(57)【要約】【課題】  複数の半導体領域を形成する際に、それらのサイズや不純物濃度を高精度に制御することなく、ゲート絶縁膜が破壊されることを防止する。半導体装置のオン抵抗を大きくすることなく、ゲート絶縁膜が破壊されることを防止する。【解決手段】  第２のIII族窒化物半導体領域１６の一部には対向するけれども第３のIII族窒化物半導体領域２には対向しない位置において、第４のIII族窒化物半導体領域１２にゲート絶縁膜４を介して対向しているゲート電極６を備えている。半導体装置１００をオフしたときに、隣接する半導体領域１６から半導体領域１２に向けて伸びる空乏層１８ａ，１８ｂがつながらなくても、ゲート絶縁膜４に電圧が作用し、ゲート絶縁膜４が破壊されることを防止できる。【選択図】  図１
2008262982.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型の不純物を含んでいる第１のIII族窒化物半導体領域と、
第１のIII族窒化物半導体領域の表面において間隙を残して不連続に形成されているとともに、ｐ型の不純物を含んでいる第２のIII族窒化物半導体領域と、
第２のIII族窒化物半導体領域の前記間隙において第１のIII族窒化物半導体領域の表面に形成されており、前記間隙を充填しているとともに、ｎ型の不純物を含んでいる第３のIII族窒化物半導体領域と、
第２のIII族窒化物半導体領域と第３のIII族窒化物半導体領域に跨る範囲の前記両領域の表面に形成されているとともに、ｎ型の不純物を含んでいる第４のIII族窒化物半導体領域と、
第２のIII族窒化物半導体領域の一部には対向するけれども第３のIII族窒化物半導体領域には対向しない位置において、第４のIII族窒化物半導体領域にゲート絶縁膜を介して対向しているゲート電極と、
を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体装置の断面を観察したときに、
第４のIII族窒化物半導体領域の厚みが、第３のIII族窒化物半導体領域に近い部分では厚く、第３のIII族窒化物半導体領域から遠い部分では薄く形成されていることを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項３】
半導体装置の断面を観察したときに、
第２のIII族窒化物半導体領域の厚みが、第３のIII族窒化物半導体領域に近い部分では薄く、第３のIII族窒化物半導体領域から遠い部分では厚く形成されていることを特徴とする請求項２の半導体装置。
【請求項４】
ゲート絶縁膜が、第４のIII族窒化物半導体領域が厚く形成されている部分と、第４のIII族窒化物半導体領域が薄く形成されている部分に跨る範囲に形成されていることを特徴とする請求項２又は３の半導体装置。
【請求項５】
ｎ型の不純物を含んでいる第１のIII族窒化物半導体領域と、
第１のIII族窒化物半導体領域の表面において間隙を残して不連続に形成されているとともに、ｐ型の不純物を含んでいる第２のIII族窒化物半導体領域と、
第２のIII族窒化物半導体領域の前記間隙において第１のIII族窒化物半導体領域の表面に形成されており、前記間隙を充填しているとともに、ｎ型の不純物を含んでいる第３のIII族窒化物半導体領域と、
第２のIII族窒化物半導体領域と第３のIII族窒化物半導体領域に跨る範囲の前記両領域の表面に形成されているとともに、ｎ型の不純物を含んでいる第４のIII族窒化物半導体領域と、
第４のIII族窒化物半導体領域にゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極を備えており、
そのゲート絶縁膜が、第２のIII族窒化物半導体領域のうちの第３のIII族窒化物半導体領域に近い範囲と第３のIII族窒化物半導体領域に対向する範囲では厚く、第２のIII族窒化物半導体領域のうちの第３のIII族窒化物半導体領域から遠い範囲に対向する範囲では薄く形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第４のIII族窒化物半導体領域の誘電率εとし、第４のIII族窒化物半導体領域の不純物濃度をＮとし、第２のIII族窒化物半導体領域と第４のIII族窒化物半導体領域のビルトイン電圧をＶとし、電荷素量をｑとしたときに、第４のIII族窒化物半導体領域の最も薄い部分の厚みＬが、下記式（１）、
Ｌ≦（２×ε×Ｖ／ｑ）０．５×（１／Ｎ）０．５      （１）
を満足することを特徴とする請求項１から５のいずれかの半導体装置。
【請求項７】
第４のIII族窒化物半導体領域が、バンドギャップの狭いIII族窒化物半導体層と、バンドギャップの広いIII族窒化物半導体層の積層で構成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかの半導体装置。
【請求項８】
ｎ型の不純物を含んでいる第１のIII族窒化物半導体領域の表面に、ｐ型の不純物を含んでいる第２のIII族窒化物半導体領域と、ｎ型の不純物を含んでいる第３のIII族窒化物半導体領域と、ｐ型の不純物を含んでいる第２のIII族窒化物半導体領域の各々のIII族窒化物半導体領域が、第１のIII族窒化物半導体領域の表面に接する状態で順に配置されている積層構造を形成する工程と、
一方の第２のIII族窒化物半導体領域から第３のIII族窒化物半導体領域を経て他方の第２のIII族窒化物半導体領域に跨る範囲の表面に、ｎ型の不純物を含んでいる第４のIII族窒化物半導体領域を結晶成長させる工程と、
第２のIII族窒化物半導体領域の一部には対向するけれども第３のIII族窒化物半導体領域には対向しない位置において、第４のIII族窒化物半導体領域にゲート絶縁膜を介して対向しているゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
ｎ型の不純物を含んでいる第１のIII族窒化物半導体領域の表面に、ｐ型の不純物を含んでいる第２のIII族窒化物半導体領域と、ｎ型の不純物を含んでいる第３のIII族窒化物半導体領域と、ｐ型の不純物を含んでいる第２のIII族窒化物半導体領域の各々のIII族窒化物半導体領域が、第１のIII族窒化物半導体領域の表面に接する状態で順に配置されている積層構造を形成する工程と、
