(57)【要約】【課題】基板上に良好な構造物を形成できるディスプレイパネルの製造方法を提供する。【解決手段】無機物と有機物とを含む構造物を基板上に形成する構造物形成工程と、構造物に対して熱処理を施して有機物を取り除く熱処理工程と、熱処理工程の後に、構造物に光を照射し、照射された光の所定波長における吸光度を測定して有機物の残留状態を検査する検査工程と、を備えることを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。【選択図】図５
2008146997.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機物と有機物とを含む構造物を基板上に形成する構造物形成工程と、
前記構造物に対して熱処理を施して前記有機物を取り除く熱処理工程と、
を実施するディスプレイパネルの製造方法であって、
前記熱処理工程の後に、前記構造物に光を照射し、照射された光の所定波長における吸光度を測定して前記有機物の残留状態を検査する検査工程を実施する
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法であって、
前記光は、赤外線であり、
前記光の所定波長は、少なくとも前記有機物の吸収ピーク波長近傍の特定波長を含む
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のディスプレイパネルの製造方法であって、
前記特定波長は、前記無機物の吸収ピーク波長と異なる
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のディスプレイパネルの製造方法であって、
前記有機物は、アセトンを含み、
前記特定波長は、前記アセトンの吸収ピーク波長近傍かつ他の前記有機物の吸収ピーク波長と異なる
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のディスプレイパネルの製造方法であって、
前記ディスプレイパネルは、プラズマディスプレイパネルである
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のディスプレイパネルの製造方法であって、
前記構造物は、隔壁である
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のディスプレイパネルの製造方法であって、
前記構造物は、誘電体層である
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のディスプレイパネルの製造方法であって、
前記構造物は、電極である
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に構造物を形成するディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイパネルとして、例えばプラズマディスプレイパネルや液晶表示パネル、有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネル、ＦＥＤ（Field Emission Display）、電気泳動ディスプレイパネルなどがある。これらディスプレイパネルは、表示面を構成する前面基板、および、この背面側に設けられた背面基板を備えており、これら基板上には発光領域を構成する様々な構造物が適宜設けられている。
このような構造物として、例えば、プラズマディスプレイパネルにおいては、発光領域を複数の単位発光領域に区画する隔壁や、各単位発光領域において放電発光させるためのアドレス電極およびバス電極など、これら電極などを被覆する誘電体層などが挙げられる。
【０００３】
例えば、基板上に隔壁を形成する際には、まず、基板上にガラスペーストを塗布乾燥した後、このガラスペースト上における隔壁となる部分に、耐サンドブラスト性を有するマスクを形成する。続いて、サンドブラスト加工によりマスクが形成されていない部分のガラスペーストを切削して所定のパターンを形成した後、焼成することにより所定のパターンを有する隔壁が得られる。
