(57)【要約】【課題】表示パネルの検査結果情報を後の工程において効率的に活用するための仕組みを、低コストで実現する。【解決手段】液晶パネル１は、少なくとも液晶パネル１の識別情報および検査結果情報を記憶している不揮発性メモリ２を備えている。不揮発性メモリ２は、情報を読み書き可能ないわゆるＲＡＭである。識別情報および検査結果情報は、パネル内部配線４および外部端子６を通じて、不揮発性メモリ２から電気的または光学的に読み出すことができる。また、必要に応じて、これらの情報を不揮発性メモリ２に書き込むこともできる。【選択図】図１
2008191590.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルの検査結果を表す情報を記憶している不揮発性メモリを備えていることを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
上記不揮発性メモリは、表示パネル内部に形成された半導体デバイスを構成するｎｐｎ型半導体膜として構成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
上記不揮発性メモリは、表示パネル内部に形成された半導体デバイスを構成する強誘電体層として構成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項４】
上記不揮発性メモリは強誘電性液晶として構成されており、
上記強誘電性液晶は、液晶セル内部に表示用液晶と隔てて注入されていることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示パネルを備えていることを特徴とする表示モジュール。
【請求項６】
ＴＦＴアレイ基板の検査結果を表す情報を記憶している不揮発性メモリを備えていることを特徴とするＴＦＴアレイ基板。
【請求項７】
不揮発性メモリを備えているＴＦＴアレイ基板を検査する検査工程と、
上記検査工程において得られた検査結果を表す情報を、上記不揮発性メモリに記憶させる記憶工程と、を備えていることを特徴とする、ＴＦＴアレイ基板の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネル、当該表示パネルを備えた表示モジュール、ＴＦＴアレイ基板、および当該ＴＦＴアレイ基板の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイの生産はいくつかの段階（工程）に分かれている。たとえばある場所においてまず液晶パネルを生産し、生産した液晶パネルを次に別の場所において液晶モジュールに組み込むといった手順を踏むことがよくある。
【０００３】
ガラス基板には、通常、複数個の液晶セルを同時に作り込む。そのため、生産した液晶パネルのすべてが、正常に動作するとは限らない。異常がある液晶パネルを用いて液晶モジュールを周辺部材とによって組み立てることは、周辺部材や組み立ての労力の無駄になるだけである。このような無駄を防ぎ、正常な液晶パネルを予め選別するため、液晶パネルの生産段階において、異常がないかどうかを検査することが従来なされている。
【０００４】
液晶パネルの選別を、液晶モジュール組み立ての段階において行うこともある。この場合、液晶パネルの素性を示す経緯を、液晶モジュールの生産場所において、何らかの形で入手する必要がある。従来、このような入手はネットワークを通じてなされている。
【０００５】
液晶パネルの検査手法の一例が、特許文献１に開示されている。特許文献１の技術は、パネル組み立てを行う以前のアクティブマトリクスアレイの状態で、通電ストレス検査を行い、薄膜トランジスタの信頼性不良に対する無駄な液晶注入あるいはフレキシブル基板実装などの工程の作業を省くといったものである。
【０００６】
ある工程における検査結果をネットワークを通じて他の工程において取得し、利用する技術の一例が、特許文献２に開示されている。特許文献２の技術は、それぞれの処理工程において所定のパターンが形成される基板を、各工程後に順次に光学的または電気的に検査し検査結果を一定の形式でファイルに保存する複数の検査機を有する統合補修システムである。このシステムでは、各検査機がネットワークで連結されており、さらに、各検査機の前記ファイルを保存するファイルサーバが用意されている。
【特許文献１】特開２０００−８２７２９号公報（平成１２年３月２１日公開）
