(57)【要約】【課題】高融点の相変化記録材料を使用する多層型情報記録媒体において、多数回の書換え性能を向上させ、高湿度の環境下での記録特性の低下を防ぐ。【解決手段】記録／再生光Ｌが照射される面に形成されたピット又は溝を有する基板１と基板１のピット又は溝上に積層した第一情報層（Ｌ０）２と光透過性材料を用いて形成された中間層３と第二情報層（Ｌ１）４及びカバー層５とを備え、記録／再生光Ｌの照射側に近い側の第二情報層（Ｌ１）４に、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料を含む第二記録層１９とＡｇ−Ｃａ−Ｃｕ合金を含む第二反射層１５との間に第二記録層１９及び第二反射層１５に接して形成したＣｒ−Ｔａ−Ｏ系材料を含む第三保護層１７との３層構造を設けた光情報記録媒体１００。【選択図】図２
2008305479.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、光の照射により情報の記録及び書換えが可能な複数の情報層と、
前記情報層間に形成された中間層と、を備え、
前記光が照射する側から見て近い側の前記情報層は、
Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料を含む記録層と、
前記記録層に接して形成されたＣｒ元素、Ｔａ元素及びＯ元素を含む保護層と、
前記保護層に接して形成されたＡｇ元素を含む反射層と、
を有することを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
前記保護層の厚みの範囲が８ｎｍ〜２５ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記保護層に含まれる前記Ｃｒ元素及び前記Ｔａ元素の組成（ＣｒＸＴａＹ）は、（Ｙ／Ｘ）の範囲が０．０５〜１．７であることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記記録層中に含まれる前記Ｂｉ元素、前記Ｇｅ元素及び前記Ｔｅ元素の組成比が、当該Ｂｉ元素、当該Ｇｅ元素及び当該Ｔｅ元素を頂点とする三角組成図上の下記Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの各点により囲まれた範囲内にあることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
Ａ（Ｂｉ３，Ｇｅ４６．２，Ｔｅ５０．８）
Ｂ（Ｂｉ５，Ｇｅ４６，Ｔｅ４９）
Ｃ（Ｂｉ１３，Ｇｅ３８，Ｔｅ４９）
Ｄ（Ｂｉ１０，Ｇｅ３８，Ｔｅ５２）
（但し、各元素の組成は原子％である。）
【請求項５】
前記反射層が、Ａｇ−Ｃａ−Ｃｕ合金を含むことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記光が、波長４１０ｎｍ以下の青色レーザ光であることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
光が照射される面に形成されたピット又は溝を有する基板と、
前記基板の前記ピット又は前記溝上に積層した第一情報層と、
前記第一情報層上に光透過性材料を用いて形成され、前記ピット又は前記溝を有する中間層と、
前記中間層上に積層した第二情報層と、
前記第二情報層に貼着したカバー層と、を備え、
前記第二情報層は、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料を含む記録層とＡｇ−Ｃａ−Ｃｕ合金を含む反射層との間に、当該記録層及び当該反射層に接して形成したＣｒ−Ｔａ−Ｏ系材料を含む保護層を有する
ことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項８】
前記第二情報層の前記記録層の前記Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料がＢｉ７Ｇｅ４３Ｔｅ５０（原子％）であり、当該第二情報層の前記保護層の厚みの範囲が９ｎｍ〜１５ｎｍであることを特徴とする請求項７に記載の情報記録媒体。
【請求項９】
前記中間層は、前記第一情報層上に塗布した光硬化性樹脂を、凹凸形状を有する光透過性スタンパを用いるフォトポリメリゼーション法により形成することを特徴とする請求項７に記載の情報記録媒体。
【請求項１０】
前記第一情報層は、少なくともＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化記録材料を含む記録層を有することを特徴とする請求項７に記載の情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体に関し、より詳しくは、光照射による記録層の相変化により情報の記録又は書換えが可能な情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
書換え可能な情報記録媒体の一つに相変化型光記録媒体が挙げられる。相変化型光記録媒体は光ビームの照射により原子配列が２つの異なる状態間（アモルファス相−結晶相）で可逆的に変化する記録層を備え、その記録層の２つの異なる原子配列の状態により情報が記録され、又は情報が書き換えられる。
近年、青色波長領域のレーザ光により情報を記録又は書換えるＢＤ−ＲＥ（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｋ  Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）は、ＤＶＤ−ＲＡＭ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）と比較して、記録容量の他にデータ転送速度が速いことが知られている。ＢＤ−ＲＥの２倍速のデータ転送速度は７２ＭＢｐｓであるのに対し、ＤＶＤ−ＲＡＭの２倍速のデータ転送速度は２２ＭＢｐｓである。つまりＢＤ−ＲＥのデータ書込み速度は、ＤＶＤ−ＲＡＭのデータ書込み速度に対して約３倍である。そのため、１倍速から２倍速対応のＢＤ−ＲＥに必要な相変化記録材料の検討は、約３倍速から約６倍速対応のＤＶＤ−ＲＡＭに使用する相変化記録材料と同等と考えられ、ＢＤ−ＲＥの記録層に用いる相変化記録材料には高速化に適した材料が必要である。さらに、情報量を増大させるために、複数の情報層を備える多層型のＢＤ−ＲＥも検討されている。
