(57)【要約】【課題】リードフレーム４を第２絶縁層３に対して均一に押圧し、第１絶縁層２および第２絶縁層３を硬化させるための加熱によって半導体素子が悪影響を受けてしまうのを回避し、第１絶縁層２および第２絶縁層３を十分に硬化させる。【解決手段】ヒートシンク１上に硬化状態の第１絶縁層２を形成し、第１絶縁層２よりも硬度が低い半硬化状態の第２絶縁層３を第１絶縁層２上に形成し、リードフレーム４を第２絶縁層３に対して押圧すると共に第２絶縁層３を加熱して第２絶縁層３を熱硬化させることにより、第２絶縁層３とリードフレーム４との接合強度を増加させ、リードフレーム４上に半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆを実装し、ヒートシンク１の下面およびリードフレーム４の一部が露出するように封止用樹脂７によって半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆを封止する。【選択図】図９
2008263149.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートシンクと、ヒートシンク上に配置された第１絶縁層と、第１絶縁層上に配置された第２絶縁層と、第２絶縁層上に配置されたリードフレームと、リードフレーム上に配置された半導体素子と、ヒートシンクの下面およびリードフレームの一部が露出するように半導体素子を封止する封止用樹脂とを具備する半導体装置の製造方法において、
ヒートシンク上に硬化状態の第１絶縁層を形成し、次いで、
第１絶縁層よりも硬度が低い半硬化状態の第２絶縁層を第１絶縁層上に形成し、次いで、
リードフレームを第２絶縁層に対して押圧すると共に第２絶縁層を加熱して第２絶縁層を熱硬化させることにより、第２絶縁層とリードフレームとの接合強度を増加させ、次いで、
リードフレーム上に半導体素子を実装し、次いで、
ヒートシンクの下面およびリードフレームの一部が露出するように封止用樹脂によって半導体素子を封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第１絶縁層に放熱性フィラーを含有させることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
第２絶縁層に放熱性フィラーを含有させることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第２絶縁層の上面の一部とリードフレームの下面とを接触させ、第２絶縁層の上面にリードフレームと接触しない部分を残すことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半硬化状態の第２絶縁層内にリードフレームの下側部分が埋没し、リードフレームの周りの半硬化状態の第２絶縁層が盛り上がってリードフレームの下側部分の側面と接触し、盛り上がった部分の第２絶縁層の厚さが、リードフレームと接触しない部分の厚さよりも厚くなるように、半硬化状態の第２絶縁層に対してリードフレームを押圧することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半硬化状態の第２絶縁層内にリードフレームの下側部分が埋没し、リードフレームの下面と第１絶縁層の上面との間の第２絶縁層の厚さが、リードフレームと接触しない部分の厚さよりも薄くなるように、半硬化状態の第２絶縁層に対してリードフレームを押圧することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半硬化状態の第２絶縁層に対してリードフレームを押圧する工程中に第１絶縁層の厚さが減少しないように、第１絶縁層を予め完全に硬化させておくことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
半硬化状態の第２絶縁層に対してリードフレームを押圧するためのバネ加圧式の押圧部材を複数設け、複数の押圧部材をリードフレーム上にほぼ均等に配列したことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項９】
リードフレームのうち、押圧部材によって押圧される部分の厚さを、押圧部材によって押圧されない部分の厚さよりも厚くしたことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造装置によって製造される半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒートシンクと、ヒートシンク上に配置された第１絶縁層と、第１絶縁層上に配置された第２絶縁層と、第２絶縁層上に配置されたリードフレームと、リードフレーム上に配置された半導体素子と、ヒートシンクの下面およびリードフレームの一部が露出するように半導体素子を封止する封止用樹脂とを具備する半導体装置およびその製造方法ならびに製造装置に関する。
【０００２】
特に、本発明は、リードフレームを第２絶縁層に対して均一に押圧することができ、第１絶縁層および第２絶縁層を硬化させるための加熱によって半導体素子が悪影響を受けてしまうのを回避しつつ、第１絶縁層および第２絶縁層を十分に硬化させることができる半導体装置およびその製造方法ならびに製造装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
従来から、ヒートシンクと、ヒートシンク上に配置された第１絶縁層と、第１絶縁層上に配置された第２絶縁層と、第２絶縁層上に配置されたリードフレームと、リードフレーム上に配置された半導体素子と、ヒートシンクの下面およびリードフレームの一部が露出するように半導体素子を封止する封止用樹脂とを具備する半導体装置が知られている。この種の半導体装置の例としては、例えば特開２０００−２６０９１８号公報に記載されたものがある。
【０００４】
特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置では、製造時に、半硬化状態の第１絶縁層がヒートシンク上に形成され、次いで、半硬化状態の第２絶縁層が第１絶縁層上に形成される。また、半導体素子がリードフレーム上に実装され、次いで、リードフレームが半硬化状態の第２絶縁層に接触せしめられるか、あるいは、貼り付けられる。次いで、ヒートシンクの下面およびリードフレームの一部が露出するように封止用樹脂によって半導体素子が封止される。
【０００５】
詳細には、特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置では、トランスファーモールディングによって半導体素子が封止され、トランスファーモールディング工程中に、封止用樹脂によってリードフレームが第２絶縁層に対して押圧されると共に、第２絶縁層が、一旦溶融せしめられた後に、熱硬化せしめられる。それにより、第２絶縁層とリードフレームとの接合強度が増加せしめられる。
【０００６】
ところで、特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置では、第２絶縁層が熱硬化せしめられる時にリードフレームが第２絶縁層に対して押圧されるものの、リードフレーム上には、リードフレームが第２絶縁層に対して押圧される前の工程において、既に半導体素子が実装されている。
【０００７】
