板１２には、中心方向に引っぱる力と上方に引っぱる力とが合成された引っぱり応力が発生する。当該引っぱり応力が、基板１２が加熱されることによって変形しようとする変形力を打ち消すようになっている。
【００１４】
次に、本発明の実施の形態１にかかる基板加熱装置１００を用いた液晶表示装置の製造方法を説明する。ここでは、配向膜を乾燥するための加熱処理を例として、説明する。すなわち、基板上に設けられた配向膜にラビング処理を行う。そして、ラビング処理後に純水などで洗浄して、ラビング処理で発生する発塵を除去する。基板を所定の温度まで加熱して、洗浄工程で使用した純水などを乾燥する。この乾燥工程に基板加熱装置１００を用いている。
【００１５】
まず、基板加熱装置１００のステージ１１上に基板１２を載置する（載置工程）（図１（ａ））。このとき、基板１２は自重により当接面１２Ａが上に凸の曲面となるように変形する。さらに、吸着孔１３を介して基板１２の縁部がステージ１１に吸着される（吸着工程）。これにより、基板１２は、当接面１２Ａが載置面１１Ａに密着するように変形する（図１（ｂ）参照）。そして、このとき、基板１２には、変形を元に戻そうとする引っぱり応力が発生している。
【００１６】
次に、ヒータ１０によりステージ１１が加熱され、当該ステージ１１に密着された基板１２が所定の処理温度となるように加熱される（加熱工程）。このとき、基板１２には、基板１２の材料であるガラス等の熱膨張にしたがって上に凸となるように変形しようとする変形力が生じるが、載置工程及び吸着工程において発生した引っぱり応力により当該変形力が打ち消される（図１（ｃ）参照）。その結果、所定の処理温度までの加熱では基板１２の新たな変形は生じず、基板１２は常にステージ１１に密着した状態で加熱されるようになっている。これにより、基板１２が所定の処理温度で加熱される。そして、基板１２に付着している純水などを蒸発させて、基板１２を乾燥することができる。
【００１７】
以上、説明したように、本発明の実施の形態１にかかる基板加熱装置１００では、所定の処理温度に基板１２が加熱された際、ステージ１１の載置面１１Ａは、加熱されることによって変形した基板１２の形状に応じた曲面形状となっている。即ち、載置面１１Ａは、自重と吸着により変形した基板１２の当接面１２Ａと略同一の曲面形状となるように加工されている。そして、基板１２の当該自重と吸着による変形により生じる引っぱり応力が、加熱により生じる変形力を打ち消す。そのため、基板１２を所定の処理温度に加熱した際に、基板１２の当接面１２Ａがステージ１１の載置面１１Ａに均一に接触することとなって、基板１２への伝熱を均一にすることができる。これにより、基板１２上に形成された薄膜の乾く早さについても均一にすることができ、乾きムラを軽減させることができる。その結果、乾きムラに起因する表示ムラの発生を軽減させることができ、表示品質を向上させることができる。
また、金属等の伝熱性の高い材料で形成されたステージ１１が基板１２に直接接触するので、短時間で基板１２を昇温させることができる。
【００１８】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２にかかる基板加熱装置２００について図２を用いて説明する。図２は、本発明の実施の形態２にかかる基板加熱装置２００の断面図である。
基板加熱装置２００は、例えば、液晶表示パネルに用いられるガラス基板を加熱する。具体的には、液晶表示パネルに用いられるＴＦＴアレイ基板、又はカラーフィルタ基板が加熱処理の対象となる。そして、加熱処理を行い、基板上に形成された配向膜を乾燥させる。
なお、本発明の実施の形態２にかかる基板１２、ヒータ１０、吸着孔１３の構成は、図１に示す構成と同様であり、同一符号を付すとともに、その説明を省略する。
【００１９】
本発明の実施の形態２にかかる基板加熱装置２００は、例えば、図２に示すように、ヒータ１０を内蔵したステージ２１、当該ステージ２１上に載置された基板１２を保持するクランプ２２等を備えて構成されている。
【００２０】
ステージ２１は、例えば、図２に示すように、基板１２が載置される載置面２１Ａを備えている。ステージ２１の載置面２１Ａの面積は、基板１２の面積よりも大きくなっている。従って、基板１２の全体がステージ２１上からはみ出すことなく載置される。また、ステージ２１は、金属等の伝熱性の高い材料により形成されている。そして、ヒータ１０によりステージ２１を加熱すると、基板１２が加熱される。このように、基板１２は、基板加熱装置２００によって、処理温度まで加熱される。
【００２１】
