(57)【要約】【課題】発光表示装置における輝度ばらつきの補正精度の向上を図る。【解決手段】各画素に発光素子及び発光素子に流れる電流を制御する素子駆動Ｔｒ２を有し、表示部領域内に発光素子の発光光を検出する受光センサ回路を備える。表示部１１０を駆動するための駆動回路２００は、素子駆動Ｔｒ２を線形領域で動作させて発光素子を発光させ、対応する受光センサ回路から得られた検出信号に基づいて、その特性ばらつきを検出し、これを調整するセンサ調整信号Ｖａを作成する作成部３３０と、センサ特性ばらつき調整後、素子駆動Ｔｒ２を飽和領域で動作させて発光素子を発光させ、受光センサ回路１４０で得た検出信号に基づいて、その画素回路の輝度ばらつきを検出しこれを補正するデータ信号補正部（３５０，２５０）を有する。【選択図】図３
2008242322.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を備える表示部と、前記表示部を制御するための駆動制御部と、を備える発光表示装置であって、
前記複数の画素のそれぞれは、発光素子及び該発光素子に流れる電流を制御するための素子駆動トランジスタを有する画素回路を備え、
前記表示部の領域内には、前記発光素子の発光光を検出する受光センサ回路を備え、
前記駆動制御部は、
前記素子駆動トランジスタを線形領域で動作させて前記発光素子を発光させた際に、対応する前記受光回路から得られた検出信号に基づいて、該受光センサ回路における特性ばらつきを検出するセンサばらつき検出部と、
検出された前記特性ばらつきを調整するため前記受光センサ回路に供給するセンサ調整信号を作成する調整信号作成部と、
前記センサ特性ばらつきの調整後、前記素子駆動トランジスタを飽和領域で動作させて前記発光素子を発光させた際に、対応する前記受光センサ回路から得られた検出信号に基づいて、対応する前記画素回路における特性ばらつきを検出し、前記特性ばらつきを補正するために、前記画素回路に供給されるデータ信号を補正するデータ信号補正部と、を備えることを特徴とする発光表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光表示装置において、
前記受光センサ回路は、受光センサと、前記受光回路の感度設定用素子とを備え、前記受光センサでの受光結果に応じた検出信号を出力する出力部を有し、
前記感度設定用素子は、前記調整信号に応じて前記受光回路の感度設定をすることを特徴とする発光表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の発光表示装置において、
前記センサ調整信号を記憶するセンサ調整信号メモリ部と、
前記画素回路における特性ばらつき検出結果に応じて前記データ信号を補正するために必要な補正用信号を記憶する補正用信号メモリ部と、
を備えることを特徴とする発光表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発光表示装置において、
前記センサ調整信号メモリ部には、前記発光表示装置の出荷時において、出荷前に予め作成された前記センサ調整信号が記憶されていることを特徴とする発光表示装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４に記載の発光表示装置において、
前記補正信号メモリ部には、前記発光表示装置の出荷時において、出荷前に予め作成された前記補正用信号が記憶されていることを特徴とする発光表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発光表示装置において、
前記補正用信号は、前記素子駆動トランジスタを飽和領域で動作させて前記発光素子を発光させた際に、対応する前記受光センサ回路から得られた検出信号に応じた輝度データであることを特徴とする発光表示装置。
【請求項７】
請求項３から請求項６のいずれか一項に記載の発光表示装置において、
前記補正用信号メモリ部には、前記発光表示装置の出荷後に、前記素子駆動トランジスタを飽和領域で動作させて前記発光素子を発光させた際に、対応する前記受光センサ回路から得られた検出信号に応じた輝度データが記憶されることを特徴とする発光表示装置。
【請求項８】
請求項３から請求項７のいずれか一項に記載の発光表示装置において、
前記センサ調整信号メモリ部には、前記発光表示装置の出荷後に、前記素子駆動トランジスタを線形領域で動作させて前記発光素子を発光させた際に、対応する前記受光センサ回路から得られた検出信号に応じて得られた新たなセンサ調整信号が記憶され、該新たなセンサ調整信号を利用して前記受光センサ回路の前記特性ばらつきを調整することを特徴とする発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子を各画素に有する表示装置、特にその表示ばらつきの補正に関する。
【背景技術】
【０００２】
自発光素子であるエレクトロルミネッセンス素子（以下ＥＬ素子という）を各画素の表示素子に採用したＥＬ表示装置は、次世代の平面表示装置として期待され、研究開発が行われている。
【０００３】
このようなＥＬ表示装置は、ガラスやプラスチックなどの基板上に、ＥＬ素子及びこのＥＬ素子を画素毎に駆動するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを形成したＥＬパネルを形成した後、幾度かの検査を経て製品として出荷される。
【０００４】
各画素にＴＦＴを備える現在のアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置において、このＴＦＴに起因した表示ムラ、特にＴＦＴのしきい値Ｖｔｈのばらつきに起因してＥＬ素子の輝度ばらつきが生じ、歩留まり低下の大きな要因となっている。このような製品の歩留まりの向上は、非常に重要であり、素子設計、材料、製造方法等の改良によって表示欠陥や表示ムラ（表示ばらつき）を低減することが要求されると共に、下記特許文献１などにおいて表示ムラなどが発生した場合にはこれを補正することにより良品パネルとする試みがなされている。
【０００５】
しかし、特許文献１のようにＥＬパネルを発光させ、これをカメラで撮像して輝度ばらつきを測定する方法は、出荷後においては実行することができず、パネルの経時変化などに対応した補正を実行することはできない。また、ＥＬパネルが高精細化して画素数が増大すると、各画素毎にその輝度ばらつきを測定するには測定及び補正対象が多く、カメラの高解像度化、補正情報の格納部の容量拡大などが必要となる。
