(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザー光線の照射によって効率よく回路形成を行うことができる電気基板材料を提供する。【解決手段】下記式（１）、式（２）および式（３）に例示されるシルセスキオキサン骨格を含む重合体からなる合成樹脂成形体の表面に金属微粒子が付着した材料にレーザー光線を照射して電気回路基板を作製する。2008112942.tif 000054  式（１）、式（２）および式（３）において、それぞれのＲは独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルであり、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルである。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
シルセスキオキサン骨格を含む重合体からなる合成樹脂成形体の表面に金属微粒子が付着した電気回路基板用材料。
【請求項２】
シルセスキオキサン骨格を含む重合体が式（１）、式（２）および式（３）から選ばれる１種類以上の構造を含む、請求項１に記載の材料。
【化１】
2008112942.tif 000038
式（１）、式（２）および式（３）において、それぞれのＲは独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルであり、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルである。
【請求項３】
式（１）、式（２）および式（３）における全てのＲがフェニルである、請求項２に記載の材料。
【請求項４】
シスセスキオキサン骨格を含む重合体が、さらに、式（４）、式（５）、式（６）および式（７）から選ばれる１種類以上の構造を含む、請求項２または３に記載の材料。
【化２】
2008112942.tif 000039
式（４）、式（５）、式（６）および式（７）において、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、Ｌは、単結合、−Ｏ−、−ＣＨ2−、−（ＣＨ2）2−、−（ＣＨ2）3−、−（ＣＨ2）4−、１，４−フェニレン、４，４'−ジフェニレン、４，４'−オキシ−１，１'−ジフェニレンまたは式（ｃ）で示される基であり；そして式（ｃ）において、Ｒ2はＲ1と同様に定義される基であり、ｍは１〜１０００の整数である。
【請求項５】
シルセスキオキサン骨格を含む重合体が、式（１）、式（２）および式（４）の構造を含む、請求項４に記載の材料。
【請求項６】
シルセスキオキサン骨格を含む重合体が、式（１−１）で表される化合物、式（２−１）で表される化合物、式（３−１）で表される化合物、式（４−１）で表される化合物、式（５−１）で表される化合物、式（６−１）で表される化合物および式（７−１）で表される化合物から選択される１種類以上のアルケニル基含有化合物と、式（１−２）で表される化合物、式（２−２）で表される化合物、式（３−２）で表される化合物、式（４−２）で表される化合物、式（５−２）で表される化合物、式（６−２）で表される化合物
および式（７−２）で表される化合物から選択される１種類以上のＳｉ−Ｈ基含有化合物を反応させることによって得られる、請求項２〜５のいずれか一項に記載の材料。
【化３】
2008112942.tif 000040
式（１−１）において、それぞれのＲは独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルであり、それぞれのＸ11は独立して炭素数２〜８のアルケニルであり、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルである。
【化４】
2008112942.tif 000041
式（１−２）において、ＲおよびＲ1は、それぞれ式（１−１）におけるＲおよびＲ1と同様に定義される基である。
【化５】
2008112942.tif 000042
式（２−１）において、それぞれのＲは独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルであり、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、Ｘ21の少なくとも２つは炭素数２〜８のアルケニルであり、残りはＲ1と同様の意味を有する基である。
【化６】
2008112942.tif 000043
式（２−２）において、ＲおよびＲ1は、それぞれ式（２−１）におけるＲおよびＲ1と同様に定義される基であり、Ｘ22の少なくとも２つは水素であって、その残りはＲ1と同様の意味を有する基である。
【化７】
2008112942.tif 000044
式（３−１）において、それぞれのＲは独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルであり、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、Ｘ31の少なくとも２つは、炭素数２〜８のアルケニルであって、その残りはＲ1と同様の意味を有する基である。
【化８】
2008112942.tif 000045
式（３−２）において、ＲおよびＲ1は、それぞれ式（３−１）におけるＲおよびＲ1と同様に定義される基であり、Ｘ32の少なくとも２つは水素であって、その残りはＲ1と同様に定義される基である。
【化９】
2008112942.tif 000046
式（４−１）において、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、それぞれのＸ41は独立して炭素数２〜８のアルケニルであり、Ｌは、単結合、−Ｏ−、−ＣＨ2−、−（ＣＨ2）2−、−（ＣＨ2）3−、−（ＣＨ2）4−、１，４−フェニレン、４，４'−ジフェニレン、４，４'−オキシ−１，１'−ジフェニレンまたは式（ｃ）で示される基であり；そして式（ｃ）において、Ｒ2はＲ1と同様に定義される基であり、ｍは１〜１０００の整数である。
【化１０】
2008112942.tif 000047
式（４−２）において、Ｒ1およびＬはそれぞれ式（４−１）におけるＲ1およびＬと同様に定義される基である。
【化１１】
2008112942.tif 000048
式（５−１）において、Ｒ1は炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、少なくとも２つのＸ51は炭素数２〜８のアルケニルであり、その残りのＸ51はＲ1と同様に定義される基である。
【化１２】
2008112942.tif 000049
