(57)【要約】【課題】酸化又は誘電性薄膜の作成方法を提供する。【解決手段】基板（例えばシリコン基板）上に形成された層（例えば誘電性層）を、特定の周波数又はエネルギの光子で加熱する。前記特定の周波数又はエネルギは、光子が前記材料を容易に通過して前記材料に吸収され、その後、前記層と前記基板との界面で反射されるように、前記層の材料に応じて選択される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源を有する処理チャンバー内で半導体ウエハを処理する方法であって、
その表面に第１の材料からなる層が形成された半導体基板を用意するステップと、
前記第１の材料の吸収性に基づいて前記光源の第１の周波数を選択するステップと、
前記層を加熱すべく、前記層に前記光源を前記第１の周波数で照射するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記層が誘電性層であることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記第１の周波数が紫外線領域の周波数であることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記照射が前記基板の上方に設置された光源によって行われることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記照射中に、前記基板及び前記層を熱によって加熱するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記周波数は、前記第１の材料によって容易に吸収される周波数となるように選択されることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板と前記層との界面から前記光を反射させるステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板がシリコンからなることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記光源は、ランプベースであることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記光源は、プラズマベースであることを特徴とする方法。
【請求項１１】
処理チャンバー内で半導体素子を製造する方法であって、
前記チャンバー内に半導体基板を用意するステップと、
前記基板上に膜を形成するステップと、
前膜を加熱すべく、前記膜に、前記膜の材料に基づいて選択されたエネルギの光を照射するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記半導体基板がシリコンからなることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法であって、
前記膜が誘電性膜であることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の方法であって、
前記膜の材料は、前記選択されたエネルギの光を透過させることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記基板と前記膜との界面から前記光を反射させるステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の方法であって、
前記照射が前記基板の上方に設置された光源によって行われることを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１１に記載の方法であって、
前記照射中に、前記基板及び前記膜を熱によって加熱するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
ウエハ処理システムであって、
処理チャンバーと、
前記チャンバーに処理ガスを導入するように構成されたガス供給システムと、
処理中にウエハを支持するためのウエハ支持部と、
前記水の下方に配置された加熱素子と、
前記水の上方に配置された、前記ウエハ上の層を加熱すべく、前記層の材料に基づいて選択された周波数又はエネルギで光を照射するように構成された照射光源とを含むことを特徴とするシステム。
【請求項１９】
請求項１８に記載のウエハ処理システムであって、
