(57)【要約】【課題】製品歩留まりの高いアレイ基板の製造方法、表示装置の製造方法、アレイ基板及び表示装置を提供する。【解決手段】基板上に、複数の配線と、配線に接続され、複数の導電部を有し、複数の導電部のうち１つの導電部が他の導電部及び配線から外れているとともに１方向に他の導電部及び配線に間隔を置いて設けられた非重畳部３１、３２、３３を含んでいる複数の画素Ｐと、を形成する。画素Ｐに欠陥が生じているかどうか検査し、画素に欠陥が生じている場合、欠陥が生じている画素の非重畳部にレーザ光を照射し、レーザ光が照射された非重畳部を切断し、欠陥の画素を修復する。【選択図】図２
2008203636.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、複数の配線と、前記配線に接続され、複数の導電部を有し、前記複数の導電部のうち１つの導電部が他の導電部及び前記配線から外れているとともに１方向に前記他の導電部及び前記配線に間隔を置いて設けられた非重畳部を含んでいる複数の画素と、を形成し、
前記画素に欠陥が生じているかどうか検査し、
前記画素に欠陥が生じている場合、欠陥が生じている画素の前記非重畳部にレーザ光を照射し、前記レーザ光が照射された前記非重畳部を切断し、前記欠陥の画素を修復するアレイ基板の製造方法。
【請求項２】
前記複数の配線は、複数の走査線と、複数の信号線と、複数の補助容量線と、であり、
各画素は、前記走査線及び信号線に接続され、ゲート電極及びチャネル層を有したスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された第１接続配線を有した表示素子と、前記スイッチング素子に接続された第２接続配線、前記第２接続配線に接続された第１補助容量電極、前記第１補助容量電極に絶縁膜を介して対向配置された第２補助容量電極、並びに前記第２補助容量電極及び前記補助容量線に接続された第３接続配線を有した補助容量素子と、を備え、
前記画素のスイッチング素子に欠陥が生じている場合、欠陥が生じている画素のチャネル層の前記非重畳部にレーザ光を照射する請求項１に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項３】
前記複数の配線は、複数の走査線と、複数の信号線と、複数の補助容量線と、であり、
各画素は、前記走査線及び信号線に接続され、ゲート電極及びチャネル層を有したスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された第１接続配線を有した表示素子と、前記スイッチング素子に接続された第２接続配線、前記第２接続配線に接続された第１補助容量電極、前記第１補助容量電極に絶縁膜を介して対向配置された第２補助容量電極、並びに前記第２補助容量電極及び前記補助容量線に接続された第３接続配線を有した補助容量素子と、を備え、
前記画素のスイッチング素子に欠陥が生じている場合、欠陥が生じている画素の第１接続配線の前記非重畳部にレーザ光を照射する請求項１に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項４】
前記複数の配線は、複数の走査線と、複数の信号線と、複数の補助容量線と、であり、
各画素は、前記走査線及び信号線に接続され、ゲート電極及びチャネル層を有したスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された第１接続配線を有した表示素子と、前記スイッチング素子に接続された第２接続配線、前記第２接続配線に接続された第１補助容量電極、前記第１補助容量電極に絶縁膜を介して対向配置された第２補助容量電極、並びに前記第２補助容量電極及び前記補助容量線に接続された第３接続配線を有した補助容量素子と、を備え、
前記画素の補助容量素子に欠陥が生じている場合、欠陥が生じている画素の第３接続配線の前記非重畳部にレーザ光を照射する請求項１に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項５】
前記複数の配線は、複数の走査線と、複数の信号線と、複数の補助容量線と、であり、
