(57)【要約】      （修正有）【課題】印加電圧によらず圧電特性が一定となるような圧電体及びそれを用いた圧電素子を提供する。【解決手段】基板１０と、この基板１０上に形成された電極１３と、この電極１３上に形成された圧電膜１４で構成される圧電体とにおいて、圧電膜１４は（ＮａｘＫｙＬｉｚ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０≦ｚ≦０．１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を主相とした結晶で構成される圧電膜であり、かつこの圧電膜１４は基板１０の表面の法線方向に〈００１〉軸、〈１１０〉軸のいずれか、もしくは両方の結晶軸に優先配向した多結晶薄膜であり、かつ各々の結晶軸に配向した結晶は基板１０の面内方向にも結晶軸が同じ向きに形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された電極と、該電極上に形成された圧電膜とで構成される圧電体において、
該圧電膜は（ＮａｘＫｙＬｉｚ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０≦ｚ≦０．１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を主相とした結晶で構成される圧電膜であり、
かつ該圧電膜は前記基板の表面の法線方向に〈００１〉軸、〈１１０〉軸のいずれか、もしくは両方の結晶軸に優先配向した多結晶薄膜であり、
かつ各々の結晶軸に配向した結晶は前記基板の面内方向にも結晶軸が同じ向きに形成されていることを特徴とした圧電体。
【請求項２】
前記基板はＳｉ基板もしくはＭｇＯ基板であり、前記電極はＰｔもしくはＰｔを含む積層構造をしている電極であることを特徴とした請求項１に記載の圧電体。
【請求項３】
基板と、該基板上に形成された電極と、該電極上に形成された圧電膜とで構成される圧電体において、
前記圧電膜は前記基板の表面の法線方向に複数の結晶軸に優先配向している多結晶薄膜であり、
かつ前記基板表面の法線方向に同一の配向軸を持った結晶は前記基板の面内方向にも結晶軸が同じ向きに形成されていることを特徴とした圧電体。
【請求項４】
圧電体において、
該圧電体は基板上に形成された多結晶体を有し、
かつ該多結晶体はある方向に複数の結晶軸に優先配向しており、
かつ前記基板の表面の法線方向に同一の配向性を有する結晶は互いに該方向に垂直な面内方向にも結晶軸が同じ方向となっていることを特徴とした圧電体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の圧電体の上にさらに電極を設けた構造を有する圧電素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は圧電体及び圧電体を用いた圧電素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電体は種々の目的に応じて様々な圧電素子に加工され、特に電圧を加えて変形を生じさせるアクチュエータや、逆に素子の変形から電圧を発生するセンサなどの機能性電子部品として広く利用されている。アクチュエータやセンサの用途に利用されている圧電体としては、大きな圧電特性を有する鉛系の誘電体、特にＰＺＴと呼ばれるＰｂ（Ｚｒ１−ｘＴｉｘ）Ｏ３系のペロブスカイト型強誘電体がこれまで広く用いられており、通常個々の元素からなる酸化物を焼結することにより形成されている。また、近年では環境への配慮から鉛を含有しない圧電体の開発が望まれており、ニオブ酸リチウムカリウムナトリウム（一般式（ＮａｘＫｙＬｉｚ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１））等が開発されている。このニオブ酸リチウムカリウムナトリウム（以下、ＬＫＮＮという）は、ＰＺＴに匹敵する圧電特性を有すことから、非鉛圧電材料の有力な候補として期待されている。
【０００３】
