(57)【要約】【課題】信号線から書き込みトランジスタを通して基準電圧を書き込まなくても、駆動トランジスタのゲート電位を基準電圧に設定できるようにする。【解決手段】駆動トランジスタ２２と書き込みトランジスタ２３の必要最小限の２つを有する画素構成を採る有機ＥＬ表示装置１０において、画素アレイ部３０の画素行ごとに基準電圧供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）を配線するとともに、当該基準電圧供給線３２を駆動トランジスタ２２のゲート電極と画素行単位で電気的に接続し、基準電圧供給線３２に基準電圧であるオフセット電圧Ｖｏｆｓを選択的に供給する基準電圧供給走査５０を設け、当該基準電圧供給走査５０から基準電圧供給線３２を通して駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇをオフセット電圧Ｖｏｆｓに設定するようにする。【選択図】図２
2008242205.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学素子と、映像信号を書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記映像信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の各画素を行単位で走査して前記書き込みトランジスタによる書き込み駆動を行う第１走査手段と、
前記画素アレイ部の画素行ごとに配線されかつ前記駆動トランジスタのゲート電極と電気的に接続された基準電圧供給線に対して、前記映像信号の基準となる基準電圧を選択的に供給する第２走査手段と、
前記画素アレイ部の画素行ごとに配線され、前記駆動トランジスタに電流を供給する電源供給線に対して、第１電位と当該第１電位よりも低い第２電位とを選択的に供給する第３走査手段と
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第３走査手段は、前記第２走査手段から前記基準電圧供給線に前記基準電圧が供給されている期間において、前記電源供給線の電位を前記第２電位から前記第１電位に切り替える
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２走査手段は、前記基準電圧供給線に対して前記基準電圧を供給しない期間では前記基準電圧供給線をフローティング状態にする
ことを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２走査手段は、前記基準電圧供給線と前記基準電圧の電源ラインとの間に、前記基準電圧供給線に対して前記基準電圧を供給する期間でオンし、それ以外の期間でオフするスイッチ素子を有する
ことを特徴とする請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
電気光学素子と、映像信号を書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記映像信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部を有する表示装置の駆動方法であって、
前記画素アレイ部の各画素を行単位で走査して前記書き込みトランジスタによる書き込み駆動を行う第１走査ステップと、
前記画素アレイ部の画素行ごとに配線されかつ前記駆動トランジスタのゲート電極と電気的に接続された基準電圧供給線に対して、前記映像信号の基準となる基準電圧を選択的に供給する第２走査ステップと、
前記画素アレイ部の画素行ごとに配線され、前記駆動トランジスタに電流を供給する電源供給線に対して、第１電位と当該第１電位よりも低い第２電位とを選択的に供給する第３走査ステップと
を有することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項６】
電気光学素子と、映像信号を書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記映像信号を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された前記映像信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の各画素を行単位で走査して前記書き込みトランジスタによる書き込み駆動を行う第１走査手段と、
前記画素アレイ部の画素行ごとに配線されかつ前記駆動トランジスタのゲート電極と電気的に接続された基準電圧供給線に対して、前記映像信号の基準となる基準電圧を選択的に供給する第２走査手段と、
前記画素アレイ部の画素行ごとに配線され、前記駆動トランジスタに電流を供給する電源供給線に対して、第１電位と当該第１電位よりも低い第２電位とを選択的に供給する第３走査手段と
を備えた表示装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器に関し、特に電気光学素子を含む画素が行列状（マトリクス状）に配置されてなる平面型（フラットパネル型）の表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を有する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示を行う表示装置の分野では、発光素子を含む画素（画素回路）が行列状に配置されてなる平面型の表示装置が急速に普及している。平面型の表示装置としては、画素の発光素子として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の電気光学素子、例えば有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子を用いた有機ＥＬ表示装置が開発され、商品化が進められている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子が１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために低消費電力であり、また自発光素子であることから、液晶セルを含む画素ごとに当該液晶セルにて光源（バックライト）からの光強度を制御することによって画像を表示する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかも液晶表示装置には必須なバックライト等の照明部材を必要としないために軽量化および薄型化が容易である。さらに、有機ＥＬ素子の応答速度が数μｓｅｃ程度と非常に高速であるために動画表示時の残像が発生しない。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式を採ることができる。ただし、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、電気光学素子の発光期間が走査線（即ち、画素数）の増加によって減少するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が難しいなどの問題がある。
【０００５】
そのため、近年、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（一般には、ＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)）によって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置の開発が盛んに行われている。アクティブマトリクス方式の表示装置は、電気光学素子が１フレームの期間に亘って発光を持続するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が容易である。
