(57)【要約】【課題】エッチング液の浸透による反射電極の侵食を回避でき、反射電極を透明導電層の縁まで拡大することができ、かつ生産性を向上することができる電気光学装置とその製造方法および電子機器を提供する。【解決手段】基板上に絶縁層１４を形成する工程と、絶縁層１４上の一部に金属からなる反射電極２を形成する工程と、反射電極２上を含む絶縁層１４上を覆うように非晶質透明導電層を形成する工程と、反射電極２を加熱し、反射電極２上の非晶質透明導電層を選択的に結晶化して結晶化透明導電層３ｐを形成する工程と、反射電極２上の結晶化透明導電層３ｐを透明電極３として残しつつ絶縁層１４上の非晶質透明導電層をエッチングによって選択的に除去する工程と、を有する。【選択図】図４
2008203492.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に反射電極を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上の一部に金属からなる前記反射電極を形成する工程と、
前記反射電極上を含む前記絶縁層上を覆うように非晶質透明導電層を形成する工程と、
前記反射電極を加熱し、該反射電極上の前記非晶質透明導電層を選択的に結晶化して結晶化透明導電層を形成する工程と、
前記反射電極上の前記結晶化透明導電層を透明電極として残しつつ前記絶縁層上の前記非晶質透明導電層をエッチングによって選択的に除去する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記結晶化透明導電層を形成する工程において、ランプアニールによって前記反射電極を加熱することを特徴とする請求項１記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記透明電極上を含む前記絶縁層上を覆うように層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層上を覆うように第二の非晶質透明導電層を形成する工程と、
前記第二の非晶質透明導電層を覆うようにマスク材を形成し、前記マスク材をパターニングする工程と、
前記マスク材を用いて前記第二の非晶質透明導電層をエッチングして第二の透明電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁層がアクリル樹脂によって形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記エッチングは、前記反射電極および前記結晶化透明導電層と、前記非晶質透明導電層とに選択性を有するエッチング液によるウエットエッチングであることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
基板上に反射電極を備えた電気光学装置であって、
前記基板上に形成された絶縁層上の一部に金属からなる前記反射電極が形成され、前記反射電極上に透明電極が形成され、前記反射電極の縁と前記透明電極の縁とが積層方向に重なるように揃えられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
前記透明電極上を含む前記絶縁層上を覆うように層間絶縁層が形成され、前記層間絶縁層上に第二の透明電極が形成されていることを特徴とする請求項６記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電気光学装置とその製造方法および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、透明導電性材料からなる透明導電層を画素電極として用いた電気光学装置が知られている。このような電気光学装置として、透明絶縁性基板上に形成した薄膜トランジスタ上に透明導電層を形成し、該透明導電層をリフトオフ法でパターニングして第一層目の画素電極を形成し、さらに第一層目の画素電極に透明導電層を積層しマスクを用いることなくエッチングすることで二層構造の画素電極を形成するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、Ａｌ配線が形成された基板上の全面に非晶質ＩＴＯ膜を形成し、Ａｌ配線の断線部分に埋め込まれた非晶質ＩＴＯ膜を局所的に加熱して結晶化すると共に、非晶質ＩＴＯ膜上に画素形成用レジストマスクを形成した後、非晶質ＩＴＯ膜を蓚酸によってエッチングし、画素電極を形成すると同時に配線の断線部分を修復するものが知られている（例えば、特許文献２参照）。
また、金属等からなる反射電極を有する電気光学装置では、通常、反射電極を保護するために、反射電極を覆うように透明導電層が形成されている。
【特許文献１】特開平６−５１３４５号公報
