(57)【要約】【課題】原子１個１個を直接測定することで、非常に微細な領域の原子構造を調べることができるアトムプローブ装置の機能向上を図るものである。【解決手段】本発明によれば、電界イオン顕微鏡装置と、電界イオン顕微鏡装置により撮像された電界イオン顕微鏡像を取り込む電界イオン顕微鏡像取込装置と、取り込まれた電界イオン顕微鏡像を解析する電界イオン顕微鏡像解析装置と、を有することを特徴とする、アトムプローブ装置が提供される。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界イオン顕微鏡装置と、
前記電界イオン顕微鏡装置により撮像された電界イオン顕微鏡像を取り込む電界イオン顕微鏡像取込装置と、
取り込まれた前記電界イオン顕微鏡像を解析する電界イオン顕微鏡像解析装置と、
を有することを特徴とする、アトムプローブ装置。
【請求項２】
前記電界イオン顕微鏡像解析装置は、前記電界イオン顕微鏡像に対して結晶方位、結晶回転角又は結晶回転軸の少なくとも１つをフィッティングする機能を有することを特徴とする、請求項１記載のアトムプローブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アトムプローブ装置に関し、試料の原子１個１個を直接測定することで非常に微細な領域の原子構造を調べることができるアトムプローブ装置の機能向上を行うものであり、ナノテクノジーを用いた材料開発に大きく貢献するものである。
【背景技術】
【０００２】
非特許文献１（日本鉄鋼協会第５３・５４回白石記念講座「鉄鋼材料の進歩を支えるナノテクノロジー」テキスト）に紹介されているように、アトムプローブ装置は、試料の構成原子の空間位置及び元素種をｎｍ以下の高い空間分解能で測定することができる装置であり、導電性材料の原子レベルでの組織解析に利用されている。原理は、針状に加工した試料に高いＤＣ電圧にパルス電圧を印加し、針表面に形成された高電界によって、試料表面原子を順次電界蒸発させ、発生したイオンを、検出器に捕えて分析する。電圧だけでなく、レーザーを照射し、電界蒸発を促進させることも行われている。飛行時間はイオンの質量によって決まるため、飛行時間の計測から元素種を割り出すことができる。現在までに、数種類のアトムプローブ装置が開発されている。
【０００３】
１次元アトムプローブ装置はこの基本型であり、検出器に到達するイオンの順番から、深さ方向の原子の並びを測定する装置である。３次元アトムプローブ装置は、イオンの座標検出器によってイオンの到達座標を測定することにより、単に深さ方向の並びだけでなく、実際の３次元位置までを計測する装置である。通常は５０万原子以上測定した原子データを、針先の曲率半径を基にイオンの飛行方向を計算することによって、試料中の３次元元素分布を得ることができる。さらに最近では、特許文献１（特開平７−４３３７３号公報）にて開示されているように、針状試料電極に替えて、先端に穴を形成した漏斗上の引出し電極を用い、これを移動させて定めた分析領域表面に近接させて、その分析領域表面の原子を電界蒸発させて分析する、走査型アトムプローブが開発されている。また、パルスレーザーを照射することによって、非導電性材料における測定も容易になり、測定高速化や高視野化によって、観察領域が拡大されつつある。
【０００４】
通常アトムプローブ装置には、殆どの場合電界イオン顕微鏡（Ｆｉｅｌｄ  Ｉｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＦＩＭ）が併設されている。ＦＩＭは、通常Ｎｅ、Ａｒ等の不活性ガスをイメージガスとして用い、試料に高電圧を印加することで、針先端部表面の不活性ガス原子をイオン化させ、検出スクリーンに結像させることで、表面の原子配列を原子レベルの空間分解能で観察する装置である。これには、アトムプローブ測定領域よりも広い視野を観察できるだけでなく、アトムプローブ測定だけでは得難い結晶構造に関する情報、例えば、結晶系や結晶方位、相に関する情報を含んでいる。通常のアトムプローブ測定では、測定前に、必ず針試料のＦＩＭ像を観察し、必要に応じて電界蒸発させ、表面の汚れの除去や、目的とする測定領域の位置出し、方位決定のために用いられていた。特に、粒界や他の相を含むアトムプローブ測定を行う場合には、ＦＩＭ像から結晶粒界有無の情報を得、また、コントラストの違い等から相を認識し、測定に役立たせていた。
