(57)【要約】【課題】遮断器の遮断動作制御装置は、一定時間内に遮断動作が終了しない場合に異常を出力するだけで、異常を未然に防ぐことはできないという課題があった。【解決手段】遮断部５と接続されたプランジャ３と、プランジャ３を電磁力により移動させるコイル５２Ｔと、電磁力を増加又は減少するためのサブコイル５２Ｔｓと、コイルに流れる電流を計測するコイル電流センサＣＴ１と、コイル電流センサＣＴ１による計測電流から、コイル５２Ｔの正常動作時の電流値と、計測電流値との差を一定範囲にするように、サブコイル５２Ｔｓへ電流を出力する制御回路１４、１８とを備えて遮断投入動作制御装置を構成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
遮断部と接続されたプランジャと、
前記プランジャを電磁力により移動させるメインコイルと、
前記電磁力を増加又は減少するためのサブコイルと、
前記メインコイルに流れる電流を計測する電流センサと、
前記電流センサによる計測電流値と、前記メインコイルの正常動作時の正常電流値とを比較して、異常を判断する制御回路と、
を有することを特徴とする遮断投入動作制御装置。
【請求項２】
前記制御回路は、前記計測電流値と前記正常電流値との差を一定範囲にするように、前記サブコイルへの電流を制御する請求項１に記載の遮断投入動作制御装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の遮断投入動作制御装置と、
前記遮断部と前記プランジャとを直接接続する接続部と、
を有する遮断器。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の遮断投入動作制御装置と、
前記遮断部と前記プランジャとを機械的操作機構で接続する機械的操作機構部と、
を有する遮断器。
【請求項５】
遮断部と、
前記遮断部と接続されたプランジャと、
前記プランジャを電磁力により移動させるメインコイルと、
前記電磁力を増加又は減少するためのサブコイルと、
前記メインコイルに流れる電流を計測する電流センサと、
前記サブコイルを制御する制御回路と、
を有する遮断器における遮断投入動作制御方法であって、
前記制御回路は、前記電流センサによる計測電流値と、前記メインコイルの正常動作時の正常電流値とを比較するステップを有することを特徴とする遮断投入動作制御方法。
【請求項６】
前記制御回路は、前記計測電流値と前記正常電流値との差を一定範囲にするように、前記サブコイルへの電流を制御するステップをさらに有する請求項５に記載の遮断投入動作制御方法。
【請求項７】
遮断部と、
前記遮断部と接続されたプランジャと、
前記プランジャを電磁力により移動させるメインコイルと、
前記電磁力を増加又は減少するためのサブコイルと、
前記メインコイルに流れる電流を計測する電流センサと、
を有する遮断器に接続されたコンピュータで実行する遮断投入動作制御プログラムであって、
前記電流センサによる計測電流値と、前記メインコイルの正常動作時の正常電流値とを比較する手順を、前記コンピュータに実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、遮断器、遮断投入動作制御装置、及び、遮断動作制御方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電磁操作式遮断器は、その遮断動作の信頼性を確保するため、遮断動作時間を管理し、所定の時間内に遮断動作を終了するか否かを判断する計測手段を有する。その遮断動作時間は、遮断部と連結したプランジャ（可動導体ともいう。）を、電磁力で動かすコイルの励起電流を検知することで、遮断動作開始時を検知し、遮断器と連動して動作する補助接点からの入力信号から遮断動作終了時を検知することで、計測する。
【０００３】