【特許文献２】特開２０００−２３５１９７号公報（平成１２年８月２９日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記の従来技術には、表示パネルの検査結果情報を後の工程において効率的に活用するための仕組みを、低コストで実現できない問題がある。この点について、図１０を参照して以下に説明する。
【０００８】
図１０は、従来技術に係る表示パネル１０１の検査結果を管理する従来システムの構成図である。この図に示すシステムは、特許文献１および特許文献２の技術を組み合わせたものである。図１０に示すように、パネル検査装置１０２は、生産後の表示パネル１０１を電気的に検査し、検査結果を表す情報を生成する。そして、生成した検査結果情報を、ネットワーク１０８を通じて外部に送信する。
【０００９】
一方、生産および検査が終了したあと、表示パネル１０１を他の生産場所（たとえば外国）に移動させる。表示パネル１０１は、別の生産場所において液晶モジュール１０４に組み込まれる。この工程のとき、モジュール検査装置１０６が液晶モジュール１０４を電気的に検査する。
【００１０】
もしもモジュール検査結果に異常が見つかれば、ネットワーク１０８を通じて、パネル検査装置１０２から、液晶パネル１０１の検査結果を取得する。そして、パネルおよびモジュールの検査結果をそれぞれ精査することによって、どの生産工程において異常が発生したのかを突き止めることになる。
【００１１】
以上の様に、図１０の従来システムを利用すれば、前工程における検査結果情報を後工程において効率的に利用することが、確かに可能ではある。しかし、ネットワーク１０８の構築に要する費用が莫大になり、生産者に無用なコスト負担を強いてしまう。
【００１２】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、前の工程までに作りこまれた基板のその段階での検査結果情報を後の工程において効率的に活用するための仕組みを、低コストで実現する表示パネル、当該表示パネルを備えた表示モジュール、ＴＦＴアレイ基板、および当該ＴＦＴアレイ基板の検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る表示パネルは、上記の課題を解決するために、表示パネルの検査結果を表す情報を記憶している不揮発性メモリを備えていることを特徴としている。
【００１４】
上記の構成によれば、本表示パネルは不揮発性メモリを備えている。この不揮発性メモリは、たとえば、表示パネル内部に形成された半導体デバイスを構成するｎｐｎ型半導体膜、あるいは、表示パネル内部に形成された半導体デバイスを構成する強誘電体層によって構成されている。本表示パネルが液晶パネルのときには、不揮発性メモリを、液晶セル内部に表示用液晶と隔てて注入された強誘電性液晶とすることもできる。
【００１５】
不揮発性メモリには、本表示パネルの検査結果を表す情報が記憶されている。つまり本表示パネルは、自らの検査結果情報を自らが保持し、管理している。これにより、本表示パネルの検査結果情報を、必ずしも他の装置、たとえばサーバ装置において別途管理する必要がない。
【００１６】
この利点は次のようなものである。本表示パネルを組み込んだ表示モジュールを他の場所（たとえば外国）において生産し、生産した表示モジュールを検査した結果、何らかの異常が見つかったため、本表示パネルの検査結果情報を確認する必要が生じたとする。このとき、本表示パネル内部に記憶されている検査結果情報を直接、本パネルから読み出すことによって、検査結果情報を各工程間に設置したサーバ間にて通信することなく、直ちに入手することができる。
【００１７】
つまり本発明では、従来技術では必要だった、表示パネルの検査結果情報を後の工程において取得するためのネットワークを、構築する必要がない。したがって、表示パネルの検査結果情報を後の工程において効率的に活用するための仕組みを、低コストで実現できる効果を奏する。
【００１８】
本発明に係る表示モジュールは、上記の課題を解決するために、上述したいずれかの表示パネルを備えていることを特徴としている。
【００１９】
上記の構成によれば、表示パネルの検査結果情報を後の工程において効率的に活用するための仕組みを、低コストで実現できる効果を奏する。
【００２０】
本発明に係るＴＦＴアレイ基板（以降、「本基板」と称す）は、上記の課題を解決するために、本基板の検査結果を表す情報を記憶している不揮発性メモリを備えていることを特徴としている。
