(57)【要約】【課題】表示領域に形成される電子源の電子放出能の差を小さくし、表示ムラのない長寿命の画像表示装置を提供する。【解決手段】表示領域ＡＲの周囲に、電子源を構成するトンネル絶縁層１２と同層の絶縁層をもつ表示に寄与しない電子放出素子ＤＰＸを設けた。表示に寄与する電子放出素子ＰＸは信号線駆動回路５０Ｕ、５０Ｄおよび走査線駆動回路６０Ｕ,６０Ｄに接続し、表示に寄与しない電子放出素子ＤＰＸは、そのの下部電極（信号配線１１）と上部電極１３（走査線バス配線２１）を同じ電位として電子の放出を抑制する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な絶縁基板上に形成された下部電極と、該下部電極の上に絶縁層を介して成膜された上部電極とで構成される複数の電子放出素子をマトリクス状に配置した画像表示装置であって、
前記電子放出素子を構成する前記絶縁層は前記下部電極の表面を陽極酸化して形成した非晶質な酸化膜であり、前記下部電極がアルミニウムもしくはアルミニウム合金からなり、
前記複数の電子放出素子のうち、表示に寄与する電子放出素子の周囲に表示に寄与しない電子放出素子を有し、
前記表示に寄与しない電子放出素子を構成する前記絶縁層が、前記表示に寄与する電子放出素子を構成する絶縁層と同層かつ同時形成されたものであることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記下部電極は、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜の単層膜であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記下部電極は、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜の何れかを最表面にもつ積層膜であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記表示には寄与しない電子放出素子の前記下部電極と前記上部電極は同電位に設定されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
平坦な絶縁基板上に形成された下部電極と、該下部電極の上に絶縁層を介して成膜された上部電極とで構成される複数の電子放出素子をマトリクス状に配置した画像表示装置の製造方法であって、
アルミニウムもしくはアルミニウム合金を用いて前記下部電極を形成し、
前記下部電極の表面に、前記表示に寄与する電子放出素子となる酸化膜のパターン部と、該寄与する電子放出素子となる酸化膜のパターン部の周囲に表示に寄与しない電子放出素子となる酸化膜のバッファ部とを陽極酸化工程により同時に形成する工程を含むことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記下部電極を、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜の単層膜で形成することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５において、
前記下部電極を、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜の何れかを最表面にもつ積層膜で形成することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置にかかり、特に薄膜型の電子放出素子をマトリクス状に配置した自発光型のフラット・パネル・ディスプレイとも称する画像表示装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微少で集積可能な薄膜型電子源とも称する電子放出素子（電子源、陰極）をマトリクス状に配置した平面型の画像表示装置（フラット・パネル・ディスプレイ：ＦＰＤ）が開発されている。この種の画像表示装置の電子源は、電子放出型電子源とホットエレクトロン型電子源とに分類される。前者には、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源等が属し、後者としては金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型、金属―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型、金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型電子源がある。
【０００３】
ＭＩＭ型について、例えば特許文献１に、金属―絶縁体―半導体型についてはＭＯＳ型（非特許文献１）、金属―絶縁体―半導体−金属型ではＨＥＥＤ型(非特許文献２などに記載)、ＥＬ型（非特許文献３などに記載）、ポーラスシリコン型（非特許文献４などに記載）などが報告されている。
【０００４】
ＭＩＭ型電子源については、例えば特許文献２にも開示されている。ＭＩＭ型電子源の構造と動作は以下のとおりである。すなわち、上部電極と下部電極との間に絶縁層（トンネル絶縁層）を介在させた構造を有し、上部電極と下部電極との間に電圧を印加することで、下部電極中のフェルミ準位近傍の電子がトンネル現象により障壁を透過し、電子加速層であるトンネル絶縁層の伝導帯へ注入されホットエレクトロンとなり、上部電極の伝導帯へ流入する。これらのホットエレクトロンのうち、上部電極の仕事関数φ以上のエネルギーをもって上部電極表面に達したものが真空中に放出される。なお、以下では、薄膜型の電子放出素子を単に電子源とも称する。
【特許文献１】特開平７−６５７１０号公報
【特許文献２】特開平１０−１５３９７９号公報
【非特許文献１】ｊ.Ｖａｃ.Ｓｃｉ.Ｔｅｃｈｏｎｏｌ.Ｂ１１(２)ｐ.４２９−４３２(１９９３)
【非特許文献２】ｈｉｇｈ−ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ−ｅｌｅｃｔｒｏ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｅｖｉｃｅ、Ｊｐｎ、ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、ｖｏｌ．３６、ｐｐ.９３９
