(57)【要約】【課題】  通過帯域の低域側の極位置を調整して、減衰量の跳ね返りの量をコントロールした誘電体フィルタを提供する。【解決手段】  誘電体フィルタを構成する誘電体ブロックの所要外周面に形成された外導体膜のうち、開放端側付近を枠状に除去して、該外導体膜から絶縁された島状電極を形成する。この島状電極の両端部を削って、外導体膜からの間隔を広げる。島状電極は、長方形状に形成すると、基本的な通過帯域に影響を及ぼすことの無い特性調整が可能となる。【選択図】      図１
2008236562.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体ブロック（１）に、一端面（１００）から相対する他端面（１０１）まで互いに平行に伸びる複数の貫通孔（２）が形成され、
該誘電体ブロック（１）の所要外周面（１００〜１０５）に、外導体膜（３）が形成され、
該貫通孔（２）の内壁面に、内導体膜（４）が形成され、
該一端面（１００）は、該外導体膜（３）と該内導体膜（４）とが接続された短絡端（１００）であり、
該他端面（１０１）又は該誘電体ブロック（１）の中央よりも他端面側よりの内導体膜（４）に形成された絶縁部（１０１，１０７）が開放端（１０１，１０７）であり、
該誘電体ブロック（１）の中央よりも開放端側よりの外周面に、該外導体膜（３）に枠状に形成された絶縁部（１０８）に囲まれた島状電極（３００）が形成され、
該島状電極（３００）の相対する両端部に、該島状電極を事後的に除去した、電極除去部（３００ａ，３００ｂ）が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ（１０００）。
【請求項２】
誘電体ブロック（１）に、一端面（１００）から相対する他端面（１０１）まで互いに平行に伸びる複数の貫通孔（２）が形成され、
該誘電体ブロック（１）の所要外周面（１００〜１０５）に、外導体膜（３）が形成され、
該貫通孔（２）の内壁面に、内導体膜（４）が形成され、
該一端面（１００）は、該外導体膜（３）と該内導体膜（４）とが接続された短絡端（１００）であり、
該他端面（１０１）又は該誘電体ブロック（１）の中央よりも他端面側よりの内導体膜（４）に形成された絶縁部（１０１，１０７）が開放端（１０１，１０７）であり、
該誘電体ブロック（１）の中央よりも開放端側よりの外周面に、該外導体膜（３）に枠状に形成された絶縁部（１０８）に囲まれた島状電極（３００）が形成された誘電体フィルタを形成する工程と、
該島状電極（３００）の相対する両端部を除去して、電極除去部（３００ａ，３００ｂ）を形成する工程と、を備えることを特徴とする誘電体フィルタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，例えば，無線ＬＡＮ、ＷｉＭＡＸ等の無線通信分野で高周波の回路部品として用いられる誘電体フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
無線ＬＡＮ、ＷｉＭＡＸ等の無線通信分野に利用する複数の周波数の信号を処理するために所望の周波数範囲（通過帯域）の信号を通過し，それ以外の周波数の信号を減衰させるバンドパスフィルタとして誘電体フィルタが用いられる。誘電体フィルタは、導体層をパターニングした複数の基板を積層することで構成することができる。
ここで，ビアホールで構成された複数のインダクタ導体を有するＬＣ共振回路の技術が開示されている（特許文献１参照）。かかる構成によって、共振周波数の高周波寄りで、減衰極に発生するフライバックによる減衰特性の悪化を解決できることが知られている。
【特許文献１】特開平９−３１２５０６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、上記の従来技術では、高域側の減衰量のフライバックを抑えて減衰量の改善が可能であるが、低域側の減衰量のフライバックを抑えて減衰量の改善を図ることはできない。この問題に鑑み、本発明は、低域側で減衰極を発生する低域有極タイプの誘電体フィルタにおいて、低域側の減衰量のフライバックを抑えた誘電体フィルタを提供すること、並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る誘電体フィルタは、誘電体ブロック（１）に、一端面（１００）から相対する他端面（１０１）まで互いに平行に伸びる複数の貫通孔（２）が形成され、該誘電体ブロック（１）の所要外周面（１００〜１０５）に、外導体膜（３）が形成され、該貫通孔（２）の内壁面に、内導体膜（４）が形成され、該一端面（１００）は、該外導体膜（３）と該内導体膜（４）とが接続された短絡端（１００）であり、該他端面（１０１）又は該誘電体ブロック（１）の中央（１０６）よりも他端面側よりの内導体膜（４）に形成された絶縁部（１０１，１０７）が開放端（１０１，１０７）であり、該誘電体ブロック（１）の中央よりも開放端側よりの外周面に、該外導体膜（３）に枠状に形成された絶縁部（１０８）に囲まれた島状電極（３００）が形成され、該島状電極（３００）の相対する両端部に、該島状電極を事後的に除去した、電極除去部（３００ａ，３００ｂ）が形成されている誘電体フィルタ（１０００）であることを特徴とする。