【００２１】
上記の構成によれば、本基板は不揮発性メモリを備えている。この不揮発性メモリには、本基板の検査結果を表す情報が記憶されている。つまり本基板は、自らの検査結果情報を自らが保持し、管理している。これにより、本基板の検査結果情報を、他の装置、たとえばサーバ装置において別途管理する必要がない。
【００２２】
この利点は次のようなものである。本基板を組み込んだ装置を、他の場所（たとえば外国）において生産し、生産した装置を検査した結果、何らかの異常が見つかったため、本基板の検査結果情報を確認する必要が生じたとする。このとき、内部の本基板から直接、検査結果情報を読み出すことによって、検査結果情報を直ちに入手することができる。
【００２３】
つまり本発明では、従来技術では必要だった、本基板の検査結果情報を後の工程において取得するためのネットワークを、構築する必要がない。したがって、本基板の検査結果情報を後の工程において効率的に活用するための仕組みを、低コストで実現できる効果を奏する。
【００２４】
本発明に係る本基板の検査方法は、上記の課題を解決するために、不揮発性メモリを備えている本基板を検査する検査工程と、上記検査工程において得られた検査結果を表す情報を、上記不揮発性メモリに記憶させる記憶工程とを備えていることを特徴としている。
【００２５】
上記の構成によれば、本発明に係る本基板と同様の作用効果を奏する。
【発明の効果】
【００２６】
以上のように、本発明に係る表示パネルは、表示パネルの検査結果を表す情報を記憶している不揮発性メモリを備えているため、表示パネルの検査結果情報を後の工程において効率的に活用するための仕組みを、低コストで実現できる効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の一実施形態について、図１〜図１０を参照して以下に説明する
（液晶パネル１の構成）
まず、本発明に係る液晶パネル１（表示パネル）の構造について、図１を参照して以下に説明する。図１は、本発明に係る液晶パネル１の構造を模式的に示した図である。この図に示すように、液晶パネル１の内部には、書き込み可能型の不揮発性メモリ２が形成されている。不揮発性メモリ２は、電力の供給がなくても情報を保持し続ける性質を有する。この性質を利用し、液晶パネル１の生産段階において、少なくとも、液晶パネル１を識別する情報（識別情報）、および、液晶パネル１の検査結果を示す情報（検査結果情報）が、不揮発性メモリ２に書き込まれる。これらの情報は、後の生産工程において活用される。
【００２８】
液晶パネル１の内部には、不揮発性メモリ２、ロジック３、および外部端子を直列に接続する内部配線４が設けられている。この構成により、情報を読み書きする装置を外部端子６に電気的に接続すれば、ロジック３を通じて不揮発性メモリ２に容易に情報を書き込んだり、あるいは不揮発性メモリ２から容易に情報を読み出したりすることができる。また、情報を読み書きするとき、液晶モジュールを分解せずに済む。
【００２９】
さらに、液晶パネル１には、接続端子５が設けられている。この接続端子５を介して、液晶パネル１は、各種の液晶ドライバに接続される。液晶パネル１の内部において、ロジック７が、外部端子５に接続されている。ロジック７は、アクティブエリア９にも接続されている。アクティブエリア９は、有効表示領域、すなわち表示画面である。ロック７は、モノリシック液晶を動作させるための論理回路のことであり、外部から制御信号を受け取り、同期をとって適時バスラインに信号を送り、目的画素のデバイスを動作させるための回路である。
【００３０】
液晶パネル１に作りこまれる表示画素、及び、不揮発性メモリ２の単位セルの等価回路図を図２に示す。当該セルはガラス基板上に電界効果型ＭＩＳトランジスタ（ＭＩＳ−ＴＦＴ）、成膜によって形成される容量（Ｃｃｓ），パネル化し液晶層によって形成される容量（Ｃｌｃ）によって構成される。
【００３１】
（不揮発性メモリ２の形成位置）
不揮発性メモリ２を、積層する膜の構成を変更することなくフォトマスクによって形成する例について、以下に説明する。液晶パネル１は、ＴＦＴ液晶素子（表示画素）を有するアクティブマトリックス型のパネルである。不揮発性メモリ２の記憶単位（メモリセル）は、一例として、各ＴＦＴ液晶素子に形成される。ＴＦＴ液晶セルを形成するには、ガラス基板からの不純物混入の阻止を目的としたベースコート膜を形成し、次にＳｉを形成する。このＳｉに不揮発性メモリ２の領域以外をフォトマスキングして不揮発性メモリ２の領域のみにｐ−チャンネルドープを行う。以後、ＧＩ絶縁膜とゲートの形成、並びに、ｎ−チャンネルドープによるチャネル形成をすることによって、表示領域では図４のトランジスタを、不揮発性メモリ２では図５のトランジスタを形成することができる。
