(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示装置内の乾燥材に関連する輝度むらおよび、乾燥材の剥離に関連する画質不良を対策する。【解決手段】ＴＦＴ基板１には有機ＥＬ層、駆動ＴＦＴ等が形成されている表示領域１０の外側に有機ＥＬ層の下部電極に電流を供給する電流供給母線２６等が形成され、その外側には有機ＥＬ層の上部電極に電流を供給するためのコンタクトホール群２８が形成されている。ＴＦＴ基板１は封止部３を介し封止基板２によって封止されている。封止基板２には有機ＥＬ層を湿気から守るための乾燥材５が設置されている。乾燥材５の端部を表示領域１０の端部よりも外側でコンタクトホール群２８よりも内側とすることによって、画面の輝度むらを防止する。同時に、乾燥材５の端部が剥離したときも表示領域１０、コンタクトホール群２８が破壊されることを防止する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板には上部電極と下部電極に間に電圧を印加することによって発光する有機ＥＬ層がマトリクス状に配置された表示領域と、前記有機ＥＬ層に外部から電流を供給するための端子が形成され、前記端子から延在する配線と前記上部電極とをコンタクトホール群によって接続する有機ＥＬ表示装置であって、
前記基板は周辺に形成された封止部を介して封止基板によって封止され、前記封止基板の内側には乾燥材が形成されており、前記乾燥材の端部は前記表示領域の端部よりも外側であり、前記コンタクトホール群よりも内側であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記乾燥材は接着剤によって前記封止基板に設置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記乾燥材の端部と前記表示領域の端部との距離をｄとし、前記表示領域における前記上部電極と前記乾燥材の間隔をｇとしたとき、ｄ＞ｇであることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記上部電極はＡｌまたはＡｌ合金で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
基板には上部電極と下部電極に間に電圧を印加することによって発光する有機ＥＬ層がマトリクス状に配置された表示領域と、前記有機ＥＬ層に外部から電流を供給するための端子が形成され、前記端子から延在する配線と前記上部電極とをコンタクトホール群によって接続する有機ＥＬ表示装置であって、
前記基板は周辺に形成された封止部を介して封止基板によって封止され、前記封止基板の内側には乾燥材が形成されており、前記乾燥材の端部は前記表示領域および前記コンタクトホール群の外側端部よりも外側であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記乾燥材は接着剤によって前記封止基板に設置されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記乾燥材の端部と前記コンタクトホール群の外側端部との距離をｄとし、前記表示領域における前記上部電極と前記乾燥材の間隔をｇとしたとき、ｄ＞ｇであることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
基板には上部電極と下部電極に間に電圧を印加することによって発光する有機ＥＬ層と有機ＥＬ層への駆動電流を制御するＴＦＴを含む画素がマトリクス状に配置された表示領域と、前記有機ＥＬ層に外部から電流を供給するための端子が形成され、前記端子から延在する配線と前記上部電極とをコンタクトホール群によって接続する有機ＥＬ表示装置であって、
前記基板は周辺に形成された封止部を介して封止基板によって封止され、前記封止基板の内側には乾燥材が形成されており、前記乾燥材の端部は前記表示領域の端部よりも外側であり、前記コンタクトホール群よりも内側であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記基板には前記ＴＦＴに電流を供給する電流供給線と前記電流供給線を束ねる電流供給母線が形成され、前記コンタクトホール群は前記電流供給母線よりも外側に形成されていることを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記基板には走査信号駆動回路が形成され、前記コンタクトホール群は前記走査信号駆動回路よりも外側に形成されていることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１１】
