(57)【要約】【課題】機能液の液滴で基板の表面に所望の膜パターンを形成できる膜パターンの形成方法を提供する。【解決手段】膜パターンの形成方法は、基板の表面に、膜パターンの設計データに応じた膜パターン形成領域を設定するとともに、膜パターン形成領域のエッジの内側に、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域、及び液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを設定する工程と、膜パターン形成領域のエッジに沿って基板の表面に複数の液滴を吐出する工程と、第１位置に液滴を吐出して、基板の表面に膜パターンを形成する工程と、を含む。第１領域は、互いに離れて複数設定され、第２領域は、第１領域同士の間に、第１領域のそれぞれを囲むように設定される。【選択図】図５
2008132471.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に液滴を吐出して所定の膜パターンを形成する方法であって、
前記基板に、前記膜パターンの設計データに応じた膜パターン形成領域を設定するとともに、前記膜パターン形成領域のエッジの内側に、前記液滴を吐出する第１位置を含む第１領域、及び前記液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを設定する工程と、
前記膜パターン形成領域のエッジに沿って前記基板に複数の前記液滴を吐出する工程と、
前記第１位置に前記液滴を吐出して、前記基板に前記膜パターンを形成する工程と、を含み、
前記第１領域は、互いに離れて複数設定され、前記第２領域は、前記第１領域同士の間に、前記第１領域のそれぞれを囲むように設定されることを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項２】
前記第１位置のそれぞれに吐出された前記液滴が前記基板で拡がって、前記第１位置同士の間で互いに接続されることを特徴とする請求項１に記載の形成方法。
【請求項３】
前記第１位置のそれぞれに吐出された前記液滴が前記第１位置同士の間で互いに接続されるように、前記第１位置同士の距離、及び前記第１位置に吐出される前記液滴の量の少なくとも一方が設定されることを特徴とする請求項２に記載の形成方法。
【請求項４】
前記複数の第１領域は、前記基板に沿って２次元的に規則的に配列されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の形成方法。
【請求項５】
前記基板の第１方向に関して第１距離ずつ離れて並べられた複数の第１領域によって形成されたグループが、前記基板において前記第１方向と直交する第２方向に関して第２距離ずつ離れて複数並べられていることを特徴とする請求項４に記載の形成方法。
【請求項６】
前記第１領域の前記第１方向の大きさと前記第２方向の大きさとはほぼ等しく、前記第１距離と前記第２距離とはほぼ等しいことを特徴とする請求項５に記載の形成方法。
【請求項７】
前記第１領域の前記第１方向の大きさは、前記第１距離以上であり、
前記第１領域の前記第２方向の大きさは、前記第２距離以上であることを特徴とする請求項５又は６に記載の形成方法。
【請求項８】
前記第１領域の前記第１方向の大きさは、前記第１距離未満であり、
前記第１領域の前記第２方向の大きさは、前記第２距離未満であることを特徴とする請求項５又は６に記載の形成方法。
【請求項９】
前記第１位置は、１つの第１領域に対して複数設定されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の形成方法。
【請求項１０】
前記第１位置は、１つの第１領域に対して１つ設定されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の形成方法。
【請求項１１】
１つの第１位置に対して前記液滴を吐出する動作を複数回実行することを特徴とする請求項９又は１０に記載の形成方法。
【請求項１２】
前記膜パターン形成領域は、前記液滴に応じた大きさをそれぞれ有し、マトリクス状に設定された複数のピクセルで区画され、
前記複数のピクセルは、前記液滴が吐出される前記第１位置を含む第１ピクセル、及び前記液滴が吐出されない前記第２位置を含む第２ピクセルを含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の形成方法。
【請求項１３】
基板に液滴を吐出して所定の膜パターンを形成する方法であって、
前記基板に、前記膜パターンの設計データに応じた膜パターン形成領域を設定するとともに、前記膜パターン形成領域のエッジの内側に、前記液滴を吐出する第１位置を含む第１領域、及び前記液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを設定する工程と、
前記膜パターン形成領域のエッジに沿って前記基板に複数の前記液滴を吐出する工程と、
前記第１位置に前記液滴を吐出して、前記基板に前記膜パターンを形成する工程と、を含み、
前記第２領域は、互いに離れて複数設定され、前記第１領域は、前記第２領域同士の間に、前記第２領域のそれぞれを囲むように設定されることを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項１４】
前記第１位置のそれぞれに吐出された前記液滴が前記基板で拡がって、前記第１位置同士の間で互いに接続されることを特徴とする請求項１３に記載の形成方法。
【請求項１５】
前記第１位置のそれぞれに吐出された前記液滴が前記第１位置同士の間で互いに接続されるように、前記第１位置同士の距離、及び前記第１位置に吐出される前記液滴の量の少なくとも一方が設定されることを特徴とする請求項１４に記載の形成方法。
【請求項１６】
前記複数の第２領域は、前記基板に沿って２次元的に規則的に配列されることを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の形成方法。
【請求項１７】
前記基板の第１方向に関して第１距離ずつ離れて並べられた複数の第２領域によって形成されたグループが、前記基板において前記第１方向と直交する第２方向に関して第２距離ずつ離れて複数並べられていることを特徴とする請求項１６に記載の形成方法。
【請求項１８】
前記第２領域の前記第１方向の大きさと前記第２方向の大きさとはほぼ等しく、前記第１距離と前記第２距離とはほぼ等しいことを特徴とする請求項１７に記載の形成方法。
【請求項１９】
前記第２領域の前記第１方向の大きさは、前記第１距離以上であり、
前記第２領域の前記第２方向の大きさは、前記第２距離以上であることを特徴とする請求項１７又は１８に記載の形成方法。
【請求項２０】
１つの第１位置に対して前記液滴を供給する動作を複数回実行することを特徴とする請求項１３〜１９のいずれか一項に記載の形成方法。
【請求項２１】
前記膜パターン形成領域は、前記液滴に応じた大きさをそれぞれ有し、マトリクス状に設定された複数のピクセルで区画され、
前記複数のピクセルは、前記液滴が吐出される前記第１位置を含む第１ピクセル、及び前記液滴が吐出されない前記第２位置を含む第２ピクセルを含むことを特徴とする請求項１３〜２０のいずれか一項に記載の形成方法。
【請求項２２】
１つの第２領域は、複数の前記第２ピクセルによって形成されることを特徴とする請求項２１に記載の形成方法。
【請求項２３】
１つの第２領域は、１つの前記第２ピクセルによって形成されることを特徴とする請求項２１に記載の形成方法。
【請求項２４】
基板に液滴を吐出して所定の膜パターンを形成する方法であって、
前記基板に、前記膜パターンの設計データに応じた膜パターン形成領域を設定するとともに、前記膜パターン形成領域のエッジの内側に、前記液滴を吐出する第１位置を含む第１領域、及び前記液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを設定する工程と、
前記第１位置に前記液滴を吐出して、前記基板に前記膜パターンを形成する工程と、を含み、
前記第１領域及び前記第２領域のそれぞれは、前記基板の第１方向を長手方向とするライン状の領域であり、前記基板において前記第１方向と直交する第２方向に関して複数交互に並べられていることを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項２５】
前記第１位置は、１つの第１領域について前記第１方向に沿って複数設定されることを特徴とする請求項２４に記載の形成方法。
【請求項２６】
前記膜パターン形成領域のエッジに沿って前記基板に複数の前記液滴を吐出する工程を有することを特徴とする請求項２４又は２５に記載の形成方法。
【請求項２７】
前記第１位置のそれぞれに吐出された前記液滴が前記基板で拡がって、前記第１位置同士の間で互いに接続されることを特徴とする請求項２４〜２６のいずれか一項に記載の形成方法。
【請求項２８】
前記第１位置のそれぞれに吐出された前記液滴が前記第１位置同士の間で互いに接続されるように、前記第１位置同士の距離、及び前記第１位置に吐出される前記液滴の量の少なくとも一方が設定されることを特徴とする請求項２７に記載の形成方法。
【請求項２９】
前記膜パターン形成領域は、前記液滴に応じた大きさをそれぞれ有し、マトリクス状に設定された複数のピクセルで区画され、
前記複数のピクセルは、前記液滴が吐出される前記第１位置を含む第１ピクセル、及び前記液滴が吐出されない前記第２位置を含む第２ピクセルを含むことを特徴とする請求項２４〜２８のいずれか一項に記載の形成方法。
【請求項３０】
１つの第１領域は、前記第１方向に並ぶ複数の前記第１ピクセルによって形成され、
１つの第２領域は、前記第１方向に並ぶ複数の前記第２ピクセルによって形成されることを特徴とする請求項２９に記載の形成方法。
【請求項３１】
請求項１〜３０のいずれか一項記載の膜パターンの形成方法を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項３２】
基板に液滴を吐出して所定の膜パターンを形成する装置であって、
前記液滴を吐出する吐出ノズルを有する吐出ヘッドと、
前記基板を保持する基板保持部材と、
前記吐出ノズルと前記基板保持部材とを相対的に移動可能な駆動装置と、
前記基板に、前記膜パターンの設計データに応じた膜パターン形成領域を設定するとともに、前記膜パターン形成領域のエッジの内側に、前記液滴を吐出する第１位置を含む第１領域、及び前記液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを設定する設定装置と、
前記基板に前記膜パターンを形成するために、前記膜パターン形成領域のエッジに沿って前記基板に複数の前記液滴を吐出するとともに、前記第１位置に前記液滴を吐出するように、前記吐出ヘッド及び前記駆動装置を制御する制御装置と、を備え、
前記設定装置は、前記第１領域を、互いに離れて複数設定し、前記第２領域を、前記第１領域同士の間に、前記第１領域のそれぞれを囲むように設定することを特徴とする膜パターンの形成装置。
【請求項３３】
基板に液滴を吐出して所定の膜パターンを形成する装置であって、
前記液滴を吐出する吐出ノズルを有する吐出ヘッドと、
前記基板を保持する基板保持部材と、
前記吐出ノズルと前記基板保持部材とを相対的に移動可能な駆動装置と、
前記基板に、前記膜パターンの設計データに応じた膜パターン形成領域を設定するとともに、前記膜パターン形成領域のエッジの内側に、前記液滴を吐出する第１位置を含む第１領域、及び前記液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを設定する設定装置と、
前記基板に前記膜パターンを形成するために、前記膜パターン形成領域のエッジに沿って前記基板に複数の前記液滴を吐出するとともに、前記第１位置に前記液滴を吐出するように、前記吐出ヘッド及び前記駆動装置を制御する制御装置と、を備え、
前記設定装置は、前記第２領域を、互いに離れて複数設定し、前記第１領域を、前記第２領域同士の間に、前記第２領域のそれぞれを囲むように設定することを特徴とする膜パターンの形成装置。
【請求項３４】
基板に液滴を吐出して所定の膜パターンを形成する装置であって、
前記液滴を吐出する吐出ノズルを有する吐出ヘッドと、
前記基板を保持する基板保持部材と、
前記吐出ノズルと前記基板保持部材とを相対的に移動可能な駆動装置と、
前記基板に、前記膜パターンの設計データに応じた膜パターン形成領域を設定するとともに、前記膜パターン形成領域のエッジの内側に、前記液滴を吐出する第１位置を含む第１領域、及び前記液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを設定する設定装置と、
前記基板に前記膜パターンを形成するために、前記第１位置に前記液滴を吐出するように、前記吐出ヘッド及び前記駆動装置を制御する制御装置と、を備え、
前記設定装置は、前記第１領域及び前記第２領域のそれぞれを、前記基板の第１方向を長手方向とするライン状の領域とし、前記基板において前記第１方向と直交する第２方向に関して複数交互に並べるように設定することを特徴とする膜パターンの形成装置。
【請求項３５】
請求項３２〜３４のいずれか一項に記載の膜パターンの形成装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項３６】
基板に液滴を吐出して所定の配線パターンを形成する方法であって、
前記配線パターンは、前記基板の第１方向に延びる第１ラインパターンと、前記基板において前記第１方向と直交する第２方向に延び、前記第１ラインパターンと交わる第２ラインパターンとを含み、
前記基板に、前記配線パターンの設計データに応じた配線パターン形成領域を設定するとともに、前記配線パターン形成領域を、前記液滴の大きさに応じた複数のピクセルでマトリクス状に区画する工程と、
前記複数のピクセルのうち、所定のピクセルに前記液滴を吐出して、前記基板に前記配線パターンを形成する工程と、を含み、
前記配線パターン形成領域を区画する複数のピクセルのうち、前記第１ラインパターンと前記第２ラインパターンとが交わる部分に対応するピクセル及び前記交わる部分に対応するピクセルと隣接するピクセルの少なくとも１つは、前記液滴が吐出されないピクセルに設定されることを特徴とする配線パターンの形成方法。
【請求項３７】
前記第１ラインパターンと前記第２ラインパターンとが交わる部分に対応するピクセル及び前記交わる部分に対応するピクセルと隣接するピクセル以外の前記配線パターン形成領域を区画する複数のピクセルの全てに、前記液滴が吐出されることを特徴とする請求項３６に記載の形成方法。
【請求項３８】
前記第１ラインパターンの一端と前記第２ラインパターンの一端とが接続されるように前記配線パターン形成領域が設定され、
前記第１ラインパターンと前記第２ラインパターンとで形成されるコーナーの内側のピクセルは、前記液滴が吐出されるピクセルに設定されることを特徴とする請求項３６又は３７に記載の形成方法。
【請求項３９】
請求項３６〜３８のいずれか一項記載の配線パターンの形成方法を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項４０】
基板に液滴を吐出して所定の配線パターンを形成する装置であって、
前記配線パターンは、前記基板の第１方向に延びる第１ラインパターンと、前記基板において前記第１方向と直交する第２方向に延び、前記第１ラインパターンと交わる第２ラインパターンとを含み、
前記液滴を吐出する吐出ノズルを有する吐出ヘッドと、
前記基板を保持する基板保持部材と、
前記吐出ノズルと前記基板保持部材とを相対的に移動可能な駆動装置と、
前記基板に、前記配線パターンの設計データに応じた配線パターン形成領域を設定するとともに、前記配線パターン形成領域を、前記液滴の大きさに応じた複数のピクセルでマトリクス状に区画する設定装置と、
前記基板に前記配線パターンを形成するために、前記複数のピクセルのうち、所定のピクセルに前記液滴を吐出するように、前記吐出ヘッド及び前記駆動装置を制御する制御装置と、を備え、
前記設定装置は、前記配線パターン形成領域を区画する複数のピクセルのうち、前記第１ラインパターンと前記第２ラインパターンとが交わる部分に対応するピクセル及び前記交わる部分に対応するピクセルと隣接するピクセルの少なくとも１つを、前記液滴が吐出されないピクセルに設定することを特徴とする配線パターンの形成装置。
【請求項４１】
請求項４０に記載の配線パターンの形成装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜パターンの形成方法及び形成装置、配線パターンの形成方法及び形成装置、並びにデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の表面に膜パターン及び配線パターンを形成するための手法の一つとして、例えば下記特許文献に開示されているような、吐出ノズルより基板の表面に機能液の液滴を吐出して膜パターン及び配線パターンを形成する液滴吐出法（インクジェット法）が知られている。
【特許文献１】特開２００５−３４８３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
液滴吐出法に基づいて基板の表面に膜パターンを形成する際、基板の表面の複数の位置のそれぞれに液滴が吐出され、それら液滴のそれぞれが濡れ拡がり、互いに接続されることによって、膜パターンが形成される。ここで、液滴を吐出する位置の最適化を図らないと、基板の表面で液滴が良好に濡れ拡がらず、例えば局所的に集まる現象、所謂バルジ現象（液溜まり現象）が発生したり、そのバルジ現象の発生に伴って、機能液が欠如する部分が生じ、基板の表面の一部が露出したりする不具合が生じる可能性がある。
【０００４】
また、液滴吐出法に基づいて基板の表面に配線パターンを形成する際、基板の表面の複数の位置のそれぞれに液滴が吐出され、それら液滴のそれぞれが濡れ拡がり、互いに接続されることによって、配線パターンが形成される。ここで、配線パターンの形状によっては、液滴を吐出する位置の最適化を図らないと、基板の表面で液滴が良好に濡れ拡がらず、例えば局所的に集まる現象、所謂バルジ現象（液溜まり現象）が発生したり、そのバルジ現象の発生に伴って、形成される配線パターンの一部にクラック、断線等が生じたりする不具合が生じる可能性がある。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、機能液の液滴で基板の表面に所望の膜パターンを形成できる膜パターンの形成方法及び形成装置、並びにその形成方法及び形成装置を用いるデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
また本発明は、機能液の液滴で基板の表面に所望の配線パターンを形成できる配線パターンの形成方法及び形成装置、並びにその形成方法及び形成装置を用いるデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明は以下の構成を採用する。
【０００８】
本発明の第１の観点によると、基板に液滴を吐出して所定の膜パターンを形成する方法であって、前記基板に、前記膜パターンの設計データに応じた膜パターン形成領域を設定するとともに、前記膜パターン形成領域のエッジの内側に、前記液滴を吐出する第１位置を含む第１領域、及び前記液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを設定する工程と、前記膜パターン形成領域のエッジに沿って前記基板に複数の前記液滴を吐出する工程と、前記第１位置に前記液滴を吐出して、前記基板に前記膜パターンを形成する工程と、を含み、前記第１領域は、互いに離れて複数設定され、前記第２領域は、前記第１領域同士の間に、前記第１領域のそれぞれを囲むように設定されることを特徴とする膜パターンの形成方法が提供される。
【０００９】
本発明の第１の観点によれば、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域が、互いに離れて複数設定され、液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域が、第１領域同士の間に、第１領域のそれぞれを囲むように設定されるので、バルジ現象等の発生を抑制し、所望の膜パターンを形成できる。
例えば、液滴を吐出する第１位置を、基板の表面において連続的に設定したり、均一な密度で設定したりした場合、基板の表面状態、あるいは機能液の物性等によっては、バルジ現象等の不具合が発生する可能性が高くなる。例えば、基板の表面エネルギーが小さい場合（撥液性が高い場合）、あるいは機能液の表面張力が大きい場合においては、基板の表面と液滴とが引き合う力よりも、互いに接する液滴同士が表面張力によって引き合う力のほうが強くなる場合がある。この場合、機能液の液滴が基板の表面で良好に濡れ拡がらず、バルジ現象が発生し、均一な膜パターンを形成できなくなる可能性がある。また、バルジ現象の発生に伴って、機能液が欠如する部分が生じ、基板の表面の一部が露出してしまう可能性もある。
本発明者は、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域を、互いに離して複数設定し、液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域を、第１領域同士の間に、第１領域のそれぞれを囲むように設定することによって、第１位置に吐出された液滴が、バルジ現象等を発生することなく、基板の表面において良好に濡れ拡がることを見出した。
