(57)【要約】【課題】レベルの電磁放射ノイズの発生を抑制しつつ、電極間に形成される間隙領域の影響を受けずに走査線形状を補正することができる光走査装置を提供する。【解決手段】光走査装置は、、ポリゴンミラー１により走査された光束を電圧印加により副走査方向に偏向する電気光学結晶構造体３と、画像書込み信号から独立した所定のタイミングで電気光学結晶構造体３に印加される電圧を制御する制御部３６とを備える。電気光学結晶構造体３は、電圧印加により屈折率が変化する特性を有する略直方体形状のＥＯ結晶３１と、ＥＯ結晶３１において副走査方向に対して直角をなす一方の面に取り付けられた共通電極Ｐ０と、副走査方向に対して直角をなす他方の面に取り付けられかつ間隙部Ｂ１〜Ｂ４を形成するように主走査方向に沿って配置された電極Ｐ１〜Ｐ５とを有し、ポリゴンミラー１により走査された光束を各間隙部に投影した場合に、光束の投影線が、各間隙部を形成する２つの電極の少なくとも一方を横切る。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、前記光源から出射された光束を主走査方向に走査する光偏向手段と、前記光偏向手段と前記走査された光束の照射位置に静電潜像を形成する感光体との間の光路中に配置され、前記光偏向手段により走査された光束を電圧印加により副走査方向に偏向する電気光学結晶構造体と、画像書込み信号から独立した所定のタイミングで前記電気光学結晶構造体に印加される電圧を制御する制御手段とを備え、
前記電気光学結晶構造体は、電圧印加により屈折率が変化する特性を有する略直方体形状の電気光学結晶と、前記電気光学結晶において副走査方向に対して直角をなす一方の面に取り付けられた共通電極と、副走査方向に対して直角をなす他方の面に取り付けられかつ少なくとも１つの間隙部を形成するように主走査方向に沿って配置された複数の電極とを有し、
前記光偏向手段により走査された光束を前記間隙部に投影した場合に、前記光束の投影線が、前記間隙部を形成する２つの電極の少なくとも一方を横切ることを特徴とする光走査装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記光偏向手段の走査により形成される走査線形状に応じて予め定められた個々の電圧を、前記複数の電極に印加することを特徴とする請求項１記載の光走査装置。
【請求項３】
前記光偏向手段の走査により形成される走査線の形状データ及び該形状データに対応する補正情報を記憶する記憶手段を備えることを特徴とする請求項１又は２記載光走査装置。
【請求項４】
前記補正情報は、前記形状データに対応する、前記共通電極及び前記複数の電極に印加する電圧データであることを特徴とする請求項３記載の光走査装置。
【請求項５】
前記電気光学結晶は、カリウム、タンタル、ニオブ及び酸素から成ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光走査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザプリンタ等の画像形成装置に設けられ、光源から照射されたレーザ光を感光体に結像する光走査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光走査装置は、プリンタ、デジタル複写機、ファクシミリ等の画像形成装置の書込み系として使用されている。その光走査の方式も、従来からのシングルビーム走査方式に留まらず、同一の被走査面を同時に複数の光スポットで光走査するマルチビーム走査方式が採用されてきている。
【０００３】
被走査面となる感光体も単一のもののみならず、複数の感光体を、トナー画像を転写する記録媒体の経路にそって配列し、各感光体に形成されるトナー画像を共通の記録シートに転写して合成的に画像を得るタンデム方式のカラー画像形成装置がある。
【０００４】
被走査面上における光スポットの移動軌跡である走査線は主走査方向（感光体の長手方向）に直線的であることが理想である。しかしながら、光走査装置に使用される光学部品の特性や組立て精度等の要因により、理想的な走査線を実現することは不可能に近く、実際の走査線には曲がりや傾きが存在する。
