(57)【要約】【課題】ＥＬパネル面の発光寿命を最長化する技術を実現する。【解決手段】１フレーム内の点灯時間制御に使用中のデューティ比を含む複数種類のデューティ比でＥＬ（Electro Luminescence）素子を点灯駆動する。そして、ＥＬ素子の劣化に伴い変化する物理量を各デューティ比別に測定する。この後、物理量の比較によりＥＬ素子の劣化の進行を遅延させる効果が最も高いデューティ比を特定し、回測定時点まで使用するデューティ比として決定する。【選択図】図２
2008203796.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１フレーム内の点灯時間制御に使用中のデューティ比を含む複数種類のデューティ比でＥＬ（Electro Luminescence）素子を点灯駆動し、ＥＬ素子の劣化に伴い変化する物理量を各デューティ比別に測定する寿命特性測定部と、
前記物理量の比較によりＥＬ素子の劣化の進行を遅延させる効果が最も高いデューティ比を特定し、回測定時点まで使用するデューティ比として決定するデューティ比決定部と
を有することを特徴とするＥＬパネルの長寿命化装置。
【請求項２】
請求項１に記載のＥＬパネルの長寿命化装置において、
前記寿命特性測定部は、前記物理量として発光輝度を測定する
ことを特徴とするＥＬパネルの長寿命化装置。
【請求項３】
請求項１に記載のＥＬパネルの長寿命化装置において、
前記寿命特性測定部は、前記物理量としてＥＬ素子の両極間に発生する順方向降下電圧を測定する
ことを特徴とするＥＬパネルの長寿命化装置。
【請求項４】
請求項１に記載のＥＬパネルの長寿命化装置において、
前記寿命特性測定部は、現在使用中のデューティ比と、これより点灯時間長の長いデューティ比を測定対象とする
ことを特徴とするＥＬパネルの長寿命化装置。
【請求項５】
請求項１に記載のＥＬパネルの長寿命化装置において、
前記寿命特性測定部は、現在使用中のデューティ比と、現在使用中のデューティ比より点灯時間長の長いデューティ比と、現在使用中のデューティ比より点灯時間長の短いデューティ比とを測定対象とする
ことを特徴とするＥＬパネルの長寿命化装置。
【請求項６】
請求項１に記載のＥＬパネルの長寿命化装置は、
ＥＬパネルで採用する発光色別に、１フレーム内の点灯時間制御に使用するデューティ比を可変制御する
ことを特徴とするＥＬパネルの長寿命化装置。
【請求項７】
請求項１に記載のＥＬパネルの長寿命化装置において、
前記物理量の測定に使用するＥＬ素子は、測定専用のダミー画素である
ことを特徴とするＥＬパネルの長寿命化装置。
【請求項８】
請求項１に記載のＥＬパネルの長寿命化装置において、
前記物理量の測定に使用するＥＬ素子は、有効表示領域を構成する画素の１つである
ことを特徴とするＥＬパネルの長寿命化装置。
【請求項９】
ＥＬパネルの総点灯時間長を計測する点灯時間長計測部と、
事前に測定されたデューティ比とＥＬ素子の寿命低下との関係に従って、ＥＬパネルの寿命が最長化するように予め設定された総点灯時間長とデューティ比との対応関係を記憶する切替情報記憶部と、
計測された総点灯時間長に基づいて前記切替情報記憶部を参照し、各時点に対応づけられたデューティ比を現時点で使用するデューティ比に決定するデューティ比決定部と
を有することを特徴とするＥＬパネルの長寿命化装置。
【請求項１０】
請求項９に記載のＥＬパネルの長寿命化装置において、
前記デューティ比決定部は、ＥＬパネルで採用する原色別に、各原色の点灯制御に使用するデューティ比を可変制御する
ことを特徴とするＥＬパネルの長寿命化装置。
【請求項１１】
ＥＬ（Electro Luminescence）素子をマトリクス状に配置した有効表示領域と、
１フレーム内の点灯時間長を規定するデューティ比信号をＥＬ素子に供給するデューティ比信号供給部と、
使用中のデューティ比を含む複数種類のデューティ比でＥＬ素子を点灯駆動し、ＥＬ素子の劣化に伴い変化する物理量を各デューティ比別に測定する寿命特性測定部と、
前記物理量の比較によりＥＬ素子の劣化の進行を遅延させる効果が最も高いデューティ比を特定し、回測定時点まで使用するデューティ比として決定するデューティ比決定部と
を有することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項１２】
ＥＬ（Electro Luminescence）素子をマトリクス状に配置した有効表示領域と、
１フレーム内の点灯時間長を規定するデューティ比信号をＥＬ素子に供給するデューティ比信号供給部と、
ＥＬパネルの総点灯時間長を計測する点灯時間長計測部と、
事前に測定されたデューティ比とＥＬ素子の寿命低下との関係に従って、ＥＬパネルの寿命が最長化するように予め設定された総点灯時間長とデューティ比との対応関係を記憶する切替情報記憶部と、
計測された総点灯時間長に基づいて前記切替情報記憶部を参照し、各時点に対応づけられたデューティ比を現時点で使用するデューティ比に決定するデューティ比決定部と
を有することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項１３】
ＥＬ（Electro Luminescence）素子をマトリクス状に配置した有効表示領域と、
１フレーム内の点灯時間長を規定するデューティ比信号をＥＬ素子に供給するデューティ比信号供給部と、
使用中のデューティ比を含む複数種類のデューティ比でＥＬ素子を点灯駆動し、ＥＬ素子の劣化に伴い変化する物理量を各デューティ比別に測定する寿命特性測定部と、
前記物理量の比較によりＥＬ素子の劣化の進行を遅延させる効果が最も高いデューティ比を特定し、回測定時点まで使用するデューティ比として決定するデューティ比決定部と、
システム制御部と
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
ＥＬ（Electro Luminescence）素子をマトリクス状に配置した有効表示領域と、
１フレーム内の点灯時間長を規定するデューティ比信号をＥＬ素子に供給するデューティ比信号供給部と、
ＥＬパネルの総点灯時間長を計測する点灯時間長計測部と、
事前に測定されたデューティ比とＥＬ素子の寿命低下との関係に従って、ＥＬパネルの寿命が最長化するように予め設定された総点灯時間長とデューティ比との対応関係を記憶する切替情報記憶部と、
