(57)【要約】【課題】アイテム制御部がレシピ実行部のタイマ周期とは無関係にレシピ制御を行うような制御機能を備えた基板処理装置を提供する。【解決手段】レシピ実行部２ｅからアイテム制御部へレシピの制御開始指示と制御時間情報（７００ｍｓ）を通知する（Ｓ１１）。アイテム制御部はレシピの制御開始指示に基づいてサフコントローラの制御を開始し、かつ短期タイマ１ｄを起動する（Ｓ１２）。短期タイマ１ｄが１００ｍｓをカウントすると、短期タイマ１ｄからアイテム制御部へタイムアップの通知が行われ、アイテム制御部からレシピ実行部２ｅへ制御終了が通知される（Ｓ１３）。レシピ実行部２ｅは、制御終了のメッセージをトリガとしてアイテム制御部へ制御停止を通知する（Ｓ１４）。アイテム制御部はサブコントローラ３の制御を停止する（Ｓ１５）。このような制御は１００ｍｓごとの周期で７００ｍｓまで繰り返される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理手順であるレシピを実行する制御手段を備えた基板処理装置であって、
前記制御手段は、
前記レシピの実行指示を行うレシピ実行部と、
前記レシピ実行部の指示を受けると各種項目の設定に基づいてサブコントローラの制御を行うアイテム制御部と、
前記アイテム制御部からの制御開始指示に基づいて、所定の周期で前記実行部へ制御終了のタイマメッセージを与えるタイマと
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板（例えばウェーハ）の処理手順（レシピ）を実行し、該ウェーハに付加価値を与える機能を備えた基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
レシピとはオペレータが作成した半導体基板の処理手順である。このレシピを制御しながらウェーハなどの処理を実行する技術は種々の文献に開示されている（例えば、特許文献１参照）。この技術によれば、半導体製造装置の成膜室においてクリーニング用プロセスのレシピを実行することにより、コンピュータ処理のスループットを一段と向上させることができる。
【０００３】
また、レシピは一般的にステップという単位で構成されていて、そのステップを逐次制御していくことによって目的とする処理が実現される。また、レシピのステップには、処理に必要な各種項目（制御アイテム）が設定されている。したがって、オペレータは、これらの各種項目（制御アイテム）の設定を行うことで目的とする成膜手順を作成することができる。尚、ステップの設定には該ステップの実行時間も含まれている。
【０００４】
図４は、一般的なレシピ・ステップの構成イメージを示す図である。図４に示すように、レシピ・ステップは、ステップ１、ステップ２…ステップＮというように各ステップが展開される。例えば、レシピ・ステップのステップ２には、このステップを実行するための実行時間１０秒、及び各種項目（制御アイテム）として、炉内温度５００℃、炉内圧力１３３．３Ｐａ、ガス流量２０ｓｌｍ（standard liter/min：１分当りの流量をリットルで表わす単位）などが設定されている。
【０００５】
図５は、一般的な半導体製造装置における従来のレシピのユニット構成を示す図である。半導体製造装置の構成は、一般的には、ひとつのレシピの制御アイテムに対して、それに対応するサブコントローラが存在する。
【０００６】
例えば、ガス制御部２ａに設定されている設定値に従ってサブコントローラ３内のシーケンサ４はガス制御３ａを行い、圧力制御部２ｂに設定されている設定値に従ってサブコントローラ３内の圧力制御装置３ｂは圧力を制御し、温度制御部２ｃに設定されている設定値に従ってサブコントローラ３内の温度制御装置３ｃは温度制御する。さらに、サブコントローラ３で行われた各種の制御によって、プロセスモジュール５が反応室６内の半導体基板の処理を行う。また、これらの制御情報は、表示部７のディスプレイ８に表示されたり、キーボード９で操作されたり、メモリ１０に保存されたりする。
【０００７】
また、一般的には、レシピのステップ時間の設定は秒単位であって、それに伴って図５のように行われるレシピの実行制御も、タイマ１ａによって１秒周期で行われるのが通常である。
【０００８】
上記のような制御の内容を踏まえた上で、以下に具体的なレシピの制御の流れを説明する。図６は、従来のレシピの実行制御フローのイメージを示す図である。つまり、図６は、図４に示すステップ２のレシピ・ステップの構成内容を図５に示すレシピのユニット構成によって制御するときのステップの手順を示す図である。尚、図６では、サブコントローラ３が制御を行う反応室６のプロセスモジュール５は省略されている。
【０００９】
