(57)【要約】【課題】プレチルト角の基板面内ばらつきを抑え均一な配向膜を成膜することができる液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】スリット孔２１０を有するマスク２００を介して蒸着材料５０２と対向して配設され、相対向する所定の二方向に揺動する基板３５の表面上に、前記蒸着材料５０２を加熱することで発生した蒸気を前記スリット孔２１０を介して所定の角度θ０をなして到達させることにより、前記基板３５の前記表面上に無機配向膜を蒸着して形成する液晶装置の製造方法において、前記無機配向膜の蒸着を、前記基板が、前記相対向する二方向のいずれか一方の方向へ移動している状態においてのみ選択的に実施する。【選択図】図４
2008242411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スリット孔を有するマスクを介して蒸着材料と対向して配設され、相対向する所定の二方向に揺動する基板の表面上に、前記蒸着材料を加熱することで発生した蒸気を前記スリット孔を介して所定の角度をなして到達させることにより、前記基板の前記表面上に無機配向膜を蒸着して形成する液晶装置の製造方法であって、
前記無機配向膜の蒸着は、前記基板が、前記相対向する二方向のいずれか一方の方向へ移動している状態においてのみ選択的に実施されることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板が揺動する前記相対向する二方向は、前記蒸着材料の重心と前記スリット孔の中心とを結ぶ線分を、前記基板表面の法線方向から前記基板表面上に投影した線と平行であって、
前記無機配向膜の蒸着は、前記基板が、前記蒸着材料の前記蒸気の流動方向に対し順方向に移動している状態において実施されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板が揺動する前記相対向する二方向は、前記蒸着材料の重心と前記スリット孔の中心とを結ぶ線分を、前記基板表面の法線方向から前記基板表面上に投影した線と平行であって、
前記無機配向膜の蒸着は、前記基板が、前記蒸着材料の前記蒸気の流動方向に対し逆方向に移動している状態において実施されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
真空チャンバ内で蒸着材料を加熱することで発生した蒸気を基板上に到達させることにより、前記基板上に薄膜を形成する蒸着装置であって、
前記蒸着材料に向かって開口し、開口方向に拡開する円錐状又は角錐状に形成されているとともに、側面部に前記開口方向に延在するスリット孔が形成された防着板と、
前記基板が前記防着板の外側面に対向し、かつ前記基板が前記蒸着材料に対して所定の角度をなして対向するように前記基板を支持する基板支持手段と、を具備し、
前記防着板を、前記蒸着材料の重心を通る直線を中心軸として前記基板支持手段に対して相対的に回動させ、前記基板支持手段により支持された前記基板を前記スリット孔を介して前記蒸着材料側に露出させることで前記基板上に前記薄膜を形成することを特徴とする蒸着装置。
【請求項５】
前記防着板を回動する回動手段を具備し、前記防着板は前記回動手段に対して着脱自在に構成されていることを特徴とする請求項４に記載の蒸着装置。
【請求項６】
前記スリット孔は、前記防着板を開口方向から見た場合に放射状に複数形成されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の蒸着装置。
【請求項７】
前記基板支持手段は、前記防着板の外側面に対向する位置において、前記基板を前記防着板の中心軸を中心とした周方向に複数支持することを特徴とする請求項４から６のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項８】
前記基板は液晶装置用の基板であって、前記薄膜は液晶を配向規制するための無機配向膜であることを特徴とする請求項４から７のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項９】
真空チャンバ内で蒸着材料を加熱することで発生した蒸気を基板上に到達させることにより、前記基板上に薄膜を形成する蒸着装置であって、
前記蒸着材料に向かって開口し、開口方向に拡開する円錐状又は角錐状に形成されているとともに、側面部に前記開口方向に延在するスリット孔が形成された防着板と、
前記基板が前記防着板の外側面に対向し、かつ前記基板が前記蒸着材料に対して所定の角度をなして対向するように前記基板を支持する基板支持手段と、を具備し、
前記防着板を、前記蒸着材料の重心を通る直線を中心軸として前記基板支持手段に対して相対的に一方向に回転させながら、前記基板支持手段により支持された前記基板を前記スリット孔を介して前記蒸着材料側に露出させることで前記基板上に前記薄膜を形成することを特徴とする蒸着装置。
【請求項１０】
前記基板支持手段は、前記基板表面と前記防着板の側面部とが平行になるように前記基板を支持することを特徴とする請求項９に記載の蒸着装置。
【請求項１１】
前記スリット孔は、上端側の幅と下端側の幅とが異なること特徴とする請求項９又は１０に記載の蒸着装置。
【請求項１２】
請求項９に記載の蒸着装置を用いて基板上に薄膜を形成する蒸着方法であって、
前記防着板を、前記蒸着材料の重心を通る直線を中心軸として前記基板支持手段に対して相対的に一方向に回転させる手順と、
前記基板支持手段により支持された前記基板表面に、前記スリット孔を介して前記蒸着材料による薄膜の蒸着を開始させる手順とを具備したことを特徴とする蒸着方法。
【請求項１３】
真空チャンバ内で蒸着材料を加熱することで発生した蒸気を基板上に到達させることにより、前記基板上に薄膜を形成する液晶装置の製造方法であって、
前記蒸着材料に向かって開口し、開口方向に拡開する円錐状又は角錐状に形成されているとともに、側面部に前記開口方向に延在するスリット孔が形成された防着板の前記側面部に対向する基板支持手段に前記基板を配置する手順と、
前記防着板を、前記蒸着材料の重心を通る直線を中心軸として前記基板支持手段に対して相対的に一方向に回転させる手順と、
前記基板支持手段により支持された前記基板表面に、前記スリット孔を介して前記蒸着材料による薄膜の蒸着を開始させる手順とを具備したことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着装置及び蒸着方法並びに液晶装置の製造方法に関し、無機配向膜を成膜する蒸着装置及び蒸着方法並びに液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示パネル等の液晶装置において液晶分子を配向規制するための配向膜として、ＳｉＯ等の無機材料を基板表面に対し所定の角度をもって蒸着することにより形成する、斜方配向蒸着膜等の無機配向膜が知られている。
【０００３】
しかし、斜方配向蒸着膜は、基板上の場所によって蒸着源からの距離、角度、及び方向が異なり、基板が大きくなると基板面内における配向膜の均一性が悪化する。配向膜が不均一だと、液晶分子の配向方向及びプレチルト角に基板上でばらつきが生じる。その結果、液晶セルの電気光学的特性が場所によって変化してしまう。配向膜の均一性を向上させるには蒸着材料と基板との距離を大きくとる必要があるが、そうすると装置が大型になり、製造コストが増大する。
【０００４】
この問題を解決する方法として、スリットを設けた遮蔽板を蒸着源（蒸着材料）と基板との間に設け、遮蔽板の背後で移動する基板にスリットを介して蒸着する方法が、特許文献１乃至特許文献３に記載されている。特許文献１乃至特許文献３に開示の方法によれば、スリットの幅により蒸着の角度が限定されるため、蒸着角度が一定な配向膜を得ることができる。
【０００５】
また、蒸着法とは蒸着材料の蒸気を飛散させて基板上に蒸着材料を堆積させるものであることから、蒸着装置においては、基板以外にも真空チャンバ内の様々な箇所に蒸着が行われてしまう。このような、蒸着による成膜を行う対象物以外のものに蒸着される蒸着物を、不要蒸着物と称する。
【０００６】
不要蒸着物は、所定の膜厚以上堆積すると剥離しやすくなるため、真空チャンバ内における異物の原因となる。このため、真空チャンバ内の不要蒸着物は定期的に除去する必要がある。
【０００７】
