(57)【要約】      （修正有）【課題】放射線画像検出器において、取出配線とそれに接続する外部接続端子とをより高精度で位置合せして接続する。【解決手段】画像情報を担持する放射線の照射を受けることにより電荷が発生する光導電層と、光導電層で発生した電荷を蓄積する蓄電部と、蓄電部に蓄積された電荷に応じた信号を出力するためのコモン電極１５ａおよび信号電極１５ｂ、コモン電極１５ａまたは信号電極１５ｂからＴＣＰ４０との所定の接続位置まで延びた取出配線２０とを基板上に備えた放射線画像検出器の製造方法において、取出配線２０およびその取出配線２０とＴＣＰ４０とを接続する際の位置合せの基準となる標識３０を、同一マスクを用いた処理で、同一の不透明な材料により形成する。【選択図】図７
2008203021.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像情報を担持する放射線の照射を受けることにより電荷が発生する光導電層と、該光導電層で発生した電荷を蓄積する蓄電部と、該蓄電部に蓄積された前記電荷に応じた信号を出力するための複数の線状電極と、各線状電極から外部接続端子との所定の接続位置まで延びた取出配線とを基板上に備えた放射線画像検出器において、
前記取出配線および該取出配線と前記外部接続端子とを接続する際の位置合せの基準となる標識が、同一の不透明な材料により形成されていることを特徴とする放射線画像検出器。
【請求項２】
前記取出配線が、
該取出配線の前記基板側に、各線状電極に接続して延びた不透明な材料からなる第１層と、
該第１層の前記基板側とは反対の側に、前記第１層を被覆するように設けられた、前記第１層の材料より高い耐酸化性を有する材料からなる第２層と
を備えたものであることを特徴とする請求項１記載の放射線画像検出器。
【請求項３】
前記第１層が、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｇｅのいずれかを含む材料からなるものであり、
前記第２層が、Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄのいずれかを含む材料からなるものであることを特徴とする請求項２記載の放射線画像検出器。
【請求項４】
画像情報を担持する放射線の照射を受けることにより電荷が発生する光導電層と、該光導電層で発生した電荷を蓄積する蓄電部と、該蓄電部に蓄積された前記電荷に応じた信号を出力するための複数の線状電極と、各線状電極から外部接続端子との所定の接続位置まで延びた取出配線とを基板上に備えた放射線画像検出器の製造方法において、
前記取出配線および該取出配線と前記外部接続端子とを接続する際の位置合せの基準となる標識を、同一マスクを用いた処理で、同一の不透明な材料により形成する
ことを特徴とする放射線画像検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は放射線画像検出器およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
今日、医療分野などにおいて、被写体を透過した放射線の照射を受けて発生した電荷を蓄電部に一旦蓄積し、該蓄積した電荷を電気信号に変換して出力する放射線画像検出器が各種提案されている。この放射線画像検出器としては、種々のタイプのものが提案されているが、蓄積された電荷を外部に読み出す電荷読出プロセスの面から、検出器に読取光（読取用の電磁波）を照射して読み出す光読出方式のものがある。
【０００３】
このような光読出方式の放射線画像検出器として、放射線に対して透過性を有する上部電極層、放射線を受けることにより電荷対を発生して導電性を呈する記録用光導電層、上部導電層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該同極性の電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層、読取光の照射を受けることにより電荷対を発生して導電性を呈する読取用光導電層、読取光を透過する透明線状電極と読取光を遮光する遮光線状電極とが平行に交互に配列された下部電極層、および基板をこの順に積層して成り、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に形成される蓄電部に、画像情報を担持する潜像電荷（静電潜像）を蓄積する放射線画像検出器が知られている。（例えば特許文献１参照）
