(57)【要約】【課題】ゴミ混入を防ぎ、発光層塗布後直ぐに貼合を行うとともに、貼合後に補助電極スペースを確保でき、かつ貼合後に相手の電極を傷つけることなく基材と有機層をカットして品質が維持できるＥＬ素子の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも第１の基材と第１の電極とエレクトロルミネッセンス層と第２の電極と第２の基材がこの順で積層された構造のエレクトロルミネッセンス素子を、この構造の中間部分で分離した二つの部材として製造し、両部材を貼合してエレクトロルミネッセンス素子を形成するエレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、少なくとも一方の基材の電極側にハーフカットが施されており、両部材を貼合した後、ハーフカットによる溝を利用して不要部分を除去して少なくとも一方の電極を露出させることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１の基材と第１の電極とエレクトロルミネッセンス層と第２の電極と第２の基材がこの順で積層された構造のエレクトロルミネッセンス素子を、この構造の中間部分で分離した二つの部材として製造し、両部材を貼合してエレクトロルミネッセンス素子を形成するエレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、少なくとも一方の基材の電極側にハーフカットが施されており、両部材を貼合した後、ハーフカットによる溝を利用して不要部分を除去して少なくとも一方の電極を露出させることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
ハーフカットの方法が、レーザー光、熱刃またはハーフカット刃によることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
第１の基材と第２の基材の両方にハーフカットが施されたことを特徴とする請求項１または２記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
第１の基材もしくは第２の基材の、少なくとも１方がプラスチックフィルムからなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
第１の基材もしくは第２の基材の、少なくとも１方がロール状の長尺シートからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
第１の基材もしくは第２基材のハーフカットは、厚み方向に対し３０％〜９０％であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
第１の基材もしくは第２の基材の、少なくとも１方にハーフカット刃を入れ各基材に切り込みを形成した後、第１の基材、第２の基材それぞれに電極を形成し、第１の基材及び第２の基材の少なくとも一方の電極上にエレクトロルミネッセンス層を形成し、その後、
第１の基材、第２の基材を、互いに電極を対向させ貼合することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項８】
第１の基材もしくは第２の基材にそれぞれ電極を形成した後、少なくとも１方の基材にハーフカット刃を入れ切り込みを形成し、それぞれ電極を形成した第１の基材及び第２の基材の少なくとも一方の電極上に、エレクトロルミネッセンス層を形成し、その後、
第１の基材、第２の基材を、互いに電極を対向させ貼合することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項９】
第１の基材および第２の基材のハーフカットによる溝が、直交した状態において貼合されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１０】
ハーフカット刃の刃先角度が２０°〜７０°であることを特徴とする請求項２〜９のいずれか１項記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１１】
ハーフカット刃が、表面に刃先を有するロール状回転刃であることを特徴とする請求項２〜１０のいずれか１項記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１２】
エレクトロルミネッセンス素子が、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は貼合法によるエレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関し、詳しくは部材の貼合と電極の容易な取り出し方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、２つの部材の貼合によりエレクトロルミネッセンス素子を製造する方法においては、プラスチック材のロール同士を使用して発光面を貼合する技術は無く、業界では開発目標となっていた。これまではカットした基材同士を貼合するため、貼合時には既に補助電極スペースを確保しておくことが容易であった。
