(57)【要約】【課題】    アモルファスＳｉ等の半導体膜のアニール領域を接続して広い面積を均一に多結晶化できるレーザアニール方法ないしレーザアニール装置を提供する。【解決手段】    レーザアニール方法は、（ａ）基板上に形成した半導体膜を仮想的に所定幅の複数の領域に分割し、各領域で長尺レーザビームを幅方向に走査して基板上の半導体膜を溶融、結晶化する工程と、（ｂ）隣接する領域の境界領域を長尺ビームより短い短尺レーザビームを幅方向に走査して溶融、再結晶化する工程と、を含む。【選択図】  図１
2008211093.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板上に形成した半導体膜を仮想的に所定幅の複数の領域に分割し、各領域で長尺レーザビームを幅方向に走査して基板上の半導体膜を溶融、結晶化する工程と、
（ｂ）前記複数の領域の隣接する領域の境界領域を前記長尺ビームより短い短尺レーザビームを幅方向に走査して溶融、再結晶化する工程と、
を含むレーザアニール方法。
【請求項２】
前記長尺レーザビームがエキシマレーザビームまたは固体レーザビームであるである請求項１記載のレーザアニール方法。
【請求項３】
前記短尺レーザビームが固体レーザビームである請求項１または２記載のレーザアニール方法。
【請求項４】
前記短尺レーザビームの長さが３ｍｍ〜１０ｍｍである請求項１〜３のいずれか１項記載のレーザアニール方法。
【請求項５】
前記工程（ａ）が、
（ａ１）長尺レーザビームを幅方向に走査して、前記複数の領域の１つを結晶化するレーザアニール工程と、
（ａ２）前記長尺レーザビームの位置を隣接する領域の１つに移動し、折り返し走査する工程と、
を含む請求項１〜４のいずれか１項記載のレーザアニール方法。  
【請求項６】
前記工程（ａ）が、
（ａ３）複数の長尺レーザビームを隣接する複数の領域上に長尺レーザビームの幅方向にずらして配置し、幅方向に走査して、複数の領域を結晶化するレーザアニール工程、
を含み、前記工程（ｂ）が
（ｂ−１）前記複数の領域の境界領域を、前記短尺レーザビームで後追い走査し、溶融、再結晶化する工程、
含む請求項１〜４のいずれか１項記載のレーザアニール方法。
【請求項７】
前記半導体膜がアモルファスシリコン膜である請求項１〜６のいずれか１項記載のレーザアニール方法。
【請求項８】
半導体膜を形成した基板を載置し、並進駆動できるテーブルと、
前記テーブル上方に配置され、長尺レーザビームを基板上の半導体膜に照射できる長尺レーザビーム光学系と、
前記テーブル上方に配置され、前記長尺ビームより短い短尺レーザビームを基板上の半導体膜に照射できる短尺レーザビーム光学系と、
を有するレーザアニール装置。
【請求項９】
前記長尺レーザビーム光学系がシリンドリカルレンズで構成された結像レンズ系を有し、前記短尺レーザビーム光学系が球面レンズで構成された結像光学系を有する請求項８記載のレーザアニール装置。
【請求項１０】
前記短尺レーザビーム光学系の結像レンズ系が直径２０ｍｍ〜５５ｍｍの球面レンズで構成された請求項９記載のレーザアニール装置。
【請求項１１】
前記長尺レーザビーム光学系が長さ方向端部のスロープ部が１ｍｍ以上の長尺レーザビームを投影する光学系であり、前記短尺レーザビーム光学系が長さ方向端部のスロープ部の幅が２．２μｍ以下の短尺レーザビームを投影する光学系である請求項８〜１０のいずれか１項記載のレーザアニール装置。
【請求項１２】
前記長尺レーザビームの長さが２０ｃｍ以上であり、前記短尺レーザビームの長さが５ｍｍ以下である請求項８〜１１のいずれか１項記載のレーザアニール装置。
【請求項１３】
前記長尺レーザビームがエキシマレーザビームまたは固体レーザビームである請求項８〜１２のいずれか１項記載のレーザアニール装置。
【請求項１４】
前記短尺レーザビームが固体レーザビームである請求項８〜１３のいずれか１項記載のレーザアニール装置。
【請求項１５】
