(57)【要約】      （修正有）【課題】放熱性に優れたＬＥＤを低コストで製造可能とする。【解決手段】電気的に絶縁された第１領域および第２領域からなる上部金属層、上部金属層の下部に設けられた絶縁体層、前記絶縁体層の下部に設けられた下部金属層、および上部金属層の第１領域上に設けられ、上部金属層の第１領域および第２領域にそれぞれ電気的に接続された発光ダイオードチップ２３を備えた、表面実装型発光ダイオードランプであって、前記絶縁体層および下部金属層の一部が除去され、上部金属層が露出することによって形成される、はんだ上り用の空間２１を備える。はんだ上りを補助する梯子構造を有しても良い。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に絶縁された第１領域および第２領域からなる上部金属層、
上部金属層の下部に設けられた絶縁体層、
前記絶縁体層の下部に設けられた下部金属層、および
上部金属層の第１領域上に設けられ、上部金属層の第１領域および第２領域にダイオードの各極がそれぞれ電気的に接続された発光ダイオードチップを備えた、表面実装型発光ダイオードランプであって、
前記絶縁体層および下部金属層の一部が除去され、上部金属層が露出することによって形成されたはんだ上り空間を有し、該空間部分には溶融はんだが上るための構造をさらに備えたことを特徴とする、前記発光ダイオードランプ。
【請求項２】
電気的に絶縁された第１領域および第２領域からなる上部金属層、
上部金属層の下部に設けられた絶縁体層、
前記絶縁体層の下部に設けられた下部金属層、および
上部金属層の第１領域上に設けられ、上部金属層の第１領域および第２領域にダイオードの各極がそれぞれ電気的に接続された発光ダイオードチップを備えた、表面実装型発光ダイオードランプであって、
前記絶縁体層および下部金属層の一部が除去され、上部金属層が露出することによって形成されたはんだ上り空間を有し、
発光ダイオードランプを実装する際のはんだづけ工程において、該空間内にはんだが上って、該空間の少なくとも一部を占有してなることを特徴とする、前記発光ダイオードランプ。
【請求項３】
絶縁体層を貫通して延在し、上部金属層と下部金属層を電気的に接続する少なくとも１つの前記はんだ上り空間に露出した構造体をさらに備えたことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光ダイオードランプ。
【請求項４】
上部金属層の第１領域と第２領域との間に、光反射性を有する電気絶縁部を備えたことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の発光ダイオードランプ。
【請求項５】
絶縁体層および下部金属層を除去して形成された空間の断面が、ほぼ長方形もしくは矩形であり、空間の立体形状は直線から成っていても、また回転体の形状を有しているものでもよいことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の発光ダイオードランプ。
【請求項６】
絶縁体層および下部金属層を除去して形成された空間内または壁の少なくとも一部に、はんだ上りを補助する梯子構造を有してなり、該梯子構造は、少なくとも１つの、該空間に露出した上下に貫通する貫通孔の側壁に金属メッキしてなるもの、または前記空間の側面に金属もしくははんだエレベーティング物質をメッキしてなるものであることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の発光ダイオードランプ。
【請求項７】
上部金属層と絶縁体層との結合を補助するために、上部金属層を貫通して絶縁体層内に延在する、係合部をさらに備えたことを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の発光ダイオードランプ。
【請求項８】
表面実装型発光ダイオードランプを製造する方法であって、上部金属層、下部金属層および上部金属層と下部金属層との間に設けられた絶縁体層を含む回路基板を用意するステップと、電気絶縁部を設けて上部金属層を第１領域と第２領域に電気的に絶縁するステップと、上部金属層が部分的に露出するように下部金属層および前記絶縁体層を除去して、溶融はんだが上る構造を有する空間を形成するステップと、を含む、前記方法。
【請求項９】