ここで、ガラスペーストは、ガラスフリット、溶剤およびバインダなどを含有している。塗布後の乾燥工程においてガラスペーストから溶剤が取り除かれた後、焼成工程においてバインダが分解除去され、ガラスフリットが融着されて隔壁が形成される。
【０００４】
例えば、特許文献１に記載のような従来のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、低融点ガラスフリットと、硬化物が低融点ガラスフリットの軟化点より低い焼失点温度の硬化性有機バインダと、黒色無機微粒子と、を含有するブラックマトリックス層形成用ガラスペースト組成物を、透明基板上に所定パターンの硬化皮膜層に形成する。これを焼成し、ブラックマトリックス層を形成している。
【０００５】
【特許文献１】２０００−６７７５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１記載のような従来のディスプレイパネルの製造方法では、乾燥または焼成が十分でない場合、溶剤やバインダなどが構造物に残留するおそれがある。
例えば、基板にガラスペーストを塗布、乾燥して隔壁の基となるガラスペースト層を形成する場合、乾燥が不十分であると、ガラスペースト層の面内に乾燥ムラが生じ、これが精細なパターン形成の妨げとなる問題が一例として挙げられる。一方、焼成が不十分で隔壁にバインダが残留していると、製造後に隔壁からガスが発生し、発光効率や寿命が低下するという問題が一例として挙げられる。また、ガラスペースト層または隔壁に残留する溶剤などが、乾燥および焼成の各工程の後工程において放出され、後工程で用いる装置が汚染される問題が一例として挙げられる。
【０００７】
このような溶剤などの残留は、熱重量分析などにより測定することができるが、測定に際してはディスプレイパネルを破壊する必要があった。
そこで、従来は、焼成前に、パターンが適正に形成されていることを検査することで、溶剤の残留により乾燥ムラが生じた製品を判別し、また、ディスプレイパネル完成後に、点灯検査することで、バインダの残留による不具合が生じた製品を判別していた。
しかし、不具合が生じた製品は、すでにパターンが形成されてしまっているか、または、パネルとして完成してしまっているので、再度、乾燥や焼成を施して溶剤やバインダなどを完全に取り除くことができず、廃棄せざるをえなかった。これにより、装置および材料を無駄に使用することになるという問題が一例として挙げられる。
【０００８】
本発明は、このような実情などに鑑みて、基板上に良好な構造物を形成できるディスプレイパネルの製造方法を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、無機物と有機物とを含む構造物を基板上に形成する構造物形成工程と、前記構造物に対して熱処理を施して前記有機物を取り除く熱処理工程と、を実施するディスプレイパネルの製造方法であって、前記熱処理工程の後に、前記構造物に光を照射し、照射された光の所定波長における吸光度を測定して前記有機物の残留状態を検査する検査工程を実施することを特徴とするディスプレイパネルの製造方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
〔第１の実施の形態〕
以下に、本発明に係る第１の実施の形態を図面に基づいて説明する。
なお、以下に示す第１〜３の実施の形態では、ディスプレイパネルとしてプラズマディスプレイパネルを例示するが、これに限らず、本発明は液晶表示パネルや、有機ＥＬパネル、ＦＥＤ、電気泳動ディスプレイパネルなどのディスプレイパネルに対しても適用可能である。
【００１１】
［ディスプレイパネルの構成］
まず、本実施の形態において製造するプラズマディスプレイパネルの概略構成について以下に説明する。
一般に、プラズマディスプレイパネルにおいては、放電空間を介して前面基板と背面基板とが対向配置されている。
前面基板の内面側には、例えば、複数の透明電極、複数のバス電極、複数のブラックストライプ、誘電体層および保護膜がそれぞれ設けられている。
例えば、背面基板の内面側には、この背面基板上に複数のアドレス電極がそれぞれ平行に設けられ、これらアドレス電極を覆うように背面基板の内面側に絶縁体層であるアドレス電極保護層が設けられ、さらにこのアドレス電極保護層上にストライプ形状の隔壁が設けられ、これら隔壁により、複数個の放電セルが区画形成される。