【００３２】
液晶パネル１では、半導体デバイスのゲート閾値を制御する方法によって、不揮発性メモリ２を実装することができる。具体的には、ｎｉｎ型半導体の特性と、ｎｐｎ型半導体の特性との違いに基づき、不揮発性メモリ２を、液晶パネル１内部に半導体薄膜形成技術を利用して形成できる。両者の特性の違いを図３に示す。
【００３３】
図３は、ＭＩＳトランジスタの特性を示す図である。この図では、横軸はゲートの印加電圧を示し、縦軸はソース・ドレイン（ＳＤ）間電流値の１例を示している。電源オフによってゲート電圧が０Ｖになったとき、ＳＤ間電流が流れる状態になるようデバイス設計することで、表示画素における電荷残りを防止する事が可能となる。不揮発性メモリ２のデバイスを表示画素のデバイスと同じような特性設計をすると、折角書き込んだ電荷が暫時抜けてしまうため、不揮発性メモリとしての機能を果たすことができない。その防止方法として、ゲート電圧をマイナス状態にすることで、常時ＳＤ間電流が流れないよう維持するか、図３のｎ−ｐ−ｎ型にして、ゲート０Ｖ時にも電荷が抜けないように特性設計する。動作させていない時でも、ゲート電圧をマイナス状態に保たなければならないのであれば、消費電力の観点からも不経済であり、後者の方法が望ましい。
【００３４】
（不揮発性メモリ２の一例）
図２に示す、ＭＩＳ−ＴＦＴとしてのスイッチングデバイスの一部構造は、たとえば図４に相当する。図４は、一般的な表示画素用のスイッチングデバイス８の構成を示す図である。この図に示すように、液晶パネル１の液晶素子において、スイッチングデバイス８は、いわゆるｎｉｎ型のＭＩＳとして形成される。具体的には、スイッチングデバイス８は、ｎｉｎ型シリコン半導体膜１４上に、ゲート絶縁膜１２およびゲート電極１０が順に積層された構造をとる。
【００３５】
図４に示す構造のスイッチングデバイス８では、保持した電荷が、電源オフ時に散逸してしまう。そのため、仮にスイッチングデバイス８によって不揮発性メモリ２を形成したとしても、書き込んだ情報が、検査を終了して電源をオフした後に、すべて消失してしまう。つまりスイッチングデバイス８そのものを、不揮発性メモリ２に利用することはできない。
【００３６】
そこで本実施形態では、図５に示す半導体デバイス１６を形成し、不揮発性メモリ２のスイッチングデバイスとして利用する。図５は、本発明の不揮発性メモリ２に利用される半導体デバイス１６の構造を示す図である。この図に示すように、半導体デバイス１６は、シリコン膜にｐ−チャンネルドープがなされたｎｐｎ型シリコン半導体膜１８上に、ゲート絶縁膜１２およびゲート電極１０が順に積層された構造をとる。すなわち半導体デバイス１６は、いわゆるｎｐｎ型のＭＩＳトランジスタである。
【００３７】
この構造により、ｎｐｎ型シリコン半導体膜１８が閉じ込めた電荷は、電源がオフになっても逃げ出す事がない。これによりｎｐｎ型シリコン半導体膜１８は、不揮発性メモリ２の記憶単位として機能する。したがって、不揮発性メモリ２に、識別情報および検査結果情報を書き込めば、液晶パネル１の検査が終了し、液晶パネル１を他の生産場所に持ち運ぶ際にも、情報は消失せずに液晶パネル１に正常に保持される。
【００３８】
（強誘電体の利用）
不揮発性メモリ２の形成には、上述したｎｐｎ型シリコン半導体膜１８だけではなく、さらに、いわゆる強誘電体も利用できる。具体的には、液晶パネル１の電荷保持層に強誘電体を使用することによって、不揮発性メモリ２を実装することができる。
【００３９】
図６は、強誘電体のヒステリシス特性を示す図である。メモリセルがリセット状態“０”の時に電圧を印加することによって、電圧Ｂ１の状態にしても、リセット状態は維持される。しかし、閾値電圧を超えた電圧Ｂ２にすると、セット状態“１”になる。セット状態から電圧Ｂ’１にしても、セット状態が維持されるが、閾値電圧を超えた電圧Ｂ’２の状態にすることによって、リセット状態に戻すことができる。
【００４０】
（強誘電体の利用）
このように、強誘電体を利用しても、不揮発性メモリ２を形成できる。この第１の例として、強誘電体は、液晶パネル１内部に形成される所定の半導体デバイスの内部に設けられる。また、第２の例として、強誘電体は、液晶パネル１内部の液晶セルの内部に注入される。
