(57)【要約】【課題】マスクが発光媒体に接触するのを避けて発光媒体の損傷を抑制するとともに、第２電極と補助電極とをより確実に導通することのできる発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】発光装置の製造方法であって、基板の上に、第１電極と、補助電極を形成する工程と、複数の前記第１電極の間に素子分離層を形成し、前記第１電極の上及び前記補助電極の上に開口を形成する工程と、前記素子分離層の上に前記補助電極の上の開口を覆うように、導電層を形成する工程と、前記導電層の上にシャドウマスクを当接させて、前記導電層よりも厚みの薄い発光媒体を形成する工程と、前記発光媒体、素子分離層及び導電層の上を覆うように前記第２電極を形成する工程と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に順に第１電極と、発光媒体と、第２電極とを有する発光素子を複数有し、
前記複数の発光素子の間に形成されており、各発光素子を区画する素子分離層と、
前記基板と前記素子分離層との間に形成されている補助電極と、を有する発光装置の製造方法であって、
前記基板の上に、前記第１電極と、前記補助電極を形成する工程と、
複数の前記第１電極の間に素子分離層を形成し、前記第１電極の上及び前記補助電極の上に開口を形成する工程と、
前記素子分離層の上に前記補助電極の上の開口を覆うように、導電層を形成する工程と、
前記導電層の上にシャドウマスクを当接させて、前記導電層よりも厚みの薄い発光媒体を形成する工程と、
前記発光媒体、素子分離層及び導電層の上を覆うように前記第２電極を形成する工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
発光媒体を形成する工程は、マスク開口パターンの異なる複数のシャドウマスクを用いて、複数の層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記導電層を形成する工程は、マスクを用いた蒸着法によって形成する工程であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
基板と、前記基板の上に形成されている複数の発光素子と、前記複数の発光素子の間に形成されており、各発光素子を区画する素子分離層と、前記基板と前記素子分離層との間に形成されている補助電極と、を有し、
各発光素子は、前記基板の上に順に、第１電極、前記複数の発光素子ごとにパターニングされている発光媒体、前記複数の発光素子の間を跨いで連続して形成されている第２電極、を有する、発光装置において、
前記素子分離層の上に導電層を有し、
前記導電層は前記素子分離層に形成されている開口を介して前記補助電極と接続されており、前記導電層を介して前記第２電極と前記補助電極とが接続されており、
前記導電層の厚みは、前記発光媒体の厚みよりも厚いことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
前記導電層は、互いに離間して形成されている複数のドット状の部材であることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記補助電極は、前記第１電極と同一の平面に形成された層であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光素子を備えた発光装置及びその製造方法の技術分野に属する。
【背景技術】
【０００２】
有機材料のエレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下ＥＬと記す）を用いた有機ＥＬ素子は、低電圧駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置（すなわち有機ＥＬディスプレイ）は、基板上の各画素に薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下ＴＦＴと記す）を備えている。そして、ＴＦＴを覆うように形成された層間絶縁膜上に有機ＥＬ素子が形成されている。
【０００４】
