(57)【要約】【課題】反射膜を覆う透明保護層の欠陥部から侵入したエッチング液が透明保護層の下層の反射膜まで浸透した場合であっても、画素が表示欠陥を生じることを防止できる電気光学装置とその製造方法、および電子機器を提供する。【解決手段】画素の少なくとも一部に金属からなる反射電極９ｂが形成され、反射電極を覆うように透明電極９ａが形成され、反射電極９ｂが複数に分割されたパターン９ｓ，９ｍを有することを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素がマトリクス状に設けられた電気光学装置であって、
前記画素の少なくとも一部に金属からなる反射膜が形成され、前記反射膜を覆うように透明保護層が形成され、前記反射膜が複数に分割されたパターンを有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記パターンは、前記反射膜の周縁部に形成された周辺パターンと、前記周辺パターンによって囲繞された主パターンとに分割され、前記主パターンの面積が前記周辺パターンの面積よりも大であることを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記周辺パターンが複数に分割されていることを特徴とする請求項２記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記主パターンが複数に分割されていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
導電性材料からなる前記透明保護層を覆うように層間絶縁層が形成され、前記層間絶縁層上に透明電極が形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項６】
複数の画素がマトリクス状に設けられた電気光学装置の製造方法であって、
前記画素の少なくとも一部に金属からなる複数のパターンに分割された反射膜を形成する工程と、
前記反射膜を覆うように透明保護層を形成する工程と、
前記透明保護層をウェットエッチングしてパターニングする工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電気光学装置とその製造方法および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、マトリクス状に設けられた複数の画素に反射膜を備えた電気光学装置が知られている。このような電気光学装置としては、画素電極でもある金属膜の表面に多数の多角錐を形成して反射膜となし、入射した外光を均一に反射するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。また、基板上の全面に光吸収層を設け、光吸収層上に光金属反射膜を隣接する画素間に間隙を設けて配置し、金属反射膜を透明絶縁膜によって覆うものが知られている（例えば、特許文献２参照）。また、ガラス基板上に形成された凸部の所定領域のみに反射膜を設けると共に、反射膜を形成しない領域を切欠き部とすることにより、反射表示および透過表示の両方の明るさを両立可能とするものが知られている（例えば、特許文献３参照）。これらは、通常、反射膜が透明導電材料や透明絶縁材料からなる透明保護層によって覆われた構造となっている。
【特許文献１】特開２００１−２７２６７２号公報
【特許文献２】国際公開第００／４５２１６号パンフレット
【特許文献３】特開２００３−２１５５６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来の電気光学装置は、反射膜を覆う透明保護層をエッチングする際に、透明保護層のカバレッジが不良な部位や、透明保護層の下層の下地層と透明保護層との密着が不良な部位が存在すると、そのような欠陥部からエッチング液が侵入するという問題がある。通常、透明保護層のエッチングには強酸が用いられる。例えば、Ａｌ等を反射膜として用い、結晶化されたＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等を透明保護層として用いた場合、王水等の強酸が用いられる。したがって、透明保護層の欠陥部からエッチング液が侵入して透明保護層の下層の反射膜まで浸透した場合、画素内の反射膜は極めて短時間に侵食され、消失してしまう。反射膜が消失した画素は、表示欠陥を生じるという問題がある。
【０００４】
そこで、この発明は、反射膜を覆う透明保護層の欠陥部から侵入したエッチング液が透明保護層の下層の反射膜まで浸透した場合であっても、画素が表示欠陥を生じることを防止できる電気光学装置とその製造方法、および電子機器を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、複数の画素がマトリクス状に設けられた電気光学装置であって、前記画素の少なくとも一部に金属からなる反射膜が形成され、前記反射膜を覆うように透明保護層が形成され、前記反射膜が複数に分割されたパターンを有することを特徴とする。