図６に示すように、先ず、ステップＳ１において、レシピ実行部２ｅは、タイマ１ａから、１秒周期の定期的な時間情報の通知を定期タイマメッセージとして受け取る。
【００１０】
ステップＳ２において、レシピ実行部２ｅは、受け取った１秒周期のタイマ通知の周期でメモリ１ｂ内のレシピ格納エリア１ｃを参照する。このレシピ格納エリア１ｃには図４で示すようなレシピ・ステップの構成内容の情報が格納されている。
【００１１】
ステップＳ３において、レシピ実行部２ｅは、ステップの経過時間に合わせた制御を行う。すなわち、１０秒の間に亘って、ガス制御部２ａ、圧力制御部２ｂ、温度制御部２ｃなどの各種項目（制御アイテム）の設定内容に応じ、サブコントローラ３の制御を実施する。
【００１２】
例えば、ガス制御部２ａが行うガス流量の制御において、
ステップ開始時の流量値：１０ｓｌｍ、
レシピでの設定値：２０ｓｌｍ
レシピでのランピングレート：１秒間に２ｓｌｍ
の各設定がある場合は、レシピ実行部２ｅは次のような設定を行う。すなわち、
１秒後に１２ｓｌｍをガス制御部２ａに設定する。
２秒後に１４ｓ１ｍをガス制御部２ａに設定する。
５秒後に２０ｓｌｍをガス制御部２ａに設定する。
というような制御を行って１０秒の間に亘ってガス流量の制御を行う。
【００１３】
【特許文献１】特開２００６−３１３９３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
図７は、従来のレシピ制御において、１秒周期で制御を行うときの実行制御フローのイメージを示す図である。すなわち、図７に示すように、タイマ１ａからレシピ実行部２ｅに対して１秒周期で制御トリガがかかっているので、レシピ実行部２ｅは、例えば、ガス制御部２ａに対して、開始指示に基づいて１秒周期の間隔で制御トリガをかけ、これを１０秒間繰り返した後に停止指示を行う。また、ガス制御部２ａは、サブコントローラ３に対して、このような１秒周期の制御を行い、これを１０秒間繰り返した後に停止指示を行う。
【００１５】
ところが、昨今は、半導体装置が微細化されていることによる成膜事情により、レシピを１秒未満の周期で制御しなければならないケースが存在する。例えば、ＲＦ（Radio Frequency）放電によって成膜処理などを行う場合は、１００ｍｓオーダでのＲＦ放電のＯＮ／ＯＦＦ制御が必要になってきている。
【００１６】
この場合、単純にレシピ実行部２ｅを１秒未満の周期で呼び出すという制御方法も可能であるが、レシピ制御が１秒以内で処理しきれない場合はレシピ制御に遅延が発生してしまうおそれがある。レシピの実行においてはこのような制御の遅延は、半導体基板のロットアウトに結びつくことになる。
【００１７】
従来の半導体製造装置においては、このような場合は、レシピ制御の全てをシーケンサなどの制御周期の短いユニットに任せるよりほかはない。しかし、そのような制御を行う場合は、シーケンサに複維な論理構成を組み込まなければならないなどの不具合が発生する。
【００１８】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、アイテム制御部がレシピ実行部のタイマ周期とは無関係にレシピ制御を行うような制御機能を備えた基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上述した課題を解決するために、本発明に係る基板処理装置は、基板の処理手順であるレシピを実行する制御手段を備えた基板処理装置であって、制御手段は、レシピの実行指示を行うレシピ実行部と、レシピ実行部の指示を受けると各種項目の設定に基づいてサブコントローラの制御を行うアイテム制御部と、アイテム制御部からの制御開始指示に基づいて、所定の周期で実行部へ制御終了のタイマメッセージを与えるタイマとを備える構成を採っている。
【００２０】
また、本発明は基板処理装置における基板処理方法を提供することもできる。すなわち、基板に処理を施す複数の処理室と、各処理室へ基板を搬送する第一の搬送手段を備えた第一の搬送室と、大気圧状態で基板を搬送する第二の搬送手段を備えた第二の搬送室と、第一の搬送室と第二の搬送室を連結する雰囲気可変（減圧可能）な予備室と、複数の基板が収納された基板収納手段と処理室との間の搬送を第一の搬送手段又は第二の搬送手段により制御させるための制御手段とを設けた基板処理装置における基板処理方法であって、制御手段は、レシピの実行指示を行うレシピ実行部と、レシピ実行部の指示に基づいてサブコントローラを制御するアイテム制御部と、アイテム制御を所定の周期で制御させるタイマとによって構成されていて、制御手段は、レシピ実行部からアイテム制御部に対して制御開始指示を送信する第１の手順と、アイテム制御部が制御開始指示を受信すると、サブコントローラの制御を開始すると共にタイマを起動させる第２の手順と、アイテム制御部が、タイマの周期に従ってサブコントローラの制御を実行しているとき、タイマから所定の時間が経過した旨を示すタイムアップのタイマメッセージを受信し、レシピ実行部へ制御終了を通知する第３の手順と、レシピ実行部が制御終了の通知をアイテム制御部に転送する第４の手順と、制御アイテムが、レシピ実行部からの制御終了の通知に基づいてサブコントローラの制御を停止する第５の手順とにより制御を行うことを特徴としている。