(57)【要約】【課題】複数のコイルパターンを有する高次のローパスフィルタを構成した場合であっても、挿入損失が大きくなることを抑えて、通過帯域の広帯域化、急峻な減衰特性を得られるようにする。【解決手段】第１受動部品１０Ａは、第１並列共振回路〜第３並列共振回路のうち、通過帯域に近い共振周波数を有する第２並列共振回路１６Ｂを、以下の位置に形成するようにしている。すなわち、誘電体基板２０内のうち、第１シールド電極２２Ａと第２シールド電極２２Ｂで挟まれた領域Ｚａ中、第１シールド電極２２Ａから最も遠い位置で、且つ、第２シールド電極２２Ｂから最も遠い位置（この例では、領域Ｚａの積層方向中央部分に位置する第７誘電体層Ｓ７の主面と第８誘電体層Ｓ８の主面）に、第２並列共振回路１６Ｂを形成するようにしている。【選択図】図５
2008236024.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層が積層されて構成され、上部に第１シールド電極が形成され、下部に第２シールド電極が形成された誘電体基板と、
前記誘電体基板内のうち、前記第１シールド電極と前記第２シールド電極で挟まれた領域に形成された複数のＬＣ共振回路とを有する受動部品において、
前記複数のＬＣ共振回路のうち、通過帯域に近い共振周波数を有する少なくとも１つのＬＣ共振回路のうち、少なくともコイルが、前記領域中、前記第１シールド電極及び前記第２シールド電極から最も遠い位置に形成されていることを特徴とする受動部品。
【請求項２】
請求項１記載の受動部品において、
前記複数の全てのＬＣ共振回路のうち、少なくともコイルが、前記領域中、前記第１シールド電極及び前記第２シールド電極から最も遠い位置に形成されていることを特徴とする受動部品。
【請求項３】
請求項１又は２記載の受動部品において、
前記ＬＣ共振回路は、コイルを構成するコイル形成用電極とコンデンサを構成するコンデンサ形成用電極とを有する並列共振回路であることを特徴とする受動部品。
【請求項４】
請求項３記載の受動部品において、
前記コイル形成用電極は、複数の誘電体層にわたって形成され、そのうちの１つ以上のコイル形成用電極に前記コンデンサ形成用電極が形成されていることを特徴とする受動部品。
【請求項５】
請求項３又は４記載の受動部品において、
前記ＬＣ共振回路が形成された誘電体層と前記第１シールド電極又は前記第２シールド電極が形成された誘電体層との間であって、且つ、前記コンデンサ形成用電極と対応した位置に、前記コンデンサ形成用電極と同電位の接地用コンデンサ電極が形成されていることを特徴とする受動部品。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれか１項に記載の受動部品において、
前記誘電体基板を上面から見た場合に、前記複数のＬＣ共振回路が並んで配置され、隣接するＬＣ共振回路同士は、それぞれ前記コイル形成用電極の巻き方向が逆方向となっていることを特徴とする受動部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受動部品に関し、例えば複数の共振回路が直列接続されたローパスフィルタ等に用いて好適な受動部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近の移動通信や携帯電話等では、送信と受信とを単一のアンテナで共用化するようにしている。
【０００３】
具体的に、送信と受信とで異なる周波数の信号を用いる場合には、送信信号を通過させる帯域通過フィルタと、受信信号を通過させる帯域通過フィルタを組み合わせたデュプレクサをアンテナに接続し、アンテナを共有化するようにしている。
【０００４】
また、送信と受信とで同じ周波数を用いる場合には、スイッチ回路を用いて送信と受信とを時間軸上で切り換えることで、アンテナの共有化を図るようにしている。
【０００５】
そして、前記送受信装置においては、特に送信特性を向上させるために、例えば送受切換器の送信側にローパスフィルタを接続するようにしている。
【０００６】
ところで、送受信装置の送信側に接続されるローパスフィルタとしては、一般に、小型化を図ることができるセラミック誘電体基板を使用したものが採用される。
【０００７】
従来、セラミック誘電体基板を使用したローパスフィルタとして、通過帯域の２倍及び３倍に減衰極を持ち、減衰極を多くのパラメータにて調整可能で、しかも、全体の形状を小型化できる１〜３ＧＨｚ前後の高周波の周波数帯において好適に使用されるローパスフィルタが提案されている（例えば特許文献１）。
【０００８】
また、上下の方向性がなく、上下が入れ替わって実装されても、電気的特性が変化しない構造のローパスフィルタが提案されている（例えば特許文献２）。
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−１５３４１４号公報