したがって、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域を、互いに離して複数設定し、液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域を、第１領域同士の間に、第１領域のそれぞれを囲むように設定することによって、バルジ現象等の発生を抑制しつつ、均一な厚みを有する所望の膜パターンを形成できる。
また、本発明の第１の観点によれば、膜パターン形成領域のエッジに沿って、基板の表面に複数の液滴が吐出されるので、膜パターンの外形を良好に規定することができる。したがって、所望の膜パターンを形成できる。
【００１０】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記第１位置のそれぞれに吐出された前記液滴が前記基板で拡がって、前記第１位置同士の間で互いに接続される。
【００１１】
このように、第１位置のそれぞれに吐出された液滴が基板の表面で濡れ拡がって、第１位置同士の間で互いに接続されることによって、第１位置のそれぞれに吐出された液滴によって、所望の膜パターンを形成できる。
【００１２】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記第１位置のそれぞれに吐出された前記液滴が前記第１位置同士の間で互いに接続されるように、前記第１位置同士の距離、及び前記第１位置に吐出される前記液滴の量の少なくとも一方が設定される。
【００１３】
このように、第１位置同士の距離、及び第１位置に吐出される液滴の量等、膜パターンを形成する際の各種パラメータの最適化を図ることによって、第１位置のそれぞれに吐出された液滴によって、所望の膜パターンを形成できる。
【００１４】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記複数の第１領域は、前記基板に沿って２次元的に規則的に配列される構成を採用できる。
【００１５】
このように、第１領域を、基板に沿って２次元的に規則的に配列することによって、基板において均一な膜パターンを形成できる。
【００１６】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記基板の第１方向に関して第１距離ずつ離れて並べられた複数の第１領域によって形成されたグループが、前記基板において前記第１方向と直交する第２方向に関して第２距離ずつ離れて複数並べられている構成を採用できる。
【００１７】
このように、第２領域で囲まれた第１領域をマトリクス状に配列することによって、基板の表面において均一な膜パターンを形成できる。
【００１８】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記第１領域の前記第１方向の大きさと前記第２方向の大きさとはほぼ等しく、前記第１距離と前記第２距離とはほぼ等しい構成を採用できる。
【００１９】
このように、第１領域の第１方向の大きさと第２方向の大きさとを等しくするとともに、それら第１領域を第１方向及び第２方向のそれぞれに関して等間隔で配列することによって、基板の表面において均一な膜パターンを形成できる。
【００２０】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記第１領域の前記第１方向の大きさは、前記第１距離以上であり、前記第１領域の前記第２方向の大きさは、前記第２距離以上である構成を採用できる。
【００２１】
このように、第１領域同士の間隔よりも第１領域の大きさを大きくしたり、第１領域同士の間隔と第１領域の大きさとを等しくしたりすることによって、基板の表面において均一な膜パターンを形成できる。
【００２２】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記第１領域の前記第１方向の大きさは、前記第１距離未満であり、前記第１領域の前記第２方向の大きさは、前記第２距離未満である構成を採用できる。
【００２３】
このように、第１領域の大きさよりも第１領域同士の間隔を大きくすることによっても、基板の表面において均一な膜パターンを形成できる。
【００２４】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記第１位置は、１つの第１領域に対して複数設定される構成を採用できる。
【００２５】
このように、１つの第１領域に複数の第１位置を設定することができる。こうすることによっても、バルジ現象等の発生を抑制し、基板の表面において均一な膜パターンを形成できる。
【００２６】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記第１位置は、１つの第１領域に対して１つ設定される構成を採用できる。
【００２７】
このように、１つの第１領域に第１位置を１つ設定することによっても、バルジ現象等の発生を抑制し、基板の表面において均一な膜パターンを形成できる。
【００２８】
本発明の膜パターンの形成方法においては、１つの第１位置に対して前記液滴を吐出する動作を複数回実行する構成を採用できる。
【００２９】
このように、先に基板に吐出された液滴上に、次の液滴を吐出することができる。先に基板に吐出された液滴の上に、次の液滴を吐出することによって、その液滴の近傍の基板の表面エネルギーが高まる（親液性が高まる）現象が生じる。したがって、次の液滴（あるいはその次の液滴）は、親液性が付与された基板の表面で良好に濡れ拡がることができる。なお、先に基板に吐出された液滴上に、次の液滴を吐出することによって、その液滴の近傍の基板の表面エネルギーが高まる（親液性が高まる）現象のメカニズムは、十分に解明されていないが、先に吐出された液滴の上に吐出される次の液滴によってもたらされる溶媒雰囲気が、基板の表面エネルギーを高める要因の一つと考えられる。
【００３０】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記膜パターン形成領域は、前記液滴に応じた大きさをそれぞれ有し、マトリクス状に設定された複数のピクセルで区画され、前記複数のピクセルは、前記液滴が吐出される前記第１位置を含む第１ピクセル、及び前記液滴が吐出されない前記第２位置を含む第２ピクセルを含む構成を採用できる。
【００３１】
このように、液滴に応じた大きさをそれぞれ有し、液滴を吐出可能な領域を規定する複数のピクセルによってパターン形成領域を区画し、それら複数のピクセルにおける液滴を吐出する第１ピクセルの配列情報、及び／又は液滴を吐出しない第２ピクセルの配列情報、所謂ビットマップデータを作成することによって、そのビットマップデータに基づいて、基板の表面の所望の位置に液滴を円滑に吐出できる。
【００３２】
本発明の第２の観点によると、基板に液滴を吐出して所定の膜パターンを形成する方法であって、前記基板に、前記膜パターンの設計データに応じた膜パターン形成領域を設定するとともに、前記膜パターン形成領域のエッジの内側に、前記液滴を吐出する第１位置を含む第１領域、及び前記液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを設定する工程と、前記膜パターン形成領域のエッジに沿って前記基板に複数の前記液滴を吐出する工程と、前記第１位置に前記液滴を吐出して、前記基板に前記膜パターンを形成する工程と、を含み、前記第２領域は、互いに離れて複数設定され、前記第１領域は、前記第２領域同士の間に、前記第２領域のそれぞれを囲むように設定されることを特徴とする膜パターンの形成方法が提供される。
【００３３】
本発明の第２の観点によれば、液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域が、互いに離れて複数設定され、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域が、第２領域同士の間に、第２領域のそれぞれを囲むように設定されるので、バルジ現象等の発生を抑制し、所望の膜パターンを形成できる。
例えば、液滴を吐出する第１位置を、基板の表面において連続的に設定したり、均一な密度で設定したりした場合、基板の表面状態、あるいは機能液の物性等によっては、バルジ現象等の不具合が発生する可能性が高くなる。例えば、基板の表面エネルギーが小さい場合（撥液性が高い場合）、あるいは機能液の表面張力が大きい場合においては、基板の表面と液滴とが引き合う力よりも、互いに接する液滴同士が表面張力によって引き合う力のほうが強くなる場合がある。この場合、機能液の液滴が基板の表面で良好に濡れ拡がらず、バルジ現象が発生し、均一な膜パターンを形成できなくなる可能性がある。また、バルジ現象の発生に伴って、機能液が欠如する部分が生じ、基板の表面の一部が露出してしまう可能性もある。
本発明者は、液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域を、互いに離して複数設定し、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域を、第２領域同士の間に、第２領域のそれぞれを囲むように設定することによって、第１位置に吐出された液滴が、バルジ現象等を発生することなく、基板の表面において良好に濡れ拡がることを見出した。
したがって、液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域を、互いに離して複数設定し、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域を、第２領域同士の間に、第２領域のそれぞれを囲むように設定することによって、バルジ現象等の発生を抑制しつつ、均一な厚みを有する所望の膜パターンを形成できる。
また、本発明の第２の観点によれば、膜パターン形成領域のエッジに沿って、基板の表面に複数の液滴が吐出されるので、膜パターンの外形を良好に規定することができる。したがって、所望の膜パターンを形成できる。
【００３４】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記第１位置のそれぞれに吐出された前記液滴が前記基板で拡がって、前記第１位置同士の間で互いに接続される。
【００３５】
このように、第１位置のそれぞれに吐出された液滴が基板で濡れ拡がって、第１位置同士の間で互いに接続されることによって、第１位置のそれぞれに吐出された液滴によって、所望の膜パターンを形成できる。
【００３６】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記第１位置のそれぞれに吐出された前記液滴が前記第１位置同士の間で互いに接続されるように、前記第１位置同士の距離、及び前記第１位置に吐出される前記液滴の量の少なくとも一方が設定される。
【００３７】
このように、第１位置同士の距離、及び第１位置に吐出される液滴の量等、膜パターンを形成する際の各種パラメータの最適化を図ることによって、第１位置のそれぞれに吐出された液滴によって、所望の膜パターンを形成できる。
【００３８】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記複数の第２領域は、前記基板に沿って２次元的に規則的に配列される構成を採用できる。
【００３９】
このように、第２領域を、基板の表面に沿って２次元的に規則的に配列することによって、基板の表面において均一な膜パターンを形成できる。
【００４０】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記基板の第１方向に関して第１距離ずつ離れて並べられた複数の第２領域によって形成されたグループが、前記基板において前記第１方向と直交する第２方向に関して第２距離ずつ離れて複数並べられている構成を採用できる。
【００４１】
このように、第１領域で囲まれた第２領域をマトリクス状に配列することによって、基板の表面において均一な膜パターンを形成できる。
【００４２】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記第２領域の前記第１方向の大きさと前記第２方向の大きさとはほぼ等しく、前記第１距離と前記第２距離とはほぼ等しい構成を採用できる。
【００４３】
このように、第２領域の第１方向の大きさと第２方向の大きさとを等しくするとともに、それら第２領域を第１方向及び第２方向のそれぞれに関して等間隔で配列することによって、基板の表面において均一な膜パターンを形成できる。
【００４４】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記第２領域の前記第１方向の大きさは、前記第１距離以上であり、前記第２領域の前記第２方向の大きさは、前記第２距離以上である構成を採用できる。
【００４５】
このように、第２領域同士の間隔よりも第２領域の大きさを大きくしたり、第２領域同士の間隔と第２領域の大きさとを等しくしたりすることによって、基板の表面において均一な膜パターンを形成できる。
【００４６】
本発明の膜パターンの形成方法においては、１つの第１位置に対して前記液滴を吐出する動作を複数回実行する構成を採用できる。
【００４７】
このように、先に基板に吐出された液滴上に、次の液滴を吐出することができる。先に基板に吐出された液滴の上に、次の液滴を吐出することによって、その液滴の近傍の基板の表面エネルギーが高まる（親液性が高まる）現象が生じる。したがって、次の液滴（あるいはその次の液滴）は、親液性が付与された基板の表面で良好に濡れ拡がることができる。なお、先に基板に吐出された液滴上に、次の液滴を吐出することによって、その液滴の近傍の基板の表面エネルギーが高まる（親液性が高まる）現象のメカニズムは、十分に解明されていないが、先に吐出された液滴の上に吐出される次の液滴によってもたらされる溶媒雰囲気が、基板の表面エネルギーを高める要因の一つと考えられる。
【００４８】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記膜パターン形成領域は、前記液滴に応じた大きさをそれぞれ有し、マトリクス状に設定された複数のピクセルで区画され、前記複数のピクセルは、前記液滴が吐出される前記第１位置を含む第１ピクセル、及び前記液滴が吐出されない前記第２位置を含む第２ピクセルを含む構成を採用できる。
【００４９】
このように、液滴に応じた大きさをそれぞれ有し、液滴を吐出可能な領域を規定する複数のピクセルによってパターン形成領域を区画し、それら複数のピクセルにおける液滴を吐出する第１ピクセルの配列情報、及び／又は液滴を吐出しない第２ピクセルの配列情報、所謂ビットマップデータを作成することによって、そのビットマップデータに基づいて、基板の表面の所望の位置に液滴を円滑に吐出できる。
【００５０】
本発明の膜パターンの形成方法においては、１つの第２領域は、複数の前記第２ピクセルによって形成される構成を採用できる。
【００５１】
このように、１つの第２領域を複数の第２ピクセルによって形成することができる。こうすることによっても、バルジ現象等の発生を抑制し、基板の表面において均一な膜パターンを形成できる。
【００５２】
本発明の膜パターンの形成方法においては、１つの第２領域は、１つの前記第２ピクセルによって形成される構成を採用できる。
【００５３】
このように、１つの第２領域を１つの第２ピクセルで形成することによっても、バルジ現象等の発生を抑制し、基板の表面において均一な膜パターンを形成できる。
【００５４】
本発明の第３の観点によると、基板に液滴を吐出して所定の膜パターンを形成する方法であって、前記基板に、前記膜パターンの設計データに応じた膜パターン形成領域を設定するとともに、前記膜パターン形成領域のエッジの内側に、前記液滴を吐出する第１位置を含む第１領域、及び前記液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを設定する工程と、前記第１位置に前記液滴を吐出して、前記基板に前記膜パターンを形成する工程と、を含み、前記第１領域及び前記第２領域のそれぞれは、前記基板の第１方向を長手方向とするライン状の領域であり、前記基板において前記第１方向と直交する第２方向に関して複数交互に並べられていることを特徴とする膜パターンの形成方法が提供される。
【００５５】
本発明の第３の観点によれば、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域及び液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれが、基板の表面の第１方向を長手方向とするライン状の領域であり、基板の表面において第１方向と直交する第２方向に関して複数交互に並べられているので、バルジ現象等の発生を抑制し、所望の膜パターンを形成できる。
例えば、液滴を吐出する第１位置を、基板の表面において連続的に設定したり、均一な密度で設定したりした場合、基板の表面状態、あるいは機能液の物性等によっては、バルジ現象等の不具合が発生する可能性が高くなる。例えば、基板の表面エネルギーが小さい場合（撥液性が高い場合）、あるいは機能液の表面張力が大きい場合においては、基板の表面と液滴とが引き合う力よりも、互いに接する液滴同士が表面張力によって引き合う力のほうが強くなる場合がある。この場合、機能液の液滴が基板の表面で良好に濡れ拡がらず、バルジ現象が発生し、均一な膜パターンを形成できなくなる可能性がある。また、バルジ現象の発生に伴って、機能液が欠如する部分が生じ、基板の表面の一部が露出してしまう可能性もある。
本発明者は、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域及び液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを、基板の表面の第１方向を長手方向とするライン状の領域とし、基板の表面において第１方向と直交する第２方向に関して複数交互に並べるように設定することによって、第１位置に吐出された液滴が、バルジ現象等を発生することなく、基板の表面において良好に濡れ拡がることを見出した。
したがって、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域及び液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを、基板の表面の第１方向を長手方向とするライン状の領域とし、基板の表面において第１方向と直交する第２方向に関して複数交互に並べることによって、バルジ現象等の発生を抑制しつつ、均一な厚みを有する所望の膜パターンを形成できる。
【００５６】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記第１位置は、１つの第１領域について前記第１方向に沿って複数設定される構成を採用できる。
【００５７】
このように、１つの第１領域について、液滴を吐出する第１位置を、第１方向に沿って複数設定することによって、基板の表面において均一な膜パターンを形成できる。
【００５８】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記膜パターン形成領域のエッジに沿って前記基板に複数の前記液滴を吐出する工程を有する構成を採用できる。
【００５９】
このように、膜パターン形成領域のエッジに沿って、基板の表面に複数の液滴を吐出することによって、膜パターンの外形を良好に規定することができる。したがって、所望の膜パターンを形成できる。
【００６０】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記第１位置のそれぞれに吐出された前記液滴が前記基板で拡がって、前記第１位置同士の間で互いに接続される。
【００６１】
このように、第１位置のそれぞれに吐出された液滴が基板の表面で濡れ拡がって、第１位置同士の間で互いに接続されることによって、第１位置のそれぞれに吐出された液滴によって、所望の膜パターンを形成できる。
【００６２】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記第１位置のそれぞれに吐出された前記液滴が前記第１位置同士の間で互いに接続されるように、前記第１位置同士の距離、及び前記第１位置に吐出される前記液滴の量の少なくとも一方が設定される。
【００６３】
このように、第１位置同士の距離、及び第１位置に吐出される液滴の量等、膜パターンを形成する際の各種パラメータの最適化を図ることによって、第１位置のそれぞれに吐出された液滴によって、所望の膜パターンを形成できる。
【００６４】
本発明の膜パターンの形成方法においては、前記膜パターン形成領域は、前記液滴に応じた大きさをそれぞれ有し、マトリクス状に設定された複数のピクセルで区画され、前記複数のピクセルは、前記液滴が吐出される前記第１位置を含む第１ピクセル、及び前記液滴が吐出されない前記第２位置を含む第２ピクセルを含む構成を採用できる。
【００６５】
このように、液滴に応じた大きさをそれぞれ有し、液滴を吐出可能な領域を規定する複数のピクセルによってパターン形成領域を区画し、それら複数のピクセルにおける液滴を吐出する第１ピクセルの配列情報、及び／又は液滴を吐出しない第２ピクセルの配列情報、所謂ビットマップデータを作成することによって、そのビットマップデータに基づいて、基板の表面の所望の位置に液滴を円滑に吐出できる。
【００６６】
本発明の膜パターンの形成方法においては、１つの第１領域は、前記第１方向に並ぶ複数の前記第１ピクセルによって形成され、１つの第２領域は、前記第１方向に並ぶ複数の前記第２ピクセルによって形成される構成を採用できる。
【００６７】