【０００６】
ところで、一般的に、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性（電流−電圧特性）は、時間が経過すると劣化（いわゆる、経時劣化）することが知られている。有機ＥＬ素子を電流駆動するトランジスタ（以下、「駆動トランジスタ」と記述する）としてＮチャネル型のＴＦＴを用いた画素回路では、駆動トランジスタのソース側に有機ＥＬ素子が接続されることになるために、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化すると、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが変化し、その結果、有機ＥＬ素子の発光輝度も変化する。
【０００７】
このことについてより具体的に説明する。駆動トランジスタのソース電位は、当該駆動トランジスタと有機ＥＬ素子の動作点で決まる。そして、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が劣化すると、駆動トランジスタと有機ＥＬ素子の動作点が変動してしまうために、駆動トランジスタのゲートに同じ電圧を印加したとしても駆動トランジスタのソース電位が変化する。これにより、駆動トランジスタのソース−ゲート間電圧Ｖｇｓが変化するために、当該駆動トランジスタに流れる電流値が変化する。その結果、有機ＥＬ素子に流れる電流値も変化するために、有機ＥＬ素子の発光輝度が変化することになる。
【０００８】
また、ポリシリコンＴＦＴを用いた画素回路では、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時劣化に加えて、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや、駆動トランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度（以下、「駆動トランジスタの移動度」と記述する）μが経時的に変化したり、製造プロセスのばらつきによって閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが画素ごとに異なったりする（個々のトランジスタ特性にばらつきがある）。
【０００９】
駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが画素ごとに異なると、画素ごとに駆動トランジスタに流れる電流値にばらつきが生じるために、駆動トランジスタのゲートに同じ電圧を印加しても、有機ＥＬ素子の発光輝度に画素間でばらつきが生じ、その結果、画面の一様性（ユニフォーミティ）が損なわれる。
【００１０】
そこで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが経時変化したりしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に保つようにするために、有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能、さらには駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動に対する補正（以下、「閾値補正」と記述する）や、駆動トランジスタの移動度μの変動に対する補正（以下、「移動度補正」と記述する）の各補正機能を画素回路の各々に持たせる構成を採っている（例えば、特許文献１参照）。
【００１１】
【特許文献１】特開２００６−１３３５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献１記載の従来技術では、画素回路の各々に、有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能および駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μの変動に対する補正機能を持たせることで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや移動度μが経時変化したりしたとしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に保つことができるが、その反面、画素回路を構成する素子数が多く、画素サイズの微細化、ひいては表示装置の高精細化の妨げとなる。
【００１３】
これに対して、画素回路を構成する素子数や配線数の削減を図るために、例えば、画素回路の駆動トランジスタに供給する電源電位を切り替え可能な構成とし、当該電源電位の切り替えによって有機ＥＬ素子の発光期間／非発光期間を制御する機能を駆動トランジスタに持たせることで、発光期間／非発光期間を制御するトランジスタを省略する手法を採ることが考えられる。
【００１４】
かかる手法を採ることにより、必要最小限の素子数、具体的には、映像信号を書き込む書き込みトランジスタと、この書き込みトランジスタによって書き込まれた映像信号を保持する保持容量と、この保持容量に保持された映像信号に基づいて電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとによって画素回路を構成できる。すなわち、画素トランジスタとしては書き込みトランジスタと駆動トランジスタの必要最小限の２つで済む。
【００１５】
ところで、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきを補正する閾値補正を実行するに当たっては、駆動トランジスタのゲート電位を映像信号の基準となる基準電圧に設定（確定）する初期化動作が必要になる。特許文献１記載の従来技術の場合は、駆動トランジスタのゲート電位を基準電圧に設定する作用をなすスイッチングトランジスタが設けられていた。
【００１６】
これに対して、画素トランジスタを書き込みトランジスタと駆動トランジスタの２つに削減した回路構成を採る場合は、駆動トランジスタのゲート電位を基準電圧に設定する作用をなすスイッチングトランジスタを持たないことになる。そのため、駆動トランジスタのゲート電位を基準電圧に設定するには、各画素に映像信号を供給する信号線を通して基準電圧を選択的に供給し、当該基準電圧を書き込みトランジスタによってサンプリングして書き込む構成を採ることが考えられる。
【００１７】
かかる構成を採る場合は、映像信号を信号線に供給する水平駆動系において、映像信号と基準電圧とを切り替えて信号線に供給する切り替えスイッチを信号線ごとに配することになる。信号線には１画素列分の多数の画素が繋がるとともに、信号線の寄生容量等によって信号線を駆動する際の負荷容量が大きくなるために、信号線を駆動する切り替えスイッチとして駆動能力の大きなトランジスタを用いる必要がある。
【００１８】
ところが、駆動能力の大きなトランジスタはサイズが大きい。したがって、サイズの大きなトランジスタからなる切り替えスイッチを信号線の本数、即ち水平方向の画素数だけ配置すると、切り替えスイッチ群を含む水平駆動系の回路規模が大きくなるために、その分だけ画素アレイ部の周辺回路を配置するいわゆる額縁と称されるパネル周縁部の面積を大きくしなければならなく、表示パネルの小型化の妨げとなる。
【００１９】
