(57)【要約】【課題】ボンディングワイヤの短絡のない半導体装置を提供する。【解決手段】１主面に複数の電極5(5a,5b,5c)を有した少なくとも１個の半導体チップ4と、複数の内部電極2(2a,2b,2c)及び外部電極3を有し、半導体チップ4を内部電極形成面に固着した半導体チップ支持体であるＢＧＡ用基板1と、半導体チップ4の電極5とＢＧＡ用基板1の内部電極2とを接続した複数のボンディングワイヤ6,7,8と、半導体チップ4及びボンディングワイヤ6,7,8を封止した封止樹脂9とを有する半導体装置において、前記のボンディングワイヤ6,7,8は、金属細線である第１のボンディングワイヤ6,8と、金属細線の少なくとも一部が絶縁性樹脂で被覆されてなる第２のボンディングワイヤ７とで構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１主面に複数の電極を有した少なくとも１個の半導体チップと、複数の内部電極及び外部電極を有し、前記半導体チップを内部電極形成面に固着した半導体チップ支持体と、前記半導体チップの電極と前記半導体チップ支持体の内部電極とを接続した複数のボンディングワイヤと、前記半導体チップ及びボンディングワイヤを封止した樹脂とを有し、
前記複数のボンディングワイヤは、互いに上下に配置される一方に金属細線である第１のボンディングワイヤが用いられ、他方に金属細線の少なくとも一部が絶縁性樹脂で被覆されてなる第２のボンディングワイヤが用いられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体チップは、１主面の外周部に列状に配置された電極と該電極列よりも前記１主面の中心寄りに少なくとも１列、列状に配置された電極とを有し、前記半導体チップの複数列の電極に対して列ごとに交互に第１のボンディングワイヤと第２のボンディングワイヤとが接続していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体チップ上の外周側から奇数番目の列の電極に第１のボンディングワイヤが接続し、偶数番目の列の電極に第２のボンディングワイヤが接続していることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
１主面に複数の電極を有した半導体チップが複数個、積層されて半導体チップ支持体に固着されており、互いに上下に位置する半導体チップごとに交互に第１のボンディングワイヤと第２のボンディングワイヤとが接続していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体チップ支持体側から奇数番目の段の半導体チップに第１のボンディングワイヤが接続し、偶数番目の段の半導体チップに第２のボンディングワイヤが接続していることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
１主面に複数の電極を有した少なくとも１個の半導体チップを、複数の内部電極及び外部電極を有した半導体チップ支持体の内部電極形成面に固着する工程と、前記半導体チップの電極と前記半導体チップ支持体の内部電極とを各々ボンディングワイヤにより接続する工程と、前記半導体チップ及びボンディングワイヤを樹脂封止する工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記接続の工程では、互いに上下に配置される一方のボンディングワイヤに、金属細線である第１のボンディングワイヤを用い、他方のボンディングワイヤに、金属細線の少なくとも一部が絶縁性樹脂で被覆されてなる第２のボンディングワイヤを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
１主面の外周部に列状に配置された電極と該電極列よりも前記１主面の中心寄りに少なくとも１列、列状に配置された電極とを有する半導体チップを、複数の内部電極及び外部電極を有した半導体チップ支持体の内部電極形成面に固着する工程と、前記半導体チップの電極と前記半導体チップ支持体の内部電極とを各々ボンディングワイヤにより接続する工程と、前記半導体チップ及びボンディングワイヤを樹脂封止する工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記接続の工程では、前記半導体チップの複数列の電極に対して列ごとに交互に第１のボンディングワイヤと第２のボンディングワイヤを接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
