(57)【要約】【課題】蛍光体層と基板とを隔離するパリレン層を有することにより、蛍光体による基板の腐食を防止すると共に、パリレン層と蛍光体層との密着性が高く、耐久性に優れた放射線画像変換パネルを提供する。【解決手段】パリレン層と蛍光体層との間に、酸化硅素や酸化ジルコニウム等の所定の酸化物からなる酸化物層を有することにより、前記課題を解決する。【選択図】図１
2008185568.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属表面を有する基板と、ポリパラキシリレン層と、前記ポリパラキシリレン層の上に形成される下記式
ＭxＯy
（上記式において、Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、ＺｒおよびＡｌからなる群から選択される１つであり、また、ＭがＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＴｉおよびＺｒの場合には、ｘが１で、ｙが２であり、ＭがＡｌの場合には、ｘが２で、ｙが３である。）
で示される酸化物からなる酸化物層と、前記酸化物層の上に形成される気相堆積法による蛍光体層とを有することを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項２】
前記蛍光体層が、ハロゲン化アルカリを母体とする蛍光体からなるものである請求項１に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項３】
前記基板表面がアルミニウムあるいはアルミニウム合金である請求項１または２に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項４】
前記基板がアルミニウム製あるいはアルミニウム合金製である請求項３に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項５】
前記ポリパラキシリレン層の厚さが２〜２０μｍである請求項１〜４のいずれかに記載の放射線画像変換パネル。
【請求項６】
前記酸化物層の厚さが０．０５〜３μｍである請求項１〜５のいずれかに記載の放射線画像変換パネル。
【請求項７】
前記酸化物層は、成膜される基板表面にプラズマを照射しつつ、真空蒸着によって形成されたものである請求項１〜６のいずれかに記載の放射線画像変換パネル。
【請求項８】
前記ポリパラキシリレン層が表面改質されたものである請求項１〜７のいずれかに記載の放射線画像変換パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、いわゆるＩＰ(Imaging Plate)などの放射線画像変換パネルに関し、詳しくは、パネルの基板の腐食を防止でき、また、耐久性にも優れる放射線画像変換パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギーの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギーに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。
【０００３】
一例として、この輝尽性蛍光体の層（輝尽性蛍光体層  以下、蛍光体層とする）を有する放射線像変換パネル（以下、変換パネルとする（輝尽性（蓄積性）蛍光体パネル（シート）とも呼ばれている））を利用する、放射線像情報記録再生システムが知られており、例えば、富士写真フイルム社製のＦＣＲ（Fuji Computed Radiography)等として実用化されている。
このシステムでは、人体などの被写体を介してＸ線等を照射することにより、変換パネル（蛍光体層）に被写体の放射線像を記録する（放射線画像を撮影する）。記録後に、変換パネルを励起光で２次元的に走査して輝尽発光を生ぜしめ、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて再生した画像を、ＣＲＴなどの表示装置や、写真感光材料などの記録材料等に、被写体の放射線像として出力する。
【０００４】
変換パネルは、通常、輝尽性蛍光体の粉末をバインダ等を含む溶媒に分散してなる塗料を調製して、この塗料をガラスや樹脂製のパネル状の支持体に塗布し、乾燥することによって、作成される。
