(57)【要約】【課題】  光学素子のコンタミネーションを抑制して被露光体を効率よく露光する露光装置を提供する。【解決手段】光源からの２０ｎｍ以下の波長を有する光を利用して基板２６を露光する露光装置は、それぞれが光を反射する複数の光学素子２２と、それぞれが複数の光学素子２２の一以上を収納する複数の真空容器３ｂと、各真空容器３ｂに収納される光学素子２２に形成され得るコンタミネーションを抑制するガスを各真空容器３ｂに独立に供給するガス供給手段３１とを有する。ガス供給手段３１は、各真空容器３ｂに収納されている光学素子２２の照明領域の照度に応じて、各真空容器３ｂに異なる種類のガスを供給する。【選択図】図３
2008263173.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの２０ｎｍ以下の波長を有する光を利用して基板を露光する露光装置であって、
それぞれが前記光を反射する複数の光学素子と、
それぞれが前記複数の光学素子の一以上を収納する複数の真空容器と、
各真空容器に収納される光学素子に形成され得るコンタミネーションを抑制するガスを、各真空容器に独立に供給するガス供給手段と、を有し、
前記ガス供給手段は、各真空容器に収納されている光学素子の照明領域の照度に応じて、各真空容器に異なる種類の前記ガスを供給することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記ガス供給手段は、各真空容器に収納される光学素子の照明領域の照度に応じて、各真空容器に異なる種類及び異なる供給量の前記ガスを供給することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
各真空容器に収納される光学素子の照明領域に設定された照度と、前記基板の露光時に前記真空容器に残留するガスの下で形成され得るコンタミネーションを抑制するガスに関する情報を格納するメモリと、
前記メモリに格納された前記情報に基づいて前記ガス供給手段による前記コンタミネーションを抑制するガスの種類を制御する制御手段と、を有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項４】
前記ガス供給手段は、
前記基板に近い真空容器には酸素、酸素含有種、オゾン、水、水素の少なくとも一つを含むガスを供給し、
前記光源に近い真空容器には炭化化合物を含むガスを供給することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】
前記ガス供給手段は、前記基板を露光している時に、前記異なる種類の前記ガスを供給することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項６】
前記光とは波長の異なる光を前記複数の光学素子のうちの少なくとも１つの光学素子に照射する照射手段を有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項７】
各光学素子の電位を調節する電位調節手段を有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項８】
２０ｎｍ以下の波長を有する光を利用して基板を露光する露光装置であって、
それぞれが前記光を反射する複数の光学素子と、
前記複数の光学素子を収納する真空容器と、
各光学素子に形成され得るコンタミネーションを抑制するガスを、各光学素子に独立に吹き付けるガス供給手段と、を有し、
前記ガス供給手段は、各光学素子の照明領域の照度に応じて、各光学素子に異なる種類の前記ガスを吹き付けることを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
前記露光された基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極紫外光（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ）、特に２０ｎｍ以下の波長の光を露光光として使用する露光装置（以下、「ＥＵＶ露光装置」という。）に関する。
