(57)【要約】【課題】ダイパッドシフトの量を低減することができるリードフレームを提供する。【解決手段】インナーリード４とサポートリード２の末端側とダイパッド３とが封止樹脂で封止される封止成型領域１１内に配置され、フレーム枠１とサポートリード２の先端側とアウターリード５とタイバー６とが封止成型領域１１外に配置されているリードフレーム３６であって、フレーム枠１内において、サポートリード２の先端の延長線上に位置する隅部分１５の両脇にスリット１６が切り込まれて形成されている。【選択図】図１
2008262939.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレーム枠と、
フレーム枠内に先端が接続するサポートリードと、
サポートリードの末端と接続するダイパッドと、
ダイパッドから所定の間隔をあけて放射状に配置した複数のインナーリードと、
インナーリードから延在しフレーム枠内と接続するアウターリードと、
インナーリードとアウターリードとの境界に位置し且つ隣り合うリード間を連結するタイバーとを備え、
インナーリードとサポートリードの末端側とダイパッドとが封止成型領域内に配置され、
フレーム枠とサポートリードの先端側とアウターリードとタイバーとが封止成型領域外に配置されているリードフレームであって、
フレーム枠内において、サポートリードの先端の延長線上に位置する隅部分の両脇にスリットが形成されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
フレーム枠と、
フレーム枠内に先端が接続するサポートリードと、
サポートリードの末端と接続するダイパッドと、
ダイパッドから所定の間隔をあけて放射状に配置した複数のインナーリードと、
インナーリードから延在しフレーム枠内と接続するアウターリードと、
インナーリードとアウターリードとの境界に位置し且つ隣り合うリード間を連結するタイバーとを備え、
インナーリードとサポートリードの末端側とダイパッドとが封止成型領域内に配置され、
フレーム枠とサポートリードの先端側とアウターリードとタイバーとが封止成型領域外に配置されているリードフレームであって、
フレーム枠内において、サポートリードの先端の延長線上に位置する隅部分の両脇にスリットが形成され、
前記隅部分に穴が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項３】
フレーム枠と、
フレーム枠内に先端が接続するサポートリードと、
サポートリードの末端と接続するダイパッドと、
ダイパッドから所定の間隔をあけて放射状に配置した複数のインナーリードと、
インナーリードから延在しフレーム枠内と接続するアウターリードと、
インナーリードとアウターリードとの境界に位置し且つ隣り合うリード間を連結するタイバーとを備え、
インナーリードとサポートリードの末端側とダイパッドとが封止成型領域内に配置され、
フレーム枠とサポートリードの先端側とアウターリードとタイバーとが封止成型領域外に配置されているリードフレームであって、
フレーム枠内において、サポートリードの先端の延長線上に位置する隅部分の両脇にスリットが形成され、
スリットに、サポートリードの幅方向外向きに切り欠かれた切欠部が連設されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項４】
サポートリードに段差部が形成され、
サポートリードの段差部の幅がサポートリードの段差部以外の幅よりも太いことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記請求項１に記載のリードフレームをクランプして樹脂封止するのに用いられる封止金型であって、
上金型本体と下金型本体とにそれぞれ、サポートリード以外の封止成型領域の外周部をクランプする上金型および下金型第１クランプ部と、フレーム枠内においてサポートリードの先端の延長線上に位置する隅部分をクランプする上金型および下金型第２クランプ部とが設けられ、
上金型第１クランプ部が上金型本体に固定され、
上金型第２クランプ部が上金型本体に対して上下移動可能であり、
下金型第１クランプ部が下金型本体に固定され、
下金型第２クランプ部が下金型本体に対して上下移動可能であることを特徴とする封止金型。
【請求項６】
上金型第２クランプ部と下金型第２クランプ部とは、隅部分を屈曲させるための屈曲形成部を有していることを特徴とする請求項５記載の封止金型。
【請求項７】
前記請求項２に記載のリードフレームをクランプして樹脂封止するのに用いられる封止金型であって、
上金型本体と下金型本体とにそれぞれ、サポートリード以外の封止成型領域の外周部をクランプする上金型および下金型クランプ部が設けられ、
上金型クランプ部が上金型本体に固定され、
下金型クランプ部が下金型本体に固定され、
上金型本体と下金型本体とのいずれか一方の金型本体に金型挿入部材が上下移動可能に設けられるとともに、他方の金型本体に金型受け部材が上下移動可能に設けられ、
金型挿入部材は凸部を有し、
金型受け部材は凹部を有し、
凸部は隅部分の穴に挿脱自在であり且つ凹部に嵌脱自在であり、
凸部の位置は、サポートリードが熱膨張した際の前記穴の位置に対して、サポートリードの長さ方向における外側へずらして設定されていることを特徴とする封止金型。
【請求項８】
前記請求項３に記載のリードフレームをクランプして樹脂封止するのに用いられる封止金型であって、
上金型本体と下金型本体とにそれぞれ、サポートリード以外の封止成型領域の外周部をクランプする上金型および下金型クランプ部が設けられ、
上金型クランプ部が上金型本体に固定され、
下金型クランプ部が下金型本体に固定され、
上金型本体と下金型本体とのいずれか一方の金型本体に金型挿入部材が上下移動可能に設けられるとともに、他方の金型本体に金型受け部材が上下移動可能に設けられ、
金型挿入部材は凸部を二対有し、
金型受け部材は凹部を二対有し、
凸部はスリットの切欠部に挿脱自在であり且つ凹部に嵌脱自在であり、
凸部の位置は、サポートリードが熱膨張した際の前記切欠部の位置に対して、サポートリードの長さ方向における外側へずらして設定されていることを特徴とする封止金型。
【請求項９】
前記請求項１に記載のリードフレームを前記請求項５に記載の封止金型を用いて樹脂封止する封止方法であって、
リードフレームのサポートリード以外の封止成型領域の外周部を上金型第１クランプ部と下金型第１クランプ部とでクランプし、
この状態で、一定時間遅らせて、リードフレームのフレーム枠内においてサポートリードの先端の延長線上に位置する隅部分を上金型第２クランプ部と下金型第２クランプ部とでクランプし、
その後、注入部より封止成型領域内に封止樹脂を注入し成型することを特徴とする封止方法。
【請求項１０】
前記請求項１に記載のリードフレームを前記請求項６に記載の封止金型を用いて樹脂封止する封止方法であって、
リードフレームのサポートリード以外の封止成型領域の外周部を上金型第１クランプ部と下金型第１クランプ部とでクランプし、
この状態で、一定時間遅らせて、リードフレームのフレーム枠内においてサポートリードの先端の延長線上に位置する隅部分を上金型第２クランプ部と下金型第２クランプ部とでクランプして屈曲させ、
