(57)【要約】【課題】被露光基板にうねりが存在する場合においても簡便な機構で大面積にわたってマスクと被露光物との密着を確保するための近接場露光用マスク、近接場露光装置及び近接場露光方法を提供する。【解決手段】露光用光の波長よりも小さい開口１０３を備えた遮光膜１０２と、該遮光膜を保持するマスク母材１０１とを有し、  被露光物に接触させた際に前記開口に対応して生じる近接場光を用いて前記被露光物への露光を行うための近接場露光用マスクであって、  前記マスク母材を、前記露光用光に対して透明で、ヤング率が１ＧＰａ以上、１０ＧＰａ以下の範囲の合成樹脂で構成する。【選択図】            図１
2008112142.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光用光の波長よりも小さい開口を備えた遮光膜と、該遮光膜を保持するマスク母材とを有し、
被露光物に接触させた際に前記開口に対応して生じる近接場光を用いて前記被露光物への露光を行うための近接場露光用マスクであって、
前記マスク母材が、前記露光用光に対して透明で、ヤング率が１ＧＰａ以上、１０ＧＰａ以下の範囲の合成樹脂で構成されていることを特徴とする近接場露光用マスク。
【請求項２】
前記マスク母材が、環状ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタラート、ポリカーボネートまたはポリメチルメタクリル酸のいずれかで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の近接場露光用マスク。
【請求項３】
前記遮光膜と前記マスク母材との間に、前記マスク母材よりも線膨張係数が小さく、露光用光に対して透明な中間層を、１層以上含むことを特徴とする請求項１に記載の近接場露光用マスク。
【請求項４】
前記中間層が、ＳｉＯ２、ＳｉＮまたはスピン・オン・グラスのいずれかであることを特徴とする請求項３に記載の近接場露光用マスク。
【請求項５】
支持機構に支持された近接場露光用マスクと、該近接場露光用マスクに荷重を印加する荷重印加機構とを備え、
前記荷重印加機構による荷重の印加によって、前記近接場露光用マスクを変形させて被露光物に密着させ、
前記近接場露光用マスクに形成した露光用光の波長よりも小さい開口に対応して生じる近接場光を用いて前記被露光物への露光を行う近接場露光装置であって、
前記露光用マスクとして、請求項１から４のいずれか１項に記載の近接場露光用マスクを備えていることを特徴とする近接場露光装置。
【請求項６】
前記荷重印加機構が、露光用光の入射する側から前記近接場露光用マスクに流体を用いて圧力を印加する機構で構成されていることを特徴とする請求項５に記載の近接場露光装置。
【請求項７】
近接場露光用マスクを変形させて被露光物に密着させ、前記近接場露光用マスクに形成した露光用光の波長よりも小さい開口に対応して生じる近接場光を用いて前記被露光物への露光を行う近接場露光方法であって、
前記マスクとして請求項１から４のいずれか１項に記載の近接場露光用マスクを用いて前記被露光物の露光を行うことを特徴とする近接場露光方法。
【請求項８】
前記被露光物に基板上にレジストを形成したものを用いて請求項７に記載の近接場露光方法により露光を行ない、露光されたレジストに現像を行うことで前記基板上に前記レジストによるパターンを形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法により形成された前記基板上の前記レジストによるパターンをマスクとして、前記基板にエッチングを行い、前記基板にデバイスを製造することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近接場露光用マスク、近接場露光装置、近接場露光方法、レジストパターンの形成方法、デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体メモリの大容量化やＣＰＵプロセッサの高速化・大集積化の進展とともに、光リソグラフィーのさらなる微細化は必要不可欠のものとなっている。
一般に光リソグラフィー装置における微細加工限界は、用いる光の波長の３分の１程度である。