複数個の放電セルの内部には、例えば、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体層が順に形成されている。放電空間の内部、すなわちそれぞれの放電セルの内部は、ネオンガスなどの放電ガスが充填され、外気との間で密閉されている。
このようなプラズマディスプレイパネルは、例えば、複数個の放電セル内で選択的に放電発光させることにより画像を表示する装置である。
【００１２】
［ディスプレイパネルの製造に用いる装置］
本実施の形態においては、少なくとも、無機物と有機物とを含む構造物を基板上に形成するための構造物形成装置と、構造物に対して熱処理を施す熱処理装置と、有機物の残留状態を検査するための吸光度測定装置と、を使用する。
構造物形成装置としては、例えば、オフセット印刷法や凸版印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法などの各種印刷法、ディスペンサ法、ダイコータ法、スピンコート法、ナイフコート法などにより、基板上に構造物形成用の材料を塗布可能に構成された印刷機、ディスペンサ、ダイコータ、スピンコータ、ナイフコータなどの装置が挙げられる。また、例えば、フィルム状に形成された構造物形成用の材料を基板上にラミネートするラミネータなどの装置も使用することができる。
熱処理装置としては、例えば、各種の条件で構造物に乾燥、焼成などを施すことが可能に構成された乾燥機、焼成炉などの装置が挙げられる。
【００１３】
また、熱処理装置として、例えば、図１および図２に示すようなカート式熱処理装置１００が好適に用いられる。以下、カート式熱処理装置１００の構成を図面に基づいて説明する。
［カート式熱処理装置の構成］
図１に示すように、カート式熱処理装置１００は、往路用レール１ａおよび復路用レール１ｂと、カート３と、トラバーサ５，６と、連続炉９と、制御部１０とを基本構成とする。
往路用レール１ａおよび復路用レール１ｂは、互いに略並行に敷設され、カート３は、これらの各レール１ａ，１ｂ上を走行する。トラバーサ５，６は、これらの各レール１ａ，１ｂの端部間を連絡するように配置されて一方のレールから他方のレールにカート３を移載する。連続炉９は、往路用レール１ａが内部を通過するように構築され、その加熱動作等は、制御部１０により制御される。カート式熱処理装置１００は、被処理物である基板を搭載したカート３を加熱動作中の連続炉９中に搬送することにより基板に熱処理を施すものである。
【００１４】
すなわち、連続炉９は、１７個の区画室＃１〜＃１７をカート３の搬送方向に沿って連続的に配置した構成である。そして、各区画室＃１〜＃１７は、カート３が搬入可能な熱処理用空間を画成したもので、搬入されて来たカート３上の基板に対して所定の熱処理をする最小単位の処理室となるものである。各区画室＃１〜＃１７は、共通の大きさで、それぞれ、１台のカート３が入る広さを備えている。
また、各区画室＃１〜＃１７のカート搬送方向の長さＬ１はカート３の搬送方向の長さＬ２に略等しく設定されており、図１に示したように各区画室＃１〜＃１７間を区分する連続炉内の仕切壁２３には、カート３の出入りを可能にする開口２３ａが装備されている。
また、先頭の第１区画室＃１のトラバーサ５側の端部、および最後尾の区画室のトラバーサ６側の端部には、区画室内と外部との間を仕切る仕切壁２５が装備されるが、この仕切壁２５にも、前記仕切壁２３と同様に、カート３の出入りを可能にする開口を装備している。
【００１５】
図２に、各区画室＃１〜＃１７およびカート３をレール１ａに沿った方向から見た断面図を示す。
カート３は、図２に示すように、基板（図示省略）を載置する略平板状の車体３ａと、レール１ａに係合されレール１ａに垂直な方向を中心に回転し車体３ａすなわち基板をレール１ａに沿って搬送する車輪３ｂと、を有する。
各区画室＃１〜＃１７の両側面および上面および底面は、図２に示すように、炉体３１を構成する炉体上壁３２、炉体底壁３３、炉体側壁３４，３５によって覆われている。
すなわち、各区画室＃１〜＃１７は、上記の開口２３ａ以外は周囲が囲われた互いに独立の処理空間となっている。
