(57)【要約】【課題】開口率を向上させることができるアクティブマトリクス基板及びＩＰＳ方式の液晶パネルの提供。【解決手段】基板上に、互いに略直交するゲート配線１及びデータ配線３と、ゲート配線１に略平行な共通配線２とを備え、ゲート配線１とデータ配線３との交点近傍にＴＦＴ６を備え、ゲート配線１とデータ配線３とで囲まれる画素内に、画素電極４と対向電極５とが交互に配置されてなるアクティブマトリクス基板において、画素電極４にはＴＦＴ６を介して共通配線２の共通電圧が供給され、対向電極５にはデータ配線３のドレイン電圧が供給されるものであり、データ配線３と対向電極５とが同電位となるためデータ配線３を電気的にシールドするための配線を設ける必要がなく、また、データ配線３自体が対向電極５の一部となるため、開口部として利用できる面積を広く確保して開口率を向上させることができる。【選択図】図１
2008262006.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、互いに略直交するゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線に略平行な共通配線とを備え、前記ゲート配線と前記データ配線との交点近傍にスイッチング素子を備え、前記ゲート配線と前記データ配線とで囲まれる画素内に、画素電極と対向電極とが交互に配置されてなるアクティブマトリクス基板において、
前記共通配線は、前記スイッチング素子の一方の電極に接続され、
前記画素電極は、前記スイッチング素子の他方の電極に接続され、
前記対向電極は、前記データ配線に接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項２】
前記画素電極は、前記ゲート配線及び前記共通配線と同層に形成され、
前記対向電極は、前記データ配線と同層に形成されることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
前記画素電極及び前記対向電極は、前記ゲート配線、前記共通配線及び前記データ配線よりも上層に形成され、
前記画素電極は、コンタクトホールを介して前記共通配線に接続され、
前記対向電極は、コンタクトホールを介して前記データ配線に接続されることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項４】
前記対向電極は、前記基板の法線方向からみて、前記画素内の前記データ配線と相重なる領域にも形成されていることを特徴とする請求項３記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項５】
前記画素電極は、前記ゲート配線、前記共通配線及び前記データ配線よりも上層に形成され、コンタクトホールを介して前記共通配線に接続され、
前記対向電極は、前記データ配線と同層に形成されることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項６】
前記共通配線は、前記ゲート配線よりも上層に形成され、
前記画素電極は、前記共通配線と同層に形成され、
前記対向電極は、前記データ配線と同層に形成されることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項７】
前記共通配線は、前記ゲート配線よりも上層に形成され、
前記画素電極及び前記対向電極は、前記ゲート配線、前記共通配線及び前記データ配線よりも上層に形成され、
前記画素電極は、コンタクトホールを介して前記共通配線に接続され、
前記対向電極は、コンタクトホールを介して前記データ配線に接続されることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項８】
前記共通配線は、前記ゲート配線よりも上層に形成され、
前記画素電極は、前記共通配線と同層に形成され、
前記対向電極は、前記ゲート配線、前記共通配線及び前記データ配線よりも上層に形成され、コンタクトホールを介して前記データ配線に接続されることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一に記載のアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板との間に液晶が挟持されてなることを特徴とする横電界方式の液晶パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス基板及び液晶パネルに関し、特に、画素電極と対向電極とが同一基板内に形成されるアクティブマトリクス基板及び該アクティブマトリクス基板を備えるＩＰＳ方式の液晶パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＡＶ機器やＯＡ機器の表示装置として、薄型、軽量、低消費電力等の利点から液晶表示装置が広く用いられている。