これに対し、特許文献１に示されるように、真空蒸着やスパッタリング等の気相堆積法（真空成膜法）によって、基板に蛍光体層を形成してなる蛍光体パネルも知られている。気相堆積法による蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、輝尽性蛍光体以外のバインダなどの成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという、優れた特性を有している。
【０００５】
ところで、蛍光体層を気相堆積法で形成、特にＣｓＢｒやＣｓＩ等をＥｕ等で賦活した蛍光体のようなアルカリハライド系の蛍光体を気相堆積法で形成すると、蛍光体層は柱状結晶構造となる。この蛍光体層は、輝尽発光光などの光が変換パネルの面方向に拡散することなく、しかも、深部（基板側）からの光も効率良く取り出すことが可能であり、高感度で高鮮鋭性（鮮鋭度の高い放射線画像が得られる）の変換パネルが得られる。
また、この特徴は、表面が光反射性を有する基板を用いることにより、より効果的に得ることができる。すなわち、基板表面を光反射性とすることにより、基板側に向かう光も効率良く取り出すことができ、その結果、より高感度で高鮮鋭性の変換パネルを得ることができる。
【０００６】
光反射性を満たし、しかも軽量で有ることから、基板としては、表面を鏡面状に研磨されたアルミニウム板（アルミニウム合金板）が用いられる場合が多い。
ところが、周知のように、アルミニウムは、ハロゲン化物、特に吸湿したハロゲン化物によって著しい浸食を受ける。そのため、アルミニウムを基板として、アルカリハライド等のハロゲン化物からなる蛍光体層を形成する場合には、基板と蛍光体層と間に、両者を隔離して、蛍光体による基板の腐食を防止するための隔離層を設ける必要がある。
この隔離層として、前述の特許文献１には、ポリパラキシリレン層を用いることが開示されている。
【０００７】
周知のように、ポリパラキシリレンは、パラキシリレンやパラキシリレン誘導体を重合してなるものであり、ポリパラキシリレンの膜であるポリパラキシリレン層（以下、パリレン層とする）は、耐蝕性、耐熱性、非ガス透過性に優れ、コンデンサの誘導体膜や、各種の保護膜等に利用されている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−２５１８８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、パリレン層は、蛍光体層と基板とを隔離する性能は優れているものの、経時と共に蛍光体層との密着力が低下してしまう。そのため、十分な耐久性が得られず、使用しているうちに蛍光体層が剥離して、変換パネルが使用不可能な状態となってしまう。
【００１０】
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決することにあり、輝尽性蛍光体等を用いる放射線画像変換パネルにおいて、蛍光体層と基板とを隔離する隔離層としてパリレン層を用いることにより、蛍光体による基板の腐食を好適に防止すると共に、パリレン層と蛍光体層との密着力が高く、長期にわたって蛍光体層が剥離することが無い、耐久性に優れる放射線画像変換パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するために、本発明は、金属表面を有する基板と、ポリパラキシリレン層と、前記ポリパラキシリレン層の上に形成される下記式
ＭxＯy
（上記式において、Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、ＺｒおよびＡｌからなる群から選択される１つであり、また、ＭがＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＴｉおよびＺｒの場合には、ｘが１で、ｙが２であり、ＭがＡｌの場合には、ｘが２で、ｙが３である。）
で示される酸化物からなる酸化物層と、前記酸化物層の上に形成される気相堆積法による蛍光体層とを有することを特徴とする放射線画像変換パネルを提供する。
【００１２】
このような本発明の放射線画像変換パネルにおいて、前記蛍光体層が、ハロゲン化アルカリを母体とする蛍光体からなるものであるのが好ましい。
また、前記基板表面がアルミニウムあるいはアルミニウム合金であるのが好ましく、特に、前記基板がアルミニウム製あるいはアルミニウム合金製であるのが好ましい。
