(57)【要約】      （修正有）【課題】装置ならびにプロセスの構成を煩雑にさせることなく、高屈折率液体からなる露光液とともに洗浄液の使用量を少なく抑え、かつ、基板への処理ムラの発生を防止することが可能な高屈折率液体循環システムを提供する。【解決手段】高屈折率液体循環システム９は、液浸露光部３０で用いられた高屈折率液体を回収する第１の回収部４ａと、第１の回収部４ａによって回収された高屈折率液体を、洗浄液として用いるように後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）に供給する第１の供給部４ｂと、後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）で用いられた高屈折率液体を回収する第２の回収部４ｃと、第２の回収部４ｃによって回収された高屈折率液体を液浸露光部３０に供給する第２の供給部４ｄとを具備し、高屈折率液体を液浸露光部３０と後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）との間で循環させる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にレジストを塗布してレジスト膜を形成し、露光後に露光されたレジスト膜を現像するための一連の処理を行い、レジスト塗布後で露光前の基板または／および露光後で現像前の基板を洗浄する洗浄部を有するレジスト塗布・現像部と、基板に形成されたレジスト膜を水よりも高い屈折率を有する液体である高屈折率液体に浸漬させた状態でレジスト膜を所定のパターンに露光する液浸露光部とを備え、所定のレジストパターンを形成するパターン形成装置における、高屈折率液体を循環使用するための高屈折率液体循環システムであって、
前記液浸露光部で用いられた高屈折率液体を回収する第１の回収部と、
前記第１の回収部によって回収された高屈折率液体を、洗浄液として用いるように前記洗浄部に供給する第１の供給部と、
前記洗浄部で用いられた高屈折率液体を回収する第２の回収部と、
前記第２の回収部によって回収された高屈折率液体を前記液浸露光部に供給する第２の供給部と
を具備し、
高屈折率液体は、前記液浸露光部から前記第１の回収部に回収された後、前記第１の供給部により前記洗浄部に供給されて洗浄に供され、前記洗浄部から前記第２の回収部に回収された後、前記第２の供給部により前記液浸露光部に供給されて液浸露光に供され、前記液浸露光部と前記洗浄部との間で循環されることを特徴とする高屈折率液体循環システム。
【請求項２】
前記第１の回収部および前記第１の供給部のうちの少なくとも一方、ならびに前記第２の回収部および前記第２の供給部のうちの少なくとも一方はそれぞれ、高屈折率液体を一時的に貯留する貯留タンクを有し、
前記貯留タンクには、高屈折率液体よりも比重が小さく、かつ高屈折率液体と分離する、高屈折率液体の揮発を防止するための揮発防止液が貯留されていることを特徴とする請求項１に記載の高屈折率液体循環システム。
【請求項３】
前記第２の回収部による回収後の高屈折率液体を前記第２の供給部による供給前にろ過するフィルターをさらに具備することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の高屈折率液体循環システム。
【請求項４】
前記第２の回収部による回収後の高屈折率液体を前記第２の供給部による供給前に脱気する脱気部をさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の高屈折率液体循環システム。
【請求項５】
前記第２の回収部による回収後の高屈折率液体を前記第２の供給部による供給前に所定の温度に調整する温調機構をさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の高屈折率液体循環システム。
【請求項６】
前記温調機構は、高屈折率液体の流通方向上流側から下流側に向かって順に、
前記第２の回収部による回収後の高屈折率液体を前記所定の温度近傍に調整する第１の温調部と、
前記第１の温調部によって前記所定の温度近傍に調整された高屈折率液体を前記所定の温度に調整する第２の温調部と
を有することを特徴とする請求項５に記載の高屈折率液体循環システム。
【請求項７】
前記高屈折率液体は屈折率が１．５以上であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の高屈折率液体循環システム。
【請求項８】
基板に所定のレジストパターンを形成するパターン形成装置であって、
基板にレジストを塗布してレジスト膜を形成し、露光後に露光されたレジスト膜を現像するための一連の処理を行い、レジスト塗布後で露光前の基板または／および露光後で現像前の基板を洗浄する洗浄部を有するレジスト塗布・現像部と、
基板に形成されたレジスト膜を水よりも高い屈折率を有する液体である高屈折率液体に浸漬させた状態でレジスト膜を所定のパターンに露光する液浸露光部と、
高屈折率液体を循環使用するための高屈折率液体循環機構と
を具備し、
前記洗浄部は高屈折率液体で基板を洗浄し、
前記高屈折率液体循環機構は、
前記液浸露光部で用いられた高屈折率液体を回収する第１の回収部と、
前記第１の回収部によって回収された高屈折率液体を前記洗浄部に供給する第１の供給部と、
前記洗浄部で用いられた高屈折率液体を回収する第２の回収部と、
前記第２の回収部によって回収された高屈折率液体を前記液浸露光部に供給する第２の供給部と
を有し、
高屈折率液体は、前記液浸露光部から前記第１の回収部に回収された後、前記第１の供給部により前記洗浄装置に供給されて洗浄に供され、前記洗浄部から前記第２の回収部に回収された後、前記第２の供給部により前記液浸露光部に供給されて液浸露光に供され、前記液浸露光部と前記洗浄部との間で循環されることを特徴とするパターン形成装置。
【請求項９】
前記レジスト塗布・現像部は、
基板にレジストを塗布してレジスト膜を形成し、露光後に露光されたレジスト膜を現像するための一連の処理を行う処理ステーションと、
前記処理ステーションと前記液浸露光部との間に介在され、かつ前記洗浄部が配置された、前記処理ステーション、前記液浸露光部および前記洗浄部の間で基板を搬送する搬送機構を有するインターフェイスステーションと
をさらに有し、
前記液浸露光部は、前記インターフェイスステーションよりも陽圧に保持されており、
前記インターフェイスステーションには、高屈折率液体の揮発成分を捕集する捕集機構が設けられていることを特徴とする請求項８に記載のパターン形成装置。
【請求項１０】
前記捕集機構は、捕集した高屈折率液体の揮発成分のうちの有機成分を抽出して前記第１の回収部、前記第１の供給部、前記第２の回収部および前記第２の供給部の少なくともいずれかに供給することを特徴とする請求項９に記載のパターン形成装置。
【請求項１１】
レジスト塗布部により基板にレジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、液浸露光部によりレジスト膜の形成後の基板を水よりも高い屈折率を有する液体である高屈折率液体に浸漬させた状態でレジスト膜を所定のパターンに露光する工程と、現像部により露光後のレジスト膜を現像する工程と、洗浄部によりレジスト膜の形成後で露光前の基板または／および露光後で現像前の基板を洗浄する工程とを含む、所定のレジストパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記洗浄工程では、前記露光工程での使用後の高屈折率液体を前記液浸露光部から回収して洗浄液として使用し、前記露光工程では、前記洗浄工程での使用後の高屈折率液体を前記洗浄部から回収して使用し、高屈折率液体を前記液浸露光部と前記洗浄部との間で循環させることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１２】