【非特許文献３】Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、応用物理 第６３巻、第６号、５９２頁
【非特許文献４】応用物理  第６６巻、第５号、４３７頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この種の電子放出素子を用いた画像表示装置では、複数の当該電子放出素子を平坦な絶縁基板（陰極基板）上に二次元のマトリクス状（アレイ状とも言う）に配列して表示領域を構成するが、電子放出素子を構成するトンネル絶縁層（電子加速層）は下部電極を陽極酸化して非晶質な酸化膜としている。下部電極はアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜（アルミニウム-ネオジム合金膜等）の単層からなる金属膜、あるいは最上層をアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜とした金属の積層膜で構成される。この下部電極を陽極酸化してトンネル絶縁膜を形成するプロセスは、上記金属膜を成膜した絶縁基板を電解液に浸漬し、当該金属膜の端縁に一方の電極を接続し、電解液中に設置した他方の電極との間に電流（化成電流）を流す陽極酸化工程（陽極化成処理工程）を含む。
【０００６】
この陽極酸化工程では、前記一方の電極は、表示領域を避けて、その外周において前記金属膜に取り付けられる。陽極酸化のための化成電流は金属膜の周囲に集中し、また一方の電極の取り付け部に集中する。そのため、表示領域の周囲での前記金属膜の酸化速度は表示領域中央領域に比べて速くなる。酸化速度の相違は陽極酸化膜の膜質に差をもたらし、電流量が多い部分の膜質は電流量が少ない部分の膜質より劣ったものとなる。その結果、このようなトンネル絶縁膜で構成した電子放出素子を用いて形成した表示領域の中央と周辺での電子放出性能に差が生じ、表示ムラが発生して画質劣化をもたらし、電子源の寿命を短縮させる。
【０００７】
本発明の第１の目的は、表示領域に形成される電子源の電子放出能の差を小さくし、表示ムラのない長寿命の画像表示装置を提供することにある。又、本発明の第２の目的は、その製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記第１の目的を達成するため、本発明は、表示領域の周囲に、表示に寄与しない電子放出素子を設けたことを特徴とする。この電子放出素子が表示に寄与しないものとするため、本発明では、その下部電極と上部電極の電位を同じにしてトンネル絶縁層を電子が移動しないようにする。また、本発明の第２の目的を達成するため、本発明は、表示に寄与する電子放出素子となる第１の酸化膜パターンと、該第１の酸化膜パターンの周囲に表示に寄与しない電子放出素子となる第２の酸化膜パターンを陽極酸化工程により同時に形成する。第２の酸化膜パターンは、その後のプロセスにおいて表示領域の電子源と同様に上部電極を形成する。そして、上部電極と下部電極を同じ電位とし、あるいはその上に絶縁膜を積層する等で電子源として機能させない構成とする。
【発明の効果】
【０００９】
下部電極を陽極酸化する際、化成電流は第１の酸化膜パターン（表示に寄与するトンネル絶縁層形成部分）よりも、その周囲に位置する第２の酸化膜パターン（表示に寄与しない電子放出素子のトンネル絶縁層部分）に多く集中する。表示領域内において、第１の酸化膜パターン（すなわち、表示に寄与する電子源となる絶縁膜）の膜質は略均一となり、表示領域内の電子放出素子の電子放出性能の差は小さくなり、表示ムラのない長寿命の画像表示装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態につき、実施例の図面を用いて詳細に説明する。なお、以下では本発明の実施例をＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）型電子源を用いた画像表示装置を例として説明するが、陽極酸化膜を用いる他の電子源を用いた画像表示装置についても同様に適用できるものである。
【００１１】
先ず、本発明の画像表示装置の基本構造とその電子放出素子の動作原理について図面を参照して詳細に説明する。図１６は、本発明に係る画像表示装置の基本構造を説明する断面模式図である。主面（内面）に電子放出素子である電子源（カソード）を有する陰極基板（カソード基板）１０と、同じく主面にカソードに対応する複数の蛍光体および陽極（アノード）を有する蛍光体基板（アノード基板）２０とを対向させ、対向面外周間に封止枠（図示せず）を介在させて所定間隙をもって貼り合わせ、真空容器を構成している。
【００１２】
前記電子放出素子は、下部電極１２と、該下部電極１１の上に絶縁層（トンネル絶縁層、電子加速層）１２を介して成膜された上部電極１３との積層構造である。下部電極１１は、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜からなり、トンネル絶縁層１２は下部電極１１の表面を陽極酸化した非晶質酸化膜である。下部電極１１と上部電極１３とは、フィールド絶縁層１４と層間絶縁層１５で電気的に絶縁されている。層間絶縁層１５の上には下側金属１６、中間金属１７および上側金属１８の３層からなる走査配線が形成されている。この例では、下側金属１６は、例えばクロム（Ｃｒ）、中間金属１７はアルミニウム（Ａｌ）、上側金属１８はクロムである。下側金属１６は、電子源側で中間金属１７から外側に突出して層間絶縁層１５、フィールド絶縁層１４と共に傾斜面を形成し、走査配線の上層に成膜される極薄の上部電極１３と上部電極１３との電気的接続を確保している。その反対側では、下側金属１６はエッチングバックにより中間金属１７の端縁から内側に後退しており、この後退で中間金属１７の端縁は下側金属１６に対して庇となる段差を形成している。この段差で隣接する画素が分離される。下側金属１６に替えてシリコン層を用い、ホトリソ工程とドライエッチング処理で隣接する画素と分離する構造とすることもできる。
【００１３】
