(57)【要約】【課題】アウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、リード部を外部基材に対して溶接する場合に、当該溶接時の熱によるリード部のワイヤ接続部側の面への影響を低減する。【解決手段】モールド樹脂６０の内部にて、リード部７０の上面７１にボンディングワイヤ８０が接続され、リード部７０の下面７２がモールド樹脂６０における下面６２にて露出しているアウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、リード部７０の下面７２は、外部基材２００と溶接されるようになっており、リード部７０の内部にてリード部７０における上下面７１、７２の間に、空洞部７４を設けた。【選択図】図１
2008305943.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品（１０）と、リード部（７０）と、前記電子部品（１０）と前記リード部（７０）とを結線し電気的に接続するボンディングワイヤ（８０）と、前記電子部品（１０）、前記リード部（７０）および前記ボンディングワイヤ（８０）を封止するモールド樹脂（６０）とを備え、
前記リード部（７０）において前記ボンディングワイヤ（８０）が接続された一面（７１）とは反対側の他面（７２）が、前記モールド樹脂（６０）のうち外部基材（２００）に搭載されるときに前記外部基材（２００）に対向する搭載面（６２）にて露出するとともに、前記リード部（７０）において前記一面（７１）および前記他面（７２）の外周部に位置する側面（７３）が、前記モールド樹脂（６０）における前記搭載面（６２）の外周に位置する側面（６３）にて露出しているアウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、
前記リード部（７０）における前記他面（７２）は、前記外部基材（２００）と溶接されるようになっており、
前記リード部（７０）の内部にて前記リード部（７０）における前記一面（７１）と前記他面（７２）との間には、空洞部（７４）が設けられていることを特徴とするモールドパッケージ。
【請求項２】
前記空洞部は、前記モールド樹脂（６０）の前記側面（６３）にて露出する前記リード部（７０）の前記側面（７３）に開口しつつ前記リード部（７０）の前記側面（７３）と直交する方向に凹んでなる凹部（７４）として構成されていることを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージ。
【請求項３】
前記溶接はレーザ溶接または電子ビーム溶接により行うものであり、
前記リード部（７０）の前記他面（７２）における前記溶接のスポット点（Ｐ）の延長線上に、前記凹部（７４）が位置しており、
前記凹部（７４）のうち前記スポット点（Ｐ）の延長線上に位置する部位から前記凹部（７４）の底部（７４ａ）までの距離ｔ２は、前記スポット点（Ｐ）から前記凹部（７４）までの距離ｔ１よりも長いことを特徴とする請求項２に記載のモールドパッケージ。
【請求項４】
前記凹部（７４）は、前記リード部（７０）をエッチングすることにより形成されたものであり、
前記リード部（７０）は、当該リード部（７０）の前記他面（７２）側から前記一面（７１）側へ向かう方向に下層（７０ｃ）、中層（７０ｂ）、上層（７０ａ）の３層が積層されてなるものであり、
これら３層のうち前記中層（７０ｂ）は、前記下層（７０ｃ）および前記上層（７０ａ）よりも前記エッチングに対する耐性が小さいものであり、前記リード部（７０）の前記側面（７３）から前記中層（７０ｂ）を前記エッチングすることにより、前記凹部（７４）が形成されていることを特徴とする請求項２または３に記載のモールドパッケージ。
【請求項５】
前記中層（７０ｂ）は、前記下層（７０ｃ）および前記上層（７０ａ）よりも熱伝導率の小さいものであることを特徴とする請求項４に記載のモールドパッケージ。
【請求項６】
前記モールド樹脂（６０）の前記側面（６３）にて露出する前記リード部（７０）の前記側面（７３）は、前記下層（７０ｃ）の端面により構成されており、前記中層（７０ｂ）、前記上層（７０ａ）および前記凹部（７４）は前記モールド樹脂（６０）の内部に埋まっていることを特徴とする請求項４または５に記載のモールドパッケージ。
【請求項７】
請求項２または３に記載のモールドパッケージを製造する製造方法であって、
前記電子部品（１０）と前記リード部（７０）とを、前記ボンディングワイヤ（８０）によって結線し、前記電子部品（１０）、前記リード部（７０）および前記ボンディングワイヤ（８０）を、前記モールド樹脂（６０）にて封止した後、
前記モールド樹脂（６０）の側面（６３）にて露出する前記リード部（７０）の前記側面（７３）から、前記リード部（７０）を切削することにより、前記空洞部としての前記凹部（７４）を形成することを特徴とするモールドパッケージの製造方法。