【０００６】
より簡易な方法として、各画素に受光センサを内蔵させ、受光センサによって対応する画素のＥＬ素子の発光輝度を検出し、検出した輝度に応じて、ＥＬ素子の輝度を補正することが特許文献２において提案されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３１６４０８号公報
【特許文献２】特開２００６−２５１０９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献２において採用されている受光センサは、表示部と同一のパネル基板上に内蔵形成されるＴＦＴを採用している。このようなＴＦＴは、レーザアニール処理によって低温多結晶化した多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）膜をＴＦＴの能動層に用いている。このような受光センサは、パネル上に画素用ＴＦＴなどと同時に内蔵形成できるために、採用することによる特別な工程の追加が不要であり、画素毎に作成することも可能である。しかし、低温多結晶化シリコン膜を能動層とするＴＦＴは、光電特性のばらつきが存在しており、そのばらつきが受光検出結果に影響を及ぼすことで、ＥＬ素子の輝度ばらつきを増大させてしまう可能性もある。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、高精度に発光素子の発光輝度のばらつきを補正する機能を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、複数の画素を備える表示部と、前記表示部を制御するための駆動制御部と、を備える発光表示装置であって、前記複数の画素のそれぞれは、発光素子及び該発光素子に流れる電流を制御するための素子駆動トランジスタを有する画素回路を備え、前記表示部の領域内には、前記発光素子の発光光を検出する受光センサ回路を備え、前記駆動制御部は、前記素子駆動トランジスタを線形領域で動作させて前記発光素子を発光させた際に、対応する前記受光回路から得られた検出信号に基づいて、該受光センサ回路における特性ばらつきを検出するセンサばらつき検出部と、検出された前記特性ばらつきを調整するため前記受光センサ回路に供給するセンサ調整信号を作成する調整信号作成部と、前記センサ特性ばらつきの調整後、前記素子駆動トランジスタを飽和領域で動作させて前記発光素子を発光させた際に、対応する前記受光センサ回路から得られた検出信号に基づいて、対応する前記画素回路における特性ばらつきを検出し、前記特性ばらつきを補正するために、前記画素回路に供給されるデータ信号を補正するデータ信号補正部と、を備える。
【００１１】
本発明の他の態様では、上記発光表示装置において、前記受光センサ回路は、受光センサと、前記受光回路の感度設定用素子とを備え、前記受光センサでの受光結果に応じた検出信号を出力する出力部を有し、前記感度設定用素子は、前記調整信号に応じて前記受光回路の感度設定する。
【００１２】
本発明の他の態様では、上記発光表示装置において、前記センサ調整信号を記憶するセンサ調整信号メモリ部と、前記画素回路における特性ばらつき検出結果に応じて前記データ信号を補正するために必要な補正用信号を記憶する補正用信号メモリ部と、を備える。
【００１３】
本発明の他の態様では、上記発光表示装置において、前記センサ調整信号メモリ部には、前記発光表示装置の出荷時において、出荷前に予め作成された前記センサ調整信号が記憶されている。
【００１４】
本発明の他の態様では、上記発光表示装置において、前記補正信号メモリ部には、前記発光表示装置の出荷時において、出荷前に予め作成された前記補正用信号が記憶されている。
【００１５】
本発明の他の態様では、上記発光表示装置において、前記補正用信号は、前記素子駆動トランジスタを飽和領域で動作させて前記発光素子を発光させた際に、対応する前記受光センサ回路から得られた検出信号に応じた輝度データである。
【００１６】
本発明の他の態様では、上記発光表示装置において、前記補正用信号メモリ部には、前記発光表示装置の出荷後に、前記素子駆動トランジスタを飽和領域で動作させて前記発光素子を発光させた際に、対応する前記受光センサ回路から得られた検出信号に応じた輝度データが記憶される。
【００１７】
本発明の他の態様では、上記発光表示装置において、前記センサ調整信号メモリ部には、前記発光表示装置の出荷後に、前記素子駆動トランジスタを線形領域で動作させて前記発光素子を発光させた際に、対応する前記受光センサ回路から得られた検出信号に応じて得られた新たなセンサ調整信号が記憶され、該新たなセンサ調整信号を利用して前記受光センサ回路の前記特性ばらつきを調整する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、発光素子を駆動する素子駆動トランジスタを線形領域で動作させて発光素子を発光させることで、素子駆動トランジスタなどの画素回路の特性ばらつきが発光輝度に影響を及ぼさない状態で、受光センサ回路の特性を検知することができる。したがって、受光センサ回路の特性ばらつきを精度良く検出して調整することができる。また、素子駆動トランジスタを飽和領域で動作させて発光素子を発光させることにより、この素子駆動トランジスタなどの特性ばらつきに起因した発光輝度のばらつきを、受光センサ回路からの検出結果よりとらえることができ、通常表示時における発光素子の輝度ばらつきを正確に補正することが可能となる。
【００１９】
さらに、受光センサ回路を表示部の領域に備えるため、表示装置の出荷後においても所定タイミングで発光素子の発光輝度を検出することができ、画素回路等の特性の経時変化による輝度ばらつきの拡大などを防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を用いてこの発明の最良の実施の形態（以下実施形態という）について説明する。
【００２１】
［実施形態１］