その後、注入部より封止成型領域内に封止樹脂を注入し成型することを特徴とする封止方法。
【請求項１１】
前記請求項２に記載のリードフレームを前記請求項７に記載の封止金型を用いて樹脂封止する封止方法であって、
リードフレームのサポートリード以外の封止成型領域の外周部を上金型クランプ部と下金型クランプ部とでクランプし、
この状態で、一定時間遅らせて、金型挿入部材の凸部をリードフレームの隅部分の穴に挿入するとともに金型受け部材の凹部に嵌め込み、
その後、注入部より封止成型領域内に封止樹脂を注入し成型することを特徴とする封止方法。
【請求項１２】
封止成型領域内に封止樹脂を注入して充填し、封止成型領域内の封止樹脂が重合してポストキュアー完了状態となった後、金型挿入部材の凸部を金型受け部材の凹部から脱抜するとともにリードフレームの隅部分の穴から脱抜し、
その後、上金型クランプ部と下金型クランプ部とによるクランプを解除し、封止成型を完了したリードフレームを取り出すことを特徴とする請求項１１記載の封止方法。
【請求項１３】
前記請求項３に記載のリードフレームを前記請求項８に記載の封止金型を用いて樹脂封止する封止方法であって、
リードフレームのサポートリード以外の封止成型領域の外周部を上金型クランプ部と下金型クランプ部とでクランプし、
この状態で、一定時間遅らせて、金型挿入部材の凸部をリードフレームのスリットの切欠部に挿入するとともに金型受け部材の凹部に嵌め込み、
その後、注入部より封止成型領域内に封止樹脂を注入し成型することを特徴とする封止方法。
【請求項１４】
封止成型領域内に封止樹脂を注入して充填し、封止成型領域内の封止樹脂が重合してポストキュアー完了状態となった後、金型挿入部材の凸部を金型受け部材の凹部から脱抜するとともにリードフレームのスリットの切欠部から脱抜し、
その後、上金型クランプ部と下金型クランプ部とによるクランプを解除し、封止成型を完了したリードフレームを取り出すことを特徴とする請求項１３記載の封止方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば薄型半導体装置等に用いられるリードフレーム、および、薄型半導体装置を製造する際、リードフレームを樹脂封止するのに用いられる封止金型、および、封止金型を用いた封止方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、リードフレームは用途に合わせその材料や形状が様々であるが、一般的には、図２５に示すものが知られていた。図２５は従来のリードフレーム３１の平面図である。リードフレーム３１は、金属（メッキを施した銅や銅合金、４２アロイなど）で形成されており、フレーム枠１と、フレーム枠１内に先端（一端）が接続する複数のサポートリード２と、サポートリード２の末端（他端）と接続するダイパッド３と、ダイパッド３から所定の間隔をあけて放射状に配置した複数のインナーリード４と、各インナーリード４から延在しフレーム枠１内と接続する複数のアウターリード５と、インナーリード４とアウターリード５との境界に位置し且つ隣り合うリード間を連結するタイバー６とを備えている。
【０００３】
図２６は従来のリードフレーム３１を備えた半導体装置３２の構造を部分的に開示した斜視図である。図２６に示すように、半導体チップ７をダイパッド３上に接着剤８で固着し、半導体チップ７の表面に形成した複数のボンディングパッド９と複数のインナーリード４とを導電性のボンディングワイヤ１０で各々接続し、封止成型領域１１にエポキシ樹脂などの封止樹脂１３を注入して成型する。その後、封止成型を完了したリードフレーム３１に対して、封止成型領域１１の外側にあるタイバー６とフレーム枠１とを切断し、封止成型領域１１から外側へ突出したアウターリード５を実装形態に合わせ加工している。
【０００４】
このようなリードフレーム３１を用いた半導体装置３２では、図２７に示すように、半導体チップ７とダイパッド３との上下樹脂厚Ｔを均等にするためにサポートリード２に段差部１４を形成し、これによって、ボンディングワイヤ１０が断線したり或いは封止形成領域１１からボンディングワイヤ１０や半導体チップ７、ダイパッド３が露出しないようにしていた。
【０００５】
尚、下記特許文献１には、リードフレームのサポートリードを折り曲げてサポートリードに段差を形成する構成が記載されている。
【特許文献１】特公昭６２−１００１９号公報
【非特許文献１】ＶＬＳＩパッケージング技術，日経ＢＰ社，１９９３年５月３１日，上巻，ｐ．１５５−１６４，下巻，ｐ．３１−４０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、半導体装置３２の薄型化が進むにつれて、上記のような構造だけでは、ダイパッドシフト（ダイパッドが移動する現象）やボンディングワイヤ１０の露出を十分に防ぐことが出来ないという問題点を有していた。
【０００７】
図２７は、従来のリードフレーム３１を用いた半導体装置３２の封止成型領域１１内に封止樹脂１３を注入して成型する際に使用される封止金型３３の断面図である。
図２７に示すように、ダイパッド３と半導体チップ７との上下樹脂厚Ｔを均等にするためにサポートリード２に段差部１４を形成した場合、パッケージの厚さやリードフレーム３１の厚さが厚ければ、半導体チップ７とダイパッド３との上下樹脂厚Ｔを均等にすることができる。これにより、注入部１２から封止成型領域１１内に注入される封止樹脂１３の上下圧力差を少なくすることができるため、図２８に示すように、ダイパッドシフトの程度（大きさ）は、半導体チップ７とダイパッド３とボンディングワイヤ１０とが封止樹脂領域１１より露出するほど大きなものではなかった。
【０００８】
しかし、図２９に示すように、パッケージの厚さやリードフレーム３１の厚さが薄くなるにつれて、リードフレーム３１の厚さが薄い分、サポートリード２の剛性は低くなり、ダイパッドシフトの量は大きくなる。一方でパッケージの厚さが薄くなる分、ダイパッドシフトの許容量は小さくなり、このようなことから、半導体チップ７やダイパッド３やボンディングワイヤ１０が封止樹脂領域１１から外部へ露出する事となった。
【０００９】
このため、パッケージの厚さやリードフレーム３１の厚さが薄くなるにつれて、ダイパッドシフトの量を低減する更なる解決策が必要であった。
本発明は、ダイパッドシフトの量を低減することができるリードフレームおよび封止金型および封止方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本第１発明は、フレーム枠と、
フレーム枠内に先端が接続するサポートリードと、
サポートリードの末端と接続するダイパッドと、
ダイパッドから所定の間隔をあけて放射状に配置した複数のインナーリードと、
インナーリードから延在しフレーム枠内と接続するアウターリードと、
インナーリードとアウターリードとの境界に位置し且つ隣り合うリード間を連結するタイバーとを備え、
インナーリードとサポートリードの末端側とダイパッドとが封止成型領域内に配置され、
フレーム枠とサポートリードの先端側とアウターリードとタイバーとが封止成型領域外に配置されているリードフレームであって、
フレーム枠内において、サポートリードの先端の延長線上に位置する隅部分の両脇にスリットが形成されているものである。
【００１１】
