(57)【要約】  【課題】低温領域での温度制御特性の良好な基板処理装置を提供することにある。  【解決手段】ウエハ１を処理する処理室３７を形成したプロセスチューブ３６の外側に、電磁波の吸収率がウエハ１と同一または略同一の材料によって形成された発熱壁５１を設け、発熱壁５１の外側に電磁波を閉じ込めるシールド５２を設け、シールド５２には導波管５４を経由してシールド５２内に電磁波を供給する電磁波源５５を接続する。シールド５２内に供給された電磁波によって発熱壁５１とウエハ１を加熱することができるので、減圧下においてもウエハ１を効果的に加熱することができ、また、低温領域での温度を適正かつ精密に制御することができる。  【選択図】図４
2008112922.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波の吸収率が被処理基板と同一または略同一である材料によって形成された発熱壁と、この発熱壁の外側を取り囲んで電磁波を閉じ込めるシールドと、このシールド内に電磁波を導波管を経由して供給する電磁波源と、を備えている基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に熱処理（thermal treatment ）を施すのに利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法においてウエハに熱処理を施すのに、バッチ式縦型ホットウオール形熱処理装置が広く使用されている。
バッチ式縦型ホットウオール型熱処理装置は、一端開口で他端閉塞の円筒形状に形成されて処理室を形成するプロセスチューブと、処理室を排気する排気管と、処理室へ処理ガスを供給するガス供給管と、プロセスチューブ外に設置されて処理室内を全体にわたって均一に加熱するヒータユニットとから構成された処理炉を、備えている。
処理炉の真下近傍に設置されたボートエレベータのアームには、処理に際して処理炉の炉口を閉塞するシールキャップが水平に支持されており、シールキャップの上には、複数枚のウエハを保持するボートが垂直に立脚されている。
そして、ボートがボートエレベータによって上昇されるのに伴って、複数枚のウエハが処理室に搬入され、処理室内において処理炉による熱処理を施される。
【０００３】
従来のこの種の処理炉のヒータユニットは、抵抗発熱体と断熱筒とによって形成されているのが、一般的である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ヒータユニットが抵抗発熱体と断熱筒とによって構成されている場合には、ヒータユニットの熱容量が大きくなるために、低温領域でのウエハの温度制御が低下するという問題点があった。
例えば、シリコンウエハの場合には、低温領域では赤外線の吸収率（後述する）が小さいために、加熱に時間がかかり、温度制御性が低下する。
また、処理室内が減圧されている場合には、対流による熱伝達が小さくなるために、ウエハの温度制御性が低下する。
【０００５】
本発明の目的は、低温領域での温度制御特性の良好な基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）電磁波の吸収率（後述する）が被処理基板と同一または略同一である材料によって形成された発熱壁（heating wall）と、この発熱壁の外側を取り囲んで電磁波を閉じ込めるシールドと、このシールド内に電磁波を導波管を経由して供給する電磁波源と、を備えている基板処理装置。
（２）前記電磁波の周波数が、０．５〜５０ＧＨｚであることを特徴とする前記（１）の基板処理装置。
（３）誘電体によって形成されて処理室を形成するプロセスチューブが、前記発熱壁内に設けられていることを特徴とする前記（１）（２）の基板処理装置。
（４）誘電体によって形成されて処理室を形成するプロセスチューブが、前記発熱壁外に設けられていることを特徴とする前記（１）（２）の基板処理装置。
（５）前記シールド内が小部屋に区画されており、各小部屋に前記導波管がそれぞれ接続されていることを特徴とする前記（１）（２）（３）（４）の基板処理装置。
（６）前記電磁波の周波数が可変に構成されていることを特徴とする前記（１）（２）（３）（４）（５）の基板処理装置。
（７）前記シールド内に前記電磁波を攪拌する攪拌器が設けられていることを特徴とする前記（１）（２）（３）（４）（５）の基板処理装置。