【００４１】
（強誘電体を有する半導体デバイス）
上記した第１の例について、図７を参照して以下に説明する。図７は、内部に強誘電体２６を有する半導体デバイス２０を示す図である。本実施形態では、半導体デバイス２０は、液晶素子のスイッチングデバイスとして形成される。なお、スイッチングデバイスとは独立した、他のデバイスとして形成されてもよい。
【００４２】
半導体デバイス２０は、ゲート１０の周りはｎｉｎ型に形成されるｎ型のシリコン半導体膜１４の上に、ゲート絶縁膜１２およびゲート電極１０が順に積層された構造をとっている（図７）。この構造は基本的に、図４に示すスイッチングデバイスと同様である。すなわち半導体デバイス２０は、ＭＩＳ−ＴＦＴの一種である。ただし半導体デバイス２０では、ゲート絶縁膜１２の一部が、強誘電体からなる強誘電体層２６として形成されている。強誘電体層２６を形成する際、強誘電体として、チタン酸バリウム、または亜硫酸ナトリウム等を用いることができる。強誘電体層２６の上には、液晶素子の蓄積容量用電極（Ｃｓ）２４が形成されている。
【００４３】
上記の構成により、半導体デバイス２０内の強誘電体層２６に、電気的に情報を書き込むことができる。言い換えれば、強誘電体層２６は不揮発性メモリ２の記憶単位として機能する。電源入力を遮断しても強誘電体層２６に書き込まれた情報は、電源がオフしたあとも保持されるので、後工程にて、記憶させた内容を電気的に読み出すことができる。
【００４４】
（強誘電体を有する液晶セル）
不揮発性メモリ２の形成に強誘電体を利用する第２の例について、図８を参照して以下に説明する。図８は、強誘電性液晶３６が注入された液晶セル２８の構成を示す図である。
【００４５】
液晶セル２８の構造は、カラーフィルタ基板３０およびＴＦＴ基板３２に挟まれた空間に、表示用液晶３４、およびメモリ機能を有した強誘電性液晶３６を保持したものである（図８）。表示用液晶３４および強誘電性液晶３６は、互いに混合しないように、スペーサによって隔てられた別々の場所に、それぞれ注入されている。強誘電性液晶３６は、その性質上、外部電圧がゼロになっても自発的に分極する。
【００４６】
上記の構成により、強誘電性液晶３６は、不揮発性メモリ２として機能する。情報は、強誘電性液晶３６に電気的に書き込むことができる。電源入力を遮断しても書き込まれた情報は、電源がオフしたあとも保持されるので、後に、電気的に読み出すことができる。さらには、液晶の光学的性質を利用して書き込まれた情報を、光学的に読み取ることも可能である。
【００４７】
（検査手順）
液晶パネル１を検査する手順について、図９を参照して以下に説明する。図９は、液晶パネル１、および液晶パネル１を備えた液晶モジュール４０（表示モジュール）を検査する手順を示す図である。
【００４８】
（液晶パネル１の検査）
図９の例では、ある生産場所において、まず液晶パネル１を生産する。生産完了後、液晶パネル１をパネル検査装置３８に接続する。このときパネル検査装置３８は、外部端子６およびパネル内部配線４を通じて、不揮発性メモリ２に電気的に接続される。
【００４９】
パネル検査装置３８は、液晶パネル１を検査し、検査結果を表す情報を生成する。ここでいう検査とは、たとえば、液晶パネル１の点灯の良否を判定する検査である。パネル検査装置３８は、生成した検査結果情報を、液晶パネル１の識別情報と共に、液晶パネル１内部の不揮発性メモリ２に電気的に書き込む。点灯検査と、識別情報および検査結果情報の不揮発性メモリ２への書き込みとを、同時に実行してもよい。
【００５０】
識別情報および検査結果情報は、液晶パネル１の外部端子６およびパネル内部配線４を通じて、パネル検査装置３８から不揮発性メモリ２に電気的に書き込まれる。なお、情報の書き込みはアクティブマトリクス駆動方式によって行われる。そのため、磁気的記録方法に比べて、情報をより高密度に記録できる。
【００５１】
（液晶モジュール４０の検査）
検査を終了し情報を書き込んだ後に、不揮発性メモリ２を備えた液晶パネル１を、他の生産場所（たとえば外国）に移動させる。この場所において、液晶パネル１を組み込んだ液晶モジュール４０を生産する。生産完了後、液晶モジュール４０をモジュール検査装置４６に接続する。このときモジュール検査装置４６は、パネル内部配線４、外部端子６、モジュール内部配線４２、およびモジュール外部端子４４を通じて、不揮発性メモリ２に電気的に接続される。
【００５２】
