(57)【要約】【課題】光信号を間欠的に出力する場合であっても、発光素子を効果的に冷却することができる光信号送信機を提供する。【解決手段】間欠的に光信号を出力する発光素子１と、発光素子１の温度を検出する温度検出部５と、検出された温度及び目標温度の差に応じたフィードバック制御信号を生成するペルチェ素子２と、フィードバック制御信号の信号レベルに応じて発光素子１を冷却するペルチェ素子２とを備え、発光素子１の温度をフィードバック制御する光信号送信機に、発光素子１による光信号の出力を検出するバースト検出部４と、バースト検出部４が光信号の出力を検出した場合、フィードバック制御信号の波形を、発光素子１の温度及び目標温度の差がより小さくなるように整形する波形整形部３とを備える。【選択図】図１
2008211362.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
間欠的に光信号を出力する発光素子の温度及び目標温度の差に応じたフィードバック制御信号にて、前記発光素子の温度をフィードバック制御する光信号送信機において、
前記発光素子による光信号の出力を検出する検出手段と、
該検出手段が光信号の出力を検出した場合、フィードバック制御信号の波形を、前記発光素子の温度及び目標温度の差がより小さくなるように整形する波形整形手段と
を備えることを特徴とする光信号送信機。
【請求項２】
前記波形整形手段は、
前記発光素子の温度及び目標温度の差が大／小の場合、波形を整形する量が大／小になるようにフィードバック制御信号の波形を整形するようにしてある
ことを特徴とする請求項１に記載の光信号送信機。
【請求項３】
前記発光素子の出力を高低させる手段を備え、
前記波形整形手段は、
前記発光素子が高出力／低出力の場合、波形を整形する量が大／小になるようにフィードバック制御信号の波形を整形するようにしてある
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光信号送信機。
【請求項４】
間欠的に光信号を出力する発光素子の温度及び目標温度の差に応じた冷却量にて前記発光素子を冷却する光信号送信機において、
前記発光素子による光信号の出力を検出する検出手段と、
該検出手段が光信号の出力を検出した場合、冷却量を増加させる手段と
を備えることを特徴とする光信号送信機。
【請求項５】
間欠的に光信号を出力する発光素子の温度及び目標温度の差に応じたフィードバック制御量にて前記発光素子の温度をフィードバック制御する光信号送信機において、
前記発光素子による光信号の出力を検出する検出手段と、
該検出手段が光信号の出力を検出した場合、前記発光素子の温度及び目標温度の差がより小さくなるようにフィードバック制御量を変更する手段と
を備えることを特徴とする光信号送信機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号を出力する発光素子の温度及び目標温度の差に応じて、発光素子の温度をフィードバック制御する光信号送信機に関する。
【背景技術】
【０００２】
局側光通信機に接続された１本の光ファイバに光カプラを設け、光カプラで分岐した各光ファイバを複数の宅側光通信機に引き込むことにより、１本の光ファイバを複数の加入者で共有可能にした光通信システム（PON:Passive Optical Network）が実用化されている。
【０００３】
局側光通信機から各宅側光通信機への下り光信号は、時分割多重によって送信される。宅側光通信機は自己のタイムスロットの光信号を選択することによって必要な情報を得ることができる。宅側光通信機から局側光通信機への上り光信号は、複数の宅側光通信機から同時に送信されると混信するため、各宅側光通信機は自己に割り当てられたタイムスロットにおいてのみ光信号を間欠的に高密度で送信する。
【０００４】