そして、各炉体上壁３２、炉体底壁３３、炉体側壁３４，３５の内面には、断熱材が全面的に貼付されている。
各区画室＃１〜＃１７内は、図２に示したように、炉体上壁３２、炉体底壁３３のそれぞれに設けられたヒータ３７，３８によって昇温され、その各区画室＃１〜＃１７内に収容されている各基板を所定温度に加熱処理する。
また、各区画室＃１〜＃１７内には、レール１ａおよびカート３の通り道を覆うように、耐熱性のガラス上板３２ａ、ガラス側板３４ａ，３５ａが設けられている。ガラス上板３２ａ、ガラス側板３４ａ，３５ａは、ヒータ３７や炉体上壁３２等からの異物の落下による各基板の汚染を防止する。
【００１６】
上記連続炉９は、例えば、プラズマディスプレイパネルの製造工程として、カートに搭載されて連続炉９内に搬入される基板に対して、例えば、昇温工程と、本工程と、排気工程と、降温工程とを順に実施する。ここで、制御部１０は、各工程を各区画室＃１〜＃１７に割り当て、ヒータ３７,３８による各区画室＃１〜＃１７内の昇温・降温、カート３による基板の搬送などを制御する。
復路用レール１ｂ上には、連続炉９内での処理を終えて戻って来るカート３から処理済みの基板を降ろす積み降ろし作業領域１１と、積み降ろしを終えたカート３にこれから処理すべき基板を積み込むパネル搭載領域１３とが装備されている。
【００１７】
吸光度測定装置としては、例えば、構造物に所定波長の光を照射する照射手段と、照射手段から照射され構造物を透過した透過光を受光する受光手段と、照射された光の強度と透過光の強度との差から構造物の所定波長における吸光度を算出する演算部とを備えた装置を用いることができ、例えば、フーリエ変換赤外分光光度計などが挙げられる。
【００１８】
［ディスプレイパネルの製造方法］
本実施の形態のディスプレイパネルの製造方法は、無機物と有機物とを含む構造物を基板上に形成する構造物形成工程と、構造物に対して熱処理を施して有機物を取り除く熱処理工程と、熱処理工程の後に、構造物に光を照射し、照射された光の所定波長における吸光度を測定して有機物の残留状態を検査する検査工程と、を実施するプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【００１９】
本実施の形態において、構造物は、プラズマディスプレイパネルの隔壁である。
構造物形成工程は、上述の構造物形成装置を用いて、無機物であるガラスフリットと、有機物である溶剤およびバインダと、を含むガラスペーストを基板上に塗布し、構造物を形成する工程である。ここで、溶剤には、アセトンが含まれる。
熱処理工程は、構造物形成工程の後、構造物を加熱乾燥して溶剤を取り除く乾燥工程と、構造物を加熱してバインダを分解除去し、ガラスフリットを融着させて構造物を隔壁とする焼成工程と、を実施する工程である。熱処理工程は、上述の熱処理装置、すなわち乾燥機および焼成炉を用いて施される。熱処理工程には、特に、図１および図２に示すようなカート式熱処理装置１００が好適に用いられる。
なお、乾燥工程の後には、構造物上に耐サンドブラスト性を有するマスクを形成し、これにサンドブラスト加工を施して構造物を所定のパターンに形成するパターニング工程が実施される。
【００２０】
検査工程は、構造物に光を照射して、照射された光の所定波長における吸光度を測定して有機物の残留状態を検査する工程である。検査工程は、上述の吸光度測定装置であるフーリエ変換赤外分光光度計（以下、ＦＴＩＲと略記する）を用いて実施される。したがって、吸光度測定に用いられる光とは、赤外線である。
検査工程において、ＦＴＩＲの照射手段および受光手段は、図３に矢印で示すように、構造物１上を格子状に移動される。この移動中、所定の位置において、ＦＴＩＲの照射手段から構造物１に赤外線が照射され、構造物１を透過した透過赤外線がＦＴＩＲの受光手段によって受光される。ＦＴＩＲの演算部が、照射された赤外線の強度と透過赤外線の強度との差から、構造物１の所定波長における赤外線吸光度を算出する。
赤外線の所定波長には、少なくとも有機物の吸収ピーク波長近傍の特定波長が含まれ、この特定波長は、無機物の吸収ピーク波長とは異なる波長である。
【００２１】
検査工程は、乾燥工程の後、パターニング工程の前に実施される第１検査工程と、焼成工程の後に実施される第２検査工程と、を実施する。