前記光源は、ハロゲン、水銀、キセノン、アルゴン、クリプトン及びカドミウム・ランプ、並びに、プラズマベース光源から成る群より選択されることを特徴とするシステム。
【請求項２０】
請求項１８に記載のウエハ処理システムであって、
前記加熱素子が熱によって加熱する素子であることを特徴とするシステム。
【請求項２１】
請求項１８に記載のウエハ処理システムであって、
前記周波数又はエネルギは、前記層の材料における前記光の吸収性に基づいて選択されることを特徴とするシステム。
【請求項２２】
請求項１８に記載のウエハ処理システムであって、
前記層の材料は、前記選択された周波数又はエネルギの光を透過させることを特徴とするシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照：本出願は、２００４年１１月５日に出願された米国特許出願第１０／９８２，０４５号（この参照によって本発明に含まれるものとする）の一部継続出願である。
【０００２】
技術分野：本発明は、一般に、半導体の製造方法に関し、より詳しくは、処理中に膜を加熱する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
一般に、半導体素子を製造する際は、まず、半導体基板又はウエハの形態のバルク材（例えば、Ｓｉ、Ｇｅ及びＧａＡｓ）を準備する。次に、処理又は反応チャンバー内で前記基板にドーパントを導入して、ｐ型領域及びｎ型領域を作成する。前記ドーパントは、熱拡散法又はイオン注入法を使用して導入することができる。後者の方法では、注入されたイオンは、最初は、格子間に分布する。したがって、ドープ領域をドナー又はアクセプタとして電気的に活性にするために、イオンを置換格子サイトに導入する必要がある。この「活性化」処理は、前記バルクウエハを、一般に、６００〜１３００?Ｃの範囲で加熱することによって実現される。シリコンウエハを使用する場合は、例えば、誘電性層（酸化シリコンなど）を「成長」又は堆積させて、電気的インターフェースを形成する。最終的には、例えば蒸発技術又はスパッタリング法を用いて、アルミニウムなどを付加する金属化が行われる。
【０００４】
半導体素子の製造の分野では、例えばゲート絶縁用の、薄い酸化又は誘電性層の品質がより重要になりつつある。市販デバイスの様々な広範なカテゴリーでは、電気的消去可能ＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）、ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）、そして最近では、高速アクティブ・ロジック機能でさえも、高品質の極薄の酸化層を複製する機能に依存している。高品質の誘電性層は、速度及び寿命の両方の面での満足のいくデバイス性能を実現するために、かかるデバイスで必要とされている。
【０００５】
現在のゲート絶縁層は、今後のデバイスに不可欠な要求条件を満たしていない。従来のゲート絶縁層の大半は、熱拡散によって作成された純粋な酸化シリコンＳｉＯ２膜である。その他のゲート絶縁層は、熱成長層上にＳｉＯ２層を高温で堆積させている。
【０００６】
半導体素子及び関連部品はますます小型化されてきており、ゲート酸化物は、例えば、約１５〜２０Åの厚さまで薄くする必要がある。しかしながら、酸化層を薄くすると、特に低品質の酸化物では、トンネルリーク（tunneling leakage）が問題となる。現在の酸化物成長技術では、酸化層の品質は、極薄酸化層を維持するのには十分でない。一般に、酸化層の品質を向上させる方法の１つは、酸化物を成長させるときに、温度又は熱エネルギを増加させることである。１つの問題は、温度が上昇するにつれて、他のドーパントが拡散し、半導体素子の他の特性に悪影響を与えることである。他方では、電子エネルギが比較的低い熱エネルギが減少すると、統合効果及び拡散効果が低下することも手伝って、熱成長酸化物の品質が低くなる。したがって、従来の熱処理によって、一定の品質及び厚さを有する薄い酸化層を形成することは困難である。
【０００７】
純粋なＳｉＯ２層は、作成された際の統合性が不十分であり、固有の物理的及び電気的制限を受けるので、薄い又は非常に薄い誘電性又は酸化物膜を必要とするデバイスには不適である。また、ＳｉＯ２層は、薄層として形成する場合、均一及び無欠陥に製造することができないという問題点を有している。また、その後のＶＬＳＩ処理ステップは、すでに低下したｉＯ２薄層の統合性をさらに悪化させることになる。さらに、純粋なＳｉＯ２層は、電荷注入するために露出させた際に、界面生成及び電荷トラップによって劣化する傾向にある。したがって、純粋なＳｉＯ２層は、次時代技術の薄膜には不適である。