また、所定の処理温度に基板１２が加熱された際、載置面２１Ａは、加熱されることによって変形した基板１２の形状に応じた曲面形状となっている。具体的には、例えば、ステージ２１の載置面２１Ａが、上に凸の曲面形状に加工されている。従って、載置面２１Ａは、ステージ２１（基板１２）の中心で最も高くなり、端に行くほど低くなっていく。即ち、吸着孔１３近辺の載置面２１Ａの高さは、中心位置よりも低くなる。つまり、載置面２１Ａの高さは、中心位置に対して略対称に湾曲している。このように、載置面２１Ａが所定の高低差を有するように、ステージ２１が加工されている。また、基板１２を所定の処理温度に加熱すると、当接面１２Ａが上に凸の曲面形状に変形する。これにより、載置面２１Ａは、所定の処理温度に加熱されて変形した基板１２の当接面１２Ａに密着する。
【００２２】
より具体的には、ステージ２１は、例えば、図２（ｂ）に示すように、ステージ２１上に載置された基板１２が所定の処理温度に加熱されることより上に凸の曲面に変形した際に、載置面２１Ａと当接面１２Ａとが密着可能となるように加工されている。即ち、基板１２が所定の処理温度に加熱されることにより変形した際に、載置面２１Ａが当接面１２Ａと略同一の曲面形状（上に凸の曲面形状）となるように、ステージ２１は加工されている。なお、ステージ２１の載置面２１Ａは、ステージ２１上に載置された基板１２が自重により変形したときの当接面１２Ａよりも大きく上に凸となるように反っている。そのため、ステージ２１上に載置された基板１２の縁部では、当接面１２Ａは、ステージ２１の載置面２１Ａに接触しないようになっている。
【００２３】
クランプ２２は、例えば、ステージ２１上において、基板１２の周囲を取り巻くように備えられている。そして、クランプ２２は、ステージ２１上に載置された基板１２を保持している。具体的には、ステージ２１の載置面２１Ａの一番高い部分（図２では、略中央部）に基板１２の当接面１２Ａが接するように、クランプ２２は基板１２を保持している。また、クランプ２２は、基板１２との間に若干の遊びを有する程度に緩く基板１２を保持している。そのため、基板１２が加熱されることにより変形して上に凸の曲線形状となると、クランプ２２は基板１２を開放する。
なお、基板１２はクランプ２２に完全に固定されるように保持されてもよい。その場合には、クランプ２２は、開閉可能に基板１２を保持しており、基板１２の加熱に伴い当該クランプ２２を開くように動作する。
【００２４】
次に、本発明の実施の形態２にかかる基板加熱装置２００を用いた液晶表示装置の製造方法を説明する。ここでは、配向膜を乾燥するための加熱処理を例として、説明する。すなわち、基板上に設けられた配向膜にラビング処理を行う。そして、ラビング処理後に純水などで洗浄して、ラビング処理で発生する発塵を除去する。基板を所定の温度まで加熱して、洗浄工程で使用した純水などを乾燥する。この乾燥工程に基板加熱装置２００を用いている。
【００２５】
まず、基板加熱装置２００のステージ２１上に基板１２を載置し、クランプ２２で保持する（載置工程）。このとき、基板１２の当接面１２Ａは、載置面２１Ａの一番高い部分に接しているが、載置面２１Ａの他の部分とは接していない。即ち、基板１２の中央部分は、ステージ２１と接触しているが、基板１２の周辺部分は、ステージ２１と接触していない。従って、基板１２の当接面１２Ａは、載置面２１Ａと密着しないようになっている（図２（ａ）参照）。
【００２６】
次に、ヒータ１０によりステージ２１が加熱され、当該ステージ２１に密着された基板１２が所定の処理温度となるように加熱される（加熱工程）。このとき、基板１２は、加熱に伴って徐々に上に凸の曲面形状となるように変形する。そして、当該変形に伴って、基板１２がクランプ２２から保持されなくなる。これにより、当接面１２Ａと載置面２１Ａとが接触する箇所が基板１２の中央部から縁部に向かって拡がっていく。即ち、基板１２が加熱されるのに伴って、当接面１２Ａと載置面２１Ａとが接触する面積が徐々に広くなる。
【００２７】
さらに、基板１２の加熱が進み、基板１２の温度が所定の処理温度に達すると、当接面１２Ａは全面にわたって載置面２１Ａに接触する。そして、吸着孔１３を介して基板１２の縁部がステージ２１に吸着される（吸着工程）。そして、基板１２が所定の処理温度で加熱される際、当該基板１２の当接面１２Ａとステージ２１の載置面２１Ａとは密着した状態となる（図２（ｂ）参照）。これにより、基板１２が所定の処理温度で加熱される。そして、基板１２に付着している純水などを蒸発させて、基板１２を乾燥することができる。
【００２８】
以上、説明したように、本発明の実施の形態２にかかる基板加熱装置２００では、所定の処理温度に基板１２が加熱された際、ステージ２１の載置面２１Ａは、加熱されることによって変形した基板１２の形状に応じた曲面形状となっている。そのため、基板１２を所定の処理温度に加熱した際に、基板１２の当接面１２Ａがステージ２１の載置面２１Ａに均一に接触することとなって、基板１２への伝熱を均一にすることができる。これにより、基板１２上に形成された薄膜の乾く早さについても均一にすることができ、乾きムラを軽減させることができる。その結果、乾きムラに起因する表示ムラの発生を軽減させることができ、表示品質を向上させることができる。
