(57)【要約】【課題】画素電極と共通電極とが絶縁膜を介して積層された液晶表示装置について良好な表示品位を得ることである。【解決手段】各画素は液晶層を挟持する一対の基板の一方に設けられた絶縁膜を介して積層された画素電極と共通電極と、両電極よりも液晶層側に配置された配向膜とを含む。画素電極と共通電極とのうちで液晶層側の電極は、配向膜のラビング方向と略平行なスリット部を有する。画素電極とスリット部とよりなる画素電極領域は、画素電極と共通電極との間の電圧に依存する透過率特性Ａを有する。ラビング方向に交差する方向に配列され互いに隣接する画素電極の間の領域は、当該隣接する画素電極間の電圧に依存する透過率特性Ｂ〜Ｄを有する。隣接する画素電極間の距離は、隣接する画素電極の間の領域の透過率特性が少なくとも一部において画素電極領域の透過率特性と同等以下になる距離である。【選択図】図３
2008203674.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板に液晶層を挟持した液晶表示装置において、
前記一対の基板の一方の基板に設けられた絶縁膜を介して積層された画素電極と共通電極と、前記画素電極および前記共通電極よりも液晶層側に配置された配向膜と、をそれぞれ含む複数の画素を備え、
前記画素電極と前記共通電極とのうちで前記液晶層側の電極は、前記配向膜のラビング方向と略平行なスリット部を有し、
前記画素電極と前記スリット部とよりなる画素電極領域は、前記画素電極と前記共通電極との間の電圧に依存する透過率特性を有し、
前記ラビング方向に交差する方向に配列され互いに隣接する前記画素電極の間の領域は、当該隣接する画素電極間の電圧に依存する透過率特性を有し、
前記隣接する画素電極間の距離は、前記隣接する画素電極の間の領域の透過率特性が少なくとも一部において前記画素電極領域の透過率特性と同等以下になる距離であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記隣接する画素電極に前記共通電極を基準にした互いに逆極性の電位が印加されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
一対の基板に液晶層を挟持した液晶表示装置において、
前記一対の基板の一方の基板に設けられた絶縁膜を介して積層された画素電極と共通電極と、前記画素電極および前記共通電極よりも液晶層側に配置された配向膜と、をそれぞれ含む複数の画素を備え、
前記画素電極と前記共通電極とのうちで前記液晶層側の電極は、前記配向膜のラビング方向と略平行なスリット部を有し、
隣接する前記画素電極の間の距離は、少なくとも６０％以下の範囲の電圧において、前記隣接する画素電極の間の電界強度が前記画素電極と前記スリット部とよりなる画素電極領域の電界強度と同等以下になる距離であることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に画素電極と共通電極とが絶縁膜を介して積層された構成を有する液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＦＳ（Fringe  Field  Switching）方式の液晶表示装置では、液晶の配向を制御する画素電極と共通電極との両方が同じ基板に設けられており、この２つの電極は絶縁膜を介して積層されている。当該電極のうちで上側の電極すなわち液晶層側の電極にはスリットが設けられている。スリットの長手方向（長辺方向）と略平行にラビング処理がなされ、上記電極間の電圧がオフ電圧の場合、液晶分子はスリットの長手方向と略平行に配向する（初期配向状態）。オフ電圧よりも高い電圧を上記電極間に印加した場合、当該電極間にはスリットを通って電界が生じる。この電界はスリットの長辺に対して垂直な方向に発生し、液晶分子は当該電界方向に沿うように基板に平行な面内で回転する。液晶分子の回転角を制御することによって、透過光量が制御される。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２０２３５６号公報
