(57)【要約】【課題】アノード電極のライン抵抗を低くし、発光均一度を高めることが可能な発光装置及び表示装置を提供すること。【解決手段】互いに対向配置され、真空空間を構成する第１基板１２及び第２基板１４と、第１基板に位置する電子放出ユニット１８と、第２基板に位置する発光ユニット２０とを含み、発光ユニットは、透明なアノード電極３０と、アノード電極の一面に位置する蛍光層３２と、アノード電極及び蛍光層と接触して、アノード電極より低い抵抗を有する第１補助電極３４とを含む。【選択図】図１
2008047511.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置され、真空空間を構成する第１基板及び第２基板と；
前記第１基板に位置する電子放出ユニットと；
前記第２基板に位置する発光ユニットと；
を含み、
前記発光ユニットは、
透明なアノード電極と；
前記アノード電極の一面に位置する蛍光層と；
前記アノード電極及び前記蛍光層と接触して、前記アノード電極より低い抵抗を有する第１補助電極と；
を含むことを特徴とする、発光装置。
【請求項２】
前記第１補助電極が前記アノード電極の一面で前記蛍光層より薄い厚さで形成され、
前記蛍光層が前記第１補助電極を覆うことを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１補助電極がモリブデン、モリブデン合金、アルミニウム、及びアルミニウム合金からなる群から選択された金属を含むことを特徴とする、請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１補助電極が前記アノード電極の一面で前記蛍光層と同じ、又は前記蛍光層より厚い厚さで形成され、
前記蛍光層が前記第１補助電極の間に位置することを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１補助電極が導電性炭素系物質を含むことを特徴とする、請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１補助電極が５〜２０μｍの線幅を有し、帯状パターンと格子パターンのうちの何れか一つに形成されることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記蛍光層が互いに間に距離をおいて位置して、
前記発光ユニットが、前記蛍光層の間に位置しながら前記第１補助電極より大きい線幅を有する第２補助電極を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第２補助電極が前記第１補助電極のような物質を含み、前記第１補助電極のような高さで形成されることを特徴とする、請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記発光ユニットが前記第１基板に向かった前記蛍光層の一面に位置する金属反射膜を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記電子放出ユニットが互いに交差する第１電極及び第２電極と、前記第１電極又は前記第２電極に電気的に連結される電子放出部を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１１】
画像を表示する表示パネルと；
前記表示パネルに向かって、光を放出する発光装置と；
を含み、
前記発光装置が、互いに対向配置され、真空空間を構成する第１基板及び第２基板と、前記第１基板に位置する電子放出ユニットと、前記第２基板に位置する発光ユニットとを含み、
前記発光ユニットが透明なアノード電極と、前記アノード電極の一面に位置する蛍光層と、前記アノード電極及び前記蛍光層と接触しながら前記アノード電極より低い抵抗を有する第１補助電極と、
を含むことを特徴とする、表示装置。
【請求項１２】
前記第１補助電極が前記アノード電極の一面で前記蛍光層より薄い厚さで形成され、
前記蛍光層が前記第１補助電極を覆うことを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１補助電極がモリブデン、モリブデン合金、アルミニウム、及びアルミニウム合金からなる群から選択された金属を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１補助電極が前記アノード電極の一面で前記蛍光層と同じ、又は前記蛍光層より厚い厚さで形成され、
