(57)【要約】【課題】１つの増幅器をマルチバンドで使用することができ、かつ広範囲の周波数帯域にわたって十分な利得と高い安定性を得ること。【解決手段】トランジスタを含んで構成される増幅器３１の入力ラインＬＮと接地ラインＬＧとの間にトランジスタのバイアス点を決定するためのバイアス用抵抗Ｒ２が接続されて構成されるマルチバンド増幅回路３０であって、入力ラインとバイアス用抵抗との間に、バイアス用抵抗よりも抵抗値の小さい低抵抗Ｒｂが挿入されて接続されており、入力ラインの高周波成分をバイパスして減衰させるためのバイパスコンデンサＣｂが、低抵抗Ｒｂの全部または一部と直列体を構成して接地ラインに接続されるよう、しかも低抵抗Ｒｂの全部または一部に対して選択的に接続されるよう、設けられている。【選択図】  図２
2008236272.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを含んで構成される増幅器の入力ラインと接地ラインとの間に、抵抗とコンデンサとの直列体からなるロ−パスフィルタが挿入接続されており、かつ、前記抵抗の抵抗値が可変に構成されている、
ことを特徴とするマルチバンド増幅回路。
【請求項２】
トランジスタを含んで構成される増幅器の入力ラインと接地ラインとの間に前記トランジスタのバイアス点を決定するためのバイアス用抵抗が接続されて構成されるマルチバンド増幅回路であって、
前記入力ラインと前記バイアス用抵抗との間に、前記バイアス用抵抗よりも抵抗値の小さい低抵抗が挿入されて接続されており、
前記入力ラインの高周波成分をバイパスして減衰させるためのバイパスコンデンサが、前記低抵抗の全部または一部と直列体を構成して前記接地ラインに接続されるよう、しかも前記低抵抗の全部または一部に対して選択的に接続されるよう、設けられている、
ことを特徴とするマルチバンド増幅回路。
【請求項３】
前記低抵抗は、複数の抵抗が直列に接続されて構成されており、
前記バイパスコンデンサを前記複数の抵抗の接続部分に選択的に接続するための切替え接続手段が設けられている、
請求項２記載のマルチバンド増幅回路。
【請求項４】
前記低抵抗は、ポテンショメータであり、
前記ポテンショメータを可変調整することによって、前記バイパスコンデンサが前記低抵抗の全部または一部と直列体を構成するよう選択的に接続される、
請求項２記載のマルチバンド増幅回路。
【請求項５】
請求項２ないし４のいずれかに記載の前記マルチバンド増幅回路と、
前記マルチバンド増幅回路の入力側および出力側に設けられた整合回路と、
を有してなることを特徴とするマルチバンド増幅モジュール。
【請求項６】
周波数帯域を切り替えて送受信が可能なマルチバンド携帯電話機であって、
請求項２ないし４のいずれかに記載の前記マルチバンド増幅回路と、
前記マルチバンド増幅回路の入力側および出力側に設けられた整合回路と、
前記マルチバンド増幅回路における前記バイパスコンデンサの接続の切り替えおよび前記整合回路の調整を行う制御回路と、
を有し、
前記制御回路は、送受信の周波数帯域を切り替えるためのマルチバンド切替え信号に基づいて、前記整合回路の調整を行うようかつ前記マルチバンド増幅回路における前記バイパスコンデンサの接続の切り替えを行うように制御されている、
ことを特徴とするマルチバンド携帯電話機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランジスタを含んで構成される増幅器を用いたマルチバンド増幅回路およびマルチバンド増幅モジュール、並びにそれを用いた携帯電話機に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年において、携帯電話機は、高性能化および高機能化が進んでいるが、さらなる高度化と利用拡大に向けて、通信に用いる周波数帯域の確保が検討されている。そのため、使用する携帯電話機に対し、様々なシステムへの適応とともに、種々の周波数帯域への対応（マルチバンド化）が求められている。
