(57)【要約】  【課題】簡便な工程で高精細なパターン形成が可能な半導体材料を用いて電界効果型トランジスタを提供する。  【解決手段】側鎖に光二量化により付加反応する官能基を有するポリチオフェン系重合体を半導体層に用いた電界効果型トランジスタ。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
側鎖に光二量化により付加反応する官能基を有するポリチオフェン系重合体を半導体層に用いた電界効果型トランジスタ。
【請求項２】
光二量化により付加反応する官能基が桂皮酸エステル基である請求項１記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
半導体層がパターン形成されている請求項１記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
ポリチオフェン系重合体中に、重合体全量に対して０．０１〜３重量％のカーボンナノチューブを有する請求項１〜３のいずれか記載の電界効果型トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、側鎖に光二量化により付加反応する官能基を有するポリチオフェン系重合体を用いた電界効果型トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
電界効果型トランジスタ（以下、ＦＥＴ素子という）の半導体層に、有機半導体材料を用いれば、半導体層を有機半導体溶液の塗布のみで簡便に形成できることから、ＦＥＴ素子の製造コストを大幅に下げられると期待されている。さらに、これまでの無機半導体のような真空プロセスを用いないので、ＦＥＴ素子を大面積でかつ薄くて軽い集積回路を形成することができる。これらの特長を活かして、有機半導体は液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、ＩＣカード、あるいはフレキシブルディスプレイなどへの応用が期待されている。
【０００３】
これまで、ＦＥＴ素子の研究は有機半導体材料の特性向上に主眼が置かれており、トランジスタの評価は単一の素子で行われてきた。その際、半導体層はスピンコート法やキャスト法で基板全体に塗布するにとどまり、パターニングを行わないことが大半であった。しかし近年になって、有機半導体層のパターン形成する方法として、たとえば、バンクで区切られた領域に半導体材料の溶液をインクジェットで塗布する方法が提案されている（特許文献１参照）。インクジェット法は有機半導体層のパターニング方法として最も実用化に近い技術ではあるが、ポリイミド柵の形成が必要であることや、高精細化には限度があるなどの問題がある。
【０００４】
また、有機半導体と類似材料である導電性重合体については、フォトリソグラフィー法によりパターン形成する方法が提案されている（特許文献２参照）。このフォトリソグラフィー法では、重合体膜に紫外線を照射し、次いで水またはアルコールに浸漬して超音波照射し、紫外線照射部分を除去することによってパターニングを行う。導電性重合体は、半導体特性を示す共役系重合体に酸をドープすることで導電性を発現させている。このフォトリソグラフィー法おいてパターン形成が可能なのは導電性重合体中に含まれる酸が、紫外線照射時に重合体の共役鎖と反応し、溶媒に可溶な成分を生成するためである。したがって、酸などのドーパントを含まない有機半導体材料においては、このフォトリソグラフィー法を用いてもパターン形成はできない。
【０００５】
また、高分子型の有機エレクトロルミネッセンス素子において、半導体特性を有する重合体の側鎖に架橋性基を導入し、重合体同士を架橋させて層を形成する技術が開示されている（特許文献３参照）。特許文献３に記載された半導体層材料は、塗布時には溶媒に可溶で、塗布後には熱架橋によって溶媒に対し不溶化させ、半導体層の上に形成される層の塗布液に含まれる溶媒に対しての耐溶剤性を向上させている。また、特許文献３では化学的架橋と、光架橋についても提案がされている。しかし、化学的架橋においては架橋剤としてホルムアルデヒドや多官能化アジ化物を添加しているので架橋後の重合体中には架橋剤が不純物として残存している。また、光架橋においてはアジ化物を用いているため副生成物が発生している。すなわち、これらの架橋方法から得られる重合体中には、不純物や副生成物が存在しており、特許文献３に記載されているような方法を半導体層作製に適用することは難しかった。
【特許文献１】特開２０００−３５３５９４号公報（請求項１）
【特許文献２】特表２００５−５０７１４８号公報（請求項１）
【特許文献３】特表平１０−５１１７１８号公報（実施例２７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＦＥＴ素子が有する半導体層においても高精細なパターン形成の必要性が大きくなってきているが、これまでの材料は半導体特性と高精細なパターンの形成を両立できるものがなかった。本発明の課題は、簡便な工程で高精細なパターン形成が可能な半導体材料を用いて電界効果型トランジスタを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、側鎖に光二量化により付加反応する官能基を有するポリチオフェン系重合体を半導体層に用いた電界効果型トランジスタである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の材料によれば半導体特性を有し、さらにフォトリソグラフィー法により、簡便な工程で高精細なパターンを形成することができ、またパターン形成された半導体層を有する電界効果型トランジスタを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明は、側鎖に光二量化により付加反応する官能基を有するポリチオフェン系重合体を半導体層に用いたＦＥＴ素子である。本発明に用いられるポリチオフェン系重合体は、光二量化により付加反応する官能基を有しているため、側鎖の付加反応によって重合体同士が架橋される。すなわち架橋部分は有機溶剤等の現像液に不溶となるため、フォトリソグラフィー法を適用したパターン形成が可能となる。また架橋部分の重合体の緻密化が促進され、半導体特性が向上する。
