(57)【要約】【課題】優れた耐熱性および接着性を有するフォトレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のフォトレジスト組成物は、第１のバインダー樹脂、第２のバインダー樹脂、光酸発生剤、架橋剤、および溶媒を含む。該フォトレジスト組成物は、フォトレジストパターンの耐熱性および接着性に優れるので、薄膜トランジスタ基板の開口率が増大し、表示品質を改善することができる。よって、該フォトレジスト組成物は、薄膜トランジスタ基板を製造するための４マスク工程に好適に用いられうる。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式１で示される繰り返し単位を含む第１のバインダー樹脂１〜７０質量部と、
下記化学式２で示される繰り返し単位を含む第２のバインダー樹脂（ただし、第１のバインダー樹脂を除く）１〜７０質量部と、
光酸発生剤０．５〜１０質量部と、
架橋剤１〜２０質量部と、
溶媒１０〜２００質量部とを含むフォトレジスト組成物；
【化１】
2008262206.tif 000011
前記化学式１中、Ｒ１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基を示し、ｎは１以上の自然数を示す、
【化２】
2008262206.tif 000012
前記化学式２中、Ｒ２それぞれ独立しては炭素原子数１〜５のアルキル基を示し、ｍは１以上の自然数を示す。
【請求項２】
前記第１のバインダー樹脂は、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、およびサリチル酸アルデヒド（ｓａｌｉｃｙｌｉｃ  ａｌｄｅｈｙｄｅ）を反応させて得られることを特徴とする、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３】
前記第２のバインダー樹脂は、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、およびホルムアルデヒドを反応させて得られることを特徴とする、請求項１または２に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４】
前記第１のバインダー樹脂および化学式２で示される繰り返し単位を含むバインダー樹脂の重量平均分子量が、１０００〜１００００であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５】
前記光酸発生剤は、オニウム塩、ハロゲン化有機化合物、キノンジアジド化合物、ビス（スルホニル）ジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステル化合物、有機酸アミド化合物、および有機酸イミド化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項６】
前記架橋剤は、アルコキシメチル化尿素樹脂、アルコキシメチル化メラミン樹脂、アルコキシメチル化ウロン樹脂、およびアルコキシメチル化グリコールウリル樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項７】
前記溶媒は、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、およびジエチレングリコールからなる群から選択される少なくとも１種を含むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項８】
下記化学式３で示される低分子フェノール化合物０．１〜１０質量部をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載のフォトレジスト組成物；
【化３】
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前記化学式３中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、それぞれ独立して水素原子または炭素原子数１〜４のアルキル基を示す。
【請求項９】
ピラゾールアゾ系色素、アニリノアゾ系色素、アリールアゾ系色素、トリフェニルメタン系色素、アントラキノン系色素、アントラピリドン系色素、ベンジリデン系色素、オキソノール系色素、ピラゾールトリアゾールアゾ系色素、ピリドンアゾ系色素、シアニン系色素、フェニチアジン系色素、ピロールピラゾールアゾメチン系色素、キサンテン系色素、フタロシアニン系色素、ベンゾピラン系色素、およびインジゴ系色素からなる群から選択される少なくとも１種を含む色素０．１〜５質量部をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１０】
接着増進剤、界面活性剤、および酸拡散抑制剤からなる群から選択される少なくとも１種を含む添加剤０．１〜１０質量部をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１１】
ゲートラインおよびゲート電極が形成されたベース基板上にゲート絶縁膜、アクティブ層、およびデータ金属層を順次形成する段階と、
前記データ金属層上に請求項１〜１０のいずれか１項に記載のフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する段階と、
前記フォトレジスト膜を露光および現像して第１フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターンをマスクとして利用して前記データ金属層および前記アクティブ層をエッチングしてデータラインおよびチャンネル部を形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターンの一部を除去して前記データ金属層の一部を露出させる第２フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第２フォトレジストパターンを利用して前記データ金属層および前記アクティブ層をエッチングしてソース電極、ドレイン電極、およびオーミックコンタクトパターンを形成する段階とを含む薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１フォトレジストパターンが、チャンネル形成領域を有し、前記チャンネル形成領域の前記第１フォトレジストパターンは、前記チャンネル形成領域を除く領域の前記第１フォトレジストパターンよりも厚みが薄いことを特徴とする、請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記データ金属層は、ウェットエッチング工程によってエッチングされることを特徴とする、請求項１１または１２に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトレジスト組成物およびこれを用いた薄膜トランジスタ基板の製造方法に関する。より詳細には、４マスク工程に使用することができるフォトレジスト組成物およびこれを用いた薄膜トランジスタ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、液晶物質の光学的性質および電気的性質を利用して画像を表示する。液晶表示装置は、陰極線管（Ｃａｔｈｏｄ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ；ＣＲＴ）ディスプレイパネルやプラズマディスプレイパネル等と比較して、軽量、低電力、駆動電圧が低いといった長所を有する。
