(57)【要約】【課題】例えば液晶装置等の電気光学装置において、各画素に設けられた蓄積容量を構成する誘電体膜の膜質を向上させる。【解決手段】電気光学装置用基板は、基板（１０）上の画素毎に設けられたトランジスタ（３０）と、基板上でトランジスタより上層側に配置されており、固定電位側電極（３００ａ）、誘電体膜（７５）及び画素電位側電極（７１）が下層側から順に積層されてなる蓄積容量（７０）と、蓄積容量よりも層間絶縁膜（４３）を介して上層側に配置されており、画素毎に設けられると共に層間絶縁膜に開孔された第１のコンタクトホール（８９）を介して画素電位側電極と電気的に接続され、且つ、画素電位側電極とトランジスタとを電気的に中継接続する中継電極としても機能する画素電極（９ａ）とを備える。【選択図】図５
2008191618.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、
前記データ線及び走査線の交差に対応する画素毎に設けられたトランジスタと、
前記基板上で前記トランジスタより上層側に配置されており、固定電位側電極、誘電体膜及び画素電位側電極が下層側から順に積層されてなる蓄積容量と、
前記蓄積容量より上層側に配置されており、前記画素毎に設けられると共に前記画素電位側電極と電気的に接続された画素電極と、
前記画素電位側電極より層間絶縁膜を介して上層側に配置されており、前記層間絶縁膜に開孔された第１のコンタクトホールを介して前記画素電位側電極に電気的に接続されると共に、前記画素電位側電極と前記トランジスタとを電気的に中継接続する第１中継電極と
を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
前記画素電極は、前記第１中継電極を兼ねることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項３】
前記蓄積容量は、前記データ線より上層側に配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置用基板。
【請求項４】
前記固定電位側電極及び前記データ線のうち少なくとも一方を構成する導電膜と同一膜からなると共に前記第１中継電極と前記トランジスタとを電気的に中継接続する第２中継電極を備えることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置用基板。
【請求項５】
前記第２中継電極は、前記固定電位側電極と同一膜からなる一の中継電極を含み、
前記第１中継電極及び前記一の中継電極は、前記層間絶縁膜及び前記誘電体膜を貫通して開孔された第２のコンタクトホールを介して互いに電気的に接続される
を特徴とする請求項４に記載の電気光学装置用基板。
【請求項６】
前記画素電位側電極は、前記データ線及び前記固定電位側電極の各々の膜厚よりも薄い膜厚を有することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置用基板。
【請求項７】
前記画素電位側電極及び前記固定電位側電極は夫々、金属膜からなることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項８】
前記基板上に、前記固定電位側電極に電気的に接続された容量線を備えることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置用基板。
【請求項９】
前記データ線は、金属膜からなることを特徴とする請求項７又は８に記載の電気光学装置用基板。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、及び該電気光学装置用基板を備えてなる電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置は、基板上に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを備え、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。そして、基板上には、これら走査線やデータ線、ＴＦＴ等を夫々構成する導電膜や半導体膜等の各種機能膜が積層された積層構造が、各画素に形成される。この積層構造における例えば最上層に画素電極が配置される。
【０００３】
例えば特許文献１に開示されているように、高コントラスト化等を目的として、基板上の積層構造におけるＴＦＴと画素電極との間に蓄積容量が設けられることがある。そして、蓄積容量の誘電体膜を挟持する２種の電極のうち、下側電極より上層側に位置する上側電極は、誘電体膜に開孔されたコンタクトホールを介して、ＴＦＴに電気的に接続される。
【０００４】
このコンタクトホールは、電気光学装置の製造プロセスにおいて、上側電極を形成する前に、例えば、誘電体膜上にレジストを塗布した後、このレジストを介してエッチングを誘電体膜に対して施すことにより開孔される。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２８１６８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したような積層構造によれば、コンタクトホールを誘電体膜に開孔する工程において、誘電体膜上にレジストを形成及び剥離することが必要となり、誘電体膜の表面がレジストを構成する材料の残存等により汚染されたり、誘電体膜の表面が削られることにより誘電体膜の膜厚が設計値からずれたりする事態が生じてしまうおそれがある。本来、蓄積容量の性能や信頼性を向上させるためには、誘電体膜に対しては厳しい界面制御を求められる。しかしながら、誘電体膜に対して、上側電極を形成する前にコンタクトホールを開孔する等の加工が施されると、上述したような汚染や膜厚のずれによって、誘電体膜の膜質が劣化してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。即ち、上述したような積層構造によれば、誘電体膜の膜質の劣化によって、誘電体膜の耐圧が低下してしまい、リーク電流が増大してしまうおそれがある。
