(57)【要約】【課題】半導体素子収納用中空パッケージの製造コストを低減すること。【解決手段】絶縁基体からなるパッケージ本体１に半導体素子２を収納する凹部３が形成されており、リードフレーム７の一端上面が凹部３に露出し、リードフレーム７の一部がパッケージ本体１の内部に埋設されている半導体素子収納用中空パッケージにおいて、凹部３に露出するリードフレーム７の一端上面の全面または一部に、導電性インクを印刷して導電薄膜層８を形成した。【選択図】図１
2008112937.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基体からなるパッケージ本体に半導体素子を収納する凹部が形成されており、リードフレームの一端上面が前記凹部に露出し、リードフレームの一部が前記パッケージ本体の内部に埋設されている半導体素子収納用中空パッケージであって、前記凹部に露出するリードフレームの一端上面の全面または一部に、導電性インクを印刷して導電薄膜層を形成している半導体素子収納用中空パッケージ。
【請求項２】
前記導電性インクが、金または銀を含有する導電性インクである請求項１に記載の半導体素子収納用中空パッケージ。
【請求項３】
前記導電薄膜層の上面に、絶縁性材料を含有するインクを印刷して絶縁層を形成している請求項１または請求項２に記載の半導体素子収納用中空パッケージ。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体素子収納用中空パッケージの前記凹部に半導体素子を搭載し、前記凹部を蓋で封止した半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項６】
半導体素子を収納する凹部を有するパッケージ本体を絶縁基体で形成する工程と、前記凹部に露出するリードフレームの一端上面の全面または一部に導電性インクを印刷し導電薄膜層を形成する工程と、前記導電薄膜層に乾燥、ベークまたは紫外線照射の処理を施す工程と、を含む半導体素子収納用中空パッケージの製造方法。
【請求項７】
請求項１または請求項２に記載の半導体素子収納用中空パッケージを用いた半導体装置の製造方法であって、パッケージ本体の凹部に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記導電薄膜層とを電気的に接続する工程と、前記凹部を蓋で封止する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１または請求項２に記載の半導体素子収納用中空パッケージを用いた半導体装置の製造方法であって、パッケージ本体の凹部に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記導電薄膜層とを電気的に接続する工程と、当該導電薄膜層の上面に、絶縁性材料を含有するインクを印刷して絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に乾燥、ベークまたは紫外線照射の処理を施す工程と、前記凹部を蓋で封止する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を収納する凹部を有する半導体素子収納用中空パッケージとそれを使用した半導体装置及び電子機器、さらには、その半導体素子収納用中空パッケージと半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の機能特性は、外気の温度や湿度の変化、あるいは微小なダストに大きく影響され、また機械的振動や衝撃を受けることにより劣化しやすいことが知られている。これらの外的要因から半導体素子を保護するために、セラミックスからなるパッケージや樹脂で封止したパッケージなどが使用されている。
【０００３】
例えば、ＣＣＤ、ＣＭＯＳなどの半導体素子は、パッケージ外部と光の通路が必要であり、光の通路を必要としない一般的なＬＳＩ素子のように、周囲をセラミックスや樹脂で封止することができない。したがって、これらの半導体素子は、一般的に一方が開放された中空タイプのパッケージに実装され、その凹部をガラスなどの透明な蓋で気密封止することにより、パッケージングされている。
【０００４】
また、ＣＣＤ、ＣＭＯＳなどを収納する中空パッケージは、小型化、薄型化、軽量化、高信頼性がより要求され、尚且つ、パッケージを安価に提供することが求められている。
【０００５】
そのため、近年では、樹脂製中空パッケージの採用が多くなってきている。この樹脂製中空パッケージの場合、リードフレームのワイヤーボンディング性を確保するために、従来、半導体素子を収納する凹部を有するパッケージ本体を形成した後に、リードフレーム全体に金などのめっきを施すのが一般的である。しかし、金などの高価な材料のめっきを施す場合、リードフレーム全体にめっきが施されると、製品としては不要な部分に対してもめっきを施すこととなり、無駄なコストが掛かってしまう。
【０００６】
そこで、樹脂製中空パッケージの製造コストを低減させるために、製造コストとして大きな割合を占めるめっき工程のコスト削減の方策が種々検討されている。
【０００７】
例えば、特許文献１には、半導体素子を収納する凹部を有するパッケージ本体を樹脂で形成する前に、リードフレームの状態でマスク処理によってダイパット及びリード端子の上下両面のみに金属めっきを施し、その後、パッケージ本体を樹脂で形成する方法が開示されている。この方法によると、リードフレームの外枠など、後工程で切り離すこととなる不要部分にめっきを施さないため、高価な金などのめっきの無駄をなくすことができる。