【０００３】
相変化型光記録媒体の記録層を形成する相変化記録材料には、一般に高融点のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金等が用いられる。このため、光ビームの照射による「アモルファス相−結晶相」間の相変化の際に、ポリカーボネート等の樹脂製基板への熱ダメージを低減する目的で、記録層の両側に誘電体材料を含む保護層を形成することが多い（特許文献１参照）。
また、我々の検討によれば、高速化に適した相変化記録材料としてＢｉＧｅＴｅ系材料が報告されている（特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−０５６５４５号公報
【特許文献２】特開２００４−１５５１７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、情報層を２層以上有する多層型の情報記録媒体の場合は、記録／再生光が入射する側から見て近い側の情報層（以下、近い側の情報層）を透過した光を用いて、記録／再生光が入射する側から見て遠い側の情報層（以下、遠い側の情報層）に情報を記録する必要がある。このため、近い側の情報層の積層構造が複雑になると、近い側の情報層の光透過性が低下し、遠い側の情報層の記録特性が十分に発揮できないという問題がある。
【０００６】
一方、我々の検討によれば、高速化に適したＢｉＧｅＴｅ系相変化記録材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金と比較してさらに融点が高く、少なくとも７００℃以上であることが判明している。そのため、反射層は、青色波長領域で熱伝導度が高いＡｇ合金を用いて構成される。さらに、相変化記録材料の相変化による熱ダメージを低減するために、青色波長領域において消衰係数が小さいＺｎＳ−ＳｉＯ２等を使用する保護層を反射層に隣接して設けることが多い。
しかし、Ａｇ合金は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２層中のＳ元素により腐食しやすい性質を有することが知られている。さらに、高湿度の環境下では、Ａｇ合金のＳ元素による腐食が進行する傾向がある。このため、情報層に複数の回数に亘り、繰り返して情報の書換えを行うと情報層の記録特性が低下するという問題がある。
【０００７】
本発明の目的は、高融点の相変化記録材料を使用する多層型の情報記録媒体において、多数回の書換え性能に優れ、且つ、高湿度の環境下で記録特性が低下しない情報記録媒体を提供することに有る。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は鋭意検討した結果、記録／再生光が入射する側から見て近い側の情報層に、反射層／Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ系材料を含む保護層／記録層の３層構造を設けることにより、相変化記録層材料を使用する情報記録媒体の書換え性能が向上することを見出し、かかる知見に基き本発明を完成した。
かくして本発明によれば、基板と、前記基板上に形成され、光の照射により情報の記録及び書換えが可能な複数の情報層と、前記情報層間に形成された中間層と、を備え、前記光が照射する側から見て近い側の前記情報層は、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料を含む記録層と、前記記録層に接して形成されたＣｒ元素、Ｔａ元素及びＯ元素を含む保護層と、前記保護層に接して形成されたＡｇ元素を含む反射層と、を有することを特徴とする情報記録媒体が提供される。
【０００９】
即ち、高融点のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料を使用する多層型の情報記録媒体において、記録／再生光が照射する側から見て近い側の情報層に、記録層とＡｇ合金を含む反射層との間にＣｒ−Ｔａ−Ｏ系材料を含む保護層を設けた３層構造を形成することにより、高速且つ高密度で情報の記録／再生、多数回の書換えが可能である。
ここで、前記保護層の厚みの範囲が８ｎｍ〜２５ｎｍであることが好ましい。
また、前記保護層に含まれる前記Ｃｒ元素及び前記Ｔａ元素の組成（ＣｒＸＴａＹ）は、（Ｙ／Ｘ）の範囲が０．０５〜１．７であることが好ましい。
【００１０】
さらに、前記記録層中に含まれる前記Ｂｉ元素、前記Ｇｅ元素及び前記Ｔｅ元素の組成比が、当該Ｂｉ元素、当該Ｇｅ元素及び当該Ｔｅ元素を頂点とする三角組成図上の下記Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの各点により囲まれた範囲内にあることが好ましい。
Ａ（Ｂｉ３，Ｇｅ４６．２，Ｔｅ５０．８）
Ｂ（Ｂｉ５，Ｇｅ４６，Ｔｅ４９）
Ｃ（Ｂｉ１３，Ｇｅ３８，Ｔｅ４９）
Ｄ（Ｂｉ１０，Ｇｅ３８，Ｔｅ５２）
（但し、各元素の組成は原子％である。）
また、前記反射層が、Ａｇ−Ｃａ−Ｃｕ合金を含むことが好ましい。
さらに、前記光が、波長４１０ｎｍ以下の青色レーザ光であることが好ましい。本発明が適用される情報記録媒体は、青色波長領域のレーザ光により、情報を記録又は書換えるＢＤ−ＲＥ等として有用である。
【００１１】
また、本発明によれば、光が照射される面に形成されたピット又は溝を有する基板と、前記基板の前記ピット又は前記溝上に積層した第一情報層と、前記第一情報層上に光透過性材料を用いて形成され、前記ピット又は前記溝を有する中間層と、前記中間層上に積層した第二情報層と、前記第二情報層に貼着したカバー層と、を備え、前記第二情報層は、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料を含む記録層とＡｇ−Ｃａ−Ｃｕ合金を含む反射層との間に、当該記録層及び当該反射層に接して形成したＣｒ−Ｔａ−Ｏ系材料を含む保護層を有することを特徴とする情報記録媒体が提供される。