図１は、従来の放射線画像検出器の構成の一例を示す平面図であり、図２は、図１の放射線画像検出器のII-II断面図である。図１の放射線画像検出器100において、下部電極層130の線状電極は、その線状電極の終端に接続されているＴＣＰ(Tape Carrier Package)150を介して読み出し装置160に電気的に接続しており、読み出し装置160により潜像電荷が担持する放射線画像が読み出される。ここで、ＴＣＰ(Tape Carrier Package)150は、信号検出用ＩＣ(チャージアンプＩＣ)151を搭載したフレキシブルの配線基板であり、線状電極の終端にＡＣＦ(Anisotropic Conductive Film 異方性導電膜)により熱圧着にて接続される。また、上部電極層110は、基板140上の電圧供給領域170においてその上部電極層110に高電圧を供給するための高電圧印加用配線171に接続され、その接続した部分は導電性接着剤により固定される。
【０００４】
この放射線画像検出器の製造は、基板140及び下部電極層130を含む放射線検出用下部基板200を製造する工程、記録用光導電層、電荷輸送層、読取用光導電層等を含む放射線検出層120を形成する工程、上部電極層110を形成する工程、高圧印加配線171を上部電極層110に接続する工程に大きく分けられる。
【０００５】
以下に、放射線検出用下部基板200の構造を説明する。図３は、放射線検出用下部基板の概略構成を示す平面図であり、図４は、そのIVＡ-IVＡ断面図である。
【０００６】
放射線検出用下部基板200は、基板140上に放射線検出領域175、ピッチ変換領域180、ＴＣＰ接続領域185、電圧供給領域170を有する。放射線検出領域175には下部電極層130を構成する、グランドに接続されるコモン電極131および信号を取り出す信号電極132が例えば10μｍの間隔でストライプ状に形成されている。
【０００７】
コモン電極131および信号電極132はくし型電極構造を有しており、各線状電極の長手方向に垂直した方向の幅は例えばコモン電極131が20μｍ、信号電極132が10μｍである。また、コモン電極131および信号電極132は、基板140側から照射される光に対して透明である例えばＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の材料により厚さ0.2ｕｍの平坦な線状に形成されている。
【０００８】
また、コモン電極131の基板140側に、所定の波長の光だけを透過させるカラーフィルター層が形成されており、コモン電極131とカラーフィルター層の間には透明な有機絶縁層135が形成されている。カラーフィルター層はコモン電極131の基板140側に各コモン電極132に沿って配列された複数のカラーフィルター137からなり、そのカラーフィルター137の長手方向に垂直した方向の幅は例えば30μｍである。このカラーフィルター137は、顔料を分散させた感光性のレジスト、例えばＬＣＤのカラーフィルターに用いられる赤色レジストにより厚さ1.2μｍで形成されている。さらに、このカラーフィルター層による段差を無くすため、ＰＭＭＡ (メタクリル樹脂)等の透明有機絶縁層135が、例えば1.8μｍの厚さで形成されている。また、支持部材となる基板140は透明で剛性のあるガラス、例えばソーダライムガラスにより厚さ1.8ｍｍで形成されている。
【０００９】
また、コモン電極131および信号電極132は透明有機絶縁層135の端部の斜面およびガラス基板140上に沿って放射線検出用下部基板200の左右にある基板140上のＴＣＰ接続領域185まで延びており、このコモン電極131および信号電極132の放射線検出領域175外部に延びた部分を取出配線とする。コモン電極131および信号電極132は、所定の数、例えば256本の信号電極132と、その256本の信号電極132配列の両外側に略５本ずつの共通化されたコモン電極131とを単位としてまとめられ１つのＴＣＰ150へ接続される。なお、図３では、理解を容易にするために１個のＴＣＰへ３本の信号電極が接続されている場合を示す。そのとき、放射線検出領域175におけるコモン電極131と信号電極132との配列間隔は、ＴＣＰ接続領域185におけるコモン電極131と信号電極132との配列間隔（例えば線状電極/スヘ゜ースが40/40μｍ）と異なるため、放射線検出領域175からTCP接続領域185までの間に存在するピンチ変換領域180において線状電極の配列間隔が調整される。
【００１０】