【０００８】
しかし、この方法では、めっき処理を行う前にリードフレームのマスク処理が必要であり、そのマスク処理に手間と時間が掛かるという問題がある。また、この方法では、パッケージ本体を樹脂で形成した後に、リード端子上面などの樹脂ばりを除去するためにアルカリ電解処理やウォータージェット処理などを行うようにしており、その際にパッケージがアルカリ液や水に浸漬されることで、めっき部分にシミや変色が発生し、ボンディングワイヤーの接着強度不足などの問題が生じるおそれがある。
【特許文献１】特開２０００−２３６０３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明が解決しようとする課題は、半導体素子収納用中空パッケージの製造コストを低減することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体素子収納用中空パッケージは、絶縁基体からなるパッケージ本体に半導体素子を収納する凹部が形成されており、リードフレームの一端上面が前記凹部に露出し、リードフレームの一部が前記パッケージ本体の内部に埋設されている半導体素子収納用中空パッケージであって、前記凹部に露出するリードフレームの一端上面の全面または一部に、導電性インクを印刷して導電薄膜層を形成していることを特徴とする。
【００１１】
このように本発明においては、半導体素子を収納する凹部に露出するリードフレームの一端上面に導電性インクを印刷して導電薄膜層を形成することで、製品として不要な部分には導電薄膜層が形成されることはなく、必要にな部分にのみ導電薄膜層を形成することが可能となる。
【００１２】
また、従来のめっき処理のように事前にマスク処理をする必要性が無いため、時間と手間が掛からず製造コストを低減することが可能となる。すなわち、従来のめっき処理の場合、フレーム全体に、若しくはマスク処理をすることで必要な部分に、めっきを施していたが、本発明では、導電性インクを印刷して導電薄膜層を形成するため、マスク処理を必要としない。
【００１３】
ここで、本発明にいう印刷とは、ディスペンス印刷、インクジェット印刷などが一例として挙げられる。例えば、インクジェット印刷によれば、ノズル動作やインク塗布に係るプログラムを変更するなどで、所望の大きさ、形状及び厚みの導電薄膜層を容易に形成することが可能となる。さらに、インクジェット印刷は印刷面に非接触なので、パッケージ本体の立体的な部位に対しても、容易に導電薄膜層を印刷することが可能である。また、ノズルと導電薄膜層の形成面との角度は、特に垂直であることに限定はされず、導電薄膜層の幅、厚みなどの制御がしやすいように、必要に応じて角度をつけても良い。さらに、ノズルを複数搭載することで、導電薄膜層の形成時間が短縮され、生産性が向上するなどのメリットがある。
【００１４】
なお、印刷に使用する導電性インクとしては、ボンディングワイヤーの接着強度の信頼性の点から、金または銀を含有する導電性インクが好ましい。
【００１５】
一方、本発明の半導体素子収納用中空パッケージの製造方法は、基本的には、半導体素子を収納する凹部を有するパッケージ本体を絶縁基体で形成する工程と、前記凹部に露出するリードフレームの一端上面の全面または一部に導電性インクを印刷し導電薄膜層を形成する工程と、前記導電薄膜層に乾燥、ベークまたは紫外線照射の処理を施す工程とを含む。
【００１６】
また、導電薄膜層へのワイヤーボンディング後に当該導電薄膜層の上面に絶縁性材料を含有するインクを印刷して絶縁層を形成することで、当該導電薄膜層の経時的腐食を防止して、ワイヤーボンディング接続の信頼性をより高めることも可能である。
【００１７】
さらに、導電薄膜層の下地として、当該導電薄膜層とは異種の金属めっきを施すことで、ワイヤーボンディング性をより向上させることも可能である。
【００１８】
また、パッケージ本体の凹部に露出するリードフレームの一端上面以外でパッケージ本体から露出するリードフレームに対しては、必要に応じてリードフレームの腐食防止、及び基板実装時の半田濡れ性を良好に保つために、スズめっき、スズビスマスめっきなどを施しても良い。
【００１９】
そして、このようにして得られた半導体素子収納用中空パッケージの前記凹部に、半導体素子を搭載し、この半導体素子と導電薄膜層を電気的に接続し、前記凹部を蓋で封止することにより半導体装置を得ることができる。さらに、この半導体装置を用いて電子機器を製作することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、リードフレームへの部分的な導電薄膜層の形成手段として、めっき加工ではなく印刷を採用することで、マスク処理が不要となり、時間と手間が掛からず製造コストを低減することが可能となる。無論、不要な部分には導電薄膜層が形成されることはなく、金などの高価な材料の使用量を最少に抑えることが可能となり、製造コストを低減させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。無論、本発明はこの実施の形態に限られるものではない。
【００２２】
図１は、本発明の半導体素子収納用中空パッケージを用いた半導体装置の半分を示す断面図であり、ここでは樹脂製中空パッケージを例として挙げる。図２は、そのパッケージ本体を示す平面図である。
【００２３】