本実施形態において、発光表示装置の発光素子は、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、例えば、有機発光材料をその発光素子層に用いた有機ＥＬ素子等が採用可能である。以下、発光素子としてＥＬ素子を用い、さらに、ＥＬ素子を個別に駆動するためのスイッチ素子を各画素に備えるいわゆるアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置を例に説明する。
【００２２】
（画素概略）
図１は、この実施形態に係るアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置の等価回路の一例を示す図であり、図２は、各画素の動作波形を示す図である。
【００２３】
アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置は、複数の画素１２０を備える表示部１１０が形成されたＥＬパネル１００と、表示部１１０を駆動するための駆動制御回路２００を備える。表示部１１０には、マトリクス状に複数の画素１２０が配置され、マトリクスの水平（Ｈ）走査方向（行方向）には、順次選択信号が出力される選択ライン（ゲートラインＧＬ）１０が形成されており、垂直（Ｖ）走査方向（列方向）には、データ信号（Ｖｓｉｇ）が出力されるデータライン１２（ＤＬ）と、被駆動素子である有機ＥＬ素子（以下、単に「ＥＬ素子」という）１８に、駆動電源ＰＶＤＤを供給するための電源ライン１６（ＶＬ）が形成されている。
【００２４】
各画素１２０は、概ねこれらのラインによって区画される領域に設けられており、各画素は、本実施形態では、画素回路１３０と、この画素回路１３０と対応した受光センサ回路１４０とを備える。
【００２５】
画素回路１３０は、上記ＥＬ素子１８と、ｎチャネルのＴＦＴより構成された選択トランジスタＴｒ１（以下、「選択Ｔｒ１」）、保持容量Ｃｓ、ｐチャネルのＴＦＴより構成された素子駆動トランジスタＴｒ２（以下、「素子駆動Ｔｒ２」）を備える。
【００２６】
選択Ｔｒ１は、そのドレインが垂直走査方向に並ぶ各画素にデータ電圧（Ｖsig）を供給するデータライン１２に接続され、ゲートが水平走査ライン上に並ぶ画素を選択するためのゲートライン１０に接続され、そのソースは素子駆動Ｔｒ２のゲートに接続されている。
【００２７】
また、素子駆動Ｔｒ２のソースは電源ライン１６に接続され、ドレインはＥＬ素子１８のアノードに接続されている。ＥＬ素子のカソードは各画素共通で形成され、カソード電源ＣＶに接続されている。
【００２８】
ＥＬ素子１８は、ダイオード構造で下部電極と上部電極の間に発光素子層を備える。発光素子層は、例えば少なくとも有機発光材料を含む発光層を備え、発光素子層に用いる材料特性などにより、単層構造や、２層、３層あるいは４層以上の多層構造を採用することができる。本実施形態では、下部電極が画素毎に個別形状にパターニングされ上記アノードとして機能し、素子駆動Ｔｒ２に接続されている。また、上部電極が複数の画素に共通でカソードとして機能する。
【００２９】
画素毎に上記のような回路構成を備えるアクティブマトリクス型ＥＬ表示装置において、素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値Ｖｔｈがばらつくと、同一のデータ信号を各画素に供給しても、ＥＬ素子には駆動電源ＰＶＤＤから同一の電流が供給されず、これが輝度ばらつき（表示ばらつき）の原因となる。
【００３０】
受光センサ回路１４０は、検出対象である光を発するＥＬ素子１８に近い領域に設けられていることが好適であり、表示部１１０の領域内に設けられている。本実施形態では、この受光センサ回路１４０は、各画素回路１３０に１対１で対応付けられて１つの画素１２０を構成し、対応するＥＬ素子１８の発光輝度を検出する。受光センサ回路１４０は、ＥＬ素子１８の発光を受けて光電流を発生する受光素子を備える。本実施形態では、この受光素子として、画素回路１３０の各トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２などと同様の薄膜トランジスタを採用したフォトトランジスタＴｒＰを採用している。このフォトトランジスタＴｒＰが、トップゲート型のトランジスタによって構成される場合、ゲート電極の下には、ゲート絶縁膜を介して能動層中に形成されたチャネル領域が存在するが、トランジスタよりも上層に形成されるＥＬ素子の発光層からの光が、上記ゲート電極によって完全に遮られてしまわないように、ゲート電極の側方からＥＬ素子１８の発光光がチャネル領域に斜めに入射するようにその設置位置を設定する。なお、ボトムゲート型のトランジスタであれば、ゲート電極よりもチャネル層が上層に位置するため、上方に位置するＥＬ素子からの光を受光するのに適しており、レイアウトの特別な工夫はそれほど要求されない。
【００３１】
受光センサ回路１４０は、上記フォトトランジスタＴｒＰの他、受光検出用容量Ｃ１と、充電制御トランジスタＴｒＡ、出力トランジスタＴｒＢ、出力調整用トランジスタＴｒＣ、調整信号設定用トランジスタＴｒＤ、センサ調整用容量Ｃ２を有する。
【００３２】
充電制御トランジスタＴｒＡと、フォトトランジスタＴｒＰとは、この例ではいずれもｎチャネルＴＦＴとして構成され、高圧側電源（ＰＶＤＤ）と、低圧側電源（保持容量ライン電源）との間に直列に接続されている。充電制御トランジスタＴｒＡのゲートはゲートライン１０に接続され、フォトトランジスタＴｒＰのゲートは所定のバイアス信号Ｖbiasとして、次行のゲートライン１０に接続されている。受光検出用容量Ｃ１の第１電極は、高圧側電源（ＰＶＤＤ）に接続され、第２電極は、充電制御トランジスタＴｒＡのソースと、フォトトランジスタＴｒＰのドレインとに接続されている。
【００３３】
出力トランジスタＴｒＢは、ここでは、ｐチャネル型ＴＦＴによって構成されており、そのゲートが受光検出用容量Ｃ１の第２電極に接続され、ソースが高圧側電源として電源ライン１６（ＰＶＤＤ）に接続され、ドレインが光検出ライン２２に接続されている。さらにこの光検出ライン２２と、上記出力トランジスタＴｒＢのドレインには、ｎチャネル型ＴＦＴによって構成された出力調整用トランジスタＴｒＣのドレインが接続され、そのソースは低圧側電源として容量ライン１４に接続されている。
【００３４】