前記蛍光層が前記第１補助電極の間に位置することを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１補助電極が導電性炭素系物質を含むことを特徴とする、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１補助電極が５〜２０μｍの線幅を有し、帯状パターンと格子パターンのうちの何れか一つに形成されることを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記蛍光層が互いに間に距離をおいて位置して、
前記発光ユニットが、前記蛍光層の間に位置しながら前記第１補助電極より大きい線幅を有する第２補助電極を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第２補助電極が前記第１補助電極のような物質を含み、前記第１補助電極のような高さで形成されることを特徴とする、請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記発光ユニットが前記第１基板に向かった前記蛍光層の一面に位置する金属反射膜を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記電子放出ユニットが互いに交差する第１電極及び第２電極と、前記第１電極又は前記第２電極に電気的に連結される電子放出部を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記発光装置が前記表示パネルより少ない数の画素を形成し、画素別輝度を独立的に制御することを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記表示パネルが液晶表示パネルであることを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光装置及び表示装置に係り、より詳しくは、電子放出部と蛍光層を用いて光を出す発光装置と、この発光装置を光源として使用する表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルのような受光型表示パネルを備える発光装置は、表示パネルに光を提供する光源を必要とする。一般に冷陰極蛍光ランプ（Cold  Cathode  Fluorescent  Lamp；ＣＣＦＬ）方式と発光ダイオード（Light  Emitting  Diode；ＬＥＤ）方式の発光装置が表示装置の光源として幅広く使用されている。
【０００３】
上記ＣＣＦＬ方式とＬＥＤ方式は、それぞれ線光源と点光源を使うので、光拡散のための複数の光学部材を備えている。ところで線光源と点光源で放出された光の相当量が光学部材を経ながら損失されるので、ＣＣＦＬ方式とＬＥＤ方式は十分な輝度を得るために消費電力を高めなければならない。
【０００４】
最近になってＣＣＦＬ方式とＬＥＤ方式を代替する発光装置であって、後面基板に電子放出部を具備し、前面基板に蛍光層とアノード電極を備えた発光装置が提案されている。前面基板と後面基板は密封部材によって接合され、内部が排気されて真空空間を構成し、電子放出部で放出した電子が蛍光層を励起させて可視光を放出させる。
【０００５】
上記発光装置ではアノード電極を透明導電膜、例えばＩＴＯ（酸化インジウム錫）膜で形成し、前面基板の周縁にアノード電極と電気的に連結されるアノードリード部を形成して、アノード電極にアノード電圧を印加している。発光装置の輝度は、アノード電圧に比例する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで上記構造ではＩＴＯ膜が比較的高い抵抗を有するので、アノード電極のうちのアノードリード部から近い側と遠い側の間に電位差が発生するようになる。従って、上記発光装置では、発光面における位置に応じてアノード電位差が異なるため、輝度差が発生して、発光均一度が低下するという問題があった。
【０００７】
また、従来の発光装置は、表示装置駆動時、発光面全体が一定した輝度で発光するので表示装置に要求される画質改善を行いにくい、例えば動的コントラスト比を高めにくいという問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、アノード電極のライン抵抗を低くし、発光均一度を高めることが可能な、新規かつ改良された発光装置及び表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、互いに対向配置され、真空空間を構成する第１基板及び第２基板と、第１基板に位置する電子放出ユニットと、第２基板に位置する発光ユニットとを含み、発光ユニットは、透明なアノード電極と、アノード電極の一面に位置する蛍光層と、アノード電極及び蛍光層と接触して、アノード電極より低い抵抗を有する第１補助電極とを含む発光装置が提供される。
【００１０】
上記第１補助電極がアノード電極の一面で蛍光層より薄い厚さで形成され、蛍光層が第１補助電極を覆ってもよい。