蛍光体基板２０の主面には、ブラックマトリクス１１０が形成され、このブラックマトリクス１１０の開口に蛍光体１１１が塗布されている。ブラックマトリクス１１０と蛍光体１１１を覆って陽極（アノード）１２４が成膜されている。そして、陽極基板２０のブラックマトリクス１１０部分と陰極基板１０の走査配線との間にスペーサ２３を設置して両基板の間に数ｍｍ程度の間隙を保持している。
【００１４】
下部電極１２は信号配線（又は、単に信号線）であり、この下部電極１２と陽極１２４の間にＶｄ＝３〜１０ｋＶを印加することで、図１７で説明する原理により電子ｅ-が放出され、アノード１２４の下層に塗布された蛍光体１１１に射突し、蛍光体１１１を励起して当該蛍光体の材料に応じた所定の波長または波長域の光Ｌが放出される。
【００１５】
図１７は、図１６に示した薄膜型電子源の動作原理の説明図である。この電子源は、上部電極１３と下部電極１１との間に駆動電圧Ｖｄを印加して、トンネル絶縁層１２内の電界を１〜１０ＭＶ／ｃｍ程度にすると、下部電極１１中のフェルミ準位近傍の電子はトンネル現象により障壁を透過し、電子加速層であるトンネル絶縁層１２の伝導帯へ注入されホットエレクトロンとなり、上部電極１３の伝導帯へ流入する。これらのホットエレクトロンのうち、上部電極１３の仕事関数φ以上のエネルギーをもって上部電極１３表面に達した電子ｅ-が真空中に放出される。
【００１６】
次に、本発明の電子放出素子を構成するトンネル絶縁層の酸化処理についてアルミニウム（Ａｌ）試料片（以下、単に試料片）を用いた下部電極の表面酸化処理で説明する。この酸化処理は、当該試料片を処理槽（電解槽、めっき液槽）の中に垂直方向に吊り下げて一方の電極（陽極）とし、この試料片に一定の距離で白金を好適とする他方の電極（陰極）を設置する。一方の電極と他方の電極の間に電圧を印加することで、試料片内に電流を流して表面を酸化させる。以下、図１８Ａ〜図２３Ｄにより表面酸化処理での膜厚分布解析をシミュレーションした結果を説明する。このシミュレーションの条件は以下のとおりである。
【００１７】
電解液電動度：０．００５（Ｓ／ｍ）
平均電流密度：０．１（Ａ/ｍ2）
Ｐｔ分極曲線係数：０．０７５
Ａｌ分極曲線係数：５Ｅ−１１
Ａｌ2Ｏ3電気化学当量：０．３５２Ｅ−６（ｋｇ/Ｃ）
Ａｌ2Ｏ3比重：４．０Ｅ＋３（ｋｇ/ｍ3）
Ａｌ2Ｏ3比抵抗：１．６１Ｅ＋１４（Ω/ｍ）
処理時間：３０（ｍｉｎ）
電流効率：１００％
【００１８】
図１８Ａ〜図１８Ｄにより、試料片１００を用いた下部電極の表面酸化処理の形態について、当該試料片を電解槽に吊り下げた状態での左右方向（水平方向）のアルミニウム酸化膜の膜厚分布を解析した結果を説明する。図１８Ａは、シミュレーション解析体系図、図１８Ｂは、試料片（Ａｌ）１００の処理面に設定した酸化部パターン（パターン部）１２０の配置図、図１８Ｃは、酸化処理後の酸化膜（Ａｌ2Ｏ3）膜厚分布図、図１８Ｄは、処理時間における酸化膜（Ａｌ2Ｏ3）膜厚の説明図である。パターン部１２０は試料片１００のアルミニウム地表面が露出した部分で実際の陰極基板では表示に寄与する陰極のトンネル絶縁層となるものである。他の部分はレジスト膜もしくは厚い酸化膜で被覆されている。
【００１９】
図１８Ｂに示したパターン部を設けた試料片（Ａｌ）１００を、図１８Ａに示した配置で電解槽内に吊り下げる。図１８Ａは電解槽内を上から覗いたときの試料片１００のパターン部１２０と対向電極１３０の配置を示す。対向電極１３０は通常は白金（Ｐｔ）板で構成される。試料片１００では、パターン部１２０を図１８Ｂに記載の数値例の、配置、サイズ、および間隔で水平方向に配置される。この試料片１００を図１８Ａに示した配置で電解槽内に浸漬し、試料片１００と対向電極１３０の間に電流（陽極化成電流）を流し、露出したアルミニウム地表面に陽極酸化膜（以下、単に、酸化膜とも称する）を形成する。
【００２０】
水平方向に配置したパターン部１２０の酸化膜の膜厚について測定したものを図１８Ｃに示す。図１８Ｃに示したように、パターン部１２０の中央部と端部の膜厚は異なるものとなっている。中央部を（１）で、端部を（２）で示す。すなわち、両端部分で膜厚は厚くなり、中央領域ではほぼ均一な膜厚であることが分かる。これは、試料片１００の面内電流量分布が、当該試験片の端縁近傍では中央部分よりも大であることに起因する。通常、金属板に電流を流した場合には、その端縁近傍を流れる電流が中央領域分よりも大である。その結果、図１８Ｃに示したような膜厚分布となる。また、パターン部１２０の中央部と端部とでは処理時間に対する膜厚が異なる。図１８Ｄに示したように、膜厚は、パターン部の端部では中央よりも速く増加する。速く膜厚が増加した端部での酸化膜の膜質は、時間をかけて形成された中央部での酸化膜の膜質より劣化したものとなる。
【００２１】
図１９Ａ〜図１９Ｄにより、試料片１００を用いた下部電極の表面酸化処理の形態について、当該試料片を電解槽に吊り下げた状態での上下方向（垂直方向）のアルミニウム酸化膜の膜厚分布を解析した結果を説明する。図１９Ａは、シミュレーション解析体系図、図１９Ｂは、試料片（Ａｌ）１００の処理面に設定したパターン部１２０の配置図、図１９Ｃは、酸化処理後の酸化膜（Ａｌ2Ｏ3）膜厚分布図、図１９Ｄは、処理時間における酸化膜（Ａｌ2Ｏ3）膜厚の説明図である。水平方向での解析と同様に、パターン部１２０は試料片１００のアルミニウム地表面が露出した部分で実際の陰極基板では表示に寄与する陰極のトンネル絶縁層となるものである。他の部分はレジスト膜もしくは厚い酸化膜で被覆されている。。
【００２２】
図１９Ｂに示したパターン部を設けた試料片（Ａｌ）１００を、図１９Ａに示した配置で電解槽内に吊り下げる。図１９Ａは電解槽内を上から覗いたときの試料片１００のパターン部１２０と対向電極１３０の配置を示す。対向電極１３０は通常は白金（Ｐｔ）板で構成される。試料片１００では、パターン部１２０を図１９Ｂに記載の数値例の、配置、サイズ、および間隔で垂直方向に配置される。この試料片１００を図１９Ａに示した配置で電解槽内に浸漬し、試料片１００と対向電極１３０の間に電流を流し、露出したアルミニウム地表面に酸化膜を形成する。
【００２３】