このように構成することで、分割された個々の反射膜のパターン同士の間には透明保護層が充填され、個々の反射膜のパターン同士の間の隔壁として機能する。これにより、透明保護層の欠陥部から内部へ侵入したエッチング液は、当該欠陥部を有するパターンの反射膜のみを浸食し消失させる。しかし、当該欠陥部を有するパターンに隣接するパターンへのエッチング液の侵入は、反射膜のパターン同士の間に充填された透明保護層によって遮断される。したがって、複数に分割された反射膜のパターンのうち、透明保護層に欠陥部を有するパターンの反射膜のみは消失するが、その他の透明保護層に欠陥がないパターンの反射膜の消失を防止することができる。よって、透明保護層に欠陥部が存在する場合であっても、画素内の反射膜の消失を一部に留め、画素内に反射膜を残存させて画素が表示欠陥を生じることを防止できる。
【０００６】
また、本発明の電気光学装置では、前記パターンは、前記反射膜の周縁部に形成された周辺パターンと、前記周辺パターンによって囲繞された主パターンとに分割され、前記主パターンの面積が前記周辺パターンの面積よりも大であることが好ましい。
このように構成することで、透明保護層のカバレッジが不良な部位や、透明保護層の下層の下地層と透明保護層との密着が不良な部位等、欠陥部が生じやすい透明保護層周縁部の反射膜の周辺パターンまでエッチング液が浸透し、反射膜の周辺パターンがエッチング液によって浸食され消失した場合であっても、より面積の大きい透明保護層中央部の反射膜の主パターンを画素内に残存させることができる。これにより、反射膜の消失をより小さな面積に留め、画素内に反射膜をより大きい面積で残存させて、画素が表示欠陥を生じることをより効果的に防止できる。
【０００７】
また、本発明の電気光学装置では、前記周辺パターンが複数に分割されていることが望ましい。
このように構成することで、複数に分割された周辺パターン同士の間に透明保護層が充填され、隔壁として機能する。このため、欠陥部が生じやすい透明保護層周縁部の反射膜の周辺パターンまでエッチング液が浸透した場合でも、分割された複数の周辺パターンのうち、当該欠陥部を有するパターンのみの反射膜の消失に留め、透明保護層によってその他の欠陥部のないパターンへのエッチング液の浸透を遮断することができる。したがって、周辺パターンにおける反射膜の消失を一部に留め、画素内により大きい面積の反射膜を残存させて、画素が表示欠陥を生じることをより効果的に防止できる。
【０００８】
また、本発明の電気光学装置では、前記主パターンが複数に分割されていてもよい。
このように構成することで、複数に分割された主パターン同士の間に透明保護層が充填され、隔壁として機能する。このため、透明保護層のピンホール等の欠陥部からエッチング液が侵入し、主パターンの反射膜までエッチング液が浸透した場合であっても、複数に分割された主パターンのうち、当該欠陥部を有するパターンのみの反射膜の消失に留め、透明保護層によってその他の欠陥部のないパターンへのエッチング液の浸透を遮断することができる。したがって、主パターンにおける反射膜の消失を一部に留め、画素内により大きい面積の反射膜を残存させて、画素が表示欠陥を生じることをより効果的に防止できる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置では、導電性材料からなる前記透明保護層を覆うように層間絶縁層が形成され、前記層間絶縁層上に透明電極が形成されていてもよい。
このように構成することで、透明保護層を画素電極として機能させ、層間絶縁層上に形成された透明電極との間に、上下に積層された層間絶縁層と画素電極との界面に沿う方向の電界を発生させることができる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、複数の画素がマトリクス状に設けられた電気光学装置の製造方法であって、前記画素の少なくとも一部に金属からなる複数のパターンに分割された反射膜を形成する工程と、前記反射膜を覆うように透明保護層を形成する工程と、前記透明保護層をウェットエッチングしてパターニングする工程と、を有することを特徴とする。
このように製造することで、透明保護層を形成する工程において、分割された反射膜のパターン同士の間に透明保護層を充填し、各パターン同士の隔壁として機能させることができる。これにより、透明保護層を形成する工程において、透明保護層のカバレッジが不良な部位や、透明保護層の下層の下地層と透明保護層との密着が不良な部位、あるいはピンホール等の欠陥部が生じ、透明保護層をパターニングする工程において、当該欠陥部からエッチング液が侵入し、エッチング液が反射膜まで浸透した場合であっても、当該欠陥部を有するパターンからその他の欠陥部のないパターンへのエッチング液の移動を遮断することができる。したがって、エッチング液が反射膜まで浸透した場合であっても、欠陥部を有する一部のパターンの反射膜の消失のみに留め、その他の反射膜を画素内に残存させることができる。よって、画素が表示欠陥を生じることを防止できる。