【００１１】
上記第１補助電極がモリブデン、モリブデン合金、アルミニウム、及びアルミニウム合金からなる群から選択された金属を含んでもよい。
【００１２】
上記第１補助電極がアノード電極の一面で蛍光層と同じ、又は蛍光層より厚い厚さで形成され、蛍光層が第１補助電極の間に位置してもよい。
【００１３】
上記第１補助電極が導電性炭素系物質を含んでもよい。上記第１補助電極が５〜２０μｍの線幅を有し、帯状パターンと格子パターンのうちの何れか一つに形成されてもよい。
【００１４】
上記蛍光層が互いに間に距離をおいて位置して、発光ユニットが、蛍光層の間に位置しながら第１補助電極より大きい線幅を有する第２補助電極を含んでもよい。
【００１５】
上記第２補助電極が第１補助電極のような物質を含み、第１補助電極のような高さで形成されてもよい。上記発光ユニットが第１基板に向かった蛍光層の一面に位置する金属反射膜を含んでもよい。
【００１６】
上記電子放出ユニットが互いに交差する第１電極及び第２電極と、第１電極又は第２電極に電気的に連結される電子放出部を含んでもよい。
【００１７】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、上像を表示する表示パネルと、表示パネルに向かって、光を放出する発光装置とを含み、発光装置が、互いに対向配置され、真空空間を構成する第１基板及び第２基板と、第１基板に位置する電子放出ユニットと、第２基板に位置する発光ユニットとを含み、発光ユニットが透明なアノード電極と、アノード電極の一面に位置する蛍光層と、アノード電極及び蛍光層と接触しながらアノード電極より低い抵抗を有する第１補助電極とを含む表示装置が提供される。
【００１８】
上記発光装置が表示パネルより少ない数の画素を形成し、画素別輝度を独立的に制御してもよい。上記表示パネルが液晶表示パネルであってもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、アノード電極のライン抵抗を低くし、発光均一度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２１】
（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態に係る発光装置について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る発光装置の断面図である。
【００２２】
図１を参照すれば、本実施形態に係る発光装置１０は、所定の間隔をおいて平行に対向配置される第１基板１２と第２基板１４を含む。第１基板１２と第２基板１４の周縁には、密封部材１６が配置されて両基板を接合させ、内部空間がほぼ１０−６Ｔｏｒｒの真空度で排気されて、第１基板１２と第２基板１４及び密封部材１６が真空空間を構成する。
【００２３】
第１基板１２と第２基板１４は、密封部材１６内側に位置する領域について、実際に可視光放出に寄与する有効領域と、有効領域を囲む非有効領域とで区分できる。第１基板１２の有効領域には、電子放出のための電子放出ユニット１８が設けられ、第２基板１４の有効領域には、可視光放出のための発光ユニット２０が設けられる。
【００２４】
図２は、本実施形態に係る発光装置のうち有効領域を示す部分分解斜視図である。図１と図２を参照すれば、電子放出ユニット１８は、絶縁層２４を間に挟んで、互いに交差する方向に延在して帯形状で形成される第１電極２２及び第２電極２６と、第１電極２２と第２電極２６のうち何れか１つの電極に電気的に連結される電子放出部２８とを有する。
【００２５】
電子放出部２８が第１電極２２に形成される場合、第１電極２２は、電子放出部２８に電流を供給するカソード電極であり、第２電極２６は、カソード電極との電位差によって電界を形成して、電子放出を誘導するゲート電極である。反対に、電子放出部２８が第２電極２６に形成される場合、第２電極２６がカソード電極であり、第１電極２２がゲート電極である。
【００２６】
第１電極２２と第２電極２６のうち発光装置１０の一方向（行方向）に沿って位置する電極が走査電極として機能して、走査電極が位置する一方向に対して垂直方向（発光装置１０の列方向）に位置する電極がデータ電極として機能する。
【００２７】
図面では、電子放出部２８が第１電極２２に形成され、第１電極２２が発光装置１０の列方向（図面のｙ軸方向）に沿って位置し、第２電極２６が発光装置１０の行方向（図面のｘ軸方向）に沿って位置する場合を示す。電子放出部２８の位置と第１電極２２及び第２電極２６の配列方向は前述した例に限定されず多様に変形可能である。
【００２８】
第１電極２２と第２電極２６の交差領域毎に、第２電極２６と絶縁層２４のそれぞれに開口部２６１、２４１が形成され、第１電極２２の表面一部を露出させ、絶縁層２４の開口部２４１内側で第１電極２２の上に電子放出部２８が配置される。
