(57)【要約】      （修正有）【課題】予め設定された大きさよりも小さい試料基板を装置内の試料基板保持部で保持することができる保持治具を提供する。【解決手段】半導体処理装置内で予め設定された大きさの試料基板を保持する試料基板保持部に取り付けられる保持冶具１００であって、試料基板と略同じ大きさを有し、試料基板の大きさよりも小さい試料基板８００の一面を露出した状態で小さい試料基板８００の一面に対する裏面を支持する冶具本体２００を備え、冶具本体２００には、小さい試料基板の裏面を露出する穴２１０が設けられた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理装置内で予め設定された大きさの試料基板を保持する試料基板保持部に取り付けられる保持冶具であって、
前記試料基板と略同じ大きさを有し、前記試料基板の大きさよりも小さい試料基板の一面を露出した状態で前記小さい試料基板の前記一面に対する裏面を支持する冶具本体を備え、
前記冶具本体には、前記小さい試料基板の前記裏面を露出する穴が設けられた保持冶具。
【請求項２】
前記冶具本体の前記穴を囲んで配され、前記小さい試料基板の前記裏面と当接する弾性環状部材と、
前記弾性環状部材との間で前記小さい試料基板を挟む蓋と
をさらに備え、
前記蓋には、前記小さい試料基板の前記一面を露出する穴が設けられた請求項１に記載の保持冶具。
【請求項３】
前記冶具本体に対して前記蓋を固定する固定部材をさらに備え、
前記固定部材は、前記蓋と前記弾性環状部材とが前記小さい試料基板を挟んだ状態で、前記蓋と前記冶具本体との間に間隙を有して前記冶具本体に対して前記蓋を固定する請求項２に記載の保持冶具。
【請求項４】
前記蓋は、前記蓋の穴の一部を覆うマスキング部を有する請求項２に記載の保持冶具。
【請求項５】
前記小さい試料基板は、円板の一部を切り欠いた切欠き部を有し、
前記蓋は、前記小さい試料基板の前記一面における前記切欠き部の近傍および前記切欠き部に対向する部分を押さえる請求項２に記載の保持冶具。
【請求項６】
前記蓋は、前記蓋の前記穴の側に向けて延伸する複数の爪を有する請求項２に記載の保持冶具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体処理装置において、シリコンウエハなどの試料基板に対して処理を施す場合に、試料基板を保持する保持冶具に関する。より詳しくは、半導体処理装置における試料基板を保持する保持部の仕様として予め設定された試料基板の大きさよりも小さい試料基板に対して処理を施す場合に、当該保持部に取り付けられる保持冶具に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の前工程に供されるステッパまたはエッチング装置などは、その多くが特定のサイズの基板を想定した仕様となっている。しかしながら、試験的にエッチングなどの処理を施したい場合や多品種少量生産に対応する場合に、装置の仕様において設定された特定のサイズよりも小さい基板に対して処理を施すことができることが望ましい。
【０００３】
上記小さい基板に対して露光またはエッチングなどの処理を施す場合に、例えば特許文献１に記載されるように、当該基板をワックスまたは接着剤で基板を固定する方法がある。この場合に、上記小さい基板が上記特定のサイズと同じ大きさの支持基盤に接着固定されて、当該支持基盤を上記装置内で保持する。また、特許文献２に記載されるように、基板を静電吸着により保持する方法がある。
【特許文献１】特開２００５−４８２５９号公報
【特許文献２】特開２００５−６４４６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、基板を支持基盤に接着固定する方法では、基板を支持基盤に接着固定する工程、および、上記装置における処理後に基板を支持基盤から剥がす工程が加わるので、作業が増えて加工コストの増加に繋がる。また、上記装置に基板を静電吸着により保持する構成を追加する場合、装置費用が高くなる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の第１の形態においては、半導体処理装置内で予め設定された大きさの試料基板を保持する試料基板保持部に取り付けられる保持冶具であって、試料基板と略同じ大きさを有し、試料基板の大きさよりも小さい試料基板の一面を露出した状態で小さい試料基板の一面に対する裏面を支持する冶具本体を備え、冶具本体には、小さい試料基板の裏面を露出する穴が設けられた保持冶具が提供される。このような保持冶具によれば、半導体処理装置の仕様において予め設定された大きさよりも小さい試料基板を、当該装置内の試料基板保持部で簡便に保持することができる。また、試料基板の裏面が露出しているので、ガスなどを試料基板の裏面に直接吹き付けることにより、処理装置内において試料基板を効率よく冷却することができる。
