(57)【要約】【課題】半透過型液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明による液晶表示装置の製造方法は、基板上に透明導電膜を積層する段階と、透明導電膜の上に反射性導電膜を積層する段階と、反射性導電膜の上に位置によって厚さが異なる第１感光膜を形成する段階と、第１感光膜をエッチングマスクとして反射性導電膜及び透明導電膜をエッチングして除去する段階と、第１感光膜をベーキング加熱でリフローして第２感光膜を形成する段階と、第２感光膜をエッチングマスクとして反射性導電膜をエッチングする段階と、を有する。即ち、一つのフォトマスクを用いて透明電極と反射電極を含む二重構造の画素電極を形成すると同時に、感光膜をベーキングでリフローして導電層の側面にも形成することによって、二重エッチングによる透明電極のアンダーカットを防止することができる。【選択図】図１２
2008203855.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に透明導電膜を積層する段階と、
前記透明導電膜の上に反射性導電膜を積層する段階と、
前記反射性導電膜の上に位置によって厚さが異なる第１感光膜を形成する段階と、
前記第１感光膜をエッチングマスクとして前記反射性導電膜及び前記透明導電膜をエッチングして除去する段階と、
前記第１感光膜をベーキング加熱でリフローして第２感光膜を形成する段階と、
前記第２感光膜をエッチングマスクとして前記反射性導電膜をエッチングする段階と、
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記ベーキング加熱は、１００℃乃至２００℃の温度で１０分乃至６０分間行われることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記ベーキング加熱は、対流式加熱方法で行われることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記ベーキング加熱は、１００℃乃至２７０℃の温度で１０秒乃至９００秒間行われることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記ベーキング加熱は、直接加熱方式で行われることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２感光膜は、前記透明導電膜の側面に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２感光膜は、前記反射性導電膜の側面に形成されることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記エッチングは、湿式エッチングで行われることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記リフローされて形成された第２感光膜をアッシングして高さを縮める段階を更に有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１感光膜を形成する段階は、
感光膜を塗布する段階と、
透光領域、半透光領域、及び遮光領域を有するマスクを通して前記感光膜を露光する段階と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記透明導電膜は、透明導電体成分として非晶質インジウム錫酸化物又は非晶質インジウム亜鉛酸化物を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記反射性導電膜は、金属成分としてアルミニウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記反射性導電膜は、金属成分としてアルミニウム−ネオジム合金を含むことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記反射性導電膜は、金属成分としてモリブデンを含む第１膜又はアルミニウムを含む第２膜のいずれかを少なくとも含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置は電界生成電極と偏光板が具備された一対の表示板の間に位置した液晶層を含む。電界生成電極は液晶層に電界を生成し、このような電界の強さが変化することによって液晶分子の配列が変化する。例えば、電界が印加された状態で、液晶層の液晶分子はその配列を変化させて液晶層を通過する光の偏光を変化させる。偏光板は偏光された光を適切に遮断又は透過させて明るいまたは暗い領域を作り出すことによって所望の映像を表示する。
【０００３】
