(57)【要約】【課題】広帯域の素材データと狭帯域の素材データとを混在して蓄積する場合にも、高速レートで素材を蓄積でき、かつメモリ使用率が高い映像蓄積装置を提供する。【解決手段】バス／メモリ制御回路１の指示により、ＣＥ（Chip Enable）がアクティブとなったＮＡＮＤフラッシュメモリ２−１〜２−６４に、バス／メモリ制御回路１からコマンド信号およびアドレスが切換器３−１〜３−８、およびスイッチ４−１〜４−８を介して供給される。切換器３−１〜３−８をデータ側に切り換え、バス幅変換部５で６４ｂｉｔバスに変換された素材データを与えると、ＣＥがアクティブかつコマンド信号が与えられたＮＡＮＤフラッシュメモリにその素材データが書き込まれる。狭帯域の素材データを書き込む際にはスイッチ４−１〜４−８を操作することにより、ＮＡＮＤフラッシュメモリの並列接続を変えることができ、映像蓄積装置の消去単位を操作することが可能である。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブロック単位で消去する不揮発性メモリを用いて、映像による広帯域素材と映像以外の狭帯域素材が混在する素材データを蓄積する映像蓄積装置において、
前記素材データの伝送バスのバス幅を複数系統のバスに拡大するバス幅変換部と、
前記複数系統のバスにそれぞれ前記不揮発性メモリを接続してなる複数組のメモリ回路を備える蓄積部と、
前記複数系統のバスそれぞれに設けられ、前記素材データの導出に代わって書き込み・読み出しを指示するコマンド信号及びアドレスの導出に選択的に切り換える複数の切換手段と、
前記バス幅変換部に対して前記素材データの複数系統のバスへの分配を切換制御し、前記蓄積部に対して前記複数組のメモリ回路のうちのいずれかの組の不揮発性メモリを能動状態に切換制御し、前記複数の切換手段を切換制御して前記複数系統のバスそれぞれにコマンド信号及びアドレスを供給して前記能動状態の不揮発性メモリの書き込み・読み出しを制御する制御部と、
前記複数系統のバスそれぞれに設けられ、前記複数の切換手段による素材データ、コマンド信号及びアドレスの導出を前記複数の系統毎に選択的に断続する複数の断続手段と
を具備し、
前記複数の断続手段を入力指示に従って選択的に断続させて前記蓄積部のメモリ回路それぞれの並列不揮発性メモリ数を増減することで消去単位の大きさを決定することを特徴とする映像蓄積装置。
【請求項２】
前記蓄積部は、前記複数組のメモリ回路のうち、前記複数の断続手段の選択的な断続によって接続が維持されている同一系統の不揮発性メモリのみに前記素材データを蓄積し、前記同一系統の不揮発性メモリのブロックの大きさを消去単位とすることを特徴とする請求項１に記載の映像蓄積装置。
【請求項３】
前記素材データが複数チャンネルの音声データであるとき、
前記バス幅変換部は、前記音声データをチャンネル毎に前記複数系統のバスへ分配し、
前記複数の断続手段は、入力指示によって指定される特定の系統のみを接続し、
前記蓄積部は、前記特定の系統に導出されるチャンネルの音声データのみを、前記複数組のメモリ回路のうち前記特定の系統に接続された不揮発性メモリのみに蓄積することを特徴とする請求項２に記載の映像蓄積装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記蓄積部に対して前記複数組のメモリ回路のうちのいずれかの組の不揮発性メモリを選択的に能動状態に切換制御し、
前記蓄積部は、前記能動状態になったメモリ回路の不揮発性メモリのみに前記素材データを蓄積し、当該能動状態になったメモリ回路の不揮発性メモリを消去単位とすることを特徴とする請求項１に記載の映像蓄積装置。
【請求項５】
前記蓄積部は、前記素材データの全メモリ容量に対する使用容量に基づいて前記素材データの種類毎に容量分けされることを特徴とする請求項１に記載の映像蓄積装置。
【請求項６】
前記蓄積部が、前記複数組のメモリ回路として組単位で第１群から第Ｎ群を備えるとき、