この液晶表示装置は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等のスイッチング素子がマトリクス状に形成されたアクティブマトリクス基板（以下、ＴＦＴ基板と呼ぶ。）と、カラーフィルター（ＣＦ）やブラックマトリクス（ＢＭ）等が形成された基板（以下、対向基板と呼ぶ。）との間に液晶が挟持された液晶パネルと、液晶パネルにバックライト光を照射するバックライトユニットなどを備えている。
【０００３】
一般に、液晶表示装置の動作モードには、配向した液晶分子のダイレクタの方向をガラス基板に対して垂直な方向に回転させるツイステッド・ネマティック（Twisted Nematic：ＴＮ）方式と、ガラス基板に対して平行な方向に回転させるＩＰＳ（In Plane Switching）方式とがある。
【０００４】
ＩＰＳ方式の液晶表示装置は、ガラス基板上に互いに平行な画素電極と対向電極とを交互に形成し、これらの間に電圧を印加して基板面に平行な電界を形成することにより、液晶のダイレクタの向きを変化させ、これによって透過光量を制御するものであり、この表示方式ではダイレクタが基板面内で回転するため、ＴＮ方式の場合のようにダイレクタの方向から見たときと基板法線方向から見込んだときで透過光量と印加電圧との関係が大きく異なってしまうといった問題は発生せず、非常に広い視角から見て、良好な画像を得ることができる（例えば、下記特許文献１参照）。
【０００５】
しかしながら、ＩＰＳ方式の液晶表示装置では、液晶分子が１方向のみに回転するため、白表示状態において斜め方向から見たときに色づきが発生するという問題があり、この問題を解決するために、１画素内で画素電極と共通電極を屈曲させる方法が利用されている。
【０００６】
図８は、従来のＩＰＳ方式の液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板内の一画素の構造を模式的に示す平面図である。
【０００７】
図８に示すように、従来のＴＦＴ基板は、画面の水平方向に延在するゲート配線１１と、ゲート配線１１にほぼ平行に隣接する共通配線（いわゆるＣＯＭ配線）１２と、ゲート配線１１とほぼ直交する方向に延在するデータ配線１３と、ゲート配線１１とデータ配線１３の交点近傍に設けられたＴＦＴ１６と、ゲート配線１１とデータ配線１３とに囲まれた領域内にあり、データ配線１３とほぼ平行な線状の画素電極１４及び対向電極１５と、データ配線１３の両脇に隣接し、データ配線１３からの漏れ電界をシールドすると共に対向電極１５の機能も兼ね備えたシールド共通配線２０などで構成される。
【０００８】
また、対向電極１５は共通配線１２に接続され、画素電極１４はＴＦＴ１６を介してデータ配線１３に接続され、対向電極１５と画素電極１４とは一定の間隔を空けて交互に配置されると共に、上記色づきを低減するために、屈曲して形成される。更に、各々の屈曲点にはゲート配線１１方向に延在するドメイン安定化電極１７が形成され、各々の両端部には液晶分子の回転方向を規制する逆回転防止構造１８が形成されている。
【０００９】
上記ＴＦＴ基板は以下の方法で形成される。
【００１０】
まず、ガラス基板上にゲート金属層を低抵抗金属膜にて成膜後、フォトリソグラフィを用いてゲート配線１１、ゲート電極、共通配線１２、対向電極１５、シールド共通配線２０を形成する。
【００１１】
次に、ゲート絶縁膜を成膜し、連続して半導体層を成膜する。半導体層はフォトリソグラフィを用いて所定の形状に形成する。
【００１２】
次に、データ金属層を低抵抗金属膜にて成膜後、フォトリソグラフィを用いてデータ配線１３、ソース／ドレイン電極、画素電極１４を形成する。ソース電極はドレイン配線金属で作られたデータ配線１３に接続され、ドレイン電極はドレイン配線金属で作られた画素電極１４に接続される。
【００１３】
次に、パッシベーション絶縁膜を成膜し、フォトリソグラフィを用いて所定の箇所にコンタクトホールを形成する。なお、本従来例ではコンタクトホールの必要が無い構造を一例に上げたため図中にコンタクトホールは記載していないが、画素部以外の周辺回路でコンタクトホールが必要なため、コンタクトホール形成工程が省略されるものではない。
【００１４】
上記方法で形成されたＴＦＴ基板を備える液晶パネルの動作を説明する。指定したゲート配線１１にＯＮ電圧を印加することでその行に接続されたＴＦＴ１６を導通状態にし、指定した行の各画素電極１４に各ＴＦＴ１６に接続されたデータ配線１３から信号電圧を印加する。