発光ダイオードランプをはんだづけで実装するステップをさらに含み、このはんだづけ工程において、前記溶融はんだが上る構造を有する空間にはんだが流入し固化することを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１０】
ダイシング、エッチングまたはエッチングリフトオフによって、下部金属層および絶縁体層を除去することを特徴とする、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１１】
絶縁体層および下部金属層を除去して形成された空間内または壁の少なくとも一部に、はんだ上りを補助する梯子構造を形成するステップをさらに含み、該梯子構造は、少なくとも一つの、該空間に露出した上下に貫通する貫通孔の側壁に金属メッキしてなるもの、または前記空間の幅方向の側面に金属もしくははんだエレベーティング物質をメッキしてなるものであることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
上部金属層と絶縁体層との結合を補助するために、上部金属層を貫通して絶縁体層内に延在する、係合部をさらに形成するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項９〜１３のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）ランプに関し、より具体的には一般にプリント回路基板等に用いられるような、絶縁体層の表面に金属層を設けた形式の基板に対し、熱放出のための構成を設けたものに発光ダイオードチップを載置してなり、大電流駆動時においても発熱が有効に放出されるためにその効率を実質的に損ねることのない、低コストで製造可能な新規の発光ダイオードランプに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＬＥＤランプは、ＬＥＤチップをリードフレームと組み合わせてパッケージ化し、これをさらに回路基板等に実装したものや、モジュール形態の部品として使用されてきた。  また、従来のリードフレームにＬＥＤチップを備え付けてなるＬＥＤランプは、放熱効率が低いという問題があったため、とくに熱放出通路を備えたセラミックス構造や、金属スラグまたはアルミナイトライド（ＡＩＮ）−セラミックス基板を含むリードフレームを採用して放熱の問題の解決を試みたものが存在する。しかし、放熱機構を改善したこれらのＬＥＤランプは、複雑な構成や比較的高価な材料を使用するため生産コストが高く、また歩留まりが悪くなるといった問題がある。
【０００３】
また、リード線を付与したプリント回路基板を利用して、その上にＬＥＤチップを備え付けて作られるＬＥＤランプも提案されているが、これは、光の利用効率が低く、放熱も十分に行われないという問題があり、大きな駆動電圧が必要な用途に利用することは困難であった。
【０００４】
ＬＥＤ素子は、その性質上熱に弱く、とくに大電流下で駆動させるとＬＥＤチップ自身の発熱によりエネルギー効率が急激に低下し、寿命が短くなることもあるため、比較的輝度の低い電子機器の動作表示灯など、低出力の光源として主に用いられてきたが、とくに近年では道路信号などの屋外用ディスプレイにも使用の幅が広がってきており、また、蛍光灯や電球の代わりとなる光源としての役割が期待されている。そこで、大きな駆動電圧下でも効率的に放熱を行うことができ、かつ製造コストを低減することができる新しいＬＥＤランプの開発が強く求められている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、ＬＥＤチップを載置するための基板として回路基板を利用した場合にとくに問題となる過度の発熱を防ぐとともに、大電流駆動を可能とし、かつ高いエネルギー効率を達成する新規の表面実装型ＬＥＤランプを提供することを目的とする。  また、かかる表面実装型ＬＥＤランプを安価に製造することができる新規の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、従来技術の課題を解決し、上記目的を達成するために次のような特徴を有する。