ここで、前記第二情報層の前記記録層の前記Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料がＢｉ７Ｇｅ４３Ｔｅ５０（原子％）であり、当該第二情報層の前記保護層の厚みの範囲が９ｎｍ〜１５ｎｍであることが好ましい。
また、前記中間層は、前記第一情報層上に塗布した光硬化性樹脂を、凹凸形状を有する光透過性スタンパを用いるフォトポリメリゼーション法により形成することが好ましい。
さらに、前記第一情報層は、少なくともＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化記録材料を含む記録層を有することが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により得られる情報記録媒体は、保護層にＺｎＳ−ＳｉＯ２等を使用する場合と比べて、高速且つ高密度で情報の記録／再生、多数回の書換えが可能であり、青色波長領域のレーザ光により、情報を記録又は書換えるＢＤ−ＲＥ等として有用である。
さらに、高温高湿環境下においても、情報記録媒体の保存寿命性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、発明の実施の形態）について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することが出来る。また、使用する図面は本実施の形態を説明するためのものであり、実際の大きさを表すものではない。
【００１４】
図１は、本実施の形態としての情報記録媒体の概略構造を説明する図である。ここでは、光の照射により情報の記録及び書換えが可能な２個の情報層を有する情報記録媒体１００を例に挙げて説明する。
図１に示すように、情報記録媒体１００は、基板１と、基板１上の記録／再生光Ｌが入射する面側に、光の照射によりアモルファス相と結晶相との間の可逆的変化を生ずる相変化記録材料を含む記録層を有する第一情報層（Ｌ０）２及び第二情報層（Ｌ１）４と、第一情報層（Ｌ０）２と第二情報層（Ｌ１）４との間に光透過性材料を用いて形成された中間層３と、光透過性材料からなるカバー層５とを順次積層した構造を有する。
第一情報層（Ｌ０）２と第二情報層（Ｌ１）４とにそれぞれ形成された記録層には、カバー層５側から入射する記録／再生光Ｌにより情報が記録され、また記録された情報の書換えが行われる。
【００１５】
尚、基板１の表面と中間層３の表面には、所定の規格の物理フォーマットに基くトラッキング用のプリグルーブが形成されている。また、情報記録媒体１００に情報の記録及び書換えを行うために、記録／再生光Ｌとして、例えば、波長４１０ｎｍ以下のレーザ光を使用する。
２個の情報層は、記録／再生光Ｌにより情報が記録される順番に従い、記録／再生光Ｌが入射する側から見て遠い側に形成された情報層を第一情報層（Ｌ０）２とし、記録／再生光Ｌが入射する側から見て近い側に形成された情報層を第二情報層（Ｌ１）４としている。本実施の形態では、第二情報層（Ｌ１）４を透過した光を用いて、第一情報層（Ｌ０）２に情報を記録する必要がある。このため、第一情報層（Ｌ０）２の厚み（本実施の形態では８８ｎｍ）を、第二情報層（Ｌ１）４の厚み（本実施の形態では１４４ｎｍ）に比べて薄くすることにより、第二情報層（Ｌ１）４の光透過率と光反射率とのバランスを良くするように設計されている。
【００１６】
（基板１）
基板１は、例えば、適度な加工性と剛性を有するプラスチック、金属、ガラス等を用いて形成する。本実施の形態では、ポリカーボネート樹脂を用いて、内径（センターホール）１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚み１．１ｍｍのディスク状に形成する。
また、基板１の表面には、所定の規格に基づく物理フォーマットで、螺旋状のプリグルーブを形成する（図示せず）。本実施の形態では、プリグルーブは、トラックピッチ０．３２μｍ、溝深さ２０ｎｍである。
【００１７】
（中間層３）
中間層３は、後述するように、第一情報層（Ｌ０）２の上に所定の光硬化性樹脂の前駆体を塗布し、次に、光透過性スタンパを載置し、その後、光硬化性樹脂の前駆体を硬化させるフォトポリメリゼーション法（Ｐｈｏｔｏ  Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ：２Ｐ法）により形成される。尚、シート状の光透過性樹脂を用いるナノプリント法により形成することもできる。本実施の形態では、中間層３の厚みは、通常、２０μｍ〜３０μｍ程度である。また、中間層３のカバー層５側の表面には、基板１と同様にピット又はグルーブから構成される凹凸パターンが形成されている。
【００１８】
中間層３の材料として使用する光硬化性樹脂は、記録／再生光Ｌに対して透明である他、接着力が高く、硬化接着時の収縮力が小さい材料が好ましい。このような材料としては、例えば、ラジカル系紫外線硬化性樹脂が挙げられる。ラジカル系紫外線硬化性樹脂は、公知の紫外線硬化性化合物と光重合開始剤を必須成分として含む組成物が挙げられる。紫外線硬化性化合物は、単官能アクリレート、単官能メタアクリレート、多官能アクリレート、多官能メタアクリレート等を重合成モノマー成分として含み、各々、単独または２種類以上併用して用いることができる。また、ラジカル系紫外線硬化性樹脂としては、スピンコート法によって所定の膜厚を形成するために、温度範囲０℃〜４０℃において、粘度２０ｍＰａ・ｓ〜１０００ｍＰａ・ｓであるものを用いることが好ましい。
【００１９】
（カバー層５）
カバー層５は、例えば、ポリカーボネート樹脂等の光透過性材料を用いて形成する。本実施の形態では、カバー層５として、厚み７５μｍのポリカーボネート樹脂製基板を接着剤により第二情報層（Ｌ１）４上に貼着する。
【００２０】
（第一情報層（Ｌ０）２）
次に、各情報層の層構造について説明する。
