(57)【要約】【課題】製造工程が煩雑になるのを抑え、電気的な接続不良を抑制し、所望の性能を有する液晶装置を製造できる液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】第１基板と第２基板との間に配置される液晶層を有する液晶装置の製造方法は、第１基板の第１面の第１端子を含む所定領域に無機材料を含む第１配向膜を形成する第１配向膜形成処理と、第１配向膜に第１導電膜前駆体溶液を供給する第１導電膜前駆体溶液供給処理と、第１導電膜前駆体溶液を第１導電膜に変換する変換処理と、を含む。第１配向膜に供給された第１導電膜前駆体溶液は、毛管現象によって前記第１配向膜を通過し、第１端子に到達する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板との間に配置される液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板の第１面の第１端子を含む所定領域に無機材料を含む第１配向膜を形成する第１配向膜形成処理と、
前記第１配向膜に第１導電膜前駆体溶液を供給する第１導電膜前駆体溶液供給処理と、
前記第１導電膜前駆体溶液を第１導電膜に変換する変換処理と、を含み、
前記第１配向膜に供給された前記第１導電膜前駆体溶液は、毛管現象によって前記第１配向膜を通過し、前記第１端子に到達する製造方法。
【請求項２】
前記第１端子と前記第２基板の第２面の第２端子とを前記第１導電膜を介して電気的に接続する請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記第２面の前記第２端子を含む所定領域に無機材料を含む第２配向膜を形成する第２配向膜形成処理と、
前記第２配向膜に第２導電膜前駆体溶液を供給する第２導電膜前駆体溶液供給処理と、
前記第２導電膜前駆体溶液を第２導電膜に変換する変換処理と、をさらに含む請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
前記第１導電膜及び前記第２導電膜の少なくとも一方に第３導電膜前駆体溶液を供給し、前記第３導電膜前駆体溶液から形成される第３導電膜で前記第１導電膜と前記第２導電膜とを電気的に接続する請求項３記載の製造方法。
【請求項５】
前記第１面の中央領域の前記第１配向膜と前記第２面の中央領域の前記第２配向膜との間に前記液晶層を形成する液晶層形成処理を含み、
前記第１端子は、前記第１面の中央領域と前記第１基板のエッジとの間の周縁領域に配置され、
前記第２端子は、前記第２面の中央領域と前記第２基板のエッジとの間の周縁領域に配置される請求項３又は４記載の製造方法。
【請求項６】
前記中央領域は、電極が形成された領域を含む請求項５記載の製造方法。
【請求項７】
前記変換処理は、前記導電膜前駆体溶液にレーザ光を照射する処理を含む請求項１〜６のいずれか一項記載の製造方法。
【請求項８】
第１基板と第２基板との間に配置される液晶層を有する液晶装置であって、
前記第１基板の第１面の第１端子を含む所定領域に形成され、無機材料を含む多孔体からなる第１配向膜と、
前記多孔体からなる前記第１配向膜の孔の内部に入り込むように配置され、前記第１端子と接続される導電部材と、を備え、
前記導電部材は、前記第１端子と該第１端子とは別の端子とを電気的に接続可能である液晶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法、及び液晶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、液晶分子を配向させる配向膜を備えている。配向膜として、ポリイミド等の有機材料からなる高分子膜をラビング処理したものを用いる場合が多いが、近時においては、耐熱性及び耐光性の向上等を目的として、窒化珪素等の無機材料からなる配向膜、すなわち無機配向膜を用いることが提案されている。下記特許文献には、無機配向膜を備えた液晶装置に関する技術の一例が開示されている。