前記長尺レーザビーム光学系が複数の長尺レーザビーム照射系を含み、前記テーブルを並進駆動した時、隣接する領域上を前記複数の長尺レーザビーム照射系が出射する複数の長尺レーザビームを幅方向に走査できる光学系であり、前記短尺レーザビーム光学系が前記隣接する領域の境界領域を短尺レーザビームで後追い走査できる光学系である請求項８〜１４のいずれか１項記載のレーザアニール装置。
【請求項１６】
前記複数の長尺レーザビーム照射系は、長尺レーザビームの幅方向にずらして配置されている請求項１５記載のレーザアニール装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザアニール装置とレーザアニール方法に関し、特にアモルファスシリコン（Ｓｉ）膜やグレインサイズの小さい多結晶Ｓｉ膜等の半導体膜を結晶化できる、レーザアニール装置とレーザアニール方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置などにおいて、ガラス基板上に形成したアモルファスＳｉ膜にレーザ光を照射して多結晶化することが行なわれている。アモルファスＳｉ中の電子の移動度は高々１ｃｍ２／Ｖｓであるが、例えばエキシマレーザで結晶化した多結晶Ｓｉ中の電子の移動度は１００ｃｍ２／Ｖｓ〜２００ｃｍ２／Ｖｓ程度にも達すると言われている。多結晶Ｓｉ膜中の電荷担体の移動度は、多結晶中のグレインの大きさに依存する。グレインサイズの小さな多結晶Ｓｉ膜にレーザアニールを行い、グレインサイズを大きくすると、電荷担体の移動度を向上できる。以下、制限的意味なく、アモルファスＳｉ膜のレーザアニールを主に説明する。
【０００３】
パルス発振エキシマレーザの出力は、例えば３００Ｗ程度ある。エキシマレーザの出力光を、表示装置の寸法に合わせて、例えば長さ３２ｃｍ〜３７ｃｍ程度の長尺ビームに整形し、アモルファスＳｉ膜上に照射する。エキシマレーザ光を照射されたアモルファスＳｉ膜は溶融し、結晶化する。パルスレーザ光を次々に照射し、ビーム短尺方向に走査することにより、広い面積を結晶化できる。
【０００４】
特表２０００−５０５２４１号は、開口パターンを形成したマスクを用いてアモルファスシリコン膜の細条状領域にエキシマレーザ光を照射し、照射領域内を完全に溶融させ、再凝固させると、細条状領域の両境界部から中央部に向けて２個の粒子列が爆発的に（ラテラル）成長する、粒子列の幅未満照射領域をシフトして、次のエキシマレーザ光を照射して結晶化した粒子列の一方を部分的に溶融すると、再凝固に際し、先に成長した結晶粒子列が一層長くなると報告する。
【０００５】
ＷＯ２００４／０４０６２８号は、アモルファスシリコン膜に長尺状エキシマレーザビームを照射すると、長尺レーザビーム照射領域の幅方向端縁からある程度内側に比較的大きな結晶粒が成長し、それより内側の領域には小さな微結晶粒が成長し、外側には中間の大きさの結晶粒がランダムに分布する、長尺状エキシマレーザビームを順次、結晶粒の幅未満、短尺方向に走査して照射することにより、走査方向に＜１１０＞方向が揃った大きなラテラル結晶粒を得られることを報告する。
【０００６】
長尺状レーザビームを短尺方向に走査してストライプ状領域を結晶化しても、ストライプ状領域の幅（長尺レーザビームの長さ）には限界がある。広い面積を結晶化するには、ストライプ状領域の隣の領域をさらに結晶化する必要がある。
【０００７】
特開２００２−４３２４５号は、長尺状レーザビームは端部でエネルギが連続的に減少しスロープ部を形成する、１ショット目のスロープ部で結晶化された領域は２ショット目で中央部の高いエネルギを照射されても、１ショット目に高いエネルギで結晶化された領域より結晶性が悪く、キャリア移動度が小さくなると報告し、長尺状レーザビームの端部を遮光膜により遮光してスキャンアニールにより結晶化を行ない、その後遮光膜を除去し、未結晶化領域を結晶化する方法を提案する。
【０００８】
【特許文献１】特表２０００−５０５２４１号公報
【特許文献２】ＷＯ２００４／０４０６２８号公報