図２は、図１に示した情報記録媒体１００の２個の情報層の構造を説明する図である。図２に示すように、記録／再生光Ｌが入射する側から見て遠い側に形成された第一情報層（Ｌ０）２は、基板１上の記録／再生光Ｌが入射する面側に、第一腐食防止層６、第一反射層７、第二腐食防止層８、第一保護層９、相変化記録材料を含む第一記録層１０、第一界面層１１、第二保護層１２を順次積層した構造を有する。
【００２１】
第一腐食防止層６は、基板１と第一反射層７との間に位置し、後述する第一反射層７中のＡｇ元素の腐食を防ぐ層である。本実施の形態では、所定のスパッタ装置を用いて厚み５ｎｍのＮｂ材料膜を形成する。
第一反射層７は、カバー層５側から入射し、第一記録層１０を透過する波長４１０ｎｍ以下の記録／再生光Ｌを反射するとともに、情報の記録・再生時に、相変化記録材料を含む第一記録層１０から発生する熱を拡散させるための層である。第一反射層７は、青色波長領域で熱伝導度が高いＡｇ−Ｃａ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｇａ−Ｃｕ等のＡｇ合金により形成する。これらの中でも、Ａｇを９０モル％以上含有するＡｇ合金がさらに好ましい。本実施の形態では、スパッタリングにより、厚み８０ｎｍのＡｇＣａ（５００ｐｐｍ）Ｃｕ（重量％）膜を形成する。
【００２２】
第二腐食防止層８は、第一反射層７と第一保護層９との間に位置し、後述する第一保護層９中のＳ元素による第一反射層７中のＡｇ元素の腐食を防ぐ層である。本実施の形態では、スパッタリングにより、厚み７ｎｍのＧｅＣｒ−Ｎ材料膜を形成する。
第一保護層９は、第一記録層１０中の相変化記録材料の相変化の際に、例えば、ポリカーボネート樹脂製の基板１への熱ダメージを低減する目的で設ける。第一保護層９の厚みは、通常２ｎｍ〜５ｎｍである。本実施の形態では、第一保護層９は、スパッタリングにより、膜厚３ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（モル％）の混合物の膜を形成する。尚、第一保護層９を形成する材料としては、（ＺｎＳ）／（ＳｉＯ２）の混合比を変えたもの、又はＳ元素を含む酸化物、窒化物を用いることができる。
【００２３】
第一記録層１０は、記録／再生光Ｌの照射により原子配列が２つの異なる状態間（アモルファス相−結晶相）で可逆的に変化する相変化記録材料を含む。相変化記録材料としては、例えば、ＳｎＧｅＳｂＴｅ合金、ＧｅＳｂＴｅ合金、ＩｎＧｅＳｂＴｅ合金、ＢｉＧｅＴｅ合金が挙げられる。本実施の形態では、ＩｎＧｅＳｂＴｅ合金ターゲットをＡｒガス雰囲気中でスパッタし、厚み１４ｎｍのＩｎＧｅＳｂＴｅ（原子％）膜を形成する。
第一界面層１１は、第一記録層１０と第二保護層１２との間で両層の構成元素が互いに侵入、拡散及び化学反応することを防止するための層である。本実施の形態では、第一界面層１１は、スパッタリングにより、厚み５ｎｍの（ＺｒＯ）９２−（ＺｎＳ）８（モル％）材料膜を形成する。
第二保護層１２は、第一界面層１１と中間層３との間で両層の構成元素が互いに侵入、拡散及び化学反応することを防止するための層である。本実施の形態では、スパッタリングにより、厚み３０ｎｍの（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０（モル％）膜を形成する。
【００２４】
（第二情報層（Ｌ１）４）
次に、記録／再生光Ｌが入射する側から見て近い側に形成された第二情報層（Ｌ１）４について説明する。
図２に示すように、第二情報層（Ｌ１）４は、中間層３上の記録／再生光Ｌが入射する面側に、反射率補正層１３と第三腐食防止層１４を有する。
さらに、第三腐食防止層１４上に、第二反射層１５と、第二反射層１５に接して形成された第三保護層１７と、第三保護層１７に接して形成された第二記録層１９との３層構造が設けられている。
また、第二記録層１９上に、第二界面層２０と第四保護層２１を順次積層した構造を有する。
【００２５】
反射率補正層１３は、本実施の形態では、スパッタリングにより、厚み２２ｎｍの（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０（モル％）膜を形成する。
第三腐食防止層１４は、反射率補正層１３と第二反射層１５との間に位置し、反射率補正層１３中のＳ元素による第二反射層１５中のＡｇ元素の腐食を防ぐ層である。本実施の形態では、スパッタリングにより、厚み２ｎｍのＣｒ２０Ｔａ１４Ｏ６６（原子％）材料膜を形成する。
第二界面層２０は、第二記録層１９と第四保護層２１との間で両層の構成元素が互いに侵入、拡散及び化学反応することを防止するための層である。本実施の形態では、スパッタリングにより、厚み３ｎｍのＺｒＣｒＯ（原子％）材料膜を形成する。
第四保護層２１は、第二界面層２０とカバー層５との間で両層の構成元素が互いに侵入、拡散及び化学反応することを防止するための層である。本実施の形態では、スパッタリングにより、厚み３８ｎｍの（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０（モル％）膜を形成する。
【００２６】
（第二反射層１５）
第二反射層１５は、カバー層５側から入射し、第一記録層１０を透過する波長４１０ｎｍ以下の記録／再生光Ｌを反射するとともに、記録／再生光Ｌの一部を第一情報層（Ｌ０）２側に透過させる性質を有する。
第二反射層１５は、適当な光透過率を得るため、前述した第一反射層７の厚み（８０ｎｍ）より薄く形成される。また、高融点の相変化記録材料を含む第二記録層１９から発生する熱を逃がすために、青色波長領域で熱伝導度が高いＡｇ−Ｃａ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｇａ−Ｃｕ等のＡｇ合金により形成する。これらの中でも、Ａｇを９０モル％以上含有するＡｇ合金がさらに好ましい。本実施の形態では、スパッタリングにより、厚み８ｎｍのＡｇＣａ（５００ｐｐｍ）Ｃｕ（重量％）膜を形成する。
また、第二反射層１５は、光の吸収が小さく光の透過率が３０％以上あり、かつ適度な光の反射率があることが望ましい。
【００２７】
（第三保護層１７）
第三保護層１７は、第二反射層１５と第二記録層１９との間に設けられ、高融点の相変化記録材料を含む第二記録層１９の発熱による熱ダメージを低減する目的で設ける。