これによると、封止金型を用いてリードフレームをクランプして樹脂封止する際、封止成型領域内におけるサポートリードのひずみがスリットによって吸収され、ダイパッドシフトの量を低減することができる。
【００１２】
本第２発明は、フレーム枠と、
フレーム枠内に先端が接続するサポートリードと、
サポートリードの末端と接続するダイパッドと、
ダイパッドから所定の間隔をあけて放射状に配置した複数のインナーリードと、
インナーリードから延在しフレーム枠内と接続するアウターリードと、
インナーリードとアウターリードとの境界に位置し且つ隣り合うリード間を連結するタイバーとを備え、
インナーリードとサポートリードの末端側とダイパッドとが封止成型領域内に配置され、
フレーム枠とサポートリードの先端側とアウターリードとタイバーとが封止成型領域外に配置されているリードフレームであって、
フレーム枠内において、サポートリードの先端の延長線上に位置する隅部分の両脇にスリットが形成され、
前記隅部分に穴が形成されているものである。
【００１３】
これによると、封止金型を用いてリードフレームをクランプして樹脂封止する際、封止成型領域内におけるサポートリードのひずみがスリットによって吸収される。また、クランプの際、隅部分の穴の位置をサポートリードの長さ方向における外側へ変移させることにより、サポートリードの引張力を増大させて支持力を増大させ、これにより、ダイパッドシフトの量を低減することができる。
【００１４】
本第３発明は、フレーム枠と、
フレーム枠内に先端が接続するサポートリードと、
サポートリードの末端と接続するダイパッドと、
ダイパッドから所定の間隔をあけて放射状に配置した複数のインナーリードと、
インナーリードから延在しフレーム枠内と接続するアウターリードと、
インナーリードとアウターリードとの境界に位置し且つ隣り合うリード間を連結するタイバーとを備え、
インナーリードとサポートリードの末端側とダイパッドとが封止成型領域内に配置され、
フレーム枠とサポートリードの先端側とアウターリードとタイバーとが封止成型領域外に配置されているリードフレームであって、
フレーム枠内において、サポートリードの先端の延長線上に位置する隅部分の両脇にスリットが形成され、
スリットに、サポートリードの幅方向外向きに切り欠かれた切欠部が連設されているものである。
【００１５】
これによると、封止金型を用いてリードフレームをクランプして樹脂封止する際、封止成型領域内におけるサポートリードのひずみがスリットによって吸収される。また、クランプの際、スリットの切欠部の位置をサポートリードの長さ方向における外側へ変移させることにより、サポートリードの引張力を増大させて支持力を増大させ、これにより、ダイパッドシフトの量を低減することができる。
【００１６】
本第４発明は、サポートリードに段差部が形成され、
サポートリードの段差部の幅がサポートリードの段差部以外の幅よりも太いものである。
これによると、段差部を形成することにより、ダイパッドとダイパッドに搭載された半導体チップとの上下樹脂厚をほぼ均等にすることができる。また、段差部の幅を太くしたことにより、サポートリードに大きな引張力が作用しても、段差部の変形を防止することができる。
【００１７】
本第５発明は、前記第１発明に記載のリードフレームをクランプして樹脂封止するのに用いられる封止金型であって、
上金型本体と下金型本体とにそれぞれ、サポートリード以外の封止成型領域の外周部をクランプする上金型および下金型第１クランプ部と、フレーム枠内においてサポートリードの先端の延長線上に位置する隅部分をクランプする上金型および下金型第２クランプ部とが設けられ、
上金型第１クランプ部が上金型本体に固定され、
上金型第２クランプ部が上金型本体に対して上下移動可能であり、
下金型第１クランプ部が下金型本体に固定され、
下金型第２クランプ部が下金型本体に対して上下移動可能であるものである。
【００１８】
これによると、リードフレームのサポートリード以外の封止成型領域の外周部を上金型第１クランプ部と下金型第１クランプ部とでクランプする。この際、サポートリードも高温環境下で膨張しひずみが発生するが、封止成型領域内におけるサポートリードのひずみはスリットによって吸収される。
【００１９】
この状態で、一定時間遅らせて、リードフレームのフレーム枠内においてサポートリードの先端の延長線上に位置する隅部分を上金型第２クランプ部と下金型第２クランプ部とでクランプする。これにより、サポートリードが十分に膨張しきった状態でクランプすることができ、したがって、サポートリードのひずみを減少することができ、ダイパッドシフトの量を低減することができる。
【００２０】
本第６発明は、上金型第２クランプ部と下金型第２クランプ部とは、隅部分を屈曲させるための屈曲形成部を有しているものである。
これによると、サポートリードの前記隅部分を上金型第２クランプ部と下金型第２クランプ部とでクランプした際、屈曲形成部によって前記隅部分が屈曲する。これにより、サポートリードの引張力が増大するとともに支持力も増大するため、ダイパッドシフトの量を低減することができる。
【００２１】
本第７発明は、前記第２発明に記載のリードフレームをクランプして樹脂封止するのに用いられる封止金型であって、
上金型本体と下金型本体とにそれぞれ、サポートリード以外の封止成型領域の外周部をクランプする上金型および下金型クランプ部が設けられ、
上金型クランプ部が上金型本体に固定され、
下金型クランプ部が下金型本体に固定され、
上金型本体と下金型本体とのいずれか一方の金型本体に金型挿入部材が上下移動可能に設けられるとともに、他方の金型本体に金型受け部材が上下移動可能に設けられ、
金型挿入部材は凸部を有し、
金型受け部材は凹部を有し、
凸部は隅部分の穴に挿脱自在であり且つ凹部に嵌脱自在であり、
凸部の位置は、サポートリードが熱膨張した際の前記穴の位置に対して、サポートリードの長さ方向における外側へずらして設定されているものである。
【００２２】
これによると、リードフレームのサポートリード以外の封止成型領域の外周部を上金型クランプ部と下金型クランプ部とでクランプする。この際、サポートリードも高温環境下で膨張しひずみが発生するが、封止成型領域内におけるサポートリードのひずみはスリットによって吸収される。
【００２３】
前記クランプした状態で、一定時間遅らせて、金型挿入部材の凸部をリードフレームの隅部分の穴に挿入するとともに金型受け部材の凹部に嵌め込む。この際、凸部の位置はサポートリードが熱膨張した際の穴の位置に対して長さ方向における外側へずれているため、穴の位置が外側へ変移し、これにより、サポートリードの引張力が増大してサポートリードの支持力が増大し、ダイパッドシフトの量を低減することができる。
【００２４】
本第８発明は、前記第３発明に記載のリードフレームをクランプして樹脂封止するのに用いられる封止金型であって、
上金型本体と下金型本体とにそれぞれ、サポートリード以外の封止成型領域の外周部をクランプする上金型および下金型クランプ部が設けられ、
上金型クランプ部が上金型本体に固定され、
下金型クランプ部が下金型本体に固定され、
上金型本体と下金型本体とのいずれか一方の金型本体に金型挿入部材が上下移動可能に設けられるとともに、他方の金型本体に金型受け部材が上下移動可能に設けられ、