上記のような計測装置として、図１に示すような、投入又は遮断コイルに電流の立ち上がりを、交流用ＣＴ（Current Transformer）を使用して検出する装置が開示されている（特許文献１）。この計測装置１は、遮断器の投入及び遮断動作時に、投入コイル５２Ｃ又は遮断コイル５２Ｔに流れる電流の立ち上がりを交流用ＣＴにより検出し、この電流の立ち上がり検出時点から遮断器と連動して動作する補助接点５２ａ、５２ｂの動作時までの時間Ｔを計測する。計測装置１は、計測時間Ｔが遮断器動作時間の基準値内にあるか否かを判断することで、プランジャの動力を遮断器に伝える遮断器操作器の異常を判断する。
【０００４】
【特許文献１】実公平第７−５０７１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、遮断器の動作時間を計測するだけでは、遮断器の動作不良は検知できるが、その動作不良を未然に検知し、遮断器の遮断動作を完了するための対処ができていない。遮断器は、保護継電器と連携し事故電流などの遮断により負荷側の設備の保護をするとともに、上流側への事故波及を防止する重要な電力機器であるため、遮断器が遮断動作を完了できないことは、負荷側の設備に多大な影響を与えることになる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の課題を解決するために、本発明に係る遮断動作制御装置は、遮断部と接続されたプランジャと、プランジャを電磁力により移動させるメインコイルと、電磁力を増加又は減少するためのサブコイルと、メインコイルに流れる電流を計測する電流センサと、電流センサによる計測電流値と、メインコイルの正常動作時の正常電流値とを比較して、異常を判断する制御回路と、を有する遮断投入動作制御装置を提供する。
【０００７】
上記の制御回路は、計測電流値と正常電流値との差を一定範囲にするように、サブコイルへの電流を制御することが可能である。
【０００８】
また、本発明に係る遮断投入動作制御方法は、遮断部と、遮断部と接続されたプランジャと、プランジャを電磁力により移動させるメインコイルと、電磁力を増加又は減少するためのサブコイルと、メインコイルに流れる電流を計測する電流センサと、サブコイルを制御する制御回路と、を有する遮断器における遮断投入動作制御方法であって、制御回路は、電流センサによる計測電流値と、メインコイルの正常動作時の正常電流値とを比較するステップを有する遮断投入動作制御方法を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、電磁操作式遮断器の制御回路において、投入及び遮断コイル回路にそれぞれ設けた１個あるいは２個の電流センサにより、遮断器動作時に投入又は遮断コイルに流れるコイル励磁電流を計測し、正常時のコイル励磁電流と比較することで異常を未然に検知することができる。
【００１０】
また、上記の制御回路は、上記異常を未然に検知し、かつ、投入又は遮断コイルによる電磁力の増加又は減少のために、投入又は遮断サブコイルに電流を流すことで投入又は遮断動作に要する電磁力を制御するようにしたので、遮断器の投入又は遮断動作時間を常時規定値内に収め、遮断器の動作不良時の回避が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図２は、本発明の一実施形態による遮断動作制御装置の回路図である。遮断動作制御装置１０は、遮断制御電流回路１１に接続されており、遮断コイル用制御電圧Ｐ１で、遮断器（図示しない）の遮断動作を制御する装置である。遮断器の投入状態においては、遮断器と連動して動作する補助接点５２ａが閉じた状態であり、遮断動作制御装置１０は、補助接点５２ａの導通により、遮断器の投入状態を検知可能であり、また、補助接点５２ｂが導通すると、遮断器の遮断状態を検知できる。
【００１２】
