(57)【要約】【課題】  ウェーハのボロン汚染防止方法に関し、清浄化処理したウェーハの待機・保管中のボロン汚染を防止する。【解決手段】  ウェーハのクリーンルーム中での待機・保管に先立って、少なくとも一部が酸化膜が除去されて半導体表面が露出したウェーハの洗浄工程において、ＨＦ或いは界面活性剤を含んだＨＦによるＨＦ処理を最終工程とした洗浄処理を行うことによって、前記ウェーハの露出した半導体表面を水素終端させた状態で待機・保管する。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハのクリーンルーム中での待機・保管に先立って、少なくとも一部が酸化膜が除去された半導体表面が露出したウェーハの洗浄工程において、ＨＦ或いは界面活性剤を含んだＨＦによるＨＦ処理を最終工程とした洗浄処理を行うことによって、前記ウェーハの露出した半導体表面を水素終端させた状態で待機・保管することを特徴とするウェーハのボロン汚染防止方法。
【請求項２】
上記洗浄工程ののち、水素アニール処理を行うことによって、前記ウェーハの露出した半導体表面を水素終端させた状態で待機・保管することを特徴とする請求項１記載のウェーハのボロン汚染防止方法。
【請求項３】
上記水素アニール処理を、大気圧の水素ガス雰囲気中で、１０００〜１２００℃の加熱温度で、０．５〜１０時間行うことを特徴とする請求項２記載のウェーハのボロン汚染防止方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露出した半導体表面を水素終端させた状態のウェーハを、薬剤洗浄ののち、真空中で熱処理乾燥させた樹脂製ウェーハカセットに保管することを特徴とするウェーハのボロン汚染防止方法。
【請求項５】
上記真空中での熱処理乾燥工程を、３００Ｔｏｒｒより高真空度で、５０〜２６０℃の加熱温度で、０．５〜５時間行うことを特徴とする請求項４記載のウェーハのボロン汚染防止方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はウェーハのボロン汚染防止方法に関するものであり、特に、洗浄工程と酸化拡散工程の間のウェーハの待機・保管期間におけるウェーハのボロン汚染を防止するための清浄化工程に特徴のあるウェーハのボロン汚染防止方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体装置の製造に際しては、製品へのパーティクル付着を防止するためにクリーンルームで行われているが、この場合のパーティクル除去の方法として、通常、ＨＥＰＡ（Ｈｉｇｈ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  Ｐｅｎｅｔｒａｔｅ  Ａｉｒ）フィルターやＵＬＰＡ（Ｕｌｔｒａ  Ｌｏｗ  Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ  Ａｉｒ）フィルターを使用し、そこに空気を通すことによってパーティクルを除去している。
【０００３】
図６参照  
図６は、パーティクル除去フィルター構成の説明図であり、虫などの大きなゴミを除去するプレフィルター２１、０．３μｍ以上のゴミを除去する中性能フィルター２２、同じく０．３μｍ以上のゴミを除去するＨＥＰＡフィルター２３、及び、０．１μｍ以上のゴミを除去するＵＬＰＡフィルター２４の多段構成となっており、クリーンルーム２５中の空気は、最終段のＵＬＰＡフィルター２４を循環するように構成されている。
なお、中性能フィルター２２は０．３μｍ以上のゴミを９５％捕手し、ＨＥＰＡフィルター２３は０．３μｍ以上のゴミを９９．９７％捕手し、また、ＵＬＰＡフィルター２４は０．１μｍ以上のゴミを９９．９９５％捕手するものであり、中性能フィルター２２とＨＥＰＡフィルター２３は捕手効率で相違するものである。
【０００４】
図７参照  
図７は、他のパーティクル除去フィルター構成の説明図であり、虫などの大きなゴミを除去するプレフィルター２１、０．３μｍ以上のゴミを除去する中性能フィルター２２、及び、０．３μｍ以上のゴミを除去するＨＥＰＡフィルター２３の三段構成となっており、クリーンルーム２５中の空気は、最終段のＨＥＰＡフィルター２３を循環するように構成されている。
【０００５】
