(57)【要約】【課題】小型化および薄型化が容易な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１では、半導体素子１０、金属板３１，３２およびバンプ４１，４２が、樹脂５０により封止されている。金属板３１，３２それぞれは、半導体素子１０の下面の電極パッド１１，１２とバンプ４１，４２により電気的に接続され、外部接続端子として用いられる。金属板３１，３２それぞれの下面は共通の仮想平面上にある。半導体素子１０およびバンプ４１，４２は、その仮想平面に対して一方の側に設けられた樹脂５０により覆われている。金属板３１，３２それぞれの上面および側面も樹脂５０により覆われている。金属板３１，３２それぞれの下面は、樹脂５０により覆われることなく露出している。【選択図】図１
2008047832.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１面および第２面を有し、該第２面に電極パッドが形成された半導体素子と、
互いに対向する第１面および第２面を有し、該第１面が前記半導体素子の前記電極パッドとバンプで接続された金属板と、
を備え、
前記半導体素子，前記金属板および前記バンプが前記金属板の第２面に対して一方の側に設けられた樹脂により覆われ、
前記金属板の第２面が前記樹脂により覆われることなく露出している、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子が発光または受光する素子であり、
前記半導体素子の第２面の側に設けられ、前記半導体素子が発光または受光する光に対して集光作用を有するレンズを更に備える、
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
互いに対向する第１面および第２面を有し、該第２面が前記半導体素子の第１面に対向し、該第１面に電極パッドが形成された第２半導体素子と、
互いに対向する第１面および第２面を有し、該第１面が前記第２半導体素子の前記電極パッドと導電性ワイヤで接続された第２金属板と、
を更に備え、
前記金属板および前記第２金属板それぞれの第２面が共通の仮想平面上にあり、
前記半導体素子，前記第２半導体素子，前記金属板，前記第２金属板，前記バンプおよび前記導電性ワイヤが前記仮想平面に対して一方の側に設けられた樹脂により覆われ、
前記金属板および前記第２金属板それぞれの第２面が前記樹脂により覆われることなく露出している、
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置を製造する方法であって、
導電性を有する電鋳基板の主面上に所定のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターン形成工程において形成されたレジストパターンを除く前記電鋳基板の主面の露出部上に導電性金属を電着して、前記電鋳基板の主面上に金属板を形成する電着工程と、
前記電着工程の後に、前記電鋳基板から前記レジストパターンを除去するレジストパターン除去工程と、
前記レジストパターン除去工程の後に、互いに対向する第１面および第２面を有し該第２面に電極パッドが形成された半導体素子の該電極パッドを前記金属板にバンプで接続する半導体素子搭載工程と、
前記半導体素子搭載工程の後に、前記半導体素子，前記金属板および前記バンプを樹脂で覆う樹脂封止工程と、
前記樹脂封止工程の後に前記電鋳基板を除去する電鋳基板除去工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置製造方法。
【請求項５】
前記半導体素子が発光または受光する素子であり、
前記電鋳基板が前記半導体素子の搭載位置の領域に凹面を有する、
ことを特徴とする請求項４記載の半導体装置製造方法。
【請求項６】
前記電着工程において、前記電鋳基板の主面上に前記金属板を形成するとともに第２金属板をも形成し、
前記半導体素子搭載工程において、互いに対向する第１面および第２面を有し該第１面に電極パッドが形成された第２半導体素子の該第２面を前記半導体素子の第１面に対向させて配置し、前記第２半導体素子の電極パッドと前記第２金属板とを導電性ワイヤにより互いに接続し、