【背景技術】
【０００２】
レチクル（原版）パターンを投影光学系を介してウエハ（基板）に露光する投影露光装置が従来から使用されている。近年、露光装置にはより微細なパターンを効率良く露光することが益々要求され、高解像度化の要求に応えるために紫外光よりも波長が短いＥＵＶ光を用いたＥＵＶ露光装置が提案されている。
【０００３】
ＥＵＶ光の波長域においては物質による光の吸収率が高くなるため、ＥＵＶ露光装置は真空容器内に反射光学系を収納する。スループットの向上のためには、反射光学系を構成する光学素子（ミラー）の光学性能（反射特性）を維持する必要がある。しかし、真空容器内に残存するガスやウエハの基板に塗布されたレジストからの脱ガスの影響により、ミラーが酸化したりその表面に炭素または炭素化合物が堆積したりする。これらのコンタミネーションがあると、ミラーの光学性能が低下してしまう。
【０００４】
そこで、特許文献１は、酸素、水、及び有機物の少なくとも一つを含む劣化要因ガスの分圧が所定範囲になるように還元性ガス、酸化性ガス、及びフッ素化ガスの少なくとも一つを含む劣化抑制ガスを真空容器に導入することを提案している。これにより、ミラーの酸化と炭素の堆積を防止することができるとしている。
【０００５】
その他の従来技術としては特許文献２乃至６がある。
【特許文献１】特開２００６−４９７５８号公報（０００６、０００７、図１）
【特許文献２】特開２００２−１１０５３９号公報
【特許文献３】特開２００３−１８８０９６号公報
【特許文献４】特許第３４６７４８５号明細書
【特許文献５】特開２００１−５９９０１号公報
【特許文献６】特開２００５−２４４０１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
酸化を防止するために供給される炭素化合物ガスの量が多すぎれば逆に炭素または炭素化合物の堆積を招き、炭素または炭素化合物の堆積を防止するために供給される酸素ガスの量が多すぎれば逆に酸化を招く。このため、特許文献１は、真空容器内の劣化要因ガスの分圧を所定の範囲内に抑えて真空容器全体に劣化抑制ガスを供給している。しかし、本発明者らは、酸化と炭素化合物の堆積は真空容器内の劣化要因ガスの分圧のみによって決定されるのではなく、照度が密接に関係していることを発見した。特許文献１は、各ミラーの照度を考慮しておらず、この方法では反射光学系の各ミラーのコンタミネーションを防止するには不十分である。
【０００７】
酸化は照度が高いミラーの照明領域に発生しやすい。照度が低いミラーでは炭素または炭素化合物の堆積が生じやすい。照度は照明領域の面積が同じであれば光源からウエハに向かって減衰するが、露光光が集光されれば照度は高くなり発散されれば照度は低くなる。結局、各ミラーの照度を個別に調べなければならない。もちろん劣化要因ガス及び劣化抑制ガスの総量が多くなればＥＵＶ光が吸収されてスループットが低下するため、劣化抑制ガスの量にも留意する必要がある。
【０００８】
本発明は、光学素子のコンタミネーションを抑制して基板を効率よく露光する露光装置に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一側面としての露光装置は、光源からの２０ｎｍ以下の波長を有する光を利用して基板を露光する露光装置であって、それぞれが前記光を反射する複数の光学素子と、それぞれが前記複数の光学素子の一以上を収納する複数の真空容器と、各真空容器に収納される光学素子に形成され得るコンタミネーションを抑制するガスを、各真空容器に独立に供給するガス供給手段と、を有し、前記ガス供給手段は、各真空容器に収納されている光学素子の照明領域の照度に応じて、各真空容器に異なる種類の前記ガスを供給することを特徴とする。
【００１０】