特に、ステージ２１の載置面２１Ａは、ステージ２１上に載置された基板１２が自重により変形したときの当接面１２Ａよりも大きく上に凸となるように反っている。そのため、加熱により、基板１２が自重による変形よりも大きく変形する場合や、処理温度が比較的高温の加熱処理の場合にも、所定の処理温度において基板１２を全面にわたりステージ２１へ密着させた状態で加熱処理することができる。
また、金属等の伝熱性の高い材料で形成されたステージ２１が基板１２に直接接触するので、短時間で基板１２を昇温させることができる。
【００２９】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３にかかる基板加熱装置３００について図３を用いて説明する。図３は、本発明の実施の形態３にかかる基板加熱装置３００の断面図である。
基板加熱装置３００は、例えば、液晶表示パネルに用いられるガラス基板を加熱する。具体的には、液晶表示パネルに用いられるＴＦＴアレイ基板、又はカラーフィルタ基板が加熱処理の対象となる。そして、加熱処理を行い、基板上に形成された配向膜を乾燥させる。
なお、本発明の実施の形態３にかかる基板１２、ヒータ１０、吸着孔１３の構成は、図１に示す構成と同様であり、同一符号を付すとともに、その説明を省略する。
【００３０】
本発明の実施の形態３にかかる基板加熱装置３００は、例えば、図３に示すように、ヒータ１０を内蔵したステージ３１、当該ステージ３１上に備えられる平面ヒータ３２、当該平面ヒータ３２上に載置された基板１２を昇降可能に保持する昇降ピン３３等を備えて構成されている。
【００３１】
ステージ３１は、例えば、図３に示すように、基板１２が載置される載置面３１Ａを備えている。ステージ３１の載置面３１Ａの面積は、基板１２の面積よりも大きくなっている。従って、基板１２の全体がステージ３１上からはみ出すことなく載置される。また、ステージ３１は、金属等の伝熱性の高い材料により形成されている。そして、ヒータ１０によりステージ３１を加熱すると、基板１２が加熱される。このように、基板１２は、基板加熱装置３００によって、処理温度まで加熱される。
【００３２】
また、所定の処理温度に基板１２が加熱された際、載置面３１Ａは、加熱されることによって変形した基板１２の形状に応じた曲面形状となっている。具体的には、例えば、ステージ３１の載置面３１Ａが、上に凸の曲面形状に加工されている。従って、載置面３１Ａは、ステージ３１（基板１２）の中心で最も高くなり、端に行くほど低くなっていく。即ち、吸着孔１３近辺の載置面３１Ａの高さは、中心位置よりも低くなる。つまり、載置面３１Ａの高さは、中心位置に対して略対称に湾曲している。このように、載置面３１Ａが所定の高低差を有するように、ステージ３１が加工されている。また、基板１２を所定の処理温度に加熱すると、当接面１２Ａが上に凸の曲面形状に変形する。これにより、載置面３１Ａは、所定の処理温度に加熱されて変形した基板１２の当接面１２Ａに密着する。
【００３３】
より具体的には、ステージ３１は、例えば、図３（ｄ）に示すように、ステージ３１上に載置された基板１２が所定の処理温度に加熱されることより上に凸の曲面に変形した際に、載置面３１Ａと当接面１２Ａとが密着可能となるように加工されている。即ち、基板１２が所定の処理温度に加熱されることにより変形した際に、載置面３１Ａが当接面１２Ａと略同一の曲面形状（上に凸の曲面形状）となるように、ステージ３１は加工されている。なお、ステージ３１の載置面３１Ａは、ステージ３１上に載置された基板１２が自重により変形したときの当接面１２Ａよりも大きく上に凸となるように反っている。そのため、ステージ３１上に載置された基板１２の縁部では、当接面１２Ａは、ステージ３１の載置面３１Ａに接触しないようになっている。
【００３４】
平面ヒータ３２は、例えば、金属等の熱伝導性の高い材質により平板形状に形成されたヒータである。また、平面ヒータ３２は、図示しない移動機構等により移動可能に保持されて、ステージ３１の上方に備えられている。そして、平面ヒータ３２上には、昇降ピン３３に保持された基板１２が載置されるようになっている。そして、平面ヒータ３２は当該基板１２を加熱する。
なお、平面ヒータ３２の上面(即ち、基板１２の下面に接する面)が、昇降ピン３３に保持された基板１２が自重によって変形した際の当該基板１２の下面（即ち、当接面１２Ａ）と略同一な曲面形状となるように、平面ヒータ３２が形成されてもよい。これにより、より高い温度まで、基板１２の当接面１２Ａと平面ヒータ３２とを均一に接触させた状態で加熱を行うことができる。
【００３５】
昇降ピン３３は、例えば、ステージ３１上において、基板１２の縁部に相当する位置に複数備えられている。また、昇降ピン３３は、当該昇降ピン３３の上端がステージ３１の載置面３１Ａよりも下の位置まで下降可能となっている。そして、昇降ピン３３は、ステージ３１上において、基板１２の縁部を昇降可能に保持している。