遮断動作制御装置１０は、遮断コイル５２Ｔ、遮断サブコイル５２Ｔｓ、遮断コイル５２Ｔの励磁電流を計測するための交流用電流センサＣＴ１、遮断サブコイル５２Ｔｓの励磁電流を計測するための交流用電流センサＣＴ２、演算制御回路１４、サブコイル電流制御回路１８を有する。また、電流センサＣＴ１の代わりに、交流用電流センサＣＴ３を設けても良い。
【００１３】
遮断コイル５２Ｔ及び遮断サブコイル５２Ｔｓは、図示しないプランジャの周囲に配置される。遮断コイル５２Ｔは、スイッチＳＷ１１が閉じる（遮断指令が発生する）と動作するように、制御電圧Ｐ１と接地電圧Ｎに接続される。遮断サブコイル５２Ｔｓは、遮断コイル５２Ｔを補助して、遮断動作を正常に行うための異常処理を主目的としたサブコイルである。遮断サブコイル５２Ｔｓは、サブコイル電流制御回路１８により電流制御されて作動する。
【００１４】
演算制御回路１４は、マイクロプロセッサ１５、Ｉ／Ｏ変換器１６、ＡＤＣ（アナログデジタル変換器）１７を有する。演算制御回路１４は、遮断コイル５２Ｔの電流値から、遮断動作の異常を検出し、その異常対応処理として、遮断サブコイル５２Ｔｓを制御するための回路である。演算制御回路１４は、同時にその異常を図示しない画面や表示機に表示し、図示しない通信手段から、ネットワーク接続の外部コンピュータ等に、その異常を送信しても良い。
【００１５】
Ｉ／Ｏ変換器１６は、補助接点５２ａ、５２ｂと接続され、その補助接点の開閉情報をマイクロプロセッサ１５に伝送する。ＡＤＣ１７は、電流センサＣＴ１、ＣＴ２からのアナログ信号をデジタル信号に変換し、マイクロプロセッサ１５に伝送する。
【００１６】
マイクロプロセッサ１５は、電流センサＣＴ１からの信号を演算して、遮断コイル用制御電圧Ｐ１の電圧値と、遮断コイルに流れる電流値を求める。また、マイクロプロセッサ１５は、正常時の電流値と、実際の遮断コイル５２Ｔの電流値とを比較し、その電流値の差がある閾値を越えた場合は、異常処理として遮断サブコイル５２Ｔｓを作動する制御を行う。上記の正常電流値は、プランジャや、その接続機器との関係から必要な電磁力が変わるために、予め計算又は測定した結果により導き、図示しないメモリに格納しておくことが好ましい。
【００１７】
マイクロプロセッサ１５は、電流センサＣＴ２からの信号を演算して、遮断サブコイル５２Ｔｓに流れる電流から、異常を定量的に判断することができる。
【００１８】
サブコイル電流制御回路１８は、演算制御回路１４からの制御信号に基づいて、遮断サブコイル５２Ｔｓ用の制御電流を制御する回路である。
【００１９】
このように、遮断コイル５２Ｔに流れる電流値を計測し、遮断サブコイル５２Ｔｓにより電磁力を増加又は減少することで、遮断器の異常を未然に検知し、異常対応処理を行うことが可能となる。
【００２０】
また、上述においては、遮断コイル５２Ｔ、遮断サブコイル５２Ｔｓを有する遮断動作制御装置１０を説明したが、投入動作においては、同一回路を投入コイル５２Ｃ、投入サブコイル５２Ｃｓとして適用すれば、図２に示した回路図で投入動作制御装置が提供可能である。
【００２１】
図３は、本発明の一実施形態による遮断動作制御装置を用いたバネ投入バネ遮断型（間接駆動型）遮断器を示す図である。遮断動作は遮断コイル５２Ｔ、５２Ｔｓ内のプランジャ動作により遮断ハッカ８Ｂを解錠することで遮断バネ９Ｂを開放し行われる。一方、投入動作は投入コイル５２Ｃ、５２Ｃｓ内のプランジャ動作に投入により投入ハッカ８Ａを解錠することで投入バネ９Ａを開放し行われる。ここで、サブコイルの作動が要求される場合は、ハッカが固着し所定の動作を得られないときや、プランジャがコイル内に引っかかって動きにくいとき等である。
【００２２】
図４は、本発明の一実施形態による遮断動作制御装置を用いた電磁投入コイル付間接駆動型遮断器を示す図である。図４（ａ）は、投入状態の電磁投入コイル付間接駆動型遮断器４２を示し、図４（ｂ）は、遮断状態の電磁投入コイル付間接駆動型遮断器４２を示す。遮断コイル５２Ｔと、遮断サブコイル５２Ｔｓは、プランジャ３を取り囲むように配置される。投入状態において、動作機構部４Ａは、鎖錠ピン６により支えられている。プランジャ３が、遮断コイル５２Ｔによりコイル内に吸入されると、引外しレバー７が時計回りに回転し、鎖錠ピン６と動作機構部４Ａとの係合が解除され、動作機構部４Ａは反時計回りに、上方向に移動する。その動作機構部４Ａの動きに伴い、遮断部５は遮断状態となる。また、遮断状態から投入状態への移行は、投入コイル９による電磁力で、投入プランジャ３Ａが下方に移動することで行われる。