第三保護層１７は、高融点のＣｒ元素とＴａ元素及びＯ元素を含む材料（Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ系材料）により形成される。
本実施の形態では、記録／再生光Ｌが入射する側から見て近い側の第二情報層（Ｌ１）４において、第二反射層１５に接してＣｒ−Ｔａ−Ｏ系材料を含む第三保護層１７を設け、さらに、後述するように、第三保護層１７に接して高融点のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料を含む第二記録層１９を形成している。これにより、第二情報層（Ｌ１）４において、第二反射層１５と第二記録層１９との間に第三保護層１７のみを設けた３層構造を採用している。このため、高融点のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料を使用する第二記録層１９の書換え性能が向上する。
【００２８】
ここで本実施の形態では、第三保護層１７中に存在するＣｒ元素とＴａ元素との組成比（ＣｒＸＴａＹ）（原子％）は、（Ｙ／Ｘ）が０．０５〜１．７であり、好ましくは０．１１〜０．７０の範囲から選ばれる。Ｃｒ元素とＴａ元素との組成比（ＣｒＸＴａＹ）（原子％）における（Ｙ／Ｘ）が過度に小さいと、情報記録媒体１００に記録する情報の再生ジッターが増大し、記録再生特性が低下する傾向がある。また、過度に大きいと、高湿度の環境下で記録特性が低下する傾向がある。
さらに、本実施の形態では、第三保護層１７の厚みは、８ｎｍ〜２５ｎｍの範囲、好ましくは９ｎｍ〜１５ｎｍの範囲である。第三保護層１７の厚みが過度に薄いと、第二反射層１５と第二記録層１９との間隔が減少し、第二記録層１９に情報を記録するのに必要な記録パワーが増大する傾向がある。また、第三保護層１７の厚みが過度に厚いと、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ系材料に記録／再生光Ｌが吸収されるため、第一情報層（Ｌ０）２に必要な記録／再生光Ｌが届かない傾向がある。
【００２９】
（第二記録層１９）
第二記録層１９は、前述した第一記録層１０と同様に、記録／再生光Ｌの照射により原子配列が２つの異なる状態間（アモルファス相−結晶相）で可逆的に変化する相変化記録材料を含む。本実施の形態では、相変化記録材料として、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料を使用する。Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金のＳｂ元素をＢｉ元素で置換した高融点（約７００℃以上）金属材料として得られる。Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料を用いることにより、低線速度から高線速度までの広い範囲で優れた記録特性が得られる。
【００３０】
（Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料の組成範囲）
図３は、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料の三角組成図である。図３に示すように、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料の組成範囲は、Ｂｉ元素、Ｇｅ元素及びＴｅ元素のそれぞれを頂点とする三角組成図において、Ｇｅ５０Ｔｅ５０（原子％）とＢｉ２Ｔｅ３（原子％）とを結ぶ線上よりもＧｅ元素が過剰に添加された領域が好ましい。ここで、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料において、例えば、Ｇｅ元素の濃度が５０原子％であり、Ｔｅ元素の濃度が５０原子％であり、Ｂｉ元素の濃度が０原子％の場合を、Ｇｅ５０Ｔｅ５０と表示する。
この領域では、Ｇｅ５０Ｔｅ５０の長所である結晶／非結晶間の屈折率差が大きく、結晶化温度が高く、また活性化エネルギーが大きい。さらに、結晶化速度が速く、高線速度記録においても良好な消去特性が得られる。
【００３１】
さらに、このような優れた特性を有するＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料を、情報記録媒体１００の第二記録層１９に用いる場合の実用的な組成範囲としては、三角組成図上の下記Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの各点により囲まれた範囲内にあることが好ましい。
Ａ（Ｂｉ３，Ｇｅ４６．２，Ｔｅ５０．８）
Ｂ（Ｂｉ５，Ｇｅ４６，Ｔｅ４９）
Ｃ（Ｂｉ１３，Ｇｅ３８，Ｔｅ４９）
Ｄ（Ｂｉ１０，Ｇｅ３８，Ｔｅ５２）
（但し、各元素の組成は原子％である。）
【００３２】
本実施の形態では、第三保護層１７上に、ＢｉＧｅＴｅターゲットをＡｒガス雰囲気中でスパッタし、所定の厚みのＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ膜を形成する。第二記録層１９の厚みは、通常、１０ｎｍ以下、好ましくは、４ｎｍ〜８ｎｍである。
本実施の形態では、第二情報層（Ｌ１）４において、第二反射層１５と第二記録層１９との間に第三保護層１７のみを設けた３層構造を採用することにより、第二記録層１９の書換え性能が向上するとともに、第一情報層（Ｌ０）２の記録に必要な記録／再生光Ｌを得ることができる。
【実施例】
【００３３】
以下に、実施例に基づき本実施の形態をさらに詳細に説明する。なお、本実施の形態は以下の実施例に限定されない。
以下の実施例では、図１に示す層構造を有する情報記録媒体１００について、第三保護層１７におけるＣｒ元素及びＴａ元素の組成（ＣｒＸＴａＹ）と、第三保護層１７の厚みと、をパラメータとする結果についてそれぞれ述べる。また、第二記録層１９に含まれるＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料の最適組成範囲について述べる。
【００３４】
（１）情報記録媒体１００の記録再生特性評価