液晶表示装置は、自ら発光できない受光型表示装置であるため、別個に具備されたバックライトユニットのランプから出る光を、液晶層を通過させたり、自然光など外部から入る光を、液晶層を一旦通過させてから再び反射させたりして、液晶層を再び通過させる。前者の場合を透過型液晶表示装置といって後者の場合を反射型液晶表示装置というが、後者の場合は主に中小型表示装置に使用される。また環境によりバックライトユニットを使ったり外部光を使ったりもする半透過型又は反射−透過型液晶表示装置が開発されて主に中小型表示装置に適用されている。
【０００４】
半透過型液晶表示装置は、透過型液晶表示装置や反射型液晶表示装置とは違って透明電極及び透明電極の一部の上に形成されている反射電極を含む二重膜構造の画素電極を有する。
【０００５】
一方、液晶表示装置は、ゲート層、データ層、半導体層及び画素電極を含む複数の薄膜で作られる。これらの薄膜は、別途のマスクを使用して、フォトリソグラフィ工程によって、個別にパターニングされる。ところで、一つのマスク数が増加する都度、露光、現像、エッチングなどの工程が追加されて、製造コスト及び時間が顕著に増加する。
【０００６】
これにより、半透過型液晶表示装置の場合、スリットパターンを有する一つのフォトマスクを使用して、一回の写真工程及び二回のエッチング工程によって、二重膜構造の画素電極を形成する方法が提案された。
【０００７】
しかしながら、一つのフォトマスクを使用して、一回の写真工程及び二回のエッチング工程によって二重膜構造の画素電極を形成する場合、二回エッチングすることによって画素電極がアンダーカットされ、これによって画素電極が所望の位置に形成されないことがあるという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、画素電極のアンダーカットなしに、一つのフォトマスクを使用して二重膜構造の画素電極を形成することができる半透過型液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置の製造方法は、基板上に透明導電膜を積層する段階と、前記透明導電膜の上に反射性導電膜を積層する段階と、前記反射性導電膜の上に位置によって厚さが異なる第１感光膜を形成する段階と、前記第１感光膜をエッチングマスクとして前記反射性導電膜及び前記透明導電膜をエッチングして除去する段階と、前記第１感光膜をベーキング加熱でリフローして第２感光膜を形成する段階と、前記第２感光膜をエッチングマスクとして前記反射性導電膜をエッチングする段階と、を有することを特徴とする。
前記ベーキング加熱は、１００℃乃至２００℃の温度で１０分乃至６０分間行うことができ、対流式加熱方法で行うことができる。
また、前記ベーキング加熱は、１００℃乃至２７０℃の温度で１０秒乃至９００秒間行うことができ、直接加熱方式で行うことができる。
前記第２感光膜は、前記透明導電膜の側面に形成でき、前記反射性導電膜の側面に形成できる。
前記エッチングは、湿式蝕刻（エッチング）で行うことができる。
前記リフローされて形成された第２感光膜をアッシングして高さを縮める段階を更に有することができる。
前記第１感光膜を形成する段階は、感光膜を塗布する段階と、透光領域、半透光領域、及び遮光領域を有するマスクを通して前記感光膜を露光する段階と、を含む。
前記透明導電膜は、透明導電体成分として非晶質インジウム錫酸化物（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ａ−ＩＴＯ）又は非晶質インジウム亜鉛酸化物（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：ａ−ＩＺＯ）を含有できる。
前記反射性導電膜は、金属成分としてアルミニウムを含有できる。
前記反射性導電膜は、金属成分としてアルミニウム−ネオジム合金を含有できる。
前記反射性導電膜は、金属成分としてモリブデンを含有する第１膜又は／及びアルミニウムを含有する第２膜を積層できる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、一つのフォトマスクを用いて透明電極と反射電極を含む二重構造の画素電極を形成することと同時に、感光膜をベーキング加熱でリフローして導電層の側面にも形成することにより、二重エッチングによって発生する透明電極のアンダーカットを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の液晶表示装置の製造方法を実施するための最良の形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。しかしながら、本発明は、多様に異なる形態で実現できるので、ここで説明する実施形態に限定されるものではない。
【００１２】