この実施の形態において、半導体収納用中空パッケージのパッケージ本体１は、樹脂製の絶縁基体からなり、半導体素子２を収納する凹部３を有する。パッケージ本体１には、リードフレーム７の一部が埋設されており、リードフレーム７の一端上面はパッケージ本体１の凹部３に露出している。この凹部３に露出するリードフレーム７の一端上面には、金を含有する導電性インクを印刷することで導電薄膜層８が形成されている。また、この導電薄膜層８と半導体素子２とはボンディングワイヤー６により電気的に接続されている。そして、半導体素子２を収納した凹部３は、例えばガラスなどの透明な蓋５によってシール剤４を介して気密封止されている。
【００２４】
図３は、本発明の他の実施形態を示す断面図である。図３に示すように、パッケージ本体１の凹部３に露出するリードフレーム７の一端上面以外でパッケージ本体１から露出するリードフレーム７に対して、必要に応じてリードフレームの腐食防止、及び基板実装時の半田濡れ性を良好に保つために、符号９で示すようにスズめっき、スズビスマスめっきなどを施しても良い。
【００２５】
図４は、本発明のさらに他の実施形態を示す断面図である。パッケージ本体１の凹部３に露出するリードフレーム７の一端上面と半導体素子２とをボンディングワイヤー６により電気的に接続する場合には、図４に示すように、導電薄膜層８の下地として、例えば、ニッケルめっき１１などを施すことで、ワイヤーボンディング性をより向上させることができる。
【００２６】
図５は、本発明のさらに他の実施形態を示す断面図である。図５に示すように、ワイヤーボンディング後に導電薄膜層８の上面にセラミックスなどの絶縁性材料を含むインクを印刷して絶縁層１０を形成し、導電薄膜層８の上面を被覆することで、導電薄膜層８の経時的腐食を防止して、よりボンディング接続の信頼性を高めることも可能である。
【００２７】
以上説明した本発明の樹脂製中空パッケージは、熱硬化性樹脂若しくは熱可塑性樹脂を用いて、トランスファーモールド成形または射出成形により、凹部３を有しリードフレーム７の一部を埋設したパッケージ本体１を形成し、その後、所定の工程を経ることによって得ることができる。
【００２８】
以下、その製造方法の一例として、熱硬化性樹脂を用いたトランスファーモールド成形法による製造方法を説明する。図６は、その製造方法の工程フローを示す。  
【００２９】
まず、トランスファーモールド成形により、凹部３を有しリードフレーム７の一部を埋設したパッケージ本体１を形成し、１８０℃程度の温度で５時間程度ベークして硬化させる。その後、パッケージ本体１の凹部３に露出するリードフレーム７の一端上面上の樹脂ばりをウォータージェット処理などにより除去する。また、必要に応じて、パッケージ本体１の凹部３に露出するリードフレーム７の一端上面以外でパッケージ本体１から露出するリードフレーム７に対して、スズめっき、スズビスマスめっきなどを施しても良い。
【００３０】
その後、例えば、インクジェット印刷で金を含有するインクを、パッケージ本体１の凹部３に露出するリードフレーム７の一端上面の全面または一部を被覆するように印刷して導電薄膜層８を形成し、その後、乾燥、ベークまたは紫外線照射等を施す。一般的に、ベークする場合には、約１５０℃〜２４０℃程度の温度で１時間程度ベークする。ただし、導電薄膜層８を形成する条件は、前記の条件に限定されるものではない。なお、導電薄膜層８は、リードフレーム７の一端上面においてワイヤーボンディングに必要な部分にのみ形成すれば良いが、リードフレーム７の一端上面の大きさが小さい場合には、その全面に形成しても良い。
【００３１】
また、インクジェット印刷においてノズルと導電薄膜層８の形成面との角度は、特に垂直であることに限定はされず、導電薄膜層８の幅、厚みなどの制御がしやすいように、必要に応じて角度をつけても良い。さらに、ノズルを複数搭載することで、一括して複数の導電薄膜層８を形成することが可能になるなど、導電薄膜層８の形成時間が短縮され、生産性が向上するなどのメリットがある。
【００３２】
以上により、パッケージ本体１の凹部３に露出するリードフレームの一端上面の全面または一部に、導電性インクを印刷して導電薄膜層８を形成した半導体素子収納用樹脂製中空パッケージが得られる。
【００３３】
その後、半導体素子２をパッケージ本体１の凹部３にダイボンディングして、半導体素子２のパット部と導電薄膜層８の端子となる部分を、ボンディングワイヤー６で接続する。そして、導電薄膜層８の上面に絶縁性材料を含むインクを印刷し、絶縁層１０を形成する。その後、乾燥、ベークまたは紫外線照射等を施す。一般的に、ベークする場合には、約１５０℃〜２４０℃程度の温度で１時間程度ベークする。
【００３４】
最後に、パッケージ本体１の凹部３を密閉するために、パッケージ本体１の上面にシール剤４を塗布して、凹部３を例えばガラスなどの透明な蓋５で気密封止する。以上で、半導体装置が完成する。一般的にシール剤としては、紫外線硬化性樹脂が使用されているが特に限定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明は、さらなる低コスト化が要求される、次世代の半導体素子を収納する中空パッケージ及び半導体装置に特に好適に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の半導体素子収納用中空パッケージを用いた半導体装置の半分を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置のパッケージ本体を示す平面図である。