情報記録媒体１００の記録再生特性評価に使用する情報記録装置は、情報記録媒体１００に光照射する半導体レーザ（波長４０５ｎｍ、開口数０．８５）、半導体レーザの出力を制御するレーザドライバ、記録情報に従って生成する記録パルスを発生する波形発生装置、波形等価回路及び２値化回路を備える。
本実施例で使用する情報記録装置では１−７変調を用い、マークエッジ記録方式の記録マークを情報記録媒体１００に形成して情報を記録する。最短マークである２Ｔマークのマーク長は約０．１４９μｍである。情報記録媒体１００を所定の記録線速度で回転し、波長４０５ｎｍの半導体レーザ光を開口数（ＮＡ）０．８５の対物レンズで集光し、カバー層５を通して第一記録層１０及び第二記録層１９上に照射し、記録および再生を行う。
【００３５】
次に、記録及び再生の過程を以下に示す。まず、情報記録装置外部からの情報は２ビットを１単位として、１−７変調器に伝送される。情報記録媒体１００上に情報を記録する際には、情報２ビットを３ビットに変換する変調方式、いわゆる１−７変調方式により記録を行う。ここで、１−７変調とは、変調後のビットパターンの“１”と“１”の間にある“０”の数が１個から７個までに制限されている方式である。この変調方式では、情報記録媒体１００上に２ビットの情報に対応させた２Ｔ〜８Ｔのマーク長の情報の記録を行う。尚、ここでＴとは情報記録時のクロックの周期を表す。本実施例では、ディスク線速度が９．８４ｍ／ｓのときは７．５８ｎｓとした。
【００３６】
１−７変調器により変換された２Ｔ〜８Ｔのデジタル信号は，記録波形発生回路に転送され、記録マークに対応する区間を複数の短いパルスに分割したマルチパルス記録波形が生成される。マルチパルス記録波形は、書き終わりで熱量が蓄積しないよう制御されたレーザ照射が行なわれる。この際、記録マークを形成するため、各パルスを測定する情報記録媒体１００ごとに最適な値に調整する。また、記録波形発生回路内には、マーク部を形成するためマルチパルス波形テーブルを有する。マルチパルス波形テーブルは、パルス列を形成する際に、マーク部の前後のスペース長に応じて、マルチパルス波形の先頭パルス幅と最後尾のパルス幅を変化させる方式（適応型記録波形制御）に対応する。マルチパルス波形テーブルにより、マーク間に発生するマーク間熱干渉の影響を極力排除できるマルチパルス記録波形が得られる。
【００３７】
記録波形発生回路により生成された記録波形は、レーザ駆動回路に転送され、レーザ駆動回路はこの記録波形をもとに、光ヘッド内の半導体レーザを発光させる。本実施例において使用した情報記録装置に搭載された光ヘッドには、情報記録用のレーザビームとして光波長４０５ｎｍの半導体レーザが使用されている。また、このレーザ光をレンズ開口数（ＮＡ）０．８５の対物レンズにより情報記録媒体１００の記録層上に絞り込み、記録波形に対応したレーザのレーザビームを照射することにより、情報の記録を行った。
一般的に、レーザ波長λのレーザ光を所定のレンズ開口数（ＮＡ）のレンズにより集光した場合、レーザビームのスポット径はおよそ０．９×λ／ＮＡとなる。本実施例においては、レーザビームのスポット径は約０．４３μｍである。また、レーザビームの偏光を円偏光とした。
【００３８】
再生信号は、レーザビームを記録されたマーク上に照射し、マークとマーク以外の部分からの反射光を検出することにより得られる。得られた再生信号の振幅を、リミットイコライザにより長いマークの振幅を制限した後、短いマークの振幅を増大させ、チャンネル複合化を行なって３ビット毎に２ビットの情報に変換する。以上の動作により、記録されたマークの再生が完了する。以上の条件で情報記録媒体１００に情報の記録を行った場合、最短マークである２Ｔマークのマーク長はおよそ０．１４９μｍ、最長マークである８Ｔマークのマーク長は約０．６μｍとなる。
なお、ジッター測定を行う際には、２Ｔ〜８Ｔを含むランダムパターンの信号の記録再生を行い、再生信号に波形等価、２値化、ＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ  Ｌｏｃｋｅｄ  Ｌｏｏｐ）処理を行い、ジッターを測定した。
【００３９】
（２）多数回書換性能
第一記録層１０及び第二記録層１９の多数回書換性能（書換寿命）は、情報記録媒体１００に、線速度９．８４ｍ／ｓで、情報として２Ｔ〜８Ｔのランダムパターンを１０００回オーバーライト記録し、そのランダムパターンを線速度４．９２ｍ／ｓで再生するときのジッターを測定する。ジッター値が小さいほど、多数回書換性能が良好である。
【００４０】
（３）アーカイバル再生ジッター
アーカイバル再生ジッター（保存寿命）は、情報記録媒体１００に、情報として２Ｔ〜８Ｔのランダムパターンを１０回オーバーライト記録し、次に、この情報記録媒体１００を、８０℃×８０ＲＨ％雰囲気の環境に４８時間放置（加速試験）した後に再生するときのジッターを測定し、ジッター上昇量（δジッター）として表示する。ジッター上昇量の数値が小さいほど、加湿環境下での保存寿命性が良好である。
【００４１】
（実施例１〜実施例５、比較例１〜比較例２）
（情報記録媒体１００の調製）
以下の手順により情報記録媒体１００を調製する。情報記録媒体１００の層構成は図１に示すものと同じである。第二情報層（Ｌ１）４の第二記録層１９は、高速記録に適していると考えられる相変化記録材料としてＢｉ７Ｇｅ４３Ｔｅ５０（原子ｔ％）を用いて形成した。
また、第三保護層１７に含まれるＣｒ元素とＴａ元素との組成は表１に示す。尚、第三保護層１７の厚みは９ｎｍである。情報記録媒体１００における第一情報層（Ｌ０）２及び第二情報層（Ｌ１）４の各層は、複数のスパッタ室を有し、膜厚分布の少ない再現性の高いスパッタ装置を用いて形成した。
【００４２】