【０００７】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みなされたものであり、蓄積容量を構成する誘電体膜の膜質を向上させることができ、高品質な画像を表示可能な電気光学装置用基板、及びそのような電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、並びにそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置用基板は上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、前記データ線及び走査線の交差に対応する画素毎に設けられたトランジスタと、前記基板上で前記トランジスタより上層側に配置されており、固定電位側電極、誘電体膜及び画素電位側電極が下層側から順に積層されてなる蓄積容量と、前記蓄積容量より上層側に配置されており、前記画素毎に設けられると共に前記画素電位側電極と電気的に接続された画素電極と、前記画素電位側電極より層間絶縁膜を介して上層側に配置されており、前記層間絶縁膜に開孔された第１のコンタクトホールを介して前記画素電位側電極に電気的に接続されると共に、前記画素電位側電極と前記トランジスタとを電気的に中継接続する第１中継電極とを備える。
【０００９】
本発明の電気光学装置用基板を用いた電気光学装置によれば、その動作時には、走査線を介して走査信号がトランジスタに順次供給され、データ線からトランジスタを介して画像信号が画素電極及び蓄積容量に書き込まれる。これにより、複数の画素における、アクティブマトリクス駆動等の所定種類の動作が可能となる。この際、蓄積容量の存在により、画素電極における電位保持特性が向上し、コントラストやフリッカといった表示特性の向上が可能となる。
【００１０】
ここに、蓄積容量は、画素電位側電極及び固定電位側電極間に誘電体膜が挟持されてなる。本発明では、固定電位側電極は、下側電極として形成され、画素電位側電極は、基板上の積層構造において下側電極よりも上層側に配置される上側電極として形成される。画素電位側電極は、当該画素電位側電極よりも上層側に配置される画素電極と電気的に接続される。誘電体膜は、例えば、画素毎の開口領域の間隙に位置する非開口領域に形成される。固定電位側電極は、上述したような電気光学装置の動作時、画像データの内容によらずに少なくとも所定期間ずつ電位が固定される。即ち、固定電位側電極は、例えば、接地電位或いはグランド電位の如く、時間軸に対して完全に一定電位に固定される。或いは、固定電位側電極は、共通電極電位或いは対向電極電位の如く、例えば画像信号に係る奇数フィールド期間で第１の固定電位に固定されると共に偶数フィールド期間で第２の固定電位に固定されるというように、時間軸に対して一定期間ずつ一定電位に固定されるようにしてもよい。
【００１１】
本発明では特に、蓄積容量よりも上層側に配置され、画素電位側電極とトランジスタとを電気的に中継接続する（言い換えれば、画素電位側電極及びトランジスタ間の電気的接続を中継する）第１中継電極を備える。即ち、第１中継電極は、画素電位側電極より層間絶縁膜を介して上層側に配置されており、該層間絶縁膜に開孔された第１のコンタクトホールを介して画素電位側電極に電気的に接続される。更に、第１中継電極は、例えば、少なくとも層間絶縁膜及び誘電体膜を貫通して開孔された第２のコンタクトホールを介して、蓄積容量よりも下層側に配置されたトランジスタに電気的に接続される。加えて、画素電極は、画素電位側電極より上層側に配置された第１中継電極を介して画素電位側電極と電気的に接続されるようにしてもよいし、画素電極が第１中継電極を兼ね、画素電位側電極とトランジスタとを電気的に中継接続するようにしてもよい。
【００１２】
よって、本発明の構成によれば、電気光学装置用基板を製造する際、第１中継電極と画素電位側電極とを互いに電気的に接続するための第１のコンタクトホールは、上側電極としての画素電位側電極を形成した後（即ち、蓄積容量の形成後）に、画素電位側電極よりも上層側に配置された層間絶縁膜に開孔される。更に、例えば、第１中継電極と蓄積容量よりも下層側に配置されたトランジスタを電気的に接続するための第２のコンタクトホールも、第１のコンタクトホールと同様に、蓄積容量の形成後に、例えば第１のコンタクトホールを開孔する工程と同一の工程によって、層間絶縁膜及び誘電体膜を貫通して開孔される。
【００１３】
従って、画素電位側電極をそれよりも下層側のトランジスタに電気的に接続するためのコンタクトホールを開孔するために、誘電体膜の表面に対してレジストを塗布し且つ除去する処理が行われる事態を回避することが可能となる。これにより、誘電体膜の表面が、レジストの塗布や除去によって汚染されたり削られたりする事態を防止できる。即ち、電気光学装置用基板を製造する際、誘電体膜の界面制御の精度を高めることができる、或いは、誘電体膜を成膜した後における該誘電体膜の膜質の劣化を防止できる。これにより、例えば誘電体膜の耐圧の低下によるリーク電流の発生など、蓄積容量の動作不良の発生を低減或いは防止できる。この結果、本発明の電気光学装置用基板によれば、高品質な表示が可能であると共に、信頼性の高い電気光学装置を提供することが可能となる。
【００１４】
以上説明したように、本発明の電気光学装置用基板によれば、各画素における蓄積容量を構成する誘電体膜の膜質を向上させることが可能であり、蓄積容量の動作不良の発生を低減或いは防止できる。
【００１５】
本発明の電気光学装置用基板の一態様では、前記第１中継電極を兼ねる。
【００１６】
この態様によれば、画素電位側電極は、それよりも上層側に開孔された第１のコンタクトホールを介して画素電極に電気的に接続されると共に、画素電極を介してトランジスタと電気的に接続される。よって、画素電位側電極よりも上層側（例えば、基板上の積層構造における画素電位側電極と画素電極との間）において、画素電極とは別途に第１中継電極を設ける構成と比較して、画素の積層構造、又は各種構成要素の配置に係る構成即ちレイアウト構成を簡略化することが可能となる。
【００１７】
本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記蓄積容量は、前記データ線より上層側に配置される。
【００１８】
この態様によれば、蓄積容量の容量をより大きく確保すると共に、画素電極の電位を安定化させることが可能となる。
【００１９】
即ち、仮に、蓄積容量が、基板上でデータ線よりも下層側に配置される場合、即ち、データ線が蓄積容量よりも上層側に配置される場合には、蓄積容量よりも上層側に配置されたデータ線と、蓄積容量よりも下層側に配置されたトランジスタとの間を電気的に接続するためのコンタクトホールの配置を避けて、蓄積容量を形成する必要がある。しかるに、この態様よれば、データ線とトランジスタとの間を電気的に接続のためのコンタクトホールの上層側に、基板上で平面的に見て、該コンタクトホールと重ねて蓄積容量を形成することが可能である。従って、基板上のより広い面積を有する領域に蓄積容量を形成でき、蓄積容量の容量値を増大させることができる。