つまり、特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置では、半導体素子が既に実装されているリードフレームを、第２絶縁層に対して押圧しなければならない。そのため、特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置では、リードフレームを第２絶縁層に対して均一に押圧することができない。
【０００８】
更に、特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置では、封止用樹脂によって半導体素子が封止される工程において、半硬化状態の第１絶縁層および第２絶縁層が熱硬化せしめられる。そのため、特開２０００−２６０９１８号公報に記載された半導体装置では、封止工程中の加熱によって半導体素子が悪影響を受けてしまうのを回避するために封止工程中の加熱温度を低い値に設定すると、第１絶縁層および第２絶縁層を十分に熱硬化させることができない。一方、第１絶縁層および第２絶縁層を十分に熱硬化させるために封止工程中の加熱温度を高い値に設定すると、封止工程中の加熱によって半導体素子が悪影響を受けてしまう。
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−２６０９１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前記問題点に鑑み、本発明は、リードフレームを第２絶縁層に対して均一に押圧することができ、第１絶縁層および第２絶縁層を硬化させるための加熱によって半導体素子が悪影響を受けてしまうのを回避しつつ、第１絶縁層および第２絶縁層を十分に硬化させることができる半導体装置およびその製造方法ならびに製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に記載の発明によれば、ヒートシンクと、ヒートシンク上に配置された第１絶縁層と、第１絶縁層上に配置された第２絶縁層と、第２絶縁層上に配置されたリードフレームと、リードフレーム上に配置された半導体素子と、ヒートシンクの下面およびリードフレームの一部が露出するように半導体素子を封止する封止用樹脂とを具備する半導体装置の製造方法において、ヒートシンク上に硬化状態の第１絶縁層を形成し、次いで、第１絶縁層よりも硬度が低い半硬化状態の第２絶縁層を第１絶縁層上に形成し、次いで、リードフレームを第２絶縁層に対して押圧すると共に第２絶縁層を加熱して第２絶縁層を熱硬化させることにより、第２絶縁層とリードフレームとの接合強度を増加させ、次いで、リードフレーム上に半導体素子を実装し、次いで、ヒートシンクの下面およびリードフレームの一部が露出するように封止用樹脂によって半導体素子を封止することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１２】
請求項２に記載の発明によれば、第１絶縁層に放熱性フィラーを含有させることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【００１３】
請求項３に記載の発明によれば、第２絶縁層に放熱性フィラーを含有させることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【００１４】
請求項４に記載の発明によれば、第２絶縁層の上面の一部とリードフレームの下面とを接触させ、第２絶縁層の上面にリードフレームと接触しない部分を残すことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【００１５】
請求項５に記載の発明によれば、半硬化状態の第２絶縁層内にリードフレームの下側部分が埋没し、リードフレームの周りの半硬化状態の第２絶縁層が盛り上がってリードフレームの下側部分の側面と接触し、盛り上がった部分の第２絶縁層の厚さが、リードフレームと接触しない部分の厚さよりも厚くなるように、半硬化状態の第２絶縁層に対してリードフレームを押圧することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【００１６】
請求項６に記載の発明によれば、半硬化状態の第２絶縁層内にリードフレームの下側部分が埋没し、リードフレームの下面と第１絶縁層の上面との間の第２絶縁層の厚さが、リードフレームと接触しない部分の厚さよりも薄くなるように、半硬化状態の第２絶縁層に対してリードフレームを押圧することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【００１７】
請求項７に記載の発明によれば、半硬化状態の第２絶縁層に対してリードフレームを押圧する工程中に第１絶縁層の厚さが減少しないように、第１絶縁層を予め完全に硬化させておくことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【００１８】
請求項８に記載の発明によれば、半硬化状態の第２絶縁層に対してリードフレームを押圧するためのバネ加圧式の押圧部材を複数設け、複数の押圧部材をリードフレーム上にほぼ均等に配列したことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置が提供される。
【００１９】
請求項９に記載の発明によれば、リードフレームのうち、押圧部材によって押圧される部分の厚さを、押圧部材によって押圧されない部分の厚さよりも厚くしたことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造装置によって製造される半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、ヒートシンク上に硬化状態の第１絶縁層が形成され、次いで、第１絶縁層よりも硬度が低い半硬化状態の第２絶縁層が第１絶縁層上に形成される。次いで、リードフレームを第２絶縁層に対して押圧すると共に第２絶縁層を加熱して第２絶縁層を熱硬化させることにより、第２絶縁層とリードフレームとの接合強度が増加せしめられる。次いで、半導体素子がリードフレーム上に実装され、次いで、ヒートシンクの下面およびリードフレームの一部が露出するように、封止用樹脂によって半導体素子が封止される。
【００２１】
詳細には、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、リードフレームが第２絶縁層に対して押圧される時に、半導体素子がリードフレーム上にまだ実装されていない。つまり、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、半導体素子がリードフレーム上にまだ実装されていない状態で、リードフレームが第２絶縁層に対して押圧される。そのため、半導体素子が既に実装されているリードフレームが第２絶縁層に対して押圧される場合よりも、リードフレームを第２絶縁層に対して均一に押圧することができる。
【００２２】
更に、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、封止用樹脂によって半導体素子が封止される前の工程において、第１絶縁層が硬化状態にされ、半硬化状態の第２絶縁層が加熱されて硬化せしめられる。つまり、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、第１絶縁層が硬化状態にされ、半硬化状態の第２絶縁層が加熱されて硬化せしめられた後の工程において、封止用樹脂によって半導体素子が封止される。