一方の第２のIII族窒化物半導体領域から第３のIII族窒化物半導体領域を経て他方の第２のIII族窒化物半導体領域に跨る範囲の表面に、ｎ型の不純物を含んでいる第４のIII族窒化物半導体領域を結晶成長させる工程と、
第４のIII族窒化物半導体領域の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
ゲート絶縁膜の表面にゲート電極を形成する工程を有しており、
ゲート絶縁膜の形成工程では、第２のIII族窒化物半導体領域のうちの第３のIII族窒化物半導体領域から近い範囲と第３のIII族窒化物半導体領域に対向する範囲では厚く形成し、第２のIII族窒化物半導体領域のうちの第３のIII族窒化物半導体領域から遠い範囲に対向する範囲では薄く形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高耐圧デバイスあるいは高周波デバイス等に使用されるIII族窒化物半導体を利用した半導体装置に関する。特に、ゲート絶縁膜を介して半導体領域にゲート電極が対向している半導体装置において、半導体装置に高電圧が印加されたときに、そのゲート絶縁膜が破壊されることを防止する技術に関する。本発明は、その半導体装置の製造方法にも関する。
【背景技術】
【０００２】
図１４に、従来のIII族窒化物半導体装置５００の断面図を示す。この半導体装置の基本構造は特許文献１に開示されている。半導体装置５００は、ｎ型の不純物を含んでいる第１のIII族窒化物半導体領域２０と、III族窒化物半導体領域２０の表面において間隙１６ａを残して不連続に形成されているとともに、ｐ型の不純物を含んでいる第２のIII族窒化物半導体領域１６と、前記間隙１６ａにおいてIII族窒化物半導体領域２０の表面に形成されており、前記間隙１６ａを充填しているとともに、ｎ型の不純物を含んでいる第３のIII族窒化物半導体領域２と、III族窒化物半導体領域１６とIII族窒化物半導体領域２に跨る範囲の両領域１６，２の表面に形成されているとともに、ｎ型の不純物を含んでいる第４のIII族窒化物半導体領域１２と、III族窒化物半導体領域１２にゲート絶縁膜５０４を介して対向しているゲート電極５０６が形成されている。III族窒化物半導体領域２０の裏面に、ｎ＋型のIII族窒化物半導体領域２２が形成されている。
【０００３】
従来の半導体装置５００は、ゲート電極５０６に電圧を印加していない状態では、III族窒化物半導体領域１６とIII族窒化物半導体領域１２の界面からビルトイン電圧に相当する空乏層が伸びる。その結果、III族窒化物半導体領域１６の表面に形成されている部分ではIII族窒化物半導体領域１２が空乏化されるため、電子が走行することができない。ゲート電極５０６に正電圧が印加されると、III族窒化物半導体領域１２に伸びていた空乏層が縮小し、III族窒化物半導体領域１２内を電子が走行することができる。従来の半導体装置５００は、ノーマリーオフ型であり、ゲート電極５０６によってオンオフを制御している。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２６０１４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の半導体装置５００では、半導体装置５００をオフしたときに、III族窒化物半導体領域１６とIII族窒化物半導体領域１２の界面から空乏層が伸びる他に、III族窒化物半導体領域１６とIII族窒化物半導体領域２の界面ならびに、III族窒化物半導体領域１６とIII族窒化物半導体領域２０の界面からも空乏層が伸びる。
図１４に示しているように、空乏層は、前記した界面からライン１８ａ，１８ｂに示すように伸び、最終的にはライン１９に示すようにつながる。空乏層がつながることによって、III族窒化物半導体領域２は空乏化され、III族窒化物半導体領域２の表面側に形成されているゲート絶縁膜５０４に高い電界がかかることを防止している。
上述したように、従来の半導体装置５００は、ゲート電極５０６によって、オンオフを制御している。すなわち、ゲート電極５０６に印加する電圧を高くし、電圧が閾値電圧を超えると半導体装置５００がオンする。ゲート電極５０６に印加する電圧が閾値電圧よりも低くなると半導体装置５００がオフする。閾値電圧を下げるためにはゲート絶縁膜５０４を薄くする必要がある。そのため、ゲート絶縁膜５０４は過大電圧が作用すると、破壊されやすい。
【０００６】
ゲート絶縁膜５０４に過大な電圧が作用しないようにするためには、半導体装置５００をオフしたときに、ｐ型のIII族窒化物半導体領域１６とその周囲に存在するｎ型のIII族窒化物半導体領域１２，２，２０の界面から伸びる空乏層が、図１４のライン１９に示すようにをつながることが重要である。そのために、III族窒化物半導体領域１６に残す間隙１６ａの距離や、III族窒化物半導体領域２の不純物濃度を高精度に制御することが必要である。しかしながら、間隙１６ａやIII族窒化物半導体領域２は、複数の工程を経て製造されるため、間隙１６ａの幅やIII族窒化物半導体領域２の不純物濃度を高精度に制御することは困難である。
【０００７】
従来の半導体装置５００では、左右のIII族窒化物半導体領域１６から伸びる空乏層を確実につなげるために、間隙１６ａの幅を必要以上に狭くするか、あるいは、III族窒化物半導体領域２の不純物濃度を必要以上に薄くしなくてはいけない。しかしながら、間隙１６ａの幅を過剰に狭くしたり、III族窒化物半導体領域２の不純物濃度を過剰に薄くすると、半導体装置５００をオンしたときのオン抵抗が大きくなってしまう。
【０００８】