不要蒸着物が真空チャンバの内壁面上に蒸着されてしまうと、蒸着装置の稼動を完全に停止して不要蒸着物の除去作業をしなければならず装置の効率が低下してしまうため、真空チャンバ内には、真空チャンバの内壁面を覆い、かつ交換が容易に配設された防着板が設けられるのが一般的である。防着板は、他に、真空チャンバ内に設けられた可動部や配線部等に不要蒸着物が付着することを防止する装置保全の目的も有する。防着板を取り外して蒸着装置の外部で不要蒸着物の除去作業を行うことにより、装置の稼動効率の低下を防止することができる。
【０００８】
このような防着板に付着した不要蒸着物の除去を、真空を破らずに真空チャンバ内で行うことを実現する技術が、特許文献４に開示されている。特許文献４に開示の技術は、防着板を加熱することにより、不要蒸着物を溶融し防着板から滴下させるものである。
【特許文献１】特開昭５４−４６５７６号公報
【特許文献２】特開昭６３−１７２１２１号公報
【特許文献３】特開２００６−３３０６５６号公報
【特許文献４】特開平６−１２８７２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１乃至特許文献３に開示されているように、スリットを介して基板上に斜方配向蒸着膜を蒸着する場合には、一方向に一度のみの基板の移動だけでは蒸着される膜の膜厚が不足するため、基板を何度か往復移動させながら、蒸着を繰り返して積層することで所定の膜厚を得る方法が採られる。
【００１０】
しかしながら、このような方法により形成された斜方配向蒸着膜は、基板面全体においてプレチルト角を測定した場合にプレチルト角のばらつきが比較的大きいという問題点がある。これは、図９に示すように、蒸着中に基板１３５が移動することによる影響により、基板１３５の基板表面１３５ｂ上に堆積される斜方配向蒸着膜１１６を構成する分子の配列が不規則になるためであると考えられる。
【００１１】
また、真空チャンバ内で基板を移動させる構成を設ける場合、特に特許文献３に開示されているように、複数の基板を同時に支持して回動させる基板支持機構を真空チャンバ内に設ける場合、やはり蒸着装置が複雑かつ大型になってしまい、製造コストが増大してしまう。
【００１２】
また、このような可動部を有する複雑な基板支持機構を真空チャンバ内に設けた場合、可動部に不要蒸着物が蒸着されやすく、装置の信頼性が低下してしまう。また、定期的に不要蒸着物を除去する作業も、可動部の分解等の時間がかかるため、蒸着装置の稼動効率を低下させてしまう。
【００１３】
一方、特許文献４に開示されているように、真空チャンバ内の複数の防着板にそれぞれヒータを設ける場合、真空チャンバ内においてヒータに接続する配線を取り回す必要がある。真空チャンバ内に配線を取り回す場合、やはり配線に不要蒸着物が蒸着されてしまう影響を取り除くことはできず、装置の信頼性が低下してしまう。また、滴下する不要蒸着物を捕集する機構も必要であり、蒸着装置が複雑かつ大型になってしまう。
【００１４】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、プレチルト角の基板面内ばらつきを抑え均一な配向膜を成膜することができると共に、装置の効率を低下させることなく単純な機構で不要蒸着物の影響を抑制することができる蒸着装置及び蒸着方法並びに液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本実施形態の液晶装置の製造方法は、スリット孔を有するマスクを介して蒸着材料と対向して配設され、相対向する所定の二方向に揺動する基板の表面上に、前記蒸着材料を加熱することで発生した蒸気を前記スリット孔を介して所定の角度をなして到達させることにより、前記基板の前記表面上に無機配向膜を蒸着して形成する液晶装置の製造方法であって、前記無機配向膜の蒸着は、前記基板が、前記相対向する二方向のいずれか一方の方向へ移動している状態においてのみ選択的に実施されることを特徴とする。
【００１６】
本発明のこのような構成によれば、無機配向膜を、基板の揺動方向に影響されることなく積層して形成することが可能となり、無機配向膜が規則的に均一に形成されるため、プレチルト角の基板面内ばらつきを抑えることが可能となる。
【００１７】
また、本発明は、前記基板が揺動する前記相対向する二方向は、前記蒸着材料の重心と前記スリット孔の中心とを結ぶ線分を、前記基板表面の法線方向から前記基板表面上に投影した線と平行であって、前記無機配向膜の蒸着は、前記基板が、前記蒸着材料の前記蒸気の流動方向に対し順方向に移動している状態において実施されることが好ましい。
【００１８】
また、本発明は、前記基板が揺動する前記相対向する二方向は、前記蒸着材料の重心と前記スリット孔の中心とを結ぶ線分を、前記基板表面の法線方向から前記基板表面上に投影した線と平行であって、前記無機配向膜の蒸着は、前記基板が、前記蒸着材料の前記蒸気の流動方向に対し逆方向に移動している状態において実施されることが好ましい。
【００１９】
このような構成によれば、無機配向膜は、蒸着分子が規則的に配列された構造を有する層が積層されて形成される。無機配向膜を構成する分子の配列のばらつきは小さくなる。すなわち、無機配向膜の蒸着は、基板が、一方の方向へ移動している状態においてのみ選択的に実施されるので、無機配向膜のカラム構造に指向性が発現し、プレチルト角のばらつきを従来よりも抑制することが可能となる。
【００２０】
本発明に係る蒸着装置は、真空チャンバ内で蒸着材料を加熱することで発生した蒸気を基板上に到達させることにより、前記基板上に薄膜を形成する蒸着装置であって、前記蒸着材料に向かって開口し、開口方向に拡開する円錐状又は角錐状に形成されているとともに、側面部に前記開口方向に延在するスリット孔が形成された防着板と、前記基板が前記防着板の外側面に対向し、かつ前記基板が前記蒸着材料に対して所定の角度をなして対向するように前記基板を支持する基板支持手段と、を具備し、前記防着板を、前記蒸着材料の重心を通る直線を中心軸として前記基板支持手段に対して相対的に回動させ、前記基板支持手段により支持された前記基板を前記スリット孔を介して前記蒸着材料側に露出させることで前記基板上に前記薄膜を形成することを特徴とする。
【００２１】
このような構成を有することにより、スリット孔を介して蒸着を行うことにより均一な無機配向膜が得られる。ここで、防着板から上方へ飛散する不要蒸着物は、スリット孔を通過したもののみである。このため真空チャンバの内壁部に蒸着される不要蒸着物の量を抑制し、不要蒸着物が蒸着装置の稼動に与える影響を抑制することが可能である。
【００２２】
また、不要蒸着物が蒸着される防着板が略円錐状であることから、防着板は、従来の防着板が平板状である場合に比してより広い面積でより大量の不要蒸着物を捕集することが可能となる。すなわち、防着板はより長時間にわたってその機能を発揮することが可能であり、防着板に蒸着された不要蒸着物を除去する作業の間隔を長くすることができる。
【００２３】
よって、本発明によれば、蒸着装置の稼動を停止する時間を従来よりも短縮することができ、装置の効率を向上させることが可能となる。また、略円錐状の防着板は、鋼板の曲げ加工により容易に形成可能である。
【００２４】
また、本発明は、前記防着板を回動する回動手段を具備し、前記防着板は前記回動手段に対して着脱自在に構成されていることが好ましい。
【００２５】
このような構成によれば、防着板を真空チャンバ内から取り出す、もしくは真空チャンバ内に設置する作業は、単純かつ容易であり短時間で完了可能である。このため、防着板に蒸着された不要蒸着物を除去する必要が生じた場合に、あらかじめ略同一の形状であり不要蒸着物が蒸着されていない防着板を別途用意しておけば、防着板を入れ替える作業のみで、蒸着装置の稼動を再開することが可能となる。
【００２６】
ここで、入れ替えで真空チャンバ内から取り出された防着板に対しては、蒸着装置の稼働状況に関係なく、装置外において不要蒸着物の除去処理を実施することが可能である。すなわち、防着板に蒸着された不要蒸着物の除去処理をいわゆる外段取り化することが可能であり、かつ防着板の交換作業を短時間で完了することが可能であるため、蒸着装置の稼動効率をより向上させることができる。
【００２７】
また、回動手段の構成は、従来から使用されている一軸のみの単純な可動機構とすることができ、この機構を設けることにより蒸着装置の信頼性が低下することはない。また、単純な機構であることから保守作業が容易であり、不具合が生じた場合の蒸着装置の停止時間を最小に抑えることが可能である。
【００２８】
また、本発明は、前記スリット孔は、前記防着板を開口方向から見た場合に放射状に複数形成されていることが好ましい。
【００２９】
このような構成によれば、単位時間当たりの蒸着装置のスループットを向上させることが可能となる。