金型挿入部材は凸部を二対有し、
金型受け部材は凹部を二対有し、
凸部はスリットの切欠部に挿脱自在であり且つ凹部に嵌脱自在であり、
凸部の位置は、サポートリードが熱膨張した際の前記切欠部の位置に対して、サポートリードの長さ方向における外側へずらして設定されているものである。
【００２５】
これによると、リードフレームのサポートリード以外の封止成型領域の外周部を上金型クランプ部と下金型クランプ部とでクランプする。この際、サポートリードも高温環境下で膨張しひずみが発生するが、封止成型領域内におけるサポートリードのひずみはスリットによって吸収される。
【００２６】
前記クランプした状態で、一定時間遅らせて、金型挿入部材の凸部をリードフレームのスリットの切欠部に挿入するとともに金型受け部材の凹部に嵌め込む。この際、凸部の位置はサポートリードが熱膨張した際の切欠部の位置に対して長さ方向における外側へずれているため、切欠部の位置が外側へ変移し、これにより、サポートリードの引張力が増大してサポートリードの支持力が増大し、ダイパッドシフトの量を低減することができる。
【００２７】
本第９発明は、前記第１発明に記載のリードフレームを前記第５発明に記載の封止金型を用いて樹脂封止する封止方法であって、
リードフレームのサポートリード以外の封止成型領域の外周部を上金型第１クランプ部と下金型第１クランプ部とでクランプし、
この状態で、一定時間遅らせて、リードフレームのフレーム枠内においてサポートリードの先端の延長線上に位置する隅部分を上金型第２クランプ部と下金型第２クランプ部とでクランプし、
その後、注入部より封止成型領域内に封止樹脂を注入し成型するものである。
【００２８】
これによると、サポートリード以外の封止成型領域の外周部を上金型第１クランプ部と下金型第１クランプ部とでクランプした際、封止成型領域内におけるサポートリードのひずみはスリットによって吸収される。
【００２９】
この状態で、一定時間遅らせて、サポートリードの隅部分を上金型第２クランプ部と下金型第２クランプ部とでクランプことにより、サポートリードが十分に膨張しきった状態でクランプすることができ、サポートリードのひずみを減少することができ、ダイパッドシフトの量を低減することができる。
【００３０】
本第１０発明は、前記第１発明に記載のリードフレームを前記第６発明に記載の封止金型を用いて樹脂封止する封止方法であって、
リードフレームのサポートリード以外の封止成型領域の外周部を上金型第１クランプ部と下金型第１クランプ部とでクランプし、
この状態で、一定時間遅らせて、リードフレームのフレーム枠内においてサポートリードの先端の延長線上に位置する隅部分を上金型第２クランプ部と下金型第２クランプ部とでクランプして屈曲させ、
その後、注入部より封止成型領域内に封止樹脂を注入し成型するものである。
【００３１】
これによると、サポートリードの引張力が増大するとともに支持力も増大するため、ダイパッドシフトの量を低減することができる。
本第１１発明は、前記第２発明に記載のリードフレームを前記第７発明に記載の封止金型を用いて樹脂封止する封止方法であって、
リードフレームのサポートリード以外の封止成型領域の外周部を上金型クランプ部と下金型クランプ部とでクランプし、
この状態で、一定時間遅らせて、金型挿入部材の凸部をリードフレームの隅部分の穴に挿入するとともに金型受け部材の凹部に嵌め込み、
その後、注入部より封止成型領域内に封止樹脂を注入し成型するものである。
【００３２】
これによると、サポートリード以外の封止成型領域の外周部を上金型クランプ部と下金型クランプ部とでクランプした際、封止成型領域内におけるサポートリードのひずみはスリットによって吸収される。
【００３３】
この状態で、一定時間遅らせて、金型挿入部材の凸部をリードフレームの隅部分の穴に挿入するとともに金型受け部材の凹部に嵌め込むことにより、隅部分の穴の位置が外側へ変移し、これにより、サポートリードの引張力が増大してサポートリードの支持力が増大し、ダイパッドシフトの量を低減することができる。
【００３４】
本第１２発明は、封止成型領域内に封止樹脂を注入して充填し、封止成型領域内の封止樹脂が重合してポストキュアー完了状態となった後、金型挿入部材の凸部を金型受け部材の凹部から脱抜するとともにリードフレームの隅部分の穴から脱抜し、
その後、上金型クランプ部と下金型クランプ部とによるクランプを解除し、封止成型を完了したリードフレームを取り出すものである。
【００３５】
本第１３発明は、前記第３発明に記載のリードフレームを前記第８発明に記載の封止金型を用いて樹脂封止する封止方法であって、
リードフレームのサポートリード以外の封止成型領域の外周部を上金型クランプ部と下金型クランプ部とでクランプし、
この状態で、一定時間遅らせて、金型挿入部材の凸部をリードフレームのスリットの切欠部に挿入するとともに金型受け部材の凹部に嵌め込み、
その後、注入部より封止成型領域内に封止樹脂を注入し成型するものである。
【００３６】
これによると、サポートリード以外の封止成型領域の外周部を上金型クランプ部と下金型クランプ部とでクランプする際、封止成型領域内におけるサポートリードのひずみはスリットによって吸収される。
【００３７】
前記クランプした状態で、一定時間遅らせて、金型挿入部材の凸部をリードフレームのスリットの切欠部に挿入するとともに金型受け部材の凹部に嵌め込むことにより、切欠部の位置が外側へ変移し、これにより、サポートリードの引張力が増大してサポートリードの支持力が増大し、ダイパッドシフトの量を低減することができる。
【００３８】
本第１４発明は、封止成型領域内に封止樹脂を注入して充填し、封止成型領域内の封止樹脂が重合してポストキュアー完了状態となった後、金型挿入部材の凸部を金型受け部材の凹部から脱抜するとともにリードフレームのスリットの切欠部から脱抜し、
その後、上金型クランプ部と下金型クランプ部とによるクランプを解除し、封止成型を完了したリードフレームを取り出すものである。
【発明の効果】
【００３９】
以上のように本発明によると、サポートリードのひずみをスリットによって吸収することができ、また、サポートリードの引張力を増大させて支持力を増大させることができるため、ダイパッドシフトの量を低減することができる。
【００４０】
また、サポートリードに段差部を形成することにより、ダイパッドとダイパッドに搭載された半導体チップとの上下樹脂厚をほぼ均等にすることができる。また、段差部の幅を太くしたことにより、段差部の変形を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。尚、先述した従来のものと同じ部材については同一の符号を付記して説明を省略する。
（実施の形態１）
先ず、実施の形態１について図１〜図７を参照しながら説明する。
【００４２】
図１は実施の形態１におけるリードフレーム３６の平面図である。リードフレーム３６は、フレーム枠１と、フレーム枠１内に先端（一端）が接続する複数のサポートリード２と、サポートリード２の末端（他端）と接続するダイパッド３と、ダイパッド３から所定の間隔をあけて放射状に配置した複数のインナーリード４と、各インナーリード４から延在しフレーム枠１内と接続する複数のアウターリード５と、インナーリード４とアウターリード５との境界に位置し且つ隣り合うリード間を連結するタイバー６とを備える。