前記制御部は、書き込み時に、前記広帯域素材、狭帯域素材のうち一方の素材を前記第１群側から順方向に書き込み、他方の素材を第Ｎ群側から逆方向に書き込むように制御することを特徴とする請求項１記載の映像蓄積装置。
【請求項７】
ブロック単位で消去する不揮発性メモリを用いて、映像による広帯域素材と映像以外の狭帯域素材が混在する素材データを蓄積する映像蓄積装置に用いられ、
前記複数系統のバスにそれぞれ前記不揮発性メモリを接続してなる複数組のメモリ回路を備える蓄積部に対して、前記複数組のメモリ回路のうちのいずれかの組の不揮発性メモリを能動状態に切り換え、
前記素材データの伝送バスのバス幅を複数系統のバスに拡大し、
前記複数系統のバスにて、前記素材データの導出に代わって書き込み・読み出しを指示するコマンド信号及びアドレスの導出に選択的に切り換え、
前記複数系統のバスそれぞれにコマンド信号及びアドレスを供給して前記能動状態の不揮発性メモリの書き込み・読み出しを制御し、
前記複数系統のバスにて、入力指示に従って前記素材データ、コマンド信号及びアドレスの導出を前記複数の系統毎に選択的に断続し、
前記選択的な断続により前記蓄積部のメモリ回路それぞれの並列不揮発性メモリ数を増減することで消去単位の大きさを決定することを特徴とする映像蓄積装置の制御方法。
【請求項８】
前記複数の系統毎の選択的な断続によって前記素材データ、コマンド信号及びアドレスが特定の系統のみに導出されるとき、前記蓄積部に対して、前記複数組のメモリ回路のうち前記選択的な断続によって接続が維持されている同一系統の不揮発性メモリのみに前記コマンド信号及びアドレスに従って前記素材データを蓄積し、前記同一系統の不揮発性メモリのブロックの大きさを消去単位とすることを特徴とする請求項７に記載の映像蓄積装置の制御方法。
【請求項９】
前記素材データが複数チャンネルの音声データであるとき、
前記バス幅の拡大により、前記音声データをチャンネル毎に前記複数系統のバスへ分配し、
前記素材データ、コマンド信号及びアドレスを前記複数の系統毎の選択的な断続によって特定の系統のみに導出し、
前記蓄積部に対して、前記特定の系統に導出されるチャンネルの音声データのみを、前記複数組のメモリ回路のうち前記特定の系統に接続された不揮発性メモリのみに蓄積することを特徴とする請求項８に記載の映像蓄積装置の制御方法。
【請求項１０】
前記蓄積部に対して前記複数組のメモリ回路のうちのいずれかの組の不揮発性メモリを選択的に能動状態に切換制御し、
前記能動状態になったメモリ回路の不揮発性メモリのみに前記素材データを蓄積し、当該能動状態になったメモリ回路の不揮発性メモリのブロックの大きさを消去単位とすることを特徴とする請求項７に記載の映像蓄積装置の制御方法。
【請求項１１】
前記蓄積部に対して、前記素材データの全メモリ容量に対する使用容量に基づいて前記素材データの種類毎に容量分けされることを特徴とする請求項７に記載の映像蓄積装置の制御方法。
【請求項１２】
前記複数組のメモリ回路として組単位で第１群から第Ｎ群を備えるとき、
前記素材データの書き込み時には、前記広帯域素材、狭帯域素材のうち一方の素材は前記第１群側から順方向に書き込み、他方の素材は第Ｎ群側から逆方向に書き込むように制御すること特徴とする請求項７に記載の映像蓄積装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＮＡＮＤフラッシュメモリのようにブロック単位で消去する不揮発性メモリを用いて、映像による広帯域素材と映像以外の狭帯域素材が混在する素材データを蓄積する映像蓄積装置とその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
不揮発性メモリであるＮＡＮＤフラッシュメモリは、大容量、低価格という特徴があるため、デジタルカメラやデジタルオーディオプレイヤー等に多く使用されている。このように、ＮＡＮＤフラッシュメモリを民生用機器に用いる場合には問題なく使用できるが、放送用の映像蓄積装置に使用する場合には、ＮＡＮＤフラッシュメモリの書き込み速度の遅さ、および蓄積されている素材データの消去単位であるブロックの大きさが問題となっている。