【０００３】
一般的に、液晶表示装置は、液晶表示パネルと液晶表示パネルに光を供給する光源とを含む。そして液晶表示パネルは、複数のピクセルと複数の薄膜トランジスタとを含む。このピクセルおよび薄膜トランジスタはフォトレジスト組成物を用いたフォトリソグラフィ工程によって形成される。
【０００４】
近年、このフォトリソグラフィ工程を単純化するために、４枚のマスクを使用する４枚マスク工程が開発された。
【０００５】
また、この４枚マスク工程に用いるためのフォトレジスト組成物が開発された。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記４枚マスク工程でデータ金属層上に形成されるフォトレジストパターンは、厚みが相対的に薄いチャンネル形成領域を含む。従来、このチャンネル形成領域を有するフォトレジストパターンを形成するために使用されるフォトレジスト組成物は、耐熱性が低いために、ベーク工程でフォトレジストパターンが変形するという問題点を有していた。
【０００７】
このような問題点を解決するために、特許文献２では、耐熱性が強化されたフォトレジスト組成物が開示されているが、該フォトレジスト組成物で形成されたフォトレジストパターンは、下部基板等との密着性が低いという問題点を有していた。
【０００８】
したがって、本発明は、上記事情を鑑みてなされ、優れた耐熱性および接着性を有するフォトレジスト組成物を提供することを目的とする。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、該フォトレジスト組成物を利用した薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するための本発明のフォトレジスト組成物は、下記化学式１で示される繰り返し単位を含むバインダー樹脂１〜７０質量部と、下記化学式２で示される繰り返し単位を含むバインダー樹脂１〜７０質量部と、光酸発生剤０．５〜１０質量部と、架橋剤１〜２０質量部と、溶媒１０〜２００質量部とを含む；
【００１１】
【化１】
2008262206.tif 000003
【００１２】
前記化学式１中、Ｒ１は炭素原子数１〜５のアルキル基を示し、ｎは１以上の自然数を示す、
【００１３】
【化２】
2008262206.tif 000004
【００１４】
前記化学式２中、Ｒ２は炭素原子数１〜５のアルキル基を示し、ｍは１以上の自然数を示す。
【００１５】
また、上記目的を達成するための本発明の薄膜トランジスタ基板の製造方法は、ゲートラインおよびゲート電極が形成されたベース基板上にゲート絶縁膜、アクティブ層、およびデータ金属層を順次形成する段階と、前記データ金属層上に上記の本発明のフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する段階と、前記フォトレジスト膜を露光および現像して第１フォトレジストパターンを形成する段階と、前記第１フォトレジストパターンをマスクとして利用して前記データ金属層および前記アクティブ層をエッチングしてデータラインおよびチャンネル部を形成する段階と、前記第１フォトレジストパターンの一部を除去して前記データ金属層の一部を露出させる第２フォトレジストパターンを形成する段階と、前記第２フォトレジストパターンを利用して前記データ金属層および前記アクティブ層をエッチングしてソース電極、ドレイン電極、およびオーミックコンタクトパターンを形成する段階とを含む。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、フォトレジストパターンの耐熱性および接着性が向上し、薄膜トランジスタ基板の開口率が増大するので、表示品質を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。
【００１８】
＜フォトレジスト組成物＞
本発明の好ましい実施形態に係るフォトレジスト組成物は、下記化学式１で示される繰り返し単位を含むバインダー樹脂１〜７０質量部と、下記化学式２で示される繰り返し単位を含むバインダー樹脂１〜７０質量部と、光酸発生剤０．５〜１０質量部と、架橋剤１〜２０質量部と、溶媒１０〜２００質量部とを含む；
【００１９】
【化３】
2008262206.tif 000005
【００２０】
前記化学式１中、Ｒ１は炭素原子数１〜５のアルキル基を示し、ｎは１以上の自然数を示す、
【００２１】
【化４】
2008262206.tif 000006
【００２２】
前記化学式２中、Ｒ２は炭素原子数１〜５のアルキル基を示し、ｍは１以上の自然数を示す。
【００２３】
第１のバインダー樹脂はアルカリ可溶性であり、例えば、フェノール系化合物とアルデヒド系化合物とを酸性触媒の存在下で反応させて得ることができる。具体的には、化学式１の繰り返し単位は、フェノール系化合物とサリチル酸アルデヒドとを縮合反応させることによって得られる。
【００２４】
第２のバインダー樹脂はアルカリ可溶性であり、例えば、フェノール系化合物とアルデヒド系化合物とを酸性触媒の存在下で反応させて得ることができる。具体的には、化学式２の繰り返し単位は、フェノール系化合物とホルムアルデヒドとを縮合反応させることによって得られる。
【００２５】
上記フェノール系化合物としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，３−ジメチルフェノール、３，４−ジメチルフェノール、３，５−ジメチルフェノール、２，４−ジメチルフェノール、２，６−ジメチルフェノール、２，３，６−トリメチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−メチルレゾルシノール、４−メチルレゾルシノール、５−メチルレゾルシノール、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、２−メトキシフェノール、３−メトキシフェノール、２−プロピルフェノール、３−プロピルフェノール、４−プロピルフェノール、２−イソプロピルフェノール、２−メトキシ−５−メチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェノール、チモール、およびイソチモール等が挙げられる。これらはそれぞれ単独であるいは２種以上を混合して使用することができ、フォトレジストの感度制御を考慮すると、ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとを併用することが好ましい。この際、ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとの質量比は、好ましくは８０：２０〜２０：８０であり、より好ましくは７０：３０〜５０：５０（ｍ−クレゾール：ｐ−クレゾール）である。