【００４３】
リードフレーム３６には、封止樹脂１３で封止される封止成型領域１１が設定されている。インナーリード４とサポートリード２の末端（他端）側とダイパッド３とは封止成型領域１１の内側に配置されている。また、フレーム枠１とサポートリード２の先端（一端）側とアウターリード５とタイバー６とは封止成型領域１１の外側に配置されている。
【００４４】
フレーム枠１内において、各サポートリード２の先端の延長線上に位置する隅部分１５の両脇にスリット１６が形成されている。各スリット１６はサポートリード２の長さ方向に沿って外向きに切り込まれており、フレーム枠１と前記隅部分１５との一部はスリット１６によって分離されている。
【００４５】
図２はリードフレーム３６を用いた半導体装置３７の構造を部分的に開示した斜視図である。半導体装置３７は、半導体チップ７をダイパッド３上に接着剤８で固着し、半導体チップ７の表面に形成した複数のボンディングパッド９と複数のインナーリード４とを導電性のボンディングワイヤ１０で各々接続し、封止成型領域１１にエポキシ樹脂などの封止樹脂１３を注入して成型する。
【００４６】
その後、封止成型を完了したリードフレーム３６に対し、封止成型領域１１の外側にあるタイバー６とフレーム枠１とを切断し、封止成型領域１１から外側へ突出したアウターリード５を実装形態に合わせ加工するものである。
【００４７】
図３〜図５は、半導体装置３７を製造する工程において、封止樹脂１３を注入して成型する際に使用される封止金型３８の断面図である。
封止金型３８は封止機内に設置された上金型本体１８と下金型本体１９とで構成されており、上金型本体１８は稼動機構（図示省略）によりＺ軸方向（上下方向）に可動自在であり、下金型本体１９は上金型本体１８の下方の基準位置に固定されている。
【００４８】
上金型本体１８には、サポートリード２以外の封止成型領域１１の外周部をクランプする上金型第１クランプ部２０と、前記隅部分１５のみをクランプする上金型第２クランプ部２２とが設けられている。上金型第１クランプ部２０は上金型本体１８に固定されている。また、上金型第２クランプ部２２は、上金型本体１８に上下移動可能に組み込まれており、駆動装置（図示省略）によって上金型本体１８に対し上下移動するように構成されている。
【００４９】
下金型本体１９には、サポートリード２以外の封止成型領域１１の外周部をクランプする下金型第１クランプ部２１と、前記隅部分１５のみをクランプする下金型第２クランプ部２３とが設けられている。下金型第１クランプ部２１は下金型本体１９に固定されている。また、下金型第２クランプ部２３は、下金型本体１９に上下移動可能に組み込まれており、駆動装置（図示省略）によって下金型本体１９に対し上下移動するように構成されている。
【００５０】
尚、封止金型３８はヒータにより加熱され約１５０〜２５０℃の温度環境に保たれる。
図７はリードフレーム３６を上金型本体１８と下金型本体１９とでクランプした状態を示す断面図である。
【００５１】
封止金型３８を用いた封止方法としては、図６に示すように、下金型本体１９上にリードフレーム３６をセットし、加熱温度環境下で、上金型本体１８を下降し、先ず、サポートリード２以外の封止成型領域１１の外周部を上金型第１クランプ部２０と下金型第１クランプ部２１とでクランプする（以下、第１のクランプと言う）。
【００５２】
この際、サポートリード２自体も高温環境下で膨張しひずみが発生するが、封止成型領域１１内におけるサポートリード２のひずみはスリット１６によって吸収される。さらに、前記第１のクランプの状態で、その後、一定時間遅らせて、図７に示すように、上金型第２クランプ部２２を下降させるとともに下金型第２クランプ部２３を上昇させて前記隅部分１５を上金型第２クランプ部２２と下金型第２クランプ部２３とでクランプする（以下、第２のクランプと言う）。
【００５３】
前記のように第１のクランプを行った後、一定時間遅らせて、第２のクランプを行うことにより、サポートリード２が十分に膨張しきった状態でクランプすることができ、これにより、サポートリード２のひずみを減少することができ、ダイパッドシフトの量を低減することができる。
【００５４】
すなわち、リードフレーム３６の熱伝達には時間差があり、前記第１のクランプ後も細長いサポートリード２はさらに引き続いて熱膨張するため、一定時間遅らせて、サポートリード２が十分に膨張してから前記第２のクランプを行うことで、サポートリード２のひずみを減少させることができるのである。尚、前記一定時間とは、サポートリード２が十分に熱膨張するのに要する時間にほぼ相当する。
【００５５】
その後、注入部１２より封止成型領域１１内に封止樹脂１３を注入して成型する。
（実施の形態２）
次に、実施の形態２について図８〜図１０を参照しながら説明する。
【００５６】
図８に示すように、上金型第２クランプ部２２は、その下端部に、下向きに尖った山形状の凸部２２ａ（屈曲形成部の一例）を有している。また、下金型第２クランプ部２３は、その上端部に、下向きに窪んだ谷形状の凹部２３ａ（屈曲形成部の一例）を有している。前記隅部分１５を上金型第２クランプ部２２と下金型第２クランプ部２３とでクランプした際、凸部２２ａと凹部２３ａとが前記隅部分１５をくの字形に屈曲させる。
【００５７】
前記封止金型３８を用いた封止方法を図９，図１０を参照にして説明する。
先ず、図９（ａ）に示すように、上金型本体１８を上動させて型開きし、リードフレーム３６を下金型本体１９上にセットする。リードフレーム３６は上金型本体１８と下金型本体１９とでクランプされていない状態であり、この時のサポートリード２の引張力はＦＸ０であり、サポートリード２の支持力はＦＺ０である。
【００５８】
次に、図９（ｂ）に示すように、加熱温度環境下で、上金型本体１８を下動させ、サポートリード２以外の封止成型領域１１の外周部を上金型第１クランプ部２０と下金型第１クランプ部２１とでクランプする（以下、第１のクランプと言う）。この際、サポートリード２はクランプされていないため、この時のサポートリード２の引張力はＦＸ０のままであり、サポートリード２の支持力はＦＺ０のままである。また、サポートリード２自体も高温環境下で膨張しひずみが発生するが、この際、封止成型領域１１内におけるサポートリード２のひずみはスリット１６によって吸収される。
【００５９】
その後、図１０（ａ）に示すように、前記第１のクランプの状態で、一定時間遅らせて、上金型第２クランプ部２２を下動させるとともに下金型第２クランプ部２３を上動させて、前記隅部分１５を上金型第２クランプ部２２と下金型第２クランプ部２３とでクランプする（以下、第２のクランプと言う）。この際、凸部２２ａと凹部２３ａとが噛み合って前記隅部分１５をくの字形に屈曲させる。これにより、サポートリード２の引張力は前記ＦＸ０からＦＸ１に増大し（ＦＸ０＜ＦＸ１）、サポートリード２の引張力と支持力とは比例関係にあるため、サポートリード２の支持力は前記ＦＺ０からＦＺ１に増大する（ＦＺ０＜ＦＺ１）。
【００６０】