ところで、取出配線とＴＣＰ150を接続するときには、それらの端部に微細な間隔で配置された接続端子同士を、高精度に位置合せし、接合する必要があるが、取出配線は、コモン電極131および信号電極132と同様の透明な材料、すなわち、位置合せに用いられるＣＣＤカメラ等の光学センサーでは認識できない材料で形成されており、直接その取出配線をＴＣＰの接合位置を決定する基準として用いることはできないので、基板上に予め付けられた赤レジスト等のＣＣＤカメラ等の光学センサーで認識可能な材料で形成された標識180を基準として取出配線を形成した上、再度この標識を基準としてＴＣＰの接合位置を決定することにより、取出配線とＴＣＰを接続するための位置合せを行う方法が知られている。
【特許文献１】特開２０００−２８４０５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、基板上に予め付けられた標識を基準として取出配線を形成した上、再度この標識を基準としてＴＣＰの接合位置を決定することにより、取出配線とＴＣＰを接続するための位置合せを行う従来の方法では、標識を基準として取出配線を形成するときに発生した位置合せの誤差に、同標識を基準としてＴＣＰの接合位置を決定するときに発生した位置合せの誤差が更に足されることにより、取出配線とＴＣＰを接続するための位置合せの精度が大きく損なわれるという問題があった。
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑み、取出配線とそれに接続する外部接続端子とを精度よく位置合せして接続することができる放射線画像検出器およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の放射線画像検出器は、画像情報を担持する放射線の照射を受けることにより電荷が発生する光導電層と、該光導電層で発生した電荷を蓄積する蓄電部と、蓄電部に蓄積された電荷に応じた信号を出力するための複数の線状電極と、各線状電極から外部接続端子との所定の接続位置まで延びた取出配線とを基板上に備えた放射線画像検出器において、取出配線および該取出配線と外部接続端子とを接続する際の位置合せの基準となる標識が、同一の不透明な材料により形成されていることを特徴とするものである。
【００１４】
上記装置において、取出配線は、該取出配線の基板側に、各線状電極に接続して延びた不透明な材料からなる第１層と、第１層の基板側とは反対の側に、第１層を被覆するように設けられた、第１層の材料より高い耐酸化性を有する材料からなる第２層とを備えたものであってもよい。
【００１５】
また、第１層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｇｅのいずれかを含む材料からなるものであり、第２層は、Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄのいずれかを含む材料からなるものであってもよい。
【００１６】
ここで、「いずれかを含む材料からなる」とは、いずれか１つを含む材料からなるものであってもよいし、いずれか２つ以上を含む材料からなるものであってもよい。
【００１７】
本発明の放射線画像検出器の製造方法は、画像情報を担持する放射線の照射を受けることにより電荷が発生する光導電層と、該光導電層で発生した電荷を蓄積する蓄電部と、蓄電部に蓄積された電荷に応じた信号を出力するための複数の線状電極と、各線状電極から外部接続端子との所定の接続位置まで延びた取出配線とを基板上に備えた放射線画像検出器の製造方法において、取出配線および該取出配線と外部接続端子とを接続する際の位置合せの基準となる標識を、同一マスクを用いた処理で、同一の不透明な材料により形成することを特徴とするものである。
【００１８】
なお、「同一マスクを用いた処理」とは、取出配線と標識とを蒸着方法、エッチェング方法等の成膜方法により同一マスクを用いて形成する処理を意味し、この同一マスクを用いた処理は、取出配線と標識とを同時に形成する処理に限らず、取出配線と標識の間に位置合せの誤差が生じない限り、それらの内どちらか片方から順に形成する処理であってもよい。
【００１９】