【０００３】
しかしながら、プラスチック材のロール同士を使用して発光面を貼合する場合には、予め電極スペースを確保しておくことが難しい。
【０００４】
電極スペース確保のために、カット等の処理を貼合前に行うと、ゴミ、塵等の混入の機会が大きくなるため、ゴミ混入を少しでも防ぐ目的では、発光層塗布後直ぐに貼合を行うことが必要である。
【０００５】
また貼合後に補助電極スペースを確保する必要があり、貼合後の補助電極スペースの確保において、エレクトロルミネッセンス層や電極層を、また相手の電極層等も傷つけることなく品質を維持して、簡単に（生産性よく）これを行うことが課題であった。
【０００６】
貼合法によりでゴミ混入を最小限に出来、かつ、貼合後に補助電極スペースが容易に確保できるような方法はこれまで見出されていない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って本発明の目的は、ゴミ混入を防ぐ目的で、発光層塗布後直ぐに貼合を行い、貼合後に補助電極スペースが確保でき、かつ貼合後に相手の電極を傷つけることなく基材と有機層をカットして品質を維持できるエレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の上記課題は以下の手段により達成される。
【０００９】
１．少なくとも第１の基材と第１の電極とエレクトロルミネッセンス層と第２の電極と第２の基材がこの順で積層された構造のエレクトロルミネッセンス素子を、この構造の中間部分で分離した二つの部材として製造し、両部材を貼合してエレクトロルミネッセンス素子を形成するエレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、少なくとも一方の基材の電極側にハーフカットが施されており、両部材を貼合した後、ハーフカットによる溝を利用して不要部分を除去して少なくとも一方の電極を露出させることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１０】
２．ハーフカットの方法が、レーザー光、熱刃またはハーフカット刃によることを特徴とする１記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１１】
３．第１の基材と第２の基材の両方にハーフカットが施されたことを特徴とする１または２記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１２】
４．第１の基材もしくは第２の基材の、少なくとも１方がプラスチックフィルムからなることを特徴とする１〜３のいずれか１項記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１３】
５．第１の基材もしくは第２の基材の、少なくとも１方がロール状の長尺シートからなることを特徴とする１〜４のいずれか１項記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１４】
６．第１の基材もしくは第２基材のハーフカットは、厚み方向に対し３０％〜９０％であることを特徴とする１〜５のいずれか１項記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１５】
７．第１の基材もしくは第２の基材の、少なくとも１方にハーフカット刃を入れ各基材に切り込みを形成した後、第１の基材、第２の基材それぞれに電極を形成し、第１の基材及び第２の基材の少なくとも一方の電極上にエレクトロルミネッセンス層を形成し、その後、第１の基材、第２の基材を、互いに電極を対向させ貼合することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１６】
８．第１の基材もしくは第２の基材にそれぞれ電極を形成した後、少なくとも１方の基材にハーフカット刃を入れ切り込みを形成し、それぞれ電極を形成した第１の基材及び第２の基材の少なくとも一方の電極上に、エレクトロルミネッセンス層を形成し、その後、
第１の基材、第２の基材を、互いに電極を対向させ貼合することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１７】
９．第１の基材および第２の基材のハーフカットによる溝が、直交した状態において貼合されることを特徴とする１〜８のいずれか１項記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１８】
１０．ハーフカット刃の刃先角度が２０°〜７０°であることを特徴とする２〜９のいずれか１項記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１９】
１１．ハーフカット刃が、表面に刃先を有するロール状回転刃であることを特徴とする２〜１０のいずれか１項記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２０】