【請求項８】
請求項２または３に記載のモールドパッケージを製造する製造方法であって、
前記電子部品（１０）と前記リード部（７０）とを、前記ボンディングワイヤ（８０）によって結線し、前記電子部品（１０）、前記リード部（７０）および前記ボンディングワイヤ（８０）を、前記モールド樹脂（６０）にて封止した後、
前記モールド樹脂（６０）の側面（６３）にて露出する前記リード部（７０）の前記側面（７３）を、エッチングすることにより、前記空洞部としての前記凹部（７４）を形成することを特徴とするモールドパッケージの製造方法。
【請求項９】
前記リード部（７０）として、当該リード部（７０）の前記他面（７２）側から前記一面（７１）側へ向かう方向に下層（７０ｃ）、中層（７０ｂ）、上層（７０ａ）の３層が積層されてなるとともに、前記中層（７０ｂ）は前記下層（７０ｃ）および前記上層（７０ａ）よりも前記エッチングに対する耐性が小さいものを用い、
前記エッチングにおいては、前記リード部（７０）の前記側面（７３）から前記中層（７０ｂ）を前記エッチングすることにより、前記凹部（７４）を形成することを特徴とする請求項８に記載のモールドパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールド樹脂の上面からパッケージをみたとき、モールド樹脂の外周端部からリード部が外側に突出していないモールドパッケージ、すなわち、アウターリードレスタイプのモールドパッケージおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種のアウターリードレスタイプのモールドパッケージとしては、ＱＦＮ（クワッドフラットノンリードパッケージ）などが提案されている（たとえば、特許文献１等参照）。
【０００３】
このものは、電子部品とリード部とをボンディングワイヤにて結線して電気的に接続したものをモールド樹脂にて封止してなる。それとともに、リード部においてボンディングワイヤが接続された一面とは反対側の他面が、モールド樹脂のうち外部基材に搭載されるときに外部基材に対向する面である搭載面にて露出するとともに、リード部において一面および他面の外周部に位置する側面が、モールド樹脂における搭載面の外周に位置する側面にて露出している。
【０００４】
そして、このモールドパッケージにおいては、モールド樹脂の搭載面にて露出するリード部の他面にて、外部基材との間ではんだ付けが行われる。このようなモールドパッケージは、モールド樹脂の外周端部から突出するアウターリードを持たないため、実装面積を小さくでき、高密度実装に適したものである。
【特許文献１】特許第３４３０９７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このようなアウターリードレスタイプのモールドパッケージを、外部基材にはんだ付けした場合、各部の熱膨張係数差によって発生するせん断応力が、リード部とはんだとの界面における剥離やクラックなどを発生させ、それによって、接続信頼性が低下してしまうという問題が発生する。
【０００６】
そこで、本発明者は、この種のモールドパッケージを外部基材に実装するにあたって、はんだ付けではなく、レーザ溶接などの溶接を用いることを考えた。この場合、モールド樹脂の搭載面にて露出するリード部の他面に、外部基材を接触させ、この状態で当該接触部に熱を加えて溶接を行うことになる。
【０００７】
しかし、この溶接によれば、溶接時の熱が、リード部の他面側からリード部の内部を通って、リード部におけるボンディングワイヤが接続された一面側まで伝わるため、当該リード部の一面とモールド樹脂との界面における剥離や、ワイヤ接続部の劣化などが懸念される。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、アウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、リード部を外部基材に対して溶接する場合に、当該溶接時の熱によるリード部のワイヤ接続部側の面への影響を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明は、モールド樹脂（６０）の内部にて、リード部（７０）の一面（７１）にボンディングワイヤ（８０）が接続され、リード部（７０）の他面（７２）がモールド樹脂（６０）における搭載面（６２）にて露出しているアウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、リード部（７０）の他面（７２）は、外部基材（２００）と溶接されるようになっており、リード部（７０）の内部にてリード部（７０）における一面（７１）と他面（７２）との間に、空洞部（７４）を設けたことを特徴とする。