第１検査工程において測定される特定波長は、溶剤であるアセトンの吸収ピーク波長近傍かつ他の有機物の吸収ピーク波長と異なる波長である。具体的には、アセトンのＣ―Ｏ結合の振動遷移に基づく吸収が観測される２．２５μｍ近傍の波長が好適である。
第２検査工程において測定される特定波長としては、有機物中のＣ−Ｈ結合の振動遷移に基づく吸収が観測される２．１μｍ近傍の波長が好適である。
【００２２】
［第１の実施の形態の作用効果］
上述した第１の実施の形態では、以下に示す作用効果を奏することができる。
【００２３】
熱処理工程の後に、構造物１に光を照射し、照射された光の所定波長における吸光度を測定して有機物の残留状態を検査する検査工程を備えるので、製品を破壊することなく有機物の残留状態を検査することができる。検査工程において有機物の残留が認められた場合、再度、熱処理工程を施して有機物を十分に取り除くことができる。したがって、装置および材料を無駄に使用することがなくなり、良好な構造物１を有するディスプレイパネルを効率的に製造することができる。
【００２４】
検査工程において、照射される光が、赤外線であり、吸光度を測定する光の所定波長が、少なくとも有機物の吸収ピーク波長近傍の特定波長を含み、この特定波長における吸光度は有機物の残留により大きく変化するので、特定波長における吸光度を測定することで、有機物の残留を容易かつ確実に検査することができる。
検査工程において、吸光度を測定する赤外線の特定波長が、無機物の吸収ピーク波長と異なるので、無機物の吸収ピーク波長と特定波長とが重なることがなく、有機物の残留をより容易かつ確実に検査することができる。
【００２５】
乾燥工程の後、パターニング工程の前に実施される第１検査工程と、焼成工程の後に実施される第２検査工程と、により、溶剤およびバインダの残留状態の双方を検査することができる。
有機物が、溶剤であるアセトンを含み、第１検査工程で吸光度を測定する特定波長が、アセトンの吸収ピーク波長近傍かつ他の有機物の吸収ピーク波長と異なる波長なので、乾燥工程において、溶剤のアセトンが取り除かれたことを、第１検査工程において、確実に検査することができる。第１検査工程においてアセトンの残留が認められた場合、再度、乾燥工程を実施して溶剤を十分に取り除くことができる。したがって、乾燥不十分により構造物１の面内に乾燥ムラが生じる可能性が低く、乾燥ムラにより構造物１の精細なパターン形成が妨げられるおそれが少ない。
また、溶剤として毒性の低いアセトンを用いるので、環境や作業者への悪影響を低減することができる。
【００２６】
第２検査工程において、有機化合物中のＣＨ結合による吸収が観測される２．１μｍ近傍の特定波長の吸光度が測定されるので、バインダを含む有機物の残留を容易に検査することができる。有機物の残留が認められた場合、再度、焼成工程を実施して有機物を十分に取り除くことができる。したがって、焼成が不十分であるために、製造後に隔壁からガスが発生し、発光効率や寿命が低下することを防止できる。
また、上述のように、有機物の構造物１への残留を防止することができるので、乾燥および焼成の各工程の後工程において有機物が放出され、後工程で用いる装置が汚染されることを防止できる。
【００２７】
熱処理工程における加熱時間や温度などの条件を変えて、本実施の形態のディスプレイの製造方法を数回実施することにより、熱処理工程の最適な条件を求めることができる。こうして求めた最適な条件により熱処理工程を実施すれば、有機物の残留による不具合が発生する可能性が低くなるので、以降のディスプレイパネルの製造においては、検査工程を省略することも可能である。
プラズマディスプレイパネルの隔壁が、上述のような製造方法により製造されるので、表示性能の良いプラズマディスプレイパネルを得ることができる。
検査工程が、吸光度測定装置として一般的なＦＴＩＲを用いて実施されるので、高価な装置や特別な装置を用いることなく、従来のディスプレイパネルの製造方法に、検査工程を追加することができ、上に例示したような様々な優れた効果を得ることができる。
【００２８】
〔第２の実施の形態〕
以下に、本発明に係る第２の実施の形態を説明する。なお、本実施の形態および以下に示す第３の実施の形態のディスプレイパネルの製造方法は、第１の実施の形態のディスプレイパネルの製造方法の構造物１、構造物形成工程、熱処理工程および検査工程を他の構成としたものなので、第１の実施の形態の構成と同一の構成については、説明を省略または簡略化する。