このため、光リソグラフィー装置に用いる光の短波長化が進み、５０ｎｍ程度の微細加工が可能となっている。
このように微細化が進むフォトリソグラフィであるが、光の短波長化に伴い、露光装置の大型化、その波長域でのレンズの開発、装置のコスト、対応するレジストのコストなど、解決すべき課題が数多く浮上してきている。
【０００３】
一方、光を用いてその波長以下の解像度の微細加工を行なうために、近接場光を用いる方法が提案されている。
近接場光リソグラフィでは、光の回折限界の制約を受けないため、光源波長の３分の１以下の空間分解能を得ることができる。
また、光源として水銀灯や半導体レーザを使えば、光源が小さくなるために装置も小さく、露光装置単価も安くなるというメリットを有している。
【０００４】
このような近接場光リソグラフィの方式の一つとして、光ファイバーの先端をウエットエッチングにより先鋭化したプローブよりエバネッセント波を発生させて露光を行なうものがある（特許文献１）。
しかし、このような方法では、１本（または数本）の加工プローブで一筆書きのようにベクタースキャンによって微細加工を行っていく構成であるため、スループットを向上させる点で十分ではない。
そこで、特許文献２、特許文献３のように、一括露光による近接場露光方式の提案がなされている。
この一括露光による方式では、光源波長より狭い開口が形成された遮光層を有するフォトマスクをレジストに密着させ、一括露光を行なう方法が用いられる。
近接場光の強度分布は、マスクの微小開口から離れるに従って急激に減衰することからマスクとレジスト間の距離を極力近づける意味でフォトマスクとレジストとの密着が図られる。
【特許文献１】特開平７−１０６２２９号公報
【特許文献２】特開２００３−１５６８３４号公報
【特許文献３】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７５，３５６０（１９９９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の特許文献２では、石英ガラスをマスク母材としてこれに遮光膜を形成して構成した露光用マスクと、被露光基板とを密着させた状態で露光する近接場露光方法が開示されている。
しかしながら、このような石英ガラスのように固い材料によるマスク母材が用いられているマスクを、大面積全面にわたって被露光基板と密着させるのは、露光用マスクや被露光基板にうねりが存在ことを考慮すると困難なことである。
そして、良好な密着が得られない場合には、得られるパターン精度に影響がでる。
また、特許文献３では、弾性変形可能な程度までにマスク基板の厚さを薄くし、この薄い部分を制御された圧力をかけて弾性変形させることで、露光用マスクと被露光基板を密着させる近接場露光方法が開示されている。
しかしながら、この方法では、薄膜構造のマスクを製造するために多くの工程からなる作製プロセスを必要とし、また圧力印加時または圧力解放時にマスクの薄い部分が壊れる恐れがある。
このように従来の近接場露光用マスクについては、被露光基板と大面積にわたって良好な密着が得ると共に、作製プロセスの工程の削減、耐久性の向上に改善の余地があるというのが実状である。
【０００６】
本発明は、上記課題を踏まえ、被露光基板にうねりが存在する場合においても簡便な機構で大面積にわたってマスクと被露光物との密着を確保するための
近接場露光用マスク、近接場露光装置、近接場露光方法、レジストパターンの形成方法、デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、以下のように構成した近接場露光用マスク、該マスクを備えた近接場露光装置、該マスクを用いた近接場露光方法、レジストパターンの形成方法、デバイスの製造方法を提供する。
本発明の近接場露光用マスクは、露光用光の波長よりも小さい開口を備えた遮光膜と、該遮光膜を保持するマスク母材とを有し、被露光物に接触させた際に前記開口に対応して生じる近接場光を用いて前記被露光物への露光を行うための近接場露光用マスクであって、
前記マスク母材が、前記露光用光に対して透明で、ヤング率が１ＧＰａ以上、１０ＧＰａ以下の範囲の合成樹脂で構成されていることを特徴とする。