【００１０】
それによれば、リード部（７０）の他面（７２）に外部基材（２００）を当てて溶接するときに、その溶接の熱が、リード部（７０）におけるボンディングワイヤ（８０）が接続された面である一面（７１）側へ伝わろうとするのを、空洞部（７４）によって阻害することができる。そのため、本発明によれば、リード部（７０）を外部基材（２００）に対して溶接する場合に、当該溶接時の熱によるリード部（７０）のワイヤ接続部側の面（７２）への影響を低減することができる。
【００１１】
ここで、空洞部は、モールド樹脂（６０）の側面（６３）にて露出するリード部（７０）の側面（７３）に開口しつつリード部（７０）の側面（７３）と直交する方向に凹んでなる凹部（７４）として構成されたものにできる（後述の図１、図２参照）。
【００１２】
また、溶接がレーザ溶接または電子ビーム溶接により行うものとし、リード部（７０）の他面（７２）における溶接のスポット点（Ｐ）の延長線上に、凹部（７４）を位置するようにし、凹部（７４）のうちスポット点（Ｐ）の延長線上に位置する部位から凹部（７４）の底部（７４ａ）までの距離ｔ２を、スポット点（Ｐ）から凹部（７４）までの距離ｔ１よりも長いものにすることが好ましい（後述の図２参照）。
【００１３】
このような寸法関係にすれば、溶接時の熱がリード部（７０）の他面（７２）から一面（７１）へ伝導する経路に、凹部（７４）が存在するため、上記した凹部（７４）による熱伝導の抑制効果を発揮するうえで好ましい。
【００１４】
また、凹部（７４）を、リード部（７０）をエッチングすることにより形成されたものとし、リード部（７０）を、当該リード部（７０）の他面（７２）側から一面（７１）側へ向かう方向に下層（７０ｃ）、中層（７０ｂ）、上層（７０ａ）の３層が積層されてなるものとし、これら３層のうち中層（７０ｂ）を、下層（７０ｃ）および上層（７０ａ）よりもエッチングに対する耐性が小さいものとし、リード部（７０）の側面（７３）から中層（７０ｂ）をエッチングすることにより、凹部（７４）を形成してもよい（後述の図６参照）。
【００１５】
さらに、この場合、中層（７０ｂ）を、下層（７０ｃ）および上層（７０ａ）よりも熱伝導率の小さいものにすれば、リード部（７０）において凹部（７４）以外の中層（７０ｂ）を介した熱伝導を抑制しやすいものにできる。
【００１６】
また、この場合、モールド樹脂（６０）の側面（６３）にて露出するリード部（７０）の側面（７３）を、下層（７０ｃ）の端面により構成し、中層（７０ｂ）、上層（７０ａ）および凹部（７４）はモールド樹脂（６０）の内部に埋まっているものであってもよい（後述の図１０参照）。それによれば、リード部（７０）の側面（７３）から発生するモールド樹脂（６０）の剥離の進展を抑制するうえで好ましい。
【００１７】
また、上記空洞部としての凹部（７４）を有するモールドパッケージを製造する製造方法としては、電子部品（１０）とリード部（７０）とを、ボンディングワイヤ（８０）によって結線し、電子部品（１０）、リード部（７０）およびボンディングワイヤ（８０）をモールド樹脂（６０）にて封止した後、モールド樹脂（６０）の側面（６３）にて露出するリード部（７０）の側面（７３）から、リード部（７０）を切削することにより、空洞部としての凹部（７４）を形成する方法を採用できる（後述の図３参照）。
【００１８】
また、上記空洞部としての凹部（７４）を有するモールドパッケージを製造する製造方法としては、モールド樹脂（６０）による封止後、モールド樹脂（６０）の側面（６３）にて露出するリード部（７０）の側面（７３）を、エッチングすることにより、凹部（７４）を形成してもよい（後述の図５参照）。
【００１９】
特に、上記３層（７０ａ〜７０ｃ）を有する構成の場合、中層（７０ｂ）は下層（７０ｃ）および上層（７０ａ）よりもエッチングに対する耐性が小さいものを用いるため、エッチングにおいては、リード部（７０）の側面（７３）から中層（７０ｂ）を選択的にエッチングすることにより、凹部（７４）を形成することができる（後述の図７参照）。
【００２０】
それによれば、下層（７０ｃ）、中層（７０ｂ）、上層（７０ａ）のエッチング耐性の相違を利用して、マスクを用いることなく中層（７０ｂ）を選択的にエッチングし、凹部（７４）を形成することが可能となる。
【００２１】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２３】
（第１実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージ１００の概略断面構成を示す図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のモールドパッケージ１００におけるモールド樹脂６０の搭載面６２に露出するリード部７０の概略平面構成を示す図である。