垂直方向に配置したパターン部１２０の酸化膜の膜厚について測定したものを図１９Ｃに示す。図１９Ｃに示したように、パターン部１２０の中央部と両端部の膜厚は異なるものとなっている。中央部を（１）で、端部を（２）と（３）で示す。すなわち、両端部分で膜厚は厚くなり、中央領域ではほぼ均一な膜厚であることが分かる。これは、前記したように、試料片１００の面内電流量分布が、当該試験片の端縁近傍では中央部分よりも大であることに起因する。その結果、図１９Ｃに示したような膜厚分布となる。また、パターン部１２０の中央部と両端部とでは処理時間に対する膜厚が異なる。図１９Ｄに示したように、膜厚は、パターン部の両端部では中央よりも速く増加する。速く膜厚が増加した端部での酸化膜の膜質は、時間をかけて形成された中央部での酸化膜の膜質より劣化したものとなる。
【００２４】
図２０Ａ〜図２０Ｄにより、試料片１００を用いた下部電極の表面酸化処理の形態について、図１８Ａ〜図１８Ｄで説明した試料片における水平方向に配置のパターン部１２０の両側にバッファ部１４０を配置した図２０Ｂの試料片１００を電解槽に吊り下げた状態での水平方向のアルミニウム酸化膜の膜厚分布を解析した結果を説明する。図２０Ａは、シミュレーション解析体系図、図２０Ｂは、上記した試料片（Ａｌ）１００の処理面に設定したパターン部１２０の配置図、図２０Ｃは、酸化処理後の酸化膜（Ａｌ2Ｏ3）膜厚分布図、図２０Ｄは、処理時間における酸化膜（Ａｌ2Ｏ3）膜厚の説明図である。バッファ部１４０は、パターン部１２０と同様に試料片１００のアルミニウム地表面が露出した部分で、トンネル絶縁層となるものである。他の部分はレジスト膜もしくは厚い酸化膜で被覆されている。
【００２５】
図２０Ｂに示したパターン部１２０とバッファ部１４０とを設けた試料片１００を、図２０Ａに示した配置で電解槽内に吊り下げる。図２０Ａは電解槽内を上から覗いたときの試料片１００のパターン部１２０とバッファ部１４０および対向電極１３０の配置を示す。試料片１００では、パターン部１２０とバッファ部１４０を図２０Ｂに記載の数値例の、配置、サイズ、および間隔で垂直方向に配置される。この例では、バッファ部１４０はパターン部１２０内の個々のパターン間の間隔と同じような狭い間隔で配置している。この試料片１００を図２０Ａに示した配置で電解槽内に浸漬し、試料片１００と対向電極１３０の間に電流を流し、露出したアルミニウム地表面に酸化膜を形成する。
【００２６】
水平方向に配置したパターン部１２０とバッファ部１４０との酸化膜の膜厚について測定したものを図２０Ｃに示す。図２０Ｃに示したように、パターン部１２０の中央部と両端に設けたバッファ部１４０の膜厚は異なるものとなっている。パターン部１２０の中央部を（１）で、パターン部１２０の両端に設けたバッファ部１４０を（２）と（３）で示す。すなわち、バッファ部１４０での膜厚は厚く、パターン部ではその中央領域を含めてほぼ均一な膜厚であることが分かる。また、パターン部１２０の中央部とバッファ部１４０とでは、図２０Ｄに示したように、処理時間に対する膜厚は図１８Ｄに示したものより相違が目立たない。
【００２７】
図２１Ａ〜図２１Ｄにより、試料片１００を用いた下部電極の表面酸化処理の形態について、図１９Ａ〜図１９Ｄで説明した試料片における垂直方向に配置のパターン部１２０の下側にバッファ部１４０を配置した図２１Ｂの試料片１００を電解槽に吊り下げた状態での垂直方向のアルミニウム酸化膜の膜厚分布を解析した結果を説明する。図２１Ａは、シミュレーション解析体系図、図２１Ｂは、上記した試料片（Ａｌ）１００の処理面に設定したパターン部１２０の配置図、図２１Ｃは、酸化処理後の酸化膜（Ａｌ2Ｏ3）膜厚分布図、図２１Ｄは、処理時間における酸化膜（Ａｌ2Ｏ3）膜厚の説明図である。バッファ部１４０は、パターン部１２０と同様に試料片１００のアルミニウム地表面が露出した部分で、陰極のトンネル絶縁層となるものである。他の部分はレジスト膜もしくは厚い酸化膜で被覆されている。
【００２８】
図２１Ｂに示したパターン部１２０とバッファ部１４０とを設けた試料片１００を、図２１Ａに示した配置で電解槽内に吊り下げる。パターン部１２０は電解液の液面以下となるように浸漬する。このことは前記の各解析および以降の各解析でも同じである。図２１Ａは電解槽内を上から覗いたときの試料片１００のパターン部１２０とバッファ部１４０および対向電極１３０の配置を示す。試料片１００では、パターン部１２０とバッファ部１４０を図２１Ｂに記載の数値例の、配置、サイズ、および間隔で垂直方向に配置される。この例では、バッファ部１４０はパターン部１２０内の個々のパターン間の間隔と同じような狭い間隔で配置している。この試料片１００を図２１Ａに示した配置で電解槽内に浸漬し、試料片１００と対向電極１３０の間に電流を流し、露出したアルミニウム地表面に酸化膜を形成する。
【００２９】
垂直方向に配置したパターン部１２０とバッファ部１４０との酸化膜の膜厚について測定したものを図２１Ｃに示す。図２１Ｃに示したように、パターン部１２０の中央部とその端部、および下端に設けたバッファ部１４０の膜厚は異なるものとなっている。パターン部１２０の中央部を（１）で、パターン部１２０の上方端部を（２）で、パターン部１２０のバッファ部１４０と隣接する下端部を（３）で、パターン部１２０の下端に設けたバッファ部１４０を（４）で示す。図２１Ｃには、パターン部１２０のバッファ部１４０と隣接する下端部（３）の膜厚が最も厚くなり、パターン部１２０の上方端部（２）が次に厚くなっていることが分かる。また、図２１Ｄに示したように、処理時間に対する各部の膜厚は図１９Ｄに示したものより差がない。
【００３０】
図２２Ａ〜図２２Ｄにより、試料片１００を用いた下部電極の表面酸化処理の形態について、図１８Ａ〜図１８Ｄで説明した試料片における水平方向に配置のパターン部１３０の片側にバッファ部１４０を配置した図２２Ｂの試料片１００を電解槽に吊り下げた状態での水平方向のアルミニウム酸化膜の膜厚分布を解析した結果を説明する。図２２Ａは、シミュレーション解析体系図、図２２Ｂは、上記した試料片（Ａｌ）１００の処理面に設定したパターン部１２０とバッファ部１４０の配置図、図２２Ｃは、酸化処理後の酸化膜（Ａｌ2Ｏ3）膜厚分布図、図２２Ｄは、処理時間における酸化膜（Ａｌ2Ｏ3）膜厚の説明図である。バッファ部１４０は、パターン部１２０と同様に試料片１００のアルミニウム地表面が露出した部分で、トンネル絶縁層となるものである。他の部分はレジスト膜もしくは厚い酸化膜で被覆されている。