【００３６】
次に、本発明の実施の形態３にかかる基板加熱装置３００を用いた液晶表示装置の製造方法を説明する。ここでは、配向膜を乾燥するための加熱処理を例として、説明する。すなわち、基板上に設けられた配向膜にラビング処理を行う。そして、ラビング処理後に純水などで洗浄して、ラビング処理で発生する発塵を除去する。基板を所定の温度まで加熱して、洗浄工程で使用した純水などを乾燥する。この乾燥工程に基板加熱装置３００を用いている。
まず、基板１２を、基板加熱装置３００の平面ヒータ３２の上面に当該基板１２の当接面１２Ａを接触させた状態で、昇降ピン３３により保持する（保持工程）（図３（ａ）参照）。
次に、平面ヒータ３２により基板１２を予備加熱すると、温度上昇に伴って基板１２が上方に凸となるように変形する（予備加熱工程）（図３（ｂ）参照）。
次に、平面ヒータ３２と基板１２との接触面積が所定値以下となった場合に、移動機構によって平面ヒータ３２が下降され、基板１２は昇降ピン３３のみによって保持されることとなる（図３（ｃ）参照）。さらに、平面ヒータ３２を基板１２の下方から取り去る。即ち、平面ヒータ３２を基板１２とステージ３１との間から取り除く。その後、昇降ピン３３を載置面３１Ａよりも下の位置まで下降させることにより、基板１２とステージ３１とを接触させる（受け渡し工程）。
次に、ヒータ１０によりステージ３１が加熱され、当該ステージ３１に接触された基板１２が所定の処理温度となるように加熱される（本加熱工程）。このとき、基板１２は、加熱に伴ってさらに大きく上に凸の曲面形状となるように変形する。次いで、基板１２の温度が所定の処理温度に達すると、当接面１２Ａは全面にわたって載置面３１Ａに接触する。そして、吸着孔１３を介して基板１２の縁部がステージ３１に吸着される（吸着工程）。そして、基板１２が所定の処理温度で加熱される際、当該基板１２の当接面１２Ａとステージ３１の載置面３１Ａとは密着した状態となる（図３（ｄ）参照）。これにより、基板１２が所定の処理温度で加熱される。そして、基板１２に付着している純水などを蒸発させて、基板１２を乾燥することができる。
【００３７】
以上、説明したように、本発明の実施の形態３にかかる基板加熱装置３００では、所定の処理温度に基板１２が加熱された際、ステージ３１の載置面３１Ａは、加熱されることによって変形した基板１２の形状に応じた曲面形状となっている。そのため、基板１２を所定の処理温度に加熱した際に、基板１２の当接面１２Ａがステージ３１の載置面３１Ａに均一に接触することとなって、基板１２への伝熱を均一にすることができる。これにより、基板１２上に形成された薄膜の乾く早さについても均一にすることができ、乾きムラを軽減させることができる。その結果、乾きムラに起因する表示ムラの発生を軽減させることができ、表示品質を向上させることができる。
特に、基板１２が平面ヒータ３２に載置されて予備加熱され、当該予備加熱において平面ヒータ３２の上面に基板１２の当接面１２Ａが密着した状態で基板１２の初期の昇温が行われる。そのため、初期の昇温時においても、基板１２を全面にわたって均一に加熱することができる。その結果、比較的低温における加熱処理においても基板１２の加熱の不均一が問題となるような敏感な加熱処理にも対応することができる。
また、金属等の伝熱性の高い材料で形成されたステージ３１が基板１２に直接接触するので、短時間で基板１２を昇温させることができる。
【００３８】
なお、以上に説明した本発明の実施の形態１〜３では、基板１２が加熱に伴い上に凸の曲面形状となるように変形する場合を例に挙げて説明した。基板１２表面に形成された薄膜と基板１２の材料であるガラス等の熱膨張率の関係が逆転している場合には、基板１２が加熱に伴い下に凸の曲面形状となるように変形する場合も想定される。この場合、実施の形態１〜３にかかる基板加熱装置１００〜３００の載置面１１Ａ〜３１Ａが下に凸となる曲面形状となるようにステージ１１〜３１を形成することで同様の効果を得ることができる。
【００３９】
変形例．
以上に説明した本発明の実施の形態１〜３についての変形例について図４を参照しながら説明する。図４は、本発明の実施の形態１〜３の変形例にかかる基板加熱装置４００のステージ４１（以下、ステージ４１と称する）の断面図である。
【００４０】
変形例にかかるステージ４１は、例えば、図４に示すように、ヒータ１０を内蔵する平板形状に形成された加熱部４１Ａ、当該加熱部４１Ａの上に載置され、基板１２が載置される載置面４１Ｃを備える載置部４１Ｂ等を備えて構成されている。なお、加熱部４１Ａ及び載置部４１Ｂは、金属等の比較的熱伝導性の高い材料から形成されている。
ここで、基板１２の下面、即ち、載置部４１Ｂに当接する面を当接面１２Ａとする。
【００４１】
載置部４１Ｂの載置面４１Ｃの面積は、基板１２の面積よりも大きくなっている。従って、基板１２の全体が載置部４１Ｂ上からはみ出すことなく載置される。そして、加熱部４１Ａにより載置部４１Ｂを加熱すると、基板１２が加熱される。このように、基板１２は、基板加熱装置４００によって、処理温度まで加熱される。