【０００３】
上記映像蓄積装置は、その中に蓄積されている素材を１素材ごとに消去する必要があるため、１つの素材データを、ＮＡＮＤフラッシュメモリのブロックサイズの整数倍の容量のメモリに蓄積している。この場合、素材データが動画のように広帯域である場合には、素材データの容量がブロックサイズよりも大きいため、メモリを無駄にすることはないが、素材データが静止画や音声等のように狭帯域である場合には、素材データの容量がブロックサイズよりも小さく、メモリの無駄使いとなるおそれがある。特に、音声の場合は容量が少ないため、書き込み単位である１ｐａｇｅ分のデータ量が溜まるまでＮＡＮＤフラッシュメモリに書き込みができず、入力音声が無くなってもＮＡＮＤフラッシュメモリの書き込みがすぐには終わらないという問題もある。つまり、映像蓄積装置を、広帯域の動画と、狭帯域の音声および静止画とが混在している状況で使用する場合、狭帯域信号が多いと、メモリの使用効率が極端に悪くなってしまう。
【０００４】
ところで、従来の映像蓄積装置では、ＮＡＮＤフラッシュメモリの書き込み速度の遅さを補う方法として、複数個のＮＡＮＤフラッシュメモリを並列接続することが提案されている。しかしながら、複数個のＮＡＮＤフラッシュメモリを並列接続することにより、映像蓄積装置の消去単位がメモリＩＣ単体のときと比較して増大するため、ＮＡＮＤフラッシュメモリの問題であるブロックサイズの大きさがより顕著になってしまう。
【０００５】
なお、記憶媒体に動画および静止画を記録する際、動画は大きなサイズのクラスタに記録し、静止画は小さなサイズのクラスタに記録することにより、記憶媒体のメモリ領域を有効活用している例もある（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
また、音声データと画像データの書き込み読み出し単位に対応した識別コードを設定してそれぞれのデータを管理することにより、部分的に空いているメモリを有効に使用する例もある（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００５−３５２８９９号公報
【特許文献２】特開平１０−１３７７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上のように、従来のブロック単位で消去する不揮発性メモリを用いた映像蓄積装置では、広帯域の素材データと狭帯域の素材データとが混在している状況で狭帯域信号が多くなると、メモリの使用効率が極めて低下してしまうという問題があった。
【０００８】
この発明は上記事情によりなされたもので、その目的は、広帯域の素材データと狭帯域の素材データとが混在している場合に、高速レートで素材データを蓄積することができ、かつメモリ使用効率を飛躍的に向上させることのできる映像蓄積装置とその制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明は、ブロック単位で消去する不揮発性メモリを用いて、映像による広帯域素材と映像以外の狭帯域素材が混在する素材データを蓄積する映像蓄積装置において、前記素材データの伝送バスのバス幅を複数系統のバスに拡大するバス幅変換部と、前記複数系統のバスにそれぞれ前記不揮発性メモリを接続してなる複数組のメモリ回路を備える蓄積部と、前記複数系統のバスそれぞれに設けられ、前記素材データの導出に代わって書き込み・読み出しを指示するコマンド信号及びアドレスの導出に選択的に切り換える複数の切換手段と、前記バス幅変換部に対して前記素材データの複数系統のバスへの分配を切換制御し、前記蓄積部に対して前記複数組のメモリ回路のうちのいずれかの組の不揮発性メモリを能動状態に切換制御し、前記複数の切換手段を切換制御して前記複数系統のバスそれぞれにコマンド信号及びアドレスを供給して前記能動状態の不揮発性メモリの書き込み・読み出しを制御する制御部と、前記複数系統のバスそれぞれに設けられ、前記複数の切換手段による素材データ、コマンド信号及びアドレスの導出を前記複数の系統毎に選択的に断続する複数の断続手段とを具備し、前記複数の断続手段を入力指示に従って選択的に断続させて前記蓄積部のメモリ回路それぞれの並列不揮発性メモリ数を増減することで消去単位の大きさを決定する。