【００３０】
また、本発明は、前記基板支持手段は、前記防着板の外側面に対向する位置において、前記基板を前記防着板の中心軸を中心とした周方向に複数支持することが好ましい。
【００３１】
このような構成によれば、単位時間当たりの蒸着装置のスループットを向上させることが可能となる。
【００３２】
また、本発明は、前記基板は液晶装置用の基板であって、前記薄膜は液晶を配向規制するための無機配向膜であることが好ましい。
【００３３】
このような構成によれば、液晶装置の無機配向膜を均一にかつ効率よく成膜することが可能であり、したがって表示品位の高い液晶装置をより安価に提供することが可能となる。
【００３４】
また、本発明に係る蒸着装置は、真空チャンバ内で蒸着材料を加熱することで発生した蒸気を基板上に到達させることにより、前記基板上に薄膜を形成する蒸着装置であって、前記蒸着材料に向かって開口し、開口方向に拡開する円錐状又は角錐状に形成されているとともに、側面部に前記開口方向に延在するスリット孔が形成された防着板と、前記基板が前記防着板の外側面に対向し、かつ前記基板が前記蒸着材料に対して所定の角度をなして対向するように前記基板を支持する基板支持手段と、を具備し、前記防着板を、前記蒸着材料の重心を通る直線を中心軸として前記基板支持手段に対して相対的に一方向に回転させながら、前記基板支持手段により支持された前記基板を前記スリット孔を介して前記蒸着材料側に露出させることで前記基板上に前記薄膜を形成することを特徴とする。
【００３５】
このような構成によれば、防着板を一方向に回転させながら、スリット孔を介して蒸着を行うことにより均一な無機配向膜が得られる。また、一方向に回転させることで、連続的な蒸着が可能であり、生産性に優れている。
【００３６】
また、本発明は、前記基板支持手段は、前記基板表面と前記防着板の側面部とが平行になるように前記基板を支持することが好ましい。
【００３７】
また、本発明は、前記スリット孔は、上端側の幅と下端側の幅とが異なることが好ましい。
【００３８】
このような構成によれば、基板表面に均一な膜厚の蒸着膜を形成することができる。
【００３９】
また、本発明に係る蒸着方法は、上記蒸着装置を用いて基板上に薄膜を形成する蒸着方法であって、前記防着板を、前記蒸着材料の重心を通る直線を中心軸として前記基板支持手段に対して相対的に一方向に回転させる手順と、前記基板支持手段により支持された前記基板表面に、前記スリット孔を介して前記蒸着材料による薄膜の蒸着を開始させる手順とを具備したことを特徴とする。
【００４０】
このような構成によれば、防着板を一方向に回転させることで、基板表面に無機配向膜を規則的に均一に形成することができ、プレチルト角の基板面内ばらつきを抑えることが可能となる。また、無機配向膜の形成は連続的に行うことができ、生産性に優れている。
【００４１】
また、本発明に係る液晶装置の製造方法は、真空チャンバ内で蒸着材料を加熱することで発生した蒸気を基板上に到達させることにより、前記基板上に薄膜を形成する液晶装置の製造方法であって、前記蒸着材料に向かって開口し、開口方向に拡開する円錐状又は角錐状に形成されているとともに、側面部に前記開口方向に延在するスリット孔が形成された防着板の前記側面部に対向する基板支持手段に前記基板を配置する手順と、前記防着板を、前記蒸着材料の重心を通る直線を中心軸として前記基板支持手段に対して相対的に一方向に回転させる手順と、前記基板支持手段により支持された前記基板表面に、前記スリット孔を介して前記蒸着材料による薄膜の蒸着を開始させる手順とを具備したことを特徴とする。
【００４２】
このような構成によれば、防着板を一方向に回転させることで、基板表面に無機配向膜である斜方配向蒸着膜を規則的に均一に形成することができ、プレチルト角の基板面内ばらつきを抑えることが可能となる。また、無機配向膜の形成は連続的に行うことができ、生産性に優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００４４】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態を図１から図９を参照して説明する。なお、以下の説明に用いた各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００４５】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によって製造された液晶装置１００の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここで、図１はＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、液晶装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶表示装置を例にとる。
【００４６】
液晶装置１００は、ガラスもしくは石英等からなるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０を挟持してなり、液晶層５０の配向状態を変化させることにより、画像表示領域１０ａに対向基板２０側から入射する光を変調しＴＦＴアレイ基板１０側から出射することで、画像表示領域１０ａにおいて画像を表示するものである。
【００４７】
図１及び図２において、液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入されている。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔を所定値とするためのグラスファイバあるいはガラスビーズ等のギャップ材が散らばって配設されている。
【００４８】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。なお、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４９】
また、液晶装置１００においては、前記の画像表示領域１０ａの周辺に位置する非表示領域が存在する。言い換えれば、特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が非表示領域として規定されている。非表示領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に露出して設けられた実装端子１０２にフレキシブルプリント基板等を接続することにより、液晶装置１００と例えば電子機器の制御装置等の外部との電気的接続が行われる。
【００５０】
また、走査線駆動回路１０４は、データ線駆動回路１０１及び実装端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われるように設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺、すなわちデータ線駆動回路１０１及び実装端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に対向する辺に沿って設けられ、額縁遮光膜５３に覆われるように設けられた複数の配線１０５によって、二つの走査線駆動回路１０４は互いに接続されている。
【００５１】
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも一箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との電気的接続を行う上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらの上下導通材１０６に対応する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材１０６と上下導通端子を介して、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な接続が行われる。