図８は、宅側光通信機の構成を示すブロック図である。宅側光通信機は、光信号を出力する発光素子１、例えばレーザダイオードを備えている。光信号の出力によって発光素子１の温度が変化すると、発光波長及び出力が変動し、光通信に支障が生ずるため、宅側光通信機には、温度制御用のペルチェ素子２、温度検出部５、ペルチェ素子駆動部７、比較部６等が配されている。ペルチェ素子駆動部７は、検出された発光素子１の温度と、目標温度設定部８で設定された目標温度との差に応じたフィードバック制御信号Ａをペルチェ素子２に出力し、発光素子１の温度と目標温度の差が０になるように発光素子１を冷却する（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００３−２７３４４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の宅側光通信機においては、光信号を出力しない期間と光信号を高密度で出力する期間とが混在し、発熱量が大きく変動するため、発光素子１の急激な温度上昇に温度制御が追いつかず、光通信に支障が生ずる虞があった。
一方、温度制御の遅れを解消すべく、発光素子１の温度と目標温度の差に応じたフィードバック制御信号Ａを単純に大きく設計することも考えられるが、光信号を出力していないときの温度制御の安定性が悪くなる虞がある。
【０００６】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、発光素子が光信号を出力している場合、発光素子をより強く冷却するように構成することにより、光信号を間欠的に高密度で出力する場合であっても、発光素子を効果的に冷却することができる光信号送信機を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１発明に係る光信号送信機は、間欠的に光信号を出力する発光素子の温度及び目標温度の差に応じたフィードバック制御信号にて、前記発光素子の温度をフィードバック制御する光信号送信機において、前記発光素子による光信号の出力を検出する検出手段と、該検出手段が光信号の出力を検出した場合、フィードバック制御信号の波形を、前記発光素子の温度及び目標温度の差がより小さくなるように整形する波形整形手段とを備えることを特徴とする。
【０００８】
第１発明にあっては、発光素子は光信号を間欠的に高密度で出力するため、発光素子が光信号を出力している出力状態においては、発光素子の温度が急激に上昇する。検出手段は、発光素子の急激な温度上昇に対応すべく、発光素子による光信号の出力を検出する。検出手段が光信号の出力を検出した場合、発光素子の温度が急上昇すると予想されるため、波形整形手段は、発光素子の温度上昇に先立って、発光素子の温度及び目標温度の差がより小さくなるように、フィードバック制御信号の波形を整形する。例えば、フィードバック制御信号がアナログ振幅変調されている場合、信号レベルがより高くなるように波形整形を行う。
従って、発光素子が間欠的に光信号を出力する場合であっても、温度制御の遅れを防止することができ、発光素子の出力低下、又は発光波長の変動を防止することができる。
【０００９】
第２発明に係る光信号送信機は、前記波形整形手段は、前記発光素子の温度及び目標温度の差が大／小の場合、波形を整形する量が大／小になるようにフィードバック制御信号の波形を整形するようにしてあることを特徴とする。
【００１０】
第２発明にあっては、波形整形手段は、発光素子の温度と目標温度との差が大きい場合、波形を整形する量が大きく、発光素子の温度と目標温度との差が小さい場合、波形を整形する量が小さくなるように、フィードバック制御信号の波形を整形する。つまり、発光素子の温度上昇を見越してフィードバック制御信号の波形を整形する場合であっても、現時点の発光素子の温度と目標温度との差を考慮して、波形を整形する量を増減させる。従って、波形整形によって温度制御の安定性が損なわれることはなく、安定且つ効果的な温度制御を行うことができる。
【００１１】
第３発明に係る光信号送信機は、前記発光素子の出力を高低させる手段を備え、前記波形整形手段は、前記発光素子が高出力／低出力の場合、波形を整形する量が大／小になるようにフィードバック制御信号の波形を整形するようにしてあることを特徴とする。
【００１２】
第３発明にあっては、発光素子の出力を高低させることができる。発光素子の出力が変化した場合、光信号出力時の温度上昇度も高低変化する。そこで、波形整形手段は、発光素子が高出力の場合、波形を整形する量が大きく、発光素子が低出力の場合、波形を整形する量が小さくなるように、フィードバック制御信号の波形を整形する。波形を整形する量が大きい場合、整形する量が小さい場合に比べて、発光素子の温度及び目標温度の差がより小さくなるように冷却される。