【００１１】
また、本発明の電子機器は、上述の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
このように構成することで、表示領域の画素の表示欠陥を防止することができる電子機器を得ることができる。これにより、電子機器の歩留まりを向上させ、製造コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。また、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。この際、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。例えば以下の実施形態においては、Ｘ軸方向を後述する走査線の延在方向、Ｙ軸方向を後述するデータ線の延在方向、Ｚ軸方向を観察者による液晶パネルの観察方向としている。
【００１３】
＜第一実施形態＞
[液晶装置の構成]
図１は、本発明の第一実施形態の液晶装置１００の回路構成図である。液晶装置１００は、液晶に対し略基板面方向の電界を印加して配向を制御することにより画像表示を行う方式のうち、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式と呼ばれる方式を採用したアクティブマトリクス方式の半透過反射型液晶装置である。また液晶装置１００は、基板上にカラーフィルタを具備したカラー液晶装置であり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素で１個の画素を構成するものとなっている。したがって、表示の最小単位を「サブ画素」、一組（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のサブ画素から構成される領域を「画素」と称する。
【００１４】
図１に示すように、液晶装置１００の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極９と画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、データ線駆動回路１０１から延びるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線駆動回路１０１は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎをデータ線６ａを介して各サブ画素に供給する。画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００１５】
また、ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路１０２から延びる走査線３ａが電気的に接続されており、走査線駆動回路１０２から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と液晶を介して対向する共通電極との間で一定期間保持される。なお、符号３ｂを付して示す配線は、各サブ画素内の共通電極間を電気的に接続する共通線である。
【００１６】
図２は、本実施形態の液晶装置を構成するマトリクス状に形成されたサブ画素領域の平面構成図である。液晶装置１００には、平面視略矩形状の複数の画素電極９が設けられている。画素電極９はＸ軸方向及びＹ軸方向に配列されており、画素電極９の間隙に沿ってＹ軸方向に延在する複数のデータ線６ａとＸ軸方向に延在する複数の走査線３ａとが設けられている。画素電極９の配置された領域は表示の最小単位であるサブ画素を構成し、サブ画素がＸ軸方向及びＹ軸方向に配列することにより全体としての表示領域が形成されている。なお、図２においては、後述する共通電極１９を省略して表している。
【００１７】
画素電極９は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等からなる透明電極９ａと、アルミニウム（Ａｌ）等の金属材料からなる反射電極９ｂとを備えている。反射膜としても機能する反射電極９ｂを覆うように、反射電極９ｂを保護する透明保護層としても機能する透明電極９ａが形成されている。１サブ画素領域のうち反射電極９ｂと透明電極９ａが積層形成された領域は反射表示領域Ｒであり、反射表示領域Ｒからデータ線６ａの延在方向（Ｙ軸方向）に延在して透明電極９ａのみが設けられた領域は透過表示領域Ｔである。反射電極９ｂはデータ線６ａの延在方向（Ｙ軸方向）に対してＴＦＴ３０側に配置されている。
【００１８】
