(57)【要約】【課題】高周波における比透磁率の低下を抑制し、電子部品、アンテナ等に適用した場合、波長短縮率を大きくできる複合磁性体を得ることである。【解決手段】金属元素を添加することによって、機械的応力により容易に塑性変形する複合磁性体の磁性粉末を得る。当該磁性粉末と分散媒体と混合した場合、分散媒体のせん断応力によって扁平化し、機械的応力によって結晶方向に対して塑性変形し、厚みが薄く且つアスペクト比が大きい扁平状磁性粉末が得られる。このようにして得られた扁平状磁性粉末は、反磁界が小さいため、結果として、比透磁率の低下を抑制できる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性粉末を絶縁性材料中に分散して構成される複合磁性体において、１.２ＧＨｚ以下の周波数における複素透磁率の実部μｒ’が１０よりも大きく、かつ損失正接ｔａｎδが０．３以下であることを特徴とする複合磁性体。
【請求項２】
前記複合磁性体は、１ＧＨｚ以下の周波数における複素誘電率の実部εｒ’が１０以上であることを特徴とする請求項1に記載の複合磁性体。
【請求項３】
前記複合磁性体は、１ＧＨｚ以下の周波数における複素誘電率の実部εｒ’が１０以下であることを特徴とする請求項1に記載の複合磁性体。
【請求項４】
前記磁性粉末の材質はアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）のうちいずれか一種類以上の金属元素を添加したパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の複合磁性体。
【請求項５】
前記磁性粉末に添加される金属元素の濃度は０.１重量％〜９０重量％であることを特徴とする請求項４に記載の複合磁性体。
【請求項６】
前記磁性粉末は機械的応力を加えると磁化容易軸方向に対して容易に塑性変形することを特徴とする請求項４又は５に記載の複合磁性体。
【請求項７】
前記磁性粉末の形状は扁平状であり、その厚さが０．０１〜１μｍ、長さが０．０２〜１０μｍ、かつアスペクト比（長さ／厚み）が２以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の複合磁性体。
【請求項８】
前記扁平状磁性粉末は分散溶媒中に磁性粉末を混合する工程において、球状磁性粉末を機械的に扁平状に変形させたものであることを特徴とする請求項７に記載の複合磁性体。
【請求項９】
前記絶縁性材料は、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリベンゾシクロブテン樹脂、ポリアリーレンエーテル樹脂、ポリシロキサン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、およびポリスチレン樹脂のうち少なくとも一つを含む合成樹脂もしくは液相樹脂、または、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、２ＭｇＯ・ＳｉＯ２、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、、ＢａＴｉＯ３、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｉＣ、ＡｌＮのセラミックスからなる群より選ばれる少なくとも一つのセラミックスの原料であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の複合磁性体。
【請求項１０】
前記扁平状磁性粉末は前記絶縁性材料中において一定方向に配向していることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の複合磁性体。
【請求項１１】
前記扁平状磁性粉末を構成する結晶の特定の結晶面が前記扁平状磁性粉末の一定方向に配向していることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の複合磁性体。
【請求項１２】
前記扁平状磁性粉末の長軸方向と磁化容易軸とが一致することを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の複合磁性体。
【請求項１３】
扁平状磁性粉末の長軸方向と磁化容易軸が一致することを特徴とする複合磁性体。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一つに記載の複合磁性体を少なくとも含むことを特徴とする回路基板。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれか一つに記載の複合磁性体を少なくとも含むことを特徴とする電子部品。
【請求項１６】