従って、発光素子の出力が高低し、且つ発光素子が間欠的に光信号を出力する場合であっても、温度制御の遅れを防止することができ、発光素子の出力低下、又は発光波長の変動を防止することができる。
【００１３】
第４発明に係る光信号送信機は、間欠的に光信号を出力する発光素子の温度及び目標温度の差に応じた冷却量にて前記発光素子を冷却する光信号送信機において、前記発光素子による光信号の出力を検出する検出手段と、該検出手段が光信号の出力を検出した場合、冷却量を増加させる手段とを備えることを特徴とする。
【００１４】
第４発明にあっては、検出手段は、第１発明と同様に発光素子による光信号の出力を検出する。検出手段が光信号の出力を検出した場合、発光素子の温度が急上昇すると予想されるため、光信号送信機は、発光素子の冷却量を増加させる。
従って、発光素子が間欠的に光信号を出力する場合であっても、温度制御の遅れを防止することができ、発光素子の出力低下、又は発光波長の変動を防止することができる。
【００１５】
第５発明に係る光信号送信機は、間欠的に光信号を出力する発光素子の温度及び目標温度の差に応じたフィードバック制御量にて前記発光素子の温度をフィードバック制御する光信号送信機において、前記発光素子による光信号の出力を検出する検出手段と、該検出手段が光信号の出力を検出した場合、前記発光素子の温度及び目標温度の差がより小さくなるようにフィードバック制御量を変更する手段とを備えることを特徴とする。
【００１６】
第５発明にあっては、検出手段は、第１発明と同様に発光素子による光信号の出力を検出する。検出手段が光信号の出力を検出した場合、発光素子の温度が急上昇すると予想されるため、光信号送信機は、フィードバック制御量を変更する。フィードバック制御量が変更された場合、発光素子の温度及び目標温度の差がより小さくなるように冷却される。
従って、発光素子が間欠的に光信号を出力する場合であっても、温度制御の遅れを防止することができ、発光素子の出力低下、又は発光波長の変動を防止することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、光信号を間欠的に高密度で出力する場合であっても、発光素子を効果的に冷却することができ、発光素子の出力低下、又は発光波長の変動を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る光信号送信機の構成を示すブロック図である。本発明の実施の形態１に係る光信号送信機は、光信号を間欠的に高密度で出力する場合であっても、光信号の出力状態に応じて、フィードバック制御信号Ａの波形を整形し、発光素子１の効果的な温度制御を行えるように構成されている。
【００１９】
光信号送信機は、発光素子１、温度検出部５、目標温度設定部８、比較部６、ペルチェ素子駆動部７、バースト検出部４、波形整形部３及びペルチェ素子２を備えている。
【００２０】
発光素子１は、例えば波長１３１０ｎｍの光信号を出力する分布帰還型のレーザダイオードであり、外部入力された駆動信号に応じて光信号を間欠的に出力する。駆動信号は、例えばバーストデータ信号、発光素子１のバイアス電流をオン／オフさせるバーストフレーム信号等を含んでいる。バーストフレーム信号がハイレベルの場合、発光素子１にはバイアス電流が流れ、発光素子１はバーストデータ信号に応じた光信号を出力する。バーストフレーム信号がローレベルの場合、バイアス電流が遮断される。
光信号送信機をＰＯＮ光通信システムの宅側光通信機に適用し、１本の光ファイバを３２基の宅側光通信機で共有する場合、発光素子１は３２分割された一のタイムスロットにおいて光信号を高密度出力することになる。
【００２１】
温度検出部５は、例えばサーミスタ素子を備えており、発光素子１に熱結合している。つまり、温度検出部５は、発光素子１からの熱が伝導可能な領域に配されている。温度検出部５は、発光素子１の温度を検出し、検出した温度に対応した電圧値を有する帰還信号Ｔを比較部６に与える。