反射電極９ｂは反射電極９ｂの周縁部に額縁状に形成された周辺パターン９ｓと、周辺パターンに囲繞された中央部の主パターン９ｍとに分割されたパターンを有している。周辺パターン９ｓの周囲には、周辺パターン９ｓを覆う透明電極９ａを残余させた被覆代９ｒが設けられ、周辺パターン９ｓの側面は透明電極９ａによって覆われている。また、額縁状に設けられた周辺パターン９ｓと主パターン９ｍとの間の溝９ｇには、透明電極９ａを構成するＩＴＯ等の透明導電材料が充填され、各パターンは透明電極９ａによって隔離された状態となっている。ここで、中央部の主パターン９ｍの面積は周縁部の周辺パターンの面積より９ｓも大となるように構成されている。また額縁状の周辺パターン９ｓの幅ｗ、および周辺パターン９ｓと主パターン９ｍとの間の溝９ｇの幅ｄは、約２μｍ以上となっている。
【００１９】
走査線３ａとデータ線６ａとの交差部近傍には画素スイッチング素子であるＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は平面視略Ｌ字状のポリシリコン膜からなる半導体層３５を備えている。半導体層３５の一端側はデータ線６ａと交差しており、半導体層３５とデータ線６ａとが平面的に重なる位置にソースコンタクトホール４４が設けられている。そして、ソースコンタクトホール４４を介して半導体層３５とデータ線６ａとが電気的に接続されている。一方、半導体層３５の他端側は画素電極９と平面的に重なるように配置されており、半導体層３５と画素電極９とが平面的に重なる位置にドレインコンタクトホール４５及び画素コンタクトホール４７が設けられている。ドレインコンタクトホール４５と画素コンタクトホール４７とは互いに連通しており、ドレインコンタクトホール４５及び画素コンタクトホール４７を介して半導体層３５と、画素電極９（反射電極９ｂ）とが電気的に接続されている。さらに、半導体層３５は走査線３ａと交差しており、半導体層３５の走査線３ａと平面的に重なる部分がＴＦＴ３０のチャネル領域とされ、チャネル領域と対向する部分の走査線３ａがＴＦＴ３０のゲート電極３３となっている。
【００２０】
画素電極９の上層側には、画素電極９と対向して、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極１９が設けられているが、図２においては共通電極１９を省略して表している。共通電極１９は複数のサブ画素領域に跨って設けられている。画素電極９と共通電極１９とが平面視で重なる領域は当該サブ画素領域の容量として機能する。また、共通電極１９と画素電極９とが対向する対向領域には、図３に示すように、共通電極１９を部分的に除去して形成された複数のスリット（開口部）１９ｓが設けられている。スリット１９ｓは走査線３ａと略平行な方向（Ｘ軸方向）に延在しており、複数のスリット１９ｓが互いに均等な間隔でデータ線６ａの延在方向（Ｙ軸方向）に沿って配列している。そして、スリット１９ｓを介して画素電極９と共通電極１９との間に走査線３ａと略直交する方向（Ｙ軸方向）の横電界が発生するようになっている。
【００２１】
図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図である。液晶装置１００は、互いに対向するＴＦＴアレイ基板（第１基板）１０及び対向基板（第２基板）２０と、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０とに挟持された液晶層５０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向する対向領域の周縁部には図示略のシール材が設けられており、シール材とＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０との間に形成された空間（セルギャップ）に、液晶層５０が封止されている。ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０とは反対側には偏光板１４が設けられ、対向基板２０の液晶層５０とは反対側には偏光板２９が設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０の背面側（偏光板１４の基板本体１０Ａとは反対側）には、光源と導光板９１と反射板９２とを具備したバックライト（照明装置）９０が設けられている。
【００２２】
ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体１０Ａを基体としてなる。基板本体１０Ａの液晶層５０側には半導体層３５が形成されており、半導体層３５を覆ってシリコン酸化物等の透明絶縁材料からなるゲート絶縁層１１が形成されている。ゲート絶縁層１１上には走査線３ａが形成されている。走査線３ａと対向する部分の半導体層３５がＴＦＴ３０のチャネル領域３５ｃであり、半導体層３５と対向する部分の走査線３ａがゲート電極３３である。また、半導体層３５のチャネル領域３５ｃを挟んだ両側には、それぞれソース領域３５ｓとドレイン領域３５ｄとが形成されている。
【００２３】