【特許文献２】特開２００３−１１０３９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、従来のセラミック誘電体基板を使用したローパスフィルタは、単に減衰極を増やすだけの構成や、上下が入れ替わって実装されても、電気的特性が変化しない構造を提供するものであり、多段のローパスフィルタにおいて、通過帯域近傍の減衰極を形成する共振回路のＱ値を高くする手法について何ら工夫がなされていない。
【００１１】
すなわち、例えば複数のコイルパターンを有する高次のローパスフィルタにおいては、複数のコイルパターンを１つの誘電体基板に収めるために、誘電体基板の上部、下部、中央部というようにランダムに形成する場合が考えられる。
【００１２】
誘電体基板の上部及び下部には、シールド電極が形成されていることから、複数のコイルパターンをランダムに配置すると、シールド電極の近傍に形成されるコイルパターンが存在することになり、該コイルパターンを有する共振回路のＱ値が悪化する。共振回路のＱ値が悪化すると、挿入損失が大きくなり、通過帯域の広帯域化、急峻な減衰特性を得ることができないという問題がある。
【００１３】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、複数のコイルパターンを有する高次のローパスフィルタを構成した場合であっても、挿入損失が大きくなることを抑えて、通過帯域の広帯域化、急峻な減衰特性を得ることができる受動部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る受動部品は、複数の誘電体層が積層されて構成され、上部に第１シールド電極が形成され、下部に第２シールド電極が形成された誘電体基板と、前記誘電体基板内のうち、前記第１シールド電極と前記第２シールド電極で挟まれた領域に形成された複数のＬＣ共振回路とを有する受動部品において、前記複数のＬＣ共振回路のうち、通過帯域に近い共振周波数を有する少なくとも１つのＬＣ共振回路のうち、少なくともコイルが、前記領域中、前記第１シールド電極及び前記第２シールド電極から最も遠い位置に形成されていることを特徴とする。なお、ＬＣ共振回路は、コイル（Ｌ）とコンデンサ（Ｃ）で構成された集中定数回路を示す。
【００１５】
これにより、ＬＣ共振回路を前記第１シールド電極及び前記第２シールド電極から最も遠い位置に形成することで、該ＬＣ共振回路を構成する電極（例えばコイル形成用電極やコンデンサ形成用電極等）が第１シールド電極や第２シールド電極の影響を受けにくくなり、該ＬＣ共振回路のＱ値が向上する。そのため、高いＱ値を有するＬＣ共振回路を通過帯域近傍の減衰極に使用することと等価となり、誘電体基板内に複数のＬＣ共振回路を形成することによって挿入損失が大きくなることを抑制することができ、通過帯域の広帯域化、急峻な減衰特性を得ることができる。
【００１６】
そして、本発明において、前記複数の全てのＬＣ共振回路のうち、少なくともコイルが、前記領域中、前記第１シールド電極及び前記第２シールド電極から最も遠い位置に形成されていてもよい。この場合、複数のＬＣ共振回路全てが第１シールド電極や第２シールド電極の影響を受けにくくなることから、これら複数のＬＣ共振回路のＱ値を向上させることができ、しかも、低背化を図ることができる。薄型の通信装置や電子機器に用いて好適となる。
【００１７】
また、本発明において、前記ＬＣ共振回路は、コイルを構成するコイル形成用電極とコンデンサを構成するコンデンサ形成用電極とを有する並列共振回路であってもよい。この場合、前記コイル形成用電極は、複数の誘電体層にわたって形成され、そのうちの１つ以上のコイル形成用電極に前記コンデンサ形成用電極が形成されていることが好ましい。これにより、小型化及び低背化を促進させることができる。
【００１８】
また、本発明において、前記ＬＣ共振回路が形成された誘電体層と前記第１シールド電極又は前記第２シールド電極が形成された誘電体層との間であって、且つ、前記コンデンサ形成用電極と対応した位置に、前記コンデンサ形成用電極と同電位の接地用コンデンサ電極が形成されていてもよい。この場合、浮遊容量を低減する効果を奏し、設計の自由度も向上する。
【００１９】
また、本発明において、前記誘電体基板を上面から見た場合に、前記複数のＬＣ共振回路が並んで配置され、隣接するＬＣ共振回路同士は、それぞれ前記コイル形成用電極の巻き方向が逆方向となっていてもよい。この場合、結合低減の効果がある。その結果、隣接するＬＣ共振回路同士を近接させて配置することができ、小型化を促進させることができる。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、本発明に係る受動部品によれば、複数のコイルパターンを有する高次のローパスフィルタを構成した場合であっても、挿入損失が大きくなることを抑えて、通過帯域の広帯域化、急峻な減衰特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明に係る受動部品の実施の形態例について図１〜図８を参照しながら説明する。