（８）前記シールド内に前記電磁波を攪拌する振動板が設けられていることを特徴とする前記（１）（２）（３）（４）（５）の基板処理装置。
【発明の効果】
【０００７】
前記（１）によれば、電磁波によって発熱壁および被処理基板が加熱されるので、減圧下においても被処理基板を効果的に加熱することができ、また、低温領域での温度を適正かつ精密に制御することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法において、ウエハに各種の熱処理を施すバッチ式縦型ホットウオール形熱処理装置（以下、バッチ式熱処理装置という。）として構成されている。
【００１０】
図１および図２に示されているように、本実施の形態に係るバッチ式熱処理装置１０においては、被処理基板であるウエハ１を収納して搬送するためのウエハキャリアとしては、ＦＯＵＰ（以下、ポッドという。）２が使用されている。
本実施の形態に係るバッチ式熱処理装置１０は筐体１１を備えている。
筐体１１の正面壁１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１２が開設され、この正面メンテナンス口１２を開閉する正面メンテナンス扉１３、１３がそれぞれ建て付けられている。
筐体１１の正面壁１１ａにはポッド搬入搬出口１４が筐体１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１４はフロントシャッタ１５によって開閉されるようになっている。    
ポッド搬入搬出口１４の正面前方側にはロードポート１６が設置されており、ロードポート１６はポッド２を載置されて位置合わせするように構成されている。
ポッド２はロードポート１６上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１６上から搬出されるようになっている。
【００１１】
筐体１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚１７が設置されており、回転式ポッド棚１７は複数個のポッド２を保管するように構成されている。
すなわち、回転式ポッド棚１７は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１８と、支柱１８に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板１９とを備えており、複数枚の棚板１９はポッド２を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
【００１２】
筐体１１内におけるロードポート１６と回転式ポッド棚１７との間には、ポッド搬送装置２０が設置されている。ポッド搬送装置２０はポッド２を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ２０ａとポッド搬送機構２０ｂとで構成されている。
ポッド搬送装置２０はポッドエレベータ２０ａとポッド搬送機構２０ｂとの連続動作により、ロードポート１６と回転式ポッド棚１７とポッドオープナ２１との間でポッド２を搬送するように構成されている。
【００１３】
ポッドオープナ２１はポッド２を載置する載置台２２、２２と、ポッド２のキャップを着脱するキャップ着脱機構２３、２３とを備えている。ポッドオープナ２１は載置台２２に載置されたポッド２のキャップをキャップ着脱機構２３によって着脱することにより、ポッド２のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
【００１４】
筐体１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体２４が後端にわたって構築されている。サブ筐体２４の正面壁２４ａにはウエハ１をサブ筐体２４内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口２５が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口２５、２５には一対のポッドオープナ２１、２１がそれぞれ設置されている。
【００１５】
サブ筐体２４はポッド搬送装置２０や回転式ポッド棚１７の設置空間から流体的に隔絶された移載室２６を構成している。移載室２６の前側領域にはウエハ移載機構２７が設置されている。