【０００５】
しかしながら、従来のアトムプローブ装置においては、使用者の知識や経験があったとしても、ＦＩＭ観察時に、“その場”で有効な情報（例えば、厳密な結晶方位、粒界種類・角度等）を引き出すことは容易ではなかった。これは、アトムプローブ装置にＦＩＭ像から結晶方位等の情報を解析する機能が付与されていなかったことに由来する。
【０００６】
【特許文献１】特開平７−４３３７３号公報
【非特許文献１】日本鉄鋼協会第５３・５４回白石記念講座「鉄鋼材料の進歩を支えるナノテクノロジー」テキスト（２００４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
アトムプローブ装置が透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＴＥＭ）に不足している点は、結晶系や結晶方位を調べる機能であり、ＴＥＭにおいては、この機能を電子線回折図形や菊池パターンから詳しく得ることが可能である。
【０００８】
本発明は、従来のアトムプローブ装置において不足していた、結晶方位や結晶構造に関する情報をその場で簡便に得る手段を付与することによって、アトムプローブ装置の機能向上を行うもので、ＦＩＭ解析機能を有するアトムプローブ装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、結晶構造の詳細な情報を短時間で引き出すための装置の改善点を、鋭意検討した。その結果、従来のアトムプローブ装置において、補助的な機能に徹していたＦＩＭの能力向上を図ることにより、アトムプローブ装置自体の多大な機能向上を図ることか可能となった。これは、通常アトムプローブ測定の前に必ず観察するＦＩＭ像について、“その場”での解析装置を本装置に付属した機器で行うことにより、非常に短時間に試料の結晶構造、相、結晶欠陥、結晶粒界等といった、本解析装置の主要なターゲットとなる情報を、ＦＩＭ観察とほぼ同時に得ることができるようにするものである。この新知見を基に本発明を達成したものであり、その趣旨とするところは、以下の通りである。
【００１０】
（１）  電界イオン顕微鏡装置と、前記電界イオン顕微鏡装置により撮像された電界イオン顕微鏡像を取り込む電界イオン顕微鏡像取込装置と、取り込まれた前記電界イオン顕微鏡像を解析する電界イオン顕微鏡像解析装置と、を有することを特徴とする、アトムプローブ装置。
（２）  前記電界イオン顕微鏡像解析装置は、前記電界イオン顕微鏡像に対して結晶方位、結晶回転角又は結晶回転軸の少なくとも１つをフィッティングする機能を有することを特徴とする、（１）記載のアトムプローブ装置。
【発明の効果】
【００１１】
本発明により、元素の構成から材料を調べることができるアトムプローブ装置の機能向上を実現し、ナノテクノジーを用いた材料開発に大きく貢献することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１３】
この発明の基本的実施形態の一つは、針試料の表面構造を映し出すことができるＦＩＭ観察装置と、そのＦＩＭ像をデータとして取り込む画像取込装置と、取り込まれたＦＩＭ像から結晶方位の情報を引き出すことができるＦＩＭ解析装置と、試料の原子構成を調べることができるアトムプローブ装置とから構成される。
【００１４】
ここで述べるアトムプローブ装置とは、１次元アトムプローブ、３次元アトムプローブ、さらには走査型アトムプローブのそれぞれのアトムプローブを全て含むものである。
【００１５】