【００１０】
フォトリソグラフィー法は、重合体膜の所望の部分にのみ光を照射し、照射部分と未照射部分との溶媒への溶解性の差を作り、現像工程を経て所望のパターンを形成する方法である。本発明に用いられる重合体においては、光照射によって重合体が架橋されるため、照射部分が不溶化に、未照射部分が可溶なまま残存するので、所望部分に光照射し、不要部分を現像液等に浸漬するなどして除去すると、所望のパターンを得ることができる。
【００１１】
光の照射には、フォトマスクを介して露光する方法が好ましく用いられる。フォトマスクには所望のパターン部分を透明に形成しておき、光照射時に重合体膜の上に設置して用いる。照射される光の波長は、感光基が付加反応を起こす波長を照射すればよく、紫外光から可視光領域の波長を好ましく用いることができる。光照射装置は市販のものを用いることができ、ステッパー露光機、プロキシミティ露光機等を用いることができる。光源は、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプ、殺菌灯、紫外線ランプなどが使用できる。
【００１２】
光未照射部分の除去は現像工程によって行われる。現像に用いる溶剤は重合体が可溶な溶剤であればよく、有機溶剤が用いられる。また、その溶解力が失われない範囲で水を添加しても用いられる。
【００１３】
重合体膜の光照射された部分は、架橋によって耐溶剤性が向上する。このことから重合体膜の上に何らかの層を積層しようとする場合、溶媒を含む塗液を塗布しても何ら問題なく形成することができる。したがって耐溶剤性の向上した重合体膜の上には他の有機半導体材料や、パッシベーション膜用材料などを塗布によって積層することができる。
【００１４】
また、光照射された部分は架橋によって膜が緻密化される。このことによって重合体の分子間の距離が短くなり、結果として重合体膜のトランジスタ特性を向上できる。
【００１５】
本発明に用いる重合体の側鎖にある官能基は、光二量化によって付加反応が進行する官能基であることが必要である。光二量化の付加反応をする基を用いることで、重合開始剤などの添加物を用いずに付加反応を進行させることができ、重合開始剤や、重合開始剤の副生成物の存在によるによる不純物の混在を防ぐことできる。トランジスタの半導体特性は半導体層中の不純物含有量に大きく影響されるので、不純物の混入は極力避けることが好ましい。
【００１６】
本発明のトランジスタの半導体層には、ポリチオフェン系重合体を用いることで成形性や膜安定性に優れた半導体層を得ることができる。ポリチオフェン系重合体とは、主鎖骨格にチオフェンユニットを含み、チオフェン環が２位、５位で結合したものである。さらに本発明の重合体は、側鎖に光二量化反応を起こす官能基を有する。この重合体には、半導体特性、溶解性、光架橋性を維持できる範囲で、置換基を持たないユニットや、アルキル基やアルコキシ基などの置換基を有するユニットを含んでもよい。側鎖の置換基はチオフェン環の３位、４位の両方、あるいはいずれかに結合している。
【００１７】
光二量化反応を起こす官能基としては、光二量化反応を起こす官能基であれば好ましく用いられ、例えば桂皮酸エステル基、カルコン基、スチリルピリジニウム基、α−フェニルマレイミド基、アンスリル基、クマリン基などが挙げられる。官能基の光感度や熱安定性とのバランスを考慮すると桂皮酸エステル基がより好ましく用いられる。
【００１８】
これらの光二量化反応を起こす官能基は、重合体の主鎖のユニットに直接結合していてもよいし、重合体の側鎖に設けたアルキル基やアルコキシ基などの基に結合していてもよい。これらアルキル基やアルコキシ基の炭素数は１〜２２程度が好ましい。炭素数が２２より大きいと、架橋性に影響はないがトランジスタ特性が低下することがある。炭素数を上述の範囲にすることで、架橋性とトランジスタ特性を両立することができる。
【００１９】
光二量化反応を起こす官能基は、重合体の各モノマーユニット全てに挿入されていてもよいし、光二量化反応を起こす官能基をもたないユニットが含まれていてもよい。好ましくは全モノマーユニットのうち、ユニットのモル数に換算して２０分の１以上のユニットに光二量化反応を起こす官能基が含まれていることである。こうすることで官能基同士が反応する確率が高まり、充分に架橋させることができる。
【００２０】
ポリチオフェン系重合体の主鎖にはチオフェンユニットを、ユニットのモル数に換算して１０分の１以上含んでいることが好ましい。より好ましくは６分の１以上であり、膜の成形性や膜安定性、半導体特性に優れた重合体を得ることができる。チオフェン以外のユニットとしては、アリーレンユニット、チエニルチアゾールユニット、チアゾールユニット、チエノチオフェンユニット、チエニルチエノチオフェンユニット、フルオレンユニット、カルバゾールユニットや、フタロシアニンユニット、ポルフィリンユニット、ビニレンユニット、フェニレンユニット、ナフチレンユニット、または上記のユニットの誘導体が挙げられ、共役系の連続するものであれば何れも好ましく用いることができる。
【００２１】
ポリチオフェン系重合体の分子量は数平均分子量で８００〜２０００００であることが好ましい。また分子量８００〜３０００程度のオリゴマーであってもよい。なお、数平均分子量および重量平均分子量はサイズ排除クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、ポリスチレンの標準試料に換算して求めることができる。
【００２２】