【特許文献２】特開２００３−５７６７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
画素電極が上電極の場合、スリットを通る上記電界の他に、隣接する画素電極間にわたる電界が発生しうる。隣接画素電極間の電界がラビング方向と交差する領域では、液晶分子が初期配向状態からずれるので、当該領域の透過率が高くなり、光漏れが発生してしまう。
【０００５】
図６に上記光漏れの様子を説明する図を示す。図６は、画素電極のスリット部６６３とスリット部６６３を挟んで並ぶ枝部６６２とを横切る断面、すなわちラビング方向を横切る断面について、透過率をシミュレーションした図である。なお、画素電極は不図示の絶縁膜を介して共通電極６４０と積層されている。図６には、隣接画素電極間領域５４０と当該領域５４０を挟んで並ぶ２つの画素電極領域５３０とを図示し、画素電極領域５３０の階調レベルが約２０％の場合を例示している。
【０００６】
図６によれば、画素電極領域５３０での透過率に比べて、隣接画素電極間領域５４０での透過率が高くなる場合があることが分かる。この場合、画素電極領域５３０よりも隣接画素電極間領域５４０の方が輝度が高くなり、表示品位が低下するという問題がある。
【０００７】
一般に、隣接画素電極間の距離が短いほど、隣接画素電極間の電界は強くなる。このため、高精細化が進むほど、隣接画素電極間領域５４０での光漏れが発生しやすい。
【０００８】
また、隣接画素電極間領域５４０の液晶分子は、両側の画素電極の電位変動の影響を受けるので、配向状態が不安定である。このため、隣接画素電極間領域５４０での光漏れは、フリッカーのようにちらつき、強調されて見える傾向にある。この点においても、表示品位が低下するという問題がある。
【０００９】
ここで、上記光漏れを防止する対策として、隣接画素電極間領域５４０を遮光膜によって遮光することが考えられる。しかし、上記ちらつきを抑制するためには、隣接画素電極間領域５４０から斜め方向へ出射する光を含めて遮光する必要がある。このため、遮光膜の拡大を招くことになる。一般に、ＦＦＳ方式の構造では画素電極と共通電極との積層構造によって保持容量が形成されるので、保持容量が別個に設けられた構造に比べて開口率が高いという特長がある。上記の遮光膜の拡大はＦＦＳの特長を低減する可能性がある。
【００１０】
また、一般に、電位差が大きい箇所およびその付近では部分的な焼付きが生じやすい。このため、例えばライン反転駆動や高精細化によって隣接画素電極間領域５４０に大きな電位差が印加されると、当該領域５４０に焼付きが生じやすくなり、表示品位が低下するという問題がある。
【００１１】
本発明の目的は、画素電極と共通電極とが絶縁膜を介して積層された構成を有する液晶表示装置であって良好な表示品位を得ることが可能な液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る液晶表示装置は、一対の基板に液晶層を挟持した液晶表示装置において、前記一対の基板の一方の基板に設けられた絶縁膜を介して積層された画素電極と共通電極と、前記画素電極および前記共通電極よりも液晶層側に配置された配向膜と、をそれぞれ含む複数の画素を備え、前記画素電極と前記共通電極とのうちで前記液晶層側の電極は、前記配向膜のラビング方向と略平行なスリット部を有し、前記画素電極と前記スリット部とよりなる画素電極領域は、前記画素電極と前記共通電極との間の電圧に依存する透過率特性を有し、前記ラビング方向に交差する方向に配列され互いに隣接する前記画素電極の間の領域は、当該隣接する画素電極間の電圧に依存する透過率特性を有し、前記隣接する画素電極間の距離は、前記隣接する画素電極の間の領域の透過率特性が少なくとも一部において前記画素電極領域の透過率特性と同等以下になる距離であることを特徴とする。上記構成によれば、隣接する画素電極の間の領域での光漏れ等が抑制される。したがって、良好な表示品位が得られる。