【００１０】
このようにして、蓄積部のうち制御部の指示により能動状態となったメモリ回路に、制御部からコマンド信号およびアドレスが供給されると、切換手段が切り換わり、バス幅変換部で複数系統のバスに分配された素材データが入力されて書き込まれる。このとき、複数系統のバスそれぞれに設置された断続手段で、素材データと、コマンド信号及びアドレスとの導出の断続することにより、映像蓄積装置のブロックサイズを操作することが可能となる。これにより、広帯域の素材データと狭帯域の素材データとが混在して蓄積部に蓄積される場合にも、高速レートで素材データを蓄積し、かつ高いメモリ使用率を実現する映像蓄積装置を提供することが可能である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、断続手段により素材データと、コマンド信号及びアドレスとの導出の断続することで、並列接続されているＮＡＮＤフラッシュメモリの並列数を変え、消去単位を操作することが可能であるため、広帯域の素材データと狭帯域の素材データとが混在して蓄積される場合にも、高速レートで素材データを蓄積し、かつ高いメモリ使用率を実現する映像蓄積装置とその制御方法を提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１３】
本実施形態は、９６Ｍｂｐｓの動画を蓄積する場合を例にして説明する。一般的に動画を蓄積する場合には、フレーム単位でそのデータを扱う。９６Ｍｂｐｓのデータ量をフレーム（１フレームは約３３ｍｓ）当たりのデータ量に換算すると、９６Ｍｂｐｓ＝１２ＭＢ／ｓ＝４００ｋＢ／フレーム（Ｂはｂｙｔｅ）である。
【００１４】
本実施形態で使用されるＮＡＮＤフラッシュメモリの各パラメータを以下に示す。  
容量：４Ｇｂｉｔ  
書き込み単位：１ｐａｇｅ＝２，０４８Ｂ  
消去単位：１ブロック＝６４ｐａｇｅ  
＝１３１，０７２Ｂ  
書き込み時間：０．７ｍｓ  
読み出し時間：０．１ｍｓ
また、本実施形態で使用される映像蓄積装置の入出力条件を以下に示す。  
書き込み：１ｃｈ  
読み出し：１０ｃｈ
上記のように、ＮＡＮＤフラッシュメモリを用いた映像蓄積装置に１ｐａｇｅ（２，０４８Ｂ）のデータを書き込む際、０．７ｍｓかかるため、４００ｋＢのデータをＮＡＮＤフラッシュメモリに書き込むには、１３７．２ｍｓがかかる。書き込みと読み出しを同時に行うため、これにＮＡＮＤフラッシュメモリの４００ｋＢの読み出し時間１９．６ｍｓを１０ｃｈ分加えると、書き込みと読み出しで３３３．２ｍｓ必要となる。したがって、４００ｋＢのデータを１フレーム以内で１つのＮＡＮＤフラッシュメモリへ書き込み／読み出しをすることは不可能である。このとき、例えばＮＡＮＤフラッシュメモリを１１個並列結合すると、書き込み時間と読み出し時間の合計は３０．３ｍｓとなり、１フレーム内での書き込みと読み出しが可能となり、動画（４００ｋＢ／フレーム）を蓄積することが可能となる。
【００１５】
本実施形態では、読み書きの事前処理および事後処理の時間と、その他の信号処理時間、さらに並列接続は２のｎ乗とした方が扱いやすいという点を考慮して、６４個のＮＡＮＤフラッシュメモリを並列接続する。このとき、そのままデータバス８ｂｉｔのまま６４個を並列接続すると、ＮＡＮＤフラッシュメモリへの書き込み／読み出しの事前事後処理時間が無視できず、時間使用効率が悪くなるため、８ｂｉｔバスを６４ｂｉｔにバス幅変換して８個ずつ８組に分けて並列接続している。本実施形態では、４ＧｂｉｔのＮＡＮＤフラッシュメモリを６４個使用することとしたため、このときのＮＡＮＤフラッシュメモリの全容量は３２ＧＢとなる。映像蓄積装置としての容量が３２ＧＢでは足りないときは、前記３２ＧＢ単位にアドレスを連続させて増やしていけば、動画での高速書き込み・読み出し性能を確保しつつ大容量化が可能である。