本発明において用いられる上記のポリチオフェン系重合体において、主鎖中のユニット全てに側鎖が結合している場合、側鎖の結合様式は、レジオレギュラーな構造を有するものが好ましく、少なくとも８０％以上のレジオレギュラリティーを有するものが好ましく用いられる。レジオレギュラリティーとは、複数並んだモノマーユニットにおいて、側鎖の方向がどれだけ一方向に規則正しく並んで連結しているかを表す指標である。レジオレギュラリティーは核磁気共鳴分光装置（ＮＭＲ）によって定量することが可能であり、レジオレギュラーの割合が高いほど良好なトランジスタ特性を得ることができる。本発明では以上のように共役系重合体の主鎖の立体構造や側鎖置換基の配列を制御してもよい。
【００２３】
本発明で用いる共役系重合体は合成過程で使用した原料や副生成物などの不純物をできるだけ除去することが好ましい。その精製方法は特に限定されないが、再沈殿法、ソクスレー抽出法、濾過法、イオン交換法、キレート法等を用いることができる。中でも重合中に使用したモノマーやその副生成物、重合中に失活したダイマー等の不純物を除去する場合には再沈殿法やソクスレー抽出法が好ましく用いられ、金属成分の除去には再沈殿法やキレート法、イオン交換法が好ましく用いられる。これらの方法のうち、１種を単独で用いるか、あるいは複数を組み合わせてもよい。
【００２４】
本発明のＦＥＴ素子の半導体層においては、ＣＮＴを、ポリチオフェン系重合体全量に対して０．０１〜３重量％有してもよい。ＣＮＴを含むことによって、本発明の重合体の特性を維持しつつ、トランジスタ特性がさらに向上する。ＣＮＴ添加量が０．０１重量％より少ない場合はトランジスタ特性の向上の幅が小さい。３重量％より多い場合は、ＣＮＴのパーコレーションのしきい値を超え、電導度が高くなるために半導体ではなく導電体の様相を呈する。より好ましくは０．１〜１重量％である。
【００２５】
本発明のＦＥＴ素子の半導体層はＣＮＴを含むことによって、フォトリソグラフィー法によるパターン形成時に、現像液による膨潤や、現像による膜減りを抑制することができる。また、パターン形成のために必要な光照射量については、ＣＮＴを用いない場合より少ない照射量でパターン形成が可能である。おそらく本発明の重合体とＣＮＴの親和性が良好なため、ＣＮＴが架橋した重合体の内部に取り込まれ、架橋性の向上に寄与しているためと推測される。このようにＣＮＴを上述の範囲の量で添加することによって、トランジスタ特性のみならず、架橋性も向上することができる。
【００２６】
上述の重合体に含まれるＣＮＴは、ＦＥＴ素子の電極間の短絡を防ぐために、素子電極間の距離よりも短いＣＮＴを使用することが望ましい。ＣＮＴは一般には紐状で生成されるので、短繊維状で使用するためにカット、あるいはフィルターを用いて長い成分のＣＮＴを除去して、素子電極間の距離よりも短いＣＮＴを得ることができる。濾過に用いるフィルターは、チャネル長よりも小さい孔径を有するフィルターであれば、メンブレンフィルター、セルロース濾紙、ガラス繊維濾紙など何れの種類のフィルターも用いることができる。中でもメンブレンフィルターは、濾紙内部で吸着されるＣＮＴの量を減らすことができるので、濾液から収率よくＣＮＴを回収できるので好ましく用いることができる。濾過に用いるフィルターの孔径は、チャネル長よりも小さければよく、例えばチャネル長が２０μｍの場合は、孔径１０μｍのフィルターを用いることで電極間の短絡を確実に防ぐことができる。実際には孔径０．５〜１０μｍのフィルターを好ましく用いることができ、チャネル長に応じて使い分けることができる。一方、短繊維へのカットには、硝酸、硫酸などによる酸処理とともに超音波処理が有効であり、またフィルターによる分離を併用することは純度を向上させる上でもさらに好ましい。また、ＣＮＴの懸濁液または分散液にパルスレーザーを照射してカットする方法も用いることができる。
【００２７】
ＣＮＴは上述のようなカットやフィルター分取するだけではなく、あらかじめ短繊維状に作製したＣＮＴも本発明により好ましく使用される。このような短繊維状ＣＮＴは基板上に鉄、コバルトなどの触媒金属を形成し、その表面にＣＶＤ法により７００〜９００℃で炭素化合物を熱分解してＣＮＴを気相成長させることによって基板表面に垂直方向に配向した形状で得られる。このようにして作製された短繊維状ＣＮＴを基板から剥ぎ取るなどの方法で取り出すことができる。また、短繊維状ＣＮＴはポーラスシリコンのようなポーラスな支持体や、アルミナの陽極酸化膜上に触媒金属を担持させ、その表面にＣＮＴをＣＶＤ法にて成長させることもできる。触媒金属を分子内に含む鉄フタロシアニンのような分子を原料とし、アルゴン／水素のガス流中でＣＶＤを行うことによって基板上にＣＮＴを作製する方法でも配向した短繊維状のＣＮＴを作製することができる。さらには、ＳｉＣ単結晶表面にエピタキシャル成長法によって配向した短繊維状ＣＮＴを得ることもできる。溶液の塗布より得られた分散体が半導体として利用される場合には、ＣＮＴの平均長さは電極間距離によるが、好ましくは２μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下で使用される。
【００２８】
上述のＣＮＴは、予め溶媒中に分散しておくことで、本発明のポリチオフェン系重合体中に均一に分散することができる。ＣＮＴの溶媒中への分散には、共役系重合体を共存させることが好ましい。ここで用いられる共役系重合体としては、ポリチオフェン、ポリチエニレンビニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリ−ｐ−フェニレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリピレン、ポリカルバゾール、ポリフラン、ポリインドール系のポリマーが挙げられる。中でも半導体特性の優れたものとしてポリチオフェン系重合体が好ましく、ポリ−３−ヘキシルチオフェン、ポリ−３−オクチルチオフェン、ポリ−３−ドデシルチオフェン等のポリ−３−アルキルチオフェンが特に好ましく用いられる。
【００２９】