また、本発明の近接場露光用マスクは、前記マスク母材が、環状ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタラート、ポリカーボネートまたはポリメチルメタクリル酸のいずれかで構成されていることを特徴とする。
また、本発明の近接場露光用マスクは、前記遮光膜と前記マスク母材との間に、前記マスク母材よりも線膨張係数が小さく、露光用光に対して透明な中間層を、１層以上含むことを特徴とする。
また、本発明の近接場露光用マスクは、前記中間層が、ＳｉＯ２、ＳｉＮまたはスピン・オン・グラスのいずれかであることを特徴とする。
また、本発明の近接場露光装置は、支持機構に支持された近接場露光用マスクと、該近接場露光用マスクに荷重を印加する荷重印加機構とを備え、
前記荷重印加機構による荷重の印加によって、前記近接場露光用マスクを変形させて被露光物に密着させ、
前記近接場露光用マスクに形成した露光用光の波長よりも小さい開口に対応して生じる近接場光を用いて前記被露光物への露光を行う近接場露光装置であって、
前記近接場露光用マスクとして、本発明の近接場露光用マスクを備えていることを特徴とする。
また、本発明の近接場露光装置は、前記荷重印加機構が、露光用光の入射する側から前記近接場露光用マスクに流体を用いて圧力を印加する機構で構成されていることを特徴とする。
また、本発明の近接場露光方法は、近接場露光用マスクを変形させて被露光物に密着させ、前記近接場露光用マスクに形成した露光用光の波長よりも小さい開口に対応して生じる近接場光を用いて前記被露光物への露光を行う近接場露光方法であって、
前記近接場露光用マスクとして本発明の近接場露光用マスクを用いて前記被露光物の露光を行うことを特徴とする。
また、本発明のレジストパターンの形成方法は、前記被露光物に基板上にレジストを形成したものを用いて上記した近接場露光方法により露光を行ない、露光されたレジストに現像を行うことで前記基板上に前記レジストによるパターンを形成することを特徴とする。
また、本発明のデバイスの製造方法は、上記した近接場露光方法により形成された前記基板上の前記レジストによるパターンをマスクとして、前記基板にエッチングを行い、前記基板にデバイスを製造することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、マスク母材を露光用光に対して透明で、ヤング率が１ＧＰａ以上、１０ＧＰａ以下の範囲の合成樹脂で構成された近接場露光用マスクを用いることによって、
被露光基板にうねりが存在する場合においても簡便な機構で大面積にわたってマスクと被露光物との密着を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態における近接場露光用マスクについて説明する。
図１に、本発明の実施の形態における近接場露光用マスクの基本的構成の模式図を示す。
本実施の形態の近接場露光用マスクにおいては、マスク母材を、露光用光に対して透明で、ヤング率が１ＧＰａ以上、１０ＧＰａ以下の範囲の合成樹脂で構成する。
ヤング率が１ＧＰａよりも小さい場合には、露光用マスクが容易に変形してしまうため、露光により得られるパターンの精度が低下する。一方、ヤング率が１０ＧＰａを超えると、露光用マスクが変形しづらくなり、被露光基板のうねりへの追従性が十分でなくなる。
本発明の実施の形態における近接場露光用マスクは、上記構成の合成樹脂マスク母材１０１、遮光膜１０２、該遮光膜に形成された露光用光の波長よりも小さい幅の開口を少なくとも１つ以上含む微細パターン１０３からなる。
そして、本発明の実施の形態の近接場露光用マスクは、被露光物に接触させた際に前記開口に対応して生じる近接場光を用いて前記被露光物への露光を行うためのものである。
【００１０】
ここで用いられる合成樹脂としては、例えば、つぎのようなポリエステル樹脂、アクリル樹脂、プラスチックフィルム乃至はシート等、公知のものが挙げられる。
ポリエステル樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、環状ポリオレフィン、ポリ塩化ビニルなどのポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタレート、等が挙げられる。