図面で各種の層又は領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体を通じて類似な部分については同一な図面符号で示すものとする。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“直ぐ上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“直ぐ上”にあるとする時には中間に他の部分がないことを意味する。
【００１３】
まず、図１及び図２を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置について詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図２は、図１の液晶表示装置をＩＩ−ＩＩ′−ＩＩ″−ＩＩ″′線に沿って切って示した断面図である。
【００１５】
本実施形態による液晶表示装置は、互いに向き合う薄膜トランジスター表示板１００と共通電極表示板２００、そして薄膜トランジスター表示板１００及び共通電極表示板２００の両表示板間に入っている液晶層３を含む。
【００１６】
まず、薄膜トランジスター表示板１００について説明する。
【００１７】
透明なガラス又はプラスチックなどで作られた絶縁基板１１０の上に複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１が形成されている。
【００１８】
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に横方向に伸びている。各ゲート線１２１は上に突出した複数のゲート電極１２４と他の層又は外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０の上に付着される可撓性印刷回路フィルム（図示せず）の上に装着されたり、基板１１０の上に直接装着されたり、基板１１０に集積されたりすることができる。ゲート駆動回路が基板１１０の上に集積されている場合、ゲート線１２１が伸びて、これと直接連結できる。
【００１９】
維持電極線１３１は、所定の電圧が印加され、ゲート線１２１とほぼ並んで伸びる。各維持電極線１３１は、隣接した二つのゲート線１２１の間に位置し、二つのゲート線１２１のうち下側に近い。維持電極線１３１は下から上まで拡張された維持電極１３７を含む。しかしながら、維持電極線１３１の模様及び配置は多様に変形できる。
【００２０】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１の上には窒化シリコン（ＳｉＮｘ）又は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などで作られたゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００２１】
ゲート絶縁膜１４０の上には水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは略称ａ−Ｓｉを使う）又は多結晶シリコンなどで作られた複数の線状の半導体１５１が形成されている。線状の半導体１５１は、主に縦方向に伸びており、ゲート電極１２４に向かって伸びて出た複数の突出部１５４を含み、突出部１５４から複数の拡張部１５７が延長されている。線状の半導体１５１は、ゲート線１２１及び維持電極線１３１付近で幅が広くなって、これらを幅広く覆っている。
【００２２】
半導体１５１の上には複数の線状及び島型の抵抗性接触（オーミックコンタクト）層１６１、１６５が形成されている。線状及び島型の抵抗性接触層１６１、１６５は燐などのｎ型不純物が高濃度でドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で作られたりシリサイドで作られたりする。線状の抵抗性接触層１６１は、複数の突出部１６３を有しており、この突出部１６３と島型の抵抗性接触層１６５は対を構成して半導体１５１の突出部１５４の上に配置されている。
【００２３】
線状及び島型の抵抗性接触層とその突出部１６１、１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０の上には複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５が形成されている。
【００２４】
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向に伸びてゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差する。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって伸びてＪ字形に曲げられた複数のソース電極１７３と他の層又は外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１７９を含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０の上に付着される可撓性印刷回路フィルム（図示せず）の上に装着されたり、基板１１０の上に直接装着されたり、基板１１０に集積されたりすることができる。データ駆動回路が基板１１０の上に集積されている場合、データ線１７１が伸びて、これと直接連結できる。