計測された総点灯時間長に基づいて前記切替情報記憶部を参照し、各時点に対応づけられたデューティ比を現時点で使用するデューティ比に決定するデューティ比決定部と、
システム制御部と
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
１フレーム内の点灯時間制御に使用中のデューティ比を含む複数種類のデューティ比でＥＬ（Electro Luminescence）素子を点灯駆動し、ＥＬ素子の劣化に伴い変化する物理量を各デューティ比別に測定する処理と、
前記物理量の比較によりＥＬ素子の劣化の進行を遅延させる効果が最も高いデューティ比を特定し、回測定時点まで使用するデューティ比として決定する処理と
を有することを特徴とする長寿命化方法。
【請求項１６】
ＥＬパネルの総点灯時間長を計測する処理と、
事前に測定されたデューティ比とＥＬ素子の寿命低下との関係に従って、ＥＬパネルの寿命が最長化するように予め設定された総点灯時間長とデューティ比との対応関係を参照し、計測された総点灯時間長に対応づけられたデューティ比を現時点で使用するデューティ比に決定する処理と
を有することを特徴とする長寿命化方法。
【請求項１７】
ＥＬ（Electro Luminescence）パネルを構成するＥＬ素子の寿命が最長化するように駆動条件を制御するコンピュータに、
１フレーム内の点灯時間制御に使用中のデューティ比を含む複数種類のデューティ比でＥＬ（Electro Luminescence）素子を点灯駆動し、ＥＬ素子の劣化に伴い変化する物理量を各デューティ比別に測定する処理と、
前記物理量の比較によりＥＬ素子の劣化の進行を遅延させる効果が最も高いデューティ比を特定し、回測定時点まで使用するデューティ比として決定する処理と
を実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１８】
ＥＬ（Electro Luminescence）パネルを構成するＥＬ素子の寿命が最長化するように駆動条件を制御するコンピュータに、
ＥＬパネルの総点灯時間長を計測する処理と、
事前に測定されたデューティ比とＥＬ素子の寿命低下との関係に従って、ＥＬパネルの寿命が最長化するように予め設定された総点灯時間長とデューティ比との対応関係を参照し、計測された総点灯時間長に対応づけられたデューティ比を現時点で使用するデューティ比に決定する処理と
を実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この明細書で説明する発明は、ＥＬ（Electro Luminescence）素子の長寿命化技術に関する。
なお、発明は、長寿命化装置、ＥＬ表示装置、電子機器、長寿命化方法及びコンピュータプログラムとしての側面を有する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス駆動型のＥＬパネルの一部では、残像感を低減する目的で１フレーム内の一部期間のみＥＬ素子を点灯駆動する仕組み（デューティ駆動方式）を採用するものがある。ここで、１フレーム全体に対する点灯期間の比率をデューティ比といい、そのための駆動信号をデューティ比信号という。
【０００３】
例えばデューティ駆動方式には、以下に示す特許文献がある。
【特許文献１】特開２００３−３２３１５５号公報
【特許文献２】特開２００３−３３０４１８号公報
【特許文献３】特開２００４−３１７９４１号公報
【特許文献４】特開２００６−０３８９６７号公報
【特許文献５】特開２００６−０３８９６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述した特許文献には、デューティ比を初期値のまま継続的に使用する方法や表示内容に応じてデューティ比を切り換える方法が開示されている。後者としては、例えば表示内容が静止画像か動画像かによってデューティ比を選択する方法、画面輝度が高いほど小さいデューティ比に切り換える方法等が開示されている。
【０００５】
しかし、デューティ比を初期値のまま継続的に使用する方法は、初期劣化の影響により輝度変化の影響の大きい焼き付きを防止できない問題がある。また、この方法は、長寿命化を実現できない問題もある。
また、表示内容に応じてデューティ比を切り換える方法は、ＥＬ素子の寿命を延ばす一定の効果はあるものの、素子劣化を伴う長寿命化効果の変動が考慮されていない。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで、発明者らは、素子劣化に伴うデューティ比と長寿命化効果との関係の変化に着目し、ＥＬパネルが本来有する発光能力を最大限引き出すことが可能となる仕組みを提案する。
【０００７】
例えば発明者らは、長寿命化装置の一つとして、素子劣化に伴うデューティ比と長寿命化効果との関係の変化を物理量の測定を通じて検出し、有効表示領域の駆動制御に使用するデューティ比の決定に反映する仕組みを提案する。
【０００８】
この場合、長寿命化装置は、（ａ）１フレーム内の点灯時間制御に使用中のデューティ比を含む複数種類のデューティ比でＥＬ（Electro Luminescence）素子を点灯駆動し、ＥＬ素子の劣化に伴い変化する物理量を各デューティ比別に測定する寿命特性測定部と、（ｂ）物理量の比較によりＥＬ素子の劣化の進行を遅延させる効果が最も高いデューティ比を特定し、回測定時点まで使用するデューティ比として決定するデューティ比決定部とで構成する。
【０００９】
また例えば発明者らは、長寿命化装置の一つとして、事前に測定した長寿命化効果の変動情報に基づいてデューティ比を切り替える仕組みを提案する。
この場合、長寿命化装置は、（ａ）ＥＬパネルの総点灯時間長を計測する点灯時間長計測部と、（ｂ）事前に測定されたデューティ比とＥＬ素子の寿命低下との関係に従って、ＥＬパネルの寿命が最長化するように予め設定された総点灯時間長とデューティ比との対応関係を記憶する切替情報記憶部と、（ｃ）計測された総点灯時間長に基づいて前記切替情報記憶部を参照し、各時点に対応づけられたデューティ比を現時点で使用するデューティ比に決定するデューティ比決定部とで構成する。
【発明の効果】
【００１０】
発明者らの提案する発明を用いれば、使用中の各時点において、最も長寿命化効果が大きいデューティ比でＥＬパネルを点灯制御することができる。これにより、ＥＬパネルの使用可能期間を極大化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、発明をアクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置（ＥＬ表示装置）に適用する場合について説明する。