【００５２】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、斜方配向蒸着膜等の無機配向膜１６が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に斜方配向蒸着膜等の無機配向膜２２が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のそれぞれ液晶層５０と接する面に形成された無機配向膜１６及び２２は、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料によって構成された無機配向膜である。本実施形態において、無機配向膜１６及び２２とは、それぞれＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の基板表面に対し所定の角度をもってＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料を蒸着する斜方蒸着法によって形成されるものである。ここで、ＴＦＴアレイ基板１０上において、無機配向膜１６は、実装端子１０２上には付着しないように形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の無機配向膜１６及び２２の間で、所定の配向状態をとる。
【００５３】
また、対向基板２０の入射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード、ＶＡ（垂直配向）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００５４】
上述した構成を有する液晶装置１００においては、液晶分子を配向規制するための配向膜を、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料にて構成される薄膜である無機配向膜により形成している。無機材料によって構成される無機配向膜は、例えばポリイミド等の有機材料によって構成される配向膜に対して耐光性や耐熱性に優れるため、経年劣化がなく表示品位が低下することのない電気光学装置を実現できる。
【００５５】
本実施形態に係る液晶装置の製造方法によって製造される液晶装置１００は、まず複数の液晶装置１００が一体に形成された後にそれぞれ個片に分断されることで形成される。すなわち、液晶装置１００は、いわゆる大判基板であるマザー基板から多面取りを行う方法により形成される。図３は、電気光学装置用基板であるマザー基板３５の平面図である。
【００５６】
図３に示すように、基板である円板形状を有するマザー基板３５の基板表面３５ｂ上には、液晶装置１００を構成するための複数のＴＦＴアレイ基板１０となるパターンが、行及び列方向にそれぞれ所定の間隔である中心間距離で周期的に配列されて形成されている。
【００５７】
本実施形態においては、複数のＴＦＴアレイ基板１０が個々に切り出される前の状態であるマザー基板３５の基板表面３５ｂ上に、無機配向膜１６が形成される。マザー基板３５上のの無機配向膜１６は、以下に説明する蒸着装置３００により形成される。
【００５８】
次に本実施形態に係る液晶装置の製造方法において用いる製造装置について、図４を参照して説明する。本実施形態の液晶装置の製造方法に用いる製造装置である蒸着装置３００は、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上に、蒸着材料である例えばＳｉＯ２からなる無機配向膜１６を斜方配向蒸着法により形成するものである。図４は、蒸着装置３００の構成を模式的に示す断面図である。なお、図４において、紙面に正対して上方が、蒸着装置３００の上方である。
【００５９】
蒸着装置３００は、図４に示すように、演算装置、記憶装置等からなる制御部３１０と、内部を気密に保つ真空室３０１とを有し、該真空室３０１内に、蒸着材料３０２を有する蒸着源３１１と、移動手段である基板ホルダ３０５及び直動ステージ３０６と、マスク部材であるマスク２００と、遮蔽手段であるシャッタ３０７とが配設されている。
【００６０】
また、蒸着装置３００は、真空室３０１の内部に連結された真空ポンプ３０８を有し、後述する蒸着工程中は、該真空ポンプ３０８により真空室３０１内の空気を排出することにより、真空室３０１内が真空（減圧状態）に保たれる。
【００６１】
蒸着源３１１は、蒸着材料３０２を収容するるつぼ３０３と、蒸着材料３０２を加熱するための電子銃３０４を有する。蒸着源３１１は、真空中において電子銃３０４が発生する電子ビームを蒸着材料３０２に照射することにより、蒸着材料３０２を加熱し、蒸発させることで蒸着材料３０２の蒸気を生成する。
【００６２】
蒸着材料３０２の鉛直上方には、マスク２００のスリット孔２１０が配設され固定されている。スリット孔２１０は、マスク２００を貫通して形成された細長形状の長孔であり、長手方向が水平方向を向くように形成されている。
【００６３】
該マスク２００の上方には、マザー基板３５を支持するための基板ホルダ３０５及び直動ステージ３０６が配設されている。マザー基板３５は、基板ホルダ３０５によって、蒸着が行われる側である基板表面３５ｂを蒸着材料３０２に対向させて支持される。基板ホルダ３０５は、直線的に移動可能な単軸ロボット等により構成された直動ステージ３０６により、１方向に進退可能に支持されている。直動ステージ３０６は、制御部３１０に電気的に接続されており、制御部３１０により直動ステージ３０６の駆動の制御がなされ、マザー基板３５が移動する。直動ステージ３０６の移動軸は、鉛直軸に対して所定の角度だけ傾斜している。
【００６４】
移動手段である基板ホルダ３０５及び直動ステージ３０６は、蒸着材料３０２の重心と、スリット孔２１０の中心とを結ぶ直線（図中の一点差線）、すなわち鉛直軸と、マザー基板３５の基板表面３５ｂの法線とがなす角度が常にθ０となるように、マザー基板３５を移動可能に支持している。このため、基板ホルダ３０５に支持されたマザー基板３５は、基板表面３５ｂを含む平面上において上方向（図４中矢印Ｕ方向）もしくは下方向（図４中矢印Ｄ方向）へ平行移動する。なお、以下において、角度θ０を蒸着角度と称するものとする。
【００６５】
また、マスク２００と蒸着材料３０２との間には、シャッタ３０７が配設されている。遮蔽手段であるシャッタ３０７は、蒸着材料３０２からマスク２００及びマザー基板３５方向へ向かう蒸気の通路３０７ａを遮蔽もしくは開放する装置である。シャッタ３０７の図示しない駆動部は、制御部３１０に電気的に接続されており、制御部３１０からの信号によってシャッタ３０７を駆動することにより、シャッタ３０７によって通路３０７ａを遮蔽状態とするか、開放状態とするかが選択される。
【００６６】
また、マスク２００の蒸着材料３０２側には、膜厚計測手段である膜厚センサ３０９が配設されている。膜厚センサ３０９は、水晶振動子を用いた公知の形態の膜厚計であり、水晶振動子に堆積された蒸着材料の膜厚に起因する水晶振動子の固有振動数の変化から、水晶振動子に堆積された膜厚を算出する装置である。膜厚センサ３０９は、マスク２００のスリット孔２１０近傍に配設されており、スリット孔２１０を介してマザー基板３５上に堆積される蒸着材料の膜厚を計測することができる。膜厚センサ３０９は、制御部３１０に電気的に接続されており、堆積される膜厚の測定結果を制御部３１０に送信する。
【００６７】
次に、蒸着装置３００を用いて、マザー基板３５表面に無機配向膜１６を蒸着する工程について、以下に説明する。図５は無機配向膜１６を蒸着する工程のフローチャートである。
【００６８】
なお、以下に説明する工程は、蒸着装置３００の真空室３０１内が、真空ポンプ３０８により真空に保たれた状態であり、かつ、蒸着源３１１の蒸着材料３０２が加熱され、蒸着材料３０２の蒸気が発生している状態において行われる。
【００６９】
まず、マザー基板３５は、図示しない搬送装置により真空室３０１内に搬入され、基板ホルダ３０５に固定される（ステップＳ１）。
【００７０】
次に、制御部３１０は、直動ステージ３０６を駆動し、マザー基板３５を初期位置に移動させる。ここで、本実施形態では、初期位置は、マザー基板３５が最も下方（矢印Ｄ方向）に位置する位置である。（ステップＳ２）。
【００７１】
次に、制御部３１０は、シャッタ３０７を開放位置に移動させる。これにより、蒸着材料３０２からマスク２００及びマザー基板３５方向へ向かう蒸気の通路３０７ａが開放される（ステップＳ３）。
【００７２】
次に、制御部３１０は、直動ステージ３０６を一定の速度Ｖ１で上方（矢印Ｕ方向）へ移動させる（ステップＳ４）。マザー基板３５の基板表面３５ｂが、スリット孔２１０を介して蒸着材料３０２側に露出する。直動ステージ３０６の移動は、最終的にマザー基板３５の基板表面３５ｂ全体がスリット孔２１０を介して蒸着材料３０２側に露出するまで行われる。蒸着材料３０２の蒸気はマスク２００のスリット孔２１０を介してマザー基板３５の基板表面３５ｂの全面に所定の蒸着角度をなして到達し、これにより無機配向膜１６となる蒸着材料が堆積される。
【００７３】
