(57)【要約】【課題】開口率と保持容量の両立を図る。【解決手段】 第１の基板の内面に、第１の方向に延在し互いに並設された複数のゲート線および前記ゲート線と交差する第２の方向に延在し互いに並設された複数のドレイン線と、前記ゲート線とドレイン線の交差部に設けられた複数のスイッチング素子と、前記アクティブ素子で駆動される画素電極を少なくとも有する画像表示装置であって、前記第１の基板の画素領域に前記ゲート線、ドレイン線、スイッチング素子、および画素電極を形成する電極形成層と、前記第１の基板側との間に当該電極形成層に対して第１の絶縁層で絶縁した基準電極層を有し、前記基準電極層はほぼ画素領域全面に形成され、複数の画素で共有される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を介して対向配置される第１および第２の基板を有し、前記第１の基板の液晶側の面に、複数のゲート線および前記ゲート線と交差する複数のドレイン線と、前記ゲート線とドレイン線で囲まれた画素領域のそれぞれに、スイッチング素子と、前記スイッチング素子で駆動される画素電極を少なくとも有する画像表示装置であって、
前記ゲート線、ドレイン線、スイッチング素子、および画素電極を形成する電極形成層と、当該電極形成層と前記第１の基板側との間に前記電極形成層に対して絶縁層を介して基準電極層を有し、
前記画素電極は、前記画素領域内で略矩形形状であり、屈曲部を有する複数のスリットを有するように形成され、
前記基準電極層は、前記複数の画素領域で共有されるように形成されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記絶縁層は、第１の絶縁層と第２の絶縁層の２層構造であることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層間に、コモン電極が形成され、当該コモン電極は、スルーホールによって前記基準電極層に接続されることを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記コモン電極は、前記画素領域内で前記画素電極と重畳し、且つ略矩形上に形成されることを特徴とする請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記第２の絶縁層は、有機絶縁膜であることを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記基準電極層は、前記画素電極との間で電界を形成し、前記液晶を制御するコモン電極を兼ねることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記基準電極層が透明電極であることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に画素の点灯を所定の時間維持するための保持容量とその給電抵抗を低減し、かつ開口率を向上したアクティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、一般に一対の基板の対向間隔に液晶を挟持し、上記一対の基板の一方に形成した薄膜トランジスタ等に代表される多数のスイッチング素子で駆動される画素電極で画素を選択する方式を採用したものである。この種の液晶表示装置の一つの形式は、上記一対の基板の一方（第１の基板）に対向する他方の基板（第２の基板）にカラーフィルタや共通電極を形成し、あるいはカラーフィルタも第１の基板に形成した、所謂縦電界方式である。
【０００３】
また、他の形式として、上記共通電極に相当する対向電極を上記第１の基板側に形成する、所謂ＩＰＳ方式がある。この形式でも、カラーフィルタを第１の基板または第２の基板側に形成したのも既知である。
【０００４】
縦電界方式の液晶表示装置は、上記第１の基板の内面に、第１の方向（通常は水平走査方向）に延在して互いに並設された複数のゲート線と、このゲート線と交差する第２の方向（通常、垂直走査方向）に延在し互いに並設された複数のドレイン線とを備える。そして、ゲート線とドレイン線の各交差部付近に薄膜トランジスタ等のスイッチング素子を備え、このスイッチング素子で駆動される画素電極を有している。
【０００５】
この縦電界方式では、画素電極に対向して第２の基板には共通電極が形成されており、選択された画素電極との間に基板面と略直交する方向の電界を生成し、画素電極と共通電極との間に挟持された液晶の分子の配列を変更させることにより、画素の点灯を行う。
【０００６】
一方、ＩＰＳ方式の液晶表示装置は、上記第１の基板の内面に、縦電界方式と同様のゲート線とドレイン線、およびスイッチング素子を有し、かつ同一基板上に櫛形の画素電極を形成し、この画素電極と隣接して対向電極が形成されている。そして、選択された画素電極と対向電極との間に基板面と略平行な方向に電界を生成し、画素電極と対向電極との間にある液晶の分子の配向方向を変化させることにより、画素の点灯を行うものである。さらに、この方式を発展させたものとして、対向電極をべた電極として、その上層あるいは下層に櫛形の画素電極を形成したものもある。
【０００７】
上記した何れの形式の液晶表示装置においても、選択により点灯した画素の点灯時間を所定値に保持するための電荷の蓄積容量（以下、単に保持容量と言う）は画素電極とゲート線の重畳領域、あるいは画素電極の形成領域を横断するように形成した他の電極線と当該画素電極との重畳領域に形成され、この保持容量に電荷を蓄積するための給電路はゲート線あるいは上記他の電極線としている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このように、保持容量を形成する一方の電極は線状電極であり、その給電は一方向（当該電極の延在方向）であるため、給電抵抗が大きく、また給電端から遠ざかるに従って電圧降下が著しくなり、必要とする電荷を給電できなくなる場合がある。また、上記のゲート線は通常はドレイン線と交差しているため、その交差容量が増大する。その結果、液晶表示装置の高速駆動が困難となる一つの要因となっていた。これの対策として上記の他の電極線を用いたものがある。しかし、画素電極の形成領域に保持容量を形成すると、当然のこととして開口率が低下する。
【０００９】
また高精細化に伴い１画素当たりの画素のサイズが縮小し、十分な保持容量を形成することが困難となってきているという課題がある。
【００１０】
さらに、開口率を向上するには保持容量のサイズを小さくすることが有効であるが、これは保持容量の減少を招く。すなわち開口率向上と保持容量確保はトレードオフの関係にあるという課題がある。
【００１１】
本発明の利点は、保持容量を構成する給電電極の抵抗を低減することにある。また画素の開口率の低下を回避して高輝度、かつ高速駆動のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することにある。さらに、保持容量と開口率の両立を実現することにある。
【００１２】
本発明のその他の利点は、以下の説明で明らかとなる。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の典型的な構成は、液晶表示装置のスイッチング素子形成基板の下層の少なくとも画素電極形成領域の大部分あるいは全域を占めるような広い面積の透明導電層（基準電極層）を形成し、その上層に絶縁層を介してスイッチング素子やその他の電極および配線を形成した構成とした。この構成により、保持容量に対する給電抵抗が大幅に低減される。また、開口率向上と保持容量増大のトレードオフを解消できる。以下、本発明の他の定評的な構成を記述する。
【００１４】
（１）：第１の基板と第２の基板の対向間隙に液晶を挟持し、前記第１の基板の内面に、第１の方向に延在し互いに並設された複数のゲート線および前記ゲート線と交差する第２の方向に延在し互いに並設された複数のドレイン線と、前記ゲート線とドレイン線の交差部に設けられた複数のスイッチング素子と、前記アクティブ素子で駆動される画素電極を少なくとも有し、前記複数の画素電極で画素領域が構成される液晶表示装置であって、前記第１の基板の前記画素領域を含んで前記ゲート線、ドレイン線、スイッチング素子、画素電極を形成する電極形成層と前記第１の基板側との間に当該電極形成層に対して第１の絶縁層で絶縁した基準電極層を有し、前記画素電極と前記基準電極層の間に画素の保持容量を形成する。
【００１５】
この構成により、蓄積容量に対する給電抵抗が大幅に低減され、画素の開口率と保持容量の両立を実現した液晶表示装置を得ることができる。
【００１６】
（２）：（１）において、前記電極形成層は、前記第１の絶縁層の上層にゲート線、ゲート絶縁層、半導体層、ドレイン線、パッシベーション層、画素電極をこの順で有し、前記画素電極と前記基準電極層の間に画素の保持容量を形成する。
【００１７】
画素電極と基準電極層の間に形成されるパッシベーション層、ゲート絶縁層、第１の絶縁層で保持容量が形成されるため、液晶層からみた基準電極層までの距離を大幅に離間させることが可能となり、液晶の駆動用電界への基準電極層の電界の影響が軽減される。
【００１８】
（３）：（１）において、前記基準電極層が前記ゲート線と平行、かつ前記画素電極の形成領域に重畳して前記ゲート線の延在方向に有する。
【００１９】
この構成により、ゲート線と基準電極層の間の寄生容量が低減され、また電位の安定化を図ることができる。
【００２０】
（４）：（１）において、前記基準電極層が前記第１の基板の前記ゲート線と前記ドレイン線および前記画素電極の形成領域を含む領域に有する。
【００２１】
この構成により、基準電極層が、所謂べた電極であることで給電抵抗がさらに低減され、かつ給電方向の制限が無くなる。
【００２２】
（５）：（１）において、前記ゲート絶縁層より上層に前記パッシベーション層を有し、該パッシベーション層より上層に前記画素電極を有し、前記画素電極の全部または一部が前記パッシベーション層を貫通して前記ゲート絶縁層に接している。
【００２３】
この構成により、導電層と画素電極との間に形成される保持容量を画素電極がパッシベーション層を貫通する面積で調整できる。
【００２４】
（６）：（１）において、前記ゲート絶縁層より上層に前記パッシベーション層を有し、該パッシベーション層より上層に前記画素電極を有し、前記画素領域における前記画素電極の全部または一部が前記パッシベーション層とゲート絶縁層とを貫通して前記第１の絶縁層に接している。
【００２５】
この構成により、基準電極層と画素電極との間に形成される保持容量を画素電極がパッシベーション層とゲート絶縁層とを貫通する面積で調整できる。
【００２６】
（７）：（１）において、前記ゲート絶縁層より上層に前記パッシベーション層を有し、該パッシベーション層より上層に前記画素電極を有し、前記スイッチング素子は、前記ゲート絶縁層の上に前記パッシベーション層に形成したスルーホールを介して画素電極と接続するソース電極を有し、前記ソース電極の一部に前記ゲート線または前記ドレイン線に沿った延長部を有する。
【００２７】
この構成により、ソース電極の延長部の長さ、または幅、すなわちソース電極が画素電極と重畳する面積を変えることで保持容量を調整できる。
【００２８】
（８）：（１）において、前記第１の絶縁層が有機絶縁層である。
【００２９】
この構成により、前記基準電極層と前記電極形成層の間の電気的距離を向き絶縁層の場合より離間できる。そして基準電極層と前記ゲート線およびドレイン線との寄生容量を低減できる。
【００３０】
（９）：（１）において、前記ドレイン線の延在方向近傍と前記画素電極の間を遮光する遮光層を有する。
【００３１】
この構成により、光漏れを防止できる。
【００３２】
（１０）：（１）において、前記第２の基板の内面に、前記画素電極との間で画素を構成する共通電極を有する。
【００３３】
（１１）：第１の基板と第２の基板の対向間隙に液晶を挟持し、前記第１の基板の内面に、第１の方向に延在し互いに並設された複数のゲート線および前記ゲート線と交差する第２の方向に延在し互いに並設された複数のドレイン線と、前記ゲート線とドレイン線の交差部に設けられた複数のスイッチング素子と、前記アクティブ素子で駆動される画素電極を少なくとも有し、前記複数の画素電極で画素領域が構成される液晶表示装置であって、前記第１の基板の前記画素領域を含んで前記ゲート線、ドレイン線、スイッチング素子、画素電極を形成する電極形成層と前記第１の基板側との間に当該電極形成層に対して第１の絶縁層で絶縁した基準電極層を有し、前記画素形成層は、前記第１の絶縁層の上層にゲート絶縁層、パッシベーション層、第２の有機絶縁層、画素電極をこの順で有し、前記画素電極と前記基準電極層で画素の保持容量を形成する。
【００３４】
この構成により、画素の開口率が向上し、導電層の面積が大きいために給電抵抗が低減できると共に、画素電極と基準電極層の間に形成されるパッシベーション層、ゲート絶縁層、第１の絶縁層で保持容量が形成されるため、当該保持容量の制御が容易になる。さらに、スイッチング素子の上層にも有機絶縁層を設けたことで、画素電極とドレイン線の重畳が可能となり、さらに開口率が向上する。画素電極とドレイン線を重畳した場合に、ドレイン線の延在方向近傍と画素電極の間の遮光層を省略できるため、またさらに開口率が向上する。
【００３５】
（１２）：（１１）において、前記基準電極層が前記ゲート線と平行、かつ前記画素電極の形成領域に重畳して前記ゲート線の延在方向に有する。
【００３６】
この構成により、ゲート線と基準電極層の間の容量が低減され、保持容量の増大を抑制することができ、また電位の安定化を図ることができる。
【００３７】
（１３）：（１１）において、前記基準電極層が前記第１の基板の前記ゲート線と前記ドレイン線および前記画素電極の形成領域を含む領域に有する。
【００３８】
この構成により、基準電極層が、所謂べた電極であることで給電抵抗がさらに低減され、かつ給電方向の制限が無くなる。
【００３９】
（１４）：（１１）において、前記第１の有機絶縁層がカラーフィルタである。
【００４０】
この構成により、画素の開口率が向上し、導電層の面積が大きいために給電抵抗が低減できると共に、画素電極と基準電極層の間に形成されるパッシベーション層、ゲート絶縁層、有機材料である誘電率の小さいカラーフィルタ層で保持容量が形成されるため配線間寄生容量の増大を抑制できる。また、第１の基板にカラーフィルタ層を形成するため、第２の基板との位置合わせ裕度が大きくなる。
【００４１】
（１５）、（１４）において、前記基準電極層が前記ゲート線と平行、かつ前記画素電極の形成領域に重畳して前記ゲート線の延在方向に有する。
【００４２】
この構成により、ゲート線と導電層の間の容量が低減され、また電位の安定化を図ることができる。
【００４３】
（１６）：（１４）において、前記基準電極層が前記第１の基板の前記ゲート線と前記ドレイン線および前記画素電極の形成領域を含む領域に有する。
【００４４】
この構成により、基準電極層が、所謂べた電極であることで給電抵抗がさらに低減され、かつ給電方向の制限が無くなる。
【００４５】
（１７）：（１１）において、前記第１の絶縁層が有機絶縁層である。
【００４６】
この構成により、前記基準電極層と前記電極形成層の間の電気的距離を向き絶縁層の場合より離間できる。そして基準電極層と前記ゲート線およびドレイン線との寄生容量を低減できる。
【００４７】
（１８）：（１１）において、前記ドレイン線の延在方向近傍と前記画素電極の間を遮光する遮光層を有する。
【００４８】
この構成により、光漏れを防止できる。
【００４９】
（１９）：（１１）において、前記第２の基板の内面に、前記画素電極との間で画素を構成する共通電極を有する。
【００５０】
（２０）：第１の基板と第２の基板の対向間隙に液晶を挟持し、前記第１の基板の内面に、第１の方向に延在し互いに並設された複数のゲート線および前記ゲート線と交差する第２の方向に延在し互いに並設された複数のドレイン線と、前記ゲート線とドレイン線の交差部に設けられた複数のスイッチング素子と、前記アクティブ素子で駆動される画素電極を少なくとも有し、前記複数の画素電極で画素領域が構成される液晶表示装置であって、前記第１の基板の前記画素領域を含んで前記ゲート線、ドレイン線、スイッチング素子、画素電極を形成する電極形成層と前記第１の基板側との間に当該電極形成層に対して第１の絶縁層で絶縁した基準電極層を有し、前記画素形成層は、前記第１の絶縁層の上層にゲート絶縁層、パッシベーション層、画素電極をこの順で有し、かつ前記第１の絶縁層より上層で前記画素電極と接続した容量電極層を有し、前記画素電極と前記基準電極層および前記容量電極層で画素の保持容量を形成する。
【００５１】
この構成により、画素の開口率が向上し、導電層の面積が大きいために給電抵抗が低減できる。さらに容量電極層の面積、形状で保持容量を調整できるため、開口率と保持容量の両立が容易になる。さらに、パッシベーション層と画素電極の間に有機絶縁層を設けた場合には、画素電極とドレイン線の重畳が可能となり、さらに開口率が向上する。画素電極とドレイン線を重畳した場合に、ドレイン線の延在方向近傍と画素電極の間の遮光層を省略できるため、またさらに開口率が向上する。
【００５２】
（２１）：（２０）において、前記基準電極層が前記ゲート線と平行、かつ前記画素電極の形成領域に重畳して前記ゲート線の延在方向に有する。
【００５３】
この構成により、ゲート線と基準電極層の間の容量が低減され、電位の安定化を図ることができる。
【００５４】
（２２）：（２０）において、前記基準電極層が前記第１の基板の前記ゲート線と前記ドレイン線および前記画素電極の形成領域を含む領域に有する。
【００５５】
この構成により、基準電極層が、所謂べた電極であることで給電抵抗がさらに低減され、かつ給電方向の制限が無くなる。
【００５６】
（２３）：（２０）において、前記スイッチング素子は、前記ゲート絶縁層の上に前記パッシベーション層に形成したスルーホールを介して前記画素電極と接続するソース電極を有し、前記容量電極層は前記ソース電極に接続して前記画素電極の領域に有する。