【００２４】
なお、以下、各構成要素における上面、下面とは、図面と対応させてわかりやすくする目的で、図１（ａ）中の各構成要素において上側に位置する面、下側に位置する面を意味するものにすぎず、実際の天地方向に相当する上下関係まで限定するものではない。つまり、或る構成要素の上面は、当該構成要素の一面であり、下面は当該一面とは反対側に位置する他面であることを意味する。
【００２５】
本モールドパッケージ１００は、大きくは、電子部品１０とリード部７０とをボンディングワイヤ８０を介して電気的に接続したものを、モールド樹脂６０により封止してなるものである。
【００２６】
電子部品１０は、ＩＣチップ、コンデンサ、抵抗素子などの表面実装部品であれば、特に限定されるものではないが、図１（ａ）に示される例では、電子部品１０はシリコン半導体よりなるＩＣチップとして示されている。
【００２７】
この電子部品１０は、はんだやＡｇペーストなどのダイマウント材２０を介して回路基板３０の上面３１に搭載され固定されている。回路基板２０は、電子部品１０を搭載できる配線基板であれば特に限定するものではないが、セラミック基板やプリント基板などよりなる。電子部品１０と回路基板３０とは、ダイマウント材２０や図示しないボンディングワイヤなどを介して電気的に接続されている。
【００２８】
この回路基板３０の下面３２側には、回路基板３０を搭載するためのダイパッド４０が設けられており、回路基板３０の下面３２とダイパッド４０の上面４１とは、接着剤５０を介して接続され固定されている。
【００２９】
このダイパッド４０としては、リード部７０と一体に形成されたリードフレームのアイランドよりなるものや、リードフレームにかしめなどにより固定されたヒートシンクなどが挙げられる。また、接着剤５０としては、シリコーン系樹脂などよりなる一般的な接着剤が挙げられる。
【００３０】
ここで、ダイパッド４０は、回路基板３０の熱を放熱する板状のものであり、放熱性に優れた銅、モリブデン、アルミニウム、鉄などの材料よりなることが好ましい。本実施形態では、ダイパッド４０の下面４２は、モールド樹脂６０の下面６２にて露出しており、放熱面として構成されている。
【００３１】
また、リード部７０は、銅などの一般的なリードフレーム材料よりなるものであり、モールド樹脂６０の内部にてダイパッド４０の周囲に配置されている。なお、リード部７０は、本実施形態では複数個配置されているが、場合によっては１個であってもよい。
【００３２】
このリード部７０は、表裏の板面である上面７１および下面７２がともに矩形状をなす矩形板状のものである。そして、回路基板３０の上面３１とリード部７０の上面７１とは、ボンディングワイヤ８０により電気的に接続されている。
【００３３】
ここで、ボンディングワイヤ８０は、一般的なＡｕやアルミニウムなどよりなるもので、通常のワイヤボンディングにより形成されるものである。そして、本モールドパッケージ１００においては、電子部品１０とリード部７０とは、回路基板３０およびボンディングワイヤ８０を介して電気的に接続されている。
【００３４】
また、モールド樹脂６０は、通常、この種のモールドパッケージに用いられるモールド材料、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂などを採用できる。ここで、モールド樹脂６０は、表裏の板面である上面６１および下面６２がともに矩形状をなす矩形板状のものである。
【００３５】
また、モールド樹脂６０の下面６２は、パッケージ１００が外部基材２００に搭載されるときに外部基材２００に対向する搭載面６２として構成されている。また、モールド樹脂６０の上面６１および下面６２の外周に位置する面６３は、モールド樹脂６０の外周端部を構成する側面６３である。
【００３６】
そして、図１（ａ）、（ｂ）に示されるように、リード部７０においてボンディングワイヤ８０が接続された上面７１とは反対側の他面７２が、モールド樹脂６０の下面６２にて露出している。さらに、リード部７０において上面７１および下面７２の外周部に位置する側面７３が、モールド樹脂６０における側面６３にて露出している。
【００３７】
このように、本モールドパッケージ１００は、アウターリードレスタイプのモールドパッケージの特徴として、モールド樹脂６０の上面６１からパッケージ１００をみたとき、モールド樹脂６０の外周端部すなわちモールド樹脂６０の側面６３からリード部７０が外側に突出しておらず、実質的に、モールド樹脂６０の側面６３とリード部７０の側面７３とは同一平面上に位置している。
【００３８】
そして、このモールドパッケージ１００は、図１（ａ）に示されるように、リードフレームやバスバーなどの外部基材２００に搭載されて使用されるが、このとき、モールド樹脂６０の下面６２にて露出するリード部７０の下面７２を、外部基材２００に溶接するようにしている。