【００３１】
図２２Ｂに示したパターン部１２０とバッファ部１４０とを設けた試料片１００を、図２２Ａに示した配置で電解槽内に吊り下げる。図２２Ａは電解槽内を上から覗いたときの試料片１００のパターン部１２０とバッファ部１４０および対向電極１３０の配置を示す。試料片１００では、パターン部１２０とバッファ部１４０を図２２Ｂに記載の数値例の、配置、サイズ、および間隔で垂直方向に配置される。この例では、バッファ部１４０はパターン部１２０の端部から８．３ｍｍ（個々のパターン間の約４倍）と、広く離して配置している。この試料片１００を図２２Ａに示した配置で電解槽内に浸漬し、試料片１００と対向電極１３０の間に電流を流し、露出したアルミニウム地表面に酸化膜を形成する。
【００３２】
水平方向に配置したパターン部１２０とバッファ部１４０との酸化膜の膜厚について測定したものを図２２Ｃに示す。図２２Ｃに示したように、パターン部１２０の中央部と両端部、パターン部１２０の片側に設けたバッファ部１４０の膜厚は異なるものとなっている。パターン部１２０の中央部を（１）で、パターン部１２０の両端に設けたバッファ部１４０を（２）と（３）で、バッファ部１４０を（４）で示す。すなわち、バッファ部１４０をパターン部１２０から離しては位置すると、パターン部ではその両端の膜厚が図１８Ｃで説明したバッファ部を設けない場合と同様の結果となることが分かる。また、パターン部１２０の中央部と両端部の時間による膜厚変化も図１８Ｄに近似したものとなる（図２２Ｄ参照）。
【００３３】
図２３Ａ〜図２３Ｄにより、試料片１００を用いた下部電極の表面酸化処理の形態について、図１８Ａ〜図１８Ｄで説明した試料片における水平方向に配置のパターン部１２０の水平方向配列サイズを小さくし、その片側に大きな間隔でパターン部１２０よりも水平方向サイズが大きいバッファ部１４０を配置した図２３Ｂの試料片１００を電解槽に吊り下げた状態での水平方向のアルミニウム酸化膜の膜厚分布を解析した結果を説明する。図２３Ａは、シミュレーション解析体系図、図２３Ｂは、上記した試料片（Ａｌ）１００の処理面に設定したパターン部１２０とバッファ部１４０の配置図、図２３Ｃは、酸化処理後の酸化膜（Ａｌ2Ｏ3）膜厚分布図、図２３Ｄは、処理時間における酸化膜（Ａｌ2Ｏ3）膜厚の説明図である。バッファ部１４０は、パターン部１２０と同様に試料片１００のアルミニウム地表面が露出した部分で、トンネル絶縁層となるものである。他の部分はレジスト膜もしくは厚い酸化膜で被覆されている。
【００３４】
図２３Ｂに示したパターン部１２０とバッファ部１４０とを設けた試料片１００を、図２３Ａに示した配置で電解槽内に吊り下げる。図２２Ａは電解槽内を上から覗いたときの試料片１００のパターン部１２０とバッファ部１４０および対向電極１３０の配置を示す。試料片１００では、パターン部１２０とバッファ部１４０を図２２Ｂに記載の数値例の、配置、サイズ、および間隔で垂直方向に配置される。この例では、バッファ部１４０はパターン部１２０の端部から３０．７ｍｍという大きな間隔で離して配置している。この試料片１００を図２３Ａに示した配置で電解槽内に浸漬し、試料片１００と対向電極１３０の間に電流を流し、露出したアルミニウム地表面に酸化膜を形成する。
【００３５】
水平方向に大きく離して配置したパターン部１２０とバッファ部１４０との酸化膜の膜厚について測定したものを図２３Ｃに示す。図２３Ｃに示したように、パターン部１２０の中央部と端部との膜厚は大きく異なっている。パターン部１２０の中央部を（１）で、パターン部１２０の端部を（２）で、バッファ部１４０を（３）で示す。すなわち、パターン部１２０が小サイズ、バッファ部１４０が大きいサイズで、を両者を大きく離しては位置すると、バッファ部１４０を設けることの効果が無いことが分かる。また、サイズが小さいパターン部１２０では、その中央部と両端部の時間による膜厚変化がサイズが大きいバッファ部の中央に比べて初期に厚く変化する（図２３Ｄ参照）。
【００３６】
以上の解析結果から、バッファ部をパターン部の個々のパターンと同様の配置とすることで、パターン部の酸化膜の膜厚を均一化できることが分かる。本発明は、この知見に基いたものであり、以下実施例を参照して本発明の表示装置を説明する。
【実施例】
【００３７】
図１は、本発明の画素表示装置の１実施例を説明する陰極基板の模式平面図である。ガラスを好適とする絶縁材で形成した陰極基板１０の内面に信号線である下部電極１１と上部電極１３がフィールド絶縁層１４と層間絶縁層１５を介して交差（通常は直交）配置され、交差部に電子源ＥＬＳから構成される画素ＰＸが二次元マトリクスに配置されている。電子源（陰極、電子放出素子とも称する）ＥＬＳは、下部電極１１と上部電極１３の間にトンネル絶縁層１２を挟んだ構造であるが、図１には電子源ＥＬＳをダイオードで象徴的に示している。以下では、図面に向かって上下方向を垂直方向、左右方向を水平ホ横行とも表記する。
【００３８】
信号線である下部電極１１や追加の下部電極１１Ｄは陰極基板１０の基板１０の垂直方向辺の面上に直接設置された信号線駆動回路５０Ｕ、５０Ｄ（または、フレキシブルプリント基板で接続された信号線駆動回路または回路チップ）で駆動される。信号線駆動回路５０Ｕ、５０Ｄは下部電極１１のそれぞれに対応した信号線駆動回路又は回路チップＤＤ１、ＤＤ２、ＤＤ３、ＤＤ４、・・・および追加の下部電極１１Ｄの電位を制御する等電位化回路ＰＱで構成される。
【００３９】
また、図１６で説明した３層構造の走査配線（図１では、走査線バス配線２１で示す）は陰極基板１０の水平方向辺の面上に直接設置された走査線駆動回路６０Ｌ、６０Ｒ（または、フレキシブルプリント基板で接続された走査線駆動回路または回路チップ）で駆動される。図１では、走査線駆動回路６０Ｌ、６０Ｒは走査線バス配線２１のそれぞれに対応した走査線駆動回路チップＳＤ１、ＳＤ２、ＳＤ３、ＳＤ４、・・・で構成される。この画像表示装置の信号線、走査線バス配線は両側駆動方式であるが、一方又は双方を片側駆動としたものも既知である。