１２．エレクトロルミネッセンス素子が、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする１〜１１のいずれか１項記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の効果】
【００２１】
本発明により、ロール状の長尺シートを用いての、貼合法による有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の製造において、貼合後に、不要部分を簡単に除去して補助電極スペース（補助電極貼り付け部）の形成を簡単に、しかも品質を損なうことなく行うことができ、また、これにより有機ＥＬ素子のロールツウロールの生産が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
【００２３】
本発明は、少なくとも第１の基材と第１の電極とエレクトロルミネッセンス層と第２の電極と第２の基材上がこの順で積層された構造のエレクトロルミネッセンス素子を、この積層構造の中間部で分離した二つの部材として製造し、両部材を貼合してエレクトロルミネッセンス素子を形成するエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、少なくとも一方の基材の電極側にはハーフカットが施されており、また、ハーフカットをした後に、両部材を貼合して、基材上のハーフカットによる溝を利用して不要部分を除去して少なくとも一方の電極を露出させることを特徴とする。
【００２４】
本発明において、エレクトロルミネッセンス層とは、第１電極、第２電極間に挟持されてエレクトロルミネッセンス素子を構成する層をいい、有機エレクトロルミネッセンス素子においては、例えば、両電極間に積層され挟持される正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等の層をいう。
【００２５】
本発明を有機エレクトロルミネッセンス素子を用いて説明する。
【００２６】
例えば、第１の基材上に陽極となる第１電極と、エレクトロルミネッセンス層、例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層等を積層した第１部材と、第２の基材上に陰極となる第２電極、電子輸送層、発光層を積層した第２部材とを有機層の面同士で貼合して、第１の基材／第１の電極／エレクトロルミネッセンス層／第２の電極／第２の基材がこの順で積層された構造の封止されたレクトロルミネッセンス素子を製造する。
【００２７】
所定の順で積層されるエレクトロルミネッセンス層は、中間のどの層までが第１の基材上に、また、どの層までが第２の基材上に形成されているかは、任意であり、また前記の様に必ずしも前記のように発光層同士（同じ層同士）を貼合する形態でなくともよい。例えば、第１の基材上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層等のエレクトロルミネッセンス層を積層し、第２の基材上に第２電極、電子輸送層と積層して、貼合してもよい。
【００２８】
本発明は貼合前に貼合面側からハーフカットによる溝を形成することによって、貼合後に、不要部分除去（補助電極貼り付け部の形成）を簡単にしかも品質を損なうことなく行うことを特徴とするものである。
【００２９】
（好ましい実施の形態）
好ましい実施の形態として、先ず、例えば、第１の基材／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極／第２の基材からなる構成をもつ有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の製造方法を示した。
【００３０】
図１に、有機ＥＬ素子の貼合法による製造の各工程をブロック図で示す。
【００３１】
図１において、先ず、第１の基材（基材１）上に第１電極（陽極）を形成する。第１電極形成後、正孔輸送層を形成、更に発光層を形成して第１部材（陽極部材）を作製する。
【００３２】
また、第２の基材（基材２）上に第２電極（陰極）を形成する。更に第２電極形成後、この上に電子輸送層を形成して陰極部材を作製する。それぞれ電極形成は真空蒸着、また、スパッタ法等の真空条件を用いて最適条件で作製できる。一方、エレクトロルミネッセンス層の形成は生産性の上から塗布が好ましく、通常のダイコーター、インクジェット法、また印刷法等が適している。
【００３３】
このように第１の基材上に第１電極、正孔輸送層、更に発光層を形成した第１部材（陽極部材）と、第２の基材上に第２電極、電子輸送層を形成した第２部材（陰極部材）について、電極層側から基材をハーフカットして切り込みを入れる。
【００３４】
ハーフカットは、一方の基材のみに補助電極スペースを露出させようとするときには一方の基板のみでよい。
【００３５】
ハーフカットした基材１及び基材２を有機ＥＬ層を挟む形で互いに電極を対向させ重ねて、密着・貼合する。
【００３６】
貼合方法は、加圧下密着させればよく、圧力は、０．１ＭＰａ〜１０Ｍｐａの範囲であればよく、具体的手段としては加圧ロール、プレス装置等種類は問わない。また貼合面となる有機層のガラス転移温度近傍かつガラス転移温度以下の温度に加熱することは好ましい。