【特許文献３】特開２００２−４３２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、半導体膜のアニール領域を接続して広い面積を均一に結晶化できるレーザアニール方法ないしレーザアニール装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の１観点によれば、
（ａ）基板上に形成した半導体膜を仮想的に所定幅の複数の領域に分割し、各領域で長尺レーザビームを幅方向に走査して基板上の半導体膜を溶融、結晶化する工程と、
（ｂ）前記複数の領域の隣接する領域の境界領域を前記長尺ビームより短い短尺レーザビームを幅方向に走査して溶融、再結晶化する工程と、
を含むレーザアニール方法
が提供される。
【００１１】
本発明の他の観点によれば、
半導体膜を形成した基板を載置し、並進駆動できるテーブルと、
前記テーブル上方に配置され、長尺レーザビームを基板上の半導体膜に照射できる長尺レーザビーム光学系と、
前記テーブル上方に配置され、前記長尺ビームより短い短尺レーザビームを基板上の半導体膜に照射できる短尺レーザビーム光学系と、
を有するレーザアニール装置
が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
長尺レーザビームによる複数の結晶化領域の境界領域を長さ方向端部のスロープ部の幅が極めて狭い短尺レーザビームで再結晶化できる。短尺レーザビームは境界領域を再結晶化するのみなので、小さくすることができ、小型軽量の結像レンズを利用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
エキシマレーザの出力は高いが、長尺状ビームにしてもその長さは高々４０ｃｍ程度である。幅４０ｃｍより広い面積の半導体膜を結晶化するためには、半導体膜を仮想的に複数の領域に分割し、各領域で長尺状ビームを短尺方向に走査して結晶化する必要がある。例えば、７３０ｍｍ×９２０ｍｍのガラス基板上にアモルファスシリコン膜を形成し、全面（多）結晶化するには、長さ３６５ｍｍの長尺状レーザビームを形成し、７３０ｍｍ幅を２つの領域に分けてレーザアニールすることになる。長尺状レーザビームの長尺方向端部にはエネルギが減少するスロープ部が存在するので、複数の領域の境界領域の結晶性は悪くなる。液晶表示装置の大型化と共に、ガラス基板の大型化も進んでいる。境界領域も増加する傾向にある。レーザアニール領域の境界領域の結晶性改善の要求は今後ますます強くなるであろう。
【００１４】
ラテラル成長のためにはレーザビームの縁部の強度変化が急峻であることが好ましいと言われている。ビーム強度の変化が緩やかであると、微結晶が発生してラテラル成長を阻害する。長尺レーザビームを結像する光学系は、短尺方向に結像作用を有するシリンドリカルレンズを用いている。開口ないしスリットを有するマスクの像を幅方向に縮小露光する方式で、短尺方向のスロープ部の幅は２μｍ程度にすることができる。基板平面内にＸＹ軸を想定した場合、Ｘ方向に結像作用を有するシリンドリカルレンズはＹ方向には結像作用を有さない。たとえ開口を有するマスクを用いてもＹ方向の分解能は高くしにくい。Ｙ方向端部にはビーム強度が減少するスロープ部が幅２ｍｍ程度形成されてしまう。今後技術が進歩しても、シリンドリカルレンズを用いる限り、スロープ部の幅を１ｍｍ未満以下にすることは不可能であろう。従って、長尺状レーザビームは長さ方向端部に、１ｍｍ以上のスロープ部を有することを前提にせねばならない。
【００１５】
レーザアニール領域を接続するためにはＹ（長さ）方向端部のスロープ部の幅を２μｍ程度以下にすることが望まれている。そこで、スロープ部の幅を２．２μｍ以下にすることを考察する。例えば、結像光学系が１／５の縮小露光を行なう場合、１０μｍ×３６５ｍｍの長尺状レーザビームを結像するには、マスクの開口は５０μｍ×１８２５ｍｍの大きさになってしまう。広い面積を効率的に結晶化するには、長尺状レーザビームの長さは少なくとも２０ｃｍは必要である。長さを２０ｃｍとしても、１／５縮小露光すると、マスク開口の長さは１ｍになる。結像レンズはこの開口サイズより大きくなければならない。Ｘ方向、Ｙ方向共に２．２μｍ以下の分解能を有する球面レンズを作成しようとすると、極めて大きな高精度レンズとなり、技術的にもコスト的にも現実的ではない。現実的な長尺状レーザビームは、シリンドリカルレンズを利用せざるを得ない。このため、長尺方向端部にスロープ部が存在し、スロープ部の結晶性は劣ることになる。