【００４２】
また、所定の処理温度に基板１２が加熱された際、載置面４１Ｃは、加熱されることによって変形した基板１２の形状に応じた曲面形状となっている。具体的には、例えば、載置部４１Ｂの載置面４１Ｃが、上に凸の曲面形状に加工されている。即ち、載置部４１Ｂは、載置面４１Ｃが上に凸の曲面形状となるようなドーム形状に加工されている。従って、載置面４１Ｃは、載置部４１Ｂ（基板１２）の中心で最も高くなり、端に行くほど低くなっていく。即ち、吸着孔１３近辺の載置面４１Ｃの高さは、中心位置よりも低くなる。つまり、載置面４１Ｃの高さは、中心位置に対して略対称に湾曲している。このように、載置面４１Ｃが所定の高低差を有するように、載置部４１Ｂが加工されている。また、基板１２を所定の処理温度に加熱すると、当接面１２Ａが上に凸の曲面形状に変形する。これにより、載置面４１Ｃは、所定の処理温度に加熱されて変形した基板１２の当接面１２Ａに密着する。
【００４３】
より具体的には、載置部４１Ｂは、例えば、図２に示すように、載置部４１Ｂ上に載置された基板１２が所定の処理温度に加熱されることより上に凸の曲面に変形した際に、載置面４１Ｃと当接面１２Ａとが密着可能となるように加工されている。即ち、基板１２が所定の処理温度に加熱されることにより変形した際に、載置面４１Ｃが当接面１２Ａと略同一の曲面形状（上に凸の曲面形状）となるように、載置部４１Ｂは加工されている。なお、載置部４１Ｂの載置面４１Ｃは、載置部４１Ｂ上に載置された基板１２が自重により変形したときの当接面１２Ａよりも大きく上に凸となるように反っている。そのため、載置部４１Ｂ上に載置された基板１２の縁部では、当接面１２Ａは、載置部４１Ｂの載置面４１Ｃに接触しないようになっている。
そして、様々な種類の基板１２毎、及び、様々な処理温度毎に、当該処理温度における当該基板１２の変形に対応した曲面形状を有する載置面４１Ｃを備える載置部４１Ｂを準備し、条件に合う載置部４１Ｂを選択して加熱部４１Ａに設置することで、様々な種類の基板１２及び処理温度に、ステージ全体を交換するのに比べてコストを抑えて、且つ、迅速に対応することができる。
また、加熱に伴って基板１２が下に凸である曲面形状に変形する場合には、下に凸である曲面形状を有する載置面４１Ｃを備える載置部４１Ｂを準備すればよいことは言うまでもない。
【００４４】
実施の形態４．
本発明の実施の形態４にかかる基板加熱装置５００について図５を用いて説明する。図５は、本発明の実施の形態４にかかる基板加熱装置５００の断面図である。
基板加熱装置５００は、例えば、液晶表示パネルに用いられるガラス基板を加熱する。具体的には、液晶表示パネルに用いられるＴＦＴアレイ基板、又はカラーフィルタ基板が加熱処理の対象となる。そして、加熱処理を行い、基板上に形成された配向膜を乾燥させる。
なお、本発明の実施の形態４にかかる基板１２の構成は、図１に示す構成と同様であり、同一符号を付すとともに、その説明を省略する。
【００４５】
本発明の実施の形態４にかかる基板加熱装置５００は、例えば、図５に示すように、ステージ５１、当該ステージ５１上に備えられる追従伝熱部材５２、当該追従伝熱部材５２上に載置された基板１２を保持するクランプ５３等を備えて構成されている。
【００４６】
ステージ５１は、例えば、平板形状に形成されている。また、クランプ５３は、当該ステージ５１上に載置される基板１２の周囲に相当する位置に複数備えられている。具体的には、クランプ５３は、例えば、基部５３Ａと押え部５３Ｂとがヒンジにより結合されて形成されている。そして、クランプ５３の基部５３Ａが基板１２の外縁においてステージ５１に取り付けられている。そして、クランプ５３の押え部５３Ｂが基板１２の縁部の上に突出するようにクランプ５３が屈曲することにより、基板１２がステージ５１に保持される。より具体的には、クランプ５３により、基板１２の縁部に下向きの力が印加され、基板１２が追従伝熱部材５２の上に保持される。また、クランプ５３により保持された基板１２により追従伝熱部材５２がステージ５１上に押さえられて保持される。
【００４７】
追従伝熱部材５２は、例えば、熱伝導性の高い材料であって、形状記憶合金等により形成されている。また、追従伝熱部材５２は、基板１２と略同形状の平板形状に形成されている。また、追従伝熱部材５２には、例えば、電熱線等により形成されたヒータ５２Ａが内蔵されている。そして、ヒータ５２Ａによって加熱された追従伝熱部材５２により基板１２が加熱されるようになっている。
【００４８】
追従伝熱部材５２は、例えば、図５に示すように、基板１２が載置される載置面５２Ｂを備えている。追従伝熱部材５２の載置面５２Ｂの面積は、基板１２の面積よりも大きくなっている。従って、基板１２の全体が追従伝熱部材５２上からはみ出すことなく載置される。また、追従伝熱部材５２は、金属等の伝熱性の高い材料により形成されている。そして、ヒータ５２Ａにより追従伝熱部材５２を加熱すると、基板１２が加熱される。このように、基板１２は、基板加熱装置５００によって、処理温度まで加熱される。