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のレシピ制御によれば、レシピ実行部にトリガをかけるレシピ制御の周期（例えば、１秒周期）によらないで、所望の周期（例えば、１００ｍｓ周期）でサブコントローラの制御を行うことができる。つまり、レシピ実行部に１秒周期の制御トリガがかかっていても、アイテム制御部は、１秒周期とは無関係に、制御を開始してから１００ｍｓの周期で制御開始と制御終了を繰り返し、これを７００ｍｓの間続けてサブコントローラを制御することができる。これによって、必要に応じて半導体基板の微細加工に対応することができるので、利用範囲の広い基板処理装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の基板処理装置におけるレシピの制御方式は、レシピ実行部に制御トリガをかけるタイマで設定される制御周期（例えば、１秒周期）とは非同期でレシピの制御を行うようにしたことを特徴としている。これによって、半導体基板の微細化の実情に合わせて、所望の周期（例えば、１００ｍｓの周期）でレシピの制御を実行することができるので、微細加工を行う半導体基板の製品歩留りが一段と向上する。
【００２３】
すなわち、本発明の基板処理装置におけるレシピの非同期制御方式は、オペレータとコミュニケーションをとる役割を有するＧＵＩ、情報を表示するためのディスプレイ、プログラムやオペレータが作成した成膜手続き（つまり、レシピ）を保持するためのメモリ、及びレシピの実行を管理する主制御部によって構成される基板処理装置において、レシピ実行部が一定周期で指示するが、レシピを非同期（例えば、１００ｍｓの周期）でサブコントローラを制御する機能を有している。
【００２４】
言い換えると、本発明の基板処理装置は、レシピ実行部がオペレータの作成したレシピを実行してウェーハなどの半導体基板に付加価値を与える装置である。
【００２５】
一般的には、レシピの実行プログラムは秒単位で作成され、レシピの実行制御も一定周期（一般的には１秒周期）で制御される。しかし、近年はデバイスの微細化及び成膜処理の多様化が進んできているので、これまでのように秒単位の周期でレシピの制御を行うことでは様々な半導体製品に対応することが困難となっている傾向にある。そこで、本発明の基板処理装置は、サブコントローラがレシピの制御を一定の周期以外に（つまり、非同期に）行うことによって実現している。
【００２６】
以下、図面を用いて本発明における基板処理装置のレシピ制御方法について説明する。図１は、本発明における基板処理装置のレシピ制御の実行フローを示す図である。なお、本発明のレシピ・ステップの構成内容及びレシピのユニット構成は図４及び図５とほぼ同じであるので重複する説明は省略し、かつ、以下の説明では図４及び図５で用いた符号はそのまま用いることにする。すなわち、以下の説明では、図１を用いて、本発明においてレシピを実行するときのステップの手順を説明する。
【００２７】
本発明のレシピ制御を実現するに当って問題となるのは、図５を参照すると、レシピ実行部２ｅは既存のタイマ１ａからの制御周期でしか動作しないというところにある。一方、アイテム制御部は、サブコントローラ３に対して制御を行うだけであり、１秒より短い周期のタイマでトリガされても制御に遅延は発生しないことに着目している。そこで、個々の制御アイテム（ガス制御部２ａ、圧力制御部２ｂ、温度制御部２ｃなど）について、アイテム制御部が制御を短周期で行い、制御の終了をレシピ実行部２ｅに通知するという方法を採ることによって、本発明のレシピ制御を実現している。
【００２８】
次に、図１を参照して本発明におけるレシピ制御のステップの流れを説明する。尚、以下の説明では、アイテム制御部がレシピ制御を行う場合について述べることにする。
【００２９】
先ず、ステップＳ１１において、レシピ実行部２ｅからアイテム制御部に対しレシピの制御開始の指示を行う。このとき、レシピの制御を行うのに必要な時間を示す制御時間情報は、例えば、７００ｍｓであるので、レシピ実行部２ｅからアイテム制御部に対して７００ｍｓの制御時間情報も同時に通知する。