【００４０】
電子源ＥＬＳは、前記したように、下部電極１１と追加の下部電極１１Ｄ、および下部電極１１と追加の下部電極１１Ｄの表面を陽極酸化して形成した電子加速層であるトンネル絶縁層１２と上部電極１３の積層で構成される。図１６の上部電極１３は走査線バス配線２１で給電される。電子源ＥＬＳをマトリクス配置した領域を内側点線で示す表示領域ＡＲで示す。追加の下部電極１１Ｄの表面を陽極酸化して形成した電子加速層であるトンネル絶縁層は前記のバッファ部に相当する。
【００４１】
本実施例では、表示領域ＡＲの外側に表示に寄与しない電子放出素子ＤＰＸを配置した非表示領域ＤＡＲを設けた。非表示領域ＤＡＲは表示領域ＡＲを示す内側点線と外側点線との間に配置される。図１では、表示領域ＡＲの外側外周の４辺の全てに沿って示に寄与しない電子源構造ＤＰＸを配置したが、電流集中量が大きい辺、すなわち陽極化成の際の一方電極を取り付ける部分に近い辺の１辺又は２辺、若しくは３辺に沿って設置してもよい。
【００４２】
この表示に寄与しない電子放出素子ＤＰＸのトンネル絶縁層は、表示領域ＡＲに配置される表示に寄与する電子放出素子ＥＬＳ（画像ＰＸの電子源）と同じ工程で製造されるため、電子放出素子ＰＸと同じように、表示に寄与しない電子放出素子ＤＰＸも、下部電極１１Ｄ、トンネル絶縁層１２、上部電極（図１では追加の走査線バス配線２１Ｄで示す）の３層構造である。
【００４３】
本実施例では、表示に寄与しない電子放出素子ＤＰＸの下部電極１１Ｄと上部電極（追加の走査線バス配線２１Ｄ、又は走査線バス配線２１）は、走査線バス配線２１が選択されたときには上部電極と同電位にされる。追加の走査線バス配線２１Ｄは表示データの供給タイミングで下部電極１１Ｄまたは下部電極１１と同電位にされ、表示に寄与しない電子放出素子ＤＰＸからの電子放出を抑制する。この制御は信号線駆動回路５０Ｕ、５０Ｄに設けた同電位化回路ＰＱで行う。なお、同電位化回路ＰＱに代えて、図示しない制御回路基板に設けたタイミング生成回路で生成したタイミングで下部電極１１Ｄまたは下部電極１１と追加の走査線バス配線２１Ｄ又は走査線バス配線２１を同電位に制御することで、表示に寄与しない電子放出素子ＤＰＸからの電子放出を抑制する構成を採ってもよい。または、表示に寄与しない電子放出素子ＤＰＸの上部電極を覆って絶縁層を形成する等の手段を採用してもよい。
【００４４】
また、本実施例では、これらの表示に寄与しない電子源構造ＤＰＸは、表示領域ＡＲ内に配列された電子源ＰＸの行および列と同数で設けてある。しかし、これに限らず、陽極化成電流の分布に対応させて、電子源の行および列に対して一つ置き、二以上ごと、あるいはランダムには位置することもできる。
【００４５】
表示に寄与しない電子源構造ＤＰＸでは、下部電極１１Ｄと上部電極（追加の走査線バス配線２１Ｄ）の間にフィールド絶縁層１４または層間絶縁層１５の一方のみとすることもできるが、表示部と同様の構成とすることが製造の容易さから望ましい。
【００４６】
図２は、本発明の画像表示装置の１実施例の具体的な構成例を説明するブロック図である。図２において、画像表示装置の画面を構成する表示パネル１００の回りにフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）９０を介して信号線駆動回路５０Ｕ、５０Ｄ、及び走査線駆動回路６０Ｌ、６０Ｒが設置されている。
【００４７】
本実施例により、表示領域内において、表示に寄与する電子放出素子のトンネル絶縁層の膜厚、膜質は略均一となり、表示領域前面での電子放出能の差は小さくなり、表示ムラのない長寿命の画像表示装置が得られる。
【００４８】
図３は、本発明の画素表示装置の実施例の陰極基板の全体構成を説明する模式平面図である。実施例２では、ガラス基板１０に有する表示領域ＡＲに表示用の電子源を配置し、その外周に、表示に寄与する電子放出素子を構成する絶縁層と同層で、かつ同時に陽極酸化した非晶質酸化膜からなる表示に寄与しない電子放出素子のパターン（前記バッファ部で構成したパターン）を配列した非表示領域ＤＡＲを設けた。実施例２では、表示領域外絶縁層パターンを表示領域ＡＲの４辺全てに配置したが、電流集中量が大きい辺、すなわち陽極化成の際の一方電極を取り付ける部分に近い辺の１辺又は２辺、若しくは３辺に沿って設置してもよい。
【００４９】
さらに、この表示に寄与しない電子放出素子の絶縁層パターンは、表示領域内の電子源を構成するトンネル絶縁層と同じ形状、サイズである必要はなく、表示領域の辺に沿った帯状パターン、あるいは不連続の複数の矩形パターンなど、化成電流の分布に応じた任意のパターンと配置とすることができる。
【００５０】
表示領域外絶縁層パターンは、その下層にある金属パターンとして、表示用電子源の下部電極のパターンと同様のパターンでもよいし、表示用電子源の下部電極とは異なるパターンを用いることができる。
【００５１】
図４は、本発明の画像表示装置の陰極基板に有する画素部の詳細構成例を説明する要部平面図である。図４では、陰極基板１０の主面に信号線（データ線とも言う）である下部電極１１の上にフィールド絶縁層１４と層間絶縁層１５を介して走査線バス配線２１に接続する上部電極１３が直交配置され、交差部に電子源ＥＬＳが形成されている。上部電極１３の下層にあるトンネル絶縁層１２は上部電極１３の上層に矩形で示されている。上部電極１３は走査線バス配線２１で選択される画素のトンネル絶縁層１２（走査線バス配線２１の上方）側で当該走査線バス配線２１の下側金属１６と層間絶縁層１５、フィールド絶縁層１４で形成される側壁のテーパ部（矢印Ａ）で走査線バス配線２１との電気的に確実に接続される。走査線バス配線２１の下方では前記した段差（矢印Ｂ）で隣接する画素と分離されている。
【００５２】
図５は、本発明の画像表示装置を構成する電子源の構造例を説明する図４のＹ−Ｙ’線に沿った断面図である。また、図６は、図５の矢印Ｃで示した電子源部分の構造を説明する断面ＴＥＭ写真の模写図である。この電子源構造は図１６で説明したとおりである。電子を放出する部分の構造は、図６に示したように下部電極１１を構成するアルミニウムーネオジム合金（Ａｌ−Ｎｄ）はアルミニウムと２原子％のネオジムの合金である。この下部電極１１を陽極酸化して生成した暑さ１０ｎｍ程度のトンネル絶縁層１２と、その上に上部電極１３を積層成膜してなる。上部電極１３は、金Ａｕ:１ｎｍ/白金Ｐｔ:１ｎｍ/イリジウムＩｒ:０．３ｎｍを順次スパッタして形成される。