前記液浸露光部および前記洗浄部から回収した高屈折率液体をそれぞれ、前記洗浄工程および前記露光工程で使用する前に、高屈折率液体よりも比重が小さく、かつ高屈折率液体と分離する、高屈折率液体の揮発を防止するための揮発防止液が貯留された貯留タンクに一時的に貯留することを特徴とする請求項１１に記載のパターン形成方法。
【請求項１３】
前記洗浄部から回収した高屈折率液体をろ過して前記露光工程で使用することを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載のパターン形成方法。
【請求項１４】
前記洗浄部から回収した高屈折率液体を脱気して前記露光工程で使用することを特徴とする請求項１１から請求項１３のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項１５】
前記洗浄部から回収した高屈折率液体を所定の温度に調整して前記露光工程で使用することを特徴とする請求項１１から請求項１４のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項１６】
前記高屈折率液体は屈折率が１．５以上であることを特徴とする請求項１１から請求項１５のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項１７】
コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に請求項１１から請求項１６のいずれか１項に記載のパターン形成方法が行われるように、コンピュータに処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板等の基板に対するレジストの塗布と露光後の現像を行うレジスト塗布・現像部と、基板に形成されたレジスト膜を高屈折率液体に浸漬させた状態でレジスト膜を所定のパターンに露光する液浸露光部とを備えたパターン形成装置における、高屈折率液体を循環使用するための高屈折率液体循環システム、ならびにこのような高屈折率液体循環システムを用いたパターン形成装置およびパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハ上に回路パターンを形成するためにフォトリソグラフィ技術が用いられている。フォトリソグラフィを用いた回路パターンの形成は、半導体ウエハ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜に光を照射して回路パターンに対応するようにレジスト膜を露光した後、これを現像処理するといった手順で行われる。
【０００３】
半導体デバイスは近時、動作速度の向上等の観点から高集積化の傾向にあるため、フォトリソグラフィ技術においては、半導体ウエハ上に形成される回路パターンの微細化が要求されている。そこで、４５ｎｍノードの高解像度を実現するフォトリソグラフィ技術として、半導体ウエハと露光用の投影レンズとの間に空気よりも高い屈折率を有する純水等の露光液を供給し、露光液の屈折率を利用して投影レンズからの照射光の波長を短くすることにより露光の線幅を細くする液浸（Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ）露光が提案されている（例えば特許文献１参照）。また、さらなる高解像度を得るために、環状炭化水素骨格を基本とする化合物等からなる、純水よりも高い屈折率を有する液体である高屈折率液体（Ｈｉｇｈ  Ｉｎｄｅｘ  Ｌｉｑｕｉｄ）を露光液に用いて液浸露光を行う試みがなされており、３２ｎｍノードの高解像度を実現できることが報告されている（非特許文献１参照）。
【０００４】
ところで、液浸露光前には通常、露光液に対する親和性を向上させるといった目的で、また、液浸露光後には通常、半導体ウエハに付着した露光液を除去するといった目的で、純水等の洗浄液（またはリンス液）による半導体ウエハの洗浄（またはリンス）が行われる（例えば特許文献２参照）。しかしながら、前述のように露光液に高屈折率液体を用いた場合には、従来の液浸露光前の洗浄では、洗浄液と露光液と物性が大きく異なるため、液浸露光の際に洗浄液の残渣に起因してレジスト膜にバブルや液残り等を発生させるおそれがある。また、高屈折率液体は粘性が大きいため、従来の液浸露光後の洗浄では、露光液を十分に除去することができないおそれがある。すなわち、露光液に高屈折率液体を用いた場合には、従来行われている液浸露光前または液浸露光後の洗浄では、処理ムラの発生を抑止することが難しい。
【０００５】
その一方で、コスト面ならびに環境面を考慮すると、露光液および洗浄液の使用量を少なく抑えることが好ましい。特に、高屈折率液体は一般的に高価であるため、高屈折率液体を用いた場合には極力少ない使用量で処理することが強く望まれている。露光液および洗浄液の使用量を抑えるには、これらの液を循環リサイクルすることが考えられる。ところが、これらの液を循環リサイクルしようとすると、使用後の液を再生するための機構ならびに処理が露光液用と洗浄液用とでそれぞれ必要となるため、装置ならびにプロセスの煩雑化を招いてしまう。
【特許文献１】国際公開２００５−０２９５５９号パンフレット
【特許文献２】特開２００６−８０４０３号公報
【非特許文献１】著者不明、“半導体製造  次世代液浸露光用  高屈折率新規液体（デルファイ）の開発  〜線幅３２ナノメートルの微細加工を実現〜”、［online］、２００５年９月１２日、三井化学株式会社、［平成１８年６月検索］、インターネット＜http://www.mitsui-chem.co.jp/whats/2005_0912.htm＞
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、装置ならびにプロセスの構成を煩雑にさせることなく、高屈折率液体からなる露光液とともに洗浄液の使用量を少なく抑え、かつ、基板への処理ムラの発生を防止することが可能な高屈折率液体循環システムおよび高屈折率液体循環方法、このような高屈折率液体循環システムを用いたパターン形成装置およびパターン形成方法、ならびにこのようなパターン形成方法を実行させるための制御プログラムを記憶したコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、基板にレジストを塗布してレジスト膜を形成し、露光後に露光されたレジスト膜を現像するための一連の処理を行い、レジスト塗布後で露光前の基板または／および露光後で現像前の基板を洗浄する洗浄部を有するレジスト塗布・現像部と、基板に形成されたレジスト膜を水よりも高い屈折率を有する液体である高屈折率液体に浸漬させた状態でレジスト膜を所定のパターンに露光する液浸露光部とを備え、所定のレジストパターンを形成するパターン形成装置における、高屈折率液体を循環使用するための高屈折率液体循環システムであって、前記液浸露光部で用いられた高屈折率液体を回収する第１の回収部と、前記第１の回収部によって回収された高屈折率液体を、洗浄液として用いるように前記洗浄部に供給する第１の供給部と、前記洗浄部で用いられた高屈折率液体を回収する第２の回収部と、前記第２の回収部によって回収された高屈折率液体を前記液浸露光部に供給する第２の供給部とを具備し、高屈折率液体は、前記液浸露光部から前記第１の回収部に回収された後、前記第１の供給部により前記洗浄部に供給されて洗浄に供され、前記洗浄部から前記第２の回収部に回収された後、前記第２の供給部により前記液浸露光部に供給されて液浸露光に供され、前記液浸露光部と前記洗浄部との間で循環されることを特徴とする高屈折率液体循環システムを提供する。