【００１３】
なお、前記隣接する画素電極に前記共通電極を基準にした互いに逆極性の電位が印加されることが好ましい。一般に、隣接する画素電極に互いに逆極性の電位が印加された場合、同極性の電位が印加された場合に比べて、当該隣接する画素電極間の電圧が高くなる。しかし、上記構成によれば、良好な表示品位を得ることができる。
【００１４】
本発明に係る液晶表示装置は、一対の基板に液晶層を挟持した液晶表示装置において、前記一対の基板の一方の基板に設けられた絶縁膜を介して積層された画素電極と共通電極と、前記画素電極および前記共通電極よりも液晶層側に配置された配向膜と、をそれぞれ含む複数の画素を備え、前記画素電極と前記共通電極とのうちで前記液晶層側の電極は、前記配向膜のラビング方向と略平行なスリット部を有し、隣接する前記画素電極の間の距離は、少なくとも６０％以下の範囲の電圧において、前記隣接する画素電極の間の電界強度が前記画素電極と前記スリット部とよりなる画素電極領域の電界強度と同等以下になる距離であることを特徴とする。上記構成によれば、隣接する画素電極の間の領域での光漏れ等が抑制される。したがって、良好な表示品位が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１および図２に本発明の実施の形態に係る液晶表示装置１０の表示領域の一部について断面図および平面図を示す。図１は、図２中の１−１線における断面図に相当する。図２には、２行３列にマトリクス配列された画素２０を例示しており、図面の煩雑化を避けるため２個の画素２０についてのみ太い破線で例示している。なお、図２では図１中に図示した要素の一部を省略している。
【００１６】
液晶表示装置１０は、対向配置された２枚の支持基板１１０，２１０と、当該２枚の支持基板１１０，２１０間に挟持された液晶層３００とを含んでいる。支持基板１１０，２１０は、例えばガラス板等の透光性基板で構成可能である。液晶層３００の厚さはセルギャップに対応し、例えば２〜４μｍである。
【００１７】
液晶表示装置１０は、支持基板１１０の液晶層３００側に、配線１２０と、絶縁膜１３０と、共通電極１４０と、絶縁膜１５０と、画素電極１６０と、配向膜１７０とを含んでいる。
【００１８】
配線１２０は、例えばゲート線、表示信号線等であり、図１では支持基板１１０上に配置されている場合を例示している。絶縁膜１３０は、配線１２０を覆って配置されており、図１では支持基板１１０上に配置されている場合を例示している。
【００１９】
共通電極１４０は、絶縁膜１３０上に配置されている。共通電極１４０は、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）等の透光性導電膜で構成可能である。共通電極１４０によって各画素２０に共通の電位が供給される。ここでは、共通電極１４０が、全ての画素２０にわたって配置された導電膜で構成される場合を例示するが、例えば、共通電極１４０を画素２０ごとに分割し、これら複数の分割電極を配線で接続してもよい。また、例えば、全画素２０を複数のグループに分け、当該グループごとに共通電極１４０を分割配置することも可能である。
【００２０】
画素電極１６０は、絶縁膜１５０を介して共通電極１４０上に積層されている。画素電極１６０は、例えばＩＴＯ等の透光性導電膜で構成可能である。画素電極１６０は、各画素２０にそれぞれ設けられている。画素電極１６０は不図示のスイッチング素子、例えばトランジスタを介して表示信号線に接続されている。これにより、画素電極１６０には、表示信号線からスイッチング素子を介して、その画素２０の表示に応じた電位が供給される。
【００２１】