【特許文献１】特開２００５−１７３３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
液晶装置は、液晶層を挟む２つの基板を有する。一方の基板には、液晶装置の外部装置と電気的に接続するための実装端子、あるいは他方の基板と電気的に接続するための接続端子が配置される。無機配向膜は、絶縁性を有し、硬いので、実装端子、接続端子等が無機配向膜で覆われる場合、電気的な接続不良が生じる可能性がある。従来のように、例えば基板に凸部を設けて接続不良を解消しようとする場合、凸部を形成するための煩雑な加工工程が必要となる可能性がある。また、無機配向膜の形成条件等が、凸部によって制約を受ける可能性もある。
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、製造工程が煩雑になるのを抑え、電気的な接続不良を抑制し、所望の性能を有する液晶装置を製造できる液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は以下の構成を採用する。
【０００６】
本発明の第１の観点によると、第１基板と第２基板との間に配置される液晶層を有する液晶装置の製造方法であって、前記第１基板の第１面の第１端子を含む所定領域に無機材料を含む第１配向膜を形成する第１配向膜形成処理と、前記第１配向膜に第１導電膜前駆体溶液を供給する第１導電膜前駆体溶液供給処理と、前記第１導電膜前駆体溶液を第１導電膜に変換する変換処理と、を含み、前記第１配向膜に供給された前記第１導電膜前駆体溶液は、毛管現象によって前記第１配向膜を通過し、前記第１端子に到達する製造方法が提供される。
【０００７】
本発明の第１の観点によれば、無機材料を含む第１配向膜に第１導電膜前駆体溶液を供給することによって、第１端子に電気的に接続される第１導電膜を円滑且つ良好に形成できる。第１配向膜は、無機材料を含む多孔体なので、供給された第１導電膜前駆体溶液は、毛管現象によって第１配向膜を円滑に通過し、第１端子に到達することができる。そして、例えば加熱処理等、供給した第１導電膜前駆体溶液から液体成分を除去（気化）させる処理を実行することによって、第１導電膜を円滑且つ良好に形成できる。
【０００８】
なお、ここでいう導電膜前駆体溶液は、導電性を有する液体（液状体）であって、所定の金属を溶媒に溶解させたもの、あるいは所定の金属を分散媒に分散させたものを含む。導電膜前駆体溶液は、アセチルアセトンスズ、アセチルアセトンインジウム、及びアセチルアセトン亜鉛等を含む金属有機化合物、あるいは、カルブキシメチルロース金塩（ＣＭＣ−Ａｕ）、カルブキシメチルロース銀塩（ＣＭＣ−Ａｇ）、及びカルブキシメチルロース銅塩（ＣＭＣ−Ｃｕ）等を含む金属高分子塩を含む。
【０００９】
また、ここでいう導電膜は、導電性を有する材料膜であって、導電膜前駆体溶液の液体成分を気化（除去）することによって得られる膜を含む。
【００１０】
また、ここでいう配向膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料で形成された配向膜であって、全部が無機材料で形成された無機配向膜を含む。なお、無機材料以外の材料が僅かに含まれている場合でも、実質的にほぼ全部が無機材料で形成されているならば、無機配向膜に含まれる。
【００１１】
上記構成において、前記第１端子と前記第２基板の第２面の第２端子とを前記第１導電膜を介して電気的に接続する構成を採用できる。これによれば、第１基板の第１端子と第２基板の第２端子とが電気的に良好に接続される。
【００１２】
上記構成において、前記第２面の前記第２端子を含む所定領域に無機材料を含む第２配向膜を形成する第２配向膜形成処理と、前記第２配向膜に第２導電膜前駆体溶液を供給する第２導電膜前駆体溶液供給処理と、前記第２導電膜前駆体溶液を第２導電膜に変換する変換処理と、をさらに含む構成を採用できる。これによれば、第２端子と電気的に接続される第２導電膜を円滑且つ良好に形成できる。