【０００５】
走査線の曲がりや傾きが微小であれば、シングルビーム走査方式で単色の画像を形成する場合には実用上の問題はほとんどない。シングルビーム走査方式で形成された単色の画像では、走査線における微小な曲がりは、実際上視認されないからである。
【０００６】
マルチビーム走査方式においても、被走査面が１面であれば、走査線の曲がりや傾きが存在したとしても走査線の形状がそろっていれば、画像への影響はほとんどない。マルチビーム走査方式で問題となるのは、複数の走査線の走査線間隔が変化する場合である。走査線間隔が主走査位置によって変化すると、濃度むらが発生し、副走査方向のスジとなる。このスジが発生すると画像品位を著しく低下させる。
【０００７】
また、タンデム方式の画像形成装置でカラー画像を形成するような場合、各感光体における走査線の曲がりや傾きがそろっていないと、重ね合わせて形成されたカラー画像に色ずれや色むらが発生し画質を損なう。
【０００８】
走査線ピッチ、走査線の曲がりや傾きは、被走査面を走査する光スポットの集光位置を副走査方向に調整することで補正することができ、このような光スポット位置の調整を行う方法も種々提案されている。
【０００９】
例えば、タンデム方式の画像形成装置において、複数の光走査装置から照射される各レーザ光の光路上にレーザ光を偏向させる電気光学素子を配置する。そしてずれ量検出手段により各色の画像のずれ量を検出して、ずれ量が所定範囲内の値となるように主走査の露光タイミングに応じて各電気光学素子に印加する電圧を連続的に変化させ、レーザ光の傾きを補正する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
また、マルチビーム走査方式やタンデム方式の画像形成装置において、光偏向手段と被走査面との間に主走査方向にアレイ配列してなる液晶偏向素子アレイを配置する。そして被走査面上の光スポットの集光位置を副走査方向に調整して走査線の曲がりを補正し、さらに、該補正に伴う光スポットの光強度の変化を補正する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１０−１８６２５５号公報
【特許文献２】特開２００４−０４５８４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記従来の方法では、電気光学素子に印加する電圧を露光タイミングに応じて連続的に変化させる必要があり、通常は画像書込みクロックに同期して印加する電圧を変化させる。一般に、電気光学素子に印加する電圧は高圧でありかつ画像書込みクロックは高周波であるので、高電圧を高周波で駆動することによる高レベルの電磁放射ノイズの発生を抑制することができない。光走査装置の各種規格を満足するためには画像書込みクロックによる通常の電磁放射ノイズに対する対策が必要であり、さらに高レベルの電磁放射ノイズに対する対策を行うためには大きな労力とコストを要する。
【００１２】
また、上記他の従来の方法では、レーザ光の偏向角による透過率変化に対する光量補正が必要であり、また、互いに密接した多数の透明電極をレーザ光が順次通過するため電極間に形成される間隙領域では走査線形状を補正することができない。
【００１３】
本発明の目的は、高レベルの電磁放射ノイズの発生を抑制しつつ、電極間に形成される間隙領域の影響を受けずに走査線形状を補正することができる光走査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、上記目的を達成するために、光源と、前記光源から出射された光束を主走査方向に走査する光偏向手段と、前前記光偏向手段と前記走査された光束の照射位置に静電潜像を形成する感光体との間の光路中に配置され、前記光偏向手段により走査された光束を電圧印加により副走査方向に偏向する電気光学結晶構造体と、画像書込み信号から独立した所定のタイミングで前記電気光学結晶構造体に印加される電圧を制御する制御手段とを備え、前記電気光学結晶構造体は、電圧印加により屈折率が変化する特性を有する略直方体形状の電気光学結晶と、前記電気光学結晶において副走査方向