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。
また以下に説明する形態例は、発明の一つの形態例であって、これらに限定されるものではない。
【００１２】
（Ａ）デューティ比と劣化の進行速度との関係
通常、有機ＥＬ素子の劣化は、点灯時間長及び駆動電流量に比例して進行し、使用期間中にデューティ比と劣化の進行速度が入れ替わることはないと考えられている。すなわち、図１に示すように、デューティ比が大きいほど有機ＥＬ素子の劣化は早く進み、発光能力が低下することが考えられている。
【００１３】
しかし、発光層に用いられる有機材料の種類や使用環境によっては、必ずしも図１に示したような劣化特性が得られないことが分かってきた。図２に、使用期間中にデューティ比と劣化の進行速度との関係が入れ替わる例を示す。
図２の場合、使用開始から時点Ｐａまでは、デューティ比２５％による点灯駆動が最も劣化の進行が遅くなっている。
【００１４】
しかし、時点Ｐａ付近でデューティ比２５％による点灯駆動の劣化速度とデューティ比５０％による点灯駆動の劣化速度がほぼ同じになり、時点Ｐｂまではデューティ比５０％による点灯駆動が最も劣化の進行が少なくなる。
【００１５】
また、時点Ｐｂ付近でデューティ比５０％による点灯駆動の劣化速度とデューティ比７５％による点灯駆動の劣化速度がほぼ同じになり、時点Ｐｃまではデューティ比７５％による点灯駆動が最も劣化の進行が少なくなる。
【００１６】
なお、時点Ｐｃ付近でデューティ比７５％による点灯駆動の劣化速度とデューティ比１００％による点灯駆動の劣化速度がほぼ同じになり、時点Ｐｃ以降はデューティ比１００％による点灯駆動が最も劣化の進行が少なくなる。
【００１７】
このように、有機ＥＬ素子の劣化の進行速度を送らせるデューティ比は、有機ＥＬ素子の劣化の進行に伴って変化する可能性が認められる。勿論、有機ＥＬ素子の発光寿命を最長化するのに有効なデューティ比の切り替えタイミングは、発光層を構成する有機材料や使用環境によっても変化する。
【００１８】
また、デューティ比の切り替えタイミングは、有機ＥＬ素子の発光色によっても異なっており、一般には図３に示す関係が認められる。
すなわち、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の３色の間では、青色のデューティ比の変更タイミングが最も早く到来し、以下緑色、赤色が続く傾向にある。
【００１９】
発明者らは、これらの特性に着目し、有機ＥＬ素子の発光寿命を最長化すべく、ＥＬパネルの使用中にデューティ比を順次切り替える仕組みを提案する。
【００２０】
（Ｂ）形態例１
ここでは、最適なデューティ比の切り替えタイミングを発光輝度の実測値に基づいて決定する手法について説明する。
【００２１】
（Ｂ−１）パネル構造
図４に、有機ＥＬパネル１の構造例を示す。この形態例の場合、有効表示領域３の外側にダミー画素５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを配置する。ダミー画素５Ｒは赤（Ｒ）輝度の測定用であり、ダミー画素５Ｇは緑（Ｇ）輝度の測定用であり、ダミー画素５Ｂは青（Ｂ）輝度の測定用である。
【００２２】
ダミー画素５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの画素構造は任意であり、例えば有効表示領域３を構成する画素構造と同じでも良い。勿論、ダミー画素専用の画素構造を採用しても良い。また、この形態例の場合、発光色別にダミー画素５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを配置しているが、発光輝度の測定を発光色別に時分割に実行するのであれば、有効表示領域３と同じ画素構造のダミー画素は１つだけ配置しても良い。
【００２３】
（Ｂ−２）ディスプレイ装置の全体構成
図５に、有機ＥＬディスプレイ装置１１の主要構成部分を示す。有機ＥＬディスプレイ装置１１は、有機ＥＬパネル１（図４）、データ線ドライバ１３、走査線ドライバ１５、デューティ比信号供給部１７、寿命特性測定部１９、デューティ比決定部２１及びタイミングジェネレータ２３を主要な構成要素とする。
【００２４】
（ａ）有機ＥＬパネル
有機ＥＬパネル１は、有機ＥＬ素子を発光素子とする自発光型の表示パネルである。有機ＥＬパネル１の有効表示領域３には、画素回路（通常画素回路３１とダミー画素回路３３）がパネル解像度に応じてマトリクス状に配置されている。この形態例の場合、有機ＥＬパネル１はカラー表示用であり、各画素回路は発光色別に配置される。
【００２５】
ただし、複数色の発光層を積層した構造を有する有機ＥＬ素子Ｄが各画素回路を構成する場合、１つの画素が複数の発光色に対応する。
図６に、ダミー画素回路３３と駆動回路の具体的な接続関係を示す。
【００２６】
ダミー画素回路３３は、スイッチ素子Ｔ１、キャパシタＣ、電流駆動素子Ｔ２、デューティ制御素子Ｔ３及び有機ＥＬ素子Ｄで構成される。
スイッチ素子Ｔ１は、画素データ（測定用画素データ）に対応する信号電圧Ｖsig のキャパシタ（記憶回路）Ｃへの書き込みを制御する薄膜トランジスタである。
【００２７】
ここで、画素データ（測定用画素データ）は、データ線ドライバ１３よりデータ線ＤＬを通じて与えられる。また、スイッチ素子Ｔ１の開閉動作は、走査線ドライバ１５より走査線ＷＬを通じて供給される書き込み信号ＷＳにより制御される。
【００２８】
なお、キャパシタＣに書き込まれた信号電圧Ｖsig は、次フレームで新たな信号電圧Ｖsig が書き込まれるまで電流駆動素子Ｔ２のゲート端子とドレイン端子の間に保持される。
【００２９】
このため、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタで構成される電流駆動素子Ｔ２は、キャパシタＣに保持されている信号電圧Ｖsig （＝Ｖgs）により定まる大きさの駆動電流を有機ＥＬ素子Ｄに供給するように動作する。
【００３０】
デューティ制御素子Ｔ３は、有機ＥＬ素子Ｄの１フレーム内の点灯時間割合（デューティ比）を制御する薄膜トランジスタである。デューティ制御素子Ｔ３は、有機ＥＬ素子Ｄに対して直列に接続されており、電流駆動素子Ｔ２から有機ＥＬ素子Ｄに供給される駆動電流の供給と停止を制御する。