また、アクリル樹脂としては、ポリメチルメタクリル酸等が挙げられる。
また、プラスチックフィルム乃至はシートとしては、ポリスチレンポリカーボネート、ポリイミド、等によるものが挙げられる。
透明性、耐熱性、耐薬品性などの観点から、環状ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタラート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリル酸が好ましく用いることができる。
具体的には、ＪＳＲ（株）製ＡＲＴＯＮ、日本ゼオン（株）製ＺＥＯＮＯＲ（登録商標）、ＺＥＯＮＥＸ（登録商標）（以上、環状ポリオレフィン）等がより好ましく用いることができる。
あるいは、東レ（株）製ルミラー（登録商標）、帝人デュポンフィルム（株）製テトロン（登録商標）（以上、ポリエチレンテレフタラート）、帝人化成パンライト（登録商標）（ポリカーボネート）、等がより好ましく用いることができる。
本発明の好適な実施形態においては、このような合成樹脂の中からヤング率が１ＧＰａ乃至１０ＧＰａの範囲内にあり、露光用の光を透過できる合成樹脂を選択し、マスク母材１０１として用いることが好ましい。
【００１１】
合成樹脂の厚みは特に限定されないが、好ましくは０．１μｍ〜４００μｍであり、より好ましくは５μｍ〜３００μｍである。
厚みが０．１μｍ未満の薄すぎる場合には、マスクの機械的強度が弱く、４００μｍを超えて厚すぎると露光用光に対する透明性が低くなり好ましくない。１０μｍ〜２００μｍの範囲では、機械的強度と透明性についてバランスがとれたものとなる。
遮光膜としては、金属または半導体など、露光用光に対する吸収が高いものが好ましい。具体的にはＣｒ、Ａｌ、Ｓｉ等挙げられるが、非晶質シリコンに代表されるＳｉが特に好ましい。
本発明の実施の形態における近接場露光用マスクは、作製プロセス工程数が少なく、低コストな近接場露光用マスクとなる。
また、本発明の実施の形態における近接場露光用マスクを用いることにより、装置構成が簡便で、低コストな近接場露光用装置及び近接場露光方法を実現することができる。
本発明の実施の形態における近接場露光装置は、支持機構に支持された近接場露光用マスクと、該近接場露光用マスクに荷重を印加する荷重印加機構とを備える。
そして、前記荷重印加機構による荷重の印加によって、前記近接場露光用マスクを変形させて被露光物に密着させ、
前記近接場露光用マスクに形成した露光用光の波長よりも小さい開口に対応して生じる近接場光を用いて前記被露光物への露光を行う近接場露光装置である。そして、本発明の実施の形態の露光装置は、近接場露光用マスクとして、本発明の近接場露光用マスクを備えていることを特徴とする。
また、本発明の実施の形態における近接場露光装置は、荷重印加機構を、露光用光の入射する側から前記近接場露光用マスクに気圧または液圧を印加する機構で構成することができる。
また、本発明の実施の形態における近接場露光方法は、近接場露光用マスクを変形させて被露光物に密着させ、
前記近接場露光用マスクに形成した露光用光の波長よりも小さい開口に対応して生じる近接場光を用いて前記被露光物への露光を行う近接場露光方法である。
そして、前記近接場露光用マスクとして本発明の近接場露光用マスクを用いて前記被露光物の露光を行うことを特徴とする。
【００１２】
つぎに、マスク母材と遮光膜との間に中間層を形成した、更に好ましい実施の形態について説明する。
図２に、本実施の形態におけるマスク母材と遮光膜との間に中間層を形成した構成例を示す。
図２に示すように、マスク母材２０１と遮光膜２０２との間に中間層２０４として、マスク母材２０１よりも線膨張係数αが小さく、露光用光に対して透明な材料を積層することが好ましい。即ち、本発明の近接場露光用マスクは、遮光膜とマスク母材との間に、前記マスク母材よりも線膨張係数が小さく、露光用光に対して透明な中間層を、１層以上含むことができる。
中間層２０４を設けることで、遮光膜やレジストの露光中の光吸収による発熱に起因したマスクの熱変形を更に低減することができる。
中間層２０４の材料としては、ＳｉＯ２、スピン・オン・グラスなどの酸化シリコン膜、ＳｉＮなどの窒化シリコン膜、ＳｉＯＮなどの酸化窒化シリコン膜を挙げることができる。