【００２０】
また、基板上の積層構造において、画素電極とデータ線との間に蓄積容量を介在させて配置することができる。更に、蓄積容量とデータ線との基板上の積層構造における配置関係に着目すれば、画素電位側電極とデータ線との間に固定電位側電極を介在させることが可能となる。従って、基板上の積層構造において、画素電極又は画素電位側電極が、データ線に近接しないように配置することができる。更に、画素電極又は画素電位側電極と、データ線との間に固定電位側電極を介在させて配置させることで、固定電位側電極が介在しない構成と比較して、データ線からの電磁的な干渉を低減することが可能となる。これにより、データ線からの電磁的な干渉により、画素電極又は画素電位側電極の電位が変動するのを防止する、或いは視認されるほどの表示不良を発生させない程度に電位の変動を小さくすることができる。
【００２１】
上述した、蓄積容量がデータ線より上層側に配置される態様では、前記固定電位側電極及び前記データ線のうち少なくとも一方を構成する導電膜と同一膜からなると共に前記第１中継電極と前記トランジスタとを電気的に中継接続する第２中継電極を備えるようにしてもよい。
【００２２】
この場合には、第２中継電極によって、第１中継電極とトランジスタとが電気的に中継接続されるので、第１中継電極及びトランジスタ間の層間距離が長くて一つのコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となる事態を、回避できる。更に、第２中継電極によって、第１中継電極及びトランジスタ間（言い換えれば、画素電位側電極及びトランジスタ間）の電気的な抵抗を低減する（即ち、低抵抗化させる）ことが可能となる。加えて、固定電位側電極及びデータ線の各々と互いに異なる層に第２中継電極を配置する構成と比較して、画素の積層構造や各種構成要素のレイアウト構成を簡略化することができる。また、固定電位側電極或いはデータ線の形成と同一機会に第２中継電極も形成することができ、製造プロセスをより簡略化させることが可能となる。
【００２３】
尚、本発明に係る「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。また「同一膜からなる」とは、一枚の膜として連続していることまでも要求する趣旨ではなく、基本的に、同一膜のうち相互に分断されている膜部分であれば足りる趣旨である。
【００２４】
上述した、第２中継電極を備える態様では、前記第２中継電極は、前記固定電位側電極と同一膜からなる一の中継電極を含み、前記第１中継電極及び前記一の中継電極は、前記層間絶縁膜及び前記誘電体膜を貫通して開孔された第２のコンタクトホールを介して互いに電気的に接続されるようにしてもよい。
【００２５】
この場合には、第１及び第２のコンタクトホールを同一機会に容易に開孔することができるため、製造プロセスをより簡略化させることが可能となる。即ち、この場合には、第１中継電極及び一の中継電極間の層間距離は、第１中継電極及び画素電位側電極間の層間距離と比べて、例えば誘電体膜の膜厚分だけ長い。しかしながら、誘電体膜は、例えば画素電位側電極の膜厚よりも薄い膜厚を有するため、第１及び第２のコンタクトホールを同一機会に開孔しても、第２のコンタクトホールを介して第１中継電極及び一の中継電極を互いに電気的に接続できると共に第１のコンタクトホールが画素電位側電極を貫通してしまう事態を回避できる。
【００２６】
上述した、第２電極が一の中継電極を含む態様では、前記画素電位側電極は、前記データ線及び前記固定電位側電極の各々の膜厚よりも薄い膜厚を有するように構成してもよい。
【００２７】
このように構成すれば、例えば、層間絶縁膜にＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）処理等の平坦化処理が施された場合においても、第１及び第２のコンタクトホールを同一機会に容易に開孔することができる。即ち、第１中継電極及び一の中継電極間の層間距離が、第１中継電極及び画素電位側電極間の層間距離と比べて、画素電電位側電極の膜厚と誘電体膜の膜厚との合計膜厚分だけ長い場合であっても、画素電位側電極がデータ線や固定電位側電極の膜厚よりも薄い膜厚を有するので、第２のコンタクトホールを介して第１中継電極及び一の中継電極を互いに電気的に接続できると共に第１のコンタクトホールが画素電位側電極を貫通してしまう事態を回避できる。
【００２８】
本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記画素電位側電極及び前記固定電位側電極は夫々、金属膜からなる。
【００２９】
この態様によれば、画素電位側電極及び固定電位側電極は夫々、金属材料を含む金属膜から形成される。即ち、これらの電極は夫々単層の金属膜から形成されてもよいし、金属膜及び他の導電材料からなる導電膜を複数層に積層して形成してもよい。
【００３０】
従って、画素電位側電極及び固定電位側電極の各々の電気的な抵抗を、例えばこれらがポリシリコンを含む導電材料から形成される場合と比較して低抵抗として、蓄積容量をＭＩＭ（Metal Insulator Metal）構造により形成することができる。これにより、誘電体膜を、高誘電率を有する誘電体材料（即ち、High-k材料）から形成することが可能となる。よって、蓄積容量の容量をより大きく確保することができる。
【００３１】
上述した、画素電位側電極及び固定電位側電極が金属膜からなる態様では、前記基板上に、前記固定電位側電極に電気的に接続された容量線を備えるように構成してもよい。
【００３２】
この場合には、容量線を固定電位側電極と一体的に同一膜から形成することで、容量線の電気的な抵抗を低減でき（即ち、低抵抗化でき）、容量線の電位及び固定電位側電極の電位を安定化させることができる。
【００３３】
ここに、容量線は、例えば、走査線又はデータ線が延在する方向に沿って、走査線に沿って配置される画素に共通に、これに加えて若しくは代えてデータ線に沿って配置される画素に共通に、ストライプ状或いは格子状のパターン形状で形成される。従って、このような容量線の構成によれば、基板上において容量線の配置面積は、走査線やデータ線と同等に、比較的大きくなる。よって、この容量線を固定電位側電極と一体的に形成することで、蓄積容量の容量値をより大きく確保することが可能となる。また、容量線の配置面積が大きくなっても、これを固定電位側電極と一体的に同一膜により形成することで、電気的な抵抗を低抵抗とすることが可能となる。