このようなフィルタ構成によりパーティクルの除去は可能であるが、ＨＥＰＡフィルターやＵＬＰＡフィルターはマイクロガラス繊維で構成されており、このマイクロガラス繊維にはグレードを問わずに硼素酸化物（Ｂ2 Ｏ3 ）が、マイクロガラス繊維の重量に対して１０ｗｔ％程度含まれている。
なお、ＰやＡｓ等のデバイスに影響を与える他の物質は、ＨＥＰＡフィルターやＵＬＰＡフィルターには実効的には含まれていないので、フィルターに起因してＰ汚染或いはＡｓ汚染は問題になることはない。
【０００６】
このマイクロガラス繊維に含まれるＢ2 Ｏ3 が、クリンルーム雰囲気中に含まれる水蒸気やウエットプロセスに起因するＨＦと、
Ｂ2 Ｏ3 ＋６ＨＦ→２ＢＦ3 （気体）＋３Ｈ2 Ｏ
Ｂ2 Ｏ3 ＋６Ｈ2 Ｏ→２Ｂ（ＯＨ）3 （気体）＋３Ｈ2 Ｏ
のように反応してボロンをクリンルーム内に放出することになる。
【０００７】
このように、マイクロガラス繊維からボロン（Ｂ）がクリンルーム内に放出され、それが製品に付着すると半導体装置を構成するトランジスタ、抵抗、或いは、容量等の電気特性に悪影響を及ぼすことになるので、この事情を図８を参照して説明する。
【０００８】
図８参照  
図８は、従来の酸化拡散プロセスの前処理の説明図であり、酸化拡散処理の前処理として、
ａ．ＳＣ−１，ＳＣ−２，ＨＦ，ＨＮＯ3 等の薬液洗浄工程、
ｂ．水洗工程、
ｃ．乾燥工程
を順次行うことによって、ウエーハ表面のパーティクル、ゴミを除去し、その後に酸化拡散処理する。
【０００９】
この時、洗浄→酸化拡散までの待機中に、ウエーハにクリーンルームの雰囲気内に含まれるボロンが吸着し、そのまま熱処理を加えると、ウエーハにボロンが拡散し、素子の電気特性に影響を与えることになる。
なお、ボロンは水溶性が高いため、洗浄前にウェーハ表面に付着したボロンは、洗浄薬液中に溶け出しほとんど残らないので問題にはならない。
【００１０】
そこで、待機・保管中のウェーハに対するボロン付着防止方法として、密閉して雰囲気を窒素置換する箱であるＮ2 ＢＯＸで保管しクリンルーム雰囲気から隔離するか、クリンルーム雰囲気中のボロン濃度を抑えるために、ＨＥＰＡフィルターやＵＬＰＡフィルターとしてボロンレスフィルターを使用するか、或いは、ＨＥＰＡフィルターやＵＬＰＡフィルターから出た空気をケミカルフィルターに通す対策が一般的になされている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−２６７２８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、Ｎ2 ＢＯＸでは、洗浄→Ｎ2 ＢＯＸ間、Ｎ2 ＢＯＸ→酸化拡散間でクリンルーム雰囲気にさらされるため、ボロン吸着防止方法として完全ではないという問題がある。
【００１２】
また、ボロンレスフィルターやケミカルフィルターは、価格が高く維持費もかかるため、安易に適用できないとともに、ライン全体を停止して交換作業を行う必要があるため、中期的には工場の稼働率が低下して、製造コストの上昇をもたらすという問題がある。
【００１３】
さらに、ウェーハの待機・保管中にクリーンルーム雰囲気からのボロン汚染以外にウェーハを保持するウェーハカセットからのボロン汚染も問題になるので、この事情を図９及び図１０を参照して説明する。
【００１４】
図９参照  
図９は、ボロン付着メカニズムの説明図であり、ウェーハ３２を保持・保管する樹脂系のウェーハカセット３１は、樹脂が水分を含みやすいため、水分と共にクリーンルーム雰囲気中のボロン（Ｂ）が樹脂系のウェーハカセット３１の内部に取り込まれる。
【００１５】
その後、ウェーハ３２の保管中にボロン（Ｂ）がウェーハカセット３１からウエーハ３２の表面に移る、ボロン転写という現象がおこるため、一番外側のウエーハのみボロン付着が多いことが確認されている。
【００１６】
図１０参照  
図１０は、従来のウェーハカセットの洗浄工程の説明図であり、
Ａ．まず、薬液洗浄を行ったのち、
Ｂ．水洗し、次いで、
Ｃ．熱乾燥処理を行っている。                                                    
【００１７】
しかし、上述のようにウェーハカセットに起因するボロン転写の現象が発生するという事実は、従来の洗浄方法では、ウェーハカセットの樹脂表面に付着したボロン（Ｂ）を十分に除去することができないことを意味している。