【００２３】
動作機構部４Ａを有する電磁投入コイル付間接駆動型遮断器４２は、遮断コイル５２Ｔは、遮断動作のトリガー的な処理を行うため、遮断コイル５２Ｔは、大きな電磁力を発生する必要は無い。そのため、遮断サブコイル５２Ｔｓも、大きな電磁力を発生する必要はない。一方、投入状態に移行するには、大きな電磁力が必要となるので、図示のように、投入コイル９は、遮断コイル５２Ｔと比べて大形となる。
【００２４】
電磁投入コイル付間接駆動型遮断器４２において、遮断コイル５２Ｔの補助として遮断サブコイル５２Ｔｓの作動が要求される場合は、遮断コイル５２Ｔが引外しレバー７が十分に回転せず、鎖錠ピン６の係合をとることが出来ないときや、引外しレバー７は容易に回転するが、鎖錠ピン６の係合がとれない場合、又は、プランジャ３がコイル内にひっかかって動きにくい場合等である。また、図４に示すように、投入コイル５２Ｃ側に投入サブコイル５２Ｃｓを適用し、投入動作制御を行っても良い。このようにすることで、バネ駆動を用いず、投入動作でも直接駆動が可能になる。
【００２５】
図５は、本発明の一実施形態による遮断動作制御装置を用いた直接駆動型遮断器を示す図である。直接駆動型遮断器４３では、コイルの大電磁力によりバネ駆動を用いない、遮断及び投入動作が可能になる。（ａ）は、投入状態の直接駆動型遮断器４３を示し、（ｂ）は、遮断状態の直接駆動型遮断器４３を示す。遮断コイル５２Ｔと、遮断サブコイル５２Ｔｓは、プランジャ３を取り囲むように配置される。プランジャ３の移動と共に動作機構部４Ａが移動し、その動作機構部４Ａと接続された遮断部５が遮断動作を行う。
【００２６】
図５の遮断コイル５２Ｔは、図４の遮断コイル５２Ｔと異なり、遮断部５の遮断動作を全て制御するように動作し、かつ、投入動作も行う。そのため、直接駆動型遮断器４３は、投入動作専用の投入コイルを必要としない。投入動作においては、プランジャ３は、コイルから放出するように動作し、それに伴い、動作機構部４Ａが遮断部５を投入状態にする。図４の電磁投入コイル付間接駆動型遮断器４２と異なり、遮断動作全般においてプランジャ３の動作が遮断器動作に関係を持つこととなるため、遮断コイル５２Ｔは、プランジャ３に対してより大きな電磁力を与える必要がある。
【００２７】
さらに、遮断コイル５２Ｔは、投入動作も行う必要があり、この点においても、遮断動作のみが要求されるコイルと比べて、プランジャ３に対してより大きな電磁力を与える必要がある。なお、遮断コイル５２Ｔにおいて、投入動作を行うためには、図示しない切替スイッチ等により、図２に示した制御電圧Ｐ１と設置電圧Ｎの向きを反転させ、電磁力の向きを反転させれば良い。
【００２８】
直接駆動型遮断器４３において、遮断コイル５２Ｔの補助として遮断サブコイル５２Ｔｓの作動が要求される場合は、動作機構部４Ａのかじり等による不具合が発生した場合や、プランジャ３がコイル内にひっかかって動きにくい場合等である。また、動作機構部４Ａが容易に動きすぎる場合は、遮断サブコイル５２Ｔｓが電磁力を減少するように作動しても良い。
【００２９】
図６は、本発明の一実施形態による遮断動作制御装置を構成する遮断コイルと遮断サブコイルを示す概略図である。図示のように、遮断コイル５２Ｔと遮断サブコイル５２Ｔｓとは、２重コイル構造を構成する。これは、遮断サブコイル５２Ｔｓが遮断コイル５２Ｔの電磁力を増加又は減少するためには、遮断サブコイル５２Ｔｓも遮断コイル５２Ｔに対して、プランジャ３の移動軸において同じ位置にある必要があるからである。従って、図４では、コイル５２Ｔ、５２Ｔｓを形成する被覆銅線が交互に巻かれてそれぞれコイルを形成しているが、遮断コイル５２Ｔの上に遮断サブコイル５２Ｔｓを巻いても良い。