一方、現在、各種電子部品の小型化、高性能化が進むにつれ、圧電素子においても小型化、高性能化が強く求められるようになった。しかしながら、従来からの製法である焼結法を中心とした製造方法により作製した圧電材料は、その厚さが特に１０μｍ以下になると、材料を構成する結晶粒の大きさに近づき、その影響が無視できなくなる。そのため、特性のばらつきや劣化が顕著になるといった問題が発生し、それを回避するために、焼結法に変わる薄膜技術等を応用した圧電薄膜の形成法が近年研究されるようになってきた。最近、ＲＦスパッタリング法で形成したＰＺＴ薄膜が高精細高速インクジェットプリンタのヘッド用アクチュエータとして実用化されている。この圧電薄膜においても、上記の圧電焼結体と同様に鉛フリー材料が求められていることは言うまでもない。
なお、関連する技術として例えば特許文献１がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１５１７５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように非常に薄い圧電膜が作製可能となったことにより、現在圧電薄膜をセンサに用いる試みがなされている。圧電薄膜は変形するとその変位に比例して（表面に電荷が発生することにより）電圧を発生する。この現象を利用したセンサとしてジャイロセンサや圧カセンサ等がある。これらのセンサは変位していない時の電圧を基準値として、その変位量を電圧として取り出す。ジャイロセンサではコリオリの力を受けて、また圧カセンサでは圧力を受けてそれぞれ圧電薄膜が変位する。従って、これらのセンサに圧電薄膜を使用する場合、僅かな変位量でも十分に電圧を出力できる圧電薄膜であることが必要である。そのような圧電薄膜は、逆圧電効果を利用して電圧を印加した場合の変位を測定し、圧電定数を算出した場合、電圧によらず圧電定数が一定となるような膜である。
【０００６】
圧電薄膜は、例えばスパッタ法等で製膜する。我々は非鉛系圧電体であるＬＫＮＮ膜について検討を行っている。この薄膜を用いて上記のようなセンサを作製する場合、安価なシリコン基板上にＳｉＯ２膜を形成し、そのＳｉＯ２膜上に白金（Ｐｔ）等の電極を形成し、その電極上にスパッタ法を用いて圧電薄膜を形成する。このような構造の圧電薄膜を形成した場合、圧電薄膜は多結晶の状態となる。
【０００７】
上述した圧電薄膜は、一般的なセラミックス圧電体と同様に圧電特性に変位の大きさに対する依存性があり、変位と電圧が線形の関係にないという点が目立つ。つまり変位が小さいときは電圧が僅かしか発生せず、変位が大きいときは大きな電圧を発生する。そのような膜は、逆圧電効果を利用して印加電圧による変位を測定した場合、電圧が小さい時は圧電定数が小さく、電圧が大きいときは圧電定数が大きくなる膜である。このような特性の圧電薄膜は感度の良いセンサを作製する場合には適さない。
【０００８】
本発明の目的は、上述した従来技術の問題点を解消して、印加電圧によらず圧電特性が一定となるような圧電体及びそれを用いた圧電素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様によれば、基板と、該基板上に形成された電極と、該電極上に形成された圧電膜とで構成される圧電体において、該圧電膜は（ＮａｘＫｙＬｉｚ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０≦ｚ≦０．１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を主相とした結晶で構成される圧電膜であり、かつこの圧電膜は前記基板の表面の法線方向に〈００１〉軸、〈１１０軸〉のいずれか、もしくは両方の結晶軸に優先配向した多結晶薄膜であり、かつ各々の結晶軸に配向した結晶は前記基板の面内方向にも結晶軸が同じ向きに形成されていることを特徴とした圧電体が提供される。
基板はＳｉ基板もしくはＭｇＯ基板であり、電極はＰｔもしくはＰｔを含む積層構造であることが好ましい。
【００１０】