【００１８】
したがって、本発明は、清浄化処理したウェーハの待機・保管中のボロン汚染を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記の課題を解決するために、本発明は、ウェーハのボロン汚染防止方法であって、ウェーハのクリーンルーム中での待機・保管に先立って、少なくとも一部が酸化膜が除去されて半導体表面が露出したウェーハの洗浄工程において、ＨＦ或いは界面活性剤を含んだＨＦによるＨＦ処理を最終工程とした洗浄処理を行うことによって、ウェーハの露出した半導体表面を水素終端させた状態で待機・保管することを特徴とする。
【００２０】
このように、少なくとも一部が酸化膜が除去されて半導体表面が露出したウェーハをＨＦ処理することにより、露出した半導体表面を水素終端させることができ、水素終端することによって露出した半導体表面のダングリング・ボンドとボロン（Ｂ）とが結合して表面にＢが吸着することがなくなる。
なお、酸化物に覆われたウェーハ表面にＢが吸着しても、酸化物が拡散バリアとなるので、吸着したＢがウェーハ内に拡散することはない。
また、この場合のＨＦ処理は、ウェーハ表面の自然酸化膜を除去する工程を兼ねることになる。
【００２１】
また、洗浄工程ののち、クリーンルーム中での待機・保管期間中に、洗浄工程後１２時間経過する前に、さらにＨＦ或いは界面活性剤を含んだＨＦによるＨＦ処理を最終工程とした洗浄処理を行うことが望ましい。
【００２２】
ＨＦ処理により水素終端させた場合、１２時間経過すると殆どの水素は離脱してしまうため、Ｂの吸着を防止するためには、再度のＨＦ処理が必要になる。
【００２３】
また、同様の理由で、洗浄工程ののち、水素アニール処理を行うことによって、ウェーハの露出した半導体表面を水素終端させた状態で待機・保管することが望ましい。
【００２４】
この場合の水素アニール処理は、大気圧の水素ガス雰囲気中で、１０００〜１２００℃の加熱温度で、０．５〜１０時間行うことが望ましい。
【００２５】
また、ＨＦ処理工程は、フッ酸を用いたウエット処理でも良いし、或いは、ＨＦガス中でのドライ工程でも良く、ＨＦガス中でのドライ工程の場合には、引き続く水洗・乾燥処理が不要になる。
【００２６】
また、上述の処理により露出した半導体表面を水素終端させた状態のウェーハを、薬剤洗浄ののち、真空中で熱処理乾燥させた樹脂製ウェーハカセットに保管することが望ましく、それによって、クリーンルーム雰囲気からの直接ボロン汚染だけではなく、樹脂製ウェーハカセットを介したボロン転写によるボロン汚染も防止することができる。
【００２７】
この場合の真空中での熱処理乾燥工程は、３００Ｔｏｒｒより高真空度で、５０〜２６０℃の加熱温度で、０．５〜５時間行うことが望ましく、それによって、樹脂製ウェーハカセットの表面に付着した水分を十分少なくすることができるので、水分を介した樹脂表面へのボロン吸着を効果的に低減することができる。
【００２８】
なお、この場合のウェーハとしては、III 族元素であるＢ汚染が問題となるＳｉウェーハ、Ｇｅウェーハ、ＳｉＧｅウェーハ、或いは、ＳｉＣウェーハが典型的なものである。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、クリーンルーム内のボロンを除去するのではなく、待機・保管中のウェーハの表面にボロンが吸着することを防止しているので、フィルターシステムを変更することなく簡易で低コストな方法でボロン汚染を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
本発明は、Ｓｉウェーハ、Ｇｅウェーハ、ＳｉＧｅウェーハ、或いは、ＳｉＣウェーハ等のウェーハのクリーンルーム中での待機・保管に先立って、少なくとも一部が酸化膜が除去されて半導体表面が露出したウェーハの洗浄工程において、ＨＦ或いは界面活性剤を含んだＨＦによるＨＦ処理を最終工程とした洗浄処理を行うことによって、ウェーハの露出した半導体表面を水素終端させた状態で待機・保管するものである。
また、洗浄工程後１２時間経過して待機・保管する必要がある場合には、１２時間経過する前に、再度ＨＦ処理を行うか、或いは、例えば、大気圧の水素ガス雰囲気中で、１０００〜１２００℃の加熱温度で、０．５〜１０時間の水素アニール処理を行うものである。