【０００８】
本発明の第１の観点において、前記第１の回収部および前記第１の供給部のうちの少なくとも一方、ならびに前記第２の回収部および前記第２の供給部のうちの少なくとも一方はそれぞれ、高屈折率液体を一時的に貯留する貯留タンクを有し、前記貯留タンクには、高屈折率液体よりも比重が小さく、かつ高屈折率液体と分離する、高屈折率液体の揮発を防止するための揮発防止液が貯留されていることが好ましい。
【０００９】
また、以上の本発明の第１の観点において、前記第２の回収部による回収後の高屈折率液体を前記第２の供給部による供給前にろ過するフィルターをさらに具備することが好ましい。
【００１０】
さらに、以上の本発明の第１の観点において、前記第２の回収部による回収後の高屈折率液体を前記第２の供給部による供給前に脱気する脱気部をさらに具備することが好ましい。
【００１１】
さらに、以上の本発明の第１の観点において、前記第２の回収部による回収後の高屈折率液体を前記第２の供給部による供給前に所定の温度に調整する温調機構をさらに具備することが好ましい。この場合に、前記温調機構は、高屈折率液体の流通方向上流側から下流側に向かって順に、前記第２の回収部による回収後の高屈折率液体を前記所定の温度近傍に調整する第１の温調部と、前記第１の温調部によって前記所定の温度近傍に調整された高屈折率液体を前記所定の温度に調整する第２の温調部とを有することができる。
【００１２】
さらに、以上の本発明の第１の観点において、前記高屈折率液体は屈折率が１．５以上であることがなお好ましい。
【００１３】
また、本発明の第２の観点では、基板に所定のレジストパターンを形成するパターン形成装置であって、基板にレジストを塗布してレジスト膜を形成し、露光後に露光されたレジスト膜を現像するための一連の処理を行い、レジスト塗布後で露光前の基板または／および露光後で現像前の基板を洗浄する洗浄部を有するレジスト塗布・現像部と、基板に形成されたレジスト膜を水よりも高い屈折率を有する液体である高屈折率液体に浸漬させた状態でレジスト膜を所定のパターンに露光する液浸露光部と、高屈折率液体を循環使用するための高屈折率液体循環機構とを具備し、前記洗浄部は高屈折率液体で基板を洗浄し、前記高屈折率液体循環機構は、前記液浸露光部で用いられた高屈折率液体を回収する第１の回収部と、前記第１の回収部によって回収された高屈折率液体を前記洗浄部に供給する第１の供給部と、前記洗浄部で用いられた高屈折率液体を回収する第２の回収部と、前記第２の回収部によって回収された高屈折率液体を前記液浸露光部に供給する第２の供給部とを有し、高屈折率液体は、前記液浸露光部から前記第１の回収部に回収された後、前記第１の供給部により前記洗浄部に供給されて洗浄に供され、前記洗浄装置から前記第２の回収部に回収された後、前記第２の供給部により前記液浸露光部に供給されて液浸露光に供され、前記液浸露光部と前記洗浄部との間で循環されることを特徴とするパターン形成装置を提供する。
【００１４】
本発明の第２の観点において、前記レジスト塗布・現像部は、基板にレジストを塗布してレジスト膜を形成し、露光後に露光されたレジスト膜を現像するための一連の処理を行う処理ステーションと、前記処理ステーションと前記液浸露光部との間に介在され、かつ前記洗浄部が配置された、前記処理ステーション、前記液浸露光部および前記洗浄部の間で基板を搬送する搬送機構を有するインターフェイスステーションとをさらに有し、前記液浸露光部は、前記インターフェイスステーションよりも陽圧に保持されており、前記インターフェイスステーションには、高屈折率液体の揮発成分を捕集する捕集機構が設けられていることができる。この場合に、前記捕集機構は、捕集した高屈折率液体の揮発成分のうちの有機成分を抽出して前記第１の回収部、前記第１の供給部、前記第２の回収部および前記第１の供給部の少なくともいずれかに供給することが好ましい。
【００１５】
また、本発明の第３の観点では、レジスト塗布部により基板にレジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、液浸露光部によりレジスト膜の形成後の基板を水よりも高い屈折率を有する液体である高屈折率液体に浸漬させた状態でレジスト膜を所定のパターンに露光する工程と、現像部により露光後のレジスト膜を現像する工程と、洗浄部によりレジスト膜の形成後で露光前の基板または／および露光後で現像前の基板を洗浄する工程とを含む、所定のレジストパターンを形成するパターン形成方法であって、前記洗浄工程では、前記露光工程での使用後の高屈折率液体を前記液浸露光部から回収して洗浄液として使用し、前記露光工程では、前記洗浄工程での使用後の高屈折率液体を前記洗浄部から回収して使用し、高屈折率液体を前記液浸露光部と前記洗浄部との間で循環させることを特徴とするパターン形成方法を提供する。
【００１６】
本発明の第３の観点において、前記液浸露光部および前記洗浄部から回収した高屈折率液体をそれぞれ、前記洗浄工程および前記露光工程で使用する前に、高屈折率液体よりも比重が小さく、かつ高屈折率液体と分離する、高屈折率液体の揮発を防止するための揮発防止液が貯留された貯留タンクに一時的に貯留することが好ましい。
【００１７】
また、以上の本発明の第３の観点において、前記洗浄装置から回収した高屈折率液体をろ過して前記露光工程で使用することが好ましい。
【００１８】
さらに、以上の本発明の第３の観点において、前記洗浄装置から回収した高屈折率液体を脱気して前記露光工程で使用することが好ましい。
【００１９】
さらに、以上の本発明の第３の観点において、前記洗浄装置から回収した高屈折率液体を所定の温度に調整して前記露光工程で使用することが好ましい。
【００２０】
さらに、以上の本発明の第３の観点において、前記高屈折率液体は屈折率が１．５以上であることがなお好ましい。
【００２１】
さらに、本発明の第４の観点では、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に前記のパターン形成方法が行われるように、コンピュータに処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、露光液に高屈折率液体を用いてレジスト膜を液浸露光するとともに、レジスト膜の形成後で露光前の基板または／および露光後で現像前の基板の洗浄を、洗浄液に高屈折率液体を用いて行うため、露光前の洗浄によって基板の露光液に対する親和性を向上させることができ、また、露光後の洗浄によって基板から露光液を十分に除去することができる。しかも、液浸露光での使用後に液浸露光部から回収した高屈折率液体を用いて洗浄を行うとともに、洗浄での使用後に洗浄部から回収した高屈折率液体を用いて液浸露光を行い、高屈折率液体を液浸露光部と洗浄部との間で循環させるため、使用後の露光液を再生するための機構ならびに処理と使用後の洗浄液を再生するための機構ならびに処理とを共通のものとすることができる。したがって、装置ならびにプロセスの構成を煩雑にさせることなく、高屈折率液体からなる露光液および洗浄液の使用量を少なく抑え、かつ、基板への処理ムラの発生を防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