各画素は、前記走査線及び信号線に接続され、ゲート電極及びチャネル層を有したスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された第１接続配線、前記第１接続配線に接続された第１電極、前記第１電極に対向した第２電極、並びに前記第１電極及び第２電極間に挟持された遮蔽層を有した表示素子と、前記スイッチング素子に接続された第２接続配線、前記第２接続配線に接続された第１補助容量電極、前記第１補助容量電極に絶縁膜を介して対向配置された第２補助容量電極、並びに前記第２補助容量電極及び前記補助容量線に接続された第３接続配線を有した補助容量素子と、を備え、
前記画素の表示素子に欠陥が生じている場合、欠陥が生じている画素の第１接続配線の前記非重畳部にレーザ光を照射する請求項１に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項６】
前記非重畳部の前記１方向に直交した方向の長さは１μｍ以上である請求項１乃至５の何れか１項に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項７】
基板上に、複数の配線と、前記配線に接続され、複数の導電部を有し、前記複数の導電部のうち１つの導電部が他の導電部及び前記配線から外れているとともに１方向に前記他の導電部及び前記配線に間隔を置いて設けられた非重畳部を含んでいる複数の画素と、を具備したアレイ基板を形成し、
前記アレイ基板の前記画素が形成された面に対向基板を対向配置し、
前記画素に欠陥が生じているかどうか検査し、
前記画素に欠陥が生じている場合、欠陥が生じている画素の前記非重畳部にレーザ光を照射し、前記レーザ光が照射された前記非重畳部を切断し、前記欠陥の画素を修復する表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記アレイ基板の前記画素が形成された面の反対側から前記レーザ光を照射する請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
基板上に形成された複数の配線と、
前記基板上に形成され、前記配線に接続され、複数の導電部を有し、前記複数の導電部のうち１つの導電部が他の導電部及び前記配線から外れているとともに１方向に前記他の導電部及び前記配線に間隔を置いて設けられた非重畳部を含んでいる複数の画素と、を備えているアレイ基板。
【請求項１０】
基板上に形成された複数の配線と、前記基板上に形成され、前記配線に接続され、複数の導電部を有し、前記複数の導電部のうち１つの導電部が他の導電部及び前記配線から外れているとともに１方向に前記他の導電部及び前記配線に間隔を置いて設けられた非重畳部を含んでいる複数の画素と、を具備したアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記画素が形成された面に対向配置された対向基板と、を備えている表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、アレイ基板の製造方法、アレイ基板を備えた表示装置の製造方法、アレイ基板の製造方法を用いて製造されたアレイ基板及び表示装置の製造方法を用いて製造された表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置として、有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置等が用いられている。有機ＥＬ表示装置は液晶表示装置に用いられるバックライトユニットが不要であるため、製品の薄型化、軽量化、低消費電力化、低コスト化及び水銀レス化が可能である。有機ＥＬ表示装置は自発光型の表示装置であることから、広視野角及び高速応答といった特徴を有している。上記したことから、有機ＥＬ表示装置は、ノート型パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、モニタ及びビューワ等の静止画向け製品だけでなく、テレビジョン受像機等の動画向け製品としても注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、アレイ基板を備えている。アレイ基板は、ガラス基板と、ガラス基板上に形成された複数の配線と、ガラス基板上にマトリクス状に配置された複数の画素とを有している。各画素は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、有機ＥＬ素子及び補助容量素子を有している。各有機ＥＬ素子は、陽極と、陽極に対向した陰極と、これら陽極及び陰極間に挟持されたＥＬ層とを有している。ＥＬ層は、発光機能を有する有機化合物を含み、赤色、緑色及び青色のいずれかの色に発光可能である。