【００５７】
この構成により、前記容量電極層の大きさを変えることで保持容量を調整できる。
【００５８】
（２４）：（２０）において、前記第１の絶縁層がカラーフィルタである。
【００５９】
この構成により、画素の開口率が向上し、導電層の面積が大きいために給電抵抗が低減できる。また、第１の基板にカラーフィルタ層を形成するため、第２の基板との位置合わせ裕度が大きくなる。
【００６０】
（２５）：（２０）において、前記容量電極層をパッシベーション層上に有し、パッシベーション層上に有機絶縁層を有し、前記画素電極は前記有機絶縁層上に形成され、前記画素電極は前記有機絶縁層に形成したスルーホールを介して前記容量電極層に接続した。
【００６１】
この構成により、前記容量電極層の大きさを変えることで保持容量を調整できる。
【００６２】
（２６）：（２０）において、前記容量電極層をゲート絶縁層上に有し、前記画素電極を前記パッシベーション層に形成したスルーホールを介して前記容量電極層に接続した。
【００６３】
この構成により、前記容量電極層の大きさを変えることで保持容量を調整できる。
【００６４】
（２７）：（２０）において、前記容量電極層を前記第１の絶縁層上に有し、前記画素電極を前記パッシベーション層を貫通し前記ゲート絶縁層に形成したスルーホールを介して前記容量電極層に接続した。
【００６５】
この構成により、導電層と画素電極との間に形成される保持容量を画素電極がパッシベーション層とゲート絶縁層とを貫通する面積で調整できる。
【００６６】
（２８）：（２０）において、前記第１の絶縁層が有機絶縁層である。
【００６７】
この構成により、前記基準電極層と前記電極形成層の間の電気的距離を向き絶縁層の場合より離間できる。そして基準電極層と前記ゲート線およびドレイン線との寄生容量を低減できる。
【００６８】
（２９）：（２０）において、前記ドレイン線の延在方向近傍と前記画素電極の間を遮光する遮光層を有する。
【００６９】
この構成により、光漏れを防止できる。
【００７０】
（３０）：（２０）において、前記第２の基板の内面に、前記画素電極との間で画素を構成する共通電極を有する。
【００７１】
（３１）：第１の基板と第２の基板の対向間隙に液晶を挟持し、前記第１の基板の内面に、第１の方向に延在し互いに並設された複数のゲート線および前記ゲート線と交差する第２の方向に延在し互いに並設された複数のドレイン線と、前記ゲート線とドレイン線の交差部に設けられた複数のスイッチング素子と、前記アクティブ素子で駆動される画素電極を少なくとも有し、前記複数の画素電極で画素領域が構成される液晶表示装置であって、前記第１の基板の前記画素領域を含んで前記ゲート線、ドレイン線、スイッチング素子、画素電極を形成する電極形成層と前記第１の基板側との間に当該電極形成層に対して第１の絶縁層で絶縁した基準電極層を有し、前記電極形成層は、前記第１の絶縁層の上層にゲート絶縁層、パッシベーション層、画素電極をこの順で有し、かつ前記第１の絶縁層と前記パッシベーション層の間に前記画素電極と接続した容量電極層を有し、前記画素電極と前記基準電極層および前記容量電極層で画素の保持容量を形成する。
【００７２】
この構成により、画素の開口率が向上し、基準電極層の面積が大きいために給電抵抗が低減、かつ容量電極層の面積、形状で保持容量を調整できる。
【００７３】
（３２）：（３１）において、前記基準電極層が前記ゲート線と平行、かつ前記画素電極の形成領域に重畳して前記ゲート線の延在方向に有する。
【００７４】
この構成により、ゲート線と基準電極層の間の容量が低減され、配線間寄生容量の増大を抑制することができ、また電位の安定化を図ることができる。
【００７５】
（３３）：（３１）において、前記基準電極層が前記第１の基板の前記ゲート線と前記ドレイン線および前記画素電極の形成領域を含む領域に有する。
【００７６】
この構成により、基準電極層が所謂べた電極であることで給電抵抗がさらに低減され、かつ給電方向の制限が無くなる。
【００７７】
（３４）：（３１）において、前記有機絶縁層がカラーフィルタである。
【００７８】
この構成により、画素の開口率が向上し、基準電極層の面積が大きいために給電抵抗が低減できると共に、カラーフィルタが有機膜であることにより配線間寄生容量が低減できる。また、第１の基板にカラーフィルタ層を形成するため、第２の基板との位置合わせ裕度が大きくなる。
【００７９】
（３５）：（３１）において、前記第１の絶縁層が有機絶縁層である。
【００８０】
この構成により、前記基準電極層と前記電極形成層の間の電気的距離を向き絶縁層の場合より離間できる。そして基準電極層と前記ゲート線およびドレイン線との寄生容量を低減できる。
【００８１】
（３６）：（３１）において、前記ドレイン線の延在方向近傍と前記画素電極の間を遮光する遮光層を有する。
【００８２】
この構成により、光漏れを防止できる。
【００８３】
（３７）：（３１）において、前記容量電極層を前記第１の絶縁層上に有し、前記容量電極層を前記第１の絶縁層を貫通したスルーホールを介して前記基準電極層に接続した。
【００８４】
この構成により、基準電極層と画素電極との間に形成される保持容量を基準電極層に接続した容量電極層の面積で調整できる。
【００８５】
（３８）：（３１）において、前記容量電極層をゲート絶縁層上に有し、前記容量電極層を前記ゲート絶縁層を貫通したスルーホールを介して前記基準電極層に接続した。
【００８６】
この構成により、基準電極層と画素電極との間に形成される保持容量を基準電極層に接続した容量電極層の面積で調整できる。
【００８７】
（３９）：（３１）において、前記容量電極層を前記パッシベーション層上に有し、前記容量電極層を前記パッシベーション層と前記ゲート絶縁層および前記第１の絶縁層を貫通したスルーホールを介して前記容量電極層に接続した。
【００８８】
この構成により、基準電極層と画素電極との間に形成される保持容量を基準電極層に接続した容量電極層の面積で調整できる。
【００８９】
（４０）：（３１）において、さらに前記容量電極層をゲート絶縁層上に有すると共に、前記第１の絶縁層上に第２の容量電極層を有し、前記画素電極をパッシベーション層に形成したスルーホールを介して前記容量電極層に接続すると共に、前記第２の容量電極層を前記第１の絶縁層に形成したスルーホールを介して前記基準電極層に接続した。
【００９０】
この構成により、保持容量は容量電極層と第２の容量電極層との面積で容易に調整できる。また保持容量をさらに増大することが出来る。
【００９１】
（４１）：（３１）において、前記第１の絶縁層が有機絶縁層である。
【００９２】
この構成により、前記基準電極層と前記電極形成層の間の電気的距離を向き絶縁層の場合より離間できる。そして基準電極層と前記ゲート線およびドレイン線との寄生容量を低減できる。
【００９３】
（４２）：（３１）において、前記ドレイン線の延在方向近傍と前記画素電極の間を遮光する遮光層を有する。
【００９４】
この構成により、光漏れを防止できる。
【００９５】
（４３）：（３１）において、前記第２の基板の内面に、前記画素電極との間で画素を構成する共通電極を有する。
【００９６】
（４４）：第１の基板と第２の基板の対向間隙に液晶を挟持し、前記第１の基板の内面に、第１の方向に延在し互いに並設された複数のゲート線および前記ゲート線と交差する第２の方向に延在し互いに並設された複数のドレイン線と、前記ゲート線とドレイン線の交差部に設けられた複数のスイッチング素子と、前記アクティブ素子で駆動される画素電極と前記画素電極との間で画素駆動用の電界を生成する対向電極とを少なくとも有し、前記複数の画素電極で画素領域が構成される液晶表示装置であって、前記第１の基板の前記画素領域を含んで前記ゲート線、ドレイン線、スイッチング素子、画素電極を形成する電極形成層と前記第１の基板側との間に当該電極形成層に対して第１の絶縁層で絶縁した基準電極層を有し、前記画素電極と前記基準電極層の間に画素の保持容量を形成する。
【００９７】
この構成により、開口率と保持容量の両立が実現するする。また保持容量を形成するための画素電極や配線の面積を大きくする必要がないため開口率が向上する。また、基準電極層の面積が大きいために給電抵抗が低減できる。
【００９８】
（４５）：（４４）において、前記対向電極を前記有機絶縁層上に有し、前記対向電極が前記第１の絶縁層に形成したスルーホールを介して前記基準電極層に接続されている。
【００９９】
この構成により、基準電極層の面積が大きいために対向電極への給電抵抗が低減できる。
【０１００】
（４６）：（４４）において、前記対向電極を前記ゲート絶縁層上に有し、前記対向電極が前記ゲート絶縁層と前記第１の絶縁層に形成したスルーホールを介して前記基準電極層に接続されている。
【０１０１】
この構成により、基準電極層の面積が大きいために給電抵抗が低減できる。
【０１０２】
（４７）：（４４）において、前記対向電極を前記パッシベーション層上に有し、前記対向電極が前記パッシベーション層と前記ゲート絶縁層および前記第１の絶縁層に形成したスルーホールを介して前記基準電極層に接続されている。
【０１０３】
この構成により、基準電極層の面積が大きいために給電抵抗が低減できる。
【０１０４】
（４８）：（４４）において、前記基準電極層が前記ゲート線と平行、かつ前記画素電極の形成領域に重畳して前記ゲート線の延在方向に有する。
【０１０５】
この構成により、ゲート線と基準電極層の間の寄生容量が低減され、また電位の安定化を図ることができる。
【０１０６】
（４９）：（４４）において、前記基準電極層が前記第１の基板の前記ゲート線と前記ドレイン線および前記画素電極の形成領域を含む領域に有する。
【０１０７】
この構成により、基準電極層が、所謂べた電極であることで給電抵抗がさらに低減され、かつ給電方向の制限が無くなる。
【０１０８】
（５０）：（４４）において、前記対向電極は第１の絶縁層上に有すると共に、ドレイン線と交差して隣接画素領域に延在し、当該隣接画素領域の基準電極層に前記第１の絶縁層に形成したスルーホールを介して接続されている。
【０１０９】
この構成により、仮にスルーホールの形成が不十分であっても隣接画素側から対向電極を通して給電がなされる。また、各対向電極と各基準電極とを接続するスルーホールを各画素毎に複数形成する場合には、当該電極層間の接続の信頼性を向上できる。
【０１１０】
（５１）：（４４）において、前記対向電極は有機絶縁層上に有し、前記ゲート絶縁層上でドレイン線と交差して隣接画素領域に延在する導電層を有し、前記対向電極は前記ゲート絶縁層に形成したスルーホールを介して前記導電層に接続し、かつ前記導電層は前記第１の絶縁層に形成したスルーホールを介して前記基準電極層に接続されている。
【０１１１】
この構成により、仮にスルーホールの形成が不十分であっても隣接画素側から導電層を通して給電がなされる。また、各対向電極と各基準電極とを接続するスルーホールを各画素毎に複数形成することで、当該電極層間の接続の信頼性を向上できる。
【０１１２】
（５２）：（４４）において、前記対向電極はパッシベーション層上に有し、前記ゲート絶縁層上でドレイン線と交差して隣接画素領域に延在する導電層を有し、前記対向電極は前記パッシベーション層と前記ゲート絶縁層に形成したスルーホールを介して前記導電層に接続し、かつ前記導電層は前記第１の絶縁層に形成したスルーホールを介して前記基準電極層に接続される。
【０１１３】
（５３）：（４４）において、前記第１の絶縁層の下層に有する前記基準電極と前記第１の基板の間にカラーフィルタ層を有する。
【０１１４】
この構成により、カラーフィルタ層は前記基準電極で液晶層と隔離されるため、カラーフィルタ層の構成材料による液晶の汚染が阻止される。
【０１１５】
（５４）：（４４）において、前記対向電極は前記第１の絶縁層上に前記ゲート線の延在方向と平行で、かつ画素領域にわたって形成され、各画素領域における前記基準電極に前記第１の絶縁層に形成したスルーホールを介して接続する。
【０１１６】
この構成により、保持容量は対向電極と画素電極の重畳部分で形成され、ゲート絶縁層は保持容量の誘電体となり、保持容量を増大させる場合に好適である。
【０１１７】
（５５）：（４４）において、前記対向電極を各画素領域における前記基準電極に前記第１の絶縁層と前記ゲート絶縁層とを貫通して形成したスルーホールを介して接続し、前記対向電極と前記画素電極の重畳部分で保持容量を形成する。
【０１１８】
（５６）：（４４）において、前記画素電極は前記ゲート絶縁層上に有し、前記対向電極は前記ゲート絶縁層下に有し、前記対向電極は前記第１の絶縁層に形成したスルーホールを介して前記基準電極に接続し、前記対向電極と前記画素電極とで保持容量を形成する。
【０１１９】
（５７）：（４４）において、前記画素電極は前記対向電極と同層である。
【０１２０】
（５８）：（４４）において、前記対向電極は前記画素電極より上層に配置され、ゲート絶縁膜と第１の絶縁膜に形成されたスルーホールを介して前記基準電極に接続している。
【０１２１】
（５９）：（４４）において、前記第１の絶縁層が有機絶縁層である。
【０１２２】
（６０）：第１の基板と第２の基板の対向間隙に液晶を挟持し、前記第１の基板の内面に、第１の方向に延在し互いに並設された複数のゲート線および前記ゲート線と交差する第２の方向に延在し互いに並設された複数のドレイン線と、前記ゲート線とドレイン線の交差部に設けられた複数のスイッチング素子とを少なくとも有し、前記複数の画素電極で画素領域が構成される液晶表示装置であって、前記第１の基板の前記画素領域を含んで前記ゲート線、ドレイン線、スイッチング素子、画素電極を形成する電極形成層と前記第１の基板側との間に当該電極形成層に対して第１の絶縁層で絶縁して前記画素領域の全域に重畳して基準電極を兼用する対向電極層を有し、前記画素電極と前記対向電極層の間に画素の保持容量を形成する。
【０１２３】
この構造により、保持容量に対する給電抵抗が大幅に低減され、画質が向上する。また開口率と保持容量の両立が実現する。
【０１２４】
（６１）：（６０）において、前記対向電極層が前記ゲート線と平行、かつ前記画素電極の形成領域に重畳して前記ゲート線の延在方向に有する。
【０１２５】
この構成により、独立した基準電極層を要せず、ゲート線と導電層の間の寄生容量が低減され、また電位の安定化を図ることができる。
【０１２６】
（６２）：（６０）において、前記対向電極層が前記第１の基板の前記ゲート線と前記ドレイン線および前記画素電極の形成領域を含む領域に有する。
【０１２７】
この構成により、対向電極層が、所謂べた電極であることで給電抵抗がさらに低減され、かつ給電方向の制限が無くなる。
【０１２８】
（６３）：（６０）において、前記画素電極の下層の絶縁層の層構成の全部または一部、および領域の全部または一部を除去した。
【０１２９】
この構成により、画素電極と対向電極との間に生成される電界強度が増大し、駆動電圧を低減することができる。
【０１３０】
（６４）：（６０）において、前記対向電極層上に前記ゲート線の延在方向と平行に当該対向電極を隣接する対向電極に接続する接続線を有する。
【０１３１】
（６５）：（６０）において、前記対向電極層下に前記ゲート線の延在方向と平行に当該対向電極を隣接する対向電極に接続する接続線を有する。
【０１３２】
上記（６４）または（６５）の構成により、仮にスルーホールの形成が不十分であっても隣接画素側から接続線を通して給電がなされる。また、各対向電極と各基準電極とを接続するスルーホールを各画素毎に複数形成する場合には、当該電極層間の接続の信頼性を向上できる。
【０１３３】
（６６）：（６０）において、前記第１の絶縁層は前記画素領域内の一部で除去されている。
【０１３４】
本構成により、画素領域内に駆動電圧の異なる複数の領域を形成でき、マルチドメイン効果を得ることができる。
【０１３５】
（６７）：（６０）において、前記第１の絶縁層の下層に有する前記基準電極と前記第１の基板の間にカラーフィルタ層を有する。
【０１３６】
（６８）：（６０）において、前記第１の絶縁層が有機絶縁層である。
【０１３７】
（６９）：（６８）において、前記有機絶縁層がカラーフィルタである。
【０１３８】
（７０）：第１の基板と第２の基板の対向間隙に液晶を挟持し、前記第１の基板の内面に、第１の方向に延在し互いに並設された複数のゲート線および前記ゲート線と交差する第２の方向に延在し互いに並設された複数のドレイン線と、前記ゲート線とドレイン線の交差部に設けられた複数のスイッチング素子と、前記アクティブ素子で駆動される画素電極と前記画素電極との間で画素駆動用の電界を生成する対向電極とを少なくとも有し、前記複数の画素電極で画素領域が構成される液晶表示装置であって、前記第１の基板の前記画素領域を含んで前記ゲート線、ドレイン線、スイッチング素子、画素電極を形成する電極形成層と前記第１の基板側との間に当該電極形成層に対して第１の絶縁層で絶縁した基準電極層を有し、前記電極形成層は、前記第１の絶縁層の上層にゲート絶縁層、パッシベーション層、有機絶縁層、対向電極をこの順で積層してなり、前記対向電極層は、前記画素領域の前記ゲート線の延在方向に隣接する画素領域および前記ドレイン線の延在方向に隣接する画素領域にわたって共有され、かつ前記対向電極層は、前記有機絶縁層、パッシベーション層、ゲート絶縁層、第１の絶縁層を電気的に貫通するスルーホールを介して前記基準電極層に接続し、前記画素電極と前記基準電極層の間に画素の保持容量を形成する。
【０１３９】
この構成により、開口率が向上する。また、基準電極層の面積が極めて大きいために給電抵抗を大幅に低減できる。
【０１４０】
（７１）：（７０）において、前記画素電極の下層であり、前記第１の絶縁層と前記ゲート絶縁層の間に形成された容量電極層を有し、該容量電極層は前記基準電極層とスルーホールを介して接続されている。
【０１４１】
この構成により、保持容量を容量電極層で増加させ、調整することができる。
【０１４２】
（７２）：（７０）において、前記画素電極下の前記第１の絶縁層に除去領域を設けた。
【０１４３】
この構成により、画素電極と基準電極層の間に形成される保持容量を増大させることができる。