基板には上部電極と下部電極に間に電圧を印加することによって発光する有機ＥＬ層と有機ＥＬ層への駆動電流を制御するＴＦＴを含む画素がマトリクス状に配置された表示領域と、前記有機ＥＬ層に外部から電流を供給するための端子が形成され、前記端子から延在する配線と前記上部電極とをコンタクトホール群によって接続する有機ＥＬ表示装置であって、
前記基板は周辺に形成された封止部を介して封止基板によって封止され、前記封止基板の内側には乾燥材が形成されており、前記乾燥材の端部は前記表示領域の端部および前記コンタクトホール群の外側端部よりも外側であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記基板には前記ＴＦＴに電流を供給する電流供給線と前記電流供給線を束ねる電流供給母線が形成され、前記コンタクトホール群は前記電流供給母線よりも外側に形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
前記基板には走査信号駆動回路が形成され、前記コンタクトホール群は前記走査信号駆動回路よりも外側に形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記基板の前記表示領域の両側に走査信号駆動回路が形成され、前記コンタクトホール群は前記走査信号駆動回路よりも外側に形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬ表示装置のうち、湿気による有機ＥＬ材料の劣化を防止するための乾燥材の配置と画面の輝度むらを対策する技術に関連する。
【背景技術】
【０００２】
従来表示装置の主流はＣＲＴであったが、これに替わって、フラットディスプレイ装置である、液晶表示装置、プラズマ表示装置等が実用化され、需要が増大している。さらにこれらの表示装置に加え、有機エレクトロルミネッセンスを用いた表示装置（以下有機ＥＬ表示装置という）や、フィールドエミッションを利用する電子源をマトリクス状に配置して陽極に配置された蛍光体を光らすことによって画像を形成する表示装置（以後ＦＥＤ表示装置という）の開発、実用化も進んでいる。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は（１）液晶と比較して自発光型であるので、バックライトが不要である、（２）発光に必要な電圧が１０Ｖ以下と低く、消費電力を小さくできる可能性がある、（３）プラズマ表示装置やＦＥＤ表示装置と比較して、真空構造が不要であり、軽量化、薄型化に適している、（４）応答時間が数マイクロ秒と短く、動画特性がすぐれている、（５）視野角が１７０度以上と広い、等の特徴がある。
【０００４】
しかしながら、有機ＥＬ材料は周囲に水分や酸素があった場合、材料の酸化が促進され、ダークスポットが発生したりして発光特性が劣化する。これを対策するため、基板上に配線、スイッチング素子、有機ＥＬ発光層等を形成したあと、該基板の背面に封止のためのガラス基板、あるいは封止缶によって内部を気密にし、内部に乾燥剤を設置して有機ＥＬ材料が形成されている表示装置の内部から湿度を除去することが行われている。
【０００５】
以上のような従来技術は例えば、「特許文献１」、「特許文献２」等に記載されている。また、封止された空間内に乾燥材をどの程度の量をどの程度設置すれば有機ＥＬ表示装置として最も効果的であるのか等については例えば、「特許文献３」に記載されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平３−２６１０９１号公報
【特許文献２】特開２００１−３４５１７５号公報
【特許文献３】特開２００４−３１９２４５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
有機ＥＬ表示装置における乾燥材は単に封止空間内の湿度を下げるという作用のほかに、表示特性に対してダイナミックな影響も与える。すなわち、乾燥材が存在する場所としない場所とでは画面輝度の明るさが異なる。また、乾燥材が存在する場所としない場所とでは有機ＥＬ表示装置の発光部分の寿命が異なる。
【０００８】
一方、乾燥材は封止空間内で、封止基板に接着して設置される。封止空間内は非常に狭いために、特に乾燥材と有機ＥＬの表示領域との間隔も小さい。このような場合、封止基板に接着材で取り付けられている乾燥剤が剥がれるような場合、表示性能に重大な影響を与える可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