ゲート絶縁層１１、走査線３ａ（ゲート電極３３）及びゲート絶縁層１１を覆って酸化シリコン膜等の透明絶縁材料からなる第１層間絶縁層１２が形成されている。第１層間絶縁層１２及びゲート絶縁層１１のドレイン領域３５ｄに対向する部分には、第１層間絶縁層１２及びゲート絶縁層１１を貫通するドレインコンタクトホール４５が形成されている。
第１層間絶縁層１２上にはドレイン電極３２が形成されている。ドレイン電極３２はドレインコンタクトホール４５を介してドレイン領域３５ｄと電気的に接続されている。図示は省略したが、第１層間絶縁層１２及びゲート絶縁層１１のソース領域３５ｓに対向する部分には、第１層間絶縁層１２及びゲート絶縁層１１を貫通するソースコンタクトホール４４が形成されている（図２参照）。第１層間絶縁層１２上にはデータ線６ａが形成されている。データ線６ａはソースコンタクトホール４４を介してソース領域３５ｓと電気的に接続されている。
【００２４】
第１層間絶縁層１２、データ線６ａ及びドレイン電極３２を覆ってアクリル樹脂等の透明有機絶縁材料からなる第２層間絶縁層１３が形成されている。第２層間絶縁層１３の表面に画素電極９が形成されている。画素電極９は、反射表示領域Ｒに設けられた反射電極９ｂと、反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔの両領域に亘って設けられた透明電極９ａとを備えている。反射電極９ｂは外光を反射する反射膜としても機能する。反射電極９ｂは第２層間絶縁層１３上に形成されている。
【００２５】
透明電極９ａは反射電極９ｂを覆うように設けられ、反射電極９ｂとの界面で反射電極９ｂと電気的に接続されている。反射電極９ｂの側面は透明電極９ａによって覆われている。反射電極９ｂの周辺パターン９ｓと主パターン９ｍとの間の溝９ｇには、各パターンを隔離する隔壁として機能する透明電極９ａが充填されている。第２層間絶縁層１３のドレイン電極３２に対向する部分には第２層間絶縁層１３を貫通する画素コンタクトホール４７が形成されている。反射電極９ｂ（主パターン９ｍ）は画素コンタクトホール４７を介してドレイン電極３２と電気的に接続されている。
【００２６】
第２層間絶縁層１３および画素電極９を覆って窒化シリコン膜等の透明絶縁材料からなる電極部絶縁層１８が形成されている。電極部絶縁層１８上にはＩＴＯ等の透明導電材料からなる平面視ベタ状の共通電極１９が形成されている。共通電極１９には画素電極９と対向する部分に複数のスリット１９ｓが形成されている。
【００２７】
共通電極１９及び電極部絶縁層１８を覆ってポリイミド等の配向膜１６が形成されている。配向膜１６にはラビング等の配向処理が施されている。配向処理の方向（配向膜１６による液晶の配向規制方向）は、例えば走査線３ａの延在方向（Ｘ軸方向）と平行であり、共通電極１９のスリット１９ｓの延在方向とは交差する方向である。
【００２８】
対向基板２０は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体２０Ａを基体としてなる。基板本体２０Ａの液晶層５０側にはカラーフィルタ２２が設けられている。カラーフィルタ２２を覆ってアクリル樹脂等の透明有機絶縁材料からなるオーバーコート層２３が形成されている。オーバーコート層２３を覆ってポリイミド等の配向膜２４が形成されている。配向膜２４にはラビング等の配向処理が施されている。配向処理の方向（配向膜２４による液晶の配向規制方向）は、配向膜１６の配向規制方向と略平行な方向である。したがって液晶層５０は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で、水平配向の初期配向状態を呈するものとなっている。
【００２９】
[液晶装置の製造方法]
次に、図４〜図７を用いて液晶装置１００の製造方法を説明する。図４〜図７では画素電極９の形成工程を中心に説明し、他の工程の説明は省略する。なお、画素電極９の形成工程以外の工程については、公知のものを採用することができる。
【００３０】
まず、図４に示すように、基板本体１０Ａ上にＴＦＴ３０、第１層間絶縁層１２、ドレイン電極３２、データ線６ａ、第２層間絶縁層１３等を順次形成する。さらに第２層間絶縁層１３の表面の反射表示領域ＲにＡｌ等の金属材料を積層してパターニングし、反射電極９ｂを形成する。このとき、図２に示すように、平面視略矩形状の反射電極９ｂのパターンの外周に沿って外周の内側に、フォトリソグラフィー、ウェットエッチング等により溝９ｇを形成し、反射電極９ｂを周縁部の額縁状の周辺パターン９ｓと、周辺パターン９ｓに囲繞された主パターン９ｍとに分割する。このとき、溝９ｇの幅ｄは、例えば、約２μｍ以上に形成される。また、周辺パターン９ｓの幅ｗは、後述する透明電極９ａの周縁部に発生する可能性のある欠陥部をカバーできるように考慮すると共に、主パターン９ｍの面積が周辺パターン９ｓの面積よりも大きくなるように決定する。
【００３１】