【０００６】
また、上記保持冶具は、冶具本体の穴を囲んで配され、小さい試料基板の裏面と当接する弾性環状部材と、弾性環状部材との間で小さい試料基板を挟む蓋とをさらに備え、蓋には、小さい試料基板の一面を露出する穴が設けられてもよい。これにより、上記試料基板保持部で蓋を押さえることで上記小さい試料基板を保持することができる。また、当該試料基板を保持したときに、裏面を傷めることがない。さらに、蓋に穴が設けられているので、当該試料基板における処理される側の面を露出させたまま保持することができる。
【０００７】
また、上記保持冶具は、冶具本体に対して蓋を固定する固定部材をさらに備え、固定部材は、蓋と弾性環状部材とが小さい試料基板を挟んだ状態で、蓋と冶具本体との間に間隙を有して冶具本体に対して蓋を固定してもよい。これにより、蓋と冶具本体とで上記小さい試料基板を挟んだ状態で蓋および冶具本体が固定されるので、当該試料基板をより強固に保持することができる。
【０００８】
また、上記保持冶具の蓋は、蓋の穴の一部を覆うマスキング部を有してもよい。これにより、上記小さい試料基板の処理される側の面における任意の部分だけを処理することができる。
【０００９】
また、上記小さい試料基板は、円板の一部を切り欠いた切欠き部を有し、上記保持冶具の蓋は、小さい試料基板の一面における切欠き部の近傍および切欠き部に対向する部分を押さえてもよい。これにより、上記小さい試料基板の処理される側の面における切欠き部の近傍および切欠き部に対向する部分以外の全ての部分に対して処理を施すことができるので、当該試料基板をより有効に利用することができる。
【００１０】
また、上記保持冶具の蓋は、蓋の穴の側に向けて延伸する複数の爪を有してもよい。これにより、上記小さい試料基板の処理される側の面における爪と当接する部分以外の全ての部分に対して処理を施すことができるので、当該試料基板をより有効に利用することができる。
【００１１】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１３】
図１は、本発明の一の実施形態に係る保持冶具１００の分解斜視図である。図１に示すように、保持冶具１００は、冶具本体２００と蓋３００とを備える。冶具本体２００および蓋３００は、耐腐食性の材料、例えばアルミナで形成される。
【００１４】
冶具本体２００は、略円盤形状で中央に円形の穴２１０を有する。また、冶具本体２００の片側の面には、穴２１０と同心円状に段差２４０が形成されている。冶具本体２００を段差２４０が形成された面を上にして水平に載置した場合、穴２１０の縁と段差２４０との間の基板載置面２５０は、段差２４０と冶具本体２００の外周との間の面よりも段差２４０の高さの分だけ低い。また、この基板載置面２５０上には、穴２１０および段差２４０と同心円状のＯリング２３０が穴２１０を囲むように配されている。なお、このＯリング２３０は、ゴムで形成され、弾性環状部材の一例である。また、冶具本体２００における上記段差２４０と外周との間には、複数（本実施形態では４つ）のネジ穴２２０が形成されている。
【００１５】
蓋３００は、円形の上面３０６、および、上面３０６の外周から上面３０６と直交する方向に延びる側面３０８を有する。上面３０６の中央には円形の穴３１０が形成されている。この穴３１０は、略円板形状である試料基板８００の直径よりやや小さい大きさであることが好ましい。なお、試料基板８００は、図１に示すように、その一部を切り欠いた切欠き部８１０を有する。蓋３００における穴３１０と外周との間には、複数（本実施形態では４つ）のネジ挿通穴３２０が形成されている。ここで、これらのネジ挿通穴３２０は、蓋３００が冶具本体２００との間で試料基板８００を挟んだときに、冶具本体２００のネジ穴２２０に対応する位置に形成されている。