【００２５】
ドレイン電極１７５は、データ線１７１と分離しており、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。各ドレイン電極１７５は一方の広い端部１７７と他側の棒状の端部を含む。広い端部１７７は維持電極１３７と重複し、棒状の端部はソース電極１７３で一部が囲まれている。
【００２６】
一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３及び一つのドレイン電極１７５は半導体１５１の突出部１５４と一緒に一つの薄膜トランジスター（ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスターのチャンネルはソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の突出部１５４に形成される。
【００２７】
線状及び島型の抵抗性接触層とその突出部１６１、１６３、１６５はその下部の半導体とその突出部１５１、１５４とその上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にだけ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。大部分の所では線状の半導体１５１がデータ線１７１より狭いが、上述したようにゲート線１２１と会う部分で幅が広くなって、表面のプロファイルを柔らかくすることによってデータ線１７１が断線することを防止する。半導体１５１にはソース電極１７３とドレイン電極１７５の間を始めとして、データ線１７１及びドレイン電極１７５で遮られずに露出した部分がある。
【００２８】
データ線１７１、ドレイン電極１７５及び露出した半導体の突出部１５４部分の上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は窒化シリコンや酸化シリコンなどの無機絶縁物で作られてもよい。
【００２９】
保護膜１８０の上には有機絶縁膜１８７が形成されている。有機絶縁膜１８７は、４．０以下の誘電定数を有することが好ましく、感光性を持ってもよく、その表面には凹凸が形成されている。
【００３０】
保護膜１８０、有機絶縁膜１８７及びゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出する複数の接触孔（コンタクトホール）１８１が形成されており、保護膜１８０及び有機絶縁膜１８７にはデータ線１７１の端部１７９とドレイン電極１７５をそれぞれ露出する複数の接触孔１８２、１８５が形成されている。
【００３１】
有機絶縁膜１８７の上には複数の画素電極１９１、及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。
【００３２】
各画素電極１９１は、有機絶縁膜１８７の凹凸に沿って屈曲しており、透明電極１９２及びその上の反射電極１９４を含む。透明電極１９２は非晶質インジウム錫酸化物（ａ−ＩＴＯ）又は非晶質インジウム亜鉛酸化物（ａ−ＩＺＯ）のような透明な導電物質で作られ、反射電極１９４はアルミニウム又はアルミニウム−ネオジム合金（ＡｌＮｄ）のようなアルミニウム系金属で作ることができる。反射電極１９４はアルミニウム−ネオジム合金（ＡｌＮｄ）のようなアルミニウム系金属の反射性上部膜（図示せず）とモリブデン系金属で作られてＩＴＯ又はＩＺＯと接触特性が良い下部膜（図示せず）を含む。
【００３３】
反射電極１９４は、透明電極１９２の一部の上にだけ存在して、透明電極１９２の他の部分を露出する。
【００３４】
画素電極１９１は、接触孔１８５を通じて、ドレイン電極１７５と物理的、電気的に連結されており、ドレイン電極１７５からデータ電圧が印加される。データ電圧が印加された画素電極１９１は共通電圧が印加される共通電極表示板２００の共通電極２７０と一緒に電場を生成することによって画素電極１９１及び共通電極２７０の二つの電極間の液晶層３の液晶分子の方向を決定する。このように決められた液晶分子の方向により液晶層３を通過する光の偏光程度が変わる。画素電極１９１と共通電極２７０はキャパシタ［以下、“液晶キャパシタ”という］を構成して、薄膜トランジスターが遮断した後にも印加された電圧を維持する。
【００３５】
薄膜トランジスター表示板１００、共通電極表示板２００及び液晶層３などを含む半透過型液晶表示装置は、透明電極１９２及び反射電極１９４によってそれぞれ定義される透過領域（ＴＡ）及び反射領域（ＲＡ）で区切られる。
【００３６】