前記樹脂封止工程において、前記半導体素子，前記第２半導体素子，前記金属板，前記第２金属板，前記バンプおよび前記導電性ワイヤを樹脂で覆う、
ことを特徴とする請求項４記載の半導体装置製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を含む半導体装置、および、このような半導体装置を製造する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を含む半導体装置として、特許文献１に開示されたリードレス表面実装型のものが知られている。この特許文献１に開示された半導体装置は、半導体素子としての発光ダイオードが基板上に搭載され、発光ダイオードの電極と基板とが導電性ワイヤで接続され、これら発光ダイオード，基板および導電性ワイヤが透明樹脂により封止されたものである。
【特許文献１】特開平１０−２４２５２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に開示された半導体装置は、半導体素子（発光ダイオード）の厚みが２００μｍ〜４００μｍ程度であるにも拘らず、一般に半導体素子より厚い基板を用いていることから、小型化および薄型化の点で問題がある。
【０００４】
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、小型化および薄型化が容易な半導体装置および半導体装置製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る半導体装置は、(1) 互いに対向する第１面および第２面を有し、該第２面に電極パッドが形成された半導体素子と、(2) 互いに対向する第１面および第２面を有し、該第１面が半導体素子の電極パッドとバンプで接続された金属板と、を備えることを特徴とする。さらに、本発明に係る半導体装置は、半導体素子，金属板およびバンプが金属板の第２面に対して一方の側に設けられた樹脂により覆われ、金属板の第２面が樹脂により覆われることなく露出していることを特徴とする。
【０００６】
このように構成される半導体装置は、パッケージに入れられることなく、樹脂封止された形態のままであるので、小型化および薄型化が可能であり、また、例えばプリント基板上における実装の密度の向上が可能である。また、この半導体装置は、半導体素子の第２面の電極パッド，金属板の上面およびバンプが樹脂により封止され固定されていることから、製造時において、バンプによる電極パッドと金属板との電気的接続が切断されることも防止されて、歩留まりよく製造することができる。なお、半導体素子の電極パッドと、これに接続される外部接続端子としての金属板とは、一般に複数組ある。
【０００７】
また、本発明に係る半導体装置は、半導体素子が発光または受光する素子であり、半導体素子の第２面の側に設けられ、半導体素子が発光または受光する光に対して集光作用を有するレンズを更に備えるのが好適である。
【０００８】
また、本発明に係る半導体装置は、互いに対向する第１面および第２面を有し、該第２面が半導体素子の第１面に対向し、該第１面に電極パッドが形成された第２半導体素子と、互いに対向する第１面および第２面を有し、該第１面が第２半導体素子の電極パッドと導電性ワイヤで接続された第２金属板と、を更に備えるのが好適である。そして、本発明に係る半導体装置は、金属板および第２金属板それぞれの第２面が共通の仮想平面上にあり、半導体素子，第２半導体素子，金属板，第２金属板，バンプおよび導電性ワイヤが仮想平面に対して一方の側に設けられた樹脂により覆われ、金属板および第２金属板それぞれの第２面が樹脂により覆われることなく露出しているのが好適である。
【０００９】