【００１６】
図１に示すように、保持冶具１００の冶具本体２００および蓋３００は、試料基板８００を挟んで保持し、互いにネジ４００で固定される。ここで、ネジ４００は、冶具本体２００に対して蓋３００を固定する固定部材の一例であり、ネジ４００に代えてクリップ等により冶具本体２００と蓋３００とを固定してもよい。ここで、蓋３００の中心に穴３１０が形成されている。したがって、蓋３００は、試料基板８００を保持するとき、試料基板８００の上面の縁を押さえる。また、このとき、試料基板８００の上面の大部分は露出する。これにより、試料基板８００の上面における上記露出する部分には、後述するエッチング処理等が施される。
【００１７】
図２は、試料基板８００を保持する保持冶具１００が取り付けられたプラズマエッチング装置１０の概略断面図である。図２に示すように、保持冶具１００が試料基板８００を保持している状態において、試料基板８００は、蓋３００と冶具本体２００のＯリング２３０とによって挟まれる。このとき、試料基板８００の上面の高さは、冶具本体２００における段差２４０と外周との間の面の高さよりも高くなる。したがって、蓋３００は、冶具本体２００との間に間隙を有して上記のようにネジ４００で固定される。
【００１８】
図２に示すように、プラズマエッチング装置１０は、チャンバ２０と、チャンバ２０の側面を囲むように配されるコイル９０と、チャンバ２０の底面２６に固定されたテーブル５０とを備える。チャンバ２０は、側面にシャッター２２にて開閉可能な搬入出口２４を有し、また、底面２６に排気口２８を有する。
【００１９】
処理ガス導入部４２は、チャンバ２０の天面に取り付けられている。処理ガス導入部４２の内部には、処理ガス流通路４４が形成されている。処理ガス流通路４４は、その一端が処理ガス供給部４０と接続し、他端は枝分かれしてそれぞれの先端が処理ガス噴出孔４６を経てチャンバ２０の内部空間と繋がっている。処理ガス供給部４０は、エッチング処理に使用される処理ガスを蓄えるタンク、および、処理ガス導入部４２を経てチャンバ２０内に処理ガスを送り込むポンプ等を備えている。当該タンクにはＣＦ４等のフッ素系ガスおよび酸素を主体とするプラズマ発生用の混合ガスが処理ガスとして蓄えられる。
【００２０】
チャンバ２０の底面２６の排気口２８は、排気装置８０に接続されている。排気装置８０は圧力制御弁および真空ポンプ等を備え、エッチング処理開始時にチャンバ２０内を所定の真空度まで減圧するとともにその真空度を保持する。また、エッチング処理後にチャンバ２０内の処理ガスを排気する。
【００２１】
テーブル５０の上面には、環状のＯリング５２が配される。Ｏリング５２は、プラズマエッチング装置１０の装置仕様において予め設定された大きさの試料基板（以下、「仕様基板」と称する）の底面積よりもやや小さな面積を囲み、当該仕様基板が載せられたときにその処理面と反対側の裏面を支持する。ここで、保持冶具１００の冶具本体２００および蓋３００の直径は、仕様基板の大きさと略同じに設定される。これにより、Ｏリング５２は、図２に示すように、テーブル５０に保持冶具１００が載せられたときに、冶具本体２００の底面を支持する。
【００２２】
また、テーブル５０の内部には、冷却管６２および伝熱ガス流通路７４が形成されている。冷却管６２は、両端がチラーユニット６０と連通する。また、伝熱ガス流通路７４は、一端が伝熱ガス供給部７０および伝熱ガス排気部７８と連通し、他端がテーブル５０の上面の空間と連通する。テーブル５０は、チラーユニット６０から供給されて冷却管６２内を循環する冷却水によって冷却される。伝熱ガス供給部７０と伝熱ガス流通路７４との間にはマスフローコントローラ７２が接続されている。マスフローコントローラ７２は、伝熱ガス供給部７０から伝熱ガス流通路７４を経てテーブル５０の上面の空間へ供給される伝熱ガスの圧力が一定になるように制御する。また、伝熱ガス排気部７８と伝熱ガス流通路７４との間にはポンプ７６が接続されている。ポンプ７６は、テーブル５０の上面の空間へ供給された伝熱ガスを吸引して伝熱ガス排気部７８の側へ排気する。上記において、伝熱ガスには例えばＨｅガスなどが用いられる。
【００２３】