【特許文献２】特開平７−２４０４６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の電気光学装置では、特許文献１においては、第一層目の透明導電層の下層に金属からなる反射電極を形成した場合、透明電極にピンホール等の欠陥部が存在すると、エッチング液の塩酸が欠陥部から浸透して反射電極が浸食され、表示欠陥と生じるという問題がある。また、反射電極を透明導電層によって覆う際には、透明導電層の縁からのエッチング液の侵入を避けるため、反射電極の縁の周囲に透明導電層を額縁状に余らせた被覆代を設けた状態で反射電極を覆う必要がある。このため、反射電極を透明電極の縁まで拡大できないという課題がある。また、工程が複雑で工数が多いため、生産性を向上させることが困難である。
【０００５】
特許文献２においては、Ａｌ配線がエッチング液によって侵食されることを防止するため、Ａｌ配線との選択性を有する蓚酸をエッチング液として用いている。しかしながら、画素電極を形成する際には、非晶質ＩＴＯ膜上に画素形成用レジストマスクを形成し、蓚酸により画素電極をエッチングしてパターニングした後、レジストを取り除き、パターニングした非晶質ＩＴＯの画素電極を加熱して結晶化する必要がある。したがって、画素電極の形成のための工程数が多く、生産性の向上が困難であるという課題がある。
また、反射電極を有する電気光学装置では、反射電極と透明導電層は個別の工程で形成する必要があるため、さらに工程数が増加し、生産性が低下するという問題がある。
【０００６】
そこで、この発明は、エッチング液の浸透による反射電極の侵食を回避でき、反射電極を透明導電層の縁まで拡大することができ、かつ生産性を向上することができる電気光学装置とその製造方法および電子機器を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に反射電極を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上の一部に金属からなる前記反射電極を形成する工程と、前記反射電極上を含む前記絶縁層上を覆うように非晶質透明導電層を形成する工程と、前記反射電極を加熱し、該反射電極上の前記非晶質透明導電層を選択的に結晶化して結晶化透明導電層を形成する工程と、前記反射電極上の前記結晶化透明導電層を透明電極として残しつつ前記絶縁層上の前記非晶質透明導電層をエッチングによって選択的に除去する工程と、を有することを特徴とする。
このように製造することで、反射電極を加熱して反射電極のみを非晶質透明導電材料が結晶化される温度まで上昇させ、一方で絶縁層を非晶質透明導電材料が結晶化される温度よりも低い温度で維持することができる。これにより、反射電極上の非晶質透明導電層のみを結晶化させ、絶縁層上の非晶質導電層を非晶質のまま維持できる。
【０００８】
また、非晶質透明導電層の形成時の条件によっては、非晶質透明導電層の形成時においても熱が発生し、この熱によって反射電極を加熱し、反射電極の温度を非晶質透明導電層が結晶化する温度まで上昇させることができる。一方、比較的熱を吸収し難い絶縁層は、加熱され難く、非晶質透明導電層が結晶化する温度まで上昇しない。これにより、反射電極上の非晶質透明導電層のみが選択的に結晶化されると共に、反射電極上では非晶質透明導電層の形成と非晶質透明導電層の結晶化を同時に進行させることができる。
【０００９】
さらに、エッチングを行うことで、結晶化透明導電層と非晶質透明導電層との選択性により、反射電極上の結晶化透明導電層を残して、絶縁層上の非晶質透明導電層のみが選択的に除去される。これにより、反射電極の縁と透明電極の縁とが積層方向に重なるように揃った状態となる。
【００１０】
したがって、本発明の製造方法によれば、反射電極を透明導電層の縁まで拡大することができるので、反射電極の面積を拡大することができる。また、非晶質透明導電層の形成時の条件によっては、非晶質透明導電層の形成と反射電極上の非晶質透明導電層の結晶化を同時に進行させることができる。また、結晶化透明導電層と非晶質透明導電層との選択性を利用して透明電極をパターニングするので、透明電極を形成する工程において、レジスト等のマスク材を必要としない。したがって、工程数を削減し、生産性を向上することができる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置の製造方法では、前記結晶化透明導電層を形成する工程において、ランプアニールによって前記反射電極を加熱することが好ましい。