式（５−２）において、Ｒ1は式（５−１）におけるＲ1と同様に定義される基であり、少なくとも２つのＸ52は水素であって、その残りのＸ52はＲ1と同様に定義される基である。
【化１３】
2008112942.tif 000050
式（６−１）において、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、少なくとも２つのＸ61は炭素数２〜８のアルケニルであり、その残りのＸ61はＲ1である。
【化１４】
2008112942.tif 000051
式（６−２）において、Ｒ1はそれぞれ式（６−１）におけるＲ1と同様に定義される基である。
【化１５】
2008112942.tif 000052
式（７−１）において、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、少なくとも２つのＸ71は炭素数２〜８のアルケニルであり、その残りのＸ71はＲ1と同様に定義される基である。
【化１６】
2008112942.tif 000053
式（７−２）において、Ｒ1はそれぞれ独立して式（７−１）におけるＲ1と同様に定義される基である。
【請求項７】
シルセスキオキサン骨格を含む重合体が、前記アルケニル基含有化合物と前記Ｓｉ−Ｈ基含有化合物を、前記アルケニル基含有化合物が有するアルケニル基の数と、前記Ｓｉ−Ｈ基含有化合物が有するＳｉ−Ｈ基の数の比が０．１〜１０になるように反応させることによって得られる、請求項６に記載の材料。
【請求項８】
シルセスキオキサン骨格を含む重合体が、式（１−１）で表される化合物、式（２−２）で表される化合物および式（４−２）で表される化合物を反応させることによって得られる、請求項６または７に記載の材料。
【請求項９】
式（１−１）で表される化合物、式（２−２）で表される化合物、および式（４−２）で表される化合物を３：２：１のモル比で反応させる、請求項８に記載の材料。
【請求項１０】
合成樹脂成形体がシート状またはフィルム状である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の材料。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の材料の金属微粒子が付着した面に、回路パターンが形成されるようにレーザー光線を照射することによって得られる、回路パターンが形成された電気回路基板。
【請求項１２】
請求項１１の電気回路基板によって構成される多層配線板。
【請求項１３】
請求項１１の電気回路基板によって構成される半導体素子。
【請求項１４】
請求項１１の電気回路基板によって構成される電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、付着した金属微粒子をレーザー光線で熱分解することにより微細配線を形成する直接描画法に好適に供される、透明で可撓性があり、さらに耐候性に優れた電気回路基板用材料、および該材料を用いて作製された電気回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気、電子機器の急速な発展に伴い、それに用いられる部材の特性向上が強く要望されている。例えば、プリント配線基板等に用いられる基板材料は、従来からガラス基板が使用されているが、ガラスは比重が大きいために重く、多少の衝撃により割れてしまうなど問題点を有していた。そこで、軽く、多少の衝撃では割れることがないプラスチックを基板材料とした電気回路基板の検討が行われている。
また、電気回路基板は、従来からフォトマスクを用いてパターンを形成するフォトリソグラフ法によって製造されてきたが、この方法は工程数が多くなったり、真空プロセスが必要であったり、微細配線を得る為の十分な解像度が得られないなどの問題点を有していた。そこで、金属微粒子分散液を用いてインクジェットプリント法などの印刷方法によって、基板表面に、所定のパターン形状を印刷した後、高温で熱処理を行ない、金属微粒子を焼結させて金属配線とする方法が提案された（例えば、特許文献１〜３参照）。しかしながらこの方法でも、工程数の削減には効果的であったが、２０μｍ以下の微細パターンには適応できなかったり、印刷後に微粒子を金属配線にするのに高温（例えば２００℃から２５０℃）で焼付けを行う必要があるため、エネルギーコストと多大な時間を要していた。
そこでパターン幅やパターン間隔を高密度化するための手法として、レーザー光線を薄膜の上から直接照射する、直接描画法が提案された（例えば、特許文献４〜６参照）。しかしながら、この方法においてはレーザー光線が照射された部分は高温となるため、一般の合成樹脂では炭化されてしまい、基板上に回路パターンが形成された電気回路基板を得ることができなかった。
【特許文献１】特開２００２−２９９８３３号公報
【特許文献２】特開２００２−３２４９６６号公報
【特許文献３】特開２００２−３３４６１８号公報
【特許文献４】特開２００３−１９８１００号公報
【特許文献５】特開２００３−３２７７２５号公報
【特許文献６】特開２００６−５９９４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、上記のような従来技術の有する欠点を解消するため、レーザー光線を照射することにより炭化、白化、割れなどを起こすことなく回路パターンを形成することができる材料であって、耐候性などに優れた電気回路基板を作製するための材料を提供すること、およびそれを用いて作製された透明で可撓性を有する電気回路基板、ならびに該電気回路基板から作製された多層配線板、半導体素子、および電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは、上記の課題を解決する為に検討を行った結果、シルセスキオキサン骨格を含む重合体からなる合成樹脂成形体の表面に金属微粒子分散液を塗布して得られる材料を用い、これに、レーザー光線によって金属微粒子を焼結させて金属を連結させ回路パターンを作製する直接描画法を適用することにより、基板の表面に白化、炭化、割れなどが
起こることなく、効率よく電気回路基板が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００５】
即ち、本発明は下記の［１］〜［１４］に関するものである。
［１］シルセスキオキサン骨格を含む重合体からなる合成樹脂成形体の表面に金属微粒子が付着した電気回路基板用材料。
［２］シルセスキオキサン骨格を含む重合体が式（１）、式（２）および式（３）から選ばれる１種類以上の構造を含む、［１］の材料。
【化１】
2008112942.tif 000002