【００４９】
また、所定の処理温度に基板１２が加熱された際、載置面５２Ｂが、加熱されることによって変形した基板１２の形状に応じた曲面形状となるように、追従伝熱部材５２は形状記憶されている。具体的には、例えば、追従伝熱部材は、所定の処理温度に加熱された際に、載置面５２Ｂが上に凸の曲面形状となるように形状記憶されている。また、基板１２を所定の処理温度に加熱すると、当接面１２Ａが上に凸の曲面形状に変形する。これにより、載置面５２Ｂは、所定の処理温度に加熱されて変形した基板１２の当接面１２Ａに密着する。
より具体的には、追従伝熱部材５２は、当該追従伝熱部材５２の基板１２に当接する載置面５２Ｂと加熱により変形した基板１２の追従伝熱部材５２に当接する当接面１２Ａとが密着可能な形状となるように形状記憶されている。即ち、追従伝熱部材５２は、載置面５２Ｂと加熱により変形した基板１２の当接面１２Ａとが同じ曲面形状、ここでは、例えば、図５（ｂ）に示すように、上に凸の曲面形状、となるように、形状記憶されている。なお、追従伝熱部材５２は、ヒータ５２Ａにより加熱される前は基板１２と略同形状の平板形状に変形された状態となっている。
【００５０】
次に、本発明の実施の形態４にかかる基板加熱装置５００を用いた液晶表示装置の製造方法を説明する。ここでは、配向膜を乾燥するための加熱処理を例として、説明する。すなわち、基板上に設けられた配向膜にラビング処理を行う。そして、ラビング処理後に純水などで洗浄して、ラビング処理で発生する発塵を除去する。基板を所定の温度まで加熱して、洗浄工程で使用した純水などを乾燥する。この乾燥工程に基板加熱装置５００を用いている。
まず、基板１２を、追従伝熱部材５２上に載置する。なお、この状態では、追従伝熱部材５２の載置面５２Ｂは平坦となっている。そして、基板１２を、基板加熱装置５００の追従伝熱部材５２の載置面５２Ｂと当該基板１２の当接面１２Ａとを接触させた状態で、クランプ５３により保持する（保持工程）（図５（ａ）参照）。
次に、ヒータ５２Ａによって加熱された追従伝熱部材５２によって基板１２を加熱する。これにより、温度上昇に伴って基板１２と追従伝熱部材５２とが密着したまま上方に凸となるように変形する（加熱工程）（図５（ｂ）参照）。したがって、基板１２がクランプ５３と追従伝熱部材５２により挟まれた状態で加熱される。即ち、基板１２の当接面１２Ａと追従伝熱部材５２の載置面５２Ｂとが絶えず密着した状態で、基板１２の加熱が行われることとなる。特に、所定の処理温度近傍においては、基板１２の当接面１２Ａの曲面形状と追従伝熱部材５２の載置面５２Ｂの曲面形状とが完全に一致するため、基板１２には全面にわたって均一に熱が伝熱され、乾燥速度を均一にすることができる。これにより、基板１２が所定の処理温度で加熱される。そして、基板１２に付着している純水などを蒸発させて、基板１２を乾燥することができる。
【００５１】
また、形状記憶合金は冷却されただけでは形状が元に戻らないので、次の加熱処理を行う前に、例えば、図５（ｃ）に示すように、加熱処理の終了後、クランプ５３を開放して、基板１２を基板加熱装置５００から搬出し、ステージ５１とプレス板５４により追従伝熱部材５２を挟んで圧力を印加することにより平板形状に戻す（プレス工程）。
【００５２】
以上、説明したように、本発明の実施の形態４にかかる基板加熱装置５００では、所定の処理温度に基板１２が加熱された際、載置面５２Ｂが、加熱されることによって変形した基板１２の形状に応じた曲面形状となるように、追従伝熱部材５２は形状記憶されている。これにより、加熱処理開始時から基板１２が所定の処理温度付近に達するまでの間、及び、基板１２が当該所定の処理温度で加熱処理されている間、基板１２と追従伝熱部材５２とが密着された状態で、当該基板１２の加熱がなされる。従って、基板１２は全面にわたり均一に温度上昇され、且つ、全面にわたり均一に所定の処理温度で加熱処理されることとなる。これにより、基板１２を全面にわたり均一に乾燥させることができ、乾きムラを軽減させることができる。その結果、乾きムラに起因する表示ムラを軽減させることができ、表示品質を向上させることができる。
また、熱伝導性の高い材料により形成された追従伝熱部材５２が基板１２に直接接触するので、短時間で基板１２を昇温させることができる。
【００５３】
なお、追従伝熱部材５２がヒータ５２Ａにより直接加熱される構成を例示したが、ステージ５１としてヒータを内蔵するステージを使用し、ステージにより加熱された追従伝熱部材５２により基板１２が加熱される構成としてもよい。