また、「信号を出力するための線状電極」とは、下記の実施の形態におけるコモン電極であってもよいし、信号電極であってもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の放射線画像検出器の製造方法によれば、画像情報を担持する放射線の照射を受けることにより電荷が発生する光導電層と、該光導電層で発生した電荷を蓄積する蓄電部と、蓄電部に蓄積された電荷に応じた信号を出力するための複数の線状電極と、各線状電極から外部接続端子との所定の接続位置まで延びた取出配線とを基板上に備えた放射線画像検出器の製造方法において、取出配線および該取出配線と外部接続端子とを接続する際の位置合せの基準となる標識が、同一マスクを用いた１回の処理で、同一の不透明な材料により形成されているため、取出配線と外部接続端子を接続するための位置合せをより高精度に行うことができる。
【００２１】
具体的には、基板上に予め付けられた標識を基準として取出配線を形成した上、再度この標識を基準としてＴＣＰの接合位置を決定することにより、標識を基準として取出配線を形成するときに発生した位置合せの誤差に、同標識を基準としてＴＣＰの接合位置を決定するときに発生した位置合せの誤差が更に足されることにより、取出配線とＴＣＰとを接続するための位置合せの精度が大きく損なわれる恐れがある従来の方法に比べ、本発明では、取出配線および標識が、同一マスクを用いた処理で、同一の不透明な材料により形成されているため、光学センサーで認識可能な標識を形成することができると共に、取出配線と標識との間に位置合せの誤差が発生することを防止することができ、取出配線とＴＣＰ等の外部接続端子を接続するための位置合せをより高精度に行うことができ、装置の信頼性を向上させることができる。
【００２２】
上記装置において、取出配線が、該取出配線の基板側に、各線状電極に接続して延びた不透明な材料からなる第１層と、第１層の基板側とは反対の側に、第１層を被覆するように設けられた、第１層の材料より高い耐酸化性を有する材料からなる第２層とを備えたものである場合には、第２層により第１層の酸化による電気特性の劣化を防止し、電気特性の安定性を向上させることができる。
【００２３】
また、第１層が、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｇｅのいずれかを含む材料からなるものであり、第２層が、Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄのいずれかを含む材料からなるものであれば、上記の構成を実現でき、第２層により第１層の酸化による電気特性の劣化を防止し、電気特性の安定性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照して本発明の放射線画像検出器の一実施形態について説明する。図５は本発明の放射線画像検出器の一実施形態の概略構成図を示す斜視図である。図６は図１に示す放射線画像検出器の部分拡大図である。図７は図５に示す放射線画像検出器の放射線検出用下部基板の概略構成を示す平面図である。図８（ａ）は、そのVIIIＡ−VIIIＡ線断面図であり、図８（ｂ）は、そのVIIIＢ−VIIIＢ線断面図である。
【００２５】
本放射線画像検出器10は、放射線に対して透過性を有する上部電極11、上部電極11を透過した放射線の照射を受けることにより電荷対を発生して導電性を呈する記録用光導電層12、記録用光導電層12において発生した潜像電荷に対しては絶縁体として作用し、且つその潜像電荷と逆極性の輸送電荷に対しては導電体として作用する電荷輸送層13、読取光の照射を受けることにより電荷対を発生して導電性を呈する読取用光導電層14、および複数の線状電極、具体的にはコモン電極15ａと信号電極15ｂとが平行に交互に配列された下部電極層15、および基板16をこの順に積層して成り、記録用光導電層12と電荷輸送層13との間には、記録用光導電層12内で発生した潜像電荷を蓄積する蓄電部19が形成されている。
【００２６】
コモン電極15ａおよび信号電極15ｂはくし型電極構造を有しており、各線状電極の長手方向に垂直した方向の幅は例えばコモン電極15ａが20μｍ、信号電極15ｂが10μｍである。また、コモン電極15ａおよび信号電極15ｂは、基板16側から照射される光に対して透明である例えばＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の材料により厚さ0.2μｍの平坦な線状に形成されている。
【００２７】