【００１３】
上記構成において、前記第１導電膜及び前記第２導電膜の少なくとも一方に第３導電膜前駆体溶液を供給し、前記第３導電膜前駆体溶液から形成される第３導電膜で前記第１導電膜と前記第２導電膜とを電気的に接続する構成を採用できる。これにより、第１導電膜と第２導電膜とを電気的に円滑に接続できる。
【００１４】
上記構成において、前記第１面の中央領域の前記第１配向膜と前記第２面の中央領域の前記第２配向膜との間に前記液晶層を形成する液晶層形成処理を含み、前記第１端子は、前記第１面の中央領域と前記第１基板のエッジとの間の周縁領域に配置され、前記第２端子は、前記第２面の中央領域と前記第２基板のエッジとの間の周縁領域に配置される構成を採用できる。これによれば、周縁領域に配置された第１端子と第２端子とを円滑に接続できる。
【００１５】
上記構成において、前記中央領域は、電極が形成された領域を含む構成を採用できる。これによれば、電極が形成された領域に液晶層を配置できる。
【００１６】
ここで、第１基板に形成される電極は、画素電極を含み、第２基板に形成される電極は、共通電極（対向電極）を含む。
【００１７】
また、中央領域は、画素電極が配置され、第１基板の画素電極と第２基板の共通電極との間に与えられた電界（電圧）に基づく液晶分子の動きによって所定の画像を表示できる表示領域（画素領域）及び／又はその表示領域に対応する領域を含む。周縁領域は、中央領域（表示領域）と、第１、第２基板のエッジとの間の領域を含み、画素電極が配置されていない非表示領域を含む。
【００１８】
上記構成において、前記変換処理は、前記導電膜前駆体溶液にレーザ光を照射する処理を含む構成を採用できる。これによれば、導電膜を形成したい部分のみにレーザ光を照射して、所望の形状（パターン）を有する導電膜を形成できる。また、例えば基板全体を加熱することなく、導電膜前駆体溶液を導電膜に変換することができる。
【００１９】
本発明の第２の観点によると、第１基板と第２基板との間に配置される液晶層を有する液晶装置であって、前記第１基板の第１面の第１端子を含む所定領域に形成され、無機材料を含む多孔体からなる第１配向膜と、前記多孔体からなる前記第１配向膜の孔の内部に入り込むように配置され、前記第１端子と接続される導電部材と、を備え、前記導電部材は、前記第１端子と該第１端子とは別の端子とを電気的に接続可能である液晶装置が提供される。
【００２０】
本発明の第２の観点によれば、無機材料を含む多孔体からなる第１配向膜の孔に、導電部材の少なくとも一部が入り込むことによって、第１端子とその第１端子とは別の端子（実装端子、第２端子等）との電気的な接続を良好に実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置の平面図、図２は、図１のＡ−Ａ線断面矢視図である。
【００２２】
図１及び図２において、液晶装置Ｓは、第１面１Ａを有するアレイ基板（ＴＦＴアレイ基板）１と、第１面１Ａと対向するように配置される第２面２Ａを有する対向基板（カラーフィルタ基板）２と、アレイ基板１と対向基板２との間に配置される液晶層３とを備えている。
【００２３】
アレイ基板１の第１面１Ａは、画素領域（表示領域、中央領域）４と、画素領域４とアレイ基板１のエッジとの間の周縁領域５とを含む。画素領域４には、画素電極６、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、及び蓄電コンデンサ等が配置されている。
【００２４】
対向基板２の第２面２Ａは、第１面１Ａの画素領域４に対応する中央領域７と、中央領域７と対向基板２のエッジとの間の周縁領域８とを含む。中央領域７には、共通電極（対向電極）９が配置されている。また、中央領域７に対応するように、ブラックマトリクス、カラーフィルタ等が配置される。
【００２５】