次に、図５に示すように、反射電極９ｂを覆うように、反射電極９ｂ上にＩＴＯ等の透明導電材料を積層し透明電極９ａを形成する。このとき、透明電極９ａは反射電極９ｂの主パターン９ｍと周辺パターン９ｓとの間の溝９ｇに充填される。次いで、透明電極９ａ上にマスクＭを形成し、フォトリソグラフィー等によってマスクＭをパターニングする。次いで、王水等の強酸のエッチング液を用いて透明電極９ａをエッチングしてパターニングし、マスクＭを除去することで、図６に示すように画素電極９が形成される。このとき、図２に示すように、周辺パターン９ｓの周囲に透明電極９ａを残余させた被覆代９ｒを設け、周辺パターン９ｓの側面を透明電極９ａによって覆うようにする。透明電極９ａは、図２に示すように、１サブ画素領域の略全面、すなわち、反射表示領域Ｒからデータ線６ａの延在方向（Ｙ軸方向）に延在して透過表示領域Ｔに亘る領域に形成する。
【００３２】
次に、図７に示すように、第２層間絶縁層１３および画素電極９を覆うように窒化シリコン膜等の透明絶縁材料を積層し、電極部絶縁層１８を形成する。次いで、電極部絶縁層１８上に、ＩＴＯ等の透明導電材料によって平面視ベタ状に共通電極１９を積層形成する。次いで、フォトリソグラフィー、エッチング等により、共通電極１９の画素電極９と対向する部分に複数のスリット１９ｓを形成する。次いで、共通電極１９及び電極部絶縁層１８を覆って配向膜１６を形成する。
【００３３】
ところで、上述のように反射電極９ｂを覆う透明電極９ａを形成する際には、透明電極９ａの周縁部では、反射電極９ｂに対する被覆代９ｒのカバレッジが不良な部位や、透明電極９ａの下層の第２層間絶縁層１３と透明電極９ａとの密着が不良な部位等、透明電極９ａに欠陥部が生じやすい。透明電極９ａの周縁部に欠陥部が生じた場合、反射電極９ｂを覆う透明電極９ａをエッチングしてパターニングする際に、当該欠陥部から反射電極９ｂへエッチング液が浸透する。
【００３４】
しかし、本実施形態では、反射電極９ｂが周辺パターン９ｓと主パターン９ｍとに分割され、周辺パターン９ｓと主パターン９ｍとの間の溝９ｇに透明電極９ａが充填されている。したがって、溝９ｇに充填された透明電極９ａが周辺パターン９ｓと主パターン９ｍの隔壁として機能し、周辺パターン９ｓに浸透したエッチング液の主パターン９ｍへの浸透が透明電極９ａによって遮断される。これにより、透明電極９ａの周縁部の欠陥部から内部へ侵入したエッチング液は、周辺パターン９ｓの反射電極９ｂのみを浸食し消失させる。しかし、周辺パターン９ｓに隣接する主パターン９ｍへのエッチング液の侵入は防止され、主パターン９ｍの侵食および消失が防止される。
【００３５】
また、複数に分割された反射電極９ｂのパターンのうち、透明電極９ａの周縁部に欠陥部を有する周辺パターン９ｓの反射電極９ｂのみは消失するが、より面積の大きい中央部の主パターン９ｍの反射電極９ｂをサブ画素内に残存させることができる。これにより、反射電極９ｂの消失をより小さな面積に留め、サブ画素内に反射電極９ｂをより大きい面積で残存させることができる。よって、透明電極９ａの周縁部に欠陥部が存在する場合であっても、サブ画素内の反射電極９ｂの消失を一部に留め、サブ画素内により大きい面積の反射電極９ｂを残存させてサブ画素が表示欠陥を生じることを防止できる。
【００３６】
以上説明したように、本実施形態の液晶装置１００によれば、反射電極９ｂを覆う透明電極９ａの周縁部に欠陥部が発生し、欠陥部から侵入したエッチング液が透明電極９ａの下層の反射電極９ｂまで浸透した場合であっても、画素が表示欠陥を生じることを防止することができる。
【００３７】
＜第二実施形態＞
次に、本発明の第二実施形態について、図１〜図７を援用し、図８、図９を用いて説明する。本実施形態では上述の第一実施形態で説明した反射電極９ｂの周辺パターン９ｓが複数に分割されている点で異なっている。その他の点は第一実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００３８】
[液晶装置の構成]
図８は、本実施形態の液晶装置を構成するマトリクス状に形成されたサブ画素領域の平面構成図である。液晶装置２００は、図８に示すように、サブ画素内に配置された反射電極９ｂの周縁部の周辺パターン９ｓが複数に分割されたパターンを有している。第一実施形態と同様に、周辺パターン９ｓと主パターン９ｍとの間には透明電極９ａが充填され、さらに、分割された周辺パターン９ｓ同士の間にも、透明電極９ａが充填された状態となっている。
【００３９】
[液晶装置の製造方法]
図９は、図８のＢ−Ｂ’線に沿う断面構成図である。図９に示すように、第一実施形態と同様に基板本体１０Ａ上にＴＦＴ３０、第１層間絶縁層１２、ドレイン電極３２、データ線６ａ、第２層間絶縁層１３等を順次形成する。さらに第２層間絶縁層１３の表面の反射表示領域ＲにＡｌ等の金属材料を積層してパターニングし、反射電極９ｂを形成する。このとき、図８に示すように、平面視略矩形状の反射電極９ｂのパターンの外周に沿って、フォトリソグラフィー、ウェットエッチング等により複数に分割された周辺パターン９ｓを形成し、反射電極９ｂを周縁部の複数の周辺パターン９ｓと、周辺パターン９ｓに囲繞された主パターン９ｍとに分割する。