【００２６】
本発明のフォトレジスト組成物は、バインダー樹脂として、従来のフォトレジスト組成物で使用されるノボラック樹脂をさらに含みうる。ノボラック樹脂は、上記フェノール系化合物とアルデヒド系化合物またはケトン系化合物とを酸性触媒の存在下で反応させることによって得られる。
【００２７】
アルデヒド系化合物としては、例えば、（ホルムアルデヒドを削除しました。）ホルマリン、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒド、ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、およびテレフタル酸アルデヒド等が挙げられる。これらはそれぞれ単独であるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００２８】
ケトン系化合物としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、およびジフェニルケトン等が挙げられる。これらはそれぞれ単独であるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００２９】
第１のバインダー樹脂および第２のバインダー樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１０００〜１００００であり、より好ましくは３０００〜９０００である。なお、本発明において、重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）（単分散ポリスチレン換算）により測定した値を採用する。第１のバインダー樹脂および第２のバインダー樹脂の重量平均分子量が１０００以上であると、アルカリ現像液によるフォトレジストパターンの損失が抑えられる。また、第１のバインダー樹脂および第２のバインダー樹脂の重量平均分子量が１００００以下であると、露光部と未露光部のアルカリ現像液に対する溶解度の差が大きくなるので、鮮明なフォトレジストパターンを得ることができる。
【００３０】
第１のバインダー樹脂は、比較的耐熱性が高いという性質を有する。第２のバインダー樹脂は比較的対象物との接着性に優れるという性質を有する。したがって、第１のバインダー樹脂および第２のバインダー樹脂を含むことにより、本発明のフォトレジスト組成物は、耐熱性および接着性に優れるという効果を発揮する。本発明のフォトレジスト組成物は、第１のバインダー樹脂を１〜７０質量部含み、第２のバインダー樹脂を１〜７０質量部含む。この際、第１のバインダー樹脂と第２のバインダー樹脂との質量比は７０：３０〜４０：６０（第１のバインダー樹脂：第２のバインダー樹脂）であることが好ましい。第１のバインダー樹脂と第２のバインダー樹脂との質量比がかような範囲にあると、フォトレジストパターンの耐熱性および接着性が向上しうる。
【００３１】
光酸発生剤は、露光によってブレンステッド酸またはルイス酸を発生するという役割を有する。光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩、ハロゲン化有機化合物、キノンジアジド化合物、ビス（スルホニル）ジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステル化合物、有機酸アミド化合物、および有機酸イミド化合物等からなる群から選択される少なくとも１種を含みうる。
【００３２】
オニウム塩としては、例えば、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ジフェニルヨードニウムトリフラート等のヨードニウム塩；トリフェニルスルホニウムトリフラート等のスルホニウム塩；ホスホニウム塩、アルソニウム塩、オキソニウム塩等が挙げられ、これらはそれぞれ単独であるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００３３】
ハロゲン化有機化合物としては、例えば、ハロゲン含有オキサジアゾール系化合物、ハロゲン含有トリアジン系化合物、ハロゲン含有アセトフェノン系化合物、ハロゲン含有ベンゾフェノン系化合物、ハロゲン含有スルホキシド系化合物、ハロゲン含有スルホン系化合物、ハロゲン含有チアゾール系化合物、ハロゲン含有オキサゾール系化合物、ハロゲン含有トリアゾール系化合物、ハロゲン含有２−ピロン系化合物、その他のハロゲン含有ヘテロ環状化合物、ハロゲン含有脂肪族炭化水素化合物、ハロゲン含有芳香族炭化水素化合物、スルフェニルハライド化合物等が挙げられ、これらはそれぞれ単独であるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００３４】
ハロゲン化有機化合物としては、具体的には、トリス（２，３−ジブロモプロピル）フォスフェイト、トリス（２，３−ジブロモ−３−クロロプロピル）フォスフェイト、テトラブロモクロロブタン、２−［２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−Ｓ−トリアジン、ヘキサクロロベンゼン、ヘキサブロモベンゼン、ヘキサブロモシクロドデカン、ヘキサブロモシクロドデセン、ヘキサブロモビフェニル、アリルトリブロモフェニルエーテル、テトラクロロビスフェノールＡ、テトラブロモビスフェノールＡ、テトラクロロビスフェノールＡのビス（クロロエチル）エーテル、テトラクロロビスフェノールＳ、テトラブロモビスフェノールＳ、テトラクロロビスフェノールＡのビス（２，３−ジクロロプロピル）エーテル、テトラブロモビスフェノールＡのビス（２，３−ジブロモプロピル）エーテル、テトラクロロビスフェノールＳのビス（クロロエチル）エーテル、テトラブロモビスフェノールＳのビス（ブロモエチル）エーテル、ビスフェノールＳのビス（２，３−ジクロロプロピル）エーテル、ビスフェノールＳのビス（２，３−ジブロモプロピル）エーテル、トリス（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレート、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（２−ヒドロキシエトキシ）−３，５−ジブロモフェニル）プロパン、ジクロロジフェニルトリクロロエタン、ペンタクロロフェノール、２，４，６−トリクロロフェニル−４−ニトロフェニルエーテル、２，４−ジクロロフェニルエーテル、３’−メトキシ−４’−ニトロフェニルエーテル、２，４−ジクロロフェノキシ酢酸、４，５，６，７−テトラクロロフタリド、１，１−ビス（４−クロロフェニル）エタノール、１，１−ビス（４−クロロフェニル）−２，２，２−トリクロロエタノール、２，４，４’，５−テトラクロロジフェニルスルフィド、２，４，４’，５−テトラクロロジフェニルスルホン等が挙げられ、これらはそれぞれ単独であるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００３５】