この有機ＥＬ素子は、ＴＦＴに接続された状態で画素毎にパターン形成された第１電極、第１電極の中央を画素開口部として露出させてその周囲を覆う絶縁性の素子分離層を有する。そして、この素子分離層で分離された画素開口部内の第１電極上に設けられた有機層、この有機層を覆う状態で設けられた第２電極を有する構成とされている。このうち第２電極は、通常、複数の画素を覆うように形成され、複数の画素に共通して用いられている。
【０００５】
上記構成の有機ＥＬ素子は、素子分離層に囲まれた画素開口部内に各色に応じた有機層を同じ積層構造で数種のシャドウマスクを用いて形成することから、高いマスク合わせ精度が要求される。一般的に、有機層をシャドウマスクで蒸着する際、数種のシャドウマスクを素子分離層に押し当てて有機層を積層成膜する。
【０００６】
また、このようなアクティブマトリクス型の表示装置においては、有機ＥＬ素子の画素開口率を確保するために、基板と反対側から光を取出す、いわゆる上面光取出し構造として構成することが有効になる。このため、第２電極は、光透過性を確保するために薄膜化が要求され、これにより抵抗値が上昇して電圧降下が生じ易くなる傾向にある。
【０００７】
そこで、導電性の良好な金属材料から成る補助電極を形成し、この補助電極を第２電極に接続することで、第２電極の電圧降下を防止する構成が提案されている。特許文献１には、補助電極を第１電極と同一層に形成し、第１電極上に有機層を形成した後、第２電極を形成し、前記補助電極を第２電極に接続した構成が提案されている。また、特許文献２には、隔壁の上に補助電極を形成し、有機発光媒体を形成した後、第２電極を形成し、前記補助電極を第２電極に接続した構成が提案されている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−３１８５５６号公報
【特許文献２】特開２００３−３１６２９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したように、有機層をシャドウマスクで蒸着する際には、数種のシャドウマスクを素子分離層に押し当てて有機層を積層成膜するが、その際、シャドウマスクにより形成された有機層に損傷を与え、製造歩留まりが低下するという問題がある。
【００１０】
しかし、上記特許文献１の発光装置及びその製造方法は、第２電極の電圧降下を防止することができる構成とされているが、上記の問題を解決するに至っていない。
【００１１】
また、特許文献２の発光装置及びその製造方法は、マスクを基板側に当接させずに有機発光媒体の成膜を行っているため、マスクのたわみによって画素ごとの膜厚がばらついてしまったり、アライメントがずれてしまったりする問題がある。さらには、補助電極に有機発光媒体が成膜されてしまうことにより、第２電極と電気的導通が図れなくなってしまう、あるいは有機発光媒体によって抵抗が上昇してしまい補助電極としての機能を十分に発揮できなくなる問題もある。
【００１２】
本発明は、素子分離層の上に形成された導電層をシャドウマスクの押当てとして使用することにより、マスクが発光媒体に接触するのを避けて発光媒体の損傷を抑制するとともに、第２電極と補助電極とをより確実に導通することのできる発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記背景技術の課題を解決するための手段として、本発明に係る発光装置の製造方法は、
基板の上に順に第１電極と、発光媒体と、第２電極とを有する発光素子を複数有し、
前記複数の発光素子の間に形成されており、各発光素子を区画する素子分離層と、
前記基板と前記素子分離層との間に形成されている補助電極と、を有する発光装置の製造方法であって、
前記基板の上に、前記第１電極と、前記補助電極を形成する工程と、
複数の前記第１電極の間に素子分離層を形成し、前記第１電極の上及び前記補助電極の上に開口を形成する工程と、
前記素子分離層の上に前記補助電極の上の開口を覆うように、導電層を形成する工程と、
前記導電層の上にシャドウマスクを当接させて、前記導電層よりも厚みの薄い発光媒体を形成する工程と、
前記発光媒体、素子分離層及び導電層の上を覆うように前記第２電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明に係る発光装置は、基板と、前記基板の上に形成されている複数の発光素子と、前記複数の発光素子の間に形成されており、各発光素子を区画する素子分離層と、前記基板と前記素子分離層との間に形成されている補助電極と、を有し、