ＣＮＴの溶媒中への分散方法としては、ＣＮＴと上述の共役系重合体を溶媒に混合した後、超音波照射して分散する方法、ＣＮＴを溶媒中で予め超音波照射下で予備分散した後、共役系重合体を添加し分散させる方法、溶融した共役系重合体の中にＣＮＴを添加して分散させる方法等がある。本発明においては、何れの方法も用いることができるが、中でもＣＮＴと上述の共役系重合体を溶媒に混合した後、超音波照射を行う方法が好ましい。超音波照射は、超音波洗浄機あるいは超音波ホモジナイザーなどを用いて行うことができる。短時間で高効率に分散を行う場合には超音波ホモジナイザーが好ましく用いられる。超音波照射によってＣＮＴを分散すると、ＣＮＴの凝集は解かれて、より細かく均一に分散することができるので、ナノサイズ効果や添加効果を顕著に得ることができる。また、分散状態を安定化できるというメリットも得られる。ここで、ＣＮＴに対する共役系重合体の量は０．５〜１０倍程度であることが好ましい。より好ましくは１〜２倍である。この範囲にあることで高い分散性を維持しつつ、余剰の共役系重合体が少ない状態が得られ、良好なＣＮＴ分散液を得ることができる。ＣＮＴ分散液の溶媒に対する濃度は、０．００１〜３０ｇ／ｌの範囲が好ましい。直径が１５ｎｍ以下のＣＮＴを用いる場合は、ＣＮＴ濃度は０．００１〜１ｇ／ｌの範囲がより好ましい。
【００３０】
超音波の照射出力は、超音波ホモジナイザーなどを用いて直接照射装置する場合は１００〜５００Ｗであることが好ましい。バッチ式で分散処理を行う場合は１００〜５００Ｗが好ましく、さらに好ましくは１００〜３００Ｗが良く、連続フロー式で分散処理を行う場合は２００〜７５０Ｗ、さらに２００〜５００Ｗが好ましい。この範囲にあることで、分散液の超音波照射による液温上昇を適度に制御しながら良好なＣＮＴ分散液を得ることができる。また、超音波洗浄機などを用いて間接照射する場合の超音波の出力は、１０〜１０００Ｗが好ましい。通常市販されている超音波洗浄機は、超音波の出力と洗浄槽の大きさがほぼ比例するように設計されているので、ＣＮＴ分散液の処理量にあわせて出力と洗浄槽の大きさを選定すれば良く、出力約１００Ｗ／洗浄槽約２リットルから、出力３００Ｗ／洗浄槽１０リットル程度のものを用いることが好ましい。超音波の周波数は２０〜１００ｋＨｚであることが好ましい。なお、超音波の照射を終了する直前に共役系重合体を、上述の配合比の範囲内で追加してもよく、こうすることでＣＮＴの再凝集を抑制し分散安定性を向上させることができる。  
【００３１】
本発明で用いるポリチオフェン系重合体は有機溶媒に溶解して溶液とし、その溶液を塗布などによって膜状にすることでトランジスタの半導体層に用いることができる。重合体溶液は、重合体と溶媒を混合し、その後、超音波照射、加熱、撹拌のうちの少なくとも１種類の方法を用いて得ることができる。また、本発明のポリチオフェン系重合体中にＣＮＴを有する場合は、ＣＮＴ分散液とポリチオフェン系重合体とを混合し、超音波照射、加熱、撹拌のうちの少なくとも１種類の方法を用いて得ることができる。
【００３２】
超音波照射では、超音波洗浄機を用いた間接照射が好ましく用いられる。超音波ホモジナイザーを用いた直接照射も可能であるが、この場合は超音波の照射出力をできるだけ小さくし、出力２００Ｗ以下で照射することが好ましい。加熱する温度は、ポリアリーレンビニレン系重合体の溶解性や溶媒の沸点にもよるが、４０℃以上、溶媒の沸点以下で行うことが好ましい。撹拌はマグネチックスターラーや撹拌羽根を用いた撹拌これらの溶解方法のうち、４０℃程度に加熱しながら超音波洗浄機を用いる方法が最も好ましく用いられる。こうすることでポリチオフェン系重合体の主鎖は切断されることなく、溶媒中に効率よく溶解させることができる。
【００３３】
本発明に用いられるポリチオフェン系重合体溶液の溶媒や、ＣＮＴ分散液に用いられる溶媒は、溶液にしたときに重合体を溶解でき、またＣＮＴを用いる場合はＣＮＴの分散が十分なされるものであれば特に限定されないが、メタノール、エタノール、ブタノール、トルエン、キシレン、ｏ−クロロフェノール、アセトン、酢酸エチル、エチレングリコール、クロロホルム、トリクロロエタン、トリクロロエチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、テトラヒドロフラン、テトラリン、ジクロロメタン、ジクロロエタンなどが挙げられ、必要に応じて適宜選択される。
【００３４】
ポリチオフェン系重合体の溶媒に対する濃度は０．０１〜３０ｇ／ｌの範囲が好ましい。この範囲にあることで重合体は溶媒中に均一に分散でき、かつ均一な膜形成が可能となる。また、ＣＮＴの分散性の観点からもこの濃度範囲にあることによって、ＣＮＴの高い分散性が維持でき、均一な膜形成が可能となる。
【００３５】
本発明のポリチオフェン系重合体は、薄膜の形態で用いられることが多い。薄膜形成の方法としては、スピンコート塗布、ブレードコート塗布、スリットダイコート塗布、スクリーン印刷塗布、バーコーター塗布、鋳型塗布、印刷転写法、浸漬引き上げ法、インクジェット法など何れの方法を用いることができる。また、ポリチオフェン系重合体がオリゴマー程度の低分子量であれば、真空蒸着法等の真空プロセスも用いることができる。塗膜厚み制御や配向制御など、得ようとする塗膜特性に応じて塗布方法を選択すればよい。例えばスピンコート塗布を行う場合、厚み５〜２００ｎｍの塗膜を得るには共役系重合体溶液の濃度は１〜２０ｇ／ｌが好ましい。形成した塗膜に対して、減圧下または不活性雰囲気下（窒素やアルゴン雰囲気下）でアニーリング処理を行ってもよい。
【００３６】
半導体層の膜厚は特に限定されないが、中でも好ましくは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下がよい。１００ｎｍ以上であると、電流をオフに制御しようとしても、ソース・ドレイン間電流に制御できない電流が多く流れてオフ電流が増加することから、ＦＥＴ特性のオンオフ比が低下する。また５ｎｍ以下では充分なオン電流が得られないという問題がある。
【００３７】