【００３１】
デューティ制御素子Ｔ３の開閉を制御するデューティ比信号Ｓdsは、デューティ比信号供給部１７からデューティ制御線を通じて供給される。
【００３２】
（ｂ）データ線ドライバ
データ線ドライバ１３は、信号電圧Ｖsig の書き込み対象である通常画素回路３１及びダミー画素回路３３が接続されたデータ線ＤＬに印加する回路デバイスである。各データ線ＤＬに対する信号電圧Ｖsig の印加は水平走査期間単位で実行される。
【００３３】
（ｃ）走査線ドライバ
走査線ドライバ１５は、信号電圧Ｖsig の書き込みタイミングを与える回路デバイスである。走査線ドライバ１５は、水平同期信号ＨＳが入力されるたび１つの走査線ＷＬを選択し、当該走査線ＷＬ上に位置する通常画素回路３１及びダミー画素回路３３を書き込み可能な状態に制御する。この制御信号が書き込み信号ＷＳである。
【００３４】
（ｄ）デューティ比信号供給部
デューティ比信号供給部１７は、１フレーム期間内で実際に有機ＥＬ素子Ｄの点灯時間割合を制御する回路デバイスである。この制御信号がデューティ比信号Ｓdsである。なお、デューティ比信号Ｓdsは、デューティ比決定部２１より与えられるデューティ比に基づいて発生される。
【００３５】
（ｅ）寿命特性測定部
寿命特性測定部１９は、各デューティ比による点灯駆動時に発生される輝度を個別に測定する回路デバイスである。
この形態例の場合、寿命特性測定部１９は、発光輝度の測定に輝度センサーを使用する。輝度センサーは、測定対象である有機ＥＬ素子Ｄの発光面と対面位置に発光面を覆うように配置されており、デューティ比別に有機ＥＬ素子Ｄの発光輝度を数時間毎に検出する。
【００３６】
（ｆ）デューティ比決定部
デューティ比決定部２１は、測定タイミングにおいて、有効表示領域３の点灯制御用に現在使用されているデューティ比とこれより点灯時間長の長いデューティ比とでダミー画素５を発光色別に点灯駆動する処理と、測定結果に基づいて次回測定時まで有効表示領域３の点灯制御に使用するデューティ比を決定する処理とを実行する処理デバイスである。
【００３７】
なお、測定タイミング以外において、デューティ比決定部２１は、有効表示領域３で使用するデューティ比でダミー画素５を駆動制御する。
また、この形態例の場合、デューティ比決定部２１は、測定される２つの発光輝度のうち発光輝度が高い方のデューティ比を有効表示領域３の点灯制御に使用するデューティ比に決定する。決定されたデューティ比は記憶領域に記憶される。
【００３８】
このデューティ比の決定用に、デューティ比決定部２１は、現在使用中のデューティ比に最も近く、かつ、現在使用中のデューティ比よりも点灯時間長の長いデューティ比を測定用に設定する。
【００３９】
ただし、有機ＥＬ素子Ｄのピーク輝度条件を保ったまま単純に点灯時間長を長くしたのでは、どちらのデューティ比が素子劣化の進行を遅らせることになるかを正確に判定することができない。なぜなら、ピーク輝度条件が同じである場合、デューティ比を変更することで発光輝度が増減してしまうためである。
【００４０】
そこで、デューティ比決定部２１は、ダミー画素５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの点灯制御に使用するデューティ比別にピーク輝度条件を可変する機能も搭載する。ピーク輝度条件は、駆動電流と駆動電圧で与えられる。ここでの駆動電流と駆動電圧の切り替え制御は、有効表示領域３とは独立にダミー画素５Ｒ、５Ｇ、５Ｂについてのみ発行色別に実行される。
【００４１】
なお、有効表示領域３のピーク輝度条件は、デューティ比決定部２１が有効表示領域３の表示用に設定したデューティ比に応じて不図示のピーク輝度制御部により発光色別に実行される。因みに、発光色別にピーク輝度条件を制御すると、色ずれが生じる可能性がある。
【００４２】
もっとも、この色ずれは、ピーク輝度条件を制御しない場合に比べればわずかである。なお、ピーク輝度条件の発光色別の制御によって発生する色ずれを補正する機能を追加することがより望ましいことは言うまでもない。色ずれの補正技術については既存の技術を利用する。
【００４３】
（ｇ）タイミングジェネレータ
タイミングジェネレータ２３は、画素データＤinに基づいて前述した各種のドライバにタイミング信号を供給する回路デバイスである。タイミングジェネレータ２３は、例えば水平同期信号、垂直同期信号、動作クロックその他を供給する。
【００４４】
（Ｂ−３）ディスプレイ装置の駆動動作
以下、前述した機能構成を有する有機ＥＬディスプレイ装置１１で実行される駆動動作を説明する。
有機ＥＬディスプレイ装置１１では、通常の表示動作と並行して図７に示す処理動作が実行される。
【００４５】
まず、有効表示領域３及びダミー画素５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの点灯時間制御用にデューティ比が初期値に設定される（Ｓ１）。デューティ比の初期値には、例えば１フレーム期間の２５％を設定する。この初期設定処理は、使用開始時に１回限り実行される。
【００４６】
この後、デューティ比決定部２１は、ダミー画素５を用いた発光輝度の測定タイミングが到来したか否かを判定する（Ｓ２）。この形態例の場合、測定周期は数、時間に１回の割合とする。
【００４７】
処理Ｓ２の判定処理において肯定結果が得られると、デューティ比決定部２１は、有効表示領域３の表示に現在使用されているデューティ比と対比する測定用のデューティ比を決定する（Ｓ３）。例えばデューティ比５０％を設定する。なお、測定用のデューティ比は、有効表示領域３の表示に使用するデューティ比が確定した時点で自動的に設定しても良い。
【００４８】
発光輝度の測定に使用するデューティ比が確定すると、デューティ比決定部２１は、各デューティ比による点灯を指示し、各デューティ比に対応するダミー画素５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの発光輝度を測定する（Ｓ４）。
【００４９】
各デューティ比に対応する発光輝度が得られると、デューティ比決定部２１は、測定用のデューティ比で駆動した場合の発光輝度が、現在使用中のデューティ比（現デューティ比）に対応する発光輝度よりも高いか否かを判定する（Ｓ５）。
【００５０】
