(57)【要約】      （修正有）【課題】平坦性の高い画素電極を形成することで高コントラストを得る、電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】支持基板６０上に剥離層６１を形成し、剥離層６１上に光反射性を有する電極形成層６２を形成する。そして、電極形成層６２上に絶縁層１５を設け、絶縁層１５上に電極形成層６２に導通する薄膜トランジスタ３０を設ける。その後、電極形成層６２及び薄膜トランジスタ３０を含む積層体４０から支持基板６０を剥離し、電極形成層６２を所定のパターン状に分割し、画素電極を形成する。【選択図】図５
2008191206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に光反射性を有する電極形成層を形成する工程と、
前記電極形成層上に絶縁層を設け、該絶縁層上に前記電極形成層に導通する薄膜トランジスタを設ける工程と、
前記薄膜トランジスタの形成後、前記電極形成層及び前記薄膜トランジスタを含む積層体から前記支持基板を剥離する工程と、
前記該剥離工程後、前記電極形成層を所定のパターンに分割し、画素電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記電極形成層として、前記薄膜トランジスタ形成時の温度よりも高い融点を有する高融点金属を用いることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記画素電極の形成工程において、前記電極形成層を、該電極形成層に比べて高い光反射性を有する反射膜で覆うことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記剥離層としてアモルファスシリコンを用い、該剥離層にレーザ光を照射することで前記積層体を前記支持基板から剥離することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記支持基板として、透光性材料からなるものを用いることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記支持基板上の積層体を仮基板に接着した後に、支持基板から剥離することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記電極形成層を所定のパターンに分割するに先立ち、前記電極形成層を研磨する工程を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気光学装置の一例である液晶装置は、背面からの光（バックライト）を透過して画像を表示する透過型のものと、外部からの光を取り込んだ後、反射させて画像を表示する反射型のものとがある。
【０００３】
通常、反射型の液晶装置では、基板上に半導体、配線層を含んだ回路部、及び画素電極を順に積層することで素子基板を形成する。このとき、反射膜として機能する画素電極は、高い反射率を実現するためにできるだけ平坦であることが望まれる。しかしながら、前記回路部は凹凸であるため、回路部を覆って形成された画素電極の平坦性が低下してしまう。
【０００４】
そこで、回路部を覆い、画素電極下に設けられる層間絶縁膜をＣＭＰ（化学的機械的研磨）法で研磨することにより、電極の平坦性を確保する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。一般に画素電極は層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール内に画素電極の一部を埋設することでトランジスタに接続される。そのため、前記コンタクト部分では画素電極に窪みが生じてしまい、これによって画素電極の平坦性が低下してしまう。
【０００５】
また、コンタクトホールに起因する平坦性の低下を防止するため、コンタクトホール内に充填層を設けコンタクト部分の段差を無くし平坦性を確保する技術も知られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平８−１６０４６３号公報
【特許文献２】特表２００２−５３２７６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、コンタクトホール内に充填材を設ける場合、充填材の上面とコンタクトホールの上面とが一致するように充填材の量を厳密に制御することは難しく、コンタクトホールに起因する凹凸を完全に無くすことは困難であり、画素電極の平坦性を十分に高めることはできなかった。このように画素電極の平坦性が低下することで、画素電極の光反射率、ひいては画素コントラストの低下を招いてしまう。