式（１）、式（２）および式（３）において、それぞれのＲは独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルであり、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルである。
［３］式（１）、式（２）および式（３）における全てのＲがフェニルである、［２］の材料。
［４］シスセスキオキサン骨格を含む重合体が、さらに、式（４）、式（５）、式（６）および式（７）から選ばれる１種類以上の構造を含む、［２］または［３］の材料。
【化２】
2008112942.tif 000003
式（４）、式（５）、式（６）および式（７）において、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、Ｌは、単結合、−Ｏ−、−ＣＨ2−、−（ＣＨ2）2−、−（ＣＨ2）3−、−（ＣＨ2）4−、１，４−フェニレン、４，４'−ジフェニレン、４，４'−オキシ−１，１'−ジフェニレンまたは式（ｃ）で示される基であり；そして式（ｃ）において、Ｒ2はＲ1と同様に定義される基であり、ｍは１〜１０００の整数である。
［５］シルセスキオキサン骨格を含む重合体が、式（１）、式（２）および式（４）の構造を含む、［４］の材料。
［６］シルセスキオキサン骨格を含む重合体が、式（１−１）で表される化合物、式（２−１）で表される化合物、式（３−１）で表される化合物、式（４−１）で表される化合物、式（５−１）で表される化合物、式（６−１）で表される化合物および式（７−１）で表される化合物から選択される１種類以上のアルケニル基含有化合物と、式（１−２）で表される化合物、式（２−２）で表される化合物、式（３−２）で表される化合物、式（４−２）で表される化合物、式（５−２）で表される化合物、式（６−２）で表される化合物および式（７−２）で表される化合物から選択される１種類以上のＳｉ−Ｈ基含有化合物を反応させることによって得られる、［２］〜［５］のいずれかの材料。
【化３】
2008112942.tif 000004
式（１−１）において、それぞれのＲは独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルであり、それぞれのＸ11は独立して炭素数２〜８のアルケニルであり、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルである。
【化４】
2008112942.tif 000005
式（１−２）において、ＲおよびＲ1は、それぞれ式（１−１）におけるＲおよびＲ1と同様に定義される基である。
【化５】
2008112942.tif 000006
式（２−１）において、それぞれのＲは独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルであり、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、Ｘ21の少なくとも２つは炭素数２〜８のアルケニルであり、残りはＲ1と同様の意味を有する基である。
【化６】
2008112942.tif 000007
式（２−２）において、ＲおよびＲ1は、それぞれ式（２−１）におけるＲおよびＲ1と同様に定義される基であり、Ｘ22の少なくとも２つは水素であって、その残りはＲ1と同様の意味を有する基である。
【化７】
2008112942.tif 000008
式（３−１）において、それぞれのＲは独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルであり、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、Ｘ31の少なくとも２つは、炭素数２〜８のアルケニルであって、その残りはＲ1と同様の意味を有する基である。
【化８】
2008112942.tif 000009
式（３−２）において、ＲおよびＲ1は、それぞれ式（３−１）におけるＲおよびＲ1と同様に定義される基であり、Ｘ32の少なくとも２つは水素であって、その残りはＲ1と同様に定義される基である。
【化９】
2008112942.tif 000010
式（４−１）において、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、それぞれのＸ41は独立して炭素数２〜８のアルケニルであり、Ｌは、単結合、−Ｏ−、−ＣＨ2−、−（ＣＨ2）2−、−（ＣＨ2）3−、−（ＣＨ2）4−、１，４−フェニレン、４，４'−ジフェニレン、４，４'−オキシ−１，１'−ジフェニレンまたは式（ｃ）で示される基であり；そして式（ｃ）において、Ｒ2はＲ1と同様に定義される基であり、ｍは１〜１０００の整数である。
【化１０】
2008112942.tif 000011
式（４−２）において、Ｒ1およびＬはそれぞれ式（４−１）におけるＲ1およびＬと同様に定義される基である。
【化１１】
2008112942.tif 000012
式（５−１）において、Ｒ1は炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、少なくとも２つのＸ51は炭素数２〜８のアルケニルであり、その残りのＸ51はＲ1と同様に定義される基である。
【化１２】
2008112942.tif 000013
式（５−２）において、Ｒ1は式（５−１）におけるＲ1と同様に定義される基であり、少なくとも２つのＸ52は水素であって、その残りのＸ52はＲ1と同様に定義される基である。
【化１３】
2008112942.tif 000014
式（６−１）において、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、少なくとも２つのＸ61は炭素数２〜８のアルケニルであり、その残りのＸ61はＲ1である。
【化１４】
2008112942.tif 000015
式（６−２）において、Ｒ1はそれぞれ式（６−１）におけるＲ1と同様に定義される基である。
【化１５】
2008112942.tif 000016
式（７−１）において、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、少なくとも２つのＸ71は炭素数２〜８のアルケニルであり、その残りのＸ71はＲ1と同様に定義される基である。
【化１６】
2008112942.tif 000017
式（７−２）において、Ｒ1はそれぞれ独立して式（７−１）におけるＲ1と同様に定義される基である。
［７］シルセスキオキサン骨格を含む重合体が、前記アルケニル基含有化合物と前記Ｓｉ−Ｈ基含有化合物を、前記アルケニル基含有化合物が有するアルケニル基の数と、前記Ｓｉ−Ｈ基含有化合物が有するＳｉ−Ｈ基の数の比が０．１〜１０になるように反応させることによって得られる、［６］の材料。