【００１５】
対向電極１５には常時、共通電圧（いわゆるＣＯＭ電圧）が印加されているので画素電極１４と対向電極１５の間に電位差が発生し、画素電極１４と対向電極１５を絶縁膜を介して積層したストレージ容量部分（図中のストレージ１９）及び画素電極１４と対向電極１５との間の液晶部分の容量、すなわち液晶容量に電位差が蓄積、保持される。
【００１６】
その後、ゲート配線１１をＯＦＦ電圧に切り替えることで、画素電極１４はデータ配線１３と切断され、対向電極１５に対して前記ストレージ容量及び液晶容量で容量結合されたフローティング状態になる。
【００１７】
対向電極１４は常に一定の共通電位であり、画素電圧もトランジスタＯＮ状態で書き込まれた時の電圧が維持されるので、液晶にかかる電圧も維持され、電圧印加に伴う一定の方位変移状態を維持することが出来る。
【００１８】
【特許文献１】特開２００４−２８０１３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
このように、ＩＰＳ方式の液晶表示装置においては、液晶を駆動させるために、画素電極と対向電極との間の電位差によって生じる横電界を利用するが、近傍に上記以外の電位が存在すると電界強度が変化し、所定の表示状態が得られない。そこで、従来は少なくともデータ配線脇にシールド共通配線を設けており、その結果、開口部として活用できる面積が狭くなり、開口率（画素の面積に対する開口部の面積の比率）が低下してしまうという問題があった。
【００２０】
また、データ配線自体は画素開口部を構成する電極ではないので、更に開口部として活用できる面積が狭くなり、開口率が低下してしまうという問題があった。
【００２１】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、開口率を向上させることができるアクティブマトリクス基板及び該アクティブマトリクス基板を備えるＩＰＳ方式の液晶パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的を達成するため、本発明は、基板上に、互いに略直交するゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線に略平行な共通配線とを備え、前記ゲート配線と前記データ配線との交点近傍にスイッチング素子を備え、前記ゲート配線と前記データ配線とで囲まれる画素内に、画素電極と対向電極とが交互に配置されてなるアクティブマトリクス基板において、前記共通配線は、前記スイッチング素子の一方の電極に接続され、前記画素電極は、前記スイッチング素子の他方の電極に接続され、前記対向電極は、前記データ配線に接続されているものである。
【００２３】
本発明においては、前記画素電極は、前記ゲート配線及び前記共通配線と同層に形成され、前記対向電極は、前記データ配線と同層に形成される構成とすることができる。
【００２４】
また、本発明においては、前記画素電極及び前記対向電極は、前記ゲート配線、前記共通配線及び前記データ配線よりも上層に形成され、前記画素電極は、コンタクトホールを介して前記共通配線に接続され、前記対向電極は、コンタクトホールを介して前記データ配線に接続される構成とすることができ、前記対向電極は、前記基板の法線方向からみて、前記画素内の前記データ配線と相重なる領域にも形成されている構成とすることもできる。
【００２５】
また、本発明においては、前記画素電極は、前記ゲート配線、前記共通配線及び前記データ配線よりも上層に形成され、コンタクトホールを介して前記共通配線に接続され、前記対向電極は、前記データ配線と同層に形成される構成とすることができる。
【００２６】
また、本発明においては、前記共通配線は、前記ゲート配線よりも上層に形成され、前記画素電極は、前記共通配線と同層に形成され、前記対向電極は、前記データ配線と同層に形成される構成とすることができる。
【００２７】
また、本発明においては、前記共通配線は、前記ゲート配線よりも上層に形成され、前記画素電極及び前記対向電極は、前記ゲート配線、前記共通配線及び前記データ配線よりも上層に形成され、前記画素電極は、コンタクトホールを介して前記共通配線に接続され、前記対向電極は、コンタクトホールを介して前記データ配線に接続される構成とすることができる。
【００２８】
また、本発明においては、前記共通配線は、前記ゲート配線よりも上層に形成され、前記画素電極は、前記共通配線と同層に形成され、前記対向電極は、前記ゲート配線、前記共通配線及び前記データ配線よりも上層に形成され、コンタクトホールを介して前記データ配線に接続される構成とすることができる。