【００２２】
先ず、本実施の形態に係る受動部品の回路構成は、図１に示すように、入力端子１２と出力端子１４との間に３つの並列共振回路（第１並列共振回路１６Ａ、第２並列共振回路１６Ｂ及び第３並列共振回路１６Ｃ）が直列に接続され、入力端子１２とＧＮＤ（グランド）間に第１コンデンサＣ１が接続され、第１並列共振回路１６Ａと第２並列共振回路１６Ｂとの接点とＧＮＤ間に第２コンデンサＣ２が接続され、第２並列共振回路１６Ｂと第３並列共振回路１６Ｃとの接点とＧＮＤ間に第３コンデンサＣ３が接続され、出力端子１４とＧＮＤ間に第４コンデンサＣ４が接続されて構成されている。
【００２３】
第１並列共振回路１６Ａは、第１１コイルＬ１１と第１１コンデンサＣ１１とが並列に接続されて構成され、第２並列共振回路１６Ｂは、第１２コイルＬ１２と第１２コンデンサＣ１２とが並列に接続されて構成され、第３並列共振回路１６Ｃは、第１３コイルＬ１３と第１３コンデンサＣ１３とが並列に接続されて構成されている。
【００２４】
そして、第１の具体例に係る受動部品（以下、第１受動部品１０Ａと記す）は、図２に示すように、複数の誘電体層（誘電体層Ｓ１〜Ｓ１４：図３参照）が積層、焼成一体化された誘電体基板２０を有する。誘電体基板２０は、その上面２０ｕに第１シールド電極２２Ａが形成され、第１４誘電体層Ｓ１４（図３参照）の主面に第２シールド電極２２Ｂが形成されている。第１シールド電極２２Ａと第２シールド電極２２Ｂは、誘電体基板２０の第１側面２０ａと第２側面２０ｂ（第１側面２０ａと反対側の面）で接続されている。また、誘電体基板２０の第３側面２０ｃに入力端子１２が形成され、第４側面２０ｄ（第３側面２０ｃの反対側の面）に出力端子１４が形成されている。
【００２５】
誘電体基板２０は、図３に示すように、上から順に、第１誘電体層Ｓ１〜第１４誘電体層Ｓ１４が積み重ねられて構成されている。これらの第１誘電体層Ｓ１〜第１４誘電体層Ｓ１４は、１枚あるいは複数枚の層にて構成される。
【００２６】
そして、第４誘電体層Ｓ４の主面には、第１並列共振回路１６Ａの第１１コンデンサＣ１１を形成するための第１１コンデンサ形成用電極２４ａと第１１コイルＬ１１を形成するための第１１コイル形成用電極２６ａとが電気的に接続された第１１電極パターン２８ａが形成されている。
【００２７】
第５誘電体層Ｓ５の主面には、第１並列共振回路１６Ａの第１１コンデンサＣ１１を形成するための第２１コンデンサ形成用電極３０ａと第１１コイルＬ１１を形成するための第２１コイル形成用電極３２ａとが電気的に接続された第２１電極パターン３４ａが形成されている。
【００２８】
同様に、第７誘電体層Ｓ７の主面には、第２並列共振回路１６Ｂの第１２コンデンサＣ１２を形成するための第１２コンデンサ形成用電極２４ｂと第１２コイルＬ１２を形成するための第１２コイル形成用電極２６ｂとが電気的に接続された第１２電極パターン２８ｂが形成されている。
【００２９】
第８誘電体層Ｓ８の主面には、第２並列共振回路１６Ｂの第１２コンデンサＣ１２を形成するための第２２コンデンサ形成用電極３０ｂと第１２コイルＬ１２を形成するための第２２コイル形成用電極３２ｂとが電気的に接続された第２２電極パターン３４ｂが形成されている。
【００３０】
さらに、第１０誘電体層Ｓ１０の主面には、第３並列共振回路１６Ｃの第１３コンデンサＣ１３を形成するための第１３コンデンサ形成用電極２４ｃと第１３コイルＬ１３を形成するための第１３コイル形成用電極２６ｃとが電気的に接続された第１３電極パターン２８ｃが形成されている。
【００３１】
第１１誘電体層Ｓ１１の主面には、第３並列共振回路１６Ｃの第１３コンデンサＣ１３を形成するための第２３コンデンサ形成用電極３０ｃと第１３コイルＬ１３を形成するための第２３コイル形成用電極３２ｃとが電気的に接続された第２３電極パターン３４ｃが形成されている。
【００３２】
なお、第１１電極パターン２８ａの第１１コイル形成用電極２６ａに入力端子１２がリード電極６０を介して電気的に接続され、第２３電極パターン３４ｃの第２３コイル形成用電極３２ｃに出力端子１４がリード電極６２を介して電気的に接続されている。
【００３３】
また、第２誘電体層Ｓ２の主面には、第１１コンデンサ形成用電極２４ａに対応した箇所に、第１１コンデンサ形成用電極２４ａと同電位であって、且つ、第１コンデンサＣ１を形成するための接地用の第１コンデンサ電極５０ａが形成され、第１２コンデンサ形成用電極２４ｂに対応した箇所に、第１２コンデンサ形成用電極２４ｂと同電位であって、且つ、第２コンデンサＣ２を形成するための接地用の第２コンデンサ電極５０ｂが形成されている。同様に、第１３誘電体層Ｓ１３の主面には、第２２コンデンサ形成用電極３０ｂに対応した箇所に、第２２コンデンサ形成用電極３０ｂと同電位であって、且つ、第３コンデンサＣ３を形成するための接地用の第３コンデンサ電極５０ｃが形成され、第２３コンデンサ形成用電極３０ｃに対応した箇所に、第２３コンデンサ形成用電極３０ｃと同電位であって、且つ、第４コンデンサＣ４を形成するための接地用の第４コンデンサ電極５０ｄが形成されている。