【００３０】
アイテム制御部は、レシピ実行部２ｅからのレシピの制御開始指示に基づいてサフコントローラの制御を開始し、かつ短周期（例えば、１００ｍｓ）で動作する短期タイマ１ｄを起動する（ステップＳ１２）。
【００３１】
短期タイマ１ｄが１００ｍｓをカウントしてタイムアップすると、短期タイマ１ｄからアイテム制御部に対してタイムアップの通知が行われ、さらに、アイテム制御部からレシピ実行部２ｅに対し制御終了が通知される（ステップＳ１３）。
【００３２】
レシピ実行部２ｅは、アイテム制御部から受け取った制御終了のメッセージをトリガとして、アイテム制御部に対し制御停止を通知する（ステップＳ１４）。つまり、この制御停止の通知は１００ｍｓごとの周期となる。これによって、レシピ実行部２ｅは、その制御アイテム（この場合はガス制御部２ａ）に対する制御は終了したものと判断する。
【００３３】
ステップＳ１５において、アイテム制御部はサブコントローラ３の制御を停止する。これによって、レシピ実行部２ｅは、既存のタイマ１ａからの１秒周期に関わりなく、短期タイマ１ｄからの１００ｍｓの周期でサブコントローラ３の制御開始から制御終了までを実行することができる。そして、このような１００ｍｓ周期のレシピ制御が７００ｍｓの間に亘って続けられる。
【００３４】
尚、上記の実施形態では、基板処理装置として半導体製造装置に適用した場合について説明したが、本発明は半導体製造装置だけではなく、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置にも適用することができる。また、成膜処理には、ＲＦ放電を利用した処理、例えばプラズマＣＶＤ処理も含まれる。つまり、ＲＦ放電のようなＯＮ／ＯＦＦ制御を行う処理であれば全て含まれる。
【００３５】
次に、本発明が適用される基板処理装置の具体的な実施形態の一例について説明する。図２は、本発明が適用される基板処理装置の一部断面平面図である。また、図３は図２に示す基板処理装置の一部断面側面図である。
【００３６】
なお、本発明が適用される基板処理装置においては、ウェーハなどの基板を搬送するキャリヤとしては、ＦＯＵＰ（front opening unified pod 、以下、ポッドという）が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は図２を基準とする。
【００３７】
図２及び図３に示されているように、基板処理装置は真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成された第一の搬送室１０３を備えており、第一の搬送室１０３の筐体１０１は平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第一の搬送室１０３には負圧下でウェーハ２００を移載する第一のウェーハ移載機１１２が設置されている。第一のウェーハ移載機１１２は、エレベータ１１５によって、第一の搬送室１０３の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
【００３８】
筐体１０１の６枚の側壁のうち前側に位置する２枚の側壁には、搬入用の予備室１２２と搬出用の予備室１２３とがそれぞれゲートバルブ２４４，１２７を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。さらに、予備室１２２には搬入室用の基板置き台１４０が設置され、予備室１２３には搬出室用の基板置き台１４１が設置されている。
【００３９】
予備室１２２及び予備室１２３の前側には、略大気圧下で用いられる第二の搬送室１２１がゲートバルブ１２８、１２９を介して連結されている。第二の搬送室１２１にはウェーハ２００を移載する第二のウェーハ移載機１２４が設置されている。第二のウェーハ移載機１２４は第二の搬送室１２１に設置されたエレベータ１２６(図３参照)によって昇降されるように構成されていると共に、リニアアクチュエータ１３２(図３参照)によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００４０】
図２に示されているように、第二の搬送室１２１の左側にはノッチまたはオリフラ合わせ装置１０６が設置されている。また、図３に示されているように、第二の搬送室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設置されている。
【００４１】