本発明に係る半導体装置製造方法は、上記の本発明に係る半導体装置を製造する方法であって、(1) 導電性を有する電鋳基板の主面上に所定のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、(2) レジストパターン形成工程において形成されたレジストパターンを除く電鋳基板の主面の露出部上に導電性金属を電着して、電鋳基板の主面上に金属板を形成する電着工程と、(3) 電着工程の後に、電鋳基板からレジストパターンを除去するレジストパターン除去工程と、(4) レジストパターン除去工程の後に、互いに対向する第１面および第２面を有し該第２面に電極パッドが形成された半導体素子の該電極パッドを金属板にバンプで接続する半導体素子搭載工程と、(5) 半導体素子搭載工程の後に、半導体素子，金属板およびバンプを樹脂で覆う樹脂封止工程と、(6) 樹脂封止工程の後に電鋳基板を除去する電鋳基板除去工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る半導体装置製造方法は、半導体素子が発光または受光する素子であり、電鋳基板が半導体素子の搭載位置の領域に凹面を有するのが好適である。
【００１１】
また、本発明に係る半導体装置製造方法は、電着工程において、電鋳基板の主面上に金属板を形成するとともに第２金属板をも形成し、半導体素子搭載工程において、互いに対向する第１面および第２面を有し該第１面に電極パッドが形成された第２半導体素子の該第２面を半導体素子の第１面に対向させて配置し、第２半導体素子の電極パッドと第２金属板とを導電性ワイヤにより互いに接続し、樹脂封止工程において、半導体素子，第２半導体素子，金属板，第２金属板，バンプおよび導電性ワイヤを樹脂で覆うのが好適である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、小型化および薄型化が容易な半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一または同種の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１４】
（第１実施形態）
【００１５】
先ず、本発明に係る半導体装置および半導体装置製造方法の第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る半導体装置１の上面図，断面図および底面図である。同図（ａ）は上面図を示し、同図（ｂ）は断面図を示し、同図（ｃ）は底面図を示す。この図に示される半導体装置１では、半導体素子１０、金属板３１，３２およびバンプ４１，４２が、樹脂５０により封止されている。半導体装置１は全体として凡そ直方体形状である。
【００１６】
半導体素子１０は、互いに対向し平行な第１面（上面）および第２面（下面）を有する平板形状のものであり、下面に電極パッド１１，１２が形成されている。また、この半導体素子１０は、下面の側へ発光または下面の側から受光する素子であってもよい。この場合、発光または受光する光は、半導体素子１０の下面にある樹脂５０を透過する。半導体素子１０は、例えば、光を発生する発光ダイオードであってもよいし、入射した光を受光して光電変換するフォトダイオード（ＰＤ）であってもよいし、光の入射位置に応じた値の電気信号を出力するＰＳＤであってもよいし、また、入射光の強度分布に応じた電気信号を出力するＣＣＤやＰＤアレイであってもよい。発光部または受光部の周りに電極パッド１１，１２が形成されている。
【００１７】
金属板３１，３２それぞれは、互いに対向し平行な第１面（上面）および第２面（下面）を有する平板形状のものであり、半導体素子１０の下面の電極パッド１１，１２と電気的に接続された外部接続端子として用いられる。金属板３１の上面は、半導体素子１０の下面の電極パッド１１とバンプ４１で接続されている。また、金属板３２の上面は、半導体素子１０の下面の電極パッド１２とバンプ４２で接続されている。なお、半導体素子１０の電極パッドとこれに接続される外部接続端子としての金属板とは、一般に複数組あるが、本実施形態では説明の簡便化のため２組としている。
【００１８】
樹脂５０としては、一般に樹脂封止型半導体装置を形成する際に用いられる樹脂が用いられ、例えば熱硬化型のエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等が用いられる。半導体素子１０が発光または受光する素子であるので、半導体素子１０が発光または受光する光の波長において透明である樹脂が樹脂５０として用いられる。
【００１９】