図３は、チャンバ２０内において保持冶具１００の蓋３００をパッド３４が押さえる様子を示す概略上面図である。図２および図３に示すように、チャンバ２０内におけるテーブル５０の外側には、円形の蓋３００を囲むように複数（本実施形態では４つ）の円柱形状のロッド３２が配される。これらのロッド３２は、上端にパッド３４が固定されており、下端は駆動部３０と接続する。駆動部３０は、モータおよび駆動力伝達部材等を備え、複数のロッド３２を鉛直方向に駆動させると同時に、蓋３００の上面３０６と平行にパッド３４が回転するようにロッド３２を回転駆動する。
【００２４】
保持冶具１００の蓋３００を押さえるときは、パッド３４が、図２および図３に実線で示す位置に回動され、蓋３００に当接して蓋３００を下方に押し付ける。このようにパッド３４が蓋３００を押さえることにより、試料基板８００を保持する保持冶具１００は、テーブル５０上面のＯリング５２およびパッド３４により固定された状態で保持される。なお、ロッド３２の鉛直方向における長さは、パッド３４が押さえる対象物の厚さによって所望に調節される。一方、保持冶具１００の取替え時等において、パッド３４は図２および図３に破線で示す位置に回動される。
【００２５】
ここで、すなわち、プラズマエッチング装置１０が仕様基板に対してエッチング処理する場合は、テーブル５０上面のＯリング５２およびパッド３４により保持された仕様基板に対してエッチング処理が施される。これに対し、試料基板８００に対してエッチング処理する場合は、試料基板８００の直径が仕様基板よりも小さいので、試料基板８００を直接、テーブル５０上面のＯリング５２およびパッド３４により固定することができない。これに対し、上記保持冶具１００を用いることにより、試料基板８００を保持した保持冶具１００をテーブル５０上面のＯリング５２およびパッド３４により固定することができる。このように、保持冶具１００は、上記仕様基板よりも直径の小さい試料基板８００に対してプラズマエッチング装置１０でエッチング処理を施す場合に用いることができる。
【００２６】
続いて、プラズマエッチング装置１０により試料基板８００に対してドライエッチング処理を施すときの処理手順について説明する。まず、予めチャンバ２０の外部で試料基板８００を冶具本体２００および蓋３００で挟んでネジ４００で固定する。このとき、保持冶具１００に保持されている試料基板８００は、冶具本体２００の基板載置面２５０上に載置されてＯリング２３０にその裏面が支持されている。この保持冶具１００を搬入出口２４からチャンバ２０内に搬入する。次に、搬入された保持冶具１００は、図２に示すように、プラズマエッチング装置１０に取り付けられて、Ｏリング５２およびパッド３４で固定する。このとき、保持冶具１００の冶具本体２００は、テーブル５０上でＯリング５２にその底面を支持されており、保持冶具１００の蓋３００は、パッド３４によって下方に押し付けられて固定されている。
【００２７】
次に、チャンバ２０の内部を所定の真空度に保持しつつ、処理ガス噴出孔４６からチャンバ２０内へ処理ガスを供給してチャンバ２０内に処理ガスを充満させる。ここで、コイル９０に高周波電力を印加してチャンバ２０内の処理ガスにプラズマを生成する。生成したプラズマによって試料基板８００の上面における穴３１０によって露出した部分がドライエッチング（ＲＩＥ）される。
【００２８】
ここで、試料基板８００の温度上昇を抑えるために、テーブル５０の上面における伝熱ガス流通路７４の開口から伝熱ガスが供給される。このとき、上記のように冶具本体２００の中心には穴２１０が形成されているので、試料基板８００は、保持冶具１００に保持された状態において、その裏面が露出している。したがって、テーブル５０の上面における上記開口から放出される伝熱ガスは、テーブル５０の上面、Ｏリング５２、冶具本体２００、Ｏリング２３０および試料基板８００の裏面によって形成される閉じた空間（以下、「試料基板８００の裏面側空間」と称する）に供給される。このように、伝熱ガスが試料基板８００の裏面側空間に充填されたときに伝熱ガスが試料基板８００の裏面と接触するので、試料基板８００と冷却されたテーブル５０との熱伝達効率を高めることができる。
【００２９】
試料基板８００に対するドライエッチング処理が終了すると、チャンバ２０内の処理ガスは排気装置８０によって、排気口２８から排気されるとともに、チャンバ２０内に大気圧まで空気が導入される。最後に、試料基板８００が保持された保持冶具１００を搬入出口２４からチャンバ２０外に搬出する。以上により、試料基板８００のドライエッチング処理が終了する。