【０００４】
ところで、有機ＥＬ表示装置の製造過程において、常に発光状態となる輝点の画素、すなわち不良画素が形成される場合がある。不良画素は、例えば、補助容量素子の電極間に短絡が発生して形成される。この場合、補助容量素子から有機ＥＬ素子に常時電流が流れることになる。不良画素が存在すると画質や表示品位が著しく悪化するため、製品を出荷することができない。このため、不良画素は修復の必要がある。
【０００５】
修復方法としては、不良画素の有機ＥＬ素子に接続された配線にレーザ光を照射し、その配線を切断する修復方法が、例えば、特許文献１に開示されている。これにより、有機ＥＬ素子に常時流れる電流をなくすことができ、不良画素は常時発光しない画素、すなわち滅点の画素に修復される。
【０００６】
その他、不良画素を修復する場合、補助容量素子の電極にレーザ光を照射し、電極を切断して修復しても良い。これにより、補助容量素子から有機ＥＬ素子に常時流れる電流をなくすことができ、有機ＥＬ素子にはＴＦＴからのみ電流が流れる。このため、上記不良画素は修復（擬似良点化）され、正常な画素として機能する。
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００４／０６８４４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記配線や、上記画素の導電部は、重なったり、交差したり、隣接して形成されている。このため、不良画素にレーザ光を照射する場合、切断したい個所にのみレーザ光を照射することは困難である。上記したように、不良画素を安定して修復できないため、製品歩留まりを向上できる製造方法が求められている。  
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、製品歩留まりの高いアレイ基板の製造方法、表示装置の製造方法、アレイ基板及び表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の態様に係るアレイ基板の製造方法は、
基板上に、複数の配線と、前記配線に接続され、複数の導電部を有し、前記複数の導電部のうち１つの導電部が他の導電部及び前記配線から外れているとともに１方向に前記他の導電部及び前記配線に間隔を置いて設けられた非重畳部を含んでいる複数の画素と、を形成し、
前記画素に欠陥が生じているかどうか検査し、
前記画素に欠陥が生じている場合、欠陥が生じている画素の前記非重畳部にレーザ光を照射し、前記レーザ光が照射された前記非重畳部を切断し、前記欠陥の画素を修復する。
【０００９】
また、本発明の他の態様に係る表示装置の製造方法は、
基板上に、複数の配線と、前記配線に接続され、複数の導電部を有し、前記複数の導電部のうち１つの導電部が他の導電部及び前記配線から外れているとともに１方向に前記他の導電部及び前記配線に間隔を置いて設けられた非重畳部を含んでいる複数の画素と、を具備したアレイ基板を形成し、
前記アレイ基板の前記画素が形成された面に対向基板を対向配置し、
前記画素に欠陥が生じているかどうか検査し、
前記画素に欠陥が生じている場合、欠陥が生じている画素の前記非重畳部にレーザ光を照射し、前記レーザ光が照射された前記非重畳部を切断し、前記欠陥の画素を修復する。
【００１０】
また、本発明の他の態様に係るアレイ基板は、
基板上に形成された複数の配線と、
前記基板上に形成され、前記配線に接続され、複数の導電部を有し、前記複数の導電部のうち１つの導電部が他の導電部及び前記配線から外れているとともに１方向に前記他の導電部及び前記配線に間隔を置いて設けられた非重畳部を含んでいる複数の画素と、を備えている。
【００１１】
また、本発明の他の態様に係る表示装置は、