本発明の別の側面としての露光装置は、２０ｎｍ以下の波長を有する光を利用して基板を露光する露光装置であって、それぞれが前記光を反射する複数の光学素子と、前記複数の光学素子を収納する真空容器と、各光学素子に形成され得るコンタミネーションを抑制するガスを、各光学素子に独立に吹き付けるガス供給手段と、を有し、前記ガス供給手段は、各光学素子の照明領域の照度に応じて、各光学素子に異なる種類の前記ガスを吹き付けることを特徴とする。
【００１１】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１２】
・    本発明によれば、光学素子のコンタミネーションによる光学特性の劣化を抑制して光学素子の寿命を延ばすことができ、その結果、被露光体を効率よく露光する露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例について説明する。
【実施例１】
【００１４】
図１は、本発明の一実施例のＥＵＶ露光装置１の概略ブロック図である。レーザー１０から射出されたレーザー光はレンズ１１によって集光される。集光点に形成されたプラズマスポット１４から放射されたＥＵＶ光は照明光学系１６によって集光される。照明光学系１６は、楕円ミラー１６ａと、インテグレータ１６ｂと、偏向ミラー１６ｃとを有し、ＥＵＶ光を反射型レチクル２０に導光する。反射型レチクル２０からの反射光は、投影光学系２２を介してウエハ２６上に投影される。レチクル２０、ウエハ２６は、それぞれ並進運動が可能なレチクルステージ１８、ウエハステージ２４上に固定される。ＥＵＶ露光装置１では、露光光の波長が１０ｎｍ〜２０ｎｍであり、短波長化によって高解像度を達成する。ＥＵＶ光源は、レーザープラズマ光源（１０、１１）以外にも、シンクロトロン放射光光源、放電プラズマ光源などを用いてもよい。
【００１５】
露光装置１は真空容器２及び３を有し、真空容器２と３との間は差圧を維持するための作動排気機構１７が設けられている。真空容器２は、楕円ミラー１６ａとインテグレータ１６ｂを収納する。真空容器３は、真空容器３ａ、３ｂ及び３ｃを有する。真空容器３ａはレチクルステージ１８とレチクル２０とを収納する。真空容器３ｂは、偏向ミラー１６ｃと、投影光学系２２とを収納する。真空容器３ｃはウエハステージ２４とウエハ２６とを収納する。このように真空容器２，真空容器３ｂには、一以上の光学素子が収納されている。
【００１６】
投影光学系２２は、光源側から光路に沿って４枚のミラー２２ａ乃至２２ｄを有するが、５枚ミラー系、図３に示す後述する６枚ミラー系、８枚ミラー系であってもよい。真空容器２、３ａ乃至３ｃの各々には排気系２８（２８ａ乃至２８ｄ）が設けられている。これにより、大気によるＥＵＶの減衰や光電子の散乱を防止することができる。排気系はターボ分子ポンプ、イオンポンプ、ドライポンプなどから構成される。
【００１７】
レチクル２０、照明光学系１６、投影光学系２２に用いられる光学素子は例えばＥＵＶの波長領域において屈折率の異なる２つの物質を交互に積み重ねた多層膜をコーティングしたものが多い。最も一般的な多層膜の構造のひとつとしてモリブデンとシリコンを３０〜４０対積層させた構造があげられる。これらの光学素子は、要求される性能や寿命を得るために、多層膜の層対の間にさらにルテニウムや４ホウ化炭素などの中間層を設けたり、最上層にルテニウムや酸化チタン、炭素及び炭素を含む化合物や合金からなるキャッピング層を設けたりすることがある。
【００１８】
ＥＵＶ露光装置１では、ミラー２２ａ乃至２２ｄに独立にガスを供給するガス供給系３０を有する。ガス供給系３０は、ガス源３１ａ乃至３１ｄと、パイプ３２ａ乃至３２ｄと、バルブ３３ａ乃至３３ｄと、ノズル３４ａ乃至３４ｄを有する。ガス供給系３０における各要素のａ乃至ｄは投影光学系２２のミラー２２ａ乃至２２ｄにそれぞれ対応している。
【００１９】