【０００３】
従来において、携帯電話機がマルチバンド化に対応するために、携帯電話機の無線部、特に増幅回路は、通信に用いる各周波数帯域に対応した回路素子を複数個搭載し、周波数帯域によりそれらの回路素子を切り換えて使用するようになっている。
【０００４】
図１０は従来における携帯電話機のマルチバンド増幅回路８０を示す図、図１１は従来のマルチバンド増幅回路８０の周波数特性を示す図である。
【０００５】
図１０に示すように、ｆ１＜ｆ２＜ｆ３の関係のある各周波数ｆ１、ｆ２、ｆ３について、それぞれの周波数帯域に対し最適化された増幅器８１ａ，ｂ，ｃを設け、その入力および出力をスイッチ８２ａ，８２ｂによって切り替える。各増幅器８１ａ，ｂ，ｃには、各周波数帯域において最適化されたデバイスパラメータを持って増幅を行うトランジスタが用いられる。また、トランジスタのバイアス点を決定するためのバイアス回路、インピーダンス整合のための整合回路も設けられる。
【０００６】
これによって、図１１に示すように、それぞれの周波数ｆ１、ｆ２、ｆ３を含む帯域において必要な利得、効率、および安定性を得ることができる。
【０００７】
また、複数の周波数帯域の受信信号を１つの入力インピーダンス整合回路を介して選択的に低雑音増幅器に供給し、低雑音増幅器のモードを切替えて受信信号を増幅するように構成したマルチバンド増幅回路も提案されている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００６−２３７７１１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図１０に示したように各周波数帯域ごとに専用の増幅器を設けた場合には、そのための実装面積（エリア）が増大して携帯電話機のサイズが大きくなってしまい、さらにコスト高になるという問題がある。
【０００９】
例えば、現在において、３ＧＰＰ（Third Generation Partnership Project) において６バンドの周波数帯域が予定されている。その状況の中で、周波数帯域ごとに専用の増幅器を設ける従来の構成では、６個の増幅器を並列に搭載して個々の帯域で最高の性能が得られるようにする必要がある。しかし、これでは増幅器の実装面積が大きくなり過ぎて携帯電話機の小型化を図れないことが明らかである。
【００１０】
また、特許文献１のように１個の増幅器をマルチバンドで使用する場合には、各周波数帯域における性能の確保と安定した動作が要求される。そのためには、高い周波数帯域において利得を確保できるトランジスタを用いる必要がある。その場合に、低い周波数帯域において利得が高くなり過ぎ、デバイスの安定系数Ｋの値が１以下となるおそれがある。安定系数Ｋの値が１以下になった場合には、その周波数帯域において不安定領域が発生し、増幅回路の帯域外の近傍のインピーダンスと重なって発振し易くなる。
【００１１】
また、これとは逆に、低い周波数帯域の安定性を確保するために入力ラインのバイアス回路のインピーダンスを下げると、高い周波数帯域における利得が減少し、効率が低下してしまう。
【００１２】
また、バイアス回路のインピーダンスを決定する抵抗の値それ自体を使用する周波数帯域に応じて切り替えることが考えられる。しかし、その場合は、トランジスタのゲートまたはベースのバイアス点（バイアスポイント）が変動し、増幅器の利得や歪特性などがばらついて安定した性能が得られなくなる。