かかる誘電体フィルタの製造方法は、誘電体ブロック（１）に、一端面（１００）から相対する他端面（１０１）まで互いに平行に伸びる複数の貫通孔（２）が形成され、該誘電体ブロック（１）の所要外周面（１００〜１０５）に、外導体膜（３）が形成され、該貫通孔（２）の内壁面に、内導体膜（４）が形成され、該一端面（１００）は、該外導体膜（３）と該内導体膜（４）とが接続された短絡端（１００）であり、該他端面（１０１）又は該誘電体ブロック（１）の中央よりも他端面側よりの内導体膜（４）に形成された絶縁部（１０１，１０７）が開放端（１０１，１０７）であり、該誘電体ブロック（１）の中央（１０６）よりも開放端側よりの外周面に、該外導体膜（３）に枠状に形成された絶縁部（１０８）に囲まれた島状電極（３００）が形成された誘電体フィルタを形成する工程と、該島状電極（３００）の相対する両端部を除去して、電極除去部（３００ａ，３００ｂ）を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００５】
本発明によれば、低域側で減衰極を発生する低域有極タイプの誘電体フィルタにおいて、低域側の減衰量のフライバックを抑えた誘電体フィルタ、並びに、その製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
（第１の実施形態）
図１から図５は、本発明の第１の実施形態に係る誘電体フィルタ（１０００）の構成を表す図である。なお、図１は、説明の便宜上、誘電体フィルタの内部構造が透視された図として示す。
本図に示すように誘電体フィルタ（１０００）は、誘電体セラミック材料からなる直方体形状の誘電体ブロック（１）に、共振器となる二つの貫通孔（２ａ、２ｂ）が、一端面（１００）から相対する他端面（１０１）まで、互いに平行に伸びるように形成されている。誘電体ブロック（１）の所要外周面（１００〜１０５）には、外導体膜（３）が形成されている。貫通孔（２ａ、２ｂ）の各々の内壁面には、内導体膜（４ａ、４ｂ）が形成されている。一端面（１００）は、外導体膜（３）と内導体膜（４）とが接続された短絡端（１００）となっている。他端面（１０１）は、研磨などにより外導体膜が除去された絶縁部、すなわち開放端（１０１）を形成している。貫通孔（２ａ、２ｂ）の開放端（１０１）側には、共振器間の結合などの特性調整のために、直径の異なる径大部（２００ａ、２００ｂ）が形成されている。実装面（１０５）には、絶縁間隔（１０９ａ、１０９ｂ）により外導体膜と離間して形成された入出力端子（３０１ａ、３０１ｂ）がある。誘電体ブロック（１）の中央よりも開放端側よりの外周面に、外導体膜（３）に枠状に形成された絶縁部（１０８）に囲まれた島状電極（３００）が形成されている。島状電極（３００）の相対する両端部には、島状電極を事後的に除去した、電極除去部（３００ａ，３００ｂ）が形成されている。島状電極は、公知のスクリーン印刷法により印刷形成できる。また、一面に外導体膜を形成してから、絶縁部を形成するように、ミニター、超音波振動子を用いた切削工具、レーザー加工機などを用いて、事後的に外導体膜を削って形成できる。電極除去部は、減衰波形を見ながら、島状電極（３００）の相対する両端部を、ミニター、超音波振動子を用いた切削工具、レーザー加工機などを用いて、事後的に削って形成できる。
【０００７】
かかる構成において、その減衰特性を比較したのが図６及び図７である。図６は、電極除去部を形成する前（比較例）の状態での減衰特性を示す。図中、記号Ａは、減衰特性の変化を観察するための基準線を示す。記号Ｂは、フライバックが発生し、減衰量が悪化している部位を示すために便宜上記入した円である。記号Ｃは、誘電体フィルタの通過帯域特性を示す。図７は、島状電極の両端部を削り、電極除去部を形成した後の、誘電体フィルタの減衰特性を示す。記号Ｄは、誘電体フィルタの通過帯域特性を示す。記号Ｂの円内を比較してわかるように、記号Ａが示す基準線に対して、フライバックの発生が抑制された結果、全体として大きな減衰量を得ることができ、低域側での減衰特性が改善されたことがわかる。図８は、電極除去部の形成前後における減衰特性を重ね合わせて、比較するために作成した概念図である。この例においては、電極除去部を形成する際には、島状電極の相対する両端を削除するように形成してある。記号Ｅは電極除去部形成前の減衰特性であり、記号Ｆは電極除去部形成後の減衰特性である。このように、電極除去部を形成することで、低域側の減衰量のフライバックを抑制して、減衰量が改善できる。電極除去部を形成する際には、島状電極の相対する両端を削除するように形成するのがよい。図８に示すように、基本となる通過帯域に影響を及ぼすことなく、低域側の減衰量のフライバックを抑制して、減衰量が改善できるからである。