【００３９】
この溶接は、リード部７０の下面７２に外部基材２００を接触させた状態で、図１（ａ）中の下方からレーザ溶接や電子ビーム溶接を行うものである。それにより、図示しないが、外部基材２００側からリード部７０へ溶け込んだ溶融部が形成され、モールドパッケージ１００と外部基材２００とが電気的・機械的に接続されたものとなる。
【００４０】
ここにおいて、本実施形態のモールドパッケージ１００では、リード部７０の上面７１と下面７２との間のリード部７０の内部には、空洞部７４が設けられている。本実施形態では、空洞部７４は、モールド樹脂６０の側面６３にて露出するリード部７０の側面７３に開口しつつ当該リード部７０の側面７３と直交する方向（図１（ａ）の左右方向）に凹んでなる凹部７４として構成されている。
【００４１】
それによれば、リード部７０の下面７２と上面７１との間に、リード部７０の構成材料よりも熱伝導率の低い空気部分としての凹部７４が存在している状態となる。そのため、本実施形態によれば、リード部７０の下面７２に外部基材２００を当てて溶接するときに、その溶接の熱が、リード部７０のワイヤ接続部側の面である上面７１側へ伝わろうとするのを、凹部７４によって阻害することができる。
【００４２】
そのため、本実施形態によれば、リード部７０を外部基材２００に対して溶接する場合に、当該溶接時の熱によるリード部７０のワイヤ接続部側の面７２への影響を低減することができる。
【００４３】
その結果、リード部７０に接続されたボンディングワイヤ８０の接続強度を十分に確保し、また、リード部７０の上面７１とモールド樹脂６０との熱による剥離を防止して、信頼性に優れたモールドパッケージ１００を実現できる。
【００４４】
ここで、図２（ａ）、（ｂ）は、空洞部としての凹部７４の寸法構成を示すための概略断面図である。特に限定するものではないが、上記した本実施形態の効果を実現するための凹部７４の一寸法例を述べる。
【００４５】
図２（ａ）において、リード部７０の厚さｄは、０．２ｍｍ〜１ｍｍが好ましく、凹部７４の幅Ｗは０．１ｍｍ〜０．５ｍｍが好ましい。この程度であれば、レーザ溶接の際の熱伝導を妨げるには十分である。
【００４６】
また、リード部７０の長さＬは、リード部７０におけるモールド樹脂６０の側面６３から露出する側面７３からモールド樹脂７０の内部側の端部（内部端）までの長さＬである。このとき、凹部７４の深さｈは、リード部７０の長さＬに対して０．３Ｌ〜０．６Ｌ程度が好ましい。
【００４７】
また、リード部７０の内部端から凹部７４の底部７４ａまでの長さＷ１は、ワイヤボンディング性を確保するために、ボンディング線径がφ３０μｍの時は０．５ｍｍ程度、φ３００μｍの時は１ｍｍ程度を確保することがよい。
【００４８】
さらに、上記したリード部７０と外部基材２００との溶接は、レーザ溶接または電子ビーム溶接により行うものであるが、このとき、図２（ｂ）に示されるように、リード部７０の下面７２における当該溶接のスポット点Ｐの延長線上に、凹部７４が位置することが望ましい。
【００４９】
ここで、スポット点Ｐとは、溶接時にレーザや電子ビームが照射される領域の中心点を言い、溶接後においては、実質的に、溶接によって形成された上記溶融部の中心点に相当するものである。
【００５０】
具体的には、図２（ｂ）に示されるように、凹部７４のうちスポット点Ｐの延長線上に位置する部位から凹部７４の底部７４ａまでの距離ｔ２は、スポット点Ｐから凹部７４までの距離ｔ１よりも長いものとする。なお、この距離ｔ１は、リード部７０において、凹部７４と下面７２との間の部位の厚さに相当するものである。
【００５１】
上記溶接時の熱は、上述したように、リード部７０の下面７２から上面７１へ向かうが、この熱伝導の主経路は、スポット点Ｐからリード部７０の厚さ方向に対して±４５°の角度θの範囲で広がる領域である（図２（ｂ）参照）。そのため、上記した距離ｔ２＞距離ｔ１の寸法関係とすることにより、この熱伝導の経路に空洞部としての凹部７４を確実に存在させることができ、上記した本実施形態の効果を発揮するうえで好ましい構成が実現される。
【００５２】
このように、リード部７０の内部端から凹部７４の底部７４ａまでの長さＷ１を上記した値に設定し、且つ、上記した距離ｔ１＜ｔ２の関係とすれば、ワイヤボンディングを信頼性よく行え、ワイヤ接続部の熱影響を最小限に防ぐうえで好ましい。
【００５３】
次に、本実施形態のモールドパッケージ１００の製造方法について、図３も参照して述べる。図３は、本製造方法において空洞部としての上記凹部７４を形成する工程を示す工程図であり、当該工程中のワークを断面的に示している。本製造方法は、一般的なＭＡＰ成型技術に基づくものである。
【００５４】