【００１３】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたもので、１つの増幅器をマルチバンドで使用することができ、かつ広範囲の周波数帯域にわたって十分な利得と高い安定性を得ることのできるマルチバンド増幅回路およびモジュール、並びに携帯電話機を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る一形態のマルチバンド増幅回路は、トランジスタを含んで構成される増幅器の入力ラインと接地ラインとの間に、抵抗とコンデンサとの直列体からなるローパスフィルタが挿入接続されており、かつ、前記抵抗の抵抗値が可変に構成される。
【００１５】
本発明に係る他の一形態のマルチバンド増幅回路は、入力ラインとバイアス用抵抗との間に、前記バイアス用抵抗よりも抵抗値の小さい低抵抗が挿入されて接続されており、前記入力ラインの高周波成分をバイパスして減衰させるためのバイパスコンデンサが、前記低抵抗の全部または一部と直列体を構成して前記接地ラインに接続されるよう、しかも前記低抵抗の全部または一部に対して選択的に接続されるよう、設けられる。
【００１６】
例えば携帯電話機の送受信における周波数帯域を切り替えるためのマルチバンド切替え信号に基づいて、バイパスコンデンサの接続が切り替えられることにより、使用される周波数帯域におけるマルチバンド増幅回路の利得および安定系数が調整される。
【００１７】
本発明に係る一形態のマルチバンド増幅モジュールは、前記マルチバンド増幅回路と、前記マルチバンド増幅回路の入力側および出力側に設けられた整合回路とを有して構成される。これによって、小型で動作の安定したマルチバンド増幅モジュールとすることができる。
【００１８】
本発明に係る一形態のマルチバンド携帯電話機は、前記マルチバンド増幅回路と、前記マルチバンド増幅回路の入力側および出力側に設けられた整合回路と、前記マルチバンド増幅回路における前記バイパスコンデンサの接続の切り替えおよび前記整合回路の調整を行う制御回路とを有し、前記制御回路は、送受信の周波数帯域を切り替えるためのマルチバンド切替え信号に基づいて、前記整合回路の調整を行うようかつ前記マルチバンド増幅回路における前記バイパスコンデンサの接続の切り替えを行うように制御される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によると、１つの増幅器をマルチバンドで使用することができ、かつ広範囲の周波数帯域にわたって十分な利得と高い安定性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
〔第１の実施形態〕
図１は本発明に係る１実施形態の携帯電話機２の全体の構成の例を示す図、図２は携帯電話機２の機能に着目した構成の例を示す図、図３は携帯電話機２の無線回路２０ｃの一部のマルチバンド増幅回路３０の要部の回路を示す図、図４はマルチバンド増幅回路３０の全体の回路構成の例を示すブロック図、図５は切替えスイッチ３５の切り替えによる特性の変化の様子を示す図、図６は切替えスイッチ３５の切り替えによる周波数特性および安定系数の変化の様子を示す図である。
【００２１】
携帯電話機２は、例えばＣＤＭＡ２０００またはＷ−ＣＤＭＡなどの規格に基づく携帯電話システムに用いられる。そのような携帯電話システムは、無線基地局（ＢＳ：Base Station）および基地局制御装置（ＢＳＣ：BS Controller ）などによって構成される無線アクセスネットワーク（ＲＡＮ：Radio Access Network）、関門移動交換局（ＧＭＳＣ：Gateway MSC ）、移動交換局（ＭＳＣ：Mobile Services Switching Center）、およびホームロケーションレジスタ（ＨＬＲ：Home Location Register）４３などによって構成されるコアネットワーク（ＣＮ：Core Network）、および、多数の携帯電話機２などを含んで構成される。
