(57)【要約】      （修正有）【課題】相展開駆動方式を採用する場合において、プリチャージ電圧の調整についての簡易化等を図りつつ、表示ムラを抑えることが可能な電気光学装置、その駆動方法および電子機器を提供する。【解決手段】画素１１０は、走査線１１２及びデータ線１１４が選択されたときに、データ線１１４に印加されたデータ信号に応じた階調となる。データ線１１４は、３列毎にブロック化されて、一の走査線に選択電圧が印加される期間にわたって、これらのブロックが順番に選択される。データ線の各々にはＴＦＴ１４６が設けられ、選択されたブロックに対応するものがオンする。各ブロックの選択の前に、複数列のデータ線１１４を、各ブロックに属する３列のデータ線で互いに異なる電圧にプリチャージする。このとき、各ブロックに属する３列のデータ線にプリチャージする電圧の組み合わせを、走査線を選択する毎に切り替える。【選択図】図１
2008242160.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数行の走査線と、
データ信号が供給されるｍ本の画像信号線と、
前記ｍ本の画像信号線のそれぞれと対をなすようにｍ列毎にブロック化された複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線を所定の順番で選択して選択電圧を印加する走査線駆動回路と、
一の走査線に選択電圧が印加される期間にわたって、前記ブロックを所定の順番で選択するブロック選択回路と、
前記複数列のデータ線のそれぞれに設けられ、各々は、対をなす画像信号線とデータ線との間でオンまたはオフ状態となるサンプリングスイッチと、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、前記走査線に前記選択電圧が印加されたときに、前記データ線にサンプリングされたデータ信号に応じた階調となる画素と、
を有する電気光学装置の駆動方法であって、
前記ブロックの選択の前に、各ブロックに属するｍ列のデータ線を少なくとも２以上の異なる電圧にプリチャージし、
各ブロックに属するｍ列のデータ線にプリチャージする電圧の組み合わせを、走査線を選択する毎に切り替える
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項２】
前記ｍ列のデータ線にプリチャージする電圧の組み合わせを、走査線を選択する毎に所定の順序でローテーションさせる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法。
【請求項３】
前記ｍ列のデータ線にプリチャージする電圧の組み合わせを、フレーム毎に、かつ、走査線を選択する毎に所定の順序でローテーションさせる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法。
【請求項４】
複数行の走査線と、
データ信号が供給されるｍ本の画像信号線と、
前記ｍ本の画像信号線のそれぞれと対をなすようにｍ列毎にブロック化された複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線を所定の順番で選択して選択電圧を印加する走査線駆動回路と、
一の走査線に選択電圧が印加される期間にわたって、前記ブロックを所定の順番で選択するブロック選択回路と、
前記複数列のデータ線のそれぞれに設けられ、各々は、対をなす画像信号線とデータ線との間でオンまたはオフ状態となるサンプリングスイッチと、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、前記走査線に前記選択電圧が印加されたときに、前記データ線にサンプリングされたデータ信号に応じた階調となる画素と、
前記ブロックの選択の前に、各ブロックに属するｍ列のデータ線を少なくとも２以上の異なる電圧にプリチャージするプリチャージ回路と、
各ブロックに属するｍ列のデータ線にプリチャージする電圧の組み合わせを、走査線を選択する毎に切り替えるセレクタと、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、いわゆる相展開したデータ信号をデータ線にサンプリングしたときに生じる表示品位の低下を目立たなくする技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、ハイビジョンなどのように表示画像の高精細化が進行している。表示画像の高精細化は、走査線の行数およびデータ線の列数を増加させて、走査線とデータ線との交差に対応して設けられる画素数を増やすことで達成することができるが、フレーム周波数は固定であるので、走査線行数の増加によって１水平走査期間が短縮し、さらに、いわゆる点順次方式では、データ線列数の増加によってデータ線の選択期間も短縮する。このため、高精細化が進行するにつれてデータ線にデータ信号を供給する時間を充分に確保できなくなって、画素への書き込みが不十分となり始めた。
【０００３】
そこで、書き込み不足を解消する目的で、相展開駆動という方式が考え出された（特許文献１参照）。この相展開駆動は、データ線を予め定められた列毎（例えば３列毎）にブロックとしてまとめ、１水平走査期間にわたってブロックを１つずつ選択するとともに、選択したブロックに属する３列のデータ線に、時間軸方向に対し３倍に伸長したデータ信号をそれぞれに供給する、という方式である。この相展開駆動方式では、データ線にデータ信号を供給する時間を、点順次方式と比較して、この例では３倍確保することができるので、高精細化に適している、と考えられた。
【０００４】
ところで、相展開駆動方式では、同時に選択する列数の周期で画素の階調が異なる、という縦スジ状のムラが発生して、表示品位の低下が目立つ場合がある。そこで、ブロックに属する３列のデータ線に、階調に応じた電圧のデータ信号をサンプリングする前に、３列のデータ線のプリチャージ電位を一部異ならせる、という技術が提案された（特許文献２参照）。
なお、上記特許文献１および２は、いずれも１ブロックを構成するデータ線列数が「６」の場合を例示している。
【特許文献１】特開２０００−１１２４３７号公報