【０００８】
トンネル酸化物では、酸化物内での電荷のトラッピングによって、絶縁破壊が生じる。その結果、酸化物が誘導電圧に耐えられなくなるまで、酸化物を横切る電界が徐々に上昇する。高品質の酸化物が経時的にトラップする電荷はわずかである。そのため、崩壊するまでには時間がかかる。たがって、高品質な薄膜酸化物が望ましい。
【０００９】
さらに、通常は、近接近する酸素原子が同一となるように、酸化膜は非晶質（つまり、周期性が短い）である。しかし、原子が遠くへ移動すると、それらの構造は予測不可能となる。酸化層は、不対結合又はダングリング（dangling）結合をさらに有し得る。イオン又は電荷が存在する場合は、ダングリング結合は問題となり、その結果、例えば、デバイス間で大きな性能差が生じる。
【００１０】
したがって、ダングリング結合を不活性化することが望ましい。１つの方法は、ダングリング結合を有する膜を水素に接触させることである。この反応により、ダングリング結合を電気的に不活性にすることができる。しかしながら、この反応は、高エネルギを必要とする。高エネルギは、温度又は熱エネルギを高めることにより提供することができる。高温では、酸化物は成長するので、「薄層」にすべき酸化層の厚さが増加するという望ましくない結果が生じる。
【００１１】
そのため、上記の従来技術の欠点を克服した、酸化又は誘電性薄膜の作成方法が求められている。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様によれば、誘電性又は酸化膜の作成中及び／又は前記膜の作成の合間に、例えば紫外線（ＵＶ）光線などの光エネルギを、前記膜に照射する。光源から光エネルギを更なるエネルギとして供給することによって、低い処理温度で高品質の薄膜を形成することができる。
【００１３】
ある実施形態では、０℃〜３６００℃の温度及び０．００１ｍＴｏｒｒ〜１０００Ｔｏｒｒの圧力の条件下で、処理チャンバー内にセットされた半導体ウエハに１５０ｎｍ〜１μｍの波長の光を約０．１ｍｓ〜３６００秒照射して、１Å〜１０００Åの厚さの誘電性薄膜を形成する。前記照射は、従来の薄膜形成プロセスと同時に又は薄膜形成後に、元の位置又は他のチャンバーで行われる。前記照射に使用される処理ガスは、これらに限定されるものではないが、例えば、Ｏ２、Ｎ２、ＨＣｌ、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、及びＨ２Ｏなどの膜形成に使用される任意のガスであり得る。
【００１４】
ある実施形態では、処理チャンバーは、例えば、グリッドランプ又はひとそろいのランプなどのウエハ全体に光を照射する光源を備える。光源は、処理チャンバーの上部に位置する反射鏡と、ウエハとの間に配置される。光源としては、連続的な１つのランプ又は一連の複数のランプとして配置される、ハロゲンランプ、水銀ランプ、又はカドミウム・ランプがある。ある実施形態では、ウエハと光源との間に窓が設けられる。窓はフィルタ処理されていてもよいし、フィルタ処理されていなくてもよい。例えば、加熱板（hot plate）、ランプ、又はサセプタ（susceptor）などの制御可能な熱源は、チャンバー内に処理ガスが導入される間、ウエハを加熱する。移送機構は、ウエハを処理チャンバーに出し入れする能力、並びに、ウエハを処理チャンバー内で移動させる能力を有する。処理チャンバー内の圧力は、少なくとも０．００１ｍＴｏｒｒから１０００Ｔｏｒｒまで調節可能である。処理及び他のガスを前記チャンバー内に導入及び排出することを可能にする少なくとも１つのガス入口／出口が設けられる。処理チャンバーは、単一ウエハの処理チャンバー又はウエハバッチ処理チャンバーであり得る。
【００１５】
熱エネルギと共にＵＶ光線を使用することにより、高品質水準の薄膜（約１００ｎｍ以下）の酸化又は誘電性層を作成することができる。低温を用いることにより、酸化品質を向上させることができる（例えば、望ましくない拡散効果、電荷トラップ、及びダングリングボンド欠陥を減少させることができる）。また、前記膜の電気的特性も向上する。例えばシリコン−二酸化シリコン界面の不対結合の数は、大幅に減少される。本発明の他の利点としては、前記膜における、望ましくない電荷トラップ／ミッドギャップ（midgap）状態密度を減少させること、望ましくないＳｉ−ＯＨ結合を減少させること、及び望ましくないＨ２Ｏ結合を減少させることがある。
【００１６】