【００２２】
目標温度設定部８は、比較部６に接続されており、所定の目標温度に対応した電圧値を有する基準信号Ｔ０を比較部６に与える。目標温度設定部８は、例えば直列接続された電気抵抗にて電源電圧を分圧し、分圧して得た基準信号Ｔ０を比較部６に与えるように構成してある。
【００２３】
比較部６は、温度検出部５より与えられた帰還信号Ｔと、目標温度設定部８より与えられた基準信号Ｔ０との偏差である動作信号ΔＴ＝Ｔ−Ｔ０をペルチェ素子駆動部７に与える。動作信号ΔＴは、発光素子１の温度と目標温度との差に相当する。
【００２４】
ペルチェ素子駆動部７は、比較部６より与えられた動作信号ΔＴに基づいて、ペルチェ素子２の温度をフィードバック制御するためのフィードバック制御信号Ａを生成する。フィードバック制御信号Ａは、例えば動作信号ΔＴが大きい程、信号レベルが高くなるようにアナログ振幅変調された信号である。
【００２５】
波形整形部３は、合成比率設定部３１、加算部３２及び乗算部３３を備えており、ペルチェ素子駆動部７からのフィードバック制御信号Ａが乗算部３３及び加算部３２に入力されるように構成されている。
【００２６】
バースト検出部４は、発光素子１が光信号を出力している出力状態及び光信号を出力していない停止状態を検出する回路であり、乗算部３３に接続されている。バースト検出部４は、例えば外部入力された駆動信号のバーストフレーム信号によって、出力状態及び停止状態を検出する。そして、バースト検出部４は、出力状態及び停止状態を示す出力状態信号Ｍを乗算部３３に与える。
【００２７】
図２は、発光素子１に与えられるバーストデータ信号及び出力状態信号Ｍのタイミングチャートである。図２（ａ）は、発光素子１のバーストデータ信号、図２（ｂ）は出力状態信号Ｍを示している。なお、横軸は時間、縦軸は信号レベルを示している。ハイレベルの出力状態信号Ｍは、発光素子１が光信号を出力している出力状態であることを示しており、ローレベルの出力状態信号Ｍは、発光素子１が停止状態であることを示している。
【００２８】
乗算部３３は、バースト検出部４より与えられた出力状態信号Ｍと、ペルチェ素子駆動部７より与えられたフィードバック制御信号Ａとを乗算し、乗算して得た補正信号Ｂ＝Ａ×Ｍを加算部３２に与える。
【００２９】
合成比率設定部３１は、フィードバック制御信号Ａと、補正信号Ｂとを合成する際の合成比率を示す合成比率信号Ｋを加算部３２に与える回路である。合成比率は、発光素子１の駆動条件、発光素子１以外の発熱源の発熱量、該発熱源の位置等の要因によって左右されるため、設計された光信号送信機毎に最適値が決定される。
【００３０】
加算部３２は、合成比率信号Ｋと、補正信号Ｂとを乗算することで重み付けされた補正信号Ｋ×Ｂ＝Ｋ×Ａ×Ｍを、ペルチェ素子駆動部７より与えられたフィードバック制御信号Ａに加算し、補正信号Ｋ×Ａ×Ｍが加算されたフィードバック制御信号Ｃ＝Ａ×（１＋Ｋ×Ｍ）をペルチェ素子駆動部７に与える。
【００３１】
図３は、出力状態信号Ｍ、フィードバック制御信号Ａ等を示すタイミングチャートである。横軸は時間、縦軸は信号レベルを示している。図３（ａ）はバースト検出部４から乗算部３３に与えられる出力状態信号Ｍであり、図３（ｂ）は、ペルチェ素子駆動部７から加算部３２及び乗算部３３に与えられるフィードバック制御信号Ａを示している。図３（ｃ）は、出力状態信号Ｍとフィードバック制御信号Ａとを乗算して得た補正信号Ｂを示している。図３（ｄ）は、補正信号Ｋ×Ａ×Ｍが加算されて、波形が整形されたフィードバック制御信号Ｃを示している。
補正信号Ｋ×Ａ×Ｍが加算されたフィードバック制御信号Ｃの信号レベルは、発光素子１が停止状態の場合、ペルチェ素子駆動部７からのフィードバック制御信号Ａと同一である。発光素子１が出力状態の場合、フィードバック制御信号Ｃの信号レベルは、整形前のフィードバック制御信号Ａの信号レベルに比して、絶対値が大きくなるように整形されている。
【００３２】
ペルチェ素子２は、発光素子１を冷却可能に配されており、波形整形部３の加算部３２より与えられたフィードバック制御信号Ｃに応じて、発光素子１を冷却する。具体的には、フィードバック制御信号Ｃの信号レベルが高い程、ペルチェ素子２による冷却量は増大し、信号レベルが低い程、冷却量は減少する。