このように製造することで、金属の反射電極は、非晶質透明導電層の形成時の熱に加え、ランプアニールによる熱によって、短時間かつ確実に非晶質透明導電層が結晶化する温度まで加熱される。一方、絶縁層は比較的加熱され難いので、非晶質透明導電層が結晶化する温度まで達しない。これにより、短時間かつ確実に反射電極上の非晶質透明導電層のみを選択的に結晶化することができる。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記透明電極上を含む前記絶縁層上を覆うように層間絶縁層を形成する工程と、前記層間絶縁層上を覆うように第二の非晶質透明導電層を形成する工程と、前記第二の非晶質透明導電層を覆うようにマスク材を形成し、前記マスク材をパターニングする工程と、前記マスク材を用いて前記第二の非晶質透明導電層をエッチングして第二の透明電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
このように製造することで、層間絶縁層の形成の際に発生する熱によって、上述の透明導電層が加熱される。これにより、透明電極は非晶質透明導電層が結晶化される温度まで上昇し、透明電極の結晶化が促進され、十分に結晶化される。また、第二の非晶質透明導電層を弱酸等のエッチング液によってエッチングして第二の透明電極を形成する工程において、層間絶縁層に欠陥が存在した場合、エッチング液が層間絶縁層の下層の透明電極まで浸透する。このような場合であっても、透明電極は十分に結晶化がなされているため、透明電極が浸透したエッチング液によって侵食されることを防止することができる。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置の製造方法では、前記絶縁層がアクリル樹脂によって形成されていることが望ましい。
このようにすることで、上述の反射電極をエッチング液等によりパターニングして形成する際に、絶縁層がエッチング液に接触して膨潤する。膨潤した絶縁層は加熱されることで、吸収した水分を放出する。これにより、絶縁層上の非晶質透明導電層の温度が上昇することを防止して、絶縁層上の非晶質透明導電層の結晶化が阻害される。したがって、反射電極上の非晶質透明導電層が加熱されて結晶化しても、絶縁層上の非晶質透明導電層が結晶化することが防止される。よって、非晶質透明導電層を選択的に除去する工程において、より確実に絶縁層上の非晶質透明導電層のみを選択的に除去することができる。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置の製造方法では、前記エッチングは、前記反射電極および前記結晶化透明導電層と、前記非晶質透明導電層とに選択性を有するエッチング液によるウエットエッチングであることが好ましい。
このようにすることで、結晶化透明導電層を残して非晶質透明導電層のみを選択的に除去できる。また、透明電極を覆う結晶化透明導電層の欠陥部からエッチング液が浸透し、透明電極に達したとしても、エッチング液の浸透による反射電極の侵食を回避することができる。また、非晶質透明導電層を選択的に除去する工程において、反射電極のサイドエッチを防止することができる。さらに、例えば、ドライエッチング等、他のエッチング方法によってエッチングする場合よりもエッチング速度を上げることができ、加工時間を短縮させ、生産性を向上させることができる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置は、基板上に反射電極を備えた電気光学装置であって、前記基板上に形成された絶縁層上の一部に金属からなる前記反射電極が形成され、前記反射電極上に透明電極が形成され、前記反射電極の縁と前記透明電極の縁とが積層方向に重なるように揃えられていることを特徴とする。
このように構成することで、反射電極を覆う透明電極を反射電極の周囲に余らせて被覆代を設ける場合と比較して、反射電極の面積を拡大することができる。
【００１６】
また、本発明の電気光学装置は、前記透明電極上を含む前記絶縁層上を覆うように層間絶縁層が形成され、前記層間絶縁層上に第二の透明電極が形成されていることを特徴とする。
このように構成することで、反射電極を覆う透明電極を反射電極の周囲に余らせて被覆代を設ける場合と比較して、反射電極の面積を拡大することができる。また、透明電極および反射電極と第二透明電極の間に、基板の表面に沿う方向の電界を発生させることができる。
【００１７】
また、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
このように構成することで、電子機器は反射電極の面積が大きく、生産性の高い電気光学装置を備えているので、表示領域における反射光を増加させることができ、製造コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
＜第一実施形態＞
次に、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
〔液晶表示装置〕
図１および図２に示すように、本実施の形態の液晶表示装置１００は、アクティブマトリクス基板１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入されている。シール材５２は、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。