【００３０】
図７は、本発明の一実施形態による遮断動作制御装置を構成するＩＧＢＴを１つ有するサブコイル電流制御回路の回路図である。サブコイル電流制御回路１８は、電源回路２１、パワーデバイスであるＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor（絶縁ゲートバイポールトランジスタ））２２、ＩＧＢＴのゲート電流を制御するＩＧＢＴ駆動回路２３を有する。なお、パワーデバイスは、ＩＧＢＴの他に、ＧＴＯ（ゲートターンオフＳＣＲ）等の他のパワーデバイスも適用可能である。
【００３１】
電源回路２１は、制御電圧Ｐ１を用いて、ＩＧＢＴ駆動回路２３においてＩＧＢＴゲート電流制御に必要な電力を生成する。ＩＧＢＴ駆動回路２３は、演算制御回路１４からのＰＷＭ（Pulse Width Modulation（パルス幅変調））方式の制御信号を受信し、その制御信号に基づいて、ＩＧＢＴ２２をオンさせるときのゲート電流値と、オフさせるときのゲート電流値を出力する。このようなＰＷＭ制御を用いることで、演算制御回路１４は、遮断サブコイル５２Ｔｓに流れる電流を可変することで、電磁力を細かく変化させて制御することができる。
【００３２】
なお、ＩＧＢＴは、自己消弧形で、大電力の高速スイッチングが可能なパワーデバイスである。そのため、図５に示す遮断器のように、遮断動作全般、及び、投入動作を制御し、かつ、プランジャ３に大きな電磁力を発生する遮断サブコイル５２Ｔｓを提供することができる。このように、大電力と高速スイッチング機能を有するＩＧＢＴを適用することで、図５のような大きな電磁力を必要とする遮断器においても、遮断サブコイル５２Ｔｓを適用することが可能である。
【００３３】
図８は、本発明の一実施形態による遮断動作制御装置を構成するＩＧＢＴを４つ有するサブコイル電流制御回路の回路図である。図７では、ＩＧＢＴ２２を１つだけ有するため、遮断サブコイル５２Ｔｓに流す電流は、単一極性である。従って、遮断サブコイル５２Ｔｓは、プランジャ３への電磁力を増加する機能を提供するのみである。しかし、図８においては、４つのＩＧＢＴ２２−１、２２−２、２２−３、２２−４により、遮断サブコイル５２Ｔｓに流す電流の極性を反転することができる。
【００３４】
例えば、ＩＧＢＴ駆動回路２３により、ＩＧＢＴ２２−１、２２−２をオン、ＩＧＢＴ２２−３、２２−４をオフにして、ＩＧＢＴ２２−１のエミッタ電位を、ＩＧＢＴ２２−２のコレクタ電位より高く制御すれば、矢印３１に示すような電流極性を実現できる。同様に、ＩＧＢＴ駆動回路２３により、ＩＧＢＴ２２−３、２２−４をオン、ＩＧＢＴ２２−１、２２−２をオフにして、ＩＧＢＴ２２−３のエミッタ電位を、ＩＧＢＴ２２−４のコレクタ電位より高く制御すれば、矢印３２に示すような電流極性を実現できる。
【００３５】
このように、遮断サブコイル５２Ｔｓに流す電流の極性を反転することにより、遮断コイル５２Ｔｓは、プランジャ３への電磁力を強めるだけではなく、弱めることも可能である。これは、遮断コイル５２Ｔが発生する電磁力により、遮断動作が速くなりすぎた場合に、遮断動作を遅らせることを可能とするものである。
【００３６】
図９は、本発明の一実施形態による遮断動作制御装置を構成する遮断コイルの電流特性を表すグラフである。このグラフを用いて、遮断コイル５２Ｔの電流制御方法について述べる。時間Ａ１は、プランジャ３の動作開始時間である。時間区間Ａにおいて、遮断コイル５２Ｔに電流が流れ始めると、プランジャ３の移動と共に電流値が増加する。時間区間Ｂでは、プランジャ３がコイル内部に引き込まれるため、コイルのインダクタンスの増加により、電流が減少する。時間Ｂ２は、電流の極小値を示すが、Ｂ２を経過し、プランジャ３がコイル内部に完全に移動すると、電磁力の増加と共に電流値が増加する。