そこで、本発明は、駆動トランジスタのゲート電位を基準電圧に設定する作用をなすスイッチングトランジスタを持たない画素構成を採る場合において、信号線から書き込みトランジスタを通して基準電圧を書き込まなくても、駆動トランジスタのゲート電位を基準電圧に設定できるようにした表示装置、当該表示装置の駆動方法および当該表示装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成するために、本発明は、電気光学素子と、映像信号を書き込む書き込みトランジスタと、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた映像信号を保持する保持容量と、前記保持容量に保持された映像信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する駆動トランジスタとを含む画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部を有する表示装置において、前記画素アレイ部の各画素を行単位で走査して前記書き込みトランジスタによる書き込み駆動を行う第１走査手段と、前記画素アレイ部の画素行ごとに配線されかつ前記駆動トランジスタのゲート電極と電気的に接続された基準電圧供給線に対して、前記映像信号の基準となる基準電圧を選択的に供給する第２走査手段と、前記画素アレイ部の画素行ごとに配線され、前記駆動トランジスタに電流を供給する電源供給線に対して、第１電位と当該第１電位よりも低い第２電位とを選択的に供給する第３走査手段とを設けた構成を採っている。
【００２１】
上記構成の表示装置および当該表示装置を有する電子機器において、画素アレイ部の画素行ごとに基準電圧供給線を配線するとともに、当該基準電圧供給線を駆動トランジスタのゲート電極と画素行単位で電気的に接続する。そして、書き込みトランジスタによる書き込み駆動を行う走査手段と、電源供給線に対して第１電位と第２電位とを選択的に供給する走査手段に加えて、基準電圧供給線に対して基準電圧を選択的に供給する走査手段を設けたことで、駆動トランジスタのゲート電位を基準電圧に設定する作用をなすスイッチングトランジスタを持たない画素構成において、基準電圧供給線を通して駆動トランジスタのゲート電位を基準電圧に設定できる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、基準電圧供給線を通して駆動トランジスタのゲート電位を基準電圧に設定できるために、表示パネルの小型化の妨げとなる、信号線から書き込みトランジスタを通して基準電圧を書き込む構成を採らなくて済む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２４】
図１は、本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子を画素の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明する。
【００２５】
図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、画素（ＰＸＬＣ）２０が行列状（マトリクス状）に２次元配置されてなる画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置され、各画素２０を駆動する駆動部、例えば書き込み走査回路（第１走査手段）４０、基準電圧供給走査回路（第２走査手段）５０、電源供給走査回路（第３走査手段）６０および水平駆動回路（水平駆動系）７０とを有する構成となっている。
【００２６】
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素配列に対して、画素行ごとに走査線３１−１〜３１−ｍ、基準電圧供給線３２−１〜３２−ｍおよび電源供給線３３−１〜３３−ｍが配線され、画素列ごとに信号線３４−１〜３４−ｎが配線されている。
【００２７】
画素アレイ部３０は、通常、ガラス基板などの透明絶縁基板上に形成され、平面型（フラット型）のパネル構造となっている。画素アレイ部３０の各画素２０は、アモルファスシリコンＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)または低温ポリシリコンＴＦＴを用いて形成することができる。低温ポリシリコンＴＦＴを用いる場合には、走査回路４０、基準電圧供給走査回路５０、電源供給走査回路６０および水平駆動回路７０についても、画素アレイ部３０を形成する表示パネル（基板）８０上に実装することができる。
【００２８】
書き込み走査回路４０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成され、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧（以下、「入力信号電圧」、または単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖｓｉｇの書き込みに際して、走査線３１−１〜３１−ｍに順次走査信号ＷＳ１〜ＷＳｍを供給して画素２０を行単位で順番に走査（線順次走査）する。
【００２９】
基準電圧供給走査回路５０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフトするシフトレジスタ等によって構成され、書き込み走査回路４０による線順次走査に同期して、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの基準となる基準電圧（以下、「オフセット電圧」と記述する）Ｖｏｆｓを基準電圧供給線３２−１〜３２−ｍに対して選択的に供給する。
【００３０】
図２に示すように、基準電圧供給走査回路５０はその出力段に、基準電圧供給線３２−１〜３２−ｍの各々とオフセット電圧Ｖｏｆｓの電源ラインとの間に接続された、例えばＮチャネルＭＯＳトランジスタからなるスイッチ素子５１を有している。このスイッチ素子５１は、前段から与えられる制御パルスＩＮが高電位のときはオン（閉）状態になることによってオフセット電圧Ｖｏｆｓを基準電圧供給線３２−１〜３２−ｍに供給し、制御パルスＩＮが低電位のときはオフ（開）状態になることによって基準電圧供給線３２−１〜３２−ｍをフローティング状態にする。
【００３１】
電源供給走査回路６０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフトするシフトレジスタ等によって構成され、書き込み走査回路４０による線順次走査に同期して、第１電位Ｖｃｃｐと当該第１電位Ｖｃｃｐよりも低い第２電位Ｖｉｎｉで切り替わる電源供給線電位ＤＳ１〜ＤＳｍを電源供給線３３−１〜３３−ｍに対して適宜供給する。ここで、第２電位Ｖｉｎｉは、オフセット電圧Ｖｏｆｓよりも十分に低い電位である。
【００３２】
水平駆動回路７０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを、信号線３４−１〜３４−ｎを介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して例えば行単位で一斉に書き込む。すなわち、水平駆動回路７０は、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを行（ライン）単位で一斉に書き込む線順次書き込みの駆動形態を採っている。
【００３３】
（画素回路）
図２は、画素（画素回路）２０の具体的な構成例を示す回路図である。図２に示すように、画素２０は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子２１を発光素子として有し、当該有機ＥＬ素子２１に加えて、駆動トランジスタ２２、書き込みトランジスタ２３、保持容量２４および補助容量２５を有する構成となっている。
【００３４】
ここで、駆動トランジスタ２２および書き込みトランジスタ２３としてＮチャネル型のＴＦＴが用いられている。ただし、ここでの駆動トランジスタ２２および書き込みトランジスタ２３の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
【００３５】