この出力調整用トランジスタＴｒＣのゲートには、センサ調整ライン２４から、ここではｎチャネル型ＴＦＴによって構成された調整信号設定用トランジスタＴｒＤを介し、センサ調整信号Ｖａが印加される構成となっている。また、出力調整用トランジスタＴｒＣのゲート及び調整信号設定用トランジスタＴｒＤのソースには、センサ調整ライン２４から供給されるセンサ調整信号Ｖａを保持するためのセンサ調整用容量Ｃ２の第１電極が、接続されている。なお、このセンサ調整用容量Ｃ２の第２電極は、バイアス電源としてフォトトランジスタＴｒＰと同様、次行のゲートライン１０に接続されている。
【００３５】
（画素動作）
次に、図２を参照して、画素回路１３０及び受光センサ回路１４０の動作について説明する。ゲートライン１０に選択信号が出力されると（図２（ａ））、このゲートライン１０に接続されている画素回路１３０の選択Ｔｒ１が動作する。このとき、データライン１２に出力されているデータ信号Ｖｓｉｇに応じた電圧が素子駆動Ｔｒ２のゲートに供給され、また、保持容量Ｃｓによってその電位が一定期間保持される。素子駆動Ｔｒ２は、そのゲートに供給される電圧Ｖｓｉｇに応じた電流を駆動電源ＰＶＤＤからＥＬ素子１８に供給し、ＥＬ素子１８は、その電流に応じた輝度で発光する。
【００３６】
選択Ｔｒ１と同じゲートライン１０に接続された充電制御トランジスタＴｒＡが、図２（ａ）のようなパルス信号（選択信号）Ｖpulseを受け、そのＨレベル期間にオンすると、電源ＰＶＤＤからこのトランジスタＴｒＡのドレイン−ソースを介して電流が流れ、受光検出用容量Ｃ１が充電され、図２（ｂ）に示すように、その第２電極側の電位Ｎ１は、電源ＰＶＤＤにほぼ等しい電位となる。ここで、フォトトランジスタＴｒＰは、Ｖbias電圧がゲートに供給されオフ状態に制御されており、上記ＥＬ素子１８からの発光光がチャネルに照射されると、光電流を生じ、この光電流に応じた電荷がフォトトランジスタＴｒＰを介して放電され、受光検出用容量Ｃ１の第２電極側の電位Ｎ１が低下していく（図２（ｂ））。
【００３７】
第２電極側の電位Ｎ１が、出力トランジスタＴｒＢの動作しきい値Ｖｔｈよりも低くなると、出力トランジスタＴｒＢはオンする。ここで、出力調整用トランジスタＴｒＣのゲート電圧は、調整信号設定用トランジスタＴｒＤを介してセンサ調整ライン２４から供給されるセンサ調整信号Ｖａに設定されており、出力調整用トランジスタＴｒＣはこのＶａに応じた抵抗として機能する。図２（ｃ）に示すように、上記出力トランジスタＴｒＢがオフ状態では、この抵抗としての出力調整用トランジスタＴｒＣにより、出力調整用トランジスタＴｒＣのソース電圧（出力ノード電圧Ｎ２）は、低圧側電源（ここでは容量ライン電圧）に等しく維持される。
【００３８】
上記のように出力トランジスタＴｒＢがオンすると、出力調整用トランジスタＴｒＣのソースドレイン間の抵抗値よりも、出力トランジスタＴｒＢの抵抗値（ソースドレイン間の抵抗値）は十分に小さい値となり、出力ノード電圧Ｎ２は、電源電圧ＰＶＤＤにほぼ等しい電圧となり、図２（ｃ）に示すように、出力トランジスタＴｒＢがオンしたタイミングからレベルが電源電圧ＰＶＤＤに等しいＨレベルに立ち上がる。次に充電制御トランジスタＴｒＡがオンして受光検出用容量Ｃ１が充電され、出力トランジスタＴｒＢがオフするまでの期間、出力ノードＮ２はＨレベルとなり、検出信号は、フォトトランジスタＴｒＰの受光輝度に応じた長さのパルス信号として検出出力ライン２２に出力される。
【００３９】
ここで、図２（ｂ）の特性ａ，ｂは、センサ調整信号Ｖａを一定にした場合において、フォトトランジスタＴｒＰの受光輝度が異なる場合の受光検出量容量Ｃ１の第２電極側電位Ｎ１の変化を示している。特性ａの受光輝度は、特性ｂにおける受光輝度よりも大きいため、フォトトランジスタＴｒＰの光電流が多く、電位Ｎ１の低下速度が速い。その結果、図２（ｃ）のように、検出信号のＨレベル期間は、電位Ｎ１の低下速度、つまり受光輝度に応じた長さとなり、輝度ａの場合の方が輝度ｂの場合よりＨレベル期間が長くなっている。このように、受光輝度に応じたパルス信号を発生することにより、詳しくは後述するが、駆動回路２００の輝度判定部は、この検出信号のＨレベル期間に応じて、受光輝度を精度良く判定することができる。
【００４０】
図２（ｄ）は、受光輝度が上記の特性ｂの場合と等しい条件において、センサ調整信号Ｖａを変化させた場合の検出信号の波形を示している。図２（ｄ）の特性ｂは、図２（ｃ）の場合と同一のセンサ調整信号Ｖａを出力調整用トランジスタＴｒＣに設定しており、検出信号のパルス幅は図２（ｃ）の特性ｂと同一である。特性ｂ１は、センサ調整信号Ｖａの電圧値を特性ｂの場合よりも低く設定し、逆に特性ｂ２は、特性ｂよりも高く設定している。Ｖａの電圧値が低いと、ｎチャネル型の出力調整用トランジスタＴｒＣの抵抗値（ソースドレイン間の抵抗値）は高くなる。よって、出力トランジスタＴｒＢがオンするタイミングが特性ｂの場合と同じでも、この出力トランジスタＴｒＢから供給される電流と出力調整用トランジスタＴｒＣの抵抗値との積で決まる検出信号の電圧値の上昇速度が特性ｂの場合よりも大きく、結果として図２（ｄ）の特性ｂ１に示すように、出力される検出信号のＨレベル期間の開始タイミングが早まる。逆にＶａの電圧値が高いと出力調整用トランジスタＴｒＣの抵抗値は低くなり、特性ｂに比較すると検出信号の電圧値の上昇速度は特性ｂよりも低くなり、出力される検出信号のＨレベル期間の開始タイミングが送れる。このように、センサ調整信号Ｖａによって検出信号のタイミング、即ち、受光センサ回路１４０としての感度を調整することができる。
【００４１】
なお、受光センサ回路１４０は、図１に示すように画素１２０内に形成し、かつ画素回路１３０と１対１で形成しているが、複数の画素回路１３０に対して共通の受光センサ回路１４０を用いて輝度の測定をしても良い。
【００４２】
（駆動回路の説明）
次に、受光センサ回路の特性ばらつきの調整と画素回路における輝度ばらつきの補正について説明する。図３は、受光センサ回路の特性ばらつきを調整し、画素回路の輝度ばらつきを補正する本実施形態に係る発光表示装置の全体構成を示す。既に説明したように、発光表示装置は、ＥＬパネル１００を備え、パネル１００は、ガラスなどの基板上に、上述の図１のような画素が複数形成された表示部１１０と、表示部１１０を駆動するための駆動回路２００を備える。
【００４３】
駆動回路２００は、図３に示すように、一例として、表示部１１０を駆動するために必要な処理を実行する駆動部２１０と、輝度検査に基づいてセンサ調整及び輝度ばらつき補正を実行するばらつき補正部３００を備える。この駆動回路２００は、これらの各構成の全て又は一部が集積化された集積回路として構成することができ、また、基板の上に、ＣＯＧ（chip on glass）等の手法により搭載することができる。
