(57)【要約】【課題】  浮上搬送中に被処理基板の前端部や後端部がばたつかないようにして基板の浮上高さを正確安定に制御し、塗布膜の膜厚品質を向上させること。【解決手段】  基板搬送部８４は、基板Ｇを気体圧力の力で空中に浮かせる浮上式ステージ８０の両側に平行に配置された一対のガイドレール１００Ｌ，１００Ｒと、これらのガイドレール上で搬送方向（Ｘ方向）に移動可能に取り付けられた一対のスライダ１０２Ｌ，１０２Ｒと、両ガイドレール１００Ｌ，１００Ｒ上で両スライダスライダ１０２Ｌ，１０２を同時または平行に直進移動させる搬送駆動部と、基板Ｇの四隅を着脱可能に保持するために両スライダ１０２Ｌ，１０２に搭載されている保持部１０６とを備えている。【選択図】  図４
2008132422.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形の被処理基板を気体の圧力で浮かせるステージと、
前記ステージ上で浮いた状態の前記基板を着脱可能に保持する保持部を有し、前記ステージ上で所定の搬送方向に前記基板を浮上搬送するために前記基板を保持している前記保持部を前記搬送方向に移動させる搬送部と、
前記ステージの上方に配置される長尺形のノズルを有し、前記基板上に処理液の塗布膜を形成するために前記浮上搬送で前記ノズルの直下を通過する前記基板に向けて前記ノズルより処理液を吐出させる処理液供給部と
を備え、前記保持部が、前記基板の四隅を局所的に保持する実質的にたわまない保持部材と、前記保持部材を昇降移動または変位させるための昇降部とを有する塗布装置。
【請求項２】
前記保持部材が、前記基板の四隅の裏面にそれぞれ吸着可能な４個の吸着パッドと、各々の前記吸着パッドを前記搬送方向に所定の間隔を置いた２箇所でそれぞれ鉛直方向の変位を規制して支持する第１および第２のパッド支持部とを有する請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記第１および第２のパッド支持部の双方が前記吸着パッドをその回りに鉛直面内で回転変位可能とする水平回転軸を有し、前記第１および第２のパッド支持部の片方が前記吸着パッドを水平方向で直動変位可能とする直動軸を有する請求項２に記載の塗布装置。
【請求項４】
前記昇降部が、
前記第１および第２のパッド支持部をそれぞれ独立に昇降駆動する第１および第２のアクチエータと、
前記第１および第２のアクチエータの駆動動作を統括的に制御する昇降制御部と
を有する請求項２または請求項３に記載の塗布装置。
【請求項５】
前記第１のアクチエータが、第１のモータと、前記第１のモータの回転駆動力を前記第１のパッド支持部の鉛直方向の直進運動に変換する第１の伝動機構とを有し、
前記第２のアクチエータが、第２のモータと、前記第２のモータの回転駆動力を前記第２のパッド支持部の鉛直方向の直進運動に変換する第２の伝動機構とを有する請求項４に記載の塗布装置。
【請求項６】
前記昇降制御部が、前記第１および第２のモータの回転角をそれぞれ検出するための第１および第２のエンコーダを含み、前記第１のパッド支持部の昇降移動距離を制御するために前記第１のエンコーダの出力信号をフィードバック信号として前記第１のモータの回転量を制御し、前記第２のパッド支持部の昇降移動距離を制御するために前記第２のエンコーダの出力信号をフィードバック信号として前記第２のモータの回転量を制御する請求項５に記載の塗布装置。
【請求項７】
前記昇降制御部が、前記第１および第２のパッド支持部の昇降移動距離をそれぞれ検出するための第１および第２の距離センサを有し、前記第１のパッド支持部の昇降移動距離を制御するために前記第１の距離センサの出力信号をフィードバック信号として前記第１のモータの回転量を制御し、前記第２のパッド支持部の昇降移動距離を制御するために前記第２の距離センサの出力信号をフィードバック信号として前記第２のモータの回転量を制御する請求項５に記載の塗布装置。
【請求項８】
前記ノズルの吐出口に対する高さ位置が各々の前記吸着パッドの上面全体で均一レベルになるように、前記第１および第２のパッド支持部の間で前記吸着パッドの支点の高さ位置を相対的に調節する吸着パッドレベリング調節部を有する請求項２〜７のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項９】
前記搬送部が、
前記ステージの両側で前記搬送方向に延びる一対のガイドレールと、
前記保持部を搭載し、前記ガイドレールに沿って移動可能なスライダと、
前記スライダを前記ガイドレールに沿って直進駆動する搬送駆動部と
を有する請求項１〜８のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１０】
前記ノズルを昇降移動させるためのノズル昇降機構と、
直下の測定対象物との距離間隔を光学的に測定するために、前記ノズルまたはこれを支持して一体に昇降移動するノズル支持体に取り付けられた光学式距離センサと
を有する請求項１〜９のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１１】
前記光学式距離センサに前記吸着パッドとの距離間隔を測定させる請求項１０に記載の塗布装置。
【請求項１２】
前記光学式距離センサに前記ステージ上の前記基板との距離間隔を測定させる請求項１０に記載の塗布装置。
【請求項１３】
前記保持部に、前記ノズルの高さ位置を光学的に検出するための光学式位置センサを取り付ける請求項１〜１２のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１４】
前記光学式位置センサが、少なくとも１つの前記吸着パッドと一体に設けられる請求項１３に記載の塗布装置。
【請求項１５】
前記光学式位置センサが、前記搬送方向を前方として前記ステージの左右両側に設けられる請求項１３に記載の塗布装置。
【請求項１６】
前記光学式位置センサが、
前記搬送方向に対して平行または斜めの角度で略水平に光ビームを出射する投光部と、
前記ノズルの下端部が上方から出入り可能な大きさのギャップを隔てて前記投光部の出射面と真正面に対向する受光面を有し、前記受光面に前記光ビームが届いているか否かを表す電気信号を発生する受光部と
を有する請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１７】
多数の噴出口を上面に設けたステージ上に、搬送方向に沿って、矩形の被処理基板を前記ステージ上に搬入するための搬入領域と、前記基板上に処理液を塗布するための塗布領域と、前記基板を前記ステージから搬出するための搬出領域とをこの順に一列に設定し、
前記ステージの噴出口より噴出する気体の圧力で前記基板を前記ステージ上で浮かせ、
前記基板の四隅を実質的にたわまない昇降可能な保持部材で局所的に保持しながら前記基板を前記搬入領域から前記搬出領域まで搬送し、
途中の前記塗布領域内で上方に配置したノズルより処理液を吐出させて前記基板上に前記処理液を塗布する塗布方法。
【請求項１８】
前記ステージ上の前記基板の浮上高さを前記搬入領域、前記塗布領域および前記搬出領域毎に個別に設定し、
前記基板を前記搬入領域から前記搬出領域まで搬送する間に前記基板の浮上高さの変化に応じて各々の前記保持部材を昇降移動または変位させる請求項１７に記載の塗布方法。
【請求項１９】
前記搬送中に前列の保持部材同士および後列の保持部材同士をそれぞれ同一のタイミングで昇降移動または変位させる請求項１８に記載の塗布方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、浮上搬送方式で被処理基板上に処理液の塗布膜を形成する塗布方法および塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程には、スリット状の吐出口を有する長尺形のレジストノズルを相対的に走査して被処理基板（ガラス基板等）上にレジスト液を塗布するスピンレスの塗布法がよく用いられている。
【０００３】
このようなスピンレス塗布法の一形式として、たとえば特許文献１に開示されるように、ＦＰＤ用の矩形の被処理基板（たとえばガラス基板）を支持するためのステージを浮上式に構成し、ステージ上で基板を空中に浮かせたまま水平な一方向（ステージ長手方向）に搬送し、搬送途中の所定位置でステージ上方に設置した長尺形のレジストノズルに直下を通過する基板に向けてレジスト液を帯状に吐出させることにより、基板上の一端から他端までレジスト液を塗布するようにした浮上搬送方式が知られている。
【０００４】
浮上搬送方式は、従来一般のノズル移動方式、つまり吸着式のステージ上に基板を固定してその上方で長尺形レジストノズルを水平方向に移動させながらレジスト液を帯状に吐出させることにより基板上の一端から他端までレジスト液を塗布する方式と比較して、長尺形レジストノズルを固定したまま塗布走査を行えるので、基板の大型化（つまりレジストノズルの重厚長大化）に有利とされている。
【０００５】
浮上搬送方式を採用する従来のレジスト塗布装置は、浮上式のステージ上で基板を浮上搬送するために、ステージの左右両側に配置された一対のガイドレールと、それらのガイドレールに沿って平行に直進移動する左右一対のスライダと、基板の左右両辺部に一定間隔で着脱可能に吸着する左右一列の吸着パッドと、それら左右一列の吸着パッドを左右のスライダにそれぞれ連結し、かつ基板の浮上高さに追従して上下に変位する板ばね等の連結部材とを備える。