画素電極１６０は、１本の幹部（または背部）１６１と、複数の枝部（または歯部）１６２とを含んでいる。枝部１６２は、スリット部（または溝部）１６３を挟んで配列されており、スリット部１６３とともにライン・アンド・スペースのパターンを構成している。なお、枝部１６２とスリット部１６３の数は図示の例示に限られるものではない。複数の枝部１６２は、一端において、幹部１６１で繋がれている。すなわち、画素電極１６０は、くし歯形状をしている。なお、枝部１６２の幅は例えば２．５〜３．５μｍであり、枝部１６２間の間隔すなわちスリット部１６３の幅は例えば４．０〜５．０μｍである。なお、画素電極１６０の輪郭線の角部（コーナー部）は、角張っていてもよいし、丸まった形状でもよい。
【００２２】
ここでは、枝部１６２およびスリット部１６３が図２中における図示の横方向（換言すれば図示の左右方向）に延伸する場合を例示し、この形態を「横スリット型」と呼ぶことにする。また、ここでは、図示の縦方向（換言すれば図示の上下方向）に並ぶ画素電極１６０は、くし歯形状の開放端の向き、換言すればくし歯形状の幹部１６１の位置を交互にして配列されている場合を例示する。
【００２３】
共通電極１４０は画素電極１６０のスリット部１６３だけでなく幹部１６１および枝部１６２にも対向しており、両電極１４０，１６０は絶縁膜１５０を介して保持容量を構成している。
【００２４】
配向膜１７０は、画素電極１６０を覆って積層されている。配向膜１７０の液晶層３００に接する表面は、枝部１６２およびスリット部１６３の長手方向に略平行に、例えば当該長手方向に対して約５°〜１０°傾いた方向にラビングされている。図２にはラビング方向Ｒの一例を矢印によって模式的に図示している。
【００２５】
液晶表示装置１０は、支持基板１１０の液晶層３００とは反対側に不図示の偏光板を含んでいる。
【００２６】
液晶表示装置１０は、支持基板２１０の液晶層３００側に、遮光膜２２０と、カラーフィルタ２３０とを含んでいる。遮光膜２２０は、例えば樹脂で構成可能である。遮光膜２２０には画素２０ごとに、画素電極１６０に対向して開口部が形成されている。各開口部には、その画素２０の表示色に応じた色相のカラーフィルタ２３０が配置されている。図１では遮光膜２２０およびカラーフィルタ２３０が支持基板２１０上に配置されている場合を例示している。
【００２７】
液晶表示装置１０は、カラーフィルタ２３０を覆って順次、積層された不図示のオーバーコート層と配向膜２４０とを含んでいる。配向膜２４０の液晶層３００に接する表面は所定方向にラビングされている。また、液晶表示装置１０は、支持基板２１０の液晶層３００とは反対側に不図示の偏光板を含んでいる。
【００２８】
共通電極１４０と画素電極１６０との間の電圧がオフ電圧の場合、電極１４０，１６０付近の液晶分子は、ラビング方向Ｒに配向している（初期配向状態）。オフ電圧よりも高い電圧を電極１４０，１６０間に印加すると、電極１４０，１６０間にスリット部１６３を通って電界Ｅ３が発生する。液晶分子は支持基板１１０に平行な平面内で回転する。すなわち、液晶（分子）が駆動される。液晶分子の回転角を制御することによって、透過光量が制御される。共通電極１４０と画素電極１６０とは、各画素２０において電極対を構成し、上記電界Ｅ３を各画素２０において発生する。
【００２９】
なお、例えば上記２つの配向膜１７０，２４０のラビング方向と上記２つの偏光板の偏光軸方向との関係によって、液晶表示装置１０をノーマリ・ブラック（Normaly  Black）型とノーマリ・ホワイト（Normaly  White）型とのいずれにも設計可能である。ここでは、液晶表示装置１０がノーマリ・ブラック型の場合を例示する。
【００３０】
上記では画素２０がマトリクス配列されている場合を例示したが（図２参照）、画素２０をデルタ配列等の他配列にすることも可能である。また、ここでは、画素２０の境界が、隣接する画素電極１６０の間の領域４０を二分する位置である場合を例示するが（図１および図２参照）、例えば、画素電極１６０とスリット部１６３とからなる領域３０（図１および図２参照）を画素２０と規定することも可能である。
【００３１】
なお、上記の隣接する画素電極１６０の間の領域４０を「隣接画素電極間領域４０」と呼び、上記領域３０を「画素電極領域３０」と呼ぶことにする。図２では図面の煩雑化を避けるため、１つの画素電極領域３０についてのみ太い破線で例示している。