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、平坦性の高い画素電極を形成することで高コントラストを得る、電気光学装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置の製造方法は、支持基板上に剥離層を形成する工程と、該剥離層上に光反射性を有する電極形成層を形成する工程と、該電極形成層上に絶縁層を設け、該絶縁層上に前記電極形成層に導通する薄膜トランジスタを設ける工程と、該薄膜トランジスタの形成後、前記電極形成層及び前記薄膜トランジスタを含む積層体から前記支持基板を剥離する工程と、該剥離工程後、前記電極形成層を所定のパターン状に分割し、画素電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、薄膜トランジスタの積層工程に先んじて電極形成層の形成工程が行われ、電極形成層上に薄膜トランジスタが積層されるので、該電極形成層の形成時に薄膜トランジスタの凹凸形状が影響を及ぼすことが無くなる。よって、電極形成層は平坦性の高いものとなり、この電極形成層から構成される画素電極の平坦性が向上し、これに伴って画素電極の反射率を高めることができる。したがって、コントラストが高く、高信頼性の電気光学装置を提供できる。
【００１０】
また、上記電気光学装置の製造方法においては、前記電極形成層として、前記薄膜トランジスタ形成時の温度よりも高い融点を有する高融点金属を用いるのが好ましい。
このようにすれば、電極形成層が薄膜トランジスタの形成時の熱により変形することで平坦性が低下してしまうのを防止できる。よって、電気光学装置の製造プロセスの信頼性をより高めることができる。
【００１１】
また、上記電気光学装置の製造方法においては、前記画素電極の形成工程において、前記電極形成層を、該電極形成層に比べて高い光反射性を有する反射膜で覆うのが好ましい。
このようにすれば、画素電極を構成する電極形成層が光反射膜で覆われるので、平坦性及び光反射性の高い画素電極が得られ、電気光学装置のコントラストをより向上させることができる。
【００１２】
また、上記電気光学装置の製造方法においては、前記剥離層としてアモルファスシリコンを用い、該剥離層にレーザ光を照射することで前記積層体を前記支持基板から剥離するのが好ましい。
このようにすれば、レーザ光の照射により、後述するように水素（気体）が発生することで内圧が発生し、層内剥離または界面剥離が促進され、前記支持基板からの剥離工程を容易に行うことができる。
このとき、前記支持基板として、透光性材料からなるものを用いるのが好ましい。
この場合、支持基板を透過したレーザ光を剥離層の全域に照射することができ、支持基板の剥離を容易に行うことができる。
【００１３】
また、上記電気光学装置の製造方法においては、前記支持基板上の積層体を仮基板に接着した後に、支持基板から剥離するようにしてもよい。
このようにすれば、前記支持基板の剥離時に積層体が破損するといった不具合を防止することができる。
【００１４】
また、上記電気光学装置の製造方法においては、前記電極形成層を所定のパターン状に分割するに先立ち、前記電極形成層を研磨する工程を有するのが好ましい。
【００１５】
このようにすれば、電極形成層の平坦性をさらに高めるとともに、例えば前記剥離層の一部が残存した場合でも、電極形成層とともに研磨され同時に除去することができるので、工程を不要に増加させることなく、高いコントラストを得る電気光学装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（第１実施形態）
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するものではない。また、以下の説明に用いる各図面では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を適宜変更している。
【００１７】
まず、本発明の電気光学装置の製造方法の一実施形態として、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）を画素スイッチング素子として用いたＴＦＴアクティブマトリクス方式の液晶装置の製造工程を例に挙げて説明する。また、この液晶装置は、一方の基板から入射した光を他方の基板で反射させて表示をなす反射型のものである。
【００１８】
（液晶装置）
製造方法の説明に先んじて、本方法によって製造された液晶装置の構成について説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す図である。図１は、同液晶装置の平面構成図、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面構成図である。
【００１９】
図１，２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板）１０と、対向基板２０とが平面視略矩形枠状のシール材２５を介して貼り合わされ、このシール材２５に囲まれた領域内に液晶層５０が封入された構成になっている。本実施形態に係る液晶装置１００は、上述したように反射型のものであり、具体的には対向基板２０側から入射した光がＴＦＴアレイ基板１０側で反射されることにより、表示をなすものである。
【００２０】
シール材２５の一部（図中下辺側）に液晶注入口３５が形成されており、当該液晶注入口３５を塞ぐように封止材３４が形成されている。シール材２５内周側に沿って平面視矩形枠状の周辺見切り３３が形成され、この周辺見切りの内側の領域が画素表示領域１８となっている。
【００２１】