本発明の他の態様によれば、紫外線光線の特定の周波数又は波長が、膜（例えば誘電性膜）と基板（例えばシリコン）との界面を加熱するのに使用される。前記周波数は、光子又は光エネルギが前記膜に使用される材料に吸収されるように（すなわち、前記材料が光エネルギを透過するように）、前記材料の種類に基づいて選択される。このことにより、光エネルギが前記膜を通過して、前記膜と前記基板との界面に至ることが可能になる。その結果、前記材料は、前記界面から外側に向けて加熱されるので、前記材料を急速に加熱することが可能となる。このことにより、前記膜の表面から、前記膜とシリコン基板との界面へ、大きな温度勾配が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態に係る誘電性膜の形成方法を示すフローチャートである。ステップ１００では、半導体ウエハを処理チャンバー内にセットする。前記ウエハ上に形成する膜の種類に依存して、前記ウエハは様々な処理段階にある。ステップ１０２では、例えば、１つ又は複数の処理ガスを前記処理チャンバー内に導入することによって、ゲート絶縁膜などの誘電性又は酸化層を前記ウエハ上に形成する。前記処理ガスは、誘電性又は酸化層を前記ウエハ上に形成するために使用される。前記形成プロセスは、化学気相堆積法（chemical vapor deposition：ＣＶＤ）若しくは物理的気相成長法（physical vapor deposition：ＰＶＤ）による酸化層の成長又は堆積、又は液体源を使用したスピン・コーティングであり得る。適切な処理ガスとしては、これらに限定されるものではないが、Ｏ２、Ｎ２、ＨＣｌ、ＮＨ３、及びＨ２Ｏがある。前記チャンバー内の圧力及び温度は、処理及びシステムのパラメータに応じて調節される。例えば、圧力は、０．００１ｍＴｏｒｒ〜１０００Ｔｏｒｒの範囲をとり得る。また、温度は、０°Ｃ〜１３００°Ｃの範囲をとり得る。ある実施形態では、温度は、８００°Ｃ未満である。酸化層の成長及び堆積プロセスは周知であるので、特定の処理パラメータについては示さない。当業者であれば、前記膜に必要とされる特性に応じて、適切な処理パラメータを用いることができるであろう。本発明の重要な特徴の１つは、前記膜の品質を向上させるための誘電性薄膜の形成中に、温度を著しく上昇させる必要がないことである。
【００１８】
ステップ１０４では、前記ウエハに光又は光子エネルギを照射する。ある実施形態では、前記照射は、前記誘電性層の形成中に行われる。他の実施形態では、前記照射は、前記誘電性層又は膜の形成後（例えば、硬化のための膜形成サイクルの合間）に行われる。したがって、前記光源は、膜形成の様々な時期に、様々な期間で、点けたり消したりすることができる。例えば、前記光源は、膜形成プロセスの最初から最後まで、又は、１つ若しくは複数の膜形成時期の合間に、継続的に点けておくことができる。
【００１９】
さらに、ある実施形態では、ステップ１０４の照射は、元の位置で行うことができる。ある実施形態では、前記照射は、ウエハが堆積処理チャンバーから他のチャンバー（両チャンバーは、同一の機械又は異なる機械に関連する）へ移動されるプロセスなどでは、別の処理チャンバー内で行われる。ある実施形態では、前記光の波長は、可視及び紫外線（ＵＶ）領域の１５０ｍｎ〜１μｍである。特に、ＵＶ光は、比較的高いエネルギ（３ｅＶ以上に相当する）を有している。ステップ１０２及び１０４で誘電性層を形成した後、ステップ１０６では、半導体装置の製造に必要な処理を継続する。
【００２０】
図２は、本発明の一実施形態に従った処理リアクターの一部の概略断面図である。処理リアクター２００は、処理チャンバー２０４（例えば、ロードロック・チャンバー）を実質的に取り囲む、例えばアルミニウム又は他の適切な金属から作成されたシェル２０２を含む。処理チャンバー２０４は、例えば水晶、炭化ケイ素、Ａｌ２Ｏ３、又は他の適切な材料から成る加工チューブ（process tube）から形成される。処理を実施するためには、処理チャンバー２０４は、加圧されることが可能でなければならない。通常は、チャンバー２０４は、約０．００１ｍＴｏｒｒ〜１０００Ｔｏｒｒ（好ましくは、約０．１〜７６０Ｔｏｒｒの）の内圧に耐えることができる。処理チャンバー２０４への開口２０６は、ゲート弁２０８によって密閉可能である。ゲート弁２０８は、例えばウエハの処理中に開口２０６を密閉する、及び、例えばウエハをチャンバー２０４内に出し入れする際に開口２０６を開放することができる。ウエハ２１０を移送（例えば、ウエハカセットから処理チャンバーへの出し入れ）は、ロボットアッセンブリ又は他の機構（図示せず）を使用しえて行うことができる。