【００２４】
図１は本発明に係る基板処理装置の一実施形態としてのパターン形成装置の概略平面図であり、図２はその概略斜視図である。
【００２５】
パターン形成装置１は、半導体基板であるウエハＷに所定のレジストパターンを形成するためのものであり、ウエハＷの搬送ステーションであるカセットステーション１１と、ウエハＷに所定の処理を施す複数の処理ユニットを有する処理ステーション１２と、ウエハＷに露光処理を施す露光装置１４と、処理ステーション１２および露光装置１４の間でウエハＷを受け渡すためのインターフェイスステーション１３とを備えている。カセットステーション１１、処理ステーション１２、インターフェイスステーション１３および露光装置１４は、この順にパターン形成装置１の長さ方向（Ｙ方向）に直列に配置されている。
【００２６】
カセットステーション１１は、複数枚、例えば１３枚のウエハＷが収容されたウエハカセット（ＣＲ）を載置するカセット載置台１１ａと、カセット載置台１１ａ上のウエハカセット（ＣＲ）と後述する処理ステーション１２の第３処理ユニット群Ｇ3に設けられたトランジションユニットとの間でウエハＷを搬送するためのウエハ搬送部１１ｃとをＹ方向に直列に有している。カセット載置台１１ａ上には、ウエハカセット（ＣＲ）を位置決めするための位置決め部１１ｂが、パターン形成装置１の幅方向（Ｘ方向）に複数、例えば５個設けられており、ウエハカセット（ＣＲ）は、その開口がウエハ搬送部１１ｃの筐体の壁面に設けられた開閉部１１ｅと対向するように、位置決め部１１ｂ位置に載置される。ウエハ搬送部１１ｃは、その筐体内に配置された、ウエハＷを保持可能な搬送ピック１１ｄを有し、この搬送ピック１１ｄによりカセット載置台１１ａ上の各ウエハカセット（ＣＲ）とトランジションユニットとの間でウエハＷを搬送するように構成されている。
【００２７】
処理ステーション１２は、筐体１５内に配置されており、その前面側（図１下方）に、カセットステーション１１側からインターフェイスステーション１３側に向かって順に、第１処理ユニット群Ｇ1と第２処理ユニット群Ｇ2とを有し、その背面側（図１上方）に、カセットステーション１１側からインターフェイスステーション１３側に向かって順に、第３処理ユニット群Ｇ3、第４処理ユニット群Ｇ4および第５処理ユニット群Ｇ5を有している。また、処理ステーション１２は、第３処理ユニット群Ｇ3と第４処理ユニット群Ｇ4との間に第１主搬送部Ａ1を有し、第４処理ユニット群Ｇ4と第５処理ユニット群Ｇ5との間に第２主搬送部Ａ2を有している。
【００２８】
第１処理ユニット群Ｇ1は、ウエハＷに露光時の光の反射を防止する反射防止膜を形成する例えば２つのボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）と、ウエハＷにレジスト膜を形成する例えば３つのレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）とが積み重ねられて構成されている。第２処理ユニット群Ｇ2は、ウエハＷに現像処理を施す例えば３つの現像ユニット（ＤＥＶ）と、ウエハＷに形成されたレジスト膜の表面に撥水性を有する保護膜を形成する例えば２つのトップコーティングユニット（ＩＴＣ）とが積み重ねられて構成されている。
【００２９】
第３処理ユニット群Ｇ3、第４処理ユニット群Ｇ４、第５処理ユニット群Ｇ５は、例えば、ウエハＷに疎水化処理を施すアドヒージョンユニットやレジスト塗布後のウエハＷに加熱処理を施すプリベークユニット、現像処理後のウエハＷに加熱処理を施すポストベークユニット、露光後現像前のウエハＷに加熱処理を施すポストエクスポージャーベークユニット等の熱処理ユニットが積み重ねられて構成されている。また、第３処理ユニット群Ｇ3は、カセットステーション１１と第１主搬送部Ａ1との間でのウエハＷの受け渡し部となるトランジションユニットを有している。第５処理ユニット群Ｇ５は、第２主搬送部Ａ２とインターフェイスステーション１３の後述する第１ウエハ搬送体２１との間でのウエハＷの受け渡し部となるトランジションユニットを有している。
【００３０】
第１主搬送部Ａ1は、ウエハＷを保持可能な第１主ウエハ搬送アーム１６を有し、この第１主ウエハ搬送アーム１６は、第１処理ユニット群Ｇ1、第３処理ユニット群Ｇ3および第４処理ユニット群Ｇ4の各ユニットに選択的にアクセスできるようになっている。第２主搬送部Ａ2は、ウエハＷを保持可能な第２主ウエハ搬送アーム１７を有し、この第２主ウエハ搬送アーム１７は、第２処理ユニット群Ｇ2、第４処理ユニット群Ｇ4および第５処理ユニット群Ｇ5の各ユニットに選択的にアクセスできるようになっている。
【００３１】
第１処理ユニット群Ｇ1とカセットステーション１１との間および第２処理ユニット群Ｇ2とインターフェイスステーション１３との間にはそれぞれ、第１および第２処理ユニット群Ｇ1、Ｇ2に処理液を供給する薬液ポンプ１８が設けられている。第１および第２処理ユニット群Ｇ1、Ｇ2の下側にはそれぞれ、これらに薬液を供給するケミカルユニット（ＣＨＭ）が設けられている。
【００３２】
図３はパターン形成装置１に設けられたインターフェイスステーション１３の概略斜視図である。
【００３３】
インターフェイスステーション１３は、筐体内に配置された、処理ステーション１２側の第１インターフェイスステーション１３ａと、露光装置１４側の第２インターフェイスステーション１３ｂとを有している。第１インターフェイスステーション１３ａには、第５処理ユニット群Ｇ5の開口部と対面するように、ウエハＷを搬送するための第１ウエハ搬送体２１が設けられており、第２インターフェイスステーション１３ｂには、Ｘ方向に移動可能なウエハＷを搬送するための第２ウエハ搬送体２２が設けられている。
【００３４】
第１インターフェイスステーション１３ａの正面側には、ウエハ周辺部の余分なレジストを除去するためにウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置（ＷＥＥ）と、露光装置１４に搬送されるウエハＷを一時収容するイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）と、露光装置１４から搬送されたウエハＷを一時収容するアウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）と、露光装置１４に搬送される前のウエハを洗浄する前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）と、露光装置１４から搬送されたウエハＷを洗浄する後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）とが積み重ねられて構成された第６処理ユニット群Ｇ６が配置されている。第１インターフェイスステーション１３ａの背面側には、ウエハＷを高精度に温調する高精度温調ユニット（ＣＰＬ）が例えば２段に積み重ねられて構成された第７処理ユニット群Ｇ７が配置されている。