［８］シルセスキオキサン骨格を含む重合体が、式（１−１）で表される化合物、式（２−２）で表される化合物および式（４−２）で表される化合物を反応させることによって得られる、［６］または［７］の材料。
［９］式（１−１）で表される化合物、式（２−２）で表される化合物、および式（４−２）で表される化合物を３：２：１のモル比で反応させる、［８］の材料。
［１０］合成樹脂成形体がシート状またはフィルム状である、［１］〜［９］のいずれかの材料。
［１１］［１］〜［１０］のいずれかの材料の金属微粒子が付着した面に、回路パターンが形成されるようにレーザー光線を照射することによって得られる、回路パターンが形成された電気回路基板。
［１２］［１１］の電気回路基板によって構成される多層配線板。
［１３］［１１］の電気回路基板によって構成される半導体素子。
［１４］［１１］の電気回路基板によって構成される電子機器。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の材料は、レーザー光線の照射によって基板表面に炭化、白化、割れなどを生じさせることなく、効率よく回路形成を行うことができ、電気回路基板の作製に好適である。本発明の材料を用いて作製された電気回路基板は、透明性、可撓性および耐候性に優れ、多層配線板、半導体素子、電子機器などの作製に好適に使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下の説明においては、式（１−１）で示される化合物を化合物（１−１）と表記することがある。式（２−１）で示される化合物を化合物（２−１）と表記することがある。他の式で示される化合物についても、同様の方法で簡略化して表記することがある。なお、化合物を示す式において同じ記号で表される基が複数あるときは、定義された基から選ばれる限り、それらは同じ基であってもよいし、異なる基であってもよい。例えば、式（１−１）において、Ｒは、独立して、フェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキル、ｔ−ブチルから選ばれる基であり、同一の基でも異なる基でもよい。その他の式においても同様である。
【０００８】
本発明の電気回路基板材料は、シルセスキオキサン骨格を含む重合体からなる合成樹脂成形体の表面に金属微粒子が付着している。金属微粒子分散液を前記合成樹脂成形体の表面に塗布することで、金属微粒子を付着させることができる。
【０００９】
（シルセスキオキサン骨格を含む重合体）
シルセスキオキサン骨格を含む重合体としてはシルセスキオキサン骨格を含むものであ
れば特に制限されないが、式（１）、式（２）および式（３）から選ばれる１種類以上の構造を含む重合体が好ましい。
【００１０】
【化１７】
2008112942.tif 000018
式（１）、式（２）および式（３）において、それぞれのＲは独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルであり、全てのＲがフェニルであることが特に好ましい。
また、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルである。Ｒ1として好ましくはメチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチルおよびフェニルが挙げられ、より好ましくはメチルおよびフェニルが挙げられる。
【００１１】
シスセスキオキサン骨格を含む重合体は、式（１）、式（２）および式（３）から選ばれる１種類以上の構造に加えてさらに、式（４）、式（５）、式（６）および式（７）から選ばれる１種類以上の構造を含むものであってもよい。
【化１８】
2008112942.tif 000019
式（４）、式（５）、式（６）および式（７）において、それぞれのＲ1は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルである。Ｒ1として好ましくはメチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチルおよびフェニルが挙げられ、より好ましくはメチルおよびフェニルが挙げられる。Ｌは、単結合、−Ｏ−、−ＣＨ2−、−（ＣＨ2）2−、−（ＣＨ2）3−、−（ＣＨ2）4−、１，４−フェニレン、４，４'−ジフェニレン、４，４'−オキシ−１，１'−ジフェニレンまたは式（ｃ）で示される基であり；そして式（ｃ）において、Ｒ2はＲ1と同様に定義される基であり、ｍは１〜１０００の整数である。
【００１２】
特に好ましいシルセスキオキサン骨格を含む重合体としては、式（１）、式（２）および式（４）の構造を含む重合体が挙げられる。
【００１３】
上記のような重合体は、例えば、式（１−１）で表される化合物、式（２−１）で表される化合物、式（３−１）で表される化合物、式（４−１）で表される化合物、式（５−１）で表される化合物、式（６−１）で表される化合物および式（７−１）で表される化合物から選択される１種類以上のアルケニル基含有化合物と、式（１−２）で表される化合物、式（２−２）で表される化合物、式（３−２）で表される化合物、式（４−２）で表される化合物、式（５−２）で表される化合物、式（６−２）で表される化合物および式（７−２）で表される化合物から選択される１種類以上のＳｉ−Ｈ基含有化合物を反応させることによって得られる。
【００１４】
【化１９】
2008112942.tif 000020
式（１−１）において、それぞれのＲは、式（１）におけるＲと同様、独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルである。それぞれのＲ1は、式（１）におけるＲ1と同様、独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルである。それぞれのＸ11は独立して炭素数２〜８のアルケニルである。炭素数２〜８のアルケニルとして好ましくは、ビニル、アリル、４−ビニルフェニルが挙げられ、以下のＸ21、Ｘ31、Ｘ41、Ｘ51、Ｘ61、Ｘ71においても同様である。
【００１５】
【化２０】
2008112942.tif 000021
式（１−２）において、ＲおよびＲ1は、それぞれ式（１−１）におけるＲおよびＲ1と同様に定義される基である。
化合物（１−１）および化合物（１−２）は、国際公開第03/024870号パンフレットに記載されている方法により製造することができる。具体的には、後述の合成例２，３で示す化合物が挙げられるが、これらに限定されない。
【００１６】
【化２１】
2008112942.tif 000022