したがって、本発明は以上のような課題を解決するものであって、主な具体的手段は以下の通りである。
【００１０】
（１）基板には上部電極と下部電極に間に電圧を印加することによって発光する有機ＥＬ層がマトリクス状に配置された表示領域と、前記有機ＥＬ層に外部から電流を供給するための端子が形成され、前記端子から延在する配線と前記上部電極とをコンタクトホール群によって接続する有機ＥＬ表示装置であって、前記基板は周辺に形成された封止部を介して封止基板によって封止され、前記封止基板の内側には乾燥材が形成されており、前記乾燥材の端部は前記表示領域の端部よりも外側であり、前記コンタクトホール群よりも内側であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００１１】
（２）前記乾燥材は接着剤によって前記封止基板に設置されていることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
【００１２】
（３）前記乾燥材の端部と前記表示領域の端部との距離をｄとし、前記表示領域における前記上部電極と前記乾燥材の間隔をｇとしたとき、ｄ＞ｇであることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１３】
（４）前記上部電極はＡｌまたはＡｌ合金で形成されていることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１４】
（５）基板には上部電極と下部電極に間に電圧を印加することによって発光する有機ＥＬ層がマトリクス状に配置された表示領域と、前記有機ＥＬ層に外部から電流を供給するための端子が形成され、前記端子から延在する配線と前記上部電極とをコンタクトホール群によって接続する有機ＥＬ表示装置であって、前記基板は周辺に形成された封止部を介して封止基板によって封止され、前記封止基板の内側には乾燥材が形成されており、前記乾燥材の端部は前記表示領域および前記コンタクトホール群の外側端部よりも外側であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００１５】
（６）前記乾燥材は接着剤によって前記封止基板に設置されていることを特徴とする（５）に記載の表示装置。
【００１６】
（７）前記乾燥材の端部と前記コンタクトホール群の外側端部との距離をｄとし、前記表示領域における前記上部電極と前記乾燥材の間隔をｇとしたとき、ｄ＞ｇであることを特徴とする（５）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１７】
（８）基板には上部電極と下部電極に間に電圧を印加することによって発光する有機ＥＬ層と有機ＥＬ層への駆動電流を制御するＴＦＴを含む画素がマトリクス状に配置された表示領域と、前記有機ＥＬ層に外部から電流を供給するための端子が形成され、前記端子から延在する配線と前記上部電極とをコンタクトホール群によって接続する有機ＥＬ表示装置であって、前記基板は周辺に形成された封止部を介して封止基板によって封止され、前記封止基板の内側には乾燥材が形成されており、前記乾燥材の端部は前記表示領域の端部よりも外側であり、前記コンタクトホール群よりも内側であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００１８】
（９）前記基板には前記ＴＦＴに電流を供給する電流供給線と前記電流供給線を束ねる電流供給母線が形成され、前記コンタクトホール群は前記電流供給母線よりも外側に形成されていることを特徴とする（８）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１９】
（１０）前記基板には走査信号駆動回路が形成され、前記コンタクトホール群は前記走査信号駆動回路よりも外側に形成されていることを特徴とする（８）に記載の表示装置。
【００２０】
（１１）基板には上部電極と下部電極に間に電圧を印加することによって発光する有機ＥＬ層と有機ＥＬ層への駆動電流を制御するＴＦＴを含む画素がマトリクス状に配置された表示領域と、前記有機ＥＬ層に外部から電流を供給するための端子が形成され、前記端子から延在する配線と前記上部電極とをコンタクトホール群によって接続する有機ＥＬ表示装置であって、前記基板は周辺に形成された封止部を介して封止基板によって封止され、前記封止基板の内側には乾燥材が形成されており、前記乾燥材の端部は前記表示領域の端部および前記コンタクトホール群の外側端部よりも外側であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００２１】