【００２１】
処理チャンバー２０４内には、処理中にウエハ２１０を支持するウエハ支持部２１２が設けられる。ウエハ支持部２１２は、固定して設けられる、又は処理チャンバー内でウエハを上下させる又は回転させるために移動可能に設けられる。ウエハ支持部２１２は、平板状（図示するように）、独立したスタンドオフ（individual standoff）、又は任意の他の適切な支持体である。また、処理チャンバーの内部（例えば、ウエハ２１０の下方）に、熱源２１４が設けられる。熱源は、例えば、サセプタ（susceptor）、加熱板（hot plate）又はランプなどの、任意の適切なウエハ用熱源であり得る。ランプは、単一のランプであり得る。あるいは、ランプは、ウエハを均一に加熱すべくウエハ及び互いの両方から離間して配置された、一列に並んだ複数のランプであり得る。
【００２２】
上述したように、処理中に、光エネルギ（例えば、ＵＶエネルギ）をウエハに提供するために、光源２１６はウエハ２１０の上方に配置されている。光源２１６は、１つの連続的なランプ、又は、ひとそろいのランプであり得る。適切なランプの種類としては、ハロゲンランプ、水銀ランプ、キセノンランプ、アルゴンランプ、クリプトンランプ、及びカドミウムランがある。光源の選択は、所望する光エネルギなどの様々な要因に応じて行われる。例えば、可視光線及び赤外線を提供するために、タングステン・ハロゲン・ランプを使用することができる。水銀（Ｈｇ）ランプは、低圧、中圧又は高圧で、強度比が異なるスペクトル線を発する。ランプの起動及び動作は、任意の適切な従来方法によって行うことができる。
【００２３】
光の波長又は周波数は、例えば処理及び形成する層の種類などの、様々な要因に基づいて調節することができる。ある実施形態では、光の波長は、１５０ｎｍ〜１μｍの間である。ウエハ２１０上に入射される光エネルギの量を最大化するために、光をウエハ２１０に向けて反射させる反射鏡２１８が光源２１６の上方に設置される。反射鏡２１８は、光源の外囲い（outer periphery）に沿って設置される。異なる実施形態では、反射鏡２１８は、別の反射鏡（例えば、ミラー）、処理チャンバー２０４の内面に形成された被覆、又は両者の組み合せである。随意的に、処理中にフィルタ処理された又はフィルタ処理されていない光をウエハへ通過させるための窓２２０が、光源２１６とウエハ２１０との間に設けられる。したがって、窓２２０は、例えば水晶又はＺｎＳｅから作成された、フィルタ処理をする窓、又はフィルタ処理をしない窓であり得る。
【００２４】
様々な処理チャンバー及び処理を、本発明に使用することができる。例えば、処理チャンバーは、急速熱処理用の単一のウエハチャンバー、又は複合的ウエハシステムであり得る。処理は、熱アニール、ドーパント拡散、熱酸化、窒化物形成、化学気相堆積、及び同様の処理であり得る（誘電性薄層を形成する処理。層形成中に光エネルギを使用することによって、形成された層の品質が向上する）。
【００２５】
光エネルギを使用する利点の１つは、従来の熱源（加熱板及びサセプタなど）からの熱エネルギと比べるとエネルギレベルが高いことである。熱エネルギの効率は低いため、熱エネルギを電子エネルギに変換すると、エネルギレベルは低くなる。一方、可視光スペクトル内の光エネルギは１ｅＶ以上に相当し、紫外線スペクトル内の光エネルギは３ｅＶ以上に相当する。したがって、処理中に、熱エネルギに加えて、光線の形態の高エネルギをウエハに供給することができる。光線は、誘電性又は酸化層を成長させないが、誘電性又は酸化層の品質を向上させることができる。また、光線のさらなる利点としては、電荷トラップの減少、ダングリングボンドの減少又は除去、及び作成された装置の電気的性質の向上が挙げられる。
【００２６】
本発明の他の実施形態によれば、光源２１６又は熱源２１４からの光エネルギ又は熱エネルギが、シリコン基板又は層の上に形成された誘電性膜の表面に導かれる。光線の波長又はエネルギは、誘電性膜の材料に基づいて選択される。特に、波長は、誘電性膜の材料が光線を通すように選択される。この場合、光線は前記材料を通過し、前記材料と前記シリコン基板の界面で反射される。その結果、光線が前記材料に吸収され、かつ前記界面から反射されるので、誘電性膜は加熱される。
【００２７】