すなわち本願発明は、電気的に絶縁された第１領域および第２領域からなる上部金属層、上部金属層の下部に設けられた絶縁体層、前記絶縁体層の下部に設けられた下部金属層、および上部金属層の第１領域上に設けられ、上部金属層の第１領域および第２領域にダイオードの各極がそれぞれ電気的に接続された発光ダイオードチップを備えた、表面実装型発光ダイオードランプであって、前記絶縁体層および下部金属層の一部が除去され、上部金属層が露出することによって形成される空間であって、はんだ上り構造を有しており、はんだの濡れ性または表面張力によってはんだ浸け工程において空間の少なくとも一部にはんだが流れ込んで固化する、はんだ上り構造（浸け構造）を有する空間をさらに備えることを特徴とする、前記発光ダイオードランプに関する。
【０００７】
また本発明は、電気的に絶縁された第１領域および第２領域からなる上部金属層、上部金属層の下部に設けられた絶縁体層、前記絶縁体層の下部に設けられた下部金属層、および上部金属層の第１領域上に設けられ、上部金属層の第１領域および第２領域にダイオードの各極がそれぞれ電気的に接続された発光ダイオードチップを備えた、表面実装型発光ダイオードランプであって、前記絶縁体層および下部金属層の一部が除去され、上部金属層が露出することによって形成された空間の一部に、はんだが流入固化されてなることを特徴とする、
前記発光ダイオードランプに関する。
【０００８】
また本発明は、絶縁体層を貫通して延在し、上部金属層と下部金属層を電気的に接続する、前記はんだ上り用空間に露出した少なくとも１つのはんだ上り用構造体をさらに備えたことを特徴とする、上記発光ダイオードランプに関する。
さらに本発明は、上部金属層の第１領域と第２領域との間に、光反射性を有する電気絶縁部を備えたことを特徴とする、上記発光ダイオードランプに関する。
【０００９】
また本発明は、絶縁体層および下部金属層を除去して形成された空間の断面が、長方形または矩形のもの、さらに角部をわん曲面としたものを含むことを特徴とする、上記発光ダイオードランプに関する。
さらにまた本発明は、絶縁体層および下部金属層を除去して形成された空間の壁面の少なくとも一部に、はんだ上りを補助する梯子構造を有してなることを特徴とする、上記発光ダイオードランプに関する。
【００１０】
また本発明は、はんだ上りを補助する梯子構造が、上部金属層、絶縁体層および下部金属層を貫通する少なくとも１つの貫通穴と、該貫通穴の側面の少なくとも一部に施された、金属メッキまたははんだエレベーティング物質とからなることを特徴とする、上記発光ダイオードランプに関する。
【００１１】
さらに本発明は、上部金属層と絶縁体層との結合を補助するために、上部金属層を貫通して絶縁体層内に延在する、係合部をさらに備えたことを特徴とする、上記発光ダイオードランプに関する。
【００１２】
また本発明は、表面実装型発光ダイオードランプを製造する方法であって、上部金属層、下部金属層および上部金属層と下部金属層との間に設けられた絶縁体層を含む回路基板を用意するステップと、電気絶縁部を設けて上部金属層を第１領域と第２領域に電気的に絶縁するステップと、上部金属層が部分的に露出するように下部金属層および前記絶縁体層を除去して、はんだ上り用の空間（浸け構造空間）を形成するステップと、を含む、前記方法に関する。
【００１３】
さらに本発明は、はんだ上り用の空間にはんだが上がって、空間の少なくとも一部を占めるはんだ層を形成するステップをさらに含む、上記方法に関する。
さらにまた本発明は、ダイシングまたはエッチングによって、下部金属層および絶縁体層を除去することを特徴とする、上記方法に関する。
【００１４】
また本発明は、絶縁体層および下部金属層を除去して形成された空間の少なくとも一部に、はんだ上りを補助する梯子構造を形成することを特徴とする、上記方法に関する。
さらに本発明は、上部金属層、絶縁体層および下部金属層を貫通する少なくとも１つの貫通穴をはんだ上り用空間（浸け構造空間）に露出するように形成し、該貫通穴の側面の少なくとも一部に、金属メッキまたははんだエレベーティング物質を施すことによって、はんだリフローを補助する梯子構造を形成することを特徴とする、上記方法に関する。
【００１５】
さらにまた本発明は、上部金属層と絶縁体層との結合を補助するために、上部金属層を貫通して絶縁体層内に延在する、係合部をさらに形成するステップをさらに含むことを特徴とする、上記方法に関する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明においては、はんだ上り用の空間（浸け構造空間）にはんだが流入固化すると、露出した金属層とはんだとを経由して、発光ダイオードチップからの発熱を有効に発光ダイオードランプが実装されている回路基板側に逃がすことができるために、大電流駆動が可能となる。また、はんだは、リフロー工程において容易にはんだ上り用空間に上がることができ、熱放出手段の形成はきわめて容易である。また、はんだ上り用空間の形成そのものも、従来の熱放出のための構成の構築工法と比較して、簡便容易である。