【特許文献２】特開２００２−２２１４７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、プリチャージ電圧を異ならせる技術では、その電圧調整が難しく、また、調整後における温度変化や経年変化などにより素子特性の変動に対処することができない、といった問題があった。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、相展開駆動方式を採用する場合において、プリチャージ電圧の調整についての簡易化等を図りつつ、表示ムラを抑えることが可能な電気光学装置、その駆動方法および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置は、複数行の走査線と、データ信号が供給されるｍ本の画像信号線と、前記ｍ本の画像信号線のそれぞれと対をなすようにｍ列毎にブロック化された複数列のデータ線と、前記複数行の走査線を所定の順番で選択して選択電圧を印加する走査線駆動回路と、一の走査線に選択電圧が印加される期間にわたって、前記ブロックを所定の順番で選択するブロック選択回路と、前記複数列のデータ
線のそれぞれに設けられ、各々は、対をなす画像信号線とデータ線との間でオンまたはオフ状態となるサンプリングスイッチと、前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、前記走査線に前記選択電圧が印加されたときに、前記データ線にサンプリングされたデータ信号に応じた階調となる画素と、を有する電気光学装置の駆動方法であって、前記ブロックの選択の前に、各ブロックに属するｍ列のデータ線を少なくとも２以上の異なる電圧にプリチャージし、各ブロックに属するｍ列のデータ線にプリチャージする電圧の組み合わせを、走査線を選択する毎に切り替えることを特徴とする。本発明によれば、ブロックに属するｍ列のデータ線のプリチャージ電圧が、走査線を選択する毎に切り替えられる。このため、縦方向の表示ムラの発生が抑えられる。
本発明において、前記ｍ列のデータ線にプリチャージする電圧の組み合わせを、走査線を選択する毎に所定の順序でローテーションさせても良いし、さらに、フレーム毎にローテーションさせても良い。表示ムラが時間方向に分散するとともに、複数フレームを単位としたときの輝度差が平準化されるので、表示ムラがより抑制される。
なお、ここでいう「フレーム」とは、表示される１枚分の画像をいい、例えば、ノンインターレース方式ではあれば、垂直走査による表示される画像をいう。また、本発明は、電気光学装置の駆動方法のほか、電気光学装置としても、さらには、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示すブロック図である。この図に示されるように、電気光学装置１０は、制御回路５０と表示パネル１００とに大別される。このうち、制御回路５０は、表示パネル１００と別体の回路モジュールであり、表示パネル１００とは、例えばＦＰＣ（flexible printed circuit）基板によって接続される。
制御回路５０は、外部上位回路（図示省略）から供給される垂直同期信号Ｖs、水平同
期信号Ｈsおよびクロック信号Ｃlkにしたがって表示パネル１００の各部を制御するとと
もに、ディジタルの画像データＶdを、アナログで３チャネルに変換したデータ信号を、
または、３チャネルのプリチャージ用の信号を表示パネル１００の画像信号線１４８に供給するものである。
なお、制御回路５０の詳細については後述する。
【０００８】
表示パネル１００は、液晶を用いて所定の表示を行うものであり、表示領域１００ａの周辺に、走査線駆動回路１３０およびデータ線駆動回路１４０が配置した周辺回路内蔵型となっている。
表示領域１００ａは、画素１１０が配列する領域であり、本実施形態では、１０８０行の走査線１１２が横方向（Ｘ方向）に設けられる一方、１９２０（＝６４０×３）列のデータ線１１４が図において縦方向（Ｙ方向）に設けられている。そして、これらの走査線１１２とデータ線１１４との交差の各々に対応するように画素１１０がそれぞれ設けられている。したがって、本実施形態では、画素１１０が表示領域１００ａにおいて縦１０８０行×横１９２０列でマトリクス状に配列することになるが、本発明をこの配列に限定する趣旨ではない。
ここで、１〜１９２０列のデータ線１１４は、本実施形態では３列毎にブロック化されている。データ線１１４の列数は「１９２０」であるので、ブロック数は「６４０」となる。
【０００９】
走査線駆動回路１３０は、制御回路５０による制御にしたがって、垂直走査期間（フレーム）にわたって走査信号Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、…、Ｇ1080を、それぞれ１、２、３、…、１
０８０行目の走査線１１２に供給するものである。詳細には、走査線駆動回路１３０は、走査線１１２を図１において上から数えて１、２、３、…、１０８０行目という順番で水平走査期間（Ｈ）毎に選択して、選択した走査線への走査信号を、水平走査期間（Ｈ）に
おける有効表示期間Ｈaにおいてのみ電圧Ｖddに相当するＨレベルとする。
走査線駆動回路１３０の構成については、本発明と直接関連しないので省略するが、制御回路５０から供給されるスタートパルスＤyを、図５に示されるように、クロック信号
Ｃlyのレベルが遷移する（立ち上がる又は立ち下がる）毎に順次シフトした後、パルス幅を狭めて、走査信号Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、…、Ｇ1080として出力する。
なお、パルス幅を狭めずに、選択された走査線への走査信号を、水平走査期間（Ｈ）の全域にわたってＨレベルとしても良い。
【００１０】
データ線駆動回路１４０は、サンプリング信号出力回路１４２と、ブロック毎に設けられるＯＲ回路１４４と、データ線１１４毎に対応して設けられるｎチャネル型の薄膜トランジスタ（thin film transistor、以下「ＴＦＴ」と称する）１４６とによって構成される。
サンプリング信号出力回路（ブロック選択回路）１４２は、制御回路５０による制御にしたがって、各ブロックに対応してサンプリング信号Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3、…、Ｓ640を出力するものである。詳細には、サンプリング信号出力回路１４２は、図６に示されるように、水平走査期間（Ｈ）のうち、有効表示期間Ｈaの最初に供給されるスタートパルスＤxを、クロック信号Ｃlxのレベルが遷移する毎に順次シフトし、サンプリング信号Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3、…、Ｓ640として出力する。
【００１１】