ここで、ＦＥＴ素子の性能を示す重要な指標として移動度とオンオフ比が挙げられる。移動度の向上は、すなわち、オン電流の増加と駆動速度の高速化を意味する。一方、オンオフ比の向上は、オン電流の増加とともにオフ電流の低減を意味する。これらのようにＦＥＴ素子のスイッチング特性を向上させることによって、例えば液晶表示装置においては高速駆動化と高階調化を実現させることにつながる。例えば液晶表示装置で動画表示を行う場合には、移動度０．１ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上、オンオフ比１×１０５以上が求められるが、静止画表示を行う場合には、少なくとも移動度が１×１０−３ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上、オンオフ比が１×１０３以上であることが望ましい。
【００３８】
ここで重合体膜中のＣＮＴの分散性は、重合体溶液を基板上に塗布し、塗布されたＣＮＴ膜を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いることで評価できる。たとえばＣＮＴ分散液を希釈せずにそのまま塗布して膜中のＣＮＴの太さや形状を観察したり、膜表面の凹凸を観察することで均一性や表面粗さＲａを評価することができる。また、ＣＮＴの太さや形状については、ＣＮＴの分散液をさらに２〜２０倍に希釈して基板上に塗布し、ＣＮＴ同士の重なりを少なくした状態で観察して評価することができる。ＡＦＭによるＣＮＴ観察では装置の特性上、ＣＮＴの幅方向の太さは実際のＣＮＴ太さよりも大きく観察されてしまうが、高さ方向の値は実際の数値を表すので、高さの値をＣＮＴの太さとして評価することができる。このようにして、ＣＮＴがどの程度、凝集が解かれているかを評価することができる。具体的にはＣＮＴが１〜１０本程度の束にまで解かれていることが好ましい。
【００３９】
本発明のトランジスタについて、図１を用いて説明する。図１はボトムコンタクト型のＦＥＴ素子である。基板１には、絶縁層３で覆われたゲート電極２を有する。その上にソース電極５およびドレイン電極６を形成し、有機半導体層４を形成する。
【００４０】
基板１としては、例えば、シリコンウエハ、ガラス、アルミナ焼結体等の無機材料、ポリイミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリパラキシレン等の有機材料が使用できる。
【００４１】
ゲート電極２、ソース電極５およびドレイン電極６は、金、白金、銀、銅、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン、低抵抗ポリシリコン、低抵抗アモルファスシリコン等の金属や、錫酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、白金シリサイド、インジウムシリサイド、タンタル等の無機化合物や、ポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の有機化合物や、ＣＮＴを用いることができる。ＣＮＴは単独、あるいは有機化合物中に分散して用いることができる。また、前述の材料は２種以上併用しても差し支えない。
【００４２】
上記ゲート電極２、ソース電極５およびドレイン電極６は、蒸着、スパッタリング、めっき、化学的気相成長（ＣＶＤ）法、スピンコート法等を、フォトリソグラフィー法やマスク法と併用して形成することができる。
【００４３】
絶縁層３（ゲート絶縁層）に用いる材料として、具体的には酸化シリコン、アルミナ等の無機材料、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルクロライド、ポリエチレンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリシロキサン、ポリアクリレート、ポリスチレン等の高分子材料、あるいは無機材料粉末と有機高分子材料の混合物を用いることができる。上記絶縁層は一種類でも複数種併用することもできる。上記絶縁層は、熱酸化法、スパッタリング法、蒸着法、スピンコート法等により形成することができる。また、絶縁層表面には表面処理を行ってもよい。表面処理としては、アッシング処理やＵＶオゾン処理などの表面清浄化、または、単分子層の形成による表面改質    等を行ってもよい。特に、絶縁層が酸化シリコンの場合、アルキルトリクロロシランや、芳香環置換アルキルトリクロロシランなどを絶縁層表面に処理すると、ＦＥＴ特性を向上できる。
【００４４】
有機半導体層４は、種々の方法で形成することができ、前述のポリチオフェン系重合体を用いた膜の形成方法と同じ方法を実施することができる。
【００４５】
以上の方法によって得られるＦＥＴ素子は表示装置の駆動素子や、各種センサーの素子など、様々なデバイスに使用することができる。特に液晶表示装置や、エレクトロルミネッセンス表示装置等の画像表示装置の駆動素子として好ましく用いることができる。
【００４６】
ＦＥＴ素子は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、絶縁層、有機半導体層等から構成されており、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流を、ゲート電圧を変化させることによって制御することができ、その特性から下記の（４）式を用いて移動度を算出することができる。
【００４７】
μ＝（δＩｄ／δＶｇ）Ｌ・Ｄ／（Ｗ・εｒ・ε・Ｖｓｄ）       （４）
ただしＩｄはソース・ドレイン間の電流、Ｖｓｄはソース・ドレイン間の電圧、Ｖｇはゲート電圧、Ｄは絶縁層の厚み、Ｌはチャネル長、Ｗはチャネル幅、εｒは絶縁層の比誘電率、εは真空の誘電率（８．８５×１０−１２Ｆ／ｍ）である。
【実施例】
【００４８】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。また本発明は、下記実施例に限定されるものではない。
【００４９】
実施例１
下記式（１）で表されるポリチオフェン系重合体Ａを合成した。合成方法を下記に示した。
【００５０】
【化１】
2008112780.tif 000002
【００５１】