金属板３１，３２それぞれの下面は共通の仮想平面上にある。半導体素子１０およびバンプ４１，４２は、その仮想平面に対して一方の側に設けられた樹脂５０により覆われている。金属板３１，３２それぞれの上面および側面も樹脂５０により覆われている。しかし、金属板３１，３２それぞれの下面は、樹脂５０により覆われることなく露出している。
【００２０】
金属板３１，３２それぞれの露出した下面が例えばプリント基板上に半田付けされることで、半導体装置１は該基板上に実装される。このような半導体装置１は、パッケージに入れられることなく、樹脂封止された形態のままであるので、小型化および薄型化が可能であり、また、基板上における実装の密度の向上が可能である。
【００２１】
また、この半導体装置１では、半導体素子１０の下面の一部領域は金属板３１，３２の上面とバンプで接着される一方、他の領域は樹脂５０により覆われる。このように構成される半導体装置１は、半導体素子１０が大きい場合であっても、製造時において、半導体素子１０が樹脂５０から剥離することが防止されて、歩留まりよく製造することができる。
【００２２】
さらに、この半導体装置１では、半導体素子１０の下面の電極パッド１１，１２、金属板３１，３２それぞれの上面、ならびに、バンプ４１，４２は、樹脂５０により封止され固定されている。このように構成される半導体装置１は、製造時において、バンプ４１による電極パッド１１と金属板３１との電気的接続、および、バンプ４２による電極パッド１２と金属板３２との電気的接続が切断されることも防止されて、歩留まりよく製造することができる。
【００２３】
次に、第１実施形態に係る半導体装置１を製造する方法について説明する。図２は、第１実施形態に係る半導体装置１を製造する方法を説明するフローチャートである。図３および図４は、第１実施形態に係る半導体装置１を製造する方法を説明する工程図である。これらの図では、複数個（図示では３個）の半導体装置１を同時に製造する場合を示している。
【００２４】
初めに、レジストパターン形成工程（ステップＳ１）では、導電性を有する電鋳基板９０の主面上に所定のレジストパターン９１が形成される（図３（ａ），（ｂ））。ここで用いられる電鋳基板９０は、両面が平坦な金属板であり、厚みが例えば０.１ｍｍであり、例えばステンレススチール，アルミニウムおよび銅などからなる。この電鋳基板９０の両面にレジスト９１，９２が塗布される（図３（ａ））。ここで塗布されるレジストは、例えば厚み５０μｍのアルカリタイプの感光性フィルムレジストである。このレジストが塗布された電鋳基板９０の一方の主面上に所定パターンのマスクが配され、この状態で紫外線照射による両面露光が行われ、現像処理が行われる。これにより、電鋳基板９０の主面上のレジストが硬化し、所定のレジストパターン９１が形成される（図３（ｂ））。
【００２５】
レジストパターン形成工程（ステップＳ１）に続く電着工程（ステップＳ２）では、レジストパターン９１を除く電鋳基板９０の主面の露出部上に導電性金属が電着されて、電鋳基板９０の主面上に金属板３１，３２が形成される（図３（ｃ））。なお、この電着の前に、必要に応じて化学エッチングによる表面酸化被膜除去や薬品による化学処理等の表面活性化処理が行われる。例えば、電着物としてはニッケルやニッケル−コバルト合金、銅その他種々の金属が用いられ、また、スルファミン酸ニッケルの無光沢浴が使用され、レジストパターン９１の厚さ程度の４０〜５０μｍの厚さで金属板３１，３２が形成される。なお、必要に応じて、金属板３１，３２それぞれの表面に結着力向上用の金メッキ等を０.３〜０.４μｍ厚で行うのが好ましい。
【００２６】
電着工程（ステップＳ２）に続くレジストパターン除去工程（ステップＳ３）では、電鋳基板９０からレジスト９１，９２が除去される（図３（ｄ））。レジスト除去方法としては、アルカリ溶液による膨潤除去の方法等が可能である。
【００２７】
レジストパターン除去工程（ステップＳ３）に続く半導体素子搭載工程（ステップＳ４）では、半導体素子１０の電極パッド１１，１２が金属板３１，３２にバンプ４１，４２で接続される（図４（ａ））。
【００２８】