次に、制御部３１０は、膜厚センサ３０９により、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上に堆積された膜厚を計測する（ステップＳ５）。基板表面３５ｂ上に堆積された膜厚が、無機配向膜１６を構成するに足る値であった場合は、ステップＳ８に進み、マザー基板３５は図示しない搬送装置により真空室３０１内から搬出され、無機配向膜１６の形成工程が終了する。
【００７４】
一方、基板表面３５ｂ上に堆積された膜厚が、無機配向膜１６を構成するに足りない値であった場合には、次のステップＳ６へ進む。制御部３１０は、シャッタ３０７を遮蔽位置に移動させる。これにより、蒸着材料３０２からマスク２００及びマザー基板３５方向へ向かう蒸気の通路３０７ａが遮断される（ステップＳ６）。
【００７５】
次に、制御部３１０は、直動ステージ３０６を一定の速度Ｖ２で下方（矢印Ｄ方向）へ移動させ、直動ステージ３０６を初期位置まで戻す（ステップＳ７）。ここで、シャッタ３０７は遮蔽位置であるため、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上には蒸着材料は堆積されない。直動ステージ３０６の初期位置への移動が完了した後に、ステップＳ３へ戻る。
【００７６】
このように、本実施形態では、スリット孔２１０を有するマスク２００に対して、蒸着材料３０２とは反対側において上下方向に往復移動、すなわち揺動するマザー基板３５に対して、該マザー基板３５が上方へ移動する場合にのみ、基板表面３５ｂ上にスリット孔２１０を介して斜方蒸着を行うものであり、該斜方蒸着は、無機配向膜１６を構成するに足る膜厚が得られるまで繰り返されるのである。
【００７７】
なお、蒸着膜の膜厚が十分であるかどうかは、斜方蒸着を行った回数により判断されるものであってもよい。
【００７８】
上述の方法によりマザー基板３５の基板表面３５ｂ上に蒸着される無機配向膜１６を、図６を参照して模式的に説明する。図６（ａ）に示すように、ステップＳ４において、マザー基板３５が上方へ移動している状態で、基板表面３５ｂ上に蒸着分子４０１がスリット孔２１０を介して飛来する。蒸着分子４０１は、基板表面３５ｂの法線に対して蒸着角度であるθ０の角度をなして、速度Ｖａで飛来するものとする。
【００７９】
ここで、マザー基板３５は、速度Ｖａ飛来する蒸着分子４０１の飛翔方向に対して順方向となる上方へ速度Ｖ１で移動している。よって、蒸着分子４０１が基板表面３５ｂ上に堆積されていく角度は、マザー基板３５と蒸着分子４０１との合成速度により決定されるものであり、蒸着角度であるθ０よりも、大きくなる傾向を示す。すなわち、図６（ａ）に示すように、基板表面３５ｂ上に堆積されていく蒸着分子４０１の配列４０２は、基板表面３５ｂに対して沿う方向に倒れるのである。
【００８０】
したがって、本実施形態により形成される無機配向膜１６は、図６（ｂ）に示すように、同一の方向に倒れて蒸着分子が規則的に配列された構造を有する層が積層されて形成される。このため、従来のように往復移動する基板上に斜方蒸着を行った場合に形成される配向膜１１６（図９参照）に比して、本実施形態により形成される無機配向膜１６を構成する分子の配列のばらつきは小さくなる。すなわち、本実施形態により形成される無機配向膜１６おいては、斜方蒸着は、基板が、一方の方向へ移動している状態においてのみ選択的に実施されるので、無機配向膜１６のカラム構造に指向性が発現し、プレチルト角の基板表面３５ｂ内におけるばらつきを従来よりも抑制することが可能となるのである。
【００８１】
このように、マザー基板３５の基板表面３５ｂ内におけるプレチルト角のばらつきを抑制することにより、最終的に切り出される液晶装置１００の表示性能のばらつきが小さくなるため、液晶装置１００の製造の歩留まりを向上させることが可能となる。
【００８２】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態について、図７及び図８を参照して説明する。第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法は、第１の実施形態に対し、無機配向膜１６ａの蒸着工程のみが異なる。よって、以下ではこの相違点のみを説明するものとし、また、第１の実施形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を適宜に省略するものとする。図７は、第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法において無機配向膜１６ａを蒸着する工程を示すフローチャートである。図８は、無機配向膜１６ａを模式的に説明する図である。
【００８３】
本実施形態においても、無機配向膜１６ａの蒸着工程には、第１の実施形態と同様に蒸着装置３００が用いられるものである。
【００８４】
まず、マザー基板３５は、図示しない搬送装置により真空室３０１内に搬入され、基板ホルダ３０５に固定される（ステップＳ２１）。
【００８５】
次に、制御部３１０は、直動ステージ３０６を駆動し、マザー基板３５を初期位置に移動させる。ここで、本実施形態では、初期位置は、マザー基板３５が最も上方（矢印Ｕ方向）に位置する位置である。（ステップＳ２２）。
【００８６】
次に、制御部３１０は、シャッタ３０７を開放位置に移動させる。これにより、蒸着材料３０２からマスク２００及びマザー基板３５方向へ向かう蒸気の通路３０７ａが開放される（ステップＳ２３）。
【００８７】
次に、制御部３１０は、直動ステージ３０６を一定の速度Ｖ３で下方（矢印Ｄ方向）へ移動させる（ステップＳ２４）。蒸着材料３０２の蒸気はマスク２００のスリット孔２１０を介してマザー基板３５の基板表面３５ｂの全面に所定の蒸着角度をなして到達し、これにより無機配向膜１６ａとなる蒸着材料が堆積される。
【００８８】
次に、制御部３１０は、膜厚センサ３０９により、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上に堆積された膜厚を計測する（ステップＳ２５）。基板表面３５ｂ上に堆積された膜厚が、無機配向膜１６ａを構成するに足る値であった場合は、ステップＳ２８に進み、マザー基板３５は図示しない搬送装置により真空室３０１内から搬出され、無機配向膜１６ａの形成工程が終了する。
【００８９】
一方、基板表面３５ｂ上に堆積された膜厚が、無機配向膜１６ａを構成するに足りない値であった場合には、次のステップＳ２６へ進む。制御部３１０は、シャッタ３０７を遮蔽位置に移動させる。これにより、蒸着材料３０２からマスク２００及びマザー基板３５方向へ向かう蒸気の通路３０７ａが遮断される（ステップＳ２６）。
【００９０】
次に、制御部３１０は、直動ステージ３０６を一定の速度Ｖ４で上方（矢印Ｕ方向）へ移動させ、直動ステージ３０６を初期位置まで戻す（ステップＳ２７）。ここで、シャッタ３０７は遮蔽位置であるため、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上には蒸着材料は堆積されない。直動ステージ３０６の初期位置への移動が完了した後に、ステップＳ２３へ戻る。
【００９１】
このように、本実施形態では、第１の実施形態とは反対に、スリット孔２１０を有するマスク２００に対して、蒸着材料３０２とは反対側において上下方向に往復移動、すなわち揺動するマザー基板３５に対して、該マザー基板３５が下方へ移動する場合にのみ、基板表面３５ｂ上にスリット孔２１０を介して斜方蒸着を行うものであり、該斜方蒸着は、無機配向膜１６ａを構成するに足る膜厚が得られるまで繰り返されるのである。
【００９２】
上述の本実施形態の方法によりマザー基板３５の基板表面３５ｂ上に蒸着される無機配向膜１６ａを、図８を参照して模式的に説明する。図８（ａ）に示すように、ステップ２４において、マザー基板３５が下方へ移動している状態で、基板表面３５ｂ上に蒸着分子４０１がスリット孔２１０を介して飛来する。蒸着分子４０１は、基板表面３５ｂの法線に対して蒸着角度であるθ０の角度をなして、速度Ｖａで飛来するものとする。
【００９３】
ここで、マザー基板３５は、速度Ｖａ飛来する蒸着分子４０１の飛翔方向に対して逆方向となる下方へ速度Ｖ３で移動している。よって、蒸着分子４０１が基板表面３５ｂ上に堆積されていく角度は、マザー基板３５と蒸着分子４０１との合成速度により決定されるものであり、蒸着角度であるθ０よりも、小さくなる傾向を示す。すなわち、図８（ａ）に示すように、基板表面３５ｂ上に堆積されていく蒸着分子４０１の配列４０２ａは、基板表面３５ｂに対して起立するように形成されるのである。