以下に、各構成の詳細について説明する。
【００１６】
ＦＩＭ装置は、前述したように、不活性ガスからなるイメージガスを導入した雰囲気中において、針試料に高い電圧を印加し、試料表面でイオン化したガス原子を、試料に対向して配置されたスクリーンに映し出す装置である。先端部の曲率半径を１００ｎｍ以下に加工した鋭い針試料を、クライオスタット等によって１００Ｋ以下に冷却し、真空排気したチャンバー内に配置する。これに１×１０−３〜５×１０−３Ｐａの不活性ガスを導入し、４ｋＶ以上の高い電圧を印加する。針先端部表面に形成された高電界によって不活性ガスがイオン化し、針試料表面の電界によって加速され、正面に配置したアースした二重チャネルプレートに衝突する。このチャネルプレート間には電圧差を設け、前面のチャネルプレートで発生した電子を増幅させ、後方に配置した蛍光スクリーンに像を示す。通常は後方からこの像を観察する。また、座標位置検出器にてイオン化したガスを検出し積算することでも、この機能が可能となる。
【００１７】
ＦＩＭ像をデータとして取り込む画像取込装置は、ＦＩＭ用スクリーンに投影された像を取り込む装置であり、スクリーン後方に配置したＣＣＤ素子等やデジタルカメラ、ビデオカメラ等で可能になる。画像取込装置は、取り込んだデータをＦＩＭ解析装置に転送することができる。また、座標位置検出器に、この画像読み取り機能を持たせたものでも良い。
【００１８】
ＦＩＭ像解析装置は、ＦＩＭ像中に現れるリング構造から低指数面の方位（ポール）を自動又は手動で認識し、試料結晶の方位を厳密に決定することができる。一つのＦＩＭ像中に異なる２種以上の結晶粒を有する場合でも、その各結晶粒間の方位関係や回転角を、自動又は手動によるフィッティングによって、個々に調べることができる。さらに、これらの結晶間の回転角、回転軸を計算することが可能である。この解析機能は、例えば、ＦＩＭのポール位置を計算で求めるプログラムを含むグラフィック表示可能なコンピューターによって、実現できる。ＡＴＯＭ  ＰＲＯＢＥ  ＴＯＭＯＧＲＡＰＨＹ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  ａｔ  ｔｈｅ  Ａｔｏｍｉｃ  Ｌｅｖｅｌ（Ｋｌｕｗｅｒ  Ａｃａｄｅｍｉｃ  ／  Ｐｌｅｎｕｍ  Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ，  Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ，  ２０００）  ｐ４９−５２に記載されているように、ＦＩＭは針試料先端部を半球とみなし、半球表面をステレオ又はリニアグラフィックで近似することができる。画像取込装置によって取り込んだＦＩＭ像と計算から求めたＦＩＭ図形（ポール位置が表示）とをコンピューターのディスプレイ画面に重ねて表示させ、ＦＩＭ像及びＦＩＭ図形が重なるように方位パラメータ等を入力することにより手動でフィティングさせ、ＦＩＭ像に含まれる結晶粒の方位を、厳密に決定できる。又は、ＦＩＭのポール位置をコンピューターで自動認識させることで、自動でフィッティングさせ、結晶粒の方位を自動で決定できる。結晶構造が異なる結晶においても、結晶のパラメータ（結晶系、格子定数等）を入力することにより、ＦＩＭシミュレーション像を描かせることができる。
【００１９】
アトムプローブ装置は、前述した針試料に真空中にて高電圧を印加し、針先端部に形成した高電界によって、表面の原子を電界イオン化し、表面電界によって加速したイオンを、検出器で測定する機能を有する。１次元アトムプローブでは飛行時間のみを計測し、３次元アトムプローブ及び走査型アトムプローブでは、飛行時間とイオン到達位置を座標として計測する。飛行時間はイオンの質量電荷比によって決まるため、元素種を割り出すことができる。多数の原子到達順に深さ位置を決め、検出器上の到達座標から、針試料表面の位置を決めることができる。１万原子以上の多数のイオンを計測し、専用の解析コンピューターで処理することで、目的とする３次元元素分布の結果を得ることができる。