この判定処理Ｓ５で肯定結果が得られると、デューティ比決定部２１は、デューティ比の変更を決定する（Ｓ６）。前述の例であれば、デューティ比を２５％から５０％への変更を決定する。変更の指示は、デューティ比決定部２１よりデューティ比信号供給部１７へ与えられ、指示されたデューティ比に対応するデューティ比信号が発生される。
【００５１】
一方、判定処理Ｓ５で否定結果が得られると、デューティ比決定部２１は、現デューティ比の維持を決定する（Ｓ７）。前述の例であれば、デューティ比を２５％のまま維持する。
この後、デューティ比決定部２１は判定処理Ｓ２に戻り、次回の測定タイミングの到来を判定する。
【００５２】
この処理が繰り返されることにより、有効表示領域３の点灯時間を規定するデューティ比は、有機ＥＬ素子Ｄの寿命を延ばすように順次切り替え制御される。勿論、発光色別に独立にデューティ比は切り替え制御される。
【００５３】
（Ｂ−４）形態例の効果
以上のように、有機ＥＬ素子Ｄの点灯時間長を規定するデューティ比を有機ＥＬ素子Ｄの発光能力の変化に応じて切り替えることにより、有機ＥＬディスプレイ装置１１の発光寿命を最大限発揮させることができる。
【００５４】
また、この形態例のように、有機ＥＬ素子Ｄの発光能力の低下に伴うデューティ比の切り替えの可否を実測結果に基づいて判定するので、切り替えタイミングを個々のＥＬパネル１に最適化することができる。
【００５５】
個々の有機ＥＬパネル１の個体差が発生する原因には、表示内容の違い（例えば静止画像の出力時間の違い、高輝度画面の出力時間の違い等）、使用環境の違い（例えば連続出力時間の違いや環境温度の違い等）などが考えられる。
【００５６】
しかし、有機ＥＬディスプレイ装置１１では、これら個体差の発生原因を含む適切なタイミングでデューティ比を切り替えることができるため、個々のＥＬディスプレイ装置１１に最適な長寿命化制御を実現できる。
【００５７】
（Ｃ）形態例２
ここでは、最適なデューティ比の切り替えタイミングを、有機ＥＬ素子Ｄの両極間に発生する順方向降下電圧Ｖを実測することにより決定する手法について説明する。
【００５８】
（Ｃ−１）パネル構造
この形態例の場合も、形態例１と同様のパネル構造を採用する。すなわち、図４で説明した有機ＥＬパネル１を採用する。ただし、有機ＥＬ素子Ｄの両極間に発生する順方向降下電圧ＶF を測定するための引き出し配線を配置する。
【００５９】
（Ｃ−２）ディスプレイ装置の全体構成
図８に、有機ＥＬディスプレイ装置４１の主要構成部分を示す。なお、図８は、図５との対応部分に符号を付して示す。
【００６０】
有機ＥＬディスプレイ装置４１は、有機ＥＬパネル１（図４）、データ線ドライバ１３、走査線ドライバ１５、デューティ比信号供給部１７、寿命特性測定部４３、デューティ比決定部４５及びタイミングジェネレータ２３を主要な構成要素とする。
【００６１】
すなわち、寿命特性測定部４３及びデューティ比決定部４５以外は、形態例１に係る有機ＥＬディスプレイ装置１１と同じ構成を採用する。以下では、寿命特性測定部４３及びデューティ比決定部４５についてのみ説明する。
【００６２】
（ａ）寿命特性測定部
寿命特性測定部４３は、図９に示すように、各デューティ比による点灯駆動時に発生する順方向降下電圧ＶF を個別に測定する回路デバイスである。
【００６３】
ただし、図９に示す回路構成の場合には、カソード電極の電位が固定であるので、有機ＥＬ素子Ｄのアノード電極に発生する電位（アノード電位）Ｖａのみを検出対象とする。勿論、順方向降下電圧ＶF を直接測定しても良い。
【００６４】
図１０に、寿命特性測定部４３の構成例を示す。図１０に示すように、寿命特性測定部４３は、オペアンプ構成のボルテージフォロア回路５１、アナログディジタル変換回路（Ａ／Ｄ変換回路）５３で構成する。
【００６５】
ここで、ボルテージフォロア回路５１を用いるのは、有機ＥＬ素子Ｄに供給される駆動電流の大きさが微小（ナノオーダー）なためである。このように微小な駆動電流を用いてアノード電位Ｖａの変化を検出するのは困難なためである。
【００６６】
検出されたアノード電位Ｖａは、アナログディジタル変換回路５３においてそれぞれディジタル値に変換され、デューティ比決定部４５に与えられる。
【００６７】
（ｂ）デューティ比決定部
デューティ比決定部４５は、有効表示領域３の点灯制御用に現在使用されているデューティ比とこれより点灯時間長の長いデューティ比とでダミー画素５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを発光色別に点灯駆動する処理と、測定結果に基づいて次回測定時まで有効表示領域３の点灯制御に使用するデューティ比を決定する処理とを実行する処理デバイスである。
【００６８】
この処理機能自体は、形態例１で説明したデューティ比決定部２１と同じである。ただし、この形態例で使用するデューティ比決定部４５の場合には、有機ＥＬ素子の劣化が進むにつれて順方向降下電圧ＶF が大きくなる特性に着目する。
【００６９】
このため、デューティ比決定部４５は、測定された２つのアノード電位Ｖａのうちアノード電位Ｖａが小さい方のデューティ比を有効表示領域３の点灯制御に使用するデューティ比に決定する。決定されたデューティ比は記憶領域に記憶される。
【００７０】
なお、このデューティ比の決定用に、デューティ比決定部４５も、現在使用中のデューティ比に最も近く、かつ、現在使用中のデューティ比よりも点灯時間長の長いデューティ比を測定用に設定する機能を搭載する。
【００７１】
また、このデューティ比決定部４５も、有機ＥＬ素子Ｄの劣化に伴う順方向降下電圧ＶF を正確に測定できるように、ダミー画素５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの点灯制御に使用するデューティ比別にピーク輝度条件を可変する機能も搭載する。
【００７２】
（Ｃ−３）ディスプレイ装置の駆動動作
以下、前述した機能構成を有する有機ＥＬディスプレイ装置４１で実行される駆動動作を説明する。
有機ＥＬディスプレイ装置４１では、通常の表示動作と並行して図１１に示す処理動作が実行される。
【００７３】
まず、有効表示領域３及びダミー画素５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの点灯時間制御用にデューティ比が初期値に設定される（Ｓ１１）。デューティ比の初期値には、例えば１フレーム期間の２５％を設定する。この初期設定処理は、使用開始時に１回限り実行される。