【００１６】
なお、「球面レンズ」の用語は、１方向にしか焦点距離を有さないシリンドリカルレンズとの対比で用いているもので、ＸＹ両方向に焦点距離を有するレンズの意味である。非球面レンズも球面レンズと呼ぶ。
【００１７】
以下、本発明の実施例を、図面を参照して説明する。
【００１８】
図１Ａ，１Ｂは、基本実施例によるレーザアニール方法を概略的に示すガラス基板の平面図である。図１Ｃ，１Ｄは、図１Ａ，１Ｂに対応するガラス基板の断面図である。
【００１９】
図１Ａ，１Ｃに示すように、例えば、Ｘ：９２０ｍｍ×Ｙ：７３０ｍｍのガラス基板１の上にはシリコン膜２が形成されている。低温で堆積したシリコン膜は、当初アモルファスである。図１Ａに示すようにエキシマレーザの３６５ｍｍ長尺状ビームＬＢをＹ方向に平行にし、−Ｘ方向にレーザ走査Ｓ１を行い、基板の上半分の結晶化を行なう。次に、長尺状ビームを−Ｙ方向に移動し、折り返してＸ方向にレーザ走査Ｓ２を行い、基板の下半分の結晶化を行なう。アモルファスシリコン膜２の大部分は一様に結晶化するが、長尺状ビームＬＢ端部のスロープ部に対応して、結晶性の悪い細いストライプ状領域３が発生する。２本のストライプ状領域３をまとめて３ｔで示す。なお、１本の長尺状ビームを往復させて、シリコン膜を結晶化する場合を説明したが、図１ＡのＳ１，Ｓ２に示すように、複数の長尺状ビームを走査（Ｘ）方向に離して配置し、平行にＸ方向に走査してもよい。上側結晶化領域と下側結晶化領域とは接している場合を示したが、端部を重ねても、僅か離してもよい。アモルファスシリコン膜の代わりに、結晶粒の小さな多結晶シリコン膜をより大きな結晶粒に結晶化してもよい。
【００２０】
図１Ｂに示すように、中央の結晶性の悪いストライプ状領域３ｔの幅を覆う短尺状レーザビームＳＢを用い、中央のストライプ状領域３ｔのレーザ走査Ｓ３を行う。結晶性の悪い領域３の幅が２ｍｍとし、２つの領域が接して、幅４ｍｍの領域３ｔとなっているとして、短尺状レーザビームは長さ５ｍｍあれば十分である。例えば、長さ５ｍｍ、幅１０μｍ程度のサイズでよい。１／５縮小露光する場合のマスクの開口サイズは、２５ｍｍ×５０μｍである。結像レンズは径３０ｍｍ程度のものを使用できる。この程度のレンズであれば高精度の球面レンズを比較的容易に作成できる。スロープ部の幅は長さ方向、幅方向共に２．２μｍ以下とする。結晶化により吸収係数が変化していても、照射領域を完全に溶融できるエネルギ強度でレーザ走査を行うことにより、結晶性の悪かった領域３を含めて、照射領域の半導体膜を完全に溶融し、再結晶化させる。
【００２１】
長尺状レーザビームのスロープ部の長さが長くなったり、隣接する結晶化領域が若干離れている場合にも対応できるように、短尺状レーザビームを１０ｍｍまで長くすることを考える。１／５縮小投影する場合、マスクの開口長さは５０ｍｍとなる。レンズの直径は５５ｍｍ位あれば足りる。隣接する結晶化領域のスロープ部を重ねることを考える。スロープ部の幅は２ｍｍ程度まで減少できる。短尺状レーザビームの長さは、３ｍｍ程度で足りる。１／５縮小投影する場合、マスクの開口長さは１５ｍｍとなる。レンズの直径は２０ｍｍ位あれば足りる。より高精度のレンズを容易に作成できる。このように、短尺状レーザビームの長さは、３ｍｍ〜１０ｍｍ、高精度の球面レンズの直径は、２０ｍｍ〜５５ｍｍの範囲であろう。
【００２２】