また、前記ポリパラキシリレン層の厚さが２〜２０μｍであるのが好ましく、また、前記酸化物層の厚さが０．０５〜３μｍであるのが好ましく、また、前記酸化物層は、成膜される基板表面にプラズマを照射しつつ、真空蒸着によって形成されたものであるのが好ましく、さらに、前記ポリパラキシリレン層が表面改質されたものであるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
上記構成を有する本発明によれば、ＩＰ(Imaging Plate)やフラットパネルディテクタなどの放射線画像変換パネルにおいて、蛍光体層と基板とを隔離する隔離層としてポリパラキシリレン層を用いることにより、蛍光体による基板の腐食を好適に防止することができると共に、酸化硅素などの所定の酸化物からなる酸化物層を有することにより、十分なポリパラキシリレン層と蛍光体層との密着力を得、かつ、密着力の低下を防止することができ、長期にわたって蛍光体層が剥離しない、耐久性に優れる放射線画像変換パネル得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の放射線画像変換パネルについて、添付の図面に示される好適実施例を参照して、詳細に説明する。
【００１５】
図１に本発明の放射線画像変換パネルの一例の概念図を示す。
図１に示す放射線画像変換パネル１０（以下、変換パネル１０とする）は、基本的に、基板１２と、ポリパラキシリレン層１４と、酸化物層１６と、蛍光体層１８とを有して構成される。
この変換パネル１０は、輝尽性蛍光体からなる蛍光体層１８を有し、被写体を透過した放射線を蓄積（記録）することにより放射線画像を撮影して、励起光の入射によって撮影した放射線画像に応じて輝尽発光光を出射する、いわゆるＩＰ(Imaging Plate)である。
【００１６】
なお、本発明は、輝尽性蛍光体からなる蛍光体層１８を有する変換パネル１０に限定はされず、放射線の入射によって発光（蛍光）する蛍光体層を有する、フラットパネルディテクタなどの放射線画像変換パネル（シンチレータパネル）であってもよい。
【００１７】
本発明において、変換パネル１０の基板１２は、金属製の表面を有するものであれば、特に限定はなく、各種の物が利用可能である。なお、変換パネル１０において、基板１２の表面は、蛍光体層１８が発した輝尽発光光の反射面としての作用も求められるので、鏡面状などの高い光反射性を有するのが好ましい。
基板１２の好ましい例として、軽量で、かつ良好な光反射性が得られる等の点で、アルミニウム製やアルミニウム合金製の基板１２が例示される。あるいは、ガラス板や樹脂製の板などの基材の表面に、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜等の金属膜を形成してなる基板１２も、好適に利用可能である。
なお、基板１２となる金属や前記基材表面に形成される金属膜は、腐食防止のためのマグネシウムなど、各種の微量成分を含有してもよいのはもちろんである。
【００１８】
パリレン層１４は、蛍光体層１８による基板１２の腐食防止を目的として、蛍光体層１８（吸湿による蛍光体の溶融物や蒸気も含む）と基板１２とを隔離するために、蛍光体層１８と基板１２との間に設けられる隔離層である。
なお、パリレン層１４の形成に先立って、基板１２の表面を洗浄、好ましくは、ケイ酸塩を含むアルカリ系洗浄剤で洗浄（脱脂洗浄）するのが好ましい。さらに、洗浄／乾燥後、トリメトキシシリルプロピルメタクリレート等のパリレン層１４（ポリパラキシリレン膜）用のプライマを用いて、プライマ処理を行なうのが好ましい。
基板１２の洗浄、および、プライマ処理は、共に、公知の洗剤やプライマを用いて、公知の方法で行なえばよい。例えば、トリメトキシシリルプロピルメタクリレートを用いるプライマ処理であれば、トリメトキシシリルプロピルメタクリレートを蒸発させて、その蒸気に基板１２（パリレン層１４の形成面）を曝せばよい。
【００１９】
パリレン層（ポリパラキシリレン層）１４は、パラキシリレンもしくはパラキシリレン誘導体を重合してなる膜であり、耐蝕性、耐熱性、非ガス透過性に優れる。
本発明においては、前述のように、蛍光体層１８を形成する蛍光体による基板１２の腐食を防止するために、蛍光体層１８と基板１２とを隔離する隔離層（バリア層）として、パリレン層１４を有する。これにより、本発明による変換パネル１０は、非常に優れた基板１２の耐蝕性を実現している。
【００２０】
本発明において、パリレン層１４には、特に限定はなく、公知のパリレンの膜が各種利用可能である。
具体的には、下記の式で示されるパリレン（ポリパラキシリレン）からなる膜が例示される。
【化１】