また、追従伝熱部材５２は、加熱により変形する基板１２と密着した状態で変形するものであれば何であってもよく、例えば、熱膨張率の異なるシート状や板状の複数の材料を積層させて貼り合わせた複合材料、所謂バイメタルや、金属以外の絶縁体や樹脂などの複合材料により形成されてもよい。これらの複合材料を用いて追従伝熱部材５２を形成した場合には、冷却すると元の形状に戻るため、プレス工程は省略可能となる。
【００５４】
実施の形態５．
本発明の実施の形態５にかかる基板加熱装置６００について図６を用いて説明する。図６は、本発明の実施の形態５にかかる基板加熱装置６００の断面図である。
基板加熱装置６００は、例えば、液晶表示パネルに用いられるガラス基板を加熱する。具体的には、液晶表示パネルに用いられるＴＦＴアレイ基板、又はカラーフィルタ基板が加熱処理の対象となる。そして、加熱処理を行い、基板上に形成された配向膜を乾燥させる。
なお、本発明の実施の形態５にかかる基板１２、ヒータ１０の構成は、図１に示す構成と同様であり、同一符号を付すとともに、その説明を省略する。
【００５５】
本発明の実施の形態５にかかる基板加熱装置６００は、例えば、図６に示すように、ヒータ１０を内蔵したステージ６１、当該ステージ６１上に備えられる追従伝熱部材６２、当該追従伝熱部材６２上に載置された基板１２を保持するクランプ６３等を備えて構成されている。
【００５６】
ステージ６１は、例えば、図６に示すように、金属等の熱伝導性の高い材料により平板形状に形成されている。また、ヒータ１０は、例えば、伝熱線等を備えて構成されている。そして、ステージ６１はヒータ１０により加熱されるようになっている。
【００５７】
クランプ６３は、当該ステージ６１上に載置される基板１２の周囲に相当する位置に複数備えられている。具体的には、クランプ６３は、例えば、基部６３Ａと押え部６３Ｂとがヒンジにより結合されて形成されている。そして、クランプ６３の基部６３Ａが基板１２の外縁においてステージ６１に取り付けられている。そして、クランプ６３の押え部６３Ｂが基板１２の縁部の上に突出するようにクランプ６３が屈曲することにより、基板１２がステージ６１に保持される。より具体的には、クランプ６３により、基板１２の縁部に下向きの力が印加され、基板１２が追従伝熱部材６２の上に保持される。また、クランプ６３により保持された基板１２により追従伝熱部材６２がステージ６１上に押さえられて保持される。
【００５８】
追従伝熱部材６２は、例えば、ステージ６１上に載置される袋状部材６２１と、当該袋状部材６２１の内部に充填される熱媒体６２２と、当該熱媒体６２２を袋状部材６２１の内部に循環させる循環部６２３等を備えて構成されている。
【００５９】
袋状部材６２１は、例えば、熱伝導性の高い材料により伸縮可能な袋状に形成されている。また、袋状部材６２１は、当該袋状部材６２１が縮んでいる状態では、基板１２の上方からみて当該基板１２と略同形状となるように形成されている。また、袋状部材６２１は、基板１２が載置される載置面６２１Ａを有している。
また、袋状部材６２１は、熱媒体６２２が流入する流入孔（図示省略）と、熱媒体６２２が流出する流出孔（図示省略）等を備えている。流入孔は、例えば、後述するポンプ６２３１と流路６４を介して接続されている。また、流出孔は、例えば、後述するヒータ６２３２と流路６５を介して接続されている。また、流路６５は、流路６４より細く形成されている。そして、袋状部材６２１上に基板１２が載置され、クランプ６３により保持された状態では、袋状部材６２１は、ステージ６１と基板１２とにより挟まれる。そのため、熱媒体６２２が袋状部材６２１から流出する際には排圧がかかるようになっている。
そして、基板１２が加熱されることにより、例えば、上に凸となる曲面形状に変形すると、ステージ６１と基板１２とに挟まれた袋状部材６２１は、熱媒体６２２が流出する際の排圧により膨らむ。即ち、載置面６２１Ａの形状が、加熱されることによって変形した基板１２の形状に応じた曲面形状となるように、袋状部材６２１が膨らむ。その結果、袋状部材６２１の基板１２に当接する載置面６２１Ａが、基板１２が袋状部材６２１に当接する当接面１２Ａと密着するように、袋状部材６２１が膨らむようになっている。従って、基板１２は、当該基板１２と追従伝熱部材６２とが密着した状態で加熱されることとなる。
【００６０】
熱媒体６２２は、例えば、液体又は気体であって、熱容量（比熱容量）の比較的大きいものが好ましい。また、粘性の高い液体等であってもよい。
【００６１】
循環部６２３は、例えば、図６に示すように袋状部材６２１に接続されるポンプ６２３１、当該ポンプ６２３１に接続されるヒータ６２３２、当該ヒータ６２３２及びステージ６１に接続される温度コントローラ６２３３等を備えて構成されている。また、ポンプ６２３１とヒータ６２３２とは、例えば、流路６４と同様の太さを持つ流路６６を介して接続されている。
また、ポンプ６２３１は、例えば、熱媒体６２２の流速がほぼ一定となるように、当該熱媒体６２２を袋状部材６２１へと押し出している。これにより、袋状部材６２１から熱媒体６２２が流出する際には、常に、排圧が生じるようになっている。