【００３２】
図３に、液晶表示装置１０の特性を説明する電圧−透過率特性図（Ｖ−Ｔ特性図）を例示する。当該特性図において、横軸は電圧を示し、左側縦軸は透過率を示している。なお、透過率は任意単位で図示している。以下に説明する特性線Ａ〜Ｄは例えばシミュレーションによって得ることが可能である。
【００３３】
特性線Ａは、画素電極領域３０における透過率特性を示している。なお、画素電極領域３０の透過率特性は画素２０の透過率特性に対応する。特性線Ａについては、横軸は、その画素電極領域３０に配置された画素電極１６０と共通電極１４０との間の電圧を示している。例示の特性線Ａでは、画素電極領域３０の透過率は、電圧が０Ｖ〜約１．３Ｖの範囲ではほぼ０（ゼロ）であり、電圧が約１．３Ｖ〜約４．０Ｖの範囲では当該電圧の増加に伴って０から約０．７５まで増加し、電圧が約４．０Ｖ〜約４．５Ｖの範囲では約０７．５で飽和する。このとき、特性線Ａの接線の傾き、換言すれば透過率の変化率は、電圧が約１．３Ｖ〜約２．０Ｖの範囲では電圧増加に伴って増大し、電圧が約２．０Ｖ〜約３．３Ｖの範囲ではほぼ一定であり、電圧が約３．３Ｖ〜約４．０Ｖの範囲では電圧増加に伴って減少する。なお、画素電極領域３０の最大透過率（０．７５）を１００％として規格化した場合の透過率を、階調レベルとして、Ｖ−Ｔ特性図の右側横軸に示している。
【００３４】
特性線Ｂ〜Ｄは、ラビング方向Ｒに交差する方向（ここでは略直交する方向であり図２の縦方向）に配列され互いに隣接する画素電極１６０の間の領域４０における透過率特性を示している。当該領域４０の幅、すなわち領域４０を挟んで隣接する画素電極１６０の間の距離をｄ（図１および図２参照）とした場合、ｄ＝４μｍ、７μｍ、１０μｍの各場合が各特性線Ｂ，Ｃ，Ｄに対応する。特性線Ｂ〜Ｄについては、横軸は、隣接する画素電極１６０間の電圧を示している。
【００３５】
例示の特性線Ｂでは、隣接画素電極間領域４０の透過率は、電圧が０Ｖ〜約１．０Ｖの範囲ではほぼ０（ゼロ）であり、電圧が約１．０Ｖ〜約２．２Ｖの範囲では０から約０．８５まで増加し、電圧が約２．２Ｖにおいてピークとなり、電圧が約２．２Ｖ〜約４．５Ｖの範囲では約０．８５から約０．２まで減少する。このとき、特性線Ｂの接線の傾き、換言すれば透過率の変化率は、電圧が約１．０Ｖ〜約１．５Ｖの範囲では増大し、電圧が約１．５Ｖ〜約２．０Ｖの範囲ではほぼ一定であり、電圧が約２．０Ｖ〜約２．２Ｖの範囲では減少し、電圧が約２．２Ｖ〜約３．２Ｖの範囲ではほぼ一定であり、電圧が約３．２Ｖ〜約４．５Ｖの範囲では減少する。
【００３６】
例示の特性線Ｃでは、隣接画素電極間領域４０の透過率は、電圧が０Ｖ〜約１．８Ｖの範囲ではほぼ０（ゼロ）であり、電圧が約１．８Ｖ〜約３．５Ｖの範囲では０から約０．９２まで増加し、電圧が約３．５Ｖにおいてピークとなり、電圧が約３．５Ｖ〜約４．５Ｖの範囲では約０．９２から約０．８まで減少する。このとき、特性線Ｃの接線の傾き、換言すれば透過率の変化率は、電圧が約１．８Ｖ〜約２．５Ｖの範囲では増大し、電圧が約２．５Ｖ〜約３．０Ｖの範囲ではほぼ一定であり、電圧が約３．０Ｖ〜約３．５Ｖの範囲では減少し、電圧が約３．５Ｖ〜約４．５Ｖの範囲では増大する。
【００３７】
例示の特性線Ｄでは、隣接画素電極間領域４０の透過率は、電圧が０Ｖ〜約２．４Ｖの範囲ではほぼ０（ゼロ）であり、電圧が約２．４Ｖ〜約４．５Ｖの範囲では０から約０．５５まで増加する。このとき、特性線Ｄの接線の傾き、換言すれば透過率の変化率は、電圧が約２．４Ｖ〜約３．５Ｖの範囲では増大し、電圧が約３．５Ｖ〜約４．５Ｖの範囲ではほぼ一定である。
【００３８】
特性線Ｂ〜Ｄを比較すると、特性線Ｂ〜Ｄ中で透過率が増加する部分の傾きは、隣接する画素電極１６０の間の距離ｄの増大に伴って、小さくなる（緩やかになる）傾向があることが分かる。
【００３９】