また、本発明の第２の態様によれば、基板と、この基板上に形成された電極と、この電極上に形成された圧電膜とで構成される圧電体において、前記圧電膜は前記基板の表面の法線方向に複数の結晶軸に優先配向している多結晶薄膜であり、かつ前記基板表面の法線方向に同一の配向軸を持った結晶は前記基板の面内方向にも結晶軸が同じ向きに形成されていることを特徴とした圧電体が提供される。
【００１１】
また、本発明の第３の態様によれば、圧電体において、この圧電体は基板上に形成された多結晶体を有し、かつこの多結晶体は、ある方向に複数の結晶軸に優先配向しており、かつ前記基板の表面の法線方向に同一の配向性を有する結晶は互いにこの方向に垂直な面内方向にも結晶軸が同じ方向となっていることを特徴とした圧電体が提供される。
【００１２】
また、本発明の第４の態様によれば、第１の態様〜第３の態様のいずれかに記載の圧電体の上にさらに電極を設けた構造を有する圧電素子が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、印加電圧によらず圧電特性が一定となるような圧電体及びそれを用いた圧電素子を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
前述したように従来の圧電薄膜は、変位と電圧の特性が線形の関係にない。このような特性の圧電薄膜は感度の良いセンサを作成する場合には適さない。この問題を解決する為に、我々は圧電薄膜結晶の“並び”に着目した。圧電薄膜は、ＳｉＯ２膜付シリコン基板上に下部電極となるＰｔ等の電極を形成し、その電極上にスパッタ法を用いて形成する。ＳｉＯ２膜上に形成されたＰｔは、自己配向によって基板表面の法線方向に〈１１１〉軸配向した多結晶膜として形成される。このような自己配向では各結晶粒は基板の面内方向に対しては互いに全く規則性のない向きに形成される。
【００１５】
このＰｔ電極上にＬＫＮＮ膜を形成すると、Ｐｔの結晶の“並び”に引きずられて、Ｐｔの結晶と関連のある向きに結晶が形成される。すなわち、ＬＫＮＮ膜も多結晶として形
成され、各々の結晶粒は、基板表面の法線方向にはＰｔ（１１１）面と格子整合するＬＫＮＮ（１１０）、（００１）面となるが、面内方向には互いに全く規則性がない状態で形成される。
【００１６】
そこで、我々は、下地の電極材料の結晶に、基板の面内方向にも規則性のある材料を用いることを試みた。単結晶薄膜となる電極材料や、多結晶薄膜でも基板の面内方向に規則性のある電極材料である。基板の面内方向にも規則性のある電極材料としては、ＭｇＯ（００１）基板上に形成されたＰｔ（００１）電極や、Ｓｉ基板上に酸化膜なしに直接形成したＰｔ電極等がある。
【００１７】
これら単結晶薄膜で構成された電極や、多結晶薄膜でも面内方向に規則性のある電極上にＬＫＮＮ膜を形成した場合、ＬＫＮＮ膜は基板表面の法線方向に〈００１〉軸と〈１１０〉軸との二種類の軸に配向した多結晶薄膜となったが、これら二つの配向をもつそれぞれの結晶粒は面内方向にも同じ向きに形成されていた。つまり〈００１〉軸に配向した結晶粒はどの結晶粒も面内方向に同じ向きで形成されており、〈１１０〉軸に配向した結晶粒も同様であった。
【００１８】
このＬＫＮＮ膜の圧電特性を測定すると、印加電圧に対して圧電定数が一定であることが判った。この結果から、印加電圧に関わらず一定の圧電定数にするには、基板表面の法線方向に複数の配向軸を持ち、かつ面内方向にもそれぞれの配向軸を持つ結晶粒が同じ向きに形成されている圧電薄膜を形成することで達成されることを見出した。
【００１９】
第１の実施の形態の圧電体は、基板と、この基板上に形成された電極と、この電極上に形成された圧電膜とで構成される圧電体において、圧電膜は（ＮａｘＫｙＬｉｚ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０≦ｚ≦０．１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を主相とした結晶で構成される圧電膜であり、かつこの圧電膜は前記基板の表面の法線方向に〈００１〉軸と〈１１０〉軸の結晶軸に優先配向した多結晶薄膜であり、かつ各々の結晶軸に配向した結晶は前記基板の面内方向にも結晶軸が同じ向きに形成されている圧電体である。