画素表示領域１８内には、画素領域１９がマトリクス状に設けられている。当該画素領域１９は、画素表示領域１８の最小表示単位となる１画素を構成している。シール材２５の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の１辺（図示下辺）に沿って形成されており、この１辺に隣接する２辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路１０４が形成されて周辺回路を構成している。
【００２２】
ＴＦＴアレイ基板１０の残る１辺（図示上辺）には、画素表示領域１８の両側の走査線駆動回路１０４間を接続する複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０の各角部においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間の電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。
【００２３】
図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の内面側（液晶層側）には、複数の画素電極９が配列形成されており、これら画素電極９を覆うように配向膜１６が形成されている。なお、ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英やガラスなどの光透過可能な材料からなる矩形形状からなる基板である。対向基板２０の内面側には、周辺見切り３３が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極２１が形成されている。そして、共通電極２１を覆うように配向膜２２が形成されている。前記画素電極９は後述する方法によって製造されたもので、平坦性が高く、高反射率を実現している。
【００２４】
図３は、上記の液晶装置１００の等価回路図である。
同図に示すように、液晶装置の画素表示領域１８には、複数の画素領域１９がマトリクス状に配置されており、これら画素領域１９には、それぞれ画素電極９が配置されている。また、その画素電極９の側方にはＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、該画素電極９への通電制御を行うスイッチング素子である。このＴＦＴ３０のソース側にはデータ線６が接続されている。各データ線６には、例えばデータ線駆動素子から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給されるようになっている。
【００２５】
ＴＦＴ３０のゲート側には走査線３が接続されている。走査線３には、例えば走査線駆動素子から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが供給されるようになっている。また、ＴＦＴ３０のドレイン側には画素電極９が接続されている。
【００２６】
走査線３から供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が一定期間だけオンにされると、データ線６から供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、画素電極９を介して画素領域１９に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００２７】
画素領域１９に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極９と容量線７１との間に蓄積容量７０が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光源光が変調されて、画像光が生成されるようになっている。
【００２８】
（液晶装置の製造方法）
次に、上記液晶装置１００の製造方法（工程）について説明するとともに、液晶装置１００の断面構造について説明する。本発明は、液晶装置１００におけるＴＦＴアレイ基板１０を製造する工程に特徴を有しており、それ以外の製造工程については従来と同様であることから、その詳細な工程についての説明は省略する。なお、液晶装置１００の製造工程は、各工程を後述の順に行ってもよいが、各工程の順を適宜変更してもよいし、各工程内の手順を適宜変更してもよい。
【００２９】
図４，５は液晶装置１００の製造工程を示す図である。
はじめに、図４（ａ）に示すように、支持基板６０上にアモルファスシリコン層（剥離層）６１を形成する。支持基板６０は、本工程からＴＦＴアレイ基板１０の製造工程中に用いられる部材であり、液晶装置１００の構成要素ではない。具体的には、１０００℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板が好ましいが、石英ガラスの他、ソーダガラス、コーニング７０５９、日本電気ガラスＯＡ−２等の耐熱性ガラス等も使用可能である。
【００３０】