本発明は、上記の問題を解決することを目的とする。すなわち、間隙１６ａの幅やIII族窒化物半導体領域２の不純物濃度を高精度に制御する必要がなく、それでいてゲート絶縁膜に過大な電圧が作用し、ゲート絶縁膜が破壊されることを確実に防止できる半導体装置を提供する。また、半導体装置のオン抵抗を大きくすることなく、ゲート絶縁膜に過大な電圧が作用し、ゲート絶縁膜が破壊されることを確実に防止できる半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体装置は、ｎ型の不純物を含んでいる第１のIII族窒化物半導体領域と、第１のIII族窒化物半導体領域の表面において間隙を残して不連続に形成されているとともに、ｐ型の不純物を含んでいる第２のIII族窒化物半導体領域と、第２のIII族窒化物半導体領域の前記間隙において第１のIII族窒化物半導体領域の表面に形成されており、前記間隙を充填しているとともに、ｎ型の不純物を含んでいる第３のIII族窒化物半導体領域と、第２のIII族窒化物半導体領域と第３のIII族窒化物半導体領域に跨る範囲の前記領域の表面に形成されているとともに、ｎ型の不純物を含んでいる第４のIII族窒化物半導体領域と、第２のIII族窒化物半導体領域の一部には対向するけれども第３のIII族窒化物半導体領域には対向しない位置において、第４のIII族窒化物半導体領域にゲート絶縁膜を介して対向しているゲート電極を備えている。
【００１０】
上記の半導体装置によると、ゲート絶縁膜は、第３のIII族窒化物半導体領域からみて、第２のIII族窒化物半導体領域と第４のIII族窒化物半導体領域が対向している位置よりも遠方に形成されている。半導体装置がオフされている場合、第２のIII族窒化物半導体領域と第４のIII族窒化物半導体領域が対向している位置では、第４のIII族窒化物半導体領域が空乏化されている。このために、左右に離れて存在する第２のIII族窒化物半導体領域から第３のIII族窒化物半導体領域に向けて伸びる空乏層がつながらなくても、ゲート絶縁膜に高い電圧が作用することを防止できる。左右に離れて存在する第２のIII族窒化物半導体領域の距離（間隙の幅）や、第３のIII族窒化物半導体領域の不純物濃度を高精度に制御しなくても、半導体装置をオフしたときにゲート絶縁膜に高い電圧がかかることを抑制できる。半導体装置のオン抵抗を大きくすることなく、ゲート絶縁膜に過剰な電圧がかかることを防止できる。
【００１１】
本発明の半導体装置では、半導体装置の断面を観察したときに、第４のIII族窒化物半導体領域の厚みが、第３のIII族窒化物半導体領域に近い部分では厚く、第３のIII族窒化物半導体領域から遠い部分では薄く形成されていることが好ましい。
【００１２】
表面にゲート電極が形成されていない領域（例えば、第２のIII族窒化物半導体領域と第３のIII族窒化物半導体領域の境界近傍に形成されている第４のIII族窒化物半導体領域）では、ｐ型領域とｎ型領域のビルトイン電圧によって生じた空乏層が、半導体装置をオンしても消失しにくい。空乏層が消失しにくいと、半導体装置のオン抵抗が大きくなってしまう。しかしながら、上記の半導体装置によると、半導体装置をオンしたときに、第４のIII族窒化物半導体領域の厚みが厚い部分をキャリアが走行しやすい。半導体装置を上記のように構成することによって、半導体装置のオン抵抗を小さくすることができる。
【００１３】
本発明の半導体装置では、半導体装置の断面を観察したときに、第２のIII族窒化物半導体領域の厚みが、第３のIII族窒化物半導体領域に近い部分では薄く、第３のIII族窒化物半導体領域から遠い部分では厚く形成することもできる。
【００１４】
上記の半導体装置によると、第４のIII族窒化物半導体領域の表面を平坦に形成しても、第４のIII族窒化物半導体領域の厚みが、第３のIII族窒化物半導体領域に近い部分では厚く、第３のIII族窒化物半導体領域に遠い部分では薄く形成することができる。半導体装置をオンしたときにキャリアが走行できるチャネルを確保することができる。また、第４のIII族窒化物半導体領域の表面を平坦に形成すると、半導体装置の表面の構造を単純化することができる。
【００１５】
本発明の半導体装置では、ゲート絶縁膜が、第４のIII族窒化物半導体領域が厚く形成されている部分と、第４のIII族窒化物半導体領域が薄く形成されている部分に跨る範囲に形成されていることが好ましい。
上記の半導体装置によると、半導体装置をオンしたときに、第４のIII族窒化物半導体領域が厚く形成されている部分の空乏層も消失させることができる。半導体装置のオン抵抗をより小さくすることができる。
【００１６】
本発明では上記した半導体装置とは異なる形態の半導体装置も提供する。その半導体装置は、ｎ型の不純物を含んでいる第１のIII族窒化物半導体領域と、第１のIII族窒化物半導体領域の表面において間隙を残して不連続に形成されているとともに、ｐ型の不純物を含んでいる第２のIII族窒化物半導体領域と、第２のIII族窒化物半導体領域の間隙において第１のIII族窒化物半導体領域の表面に形成されており、その間隙を充填しているとともに、ｎ型の不純物を含んでいる第３のIII族窒化物半導体領域と、第２のIII族窒化物半導体領域と第３のIII族窒化物半導体領域に跨る範囲の両領域の表面に形成されているとともに、ｎ型の不純物を含んでいる第４のIII族窒化物半導体領域と、第４のIII族窒化物半導体領域の表面にゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極を備えており、そのゲート絶縁膜が、第２のIII族窒化物半導体領域のうちの第３のIII族窒化物半導体領域に近い範囲と第３のIII族窒化物半導体領域に対向する範囲では厚く、第２のIII族窒化物半導体領域のうちの第３のIII族窒化物半導体領域から遠い範囲に対向する範囲では薄く形成されている。
【００１７】
上記の半導体装置によると、第２のIII族窒化物半導体領域のうちの第３のIII族窒化物半導体領域に近い範囲と第３のIII族窒化物半導体領域に対向する範囲では、ゲート絶縁膜の厚みが厚いため、半導体装置をオフしたときにゲート絶縁膜に高い電圧がかかっても、ゲート絶縁膜が破壊されることを防止できる。第２のIII族窒化物半導体領域のうちの第３のIII族窒化物半導体領域から遠い範囲に対向する範囲では、ゲート絶縁膜の厚みが薄くても、半導体装置をオフしたときに、第４のIII族窒化物半導体領域が空乏化されるため、ゲート絶縁膜に高い電圧がかかることを防止できる。左右に離れて存在する第２のIII族窒化物半導体領域の距離（間隙の幅）や、第３のIII族窒化物半導体領域の不純物濃度を高精度に制御しなくても、半導体装置をオフしたときにゲート絶縁膜が破壊されることを防止できる。半導体装置のオン抵抗を大きくすることなく、ゲート絶縁膜が破壊されることを防止できる。