【００２０】
基板はＳｉ基板もしくはＭｇＯ基板であり、電極はＰｔもしくはＰｔを含む積層構造であることが好ましい。圧電膜の膜成長には、下地層となる電極材料が重要になる。Ｓｉ基板上のＰｔは、自己配向性のため、Ｐｔ（１１１）にのみ強く配向した膜が得られる。ＭｇＯ（１００）上のＰｔは、ＭｇＯ（１００）面と格子整合するＰｔ（１００）に強く配向した膜が得られる。圧電膜は（ＮａｘＫｙＬｉｚ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０≦ｚ≦０．１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を主相とした結晶で構成される圧電膜である。このＬＫＮＮは、ペロブスカイト構造を有する材料であり、非鉛圧電材料の有力な候補である。
【００２１】
また、圧電膜は基板の表面の法線方向に〈００１〉軸と〈１１０〉軸の結晶軸に優先配向した多結晶薄膜である。ＬＫＮＮ膜は〈００１〉軸または〈１１０〉軸方向に分極して圧電特性を示すため、基板表面に対して法線方向に〈００１〉軸と〈１１０〉軸とが配向していることが好ましい。さらに各々の結晶軸に配向した結晶は、基板の面内方向にも結晶軸が同じ向きに形成されていることが好ましい。基板に垂直に結晶が揃っていても（配向膜）、基板面内で結晶が揃っていないと、印加電圧に対して圧電定数が一定にならない。
【００２２】
この第１の実施の形態によれば、印加電圧によらず圧電特性が一定となるような圧電体を形成することができる。
【００２３】
第２の実施の形態の圧電体は、基板と、この基板上に形成された電極と、この電極上に
形成された圧電膜とで構成される圧電体において、この圧電膜は前記基板の表面の法線方向に複数の結晶軸に優先配向している多結晶薄膜であり、かつ前記基板表面の法線方向に同一の配向軸を持った結晶は前記基板の面内方向にも結晶軸が同じ向きに形成されていることを特徴とした圧電体である。
印加電圧に関わらず一定の圧電定数にするには、基板表面の法線方向に複数の配向軸を持ち、かつ面内方向にもそれぞれの配向軸を持つ結晶粒が同じ向きに形成されている圧電薄膜を形成することが好ましい。
この第２の実施の形態によれば、印加電圧によらず圧電特性が一定となるような圧電体を形成することができる。
【００２４】
第３の実施の形態の圧電体は、基板と、この基板上に形成された電極と、この電極上に形成された圧電膜とで構成される圧電体において、この圧電体は多結晶体であり、かつこの多結晶体はある方向に複数の結晶軸に優先配向しており、かつ前記基板の表面の法線方向に同一の配向性を有する結晶は互いにこの方向に垂直な面内方向にも結晶軸が同じ方向となっている圧電体である。
圧電体は多結晶体であり、かつこの多結晶体はある方向に複数の結晶軸に優先配向しており、かつ基板表面の法線方向に同一の配向性を有する結晶は互いにこの方向に垂直な面内方向にも結晶軸が同じ方向となっていると、印加電圧によらず圧電特性が一定となるような圧電体を形成することができる。
【００２５】
第４の実施の形態の圧電素子は、第１〜第３の実施の形態のいずれかに記載の圧電体の上にさらに電極を設けた構造を有する圧電素子である。電極はＰｔもしくはＰｔを含む積層構造をしている電極であることが好ましい。
この実施の形態によれば、印加電圧によらず圧電特性が一定となるような圧電素子、例えばアクチュエータやセンサなどの機能性電子部品を形成することができる。
【００２６】
なお、本明細書でのＬＫＮＮ結晶の単位格子はＩＣＤＤに記載されるＫＮｂＯ３（ＩＣＤＤ  ｎｕｍｂｅｒ  ３２−０８２２）と同じ単位格子を定義し、リチウム、ナトリウムはカリウムのサイトを置換しているものとする。なお、ａ軸、ｂ軸、ｃ軸の向きは、それぞれの単位格子の長さをＡ、Ｂ、ＣとするとＣ＜Ａ＜Ｂとなる向きとする。
【実施例】
【００２７】
圧電膜として膜厚３μｍのＬＫＮＮ膜を含む圧電体の試料を形成した実施例１、２及び比較例について説明する。