請求項１〜１３のいずれか一つに記載の複合磁性体を少なくとも含むことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高周波回路基板及び高周波電子部品に関し、特に、かかる高周波回路基板及び高周波電子部品の材料として好適な複合磁性体及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報通信機器の高速化、高密度化に伴い、電子機器に搭載される電子部品や回路基板の小型化及び低消費電力化が強く求められている。一般に、材料内を伝播する電磁波の波長λｇは、真空中を伝播する電磁波の波長λ０と材料の複素誘電率の実部εｒ’(以下比誘電率εｒと示す)及び複素透磁率の実部μｒ’（以下比透磁率μｒと示す）を用いて、
λｇ＝λ０／（εｒ・μｒ）１/２
で表すことができるため、比誘電率εｒ及び比透磁率μｒが大きいほど波長短縮率が大きくなり電子部品や回路基板の小型化が可能となることが知られている。
【０００３】
ところが、情報通信機器等が使用する高周波帯では磁性材料の表面に渦電流が生じ、この渦電流は印加した磁界の変化を打ち消す向きに磁界を生成するため、材料の見かけ上の透磁率の低下を招いていた。また、渦電流の増大はジュール熱によるエネルギー損失を生ずるため、回路基板や電子部品等の材料として使用することは困難であった。渦電流を低減するためには、
ｄ = １／（π・ｆ・μ０・μｒ・σ）１／２
で表される表皮深さｄよりも磁性粉末の直径を小さくすることが効果的である。ここで、ｆは信号周波数、σは磁性粉末の導電率、μ０は真空の透磁率である。近年、ナノテクノロジーの進歩に伴い磁性粒子の微細化が進み、高周波での材料の比透磁率μｒの低下を抑制した事例が幾つか報告されている。
【０００４】
例えば、特許文献１において、本発明者らは分散媒体を用いた自転公転式混合を用いて球状磁性粉末または扁平状磁性粉末を樹脂中に好適に混合分散することにより、５００ＭＨｚ〜１ＧＨｚにおいて比透磁率μｒが１よりも大きく、かつ損失正接ｔａｎδが０．１以下の複合磁性体を提供している。
【０００５】
【特許文献１】特願２００７−１２０９２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１において、本発明者らは磁性粉末の分散を好適に実施することにより５００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの周波数帯でも損失の低減が可能であることを見出した。しかしながら、複合磁性体を形成する７８−パーマロイ(７８Ｎｉ−２２Ｆｅ合金)は塑性変形能が小さいため反磁界の影響が十分に除去できないこと、及び結晶配向性が小さいため高周波磁界と磁化容易軸を一致させることが困難であることがさらなる高透磁率化を阻害する要因となっていた。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、合金粒子に金属元素を添加し、機械的応力を加えた際に特定の結晶方向（ここでは、磁化容易軸方向）に対して容易に塑性変形する磁性粉末と絶縁性材料から構成される複合磁性体において、前記扁平状磁性粉末の長軸方向と磁化容易軸の方向が一致しており、１.２ＧＨｚ以下の周波数において比透磁率μｒが１０よりも大きく、かつ損失正接ｔａｎδが０．３以下であることを特徴とする複合磁性体とそれを用いた電子機器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、扁平状磁性粉末の分散及び配向を好適に実施することにより１.２ＧＨｚ以下の周波数帯において透磁率の更なる向上が可能であることを見出した。
【０００９】
すなわち、本発明の第１の態様によれば、磁性粉末を絶縁性材料中に分散して構成される複合磁性体において、１.２ＧＨｚ以下の周波数における比透磁率μｒが１０よりも大きく、かつ損失正接ｔａｎδが０．３以下であることを特徴とする複合磁性体が得られる。
【００１０】
本発明の第２の態様によれば、前記複合磁性体は、１ＧＨｚ以下の周波数における比誘電率εｒが１０以上であることを特徴とする第１の態様に記載の複合磁性体が得られる。
【００１１】
本発明の第３の態様によれば、前記複合磁性体は、１ＧＨｚ以下の周波数における比誘電率εｒが１０以下であることを特徴とする第１の態様に記載の複合磁性体が得られる。
【００１２】
本発明の第４の態様によれば、  前記磁性粉末の材質はアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）のうちいずれか一種類以上の金属元素を添加したパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）であることを特徴とする第１〜３の態様に記載の複合磁性体が得られる。
【００１３】
本発明の第５の態様によれば、前記磁性粉末に添加する金属元素の濃度は０．１重量％〜９０重量％であることを特徴とする第４の態様に記載の複合磁性体が得られる。
【００１４】
本発明の第６の態様によれば、前記磁性粉末は機械的応力を加えると磁化容易軸方向に対して容易に塑性変形することを特徴とする第４又は５の態様に記載の複合磁性体が得られる。
【００１５】
本発明の第７の態様によれば、前記磁性粉末の形状は扁平状であり、その厚さが０．０１〜１μｍ、長さが０．０２〜１０μｍ、かつアスペクト比（長さ／厚み）が２以上であることを特徴とする第１〜６の態様のいずれかに記載の複合磁性体が得られる。