【００２２】
なお、無線基地局は「Ｎｏｄｅ  Ｂ」または「基地局」などと呼ばれることがある。また、基地局制御装置は「ＲＮＣ（Radio Network Controller）」と呼ばれることがある。      
【００２３】
携帯電話機２は、無線アクセスネットワークおよびコアネットワークなどを介して他の携帯電話機または固定電話機などと通話を行ったり、他の携帯電話機またはパーソナルコンピュータなどと電子メールまたは画像データなどのやり取りを行ったりすることができる。
【００２４】
図１に示すように、携帯電話機２は、ＣＰＵ２０ａ、メモリ２０ｂ、無線回路２０ｃ、液晶パネル２０ｄ、操作ボタン２０ｅ、アンテナ２０ｆ、マイク２０ｇ、スピーカ２０ｈ、および入出力インタフェース２０ｉなどによって構成される。無線回路２０ｃには、発振回路、変調回路、および電力増幅回路などからなる送信回路、および、同調回路、高周波増幅回路、ス−パーヘテロダイン回路、復調回路などからなる受信回路が含まれる。このような携帯電話機２の全体の構成それ自体は公知である。
【００２５】
また、図２に示すように、携帯電話機２は、アンテナ２０ｆ、スイッチ及び共用器２０１、受信部ＲＦ回路２０２、送信部ＲＦ回路２０３、アナログベースバンドＬＳＩ２０４、デジタルベースバンドＬＳＩ２０５、アプリケーションプロセッサ２０６、パワーマネジメントＬＳＩ２０７、メモリ２０ｈ、カメラ２０ｋ、ＬＣＤ２０ｈ、およびキーパッド２０ｅなどから構成される。図２において、携帯電話機２の実際のハードウエア構成により近い構成が示されているが、このような構成は一例であって、種々の構成とすることが可能である。
【００２６】
以下に説明する第１〜第４の各実施形態において、携帯電話機２の全体の構成はいずれも同じであるので、以降の実施形態においては携帯電話機２の全体についての説明を省略する。
【００２７】
図３において、マルチバンド増幅回路３０は、無線回路２０ｃの電力増幅回路の一部である。マルチバンド増幅回路３０には、増幅器３１の入力ラインＬＮに、トランジスタのバイアス点を決定するためのバイアス用抵抗Ｒ１，Ｒ２が接続されている。これらのバイアス用抵抗Ｒ１，Ｒ２は、バイアス回路３２ａを構成する。
【００２８】
また、入力ラインＬＮと接地ラインＬＧ側のバイアス用抵抗Ｒ２との間に、バイアス用抵抗Ｒ２よりも抵抗値の小さい低抵抗Ｒｂが挿入されて接続されている。そして、入力ラインＬＮの高周波成分をバイパスして減衰させるためのバイパスコンデンサＣｂが、低抵抗Ｒｂの全部または一部と直列体を構成して接地ラインＬＧに接続されるよう、しかも選択的に接続されるよう、設けられている。これら、低抵抗ＲｂおよびバイパスコンデンサＣｂは、周波数特性調整回路ＣＦを構成する。
【００２９】
すなわち、低抵抗Ｒｂには、その複数箇所、図３に示す例では３箇所において、中間タップＴＰ１〜３が設けられており、それぞれの中間タップＴＰ１〜３が切替えスイッチ３５の切替え接点に接続されている。バイパスコンデンサＣｂは、切替えスイッチ３５のコモン接点に接続されており、これにより、切替えスイッチ３５を切り替えることによって、バイパスコンデンサＣｂが中間タップＴＰ１〜３のいずれかに切り替え接続される。
【００３０】