【０１４４】
（７３）：（７０）において、前記第１の絶縁層が有機絶縁層である。
【０１４５】
（７４）：（７３）において、前記有機絶縁層がカラーフィルタである。
【０１４６】
（７５）：第１の基板の内面に、第１の方向に延在し互いに並設された複数のゲート線および前記ゲート線と交差する第２の方向に延在し互いに並設された複数のドレイン線と、前記ゲート線とドレイン線の交差部に設けられた複数のスイッチング素子と、前記アクティブ素子で駆動される画素電極を少なくとも有する画像表示装置であって、前記第１の基板の画素領域に前記ゲート線、ドレイン線、スイッチング素子、および画素電極を形成する電極形成層と、前記第１の基板側との間に当該電極形成層に対して第１の絶縁層で絶縁した基準電極層を有し、前記基準電極層はほぼ画素領域全面に形成され、複数の画素で共有される。
【０１４７】
（７６）：（７５）において、前記スイッチング素子を構成する半導体層が結晶性を有する。
【０１４８】
（７７）：基板と結晶性を有する半導体の間に少なくとも半導体層側に絶縁層を介して形成された基準電極層を有し、前記基準電極層はほぼ画素領域全面に形成され、複数の画素で共有される。
【０１４９】
（７８）：（７７）において前記基準電極層が透明電極であることを特徴とする。
【０１５０】
（７９）：基板の上にほぼ画素領域全面に形成され、複数の画素で共有される基準電極層を形成する第１のプロセスと、絶縁層を形成する第２のプロセスと、半導体層を形成する第３のプロセスを少なくともこの順番で有し、その後前記半導体層にレーザーを照射する第４のプロセスを有すること特徴とする画像表示装置の製造方法を用いる。
【０１５１】
（８０）：基板の上にほぼ画素領域全面に形成され、複数の画素で共有される基準電極層を形成する第１のプロセスと、絶縁層を形成する第２のプロセスと、半導体層を形成する第３のプロセスを少なくともこの順番で有し、その後前記半導体層にイオンを注入する第４のプロセスを有すること特徴とする画像表示装置の製造方法を用いる。
【０１５２】
なお、本発明は、上記の各構成および後述する実施例の構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく種々の変形が可能であることは言うまでもない。
【発明の効果】
【０１５３】
本発明によれば、スイッチング素子を形成した基板側に点灯画素の保持容量を構成する給電電極としての基準電極層を設けることにより、当該給電電極の抵抗を低減すると共に、画素の開口率の低下を回避して高輝度、かつ高速駆動のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することができる。さらに、保持容量と開口率を両立した画像表示装置を提供できる。さらに、結晶性半導体を用いた画像表示装置の画質、信頼性を向上することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１５４】
以下、本発明の実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。図中、参照符号ＰＸは画素電極、ＤＬはドレイン線（映像信号線またはデータ線）、ＧＬはゲート線（走査線）、ＳＭは画素電極とドレイン線の間を遮光する遮光膜（シールドメタル）、ＳＴは基準電極層（導電層とも言う）、ＳＤ１はソース電極、ＳＤ２はドレイン電極、ＡＳは半導体層、ＴＨはスルーホールを示す。なお、上記のゲート線、ドレイン線、各電極は、断面で説明する場合は電極層とも称する。
【０１５５】
図２は図１のＩ−Ｉ線に沿った断面図、図３は図１のII−II線に沿った断面図である。参照符号ＳＵＢ１は第１の基板、ＳＴは基準電極層、Ｏ−ＰＡＳは有機絶縁層、ＰＡＳはパッシベーション層、ＡＬは配向膜、ＣＴは共通電極、ＣＦはカラーフィルタ、ＢＭはブラックマトリクス、ＳＵＢ２は第２の基板を示す。
【０１５６】
図１〜図３において、この液晶表示装置は、第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２の対向間隙に液晶（以下、液晶層とも言う）ＬＣを挟持している。第１の基板ＳＵＢ１の内面には、第１の方向に延在し互いに並設された複数のゲート線ＧＬおよびゲート線と交差して第２の方向に延在し互いに並設された複数のドレイン線ＧＬを有する。
【０１５７】
ゲート線ＧＬとドレイン線ＤＬの交差部にはスイッチング素子として薄膜トランジスタＴＦＴが設けられている。この薄膜トランジスタＴＦＴはゲート線ＧＬをゲート電極とし、ドレイン線ＤＬから延びるドレイン電極ＳＤ２と半導体層ＡＳ、ソース電極ＳＤ１で構成される。なお、以下の実施例では、薄膜トランジスタについての説明は省略する。
【０１５８】
薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１はスルーホールＴＨを介して画素電極層ＰＸに接続されている。この画素電極層ＰＸは画素領域のほとんどの部分に形成されて、液晶表示装置の表示領域を構成している。第１の基板ＳＵＢ１の画素領域を含んでゲート線ＧＬ、ドレイン線ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ、および画素電極ＰＸを形成する多層部分を電極形成層と言う。この電極形成層と第１の基板側ＳＵＢ１との間に当該電極形成層に対して有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳで絶縁した基準電極層ＳＴを有している。
【０１５９】
なお、後述の各実施例を含めてＯ−ＰＡＳとして有機絶縁層の代わりに無機絶縁層を用いてもよい。有機絶縁層とすることで、基準電極層とゲート線ＧＬおよびドレイン線ＤＬとの寄生容量をさらに低減することができる。
【０１６０】
上記電極形成層は、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳの上層にゲート線層ＧＬ、ゲート絶縁層ＧＩ、ドレイン線層ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ、パッシベーション層ＰＡＳ、および画素電極層ＰＸをこの順で有する。そして、画素電極層ＰＸと基準電極層ＳＴの間に画素の保持容量（所謂、Ｃｓｔｇ）を形成する。すなわち、この保持容量はパッシベーション層ＰＡＳ、ゲート絶縁層ＧＩ、および有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳを誘電体として画素電極層ＰＸと基準電極層ＳＴの間に形成される。基準電極層ＳＴは画素領域のほとんどをカバーした広い面積に形成されている。
【０１６１】
この有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳの材料としては、例えばポリシラザンを用いる。これをＳＯＧ（スピンオングラス）法で塗布する。配線間の寄生容量低減には、低誘電率の有機膜材料が有効であり、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリル、ポリアクリル、ベンゾシクロブテン、等、種々の有機材料を用いることができる。また、透過型液晶表示装置では透光性を有せしめることが必要で、透光率は高いことが望ましい。透光率の向上に有効なのは、既存の材料層を利用することである。すなわち、カラーフィルタ層を上記の有機絶縁層として利用すれば、透光性を阻害することが少ない。この有機絶縁層の形成プロセスを低減するためには当該層材料が感光性を有することが望ましい。この点は後述の各実施例でも同様である。
【０１６２】
ゲート絶縁層下でスルーホールを形成する構成では、フォトリソグラフィープロセス数が低減できるからである。また、ゲート絶縁層に設けたスルーホールと同位置で有機絶縁層にスルーホールを設ける場合には、当該ゲート絶縁層あるいはその上層の絶縁層からのスルーホール加工時に、上層の絶縁層をマスクとしたパターニング、あるいは一括加工等を採用できるため、この場合は感光性である必要はない。しかし、通常、同一のプロセス、材料にて種々の構成の製品を製造するため、多品種を同一製造ラインで製造するためには、感光性を有する材料を用いるのは望ましい。この点も後述の各実施例についても同様である。
【０１６３】
また、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳの膜厚は、当業者であれば後述する実施例の開示内容に基づいて、各構成毎にシミュレーションにより容易に設定可能である。すなわち、この膜厚は、基板の平面構造、断面構造、有機絶縁層の誘電率などの値からの特性曲線から算出でき、これを利用して、配線抵抗、周辺の駆動回路の性能、使用する液晶材料、目標とする画質等に関する製品毎、あるいは設計思想に対応した範囲を選択することで実際の膜厚を設定することができる。これに関しては後述の各実施例においても同様である。
【０１６４】
このような構成としたことにより、保持容量に対する給電抵抗が大幅に低減され、画素の開口率と保持容量を両立した液晶表示装置を得ることができる。画素領域に給電線を設ける必要がないため、その場合には画素の開口率が向上する。また、画素電極と基準電極層の間に形成されるパッシベーション層、ゲート絶縁層、誘電率の小さい有機絶縁層で蓄積容量が形成される。液晶層からみた基準電極層までの距離を無機の絶縁層のみの場合に比べて大幅に離間させることが可能となり、液晶の駆動用電界への基準電極層の電界の影響が軽減される。
【０１６５】
また、本実施例では、基準電極層ＳＴはゲート線ＧＬの延在方向と平行、かつ画素電極の形成領域に重畳してゲート線ＧＬの延在方向に有するように構成しても良い。これにより、ゲート線ＧＬと基準電極層の間の容量が低減され、寄生容量の増大を抑制することができ、また電位の安定化を図ることができる。
【０１６６】
図４は本発明の第２実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図５は図４のＩ−Ｉ線に沿った断面図、図６は図４のII−II線に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。
【０１６７】
本実施例では、基準電極層ＳＴが第１の基板ＳＵＢ１のゲート線層ＧＬとドレイン線ＤＬおよび画素電極層ＰＸの形成領域を含む領域に有する。保持容量は画素電極層ＰＸと基準電極層ＳＴの間に形成される。なお、本実施例では、基準電極層ＳＴがゲート線層ＧＬの下層に形成するため、両電極層の寄生容量を考慮して有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳの厚みは、例えば１μｍ以上とすることが望ましい。
【０１６８】
この構成により、第１実施例と同様の効果に加え、基準電極層ＳＴが、所謂べた電極であることで給電抵抗がさらに低減され、かつ給電方向の制限が無くなる。
【０１６９】
図７は本発明の第３実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図８は図７のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。画素形成層は、有機絶縁層０−ＰＡＳの上層にゲート線層ＧＬ、ゲート絶縁層ＧＩ、ドレイン線層ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ、パッシベーション層ＰＡＳ、画素電極ＰＸをこの順で有する。画素領域における画素電極ＰＸの全部または一部がパッシベーション層ＰＡＳを貫通してゲート絶縁層ＧＩに接している。
【０１７０】
本実施例の構成により、前記各実施例の効果に加え、基準電極層ＳＴと画素電極ＰＸとの間に形成される蓄積容量を画素電極ＰＸがパッシベーション層ＰＡＳを貫通する面積で調整できる。
【０１７１】
図９は本発明の第４実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の図８のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。
【０１７２】
画素形成層は、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳの上層にゲート線層ＧＬ、ゲート絶縁層ＧＩ、ドレイン線層ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ、パッシベーション層ＰＡＳ、画素電極ＰＸをこの順で有し、画素領域における画素電極ＰＸの全部または一部がパッシベーション層ＰＡＳとゲート絶縁層ＧＬとを貫通して有機絶縁層に接している。
【０１７３】
本実施例の構成により、基準電極層ＳＴと画素電極ＰＸとの間に形成される蓄積容量を画素電極ＰＸがパッシベーション層ＰＡＳとゲート絶縁層ＧＩとを貫通する面積で調整できる。
【０１７４】
図１０は本発明の第５実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。本実施例は上記第４実施例の変形例であり、画素電極ＰＸの領域内の一部でゲート絶縁層ＧＩを除去したものである。本実施例の効果は第４実施例と同様であり、加えてゲート絶縁層ＧＩの欠如により透過率が向上する。
【０１７５】
図１１は本発明の第６実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。本実施例では、薄膜トランジスタＴＦＴはゲート絶縁層ＧＩの上にパッシベーション層ＰＡＳに形成したスルーホールＴＨを介して画素電極ＰＸと接続するソース電極ＳＤ１を有し、このソース電極ＳＤ１の一部を画素電極ＰＸの領域内に拡大した。ソース電極ＳＤ１の拡大は、ゲート線ＧＬまたはドレイン線ＤＬに沿った延長部ＳＤ１Ｅとして形成するのが好適である。
【０１７６】
本実施例の構成により、前記各実施例の効果に加えてソース電極ＳＤ１の延長部ＳＤ１Ｅの長さ、または幅を変え、すなわちソース電極ＳＤ１が画素電極ＰＸと重畳する面積を変えることで蓄積容量を調整できる。
【０１７７】
図１２は本発明の第７実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図１３は図１２のＩ−Ｉ線に沿った断面図、図１４は図１２のII−II線に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。
【０１７８】
本実施例の液晶表示装置は、第１の基板ＳＵＢ１の画素領域を含んでゲート線層ＧＬ、ドレイン線層ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ、画素電極ＰＸを形成する電極形成層と第１の基板ＳＵＢ１側との間に当該電極形成層に対して第１の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ１で絶縁した基準電極層ＳＴを有する。画素形成層は、第１の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ１の上層にゲート線層ＧＬ、ゲート絶縁層ＧＩ、ドレイン線層ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ、パッシベーション層ＰＡＳ、第２の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ２、画素電極ＰＸをこの順で有する。そして、画素電極ＰＸと基準電極層ＳＴで画素の保持容量を形成する。
【０１７９】
本実施例の構成により、画素の開口率が向上し、導電層の面積が大きいために給電抵抗が低減できる。また、スイッチング素子の上層にも有機絶縁層を設けた場合には、画素電極とドレイン線の重畳が可能となり、さらに開口率が向上する。画素電極とドレイン線を重畳した場合に、ドレイン線の延在方向近傍と画素電極の間の遮光層を省略できるため、またさらに開口率が向上する。
【０１８０】
また、前記基準電極層ＳＴがゲート線層ＧＬと平行、かつ画素電極層ＰＸの形成領域に重畳してゲート線層ＧＬの延在方向に形成されている。これにより、ゲート線層と導電層の間の寄生容量が低減され、また電位の安定化を図ることができる。
【０１８１】
さらに、前記基準電極層が前記第１の基板ＳＵＢ１のゲート線層ＧＬとドレイン線層ＤＬおよび画素電極層ＰＸの形成領域を含む領域に有する。この構成により、基準電極層ＳＴが、所謂べた電極であることで給電抵抗がさらに低減され、かつ給電方向の制限が無くなる。
【０１８２】
図１５は本発明の第８実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図１６は図１５のＩ−Ｉ線に沿った断面図、図１７は図１５のII−II線に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。
【０１８３】
本実施例は、前記第１の有機絶縁層をカラーフィルタＣＦとすることで、画素電極層ＰＸと基準電極層ＳＴの間に形成される誘電率の小さい有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ、パッシベーション層ＰＡＳ、ゲート絶縁層ＤＩ、カラーフィルタ層ＣＦで保持容量が形成されるため、基準電極層とゲート線およびドレイン線との寄生容量の増大を抑制できる。また、第１の基板ＳＵＢ１にカラーフィルタ層ＣＦを形成するため、第２の基板ＳＵＢ２との位置合わせ裕度が大きくなり、画素の開口率が向上し、導電層の面積が大きいために給電抵抗が低減できる。
【０１８４】
図１８は本発明の第９実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の図１５のＩ−Ｉ線に沿った断面図、図１９は同じく図１８のII−II線に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。
【０１８５】
図１７に示した実施例では、カラーフィルタＣＦの境界を遮光するブラックマトリクスＢＭを第２の基板ＳＵＢ２側に形成した。本実施例では、このブラックマトリクスＢＭを第１の基板ＳＵＢ１側に設けたものである。