基板上に形成された複数の配線と、前記基板上に形成され、前記配線に接続され、複数の導電部を有し、前記複数の導電部のうち１つの導電部が他の導電部及び前記配線から外れているとともに１方向に前記他の導電部及び前記配線に間隔を置いて設けられた非重畳部を含んでいる複数の画素と、を具備したアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記画素が形成された面に対向配置された対向基板と、を備えている。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、製品歩留まりの高いアレイ基板の製造方法、表示装置の製造方法、アレイ基板及び表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながらこの発明に係る表示装置の製造方法及び表示装置の製造方法によって製造された表示装置を、有機ＥＬ表示装置の製造方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法によって製造された有機ＥＬ表示装置に適用した実施の形態について詳細に説明する。始めに、有機ＥＬ表示装置の構成を説明する。
【００１４】
図１、図２、図３及び図４に示すように、有機ＥＬ表示装置は、表示面Ｓ及び表示領域Ｒを有したアレイ基板１と、対向基板としての封止基板２とを備えている。封止基板２は、アレイ基板１に所定の隙間を置いて対向配置されている。封止基板２の周縁に沿って図示しないシール材が設けられ、アレイ基板１の表示領域Ｒ外側及び封止基板２はこのシール材により貼り合わされている。このため、封止基板２及び上記シール材は、アレイ基板１の表示領域Ｒとの間の雰囲気を気密に保持している。
【００１５】
アレイ基板１の表示領域Ｒ及び封止基板２で囲まれた空間は、ＡｒガスやＮ２等の不活性ガスで満たされている。また、その空間内部には、図示しない乾燥剤が配置され、後述する有機ＥＬ素子１３に悪影響を与えない程度の乾燥状態に維持されている。
【００１６】
アレイ基板１は、透明な基板として、例えばガラス基板１０を有している。ガラス基板１０上には、アンダーコート層１１が積層されている。アンダーコート層１１としては、例えば、ＳｉＮＸ層及びＳｉＯ２層が順次積層されて形成されている。
【００１７】
表示領域Ｒにおいて、アンダーコート層１１上には、複数の配線としての複数の走査線１５、複数のゲート配線１７、複数の信号線２１及び複数の補助容量線２５と、複数の画素Ｐとが形成されている。走査線１５、ゲート配線１７及び複数の補助容量線２５は第１方向ｄ１に延出している。信号線２１は第１方向ｄ１と直交した第２方向ｄ２に延出している。複数の画素Ｐは第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２にマトリクス状に配置されている。
【００１８】
画素Ｐは、上記複数の配線、すなわち、走査線１５、ゲート配線１７及び複数の補助容量線２５に接続されている。画素Ｐは、複数の導電部を有している。画素Ｐは、非重畳部３１、３２、３３を含んでいる。非重畳部３１、３２、３３は、複数の導電部のうち少なくとも１つの導電部が他の導電部及び上記複数の配線から外れているとともに１方向に他の導電部及び上記複数の配線に間隔を置いて設けられている。
【００１９】
より詳しくは、各画素Ｐは、スイッチング素子１２と、表示素子としての有機ＥＬ素子１３と、補助容量素子１４とを備えている。スイッチング素子１２は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１２ａ及びＴＦＴ１２ｂを有している。有機ＥＬ素子１３は、赤色、緑色及び青色の何れかに発光可能である。各有機ＥＬ素子１３は、ＴＦＴ１２ｂに接続されている。
【００２０】
ＴＦＴ１２ａは、走査線１５及び信号線２１に接続されている。各ＴＦＴ１２ａは、ダブルゲート型であり、２つのゲート電極１６、ゲート絶縁膜１８及びチャネル層１９ａを有している。ゲート電極１６は、走査線１５から延出して形成されている。チャネル層１９ａは、半導体配線１９で形成されている。チャネル層１９ａに、非重畳部３１、３２が形成されている。
【００２１】