図２及び図３に示されているように、第二の搬送室１２１の筐体１２５の前側には、ウェーハ２００を第二の搬送室１２１に対して搬入搬出するためのウェーハ搬入搬出口１３４と、ポッドオープナ１０８が設置されている。ウェーハ搬入搬出口１３４を挟んでポッドオープナ１０８と反対側、すなわち筐体１２５の外側にはＩＯステージ１０５が設置されている。ポッドオープナ１０８は、ポッド１００のキャップ１００ａを開閉すると共にウェーハ搬入搬出口１３４を閉塞可能なクロージャ１４２(図３参照)と、クロージャ１４２を駆動する駆動機構１３６(図３参照)とを備えており、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ１００ａを開閉することにより、ポッド１００に対するウェーハ２００の出し入れを可能にする。また、ポッド１００は図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、ＩＯステージ１０５に対して、供給及び排出されるようになっている。
【００４２】
図２に示されているように、筐体１０１の６枚の側壁のうち後側（背面側）に位置する２枚の側壁には、ウェーハに所望の処理を行う第一の処理炉２０２と、第二の処理炉１３７とがゲートバルブ１３０、１３１を介してそれぞれ隣接して連結されている。第一の処理炉２０２及び第二の処理炉１３７はいずれもコールドウォール式の処理炉によって構成されている。また、筐体１０１における６枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第一のクーリングユニット１３８と、第二のクーリングユニット１３９とがそれぞれ連結されており、第一のクーリングユニット１３８及び第二のクーリングユニット１３９はいずれも処理済みのウェーハ２００を冷却するように構成されている。
【００４３】
以下、前記構成をもつ基板処理装置を使用した処理工程について説明する。未処理のウェーハ２００は２５枚がポッド１００に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されてくる。図２及び図３に示されているように、搬送されてきたポッド１００はＩＯステージ１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって取り外され、ポッド１００のウェーハ出し入れ口が開放される。
【００４４】
ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放されると、第二の搬送室１２１に設置された第二のウェーハ移載機１２４は、ポッド１００からウェーハ２００をピックアップして予備室１２２に搬入し、ウェーハ２００を基板置き台１４０に移載する。この移載作業中には、予備室１２２の第一の搬送室１０３側のゲートバルブ２４４は閉じられており、第一の搬送室１０３内の負圧は維持されている。ポッド１００に収納された所定枚数、例えば２５枚のウェーハ２００の基板置き台１４０への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、予備室１２２内が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００４５】
予備室１２２内が予め設定された圧力値となると、ゲートバルブ２４４が開かれ、予備室１２２と第一の搬送室１０３とが連通される。続いて、第一の搬送室１０３の第一のウェーハ移載機１１２は基板置き台１４０からウェーハ２００をピックアップして第一の搬送室１０３に搬入する。ゲートバルブ２４４が閉じられた後、ゲートバルブ１３０が開かれ、第一の搬送室１０３と第一の処理炉２０２とが連通される。続いて第一のウェーハ移載機１１２は、ウェーハ２００を第一の搬送室１０３から第一の処理炉２０２に搬入して、第一の処理炉２０２内の支持具に移載する。ゲートバルブ１３０が閉じられた後、第一の処理炉２０２内に処理ガスが供給され、ウェーハ２００に所望の処理が施される。
【００４６】
第一の処理炉２０２でウェーハ２００に対する処理が完了すると、ゲートバルブ１３０が開かれ、処理済みのウェーハ２００は第一のウェーハ移載機１１２によって第一の搬送室１０３に搬出される。搬出後、ゲートバルブ１３０は閉じられる。
【００４７】
第一のウェーハ移載機１１２は第一の処理炉２０２から搬出したウェーハ２００を第一のクーリングユニット１３８へ搬送し、処理済みのウェーハは冷却される。
【００４８】
第一のクーリングユニット１３８に処理済みウェーハ２００を搬送すると、第一のウェーハ移載機１１２は予備室１２２の基板置き台１４０に予め準備されたウェーハ２００を前述した作動と同様に、第一の処理炉２０２に搬送し、第一の処理炉２０２内でウェーハ２００に所望の処理が施される。
【００４９】