ＯＲ回路１４４は、サンプリング信号と信号Ｎrgとの論理和信号を出力するものである。ここで、信号Ｎrgは、水平走査期間の帰線期間Ｈb（の一部期間）でＨレベルとなり、
データ線１１４へのプリチャージを指定する信号である。
ＴＦＴ１４６は、１〜１９２０列のデータ線１１４の各々に設けられ、それぞれサンプリングスイッチとして機能するものであり、そのドレイン電極は、データ線１１４の一端に接続されている。
ここで、ＴＦＴ１４６のソース電極は、３本の画像信号線１４８のいずれか１本に、次のような関係で接続される。すなわち、データ線１１４を一般化して説明するために、１≦ｊ≦１９２０を満たす整数のｊを用いると、図１において左から数えてｊ列目のデータ線１１４に対応するＴＦＴ１４６のソース電極は、列数であるｊを３で割った余りが「１」であるならば、データ信号Ｖid1が供給される画像信号線１４８に接続され、ｊを３で
割った余りが「２」、「０」であるデータ線１１４に対応するＴＦＴ１４６のソース電極は、それぞれデータ信号Ｖid2、Ｖid3が供給される画像信号線１４８に接続される。例えば、左から数えて８列目のデータ線１１４に対応するＴＦＴ１４６のソース電極は、「８」を３で割った余りが「２」であるから、データ信号Ｖid2が供給される画像信号線１４
８に接続される。
また、ＴＦＴ１４６のゲート電極は、同一ブロックに対応するもの同士で共通接続されて、ブロックに対応したＯＲ回路１４４による論理和信号が供給される。例えば、左から数えて２番目のブロックは、４、５および６列目のデータ線１１４に対応するので、これらのデータ線１１４に対応するＴＦＴ１４６のゲート電極には、サンプリング信号Ｓ2と
信号Ｎrgとの論理和信号が共通に供給される。このため、ブロックに属する３列のデータ線１１４は、信号ＮrgがＨレベルになるか、または、サンプリング信号がＨレベルになると、ＴＦＴ１４６がソース・ドレイン電極間で導通（オン）状態となるので、それぞれ画像信号線１４８に接続されることになる。
【００１２】
次に、画素１１０について説明する。図２は、画素１１０の構成を示す図であり、ｉ行及びこれに下方向で隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに右方向で隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。なお、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、本実施形態では、それぞれ１以上１０８０以下を満たす整数である。
この図に示されるように、各画素１１０は、ｎチャネル型のＴＦＴ１１６と液晶容量１
２０とを有する。各画素１１０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１１０において、ＴＦＴ１１６のゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続される一方、そのソース電極はｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は画素電極１１８に接続されている。
ここで、画素電極１１８に対向するように対向電極１０８が全画素に対して共通に設けられるとともに、一定の電圧ＬＣcomに維持される。そして、画素電極１１８と対向電極
１０８との間には液晶１０５が挟持されている。このため、画素毎に、画素電極１１８、対向電極１０８および液晶１０５からなる液晶容量１２０が構成されることになる。
【００１３】
特に図示はしないが、両基板の各対向面には、液晶分子の長軸方向が両基板間で例えば約９０度連続的に捻れるようにラビング処理された配向膜がそれぞれ設けられる一方、両基板の各背面側には配向方向に応じた偏光子がそれぞれ設けられる。
画素電極１１８と対向電極１０８との間を通過する光は、液晶容量１２０に保持された電圧の実効値がゼロ（またはゼロ近傍）であれば、液晶分子の捻れに沿って約９０度旋光する一方、当該電圧実効値が大きくなるにつれて、液晶分子が電界方向に傾く結果、その旋光性が消失する。このため、例えば透過型において、入射側と背面側とに、配向方向に合わせて偏光軸が互いに直交する偏光子をそれぞれ配置させると、当該電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が最大となる白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小となる黒色表示になる（ノーマリーホワイトモード）。
【００１４】
続いて、制御回路５０について説明する。図３は、制御回路５０の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、画像データＶdがデータ信号変換回路５４に供給される。画
像データＶdは、図示省略した外部上位回路から、垂直走査信号Ｖs、水平走査信号Ｈsお
よびクロック信号Ｃlkに同期して供給される。画像データＶdは、縦１０８０行×横１９
２０列の画素１１０の階調を例えば８ビットで指定するデジタルデータであり、特に図示しないが、垂直同期信号Ｖsで規定される垂直走査期間（Ｆ）にわたって、１行１列〜１
行１９２０列、２行１列〜２行１９２０列、３行１列〜３行１９２０列、…、１０８０行１列〜１０８０行１９２０列という画素の順番で供給される。この供給の際に、水平同期信号Ｈsで規定される水平走査期間（Ｈ）において１行分の画像データＶdが供給され、さらに、クロック信号Ｃlkの１周期で１画素分の画像データＶdが供給される。
【００１５】
走査制御回路５２は、垂直同期信号Ｖs、水平同期信号Ｈsおよびクロック信号Ｃlkに同期して、スタートパルスＤx、Ｄyおよびクロック信号Ｃlx、Ｃlyを出力する。
詳細には、走査制御回路５２は、１行目の画像データＶdが供給される水平走査期間（
Ｈ）に１行目の走査線１１２が選択されるように、同様に、２、３、４、…、１０８０行の画像データＶdが供給される水平走査期間（Ｈ）にそれぞれ２、３、４、…、１０８０
行目の走査線１１２が選択されるように、スタートパルスＤyおよびクロック信号Ｃlyを
出力して走査線駆動回路１３０を制御する。
さらに、走査制御回路５２は、ある行の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）において当該行に対応する画像データＶdが供給されたとき、図７に示されるように、デ