（１２）前記基板には前記ＴＦＴに電流を供給する電流供給線と前記電流供給線を束ねる電流供給母線が形成され、前記コンタクトホール群は前記電流供給母線よりも外側に形成されていることを特徴とする（１１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００２２】
（１３）前記基板には走査信号駆動回路が形成され、前記コンタクトホール群は前記走査信号駆動回路よりも外側に形成されていることを特徴とする（１１）に記載の表示装置。
【００２３】
（１４）前記基板の前記表示領域の両側に走査信号駆動回路が形成され、前記コンタクトホール群は前記走査信号駆動回路よりも外側に形成されていることを特徴とする（１１）に記載の表示装置。
【発明の効果】
【００２４】
以上のような手段を用いることによって表示領域内の有機ＥＬ層の温度を均一に保つことができるために、温度差にともなう輝度むらを防止することが出来る。また、表示領域内において、湿度の影響を均一に保つことが出来るために、長時間動作中における湿度の影響の差による輝度むらを防止することが出来る。
【００２５】
また、乾燥材の端部を表示領域およびコンタクトホール群から避けたために、乾燥材の端部において剥離が生じても表示領域の破壊、またはコンタクトホール群の破壊をさけることが出来るので、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を実現することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
実施例にしたがって、本発明の詳細な内容を開示する。
【実施例１】
【００２７】
図１は有機ＥＬ表示装置の平面図である。図２は図１のＡ−Ａ断面図である。本実施例では有機ＥＬから発光する光はＴＦＴ基板側に出射するいわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。図１および図２において、ＴＦＴ基板１には画素の発光部を形成する有機ＥＬ層、有機ＥＬ層を駆動するためのＴＦＴおよび配線等が形成されている。多数の画素が集合して表示領域１０を形成している。
【００２８】
表示領域１０の周辺には有機ＥＬ層、ＴＦＴ等を駆動するための駆動回路、各画素の有機ＥＬ層の陽極に電流を供給する電流供給母線２６、各画素の有機ＥＬ層のカソードに電流を供給するコンタクトホール群２８等が形成されている。図２にはこれらのうち、電流供給母線２６、コンタクトホール群２８等が模式的に示してある。ＴＦＴ基板１の有機ＥＬ層等が形成された側は周辺に形成された封止部３を介して封止基板２によって封止されている。封止基板２には接着剤を介して乾燥材５が取り付けられている。ＴＦＴ基板１に形成された画像表示領域と乾燥材５とは０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ程度の非常に小さなギャップを介して対向している。
【００２９】
ＴＦＴ基板１の一端には電源線、走査信号駆動回路、映像信号駆動回路等と接続している端子２９が形成されている。この端子２９にフレキシブル配線基板４が接続されており、フレキシブル配線基板４を介して外部から電源、走査信号、映像信号等を有機ＥＬ表示装置に供給する。
【００３０】
図３は実施例１におけるＴＦＴ基板１の表示素子、駆動回路、電源供給領域等の配置を示す平面模式図である。図３において基板の中央の大部分には表示領域１０が形成されている。この表示領域１０の両側に走査信号駆動回路２２が配置されている。各走査信号駆動回路２２からはゲート信号線２３が延在している。左側の走査信号駆動回路２２からのゲート信号線２３と右側の走査信号駆動回路２２からのゲート信号線２３とは交互に配置されている。
【００３１】
表示領域１０の下側には映像信号駆動回路２４が配置され、このデータ信号駆動回路２４からは表示領域１０側にデータ信号線２５が延在している。表示領域１０の上側には電流供給母線２６が配置され、この電流供給母線２６からは表示領域１０側に電流供給線２７が延在している。
【００３２】
データ信号線２５と電流供給線２７は交互に配置され、これにより、これらデータ信号線２５、電流供給線２７、および２本のゲート信号線２３で囲まれた各領域において一つの画素ＰＸの領域を構成する。
【００３３】
表示領域１０の上側にはコンタクトホール群２８が形成されている。コンタクトホール群２８は表示領域全域に形成される有機ＥＬ層の上部電極を、絶縁膜の下に形成されていて端子２９まで延在する電流供給配線と電気的に接続する役割をもつ。表示領域１０の下側には端子２９が形成され、これらの端子２９から走査信号、データ信号、有機ＥＬ層に対する陽極電位、陰極電位等が供給される。