【００２３】
そのため、請求項１に記載の半導体装置の製造方法によれば、封止工程中の加熱によって半導体素子が悪影響を受けてしまうのを回避するために封止工程中の加熱温度を低い値に設定した場合であっても、第１絶縁層および第２絶縁層を十分に硬化させることができる。また、請求項１に記載の半導体装置の製造方法によれば、第１絶縁層および第２絶縁層を十分に硬化させるために第１絶縁層および第２絶縁層の加熱温度を高い値に設定した場合であっても、第１絶縁層および第２絶縁層を硬化させるための加熱によって半導体素子が悪影響を受けてしまうおそれがない。
【００２４】
換言すれば、請求項１に記載の半導体装置の製造方法によれば、リードフレームを第２絶縁層に対して均一に押圧することができ、第１絶縁層および第２絶縁層を硬化させるための加熱によって半導体素子が悪影響を受けてしまうのを回避しつつ、第１絶縁層および第２絶縁層を十分に硬化させることができる。
【００２５】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法では、第１絶縁層に放熱性フィラーが含有せしめられる。そのため、請求項２に記載の半導体装置の製造方法によれば、第１絶縁層に放熱性フィラーが含有せしめられない場合よりも第１絶縁層の熱伝導性を向上させることができる。
【００２６】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法では、第２絶縁層に放熱性フィラーが含有せしめられる。そのため、請求項３に記載の半導体装置の製造方法によれば、第２絶縁層に放熱性フィラーが含有せしめられない場合よりも第２絶縁層の熱伝導性を向上させることができる。
【００２７】
請求項４及び５に記載の半導体装置の製造方法では、第２絶縁層の上面の一部とリードフレームの下面とが接触せしめられ、第２絶縁層の上面にリードフレームと接触しない部分が残される。詳細には、請求項４及び５に記載の半導体装置の製造方法では、半硬化状態の第２絶縁層内にリードフレームの下側部分が埋没し、リードフレームの周りの半硬化状態の第２絶縁層が盛り上がってリードフレームの下側部分の側面と接触し、盛り上がった部分の第２絶縁層の厚さが、リードフレームと接触しない部分の厚さよりも厚くなるように、半硬化状態の第２絶縁層に対してリードフレームが押圧される。
【００２８】
そのため、請求項４及び５に記載の半導体装置の製造方法によれば、第２絶縁層とリードフレームの下側部分の側面とが接触しない場合よりも、第２絶縁層とリードフレームとの接合強度を増加させることができる。詳細には、請求項４及び５に記載の半導体装置の製造方法によれば、リードフレームの周りの半硬化状態の第２絶縁層が盛り上がっていない場合よりも、第２絶縁層とリードフレームとの接合強度を増加させることができる。
【００２９】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法では、半硬化状態の第２絶縁層内にリードフレームの下側部分が埋没し、リードフレームの下面と第１絶縁層の上面との間の第２絶縁層の厚さが、リードフレームと接触しない部分の厚さよりも薄くなるように、半硬化状態の第２絶縁層に対してリードフレームが押圧される。そのため、請求項６に記載の半導体装置の製造方法によれば、リードフレームの下面と第１絶縁層の上面との間の第２絶縁層の厚さがリードフレームと接触しない部分の厚さと等しい場合よりも、リードフレームから第１絶縁層への熱伝導性を向上させることができる。
【００３０】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法では、半硬化状態の第２絶縁層に対してリードフレームを押圧する工程中に第１絶縁層の厚さが減少しないように、第１絶縁層が予め完全に硬化せしめられる。好ましくは、請求項７に記載の半導体装置の製造方法では、半硬化状態の第２絶縁層が第１絶縁層上に形成される工程の前の段階で第１絶縁層が完全に硬化せしめられる。
【００３１】
そのため、請求項７に記載の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２絶縁層に対してリードフレームを押圧する工程中に第１絶縁層の厚さが減少するのに伴って第１絶縁層の絶縁性が低下し、リードフレームとヒートシンクとが短絡してしまうおそれを回避することができる。換言すれば、請求項７に記載の半導体装置の製造方法によれば、半硬化状態の第２絶縁層に対してリードフレームを押圧する工程中に第１絶縁層の厚さが減少する場合よりも、第１絶縁層の絶縁性を向上させることができる。
【００３２】
また、請求項７に記載の半導体装置の製造方法によれば、第１絶縁層が予め完全に硬化せしめられていない場合よりも、半硬化状態の第２絶縁層に対するリードフレームの押圧力を増加させることができ、それにより、リードフレームの下面と第１絶縁層の上面との間の第２絶縁層の厚さを薄くすることができ、その結果、リードフレームから第１絶縁層への熱伝導性を向上させることができる。
【００３３】
請求項８に記載の半導体装置の製造装置では、半硬化状態の第２絶縁層に対してリードフレームを押圧するためのバネ加圧式の押圧部材が複数設けられ、複数の押圧部材がリードフレーム上にほぼ均等に配列されている。そのため、請求項８に記載の半導体装置の製造装置によれば、半硬化状態の第２絶縁層に対してリードフレームを均一に押圧することができる。
【００３４】
請求項９に記載の半導体装置では、リードフレームのうち、押圧部材によって押圧される部分の厚さが、押圧部材によって押圧されない部分の厚さよりも厚くされている。
【００３５】
そのため、請求項９に記載の半導体装置によれば、押圧部材によってリードフレームが第２絶縁層に対して押圧される時にリードフレームが変形してしまうおそれを低減することができる。その結果、請求項９に記載の半導体装置によれば、リードフレームのうち、押圧部材によって押圧される部分の厚さが、押圧部材によって押圧されない部分の厚さと等しくされている場合よりも、リードフレームを第２絶縁層に対して均一に押圧することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の半導体装置の一部を構成するヒートシンク１と、その上面に形成された第１絶縁層２と、その上面に形成された第２絶縁層３とを示した図である。詳細には、図１（Ａ）はヒートシンク１、第１絶縁層２および第２絶縁層３の平面図、図１（Ｂ）はヒートシンク１、第１絶縁層２および第２絶縁層３の正面図、図１（Ｃ）はヒートシンク１、第１絶縁層２および第２絶縁層３の右側面図、図１（Ｄ）はヒートシンク１、第１絶縁層２および第２絶縁層３の拡大図である。
【００３７】
第１の実施形態の半導体装置では、図１に示すように、例えば熱硬化性樹脂および放熱性フィラーを含有する第１絶縁層２が、ヒートシンク１上に配置されている。更に、例えば熱硬化性樹脂を含有する第２絶縁層３が、第１絶縁層２上に配置されている。
【００３８】
詳細には、第１の実施形態の半導体装置の製造時には、まず最初に、放熱性フィラーを含有する熱硬化性樹脂がヒートシンク１の上面に塗布される。次いで、熱硬化性樹脂が熱処理され、それにより、硬化状態の第１絶縁層２がヒートシンク１の上面に形成される。次いで、熱硬化性樹脂が第１絶縁層２上に塗布される。次いで、第１絶縁層２上に塗布された熱硬化性樹脂が、第１絶縁層２よりも硬度が低い半硬化状態になる程度に熱処理され、それにより、半硬化状態の第２絶縁層３が第１絶縁層２上に形成される。詳細には、第１の実施形態の半導体装置では、半硬化状態の第２絶縁層３が第１絶縁層２上に形成される工程の前の段階で、第１絶縁層２が完全に硬化せしめられる。