【００３４】
具体的には、コ字状とされた第１１コイル形成用電極２６ａの一端に第１１コンデンサ形成用電極２４ａが接続され、第１１コイル形成用電極２６ａの他端とコ字状とされた第２１コイル形成用電極３２ａの一端とがビアホール６４を介して電気的に接続され、第１１コイル形成用電極２６ａとリード電極６０との接続部分と第１コンデンサ電極５０ａとがビアホール５２を介して電気的に接続されている。
【００３５】
また、第２１コイル形成用電極３２ａの他端と第２コンデンサ電極５０ｂとがビアホール５４を介して電気的に接続され、第２１コイル形成用電極３２ａの他端に近い部分に第２１コンデンサ形成用電極３０ａが形成され、第２１コイル形成用電極３２ａと第２１コンデンサ形成用電極３０ａとの接続部分と、コ字状とされた第１２コイル形成用電極２６ｂの一端とがビアホール６６を介して電気的に接続されている。
【００３６】
第１２コイル形成用電極２６ｂの一端に第１２コンデンサ形成用電極２４ｂが接続され、第１２コイル形成用電極２６ｂの他端と、コ字状とされた第２２コイル形成用電極３２ｂの一端とがビアホール６８を介して電気的に接続され、第２２コイル形成用電極３２ｂの他端に近い部分に第２２コンデンサ形成用電極３０ｂが接続されている。
【００３７】
第２２コイル形成用電極３２ｂと第２２コンデンサ形成用電極３０ｂとの接続部分と、コ字状とされた第１３コイル形成用電極２６ｃの一端とがビアホール７０を介して電気的に接続され、該一端と第３コンデンサ電極５０ｃとがビアホール５６を介して電気的に接続され、第１３コイル形成用電極２６ｃの一端に近い部分に第１３コンデンサ形成用電極２４ｃが接続され、第１３コイル形成用電極２６ｃの他端と、コ字状とされた第２３コイル形成用電極３２ｃの一端とがビアホール７２を介して電気的に接続されている。
【００３８】
第２３コイル形成用電極３２ｃとリード電極６２との接続部分と第４コンデンサ電極５０ｄとがビアホール５８を介して電気的に接続されている。
【００３９】
ここで、第１受動部品１０Ａの回路構成を図１に示す回路との対応で説明する。
【００４０】
先ず、第２誘電体層Ｓ２の主面に形成された第１コンデンサ電極５０ａと第１誘電体層Ｓ１の主面（誘電体基板２０の上面２０ｕ）に形成された第１シールド電極２２Ａにて第１コンデンサＣ１が形成され、第２コンデンサ電極５０ｂと第１シールド電極２２Ａにて第２コンデンサＣ２が形成される。同様に、第１３誘電体層Ｓ１３の主面に形成された第３コンデンサ電極５０ｃと第１４誘電体層Ｓ１４の主面に形成された第２シールド電極２２Ｂにて第３コンデンサＣ３が形成され、第４コンデンサ電極５０ｄと第２シールド電極２２Ｂにて第４コンデンサＣ４が形成される。
【００４１】
第４誘電体層Ｓ４の主面に形成された第１１コンデンサ形成用電極２４ａと、第５誘電体層の主面に形成された第２１コンデンサ形成用電極３０ａにて第１並列共振回路１６Ａの第１１コンデンサＣ１１が形成され、第４誘電体層Ｓ４の主面に形成された第１１コイル形成用電極２６ａとビアホール６４と第５誘電体層Ｓ５の主面に形成された第２１コイル形成用電極３２ａにて第１並列共振回路１６Ａの第１１コイルＬ１１が形成される。
【００４２】
同様に、第７誘電体層Ｓ７の主面に形成された第１２コンデンサ形成用電極２４ｂと、第８誘電体層Ｓ８の主面に形成された第２２コンデンサ形成用電極３０ｂにて第２並列共振回路１６Ｂの第１２コンデンサＣ１２が形成され、第７誘電体層Ｓ７の主面に形成された第１２コイル形成用電極２６ｂとビアホール６８と第８誘電体層Ｓ８の主面に形成された第２２コイル形成用電極３２ｂにて第２並列共振回路１６Ｂの第１２コイルＬ１２が形成される。
【００４３】
さらに、第１０誘電体層Ｓ１０の主面に形成された第１３コンデンサ形成用電極２４ｃと、第１１誘電体層Ｓ１１の主面に形成された第２３コンデンサ形成用電極３０ｃにて第３並列共振回路１６Ｃの第１３コンデンサＣ１３が形成され、第１０誘電体層Ｓ１０の主面に形成された第１３コイル形成用電極２６ｃとビアホール７２と第１１誘電体層Ｓ１１の主面に形成された第２３コイル形成用電極３２ｃにて第３並列共振回路１６Ｃの第１３コイルＬ１３が形成される。
【００４４】
この第１受動部品１０Ａの周波数特性の例を図４に示す。この図４において、実線Ａは通過特性を示し、実線Ｂは反射特性を示す。通過特性には３つの減衰極（第１減衰極Ｐ１〜第３減衰極Ｐ３）が形成されている。そのうち、通過帯域に最も近い第２減衰極Ｐ２（共振周波数ｆｂ）は、第２並列共振回路１６Ｂによるもので、その他の第１減衰極Ｐ１（共振周波数ｆａ）及び第３減衰極Ｐ３（共振周波数ｆｃ）は、それぞれ第１並列共振回路１６Ａ及び第３並列共振回路１６Ｃによるものである。