キノンジアジド化合物としては、例えば、１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステルのようなキノンジアジド誘導体のスルホン酸エステル；１，２−ベンゾキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸クロライド、１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸クロライド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロライド、１，２−ナフトキノン−１−ジアジド−６−スルホン酸クロライド、１，２−ベンゾキノン−１−ジアジド−５−スルホン酸クロライド等のキノンジアジド誘導体のスルホン酸クロライド等が挙げられ、これらはそれぞれ単独であるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００３６】
ビス（スルホニル）ジアゾメタン系化合物としては、例えば、未置換または対称もしくは非対称に置換されたアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、芳香族基、またはヘテロ環状基を有するα，α’−ビス（スルホニル）ジアゾメタンが挙げられる。これらはそれぞれ単独であるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００３７】
スルホン化合物としては、例えば、未置換または対称もしくは非対称に置換されたアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、芳香族基、またはヘテロ環状基を有するスルホン化合物、ジスルホン化合物等が挙げられる。これらはそれぞれ単独であるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００３８】
有機酸エステルとしては、例えば、カルボン酸エステル、スルホン酸エステル、およびリン酸エステル等が挙げられる。これらはそれぞれ単独であるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００３９】
有機酸アミドとしては、例えば、カルボン酸アミド、スルホン酸アミド、およびリン酸アミド等が挙げられる。これらはそれぞれ単独であるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００４０】
有機酸イミドとしては、カルボン酸イミド、スルホン酸イミド、およびリン酸イミド等が挙げられる。これらはそれぞれ単独あるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００４１】
この他の光酸発生剤としては、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２−オキソシクロヘキシル（２−ノルボルニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２−シクロヘキシルスルホニルシクロヘキサノン、ジメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミジルトリフルオロメタンスルホネート、フェニルｐ−トルエンスルホネート、未置換または対称もしくは非対称に置換されたアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、芳香族基、またはヘテロ環状基を有するα−カルボニル−α−スルホニルジアゾメタン等が挙げられる。これらはそれぞれ単独であるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００４２】
本発明のフォトレジスト組成物に含まれる光発生剤の量は、０．５〜１０質量部である。本発明のフォトレジスト組成物に含まれる光酸発生剤の量が過度に少ないと、露光によって生成される酸の量が足りないために鮮明なフォトレジストパターンが形成されない虞がある。一方、光酸発生剤の量が過度に多いと、酸が過剰に生成されるためにパターンのエッジが丸く形成されたり、フォトレジストパターンが現像工程で損失されたりする虞がある。
【００４３】
架橋剤は、光酸発生剤によって発生した酸によって活性化され、バインダー樹脂と結合してバインダー樹脂を架橋化する役割を有する。
【００４４】
架橋剤としては、例えば、アルコキシメチル化尿素樹脂、アルコキシメチル化メラミン樹脂、アルコキシメチル化ウロン樹脂、アルコキシメチル化グリコールウリル樹脂等のアルコキシメチル化アミノ樹脂、アルキルエーテル化メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、アルキルエーテル化ベンゾグアナミン樹脂、ウレア樹脂、アルキルエーテル化ウレア樹脂、ウレタン−ホルムアルデヒド樹脂、レズール型フェノールホルムアルデヒド樹脂、アルキルエーテル化レゾール型フェノールホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂等が使用することができ、具体的には、メトキシメチル化アミノ樹脂、エトキシメチル化アミノ樹脂、およびｎ−ブトキシメチル化アミノ樹脂等が挙げられる。これらはそれぞれ単独であるいは２種以上を混合して使用することができる。このうち、フォトレジスト組成物の解像度を考慮すると、ヘキサメトキシメチルメラミンのようなメトキシメチル化アミノ樹脂が好ましく使用されうる。
【００４５】
本発明のフォトレジスト組成物に含まれる架橋剤の量は、１〜２０質量部である。本発明のフォトレジスト組成物に含まれる架橋剤の量が過度に少ないと、架橋反応が十分に進行せず、フォトレジストパターンの残膜率が低下したり、フォトレジストパターンが変形したりする虞がある。一方、架橋剤の含量が過度に多いと、解像度が低下したり、基板との接着性が低下したりする虞がある。
【００４６】
光酸発生剤と架橋剤との質量比は、通常１：１〜１：４０（光酸発生剤：架橋剤）であり、フォトレジストパターンの解像度、耐熱性、および基板との接着性を考慮すると、好ましくは１：２〜１：２０であり、より好ましくは１：３〜１：１０である。
【００４７】