【００１８】
本発明の半導体装置では、第４のIII族窒化物半導体領域の誘電率εとし、第４のIII族窒化物半導体領域の不純物濃度をＮとし、第２のIII族窒化物半導体領域と第４のIII族窒化物半導体領域のビルトイン電圧をＶとし、電荷素量をｑとしたときに、第４のIII族窒化物半導体領域の最も薄い部分の厚みＬが、下記式（１）を満足することが好ましい。
Ｌ≦（２×ε×Ｖ／ｑ）０．５×（１／Ｎ）０．５      （１）
【００１９】
上記の半導体装置によると、半導体装置に電圧が印加されていない状態でも、第４のIII族窒化物半導体領域の最も薄い部分が空乏化される。半導体装置をオフしたときに、より確実にキャリアの移動を禁止することができる。なお、「ビルトイン電圧」とは、導電型の異なる半導体同士を接合したときに、両者の間に発生する電圧のことをいう。また、電荷素量は定数であり、その値は、およそ１．６×１０−１９Ｃ（クーロン）である。
【００２０】
本発明の半導体装置では、第４のIII族窒化物半導体領域が、バンドギャップの狭いIII族窒化物半導体層と、バンドギャップの広いIII族窒化物半導体層の積層で構成することもできる。
上記の半導体装置によると、バンドギャップの狭いIII族窒化物半導体層とバンドギャップの広いIII族窒化物半導体層によってヘテロ接合が形成される。バンドギャップの狭いIII族窒化物半導体層とバンドギャップの広いIII族窒化物半導体層の間に、２次元電子ガス領域が形成され、その２次元電子ガス領域を電子が移動できる。電子の移動抵抗が小さくなり、半導体装置のオン抵抗を小さくすることができる。
【００２１】
本発明では半導体装置の製造方法をも提供する。その方法は、ｎ型の不純物を含んでいる第１のIII族窒化物半導体領域の表面に、ｐ型の不純物を含んでいる第２のIII族窒化物半導体領域と、ｎ型の不純物を含んでいる第３のIII族窒化物半導体領域と、ｐ型の不純物を含んでいる第２のIII族窒化物半導体領域の各々のIII族窒化物半導体領域が、第１のIII族窒化物半導体領域の表面に接する状態で順に配置されている積層構造を形成する工程と、一方の第２のIII族窒化物半導体領域から第３のIII族窒化物半導体領域を経て他方の第２のIII族窒化物半導体領域に跨る範囲の表面に、ｎ型の不純物を含んでいる第４のIII族窒化物半導体領域を結晶成長させる工程と、第２のIII族窒化物半導体領域の一部には対向するけれども第３のIII族窒化物半導体領域には対向しない位置において、第４のIII族窒化物半導体領域にゲート絶縁膜を介して対向しているゲート電極を形成する工程を有している。
【００２２】
上記の方法によると、隣接する第２のIII族窒化物半導体領域の距離や、第３のIII族窒化物半導体領域の不純物濃度を高精度に制御することなく、ゲート絶縁膜に高い電圧がかかることを防止できる半導体装置を製造することができる。また、半導体装置のオン抵抗を大きくすることなく、ゲート絶縁膜に過剰の電圧がかかることを防止できる半導体装置を製造することができる。また、第４のIII族窒化物半導体領域を結晶成長させるため、第４のIII族窒化物半導体領域の厚みや不純物濃度等を制御しやすい。特性の安定した半導体装置を製造することができる。
【００２３】
本発明では半導体装置の他の製造方法をも提供することができる。その製造方法は、ｎ型の不純物を含んでいる第１のIII族窒化物半導体領域の表面に、ｐ型の不純物を含んでいる第２のIII族窒化物半導体領域と、ｎ型の不純物を含んでいる第３のIII族窒化物半導体領域と、ｐ型の不純物を含んでいる第２のIII族窒化物半導体領域の各々のIII族窒化物半導体領域が、第１のIII族窒化物半導体領域の表面に接する状態で順に配置されている積層構造を形成する工程と、一方の第２のIII族窒化物半導体領域から第３のIII族窒化物半導体領域を経て他方の第２のIII族窒化物半導体領域に跨る範囲の表面に、ｎ型の不純物を含んでいる第４のIII族窒化物半導体領域を結晶成長させる工程と、第４のIII族窒化物半導体領域の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜の表面にゲート電極を形成する工程を有している。ゲート絶縁膜の形成工程では、第２のIII族窒化物半導体領域のうちの第３のIII族窒化物半導体領域から近い範囲と第３のIII族窒化物半導体領域に対向する範囲では厚く形成し、第２のIII族窒化物半導体領域のうちの第３のIII族窒化物半導体領域から遠い範囲に対向する範囲では薄く形成する。
【００２４】
上記の方法によると、隣接する第２のIII族窒化物半導体領域の距離や、第３のIII族窒化物半導体領域の不純物濃度を高精度に制御することなく、ゲート絶縁膜が破壊されることを防止できる半導体装置を製造することができる。また、半導体装置のオン抵抗を大きくすることなく、ゲート絶縁膜が破壊されることを防止できる半導体装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の半導体装置によると、複数の半導体領域を形成する際に、それらのサイズや、含まれる不純物濃度を高精度に制御する必要がなく、半導体装置をオフしたときに半導体装置が破壊されることを防止できる半導体装置を実現する。また、オン抵抗の小さい半導体装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
実施例の主要な特徴を列記する。
（特徴１）  第２のIII族窒化物半導体領域の表面に、ｎ型の不純物を高濃度に含んでいる第５のIII族窒化物半導体領域が形成されている。ゲート電極は、第４のIII族窒化物半導体領域と第５のIII族窒化物半導体領域に跨る範囲に、ゲート絶縁膜を介して対向している。
（特徴２）  第１のIII族窒化物半導体領域の裏面に、ｎ型の不純物を高濃度に含んでいる第６のIII族窒化物半導体領域が形成されている。
（特徴３）  第５のIII族窒化物半導体領域に一方の主電極（ソース電極）が接続されており、第６のIII族窒化物半導体領域に他方の主電極（ドレイン電極）が接続されている。