【０００６】
通常、基板の浮上高さ（浮上量）は浮上ステージの上面から基板に与えられる気体（一般に空気）の圧力によって規定され、搬送方向に沿って区分された浮上ステージ上の領域毎に最適な浮上量が設定される。すなわち、基板の搬入および搬出が行われるステージ両端部の領域（搬入領域および搬出領域）ではたとえば２５０〜３５０μｍの比較的大きな浮上量が設定され、レジストノズルより基板上にレジスト液が供給されるステージ中心部の領域（塗布領域）ではたとえば３０〜６０μｍの小さな浮上量が設定される。そして、浮上ステージ上で基板を搬入領域から塗布領域を通って搬出領域まで浮上搬送する際に基板の浮上高さが変化し、搬送方向の各位置で基板の浮上高さに追随して各位置の連結手段が上下に変位するようになっている。
【０００７】
また、浮上搬送方式においては、レジストノズルと基板との間に一定の狭ギャップを形成するために、基板の浮上高さを高い精度で設定値に一致させる制御が要求されるだけでなく、レジストノズルの高さ位置も正確に管理する必要があり、装置のセッティング時や装置稼動の合間にステージに対するレジストノズルの相対的高さ位置またはギャップを測定して、その測定値に基づいて基準値の初期化あるいは誤差の補正が行われている。
【０００８】
従来は、ステージとレジストノズル間のギャップ測定のために、ステージ上にブロック形状の治具をその測定ポイントがステージの外（横）にはみ出るように載置して、その治具の測定ポイントに下からダイヤルゲージの触針を押し当ててゲージ読取値からステージ上面（基準）の高さ位置を測定し、次いで治具を取り外してレジストノズルの下端に下からダイヤルゲージの触針を押し当ててゲージ読取値からレジストノズル下端の高さ位置を測定する。そして、第１の測定値（ステージ上面の高さ位置）を第２の測定値（レジストノズル下端の高さ位置）から差し引いてその差分をギャップ測定値としていた。
【特許文献１】特開平２００５−２４４１５５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来の浮上搬送式レジスト塗布装置は、上記のように、浮上ステージより基板に与えられる気体の圧力によって基板の浮上高さ（浮上量）を可変制御し、基板を保持する吸着パッドないし連結部材を基板の浮上高さに追従して上下に変位させるようにしている。しかしながら、浮上搬送中に基板の前端部と後端部が上下に振動してばたつくという問題があった。すなわち、基板の前端がステージ上面の各列または各個別の噴出口または吸引口をほぼ完全に覆う瞬間にステージ側から受ける浮上圧力が急激に変動して基板に鉛直方向の振動が生じ、また基板の後端が各列または各個別の噴出口または吸引口を大気に開放する瞬間にも浮上圧力が急激に変動して基板に鉛直方向の振動が生じる。その際、基板を保持する吸着パッドや連結部材も基板と一体に振動する。このように浮上搬送に基板の前端部および後端部がばたつくことで、レジスト塗布膜の膜厚が不安定になり、縞状の塗布むらが生じることがある。
【００１０】
また、上記のようにレジストノズルの高さ位置を測定するためにダイヤルゲージを用いる従来の手法は、ダイヤルゲージの設置や扱い操作が面倒であるだけでなく、接触式であるがために、レジストノズルに傷がついたり、ゲージ触針がレジストで汚れたりして、誤検出しやすいという問題がある。
【００１１】
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、浮上搬送中に被処理基板の前端部や後端部がばたつかないようにして基板の浮上高さを正確安定に制御し、塗布膜の膜厚品質を向上させるようにした浮上搬送方式の塗布方法および塗布装置を提供することを目的とする。
【００１２】
さらに、本発明は、ノズルの高さ位置を簡便かつ安全正確に測定できるようにした浮上搬送方式の塗布装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するために、本発明の塗布装置は、矩形の被処理基板を気体の圧力で浮かせるステージと、前記ステージ上で浮いた状態の前記基板を着脱可能に保持する保持部を有し、前記ステージ上で所定の搬送方向に前記基板を浮上搬送するために前記基板を保持している前記保持部を前記搬送方向に移動させる搬送部と、前記ステージの上方に配置される長尺形のノズルを有し、前記基板上に処理液の塗布膜を形成するために前記浮上搬送で前記ノズルの直下を通過する前記基板に向けて前記ノズルより処理液を吐出させる処理液供給部とを備え、前記保持部が、前記基板の四隅を局所的に保持する実質的にたわまない保持部材と、前記保持部材を昇降移動または変位させるための昇降部とを有する。
【００１４】
また、本発明の塗布方法は、多数の噴出口を上面に設けたステージ上に、搬送方向に沿って、矩形の被処理基板を前記ステージ上に搬入するための搬入領域と、前記基板上に処理液を塗布するための塗布領域と、前記基板を前記ステージから搬出するための搬出領域とをこの順に一列に設定し、前記ステージの噴出口より噴出する気体の圧力で前記基板を前記ステージ上で浮かせ、前記基板の四隅を実質的にたわまない昇降可能な保持部材で局所的に保持しながら前記基板を前記搬入領域から前記搬出領域まで搬送し、途中の前記塗布領域内で上方に配置したノズルより処理液を吐出させて前記基板上に前記処理液を塗布する。
【００１５】
本発明においては、搬送部に備わっている保持部ないし保持部材が基板の四隅を実質的にたわまずに保持するので、搬送部がステージ上で矩形の基板を浮上搬送する際に、ステージ側から受ける浮上圧力が変動しても、保持部ないし保持部材のリジッドな保持力または拘束力によって基板の前端部または後端部のばたつきを抑制することができる。
【００１６】
本発明の塗布方法の好適な一態様によれば、ステージ上の基板の浮上高さを搬入領域、塗布領域および搬出領域毎に個別に設定し、基板を搬入領域から搬出領域まで搬送する間に基板の浮上高さの変化に応じて各々の保持部材を昇降移動または変位させる。この場合、好ましくは、搬送中に前列の保持部材同士および後列の保持部材同士をそれぞれ同一のタイミングで昇降移動または昇降変位させてよい。
【００１７】
本発明の塗布装置の好適な一態様においては、保持部材が、基板の四隅の裏面にそれぞれ吸着可能な４個の吸着パッドと、各々の吸着パッドを搬送方向に所定の間隔を置いた２箇所でそれぞれ鉛直方向の変位を規制して支持する第１および第２のパッド支持部とを有する。この場合、第１および第２のパッド支持部間の昇降誤差を吸収するために、第１および第２のパッド支持部の双方が吸着パッドをその回りに鉛直面内で回転変位可能とする水平回転軸を有し、第１および第２のパッド支持部の片方が吸着パッドを水平方向で直動変位可能とする直動軸を有する構成が好ましい。また、好ましい一態様として、昇降部は、第１および第２のパッド支持部をそれぞれ独立に昇降駆動する第１および第２のアクチエータと、第１および第２のアクチエータの駆動動作を統括的に制御する昇降制御部とを有する。ここで、第１のアクチエータは、第１のモータと、この第１のモータの回転駆動力を第１のパッド支持部の鉛直方向の直進運動に変換する第１の伝動機構とを有してよい。第２のアクチエータは、第２のモータと、この第２のモータの回転駆動力を第２のパッド支持部の鉛直方向の直進運動に変換する第２の伝動機構とを有してよい。
【００１８】
このように吸着パッドを２軸で昇降移動させて基板の四隅に吸着結合させる構成によれば、吸着パッドの水平姿勢ひいては基板前端部および後端部の水平度を安定確実に保つことができる。
【００１９】
また、好適な一態様において、昇降制御部は、第１および第２のモータの回転角をそれぞれ検出するための第１および第２のエンコーダを含み、第１のパッド支持部の昇降移動距離を制御するために第１のエンコーダの出力信号をフィードバック信号として第１のモータの回転量を制御し、第２のパッド支持部の昇降移動距離を制御するために第２のロータリエンコーダの出力信号をフィードバック信号として第２のモータの回転量を制御する。あるいは別の好適な一態様として、昇降制御部は、第１および第２のパッド支持部の昇降移動距離をそれぞれ検出するための第１および第２の距離センサを有してもよい。この場合も、第１のパッド支持部の昇降移動距離を制御するために第１の距離センサの出力信号をフィードバック信号として第１のモータの回転量を制御し、第２のパッド支持部の昇降移動距離を制御するために第２の距離センサの出力信号をフィードバック信号として第２のモータの回転量を制御してよい。
【００２０】
本発明の好適な一態様においては、ノズルの吐出口に対する高さ位置が各々の吸着パッドの上面全体で均一レベルになるように、第１および第２のパッド支持部の間で吸着パッドの支点の高さ位置を相対的に調節する吸着パッドレベリング調節部も備えられる。
【００２１】
本発明の好適な一態様によれば、搬送部が、ステージの両側で前記搬送方向に延びる一対のガイドレールと、保持部を搭載し、ガイドレールに沿って移動可能なスライダと、スライダをガイドレールに沿って直進駆動する搬送駆動部とを有する。
【００２２】