【００３４】
表示領域１０、走査信号駆動回路２２、映像信号駆動回路２４、電流供給母線２６を囲むようにして封着材３が形成され、ＴＦＴ基板１に対向する封止基板２が封止される。ＴＦＴ基板１の封着材の外側には端子部２９が形成され、この端子部２９から、走査信号駆動回路２２、映像信号駆動回路２４、電流供給母線２６、コンタクトホール群２８等に信号または電流が供給される。
【００３５】
図４は画素ＰＸとその上方に設置される乾燥剤５と対向基板２を示す断面模式図である。図４はスイッチング素子として動作する薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）の断面図も同時に示している。図４において、ガラス基板の上に、アンダーコート１１２が施されている。このアンダーコート１１２はガラス基板からの不純物がＴＦＴや有機ＥＬ層１２１を汚染するのを防止する役目を有する。
【００３６】
半導体部１１３にはソース部、チャンネル部、ドレイン部が形成されている。半導体部１１３を覆ってゲート絶縁膜１１４が形成されており、このゲート絶縁膜１１４の上にはゲート電極１１５が形成され、このゲート電極１１５を覆って層間絶縁膜１１６が形成される。この層間絶縁膜１１６の上には、ＳＤ配線１１７が形成されるが、このＳＤ配線１１７は層間絶縁膜１１６に形成されたスルーホールを通して、半導体層１１３に形成されているソース部またはドレイン部と接続し、ＴＦＴから信号を取り出す役割をもつ。このＳＤ配線１１７を覆って、ＴＦＴ全体を保護するためのパッシベーション膜１１８が形成される。
【００３７】
有機ＥＬ層１２１の下部電極１１９となる、透明電極ＩＴＯがパッシベーション膜１１８上に形成されるが、この透明電極はパッシベーション膜１１８に形成されたスルーホールを介してＳＤ配線１１７とつながる。さらに、透明電極ＩＴＯおよびパッシベーション膜１１８上には、各画素を分離するためのバンク１２０が形成される。バンク１２０が形成されていない部分には発光部である有機ＥＬ層１２１が堆積される。そして、有機ＥＬ層１２１上には上部電極１２２となる金属層が形成される。上部電極１２２となる金属層はＡｌまたはＡｌ合金で形成され、高い反射率を有する。
【００３８】
有機ＥＬ層１２１は一般には複数層となっており、陰極と陽極の間に電圧を印加することによって発光する。ここで、下部電極１１９は透明電極で形成されており、パッシベーション膜１１８、層間絶縁膜１１６、アンダーコート１１２いずれも透明であるので、有機ＥＬ層１２１で発した光は図４の矢印Ｌの方向に向かう（ボトムエミッション）。一方、上部電極１２２へ向かう光は上部電極である金属で反射されてやはり図４の矢印Ｌの方向に向かうことになる。そして、上部電極１２２の上にはギャップｇを隔てて乾燥剤が配置され、乾燥剤は両面接着テープ等の接着材によって対向電極に固定されている。このギャップｇは０．１ｍｍから０．２ｍｍである。
【００３９】
図５は発光部となる有機ＥＬ層１２１部分の１例を示す断面模式図である。図５において、透明電極である下部電極１１９の上にホール注入層１２１１が５０ｎｍ、ホール輸送層１２１２が４０ｎｍ、発光層１２１３が２０ｎｍ、電子輸送層１２１４が２０ｎｍ、電子注入層１２１５が０．５ｎｍの厚さで形成される。上部電極１２２はＡｌの蒸着膜が１５０ｎｍ程度形成される。このように有機ＥＬ層１２１は全部の層を合わせても１４０ｎｍ前後であるため、乾燥剤等が接触すると容易に破壊してしまう。
【００４０】
図４に示すように、上部電極１２２と乾燥材５との間隔ｇは０．１ｍｍから０．２ｍｍ程度しかないため、乾燥材５が一部剥離したりするとその部分で有機ＥＬ層１２１の上部電極１２２に接触し、有機ＥＬ層１２１あるいは上部電極１２２を破壊してしまう。このような乾燥材５の剥離は乾燥材５の端部において生じやすいので、乾燥材５の端部は特に注意が必要である。一方ＴＦＴ部分はバンク１２０によって保護されているために乾燥材５が接触しても破壊されることは無い。
【００４１】
図６はコンタクトホール群２８における１個のコンタクトホール部とその上方に設置される乾燥剤５と対向基板２を示す断面模式図である。図６において、ＴＦＴ基板１側から順にアンダーコート１１２、ゲート絶縁膜１１４、層間絶縁膜１１６が形成されている。端子部２９からコンタクトホール群２８まで電流を導通させるための配線１１７が図４におけるＴＦＴ部のＳＤ配線１１７と同層で形成されている。以後この配線もＳＤ配線１１７と呼ぶ。ＳＤ配線１１７は図３における端子部２９からコンタクトホール群２８の形成されている部分までを電気的に接続する。ＳＤ配線１１７は電気抵抗を小さくするためにＡｌまたはＡｌ合金で形成されている。