【００３３】
本実施の形態１に係る光信号送信機にあっては、発光素子１が光信号を出力していない停止状態にある場合、つまり発光素子１の温度が安定している場合、ペルチェ素子２は、発光素子１の温度と、目標温度との差に応じたフィードバック制御信号Ａと同一波形のフィードバック制御信号Ｃにて動作し、発光素子１を冷却する。発光素子１が光信号を出力している出力状態にある場合、発光素子１の温度が急上昇すると予想される。そこで、波形整形部３は、停止状態に比して、フィードバック制御信号Ａの信号レベルが高くなるように波形を整形する。つまり、冷却量、又はフィードバック制御量を増加させることによって、より強く発光素子１を冷却することができる。
従って、光信号を間欠的に高密度で出力する場合であっても、発光素子１の温度をフィードフォワード的に制御することができ、従来の光信号送信機に比して、より効果的に発光素子１の温度を一定に制御できる。よって、発光素子１の出力低下、又は発光波長の変動を効果的に防止することができる。
【００３４】
また、波形整形手段としての波形整形部３は、発光素子１の温度と目標温度との差が大／小の場合、波形を整形する量が大／小になるようにフィードバック制御信号の波形を整形するように構成されているため、発光素子１の温度上昇を見越してフィードバック制御信号Ａの波形を整形する場合であっても、現時点の発光素子１の温度と目標温度との差を考慮して波形整形を行うことができる。従って、波形整形部３は、波形整形によって温度制御が不安定になることを防止しつつ、発光素子１の安定且つ効果的な温度制御を行い、光通信をより安定なものにすることができる。
【００３５】
なお、実施の形態１にあっては、バーストフレーム信号によって発光素子による光信号の出力状態を検出する場合を説明したが、出力状態の検出方法はこれに限定されない。例えば、バーストデータ信号を検波し、検波された信号のエンベロープ信号、包絡信号等を出力状態信号として用いても良い。同様に、発光素子が出力した光信号をフォトダイオードにて受光し、受光した光信号を検波し、検波された信号の包絡信号を出力状態信号として用いても良い。なお、光信号は、発光素子の出力を監視するモニタ用のフォトダイオードにて取得するように構成すると良い。出力状態検出用、出力監視用に兼用することで、コストを抑えることが可能になる。
【００３６】
また、アナログ振幅変調されたフィードバック制御信号を説明したが、変調方法はこれに限定されない。
図４は、第１の変形例に係る光信号送信機におけるフィードバック制御信号等を示すタイミングチャートである。第１の変形例に係る光信号送信機は、パルス幅変調されたフィードバック制御信号Ａ１を出力し、波形整形部は該フィードバック制御信号Ａ１の波形を整形するように構成されている。ペルチェ素子は、フィードバック制御信号Ａ１のパルス幅が広い程、また信号レベルが高い程、発光素子をより強く冷却する。図４（ａ）は、出力状態信号Ｍである。図４（ｂ）は、発光素子の温度及び目標温度の差に応じて、デューティ比が大小するようにパルス幅変調されたフィードバック制御信号Ａ１であり、図５（ｃ）は、フィードバック制御信号Ａ１と出力状態信号Ｍとを乗算して得た補正信号Ｂ１である。図５（ｄ）は、補正信号Ｂ１にて補正されたフィードバック制御信号Ｃ１である。
【００３７】
図５は、第２の変形例に係る光信号送信機におけるフィードバック制御信号等を示すタイミングチャートである。第２の変形例に係る光信号送信機は、パルス密度変調されたフィードバック制御信号Ａ２を出力し、波形整形部は該フィードバック制御信号Ａ２の波形を整形するように構成されている。ペルチェ素子は、フィードバック制御信号Ａ２のパルス密度が高い程、また信号レベルが高い程、発光素子をより強く冷却する。図５（ａ）は、出力状態信号Ｍである。図５（ｂ）は、発光素子の温度及び目標温度の差に応じてパルス密度変調されたフィードバック制御信号Ａ２であり、図５（ｃ）は、フィードバック制御信号と出力状態信号Ｍとを乗算して得た補正信号Ｂ２である。図５（ｄ）は、補正信号Ｂ２にて補正されたフィードバック制御信号Ｃ２である。