また、好適な一態様として、ノズルを昇降移動させるためのノズル昇降機構が設けられるとともに、直下の測定対象物との距離間隔を光学的に測定するために、ノズルまたはこれを支持して一体に昇降移動するノズル支持体に取り付けられた光学式距離センサも設けられる。好ましくは、この光学式距離センサに、吸着パッドとの距離間隔を測定させてよく、あるいはステージ上の基板との距離間隔を測定させてよい。
【００２３】
さらに、本発明の好適な一態様によれば、搬送部の保持部に、ノズルの高さ位置を光学的に検出するための光学式位置センサが取り付けられる。この光学式位置センサは、少なくとも１つの吸着パッドと一体に設けられるのが好ましく、搬送方向を前方としてステージの左右両側に設けられるのが好ましい。好適な一態様として、この光学式位置センサは、搬送方向に対して平行または斜めの角度で略水平に光ビームを出射する投光部と、ノズルの下端部が上方から出入り可能な大きさのギャップを隔てて投光部の出射面と真正面に対向する受光面を有し、受光面に光ビームが届いているか否かを表す電気信号を発生する受光部とを有してよい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の塗布方法および塗布装置によれば、上記のような構成および作用により、浮上搬送中に被処理基板の前端部や後端部がばたつかないようにして基板の浮上高さを正確安定に制御し、塗布膜の膜厚品質を向上させることができる。さらに、本発明の塗布装置によれば、上記のような光学的位置センサを備える構成により、ノズルの高さ位置を簡便かつ安全正確に測定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００２６】
図１に、本発明の塗布装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえば矩形のガラス基板を被処理基板Ｇとし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理はこのシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００２７】
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００２８】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平な一方向（Ｙ方向）に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを１枚単位または２枚単位で保持できる搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００２９】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、水平なシステム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。
【００３０】
より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、搬入ユニット（ＩＮ  ＰＡＳＳ）２４、洗浄プロセス部２６、第１の熱的処理部２８、塗布プロセス部３０、第２の熱的処理部３２が第１の平流し搬送路３４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。
【００３１】
より詳細には、搬入ユニット（ＩＮ  ＰＡＳＳ）２４はカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２から未処理の基板Ｇを１枚単位または２枚単位で受け取り、所定のタクトで１枚ずつ第１の平流し搬送路３４に投入するように構成されている。洗浄プロセス部２４は、第１の平流し搬送路３４に沿って上流側から順にエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８を設けている。第１の熱的処理部２８は、上流側から順にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０および冷却ユニット（ＣＯＬ）４２を設けている。
【００３２】
塗布プロセス部３０は、上流側から順にパスユニット（ＰＡＳＳ）４３、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４、パスユニット（ＰＡＳＳ）４５および減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６を設けるとともに、パスユニット（ＰＡＳＳ）４３，４５とレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４との間の基板Ｇの搬送を第１の平流し搬送路３４からいったん外（横）に迂回して行うための搬送装置４７およびバイパス搬送路４９を設けている。より詳細には、上流側のパスユニット（ＰＡＳＳ）４３が第１の熱的処理部２８から平流しで搬送されてきた基板Ｇをバイパス搬送路４９の搬送装置４７に渡し、搬送装置４７がその受け取った基板Ｇをバイパス搬送路４９経由でレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４に搬入する。そして、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４でレジスト塗布処理の済んだ基板Ｇを搬送装置４７が搬出してこれをバイパス搬送路４９経由で下流側のパスユニット（ＰＡＳＳ）４５に渡す。パスユニット（ＰＡＳＳ）４５から基板Ｇは再び第１の平流し搬送路３４上の平流しで減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６に送り込まれる。減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６は、基板Ｇを収容し、かつ減圧可能なチャンバと、このチャンバに平流しで基板Ｇを搬入出する搬送機構とを有している。
【００３３】
第２の熱的処理部３２は、上流側から順にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８および冷却ユニット（ＣＯＬ）５０を設けている。第２の熱的処理部３２の下流側隣に位置する第１の平流し搬送路３４の終点にはパスユニット（ＰＡＳＳ）５２が設けられている。第１の平流し搬送路３４上を平流しで搬送されてきた基板Ｇは、この終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８へ渡されるようになっている。
【００３４】
一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、現像ユニット（ＤＥＶ）５４、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８、検査ユニット（ＡＰ）６０および搬出ユニット（ＯＵＴ−ＰＡＳＳ）６２が第２の平流し搬送路６４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。ここで、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６および冷却ユニット（ＣＯＬ）５８は第３の熱的処理部６６を構成する。搬出ユニット（ＯＵＴ  ＰＡＳＳ）６２は、第２の平流し搬送路６４から処理済の基板Ｇを１枚ずつ受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２に１枚単位または２枚単位で渡すように構成されている。
【００３５】
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間６８が設けられている。なお、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル（図示せず）が駆動機構（図示せず）によってプロセスライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっていてもよい。
【００３６】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、上記第１および第２の平流し搬送路３４，６４や隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置７２を有し、この搬送装置７２の周囲にロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４および周辺装置７６を配置している。ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４は、基板Ｇを水平面内で回転させるステージであり、露光装置１２との受け渡しに際して長方形の基板Ｇの向きを変換するために用いられる。周辺装置７６は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）や周辺露光装置（ＥＥ）等を第２の平流し搬送路６４の上の階に設けている。図示省略するが、周辺装置７６の下には、搬送装置７２から基板Ｇを受け取って第２の平流し搬送路６４に載せる始点のパスユニット（ＰＡＳＳ）が設けられている。