【００３１】
また、上述の処理により露出した半導体表面を水素終端させた状態のウェーハを、薬剤洗浄ののち、３００Ｔｏｒｒより高真空度で、５０〜２６０℃の加熱温度で、０．５〜５時間の真空熱処理乾燥させた樹脂製ウェーハカセットに保管するものである。
【実施例１】
【００３２】
ここで、図２を参照して、本発明の実施例１のウェーハの保管方法を説明する。
図２参照  
図２は、本発明の実施例１のウェーハの保管方法の説明図であり、まず、従来と同様に、
ａ．ＳＣ−１，ＳＣ−２，ＨＦ，ＨＮＯ3 等の薬液洗浄工程を行ったのち、            ｂ．水洗工程を行い、次いで、                                                    ｃ．乾燥工程
を順次行うことによって、Ｓｉウエーハ表面のパーティクル、ゴミを除去したのち、
ｄ．ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：９９９〜５：９５（モル比）、例えば、５：９９５のフッ酸中にＳｉウェーハを１０〜５０℃、例えば、２５℃の温度下において５分〜６０分間、例えば、１０分間浸漬し、次いで、
ｅ．純水を用いて、例えば、１０分間の水洗処理を行い、最後に、
ｆ．大気中において、１０〜１００℃、例えば、２５℃において５分〜６０分間、例えば、１０分間の乾燥処理を行う。
【００３３】
工程ｄのＨＦ処理において、Ｓｉウェーハの表面は水素で終端するので、活性なダングリング・ボンドがなくなるため、Ｓｉウェーハの表面にクリーンルーム内のＢが吸着することが防止されることになる。
以降は、Ｓｉウェーハはウェーハカセットに保持させた状態で、次の酸化拡散工程等の加工工程までクリーンルーム内において待機・保管されることになる。
【実施例２】
【００３４】
ここで、図３を参照して、本発明の実施例２のウェーハの保管方法を説明する。
図３参照  
図３は、本発明の実施例２のウェーハの保管方法の説明図であり、まず、上記の実施例１と全く同様に、                                                                ａ．ＳＣ−１，ＳＣ−２，ＨＦ，ＨＮＯ3 等の薬液洗浄工程を行ったのち、            ｂ．水洗工程を行い、次いで、                                                    ｃ．乾燥工程
を順次行うことによって、Ｓｉウエーハ表面のパーティクル、ゴミを除去したのち、
ｄ．ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：９９９〜５：９５（モル比）、例えば、５：９９５のフッ酸中にＳｉウェーハを１０〜５０℃、例えば、２５℃の温度下において５分〜６０分間、例えば、１０分間浸漬し、次いで、
ｅ．純水を用いて、例えば、１０分間の水洗処理を行い、最後に、
ｆ．大気中において、１０〜１００℃、例えば、２５℃において５分〜６０分間、例えば、１０分間の乾燥処理を行う。
【００３５】
次いで、ウェーハカセットにおける待機・保管が次に加工工程まで１２時間以上かかる場合には、１２時間が経過する前に、再び、
ｇ．ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：９９９〜５：９５（モル比）、例えば、５：９９５のフッ酸中にＳｉウェーハを１０〜５０℃、例えば、２５℃の温度下において５分〜６０分間、例えば、１０分間浸漬し、次いで、
ｈ．純水を用いて、例えば、１０分間の水洗処理を行い、最後に、
ｉ．大気中において、１０〜１００℃、例えば、２５℃において５分〜６０分間、例えば、１０分間の乾燥処理を行う。
【００３６】
以降は、再ＨＦ処理されたＳｉウェーハはウェーハカセットに保持させた状態で、次の酸化拡散工程等の加工工程までクリーンルーム内において待機・保管されることになる。
ＨＦ処理により水素終端させた水素は、１２時間経過すると殆どの離脱してしまうため、再ＨＦ処理することによって、長時間の待機・保管中でもボロン汚染を効果的に防止することができる。
【実施例３】
【００３７】
ここで、図４を参照して、本発明の実施例３のウェーハの保管方法を説明する。
図４参照  