【００４２】
ＳＤ配線１１７の上にはパシベーション膜１１８が形成されるが、このパッシベーション膜１１８にはコンタクトのためのホールが形成される。パッシベーション膜１１８およびコンタクトホール部の上には透明電極であるＩＴＯが形成される。ＩＴＯの上にはバンク１２０が形成される。このバンク１２０はコンタクト部においてはエッチングによって導通のためのホールが形成される。バンク１２０およびバンク１２０に形成されたホールの上には上部電極１２２である金属膜がＡｌまたはＡｌ合金等によって形成される。以上のプロセスは図４に示す画素部の形成と同時に行われる。そして、上部電極１２２の上にはギャップｇを隔てて乾燥剤が配置され、乾燥剤は両面接着テープ等の接着材によって対向電極に固定されている。このギャップｇは０．１ｍｍから０．２ｍｍである。
【００４３】
図６に示すように、コンタクト部はバンク１２０およびパッシベーション膜１１８等によって保護されていないために、外力に対して弱い。また、コンタクト部は段差が形成されているために、導通が不安定になりやすい。したがって、コンタクト部に乾燥材５が接触したりすると容易に導通不良を生ずる。コンタクトホール群２８から全画素にカソード電流が供給されるために、コンタクトホール群２８の導通不良は重大な影響を生ずる。したがって乾燥材５の剥離の問題は、コンタクトホール群２８においても表示領域１０におけると同様に重大な問題となる。また、このような乾燥材５の剥離は乾燥材５の端部において生じやすいので、乾燥材５の端部は特に注意が必要である。
【００４４】
図７は乾燥材５の端部が表示領域１０よりも内側に存在する場合の輝度むらに対する影響を示す図である。図７等における絶縁層１１はＴＦＴ、駆動回路、立体配線等に使用される層間絶縁膜等を総称している。図７において、乾燥材５が存在する部分は上部電極１２２と乾燥材５とのギャップは０．１ｍｍから０．２ｍｍと非常に小さい。したがって、有機ＥＬ層１２１が発光して発熱をしても発生した熱は乾燥材５によって吸収される。しかし、乾燥材５の無い部分は熱の吸収が小さい。この様子を図７における白矢印の長さの差で示す。そうすると乾燥材５が存在する部分よりも乾燥材５が存在しない部分のほうが有機ＥＬ層１２１の温度が高くなる。
【００４５】
図８は有機ＥＬ層１２１の電圧―電流特性と温度の関係を示す図である。図８には有機ＥＬ層１２１の温度が−４５度℃、２５度℃、８５度℃の場合の電圧―電流特性が示されている。図８からわかるように、有機ＥＬ層１２１の温度が高いほど電流が多く流れる。
【００４６】
図９は有機ＥＬ層１２１に印加する電圧―輝度特性と温度の関係を示す図である。図８と同様、図９には有機ＥＬ層１２１の温度が−４５度℃、２５度℃、８５度℃の場合の電圧−輝度特性が示されている。図９からわかるように、温度が高いほど輝度が高くなる。すなわち、有機ＥＬ層１２１の温度が高いほど電流が多く流れ、発光輝度も大きくなる。
【００４７】
図７において、乾燥材５の存在しない表示領域周辺の有機ＥＬ層１２１の温度は高い。したがって、有機ＥＬ層１２１に同じ電圧を印加した場合は表示領域周辺のほうが電流が多くながれ、輝度も大きくなる。この様子を図７の黒矢印の長さによって示す。これは表示領域１０において輝度むらが生ずることになり問題である。
【００４８】
図１０は本実施例における表示領域１０と乾燥材５の関係を示す図である。図１０において、乾燥材５の端部は表示領域１０の端部よりも外側に存在している。したがって、表示領域１０全体において、乾燥材５と上部電極１２２とのギャップｇは同一となり、表示領域全体において、有機ＥＬ層１２１からの熱放散は均一になる。この様子を図１０の白矢印で示す。そうすると表示領域全体において有機ＥＬ層１２１の温度は均一になるので、有機ＥＬからの発光輝度も均一になる。この様子を図１０における黒矢印で示す。
【００４９】
図１１は乾燥材５の端部が表示領域１０よりも内側に存在する場合の水分による輝度への影響を示す図である。有機ＥＬ層１２１が発光すると温度が上がって、画像形成領域から水分を放出する。図１１において、乾燥材５が存在する部分は上部電極１２２と乾燥材５とのギャップは０．１ｍｍから０．２ｍｍと非常に小さい。したがって放出された水分は乾燥材５によって直ちに吸収される。しかし乾燥材５が存在しない領域は発生した水分は乾燥材５に吸収されないために画像形成領域内にとどまる。この様子を図１１における白矢印によって示す。この状態が長時間続くと、乾燥材５の存在しない領域の有機ＥＬ層１２１は劣化が進み、この部分の発光強度が小さくなる。この様子を図１１の黒矢印によって示す。この状態は表示領域周辺において輝度が小さくなる輝度むらを生ずることになって画質を劣化させる。