画素領域（中央領域）４は、画素電極６が形成された領域であり、画素領域４に対応する中央領域７は、画素電極６に対応する共通電極９が形成された領域である。中央領域４、７は、アレイ基板１の画素電極６と対向基板２の共通電極９との間に与えられた電界（電圧）に基づく液晶層３の液晶分子の動きによって、所定の画像を表示可能な表示領域である。周縁領域５、８は、中央領域４、７と、基板１、２のエッジとの間の領域を含み、電極６、９が配置されていない非表示領域である。
【００２６】
また、液晶装置Ｓは、アレイ基板１と対向基板２とを貼り合わせるシール材１０を備える。シール材１０は、アレイ基板１の周縁領域５と対向基板２の周縁領域８とを接続するように配置される。シール材１０の内側の領域は、中央領域４、７を含み、その中央領域４と中央領域７との間に液晶層３が配置される。シール材１０の一部には液晶注入口１１が形成されており、液晶注入口１１は、蓋部材１２で塞がれている。このように、アレイ基板１と対向基板２とシール材１０と蓋部材１２とによって、液晶層３を配置するための密閉された空間が形成される。
【００２７】
第１面１Ａのうち、画素領域４に対してシール材１０の外側の周縁領域５には、データ線駆動回路１３と、外部装置と電気的に接続される実装端子１４と、複数の走査線駆動回路１５と、走査線駆動回路１５同士を接続するための複数の配線１６とが配置されている。走査線駆動回路１３は、画素領域４の両側に配置されている。
【００２８】
第２面２Ａのうち、中央領域７に対してシール材１０の外側の周縁領域８のコーナーには、導電部材１８が配置されている。導電部材１８は、アレイ基板１と対向基板２とを電気的に接続する。
【００２９】
図３は、周縁領域５、８の近傍を拡大した断面図である。図３において、アレイ基板１は、ガラス基板１Ｂと、ガラス基板１Ｂ上に形成されたＴＦＴ１９と、ガラス基板１Ｂ上に形成された絶縁層１Ｃと、絶縁層１Ｃ上に形成された画素電極６とを備えている。本実施形態においては、第１面１Ａは、対向基板２と対向する画素電極６の表面及び絶縁層１Ｃの表面を含む。第１面１Ａ上には、無機材料を含む第１配向膜２１が配置されている。第１配向膜２１は、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料で形成されている。第１配向膜２１は、無機材料の多孔体であり、複数の孔を有する。第１配向膜２１は、液晶層３と接触するように配置されている。
【００３０】
対向基板２は、ガラス基板２Ｂと、ガラス基板２Ｂ上に形成された共通電極９とを備えている。本実施形態においては、第２面２Ａは、アレイ基板１と対向する共通電極９の表面を含む。第２面２Ａ上には、無機材料を含む第２配向膜２２が配置されている。第２配向膜２２は、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２等の無機材料で形成されている。第２配向膜２２は、無機材料の多孔体であり、複数の孔を有する。第２配向膜２２は、液晶層３と接触するように配置されている。
【００３１】
アレイ基板１には、データ線駆動回路１３に接続されるデータ線２３と、走査線駆動回路１５に接続される走査線２４とが設けられている。ＴＦＴ１９は、データ線２３と走査線２４とが交差する位置の近傍に配置されている。
【００３２】
ＴＦＴ１９は、半導体層１９Ｇと、ソース領域１９Ｓと、ドレイン領域１９Ｄと、半導体層１９Ｇ上にゲート絶縁膜（不図示）を介して形成されたゲート電極２０Ｇとを備えている。ソース領域１９Ｓは、ソース電極２０Ｓを介して、データ線２３と接続されている。ドレイン領域１９Ｄは、ドレイン電極２０Ｄを介して、画素電極６と接続されている。
【００３３】
データ線２３は、配線２５を通じて、シール材１０の外側の周縁領域５に配置されたデータ線駆動回路１３に接続されている。また、シール材１０の外側の周縁領域５には、外部装置と電気的に接続される実装端子１４が形成されている。実装端子１４は、中央領域４に対してシール材１０の外側の周縁領域５において、アレイ基板１の絶縁層１Ｃの表面に配置されている。対向基板２と対向する側の実装端子１４の表面は、絶縁層１Ｃの外側に露出しており、第１面１Ａの一部を形成する。データ線駆動回路１３と実装端子１４とは、配線２６を介して、電気的に接続されている。本実施形態においては、配線２５、２６、及び実装端子１４は、アルミニウム等の導電性を有する金属で形成されている。