有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源供給線３５にカソード電極が接続されている。駆動トランジスタ２２は、ソース電極が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続され、ドレイン電極が電源供給線３３（３３−１〜３３−ｍ）に接続され、ゲート電極が基準電圧供給線（３２−１〜３２−ｍ）に接続されている。
【００３６】
書き込みトランジスタ２３は、ゲート電極が走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）に接続され、一方の電極（ソース電極／ドレイン電極）が信号線３４（３４−１〜３４−ｎ）に接続され、他方の電極（ドレイン電極／ソース電極）が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続されている。保持容量２４は、一端が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、他端が駆動トランジスタ２２のソース電極（有機ＥＬ素子２１のアノード電極）に接続されている。
【００３７】
補助容量２５は、一端が駆動トランジスタ２２のソース電極に接続され、他端が有機ＥＬ素子２１のカソード電極（共通電源供給線３５）に接続されている。この補助容量２５は、有機ＥＬ素子２１に対して並列に接続されることで、当該有機ＥＬ素子２１の容量不足を補う作用をなす。したがって、補助容量２５は必須の構成要素ではなく、有機ＥＬ素子２１の容量が十分である場合は補助容量２５を省略することが可能である。
【００３８】
かかる構成の画素２０において、書き込みトランジスタ２３は、書き込み走査回路４０から走査線３１を通してゲート電極に印加される走査信号ＷＳに応答して導通状態となることにより、信号線３４を通して水平駆動回路７０から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇをサンプリングして画素２０内に書き込む。この書き込まれた信号電圧Ｖｓｉｇは保持容量２４に保持される。
【００３９】
駆動トランジスタ２２は、電源供給線３３（３３−１〜３３−ｍ）の電位ＤＳが第１電位Ｖｃｃｐにあるときに、電源供給線３３から電流の供給を受けて、保持容量２４に保持された入力信号電圧Ｖｓｉｇの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給することによって当該有機ＥＬ素子２１を電流駆動する。
【００４０】
（画素構造）
図３に、画素２０の断面構造の一例を示す。図３に示すように、画素２０は、駆動トランジスタ２２、書き込みトランジスタ２３等の画素回路が形成されたガラス基板２０１上に絶縁膜２０２およびウインド絶縁膜２０３が形成され、当該ウインド絶縁膜２０３の凹部２０３Ａに有機ＥＬ素子２１が設けられた構成となっている。
【００４１】
有機ＥＬ素子２１は、上記ウインド絶縁膜２０３の凹部２０３Ａの底部に形成された金属等からなるアノード電極２０４と、当該アノード電極２０４上に形成された有機層（電子輸送層、発光層、ホール輸送層/ホール注入層）２０５と、当該有機層２０５上に全画素共通に形成された透明導電膜等からなるカソード電極２０６とから構成されている。
【００４２】
この有機ＥＬ素子２１において、有機層２０８は、アノード電極２０４上にホール輸送層/ホール注入層２０５１、発光層２０５２、電子輸送層２０５３および電子注入層（図示せず）が順次堆積されることによって形成される。そして、図２の駆動トランジスタ２２による電流駆動の下に、駆動トランジスタ２２からアノード電極２０４を通して有機層２０５に電流が流れることで、当該有機層２０５内の発光層２０５２において電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。
【００４３】
図３に示すように、画素回路が形成されたガラス基板２０１上に、絶縁膜２０２およびウインド絶縁膜２０３を介して有機ＥＬ素子２１が画素単位で形成された後は、パッシベーション膜２０７を介して封止基板２０８が接着剤２０９によって接合され、当該封止基板２０８によって有機ＥＬ素子２１が封止されることにより、表示パネル７０が形成される。
【００４４】
（閾値補正機能）
ここで、電源供給走査回路６０は、基準電圧供給走査回路５０から基準電圧供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）を通してオフセット電圧Ｖｏｆｓが駆動トランジスタ２２のゲート電極に印加されている間に、電源供給線３３の電位ＤＳを第２電位Ｖｉｎｉから第１電位Ｖｃｃｐに切り替える。この電源供給線３３の電位ＤＳの切り替えにより、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧が保持容量２４に保持される。
【００４５】
保持容量２４に駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧を保持するのは次の理由による。駆動トランジスタ２２の製造プロセスのばらつきや経時変化により、各画素ごとに駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈや移動度μなどのトランジスタ特性の変動がある。
【００４６】
このトランジスタ特性の変動により、駆動トランジスタ２２に同一のゲート電位を与えても、画素ごとにドレイン・ソース間電流（駆動電流）Ｉｄｓが変動し、有機ＥＬ素子２１の発光輝度のばらつきとなって現れる。この閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきの影響をキャンセル（補正）するために、閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧を保持容量２４に保持するのである。
【００４７】
駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの補正は次のようにして行われる。すなわち、保持容量２４にあらかじめ閾値電圧Ｖｔｈを保持しておくことで、入力信号電圧Ｖｓｉｇによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが保持容量２４に保持された閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧と相殺される、換言すれば、閾値電圧Ｖｔｈの補正が行われる。
【００４８】
これが閾値補正機能である。この閾値補正機能により、画素ごとに閾値電圧Ｖｔｈにばらつきや経時変化があったとしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子２１の発光輝度を一定に保つことができることになる。閾値補正の原理については後で詳細に説明する。
【００４９】
（移動度補正機能）
図２に示した画素２０は、上述した閾値補正機能に加えて、移動度補正機能を備えている。すなわち、水平駆動回路７０が映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを信号線３４（３４−１〜３４−ｎ）に供給している期間で、かつ、書き込み走査回路４０から出力される走査信号ＷＳ（ＷＳ１〜ＷＳｍ）に応答して書き込みトランジスタ２３が導通する期間、即ち移動度補正期間において、保持容量２４に入力信号電圧Ｖｓｉｇを保持する際に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性を打ち消す移動度補正が行われる。この移動度補正の具体的な原理および動作については後述する。
【００５０】
（ブートストラップ機能）