【００５３】
次に、本発明の画像表示装置に係る陰極基板の詳細構成を図７乃至図１５に示す製造工程で説明する。先ず、図７に示したように、ガラス基板１０上に下部電極１１用の金属膜を成膜する。下部電極１１の材料としてＡｌ系金属を用いる。Ａｌ系金属を用いるのは、陽極酸化により良質の絶縁膜を形成できるからである。ここでは、図６で説明したように、ＡｌにＮｄを２原子量％ドープしたＡｌ−Ｎｄ合金を用いた。成膜には、例えば、スパッタリング法を用いる。膜厚は３００ｎｍとした。
【００５４】
成膜後はパターニング工程、エッチング工程によりストライプ形状の下部電極１１を形成した(図８)。下部電極１１の電極幅は画像表示装置のサイズや解像度により異なるが、そのサブピクセルのピッチ程度、大体１００〜２００ミクロン程度とする。エッチングは例えば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でのウェットエッチングを用いる。この電極は幅の広い簡易なストライプ構造のため、レジストのパターニングは安価なプロキシミティ露光や、印刷法などで行うことができる。
【００５５】
次に、電子放出部を制限し、下部電極１１のエッジへの電界集中を防止するフィールド絶縁層（保護絶縁層とも言う）１４と、トンネル絶縁層１２を形成する。まず、図９に示した下部電極１１上の電子放出部となる部分をレジスト膜２５でマスクし、その他の部分を選択的に厚く陽極酸化してフィールド絶縁層１４とする。化成電圧を１００Ｖとすれば、厚さ約１３６ｎｍの保護絶縁層１４が形成される。その後、レジスト膜２５を除去して残りの下部電極１１の表面を陽極酸化する。例えば、化成電圧を６Ｖとすれば、下部電極１１上に厚さ約１０ｎｍの絶縁層（トンネル絶縁層）１２が形成される（図１０）。
【００５６】
次に、層間絶縁層１５と、上部電極１３への給電線となる走査線バス配線とスペーサ（後述する）を配置するための、スペーサを走査線バス配線に電気的に接続するスペーサ電極となる金属膜を例えばスパッタリング法等で成膜する（図１１）。この層間絶縁層１５は、陽極酸化で形成するフィールド絶縁膜１４にピンホールがあった場合、その欠陥を埋め、下部電極１１と走査線バス配線間の絶縁を保つ役割を果たす。走査線バス配線の金属中間層１７としてＡｌの肉厚配線を用い、金属下層１６と金属上層１８との間に挟んだ３層膜とする。なお、ここでは、金属下層１６と金属上層１８にはＣｒを用いた。Ａｌの膜厚は配線抵抗を低減するため、できるだけ厚くしておく。ここでは、金属下層１６を１００ｎｍ、金属中間層１７を４μｍ、金属上層１８を１００ｎｍの膜厚とした。金属中間層１７を導電性ペーストのスクリーン印刷等で形成することも可能である。
【００５７】
続いて、パターニングとエッチング工程により金属上層１８を、下部電極１１とは直交するストライプ形状に加工する。このエッチングには、例えば硝酸アンモニウムセリウム水溶液でのウェットエッチングを用いる。（図１２）。
【００５８】
次に、図１３に示したように、パターニングとエッチング工程により金属下層１６を下部電極１１とは直交するストライプ形状に加工する。エッチングは燐酸、酢酸の混合水溶液でのウェットエッチングで行う。その際、金属下層１６の片側（電子源形成側、図１３のＢ−Ｂ'線断面図の左側）は金属上層１８より張り出させ（突出させ）て、後の工程で上部電極１３との接続を確保する接続電極（コンタクト部）とし、金属下層１６の反対側（電子源形成側と反対側、図１３のＢ−Ｂ'線断面図の右側）では金属上層１８をマスクとしたエッチングバックによりアンダーカット（段差）を形成し、後の工程で上部電極１３を分離する庇を形成する。これにより、上部電極１３を自己整合的に分離し、かつ給電を行う走査線バス配線を形成することができる。
【００５９】
続いて、層間絶縁層１５を加工して電子放出部を開口する。電子放出部はサブピクセル内の１本の下部電極１１と、この下部電極１１と直交する２本の上部バス電極に挟まれた空間の直交部の一部に形成する。エッチングは、例えばＣＦ4やＳＦ6を主成分とするエッチング剤を用いたドライエッチングによって行うことができる（図１４）。
【００６０】
最後に、上部電極１３の成膜を行う。この成膜法は、例えばスパッタ成膜を用いる。上部電極１３としては、例えばＩｒ、Ｐｔ、Ａｕの積層膜を用い、膜厚は例えば６ｎｍとした。この時、上部電極１３は、電子放出部を挟む２本の走査線バス配線の一方（図１５のＢ−Ｂ'線断面図の右側）で、金属下層１６の後退で形成された庇構造により切断される。一方、図１５の左側では、走査線バス配線の金属下層１６のコンタクト部（矢印１９で示す。図４の矢印Ａで示した部分と同じ）により断線を起こさずに接続され給電される構造となる（図１５）。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の画素表示装置の１実施例を説明する陰極基板の模式平面図である。
【図２】本発明の画像表示装置の１実施例の具体的な構成例を説明するブロック図である。
【図３】本発明の画素表示装置の１実施例の陰極基板の全体を説明する模式平面図である。
【図４】本発明の画像表示装置の陰極基板に有する画素部の詳細構成例を説明する要部平面図である。
【図５】本発明の画像表示装置を構成する電子源の構造例を説明する図４のＹ−Ｙ’線に沿った断面図である。
【図６】図５の矢印Ｃで示した電子源部分の構造を説明する断面ＴＥＭ写真の模写図である。
【図７】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図である。
【図８】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図７に続く図である。
【図９】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図８に続く図である。
【図１０】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図９に続く図である。