【００２９】
また、本発明の液晶パネルは、上記いずれか一に記載のアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板との間に液晶が挟持されているものである。
【００３０】
このように、本発明では、データ配線と対向電極とが同電位となり、データ信号の漏れ電界が液晶の方位を乱さないため、データ配線を電気的にシールドするための配線を設ける必要がなく、また、データ配線自体が対向電極の一部となるため、開口部として利用できる面積を広く確保することができ、開口率を向上させることができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明のアクティブマトリクス基板及び該アクティブマトリクス基板を備えるＩＰＳ方式の液晶パネルによれば、開口率を大きくすることができる。
【００３２】
その理由は、通常の画素電極に相当する部分に共通電圧を供給し、通常の対向電極に相当する部分にドレイン電圧を供給する構造を採用することにより、データ配線と対向電極とが同電位となり、データ信号の漏れ電界が液晶の方位を乱さないため、データ配線を電気的にシールドするための配線を設ける必要がなくなるからである。
【００３３】
また、データ配線自体が対向電極の一部となるため、対向電極を一本省略することができるからである。
【００３４】
上記理由で画素電極と対向電極の間に作られる開口部として利用できる面積を広く確保することができるため、開口率が高く、明るい表示特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
本発明は、その好ましい一実施の形態において、基板上に、互いに略直交するゲート配線及びデータ配線と、ゲート配線に略平行な共通配線とを備え、ゲート配線とデータ配線との交点近傍にスイッチング素子を備え、ゲート配線とデータ配線とで囲まれる画素内に、画素電極と対向電極とが交互に配置されてなるアクティブマトリクス基板において、画素電極にはスイッチング素子を介して共通配線の共通電圧が供給され、対向電極にはデータ配線のドレイン電圧が供給されるものであり、データ配線と対向電極とが同電位となるため、データ配線を電気的にシールドするための配線を設ける必要がなく、また、データ配線自体が対向電極の一部となるため、開口部として利用できる面積を広く確保することができ、これにより、開口率を向上させることができる。
【実施例１】
【００３６】
上述した本発明の一実施の形態について更に詳細に説明すべく、本発明の第１の実施例に係るアクティブマトリクス基板及び該アクティブマトリクス基板を備えるＩＰＳ方式の液晶パネルについて、図１を参照して説明する。図１は、本実施例のＩＰＳ方式の液晶パネルを構成するＴＦＴ基板の一画素の構成を模式的に示す平面図である。
【００３７】
液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶が挟持された液晶パネルと、バックライトユニットなどで構成され、本実施例のアクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板）は、図１に示すように、画面の水平方向に延在するゲート配線（走査線）１と、ゲート配線１に略平行に隣接する共通配線（ＣＯＭ配線）２と、ゲート配線１に略直交する方向に延在するデータ配線（信号線）３と、ゲート配線１とデータ配線３との交点近傍に設けられたＴＦＴ６などのスイッチング素子と、ゲート配線１とデータ配線３とに囲まれた領域内にあり、データ配線３とほぼ平行な線状の画素電極４及び対向電極５とを備え、画素電極４及び対向電極５は略一定の間隔を空けて交互に配置されている。
【００３８】
ここで、従来のＴＦＴ基板では、図８に示すように、対向電極１５は共通配線１２に接続され、画素電極１４はＴＦＴ１６を介してデータ配線１３に接続されるが、この構成では、データ信号の漏れ電界によって電界強度が変化することから、少なくともデータ配線脇にシールド共通配線を設けており、また、データ配線自体は開口部を構成する電極とはならないため、開口部として活用できる面積が狭くなり、開口率が低下してしまうという問題があった。
【００３９】
そこで、本実施例では、ＴＦＴ６の一方の電極（本実施例ではソース電極）をゲート配線金属で作られた共通配線２に接続し、他方の電極（本実施例ではドレイン電極）をゲート配線金属で作られた画素電極４に接続する。また、ドレイン配線金属で作られた対向電極５をデータ配線３に接続する。すなわち、通常の画素電極に相当する部分に共通電圧を供給し、通常の対向電極に相当する部分にドレイン電圧を供給する構成として上記問題を解決する。