図２に示した画素２０はさらにブートストラップ機能も備えている。すなわち、書き込み走査回路４０は、保持容量２４に入力信号電圧Ｖｓｉｇが保持された段階で走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）に対する走査信号ＷＳ（ＷＳ１〜ＷＳｍ）の供給を解除し、書き込みトランジスタ２３を非導通状態にして駆動トランジスタ２２のゲートを信号線３４（３４−１〜３４−ｎ）から電気的に切り離してフローティング状態にする。
【００５１】
駆動トランジスタ２２のゲートがフローティング状態になると、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間に保持容量２４が接続されていることにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが変動すると、当該ソース電位Ｖｓの変動に連動して(追従して）駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇも変動するために、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが一定に維持される。
【００５２】
このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇをソース電位Ｖｓに追従させ、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを一定に維持する動作がブートストラップ動作である。このブートストラップ動作により、有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性が経時変化しても、当該有機ＥＬ素子２１の発光輝度を一定に保つことができる。
【００５３】
すなわち、有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性が経時変化し、これに伴って駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが変化したとしても、ブートストラップ動作により駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電位Ｖｇｓが一定に維持されるために、有機ＥＬ素子２１に流れる電流は変わらず、したがって当該有機ＥＬ素子２１の発光輝度も一定に保たれる。その結果、有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性が経時変化しても、それに伴う輝度劣化のない画像表示を実現できる。
【００５４】
（回路動作）
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の回路動作について、図４のタイミングチャートを基に、図５および図６の動作説明図を用いて説明する。なお、図５および図６の動作説明図では、図面の簡略化のために、書き込みトランジスタ２３をスイッチのシンボルで図示している。また、有機ＥＬ素子２１は寄生容量を持っており、当該寄生容量と補助容量２５を合成容量Ｃｓｕｂとして図示している。
【００５５】
図４のタイミングチャートでは、時間軸を共通にして、走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）の電位（走査信号）ＷＳの変化、電源供給線３３（３３−１〜３３−ｍ）の電位ＤＳの変化、信号線３４（３４−１〜３４−ｍ）の電位変化、制御パルスＩＮの論理変化、基準電圧供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）の電位変化、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓの変化を表している。
【００５６】
＜発光期間＞
図４のタイミングチャートにおいて、時刻ｔ１以前は、電源供給線３３の電位ＤＳが高電位（第１電位）Ｖｃｃｐにあり、駆動トランジスタ２２には電源供給線３３から電流が供給される。このとき、駆動トランジスタ２２は飽和領域で動作するように設定されているために、図５（Ａ）に示すように、電源供給線３３から駆動トランジスタ２２を通して当該駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに応じた駆動電流（ドレイン−ソース間電流）Ｉｄｓが有機ＥＬ素子２１に供給される。
【００５７】
このように、駆動トランジスタ２２による電流駆動によって有機ＥＬ素子２１に駆動電流Ｉｄｓが供給されることにより、当該駆動電流Ｉｄｓの電流値に応じた輝度で有機ＥＬ素子２１が発光する（発光期間）。この発光期間では、書き込みトランジスタ２３は非導通状態にある。
【００５８】
＜閾値補正準備期間＞
そして、時刻ｔ１になると、線順次走査の新しいフィールドに入り、図５（Ｂ）に示すように、電源供給線３３の電位ＤＳが高電位Ｖｃｃｐから信号線３４のオフセット電圧Ｖｏｆｓよりも十分に低い電位（第２電位）Ｖｉｎｉに切り替わる。
【００５９】
ここで、有機ＥＬ素子２１の閾値電圧をＶｅｌ、共通電源供給線３５の電位をＶｃａｔｈとするとき、低電位ＶｉｎｉをＶｉｎｉ＜Ｖｅｌ＋Ｖｃａｔｈとすると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが低電位Ｖｉｎｉにほぼ等しくなるために、有機ＥＬ素子２１は逆バイアス状態となって消光する。
【００６０】
次に、時刻ｔ２になると、図２に示す基準電圧供給走査回路５０において、制御パルスＩＮに応答してスイッチ素子５１がオンし、図５（Ｃ）に示すように、オフセット電圧Ｖｏｆｓを基準電圧供給線３２に供給することで、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇがオフセット電圧Ｖｏｆｓになる。また、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓは、オフセット電圧Ｖｏｆｓよりも十分に低い電位Ｖｉｎｉにある。
【００６１】
このとき、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓはＶｏｆｓ−Ｖｉｎｉとなる。このＶｏｆｓ−Ｖｉｎｉが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくないと、先述した閾値補正動作を行うことができないために、Ｖｏｆｓ−Ｖｃａｔｈ＞Ｖｔｈと設定する必要がある。このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇをオフセット電圧Ｖｏｆｓに、ソース電位Ｖｓを低電位Ｖｉｎｉにそれぞれ設定（確定）して初期化する動作が閾値補正準備の動作である。
【００６２】
＜閾値補正期間＞
次に、時刻ｔ３で、図５（Ｄ）に示すように、電源供給線３３の電位ＤＳが低電位Ｖｉｎｉから高電位Ｖｃｃｐに切り替わると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇を開始する。やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈになり、当該閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧が保持容量２４に書き込まれる。
【００６３】
ここでは、便宜上、閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧を保持容量２４に書き込む期間を閾値補正期間と呼んでいる。なお、この閾値補正期間において、電流が専ら保持容量２４側に流れ、有機ＥＬ素子２１側には流れないようにするために、有機ＥＬ素子２１がカットオフ状態となるように共通電源供給線３５の電位Ｖｃａｔｈを設定しておくこととする。
【００６４】