【００４０】
また、周辺パターン９ｓ同士の間隔、および周辺パターン９ｓと主パターン９ｍとの間隔は、例えば、約２μｍ以上に形成される。また、平面視略矩形状の各周辺パターン９ｓの辺の長さＬは、透明電極９ａの周縁部に発生する可能性のある欠陥部をカバーできるように考慮すると共に、主パターン９ｍの面積が複数の周辺パターン９ｓの面積よりも大きくなるように決定する。次に、第一実施形態と同様に、反射電極９ｂを覆うように、反射電極９ｂ上にＩＴＯ等の透明導電材料を積層し透明電極９ａを形成する。このとき、透明電極９ａは反射電極９ｂの主パターン９ｍと周辺パターン９ｓとの間、および周辺パターン同士の間に充填される。その後、第一実施形態と同様の工程を経ることにより、液晶装置２００を得ることができる。
【００４１】
したがって、本実施形態によれば、複数に分割された周辺パターン９ｓ同士の間に透明電極９ａが充填され、隔壁として機能する。このため、欠陥部が生じやすい透明電極９ａの周縁部に位置する反射電極９ｂの周辺パターン９ｓまでエッチング液が浸透した場合でも、透明電極９ａによってその他の欠陥部のない周辺パターン９ｓおよび主パターン９ｍへのエッチング液の浸透を遮断することができる。これにより、分割された複数の周辺パターン９ｓおよび主パターン９ｍのうち、当該欠陥部を有する周辺パターン９ｓのみの反射電極９ｂの消失に留めることができる。したがって、周辺パターン９ｓにおける反射電極９ｂの消失を一部に留め、サブ画素内により大きい面積の反射電極９ｂを残存させて、サブ画素が表示欠陥を生じることをより効果的に防止できる。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態の液晶装置２００によれば、反射電極９ｂを覆う透明電極９ａの周縁部に欠陥部が発生し、欠陥部から侵入したエッチング液が透明電極９ａの下層の反射電極９ｂまで浸透した場合であっても、画素が表示欠陥を生じることをより効果的に防止することができる。
【００４３】
＜第三実施形態＞
次に、本発明の第三実施形態について、図１〜図９を援用し、図１０を用いて説明する。本実施形態では上述の第一、第二実施形態で説明した主パターン９ｍが複数のパターンに分割されている点で異なっている。その他の点は第二実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００４４】
[液晶装置の構成]
図１０は、本実施形態の液晶装置を構成するマトリクス状に形成されたサブ画素領域の平面構成図である。液晶装置３００は、図１０に示すように、サブ画素内に配置された反射電極９ｂの周縁部の周辺パターン９ｓが複数に分割され、さらに周辺パターン９ｓに囲繞された主パターン９ｍが複数に分割されたパターンを有している。上述の実施形態と同様に、周辺パターン９ｓと主パターン９ｍとの間には透明電極９ａが充填され、分割された周辺パターン９ｓ同士の間にも、透明電極９ａが充填されている。加えて、本実施形態では、分割された複数の主パターン９ｍ同士の間にも透明電極９ａが充填された状態となっている。
【００４５】
[液晶装置の製造方法]
図１１は、図１０のＣ−Ｃ’線に沿う断面構成図である。図１１に示すように、上述の実施形態と同様に基板本体１０Ａ上にＴＦＴ３０、第１層間絶縁層１２、ドレイン電極３２、データ線６ａ、第２層間絶縁層１３等を順次形成する。さらに第２層間絶縁層１３の表面の反射表示領域ＲにＡｌ等の金属材料を積層してパターニングし、反射電極９ｂを形成する。このとき、図１０に示すように、平面視略矩形状の反射電極９ｂのパターンをフォトリソグラフィー、ウェットエッチング等により、外周に沿う額縁状の周辺パターン９ｓと、周辺パターン９ｓに囲繞された主パターン９ｍとに分割する。同時に、周辺パターン９ｓおよび主パターン９ｍを複数に分割する。
【００４６】
このとき、周辺パターン９ｓ同士の間隔、主パターン９ｍ同士の間隔、および周辺パターン９ｓと主パターン９ｍとの間隔は約２μｍ以上に形成される。また、平面視略矩形状の各周辺パターン９ｓの辺の長さＬは、透明電極９ａの周縁部に発生する可能性のある欠陥部をカバーできるように考慮すると共に、複数の主パターン９ｍの面積が複数の周辺パターン９ｓの面積よりも大きくなるように決定する。次に、上述の実施形態と同様に、反射電極９ｂを覆うように、反射電極９ｂ上にＩＴＯ等の透明導電材料を積層し透明電極９ａを形成する。このとき、透明電極９ａは反射電極９ｂの周辺パターン同士の間、主パターン９ｍと周辺パターン９ｓとの間、および主パターン９ｍ同士の間に充填される。その後、上述の実施形態と同様の工程を経ることにより、液晶装置３００を得ることができる。
【００４７】