【００４０】
以下、上記構成のＴＦＴ基板の製造方法について具体的に説明する。
【００４１】
まず、ガラスやプラスチック等の透明絶縁性基板上に、スパッタリング法等を用いて、ゲート金属層をＣｒ等の低抵抗金属膜にて成膜後、フォトリソグラフィを用いてゲート配線１、ゲート電極、共通配線２、画素電極４を形成する。
【００４２】
次に、プラズマＣＶＤ法等を用いて、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のゲート絶縁膜を成膜し、連続してアモルファスシリコンやポリシリコン等の半導体層を成膜する。この半導体層はフォトリソグラフィを用いて所定の形状に形成する。
【００４３】
次に、スパッタリング法等を用いて、データ金属層をＣｒ等の低抵抗金属膜にて成膜後、フォトリソグラフィを用いてデータ配線３、ソース／ドレイン電極、対向電極５を形成する。
【００４４】
次に、プラズマＣＶＤ法等を用いて、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のパッシベーション絶縁膜を成膜し、フォトリソグラフィを用いて所定の箇所（例えば、ソース電極と共通配線２とが重なる領域及びドレイン電極と画素電極４とが重なる領域など）にコンタクトホール１０を形成する。
【００４５】
次に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜を成膜後、フォトリソグラフィを用いてパターニングし、コンタクトホール１０を介してゲート金属層とドレイン金属層を導通させる。なお、導通に用いる材料はＩＴＯのような透明導電膜に限定されない。また、最上層金属を用いず、ドレイン金属層成膜前にゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成しゲート金属層とドレイン金属層を直接導通させても良い。
【００４６】
上記構成のＴＦＴ基板の場合、指定したゲート配線１にＯＮ電圧を印加することでその行に接続されたＴＦＴ６を導通状態にし、指定した行の各画素電極４に共通電圧を印加する。
【００４７】
このとき、データ配線３に画像データに相当する電圧信号を印加することで、画素電極４とデータ配線３に接続された対向電極５との間に電位差が発生し、画素電極４と対向電極５を絶縁膜を介して積層したストレージ容量部分（ストレージ９の部分）及び画素電極４と対向電極５との間の液晶部分の容量、すなわち液晶容量に電位差が蓄積、保持される。
【００４８】
その後、ゲート配線１をＯＦＦ電圧に切り替えることで、画素電極４は共通配線２と切断され、対向電極５に対して前記ストレージ容量及び液晶容量で容量結合されたフローティング状態になる。
【００４９】
この状態でデータ配線電圧を変化させると、画素電圧も同様に電圧変化を起こすが、対向電極５−画素電極４間の電位差は維持されるので液晶にかかる電圧も維持され、電圧印加に伴う一定の方位変移状態を維持することが出来る。
【００５０】
このように、画素電極４に共通電圧を供給し、対向電極５にドレイン電圧を供給することにより、データ配線３と対向電極５が同電位となり、データ信号の漏れ電界が液晶の方位を乱さないため、データ配線３を電気的にシールドするためのシールド共通配線（図８の２０）を設ける必要がなくなり、また、データ配線３自体が対向電極５の一部となるため対向電極５を一本省略することができ、これらにより、開口部の面積を大きくし、開口率を高めることができる。
【００５１】
なお、図１は例示であり、画素電極４がゲート配線１及び共通配線２と同層に形成され、対向電極５がデータ配線３と同層に形成され、ＴＦＴ６のソース電極に共通配線２が接続され、ドレイン電極に画素電極４が接続され、データ配線３に対向電極５が接続される限りにおいて、各配線や電極の形状や配置、数量、材料などは適宜変更可能である。
【実施例２】
【００５２】
次に、本発明の第２の実施例に係るアクティブマトリクス基板及び該アクティブマトリクス基板を備えるＩＰＳ方式の液晶パネルについて、図２を参照して説明する。図２は、本実施例のＩＰＳ方式の液晶パネルを構成するＴＦＴ基板の一画素の構成を模式的に示す平面図である。
【００５３】
本実施例は、図２に示すように、画素電極４及び対向電極５を最上層（すなわち、ゲート配線１、共通配線２及びデータ配線３よりも上層）の導電膜（例えばＩＴＯのような透明導電膜）で形成したことを特徴としている。
【００５４】
この構成では、ストレージ容量を、画素電極４に接続された上部ストレージ電極（ストレージ９の上層側の電極）とデータ配線３に接続された下部ストレージ電極（ストレージ９の下層側の電極）とで構成する。