2008185568.tif 000003
【００２１】
中でも、式（１）で示されるパリレンＣ（ポリモノクロロパラキシリレン）、式（２）で示されるパリレンＤ（ポリジクロロパラキシリレン）、式（３）で示されるパリレンＨＴ（ポリテトラフルオロパラキシリレン）、および、式（４）で示されるパリレンＮ（ポリパラキシリレン）は好適である。また、耐熱性等の点で、フッ素置換されたパラキシリレン誘導体からなるパリレンも好適に利用される。中でも特に、パリレンＨＴは好適に利用される。
【００２２】
パリレン層１４の形成方法には、特に限定はなく、真空蒸着、スパッタリング、化学蒸着法（ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)）、プラズマ重合等の公知の各種の気相堆積法で形成すればよいが、通常、化学蒸着法、より正確には、気相蒸着重合法によって形成される。
一例として、原料としてジパラキシリレンなどの固体二量体を用い、このジパラキシリレンの気化が起こる第１工程、二量体の熱分解によるジラジカルパラキシリレンの発生が起こる第２工程、および、基板１２へのジラジカルパラキシリレンの吸着と重合とが同時に成され、高分子量のポリパラキシリレンの被膜が形成される第３工程からなる、３つの工程で形成される。
この工程中において、真空度は、一般的に０．１〜１００Ｐａ（１０-3〜１Torr）であり、第１工程は１００〜２００℃、第２工程は４５０〜７５０℃、第３工程は室温で行なわれるのが通常である。また、第３工程は、必要に応じて、基板１２の温度を室温〜１００℃までの範囲の温度としてもよい。
【００２３】
本発明の変換パネル１０において、パレリン層１４の膜厚には、特に限定は無いが、２〜２０μｍが好ましい。
パレリン層１４の膜厚を上記範囲とすることにより、蛍光体層１８と基板１２の十分な隔離性能が得られる等の点で、好ましい結果を得る。より好ましくは、パレリン層１６の膜厚は１０〜２０μｍである。
【００２４】
変換パネル１０は、パリレン層１４の上に酸化物層１６を有し、その上に蛍光体層１８を有する。
なお、本発明の変換パネル１０においては、パリレン層１４と酸化物層１６との密着性を向上するために、酸化物層１６の形成に先立って、パリレン層１４の表面改質処理を行なうのが好ましい。すなわち、本発明の変換パネル１０においては、パリレン層１４は、その表面が改質されているのが好ましい。
【００２５】
パリレン層１４の表面改質の方法には、特に限定はない。
一例として、プラズマ処理、イオン処理、ＵＶ処理（紫外線照射）、コロナ放電、オゾン洗浄、物理的な表面粗化処理等、膜の密着性向上のために行なわれる各種の表面処理が、全て利用可能である。
中でも、プラズマ処理およびイオン処理は、この処理に引き続く真空蒸着装置内での処理が可能である点等で、より好ましい。なお、これらの表面処理は、いずれも公知の方法で行なえばよい。
【００２６】
酸化物層１６は、下記式
ＭxＯy
（上記式において、Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、ＺｒおよびＡｌからなる群から選択される１つであり、また、ＭがＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＴｉおよびＺｒの場合には、ｘが１で、ｙが２であり、ＭがＡｌの場合には、ｘが２で、ｙが３である。）
で示される酸化物からなる層である。
本発明の変換パネル１０において、酸化物層１６は、パリレン層１４と蛍光体層１８との密着性を向上するために設けられる、いわば密着改良層である。
【００２７】
前述のように、放射線画像変換パネルにおいては、蛍光体層の吸湿等に起因して、蛍光体層を形成する蛍光体によって基板が腐食してしまう場合がある。特に蛍光体としてハロゲン化物を用い、基板としてアルミニウムを用いた場合には、基板は蛍光体によって著しい侵食を受けてしまう。
このような問題を解決するために、蛍光体層と基板との間に、両者を隔離するための隔離層を設けることが知られており、隔離層として、パレリン層が知られている。
ここで、パレリン層は、非常に優れた基板と蛍光体層との隔離性能を有する反面、蛍光体層との密着力が経時と共に低下して蛍光体層が剥離してしまい、すなわち、十分な耐久性を得ることができない。
【００２８】
これに対し、本発明の変換パネル１０においては、パリレン層１４と蛍光体層１８との間に、所定の酸化物からなる酸化物層１６を有する。このような酸化物層１６を有することにより、パリレン層１４と蛍光体層１８との十分な密着力が得られると共に、経時による両者の密着力の低下も防止できる。