アモルファスシリコン（以下、アモルファスＳｉと称す）層６１は、レーザ光等の照射光によりアモルファスＳｉ層６１内またはその界面において剥離が生ずるものである。アモルファスＳｉ層６１の組成は、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）であり、この非晶質シリコン中に水素（Ｈ）が含有されている。水素が含有されていると、レーザ光の照射により、水素（気体）が発生することで内圧が発生し、これにより層内剥離または界面剥離が促進される。水素の含有量は２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２ａｔ％〜２０ａｔ％であることがさらに好ましい。
【００３１】
アモルファスＳｉ層６１の厚さとしては、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍ程度であるのがさらに好ましい。アモルファスＳｉ層６１の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じるからであり、アモルファスＳｉ層６１の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に残されたアモルファスＳｉ層６１の残渣を除去するのに時間を要する場合がある。
【００３２】
なお、アモルファスＳｉ層６１は、その作用が、レーザ光などの照射光により層内剥離または界面剥離を起こすものなので、上述した組成以外にも、光エネルギーによりアブレーション（ａｂｌａｔｉｏｎ）等を生じさせて、層内剥離または界面剥離を起こす材料でもよいし、光エネルギーにより含有成分を気化させて発生した気体により剥離を起こさせるものでもよいし、組成する材料自身が気化し、発生した気体により層内剥離または界面剥離を起こさせる材料でもよい。
【００３３】
例えば、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、ＧｄもしくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
【００３４】
アモルファスＳｉ層６１の形成方法としては、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法を用いることができる。なお、アモルファスＳｉ層６１を他の材料から形成する場合には、均一な厚みでアモルファスＳｉ層６１を形成可能な方法であればよく、アモルファスＳｉ層６１の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等を用いることができる。さらに、これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。また、アモルファスＳｉ層６１をゾル−ゲル（ｓｏｌ−ｇｅｌ）法によりセラミックを用いて成膜する場合や、有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
【００３５】
次に図４（ｂ）に示すように、アモルファスＳｉ層６１上に光反射性を有する電極形成層６２をＣＶＤ法やスパッタ法等を用いて形成する。この時、アモルファスＳｉ層６１上には平坦な電極形成層６２が形成される。このような光反射性を有する電極形成層６２としては、金属材料を例示することができる。本実施形態では、前記電極形成層６２として、後述する薄膜トランジスタ形成時の温度環境よりも高い融点を有する高融点金属、具体的にはＷ（タングステン）を用いた。
【００３６】
これにより、電極形成層６２が後述する薄膜トランジスタの形成時の熱によって変形してしまい、平坦性が低下するのを防止できる。よって、液晶装置の製造プロセスの信頼性をより高めることができる。
【００３７】
次に図４（ｃ）に示すように、電極形成層６２上に下地保護層１５を形成する。この下地保護層１５は、酸化シリコン等からなり、後工程で製造される半導体層と電極形成層６２との間の絶縁をなすものである。
【００３８】
次に図４（ｄ）に示すように、下地保護膜１５上に従来公知の工程によりポリシリコンからなる半導体層１を形成し、半導体層１を覆ってゲート絶縁膜１４を形成する。このゲート絶縁膜１４上にソース線３を形成する。このソース線３のうち、前記ゲート絶縁膜１４を介して半導体層１のチャネル領域１ａとして機能する領域に対向する部分がゲート電極３ａとして機能する。なお、前記半導体層１中には従来同様にイオン注入が行われ、チャネル領域１ａ、ソース領域１ｂ、ドレイン領域１ｃが形成される。ゲート電極（ソース線３）３ａを覆って、酸化シリコン等からなる第一層間絶縁膜１３を形成し、第一層間絶縁膜１３上にドレイン電極１７を形成する。なお、ドレイン電極１７はコンタクトホール５，７を介して前記ドレイン領域１ｃ及び前記電極形成層６２に接続されるように形成する。
【００３９】
次に図５（ａ）に示すように、前記ドレイン電極１７を覆って、第二層間絶縁膜１２を形成する。そして、コンタクトホール４を介してソース領域１ｂに接続されるようにしてデータ線６をパターン形成し、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ３０）が形成される。
【００４０】
次に図５（ｂ）に示すように、前記データ線６及び第二層間絶縁膜１２を覆って、第三層間絶縁膜１１を形成する。そして、第三層間絶縁膜１１上にＴＦＴアレイ基板１０の基材としてガラス等の透光性材料からなる基板本体１０Ａを貼着する。