次に、時刻ｔ４になると、制御パルスＩＮが消滅してスイッチ素子５１がオフし、図６（Ａ）に示すように、基準電圧供給線３２がフローティング状態になることで、駆動トランジスタ２２のゲートもフローティング状態になる。このとき、保持容量２４の保持電圧（ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ）が駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに等しいために、当該駆動トランジスタ２２はカットオフ状態にある。したがって、駆動トランジスタ２２にドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが流れない。
【００６５】
＜書き込み期間／移動度補正期間＞
次に、時刻ｔ５で、図６（Ｂ）に示すように、水平駆動回路７０から信号線３４に映像信号の信号電圧（入力信号電圧）Ｖｓｉｇが供給される。続いて、時刻ｔ６で、走査線３１の電位ＷＳが高電位側に遷移することで、図６（Ｃ）に示すように、書き込みトランジスタ２３が導通状態になって映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇをサンプリングして画素２０内に書き込む。
【００６６】
この書き込みトランジスタ２３による入力信号電圧Ｖｓｉｇの書き込みにより、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが入力信号電圧Ｖｓｉｇとなる。そして、入力信号電圧Ｖｓｉｇによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが保持容量２４に保持された閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧と相殺されることによって閾値補正が行われる。閾値補正の原理については後述する。
【００６７】
このとき、有機ＥＬ素子２１は始めカットオフ状態（ハイインピーダンス状態）にあるために、入力信号電圧Ｖｓｉｇに応じて電源供給線３３から駆動トランジスタ２２に流れる電流（ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ）は有機ＥＬ素子２１に並列に接続された合成容量Ｃｓｕｂに流れ込み、よって当該合成容量Ｃｓｕｂの充電が開始される。
【００６８】
この合成容量Ｃｓｕｂの充電により、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが時間の経過と共に上昇していく。このとき既に、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈのばらつきは補正されており、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは当該駆動トランジスタ２２の移動度μに依存したものとなる。
【００６９】
やがて、駆動トランジスタ２２のソース電位ＶｓがＶｏｆｓ−Ｖｔｈ＋ΔＶの電位まで上昇すると、駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶとなる。すなわち、ソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは、保持容量２４に保持された電圧（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ）から差し引かれるように、換言すれば、保持容量２４の充電電荷を放電するように作用し、負帰還がかけられたことになる。したがって、ソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは負帰還の帰還量となる。
【００７０】
このように、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを当該駆動トランジスタ２２のゲート入力に、即ちゲート‐ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還することにより、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性を打ち消す、即ち移動度μの画素ごとのばらつきを補正する移動度補正が行われる。
【００７１】
より具体的には、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇが高いほどドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが大きくなるために、負帰還の帰還量（補正量）ΔＶの絶対値も大きくなる。したがって、発光輝度レベルに応じた移動度補正が行われる。また、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇを一定とした場合、駆動トランジスタ２２の移動度μが大きいほど負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなるために、画素ごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。移動度補正の原理については後述する。
【００７２】
＜発光期間＞
次に、時刻ｔ７で走査線３１の電位ＷＳが低電位側に遷移することで、図６（Ｄ）に示すように、書き込みトランジスタ２３が非導通状態になる。これにより、駆動トランジスタ２２のゲートは信号線３４から切り離される。これと同時に、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが有機ＥＬ素子２１に流れ始めることにより、有機ＥＬ素子２１のアノード電位はドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに応じて上昇する。
【００７３】
有機ＥＬ素子２１のアノード電位の上昇は、即ち駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇に他ならない。駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇すると、保持容量２４のブートストラップ動作により、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇも連動して上昇する。
【００７４】
このとき、ゲート電位Ｖｇの上昇量はソース電位Ｖｓの上昇量に等しくなる。故に、発光期間中駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶで一定に保持される。そして、時刻ｔ８で信号線３４に対する映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの供給が終了する。
【００７５】
（閾値補正の原理）
ここで、駆動トランジスタ２２の閾値補正の原理について説明する。駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。これにより、有機ＥＬ素子２１には駆動トランジスタ２２から、次式（１）で与えられる一定のドレイン−ソース間電流（駆動電流）Ｉｄｓが供給される。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2     ……（１）
ここで、Ｗは駆動トランジスタ２２のチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｏｘは単位面積当たりのゲート容量である。
【００７６】