溶媒としては、例えば、メタノールおよびエタノール等のアルコール類；テトラヒドロフラン等のエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテルおよびエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類；メチルセロソルブアセテートおよびエチルセロソルブアセテート等のエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類；ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、およびジエチレングリコールジメチルエーテル等のジエチレングリコール類；プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、およびプロピレングリコールブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類；プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、およびプロピレングリコールブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類；プロピレングリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールプロピルエーテルプロピオネート、およびプロピレングリコールブチルエーテルプロピオネート等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類；トルエンおよびキシレン等の芳香族炭化水素類；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、および４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン等のケトン類；酢酸メチル，酢酸エチル，酢酸プロピル，酢酸ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、３−ヒドロキシプロピオン酸メチル、３−ヒドロキシプロピオン酸エチル、３−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、３−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチル、２−メトキシプロピオン酸プロピル、２−メトキシプロピオン酸ブチル、２−エトキシプロピオン酸メチル、２−エトキシプロピオン酸エチル、２−エトキシプロピオン酸プロピル、２−エトキシプロピオン酸ブチル、２−ブトキシプロピオン酸メチル、２−ブトキシプロピオン酸エチル、２−ブトキシプロピオン酸プロピル、２−ブトキシプロピオン酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸プロピル、３−エトキシプロピオン酸ブチル、３−プロポキシプロピオン酸メチル、３−プロポキシプロピオン酸エチル、３−プロポキシプロピオン酸プロピル、３−プロポキシプロピオン酸ブチル、３−ブトキシプロピオン酸メチル、３−ブトキシプロピオン酸エチル、３−ブトキシプロピオン酸プロピル、および３−ブトキシプロピオン酸ブチル等のエステル類等が挙げられる。このうち、溶解性および各成分との反応性に優れ、塗膜の形成が容易であることから、グリコールエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、およびジエチレングリコール類であることが好ましい。
【００４８】
本発明のフォトレジスト組成物に含まれる溶媒の量は、１０〜２００質量部である。本発明のフォトレジスト組成物に含まれる溶媒の量が１０質量部未満であると、フォトレジスト組成物の粘度が過度に高くなるために、フォトレジスト組成物のコーティングが困難となる虞がある。一方、溶媒の量が２００質量部を超えると、フォトレジスト組成物を塗布してなるフォトレジスト膜の膜厚の調節が困難となる虞がある。
【００４９】
本発明のフォトレジスト組成物は、低分子フェノール化合物を０．１〜１０質量部さらに含みうる。低分子フェノール化合物は、例えば、４，４’，４”−メチリジントリスフェノール、４，４’，４”−エチリジントリスフェノール、４−［ビス（４−ヒドロキシフェニル）メチル］−２−メトキシフェノール、４−［ビス（４−ヒドロキシフェニル）メチル］−２−エトキシフェノール、４，４’−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２−メチルフェノール］、４，４’−［（４−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２−メチルフェノール］、および４，４’−［（３−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，６−ジメチルフェノール］等が挙げられる。これらの低分子フェノール化合物を添加することによって、フォトレジストパターンの耐エッチング性および接着性が向上しうる。
【００５０】
また、上記低分子フェノール化合物は、下記化学式３で示される化合物でありうる。
【００５１】
【化５】
2008262206.tif 000007
【００５２】
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、それぞれ水素原子または炭素原子数１〜４のアルキル基を示す。
【００５３】
本発明のフォトレジスト組成物は、色素を０．１〜５質量部さらに含みうる。色素はネガティブフォトレジストのコントラストを調節する機能を有する。かような範囲の量の色素を添加することによって、ハーフトーンパターンの具現が容易となり、また、パターン形成のための露光量が抑えられる。
【００５４】
色素としては、例えば、ピラゾールアゾ系色素、アニリノアゾ系色素、アリールアゾ系色素、トリフェニルメタン系色素、アントラキノン系色素、アントラピリドン系色素、ベンジリデン系色素、オキソノール系色素、ピラゾールトリアゾールアゾ系色素、ピリドンアゾ系色素、シアニン系色素、フェニチアジン系色素、ピロールピラゾールアゾメチン系色素、キサンテン系色素、フタロシアニン系色素、ベンゾピラン系色素、およびインジゴ系色素等が挙げられる。
【００５５】
本発明のフォトレジスト組成物は、接着増進剤、界面活性剤、および酸拡散抑制剤等のような添加剤をさらに含みうる。これらの添加剤の含量は通常０．１〜１０質量部でありうる。
【００５６】
接着増進剤は、基板とフォトレジストパターンとの接着性を向上させる役割を有する。このような接着増進剤としては、例えば、カルボキシル基、メタクリル基、イソシアネート基、エポキシ基等の反応性置換基を有するシランカップリング剤等が挙げられる。具体的には、例えば、γ−メタアクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン）等が挙げられる。これらはそれぞれ単独であるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００５７】
界面活性剤は、フォトレジスト組成物の塗布性や現像性を向上させる役割を有する。このような界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、メガファックＦ１７１、Ｆ１７２、およびＦ１７３（大日本インキ化学工業株式会社製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム株式会社製）、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業株式会社製）等が挙げられる。
【００５８】