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態に係る映像蓄積装置の構成を示すブロック図である。図１に示す映像蓄積装置において、バス／メモリ制御回路１の指示により、ＣＥ（Chip Enable）がアクティブとなったＮＡＮＤフラッシュメモリ２に、バス／メモリ制御回路１からコマンド信号およびアドレスが切換器３−１〜３−８、およびスイッチ４−１〜４−８を介して供給される。切換器３−１〜３−８がデータ側に切り換えられ、バス幅変換部５から６４ｂｉｔバスに分配された素材データが出力されると、コマンド信号が入力されてＣＥがアクティブとなっているＮＡＮＤフラッシュメモリにその素材データが書き込まれる。
【００１７】
なお、映像蓄積装置としての容量が前記のように不足する場合には、ＮＡＮＤフラッシュメモリ２を６４個単位で増やし、かつ、アドレス管理をバス／メモリ制御回路１で対応させれば、大容量化が可能である。
【００１８】
次に、上記構成におけるバス／メモリ制御回路１の処理動作を説明する。
【００１９】
図２は、本発明の一実施形態に係るバス／メモリ制御回路１の処理動作を示すフローチャートである。
【００２０】
まず、広帯域のデータである動画をＮＡＮＤフラッシュメモリ２−１〜２−６４に書き込む場合、初期設定として、スイッチ４−１〜４−８が全てオン状態にセットされる。この状態で、バス／メモリ制御回路１は以下の処理を実行する。まず、ＮＡＮＤフラッシュメモリ２−１〜２−８のＣＥ１をアクティブにし（ステップＳＴ２ａ）、切換器３−１〜３−８をコマンド側に切り換え（ステップＳＴ２ｂ）、書き込みコマンドおよびアドレスを与える（ステップＳＴ２ｃ）。
【００２１】
続いて、ＮＡＮＤフラッシュメモリ２−１〜２−８のＣＥをアクティブにしたまま、切換器３−１〜３−８をデータ側に切り換え（ステップＳＴ２ｄ）、バス制御信号をバス幅変換部５に与える（ステップＳＴ２ｅ）。これにより、バス幅変換部５からＮＡＮＤフラッシュメモリの入力バッファ２１−１〜２１−８へ、１ｐａｇｅ分の素材データがそれぞれ供給され、メモリ素子２２−１〜２２−８に書き込まれる。
【００２２】
このとき、各ＮＡＮＤフラッシュメモリにおいて１ｐａｇｅ分の素材データの書き込みに０．７ｍｓかかる。このため、バス／メモリ制御回路１は、入力バッファ２１−１〜２１−８に１ｐａｇｅ分の素材データが与えられると、メモリ素子２２−１〜２２−８への書き込み終了を待たず、アクティブとなっているＣＥの番号が８未満であるか否かを判断する（ステップＳＴ２ｆ）。この判断でＣＥの番号が８未満である場合（ステップＳＴ２ｆのＹｅｓ）、アクティブとなっているＣＥを次のＣＥへ切り換え（ステップＳＴ２ｇ）、ＳＴ２ｂへ進む。アクティブとなっているＣＥの番号が８以上である場合（ステップＳＴ２ｆのＮｏ）、一連の処理動作を終了する。
【００２３】
次に、上記構成の映像蓄積装置において、音声を蓄積する場合の例を説明する。
【００２４】
図３は、本発明の一実施形態に係る動画、音声、および静止画の素材データそれぞれの入力を概念的に示すもので、図３（ａ）はバス幅変換部５に入力される動画の素材データを示す図、図３（ｂ）はバス幅変換部５に入力される音声の素材データとバス変換後の音声の素材データとを示す図、図３（ｃ）はバス幅変換部５に入力される静止画の素材データを示す図である。このとき、各素材データは、８ｂｉｔ幅でバス幅変換部５に入力され、６４ｂｉｔに変換される。
【００２５】
動画および静止画は、単一チャンネル（ｃｈ）である場合が多いため、バス幅変換部５に入力される信号は、図３（ａ），（ｃ）に示すように一様である。これに対して、音声は通常８ｃｈの素材である場合が多く、バス幅変換部５へは図３（ｂ）に示すようにｃｈ１〜８の各ｃｈの素材データが１Ｂ毎に並べられて入力される。ｃｈ毎の素材データが１Ｂ毎に並べられてバス幅変換部５に入力されると、図３（ｂ）のようにｃｈごとに分割されて各バスに出力される。
【００２６】