本発明は、従来のリードフレームとディスペンス工法を用いる一般的な方法に比べて、小型でかつ薄型でありながらも熱放出特性に優れ、大電流で駆動が可能であるとともに、エネルギー効率を大きく改善することができる。とくにＬＥＤランプを大量生産する場合にもその性能の均一さ、収率および量産性などの点において優れるため、全体としてもコスト低減が可能である。その結果として、ＬＥＤの需要創出に寄与し、同産業の発展に大きく寄与することが期待される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明に係るＬＥＤランプの基本構造を図１〜を参照して以下に説明する。
図１は、ＬＥＤチップをマウントする基板となる回路基板を示しており、これは、電気絶縁部１４により電気的に分離された第１領域１２および第２領域１３を含む上部金属層１１と、上部金属層１１の下部に位置する絶縁体層１６と、下部金属層１５とを含む。
【００１８】
本発明において、上部金属層１１と下部金属層１５は、一般にプリント回路基板に使用されている金属（たとえば銅、アルミニウムなど）で構成することができるが、とくに銅を使用することが好ましい。
【００１９】
上部金属層１１の厚さは、１０μｍ以上、好ましくは約１００〜８００μｍとして構成され、下部金属層１５の厚さは、上部金属層１１よりも薄く構成するのが好ましい。また、下部金属層１５は、図１に示されるように、電気的に分離された２つの領域からなるように形成してもよい。かかる構成とした場合、後述するように、下部金属層１５を上部の上部金属層１１と導電体で接続することによって、下部金属層１５を電極として機能させることができる。
【００２０】
上部金属層１１を電気的に分離する電気絶縁部１４は、用意した回路基板の上部金属層１１の一部をレーザ、パンチングまたはエッチングなどの技術を利用して除去し、電気絶縁体を充填させることによって形成する。この際、光反射性の高い電気絶縁性物質を電気絶縁体として使用するのが好ましい。光反射性絶縁部を設けることによって、ＬＥＤ素子から放出される光をより効率的に収集して輝度の高い光を提供することができる。このような光反射性を有する電気絶縁性物質の一例としては、白色レジストが挙げられる。
【００２１】
回路基板を構成する絶縁体層１６は、上部金属層１１と下部金属層１５の間に位置してこれらを電気的に絶縁させている。絶縁体層１６を構成する材料としては、ＦＲ−１、ＦＲ−４または他の樹脂類を使用することができる。絶縁体層１６の厚さは４００μｍ以上とするのが好ましいが、後述するはんだ上りまたはリフローが可能なように適宜決定することができる。
【００２２】
以上に説明した回路基板を利用した、本発明に係る表面実装型ＬＥＤランプの一態様を図２に概略的に示す。
上部金属層１１上にＬＥＤチップ２３をマウントし、ワイヤ２４を介してＬＥＤ素子の各極を第１領域１２、第２領域１３にそれぞれ電気的に接続する。すなわち、本発明のＬＥＤランプにおいて、上部金属層１１の第１領域１２、第２領域１３を電極として利用するが、たとえば図２に示すように、上部金属層１１の第２領域１３および絶縁体層１６を貫通するように導電体２２（電極リード）を設けて上部金属層１１の第２領域１３と下部金属層の一方とを電気的に接続させることによって、下部金属層１５の一部を電極として利用することも可能である。また、第１領域１２とＬＥＤチップ２３の一方の電極とは、
直に導通を図ってもよい。
【００２３】
次にとくに特徴的な本発明のＬＥＤランプの放熱構造について図２および図３を参照して詳細に説明する。本発明のＬＥＤランプは、絶縁体層１６と下部金属層１５の一部または全部を除去して、上部金属層１１を露出させることによって、少なくとも１つのはんだ流入用の空間２１（熱放出通路）を有している。はんだ流入用の空間２１は、好ましくはダイシングまたはエッチング（腐刻法）によって直線状またはテーパ状に形成され、その断面は長方形または矩形であるが、とくにこれに限定されない。本発明の空間２１は、所望の放熱性、ＬＥＤランプの駆動特性など、必要に応じて１〜数十個まで形成