このように、１つの第１領域を、第１方向に並ぶ複数の第１ピクセルによって形成し、１つの第２領域を、第１方向に並ぶ複数の第２ピクセルによって形成することができる。こうすることによって、バルジ現象等の発生を抑制し、基板の表面において均一な膜パターンを形成できる。
【００６８】
本発明の第４の観点によると、上記記載の膜パターンの形成方法を用いることを特徴とするデバイスの製造方法が提供される。
【００６９】
本発明の第４の観点によれば、所望の膜パターンを形成できる形成方法を用いて、所望の性能を有するデバイスを製造できる。
【００７０】
本発明の第５の観点によると、基板に液滴を吐出して所定の膜パターンを形成する装置であって、前記液滴を吐出する吐出ノズルを有する吐出ヘッドと、前記基板を保持する基板保持部材と、前記吐出ノズルと前記基板保持部材とを相対的に移動可能な駆動装置と、前記基板に、前記膜パターンの設計データに応じた膜パターン形成領域を設定するとともに、前記膜パターン形成領域のエッジの内側に、前記液滴を吐出する第１位置を含む第１領域、及び前記液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを設定する設定装置と、前記基板に前記膜パターンを形成するために、前記膜パターン形成領域のエッジに沿って前記基板に複数の前記液滴を吐出するとともに、前記第１位置に前記液滴を吐出するように、前記吐出ヘッド及び前記駆動装置を制御する制御装置と、を備え、前記設定装置は、前記第１領域を、互いに離れて複数設定し、前記第２領域を、前記第１領域同士の間に、前記第１領域のそれぞれを囲むように設定することを特徴とする膜パターンの形成装置が提供される。
【００７１】
本発明の第５の観点によれば、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域が、互いに離れて複数設定され、液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域が、第１領域同士の間に、第１領域のそれぞれを囲むように設定されるので、バルジ現象等の発生を抑制し、所望の膜パターンを形成できる。
例えば、液滴を吐出する第１位置を、基板の表面において連続的に設定したり、均一な密度で設定したりした場合、基板の表面状態、あるいは機能液の物性等によっては、バルジ現象等の不具合が発生する可能性が高くなる。例えば、基板の表面エネルギーが小さい場合（撥液性が高い場合）、あるいは機能液の表面張力が大きい場合においては、基板の表面と液滴とが引き合う力よりも、互いに接する液滴同士が表面張力によって引き合う力のほうが強くなる場合がある。この場合、機能液の液滴が基板の表面で良好に濡れ拡がらず、バルジ現象が発生し、均一な膜パターンを形成できなくなる可能性がある。また、バルジ現象の発生に伴って、機能液が欠如する部分が生じ、基板の表面の一部が露出してしまう可能性もある。
本発明者は、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域を、互いに離して複数設定し、液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域を、第１領域同士の間に、第１領域のそれぞれを囲むように設定することによって、第１位置に吐出された液滴が、バルジ現象等を発生することなく、基板の表面において良好に濡れ拡がることを見出した。
したがって、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域を、互いに離して複数設定し、液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域を、第１領域同士の間に、第１領域のそれぞれを囲むように設定することによって、バルジ現象等の発生を抑制しつつ、均一な厚みを有する所望の膜パターンを形成できる。
また、本発明の第５の観点によれば、膜パターン形成領域のエッジに沿って、基板の表面に複数の液滴が吐出されるので、膜パターンの外形を良好に規定することができる。したがって、所望の膜パターンを形成できる。
【００７２】
本発明の第６の観点によると、基板に液滴を吐出して所定の膜パターンを形成する装置であって、前記液滴を吐出する吐出ノズルを有する吐出ヘッドと、前記基板を保持する基板保持部材と、前記吐出ノズルと前記基板保持部材とを相対的に移動可能な駆動装置と、前記基板に、前記膜パターンの設計データに応じた膜パターン形成領域を設定するとともに、前記膜パターン形成領域のエッジの内側に、前記液滴を吐出する第１位置を含む第１領域、及び前記液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを設定する設定装置と、前記基板に前記膜パターンを形成するために、前記膜パターン形成領域のエッジに沿って前記基板に複数の前記液滴を吐出するとともに、前記第１位置に前記液滴を吐出するように、前記吐出ヘッド及び前記駆動装置を制御する制御装置と、を備え、前記設定装置は、前記第２領域を、互いに離れて複数設定し、前記第１領域を、前記第２領域同士の間に、前記第２領域のそれぞれを囲むように設定することを特徴とする膜パターンの形成装置が提供される。
【００７３】
本発明の第６の観点によれば、液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域が、互いに離れて複数設定され、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域が、第２領域同士の間に、第２領域のそれぞれを囲むように設定されるので、バルジ現象等の発生を抑制し、所望の膜パターンを形成できる。
例えば、液滴を吐出する第１位置を、基板の表面において連続的に設定したり、均一な密度で設定したりした場合、基板の表面状態、あるいは機能液の物性等によっては、バルジ現象等の不具合が発生する可能性が高くなる。例えば、基板の表面エネルギーが小さい場合（撥液性が高い場合）、あるいは機能液の表面張力が大きい場合においては、基板の表面と液滴とが引き合う力よりも、互いに接する液滴同士が表面張力によって引き合う力のほうが強くなる場合がある。この場合、機能液の液滴が基板の表面で良好に濡れ拡がらず、バルジ現象が発生し、均一な膜パターンを形成できなくなる可能性がある。また、バルジ現象の発生に伴って、機能液が欠如する部分が生じ、基板の表面の一部が露出してしまう可能性もある。
本発明者は、液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域を、互いに離して複数設定し、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域を、第２領域同士の間に、第２領域のそれぞれを囲むように設定することによって、第１位置に吐出された液滴が、バルジ現象等を発生することなく、基板の表面において良好に濡れ拡がることを見出した。
したがって、液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域を、互いに離して複数設定し、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域を、第２領域同士の間に、第２領域のそれぞれを囲むように設定することによって、バルジ現象等の発生を抑制しつつ、均一な厚みを有する所望の膜パターンを形成できる。
また、本発明の第６の観点によれば、膜パターン形成領域のエッジに沿って、基板の表面に複数の液滴が吐出されるので、膜パターンの外形を良好に規定することができる。したがって、所望の膜パターンを形成できる。
【００７４】
本発明の第７の観点によると、基板に液滴を吐出して所定の膜パターンを形成する装置であって、前記液滴を吐出する吐出ノズルを有する吐出ヘッドと、前記基板を保持する基板保持部材と、前記吐出ノズルと前記基板保持部材とを相対的に移動可能な駆動装置と、前記基板に、前記膜パターンの設計データに応じた膜パターン形成領域を設定するとともに、前記膜パターン形成領域のエッジの内側に、前記液滴を吐出する第１位置を含む第１領域、及び前記液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを設定する設定装置と、前記基板に前記膜パターンを形成するために、前記第１位置に前記液滴を吐出するように、前記吐出ヘッド及び前記駆動装置を制御する制御装置と、を備え、前記設定装置は、前記第１領域及び前記第２領域のそれぞれを、前記基板の第１方向を長手方向とするライン状の領域とし、前記基板において前記第１方向と直交する第２方向に関して複数交互に並べるように設定することを特徴とする膜パターンの形成装置が提供される。
【００７５】
本発明の第７の観点によれば、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域及び液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれが、基板の表面の第１方向を長手方向とするライン状の領域であり、基板の表面において第１方向と直交する第２方向に関して複数交互に並べられているので、バルジ現象等の発生を抑制し、所望の膜パターンを形成できる。
例えば、液滴を吐出する第１位置を、基板の表面において連続的に設定したり、均一な密度で設定したりした場合、基板の表面状態、あるいは機能液の物性等によっては、バルジ現象等の不具合が発生する可能性が高くなる。例えば、基板の表面エネルギーが小さい場合（撥液性が高い場合）、あるいは機能液の表面張力が大きい場合においては、基板の表面と液滴とが引き合う力よりも、互いに接する液滴同士が表面張力によって引き合う力のほうが強くなる場合がある。この場合、機能液の液滴が基板の表面で良好に濡れ拡がらず、バルジ現象が発生し、均一な膜パターンを形成できなくなる可能性がある。また、バルジ現象の発生に伴って、機能液が欠如する部分が生じ、基板の表面の一部が露出してしまう可能性もある。
本発明者は、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域及び液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを、基板の表面の第１方向を長手方向とするライン状の領域とし、基板の表面において第１方向と直交する第２方向に関して複数交互に並べるように設定することによって、第１位置に吐出された液滴が、バルジ現象等を発生することなく、基板の表面において良好に濡れ拡がることを見出した。
したがって、液滴を吐出する第１位置を含む第１領域及び液滴を吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを、基板の表面の第１方向を長手方向とするライン状の領域とし、基板の表面において第１方向と直交する第２方向に関して複数交互に並べることによって、バルジ現象等の発生を抑制しつつ、均一な厚みを有する所望の膜パターンを形成できる。
【００７６】
本発明の第８の観点によると、上記記載の膜パターンの形成装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法が提供される。
【００７７】
本発明の第８の観点によれば、所望の膜パターンを形成できる形成装置を用いて、所望の性能を有するデバイスを製造できる。
【００７８】
本発明の第９の観点によると、基板に液滴を吐出して所定の配線パターンを形成する方法であって、前記配線パターンは、前記基板の第１方向に延びる第１ラインパターンと、前記基板において前記第１方向と直交する第２方向に延び、前記第１ラインパターンと交わる第２ラインパターンとを含み、前記基板に、前記配線パターンの設計データに応じた配線パターン形成領域を設定するとともに、前記配線パターン形成領域を、前記液滴の大きさに応じた複数のピクセルでマトリクス状に区画する工程と、前記複数のピクセルのうち、所定のピクセルに前記液滴を吐出して、前記基板の表面に前記配線パターンを形成する工程と、を含み、前記配線パターン形成領域を区画する複数のピクセルのうち、前記第１ラインパターンと前記第２ラインパターンとが交わる部分に対応するピクセル及び前記交わる部分に対応するピクセルと隣接するピクセルの少なくとも１つは、前記液滴が吐出されないピクセルに設定されることを特徴とする配線パターンの形成方法が提供される。
【００７９】
本発明の第９の観点によれば、互いに直交する第１ラインパターン及び第２ラインパターンを含む配線パターンを形成するに際し、基板の表面に、配線パターンの設計データに応じた配線パターン形成領域を設定するとともに、その配線パターン形成領域を、液滴に応じた大きさをそれぞれ有し、液滴を吐出可能な領域を規定する複数のピクセルによって区画し、それら複数のピクセルのうち、液滴を吐出するピクセルの配列情報、及び／又は液滴を吐出しないピクセルの配列情報、所謂ビットマップデータを作成することによって、そのビットマップデータに基づいて、基板の表面の所望の位置に液滴を円滑に吐出できる。
そして、配線パターン形成領域を区画する複数のピクセルのうち、設計データ上の第１ラインパターンと第２ラインパターンとが交わる部分に対応するピクセル及びそのピクセルと隣接するピクセルの少なくとも１つが、液滴を吐出しないピクセルに設定されるので、バルジ現象等の発生を抑制し、所望の配線パターンを形成できる。
すなわち、本発明者は、互いに直交する第１ラインパターン及び第２ラインパターンを含む配線パターンを液滴吐出法に基づいて形成する場合、第１ラインパターンと第２ラインパターンとが交わる部分に、バルジ現象が発生したり、そのバルジ現象の発生に伴って、形成される配線パターンの一部にクラック、断線等が発生したりする可能性が高くなることを見出した。
さらに、本発明者は、配線パターン形成領域を区画する複数のピクセルのうち、第１ラインパターンと第２ラインパターンとが交わる部分に対応するピクセル及びその交わる部分に対応するピクセルと隣接するピクセルの少なくとも１つを、液滴を吐出しないピクセルに設定することによって、バルジ現象等の発生を抑え、所望の配線パターンを形成できることを見出した。
したがって、配線パターン形成領域を区画する複数のピクセルのうち、第１ラインパターンと第２ラインパターンとが交わる部分に対応するピクセル及びその交わる部分に対応するピクセルと隣接するピクセルの少なくとも１つを、液滴を吐出しないピクセルに設定することによって、バルジ現象等の発生を抑えつつ、所望の配線パターンを形成できる。
【００８０】
本発明の配線パターンの形成方法においては、前記第１ラインパターンと前記第２ラインパターンとが交わる部分に対応するピクセル及び前記交わる部分に対応するピクセルと隣接するピクセル以外の前記配線パターン形成領域を区画する複数のピクセルの全てに、前記液滴が吐出される構成を採用できる。
【００８１】
このように、第１ラインパターンと第２ラインパターンとが交わる部分に対応するピクセル及び交わる部分に対応するピクセルと隣接するピクセル以外の配線パターン形成領域を区画する複数のピクセルの全てに、液滴を吐出することによって、所望の配線パターンを形成できる。
【００８２】
本発明の配線パターンの形成方法においては、前記第１ラインパターンの一端と前記第２ラインパターンの一端とが接続されるように前記配線パターン形成領域が設定され、前記第１ラインパターンと前記第２ラインパターンとで形成されるコーナーの内側のピクセルは、前記液滴が吐出されるピクセルに設定される構成を採用できる。
【００８３】
このように、第１ラインパターンと第２ラインパターンとで形成されるコーナーの内側のピクセルを、液滴を吐出するピクセルに設定することによって、所望の配線パターンを形成できる。
【００８４】
本発明の第１０の観点によると、上記記載の配線パターンの形成方法を用いることを特徴とするデバイスの製造方法が提供される。
【００８５】
本発明の第１０の観点によれば、所望の配線パターンを形成できる形成方法を用いて、所望の性能を有するデバイスを製造できる。
【００８６】
本発明の第１１の観点によると、基板に液滴を吐出して所定の配線パターンを形成する装置であって、前記配線パターンは、前記基板の第１方向に延びる第１ラインパターンと、前記基板において前記第１方向と直交する第２方向に延び、前記第１ラインパターンと交わる第２ラインパターンとを含み、前記液滴を吐出する吐出ノズルを有する吐出ヘッドと、前記基板を保持する基板保持部材と、前記吐出ノズルと前記基板保持部材とを相対的に移動可能な駆動装置と、前記基板に、前記配線パターンの設計データに応じた配線パターン形成領域を設定するとともに、前記配線パターン形成領域を、前記液滴の大きさに応じた複数のピクセルでマトリクス状に区画する設定装置と、前記基板に前記配線パターンを形成するために、前記複数のピクセルのうち、所定のピクセルに前記液滴を吐出するように、前記吐出ヘッド及び前記駆動装置を制御する制御装置と、を備え、前記設定装置は、前記配線パターン形成領域を区画する複数のピクセルのうち、前記第１ラインパターンと前記第２ラインパターンとが交わる部分に対応するピクセル及び前記交わる部分に対応するピクセルと隣接するピクセルの少なくとも１つを、前記液滴が吐出されないピクセルに設定することを特徴とする配線パターンの形成装置が提供される。
【００８７】
本発明の第１１の観点によれば、互いに直交する第１ラインパターン及び第２ラインパターンを含む配線パターンを形成するに際し、基板の表面に、配線パターンの設計データに応じた配線パターン形成領域を設定するとともに、その配線パターン形成領域を、液滴に応じた大きさをそれぞれ有し、液滴を吐出可能な領域を規定する複数のピクセルによって区画し、それら複数のピクセルのうち、液滴を吐出するピクセルの配列情報、及び／又は液滴を吐出しないピクセルの配列情報、所謂ビットマップデータを作成することによって、そのビットマップデータに基づいて、基板の表面の所望の位置に液滴を円滑に吐出できる。
そして、配線パターン形成領域を区画する複数のピクセルのうち、設計データ上の第１ラインパターンと第２ラインパターンとが交わる部分に対応するピクセル及びそのピクセルと隣接するピクセルの少なくとも１つが、液滴を吐出しないピクセルに設定されるので、バルジ現象等の発生を抑制し、所望の配線パターンを形成できる。
すなわち、本発明者は、互いに直交する第１ラインパターン及び第２ラインパターンを含む配線パターンを液滴吐出法に基づいて形成する場合、第１ラインパターンと第２ラインパターンとが交わる部分に、バルジ現象が発生したり、そのバルジ現象の発生に伴って、形成される配線パターンの一部にクラック、断線等が発生したりする可能性が高くなることを見出した。
さらに、本発明者は、配線パターン形成領域を区画する複数のピクセルのうち、第１ラインパターンと第２ラインパターンとが交わる部分に対応するピクセル及びその交わる部分に対応するピクセルと隣接するピクセルの少なくとも１つを、液滴を吐出しないピクセルに設定することによって、バルジ現象等の発生を抑え、所望の配線パターンを形成できることを見出した。
したがって、配線パターン形成領域を区画する複数のピクセルのうち、第１ラインパターンと第２ラインパターンとが交わる部分に対応するピクセル及びその交わる部分に対応するピクセルと隣接するピクセルの少なくとも１つを、液滴を吐出しないピクセルに設定することによって、バルジ現象等の発生を抑えつつ、所望の配線パターンを形成できる。
【００８８】
本発明の第１２の観点によると、上記記載の配線パターンの形成装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法が提供される。
【００８９】
本発明の第１２の観点によれば、所望の配線パターンを形成できる形成装置を用いて、所望の性能を有するデバイスを製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００９０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００９１】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係る膜パターン（配線パターン）の形成装置ＩＪを示す概略斜視図である。本実施形態においては、膜パターンの形成装置ＩＪは、機能液の液滴Ｄを吐出可能な吐出ノズル１を有し、その吐出ノズル１より基板Ｐの表面に機能液の液滴Ｄを吐出して、基板Ｐの表面に所定の膜パターン（配線パターン）Ｆを形成可能な液滴吐出装置（インクジェット装置）を含む。
【００９２】
図１において、形成装置ＩＪは、機能液の液滴Ｄを吐出可能な吐出ノズル（開口）１を有する吐出ヘッド２と、基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ３と、吐出ヘッド２を移動可能な吐出ヘッド移動機構４と、基板ステージ３を移動可能な基板ステージ移動機構５と、基板Ｐの熱処理を実行可能な熱処理装置６と、形成装置ＩＪ全体の動作を制御する制御装置７と、制御装置７に接続され、その制御装置７に膜パターン（配線パターン）Ｆの形成動作に関する情報を入力可能な入力装置８とを備えている。入力装置８は、制御装置７に操作信号等、各種信号を供給可能な、例えばキーボード、マウス、タッチパネル、及び電気通信回線等を含む。
【００９３】
吐出ヘッド２は、機能液の液滴Ｄを吐出可能な複数の吐出ノズル１を有する。本実施形態の吐出ヘッド２は、例えば特開２００５−２８２７６号公報、特開２００５−１４４３２４号公報、特開２００６−６８９８９号公報等に開示されているような、ピエゾ素子（圧電素子）に所定の駆動信号を供給して、そのピエゾ素子を変形させることによって、機能液を収容した空間の圧力を可撓性の板（膜）を介して変動させ、その圧力の変動を利用して、吐出ノズル１より機能液の液滴Ｄを吐出する、所謂電気機械変換方式の吐出ヘッドである。制御装置７は、吐出ヘッド２のピエゾ素子に所定の駆動信号を供給して、その駆動信号に応じた大きさの液滴Ｄを吐出ノズル１のそれぞれより吐出可能である。