に対して直角をなす一方の面に取り付けられた共通電極と、副走査方向に対して直角をなす他方の面に取り付けられかつ少なくとも１つの間隙部を形成するように主走査方向に沿って配置された複数の電極とを有し、前記光偏向手段により走査された光束を前記間隙部に投影した場合に、前記光束の投影線が、前記間隙部を形成する２つの電極の少なくとも一方を横切ることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、制御手段は、画像書込み信号から独立した所定のタイミングで電気光学結晶構造体に印加される電圧を制御し、電気光学結晶構造体は、電圧印加により屈折率が変化する特性を有する略直方体形状の電気光学結晶と、電気光学結晶において副走査方向に対して直角をなす一方の面に取り付けられた共通電極と、副走査方向に対して直角をなす他方の面に取り付けられかつ少なくとも１つの間隙部を形成するように主走査方向に沿って配置された複数の電極とを有し、光偏向手段により走査された光束を間隙部に投影した場合に、光束の投影線が、間隙部を形成する２つの電極の少なくとも一方を横切るので、高レベルの電磁放射ノイズの発生を抑制しつつ、電極間に形成される間隙領域の影響を受けずに走査線形状を補正することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳述する。
［光走査装置：図１］
図１は本発明の実施の形態に係る光走査装置の構成を概略的に示す平面図である。
【００１７】
図１において、１はポリゴンミラー（回転多面鏡ともいう。光偏向手段）である。ポリゴンミラー１は、半導体レーザ１０（光源）から出射されたレーザ光（光束）を不図示のコリメータレンズ及び不図示のシリンドリカルレンズにより線状に結像されたレーザ光を主走査方向（感光体である感光ドラムの長手方向）に走査する。２はポリゴンミラー１により走査されたレーザ光を感光ドラム４の被走査面上に所定のスポットとして結像する走査レンズである。３は、ポリゴンミラー１と感光ドラム４との間の光路中に配置され、ポリゴンミラー１により走査される光束を電圧印加により副走査方向に偏向する電気光学結晶構造体である。
［電気光学結晶構造体：図２］
図２は、電気光学結晶構造体３の構成を概略的に示す図であり、（ａ）はブロック図であり、（ｂ）は平面図である。
【００１８】
図２（ａ）及び（ｂ）において、電気光学結晶構造体３は、略長尺状の電気光学結晶（以下、「ＥＯ結晶」という）３１と、副走査方向に対して直角をなす両端面に取り付けられた一対の電極部３２，３３と、該電極部間に電圧を印加する不図示の電源とを備える。電極部３３は、ＥＯ結晶３１において副走査方向に対して直角をなす一方の面に取り付けられた共通電極Ｐ０で構成され、電極部３２は、ＥＯ結晶３１において副走査方向に対して直角をなす他方の面に取り付けられかつ複数の間隙部Ｂ１〜Ｂ４を形成するように主走査方向に沿って配置される複数の電極Ｐ１〜Ｐ５で構成される。電極数は、主走査方向の画素数（例えば、６００ｄｐｉの場合約７５００ピクセル）に比べて十分小さいので、電圧を時分割で印加しても画像書込みクロックに相当するような高周波ノイズを発生することはない。Ｄ０〜Ｄ５は、電極Ｐ０〜Ｐ５に所定電圧を印加するためのドライバ回路である。３４は一対の電極部３２，３３間に印加する電圧を制御する制御部であり、３６は走査線形状データ及び該走査線形状データに対応する補正情報を記憶するメモリ等の記憶部である。補正情報は、例えば、走査線形状データに対応する、共通電極Ｐ０及び複数の電極Ｐ１〜Ｐ５に印加する電圧データである。
【００１９】
一対の電極部３２，３３は、ＥＯ結晶３１の内部に、ＥＯ結晶３１内を通過する光束の進路に対して垂直方向の電界を形成する。一対の電極部３２，３３に所定電圧を印加してＥＯ結晶３１内に電界を発生させることにより、１μｓ以下（１ＭＨｚ以上）の高速応答を示す。電気光学結晶構造体３は、この高速な電気光学効果により、光束をポリゴンミラー５３に導く。
【００２０】