図４は、本発明の実施例３のウェーハの保管方法の説明図であり、まず、上記の実施例１と全く同様に、                                                                ａ．ＳＣ−１，ＳＣ−２，ＨＦ，ＨＮＯ3 等の薬液洗浄工程を行ったのち、            ｂ．水洗工程を行い、次いで、                                                    ｃ．乾燥工程
を順次行うことによって、Ｓｉウエーハ表面のパーティクル、ゴミを除去したのち、
ｄ．ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：９９９〜５：９５（モル比）、例えば、５：９９５のフッ酸中にＳｉウェーハを１０〜５０℃、例えば、２５℃の温度下において５分〜６０分間、例えば、１０分間浸漬し、次いで、
ｅ．純水を用いて、例えば、１０分間の水洗処理を行い、最後に、
ｆ．大気中において、１０〜１００℃、例えば、２５℃において５分〜６０分間、例えば、１０分間の乾燥処理を行う。
【００３８】
次いで、ウェーハカセットにおける待機・保管が次に加工工程まで１２時間以上かかる場合には、１２時間が経過する前に、再び、
ｊ．大気圧のＨ2 ガス雰囲気中において、１０００〜１２００℃、例えば、１１００℃において、０．５〜１０時間、例えば、１時間の水素アニールを行うことによって、Ｓｉウェーハの表面を水素終端処理する。
【００３９】
以降は、水素アニール処理されたＳｉウェーハはウェーハカセットに保持させた状態で、次の酸化拡散工程等の加工工程までクリーンルーム内において待機・保管されることになる。
ＨＦ処理により水素終端させた水素は、１２時間経過すると殆どの離脱してしまうため、水素アニール処理することによって、長時間の待機・保管中でもボロン汚染を効果的に防止することができる。
【実施例４】
【００４０】
ここで、図５を参照して、本発明の実施例４のウェーハの保管方法を説明するが、この場合のウェーハの水素終端処理工程は、上記の実施例１乃至実施例３のいずれか１項に記載のかと同じであるので、水素終端処理したウェーハを保持・保管するウェーハカセットの洗浄方法のみを説明する。
【００４１】
図５参照  
図５は、本発明の実施例４のウェーハの保管方法に伴うウェーハカセットの洗浄方法の説明図であり、まず、従来と同様に、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニールエーテル共重合体樹脂）製のウェーハカセットに対して、
Ａ．ＳＣ−１，ＳＣ−２，ＨＦ，ＨＮＯ3 等の薬液洗浄工程を行ったのち、            Ｂ．水洗工程を行う。
【００４２】
次いで、
Ｃ．３００Ｔｏｒｒより高真空度、例えば、１０Ｔｏｒｒの真空中で、５０〜２６０℃、例えば、１００℃で、０．５〜５時間、例えば、１時間の真空熱処理乾燥工程
を行う。
以降は、このように真空熱処理乾燥工程を行ったウェーハカセットに上述のように水素終端処理したウェーハを収容して、クリーンルーム内において次の加工処理まで待機・保管する。
【００４３】
このように、本発明の実施例４においては、ウェーハカセットの洗浄後の熱処理乾燥工程を、真空中で行っているので、ウェーハカセットの樹脂表面に付着した水分を十分少なくすることができ、それによって、水分を介した樹脂表面へのボロン吸着を効果的に低減することができる。
【００４４】
以上、本発明の各実施例を説明したが、本発明は各実施例に示した構成、条件、数値に限られるものではなく、各種の変更が可能であり、例えば、ウェーハとしてはＳｉウェーハとして説明しているが、Ｓｉウェーハに限られるものではなく、Ｇｅウェーハ、ＳｉＧｅウェーハ、或いは、ＳｉＣウェーハ等のIII 族元素であるＢの汚染が問題になるＩＶ族半導体ウェーハに適用されるものである。
【００４５】
また、上記各実施例においては、ＨＦ処理を通常のフッ酸だけによる処理として説明しているが、フッ酸中に陰イオン系界面活性剤、陽イオン系界面活性剤、シリコン系界面活性剤等の界面活性剤をＨＦに対して０．１〜１重量部添加して良いものであり、それによって、界面活性剤の作用によって最終薬液処理がフッ酸であってもウォーターマーク発生、疎水性表面露出によるゴミ付着を防止することができる。
【００４６】