透過領域（ＴＡ）では、液晶表示装置の裏面、つまり、薄膜トランジスター表示板１００側から入射した光が液晶層３を通過して、前面、つまり、共通電極表示板２００側に出ることによって表示を行う。反射領域（ＲＡ）では前面から入った光が液晶層３に入ってから反射電極１９４によって反射され、液晶層３を再び通過して前面に出ることによって表示を行う。
【００３７】
図示しないが、透過領域（ＴＡ）での液晶層３の厚さ、又はセル間隔は反射領域（ＲＡ）でのセル間隔より大きい。特に、透過領域（ＴＡ）でのセル間隔は反射領域（ＲＡ）でのセル間隔の二倍であることが好ましい。
【００３８】
画素電極１９１及びこれと電気的に連結されたドレイン電極１７５は維持電極線１３１と重複する。画素電極１９１及びこれと電気的に連結されたドレイン電極１７５が維持電極線１３１と重複して形成されるキャパシタを“ストレージキャパシタ”といい、ストレージキャパシタは液晶キャパシタの電圧維持能力を強化する。
【００３９】
接触補助部材８１、８２はそれぞれ接触孔１８１、１８２を通じて、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と接触してこれらを覆う。接触補助部材８１、８２はゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完してこれらを保護する。接触補助部材８１、８２は透明電極１９２と同一層で作ることができる。
【００４０】
次に共通電極表示板２００について説明する。
【００４１】
透明なガラス又はプラスチックなどの絶縁物質で作られた基板２１０の上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、ブラックマトリックスともいい、画素電極１９１と向き合う複数の開口領域を定義する一方、画素電極１９１の間の光漏れを防止する。
【００４２】
基板２１０の上にはまた、複数の色フィルター２３０が形成されており、遮光部材２２０に囲まれた開口領域内に大部分が入るように配置されている。色フィルター２３０は画素電極１９１に沿って縦方向に長く伸びて帯を形成できる。各色フィルター２３０は赤色、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの一つを表示できる。
【００４３】
図示しないが、本実施形態による液晶表示装置の色フィルター２３０の厚さは位置によって違い得るが、透過領域（ＴＡ）に配置されている色フィルター２３０の厚さは反射領域（ＲＡ）に配置されている色フィルター２３０の厚さより厚いこともある。また、透過領域（ＴＡ）に配置されている色フィルター２３０の平均厚さは反射領域（ＲＡ）に配置されている色フィルター２３０の平均厚さの約２倍でありうる。
【００４４】
上述したように、半透過型液晶表示装置の場合、各画素に透過領域（ＴＡ）と反射領域（ＲＡ）を置くが、透過領域（ＴＡ）では光が色フィルターを一回だけ通過して反射領域（ＲＡ）では二回通過する。このような色フィルターの通過回数の差は表示される画面の色相、色調に影響を与え得る。しかしながら、本実施形態による液晶表示装置の場合、透過領域（ＴＡ）に配置されている色フィルター２３０の平均厚さが反射領域（ＲＡ）に配置されている色フィルター２３０の平均厚さより約２倍厚いことから、このような光の通過回数による色調の差を補償することができる。
【００４５】
色フィルター２３０及び遮光部材２２０の上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯやＩＺＯなど透明な導電体で作られることが好ましい。
【００４６】
図示しないが、色フィルター２３０及び遮光部材２２０及び共通電極２７０の間には蓋膜（図示せず）が形成できる。蓋膜は（有機）絶縁物で作ることができ、色フィルター２３０を保護して色フィルターが露出することを防止して平坦面を提供する。
【００４７】
上述したように、透過領域（ＴＡ）での液晶層３の厚さ、又はセル間隔は反射領域（ＲＡ）でのセル間隔より広い。液晶表示装置の共通電極表示板２００の反射領域（ＲＡ）に配置されている蓋膜の厚さを透過領域（ＴＡ）に配置されている蓋膜より厚く形成することによってセル間隔を調節してもよい。
【００４８】
薄膜トランジスター表示板１００と共通電極表示板２００の内側面の上には液晶層３を配向するための配向膜（図示せず）が塗布されており、薄膜トランジスター表示板１００と共通電極表示板２００の外側面には一つ以上の偏光子（図示せず）が備えられている。
【００４９】
液晶層３は垂直配向又は水平配向されている。
【００５０】
液晶表示装置はまた、薄膜トランジスター表示板１００と共通電極表示板２００を支えて、両者に間隙を作る複数の弾性間隔材（図示せず）を更に含む。
【００５１】
液晶表示装置はまた、薄膜トランジスター表示板１００と共通電極表示板２００を結合する密封材（図示せず）を更に含むことができる。密封材は共通電極表示板２００の周縁に位置する。