また、コモン電極15ａの基板16側に、所定の波長の光だけを透過させるカラーフィルター層が形成されており、コモン電極15ａとカラーフィルター層の間には透明な有機絶縁層17が形成されている。カラーフィルター層はコモン電極15ａの基板16側に各コモン電極15ａに沿って配列された複数のカラーフィルター18からなり、そのカラーフィルター18の長手方向に垂直した方向の幅は例えば30μｍである。このカラーフィルター18は、顔料を分散させた感光性のレジスト、例えばＬＣＤのカラーフィルターに用いられる赤色レジストにより厚さ1.2μｍで形成されている。さらに、このカラーフィルター層による段差を無くすため、ＰＭＭＡ (メタクリル樹脂)等の透明有機絶縁層17が、例えば1.8μｍの厚さで形成されている。また、支持部材となる基板16は透明で剛性のあるガラス、例えばソーダライムガラスにより厚さ1.8ｍｍで形成されている。
【００２８】
また、図３に示すように、基板16上にコモン電極15ａまたは信号電極15ｂから外部接続端子、例えば、フレキシブル基板上に信号検出用ＩＣ（チャージアンプＩＣ）を載置したＴＣＰ（Tape Carrier Package）40との所定の接続位置である領域Ａまで取出配線20が形成されている。取出配線20は、一方の端部はコモン電極15ａまたは信号電極15ｂと接続されており、他方の端部は例えば数十から数百本ずつまとめられ、ＴＣＰ40の端部に設けられた接続領域Ｂと熱圧着方法により接続され、コモン電極15ａまたは信号電極15ｂとＴＣＰ40を電気的に接続している。なお、図７においては取出配線20とＴＣＰ40が接続される様子を分かり易く示すために、一つのＴＣＰ40に対して５本の取出配線20が接続された態様を示しているが、実際の放射線画像検出器では一つのＴＣＰ40に対して100本以上（例えば256本）の線状電極が接続される。
【００２９】
また、取出配線20は、該取出配線20の基板16側に、コモン電極15ａまたは信号電極15ｂの端部からＴＣＰ40との接続位置である領域Ａまで延びた不透明な材料であるＣｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｇｅのいずれかを含む材料からなる下層21と、下層21の基板16側とは反対の側に、下層21を被覆するように設けられた、下層21の材料より高い耐酸化性を有する材料、例えばＩｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄのいずれかを含む材料からなる上層22とから構成されており、本実施の形態では、蒸着槽の真空状態を保持したまま、下層21および上層22を層ごとにそれぞれの成膜材料により、同一マスクを用いて蒸着により形成している。特に、下層21の材料がＣｒであり,上層22の材料がＩｎを含む一材料であるＩＴＯであることが望ましい。
【００３０】
また、取出配線20のＴＣＰ40との接続位置である領域Ａから所定の位置関係で設定された位置に、取出配線20の下層21と同一材料である不透明な材料、すなわち、位置合せに用いられるＣＣＤカメラ等の光学センサーで認識可能な材料で形成された位置合せ用の標識30が形成されており、取出配線20とＴＣＰ40を接続するときに、ＣＣＤカメラ等の光学センサーにより捉えられた位置合せ用の標識30を認識し、その標識30がＴＣＰ40上に設けられている位置合せ用空孔41の位置に合致するように、取出配線20にＴＣＰ40を熱圧着により接続させる位置合せを行う。
【００３１】
上記取出配線20の下層21と位置合せ用の標識30は、同一マスクを用いた１回の処理、すなわち、蒸着方法、エッチェング方法等の成膜方法により同時に形成する処理、あるいは取出配線20と標識30の間に位置合せの誤差が生じない程度にそれらの内どちらか片方から順に形成する処理で、不透明な同一材料、例えばＣｒ、Ｔｉ等により形成されている。
【００３２】
上記構成により、この本実施形態の放射線画像検出器10では、上部電極11にバイアス電圧が印加され、上部電極11と下部電極層15との間に電界が形成されているときに、記録用光導電層12に画像情報を担持する放射線が照射されると、記録用光導電層12内に正と負の電荷が発生し、そのうちの負の電荷が上記電圧の印加により形成された電界分布に沿って下部電極層15の各線状電極に集中せしめられ、記録用光導電層12と電荷輸送層13との界面である蓄電部19に潜像電荷として蓄積される。潜像電荷の量は照射放射線量に略比例し、この潜像電荷の量が放射線画像を示すことになる。一方、記録用光導電層12内で発生する正電荷は第１電極層11に引き寄せられて、電圧源から注入された負の電荷と結合して消滅する。
【００３３】