【００３４】
上述した、画素電位側電極及び固定電位側電極が金属膜からなる態様では、前記データ線は、金属膜からなるように構成してもよい。
【００３５】
この場合には、データ線の電気的な抵抗を低減でき、データ線の電位を安定化させることができる。
【００３６】
更に、画素電位側電極及び固定電位側電極、並びにデータ線は、基板上において互いに層間絶縁膜を介して配置される３層の金属膜により夫々形成することができる。既に説明したように、画素電位側電極及び固定電位側電極並びにデータ線の各々は、単層の金属膜から形成されてもよいし、金属膜及び他の導電材料からなる導電膜を複数層に積層して形成してされてもよい。従って、基板上でトランジスタの上層側に、３層の金属膜が配置されることで、それよりも上層側より入射される光を、これら３層の金属膜により、より確実に遮光することが可能となる。その結果、トランジスタの光リーク電流を低減できる。
【００３７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置用基板（但し、その各種態様も含む）を備える。
【００３８】
本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明の電気光学装置用基板を備えているため、高品質な画像を表示可能な電気光学装置を提供することができる。
【００３９】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。
【００４０】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなど、更には電気光学装置を露光用ヘッドとして用いたプリンタ、コピー、ファクシミリ等の画像形成装置などの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００４１】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００４３】
先ず、本実施形態における液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
【００４４】
図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に、対向基板の側から見た液晶装置の概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００４５】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板である。対向基板２０は、例えばＴＦＴアレイ基板１０と同様の材料からなる透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４６】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。本実施形態に係る液晶装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【００４７】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４８】
ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７、走査線駆動回路１０４、外部回路接続端子１０２が夫々形成されている。
【００４９】
ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域において、シール領域より外周側に、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域より内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画像表示領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置されている。
【００５０】
走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００５１】
ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して設けられており、該端子１０６に電気的に接続されている。
【００５２】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電膜からなる画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜１６が形成されている。尚、本実施形態では、画素スイッチング素子はＴＦＴのほか、各種トランジスタにより構成されてもよい。
【００５３】
他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２中遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極２１上（図２中対向電極２１より下側）には配向膜２２が形成されている。
【００５４】
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の動作時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９ａと対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。
【００５５】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００５６】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。
【００５７】
図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００５８】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９ａ及び本発明に係る「トランジスタ」の一例としてのＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５９】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。
【００６０】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００６１】