半導体チップ上の外周側から奇数番目の列の電極に第１のボンディングワイヤを接続し、偶数番目の列の電極に第２のボンディングワイヤを接続することを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
１主面に複数の電極を有した半導体チップを複数個、積み重ねて、複数の内部電極及び外部電極を有した半導体チップ支持体の内部電極形成面に固着する工程と、前記半導体チップの電極と前記半導体チップ支持体の内部電極とを各々ボンディングワイヤにより接続する工程と、前記半導体チップ及びボンディングワイヤを樹脂封止する工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記接続の工程では、互いに上下に位置する半導体チップごとに交互に第１のボンディングワイヤと第２のボンディングワイヤを接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体チップ支持体側から奇数番目の段の半導体チップに第１のボンディングワイヤを接続し、偶数番目の段の半導体チップに第２のボンディングワイヤを接続することを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
第１のボンディングワイヤと第２のボンディングワイヤとは別個の接続装置を用いて接続することを特徴とする請求項６、７、９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多ピンの半導体チップを用いたパッケージ型の半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、移動体通信機等の電子機器の小型化に対応するために半導体装置に小型化・高密度化が求められている。また電子機器の高機能・多機能化の進展に対応するために、半導体装置は多ピン化の傾向にあり、外部端子が底面にエリアアレー状に配置されたＢＧＡパッケージなどの形態で用いられることが多くなってきており、パッケージングされる半導体チップの電極も、チップ外周部だけでなく千鳥配置などのように複数列にして形成されるようになってきている。
【０００３】
図３に従来のパッケージ型半導体装置（ＢＧＡパッケージ）の断面を示す。半導体チップ３４は複数列の電極３５、３６、３７を有し、ガラスエポキシやＢＴレジンなどを基板材としたＢＧＡ用基板３１に固着されており、半導体チップ３４の電極３５、３６、３７と、半導体チップ３４の周囲となるようにＢＧＡ用基板３１に複数列に形成された内部電極３２とは、ボンディングワイヤ３８，３９，４０により電気的に接続されている。ＢＧＡ用基板３１上の半導体チップ３４，ボンディングワイヤ３８，３９，４０は樹脂４１によりトランスファーモールド方式などで封止されており、ＢＧＡ用基板３１の下面には、内部電極３２とスルーホールなどにより電気的に接続した外部電極３３上にはんだボール４２が形成されている。
【０００４】
ボンディングワイヤ３５，３６，３７は、半導体チップ３４の最外周列の電極３５に接続したボンディングワイヤ３８が、ＢＧＡ用基板３１の最内周列の内部電極３２に接続され、ボンディングワイヤ３８の最上部の位置が、半導体チップ３４の他列の電極３６，３７に接続されたボンディングワイヤ３９，４０よりも低い位置に制御される、というように互いに接触しない３次元配置とされている（たとえば特許文献１）。
【特許文献１】特表２００５−５３２６７２公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のパッケージ型半導体装置では、多ピンの半導体チップをＢＧＡ用基板３１に接続するために、上述したようにボンディングワイヤを３次元的に配置しているのであるが、ＢＧＡ用基板３１上の内部電極３２は通常、Ｃｕを主導体とし、表面にＡｕめっきを施したものとする一方で、ボンディングワイヤには通常、純度９９．９９％のＡｕ線を用いているため、そのループ形状の制御が困難であって互いに接触し、短絡する恐れは依然としてある。
【０００６】