モジュール検査装置４６は、液晶モジュール４０を検査して、検査結果を表す情報を生成する。もしモジュール検査結果に異常が見つかれば、モジュール検査装置４６は、液晶パネル１内部の不揮発性メモリ２から、液晶パネル１の識別情報、および、液晶パネル１の検査結果情報を読み出す。これにより生産管理者は、液晶パネル１の検査結果情報、および液晶モジュール４０の検査結果情報を基に、異常がどの生産段階において発生したのかを検討でき、さらに、液晶モジュール４０をどのように処理すべきかをすばやく決定できる。
【００５３】
（まとめ）
以上のように、液晶パネル１の内部には、情報を高密度に記録できる不揮発性メモリ２が形成されている。そのため、不揮発性メモリ２に、液晶パネル１の識別情報、各種のパネル情報（ロット、セル番地、履歴等）、および、液晶パネル１の検査結果情報を記録できる。記録情報は、電気的または光学的手法によって、個々の液晶パネル１から容易に読み出せるので、液晶パネル１の生産段階において記憶させた情報を後で取り出し、液晶モジュール４０の生産段階に容易に反映させることができる。記録された内容は、キーワード等の手段によって暗号化することで機密を保つことができる。この利点は、液晶モジュール４０が、液晶パネル１の生産場所とは異なる場所、特に外国において生産される場合に、特に大きくなる。
【００５４】
また、液晶パネル１は、これらの情報を内部に保持した状態で、液晶モジュール４０に組み込まれる。したがって、液晶モジュール４０の生産段階において異常が発見されたとき、液晶パネル１からすばやく、液晶パネル１の検査結果等の情報を取得することができる。これにより、液晶パネル１の検査結果を特定のサーバ装置において必ずしも管理する必要がない。また、液晶パネル１の生産場所と、液晶モジュール４０の生産場所とが遠く離れている場合でも、液晶パネル１の検査結果情報を取得するためのネットワークを構築する必要が生じない。
【００５５】
従来技術では、図１０に示すように、情報をやり取りするためのネットワーク１０８が必要である。ネットワーク１０８を介して情報をオンライン管理する場合、情報が漏洩したり、情報にコンピュータウイルスが混入したり、あるいは通信能力が足りずにうまく通信できなくなったりするように、各種の問題が発生する虞がある。そこで、これらの対策のために余計な費用が発生し、結果としてコストアップに繋がってしまう。
【００５６】
一方、本発明では、必要な情報を現物の液晶パネル１が保有しており、情報交換が必要最小限で済む。さらにはネットワークを構築する必要が無いため、余計なコストが掛からない。これらのことから、液晶パネル１の検査結果情報を、後の工程において効率的に活用するための仕組みを、低コストで実現できる。
【００５７】
また、液晶パネル１の生産段階のみならず、液晶パネル１を備えた製品（液晶モジュール）や液晶表示装置が市場に供給されたあと、品質に何らかの異常が発見されたとき、製品ごとに、内部の液晶パネル１のセル情報や検査結果情報を、液晶パネル１の不揮発性メモリ２から直接取り出すことができる。これにより、品質管理の精度を高めることができ、結果として、品位および安全性がより高い製品を市場に提供できる。
【００５８】
また、識別情報および検査結果情報を、不揮発性メモリ２から電気的に読み出すことができるため、情報を読み出すときに液晶モジュール４０を分解せずに済む。仮にこれらの情報を液晶パネル１に物理的に書き付けたとしたら、液晶モジュール４０の生産段階等において情報が内部に隠れてしまうため、情報を取り出すときに完成品を分解せざるを得ないが、本発明にはそのような欠点はない。
【００５９】
なお、本発明では、不揮発性メモリ２を形成する際、ｎｐｎ型シリコン半導体膜１８、強誘電体層２６、および強誘電性液晶３６を、それぞれ単独で利用してもよく、あるいは、併用してもよい。なお、ｎｐｎ型シリコン半導体膜１８のみによって不揮発性メモリ２を形成する場合、記憶した情報が、一度の読み出しによって失われてしまう。そのため、情報の読み出し後に、同じ情報をもう一度書き込めばよい。
【００６０】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても、本発明の技術的範囲に含まれる。
【００６１】
たとえば、本発明は上述した液晶パネル１に限定されることなく、不揮発性メモリを備えた各種の表示パネル（液晶パネル、プラズマパネル、有機ＥＬディスプレイなど）として実現できる。
【００６２】