【００３４】
本実施形態においては、第１配向膜２１は、周縁領域５の実装端子１４を覆うように形成されている。本実施形態の液晶装置Ｓは、実装端子１４と電気的に接続される導電部材２８を有する。第１面１Ａの実装端子１４は、導電部材２８を介して、外部装置と電気的に接続される。
【００３５】
図４は、導電部材２８、第１配向膜２１、及び実装端子１４の近傍を拡大した断面図である。上述のように、第１配向膜２１は、無機材料を含む多孔体であって、複数の孔を有する。導電部材２８の少なくとも一部は、第１配向膜２１の孔の内部に入り込むように配置されている。そして、導電部材２８は、第１配向膜２１の孔を介して、実装端子１４に接続されている。また、外部装置（対向基板２）と対向する側の導電部材２８の表面は、第１配向膜２１の表面よりも、外部装置に近い位置に配置されている。これにより、導電部材２８は、第１面１Ａの実装端子１４と、外部装置（外部装置の接続端子）とを電気的に接続可能である。
【００３６】
図５は、図１のＢ−Ｂ線断面矢視図である。図４において、導電部材１８は、中央領域４、７に対してシール材１０の外側に配置されている。アレイ基板１のうち、中央領域４に対してシール材１０の外側の周縁領域５には、接続端子２７が配置されている。接続端子２７は、アレイ基板１の内部に形成されている配線（不図示）を介して、実装端子１４と電気的に接続されている。対向基板２と対向する接続端子２７の表面は、絶縁層１Ｃの外側に露出しており、第１面１Ａの一部を形成する。
【００３７】
また、対向基板２のうち、中央領域７に対してシール材１０の外側の周縁領域８には、共通電極９の一部が配置されている。アレイ基板１と対向する共通電極９の表面は、第２面２Ａの一部を形成する。
【００３８】
本実施形態においては、第１配向膜２１は、周縁領域５の接続端子２７を覆うように形成されている。また、第２配向膜２２は、周縁領域８の共通電極９を覆うように形成されている。導電部材１８は、中央領域４、７に対してシール材１０の外側において、接続端子２７と共通電極９の一部とを電気的に接続する。
【００３９】
図６は、導電部材１８、接続端子２７、第１配向膜２１、共通電極９、及び第２配向膜２２の近傍を拡大した断面図である。上述のように、第１配向膜２１及び第２配向膜２２のそれぞれは、無機材料を含む多孔体であって、複数の孔を有する。導電部材１８の少なくとも一部は、第１配向膜２１及び第２配向膜２２それぞれの孔の内部に入り込むように配置されている。そして、導電部材１８は、第１配向膜２１の孔を介して、接続端子２７に接続されており、第２配向膜２２の孔を介して、共通電極９に接続されている。これにより、導電部材１８は、第１面１Ａの接続端子２７と、第２面２Ａの共通電極９とを電気的に接続可能である。
【００４０】
次に、上述の構成を有する液晶装置Ｓを製造する方法の一例について、図７のフローチャート図、及び図８及び図９の模式図を参照して説明する。本実施形態の製造方法は、図７に示すように、アレイ基板１の第１面１Ａの接続端子２７及び実装端子１４を含む所定領域に無機材料を含む第１配向膜２１を形成する第１配向膜形成処理ＳＡ１と、第１配向膜２１に第１導電膜前駆体溶液を供給する第１導電膜前駆体溶液供給処理ＳＡ２と、第１導電膜前駆体溶液を第１導電膜に変換する変換処理ＳＡ３と、アレイ基板１を洗浄する洗浄処理ＳＡ４と、アレイ基板１をアニールするアニール処理ＳＡ５とを含む。
【００４１】
また、本実施形態の製造方法は、対向基板２の第２面２Ａの共通電極９を含む所定領域に無機材料を含む第２配向膜２２を形成する第２配向膜形成処理ＳＢ１と、第２配向膜２２に第２導電膜前駆体溶液を供給する第２導電膜前駆体溶液供給処理ＳＢ２と、第２導電膜前駆体溶液を第２導電膜に変換する変換処理ＳＢ３と、対向基板２を洗浄する洗浄処理ＳＢ４と、対向基板２をアニールするアニール処理ＳＢ５とを含む。