【０１８６】
また、第８及び第９実施例において、前記基準電極層ＳＴはゲート線層ＧＬと平行、かつ画素電極層ＰＸの形成領域に重畳してゲート線層ＧＬの延在方向に形成されている。
【０１８７】
この構成により、ゲート線層ＧＬと基準電極層ＳＴの間の寄生容量が低減される。また電位の安定化を図ることができる。
【０１８８】
また、基準電極層ＳＴを第１の基板ＳＵＢ１のゲート線層ＧＬとドレイン線層ＤＬおよび画素電極層ＰＸの形成領域を含む領域に有する、所謂べた電極として給電抵抗をさらに低減し、かつ給電方向の制限を無くすことができる。
【０１８９】
さらに、カラーフィルタ層ＣＦとゲート絶縁層ＧＩの間に、カラーフィルタ層ＣＦを平坦化するオーバーコート層を形成してもよい。このとき、カラーフィルタ層ＣＦとゲート絶縁層ＧＩの間に基準電極層ＳＴを形成してもよい。
【０１９０】
図２０は本発明の第１０実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図２１は図２０のIII −III に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。
【０１９１】
本実施例は、第１の基板ＳＵＢ１の画素領域を含んでゲート線層ＧＬ、ドレイン線層ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ、画素電極層ＰＸを形成する電極形成層と第１の基板側ＳＵＢ１との間に当該電極形成層に対して第１の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ１で絶縁した第１の基準電極層ＳＴを形成してある。そして、第１の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳＡ１の上層にゲート線層ＧＬ、ゲート絶縁層ＧＩ、ドレイン線層ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ、パッシベーション層ＰＡＳ、第２の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ２、画素電極層ＰＸをこの順で形成し、第２の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ２とパッシベーション層ＰＡＳの間に画素電極ＰＸと接続した容量電極層ＴＥＤを有してある。
【０１９２】
図２２は本発明の第１１実施例の画素構成を模式的に説明する図２０のIII −III に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。本実施例は、図２１に示した容量電極層ＴＥＤをゲート絶縁層ＧＩ上で第２の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ２の下層に形成した。
【０１９３】
図２３は本発明の第１２実施例の画素構成を模式的に説明する図２０のIII −III に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。本実施例は、図２１あるいは図２２に示した容量電極層ＴＥＤを第１の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳの上層でゲート絶縁層ＧＩの下層に形成した。
【０１９４】
上記第１０、第１１、第１２の実施例の構成により、画素の開口率が向上し、導電層の面積が大きいために給電抵抗が低減できる。また容量電極層ＴＥＤの面積、形状で蓄積容量を調整できる。さらに、薄膜トランジスタの上層にも有機絶縁層を設けた場合には、画素電極とドレイン線の重畳が可能となり、さらに開口率が向上する。画素電極とドレイン線を重畳した場合に、ドレイン線の延在方向近傍と画素電極の間の遮光層を省略できるため、またさらに開口率が向上する。
【０１９５】
なお、第１の基準電極層ＳＴはゲート線層ＧＬと平行、かつ画素電極層ＰＸの形成領域に重畳してゲート線層ＧＬの延在方向に形成することができる。これにより、ゲート線層ＧＬと第１の基準電極層ＳＴの間の寄生容量が低減され、蓄積容量の増大を抑制することができ、また電位の安定化を図ることができる。
【０１９６】
また、第１の基準電極層ＳＴを第１の基板ＳＵＢ１のゲート線層ＧＬとドレイン線層ＤＬおよび画素電極層ＰＸの形成領域を含む領域に形成してもよい。この構成により、第１の基準電極層ＳＴが、所謂べた電極であることで給電抵抗がさらに低減され、かつ給電方向の制限が無くなる。
【０１９７】
図２４は本発明の第１３実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図２５は図２４のIII −III に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。本実施例では、例えば図２０〜図２３で説明した容量電極層ＴＥＤを画素領域におけるパッシベーション層ＰＡＳと第２の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳの間に形成し、スルーホールＴＨ２を介して画素電極層ＰＸに接続した。
【０１９８】
すなわち、薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート絶縁層ＧＩの上にパッシベーション層ＰＡＳに形成したスルーホールＴＨ１を介して画素電極ＰＸと接続するソース電極を有し、容量電極層ＴＥＤはソース電極ＳＤ１に接続して画素電極ＰＸの形成領域に有する。
【０１９９】
この構成により、前記容量電極層の大きさを変えることで保持容量を調整できる。なお、第１の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳをカラーフィルタとすることもできる。
【０２００】
この構成により、画素の開口率が向上し、導電層の面積が大きいために給電抵抗が低減できると共に、画素電極と基準電極層の間に形成される誘電率の小さい有機絶縁層、パッシベーション層、ゲート絶縁層、カラーフィルタ層で保持容量を形成した場合は、寄生容量の増大を抑制できる。また、第１の基板にカラーフィルタ層を形成するため、第２の基板との位置合わせ裕度が大きくなる。
【０２０１】
図２６は本発明の第１４実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の図２４のIII −III に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。本実施例では、容量電極層ＴＥＤをゲート絶縁層ＧＩ上に有する。画素電極を第２の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ２とパッシベーション層ＰＡＳに形成したスルーホールを介して容量電極層ＴＥＤに接続した。
【０２０２】
図２７は本発明の第１５実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の図２４のIII −III に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。本実施例では、容量電極層ＴＥＤを第１の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ上に有し、画素電極ＰＸを第２の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ２とパッシベーション層ＰＡＳおよびゲート絶縁層ＧＩを貫通して形成したスルーホールＴＨ２を介して容量電極層ＴＥＤに接続した。
【０２０３】
上記第１３〜第１５の実施例の構成により、導電層と画素電極との間に形成される保持容量を容量電極ＴＥＤの面積で調整できる。
【０２０４】
また、第１３〜第１５の実施例における第１の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ１をカラーフィルタとしてもよい。
【０２０５】
この構成により、画素の開口率が向上し、導電層の面積が大きいために給電抵抗が低減できる。また、第１の基板にカラーフィルタ層を形成した場合は、第２の基板ＳＵＢ２との位置合わせ裕度が大きくなる。
【０２０６】
図２８は本発明の第１６実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図２９は図２８のIII −III に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。本実施例では、第１の基板の前記画素領域を含んで前記ゲート線、ドレイン線、スイッチング素子、画素電極を形成する電極形成層と前記第１の基板側との間に当該電極形成層に対して有機絶縁層で絶縁した第１の基準電極層を有する。
【０２０７】
上記電極形成層は、前記有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳの上層にゲート線層ＧＬ、ゲート絶縁層ＧＩ、ドレイン線層ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ、パッシベーション層ＰＡＳ、画素電極層ＰＸをこの順で有し、かつ有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳとパッシベーション層ＰＡＳの間に画素電極層ＰＸと接続した容量電極層ＴＥＤを形成してある。そして、画素電極層ＰＸと第１の基準電極層ＳＴおよび容量電極層ＴＥＤで画素の保持容量を形成している。
【０２０８】
図２９に示したように、容量電極層ＴＥＤをゲート絶縁層ＧＩ上に有し、ソース電極ＳＤ１を容量電極層ＴＥＤに接続した。スイッチング素子ＴＦＴは、ゲート絶縁層ＧＩの上にパッシベーション層ＰＡＳに形成したスルーホールＴＨを介して画素電極ＰＸと接続するソース電極ＳＤ１を有し、容量電極層ＴＥＤはソース電極ＳＤ１に接続して画素領域に形成されている。
【０２０９】
この構成により、前記容量電極層の大きさを変えることで蓄積容量を調整できる。また、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳをカラーフィルタ層とすることもできる。
【０２１０】
本実施例の構成により、画素の開口率が向上し、導電層の面積が大きいために給電抵抗が低減できる。容量電極層ＴＥＤの大きさを変えることで保持容量を調整できる。また、第１の基板にカラーフィルタ層を形成した場合は、第２の基板ＳＵＢ２との位置合わせ裕度が大きくなる。
【０２１１】
図３０は本発明の第１７実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の図２８のIII −III に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。本実施例では、容量電極層ＴＥＤを有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ上に有し、ソース電極ＳＤ１をゲート絶縁層ＧＩを貫通したスルーホールＴＨを介して容量電極層ＴＥＤに接続した。
【０２１２】
この構成により、容量電極層ＴＥＤと画素電極ＰＸとの間に形成される保持容量を画素電極ＰＸがパッシベーション層ＰＡＳとゲート絶縁層ＧＩとを貫通する面積で調整できる。また、有機絶縁層をカラーフィルタ層とすることもできる。
【０２１３】
本実施例の構成により、開口率が向上し、第１の基準電極層の面積が大きいために給電抵抗を低減できる。また、有機絶縁層をカラーフィルタ層とした場合は、第２の基板との位置合わせ裕度が大きくなる。
【０２１４】
図３１は本発明の第１８実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図３２は図３１のIII −III に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。本実施例では、容量電極層ＴＥＤをゲート絶縁層ＧＩ上に有し、画素電極層ＰＸをパッシベーション層ＰＡＳを貫通したスルーホールＴＨ２を介して容量電極層ＴＥＤに接続した。また、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳをカラーフィルタ層とすることもできる。
【０２１５】
本実施例の構成により、第１の基準電極層ＳＴと画素電極層ＰＸとの間に形成される保持容量を容量電極層ＴＥＤの面積で調整できる。また、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳをカラーフィルタ層とすることもできる。
【０２１６】
図３３は本発明の第１９実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の図３１のIII −III に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。本実施例では、容量電極層ＴＥＤを有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ上に有し、画素電極層ＰＸをパッシベーション層ＰＡＳとゲート絶縁層ＧＩを貫通したスルーホールＴＨ２を介して容量電極層ＴＥＤに接続した。
【０２１７】
本実施例の構成により、第１の基準電極層ＳＴと画素電極層ＰＸとの間に形成される保持容量を容量電極層ＴＥＤの面積で調整できる。また、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳをカラーフィルタ層とすることもできる。
【０２１８】
図３４は本発明の第２０実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図３５は図３４のIII −III に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。本実施例では、容量電極層ＴＥＤを第１の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ上に形成し、（３４）、（２３）において、前記容量電極層を第１の有機絶縁層上に有し、第１の基準電極層Ｏ−ＰＡＳ２を貫通したスルーホールＴＨ２を介して第１の基準電極層ＳＴに接続した。
【０２１９】
この構成により、蓄積容量を第１の基準電極層に接続した容量電極層の面積で調整できる。また、第１の基板にカラーフィルタ層を形成した場合は第２の基板ＳＵＢ２との位置合わせ裕度が大きくなる。
【０２２０】
図３６は本発明の第２１実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の図３４のIII −III に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。本実施例では、容量電極層ＴＥＤをゲート絶縁層ＧＩ上に有し、ゲート絶縁層ＧＩを貫通したスルーホールＴＨ２を介して第１の基準電極層ＳＴに接続した。
【０２２１】
本実施例の構成により、蓄積容量を第１の基準電極層に接続した容量電極層の面積で調整できる。また第１の基板にカラーフィルタ層を形成した場合は第２の基板ＳＵＢ２との位置合わせ裕度が大きくなる。
【０２２２】
図３７は本発明の第２２実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の図３４のIII −III に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。本実施例では、容量電極層ＴＥＤをパッシベーション層ＰＡＳ上に有し、このパッシベーション層ＰＡＳとゲート絶縁層ＧＩおよび第１の有機絶縁層ＳＴを貫通したスルーホールＴＨを介して容量電極層ＴＥＤに接続した。
【０２２３】
この構成により、導電層と画素電極との間に形成される蓄積容量を第１の基準電極層に接続した容量電極層の面積で調整できる。また、第１の基板にカラーフィルタ層を形成した場合は第２の基板ＳＵＢ２との位置合わせ裕度が大きくなる。
【０２２４】
本実施例の構成により、開口率が向上し、導電層の面積が大きいために給電抵抗が低減できる。また、第１の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳをカラーフィルタとした場合は、第２の基板ＳＵＢ２との位置合わせ裕度が大きくなる。
【０２２５】
図３８は本発明の第２３実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図３９は図３８のIII −III に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。本実施例では、容量電極層ＴＥＤをゲート絶縁層ＧＩ上に有し、ゲート絶縁層ＧＩと有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳを貫通するスルーホールＴＨ２を介して第１の基準電極層ＳＴに接続した。
【０２２６】
本実施例の構成により、第１の基準電極層ＳＴと画素電極層ＰＸとの間に形成される保持容量を第１の基準電極層ＳＴに接続した容量電極層ＴＥＤの面積で調整できる。また、第１の基板にカラーフィルタ層を形成した場合は第２の基板ＳＵＢ２との位置合わせ裕度が大きくなる。
【０２２７】
図４０は本発明の第２４実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の図３８のIII −III に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。本実施例では、容量電極層ＴＥＤを有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ上に有し、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳを貫通するスルーホールＴＨ２を介して第１の基準電極層ＳＴに接続した。
【０２２８】