ータ信号変換回路５４に対して、３チャネルに分配させて時間軸に３倍に伸長させる相展開処理を実行させるとともに、当該相展開処理された画像データを正極性または負極性電圧のデータ信号Ｖda1、Ｖda2、Ｖda3に変換させるように制御する。
なお、便宜的にデータ信号Ｖda1が分配されるチャネルをＣh1とし、データ信号Ｖda2、Ｖda3が分配されるチャネルをそれぞれＣh2、Ｃh3と表記する場合がある。
【００１６】
このとき、走査制御回路５２は、１（２、３）列目の画素に対応するデータ信号Ｖda1
（Ｖda2、Ｖda3）を出力するときにサンプリング信号Ｓ1がＨレベルとなるように、以下
４（５、６）列目、７（８、９）列目、１０（１１、１２）列目、…、１９１８（１９１９、１９２０）列目の画素に対応するデータ信号Ｖda1（Ｖda2、Ｖda3）を出力するとき
にサンプリング信号Ｓ2、Ｓ3、Ｓ4、…、Ｓ640がＨレベルとなるように、スタートパルスＤxおよびクロック信号Ｃlxを出力してサンプリング信号出力回路１４２を制御する。
【００１７】
走査制御回路５２は、また、極性指定信号Ｐol、信号Ｎrgおよび信号Ｓelを出力する。このうち、極性指定信号Ｐolは、液晶容量１２０に対する電圧の書込極性を指定する信号であり、例えばＨレベルであれば正極性を、Ｌレベルであれば負極性を、それぞれ指定する。ここで、正極性書込とは、液晶容量１２０に階調に応じた電圧を保持させる際に、画素電極１１８が対向電極１０８よりも高位側となる場合をいい、反対に、負極性書込とは、画素電極１１８が対向電極１０８よりも低位側となる場合をいう。データ信号変換回路５４は、データ信号Ｖda1、Ｖda2、Ｖda3を、階調に応じた電圧であって、正極性書込が
指定されていれば、対向電極１０８への印加電圧ＬＣcomよりもやや高位側に設定された
基準電圧Ｖc（図６参照）に対して高位側の電圧として、負極性書込が指定されていれば
、当該電圧Ｖcに対して低位側の電圧とする。
なお、極性を切り替える理由は、直流成分の印加によって液晶が劣化するのを防止するためである。ここで、各画素に対してどの極性で書き込むかについては、走査線毎、データ線毎、画素毎、面（フレーム）毎などの様々な態様があるが、この実施形態にあっては説明の便宜上、フレーム毎の極性反転であるとする。ただし、本発明をこれに限定する趣旨ではない。
【００１８】
信号Ｎrgは、上述したようにデータ線１１４へのプリチャージを指定する信号であり、図５に示されるように水平帰線期間Ｈb（一部期間）においてＨレベルとなり、それ以外
の期間においてＬレベルとなる。
信号Ｓelは、後述するセレクタにおける入出力端同士の接続関係を規定する。
なお、この説明において、水平走査期間（Ｈ）の有効表示期間Ｈaとは、図６に示され
るように、ある１行の走査線が選択される水平走査期間（Ｈ）において、サンプリング信号Ｓ1〜Ｓ640がＨレベルで順番に出力される期間をいい、帰線期間Ｈbとは、水平走査期
間（Ｈ）のうち、有効表示期間Ｈaを除いた期間をいう。
【００１９】
第１プリチャージ信号生成回路６１は、極性指定信号Ｐolで指定された書込極性に応じた電圧の信号Ｐ1を出力する。同様に、第２プリチャージ信号生成回路６２および第３プ
リチャージ信号生成回路６３は、それぞれ極性指定信号Ｐolで指定された書込極性に応じた電圧の信号Ｐ2、Ｐ3を出力する。
【００２０】
信号Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3の電圧波形について図５を参照して説明する。この図に示されるよ
うに、信号Ｐ1は、正極性書込が指定される垂直走査期間（Ｆ）では、電圧Ｖp1(+)となり、負極性書込が指定される垂直走査期間（Ｆ）では、電圧Ｖp1(-)となる。同様に、信号
Ｐ2、Ｐ3は、正極性書込が指定される垂直走査期間（Ｆ）では、それぞれ電圧Ｖp2(+)、
Ｖp3(+)となり、負極性書込が指定される垂直走査期間（Ｆ）では、それぞれ電圧Ｖp2(-)、Ｖp3(-)となる。
なお、データ信号Ｖda1〜Ｖda3の電圧は、正極性書込であれば、ノーマリーホワイトモードにおいて最も暗い状態に相当する電圧Ｖb(+)から最も明るい状態に相当する電圧Ｖw(+)までの範囲で、負極性書込であれば、最も暗い状態に相当する電圧Ｖb(-)から最も明るい状態に相当する電圧Ｖw(-)までの範囲で、それぞれ電圧Ｖcから画素の階調に応じた差
を有する電圧となる。このような電圧範囲に対して、電圧Ｖp1(+)、Ｖp2(+)、Ｖp3(+)は
、  Ｖb(+)＞Ｖp1(+)＞Ｖp2(+)＞Ｖp3(+)＞Ｖw(+)なる関係を有し、また、電圧Ｖp1(-)、Ｖp2(-)、Ｖp3(-)は、Ｖb(-)ＮＶp1(-)＜Ｖp2(-)＜Ｖp3(-)＜Ｖw(-)なる関係を有する。
電圧の表記について、(+)は正極性を示し、(-)は負極性を示す。このため、極性表記部分が同一である電圧同士は、電圧Ｖcを中心にして、互いに対称の関係にある。
また、図５における信号Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3の電圧を示す縦スケールは、走査信号や選択信
号などの論理信号の電圧波形と比較して拡大してある。図６におけるデータ信号の電圧を示す縦スケールについても同様である。
【００２１】
セレクタ７２における入力端Ａ、Ｂ、Ｃには、それぞれ信号Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3が供給され
る。セレクタ７２は、入力端Ａ、Ｂ、Ｃと、出力端ａ、ｂ、ｃとの接続を、図４に示される（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のパターンで順番に、信号Ｓelにしたがって切り替えるものである。詳細には、例えば入力端Ａと出力端ａとが接続状態にあることをＡ−ａというように「−」で結んで表すと、パターン（ａ）では、Ａ−ａ、Ｂ−ｂ、Ｃ−ｃとなり、パターン（ｂ）では、Ａ−ｂ、Ｂ−ｃ、Ｃ−ａとなり、パターン（ｃ）では、Ａ−ｃ、Ｂ−ａ、Ｃ−ｂとなる。そして、セレクタ７２は、１、２、３、４、５、６、…、１０７８、１０７９、１０８０行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）毎に、（ａ）→（ｂ）→（ｃ）→（ａ）→（ｂ）→（ｃ）→…→（ａ）→（ｂ）→（ｃ）という順番でパターンを切り替える。
【００２２】
スイッチ群７４は、双投型の３連スイッチであり、信号ＮrgがＬレベルであれば、図において実線で示される位置をとり、データ信号Ｖda1〜Ｖda3を選択して、信号Ｎr gがＨ