【００２９】
電子放出部２８は、真空中で電界が加えられれば電子を放出する物質、たとえ炭素系物質、ナノメートルサイズの物質からなる。電子放出部２８は、例えば炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、Ｃ６０、シリコンナノワイヤー及びこれらの組み合わせからなる群から選択された物質を含むことができ、その製造法としてはスクリーン印刷、直接成長、化学気相蒸着又はスパッタリングなどが含まれる。
【００３０】
他方、電子放出部２８は、例えばモリブデン（Ｍｏ）又はシリコン（Ｓｉ）等を主材質にする先端が尖っているチップ構造物からなることもできる。
【００３１】
前述した構造で、第１電極２２と第２電極２６との交差領域一つを発光装置１０のある画素領域に対応させたり、２箇所以上の交差領域を発光装置１０のある画素領域に対応させたりすることができる。後者の場合、１つの画素領域に対応する２箇所以上の第１電極２２及び／又は２箇所以上の第２電極２６は互いに電気的に連結されて、同一の駆動電圧が印加される。
【００３２】
次に、発光ユニット２０は、第２基板１４の一面に形成される透明なアノード電極３０と、アノード電極３０の上に形成される蛍光層３２と、アノード電極３０と接触しながら蛍光層３２内部で蛍光層３２を横切って位置する低抵抗の第１補助電極３４と、第１基板１２に向かった蛍光層３２の一面に位置する金属反射膜３６とを含む。
【００３３】
アノード電極３０は、蛍光層３２で放射した可視光を第２基板１４外部に透過させることができるように例えばＩＴＯのような透明導電膜からなり、その一部が密封部材１６外側に延長されて、電圧印加のためのアノードリード部３８（図１参照）を形成する。
【００３４】
蛍光層３２は、例えば白色光を放出する白色蛍光層で形成でき、第２基板１４全体に形成されたり、所定のパターンを有して互いに間に距離をおいて形成されたりすることができる。後者の場合、全面において、蛍光層３２内部には細い線幅を有する第１補助電極３４が帯状パターン又は格子パターンを構成して蛍光層３２内部に形成される。図３では、例えば第１補助電極３４が格子パターンで形成された場合を示す。
【００３５】
第１補助電極３４は、アノード電極３０より抵抗が低い物質、例えばモリブデン、アルミニウム、モリブデン合金及びアルミニウム合金からなる群から選択された金属を含み、アノード電極３０の上で蛍光層３２より先に形成されてもよい。このとき、第１補助電極３４の厚さは数千Å程度であり、蛍光層３２の厚さは数μｍ程度であるので、図４に示すように発光ユニット２０を断面で見た時、蛍光層３２が第１補助電極３４全体を覆いながら形成される。
【００３６】
第１補助電極３４の線幅は、発光装置１０を肉眼で見た時、第１補助電極３４が見えず、蛍光層３２発光による可視光透過量に実質的な影響を与えないほどでなければならない。このことを考慮すると、第１補助電極３４の線幅は２０μｍ以下が好ましい。一方、第１補助電極３４の線幅が過度に小さくすると第１補助電極３４自らのライン抵抗が増加して、第１補助電極３４のパターニング工程が難しくなるようになる。このことを考慮すると、第１補助電極３４の線幅は５μｍ以上が好ましい。
【００３７】
このような第１補助電極３４は、アノードリード部３８を通じて、アノード電圧が印加されるとき、アノード電極３０のライン抵抗を低くして、アノードリード部３８から近い側と遠い側の電位差を最小化する役割を果たす。
【００３８】
金属反射膜３６は、例えばアルミニウムのような金属膜からなり、発光装置１０駆動時、蛍光層３２で放射した可視光のうち第１基板１２に向かって放射した可視光を、第２基板１４側に反射させて、画面の輝度を高める役割を果たす。
【００３９】
金属反射膜３６は、蛍光層３２の上に金属物質を直接蒸着するのではなく、蛍光層３２の上に焼成時に気化する高分子物質で中間膜を形成した後、中間膜上に金属を蒸着し、焼成を通して、中間膜を除去する段階によって完成される。
【００４０】
このような金属反射膜３６は、蛍光層３２の表面粗さに影響を受けず実質的に平坦な膜を形成し、図４に示すように蛍光層３２とは所定の距離をおいて位置する。
【００４１】
一方、蛍光層３２は、画素領域毎に１つの蛍光層３２が対応するように形成されたり、ある画素領域に２つ以上の蛍光層３２が対応するように形成されたり、ある蛍光層３２が２箇所以上の画素領域に亘るように形成できる。このように蛍光層３２が所定のパターンを有して互いに間に距離をおいて形成されるときに、それぞれの蛍光層３２は、図３に示すように四角形に形成でき、第２補助電極４０が蛍光層３２の間で蛍光層３２と並んで格子パターンに形成できる。
【００４２】