【００９４】
また、制御装置７は、例えば特開２００１−５８４３３号公報に開示されているように、ピエゾ素子に供給する駆動信号（駆動波形）を調整して、吐出ノズル１のそれぞれから吐出される液滴Ｄの量（大きさ、体積）を調整可能である。
【００９５】
なお、吐出ヘッド２による液滴Ｄの吐出方式としては、上述の電気機械変換方式のみならず、帯電制御方式、加圧振動方式、電気熱変換方式、及び静電吸引方式の少なくとも１つを採用可能である。ここで、帯電制御方式は、機能液に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で機能液の液滴の吐出方向を制御して、吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、機能液に例えば３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加して吐出ノズルの先端側に機能液の液滴を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には機能液の液滴が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると機能液間に静電的な反発が起こり、機能液が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気熱変換方式は、機能液を貯留した空間内に設けたヒータにより、機能液を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の機能液を吐出させるものである。また、静電吸引方式は、機能液を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに機能液のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから機能液を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。
【００９６】
吐出ノズル１は、基板ステージ３に保持された基板Ｐの表面と対向する吐出ヘッド２の下面に配置されている。本実施形態においては、吐出ヘッド２は、Ｘ軸方向に長い形状を有する。吐出ノズル１は、吐出ヘッド２の下面において、Ｘ軸方向に沿って複数形成されている。複数の吐出ノズル１は、Ｘ軸方向に関して所定間隔で配置されている。吐出ヘッド２の吐出ノズル１から吐出された機能液の液滴Ｄは、基板ステージ３に保持された基板Ｐの表面に供給される。
【００９７】
吐出ヘッド移動機構４は、吐出ヘッド２をＸ軸方向に移動可能に支持する支持部材４Ｓと、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含み、支持部材４Ｓに支持されている吐出ヘッド２をＸ軸方向に移動する駆動装置４Ｄとを有する。制御装置７は、駆動装置４Ｄを制御して、支持部材４Ｓに支持されている吐出ヘッド２をＸ軸方向に移動可能であり、その吐出ヘッド２のＸ軸方向の位置を調整可能である。
【００９８】
また、不図示であるが、吐出ヘッド移動機構４は、吐出ヘッド２をＹ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向のそれぞれに移動（微動）可能なアクチュエータを備えている。すなわち、吐出ヘッド移動機構４は、吐出ヘッド２を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。制御装置７は、吐出ヘッド移動機構４を制御して、６自由度の方向に関する吐出ヘッド２の位置を調整可能である。
【００９９】
基板ステージ３は、ステージ本体３Ｂと、ステージ本体３Ｂ上に搭載され、基板Ｐを保持する基板ホルダ３Ｈとを含み、基板ホルダ３Ｈで基板Ｐを保持しながら移動可能である。基板ステージ３（基板ホルダ３Ｈ）は、基板Ｐの表面とＸＹ平面（水平面）とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。
【０１００】
基板ステージ移動機構５は、基板ステージ３（ステージ本体３Ｂ）をＹ軸方向に移動可能に支持する支持部材５Ｓと、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含み、支持部材５Ｓに支持されている基板ステージ３（ステージ本体３Ｂ）をＹ軸方向に移動する駆動装置５Ｄとを有する。制御装置７は、駆動装置５Ｄを制御して、支持部材５Ｓに支持されている基板ステージ３（ステージ本体３Ｂ）をＹ軸方向に移動可能であり、その基板ステージ３（ステージ本体３Ｂ）のＹ軸方向の位置を調整可能である。ステージ本体３Ｂの位置が調整されることによって、そのステージ本体３Ｂ上に搭載されている基板ホルダ３Ｈ（基板Ｐ）の位置も調整される。
【０１０１】
また、不図示であるが、基板ステージ移動機構５は、基板ステージ３の基板ホルダ３ＨをＸ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向のそれぞれに移動（微動）可能なアクチュエータを備えている。そのアクチュエータの少なくとも一部は、ステージ本体３Ｂと基板ホルダ３Ｈとの間に配置されている。すなわち、基板ステージ移動機構５は、基板ステージ３（基板ホルダ３Ｈ）を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。制御装置７は、基板ステージ移動機構５を制御して、６自由度の方向に関する基板ステージ３（基板ホルダ３Ｈ）の位置を調整可能である。
【０１０２】
本実施形態においては、制御装置７は、吐出ヘッド移動機構４及び基板ステージ移動機構５のそれぞれを用いて、吐出ヘッド２と基板Ｐを保持した基板ステージ３とを相対的に移動しながら、吐出ヘッド２の吐出ノズル１より機能液の液滴Ｄを吐出して、その液滴Ｄを基板Ｐの表面に供給する。具体的には、制御装置７は、吐出ヘッド２をＸ軸方向に関して所定の位置に配置した状態で、吐出ヘッド２の吐出ノズル１に対して基板Ｐを保持した基板ステージ３をＹ軸方向に移動しつつ、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。これにより、吐出ノズル１の位置に応じた基板Ｐの表面の所定の領域に、吐出ノズル１からの液滴Ｄが供給される。また、制御装置７は、必要に応じて吐出ヘッド２のＸ軸方向の位置を変化させ、吐出ヘッド２をその位置に配置した状態で、その吐出ヘッド２の吐出ノズル１に対して基板Ｐを保持した基板ステージ３をＹ軸方向に移動しつつ、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。これにより、制御装置７は、基板Ｐの表面の広い領域に吐出ノズル１からの液滴Ｄを供給できる。
【０１０３】
以下の説明において、吐出ノズル１による液滴Ｄの吐出動作中に基板ステージ３（基板Ｐ）が移動する方向であるＹ軸方向を適宜、走査方向、と称し、水平面内において走査方向（Ｙ軸方向）と直交する方向であるＸ軸方向を適宜、非走査方向、と称する。したがって、吐出ヘッド２の吐出ノズル１は、非走査方向（Ｘ軸方向）に関して所定間隔で複数配置されている。なお、制御装置７は、吐出ヘッド移動機構４を制御して、複数の吐出ノズル１が基板Ｐの移動方向（Ｙ軸方向）と直交する方向（Ｘ軸方向）に並ぶように、吐出ヘッド２の角度（姿勢）を調整してもよいし、複数の吐出ノズル１が基板Ｐの移動方向（Ｙ軸方向）に対して傾斜する方向に並ぶように、吐出ヘッド２の角度（姿勢）を調整してもよい。制御装置７は、吐出ヘッド２の角度（姿勢）を調整することによって、吐出ノズル１同士の間隔（所謂ノズルピッチ）を調整できる。また、制御装置７は、吐出ヘッド移動機構４及び基板ステージ移動機構５の少なくとも一方を制御して、吐出ヘッド２の下面と基板Ｐの表面との距離を調整してもよい。
【０１０４】
熱処理装置６は、基板Ｐを加熱可能なヒータを含む。熱処理装置６は、例えば基板Ｐに光を照射することによって、その基板Ｐを加熱可能なランプアニール装置６Ｄと、そのランプアニール装置６Ｄを支持する支持部材６Ｓとを含む。熱処理装置６は、基板Ｐを加熱することによって、基板Ｐの表面に吐出（供給）された機能液の液滴Ｄに含まれる溶媒（分散媒）の少なくとも一部を蒸発（気化）させ、その液滴Ｄを乾燥させることができる。なお、熱処理装置６は、基板Ｐに熱風を吹き付けることによって、液滴Ｄを乾燥させてもよい。
【０１０５】
次に、上述の構成を有する形成装置ＩＪを用いて、機能液の液滴Ｄで基板Ｐの表面に所定の膜パターンＦを形成する方法について説明する。
【０１０６】
本実施形態においては、図２のフローチャートに示すように、形成しようとする膜パターンＦを設計する工程ＳＡ１と、基板Ｐの表面に、膜パターンＦの設計データに応じた膜パターン形成領域を設定するとともに、膜パターン形成領域のエッジの内側に、液滴Ｄを吐出する第１位置を含む第１領域、及び液滴Ｄを吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを設定する工程ＳＡ２と、設定した膜パターン形成領域、第１領域、及び第２領域に応じて基板Ｐの表面に液滴Ｄを吐出して、その基板Ｐの表面に所定の膜パターンＦを形成する工程ＳＡ３、ＳＡ４と、が実行される。基板Ｐの表面に液滴Ｄを吐出する工程（ＳＡ３、ＳＡ４）は、設定した膜パターン形成領域のエッジに沿って基板Ｐの表面に複数の液滴Ｄを吐出する工程ＳＡ３と、設定した第１領域（第１位置）に液滴Ｄを吐出する工程ＳＡ４とを含む。以下、各工程ＳＡ１〜ＳＡ４毎に説明する。
【０１０７】
（工程ＳＡ１：膜パターンの設計）
まず、形成しようとする膜パターンＦの設計が行われる。膜パターンＦの設計では、形成しようとする膜パターンＦの大きさ、形状、及び厚み（膜厚）等が設定される。
【０１０８】
図３は、基板Ｐの表面の少なくとも一部に形成される膜パターンＦの一例を示す図である。本実施形態においては、基板Ｐの表面に液滴Ｄを吐出して、最終的に、図３に示すような膜パターンＦを形成する場合を例にして説明する。図３に示す膜パターンＦは、基板Ｐの表面と平行な平面内（ＸＹ平面内）において所定の大きさを有する矩形状（長方形状）であり、所定の厚み（例えば１０μｍ）を有する。
【０１０９】
（工程ＳＡ２：膜パターン形成領域、第１領域、及び第２領域の設定）
膜パターンＦの設計が行われた後、その膜パターンＦの設計データが、入力装置８を介して制御装置７に入力される。膜パターンＦの設計データは、形成しようとする膜パターンＦの大きさ、形状、及び厚み（膜厚）等に関するデータを含む。具体的には、膜パターンＦの設計データは、形成しようとする膜パターンＦの大きさ、形状、及び厚み等の目標値に関する情報を含む。
【０１１０】
膜パターンＦの設計データが入力された後、制御装置７は、基板Ｐの表面に、膜パターンＦの設計データに応じた膜パターン形成領域１０を設定する。制御装置７は、入力された膜パターンＦの設計データに基づいて、膜パターン形成領域１０の大きさ及び形状（膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの位置及び形状）を設定する。
【０１１１】
図４は、本実施形態に係る基板Ｐの表面に設定された膜パターン形成領域１０の一例を示す図、図５は、図４の一部（破線ＡＲで囲まれた部分）を拡大した図である。
【０１１２】
膜パターン形成領域１０は、機能液の液滴Ｄが吐出（供給）され得る領域である。換言すれば、膜パターン形成領域１０は、膜パターンＦを形成するための液滴Ｄを吐出する動作を実行中の吐出ノズル１と対向する位置に配置される基板Ｐ上の領域である。所定の膜パターンＦを形成するために、膜パターン形成領域１０の内側の少なくとも一部には、吐出ノズル１からの液滴Ｄが吐出（供給）され、膜パターン形成領域１０の外側には、吐出ノズル１からは液滴Ｄが吐出（供給）されない。
【０１１３】
本実施形態においては、膜パターン形成領域１０の内側に、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄが複数設定される。本実施形態においては、制御装置７は、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴Ｄの中心と、第１位置１１Ｄとが合致するように、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。
【０１１４】
膜パターン形成領域１０の内側に設定される複数の第１位置１１Ｄのうち、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに最も近い第１位置１１Ｄｅは、その第１位置１１Ｄｅに吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅとが対応するように（合致するように）、基板Ｐの表面に設定される。換言すれば、本実施形態においては、第１位置１１Ｄｅに吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅとが対応するように（合致するように）、膜パターン形成領域１０が設定される。
【０１１５】
膜パターン形成領域１０は、設計データ上の膜パターンＦに応じて定められる。図３、図４、及び図５に示すように、本実施形態においては、膜パターン形成領域１０は、設計データ上の膜パターンＦの大きさよりも僅かに小さくなるように、ＸＹ平面内において所定の大きさを有する矩形状（長方形状）に設定される。
【０１１６】
本実施形態においては、膜パターン形成領域１０は、その膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅが設計データ上の膜パターンＦのエッジの内側でその膜パターンＦのエッジに沿うように、且つ、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅと設計データ上の膜パターンＦのエッジとの距離が膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの各位置においてほぼ等しくなるように、換言すれば、膜パターン形成領域１０と設計データ上の膜パターンＦとがほぼ相似関係となるように、設定される。
【０１１７】
基板Ｐの表面に吐出（供給）され、基板Ｐの表面に接触した後の液滴Ｄは、基板Ｐの表面で濡れ拡がる。したがって、制御装置７は、基板Ｐの表面に吐出（供給）され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）を考慮して、設計データに則した所望の膜パターンＦが形成されるように、膜パターン形成領域１０の大きさ及び形状を設定する。
【０１１８】
すなわち、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ近傍に吐出され、基板Ｐの表面に接触した後の液滴Ｄの少なくとも一部は、基板Ｐの表面で濡れ拡がって、膜パターン形成領域１０の外側に配置される。したがって、例えば膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ近傍に吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する場合において、制御装置７は、その膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ近傍の第１位置１１Ｄｅに吐出され、膜パターン形成領域１０の外側に濡れ拡がった後の液滴Ｄの外側のエッジが、設計データ上の膜パターンＦのエッジに対応するように、膜パターン形成領域１０の大きさ及び形状（膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの位置及び形状）を設定する。
【０１１９】
すなわち、最終的に形成される膜パターンＦは、基板Ｐの表面に設定された膜パターン形成領域１０の内側に吐出され、基板Ｐの表面で濡れ拡がって、膜パターン形成領域１０の外側に配置された液滴（機能液）も含む。したがって、制御装置７は、基板Ｐの表面に吐出され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）を考慮して、膜パターン形成領域１０の大きさが、最終的に形成される設計データ上の膜パターンＦの大きさよりも僅かに小さくなるように、膜パターン形成領域１０を設定する。
【０１２０】
このように、膜パターンＦは、その設定された膜パターン形成領域１０（膜パターン形成領域１０の第１位置１１Ｄｅ）に吐出され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）に応じた大きさ及び形状を有するものとなる。膜パターン形成領域１０は、基板Ｐの表面に吐出され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）を考慮して、設計データ上の膜パターンＦに応じて設定される。
【０１２１】
ここで、基板Ｐの表面に吐出され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）は、基板Ｐの表面状態、機能液（液滴Ｄ）の物性、及び吐出する液滴Ｄの量（大きさ、体積）等に応じて定まる。基板Ｐの表面状態は、液滴Ｄに対する基板Ｐの表面の接触角等を含み、機能液（液滴Ｄ）の物性は、機能液（液滴Ｄ）の表面張力等を含む。したがって、制御装置７は、基板Ｐの表面状態、液滴Ｄの物性、及び吐出する液滴Ｄの量等を考慮して、所望の膜パターンＦが形成されるように、膜パターンＦの設計データに応じて、膜パターン形成領域１０を設定する。
【０１２２】
具体的には、本実施形態においては、制御装置７は、基板Ｐの表面状態、液滴Ｄの物性、及び吐出する液滴Ｄの量等を考慮して、所望の膜パターンＦが形成されるように、膜パターンＦの設計データに応じて、膜パターン形成領域１０の内側に設定される複数の第１位置１１Ｄのうち、少なくとも膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに最も近い第１位置１１Ｄｅの位置（膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅと各第１位置１１Ｄｅとの距離）を設定する。なお、上述のように、本実施形態においては、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴Ｄの中心と、第１位置１１Ｄ（１１Ｄｅ）とが合致するように、吐出ノズル１より液滴Ｄが吐出されるとともに、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅとが対応するように（合致するように）、第１位置１１Ｄｅが設定されるので、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅと第１位置１１Ｄｅとの距離は、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴Ｄの半径に相当する。
【０１２３】
本実施形態においては、制御装置７には、膜パターンＦの設計データに加えて、基板Ｐの表面状態（液滴Ｄに対する基板Ｐの表面の接触角等）、及び液滴Ｄの物性（表面張力等）に関するデータが入力装置８を介して入力される。制御装置７は、入力装置８を介して入力された、基板Ｐの表面状態、液滴Ｄの物性、及び膜パターンＦの設計データと、予め定められている吐出ノズル１より吐出する液滴Ｄの量とに基づいて、膜パターン形成領域１０の大きさ及び形状（膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの位置及び形状）、ひいては第１位置１１Ｄｅを設定する。
【０１２４】
次に、制御装置７は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側に、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１、及び液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２を設定する。
【０１２５】
本実施形態においては、第１領域１１は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側において、互いに離れて複数設定され、第２領域１２は、第１領域１１同士の間に、各第１領域１１のそれぞれを囲むように設定される。すなわち、本実施形態においては、液滴Ｄが吐出される第１領域１１は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側において、断続的に（島状に）複数設定される。
【０１２６】
また、本実施形態においては、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄｅが連続的に複数設定される。すなわち、制御装置７は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側を囲むように、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って第１位置１１Ｄｅを枠状に設定する。
【０１２７】
複数の第１領域１１は、基板Ｐの表面とほぼ平行なＸＹ平面のＸ軸方向、及びＸＹ平面においてＸ軸方向と直交するＹ軸方向のそれぞれに関して互いに離れて並べられる。複数の第１領域１１は、Ｘ軸方向に関して規則的に並べられるとともに、Ｙ軸方向に関して規則的に並べられる。すなわち、複数の第１領域１１は、基板Ｐの表面に沿って２次元的に規則的に配列されている。