【００２８】
〈実施例１〉
まず、ＬＫＮＮ膜１４を形成する電極付基板を用意する。
図１に示すように、基板には、熱酸化しないＳｉ（００１）基板１０を使用した。この熱酸化膜無しＳｉ基板１０上に、Ｐｔ電極１３を直接形成した。このときのＰｔ電極１３の製膜にはスパッタ法を用いた。基板温度は３００℃とし、Ｐｔ電極１３の下地となるＳｉ基板１０基板の結晶性を引き継ぐように７００℃で製膜を行った。Ｓｉ基板１０上に直接Ｐｔ電極１３を形成した場合、Ｐｔ結晶は、Ｓｉ基板１０の表面の法線方向に〈１１１〉軸配向しており、軸方向に配向したＰｔ結晶はＳｉ基板１０の面内方向にも結晶軸が同じ向きに揃っていた。このようにして電極のＰｔの結晶が面内方向にも規則的に並んでいる電極付基板を用意した。
【００２９】
つぎに、この電極付基板上にＬＫＮＮ膜１４を形成した。ＬＫＮＮ膜１４の組成は（ＮａｘＫｙＬｉｚ）ＮｂＯ３、ｘ＝０．４９５、ｙ＝０．４９５、ｚ＝０．０１とした。また、製膜方法はＲＦマグネトロンスパッタ法を用いた。製膜条件は基板温度６００℃、スパッタガスにはアルゴンガスと酸素ガスを用い、その比率は１００：２、ＲＦ電力は２０
０Ｗとした。ＬＫＮＮ膜Ｌの製膜後、ＬＫＮＮ膜Ｌの膜厚を段差計を用いて計測したところ、３μｍであった。このようにして膜厚３μｍのＬＫＮＮ膜１４を含む圧電体（ＬＫＮＮ膜付基板）を形成した。
【００３０】
〈実施例２〉
図２に示すように、基板にＭｇＯ基板９を使用した点以外は、実施例１と同じ条件で、ＭｇＯ基板９上に直接Ｐｔ電極１３を形成した。ＭｇＯ基板９上に直接Ｐｔ電極１３を形成した場合、実施例１と同様に、Ｐｔ結晶は、ＭｇＯ基板９の表面の法線方向に〈１００〉軸配向しており、軸方向に配向したＰｔ結晶はＳｉ基板１０の面内方向にも結晶軸が同じ向きに揃っていた。このＰｔ電極１３上に実施例１と同じ条件でＬＫＮＮ薄膜１４を形成して、膜厚３μｍのＬＫＮＮ膜を含む圧電体を形成した。
【００３１】
〈比較例〉
図３に示すように、Ｓｉ（００１）基板１０上に熱酸化してＳｉＯ２膜１１を形成し、ＳｉＯ２膜１１上に密着性を向上させる為にチタン膜（Ｔｉ膜）１２を形成した点を除き、ＳｉＯ２膜付き基板上に、実施例１と同じ条件でＰｔ電極１３を形成した。Ｓｉ基板１０上にＳｉＯ２膜１１を形成した場合は、Ｐｔ結晶は、Ｓｉ基板１０の結晶性を全く引き継がないことから、Ｓｉ基板１０の表面の法線方向にはＰｔの自己配向により〈１１１〉軸配向しているが、面内方向には規則性はなかった。この面内方向に結晶の規則性がないＰｔ電極１３上に、実施例１と同じ条件でＬＫＮＮ薄膜１４を形成して、膜厚３μｍのＬＫＮＮ膜を含む圧電体を形成した。
【００３２】
〈実施例１、２と比較例の比較結果〉
このようにして作製した実施例１、２と比較例のＬＫＮＮ膜の配向性を調べる目的で、ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｅｄ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定を行った。図４〜図６にその結果を極点図で示す。極点図を使うのは面内配向性を判断するためである。図４〜図６において、（ａ）は｛００１｝、（ｂ）は｛１００｝、（ｃ）は｛０１０｝の極点図、（ｄ）は基板の表面に対して法線方向から見た逆極点図を示す。また、極点図におけるＴＤは横方向、ＲＤは圧延方向を示す。紙面に垂直な方向は圧延面法線方向（ＮＤ）である。
【００３３】
熱酸化膜無しＳｉ基板上にＬＫＮＮ膜を形成した実施例１と、ＭｇＯ基板上にＬＫＮＮ膜を形成した実施例２では、ＬＫＮＮ膜は、基板の表面の法線方向には〈００１〉軸と〈１１０〉軸とに配向しており、かつ面内方向にも規則的に形成されていることが図４、図５から分る。図５では図４より明りょうな極点図が得られ、図４では極が明りょうに見られる図５よりもやや弱く見られる。なお、強度スケールはｍｉｎ−５．６５３、ｍａｘ５２．６９２で、下から上に向かって強度が強くなり、ｍａｘの値は最も明るい極がとり、ｍｉｎの値は最も暗い背景がとる。
【００３４】