【００２０】
従来のアトムプローブ装置は、通常ＦＩＭ装置を有しているものの、ＦＩＭ像解析機能は有していなかった。この場合、ＦＩＭの役割は、測定前の針試料の最適性の確認、電界蒸発による測定位置出し、異なる相（析出物や粒界）の定性的な認識、アトムプローブ測定箇所の決定等に使用されていた。これに対し、本発明では、ＦＩＭ装置とＦＩＭ像取込装置とＦＩＭ像解析装置を有するアトムプローブ装置とすることで、アトムプローブの大幅な機能向上を図ることが可能である。次に、その機能向上について説明する。
【００２１】
（１）  ＦＩＭ像解析装置によって、アトムプローブ測定方位を厳密かつ短時間に決定することが可能になる。従来のアトムプローブ実験では、ＦＩＭ像から読み取れる結晶方位は、ポールとして観察される低指数面の方位認識に限定されており、それ以外の方位決定には、高い専門知識があったとしても、精度も低いものであった。これに対し、本発明のアトムプローブ装置では、ＦＩＭ観察後直ぐに、ＦＩＭ像解析装置によって、ＦＩＭ上の結晶方位を厳密に認識することができる。ＦＩＭ像解析装置で示された方位に試料を回転し向けることにより、所望の方向の測定が可能になる。またそれに費やす時間は非常に短く、ＦＩＭ観察から連続して、アトムプローブ測定ができる。
【００２２】
（２）  さらに、粒界、界面観察の場合、この効果は絶大になる。粒界や相界面に偏析した元素を調べることは、電子顕微鏡や表面分析法ではその検出下限や空間分解能の点から難しく、アトムプローブ装置を用いる方法が有効な方法である。しかし粒界元素の状態は、結晶粒界の性格（例えば、粒界角、回転軸、粒界面方位等）に依存するため、この情報も同時に取得する必要がある。従来のアトムプローブ装置では、ＦＩＭで粒界位置を認識はできても粒界角の情報は得られないため、新日鐵技報Ｎｏ．３８１（２００４）Ｐ２６−３０に記載されているように、この試料を取り出し、電子顕微鏡による菊池パターン解析により計算して求めていた。この電子顕微鏡による菊池パターン解析には、多くの時間と専門知識が必要とされた。これに対し、本発明のアトムプローブ装置においては、ＦＩＭ観察後、ＦＩＭ像取込装置によりデータを移し、ＦＩＭ像解析装置にて結晶粒界を挟む２つの結晶の方位を簡単に決定することができるため、粒界角及び回転軸を精度良くかつ非常に短時間で決定することができる。この結果を基に、目的とする粒界かどうかの判断がその場で短時間にでき、また、多大な時間を費やすＴＥＭ解析が必要なくなり、特にＦＩＭからアトムプローブ測定に至る一連の実験を中断させず、その場（Ｉｎ−ｓｉｔｕ）での実験が可能となることは非常に大きな優位点となる。
【００２３】
（３）  ＦＩＭ観察は、通常では既知の結晶の解析に有効であったが、本発明のアトムプローブ装置では、ＦＩＭ解析装置にあらゆる結晶をデータとして与えることによって、試料又は試料中の別の相の素性が不明であっても、ＦＩＭ像からその結晶の構造や種類を割り出すことも可能になる。これは、試料中に複数の異なる結晶相が含んでいる場合、短時間にその種類を認識し、測定の判断を行うことが可能となる。
【実施例】
【００２４】
本発明のＦＩＭ像解析機能を保有するアトムプローブ装置の例を、図１、図２、図３に示す。これらの装置は全て、ＦＩＭ装置、ＦＩＭ像取込装置１０４およびＦＩＭ解析装置１０５を有するアトムプローブ装置から構成される。図１は、ＦＩＭ観察方向に対し、試料を水平面内で回転し、エネルギー補償のためのリフレクトロン１０６に向け、反射させた飛行イオンを位置座標検出器１０７によって測定を行う３次元アトムプローブである。図２は、ＦＩＭ像をミラー１１４に反射させることで取り込み、ミラー１１４をはずすことでＦＩＭスクリーン１１３中のプローブホールを通過した飛行イオンをリフレクトロンを介してイオン検出器１１５により測定する１次元アトムプローブである。図３は、ＦＩＭ機能及び像取り込み機能を含む座標検出器１１６によって、ＦＩＭ像観察機能と像取込機能とを有する位置座標検出器を搭載した３次元アトムプローブ又は走査型アトムプローブである。