遮断コイル５２Ｔの電流特性は、制御電圧により相違する。図９におけるＶ１、Ｖ２、Ｖ３は、Ｖ１＞Ｖ２＞Ｖ３のように電圧が相違するが、電圧が大きいほど時間Ｂ２への到達時間が短くなり、かつ、時間Ｂ２における電流値が大きくなる傾向がある。
【００３７】
図示のような正常時の電流値と、実際の電流センサＣＴ１で検出した電流値が相違する場合、演算制御回路１４は、遮断動作の異常を判断できる。例えば、遮断器操作機構部のかじり等による不具合が発生した場合、コイルに取り付けられたプランジャ３がコイル内部に引き込まれず、あるいは、引き込み速度が遅くなるため、同じ制御電圧でもコイル電流は、正常時と異なる挙動を示すことになる。また、時間区間Ｂにおいて、電流値の減少率や、時間Ｂ２における電流値等の挙動により機械的要因による不具合進展状態、あるいは、不具合状態を知りうることができる。
【００３８】
図１０は、本発明の一実施形態による遮断動作制御装置を構成する遮断サブコイルの電流波形を表すグラフである。上述したように、ＩＧＢＴ等のパワーデバイスによる遮断サブコイル５２Ｔｓへの電流の可変は、ＰＷＭ制御により行うことが可能である。図８（ａ）は、ＰＷＭ周波数５００Ｈｚにおけるオンデューティ比５０％時の電流波形であり、図８（ｂ）は、ＰＷＭ周波数５００Ｈｚにおけるオンデューティ比７５％時の電流波形である。このように、オンデューティ比を変えることで、遮断サブコイル５２Ｔｓに流れるピーク電流値を可変することが可能である。なお、ＩＧＢＴの駆動信号は矩形波パルスであるが、遮断サブコイル５２Ｔｓでは、コイルインダクタンスの影響である時定数をもった波形となる。
【００３９】
また、上述したように、遮断サブコイル５２Ｔｓに流れる電流の向きを変化させることで、電磁力の増加、又は、減少も可能である。従って、ＰＷＭ制御を利用することで、遮断サブコイル５２Ｔｓは、電磁力の可変的な増加減少を行うことが可能である。
【００４０】
上記構成による遮断動作制御装置１０が行う遮断サブコイル制御を、図１１に示す遮断サブコイル制御フローチャートにより説明する。まず、ＳＷ１１が閉じて、遮断制御電流回路１１に制御電流が流れると、電流センサＣＴ１は、電流の立ち上がりを検出し、遮断サブコイル制御を開始する。
【００４１】
ステップＳ１０１では、演算制御回路１４は、電流センサＣＴ１の検出信号から、制御電圧Ｐ１の電圧値を算出し、ステップＳ１０２に進む。演算制御回路１４は、検出信号から、連続的に電流を計算する。
【００４２】
ステップＳ１０２では、算出した電圧値に基づいて計算した電流特性と、実際の測定電流との比較演算を行う。そして、実際の測定電流の変化速度又は電流値が閾値以内かどうかの判断を行う。下限閾値以下の場合は、ステップＳ１０３に進み、上限閾値以上の場合は、ステップＳ１０４に進み、閾値の範囲内の場合はＳ１０５に進む。閾値を超えた場合は、異常警報を表示、あるいは、図示しない他の接続機器に出力しても良い。
【００４３】
ステップＳ１０３では、演算制御回路１４は、遮断サブコイル５２Ｔｓによりプランジャ３に電磁力を補助するために、ＰＷＭ制御信号をサブコイル電流制御回路１８に送信する。サブコイル電流制御回路１８は、ＰＷＭ制御信号に従い、ＩＧＢＴをオン／オフして、遮断サブコイル５２Ｔｓに電流を流す。次にステップＳ１０５に進む。
【００４４】
ステップＳ１０４では、演算制御回路１４は、遮断サブコイル５２Ｔｓによりプランジャ３への電磁力を弱めるために、ＰＷＭ制御信号をサブコイル電流制御回路１８に送信する。サブコイル電流制御回路１８は、ＰＷＭ制御信号に従い、図８に示すＩＧＢＴをオン／オフして、遮断サブコイル５２Ｔｓに、遮断コイル５２Ｔと反対向きの電流を流す。次にステップＳ１０５に進む。
【００４５】
ステップＳ１０５では、演算制御回路１４は、補助接点５２ａが閉じているかどうかを判断する。閉じている場合は、遮断部５が遮断状態となっているため、制御を終了する。閉じていない場合は、遮断部５が遮断状態となっていないため。ステップＳ１０２に戻り再度電流制御を行う。