【００２９】
本実施の形態において、基板上に形成される構造物１は、プラズマディスプレイパネルの誘電体層である。
構造物形成工程は、無機物である誘電体と、有機物であるバインダと、を含むフィルムを基板上にラミネートする工程である。
本実施の形態の熱処理工程では、乾燥工程は実施されず、検査工程では、第１検査工程は実施されない。また、本実施の形態では、パターニング工程は実施されない。
【００３０】
［第２の実施の形態の作用効果］
上記第２の実施の形態では、第１の実施の形態と同様の作用効果に加え以下に示す作用効果を奏することができる。
プラズマディスプレイパネルの誘電体層が、上述のような製造方法により製造されるので、例えば、誘電体層に有機物が残留して透明度などが低下する可能性が低く、表示性能の良いプラズマディスプレイパネルを得ることができる。
【００３１】
〔第３の実施の形態〕
以下に、本発明に係る第３の実施の形態を図面に基づいて説明する。
本実施の形態において、基板上に形成される構造物１は、プラズマディスプレイパネルの電極である。
【００３２】
構造物形成工程は、上述の構造物形成装置を用いて、基板上に所定のパターンで導電性ペーストを塗布し、構造物１を形成する工程である。導電体ペーストは、無機物である導電体と、有機物であるバインダと、を含む。
本実施の形態の熱処理工程では、乾燥工程は実施されず、検査工程では、第１検査工程は実施されない。
【００３３】
［第３の実施の形態の作用効果］
上記第３の実施の形態では、第１の各実施の形態と同様の作用効果に加え以下に示す作用効果を奏することができる。
【００３４】
プラズマディスプレイパネルの電極が、上述のような製造方法により製造されるので、例えば、電極に有機物が残留して電極の電気的性質などに悪影響を与える可能性が低く、表示性能の良いプラズマディスプレイパネルを得ることができる。
［実施の形態の変形］
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成
できる範囲で以下に示される変形をも含むものである。
【００３５】
すなわち、例えば第１の実施の形態において、溶剤としてアセトンを例示したが、これに限定されない。構造物１の構成要素を溶解可能な有機物であれば、本発明の溶剤として利用することができる。特に、構造物１に含まれる他の有機物および無機物と異なる特有の吸収ピーク波長を有する有機物であれば、好適に用いることができる。また、バインダが無機物を溶解可能であり、無機物を溶解した状態のバインダを基板へ塗布することが可能であるならば、溶媒はなくてもよい。この場合、乾燥工程を省略することができ、ディスプレイパネルの製造をさらに効率的に実施することができる。
【００３６】
また、各実施の形態の検査工程において、ＦＴＩＲの照射手段および受光手段は、構造物１上を格子状に移動される構成としたが、これに限らない。検査工程は、構造物１上の所定の位置の吸光度を測定するものであればよく、ＦＴＩＲの照射手段および受光手段の移動の軌跡は、問題とならない。例えば、図４に丸印で示す構造物１上の９点を所定の吸光度測定位置２とした場合、どのような順番で吸光度測定位置２の吸光度の測定を実施してもよい。どのような順番で測定を実施した場合でも、上述の実施の形態と同様に、有機物の残留を検査し、様々な優れた効果を得ることができる。ただし、有機物の残留を適切に検査するため、所定の吸光度測定位置２は、構造物１上にバランスよく配置されていることが好ましく、また、所定の吸光度測定位置２は、生産性などを考慮しつつ可能な限り多数設定されていることが好ましい。
【００３７】
さらに、検査工程に用いる吸光度測定装置は、構造物１に所定波長の光を照射する照射手段と、照射手段から照射され構造物１を透過した透過光を受光する受光手段と、照射された光の強度と透過光の強度との差から構造物１の所定波長における吸光度を算出する演算部とを備えるものであればよく、各実施の形態において例示したＦＴＩＲに限定されない。例えば、紫外可視分光光度計、ラマン分光光度計などによっても、検査工程を実施することができ、各実施の形態と同様の優れた効果を得ることができる。