本実施例の構成により、第１の基準電極層ＳＴと画素電極層ＰＸとの間に形成される保持容量を第１の基準電極層ＳＴに接続した容量電極層ＴＥＤの面積で調整できる。また、第１の基板にカラーフィルタ層を形成した場合は第２の基板ＳＵＢ２との位置合わせ裕度が大きくなる。
【０２２９】
図４１は本発明の第２５実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の図３８のIII −III に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。本実施例では、容量電極層ＴＥＤをゲート絶縁層ＧＩ上に有すると共に、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ上に第２の容量電極層ＴＥＤＤを有する。画素電極ＰＸをパッシベーション層ＰＡＳに形成したスルーホールＴＨ２を介して容量電極層ＴＥＤに接続すると共に、第２の容量電極層ＴＥＤＤを有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳに形成したスルーホールＴＨ３を介して第１の基準電極層ＳＴに接続した。
【０２３０】
この構成により、保持容量は容量電極層ＴＥＤと第２の容量電極層ＴＥＤＤとの面積で調整できる。また、第１の基板にカラーフィルタ層を形成した場合は第２の基板ＳＵＢ２との位置合わせ裕度が大きくなる。
【０２３１】
図４２は本発明の第２６実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図４３は図３８のIII −III に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。本実施例は第１の基板ＳＵＢ１に前記した各実施例中の容量電極層ＴＥＤを有する場合で、かつ有機絶縁層をカラーフィルタ層ＣＦとした場合である。
【０２３２】
第１の基板ＳＵＢ１上にカラーフィルタ層を設けた場合、スルーホールＴＨ２の部分はカラーフィルタＣＦが存在しないため、この部分から光漏れが生じる。この光漏れを防止するため、容量電極ＴＥＤを第１の基準電極層ＳＴに接続するスルーホールＴＨ２に金属遮光膜ＭＬを設け、この金属遮光膜ＭＬを介して容量電極層ＴＥＤを接続する。
【０２３３】
図４４は本発明の第２７実施例の画素構成を模式的に説明する縦電界型の液晶表示装置の一画素近傍の図４２のIII −III に沿った断面図である。本実施例では、上記第２６実施例における金属遮光膜ＭＬを容量電極層ＴＥＤの上層に設けた。
【０２３４】
図４５は本発明の第２６実施例または第２７実施例におけるスルーホールと金属遮光膜の平面図である。金属遮光膜ＭＬの各辺はスルーホールＴＨ２の開口部より大きく、少なくとも１μｍ以上の大きさに形成する。なお、カラーフィルタ層ＣＦ上にオーバーコート層を設けた場合も同様である。
【０２３５】
図４６は本発明の第２８実施例を説明する要部断面図であり、スルーホールと金属遮光膜の断面構造を示す図である。本実施例は、有機絶縁層をカラーフィルタとして、容量電極層ＴＥＤをソース電極ＳＤ１と同層のゲート絶縁層上に形成し、ソース電極ＳＤ１を遮光金属膜で形成したものである。スルーホール部での光漏れをスルーホール部に形成した遮光金属膜を用いて対策するものであり、この構成の一例を図４２のＴＨ２部を例に説明する。むろん、スルーホール部の遮光に用いる場合は他のスルーホールに用いてもよい。
【０２３６】
図４６の（ａ）はスルーホールＴＨ２に遮光金属膜ＭＬをソース電極ＳＤ１により貫通させて第１の基準電極層ＳＴに接続し、このソース電極ＳＤ１の上に容量電極ＴＥＤを形成した。図４６の（ｂ）はスルーホールＴＨ２に容量電極層ＴＥＤを形成した後、当該スルーホールＴＨ２に遮光金属膜ＭＬをソース電極ＳＤ１により形成した。図４６の（ｃ）はスルーホールＴＨ２に遮光金属膜ＭＬを形成した後、ＳＤ層を介して基準電極層ＴＥＤと接続した。
【０２３７】
また、図４６の（ｄ）は遮光金属膜ＭＬをスルーホールＴＨに構成し、基準電極ＳＴと接続した後、遮光金属膜ＭＬと基準電極層ＴＥＤを接続した。
【０２３８】
上記の各実施例において、基準電極層（あるいは第１の基準電極層）ＳＴをゲート線ＧＬと平行、かつ画素電極ＰＸの形成領域に重畳してゲート線ＧＬの延在方向に形成することで、ゲート線層ＧＬと基準電極層（あるいは第１の基準電極層）の間の寄生容量の増大を抑制することができ、また電位の安定化を図ることができる。
【０２３９】
また、上記の各実施例において、基準電極層（または第１の基準電極層）ＳＴを第１の基板ＳＵＢ１のゲート線ＧＬとドレイン線ＤＬおよび画素電極ＰＸの形成領域を含む領域に形成することで、当該基準電極層が、所謂べた電極であることで給電抵抗がさらに低減され、かつ給電方向の制限が無くなる。
【０２４０】
さらに、上記の各実施例において、ドレイン線ＤＬの延在方向近傍と画素電極ＰＸの間を遮光する遮光層ＤＬを設けたものでは、ドレイン線ＤＬと画素電極ＰＸの間の光漏れを防止できる。
【０２４１】
図４７は本発明の第２９実施例の画素構成を模式的に説明するＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図４８は図４７のIII −III に沿った断面図である。図中の前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に相当する。本実施例は第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２の対向間隙に液晶を挟持し、第１の基板ＳＵＢ１の内面に、第１の方向に延在し互いに並設された複数のゲート線ＧＬおよびこのゲート線ＧＬと交差する第２の方向に延在し互いに並設された複数のドレイン線ＤＬと、ゲート線ＧＬとドレイン線ＤＬの交差部に設けられた複数の薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴで駆動される櫛型の画素電極ＰＸと、画素電極ＰＸとの間で画素駆動用の電界を生成する櫛型の対向電極ＣＴとを少なくとも有している。
【０２４２】
画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは同層に作ることもできる。
【０２４３】
そして、第１の基板ＳＵＢ１の画素領域を含んでゲート線ＧＬ、ドレイン線ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ、画素電極ＰＸを形成する電極形成層と第１の基板ＳＵＢ１側との間に当該電極形成層に対して有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳで絶縁した基準電極層ＳＴを有し、画素電極ＰＸと基準電極層ＳＴの間に画素の保持容量を形成している。
【０２４４】
そして、対向電極ＣＴを有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ上に有し、対向電極ＤＴが有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳに形成したスルーホールＴＨを介して基準電極層ＳＴに接続されている。
【０２４５】
本実施例の構成により、十分な保持容量を形成できるため、画質の安定、向上が実現する。また保持容量を形成するための画素電極ＰＸの面積を大きくする必要がないため開口率が向上する。また、基準電極層ＳＴの面積が大きいために給電抵抗を低減できる。
【０２４６】
図４９は本発明の第３０実施例の画素構成を模式的に説明するＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の図４７のIV−IVに沿った断面図である。対向電極ＣＴはゲート絶縁層ＧＩ上に有し、対向電極ＣＴがゲート絶縁層ＧＩと有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳに形成したスルーホールＴＨを介して基準電極層ＳＴに接続されている。
【０２４７】
本実施例の構成により、保持容量が画素電極ＰＸと誘電率の小さい有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳを介した基準電極層ＳＴとの間に形成。保持容量を形成するための画素電極ＰＸの面積を大きくする必要がないため開口率が向上する。また、基準電極層ＳＴの面積が大きいために給電抵抗を低減できる。
【０２４８】
図５０は本発明の第３１実施例の画素構成を模式的に説明するＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の図４７のIV−IVに沿った断面図である。本実施例では、対向電極ＣＴをパッシベーション層ＰＡＳ上に有し、この対向電極をパッシベーション層ＰＡＳとゲート絶縁層ＧＩおよび有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳに形成したスルーホールＴＨを介して基準電極層ＳＴに接続されている。
【０２４９】
本実施例の構成により、保持容量が画素電極ＰＸと誘電率の小さい有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳを介した基準電極層ＳＴとの間に形成される。保持容量を形成するための画素電極ＰＸの面積を大きくする必要がないため開口率が向上する。また、基準電極層ＳＴの面積が大きいために給電抵抗を低減できる。
【０２５０】
また、上記第２９〜第３０実施例において、基準電極層ＳＴはゲート線ＧＬと平行、かつ画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴの形成領域に重畳してゲート線ＧＬの延在方向に形成してもよい。
【０２５１】
この構成により、ゲート線層ＧＬと基準電極層ＳＴの間の寄生容量が低減され、保持容量の増大を抑制することができ、また電位の安定化を図ることができる。
【０２５２】
さらに、上記第２９〜第３０実施例において、基準電極層ＳＴを第１の基板ＳＵＢ１のゲート線層ＧＬとドレイン線層ＤＬ、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴの形成領域を含む領域に形成することもできる。
【０２５３】
この構成により、基準電極層ＳＴが、所謂べた電極であることで給電抵抗がさらに低減され、かつ給電方向の制限が無くなる。また、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳの層厚を厚くすることで、基準電極層の液晶駆動電界への影響を低減できる。有機絶縁層Ｐ−ＰＡＳに代えてカラーフィルタとすることもでき、またカラーフィルタにオーバーコートを形成した場合はカラーフィルタ層の下層に基準電極層を設けることが望ましい。
【０２５４】
図５１は本発明の第３２実施例の画素構成を模式的に説明するＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図５２は図５１のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。本実施例では、対向電極ＣＴを有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ上に有すると共に、ドレイン線ＤＬと交差して隣接画素領域に延在し、当該隣接画素領域の基準電極層に有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳに形成したスルーホールＴＨを介して接続されている。
【０２５５】
本実施例の構成により、仮にスルーホールＴＨの形成が不十分であっても隣接画素側から基準電極層ＳＴを通して給電がなされる。
【０２５６】
図５３は本発明の第３３実施例の画素構成を模式的に説明するＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の図５１のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。本実施例では、対向電極ＣＴはゲート絶縁層ＧＩ上に有し、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ上に一方のドレイン線ＤＬと交差して隣接画素領域に延在する容量電極層ＴＥＤを有する。対向電極層ＣＴはゲート絶縁層ＧＩと有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳに形成したスルーホールＴＨを介して第１の基準電極層ＳＴに接続している。
【０２５７】
この構成により、仮にスルーホールＴＨの形成が不十分であっても隣接画素側から第２に基準電極層ＴＥＤを通して給電がなされる。また、各対向電極と各基準電極とを接続するスルーホールを各画素毎に複数形成することで、当該電極層間の接続の信頼性を向上できる。
【０２５８】
図５４は本発明の第３４実施例の画素構成を模式的に説明するＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の図５１のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。本実施例では対向電極ＣＴはパッシベーション層ＰＡＳ上に有し、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ上に一方のドレイン線ＤＬと交差して隣接画素領域に延在する容量電極層ＴＥＤを有する。対向電極層ＣＴはパッシベーション層ＰＡＳ、ゲート絶縁層ＧＩ、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳに形成したスルーホールＴＨを介して第１の基準電極層ＳＴに接続している。
【０２５９】
この構成により、仮にスルーホールの形成が不十分であっても隣接画素側から容量電極層ＴＥＤを通して給電がなされる。
【０２６０】
図５５は本発明の第３５実施例の画素構成を模式的に説明するＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の図５１のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。本実施例では図５４に示した第３４実施例の第１の基準電極層ＳＴの下層で前記第１の基板ＳＵＢ１の上にカラーフィルタ層を有する。
【０２６１】
この構成により、前記実施例の効果に加え、カラーフィルタ層ＣＦが第１の基準電極ＳＴで液晶層と隔離されるため、カラーフィルタ層ＣＦの構成材料による液晶の汚染が阻止される。
【０２６２】
図５６は図４７〜図５５の実施例の変形例を説明するＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。すなわち、各画素の対向電極ＣＴと基準電極ＳＴとを接続するスルーホールＴＨを各画素毎に複数形成することで、当該電極層間の接続の信頼性を向上できる。
【０２６３】
図５７は本発明の第３６実施例の画素構成を模式的に説明するＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図５８は図５７のVI−VI線に沿った断面図である。本実施例では、対向電極ＣＴは有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ上にゲート線ＧＬの延在方向と平行で、隣接する画素領域にわたって形成され、各画素領域における基準電極ＳＴには有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳに形成したスルーホールＴＨを介して接続する。
【０２６４】
この構成により、保持容量は対向電極ＣＴと画素電極ＰＸの重畳部分で形成され、ゲート絶縁層ＧＩは保持容量の誘電体となる。保持容量を増大させる場合に好適である。
【０２６５】
図５９は本発明の第３７実施例の画素構成を模式的に説明するＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の図５７のVI−VI線に沿った断面図である。本実施例では、対向電極ＣＴは例えばゲート絶縁層上に有し、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ上にゲート線ＧＬの延在方向と平行で、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳの隣接する画素領域にわたって形成された容量電極層ＴＥＤを有している。対向電極ＣＴは各画素領域において基準電極層に有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳとゲート絶縁層ＧＩとを貫通して形成したスルーホールＴＨを介して接続され、容量電極層ＴＥＤと画素電極層ＰＸの重畳部分で保持容量が形成される。
【０２６６】
この構成により、ゲート絶縁層ＧＩが保持容量の誘電体となり、櫛歯状の画素電極となっている。
【０２６７】
図６０は本発明の第３８実施例の画素構成を模式的に説明する変形ＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図６１は図６０のVII −VII 線に沿った断面図、図６２は図６０のVIII−VIII線に沿った断面図である。本実施例では、画素電極ＰＸはゲート絶縁層ＧＩ上に、所謂ヘリングボーン形状に形成されている。ソース電極ＳＤ１はゲート絶縁層ＧＩ上に形成され、このソース電極ＳＤ１に画素電極が重畳している。対向電極ＣＴは有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ上に有し、スルーホールＴＨ２で基準電極層ＳＴに接続し、対向電極ＣＴと前記画素電極とで保持容量を形成する。
【０２６８】
本実施例の構成により、ゲート絶縁層ＧＩが保持容量の誘電体となり、ヘリングボーン形状の画素電極としたことによる保持容量の低下を増大させることができる。
【０２６９】