【００４５】
このように、第１受動部品１０Ａにおいては、第１並列共振回路１６Ａ〜第３並列共振回路１６Ｃのうち、通過帯域に近い共振周波数（第２減衰局Ｐ２）を有する第２並列共振回路１６Ｂを、以下の位置に形成するようにしている。すなわち、例えば図５に示すように、誘電体基板２０内のうち、第１シールド電極２２Ａと第２シールド電極２２Ｂで挟まれた領域Ｚａ中、第１シールド電極２２Ａから最も遠い位置で、且つ、第２シールド電極２２Ｂから最も遠い位置に、第２並列共振回路１６Ｂを形成するようにしている。
【００４６】
ここで、遠い位置とは、この第１受動部品１０Ａでは、領域Ｚａに含まれる誘電体層の数が奇数枚（１３枚：第１誘電体層Ｓ１〜第１３誘電体層Ｓ１３）であることから、領域Ｚａの積層方向中央部分に位置する第７誘電体層Ｓ７の主面と第８誘電体層Ｓ８の主面が該当する。
【００４７】
これにより、第２並列共振回路１６Ｂを構成する電極（例えば第１２コンデンサ形成用電極２４ｂ、第１２コイル形成用電極２６ｂ、第２２コンデンサ形成用電極３０ｂ、第２２コイル形成用電極３２ｂ等）が誘電体基板２０の上部及び下部に形成された第１シールド電極２２Ａ及び第２シールド電極２２Ｂの影響を受けにくくなり、該第２並列共振回路１６ＢのＱ値が向上する。そのため、高いＱ値を有する第２並列共振回路１６Ｂを通過帯域近傍の減衰極Ｐ２を形成するために使用することと等価となり、誘電体基板２０内に第１並列共振回路１６Ａ〜第３並列共振回路１６Ｃを形成することによって挿入損失が大きくなることを抑制することができる。その結果、通過帯域の広帯域化、急峻な減衰特性を得ることができる。
【００４８】
また、各コイル形成用電極（２６ａ〜２６ｃ、３２ａ〜３２ｃ）と各コンデンサ形成用電極（２４ａ〜２４ｃ、３０ａ〜３０ｃ）を別々の誘電体層に形成するのではなく、各コンデンサ形成用電極（２４ａ〜２４ｃ、３０ａ〜３０ｃ）が各コイル形成用電極（２６ａ〜２６ｃ、３２ａ〜３２ｃ）の周回内に配置され、且つ、それぞれ対応するコイル形成用電極（２６ａ〜２６ｃ、３２ａ〜３２ｃ）に接続されるようにしたので、各コイル形成用電極（２６ａ〜２６ｃ、３２ａ〜３２ｃ）にそれぞれ対応するコンデンサ形成用電極（２４ａ〜２４ｃ、３０ａ〜３０ｃ）が形成され、第１受動部品１０Ａの小型化及び低背化を促進させることができる。
【００４９】
また、この第１受動部品１０Ａは、第１並列共振回路１６Ａ〜第３並列共振回路１６Ｃが形成された第４誘電体層Ｓ４〜第１１誘電体層Ｓ１１と、第１シールド電極２２Ａが形成された第１誘電体層Ｓ１との間において、第１１コンデンサ形成用電極２４ａと対応した位置に、該第１１コンデンサ形成用電極２４ａと同電位の第１コンデンサ電極５０ａを形成し、第１２コンデンサ形成用電極２４ｂと対応した位置に、該第１２コンデンサ形成用電極２４ｂと同電位の第２コンデンサ電極５０ｂを形成するようにしている。さらに、第１並列共振回路１６Ａ〜第３並列共振回路１６Ｃが形成された第４誘電体層Ｓ４〜第１１誘電体層Ｓ１１と、第２シールド電極２２Ｂが形成された第１４誘電体層Ｓ１４との間において、第２２コンデンサ形成用電極３０ｂと対応した位置に、該第２２コンデンサ形成用電極３０ｂと同電位の第３コンデンサ電極５０ｃを形成し、第２３コンデンサ形成用電極３０ｃと対応した位置に、該第２３コンデンサ形成用電極３０ｃと同電位の第４コンデンサ電極５０ｄを形成するようにしている。そのため、浮遊容量を低減する効果を奏し、設計の自由度も向上する。
【００５０】
次に、第２の具体例に係る受動部品（以下、第２受動部品１０Ｂと記す）について図６を参照しながら説明する。この第２受動部品１０Ｂは、図６に示すように、上述した第１受動部品１０Ａとほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。
【００５１】
すなわち、誘電体基板２０は、図６に示すように、上から順に、第１誘電体層Ｓ１〜第９誘電体層Ｓ９が積み重ねられて構成されている。これらの第１誘電体層Ｓ１〜第９誘電体層Ｓ９は、１枚あるいは複数枚の層にて構成される。第１誘電体層Ｓ１の主面（誘電体基板２０の上面２０ｕ）に第１シールド電極２２Ａが形成され、第９誘電体層Ｓ９の主面に第２シールド電極２２Ｂが形成されている。
【００５２】
そして、第４誘電体層Ｓ４の主面には、第１１コンデンサ形成用電極２４ａと第１１コイル形成用電極２６ａとが電気的に接続された第１１電極パターン２８ａと、第１２コンデンサ形成用電極２４ｂと第１２コイル形成用電極２６ｂとが電気的に接続された第１２電極パターン２８ｂと、第１３コンデンサ形成用電極２４ｃと第１３コイル形成用電極２６ｃとが電気的に接続された第１３電極パターン２８ｃとが形成されている。
【００５３】