ウエハ移載機構２７はウエハ１を水平面内において回転ないし直動可能なウエハ移載装置２７ａと、ウエハ移載装置２７ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ２７ｂとで構成されている。
図１に想像線で示されているように、ウエハ移載装置エレベータ２７ｂは筐体１１の右側端部とサブ筐体２４の移載室２６の前方領域右端部との間に設置されている。
ウエハ移載装置エレベータ２７ｂおよびウエハ移載装置２７ａの連続動作により、ウエハ移載装置２７ａのツィーザ２７ｃをウエハ１の載置部として後記するボートに対してウエハ１を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
【００１６】
移載室２６の後側領域にはボートを収容して待機させる待機部２８が構成されている。待機部２８の天井面には炉口シャッタ２９が設けられており、炉口シャッタ２９は後記する処理炉の炉口を開閉するように構成されている。
【００１７】
図１に想像線で示されているように、筐体１１の右側端部とサブ筐体２４の待機部２８の右端部との間には、ボートエレベータ３０が設置されている。ボートエレベータ３０の昇降台に連結された連結具としてのアーム３１には蓋体としてのシールキャップ３２が水平に据え付けられている。
【００１８】
図１に示されているように、移載室２６のウエハ移載装置エレベータ２７ｂ側およびボートエレベータ３０側と反対側である左側端部には、供給フアンおよび防塵フィルタによって構成されたクリーンユニット３３が設置されている。クリーンユニット３３は清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア３４（図１の矢印参照）を供給するように構成されている。
図示はしないが、ウエハ移載装置２７ａとクリーンユニット３３との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させるノッチ合わせ装置が設置されている。
クリーンユニット３３から吹き出されたクリーンエア３４は、ノッチ合わせ装置およびウエハ移載装置２７ａ、待機部２８にあるボートに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット３３の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット３３によって、移載室２６内に吹き出される。
【００１９】
図１および図２に示されているように、筐体１１の後側上部には処理炉３５が垂直に設置されている。
図３に示されているように、処理炉３５はプロセスチューブ３６を備えている。プロセスチューブ３６は石英等の誘電体が使用されて一端開口で他端閉塞の円筒形状に形成されており、プロセスチューブ３６は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持されている。
プロセスチューブ３６の筒中空部は複数枚のウエハ１が収容される処理室３７を形成しており、プロセスチューブ３６の内径は取り扱うウエハ１の最大外径よりも大きくなるように設定されている。
プロセスチューブ３６の下端部には炉口フランジ３８が設置されており、炉口フランジ３８がサブ筐体２４に支持されることによりプロセスチューブ３６は垂直に据え付けられた状態になっている。炉口フランジ３８は処理炉３５の炉口３９を形成している。
【００２０】
プロセスチューブ３６の下端部の側壁には排気管４０の一端が接続されており、排気管４０は他端が排気装置（図示せず）に接続されて処理室３７を排気するように構成されている。
プロセスチューブ３６の排気管４０と異なる位置には、処理室３７へ処理ガスを供給するためのガス供給管４１の一端が接続されている。
【００２１】
図３に示されているように、処理炉３５の真下近傍に設置されたボートエレベータ３０のアーム３１には、処理に際して炉口３９を閉塞するシールキャップ３２が水平に支持されている。
シールキャップ３２は炉口フランジ３８の外径と略等しい円盤形状に形成されており、ボートエレベータ３０によって上昇されることにより、炉口３９を気密シールして閉塞するように構成されている。
【００２２】
シールキャップ３２の上には、複数枚のウエハ１を保持して処理室３７の内外に搬送するボート４２が垂直に立脚されて支持されている。ボート４２は石英等の誘電体が使用されて形成されている。