第２補助電極４０は、アノード電極３０より抵抗が低い物質から成り、第１補助電極３４より広い幅で形成される。第２補助電極４０は、第１補助電極３４と異なる導電物質又は第１補助電極３４と同じ導電物質で形成でき、後者の場合、第２補助電極４０は１つのマスクパターンを用いて、第１補助電極３４と同時にパターニングされることができる。
【００４３】
図４では、第２補助電極４０が第１補助電極３４と同じ物質で形成され、第１補助電極３４と同時にパターニングされて第１補助電極３４と同じ高さで形成される場合を示す。
前述した第１基板１２と第２基板１４の間には、真空空間に加えられる圧縮力を支持して、両基板の間隔を一定に維持させるスペーサ（図示せず。）が配置されてもよい。
【００４４】
前述した構成の発光装置１０は、真空空間外部から第１電極２２と第２電極２６に所定の駆動電圧を印加し、アノード電極３０に数千ボルトの正の直流電圧を印加して駆動する。図１で符号４２は、第２電極２６から延長された第２電極リード部を示す。
【００４５】
以上のような構成により、第１電極２２と第２電極２６の電位差が臨界値以上である画素で電子放出部２８周囲に電界が形成され、これから電子が放出されて、放出された電子がアノード電圧に引かれて対応する蛍光層３２部位に衝突することによってこれを発光させる。画素別蛍光層３２の発光強さは、当該画素の電子ビーム放出量に対応する。
【００４６】
前述した駆動過程において、第１補助電極３４と第２補助電極４０がアノード電極３０のライン抵抗を低くすることによって、発光ユニット２０のうちのアノードリード部３８から近い側と遠い側の電圧が実質的に同じになる。このとき、蛍光層３２の発光強さはアノード電圧に比例するので、本実施形態の発光装置１０は、発光ユニット２０全体で均一な強さの光を放出できる。
【００４７】
（第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態に係る発光装置のうち第２基板と発光ユニットの部分拡大断面図である。
【００４８】
図５を参照すれば、本実施形態の発光ユニット２０’は、第１補助電極３４’が蛍光層３２’と同一又はほぼ同じ高さで形成され、蛍光層３２’が第１補助電極３４’の間に位置する構成を除いて前述した第１の実施形態の発光装置１０と同一である。
【００４９】
つまり、本実施形態で第１補助電極３４’は、例えば黒鉛のような導電性炭素系物質を含み、スクリーン印刷のような、いわゆる厚膜工程により前述した高さで形成できる。第１補助電極３４’の線幅は、前述した第１の実施形態の第１補助電極３４の線幅と同一である。
【００５０】
また、蛍光層３２’が所定のパターンを有して互いに間に距離をおいて形成される場合、蛍光層３２’の間に第２補助電極４０’が位置できる。第２補助電極４０’は、第１補助電極３４’と同じ導電物質を使用して、これと同じ高さで形成できる。
【００５１】
一方、前述した実施形態で第１基板１２と第２基板１４は、従来の電界放出型バックライトユニットより広い間隔、例えば５〜２０ｍｍの間隔をおいて位置できる。そしてアノード電極３０は、アノードリード部３８を通じて、１０ｋＶ以上、望ましくは１０〜１５ｋＶ程度の高電圧が提供される。本実施形態の発光装置１０は前述した構成により有効領域中央部でほぼ１０，０００ｃｄ／ｍ２以上の最大輝度を実現できる。
【００５２】
図６は、本発明の一実施形態に係る表示装置の分解斜視図である。図６に示す表示装置は本発明を例示するためのものであり、本発明がこれに限定されるものではない。
【００５３】
図６を参照すれば、本実施形態の表示装置１００は、発光装置１０と、発光装置１０前方に位置する表示パネル５０とを含む。発光装置１０と表示パネル５０の間には発光装置１０で放出した光を均等に拡散させて、表示パネル５０に提供する拡散板６０が配置される。拡散板６０と発光装置１０は、所定の距離をおいて離れて位置する。表示パネル５０の前方と発光装置１０の後方には、それぞれトップシャーシ６２とボトムシャーシ６４が位置する。
【００５４】
表示パネル５０は、液晶表示パネル又は他の受光型表示パネルからなる。以下、例えば表示パネル５０が液晶表示パネルである場合について説明する。
【００５５】
表示パネル５０は、複数の薄膜トランジスタ（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）が形成されたＴＦＴ基板５２と、ＴＦＴ基板５２上部に位置するカラーフィルター基板５４と、両基板５２、５４の間に注入される液晶層（図示せず。）を含む。カラーフィルター基板５４の上部とＴＦＴ基板５２の下部には偏光板（図示せず。）が装着されて、表示パネル５０を通過する光を偏光させる。
【００５６】