式（２−１）において、それぞれのＲは、式（２）におけるＲと同様、独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルである。それぞれのＲ1は、式（２）におけるＲ1と同様、独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルである。Ｘ21の少なくとも２つは炭素数２〜８のアルケニルであり、残りはＲ1と同様の意味を有する基である。
【００１７】
【化２２】
2008112942.tif 000023
式（２−２）において、ＲおよびＲ1は、それぞれ式（２−１）におけるＲおよびＲ1と同様に定義される基であり、Ｘ22の少なくとも２つは水素であって、その残りはＲ1と同様の意味を有する基である。
化合物（２−１）および化合物（２−２）は、特開2005-015738号公報に記載されている方法を参照して製造することができる。化合物（２−２）の具体例として、全てのＲがフェニル、全てのＲ1がメチル、全てのＸ22が水素の化合物を後述の合成例５で示すが、化合物（２−２）はこれらに限定されない。また化合物（２−１）も化合物（２−２）と同様の方法により得ることができる。
【００１８】
【化２３】
2008112942.tif 000024
式（３−１）において、それぞれのＲは、式（３）におけるＲと同様、独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルである。それぞれのＲ1は、式（３）におけるＲ1と同様、独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルである。Ｘ31の少なくとも２つは、炭素数２〜８のアルケニルであって、その残りはＲ1と同様の意味を有する基である。
【００１９】
【化２４】
2008112942.tif 000025
式（３−２）において、ＲおよびＲ1は、それぞれ式（３−１）におけるＲおよびＲ1と同様に定義される基であり、Ｘ32の少なくとも２つは水素であって、その残りはＲ1と同様に定義される基である。
化合物（３−１）および化合物（３−２）は、国際公開第2004/024741号パンフレットに記載されている方法を参照することにより製造することができる。
【００２０】
【化２５】
2008112942.tif 000026
式（４−１）において、それぞれのＲ1は、式（４）におけるＲ1と同様、独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、それぞれのＸ41は独立して炭素数２〜８のアルケニルであり、Ｌは、単結合、−Ｏ−、−ＣＨ2−、−（ＣＨ2）2−、−（ＣＨ2）3−、−（ＣＨ2）4−、１，４−フェニレン、４，４'−ジフェニレン、４，４'−オキシ−１，１'−ジフェニレンまたは式（ｃ）で示される基であり；そして式（ｃ）において、Ｒ2はＲ1と同様に定義される基であり、ｍは１〜１０００の整数であり、入手のし易さを考慮すると好ましくは１〜１５０の整数である。
【００２１】
【化２６】
2008112942.tif 000027
式（４−２）において、Ｒ1およびＬはそれぞれ式（４−１）におけるＲ1およびＬと同様に定義される基である。
化合物（４−１）および化合物（４−２）は、市販されている化合物を入手することができ、市販されていない化合物でも、例えば特開２００３−２５２９９５号公報に記載されている方法を参照することにより製造することができる。
【００２２】
【化２７】
2008112942.tif 000028
式（５−１）において、Ｒ1は、式（５）におけるＲ1と同様、炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、少なくとも２つのＸ51は炭素数２〜８のアルケニルであり、その残りのＸ51はＲ1と同様に定義される基である。
Ｒ1がメチルであり、全てのＸ51がビニルである式（５−１）の化合物はアズマックス株式会社より市販されており入手が容易であるので好ましい。
【００２３】
【化２８】
2008112942.tif 000029
式（５−２）において、Ｒ1は式（５−１）におけるＲ1と同様に定義される基であり、少なくとも２つのＸ52は水素であって、その残りのＸ52はＲ1と同様に定義される基である。
Ｒ1がメチルまたはフェニルであり、全てのＸ52が水素である式（５−２）の化合物は
アズマックス株式会社より市販されており入手が容易であるので好ましい。
【００２４】
【化２９】
2008112942.tif 000030
式（６−１）において、それぞれのＲ1は、式（６）におけるＲ1と同様、独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、少なくとも２つのＸ61は炭素数２〜８のアルケニルであり、その残りのＸ61はＲ1である。
【００２５】
【化３０】
2008112942.tif 000031
式（６−２）において、Ｒ1はそれぞれ式（６−１）におけるＲ1と同様に定義される基である。
メチルまたはフェニルであり、全てのＲ1がメチルである式（６−１）および（６−２）の化合物は、アズマックス株式会社から市販されており、入手が容易であるので好ましい。
【００２６】
【化３１】
2008112942.tif 000032
式（７−１）において、それぞれのＲ1は、式（７）におけるＲ1と同様、独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルであり、少なくとも２つのＸ71は炭素数２〜８のアルケニルであり、その残りのＸ71はＲ1と同様に定義される基である。
全てのＲ1がメチルであり、全てのＸ71がビニルである式（７−１）の化合物は、アズマックス株式会社より市販されており入手が容易であるので好ましい。
【化３２】
2008112942.tif 000033
【００２７】
式（７−２）において、Ｒ1はそれぞれ独立して式（７−１）におけるＲ1と同様に定義される基である。
Ｒ1がメチルまたはフェニルであり、全てのＲ1がメチルである式（７−２）の化合物がアズマックス株式会社から市販されており、入手が容易であるので好ましい。
【００２８】
上記アルケニル基含有化合物とＳｉ−Ｈ基含有化合物を用いるヒドロシリル化反応による重合体の合成反応は、適当な有機溶剤中、白金族金属を含有するヒドロシリル化触媒の存在下で行うことが好ましい。
アルケニル基含有化合物とＳｉ−Ｈ基含有化合物は、アルケニル基含有化合物が有するアルケニル基の数と、Ｓｉ−Ｈ基含有化合物が有するＳｉ−Ｈ基の数の比が０．１〜１０となるように加えることが好ましく、約１となるように加えることが反応効率の面から特に好ましい。
本発明の特に好ましい態様としては、式（１−１）、式（２−２）、式（４−２）を３：２：１のモル比で反応させて得られる重合体が挙げられるが、これには限定されない。
【００２９】