【００３７】
貼合後、切り込みを入れハーフカットした箇所を利用してここでカットして不要部を除去し、電極層を露出させ、補助電極スペースとして、ここに補助電極を作製した後、封止する。補助電極部を介し電源に接続すれば電界発光が観察される。
【００３８】
図２に、基材をハーフカットし貼合する本発明のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法について、より具体的な実施形態を示す。
【００３９】
図２においては、第１の基材、第２の基材共に、シート供給工程、塗布・乾燥工程、ハーフカット工程を含み、これにより形成された第１部材、第２部材を更に貼合する工程、また個別カットする工程を含んでいる。
【００４０】
第１の基材として、ＩＴＯを予め形成した電極付き基材シート（例えばポリエチレンテレフタレートフィルム）を用い、シート供給工程において、供給ロール１１からこれを巻き出して塗布・乾燥工程に送る。塗布は、例えばエクストルージョンタイプのコーターヘッド２１を用いて行われ、ここにエレクトロルミネッセンス層（ＥＬ層）塗布液が供給され、基材上に塗布される。ここではコーターヘッドが１つしか示されてないが正孔輸送層塗布液、また更に発光層塗布液が供給され、塗布により正孔輸送層、発光層が形成される。また図において、乾燥工程は省略されている。
【００４１】
また、一方の第２の基材として同じく予め蒸着アルミニウム層等を形成したポリエチレンテレフタレートフィルム等が、供給ロール１２から巻き出され、同様に塗布・乾燥工程に送られ、ここでコーターヘッド２２により、例えば電子輸送層形成塗布液が供給され、塗布されて、乾燥され基材上に電子輸送層が形成される。こうして第２部材（陰極部材）が作製される。ここでもコーターヘッド２２のみが示され乾燥工程は省略されている。
【００４２】
第１の基材、第２の基材それぞれの電極上に、貼合した後に有機ＥＬ素子を構成するように、有機ＥＬ素子の構成層を中間部分で分離して塗布、乾燥し第１部材、第２部材を作製した後、ハーフカット工程において、第１部材（第１の基材）、第２部材（第２の基材）それぞれを、それぞれロール状回転刃３１、３２を用いて貼合面からハーフカットする。
【００４３】
第１の基板をハーフカットするロール状回転刃３１はロールの回転軸方向に沿って表面に、刃（ピナクル）を有する。一方、第２基板をハーフカットするロール状回転刃３２は、ロール表面の回転方向（搬送方向）に沿って刃が形成されている。
【００４４】
その結果、第１の基板はシートの搬送方向に直交して、また、第２の基板は搬送方向と平行にシートがハーフカットされる。
【００４５】
ロール状回転刃は、表面に刃先をもつシート状ピナクルダイをロール表面に貼り付け形成されている。シート状ピナクルダイ（図３に示した）は、ベースシート表面上に鋭く尖った刃をもつシート状のダイであり、これを回転するロールに貼りつけ、表面に刃先をもつロール状回転刃として用いる。シート状ピナクルダイは、厚み１〜数ｍｍの基材をエッチングして図に示すように尖った刃を形成させたものである。ピナクルダイのベース厚（ｄ）は０．１〜０．２ｍｍ、刃先角度（θ）が２０°〜７０°である、刃高（ｌ）は０．３〜０．６ｍｍ、刃厚は０．３８ｍｍ〜１．２ｍｍ程度である。このような表面上に鋭く尖った刃が形成されたベースシートを５００〜数千ガウスのマグネットロールに固定してロール状回転刃として用いる。
【００４６】
図３では、刃の方向がロールの軸方向に沿って平行にセットされたロール状回転刃４を示したが、ロール状回転刃５では刃が搬送方向に沿ってロールの軸方向と直角になるようセットし用いる。
【００４７】
第１の基材もしくは第２基材の、ハーフカットは厚み方向に対し３０％〜９０％の範囲に設定することが好ましいが、ハーフカットは、確実に基材をカットできる押圧で行い、ハーフカットの深さの調整は、ロール状回転刃のバックアップロールとなる例えば金属のロール（受銅）との間のクリアランスを調整するか、また更に所定の厚みの敷き板等を用い調整することができる。
【００４８】
このようにしてそれぞれ直交する方向にハーフカットされた第１の基板（第１部材）、第２の基板（第２部材）は、次いで貼合工程において、加圧ロール４により密着・貼合される。加圧ロール４は、前記のように０．１ＭＰａ〜１０Ｍｐａの範囲の圧力のもの、例えば、０．５Ｐａ程度のラミネーター等を用いることができる。
【００４９】
個別カット工程においては、連続して密着・貼合され形成された素子が、打ち抜き等によってハーフカット溝を含む所定の大きさの単位素子に個別カットされる（図２）。
【００５０】
所定の大きさに個別カットされた素子は、図４に示すように基材がハーフカットされており、ハーフカットによる切り込み箇所を折り曲げて不要部分を引き剥がすことで補助電極取りつけ部を露出させることが出来る。
【００５１】