【００３９】
第１の実施形態の半導体装置では、第２絶縁層３に放熱性フィラーが含有せしめられていないが、第２の実施形態の半導体装置では、代わりに、第２絶縁層３に放熱性フィラーを含有させることも可能である。
【００４０】
図２は第２絶縁層３上に配置されるリードフレーム４を示した図である。詳細には、図２（Ａ）はリードフレーム４の平面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、図２（Ｃ）は図２（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００４１】
第１の実施形態の半導体装置では、図２に示すように、リードフレーム４が厚肉部４ａと薄肉部４ｂとによって構成されている。詳細には、例えばプレス加工により、薄肉部４ｂの板厚が厚肉部４ａの板厚よりも薄くされる。リードフレーム４の厚肉部４ａには、半導体素子を搭載したり、ボンディングワイヤを接続したりするための搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５が設けられている。リードフレーム４の薄肉部４ｂには、第１の実施形態の半導体装置の端子を構成する端子部４ｂ１，４ｂ２，４ｂ３，４ｂ４，４ｂ５と、例えば成形用金型に対してリードフレーム４を位置決めするための位置決め部４ｂ６，４ｂ７とが設けられている。端子部４ｂ１，４ｂ２，４ｂ３，４ｂ４，４ｂ５のそれぞれには、穴４ｂ１ａ，４ｂ２ａ，４ｂ３ａ，４ｂ４ａ，４ｂ５ａが形成され、位置決め部４ｂ６，４ｂ７のそれぞれには、穴４ｂ６ａ，４ｂ７ａが形成されている。
【００４２】
図３はリードフレーム４が第２絶縁層３上に配置された状態を示した図である。詳細には、図３（Ａ）はヒートシンク１と第１絶縁層２と第２絶縁層３とリードフレーム４との組立体の平面図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図、図３（Ｃ）は図３（Ａ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。
【００４３】
第１の実施形態の半導体装置では、図３に示すように、リードフレーム４が第２絶縁層３上に配置されている。詳細には、第１の実施形態の半導体装置では、リードフレーム４が第２絶縁層３上に配置される時に、リードフレーム４が第２絶縁層３に対して図３（Ｃ）の下向きに押圧されると共に、第２絶縁層３が加熱されて熱硬化せしめられる。
【００４４】
更に詳細には、第１の実施形態の半導体装置では、図３に示すように、第２絶縁層３の上面の一部と、リードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５の下面とが接触せしめられ、第２絶縁層３の上面には、リードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５の下面と接触しない部分３ａが残されている。
【００４５】
図４は第２絶縁層３とリードフレーム４との関係を示した拡大図である。詳細には、図４（Ａ）は第２絶縁層３とリードフレーム４の搭載部４ａ１との関係を示した拡大図、図４（Ｂ）は第２絶縁層３とリードフレーム４の搭載部４ａ２との関係を示した拡大図、図４（Ｃ）は第２絶縁層３とリードフレーム４の搭載部４ａ３との関係を示した拡大図、図４（Ｄ）は第２絶縁層３とリードフレーム４の搭載部４ａ４との関係を示した拡大図、図４（Ｅ）は第２絶縁層３とリードフレーム４の搭載部４ａ５との関係を示した拡大図である。
【００４６】
第１の実施形態の半導体装置では、上述したように、リードフレーム４が第２絶縁層３上に配置される時に、リードフレーム４が第２絶縁層３に対して図３（Ｃ）の下向きに押圧されると共に、第２絶縁層３が加熱されて熱硬化せしめられる。詳細には、第１の実施形態の半導体装置では、図４（Ａ）に示すように、リードフレーム４が第２絶縁層３上に配置される時に、半硬化状態の第２絶縁層３内にリードフレーム４の搭載部４ａ１の下側部分が埋没し、リードフレーム４の搭載部４ａ１の周りの半硬化状態の第２絶縁層３が盛り上がってリードフレーム４の搭載部４ａ１の下側部分の側面と接触し、盛り上がった部分の第２絶縁層３の厚さＴ３１’が、リードフレーム４と接触しない部分３ａの厚さＴ３０よりも厚くなるように、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４の搭載部４ａ１が図４（Ａ）の下向きに押圧される。
【００４７】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、図４（Ａ）に示すように、リードフレーム４が第２絶縁層３上に配置される時に、半硬化状態の第２絶縁層３内にリードフレーム４の搭載部４ａ１の下側部分が埋没し、リードフレーム４の搭載部４ａ１の下面と第１絶縁層２の上面との間の第２絶縁層３の厚さＴ３１が、リードフレーム４と接触しない部分３ａの厚さＴ０よりも薄くなるように、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４の搭載部４ａ１が図４（Ａ）の下向きに押圧される。
【００４８】
また、第１の実施形態の半導体装置では、上述したように、半硬化状態の第２絶縁層３が第１絶縁層２上に形成される工程の前の段階で第１絶縁層２が完全に硬化せしめられている。そのため、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４の搭載部４ａ１が図４（Ａ）の下向きに押圧されても、第１絶縁層２の厚さＴ２１が減少しない。つまり、第１の実施形態の半導体装置では、図４（Ａ）に示すように、リードフレーム４の搭載部４ａ１の直下に位置する第１絶縁層２の厚さＴ２１が、リードフレーム４と接触しない部分３ａの直下に位置する第１絶縁層２の厚さＴ２０と等しくなる。
【００４９】
同様に、第１の実施形態の半導体装置では、図４（Ｂ）に示すように、リードフレーム４が第２絶縁層３上に配置される時に、半硬化状態の第２絶縁層３内にリードフレーム４の搭載部４ａ２の下側部分が埋没し、リードフレーム４の搭載部４ａ２の周りの半硬化状態の第２絶縁層３が盛り上がってリードフレーム４の搭載部４ａ２の下側部分の側面と接触し、盛り上がった部分の第２絶縁層３の厚さＴ３２’が、リードフレーム４と接触しない部分３ａの厚さＴ３０よりも厚くなるように、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４の搭載部４ａ２が図４（Ｂ）の下向きに押圧される。
【００５０】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、図４（Ｂ）に示すように、リードフレーム４が第２絶縁層３上に配置される時に、半硬化状態の第２絶縁層３内にリードフレーム４の搭載部４ａ２の下側部分が埋没し、リードフレーム４の搭載部４ａ２の下面と第１絶縁層２の上面との間の第２絶縁層３の厚さＴ３２が、リードフレーム４と接触しない部分３ａの厚さＴ０よりも薄くなるように、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４の搭載部４ａ２が図４（Ｂ）の下向きに押圧される。