ボート４２は上下で一対の端板４３、４４と、両端板４３、４４間に架設されて垂直に配設された３本の保持柱４５とを備えている。３本の保持柱４５にはウエハ１の外周縁部を保持する保持溝４６が複数段、上下方向に等間隔に配置されて形成されており、同一段の保持溝４６は互いに同一平面を構成するように配置されている。
ボート４２は同一段の保持溝４６によってウエハ１の外周縁部を保持することにより、複数枚のウエハ１を中心を揃えて整列させた状態で保持し得るようになっている。
ボート４２の下部には処理室３７からの熱の放射を抑制するための断熱板４７が複数枚、配置されている。
シールキャップ３２の下面の中央にはロータリーアクチュエータ４８が設置されており、ロータリーアクチュエータ４８の回転軸４９はボート４２を回転させるようになっている。
【００２３】
プロセスチューブ３６の外部には処理室３７を全体にわたって均一に加熱するための発熱壁（heating wall）５１が、プロセスチューブ３６の周囲を包囲するように同心円に配置されている。
発熱壁５１は電磁波の吸収率がウエハ１と同一または略同一である材料が使用されて、プロセスチューブ３６よりも大きめの上端が閉塞した円筒形状に形成されている。
例えば、ウエハ１がシリコン製のウエハである場合には、発熱壁５１はシリコンによって形成されている。
電磁波の吸収率とは被加熱物に照射した電磁波のエネルギに対する吸収されたエネルギの比であり、以下の関係がある。
（Ａ：被加熱物に照射した電磁波のエネルギ）＝（Ｂ：被加熱物に吸収された電磁波のエネルギ）＋（Ｃ：被加熱物を通過した電磁波のエネルギ）＋（Ｄ：被加熱物から反射された電磁波のエネルギ）
吸収率＝（Ｂ／Ａ）×１００［％］
【００２４】
発熱壁５１の外部には発熱壁５１の外側を取り囲んで電磁波を閉じ込めるシールド５２が、同心円に設置されている。シールド５２は電磁波の外部への漏洩を効果的に防止可能な導電性材料によって、発熱壁５１よりも大きめの上端が閉塞した円筒形状に形成されている。
但し、シールド５２は導電性材料のみによって形成するに限らない。例えば、導電性材料からなる基材の発熱壁５１側の表面に電磁波の反射面や吸収層等を形成した多層シールド材料によって形成してもよい。
【００２５】
シールド５２の側壁における略中央高さの部位には、電磁波導入ポート５３が穿設されており、電磁波導入ポート５３にはシールド５２内に電磁波を供給する導波管５４の一端が接続されている。
導波管５４の他端には電磁波を供給する電磁波源５５が接続されている。電磁波源５５は０．５〜５０ＧＨｚの電磁波を導波管５４に供給するように構成されている。
また、電磁波源５５は供給する電磁波の周波数を減少または／および増加することができるように構成されている。
さらに、電磁波源５５は処理室３７やウエハ１の温度を計測する熱電対等の温度計（図示せず）の計測結果に基づいて、電磁波のエネルギを増減するフィードバック制御（クローズドループ制御）を実行することができるように構成されている。
【００２６】
なお、電磁波導入ポート５３はシールド５２の一箇所に配置するに限らず、複数箇所に配置してもよい。
また、導波管５４は電磁波導入ポート５３に直接的に接続するに限らず、電磁的拡散レンズ等の電磁波を拡散する電磁波拡散手段を介在させてもよい。
発熱壁５１およびシールド５２はベース５６の上に設置されている。
【００２７】
次に、前記構成に係るバッチ式熱処理装置１０の作用を説明する。
【００２８】
図１および図２に示されているように、ポッド２がロードポート１６に供給されると、ポッド搬入搬出口１４がフロントシャッタ１５によって開放され、ロードポート１６の上のポッド２はポッド搬送装置２０によって筐体１１の内部へポッド搬入搬出口１４から搬入される。
搬入されたポッド２は回転式ポッド棚１７の指定された棚板１９へポッド搬送装置２０によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後に、棚板１９から一方のポッドオープナ２１に搬送されて載置台２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ２１に搬送されて載置台２２に移載される。
この際、ポッドオープナ２１のウエハ搬入搬出口２５はキャップ着脱機構２３によって閉じられており、移載室２６にはクリーンエア３４が流通され、循環されている。
例えば、移載室２６にはクリーンエア３４として窒素ガスが循環することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