【図３】本発明の他の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明のさらに他の実施形態を示す断面図である。
【図５】本発明のさらに他の実施形態を示す断面図である。
【図６】本発明の半導体素子収納用中空パッケージ及び半導体装置の製造工程を示すフロー図である。
【符号の説明】
【００３７】
１  パッケージ本体
２  半導体素子
３  凹部
４  シール剤
５  蓋
６  ボンディングワイヤー
７  リードフレーム
８  導電薄膜層
９  スズめっき、スズビスマスめっきなど
１０  絶縁層  
１１  ニッケルめっき
【図１】
2008112937.tif 000003
【図２】
2008112937.tif 000004
【図３】
2008112937.tif 000005
【図４】
2008112937.tif 000006
【図５】
2008112937.tif 000007
【図６】
2008112937.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月6日(2007.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基体からなるパッケージ本体に半導体素子を収納する凹部が形成されており、リードフレームの一端上面が前記凹部に露出し、リードフレームの一部が前記パッケージ本体の内部に埋設されている半導体素子収納用中空パッケージであって、前記凹部に露出するリードフレームの一端上面の全面または一部に、金または銀を含有する導電性インクを印刷して導電薄膜層を形成している半導体素子収納用中空パッケージ。
【請求項２】
前記導電薄膜層の上面を被覆するように、絶縁性材料を含有するインクを印刷して絶縁層を形成している請求項１に記載の半導体素子収納用中空パッケージ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体素子収納用中空パッケージの前記凹部に半導体素子を搭載し、前記凹部を蓋で封止した半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項５】
半導体素子を収納する凹部を有するパッケージ本体を絶縁基体で形成する工程と、前記凹部に露出するリードフレームの一端上面の全面または一部に金または銀を含有する導電性インクを印刷し導電薄膜層を形成する工程と、前記導電薄膜層に乾燥、ベークまたは紫外線照射の処理を施す工程と、を含む半導体素子収納用中空パッケージの製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体素子収納用中空パッケージを用いた半導体装置の製造方法であって、パッケージ本体の凹部に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記導電薄膜層とを電気的に接続する工程と、前記凹部を蓋で封止する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体素子収納用中空パッケージを用いた半導体装置の製造方法であって、パッケージ本体の凹部に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記導電薄膜層とを電気的に接続する工程と、当該導電薄膜層の上面を被覆するように、絶縁性材料を含有するインクを印刷して絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に乾燥、ベークまたは紫外線照射の処理を施す工程と、前記凹部を蓋で封止する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の半導体素子収納用中空パッケージは、絶縁基体からなるパッケージ本体に半導体素子を収納する凹部が形成されており、リードフレームの一端上面が前記凹部に露出し、リードフレームの一部が前記パッケージ本体の内部に埋設されている半導体素子収納用中空パッケージであって、前記凹部に露出するリードフレームの一端上面の全面または一部に、金または銀を含有する導電性インクを印刷して導電薄膜層を形成していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
なお、印刷に使用する導電性インクとしては、ボンディングワイヤーの接着強度の信頼性の点から、上記のとおり金または銀を含有する導電性インクとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
一方、本発明の半導体素子収納用中空パッケージの製造方法は、基本的には、半導体素子を収納する凹部を有するパッケージ本体を絶縁基体で形成する工程と、前記凹部に露出するリードフレームの一端上面の全面または一部に金または銀を含有する導電性インクを印刷し導電薄膜層を形成する工程と、前記導電薄膜層に乾燥、ベークまたは紫外線照射の処理を施す工程とを含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、導電薄膜層へのワイヤーボンディング後に当該導電薄膜層の上面を被覆するように絶縁性材料を含有するインクを印刷して絶縁層を形成することで、当該導電薄膜層の経時的腐食を防止して、ワイヤーボンディング接続の信頼性をより高めることも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月27日(2007.