このように、変調方式が異なるフィードバック制御信号Ａ１，Ａ２を使用した光信号送信機にあっても、上述のように光信号送信機に比して、発光素子の温度をより効果的に制御することができ、発光素子の出力低下、又は発光波長の変動を防止することができる。
【００３８】
更に、上述の実施の形態１では、発光素子としてレーザダイオードを例示したが、光信号を出力可能な発熱性の素子であって、その性質上温度制御が必要であれば、他の素子で構成しても良い。
【００３９】
更にまた、発光素子を冷却する手段として、ペルチェ素子を備えた場合を説明したが、ファンのような他の冷却装置にて発光素子を冷却するように構成しても良い。
【００４０】
更にまた、フィードバック制御信号の波形を整形するように構成してあるが、発光素子の出力状態に応じて、フィードバック制御量を増減、又は冷却量を増減させることが可能であれば、図１に示す回路構造に限定されない。
【００４１】
（実施の形態２）
図６は、本発明の実施の形態２に係る光信号送信機を示すブロック図である。実施の形態２に係る光信号送信機は、実施の形態１に係る光送信機と同様の発光素子１、ペルチェ素子２、温度検出部５、比較部６、目標温度設定部８、ペルチェ素子駆動部７、バースト検出部４を備えている。波形整形部２０３の構成のみが異なるため、以下では主に上記相違点について説明する。
【００４２】
波形整形部２０３は、合成比率設定部３１、合成部３３２、乗算部３３及びオフセット部３４を備えている。
【００４３】
オフセット部３４は、所定レベルのオフセット信号Ｄを合成部３３２に与える。オフセット信号Ｄの信号レベルは、発光素子１の間欠的な出力による温度変動をフィードフォワード的に補償できるように決定される。
発光素子１の出力が一定であり、電気信号から光信号への変換効率も一定である場合、発光素子１に供給する電力と、変換効率とを乗算することで、出力状態の発光素子１が発する熱量を予想することができる。そして、ペルチェ素子２の吸熱量とフィードバック制御信号の信号レベルとの関係が分かれば、前記熱量と吸熱量とが略一致するようにオフセット信号Ｄの信号レベルを決定すれば良い。
【００４４】
乗算部３３は、実施の形態１に係る乗算部３３と同様の構成であり、出力状態信号Ｍと、フィードバック制御信号Ａとを乗算し、乗算して得た補正信号Ｂを合成部３３２に与える。
【００４５】
合成部３３２は、オフセット部３４、バースト検出部４、乗算部３３から夫々オフセット信号Ｄ、出力状態信号Ｍ、補正信号Ｂが入力されるように構成されている。合成部３３２は、フィードバック制御信号Ａに、オフセット信号Ｄ及びバーストフレーム信号Ｍを乗算した信号Ｄ×Ｍと、補正信号Ｂ及び合成比率信号Ｋを乗算することで重み付けされた補正信号Ｋ×Ａ×Ｍとを加算し、加算して得られたフィードバック制御信号Ｅ＝Ａ×（１＋Ｋ×Ｍ）＋Ｄ×Ｍをペルチェ素子２に与える。波形整形部２０３以下の処理及び動作は、実施の形態１に係る光信号送信機と同様である。
【００４６】
実施の形態２に係る光信号送信機にあっては、発光素子１が出力状態にある場合、発光素子１の温度及び目標温度の差に応じたフィードバック制御信号Ａの信号レベルが高くなるように補正すると共に、オフセット信号Ｄにて発光素子１の間欠的な出力による温度変動をフィードフォワード的に補償することができるため、実施の形態１に係る光送信機に比して、より効果的に発光素子１を冷却し、該発光素子１の温度を一定に制御できる。
【００４７】
なお、実施の形態２にあっては、フィードバック制御信号Ｅ＝Ａ×（１＋Ｋ×Ｍ）＋Ｄ×Ｍにて温度制御するように構成してあるが、合成比率信号Ｋの信号レベルを０に設定し、フィードバック制御信号Ｅ＝Ａ＋Ｄ×Ｍにて温度制御するように構成しても良い。また、合成比率設定部及び乗算部を備えず、合成部がオフセット信号Ｄ及び出力状態信号Ｍを乗算し、乗算して得た信号Ｄ×Ｍをフィードバック制御信号Ａに加算するように構成しても良い。
【００４８】
実施の形態２に係る光信号送信機の他の構成、作用及び効果は、実施の形態１に係る光信号送信機の構成、作用及び効果と同様であるため、対応する箇所には同様の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００４９】
（実施の形態３）