【００４１】
なお、基板本体１０Ａとしては、上述したガラスに限らず、石英やホウ珪酸ガラス、ソーダライムガラス（青板ガラス）、クラウンガラス（白板ガラス）など、他の透光性材料を用いてもよい。本実施形態の液晶装置１００は反射型のものであることから、基板本体１０Ａは透光性材料に限定されないことは当然である。
【００４２】
（支持基板の剥離工程）
ＴＦＴ３０の形成後、電極形成層６２、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ３０）、基板本体１０Ａを含む積層体４０から前記支持基板６０を剥離する。なお、前記積層体４０を仮基板に接着した後に、支持基板から剥離するようにしてもよい。これによれば、前記支持基板６０の剥離時に積層体４０が破損するといった不具合を防止することができる。
【００４３】
剥離工程では、アモルファスＳｉ層６１に対しレーザ光ＬＡを照射する。ここで、上述したように支持基板６０は光透過性基板から構成されているので、支持基板６０を透過したレーザ光ＬＡをアモルファスＳｉ層６１の全域に照射することができ、支持基板６０の剥離が容易となる。
【００４４】
具体的には、図５（ｂ）に示すように、アモルファスＳｉ層６１に対して、前記支持基板６０の裏面側（前記積層体４０の反対側）からレーザ光ＬＡを照射する。温度条件としては５５０℃以下でレーザ照射を行うことが好ましい。これにより、アモルファスＳｉ層６１の原子や分子の結合が弱まり、あるいはアモルファスＳｉ層６１内の水素が分子化して結晶の結合から分離される。よって、支持基板６０と積層体４０との結合力が完全になくなり、支持基板６０を容易に剥離することができる。
【００４５】
支持基板６０を剥離した後、図５（ｃ）に示すように積層体４０を上下反転させる。これにより、電極形成層６２が同図中で最上層に配置される。ここで、後工程のパターニングにより形成される画素電極の平坦性を向上させるため、前記電極形成層６２をＣＭＰ（化学的機械的研磨）法を用いて研磨し、電極形成層６２の平坦性をさらに高めるようにしてもよい。また、上記剥離工程時には、電極形成層６２の表面にアモルファスＳｉ層６１の一部が残存する場合もある。この場合には、ドライエッチング又はウエットエッチング等によりアモルファスＳｉ層６１を除去しておくのが望ましい。
【００４６】
そこで、上記ＣＭＰ法によって電極形成層６２を研磨するとともに、残留しているアモルファスＳｉ層６１を除去するようにしてもよい。この構成によれば、電極形成層６２の平坦性をさらに高めるとともに、残存したアモルファスＳｉ層６１を同時に除去することができるので、工程を不要に増加させること無く、高いコントラストを得る液晶装置を提供できる。
【００４７】
上記支持基板６０の剥離工程後、前記電極形成層６２を所定のパターン状に分割し、画素電極９を形成する。以下、画素電極９の形成工程について説明する。図６では、図４，５に比べて縮尺を縮小し、各画素領域に対応するＴＦＴ３０に接続するドレイン電極１７が電極形成層６２に複数接続された状態を示している。
【００４８】
はじめに図６（ａ）に示すように、例えばマスクＭを用いることでエッチングを行い、電極形成層６２を各画素領域に対応する画素電極の形状にパターニングすることで、図６（ｂ）に示す画素電極の基材部９ａが形成される。
【００４９】
上述したように前記電極形成層６２を高融点金属（Ｗ；タングステン）により形成している。本実施形態に係る液晶装置１００は、反射型のものであることから、画素電極での反射率を高めるべく、画素電極の形成工程において、前記電極形成層６２に比べて高い光反射性を有する反射膜でこの電極形成層６２を覆うようにしている。これにより、画素電極９を構成する電極形成層６２が光反射膜で覆われるので、平坦性及び光反射性の高い画素電極９が得られ、液晶装置１００のコントラストを向上させることができる。
【００５０】
具体的に本実施形態では、図６（ｃ）に示すように電極形成層６２をパターニングして、各画素電極に対応する基材部９ａを形成した後、該基材部９ａの表面にスパッタ等によりＡｌからなる反射膜９ｂを形成し、画素電極９が製造される。なお、反射膜９ｂの形成材料はＡｌの他にも、光反射性を有するＡｕ、Ａｇ等を例示することができる。この画素電極９は、非常に平坦性の高い基材部９ａを主体として構成されているので、画素電極９自体も平坦性が高いものとなる。すなわち、画素電極９は平坦性が高く、その上面に設けられた反射膜９ｂによって高い反射率を備えたものとなっている。なお、上記実施形態では、電極形成層６２をパターニングした後、反射膜９ｂを成膜しているが、電極形成層６２上に反射膜９ｂを成膜した後、画素電極９を一括でパターニングすることで形成してもよい。
【００５１】
画素電極９を形成した後、各画素電極９を覆うようにして配向膜を形成することでＴＴアレイ基板１０を製造することができる。
【００５２】
そして、従来と同様にして、対向基板２０を形成し、該対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０との間に液晶層５０を充填するとともに、シール材２５を介してこれら基板１０，２０を貼り合わせる。以上の工程により液晶装置１００を製造することができる。