中間層２０４の厚みは特に限定されないが、好ましくは５ｎｍ〜５０００ｎｍであり、より好ましくは１０ｎｍ〜１０００ｎｍであり、特に好ましくは２０ｎｍ〜５００ｎｍである。
厚みが薄すぎる場合には、熱変形の低減効果が小さく、厚すぎる場合には被露光基板のうねりへの追従性が低くなり好ましくない。
【００１３】
中間層を設ける本実施の形態における近接場露光用マスクによれば、特に、熱変形を抑制することができ、加工精度の向上を図ることができる。
【実施例】
【００１４】
以下、具体的な実施例を挙げて本発明を詳細に説明する。
［実施例１］
近接場露光用マスクの作製方法及び該方法で作製された近接場露光用マスクについて説明する。
図３に、本実施例の近接場露光用マスクの作製方法を説明するための模式図を示す。
本実施例においては、まず、マスク母材３０１に上記発明の実施の形態で説明した露光用光に対して透明で、ヤング率が１ＧＰａ以上、１０ＧＰａ以下の範囲の合成樹脂を用い、該マスク母材に遮光膜３０２を成膜する（図３（ａ））。
ここで用いられる成膜の方法としては、スパッタリング、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎなどが挙げられる。
【００１５】
次に、遮光膜に微細パターン３０３を形成する（図３（ｂ））。
微細パターン３０３のパターニングは、Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ（ＦＩＢ）加工装置を用いた直接加工、またはＥｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ（ＥＢ）描画装置でパターニングされたレジストをマスクとしたエッチング加工で行なう。
本実施例では、微細パターン３０３の開口幅は、近接場露光で用いる露光光源の波長よりも狭くする。
【００１６】
ＥＢ描画装置を用いたエッチング加工では、遮光膜３０３上にＥＢレジストを直接塗布するか、遮光膜３０３上に酸化物層、金属層などのハードマスク層を形成し、その上にＥＢレジストを塗布する。
遮光膜３０３及び該ハードマスク層のエッチングはドライエッチングでもウエットエッチングでも良い。
ドライエッチングはＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、ＣＣｌ２Ｆ２、ＣＣｌ４、ＣＢｒＦ３、ＢＣｌ３、ＰＣｌ３、ＳＦ６、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＨＢｒなどのハロゲン化ガスを用いて行なう。
ウエットエッチングは水酸化カリウムやテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなどのアルカリ性水溶液を用いて行なう。
ドライエッチングでは、垂直かつ微細な開口パターンを形成可能であり、本実施例では特に好ましい。
【００１７】
このようにして、図１に示すような、露光用光の波長よりも小さい開口を備えた遮光膜と、該遮光膜を保持する露光用光に対して透明で、ヤング率が１ＧＰａ以上、１０ＧＰａ以下の範囲の合成樹脂からなるマスク母材と、を備えた近接場露光用マスクが得られる。
【００１８】
［実施例２］
本実施例では、中間層を備えた近接場露光用マスクの作製方法及び該方法で作製された近接場露光用マスクについて説明する。
図４に、本実施例の、中間層を備えた近接場露光用マスクの作製方法を説明するための模式図を示す。
マスク母材４０１、遮光膜４０２の成膜、微細パターン４０３の形成は、実施例１と同様であるから、説明を省略する。
【００１９】
本実施例においては、マスク母材４０１上に中間層４０４を成膜する（図４（ａ））。
ここでの、成膜の方法として、中間層の材料としてＳｉＯ２やＳｉＮを採用する場合、スパッタリング、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎなどが挙げられる。
中間層の材料として、スピン・オン・グラスを用いた場合、スピン塗布、スプレー塗布、気相蒸着、浸漬などで成膜した後、ホットプレートやオーブンを用いて加熱硬化する。
【００２０】