レベルであれば、図において破線で示される位置をとり、セレクタ７２による出力信号を選択して、それぞれデータ信号Ｖid1〜Ｖid3として出力するものである。
【００２３】
次に、この電気光学装置１０の動作について説明する。
画像データＶdが、上述したように、垂直同期信号Ｖsで規定される垂直走査期間（Ｆ）にわたって１行１列〜１行１９２０列、２行１列〜２行１９２０列、３行１列〜３行１９２０列、…、１０８０行１列〜１０８０行１９２０列という画素の順番で供給される。この供給の際に、水平同期信号Ｈsで規定される水平走査期間（Ｈ）において１行分の画像
データＶdが供給され、さらに、クロック信号Ｃlkの１周期で１画素分の画像データＶdが供給される。
このように供給される画像データＶdのうち、１行分についてみたとき、走査制御回路
５２は、次のようにデータ信号変換回路５４、走査線駆動回路１３０およびデータ線駆動回路１４０を制御する。すなわち、走査制御回路５２は、１、４、７、１０、…、１９１８列目の画素に対応するものをチャネルＣh1に、２、５、８、１１、…、１９１９列目の画素に対応するものをチャネルＣh2に、３、６、９、１２、…、１９２０列目の画素に対応するものをチャネルＣh3に、それぞれ分配するようにデータ信号変換理回路５４を制御するとともに、画像データＶdの供給行に対応する走査信号がＨレベルとなるように走査
線駆動回路１３０を制御する。
さらに、走査制御回路５２は、チャネルＣh1〜Ｃh3にそれぞれ分配された１〜３列目の画素に対応する画像データＶdがデータ信号Ｖid1〜Ｖid3に変換出力される期間において
サンプリング信号Ｓ1がＨレベルとなるように、４〜６列目の画素に対応する画像データ
Ｖdがデータ信号Ｖid1〜Ｖid3に変換出力される期間においてサンプリング信号Ｓ2がＨレベルとなるように、以下同様にして、１９１８〜１９２０列目の画素に対応する画像データＶdがデータ信号Ｖid1〜Ｖid3に変換出力される期間においてサンプリング信号Ｓ640がＨレベルとなるように、それぞれサンプリング信号出力回路１４２を制御する。
【００２４】
本実施形態では、上述したようにフレーム毎に書込極性を反転する構成とするが、あるフレーム（「ｎフレーム」とする）において正極性書込を指定するものとする。
このｎフレームにおいて、まず１行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）の帰線期間Ｈbで信号ＮrgがＨレベルになる。
信号Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3は、それぞれ正極性の電圧Ｖp1(+)、Ｖp2(+)、Ｖp3(+)となる。１行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）においてセレクタ７２は、図４のパターン（ａ）で示した接続となる。信号ＮrgがＨレベルになると、スイッチ群７４では、図
３において破線で示した位置をとるので、画像信号線１４８には供給されるデータ信号Ｖid1、Ｖid2、Ｖid3は、それぞれ信号Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3となる。信号ＮrgがＨレベルになると、すべてのＯＲ回路１４４の出力信号は、サンプリング信号とは無関係にＨレベルになるので、１〜１９２０列のＴＦＴ１４６がすべてオンする。
したがって、１、４、７、１０、…、１９１８列目のデータ線１１４は、信号Ｐ1の電
圧Ｖp1(+)にプリチャージされ、２、５、８、１１、…、１９１９列目のデータ線１１４
は、信号Ｐ2の電圧Ｖp2(+)にプリチャージされ、３、６、９、１２、…、１９２０列目のデータ線１１４は、信号Ｐ3の電圧Ｖp3(+)にプリチャージされる。
【００２５】
このプリチャージの後に、信号ＮrgがＬレベルになって帰線期間Ｈbが終了する。
信号ＮrgがＬレベルになると、スイッチ群７４は、図３において実線で示した位置をとるので、画像信号線１４８には供給されるデータ信号Ｖid1、Ｖid2、Ｖid3は、それぞれ
データ信号変換回路５４によるデータ信号Ｖda1、Ｖda2、Ｖda3となる。また、信号Ｎrg
がＬレベルになると、ＯＲ回路１４４による論理和信号は、サンプリング信号と同一論理となる。
【００２６】
次に、走査信号Ｇ1がＨレベルなるとともに、有効表示期間Ｈaとなる。
まず、走査信号Ｇ1がＨレベルになると、１行目に位置する画素１１０、すなわち、１
行１列〜１行１９２０列のＴＦＴ１１６がオンする。走査信号Ｇ1がＨレベルになる有効
表示期間Ｈaでは、はじめにサンプリング信号Ｓ1がＨレベルになる。詳細には、３本の画像信号線１４８に供給されるデータ信号Ｖid1、Ｖid2、Ｖid3が、それぞれ１行１列、１
行２列、１行３列の画素の階調に応じた正極性電圧となる期間において、サンプリング信号Ｓ1がＨレベルとなる。
サンプリング信号Ｓ1がＨレベルになると、第１番目のブロックに属する１、２、３列
目のＴＦＴ１４６がオンする。このため、画像信号線１４８に供給されたデータ信号Ｖid1、Ｖid2、Ｖid3が、それぞれ１列、２列、３列目のデータ線１１４にサンプリングされ
るので、１行１列、１行２列、１行３列の画素電極１１８には、オン状態にあるＴＦＴ１１６を介して、それぞれ階調に応じた正極性電圧が印加されることになる。
【００２７】
次に、データ信号Ｖid1、Ｖid2、Ｖid3が、それぞれ１行４列、１行５列、１行６列の
画素の階調に応じた正極性電圧となる期間において、サンプリング信号Ｓ2がＨレベルと
なる。サンプリング信号Ｓ2がＨレベルになると、第２番目のブロックに属する４、５、
６列目のＴＦＴ１４６がオンする。このため、データ信号Ｖid1、Ｖid2、Ｖid3が、それ
ぞれ４列、５列、６列目のデータ線１１４にサンプリングされるので、１行４列、１行５列、１行６列の画素電極１１８には、それぞれ階調に応じた正極性電圧が印加されることになる。
以降同様にして、サンプリング信号Ｓ3、Ｓ4、…、Ｓ640が順次Ｈレベルになると、第
３番目、第４番目、…、第６４０番目のブロックに属する３列のデータ線１１４にそれぞれ順番にデータ信号Ｖid1〜Ｖid3がサンプリングされ、これにより、１行目に位置する１〜１９２０列の画素に対して、階調に応じた正極性の書き込みがなされることになる。
【００２８】
続いて２行目の走査線１１２が選択される。
２行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）の帰線期間Ｈbで信号ＮrgがＨ