まず、電子部品１０が搭載された回路基板３０を、ダイパッド４０の上面４１に、接着剤５０を介して固定する。一方で、リード部７０の上面７１と回路基板３０の上面３１との間でワイヤボンディングを行い、これら両者３０、７０をボンディングワイヤ８０により結線する。
【００５５】
その後、このものを図示しないモールド型に投入し、通常のトランスファーモールド法などによってモールド樹脂６０で封止する。この封止工程後のワークにおいては、複数個のパッケージ単位のワークが、リード部７０を介して連結されているため、次に、チップ単位に個片化するために、リード部７０の連結部を、モールド樹脂６０とともにダイシングカットする。
【００５６】
これにより、図３に示されるように、個々のパッケージ単位への個片化されたワークができあがる。そして、図３に示されるように、モールド樹脂６０の側面６３にて露出するリード部７０の側面７３から、リード部７０を切削する。
【００５７】
この切削は、ダイシングブレードＫにより行える。このとき、ダイシングブレードＫによる切削方向は、リード部７０の側面７３と直交する方向である。そして、この切削の完了に伴い、空洞部としての凹部７４が形成される。このとき、リード部７０だけでなくモールド樹脂６０も、ブレードＫによって切削される。
【００５８】
そのため、当該切削完了後におけるモールド樹脂６０は、図４の斜視図に示されるように、モールド樹脂６０の側面６３において、当該側面６３から凹んだ溝６０ａが形成された状態になる。こうして、上記図１に示されるような本実施形態のモールドパッケージ１００ができあがる。
【００５９】
（第２実施形態）
図５は、本発明の第２実施形態に係るモールドパッケージの製造方法において空洞部としての上記凹部７４を形成する工程を示す工程図であり、当該工程中のワークを断面的に示している。本製造方法は、一般的なＭＡＰ成型技術に基づくものであり、上記図４に示した製造方法において凹部７４の形成方法を変更したものである。
【００６０】
上記図４に示される製造方法では、リード部７０を切削することにより凹部７４を形成したが、本実施形態の製造方法では、モールド樹脂６０の側面６３にて露出するリード部７０の側面７３を、エッチングすることにより、凹部７４を形成する。
【００６１】
このエッチングは、ＣＦ４などのエッチングガスを用いたドライエッチングや、塩化第２鉄やフッ硝酸などのエッチング液を用いたウェットエッチングにより行う。このとき、図５に示されるように、モールド樹脂６０の側面６３およびリード部７０の側面７３のうちエッチングして凹部７４とする部分以外の部位には、感光性樹脂などよりなるレジストマスク３００を設けてエッチングを行う。
【００６２】
本実施形態の製造方法によっても、上記図１に示したようなモールドパッケージ１００ができあがり、それによる効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００６３】
（第３実施形態）
図６は、本発明の第３実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージ１０１の概略断面構成を示す図である。ここでは、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。
【００６４】
本実施形態の凹部７４は、上記第２実施形態と同様に、リード部７０をエッチングすることにより形成されたものである。ここにおいて、本実施形態では、図６に示されるように、リード部７０は、当該リード部７０の下面７２側から上面７１側へ向かう方向に下層７０ｃ、中層７０ｂ、上層７０ａの３層が積層されてなる。
【００６５】
本実施形態では、これら３層７０ａ〜７０ｃのうち下層７０ｃおよび上層７０ａに挟まれている中層７０ｂは、下層７０ｃおよび上層７０ａよりも凹部形成のためのエッチングに対する耐性が小さいものである。
【００６６】
たとえば、上層７０ａおよび下層７０ｃは、ＣｕまたはＣｕ合金からなり、中層７０ｂは、Ｆｅ−Ｎｉ合金からなるものにできる。ここで、これら上層７０ａ、中層７０ｂ、下層７０ｃの３層は冷間圧延圧接により貼り合わされたものにできる。
【００６７】
そして、本実施形態では、図６に示されるように、中層７０ｂが、下層７０ｃおよび上層７０ａよりもモールド樹脂６０の内部側に引っ込んでいることにより、この引っ込み部分が凹部７４として構成されている。
【００６８】
図７は、本実施形態に係るモールドパッケージの製造方法において空洞部としての上記凹部７４を形成する工程を示す工程図であり、当該工程中のワークを断面的に示すものである。
【００６９】
本実施形態のリード部７０においては、リード部７０の側面７３から中層７０ｂをエッチングすることにより、凹部７４を形成できる。この場合、実質的に中層７０ｂのみを選択的にエッチングできるようなエッチングガスやエッチング液を用いて、エッチングを行えばよい。