ここで、特性線Ｂ，Ｃでは上記のピークを境にして透過率が低下する。これは、以下の理由によると考えられる。すなわち、隣接する画素電極１６０間の電位差が大きい場合、当該電極１６０間の電界Ｅ４（図１参照）では支持基板１１０に垂直な方向の成分が強くなる。この垂直方向成分によって液晶分子が支持基板１１０に対して傾いて配向するので、透過率が低下するものと考えられる。また、特性線Ｄの場合、隣接する画素電極１６０の間の距離ｄが長いので、上記の電圧範囲内では電界Ｅ４の垂直方向成分が弱いものと考えられる。
【００４０】
図３のＶ−Ｔ特性図によれば、液晶駆動電圧範囲（ここでは０Ｖ〜約４．５Ｖの範囲とする）内の全域において、特性線Ｄは特性線Ａよりも下側に位置している。つまり、隣接画素電極間領域４０の透過率は、液晶駆動電圧範囲の全域において、画素電極領域３０の透過率よりも低い。このため、隣接画素電極間領域４０が特性線Ｄの透過率特性を有する場合、当該領域４０での光漏れを抑制可能である。また、光漏れの輝度は画素電極領域３０の輝度よりも低いので、光漏れがちらついた場合であっても、認識されにくい。したがって、ｄ＝１０μｍの場合、良好な表示品位が得られる。このとき、遮光膜の拡張によって光漏れ等を遮光する構成とは異なり、開口率の低下を招くことがない。
【００４１】
ここで、上記した液晶分子の配向制御の態様に鑑みれば、特性線Ａ，Ｄの関係の場合、隣接する画素電極１６０が領域４０に形成する電界Ｅ４の強度は、画素電極領域３０において画素電極１６０と共通電極１４０との間に形成される電界Ｅ３の強度よりも低い。このため、隣接画素電極間領域４０での焼付きを抑制可能である。したがって、当該焼付きが画素電極領域３０での表示に及ぼす影響を抑制することができ、良好な表示品位が得られる。
【００４２】
また、特性線Ｃは、液晶駆動電圧範囲の一部（ここでは電圧が０Ｖ〜約２．８Ｖの範囲）において、特性線Ａよりも下側に位置している。つまり、隣接画素電極間領域４０の透過率および電界Ｅ４は、当該一部範囲において、画素電極領域３０の透過率および電界Ｅ３よりも低い。このため、当該一部範囲においては、隣接画素電極間領域４０での光漏れ等を抑制可能である。ここで、隣接画素電極間領域４０での光漏れ等は画素電極領域３０の階調レベルが例えば約６０％以下の場合に認識されやすい。この点に鑑みれば、ｄ＝７μｍの場合にも、良好な表示品位が得られる。
【００４３】
これに対して、特性線Ｂは、液晶駆動電圧範囲の一部（ここでは電圧が約３Ｖ〜約４．５Ｖの範囲）では特性線Ａよりも下側に位置しているが、階調レベルが約６０％以下の範囲で特性線Ａを大きく上回っている。このため、ｄ＝４μｍの場合は、隣接画素電極間領域４０での光漏れ等は抑制しがたいと思われる。
【００４４】
上記考察から以下のことが分かる。すなわち、隣接画素電極間領域４０のＶ−Ｔ特性の少なくとも一部が、画素電極領域３０のＶ−Ｔ特性と同等またはそれ以下になることによって、隣接画素電極間領域４０での光漏れ等を抑制することができる。このとき、上記少なくとも一部は、画素電極領域３０の階調レベルが約０％以上６０％以下になる範囲を含むことが好ましい。または、画素電極領域３０の階調レベルが約０％以上６０％以下の範囲を少なくとも含む階調範囲に対応した電圧範囲において、隣接画素電極間領域４０の電界Ｅ４の強度が画素電極領域３０の電界Ｅ３の強度と同等またはそれ以下になることによって、上記光漏れ等が認識されるのを抑制することができる。つまり、隣接する画素電極１６０の間の距離ｄが、少なくとも６０％以下の範囲の電圧において、隣接画素電極間領域４０の電界強度が画素電極領域３０の電界強度と同等以下になる距離であることによって、上記光漏れ等を抑制することができる。
【００４５】
上記のＶ−Ｔ特性または電界強度についての条件は、隣接する画素電極１６０間の距離ｄを制御することによって、満たすことが可能である。図３に例示したＶ−Ｔ特性の場合、距離ｄを７μｍ以上、より好ましくは８μｍ以上に設定することによって、上記条件を満足させることが可能である。
【００４６】