【００４４】
駆動部２１０は、ドライバ回路２２０、信号処理部２３０、タイミング制御（Ｔ／Ｃ）部２４０等を備える。
【００４５】
信号処理部２３０は、外部から供給される映像信号に基づいて各画素に供給するデータ信号などを作成するための処理部である。外部からの映像信号に対し、必要に応じてシリアルパラレル（Ｓ／Ｐ）変換部、輝度、コントラストを表示パネルの特性や環境に応じて調整する輝度・コントラスト調整部と、ガンマ補正を実行するガンマ補正部、外光輝度の判定結果に応じてデータ信号を調整するデータ調整部、補正処理等を施したデータを表示部に供給する前にアナログ信号に変換するデジタルアナログ変換部などを備える。
【００４６】
タイミング制御部２４０は、外部から供給される同期信号（Vsync, Hsync）、クロック信号（dotclock）などから表示に必要なタイミング信号(Ｈクロック、Ｖクロック、Ｈスタート信号、Ｖスタート信号等）を作成する。
【００４７】
ドライバ２２０は、パネル１００の表示１１０に対し、所定タイミングで駆動信号や表示データ信号を出力する回路であり、図１の例では、ＥＬパネル１００の表示部の周辺に、パネル内蔵ドライバ回路として画素１１０の各ＴＦＴと同時にパネル上に形成されている。このパネル内蔵ドライバ回路は、図１の例では各ゲートライン１０に、順次、選択信号を出力するＶドライバ２２０Ｖと、データライン１２に対し、上記ゲートライン１０によって選択される画素の表示内容に応じたデータ信号Ｖsigを供給するためのＨドライバ２２０Ｈを備える。なお、このＶドライバ２２０Ｖ、Ｈドライバ２２０Ｈは、集積化された駆動回路２００内にドライバ２２０として内蔵することも可能であるし、この集積回路とは独立した集積回路としてパネル１００に搭載しても良い。
【００４８】
ばらつき補正部３００は、輝度検査制御部３１０による制御に応じて輝度判定、センサ調整、輝度ばらつき測定、輝度ばらつき補正を実行する。輝度判定部３２０は、図１に示した検出出力ライン２４からの検出信号を受け、対応する受光センサ回路１４０で検出された光の輝度を判定する。
【００４９】
センサ調整信号作成部３３０は、本実施形態では、輝度検査時において得られた輝度判定結果から、受光センサ回路の特性ばらつきを検出し、また、そのばらつきを調整するためのセンサ調整信号Ｖａを作成する。このセンサ調整信号Ｖａは、各画素毎にセンサ調整信号メモリ３４０に記憶され、かつ、必要に応じて図１のセンサ調整ライン２４に出力され、対応する受光センサ回路１４０の調整信号設定用トランジスタＴｒＤを介してセンサ調整用容量Ｃ２に保持される。
【００５０】
輝度ばらつき検査時（通常表示時における検査時でも良い）に、輝度判定部３２０で求められた得られた輝度データは、補正用メモリ４００に記憶される。
【００５１】
補正データ作成部３５０は、この補正用メモリ４００から輝度データを読み出し、後述するように各画素回路１３０に供給するデータ信号に対して実行する二次元ばらつき補正に必要な補正データを作成する。なお、本実施形態において、この補正データ作成部３５０と後述する二次元ばらつき補正部５２０は、データ信号補正部を構成する。
【００５２】
補正用メモリ４００は、初期輝度（出荷前検査時）の輝度データを記憶する初期輝度データメモリと、出荷後の実動作時の輝度データを記憶する実動作輝度データメモリとを備える。さらに、上記補正データ作成部３５０で作成された補正データを記憶する補正データメモリを備えていても良い。対応するデータを対応するメモリに記憶し、必要に応じて対応するメモリからデータを読み出す。
【００５３】
これら３種類のメモリは、単一のメモリ上の異なるアドレスに記憶しても良いし、別のメモリをそれぞれ用いても良い。また、初期輝度データメモリと、実動作輝度データメモリとを輝度データメモリとして統合してもよい。この場合、後述するように、装置出荷後、最初に表示する際には初期輝度データを利用して二次元ばらつき補正を実行し、出荷後に、実動作輝度データが受光センサ回路１４０の検出信号に基づいて得られたら、その実動作輝度データを初期輝度データに上書きしても良いし、異なるアドレスにそれぞれ記憶しておいても良い。実動作時にも初期輝度データを残しておく場合には、初期輝度データと実動作輝度データとの差から、ＥＬ素子１８の輝度の経時変化などを判定し、その変化を考慮して上記補正データを作成し、二次元ばらつき補正をしても良い。
【００５４】
二次元ばらつき補正部２５０は、信号処理部２３０から順次供給される各画素についてのデータ信号に対し、補正データ作成部３５０で作成された、対応する画素の補正データを用い、順次、二次元ばらつき補正を実行する。
【００５５】
このようにして二次元ばらつき補正の施されたデータ信号は、ドライバ２２０に供給され、ドライバ２２０（Ｈドライバ２２０Ｈ）から表示部１１０の対応するデータライン１２に出力される。
【００５６】
なお、駆動回路２００及び表示部１１０が動作するためには電源が必要であるが、その電源を発生するための電源回路は、（図３には示さないが）駆動回路２００内に内蔵することもできるし、電源回路は駆動回路２００とは別に、専用の電源回路ＩＣを採用してもよい。一例として電源回路は、駆動電源ＰＶＤＤ、Ｈドライバ２２０Ｈ、Ｖドライバ２２０Ｖを動作させるための電源等を、外部から供給される電源を利用し昇圧する回路を含み、作成した電源電圧を各部へ供給する（外部からそのまま各部へ供給してもよい）。
【００５７】
（ばらつき補正）
次に、図４をさらに参照し、本実施形態に係る輝度ばらつきの補正手順について説明する。図４は、ばらつき補正の手順を示している。本実施形態において、輝度ばらつきの補正は、最初に、発光輝度を検出するための受光センサ回路１４０のセンサ特性のばらつきを補正し、その後、輝度ばらつきを測定してその補正を行う。
【００５８】
受光センサ回路１４０のセンサ特性の検査に際しては、各画素の素子駆動Ｔｒ２を線形領域で動作させて対応するＥＬ素子１８を発光させる（Ｓ１）。
【００５９】
ＥＬ素子１８の発光光は、対応する受光センサ回路１４０が受光する。なお、センサ特性の検査の際、各画素に供給するデータ信号（検査用データ信号）は、各画素に対して等しい値であり、また、センサ調整信号Ｖａについても、全画素で等しく設定しておく。