【００７４】
この後、デューティ比決定部４５は、ダミー画素５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを用いたアノード電位Ｖａの測定タイミングが到来したか否かを判定する（Ｓ１２）。この形態例の場合、測定周期は数、時間に１回の割合とする。
【００７５】
処理Ｓ１２の判定処理において肯定結果が得られると、デューティ比決定部４５は、有効表示領域３の表示に現在使用されているデューティ比と対比する測定用のデューティ比を決定する（Ｓ１３）。例えばデューティ比５０％を設定する。なお、測定用のデューティ比は、有効表示領域３の表示に使用するデューティ比が確定した時点で自動的に設定しても良い。
【００７６】
アノード電位Ｖａの測定に使用するデューティ比が確定すると、デューティ比決定部４５は、各デューティ比による点灯を指示し、各デューティ比に対応するダミー画素５Ｒ、５Ｇ、５Ｂのアノード電位Ｖａを測定する（Ｓ１４）。
【００７７】
各デューティ比に対応するアノード電位Ｖａが得られると、デューティ比決定部４５は、測定用のデューティ比で駆動した場合のアノード電位Ｖａが、現在使用中のデューティ比（現デューティ比）に対応するアノード電位Ｖａよりも低いか否かを判定する（Ｓ１５）。
【００７８】
この判定処理Ｓ１５で肯定結果が得られると、デューティ比決定部４５は、デューティ比の変更を決定する（Ｓ１６）。前述の例であれば、デューティ比を２５％から５０％への変更を決定する。変更の指示は、デューティ比決定部４５よりデューティ比信号供給部１７へ与えられ、指示されたデューティ比に対応するデューティ比信号が発生される。
【００７９】
一方、判定処理Ｓ１５で否定結果が得られると、デューティ比決定部４５は、現デューティ比の維持を決定する（Ｓ１７）。前述の例であれば、デューティ比を２５％のまま維持する。
この後、デューティ比決定部４５は判定処理Ｓ１２に戻り、次回の測定タイミングの到来を判定する。
【００８０】
この処理が繰り返されることにより、有効表示領域３の点灯時間を規定するデューティ比は、有機ＥＬ素子Ｄの寿命を延ばすように順次切り替え制御される。勿論、発光色別に独立にデューティ比は切り替え制御される。
【００８１】
（Ｃ−４）形態例の効果
以上のように、有機ＥＬ素子Ｄの点灯時間長を規定するデューティ比を有機ＥＬ素子Ｄの発光能力の低下をアノード電位Ｖａ（順方向電圧変化ＶF ）の変化に応じて切り替えることにより、有機ＥＬディスプレイ装置４１の発光寿命を最大限発揮させることができる。
【００８２】
勿論、この形態例の場合も、有機ＥＬ素子Ｄの発光能力の低下に伴うデューティ比の切り替えの可否を実測結果に基づいて判定するので、切り替えタイミングを個々の有機ＥＬパネル１に最適化することができる。
【００８３】
（Ｄ）形態例３
ここでは、最適なデューティ比の切り替えタイミングを、事前に測定した有機ＥＬ素子Ｄの劣化特性に従って決定する手法について説明する。この制御手法は、表示内容や使用環境をある程度予測できる場合に効果的である。
【００８４】
（Ｄ−１）パネル構造
この形態例の場合、既存のパネル構造をそのまま使用することができる。すなわち、図１２に示すように、有効表示領域６３のみを搭載する有機ＥＬパネル６１を使用することができる。
【００８５】
（Ｄ−２）ディスプレイ装置の全体構成
図１３に、有機ＥＬディスプレイ装置７１の主要構成部分を示す。なお、図１３は、図５との対応部分に符号を付して示す。
【００８６】
有機ＥＬディスプレイ装置７１は、有機ＥＬパネル６１（図１２）、データ線ドライバ１３、走査線ドライバ１５、デューティ比信号供給部１７、点灯時間長計測部７３、デューティ比決定部７５及びタイミングジェネレータ２３を主要な構成要素とする。
【００８７】
すなわち、点灯時間長計測部７３及びデューティ比決定部７５以外は、形態例１に係る有機ＥＬディスプレイ装置１１と同じ構成を採用する。以下では、点灯時間長計測部７３及びデューティ比決定部７５についてのみ説明する。
【００８８】
（ａ）点灯時間長計測部
点灯時間長計測部７３は、デューティ比の切り替えタイミングを与えるため、有機ＥＬディスプレイ装置７１の使用開始からの総点灯時間長を計測する処理デバイスである。点灯時間長計測部７３は、例えば主電源やモニター電源のオン期間を計測する。
【００８９】
（ｂ）デューティ比決定部
デューティ比決定部７５は、計測された総点灯時間長に基づいて切り替えタイミングを記憶する切替情報記憶部を参照し、各時点に対応づけられたデューティ比を現時点で使用するデューティ比に決定する処理デバイスである。
【００９０】
図１４に、切替情報記憶部に格納する発光色別のデータ構造例を示す。図１４に示すように、各発光色に対応するデータテーブルには、総点灯時間長と各時点から使用すべきデューティ比とが関連付けられて保存されている。デューティ比の切り替え時点を規定する時点ｔは、図３に示すように一般に異なっている。
【００９１】
（Ｄ−３）ディスプレイ装置の駆動動作及び効果
この形態例に係る有機ＥＬディスプレイ装置７１の場合には、使用開始と同時に総点灯時間長の計測が開始され、総点灯時間長が切替情報記憶部に格納されている切り替え時点に達するたびに、対応する発光色についてデューティ比の切り替え制御が実行される。
【００９２】
この形態例の場合、計測用のダミー画素や計測機構の搭載が不要となる。すなわち、既存のＥＬパネルをそのまま使用することができる。しかも、センサー類を一切使用せずに済む。このため、制御処理機構の小型化に効果的である。
【００９３】
勿論、表示内容や使用環境が想定された内容が大幅に異なれば、かえって寿命を縮めかねないが、一般にはデューティ比を固定的に使用する場合に比してＥＬパネルの長寿命化を実現できる。
【００９４】
（Ｅ）他の形態例
（Ｅ−１）ダミー画素の共用
前述した形態例のおいては、発光色別にダミー画素５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを配置する場合について説明した。
しかし、図１５に示す構造の有機ＥＬパネル８１を用いても良い。すなわち、有効表示領域８３の外側に全色に共通のダミー画素８５をただ一つだけ配置しても良い。
【００９５】
この場合、ただ一つのダミー画素８５のデューティ比を切り替え制御し、その測定結果に基づいて各発光色で使用するデューティ比を切り替え制御しても良い。