【０１２８】
具体的には、Ｘ軸方向に関して第１距離Ｄ１ずつ離れて並べられた複数の第１領域１１によって形成されたグループが、Ｙ軸方向に関して第２距離Ｄ２ずつ離れて複数並べられる。第１領域１１は、Ｘ軸方向に関して第１距離Ｄ１ずつ等間隔で複数設定されるとともに、Ｙ軸方向に関して第２距離Ｄ２ずつ等間隔で複数設定される。
【０１２９】
本実施形態においては、第１領域１１のそれぞれは矩形状であって、第１領域１１のＸ軸方向の大きさとＹ軸方向の大きさとはほぼ等しい。すなわち、本実施形態においては、第１領域１１のそれぞれは、正方形状である。また、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とはほぼ等しい。
【０１３０】
このように、本実施形態においては、各第１領域１１のそれぞれは正方形状であるとともに、それら複数の第１領域１１は、ＸＹ平面内において等間隔で規則的に設定されている。
【０１３１】
そして、液滴Ｄが吐出されない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側において、格子状に設定されている。
【０１３２】
本実施形態においては、第１領域１１のＸ軸方向の大きさは、第１距離Ｄ１よりも大きく、第１領域１１のＹ軸方向の大きさは、第２距離Ｄ２よりも大きい。すなわち、本実施形態においては、第１領域１１のＸＹ方向に関する大きさに対して、各第１領域１１同士の間隔は小さい（狭い）。
【０１３３】
本実施形態においては、制御装置７は、少なくとも膜パターン形成領域１０を含む基板Ｐの表面の所定領域を、複数のピクセルＣで区画する。複数のピクセルＣのそれぞれは、液滴Ｄを供給可能な領域を規定するものであって、液滴Ｄに応じた大きさを有する。ピクセルＣは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に関してマトリクス状に複数設定される。膜パターン形成領域１０は、液滴Ｄに応じた大きさをそれぞれ有し、マトリクス状に設定された仮想的な複数のピクセルＣで区画される。
【０１３４】
本実施形態においては、複数のピクセルＣの組み合わせによって、膜パターン形成領域１０が形成される。
【０１３５】
本実施形態においては、複数のピクセルＣのそれぞれは、正方形状であり、その１辺の長さは、例えば１０μｍに設定される。また、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴Ｄの直径（所謂飛翔径）は、例えば１０μｍに設定される。すなわち、本実施形態においては、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、ピクセルＣのエッジとが対応するように（合致するように）、ピクセルＣが設定される。
【０１３６】
なお、ピクセルＣは、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジが、ピクセルＣのエッジよりも僅かに内側に配置されるように設定されてもよい。すなわち、ピクセルＣが液滴Ｄの飛翔径よりも僅かに大きくてもよい。例えばピクセルＣの１辺が１０μｍであり、液滴Ｄの飛翔径が９μｍであってもよい。
【０１３７】
次に、制御装置７は、複数のピクセルＣのそれぞれを、液滴Ｄを吐出するピクセル又は吐出しないピクセルのいずれか一方に設定する。
【０１３８】
以下の説明において、吐出ノズル１より液滴Ｄが吐出（供給）されるピクセルを適宜、第１ピクセルＣ１、と称し、吐出ノズル１より液滴Ｄが吐出（供給）されないピクセルを適宜、第２ピクセルＣ２、と称する。
【０１３９】
本実施形態においては、制御装置７は、ある１つの第１ピクセルＣ１に対して吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出するとき、その第１ピクセルＣ１の中心と、吐出する液滴Ｄの中心とがほぼ合致するように、液滴Ｄを吐出する。すなわち、１つの第１ピクセルＣ１は、その中心に、液滴Ｄが吐出される第１位置１１Ｄを１つ有する。
【０１４０】
第１領域１１は、第１ピクセルＣ１で形成され、第２領域１２は、第２ピクセルＣ２で形成される。本実施形態においては、制御装置７は、膜パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣのそれぞれを、第１ピクセルＣ１及び第２ピクセルＣ２のいずれか一方に設定することによって、膜パターン形成領域１０の内側に、第１領域１１及び第２領域１２のそれぞれを設定する。すなわち、第１ピクセルＣ１の配列、及び／又は第２ピクセルＣ２の配列が決定されることによって、膜パターン形成領域１０の内側に、複数の第１領域１１、及び／又は第２領域１２が設定される。
【０１４１】
以下の説明において、第１領域１１、及び／又は第２領域１２を設定するために決定される、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１の配列情報、及び／又は液滴Ｄが吐出されない第２ピクセルＣ２の配列情報を適宜、ビットマップデータ、と称する。
【０１４２】
本実施形態においては、１つの第１領域１１は、複数の第１ピクセルＣ１で形成される。本実施形態においては、１つの第１領域１１は、Ｘ軸方向に並べられた２つの第１ピクセルＣ１のグループがＹ軸方向に関して２つ並べられることによって形成される。すなわち、本実施形態においては、１つの第１領域１１は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに２つずつ並べられた、合計４つの第１ピクセルＣ１によって形成されている。したがって、第１領域１１のＸ軸方向及びＹ軸方向それぞれの大きさは、２つ分の第１ピクセルＣ１の大きさに対応する。
【０１４３】
上述のように、１つの第１ピクセルＣ１は、液滴Ｄが吐出される第１位置１１Ｄを１つ有している。本実施形態においては、１つの第１領域１１が複数（４つ）の第１ピクセルＣ１によって形成されているので、液滴Ｄが吐出される第１位置１１Ｄは、１つの第１領域１１に対して複数（４つ）設定される。
【０１４４】
また、上述したように、１つの第１ピクセルＣ１は、吐出ノズル１から吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴Ｄの大きさ（飛翔径）に応じた大きさを有し、１つの第１領域１１は、吐出ノズル１から吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の４つの液滴ＤのＸＹ平面内における大きさ（４つの液滴Ｄの投影面積に相当する大きさ）を有する。
【０１４５】
第２領域１２は、複数の第２ピクセルＣ２で形成される。第２ピクセルＣ２のそれぞれは、４つの第１ピクセルＣ１で形成される第１領域１１同士の間に、各第１領域１１のそれぞれを囲むように設定される。第１領域１１同士の間には、１つ分の第２ピクセルＣ２が設定される。したがって、第１領域１１同士の間の第１距離Ｄ１及び第２距離Ｄ２は、１つ分の第２ピクセルＣ２の大きさに対応する。
【０１４６】
また、上述したように、本実施形態においては、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄｅが連続的に複数設定される。本実施形態においては、膜パターン形成領域１０は、複数のピクセルＣで区画されるので、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成するピクセルＣ（膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って配列されたピクセルＣ）のそれぞれが、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１に設定される。
【０１４７】
以下の説明において、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成する複数のピクセル（膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って配列された複数のピクセル）のそれぞれを適宜、エッジピクセルＣｅ、と称する。
【０１４８】
したがって、本実施形態においては、エッジピクセルＣｅのそれぞれが、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１に設定され、各エッジピクセルＣｅそれぞれの中心に、第１位置１１Ｄｅが設定される。そして、本実施形態においては、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１（エッジピクセルＣｅ）が、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側を囲むように、枠状に設定される。
【０１４９】
エッジピクセルＣｅは、設計データ上の膜パターンＦのエッジの内側において、そのエッジピクセルＣｅと設計データ上の膜パターンＦのエッジとの距離が、少なくともピクセルＣの１つ分の大きさよりも小さくなるように設定される。エッジピクセルＣｅは、設計データ上の膜パターンＦのエッジに沿って連続的に配列される。
【０１５０】
本実施形態においては、エッジピクセルＣｅは、そのエッジピクセルＣｅの中心に設定された第１位置１１Ｄｅに吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ（エッジピクセルＣｅの外側のエッジ）とが対応するように（合致するように）、基板Ｐの表面に設定される。換言すれば、本実施形態においては、第１位置１１Ｄｅに吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、エッジピクセルＣｅの外側のエッジとが対応するように（合致するように）、エッジピクセルＣｅが設定される。
【０１５１】
また、本実施形態においては、エッジピクセルＣｅに吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する場合において、その膜パターン形成領域１０の外側に濡れ拡がった後の液滴Ｄのエッジが、設計データ上の膜パターンＦのエッジに対応するように、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成するエッジピクセルＣｅが設定される。
【０１５２】
そして、膜パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣのうち、エッジピクセルＣｅの内側の複数のピクセルＣのそれぞれが、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１、及び液滴Ｄが吐出されない第２ピクセルＣ２のいずれか一方に設定される。
【０１５３】
なお、ここでは、制御装置７が、膜パターンＦの設計データに応じて、膜パターン形成領域１０、第１領域１１、及び第２領域１２のそれぞれを設定しているが、形成装置ＩＪに、制御装置７とは別の所定の処理装置（演算装置）を設け、その処理装置（演算装置）が、膜パターンＦの設計データに応じて、膜パターン形成領域１０、第１領域１１、及び第２領域１２のそれぞれを設定してもよい。また、形成装置ＩＪ以外の所定の処理装置（演算装置）が、膜パターンＦの設計データに応じて、膜パターン形成領域１０、第１領域１１、及び第２領域１２のそれぞれを設定してもよい。
【０１５４】
（工程ＳＡ３：膜パターン形成領域のエッジに沿って液滴を吐出）
次に、上述のように設定した膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って基板Ｐの表面に複数の液滴Ｄを吐出する動作が実行される。
【０１５５】
上述のように、基板Ｐの表面に、膜パターンＦの設計データに応じた膜パターン形成領域１０を設定するとともに、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側に、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄ、１１Ｄｅ（第１ピクセルＣ１）を含む第１領域１１、及び液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄ（第２ピクセルＣ２）を含む第２領域１２のそれぞれを設定した後、制御装置７は、吐出ヘッド２、吐出ヘッド移動機構４、及び基板ステージ移動機構５のそれぞれを制御して、吐出ヘッド２の吐出ノズル１と基板ステージ３に保持された基板Ｐとの位置関係を調整しつつ、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って、吐出ノズル１より、基板Ｐの表面に複数の液滴Ｄを連続的に吐出する。
【０１５６】
具体的には、制御装置７は、図６に示すように、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って配列された複数のエッジピクセルＣｅのそれぞれに、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。膜パターン形成領域１０のエッジピクセルＣｅのそれぞれに吐出された液滴Ｄは、基板Ｐの表面に接触した後、基板Ｐの表面で濡れ拡がる。本実施形態においては、吐出ノズル１から吐出され、基板Ｐの表面に接触する前の液滴Ｄの形状は、吐出方向（Ｚ軸方向）に関してほぼ軸対称であり、基板Ｐの表面に接触した後の形状は、ＸＹ平面内においてほぼ円形状となる。一例として、基板Ｐの表面に接触した後の液滴Ｄの直径（所謂着弾径）は、約２５μｍである。
【０１５７】
エッジピクセルＣｅのそれぞれに吐出された液滴Ｄの少なくとも一部は、膜パターン形成領域１０の外側まで濡れ拡がり、膜パターンＦのエッジ（外形）を規定する。
【０１５８】
エッジピクセルＣｅのそれぞれに液滴Ｄを吐出した後、制御装置７は、熱処理装置６等を用いて、基板Ｐの表面に形成された液滴Ｄの膜を乾燥させる。これにより、基板Ｐの表面に配置された液滴Ｄの膜の流動性が低下し、図７の模式図に示すように、基板Ｐの表面に固定される。
【０１５９】
なお、例えば特開２００５−２８２７６号公報、特開２００５−１４４３２４号公報等に開示されているように、基板Ｐの表面に配置された液滴Ｄの乾燥条件、対流条件等を調整して、エッジピクセルＣｅのそれぞれに吐出した液滴Ｄに、ピニング現象を生じさせるようにしてもよい。液滴Ｄの乾燥過程においては、液滴Ｄの周縁部における固形分濃度が飽和濃度に達すると、その周縁部において固形分が局所的に析出する。すると、その析出した固形分によって液滴Ｄの周縁部がピン止めされたような状態となり、それ以降の乾燥に伴う液滴の収縮（外径の収縮）が抑制される。このような、周縁部に析出した固形分によって乾燥に伴う液滴の収縮が抑制される現象（ピニング現象）を生じさせることによって、膜パターンＦのエッジ（外形）を良好に規定することができる。
【０１６０】
（工程ＳＡ４：第１領域に液滴を吐出）
次に、制御装置７は、吐出ヘッド２の吐出ノズル１より吐出した液滴Ｄが第１領域１１に供給されるように、吐出ヘッド２、吐出ヘッド移動機構４、及び基板ステージ移動機構５のそれぞれを制御して、吐出ヘッド２の吐出ノズル１と基板ステージ３に保持された基板Ｐとの位置関係を調整しつつ、図８に示すように、第１領域１１を形成する第１ピクセルＣ１のそれぞれに、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。
【０１６１】
第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄは、基板Ｐの表面で濡れ拡がって、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の間で互いに接続される。
【０１６２】
本実施形態においては、第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄが、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の間で互いに接続されるように、第１領域１１同士の距離（第１、第２距離Ｄ１、Ｄ２）、第１ピクセルＣ１の中心位置同士、及び第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出される液滴Ｄの量等が最適化されている。なお、制御装置７は、例えば特開２００１−５８４３３号公報等に開示されているように、吐出ヘッド２の駆動波形を調整することによって、第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出される液滴の量を調整することができる。
【０１６３】
本実施形態においては、制御装置７は、１つの第１領域１１を構成する複数（４つ）の第１ピクセルＣ１のそれぞれに関して、液滴Ｄを順次吐出する。制御装置７は、吐出ヘッド２に対して基板Ｐを保持した基板ステージ３を走査方向（Ｙ軸方向）に１回移動する毎に、１つの第１領域１１を構成する４つの第１ピクセルＣ１のうち、１つの第１ピクセルＣ１のそれぞれに液滴Ｄを吐出する。そして、１つの第１領域１１を構成する４つの第１ピクセルＣ１のそれぞれに液滴Ｄを吐出するために、制御装置７は、基板ステージ３を走査方向（Ｙ軸方向）に４回移動し、その移動動作毎に、吐出ノズル１より液滴Ｄを基板Ｐの表面に吐出する。なお、制御装置７は、基板ステージ３の走査方向への１回の移動中に、複数（４つ）の第１ピクセルＣ１のそれぞれにほぼ同時に液滴Ｄを吐出してもよい。
【０１６４】
その後、熱処理装置６を用いた乾燥処理、あるいは別の装置を用いた焼成処理等を経て、図９に示すように、所望の膜パターンＦが形成される。
【０１６５】
以上説明したように、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１を互いに離して複数設定し、液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２を、第１領域１１同士の間に、第１領域１１のそれぞれを囲むように設定したので、バルジ現象等の発生を抑制し、所望の膜パターンＦを形成できる。
【０１６６】
例えば、図１０の模式図に示すように、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを、基板Ｐの表面において連続的に設定したり、均一な密度で設定したりした場合、基板Ｐの表面状態、あるいは機能液（液滴Ｄ）の物性等によっては、バルジ現象等の不具合が発生する可能性が高くなる。例えば、基板Ｐの表面エネルギーが小さい場合（撥液性が高い場合）、あるいは機能液（液滴Ｄ）の表面張力が大きい場合においては、基板Ｐの表面と液滴Ｄとが引き合う力よりも、互いに接する液滴Ｄ同士が表面張力によって引き合う力のほうが強くなる場合がある。この場合、機能液の液滴Ｄが基板Ｐの表面で良好に濡れ拡がらず、バルジ現象が発生し、均一な膜パターンＦを形成できなくなる可能性がある。また、バルジ現象の発生に伴って、機能液が欠如する部分が生じ、基板Ｐの表面の一部が露出してしまう可能性もある。
【０１６７】
本発明者は、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１を、互いに離して複数設定し、液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２を、第１領域１１同士の間に、第１領域１１のそれぞれを囲むように設定することによって、第１位置１１Ｄに吐出された液滴Ｄが、バルジ現象等を発生することなく、基板Ｐの表面において良好に濡れ拡がることを見出した。
【０１６８】
したがって、本実施形態のように、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１を、互いに離して複数設定し、液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２を、第１領域１１同士の間に、第１領域１１のそれぞれを囲むように設定することによって、バルジ現象等の発生を抑制しつつ、均一な厚みを有する所望の膜パターンＦを形成できる。
【０１６９】
また、本実施形態によれば、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って、基板Ｐの表面に複数の液滴Ｄを吐出するので、膜パターンＦの外形を良好に規定することができる。したがって、所望の膜パターンＦを形成できる。
【０１７０】
また、本実施形態においては、第１領域１１のＸ軸方向の大きさとＹ軸方向の大きさとはほぼ等しく、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とはほぼ等しく、複数の第１領域１１は、基板Ｐの表面に沿って２次元的に規則的に配列されているので、各第１領域１１に吐出された液滴Ｄのそれぞれは、同心円状に拡がって、各第１領域１１同士の間（中間点）でほぼ同時に接触する可能性が高くなる。これにより、互いに接する液滴Ｄ同士が引き合う力が抑制され、バルジ現象の発生が抑制できると考えられる。
【０１７１】
また、本実施形態においては、１つの第１領域１１は、複数（４つ）の第１ピクセルＣ１で形成されており、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄ同士が密集している。このような構成の場合、図１１の模式図に示すように、１つの第１領域１１において、先に基板Ｐに吐出され、基板Ｐの表面で濡れ拡がった液滴Ｄの上に、次の液滴Ｄ’が吐出されることになる。先に基板Ｐに吐出された液滴Ｄの上に、次の液滴Ｄ’を吐出することによって、その液滴Ｄ、Ｄ’の近傍の基板Ｐの表面エネルギーが高まる（親液性が高まる）現象が生じる。したがって、次の液滴Ｄ’（あるいはその次の液滴）は、親液性が付与された基板Ｐの表面で良好に濡れ拡がることができる。したがって、バルジ現象等の発生が抑制されると考えられる。なお、先に基板Ｐに吐出された液滴Ｄの上に、次の液滴Ｄ’を吐出することによって、その液滴Ｄ、Ｄ’の近傍の基板Ｐの表面エネルギーが高まる（親液性が高まる）現象のメカニズムは、十分に解明されていないが、先に吐出された液滴Ｄの上に吐出される次の液滴Ｄ’によってもたらされる溶媒雰囲気が、基板Ｐの表面エネルギーを高める要因の一つと考えられる。