することができる。また、図２には、回路基板の背面の比較的小さい範囲を除去してはんだ流入用の空間２１を設けた態様を示すが、これに限定されず、回路基板の大部分を実質的に除去してはんだ流入用の空間を形成することも可能である。
【００２４】
はんだ流入用の空間２１にはんだを流入ないし充填させる具体的な方法としては、本発明のＬＥＤランプをはんだ付けで実装する際のはんだリフロー（reflow soldering）を利用することが好ましい。すなわち、ＬＥＤランプを実装するときに熱を加えてはんだ付け材料を熱溶解させると、毛細管現象によりはんだ材料が空間２１内を上昇して、結果として空間２１、または少なくともその一部が、はんだ材料で実質的に満たされるように、はんだ上り用空間２１およびマウント基板上のはんだ材料の位置決めを行うことが好ましい。はんだ付けの材料は、通常使用される鉛や錫などの熱伝導性の高い金属をそのまま本発明に適用することができる。本発明にしたがってはんだリフローを応用することによって、高価な銅などの導電性の高い金属を用いて金属リードを利用して放熱を行う従来のＬＥＤランプに比べて、製造コストを劇的に抑えることができる。
【００２５】
次に、図３ａ、図３ｂを参照して、下部金属層１５および絶縁体層１６を除去して形成した空間２１内へのはんだの上りを補助する梯子構造３１について説明する。図３ａは、図２のＡ−Ａ’線に沿った断面を示し、図３ｂは、図２のＢ−Ｂ’線に沿って切った状態の斜視図である。本発明のはんだ上り補助用の梯子構造３１は、上記空間２１の側面の少なくとも一部に対して、はんだ付け材料と親和性の高いはんだ付けエレベーティング物質（たとえば銀ペースト、銀または銅を含む金属材料と樹脂との混合物など）を注入するか、または同じくはんだ付け材料と親和性の高い他の金属でメッキ処理等を行うことによって形成される。本発明の梯子構造３１は、図に示すように、上部金属層１１と下部金属層１５を接続するようにして形成され、絶縁体層１６を除去する際に梯子構造３１の一部を一緒に除去することによって、はんだ流入用空間２１との境界に梯子構造３１の断面３１ａを露出されてなる。
【００２６】
また本発明の梯子構造３１は、下部金属層１５および絶縁体層１６が除去された空間に形成される態様に限定されず、図３ａおよび図３ｂに示すように、適当な熱放出通路の形成を補助する機能を有する限り、たとえば上部金属層１１、絶縁体層１６および下部金属層１５を貫通する貫通穴の側面に形成するなどしてもよい。
【００２７】
このように梯子構造３１、すなわちはんだ上り構造を設けることによって、ＬＥＤランプをはんだ付けでマウント基板に実装する際に、はんだ付け材料がＬＥＤランプの背面に設けられた空間２１内を上昇する毛細管現象を促進することができる。
【００２８】
ここで重要なことは、ＬＥＤチップ２３から発せられる熱を放出する通路として適切に機能するように、はんだリフローが十分に高く、すなわちはんだ材料が上部電極層１１まで達して熱伝導性の通路を形成するように、絶縁体層１６および下部電極層１５の厚さ、梯子構造３１の高さ等の諸事項を決定することである。
【００２９】
［実施例１］
本発明に係るＬＥＤランプの一態様を図４に示す。基本的な構成は、既に以上に説明した態様と同様なので、重複した説明は省略する。この態様では、ＬＥＤチップ２３を覆うように、シリコーンまたはエポキシなどの光透過性の材料で光抽出部４１を形成する。光抽出部４１は、ＬＥＤチップ２３の上方にモールドして形成することができ、ＬＥＤチップ２３を保護したり、出力光の光学的特性を変える効果を備える効果を有する。つまり、モールド材料にＬＥＤ素子から放出される光の波長を変換するための蛍光剤、光を拡散させるための拡散剤または光の色を変化させるための色素などの各種添加剤を含めることによって、発光ランプとしての機能を追加ないし変更することが可能となる。
【００３０】
光抽出部４１は、約２００〜１００μｍの厚さとすることが好ましく、上述したシリコーン、エポキシなどの屈折率１．４〜２．５程度の材料を用いるのが好ましい。とくに、ＬＥＤチップ２３に光が吸収されることを防ぐために、ＬＥＤチップ２３を構成する材料よりも屈折率が低い物資を使用するのが望ましい。
【００３１】
［実施例２］
図５ａおよび図５ｂを参照して、モールドして形成される光抽出部４１などのモールド層とＬＥＤチップとの結合を高めるために、上部金属層１１と絶縁体層１６にまたがって延在する係合部５１を形成した本発明の別の態様のＬＥＤランプを説明する。なお、図ではＬＥＤチップまたは基板背面のはんだ上り用空間など、既に説明した構造については適宜省略してある。