【００３７】
図２に、この塗布現像処理システムにおける１枚の基板Ｇに対する全工程の処理手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上のいずれか１つのカセットＣから基板Ｇを１枚または２枚取り出し、その取り出した基板Ｇをプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＡ側の搬入ユニット（ＩＮ  ＰＡＳＳ）２４に搬入する（ステップＳ1）。搬入ユニット（ＩＮ  ＰＡＳＳ）２４から基板Ｇは所定のタクトで１枚ずつ第１の平流し搬送路３４上に移載または投入される。
【００３８】
第１の平流し搬送路３４に投入された基板Ｇは、最初に洗浄プロセス部２６においてエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８により紫外線洗浄処理およびスクラビング洗浄処理を順次施される（ステップＳ2，Ｓ3）。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８は、平流し搬送路３２上を水平に移動する基板Ｇに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８における一連の洗浄処理を終えると、基板Ｇはそのまま第１の平流し搬送路３４を下って第１の熱的処理部２８を通過する。
【００３９】
第１の熱的処理部２８において、基板Ｇは、最初にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０で蒸気状のＨＭＤＳを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される（ステップＳ4）。このアドヒージョン処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）４２で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。この後も、基板Ｇは第１の平流し搬送路３４を下り、塗布プロセス部３０へ搬送される。
【００４０】
塗布プロセス部３０に入ると、基板Ｇは、パスユニット（ＰＡＳＳ）４３からバイパス搬送路４９を経由してレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４に搬入され、長尺形のスリットノズルを用いる浮上搬送のスピンレス法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布される。次いで、バイパス搬送路４９およびパスユニット（ＰＡＳＳ）４５を経由して減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６に送られ、ここで減圧による常温の乾燥処理を受ける（ステップＳ6）。
【００４１】
塗布プロセス部３０を出た基板Ｇは、第１の平流し搬送路３４を下って第２の熱的処理部３２を通過する。第２の熱的処理部３２において、基板Ｇは、最初にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける（ステップＳ7）。このプリベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、基板に対するレジスト膜の密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５０で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ8）。しかる後、基板Ｇは、第１の平流し搬送路３４の終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８の搬送装置７２に引き取られる。
【００４２】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、ロータリステージ７４でたとえば９０度の方向変換を受けてから周辺装置７６の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ9）。
【００４３】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ9）、先ず周辺装置７６のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは、搬送装置７２よりプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＢ側に敷設されている第２の平流し搬送路６４の始点パスユニット（ＰＡＳＳ）に搬入される。
【００４４】
こうして、基板Ｇは、今度は第２の平流し搬送路６４上をプロセスラインＢの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット（ＤＥＶ）５４において、基板Ｇは、平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される（ステップＳ11）。
【００４５】
現像ユニット（ＤＥＶ）５４で一連の現像処理を終えた基板Ｇは、そのまま第２の平流し搬送路６４に乗せられたまま第３の熱的処理部６６および検査ユニット（ＡＰ）６０を順次通過する。第３の熱的処理部６６において、基板Ｇは、最初にポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける（ステップＳ12）。このポストベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８で所定の基板温度に冷却される（ステップＳ13）。検査ユニット（ＡＰ）６０では、基板Ｇ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる（ステップＳ14）。
【００４６】
搬出ユニット（ＯＵＴ  ＰＡＳＳ）６２は、第２の平流し搬送路６４から全工程の処理を終えてきた基板Ｇを１枚ずつ受け取り、１枚単位または２枚単位でカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２へ渡す。カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、搬出ユニット（ＯＵＴ  ＰＡＳＳ）６２から１枚単位または２枚単位で受け取った処理済の基板Ｇをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する（ステップＳ1）。
【００４７】
この塗布現像処理システム１０においては、塗布プロセス部３０内のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４に本発明を適用することができる。以下、図３〜図１７につき、本発明をレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４に適用した一実施形態を詳細に説明する。
【００４８】
図３〜図５はこの実施形態におけるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４の全体構成を示し、図３は略平面図、図４は斜視図、図５は略正面面である。
【００４９】
図３に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４は、第１の平流し搬送路３４（図１）の搬送方向（Ｘ方向）に長く延びるステージ８０を有している。塗布処理を受けるべき新たな基板Ｇは、搬送装置４７によりバイパス搬送路４９から矢印ＦAで示すようにステージ８０の搬送上流端の領域（搬入領域Ｍ1）に搬入される。そして、ステージ８０上の矢印ＦBで示すような浮上搬送によってスピンレス法のレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、ステージ８０の搬送下流端の領域（搬出領域Ｍ5）から矢印ＦCで示すようにバイパス搬送路４９側の搬送装置４７に引き取られる。ステージ８０の長手方向中心部の領域（塗布領域Ｍ3）の上方には、基板Ｇにレジスト液を供給するための長尺形のレジストノズル８２が配置されている。
【００５０】
図４に示すように、ステージ８０は基板Ｇを気体圧力の力で空中に浮かせる浮上式ステージとして構成されており、その上面には所定の気体（通常はエア）を噴出する多数の噴出口８８が一面に形成されている。そして、ステージ８０の左右両側に配置されている直進運動型の基板搬送部８４が、ステージ８０上で浮いている基板Ｇを着脱可能に保持してステージ長手方向（Ｘ方向）に基板Ｇを搬送するようになっている。ステージ８０上で基板Ｇは、その一対の辺が搬送方向（Ｘ方向）と平行で、他の一対の辺が搬送方向と直交するような水平姿勢をとって、浮上搬送される
【００５１】