【００３５】
第１ウエハ搬送体２１は、ウエハＷを受け渡すためのフォーク２１ａを有している。このフォーク２１ａは、第５処理ユニット群Ｇ5、第６処理ユニット群Ｇ６、第７処理ユニット群Ｇ７の各ユニットにアクセス可能であり、これにより各ユニット間でのウエハＷの搬送を行う。
【００３６】
第２ウエハ搬送体２２は、ウエハＷを受け渡すためのフォーク２２ａを有している。このフォーク２２ａは、第６処理ユニット群Ｇ６の前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）、第７処理ユニット群Ｇ７の各ユニット、露光装置１４の後述するインステージ１４ａおよびアウトステージ１４ｂにアクセス可能であり、これら各部の間でウエハＷの搬送を行う。
【００３７】
第１インターフェイスステーション１３ａの上部には、第１インターフェイスステーション１３ａまたはインターフェイスステーション１３の気流を調整する気流調整部２３が設けられ、第２インターフェイスステーション１３ｂの上部には、露光装置から搬送されたウエハＷが乾燥しないように第２インターフェイスステーション１３ｂまたはインターフェイスステーション１３を加湿する加湿部２４が設けられている。
【００３８】
ウエハＷにレジストを塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）や、露光装置１４による露光後のレジスト膜を現像する現像ユニット（ＤＥＶ）等の各ユニットを有する処理ステーション１２と、レジスト塗布後で露光前のウエハＷを洗浄する前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および露光後で現像前のウエハＷを洗浄する後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）を有するインターフェイスステーション１３とは、レジスト塗布・現像部を構成している。
【００３９】
露光装置１４は、インターフェイスステーション１３から搬送されたウエハＷを載置するインステージ１４ａと、インターフェイスステーション１３に搬送されるウエハＷを載置するアウトステージ１４ｂと、ウエハＷに形成されたレジスト膜を所定の液体に浸漬させた状態でレジスト膜を露光する液浸露光部３０と、インステージ１４ａ、液浸露光部３０およびアウトステージ１４ｂの間でウエハＷを搬送するウエハ搬送機構２５とを有している。
【００４０】
図２に示すように、カセットステーション１１の下部には、後述する高屈折率液体循環機構９などを含むこのパターン形成装置１全体を制御する集中制御部１９が設けられている。この集中制御部１９は、図４に示すように、パターン形成装置１の各ユニットおよび各搬送機構等の各構成部を制御する、マイクロプロセッサを備えたプロセスコントローラ７１を有し、このプロセスコントローラ７１には、オペレータがパターン形成装置１の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、パターン形成装置１の各構成部の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース７２と、パターン形成装置１で実行される各種処理をプロセスコントローラ７１の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じてパターン形成装置１の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納された記憶部７３が接続されている。レシピは記憶部７３の中の記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。
【００４１】
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース７２からの指示等にて任意のレシピを記憶部７３から呼び出してプロセスコントローラ７１に実行させることで、プロセスコントローラ７１の制御下で、パターン形成装置１での所望の処理が行われる。なお、各処理ユニットには下位のユニットコントローラが設けられており、これらコントローラがプロセスコントローラ７１の指令に基づいて各ユニットの動作制御を行うようになっている。
【００４２】
このように構成されたパターン形成装置１においては、まず、ウエハ搬送部１１ｃの搬送ピック１１ｄにより、ウエハカセット（ＣＲ）から１枚のウエハＷを取り出し、処理ステーション１２の第３処理ユニット群Ｇ３に設けられたトランジションユニットに搬送する。次に、第１および第２主搬送部Ａ１、Ａ２により、レシピの順序に従って、第１〜５処理ユニット群Ｇ１〜５の所定のユニットにウエハＷを順次搬送し、ウエハＷに一連の処理を施す。ここでは、例えば、アドヒージョンユニットでのアドヒージョン処理、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）でのレジスト膜の形成、トップコーティングユニット（ＩＴＣ）での保護膜の形成、プリベークユニットでのプリベーク処理を順次行う。また、アドヒージョン処理に代えてボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）での反射防止膜の形成を行う場合もあり、レジスト膜上に反射防止膜を形成し、反射防止膜上に保護膜を形成する場合もある。
【００４３】
処理ステーション１２でのウエハＷの一連の処理が終了し、ウエハＷを第５処理ユニット群Ｇ５に設けられたトランジションユニットに搬送したら、第１ウエハ搬送体２１により、ウエハＷを周辺露光装置（ＷＥＥ）、イン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）、前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および高精度温調ユニット（ＣＰＬ）に順次搬送し、ウエハＷに一連の処理を施す。次に、ウエハＷを、第２ウエハ搬送体２２によって露光装置１４のインステージ１４ａに搬送し、さらにウエハ搬送機構２５によって液浸露光部３０に搬送し、液浸露光部３０でウエハＷに露光処理を施す。
【００４４】
液浸露光部３０での露光後、ウエハ搬送機構２５によってウエハＷをアウトステージ１４ｂに搬送する。次に、第２ウエハ搬送体２２によってウエハＷを後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）に搬送し、ウエハＷを洗浄する。続いて、第１ウエハ搬送体２１によりウエハＷを第５処理ユニット群Ｇ５に設けられたトランジションユニットに搬送したら、第１および第２主搬送部Ａ１、Ａ２により、レシピの順序に従って、第１〜５処理ユニット群Ｇ１〜５の所定のユニットにウエハＷを順次搬送し、ウエハＷに一連の処理を施す。ここでは、例えば、ポストエクスポージャーベークユニットでのポストエクスポージャーベーク処理、現像ユニット（ＤＥＶ）での現像処理、ポストベークユニットでのポストベーク処理を順次行う。そして、ウエハＷを、第３処理ユニット群Ｇ３に設けられたトランジションユニットに搬送した後、カセットステーション１１のウエハカセット（ＣＲ）へと搬送することとなる。
【００４５】
次に、露光装置１４の液浸露光部３０、前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）について詳細に説明する。