ここで、保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶保持容量に対して電気的に並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極（即ち、後述する上側電極７１）は、画素電極９ａと電気的に並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極（即ち、後述する下側電極３００ａ）は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００６２】
尚、後述するように、蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０へ入射する光を遮る内蔵遮光膜としても機能する。また、容量線３００は、データ線６ａの延在方向（即ち、Ｙ方向）に沿って配線されている。
【００６３】
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４又は図５を参照して説明する。
【００６４】
図４は、画素部の構成を示す平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ’線断面図である。尚、図４又は図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、図４又は図５では、図１又は図２を参照して説明した構成中、ＴＦＴアレイ基板１０側の構成のみについて説明するが、説明の便宜上、これらの図では画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。
【００６５】
図４には、画像表示領域１０ａにおける複数の画素部のうち、一の画素部に着目してその主要な構成を示してある。
【００６６】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０から画素電極９ａまでの部分が、本発明に係る「電気光学装置用基板」の一例を構成している。
【００６７】
図４において、画素電極９ａを駆動するための走査線１１ａやデータ線６ａ、蓄積容量７０、ＴＦＴ３０等の配線や回路素子の主要な構成要素は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。図４中では、非開口領域については、走査線１１ａやデータ線６ａ等の配線、蓄積容量７０、ＴＦＴ３０等の回路素子等についての主要な構成を示し、これらに対する画素電極９ａの配置関係を図示してある。
【００６８】
図４に示すように、画素電極９ａの縦横の境界に夫々沿ってデータ線６ａ及び走査線１１ａが設けられている。即ち、走査線１１ａは、図４中Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線１１ａと交差するように、図４中Ｙ方向に沿って延びている。画素電極９ａは、ＩＴＯ膜等の透明導電膜からなり、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられている。
【００６９】
走査線１１ａとデータ線６ａとの交差する箇所の各々には、チャネル領域１ａ’にゲート電極３ａが対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。ゲート電極３ａは、走査線１１ａと一体的に形成されている。
【００７０】
図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上には、上述した画素電極９ａ等の各種構成要素が積層構造をなしている。また、各種構成要素は、下から順に、下側遮光膜１１０を含む第１層、ＴＦＴ３０等を含む第２層、データ線６ａ等を含む第３層、蓄積容量７０等を含む第４層、画素電極９ａ等を含む第５層からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３がそれぞれ設けられ、各種構成要素間が短絡することを防止している。
【００７１】
以下、最下層の第１層から順に、積層構造についてより詳細に説明する。
【００７２】
（第１層の構成―下側遮光膜等―）
第１層には、下側遮光膜１１０が設けられている。
【００７３】
下側遮光膜１１０は、半導体層１ａよりも下地絶縁膜１２を介して下層側に配置され、例えばタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）等の高融点金属材料等の遮光性の導電材料からなる。下側遮光膜１１０は、図４に示すように、例えば走査線１１ａの延在方向（即ち、Ｘ方向）に沿って形成されている、即ち、各走査線１１ａに対応して画像表示領域１０ａにストライプ状に形成されている。このような下側遮光膜１１０によれば、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光のうちＴＦＴ３０に進行する光を遮光することができる。
【００７４】
（第２層の構成―走査線、ＴＦＴ等―）
第２層には、走査線１１ａ及びＴＦＴ３０が設けられている。
【００７５】
図４及び図５において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａ及びゲート電極３ａを含んで構成されている。
【００７６】
半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、図４に示すように、走査線１１ａの延在方向（即ち、Ｘ方向）に沿って延在している。より具体的には、半導体層１ａは、Ｘ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ’を有し、更にはＸ方向に沿って、データ線側ソースドレイン領域１ｄ、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅが配置されている。データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ’を基準として、Ｘ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ’及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成される。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。
【００７７】
尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。また、半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００７８】