ステージ８０は、その長手方向（Ｘ方向）において５つの領域Ｍ1，Ｍ2，Ｍ3，Ｍ4，Ｍ5に分割されている（図５）。左端の領域Ｍ1は搬入領域であり、図３につき上述したように塗布処理を受けるべき新規の基板Ｇはバイパス搬送路４９からこの搬入領域Ｍ1に搬入される。この搬入領域Ｍ1には、搬送装置４７の搬送アームから基板Ｇを受け取ってステージ８０上にローディングするためにステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動可能な複数本のリフトピン８６が所定の間隔を置いて設けられている。これらのリフトピン８６は、たとえばエアシリンダ（図示せず）を駆動源に用いる搬入用のリフトピン昇降部８５（図１２）によって昇降駆動される。
【００５２】
この搬入領域Ｍ1は基板Ｇの浮上搬送が開始される領域でもあり、この領域内のステージ上面には基板Ｇを搬入用の浮上高さまたは浮上量Ｈaで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口８８が一定の密度で多数設けられている。ここで、搬入領域Ｍ1における基板Ｇの浮上高さＨaは、特に高い精度を必要とせず、たとえば２５０〜３５０μｍの範囲内に保たれればよい。また、搬送方向（Ｘ方向）において、搬入領域Ｍ1のサイズは基板Ｇのサイズを上回っているのが好ましい。さらに、搬入領域Ｍ1には、基板Ｇをステージ８０上で位置合わせするためのアライメント部（図示せず）も設けられてよい。
【００５３】
ステージ８０の長手方向中心部に設定された領域Ｍ3はレジスト液供給領域または塗布領域であり、基板Ｇはこの塗布領域Ｍ3を通過する際に上方のレジストノズル８２からレジスト液Ｒの供給を受ける。塗布領域Ｍ3における基板浮上量Ｈbはレジストノズル８０の下端（吐出口）と基板上面（被処理面）との間の塗布ギャップＳ（たとえば２００μｍ）を規定する。この塗布ギャップＳはレジスト塗布膜の膜厚やレジスト消費量を左右する重要なパラメータであり、高い精度で一定に維持される必要がある。このことから、塗布領域Ｍ3のステージ上面には、たとえば図６に示すような配列パターンで、基板Ｇを所望の浮上高さＨbで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口８８と負圧で空気を吸い込む吸引口９０とを混在させて設けている。そして、基板Ｇの塗布領域Ｍ3内に位置している部分に対して、噴出口８８から圧縮空気による垂直上向きの力を加えると同時に、吸引口９０より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、相対抗する双方向の力のバランスを制御することで、塗布用の浮上高さＨbを設定値（たとえば３０〜５０μｍ）付近に維持するようにしている。
【００５４】
搬送方向（Ｘ方向）における塗布領域Ｍ3のサイズは、レジストノズル８２の直下に上記のような狭い塗布ギャップＳを安定に形成できるほどの余裕があればよく、通常は基板Ｇのサイズよりも小さくてよく、たとえば１／３〜１／４程度でよい。
【００５５】
図６に示すように、塗布領域Ｍ3においては、搬送方向（Ｘ方向）に対して一定の傾斜した角度をなす直線Ｃ上に噴出口８８と吸引口９０とを交互に配し、隣接する各列の間で直線Ｃ上のピッチに適当なオフセットαを設けている。かかる配置パターンによれば、噴出口８８および吸引口９０の混在密度を均一にしてステージ８０上の基板浮上力を均一化できるだけでなく、基板Ｇが搬送方向（Ｘ方向）に移動する際に噴出口８８および吸引口９０と対向する時間の割合を基板各部で均一化することも可能であり、これによって基板Ｇ上に形成される塗布膜に噴出口８８または吸引口９０のトレースまたは転写跡が付くのを防止することができる。塗布領域Ｍ3の入口では、基板Ｇの先端部が搬送方向と直交する方向（Ｙ方向）で均一な浮上力を安定に受けるように、同方向（直線Ｊ上）に配列する噴出口８８および吸引口９０の密度を高くするのが好ましい。また、塗布領域Ｍ3においても、ステージ８０の両側縁部（直線Ｋ上）には、基板Ｇの両側縁部が垂れるのを防止するために、噴出口８８のみを配置するのが好ましい。
【００５６】
再び図５において、搬入領域Ｍ1と塗布領域Ｍ3との間に設定された中間の領域Ｍ2は、搬送中に基板Ｇの浮上高さ位置を搬入領域Ｍ1における浮上高さＨaから塗布領域Ｍ3における浮上高さＨbへ変化または遷移させるための遷移領域である。この遷移領域Ｍ2内でもステージ８０の上面に噴出口８８と吸引口９０とを混在させて配置することができる。その場合は、吸引口９０の密度を搬送方向に沿って次第に大きくし、これによって搬送中に基板Ｇの浮上量が漸次的にＨaからＨbに移るようにしてよい。あるいは、この遷移領域Ｍ2においては、吸引口９０を含まずに適当な配置パターンで噴出口８８だけを設ける構成も可能である。
【００５７】
塗布領域Ｍ3の下流側隣の領域Ｍ4は、搬送中に基板Ｇの浮上量を塗布用の浮上量Ｈbから搬出用の浮上量Ｈc（たとえば２５０〜３５０μｍ）に変えるための遷移領域である。この遷移領域Ｍ4でも、ステージ８０の上面に噴出口８８と吸引口９０とを混在させて配置してもよく、その場合は吸引口９０の密度を搬送方向に沿って次第に小さくするのがよい。あるいは、吸引口９０を含まずに適当な配置パターンで噴出口８８だけを設ける構成も可能である。また、図６に示すように、塗布領域Ｍ3と同様に遷移領域Ｍ4でも、基板Ｇ上に形成されたレジスト塗布膜に転写跡が付くのを防止するために、吸引口９０（および噴出口８８）を基板搬送方向（Ｘ方向）に対して一定の傾斜した角度をなす直線Ｅ上に配置し、隣接する各列間で配列ピッチに適当なオフセットβを設ける構成が好ましい。
【００５８】
ステージ８０の下流端（右端）の領域Ｍ5は搬出領域である。レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４で塗布処理を受けた基板Ｇは、この搬出領域Ｍ5から搬送装置４７（図１）によりバイパス搬送路４９を経由して下流側の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６（図１）へ移送される。この搬出領域Ｍ5には、基板Ｇを搬出用の浮上量Ｈcで浮かせるための噴出口８８がステージ上面に一定の密度で多数設けられているとともに、基板Ｇをステージ８０上からアンローディングして搬送装置４７へ受け渡すためにステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動可能な複数本のリフトピン９２が所定の間隔を置いて設けられている。これらのリフトピン９２は、たとえばエアシリンダ（図示せず）を駆動源に用いる搬出用のリフトピン昇降部９５（図１２）によって昇降駆動される。
【００５９】
レジストノズル８２は、ステージ８０上の基板Ｇを一端から他端までカバーできるスリット状の吐出口８２ａを有し、門形または逆さコ字形のフレーム１３８（図３、図１１）に昇降可能に取り付けられ、レジスト液供給機構９６（図１２）からのレジスト液供給管９８（図４）に接続されている。
【００６０】
基板搬送部８４は、図３、図４および図７に示すように、ステージ８０の両側に平行に配置された左右一対のガイドレール１００Ｌ，１００Ｒと、これらのガイドレール１００Ｌ，１００Ｒ上で搬送方向（Ｘ方向）に移動可能に取り付けられた左右一対のスライダ１０２Ｌ，１０２Ｒと、両ガイドレール１００Ｌ，１００Ｒ上で両スライダ１０２Ｌ，１０２を同時または平行に直進移動させる搬送駆動部１０４と、基板Ｇを着脱可能に保持するために両スライダ１０２Ｌ，１０２に搭載されている保持部１０６とを備えている。搬送駆動部１０４は、直進型の駆動機構たとえばリニアモータによって構成されている。
【００６１】
保持部１０６は、図３、図４、図７〜図９に示すように、基板Ｇの四隅の裏面（下面）に真空吸着力で結合する４個の吸着パッド１０８(1)，１０８(2)，１０８(3)，１０８(4)と、各吸着パッド１０８(i)（i=1〜4）を搬送方向（Ｘ方向）に一定の間隔を置いた２箇所で鉛直方向の変位を規制して支持する一対のパッド支持部１１０ａ，１１０ｂと、これら一対のパッド支持部１１０ａ，１１０ｂをそれぞれ独立に昇降移動または昇降変位させる一対のパッドアクチエータ１１２ａ，１１２ｂとを有している。
【００６２】
より詳細には、各吸着パッド１０８(i)は、図９および図１０に示すように、たとえばステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる直方体形状のパッド本体の上面に複数個の吸引口１１４を設けている。さらに、図示の構成例は、基板に対する密着性ないし吸着力を高めるために、各吸引口１１４にゴムのベローズ１１６を一部露出させて装着している。各吸引口１１４はパッド本体内のバキューム通路を介して外部のバキューム管１１８（図８）に接続されている。このバキューム管１１８は、パッド吸着制御部１１５（図１２）の真空源（図示せず）に通じている。
【００６３】
パッド支持部１１０ａ，１１０ｂは、たとえばステンレス鋼（ＳＵＳ）からなるＬ字形の剛体棒である。前部のパッド支持部１１０ａは、その下端部（基端部）が鉛直方向に延びて前部パッドアクチエータ１１２ａに結合され、その上端部が水平方向に延びて当該吸着パッド１０８(i)の前部に結合されている。後部のパッド支持部１１０ｂは、その下端部（基端部）が鉛直方向に延びて後部パッドアクチエータ１１２ｂに結合され、その上端部が水平方向に延びて当該吸着パッド１０８(i)の後部に結合されている。
【００６４】