【００５０】
図１２は本実施例の構成であり、乾燥材５の端部は表示領域１０の端部よりも外側に存在している。このような構成であれば、画像形成領域１０の端部まで、乾燥材５が形成されているために、画像形成領域１０の端部で放出される水分も直ちに乾燥材５によって吸収される。したがって、画像形成領域１０の端部のみが水分の影響で劣化が進むということが無い。この様子を図１２の白矢印で示す。したがって、画面周辺のみが輝度劣化が早く進行するという現象を防止することができ、長期間動作中も表示領域１０全体で輝度を均一に保つことが出来る。この様子を図１２の黒矢印で示す。
【００５１】
図１３は乾燥材５が端部において剥離した場合の問題点を示す図である。乾燥材５と上部電極１２２とのギャプｇは０．１ｍｍから０．２ｍｍ程度であり、乾燥材５が剥離するとＴＦＴ基板１に形成された上部電極等に容易に接触する。乾燥材５の剥離は端部において生じやすい。乾燥材５の端部が表示領域１０の端部よりも内側だと乾燥材５の端部が剥離したときに、上部電極１２２および有機ＥＬ層１２１に接触し接触した部分の有機ＥＬ層等が破壊される。このような現象が生ずると乾燥材５が接触した部分の輝度が劣化し、輝度むらあるいは画面欠陥を生ずる。この様子を図１３における黒矢印によって示す。
【００５２】
図１４は本実施例のように、乾燥材５の端部が表示領域１０の端部よりも外側に形成されている場合を示す図である。図１４において、乾燥材５がその端部において剥離しても剥離場所は表示領域１０よりも外側であるので、乾燥材５が表示領域１０を破壊することは無い。したがって、表示領域１０の輝度を均一に保つことが出来る。図１４において、乾燥材５の端部は表示領域１０の端部よりもｄ以上外側に形成されている。ｄの大きさは表示領域１０における上部電極１２２と乾燥材５とのギャップｇよりも大きい。
【００５３】
図３に示すように、表示領域１０の外側には走査信号駆動回路２２、映像信号駆動回路２４、電流供給母線２６、コンタクトホール群２８等が形成されているが、コンタクトホール群２８を除いてはバンク１２０によって保護されているために、乾燥材５が剥離して接触しても重大な影響は生じない。しかし、コンタクトホール群２８はバンク１２０に保護されていない。また、コンタクトホールは図６に示すように、スルーホールを通して電流を表面に供給するものであるために、外部からの機械的な影響によって導通が破壊されやすい。
【００５４】
本実施例においては、図２に示すように、乾燥材５の端部を表示領域１０の端部よりも外側に形成するとともに、コンタクトホール群２８よりも内側に形成する。このような構成とすることによって、乾燥材５の端部が剥離して、ＴＦＴ基板側に乾燥材５が接触することになっても、機械的な接触に弱い表示領域１０およびコンタクトホール群２８との接触は防止することが出来る。したがって、有機ＥＬ表示装置に対する悪影響は最小限にとどめることが出来る。
【実施例２】
【００５５】
図１５は本発明の第２の実施例を示す有機ＥＬ表示装置の断面図である。本実施例は、有機ＥＬ表示装置の外観、ＴＦＴ基板１の構成等は実施例１と同様である。図１５は図１のＡ−Ａ断面図である。本実施例が実施例１と異なる点は、図１５に示すように、乾燥材５の端部がコンタクトホール群２８の端部よりもさらに外側に形成されていることである。
【００５６】
図１５のような構成とすることによって、乾燥材５の端部が剥離してもコンタクトホール群２８に乾燥材５が接触することはなく、コンタクトホール群２８が破壊されることを防止することが出来る。図１５において、乾燥材５の端部はコンタクトホール群２８の端部よりもｄ以上外側に形成されている。そして、ｄの寸法は表示領域１０における上部電極１２２と乾燥材５とのギャップｇよりも大きい。このような構成とすることによって、乾燥材５の剥離によるコンタクトホール群２８の破壊を防止することが出来るとともに、乾燥材５の設置面積を大きくすることが出来るので、水分による有機ＥＬ層１２１の劣化をより効果的に防止することが出来る。
【実施例３】
【００５７】
図１６は本発明の第３の実施例による有機ＥＬ表示装置の外観平面図である。本実施例の外観は実施例１と同様である。図１６におけるＴＦＴ基板１の構成図を図１７に示す。図１７において、コンタクトホール群２８は電流供給母線２６の外側に加えて、走査信号駆動回路２２の左右外側にも形成されている。電極には表示領域全体のカソード電流が流れるためにコンタクトホールの数が大きいほうが信頼性は増す。図１７のその他の構成は実施例１における図３と同様なので説明は省略する。