【００５１】
また、第１の実施形態の半導体装置では、上述したように、半硬化状態の第２絶縁層３が第１絶縁層２上に形成される工程の前の段階で第１絶縁層２が完全に硬化せしめられている。そのため、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４の搭載部４ａ２が図４（Ｂ）の下向きに押圧されても、第１絶縁層２の厚さＴ２２が減少しない。つまり、第１の実施形態の半導体装置では、図４（Ｂ）に示すように、リードフレーム４の搭載部４ａ２の直下に位置する第１絶縁層２の厚さＴ２２が、リードフレーム４と接触しない部分３ａの直下に位置する第１絶縁層２の厚さＴ２０と等しくなる。
【００５２】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、図４（Ｃ）に示すように、リードフレーム４が第２絶縁層３上に配置される時に、半硬化状態の第２絶縁層３内にリードフレーム４の搭載部４ａ３の下側部分が埋没し、リードフレーム４の搭載部４ａ３の周りの半硬化状態の第２絶縁層３が盛り上がってリードフレーム４の搭載部４ａ３の下側部分の側面と接触し、盛り上がった部分の第２絶縁層３の厚さＴ３３’が、リードフレーム４と接触しない部分３ａの厚さＴ３０よりも厚くなるように、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４の搭載部４ａ３が図４（Ｃ）の下向きに押圧される。
【００５３】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、図４（Ｃ）に示すように、リードフレーム４が第２絶縁層３上に配置される時に、半硬化状態の第２絶縁層３内にリードフレーム４の搭載部４ａ３の下側部分が埋没し、リードフレーム４の搭載部４ａ３の下面と第１絶縁層２の上面との間の第２絶縁層３の厚さＴ３３が、リードフレーム４と接触しない部分３ａの厚さＴ０よりも薄くなるように、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４の搭載部４ａ３が図４（Ｃ）の下向きに押圧される。
【００５４】
また、第１の実施形態の半導体装置では、上述したように、半硬化状態の第２絶縁層３が第１絶縁層２上に形成される工程の前の段階で第１絶縁層２が完全に硬化せしめられている。そのため、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４の搭載部４ａ３が図４（Ｃ）の下向きに押圧されても、第１絶縁層２の厚さＴ２３が減少しない。つまり、第１の実施形態の半導体装置では、図４（Ｃ）に示すように、リードフレーム４の搭載部４ａ３の直下に位置する第１絶縁層２の厚さＴ２３が、リードフレーム４と接触しない部分３ａの直下に位置する第１絶縁層２の厚さＴ２０と等しくなる。
【００５５】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、図４（Ｄ）に示すように、リードフレーム４が第２絶縁層３上に配置される時に、半硬化状態の第２絶縁層３内にリードフレーム４の搭載部４ａ４の下側部分が埋没し、リードフレーム４の搭載部４ａ４の周りの半硬化状態の第２絶縁層３が盛り上がってリードフレーム４の搭載部４ａ４の下側部分の側面と接触し、盛り上がった部分の第２絶縁層３の厚さＴ３４’が、リードフレーム４と接触しない部分３ａの厚さＴ３０よりも厚くなるように、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４の搭載部４ａ４が図４（Ｄ）の下向きに押圧される。
【００５６】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、図４（Ｄ）に示すように、リードフレーム４が第２絶縁層３上に配置される時に、半硬化状態の第２絶縁層３内にリードフレーム４の搭載部４ａ４の下側部分が埋没し、リードフレーム４の搭載部４ａ４の下面と第１絶縁層２の上面との間の第２絶縁層３の厚さＴ３４が、リードフレーム４と接触しない部分３ａの厚さＴ０よりも薄くなるように、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４の搭載部４ａ４が図４（Ｄ）の下向きに押圧される。
【００５７】
また、第１の実施形態の半導体装置では、上述したように、半硬化状態の第２絶縁層３が第１絶縁層２上に形成される工程の前の段階で第１絶縁層２が完全に硬化せしめられている。そのため、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４の搭載部４ａ４が図４（Ｄ）の下向きに押圧されても、第１絶縁層２の厚さＴ２４が減少しない。つまり、第１の実施形態の半導体装置では、図４（Ｄ）に示すように、リードフレーム４の搭載部４ａ４の直下に位置する第１絶縁層２の厚さＴ２４が、リードフレーム４と接触しない部分３ａの直下に位置する第１絶縁層２の厚さＴ２０と等しくなる。
【００５８】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、図４（Ｅ）に示すように、リードフレーム４が第２絶縁層３上に配置される時に、半硬化状態の第２絶縁層３内にリードフレーム４の搭載部４ａ５の下側部分が埋没し、リードフレーム４の搭載部４ａ５の周りの半硬化状態の第２絶縁層３が盛り上がってリードフレーム４の搭載部４ａ５の下側部分の側面と接触し、盛り上がった部分の第２絶縁層３の厚さＴ３５’が、リードフレーム４と接触しない部分３ａの厚さＴ３０よりも厚くなるように、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４の搭載部４ａ５が図４（Ｅ）の下向きに押圧される。
【００５９】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、図４（Ｅ）に示すように、リードフレーム４が第２絶縁層３上に配置される時に、半硬化状態の第２絶縁層３内にリードフレーム４の搭載部４ａ５の下側部分が埋没し、リードフレーム４の搭載部４ａ５の下面と第１絶縁層２の上面との間の第２絶縁層３の厚さＴ３５が、リードフレーム４と接触しない部分３ａの厚さＴ０よりも薄くなるように、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４の搭載部４ａ５が図４（Ｅ）の下向きに押圧される。
【００６０】
また、第１の実施形態の半導体装置では、上述したように、半硬化状態の第２絶縁層３が第１絶縁層２上に形成される工程の前の段階で第１絶縁層２が完全に硬化せしめられている。そのため、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４の搭載部４ａ５が図４（Ｅ）の下向きに押圧されても、第１絶縁層２の厚さＴ２５が減少しない。つまり、第１の実施形態の半導体装置では、図４（Ｅ）に示すように、リードフレーム４の搭載部４ａ５の直下に位置する第１絶縁層２の厚さＴ２５が、リードフレーム４と接触しない部分３ａの直下に位置する第１絶縁層２の厚さＴ２０と等しくなる。
【００６１】