例えば発光色間でデューティ比の切り替え時点の関係が分かっている場合、輝度劣化が最も早く進行する青色の切り替え時点を基準に他の２色の切り替え時点を設定する。
【００９６】
（Ｅ−２）劣化状態の他の測定画素例
前述した形態例においては、有効表示領域の外側に劣化状態の測定専用のダミー画素を配置する場合について説明した。
【００９７】
しかし、図１６に示す構造の有機ＥＬパネル９１を用いても良い。すなわち、有効表示領域９３を構成する画素の一つを劣化状態の測定に兼用しても良い。図１９では、この画素を測定兼用画素９５として示す。
【００９８】
この場合、劣化状態の測定中は、表示内容とは異なる画素データ（階調値）が画面表示される。従って、表示品質の低下は免れない。しかし、劣化状態の測定を常時実行する場合は別として、その実行頻度は一般に少ない。また、測定兼用画素９５の個数もたかだか数個程度である。従って、十分実装に耐えうると考える。
【００９９】
（Ｅ−３）ダミー画素の他の配置例
前述した形態例においては、各発光色に１つのダミー画素を配置し、当該ダミー画素を異なるデューティ比で時分割駆動することにより各時点におけるダミー画素の劣化状態に適してデューティ比を決定する場合について説明した。
【０１００】
しかし、図１７に示すように、個々の発光色に対し切り替え候補である複数個のデューティ比に専用のダミー画素１０１を用意しても良い。図１７は、各発光色用に２５％、５０％、７５％、１００％の４種類のデューティ比で常時駆動制御するダミー画素１０１を配置する場合の画素配置例である。１色につき４種類であるので３色全体では１２個のダミー画素を配置する。
【０１０１】
この場合、ダミー画素１０１を配置する面積が大きくなるが、１つのダミー画素の異なるデューティ比のデューティ比信号を与える処理動作を省略することができる。
【０１０２】
（Ｅ−４）測定周期例
前述の形態例の場合には、有機ＥＬ素子Ｄの劣化状態を数時間毎に測定する場合について説明した。
しかし、測定周期は任意であり、１時間単位でも数分単位でもかまわない。
【０１０３】
（Ｅ−５）デューティ比の他の決定手法１
前述した形態例においては、現在使用中のデューティ比に最も近く、かつ、現在使用中のデューティ比よりも点灯時間長の長いデューティ比を測定用に設定する場合について説明した。
【０１０４】
しかし、デューティ比の変更直後の一定期間又は一定回数については、現在使用中のデューティ比と変更前のデューティ比について、発光輝度や順方向降下電圧（又はアノード電位）の大小関係を測定する仕組みを採用しても良い。
デューティ比の切り替えは、測定結果のわずかな大小関係で実行されることが多いため、直前まで使用されていたデューティ比についての測定結果と比較することにより、安定的に寿命を延ばすことができる。
【０１０５】
（Ｅ−６）デューティ比の他の決定手法２
前述した形態例においては、現在使用中のデューティ比と、これより点灯時間長の長いデューティ比の２つについて測定結果を比較し、その大小関係により有効表示領域の点灯制御に使用するデューティ比を決定する場合について説明した。
【０１０６】
しかし、現在使用中のデューティ比を含む３つ以上のデューティ比についての測定結果に基づいて有効表示領域の点灯制御に使用するデューティ比を決定しても良い。
例えば、現在使用中のデューティ比より点灯時間長の短いデューティ比、現在使用中のデューティ比、現在使用中のデューティ比より点灯時間長の長いデューティ比の３つでダミー画素を駆動し、その測定結果に基づいて有効表示領域の点灯制御に使用するデューティ比を決定しても良い。
【０１０７】
（Ｅ−７）デューティ比の他の決定手法３
前述の形態例においては、２５％刻みでデューティ比を切り換える場合について説明した。
しかし、デューティ比の切替は、数％刻みで実行しても良い。
【０１０８】
（Ｅ−８）他の画素構造
前述した形態例においては、ダミー画素回路３３を構成する電流供給素子Ｔ２がＮチャネル型の薄膜トランジスタで構成される場合について説明した。
しかし、図６との対応部分に同一符号を付して示す図１８のように、電流供給素子Ｔ２をＰチャネル型の薄膜トランジスタで構成しても良い。
【０１０９】
この場合、駆動電流の大きさは、ゲート・ソース間電圧により決定される。このため、画素データを保存するキャパシタＣは、電流供給素子Ｔ２のゲート電極と電源電位Ｖccとの間に配置される。
【０１１０】
（Ｅ−９）製品例
（ａ）ドライブＩＣ
前述した有機ＥＬディスプレイ装置（有機ＥＬパネルモジュール及び温度検出部）は、いずれも１つのパネル上に形成することもできるが、処理回路部分と画素マトリクスとを別々に製造し、流通することもできる。
【０１１１】
例えば、ドライバＩＣブロックや温度検出部はそれぞれ独立したドライブＩＣ（integrated
circuit）として製造し、有機ＥＬパネルとは独立に流通することもできる。勿論、ドライバＩＣブロックと温度検出部とで１つのドライブＩＣを構成することもできる。
【０１１２】
（ｂ）表示モジュール
前述した形態例における有機ＥＬディスプレイ装置は、図１９に示す外観構成を有する表示モジュール１１１の形態で流通することもできる。
表示モジュール１１１は、支持基板１１５の表面に対向部１１３を貼り合わせた構造を有している。対向部１１３は、ガラスその他の透明部材を基材とし、その表面にはカラーフィルタ、保護膜、遮光膜等が配置される。
【０１１３】
なお、表示モジュール１１１には、外部から支持基板１１５に信号等を入出力するためのＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１１７等が設けられていても良い。
【０１１４】
（ｃ）電子機器
前述した形態例における有機ＥＬディスプレイ装置は、電子機器に実装された商品形態でも流通される。
図２０に、電子機器１２１の概念構成例を示す。電子機器１２１は、前述した有機ＥＬディスプレイ装置１２３及びシステム制御部１２５で構成される。システム制御部１２５で実行される処理内容は、電子機器１２１の商品形態により異なる。
【０１１５】
なお、電子機器１２１は、機器内で生成される又は外部から入力される画像や映像を表示する機能を搭載していれば、特定の分野の機器には限定されない。
この種の電子機器１２１には、例えばテレビジョン受像機が想定される。図２１に、テレビジョン受像機１３１の外観例を示す。
【０１１６】