【００４６】
図５はパターン形成装置１に設けられたインターフェイスステーション１３および露光装置１４の要部を示す概略図であり、図６は露光装置１４に設けられた液浸露光部３０の概略断面図であり、図７はインターフェイスステーション１３に設けられた前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）の概略断面図である。
【００４７】
液浸露光部３０は、ウエハＷを純水（屈折率１．４４）よりも高屈折率を有する液体、より好ましくは屈折率１．５以上の液体、例えば環状炭化水素骨格を基本とする化合物からなる液体（屈折率１．６３）である高屈折率液体に浸漬させた状態でレジスト膜を所定のパターンに露光する、いわゆる液浸露光を行うように構成されている。前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）、後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）はいずれも、液浸露光部３０で用いられたものと同じまたは同種の高屈折率液体を用いてウエハＷを洗浄するように構成されている。これに伴い、インターフェイスステーション１３および露光装置１４にかけては、図５に示すように、液浸露光部３０と前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）との間で高屈折率液体を循環使用するための高屈折率液体循環機構９（高屈折率液体循環システム）が設けられている。
【００４８】
高屈折率液体循環機構９は、液浸露光部３０での使用後の高屈折率液体を前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）に移送する第１の移送ライン４１と、前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）での使用後の高屈折率液体を液浸露光部３０に移送する第２の移送ライン４２と、この第２の移送ライン４２内の高屈折率液体を再生するための液体再生機構５とを備えている。
【００４９】
図６に示すように、液浸露光部３０は、図示しない開閉可能なチャンバーと、このチャンバー内に収容されたウエハＷが載置されるステージ３１と、図示しない光源からの露光光で照明されたマスクのパターン像をステージ３１上のウエハＷに投影露光する投影レンズ３２と、ステージ３１上のウエハＷと投影レンズ３２との間に、露光液としての高屈折率液体を供給する供給口３３、およびこの露光液を回収する回収口３４が形成された露光液流通部材３５とを備えている。
【００５０】
ステージ３１は、水平方向に移動可能、かつ微小回転可能に設けられている。また、ステージ３１は、載置されたウエハＷを囲むように環状突出部３６を有し、この環状突出部３６により、載置されたウエハＷを保持するとともに、ウエハＷに供給された露光液の流出を防止できるように構成されている。投影レンズ３２は、マスクのパターン像を所定の倍率でウエハＷに投影露光するように構成されている。なお、光源からの露光光としては、ＫｒＦエキシマレーザ光等の遠紫外光やＡｒＦエキシマレーザ光等の真空紫外光などが用いられる。露光液流通部材３５は、投影レンズ３２の先端部はたは下端部の周囲に環状に設けられており、供給口３３および回収口３４がそれぞれ、下部に周方向に間隔をあけて複数形成されている。また、露光液流通部材３５は、各供給口３３が第２の移送ライン４２内と連通するように、かつ、各回収口３４が第１の移送ライン４１内と連通するように、第１および第２の移送ライン４１、４２に接続されている。これにより、第２の移送ライン４２によって移送された露光液が各供給口３３から供給されるとともに、各回収口３４を介して回収された露光液が第１の移送ライン４１に送られるように構成されている。
【００５１】
このように構成された液浸露光部３０においては、ウエハ搬送機構２５によってウエハＷがステージ３１上に載置されると、必要に応じてステージ３１および／またはマスクを水平に動かしつつ、露光液流通部材３５の各供給口３３からウエハＷと投影レンズ３２との間に高屈折率液体を供給しながら、投影レンズ３２によってマスクのパターン像をウエハＷに投影することにより、ウエハＷに液浸露光処理を施す。この際に、ウエハＷと投影レンズ３２との間に供給された高屈折率液体を各回収口３４から第１の移送ライン４１によって回収する。本実施形態では、高屈折率液体を用いて液浸露光を行うため、露光波長を著しく短くすることができ、これにより高解像度を得ることができる。液浸露光を所定の時間行ったら、露光液の供給を停止し、ウエハ搬送機構２５によってウエハＷをステージ３１からアウトステージ１４ｂに搬送する。
【００５２】
図７に示すように、前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）は、ウエハＷを収容するチャンバー６０と、チャンバー６０内でウエハＷを水平に保持して回転させるスピンチャック６１と、昇降して第１ウエハ搬送体２１または第２ウエハ搬送体２２とスピンチャック６１との間でウエハＷの受け渡しを行う昇降ピン６２と、スピンチャック６１に保持されたウエハＷに高屈折率液体からなる洗浄液および窒素ガス等のパージガスを吐出して供給するシャワーヘッド６３と、シャワーヘッド６３にパージガスを移送するパージガス移送機構６８と、ウエハＷからこぼれ落ちた、あるいは振り切られた洗浄液を受け止める回収カップ６４とを備えている。
【００５３】
チャンバー６０の例えば側壁には、ウエハＷを搬入出する第１ウエハ搬送体２１または第２ウエハ搬送体２２が通過可能な搬入出口６５が形成されているとともに、この搬入出口６５を開閉可能なシャッター６５ａが設けられている。昇降ピン６２は、昇降機構６６によって昇降可能であり、チャンバー６０内に進入した第１ウエハ搬送体２１または第２ウエハ搬送体２２とスピンチャック６１との間でウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。スピンチャック６１は、ウエハＷの裏面（下面）の中央部を真空吸着することによりウエハＷを保持し、モータ等の回転機構６７によって回転するように構成されている。シャワーヘッド６３は、第１の移送ライン４１に接続され、この第１の移送ライン４１によって移送された洗浄液を、スピンチャック６１に保持されたウエハＷの表面（上面）に供給するように構成されている。回収カップ６４は、スピンチャック６１に保持されたウエハＷを囲繞するように設けられ、第２の移送ライン４２に接続されており、受け止めた洗浄液を第２の移送ライン４２に送るように構成されている。
【００５４】
なお、後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）は、前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）と等しい構成を有している。
【００５５】