【００９４】
したがって、本実施形態により形成される無機配向膜１６ａは、図８（ｂ）に示すように、同一の方向に起立して蒸着分子が規則的に配列された構造を有する層が積層されて形成される。このため、従来のように往復移動する基板上に斜方蒸着を行った場合に形成される配向膜１１６（図９参照）に比して、本実施形態により形成される無機配向膜１６ａを構成する分子の配列のばらつきは小さくなる。すなわち、第１の実施形態と同様に、本実施形態においても、無機配向膜１６ａの斜方蒸着は、基板が、一方の方向へ移動している状態においてのみ選択的に実施されるので、無機配向膜１６のカラム構造に指向性が発現し、プレチルト角の基板表面３５ｂ内におけるばらつきを従来よりも抑制することが可能となるのである。
【００９５】
（第３の実施形態）
本実施形態においても、複数のＴＦＴアレイ基板１０が個々に切り出される前の状態であるマザー基板３５の基板表面３５ｂ上に、無機配向膜１６が形成される。マザー基板３５上の無機配向膜１６は、以下に説明する蒸着装置５００により形成される。
【００９６】
次に本実施形態に係る蒸着装置５００について、図１０から図１２を参照して説明する。液晶装置１００の製造装置としての蒸着装置５００は、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上に、蒸着材料である例えばＳｉＯ２からなる無機配向膜１６を斜方蒸着法により形成するものである。図１０は、蒸着装置５００の構成を模式的に示す断面図である。図１１は防着板とマザー基板との位置関係を説明する斜視図である。図１２は、防着板と回転リングとの関係を説明する図である。なお、以下の説明において、図１０の紙面に正対して上方が、蒸着装置５００の上方とする。
【００９７】
蒸着装置５００は、図１０に示すように、演算装置、記憶装置等からなる制御部５１０と、内部を気密に保つ真空チャンバである真空室５０１とを有し、該真空室５０１内に、蒸着材料５０２を有する蒸着源５１１と、基板支持手段である基板ホルダ５０５及びブラケット５０６と、防着板２００と、遮蔽手段であるシャッタ５０７と、回動手段である回転リング５２０が配設されている。
【００９８】
また、蒸着装置５００は、真空室５０１の内部に連結された真空ポンプ５０８を有し、後述する蒸着工程中は、該真空ポンプ５０８により真空室５０１内の空気を排出することにより、真空室５０１内が真空（減圧状態）に保たれる。
【００９９】
蒸着源５１１は、蒸着材料５０２を収容するるつぼ５０３と、蒸着材料５０２を加熱するための電子銃５０４を有する。蒸着源５１１は、真空中において電子銃５０４が発生する電子ビームを蒸着材料５０２に照射することにより、蒸着材料５０２を加熱し、蒸発させることで蒸着材料５０２の蒸気を生成する。なお、図示しないが、真空室５０１内には、るつぼ５０３に蒸着材料５０２を供給する装置も配設されている。
【０１００】
蒸着材料５０２の鉛直上方には、防着板６００が配設されている。防着板６００は、図１０及び図１１に示すように、下方、すなわち蒸着材料５０２の方向に向かって開口し、開口方向に拡開する略円錐状の部材である。防着板６００は、所定の厚さを有するステンレス鋼板を円錐状に成型したコーン形状を有し、該コーン形状開口が下方を向き、かつ中心軸が蒸着材料５０２の重心を通過する鉛直線と一致するように配設されている。
【０１０１】
また、防着板６００の側面部には、コーン形状の開口方向に延在する細長の矩形状の貫通孔である複数のスリット孔６０１が、周方向に等間隔に形成されている。複数のスリット孔６０１は全て略同一の形状を有し、防着板６００を真下、すなわち蒸着材料５０２の位置から見た場合に、防着板６００の中心から径方向に同一の距離に、長辺が径方向に沿うように放射状に形成されている。すなわち、防着板６００が真空室５０１内に配設された状態において、複数のスリット孔６０１は、蒸着材料５０２から略同一の距離に形成されている。
【０１０２】
本実施形態の防着板６００は、ステンレス鋼板製であって、表面にアルミナ溶射皮膜が形成されている。なお、防着板６００の材質はステンレスに限られるものではなく、鋼、アルミニウム、樹脂等であってもよいし、またその表面処理も溶射による皮膜形成に限られるものではない。詳しくは後述するが、防着板６００を構成する材料、及びその表面処理は、不要蒸着物の付着性が高く剥離しにくく、かつ付着した蒸着物を除去する処理に対して耐久性を有することが好ましい。
【０１０３】
上述した形状を有する防着板６００は、真空室５０１内において略水平面上で回動可能に配設された、略環状の回転リング５２０上に載置される。回転リング５２０は、ベアリング５２１を介して、真空室５０１の側壁部から内側方向に張り出しているフランジ部５２２上に、回動自自在に支持されている。回転リング５２０は、真空室５０１内において、回動軸が蒸着材料５０２の重心を通過する鉛直線と一致するように配設されている。言い換えれば、回転リング５２０は、蒸着材料５０２の重心を通過する直線に直交する平面上において、該直線を中心軸として回動するように配設されている。
【０１０４】
回転リング５２０は、防着板６００が上面部に載置された状態において位置決めされるように、上面部に防着板６００の底面部が嵌め合わされる凹部を有している。回転リング５２０上に防着板６００が位置決めされて載置された状態において、回転リング５２０及び防着板６００のそれぞれの中心軸が略一致する。すなわち、防着板６００は、回転リング５２０によって、蒸着材料５０２の重心を通る鉛直線を中心軸として、回動自在に支持されるのである。
【０１０５】
回転リング５２０の側面部には、ギヤが形成されており、真空室５０１の側壁部配設された電動モータ６１０の回転駆動力が、ドライブギヤ６１１及びアイドルギヤ６１２を介して該ギヤに伝達されることによって、回転リング５２０が回転する。電動モータ５２０は、制御部５１０に電気的に接続されており、制御部５１０は回転リング５２０、すなわち防着板６００の回動の制御を行うことが可能である。
【０１０６】
上述した防着板６００の上方には、マザー基板３５を支持するための複数の基板ホルダ５０５が配設されている。基板ホルダ５０５は、ブラケット５０６を介して、真空室５０１の天井部５０１ａに固定されている。基板ホルダ５０５は、マザー基板３５を、基板表面３５ｂが蒸着材料５０２に対向するように支持するものである。
【０１０７】
基板ホルダ５０５は、基板表面３５ｂの中心と蒸着材料５０２の重心とを結ぶ直線Ｌ２と、基板表面３５ｂの法線Ｌ３とがなす角度が所定の角度θとなるようにマザー基板３５を支持する。また、基板ホルダ５０５は、支持するマザー基板３５の基板表面３５ｂの所定の領域である被蒸着領域が、回動する防着板６００のスリット孔６０１を介して、蒸着材料５０２側に露出するようにマザー基板３５を支持する。
【０１０８】
言い換えれば、本実施形態の蒸着装置においては、蒸着材料５０２から発生した蒸気が、回動する防着板６００のスリット孔６０１を介して、基板ホルダ５０５に支持されたマザー基板３５の基板表面３５ｂの被蒸着領域全域に到達するように構成されている。
【０１０９】
また、基板ホルダ５０５は、蒸着材料５０２の重心を通る鉛直線周りに、周方向に等間隔に複数配設されている。複数の基板ホルダ５０５は、一つのブラケット５０６によって全て真空室５０１の天井部５０１ａに対して固定されている。
【０１１０】
すなわち、複数の基板ホルダ５０５のそれぞれに支持される複数のマザー基板３５は、全て蒸着材料５０２から等しい距離に配設される。また、この状態において、複数のマザー基板３５は、全て、基板表面３５ｂの中心と蒸着材料５０２の重心とを結ぶ直線Ｌ２と、基板表面３５ｂの法線Ｌ３とがなす角度が所定の角度θとなるように支持される。図１１に示すように、複数の基板ホルダ５０５のそれぞれに支持される複数のマザー基板３５は、基板表面３５ｂが防着板６００の外側面部に沿うように配設されるのである。
【０１１１】
また、本実施形態の蒸着装置５００の真空室５０１は、図１２に示すように、天井部５０１ａが上方へ離間することにより開放可能に構成されており、天井部５０１ａが離間された状態において、防着板６００を真空室５０１内に対して搬入及び搬出することが可能である。また、複数の基板ホルダ５０５を支持するブラケット５０６は、天井部５０１ａに対して着脱自在に固定されている。真空室５０１の外部において、ブラケット５０６に固定された複数の基板ホルダ５０５にマザー基板３５をセットし、該ブラケット５０６を天井部５０１ａに固定した状態で真空室５０１を遮蔽することにより、複数のマザー基板３５を一度に真空室５０１内に搬入することが可能である。