【００２５】
以下、これらの装置を使用し、実際の使用例について説明する。
【００２６】
（実施例１：特定方位のアトムプローブ測定）
先端部の曲率半径を５０ｎｍに加工したフェライト鉄からなる針状試料１０１を、真空排気した容器（チャンバー）１０３中にクライオスタット等を用いて６０Ｋに冷却した。Ｎｅガスをガス導入ライン１０８から１．３×１０−３Ｐａ導入し、試料に８ｋＶのＤＣ電圧を印加することで、チャネルプレートと蛍光スクリーンから構成されたＦＩＭスクリーン１０２上に、ＦＩＭ像を投射させた。通常は、針試料の電圧を制御することで、電界蒸発を引き起こし、表面の汚れ等を取り除くことで、原子レベルの分解能を有するＦＩＭ像が得られる。このスクリーンに映ったＦＩＭ像を、スクリーン後方に配置したＣＣＤカメラ等のＦＩＭ像取込装置１０４によって、ＦＩＭ像解析装置１０５に取り込んだ。ＦＩＭ像解析装置では、本装置に含まれるプログラムを使用し、フェライト結晶の［１１０］及び［００２］ポールを自動で認識し、ＦＩＭ像に映し出された結晶方位を一意に決定した。
【００２７】
次に、本実験の目的とするアトムプローブの測定方位の［１３２］方向を画像上に示した。この結果を基に、ＦＩＭ像の中心が［１３２］方向となるように試料を回転した。次に、チャンバー１０３内のガスをポンプで真空排気１０９を行い、試料全体を水平面内で９２°回転した。これは、リフレクトロン１０６方向に試料を向けるためである。本装置では、ＦＩＭ像の中心とリフレクトロン中心が９２°の回転で一致するようにしている。これによって、リフレクトロンの中心、即ち、検出器の中心がＦＩＭ像の中心、即ち、この場合は試料の［１３２］方向に一致することになる。この状態にした後、ＤＣ電圧とこの電圧の２０％のパルス電圧を印加し、アトムプローブ測定を行った。ＦＩＭ観察から方位を厳密に決めアトムプローブ測定に至るまで、約２分を要した。本発明によって、測定者に高度な専門性が無くとも、特定の方位の位置を精度良くしかも短時間で行い、目的の結晶方向のアトムプローブ測定が可能となった。
【００２８】
（実施例２：特定粒界のアトムプローブ測定）
本装置を利用した粒界位置のアトムプローブ測定について説明する。先端部の曲率半径が５０ｎｍに加工した針状試料を、真空排気した容器中にクライオスタット等を用いて８０Ｋに冷やした状態にした。Ｎｅガスをガス導入ライン１０８から１．５×１０−３Ｐａ導入し、粒界がＦＩＭ観察されるまで、試料にＤＣ電圧を印加することで電界蒸発を行った。図４のＦＩＭ像では、このようにして現れた粒界位置を点線で示した。ＦＩＭ像取込装置によりＦＩＭ像解析装置にＦＩＭ像のデータを移動し、ＦＩＭ像解析装置により粒界解析を行った。図４に示すように、粒界を境に２つの結晶粒の［００２］ポール及び［１１０］ポール位置を手動でフィッティングすることによって、２つの結晶の方位を決定し、同時に２つの結晶粒の回転角（粒界角）を同時に求めた。結果は、図４に示されたように、５３．９°の大角粒界であった。本実験では、角度の大きい大角粒界の測定を目的としていたため、測定位置を決め、そこがＦＩＭの中心に位置するように試料を回転させた。以降は、実施例１で記載したと同様の操作を行い、アトムプローブ測定を行った。図５に測定結果を示す。他の手法では決して観察することができなかった、Ｃ偏析と微量のＰ偏析を明瞭に定量観察することができた。ＦＩＭ観察から粒界角決定し、測定開始に至る時間はわずか４分であった。
【００２９】
（比較例１：従来の装置による粒界アトムプローブ測定）