したがって、本実施形態によれば、上述の実施形態の効果に加えて、複数に分割された主パターン９ｍ同士の間に透明電極９ａが充填され、隔壁として機能する。このため、透明電極９ａのピンホール等の欠陥部からエッチング液が侵入し、主パターン９ｍの反射電極９ｂまでエッチング液が浸透した場合であっても、複数に分割された主パターンのうち、当該欠陥部を有する主パターン９ｍのみの反射電極９ｂの消失に留め、透明電極９ａによってその他の欠陥部のない主パターン９ｍおよび周辺パターン９ｓへのエッチング液の浸透を遮断することができる。したがって、主パターン９ｍにピンホール等の欠陥を生じた場合であっても、主パターン９ｍにおける反射電極９ｂの消失を一部に留め、サブ画素内により大きい面積の反射電極９ｂを残存させて、サブ画素が表示欠陥を生じることをより効果的に防止できる。
【００４８】
以上説明したように、本実施形態の液晶装置３００によれば、反射電極９ｂを覆う透明電極９ａにピンホール等の欠陥部が発生し、欠陥部から侵入したエッチング液が透明電極９ａの下層の反射電極９ｂまで浸透した場合であっても、画素が表示欠陥を生じることをより効果的に防止することができる。
【００４９】
［電子機器］
図１２は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図９に示す携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。これにより、本発明の液晶装置により構成された画素が表示欠陥を生じることをより効果的に防止することができる携帯電話１３００を提供することができる。
【００５０】
尚、この発明は上述した実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。例えば、反射電極の分割数、周辺パターンおよび主パターンの形状等は特に限定されない。
【００５１】
また、上述の実施形態では、液晶装置１００，２００，３００をＦＦＳ方式の液晶装置としたが、本発明はＦＦＳ方式に限らず、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式等の他の横電界方式にも適用可能である。また、横電界方式以外の、例えばＴＮ（Twisted Nematic）方式、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）方式、ＶＡ（Vertical Alignment）方式、ＯＣＢ（Optical Compensated Birefringence）方式等にも広く適用することも可能である。
【００５２】
また、上述の実施形態では液晶装置１００，２００，３００を半透過反射型液晶装置としたが、本発明は半透過反射型に限らず、全反射型液晶装置にも適用可能である。この場合、上述の実施形態の効果に加え、エッチング液が透明電極に浸透し反射電極が浸食される際に、エッチング液と透明電極との間の電気化学的な作用により透明電極が侵食される時間を最小限にすることができ、透明電極の収縮を減少させることができる。これにより画素に、例えば、所謂光抜け等の表示欠陥を生じることを防止することができる。
【００５３】
また、上述の実施形態では、画素スイッチング素子３０を低温ポリシリコン半導体層を備えた薄膜トランジスタとしたが、画素スイッチング素子３０としては、アモルファスシリコン半導体層を備えた薄膜トランジスタや、半導体層を備えない、例えば薄膜ダイオード（ＴＦＤ）等を用いることもでき、特に限定されない。
【００５４】
上記各実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、かかる構成とすることで、表示品質が高く、信頼性に優れた液晶表示部を備えた電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】第一実施形態の液晶装置の等価回路図である
【図２】同液晶装置のサブ画素領域の平面構成図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図である。
【図４】同液晶装置の製造方法の説明図である。
【図５】同液晶装置の製造方法の説明図である。
【図６】同液晶装置の製造方法の説明図である。
【図７】同液晶装置の製造方法の説明図である。
【図８】第二実施形態の液晶装置のサブ画素領域の平面構成図である。
【図９】図８のＢ−Ｂ’線に沿う断面構成図である。
【図１０】第三実施形態の液晶装置のサブ画素領域の平面構成図である。
【図１１】図１０のＣ−Ｃ’線に沿う断面構成図である。
【図１２】電子機器の一例である携帯電話機の概略構成図である。
【符号の説明】
【００５６】
９ａ  透明電極（透明保護層）、９ｂ  反射電極（反射膜）、９ｍ  主パターン（パターン）、９ｓ  周辺パターン（パターン）、１８  電極部絶縁層（層間絶縁層）、１９  共通電極（透明電極）、１００  液晶装置（電気光学装置）、２００  液晶装置（電気光学装置）、３００  液晶装置（電気光学装置）、１３００  携帯電話（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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