従って、本発明によれば、パリレン層１４を有することによって、蛍光体による基板１２の腐食を好適に防止できると共に、長期間使用しても蛍光体層１４の剥離を生じない、非常に耐久性に優れた変換パネル１０を実現することができる。
【００２９】
前述のように、酸化物層１４は、酸化硅素（ＳｉＯ2）、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、および、酸化アルミニウム（Ａｉ2Ｏ3）のいずれかからなる膜であるが、中でも特に、良好なパリレン層１４と蛍光体層１８との密着性が得られ、また、成膜が容易である等の点で、酸化硅素および酸化アルミニウム等は好適である。
【００３０】
酸化物層１６の膜厚には、特に限定は無いが、０．０５〜３μｍが好ましい。
酸化物層１６の膜厚を上記範囲とすることにより、より高いパリレン層１４と蛍光体層１８との密着性が得られる等の点で好ましい。
なお、より好ましくは、酸化物層１６の膜厚は０．１〜２μｍである。
【００３１】
酸化物層１６の形成方法には、特に限定はなく、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、プラズマ重合等の公知の薄膜形成方法によればよい。
特に、真空蒸着は好適である。なお、真空蒸着は、抵抗加熱によるものでも、電子銃加熱によるものでも、イオンビーム加熱によるものでもよく、公知の加熱方法が利用可能であり、成膜材料に応じて、適宜、選択すればよい。中でも特に、プラズマガン等を用いて蒸着中の基板（パレリン層１６の表面）にプラズマを照射しつつ成膜を行なうプラズマアシスト蒸着、イオンガン等を用いて蒸着中の基板にイオンを照射しつつ成膜を行なうイオンアシスト蒸着、および、基板に電場を印加してイオン衝突させつつ成膜を行なうイオンプレーティングは、好適である。
プラズマアシスト蒸着、イオンアシスト蒸着、およびイオンプレーティングを利用することにより、緻密で密着性のよい酸化物層１６を形成することができる。その中でも特に、プラズマアシスト蒸着は、より密着性の良好な酸化物層１６を形成でき、好適である。
【００３２】
前述のように、本発明の変換パネル１０においては、十分な酸化物層１６の密着性を得るために、酸化物層１６の形成に先立ち、パレリン層１４の表面改質を行なう（すなわち、パレリン層１４が表面改質されている）のが好ましい。ここで、このプラズマアシスト蒸着等によって酸化物層１６を形成することにより、成膜系内に導入するプラズマやイオンによって、酸化物層１６の形成に先立ってパリレン層１４の表面をプラズマ処理あるいはイオン処理したのと、同様の結果となる。すなわち、プラズマアシスト蒸着等を利用することににより、別途、パリレン層１４の表面改質工程を設けなくても、パリレン層１４の表面改質を行なったのと同様の状態で、酸化物層１６を形成できる。
【００３３】
なお、プラズマアシスト蒸着による酸化物層１６の形成においては、成膜系内にプラズマガン等を用いてプラズマを導入しつつ成膜を行なう以外には、基本的に、通常の真空蒸着と同様にして、酸化物層１６の形成（成膜）を行なえばよい。
従って、成膜材料の加熱方法には特に限定はなく、前述のように、抵抗加熱や電子線加熱等の真空蒸着で用いられている方法が全て利用可能である。また、成膜条件も、蒸着装置の構成、排気能力、成膜材料、目的とする成膜速度、酸化物層１６の膜厚等に応じて、適宜、決定すればよい。
また、プラズマアシスト蒸着やイオンアシスト蒸着を行なう場合には、酸化物層１６の形成に先立って、プラズマガンやイオンガンを１０〜３０分程度作動させることにより、基板（パレリン層１４）表面のクリーニングおよび表面改質を行なうのが好ましい。
【００３４】
変換パネル１０において、酸化物層１６の上には蛍光体層１８を有する。図１に模式的に示すように、真空蒸着による蛍光体層１８、特に、アルカリハライド系の蛍光体からなる蛍光体層１８は、柱状結晶構造を有する。
【００３５】
本発明の変換パネル１０の製造方法において、蛍光体層１８となる輝尽性蛍光体には、特に限定はなく、公知の各種のものが利用可能である。
【００３６】
特に、良好な輝尽発光特性が得られる等の点で、特開昭６１−７２０８７号公報に開示される、一般式「ＭIＸ・ａＭIIＸ’2・ｂＭIIIＸ''3：ｃＡ」で示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体が好適に利用される。