図３及び４は、様々な材料における、波長と吸収率／透過率との関係を表わすグラフである。図３は、様々な半導体素子における吸収係数を表わし、図４は石英ガラスにおける透過率を表わす。吸収グラフ又は表は、周知である。したがって、任意の所望する材料における、前記所望する材料を容易に通過する波長（又は波長の範囲）を選択することができる。長波長では、前記エネルギは、主に前記材料によって反射される。したがって、ある波長（又は波長の範囲）の光線を選択することによって、基板上の特定の層を急速かつ効率的に加熱することができる。その結果、半導体製造プロセスを向上させることができる。同様に、前記材料が対応する光線又はエネルギを透過させることができるように、周波数若しくは周波数の範囲（光線の速度／波長）、又はエネルギ若しくはエネルギの範囲：ｅＶ（１２４０／波長（ｎｍ））を選択することができる。
【００２８】
任意の適切な光線又はエネルギ源（例えば、紫外線又は白熱電球）は、所望する波長及びエネルギの光線を選択的に生成することができるので、本発明の使用に適している。例えば、光線の望ましい周波数又はエネルギは、チャンバー内で生成したプラズマによって生成することができる。プラズマは、マイクロ波、ＲＦ、誘導結合、容量結合又は電極によって生成することができる。したがって、当業者は、望ましい周波数又はエネルギを選択する方法のみならず、他の種類の光源を選択することもできるであろう。したがって、詳細についての説明は省略する。
【００２９】
図５は、処理される層の材料に基づいて選択された特定の周波数の紫外線で処理された半導体素子５００の例示的な断面図を示す。デバイス５００は、シリコン基板５０２を含む。シリコン基板５０２は、その表面の少なくとも一部に形成された誘導性層又は膜５０４を有する。シリコン基板５０２は、酸素含有基板などの任意の種類のシリコン基板であり得る。基板５０２には、予め、集積回路の形成に関連する様々な処理が成されている。シリコン基板は、誘導性層５０４によって被覆されていない当該基板の一部に堆積される他の種類の層又は材料を有し得る。誘導性層５０４は、デバイス製造プロセス中に使用される、任意の適切な絶縁膜又は層であり得る。誘導性層の厚さは、前記層の種類及び／又は機能に応じて決定される。
【００３０】
選択された波長又はエネルギの光線５０６は、誘導性層５０４に導かれる。光子は、前記材料を容易に通過して、誘導性層５０４と基板５０２との界面に至る。前記材料に吸収されなかったエネルギは、前記界面で反射され、誘導性層５０４を通って戻る。このことにより、誘導性層５０４を急速かつ効率的に加熱することができる。典型的な処理時間は、材料特性及び処理目標によって決まり、１μ秒以下の短さ、又は１２時間以上の長さで有り得る。最適な処理時間は、例えば、実験結果に基づいて計算することができる。ある実施形態では、選択された波長による前記膜の処理は、加熱と共に行われる。その結果、加熱の有無に関わらず、誘導性層の表面から、シリコンと誘導性物質との界面への深さ方向に、大きな温度勾配が形成される。
【００３１】
上述した本発明の実施形態は、説明を目的とするものであり、限定するためものではない。例えば、ここでは誘導性又は酸化膜について説明したが、半導体プロセス中に作成された他の層に対して本発明に従って光エネルギを照射しても有益である。また、光エネルギは、紫外線以外のものを用いることができる。また、基板は、シリコン以外のものを用いることができる。さらに、光源は、ウエハを裏側又は前側から加熱するのに使用することもできる。当業者は、本発明の範囲及び精神から逸脱することなく、様々な改良を加えることが可能である。したがって、本発明の範囲は、特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定される。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施形態に係るウエハ上への誘電性膜の形成方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】図１で説明したプロセスを実施するための半導体ウエハ処理システムの一実施形態を示す概略断面図である。
【図３】様々な半導体材料における、波長を関数とした吸収係数を表わすグラフである。
【図４】石英ガラスにおける、波長を関数とした透過率を表わすグラフである。
【図５】ある実施形態にしたがって、紫外線で処理されたウエハの一部の概略断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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