【０１１２】
また、防着板６００と蒸着材料５０２との間には、シャッタ５０７が配設されている。遮蔽手段であるシャッタ５０７は、蒸着材料５０２から防着板６００及びマザー基板３５方向へ向かう蒸気の通路を遮蔽もしくは開放する装置である。シャッタ５０７の駆動部５１２は、制御部５１０に電気的に接続されており、制御部５１０からの信号によってシャッタ５０７を駆動することにより、シャッタ５０７によって通路を遮蔽状態とするか、開放状態とするかが選択される。
【０１１３】
また、防着板６００の蒸着材料５０２側には、図示しない膜厚計測手段である膜厚センサが配設されている。膜厚センサは、水晶振動子を用いた公知の形態の膜厚計であり、水晶振動子に堆積された蒸着材料の膜厚に起因する水晶振動子の固有振動数の変化から、水晶振動子に堆積された膜厚を算出する装置である。膜厚センサは、制御部５１０に電気的に接続されており、堆積される膜厚の測定結果を制御部５１０に送信する。
【０１１４】
上述の構成を有する蒸着装置５００を用いて、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上に無機配向膜１６を蒸着する工程について、以下に説明する。
【０１１５】
まず、マザー基板３５が、真空室５０１の外部において、複数の基板ホルダ５０５にセットされる。次にこの複数の基板ホルダ５０５を支持するブラケット５０６を、天井部５０１ａに固定し、真空室５０１を遮蔽する。これにより、マザー基板３５の真空室５０１内への搬入が完了する。なお、このマザー基板３５の搬入に先駆けて、防着板６００は、回転リング５２０上に載置されているものとする。
【０１１６】
次に、真空ポンプ５０８を動作させることにより真空室５０１内の空気を排出し、真空室５０１内を真空状態（減圧状態）とする。真空室５０１内の圧力が所定の真空度にまで達したら、次に、電子銃５０４により電子ビームを照射することにより蒸着材料５０２を加熱し、蒸着材料５０２の蒸気を発生させる。
【０１１７】
また、電動モータ６１０を駆動し、回転リング５２０を所定の回転速度で回動させる。すなわち防着板６００の鉛直軸周りの回動を開始する。そして、シャッタ５０７を開放位置に移動し、蒸着材料５０２から防着板６００及びマザー基板３５の方向へ向かう蒸気の通路を開放する。
【０１１８】
これにより、蒸着材料５０２の蒸気は、回動する防着板６００のスリット孔６０１を介してマザー基板３５の基板表面３５ｂの被蒸着領域へ所定の蒸着角度θをなして到達し、無機配向膜１６となる蒸着材料５０２が被蒸着領域上に堆積する。
【０１１９】
膜厚センサからの出力に基づいて、マザー基板３５の基板表面３５ｂ上に堆積された膜厚を算出し、該膜厚が無機配向膜１６を構成するに足る値となったら、シャッタ５０７を遮蔽位置に移動し、蒸着材料５０２から防着板６００及びマザー基板３５の方向へ向かう蒸気の通路を遮断する。なお、蒸着を行う時間、すなわちシャッタ５０７を開放位置にしてから遮蔽位置にするまでの時間によって、蒸着膜の膜厚を判断するものであってもよい。
【０１２０】
そして、マザー基板３５を真空室５０１の外へ搬出することで、蒸着装置５００による無機配向膜１６の形成工程が終了するのである。
【０１２１】
本実施形態の蒸着装置５００によれば、複数のマザー基板３５の基板表面３５ｂ上に蒸着角度θで無機配向膜１６を形成することができる。ここで、基板表面３５へ到達する蒸着材料５０２の蒸気は、防着板６００のスリット孔６０１を介してのみ到達するものであるため、無機配向膜１６を均一に形成することが可能である。
【０１２２】
以下に、上述した構成を有する本実施形態の蒸着装置５００の作用効果を説明する。
【０１２３】
本実施形態の蒸着装置５００は、蒸着材料５０２に向かって開口し、開口方向に拡開する円錐状であって、かつ側面部に開口方向に延在するスリット孔６０１が形成された防着板６００と、基板表面３５ｂが防着板６００の外側面部に対向し、かつ基板表面３５ｂが蒸着材料５０２に対して所定の角度θをなして対向するようにマザー基板３５を支持する基板ホルダ５０５とを具備し、防着板６００を、蒸着材料５０２の重心を通る鉛直線を中心軸として回動させ、基板表面３５ｂをスリット孔６０１を介した蒸着材料５０２側に露出させることで無機配向膜１６を形成するものである。
【０１２４】
このような構成を有することにより、スリット孔６０１を介して蒸着を行うことにより均一な無機配向膜１６が得られる。ここで、防着板６００から上方へ飛散する不要蒸着物は、スリット孔６０１を通過したもののみである。このため真空室５０１の天井部５０１ａに蒸着される不要蒸着物を抑制し、不要蒸着物が蒸着装置５００の稼動に与える影響を抑制することが可能である。
【０１２５】
また、不要蒸着物が蒸着される防着板６００が略円錐状であることから、防着板６００は、従来の防着板が平板状である場合に比してより広い面積でより大量の不要蒸着物を捕集することが可能となる。
【０１２６】
すなわち、防着板６００はより長時間にわたってその機能を発揮することが可能であり、防着板６００に蒸着された不要蒸着物を除去する作業の間隔を長くすることができる。よって、蒸着装置５００の稼動を停止する時間を従来よりも短縮することができ、装置の効率を向上させることが可能となる。また、略円錐状の防着板６００は、鋼板の曲げ加工により容易に形成可能である。
【０１２７】
また、本実施形態の蒸着装置５００は、防着板６００を回動させる回転リング５２０を具備し、防着板６００はこの回転リング５２０上に載置される構成を有するものである。
【０１２８】
このような構成によれば、防着板６００を真空室５０１内から取り出す、もしくは真空室５０１内に設置する作業は、単純かつ容易であり短時間で完了可能である。このため、防着板６００に蒸着された不要蒸着物を除去する必要が生じた場合に、あらかじめ略同一の形状であり不要蒸着物が蒸着されていない防着板６００を別途用意しておけば、防着板６００を入れ替える作業のみで、蒸着装置５００の稼動を再開することが可能となる。
【０１２９】
ここで、入れ替えで真空室５０１内から取り出された防着板６００に対しては、蒸着装置５００の稼働状況に関係なく、装置外において不要蒸着物の除去処理を実施することが可能である。すなわち、実施形態によれば、防着板６００に蒸着された不要蒸着物の除去処理をいわゆる外段取り化することが可能であり、かつ防着板６００の交換作業を短時間で完了することが可能であるため、蒸着装置５００の稼動効率をより向上させることができる。
【０１３０】
回転リング５２０の構成は、従来から使用されている一軸のみの単純な可動機構であり、この機構を設けることにより蒸着装置５００の信頼性が低下することはない。また、単純な機構であることから保守作業が容易であり、不具合が生じた場合の蒸着装置５００の停止時間を最小に抑えることが可能である。
【０１３１】
また、本実施形態の蒸着装置５００は、防着板６００に複数のスリット孔６０１が形成され、かつ、複数のマザー基板３５に対して斜方蒸着を行うことが可能である。
【０１３２】
このような構成によれば、単位時間当たりの蒸着装置５００のスループットを向上させることが可能となる。
【０１３３】
なお、上述した実施形態においては、防着板は略円錐状に形成されてなるものとして説明したが、本発明はこの形態に限られるものではなぃ、防着板は略角錐上に形成されるものであってもよい。
【０１３４】
（第４の実施形態）
図１３は本実施形態に係る蒸着方法に採用される蒸着装置を模式的に示す断面図である。図１３において図１０と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１３５】
本実施形態に係る蒸着方法は、第１の実施形態の液晶装置の製造方法を第３の実施形態に係る蒸着装置を用いて実現するものである。即ち、本実施形態の蒸着方法は、第３の実施形態に係る蒸着装置を特定の条件に従って駆動するものである。
【０１３６】
本実施形態の蒸着方法は、防着板６００を一方向に回転させながら、斜方蒸着を行うことで、蒸着特性を向上させるものである。第１の実施形態においては、基板が１方向に移動している状態においてのみ選択的に実施することで、均一な無機配向膜を得ている。しかしながら、基板が他方向に移動している間においては、蒸着が行われないので、生産性に劣る。そこで、本実施形態においては、第３の実施形態の蒸着装置を用いて、基板を１方向に回転させながら斜方蒸着を行うことで、蒸着特性を向上させると共に、生産性の向上を図るものである。
【０１３７】