【００７０】
たとえば、上層７０ａおよび下層７０ｃがＣｕまたはＣｕ合金からなり、中層７０ｂがＦｅ−Ｎｉ合金からなる場合、上記した塩化第２鉄などのエッチング液を用いてウェットエッチングを行えば、エッチング耐性は、上記中層７０ｂのみが実質的に小さくなる。そのため、上記したようなレジストマスクを用いることなく中層７０ｂを選択的にエッチングし、凹部７４を形成することができる。
【００７１】
そして、本実施形態のモールドパッケージ１０１においても、リード部７０を外部基材２００に対して溶接する場合に、当該溶接時の熱によるリード部７０の下面７２への影響を低減することができる。
【００７２】
また、本実施形態においては、中層７０ｂは、下層７０ｃおよび上層７０ａよりも熱伝導率の小さいものであることが望ましい。たとえば、上記した例では、上層７０ａおよび下層７０ｃを構成するＣｕまたはＣｕ合金は、熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋ程度であり、中層７０ｂを構成するＦｅ−Ｎｉ合金の熱伝導率は、ＣｕまたはＣｕ合金の数分の１程度もしくはそれよりも小さいものである。
【００７３】
このような熱伝導率の関係によれば、リード部７０において凹部７４以外に、リード部７０の下面７２から上面７１への中層７０ｂを介した熱伝導を抑制しやすくできる。また、本実施形態の下層７０ｃ、中層７０ｂ、上層７０ａの材質は、上記例に限定されるものではなく、たとえば、中層７０ｂは、一般的な導電性接着剤でもよい。
【００７４】
この導電性接着剤は、たとえばエポキシ樹脂にＡｇフィラーを混入してなるものである。また、この一般的な導電性接着剤の熱伝導率は、１〜３Ｗ／ｍ・Ｋ程度であり、ＣｕまたはＣｕ合金に比べて大幅に小さいものである。
【００７５】
上層７０ａおよび下層７０ｃがＣｕまたはＣｕ合金からなり、中層７０ｂが導電性接着剤からなる場合、中層７０ｂを介して上下層７０ａおよび７０ｃを接着したリード部７０を用い、導電性接着剤のみを実質的にエッチングすることで凹部７４を形成すればよい。もしくは、あらかじめ凹部７４が形成されるように中層７０ｂとしての導電性接着剤を配置して、上下層７０ａおよび７０ｃを貼り合わせても、凹部７４を有するリード部７０が形成される。
【００７６】
また、図６、図７に示される例では、ダイパッド４０も、リード部７０と同様の３層７０ａ〜７０ｃの構造となっている。これは、ダイパッド４０としてのアイランドおよびリード部７０が一体化したリードフレームを用いるとともに、このリードフレームの板材として予め当該３層７０ａ〜７０ｃの構造を有するものを使用すればよい。もちろん、本実施形態においても、ダイパッド４０は１層のヒートシンクなどであってもよい。
【００７７】
（第４実施形態）
図８は、本発明の第４実施形態に係るモールドパッケージの製造方法において空洞部としての上記凹部７４を形成する工程を示す工程図であり、当該工程中のワークを断面的に示している。本製造方法は、上記第３実施形態に示した製造方法において凹部７４の形成方法を一部変更したものである。
【００７８】
上記第３実施形態では、ダイシングカットの後に、中層７０ｂをエッチングして凹部７４を形成したが、本実施形態では、ダイシングカット中に中層７０ｂをウェットエッチングしてしまおうというものである。
【００７９】
この場合、図８に示されるように、ダイシングラインＤＬに沿って、モールド樹脂６０とともにリード部７０の連結部分を、ダイシングブレードＫによってカットする。このダイシングカットでは、通常、冷却水をワークにかけながらカットを行うが、本実施形態では、この冷却水を上記したエッチング液に代えて行う。
【００８０】
それにより、ダイシングブレードＫにてカットした部位から、図示しないエッチング液がリード部７０の切断部まで入り込み、上記第３実施形態と同様の要領にて、リード部７０のうち中層７０ｂのみが実質的にエッチングされる。そして、ダイシングカットの完了とともに、凹部７４が形成される。
【００８１】
そして、本実施形態のモールドパッケージにおいても、リード部７０を外部基材２００に対して溶接する場合に、当該溶接時の熱によるリード部７０の下面７２への影響を低減することができる。
【００８２】
（第５実施形態）
図９は、本発明の第５実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージ１０２の概略断面構成を示す図である。
【００８３】
図９に示されるように、本実施形態のモールドパッケージ１０２では、空洞部としての凹部７４にモールド樹脂６０とは別体の樹脂９０が充填されている。この別体の樹脂９０を、モールド樹脂６０よりも断熱性に優れた樹脂とすれば、上記した熱伝導の阻害効果が、本実施形態においても発揮される。