低抵抗Ｒｂの抵抗値は、上に述べたようにバイアス用抵抗Ｒ２よりも小さく、低抵抗Ｒｂの挿入によって入力ラインＬＮのバイアス点の実質的な変動はない。抵抗値の具体例をあげると、増幅器３１の回路構成や使用するトランジスタにもよるが、バイアス用抵抗Ｒ１，Ｒ２が１〜１００ＫΩ程度の場合に、低抵抗Ｒｂを１０〜１０００Ωとする。例えば、バイアス用抵抗Ｒ１が１．５ＫΩ程度、バイアス用抵抗Ｒ２が３ＫΩ程度の場合に、低抵抗Ｒｂを２００Ω程度とする。この場合に、中間タップＴＰ１〜３により４分割される各部分の抵抗値は５０Ω程度である。また、バイアス用抵抗Ｒ１が５０ＫΩ程度、バイアス用抵抗Ｒ２が１０ＫΩ程度の場合に、低抵抗Ｒｂを５００Ω程度とする。バイパスコンデンサＣｂは、２０〜２００ｐＦ程度の範囲で、使用する周波数帯域に応じて選定すればよい。
【００３１】
なお、低抵抗ＲｂおよびバイパスコンデンサＣｂは、外付けのチップ素子を用いてもよく、また、マイクロマシン加工技術〔ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)〕により加工して得られる微小構造のマイクロマシンデバイス、その他の種々の素子を用いてよい。切替えスイッチ３５には、同じくマイクロマシンデバイスを用いることが可能である。そのようなマイクロマシンデバイスとしては、静電容量型のスイッチまたはメカ的なスイッチを用いることができる。また、Ｃ−ＭＯＳなどによってアナログスイッチを構成してもよい。また、メカ接点を有した電磁式または手動式の切替えスイッチを用いてもよい。
【００３２】
切替えスイッチ３５は、マルチバンド増幅回路３０の外部からの制御信号、例えばＲＦＬＳＩ（高周波用集積回路素子）またはベースバンドＬＳＩからの制御信号によって制御するように構成することも可能である。特に、切替えスイッチ３５としてマイクロマシンデバイスを用いた場合には、マイクロマシンデバイスに印加する制御電圧のみで制御を行うことが可能である。
【００３３】
図３に示したマルチバンド増幅回路３０では、バイアス用抵抗Ｒ１，Ｒ２によって増幅器３１のバイアス点が実質的に決定される。したがって、増幅器３１の動作点が安定し、これによって、利得ＧＡ、歪み特性など、種々の特性が安定する。
【００３４】
周波数特性調整回路ＣＦである低抵抗ＲｂとバイパスコンデンサＣｂとの直列体は、ロ−パスフィルタを構成しており、切替えスイッチ３５の切り替えによって、その周波数特性が変化する。例えば、バイパスコンデンサＣｂを、中間タップＴＰ１，２，３の順に接続した場合に、入力ラインＬＮの信号の損失量が順次増大し、信号の入力レベルが低下する。そこで、入力ラインＬＮの信号の周波数帯域が低くなるにしたがって中間タップＴＰ１，２，３の順に接続するようにする。他方、増幅器３１の利得は、周波数帯域が低くなるにしたがって大きくなる。したがって、マルチバンド増幅回路３０の全体としては、入力ラインＬＮに入力される信号の周波数帯域が変化しても、その利得はほぼ一定となり、周波数帯域の異なる各信号についてほぼ一定のレベルの出力が得られる。
【００３５】
また、マルチバンド増幅回路３０において、切替えスイッチ３５を切り替えることによって、入力ラインＬＮの信号の周波数帯域が低くなるにしたがって信号の損失量が増大し、マルチバンド増幅回路３０の全体としての利得は周波数帯域の変化にかかわらずほぼ一定に保たれるので、安定系数Ｋの値が１以下とならないようにして動作の安定化を図ることができる。
【００３６】
つまり、図６に示すように、周波数ｆが高くなるにしたがって、利得ＧＡは低下し、安定系数Ｋは増大するように変化する。また、切替えスイッチ３５が接点位置ＰＳ１〜３に切り替えられることに対応して、利得ＧＡは低い方にシフトし、安定系数Ｋは高い方にシフトする。なお、接点位置ＰＳ１〜３は、中間タップＴＰ１〜３の各位置に対応する。
【００３７】