そして、ヒータ６２３２により加熱された熱媒体６２２はポンプ６２３１により袋状部材６２１の内部へと流入する。また、袋状部材６２１内から流出した熱媒体６２２はヒータ６２３２へ到達して加熱されるようになっている。
また、温度コントローラ６２３３は、例えば、ヒータ１０により加熱されたステージ６１及びヒータ６２３２により加熱された熱媒体６２２の温度を検出し、ステージ６１と熱媒体６２２の温度がほぼ同じとなるようにヒータ１０及びヒータ６２３２を制御する。
【００６２】
次に、本発明の実施の形態５にかかる基板加熱装置６００を用いた液晶表示装置の製造方法を説明する。ここでは、配向膜を乾燥するための加熱処理を例として、説明する。すなわち、基板上に設けられた配向膜にラビング処理を行う。そして、ラビング処理後に純水などで洗浄して、ラビング処理で発生する発塵を除去する。基板を所定の温度まで加熱して、洗浄工程で使用した純水などを乾燥する。この乾燥工程に基板加熱装置６００を用いている。
まず、基板１２を、基板加熱装置６００の袋状部材６２１の載置面６２１Ａと当該基板１２の当接面１２Ａとを接触させた状態で、クランプ６３により保持する（保持工程）。このとき、袋状部材６２１は縮んでおり、平坦な形状となっている（図６（ａ）参照）。
次に、ヒータ１０によりステージ６１を加熱するとともに、ヒータ６２３２により熱媒体６２２を加熱する。そして、加熱された熱媒体６２２の熱を袋状部材６２１によって基板１２に伝熱し、基板１２を加熱する（加熱工程）。
温度上昇に伴って基板１２が上方に凸である曲面形状に変形する（図６（ｂ）参照）。これにより、袋状部材６２１が、熱媒体６２２が流出する際の排圧により膨らむ。その結果、袋状部材６２１の載置面６２１Ａが基板１２の当接面１２Ａと密着するように上方に凸の曲面形状となるように変形する（図６（ｃ）参照）。したがって、基板１２と追従伝熱部材５２とは絶えず密着した状態で基板１２の加熱が行われることとなる。その結果、基板１２には全面にわたって均一に熱が伝熱され、乾燥速度を均一にすることができる。これにより、基板１２が所定の処理温度で加熱される。そして、基板１２に付着している純水などを蒸発させて、基板１２を乾燥することができる。
【００６３】
以上、説明したように、本発明の実施の形態５にかかる基板加熱装置６００では、載置面６２１Ａの形状が、加熱されることによって変形した基板１２の形状に応じた曲面形状となるように、袋状部材６２１が膨らむ。これにより、加熱処理開始時から基板１２が所定の処理温度付近に達するまでの間、及び、基板１２が当該所定の処理温度で加熱処理されている間、基板１２と追従伝熱部材６２とが密着された状態で、当該基板１２の加熱がなされる。従って、基板１２は全面にわたり均一に温度上昇され、且つ、全面にわたり均一に所定の処理温度で加熱処理されることとなる。これにより、基板１２を全面にわたり均一に乾燥させることができ、乾きムラを軽減させることができる。その結果、乾きムラに起因する表示ムラを軽減させることができ、表示品質を向上させることができる。
また、熱伝導性の高い材料により形成された追従伝熱部材６２の袋状部材６２１が基板１２に直接接触するので、短時間で基板１２を昇温させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる基板加熱装置の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態２にかかる基板加熱装置の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態３にかかる基板加熱装置の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１〜３の変形例にかかる基板加熱装置の断面図である。
【図５】本発明の実施の形態４にかかる基板加熱装置の断面図である。
【図６】本発明の実施の形態５にかかる基板加熱装置の断面図である。
【図７】従来の基板加熱装置の断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１０  ヒータ
１１，２１，３１，４１，５１，６１  ステージ
１２  基板
１１Ａ，２１Ａ，３１Ａ，４１Ｃ，５２Ｂ，６２１Ａ  載置面
１２Ａ  当接面
５２，６２  追従伝熱部材
６２１  袋状部材
６２２  熱媒体
６２３  循環部
１００，２００，３００，４００，５００，６００  基板加熱装置
【図１】
2008263085.tif 000003
【図２】
2008263085.tif 000004
【図３】
2008263085.tif 000005
【図４】
2008263085.tif 000006
【図５】
2008263085.tif 000007
【図６】
2008263085.tif 000008
【図７】
2008263085.tif 000009