（特徴４）  ゲート電極とソース電極の間を電気的に分離している電極絶縁膜が形成されている。
【実施例】
【００２７】
図面を参照して以下に実施例を詳細に説明する。
（第１実施例）
図１に、縦型のIII族窒化物半導体装置１００の断面図を示す。図１の断面図は半導体装置１００の単位構造を示し、この単位構造が紙面左右方向に繰り返し形成されている。なお、各部の構成は、実際のサイズの縮尺を正確に表すものではない。図面の明瞭化のために、図面の縮尺を適宜変更している。また、一部の構成についてはハッチングを省略している。
半導体装置１００の裏面に、ドレイン電極（他方の主電極）２４が形成されている。ドレイン電極２４上に、窒化ガリウム（ＧａＮ）を主材料とするｎ＋型のドレイン領域（第６のIII族窒化物半導体領域）２２が形成されている。ドレイン領域２２上に、窒化ガリウムを主材料とするｎ型のドリフト領域（第１のIII族窒化物半導体領域）２０が形成されている。
ドリフト領域２０の表面に、窒化ガリウムを主材料とするｐ型のボディ領域（第２のIII族窒化物半導体領域）１６が間隙１６ａを残して不連続に形成されている。複数個のボディ領域１６がドリフト領域２０の表面に形成されており、隣接するボディ領域１６，１６の間は、窒化ガリウムを主材料とするｎ型のアパーチャ領域（第３のIII族窒化物半導体領域）２が充填されている。すなわち、アパーチャ領域２は、ドリフト領域２０の表面に形成されており、ボディ領域１６に残されている間隙１６ａを充填している。半導体装置１００を平面視したときに、各々のボディ領域１６とアパーチャ領域２は紙面奥行き方向に長く伸びており、複数個のボディ領域１６とアパーチャ領域２がストライプ状に配置されている。なお、本実施例の半導体装置１００では、ボディ領域１６の不純物濃度がおよそ５×１０１９ｃｍ−３に調節されている。
【００２８】
ボディ領域１６とアパーチャ領域２に跨る範囲の表面に、窒化ガリウムを主材料とするｎ型の半導体領域（第４のIII族窒化物半導体領域）１２が形成されている。半導体領域１２の不純物にはシリコンが用いられており、不純物濃度はおよそ１×１０１６ｃｍ−３に調節されている。半導体領域１２の紙面左右方向の両端部に、ｎ型の不純物を高濃度に含んでいるソース領域（第５のIII族窒化物半導体領域）１４が形成されている。ソース領域１４にソース電極（一方の主電極）１０が接続されている。なお、ソース領域１４は、半導体装置１００を平面視したときに、アパーチャ領域２と半導体領域１２が接する範囲の半導体領域１２には接していない。
半導体領域１２とソース領域１４に跨る範囲に、ゲート絶縁膜４が形成されている。ゲート絶縁膜４は、ボディ領域１６の一部には対向するけれどもアパーチャ領域２には対向しない位置に形成されている。ゲート絶縁膜の表面にゲート電極６が形成されている。すなわち、ゲート電極６は、ボディ領域１６の一部には対向するけれどもアパーチャ領域２には対向しない位置において、半導体領域１２にゲート絶縁膜４を介して対向している。ソース電極１４とゲート電極６は、電極絶縁膜８によって電気的に分離されている。
【００２９】
半導体装置１００の動作を説明する。
ｐ型のボディ領域１６の表面にｎ型の半導体領域１２が形成されている。ゲート電極６に電圧を印加していない状態では、半導体領域１２に空乏層が形成され、半導体領域１２内を電子が走行することができない。すなわち、半導体装置１００はオフしている。なお、本実施例の半導体装置１００は、半導体領域１２の厚みＬが、下記式（１）を満足している。
Ｌ≦（２×ε×Ｖ／ｑ）０．５×（１／Ｎ）０．５      （１）
上記式において、εは半導体領域１２の誘電率を示し、Ｖは半導体領域１２とボディ領域１６のビルトイン電圧を示し、ｑは電荷素量を示し、Ｎは半導体領域１２の不純物濃度を示している。
上述したように半導体装置１００では、ボディ領域１６の不純物濃度がおよそ５×１０１９ｃｍ−３に調節されており、半導体領域１２の不純物濃度がおよそ１×１０１６ｃｍ−３に調節されている。ボディ領域１６の不純物濃度が充分に大きいため、半導体領域１２とボディ領域１６の間のビルトイン電圧によって生じる空乏層は、ほとんど半導体領域１２内に形成される。ボディ領域１６と半導体領域１２の界面から半導体領域１２に向けて伸びる空乏層の厚みＷは、半導体領域１２の不純物濃度で決定し、下記式（２）で示すことができる。
Ｗ＝（２×ε×Ｖ／ｑ）０．５×（１／Ｎ）０．５      （２）
式（１），式（２）から明らかなように、半導体領域１２の厚みＬは、半導体領域１２とボディ領域１６の間のビルトイン電圧によって生じる空乏層の厚みＷ以下である。すなわち、半導体装置１００をオフしたときに、電子の移動を確実に禁止することができる。
【００３０】
ゲート電極６に電圧を印加していない状態では、ソース電極１０とドレイン電極２４の間に電位差が生じる。また、ボディ領域１６と半導体領域１２の界面から空乏層が伸びる他に、ボディ領域１６とアパーチャ領域２の界面ならびに、ボディ領域１６とドリフト領域２０の界面からも空乏層が伸びる。各々の界面から伸びる空乏層１８ａ，１８ｂがつながると、アパーチャ領域２は空乏化され、アパーチャ領域２よりも紙面上側の構造に電界がかかることを防止できる。空乏層１８ａ，１８ｂがつながらないと、アパーチャ領域２よりも紙面上側の構造に電界がかかってしまう。
半導体装置１００をオフしたときに、ゲート絶縁膜４に高い電圧がかかってしまうと、ゲート絶縁膜４が破壊され、半導体装置１００が破壊されることがある。しかしながら、半導体装置１００では、アパーチャ領域１６に対向する位置にゲート絶縁膜４が形成されていない。空乏層１８ａ，１８ｂがつながらなくても、ゲート絶縁膜４に高い電圧がかかり、ゲート絶縁膜４が破壊されることを防止できる。
【００３１】
ゲート電極６に正の電圧が印加されている状態では、半導体領域１２に形成されていた空乏層が縮小し、半導体領域１２内を電子が移動できるようになる。すなわち、半導体装置１００がオンする。
ソース領域１４から半導体領域１２を横方向に走行してきた電子は、アパーチャ領域２を流れ、ドリフト領域２０，ドレイン領域２２を経由してドレイン電極２４に流れる。ソース電極１０とドレイン電極２４の間が導通する。すなわち、半導体装置１００は、ノーマリーオフの動作をする縦型のIII族窒化物半導体装置である。