非重畳部３１は、ゲート電極１６及び信号線２１から外れているとともに第２方向ｄ２に走査線１５及びゲート配線１７に間隔を置いて設けられている。非重畳部３２は、２つのゲート電極１６から外れているとともに第２方向ｄ２に走査線１５及びゲート配線１７に間隔を置いて設けられている。この実施の形態において、非重畳部３１の第１方向ｄ１の長さＬ１及び非重畳部３２の第１方向ｄ１の長さＬ２は１μｍ以上である。
【００２２】
ＴＦＴ１２ｂは、ゲート配線１７、ゲート絶縁膜１８及びチャネル層１９ｂを有している。ＴＦＴ１２ｂは、ＴＦＴ１２ａと接続されている。チャネル層１９ｂは、半導体配線１９で形成されている。
【００２３】
有機ＥＬ素子１３は、ＴＦＴ１２ｂに接続された第１接続配線１９ｃと、第１接続配線１９ｃに接続された第１電極としての陰極２６と、陰極２６に対向した第２電極としての陽極２９と、陰極２６及び陽極２９間に挟持された遮蔽層としての有機活性層２８とを有している。
【００２４】
ここで、第１接続配線１９ｃは、半導体配線１９に形成され、非重畳部３３を有している。非重畳部３３は、ゲート配線１７及び陰極２６から外れているとともに第１方向ｄ１に陰極２６及び信号線２１に間隔を置いて設けられている。この実施の形態において、非重畳部３３の第２方向の長さＬ３は１μｍ以上である。
【００２５】
補助容量素子１４は、ＴＦＴ１２ａ、１２ｂに接続された第２接続配線２２と、第２接続配線２２に接続された第１補助容量電極２３と、第１補助容量電極２３に絶縁膜を介して対向配置された第２補助容量電極２４と、第２補助容量電極２４及び補助容量線２５に接続された第３接続配線２５ａとを有している。第３接続配線２５ａは、補助容量線２５の一部を延出して形成されている。
【００２６】
走査線１５、ゲート電極１６及びゲート配線１７は、ＭｏＷ、Ａｌ、Ｔａ等の導電材料を用いてアンダーコート層１１上に形成されている。ゲート絶縁膜１８は、ＳｉＯＸ等の絶縁材料を用いてアンダーコート層１１、走査線１５、ゲート電極１６及びゲート配線１７上に成膜されている。半導体配線１９は、ゲート電極１６及びゲート配線１７に重ねられ、ゲート絶縁膜１８上に形成されている。半導体配線１９は、ポリシリコン（以下、ｐ−Ｓｉと称する）又はアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと称する）の半導体で形成されている。
【００２７】
層間絶縁膜２０ａは、ＳｉＯＸ、ＳｉＮＸ等の絶縁材料を用いて、ゲート絶縁膜１８及び半導体配線１９上に成膜されている。層間絶縁膜２０ａ上に、信号線２１及び第２接続配線２２が形成されている。
【００２８】
信号線２１は、層間絶縁膜２０ａに形成されたコンタクトホールｈ１を介してチャネル層１９ａのソース領域と接続されている。第２接続配線２２は、層間絶縁膜２０ａに形成されたコンタクトホールｈ２を介してチャネル層１９ａのドレイン領域、且つチャネル層１９ｂのソース領域と接続されている。信号線２１及び第２接続配線２２は、Ａｌ、Ｔａ等の導電材料を用いて形成されている。
【００２９】
層間絶縁膜２０ａ、信号線２１及び第２接続配線２２上に、層間絶縁膜２０ｂが形成されている。層間絶縁膜２０ｂ上に、陰極２６が形成されている。陰極２６は、層間絶縁膜２０ａ及び層間絶縁膜２０ｂに形成されたコンタクトホールｈ３を介して第１接続配線１９ｃ（チャネル層１９ｂのドレイン領域）と接続されている。なお、詳述しないが、補助容量素子１４は、スイッチング素子１２及び有機ＥＬ素子１３と同様、積層して形成されている。すなわち、第１補助容量電極２３及び第２補助容量電極２４は絶縁膜を介して積層されている。
【００３０】
層間絶縁膜２０ｂ上には、隔壁層２７が形成されている。隔壁層２７は、後述する各有機活性層２８の周縁に沿った個所が突出して格子状に形成されている。隔壁層２７は、ＳｉＯＸ等の絶縁性の遮光材料を用いて形成されている。
【００３１】
各有機ＥＬ素子１３は、陰極２６と、陽極２９と、発光体となる有機活性層２８とを有している。陰極２６はＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）やＡｌ等の導電材料により形成されている。この実施の形態において、アレイ基板１の外面が表示面Ｓとして機能するため、陰極２６は透光性を有するＩＴＯで形成されている。