次に、上記のようにして放射線画像検出器10に記録された放射線画像を読み取る際には、読取光を透明線状電極15ａの長手方向に放射線画像検出器10の全面を走査することにより、読取光の走査位置に対応する読取用光導電層14内に正負の電荷対が発生し、読取用光導電層14に生じた正電荷は蓄積部19の潜像電荷に引きつけられ、蓄電部19で潜像電荷と電荷再結合し消滅する一方、読取用光導電層14に生じた負電荷は線状電極の正電荷と電荷再結合し消滅する。この読取りの際に各画素に対応して発生した潜像電荷に基づく画像信号を取出配線20を介してＴＣＰ40に出力させ、図外の信号検出手段により潜像電荷が担持する放射線画像を読み取ることができる。
【００３４】
上記実施の形態によれば、取出配線20の下層21および該取出配線30とＴＣＰ40、すなわち外部接続端子とを接続する際の位置合せの基準となる標識30が、同一マスクを用いた１回の処理で、不透明な同一材料により形成されているため、光学センサーで認識可能な標識30を形成することができると共に、取出配線20と標識30との間に位置合せの誤差が発生することを防止することができ、取出配線20とＴＣＰ等の外部接続端子を接続するための位置合せをより高精度に行うことができる。
【００３５】
さらに、取出配線20が、該取出配線20の基板16側に、コモン電極15ａまたは信号電極15ｂの端部からＴＣＰ40との接続位置である領域Ａまで延びた不透明な材料からなる下層21と、下層21の基板側とは反対の側に、下層21を被覆するように設けられた、下層21の材料より高い耐酸化性を有する材料からなる上層22とを備えた構成であるため、上層22により下層21の酸化による電気特性の劣化を防止し、電気特性の安定性を向上させることができる。
【００３６】
なお、上記実施の形態では、取出配線20が２層構造であって、そのうち下層21を位置合せ用の標識30と同一マスクを用いた処理で、同一の不透明な材料により形成しているが、取出配線20が複数の層で構成されている場合には、この複数の層のうち少なくとも１層を、位置合せ用の標識30と同一マスクを用いた処理で、同一の不透明な材料により形成するようにしてもよい。
【００３７】
また、上記実施の形態において、線状電極がコモン電極15ａおよび信号電極15ｂの両方を含むものである場合について説明したが、コモン電極15ａ、信号電極15ｂいずれか一方のみであってもよい。
【００３８】
また、本願において「不透明」とは、光学センサーで物質の有無を感知できることを意味するものとし、可視光以外にも、紫外線や赤外線の波長において吸収を持つ物質も、不透明な物質として採用しうるものとする。
【００３９】
なお、放射線画像検出器本体の層構成は、光導電層と、蓄電部と、線状電極と基板とがこの順に積層され、各線状電極から外部接続端子との所定の接続位置まで延びた取出配線とを有するものであればよく、それらの層の間あるいはそれらの層の上下にさらに他の層を備えているものであってもよい。
【００４０】
また、上記実施形態の放射線画像検出器においては、いわゆる光読取方式の放射線画像検出器を用いるようにしたが、ＴＦＴ読取り方式等いかなるタイプの放射線画像検出器を用いるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】従来の放射線画像検出器の構成の一例を示す平面図
【図２】図１の放射線画像検出器のII-II断面図
【図３】図１の放射線画像検出器の放射線検出用下部基板の概略構成を示す平面図
【図４】図３の放射線検出用下部基板のIVＡ-IVＡ断面図
【図５】本発明の放射線画像検出器の一実施形態の概略構成を示す斜視図
【図６】同実施形態に係る放射線画像検出器の部分拡大図
【図７】同実施形態に係る放射線画像検出器の放射線検出用下部基板の概略構成を示す平面図
【図８】（ａ）は図７の放射線検出用下部基板のVIIIＡ−VIIIＡ線断面図、（ｂ）は図７の放射線検出用下部基板のVIIIＢ−VIIIＢ線断面図
【符号の説明】
【００４２】
１０    射線画像検出器
１５ａ  コモン電極（線状電極）
１５ｂ  信号電極（線状電極）
１６    基板
１９    蓄電部
２０    取出配線
２１    下層（第１層）
２２    上層（第２層）
３０    位置合せ用の標識
４０    ＴＣＰ（外部接続端子）
【図１】
2008203021.tif 000003
【図２】
2008203021.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2008203021.tif 000007
【図６】
2008203021.tif 000008
【図７】
2008203021.tif 000009
【図８】
2008203021.tif 000010