本発明は、上記問題に鑑み、ボンディングワイヤの短絡のない半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置は、１主面に複数の電極を有した少なくとも１個の半導体チップと、複数の内部電極及び外部電極を有し、前記半導体チップを内部電極形成面に固着した半導体チップ支持体と、前記半導体チップの電極と前記半導体チップ支持体の内部電極とを接続した複数のボンディングワイヤと、前記半導体チップ及びボンディングワイヤを封止した樹脂とを有し、前記複数のボンディングワイヤは、互いに上下に配置される一方に金属細線である第１のボンディングワイヤが用いられ、他方に金属細線の少なくとも一部が絶縁性樹脂で被覆されてなる第２のボンディングワイヤが用いられていることを特徴とする。互いに上下に配置されるのは一部であってよい。
【０００８】
上記構成の半導体装置において、半導体チップは、１主面の外周部に列状に配置された電極と該電極列よりも前記１主面の中心寄りに少なくとも１列、列状に配置された電極とを有し、前記半導体チップの複数列の電極に対して列ごとに交互に第１のボンディングワイヤと第２のボンディングワイヤとが接続していることを特徴とする。半導体チップ上の外周側から奇数番目の列の電極に第１のボンディングワイヤが接続し、偶数番目の列の電極に第２のボンディングワイヤが接続していてよい。
【０００９】
また、１主面に複数の電極を有した半導体チップが複数個、積層されて半導体チップ支持体に固着されており、互いに上下に位置する半導体チップごとに交互に第１のボンディングワイヤと第２のボンディングワイヤとが接続していることを特徴とする。半導体チップ支持体側から奇数番目の段の半導体チップに第１のボンディングワイヤが接続し、偶数番目の段の半導体チップに第２のボンディングワイヤが接続していてよい。
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法は、１主面に複数の電極を有した少なくとも１個の半導体チップを、複数の内部電極及び外部電極を有した半導体チップ支持体の内部電極形成面に固着する工程と、前記半導体チップの電極と前記半導体チップ支持体の内部電極とを各々ボンディングワイヤにより接続する工程と、前記半導体チップ及びボンディングワイヤを樹脂封止する工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記接続の工程では、互いに上下に配置される一方のボンディングワイヤに、金属細線である第１のボンディングワイヤを用い、他方のボンディングワイヤに、金属細線の少なくとも一部が絶縁性樹脂で被覆されてなる第２のボンディングワイヤを用いることを特徴とする。
【００１１】
また本発明の半導体装置の製造方法は、１主面の外周部に列状に配置された電極と該電極列よりも前記１主面の中心寄りに少なくとも１列、列状に配置された電極とを有する半導体チップを、複数の内部電極及び外部電極を有した半導体チップ支持体の内部電極形成面に固着する工程と、前記半導体チップの電極と前記半導体チップ支持体の内部電極とを各々ボンディングワイヤにより接続する工程と、前記半導体チップ及びボンディングワイヤを樹脂封止する工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記接続の工程では、前記半導体チップの複数列の電極に対して列ごとに交互に第１のボンディングワイヤと第２のボンディングワイヤを接続することを特徴とする。半導体チップ上の外周側から奇数番目の列の電極に第１のボンディングワイヤを接続し、偶数番目の列の電極に第２のボンディングワイヤを接続してよい。
【００１２】
また本発明の半導体装置の製造方法は、１主面に複数の電極を有した半導体チップを複数個、積み重ねて、複数の内部電極及び外部電極を有した半導体チップ支持体の内部電極形成面に固着する工程と、前記半導体チップの電極と前記半導体チップ支持体の内部電極とを各々ボンディングワイヤにより接続する工程と、前記半導体チップ及びボンディングワイヤを樹脂封止する工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記接続の工程では、互いに上下に位置する半導体チップごとに交互に第１のボンディングワイヤと第２のボンディングワイヤを接続することを特徴とする。半導体チップ支持体側から奇数番目の段の半導体チップに第１のボンディングワイヤを接続し、偶数番目の段の半導体チップに第２のボンディングワイヤを接続してよい。
【００１３】