【００３２】
有機活性層２８は、陰極２６に重なって形成されている。有機活性層２８は、図示しないが、正孔輸送層、正孔注入層、発光層、電子注入層、及び電子輸送層を含んでいる。陽極２９は、隔壁層２７及び有機活性層２８上に一体に形成されている。陽極２９は、Ａｌ、ＭｏＷ、ＩＴＯ等の導電材料により形成されている。封止基板２は、カバー４０を有している。カバー４０は、例えばガラスで形成されている。
【００３３】
次に、上記のように構成された有機ＥＬ表示装置の製造装置５０について詳述する。この製造装置５０は、アレイ基板１及び封止基板２を貼り合わせた後、又は貼り合せる前のアレイ基板の欠陥の画素の有無を検査し、欠陥の画素を修復（良点化）するための装置である。ここで言う欠陥が生じた画素とは、画質や表示品位を悪化させる画素であり、修復が必要な欠陥画素である。
【００３４】
図５に示すように、製造装置５０は、防振機能を有する本体５１と、この本体によりそれぞれ直交する第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び第３方向Ｚに移動可能なステージ５２と、レーザ発振器本体５３と、本体５１及びレーザ発振器本体５３を制御可能な制御部５４と、ＣＣＤ５５と、モニタ５６とを有している。レーザ発振器本体５３は、光学系として、対物レンズ５３ａを有している。レーザ発振器本体５３によって取得されるレーザ照射個所の画像の情報は、ＣＣＤ５５を介してモニタ５６に伝送される。そして、モニタ５６にレーザ照射個所の画像が表示される。
【００３５】
次に、上述したように構成された有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。  
図５に示すように、まず、ガラス基板１０上に、走査線１５、ゲート配線１７、信号線２１、補助容量線２５及び画素Ｐを有したアレイ基板１を形成し、アレイ基板１に封止基板２を対向配置する。そして、アレイ基板１及び封止基板２を貼り合わせる。
【００３６】
その後、有機ＥＬ表示装置は、検査工程及び修復工程に移行する。検査工程では画素Ｐに欠陥が生じているかどうか検査し、修復工程では欠陥が生じている画素を修復する。
【００３７】
次に上記有機ＥＬ表示装置の製造方法における検査方法及び修復方法について説明する。  
図５に示すように、まず、処理対象としての有機ＥＬ表示装置を用意する。この実施の形態において、有機ＥＬ表示装置の１つ又は複数の画素Ｐのスイッチング素子１２が不良であり、スイッチング素子としての機能が消失している場合について説明する。上記欠陥の画素Ｐは、常に発光状態となり、輝点となる。
【００３８】
次に、有機ＥＬ表示装置を搬送し、この有機ＥＬ表示装置をステージ５２上に配置する。このとき、レーザ発振器本体５３がアレイ基板１に対向するように有機ＥＬ表示装置を配置する。その後、有機ＥＬ表示装置を駆動して全ての有機ＥＬ素子１３を黒表示させる。すると、欠陥の画素Ｐは輝点となり、輝点の画素は例えば目視により検出される。
【００３９】
図５及び図６に示すように、次いで、ステージ５２を移動させて輝点の画素Ｐと対物レンズ５３ａとを対向させ、この対物レンズを介して取得される輝点の画素の画像をモニタ５６に表示させる。続いて、レーザ発振器本体５３を用い、対物レンズ５３ａを介して欠陥が生じている画素Ｐの非重畳部３３にレーザ光を照射し、非重畳部３３を切断する。言うまでもないが、レーザ光を照射する際、アレイ基板１の画素Ｐが形成された面の反対側からレーザ光を照射する。
【００４０】
これにより、有機ＥＬ素子１３に電流が流れなくなり、欠陥の画素Ｐは滅点の画素に修復される。なお、欠陥の画素Ｐが複数個検出された場合は、それぞれ画素の非重畳部３３にレーザ光を照射し、非重畳部３３を切断すれば良い。上記検査工程及び修復工程が終了すると、有機ＥＬ表示装置の製造工程は終了する。
【００４１】
以上のように構成された有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、予測できない不良が発生することを想定し、画素Ｐに非重畳部３１、３２、３３を予め形成している。
【００４２】