【００１６】
本発明の第８の態様によれば、前記扁平状磁性粉末は分散溶媒中に磁性粉末を混合する工程において、球状磁性粉末を機械的に扁平状に変形させたものであることを特徴とする第７の態様の複合磁性体が得られる。
【００１７】
本発明の第９の態様によれば、前記絶縁性材料は、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリベンゾシクロブテン樹脂、ポリアリーレンエーテル樹脂、ポリシロキサン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、およびポリスチレン樹脂のうち少なくとも一つを含む合成樹脂もしくは液相樹脂、または、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、２ＭｇＯ・ＳｉＯ２、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、およびＢａＴｉＯ３のセラミックスからなる群より選ばれる少なくとも一つのセラミックスの原料であることを特徴とする第１〜８の態様のいずれかに記載の複合磁性体が得られる。
【００１８】
本発明の第１０の態様によれば、前記扁平状磁性粉末は前記絶縁性材料中において一定方向に配向していることを特徴とする第１〜８の態様のいずれかに記載の複合磁性体が得られる。
【００１９】
本発明の第１１の態様によれば、前記扁平状磁性粉末を構成する結晶の特定の結晶面が前記扁平状磁性粉末の一定方向に配向していることを特徴とする第１〜９の態様のいずれかに記載の複合磁性体が得られる。
【００２０】
本発明の第１２の態様によれば、扁平状磁性粉末の長軸方向と磁化容易軸が一致することを特徴とする複合磁性体が得られる。
【００２１】
本発明の第１３の態様によれば、第1〜１２の態様のいずれか一つに記載の複合磁性体を少なくとも含むことを特徴とする回路基板が得られる。
【００２２】
本発明の第１４の態様によれば、第1〜１２の態様のいずれか一つに記載の複合磁性体を少なくとも含むことを特徴とする電子部品が得られる。
【００２３】
本発明の第１５の態様によれば、第1〜１２の態様のいずれか一つに記載の複合磁性体を少なくとも含むことを特徴とする電子部品が得られる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、合金粒子に金属元素を添加し、機械的応力を加えた際に特定の結晶方向（例えば、磁化容易軸方向）に対して容易に塑性変形する磁性粉末と絶縁性材料から構成される複合磁性体において、前記扁平状磁性粉末の長さ方向と磁化容易軸の方向が一致しており、１.２ＧＨｚ以下の周波数において比透磁率μｒが１０よりも大きく、かつ損失正接ｔａｎδが０．３以下であることを特徴とする複合磁性体とそれを用いた電子機器を提供することができる。本発明に係る高い透磁率を有する複合磁性体を回路基板及び／または電子部品の材料として適用することにより、数百ＭＨｚ〜１ＧＨｚ帯域における情報通信機器の更なる小型化、低消費電力化を実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
まず、本発明の実施の形態に係る複合磁性体を構成する磁性粉末について説明する。
【００２６】
前記磁性粉末の材質としては、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、スーパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ合金）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ合金等に、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）等の金属元素を添加することが好ましい。
【００２７】
前記金属元素の添加量は０．１重量％以上かつ９０重量％以下の範囲にあることが好ましい。その理由は、金属元素の添加量が０．１重量％未満では前記軟磁性粉末が十分な塑性変形能を得られず、一方、前記金属元素自体の磁気モーメントが小さいため添加量が９０重量％を超えると前記磁性粉末の飽和磁化が小さくなるためである。
【００２８】
前記磁性粉末の好適な形状について説明する。磁性粉末における反磁界の大きさは、粉末の形状に依存する。例えば、球状の場合は反磁界が等方的に存在するため、高周波領域で優れた磁気特性を得ることが困難である。一方、粉末を扁平形状にすると扁平面に平行な方向の反磁界が格段に小さくなり、得られる透磁率が大きくなる。
【００２９】
本発明における前記扁平状磁性粉末は、分散溶媒中に磁性粉末を混合する工程において、球状磁性粉末を分散媒体のせん断応力によって扁平化する際、添加された金属元素の作用により機械的応力を加えると特定の結晶方向（ここでは、磁化容易軸方向）に対して容易に塑性変形するものであって、０．０１〜1μｍの厚みを有するものであることが好ましい。扁平状磁性粉末の厚さを０．０１μｍ未満とすることは製造上困難であり、取り扱いも難しくなる。また、扁平状磁性粉末の厚さが１μｍを超えると、渦電流を生じ高周波での磁気特性の低下を招くので好ましくない。また、前記扁平状磁性粉末のアスペクト比（長さ／厚み）が２より小さいと粉末の反磁界が大きくなり、複合磁性体の比透磁率μrが低下するので好ましくない。