（上記式において、ＭI は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭIIは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、ＭIIIは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０＜ｃ≦０．２である。）
その中でも、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が特に良好に得られる等の点で、ＭIが、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体が好ましい。
【００３７】
また、これ以外にも、米国特許第３，８５９，５２７号明細書、特開昭５５−１２１４２号、同５５−１２１４４号、同５５−１２１４５号、同５６−１１６７７７号、同５８−６９２８１号、同５８−２０６６７８号、同５９−３８２７８号、同５９−７５２００号等の各公報に開示される各種の輝尽性蛍光体も、好適に利用可能である。
【００３８】
また、本発明で作製する放射線画像変換パネルは、輝尽性蛍光体からなる蛍光体層１８を有する変換パネル１０に限定はされず、前述のように、放射線の入射によって発光（蛍光）する蛍光体からなる蛍光体層を有する放射線画像変換パネルであってもよい。
このような蛍光体も、公知の物が全て利用可能であるが、同様に、本発明の効果が発現し易く、かつ、良好な輝尽発光特性が得られる等の点で、下記の一般式：
ＭIＸ・ａＭIIＸ’2・ｂＭIIIＸ”3：ｚＡ
で示されるアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体が好ましく例示される。
（上記式において、ＭIはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ金属を表し、ＭIIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し、ＭIIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表わす。また、Ｘ、Ｘ’およびＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択される少なくとも一種のハロゲンを表わし、Ａは、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｌ及びＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の希土類元素又は金属を表す。また、ａ、ｂおよびｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表わす。）
特に、前記一般式のＭIとしてＣｓを含んでいるのが好ましく、ＸとしてＩを含んでいることが好ましく、ＡとしてＴｌまたはＮａを含んでいるのが好ましく、また、ｚは、１×１０-4≦ｚ≦０．１の範囲内の数値であるの好ましい。中でも特に、式「ＣｓＩ：Ｔｌ」で示されるアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体は、好ましく用いられる。
【００３９】
本発明の変換パネル１０は、このようなハロゲン化物からなる蛍光体層１８を有しても、パレリン層１４を有することにより、蛍光体層１８と基板１２とを確実に隔離することができ、蛍光体による基板１２の腐食を好適に防止できる。
また、本発明の変換パネル１０は、酸化物層１６を有することにより、長期にわたって蛍光体層１８とパレリン層１４との優れた密着性を得ることができ、非常に耐久性に優れるのは、前述のとおりである。
【００４０】
本発明の変換パネル１０において、蛍光体層１８の形成方法には、特に限定はなく、スパッタリング、ＣＶＤ等の各種の気相堆積法が全て利用可能であるが、成膜速度や形成する蛍光体層の結晶構造等の点で、真空蒸着が好適に利用される。
また、特に輝尽性蛍光体からなる蛍光体層１８を形成する場合には、蛍光体成分と付活剤（賦活剤：activator)成分の成膜材料を別のルツボ（蒸発源）で加熱／蒸発する、二元の真空蒸着で蛍光体層を形成するのが好ましい。
【００４１】
さらに、真空蒸着を行なう際における成膜条件や加熱手段にも、特に限定は無い。