図４は、第１部材のハーフカット溝で第１部材の不要部分を引き剥がし、第２部材の電極部（補助電極取りつけ部）を露出させる様子を示す。図４（１）は、ハーフカット刻みのある第１部材と第２部材を貼合したところを示し、図４（２）はハーフカット部で第１部材の不要部分を折り引き剥がしたところを、また、図４（３）は第１部材を引き剥がした後、第２部材上の有機層を掻き取る、或いは洗浄等によって除き、電極層の補助電極取り付け部を露出させたところを示す。次いで、補助電極、例えば金属箔（銅箔、アルミ箔等）を貼り付けて補助電極とする（図４（４））。
【００５２】
第２部材を第１部材と９０度の方向（直交する方向）で同様に処理することで、第１部材、第２部材ともに、電極層の補助電極取り付け部を露出させることが出来る。
【００５３】
図４（６）は、第１の基材（第１部材）、第２の基材（第２部材）を共にハーフカット溝を折って不要部分を引き剥がし、両基材とも補助電極取り付け部を露出させたところを斜視図で示している。
【００５４】
尚、補助電極は、金属箔の他、金属シート、金属テープ等を貼り形成できる。
【００５５】
補助電極を作製後、封止することができる。補助電極形成後、第１の基板、第２の基板を補助電極部分が電源回路との接続をとれる部分を残し接着剤で封止すればよい（図４（５））。
【００５６】
封止後、補助電極部を介し電源に接続すれば電界発光が観察される。
【００５７】
尚、ハーフカットはロール状回転刃を用いて行うことができるが、レーザー光、例えば炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー等を用いてカットすることが出来る。また、熱刃により熱でカットしてもよい。
【００５８】
また、前記ハーフカットは基材の厚み方向に対し３０％〜９０％の刻みをいれるが、ハーフカットは、完全貫通部孔がミシン目様に連続した形態であってもよい。ミシン目に沿って同様にカットすることができる。カットラインの３０％〜９０％が貫通孔で構成されるようミシン目を形成すればよい。
【００５９】
また、前記の実施形態では、第１の基材、第２の基材のハーフカットは前記の実施形態では有機ＥＬ層を形成し、第１部材、第２部材とした後行っているが、貼合法によるエレクトロルミネッセンス素子の製造工程の他の箇所において行ってもよく、例えば、基材上に電極を形成した後に行ってもよい。
【００６０】
また、基材をハーフカット後、強度保つために補助フィルムをラミネートして電極、有機ＥＬ層の形成、貼合を行ってもよい。図５に前記実施形態以外の本発明の製造工程例をブロック図で示した。
【００６１】
図５（１）に示した工程では、基材１（第１の基材）、基材２（第２の基材）にそれぞれ電極（陽極、陰極）形成後、ハーフカットを行い、その後エレクトロルミネッセンス層を２つの基材上に分けて形成しそれぞれ第１部材、第２部材を作製した後、２つの部材を貼合し、その後、ハーフカット溝において不要部を除去して封止、補助電極を形成する。
【００６２】
図５（２）に示す工程では、基材１、基材２をハーフカットした後、ハーフカットした面と反対側の面に、補助フィルムをラミネートする。補助フィルムをラミネートすることで基材を強化しハーフカット部の変形や折れ等を防止でき、その後の工程でのロール搬送、巻き取り等において基材の変形が抑えられる。補助フィルムをラミネート後、基材１、基材２にそれぞれ電極を形成、有機エレクトロルミネッセンス層をそれぞれの基材上に分分けて形成し、作製した第１部材、第２部材を貼合する。貼合後、補助フィルムを除去し、ハーフカット部でそれぞれの基材から不要部を除去し、封止して、補助電極を形成する。
【００６３】
尚、ここで補助フィルムとしては、例えば基材として用いる後述の数μｍ〜１０μｍ程度の樹脂フィルム上に例えば着剤層を設けたもので図５（２）に示した工程では、ハーフカット後に基材フィルムとラミネーター等を用いラミネートするが、例えば第１電極形成後でもよく、また、必ずしも、ハーフカット後でなくともよい。いずれにしても、基材の裏面にラミネートされた補助フィルムを有するため後工程においてハーフカット部での折れや変形が起こりにくく、電極形成や有機ＥＬ層形成時に基材の折れや変形を防ぎ、形成される膜の均一性を保つことができる。
【００６４】
本発明においては、少なくとも第１の基材と第１の電極とエレクトロルミネッセンス層と第２の電極と第２の基材がこの順で積層された構造のエレクトロルミネッセンス素子を、この構造の中間部分で分離した二つの部材として製造し、両部材を貼合してエレクトロルミネッセンス素子を形成するが、第１の基材、第２の基材のうち一方の基材のみにエレクトロルミネッセンス層を形成し貼合してもよい。有機ＥＬ素子の場合第１の基材、第２の基材のどちらかに有機層を全て配置し、他方は電極層のみの構成となる。
【００６５】
有機ＥＬ素子の有機層構成は前記の他にも種々提案されており、例えば、支持体上に、陽極／正孔注入・輸送層／発光層／電子注入・輸送層／陰極等、最も単純には、陽極／発光層／陰極等の層構成からなる形態もあり、どの様な形態においても、何れかの層間で分離した第１の基材、及び第２の基材を作製してこれを貼合する。
【００６６】
これら有機ＥＬ素子における各有機層、各薄膜の膜厚は、１ｎｍ〜数μｍの範囲に亘るが、これらの有機層が第１の基材そして第２の基材上にそれぞれ分けて形成され、貼合することで、本発明の有機ＥＬ素子は形成される。
【００６７】