図１３において、ブラケット５０６には水晶モニタ５５０が配設されている。水晶モニタ５５０には、防着板６００の上端開口を介して蒸着材料５０２の蒸気が到達して、蒸着膜が堆積するようになっている。水晶モニタ５５０は、堆積した蒸着膜の質量に応じた周波数で振動し、振動に応じた信号を電子銃出力制御部５５１に出力するようになっている。
【０１３８】
電子銃出力制御部５５１は、水晶モニタ５５０の出力信号に基づいて、蒸着膜が堆積するレート（蒸着レート）を取得し、蒸着レートを一定にするように、電子銃５０４の出力を制御するようになっている。これにより、蒸着レートの定レート制御が可能である。
【０１３９】
ところで、基板毎に最適な無機配向膜の蒸着角度は決まっている。そこで、基板ホルダ５０５は、基板３５の鉛直方向と基板表面とのなす仰角が最適蒸着角度となるように、配置されている。更に、本実施形態においては、防着板６００の円錐側面と鉛直方向とのなす角度を基板３５の仰角に一致させる。スリット孔６０１と基板３５が平行であることから、本実施形態では、蒸着レートを均一にすることができるという利点がある。
【０１４０】
蒸着レートは、電子銃５０４の出力だけでなく、スリット孔６０１の幅、本数及び防着板６００の回転速度に応じて変化する。  
スリット孔６０１の幅が大きいほど、蒸着レートは大きくなる。しかし、スリット孔６０１の幅が大きい程、スリット孔６０１の中心部と幅方向端部とで蒸着材料５０２の基板表面への到達角度の差が大きくなり、膜品質が低下する。そこで、例えば、スリット孔６０１の幅としては１０〜２５μｍが採用される。なお、スリット孔６０１の長さは、基板３５のサイズに応じて、例えば８〜１２インチ程度である。
【０１４１】
また、スリット孔６０１の本数が大きいほど、蒸着レートは大きくなる。しかし、スリット孔６０１の本数は、基板３５のサイズ及びスリット幅に応じて制限される。
【０１４２】
また、防着板６００の回転速度が大きいほど、蒸着レートは大きくなる。しかし、機械的な制限から、回転速度には限界がある。例えば、本実施形態では、防着板６００の回転速度として、２〜２．５回転／分程度を採用する。
【０１４３】
次に、このように構成された実施形態の動作について図１４及び図１５を参照して説明する。図１４は斜方蒸着のプロセスを示すフローチャートである。図１５は基板３５に対する蒸着の様子を示す説明図であり、図１５（ａ）は基板上面側から見た蒸着材料５０２の飛来の様子を示し、図１５（ｂ）は基板側面側から見た蒸着材料５０２の飛来の様子を示している。
【０１４４】
本実施形態においては、防着板６００を一方向に回転させながら、基板３５に対する斜方蒸着が行われる。まず、マザー基板３５は、図示しない搬送装置により真空室５０１内に搬入され、基板ホルダ５０５に固定される（ステップＳ３１）。
【０１４５】
次に、るつぼ５０３を加熱して蒸着材料５０２の溶かし込みを開始する（ステップＳ３２）。また、制御部５１０は、電動モータ６１０を駆動して、回転リング５２０を所定の回転速度で、一方向に回転させる（ステップＳ３３）。こうして、防着板６００は、鉛直軸周りに一方向に回転を開始する。
【０１４６】
次に、蒸着材料５０２の溶かし込みが完了すると、シャッタ５０７を開放位置に移動させ（ステップＳ３４）、蒸着材料５０２から防着板６００及びマザー基板３５の方向へ向かう蒸気の通路を開放する。こうして、蒸着材料５０２の蒸気は、防着板６００のスリット孔６０１を介してマザー基板３５の基板表面３５ｂの全面に所定の蒸着角度をなして到達し、これにより無機配向膜１６となる蒸着材料が堆積される。
【０１４７】
図１５に示すように、基板３５には斜方の１方向から飛来する蒸着材料５０２が堆積する。これにより、本実施形態においては、第１の実施形態と同様に、同一の方向に倒れて蒸着分子が規則的に配列された構造を有する層を積層することができる。
【０１４８】
また、防着板６００を一方向に回転させながら蒸着を行っており、連続的な蒸着が可能であるので、生産性に優れている。なお、電子銃出力制御部５５１は、水晶モニタ５５０からの信号に基づいて、蒸着レートを定レート制御する。
【０１４９】
基板表面３５ｂ上に堆積された膜厚が、無機配向膜１６を構成するに足りない値であった場合には、制御部５１０は、防着板６００の一方向の回転を継続させ、引き続き蒸着材料５０２をマザー基板３５の表面に蒸着させる。以後、所定膜厚になるまで、蒸着が行われる。
【０１５０】
所定膜厚の無機配向膜１６が形成されると、制御部５１０はシャッタ５０７によって蒸気の通路を遮断する（ステップＳ３６）と共に、防着板６００の回転を停止させる（ステップＳ３７）。次に、制御部５１０は、マザー基板３５を図示しない搬送装置により真空室５０１内から搬出して（ステップＳ３８）、無機配向膜１６の形成工程を終了する。
【０１５１】
このように本実施形態においては、第１の実施形態と同様に、均一な蒸着膜を形成することができると共に、生産性に優れた蒸着方法を得ることができる。
【０１５２】
ところで、厳密には、基板３５の上端と下端とでは、蒸着源５１１を構成するるつぼ５０３からの距離及び蒸着角度が異なり、膜厚が不均一となる可能性がある。
【０１５３】
そこで、図１６に示す形状のスリット孔を採用することが考えられる。図１６（ｂ）のスリット孔６０１ａは、上端側の幅が広く、下端側の幅が狭い点が、図１０乃至図１２のスリット孔６０１（図１６（ａ））と異なる。スリット孔６０１に代えてスリット孔６０１ａを採用することにより、各スリット孔を蒸着材料５０２が通過可能な時間は、スリット６０１ａの下端側よりも上端側の方が長くなる。即ち、各スリット孔６０１ａについて、基板３５の上端側で下端側よりも長い時間蒸着材料５０２を通過させることで、基板３５の上端側と下端側とで、均一な膜厚を得ることが可能である。
【０１５４】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１５５】
【図１】ＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】マザー基板の平面図である。
【図４】蒸着装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図５】無機配向膜を蒸着する工程のフローチャートである。
【図６】無機配向膜の分子の配列を模式的に説明する図である。
【図７】第２の実施形態に係る無機配向膜を蒸着する工程のフローチャートである。
【図８】第２の実施形態に係る無機配向膜の分子の配列を模式的に説明する図である。
【図９】従来の無機配向膜の分子の配列を模式的に説明する図である。
【図１０】蒸着装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図１１】防着板とマザー基板との位置関係を説明する斜視図である。
【図１２】防着板と回転リングとの関係を説明する図である。
【図１３】第４実施形態に係る蒸着方法に採用される蒸着装置を示す模式的に示す断面図である。
【図１４】は斜方蒸着のプロセスを示すフローチャートである。
【図１５】基板３５に対する蒸着の様子を示す説明図である。
【図１６】スリット孔の他の例を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１５６】
３５  マザー基板、  ２００  マスク、  ２１０  スリット孔、  ５００  蒸着装置、
５０１  真空室、  ５０２  蒸着材料、  ５０３  るつぼ、  ５０４  電子銃、  ５０５  基板ホルダ、  ５０６  直動ステージ、  ５０７  シャッタ、  ５０７ａ  蒸気の通路、５０８  真空ポンプ、  ５１０  制御部、  ５１１  蒸着源
【図１】
2008242411.tif 000003
【図２】
2008242411.tif 000004
【図３】
2008242411.tif 000005
【図４】
2008242411.tif 000006
【図５】
2008242411.tif 000007
【図６】
2008242411.tif 000008
【図７】
2008242411.tif 000009
【図８】
2008242411.tif 000010
【図９】
2008242411.tif 000011
【図１０】
2008242411.tif 000012
【図１１】
2008242411.tif 000013
【図１２】
2008242411.tif 000014
【図１３】
2008242411.tif 000015
【図１４】
2008242411.tif 000016
【図１５】
2008242411.tif 000017
【図１６】
2008242411.tif 000018