図１Ｄに示すように、スロープ部の幅が狭い短尺レーザビームＬＢで再結晶化され、中央部の結晶性の悪かった領域３ｔは消滅する。両側の領域３は基板縁部に位置するので液晶表示装置の表示領域には使用されず、そのまま残してよい。勿論、両端部の領域３も再結晶化してもかまわない。短尺状レーザビームＳＢは、面積が小さいので、必要なエネルギが低く、エキシマレーザで形成してもよいが、例えば、レーザダイオード励起のＮｄ：ＹＡＧ，Ｎｄ：ＹＶＯ４等の２次高調波（２ω）、波長５２７ｎｍ〜５３２ｎｍの固体レーザを利用することもできる。
【００２３】
図２Ａ，２Ｂは、長尺ビーム投影用光学系を示す。ＸｅＣｌエキシマ等のパルス発振エキシマレーザ光源１１から出射するエキシマレーザ光は、ズームレンズ系１２を介して、ホモジナイザ１３に入射し、均一なエネルギ分布を形成する。エネルギ分布を均一化したエキシマレーザ光は、１方向ズームレンズ系１４で短尺方向を縮小し、長尺方向は平行光線化し、短尺方向はマスク１６の像を結像する結像光学系１５によって、投影面１７上に長尺ビーム１８として投影される。長尺ビーム投影用光学系は、公知の物が利用でき、種々変更可能である。
【００２４】
図２Ｃは、短尺ビーム投影用光学系を示す。例えば、パルス発振Ｎｄ：ＹＡＧ高調波固体レーザ光源２１から出射するレーザ光は、ズームレンズ系２２を介して、ホモジナイザ２３でエネルギ分布を均一化され、ズームレンズ系２４を介してマスク２６を照明する。マスク２６の開口の像が球面レンズを用いた結像光学系２５によって投影面１７上に短尺ビーム２８として縮小投影される。１／５縮小投影で長さ５ｍｍの像を形成するとして、球面レンズで構成した結像光学系のレンズ径は約３０ｍｍである。マスク２６は、例えば長さ２５ｍｍ、幅５０μｍの開口を有する。
【００２５】
なお、長尺ビーム投影光学系、短尺ビーム投影光学系共に、光軸（Ｚ軸）に垂直な面（ＸＹ面）内でビーム幅方向のＸ方向、ビーム長さ方向のＹ方向の強度分布をそれぞれ均一化するホモジナイザを供える構成を示したが、ビーム幅方向のＸ方向のホモジナイザは省略することもできる。
【００２６】
図２Ｄ，２Ｅは、長尺状レーザビーム１８の幅方向、長さ方向のエネルギ分布を示す。図２Ｄに示すように、幅方向は約１０μｍの均一強度部分とその両側の約２μｍのスロープ部を有する。図２Ｅに示すように、長さ方向は例えば３６５ｍｍの均一強度部分とその両側の約２ｍｍのスロープ部を有する。
【００２７】
図２Ｆ，２Ｇは、短尺状レーザビーム２８の幅方向、長さ方向のエネルギ分布を示す。図２Ｆに示すように、幅方向は約１０μｍの均一強度部分とその両側の約２μｍのスロープ部を有する。図２Ｇに示すように、長さ方向は例えば５ｍｍの均一強度部分とその両側の約２μｍのスロープ部を有する。
【００２８】
なお、長尺レーザビームををエキシマレーザ光で構成し、短尺レーザビームをＹＡＧ高調波レーザなどの固体レーザ光で形成する場合を説明したが、長尺レーザビームを固体レーザビームで形成することもできる。固体レーザビームはエネルギを高くすることが難しいので、接続部の数はより多くなるであろう。長尺状レーザビームの接続部を短尺レーザビームで結晶性良く接続できれば、全固体レーザアニール装置も可能となる。
【００２９】
図３Ａは、レーザアニール装置の構成、アニール方法を概略的に示す斜視図、図３Ｂ、３Ｃは変形例を概略的に示す平面図である。
【００３０】
図３Ａに示すように、ＸＹステージ３０の上方に長尺ビーム光学系１０、短尺ビーム光学系２０が配置されている。長尺ビーム光学系１０は、エキシマレーザ光源１１、バリアブルアッテネータ１９、均質光学系１３、方向変換用ミラーＭ１，長尺ビーム投影光学系６を含む。均質光学系１３は長尺ビームの長さ（Ｙ）方向の均質化のみを行う構成で示すが、図２Ａ，２Ｂに示したように光軸に直交する２方向の均質化を行うようにしてもよい。長尺ビーム投影光学系６は、シリンドリカルレンズで結像系を構成している。短尺ビーム光学系２０は、ＬＤ励起固体レーザ光源２１、バリアブルアッテネータ２９、均質光学系２３、方向変換用ミラーＭ２，短尺ビーム投影光学系７を含む。均質光学系２３は短尺ビームの長さ（Ｙ）方向の均質化のみを行う構成で示すが、図２Ｃに示したように光軸に直交する２方向の均質化を行うようにしてもよい。短尺ビーム投影光学系７は、球面レンズで結像系を構成している。短尺ビーム光学系２０は、長尺ビーム光学系１０の１端部から走査方向後方に一定距離離して配置される。