ここで、本発明の変換パネル１０においては、輝尽発光光などの光が変換パネルの面方向に拡散することなく、しかも、深部（基板側）からの光も効率良く取り出すことが可能であり、これにより、高感度で高鮮鋭性（鮮鋭度の高い放射線画像が得られる）等の点で、蛍光体層１６は、互いに独立した柱状結晶からなる、良好な柱状結晶構造を有するのが好ましい。
このような、良好な柱状結晶構造の蛍光体層１８が形成できる方法として、一旦、系内を高い真空度に排気した後、アルゴンガスや窒素ガス等を系内に導入して、０．０１〜３Ｐａ程度の真空度（以下、便宜的に中真空とする）とし、この中真空下で抵抗加熱等によって成膜材料を加熱して真空蒸着を行うのが好ましい。気相堆積法による蛍光体層１８は柱状結晶によって形成されるが、このような中真空下で形成した蛍光体層１４、特に前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ等のアルカリハライド系の蛍光体層１４は、非常に良好な柱状の結晶構造を有する。
【００４２】
このようにして蛍光体層１８を形成して、変換パネル１０を作製したら、公知の変換パネルと同様に、さらに、必要に応じて、加熱処理（アニーリング）を行なう。
さらに、必要に応じて、防湿性を有する保護膜で蛍光体層１８を気密に封止する。
【００４３】
以上、本発明の放射線画像変換パネルについて、詳細に説明したが、本発明は、上述の例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の変更や改良を行なってもよいのは、もちろんである。
【実施例】
【００４４】
以下、本発明の放射線画像変換パネルの具体的実施例を挙げ、本発明を、より詳細に説明する。
【００４５】
［実施例１］
基板１２として、表面を鏡面研磨した面積１００×１００ｍｍのアルミニウム合金（Ａ５０８３）製の板（厚さ１０ｍｍ）を用意した。
この基板１２の表面（蛍光体層１８の形成面側の表面）を洗浄剤で洗浄し、水洗して、乾燥した後、蒸発室と基板処理室とからなる真空装置によって、プライマとしてトリメトキシシリルプロピルメタクリレートを用いる基板表面のプライマ処理を行なった。
具体的には、真空装置の基板処理室の所定位置に基板１２を装填し、蒸発室にトリメトキシシリルプロピルメタクリレートを入れた容器を設置した。
真空装置を閉塞した後、基板処理室の真空度が０．４Ｐａとなるまで真空排気を行い、真空排気を継続しながら、蒸発室の温度を室温から３５℃まで上昇させて、基板処理室の真空度を約１３Ｐａとして、基板１２の表面をプライマであるトリメトキシシリルプロピルメタクリレートに曝して、プライマ処理を行なった。
【００４６】
プライマ処理を行なった基板１２の表面（プライマの極薄膜の表面）に、原料蒸発室、熱分解室、および、蒸着室からなるパリレン成膜用の蒸着装置を用いて、化学蒸着法によって、パリレンＨＴからなる厚さ１０μｍのパリレン層１４を形成した。
具体的には、蒸着装置の原料蒸発室の所定位置にジテトラフルオロパラキシリレンを投入し、蒸着室の所定位置に基板１２を装填した。
蒸着装置を閉塞した後、蒸着装置内を０．４Ｐａまで真空排気して、かつ、熱分解室を加熱して温度を７００℃に保った後、原料蒸発室の温度を１００℃から１６０℃まで上昇して、基板１２の表面に約２μｍ／ｈｒの速度で厚さ１０μｍのパリレンＨＴ膜の成膜を行なった。
【００４７】
さらに、パリレン層１４の表面に、真空蒸着によって、厚さ０．１μｍの酸化硅素（ＳｉＯ2）膜を酸化物層１６として形成した。真空蒸着による酸化物層１６の形成は、成膜系内にプラズマを導入しつつ行なう、前述のプラズマアシスト蒸着で行なった。
具体的には、プラズマガンが装着されている真空蒸着装置の所定位置にパリレン層１４を形成した基板１２を装填し、かつ、装置内の所定位置に配置したルツボ内に、成膜材料として酸化硅素（ＳｉＯ2）を充填した。なお、プラズマガンは、所定位置にセットされた基板１２に向けてプラズマを照射するように装着されている。また、この真空蒸着装置は、イオンビームによって、成膜材料の加熱を行なう装置である。
真空蒸着装置を閉塞して、装置内を１×１０-4Ｐａまで真空排気した後、プラズマガンを２０Ａの放電電流で作動して、基板１２（パリレン層１４）の表面にプラズマ（アルゴンプラズマ）を照射した。
プラズマガンを作動して、３０分が経過した後、プラズマガンを作動させた状態で、アルゴンガスを導入して装置内の圧力を１×１０-2Ｐａとし、かつ、成膜材料のイオンビーム加熱を開始して、１０Å／ｓｅｃの蒸着速度で、０．１μｍの酸化硅素膜を酸化物層１６として形成した。