【００５５】
また、対向電極５は、コンタクトホール１０ａを介して下部ストレージ電極と接続されるため、データ配線３と同電位となる。また、対向電極５群を同じ層で形成するため、データ配線３上にデータ配線３と同形状の対向電極５を設け、コンタクトホール１０ｂを介してデータ配線３と対向電極５を接続する。
【００５６】
なお、データ配線３上の最上層の導電膜で作られた対向電極５については、必ずしも設ける必要は無い。また、最上層の導電膜は必ずしもＩＴＯのような透明導電膜に限定されない。また、図２は例示であり、画素電極４及び対向電極５が最上層の導電膜で形成され、ＴＦＴ６のソース電極に共通配線２が接続され、ドレイン電極に画素電極４が接続され、データ配線３に対向電極５が接続される限りにおいて、各配線や電極の形状や配置、数量、材料などは適宜変更可能である。
【実施例３】
【００５７】
次に、本発明の第３の実施例に係るアクティブマトリクス基板及び該アクティブマトリクス基板を備えるＩＰＳ方式の液晶パネルについて、図３を参照して説明する。図３は、本実施例のＩＰＳ方式の液晶パネルを構成するＴＦＴ基板の一画素の構成を模式的に示す平面図である。
【００５８】
本実施例は、図３に示すように、画素電極４を最上層（すなわち、ゲート配線１、共通配線２及びデータ配線３よりも上層）の導電膜（例えばＩＴＯのような透明導電膜）で形成し、対向電極５をデータ配線層で形成したことを特徴としている。
【００５９】
この構成では、対向電極５と下部ストレージ電極が同層であるため、コンタクトホール（図２のコンタクトホール１０ａ、１０ｂ）を設ける必要が無く、第２の実施例に比べて、よりストレージ容量及び開口率を大きく取ることが出来る。
【００６０】
なお、図３は例示であり、画素電極４が最上層の導電膜で形成され、対向電極５がデータ配線３と同層に形成され、ＴＦＴ６のソース電極に共通配線２が接続され、ドレイン電極に画素電極４が接続され、データ配線３に対向電極５が接続される限りにおいて、各配線や電極の形状や配置、数量、材料などは適宜変更可能である。
【実施例４】
【００６１】
次に、本発明の第４の実施例に係るアクティブマトリクス基板及び該アクティブマトリクス基板を備えるＩＰＳ方式の液晶パネルについて、図４を参照して説明する。図４は、本実施例のＩＰＳ方式の液晶パネルを構成するＴＦＴ基板の一画素の構成を模式的に示す平面図である。
【００６２】
本実施例は、図４に示すように、第１の実施例の構造において、共通配線２をゲート配線層とは別の層（本実施例では、ゲート配線層とデータ配線層の間）に設けたことを特徴としている。
【００６３】
本構造では、ＴＦＴ６のソース電極と共通配線２とを同一層で形成することができ、コンタクトホール（図１のコンタクトホール１０）が省略できるため、簡単に本構造を実現することが出来る。
【００６４】
なお、本構造ではデータ配線層を共通配線層の上層に設置することも、共通配線の下層に設置することも出来る。また、図４は例示であり、画素電極４が共通配線２と同層に形成され、対向電極５がデータ配線３と同層に形成され、ＴＦＴ６のソース電極に共通配線２が接続され、ドレイン電極に画素電極４が接続され、データ配線３に対向電極５が接続される限りにおいて、各配線や電極の形状や配置、数量、材料などは適宜変更可能である。
【実施例５】
【００６５】
次に、本発明の第５の実施例に係るアクティブマトリクス基板及び該アクティブマトリクス基板を備えるＩＰＳ方式の液晶パネルについて、図５を参照して説明する。図５は、本実施例のＩＰＳ方式の液晶パネルを構成するＴＦＴ基板の一画素の構成を模式的に示す平面図である。
【００６６】
本実施例は、図５に示すように、第２の実施例の構造において、共通配線２をゲート配線層とは別の層（本実施例では、ゲート配線層とデータ配線層の間）に設けたことを特徴としている。
【００６７】
本構造では、ＴＦＴ６のソース電極と共通配線２とを同一層で形成することができ、コンタクトホールが一部省略できるため、比較的簡単に本構造を実現することが出来る。
【００６８】
なお、図５は例示であり、画素電極４及び対向電極５が最上層に形成され、ＴＦＴ６のソース電極に共通配線２が接続され、ドレイン電極に画素電極４が接続され、データ配線３に対向電極５が接続される限りにおいて、各配線や電極の形状や配置、数量、材料などは適宜変更可能である。
【実施例６】
【００６９】
次に、本発明の第６の実施例に係るアクティブマトリクス基板及び該アクティブマトリクス基板を備えるＩＰＳ方式の液晶パネルについて、図６を参照して説明する。図６は、本実施例のＩＰＳ方式の液晶パネルを構成するＴＦＴ基板の一画素の構成を模式的に示す平面図である。