ここで、例えばライン反転駆動やドット反転駆動によって、隣接する画素電極１６０には共通電極１４０の電位を基準にして互いに逆極性の電位が印加される場合がある。この場合、当該隣接画素電極１６０間の電圧は、同極性の電位が印加された場合に比べて高くなる。しかし、この場合であっても、ラビング方向Ｒに交差する方向に配列され互いに隣接する画素電極１６０の間の距離ｄを上記条件を満たすように設定することによって、光漏れ等を抑制して良好な表示品位を得ることができる。
【００４７】
なお、ラビング方向Ｒと略平行に配列され互いに隣接する画素電極１６０の間の領域４０では、画素電極１６０間の電界Ｅ４がラビング方向Ｒと略平行に形成される。このため、当該領域４０における透過率の変化量は小さく、表示に対する影響は小さいと考えられる。
【００４８】
上記では画素電極１６０が横スリット型の場合を例示した。これに対して、枝部１６２およびスリット部１６３を縦方向に延伸させることも可能である。なお、この形態を「縦スリット型」と呼ぶことにする。縦スリット型においても、画素電極１６０を覆う配向膜は、枝部１６２およびスリット部１６３の長手方向に略平行にラビング処理される。また、枝部１６２およびスリット部１６３を上記の縦方向または横方向に対して傾いた方向に延伸させることも可能である。なお、その傾斜角が小さい場合、例えば１０°以下の場合は、実質的に縦スリット型または横スリット型と同一視することも可能である。
【００４９】
また、上記では縦方向に並ぶ画素電極１６０が、くし歯形状の開放端の向きを交互にして配列されている場合を例示したが、当該開放端を同じ側に向けて配列することも可能である。また、図４の平面図に示す画素電極１６０Ｂを適用することも可能である。画素電極１６０Ｂは、上記の画素電極１６０において枝部１６２の開放端をもう一つの幹部１６１で繋いだ形状をしている。この場合、各スリット部１６３は画素電極１６０Ｂの外縁まで到達していないが、画素電極１６０Ｂも枝部１６２とスリット部１６３とによるライン・アンド・スペースのパターンを含んでいる。
【００５０】
また、上記では画素電極１６０が共通電極１４０よりも液晶層３００側に配置された場合すなわち画素電極１６０が上電極となる場合を例示した。これに対して、図５の断面図に示す液晶表示装置１０Ｂのように、共通電極１４０を上電極にすることも可能である。この場合、共通電極１４０にスリット部１４３が設けられるが、当該スリット部１４３を通って、隣接する画素電極１６０間に電界Ｅ４が生じる可能性がある。しかし、上記と同様に距離ｄを設定することによって、液晶表示装置１０Ｂおいても良好な表示品位を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の平面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置を説明するＶ−Ｔ特性図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る画素電極の他の例を説明する平面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の他の例を説明する断面図である。
【図６】従来の液晶表示装置における画素電極間の光漏れを説明する図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０，１０Ｂ  液晶表示装置、２０  画素、３０  画素電極領域、４０  隣接画素電極間領域、１１０，２１０  基板、１４０  共通電極、１５０  絶縁膜、１６０，１６０Ｂ  画素電極、１６３，１４３  スリット部、１７０  配向膜、３００  液晶層、Ａ〜Ｄ  特性線、Ｅ３，Ｅ４  電界、Ｒ  ラビング方向、ｄ  距離。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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