図６３は本発明の第３９実施例の画素構成を模式的に説明する変形ＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の図６３のVII −VII 線に沿った断面図である。本実施例では、ソース電極ＳＤ１をゲート絶縁層ＧＩ上に形成し、パッシベーション層ＰＡＳ上に形成した画素電極ＰＸとスルーホールＴＨ１で接続している。他の構成は図６１と同様である。
【０２７０】
本実施例により、ゲート絶縁層ＧＩが保持容量の誘電体となっている。
【０２７１】
図６４は本発明の第４０実施例の画素構成の要部を模式的に説明する変形ＩＰＳ型の液晶表示装置の薄膜トランジスタＴＦＴ部分の平面図である。本実施例では、ゲート絶縁層ＧＩ上に形成する薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１の面積を変えることで保持容量を調整できるようにした。
【０２７２】
本発明の他の実施例においても、本概念で保持容量を調整することが出来る。
【０２７３】
図６５は本発明の第４１実施例の画素構成の要部を模式的に説明する変形ＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図６６は図６５のIX−IX線に沿った断面図である。本実施例は、画素電極ＰＸはゲート絶縁層ＧＩ上に、所謂ヘリングボーン形状に形成されている。ソース電極ＳＤ１はゲート絶縁層ＧＩ上に形成され、このソース電極ＳＤ１に画素電極が重畳している。有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳの下層には基準電極が形成され、この基準電極を対向電極と兼用する基準／対向電極層ＳＴ／ＣＴとしている。この基準／対向電極層ＳＴ／ＣＴと画素電極ＰＸで保持容量を形成する。
【０２７４】
本実施例により、対向電極層ＣＴの形成を不要とし、保持容量に対する給電抵抗が大幅に低減され、画素の開口率の低下のない液晶表示装置を得ることができる。
【０２７５】
また、基準／対向電極層ＳＴ／ＣＴは例えばゲート線ＧＬと平行、かつ画素電極ＰＸの形成領域に重畳して前記ゲート線ＧＬの延在方向に有する。
【０２７６】
この構成により、画素毎に独立した基準／対向電極層を要せず、ゲート線層ＧＬと基準／対向電極層ＳＴ／ＣＴとの間の容量が低減され、寄生容量の増大を抑制することができ、また電位の安定化を図ることができる。
【０２７７】
また、基準／対向電極層ＳＴ／ＣＴは第１の基板ＳＵＢ１のゲート線ＧＬとドレイン線ＤＬおよび画素電極ＰＸの形成領域を含む全領域に有する。
【０２７８】
この構成により、基準／対向電極層ＳＴ／ＣＴが、所謂べた電極であることで給電抵抗がさらに低減され、かつ給電方向の制限が無くなる。
【０２７９】
図６７は本発明の第４２実施例の画素構成の要部を模式的に説明する変形ＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の図６５のIX−IX線に沿った断面図である。本実施例では、画素電極ＰＸはゲート絶縁層ＧＩ上に、所謂ヘリングボーン形状に形成されている。ソース電極ＳＤ１はゲート絶縁層ＧＩ上に形成され、このソース電極ＳＤ１に画素電極が重畳している。本実施例は、図６６の構成における画素電極ＰＸの下層の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳの全部または一部を除去したものに相当する。
【０２８０】
この構成により、画素電極ＰＸと基準／対向電極層ＳＴ／ＣＴとの間に生成される電界強度が増大し、駆動電圧を低減することができる。
【０２８１】
図６８は本発明の第４３実施例の画素構成の要部を模式的に説明する変形ＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図６９は図６８のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。本実施例は、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳの上に対向電極層ＣＴを有し、かつこの対向電極層ＣＴ上にゲート線ＧＬの延在方向と平行に当該対向電極を隣接する画素電極に接続する接続線ＧＬＬを有する。
【０２８２】
図７０は本発明の第４４実施例の画素構成の要部を模式的に説明する変形ＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の図６８のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。本実施例は、対向電極層ＣＴと有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳの間にゲート線ＧＬの延在方向と平行に当該対向電極層ＣＴを隣接する画素電極層ＰＸに接続する接続線ＧＬＬを有する。
【０２８３】
上記第４３実施例と第４４実施例の構成により、仮にスルーホールの形成が不十分であっても隣接画素側から導電層を通して給電がなされる。また、各対向電極層ＣＴと基準電極ＳＴとを接続するスルーホールＴＨを各画素毎に複数形成することで、当該電極層間の接続の信頼性を向上できる。
【０２８４】
図７１は本発明の第４５実施例の画素構成の要部を模式的に説明する変形ＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図７２は図７１のXI−XI線に沿った断面図である。本実施例では、基準電極層と対向電極を兼用する基準／対向電極層ＳＴ／ＣＴを有し、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳは画素領域内の一部で除去されている。
【０２８５】
図７３は本発明の第４６実施例の画素構成の要部を模式的に説明する変形ＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の図６８のXI−XI線に沿った断面図である。本実施例は、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ上に対向電極ＣＴを有し、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳの一部を画素領域内で除去した。
【０２８６】
上記第４５実施例および第４６実施例の構成により、画素領域内に駆動電圧の異なる複数の領域を形成でき、マルチドメイン効果を得ることができる。
【０２８７】
図７４は本発明の第４７実施例の画素構成の要部を模式的に説明する他の変形ＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の平面図、図７５は図７４のXII −XII 線に沿った断面図である。
【０２８８】
本実施例は、第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２の対向間隙に液晶を挟持し、前記第１の基板の内面に、第１の方向に延在し互いに並設された複数のゲート線および前記ゲート線と交差する第２の方向に延在し互いに並設された複数のドレイン線と、前記ゲート線とドレイン線の交差部に設けられた複数のスイッチング素子と、前記アクティブ素子で駆動される画素電極と前記画素電極との間で画素駆動用の電界を生成する対向電極とを少なくとも有し、前記複数の画素電極で画素領域が構成される液晶表示装置である。
【０２８９】
また電極形状は、画素電極ＰＸを平面状、対向電極ＣＴをヘリングボーン状として、図６０、６５、６８あるいは７１の逆となるよう構成しても良い。この場合、ゲート線ＧＬおよびドレイン線ＤＬからの漏洩電界を対向電極ＣＴでシールドできるようになるため、画質の一層の向上が実現する。
【０２９０】
第１の基板ＳＵＢ１の画素領域を含んでゲート線ＧＬ、ドレイン線ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ、画素電極ＰＸを形成する電極形成層と第１の基板ＳＵＢ１側との間に当該電極形成層に対して第１の絶縁層Ｏ−ＰＡＳ１で絶縁した基準電極層ＳＴを有する。
【０２９１】
電極形成層は、有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ１の上層にゲート線ＧＬ、ゲート絶縁層ＧＩ、パッシベーション層ＰＡＳ、第２の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ２、対向電極ＣＴをこの順で積層してある。対向電極層ＣＴは、画素領域のゲート線ＧＬの延在方向に隣接する画素領域およびドレイン線ＤＬの延在方向に隣接する画素領域にわたって共有されている。そして、対向電極層ＣＴは、第２の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ２、パッシベーション層ＰＡＳ、ゲート絶縁層ＧＩ、第１の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ１を貫通するスルーホールＴＨを介して接続され、画素電極ＰＸと基準電極層ＳＴの間に画素の保持容量を形成する。
【０２９２】
本実施例の構成により、ゲート線ＧＬおよびドレイン線ＤＬからの漏洩電界を対向電極ＣＴでシールドできるようになるため、画質の一層の向上が実現する。
【０２９３】
図７６は本発明の第４８実施例の画素構成の要部を模式的に説明する他の変形ＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の図７４のXII −XII 線に沿った断面図である。本実施例は、画素電極ＰＸの下層、かつ第１の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ１とゲート絶縁層ＧＩの間に基準電極層ＳＴとスルーホールＴＨを介して接続した容量電極層ＴＥＤを有する。
【０２９４】
この構成により、保持容量を容量電極層ＴＥＤの面積で増加させ、調整することができる。
【０２９５】
図７７は本発明の第４９実施例の画素構成の要部を模式的に説明する他の変形ＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の図７４のXII −XII 線に沿った断面図である。本実施例は、画素電極ＰＸ下の保持容量を形成する部分の第１の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ１を除去した。
【０２９６】
この構成により、誘電率が小さい有機絶縁層の欠如で画素電極と基準電極層の間に形成される保持容量を増大させることができる。
【０２９７】
図７８は本発明の第５０実施例の画素構成の要部を模式的に説明する他の変形ＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の図７４のXII −XII 線に沿った断面図である。本実施例は、画素電極ＰＸの上層にある対向電極ＣＴの下層にある第２の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ２の一部を除去した。
【０２９８】
この構成によっても、誘電率が小さい有機絶縁層の欠如で画素電極と基準電極層の間に形成される保持容量を増大させることができる。
【０２９９】
図７９は本発明の第５１実施例の画素構成の要部を模式的に説明する他の変形ＩＰＳ型の液晶表示装置の一画素近傍の図７４のXII −XII 線に沿った断面図である。本実施例は、画素電極ＰＸの下層にあるゲート絶縁層ＧＩと第１の有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳ１の間に容量電極ＴＥＤを設けた。この容量電極ＴＥＤは図示しない位置で対向電極ＣＴに接続される。また、容量電極ＴＥＤをゲート線ＧＬの延在方向に平行に形成して画素間で共有としてもよい。
【０３００】
この構成により、保持容量を容量電極ＴＥＤの面積で増加させ、あるいは調整できる。
【０３０１】
次に、本発明の液晶表示装置の他の構成部分の実施例を説明する。
【０３０２】
図８０は本発明の液晶表示装置の基板構成の説明図である。液晶表示装置ＰＮＬは第１の基板ＳＵＢ１と、この第１の基板ＳＵＢ１よりも小サイズの第２の基板ＳＵＢ２を液晶を介して貼り合わせて構成される。第１のＳＵＢ１の一辺とこの辺に隣接する他の辺には端子領域（ドレイン線側端子領域ＴＭＤ、ゲート線側端子領域ＴＭＧ）が形成され、重ね合わせられた第２の基板ＳＵＢ２の大部分に有効表示領域を有する。
【０３０３】
図８１は端子領域における第１の基板上に駆動回路を搭載したテープキャリアパッケージを実装した状態の説明図である。ドレイン線側端子領域ＴＭＤとゲート線側端子領域ＴＭＧのそれぞれに複数のテープキャリアパッケージＴＣＰ（ドレイン駆動回路チップＣＨ２を搭載したドレイン線駆動用テープキャリアパッケージ、ゲート駆動回路チップＣＨ１を搭載したゲート線駆動用テープキャリアパッケージ）が搭載される。
【０３０４】
図８２は端子領域における第１の基板上に駆動回路チップを直接実装した状態の説明図である。ドレイン線側端子領域ＴＭＤに複数のドレイン線駆動回路チップＣＨ２を、ゲート線側端子領域ＴＭＧに複数のゲート線駆動回路チップＣＨ１が搭載される。この実装方式をＦＣＡ方式（またはＣＰＧ方式）と称する。
【０３０５】
図８３は二枚の基板の間に液晶を注入して封止する液晶封入口の配置例の説明図である。この例では、駆動回路チップを搭載しない辺に２つの液晶封入口ＩＮＪを設けている。この液晶封入口ＩＮＪの数や設置位置は液晶表示装置ＰＮＬのサイズにより設定され、１つでもよく、また３以上とすることもできる。
【０３０６】
図８４は本発明の液晶表示装置の模式断面図である。第１の基板ＳＵＢ１の内面には基準電極層ＳＴとその上層に有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳを有している。他の層や電極は図示を省略してある。第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２の間には液晶ＬＣが封入され、有効表示領域の周囲をシール材ＳＬで封止してある。
【０３０７】
図８５はテープキャリアパッケージ方式で実装したゲート駆動回路の端子領域を模式的に説明する平面図である。図８５（ａ）〜（ｃ）ではテープキャリアパッケージＴＣＰに搭載された駆動回路チップＣＨ１の端子は第１の基板ＳＵＢ１側に引き出されたゲート線の端子部に接続される。基準電極ＳＴへの接続は有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳを除去して接続される。この有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳの除去部分をＸＰで示す。図８５（ａ）はこの除去部分ＸＰをシール材ＳＬの外側で、かつテープキャリアパッケージＴＣＰの下側に配置した状態を示す。
【０３０８】
図８５（ｂ）は有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳの除去部分ＸＰをシール材ＳＬの外側で、かつテープキャリアパッケージＴＣＰから外れた部分に配置した状態を示す。そして、図８５（ｃ）は有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳの除去部分ＸＰをシール材ＳＬの内側に配置した状態を示す。
【０３０９】
図８６はＦＣＡ方式で駆動回路チップを実装した端子領域を模式的に説明する平面図である。図８６（ａ）はシール材ＳＬの外側で有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳを除去し、この除去部分ＸＰで駆動回路チップの基準電極層への給電端子を接続した。図８６（ｂ）はシール材ＳＬの中で有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳを除去し、この除去部分ＸＰで駆動回路チップの基準電極層への給電端子を接続した。基準電極層への給電線の幅は、給電抵抗を低減するために他の信号線の幅より太いことが望ましい。
【０３１０】
図８７は液晶表示装置の制御回路にある基準電位生成回路からフレキシブルプリント基板等で給電する方式とした場合の端子領域を模式的に説明する平面図である。フレキシブルプリント基板ＦＰＣに基準電極給電配線ＳＴＬを設け、液晶表示装置の制御回路にある基準電位生成回路からフレキシブルプリント基板ＦＰＣを経由して第１の基板ＳＵＢ１に引き出した基準電極の端子に給電する。図８７（ａ）はテープキャリアパッケージ実装方式、同（ｂ）はＦＣＡ方式にこの給電方式を適用した場合を示す。このように、基準電極層ＳＴへの給電を駆動回路チップＣＨ１を経由せずにフレキシブルプリント基板ＦＰＣで行うことでさらに低抵抗の給電を行うことができる。ＧＤＬはゲート線への給電配線を示す。
【０３１１】
図８８は基準電極への給電端子の形成の第１例を説明する液晶表示装置の模式平面図である。縦電界方式とＩＰＳ（変形ＩＰＳ方式、他の変形ＩＰＳ方式も含む）の何れにおいても、その基準電極ＳＴの周辺をパターニングして引出し端子ＳＴＴを形成し、これに前記図８４〜図８７に示した構成で当該基準電極ＳＴに給電を行うようにした。
【０３１２】
図８９は基準電極への給電端子の形成の第２例を説明する液晶表示装置の模式平面図、図９０は図８９のＡ部分を拡大した要部断面図である。特に、第２の基板ＳＵＢ２側の共通電極を有する縦電界方式では、基準電極ＳＴのコーナー部にパターニングで接続部分ＳＴＣを形成し、この接続部分ＳＴＣで導電ペーストＡＧを介して共通電極ＳＴに基準電極ＳＴを接続する。基準電極ＳＴへの給電は共通電極で行われる。接続部分ＳＴＣは全コーナーでなくてもよく、コーナー部の一箇所、２箇所、３箇所であってもよい。
【０３１３】