レベルになる。ここで、信号Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3は、１行目の走査線１１２が選択される水平
走査期間（Ｈ）における正極性の電圧Ｖp1(+)、Ｖp2(+)、Ｖp3(+)で変更されないものの
、２行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）においてセレクタ７２は、図４のパターン（ｂ）で示した接続となる。このため、信号ＮrgがＨレベルになったときに、画像信号線１４８には供給されるデータ信号Ｖid1、Ｖid2、Ｖid3は、それぞれ信号Ｐ3、Ｐ1、Ｐ2となる。
したがって、２行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）の帰線期間Ｈbで
は、チャネルＣh1に対応する１、４、７、１０、…、１９１８列目のデータ線１１４は、信号Ｐ3の電圧Ｖp3(+)にプリチャージされ、チャネルＣh2に対応する２、５、８、１１、…、１９１９列目のデータ線１１４は、信号Ｐ1の電圧Ｖp1(+)にプリチャージされ、チャネルＣh3に対応する３、６、９、１２、…、１９２０列目のデータ線１１４は、信号Ｐ2
の電圧Ｖp2(+)にプリチャージされる。
なお、２行目の走査線が選択される水平走査期間（Ｈ）の有効表示期間Ｈaでは、２行
目の画素１１０に対して、１行目と同様な動作が実行されて、これにより、２行目に位置する１〜１９２０列の画素に対して、階調に応じた正極性の書き込みがなされることになる。
【００２９】
次に３行目の走査線１１２が選択される。
３行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）の帰線期間Ｈbで信号ＮrgがＨ
レベルになる。信号Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3は、１、２行目の走査線１１２が選択される水平走査
期間（Ｈ）における正極性の電圧Ｖp1(+)、Ｖp2(+)、Ｖp3(+)で変更されないものの、３
行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）においてセレクタ７２は、図４のパターン（ｃ）で示した接続となる。このため、信号ＮrgがＨレベルになったときに、画像信号線１４８には供給されるデータ信号Ｖid1、Ｖid2、Ｖid3は、それぞれプリチャージ
信号Ｐ2、Ｐ3、Ｐ1となる。
したがって、３行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）の帰線期間Ｈbで
は、チャネルＣh1に対応するデータ線１１４は、信号Ｐ2の電圧Ｖp2(+)にプリチャージされ、チャネルＣh2に対応するデータ線１１４は、信号Ｐ3の電圧Ｖp3(+)にプリチャージされ、チャネルＣh3に対応するデータ線１１４は、信号Ｐ1の電圧Ｖp1(+)にプリチャージされる。
なお、３行目の走査線が選択される水平走査期間（Ｈ）の有効表示期間Ｈaでは、３行
目の画素１１０に対して、１、２行目と同様な動作が実行されて、これにより、３行目に位置する１〜１９２０列の画素に対して、階調に応じた正極性の書き込みがなされることになる。
【００３０】
以下同様に４、７、１０、…、１０７８行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）の帰線期間Ｈbにおいて、チャネルＣh1に対応するデータ線１１４が電圧Ｖp1(+)にプリチャージされ、チャネルＣh2に対応するデータ線１１４が電圧Ｖp2(+)にプリチャー
ジされ、チャネルＣh3に対応するデータ線１１４が電圧Ｖp3(+)にプリチャージされる。
また、５、８、１１、…、１０７９行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）の帰線期間Ｈbにおいて、チャネルＣh1に対応するデータ線１１４が電圧Ｖp3(+)にプリチャージされ、チャネルＣh2に対応するデータ線１１４が電圧Ｖp1(+)にプリチャージさ
れ、チャネルＣh3に対応するデータ線１１４が電圧Ｖp2(+)にプリチャージされる。
６、９、１２、…、１０８０行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）の帰線期間Ｈbにおいて、チャネルＣh1に対応するデータ線１１４が電圧Ｖp2(+)にプリチャージされ、チャネルＣh2対応するデータ線１１４が電圧Ｖp3(+)にプリチャージされ、チャ
ネルＣh3に対応するデータ線１１４が電圧Ｖp1(+)にプリチャージされる。
いずれもプリチャージ後の水平有効期間Ｈaにおいて、１〜１９２０列の画素に対し、
選択された行の画素の階調に応じた正極性の書き込みがなされる。
【００３１】
次の（ｎ＋１）フレームにおいても、同様な書き込みが行われるが、この際、各行に対する書込極性は、正極性から負極性に切り替えられる。このため、プリチャージ信号Ｐ1
、Ｐ2、Ｐ3は、それぞれ負極性の電圧Ｖp1(-)、Ｖp2(-)、Ｖp3(-)となるので、１、４、
７、１０、…、１０７８行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）の帰線期間Ｈbにおいて、チャネルＣh1に対応するデータ線１１４が電圧Ｖp1(-)にプリチャージされ、チャネルＣh2に対応するデータ線１１４が電圧Ｖp2(-)にプリチャージされ、チャネル
Ｃh3に対応するデータ線１１４が電圧Ｖp3(-)にプリチャージされる。
また、２、５、８、１１、…、１０７９行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）の帰線期間Ｈbにおいて、チャネルＣh1に対応するデータ線１１４が電圧Ｖp3(-)にプリチャージされ、チャネルＣh2に対応するデータ線１１４が電圧Ｖp1(-)にプリチャー
ジされ、チャネルＣh3に対応するデータ線１１４が電圧Ｖp2(-)にプリチャージされる。
３、６、９、１２、…、１０８０行目の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）の帰線期間Ｈbにおいて、チャネルＣh1に対応するデータ線１１４が電圧Ｖp2(-)にプリチャージされ、チャネルＣh2対応するデータ線１１４が電圧Ｖp3(-)にプリチャージされ、
チャネルＣh3に対応するデータ線１１４が電圧Ｖp1(-)にプリチャージされる。
いずれもプリチャージ後の水平有効期間Ｈaにおいて、１〜１９２０列の画素に対し、