半導体素子搭載工程（ステップＳ４）に続く樹脂封止工程（ステップＳ５）では、半導体素子１０、金属板３１，３２およびバンプ４１，４２は、樹脂５０により覆われて封止される（図４（ｂ））。半導体素子１０の発光部または受光部と電鋳基板９０との間にも樹脂５０が侵入する。このとき具体的には、電鋳基板９０の上面がモールド金型（上型）に装着されて、そのモールド金型内のキャビティに樹脂５０が圧入される。このとき、電鋳基板９０は樹脂モールド時における下型の機能を果たす。これにより、電鋳基板９０上に複数の半導体素子１０等が配列されて樹脂５０により一体的に封止された形態となる。なお、モールド時に複数の電鋳基板９０を並列に配置して、樹脂９０をランナーにより分配して各電鋳基板９０と上型との間に圧入するようにすれば、効率よく多数の樹脂封止を行うことが可能である。
【００２９】
樹脂封止工程（ステップＳ５）に続く電鋳基板除去工程（ステップＳ６）では、電鋳基板９０が除去されることにより、金属板３１，３２の下面が露出した樹脂封止体が得られる（図４（ｃ））。電鋳基板９０を除去する方法としては、樹脂封止体から電鋳基板９０を機械的に引き剥がす等の強制的に剥離除去する方法の他、電鋳基板９０等を構成する材質に応じては、樹脂封止体側への影響のない溶剤等により電鋳基板９０を溶解して除去する方法も可能である。金属板３１，３２それぞれの下面および樹脂５０の下面は、共通の仮想平面上にある。なお、本工程後に必要に応じて、金属板３１，３２それぞれの下面に、実装用に金および銀等の導電性金属層の薄膜をフラッシュメッキ等の方法により０.３〜０.５μｍ厚で形成するようにしてもよい。
【００３０】
電鋳基板除去工程（ステップＳ６）に続く切断工程（ステップＳ７）では、図４（ｃ）中において点線で示される切断線に沿って上記の樹脂封止体が切断されて、これにより、個々の半導体装置１（図１）が製造される。
【００３１】
以上のような一連の製造方法において、電鋳基板除去工程（ステップＳ６）で電鋳基板９０を除去する方法としては、樹脂封止体から電鋳基板９０を機械的に引き剥がす等の強制的に剥離除去する方法が簡便である。このとき、電鋳基板９０を樹脂封止体から剥離する際に、樹脂封止体に対して機械的応力（引っ張り応力）が加わる。
【００３２】
しかし、本実施形態では、半導体素子１０の下面の電極パッド１１，１２が金属板３１，３２の上面とバンプ４１，４２で接着される一方、他の領域が樹脂５０により覆われており、しかも、半導体素子１０の下面の電極パッド１１，１２、金属板３１，３２それぞれの上面、ならびに、バンプ４１，４２は、樹脂５０により封止され固定されている。したがって、この半導体素子１の製造時の電鋳基板除去工程（ステップＳ６）において、バンプ４１による電極パッド１１と金属板３１との電気的接続、および、バンプ４２による電極パッド１２と金属板３２との電気的接続が切断されることが防止されて、歩留まりよく製造することができる。
【００３３】
（第２実施形態）
【００３４】
次に、本発明に係る半導体装置および半導体装置製造方法の第２実施形態について説明する。図５は、第２実施形態に係る半導体装置２の上面図，断面図および底面図である。同図（ａ）は上面図を示し、同図（ｂ）は断面図を示し、同図（ｃ）は底面図を示す。この図に示される半導体装置２では、半導体素子１０、金属板３１，３２およびバンプ４１，４２が、樹脂５０により封止されている。
【００３５】
図１に示された第１実施形態に係る半導体装置１と比較すると、この図５に示される第２実施形態に係る半導体装置２は、下面において樹脂５０が凸部５１を有していて、その凸部５１が凸レンズ形状を有している点で相違する。この凸レンズとしての凸部５１は、半導体素子１０が発光または受光する光に対して集光作用を有する。
【００３６】
この第２実施形態では、半導体素子１０が発光ダイオードである場合、この半導体素子１０から出力された光は、透明な樹脂５０の凸部５１によりコリメートされて外部へ出力される。半導体素子１０がフォトダイオードである場合、外部から透明な樹脂５０の凸部５１に入射した光は、この凸部５１により収斂されて半導体素子１０により受光される。このように、本実施形態に係る半導体装置２は、集光レンズを別途設ける必要がなく、集光レンズをも一体化した構成のものであるので、集光レンズを含めた全体として小型化が可能である。