図４に示すように、ゲート電極３ａは、走査線１１ａの一部として形成されている。走査線１１ａは、例えば導電性ポリシリコンからなり、半導体層１ａよりも絶縁膜２を介して上層側に、Ｘ方向に沿って延在するように形成されている、即ち、走査線１１ａは、画像表示領域１０ａにおいてストライプ状に形成されている。ゲート電極３ａは、走査線１１ａにおける、半導体層１ａ上でチャネル領域１ａ’に重なる部分により形成される。より具体的には、図４及び図５に示すように、走査線１１ａには、半導体層１ａの配置を避けるように開孔１１ｈが開孔されるが、この開孔１１ｈ間でチャネル領域１ａ’に重なる部分が、ゲート電極３ａとして形成される。
【００７９】
第１層と第２層との間は、下地絶縁膜１２により層間絶縁されている。下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなる。下地絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００８０】
（第３層の構成―データ線等―）
第３層には、データ線６ａ及び第１の中継電極６６０が設けられている。
【００８１】
データ線６ａは、金属材料としての例えばアルミニウム（Ａｌ）含む金属膜から形成されている。この金属膜は、例えば、アルミニウムからなる層を含む複数層で構成されてもよいし、単層で構成されてもよい。データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域１ｄに電気的に接続されている。
【００８２】
第１の中継電極６６０は、本発明に係る「第２中継電極」の一例であり、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８３を介してＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。第１の中継電極６６０は、後述する第２の中継電極３３０及び画素電極９ａと共に、蓄積容量７０を構成する上側電極７１とＴＦＴ３０との電気的接続を中継する。
【００８３】
第１の中継電極６６０は、データ線６ａと同一膜から形成されている。第１の中継電極６６０は、図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。これにより、第１の中継電極６６０は、データ線６ａとは同層に互いに電気的に第２層間絶縁膜４２により絶縁されている。このようにデータ線６ａと第１の中継電極６６０とを互いに同一膜から形成することで、これらを別個に別々の材料から形成する場合と比較して、画素の構成を簡略化すると共に、製造プロセスにおける工程数も削減して簡略化することができる。
【００８４】
第２層及び第３層間は、第１層間絶縁膜４１により層間絶縁されている。第１層間絶縁膜４１は、例えばＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、第１層間絶縁膜４１には、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。
【００８５】
（第４層の構成―蓄積容量等―）
第４層には、蓄積容量７０及び第２の中継電極３３０が設けられている。
【００８６】
蓄積容量７０は、固定電位側電極として容量線３００と一体的に形成される下側電極３００ａとＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側電極としての上側電極７１とが、誘電体膜７５を介して対向配置されてなる。
【００８７】
図４に示すように、下側電極３００ａは、Ｙ方向に沿って延在するように形成された容量線３００の一部として形成されている。言い換えれば、容量線３００は、下側電極３００ａと同一膜により一体的に形成されている。
【００８８】
誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜３００ｎｍ程度の比較的薄い窒化シリコン（ＳｉＮ）膜から形成されている。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
【００８９】
上側電極７１は、第３層間絶縁膜４３に開孔された、本発明に係る「第１のコンタクトホール」の一例としてのコンタクトホール８９を介して画素電極９ａと電気的に接続されている。
【００９０】
蓄積容量７０は、ＭＩＭ構造を有している。即ち、上側電極７１及び下側電極３００ａは夫々、金属材料としてのアルミニウムを含む金属膜から形成されている。よって、仮に、上側電極７１或いは下側電極３００ａが、例えばポリシリコンを含む導電材料から形成される場合と比較して、上側電極７１及び下側電極３００ａの各々の電気的な抵抗を低減できる。更に、誘電体膜７５を、高誘電率を有する誘電体材料（即ち、High-k材料）から形成することが可能となる。よって、蓄積容量７０の容量をより大きく確保することができる。
【００９１】
本実施形態では特に、容量線３００は、下側電極３００ａと同一膜により一体的に形成されているので、電気的な抵抗を低減でき、容量線３００の電位及び下側電極３００ａの電位を安定化させることができる。より具体的には、容量線３００は、平面的に見ると、図４に示すように、例えばデータ線６ａの延在方向と同方向、即ちＹ方向に沿って延在し、各データ線６ａに対応して画像表示領域１０ａに例えばストライプ状に形成されている。そして、その詳細な構成は図示を省略してあるが、容量線３００は、好ましくは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされている。このような定電位源としては、例えば、データ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源等の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される対向電極電位でもよい。
【００９２】
従って、ＴＦＴアレイ基板１０上において容量線３００の配置面積は、データ線６ａと同等に、比較的大きくなる。よって、蓄積容量７０の容量をより大きく確保することが可能となる。更に、容量線３００の配置面積が大きくなっても、これを下側電極３００ａと一体的に同一膜により形成することで、電気的な抵抗を低減できる。加えて、このように容量線３００と下側電極３００ａを一体的に形成することで、これらを別個に別々の材料から形成する場合と比較して、画素の構成を簡略化すると共に、製造プロセスにおける工程数を削減して簡略化することができる。