その結果、図６に黒丸で示すように、各周波数帯域ｆ１〜３において、利得ＧＡがほぼ一定となり、安定系数Ｋも１以上のほぼ同じ値で安定する。これを表にまとめたものが図５である。
【００３８】
なお、切替えスイッチ３５を切り替えることなく接点位置ＰＳ１のままであったとすると、図６の白丸で示すように、低い周波数帯域ｆ１，ｆ２で利得ＧＡが大きくなり過ぎ、安定系数Ｋも１に近くにまで低下しまたは１以下となってしまう。
【００３９】
ところで、増幅器３１のバイアス点を決定するための回路として、上に述べたバイアス用抵抗Ｒ１，Ｒ２を用いる方法の他に、チョークコイルまたはλ／４のマイクロストリップ線路を入力ラインＬＮに接続し、その他端をコンデンサを介して接地ラインＬＧに接続する方法がある。これにより、希望する周波数で入力ラインＬＮを高インピーダンス化する。そして、チョークコイルまたはマイクロストリップ線路とコンデンサとの接続点からバイアス電圧ＶＧを供給する。これにより、入力ラインＬＮでの線路ロスが抑えられる。この場合にも、上に述べたような低抵抗ＲｂとバイパスコンデンサＣｂとを入力ラインＬＮと接地ラインＬＧとの間に接続し、切替えスイッチ３５によって低抵抗Ｒｂの抵抗値が切り替わるようにすることも可能である。
【００４０】
なお、上の説明では、バイアス点は実質的に変動しないようにしたが、使用する周波数帯域に応じてバイアス点を変更するようにしてもよい。例えば、１つの周波数帯域では増幅器３１をＡＢ１級で動作させ、他の１つの周波数帯域では増幅器３１をＡ級で動作させる、といった場合である。
【００４１】
なお、増幅器３１にはトランジスタを用いるが、バイポーラトランジスタ、接合型ＦＥＴ、ＭＯＳ−ＦＥＴなど、種々の種類のトランジスタを用いることが可能である。トランジスタの種類に応じて、また同じ種類のトランジスタであってもその品名によって、バイアス点が最適になるように、それぞれの回路定数を決定すればよい。使用する周波数帯域の最大値に対して、利得ＧＡが十分に得られるトランジスタを選定すればよい。例えば、最大の周波数帯域が５ＧＨｚである場合には、５ＧＨｚで所定の利得ＧＡを得られるトランジスタを選定する。
【００４２】
また、１つのトランジスタのみでなく、複数のトランジスタを用いた種々の回路構成とすることも可能である。また、トランジスタを用いた回路として、プリント基板などに個々の素子を半田付けして構成することも可能であり、適当な集積回路素子またはモジュールとしたものを用いることも可能である。
【００４３】
なお、上に述べたバイアス回路３２ａは、図４に示すマルチバンド増幅回路３０における増幅器３１の入力側に設けられたものである。周波数特性調整回路ＣＦは、バイアス回路３２ａに挿入される形で設けられている。
【００４４】
また、図４に示すように、増幅器３１の出力側にもバイアス回路３２ｂが設けられることがある。また、バイアス回路３２ａの前段およびバイアス回路３２ｂの後段に、整合回路３３ａ，３３ｂが設けられる。整合回路３３ａ，３３ｂには、例えば、固定のチップ型のコンデンサ、抵抗、インダクタ、またはマイクロストリップ線路などが用いられ、増幅器３１の入力ラインＬＮのインピーダンスと線路インピーダンス（通常は５０Ω）との間のインピーダンス整合を行う。
【００４５】
図４に示すように、増幅器３１、バイアス回路３２ａ，ｂ、周波数特性調整回路ＣＦ、および整合回路３３ａ，３３ｂから構成されるマルチバンド増幅回路３０を、１つの半導体集積回路としてまとめたマルチバンド増幅モジュールＭＭとすることが可能である。マルチバンド増幅モジュールＭＭとした場合には、複数の周波数帯域に対応して動作の安定したマルチバンド増幅回路３０が得られるとともに、大幅な小型化を図ることができる。したがって、携帯電話機２の小型化に寄与することができる。
【００４６】