【００３７】
この第２実施形態に係る半導体装置２は、図２〜図４を用いて説明した製造方法と略同様にして製造される。ただし、電鋳基板９０として、半導体素子１０が搭載されるべき領域に凹面を有するものが用いられる。図６および図７は、第２実施形態に係る半導体装置２を製造する方法を説明する工程図である。
【００３８】
初めに、レジストパターン形成工程（ステップＳ１）では、導電性を有する電鋳基板９０の主面上に所定のレジストパターン９１が形成される（図６（ａ），（ｂ））。ここで用いられる電鋳基板９０は、レジストパターン９１が形成されるべき一方の主面において、半導体素子１０が搭載されるべき領域に凹面が形成されている。この電鋳基板９０の両面にレジスト９１，９２が塗布され（図６（ａ））、このレジストが塗布された電鋳基板９０の一方の主面上に所定パターンのマスクが配され、この状態で紫外線照射による両面露光が行われ、現像処理が行われる。これにより、電鋳基板９０の主面上のレジストが硬化し、所定のレジストパターン９１が形成される（図６（ｂ））。このとき、レジスト９１は、電鋳基板９０の主面上の凹面領域に残っている。
【００３９】
電着工程（ステップＳ２）では、レジストパターン９１を除く電鋳基板９０の主面の露出部上に導電性金属が電着されて、電鋳基板９０の主面上に金属板３１，３２が形成される（図６（ｃ））。レジストパターン除去工程（ステップＳ３）では、電鋳基板９０からレジスト９１，９２が除去される（図６（ｄ））。
【００４０】
半導体素子搭載工程（ステップＳ４）では、半導体素子１０の電極パッド１１，１２が金属板３１，３２にバンプ４１，４２で接続される（図７（ａ））。樹脂封止工程（ステップＳ５）では、半導体素子１０、金属板３１，３２およびバンプ４１，４２は、樹脂５０により覆われて封止される（図７（ｂ））。半導体素子１０の発光部または受光部と電鋳基板９０との間にも樹脂５０が侵入する。このとき、半導体素子１０の下方では、電鋳基板９０の主面において凹面領域となっているので、凸部５１が形成される。
【００４１】
電鋳基板除去工程（ステップＳ６）では、電鋳基板９０が除去されることにより、金属板３１，３２の下面が露出した樹脂封止体が得られる（図７（ｃ））。切断工程（ステップＳ７）では、図７（ｃ）中において点線で示される切断線に沿って上記の樹脂封止体が切断されて、これにより、個々の半導体装置２（図５）が製造される。
【００４２】
本実施形態においても、半導体素子１０の下面の電極パッド１１，１２が金属板３１，３２の上面とバンプ４１，４２で接着される一方、他の領域が樹脂５０により覆われており、しかも、半導体素子１０の下面の電極パッド１１，１２、金属板３１，３２それぞれの上面、ならびに、バンプ４１，４２は、樹脂５０により封止され固定されている。したがって、この半導体素子２の製造時の電鋳基板除去工程（ステップＳ６）において、バンプ４１による電極パッド１１と金属板３１との電気的接続、および、バンプ４２による電極パッド１２と金属板３２との電気的接続が切断されることが防止されて、歩留まりよく製造することができる。
【００４３】
（第３実施形態）
【００４４】
次に、本発明に係る半導体装置および半導体装置製造方法の第３実施形態について説明する。図８は、第３実施形態に係る半導体装置３の断面図である。この図に示される半導体装置３では、半導体素子１０，２０、金属板３１〜３４、バンプ４１，４２および導電性ワイヤ４３，４４が、樹脂５０により封止されている。
【００４５】
図１に示された第１実施形態に係る半導体装置１と比較すると、この図８に示される第３実施形態に係る半導体装置３は、半導体素子１０に加えて更に半導体素子２０を備える点、および、金属板３１，３２に加えて更に金属板３３，３４を備える点、等で相違する。
【００４６】
半導体素子２０は、互いに対向する第１面（上面）および第２面（下面）を有し、上面に電極パッド２１，２２が形成されている。半導体素子２０の下面は、半導体素子１０の上面に対向し、接着剤６０により接着されている。半導体素子１０，２０のうち一方は、発光または受光する素子であってもよく、その場合、他方は、発光または受光する素子に対して駆動信号を供給したり出力信号を処理したりするものであるのが好適である。また、半導体素子１０，２０の何れも、発光または受光する素子でなくてもよい。