酸拡散抑制剤は、光を受けない領域に酸が拡散されることを防止する役割を有する。このような酸拡散抑制剤としては、例えば、アミン、水酸化アンモニウム、および感光性塩基等が挙げられる。具体的には、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリオクチルアミン、ｎ−オクチルアミン、トリメチルスルホニウムヒドロキシド、およびトリフェニルスルホニウムヒドロキシド等が挙げられる。これらはそれぞれ単独であるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００５９】
本発明のフォトレジスト組成物は、上記の各成分を従来公知の方法によって混合することによって得られる。
【００６０】
上述の本発明のフォトレジスト組成物は、耐熱性および接着性に優れたフォトレジストパターンを形成することができ、特に、４マスク工程に好適に使用されうる。
【００６１】
＜薄膜トランジスタ基板の製造方法＞
本発明の好ましい実施形態に係る薄膜トランジスタ基板の製造方法は、ゲートラインおよびゲート電極が形成されたベース基板上にゲート絶縁膜、アクティブ層、およびデータ金属層を順次形成する段階と、前記データ金属層上に上記の本発明のフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する段階と、前記フォトレジスト膜を露光および現像して第１フォトレジストパターンを形成する段階と、前記第１フォトレジストパターンをマスクとして利用して前記データ金属層および前記アクティブ層をエッチングしてデータラインおよびチャンネル部を形成する段階と、前記第１フォトレジストパターンの一部を除去して前記データ金属層の一部を露出させる第２フォトレジストパターンを形成する段階と、前記第２フォトレジストパターンを利用して前記データ金属層および前記アクティブ層をエッチングしてソース電極、ドレイン電極、およびオーミックコンタクトパターンを形成する段階とを含む。
【００６２】
以下、本発明の薄膜トランジスタ基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。ただし、本発明の技術的範囲は特許請求の範囲の記載に基づいて定められるべきであり、以下の形態のみに制限されない。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる場合がある。
【００６３】
図１は、本発明の薄膜トランジスタ基板の製造方法を用いて製造された薄膜トランジスタ基板を示す平面図である。図２〜８は、図１で示される薄膜トランジスタ基板の製造方法を説明するための薄膜トランジスタ基板の断面図である。ここで、図２〜８は、図１のＩ−Ｉ’に沿って切断した際の断面図を表す。
【００６４】
まず、ゲートラインおよびゲート電極が形成されたベース基板上にゲート絶縁膜、アクティブ層、およびデータ金属層を順次形成する段階について説明する。
【００６５】
図２を参照すると、ベース基板１１０上にゲート金属層を形成した後、第１露光マスクを利用したフォトリソグラフィ工程を通じてゲート金属層をパターニングして、ゲートライン１２２およびゲートライン１２２と連結されたゲート電極１２４を含むゲートパターン１２０を形成する。ゲート金属層は、例えば、スパッタリング方法を通じてベース基板１１０上に形成される。また、ゲートパターン１２０のパターニングは、例えば、ウェットエッチング工程によって行われる。
【００６６】
ベース基板１１０は、透明性絶縁基板で形成されうる。透明性絶縁基板としては、例えば、ガラス基板が用いられうる。
【００６７】
ゲートパターン１２０は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ネオジウム（Ｎｄ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、および銀（Ａｇ）等の単一金属またはこれらの金属からなる群から選択される少なくとも１種を含む合金で形成されうる。また、ゲートパターン１２０は、物理的性質の異なる２種以上の金属層で形成されうる。例えば、ゲートパターン１２０は抵抗配線を低くする目的で、アルミニウム（Ａｌ）とモリブデン（Ｍｏ）が積層されたＡｌ／Ｍｏの２層膜構造で形成されうる。
【００６８】
ゲートライン１２２は、例えば、横方向に延長され各画素Ｐの上側および下側を定義する。ゲート電極１２４はゲートライン１２２と連結され、各画素Ｐに形成されるスイッチング素子である薄膜トランジスタＴＦＴのゲート端子を構成する。
【００６９】
次に、図３を参照すると、上述のゲートライン１２２およびゲートライン１２２と連結されたゲート電極１２４を含むゲートパターン１２０（図示せず）が形成されたベース基板１１０上に、ゲート絶縁膜１３０およびアクティブ層１４０が順次形成される。ゲート絶縁膜１３０およびアクティブ層１４０は、例えば、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）方法によって形成されうる。
【００７０】
ゲート絶縁膜１３０は、ゲートパターン１２０を保護して絶縁するための絶縁膜であって、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）で形成されうる。ゲート絶縁膜１３０は、例えば、約４５００Åの厚みに形成されうる。
【００７１】
アクティブ層１４０は、半導体層１４２およびオーミックコンタクト層１４４を含む。半導体層１４２は、例えば、非晶質シリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」とも称する）で形成されうる。オーミックコンタクト層１４４は、例えば、ｎ型不純物が高濃度でドーピングされた非晶質シリコン（以下、「ｎ＋ａ−Ｓｉ」とも称する）で形成されうる。
【００７２】
その後、アクティブ層１４０上にデータ金属層１５０を形成する。データ金属層１５０は、モリブデンまたはアルミニウム等を含む単一膜としてもよく、または、抵抗配線を低くする目的で、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層膜構造としてもよい。
【００７３】
続いて、前記データ金属層上に上記の本発明のフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する段階、前記フォトレジスト膜を露光および現像して第１フォトレジストパターンを形成する段階、および前記第１フォトレジストパターンをマスクとして利用して前記データ金属層および前記アクティブ層をエッチングしてデータラインおよびチャンネル部を形成する段階について説明する。
【００７４】
図４を参照すると、データ金属層１５０上に上述の本発明のフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成した後、スリットマスクまたはハーフトーンマスク等の第２露光マスクを利用したフォトリソグラフィ工程によってフォトレジスト膜をパターニングして第１フォトレジストパターン１６０を形成する。
【００７５】
チャンネル形成領域ＣＲの第１フォトレジストパターン１６０は、他の領域の第１フォトレジストパターン１６０よりも厚みが薄くなるように形成されることが好ましい。チャンネル形成領域ＣＲの第１フォトレジストパターン１６０は、例えば、５０００Å〜８０００Åの厚みに形成されうる。