この場合、第１１電極パターン２８ａの第１１コンデンサ形成用電極２４ａの一端に入力端子１２が電気的に接続されている。また、第１２電極パターン２８ｂの第１２コイル形成用電極２６ｂと、第１３電極パターン２８ｃの第１３コイル形成用電極２６ｃとが一体的に接続されて、全体としてＣ状の電極パターンとなっている。
【００５４】
同様に、第６誘電体層Ｓ６の主面には、第２１コンデンサ形成用電極３０ａと第２１コイル形成用電極３２ａとが電気的に接続された第２１電極パターン３４ａと、第２２コンデンサ形成用電極３０ｂと第２２コイル形成用電極３２ｂとが電気的に接続された第２２電極パターン３４ｂと、第２３コンデンサ形成用電極３０ｃと第２３コイル形成用電極３２ｃとが電気的に接続された第２３電極パターン３４ｃとが形成されている。
【００５５】
この場合、第２３電極パターン３４ｃの第２３コンデンサ形成用電極３０ｃの一端に出力端子１４が電気的に接続されている。また、第２１電極パターン３４ａの第２１コイル形成用電極３２ａと、第２２電極パターン３４ｂの第２２コイル形成用電極３２ｂとが一体的に接続されて、全体としてＣ状の電極パターンとなっている。
【００５６】
さらに、第５誘電体層Ｓ５の主面には、コ字状の第３１コイル形成用電極３６ａと、第３２コイル形成用電極３６ｂと、第３３コイル形成用電極３６ｃとが形成されている。
【００５７】
このうち、第３１コイル形成用電極３６ａの一端と第１１コイル形成用電極２６ａの一端とがビアホール３８を介して電気的に接続され、第３１コイル形成用電極３６ａの他端と第２１コイル形成用電極３２ａの一端とがビアホール４０を介して電気的に接続されている。
【００５８】
同様に、第３２コイル形成用電極３６ｂの一端と第１２コイル形成用電極２６ｂの一端とがビアホール４２を介して電気的に接続され、第３２コイル形成用電極３６ｂの他端と第２２コイル形成用電極３２ｂの一端とがビアホール４４を介して電気的に接続されている。
【００５９】
さらに、第３３コイル形成用電極３６ｃの一端と第１３コイル形成用電極２６ｃの一端とがビアホール４６を介して電気的に接続され、第３３コイル形成用電極３６ｃの他端と第２３コイル形成用電極３２ｃの一端とがビアホール４８を介して電気的に接続されている。
【００６０】
また、第２誘電体層Ｓ２の主面には、第１１コンデンサ形成用電極２４ａに対応した箇所に、第１１コンデンサ形成用電極２４ａと同電位の第１コンデンサ電極５０ａが形成され、第１２コンデンサ形成用電極２４ｂに対応した箇所に、第１２コンデンサ形成用電極２４ｂと同電位の第２コンデンサ電極５０ｂが形成されている。第１コンデンサ電極５０ａと第１１コンデンサ形成用電極２４ａはビアホール５２を介して電気的に接続され、第２コンデンサ電極５０ｂと第１２コンデンサ形成用電極２４ｂはビアホール５４を介して電気的に接続されている。第１コンデンサ電極５０ａと第２コンデンサ電極５０ｂは、それぞれ第１シールド電極２２Ａに対して第１誘電体層Ｓ１を間に挟んで対向している。
【００６１】
同様に、第８誘電体層Ｓ８の主面には、第２２コンデンサ形成用電極３０ｂに対応した箇所に、第２２コンデンサ形成用電極３０ｂと同電位の第３コンデンサ電極５０ｃが形成され、第２３コンデンサ形成用電極３０ｃに対応した箇所に、第２３コンデンサ形成用電極３０ｃと同電位の第４コンデンサ電極５０ｄが形成されている。第３コンデンサ電極５０ｃと第２２コンデンサ形成用電極３０ｂはビアホール５６を介して電気的に接続され、第４コンデンサ電極５０ｄと第２３コンデンサ形成用電極３０ｃはビアホール５８を介して電気的に接続されている。上述した第３コンデンサ電極５０ｃと第４コンデンサ電極５０ｄは、それぞれ第２シールド電極２２Ｂに対して第８誘電体層Ｓ８を間に挟んで対向している。
【００６２】
ここで、第２受動部品１０Ｂの回路構成を図１に示す回路との対応で説明する。
【００６３】
まず、第２誘電体層Ｓ２の主面に形成された第１コンデンサ電極５０ａと誘電体基板２０の上面２０ｕに形成された第１シールド電極２２Ａにて第１コンデンサＣ１が形成され、第２コンデンサ電極５０ｂと第１シールド電極２２Ａにて第２コンデンサＣ２が形成される。同様に、第８誘電体層Ｓ８の主面に形成された第３コンデンサ電極５０ｃと第９誘電体層Ｓ９の主面に形成された第２シールド電極２２Ｂにて第３コンデンサＣ３が形成され、第４コンデンサ電極５０ｄと第２シールド電極２２Ｂにて第４コンデンサＣ４が形成される。
【００６４】
第４誘電体層Ｓ４の主面に形成された第１１コンデンサ形成用電極２４ａと、第６誘電体層Ｓ６の主面に形成された第２１コンデンサ形成用電極３０ａにて第１並列共振回路１６Ａの第１１コンデンサＣ１１が形成され、第１２コンデンサ形成用電極２４ｂと第２２コンデンサ形成用電極３０ｂにて第２並列共振回路１６Ｂの第１２コンデンサＣ１２が形成され、第１３コンデンサ形成用電極２４ｃと第２３コンデンサ形成用電極３０ｃにて第３並列共振回路１６Ｃの第１３コンデンサＣ１３が形成される。
【００６５】