【００３１】
ＸＹテーブル３０の上に、アモルファスシリコン膜を堆積したガラス基板３１を載置し、長尺ビーム光学系１０によってレーザアニールを行い、結晶化を行なう。最初の第１走査Ｓ１においては、短尺ビーム光学系２０は駆動されない。第１走査を終え、折り返して第２走査Ｓ２を行なう際、第１走査による結晶化領域３３と第２走査による結晶化領域３４の境界領域ないし、隣接縁部を含む領域を短尺ビーム光学系２０が後追い走査する。長尺ビームにより結晶化した領域縁部の結晶性の悪い領域を含んで、半導体膜は溶融し、再結晶化する。なお、長尺ビーム光学系１０でレーザアニールしたストライプ状領域を接続する境界領域を短尺ビーム光学系２０で再度レーザアニールする構成であれば種々の変形が可能である。長尺ビーム光学系１０のレーザアニール走査は、基板全面をレーザアニールできればよい。
【００３２】
図３Ｂは、基板下側から上側に折り返し走査をする変形例を示す。基板下部に第１走査Ｓ１を行い上側に折り返して第２走査Ｓ２を行なう。長尺ビーム走査領域端部を重ねる場合を示す。短尺ビーム光学系のレンズを小さくするには、長尺ビーム光学系の走査領域端部を重ね、結晶性の悪い領域の幅を小さくすることが好ましい。短尺ビーム光学系の結像レンズ系は、直径５ｍｍ以下の球面レンズで構成できる。
【００３３】
図３Ｃは、２つの長尺ビーム光学系１０ａ、１０ｂを走査方向にずらして配置し、端部を重ねて走査する場合を示す。短尺ビーム光学系２０はさらに後方から結晶性の悪い境界領域上を後追い走査し、レーザアニールする。
【００３４】
以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限られない。例えば種々の変更、置換、改良、組み合わせなどが可能なことは当業者に自明であろう。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】図１Ａ，１Ｂは、基本実施例によるレーザアニール方法を概略的に示すガラス基板の平面図、図１Ｃ，１Ｄは、図１Ａ，１Ｂに対応するガラス基板の断面図である。
【図２】図２Ａ，２Ｂは、長尺ビーム投影用光学系を示す２方向側面図、図２Ｃは、短尺ビーム投影用光学系を示す側面図、図２Ｄ，２Ｅは、長尺状レーザビーム１８の幅方向、長さ方向のエネルギ分布を示すグラフ、図２Ｆ，２Ｇは、短尺状レーザビーム２８の幅方向、長さ方向のエネルギ分布を示すグラフである。
【図３】図３Ａは、レーザアニール装置の構成、アニール方法を概略的に示す斜視図、図３Ｂ、３Ｃは変形例のレーザアニール方法を概略的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１      基板、
２      半導体膜、
３      結晶性の悪い領域、
６      長尺ビーム投影光学系、
７      短尺ビーム投影光学系
１０      長尺ビーム光学系、
１１      パルス発振エキシマレーザ光源、
１２      ズームレンズ系、
１３      ホモジナイザ、
１４      １方向ズームレンズ系、
１５      結像光学系、
１６      マスク、
１７      投影面、
１８      長尺ビーム、
１９      バリアブルアッテネータ、
２０      短尺ビーム光学系、
２１      ＬＤ励起固体レーザ光源、
２２      ズームレンズ系、
２３      ホモジナイザ、
２４      ズームレンズ系、
２５      結像光学系、
２６      マスク２６、
２８      短尺ビーム、
２９      バリアブルアッテネータ、
Ｍ      ミラー、
【図１】
2008211093.tif 000003
【図２】
2008211093.tif 000004
【図３】
2008211093.tif 000005