【００５３】
以上述べたように本実施形態の製造方法によれば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ３０）の積層工程に先んじて電極形成層６２の形成工程が行われ、電極形成層６２上にＴＦＴ３０が積層されるので、該電極形成層６２の形成時にＴＦＴ３０の凹凸形状が影響を及ぼすことが無くなる。よって、電極形成層６２は平坦性の高い層となり、この電極形成層６２から構成される画素電極９の平坦性が向上し、これに伴って画素電極９の反射率を高めることができる。したがって、コントラストが高く、高信頼性の液晶装置１００を提供できる。
【００５４】
図７は、上記製造工程により製造された液晶装置１００の断面構造を示す図である。
図７に示すように、対向基板２０はガラス等の透光性材料からなる基板本体とその液晶層５０側表面に形成された共通電極２１と配向膜２２を主体として構成されている。また、共通電極２１を覆うように、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。なお、配向膜１６、２２の形成材料としては、ポリイミド等の有機材料に限定されず、ＳｉＯ２等の無機材料を用いてもよい。また、対向基板２０の基板本体２０Ａの液晶層５０と反対側（光入射面）に偏光子２４が設けられている。
【００５５】
上述したように、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には封入された液晶層５０は、画素電極９からの電界が印加されていない状態で、配向膜１６、２２により所定の配向状態をとる。また、液晶層５０としては、例えば正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いた。なお、液晶モードとしては、ＴＮ（Twisted Nematic）モードのほか、ＶＡＮ（Vertical Aligned Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）モード、ＯＣＢ（Optical Compensated Bend）モード等を採用することができる。
【００５６】
上述したように、ＴＦＴアレイ基板１０は、支持基板６０上に画素電極９を構成する基材部９ａを形成した後、この基材部９ａ上にＴＦＴ３０等を積層し、その後反転させることで製造される。したがって、図７に示したように、画素電極９の下層には、下地保護層１５を介してポリシリコンからなる半導体層１が設けられている。この半導体層１は、ＴＦＴ３０の能動層をして機能するものであり、半導体層１内のドレイン領域１ｃに接続されたドレイン電極１７がコンタクトホール７を介して画素電極９に電気的に接続されている。また、半導体層１の下層には、ゲート絶縁膜１４を介してゲート電極３ａ（走査線３）が設けられている。すなわち、本実施形態に係る液晶装置１００は、所謂ボトムゲート構造となっている。また、前記半導体層１のソース領域１ｂから下方に延出するデータ線６を備えている。データ線６とＴＦＴ３０との間には、第一、第二層間絶縁膜１３，１２が設けられており、データ線６と基板本体１０Ａとの間には、第三層間絶縁膜１１が設けられている。
【００５７】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることはなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において適宜変更が可能である。電気光学装置の一実施形態として、液晶装置を例に挙げて説明したが、これに限定されない。例えば、一方の基板側から入射した光を他方の基板で反射させ、反射光を用いて表示をなす電気光学装置に対しても適応することができ、この場合高い反射率を得ることができ、高コントラストの表示を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】液晶装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１中Ｈ−Ｈ´線矢視による液晶装置の断面図である。
【図３】液晶装置の等価回路を示す図である。
【図４】液晶装置の製造工程を説明するための図である。
【図５】図４に続く液晶装置の製造工程を説明するための図である。
【図６】図４に続く液晶装置の製造工程を説明するための図である。
【図７】本実施形態に係る製造方法によって得た液晶装置の側断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
９…画素電極、９ｂ…反射膜、１５…下地保護膜（絶縁層）、３０…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、４０…積層体、６０…支持基板、６１…アモルファスシリコン層（剥離層）、６２…電極形成層、１００…液晶装置（電気光学装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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