図５および図６は第１の実施形態の半導体装置のリードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５を第２絶縁層３に対して押圧するための冶具１０等を示した図である。詳細には、図５は冶具１０等を部分的に透視して見た平面図、図６（Ａ）は図５のＥ−Ｅ線に沿った断面図、図６（Ｂ）は図５のＦ−Ｆ線に沿った断面図である。図６（Ｃ）は第３の実施形態の半導体装置のリードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５を第２絶縁層３に対して押圧するための押圧部材１００ａを示した図である。
【００６２】
第１の実施形態の半導体装置を製造するための冶具１０では、図５および図６に示すように、リードフレーム４の搭載部４ａ１を第２絶縁層３に対して押圧するためにコイルバネ１０ｂによって付勢された押圧部材１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”が設けられている。また、リードフレーム４の搭載部４ａ２を第２絶縁層３に対して押圧するためにコイルバネ１０ｂによって付勢された押圧部材１０ａ２が設けられている。更に、リードフレーム４の搭載部４ａ３を第２絶縁層３に対して押圧するためにコイルバネ１０ｂによって付勢された押圧部材１０ａ３が設けられている。また、リードフレーム４の搭載部４ａ４を第２絶縁層３に対して押圧するためにコイルバネ１０ｂによって付勢された押圧部材１０ａ４が設けられている。更に、リードフレーム４の搭載部４ａ５を第２絶縁層３に対して押圧するためにコイルバネ１０ｂによって付勢された押圧部材１０ａ５，１０ａ５’が設けられている。
【００６３】
詳細には、第１の実施形態の半導体装置を製造するための冶具１０では、図５および図６に示すように、搭載部４ａ１が、３個の押圧部材１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”によって第２絶縁層３に対して押圧される。更に、搭載部４ａ１の面積の３分の１程度の面積を有する搭載部４ａ２，４ａ３，４ａ４が、それぞれ１個の押圧部材１０ａ２，１０ａ３，１０ａ４によって第２絶縁層３に対して押圧される。また、搭載部４ａ１の面積の３分の２程度の面積を有する搭載部４ａ５が、２個の押圧部材１０ａ５，１０ａ５’によって第２絶縁層３に対して押圧される。
【００６４】
換言すれば、第１の実施形態の半導体装置を製造するための冶具１０では、図５および図６に示すように、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４を押圧するために、８個のバネ加圧式の押圧部材１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”，１０ａ２，１０ａ３，１０ａ４，１０ａ５，１０ａ５’が設けられ、それらがリードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５上にほぼ均等に配列されている。そのため、第１の実施形態の半導体装置を製造するための冶具１０によれば、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４を均一に押圧することができる。
【００６５】
その結果、第１の実施形態の半導体装置によれば、図４に示すように、リードフレーム４の搭載部４ａ１の下面と第１絶縁層２の上面との間の第２絶縁層３の厚さＴ３１と、リードフレーム４の搭載部４ａ２の下面と第１絶縁層２の上面との間の第２絶縁層３の厚さＴ３２と、リードフレーム４の搭載部４ａ３の下面と第１絶縁層２の上面との間の第２絶縁層３の厚さＴ３３と、リードフレーム４の搭載部４ａ４の下面と第１絶縁層２の上面との間の第２絶縁層３の厚さＴ３４と、リードフレーム４の搭載部４ａ５の下面と第１絶縁層２の上面との間の第２絶縁層３の厚さＴ３５とをほぼ等しくすることができる。
【００６６】
つまり、第１の実施形態の半導体装置では、図５および図６に示すように、リードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５が冶具１０によって第２絶縁層３に対して押圧されると共に、第２絶縁層３が加熱されて熱硬化せしめられる。それにより、リードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５と第２絶縁層３との接合強度が増加せしめられる。
【００６７】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、図２および図５に示すように、リードフレーム４のうち、押圧部材１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”，１０ａ２，１０ａ３，１０ａ４，１０ａ５，１０ａ５’によって押圧される搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５の厚さが、押圧部材１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”，１０ａ２，１０ａ３，１０ａ４，１０ａ５，１０ａ５’によって押圧されない薄肉部４ｂの厚さよりも厚くされている。
【００６８】
そのため、第１の実施形態の半導体装置によれば、押圧部材１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”，１０ａ２，１０ａ３，１０ａ４，１０ａ５，１０ａ５’によってリードフレーム４が第２絶縁層３に対して押圧される時にリードフレーム４が変形してしまうおそれを低減することができ、リードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５を第２絶縁層３に対して均一に押圧することができる。
【００６９】
第１の実施形態の半導体装置を製造するための冶具１０では、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように、押圧部材１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”，１０ａ２，１０ａ３，１０ａ４，１０ａ５，１０ａ５’の下面が半球面によって構成されているが、第３の実施形態の半導体装置を製造するための冶具では、代わりに、図６（Ｃ）に示すように、下面が平面によって構成されている押圧部材１００ａにより、リードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５を第２絶縁層３に対して押圧することも可能である。詳細には、リードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５の厚さが比較的薄い第３の実施形態の半導体装置を製造するための冶具では、押圧部材１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”，１０ａ２，１０ａ３，１０ａ４，１０ａ５，１０ａ５’の代わりに押圧部材１００ａが用いられる。
【００７０】
図７は半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆがリードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５上に実装され、ワイヤボンディングされた状態を示した図である。詳細には、図７（Ａ）はヒートシンク１と第１絶縁層２と第２絶縁層３とリードフレーム４と半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆとボンディングワイヤ６との組立体の平面図、図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＧ−Ｇ線に沿った断面図、図７（Ｃ）は図７（Ａ）のＨ−Ｈ線に沿った断面図である。