ここで、吸着パッド１０８(i)と両パッド支持部１１０ａ，１１０ｂとの結合関係は、両パッド支持部１１０ａ，１１０ｂ間の昇降誤差を吸着パッド１０８(i)側で吸収できる構成が好ましい。このためには、両パッド支持部１１０ａ，１１０ｂの双方が吸着パッド１０８(i)をその回りに鉛直面内で回転変位可能とする水平回転軸を有し、両パッド支持部１１０ａ，１１０ｂの片方が吸着パッド１０８(i)を水平方向で直動変位可能とする直動軸を有する構成が好ましい。この実施形態では、たとえば図１０に示すように、吸着パッド１０８(i)の前部にジョイント部１２０ａを介して前部軸受１２２ａを取り付けるとともに、吸着パッド１０８(i)の後部にＸ方向の直動ガイド１２０ｂを介して後部軸受１２２ｂを取り付け、前部軸受１２２ａおよび後部軸受１２２ａに両パッド支持部１１０ａ，１１０ｂの水平上端部をそれぞれ結合させている。
【００６５】
前部パッドアクチエータ１１２ａは、たとえばサーボモータ１２４ａと、このサーボモータ１２４ａの回転駆動力を前部パッド支持部１１０ａの鉛直方向の直進運動に変換するたとえば直動ガイド一体型のボールねじ機構からなる伝動機構１２６ａとを有している。後部パッドアクチエータ１１２ｂは、たとえばサーボモータ１２０ｂと、このサーボモータ１２０ｂの回転駆動力を前部パッド支持部１１０ｂの鉛直方向の直進運動に変換するたとえば直動ガイド一体型のボールねじ機構からなる伝動機構１２２ｂとを有している。両サーボモータ１２４ａ，１２４ｂにはそれぞれの回転角を検出するためのロータリエンコーダ（図示せず）が取り付けられている。それらのロータリエンコーダの出力信号をフィードバック信号として両サーボモータ１２４ａ，１２４ｂの回転量をそれぞれ制御することにより、前部および後部パッド支持部１１０ａ，１１０ｂの昇降移動距離を略正確に一致させることができる。
【００６６】
さらに、この実施形態では、両パッド支持部１１０ａ，１１０ｂに対する上記のような昇降移動制御の精度を一層高めるために、図８および図９に示すように、両パッド支持部１１０ａ，１１０ｂの昇降位置または昇降移動距離をそれぞれ実測してフィードバックするリニアスケール１２４ａ，１２４ｂを設けている。各リニアスケール１２４ａ，１２４ｂは、スライダ１０２Ｌ（１０２Ｒ）に取り付けられたＺ方向に延びる目盛部１２６と、この目盛部１２６の目盛を光学的に読み取るために各パッド支持部１１０ａ，１１０ｂに取り付けられた目盛読取部１２８とを有している。
【００６７】
この実施形態の保持部１０６は、上述したように、各吸着パッド１０８(i)を実質的にたわまないリジッドな一対のパッド支持部１１０ａ，１１０ｂを介して一対のパッドアクチエータ１１２ａ，１１２ｂにより２軸で昇降駆動するので、各吸着パッド１０８(i)を一定の姿勢（特に水平姿勢）を保って安定に昇降移動させることができる。
【００６８】
なお、基板搬送部８４においてスライダ１０２Ｌ，１０２Ｒに搭載されている各部と定置の制御部や用力供給源とを結ぶ電気配線や配管等は全て可撓性のケーブルベア（図示せず）に収められている。
【００６９】
図９において、前列左側の吸着パッド１０８(1)には、これと一体に光学式位置センサ１３０が取り付けられている。前列右側の吸着パッド１０８(2)にも、これと一体に同様の光学式位置センサ１３０が取り付けられている。この光学的位置センサ１３０は、従来のダイヤルゲージに代わってレジストノズル８２の高さ位置測定に用いられるものであり、その構成および作用は図９、図１６、図１７を参照して後に詳述する。
【００７０】
上記のように、ステージ８０の上面に形成された多数の噴出口８８およびそれらに浮上力発生用の圧縮空気を供給する圧縮空気供給機構１３４（図１１）、さらにはステージ８０の塗布領域Ｍ3内に噴出口８８と混在して形成された多数の吸引口９０およびそれらに真空の圧力を供給するバキューム供給機構１３６（図１１）により、搬入領域Ｍ1や搬出領域Ｍ5では基板Ｇを搬入出や高速搬送に適した浮上高さＨa，Ｈcで浮かせ、塗布領域Ｍ3では基板Ｇを安定かつ正確なレジスト塗布走査に適した設定浮上量Ｈbで浮かせるためのステージ基板浮上部１３５（図１２）が構成されている。
【００７１】
図１１に、ノズル昇降機構１３２、圧縮空気供給機構１３４およびバキューム供給機構１３６の構成を示す。ノズル昇降機構１３２は、塗布領域Ｍ3の上を搬送方向（Ｘ方向）と直交する水平方向（Ｙ方向）に跨ぐように架設された門形フレーム１３８と、この門形フレーム１３８に取り付けられた鉛直直線運動機構１４０Ｌ，１４０Ｒと、これらの鉛直直線運動機構１４０Ｌ，１４０Ｒの間に水平に跨る移動体（昇降体）のノズル支持体１４２とを有する。各直線運動機構１４０Ｌ，１４０Ｒの駆動部は、たとえばパルスモータ１４４Ｌ，１４４Ｒ、ボールネジ１４６Ｌ，１４６Ｒおよびガイド部材１４８Ｌ，１４８Ｒを有している。パルスモータ１４４Ｌ，１４４Ｒの回転力がボールネジ機構（１４６Ｌ，１４８Ｌ）、（１４６Ｒ，１４８Ｒ）によって鉛直方向の直線運動に変換され、昇降体のノズル支持体１４２と一体にレジストノズル８２が鉛直方向に昇降移動する。モータ１４４Ｌ，１４４Ｒの回転量および回転停止位置によってレジストノズル８２の昇降移動量および高さ位置を任意に制御できるようになっている。ノズル支持体１４２は、たとえば角柱の剛体からなり、その一側面にレジストノズル８２をフランジ、ボルト等を介して着脱可能に取り付けている。
【００７２】
圧縮空気供給機構１３４は、ステージ８０上面で分割された複数のエリア別に噴出口８８に接続された正圧マニホールド１５０と、それら正圧マニホールド１５０にたとえば工場用力の圧縮空気源１５２からの圧縮空気を送り込む圧縮空気供給管１５４と、この圧縮空気供給管１５４の途中に設けられるレギュレータ１５６とを有している。バキューム供給機構１３６は、ステージ８０上面で分割された複数のエリア別に吸引口９０に接続された負圧マニホールド１５８と、それらの負圧マニホールド１５８にたとえば工場用力の真空源１６０からのバキュームを送り込むバキューム管１６２と、このバキューム管１６２の途中に設けられる絞り弁１６４とを有している。
【００７３】
また、このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４は、レジストノズル８２と基板Ｇあるいは各吸着パッド１０８(i)との距離間隔を測定するために、図１１に示すように、ノズル支持体１４２に光学式の距離センサ１６６（１６６Ｌ，１６６Ｒ）を取り付けている。この光学式距離センサ１６６は、ノズル支持体１４２およびレジストノズル８２と一体に昇降移動し、任意の高さ位置から直下の物体つまりステージ８０上の基板Ｇとの距離間隔、あるいは各吸着パッド１０８(i)との距離間隔を光学的に測定することができる。この光学的な距離測定のために、光学式距離センサ１６６は、垂直下方に光ビームを投光する投光部と、該光ビームの当たった物体（基板または吸着パッド）から反射してくる光を測定距離に応じた位置で受光する受光部とを含んでいる。図示の構成例では、左右一対の光学式距離センサ１６６Ｌ，１６６Ｒを用いて、基板Ｇまたは吸着パッド１０８(i)との距離を左右両サイドでそれぞれ測定するようにしている。
【００７４】
図１２に、この実施形態のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４における制御系の主要な構成を示す。コントローラ１７０は、１個または複数個のマイクロコンピュータを含み、ユニット内の各部、特にレジスト液供給機構９６、ノズル昇降機構１３２、ステージ基板浮上部１３５、基板搬送部８４（搬送駆動部１０４、パッド吸着制御部１１５、パッドアクチエータ１１２）、搬入用リフトピン昇降部８５、搬出用リフトピン昇降部９５等の個々の動作と全体の動作（シーケンス）を制御する。特に、コントローラ１７０は、塗布処理に関する一切の制御や各種付加機能に関する一切の制御を実行するためのプログラム（ソフトウェア）を格納するプログラムメモリを有しており、マイクロコンピュータの中央演算制御部（ＣＰＵ）がプログラムメモリから逐次所要のプログラムを読み出して実行するようになっている。また、プログラムの保存管理にハードディスク、光ディスク、フラッシュメモリ等の各種記憶媒体を用いることができる。
【００７５】
次に、この実施形態のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４における塗布処理動作を説明する。コントローラ１７０は、上記のようなプログラムメモリに格納されているレジスト塗布処理用のプログラムにしたがって一連の塗布処理動作を制御する。
【００７６】
搬送装置４７（図１）より未処理の新たな基板Ｇがステージ８０の搬入領域Ｍ1に搬入されると、リフトピン８６が往動位置で該基板Ｇを受け取る。搬送装置４７の搬送アームが退出した後、リフトピン８６が下降して基板Ｇを搬送用の高さ位置つまり浮上位置Ｈa（図５）まで降ろす。次いで、アライメント部（図示せず）が作動し、浮上状態の基板Ｇに四方から押圧部材（図示せず）を押し付けて、基板Ｇをステージ８０上で位置合わせする。なお、幅方向（Ｙ方向）ではステージ８０のサイズが基板Ｇのサイズよりも幾らか小さく、基板Ｇの左右両端部がステージ８０の外に幾らか（たとえば６〜１０ｍｍ程度）はみ出すようになっている。