ガス源３１ａ乃至３１ｄは、同一又は異なる種類のガスを貯蔵している。但し、ガス源３１ａ乃至３１ｄの中の少なくとも２つは異なる種類のガスを貯蔵している。本実施例のガスは、酸素、酸素含有種、オゾン、水、水素、炭素化合物の少なくとも一つを含む。もちろん特許文献１に記載された劣化抑制ガスも適用可能である。ガス源３１ａ乃至３１ｄには、対応するパイプ３２ａ乃至３２ｄ、バルブ３３ａ乃至３３ｄ、ノズル３４ａ乃至３４ｄが接続されている。ノズル３４ａ乃至３４ｄは、対応するガスをミラー２２ａ乃至２２ｄの照明領域２２ａ１乃至２２ｄ１に吹き付ける。この結果、各ミラーにその光学性能の劣化の抑制に適したガスを選択し、供給することができる。
【００２０】
バルブ３３ａ乃至３３ｄには、制御部４０が接続されている。また、制御部４０にはメモリ４２も接続されている。
【００２１】
メモリ４２は、各ミラー２２ａ乃至２２ｄの照明領域２２ａ１乃至２２ｄ１に形成され得るコンタミネーションとそれを抑制するガスに関する情報を格納する。コンタミネーションは、設計によって設定された照度と排気系２８による排気後の真空容器３ｂの残留ガスの下で発生するものである。
【００２２】
より詳細には、照明領域２２ａ１乃至２２ｄ１が、設計によって設定された照度と排気系２８による排気後の真空容器３ｂの残留ガスの下で予め実験又はシミュレーションを行う。そして、照明領域２２ａ１乃至２２ｄ１に形成されるコンタミネーションの種類、即ち、酸化しやすいか炭素または炭素化合物を堆積しやすいか、の情報を取得する。また、単位時間当たりに形成されるコンタミネーションの量、コンタミネーションを抑制し、酸素、酸素含有種、オゾン、水、水素、炭素化合物の少なくとも一つを含むガスの種類の情報も取得する。更に、ガスの真空容器３ｂへの供給量とコンタミネーションの抑制の効果との関係、ガス供給量とＥＵＶ光の吸収量との関係の情報を取得する。そして、メモリ４２はこれらの情報を格納する。
【００２３】
制御部４０は、メモリ４２に格納された情報に基づいてガス供給系３０のバルブ３３ａ乃至３３ｄの開閉のタイミングを制御することによってミラー２２ａ乃至２２ｄに供給されるガスの供給量を制御する。例えば、制御部４０は、照度が高いミラー２２ａには炭素化合物ガスを供給し、照度が低いミラー２２ｄには酸素または水蒸気を供給する。
【００２４】
なお、供給するガス種を変える照度の高低の境界は、残留するガス種の分圧状態によって変わる。特に炭素化合物を含むガス種が残留している場合、その炭素化合物の分子量や蒸気圧によって、その照度の境界は変化する。その照度の境界は、実験結果やシミュレーション結果から決定し、メモリ４２に格納しておく。例えば、分子量が１５０程度の炭化水素ガスが顕著に残留しているような条件下では、供給するガス種を変えるＥＵＶ光照度の境界は、０．５Ｗ／ｃｍ2である。この値は、実験結果から決定したものである。
【００２５】
本実施例ではガス源３１ａ乃至３１ｄが貯蔵するガスの種類は先の実験又はシミュレーションに基づいて決定されている。しかし、保守に際して複数の種類のガスを供給する必要があれば、例えば、ガス源３１ａ乃至３１ｄに複数の種類のガスを貯蔵し（ガス源の数は限定されない）、各ガス源と各ノズルとの経路を切り替える切り替え部を設けてもよい。
【００２６】
ミラー２２ａ乃至２２ｄに供給されるガスはミラーの光学性能を維持するためにコンタミネーションの形成を抑制するガスである。一例として、ミラー表面上に炭素キャッピング層が形成されている場合のガス供給系を図２に示す。図２において、２３はミラー保持部、バルブ３３ａ乃至３３ｄはバリアブルバルブであり、３５は移動機構である。ガス供給系を移動可能とし、気体供給が必要な場合にミラー２２ａ乃至２２ｄの近傍に移動してもよい。また、走査機能を付随させ、ミラー表面の照明領域上を走査してもよい。照明領域としたのは、この部分がＥＵＶ光に照明されてコンタミネーションが堆積するからである。ガス供給時には、パルス状に気体を噴出してもよいし、分子漏れの原理を利用し連続的に供給してもよい。
【００２７】
ウエハ２６の露光中に炭素または炭素化合物がミラー表面に堆積し光学性能が低下した場合、堆積した炭素または炭素化合物をミラーが所定の性能を回復するまで除去するためにガスを供給する。このガスの供給は、ウエハ２６の露光時またはウエハ２６の非露光時に行う。ガスは、例えば、水、酸素分子を含むガスや、アルゴンなどを含むガスである。この結果、化学反応やエッチングなどを利用してミラー表面から炭素やその化合物を除去することができる。