尚、上記各機能層については、公知文献を参照できる。
【００６８】
従って、第１の基材、第２の基材において、各基材上の有機層構成は、上記有機ＥＬ層構成のいかなる部分で分離されたものであってもよい。
【００６９】
有機ＥＬ素子は、電極間に単数又は複数の有機層を積層した構成であり、例えば、前記のような構成を有し、上記以外にも電子阻止層、また正孔阻止層、またバッファー層等適宜必要な層が所定の層順で積層され、両極から注入された正孔及び電子等のキャリア移動がスムースに行われるよう構成されている。
【００７０】
有機ＥＬ素子を構成するこれら各有機層において、発光層中に含有される有機発光材料としては、カルバゾール、カルボリン、ジアザカルバゾール等の芳香族複素環化合物、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体等があげられるが、本発明においてはこれに限られるものではなく、広く公知の材料を用いることができる。
【００７１】
また層中（成膜材料）には、好ましくは０．１〜２０質量％程度のドーパントが発光材料中に含まれてもよい。ドーパントとしては、ペリレン誘導体、ピレン誘導体等公知の蛍光色素等、また、リン光発光タイプの発光層の場合、例えば、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、ビス（２−フェニルピリジン）（アセチルアセトナート）イリジウム、ビス（２，４−ジフルオロフェニルピリジン）（ピコリナート）イリジウム、などに代表されるオルトメタル化イリジウム錯体等の錯体化合物が同様に０．１〜２０質量％程度含有される。発光層の膜厚は、１ｎｍ〜数百ｎｍの範囲に亘る。
【００７２】
正孔注入・輸送層中に用いられる材料としては、フタロシアニン誘導体、ヘテロ環アゾール類、芳香族三級アミン類、ポリビニルカルバゾール、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）などに代表される導電性高分子等の高分子材料が、また、発光層に用いられる、例えば、４，４′−ジカルバゾリルビフェニル、１，３−ジカルバゾリルベンゼン等のカルバゾール系発光材料、（ジ）アザカルバゾール類、１，３，５−トリピレニルベンゼンなどのピレン系発光材料に代表される低分子発光材料、ポリフェニレンビニレン類、ポリフルオレン類、ポリビニルカルバゾール類などに代表される高分子発光材料などが挙げられる。
【００７３】
電子注入・輸送層材料としては、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛等の金属錯体化合物もしくは以下に挙げられる含窒素五員環誘導体がある。即ち、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４′−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４″−ビフェニル）１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）］ベンゼン、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４′−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４″−ビフェニル）−１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル）］ベンゼン、２−（４′−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４″−ビフェニル）−１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル）］ベンゼン等が挙げられる。
【００７４】
有機ＥＬ素子、各有機層の膜厚は、０．０５〜０．３μｍ程度必要であり、好ましくは０．１〜０．２μｍ程度である。
【００７５】
また、有機層（有機エレクトロルミネッセンス層）の形成方法としては前記のように塗布及び印刷等が好ましい。
【００７６】
塗布は、スピン塗布、転写塗布、イクストリュージョン塗布等が使用できる。材料使用効率を考慮すると、転写塗布、イクストリュージョン塗布のようなパターン塗布できる方法が好ましく、特に転写塗布が好ましい。
【００７７】
また、印刷は、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷等が使用できる。表示素子としては膜が薄く、素子サイズが微小で、ＲＧＢのパターンの重ね等を考慮すると、オフセット印刷、インクジェット印刷のような高精度高精細印刷が好ましい。
【００７８】