各ＴＦＴのソース端子には、データラインが連結され、ゲート端子にはゲートラインが連結され、ドレーン端子には画素電極が連結される。ゲートライン及びデータラインにそれぞれ回路ボードアセンブリー５６、５８から電気的な信号を入力すれば、ＴＦＴのゲート端子とソース端子に電気的な信号が入力され、信号入力によりＴＦＴは導通又は遮断されて画素電極駆動に必要な電気的な信号がドレーン端子に出力される。
【００５７】
カラーフィルター基板５４には、赤色と緑色及び青色のカラーフィルターと共通電極が位置する。ＴＦＴが導通すれば、画素電極と共通電極の間に電界が形成される。この電界によって、液晶層を構成する液晶分子の配列角が変化し、変化された配列角により画素別に光透過度が変化する。
【００５８】
表示パネル５０の回路ボードアセンブリー５６、５８はそれぞれの駆動集積回路（ＩＣ）パッケージ５６１、５８１と接続する。表示パネル５０を駆動するために、ゲート回路ボードアセンブリー５６はゲート駆動信号を伝送し、データ回路ボードアセンブリー５８はデータ駆動信号を伝送する。
【００５９】
発光装置１０は、表示パネル５０より少ない数の画素を形成して、発光装置１０のある１つの画素が２箇所以上の表示パネル５０画素に対応するようにする。発光装置１０の各画素は、例えば対応する複数の表示パネル５０画素のうち一番高い階調に対応して発光できる。発光装置１０は、画素別に例えば２〜８ビットの階調を表現できる。
【００６０】
便宜上表示パネル５０の画素を第１画素といって、発光装置１０の画素を第２画素といい、１つの第２画素に対応する複数の第１画素を第１画素群と称する。
【００６１】
発光装置１０の駆動過程は、表示パネル５０を制御する信号制御部（図示せず。）が、第１画素群の第１画素のうち一番高い階調を検出して、検出された階調により第２画素発光に必要な階調を算出してこれをデジタルデータに変換し、このデジタルデータを用いて発光装置１０の駆動信号を生成する段階を含む。発光装置１０の駆動信号は、走査駆動信号とデータ駆動信号を含む。
【００６２】
発光装置１０の回路ボードアセンブリー（図示せず。）、つまり、走査回路ボードアセンブリーとデータ回路ボードアセンブリーは、それぞれの駆動ＩＣパッケージ４４１、４６１と接続する。発光装置１０を駆動するために、走査回路ボードアセンブリーは走査駆動信号を伝送し、データ回路ボードアセンブリーはデータ駆動信号を伝送する。
【００６３】
発光装置１０の第２画素は、対応する第１画素群に映像が表示されるとき、第１画素群に同期されて所定の階調で発光する。このように発光装置１０は画素別に輝度を独立的に制御して、各画素に対応する表示パネル５０画素に適切な強さの光を提供する。従って、本実施形態の表示装置１００は、動的コントラスト比が優れた画面を表示できて、より鮮明な画質を実現できる。
【００６４】
本発明の実施形態によれば、発光均一度を高めることができる。また、発光面を複数領域に分割し、分割された領域別に輝度を独立的に制御でき、画面の動的コントラスト比を高めることができる。例えば、画素別に輝度を独立的に制御して、各画素に対応する表示パネル画素に適切な強さの光を提供することによって、動的コントラスト比が優れた画面を表示できて、より鮮明な画質を実現できる。
【００６５】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の断面図である。
【図２】図１に示す発光装置のうち有効領域を示す部分分解斜視図である。
【図３】図１に示す発光装置のうち発光ユニットの部分拡大平面図である。
【図４】図１に示す発光装置のうち発光ユニットの部分拡大断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る発光装置のうち第２基板と発光ユニットの部分拡大断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の分解斜視図である。
【符号の説明】
【００６７】
１０      発光装置
１２      第１基板
１４      第２基板
１６      密封部材
１８      電子放出ユニット
２０      発光ユニット
２２      第１電極
２４      絶縁層
２６      第２電極
２８      電子放出部
３０      アノード電極
３２      蛍光層
３４      第１補助電極
３６      金属反射膜
３８      アノードリード部
４０      第２補助電極
２４１、２６１      開口部
【図１】
2008047511.tif 000003
【図２】
2008047511.tif 000004
【図３】
2008047511.tif 000005
【図４】
2008047511.tif 000006
【図５】
2008047511.tif 000007
【図６】
2008047511.tif 000008