図７に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ対ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの特性を示す。この特性図に示すように、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈのばらつきに対する補正を行わないと、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ１のとき、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ１になるのに対し、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ２（Ｖｔｈ２＞Ｖｔｈ１）のとき、同じゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ２（Ｉｄｓ２＜Ｉｄｓ）になる。すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが変動すると、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが一定であってもドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動する。
【００７７】
これに対して、上記構成の画素（画素回路）２０では、先述したように、発光時の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓがＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶであるために、これを式（１）に代入すると、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ−ΔＶ）2 
……（２）
で表される。
【００７８】
すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの項がキャンセルされており、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に供給されるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに依存しない。その結果、駆動トランジスタ２２の製造プロセスのばらつきや経時変化により、各画素ごとに駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが変動しても、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動しないために、有機ＥＬ素子２１の発光輝度も変動しない。
【００７９】
（移動度補正の原理）
次に、駆動トランジスタ２２の移動度補正の原理について説明する。図８に、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に大きい画素Ａと、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に小さい画素Ｂとを比較した状態で特性カーブを示す。駆動トランジスタ２２をポリシリコン薄膜トランジスタなどで構成した場合、画素Ａや画素Ｂのように、画素間で移動度μがばらつくことは避けられない。
【００８０】
画素Ａと画素Ｂで移動度μにばらつきがある状態で、例えば両画素Ａ，Ｂに同レベルの入力信号電圧Ｖｓｉｇを書き込んだ場合に、何ら移動度μの補正を行わないと、移動度μの大きい画素Ａに流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ１′と移動度μの小さい画素Ｂに流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ２′との間には大きな差が生じてしまう。このように、移動度μのばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに画素間で大きな差が生じると、画面のユニフォーミティが損なわれることになる。
【００８１】
ここで、先述した式（１）のトランジスタ特性式から明らかなように、移動度μが大きいとドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが大きくなる。したがって、負帰還における帰還量ΔＶは移動度μが大きくなるほど大きくなる。図８に示すように、移動度μの大きな画素Ａの帰還量ΔＶ１は、移動度の小さな画素Ｖの帰還量ΔＶ２に比べて大きい。そこで、移動度補正動作によって駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを入力信号電圧Ｖｓｉｇ側に負帰還させることで、移動度μが大きいほど負帰還が大きくかかることになるために、移動度μのばらつきを抑制することができる。
【００８２】
具体的には、移動度μの大きな画素Ａで帰還量ΔＶ１の補正をかけると、ドレイン−ソース間電流ＩｄｓはＩｄｓ１′からＩｄｓ１まで大きく下降する。一方、移動度μの小さな画素Ｂの帰還量ΔＶ２は小さいために、ドレイン−ソース間電流ＩｄｓはＩｄｓ２′からＩｄｓ２までの下降となり、それ程大きく下降しない。結果的に、画素Ａのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ１と画素Ｂのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ２とはほぼ等しくなるために、移動度μのばらつきが補正される。
【００８３】
以上をまとめると、移動度μの異なる画素Ａと画素Ｂがあった場合、移動度μの大きい画素Ａの帰還量ΔＶ１は移動度μの小さい画素Ｂの帰還量ΔＶ２に比べて小さくなる。つまり、移動度μが大きい画素ほど帰還量ΔＶが大きく、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの減少量が大きくなる。したがって、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを入力信号電圧Ｖｓｉｇ側に負帰還させることで、移動度μの異なる画素のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの電流値が均一化され、その結果、移動度μのばらつきを補正することができる。
【００８４】
ここで、図２に示した画素（画素回路）２０において、閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電位（サンプリング電位）Ｖｓｉｇと駆動トランジスタ２２のドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係について図９を用いて説明する。
【００８５】
図９において、（Ａ）は閾値補正および移動度補正を共に行わない場合、（Ｂ）は移動度補正を行わず、閾値補正のみを行った場合、（Ｃ）は閾値補正および移動度補正を共に行った場合をそれぞれ示している。図９（Ａ）に示すように、閾値補正および移動度補正を共に行わない場合には、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因してドレイン・ソース間電流Ｉｄｓに画素Ａ，Ｂ間で大きな差が生じることになる。
【００８６】
これに対して、閾値補正のみを行った場合は、図９（Ｂ）に示すように、当該閾値補正によってドレイン−ソース間電流Ｉｄｓのばらつきをある程度低減できるものの、移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因する画素Ａ，Ｂ間でのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの差は残る。そして、閾値補正および移動度補正を共に行うことで、図９（Ｃ）に示すように、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因する画素Ａ，Ｂ間でのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの差をほぼ無くすことができるために、どの階調においても有機ＥＬ素子２１の輝度ばらつきは発生せず、良好な画質の表示画像を得ることができる。