【００３０】
次に、複合磁性体を構成する絶縁材料について説明する。
【００３１】
前記複合磁性体を回路基板の材料として用いる場合、特性インピーダンスを上昇させる観点からは誘電率が低いことが好ましく、前記絶縁性材料として、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリベンゾシクロブテン樹脂、ポリアリーレンエーテル樹脂、ポリシロキサン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリスチレン樹脂などの低誘電率の合成樹脂が好適に選択される。
【００３２】
一方、コンデンサやアンテナ素子など高誘電率性が要求される場合には、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、２ＭｇＯ・ＳｉＯ２、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３などのセラミックもしくはこれら無機物と有機物の混合物などを適宜使用できる。
【００３３】
本発明に係る複合磁性体の製造工程は、磁性粉末を溶剤中に分散させて混合しスラリーを製造する工程中に、溶剤に界面活性剤を添加した分散溶媒を製造する工程と、分散溶媒中に磁性粉末を混合する混合工程とを含み、当該磁性粉末を分散溶媒中に混合する際、分散媒体及び絶縁性材料が添加され、分散媒体及び絶縁性材料が添加された状態で、自転公転式混合を行う。
【００３４】
上記した混合工程中において、金属元素を添加した磁性粉末を分散媒体の機械的な応力によって、ある特定の結晶面方向に塑性変形した前記扁平状磁性粉末を作製している。
【００３５】
溶剤、界面活性剤、磁性粉末、分散媒体、及び、絶縁性材料を混合する上記した混合工程に用いることが出来る装置としては、ニーダ、ロールミル、ピンミル、サンドミル、ボールミル、遊星ボールミル等があるが、本発明に係る分散媒体を使用するためにはサンドミル、ボールミル、遊星ボールミル等が適している。
【００３６】
また、分散媒体としては、アルミニウム、スチール、鉛等の金属類あるいは金属酸化物類、アルミナ、ジルコニア、二酸化ケイ素、チタニア等の酸化物焼結体、窒化ケイ素等の窒化物焼結体、炭化ケイ素等の珪化物焼結、ソーダガラス、鉛ガラス、高比重ガラス等のガラス類等が挙げられる。
【００３７】
次に、得られたスラリーの塗布方法について述べる。塗布方法はこれを公知の成形方法、例えばプレス法、ドクターブレード法、射出成形法により任意のシート形状に成形し、ドライフィルムを作製することができる。これらの方法の中で、複合磁性体の積層体を形成のためにはドクターブレード法によってシート状に成形することが望ましい。スラリーは上記の塗布方法に適した粘度調整のために、溶剤を揮発させて濃縮後に塗布を行う。
【００３８】
上記方法によりシート状に塗布されたスラリーは、直流外部磁場を印加しながら乾燥させることが好ましい。乾燥中に直流外部磁場を印加することにより、前記扁平状粒子はシート面と平行方向に配向される。このとき、前記扁平状粒子内の磁化容易軸は扁平状粉末の長軸方向を向いているため、形状異方性と結晶異方性が同時に配向されることになる。
【００３９】
最後に、このようにして得られたドライフィルムを、還元性雰囲気或いは真空中で熱処理及びプレス成形することにより、複合磁性体を得る。
【００４０】
本発明に係る最大の特徴は、複合磁性体を構成する前記扁平状磁性粉末は特定の結晶方向（ここでは、磁化容易軸方向）に対して塑性変形し易く、機械的応力を加えると容易に塑性変形し、高いアスペクト比を有し、複合磁性体を作製する際に外部磁化をかけることにより、特定方向に平行に配列（配向）するので、複合磁性体の面方向の反磁場係数を低くするとともに、前記扁平状磁性粉末の長さ方向と磁化結晶容易軸が一致することによって、複合磁性体の透磁率を高めることが可能であることである。
【００４１】
次に、本発明に係る実施例について説明する。
【００４２】
以下、実施例１及び２により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【実施例１】
【００４３】
金属元素を添加した平均粒径０．２５μｍのパーマロイ磁性粉末２ｇを、キシレンおよびシクロペンタノン４：１混合液１０ｇに界面活性剤として窒素含有のグラフトポリマーを溶解した分散液に混合し、さらに分散媒体として平均粒径が２００μｍのジルコニアビーズを添加し、この状態で遊星攪拌を５０分間実施して磁性粉末を扁平状にした。このようにして得られたスラリーにポリシクロオレフィン樹脂を固形分比率４０％に希釈して得た樹脂ワニス０．５ｇを添加しさらに遊星攪拌で５分間混合した。遊星攪拌時の公転速度はいずれも２０００ｒｐｍ、自転速度は８００ｒｐｍとした。
【００４４】