【００３２】
上述したように、半導体装置１００では、空乏層１８ａ，１８ｂがつながらなくてもゲート絶縁膜４に高い電圧がかかることを防止できる。すなわち、アパーチャ領域２の幅や、アパーチャ領域２の不純物濃度を高精度に制御しなくても、半導体装置１００をオフしたときにゲート絶縁膜４に高い電圧がかかることを防止できる。空乏層１８ａ，１８ｂを確実につなげるために、アパーチャ領域２の幅を必要以上に狭くしたり、アパーチャ領域２の不純物濃度を必要以上に薄くする必要がない。また、半導体装置１００のオン抵抗を小さくするために、アパーチャ領域２の不純物濃度を積極的に高く設定することもできる。
【００３３】
（半導体装置１００の製造方法）
次に半導体装置１００の製造方法を説明する。
まず図５に示しているように、窒化ガリウムを主材料とするｎ＋型の半導体基板２２（図１のドレイン領域２２）を用意し、その表面にＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法を利用して、窒化ガリウムを主材料とするｎ型のIII族窒化物半導体層２０（図１のドリフト領域２０）をエピタキシャル成長させる。次いでIII族窒化物半導体層２０の表面にＭＯＣＶＤ法を利用して、窒化ガリウムを主材料とするｐ型のIII族窒化物半導体層１６をエピタキシャル成長させる。
次に、図６に示しているように、III族窒化物半導体層１６の表面にマスク層３０を形成し、マスク層の一部をエッチングして開口を形成する。次に、マスク層３０の開口からIII族窒化物半導体層１６をエッチングし、III族窒化物半導体領層２０に達するトレンチ３２を形成する。III族窒化物半導体層２０をエッチングするために、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等のドライエッチングを利用することができる。この段階で、ボディ領域１６（図１も参照）が完成する。
【００３４】
次に、図７に示しているように、トレンチ３２（図６を参照）の底面において露出しているIII族窒化物半導体領域２０から、間隙１６ａ（図１を参照）が充填されるまでｎ型の窒化ガリウムを結晶成長させる。すなわち、アパーチャ領域２を完成させる。この段階で、III族窒化物半導体領域２０の表面に、ｐ型のIII族窒化物半導体領域１６（図１のボディ領域１６）と、ｎ型のIII族窒化物半導体領域２（図１のアパーチャ領域２）と、ｐ型のIII族窒化物半導体領域１６の各々のIII族窒化物半導体領域２０，１６，２０が、III族窒化物半導体領域２０の表面に接する状態で順に配置されている積層構造を形成することができる。
その後、一方のIII族窒化物半導体領域１６からIII族窒化物半導体領域２を経て他方のIII族窒化物半導体領域１６に跨る範囲の表面に、ｎ型の窒化ガリウムを結晶成長させる。この段階で、III族窒化物半導体領域１６とIII族窒化物半導体領域２に跨る範囲の表面に形成されているIII族窒化物半導体領域１２（図１のIII族窒化物半導体領域１２）が完成する。本実施例では、トレンチ３２の底面において露出しているIII族窒化物半導体領域２０から、III族窒化物半導体領域１６とIII族窒化物半導体領域２に跨る範囲の表面を覆うまで、連続して窒化ガリウムを結晶成長させる。
III族窒化物半導体領域１６の間隙１６ａを充填しているIII族窒化物半導体領域２と、III族窒化物半導体領域２０から結晶成長する窒化ガリウムの不純物濃度は、III族窒化物半導体領域２０と同一量に調整されている。すなわち、III族窒化物半導体領域２０，２，１２は連続した一つの領域と評価することもできる。しかしながら、図１に示す半導体装置１００と整合させるために、以下の説明では、III族窒化物半導体領域１６，１６の間に結晶成長した窒化ガリウムをIII族窒化物半導体領域２とし、III族窒化物半導体領域１６とIII族窒化物半導体領域２の表面に結晶成長した窒化ガリウムをIII族窒化物半導体領域１２として説明する。
【００３５】
本実施例では、III族窒化物半導体領域２０からｎ型の窒化ガリウムを結晶成長させ、図１に示しているIII族窒化物半導体領域２，１２を完成させている。しかしながら、III族窒化物半導体領域１２の厚み精度を高くするために、III族窒化物半導体領域１６の表面にｎ型の窒化ガリウムを厚く結晶成長させた後、所望する厚さまでエッチングして、III族窒化物半導体領域１２を完成させることもできる。また、III族窒化物半導体領域１６の表面を覆うまでｎ型の窒化ガリウムを結晶成長させた後、III族窒化物半導体領域２，１６の表面が露出するまでｎの窒化ガリウムをエッチングし、その後III族窒化物半導体領域２，１６の表面にｎ型の窒化ガリウムを所望する厚さまで結晶成長させることもできる。
また、ｎ＋型のIII族窒化物半導体領域２２の表面に、ｎ型の窒化ガリウムを厚く形成し、その後、III族窒化物半導体領域１６に対応する部分をエッチングし、エッチングされたｎ型の窒化ガリウムの表面からｐ型のIII族窒化物半導体領域１６を結晶成長させてもよい。
【００３６】
次に、図８に示しているように、III族窒化物半導体領域１２の所定部分にイオン注入を実施してｎ＋のIII族窒化物半導体領域１４を形成する。III族窒化物半導体領域１４は、図７に示しているIII族窒化物半導体領域１２の表面の全域にマスク層（図示省略）を形成し、そのマスク層の所定領域をエッチングしてIII族窒化物半導体領域１２の一部を露出させ、露出したIII族窒化物半導体領域１２にシリコンをイオン注入することによって形成する。その後III族窒化物半導体領域１２の表面に形成したマスク層は除去する。次に、III族窒化物半導体領域１２，１４の表面に絶縁膜４を形成した後、絶縁膜４の表面に電極６を形成する。
【００３７】
次に、図９に示しているように、電極６の表面の所定部分にマスク層（図示省略）を形成し、電極６と絶縁膜１４の一部を除去する。この段階で、III族窒化物半導体領域１６の一部には対向するけれどもIII族窒化物半導体領域２には対向しない位置において、III族窒化物半導体領域１４にゲート絶縁膜１４を介して対向するゲート電極６が完成する。