【００６０】
例えば画素回路１３０の素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値にばらつきがある場合、通常表示時には素子駆動Ｔｒ２をいわゆる飽和領域で動作させてＥＬ素子１８を発光させるため、ＥＬ素子１８に素子駆動Ｔｒ２を介して供給される電流量に差が発生し、これが発光輝度の差となる。
【００６１】
具体的には、以下に図５を参照して説明する。図５は、素子駆動Ｔｒ２の特性ばらつき（電流供給特性のばらつき、例えば、動作しきい値Ｖｔｈのばらつき）が生じた場合の素子駆動Ｔｒ２及びＥＬ素子のＶｄｓ−Ｉｄｓ特性を示している。素子駆動Ｔｒ２への印加電圧がＶｇｓ−Ｖｔｈ＜Ｖｄｓを満たす場合、素子駆動Ｔｒ２は飽和領域で動作する。なお、Ｖｄｓは、トランジスタのドレインソース間電圧、Ｉｄｓは、ドレインソース間電流、Ｖｇｓはゲートソース間電圧、Ｖｔｈは動作閾値である。
【００６２】
飽和領域では、素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値Ｖｔｈが正常画素より高い画素では、該トランジスタのドレインソース間電流Ｉｄｓが、正常のトランジスタよりも小さく、ＥＬ素子への供給電流量、つまり、ＥＬ素子の流す電流は、正常画素よりも小さい（ΔＩ大）。よって、この画素の発光輝度は、正常画素の発光輝度よりも低くなる。逆に、素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値Ｖｔｈが正常画素より低い画素においては、該トランジスタのドレインソース間電流Ｉｄｓが、正常のトランジスタよりも大きくなり、ＥＬ素子の流す電流は、正常画素より多くなり、発光輝度は高くなる。したがって、素子駆動Ｔｒ２を飽和領域で動作させた場合、輝度ばらつきが大きくなる。
【００６３】
一方、素子駆動Ｔｒ２への印加電圧が、Ｖｇｓ−Ｖｔｈ＞Ｖｄｓを満たす場合、この素子駆動Ｔｒ２は線形領域で動作し、この線形領域では、しきい値Ｖｔｈが高い素子駆動Ｔｒ２と、低い素子駆動Ｔｒ２とで、Ｖｄｓ−Ｉｄｓ特性の差が小さい。よって、ＥＬ素子への供給電流量の差（ΔＩ）も小さく、ＥＬ素子は、素子駆動Ｔｒ２の特性ばらつきの有無によらず、概ね同様の発光輝度を示す。
【００６４】
そこで、本実施形態では、輝度検査制御部３１０は、受光センサ回路１４０のセンサ特性の検査をする際、素子駆動Ｔｒ２を線形領域で動作させ、各画素のＥＬ素子を均一な輝度で発光させる。その発光光を対応する受光センサ回路１４０で受光すれば、得られる検出データに基づいて各受光センサ回路１４０の特性ばらつきを判断することができる。輝度判定部３２０は、上述のように、検出信号から輝度データを求め、これを補正用メモリ４００に記憶する。センサ調整信号作成部３３０は、その輝度データを読み出し、輝度データに応じて最適なセンサ調整信号Ｖａを作成し、これを画素毎にセンサ調整信号メモリ３４０に記憶する（Ｓ２）。
【００６５】
ここで、センサ調整信号Ｖａは、輝度データから演算によって最適値を厳密に求めても良いし、より簡易な方法で決定しても良い。例えば、センサ調整信号作成部３３０が、輝度データが基準範囲内であるかどうか判断し、範囲内ならば（ばらつきなし）、センサ感度が基準値となるようにセンサ調整信号Ｖａを選択する（例えば図２（ｄ）の特性ｂに相当するＶａ）。また、輝度データが上限値より大きければ（高輝度＝高感度判定）、センサ感度を低下させることの可能なレベルのセンサ調整信号Ｖａを選択する（図１の回路構成の場合、標準よりも高電圧レベルＶａ：図２（ｄ）の特性ｂ２に相当するＶａ）。逆に、輝度データが下限値より小さければ（低輝度＝低感度判定）、センサ感度を上昇させることの可能なレベルのセンサ調整信号Ｖａを選択する（図１の回路構成の場合、標準よりも低電圧レベルＶａ：図２（ｄ）の特性ｂ１に相当するＶａ）。比較値をさらに多く設定し、それに応じて対応するＶａも用意すれば、より正確なセンサ感度の調整（センサ特性のばらつきを補正）をすることができる。
【００６６】
上記のようにしてセンサ特性に応じて決定され、かつ、センサ調整信号メモリ３４０に記憶されたセンサ調整信号Ｖａは、各画素回路１３０のＥＬ素子１８の輝度ばらつき検査を実行する際に、該メモリ３４０から読み出される。このセンサ調整信号Ｖａは、センサ調整ライン２４を介して対応する受光センサ回路１４０に供給され、センサ調整用容量Ｃ２に設定される。これにより、各受光センサ回路１４０のセンサ特性のばらつきが調整される。
【００６７】
次に、輝度ばらつきの検査とその補正が実行される。輝度検査制御部３１０は、各画素の素子駆動Ｔｒ２を飽和領域で動作させ、対応するＥＬ素子１８を検査用データ信号（同一輝度レベルを示すデータ信号）に応じて発光させる（Ｓ３）。飽和領域では、図５から理解できるように、素子駆動Ｔｒ２のＶｄｓの変化に対するＩｄｓの変化量が小さいため、安定した輝度での発光が可能である。したがって、通常の表示モードの際には、素子駆動Ｔｒ２は飽和領域で動作させてＥＬ素子１８を発光させていることが多い。その一方で、上述のように、素子駆動Ｔｒ２を飽和領域で動作させた場合、画素回路１３０の特性ばらつき（特に素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値Ｖｔｈばらつき）によって、ＥＬ素子１８の発光輝度のばらつきが大きくなり、輝度ばらつきを確実に検出することが可能となる。そこで、本実施形態では、大きな輝度ばらつきが発生しやすい条件で、ＥＬ素子１８を発光させ、その光を既にセンサ特性を調整した受光センサ回路１４０によって受光する。そして、輝度判定部３２０が、検出信号から初期輝度データを求め、この初期輝度データは補正用メモリ４００に記憶される（Ｓ４）。
【００６８】
補正データ作成部３５０は、得られた初期輝度データに基づいて、後述するように二次元ばらつき補正に必要な補正データを作成し、この補正データは、補正用メモリ４００に記憶され、出荷前の処理が終了する。なお、補正データの作成及び二次元ばらつき補正の概要について詳しくは後述する。
【００６９】
出荷前には、センサ及び輝度ばらつきの検査だけでなく、欠陥検査、色調整などが実行され、良品と判定され、調整が可能な製品に対しては検査結果によって得られた必要な調整値は、例えば図３の補正値記憶部２８０等に設定される。なお、この補正値記憶部２８０は、上記補正用メモリ４００と統合されていても良い。