これらにより、図２に示す、露光用光の波長よりも小さい開口を備えた遮光膜と、該遮光膜を保持する露光用光に対して透明で、ヤング率が１ＧＰａ以上、１０ＧＰａ以下の範囲の合成樹脂からなるマスク母材と、中間層を備えた近接場露光用マスクが得られる。
【００２１】
［実施例３］
本実施例では、本発明の近接場露光用マスクを用いた近接場露光方法について説明する。
図５に、本実施例の近接場露光方法を説明するための図を示す。
近接場露光用マスク５１２の、マスク母材５０１側に、露光用光に対して透明な剛体である石英ガラス５１３を設置し、近接場露光用マスク５１２の、遮光膜５０２側に、レジストが塗布された被露光基板５１１を設置する（図５（ａ））。なお、本実施例においては、透明な剛体として石英ガラス５１３を設置したが、この透明な剛体は石英ガラスに限定されるものではない。尚、石英ガラス５１３は露光用マスクの支持機構として機能する。
ここで、レジストは、使用する光源に対して光感度を有するものであれば、ポジ型、ネガ型を問わずに使用できる。
このポジ型レジストとしては、例えば、ジアゾナフトキノン−ノボラック型レジスト、化学増幅ポジ型レジストが挙げられる。
ここで用いるネガ型レジストとしては、化学増幅ネガ型レジスト、光カチオン重合型レジスト、光ラジカル重合型レジスト、ポリヒドロキシスチレン−ビスアジド型レジスト、環化ゴム−ビスアジド型レジスト、ポリケイ皮酸ビニル型レジスト、等が挙げられる。
化学増幅ポジ型及び化学増幅ネガ型のレジストを使用すると、ライン・エッジ・ラフネスの小さいパターンが形成されるため、本発明では特に好ましい。
【００２２】
露光用光を遮らないように荷重５５１を印加する（図５（ｂ））。
合成樹脂は一般的に石英ガラスよりも柔軟性が高いため、被露光基板の表面のうねりに追従して、局所的に変形しながら、広い面積にわたって密着する。
被露光基板のうねりは、３００ｍｍΦシリコンウエハで１０００ｎｍ程度とされるウエハ基板の平坦度や、レジストの膜厚ムラに由来するものである。
なお、図５では、説明のため、被露光基板のうねりを誇張して示している。
また、本実施例では、近接場露光用マスクと被露光基板を密着させるための機構として荷重印加機構を示したが、流体を用いて圧力を印加する機構を利用しても良い。
【００２３】
近接場露光用マスクと被露光基板が、パターンを形成する領域で良好に密着した状態（非密着領域がない状態）で露光する（図５（ｃ））。
ここで、近接場露光の光源としては、公知の光源を用いることができる。
例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、高圧水銀灯、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、Ａｒイオンレーザ、半導体レーザ、Ｆ２エキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、可視光、等が用いられる。
これら光源は１つまたは複数で使用できる。高圧水銀灯、半導体レーザが低コスト、高出力であり、本発明では特に好ましい。
露光により近接場露光用マスクの遮光膜の開口部から近接場光が発生し、被露光基板上のレジストにパターンの潜像が転写される。
【００２４】
近接場露光されたレジスト層は、必要に応じて被露光基板を加熱した後、アルカリ性水溶液、水系現像液、有機溶剤などで現像される（図５（ｄ））。
現像の方式としては、例えば、ディップ方式、スプレー方式、ブラッシング、スラッピング等が挙げられる。これにより近接場レジストパターンが形成される。このように形成されたレジストパターンをマスクとして基板（例えば、シリコン、ゲルマニウム等の半導体基板等）にドライエッチング、ウエットエッチングを施し、基板上に金属蒸着、リフトオフ、めっき等の半導体プロセスを施すことで基板を加工する。これにより基板に所望のデバイスを製造することができる。
【００２５】
［実施例４］
実際に作製した近接場露光用マスクの作製例を以下に示す。
図３におけるマスク母材３０１として、１８８μｍ厚の日本ゼオン（株）製ＺＥＯＮＯＲを用いた。この材料のヤング率は、２．１ＧＰａである。該マスク母材に遮光膜３０２として５０ｎｍ厚のａ−Ｓｉをスパッタリングにて成膜した。