次に、図１０に示しているように、ゲート絶縁膜４とゲート電極６を覆う電極絶縁膜８を形成し、ソース電極１０（図１を参照）を形成する部分の電極絶縁膜８をエッチングして除去する。その後、ソース電極１０とドレイン電極２４を形成することによって、図１に示している半導体装置１０を得ることができる。
【００３８】
本実施例では、ｐ型の不純物を含んでいるIII族窒化物半導体領域１６とｎ型の不純物を含んでいるIII族窒化物半導体領域２に跨る範囲の表面に、ｎ型の不純物を含んでいるIII族窒化物半導体領域１２が形成されている。III族窒化物半導体領域１２は、バンドギャップの狭いｎ型又はｉ型のIII族窒化物半導体層と、バンドギャップの広いｎ型又はｉ型のIII族窒化物半導体層の積層で構成することもできる。
その場合、バンドギャップの狭いIII族窒化物半導体層とバンドギャップの広いIII族窒化物半導体層の間に形成される２次元電子ガス領域を電子が移動することができるため、半導体装置のオン抵抗をより小さくすることができる。
【００３９】
（第２実施例）
図２を参照して半導体装置２００について説明する。半導体装置２００は、半導体装置１００の変形例であり、半導体装置１００と同じ構成については、半導体装置１００と同じ参照番号を付すことによって説明を省略する。
第４のIII族窒化物半導体領域２１２の厚みが、第３のIII族窒化物半導体領域２に近い部分（領域２１２ｂ）では厚く、III族窒化物半導体領域２から遠い部分（領域２１２ａ）では薄く形成されている。本実施例では、III族窒化物半導体領域２の表面に形成されているIII族窒化物半導体領域２１２の厚みも厚く形成されている。
ゲート絶縁膜２０４は、III族窒化物半導体領域２１２の領域２１２ｂの部分と、III族窒化物半導体領域２１２の領域２１２ａの部分に跨る範囲に形成されている。また、ゲート絶縁膜２０４は、III族窒化物半導体領域２１２とIII族窒化物半導体領域１４に跨る範囲に形成されている。ゲート絶縁膜２０４の表面にゲート電極２０６が形成されており、ゲート電極２０６とソース電極２１０は、電極絶縁膜２０８によって電気的に分離されている。
【００４０】
半導体装置２００によって解決される課題について説明する。
図１に示している半導体装置１００では、半導体領域１２において、裏面にボディ領域１６が形成され、表面にゲート絶縁膜４が形成されていない領域（図１のＡの範囲）や、ボディ領域１６とアパーチャ領域２の境界近傍に形成されている半導体領域１２では、ゲート電極６に電圧を印加しても空乏層が消失しにくい。すなわち、半導体装置１００のオン抵抗が大きくなってしまうという問題がある。半導体装置１００のオン抵抗を小さくする必要がある。
【００４１】
半導体装置２００では、半導体領域１２の最も薄い部分の厚みＬが、上記式（１）を満足するように調節されている。すなわち、ゲート電極２０６に電圧を印加していない状態では領域２１２ａに空乏層が形成され、半導体装置２００を確実にオフすることができる。また、半導体装置２００がオフすると、ソース電極２１０とドレイン電極２４の間の電位差に応じて、ボディ領域１６から半導体領域２１２の領域２１２ｂに向けても空乏層が伸びる。
半導体装置２００をオンすると、ゲート電極２０６に対向する範囲の半導体領域２１２に形成されていた空乏層が消失する。しかしながら、ボディ領域１６とアパーチャ領域２の境界近傍の半導体領域２１２の厚みが厚いため、半導体装置２００をオンしたときに空乏層が完全に消失しなくても、半導体領域２１２の領域２１２ｂの表層部分を電子が走行することができる。そのため、半導体装置２００のオン抵抗を小さくすることができる。
【００４２】
半導体装置２００の製造方法について説明する。なお、図５から図６の工程までの工程は、半導体装置１００の製造方法と同じため説明を省略する。
図１１に示しているように、トレンチ３２の底面において露出しているIII族窒化物半導体領域２０から、III族窒化物半導体領域１６の表面を覆うまでｎ型の窒化ガリウムを結晶成長させる。III族窒化物半導体領域１６の表面に成長させるIII族窒化物半導体領域２１２の厚みは、領域２１２ｂの厚さ（図２を参照）と等しい。
次に、図１２に示しているように、領域２１２ｂに対応する部分にマスク層３８を形成した後、半導体領域２１２を所定深さまでエッチングして、領域２１２ａと領域２１２ｂを形成する。その後の工程は、図８から図１０までの工程と実質的に同じため、説明を省略する。
なお、本実施例では、III族窒化物半導体領域１６の表面に成長させるIII族窒化物半導体領域２１２の厚みは、領域２１２ｂの厚さと等しい。しかしながら、ｎ型の窒化ガリウムを領域２１２ｂの厚さよりも厚く結晶成長させた後、領域２１２ｂの厚さまでエッチングしてもよい。あるいは、III族窒化物半導体領域１６の表面を覆うまでｎ型の窒化ガリウムを結晶成長させた後、半導体領域１６の表面が露出するまでｎ型の窒化ガリウムをエッチングし、その後III族窒化物半導体領域２，１６の表面に、ｎ型の窒化ガリウムを所望する厚さ（領域２１２ｂの厚さ）まで結晶成長させることもできる。
【００４３】
（第３実施例）
図３を参照して半導体装置３００について説明する。半導体装置３００は、半導体装置１００の変形例であり、半導体装置１００と同じ構成については、半導体装置１００と同じ参照番号を付すことによって説明を省略する。
第２のIII族窒化物半導体領域３１６の厚みが、第３のIII族窒化物半導体領域３０２に近い部分（領域３１６ｂ）では薄く、第３のIII族窒化物半導体領域３０２に遠い部分（領域３１６ａ）では厚く形成されている。第４のIII族窒化物半導体領域３１２の表面は平坦になっている。結果として、III族窒化物半導体領域３１２の厚みが、III族窒化物半導体領域３０２に近い部分（領域３１２ｂ）では厚く、III族窒化物半導体領域３０２に遠い部分（領域３１２ａ）では薄く形成されている。