電気光学結晶とは、電圧を印加することにより屈折率が変化する特性を有する透明結晶である。ＥＯ結晶３１は、例えば、Ｋ（カリウム），Ｔａ（タンタル），Ｎｂ（ニオブ）及びＯ（酸素）から成る材料であり、高速かつ広角走査が可能という特徴がある。尚、ＥＯ結晶３１は、Ｌｉ（リチウム），Ｎｂ（ニオブ）及びＯ（酸素）から成る材料であってもよい。
【００２１】
半導体レーザ１０、コリメータレンズ、シリンドリカルレンズ、ポリゴンミラー１、走査レンズ２、光学結晶構造体３及び感光ドラム４の位置は固定されている。よって、レーザ光の偏向角の変化に応じて、感光ドラム４上におけるレーザ光の照射位置も変化する。すなわち、電気光学素子３に印加された電圧の変化に応じて、感光ドラム４上におけるレーザ光の照射位置が変化する。また、ＥＯ結晶３１は、その両端部に印加する電圧の増大に応じて、ＥＯ結晶３１内を通過する光束を電界方向に大きく偏向する。これにより、被走査面４上の走査線形状が変更される。
【００２２】
制御部３４は、共通電極Ｐ０には一定の電圧（あるいは接地）をドライバ回路Ｄ０を介して印加する。それと共に、共通電極Ｐ０に対向する複数の電極Ｐ１〜Ｐ５には記憶手段１０１に記憶された走査線形状データ及び該走査線形状データに対応する補正データに基づいて個々に算出される電圧をドライバ回路Ｄ１〜Ｄ５を介して印加する。
【００２３】
ここで、間隙部Ｂ１〜Ｂ４の領域には電圧が印加されず、各間隙部の領域においてＥＯ結晶３１内に発生する電界強度は隣接する電極からの距離の２乗に反比例して小さくなる。複数の電極Ｐ１〜Ｐ５における隣接する電極間の距離（間隙部の幅）は印加される電圧によって異なり、印加される電圧が高いほど電極間距離を大きくする必要がある。
【００２４】
本実施の形態では、複数の電極Ｐ１〜Ｐ５の各電極間には間隙部Ｂ１〜Ｂ４が形成されており、複数の電極Ｐ１〜Ｐ５は印加される最大の電圧に応じた所定の距離を隔てて配置される。また、間隙部Ｂ１〜Ｂ４の各間隙部はレーザ光の進行方向に沿って屈曲形状を有する（図２（ｂ））。これにより、レーザ光Ｌ２を間隙部Ｂ１に投影させた場合、レーザ光Ｌ２の投影線は電極Ｐ１，Ｐ２の電極の少なくとも一方を横切る。同様にして、レーザ光Ｌ３の投影線は電極Ｐ２，Ｐ３の電極の少なくとも一方を横切り、レーザ光Ｌ４の投影線は、夫々電極Ｐ３，Ｐ４の電極の少なくとも一方を横切り、レーザ光Ｌ５の投影線は、夫々電極Ｐ４，Ｐ５の電極の少なくとも一方を横切る。
【００２５】
図３は、図１における感光ドラム４上に形成される走査線の補正方法を説明する図である。
【００２６】
図３において、ポリゴンミラー１により偏向されたレーザ光は、走査レンズ２を介して感光ドラム４上に走査される。このとき、感光ドラム４上の走査線４−Ａは、理想位置Ａから副走査方向に曲がった形状となる。制御部３４は、記憶手段１０１に記憶された走査線形データ及び補正データに基づいて、電極Ｐ１〜Ｐ５に印加する電圧Ｖ１〜Ｖ５を夫々算出する。そして画像書込み信号から独立した所定のタイミングで該電圧Ｖ１〜Ｖ５をドライバ回路Ｄ１〜Ｄ５を介して複数の電極Ｐ１〜Ｐ５に印加する（グラフ４−Ｂ）。所定のタイミングとは、例えば、光走査装置の使用開始から所定時間経過した時等が該当する。ＥＯ結晶３１内における電極Ｐ１〜Ｐ５に対応する各領域には、個々に算出された電圧に応じた電界が発生し、ＥＯ結晶３１内を通過するレーザ光は各電界の強度に応じて副走査方向に偏向される。これにより、走査線４−Ａの線分３０１ａ〜３０１ｅは、走査線４−Ｃの線分３０６ａ〜３０６ｅのように理想位置Ａに近い位置まで補正される。
【００２７】
図４は、図３における間隙部Ｂ３及びＢ４近傍の部分拡大図である。
【００２８】
図４において、間隙部Ｂ３の領域を通過するレーザ光Ｌ４は、電極Ｐ３及びＰ４の少なくとも一方を横切るため、電極Ｐ３及び／又はＰ４に印加される電圧により副走査方向に偏向される。また、間隙部Ｂ４の領域を通過するレーザ光Ｌ５は、電極Ｐ４及びＰ５の少なくとも一方を横切るため、電極Ｐ４及び／又はＰ５に印加される電圧により副走査方向に偏向される。これにより、線分３０６ｃと線分３０６ｄとの間に変曲点が生じることなく、線分３０６ｃと線分３０６ｄとが滑らかに繋がる。同様に、線分３０６ｄと線分３０６ｅとの間に変曲点が生じることなく、線分３０６ｄと線分３０６ｅとが滑らかに繋がる。尚、間隙部Ｂ１及びＢ２の領域を通過するレーザ光Ｌ１，Ｌ２は、上記と同様の方法により偏向されるので、その説明を省略する。