図９１は基準電極への給電端子の形成の第３例を説明する液晶表示装置の模式断面図、図９２は図９１の給電端子部分を拡大した要部断面図である。基準電極ＳＴへの給電端子ＳＴＴは基準電極ＳＴとは別途に形成してもよい。また、シールＳＬ内でゲート線あるいはドレイン線等の他の配線と接続した配線で引き出してもよい。このとき、両者の接続抵抗に配慮する。給電端子ＳＴＴが非Ａｌ系金属（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ等の高融点金属、あるいはそれらの合金等の透明電極である基準電極ＳＴとの接触抵抗が低い場合に好適な構成である。なお、給電端子ＳＴＴを透明導電膜（ＩＴＯ、ＩＺＯ等）で形成してもよい。
【０３１４】
図９３は基準電極への給電端子の形成の第４例を説明する液晶表示装置の模式断面図である。給電端子ＳＴＴと基準電極ＳＴの接触抵抗が高い場合、補助接続線ＳＴＴ'を介して接続するのが好ましい。例えば、給電端子ＳＴＴがＡｌの場合、補助接続線ＳＴＴ'は非Ａｌとする。また、補助接続線ＳＴＴ'にも透明導電膜を用いる場合、およびＡｌ系の給電端子ＳＴＴと基準電極ＳＴを直接接続する場合でも、通常の信号線と異なり、多点給電が可能であるため図９３の構成が可能である。
【０３１５】
図９４は第１の基板に形成する有機絶縁層をカラーフィルタとした場合の有効表示領域外周の構成例を説明する液晶表示装置の模式断面図である。有機絶縁層をカラーフィルタＣＦとした場合には、有効表示領域外周に３原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のカラーフィルタ材料ＣＦ１、またはその少なくとも１つと他の少なくとも１つＣＦ２を積層する。これにより、有効表示領域外周に遮光層を形成できる。また、有効表示領域外周に２つのカラーフィルタ材料を積層する場合、ＣＦ１をＲとしＣＦ２をＧまたはＢとする。Ｒのカラーフィルタ材料はＲ光以外を吸収するため、Ｒを吸収するＧまたはＢのカラーフィルタ材料を組み合わせることでＲ，Ｇ，Ｂの各色光を吸収できる。
【０３１６】
図９５は第１の基板に形成する有機絶縁層をカラーフィルタとした場合の有効表示領域外周の他の構成例を説明する液晶表示装置の模式断面図である。シールＳＬとそのの外周部分に図９４で説明したようなＣＦ２を積層した場合で、カラーフィルタ層（ＣＦ１，ＣＦ２）と有効表示領域を含めや全カラーフィルタ層を保護するために、このカラーフィルタ層（ＣＦ、ＣＦ１，ＣＦ２）の上にオーバーコート層ＯＣを形成するのが望ましい。
【０３１７】
図９６はシールとその外周部分および有効表示領域の全てにカラーフィルタを形成した構成例を説明する液晶表示装置の模式断面図である。この場合も、シールとその外周部分および有効表示領域の全てのカラーフィルタ層ＣＦの上にオーバーコート層ＯＣを形成するのが望ましい。
【０３１８】
図９７は第１の基板に形成した各種の引出し端子や給電端子に駆動回路を実装する場合の位置合わせ方式の説明図であり、同図（ａ）はテープキャリアパッケージを用いた場合、同（ｂ）はＦＣＡ方式を採用した場合を示す。同図（ａ）および同（ｂ）において、カラーフィルタＣＦをシール外にも設けた場合、駆動回路チップＣＨ１を搭載したテープキャリアパッケージＴＣＰまたはＦＣＡの駆動回路チップＣＨ１と第１の基板に形成した各種の引出し端子や給電端子とのアライメントを取るアライメントマークＡＭ近傍では、カラーフィルタＣＦに除去部分ＸＰを形成するのが望ましい。これにより、アライメントマークＡＭの光学認識の際の誤差の発生を防ぎ、実装精度を確保できる。
【０３１９】
図９８は第１の基板に形成した基準電極層の電食を防止する構成とした液晶表示装置の模式断面図である。シールＳＬの外側にある基準電極層ＳＴの電食を防止するため、基準電極層ＳＴの端部まで有機絶縁層Ｏ−ＰＡＳを被覆する。
【０３２０】
図９９は第１の基板に形成する有機絶縁層をカラーフィルタとした場合のカラーフィルタの形成例を説明する模式平面図である。同図に示したように、カラーフィルタＣＦはシールＳＬの内側のみに形成することもできる。カラーフィルタＣＦは光の波長を選択する機能を果たすために多量の顔料あるいは染料を含む。このため、無色の有機絶縁層に比べて吸湿性が高くなる傾向を有する。
【０３２１】
高温高湿となり得るシールＳＬの外部の領域にカラーフィルタＣＦがあると、当該部分のカラーフィルタＣＦは吸湿で膨潤し、しわ状となり、その上層に形成する引出し線や給電線の断線を招く場合がある。これを防止するために、カラーフィルタＣＦをシールＳＬの内側にのみ形成する。
【０３２２】
図１００は第１の基板に形成する有機絶縁層をカラーフィルタとした場合の構成例を説明する模式平面図である。図９９で説明した構成において、基準電極層ＳＴをシールＳＬの外側まで形成したとき、走査信号線等との短絡を防止するためにカラーフィルタＣＦの非形成部にはオーバーコート層ＯＣを形成する。これにより、上記の短絡を防止できる。
【０３２３】
図１０１は第１の基板に形成する有機絶縁層をカラーフィルタとした場合の他の構成例を説明する模式平面図である。第１の基板ＳＵＢ１の有効表示領域内にのみカラーフィルタ層ＣＦを形成した場合、基準電極層ＳＴも当該有効表示領域内にのみ形成する。なお、基準電極層ＳＴは他の配線と交差させないでカラーフィルタＣＦからはみ出して形成してもよい。
【０３２４】
図１０２は第１の基板に形成する有機絶縁層をカラーフィルタとした場合のさらに他の構成例を説明する模式平面図である。図１０１において、基準電極層ＳＴは他の配線と交差させないでカラーフィルタＣＦからはみ出して形成した場合には、図１０２のようにカラーフィルタＣＦおよび基準電極ＳＴを被覆してオーバーコート層ＯＣを形成する。
【０３２５】
図１０３は本発明の液晶表示装置を透過型表示モジュールとして用いた一配置例を説明する模式断面図である。第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２の貼り合わせで形成した液晶表示装置の第１の基板ＳＵＢ１の背面にバックライトＢＬを設置する。この配置例は透過型表示モジュールの典型的な構成である。バックライトＢＬからの照明光Ｌ１は液晶表示装置を透過するときに当該液晶表示装置で変調され、第２の基板側ＳＵＢ２から出射する。
【０３２６】
図１０４は本発明の液晶表示装置を透過型表示モジュールとして用いた他の配置例を説明する模式断面図である。第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２の貼り合わせで形成した液晶表示装置の第２の基板ＳＵＢ２の表面にフロントライトＦＬを設置する。フロントライトＦＬからの照明光Ｌ１は液晶表示装置を透過するときに当該液晶表示装置で変調され、第１の基板側ＳＵＢ１から出射する。
【０３２７】
図１０５は本発明の液晶表示装置を反射型表示モジュールとして用いた第１の配置例を説明する模式断面図である。第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２の貼り合わせで形成した液晶表示装置の第１の基板ＳＵＢ１に有する基準電極ＳＴを反射性金属層で構成する。第２の基板ＳＵＢ２に入射した外光Ｌ２は基準電極ＳＴで反射し、第２の基板側から出射する光Ｌ２は液晶表示装置内を透過するときに当該液晶表示装置に形成された電子潜像で変調される。
【０３２８】
図１０６は本発明の液晶表示装置を反射型表示モジュールとして用いた第２の配置例を説明する模式断面図である。第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２の貼り合わせで形成した液晶表示装置の第２の基板ＳＵＢ２の表面にフロントライトＦＬを設置する。フロントライトＦＬから出射した光Ｌ２は第１の基板の内面に有する反射性金属層で構成した基準電極ＳＴで反射し、第２の基板側からフロントライトＦＬを通って出射する。この光Ｌ２は液晶表示装置内を透過するときに当該液晶表示装置で変調される。
【０３２９】
図１０７は本発明の液晶表示装置を反射型表示モジュールとして用いた第３の配置例を説明する模式断面図である。第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２の貼り合わせで形成した液晶表示装置の第２の基板ＳＵＢ２の表面に反射層ＲＴを設けている。第１の基板ＳＵＢ１から入射した外光Ｌ２は反射層ＲＴで反射し、第１の基板側から出射する。この光Ｌ２は液晶表示装置内を透過するときに当該液晶表示装置で変調される。
【０３３０】
図１０８は本発明の液晶表示装置を反射型表示モジュールとして用いた第４の配置例を説明する模式断面図である。第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２の貼り合わせで形成した液晶表示装置の第２の基板ＳＵＢ２の内面に設ける共通電極ＣＴを反射性金属層で構成する。第１の基板ＳＵＢ１から入射した外光Ｌ２は共通電極ＣＴで反射し、第１の基板側から出射する。この光Ｌ２は液晶表示装置内を透過するときに当該液晶表示装置で変調される。
【０３３１】
図１０９は本発明の液晶表示装置を反射型表示モジュールとして用いた第５の配置例を説明する模式断面図である。第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２の貼り合わせで形成した液晶表示装置の第１の基板ＳＵＢ１の背面にフロントライトＦＬを設置する。また、第２の基板ＳＵＢ２の内面に設ける共通電極ＣＴを反射性金属層で構成する。フロントライトＦＬから第１の基板ＳＵＢ１に入射した外光Ｌ２は共通電極ＣＴで反射し、第１の基板側からフロントライトＦＬを通して出射する。この光Ｌ２は液晶表示装置内を透過するときに当該液晶表示装置で変調される。
【０３３２】
図１１０は本発明の液晶表示装置を透過／反射型表示モジュールとして用いた一配置例を説明する模式断面図である。第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２の貼り合わせで形成した液晶表示装置の第１の基板ＳＵＢ１に有する基準電極ＳＴは反射性金属層で構成し、その各画素対応で部分的な開口（スリット孔、あるいはドット孔などでもよい）を有している。
【０３３３】
反射型モードとして動作する場合は、第２の基板ＳＵＢ２から入射した外光Ｌ２が基準電極ＳＴで反射し、第２の基板ＳＵＢ２から出射する。透過型モードとして動作する場合は、第１の基板ＳＵＢ１の背面に設置したバックライトＢＬからの光Ｌ１が基準電極ＳＴの開口を通って第２の基板ＳＵＢ２を通して出射する。この光Ｌ２あるいはＬ１は液晶表示装置内を透過するときに当該液晶表示装置で変調される。また、基準電極ＳＴを開口を持つ反射性金属層に代えて半透過性反射層とすることもできる。なお、反射型と透過型の両モードで動作することはもちろんである。
【０３３４】
図１１１は本発明の液晶表示装置を透過／反射型表示モジュールとして用いた他の配置例を説明する模式断面図である。第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２の貼り合わせで形成した液晶表示装置の第２の基板ＳＵＢ２に有する共通電極ＣＴは反射性金属層で構成し、部分的な開口（スリット孔、あるいはドット孔など）を有している。
【０３３５】
反射型として動作する場合は、第１の基板ＳＵＢ１から入射した外光Ｌ２が共通電極ＣＴで反射し、第１の基板ＳＵＢ１から出射する。透過型として動作する場合は、第２の基板ＳＵＢ２の表面に設置したフロントライトＦＬからの光Ｌ１が共通電極ＣＴの開口を通って第１の基板ＳＵＢ１を通して出射する。この光Ｌ２あるいはＬ１は液晶表示装置内を透過するときに当該液晶表示装置に形成された電子潜像で変調される。また、共通電極ＣＴを開口を持つ反射性金属層に代えて半透過性反射層とすることもできる。
【０３３６】
本発明は、以上の各実施例、構成例に限定されるものではなく、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子を形成した基板側に基準電極を設けた構成を基本として各種の液晶表示装置を構成できる。
【０３３７】
また上記各実施例の基板は、例えばＳＵＢ１としてガラス基板でも良い。
【０３３８】
またＳＵＢ１はプラスチックあるいは樹脂基板でも良い。
【０３３９】
本発明では、基板生成時あるいは基板納入前にあらかじめ基準電極層ＳＴが形成できるため、良品の基板のみを適用でき、歩留まりが向上する。また容量形成部に精度が要求されないため、スループット向上と低コスト化が実現する。またＴＦＴ層を形成する前に成膜するため、塗布法のような異物の発生しやすい製法も使用でき、さらに低コスト化が実現する。
【０３４０】
上述の各実施例では、ゲート線ＧＬ、ゲート絶縁膜ＧＩ、半導体層の順の構造にて説明しているが、半導体層、ゲート絶縁膜ＧＩ、ゲート線ＧＬの順に積層した構造でも良い。この場合、半導体層として結晶性を有する層、例えばポリシリコン、ＣＧＳ、ＳＬＳ、ＳＥＬＡＸ、あるいは単結晶などを用いた場合に好適となる。
【０３４１】
さらに、半導体層に結晶性を有する層を用いた場合、さらなる利点が実現する。本発明では、半導体層と基板の間に、ほぼ画素領域全てに渡るような広い面積の基準電極層ＳＴが形成されている。結晶性を有する半導体層を用いたスイッチング素子の形成工程ではイオンの注入が行われるが、このイオンは半導体層以外の領域にも広く注入される。本発明では、基準電極層ＳＴでこのイオンを遮蔽できるため、該イオンが基板ＳＵＢ１まで至ることを回避でき、基板にダメージが加わることを防止でき、信頼性の向上が実現する。
【０３４２】
さらに、結晶性を有する半導体層の形成工程では、アモルファスの半導体を形成後レーザーを局所的に照射、スキャンすることによりレーザーの熱で半導体を局所的に融解し、結晶化させることに結晶性を付与する方法がある。例えばＳＥＬＡＸ、ＳＬＳなどとして知られている。このような方法においては、半導体を融解させるレベルの熱が加わることになり、融解部周辺にも高熱の伝達が生じる。このとき、この高熱で基板ＳＵＢ１にゆがみや熱ストレスが蓄積することを見出した。さらに、このストレスは偏光状態の乱れになり、コントラスト比を低下させるという新たな問題を発見するに至った。
【０３４３】
本発明では、半導体層と基板ＳＵＢ１の間に基準電極層ＳＴがある。この基準電極層ＳＴは画素領域の大半に渡る広いものであり、複数画素にまたがり、また導電性を有する。このため、レーザーによる局所的高熱を即時に拡散でき、上記基板へのダメージ、ストレス、コントラストの低下が回避でき、高品質化、高信頼性化が実現する。
【０３４４】
この効果は結晶性の半導体層と基板の間に画素領域の大半に渡る導電層を有することにより実現できる効果であり、本発明はこの構成、すなわち結晶性の半導体層と基板の間に画素領域の大半に渡る導電層を有する画像表示装置も、発明として開示および主張するものである。
【０３４５】
また上記各実施例は説明のため液晶表示装置を用いている。しかし、上記各実施例の説明から明らかなように、基板ＳＵＢ１上の構成が本発明で開示の思想を適用すれば、有機ＥＬ、無機ＥＬ、あるいはその他の画像表示装置に適用できるものである。したがって、本明細書での請求項における「液晶表示装置」とは、画像表示装置を均等の範囲として開示し、主張するものである。また同様に、本明細書での請求項における「第１の基板と第２の基板の対向間隙に液晶を挟持し」とは、液晶表示装置の均等物としての画像表示装置の場合には、「対向配置される第１の基板と第２の基板と」の意味である。
【図面の簡単な説明】
【０３４６】
【図１】本発明の一実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図３】図１のII−II線に沿った断面図である。
【図４】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図５】図４のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図６】図４のII−II線に沿った断面図である。
【図７】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図８】図７のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図９】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図８のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図１０】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図１１】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図１２】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図１３】図１２のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図１４】図１２のII−II線に沿った断面図である。
【図１５】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図１６】図１５のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図１７】図１５のII−II線に沿った断面図である。
【図１８】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の図１５のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図１９】図１８のII−II線に沿った断面図である。
【図２０】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図２１】図２０のIII −III に沿った断面図である。
【図２２】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する図２０のIII −III に沿った断面図である。
【図２３】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する図２０のIII −III に沿った断面図である。