上記のようにバス幅変換部５から出力される音声の素材データを、スイッチ４−１〜４−８をすべてオンにした状態でＮＡＮＤフラッシュメモリ２−１〜２−６４に書き込むと、ＮＡＮＤフラッシュメモリ２−１，２−９，…，２−５７にはｃｈ１の素材データが書き込まれ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ２−２，２−１０，…，２−５８にはｃｈ２の素材データが書き込まれ、というように、各ｃｈの音声の素材データが１素材としてそれぞれ８個のＮＡＮＤフラッシュメモリに蓄積される。
【００２７】
また、特定のｃｈの音声の素材データのみを蓄積する場合には、そのｃｈと対応したスイッチのみをオンとすることで、特定のｃｈの音声の素材データのみを８個のＮＡＮＤフラッシュメモリへ書き込むことが可能となる。特定のｃｈの音声の素材データのみの読み出し／消去も同様に可能である。
【００２８】
また、静止画は、コマンド信号およびアドレスを８組のＮＡＮＤフラッシュメモリに同時に与え、ＣＥを１つのみアクティブにして書き込む。静止画１枚は８個のＮＡＮＤフラッシュメモリで十分蓄積できる容量なので、例えば、ＣＥ１をアクティブにした場合、ＮＡＮＤフラッシュメモリ２−１〜２−８に蓄積される。
【００２９】
なお、音声と静止画の素材データについて別々の方法で映像蓄積装置の消去単位を小さくする方法について述べたが、入力となる素材の時間軸上の並べ方を変えれば音声と静止画を同じ制御で扱うことが可能である。
【００３０】
図４は、ＮＡＮＤフラッシュメモリ上での素材データの蓄積領域を示す概念図である。動画、静止画、および音声の使用見込みによりＮＡＮＤフラッシュメモリ２−１〜２−６４の容量分けを事前に行い、蓄積時にこれら各領域に素材データを蓄積していく。
【００３１】
なお、以上では、動画、音声、および静止画の書き込みについて述べたが、読み出し／消去についても同様である。
【００３２】
ところで、映像蓄積装置の実運用では、事前に動画領域、静止画領域及び、音声領域の使用割合が決まっていない場合がある。この場合には、上記のように事前の見込みにより３つの領域に容量分けすると、その使用量とが大幅に異なるとき、いずれかの領域が先に一杯になって、全メモリ領域としては空きがあっても、素材データを書き込むことができなくなる。そこで、事前に動画領域、静止画領域及び、音声領域の使用割合が決まっていない場合には、全メモリ領域を有効に利用するため、ＮＡＮＤフラッシュメモリ２−１〜２−６４への素材データの書き込みを図５（ａ）に示すように制御する。
【００３３】
まず、ＮＡＮＤフラッシュメモリ２−１〜２−８を第１群、２−９〜２−１６を第２群、２−１７〜２−２４を第３群、２−２５〜２−３２を第４群、２−３３〜２−４０を第５群、２−４１〜２−４８を第６群、２−４９〜２−５６を第７群、２−５７〜２−６４を第８群とする。動画による広帯域素材を書き込む場合は、まず、ＮＡＮＤフラッシュメモリに対するＣＥを第１群側から番号順にアクティブにし、書き込みコマンド及びアドレスを与えることで、広帯域素材の書き込みを行う。これにより、広帯域素材は、図５（ａ）に示すように、第１群、第２群、…の順、すなわちＡ点から矢印Ｈ方向に蓄積される。一方、静止画や音声による狭帯域素材を書き込む場合は、ＮＡＮＤフラッシュメモリに対するＣＥを第８群側から番号とは逆順にアクティブにし、書き込みコマンド及びアドレスを与えることで、狭帯域素材の書き込みを行う。これにより、狭帯域素材は、図５（ａ）に示すように、第８群、第７群、…の側、すなわちＢ点から矢印Ｌ方向に蓄積される。
【００３４】
上記図５（ａ）の書き込み方法を採用すると、第１群から第８群のメモリ回路全体の領域中で空き領域が１つだけになる。このため、１つの空き領域のみを管理していれば、複雑な空き領域管理をしなくても各素材データの蓄積量に応じて自動的に領域配分が行われるようになり、メモリ全領域を有効に使用することが可能となる。
【００３５】
なお、上記の例では、広帯域素材の書き込み方向を第１群側から、狭帯域素材の書き込み方向を第８群側からとしたが、広帯域素材を第８群側から、狭帯域素材を第１群側から書き込むようにしても同様の効果が得られる。
【００３６】