第１のボンディングワイヤと第２のボンディングワイヤとは別個の接続装置を用いて接続するのが好都合である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、金属細線である第１のボンディングワイヤと、少なくとも一部が絶縁性樹脂で被覆された第２のボンディングワイヤとを併用するようにしたため、これらが上下方向に重なる位置にあって近接あるいは接触しても電気的な短絡を起こすことがなく、歩留の高いものとなる。被覆された第２のボンディングワイヤは、被覆されていない第１のボンディングワイヤに比べて幾分、高価ではあるが、一部電極についてのみ用いるので、コスト上昇を抑えることができる。
【００１５】
設計上は、上下方向でのワイヤ間距離を０にすることができ、ボンディングワイヤのループを低くすることができるので、薄型の半導体装置を容易に得ることが可能となる。またワイヤボンディング工程においては、第１のボンディングワイヤを接続する一連の接続工程と、第２のボンディングワイヤを接続する一連の接続工程とを、別個の装置で行うことで、生産効率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
図１は本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造工程を示す。ここで製造するのは、１個の半導体チップをパッケージングした半導体装置である。
【００１７】
図１（ａ）に示すＢＧＡ用基板１を準備する。このＢＧＡ用基板１は、ガラスエポキシ、ＢＴレジン、ポリイミドなどを基板材とするもので、厚みは、０．０５mm〜１．０mm程度である。ＢＧＡ用基板１の上面には、後に搭載する半導体チップと電気的に接続するための内部電極２が、チップ搭載領域の外側に前記領域の周方向に沿って列状に、複数列に配置されている。これは、内部電極２を形成できる最小ピッチで配置しても、搭載する半導体チップのピン数全てに対応する電極数を単列で配置することはできないためである。内部電極２のピッチは通常５０μm〜５００μm程度である。内部電極２の主導体は通常Ｃｕ等であってその厚みは５〜３５μmであり、表面にはＡｕめっき等が厚み０.０１〜５μm程度にて施されている。以下、複数列の内部電極２を、図示したように、チップ搭載領域の中央に近い列から外側に向かって順に、内周列の内部電極２ａ，中央列の内部電極２ｂ，外周列の内部電極２ｃと呼ぶ。ＢＧＡ用基板１の下面には、内部電極２とスルーホール等（図示せず）により電気的に接続された外部電極３が形成されている。
【００１８】
図１（ｂ）に示すように、ＢＧＡ用基板１のチップ搭載領域にエポキシ、ポリイミド等の熱硬化性樹脂（図示せず）を介在させて半導体チップ４を固着する。半導体チップ４には、１主面に複数の電極５が当該１主面の周方向に沿って列状に、複数列に形成されている。複数列の配置としたのは、電極５を平面方向に形成できる最小寸法で配置しても所要の電極数を半導体チップ４の外周部のみの単列で配置することはできないためである。電極５は通常、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ等で構成され、Ａｌの場合は、微量のＳｉ、Ｃｕ等が添加される。電極５数は、半導体チップ４の回路規模等で異なるが、１０〜２０００ピン程度である。以下、複数列の電極５を、図示したように、１主面の外周部に位置する列から内側に向かって順に、外周列の電極５ａ，中央列の電極５ｂ，内周列の電極５ｃと呼ぶ。
【００１９】
次に図１（ｃ）に示すように、半導体チップ４の外周列の電極５ａとＢＧＡ用基板１の内周列の内部電極２ａとをワイヤボンディング法を用いてボンディングワイヤ６にて電気的に接続する。次に図１（ｄ）に示すように、半導体チップ４の中央列の電極５ｂとＢＧＡ用基板１の中央列の内部電極２ｂとをワイヤボンディング法を用いて被覆ボンディングワイヤ７にて電気的に接続する。次に、半導体チップ４の内周列の電極５ｃとＢＧＡ用基板１の外周列の内部電極２ｃとをワイヤボンディング法を用いてボンディングワイヤ８により接続する。
【００２０】
ここで、ボンディングワイヤ６，８は通常Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕよりなる金属細線であり、その径は１０〜５０μm程度である。また被覆ボンディングワイヤ７は、Ａｕ、ＡＬ、Ｃｕ等よりなる金属細線をコアとし、周囲をポリウレタン等の絶縁性樹脂で被覆したものである。コアとする金属細線の径は１０〜５０μm程度である。ワイヤボンディング法は通常、加熱と超音波を印加し加圧しながら行う。加熱温度は５０〜３００℃程度、超音波の出力は１０〜３００mW程度、加圧力は１０〜１００g程度である。このようにすれば、被覆ボンディングワイヤ７の絶縁性樹脂の内、半導体チップ４の電極５ｂとの接合部およびＢＧＡ用基板１の内部電極２ｂとの接合部の絶縁性樹脂は、加熱あるいは超音波の印加などにより除去されるので、各接合部においてはコアの金属細線が接合される。