【００２９】
したがって、走査線４−Ａは、全体として走査線４−Ｃに示すような形状に補正される。図３（ａ）の走査線４−Ａは、説明の関係上、その曲がり形状が大きく表されている。走査線４−Ａの実際の曲がりや傾きは全体で０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ程度であり、電極間の間隙部Ｂ１〜Ｂ４の領域での走査線の段差は０．０１ｍｍ程度であるので、補正後の走査線４−Ｃは、理想位置Ａに近い位置でほぼ直線形状となる。
【００３０】
本実施の形態によれば、制御部３４は、画像書込み信号から独立した所定のタイミングで電気光学結晶構造体３に印加される電圧を制御する。電気光学結晶構造体３は、電圧印加により屈折率が変化する特性を有する略直方体形状のＥＯ結晶３１と、ＥＯ結晶３１において副走査方向に対して直角をなす一方の面に取り付けられた共通電極Ｐ０を有する。さらに副走査方向に対して直角をなす他方の面に取り付けられかつ間隙部Ｂ１〜Ｂ４を形成するように主走査方向に沿って配置された電極Ｐ１〜Ｐ５とを有する。ポリゴンミラー１により走査された光束を各間隙部に投影した場合に、光束の投影線が、各間隙部を形成する２つの電極の少なくとも一方を横切るので、高レベルの電磁放射ノイズの発生を抑制する。さらに、電極間に形成される間隙部Ｂ１〜Ｂ４の影響を受けずに走査線４−Ａの形状を補正することができる。
【００３１】
図５は、図２における電気光学結晶構造体３の変形例を示す図である。尚、本変形例における電気光学結晶構造体は、その構成が上記実施の形態と同じであり、同じ構成要素については、同一の符号を付して重複した説明を省略し、以下に異なる部分を説明する。
【００３２】
図３において、電気光学結晶構造体５０は、副走査方向に対して直角をなす両端面に取り付けられた一対の電極部５２，３３を備える。電極部５２は、電極部３３と対向して配置される複数の電極Ｐ１１〜Ｐ１５で構成される。複数の電極Ｐ１１〜Ｐ１５の各電極間には間隙部Ｂ１１〜Ｂ１４が形成されており、複数の電極Ｐ１１〜Ｐ１５は印加される最大の電圧に応じた所定の距離を隔てて配置される。また、間隙部Ｂ１１〜Ｂ１４の各間隙部はレーザ光の進行方向に対して所定角度を有する直線形状を有する。すなわち、間隙部Ｂ１１は、間隙部Ｂ１１の領域を通過するレーザ光Ｌ１２と平行にならないように形成される。これにより、間隙部Ｂ１１の領域を通過するレーザ光Ｌ１２を電極Ｐ１１，Ｐ１２の電極面に投影させた場合、レーザ光Ｌ１２の投影線は電極Ｐ１１，Ｐ１２の電極面の少なくとも一方を横切る。同様にして、レーザ光Ｌ１３〜Ｌ１５の投影線は、夫々、電極Ｐ１２，Ｐ１３の電極面の少なくとも一方、電極Ｐ１３，Ｐ１４の電極面の少なくとも一方、及び電極Ｐ１４，Ｐ１５の電極面の少なくとも一方を横切る。
【００３３】
本変形例によれば、間隙部Ｂ１１〜Ｂ１４が直線形状であるので、簡単な形状を有する電極Ｐ１１〜Ｐ１５を用いて走査線形状を補正することができる。
【００３４】
走査線形状は、光走査装置に固有のものであるため、光走査装置が設けられる画像形成装置等で測定することが好ましい。しかしながら、画像形成装置には多数の電極に対応する多数の測定手段を設ける必要があり、測定手段の配置やコストの問題がある。走査線形状の曲りは初期から大きく変化するものではないので、光走査装置単体の状態で電極数以上の測定箇所で正確な走査線形状を予め測定して、その走査線形状データを記憶部３６に記憶させておけばよい。また、画像形成装置は、必要に応じて走査線の両端部の傾きを測定可能な構成であってもよい。
【００３５】
本実施の形態では、走査線形状データ及び補正情報は記憶部３６に記憶されるが、これに限るものではなく、数値やバーコードとして光走査装置本体にラベリングされてもよい。これにより、故障等により光走査装置を交換する場合においても、画像形成装置が補正情報を自動的に読み込んで走査線形状を補正することが可能となる。
【００３６】