このように構成された前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）においては、まず、搬入出口６５からチャンバー６０内にウエハＷが搬入されると、昇降機構６６を昇降させてウエハＷをスピンチャック６１に受け渡し、シャッター６５ａによって搬入出口６５を閉塞する。次に、スピンチャック６１によってウエハＷを回転させつつ、シャワーヘッド６３からウエハＷに洗浄液を供給してウエハＷを洗浄し、その後、ウエハＷを回転させつつ、シャワーヘッド６３からウエハＷにパージガスを供給してウエハＷを乾燥させる。この間に、ウエハＷからこぼれ落ちた、あるいは振り切られた洗浄液は、回収カップ６４によって受け止められ、第２の移送ライン４２によって回収される。ウエハＷの乾燥が終了したら、シャッター６５ａによって搬入出口６５を開放する。その後、ウエハＷが搬入出口６５からチャンバー６０外に搬出されることとなる。本実施形態では、液浸露光での露光液として用いられるものと同じまたは同種の高屈折率液体を洗浄液として用いて液浸露光前のウエハＷの洗浄を行うため、ウエハＷの露光液に対する親和性を向上させることができ、これにより、洗浄液の残渣に起因する液浸露光の際のレジスト膜へのバブルや液残り等の発生を防止することが可能となる。
【００５６】
また、高屈折率液体は粘性が大きい（純水よりも大きい）ため、液浸露光時にウエハＷに付着しやすく、従来の液浸露光後の純水等による洗浄では除去しにくいが、本実施形態では、液浸露光で用いられるものと同じまたは同種の高屈折率液体を洗浄液として用いて液浸露光後のウエハＷの洗浄を行うため、シャワーヘッド６３から吐出される高屈折率液体の液圧および粘性を利用して、ウエハＷに付着した高屈折率液体からなる露光液を十分に除去することが可能となる。
【００５７】
図５に示すように、第１の移送ライン４１は、上流側に設けられた、高屈折率液体を貯留する第１の貯留タンク４１ａと、下流側に設けられた、高屈折率液体を貯留する第２の貯留タンク４１ｂと、液浸露光部３０で使用された高屈折率液体を第１の貯留タンク４１ａに送る第１のポンプ４１ｃと、第１の貯留タンク４１ａに貯留された高屈折率液体を第２の貯留タンク４１ｂに送る第２のポンプ４１ｄと、第２の貯留タンク４１ｂに貯留された高屈折率液体を前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）に送る第３のポンプ４１ｅと、第１の貯留タンク４１ａに送られる高屈折率液体の流量を調整する第１のバルブ４１ｆと、前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）に送られる高屈折率液体の流量を調整する第２のバルブ４１ｇと、後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）に送られる高屈折率液体の流量を調整する第３のバルブ４１ｈとを有している。第２の移送ライン４２は、上流側に設けられた、高屈折率液体を貯留する第１の貯留タンク４２ａと、下流側に設けられた、高屈折率液体を貯留する第２の貯留タンク４２ｂと、前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）で回収された高屈折率液体を第１の貯留タンク４２ａに送る第１のポンプ４２ｃと、第１の貯留タンク４２ａに貯留された高屈折率液体を第２の貯留タンク４２ｂに送る第２のポンプ４２ｄと、第２の貯留タンク４２ｂに貯留された高屈折率液体を液浸露光部３０に送る第３のポンプ４２ｅと、液浸露光部３０に送られる高屈折率液体の流量を調整するバルブ４２ｆとを有している。
【００５８】
高屈折率液体は一般的に揮発性が高いため、第１の貯留タンク４１ａ、４２ａおよび第２の貯留タンク４１ｂ、４２ｂにはそれぞれ、高屈折率液体が揮発しないように、高屈折率液体よりも比重が小さく、かつ高屈折率液体と分離する水等の揮発防止液Ｃが貯留されている。
【００５９】
第２のポンプ４１ｄ、４２ｄはそれぞれ、例えば、第１の貯留タンク４１ａ、４２ａ内の高屈折率液体が所定量以上になった際に、第１の貯留タンク４１ａ、４２ａ内の高屈折率液体を第２の貯留タンク４１ｂ、４２ｂに送るように構成される。
【００６０】
第２の貯留タンク４１ｂ、４２ｂにはそれぞれ、この第２の貯留タンク４１ｂ、４２ｂに新たな高屈折率液体を補充するための新液供給ライン４３、４４が接続されている。新液供給ライン４３、４４はそれぞれ、例えば、第１の貯留タンク４１ａ、４２ａ内の高屈折率液体が所定量以下であり、かつ、第２の貯留タンク４１ｂ、４２ｂ内の高屈折率液体が所定量以下になった際に、所定の温度に調整された新たな高屈折率液体を第２の貯留タンク４１ｂ、４２ｂに補充するように構成される。
【００６１】
第１の貯留タンク４１ａ、第１のポンプ４１ｃおよび第１のバルブ４１ｆを含む第１の移送ライン４１の上流側端部は、液浸露光部３０で用いられた高屈折率液体を回収する第１の回収部４ａを構成し、第２の貯留タンク４１ｂ、第３のポンプ４１ｅ、第２のバルブ４１ｇおよび第３のバルブ４１ｈを含む第１の移送ライン４１の下流側端部は、第１の回収部によって回収された高屈折率液体を前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）にそれぞれ供給する第１の供給部４ｂを構成している。また、第１の貯留タンク４２ａおよび第１のポンプ４２ｃを含む第２の移送ライン４２の上流側端部は、前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）でそれぞれ用いられた高屈折率液体を回収する第２の回収部４ｃを構成し、第２の貯留タンク４２ｂ、第３のポンプ４２ｅ、およびバルブ４２ｆを含む第２の移送ライン４２の下流側端部は、第２の回収部によって回収された高屈折率液体を液浸露光部３０に供給する第２の供給部４ｄを構成している。
【００６２】
液体再生機構５は、第１の移送ライン４１および第２の移送ライン４２内の高屈折率液体をそれぞれろ過するフィルター５１と、第２の移送ライン４２内の高屈折率液体を脱気する脱気部５２と、第２の移送ライン４２内の高屈折率液体を所定の温度に調整する温調機構５３とを有している。
【００６３】
フィルター５１は、液浸露光部３０への供給前の高屈折流体、ならびに前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）への供給前の高屈折流体をろ過するように、例えば、第１の移送ライン４１の第２の貯留タンク４１ｂよりも下流側ならびに第２の移送ライン４２の第２の貯留タンク４２ｂよりも下流側に設けられる。脱気部５２は、例えば、第１の貯留タンク４２ａ内の高屈折流体を脱気するように第１の貯留タンク４２ａに設けられる。温調機構５３は、例えば、第１の貯留タンク４２ａ内の高屈折率液体を所定の温度近傍に調整する第１の温調部５３ａと、第１の温調部５３ａによって所定の温度近傍に調整された高屈折率液体を第２の貯留タンク４２ｂ内で所定の温度に調整する第２の温調部５３ｂとから構成される。
【００６４】
このように構成された高屈折率液体循環機構９においては、高屈折率液体が、液浸露光部３０から第１の回収部４ａに回収された後、第１の供給部４ｂにより前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）にそれぞれ供給されて洗浄に供され、前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）から第２の回収部４ｃに回収された後、第２の供給部４ｄにより液浸露光部３０に供給されて液浸露光に供され、液浸露光部３０と前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）との間で循環されることとなる。
【００６５】