【００４８】
この酸化物層１６の表面に、付活剤成分の材料（付活剤成分の成膜材料）として臭化ユーロピウムを、蛍光体成分の材料（蛍光体成分の成膜材料）として臭化セシウムを、それぞれ用いる二元の真空蒸着によって、基板の表面にＣｓＢｒ：Ｅｕからなる（輝尽性）蛍光体層１８を形成した。
なお、両成膜材料共に、加熱は、タンタル製のルツボと出力６ｋＷのＤＣ電源とを用いる抵抗加熱装置で行った。
【００４９】
真空蒸着装置の基板ホルダに、酸化物層１６を形成した基板１２をセットし、また、各成膜材料を真空蒸着装置の所定位置にセットした後、真空チャンバを閉塞し、排気を開始した。排気は、ディフュージョンポンプおよびクライオコイルを用いた。
真空度が８×１０-4Ｐａとなった時点で、真空チャンバ内にアルゴンガスを導入して真空度を０．８Ｐａとし、次いで、ＤＣ電源を駆動してルツボに通電して、基板の表面に蛍光体層の形成を開始した。なお、蛍光体層におけるＥｕ／Ｃｓのモル濃度比が０．００３：１で、かつ、成膜速度が８μｍ／ｍｉｎとなるように、予め行なった実験に応じて、両ルツボのＤＣ電源の出力を調整した。また、前記加熱手段によって、蛍光体層蒸着開始前の基板表面温度が１６０℃となるように加熱した。
【００５０】
蛍光体層の層厚が約７００μｍとなった時点で、ＤＣ電源を停止してルツボへの通電、および基板を加熱する加熱ヒータへの通電を停止し、蛍光体層の形成を終了した。
基板１２の温度が１００℃となった時点で、基板（変換パネル１０）を基板ホルダから取り外し、真空チャンバから取り出した。その後、基板１２に、窒素雰囲気下で、温度２００℃で２時間の加熱処理を行い、変換パネル１０を作製した。
【００５１】
［実施例２］
酸化物層１６を、厚さ０．１μｍの酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）膜とした以外は、前記実施例１と同様にして変換パネル１０を作製した。
なお、酸化物層１６の形成は、成膜材料として酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）を用いた以外は、実施例１の酸化硅素膜の成膜と同様に行なった。
【００５２】
［実施例３］
酸化物層１６を、厚さ０．１μｍの酸化チタン（ＴｉＯ2）膜とした以外は、前記実施例１と同様にして変換パネル１０を作製した。
なお、酸化物層１６の形成は、成膜材料として三酸化チタン（Ｔｉ2Ｏ3）を用い、アルゴンガスの代わりにＡｒ／Ｏ2を１／１（容量比）で混合したガスを用いた以外は、実施例１の酸化硅素膜の成膜と同様に行なった。
【００５３】
［実施例４］
酸化物層１６を、厚さ０．１μｍの酸化スズ（ＳｎＯ2）膜とした以外は、前記実施例１と同様にして変換パネル１０を作製した。
なお、酸化物層１６の形成は、成膜材料として酸化スズ（ＳｎＯ2）を用い、アルゴンガスの代わりにＡｒ／Ｏ2を１／１（容量比）で混合したガスを用いた以外は、実施例１の酸化硅素膜の形成と同様に行なった。
【００５４】
［比較例１］
酸化物層１６を形成しなかった以外は、前記実施例１と同様にして変換パネルを作製した。
【００５５】
上記実施例１〜４、および比較例１で作製した各変換パネルについて、下記の条件で温度サイクル試験を行った。
［温度サイクル試験］
各変換パネルをアルミニウム製のパックに封入した状態で環境試験機に入れ、０℃から５０℃の範囲の昇温および降温を、２４時間に１５回の割合（すなわち、４８分かけて０℃から５０℃に昇温し、４８分かけて５０℃から０℃に降温することを繰り返す）で、合計で５００回、行なった。
【００５６】
温度サイクル試験を行なった後、各パックから変換パネルを取り出し、目視によって変換パネルの蛍光体層１４が剥離している部分の割合を求めた。
その結果、比較例１の変換パネルでは、約８０％の蛍光体層１４が剥離（全面積に対する剥離面積）していた。これに対して、本発明にかかる実施例１〜４の変換パネル１０には、全く蛍光体層１４の剥離が認められず、使用耐久性に優れることが確認された。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の放射線画像変換パネルの一例の模式図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０  （放射線画像）変換パネル
１２  基板
１４  パリレン層（ポリパラキシリレン層）
１６  酸化物層
１８  蛍光体層
【図１】
2008185568.tif 000004