半導体装置３００でも、半導体装置３００をオンしたときに、III族窒化物半導体領域３０２とIII族窒化物半導体領域３１２の境界近傍に形成されているIII族窒化物半導体領域３１２の空乏層が完全に消失しなくても、半導体領域３１２の領域３１２ｂの表層部分を電子が走行することができる。半導体装置３００のオン抵抗を小さくすることができる。また、半導体領域３１２の表面が平坦になっているため、平坦な表面にゲート絶縁膜４，ゲート電極６を形成することができる。半導体装置２００と比較して、ゲート絶縁膜４，ゲート電極６の製造工程を簡単化することができる。
なお、本実施例では、半導体領域３１２の表面が平坦になっているが、半導体装置２００のように、III族窒化物半導体領域３０２に近い部分では、III族窒化物半導体領域３１２を上に凸に形成することもできる。半導体装置３００のオン抵抗をより小さくすることができる。
【００４４】
半導体装置３００の製造方法について説明する。図５の工程は、半導体装置１００の製造方法と同じため説明を省略する。
図１３に示しているように、半導体領域３１６にトレンチ３４を形成する。トレンチ３４を形成する範囲は、III族窒化物半導体領域３０２と、III族窒化物半導体領域３１６の領域３１６ｂに対応する範囲（図３を参照）とし、トレンチ３４の深さは、III族窒化物半導体領域１６の残部が領域３１６ａになるようにする。次いで、トレンチ３４の底部から半導体領域２０に達するトレンチ３６を形成する。トレンチ３６を形成する範囲は、半導体領域３０２（図３を参照）に対応する範囲とする。
なお、トレンチ３４とトレンチ３６を形成する順番は、どちらが先でもよい。その後の工程は、図７から図１０で説明した工程と実質的に同じため説明を省略する。
【００４５】
（第４実施例）
図４を参照して半導体装置４００について説明する。半導体装置４００は半導体装置１００の変形例であり、半導体装置１００と同じ構成については、半導体装置１００と同じ参照番号を付すことによって説明を省略する。
半導体装置４００では、第４のIII族窒化物半導体領域１２の表面の全域にゲート絶縁膜４０４が形成されている。すなわち、ゲート電極４０６は、III族窒化物半導体領域１２の全域にゲート絶縁膜４０４を介して対向している。ゲート絶縁膜４０４は、III族窒化物半導体領域１６のうちのIII族窒化物半導体領域２に近い範囲とIII族窒化物半導体領域２に対向する範囲（領域４０４ｂ）では厚く、III族窒化物半導体領域１６のうちのIII族窒化物半導体領域２から遠い範囲に対向する範囲（領域４０４ａ）では薄く形成されている。ゲート絶縁膜４０４の表面にゲート電極４０６が形成されており、ゲート電極４０６とソース電極４１０は、電極絶縁膜４０８によって電気的に分離されている。
半導体装置４００では、半導体装置４００をオフしたときに、半導体領域１６，１６から半導体領域２に向けて伸びる空乏層がつながらない場合、ゲート絶縁膜４０４の領域４０４ｂに電界がかかる。しかしながら、領域４０４ｂが厚く形成されているため、ゲート絶縁膜４０４の領域４０４ｂに高い電圧がかかってもゲート絶縁膜４０４が破壊されることを防止できる。半導体装置４００でも、隣接するIII族窒化物半導体領域１６の距離（間隙の幅）や、III族窒化物半導体領域２の不純物濃度を高精度に制御しなくても、半導体装置４００をオフしたときに、ゲート絶縁膜４０４が破壊されることを防止できる。半導体装置４００のオン抵抗を大きくすることなく、ゲート絶縁膜４０４が破壊されることを防止できる。
本実施例の半導体装置４００では、第４のIII族窒化物半導体領域１２の厚みが、その全域に亘って等しい。しかしながら、半導体装置２００，３００のように、第４のIII族窒化物半導体領域１２の厚みが、第３のIII族窒化物半導体領域２に近い部分では厚く、第３のIII族窒化物半導体領域に遠い部分では薄くすることもできる。その場合の作用効果については、上記した内容と同じため省略する。
【００４６】
半導体装置４００の製造方法について説明する。図５から図７までの工程は、半導体装置１００と同じため説明を省略する。
半導体領域１２の所定部分にイオン注入をしてｎ＋型のIII族窒化物半導体領域１４を形成した後、III族窒化物半導体領域１２とIII族窒化物半導体領域１４の表面に絶縁膜を形成する。その後、その絶縁膜のゲート絶縁膜４０４ａに対応する部分をエッチングする。次いで、その絶縁膜の表面に電極４０６を形成（図示省略）し、その後、その絶縁膜と電極４０６とエッチングしてゲート絶縁膜４０４とゲート電極４０６を完成させる。その後の工程は、実施例１の図１０以降と同じため説明を省略する。
【００４７】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数の目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】第１実施例の半導体装置の断面図を示す。
【図２】第２実施例の半導体装置の断面図を示す。
【図３】第３実施例の半導体装置の断面図を示す。
【図４】第４実施例の半導体装置の断面図を示す。
【図５】第１実施例の半導体装置の製造過程を示す。
【図６】第１実施例の半導体装置の製造過程を示す。
【図７】第１実施例の半導体装置の製造過程を示す。
【図８】第１実施例の半導体装置の製造過程を示す。
【図９】第１実施例の半導体装置の製造過程を示す。
【図１０】第１実施例の半導体装置の製造過程を示す。
【図１１】第２実施例の半導体装置の製造過程を示す。
【図１２】第２実施例の半導体装置の製造過程を示す。
【図１３】第３実施例の半導体装置の製造過程を示す。
【図１４】従来の半導体装置の断面図を示す。
【符号の説明】
【００４９】
２，３０２：第２のIII族窒化物半導体領域（アパーチャ領域）
４，２０４，４０４：ゲート絶縁膜
６，２０６，４０６：ゲート電極
１０，２１０，４１０：ソース電極
１２，２１２，３１２：第４のIII族窒化物半導体領域
１４：第５のIII族窒化物半導体領域（ソース領域）
１６，３１６：第２のIII族窒化物半導体領域（アパーチャ領域）
２０：第１のIII族窒化物半導体領域（ドリフト領域）
２４：ドレイン電極
１００，２００，３００，４００：半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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