【０１７２】
また、本実施形態においては、第１領域１１のＸ軸、Ｙ軸方向の大きさは、第１、第２距離Ｄ１、Ｄ２よりも大きく、基板Ｐの表面と平行なＸＹ平面内における第１領域１１の大きさに対して、各第１領域１１同士の間隔である第１、第２距離Ｄ１、Ｄ２は小さい（狭い）。したがって、第１領域１１同士の間において、上述のような、基板Ｐの表面エネルギーが高まる（親液性が高まる）現象が生じ易いので、より一層、バルジ現象等の発生が抑制される。また、ＸＹ平面内における第１領域１１の大きさに対して、各第１領域１１同士の間隔を狭くすることによって、各第１領域１１に吐出された液滴Ｄが濡れ拡がって、第１領域１１同士の間で互いに接続される際、高い平滑性（レベリング性）が得られ、均一な厚みを有する膜パターンＦを形成できる。
【０１７３】
なお、図１２の模式図に示すように、同一の第１ピクセルＣ１に対して、液滴Ｄを吐出する動作を複数回実行してもよい。すなわち、ある第１ピクセルＣ１に液滴Ｄを吐出した後、その液滴Ｄの上に、次の液滴Ｄ’を吐出してもよい。こうすることによっても、上述同様、その液滴Ｄ、Ｄ’の近傍の基板Ｐの表面エネルギーが高まる（親液性が高まる）現象が生じるので、バルジ現象等の発生が抑制される。
【０１７４】
また、同一の第１ピクセルＣ１に対して、液滴Ｄを吐出する動作を複数回実行する際、各吐出動作のそれぞれにおける液滴Ｄの量（体積）を変えても良い。例えば、液滴Ｄを吐出する動作を複数回実行する際、最後に吐出する液滴Ｄの量を最も多くするようにしてもよい。
【０１７５】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１７６】
図１３は、本実施形態に係る基板Ｐの表面に設定された膜パターン形成領域１０、及びビットマップデータを示す図、図１４は、図１３の一部（破線ＡＲで囲まれた部分）を拡大した図である。本実施形態においても、上述の第１実施形態と同様、図３に示すような膜パターンＦを形成する場合を例にして説明する。
【０１７７】
まず、膜パターンＦの設計データが、入力装置８を介して、制御装置７に入力される。また、上述の第１実施形態と同様、制御装置７には、基板Ｐの表面状態、及び液滴Ｄの物性等に関するデータが入力装置８を介して入力される。制御装置７は、入力装置８を介して入力された、基板Ｐの表面状態、液滴Ｄの物性、及び膜パターンＦの設計データ等に基づいて、基板Ｐの表面に、膜パターン形成領域１０を設定する。上述の第１実施形態と同様、膜パターン形成領域１０は、設計データ上の膜パターンＦの大きさよりも僅かに小さくなるように、ＸＹ平面内において所定の大きさを有する矩形状（長方形状）に設定される。
【０１７８】
また、制御装置７は、少なくとも膜パターン形成領域１０を含む基板Ｐの表面の所定領域を、複数のピクセルＣで区画するとともに、ビットマップデータを作成する。
【０１７９】
また、上述の第１実施形態と同様、本実施形態においても、制御装置７は、エッジピクセルＣｅのそれぞれを第１ピクセルＣに設定する。
【０１８０】
また、制御装置７は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側（エッジピクセルＣｅの内側）に、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１、及び液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２のそれぞれを設定する。すなわち、制御装置７は、膜パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣのうち、エッジピクセルＣｅの内側の複数のピクセルＣのそれぞれを、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１、及び液滴Ｄが吐出されない第２ピクセルＣ２のいずれか一方に設定する。
【０１８１】
本実施形態においても、第１領域１１は、パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ（エッジピクセルＣｅ）の内側において、互いに離れて複数設定され、第２領域１２は、第１領域１１同士の間に、第１領域１１のそれぞれを囲むように設定される。
【０１８２】
本実施形態においては、１つの第１領域１１は、１つの第１ピクセルＣ１で形成されている。本実施形態においては、１つの第１領域１１が１つの第１ピクセルＣ１によって形成されているので、液滴Ｄが吐出される第１位置１１Ｄは、１つの第１領域１１に対して１つ設定されている。
【０１８３】
複数の第１領域１１（第１ピクセルＣ１）は、基板Ｐの表面とほぼ平行なＸＹ平面のＸ軸方向、及びＸＹ平面においてＸ軸方向と直交するＹ軸方向のそれぞれに関して互いに離れて並べられる。複数の第１領域１１（第１ピクセルＣ１）は、Ｘ軸方向に関して規則的に並べられるとともに、Ｙ軸方向に関して規則的に並べられる。すなわち、本実施形態においても、複数の第１領域１１（第１ピクセルＣ１）は、基板Ｐの表面に沿って２次元的に規則的に配列されている。
【０１８４】
具体的には、Ｘ軸方向に関して第１距離Ｄ１ずつ離れて並べられた複数の第１領域１１（第１ピクセルＣ１）によって形成されたグループが、Ｙ軸方向に関して第２距離Ｄ２ずつ離れて複数並べられている。第１領域１１は、Ｘ軸方向に関して第１距離Ｄ１ずつ等間隔で複数設定されるとともに、Ｙ軸方向に関して第２距離Ｄ２ずつ等間隔で複数設定される。
【０１８５】
そして、液滴Ｄが吐出されない第２ピクセルＣ２を含む第２領域１２は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ（エッジピクセルＣｅ）の内側において、格子状に設定されている。
【０１８６】
第１領域１１（第１ピクセルＣ１）同士の間には、１つ分の第２ピクセルＣ２が設定される。すなわち、第１領域１１同士の間の第１距離Ｄ１及び第２距離Ｄ２は、１つ分の第２ピクセルＣ２に対応した値であり、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とはほぼ等しい。
【０１８７】
このように、本実施形態においても、各第１領域１１のそれぞれは正方形状であるとともに、それら複数の第１領域１１は、ＸＹ平面内において等間隔で規則的に設定されている。
【０１８８】
上述のように、本実施形態においては、第１領域１１のＸ軸方向の大きさは、１つ分の第１ピクセルＣ１に対応した値であり、第１距離Ｄ１と等しい。同様に、第１領域１１のＹ軸方向の大きさは、第２距離Ｄ２と等しい。すなわち、本実施形態においては、ＸＹ平面内における第１領域１１の大きさと、各第１領域１１同士の間隔とは等しい。
【０１８９】
次に、上述のように設定した膜パターン形成領域１０、第１領域１１、及び第２領域１２に基づいて、基板Ｐの表面に液滴Ｄを吐出して、基板Ｐの表面に膜パターンＦを形成する動作の一例について説明する。
【０１９０】
上述の第１実施形態と同様、制御装置７は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成するエッジピクセルＣｅのそれぞれに、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。エッジピクセルＣｅのそれぞれに吐出された液滴Ｄの少なくとも一部は、膜パターン形成領域１０の外側まで濡れ拡がり、膜パターンＦのエッジ（外形）を規定する。
【０１９１】
エッジピクセルＣｅのそれぞれに液滴Ｄを吐出した後、制御装置７は、熱処理装置６等を用いて、基板Ｐの表面に形成された液滴Ｄの膜を乾燥させる。
【０１９２】
次に、制御装置７は、吐出ヘッド２の吐出ノズル１より吐出した液滴Ｄが第１領域１１に供給されるように、吐出ヘッド２、吐出ヘッド移動機構４、及び基板ステージ移動機構５のそれぞれを制御して、吐出ヘッド２の吐出ノズル１と基板ステージ３に保持された基板Ｐとの位置関係を調整しつつ、第１領域１１を形成する第１ピクセルＣ１のそれぞれに、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。
【０１９３】
第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄは、基板Ｐの表面で濡れ拡がって、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の間で互いに接続される。
【０１９４】
本実施形態においても、第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄが、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の間で互いに接続されるように、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の距離、及び第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出される液滴Ｄの量等が最適化されている。
【０１９５】
その後、熱処理装置６を用いた乾燥処理、あるいは別の装置を用いた焼成処理等を経て、所望の膜パターンＦが形成される。
【０１９６】
以上説明したように、本実施形態においても、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１は互いに離れて複数設定され、液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２は、第１領域１１同士の間に、第１領域１１のそれぞれを囲むように設定されているので、バルジ現象等の発生を抑制し、所望の膜パターンＦを形成できる。
【０１９７】
なお、本実施形態においても、図１２を参照して説明したように、同一の第１ピクセルＣ１に対して、液滴Ｄを吐出する動作を複数回実行してもよい。すなわち、ある第１ピクセルＣ１に液滴Ｄを吐出した後、その液滴Ｄの上に、次の液滴Ｄ’を吐出してもよい。また、同一の第１ピクセルＣ１に対して、液滴Ｄを吐出する動作を複数回実行する際、各吐出動作のそれぞれにおける液滴Ｄの量（体積）を変えても良い。
【０１９８】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１９９】
図１５は、本実施形態に係る基板Ｐの表面に設定された膜パターン形成領域１０、及びビットマップデータの一部を拡大した図である。第３実施形態においても、上述の第１実施形態と同様、図３に示すような膜パターンＦを形成する場合を例にして説明する。
【０２００】
上述の実施形態と同様、制御装置７は、膜パターン形成領域１０を、複数のピクセルＣで区画し、ビットマップデータを作成する。本実施形態においても、制御装置７は、エッジピクセルＣｅのそれぞれを、第１ピクセルＣ１に設定する。
【０２０１】
また、制御装置７は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側（エッジピクセルＣｅの内側）に、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１、及び液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２のそれぞれを設定する。本実施形態においても、第１領域１１は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ（エッジピクセルＣｅ）の内側において、互いに離れて複数設定され、第２領域１２は、第１領域１１同士の間に、第１領域１１のそれぞれを囲むように設定される。
【０２０２】
本実施形態においては、１つの第１領域１１は、複数（４つ）の第１ピクセルＣ１で形成されている。本実施形態においては、１つの第１領域１１が４つの第１ピクセルＣ１によって形成されているので、液滴Ｄが吐出される第１位置１１Ｄは、１つの第１領域１１について４つ設定されている。
【０２０３】
複数の第１領域１１は、基板Ｐの表面とほぼ平行なＸＹ平面のＸ軸方向、及びＸＹ平面においてＸ軸方向と直交するＹ軸方向のそれぞれに関して互いに離れて並べられる。複数の第１領域１１は、Ｘ軸方向に関して規則的に並べられるとともに、Ｙ軸方向に関して規則的に並べられる。すなわち、本実施形態においても、複数の第１領域１１は、基板Ｐの表面に沿って２次元的に規則的に配列されている。
【０２０４】
具体的には、Ｘ軸方向に関して第１距離Ｄ１ずつ離れて並べられた複数の第１領域１１によって形成されたグループが、Ｙ軸方向に関して第２距離Ｄ２ずつ離れて複数並べられている。第１領域１１は、Ｘ軸方向に関して第１距離Ｄ１ずつ等間隔で複数設定されるとともに、Ｙ軸方向に関して第２距離Ｄ２ずつ等間隔で複数設定される。
【０２０５】
そして、液滴Ｄが吐出されない第２ピクセルＣ２を含む第２領域１２は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ（エッジピクセルＣｅ）の内側において、格子状に設定されている。
【０２０６】
第１領域１１同士の間には、４つ分の第２ピクセルＣ２が設定される。すなわち、第１領域１１同士の間の第１距離Ｄ１及び第２距離Ｄ２は、４つ分の第２ピクセルＣ２に対応した値であり、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とはほぼ等しい。
【０２０７】
このように、本実施形態においても、各第１領域１１のそれぞれは正方形状であるとともに、それら複数の第１領域１１は、ＸＹ平面内において等間隔で配列されている。
【０２０８】
本実施形態においては、第１領域１１のＸ軸方向の大きさは、２つ分の第１ピクセルＣ１に対応した値であり、第１距離Ｄ１よりも小さい。また、第１領域１１のＹ軸方向の大きさは、第２距離Ｄ２よりも小さい。すなわち、本実施形態においては、ＸＹ平面内における第１領域１１の大きさに対して、各第１領域１１同士の間隔は広い。
【０２０９】
次に、上述のように設定した膜パターン形成領域１０、第１領域１１、及び第２領域１２に基づいて、基板Ｐの表面に液滴Ｄを吐出して、基板Ｐの表面に膜パターンＦを形成する動作の一例について説明する。
【０２１０】
上述の第１、第２実施形態と同様、制御装置７は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成するエッジピクセルＣｅのそれぞれに、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。エッジピクセルＣｅのそれぞれに吐出された液滴Ｄの少なくとも一部は、膜パターン形成領域１０の外側まで濡れ拡がり、膜パターンＦのエッジ（外形）を規定する。
【０２１１】
エッジピクセルＣｅのそれぞれに液滴Ｄを吐出した後、制御装置７は、熱処理装置６等を用いて、基板Ｐの表面に形成された液滴Ｄの膜を乾燥させる。
【０２１２】
次に、制御装置７は、吐出ヘッド２の吐出ノズル１より吐出した液滴Ｄが第１領域１１に供給されるように、吐出ヘッド２、吐出ヘッド移動機構４、及び基板ステージ移動機構５のそれぞれを制御して、吐出ヘッド２の吐出ノズル１と基板ステージ３に保持された基板Ｐとの位置関係を調整しつつ、第１領域１１を形成する第１ピクセルＣ１のそれぞれに、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。
【０２１３】
第１ピクセル１１のそれぞれに吐出された液滴Ｄは、基板Ｐの表面で濡れ拡がって、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の間で互いに接続される。
【０２１４】
本実施形態においても、第１ピクセル１１のそれぞれに吐出された液滴Ｄが、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の間で互いに接続されるように、第１領域１１同士の間の距離、及び第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出される液滴Ｄの量等が最適化されている。
【０２１５】
その後、熱処理装置６を用いた乾燥処理、あるいは別の装置を用いた焼成処理等を経て、所望の膜パターンＦが形成される。
【０２１６】
以上説明したように、本実施形態においても、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１は互いに離れて複数設定され、液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２は、第１領域１１同士の間に、第１領域１１のそれぞれを囲むように設定されているので、バルジ現象等の発生を抑制し、所望の膜パターンＦを形成できる。
【０２１７】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。上述の第１〜第３実施形態においては、第１領域１１が正方形状である場合を例にして説明したが、第１領域１１のＸ軸方向の大きさと、Ｙ軸方向の大きさとが異なっていてもよい。例えば、第１領域１１は、複数の第１ピクセルＣ１の組み合わせによって、長方形状であってもよい。この場合において、第１位置のそれぞれに吐出された液滴Ｄが基板Ｐの表面で濡れ拡がって、第１領域１１同士の間で互いに接続されるように、第１位置１１Ｄのそれぞれに吐出する液滴Ｄの量（体積）を変えることができる。
【０２１８】
また、図１６に示すように、第１領域１１は、複数の第１ピクセルＣ１の組み合わせによって、十字状であってもよい。
【０２１９】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。上述の第１〜第４実施形態においては、Ｘ軸方向に関して第１距離Ｄ１ずつ離れて並べられた複数の第１領域１１によって形成されたグループが、Ｙ軸方向に関して第２距離Ｄ２ずつ離れて複数並べられているが、図１７に示すように、例えば、Ｘ軸方向に関して第１距離Ｄ１ずつ離れて並べられた複数の第１領域１１によって形成されたグループが、Ｘ軸方向に関して、所定量だけ偏倚しつつ、Ｙ軸方向に関して第２距離Ｄ２ずつ離れて複数並べられてもよい。この場合においても、第１位置のそれぞれに吐出された液滴Ｄが基板Ｐの表面で濡れ拡がって、第１領域１１同士の間で互いに接続されるように、第１位置１１Ｄのそれぞれに吐出する液滴Ｄの量（体積）を変えることができる。
【０２２０】
なお、上述の第１〜第５実施形態においては、第１領域１１同士のＸ軸方向の間隔（第１距離）Ｄ１と、Ｙ軸方向の間隔（第２距離）Ｄ２とは等しいが、異なっていてもよい。この場合においても、第１位置のそれぞれに吐出された液滴Ｄが基板Ｐの表面で濡れ拡がって、第１領域１１同士の間で互いに接続されるように、第１位置１１Ｄのそれぞれに吐出する液滴Ｄの量（体積）を変えることができる。
【０２２１】
＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。
【０２２２】
本実施形態においては、図１８のフローチャートに示すように、形成しようとする膜パターンＦを設計する工程ＳＢ１と、基板Ｐの表面に、膜パターンＦの設計データに応じた膜パターン形成領域を設定するとともに、膜パターン形成領域のエッジの内側に、液滴Ｄを吐出する第１位置を含む第１領域、及び液滴Ｄを吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを設定する工程ＳＢ２と、設定した膜パターン形成領域、第１領域、及び第２領域に応じて基板Ｐの表面に液滴Ｄを吐出して、その基板Ｐの表面に所定の膜パターンＦを形成する工程ＳＢ３、ＳＢ４と、が実行される。基板Ｐの表面に液滴Ｄを吐出する工程（ＳＢ３、ＳＢ４）は、設定した膜パターン形成領域のエッジに沿って基板Ｐの表面に複数の液滴Ｄを吐出する工程ＳＢ３と、設定した第１領域（第１位置）に液滴Ｄを吐出する工程ＳＢ４とを含む。以下、各工程ＳＢ１〜ＳＢ４毎に説明する。
【０２２３】
（工程ＳＢ１：膜パターンの設計）
まず、形成しようとする膜パターンＦの設計が行われる。膜パターンＦの設計では、形成しようとする膜パターンＦの大きさ、形状、及び厚み（膜厚）等が設定される。
【０２２４】
本実施形態においては、基板Ｐの表面に液滴Ｄを吐出して、最終的に、上述の第１実施形態と同様、図３に示すような膜パターンＦを形成する場合を例にして説明する。上述のように、図３に示す膜パターンＦは、基板Ｐの表面と平行な平面内（ＸＹ平面内）において所定の大きさを有する矩形状（長方形状）であり、所定の厚み（例えば１０μｍ）を有する。
【０２２５】
（工程ＳＢ２：膜パターン形成領域、第１領域、及び第２領域の設定）
膜パターンＦの設計が行われた後、その膜パターンＦの設計データが、入力装置８を介して制御装置７に入力される。膜パターンＦの設計データは、形成しようとする膜パターンＦの大きさ、形状、及び厚み（膜厚）等に関するデータを含む。具体的には、膜パターンＦの設計データは、形成しようとする膜パターンＦの大きさ、形状、及び厚み等の目標値に関する情報を含む。
【０２２６】