選択された行の画素の階調に応じた負極性の書き込みがなされる。
これにより、（ｎ＋１）フレームにおいては、各行の画素については負極性書込がなされるので、ｎフレームにおける正極性書込とあいまって、各画素において液晶に直流成分が印加されるのを防止することができる。
【００３２】
なお、図６は、ｉ行目の走査線が選択される水平走査期間（Ｈ）において、サンプリング信号Ｓ1〜Ｓ640の出力波形と、データ信号Ｖid1（Ｖid2、Ｖid3)との波形の一例とを示す図である。
画像信号線１４８に供給されるデータ信号Ｖid1の電圧は、正極性書込が指定されてい
るれば、信号ＮrgがＨレベルであれば、信号Ｖp1(+)、Ｖp2(+)、Ｖp3(+)のいずれかとな
り、この後、Ｈレベルとなるサンプリング信号に合わせて変化する。詳細には、ｋ番目のブロックに対応するサンプリング信号ＳkがＨレベルとなるとき、データ信号Ｖid1は、正極性書込が指定されていれば、図において↑で示されるようにｉ行目であって（３ｋ−２）列目の画素の階調に対応した正極性電圧となり、負極性書込が指定されていれば、図において↓で示されるように、ｉ行目であって（３ｋ−２）列目の画素の階調に対応した負極性電圧となる。
【００３３】
ところで、データ信号変換回路５４においてチャネル同士の変換特性に相違があったり、３本の画像信号線１４８における配線抵抗や寄生容量に差が生じたりしていると、データ信号Ｖid1〜Ｖid3では、たとえ同一階調とすべき場合であっても、チャネル毎にデータ線１１４にサンプリングされる電圧が異なってしまう。このため、各チャネル間でプリチャージ電圧を揃え、または、プリチャージ電圧をローテーションしない場合、データ線１１４にサンプリングされる電圧がチャネル毎に差が生じるので、その差は、データ線に沿った縦方向の表示ムラとなって現れる。これが相展開における特徴的な表示ムラである。
【００３４】
これに対して本実施形態では、有効表示期間Ｈaにおいて階調に応じた電圧をデータ線
１１４にサンプリングする前に、帰線期間Ｈbにおいて、すべてのデータ線１１４をプリ
チャージしている。ただし、チャネルＣh1、Ｃh2、Ｃh3に対応するデータ線１１４では、互いに異なる電圧にプリチャージされるとともに、各チャネルに供給されるプリチャージ信号の電圧が水平走査期間毎に切り替えられる。
ここで、プリチャージ電圧は、データ線１１４に階調に応じた電圧をサンプリングする直前の初期状態を規定する。階調に応じた電圧をサンプリングする期間が短ければ、または、ＴＦＴ１４６の駆動能力が十分でなければ、たとえ同一電圧をサンプリングする場合であっても、初期状態が違うことになるので、データ線にサンプリングされる電圧が異なる。ただし、本実施形態では、データ線のプリチャージ電圧を、走査線を１行選択する毎に切り替えるので、プリチャージ電圧が異なることによる影響は、図８に示されるように、走査線毎に横方向に順次シフトすることになる。
したがって、本実施形態によれば、相展開の特徴的な縦方向の表示ムラに、横方向に順次シフトさせたことによる表示ムラが加わるので、両者のムラが合わせられて視覚的に目立たなくなるのである。
図８において、□は画素を示し、□内の数字である１、２、３はそれぞれ信号Ｐ1、Ｐ2
、Ｐ3によってプリチャージされたことを示している。
なお、このような表示ムラを解消するには、データ信号Ｖid1〜Ｖid3と、これを供給する３本の画像信号線１４８との組み合わせをローテーションさせる構成によっても実現できるが、この構成は、画像信号線をデータ線にサンプリングする回路が複雑化するので、現実的でない。
【００３５】
上述した実施形態では、例えば１行目の走査線が選択される水平走査期間において、チャネルＣh1、Ｃh2、Ｃh3に対応するデータ線１１４のプリチャージ電圧は、正極性書込の指定であれば、それぞれ電圧Ｖp1(+)、Ｖp2(+)、Ｖp3(+)であり、負極性書込の指定であ
れば、それぞれ電圧Ｖp1(-)、Ｖp2(-)、Ｖp3(-)であって各フレームで固定的であったが
、フレーム毎に切り替えても良い。
フレーム毎に切り替える構成について述べると、セレクタ７２を、例えば図９に示されるような接続パターンとすれば良い。すなわち、正極性書込が指定される、あるフレームを１フレームとしたときに、セレクタ７２における接続パターンの開始点を、１および４フレーム目においては（ａ）とし、２および５フレーム目においては（ｂ）とし、３および６フレーム目においては（ｃ）として、いずれのフレームにおいても（ａ）→（ｂ）→（ｃ）→（ａ）→（ｂ）→（ｃ）という順番でローテーションさせながら切り替えれば良い。
【００３６】
このようにフレーム毎で切り替えると、奇数（１、３、５）フレームでは正極性書込が指定され、偶数（２、４、６）フレームでは負極性書込が指定されるので、接続パターンの開始点が（ａ）、（ｂ）、（ｃ）であるフレームが、それぞれ正極性書込および負極性書込のそれぞれについて実行されることになる。
このとき、プリチャージ電圧が異なることによる影響は、１、４フレームでは図１０（ａ）に、２、５フレームでは図１０（ｂ）に、３、６フレームでは図１０（ｃ）に、それぞれ示される。このように、プリチャージ電圧をフレーム毎でもローテーションさせると、プリチャージ電圧が異なることによる影響は、空間的のみならず、時間的にも分散するので、表示ムラをさらに目立たなくすることができる。
【００３７】
なお、セレクタ７２は、接続パターンを規則的な順番で、すなわち、（ａ）→（ｂ）→（ｃ）という順番でローテーションさせたが、３相展開であれば確率１／３の割合で、いずれかのパターンをランダムに選択する構成としても良い。
また、電圧Ｖp1(+)、Ｖp2(+)、Ｖp3(+)は、Ｖb(+)＝Ｖp1(+)、Ｖp3(+)＝Ｖw(+)であっ
ても良い。このとき、Ｖb(- )＝Ｖp1(-)、Ｖp3(-)＝Ｖw(-)となる。
３相展開である場合に、１ブロックに属する３列のデータ線１１４のプリチャージ電圧は、すべて異なる必要はなく、２種類以上で異なれば良い。このため、例えばＶp1(+)＝
Ｖp2(+)≠Ｖp3(+)、Ｖp1(-)＝Ｖp2(-)≠Ｖp3(-)としても良い。
上述した実施形態にあっては、３列のデータ線１１４を１ブロックにまとめて、１ブロックに属する３列のデータ線１１４に対し、３チャネルに分配・変換したデータ信号Ｖid1〜Ｖid3をサンプリングする構成したが、分配数および同時に印加するデータ線の数（すなわち、１ブロックを構成するデータ線の列数）は、「３」に限られるものではなく、「２」以上であれば良い。
【００３８】