【００２９】
載置台２２に載置されたポッド２はその開口側端面がサブ筐体２４の正面壁２４ａにおけるウエハ搬入搬出口２５の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。
ポッド２がポッドオープナ２１によって開放されると、ウエハ１はポッド２からウエハ移載装置２７ａのツィーザ２７ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置にてノッチ合わせされた後に、移載室２６の後方にある待機部２８へ搬入され、ボート４２に装填（チャージング）される。
ボート４２にウエハ１を受け渡したウエハ移載装置２７ａはポッド２に戻り、次のウエハ１をボート４２に装填する。
【００３０】
この一方（上段または下段）のポッドオープナ２１におけるウエハ移載機構２７によるウエハのボート４２への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ２１には回転式ポッド棚１７から別のポッド２がポッド搬送装置２０によって搬送されて移載され、ポッドオープナ２１によるポッド２の開放作業が同時進行される。
【００３１】
所定の枚数のウエハ１が移載されたボート４２は、ボートエレベータ３０によって上昇されて、図４に示されているように、処理炉３５の処理室３７に搬入（ボートローディング）される。
ボート４２が上限に達すると、シールキャップ３２が炉口３９をシール状態に閉塞するために、処理室３７は気密に閉じられた状態になる。
気密に閉じられると、処理室３７は排気管４０によって排気され、発熱壁５１によって所定の温度（例えば、２００℃程度）に加熱される。
すなわち、電磁波源５５から電磁波が導波管５４を経由してシールド５２内に供給される。シールド５２内に供給された電磁波は発熱壁５１およびウエハ１に入射して効率的に吸収されるために、発熱壁５１およびウエハ１はきわめて効果的に昇温して所定の温度に加熱される。
この際、発熱壁５１の全体が発熱するホットウオール形構造であることにより、処理室３７の温度は全体にわたって均一に維持された状態になるために、ボート４２に保持されたウエハ１群の温度分布は全長にわたって均一になるとともに、各ウエハ１の面内の温度分布も均一かつ同一になる。
【００３２】
このとき、シールド５２内に供給する電磁波の周波数は、ウエハ１および発熱壁５１の電磁波吸収状態を考慮して決定する。
ＩＣを製造する場合には、被処理基板はシリコンウエハに限らず、例えば、ガリウム−砒素等の各種の化合物半導体ウエハのように多岐にわたるが、シールド５２内に供給する電磁波の周波数は、０．５ＧＨｚ以上５０ＧＨｚ以下の範囲が適切である。
発熱壁５１による電磁波の吸収率が良好の場合には、吸収された部分のみの温度が上昇するために、発熱壁５１とウエハ１との温度差が発生し、均一になるまでに相当の時間が必要になる。
このために、発熱壁５１の材質とウエハ１の材質とは、極力、同一とすることが好ましい。同一の材料を使用することができない場合も、電磁波の吸収率や反射率等の物理定数の値が、ウエハ１のそれと近い物質によって発熱壁５１を構成する。
【００３３】
電磁波供給後に、図示しない温度計の計測温度が目標温度（例えば、２００℃）に近づくように、電磁波源５５からシールド５２内に供給する電磁波のエネルギを制御する。
このフィードバック制御における目標温度と計測温度との許容範囲については、許容範囲を狭くすると、処理を開始するまでの時間が長くなり、許容範囲を広くすると、ウエハ１に対する処理の状態の信頼性が低下する。
図示しない温度計の計測温度が目標温度（例えば、２００℃）に対する許容範囲に入ったら、その状態を維持して所定の時間だけ熱処理を実施する。
例えば、ボート４２をロータリーアクチュエータ４８によって回転させながら、所定の処理ガス（図示せず）をガス供給管４１から所定の時間だけ供給する。
【００３４】
予め設定された処理時間が経過すると、ボート４２の回転、処理ガスの供給、電磁波の供給および排気管４０の排気が停止された後に、ボートエレベータ３０によってシールキャップ３２が下降されることにより、炉口３９が開口されるとともに、ボート４２が炉口３９から処理室３７の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
【００３５】
処理室３７の外部に搬出されたウエハ１は、前述したウエハ移載機構２７の作動とは逆の手順により、ポッド２内に収納される。