その後、図１０（ｂ）に示すように、封止樹脂１３を注入部１２から封止成型領域１１に注入する。この際、樹脂流動のアンラバンスにより垂直方向の封止樹脂注入応力ＰＺ１が発生し、サポートリード２とダイパッド３と半導体チップ７とは封止樹脂注入応力ＰＺ１を受ける。これに対して、前記のようにサポートリード２の支持力が支持力ＦＺ０から支持力ＦＺ１に増大しているため、支持力ＦＺ１が封止樹脂注入応力ＰＺ１よりも大きくなり（ＦＺ１＞ＰＺ１）、ダイパッドシフトの量を低減することができる。
【００６１】
そして、封止樹脂１３を封止成型領域１１の内側に充填し、封止成型領域１１内の封止樹脂１３が重合してポストキュアー完了状態となった後、上金型本体１８を上昇し、前記上金型第１クランプ部２０と下金型第１クランプ部２１とによる第１のクランプを解除するとともに、上金型第２クランプ部２２と下金型第２クランプ部２３とによる第２のクランプを解除する。
【００６２】
これにより、封止樹脂１３はゲル状から固体に変化し、封止樹脂１３がサポートリード２とダイパッド３と半導体チップ７とボンディングワイヤ１０とにそれぞれ結合している。前記結合の状態では各界面が剥離を起こすような物理的変化を及ぼさないため、サポートリード２と封止樹脂１３との界面の密着性を向上できる。
【００６３】
尚、前記のような封止金型３８を用いた封止方法においては、第１のクランプを行った後、一定時間遅らせて、第２のクランプを行うことにより、サポートリード２が十分に膨張しきった状態でクランプすることができ、これにより、サポートリード２のひずみを減少することができる。また、第２のクランプ時にサポートリード２に若干のひずみが生じても、既に、第１のクランプにおいて、サポートリード２以外の封止成型領域１１の外周部がクランプされているため、前記サポートリード２に生じたひずみがインナーリード４とアウターリード５とタイバー６とに影響を及ぼすことを防止することができる。
【００６４】
前記実施の形態２では、上金型第２クランプ部２２の下端部に凸部２２ａを形成し、下金型第２クランプ部２３の上端部に凹部２３ａを形成しているが、上金型第２クランプ部２２の下端部に凹部２３ａを形成し、下金型第２クランプ部２３の上端部に凸部２２ａを形成してもよい。
（実施の形態３）
次に、実施の形態３を図１１に基づいて説明する。
【００６５】
図１１（ａ）は実施の形態３におけるリードフレーム３６の平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）におけるＡ−Ｂ線上の断面図である。
各サポートリード２の一部には、屈曲して下方に落ち込んだ段差部１４が形成されている。これら各段差部１４の幅は、サポートリード２の段差部１４以外の幅よりも太く形成されている。
【００６６】
これによると、段差部１４を形成することにより、半導体チップ７とダイパッド３との上下樹脂厚Ｔをほぼ均等にすることができる。また、段差部１４の幅を太くしたことにより、段差部１４の剛性が向上するため、サポートリード２に大きな引張力ＦＸ１が作用しても、段差部１４の変形を防止することができ、段差部１４の形状が維持できる。
（実施の形態４）
次に、実施の形態４を図１２〜図１６に基づいて説明する。
【００６７】
図１２はリードフレーム３６の平面図であり、フレーム枠１内において、各サポートリード２の先端（一端）の延長線上に位置する隅部分１５に、円形の貫通穴１７が形成されている。
【００６８】
また、図１３は封止金型３８の断面図であり、上金型本体１８（一方の金型本体の一例）には、サポートリード２以外の封止成型領域１１の外周部をクランプする上金型クランプ部４５と、上金型挿入部材４６とが設けられている。
【００６９】
上金型クランプ部４５は上金型本体１８に固定されている。また、上金型挿入部材４６は、上金型本体１８に上下移動可能に組み込まれており、駆動装置（図示省略）によって上金型本体１８に対し上下移動するように構成されている。尚、上金型挿入部材４６は、その下端に、下向きに尖った山形状の凸部４６ａを有している。上金型挿入部材４６の凸部４６ａは貫通穴１７に上方から挿脱自在である。
【００７０】
また、図１４に示すように、凸部４６ａの位置は、サポートリード２が熱膨張した際の貫通穴１７の位置に対して、サポートリード２の長さ方向における外側Ｃへ僅かにずらして設定されている。
【００７１】
また、下金型本体１９（他方の金型本体の一例）には、サポートリード２以外の封止成型領域１１の外周部をクランプする下金型クランプ部４７と、上金型挿入部材４６の下方に位置する下金型受け部材４８とが設けられている。
【００７２】
下金型クランプ部４７は下金型本体１９に固定されている。また、下金型受け部材４８は、下金型本体１９に上下移動可能に組み込まれており、駆動装置（図示省略）によって下金型本体１９に対し上下移動するように構成されている。尚、下金型受け部材４８は、その上端に、下向きに窪んだ谷形状の凹部４８ａを有している。また、図１４に示すように、凹部４８ａの位置も、凸部４６ａの位置と同様に、貫通穴１７の位置に対して外側Ｃへ僅かにずらして設定されている。前記上金型挿入部材４６の凸部４６ａは、上下方向において、下金型受け部材４８の凹部４８ａに嵌脱自在である。
【００７３】
封止金型３８を用いた封止方法としては、高温環境下で、上金型本体１８を下降し、先ず、サポートリード２以外の封止成型領域１１の外周部を上金型クランプ部４５と下金型クランプ部４７とでクランプする。これにより、クランプ時に発生するフレーム枠１のひずみがサポートリード２に影響を与えずに分散する。
【００７４】
また、サポートリード２自体も高温環境下で膨張しひずみが発生するが、この際、封止成型領域１１内におけるサポートリード２のひずみはスリット１６によって吸収される。前記クランプした状態で、その後、一定時間遅らせて、図１５に示すように、上金型挿入部材４６を下動させるとともに下金型受け部材４８を上動させ、上金型挿入部材４６の凸部４６ａを、上方から貫通穴１７に挿入すると共にフレーム枠１の外周方向にフックさせ、下金型受け部材４８の凹部４８ａに嵌合する。
【００７５】
この際、前記のように凸部４６ａと凹部４８ａとの位置はサポートリード２が熱膨張した際の貫通穴１７の位置に対して外側Ｃへ僅かにずれているため、各貫通穴１７の位置が外側Ｃへ若干変移し、これにより、サポートリード２の引張力が前記ＦＸ０からＦＸ２に増大し（ＦＸ０＜ＦＸ２）、サポートリード２の引張力と支持力とは比例関係にあるため、サポートリード２の支持力は前記ＦＺ０からＦＺ２に増大する（ＦＺ０＜ＦＺ２）。
【００７６】
尚、引張力ＦＸ０はサポートリード２を上金型挿入部材４６と下金型受け部材４８とでクランプしていない場合の引張力である。また、支持力ＦＺ０はサポートリード２を上金型挿入部材４６と下金型受け部材４８とでクランプしていない場合の支持力である。
【００７７】
その後、図１６に示すように、封止樹脂１３を注入部１２から封止成型領域１１に注入する。この際、樹脂流動のアンラバンスにより垂直方向の封止樹脂注入応力ＰＺ２が発生し、サポートリード２とダイパッド３と半導体チップ７とは封止樹脂注入応力ＰＺ２を受ける。これに対して、前記のようにサポートリード２の支持力が支持力ＦＺ０から支持力ＦＺ２に増大しているため、支持力ＦＺ２が封止樹脂注入応力ＰＺ２よりも大きくなり（ＦＺ２＞ＰＺ２）、ダイパッドシフトの量を低減することができる。
【００７８】