【００４２】
また、本実施形態の製造方法は、ステップＳＡ５においてアニール処理された後のアレイ基板１の第１導電膜、及びステップＳＢ５においてアニール処理された後の対向基板２の第２導電膜の少なくとも一方に第３導電膜前駆体溶液を供給する第３導電膜前駆体溶液供給処理Ｓ６と、シール材１０を形成し、アレイ基板１と対向基板２とを貼り合わせて、第３導電膜前駆体溶液から形成される第３導電膜で第１導電膜と第２導電膜とを電気的に接続する貼り合わせ処理Ｓ７と、アレイ基板１と対向基板２との間に液晶を注入して、第１面１Ａの中央領域４の第１配向膜２１と第２面２Ａの中央領域７の第２配向膜２２との間に液晶層３を形成する液晶層形成処理Ｓ８とをを含む。
【００４３】
図８（Ａ）に示すように、アレイ基板１の第１面１Ａに、第１配向膜２１を形成する処理が実行される（ステップＳＡ１）。なお、アレイ基板１には、接続端子２７、実装端子１４、ＴＦＴ１９、画素電極６等が既に形成されている。第１配向膜２１は、例えば特開２００５−１７３３９号公報等に開示されているような、斜方蒸着法によって形成される。第１配向膜２１は、アレイ基板１の第１面１Ａの実装端子１４、接続端子２７を含む所定領域（本実施形態では第１面１Ａのほぼ全域）に形成される。
【００４４】
第１配向膜２１が形成された後、図８（Ｂ）に示すように、接続端子２７及び実装端子１４に対応する第１配向膜２１の表面に、第１導電膜前駆体溶液ＬＱ１が供給される（ステップＳＡ２）。第１導電膜前駆体溶液ＬＱ１は、導電性を有する液体（液状体）であって、所定の金属を溶媒に溶解させたもの、あるいは所定の金属を分散媒に分散させたものを含む。本実施形態においては、第１導電膜前駆体溶液ＬＱ１として、アセチルアセトンスズを用いる。なお、第１導電膜前駆体溶液ＬＱ１としては、アセチルアセトンインジウム、及びアセチルアセトン亜鉛等を含む金属有機化合物、あるいは、カルブキシメチルロース金塩（ＣＭＣ−Ａｕ）、カルブキシメチルロース銀塩（ＣＭＣ−Ａｇ）、及びカルブキシメチルロース銅塩（ＣＭＣ−Ｃｕ）等を含む金属高分子塩であってもよい。また、本実施形態においては、第１導電膜前駆体溶液ＬＱ１は、インクジェット法によって供給される。
【００４５】
上述のように、第１配向膜２１は、多孔体であって、多数の孔を有しており、第１配向膜２１の表面に供給された第１導電膜前駆体溶液ＬＱ１は、毛管現象によって、第１配向膜２１を通過し、接続端子２７及び実装端子１４に到達する。
【００４６】
第１導電膜前駆体溶液が供給された後、図８（Ｃ）に示すように、第１導電膜前駆体溶液ＬＱ１が第１導電膜ＬＭ１に変換される（ステップＳＡ３）。本実施形態においては、第１導電膜前駆体溶液ＬＱ１にレーザ光（エキシマレーザ光）を照射して、その照射したレーザ光のエネルギーによって第１導電膜前駆体溶液ＬＱ１の液体成分を除去（気化）させることによって、第１導電膜前駆体溶液ＬＱ１が第１導電膜ＬＭ１に変換される。レーザ光を照射することによって、第１導電膜前駆体溶液ＬＱ１の所望領域（例えば接続端子２７及び実装端子１４に対応する領域）のみを第１導電膜ＬＭ１に変換できる。これにより、所望の大きさを有する第１導電膜ＬＭ１を形成でき、所望の電気特性（抵抗値など）を有する第１導電膜ＬＭ１を形成できる。
【００４７】
また、本実施形態においては、対向基板２（外部装置）と対向する側の第１導電膜ＬＭ１の表面は、第１配向膜２１の表面よりも、対向基板２（外部装置）に近い位置に配置されるように、第１導電膜前駆体溶液ＬＱ１の供給量等を含む製造条件が設定されている。
【００４８】
次に、図８（Ｄ）に示すように、アレイ基板１が洗浄される（ステップＳＡ４）。これにより、例えば第１導電膜ＬＭ１に変換されずに、残留していた第１導電膜前駆体溶液ＬＱ１が除去される。洗浄処理としては、第１導電膜前駆体溶液ＬＱ１を溶解可能な液体（ＩＰＡ等のアルコール、水など）を含む洗浄液ＬＣ１を用いた洗浄を実行することによって、残留していた第１導電膜前駆体溶液ＬＱ１を除去できる。