なお、ここでは整合回路３３ａ，３３ｂを含んだものをマルチバンド増幅回路３０としたが、整合回路３３ａ，３３ｂを含まないものをマルチバンド増幅回路という場合もある。本発明における「マルチバンド増幅回路」はそのような場合を含む。
〔第２の実施形態〕
次に、第２の実施形態のマルチバンド増幅回路３０Ｂについて説明する。
【００４７】
図７は第２の実施形態のマルチバンド増幅回路３０Ｂを示す図である。
【００４８】
図７において、増幅器３１として、ＭＯＳ−ＦＥＴ３１１が用いられ、ゲートのバイアス点を決定するためにバイアス用抵抗Ｒ１，Ｒ２が接続されている。また、上に述べたように、入力ラインＬＮとバイアス用抵抗Ｒ２との間に、周波数特性調整回路ＣＦＢが接続されている。周波数特性調整回路ＣＦＢにおいて、低抵抗Ｒｂは、３つの低抵抗Ｒｂ１〜３が直列に接続されて構成されている。低抵抗Ｒｂ３とバイアス用抵抗Ｒ２、低抵抗Ｒｂ２とＲｂ３、低抵抗Ｒｂ１とＲｂ２とのそれぞれの接続部分が、切替えスイッチ３５の各接点位置ＰＳ１〜３に接続され、切替えスイッチ３５の切り替えによって、バイパスコンデンサＣｂが接続される。
【００４９】
第２の実施形態のマルチバンド増幅回路３０Ｂにおいても、上に述べた第１の実施形態のマルチバンド増幅回路３０と同様な作用が行われ、同様な効果が得られる。加えて、各低抵抗Ｒｂ１〜３の抵抗値の選定および実装が容易であり、各周波数帯域に対応した最適の抵抗値を選定して特性の安定化を図ることが容易である。
〔第３の実施形態〕
次に、第３の実施形態のマルチバンド増幅回路３０Ｃについて説明する。
【００５０】
図８は第３の実施形態のマルチバンド増幅回路３０Ｃを示す図である。
【００５１】
図８において、周波数特性調整回路ＣＦＣの低抵抗としてポテンショメータＲｂｐが用いられており、ポテンショメータＲｂｐを可変調整することによって、バイパスコンデンサＣｂが低抵抗の全部または一部と直列体を構成するよう選択的に接続されるようになっている。
【００５２】
つまり、ポテンショメータＲｂｐを時計方向（または反時計方向）に回すと、バイパスコンデンサＣｂの接続された可変接点Ｃは上側の固定接点ａに近づき、ポテンショメータＲｂｐを反時計方向（または時計方向）に回すと可変接点Ｃは下側の固定接点ｂに近づく。これによって、入力ラインＬＮの周波数特性を可変し、各周波数帯域における利得ＧＡおよび安定系数Ｋを調整することができる。
〔第４の実施形態〕
次に、第４の実施形態のマルチバンド増幅回路３０Ｄについて説明する。
【００５３】
図９は第４の実施形態のマルチバンド増幅回路３０Ｄを示す図である。
【００５４】
図９において、マルチバンド増幅回路３０Ｄは、ＭＯＳ−ＦＥＴ３１１からなる増幅器３１、バイアス回路３２Ｄ、周波数特性調整回路ＣＦＤ、整合回路３３Ｄ、制御回路３４、ＲＦＬＳＩ３５、およびベースバンドＬＳＩ３６などからなる。
【００５５】
整合回路３３Ｄは、バリアブルインダクタ３３１〜３３３、およびバリアブルコンデンサ３３４〜３３５によって構成されており、制御回路３４からの制御信号ＶＩ−ＣＮＴ、Ｖｃ−ＣＮＴによって、インダクタンスおよびキャパシタンスが調整される。これによって、その入力側とその出力側との間のインピーダンス整合が図られる。
【００５６】
周波数特性調整回路ＣＦＤは、第１の実施形態の周波数特性調整回路ＣＦとほぼ同じであり、制御回路３４からの制御信号Ｖｓによって切替えスイッチ３５の接点位置ＰＳが制御される。
【００５７】
制御回路３４、ＲＦＬＳＩ３５、およびベースバンドＬＳＩ３６などは、ＣＰＵ２０ａからの信号によって制御され、指示された周波数帯域における送受信が行われるように切り替えられ、調整される。
【００５８】