以上の作動が繰り返されることにより、複数枚のウエハ１がバッチ処理される。
【００３６】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００３７】
1)  電磁波によってウエハおよび発熱壁を加熱することにより、ウエハを直接的に加熱することができるとともに、発熱壁を熱容量を小さくした状態でウエハと同時に昇温させることができるので、ウエハを効果的に加熱することができ、また、低温領域での温度を適正かつ精密に制御することができる。
【００３８】
2)  複数枚のウエハをホットウオール形の発熱壁によって一律に加熱することにより、ウエハのボート全長および各ウエハ面内の温度を均一に分布させることができるため、ウエハの熱処理状況をウエハ面内および各ウエハ相互間のいずれにおいても均一化することができる。
【００３９】
3)  複数枚のウエハを一括してバッチ処理することにより、ウエハを一枚ずつ枚葉処理する場合に比べて、スループットを大幅に向上させることができる。
【００４０】
4)  発熱壁の材質とウエハの材質とを同一または均等に設定して、発熱壁についての電磁波の吸収率や反射率等の物理定数の値をウエハのそれと近い値に設定することにより、発熱壁とウエハとの温度差の発生を抑制することができるので、均一になるまでの時間を短縮することができる。
【００４１】
5)  シールド内に供給する電磁波の周波数を０．５ＧＨｚ以上５０ＧＨｚ以下の範囲に設定することにより、各種の半導体ウエハに対応することができるので、所望のＩＣやその他の半導体装置を製造することができる。
【００４２】
6)  シールド内に供給する電磁波のエネルギをフィードバック制御することにより、低温領域での温度をより一層適正かつ精密に制御することができる。
【００４３】
図５は本発明の第二の実施の形態を示す図４に相当する正面断面図である。
【００４４】
本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、プロセスチューブ３６が発熱壁５１の外側に配置されている点である。
本実施の形態によれば、前記実施の形態の効果に加えて、発熱壁５１をウエハ１に接近させることができるという効果が得られる。第二実施形態に係る発熱壁５１の熱容量は、前述した第一実施形態に係る発熱壁５１の熱容量よりも小さくすることができるため、ウエハ１の温度制御性能を向上させることができる。
【００４５】
図６は本発明の第三の実施の形態を示す図４に相当する正面断面図である。
図７はその一部省略一部切断斜視図である。
【００４６】
本実施の形態が前記第一の実施形態と異なる点は、プロセスチューブ３６が発熱壁５１の外側に配置されている点と、シールド５２内が二つの小部屋５７、５７に区画されているとともに、各小部屋５７、５７に導波管５４、５４を介して電磁波源５５がそれぞれ接続されている点である。
すなわち、シールド５２の側壁の上部および中央部には仕切板５８、５８がそれぞれ径方向内向きに突設されており、各仕切板５８、５８はプロセスチューブ３６および発熱壁５１の内側に至っている。
ボート４２の中央部および下部にもシールドの一部を構成する仕切板５９、５９が外側の仕切板５８、５８に対向するように配置されている。ボート４２の各仕切板５９、５９の上面および下面には発熱壁５１の一部を構成する分割発熱壁６０、６０がそれぞれ配置されている。
本実施の形態によれば、前記実施の形態の効果に加えて、上下の小部屋５７、５７に供給する電磁波のエネルギを制御することにより、ボート４２の上下方向における温度分布をより一層精密に制御することができるという効果が得られる。
なお、シールド５２内を区画する小部屋５７の数は、ボート４２のウエハ積載方向の温度分布をどの程度の精度で制御するかによって決まるが、例えば、直径３００ｍｍのウエハ１を１００枚積載する場合には、２〜５分割すればよい。
【００４７】
ところで、電磁波の周波数はウエハ１と発熱壁５１の電磁波の吸収状態を考慮して決定すると説明したが、例えば、調理器具等で一般的に使用されている２．４５ＧＨｚのマイクロ波（波長０．１ｍｍ〜１ｍ程度）を採用すると、シールド５２内に定在波が発生し、電磁波のエネルギ伝播の腹（振幅の最も大きな部分）に相当する場所の被加熱物（ウエハ１や発熱壁５１）の温度が上昇するために、不均一な加熱状態になる。
数百のＩＣが形成されるウエハをバッチ処理する場合には、この不均一な加熱状態は極力、抑制しなければならない。