【００２１】
ワイヤボンディング工程の順序は、上述したように、半導体チップ４の外周列の電極５ａのボンディングワイヤ６による接続が完了した後に、中央列の電極５ｂの被覆ボンディングワイヤ７による接続を行い、その接続が完了した後に、内周列の電極５ｃのボンディングワイヤ８による接続を行うので、電極５ａ，５ｃをボンディングワイヤ６，８にて接続するためのワイヤボンダーと、電極５ｂを被覆ボンディングワイヤ７にて接続するためのワイヤボンダーとを、別個の装置とすれば、効率よい。
【００２２】
この際に、半導体チップ４の３列の電極５ａ，５ｂ，５ｃの内、中央列の電極５ｂの接続には被覆ボンディングワイヤ７を用いるため、その上下に離れて位置すべきボンディングワイヤ６，８が近接あるいは接触しても電気的な短絡を起こすことがない。よって、歩留の高いものとなる。設計上は、上下方向でのワイヤ間距離を０にすることができ、ボンディングワイヤ７，８のループを低くすることができるので、薄型の半導体装置を容易に得ることが可能となる。被覆ボンディングワイヤ７は、被覆されていないボンディングワイヤ６，８に比べて幾分、高価ではあるが、半導体チップ４の一部電極についてのみ、つまり中央列の電極５ｂについてのみ用いるので、コスト上昇を抑えることができる。
【００２３】
接続終了後に、図１（ｅ）に示すように、ＢＧＡ用基板１の片側に半導体チップ４及びボンディングワイヤ６，７，８を覆うように、トランスファーモールド方式等によって、封止樹脂９を成形し、その後に、ＢＧＡ用基板１の外部電極３にはんだボール１０を形成する。
【００２４】
図２は本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造工程を示す。ここで製造するのは、３個の半導体チップを積層してパッケージングした半導体装置である。
図２（ａ）に示すＢＧＡ用基板１を準備する。このＢＧＡ用基板１は、第１の実施形態で用いたのと同様のもので、ガラスエポキシ、ＢＴレジン、ポリイミドなどを基板材としていて、厚みは、０．０５mm〜１．０mm程度である。ＢＧＡ用基板１の上面には、後に搭載する半導体チップと電気的に接続するための内部電極２が、チップ搭載領域の外側に前記領域の周方向に沿って列状に、複数列配置されている。複数列の配置としたのは、内部電極２を形成できる最小ピッチで配置しても搭載する３個の半導体チップのピン数全てに対応する電極数を単列で配置することはできないためである。チップ搭載領域の中央に近い列から外側に向かって順に内周列の内部電極２ａ，中央列の内部電極２ｂ，外周列の内部電極２ｃと呼ぶ。内部電極２のピッチは通常５０μm〜５００μm程度である。内部電極２の主導体は通常Ｃｕ等であってその厚みは５〜３５μmであり、表面にはＡｕめっき等が厚み０.０１〜５μm程度にて施されている。ＢＧＡ用基板１の下面には、内部電極２とスルーホール等（図示せず）により電気的に接続された外部電極３が形成されている。
【００２５】
上記のＢＧＡ用基板１のチップ搭載領域に第１の半導体チップ１４を固着する。次に、図２（ｂ）に示すように、第１の半導体チップ１４上に第２の半導体チップ１５と第３の半導体チップ１６とを順次に積層して固着する。固着にはエポキシ、ポリイミド等の熱硬化性樹脂（図示せず）を介在させる。第１、第２、第３の半導体チップ１４，１５，１６には各々の外周部に電極１４ａ，１５ａ，１６ａが形成されている。電極１４ａ，１５ａ，１６ａは通常、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ等で構成され、Ａｌの場合は、微量のＳｉ、Ｃｕ等が添加される。電極１４ａ，１５ａ，１６ａの数は、第１、第２、第３の半導体チップ１４，１５，１６の各々の回路規模等で異なるが、１０〜２０００ピン程度である。
【００２６】
次に図２（ｃ）に示すように、第１の半導体チップ１４の電極１４ａとＢＧＡ用基板１の内周列の内部電極２ａとをワイヤボンディング法を用いてボンディングワイヤ１８にて電気的に接続する。次に図２（ｄ）に示すように、第２の半導体チップ１５の電極１５ａとＢＧＡ用基板１の中央列の内部電極２ｂとをワイヤボンディング法により被服ボンディングワイヤ１９にて接続する。次に、第３の半導体チップ１６の電極１６ａとＢＧＡ用基板１の外周列の内部電極２ｃとをワイヤボンディング法を用いてボンディングワイヤ２０にて電気的に接続する。