各有機材料には溶解特性（溶解パラメータやイオン化ポテンシャル、極性）がそれぞれにあり、溶解できる溶媒には限定がある。またその際には溶解度もそれぞれ違うため、一概に濃度も決めることができないが、本発明において用いられる溶媒の種類は、成膜しようとする有機ＥＬ材料に応じて、前記の条件に適ったものを、公知の溶媒から選択すればよく、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン系炭化水素系溶媒や、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒、メタノールや、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、シクロヘキサノール，２−メトキシエタノール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、オクタン、デカン、テトラリン等のパラフィン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン系溶媒、ピリジン、キノリン、アニリン等のアミン系溶媒、アセトニトリル、バレロニトリル等のニトリル系溶媒、チオフェン、二硫化炭素などの硫黄系溶媒が挙げられる。
【００７９】
尚、使用可能な溶媒は、これらに限るものではなく、これらを二種以上混合して溶媒として用いてもよい。
【００８０】
これらのうち好ましい例としては、有機ＥＬ材料において、各機能層材料によっても異なるものの、大凡について、良溶媒としては、例えば芳香族系溶媒、ハロゲン系溶媒、エーテル系溶媒などであり、好ましくは、芳香族系溶媒、エーテル系溶媒である。また、貧溶媒としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、パラフィン系溶媒などが挙げられ、なかでもアルコール系溶媒、パラフィン系溶媒である。
【００８１】
本発明においては、予め、第１基板上に第１電極、また第２基板上に第２電極を形成しておくことが好ましく、電極形成には、蒸着等最適のプロセスを用いることができる。電極の形成は、樹脂フィルムを用いてロールツウロール形態で形成することが好ましい。
【００８２】
２つの電極のうち、正孔の注入を行う陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数をもつものが適しており、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、酸化スズ、酸化インジウム、ＩＴＯ等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。透光性であることが好ましく、透明電極としてはＩＴＯが好ましい。ＩＴＯ透明電極の形成方法としては、マスク蒸着またはフォトリソパターニング等が使用できるが、これに限られるものではない。
【００８３】
また、陰極として使用される導電性物質としては、４ｅＶより小さな仕事関数をもつものが適しており、マグネシウム、アルミニウム等。合金としては、マグネシウム／銀、リチウム／アルミニウム等が代表例として挙げられる。また、その形成方法は、マスク蒸着、フォトリソパターニング、メッキ、印刷等が使用できるが、これに限られるものではない。
【００８４】
また、本発明において、基材としては、ガラスまた、透明性樹脂フィルムが用いられる。少なくとも一方のハーフカットを行う基材としては透明樹脂フィルムである。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等、５０μｍ〜１０００μｍの厚みの樹脂フィルムが挙げられる。
【００８５】
また、樹脂フィルムの場合、シリカ蒸着フィルム、またアルミナ蒸着フィルム等の上記樹脂フィルム上にガスバリア層を形成したフィルムを用いると、湿気、酸素等に対する封止性をより向上させた素子を作製できる。また、発光を取り出さない側の基材としては金属ラミネートフィルム等もガスバリアフィルムとして用いることができる。
【００８６】
以上の如く、第１の基材そして第２の基材上にエレクトロルミネッセンス層を、この構造の中間部分で分離した二つの部材として製造し、これを貼合するエレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、貼合前に予め設けたハーフカットによる溝を利用して、貼合後に基材の不要部分を除去することで、層形成後直ぐに貼合を行うためにゴミ混入が少ないと共に、貼合後に補助電極スペースを容易に確保できる、また貼合後、他の電極を傷つけない製造方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】有機ＥＬ素子の貼合法による製造の各工程のブロック図である。
【図２】基材をハーフカットし貼合する本発明の素子製造方法のより具体的な実施形態を示す図である。
【図３】シート状ピナクルダイ及びロール状回転刃の模式図である。
【図４】ハーフカット溝で不要部分を引き剥がし電極部を露出させる様子を示す。
【図５】本発明の他の製造工程例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００８８】
１１、１２  供給ロール
２１、２２  コーターヘッド
３１、３２  ロール状回転刃
４  加圧ロール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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