インターフェイスステーション１３には、高屈折率液体の揮発成分を捕集する捕集機構６が設けられている。露光装置１４（または液浸露光部３０）は、インターフェイスステーション１３よりも陽圧に保持されており、また、前述のように高屈折率液体は揮発性が高いため、高屈折率液体の揮発成分は、インターフェイスステーション１３内ならびにインターフェイスステーション１３を介して処理ステーション１２内に侵入しやすい。高屈折率液体の揮発成分が処理ステーション１２内に侵入すると、ウエハＷに悪影響を与えるおそれがある。そこで、本実施形態では、インターフェイスステーション１３内の高屈折率液体の揮発成分、ならびに露光装置１４からインターフェイスステーション１３内に侵入しようとする高屈折率液体の揮発成分を捕集機構６によって捕集するように構成したため、ウエハＷへの悪影響を回避することができる。捕集機構６によって捕集した高屈折率を有する液体の揮発成分は、除害して廃棄してもよいが、ここでは、揮発成分のうちの有機成分のみを抽出し、この有機成分を、供給ライン６０を介して第１の移送ライン４１および第２の移送ラインの少なくとも一方に供給することにより、高屈折率液体のリサイクル効率を一層高めることができる。なお、捕集機構６は、例えば、高屈折率液体の揮発成分から有機成分を取り除いたエアを装置外に排出するように構成することができる。
【００６６】
本実施形態では、前述のように、露光装置１４または液浸露光部３０による高屈折率液体を用いた液浸露光処理前および液浸露光処理後のウエハＷを、高屈折率液体を用いて洗浄する前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）を設けたため、ウエハＷの露光液に対する親和性を向上させることができるとともに、ウエハＷから露光液を十分に除去することができ、これにより、ウエハＷへの処理ムラの発生を防止することが可能となる。
【００６７】
その一方で、本実施形態では、第１の移送ライン４１により露光装置１４または液浸露光部３０で用いられた高屈折率液体を回収して前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）に供給するとともに、第２の移送ライン４２により前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）で用いられた高屈折率液体を回収して液浸露光部３０に供給するように構成したため、液浸露光部３０と前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）との間で高屈折率液体を循環リサイクルして、高屈折率液体からなる露光液および洗浄液の使用量を少なく抑えることができるとともに、露光装置１４または液浸露光部３０で用いられた露光液を再生するための機構ならびに処理と、前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）で用いられた洗浄液を再生するための機構ならびに処理とを個別に必要とするといったことを回避することができる。これにより、循環中の高屈折率液体を再生するための脱気部５２および温調機構５３を、第１の移送ライン４１および第２の移送ライン４２のいずれか一方、例えば第２の移送ライン４２のみに設けるだけですむ。したがって、環境面に優れるとともに、原料コストの低減を図ることができ、その上、クラスターツールとしての装置の簡素化を図ることが可能となる。
【００６８】
また、本実施形態では、第１の移送ライン４１および第２の移送ラインに高屈折率液体を一時的に貯留する貯留タンク４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｂを設けるとともに、貯留タンク４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｂの高屈折率液体を水等の揮発防止液Ｃで封じ込める水封式で構成したため、高屈折率液体の揮発を防止してリサイクル効率を高めることができる。
【００６９】
また、本実施形態では、第２の移送ライン４２内の高屈折率液体をろ過するフィルター５１と、第２の移送ライン４２内の高屈折率液体を脱気する脱気部５２と、第２の移送ライン４２内の高屈折率液体を所定の温度に調整する温調機構５３とを設けたため、液浸露光部３０で使用される露光液を新鮮な状態に保つことができ、これにより、露光液の温度や清浄度等に大きく影響を受ける液浸露光処理の品質を高く保つことができる。
【００７０】
さらに、本実施形態では、温調機構５３を、第２の移送ライン４２の上流側から下流側に向かって順に、高屈折率液体を所定の温度近傍にラフに調整する第１の温調部５３ａと、第１の温調部５３ａによって所定の温度近傍に調整された高屈折率液体を所定の温度に精緻に調整する第２の温調部５３ｂとから構成したため、液浸露光部３０で使用される露光液を所望の温度に確実に調整することができ、これにより、液浸露光処理の品質を一層高く保つことができる。
【００７１】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。上記実施形態では、露光部と前洗浄ユニットおよび後洗浄ユニットとの間で高屈折率液体を循環させるように構成したが、これに限らず、露光部と前洗浄ユニットまたは後洗浄ユニットとの間のみで高屈折率液体を循環させるように構成してもよい。また、脱気部および温調機構は、第２の移送ラインのみに限らず、第１の移送ラインに設けてもよい。さらに、洗浄ユニットおよび高屈折率液体循環機構を例えば露光装置に一体的に設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明に係る基板処理装置の一実施形態としてのパターン形成装置の概略平面図である。
【図２】パターン形成装置の概略斜視図である。
【図３】パターン形成装置に設けられたインターフェイスステーションの概略斜視図である。
【図４】図１に示すパターン形成装置の制御系を示すブロック図。
【図５】パターン形成装置に設けられたインターフェイスステーションおよび露光装置の要部を示す概略図である。
【図６】露光装置に設けられた露光部の概略断面図である。
【図７】インターフェイスステーションに設けられた前洗浄ユニットの概略断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１：パターン形成装置
４ａ：第１の回収部
４ｂ：第１の供給部
４ｃ：第２の回収部
４ｄ：第２の供給部
５：液体再生機構
６：捕集機構
９：高屈折率液体循環機構（高屈折率液体循環システム）
１２：処理ステーション
１３：インターフェイスステーション
１４：露光装置
２１：第１ウエハ搬送体（搬送機構）
２２：第２ウエハ搬送体（搬送機構）
３０：液浸露光部（液浸露光装置）
４１：第１の移送ライン
４２：第２の移送ライン
４１ａ、４２ａ：第１の貯留タンク
４１ｂ、４２ｂ：第２の貯留タンク
５１：フィルター
５２：脱気部
５３：温調機構
５３ａ：第１の温調部
５３ｂ：第２の温調部
Ｗ：ウエハ（基板）
ＣＯＴ：レジスト塗布ユニット（レジスト塗布部：レジスト塗布装置）
ＤＥＶ：現像ユニット（現像部：現像装置）
ＰＯＣＬＮ：後洗浄ユニット（洗浄部：洗浄装置）
ＰＲＥＣＬＮ：前洗浄ユニット（洗浄部：洗浄装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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