【図１１】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図１０に続く図である。
【図１２】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図１１に続く図である。
【図１３】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図１２に続く図である。
【図１４】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図１３に続く図である。
【図１５】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図１４に続く図である。
【図１６】本発明に係る画像表示装置の基本構造を説明する断面模式図である。
【図１７】図１６に示した薄膜型電子源の動作原理の説明図である。
【図１８Ａ】水平方向の酸化膜厚のシミュレーション解析体系図である。
【図１８Ｂ】試料片の処理面に設定した酸化部パターンの配置図である
【図１８Ｃ】酸化処理後の酸化膜の膜厚分布図である。
【図１８Ｄ】処理時間における酸化膜の膜厚の説明図である。
【図１９Ａ】垂直方向の酸化膜厚のシミュレーション解析体系図である。
【図１９Ｂ】試料片の処理面に設定した酸化部パターンの配置図である
【図１９Ｃ】酸化処理後の酸化膜の膜厚分布図である。
【図１９Ｄ】処理時間における酸化膜の膜厚の説明図である。
【図２０Ａ】バッファ部を近接させて追加した水平方向の酸化膜厚のシミュレーション解析体系図である。
【図２０Ｂ】バッファ部を近接させて追加した試料片の処理面に設定した酸化部パターンの配置図である
【図２０Ｃ】バッファ部を近接させて追加した酸化処理後の酸化膜の膜厚分布図である。
【図２０Ｄ】バッファ部を近接させて追加した処理時間における酸化膜の膜厚の説明図である。
【図２１Ａ】バッファ部を近接させて追加した垂直方向の酸化膜厚のシミュレーション解析体系図である。
【図２１Ｂ】バッファ部を近接させて追加した試料片の処理面に設定した酸化部パターンの配置図である
【図２１Ｃ】バッファ部を近接させて追加した酸化処理後の酸化膜の膜厚分布図である。
【図２１Ｄ】バッファ部を近接させて追加した処理時間における酸化膜の膜厚の説明図である。
【図２２Ａ】バッファ部を離して追加した水平方向の酸化膜厚のシミュレーション解析体系図である。
【図２２Ｂ】バッファ部を離して追加した試料片の処理面に設定した酸化部パターンの配置図である
【図２２Ｃ】バッファ部を離して追加した酸化処理後の酸化膜の膜厚分布図である。
【図２２Ｄ】バッファ部を離して追加した処理時間における酸化膜の膜厚の説明図である。
【図２３Ａ】パターン部を小さくし、バッファ部を離して追加した水平方向の酸化膜厚のシミュレーション解析体系図である。
【図２３Ｂ】パターン部を小さくし、バッファ部を離して追加した試料片の処理面に設定した酸化部パターンの配置図である
【図２３Ｃ】パターン部を小さくし、バッファ部を離して追加した酸化処理後の酸化膜の膜厚分布図である。
【図２３Ｄ】パターン部を小さくし、バッファ部を離して追加した処理時間における酸化膜の膜厚の説明図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０・・・陰極基板、１１・・・表示に寄与する電子放出素子の下部電極（信号配線、データ線）、１１Ｄ・・・表示に寄与しない電子放出素子の下部電極、２１・・・走査配線、２１Ｄ・・・表示に寄与しない電子放出素子の上部電極（追加の走査配線）、１２・・・トンネル絶縁層、１３・・・上部電極（走査配線）、１４・・・フィールド絶縁膜、１５・・・層間絶縁層、２０・・・蛍光体基板、２１・・走査線バス配線、２３・・・スペーサ、２４・・・ブラックマトリクス、２５・・・レジスト膜、５０Ｕ,５０Ｄ・・・信号線駆動回路、６０Ｕ,６０Ｄ・・・走査線駆動回路、１１１・・・蛍光体、１１９・・・ブラックマトリクス、ＰＸ・・・表示に寄与する電子放出素子（画素）、ＥＬＳ・・・電子放出素子（電子源）、ＤＰＸ・・・表示に寄与しない電子放出素子、ＡＲ・・・表示領域、ＤＡＲ・・・非表示領域、１００・・・試料片、１２０・・・パターン部、１３０・・・対向電極、１４０・・・バッファ部、ＰＱ・・・等電位化回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図１８Ｄ】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図１９Ｃ】
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【図１９Ｄ】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２０Ｃ】
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【図２０Ｄ】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２１Ｃ】
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【図２１Ｄ】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２２Ｃ】
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【図２２Ｄ】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２３Ｃ】
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【図２３Ｄ】
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【図５】
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【図６】
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