【００３０】
図４は、試料基板８００を保持する保持冶具１０１の概略上面図である。図４に示す保持冶具１０１において、上記保持冶具１００と同様の構成については同じ参照番号を付し、説明を省略する。保持冶具１０１は、中央に穴３１１を有する蓋３０１、および、図４には示されないが保持冶具１００と同様の冶具本体２００を有する。図４に示すように、蓋３０１の穴３１１は、その一部がマスキング部５００で覆われている。このマスキング部５００は、蓋３０１と一体的に形成されるか、または、蓋３０１に取り付けられた平板状の部材であり、穴３１１の所望の部分を覆うようにその形状が選択される。
【００３１】
図４に示すように、これら冶具本体２００および蓋３０１が試料基板８００を挟んでネジ４００で固定されたとき、試料基板８００の処理面である上面の一部がマスキング部５００で覆われる。したがって、上記のプラズマエッチング装置１０により試料基板８００に対してドライエッチング処理を施すときに、試料基板８００の処理面における所望の部分だけをドライエッチング処理を施すことができる。
【００３２】
図５は、試料基板８００を保持する保持冶具１０２の概略上面図である。図５に示す保持冶具１０２において、上記の保持冶具１００と同様の構成については同じ参照番号を付し、説明を省略する。保持冶具１０２は、中央に穴３１２を有する蓋３０２、および、図５には示されないが保持冶具１００と同様の冶具本体２００を有する。図５に示すように、蓋３０２における穴３１２の外周は、円形である蓋３０２の外周と同心円の円弧部分と２本の対向する直線部分とを有する。また、穴３１２の上記円弧部分の円の直径は、試料基板８００の外径よりも大きい。
【００３３】
したがって、図５に示すように、保持冶具１０２が試料基板８００を保持するときに、蓋３０２は、試料基板８００の切欠き部８１０の近傍および切欠き部８１０に対向する部分だけを押さえることができる。ここで、試料基板８００における切欠き部８１０の近傍および切欠き部８１０に対向する部分は、多くの場合、半導体等へ加工するときに不要な部分となる。したがって、上記のプラズマエッチング装置１０により試料基板８００に対してドライエッチング処理を施すときに、試料基板８００の処理面における切欠き部８１０の近傍および切欠き部８１０に対向する部分以外の全ての部分に対してドライエッチング処理を施すことができる。よって、試料基板８００をより有効に利用することができる。
【００３４】
図６は、保持冶具１０３の分解斜視図である。また、図７は、試料基板８００を保持する保持冶具１０３の概略上面図である。図６および図７に示す保持冶具１０３において、上記の保持冶具１００と同様の構成については同じ参照番号を付し、説明を省略する。保持冶具１０３は、中央に試料基板８００の外径よりも大きな径の穴３１３を有する蓋３０３、および、冶具本体２０３を有する。冶具本体２０３は、片側の面における穴２１０と冶具本体２０３の外周との間に、穴２１０と同心円の円弧状の段差２４３および直線状の段差２４５が形成されている。蓋３０３は、穴３１３の縁から中心側に向けて延伸する複数（本実施形態では４本）の爪６００を有する。本実施形態において、爪６００は、ネジ穴２２０が設けられている位置に対応した位置に配されている。これにより、ネジ４００からの締結力で試料基板８００をより確実に保持することができる。なお、爪６００の数は４本に限られないし、爪６００を配する位置はネジ穴２２０に対応した位置に限られない。
【００３５】
図６および図７に示すように、保持冶具１０３の冶具本体２０３および蓋３０３は、試料基板８００を挟んでネジ４００で固定される。このとき、試料基板８００は、切欠き部８１０が冶具本体２０３の直線状の段差２４５と対向するように冶具本体２０３の基板載置面２５０上に載置されてＯリング２３０にその裏面が支持される。また、蓋３０３の４本の爪６００が試料基板８００の処理面における外周近傍の部分と当接して試料基板８００を保持する。このとき、試料基板８００の処理面における爪６００と当接する部分以外の部分は蓋３０３の穴３１３を通じて露出する。したがって、上記のプラズマエッチング装置１０により試料基板８００に対してドライエッチング処理を施すときに、試料基板８００の処理面における爪６００と当接する部分以外の全ての部分に対してドライエッチング処理を施すことができる。よって、試料基板８００をより有効に利用することができる。