各発光素子は、前記基板の上に順に、第１電極、前記複数の発光素子ごとにパターニングされている発光媒体、前記複数の発光素子の間を跨いで連続して形成されている第２電極、を有する、発光装置において、
前記素子分離層の上に導電層を有し、
前記導電層は前記素子分離層に形成されている開口を介して前記補助電極と接続されており、前記導電層を介して前記第２電極と前記補助電極とが接続されており、
前記導電層の厚みは、前記発光媒体の厚みよりも厚いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、導電層は素子分離層の上面平坦部に達し、この上面平坦部での厚みは、発光領域における第１電極と第２電極との間の距離よりも厚く形成している。そして、前記導電層にシャドウマスクを押当てて発光媒体を成膜するので、発光媒体に損傷を与えることがなく、製造歩留まりを向上させることができる。また、導電層にシャドウマスクを押当てて発光媒体を成膜するので、第２電極と補助電極とをより確実に導通することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明に係る発光装置は、基板の上に順に第１電極と、発光媒体と、第２電極とを有する発光素子を複数有し、複数の発光素子の間に形成されており、各発光素子を区画する素子分離層と、基板と素子分離層との間に形成されている補助電極と、を有する。
【００１７】
以下、本発明に係る発光装置及びその製造方法の実施形態を図面に基づいて詳しく説明するが、本発明は本実施の形態に限るものではない。
【００１８】
先ず、発光装置の製造方法を説明する。
【００１９】
ガラス基板等からなる基板１０１上にＴＦＴ２００を形成する（図３を参照）。図中、符号１０２がソース領域、１０３がドレイン領域、１０４がＰｏｌｙ−Ｓｉ、１０５がゲート電極、１０６がゲート絶縁膜、１０８がドレイン領域に接続されたドレイン電極、１０６、１０７、１０９がドレイン電極を覆う絶縁膜である。なお、ＴＦＴ２００は図示したトップゲート型に限定されることはなく、ボトムゲート型であっても良い。
【００２０】
ＴＦＴ２００の形成により、基板表面に生じた凹凸を埋め込むため、基板上に平坦化層１１０を形成する。この場合、例えば、基板上にポジ型感光性ポリイミドをスピンコート法により塗布し、露光装置にてパターン露光を行い、次いで現像装置にて現像を行った後、ポストベークを行う。
【００２１】
平坦化層１１０上に、第１電極３００および補助電極４００を形成する。補助電極４００は、複数配列された発光素子によって形成される発光領域を縦断あるいは横断するように形成されている。そのため、補助電極は配列された発光素子の間に配列方向に沿って、ストライプ状に形成される構成や、格子状に形成される構成が好ましい。ここでは平坦化層１１０上に、反射層としてＡｌを１００ｎｍの膜厚で、導電性酸化材料（例えばＩＴＯ）をスパッタリング法により２０ｎｍ程度の膜厚で形成する。次いで、通常のリソグラフィ技術によって形成したレジストパターンをマスクとして用いたエッチングにより、これらの金属材料層および導電性酸化材料層をパターニングすることにより補助電極４００を形成する。本実施の形態においては第１電極と補助電極とが同一の平面に形成された層であるが、第１電極と補助電極を異なる層で形成しても良い。
【００２２】
素子分離層３３０を形成するため、例えばＣＶＤ法によって、ＳｉＯ2膜を３００ｎｍ程度の膜厚で形成する（図４を参照）。その後、リソグラフィ技術を用いて形成したレジストパターンをマスクとして用いたエッチングにより、ＳｉＯ2膜をパターニングする（図５を参照）。この際、エッチング側壁がテーパ形状となるような条件でエッチングを行うこととする。これにより、第１電極３００の中央部が露出した画素開口部と、補助電極４００のコンタクトホール（開口）を形成する。画素開口部が形成された領域に発光素子が形成される。つまり、素子分離層によって、複数の発光素子が区画される。
【００２３】