【００３８】
また、排気ダクトを有する熱処理装置を用いて熱処理工程を実施し、熱処理装置の排気ダクト近傍に、熱処理装置内から排気されるガスの吸光度を測定する吸光度測定装置を設けて、排気されるガス中に構造物１から放出された有機物由来のガスが含まれるか否かを検査する構成としてもよい。この場合、排気されるガス中に有機物由来のガスが含まれなくなれば、構造物１から有機物が除去されたことになるから、上述の実施の形態と同様に、有機物の残留を検査することができる。
ここで、熱処理工程の開始後、所定時間の経過後にも有機物由来のガスの存在が認められる場合、構造物１に残留する有機物を速やかに取り除くように、自動的に、熱処理の温度、給排気などの条件を変更するように構成してもよい。これによれば、構造物１への有機物残留をより確実に、しかも自動で防止することができる。
【００３９】
吸光度測定装置の照射手段および受光手段は、例えば、上述したカート式熱処理装置１００の区画室＃１７内の、ガラス上板３２ａの上方に基板の搬送方向に対して垂直な方向に往復運動可能に設けてもよい。ここで、ガラス上板３２ａは、照射手段から照射された光を透過するものとする。
この場合、カート式熱処理装置１００内部において、上述のような検査工程を実施することができる。したがって、検査工程を実施するために、別途、吸光度測定装置を用意する必要がなく、作業の効率化や装置の省スペース化を図ることができる。また、検査工程において、有機物の残留が認められた場合、残留が認められた基板は積み降ろし作業領域１１にて積み下ろさず、そのままカート３で連続炉９内に搬送すれば、特別な作業を行うことなく、容易に、再度の熱処理工程を実施することができる。よって、良好な構造物１を有するディスプレイパネルをさらに効率的に製造することができる。
【００４０】
なお、この場合、熱処理装置は、カート式の基板搬送手段を備えるカート式熱処理装置１００に限らず、例えば、図７に示すような、ローラ式の基板搬送手段を備える熱処理装置２００でもよい。
図７は、熱処理装置２００の各区画室＃１〜＃１７を基板の進行方向に沿った方向から見た断面図である。熱処理装置２００は、基板搬送手段のみがカート式熱処理装置１００と異なり、その他の構成および作用は同一であるから、同一符号を付してそれらの説明を省略する。
熱処理装置２００は、炉体側壁３４，３５に貫通して設けられ軸方向に回転して基板を搬送する複数のローラ４を備える。熱処理装置２００には、カート３およびレール１ａは設けられておらず、基板は、ローラ４に直接載置され、ローラ４の回転によって搬送される。
このような熱処理装置２００を用いた場合でも、上述の各実施形態および比較例と同様の優れた効果を得ることができる。
【００４１】
［実施の形態の作用効果］
ディスプレイパネルの製造方法が、熱処理工程の後に、構造物１に光を照射し、照射された光の所定波長における吸光度を測定して有機物の残留状態を検査する検査工程を備えるので、製品を破壊することなく有機物の残留状態を検査することができ、検査工程において有機物の残留が認められた場合、再度、熱処理工程を施して有機物を十分に取り除くことができる。したがって、装置および材料を無駄に使用することがなくなり、良好な構造物１を有するディスプレイパネルを効率的に製造することができる。検査工程において、吸光度を測定する赤外線の所定波長が、少なくとも有機物の吸収ピーク波長近傍の特定波長を含み、特定波長が、無機物の吸収ピーク波長と異なるので、有機物の残留を容易かつ確実に検査することができる。
【実施例】
【００４２】
上記した検査工程の作用として、構造体１の吸光度と、構造体１に残留する有機物の質量と、の関係について実施した実験について、図面を参照して説明する。なお、ここで作製したディスプレイパネルは、説明のためのものであり、本発明は、これらのディスプレイパネルに何ら限定されるものではない。
【００４３】
［実施例１］
図５は、異なる温度で乾燥工程を施した後の、構造体１の赤外線吸光度と、構造体１に残留する有機物の質量と、の関係を示すグラフである。なお、本実施例における構造体１は、隔壁である。
【００４４】
本実施例において、構造体１を形成するために使用したガラスペーストの組成を以下に示す。
１）ガラスフリット