ヒドロシリル化反応に用いる有機溶剤は、反応の進行を阻害しないものであれば特に制限されない。好ましい溶剤は、ヘキサンやヘプタンなどの炭化水素系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶剤、ジエチルエーテル、テトラハイドロフラン（以下、ＴＨＦ）、ジオキサンなどのエーテル系溶剤、塩化メチレン、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素系溶剤、酢酸エチルなどのエステル系溶剤などである。これらの溶剤は単独で使用しても、その複数を組み合わせて使用してもよい。これらの溶剤の中でも、芳香族炭化水素系溶剤、その中でもトルエンが最も好ましい。溶剤に対する本発明の化合物の好ましい割合は、溶剤の重量に基づいて０．０５〜８０重量％である。より好ましい割合は２０〜５０重量％である。
【００３０】
ヒドロシリル化反応は室温で実施してもよい。重合を促進させるために加熱してもよい。重合による発熱または好ましくない副反応等を制御するために冷却してもよい。ヒドロシリル化反応では、必要に応じて白金族の金属を含有する触媒を用いることができる。該触媒を添加することによって、反応をより容易に進行させることができる。好ましいヒドロシリル化触媒の例は、カルステッド（Karstedt）触媒、スパイヤー（Spier）触媒などであり、これらは一般的によく知られた触媒である。これらのヒドロシリル化触媒は、活性が高いので少量添加すれば十分反応を進めることができる。そのため使用量は、触媒に含まれる白金族金属がＳｉ-Ｈ基に対する割合で１０-9〜１モル％である。好ましい添加割合は１０-7〜１０-3モル％である。１０-9モル％は、反応を進行させることができ、容認できる時間内で終了させるために必要な添加割合の下限である。製造コストを低く抑えることを考慮すれば、この割合は１モル％以下である方がよい。
【００３１】
このようにして得られる重合体の分子量は３０００〜２０万が好適である。この範囲であると、溶剤に良好に溶解し、また、ゲル化が生じにくい。より好ましくは分子量３０００〜２００００である。なお本発明における塗布液においては分子量や組成の異なる重合
体を２種類以上混合して使用してもよい。
【００３２】
（合成樹脂成形体）
次に本発明の合成樹脂成形体について説明する。合成樹脂成形体の形状はフィルム状またはシート状が好ましい。例えば、まず上述した重合体を適当な溶剤に溶解してワニスを調製する工程と、得られたワニスを基板（これを成形用基板と称す）に塗布して、乾燥、焼成、成形用基板からの剥離を行う工程を経ることにより、フィルム状またはシート状の合成樹脂成形体を得ることができる。
【００３３】
ワニスの調製に使用される溶剤としては、重合体を溶解可能であればよく、特に制限はない。具体例として、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、スルホラン、γ−ブチロラクトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、乳酸アルキル、３−メチル−３−メトキシブタノール、テトラリン、イソホロン、エチレングリコールモノアルキルエーテル（エチレングリコールモノブチルエーテルなど）、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル（ジエチレングリコールモノエチルエーテルなど）、エチレングリコールモノアルキルまたはフェニルアセテート、トリエチレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル（プロピレングリコールモノブチルエーテルなど）、マロン酸ジアルキル（マロン酸ジエチルなど）を挙げることができる。好ましくは、シクロヘキサノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである。これらの溶剤は、単独で用いても複数混合して使用してもよい。
またワニスの重合体濃度は、特に限定されないが１重量％〜９５重量％であることが好ましい。例えばアプリケーター法によって塗布する場合は、２０重量％〜８０重量％で用いるのが好適である。
【００３４】
使用される成形用基板としては、一般に市販されているガラス基板やプラスチック基板、フィルム基板などを用いることができる。
そして成形用基板にワニスを塗布する方法は、特に限定されないがスピンコート、グラビアコート、ディップコート、ワイヤーバーコートなどが一般に知られており、これらの方法により目的の厚さのフィルム又はシートが得られるように塗布する。
焼成工程において、その方法は特に限定されないが、オーブンまたは赤外炉の中で加熱処理する方法やホットプレート上で加熱処理する方法などが一般に知られている。いずれの方法も本発明においては同様に適用可能である。
このとき焼成温度は一般に４０〜６００℃で行うことができるが、好ましくは１００℃〜４００℃、より好ましくは１５０℃〜２５０℃である。焼成温度が４０℃以下である場合、焼成に長時間を必要とし、また架橋反応が十分に起こらないので脆い材料となってしまうことがある。また６００℃以上で焼成すると、合成樹脂成形体が分解してしま恐れがある。
そして焼成された合成樹脂成形体は室温まで冷却したのち、成形用基板から剥離することによりフィルム状またはシート状の合成樹脂成形体が得られる。
【００３５】
本発明の電気回路基板用材料は、上述の合成樹脂成形体に、金属微粒子が溶媒に均一に分散された金属微粒子分散液を、インクジェットや印刷、各種コーティング法により塗布し、乾燥させて薄膜を形成することにより得られる。
【００３６】
［金属微粒子分散液］
本発明で使用される金属微粒子分散液とは、例えば、特開２００４−５１９９７に開示
されたような、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕおよび白金族金属から選ばれる少なくとも一種の貴金属が、好ましくは粒径が１０ｎｍ以下、より好ましくは３ｎｍ以下の金属微粒子として分散媒中に分散しているものが挙げられる。分散媒は、特開２００４−５１９９７に開示されたような主鎖の炭素数６〜２０の非極性炭化水素及び水等から選ばれる常温で液体のものを用いることができる。
これらの金属微粒子分散液は一般に市販されているものを使用することができる。例えば金、銀、銅のナノ粒子分散液はアルバック株式会社より「ナノメタルインクTM」として市販されているので入手が可能である。また市販されていない場合も公知の技術、例えばガス中蒸発法や、還元法により調製することができる。
【００３７】