【００１９】
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）５３が形成されている。アクティブマトリクス基板１０のシール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１および外部回路実装端子２０２がアクティブマトリクス基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。アクティブマトリクス基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。
【００２０】
また、対向基板２０の角部には、アクティブマトリクス基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。また、アクティブマトリクス基板１０上には薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ３０という）が形成されている。なお、液晶表示装置１００には、使用する液晶の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
【００２１】
図３に示すように、アクティブマトリクス基板１０はガラス等の透明材料によって形成された透明基板１を基材として、基材上にＴＦＴ３０および画素電極である反射電極２および透明電極３が積層形成されたものである。透明基板１上には遮光層４および第一の層間絶縁層５が積層形成されている。また、遮光層４の側面は傾斜して外縁部の厚さ方向に斜面が形成され、中央に向けて徐々に厚みが増加するようになっている。遮光層４は、例えば金属等の導電性を有する材料によって形成され、第一の層間絶縁層５は、例えばＳｉＯ２等によって形成されている。第一の層間絶縁層５上には、例えばポリシリコン等によって形成された半導体層６が形成されている。さらに、半導体層６を覆うようにゲート絶縁層７が形成されている。ゲート絶縁層７は第一の層間絶縁層５と同様の材料によって形成されている。ゲート絶縁層７上には、ゲート電極８が形成されている。ゲート電極８は走査線（図示省略）に電気的に接続されている。ゲート電極８は、金属等の導電性を有する材料によって形成されている。
【００２２】
ＴＦＴ３０は、半導体層６、ゲート絶縁層７、ゲート電極８によって構成されている。また、半導体層６のゲート電極８の下側の領域はチャネル領域６ｃとなっている。ここで、遮光層４は半導体層６の下層側でチャネル領域６ｃに重なる位置に、チャネル領域６ｃを覆うように配置されている。ゲート電極８、ゲート絶縁層７、第一の層間絶縁層５を覆うように、第二の層間絶縁層９が積層形成されている。第二の層間絶縁層９は第一の層間絶縁層５と同様の材料によって形成されている。第二の層間絶縁層９上には、金属等の導電性を有する材料によってドレイン電極１１が形成され、ドレイン電極１１は第二の層間絶縁層９およびゲート絶縁層７を貫通するコンタクトホール１２を介して半導体層６のドレイン領域６ｄに電気的に接続されている。
【００２３】
また、ドレイン電極１１および第二の層間絶縁層９を覆うようにパッシベーション膜１３が積層形成されている。パッシベーション膜１３は、例えばＳｉＯ２等によって形成されている。さらに、パッシベーション膜１３を覆うようにアクリル樹脂等により絶縁層１４が形成されている。絶縁層１４上には、例えば、Ａｌ材料によって形成された反射電極２が積層されている。反射電極２は絶縁層１４およびパッシベーション膜１３を貫通しドレイン電極１１に達するコンタクトホール１５を介してドレイン電極１１に電気的に接続されている。また、反射電極２は、液晶表示装置１００が半透過反射型である場合には、画素の透過領域を除く部分に形成される。また、液晶表示装置１００が反射型である場合には、画素の略全面に形成される。反射電極２上には、例えばＩＴＯ等の透明導電性材料によって形成された透明電極３が積層されている。ここで、図４に示すように、反射電極２の縁２ｅと透明電極３の縁３ｅは積層方向に重なるように揃えられた状態となっている。また、ここでは図示を省略するが、半導体層６のソース領域はコンタクトホールによってデータ線に電気的に接続されている。
【００２４】