第一のクーリングユニット１３８において予め設定された冷却時間が経過すると、冷却済みのウェーハ２００は第一のウェーハ移載機１１２によって第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に搬出される。
【００５０】
冷却済みのウェーハ２００が第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に搬出された後、ゲートバルブ１２７が開かれる。第１のウェーハ移載機１１２は第一のクーリングユニット１３８から搬出したウェーハ２００を予備室１２３へ搬送し、基板置き台１４１に移載した後、予備室１２３はゲートバルブ１２７によって閉じられる。
【００５１】
以上の作動が繰り返されることにより、予備室１２２内に搬入された所定枚数、例えば２５枚のウェーハ２００が順次処理されて行く。
【００５２】
予備室１２２内に搬入された全てのウェーハ２００に対する処理が終了し、全ての処理済みウェーハ２００が予備室１２３に収納され、予備室１２３がゲートバルブ１２７によって閉じられると、予備室１２３内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。予備室１２３内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ１２９が開かれ、ＩＯステージ１０５に載置された空のポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって開かれる。続いて、第二の搬送室１２１の第二のウェーハ移載機１２４は基板置き台１４１からウェーハ２００をピックアップして第二の搬送室１２１に搬出し、第二の搬送室１２１のウェーハ搬入搬出口１３４を通してポッド１００に収納して行く。２５枚の処理済みウェーハ２００のポッド１００への収納が完了すると、ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって閉じられる。閉じられたポッド１００はＩＯステージ１０５の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
【００５３】
以上の作動は第一の処理炉２０２及び第一のクーリングユニット１３８が使用される場合を例にして説明したが、第二の処理炉１３７及び第二のクーリングユニット１３９が使用される場合についても同様の作動が実施される。また、上述の基板処理装置では、予備室１２２を搬入用、予備室１２３を搬出用としたが、予備室１２３を搬入用、予備室１２２を搬出用としてもよい。
【００５４】
また、第一の処理炉２０２と第二の処理炉１３７は、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行ってもよい。第一の処理炉２０２と第二の処理炉１３７で別の処理を行う場合、例えば第一の処理炉２０２でウェーハ２００にある処理を行った後、続けて第二の処理炉１３７で別の処理を行わせてもよい。また、第一の処理炉２０２でウェーハ２００にある処理を行った後、第二の処理炉１３７で別の処理を行わせる場合、第一のクーリングユニット１３８又は第二のクーリングユニット１３９を経由するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明における基板処理装置のレシピ制御の実行フローを示す図である。
【図２】本発明が適用される基板処理装置の一部断面平面図である。
【図３】図２に示す基板処理装置の一部断面側面図である。
【図４】一般的なレシピ・ステップの構成イメージを示す図である。
【図５】半導体製造装置における従来のレシピのユニット構成を示す図である。
【図６】従来のレシピの実行制御フローのイメージを示す図である。
【図７】従来のレシピ制御において、１秒周期で制御を行うときの実行制御フローのイメージを示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  制御部、１ａ  タイマ、１ｂ  メモリ、１ｃ  レシピ格納エリア、１ｄ  短期タイマ、２  レシピ制御部、２ａ  ガス制御部、２ｂ  圧力制御部、２ｃ  温度制御部、２ｅ  レシピ実行部、３  サブコントローラ、３ａ  ガス制御、３ｂ  圧力制御装置、３ｃ  温度制御装置
【図１】
2008263100.tif 000003
【図２】
2008263100.tif 000004
【図３】
2008263100.tif 000005
【図４】
2008263100.tif 000006
【図５】
2008263100.tif 000007
【図６】
2008263100.tif 000008
【図７】
2008263100.tif 000009