膜パターンＦの設計データが入力された後、制御装置７は、基板Ｐの表面に、膜パターンＦの設計データに応じた膜パターン形成領域１０を設定する。制御装置７は、入力された膜パターンＦの設計データに基づいて、膜パターン形成領域１０の大きさ及び形状（膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの位置及び形状）を設定する。
【０２２７】
図１９は、本実施形態に係る基板Ｐの表面に設定された膜パターン形成領域１０の一例を示す図、図２０は、図１９の一部（破線ＡＲで囲まれた部分）を拡大した図である。
【０２２８】
膜パターン形成領域１０は、機能液の液滴Ｄが吐出（供給）され得る領域である。換言すれば、膜パターン形成領域１０は、膜パターンＦを形成するための液滴Ｄを吐出する動作を実行中の吐出ノズル１と対向する位置に配置される基板Ｐ上の領域である。所定の膜パターンＦを形成するために、膜パターン形成領域１０の内側の少なくとも一部には、吐出ノズル１からの液滴Ｄが吐出（供給）され、膜パターン形成領域１０の外側には、吐出ノズル１からは液滴Ｄが吐出（供給）されない。
【０２２９】
本実施形態においては、膜パターン形成領域１０の内側に、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄが複数設定される。本実施形態においては、制御装置７は、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴Ｄの中心と、第１位置１１Ｄとが合致するように、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。
【０２３０】
膜パターン形成領域１０の内側に設定される複数の第１位置１１Ｄのうち、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに最も近い第１位置１１Ｄｅは、その第１位置１１Ｄｅに吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅとが対応するように（合致するように）、基板Ｐの表面に設定される。換言すれば、本実施形態においては、第１位置１１Ｄｅに吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅとが対応するように（合致するように）、膜パターン形成領域１０が設定される。
【０２３１】
膜パターン形成領域１０は、設計データ上の膜パターンＦに応じて定められる。図３、図１９、及び図２０に示すように、本実施形態においては、膜パターン形成領域１０は、設計データ上の膜パターンＦの大きさよりも僅かに小さくなるように、ＸＹ平面内において所定の大きさを有する矩形状（長方形状）に設定される。
【０２３２】
膜パターン形成領域１０は、その膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅが設計データ上の膜パターンＦのエッジの内側でその膜パターンＦのエッジに沿うように、且つ、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅと設計データ上の膜パターンＦのエッジとの距離が膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの各位置においてほぼ等しくなるように、換言すれば、膜パターン形成領域１０と設計データ上の膜パターンＦとがほぼ相似関係となるように、設定される。
【０２３３】
基板Ｐの表面に吐出（供給）され、基板Ｐの表面に接触した後の液滴Ｄは、基板Ｐの表面で濡れ拡がる。したがって、制御装置７は、基板Ｐの表面に吐出（供給）され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）を考慮して、設計データに則した所望の膜パターンＦが形成されるように、膜パターン形成領域１０の大きさ及び形状を設定する。
【０２３４】
すなわち、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ近傍に吐出され、基板Ｐの表面に接触した後の液滴Ｄの少なくとも一部は、基板Ｐの表面で濡れ拡がって、膜パターン形成領域１０の外側に配置される。したがって、例えば膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ近傍に吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する場合において、制御装置７は、その膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ近傍の第１位置１１Ｄｅに吐出され、膜パターン形成領域１０の外側に濡れ拡がった後の液滴Ｄの外側のエッジが、設計データ上の膜パターンＦのエッジに対応するように、膜パターン形成領域１０の大きさ及び形状（膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの位置及び形状）を設定する。
【０２３５】
すなわち、最終的に形成される膜パターンＦは、基板Ｐの表面に設定された膜パターン形成領域１０の内側に吐出され、基板Ｐの表面で濡れ拡がって、膜パターン形成領域１０の外側に配置された液滴（機能液）も含む。したがって、制御装置７は、基板Ｐの表面に吐出され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）を考慮して、膜パターン形成領域１０の大きさが、最終的に形成される設計データ上の膜パターンＦの大きさよりも僅かに小さくなるように、膜パターン形成領域１０を設定する。
【０２３６】
このように、膜パターンＦは、その設定された膜パターン形成領域１０（膜パターン形成領域１０の第１位置１１Ｄｅ）に吐出され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）に応じた大きさ及び形状を有するものとなる。膜パターン形成領域１０は、基板Ｐの表面に吐出され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）を考慮して、設計データ上の膜パターンＦに応じて設定される。
【０２３７】
ここで、基板Ｐの表面に吐出され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）は、基板Ｐの表面状態、機能液（液滴Ｄ）の物性、及び吐出する液滴Ｄの量（大きさ、体積）等に応じて定まる。基板Ｐの表面状態は、液滴Ｄに対する基板Ｐの表面の接触角等を含み、機能液（液滴Ｄ）の物性は、機能液（液滴Ｄ）の表面張力等を含む。したがって、制御装置７は、基板Ｐの表面状態、液滴Ｄの物性、及び吐出する液滴Ｄの量等を考慮して、所望の膜パターンＦが形成されるように、膜パターンＦの設計データに応じて、膜パターン形成領域１０を設定する。
【０２３８】
具体的には、本実施形態においては、制御装置７は、基板Ｐの表面状態、液滴Ｄの物性、及び吐出する液滴Ｄの量等を考慮して、所望の膜パターンＦが形成されるように、膜パターンＦの設計データに応じて、膜パターン形成領域１０の内側に設定される複数の第１位置１１Ｄのうち、少なくとも膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに最も近い第１位置１１Ｄｅの位置（膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅと各第１位置１１Ｄｅとの距離）を設定する。なお、上述のように、本実施形態においては、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴Ｄの中心と、第１位置１１Ｄ（１１Ｄｅ）とが合致するように、吐出ノズル１より液滴Ｄが吐出されるとともに、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅとが対応するように（合致するように）、第１位置１１Ｄｅが設定されるので、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅと第１位置１１Ｄｅとの距離は、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴Ｄの半径に相当する。
【０２３９】
本実施形態においては、制御装置７には、膜パターンＦの設計データに加えて、基板Ｐの表面状態（液滴Ｄに対する基板Ｐの表面の接触角等）、及び液滴Ｄの物性（表面張力等）に関するデータが入力装置８を介して入力される。制御装置７は、入力装置８を介して入力された、基板Ｐの表面状態、液滴Ｄの物性、及び膜パターンＦの設計データと、予め定められている吐出ノズル１より吐出する液滴Ｄの量とに基づいて、膜パターン形成領域１０の大きさ及び形状（膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの位置及び形状）、ひいては第１位置１１Ｄｅを設定する。
【０２４０】
次に、制御装置７は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側に、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１、及び液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２を設定する。
【０２４１】
本実施形態においては、第２領域１２は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側において、互いに離れて複数設定され、第１領域１１は、第２領域１２同士の間に、各第２領域１２のそれぞれを囲むように設定される。すなわち、本実施形態においては、液滴Ｄが吐出されない第２領域１２は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側において、断続的に（島状に）複数設定される。
【０２４２】
また、本実施形態においては、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄｅが連続的に複数設定される。すなわち、制御装置７は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側を囲むように、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って第１位置１１Ｄｅを枠状に設定する。
【０２４３】
複数の第２領域１２は、基板Ｐの表面とほぼ平行なＸＹ平面のＸ軸方向、及びＸＹ平面においてＸ軸方向と直交するＹ軸方向のそれぞれに関して互いに離れて並べられる。複数の第２領域１２は、Ｘ軸方向に関して規則的に並べられるとともに、Ｙ軸方向に関して規則的に並べられる。すなわち、複数の第２領域１２は、基板Ｐの表面に沿って２次元的に規則的に配列されている。
【０２４４】
具体的には、Ｘ軸方向に関して第１距離Ｄ１ずつ離れて並べられた複数の第２領域１２によって形成されたグループが、Ｙ軸方向に関して第２距離Ｄ２ずつ離れて複数並べられる。第２領域１２は、Ｘ軸方向に関して第１距離Ｄ１ずつ等間隔で複数設定されるとともに、Ｙ軸方向に関して第２距離Ｄ２ずつ等間隔で複数設定される。
【０２４５】
本実施形態においては、第２領域１２のそれぞれは矩形状であって、第２領域１２のＸ軸方向の大きさとＹ軸方向の大きさとはほぼ等しい。すなわち、本実施形態においては、第２領域１２のそれぞれは、正方形状である。また、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とはほぼ等しい。
【０２４６】
このように、本実施形態においては、各第２領域１２のそれぞれは正方形状であるとともに、それら複数の第２領域１２は、ＸＹ平面内において等間隔で規則的に設定されている。
【０２４７】
そして、液滴Ｄが吐出される第１位置１１Ｄを含む第１領域１１は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側において、格子状に設定されている。
【０２４８】
本実施形態においては、第２領域１２のＸ軸方向の大きさは、第１距離Ｄ１よりも大きく、第２領域１２のＹ軸方向の大きさは、第２距離Ｄ２よりも大きい。すなわち、本実施形態においては、第２領域１２のＸＹ方向に関する大きさに対して、各第２領域１２同士の間隔は小さい（狭い）。
【０２４９】
本実施形態においては、制御装置７は、少なくとも膜パターン形成領域１０を含む基板Ｐの表面の所定領域を、複数のピクセルＣで区画する。複数のピクセルＣのそれぞれは、液滴Ｄを供給可能な領域を規定するものであって、液滴Ｄに応じた大きさを有する。ピクセルＣは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に関してマトリクス状に複数設定される。膜パターン形成領域１０は、液滴Ｄに応じた大きさをそれぞれ有し、マトリクス状に設定された仮想的な複数のピクセルＣで区画される。
【０２５０】
本実施形態においては、複数のピクセルＣの組み合わせによって、膜パターン形成領域１０が形成される。
【０２５１】
本実施形態においては、複数のピクセルＣのそれぞれは、正方形状であり、その１辺の長さは、例えば１０μｍに設定される。また、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴Ｄの直径（所謂飛翔径）は、例えば１０μｍに設定される。すなわち、本実施形態においては、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、ピクセルＣのエッジとが対応するように（合致するように）、ピクセルＣが設定される。
【０２５２】
なお、ピクセルＣは、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジが、ピクセルＣのエッジよりも僅かに内側に配置されるように設定されてもよい。すなわち、ピクセルＣが液滴Ｄの飛翔径よりも僅かに大きくてもよい。例えばピクセルＣの１辺が１０μｍであり、液滴Ｄの飛翔径が９μｍであってもよい。
【０２５３】
次に、制御装置７は、複数のピクセルＣのそれぞれを、液滴Ｄを吐出するピクセル又は吐出しないピクセルのいずれか一方に設定する。
【０２５４】
以下の説明において、吐出ノズル１より液滴Ｄが吐出（供給）されるピクセルを適宜、第１ピクセルＣ１、と称し、吐出ノズル１より液滴Ｄが吐出（供給）されないピクセルを適宜、第２ピクセルＣ２、と称する。
【０２５５】
本実施形態においては、制御装置７は、ある１つの第１ピクセルＣ１に対して吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出するとき、その第１ピクセルＣ１の中心と、吐出する液滴Ｄの中心とがほぼ合致するように、液滴Ｄを吐出する。すなわち、１つの第１ピクセルＣ１は、その中心に、液滴Ｄが吐出される第１位置１１Ｄを１つ有する。また、１つの第２ピクセルＣ２は、その中心に、液滴Ｄが吐出されない第２位置１２Ｄを１つ有する。
【０２５６】
第１領域１１は、第１ピクセルＣ１で形成され、第２領域１２は、第２ピクセルＣ２で形成される。本実施形態においては、制御装置７は、膜パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣのそれぞれを、第１ピクセルＣ１及び第２ピクセルＣ２のいずれか一方に設定することによって、膜パターン形成領域１０の内側に、第１領域１１及び第２領域１２のそれぞれを設定する。すなわち、第１ピクセルＣ１の配列、及び／又は第２ピクセルＣ２の配列が決定されることによって、膜パターン形成領域１０の内側に、複数の第１領域１１、及び／又は第２領域１２が設定される。
【０２５７】
以下の説明において、第１領域１１、及び／又は第２領域１２を設定するために決定される、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１の配列情報、及び／又は液滴Ｄが吐出されない第２ピクセルＣ２の配列情報を適宜、ビットマップデータ、と称する。
【０２５８】
本実施形態においては、１つの第２領域１２は、複数の第２ピクセルＣ２で形成される。本実施形態においては、１つの第２領域１２は、Ｘ軸方向に並べられた２つの第２ピクセルＣ２のグループがＹ軸方向に関して２つ並べられることによって形成される。すなわち、本実施形態においては、１つの第２領域１２は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに２つずつ並べられた、合計４つの第２ピクセルＣ２によって形成されている。したがって、第２領域１２のＸ軸方向及びＹ軸方向それぞれの大きさは、２つ分の第２ピクセルＣ２の大きさに対応する。
【０２５９】
上述のように、１つの第２ピクセルＣ２は、液滴Ｄが吐出されない第２位置１２Ｄを１つ有している。本実施形態においては、１つの第２領域１２が複数（４つ）の第２ピクセルＣ２によって形成されているので、液滴Ｄが吐出されない第２位置１２Ｄは、１つの第２領域１２に対して複数（４つ）設定される。
【０２６０】
また、上述したように、１つの第２ピクセルＣ２は、吐出ノズル１から吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴Ｄの大きさ（飛翔径）に応じた大きさを有し、１つの第２領域１２は、吐出ノズル１から吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の４つの液滴ＤのＸＹ平面内における大きさ（４つの液滴Ｄの投影面積に相当する大きさ）を有する。
【０２６１】
第１領域１１は、複数の第１ピクセルＣ１で形成される。第１ピクセルＣ１のそれぞれは、４つの第２ピクセルＣ２で形成される第２領域１２同士の間に、各第２領域１２のそれぞれを囲むように設定される。第２領域１２同士の間には、１つ分の第１ピクセルＣ１が設定される。したがって、第２領域１２同士の間の第１距離Ｄ１及び第２距離Ｄ２は、１つ分の第１ピクセルＣ１の大きさに対応する。
【０２６２】
上述のように、１つの第１ピクセルＣ１は、液滴Ｄが吐出される第１位置１１Ｄを１つ有している。本実施形態においては、液滴Ｄが吐出される第１位置１１Ｄを含む第１領域１１は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側において、格子状に設定されており、その第１領域１１は、格子状に並べられた複数の第１ピクセルＣ１によって形成されている。したがって、液滴Ｄが吐出される第１位置１１Ｄは、膜パターン形成領域１０の内側において、格子状に並べられている。
【０２６３】
また、上述したように、本実施形態においては、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄｅが連続的に複数設定される。本実施形態においては、膜パターン形成領域１０は、複数のピクセルＣで区画されるので、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成するピクセルＣ（膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って配列されたピクセルＣ）のそれぞれが、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１に設定される。
【０２６４】
以下の説明において、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成する複数のピクセル（膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って配列された複数のピクセル）のそれぞれを適宜、エッジピクセルＣｅ、と称する。
【０２６５】
したがって、本実施形態においては、エッジピクセルＣｅのそれぞれが、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１に設定され、各エッジピクセルＣｅそれぞれの中心に、第１位置１１Ｄｅが設定される。そして、本実施形態においては、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１（エッジピクセルＣｅ）が、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側を囲むように、枠状に設定される。
【０２６６】
エッジピクセルＣｅは、設計データ上の膜パターンＦのエッジの内側において、そのエッジピクセルＣｅと設計データ上の膜パターンＦのエッジとの距離が、少なくともピクセルＣの１つ分の大きさよりも小さくなるように設定される。エッジピクセルＣｅは、設計データ上の膜パターンＦのエッジに沿って連続的に配列される。
【０２６７】
本実施形態においては、エッジピクセルＣｅは、そのエッジピクセルＣｅの中心に設定された第１位置１１Ｄｅに吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ（エッジピクセルＣｅの外側のエッジ）とが対応するように（合致するように）、基板Ｐの表面に設定される。換言すれば、本実施形態においては、第１位置１１Ｄｅに吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、エッジピクセルＣｅの外側のエッジとが対応するように（合致するように）、エッジピクセルＣｅが設定される。
【０２６８】
また、本実施形態においては、エッジピクセルＣｅに吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する場合において、その膜パターン形成領域１０の外側に濡れ拡がった後の液滴Ｄのエッジが、設計データ上の膜パターンＦのエッジに対応するように、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成するエッジピクセルＣｅが設定される。