【００７０】
本実施例は、図６に示すように、前記した第５の実施例の構造において、画素電極４の一部で共通配線２を縦方向に接続し、ＣＯＭ電圧供給能力の強化を図ったことを特徴としている。
【００７１】
なお、図６は例示であり、画素電極４及び対向電極５が最上層に形成され、ＴＦＴ６のソース電極に共通配線２が接続され、ドレイン電極に画素電極４が接続され、データ配線３に対向電極５が接続される限りにおいて、各配線や電極の形状や配置、数量、材料などは適宜変更可能である。
【実施例７】
【００７２】
次に、本発明の第７の実施例に係るアクティブマトリクス基板及び該アクティブマトリクス基板を備えるＩＰＳ方式の液晶パネルについて、図７を参照して説明する。図７は、本実施例のＩＰＳ方式の液晶パネルを構成するＴＦＴ基板の一画素の構成を模式的に示す平面図である。
【００７３】
本実施例は、図７に示すように、前記した第３の実施例の構造において、共通配線２をゲート配線層とは別の層（本実施例では、ゲート配線層とデータ配線層の間）に設けたことを特徴としている。
【００７４】
なお、図７では、説明のためにデータ配線３上に電極を設けていないが、最上層の電極をデータ配線上にも配置する構造とすることも出来る。また、図７は例示であり、画素電極４が共通配線２と同層に形成され、対向電極５が最上層に形成され、ＴＦＴ６のソース電極に共通配線２が接続され、ドレイン電極に画素電極４が接続され、データ配線３に対向電極５が接続される限りにおいて、各配線や電極の形状や配置、数量、材料などは適宜変更可能である。
【００７５】
また、本発明は上記各実施例に限定されるものではなく、画素電極３及び対向電極４が直線状と形成された構造や、ドメイン安定化電極７や逆回転防止構造８を省略した構造に対しても同様に適用することができる。また、上記各実施例では、ＴＦＴ６を、半導体層の下側にゲート電極、上側にソース／ドレイン電極が配置される逆スタガ形（ボトムゲート形）としたが、半導体層の下側にソース／ドレイン電極、上側にゲート電極が配置される正スタガ形（トップゲート形）に対しても同様に適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明は、液晶表示装置、特に、ＩＰＳ方式の液晶表示装置に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の第１の実施例に係るＩＰＳ方式の液晶パネルを構成するＴＦＴ基板の一画素の構成を模式的に示す平面図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係るＩＰＳ方式の液晶パネルを構成するＴＦＴ基板の一画素の構成を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明の第３の実施例に係るＩＰＳ方式の液晶パネルを構成するＴＦＴ基板の一画素の構成を模式的に示す平面図である。
【図４】本発明の第４の実施例に係るＩＰＳ方式の液晶パネルを構成するＴＦＴ基板の一画素の構成を模式的に示す平面図である。
【図５】本発明の第５の実施例に係るＩＰＳ方式の液晶パネルを構成するＴＦＴ基板の一画素の構成を模式的に示す平面図である。
【図６】本発明の第６の実施例に係るＩＰＳ方式の液晶パネルを構成するＴＦＴ基板の一画素の構成を模式的に示す平面図である。
【図７】本発明の第７の実施例に係るＩＰＳ方式の液晶パネルを構成するＴＦＴ基板の一画素の構成を模式的に示す平面図である。
【図８】従来のＩＰＳ方式の液晶パネルを構成するＴＦＴ基板の一画素の構成を模式的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１  ゲート配線
２  共通配線（共通配線）
３  データ配線
４  画素電極
５  対向電極
６  ＴＦＴ
７  ドメイン安定化電極
８  逆回転防止機構
９  ストレージ
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ  コンタクトホール
１１  ゲート配線
１２  共通配線（ＣＯＭ配線）
１３  データ配線
１４  画素電極
１５  対向電極
１６  ＴＦＴ
１７  ドメイン安定化電極
１８  逆回転防止機構
１９  ストレージ
２０  シールド共通配線（シールドＣＯＭ）
２１  コラム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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