一方、熱酸化膜付Ｓｉ基板上にＬＫＮＮ膜を形成した比較例では、ＬＫＮＮ膜は、Ｓｉ基板の表面に対して法線方向には〈００１〉軸と〈１１０〉軸とに配向しているが、面内方向には全く規則性がないことが図６の極点図（ａ）〜（ｃ）、及び逆極点図（ｄ）から分る。図６では図４よりも不明りょうな極点図が得られ、同心状の分布が見られる。なお、図６においては強度スケールはｍｉｎ−３．７３７、ｍａｘ４８．２８９である。
【００３５】
なお、基板の表面の法線方向に特定の配向軸、例えば〈００１〉、〈１１０〉軸に配向している結晶粒の割合は全体の８５％以上であり、基板の表面の法線方向、及び基板の面内方向に並んでいる結晶粒の結晶軸の向きのブレは±１０°以内であった。
【００３６】
これらの試料について圧電特性の測定を実施した。測定装置には、図１０に示すような
、除震台２０上に形成されたユニモルフカンチレバー２１を用いて行った。まず、実施例１、２及び比較例のＬＫＮＮ膜付基板から長さ２０ｍｍ、幅３ｍｍの短冊形の試料２２を切り出し、その試料２２の長手方向の端をクランプ２３で固定することで簡易的なユニモルフカンチレバー２１を形成した（図１０（ａ））。この状態で試料２２のＰｔ電極２４と、試料２２上に形成された上部電極２５との間のＬＫＮＮ膜２６に電圧を印加することで、ＬＫＮＮ膜２６を伸縮させユニモルフカンチレバー２１の先端を動作させた（矢印）。その先端変位量Δ（図１０（ｂ））をレーザードップラ変位計２７で測定した。測定結果を図７〜図９に示す。これらの図において、横軸は印加電圧（Ｖ）、縦軸は圧電定数（−ｐｍ／Ｖ）である。
【００３７】
図７及び図８にそれぞれ示すように熱酸化膜無しＳｉ基板上にＬＫＮＮ膜を形成した実施例１、及びＭｇＯ基板上にＬＫＮＮ膜を形成した実施例２では、圧電定数ｄ３１が一定となっていることが判った。これに対して図９に示すように熱酸化膜付Ｓｉ基板上にＬＫＮＮ膜を形成した比較例では、印加電圧に対して圧電定数ｄ３１が一定ではなく、電圧が小さいときは圧電特性が小さかった。この結果から、基板表面の法線方向だけでなく、基板の面内方向にも規則的に結晶が並んでいる圧電薄膜を形成することで、印加電圧に関わらず一定の圧電定数とすることが可能となることが判った。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施例１における熱酸化膜無しＳｉ基板上に形成されたＬＫＮＮ膜を備えた圧電体の構成図である。
【図２】本発明の実施例２におけるＭｇＯ基板上に形成されたＬＫＮＮ膜を備えた圧電体の構成図である。
【図３】比較例における熱酸化膜付Ｓｉ基板上に形成されたＬＫＮＮ膜を備えた圧電体の構成図である。
【図４】本発明の実施例１における熱酸化膜無しＳｉ基板上に形成されたＬＫＮＮ膜を備えた圧電体のＥＢＳＤ測定結果図であり、（ａ）〜（ｃ）は極点図、（ｄ）は逆極点図である。
【図５】本発明の実施例２におけるＭｇＯ基板上に形成されたＬＫＮＮ膜を備えた圧電体のＥＢＳＤ測定結果図であり、（ａ）〜（ｃ）は極点図、（ｄ）は逆極点図である。
【図６】比較例における熱酸化膜付Ｓｉ基板上に形成されたＬＫＮＮ膜を備えた圧電体のＥＢＳＤ測定結果図であり、（ａ）〜（ｃ）は極点図、（ｄ）は逆極点図である。
【図７】本発明の実施例１における熱酸化膜無しＳｉ基板上に形成されたＬＫＮＮ膜を備えた圧電体の圧電特性図である。
【図８】本発明の実施例２におけるＭｇＯ基板上に形成されたＬＫＮＮ膜を備えた圧電体の圧電特性図である。
【図９】比較例における熱酸化膜付Ｓｉ基板上に形成されたＬＫＮＮ膜を備えた圧電体の圧電特性図である。
【図１０】圧電特性を測定するために実施例及び比較例で用いたユニモルフカンチレバーの形状と測定の模式図である。
【符号の説明】
【００３９】
９    ＭｇＯ基板
１０    Ｓｉ基板
１１    ＳｉＯ２膜
１２    Ｔｉ膜
１３    Ｐｔ電極
１４    ＬＫＮＮ膜（圧電膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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