２）溶剤：アルコール系溶剤
３）バインダ：α―ターピネオール
エチルセルロース樹脂
基板は、ガラス基板（１０ｃｍ角）を用いた。なお、基板上には、電極および電極保護層が形成されている。電極は、インジウムスズ酸化物から構成される。このような基板に、ドクターブレードを用いてガラスペーストを３００μｍの膜厚で塗布した。
【００４５】
このようにして構造体１を形成した基板を、小型ホットプレート乾燥装置にて、図５に示す各温度で５分間乾燥した後、構造体１の赤外線吸光度と、構造体１に残留する有機物の質量を測定した。構造体１の赤外線吸光度は、ＦＴＩＲ（株式会社チノー製ＩＲＭＡ５１２１Ｓ）を用い２．３±０．５μｍ（±０．５は半値幅）において測定し、構造体１に残留する有機物の質量は、基板から剥離、粉砕したガラスペーストを熱重量分析にかけて測定した。
なお、アルコール系溶剤は、単体で約５０％の吸光度を示す。
【００４６】
図５によれば、構造体１の赤外線吸光度と、構造体１に残留する有機物（溶剤）の質量と、の間には相関があり、構造体１の赤外線吸光度が低いほど、構造体１に残留する有機物の質量は小さいことがわかる。したがって、検査工程において、構造体１の赤外線吸光度を測定すれば、構造体１に残留する有機物の質量を概算することができる。
【００４７】
［実施例２］
図６は、異なる温度で焼成工程を施した後の、構造体１の赤外線吸光度と、構造体１に残留する有機物の質量と、の関係を示すグラフである。なお、本実施例における構造体１は、誘電体層である。
本実施例において、構造体１を形成するために使用したフィルムの組成を以下に示す。なお、フィルムの膜厚は、５０μｍである。
１）誘電体：ガラスフリット
２）バインダ：アクリル系樹脂
３）その他：可塑剤
基板は、ガラス基板（１０ｃｍ角）を用いた。なお、基板上には、電極が形成されている。電極は、インジウムスズ酸化物から構成される。このような基板に、上記のフィルムをラミネートした。
【００４８】
このようにして構造物１を形成した基板を、小型焼成炉にて、図６に示す各温度で１５分間焼成した。これらについて、上述の実施例１と同様に、構造体１の赤外線吸光度と、構造体１に残留する有機物の質量を測定した。
なお、アクリル系樹脂は、単体で約６０％の吸光度を示す。
【００４９】
図６によれば、構造体１の赤外線吸光度と、構造体１に残留する有機物（バインダ）の質量と、の間には相関があり、構造体１の赤外線吸光度が低いほど、構造体１に残留する有機物の質量は小さいことがわかる。したがって、検査工程において、構造体１の赤外線吸光度を測定すれば、構造体１に残留する有機物の質量を概算することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るディスプレイパネルの製造方法に好適に用いられるカート式熱処理装置の概略平面図。
【図２】本発明の第１の実施の形態係るディスプレイパネルの製造方法に好適に用いられるカート式熱処理装置の断面図。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るディスプレイパネルの製造方法の、検査工程での吸光度測定装置の移動の軌跡を示す図。
【図４】本発明の第１〜３の実施の形態に係るディスプレイパネルの製造方法の変形例の、検査工程での吸光度測定装置の吸光度測定位置を示す図。
【図５】実施例１において異なる温度で乾燥工程を施した後の、構造体の赤外線吸光度と、構造体に残留する有機物の質量と、の関係を示す図。
【図６】実施例２において異なる温度で焼成工程を施した後の、構造体の赤外線吸光度と、構造体に残留する有機物の質量と、の関係を示す図。
【図７】本発明の第１〜３の実施の形態に係るディスプレイパネルの製造方法の変形例に用いられる熱処理装置の断面図。
【符号の説明】
【００５１】
１  構造物
２  吸光度測定位置
【図１】
2008146997.tif 000003
【図２】
2008146997.tif 000004
【図３】
2008146997.tif 000005
【図４】
2008146997.tif 000006
【図５】
2008146997.tif 000007
【図６】
2008146997.tif 000008
【図７】
2008146997.tif 000009