前記コンタクトホールから隣接する素子分離層３３０の上面平坦部まで達し、前記上面平坦部での厚さが前記第１電極３００と第２電極３２０との間の距離より厚く形成されるように、導電層４１０を形成する（図６、図７を参照）。本実施形態では、シャドウマスクを用いてＡｌを４００ｎｍの膜厚で蒸着法により形成する。このとき導電層４１０は、互いに離間して複数ドット状に形成される。導電層４１０を素子分離層３３０の上に、ストライプ状あるいは格子状に形成することは困難であるためである。ストライプ状あるいは格子状に形成する場合、マスクを用いてパターニングすることが通常採られる手段であるが、マスク開口をストライプ状、格子状に形成することは非常に難しいため、十分なアライメント精度を得ることができない。そこで、ドット状の開口を有するマスクを用いてパターニング成膜することにより、十分なアライメント精度を得つつ、補助電極と第２電極との電気的導通を確保する。
【００２４】
なお、シャドウマスクによるＡｌ蒸着で導電層４１０を形成したが、スパッタ法やフォトレジストプロセスを含むエッチングにより形成しても良い。
【００２５】
画素開口部に露出している第１電極３００を覆うように、発光媒体３１０をパターン形成する（図８を参照）。このとき、導電層４１０の上にシャドウマスクを当接させた状態で、発光媒体３１０を成膜する。そのため、発光媒体３１０に損傷を与えず、製造歩留まりを向上させることができる。また、発光媒体３１０が導電層４１０に付着することにより導電層４１０と第２電極３２０との電気的導通を阻害することがなく、より良好な電気的接続を図ることができる。さらに、素子分離層３３０に形成されたコンタクトホール（開口）に倣って導電層４１０が窪んで形成されるため、導電層４１０と第２電極３２０との電気的接続は窪んだ部分でなされ、発光媒体３１０の成膜によって阻害されることがない。
【００２６】
発光媒体３１０、素子分離層３３０及び導電層４１０を覆うように、第２電極３２０を形成する（図９を参照）。そのため、第２電極は、複数の発光素子の間を跨いで連続して形成される。その結果、第２電極３２０は、導電層４１０を介して補助電極４００に接続される。ここでは、第２電極３２０として、一例として、透明導電膜であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の透明導電膜（ＩＺＯ）を２００ｎｍ程度の膜厚で形成する。
【００２７】
次に、上記製造方法で得られる発光装置の構成を説明する。
【００２８】
本実施形態の発光装置は、有機ＥＬ素子を発光素子として配列したアクティブマトリクス型の表示装置である。
【００２９】
この発光装置は、基板１０１上の各画素に対応する位置にＴＦＴ２００が形成され、同ＴＦＴ２００を覆うように平坦化層１１０が形成されている。そして、前記平坦化層１１０上の素子分離層３３０に囲まれた画素開口部に、第１電極３００、発光媒体３１０、第２電極３２０が順次積層された有機ＥＬ素子が形成されている（図１を参照）。
【００３０】
本表示装置の特徴とするところは、隣接する画素の間、つまり素子分離層３３０と３３０との間で第１電極３００と同一層に補助電極４００が形成されており、同補助電極４００が第２電極３２０と導電層４１０を介して電気的に接続されていることである。そのため、第２電極３２０を成す透明導電膜を薄膜化でき、しかも画像表示部の面積が拡大し大画面化しても、抵抗値の増大による有機ＥＬ素子の応答速度の低下や消費電力の増加を防ぐことができる。また、面内電位分布を抑え、輝度のバラツキをなくすことができる。
【００３１】
特に、導電層４１０は、前記補助電極４００のコンタクトホールから素子分離層３３０の上面平坦部まで達し、その上面平坦部での厚さは、第１電極３００と第２電極３２０との間の距離より厚く形成されている。そのため、上述したように、導電層４１０にシャドウマスクを押当てて発光媒体３１０を成膜した際に、発光媒体３１０に損傷を与えることなく、製造歩留まりを向上させることができる。
【００３２】
しかも、表示装置の表示部の面積が拡大し大画面化した際に、カラーフィルタや封止基板の画素への接触を防止できるため、画素に損傷を与えることなく、やはり製造歩留まりを向上させることができる。
【００３３】
補助電極４００は、上述したように平坦化層１１０上、即ち第１電極３００と同一層に形成されており、例えば基板１０１上にマトリクス状に配置された画素開口部間に編み目状に連続して配置されると共に、第１電極３００に対して絶縁性を保って形成される。そして、隣接する素子分離層３３０と３３０との間に形成されたコンタクトホールから導電層４１０に接続されている。
【００３４】