【００７７】
搬入部Ｍ1には基板搬送部８４が待機しており、アライメント動作が完了すると、基板Ｇの四隅と保持部１０６の吸着パッド１０８(1)，１０８(2)，１０８(3)，１０８(4)とがそれぞれ上下に対向する。直後に、各位置の保持部１０６が、前部および後部パッドアクチエータ１１２ａ，１１２ｂを同時に作動させて、前部および後部パッド支持部１１０ａ，１１０ｂを同一のタイミングおよびストロークで上昇移動させ、吸着パッド１０８(i)を原位置（退避位置）から往動位置（保持位置）へ上昇させる。この直前からパッド吸着制御部１１５が吸着パッド１０８(1)〜１０８(4)へのバキューム供給をオンさせており、一定の高さ位置で基板Ｇの四隅の裏面に４個の吸着パッド１０８(1)〜１０８(4)がそれぞれ下から接触して真空吸着力で結合する。こうして、基板Ｇは、ステージ８０から空気圧の浮上力を基板全体に受けるとともに、その四隅だけを保持部１０６の４個の吸着パッド１０８(1)〜１０８(4)により局所的に吸着保持される。保持部１０６が基板Ｇを受け取ると、この直後にアライメント部は押圧部材を所定位置へ退避させる。
【００７８】
次に、基板搬送部８４は、保持部１０６の吸着パッド１０８(1)〜１０８(4)に基板Ｇの四隅を保持させた状態で、基板Ｇの浮上搬送を開始する。すなわち、搬送駆動部１０４が左右の両スライダ１０２Ｌ，１０２Ｒを搬送始点位置から搬送方向（Ｘ方向）へ比較的高速の一定速度で直進移動させる。こうして基板Ｇがステージ８０上を浮上搬送で塗布領域Ｍ3へ向かって移動し、間もなくして基板Ｇの前端部がレジストノズル８２の直下付近の設定位置に着いたところで、基板搬送部８４がこの第１段階の基板搬送を停止する。この時、ノズル昇降機構１３２は、レジストノズル８２を上方の退避位置で待機させている。
【００７９】
基板Ｇが止まると、ノズル昇降機構１３２が作動して、レジストノズル８２を垂直下方に降ろし、ノズル吐出口８２ａと基板Ｇとの距離間隔またはギャップＳが設定値に達したところでノズル下降動作を止める。次いで、レジスト液供給機構９６がレジストノズル８２より基板Ｇの上面に向けてレジスト液の吐出を開始させる。一方で、基板搬送部８４が第２段階の基板搬送を開始する。この第２段階つまり塗布時の基板搬送には、比較的低速の一定速度ＶAが選ばれる。こうして、塗布領域Ｍ3内において、基板Ｇが水平姿勢で搬送方向（Ｘ方向）に一定速度ＶAで移動すると同時に、長尺形のレジストノズル８２が直下の基板Ｇに向けてレジスト液Ｒを一定の流量で帯状に吐出することにより、図１３に示すように基板Ｇの前端側から後端側に向かってレジスト液の塗布膜ＲＭが形成されていく。
【００８０】
塗布領域Ｍ3で上記のような塗布処理が済むと、基板Ｇは搬出領域Ｍ5に向けて搬送される。ここで、基板搬送部８４は搬送速度の比較的大きい第３段階の基板搬送に切り替える。そして、基板Ｇが搬出領域Ｍ5内の搬送終点位置に着くと、基板搬送部８４は第３段階の基板搬送を停止する。この直後に、パッド吸着制御部１１５が吸着パッド１０８(1)〜１０８(4)に対するバキュームの供給を止めると同時に、保持部１０６の前部および後部パッドアクチエータ１１２ａ，１１２ｂが作動して、前記および後部パッド支持部１１０ａ，１１０ｂを同一のタイミングおよびストロークで下降移動させ、各吸着パッド１０８(i)を往動位置（保持位置）から原位置（退避位置）へ下降させる。こうして、４個の吸着パッド１０８(1)〜１０８(4)が一斉に基板Ｇの四隅から分離する。代わって、リフトピン９２が基板Ｇをアンローディングするためにステージ下方の原位置からステージ上方の往動位置へ上昇する。
【００８１】
しかる後、搬出領域Ｍ5にバイパス通路４９から搬出機つまり搬送装置４７がアクセスし、リフトピン９２から基板Ｇを受け取ってステージ８０の外へ搬出する。基板搬送部８４は、基板Ｇをリフトピン９２に渡したなら直ちに搬入領域Ｍ1へ高速度で引き返す。搬出領域Ｍ5で上記のように処理済の基板Ｇが搬出される頃に、搬入領域Ｍ1では次に塗布処理を受けるべき新たな基板Ｇについて搬入、アライメントないし搬送開始が行われる。
【００８２】
上記のように、この実施形態は、基板搬送部８４において、ステージ８０上で浮いた状態の基板Ｇの四隅を４つの吸着パッド１０８(1)〜１０８(4)で局所的に保持するとともに、各吸着パッド１０８(i)を実質的にたわまないリジッドなパッド支持部１１０で支持し、かつパッドアクチエータ１１２の昇降駆動力により所望の高さ位置へ昇降移動または昇降変位させる構成を採っている。しかも、一対のパッド支持部１１０ａ，１１０ｂおよび一対のパッドアクチエータ１１２ａ，１１２ｂにより２軸で昇降駆動し、かつサーボで制御するので、各吸着パッド１０８(i)を一定の姿勢（特に水平姿勢）を保って安定に昇降移動または昇降変位させることができる。
【００８３】
このような基板搬送部８４の構成によれば、ステージ８０上で基板Ｇを浮上搬送している最中に、基板Ｇの前端がステージ上面の各列または各個別の噴出口８８または吸引口９０をほぼ完全に覆う瞬間に、あるいは基板Ｇの後端が各列または各個別の噴出口８８または吸引口９０を大気に開放する瞬間にステージ８０側から受ける浮上圧力が急激に変動しても、保持部１０６のリジッドな保持力または拘束力によって基板Ｇの前端部または後端部のばたつきを抑制することができる。
【００８４】
また、ステージ８０上で基板Ｇを搬入領域Ｍ1から塗布領域Ｍ3を通って搬出領域Ｍ5まで浮上搬送する際には、各領域毎に設定されている基板浮上高さに応じて各吸着パッド１０８(1)〜１０８(4)の高さ位置を適宜可変制御することができる。
【００８５】
より詳細には、先ず基板Ｇの浮上搬送を開始する直前および直後は、基板Ｇが搬入領域Ｍ1内に設定された浮上高さＨaで略水平になるように、吸着パッド１０８(1)〜１０８(4)を同一の高さ位置に揃えることができる。
【００８６】
そして、基板Ｇの前端が搬入領域Ｍ1と塗布領域Ｍ3との間の遷移領域Ｍ2を通過する際には、この区間で基板浮上高さがＨaからＨbに変わるのに合わせて、前列左右の保持部１０６が前列各組のパッドアクチエータ（１１２ａ，１１２ｂ）を作動させて前列左右の吸着パッド１０８(1)，１０８(2)を同じタイミングで同じ高低差（Ｈa−Ｈb）だけ下降させる。こうして、基板Ｇの前端が塗布領域Ｍ3に入ってレジストノズル８２の真下に着いた時、さらには塗布処理走査（第２段階の基板搬送）を開始する時には、図１４に示すように、前列左右の保持部１０６のリジッドな拘束力によって基板Ｇの前端部を安定確実に設定浮上高さＨbで水平に保つことができる。このことにより、基板Ｇの前端部に形成されるレジスト塗布膜ＲＭの膜厚の均一性を向上させることができる。なお、基板Ｇの前端部がレジストノズル８２の直下を移動する時、基板Ｇの後端は浮上高さＨaで未だ搬入領域Ｍ1内にある。
【００８７】
また、基板Ｇの後端が遷移領域Ｍ2を通過する際にも、保持部１０６が後列各組のパッドアクチエータ（１１２ａ，１１２ｂ）を作動させて後列の吸着パッド１０８(3)，１０８(4)を同じタイミングで同じ高低差（Ｈa−Ｈb）だけ下降させる。こうして、基板Ｇの後端が塗布領域Ｍ3でレジストノズル８２の真下を通過する時には、図示省略するが、後列左右の保持部１０６のリジッドな拘束力によって基板Ｇの前端部を安定確実に設定浮上高さＨbで水平に保つことができる。このことにより、基板Ｇの後端部に形成されるレジスト塗布膜ＲＭの膜厚の均一性を向上させることができる。基板Ｇの後端部がレジストノズル８２の直下を通過する時、基板Ｇの前端は搬出領域Ｍ5内に入って浮上高さＨcで移動している。
【００８８】
レジストノズル８２に対する各吸着パッド１０８(i)の水平度を検査ないし補正するために、ノズル昇降機構１３２のノズル支持体１４２に取り付けられている光学的距離センサ１６６Ｌ（１６６Ｒ）を利用することができる。すなわち、図１５に示すように、光学的距離センサ１６６Ｌの真下に吸着パッド１０８(1)を移動させることにより、光学的距離センサ１６６Ｌからの距離間隔、つまりレジストノズル８２からの距離間隔Ｊが吸着パッド１０８(1)上面の各部で均一か否かを検査することが可能である。さらには、前部および後部パッドアクチエータ１１２ａ，１１２ｂを制御して、吸着パッド１０８(i)の上面との距離間隔Ｊが前部および後部パッド支持部１１０ａ，１１０ｂの支点に対応する位置で等しくなるようにして、吸着パッド１０８(1)のレベリングを行うことも可能である。なお、図１５では前列左側の吸着パッド１０８(1)だけを示しているが、他の吸着パッド１０８(2)，１０８(3) ，１０８(4)についても同様のレベリング検査ないし補正を行うことができる。
【００８９】
次に、図９、図１６、図１７を参照して、この実施形態において保持部１０６に設けられている光学式位置センサ１３０の構成および作用について説明する。上述したように、この光学式位置センサ１３０は、従来のダイヤルゲージに代わってレジストノズル８２の高さ位置測定に用いられるものである。
【００９０】
図９に示すように、たとえば前列左の吸着パッド１０８(1)のパッド本体を搬送方向（Ｘ方向）に延長させて、その延長ブロック１７２に光学式位置センサ１３０を取り付けている。より詳細には、延長ブロック１７２には、その長手方向中心部にレジストノズル８２ａの下端部が上方から出入り可能な大きさで溝部１７４が形成されており、この溝部１７４を挟んで両側に投光部１７６および受光部１７８が配置されている。