まず、２−（３−チエニル）エタノール５ｇとＮ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）２０．８ｇを、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）１５０ｍｌ中、窒素気流下室温で１０時間撹拌した。クロロホルム１００ｍｌ、純水１００ｍｌをこの順に加えて生成物をクロロホルムに抽出し、副生成物とジメチルホルムアミドを純水側に溶解して除去した。次いでクロロホルム溶液に硫酸マグネシウムを加えて水分を除去した後、クロロホルムを留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒はクロロホルム：メタノール＝１０：１（重量比））により精製し、２−（２，５−ジブロモ−３−チエニル）−エタノール（収量８．９ｇ、収率８０％）を得た。
【００５２】
次いで、２−（２，５−ジブロモ−３−チエニル）−エタノール８．９ｇをジエチルエーテル２５ｍｌに溶解し、ピリジン２．５ｇを加えて氷冷しながら撹拌した。ここに、シンナモイルクロライド５．４ｇをジエチルエーテル２０ｍｌに溶解した液をゆっくり滴下して加え、氷冷下で１時間、室温で７時間撹拌した。酢酸エチル１００ｍｌ、純水１００ｍｌをこの順に加えて生成物を酢酸エチルに抽出し、副生成物とピリジンを純水側に溶解して除去した。次いで酢酸エチル溶液に硫酸ナトリウムを加えて水分を除去した後、酢酸エチルとジエチルエーテルを留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒はクロロホルム：ｎ−ヘキサン＝２：１（重量比））により精製し、モノマーであるシンナモイル−２−（２，５−ジブロモ−３−チエニル）−エチルエステル（収量１２．９ｇ、収率７７％）を得た。
【００５３】
次いで、ビス−（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（Ｎｉ（ＣＯＤ）２）０．２６ｇと２，２’−ビピリジン（ｂｐｙ）０．１５ｇをジメチルホルムアミド３ｍｌに溶解し、この液に、モノマー０．６ｇをジメチルホルムアミド２ｍｌに溶解した液をゆっくり滴下した。窒素気流下１００℃で９６時間還流し、室温まで冷却した後、エバポレーターを用いて溶液量が１０ｍｌになるまでジメチルホルムアミドを留去した。得られた重合体溶液を、メタノールと０．１規定塩酸の１：１の混合液中に滴下し、析出した固体を孔径１μｍのメンブレンフィルターを用いて捕集した。この固体をソックスレー抽出器に移し、メタノール２００ｍｌを用いて３時間、次いでヘキサン２００ｍｌを用いて２時間還流して、各溶媒に可溶な成分を除去した。次いでクロロホルム２００ｍｌを用いて固体を溶解して回収し、エバポレーターを用いて溶液量が２ｍｌになるまで留去した。このクロロホルム溶液をメタノール中に滴下し、析出した固体を孔径０．４５μｍのメンブレンフィルターを用いて捕集し、真空乾燥してポリチオフェン系重合体Ａを得た。一般式（１）で表される重合体のｎは３０であった。
【００５４】
得られた重合体は黄色の顆粒状であった。得られた重合体の分子量を、ゲルパーミュレーションクロマトグラフィー（ＴＯＳＯＨ（株）製高速ＧＰＣ装置ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ、送液溶媒：クロロホルム、絶対検量線法）によって求めたところ、数平均分子量が７７００、重量平均分子量が１６０００であった。次に、1Ｈ−ＮＭＲ（日本電子（株）製、超伝導ＦＴＮＭＲ「ＥＸ−２７０」、試料溶解溶媒：重クロロホルム）を用いて分析した結果は次の通りであった。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３（d=ppm））：2.95(s,2H)，4.36(s,2H)，6.37-6.42(d,1H)，7.13(s,1H)， 7.32(s,3H)，7.41(s,2H)，7.62-7.68(d,1H)        。
【００５５】
次いで上述の方法で得られたポリチオフェン系重合体Ａを用いてＦＥＴ素子を作製した。このＦＥＴ素子の構造を図１に示した。ＦＥＴ素子の基板にはＳｉＯ２膜３（膜厚３００ｎｍ）付きのアンチモンドープシリコンウエハ１（抵抗率０．０２Ωｃｍ以下）を用いた。ここで、シリコンウエハは基板であると同時に、ゲート電極２であり、熱酸化膜は絶縁層３となる。次に以下の手順に基づき、金のソース電極５およびドレイン電極６を形成した。熱酸化膜付きのシリコンウエハ上にポジ型レジスト溶液を滴下し、スピナーを用いて塗布した後、９０℃のホットプレートで乾燥し、レジスト膜を形成した。次いで露光機を用いて、フォトマスクを介した紫外線照射を行った。次いでレジスト膜の付いたウエハをアルカリ水溶液に浸漬し、紫外線照射部を除去し、櫛形電極が抜けた形状のレジスト膜を得た。真空蒸着は、前述のレジスト膜付きのウエハ上に、クロムを厚み５ｎｍになるよう蒸着し、次いで金を厚み４５ｎｍになるように蒸着した。次いで、金／クロムとレジストの付いたウエハをアセトン中に浸漬し、超音波洗浄機で超音波照射することによって、レジスト上の金／クロムを除去した。このようにして、ウエハ上に金の両櫛形電極を形成した。これら両電極の幅（チャネル幅）は０．５ｃｍ、両電極の間隔（チャネル長）は２０μｍ、電極高さは５０ｎｍとした。
【００５６】
ポリチオフェン系重合体Ａ３ｍｇをクロロホルム１ｍｌに溶解し、上述のＦＥＴ基板に０．１ｍｌ滴下し、スピンコーターを用いて１０００ｒｐｍ×１０秒の条件で塗布し、厚み３０ｎｍのポリチオフェン系重合体Ａの膜を形成した。電極にリード線を取り付け、素子を真空オーブン中で１１０℃、２時間の熱処理を行い、５０℃以下になるまで徐冷してから取り出し、こうしてＦＥＴ素子を作製した。得られたＦＥＴ素子を測定ボックスに移動させ、真空にして１８時間静置した後、電流電圧特性を測定し、ＦＥＴ特性を調べた。測定装置にはケースレーインスツルメンツ社製半導体特性評価システム４２００−ＣＳを用い、測定ボックスは１ｔｏｒｒ以下の減圧状態を保持しておいた。