【００５８】
図１８は図１６のＢ−Ｂ断面図である。図１８において、乾燥材５の端部は表示領域１０の端部よりも外側に形成され、かつ、コンタクトホール群２８よりも内側に形成されている。このような構成とすることによって、乾燥材５の端部が剥離するようなことがあっても、乾燥材５は表示領域１０およびコンタクトホール群２８には接触することが無い。この場合、乾燥材５の端部が剥離すると走査信号駆動回路２２と接触する可能性があるが、走査信号駆動回路２２はバンク１２０によって保護されているために、重大な問題にはならない。乾燥材５の端部は表示領域１０の端部よりもｄだけ外側に形成されている。ｄの大きさは表示領域１０におえける乾燥材５と上部電極１２２とのギャップｇ以上である。
【実施例４】
【００５９】
本発明の第４の実施例の外観は図１６と同様である。図１９は図１６のＢ−Ｂ断面図であり、実施例４の要部を示す。図１９において、乾燥材５の端部はコンタクトホール群２８の端部よりもｄだけ外側に形成されている。ここで、寸法ｄは表示領域１０における乾燥材５と上部電極１２２とのギャップｇよりも大きい。
【００６０】
図１９のような構成とすることによって乾燥材５の端部が剥離しても表示領域１０およびコンタクトホール群２８は破壊されることが無い。したがって、たとえ乾燥材５がその端部で剥離しても有機ＥＬ表示装置が不良となることは免れる。また、図１９のような構成とすることによって、乾燥材５の設置面積を大きくすることが出来るので、封止領域の除湿を効果的に行うことが出来る。
【００６１】
実施例３および実施例４では周辺３箇所にコンタクトホール群２８を形成しているが、左右の走査信号駆動回路２２の外側あるいは一方の走査信号駆動回路２２の外側だけでも本発明の効果が得られることはいうまでも無い。
【００６２】
以上は有機ＥＬ表示装置はボトムエミッション型の表示装置であるとして説明した。しかしながら、本発明はトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置にも適用できることは言うまでも無い。すなわち、トップエミッション型の場合、下部電極１１９に反射電極を用い、上部電極１２２には透明電極を用いる。そして、乾燥材５および封止基板２に取り付けるための接着剤は透明なものを用いる。このような構成の違いはあっても、実施例１から実施例４において説明した本発明の構成は問題なく適用することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】実施例１の有機ＥＬ表示装置の外観平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】実施例１のＴＦＴ基板の構成を示す平面図である。
【図４】画素部の断面図である。
【図５】有機ＥＬ層の断面図である。
【図６】コンタクトホール部の断面図である。
【図７】従来例において輝度むらが生ずる例である。
【図８】有機ＥＬ層の電圧―電流特性である。
【図９】有機ＥＬ層の電圧―輝度特性である。
【図１０】本発明による輝度分布の例である。
【図１１】従来例における水分による輝度むらが生ずる例である。
【図１２】本発明により輝度むらが改善される例である。
【図１３】従来例における乾燥材の剥離の例である。
【図１４】本発明の構成において乾燥材が剥離した例である。
【図１５】実施例２を示す断面図である。
【図１６】実施例３の有機ＥＬ表示装置の外観平面図である。
【図１７】実施例３のＴＦＴ基板の構成を示す平面図である。
【図１８】図１６のＢ−Ｂ断面図である。
【図１９】実施例４を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１…ＴＦＴ基板、  ２…封止基板、  ３…封止部、  ４…フレキシブル配線基板、  ５…乾燥材、  ６…接着材、  １０…表示領域、  １１…絶縁層、  ２２…走査信号駆動回路、  ２３…ゲート信号線、２４…映像信号駆動回路、  ２５…データ信号線  ２６…電流供給母線、  ２７…電流供給線、２８…コンタクトホール群、  ２９…端子、  １１９…下部電極、  １２０…バンク、  １２１…有機ＥＬ層、  １２２…上部電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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