【００２８】
また、露光光の強度やミラー近傍の残留ガス、特に、水の分圧によっては、ミラー表面が酸化や侵食などによって劣化する場合もある。ミラーを構成している材料がシリコンである場合など、一度酸化してしまうと元に戻すことができない場合がある。これを回避するために、ウエハ２６の露光時に炭素化合物を含む気体を光学素子表面上に供給することによって、光学素子表面材料と水分子の反応をしにくくさせ、結果的に酸化を抑止することができる。
【００２９】
露光装置１に設置されている光学素子は露光光の照度と晒される雰囲気（残留ガス種）が異なるため、光学素子毎にコンタミネーションの種類や程度が異なる。本実施例のように、コンタミネーションの抑制に適したガスを適量だけ供給することによってコンタミネーションとガスによるＥＵＶ光の吸収量を最小にすることができ、光学素子の光学性能を維持してスループットを高めることができる。
【００３０】
本実施例では、制御部４０は、メモリ４２に格納した情報に基づいてガス供給及び停止のタイミングを制御する。しかし、メモリ４２の情報に加えてミラーの劣化又は回復、あるいは、残留ガス成分または供給ガス状態を検出する検出部４４を設けて制御をより正確におこなってもよい。この場合、制御部４０は検出部４４の検出結果に基づいてガス供給及び停止のタイミングを制御する。検出部４４は、撮像装置や、ミラー近傍の残留ガスを監視する質量分析器や、ミラーの照度を測定する照度計や、ミラー表面の表面状態を予測するためにその電流値を計測する電流計などである。
【実施例２】
【００３１】
実施例１ではミラー２２ａ乃至２２ｄを一つの真空容器３ｂに収納しているが、実施例２は、供給するガスの種類に応じて異なる真空容器に収納している。本実施例のＥＵＶ露光装置１Ａの要部を図３に示す。
【００３２】
真空容器３は、真空容器３ａ、３ｂ１、３ｂ２、３ｃを有する。真空容器３ａは、レチクルステージ１８、レチクルチャック１９、レチクル２０を収納する。真空容器３ｂ１は、６枚ミラー系の投影光学系２２のミラー２２ａ乃至２２ｄを収納している。真空容器３ｂ２は、投影光学系２２のミラー２２ｅ乃至２２ｆを収納している。２３はミラーの保持部である。真空容器３ｃは、ウエハステージ２４、ウエハチャック２５、ウエハ２６を収納する。真空容器３ａと３ｃは図１に示すものと実質的に同じである。更に、露光装置では不図示の照明光学系を格納する真空容器や同じく不図示の光源を格納する真空容器、ウエハやレチクルを交換するための真空容器など、複数の真空容器が存在するが、本実施例では投影光学系の部分のみ図示している。
【００３３】
投影光学系の光学素子が配置される真空容器の中で、光源に近い真空容器３ｂ１は排気系２８ｃ１によって排気され、ガス源３１ｅ及び３１ｆがパイプ３２ｅ及び３２ｆと図示しないバルブを介して接続される。本実施例ではガス源３１ｅ及び３１ｆのガスは同一のガス炭化化合物を含むガスである。これは投影光学系２２の物体面に近くに配置され、真空容器３ｂ１に収納されているミラー２２ａ乃至２２ｄは、比較的照度が高く酸化しやすいからである。なお、パイプ３２ｅ及び３２ｆの先端には図示しないノズルが形成され、ミラー２２ａ乃至２２ｄの照明領域近傍まで延びているが作図の便宜上省略されている。
【００３４】
投影光学系の光学素子が配置される真空容器の中で、ウエハ２６に近い真空容器３ｂ２は、排気系２８ｃ２によって排気され、ガス源３１ｇがパイプ３２ｇと図示しないバルブを介して接続されている。本実施例ではガス源３１ｇのガスは酸素、酸素含有種、オゾン、水、水素の少なくとも一つを含むである。これは投影光学系２２の瞳面の近くに配置され真空容器３ｂ２に収納されているミラー２２ｆは発散光を受光して比較的照度が低く、炭素または炭素化合物が堆積し易いからである。また、投影光学系２２の像面の近くに配置され真空容器３ｂ２に収納されているミラー２２ｅはウエハ２６のレジストからの炭素を含む脱ガスに晒されて炭素または炭素化合物が堆積し易いからである。なお、パイプ３２ｇの先端には図示しないノズルが形成され、ミラー２２ｅ及び２２ｆの照明領域近傍まで延びているが作図の便宜上省略されている。