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を収納する凹部を有するパッケージ本体を絶縁基体で形成する工程であって、リードフレームの一端上面が前記凹部に露出し、リードフレームの一部が前記パッケージ本体の内部に埋設されるようにパッケージ本体を形成する工程と、前記パッケージ本体の凹部に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記凹部に露出するリードフレームの一端上面とを電気的に接続する工程と、前記凹部を蓋で封止する工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記パッケージ本体を形成する工程の後工程であって、前記半導体素子を搭載する工程の前工程として、前記パッケージ本体の凹部に露出するリードフレームの一端上面の全面または一部に、金または銀を含有する導電性インクを印刷して導電薄膜層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体素子を収納する凹部を有する半導体素子収納用中空パッケージを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明が解決しようとする課題は、半導体素子収納用中空パッケージを用いた半導体装置の製造コストを低減することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子を収納する凹部を有するパッケージ本体を絶縁基体で形成する工程であって、リードフレームの一端上面が前記凹部に露出し、リードフレームの一部が前記パッケージ本体の内部に埋設されるようにパッケージ本体を形成する工程と、前記パッケージ本体の凹部に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記凹部に露出するリードフレームの一端上面とを電気的に接続する工程と、前記凹部を蓋で封止する工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記パッケージ本体を形成する工程の後工程であって、前記半導体素子を搭載する工程の前工程として、前記パッケージ本体の凹部に露出するリードフレームの一端上面の全面または一部に、金または銀を含有する導電性インクを印刷して導電薄膜層を形成する工程を含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このように本発明においては、半導体素子を収納する凹部に露出するリードフレームの一端上面に導電性インクを印刷して導電薄膜層を形成することで、製品として不要な部分には導電薄膜層が形成されることはなく、必要な部分にのみ導電薄膜層を形成することが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図１は、本発明によって得られた半導体装置の半分を示す断面図であり、ここでは樹脂製中空パッケージを用いた例を挙げる。図２は、そのパッケージ本体を示す平面図である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図３は、本発明で用いる半導体収納用中空パッケージの他の実施形態を示す断面図である。図３に示すように、パッケージ本体１の凹部３に露出するリードフレーム７の一端上面以外でパッケージ本体１から露出するリードフレーム７に対して、必要に応じてリードフレームの腐食防止、及び基板実装時の半田濡れ性を良好に保つために、符号９で示すようにスズめっき、スズビスマスめっきなどを施しても良い。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図４は、本発明で用いる半導体収納用中空パッケージのさらに他の実施形態を示す断面図である。パッケージ本体１の凹部３に露出するリードフレーム７の一端上面と半導体素子２とをボンディングワイヤー６により電気的に接続する場合には、図４に示すように、導電薄膜層８の下地として、例えば、ニッケルめっき１１などを施すことで、ワイヤーボンディング性をより向上させることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図５は、本発明で用いる半導体収納用中空パッケージのさらに他の実施形態を示す断面図である。図５に示すように、ワイヤーボンディング後に導電薄膜層８の上面にセラミックスなどの絶縁性材料を含むインクを印刷して絶縁層１０を形成し、導電薄膜層８の上面を被覆することで、導電薄膜層８の経時的腐食を防止して、よりボンディング接続の信頼性を高めることも可能である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【図１】本発明によって得られた半導体装置の半分を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置のパッケージ本体を示す平面図である。
【図３】本発明で用いる半導体収納用中空パッケージの他の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明で用いる半導体収納用中空パッケージのさらに他の実施形態を示す断面図である。
【図５】本発明で用いる半導体収納用中空パッケージのさらに他の実施形態を示す断面図である。
【図６】本発明に係る半導体装置の製造方法の工程フローを示す。