次に、得られた混合液を静置して分散媒体を沈降させ(磁性粉末の比重は７〜８、ジルコニアの比重は６〜７であるが、ジルコニアビーズの粒径が２００μｍに対して磁性粉末の粒径は０．２５μｍであるので、ジルコニアビーズの方が重いためジルコニアビーズが沈降する)、上澄み液をロータリーエバポレーターに導入し、５０℃、２．７ｋＰａの減圧下で（減圧のため溶剤の沸点が下がる）溶剤を蒸発させ、ドクターブレード法によってフィルム状に成形した後、１．６×１０５Ａ／ｍの磁場をかけて磁性粒子を配向させながら、常温で乾燥させた。このようにして得られたドライフィルムを６枚積層して、減圧プレス装置によってプレス焼成を行った。プレス条件は常圧のまま１３０℃まで２０分で昇温させ、その後２ＭＰａの圧力をかけて５分間保持し、その後１６０℃まで昇温させて４０分間保持し、樹脂を硬化させて厚さ３５０μｍの複合磁性材料を作製した。
【００４５】
得られた複合磁性材料中の磁性粉末は、最終的に、結晶の磁化容易軸方向に扁平化し磁化容易軸に平行な結晶面が厚さ方向に積み重なった形態を有している。
【００４６】
この複合磁性材料の複素透磁率をパラレルライン法により測定したところ、１．２ＧＨｚにおいて比透磁率μｒ＝１１、磁気損失ｔａｎδ＝０．２５であり（図１参照）、誘電率を平行平板法により測定したところ比誘電率＝１２、誘電損失ｔａｎδ＝０．０５であった。
【００４７】
この複合磁性体の構造写真を図２示す。磁性粒子は扁平化され、一定方向に配向していることが分かる。このときの扁平粒子の大きさは平均すると厚さ約０．０３μｍ、長さ約１μｍであり、アスペクト比は約３３となった。さらに図３に示すＸ線回折結果により、特定の結晶面が配向していることが分かる。比較として、直流磁場を印加せずに従来方法により作製した複合磁性体の透磁率特性、断面写真、Ｘ線回折結果をそれぞれ図４、図５、図６に示すが、この場合は扁平粒子が一定の方向に配列せず、また結晶面にも配向性は見られない。その結果、比透磁率は７程度しか得られないことが分かる。
【実施例２】
【００４８】
本複合磁性体を電子部品に応用した一例として、複合磁性体を用いたモノポールアンテナの事例を示す。図７に示すように、アンテナ素子は長さ５０ｍｍ、幅５ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの複合磁性体１０を２枚用いて、長さ５５ｍｍ、幅１．５ｍｍのストリップ導体１２を挟みこんだ構造とした。該アンテナ素子を３００ｍｍ角の導体地板１４の中央に接続し、接続点を給電点１６として、５０Ω給電した。
【００４９】
図８にアンテナの入力反射特性を示すが、実測定結果と電磁界シミュレータＨＦＳＳに本複合磁性体の材料定数を入力して求めた計算値はよく一致している。また、複合磁性体を装荷したアンテナ（図８中ＷｉｔｈＭＤと表記）と装荷していないアンテナ（図８中ＷｉｔｈｏｕｔＭＤと表記）の共振周波数を比較すると、複合磁性体１０を装荷することにより共振周波数が１．２６ＧＨｚから０．８８ＧＨｚにシフトしている。すなわち複合磁性体の比透磁率及び比誘電率の効果により大幅な波長短縮効果が得られており、本アンテナの場合は３０％ほど小型化可能となることを示している。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、半導体装置、回路素子、平板表示装置、その他高周波用電子部品に適用し、またこれらを搭載する高周波用回路基板に適用して、小型化、低消費電力化を可能にする。従って、本発明を適用した電子部品及び／又は回路基板を搭載した高周波電子機器すべてにおける小型化、低消費電力化を可能にするものである。更に、本発明に係る複合磁性体は、アンテナに適用して、当該アンテナの小形化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施例１で得られた複合磁性体の磁気特性の値を周波数に対して示す図である。
【図２】本発明の実施例１で得られた複合磁性体の走査型電子顕微鏡写真である。
【図３】本発明の実施例１で得られた複合磁性体のＸ線回折結果を示す図である。
【図４】従来方法により得られた複合磁性体の磁気特性の値を周波数に対して示す図である。
【図５】従来方法により得られた複合磁性体の走査型電子顕微鏡写真である。
【図６】従来方法により得られた複合磁性体のＸ線回折結果を示す図である。
【図７】本発明の一実施例におけるアンテナの構成を示す概略図である。
【図８】アンテナの入力反射特性を周波数に対して示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０   複合磁性体
１２   ストリップ導体
１４   導体地板
１６   給電点
【図１】
2008263098.tif 000003
【図２】
2008263098.tif 000004
【図３】
2008263098.tif 000005
【図４】
2008263098.tif 000006
【図５】
2008263098.tif 000007
【図６】
2008263098.tif 000008
【図７】
2008263098.tif 000009
【図８】
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