図７は、本発明の実施の形態３に係る光信号送信機を示すブロック図である。実施の形態３に係る光信号送信機は、実施の形態１に係る光送信機と同様の発光素子１、ペルチェ素子２、温度検出部５、比較部６、目標温度設定部８、ペルチェ素子駆動部７、バースト検出部４を備えている。また、光信号送信機は、発光素子１の出力を高低させる発光素子駆動部３０９及び波形整形部３０３を備えており、該発光素子駆動部３０９及び波形整形部３０３の構成のみが異なるため、以下では主に上記相違点について説明する。
【００５０】
発光素子駆動部３０９は、発光素子１の出力を高低させる出力制御信号Ｆを発光素子１及び合成比率設定部３３１に出力する。発光素子１は、出力制御信号Ｆの大きさに応じて、バイアス電流の大きさを調整し、出力を高低させる。
【００５１】
合成比率設定部３３１は、出力制御信号Ｆの信号レベルが高い程、信号レベルが高い合成比率信号Ｋ（Ｆ）を加算部３２に与える。つまり、出力制御信号Ｆが大きく、発光素子１の発熱量が大きいと予想される場合、合成比率信号Ｋ（Ｆ）の信号レベルがより高くなるように変更することによって、フィードバック制御信号Ａをより大きく整形し、ペルチェ素子２の冷却量を増加させる。加算部３２は、実施の形態１と同様に、合成比率信号Ｋ（Ｆ）と、補正信号Ｂ＝Ａ×Ｍとを乗算することで重み付けされた補正信号Ｋ（Ｅ）×Ａ×Ｍをペルチェ素子駆動部７より与えられたフィードバック制御信号Ａに加算する。そして、加算部３２は、補正信号Ｋ（Ｅ）×Ａ×Ｍが加算されたフィードバック制御信号Ｇ＝Ａ×（１＋Ｋ（Ｅ）×Ｍ）をペルチェ素子駆動部７に与える。
【００５２】
実施の形態３に係る光信号送信機にあっては、発光素子の出力を高低させる手段として発光素子駆動部３０９を備え、波形整形手段としての波形整形部３０３は、発光素子１が高出力／低出力の場合、波形を整形する量が大／小になるようにフィードバック制御信号の波形を整形するように構成してあるため、発光素子１の出力が大きい程、発光素子１をより強く冷却することができる。
従って、発光素子１の出力が高低し、しかも発光素子１が間欠的に高密度で光信号を出力する場合であっても、温度制御の遅れを防止することができ、発光素子１の出力低下、又は発光波長の変動を防止することができる。
【００５３】
実施の形態３に係る光信号送信機の他の構成、作用及び効果は、実施の形態１に係る光信号送信機の構成、作用及び効果と同様であるため、対応する箇所には同様の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施の形態１に係る光信号送信機の構成を示すブロック図である。
【図２】発光素子に与えられるバーストデータ信号及び出力状態信号のタイミングチャートである。
【図３】出力状態信号、フィードバック制御信号等を示すタイミングチャートである。
【図４】第１の変形例に係る光信号送信機におけるフィードバック制御信号等を示すタイミングチャートである。
【図５】第２の変形例に係る光信号送信機におけるフィードバック制御信号等を示すタイミングチャートである。
【図６】本発明の実施の形態２に係る光信号送信機を示すブロック図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る光信号送信機を示すブロック図である。
【図８】宅側光送信機の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  発光素子
２  ペルチェ素子
３  波形整形部
４  バースト検出部
５  温度検出部
６  比較部
７  ペルチェ素子駆動部
８  目標温度設定部
３１  合成比率設定部
３２  加算部
３３  乗算部
Ａ，Ｃ  フィードバック制御信号
【図１】
2008211362.tif 000003
【図２】
2008211362.tif 000004
【図３】
2008211362.tif 000005
【図４】
2008211362.tif 000006
【図５】
2008211362.tif 000007
【図６】
2008211362.tif 000008
【図７】
2008211362.tif 000009
【図８】
2008211362.tif 000010