【００７１】
第１の実施形態の半導体装置の製造時には、図７に示すように、半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃがリードフレーム４の搭載部４ａ１上に実装され、半導体素子５ｄがリードフレーム４の搭載部４ａ２上に実装され、半導体素子５ｅがリードフレーム４の搭載部４ａ３上に実装され、半導体素子５ｆがリードフレーム４の搭載部４ａ４上に実装される。次いで、半導体素子５ａの上面とリードフレーム４の搭載部４ａ２の上面とがボンディングワイヤ６によって接続され、半導体素子５ｂの上面とリードフレーム４の搭載部４ａ３の上面とがボンディングワイヤ６によって接続され、半導体素子５ｃの上面とリードフレーム４の搭載部４ａ４の上面とがボンディングワイヤ６によって接続され、半導体素子５ｄの上面と半導体素子５ｅの上面と半導体素子５ｆの上面とリードフレーム４の搭載部４ａ５の上面とがボンディングワイヤ６によって接続される。
【００７２】
第１の実施形態の半導体装置では、図７に示すように、６個の半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆがリードフレーム４上に実装されているが、第４の実施形態の半導体装置では、代わりに、６個以外の任意の数の半導体素子をリードフレーム上に実装することも可能である。
【００７３】
図８はヒートシンク１の下面およびリードフレーム４の一部が露出するように封止用樹脂７によってヒートシンク１、リードフレーム４および半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆがインサート成形された状態を示した図である。詳細には、図８（Ａ）は封止用樹脂７によってヒートシンク１、リードフレーム４および半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆがインサート成形された成形体の平面図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿った断面図、図８（Ｃ）は図８（Ａ）のＪ−Ｊ線に沿った断面図である。
【００７４】
第１の実施形態の半導体装置の成形時には、図８に示すように、例えばリードフレーム４の位置決め部４ｂ６の穴４ｂ６ａおよび位置決め部４ｂ７の穴４ｂ７ａを用いることにより、ヒートシンク１と第１絶縁層２と第２絶縁層３とリードフレーム４と半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆとボンディングワイヤ６との組立体が、成形用金型に対して位置決めされる。
【００７５】
更に、第１の実施形態の半導体装置の成形時には、図８に示すように、沿面距離を増加させるための溝７ａが封止用樹脂７の表面に形成される。また、例えば放熱用フィンを取り付けるための貫通穴７ｂが封止用樹脂７に形成される。
【００７６】
第１の実施形態の半導体装置では、封止用樹脂７として熱可塑性樹脂が用いられるが、第５の実施形態の半導体装置では、代わりに、封止用樹脂７として熱硬化性樹脂を用いることも可能である。封止用樹脂７として熱可塑性樹脂が用いられる第１の実施形態の半導体装置によれば、封止用樹脂７として熱硬化性樹脂が用いられる場合よりも、封止用樹脂７の成形に要する時間を短縮することができる。
【００７７】
図９はリードフレーム４の位置決め部４ｂ６，４ｂ７が切断された第１の実施形態の半導体装置の完成品を示した図である。詳細には、図９（Ａ）は第１の実施形態の半導体装置の完成品の平面図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）のＫ−Ｋ線に沿った断面図、図９（Ｃ）は図９（Ａ）のＬ−Ｌ線に沿った断面図である。
【００７８】
第１の実施形態の半導体装置では、図３〜図６に示すように、リードフレーム４が第２絶縁層３に対して押圧される時に、半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆがリードフレーム４上にまだ実装されていない。つまり、第１の実施形態の半導体装置では、半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆがリードフレーム４上にまだ実装されていない状態で、リードフレーム４が第２絶縁層３に対して押圧される。そのため、半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆが既に実装されているリードフレーム４が第２絶縁層３に対して押圧される場合よりも、リードフレーム４を第２絶縁層３に対して均一に押圧することができる。
【００７９】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、封止用樹脂７によって半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆが封止される前の工程において、第１絶縁層２が硬化状態にされ、半硬化状態の第２絶縁層３が加熱されて硬化せしめられる。つまり、第１の実施形態の半導体装置では、第１絶縁層２が硬化状態にされ、半硬化状態の第２絶縁層３が加熱されて硬化せしめられた後の工程において、図８に示すように、封止用樹脂７によって半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆが封止される。
【００８０】
そのため、第１の実施形態の半導体装置によれば、封止工程中の加熱によって半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆが悪影響を受けてしまうのを回避するために封止工程中の加熱温度を低い値に設定した場合であっても、第１絶縁層２および第２絶縁層３を十分に硬化させることができる。また、第１の実施形態の半導体装置によれば、第１絶縁層２および第２絶縁層３を十分に硬化させるために第１絶縁層２および第２絶縁層３の加熱温度を高い値に設定した場合であっても、第１絶縁層２および第２絶縁層３を硬化させるための加熱によって半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆが悪影響を受けてしまうおそれがない。
【００８１】
換言すれば、第１の実施形態の半導体装置によれば、リードフレーム４を第２絶縁層３に対して均一に押圧することができ、第１絶縁層２および第２絶縁層３を硬化させるための加熱によって半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆが悪影響を受けてしまうのを回避しつつ、第１絶縁層２および第２絶縁層３を十分に硬化させることができる。
【００８２】