先ず、第一情報層（Ｌ０）２を形成する。直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート製の基板１上に厚み５ｎｍのＮｂ材料膜をスパッタし第一腐食防止層６を形成した。続いて第一反射層７として厚み８０ｎｍのＡｇＣａ（５００ｐｍ）Ｃｕ（重量％）膜を形成した。その上に第二腐食防止層８として厚み７ｎｍのＧｅＣｒ−Ｎ材料膜を形成した。次に第一保護層９として厚み３ｎｍの（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０（モル％）材料膜を形成した。続いて第一記録層１０として厚み１４ｎｍのＩｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ材料膜を形成した。その上に第一界面層１１として厚み５ｎｍの（ＺｒＯ）９２−（ＺｎＳ）８（モル％）材料膜を形成した。次に、第二保護層１２として厚み３０ｎｍの（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０（モル％）材料膜を形成した。
【００４３】
第一情報層（Ｌ０）２を形成した基板１をスパッタ室から一旦出し、中間層３を形成した。第一情報層（Ｌ０）２の上に第二情報層（Ｌ１）４用の信号トラックを形成したスタンパを紫外線硬化性樹脂で貼り合わせた後、硬化させ、その後スタンパを剥がし、第一情報層（Ｌ０）２上に第二情報層（Ｌ１）４用の案内溝を有する中間層３を形成した。
【００４４】
次に、第二情報層（Ｌ１）４を形成する。中間層３上に、反射率補正層１３として厚み２２ｎｍの（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０（モル％）材料膜を形成した。続いて、第三腐食防止層１４として厚み２ｎｍのＣｒ２０Ｔａ１４Ｏ６６（原子％）材料膜を形成した。
次に、第三腐食防止層１４の上に、第二反射層１５として厚み８ｎｍのＡｇＣａ（５００ｐｍ）Ｃｕ（１ｗｔ％）材料膜を形成した。続いて、第三保護層１７として厚み９ｎｍのＣｒ−Ｔａ−Ｏ材料膜を形成した。
ここで、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ膜に含まれるＣｒ元素とＴａ元素との組成（ＣｒＸＴａＹ）は、スパッタ室内にＣｒ２Ｏ３ターゲットとＣｒ２Ｏ３（４０）−Ｔａ２Ｏ５（６０）（モル％）ターゲットとを装着し、これら２個のターゲットの同時スパッタを行い、各ターゲットのスパッタリングパワーを変えて調整した。Ｃｒ元素及びＴａ元素の組成（ＣｒＸＴａＹ）を、表１に示す。
続いて、第三保護層１７上に、第二記録層１９として厚み６ｎｍのＢｉ７Ｇｅ４３Ｔｅ５０（原子％）材料膜を形成した。
【００４５】
次に、第二記録層１９上に、第二界面層２０として厚み３ｎｍのＺｒＣｒＯ（原子％）材料膜を形成した。続いて、第四保護層２１として厚み３８ｎｍの（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０材料膜を形成した。さらに、第四保護層２１の上に、厚み７５μｍのポリカーボネート製のカバー層５を接着剤により貼り合わせ、表１に示すように第三保護層１７に含まれるＣｒ元素とＴａ元素との組成（ＣｒＸＴａＹ）が異なる７種類の情報記録媒体１００を調製した。
【００４６】
（情報記録媒体１００の初期化）
上述の操作により調製した情報記録媒体１００に、半導体レーザ（波長８１０ｎｍ）からレーザスポットサイズ９５μｍの楕円ビームを有するレーザ光を照射し、ディスク全面を初期結晶化した。
【００４７】
前述した情報記録装置を用いて、上述した７種類の情報記録媒体１００の第一情報層（Ｌ０）２における第一記録層１０について多数回書換性能を評価し、第二情報層（Ｌ１）４における第二記録層１９について多数回書換性能及びアーカイバル再生ジッターを評価した。結果を表１に示す。
【００４８】
【表１】
2008305479.tif 000003
【００４９】
表１に示す結果から、記録／再生光Ｌが入射する側から見て近い側の第二情報層（Ｌ１）４において、Ａｇ系合金を含む第二反射層１５とＣｒ−Ｔａ−Ｏ系材料を含む第三保護層１７とＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料を含む第二記録層１９とを接して形成した３層構造を設けることにより（実施例１〜実施例５）、第二記録層１９の多数回書換性能及びアーカイバル再生ジッターが向上することが分かる。このとき、第三保護層１７中に存在するＣｒ元素とＴａ元素との組成比（ＣｒＸＴａＹ）（原子％）は、（Ｙ／Ｘ）が０．０５〜１．７の範囲内にある。
また、記録／再生光Ｌが入射する側から見て遠い側の第一情報層（Ｌ０）２における第一記録層１０の多数回書換性能も、向上することが分かる。
特に、第三保護層１７中に存在するＣｒ元素とＴａ元素との組成比（ＣｒＸＴａＹ）（原子％）は、（Ｙ／Ｘ）が０．１１〜０．７の範囲の場合（実施例２〜実施例４）は、第二記録層１９の多数回書換性能及びアーカイバル再生ジッターと、第一記録層１０の多数回書換性能とがいずれもバランス良く向上することが分かる。
【００５０】
一方、第三保護層１７中に存在するＴａ元素の濃度が０原子％の場合（比較例１）は、第二記録層１９の多数回書換性能が低下し、さらに、第一記録層１０の多数回書換性能も低下することが分かる。これは、第三保護層１７中に存在するＣｒ２Ｏ３量が多いために第二情報層１９の光透過率が低下し、第一情報層１０に十分な記録／再生光Ｌが得られないためと考えられる。
また、第三保護層１７中に存在するＣｒ元素の濃度が０原子％の場合（比較例２）は、第二記録層１９のアーカイバル再生ジッターが上昇し、加湿環境下での保存寿命性が低下することが分かる。比較例２で使用した情報記録媒体１００を光学顕微鏡で観察すると、膜剥がれが観察された。
【００５１】
（実施例６〜実施例１４、比較例３〜比較例９）
実施例１と同様な操作により、第二情報層（Ｌ１）４のＣｒ−Ｔａ−Ｏ材料膜からなる第三保護層１７の厚みを０〜３０ｎｍの間で変化させた１６種類の情報記録媒体を調製し、各情報記録媒体の第二情報層（Ｌ１）４における第二記録層１９と第一情報層（Ｌ０）２における第一記録層１０について多数回書換性能を評価した。結果を表２に示す。
第三保護層１７のＣｒ−Ｔａ−Ｏ材料膜に含まれるＣｒ元素とＴａ元素との組成（ＣｒＸＴａＹ）は、Ｃｒ２Ｏ３ターゲットとＣｒ２Ｏ３（４０）−Ｔａ２Ｏ５（６０）（モル％）ターゲットとの同時スパッタを行い、Ｃｒ２０Ｔａ１４Ｏ６６（原子％）に調整した。（Ｙ／Ｘ）は０．７である。