尚、前記のような封止金型３８を用いた封止方法においては、上金型クランプ部４５と下金型クランプ部４７とでクランプした後、一定時間遅らせて、上金型挿入部材４６の凸部４６ａを貫通穴１７に挿入してフックさせることにより、サポートリード２が十分に膨張しきった状態でクランプしてフックさせることができ、これにより、サポートリード２のひずみを減少することができる。また、フック時にサポートリード２に若干のひずみが生じても、既に、上金型クランプ部４５と下金型クランプ部４７とのクランプにおいて、サポートリード２以外の封止成型領域１１の外周部がクランプされているため、前記サポートリード２に生じたひずみがインナーリード４とアウターリード５とタイバー６とに影響を及ぼすことを防止することができる。
【００７９】
封止樹脂１３を封止成型領域１１内に注入して充填し、封止成型領域１１内の封止樹脂１３が重合してポストキュアー完了状態となった後、上金型挿入部材４６を上動させるとともに下金型受け部材４８を下動させ、上金型挿入部材４６の凸部４６ａを、下金型受け部材４８の凹部４８ａから脱抜するとともに、リードフレーム３６の隅部分１５の貫通穴１７から脱抜する。
【００８０】
その後、上金型本体１８を上昇して、上金型クランプ部４５と下金型クランプ部４７とによるクランプを解除し、封止成型を完了したリードフレーム３６を取り出す。
これにより、封止樹脂１３はゲル状から固体に変化し、封止樹脂１３がサポートリード２とダイパッド３と半導体チップ７とボンディングワイヤ１０とにそれぞれ結合している。前記結合の状態では各界面が剥離を起こすような物理的変化を及ぼさないため、サポートリード２と封止樹脂１３との界面の密着性を向上できる。
【００８１】
前記実施の形態４では、上金型本体１８に、凸部４６ａを有する上金型挿入部材４６が設けられ、下金型本体１９に、凹部４８ａを有する下金型受け部材４８が設けられ、上金型挿入部材４６の凸部４６ａを貫通穴１７に対して挿脱自在としているが、上金型本体１８に、凹部を有する上金型受け部材が設けられ、下金型本体１９に、凸部を有する下金型挿入部材が設けられ、下金型挿入部材の凸部を貫通穴１７に対して挿脱自在としてもよい。
（実施の形態５）
次に、実施の形態５について図１７〜図２４を参照しながら説明する。
【００８２】
図１７はリードフレーム３６の平面図であり、フレーム枠１内において、サポートリード２の先端の延長線上に位置する隅部分１５の両脇にスリット１６が形成されている。各スリット１６には、サポートリード２の幅方向外向きに切り欠かれた切欠部２６が連設されている。
【００８３】
図１８は封止金型３８の断面図であり、上金型本体１８（一方の金型本体の一例）には、サポートリード２以外の封止成型領域１１の外周部をクランプする上金型クランプ部４５と、上金型挿入部材４６とが設けられている。
【００８４】
図１９，図２０に示すように、上金型クランプ部４５は上金型本体１８に固定されている。また、上金型挿入部材４６は、上金型本体１８に上下移動可能に組み込まれており、駆動装置（図示省略）によって上金型本体１８に対し上下移動するように構成されている。尚、上金型挿入部材４６は、その下端に、下向きに尖った山形状の凸部４６ａを二対有している。これら両凸部４６ａは前記切欠部２６に上方から挿脱自在である。
【００８５】
また、図２１に示すように、両凸部４６ａの位置は、サポートリード２が熱膨張した際の切欠部２６の位置に対して、サポートリード２の長さ方向における外側Ｃへ僅かにずらして設定されている。
【００８６】
また、図２２，図２３に示すように、下金型本体１９（他方の金型本体の一例）には、サポートリード２以外の封止成型領域１１の外周部をクランプする下金型クランプ部４７と、上金型挿入部材４６の下方に位置する下金型受け部材４８とが設けられている。
【００８７】
下金型クランプ部４７は下金型本体１９に固定されている。また、下金型受け部材４８は、下金型本体１９に上下移動可能に組み込まれており、駆動装置（図示省略）によって下金型本体１９に対し上下移動するように構成されている。尚、下金型受け部材４８は、その上端に、下向きに窪んだ谷形状の凹部４８ａを二対有している。また、図２１に示すように、両凹部４８ａの位置も、両凸部４６ａの位置と同様に、切欠部２６の位置に対して外側Ｃへ僅かにずらして設定されている。
【００８８】
前記上金型挿入部材４６の両凸部４６ａは、上下方向において、下金型受け部材４８の両凹部４８ａに嵌脱自在である。
封止金型３８を用いた封止方法としては、高温環境下で、上金型本体１８を下降し、先ず、サポートリード２以外の封止成型領域１１の外周部を上金型クランプ部４５と下金型クランプ部４７とでクランプする。これにより、クランプ時に発生するフレーム枠１のひずみがサポートリード２に影響を与えずに分散する。
【００８９】
また、サポートリード２自体も高温環境下で膨張しひずみが発生するが、この際、封止成型領域１１内におけるサポートリード２のひずみはスリット１６によって吸収される。前記クランプした状態で、その後、一定時間遅らせて、図２４に示すように、上金型挿入部材４６を下動させるとともに下金型受け部材４８を上動させ、各上金型挿入部材４６の両凸部４６ａを、上方から両切欠部２６に挿入すると共にフレーム枠１の外周方向にフックさせ、下金型受け部材４８の両凹部４８ａに嵌合する。
【００９０】
この際、前記のように両凸部４６ａと両凹部４８ａとの位置はサポートリード２が熱膨張した際の切欠部２６の位置に対して外側Ｃへ僅かにずれているため、各切欠部２６の位置が外側Ｃへ若干変移し、これにより、サポートリード２の引張力が前記ＦＸ０からＦＸ３に増大し（ＦＸ０＜ＦＸ３）、サポートリード２の引張力と支持力とは比例関係にあるため、サポートリード２の支持力は前記ＦＺ０からＦＺ３に増大する（ＦＺ０＜ＦＺ３）。
【００９１】
尚、引張力ＦＸ０はサポートリード２を上金型挿入部材４６と下金型受け部材４８とでクランプしていない場合の引張力である。また、支持力ＦＺ０はサポートリード２を上金型挿入部材４６と下金型受け部材４８とでクランプしていない場合の支持力である。
【００９２】
その後、封止樹脂１３を注入部１２から封止成型領域１１に注入する。この際、樹脂流動のアンラバンスにより垂直方向の封止樹脂注入応力ＰＺ３（図示省略）が発生し、サポートリード２とダイパッド３と半導体チップ７とは封止樹脂注入応力ＰＺ３を受ける。これに対して、前記のようにサポートリード２の支持力が支持力ＦＺ０から支持力ＦＺ３に増大しているため、支持力ＦＺ３が封止樹脂注入応力ＰＺ３よりも大きくなり（ＦＺ３＞ＰＺ３）、ダイパッドシフトの量を低減することができる。
【００９３】
さらに、上金型挿入部材４６の両凸部４６ａが両切欠部２６に挿入されて下金型受け部材４８の両凹部４８ａに嵌合した状態において、両凸部４６ａは、サポートリード２の先端の隅部分１５上に位置するのではなく、図２１（ａ）に示すように隅部分１５の両側方に位置する。このため、図２２に示すように、注入部１２がストレート状に形成され、これにより、封止樹脂注入時の注入部１２における封止樹脂１３の流れがスムーズになり、樹脂流動の乱流を抑制でき、封止成型領域１１の外観ボイドや内部ボイド又は剥離やボンディングワイヤ流れを低減できる。
【００９４】