また、第１の実施形態の半導体装置では、図３に示すように、第２絶縁層３の上面の一部とリードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５の下面とが接触せしめられ、第２絶縁層３の上面には、リードフレーム４の下面と接触しない部分３ａが残される。詳細には、図４に示すように、半硬化状態の第２絶縁層３内にリードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５の下側部分が埋没し、リードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５の周りの半硬化状態の第２絶縁層３が盛り上がってリードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５の下側部分の側面と接触し、盛り上がった部分の第２絶縁層３の厚さＴ３１’，Ｔ３２’，Ｔ３３’，Ｔ３４’，Ｔ３５’が、リードフレーム４と接触しない部分３ａの厚さＴ３０よりも厚くなるように、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５が押圧される。
【００８３】
そのため、第１の実施形態の半導体装置によれば、第２絶縁層３とリードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５の下側部分の側面とが接触しない場合よりも、第２絶縁層３とリードフレーム４との接合強度を増加させることができる。詳細には、第１の実施形態の半導体装置によれば、リードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５の周りの半硬化状態の第２絶縁層３が盛り上がっていない場合よりも、第２絶縁層３とリードフレーム４との接合強度を増加させることができる。
【００８４】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、図４に示すように、半硬化状態の第２絶縁層３内にリードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５の下側部分が埋没し、リードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５の下面と第１絶縁層２の上面との間の第２絶縁層３の厚さＴ３１，Ｔ３２，Ｔ３３，Ｔ３４，Ｔ３５が、リードフレーム４と接触しない部分３ａの厚さＴ３０よりも薄くなるように、半硬化状態の第２絶縁層３に対してリードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５が押圧される。そのため、第１の実施形態の半導体装置によれば、リードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５の下面と第１絶縁層２の上面との間の第２絶縁層３の厚さＴ３１，Ｔ３２，Ｔ３３，Ｔ３４，Ｔ３５がリードフレーム４と接触しない部分３ａの厚さＴ３０と等しい場合よりも、リードフレーム４から第１絶縁層２への熱伝導性を向上させることができる。
【００８５】
第２絶縁層３に放熱性フィラーが含有せしめられている第２の実施形態の半導体装置では、リードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５の下面と第１絶縁層２の上面との間の第２絶縁層３の厚さＴ３１，Ｔ３２，Ｔ３３，Ｔ３４，Ｔ３５を第１の実施形態の半導体装置よりも大きくすることが可能である。
【００８６】
第６の実施形態では、上述した第１から第５の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】第１の実施形態の半導体装置の一部を構成するヒートシンク１と、その上面に形成された第１絶縁層２と、その上面に形成された第２絶縁層３とを示した図である。
【図２】第２絶縁層３上に配置されるリードフレーム４を示した図である。
【図３】リードフレーム４が第２絶縁層３上に配置された状態を示した図である。
【図４】第２絶縁層３とリードフレーム４との関係を示した拡大図である。
【図５】第１の実施形態の半導体装置のリードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５を第２絶縁層３に対して押圧するための冶具１０等を示した図である。
【図６】第１の実施形態の半導体装置のリードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５を第２絶縁層３に対して押圧するための冶具１０等を示した図である。
【図７】半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆがリードフレーム４の搭載部４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５上に実装され、ワイヤボンディングされた状態を示した図である。
【図８】ヒートシンク１の下面およびリードフレーム４の一部が露出するように封止用樹脂７によってヒートシンク１、リードフレーム４および半導体素子５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆがインサート成形された状態を示した図である。
【図９】リードフレーム４の位置決め部４ｂ６，４ｂ７が切断された第１の実施形態の半導体装置の完成品を示した図である。
【符号の説明】
【００８８】
１                                      ヒートシンク
２                                      第１絶縁層
３                                      第２絶縁層
４                                      リードフレーム
４ａ                                    厚肉部
４ａ１，４ａ２，４ａ３，４ａ４，４ａ５  搭載部
４ｂ                                    薄肉部
４ｂ１，４ｂ２，４ｂ３，４ｂ４，４ｂ５  端子部
４ｂ６，４ｂ７                          位置決め部
５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ      半導体素子
６                                      ボンディングワイヤ
７                                      封止用樹脂
７ａ                                    溝
７ｂ                                    穴
１０                                    冶具
１０ａ１，１０ａ１’，１０ａ１”        押圧部材
１０ａ２，１０ａ３，１０ａ４            押圧部材
１０ａ５，１０ａ５’                    押圧部材
１０ｂ                                  コイルバネ
【図１】
2008263149.tif 000003
【図２】
2008263149.tif 000004
【図３】
2008263149.tif 000005
【図４】
2008263149.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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