【００４９】
次に、図８（Ｅ）に示すように、アレイ基板１がアニール（加熱）される。これにより、ステップＳＡ４で使用され、アレイ基板１に残留していた洗浄液ＬＣ１が除去される。
【００５０】
以上、アレイ基板１に第１導電膜を形成する手順について図８を参照して説明した。対向基板２の第２面２Ａの画素電極９の一部にも、図８を参照して説明した手順（ステップＳＡ１〜ＳＡ５）と同様の手順（ステップＳＢ１〜ＳＢ５）で、第２導電膜ＬＭ２が形成される。本実施形態においては、第１導電膜ＬＭ１（第１導電膜前駆体溶液ＬＱ１）と第２導電膜ＬＭ２（第２導電膜前駆体溶液ＬＱ２）とは同じ材料で形成される。
【００５１】
次に、図９（Ａ）に示すように、ステップＳＡ５においてアニール処理された後のアレイ基板１の第１導電膜ＬＭ１に、第３導電膜前駆体溶液ＬＱ３が供給される（ステップＳ６）。本実施形態においては、第３導電膜前駆体溶液ＬＱ３は、第１、第２導電膜前駆体溶液ＬＱ１、ＬＱ２と同じ材料で形成されている。また、本実施形態においては、第３導電膜前駆体溶液ＬＱ３は、インクジェット法で供給される。なお、第３導電膜前駆体溶液ＬＱ３を第２導電膜ＬＭ２に供給してもよいし、第１、第２導電膜ＬＭ１、ＬＭ２の両方に供給してもよい。
【００５２】
次に、図９（Ｂ）に示すように、シール材１０を形成し、アレイ基板１と対向基板２とを貼り合わせ、例えばレーザ光を照射して、第３導電膜前駆体溶液ＬＱ３を第３導電膜ＬＭ３に変換する（ステップＳ７）。これにより、第１導電膜ＬＭ１と第２導電膜ＬＭ２とは、第３導電膜ＬＭ３を介して、電気的に接続される。本実施形態においては、第１、第２、第３導電膜ＬＭ１、ＬＭ２、ＬＭ３によって、導電部材１８が形成される。そして、その第１、第２、第３導電膜ＬＭ１、ＬＭ２、ＬＭ３を含む導電部材１８を介して、アレイ基板１の接続端子２７と対向基板２の共通電極９とが電気的に接続される。
【００５３】
そして、液晶注入口１１より液晶を注入することによって、第１面１Ａの中央領域４の第１配向膜２１と、第２面２Ａの中央領域７の第２配向膜２２との間に、液晶層３が形成される。
【００５４】
以上説明したように、本実施形態によれば、無機材料を含む第１、第２配向膜２１、２２に第１、第２導電膜前駆体溶液ＬＱ１、ＬＱ２を供給することによって、接続端子２７、実装端子１４、及び共通電極９に電気的に接続される導電膜を円滑且つ良好に形成できる。したがって、電気的な接続不良の発生が抑制され、所望の性能を有する液晶装置Ｓが製造される。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の一例を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面矢視図である。
【図３】図１の一部の拡大図である。
【図４】図３の一部の拡大図である。
【図５】図１の一部のＢ−Ｂ線断面矢視図である。
【図６】図５の一部の拡大図である。
【図７】本実施形態に係る液晶装置の製造方法の一例を示すフローチャート図である。
【図８】本実施形態に係る液晶装置の製造方法の一例を説明するための模式図である。
【図９】本実施形態に係る液晶装置の製造方法の一例を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００５６】
１…アレイ基板、１Ａ…第１面、２…対向基板、２Ａ…第２面、３…液晶層、４…中央領域（画素領域）、５…周縁領域、６…画素電極、７…中央領域、８…周縁領域、９…共通電極、１４…実装端子、１８…導電部材、２１…第１配向膜、２２…第２配向膜、２７…接続端子、２８…導電部材、ＬＭ１…第１導電膜、ＬＭ２…第２導電膜、ＬＭ３…第３導電膜、Ｓ…液晶装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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