同様に、第４誘電体層Ｓ４の主面に形成された第１１コイル形成用電極２６ａとビアホール３８と第５誘電体層Ｓ５の主面に形成された第３１コイル形成用電極３６ａとビアホール４０と第６誘電体層Ｓ６の主面に形成された第２１コイル形成用電極３２ａにて第１並列共振回路１６Ａの第１１コイルＬ１１が形成され、第２１コイル形成用電極２６ｂとビアホール４２と第３２コイル形成用電極３６ｂとビアホール４４と第２２コイル形成用電極３２ｂにて第２並列共振回路１６Ｂの第１２コイルＬ１２が形成され、第１３コイル形成用電極２６ｃとビアホール４６と第３３コイル形成用電極３６ｃとビアホール４８と第２３コイル形成用電極３２ｃにて第３並列共振回路１６Ｃの第１３コイルＬ１３が形成される。
【００６６】
この第２受動部品１０Ｂの周波数特性も図４と同様の特性を示し、通過帯域に最も近い第２減衰極Ｐ２（共振周波数ｆｂ）は、第２並列共振回路１６Ｂによるもので、その他の第１減衰極Ｐ１（共振周波数ｆａ）及び第３減衰極Ｐ３（共振周波数ｆｃ）は、それぞれ第１並列共振回路１６Ａ及び第３並列共振回路１６Ｃによるものである。
【００６７】
このように、第２受動部品１０Ｂにおいては、第１並列共振回路１６Ａ〜第３並列共振回路１６Ｃを、以下の位置に形成するようにしている。すなわち、例えば図７に示すように、誘電体基板２０内のうち、第１シールド電極２２Ａと第２シールド電極２２Ｂで挟まれた領域Ｚａ中、第１シールド電極２２Ａから最も遠い位置で、且つ、第２シールド電極２２Ｂから最も遠い位置に、第２並列共振回路１６Ｂを形成するようにしている。
【００６８】
ここで、遠い位置とは、この第２受動部品１０Ｂでは、領域Ｚａに含まれる誘電体層の数が偶数枚（８枚：第１誘電体層Ｓ１〜第８誘電体層Ｓ８）であることから、領域Ｚａの積層方向中央部分に位置する第５誘電体層Ｓ５の主面、あるいは第４誘電体層Ｓ４〜第６誘電体層Ｓ６の各主面が該当する。
【００６９】
これにより、第１並列共振回路１６Ａ〜第３並列共振回路１６Ｃ全てが誘電体基板２０の上部及び下部に形成された第１シールド電極２２Ａ及び第２シールド電極２２Ｂの影響を受けにくくなり、これら第１並列共振回路１６Ａ〜第３並列共振回路１６ＣのＱ値を向上させることができる。そのため、誘電体基板２０内に第１並列共振回路１６Ａ〜第３並列共振回路１６Ｃを形成することによって挿入損失が大きくなることを抑制することができ、通過帯域の広帯域化、急峻な減衰特性を得ることができる。しかも、低背化を図ることができ、薄型の通信装置や電子機器に用いて好適となる。
【００７０】
特に、コイル長さ（物理長）を大きくとることができる第３１コイル形成用電極３６ａ、第３２コイル形成用電極３６ｂ及び第３３コイル形成用電極３６ｃを、領域Ｚａ中、積層方向中央に位置する第５誘電体層Ｓ５の主面に形成するようにしたので、挿入損失の増大を効果的に抑制しながらも、第１並列共振回路１６Ａ〜第３並列共振回路１６Ｃのインダクタンス成分を大きくとることが可能となり、第１並列共振回路１６Ａ〜第３並列共振回路１６Ｃにおいて形成される第１減衰極Ｐ１〜第３減衰極Ｐ３の減衰量を大きくすることができ、しかも、急峻な通過特性を得ることができる。
【００７１】
また、各コイル形成用電極（２６ａ〜２６ｃ、３２ａ〜３２ｃ、３６ａ〜３６ｃ）と各コンデンサ形成用電極（２４ａ〜２４ｃ、３０ａ〜３０ｃ）を別々の誘電体層に形成するのではなく、各コンデンサ形成用電極（２４ａ〜２４ｃ、３０ａ〜３０ｃ）が各コイル形成用電極（２６ａ〜２６ｃ、３２ａ〜３２ｃ）の周回内に配置され、且つ、それぞれ対応するコイル形成用電極（２６ａ〜２６ｃ、３２ａ〜３２ｃ）に接続されるようにしたので、コイル形成用電極（２６ａ〜２６ｃ、３２ａ〜３２ｃ）にそれぞれ対応するコンデンサ形成用電極（２４ａ〜２４ｃ、３０ａ〜３０ｃ）が形成され、第２受動部品１０Ｂの小型化及び低背化を促進させることができる。
【００７２】
また、この第２受動部品１０Ｂは、第１並列共振回路１６Ａ〜第３並列共振回路１６Ｃが形成された第４誘電体層Ｓ４〜第６誘電体層Ｓ６と、第１シールド電極２２Ａが形成された第１誘電体層Ｓ１との間において、第１１コンデンサ形成用電極２４ａと対応した位置に、該第１１コンデンサ形成用電極２４ａと同電位の第１コンデンサ電極５０ａを形成し、第１２コンデンサ形成用電極２４ｂと対応した位置に、該第１２コンデンサ形成用電極２４ｂと同電位の第２コンデンサ電極５０ｂを形成するようにしている。さらに、第１並列共振回路１６Ａ〜第３並列共振回路１６Ｃが形成された第４誘電体層Ｓ４〜第６誘電体層Ｓ６と、第２シールド電極２２Ｂが形成された第９誘電体層Ｓ９との間において、第２２コンデンサ形成用電極３０ｂと対応した位置に、該第２２コンデンサ形成用電極３０ｂと同電位の第３コンデンサ電極５０ｃを形成し、第２３コンデンサ形成用電極３０ｃと対応した位置に、該第２３コンデンサ形成用電極３０ｃと同電位の第４コンデンサ電極５０ｄを形成するようにしている。そのため、浮遊容量を低減する効果を奏し、設計の自由度も向上する。
【００７３】