【図２４】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図２５】図２４のIII −III に沿った断面図である。
【図２６】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図２４のIII −III に沿った断面図である。
【図２７】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図２４のIII −III に沿った断面図である。
【図２８】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図２９】図２８のIII −III に沿った断面図である。
【図３０】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図２８のIII −III に沿った断面図である。
【図３１】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図３２】図３１のIII −III に沿った断面図である。
【図３３】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図３１のIII −III に沿った断面図である。
【図３４】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図３５】図３４のIII −III に沿った断面図である。
【図３６】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図３４のIII −III に沿った断面図である。
【図３７】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図３４のIII −III に沿った断面図である。
【図３８】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図３９】図３８のIII −III に沿った断面図である。
【図４０】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図３８のIII −III に沿った断面図である。
【図４１】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図３８のIII −III に沿った断面図である。
【図４２】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図４３】図３８のIII −III に沿った断面図である。
【図４４】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図４２のIII −III に沿った断面図である。
【図４５】本発明の他の実施例におけるスルーホールと金属遮光膜の平面図である。
【図４６】本発明の他の実施例を説明する要部断面図である。
【図４７】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図４８】図４７のIII −III に沿った断面図である。
【図４９】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図４７のIV−IVに沿った断面図である。
【図５０】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図４７のIV−IVに沿った断面図である。
【図５１】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図５２】図５１のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。
【図５３】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図５１のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。
【図５４】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図５１のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。
【図５５】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図５１のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。
【図５６】図４７〜図５５の実施例の変形例を説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図５７】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図５８】図５７のVI−VI線に沿った断面図である。
【図５９】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図５７のVI−VI線に沿った断面図である。
【図６０】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図６１】図６０のVII −VII 線に沿った断面図である。
【図６２】図６０のVIII−VIII線に沿った断面図である。
【図６３】本発明の他の実施例の画素構成を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図６３のVII −VII 線に沿った断面図である。
【図６４】本発明の他の実施例の画素構成の要部を模式的に説明する液晶表示装置の薄膜トランジスタＴＦＴ部分の平面図である。
【図６５】本発明の他の実施例の画素構成の要部を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図６６】図６５のIX−IX線に沿った断面図である。
【図６７】本発明の他の実施例の画素構成の要部を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図６５のIX−IX線に沿った断面図である。
【図６８】本発明の他の実施例の画素構成の要部を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図６９】図６８のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【図７０】本発明の他の実施例の画素構成の要部を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図６８のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【図７１】本発明の他の実施例の画素構成の要部を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図７２】図７１のXI−XI線に沿った断面図である。
【図７３】本発明の他の実施例の画素構成の要部を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図６８のXI−XI線に沿った断面図である。
【図７４】本発明の他の実施例の画素構成の要部を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の平面図である。
【図７５】図７４のXII −XII 線に沿った断面図である。
【図７６】本発明の他の実施例の画素構成の要部を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図７４のXII −XII 線に沿った断面図である。
【図７７】本発明の他の実施例の画素構成の要部を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図７４のXII −XII 線に沿った断面図である。
【図７８】本発明の他の実施例の画素構成の要部を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図７４のXII −XII 線に沿った断面図である。
【図７９】本発明の他の実施例の画素構成の要部を模式的に説明する液晶表示装置の一画素近傍の図７４のXII −XII 線に沿った断面図である。
【図８０】本発明の液晶表示装置の基板構成の説明図である。
【図８１】端子領域における第１の基板上に駆動回路を搭載したテープキャリアパッケージを実装した状態の説明図である。
【図８２】端子領域における第１の基板上に駆動回路チップを直接実装した状態の説明図である。
【図８３】二枚の基板の間に液晶を注入して封止する液晶封入口の配置例の説明図である。
【図８４】本発明の液晶表示装置の模式断面図である。
【図８５】テープキャリアパッケージ方式で実装したゲート駆動回路の端子領域を模式的に説明する平面図である。
【図８６】ＦＣＡ方式で駆動回路チップを実装した端子領域を模式的に説明する平面図である。
【図８７】液晶表示装置の制御回路にある基準電位生成回路からフレキシブルプリント基板等で給電する方式とした場合の端子領域を模式的に説明する平面図である。
【図８８】基準電極への給電端子の形成の第１例を説明する液晶表示装置の模式平面図である。
【図８９】基準電極への給電端子の形成の第２例を説明する液晶表示装置の模式平面図である。
【図９０】図８９のＡ部分を拡大した要部断面図である。
【図９１】基準電極への給電端子の形成の第３例を説明する液晶表示装置の模式断面図である。
【図９２】図９１の給電端子部分を拡大した要部断面図である。
【図９３】基準電極への給電端子の形成の第４例を説明する液晶表示装置の模式断面図である。
【図９４】第１の基板に形成する有機絶縁層をカラーフィルタとした場合の有効表示領域外周の構成例を説明する液晶表示装置の模式断面図である。
【図９５】第１の基板に形成する有機絶縁層をカラーフィルタとした場合の有効表示領域外周の他の構成例を説明する液晶表示装置の模式断面図である。
【図９６】シールとその外周部分および有効表示領域の全てにカラーフィルタを形成した構成例を説明する液晶表示装置の模式断面図である。
【図９７】第１の基板に形成した各種の引出し端子や給電端子に駆動回路を実装する場合の位置合わせ方式の説明図である。
【図９８】第１の基板に形成した基準電極層の電食を防止する構成とした液晶表示装置の模式断面図である。
【図９９】第１の基板に形成する有機絶縁層をカラーフィルタとした場合のカラーフィルタの形成例を説明する模式平面図である。
【図１００】第１の基板に形成する有機絶縁層をカラーフィルタとした場合の構成例を説明する模式平面図である。
【図１０１】第１の基板に形成する有機絶縁層をカラーフィルタとした場合の他の構成例を説明する模式平面図である。
【図１０２】第１の基板に形成する有機絶縁層をカラーフィルタとした場合のさらに他の構成例を説明する模式平面図である。
【図１０３】本発明の液晶表示装置を透過型表示モジュールとして用いた一配置例を説明する模式断面図である。
【図１０４】本発明の液晶表示装置を透過型表示モジュールとして用いた他の配置例を説明する模式断面図である。
【図１０５】本発明の液晶表示装置を反射型表示モジュールとして用いた一配置例を説明する模式断面図である。
【図１０６】本発明の液晶表示装置を反射型表示モジュールとして用いた他の配置例を説明する模式断面図である。
【図１０７】本発明の液晶表示装置を反射型表示モジュールとして用いた他の配置例を説明する模式断面図である。
【図１０８】本発明の液晶表示装置を反射型表示モジュールとして用いた他の配置例を説明する模式断面図である。
【図１０９】本発明の液晶表示装置を反射型表示モジュールとして用いた他の配置例を説明する模式断面図である。
【図１１０】本発明の液晶表示装置を透過／反射型表示モジュールとして用いた一配置例を説明する模式断面図である。
【図１１１】本発明の液晶表示装置を透過／反射型表示モジュールとして用いた他の配置例を説明する模式断面図である。
【符号の説明】
【０３４７】
ＳＵＢ１・・・第１の基板、ＳＵＢ２・・・第２の基板、ＣＦ・・・カラーフィルタ、ＢＭ・・・ブラックマトリクス、ＣＴ・・・・共通電極（または対向電極）、ＬＣ・・・液晶（または液晶層）、ＡＬ・・・配向膜、ＰＡＳ・・・パッシベーション層、Ｏ−ＰＡＳ（Ｏ−ＰＡＳ１、Ｏ−ＰＡＳ２）・・・有機絶縁層（第１の有機絶縁層、第２の有機絶縁層）、ＳＤ１・・・ソース電極、ＳＤ２・・・ドレイン電極、ＤＬ・・・ドレイン線（またはドレイン線層）、ＧＬ・・・ゲート線（またはゲート線層）、ＧＩ・・・ゲート絶縁層、ＳＭ・・・シールドメタル、ＳＴ・・・基準電極（または基準電極層）、ＰＸ・・・画素電極（または画素電極層）、ＴＨ（ＴＨ１、ＴＨ２）・・・スルーホール、ＡＳ・・・半導体層、Ｃｓｔｇ・・・保持容量または蓄積容量、ＮＧＩ・・・ゲート絶縁層除去領域、ＯＣ・・・オーバーコート層、ＴＥＤ・・・第２基準電極、ＭＬ・・・金属層、ＸＰ・・・有機絶縁層除去領域、ＣＴ／ＳＴ・・・対向／基準兼用電極層、ＢＬ・・・バックライト、ＦＬ・・・フロントライト。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６５】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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【図７５】
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【図７６】
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【図７７】
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【図７９】
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【図８０】
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【図８１】
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【図８２】
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【図８３】
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【図８５】
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【図８６】
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【図８７】
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【図８８】
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【図８９】
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【図９０】
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【図９１】
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【図９２】
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【図９３】
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【図９４】
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【図９５】
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【図９７】
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【図９８】
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【図９９】
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【図１００】
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【図１０１】
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【図１０２】
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【図１０３】
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【図１０５】
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【図１０６】
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【図１０７】
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【図１０８】
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【図１０９】
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【図１１０】
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【図１１１】
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