【００５２】
次に、本発明の一実施形態による半透過型液晶表示装置の薄膜トランジスター表示板を製造する方法の一実施例について図３〜図９を参照して詳細に説明する。
【００５３】
図３〜図９は、図１及び図２に示す液晶表示装置の薄膜トランジスター表示板を製造する方法の一実施例における中間段階での薄膜トランジスター表示板を示した断面図である。
【００５４】
図３を参照すると、まず、基板１１０の上に金属層を積層して写真エッチングし、複数のゲート電極１２４及び端部１２９を含む複数のゲート線１２１、複数の維持電極１３７を含む複数の維持電極線１３１を形成する。
【００５５】
次に、絶縁膜、真性非晶質シリコン層及び不純物非晶質シリコン層を化学気相蒸着などで連続して積層し、絶縁膜、真性非晶質シリコン層及び不純物非晶質シリコン層を写真エッチングして、ゲート絶縁膜１４０、突出部１５４、拡張部１５７を含む複数の線状の真性半導体１５１、及び突出部（図示せず）を含む複数の線状の不純物半導体を形成する。
【００５６】
次に、金属層をスパッタリングなどで積層して写真エッチングし、ソース電極１７３及び端部１７９を含む複数のデータ線１７１及び複数のドレイン電極１７５を形成する。続いて、線状の不純物半導体でデータ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われず露出した部分を除去して、突出部１６３を含む複数の線状の抵抗性接触層１６１と複数の島型の抵抗性接触層１６５を完成する一方、その下部の真性半導体（突出部１５４）部分を露出する。
【００５７】
次に、無機絶縁膜で作られた保護膜１８０を積層して、その上に有機絶縁膜１８７を積層した後、写真エッチングして複数の接触孔１８１、１８２、１８５を形成する。この時、反射領域に形成されている有機絶縁膜１８７を、スリットマスクを用いて露光及び現像することによって、有機絶縁膜１８７に凹凸構造を形成する。
【００５８】
最後に、図１及び図２に示すように透明電極１９２及び反射電極１９４を含む画素電極１９１と接触補助部材８１、８２を形成するが、これについて図４〜図９を参照して詳細に説明する。
【００５９】
まず、図４を参照すると、ａ−ＩＴＯ又はａ−ＩＺＯの透明な導電物質層で作られた下部導電膜（１９０ｐ）を塗布して、その上にアルミニウム又はアルミニウム−ネオジム合金の反射性金属で作られた上部導電膜（１９０ｑ）を積層した後、その上に第１感光膜４００を積層する。ここで、上部導電膜（１９０ｑ）はモリブデンを含む第１膜及びアルミニウムを含む第２膜を積層して形成できる。
【００６０】
その後、露光マスク６０を通じて、第１感光膜４００に光を照射した後現像するが、図４の上側にこのような写真工程に使用される露光マスク６０の一例が示されている。
【００６１】
露光マスク６０は、基板６１とその上に形成されている不透明部材６２を含む。露光マスク６０は、基板６１上の不透明部材６２の分布程度により、透光領域（Ａ）、半透光領域（Ｂ）及び遮光領域（Ｃ）に分けられる。
【００６２】
半透光領域（Ｂ）には、所定値、例えば露光器の分解能以下の幅を有する不透明部材６２が所定値以下の間隔に配置されており（これをスリットパターンという）、透光領域（Ａ）は、不透明部材６２が全くない領域であって、所定値以上の幅を有し、遮光領域（Ｃ）は、全体にかけて不透明部材６２で覆われている領域であって、やはり所定値以上の幅を有する。
【００６３】
半透光領域（Ｂ）にスリットパターンを置く代わりに、格子パターン又は透過率が中間であったり厚さが中間であったりする薄膜が備えられてもよい。
【００６４】
図５に示すように、露光マスク６０を通じて、第１感光膜４００に光を照射した後現像すると、現像された第１感光膜４００の厚さは位置によって違うが、透光領域（Ａ）に位置した第１感光膜４００部分は全て除去され、半透光領域（Ｂ）に位置した第１感光膜４００部分の厚さは減少し、遮光領域（Ｃ）では現像された後でも第１感光膜４００部分の厚さが殆ど縮まない。
【００６５】
この時、半透光領域（Ｂ）と遮光領域（Ｃ）での第１感光膜４００の厚さの比は後続工程での工程条件により変化させられるが、半透光領域（Ｂ）での厚さを遮光領域（Ｃ）での厚さの１／２以下とすることが好ましい。
【００６６】
次に図６を参照すると、第１感光膜４００をエッチングマスクとして、透光領域（Ａ）で露出されている上部導電膜（１９０ｑ）及び下部導電膜（１９０ｐ）を順次に第１湿式エッチングして除去する。
【００６７】
図７に示すように、第１感光膜４００をベーキングし、第１感光膜４００をリフローするようにして第２感光膜（４００ａ）を形成する。この時、第２感光膜（４００ａ）は上部導電膜（１９０ｑ）及び下部導電膜（１９０ｐ）の側面にまで形成される。
【００６８】