さらに、上述した実施形態にあっては、対向電極１０８と画素電極１１８との電圧実効値が小さい場合に白色表示を行うノーマリーホワイトモードとして説明したが、黒色表示を行うノーマリーブラックモードとしても良い。
くわえて、実施形態にあっては、透過型として説明したが反射型としても良い。さらに、上述した実施形態では、液晶としてＴＮ型を用いたが、ＢＴＮ（Bi-stable Twisted Nematic）型・強誘電型などのメモリ性を有する双安定型や、高分子分散型、さらには、分
子の長軸方向と短軸方向とで可視光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を一定の分子
配列の液晶（ホスト）に溶解して、染料分子を液晶分子と平行に配列させたＧＨ（ゲストホスト）型などの液晶を用いても良い。
また、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、という垂直配向（ホメオトロピック配向）の構成としても良いし、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する、という平行（水平）配向（ホモジニアス配向）の構成としても良い。このように、本発明では、液晶や配向方式として、種々のものに適用することが可能である。
【００３９】
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置を用いた電子機器の一例として、上述した電気光学装置１０の表示パネル１００をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１１は、このプロジェクタの構成を示す平面図である。
この図に示されるように、プロジェクタ２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット２１０２が設けられている。このランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４からなるリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【００４０】
ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した実施形態における表示パネル１００と同様であり、制御回路（図１１では省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応するデータ信号でそれぞれ駆動されるものである。すなわち、このプロジェクタ２１００では、表示パネル１００を含む電気光学装置が、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応して３組設けられて、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画像データがそれぞれ供給される構成となっている。
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。したがって、各色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ２１１４によってカラー画像が投射されることとなる。
【００４１】
なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー２１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、上述したようにカラーフィルタを設ける必要はない。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は、ダイクロイックプリズム２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はそのまま投射されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂによる水平走査方向は、ライトバルブ１００Ｇによる水平走査方向と逆向きにして、左右を反転させた像を表示する構成となっている。
【００４２】
電子機器としては、図１１を参照して説明した他にも、テレビジョンや、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラ、携帯電話機、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種の電子機器に対して、本発明に係る電気光学装置が適用可能なのは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置における制御回路の構成を示す図である。
【図４】同制御回路におけるセレクタの切り替えを示す図である。
【図５】同電気光学装置における表示動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図６】同電気光学装置における表示動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図７】同電気光学装置における表示動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図８】同電気光学装置における表示ムラの改善を示す図である。
【図９】同電気光学装置の応用例に係る動作を示す図である。
【図１０】同応用例における表示ムラの改善を示す図である。
【図１１】実施形態に係る電気光学装置を適用したプロジェクタの構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０…電気光学装置、５０…制御回路、６１…第１プリチャージ信号生成回路、６２…第２プリチャージ信号生成回路、６３…第３プリチャージ信号生成回路、７２…セレクタ、７４…スイッチ群、１００…表示パネル、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１１８…画素電極、１３０…走査線駆動回路、１４０…データ線駆動回路、１４４…ＯＲ回路、１４６…ＴＦＴ、１４８…画像信号線、１５４…ＴＦＴ、２１００…プロジェクタ
【図１】
2008242160.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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