【００７０】
出荷前には、以上のようにセンサ調整と、初期輝度に応じた輝度ばらつき補正のための補正データの作成を実行する。そして、出荷後の実際に表示を行う際に、各画素に供給するデータ信号に対する二次元ばらつき補正を行う。具体的には、出荷後、表示装置を起動し、信号処理部２３０が、映像信号からこの表示装置に適したデータ信号Ｖsigを作成し、これを二次元ばらつき補正部２５０に出力した際、補正データ作成部３５０から供給される補正データを用いてこのデータ信号Ｖsigに対して二次元ばらつき補正処理を実行する（Ｓ７）。
【００７１】
二次元ばらつき補正が施されたデータ信号Ｖsigは、ドライバ２２０を経て表示部１１０のデータライン１２に出力され、対応する画素回路１３０に供給され、ＥＬ素子１８が上記データ信号Ｖsigに応じた輝度で発光することで表示が行われる（Ｓ８）。
【００７２】
以下、輝度ばらつき補正の方法について、図６を参照して説明する。各画素に供給するデータ信号ＶsigとＥＬ素子が流す電流Ｉoledには図６の実線に示すような対応関係がある。また、ＥＬ素子の流す電流Ｉoledと発光輝度とは比例関係にある。
【００７３】
そこで、素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値Ｖｔｈが基準の（正常な）ＴＦＴよりもずれている場合、補正データ作成部３５０は、補正用メモリ４００に記憶されている初期輝度データから、その動作しきい値Ｖｔｈのずれを補償する補正データを求めるのである。概念的には、この補正データにより、図５において点線で示す特性のように動作しきい値Ｖｔｈのずれ分に応じて各画素に供給するデータ信号の電圧をシフトさせることとなる。
【００７４】
データ信号の電圧をシフトさせるための補正データの作成方法の一例を具体的に説明すると以下の通りである。まず、各画素の動作しきい値の基準からのずれは、下記式（１）によって求めることができる。
【数１】
2008242322.tif 000003
【００７５】
式（１）において、Ｖｔｈ（ｉ）、Ｖ（ΔＢright）、Ｖ（ΔＢright-ref）Ｖｓｉｇｏｎおよびγは、以下のように定義される。
【００７６】
Ｖｔｈ（ｉ）：検査対象画素の動作しきい値ずれ
Ｖ（ΔＢright：検査対象画素の輝度データ（電圧データ）
Ｖ（ΔＢright-ref）：基準輝度データ（電圧データ）
Ｖｓｉｇｏｎ：検査用オン表示信号の階調レベル
γ：表示パネルの発光効率特性（定数値）
検査用オン表示信号の階調レベル［Ｖｓｉｇｏｎ］を、例えば２４０（０〜２５５）に設定した場合、この階調レベル２４０、検査対象画素の輝度データ［Ｖ（ΔＢright）］、基準のオンオフカソード電流値［Ｖ（ΔＢright-ref）］、定数の発光効率特性γに基づいて、上記式（１）から各画素の基準に対する動作しきい値ずれＶｔｈ（ｉ）を求めることができる。例えば、Ａ〜Ｅの画素について、以下のようにそれぞれ基準からのしきい値ずれ量Ｖｔｈ（ｉ）が得られたとする。
【００７７】
Ｖｔｈ（Ａ）＝０
Ｖｔｈ（Ｂ）＝１３．４
Ｖｔｈ（Ｃ）＝１７．０
Ｖｔｈ（Ｄ）＝３．２
Ｖｔｈ（Ｅ）＝２０．７
上記例では、画素Ｅのしきい値Ｖｔｈずれが最大であり、各画素に同一階調レベルのデータ信号を供給すると、画素Ｅが表示部の中で最も低輝度で発光することとなる。一方で、各画素に供給できるデータ信号の最大値には限度がある。そこで、このＶｔｈ（ｉ）maxの画素Ｅを基準にデータ信号の最大値Ｖｓｉｇmaxを決定する。つまり、得られた各画素のＶｔｈ（ｉ）の中から、最大値Ｖｔｈ（ｉ）maxを求め、このＶｔｈ（ｉ）maxに対する他の画素のＶｔｈの差ΔＶｔｈ（ｉ）をそれぞれ得る。さらに、その画素に供給すべきデータ信号の最大値Ｖｓｉｇmax（ｉ）から、Ｖｓｉｇmaxから得られたΔＶｔｈ（ｉ）を減算することで、［Ｖｓｉｇmax−ΔＶｔｈ（ｉ）］を求め、後述する式（２）の補正値を反映した初期補正データＲＳＦＴ（init）としてばらつき補正部２５０に供給する。
【００７８】
なお、この補正データ作成部３５０で作成された各画素の補正データは、二次元ばらつき補正部２５０に対して迅速に供給する目的から、補正用メモリ４００に記憶しておくことが好適である。但し、二次元ばらつき補正部２５０での補正演算に必要なタイミングで（映像信号のタイミングに合わせて）、随時初期輝度データを補正量メモリ４００から読み出し、この初期輝度データに基づいて補正データを求め二次元ばらつき補正部２５０に供給しても良い。この場合、Ｖｓｉｇmax（ｉ）については、上記のように補正用メモリ４００に記憶しておき、補正データ作成部３５０が補正用メモリ４００から必要な画素アドレスについての初期輝度データを読み出し、そのデータとＶｓｉｇmax（ｉ）とを利用して補正データを作成し、これを二次元ばらつき補正部２５０に供給する。
【００７９】
二次元ばらつき補正部２５０は、補正データ作成部３５０からの補正データを用い、信号処理部２３０から供給される映像信号に対し、一例として下記式（２）を用い、各画素毎にばらつき補正を実行する（２次元表示ムラ補正）。
【数２】
2008242322.tif 000004
式（２）において、ＲＳＦＴ（init）は、上記のように補正データ作成部３５０において求められた補正値を反映した初期補正データである。Ｒｉｎは、信号処理部２３０から供給される入力映像信号で、ここでは、９ビットデータであり、０〜５１１のいずれかの値を備える。ＡＤＪ＿ＳＦＴは、補正値調整（重み付け）パラメータであり、Ｒ＿ＳＦＴは、二次元表示ムラ補正後の表示データである。
【００８０】
図６に示すように、素子駆動Ｔｒ２の動作しきい値Ｖｔｈにずれが生じた場合、このＴＦＴの特性カーブの傾きβは、正常なＴＦＴの特性カーブの傾きとは異なる。したがって、図６の一点鎖線から点線へとデータ信号を単純にＶｔｈのずれ分だけシフトするのみでは、正確な階調表現をすることができない。そこで、二次元ばらつき補正部２５０では、上記式（２）等を用いて、傾きβ、つまり、上記式（２）の重み付けパラメータを考慮して実映像信号の値（輝度レベル）に応じて最適な補正を施し、正常のＴＦＴ特性に合ったカソード電流がＥＬ素子に流れるように調整するのである。このような補正により、単純なΔＶthのシフト補正だけの場合にＴＦＴ特性の傾きの違いに起因して生ずる低階調側の白うき（高階調側へのずれ）等を、確実に防止できる。
【００８１】
（リアルタイムのばらつき補正）