尚、前記のような封止金型３８を用いた封止方法においては、上金型クランプ部４５と下金型クランプ部４７とでクランプした後、一定時間遅らせて、上金型挿入部材４６の両凸部４６ａを両切欠部２６に挿入してフックさせることにより、サポートリード２が十分に膨張しきった状態でクランプしてフックさせることができ、これにより、サポートリード２のひずみを減少することができる。また、フック時にサポートリード２に若干のひずみが生じても、既に、上金型クランプ部４５と下金型クランプ部４７とのクランプにおいて、サポートリード２以外の封止成型領域１１の外周部がクランプされているため、前記サポートリード２に生じたひずみがインナーリード４とアウターリード５とタイバー６とに影響を及ぼすことを防止することができる。
【００９５】
封止樹脂１３を封止成型領域１１内に注入して充填し、封止成型領域１１内の封止樹脂１３が重合してポストキュアー完了状態となった後、上金型挿入部材４６を上動させるとともに下金型受け部材４８を下動させ、上金型挿入部材４６の凸部４６ａを、下金型受け部材４８の凹部４８ａから脱抜するとともに、スリット１６の切欠部２６から脱抜する。
【００９６】
その後、上金型本体１８を上昇して、上金型クランプ部４５と下金型クランプ部４７とによるクランプを解除し、封止成型を完了したリードフレーム３６を取り出す。
これにより、封止樹脂１３はゲル状から固体に変化し、封止樹脂１３がサポートリード２とダイパッド３と半導体チップ７とボンディングワイヤ１０とにそれぞれ結合している。前記結合の状態では各界面が剥離を起こすような物理的変化を及ぼさないため、サポートリード２と封止樹脂１３との界面の密着性を向上できる。
【００９７】
前記実施の形態５では、上金型本体１８に、二対の凸部４６ａを有する上金型挿入部材４６が設けられ、下金型本体１９に、二対の凹部４８ａを有する下金型受け部材４８が設けられ、上金型挿入部材４６の凸部４６ａを切欠部２６に対して挿脱自在としているが、上金型本体１８に、二対の凹部を有する上金型受け部材が設けられ、下金型本体１９に、二対の凸部を有する下金型挿入部材が設けられ、下金型挿入部材の凸部を切欠部２６に対して挿脱自在としてもよい。
【００９８】
また、前記実施の形態４，５において、前記実施の形態３と同様に、サポートリード２の一部に段差部１４を形成してもよい。
前記実施の形態１〜５では、リードフレーム３６を、単体の半導体装置用のシングルリードフレームとしたが、複数行列に配置したマトリックスフレームとしてもよい。
【００９９】
前記実施の形態１、２、４、５では、封止金型３８を、単体の半導体装置用の封止金型としているが、半導体装置とリードフレーム３６とを複数行列に配置して一括して封止成型する封止金型であってもよい。
【０１００】
前記実施の形態１、２、４、５では、単層の半導体チップ７を搭載しているが、２層以上の積層の半導体チップを搭載してもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明のリードフレームと封止金型と封止方法は、半導体装置の封止成型の際、フレーム枠やサポートリードのひずみを低減し、サポートリードの支持力を強めることができるという効果を有し、封止樹脂注入時のダイパッドや半導体チップのシフトを低減するリードフレームと封止金型と封止方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の実施の形態１におけるリードフレームの平面図
【図２】同、リードフレームを用いた半導体装置の一部切欠き斜視図
【図３】同、リードフレームを樹脂封止する際に用いる封止金型の断面図
【図４】図３におけるＧ−Ｇ矢視図
【図５】図３におけるＨ−Ｈ矢視図
【図６】同、封止金型の下金型本体上にリードフレームをセットした平面図
【図７】同、封止金型でリードフレームをクランプした断面図
【図８】本発明の実施の形態２における封止金型の断面図
【図９】同、封止金型を用いてリードフレームをクランプして樹脂封止する封止方法を示す図
【図１０】同、封止金型を用いてリードフレームをクランプして樹脂封止する封止方法を示す図
【図１１】本発明の実施の形態３におけるリードフレームの図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ｂ線上の断面図
【図１２】本発明の実施の形態４におけるリードフレームの平面図
【図１３】同、リードフレームを樹脂封止する際に用いる封止金型の断面図
【図１４】同、リードフレームの貫通穴と封止金型の凹凸部との位置関係を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ｂ線上の断面図
【図１５】同、リードフレームを封止金型を用いて樹脂封止する封止方法を示す図
【図１６】同、リードフレームを封止金型を用いて樹脂封止する封止方法を示す図
【図１７】本発明の実施の形態５におけるリードフレームの平面図
【図１８】同、リードフレームを樹脂封止する際に用いる封止金型の断面図
【図１９】図１８におけるＧ−Ｇ矢視図
【図２０】同、封止金型の上金型挿入部材の図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）におけるＪ−Ｊ矢視図、（ｃ）は（ａ）におけるＫ−Ｋ矢視図
【図２１】同、リードフレームの切欠部と封止金型の凹凸部との位置関係を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ｂ線上の断面図
【図２２】図１８におけるＨ−Ｈ矢視図
【図２３】同、封止金型の下金型受け部材の図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）におけるＪ−Ｊ矢視図、（ｃ）は（ａ）におけるＫ−Ｋ矢視図
【図２４】同、リードフレームを封止金型でクランプした断面図
【図２５】従来のリードフレームの平面図
【図２６】同、リードフレームを用いた半導体装置の一部切欠き斜視図
【図２７】同、リードフレームを封止金型でクランプした断面図
【図２８】同、リードフレームを封止金型でクランプして封止樹脂を注入している過程を示す断面図
【図２９】同、薄型半導体装置用のリードフレームを封止金型でクランプして封止樹脂を注入している過程を示す断面図
【符号の説明】
【０１０３】
１    フレーム枠
２    サポートリード
３    ダイパッド
４    インナーリード
５    アウターリード
６    タイバー
１１    封止成型領域
１２    注入部
１３    封止樹脂
１４    段差部
１５    隅部分
１６    スリット
１７    貫通穴
１８    上金型本体（一方の金型本体）
１９    下金型本体（他方の金型本体）
２０    上金型第１クランプ部
２１    下金型第１クランプ部
２２    上金型第２クランプ部
２２ａ  凸部（屈曲形成部）
２３    下金型第２クランプ部
２３ａ  凹部（屈曲形成部）
２６    切欠部
３６    リードフレーム
３８    封止金型
４５    上金型クランプ部
４６    上金型挿入部材
４６ａ  凸部
４７    下金型クランプ部
４８    下金型受け部材
４８ａ  凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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