【００３５】
このように、同一のガスを供給して制御可能なミラー群は本実施例のようにまとめて制御することができる。制御部４０やメモリ４２は図３では省略されているが、図１と同様である。
【００３６】
本実施例においては、投影光学系を真空容器３ｂ１と真空容器３ｂ２とに分けた場合で説明した。しかし、照明光学系および投影光学系のそれぞれを一つの真空容器に収納する場合にも本実施例の発明を適用することができる。この場合は、照明光学系を収納する真空容器には酸化抑止のガス、例えば炭化化合物のガスを導入し、投影光学系を収納する真空容器には炭素堆積抑止のガス、例えば酸素、酸素含有種、オゾン、水、水素の少なくとも一つを含むガスを導入する。
【実施例３】
【００３７】
図４は、実施例３のＥＵＶ露光装置１Ｂの概略ブロック図である。ＥＵＶ露光装置１Ｂは、ＥＵＶ露光装置１と基本構成は同じであるが、ＥＵＶ露光装置１Ｂは、露光光の照度、波長、照明領域を制御し、必要な電磁波を形成する機構を備えている点でＥＵＶ露光装置１と相違する。また、必要に応じて露光光とは別の光源を設けてもよい。
【００３８】
露光装置１Ｂは、保守時に、光学素子に必要に応じて電磁波を照射し、それらの電磁波は各光学素子に適した照度、波長、照明領域に調整されている。また、照射される電磁波の照度、波長、照明領域は、各光学素子の状態に応じて可変でもよい。
【００３９】
露光装置１Ｂは、照明光学系１６に露光光の強度を調整するフィルタ５０、照明領域を調整するアパーチャーもしくはアイリス５２を配置している。また、必要に応じて、望ましくない領域に電磁波が照射されるのを防止するビームダンパー５４を配置してもよい。これらを移動可能とし、使用するときに露光光の光路内などに移動してもよい。
【００４０】
照明光学系１６では、ウエハ２６の露光中に高強度の露光光が照射され、光学素子上に炭素キャッピング層を用いた場合に、キャッピング層が消費される。キャッピング層が消費されてその下の光学素子が剥き出しになると、光学素子表面が酸化され、著しく性能を落とす恐れがある。これらの光学素子はキャッピング層が消費され尽くす前に、例えば一定時間が経過したあと、キャッピング層を補修するなど保守を施さなければならない。露光光の強度をそのまま用いると強すぎる場合は、フィルタ５０などで強度を下げ、アパーチャーもしくはアイリス５２で照明領域を調整し、光学素子に照射する。このとき、実施例１であげたような機構を用いて炭素化合物を含む適当な気体を適当な分圧で導入すると効率よくキャッピング層を補修でき、酸化耐性を回復することができる。
【００４１】
投影光学系２２のミラーのうちウエハ２６に近いミラーは、ウエハ２６表面のレジストからの脱ガスにさらされやすく、炭素または炭素化合物の堆積が起こりやすい。本実施例では、これらの堆積が起こりやすい光学素子に比較的近いウエハステージ２４上に別光源として紫外線ランプ６０を搭載した。酸素、酸素含有種、オゾン、水、水素の少なくとも一つを含むガスが存在する状態で、光学素子に紫外線が照射されることにより、その光学素子が洗浄される。また、光源付近に、コリメータ６２とアパーチャーもしくはアイリス６４を設置し、光源からの光を必要に応じて所望の形状に整形できるようにした。これらは移動可能であり、使用する際に露光光の光路内などに移動してきてもよい。
【００４２】
投影光学系２２のレジストから遠い光学素子にも紫外線を必要な照度、波長、照明領域で照射できるような光学系を設けてもよい。本実施例では、投影光学系付近に移動、回転可能な紫外線反射ミラー６６を配置し、投影光学系のどの光学素子にも紫外線が照射できるようにした。紫外線ランプ６０および紫外線反射ミラー６６は、照射手段を構成する。
【００４３】