輝点となる欠陥の画素Ｐが有る場合、欠陥の画素の非重畳部３３にレーザ光を照射し、非重畳部３３を切断する。非重畳部３３は、他の導電部及び配線から外れて位置しているとともに他の導電部及び配線に間隔を置いて設けられているため、切断したい個所にのみレーザ光を照射することができる。
【００４３】
このため、レーザ光が非重畳部３３以外の画素Ｐに与えるダメージはない。欠陥の画素Ｐは修復され滅点となる。上記したことから、欠陥の画素Ｐを安定して修復できるため、製品歩留まりを向上できる有機ＥＬ表示装置の製造方法を得ることができ、製造歩留まりを向上できる有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００４４】
なお、この発明は上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００４５】
例えば、スイッチング素子１２の不良で画素Ｐに欠陥が生じている場合、欠陥の画素の非重畳部３１または非重畳部３２にレーザ光を照射し、非重畳部を切断しても良い。この場合でも、欠陥の画素Ｐを安定して修復できる。
【００４６】
有機ＥＬ素子１３に欠陥が生じている場合、欠陥が生じている画素Ｐの第１接続配線１９ｃの非重畳部３３にレーザ光を照射し、非重畳部３３を切断しても良い。この場合でも、欠陥の画素Ｐを安定して修復できる。
【００４７】
図７に示すように、補助容量素子１４の第３接続配線２５ａが非重畳部３４を有していても良い。この場合、非重畳部３４は、第２補助容量電極２４及び補助容量線２５から外れているとともに第１方向ｄ１に他の非重畳部３４に間隔を置いて設けられている。ここで、非重畳部３４の第２方向ｄ２の長さＬ４は１μｍ以上である。
【００４８】
第１補助容量電極２３及び第２補助容量電極２４が短絡する等、補助容量素子１４に欠陥が生じている場合、欠陥が生じている画素Ｐの第３接続配線２５ａの非重畳部３４にレーザ光を照射し、非重畳部３４を切断すれば良い。
【００４９】
これにより、補助容量素子１４から有機ＥＬ素子１３に常時流れる電流をなくすことができ、有機ＥＬ素子１３にはスイッチング素子１２からのみ電流が流れる。このため、上記欠陥の画素Ｐは修復（擬似良点化）され、正常な画素として機能する。
【００５０】
上記検査工程及び修復工程は、封止基板２と貼り合わせる前のアレイ基板１に行っても良い。この場合、レーザ光を、アレイ基板１の画素Ｐが形成された面及びアレイ基板１の画素Ｐが形成された面の反対のどちら側から照射しても良い。
【００５１】
この発明は、有機ＥＬ表示装置の製造方法及び有機ＥＬ表示装置に限定されることなく、表示装置としての液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】この発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置のアレイ基板の画素を示す等価回路図。
【図２】図１に示したアレイ基板の一部を示す拡大平面図。
【図３】図２の線Ａ−Ａに沿った有機ＥＬ表示装置の断面図。
【図４】図２の線Ｂ−Ｂに沿った有機ＥＬ表示装置の断面図。
【図５】上記有機ＥＬ表示装置を製造する製造装置を示す概略構成図。
【図６】図４に示した非重畳部にレーザ光を照射している状態を示す有機ＥＬ表示装置の断面図。
【図７】上記有機ＥＬ表示装置の変形例を示す図であり、補助容量素子を示す平面図。
【符号の説明】
【００５３】
１…アレイ基板、２…封止基板、１０…ガラス基板、１２…スイッチング素子、１２ａ，１２ｂ…ＴＦＴ、１３…有機ＥＬ素子、１４…補助容量素子、１５…走査線、１６…ゲート電極、１７…ゲート配線、１８…ゲート絶縁膜、１９…半導体配線、１９ａ，１９ｂ…チャネル層、１９ｃ…第１接続配線、２１…信号線、２２…第２接続配線、２３…第１補助容量電極、２４…第２補助容量電極、２５…補助容量線、２５ａ…第３接続配線、２６…陰極、２７…隔壁層、２８…有機活性層、２９…陽極、３１，３２，３３，３４…非重畳部、５０…製造装置、ｄ１…第１方向、ｄ２…第２方向、Ｐ…画素、Ｒ…表示領域、Ｓ…表示面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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