【００４７】
金属板３３，３４それぞれは、互いに対向し平行な第１面（上面）および第２面（下面）を有する平板形状のものであり、半導体素子２０の上面の電極パッド２１，２２と電気的に接続された外部接続端子として用いられる。金属板３３の上面は、半導体素子３０の上面の電極パッド２１と導電性ワイヤ４３で接続されている。また、金属板３２の上面は、半導体素子３０の上面の電極パッド２２と導電性ワイヤ４４で接続されている。なお、半導体素子２０の電極パッドとこれに接続される外部接続端子としての金属板とは、一般に複数組あるが、本実施形態では説明の簡便化のため２組としている。また、半導体素子１０の電極パッドと接続される金属板のうちの何れかと、半導体素子２０の電極パッドと接続される金属板のうちの何れかとは、共通のものとされて、例えば接地電位とされてもよい。
【００４８】
金属板３１〜３４それぞれの下面は共通の仮想平面上にある。半導体素子１０，２０，金属板３１〜３４，バンプ４１，４２および導電性ワイヤ４３，４４は、仮想平面に対して一方の側に設けられた樹脂５０により覆われている。金属板３１〜３４それぞれの上面および側面も樹脂５０により覆われている。しかし、金属板３１〜３４それぞれの下面は、樹脂５０により覆われることなく露出している。
【００４９】
金属板３１〜３４それぞれの露出した下面が例えばプリント基板上に半田付けされることで、半導体装置３は該基板上に実装される。このような半導体装置３は、パッケージに入れられることなく、樹脂封止された形態のままであるので、小型化および薄型化が可能であり、また、基板上における実装の密度の向上が可能である。
【００５０】
また、この半導体装置３では、半導体素子１０の下面の一部領域は金属板３１，３２の上面とバンプで接着される一方、他の領域は樹脂５０により覆われる。このように構成される半導体装置３は、半導体素子１０が大きい場合であっても、製造時において、半導体素子１０が樹脂５０から剥離することが防止されて、歩留まりよく製造することができる。
【００５１】
さらに、この半導体装置３では、半導体素子１０の下面の電極パッド１１，１２、金属板３１，３２それぞれの上面、ならびに、バンプ４１，４２は、樹脂５０により封止され固定されている。このように構成される半導体装置１は、製造時において、バンプ４１による電極パッド１１と金属板３１との電気的接続、および、バンプ４２による電極パッド１２と金属板３２との電気的接続が切断されることも防止されて、歩留まりよく製造することができる。
【００５２】
この第３実施形態に係る半導体装置３は、図２〜図４を用いて説明した製造方法と略同様にして製造される。ただし、電着工程（ステップＳ２）において、電鋳基板９０の主面上に、半導体素子１０とバンプで接続されるべき金属板３１，３２が形成されるだけでなく、半導体素子２０と導電性ワイヤで接続されるべき金属板３３，３４も形成される。半導体素子搭載工程（ステップＳ４）において、半導体素子２０の下面が半導体素子１０の上面に対向して配置され、半導体素子２０の電極パッド２１，２２と金属板３３，３４とが導電性ワイヤ４３，４４により互いに接続される。また、樹脂封止工程（ステップＳ５）において、半導体素子１０，２０，金属板３１〜３４，バンプ４１，４２および導電性ワイヤ４３，４４が樹脂５０で覆われる。
【００５３】
本実施形態においても、半導体素子１０の下面の電極パッド１１，１２が金属板３１，３２の上面とバンプ４１，４２で接着される一方、他の領域が樹脂５０により覆われており、しかも、半導体素子１０の下面の電極パッド１１，１２、金属板３１，３２それぞれの上面、ならびに、バンプ４１，４２は、樹脂５０により封止され固定されている。したがって、この半導体素子３の製造時の電鋳基板除去工程（ステップＳ６）において、バンプ４１による電極パッド１１と金属板３１との電気的接続、および、バンプ４２による電極パッド１２と金属板３２との電気的接続が切断されることが防止されて、歩留まりよく製造することができる。
【００５４】
（第４実施形態）
【００５５】