【００８４】
なお、この別体の樹脂９０は、上記した各実施形態の方法で、凹部７４を有するモールドパッケージを形成した後に、当該凹部７４に、別体の樹脂９０を注入して硬化させることで充填される。その後、外部基材２００との溶接を行うようにすればよい。
【００８５】
また、この別体の樹脂９０としては、外部基材２００と溶接接続する際に、その熱により除去されるものであってもよい。具体的には、溶接の熱により揮発するような温度特性を有する別体の樹脂９０とする。この場合、溶接後には、別体の樹脂９０が無くなるため、溶接後のモールドパッケージは、上記図１のものと同様のものとなる。
【００８６】
（第６実施形態）
図１０は、本発明の第６実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージ１０３の概略断面構成を示す図である。本実施形態のパッケージ１０３は、上記した３層７０ａ〜７０ｃの構造のリード部７０を有するパッケージにおいて、一部を変形したものである。
【００８７】
図１０に示されるように、リード部７０における上層７０ａが下層７０ｃよりも短く中層７０ｂよりも長い。ここでも中層７０ｂを短くすることにより、上層７０ａと下層７０ｃとの間に凹部７４が形成されているが、ここでは、凹部７４はモールド樹脂６０により充填されている。
【００８８】
この場合は、図１０に示される３層構造のリード部７０を、切削やエッチングなどにより予め形成した後に、モールド樹脂６０による封止を行うなどにより、製造が可能である。そして、本実施形態では、モールド樹脂６０の側面６３にて下層７０ｃの端面が露出し、この端面がリード部７０の側面７３を構成している。
【００８９】
また、中層７０ｂ、上層７０ａおよび凹部７４はモールド樹脂６０の内部に埋まっているが、これによりリード部７０の側面７３にコイニング効果が生まれ、図１０中の矢印Ａの部位からモールド樹脂６０にクラックが入ったとしても、その進展を止めるという効果が期待される。
【００９０】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態では、空洞部は、モールド樹脂６０の側面６３にて露出するリード部７０の側面７３に開口しつつリード部７０の側面７３と直交する方向に凹む凹部７４として構成されていたが、空洞部は、リード部７０の内部にてリード部７０の上下面７１、７２の間に存在すればよく、外部に開口する空間でなくてもよい。
【００９１】
また、上記各実施形態では、回路基板を搭載したモールドハイブリッドＩＣを例にとったが、ダイパッド上に直接、電子部品としてのＩＣチップを搭載してなるモノリシックＩＣにも、本発明は同様に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図であり、（ｂ）は、（ａ）においてモールド樹脂の搭載面に露出するリード部の概略平面図である。
【図２】空洞部としての凹部の寸法構成を示すための概略断面図である。
【図３】第１実施形態のモールドパッケージの製造方法において凹部を形成する工程を示す工程図である。
【図４】図１のモールドパッケージの外観を示す斜視図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係るモールドパッケージの製造方法において凹部を形成する工程を示す工程図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図である。
【図７】第３実施形態に係るモールドパッケージの製造方法において凹部を形成する工程を示す工程図である。
【図８】本発明の第４実施形態に係るモールドパッケージの製造方法において凹部を形成する工程を示す工程図である。
【図９】本発明の第５実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図である。
【図１０】本発明の第６実施形態に係るモールドパッケージの概略断面図である。
【符号の説明】
【００９３】
１０…電子部品、６０…モールド樹脂、６１…モールド樹脂の上面、
６２…モールド樹脂の搭載面としての下面、６３…モールド樹脂の側面、
７０…リード部、７０ａ…上層、７０ｂ…中層、７０ｃ…下層、
７１…リード部の一面としての上面、７２…リード部の他面としての下面、
７３…リード部の側面、７４…空洞部としての凹部、８０…ボンディングワイヤ、
２００…外部基材、Ｐ…スポット点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008305943.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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