また、上記各実施例においては、ＨＦ処理をウエット処理として行っているが、ＨＦガスを用いたドライ処理として行っても良いものであり、この場合には、例えば、大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）のＨＦガス雰囲気中において、常温（１０〜５０℃）において、１０分程度の処理を行えば良い。
なお、ＨＦ処理をドライ処理として行うことによって、引き続いて行う水洗・乾燥処理が不要になる。
【００４７】
ここで、再び図１を参照して、改めて、本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１参照  
（付記１）  ウェーハのクリーンルーム中での待機・保管に先立って、少なくとも一部が酸化膜が除去されて半導体表面が露出したウェーハの洗浄工程において、ＨＦ或いは界面活性剤を含んだＨＦによるＨＦ処理を最終工程とした洗浄処理を行うことによって、前記ウェーハの露出した半導体表面を水素終端させた状態で待機・保管することを特徴とするウェーハのボロン汚染防止方法。
（付記２）  上記洗浄工程ののち、クリーンルーム中での待機・保管期間中に、前記洗浄工程後１２時間経過する前に、さらにＨＦ或いは界面活性剤を含んだＨＦによるＨＦ処理を最終工程とした洗浄処理を行うことを特徴とする付記１記載のウェーハのボロン汚染防止方法。
（付記３）  上記洗浄工程ののち、水素アニール処理を行うことによって、前記ウェーハの露出した半導体表面を水素終端させた状態で待機・保管することを特徴とする付記１記載のウェーハのボロン汚染防止方法。
（付記４）  上記水素アニール処理を、大気圧の水素ガス雰囲気中で、１０００〜１２００℃の加熱温度で、０．５〜１０時間行うことを特徴とする付記３記載のウェーハのボロン汚染防止方法。
（付記５）  上記ＨＦ処理工程が、ＨＦガス中でのドライ工程であることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１に記載のウェーハのボロン汚染防止方法。
（付記６）  付記１乃至５のいずれか１に記載の露出した半導体表面を水素終端させた状態のウェーハを、薬剤洗浄ののち、真空中で熱処理乾燥させた樹脂製ウェーハカセットに保管することを特徴とするウェーハのボロン汚染防止方法。
（付記７）  上記真空中での熱処理乾燥工程を、３００Ｔｏｒｒより高真空度で、５０〜２６０℃の加熱温度で、０．５〜５時間行うことを特徴とする付記６記載のウェーハのボロン汚染防止方法。
（付記８）  上記ウェーハ、Ｓｉウェーハ、Ｇｅウェーハ、ＳｉＧｅウェーハ、或いは、ＳｉＣウェーハのいずれかであることを特徴とする付記１乃至７のいずれか１に記載のウェーハのボロン汚染防止方法。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明の活用例としては、酸化拡散処理前に大気・保管されるウェーハが典型的なものであるが、酸化拡散処理前に限られるものではなく、エピタキシャル成長前等のＢが付着している場合にＢの拡散が問題になる熱処理工程を伴う各種工程の前処理工程として適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施例１のウェーハの保管方法の説明図である。
【図３】本発明の実施例２のウェーハの保管方法の説明図である。
【図４】本発明の実施例３のウェーハの保管方法の説明図である。
【図５】本発明の実施例４のウェーハの保管方法に伴うウェーハカセットの洗浄方法の説明図である。
【図６】パーティクル除去フィルター構成の説明図である。
【図７】他のパーティクル除去フィルター構成の説明図である。
【図８】従来の酸化拡散プロセスの前処理の説明図である。
【図９】ボロン付着メカニズムの説明図である。
【図１０】従来のウェーハカセットの洗浄工程の説明図である。
【符号の説明】
【００５０】
２１  プレフィルター
２２  中性能フィルター
２３  ＨＥＰＡフィルター
２４  ＵＬＰＡフィルター
２５  クリーンルーム
３１  ウェーハカセット
３２  ウェーハ
【図１】
2008112892.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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