次に、図７を参照して、出荷後の表示時においてセンサ特性ばらつき及び輝度ばらつきを補正するための手法の一例を説明する。
【００８２】
図７に示す例では、出荷後、最初は、出荷前に求められた初期輝度データ及びそれに基づいた補正データに応じ、データ信号Ｖｓｉｇに対する二次元ばらつき補正を実行し（Ｓ１１）、表示を行う（Ｓ１２）。
【００８３】
通常表示時の合間や、例えば表意装置の電源を投入した直後など、輝度検査制御部３１０は、所定タイミングになったかどうかを判断し、決められたタイミングになると（Ｓ１３：Ｙｅｓ）、最新の特性検査を開始する。まず、各画素のセンサ調整信号Ｖａを等しい標準値として、素子駆動Ｔｒ２を線形領域で動作させて発光素子を発光させる（Ｓ１４）。受光センサ回路１４０はその光を受光し、輝度判定部３２０は得られた検出信号から輝度データを得る。センサ調整信号作成部３３０は、この輝度データに基づいてセンサ特性のばらつきを補正するためのセンサ調整信号Ｖａを求め、この新しいセンサ調整信号Ｖａをセンサ調整信号メモリ３４０に記憶し、また、各画素の受光センサ回路１４０に設定する（Ｓ１５）。
【００８４】
最新のセンサ調整信号Ｖａによって受光センサ回路１４０を最新の特性に応じて調整した後、素子駆動Ｔｒ２を飽和領域で発光させ（Ｓ１７）、輝度判定部３２０は、得られた検出信号から最新の輝度データを得る。そして、この最新の輝度データは実動作輝度データとして補正用メモリ４００に初期輝度データとは別に記憶するか、或いは、初期輝度データに上書きする（Ｓ１８）。
【００８５】
補正データ作成部３５０は、最新の輝度データに基づいて、再び、上述のような手法によって補正データを求め、これを補正用メモリ４００に記憶する。二次元ばらつき補正部２５０は、次に通常表示を実行する際、この新しい補正データを用いてデータ信号Ｖsigに対する二次元ばらつき補正を行い、得られたデータ信号Ｖsigによって表示が行われる。
【００８６】
以上のように、出荷後においても、例えばタイマ等を備えて、１日に１回や１週間に１回、１ヶ月に１回などの、装置電源投入時やその他通常表示に影響を及ぼさない期間中に、受光センサ回路１４０の特性を検査する。そして、この受光センサ回路１４０のばらつきを新しい検査結果に応じて調整し、その上でＥＬ素子の発光輝度を測定する。
【００８７】
以上のように出荷後にも検査を実行することで、例えば能動層に画素回路のトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２等と同じく低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）などを採用し、パネル基板上に画素回路の形成と同時に受光センサ回路１４０を形成した場合に、このＬＴＰＳの光電変換特性に変動が生じても、変動を把握して補正することができる。もちろん、ＬＴＰＳに限らず、本実施形態のような手法を採用することにより、受光センサ回路１４０の特性変動の影響を受けずに長期間に渡り正確に発光素子の発光輝度を検出し、その輝度ばらつきを補正することができる。
【００８８】
また、上述のように、初期輝度データと実動作輝度データの両方をメモリ４００に記憶しておく場合、その輝度データの比較から輝度変動量、すなわち、画素回路の経時的な特性変動初を把握し、その変動を考慮して二次元ばらつき補正を実行することで、特性変動が発生しても確実に均一な輝度での発光表示が可能となる。
【００８９】
なお、以上の画素回路では、素子駆動トランジスタとして、ｐチャネルのＴＦＴを採用したが、ｎチャネルのＴＦＴを用いてもよい。さらに、以上の画素回路では、１画素について、トランジスタとして、選択トランジスタと駆動トランジスタの２つのトランジスタを備える構成を採用した例を説明したが、トランジスタが２つのタイプ及び上記回路構成には限られない。また、受光センサ回路１４０も図１に示す回路構成には限らないが、そのセンサ感度をセンサ調整信号によって調整する調整部を備えることが必要である。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の実施形態に係るＥＬ表示装置の画素１１０の概略回路構成を説明する等価回路図である。
【図２】本発明の実施形態に係る受光センサ回路の動作波形を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に係るＥＬ表示装置の全体構成を説明する概略図である。
【図４】本発明の実施形態に係るセンサ特性ばらつきの調整及び輝度ばらつき補正のための手順について説明する図である。
【図５】本発明の実施形態に係るセンサ特性及び輝度ばらつきの検査を説明する図である。
【図６】本発明の実施形態に係る輝度ばらつきの補正の概念を説明する図である。
【図７】本発明の実施形態に係る出荷後のセンサ特性ばらつき及び輝度ばらつき補正のための手順について説明する図である。
【符号の説明】
【００９１】
１０  ゲートライン（ＧＬ）、１２  データライン（ＤＬ）、１４  容量ライン、１６  電源ライン（ＶＬ）、１８  ＥＬ素子、２２  検出出力ライン、２４  センサ調整ライン、１００  パネル、１１０  表示部、１２０  画素、１３０  画素回路、１４０  受光センサ回路、２００  駆動制御回路（ドライバＩＣ）、２１０  駆動部、２２０  ドライバ、２２０Ｈ  Ｈドライバ、２２０Ｖ  Ｖドライバ、２３０  信号処理部、２４０  タイミング制御部（Ｔ／Ｃ）、２５０  二次元ばらつき補正部、３００  ばらつき補正部、３１０  輝度検査制御部、３２０  輝度判定部、３３０  センサ調整信号作成部、３４０  センサ調整信号メモリ、３５０  補正データ作成部、４００  補正用メモリ、ＴｒＰ  フォトトランジスタ、Ｃ１  受光検出用容量、ＴｒＡ  充電制御トランジスタ、ＴｒＢ  出力トランジスタ、ＴｒＣ  出力調整用トランジスタ、ＴｒＤ  調整信号設定用トランジスタ、Ｃ２  センサ調整用容量。
【図１】
2008242322.tif 000005
【図２】
2008242322.tif 000006
【図３】
2008242322.tif 000007
【図４】
2008242322.tif 000008
【図５】
2008242322.tif 000009
【図６】
2008242322.tif 000010
【図７】
2008242322.tif 000011