【００７６】
次に、図５を参照すると、第１フォトレジストパターン１６０をエッチング防止膜としてデータ金属層１５０をエッチングする。データ金属層１５０のエッチングには、例えば、ウェットエッチング工程が用いられうる。
【００７７】
第１フォトレジストパターン１６０を用いたウェットエッチング工程によってデータ金属層１５０のエッチングが完了すると、データライン１５５とソース／ドレイン金属パターン１５６のみが残る。データライン１５５は、例えば、ゲートライン１２２と交差する縦方向に延長され各画素Ｐの左側および右側を定義する。
【００７８】
データ金属層１５０のエッチングをウェットエッチング工程によって行うと、通常、データライン１５５とソース／ドレイン金属パターン１５６のエッジは第１フォトレジストパターン１６０のエッジと一致せず、アンダーカットを形成する。しかしながら、本発明のフォトレジスト組成物を用いることによって、フォトレジストパターンの接着性を増加させてアンダーカットの幅（Δｄ）を減少させることができる。そして、アンダーカットの幅が減少すると、チャンネル部の突出部の長さが減少するので、結果的にピクセルの開口率を増加することができる。
【００７９】
その後、第１フォトレジストパターン１６０をエッチング防止膜としてアクティブ層１４０をエッチングする。この際、アクティブ層１４０のエッチングには、例えば、ドライエッチング工程が用いられうる。アクティブ層１４０をエッチングした後、残った半導体層１４２は薄膜トランジスタのチャンネル部に相当する。
【００８０】
続いて、前記第１フォトレジストパターンの一部を除去して前記データ金属層の一部を露出させる第２フォトレジストパターンを形成する段階について説明する。
【００８１】
図５および図６を参照すると、第１フォトレジストパターン１６０を一定の厚みだけエッチングして、チャンネル形成領域ＣＲが開口された第２フォトレジストパターン１６２を形成する。これにより、チャンネル形成領域ＣＲに対応するソース／ドレイン金属パターン１５６が外部に露出される。
【００８２】
一方、アクティブ層１４０のエッチング工程は、第２フォトレジストパターン１６２の形成後に行われうる。
【００８３】
続いて、前記第２フォトレジストパターンを利用して前記データ金属層および前記アクティブ層をエッチングしてソース電極、ドレイン電極、およびオーミックコンタクトパターンを形成する段階について説明する。
【００８４】
図１および図７を参照すると、第２フォトレジストパターン１６２をエッチング防止膜として利用してチャンネル形成領域ＣＲを通じて露出されたソース／ドレイン金属パターン１５６をエッチングしてソース電極１５７およびドレイン電極１５８を形成する。この際のエッチングは、例えば、ウェットエッチング工程によって行われうる。
【００８５】
ソース電極１５７は、データライン１５５と連結され薄膜トランジスタＴＦＴのソース端子を構成する。ドレイン電極１５８は、ソース電極１５７と離隔して薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン端子を構成する。
【００８６】
この後、第２フォトレジストパターン１６２をエッチング防止膜として、チャンネル形成領域ＣＲのオーミックコンタクト層をエッチングしてチャンネル部１４６上に互いに離隔した一対のオーミックコンタクトパターン１４８を形成する。その後、データライン１５５、ソース電極１５７、およびドレイン電極１５８上に存在する第２フォトレジストパターン１６２を除去する。例えば、第２フォトレジストパターン１６２は、ストリップ溶液を利用したストリップ工程によって除去される。
【００８７】
図１および図８を参照すると、薄膜トランジスタＴＦＴが形成されたベース基板１１０上に保護膜１７０を形成する。保護膜１７０は、薄膜トランジスタＴＦＴおよびデータライン１５５を保護して絶縁するための絶縁膜であって、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）で形成され、ＣＶＤ工程によって５００Å〜２０００Åの厚みに形成される。
【００８８】
この後、第３露光マスクを利用したフォトリソグラフィ工程によって、保護膜１７０をパターニングしてドレイン電極１５８の一部を露出させて、コンタクトホール１７２を形成する。
【００８９】
コンタクトホール１７２を形成した後、保護膜１７０上に透明性導電膜を形成する。そして、第４露光マスクを用いたフォトリソグラフィ工程によって前記透明性導電膜をパターニングして各画素（Ｐ）内に画素電極１８０を形成する。
【００９０】
画素電極１８０は、保護膜１７０に形成されたコンタクトホール１７２を通じてドレイン電極１５８と電気的に連結される。画素電極１８０は、例えば、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）またはインジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）で形成されうる。
【００９１】
一方、図示されていないが、画素電極１８０を形成する前に保護膜１７０上に平坦化のための有機絶縁膜をさらに形成することができる。
【００９２】
上述の本発明の薄膜トランジスタ基板の製造方法は、フォトレジストパターンの接着性および耐熱性を増加させることにより、フォトレジストパターン下部に形成されるアンダーカットの幅を減少することができる。したがって、チャンネル部の突出部の長さを短くすることができ、その結果、薄膜トランジスタ基板の開口率を増大することができる。
【実施例】
【００９３】
本発明の作用効果を、以下の実施例および比較例を用いて説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。
【００９４】
［ノボラック樹脂の合成］
＜合成例１＞
冷却管および攪拌装置を付したフラスコに、ｍ−クレゾール４００ｇ、ｐ−クレゾール６００ｇ、サリチル酸アルデヒド３００ｇ、およびシュウ酸二水和物３．２０ｇを入れて９５〜１００℃に維持しながら２時間反応させた。その後、１００〜１０５℃で２時間にかけて水を留去し、さらに１８０℃で１０〜３０ｍｍＨｇに減圧することによって、未反応のモノマーおよび水を除去した。これを室温に戻すことによって、ノボラック樹脂Ｉ  ５００ｇを得た（重量平均分子量７０００）。
【００９５】
＜合成例２＞
冷却管および攪拌装置を付したフラスコに、ｍ−クレゾール４００ｇ、ｐ−クレゾール６００ｇ、３７％ホルマリン４６０ｇ、およびシュウ酸二水和物３．４９ｇを入れて９５〜１００℃に維持しながら２時間反応させた。その後、１００〜１０５℃で２時間にかけて水を留去し、さらに１８０℃で１０〜３０ｍｍＨｇに減圧することによって、未反応のモノマーおよび水を除去した。これを室温に戻すことによって、アルカリ可溶性のノボラック樹脂ＩＩ  ５１５ｇを得た（重量平均分子量４０００）。
【００９６】
＜実施例１＞