【００５７】
上記ＦＥＴ素子のソース・ドレイン間電圧（Ｖｓｄ）をＶｓｄ＝−５Ｖと一定にし、ゲート電圧（Ｖｇ）を＋５０Ｖ→−５０Ｖと変えたときの、ソース・ドレイン間電流（Ｉｄ）を測定した。このときのＩｓｄの最大値と、最小値の比からオンオフ比を求めたところ、１．３×１０４であった。
【００５８】
また得られたＦＥＴ素子にＵＶランプ（アズワン（株）製ハンディＵＶランプＳＬＵＶ−４、波長２５４ｎｍ、強度６１４μＷ／ｃｍ２、照射距離２ｃｍ）を用いて紫外線を１０分間照射し、その後ＦＥＴ特性を測定した。ＦＥＴ特性を調べたところ、オンオフ比は２．４×１０４であった。
【００５９】
さらに、得られたＣＮＴを含むポリチオフェン系重合体Ａの塗布液を、ＦＥＴ基板上に滴下し、スピンコーターを用いて１０００ｒｐｍ×１０秒の条件で塗布し、厚み３０ｎｍの膜を形成した。得られた膜上に、櫛形電極の場所を中心とした０．６ｃｍ四方の領域に光照射ができるようにしたフォトマスクを設置し、この上からＵＶランプを用いて１０分間、紫外線を照射した。その後、クロロホルム中に５秒間浸漬して、紫外線未照射部分を溶解して除去した。このとき、残存した半導体層はフォトマスクの形状通りに形成されていた。次いで電極にリード線を取り付け、真空オーブンでの熱処理、測定ボックス中での真空静置をし、ＦＥＴ特性を測定した。ＦＥＴ特性を調べたところ、オンオフ比は９．２×１０３であった。
【００６０】
実施例２
ポリチオフェン系重合体Ａに対してＣＮＴを０．４重量％添加してＦＥＴ素子を作製した。ＣＮＴを含むポリチオフェン系重合体Ａの塗布液は次のようにして調製した。
【００６１】
まず、ＣＮＴ分散液を作製した。ＣＮＴは単層カーボンナノチューブ（サイエンスラボラトリーズ社製、純度９５％）を精製せずにそのまま用いた。ＣＮＴを分散させるための共役系重合体にはポリ−３−ヘキシルチオフェン（以下、Ｐ３ＨＴと略す。）（アルドリッチ社製、レジオレギュラー）を用い、再沈澱法により精製してから使用した。再沈澱は、Ｐ３ＨＴ２０ｍｇにクロロホルム５ｍｌを加えて溶解させ、孔径０．４５μｍのメンブレンフィルターによって濾過を行い、濾液をメタノール１５ｍｌと０．１規定塩酸１５ｍｌの混合液の中に滴下し、沈澱したＰ３ＨＴを濾別によって孔径０．４５μｍのメンブレンフィルター上に捕集し、真空乾燥により溶媒を除去し、この操作を２回繰り返して精製した。
【００６２】
ＣＮＴ１．５ｍｇと精製したＰ３ＨＴ１．５ｍｇと、クロロホルム３０ｍｌを５０ｍｌのサンプル管に入れ、ＣＮＴ混合液を調製し、超音波ホモジナイザー（東京理化器械（株）製ＶＣＸ−５０２、出力２５０Ｗ、直接照射）を用いて超音波照射した。このとき、超音波照射用のプローブには直径１３ｍｍのチタン合金製のものを用い、プローブ表面を予め目の細かいサンドペーパーで研磨しておき、表面粗さＲａが１μｍ以下になるようにして使用した。超音波照射を３０分行った時点で一度照射を停止し、Ｐ３ＨＴを１．５ｍｇ追加し、さらに１分間超音波照射して、ＣＮＴ分散液Ａ（溶媒に対するＣＮＴの濃度０．０５ｇ／ｌ）を得た。０．０５ｇ／ＬのＣＮＴ分散液Ａにクロロホルムを加えて０．０２ｇ／ｌに希釈し、メンブレンフィルター（孔径１０μｍ、直径２５ｍｍ、ミリポア社製オムニポアメンブレン）を用いて濾過を行い、長さ１０μｍ以上のＣＮＴを除去した。濾液には大半のＣＮＴが含まれていた。得られた濾液をＣＮＴ分散液Ｂとした。ＣＮＴ分散液Ｂ０．６ｍｌと、クロロホルム０．４ｍｌと、ポリチオフェン系重合体Ａ３ｍｇを容積６ｍｌのサンプル管に入れ、超音波洗浄機（井内盛栄堂（株）製ＵＳ−２、出力１２０Ｗ、間接照射）を用いて３０分間超音波撹拌することにより、ＣＮＴを含むポリチオフェン系重合体Ａの塗布液（溶媒に対する重合体の濃度３ｇ／ｌ、重合体に対するＣＮＴの重量濃度が０．４重量％）を得た。
【００６３】
ＣＮＴを含むポリチオフェン系重合体Ａの塗布液を用い、実施例１と同様の操作を行ってＦＥＴ素子を作製した。紫外線未照射の素子についてソース・ドレイン間電圧（Ｖｓｄ）をＶｓｄ＝−５Ｖと一定にし、ゲート電圧（Ｖｇ）を＋５０Ｖ→−５０Ｖと変えたときの、ソース・ドレイン間電流（Ｉｄ）を測定した。このときのＶｇに対するＩｄの値の変化から線形領域の移動度を求めたところ、７．２×１０−４ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃであった。また、Ｉｓｄの最大値と、最小値の比からオンオフ比を求めたところ１．５×１０３であった。
【００６４】
また得られたＦＥＴ素子にＵＶランプ（アズワン（株）製ハンディＵＶランプＳＬＵＶ−４、波長２５４ｎｍ、強度６１４μＷ／ｃｍ２、照射距離２ｃｍ）を用いて紫外線を１０分間照射し、その後ＦＥＴ特性を測定した。ＦＥＴ特性を調べたところ、移動度は１．９×１０−３ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ、オンオフ比は１．１×１０４であった。
【００６５】
さらに、得られたＣＮＴを含むポリチオフェン系重合体Ａの塗布液を、ＦＥＴ基板上に滴下し、スピンコーターを用いて１０００ｒｐｍ×１０秒の条件で塗布し、厚み３０ｎｍの膜を形成した。得られた膜上に、櫛形電極の場所を中心とした０．６ｃｍ四方の領域に光照射ができるようにしたフォトマスクを設置し、この上からＵＶランプを用いて１０分間、紫外線を照射した。その後、クロロホルム中に５秒間浸漬して、紫外線未照射部分を溶解して除去した。このとき、残存した半導体層はフォトマスクの形状通りに形成されていた。次いで電極にリード線を取り付け、実施例１と同様に真空オーブンでの熱処理、測定ボックスでの真空静置をし、ＦＥＴ特性を測定した。ＦＥＴ特性を調べたところ、移動度は２．２×１０−３ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ、オンオフ比は８．７×１０３であった。
【００６６】
実施例３