また、本発明の技術思想は、液晶パネル１に限らず、ＴＦＴアレイ基板に広く適用できる。つまり本発明を、ＴＦＴアレイ基板の検査結果を表す情報を記憶している不揮発性メモリ２を備えているＴＦＴアレイ基板としても実現できる。この基板が有する利点は、上述した液晶パネル１が有する利点と本質的に一致している。たとえば、本基板を組み込んだ表示装置を、他の場所（たとえば外国）において生産し、生産した表示装置を検査した結果、何らかの異常が見つかったため、本基板の検査結果情報を確認する必要が生じたとする。このとき、内部の本基板から直接、検査結果情報を読み出すことによって、検査結果情報を直ちに入手することができる。
【００６３】
つまり、不揮発性メモリ２を備えたＴＦＴアレイ基板では、従来技術では必要だったＴＦＴアレイ基板の検査結果情報を後の工程において取得するためのネットワークを、必ずしも構築する必要がない。したがって、ＴＦＴアレイ基板の検査結果情報を後の工程において効率的に活用するための仕組みを、低コストで実現できる。
【００６４】
また、液晶パネル１において、不揮発性メモリ２を１次または２次元のアクティブマトリクス構造にすることによって、１ビットを超える情報を読み書きできる不揮発メモリセルを形成することができる。このセルには、表示セルと同様の手段（回路）によってデータを読み書きする。
【００６５】
通常、表示セルの大きさは５０×１５０μｍ２程度なので、仮に１×３ｍｍ２の領域にデータを記録したとすると、記録されるデータの最大量は４００ビットとなる。したがって、データを３７個の英数字によって表現するなら、６６字を記録できる。また、強誘電体をスイッチ素子として使うことによって、１ビット（”０”または”１”）を超えるデータを記録することもできる。更に記録密度を高めるのであれば、ヒステリシス特性の異なる複数の強誘電体を組み合わせて運用すればよい。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、不揮発性のメモリを備え、当該メモリに少なくともパネル識別情報および検査結果情報を記憶させた各種の表示パネル（液晶パネルなど）として、幅広く利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明に係る液晶パネルの構造を模式的に示した図である。
【図２】表示セルまたはメモリセルを示す図である。
【図３】スイッチングデバイスの特性を説明するグラフである。
【図４】一般的なスイッチングデバイスの構成を示す図である。
【図５】本発明の不揮発性メモリに利用される半導体デバイスの構造を示す図である。
【図６】強誘電性材料の性質を説明するグラフである。
【図７】内部に強誘電体を有する半導体デバイスを示す図である。
【図８】強誘電性液晶を有する液晶セルの構成を示す模式図である。
【図９】本発明の液晶パネル、および当該液晶パネルを備えた本発明の液晶モジュールを検査する手順を示す図である。
【図１０】従来の表示パネル、および当該表示パネルを備えた従来の表示モジュールを検査する手順を示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  液晶パネル（表示パネル）
２  不揮発性メモリ
４  パネル内部配線
６  外部端子
８  スイッチングデバイス
１０  ゲート電極
１２  ゲート絶縁膜
１４  ｎｉｎ型シリコン半導体膜
１６  半導体デバイス
１８  ｎｐｎ型シリコン半導体膜
２０  半導体デバイス
２４  蓄積容量
２６  強誘電体層
２８  液晶セル
３０  カラーフィルタ基板
３２  ＴＦＴ基板（ＴＦＴアレイ基板）
３４  表示用液晶
３６  強誘電性液晶
３８  パネル検査装置
４０  液晶モジュール（表示モジュール）
４２  モジュール内部配線
４４  モジュール外部端子
４６  モジュール検査装置
【図１】
2008191590.tif 000003
【図２】
2008191590.tif 000004
【図３】
2008191590.tif 000005
【図４】
2008191590.tif 000006
【図５】
2008191590.tif 000007
【図６】
2008191590.tif 000008
【図７】
2008191590.tif 000009
【図８】
2008191590.tif 000010
【図９】
2008191590.tif 000011
【図１０】
2008191590.tif 000012