バインダー樹脂として上記合成例１で合成したノボラック樹脂Ｉ  ３０ｇおよび上記合成例１で合成したノボラック樹脂ＩＩ  ７０ｇ、光酸発生剤として下記化学式４で示される化合物２ｇ、架橋剤としてヘキサメチロールメラミンヘキサメチルエーテル５ｇ、アゾ系色素としてＵＶ  ｙｅｌｌｏｗ  １５４９  ０．６ｇ、アミン添加剤としてトリオクチルアミン１ｇ、溶媒としてプロピレングリコールメチルエーテルプロピオネート４００ｇを混合することによって、フォトレジスト組成物（Ａ）を調製した。
【００９７】
【化６】
2008262206.tif 000008
【００９８】
＜実施例２＞
バインダー樹脂として、ノボラック樹脂Ｉ  ７０ｇおよびノボラック樹脂ＩＩ  ３０ｇを用いたこと以外は、実施例１と同様の方法でフォトレジスト組成物（Ｂ）を調製した。
【００９９】
＜実施例３＞
下記化学式５で示される化合物３ｇをさらに含むこと以外は、実施例１と同様の方法でフォトレジスト組成物（Ｃ）を調製した。
【０１００】
【化７】
2008262206.tif 000009
【０１０１】
＜実施例４＞
上記化学式５で示される化合物６ｇをさらに含むこと以外は、実施例１と同様の方法でフォトレジスト組成物（Ｄ）を調製した。
【０１０２】
＜実施例５＞
上記化学式５で示される化合物９ｇをさらに含むこと以外は、実施例１と同様の方法でフォトレジスト組成物（Ｅ）を調製した。
【０１０３】
＜比較例１＞
バインダー樹脂としてノボラック樹脂ＩＩ  １００ｇのみを用いたこと以外は、実施例１と同様の方法でフォトレジスト組成物（Ｆ）を調製した。
【０１０４】
＜比較例２＞
バインダー樹脂としてノボラック樹脂Ｉ  １００ｇのみを用いたこと以外は、実施例１と同様の方法でフォトレジスト組成物（Ｇ）を調製した。
［リフロー温度およびスキュー長の測定］
実施例１〜５、比較例１および２のフォトレジスト組成物（Ａ）〜（Ｇ）をそれぞれ基板上に塗布してフォトレジスト膜を形成し、これを露光および現像（現像速度２５秒）してフォトレジストパターンを形成した。形成されたフォトレジストパターンを加熱して、フォトレジストパターンのリフロー温度を測定した。また、リン酸、硝酸、および酢酸を含むエッチング液を用いて、フォトレジストパターンに対するメタルエッチングテスト（スプレー、４０℃、６５秒）を行い、各フォトレジストパターンのスキュー長を測定した。なお、スキュー長とは、フォトレジストのエンド端から下部メタル層のエンド端までの距離を意味する。結果を表１に示す。
【０１０５】
【表１】
2008262206.tif 000010
【０１０６】
表１を参照すると、実施例１〜５のフォトレジスト組成物を用いたフォトレジストパターンは、比較例１のフォトレジスト組成物を用いたフォトレジストパターンと比較して、リフロー温度が高いことを示した。また、実施例１〜５のフォトレジスト組成物を用いたフォトレジストパターンは、比較例２のフォトレジスト組成物を用いたフォトレジストパターンと比較して、スキュー長が大幅に短いことが示される。したがって、実施例１〜５のフォトレジスト組成物は、耐熱性ならびに接着性および耐エッチング性が向上することが示された。
【０１０７】
また、実施例３〜５の低分子フェノール化合物をさらに含むフォトレジスト組成物の結果からは、耐熱性が低下することなく、フォトレジストパターンの接着性および耐エッチング性が向上することが示された。
［走査電子顕微鏡写真］
図９は、従来の技術によるポジティブフォトレジスト組成物（ＳＬＤＰ−５、東進セミケム株式会社製）を利用して形成されたフォトレジストパターンの走査電子顕微鏡写真であり、図１０は、実施例３のフォトレジスト組成物を用いて形成されたフォトレジストパターンを用いて形成された走査電子顕微鏡写真である。
【０１０８】
図９のフォトレジストパターンのアンダーカットの幅は０．８６μｍであり、図１０のフォトレジストパターンのアンダーカットの幅は０．８２μｍであった。図９および図１０から、実施例３のフォトレジスト組成物を利用して形成されたフォトレジストパターンのエッジは、傾斜角が大きく、アンダーカットの幅が短いことが示された。
【０１０９】
したがって、本発明のフォトレジスト組成物を薄膜トランジスタ基板の製造方法に用いることによって、チャンネル部の突出部の長さを減少させて開口率を増大できることが示された。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
本発明のフォトレジスト組成物は、液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板の製造に好適に用いられうる。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】本発明の薄膜トランジスタ基板の製造方法を用いて製造された薄膜トランジスタ基板を示す平面図である。
【図２】図１で示される薄膜トランジスタ基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】図１で示される薄膜トランジスタ基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】図１で示される薄膜トランジスタ基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】図１で示される薄膜トランジスタ基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】図１で示される薄膜トランジスタ基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】図１で示される薄膜トランジスタ基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】図１で示される薄膜トランジスタ基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】従来の技術によるポジティブフォトレジスト組成物を利用して形成されたフォトレジストパターンを示す走査電子顕微鏡写真である。
【図１０】実施例３のフォトレジスト組成物を用いて形成されたフォトレジストパターンの走査電子顕微鏡写真である。
【符号の説明】
【０１１２】
１１０  ベース基板、
１２０  ゲートパターン、
１２２  ゲートライン、
１２４  ゲート電極、
１３０  ゲート絶縁膜、
１４０  アクティブ層、
１４２  半導体層、
１４４  オーミックコンタクト層、
１４６  チャンネル部、
１４８  オーミックコンタクトパターン、
１５０  データ金属層、
１５５  データライン、
１５６  ソース／ドレイン金属パターン、
１５７  ソース電極、
１５８  ドレイン電極、
１６０  第１フォトレジストパターン、
１６２  第２フォトレジストパターン、
１７０  保護膜、
１７２  コンタクトホール、
１８０  画素電極、
ＣＲ  チャンネル形成領域、
Ｐ  画素、
ＴＦＴ  薄膜トランジスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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