島状電極の形状は、四角形、長方形、円形、楕円形など、種々の形状に形成できる。基本となる通過帯域に影響を及ぼすことなく、低域側の減衰量のフライバックを抑制して、減衰量が改善するためには、なるべく対象性の形状がよい。四角形、長方形が特に好ましく、相対する辺を両側から削ってやることで、基本となる通過帯域に及ぶ影響を最小限度に抑えて、低域側の減衰量のフライバックを抑制して、減衰量が改善できる。この場合、削りを入れる辺は、開放端と短絡端とを構成する面に対して直交する方向の辺を削るのがよい。図３を例に具体的にいえば、記号３００ａと記号３００ｂに該当する辺である。島状電極も、図３に示すような、開放端面に沿う方向に延びた配置の長方形状が好ましい。削る辺を長方形の短辺にすることで、微細な特性調整が可能になるからである。楕円形状に構成した場合も、やはり長径方向を開放端面に沿う方向に延びた配置にするのがよい。
【０００８】
図９から図１３は、本発明の第２の実施形態に係る誘電体フィルタ（１０００）の構成を表す図である。なお、図９は、説明の便宜上、誘電体フィルタの内部構造が透視された図として示す。図面に付された番号については、第１の実施形態と共通する部位は、極力同じ番号を付するようにした。以下、第１の実施例と共通する部分についての説明は省略し、違いのある部分についてのみ説明する。
【０００９】
第２の実施形態に係る誘電体フィルタ（１０００）は、６面全面に外導体膜（３）が形成されている。誘電体ブロック（１）の中央よりも他端面側よりの内導体膜（４ａ、４ｂ）に形成された絶縁部が開放端（１０７ａ、１０７ｂ）となっている。また、入出力端子（３０１ａ、３０１ｂ）は、実装面（１０５）から側面（１０３、１０４）にまたがるように形成されている。
【００１０】
かかる構成において、その減衰特性を比較したのが図１４及び図１５である。図１４は、電極除去部を形成する前（比較例）の状態での減衰特性を示す。図中、記号Ａは、減衰特性の変化を観察するための基準線を示す。記号Ｂは、フライバックが発生し、減衰量が悪化している部位を示すために便宜上記入した円である。記号Ｇは、誘電体フィルタの通過帯域特性を示す。図１５は、島状電極の両端部を削り、電極除去部を形成した後の、誘電体フィルタの減衰特性を示す。記号Ｈは、誘電体フィルタの通過帯域特性を示す。記号Ｂの円内を比較してわかるように、記号Ａが示す基準線に対して、フライバックの発生が抑制された結果、全体として大きな減衰量を得ることができ、低域側での減衰特性が改善されたことがわかる。このように、電極除去部を形成することで、低域側の減衰量のフライバックを抑制して、減衰量が改善できる。電極除去部を形成する際には、島状電極の相対する両端を削除するように形成するのがよい。基本となる通過帯域に影響を及ぼすことなく、低域側の減衰量のフライバックを抑制して、減衰量が改善できるからである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る誘電体フィルタを示す概略斜視図。
【図２】図１の誘電体フィルタの概略底面図。
【図３】図１の誘電体フィルタの概略上面図。
【図４】図１の誘電体フィルタの概略正面図。
【図５】図１の誘電体フィルタの概略背面図。
【図６】本発明の第１の比較例に係る誘電体フィルタの減衰特性図。
【図７】本発明の第１の実施例に係る誘電体フィルタの減衰特性図。
【図８】本発明の第１の比較例に係る誘電体フィルタの減衰特性と、本発明の第１の実施例に係る誘電体フィルタの減衰特性とを、対比比較した概略図。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る誘電体フィルタを示す概略斜視図。
【図１０】図９の誘電体フィルタの概略底面図。
【図１１】図９の誘電体フィルタの概略上面図。
【図１２】図９の誘電体フィルタの概略正面図。
【図１３】図９の誘電体フィルタの概略背面図。
【図１４】本発明の第２の比較例に係る誘電体フィルタの減衰特性図。
【図１５】本発明の第２の実施例に係る誘電体フィルタの減衰特性図。
【符号の説明】
【００１２】
１        誘電体ブロック
１００            短絡端
１０１            開放端
１０７            開放端
１０８            絶縁部
２        貫通孔
３        外導体膜
３００            島状電極
３００ａ、３００ｂ            電極除去部
４        内導体膜
【図１】
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【図２】
2008236562.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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