例えば、制御信号ＶＩ−ＣＮＴ、Ｖｃ−ＣＮＴ、Ｖｓは、送受信の周波数帯域を切り替えるためのマルチバンド切替え信号に基づいて出力される。つまり、マルチバンド切替え信号をトリガとして、それに連動して、整合回路３３Ｄが調整されるよう、かつ周波数特性調整回路ＣＦが切り替わるように、制御される。
【００５９】
上に述べたように、第１〜第４の実施形態のマルチバンド増幅回路３０、３０Ｂ〜Ｄによると、１つの増幅器をマルチバンドで使用することができ、かつ広範囲の周波数帯域にわたって十分な利得と高い安定性を得ることができる。
【００６０】
なお、第２〜第４の実施形態のマルチバンド増幅回路３０Ｂ〜Ｄについても、それぞれマルチバンド増幅モジュールＭＭとすることが可能である。さらに、制御回路３４を加えたものをマルチバンド増幅モジュールＭＭとしてもよい。また、携帯電話機２にこれらのマルチバンド増幅モジュールＭＭを用いることにより、マルチバンド化された小型の携帯電話機２を得ることができる。
【００６１】
上に述べた実施形態においては、マルチバンドとして３つの周波数帯域を切り替える例について説明したが、２つの周波数帯域または４つ以上の周波数帯域を切り替える場合についても適用可能である。また、マルチバンド増幅回路３０が送信回路に用いられた例を説明したが、受信回路にも同様に適用することができる。
【００６２】
上に述べた実施形態において、低抵抗Ｒｂ、バイパスコンデンサＣｂ、バイアス用抵抗Ｒ１，Ｒ２などは、上に述べた以外の種々の形態、形状、構成、接続形態とすることが可能であり、それらの定数値についても上に述べた以外の種々の値とすることが可能である。
【００６３】
その他、周波数特性調整回路ＣＦ、マルチバンド増幅回路３０，３０Ｂ〜Ｄ、および携帯電話機２の全体または各部の構造、構成、形状、個数、材質、回路構成、回路定数などは、本発明の趣旨に沿って適宜変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明に係る１実施形態の携帯電話機の全体の構成の例を示す図である。
【図２】携帯電話機の機能に着目した構成の例を示す図である。
【図３】マルチバンド増幅回路の要部を示す回路図である。
【図４】マルチバンド増幅回路の全体の回路構成の例を示すブロック図である。
【図５】切替えスイッチの切り替えによる特性の変化の様子を示す図である。
【図６】切替えスイッチの切り替えによる特性の変化の様子を示す図である。
【図７】第２の実施形態のマルチバンド増幅回路を示す図である。
【図８】第３の実施形態のマルチバンド増幅回路を示す図である。
【図９】第４の実施形態のマルチバンド増幅回路を示す図である。
【図１０】従来における携帯電話機のマルチバンド増幅回路を示す図である。
【図１１】従来のマルチバンド増幅回路の周波数特性を示す図である。
【符号の説明】
【００６５】
２  携帯電話機
３０，３０Ｂ〜Ｄ  マルチバンド増幅回路
３１  増幅器
３２ａ，ｂ  バイアス回路
３３ａ，ｂ  整合回路
３３Ｄ  整合回路
３４  制御回路
３５  切替えスイッチ（切替え接続手段）
Ｒｂ  低抵抗
Ｒｂｐ  ポテンショメータ（低抵抗）
Ｃｂ  バイパスコンデンサ
Ｒ１，Ｒ２  バイアス用抵抗
ＭＭ  マルチバンド増幅モジュール
ＣＦ，ＣＦＢ，ＣＦＣ，ＣＦＤ  周波数特性調整回路
【図１】
2008236272.tif 000003
【図２】
2008236272.tif 000004
【図３】
2008236272.tif 000005
【図４】
2008236272.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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