【００９３】
第２の中継電極３３０は、本発明に係る「第２中継電極」或いは「一の中継電極」の一例であり、下側電極３００ａと同一膜（即ち、金属膜）から形成されている。よって、仮に、下側電極３００ａと第２の中継電極３３０とを別個に別々の材料から形成する場合と比較して、画素の構成を簡略化すると共に、製造プロセスにおける工程数も削減して簡略化することができる。
【００９４】
第２の中継電極３３０は、第２層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８５を介して第１の中継電極６６０に電気的に接続されている。更に、第２の中継電極３３０は、第３層間絶縁膜４３に開孔された、本発明に係る「第２のコンタクトホール」の一例としてのコンタクトホール８７を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。
【００９５】
第３層及び第４層間は、第２層間絶縁膜４２により層間絶縁されている。第２層間絶縁膜４２は、例えばＮＳＧによって形成されている。その他、第２層間絶縁膜４２には、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。
【００９６】
（第５層の構成―画素電極等―）
第５層には、画素電極９ａが設けられている。
【００９７】
画素電極９ａは、縦横に区画配列された画素の各々に設けられており、その境界にデータ線６ａ及び走査線１１ａが格子状に配列するように形成されている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ等の透明導電膜からなる。画素電極９ａは、第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８９を介して蓄積容量７０の上側電極７１に電気的に接続されている。
【００９８】
第４層及び第５層間は、第３層間絶縁膜４３により層間絶縁されている。第３層間絶縁膜４３は、例えばＮＳＧによって形成されている。その他、第３層間絶縁膜４３には、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ等の平坦化処理がなされている。
【００９９】
本実施形態では特に、画素電極９ａは、ＴＦＴ３０と蓄積容量７０（より正確には、画素電位側電極として機能する上側電極７１）との間の電気的接続を、第１の中継電極６６０及び第２の中継電極３３０と共に、中継する中継電極（或いは中継層）として機能する。即ち、画素電極９ａは、画素電位を保持する画素電極としての本来的な機能と中継電極としての機能とを兼ねるように構成されている。
【０１００】
より具体的には、画素電極９ａは、上述したように、コンタクトホール８９を介して上側電極７１に電気的に接続されると共に、第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８７を介して第２の中継電極３３０に電気的に接続されている。よって、蓄積容量７０の上側電極７１が、第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８９を介して画素電極９ａに電気的に接続され、この画素電極９ａが、上層側から下層側に向かって、コンタクトホール８７、第２の中継電極３３０、コンタクトホール８５、第１の中継電極６６０及びコンタクトホール８３を順に介して、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。
【０１０１】
このように構成されているので、本実施形態に係る液晶装置を製造する際、画素電極９ａと上側電極７１とを互いに電気的に接続するためのコンタクトホール８９は、上側電極７１を形成した後（即ち、蓄積容量７０の形成後）に、上側電極７１よりも上層側に配置された第３層間絶縁膜４３に開孔される。更に、画素電極９ａと第２の中継電極３３０を電気的に接続するためのコンタクトホール８７も、コンタクトホール８９と同様に、蓄積容量７０の形成後に、コンタクトホール８９を開孔する工程と同一の工程によって、第３層間絶縁膜４３及び誘電体膜７５を貫通して開孔することができる。
【０１０２】
よって、上側電極７１をそれよりも下層側のＴＦＴ３０に電気的に接続するためのコンタクトホールを開孔するために、誘電体膜７５の表面に対してレジストを塗布し且つ除去する処理が行われる事態を回避することが可能となる。その結果、誘電体膜７５の表面が、レジストの塗布や除去によって汚染されたり削られたりする事態を防止できる。即ち、本実施形態に係る液晶装置を製造する際、誘電体膜７５の界面制御の精度を高めることができる、或いは、誘電体膜７０を成膜した後における誘電体膜７５の膜質の劣化を防止できる。これにより、例えば誘電体膜７５の耐圧の低下によるリーク電流の発生など、蓄積容量７０の動作不良の発生を低減或いは防止できる。この結果、本実施形態に係る液晶装置によれば、高品質な表示が可能であると共に、信頼性の高い液晶装置を提供することが可能となる。
【０１０３】
尚、上側電極７１の上層側に、画素電極９ａとは別個に第３の中継電極を設け、この第３の中継電極によって、上側電極７１と第２の中継電極３３０との間の電気的接続が中継されると共に、上側電極７１と画素電極９ａとの間の電気的接続が中継されるように構成してもよい。但し、本実施形態のように、画素電極９ａが中継電極を兼ねるように形成されることで、上側電極７１よりも上層側において、画素の積層構造、又は各種構成要素の配置に係る構成即ちレイアウト構成を簡略化することができ、また製造プロセスもより簡略化させることが可能となる。
【０１０４】
更に、本実施形態では特に、第３層及び第４層には、第２層間絶縁膜４２或いは誘電体膜７５によって互いに電気的に絶縁されて、データ線６ａ、上側電極７１及び下側電極３００ａの各々を構成する３層の金属膜が配置されている。従って、ＴＦＴアレイ基板１０上でＴＦＴ３０の上層側に、３層の金属膜が配置されることで、それよりも上層側より入射される光を、これら３層の金属膜により、より確実に遮光することが可能となる。その結果、ＴＦＴ３０の光リーク電流を低減することができる。
【０１０５】
加えて、本実施形態では特に、第１中継電極６６０及び第２の中継電極３３０が夫々、データ線６ａ及び下側電極３００ａの各々と同一膜から形成されて同層に配置されることで、上側電極７１及びＴＦＴ３０間の電気的接続の中継について、これら中継電極６６０及び３３０の各々の電気的な抵抗によって、この中継に係る電気的な抵抗が大きくなってしまうのを防止できる。