テレビジョン受像機１３１の筐体正面には、フロントパネル１３３及びフィルターガラス１３５等で構成される表示画面１３７が配置される。表示画面１３７の部分が、形態例で説明した有機ＥＬディスプレイ装置に対応する。
【０１１７】
また、この種の電子機器１２１には、例えばデジタルカメラが想定される。図２２に、デジタルカメラ１４１の外観例を示す。図２２（Ａ）が正面側（被写体側）の外観例であり、図２２（Ｂ）が背面側（撮影者側）の外観例である。
【０１１８】
デジタルカメラ１４１は、撮像レンズ（図２２は保護カバー１４３が閉じた状態であるので、保護カバー１４３の裏面側に配置される。）、フラッシュ用発光部１４５、表示画面１４７、コントロールスイッチ１４９及びシャッターボタン１５１で構成される。このうち、表示画面１４７の部分が、形態例で説明した有機ＥＬディスプレイ装置に対応する。
【０１１９】
また、この種の電子機器１２１には、例えばビデオカメラが想定される。図２３に、ビデオカメラ１６１の外観例を示す。
ビデオカメラ１６１は、本体１６３の前方に被写体を撮像する撮像レンズ１６５、撮影のスタート／ストップスイッチ１６７及び表示画面１６９で構成される。このうち、表示画面１６９の部分が、形態例で説明した有機ＥＬディスプレイ装置に対応する。
【０１２０】
また、この種の電子機器１２１には、例えば携帯端末装置が想定される。図２４に、携帯端末装置としての携帯電話機１７１の外観例を示す。図２４に示す携帯電話機１７１は折りたたみ式であり、図２４（Ａ）が筐体を開いた状態の外観例であり、図２４（Ｂ）が筐体を折りたたんだ状態の外観例である。
【０１２１】
携帯電話機１７１は、上側筐体１７３、下側筐体１７５、連結部（この例ではヒンジ部）１７７、表示画面１７９、補助表示画面１８１、ピクチャーライト１８３及び撮像レンズ１８５で構成される。このうち、表示画面１７９及び補助表示画面１８１の部分が、形態例で説明した有機ＥＬディスプレイ装置に対応する。
【０１２２】
また、この種の電子機器１２１には、例えばコンピュータが想定される。図２５に、ノート型コンピュータ１９１の外観例を示す。
ノート型コンピュータ１９１は、下型筐体１９３、上側筐体１９５、キーボード１９７及び表示画面１９９で構成される。このうち、表示画面１９９の部分が、形態例で説明した有機ＥＬディスプレイ装置に対応する。
【０１２３】
これらの他、電子機器１２１には、オーディオ再生装置、ゲーム機、電子ブック、電子辞書等が想定される。
【０１２４】
（Ｅ−１０）他の表示デバイス例
形態例の説明においては、有機ＥＬ素子の駆動温度を直接的に検出する機能を有機ＥＬディスプレイ装置に搭載する場合について説明した。
【０１２５】
しかし、温度検出機能は、その他の自発光表示装置に対しても適用することができる。例えば無機ＥＬディスプレイ装置、ＬＥＤを配列する表示装置その他のダイオード構造を有する発光素子を画面上に配列した表示装置に対しても適用できる。
【０１２６】
（Ｅ−１１）デバイス構成
前述の説明では、ＥＬ素子の長寿命化機能をハードウェア的に実現する場合について説明した。
しかし、ＥＬ素子の長寿命化機能の一部又は全部は、ソフトウェア処理として実現することができる。
【０１２７】
（Ｅ−１２）その他
前述した形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。また、本明細書の記載に基づいて創作される又は組み合わせられる各種の変形例及び応用例も考えられる。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】従来装置が前提とするデューティ比と劣化の進行との間に認められる関係を概念的に示す図である。
【図２】発明者らが発見したデューティ比と劣化の進行との間に認められる関係の一例を示す図である。
【図３】発光色別のデューティ比の切り換えタイミングを概念的に示す図である。
【図４】有機ＥＬパネルの形態例を示す図である（形態例１）。
【図５】有機ＥＬディスプレイ装置の機能構成例を示す図である（形態例１）。
【図６】ダミー画素回路と駆動回路の接続関係を示す図である（形態例１）。
【図７】デューティ比の切り換え動作手順を説明する図である（形態例１）。
【図８】有機ＥＬディスプレイ装置の機能構成例を示す図である（形態例２）。
【図９】ダミー画素回路と駆動回路の接続関係を示す図である（形態例２）。
【図１０】寿命特性測定部の内部構成例を示す図である（形態例２）。
【図１１】デューティ比の切り換え動作手順を説明する図である（形態例２）。
【図１２】有機ＥＬパネルの形態例を示す図である（形態例３）。
【図１３】有機ＥＬディスプレイ装置の機能構成例を示す図である（形態例３）。
【図１４】切替情報記憶部に格納するデータ構造例を示す図である（形態例３）。
【図１５】有機ＥＬパネルの形態例を示す図である（他の形態例）。
【図１６】有機ＥＬパネルの形態例を示す図である（他の形態例）。
【図１７】ダミー画素の他の配置例を示す図である（他の形態例）。
【図１８】他の画素回路例を示す図である。
【図１９】表示モジュールの構成例を示す図である。
【図２０】電子機器の機能構成例を示す図である。
【図２１】電子機器の商品例を示す図である。
【図２２】電子機器の商品例を示す図である。
【図２３】電子機器の商品例を示す図である。
【図２４】電子機器の商品例を示す図である。
【図２５】電子機器の商品例を示す図である。
【符号の説明】
【０１２９】
１                  有機ＥＬパネル
３                  有効表示領域
５Ｒ、５Ｇ、５Ｂ    ダミー画素
１１                有機ＥＬディスプレイ装置
１９                寿命特性測定部
２１                デューティ比決定部
４１                有機ＥＬディスプレイ装置
４３                寿命特性測定部
４５                デューティ比決定部
７１                有機ＥＬディスプレイ装置
７３                点灯時間長計測部
７５                デューティ比決定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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