ベーキング（加熱）は、対流式加熱方法又は直接加熱方法で行われる。対流式加熱方法は対流式オーブンを使い、直接加熱方法はホットプレートを使用することができる。対流式オーブンを使用する場合、オーブンで空気を加熱し、加熱された空気の対流現象によって第１感光膜４００を間接的に加熱する。ホットプレートを使用する場合、第１感光膜４００を含む基板１１０をホットプレートで加熱することによって、第１感光膜４００を直接的に加熱する。
【００６９】
本実施形態による液晶表示装置の製造方法において、第１感光膜４００のソフトベーキングは、対流式加熱方法を用いる場合、約１００℃乃至約２００℃の温度で約１０分乃至約６０分間行うことができ、直接加熱方法を用いる場合、約１００℃乃至約２７０℃の温度で約１０秒乃至約９００秒間行うことができる。
【００７０】
次に、図８に示すように、第２感光膜（４００ａ）をアッシングして、半透光領域（Ｂ）に残っている第２感光膜（４００ａ）部分を除去し、遮光領域（Ｃ）に配置されている第２感光膜（４００ａ）部分の高さを縮小する。この時、上部導電膜（１９０ｑ）及び下部導電膜（１９０ｐ）の側面に形成されている第２感光膜（４００ａ）の高さも一緒に縮小し、上部導電膜（１９０ｑ）の側面に形成されている第２感光膜（４００ａ）は除去されて、下部導電膜（１９０ｐ）の側面にだけ第２感光膜（４００ａ）を残すこともできる。
【００７１】
その後、遮光領域（Ｃ）に残っている第２感光膜（４００ａ）部分をエッチングマスクとして、上部導電膜（１９０ｑ）を第２湿式エッチングして除去し、半透過領域（Ｂ）に下部導電膜（１９０ｐ）を残すことによって、図９に示すように透明電極１９２及び反射電極１９４を含む画素電極１９１と接触補助部材８１、８２を形成し、残っている第２感光膜（４００ａ）部分を除去する。
【００７２】
この時、第２感光膜（４００ａ）は下部導電膜（１９０ｐ）の側面にも配置されているので、第２湿式エッチング時、エッチング液が下部導電膜（１９０ｐ）の側面には侵入しなくなる。従って、下部導電膜（１９０ｐ）で作られた透明電極１９２が第２湿式エッチング時、蝕刻されて除去されることはない。これにより、所望の位置に反射電極１９４及び透明電極１９２を形成することができる。
【００７３】
次に、図１０〜図１３、及び図１４〜図１７を参照して画素電極１９１と接触補助部材８１、８２を形成する工程の例を更に詳細に説明する。
【００７４】
図１０〜図１３は、本発明の一実施形態による薄膜トランジスター表示板の画素電極及び接触補助部材を形成するための方法の一例を説明するための断面図であり、図１４〜図１７は、本発明の一実施形態による薄膜トランジスター表示板の画素電極及び接触補助部材を形成するための方法の他の例を説明するための断面図である。
【００７５】
まず、図１０乃至図１３を参照して、画素電極及び接触補助部材を形成するための方法の一例を説明する。図１０を参照すると、下部導電膜（１９０ｐ）及び上部導電膜（１９０ｑ）の上に第１感光膜４００が形成されているが、第１感光膜４００の高さは位置によって異なる。上述したように、透光領域（Ａ）の下部導電膜（１９０ｐ）及び上部導電膜（１９０ｑ）は、第１感光膜４００をエッチングマスクとして除去されている。半透光領域（Ｂ）及び遮光領域（Ｃ）に配置されている第１感光膜４００をベーキングして、図１１に示すように第２感光膜（４００ａ）を形成する。この時、第２感光膜（４００ａ）は下部導電膜（１９０ｐ）及び上部導電膜（１９０ｑ）の側面にも形成される。
【００７６】
次に、第２感光膜（４００ａ）をアッシングして、図１２に示すように、半透光領域（Ｂ）で第２感光膜（４００ａ）を除去し、残りの部分の高さを縮小する。この時、上部導電膜（１９０ｑ）の側面に配置されている第２感光膜（４００ａ）は除去されたが、下部導電膜（１９０ｐ）の側面に配置されている第２感光膜（４００ａ）は残っている。
【００７７】
最後に、図１３に示すように、遮光領域（Ｃ）と下部導電膜（１９０ｐ）の側面に配置されている第２感光膜（４００ａ）をマスクとして、上部導電膜（１９０ｑ）を湿式エッチングして除去する。この時、図１３に示すように下部導電膜（１９０ｐ）の側面には第２感光膜（４００ａ）が残っているので、下部導電膜（１９０ｐ）はエッチングされない。
【００７８】
次に、図１４〜図１７を参照して、画素電極及び接触補助部材を形成するための方法の他の例を説明する。
【００７９】
図１４及び図１５を参照すると、図１０及び図１１を参照して説明したように、第１感光膜４００をベーキングしてリフローし、第２感光膜（４００ａ）を形成した後アッシングする。図１６を参照すると、アッシングされた第２感光膜（４００ａ）は上述した実施形態とは違って、下部導電膜（１９０ｐ）の側面だけでなく、上部導電膜（１９０ｑ）の側面にも形成されている。
【００８０】