【０１０６】
図５において、本実施形態では特に、蓄積容量７０が、データ線６ａより上層側に配置されることで、蓄積容量７０の容量をより大きく確保すると共に、画素電極９ａの電位を安定化させることが可能となる。
【０１０７】
ここで、仮に、ＴＦＴアレイ基板１０上において、蓄積容量７０より上層側にデータ線６ａが配置される場合には、データ線６ａとＴＦＴ３０とを電気的に接続するために開孔されるコンタクトホール８１の配置を避けて、蓄積容量７０を配置する必要がある。これに対して、蓄積容量７０が、データ線６ａより上層側に配置されることで、図４に示すように、データ線６ａ及びＴＦＴ３０の電気的接続のためのコンタクトホール８１の上層側に、これと重ねて蓄積容量７０を配置することが可能である。従って、ＴＦＴアレイ基板１０上のより広い面積に蓄積容量７０を形成でき、その容量を増加させることができる。
【０１０８】
更に、本実施形態では特に、画素の積層構造において、画素電極９ａ及びデータ線６ａとの間に介在させて蓄積容量７０が配置されている。蓄積容量７０とデータ線６ａとの配置関係に着目すれば、積層方向で上側電極７１とデータ線６ａとの間に下側電極３００ａが介在している。従って、ＴＦＴアレイ基板１０上において、画素電極９ａ又は上側電極７１が、積層構造において、データ線６ａに近接しないように配置することができる。加えて、画素電極９ａ又は上側電極７１と、データ線６ａとの間に下側電極３００ａを介在させて配置させることで、これが介在しない構成と比較して、データ線６ａからの電磁的な干渉をより低減することが可能となる。よって、データ線６ａからの電磁的な干渉により、画素電極９ａ又は上側電極７１の電位が変動するのを防止する、或いは視認されるほどの表示不良を発生させない程度に電位の変動を小さくすることができる。
【０１０９】
図５において、本実施形態では特に、上側電極７１を構成する金属膜の膜厚ｄ１は、データ線６ａ及び下側電極３００ａの各々を構成する金属膜の膜厚ｄ２及びｄ３より小さくなるように形成されている。
【０１１０】
よって、コンタクトホール８９及びコンタクトホール８７を同一機会に容易に開孔することができる。即ち、コンタクトホール８９及びコンタクトホール８７を同一工程によって開孔する際、画素電極９ａ及び第２の中継電極３３０間の層間距離Ｈ２が、画素電極９ａ及び上側電極７１間の層間距離Ｈ１と比べて、上側電極７１の膜厚ｄ１と誘電体膜７５の膜厚との合計膜厚分だけ長い場合であっても、上側電極７１の膜厚ｄ１がデータ線６ａの膜厚ｄ３や下側電極７１の膜厚ｄ２よりも薄いので、コンタクトホール８７を介して画素電極９ａ及び第２の中継電極３３０を互いに電気的に接続できると共にコンタクトホール８９が上側電極７１を貫通してしまう事態を回避できる。つまり、本実施形態では、上側電極７１の膜厚ｄ１を、下側電極３００ａの膜厚ｄ２やデータ線６ａの膜厚ｄ３よりも薄くすることにより、コンタクトホール８９の深さＨ１とコンタクトホール８７の深さＨ２との差が小さくなるように構成されているので、２種のコンタクトホール８７及び８９を同一機会に容易に開孔することができる。従って、液晶装置の製造プロセスをより簡略化させることが可能となる。
【０１１１】
尚、図４に示すように、上側電極７１は画素毎に設けられるため、Ｙ方向に沿って配列された複数の画素に共通に設けられるデータ線６ａと比較して、ＴＦＴアレイ基板１０上の配置面積は小さくなる。また、下側電極３００ａについてはこれが容量線と一体的に形成される場合、容量線３００の配置面積と比較して、上側電極７１の配置面積は小さくなる。よって、上側電極７１の膜厚ｄ１を薄くしても、その電気的な抵抗を、データ線６ａ又は容量線３００よりも相対的に低抵抗とすることが可能である。
【０１１２】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置によれば、各画素における蓄積容量７０を構成する誘電体膜７５の膜質を向上させることが可能であり、蓄積容量７０の動作不良の発生を低減或いは防止できる。この結果、画像表示領域１０ａにおける高品質な画像表示が可能であると共に、信頼性の高い液晶装置を提供することが可能となる。
【０１１３】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図６は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
【０１１４】
図６に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【０１１５】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１１６】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１１７】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１１８】
尚、図６を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１１９】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【０１２０】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板、及び該電気光学装置用基板を備えてなる電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の概略的な平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の画素部の構成を示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ’線断面図である。
【図６】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１２２】
６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、３０…ＴＦＴ、４１、４２、４３…層間絶縁膜、７０…蓄積容量、７１…上側電極、７５…誘電体膜、８１、８３、８５、８７、８９…コンタクトホール、３００…容量線、３００ａ…下側電極、３３０…第２の中継電極、６６０…第１の中継電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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