【００９１】
図１７に示すように、投光部１７６は、たとえば発光ダイオードまたはレーザダイオード等の発光素子１８０に光学的に結合されている光ファイバ１８２を有し、この光ファイバ１８２の端面（出射面）より搬送方向（Ｘ方向）と平行または斜めの角度で略水平に受光部１７８に向けて光ビームＬＢを出射するようになっている。受光部１７８は、たとえばフォトダイオード等の受光素子（光電変換素子）１８４に光学的に結合されている光ファイバ１８６を有し、この光ファイバ１８６の端面（受光面）を投光部１７６の出射面と真正面に対向させている。コントローラ１７０は、投光部１７６の発光素子１８０を発光駆動し、受光部１７８の受光素子１８４からの出力信号を取り込むことで、投光部１７６より出射された光ビームＬＢが溝部１７４を横断して受光部１７８の受光面に入射したか否か、換言すれば溝部１７４内に光ビームＬＢの伝播を遮断するものが在るか否かを判定することができる。
【００９２】
この光学式位置センサ１３０を用いてレジストノズル８２の高さ位置を測定するには、先ず図１６に示すように、ステージ８０の上面（基準）の高さ位置を割り出す。より詳細には、ステージ８０上に図示のような治具１８６を載置し、この治具１８６のステージ８０の外にはみ出るＬ字形プローブ１８６ａの先端を光学式位置センサ１３０に読み取らせる。すなわち、保持部１０６のパッドアクチエータ（１１２ａ，１１２ｂ）およびパッド支持部（１１０ａ，１１０ｂ）の昇降駆動を利用して光学式位置センサ１３０をステージ８０よりも低い位置からゆっくり上昇させ、Ｌ字形プローブ１８６ａの先端が溝部１７４内で光ビームＬＢを遮断した時の光学式位置センサ１３０の高さ位置を検出する。この高さ位置は、保持部１０６に備わっているエンコーダまたはリニアスケール１２４を用いて読み取ることができる。なお、Ｌ字形プローブ１８６ａの先端はステージ８０の上面に対応する高さ位置に設定されてよい。
【００９３】
次に、治具１８６をステージ８０から取り外し、代わりに図１７に示すように、ノズル昇降機構１３２を作動させてレジストノズル８２を塗布処理用の基準の高さ位置からゆっくり降ろす。このとき、図示のように、レジストノズル８２の下端（吐出口）を光学式位置センサ１３０の溝部１７４の真上に位置させる。こうして、レジストノズル８２の下端（吐出口）が光学式位置センサ１３０の溝部１７４に入って光ビームＬＢを遮断した時のレジストノズル８２の高さ位置を検出する。このノズル高さ位置は、たとえばノズル昇降部１３２のモータ１４４Ｌ（１４４Ｒ）に備わっているエンコーダ（ＥＣ）１８８を用いて読み取ることができる。こうして、レジストノズル８２の塗布処理用の基準の高さ位置とステージ８０との間の距離間隔（ギャップ）を測定することができる。このギャップ測定値が設定値と異なっている場合は、一致するようにレジストノズル８２の基準の高さ位置を補正すればよい。
【００９４】
上述したように、この実施形態のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４においては、基板搬送部８４の保持部１０６に上記のような光学式位置センサ１３０を取り付ける構成により、レジストノズル８２の高さ位置を光学式で簡便かつ安全に（ノズルに傷をつけずに）しかも高い精度で検出することができる。
【００９５】
なお、ノズル昇降機構１３２のノズル支持体１４２に取り付けられている光学的距離センサ１６６Ｌ（１６６Ｒ）を用いてステージ８０上（特に塗布領域Ｍ3上）の基板Ｇとの距離間隔を測定することにより、その距離測定値からレジストノズル８２の吐出口８２ａと基板Ｇ間のギャップＳや浮上高さＨbを測定することができる。この場合、上記のようにレジストノズル８２の基準高さ位置を随時検査ないし補正できるので、光学的距離センサ１６６Ｌ（１６６Ｒ）を用いる測定機能の信頼性を向上させることができる。
【００９６】
図１６および図１７では前列左側の吸着パッド１０８(1)と一体に設けられている光学式位置センサ１３０だけを示しているが、前列右側の吸着パッド１０８(2)と一体に設けられている光学式位置センサ１３０にも上記と同様のノズル高さ測定を行わせることができる。これにより、レジストノズル８２の左右両端部の高さ位置を揃えて、ノズル吐出口８２ａの平行度を調節することもできる。
【００９７】
上記した実施形態では光学式位置センサ１３０を前列左右の吸着パッド１０８(1)，１０８(2)と一体に設けたが、後列左右の吸着パッド１０８(3)，１０８(4)と一体に設ける構成や、４個の吸着パッド１０８(1)〜１０８(2)のいずれか１つと一体的に設ける構成も可能であり、あるいは吸着パッド１０８(i)から分離させてパッド支持部（１１０ａ，１１０ｂ）あるいはパッドアクチエータ（１１２ａ，１１２ｂ）に取り付ける構成等も可能である。さらには、本発明の光学式位置センサ１３０は本発明の保持部とは異なる構成または作用で基板を保持する昇降移動可能な保持部に設けることも可能である。
【００９８】
本発明における被処理基板はＬＣＤ用のガラス基板に限るものではなく、他のフラットパネルディスプレイ用基板や、フォトマスク、プリント基板等も可能である。基板上に塗布する処理液も、レジスト液に限らず、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の処理液も可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。
【図３】実施形態におけるレジスト塗布ユニットの全体構成を示す略平面図である。
【図４】上記レジスト塗布ユニットの全体構成を示す斜視図である。
【図５】上記レジスト塗布ユニットの全体構成を示す略正面図である。
【図６】上記レジスト塗布ユニット内のステージ塗布領域における噴出口と吸入口の配列パターンの一例を示す平面図である。
【図７】上記レジスト塗布ユニットにおける基板搬送部の構成を示す一部断面側面図である。
【図８】上記基板搬送部における保持部の構成を示す拡大側面図である。
【図９】上記基板搬送部における保持部の構成を示す斜視図である。
【図１０】上記保持部においてパッド支持部が吸着パッドを支持する好適な一構成例を示す斜視図である。
【図１１】上記レジスト塗布ユニットにおけるノズル昇降機構、圧縮空気供給機構およびバキューム供給機構の構成を示す図である。
【図１２】上記レジスト塗布ユニットにおける制御系の主要な構成を示すブロック図である。
【図１３】上記レジスト塗布ユニットにおいて基板上にレジスト塗布膜が形成される様子を示す側面図である。
【図１４】上記レジスト塗布ユニットにおいて基板の前端部にレジスト塗布膜が形成されるときの各部の状態を示す側面図である。
【図１５】上記レジスト塗布ユニットにおいて吸着パッドのレベリング検査ないし補正を行う方法の一段階を示す側面図である。
【図１６】上記レジスト塗布ユニットにおいて実施形態の光学的位置センサを用いてステージの高さを測定する方法を示す斜視図である。
【図１７】上記レジスト塗布ユニットにおいて実施形態の光学的位置センサを用いてレジストノズルの高さ位置を測定する方法を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１００】
１０      塗布現像処理システム
３０      塗布プロセス部
４４      レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）
８０      ステージ
８２      レジストノズル
８２ａ    吐出口
８４    基板搬送部
９６    レジスト液供給機構
１０４    搬送駆動部
１０６    保持部
１０８(1)〜１０８(4)    吸着パッド
１１０ａ，１１０ｂ    パッド支持部
１１２ａ，１１２ｂ    パッドアクチエータ
１３０    光学的位置センサ
１３２    ノズル昇降機構
１７０    コントローラ
【図１】
2008132422.tif 000003
【図２】
2008132422.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2008132422.tif 000007
【図６】
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【図７】
2008132422.tif 000009
【図８】
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【図９】
2008132422.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2008132422.tif 000013
【図１２】
2008132422.tif 000014
【図１３】
2008132422.tif 000015
【図１４】
2008132422.tif 000016
【図１５】
2008132422.tif 000017
【図１６】
2008132422.tif 000018
【図１７】
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