【００３６】
図８は、保持冶具１０４の分解斜視図である。また、図９は、試料基板８００を保持する保持冶具１０４がプラズマエッチング装置１０のチャンバ２０内に固定されている様子を示す概略断面図である。図８および図９に示す保持冶具１０４において、上記の保持冶具１００と同様の構成については同じ参照番号を付し、説明を省略する。図８に示すように、保持冶具１０４は、蓋３０４および冶具本体２０４を有する。蓋３０４は、中心に穴３１０を有する略円板状の上部３４６、および、上部３４６の外周よりも内側において上部３４６の下方に環状に延びる環状凸部３４８を有する。
【００３７】
冶具本体２０４は、段差２４０と外周との間に、パッキン２６２が嵌め込まれた環状の溝２６０が形成されている。図９に示すように、プラズマエッチング装置１０のチャンバ２０内において試料基板８００を保持する保持冶具１０４が固定されているとき、蓋３０４の環状凸部３４８は冶具本体２０４の溝２６０に挿入されてパッキン２６２と当接する。したがって、このような保持冶具１０４によれば、上記のプラズマエッチング装置１０により試料基板８００に対してドライエッチング処理を施すときに、試料基板８００を保持するために固定部材を必要としないので、ネジなどの固定部材を用いて試料基板８００を保持する保持冶具と比べて、チャンバ２０内でのパーティクルの発生を抑えることができる。
【００３８】
上記実施形態において、保持冶具１０１、１０２、１０３、１０４が用いられる半導体処理装置の一例として、プラズマエッチング装置１０を示して説明した。しかしながら、本実施形態の保持冶具１０１、１０２、１０３、１０４は、いわゆる半導体前工程において、試料基板８００に対して例えば露光やスパッタリングなどの種々の表面処理を施す工程において利用することができる。
【００３９】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一の実施形態に係る保持冶具１００の分解斜視図である。
【図２】試料基板８００を保持する保持冶具１００が取り付けられたプラズマエッチング装置１０の概略断面図である。
【図３】チャンバ２０内において保持冶具１００の蓋３００をパッド３４が押さえる様子を示す概略上面図である。
【図４】試料基板８００を保持する保持冶具１０１の概略上面図である。
【図５】試料基板８００を保持する保持冶具１０２の概略上面図である。
【図６】保持冶具１０３の分解斜視図である。
【図７】試料基板８００を保持する保持冶具１０３の概略上面図である。
【図８】保持冶具１０４の分解斜視図である。
【図９】試料基板８００を保持する保持冶具１０４がプラズマエッチング装置１０のチャンバ２０内に固定されている様子を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０  プラズマエッチング装置、２０  チャンバ、２２  シャッター、２４  搬入出口、２６  底面、２８  排気口、３０  駆動部、３２  ロッド、３４  パッド、４０  処理ガス供給部、４２  処理ガス導入部、４４  処理ガス流通路、４６  処理ガス噴出孔、５０  テーブル、５２  Ｏリング、６０  チラーユニット、６２  冷却管、７０  伝熱ガス供給部、７２  マスフローコントローラ、７４  伝熱ガス流通路、７６  ポンプ、７８  伝熱ガス排気部、８０  排気装置、９０  コイル、１００、１０１、１０２、１０３、１０４  保持冶具、２００、２０３、２０４  冶具本体、２１０  穴、２２０  ネジ穴、２３０  Ｏリング、２４０、２４３、２４５  段差、２５０  基板載置面、２６０  溝、２６２  パッキン、３００、３０１、３０２、３０３、３０４  蓋、３０６  上面、３０８  側面、３１０、３１１、３１２、３１３  穴、３２０  ネジ挿通穴、３４６  上部、３４８  環状凸部、４００  ネジ、５００  マスキング部、６００  爪、８００  試料基板、８１０  切欠き部
【図１】
2008047841.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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