ポリチオフェン系重合体Ａに対してＣＮＴを１重量％添加してＦＥＴ素子を作製した。ポリチオフェン系重合体Ａの塗布液を次のようにして調製した。実施例２で調製したＣＮＴ分散液Ａ（溶媒に対するＣＮＴの濃度０．０５ｇ／ｌ）を孔径１０μｍのメンブレンフィルターを用いて濾過を行い、得られた濾液をＣＮＴ分散液Ｃとした。次いでＣＮＴ分散液Ｃ１ｍｌと、ポリチオフェン系重合体Ａ３ｍｇを容積６ｍｌのサンプル管に入れ、超音波洗浄機を用いて３０分間超音波撹拌することにより、ＣＮＴを含むポリチオフェン系重合体Ａの塗布液（溶媒に対するポリチオフェン系重合体Ａの濃度３ｇ／ｌ、重合体Ａに対するＣＮＴの重量濃度が１重量％）を得た。該塗布液を用い、実施例１と同様の操作を行ってＦＥＴ素子を作製した。紫外線未照射の素子についてＦＥＴ特性を調べたところ、移動度は２．９×１０−３ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ、オンオフ比は９．８×１０２であった。
【００６７】
また得られたＦＥＴ素子にＵＶランプ（アズワン（株）製ハンディＵＶランプＳＬＵＶ−４、波長２５４ｎｍ、強度６１４μＷ／ｃｍ２、照射距離２ｃｍ）を用いて紫外線を１０分間照射し、その後ＦＥＴ特性を測定した。ＦＥＴ特性を調べたところ、移動度は４．５×１０−３ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ、オンオフ比は１．９×１０３であった。
【００６８】
さらに、得られたＣＮＴを含むポリチオフェン系重合体Ａの塗布液（溶媒に対するポリチオフェン系重合体Ａの濃度３ｇ／ｌ、重合体Ａに対するＣＮＴの重量濃度が１重量％）を、ＦＥＴ基板上に滴下し、スピンコーターを用いて１０００ｒｐｍ×１０秒の条件で塗布し、厚み３０ｎｍの膜を形成した。得られた膜上に、櫛形電極の場所を中心とした０．６ｃｍ四方の領域に光照射ができるようにしたフォトマスクを設置し、この上からＵＶランプを用いて１０分間、紫外線を照射した。その後、クロロホルム中に５秒間浸漬して、紫外線未照射部分を溶解して除去した。このとき、残存した半導体層はフォトマスクの形状通りに形成されていた。次いで電極にリード線を取り付け、実施例１と同様に真空オーブンでの熱処理、測定ボックスでの真空静置をし、ＦＥＴ特性を測定した。ＦＥＴ特性を調べたところ、移動度は３．９×１０−３ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ、オンオフ比は１．１×１０３であった。
【００６９】
比較例１
実施例１の合成プロセスにおいて、シンナモイルクロライド５．４ｇを用いるところをメタクリルクロライド３．８ｇに換えた以外は、実施例１と全く同じ操作を行い、下記式（２）で表されるポリチオフェン系重合体Ｂを合成した。一般式（２）で表される重合体のｎは３６であった。得られた重合体は黄色の顆粒状であった。得られた重合体の分子量を、ゲルパーミュレーションクロマトグラフィーによって求めたところ、数平均分子量が６５００、重量平均分子量が１２０００であった。
【００７０】
【化２】
2008112780.tif 000003
【００７１】
ポリチオフェン系重合体Ｂに対してＣＮＴが０．４重量％含まれるように塗布液の調製を実施例２に倣って行った。次いで、実施例１と同様の操作を行ってＦＥＴ素子を作製した。紫外線未照射の素子についてＦＥＴ特性を調べたところ、移動度は８．５×１０−４ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ、オンオフ比は１．１×１０３であった。
【００７２】
また得られたＦＥＴ素子にＵＶランプ（アズワン（株）製ハンディＵＶランプＳＬＵＶ−４、波長２５４ｎｍ、強度６１４μＷ／ｃｍ２、照射距離２ｃｍ）を用いて紫外線を１０分間照射し、その後ＦＥＴ特性を測定した。ＦＥＴ特性を調べたところ、移動度は８．４×１０−４ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ、オンオフ比は１．５×１０３であった。
【００７３】
ポリチオフェン系重合体Ｂに対してＣＮＴが０．４重量％含まれる塗布液をＦＥＴ基板上に滴下し、スピンコーターを用いて１０００ｒｐｍ×１０秒の条件で塗布し、厚み３０ｎｍの膜を形成した。得られた膜上に、櫛形電極の場所を中心とした０．６ｃｍ四方の領域に光照射ができるようにしたフォトマスクを設置し、この上からＵＶランプを用いて１０分間、紫外線を照射した。その後、アセトン中に浸漬したところ、重合体膜は全て溶解し、パターニングができなかった。ポリチオフェン系重合体Ｂは、光二量化による架橋反応は進行しなかった。
【００７４】
比較例２
Ｐ３ＨＴ３ｍｇとクロロホルム１ｍｌを容積６ｍｌのサンプル管に入れ、超音波洗浄機を用いて３０分間超音波撹拌することにより、Ｐ３ＨＴ溶液（溶媒に対するＰ３ＨＴの濃度３ｇ／ｌ）を得た。この溶液をＦＥＴ基板上に滴下し、スピンコーターを用いて１０００ｒｐｍ×１０秒の条件で塗布し、厚み３０ｎｍの膜を形成した。得られた膜上に、櫛形電極の場所を中心とした０．６ｃｍ四方以外の領域に光照射ができるようにしたフォトマスクを設置し、この上からＵＶランプを用いて１０分間、紫外線を照射した。その後、アセトン中に浸漬したが、１０分浸漬しても、紫外線未照射部分は溶解しなかった。次にイソプロピルアルコール中に浸漬したが、１０分浸漬しても、紫外線未照射部分は溶解しなかった。次にテトラヒドロフランに浸漬したところ、Ｐ３ＨＴの膜は紫外線照射部分、未照射部分とも全て溶解した。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明の電界効果型トランジスタは、簡便な工程で精度の高いパターン形成ができるので、画素のスイッチング素子として画像表示装置などに用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の電界効果型トランジスタの模式図
【符号の説明】
【００７７】
１  シリコンウエハ
２  ゲート電極（シリコンウエハ）
３  ＳｉＯ２膜（絶縁層）
４  有機半導体層
５  ソース電極
６  ドレイン電極
【図１】
2008112780.tif 000004