この液晶表示装置１００の画像表示領域に画像を表示させるには、まず走査線駆動回路２０４によって各走査線に所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加し、各ＴＦＴ３０のゲート電極８に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを印加する。これにより、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を所定のタイミングで一定期間だけオン状態とし、データ線駆動回路２０１によって各データ線を介して所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで各透明電極３に供給し、液晶５０に画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを書き込む。液晶５０に書き込まれた画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１と透明電極３との間で一定期間保持される。また、蓄積容量（図示省略）によって、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークすることが防止される。これにより、アクティブマトリクス基板１０の上側から入射して反射電極２によって反射した光を、各画素に所定のタイミングに所定のレベルで透過させ、画像表示領域に画像を表示することができる。
【００２５】
ここで、図４に示すように、反射電極２の縁２ｅと透明電極３の縁３ｅとが積層方向に重なるように揃えられているので、反射電極２の面積を透明電極３の縁まで拡大することができる。したがって、反射電極２を覆う透明電極３を反射電極２の周囲に余らせて被覆代を設ける場合と比較して、アクティブマトリクス基板１０の上側から入射する光に対する反射電極２の反射面積を増加させ、反射光を増加させることができる。
【００２６】
〔液晶表示装置の製造方法〕
次に、本実施形態の液晶表示装置１００の製造方法について説明する。
（薄膜トランジスタ形成工程）
図３に示すように、透明基板１上に例えばスパッタ法等により導電性を有する金属材料層を形成し、フォトリソグラフィ、エッチング等によりパターニングすることで遮光層４を形成する。同様に、遮光層４を覆うようにＳｉＯ２等によって第一の層間絶縁層５を形成し、第一の層間絶縁層５上にＳｉ等により半導体層６を形成する。さらに、半導体層６上にＳｉＯ２等によりゲート絶縁層７を形成する。次いで、ゲート絶縁層７上に金属等の導電体材料からゲート電極８を形成する。
【００２７】
同様に、ゲート電極８、ゲート絶縁層７、および第一の層間絶縁層５を覆うようにＳｉＯ２等の第二の層間絶縁層９を形成する。そして、第二の層間絶縁層９およびゲート絶縁層７を貫通し、半導体層６のドレイン領域６ｄに達するコンタクトホール１２を形成する。さらに、第二の層間絶縁層９上に導電性を有する金属材料を積層すると共に、コンタクトホール１２に金属材料が充填する。次いで、層間絶縁層９上の金属材料層をパターニングしてドレイン電極１１を形成する。次いで、ドレイン電極１１および層間絶縁層を覆うように、例えばＳｉＯ２等の絶縁材料によりパッシベーション膜１３を形成する。
【００２８】
（絶縁層・反射電極形成工程）
次に、図５に示すように、パッシベーション膜１３を覆うように絶縁層１４を形成する。絶縁層１４は、例えば、アクリル樹脂によって形成する。次いで、図６に示すように、絶縁層１４およびパッシベーション膜１３を貫通し、ドレイン電極１１に達するコンタクトホール１５を形成する。次いで、図７に示すように、絶縁層１４上にスパッタ法、フォトリソグラフィ等により、例えば、Ａｌ材料によって反射電極２を形成する。このとき、コンタクトホール１５を介して反射電極２をドレイン電極１１に電気的に接続する。
【００２９】
（非晶質透明導電層形成・結晶化工程）
次に、図８に示すように、反射電極２上を含む絶縁層１４上を覆うように、例えば非晶質ＩＴＯからなる非晶質透明導電層３ａをスパッタ法等により形成する。このとき、スパッタは室温で行ない、さらにＨ２Ｏ添加等を行うことで、非晶質透明導電層３ａが形成される。また、非晶質透明導電層３ａの形成時に発生する熱の多くは、比較的熱を吸収しやすい金属の反射電極２に吸収される。熱を吸収した反射電極２の温度は、例えば、数十〜１００℃程度の非晶質透明導電層３ａが結晶化する温度まで上昇する。これにより、図９に示すように、反射電極２上の非晶質透明導電層３ａが結晶化され、例えば結晶化ＩＴＯからなる結晶化透明導電層３ｐが形成される。このように、反射電極２上では非晶質透明導電層３ａの形成と結晶化が同時に進行する。
【００３０】
一方、比較的熱を吸収し難い絶縁層１４は、非晶質透明導電層３ａが結晶化する温度まで上昇しない。また、絶縁層１４としてアクリル樹脂を用いることにより、反射電極２のパターニング等の際に使用するエッチング液等の溶液が絶縁層１４に接触し、絶縁層１４が膨潤する。膨潤した絶縁層１４は加熱されることで、吸収した水分等を放出する。これにより、絶縁層１４上の非晶質透明導電層３ａの結晶化が阻害される。この現象によって、絶縁層１４上の非晶質透明導電層３ａは結晶化されずに残存し、反射電極２上の非晶質透明導電層３ａは加熱されて結晶化する。これにより、反射電極２上の非晶質透明導電層３ａのみが選択的に結晶化され、反射電極２上に結晶化透明導電層３ｐが形成される。