この補助電極４００は、例えばアルミニウム、アルミニウムとチタン、スカンジウム、ニオブ、銅又はシリコンとの合金で形成されることが好ましい。或いは、チタン、窒化チタン、タンタル、タングステン、モリブデンの単体又はこれらの合金又は積層膜で形成されても良く、第１電極３００と同じ構成でも良い。
【００３５】
導電層４１０は、上記補助電極４００のコンタクトホールから素子分離層３３０の上面平坦部に達し、その上面平坦部での厚さは、発光領域における第１電極３００と第２電極３２０との間の距離よりも厚く形成される。このとき、導電層４１０は、補助電極４００と第２電極３２０とが導通するのに十分な抵抗値となるように、材質の他に接触面積、厚さにより設定される。
【００３６】
この導電層４１０は、第２電極３２０を成す導電性材料と接触性の良い材料であり、且つ抵抗率の小さい導電性材料で形成されることが好ましい。具体的には、アルミニウム、アルミニウムとチタン、スカンジウム、ニオブ、銅又はシリコンとの合金、又はチタン、窒化チタン、タンタル、タングステン、モリブデンの単体又はこれらの合金又は積層膜で形成されると良い。
【００３７】
なお、導電層４１０の被覆性を高め、段差部において亀裂などが生じないように端部をテーパ形状に加工することが望ましい。
【００３８】
また、導電層４１０の厚さは、素子分離層３３０の上面平坦部だけでなく、上面傾斜部においても第１電極３００と第２電極３２０との間の距離より厚いことが望ましい。
【００３９】
その他の構成部材は、通例の発光装置と同様の構成とされている。
【００４０】
第１電極３００を陰極とし、第２電極３２０を陽極とする場合には、第１電極３００は周期律表１属又は２属にある元素の合金又は化合物で形成され、アルミニウムや銀、アルミニウムやネオジウムとの合金で形成される。或いは、これらの反射性電極上に酸化インジウム・スズ、酸化亜鉛、ガリウムが添加された酸化亜鉛、若しくはこれらの化合物を積層した複合層を用いても良い。
【００４１】
第２電極３２０は、酸化インジウム・スズ、酸化亜鉛、ガリウムが添加された酸化亜鉛、若しくはこれらの化合物で形成される。この第２電極３２０と発光媒体３１０とを良好に接触させるためには、その界面に薄い金属層（図示は省略）を介在させても良い。
【００４２】
第１電極３００を陽極とし、第２電極３２０を陰極とする場合には、第１電極３００は酸化インジウム・スズ、酸化亜鉛、ガリウムが添加された酸化亜鉛、若しくはこれらの化合物、又はこれらと同等の仕事関数を有する導電性材料で形成される。或いは、周期律表１属又は２属にある元素の合金又は化合物で形成される。例えば、アルミニウムや銀、アルミニウムやネオジウムとの合金で形成された反射性電極上に酸化インジウム・スズ、酸化亜鉛、ガリウムが添加された酸化亜鉛、若しくはこれらの化合物が積層された複合層が用いられる。
【００４３】
第２電極３２０は、周期律表１属又は２属にある元素の合金又は化合物で形成され、アルミニウムや銀との合金で形成されることが好ましいが、光透過性を持たせるために極めて薄く形成し、酸化インジウム・スズなどの透明導電膜を積層させても良い。
【００４４】
さらに、金属材料層の下部には、下地となる平坦化層１１０との密着層として導電性酸化材料層を設け、金属材料層を導電性酸化材料層で挟持してなる３層構造としても良い。
【００４５】
発光媒体３１０は、陽極側にある正孔注入輸送層、陰極側にある電子注入輸送層、発光層等を適宜組み合わせた構造である。正孔注入輸送層又は電子注入輸送層は、電極からの正孔又は電子の注入効率と、輸送性（移動度）が優れた材料を組み合わせても良い。
【００４６】
この発光媒体３１０は、例えば正孔輸送層３１１、発光層３１２、電子輸送層３１３の３層から構成されるが、発光層３１２のみでも良い。或いは２層、４層など複数の層から形成されても良い（図２を参照）。発光媒体の厚みは、導電層の厚みよりも薄く成膜される。このようにすることにより、発光媒体がマスクに接触することなく成膜することができる。特に発光色の異なる複数の素子を有する場合等で、マスク開口パターンの異なる複数のシャドウマスクを用いて、複数の層を形成する場合には、発光媒体がマスクに接触することを避けることによる効果が大きい。
【００４７】
正孔輸送層３１１には、例えばＮＰＤを用いるが、それ以外の材料であっても良い。
【００４８】