【００３２】
すなわち、係合部５１は、上部金属層１１と絶縁体層１６の一部とを略垂直な方向に除去しておき、この除去された空間内に、光抽出部４１などのモールド材料を注入することによって形成され、この係合部５１によって、モールド層とチップとの相互の結合性を高めることができる。係合部５１を形成するために予め除去される穴は、円柱、四角柱、下辺が上辺より長い矩形柱などの形状にすることもできる。
【００３３】
［実施例３］
図６を参照して、光抽出部４１の側面に隣接して形成される光ガイド６１をさらに含んだ本発明の別の態様を説明する。光ガイド６１は、発光ダイオードチップ２３から放出される光をチップ２３の上方に放出されるように光を誘導する役割を果たす。光ガイド６１は、白色レジストなどの反射率が高い物質、または白色顔料や光反射性に優れた金属粒子を分散させた材料で形成され、モールドまたはテープ接着によって取り付けることができる。また、必要に応じて、光ガイドを光抽出部に対して所定の傾斜を持たせるように形成
することもでき、４５度〜９０度の傾斜角度とするのが好ましい。
【００３４】
［実施例４］
図７を参照して、本発明の別の態様のＬＥＤランプを説明する。この態様は、ＬＥＤ素子からの発光効率を高めるために、ＬＥＤチップが載置される箇所に反射構造７１を設けたものである。反射構造７１は、上部金属層１１の第１領域１２に凹部を形成するように、第１領域１２の一部を除去することによって得られる。第１領域１２上の凹部は、ウェットエッチング、好ましくはハーフエッチングで形成することができる。反射構造７１は、複数の曲率半径を有する形状とし、凹部の下面方向の光と側面方向の光がともに上方に誘導されるようにすることが好ましい。また、光の再吸収が起きないように大きさ、形状な
どを適宜選択することが好ましい。さらに、反射構造７１に対して、反射率の高い金属材料、たとえば銀でコーティングしてもよい。反射構造７１によって、ＬＥＤチップから放出される光が所望の方向に導かれ、より効率の高い光を生成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明により、放熱効率の高いＬＥＤランプを容易かつ安価に製造できるので、ＬＥＤ素子を利用した高出力光源としての用途をさらに拡大し、以て産業の発展に大いに寄与することが期待される。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明で好適に利用される回路基板を示す正面概略図である。
【図２】本発明の一態様を示す図である。
【図３ａ】本発明のはんだリフロー補助用の梯子構造を説明する図である。
【図３ｂ】本発明のはんだリフロー補助用の梯子構造を説明する図である。
【図３ｃ】本発明のはんだリフロー補助用の梯子構造を説明する図である。
【図３ｄ】本発明のはんだリフロー補助用の梯子構造を説明する図である。
【図４】本発明の別の態様を示す図である。
【図５ａ】本発明の別の態様を説明する図である。
【図５ｂ】図５ａに示した基板の平面図である。
【図６】本発明の別の態様を示す図である。
【図７】本発明の別の態様を説明する図である。
【符号の説明】
【００３７】
１１    上部金属層
１２    第１領域
１３    第２領域
１４    電気絶縁部
１５    下部金属層
１６    絶縁体層
２１    はんだ流入用空間
２２    導電体
２３    ＬＥＤチップ
２４    ワイヤ
３１    梯子構造
３１ａ  梯子構造の断面
４１    光抽出部
５１    係合部
６１    光ガイド
７１    反射構造
【図１】
2008263204.tif 000003
【図２】
2008263204.tif 000004
【図３ａ】
2008263204.tif 000005
【図３ｂ】
2008263204.tif 000006
【図３ｃ】
2008263204.tif 000007
【図３ｄ】
2008263204.tif 000008
【図４】
2008263204.tif 000009
【図５ａ】
2008263204.tif 000010
【図５ｂ】
2008263204.tif 000011
【図６】
2008263204.tif 000012
【図７】
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