【００２７】
ここで、ボンディングワイヤ１８，２０は通常Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕよりなる金属細線であり、その径は１０〜５０μm程度である。また被覆ボンディングワイヤ１９は、Ａｕ、ＡＬ、Ｃｕ等よりなる金属細線をコアとし、周囲をポリウレタン等の絶縁性樹脂で被覆したものである。コアとする金属細線の径は１０〜５０μm程度である。ワイヤボンディング法は通常、加熱と超音波を印加し加圧しながら行う。加熱温度は５０〜３００℃程度、超音波の出力は１０〜３００mW程度、加圧力は１０〜１００g程度である。このようにすれば、被覆ボンディングワイヤ１９の絶縁性樹脂の内、半導体チップ１５の電極１５ａとの接合部およびＢＧＡ用基板１の内部電極２ｂとの接合部の絶縁性樹脂は、加熱あるいは超音波の印加などにより除去されるので、各接合部においてはコアの金属細線が接合される。
【００２８】
ワイヤボンディング工程の順序は、上述したように、第１の半導体チップ１４の電極１４ａのボンディングワイヤ１８による接続が完了した後に、第２の半導体チップ１５の電極１５ａの被覆ボンディングワイヤ１９による接続を行い、その接続が完了した後に、第３の半導体チップ１６の電極１６ａのボンディングワイヤ２０による接続を行う。このためにたとえば、電極１４ａ，１６ａをボンディングワイヤ１８，２０にて接続するためのワイヤボンダーと、電極１５ａを被覆ボンディングワイヤ１９にて接続するためのワイヤボンダーとを、別個の装置とすれば、効率よい。
【００２９】
この際に、積層された３個の半導体チップ１４，１５，１６の内、中央段にある第２の半導体チップ１５の電極１５ａの接続には被覆ボンディングワイヤ１９を用いるため、その上下に離れて位置すべきボンディングワイヤ１８，２０が近接あるいは接触しても電気的な短絡を起こすことがない。よって、歩留の高いものとなる。設計上は、上下方向でのワイヤ間距離を０にすることができ、ボンディングワイヤ１９，２０のループを低くすることができるので、薄型の半導体装置を容易に得ることが可能となる。被覆ボンディングワイヤ１９は、被覆されていないボンディングワイヤ１８，２０に比べて幾分、高価ではあるが、第２の半導体チップ１５の電極１５ａについてのみ用いるので、コスト上昇を抑えることができる。
【００３０】
接続終了後に、図２（ｅ）に示すように、ＢＧＡ用基板１の片側に半導体チップ１４，１５，１６及びボンディングワイヤ１８，１９，２０を覆うように、トランスファーモールド方式等によって、封止樹脂９を成形し、その後に、ＢＧＡ用基板１の外部電極３にはんだボール１０を形成する。
【００３１】
以上の第１および第２の実施の形態では、ＢＧＡ用基板を用いたＢＧＡパッケージについて説明したが、リードフレームを用いたＱＦＰタイプやその他の形態のパッケージでも被覆ボンディングワイヤを用いることで同様の効果が得られる。被覆ボンディングワイヤは、全体を絶縁性樹脂で被覆したものが実用的であるが、上下に位置するボンディングワイヤが近接あるいは接触する恐れのある箇所のみ被覆したものの使用はもちろん可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明に係る半導体装置は、多ピン、小型化を実現しつつ、短絡が発生しにくいので、移動体通信機をはじめとする電子機器に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造工程を示す断面図
【図２】本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造工程を示す断面図
【図３】従来の半導体装置の断面図
【符号の説明】
【００３４】
１    ＢＧＡ用基板
２    内部電極
３    外部電極
４    半導体チップ
５    電極
６    ボンディングワイヤ
７    被覆ボンディングワイヤ
８    ボンディングワイヤ
９    封止樹脂
14    第１の半導体チップ
14a   電極
15    第２の半導体チップ
15a   電極
16    第３の半導体チップ
16a   電極
18    ボンディングワイヤ
19    被覆ボンディングワイヤ
20    ボンディングワイヤ
【図１】
2008112768.tif 000003
【図２】
2008112768.tif 000004
【図３】
2008112768.tif 000005