【００８７】
（本実施形態の作用効果）
上述したように、画素トランジスタとして、駆動トランジスタ２２と書き込みトランジスタ２３の必要最小限の２つを有する画素構成を採る有機ＥＬ表示装置１０において、画素アレイ部３０の画素行ごとに基準電圧供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）を配線するとともに、当該基準電圧供給線３２を駆動トランジスタ２２のゲート電極と画素行単位で電気的に接続し、基準電圧供給線３２に基準電圧であるオフセット電圧Ｖｏｆｓを選択的に供給する基準電圧供給走査５０を設けたことで、当該基準電圧供給走査５０から基準電圧供給線３２を通して駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇをオフセット電圧Ｖｏｆｓに設定できる。
【００８８】
これにより、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇをオフセット電圧Ｖｏｆｓに設定する作用をなすスイッチングトランジスタを持たない画素構成を採る有機ＥＬ表示装置１０において、表示パネル８０の小型化の妨げとなる、信号線３４（３４−１〜３４−ｎ）から書き込みトランジスタ２３を通してオフセット電圧Ｖｏｆｓを書き込む構成を採らなくて済むことになる。
【００８９】
ここで、信号線３４から書き込みトランジスタ２３を通してオフセット電圧Ｖｏｆｓを書き込む構成を採る場合を考えると、先述したように、水平駆動回路７０において、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇとオフセット電圧Ｖｏｆｓとを切り替えて信号線３４に供給する切り替えスイッチを信号線３４ごとに配することになり、しかも、当該切り替えスイッチとして駆動能力の大きなトランジスタを用いる必要があることから、水平駆動回路７０の回路規模が大きくなる。
【００９０】
表示パネル８０の水平駆動回路７０が配置される側には、表示パネル８０の外部に配置された信号源から映像信号を入力する端子が配置されたり、入力された映像信号を伝送する多数の信号伝送線が配線されたりすることから、画素アレイ部３０の左右両側に比べてスペース的な制約がある。このような制約の下に、水平駆動回路７０の回路規模が大きくなると、表示パネル８０のサイズを大きくしなければならなく、表示パネル８０の小型化の妨げとなる。
【００９１】
これに対して、基準電圧供給走査５０を追加して当該基準電圧供給走査５０から基準電圧供給線３２を通して駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇにオフセット電圧Ｖｏｆｓを与える構成を採ることにより、基準電圧供給走査５０を追加する分だけ、画素アレイ部３０の横側の回路規模が増えたとしても、画素アレイ部３０の横側には上側よりもスペース的に余裕があるために、表示パネル８０のサイズを大きくしなくて済むことになる。
【００９２】
なお、上記実施形態では、画素回路２０の電気光学素子として、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではなく、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子（発光素子）を用いた表示装置全般に対して適用可能である。
【００９３】
［適用例］
以上説明した本発明による表示装置は、一例として、図１０〜図１４に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
【００９４】
なお、本発明による表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部３０に透明なガラス等の対向部に貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、更には、上記した遮光膜が設けられてもよい。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。
【００９５】
図１０は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明による表示装置を用いることにより作成される。
【００９６】
図１１は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【００９７】
図１２は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【００９８】
図１３は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【００９９】
図１４は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す斜視図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】画素（画素回路）の具体的な構成例を示す回路図である。
【図３】画素の断面構造の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作説明に供するタイミングチャートである。
【図５】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明図（その１）である。
【図６】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明図（その２）である。
【図７】駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。
【図８】駆動トランジスタの移動度μのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。
【図９】閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇと駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係の説明に供する特性図である。
【図１０】本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。
【図１１】本発明が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図１２】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図１３】本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。
【図１４】本発明が適用される携帯電話機を示す斜視図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１０…有機ＥＬ表示装置、２０…画素（画素回路）、２１…有機ＥＬ素子、２２…駆動トランジスタ、２３…書き込みトランジスタ、２４…保持容量、２５…補助容量、３０…画素アレイ部、３１（３１−１〜３１−ｍ）…走査線、３２（３２−１〜３２−ｍ）…基準電圧供給線、３３（３３−１〜３３−ｎ）…電源供給線、３４（３４−１〜３４−ｎ）…信号線、３５…共通電源供給線、４０…書き込み走査回路、５０…基準電圧供給走査回路、５１…スイッチ素子、６０…電源供給走査回路、７０…水平駆動回路、８０…表示パネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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