この電磁波による被加熱物の不均一な加熱状態を抑制する手段としては、以下の三つのものがある。
【００４８】
第一は、図示しないが、シールド５２内に供給する電磁波の周波数を特定の波長を中心にある範囲で周波数を変動させる方法式である。すなわち、周波数を変動させることにより、定在波の状態を変化させることができるために、被加熱物（ウエハ１や発熱壁５１）の不均一な加熱状態の発生を抑制することができる。
この場合、電磁波源には進行波管等を使用する。
【００４９】
第二は、図８および図９に示されているように、シールド内に回転翼を設けて、電磁波を攪拌することにより、定在波の腹の位置を回転翼の動きに対応させて変化させる手段である。
【００５０】
図８に示された実施の形態は、第二の実施の形態に係るシールド５２内の天井に回転翼６１を設置したものである。
【００５１】
図９に示された実施の形態は、第三の実施の形態に係る上下の小部屋５７、５７に回転翼６２、６２をそれぞれ設置したものである。
【００５２】
第三は、図１０に示されているように、シールド内に振動板を設けて、定在波が発生する空間の寸法を変化させることにより、定在波の腹の位置を振動板の動きに対応させて変化させる手段である。
図１０に示された実施の形態は、第三の実施の形態に係る上下の小部屋５７、５７に振動板６３、６３をそれぞれ設置したものである。
【００５３】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００５４】
例えば、プロセスチューブは省略してもよい。
【００５５】
本発明に係るバッチ式熱処理装置は、拡散装置や減圧ＣＶＤ装置およびアニール装置等の基板処理装置全般に使用することができる。特に、本発明に係る基板処理装置は、減圧下で低温領域の熱処理を施す場合に優れた効果を奏する。
【００５６】
また、被処理基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施の形態であるバッチ式熱処理装置を示す一部省略斜視図である。
【図２】側面断面図である。
【図３】処理炉を通る正面断面図である。
【図４】処理ステップにおける処理炉部分を示す正面断面図である。
【図５】本発明の第二の実施の形態であるバッチ式熱処理装置の処理炉を示す正面断面図である。
【図６】本発明の第三の実施の形態であるバッチ式熱処理装置の処理炉を示す正面断面図である。
【図７】その一部省略一部切断斜視図である。
【図８】本発明の第四の実施の形態であるバッチ式熱処理装置の処理炉を示す正面断面図である。
【図９】本発明の第五の実施の形態であるバッチ式熱処理装置の処理炉を示す正面断面図である。
【図１０】本発明の第六の実施の形態であるバッチ式熱処理装置の処理炉を示す正面断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１…ウエハ（基板）、２…ポッド、１０…バッチ式熱処理装置（基板処理装置）、１１…筐体、１２…正面メンテナンス口、１３…正面メンテナンス扉、１４…ポッド搬入搬出口、１５…フロントシャッタ、１６…ロードポート、１７…回転式ポッド棚、１８…支柱、１９…棚板、２０…ポッド搬送装置、２０ａ…ポッドエレベータ、２０ｂ…ポッド搬送機構、２１…ポッドオープナ、２２…載置台、２３…キャップ着脱機構、２４…サブ筐体、２４ａ…正面壁、２５…ウエハ搬入搬出口、２６…移載室、２７…ウエハ移載機構、２７ａ…ウエハ移載装置、２７ｂ…ウエハ移載装置エレベータ、２７ｃ…ツィーザ、２８…待機部、２９…炉口シャッタ、３０…ボートエレベータ、３１…アーム、３２…シールキャップ、３３…クリーンユニット、３４…クリーンエア、３５…処理炉、３６…プロセスチューブ、３７…処理室、３８…炉口フランジ、３９…炉口、４０…排気管、４１…ガス供給管、４２…ボート（搬送治具）、４３、４４…端板、４５…保持柱、４６…保持溝、４７…断熱板、４８…ロータリーアクチュエータ、４９…回転軸、５１…発熱壁、５２…シールド、５３…電磁波導入ポート、５４…導波管、５５…電磁波源、５６…ベース、５７…小部屋、５８…仕切板、５９…仕切板、６０…分割発熱壁、６１…回転翼、６２…回転翼、６３…振動板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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