また、本実施の形態では、記憶部３６に記憶される補正情報は、走査線形状データに対応する、共通電極Ｐ０及び複数の電極Ｐ１〜Ｐ５に印加する電圧データである。しかしこれに限るものではなく、走査線形状データに対応する、副走査方向に関する補正距離データであってもよい。
【００３７】
本実施の形態では、電極部３２の電極数は５個（Ｐ１〜Ｐ５）であるが、これに限るものではなく、１０〜２０個であってもよく、また、１００個以下であってもよい。
【００３８】
本実施の形態では、ＥＯ結晶３１は、Ｋ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｏから成る材料であるが、電気光学定数（電界印加による屈折率変化量の比例係数）の大きな電気光学結晶を用いると、印加電圧を従来の１／１０以下にすることができる。これにより、電極間距離を小さくすることができ、また、電磁放射ノイズの発生を更に抑制することが可能である。
【００３９】
本実施の形態では、ポリゴンミラー１によって感光ドラム４を走査するが、これに限るものではなく、ガルバノミラーやＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）によって感光ドラムを走査する構成であってもよい。
【００４０】
また、本発明の目的は、上述した実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムを記憶した記憶媒体を光走査装置に供給し、その光走査装置のコンピュータ（又はＣＰＵやＭＰＵ等）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読出して実行することによっても、達成される。
【００４１】
この場合、記憶媒体から読出されたプログラムコード自体が上述した実施の形態の機能を実現することとなり、そのプログラムコード及び該プログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成する。
【００４２】
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を用いることができる。または、プログラムコードをネットワークを介してダウンロードしてもよい。
【００４３】
コンピュータから読出されたプログラムコードを実行することにより、上述した上記実施の形態の機能が実現されだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動するＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって前述した実施形態の機能が実現される場合も含まれることは言うまでもない。
【００４４】
さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって前述した実施形態の機能が実現される場合も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施の形態に係る光走査装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】電気光学結晶構造体の構成を概略的に示す図であり、（ａ）はブロック図であり、（ｂ）は平面図である。
【図３】図１における感光ドラム上に形成される走査線の補正方法を説明する図である。
【図４】図３における間隙部Ｂ３及びＢ４近傍の部分拡大図である。
【図５】図２における電気光学結晶構造体の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  ポリゴンミラー
２  走査レンズ
３  電気光学結晶構造体
４  感光ドラム
３１  電気光学結晶
３２，３３  一対の電極部
Ｐ０  共通電極
Ｐ１〜Ｐ５  複数の電極
Ｄ０〜Ｄ５  ドライバ回路
３４  制御部
３６  記憶部
【図１】
2008185917.tif 000003
【図２】
2008185917.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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