本発明の電気回路基板用材料を用いて電気回路基板を作製するには、電気回路基板用材料の金属微粒子が付着した面に、回路パターンが形成されるようにレーザー光線を照射すればよい。例えば、コンピューターで制御されたレーザー光線発生装置で、直接薄膜にレーザー光線を照射して金属微粒子を焼結させることによって配線が形成される。一方、レーザー光線が照射されていない箇所は、ヘキサンなどの非極性溶媒で洗浄することによって基板から除去される。このような方法により、透明で可撓性がある電気回路基板が作製される。
【００３８】
［レーザー］
本発明で使用されるレーザーは、公知公用のレーザー発信装置を用いることができる。例えば、４８８ｎｍ，５１４．５ｎｍの波長を発振するアルゴンイオンレーザーなどを用いることができる。
レーザーのエネルギー密度は通常には１０ＫＷ／ｃｍ2以上１０ＭＷ／ｃｍ2以下である。好ましくは１００ＫＷ／ｃｍ2以上１ＭＷ/ｃｍ2以下である。１０ＫＷ／ｃｍ2以下である場合は、十分金属が焼結されていない為、現像の際に回路パターンが流出してしまう可能性がある。
【００３９】
本発明の合成樹脂成形体は、レーザー光線を用いる直接描画法による電気回路基板の作製工程において、従来の有機ポリマーでは炭化してしまい電気回路基板を得ることができないといった問題を解決し、基板の外観、透明性、形状などに対する支障を避けることができる。そのため透明で可撓性がある電気回路基板を作製することができ、得られた電気回路基板は、多層配線積層板、半導体素子、光学素子など電気、電子機器に好適に用いることができる。
【実施例】
【００４０】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００４１】
［合成例１］
＜化合物（１−０）の合成＞
環流冷却器、温度計、および滴下漏斗を取り付けた反応容器に、フェニルトリメトキシシラン（６．５４ｋｇ）、水酸化ナトリウム（０．８８ｋｇ）、水（０．６６ｋｇ）、および２−プロピルアルコール（２６．３リットル）を仕込んだ。窒素気流下、撹拌しながら加熱を開始した。還流開始から６時間撹拌を継続したのち室温で１晩静置した。そして反応液を濾過器ヘ移し窒素ガスで加圧して濾過した。得られた固体を２−プロピルアルコールで１回洗浄、濾過したのち８０℃で減圧乾燥を行うことにより、白色固体を（３．３ｋｇ）を得た。これを化合物（１−０）とする。
【００４２】
［合成例２］
＜化合物（１−２−１）の合成＞
環流冷却器、温度計、および滴下漏斗を取り付けた反応容器に、合成例１で得られた化合物（１−０）を（２．０ｋｇ）、テトラヒドロフラン（１５ｋｇ）、トリエチルアミン（５７０ｇ）を仕込み、窒素気流下、反応液の温度が１０℃以下になるように攪拌しながら冷却した。そしてメチルビニルジクロロシラン（７９５ｇ）を滴下したのち、反応液を加熱して４０℃としたのち３時間撹拌を行った。その後、反応液の温度を室温まで冷却したのち２規定の塩酸を（３．７ｋｇ）加えて１５分間撹拌した。次いで酢酸エチル（３．８ｋｇ）を加え５分間撹拌したのち静置して、有機相と水相に分けた。得られた有機相は、水洗により中性としたのち、無水硫酸マグネシウム（５００ｇ）を加えて乾燥した。乾燥後、濾過により無水硫酸マグネシウムを除去したのち、８０℃で減圧濃縮を行った。そして得られた残渣にメタノール（９．４ｋｇ）を加えたのち、加熱して反応液が還流し始めてから、１時間撹拌を継続した。そして室温まで冷却したのち濾過を行った。得られた固体を８０℃で減圧乾燥し白色固体を（１．２ｋｇ）得た。得られた白色固体は下記の分析結果から化合物（１−１−１）の構造を有すると判断される。
1Ｈ−ＮＭＲ（溶剤：ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）；０．３８（ｓ，６Ｈ）、５．９１−６．２２（ｍ，６Ｈ）、７．１３−７．５３（ｍ，４０Ｈ）．
29Ｓｉ−ＮＭＲ（溶剤：ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）；−３１．３８（ｓ，２Ｓｉ）、−７８．４１（ｓ，４Ｓｉ）、−７９．５７（ｓ，４Ｓｉ）．
【化３３】
2008112942.tif 000034
【００４３】
［合成例３］
＜化合物（１−２−１）の合成＞
滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた反応容器に、化合物（１−０）（３．０ｋｇ）、ジクロロメタン（２０ｋｇ）、トリエチルアミン（１３０ｇ）仕込み、窒素気流下、液温が２０℃以下になるように、攪拌しながら冷却した。そしてメチルジクロロシラン（７４４ｇ）を１５分間で滴下したのち、室温で１時間撹拌を行った。そして３％の炭酸水素ナトリウム水溶液（７．３ｋｇ）を加え１５分間撹拌したのち静置して有機相と水相に分けた。得られた有機相は、水洗により中性にしたのち、無水硫酸マグネシウム（１．０ｋｇ）を加え乾燥した。乾燥後、濾過により無水硫酸マグネシウムを除去したのち８０℃で減圧濃縮を行った。そして得られた残渣に酢酸エチル（６．６ｋｇ）加え加熱した。酢酸エチルが還流状態に達してから１０分間撹拌を継続したのち、室温まで冷却してから濾過を行った。得られた固体は７０℃で減圧乾燥を５時間行ったところ白色固体（１．４ｋｇ）を得た。この得られた白色固体は下記の分析結果から、式（１−２−１）の構造を有すると判断される。
1Ｈ−ＮＭＲ（溶剤：ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）；０．３７（ｓ，６Ｈ）、４．９９（ｓ、２Ｈ）、７．１５−７．５６（ｍ，４０Ｈ）．
29Ｓｉ−ＮＭＲ（溶剤：ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）；−３２．７８（ｓ，２Ｓｉ）、−７７．９１（ｓ，４Ｓｉ）、−７９．３９（ｔ，４Ｓｉ）．
【化３４】
2008112942.tif 000035
【００４４】
［合成例４］
＜化合物（２−１−０）の合成＞
還流冷却器、温度計、滴下漏斗を取り付けた反応容器に、フェニルトリメトキシシラン（９９ｇ）、水酸化ナトリウム（１０ｇ）、および２−プロパノール（５００ｍｌ）を仕込んだ。窒素気流下、攪拌しながら、室温下で水（１１ｇ）を約２分間で滴下した。その後、２−プロパノールが還流するまで加熱した。還流開始から１．５時間撹拌を行ったのち、室温まで冷却して濾過した。得られた固体を２−プロパノールで１回洗浄したのち、７０℃で減圧乾燥を４時間行ない、白色粉末状の化合物（２−１−０）を（６６ｇ）得た。
【００４５】
［合成例５］
＜化合物（２−２−１）の合成＞