次に、本発明に係る半導体装置および半導体装置製造方法の第４実施形態について説明する。図９は、第４実施形態に係る半導体装置４の断面図である。この図に示される半導体装置４では、半導体素子１０、金属板３１，３２およびバンプ４１，４２が、樹脂５０により封止されている。
【００５６】
図１に示された第１実施形態に係る半導体装置１と比較すると、この図９に示される第４実施形態に係る半導体装置４は、下面において金属板３１，３２の下面に対して樹脂５０の表面が後退している点で相違する。換言すれば、半導体装置４の下面において樹脂５０の表面に対して金属板３１，３２が突出している。
【００５７】
この第４実施形態に係る半導体装置４は、第１実施形態に係る半導体装置１と同様の効果を有する他、樹脂５０の表面に対して金属板３１，３２が突出していることにより、プリント基板等に実装する際に半田等の染み出しの問題が軽減される。
【００５８】
この第４実施形態に係る半導体装置４は、図２〜図４を用いて説明した製造方法と略同様にして製造される。ただし、ここで用いられる電鋳基板９０は、導電性金属が電着されるべき領域が他の領域に対して窪んでいる。このような電鋳基板９０を用いて以降は同様にして製造され得る。
【００５９】
（第５実施形態）
【００６０】
次に、本発明に係る半導体装置および半導体装置製造方法の第５実施形態について説明する。図１０は、第５実施形態に係る半導体装置５の断面図である。この図に示される半導体装置５では、半導体素子１０、金属板３１，３２およびバンプ４１，４２が、樹脂５０により封止されている。
【００６１】
図１に示された第１実施形態に係る半導体装置１と比較すると、この図１０に示される第５実施形態に係る半導体装置５は、下面において金属板３１，３２の下面に対して樹脂５０の表面が突出している点で相違する。換言すれば、半導体装置５の下面において樹脂５０の表面に対して金属板３１，３２が後退している。
【００６２】
この第５実施形態に係る半導体装置５は、第１実施形態に係る半導体装置１と同様の効果を有する他、樹脂５０の表面に対して金属板３１，３２が後退していることにより、プリント基板等に実装する際に半田等の染み出しの問題が軽減される。ただし、この半導体装置５が実装されるプリント基板等の表面においては、半導体装置５の下面の凹凸に応じて、金属板３１，３２と電気的接続が可能な形状を有していることが必要である。
【００６３】
この第５実施形態に係る半導体装置５は、図２〜図４を用いて説明した製造方法と略同様にして製造される。ただし、ここで用いられる電鋳基板９０は、導電性金属が電着されるべき領域が他の領域に対して突出している。このような電鋳基板９０を用いて以降は同様にして製造され得る。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置１の上面図，断面図および底面図である。
【図２】第１実施形態に係る半導体装置１を製造する方法を説明するフローチャートである。
【図３】第１実施形態に係る半導体装置１を製造する方法を説明する工程図である。
【図４】第１実施形態に係る半導体装置１を製造する方法を説明する工程図である。
【図５】第２実施形態に係る半導体装置２の上面図，断面図および底面図である。
【図６】第２実施形態に係る半導体装置２を製造する方法を説明する工程図である。
【図７】第２実施形態に係る半導体装置２を製造する方法を説明する工程図である。
【図８】第３実施形態に係る半導体装置３の断面図である。
【図９】第４実施形態に係る半導体装置４の断面図である。
【図１０】第５実施形態に係る半導体装置５の断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１〜５…半導体装置、１０…半導体素子、１１，１２…電極パッド、２０…第２半導体素子、２１，２２…電極パッド、３１〜３４…金属板、４１，４２…バンプ、４３，４４…導電性ワイヤ、５０…樹脂、５１…凸部、９０…電鋳基板、９１，９２…レジスト。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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