【００３１】
また、非晶質透明導電層３ａの形成時や形成後に、ランプアニールによって反射電極２を加熱することで、反射電極２には非晶質透明導電層３ａの形成時の熱に加え、ランプアニールによる熱が加わって、短時間かつ確実に非晶質透明導電層３ａが結晶化する温度まで加熱される。ここでも、絶縁層１４は比較的加熱され難いので、非晶質透明導電層３ａが結晶化する温度まで達しない。これにより、短時間かつ確実に反射電極２上の非晶質透明導電層３ａのみが選択的に結晶化される。
【００３２】
（エッチング工程）
次に、例えばＡｌからなる反射電極２および結晶化ＩＴＯからなる結晶化透明導電層３ｐと、非晶質ＩＴＯからなる非晶質透明導電層３ａとに選択性を有するエッチング液、例えば、蓚酸等の弱酸を用いてウエットエッチングを行う。蓚酸によってエッチングを行うことで、図４に示すように、反射電極２上の結晶化透明導電層３ｐを残して、絶縁層１４上の非晶質透明導電層３ａのみが選択的にエッチングされ、除去される。これにより、反射電極２上に透明電極３が積層して形成され、かつ反射電極２の縁２ｅと透明電極３の縁３ｅとが積層方向に重なるように揃った状態となる。
【００３３】
（基板貼り合せ工程等）
さらに、半導体層６のソース領域をデータ線に電気的に接続すると共に、蓄積容量、容量線、データ線、データ線駆動回路２０１、外部回路実装端子２０２、走査線駆動回路２０４、配線２０５等を形成することにより、アクティブマトリクス基板１０が形成される。次いで、対向基板２０を形成し、シール材５２によってアクティブマトリクス基板１０に貼り合せ、液晶５０を封入することで、図１、図２に示す液晶表示装置１００が得られる。
【００３４】
したがって、本実施形態の製造方法によれば、図３、図４に示すように、反射電極２を透明電極３の縁まで拡大することができるので、反射電極２の面積を拡大することができる。また、非晶質透明導電層３ａの形成と反射電極２上の結晶化透明導電層３ｐを同時に進行させることができるので、工程数を削減し、生産性を向上させることができる。また、非晶質透明導電層３ａと結晶化透明導電層３ｐとの選択比の高いエッチング液によって透明電極３をパターニングすることで、レジスト等のマスク材を必要としないので、工程数を削減し生産性を向上することができる。
【００３５】
また、絶縁層１４としてアクリル樹脂を用いることで、絶縁層１４上の非晶質透明導電層３ａの結晶化が阻害され、非晶質透明導電層３ａのまま残存する。これにより、非晶質導電層と結晶化透明導電層に選択性を有するエッチングによって、より確実に絶縁層１４上の非晶質透明導電層３ａのみを選択的に除去することができる。また、エッチング液として反射電極２と非晶質透明導電層３ａに選択性を有するエッチング液を用いることで、反射電極２を覆う結晶化透明導電層３ｐの欠陥部からエッチング液が浸透し、反射電極２に達したとしても、エッチング液の浸透による反射電極２の侵食を回避することができる。また、非晶質透明導電層３ａが除去された後に、反射電極２の側面のサイドエッチを防止することができる。
【００３６】
＜第二実施形態＞
次に、本発明の第二実施形態について、図１〜図９を援用し、図１０を用いて説明する。本実施形態では上述の第一実施形態で説明した透明電極３上にさらに第三の層間絶縁層１６が積層形成され、この第三の層間絶縁層１６上に第二の透明電極１７が複数形成される点で異なっている。その他の点は第一実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００３７】
〔液晶表示装置〕
液晶表示装置１００´は図２に示す対向電極２１を備える代わりに、図１０に示すように、透明電極３上を含む絶縁層１４上を覆うように第三の層間絶縁層１６が形成され、第三の層間絶縁層１６上には第二の透明電極１７が櫛歯状に複数形成されている。
したがって、本実施形態によれば、第一実施形態と同様の効果が得られるだけでなく、透明電極３と第二の透明電極１７との間に、アクティブマトリクス基板１０の表面に沿う方向の電界を発生させることができる。これにより、液晶層に対して基板方向の電界を発生させて液晶分子の配向制御を行う、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式やＩＰＳ（In-Plane Switching）方式等の所謂横電界方式を採用することができる。横電界方式を採用することで、液晶表示装置１００´の広視野角化を図ることができる。
【００３８】
〔液晶表示装置の製造方法〕
次に、本実施形態の液晶表示装置１００´の製造方法について説明する。透明電極３を形成する工程以前は第一実施形態と同様であるので、説明は省略する。
図１０に示すように、透明電極３上を含む絶縁層１４上を覆うように、例えばスパッタ法等により、第三の層間絶縁層１６を形成する。第三の層間絶縁層１６は、例えばＳｉＮ等によって形成することができる。