また、図５（ａ）は、ＮＡＮＤフラッシュメモリが６４個の場合の例であるが、大容量（動画の書き込み・読み出しレートに応じた高速化実現のための最小単位のフラッシュメモリの単位を複数組み持ち、必要な容量を確保）の映像蓄積装置においては、図５（ｂ）のようになり、同様の効果が得られる。ここで、映像蓄積装置のフラッシュメモリが最小単位の構成よりも大きいときは、図５（ｂ）の＊印の位置の単位のみが図５（ａ）のようになる。他の単位では、例えば、広帯域素材は、ＳＴＡＲＴアドレスからＥＮＤアドレス方向、すなわちＸ点から矢印ＨＨ方向に蓄積され、狭帯域素材は、ＥＮＤアドレスからＳＴＡＲＴアドレス方向、すなわちＹ点から矢印ＬＬ方向に蓄積される。
【００３７】
以上のように、上記１実施例では、映像蓄積装置に動画を蓄積させる場合には、スイッチ４−１〜４−８をすべてオンとし、ＣＥを順次切り換えることで、６４個のＮＡＮＤフラッシュメモリの並列接続に蓄積するようにしている。音声を蓄積させる場合には、バス幅変換部５により各ｃｈの音声を各バスに出力することにより、同一のバスに接続された８個のＮＡＮＤフラッシュメモリの並列接続で各ｃｈの音声を蓄積するようにしている。また、特定のｃｈの音声のみを蓄積する場合には、そのｃｈと対応したスイッチ４−１〜４−８のみをオンとすることで、特定のｃｈの音声のみ８個のＮＡＮＤフラッシュメモリの並列接続に蓄積することが可能である。さらに、静止画を蓄積させる場合には、コマンド信号およびアドレスを８組のＮＡＮＤフラッシュメモリに同時に与え、ＣＥを１つのみアクティブにして書き込むことで、各バスに接続された８個のＮＡＮＤフラッシュメモリの並列接続で蓄積するようにしている。
【００３８】
これにより、動画を蓄積する場合の映像蓄積装置の消去単位と比較し、音声および静止画を蓄積する場合の映像蓄積装置の消去単位は１／８となるため、映像蓄積装置のメモリ使用率は８倍となる。したがって、動画、音声、静止画、混在の映像蓄積装置においてもメモリ使用率の向上が図れる。
【００３９】
以上のように、蓄積する素材データ毎に、ＮＡＮＤフラッシュメモリの並列接続数を変化させることにより、広帯域の素材データと狭帯域の素材データとを混在して蓄積する場合でも高速レートでのデータの蓄積と高いメモリ使用率とが可能な映像蓄積装置が実現される。また、この映像蓄積装置によれば、各ｃｈの音声をそれぞれ８個のＮＡＮＤフラッシュメモリの並列接続で蓄積するため、ｃｈ毎の音声の編集が容易となる。
【００４０】
なお、この発明は上記一実施形態に限定されるものではない。例えば上記一実施形態では、６４個のＮＡＮＤフラッシュメモリを用いて９６Ｍｂｐｓの動画を蓄積する例について説明したが、ＮＡＮＤフラッシュメモリが６４個以外であり、動画の容量も９６Ｍｂｐｓでない場合でも、同様に実施可能である。
【００４１】
また、音声が８ｃｈである例について説明したが、ｃｈ数が８以外の場合でも、バス幅変換部を調整することにより同様に実施可能である。
【００４２】
さらに、この発明は、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る映像蓄積装置の一実施形態の構成を示すブロック図。
【図２】上記一実施形態のバス／メモリ制御回路の処理動作を示すフローチャート。
【図３】上記一実施形態の動画、音声、および静止画の素材データ入力状態を示す図。
【図４】上記一実施形態のＮＡＮＤフラッシュメモリ上での素材データの蓄積領域を示す概念図。
【図５】上記一実施形態のＮＡＮＤフラッシュメモリへの素材データの書き込み方法を示す概念図。
【符号の説明】
【００４４】
１…バス／メモリ制御回路、２−１〜２−６４…ＮＡＮＤフラッシュメモリ、２１−１〜２１−８…入力バッファ、２２−１〜２２−８…メモリ素子、３−１〜３−８…切換器、４−１〜４−８…スイッチ、５…バス幅変換部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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