また、本実施例において、ウエハステージ２４上にミラーを搭載し、別光源は真空容器３の外から窓などを通して導入してもよい。また、別光源はランプのような連続光ではなくレーザーのようにパルス状のものを用いてもよい。また、レチクルステージ上にも同様に別光源を設けてもよい。
【実施例４】
【００４４】
図５は、ＥＵＶ露光装置１乃至１Ｂに適用可能な電位調節手段の要部ブロック図である。図５において、ミラー２２ａ及び２２ｂの上にはキャッピング層２２ａ２及び２２ｂ２が設けられる。ミラー２２ａ及び２２ｂは図示しない保持部２３を通じて接地されている。
【００４５】
また、トリガ発生器７０と電源又は波形発生器（以下、単に、「電源」という）７２がキャッピング層２２ａ２に接続されたスイッチ７４ａに接続されている。同様に、トリガ発生器７０と電源又は波形発生器（以下、単に、「電源」という）７２がキャッピング層２２ｂ２に接続されたスイッチ７４ｂに接続されている。トリガ発生器７０、電源７２、スイッチ７４ａ及び７４ｂは電位調節手段を構成している。
【００４６】
電位調節手段によって各ミラーに独立に、それらのキャッピング層に所望のタイミングで所望の電荷を印加することができる。電源７２は、各ミラー毎に印加する電荷を制御できるようにチャンネルを設けてもよい。
【００４７】
ウエハ２６の露光中、各光学素子に照射される露光光の照度は異なるため、表面の帯電状態も光学素子毎に異なる。また、光学素子の膜構成や基板の材質によっても帯電状態は様々である。照度の低い光が照射され、二次電子の放出も少ない光学素子については、光学素子表面が接地されていれば発生した電荷は直ちに中和される。しかし、照度の高い強度を受光する場合や二次電子の放出が多い光学素子は、帯電状態になりやすい。表面に蓄積された電荷もコンタミネーションの原因となり得るため、帯電の程度により中和する必要がある。
【００４８】
本実施例では、電荷を印加する電位調節手段を用いて露光光と同期するようにパルス状にミラー表面に所定の負電荷を印加し、ミラー表面に発生した電荷を瞬時に中和する。実験又はシミュレーションで光学素子が帯電する電荷を測定してメモリ４２に予め格納される。制御部４０は、メモリ４２に格納された情報に基づいて光学素子に印加する電荷量とスイッチ７４ａ及び７４ｂの開閉のタイミングを制御する。
【００４９】
また、制御部４０は、炭素キャッピング膜の補修を行なう際は、逆に、適当な電荷を印加することによってキャッピング膜が生成されやすい状況を形成してもよい。かかる情報も実験又はシミュレーションを通じて予めメモリ４２に格納されている。
【００５０】
デバイス（半導体集積回路素子等）は、前述のいずれかの実施例の露光装置を使用して感光剤を塗布した基板（ウエハ等）を露光する工程と、その基板を現像する工程と、他の周知の工程と、を経ることにより製造される。
【００５１】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、コンタミネーションが除去されるべき光学素子は照明光学系やその他の光学素子であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施例１の露光装置の概略ブロック図である。
【図２】図１に示すガス供給系の変形例の概略ブロック図である。
【図３】本発明の実施例２の露光装置の概略ブロック図である。
【図４】本発明の実施例３の露光装置の概略ブロック図である。
【図５】図１、３及び４の露光装置に適用可能な電位調節手段の概略ブロック図である。
【符号の説明】
【００５３】
１、１Ａ、１Ｂ        露光装置
２、３                真空容器
２８                  排気系
３０                  ガス供給系
３４ａ−３４ｄ        ノズル
４０                  制御部
４２                  メモリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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