このとき、第三の層間絶縁層１６の形成の際に発生する熱によって、上述の透明電極３が加熱される。これにより、透明電極３に部分的に非晶質ＩＴＯが残存していたとしても、非晶質ＩＴＯが結晶化される温度まで上昇し、透明電極３の結晶化が促進され、十分に結晶化される。
【００３９】
次に、第三の層間絶縁層１６上を覆うように、スパッタ法等により、第二の非晶質透明導電層を形成する。第二の非晶質透明導電層は、例えば、非晶質ＩＴＯによって形成する。次いで、第二の非晶質透明導電層を覆うようにマスク材を形成し、フォトリソグラフィによりマスク材をパターニングし、第二の非晶質透明導電層を第一実施形態と同様のエッチング液によってエッチングして第二の透明電極１７を形成する。
このとき、第三の層間絶縁層１６に欠陥が存在した場合、エッチング液が欠陥部から侵入し、エッチング液が第三の層間絶縁層１６の下層の透明電極３まで浸透する。このような場合であっても、透明電極３は十分に結晶化がなされているため、透明電極３が浸透したエッチング液によって侵食されることを防止することができる。
【００４０】
したがって、本実施形態の製造方法によれば、第一実施形態と同様の効果が得られるだけでなく、第三の層間絶縁層１６の形成時に発生する熱によって透明電極３の結晶化を促進し、第三の層間絶縁層１６の下層にエッチング液が浸透した場合であっても、透明電極３がエッチング液によって侵食されることを防止することができる。
【００４１】
〔電子機器〕
次に、上述の実施形態で説明した液晶表示装置１００，１００´を備えた電子機器について説明する。
図１１に示すように、電子機器の実施形態の一例であるモバイル型のパーソナルコンピュータ８０は、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有している。液晶表示ユニット８３は、前述した液晶表示装置１００，１００´を備えている。図１２示すように、電子機器の実施形態の別の例である携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述した液晶表示装置１００，１００´からなる表示部とを有している。
このように、パーソナルコンピュータ８０および携帯電話機９０は、上述した液晶表示装置１００、１００´を備えているので、表示領域を透過する反射光を増加させることができ、製造コストを低減することができる。
【００４２】
尚、この発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、上述の実施形態では、Ａｌからなる反射電極および結晶化ＩＴＯからなる結晶化透明導電層と、非晶質ＩＴＯからなる非晶質透明導電層とに選択性を有するエッチング液として蓚酸を用いて説明したが、上述の選択性が実現できる組み合わせであれば、反射電極、エッチング液、透明導電材料の組み合わせは上述した材料の組み合わせに限られない。
【００４３】
また、電気光学装置は液晶表示装置に限られない。また、電子機器としては、上述の携帯電話に限られることなく、種々の電子機器に適用することができる。例えば、ノート型コンピュータ、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、プリンタの液晶表示部、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第一実施形態における液晶表示装置の平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ´線に沿う断面構成図。
【図３】本発明の第一実施形態における液晶表示装置の部分拡大断面構成図。
【図４】本発明の第一実施形態における液晶表示装置の部分拡大断面構成図。
【図５】本発明の第一実施形態における製造方法の説明図。
【図６】本発明の第一実施形態における製造方法の説明図。
【図７】本発明の第一実施形態における製造方法の説明図。
【図８】本発明の第一実施形態における製造方法の説明図。
【図９】本発明の第一実施形態における製造方法の説明図。
【図１０】本発明の第二実施形態における液晶表示装置の部分拡大断面構成図。
【図１１】本発明の実施形態における電子機器の一例を示す斜視図
【図１２】本発明の実施形態における電子機器の一例を示す斜視図
【符号の説明】
【００４５】
１  透明基板（基板）、２  反射電極、２ｅ  縁、３  透明電極、３ａ  非晶質透明導電層、３ｅ  縁、３ｐ  結晶化透明導電層、１４  絶縁層、１６  層間絶縁層、１７  第二の透明電極、８０  パーソナルコンピュータ（電子機器）、９０  携帯電話機（電子機器）、１００  液晶表示装置（電気光学装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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