遮光膜３０２上に電子線レジスト（日本ゼオン（株）製ＺＥＰ５２０Ａ）を７０ｎｍ厚で直接塗布し、電子線描画、現像を行った。
【００２６】
電子線描画の後、遮光膜３０２のエッチングをＳＦ６、ＣＨＦ3の混合ガスを用いたドライエッチングで行い、微細パターン３０３を得た。本実施例では、微細パターン３０３は、ハーフピッチ８０ｎｍ及びハーフピッチ４５ｎｍのライン・アンド・スペースパターンとした。
以上の工程により、近接場露光用マスクが得られた。
【００２７】
［実施例５］
実施例４で作製した近接場露光用マスクを用いた、近接場露光実験結果を以下に示す。
近接場露光用マスク５１２の、マスク母材５０１側に、露光用光に対して透明な剛体である１ｍｍ厚の石英ガラス５１３を設置し、近接場露光用マスク５１２の、遮光膜５０２側に、レジストが塗布された被露光基板５１１を設置した（図５（ａ））。
ここで用いた基板は直径１００ｍｍ（１００ｍｍΦ）のシリコンウエハである。ここで、レジストとしては、図６に示す化合物の、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を用いた。シリコン基板上に前記レジストをスピン塗布し、９０℃９０秒の条件でホットプレート上でベークし、被露光基板５１１とした。レジスト膜厚は１３０ｎｍであった。
露光用光を遮らないように荷重５５１を印加した（図５（ｂ））。
近接場露光用マスクと被露光基板が、パターンを形成する領域で良好に密着した状態（非密着領域がない状態）で露光した（図５（ｃ））。
近接場露光の光源として、ｉ線（波長３６５ｎｍ）バンドパスフィルタを装着した高圧水銀灯を用いた。照度はマスク上面で、ｉ線において約８５ｍＪ／ｃｍ２であった。
【００２８】
近接場露光された被露光基板５１１を、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド２．３８％水溶液に室温で１０秒間浸漬することで現像した。
これにより形成された近接場レジストパターン５１４の原子力間顕微鏡画像を図７に示す。
露光時間１１４．５秒でハーフピッチ（ｈｐ）８０ｎｍ、深さ約１０ｎｍのパターン（図７（ａ））、露光時間７９．５秒でｈｐ４５ｎｍ、深さ約１０ｎｍのライン・アンド・スペースパターン（図７（ｂ））が得られた。
【００２９】
（比較例）
図３におけるマスク母材３０１として、１００μｍ厚の石英ガラスを用いた以外、実施例４と同様にして、近接場露光用マスクを作成した。ここで用いた石英ガラスのヤング率は、７２ＧＰａである。
こうして得られた近接場露光用マスクを用いた以外、実施例５と同様にして露光及び現像を行なったところ、マスクと被露光基板との間に密着していない領域が存在し、実施例５のような加工精度のレジストパターンは得られなかった。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施の形態における近接場露光用マスクの基本構成を示す模式図。
【図２】本発明の実施の形態における近接場露光用マスクのマスク母材と遮光膜との間に中間層を形成した構成例を示す模式図。
【図３】本発明の実施例１における近接場露光用マスクの作製方法を説明するための図。
【図４】本発明の実施例２における近接場露光用マスクの作製方法を説明するための図。
【図５】本発明の実施例３における近接場露光方法について説明するための図。
【図６】本発明の実施例５におけるレジスト材料を説明するための図。
【図７】本発明の実施例５における近接場レジストパターンの図。
【符号の説明】
【００３１】
１０１：マスク母材
１０２：遮光膜
１０３：微細パターン
２０１：マスク母材
２０２：遮光膜
２０３：微細パターン
２０４：中間層
３０１：マスク母材
３０２：遮光膜
３０３：微細パターン
４０１：マスク母材
４０２：遮光膜
４０３：微細パターン
４０４：中間層
５１１：被露光基板
５１２：近接場露光用マスク
５１３：石英ガラス
５１４：レジストパターン
５５１：荷重
５５２：露光用光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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