実施例２と同様の試料を用い、ＦＩＭ観察を行いながら、粒界が観察させるまで、電界蒸発させた。粒界が現れた時点で、試料をアトムプローブ装置から取り出し、ＴＥＭによる観察を行った。１０万倍での針先端部の観察を行い、粒界を含む２つの結晶粒の菊池パターンの写真を取った。写真を現像し印画紙に焼きつけ、これから結晶粒の方位解析を行った。計算結果から、本試料の粒界角は５．３°であり、目的とする粒界ではないことが判明した。そこで、再び試料を電解研磨し、ＦＩＭ像観察しながら電解蒸発によって、粒界位置出しを行った。粒界位置出した試料を再びＴＥＭ観察を行い、菊池パターンの写真をとり、現像焼付けを行い、粒界角の計算を行った。４６．５°の大角粒界であることが判明したため、アトムプローブ測定を行った。最初のＦＩＭ観察から粒界角決定し測定開始に至る時間に２日間を要し、２回目のＦＩＭ観察から測定に至るまでには８時間を要した。
【００３０】
（実施例３：ＦＩＭ像からの結晶系の特定）
マルテンサイト中に含まれる微量の残留オーステナイト相の炭素量を測定するため、図２に示した装置を用い、マルテンサイト鉄からなる針状試料のＦＩＭ観察を行った。残留オーステナイトはマルテンサイトと結晶構造が異なるため、通常はＴＥＭの電子線回折や、Ｘ線回折法によって同定する。試料を６０Ｋに冷却し、Ｎｅガスを導入し、１０ｋＶのＤＣ電圧を印加して電界蒸発させ、ミラー１１４をプローブホール付のＦＩＭスクリーン１１３の後方に４５°の角度で配置し反射させ、ＦＩＭ像を観察し、新しい相が現れたところで、電界蒸発を止め、ＦＩＭ像をＦＩＭ像取込装置１０４で取り込んだ。マルテンサイト像の中に観察される新しい相を、ＦＩＭ像解析装置にて解析した。本装置には、事前に残留オーステナイトの結晶系と格子定数をインプットしておいた。新しい像に見られたポールにはＢＣＣ構造をフィッティングさせることはできず、ＦＣＣの構造としてのみフィッティング可能であった。この結果を基に、この相が目的の残留オーステナイトであると判断した。プローブホール位置にＦＩＭ像の測定位置を合わせ、ミラーを外し、アトムプローブ測定を行った。ＦＩＭ観察からアトムプローブ測定に至るまでに、わずか３分であった。
【００３１】
ＦＩＭ解析機能を持たない従来アトムプローブによる測定では、新しい相をＦＩＭ像中で観察した後、試料を取り出し、ＴＥＭの回折パターンからＦＣＣであるかを調べていた。この場合はＦＩＭ観察から測定に至るまで３時間程度を要していた。
【００３２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施形態に係るＦＩＭ像解析装置を含むアトムプローブ装置の一例を説明するための構成図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るＦＩＭ像解析装置を含むアトムプローブ装置の一例を説明するための構成図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るＦＩＭ像解析装置を含むアトムプローブ装置の一例を説明するための構成図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るＦＩＭ像解析装置による粒界解析の結果を説明するための説明図である。
【図５】フェライト鉄の結晶粒界の３Ｄ元素マップとＣ，Ｐの濃度プロファイルである。
【符号の説明】
【００３４】
１０１  針試料
１０２  ＦＩＭスクリーン
１０３  分析チャンバー
１０４  ＦＩＭ像取込装置
１０５  ＦＩＭ解析装置
１０６  リフレクトロン（エネルギー補償器）
１０７  位置座標検出器
１０８  ガス導入ライン
１０９  真空排気ライン
１１０  ガスイオン軌跡
１１１  ケーブル
１１２  イオン飛行軌跡
１１３  プローブホール付ＦＩＭスクリーン
１１４  ミラー
１１５  イオン検出器
１１６  ＦＩＭ像測定及び取込機能を有する位置座標検出器
【図１】
2008262879.tif 000002
【図２】
2008262879.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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