さらに、この第２受動部品１０Ｂにおいては、誘電体基板２０を上面から見た場合に、第１並列共振回路１６Ａ〜第３並列共振回路１６Ｃが並んで配置され、隣接する第１並列共振回路１６Ａと第２並列共振回路１６Ｂ同士、隣接する第２並列共振回路１６Ｂと第３並列共振回路１６Ｃ同士は、それぞれコイル形成用電極の巻き方向が逆方向となっている。そのため、結合低減の効果があり、その結果、隣接するＬＣ共振回路同士を近接させて配置することができ、第２受動部品１０Ｂの小型化を促進させることができる。
【００７４】
ここで、本実施の形態に係る受動部品１０（第１受動部品１０Ａ及び第２受動部品１０Ｂ）と従来例に係る受動部品の周波数特性を比較する。まず、従来例に係る受動部品は、図示しないが、コンデンサを形成するための電極群とコイルを形成するための電極群とが誘電体基板の積層方向に対してそれぞれ分離して形成された構成を有する。この従来例に係る受動部品の通過特性、特に、通過帯域近傍の特性は、図８の破線Ｃに示すような曲線を描く。この図８において、実線Ａは、本実施の形態に係る受動部品１０の通過特性を示す。
【００７５】
この図８からもわかるように、例えば通過帯域近傍の周波数ｆｄにおける従来例の減衰量は約−１．５ｄＢであるが、本実施の形態の減衰量は約−１ｄＢであり、通過帯域の広帯域化、急峻な減衰特性が得られていることがわかる。
【００７６】
他の実施の形態としては、コンデンサ形成用電極を、コイル形成用電極が形成されている誘電体層以外の誘電体層に形成するようにしてもよい。
【００７７】
また、コンデンサ形成用電極をコイル形成用電極の周回外に形成するようにしてもよい。
【００７８】
上述の例では、コイル形成用電極で構成されるコイルの軸方向を誘電体基板の上下面の方向（横巻き状）としたが、該上下面の方向と直交する方向（縦巻き状）にしてもよい。
【００７９】
また、上述の例では、ＬＣ共振回路を並列共振回路としたが、その他、直列共振回路にしてもよい。
【００８０】
なお、本発明に係る受動部品は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本実施の形態に係る受動部品を示す回路図である。
【図２】第１受動部品及び第２受動部品を示す外観斜視図である。
【図３】第１受動部品を示す分解斜視図である。
【図４】本実施の形態に係る受動部品（第１受動部品及び第２受動部品）の周波数特性を示す図である。
【図５】第１受動部品において、第１シールド電極及び第２シールド電極から最も遠い位置を説明するための図である。
【図６】第２受動部品を示す分解斜視図である。
【図７】第２受動部品において、第１シールド電極及び第２シールド電極から最も遠い位置を説明するための図である。
【図８】本実施の形態に係る受動部品と従来例に係る受動部品の通過特性の違いを示す図である。
【符号の説明】
【００８２】
１０、１０Ａ、１０Ｂ…受動部品      １２…入力端子
１４…出力端子                      １６Ａ…第１並列共振回路
１６Ｂ…第２並列共振回路            １６Ｃ…第３並列共振回路
２０…誘電体基板                    ２２Ａ…第１シールド電極
２２Ｂ…第２シールド電極            ２４ａ…第１１コンデンサ形成用電極
２４ｂ…第１２コンデンサ形成用電極  ２４ｃ…第１３コンデンサ形成用電極
２６ａ…第１１コイル形成用電極      ２６ｂ…第１２コイル形成用電極
２６ｃ…第１３コイル形成用電極      ２８ａ…第１１電極パターン
２８ｂ…第１２電極パターン          ２８ｃ…第１３電極パターン
３０ａ…第２１コンデンサ形成用電極  ３０ｂ…第２２コンデンサ形成用電極
３０ｃ…第２３コンデンサ形成用電極  ３２ａ…第２１コイル形成用電極
３２ｂ…第２２コイル形成用電極      ３２ｃ…第２３コイル形成用電極
３４ａ…第２１電極パターン          ３４ｂ…第２２電極パターン
３４ｃ…第２３電極パターン          ３６ａ…第３１コイル形成用電極
３６ｂ…第３２コイル形成用電極      ３６ｃ…第３３コイル形成用電極
５０ａ…第１コンデンサ電極          ５０ｂ…第２コンデンサ電極
５０ｃ…第３コンデンサ電極          ５０ｄ…第４コンデンサ電極
【図１】
2008236024.tif 000003
【図２】
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【図３】
2008236024.tif 000005
【図４】
2008236024.tif 000006
【図５】
2008236024.tif 000007
【図６】
2008236024.tif 000008
【図７】
2008236024.tif 000009
【図８】
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