一方、上部導電膜（１９０ｑ）は、第２感光膜（４００ａ）をマスクとして、湿式エッチングして除去される。湿式エッチングに用いられるエッチング液は図１６で矢印に示すように上部導電膜（１９０ｑ）の上部に浸透して上部導電膜（１９０ｑ）をエッチングするが、この時エッチングは等方性蝕刻でエッチング液が浸透する方向が下方だけでなく側面でも行われる。従って、上部導電膜（１９０ｑ）の側面に第２感光膜（４００ａ）が形成されていても、図１７に示すように、上部導電膜（１９０ｑ）の側面まで除去される。
【００８１】
以上、本発明を実施するための最良の形態について説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図２】図１の液晶表示装置をＩＩ−ＩＩ′−ＩＩ″−ＩＩ″′線に沿って切って示した断面図である。
【図３】図１及び図２に示した液晶表示装置を製造する方法の一実施例における中間段階での薄膜トランジスター表示板を示した断面図である。
【図４】図１及び図２に示した液晶表示装置を製造する方法の一実施例における中間段階での薄膜トランジスター表示板を示した断面図である。
【図５】図１及び図２に示した液晶表示装置を製造する方法の一実施例における中間段階での薄膜トランジスター表示板を示した断面図である。
【図６】図１及び図２に示した液晶表示装置を製造する方法の一実施例における中間段階での薄膜トランジスター表示板を示した断面図である。
【図７】図１及び図２に示した液晶表示装置を製造する方法の一実施例における中間段階での薄膜トランジスター表示板を示した断面図である。
【図８】図１及び図２に示した液晶表示装置を製造する方法の一実施例における中間段階での薄膜トランジスター表示板を示した断面図である。
【図９】図１及び図２に示した液晶表示装置を製造する方法の一実施例における中間段階での薄膜トランジスター表示板を示した断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による薄膜トランジスター表示板の画素電極及び接触補助部材を形成するための方法の一例を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態による薄膜トランジスター表示板の画素電極及び接触補助部材を形成するための方法の一例を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による薄膜トランジスター表示板の画素電極及び接触補助部材を形成するための方法の一例を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態による薄膜トランジスター表示板の画素電極及び接触補助部材を形成するための方法の一例を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態による薄膜トランジスター表示板の画素電極及び接触補助部材を形成するための方法の他の例を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態による薄膜トランジスター表示板の画素電極及び接触補助部材を形成するための方法の他の例を説明するための断面図である。
【図１６】本発明の一実施形態による薄膜トランジスター表示板の画素電極及び接触補助部材を形成するための方法の他の例を説明するための断面図である。
【図１７】本発明の一実施形態による薄膜トランジスター表示板の画素電極及び接触補助部材を形成するための方法の他の例を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００８３】
３  液晶層
６０    露光マスク
６２    不透明部材
８１、８２    接触補助部材
１００    薄膜トランジスター表示板
６１、１１０    基板
１２１        ゲート線
１２４    ゲート電極
１２９    ゲート線の端部
１３１    維持電極線
１３７    維持電極
１４０    ゲート絶縁膜
１５１    半導体（線状の真性半導体）
１５４    半導体の突出部
１５７    半導体の拡張部
１６１    線状の抵抗性接触（オーミックコンタクト）層
１６３    抵抗性接触層の突出部
１６５    島型の抵抗性接触層
１７１    データ線
１７３    ソース電極
１７５    ドレイン電極
１７７    ドレイン電極の端部
１７９    データ線の端部
１８０    保護膜
１８１、１８２、１８５    接触孔（コンタクトホール）
１８７    有機絶縁膜
１９０ｐ    下部導電膜
１９０ｑ    上部導電膜
１９１    画素電極
１９２    透明電極
１９４    反射電極
２００    共通電極表示板
２１０    基板
２２０    遮光部材
２３０    色フィルター
２７０    共通電極
４００、４００ａ    感光膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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