滴下漏斗、温度計、攪拌機を備えた反応容器に、合成例４と同様にして製造した化合物（２−１−０）を（２４９ｇ）、トルエンを（２０００ｍｌ）仕込み、窒素気流下撹拌した。そしてクロロジメチルシラン（１４２ｇ）を反応液の温度が２０〜４０℃に保たれるように滴下量を制御しながら約５０分間で滴下した。滴下終了後、反応液の温度が６５℃になるように加熱し、６５℃に到達してから３時間撹拌を行った。３時間後、反応液の温度が５０℃になるまで冷却した。そして水（２３０ｇ）を攪拌しながら約１０分間で滴下したのち、静置して水相と有機相に分けた。このようにして得られた有機相は水洗により中性としたのち、共沸脱水を行った。そして８０℃で減圧濃縮を行ない、白色固体を（２４２ｇ）得た。この得られた白色固体は下記の分析結果から、式（２−２−１）の構造を有すると判断される。
1Ｈ−ＮＭＲ（溶剤：ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）；０．３７（ｓ，１８）、４．９９（ｔ、３Ｈ）、７．１１−７．６３（ｍ，３５Ｈ）．
29Ｓｉ−ＮＭＲ（溶剤：ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）；−２．７６、−７７．２７、−７７．６０、−７８．２３．
【化３５】
2008112942.tif 000036
【００４６】
（実施例１）
＜ＰＳＱ５００２の製造＞
温度計、還流冷却器、撹拌機を備えた反応容器に合成例２で製造した化合物（１−１−１）を（４．３ｇ）、合成例５で製造した化合物（２−２−１）を（２．０ｇ）、ＦＭ−１１１１（式（４−３）：チッソ株式会社製、両末端Ｓｉ−Ｈシリコーン、分子量約１０００）を（０．８ｇ）、トルエン（２８ｇ）仕込み、窒素気流下８０℃で加熱攪拌した。反応液が８０℃に達してから、カルステッド触媒を（２．５μｌ）を添加したのち、２時間攪拌した。そして氷浴で反応液を１０℃以下まで冷却したのち、減圧濃縮することによって白色固体を得た。そして得られた白色固体を４０℃で減圧乾燥を８時間行ない、白色固体を（７．１ｇ）得た。これをＰＳＱ５００２とする。このようにして得られた固体の分子量は、重量平均分子量（Ｍｗ）：２００００であった。
【化３６】
2008112942.tif 000037
【００４７】
（合成樹脂成形体の作製）
撹拌機を具備した反応容器に、実施例１で得られたＰＳＱ５００２（４．０ｇ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）（７．０ｇ）を仕込み、室温で撹拌、溶解したのち、この溶液を０．２μｍのＰＴＦＥ製のフィルターでろ過してワニスを調製した。そして市販のポリイミドフィルムにドクタープレートタイプのアプリケーター（隙間３００μｍ）を用いてワニスを塗布、室温で３０分間乾燥後、１５０℃で１時間、２５０℃で１時間焼成したのち、室温までゆっくりと冷却した。そしてポリイミドフィルムを剥離することにより、フィルム状の合成樹脂成形体を得た。このようにして得られた合成樹脂成形体の膜厚は１００μｍであった。
これを基板（Ａ）とする。
【００４８】
（光学特性の評価）
得られた合成樹脂成形体の光線透過率、屈折率、複屈折率、ヘイズ値を測定し評価した。
・光線透過率
得られたフィルムの光線透過率を島津製作所製分光光度計（ＵＶ１２４０）により測定した。測定した。比較対照としてポリエチレンテレフタレート（PET）とポリエチレンナフタレート（PEN）の光線透過率も測定した。測定結果を図１に示す。この図から、得られたフィルムは可視光線の波長領域での光の吸収は確認されていないことから、光線透過率が高いと判断される。
・屈折率と複屈折率の測定
ＡＴＡＧＯ製アッベ屈折計 ＮＡＲ-１Ｔにより測定した結果、屈折率は １．５３、複屈折率は ０．０００１であることが判明したった。
・ヘイズ値
東京電色技術センター製Ａｕｔｏｍａｔｉｃ ＨＡＺＥ ＭＥＴＥＲにより測定した結果、１．７であり、透明性が高いことが確認された。
（機械特性）
得られた合成樹脂成形体のヤング率、破断強度、破断伸度をＡＳＴＭ  Ｄ  ８８２に順じ、フィルムの荷重と伸長率曲線（応力−歪曲線）を求め、求めたチャートより破断強度及び破断伸度を計算した。試験は、温度２３±１℃、湿度５０±３％の室内に４８時間以上放置したサンプルを使用した。評価した。
・ヤング率
東洋精機製作所製ストログラフＲ３により測定した結果、１．０ＧＰａであった。
・破断強度と破断伸度の測定
東洋精機製作所製ストログラフＲ２により測定した結果、破断強度は２４ＭＰａ、破断
伸度は１２％であった。
（電気特性）
誘電率 ２．８
体積抵抗 １０17Ω・ｃｍ
表面抵抗 ３×１０16Ω
以上の各評価結果から、得られた合成樹脂成形体は透明性に優れ、可撓性が有り、電気特性に優れていることが判明した。
【００４９】
（電気回路基板の作製）
上記により得られた、フィルム状の合成樹脂成形体に、銀ナノ粒子インク（アルバック製 Ａｇナノメタルインク Ａｇ２Ｔ）をスピンコートで塗布し、室温、真空乾燥機で１時間乾燥した。そして得られた薄膜付き基板を図２で示すレーザー光線照射装置にセットし、コンピューターでステージを制御しながら、アルゴンイオンレーザー（４８８ｎｍ）を収束させてスキャンし銀ナノ粒子を焼結させた。このときレーザー光線のエネルギーは１７６ｋＷ/ｃｍ2であった。次にヘキサンでレーザー光線が照射されていない部分を洗い流し、乾燥することにより、表面に銀で作製された回路パターンを有する、回路基板を作製した（図３）。次に、得られた回路パターンに電極を接続して電気伝導度を測定したところ、電気回路として機能することが確認された。
【００５０】
（比較例１，２）
電気回路基板に用いた合成樹脂成形体（Ａ）の代わりに、膜厚１００μｍのポリエチレンテレフタレート（PET）フィルム（Ｂ）、膜厚１２５μｍのポリエチレンナフタレート（PEN）フィルム（Ｃ）（帝人デュポンフィルム：商品名テオネックス  ＰＥＮフィルム）を基板材料として、実施例１と同様に銀ナノ粒子分散液を塗布して薄膜を形成したのち、レーザー光線を照射して回路パターンの作製を試みたところ、基板（Ｂ），基板（Ｃ）いずれの場合でも、レーザー光線が照射された部分は、黒く炭化されてしまい、電気回路基板を作製することができなかった（図４）、（図５）。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】合成樹脂（PSQ5002）成形品の光線透過率をPETおよびPENと比較したグラフ。
【図２】レーザー光線照射装置の概略。
【図３】合成樹脂成形体（Ａ）を用いた回路パターンの作製（写真）。
【図４】ポリエチレンテレフタレートを用いた回路パターンの作製（写真）。
【図５】ポリエチレンナフタレートを用いた回路パターンの作製（写真）。
【図１】
2008112942.tif 000055
【図２】
2008112942.tif 000056
【図３】
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【図４】
2008112942.tif 000058
【図５】
2008112942.tif 000059