【００４６】
上述したマイクロプロセッサ１５は、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）を用いることが可能である。ＤＳＰは、音声や画像などの処理に特化したマイクロプロセッサであり、一般的なＣＰＵと比べて低コストであり、かつ、複雑なデジタル処理を効率よく行う機能を有するため、本発明によるマイクロプロセッサ１５に適している。また、上述したマイクロプロセッサ１５は、ＲＩＳＣマイコン等の高速ＣＰＵも適用可能である。
【００４７】
また、遮断器を構成する遮断動作制御装置１０について述べたが、投入コイルに適用することで投入動作制御装置となることは明らかである。さらに、図５で示したように、遮断コイル５２Ｔ及び遮断サブコイル５２Ｔｓは、投入動作を行うことも可能である。そのため、本発明による遮断動作制御装置１０は、遮断投入動作制御装置として開閉器、断路器などにも適用可能である。
【００４８】
以上説明したように、本発明によれば、遮断コイル５２Ｔの電流値を検出することで、遮断器の異常を未然に検出し、遮断サブコイル５２Ｔｓにより、電磁力を増減することで、異常時対応が可能である。また、遮断器や開閉器のような電気設備に広範囲に適用される機器に、本発明のような異常を未然に防ぐ装置が適用されれば、電力産業界において多大な利益をもたらす。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】従来の電磁操作式遮断器の回路図である。
【図２】本発明の一実施形態による遮断動作制御装置の回路図である。
【図３】本発明の一実施形態による遮断器動作制御装置を用いたバネ投入、バネ遮断型の間接駆動型遮断器を示す図である。
【図４】（ａ）は、本発明の一実施形態による遮断動作制御装置を用いた投入状態の電磁投入コイル付間接駆動型遮断器を表す図であり、（ｂ）は、本発明の一実施形態による遮断動作制御装置を用いた遮断状態の電磁投入コイル付間接駆動型遮断器を表す図である。
【図５】（ａ）は、本発明の一実施形態による遮断動作制御装置を用いた投入状態の直接駆動型遮断器を表す図であり、（ｂ）は、本発明の一実施形態による遮断動作制御装置を用いた遮断状態の直接駆動型遮断器を表す図である。
【図６】本発明の一実施形態による遮断コイルと遮断サブコイルを示す図である。
【図７】本発明の一実施形態によるＩＧＢＴを１つ有するサブコイル電流制御回路の回路図である。
【図８】本発明の一実施形態によるＩＧＢＴを４つ有するサブコイル電流制御回路の回路図である。
【図９】本発明の一実施形態による遮断コイルの電流特性を表すグラフである。
【図１０】本発明の一実施形態による遮断サブコイルの電流波形を表すグラフである。
【図１１】本発明の一実施形態による遮断動作制御装置の遮断サブコイル制御フローチャートである。
【符号の説明】
【００５０】
１    モータ
３    プランジャ
４Ａ    動作機構部
４Ｂ    接続部
５    遮断部
８Ａ    投入ハッカ
８Ｂ    遮断ハッカ
９Ａ    投入バネ
９Ｂ    遮断バネ
１０    遮断動作制御装置
１４    演算制御回路
１５    マイクロプロセッサ
１６    Ｉ／Ｏ変換器
１７    ＡＤＣ
１８    サブコイル電流制御回路
４１    間接駆動型遮断器
４２    電磁投入コイル付間接駆動型遮断器
４３    直接駆動型遮断器
２１    電源回路
２２    ＩＧＢＴ
２３    ＩＧＢＴ駆動回路
５２Ｃ    投入コイル
５２Ｃｓ    投入サブコイル
５２Ｔ    遮断コイル
５２Ｔｓ    遮断サブコイル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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