【００５２】
【表２】
2008305479.tif 000004
【００５３】
表２に示す結果から、第二情報層（Ｌ１）４に、Ａｇ系合金を含む第二反射層１５とＣｒ−Ｔａ−Ｏ系材料を含む第三保護層１７とＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料を含む第二記録層１９とを接して形成した３層構造を設けた情報記録媒体において、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ系材料を含む第三保護層１７の厚みが８ｎｍ〜２５ｎｍである場合（実施例６〜実施例１４）は、第二記録層１９の多数回書換性能が向上することが分かる。
特に、第三保護層１７の厚みが９ｎｍ〜１５ｎｍである場合（実施例７〜実施例１０）は、第二記録層１９及び第一記録層１０の両方の多数回書換性能が向上することが分かる。
【００５４】
一方、第三保護層１７を設けない場合（比較例１）と第三保護層１７の厚みが７ｎｍ以下である場合（比較例２〜比較例７）は、第二記録層１９の多数回書換性能が低下することが分かる。特に、第三保護層１７の厚みが７ｎｍ以下である場合（比較例２〜比較例７）は、書換え操作を繰り返すことにより、第二記録層１９のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料膜中に第三保護層１７のＣｒ−Ｔａ−Ｏ系材料が拡散し、このため再生信号が劣化すると考えられる。
また、第三保護層１７の厚みが２７ｎｍ以上である場合（比較例８、比較例９）も、第二記録層１９の多数回書換性能が低下することが分かる。これは、第三保護層１７を構成するＣｒ−Ｔａ−Ｏ系材料の熱膨張係数が大きいため、記録／再生光Ｌが照射されて熱膨張した部分と、それ以外の部分との間に亀裂が生じ、その結果、第二記録層１９中にＣｒ−Ｔａ−Ｏ系材料が拡散するためと考えられる。
さらに、第三保護層１７の厚みが過度に厚いと、第二情報層（Ｌ１）４の光透過率が低下し、そのため第一情報層（Ｌ０）２に記録に必要な光量が得られず、第一情報層（Ｌ０）２のジッターが低下すると考えられる。
【００５５】
（実施例１５）
実施例１と同様な操作により、第二情報層（Ｌ１）４のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ膜からなる第二記録層１９のＢｉ元素、Ｇｅ元素及びＴｅ元素の組成比を変化させた２７種類の情報記録媒体を調製し、各情報記録媒体の第二情報層（Ｌ１）４における第二記録層１９について、線速度４．９２ｍ／ｓｅｃ（１倍速）及び線速度９．８４ｍ／ｓｅｃ（２倍速）における１０回書換性能（ＯＷ１０ジッター）、アーカイバル再生ジッター及びアーカイバルＯＷ再生ジッターを評価した。アーカイバルＯＷ再生ジッターは、アーカイバル再生ジッターを測定後にオーバーライトし、再度ジッターを評価したものである。結果を表３に示す。
【００５６】
尚、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ膜からなる第二記録層１９の厚みは６ｎｍであり、ＢｉＧｅＴｅターゲットをＡｒガス雰囲気中でスパッタし、Ｂｉ元素、Ｇｅ元素及びＴｅ元素の組成比を変化させた。
また、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ材料膜からなる第三保護層１７の厚みは９ｎｍであり、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ材料膜に含まれるＣｒ元素とＴａ元素との組成（ＣｒＸＴａＹ）は、Ｃｒ２Ｏ３ターゲットとＣｒ２Ｏ３（４０）−Ｔａ２Ｏ５（６０）（モル％）ターゲットとの同時スパッタを行い、Ｃｒ２０Ｔａ１４Ｏ６６（原子％）に調整した。（Ｙ／Ｘ）は０．７である。
【００５７】
また、１０回書換性能（ＯＷ１０ジッター）、アーカイバル再生ジッター及びアーカイバルＯＷ再生ジッターは、以下の基準に従い評価した。
ａ：ジッター≦７％
ｂ：７％＜ジッター≦８％
ｃ：８％＜ジッター
結果を表３に示す。
【００５８】
【表３】
2008305479.tif 000005
【００５９】
表３に示す結果から、サンプルＮｏ．３，４，６，７，９，１１〜１３，１７〜２０，２２，２７の情報記録媒体は、線速度４．９２ｍ／ｓｅｃ（１倍速）から線速度９．８４ｍ／ｓｅｃ（２倍速）の範囲で、１０回書換性能（ＯＷ１０ジッター）、アーカイバル再生ジッター及びアーカイバルＯＷ再生ジッターの評価結果がいずれもａ評価又はｂ評価であることが分かる。
これより、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料を、情報記録媒体１００の第二記録層１９に用いる場合の実用的な組成範囲としては、図３に示した三角組成図上の下記Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの各点により囲まれた範囲内にあることが好ましいことが分かる。
Ａ（Ｂｉ３，Ｇｅ４６．２，Ｔｅ５０．８）
Ｂ（Ｂｉ５，Ｇｅ４６，Ｔｅ４９）
Ｃ（Ｂｉ１３，Ｇｅ３８，Ｔｅ４９）
Ｄ（Ｂｉ１０，Ｇｅ３８，Ｔｅ５２）
（但し、各元素の組成は原子％である。）
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本実施の形態としての情報記録媒体の概略構造を説明する図である。
【図２】図１に示した情報記録媒体の２個の情報層の構造を説明する図である。
【図３】Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化記録材料の三角組成図である。
【符号の説明】
【００６１】
１…基板、２…第一情報層（Ｌ０）、３…中間層、４…第二情報層（Ｌ１）、５…カバー層、１５…第二反射層、１７…第三保護層、１９…第二記録層、１００…情報記録媒体
【図１】
2008305479.tif 000006
【図２】
2008305479.tif 000007
【図３】
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