発光層３１２は、発光色毎に設けられ、シャドウマスクにより塗り分けられる。ＲＧＢの発光色を呈する表示装置を構成する場合は、赤色発光層として、例えばＣＢＰにＩｒ（ｐｉｑ）３をドープしたものを用いる。緑色発光層として、例えばＡｌｑ３にクマリンをドープしたもの、青色発光層としてＢ−Ａｌｑ３にＰｅｒｙｌｅｎｅをドープしたものを用いるがそれ以外の材料であっても良い。
【００４９】
電子輸送層３１３には、例えば電子受容性のＢａｔｈｏｐｈｅｎａｎｔｒｏｌｉｎｅを用いているが、それ以外の材料であっても良い。
【００５０】
素子分離層３３０は、隣接する画素間に設けられた絶縁膜であり第１電極３００の周縁部を覆うように形成されており、隣接する素子分離層３３０との間に補助電極４００のコンタクトホールが形成される。この素子分離層３３０は、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素等からなる無機絶縁膜や、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂等の有機絶縁膜で形成される。
【００５１】
外部からの水分による劣化を防ぐために、露点−６０℃以下の窒素雰囲気においてガラス基板（図示は省略）がＵＶ硬化エポキシ樹脂を用いて基板１０１に貼り付けられる。ガラス基板の有機ＥＬ素子側には、酸化ストロンチウムや酸化カルシウムのような吸湿膜が成膜されていることが望ましい。また、本構成ではガラス基板によって封止しているが、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素等からなる無機絶縁膜で封止されても良い。
【００５２】
また、前記ガラス基板ではなく、カラーフィルタを設けても良く、各素子に対応した着色層と保護膜を形成しても良く、その際、素子が導電層４１０により、ガラス基板やカラーフィルタから保護されていることが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発光装置は有機ＥＬ表示装置、無機ＥＬ表示装置等の電気的に接続する必要のある表示装置全般に適用することができる。また、表示装置として、テレビ受像機、コンピュータのモニタ部、携帯電話の表示部、携帯情報端末（ＰＤＡ）の表示部、携帯音楽機器の表示部、撮像装置の背面表示部、等に好ましく用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の発光装置における表示領域の概略構成を示す断面模式図である。
【図２】本発明の発光装置における有機ＥＬ素子の概略構成を示す断面模式図である。
【図３】本発明の発光装置の作製工程の概略を示す断面模式図である。
【図４】本発明の発光装置の作製工程の概略を示す断面模式図である。
【図５】本発明の発光装置の作製工程の概略を示す断面模式図である。
【図６】本発明の発光装置の作製工程の概略を示す断面模式図である。
【図７】本発明の発光装置の作製工程の概略を示す断面模式図である。
【図８】本発明の発光装置の作製工程の概略を示す断面模式図である。
【図９】本発明の発光装置の作製工程の概略を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０１  ガラス基板
１０２  ソース領域
１０３  ドレイン領域
１０４  Ｐｏｌｙ−Ｓｉ
１０５  ゲート電極
１０６  ゲート絶縁膜
１０７  層間絶縁膜
１０８  ドレイン電極
１０９  無機絶縁膜
１１０  平坦化層
２００  ＴＦＴ
３００  第１電極
３１０  発光媒体
３１１  正孔輸送層
３１２  発光層
３１３  電子輸送層
３２０  第２電極
３３０  素子分離層
４００  補助電極
４１０  導電層
【図１】
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【図２】
2008146026.tif 000004
【図３】
2008146026.tif 000005
【図４】
2008146026.tif 000006
【図５】
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【図６】
2008146026.tif 000008
【図７】
2008146026.tif 000009
【図８】
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【図９】
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