【０２６９】
そして、膜パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣのうち、エッジピクセルＣｅの内側の複数のピクセルＣのそれぞれが、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１、及び液滴Ｄが吐出されない第２ピクセルＣ２のいずれか一方に設定される。
【０２７０】
なお、ここでは、制御装置７が、膜パターンＦの設計データに応じて、膜パターン形成領域１０、第１領域１１、及び第２領域１２のそれぞれを設定しているが、形成装置ＩＪに、制御装置７とは別の所定の処理装置（演算装置）を設け、その処理装置（演算装置）が、膜パターンＦの設計データに応じて、膜パターン形成領域１０、第１領域１１、及び第２領域１２のそれぞれを設定してもよい。また、形成装置ＩＪ以外の所定の処理装置（演算装置）が、膜パターンＦの設計データに応じて、膜パターン形成領域１０、第１領域１１、及び第２領域１２のそれぞれを設定してもよい。
【０２７１】
（工程ＳＢ３：膜パターン形成領域のエッジに沿って液滴を吐出）
次に、上述のように設定した膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って基板Ｐの表面に複数の液滴Ｄを吐出する動作が実行される。
【０２７２】
上述のように、基板Ｐの表面に、膜パターンＦの設計データに応じた膜パターン形成領域１０を設定するとともに、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側に、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄ、１１Ｄｅ（第１ピクセルＣ１）を含む第１領域１１、及び液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄ（第２ピクセルＣ２）を含む第２領域１２のそれぞれを設定した後、制御装置７は、吐出ヘッド２、吐出ヘッド移動機構４、及び基板ステージ移動機構５のそれぞれを制御して、吐出ヘッド２の吐出ノズル１と基板ステージ３に保持された基板Ｐとの位置関係を調整しつつ、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って、吐出ノズル１より、基板Ｐの表面に複数の液滴Ｄを連続的に吐出する。
【０２７３】
具体的には、制御装置７は、図２１に示すように、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って配列された複数のエッジピクセルＣｅのそれぞれに、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。膜パターン形成領域１０のエッジピクセルＣｅのそれぞれに吐出された液滴Ｄは、基板Ｐの表面に接触した後、基板Ｐの表面で濡れ拡がる。本実施形態においては、吐出ノズル１から吐出され、基板Ｐの表面に接触する前の液滴Ｄの形状は、吐出方向（Ｚ軸方向）に関してほぼ軸対称であり、基板Ｐの表面に接触した後の形状は、ＸＹ平面内においてほぼ円形状となる。一例として、基板Ｐの表面に接触した後の液滴Ｄの直径（所謂着弾径）は、約２５μｍである。
【０２７４】
エッジピクセルＣｅのそれぞれに吐出された液滴Ｄの少なくとも一部は、膜パターン形成領域１０の外側まで濡れ拡がり、膜パターンＦのエッジ（外形）を規定する。
【０２７５】
エッジピクセルＣｅのそれぞれに液滴Ｄを吐出した後、制御装置７は、熱処理装置６等を用いて、基板Ｐの表面に形成された液滴Ｄの膜を乾燥させる。これにより、基板Ｐの表面に配置された液滴Ｄの膜の流動性が低下し、図２２の模式図に示すように、基板Ｐの表面に固定される。
【０２７６】
なお、例えば特開２００５−２８２７６号公報、特開２００５−１４４３２４号公報等に開示されているように、基板Ｐの表面に配置された液滴Ｄの乾燥条件、対流条件等を調整して、エッジピクセルＣｅのそれぞれに吐出した液滴Ｄに、ピニング現象を生じさせるようにしてもよい。液滴Ｄの乾燥過程においては、液滴Ｄの周縁部における固形分濃度が飽和濃度に達すると、その周縁部において固形分が局所的に析出する。すると、その析出した固形分によって液滴Ｄの周縁部がピン止めされたような状態となり、それ以降の乾燥に伴う液滴の収縮（外径の収縮）が抑制される。このような、周縁部に析出した固形分によって乾燥に伴う液滴の収縮が抑制される現象（ピニング現象）を生じさせることによって、膜パターンＦのエッジ（外形）を良好に規定することができる。
【０２７７】
（工程ＳＢ４：第１領域に液滴を吐出）
次に、制御装置７は、吐出ヘッド２の吐出ノズル１より吐出した液滴Ｄが第１領域１１に供給されるように、吐出ヘッド２、吐出ヘッド移動機構４、及び基板ステージ移動機構５のそれぞれを制御して、吐出ヘッド２の吐出ノズル１と基板ステージ３に保持された基板Ｐとの位置関係を調整しつつ、図２３に示すように、第１領域１１を形成する第１ピクセルＣ１のそれぞれに、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。
【０２７８】
第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄは、基板Ｐの表面で濡れ拡がって、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の間で互いに接続される。
【０２７９】
本実施形態においては、第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄが、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の間で互いに接続されるように、第１領域１１同士の距離（第１、第２距離Ｄ１、Ｄ２）、第１ピクセルＣ１の中心位置同士、及び第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出される液滴Ｄの量等が最適化されている。なお、制御装置７は、例えば特開２００１−５８４３３号公報等に開示されているように、吐出ヘッド２の駆動波形を調整することによって、第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出される液滴の量を調整することができる。
【０２８０】
本実施形態においては、制御装置７は、第１領域１１を構成する複数の第１ピクセルＣ１のそれぞれに関して、液滴Ｄを順次吐出する。制御装置７は、吐出ヘッド２に対して基板Ｐを保持した基板ステージ３を走査方向（Ｙ軸方向）に移動する毎に、第１領域１１を構成する複数の第１ピクセルＣ１のうち、所定数の第１ピクセルＣ１のそれぞれに液滴Ｄを吐出する。そして、その第１領域１１を構成する複数の第１ピクセルＣ１のそれぞれに液滴Ｄを吐出するために、制御装置７は、基板ステージ３を走査方向（Ｙ軸方向）への移動動作を繰り返し、その移動動作毎に、吐出ノズル１より液滴Ｄを基板Ｐの表面に吐出する。なお、制御装置７は、基板ステージ３の走査方向への１回の移動中に、第１領域１１を構成する複数の（全部の）第１ピクセルＣ１のそれぞれにほぼ同時に液滴Ｄを吐出してもよい。
【０２８１】
その後、熱処理装置６を用いた乾燥処理、あるいは別の装置を用いた焼成処理等を経て、図２４に示すように、所望の膜パターンＦが形成される。
【０２８２】
以上説明したように、液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２を互いに離して複数設定し、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１を、第２領域１２同士の間に、第２領域１２のそれぞれを囲むように設定したので、バルジ現象等の発生を抑制し、所望の膜パターンＦを形成できる。
【０２８３】
例えば、図１０の模式図に示すように、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを、基板Ｐの表面において連続的に設定したり、均一な密度で設定したりした場合、基板Ｐの表面状態、あるいは機能液（液滴Ｄ）の物性等によっては、バルジ現象等の不具合が発生する可能性が高くなる。例えば、基板Ｐの表面エネルギーが小さい場合（撥液性が高い場合）、あるいは機能液（液滴Ｄ）の表面張力が大きい場合においては、基板Ｐの表面と液滴Ｄとが引き合う力よりも、互いに接する液滴Ｄ同士が表面張力によって引き合う力のほうが強くなる場合がある。この場合、機能液の液滴Ｄが基板Ｐの表面で良好に濡れ拡がらず、バルジ現象が発生し、均一な膜パターンＦを形成できなくなる可能性がある。また、バルジ現象の発生に伴って、機能液が欠如する部分が生じ、基板Ｐの表面の一部が露出してしまう可能性もある。
【０２８４】
本発明者は、液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２を、互いに離して複数設定し、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１を、第２領域１２同士の間に、第２領域１２のそれぞれを囲むように設定することによって、第１位置１１Ｄに吐出された液滴Ｄが、バルジ現象等を発生することなく、基板Ｐの表面において良好に濡れ拡がることを見出した。
【０２８５】
したがって、本実施形態のように、液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２を、互いに離して複数設定し、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１を、第２領域１２同士の間に、第２領域１２のそれぞれを囲むように設定することによって、バルジ現象等の発生を抑制しつつ、均一な厚みを有する所望の膜パターンＦを形成できる。
【０２８６】
また、本実施形態によれば、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って、基板Ｐの表面に複数の液滴Ｄを吐出するので、膜パターンＦの外形を良好に規定することができる。したがって、所望の膜パターンＦを形成できる。
【０２８７】
また、本実施形態においては、第２領域１２のＸ軸方向の大きさとＹ軸方向の大きさとはほぼ等しく、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とはほぼ等しく、複数の第２領域１２は、基板Ｐの表面に沿って２次元的に規則的に配列されているので、各第１領域１１に吐出された液滴Ｄのそれぞれは、同心円状に拡がって、各第１領域１１同士の間（中間点）でほぼ同時に接触する可能性が高くなる。これにより、互いに接する液滴Ｄ同士が引き合う力が抑制され、バルジ現象の発生が抑制できると考えられる。
【０２８８】
＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０２８９】
図２５は、本実施形態に係る基板Ｐの表面に設定された膜パターン形成領域１０、及びビットマップデータを示す図、図２６は、図２５の一部（破線ＡＲで囲まれた部分）を拡大した図である。本実施形態においても、上述の第６実施形態と同様、図３に示すような膜パターンＦを形成する場合を例にして説明する。
【０２９０】
まず、膜パターンＦの設計データが、入力装置８を介して、制御装置７に入力される。また、上述の第６実施形態と同様、制御装置７には、基板Ｐの表面状態、及び液滴Ｄの物性等に関するデータが入力装置８を介して入力される。制御装置７は、入力装置８を介して入力された、基板Ｐの表面状態、液滴Ｄの物性、及び膜パターンＦの設計データ等に基づいて、基板Ｐの表面に、膜パターン形成領域１０を設定する。上述の第１実施形態と同様、膜パターン形成領域１０は、設計データ上の膜パターンＦの大きさよりも僅かに小さくなるように、ＸＹ平面内において所定の大きさを有する矩形状（長方形状）に設定される。
【０２９１】
また、制御装置７は、膜パターン形成領域１０を、複数のピクセルＣで区画するとともに、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１の配列情報、すなわちビットマップデータを作成する。
【０２９２】
また、上述の第６実施形態と同様、本実施形態においても、制御装置７は、エッジピクセルＣｅのそれぞれを第１ピクセルＣに設定する。
【０２９３】
また、制御装置７は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側（エッジピクセルＣｅの内側）に、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１、及び液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２のそれぞれを設定する。すなわち、制御装置７は、膜パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣのうち、エッジピクセルＣｅの内側の複数のピクセルＣのそれぞれを、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１、及び液滴Ｄが吐出されない第２ピクセルＣ２のいずれか一方に設定する。
【０２９４】
本実施形態においても、第２領域１２は、パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ（エッジピクセルＣｅ）の内側において、互いに離れて複数設定され、第１領域１１は、第２領域１２同士の間に、第２領域１２のそれぞれを囲むように設定される。
【０２９５】
本実施形態においては、１つの第２領域１２は、複数の第２ピクセルＣ２で形成される。本実施形態においては、１つの第２領域１２は、Ｘ軸方向に並べられた２つの第２ピクセルＣ２のグループがＹ軸方向に関して２つ並べられることによって形成される。すなわち、本実施形態においては、１つの第２領域１２は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに２つずつ並べられた、合計４つの第２ピクセルＣ２によって形成されている。したがって、第２領域１２のＸ軸方向及びＹ軸方向それぞれの大きさは、２つ分の第２ピクセルＣ２の大きさに対応する。
【０２９６】
複数の第２領域１２は、基板Ｐの表面とほぼ平行なＸＹ平面のＸ軸方向、及びＸＹ平面においてＸ軸方向と直交するＹ軸方向のそれぞれに関して互いに離れて並べられる。複数の第２領域１２は、Ｘ軸方向に関して規則的に並べられるとともに、Ｙ軸方向に関して規則的に並べられる。すなわち、本実施形態においても、複数の第２領域１２は、基板Ｐの表面に沿って２次元的に規則的に配列されている。
【０２９７】
具体的には、Ｘ軸方向に関して第１距離Ｄ１ずつ離れて並べられた複数の第２領域１２によって形成されたグループが、Ｙ軸方向に関して第２距離Ｄ２ずつ離れて複数並べられている。第２領域１２は、Ｘ軸方向に関して第１距離Ｄ１ずつ等間隔で複数設定されるとともに、Ｙ軸方向に関して第２距離Ｄ２ずつ等間隔で複数設定される。
【０２９８】
第１領域１１は、複数の第１ピクセルＣ１で形成される。第１ピクセルＣ１のそれぞれは、４つの第２ピクセルＣ２で形成される第２領域１２同士の間に、各第２領域１２のそれぞれを囲むように設定される。第２領域１２同士の間には、２つ分の第１ピクセルＣ１が設定される。したがって、第２領域１２同士の間の第１距離Ｄ１及び第２距離Ｄ２は、２つ分の第１ピクセルＣ１の大きさに対応する。また、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とはほぼ等しい。
【０２９９】
このように、本実施形態においても、各第２領域１２のそれぞれは正方形状であるとともに、それら複数の第２領域１２は、ＸＹ平面内において等間隔で規則的に設定されている。
【０３００】
上述のように、本実施形態においては、第２領域１２のＸ軸方向の大きさは、２つ分の第２ピクセルＣ２に対応した値であり、第１距離Ｄ１と等しい。同様に、第２領域１２のＹ軸方向の大きさは、第２距離Ｄ２と等しい。すなわち、本実施形態においては、ＸＹ平面内における第２領域１２の大きさと、各第２領域１２同士の間隔とは等しい。
【０３０１】
上述の実施形態と同様、１つの第１ピクセルＣ１は、液滴Ｄが吐出される第１位置１１Ｄを１つ有している。本実施形態においては、液滴Ｄが吐出される第１位置１１Ｄを含む第１領域１１は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側において、格子状に設定されており、その第１領域１１は、格子状に並べられた複数の第１ピクセルＣ１によって形成されている。したがって、液滴Ｄが吐出される第１位置１１Ｄは、膜パターン形成領域１０の内側において、格子状に並べられている。
【０３０２】
また、上述の実施形態と同様、本実施形態においては、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄｅが連続的に複数設定される。本実施形態においては、膜パターン形成領域１０は、複数のピクセルＣで区画されるので、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成するピクセルＣ（膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って配列されたピクセルＣ）のそれぞれが、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１に設定される。
【０３０３】
次に、上述のように設定した膜パターン形成領域１０、第１領域１１、及び第２領域１２に基づいて、基板Ｐの表面に液滴Ｄを吐出して、基板Ｐの表面に膜パターンＦを形成する動作の一例について説明する。
【０３０４】
上述の第６実施形態と同様、制御装置７は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成するエッジピクセルＣｅのそれぞれに、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。エッジピクセルＣｅのそれぞれに吐出された液滴Ｄの少なくとも一部は、膜パターン形成領域１０の外側まで濡れ拡がり、膜パターンＦのエッジ（外形）を規定する。
【０３０５】
エッジピクセルＣｅのそれぞれに液滴Ｄを吐出した後、制御装置７は、熱処理装置６等を用いて、基板Ｐの表面に形成された液滴Ｄの膜を乾燥させる。
【０３０６】
次に、制御装置７は、吐出ヘッド２の吐出ノズル１より吐出した液滴Ｄが第１領域１１に供給されるように、吐出ヘッド２、吐出ヘッド移動機構４、及び基板ステージ移動機構５のそれぞれを制御して、吐出ヘッド２の吐出ノズル１と基板ステージ３に保持された基板Ｐとの位置関係を調整しつつ、第１領域１１を形成する第１ピクセルＣ１のそれぞれに、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。
【０３０７】
第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄは、基板Ｐの表面で濡れ拡がって、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の間で互いに接続される。
【０３０８】
本実施形態においても、第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄが、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の間で互いに接続されるように、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の距離、及び第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出される液滴Ｄの量等が最適化されている。
【０３０９】
その後、熱処理装置６を用いた乾燥処理、あるいは別の装置を用いた焼成処理等を経て、所望の膜パターンＦが形成される。
【０３１０】
以上説明したように、本実施形態においても、液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２は互いに離れて複数設定され、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１は、第２領域１２同士の間に、第２領域１２のそれぞれを囲むように設定されているので、バルジ現象等の発生を抑制し、所望の膜パターンＦを形成できる。
【０３１１】
また、本実施形態においては、第２領域１２同士の間の第１領域１１は、２つ分の第１ピクセルＣ１で形成されており、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄ同士が密集している。このような構成の場合、図１１の模式図に示すように、１つの第１領域１１において、先に基板Ｐに吐出され、基板Ｐの表面で濡れ拡がった液滴Ｄの上に、次の液滴Ｄ’が吐出されることになる。先に基板Ｐに吐出された液滴Ｄの上に、次の液滴Ｄ’を吐出することによって、その液滴Ｄ、Ｄ’の近傍の基板Ｐの表面エネルギーが高まる（親液性が高まる）現象が生じる。したがって、次の液滴Ｄ’（あるいはその次の液滴）は、親液性が付与された基板Ｐの表面で良好に濡れ拡がることができる。したがって、バルジ現象等の発生が抑制されると考えられる。なお、先に基板Ｐに吐出された液滴Ｄの上に、次の液滴Ｄ’を吐出することによって、その液滴Ｄ、Ｄ’の近傍の基板Ｐの表面エネルギーが高まる（親液性が高まる）現象のメカニズムは、十分に解明されていないが、先に吐出された液滴Ｄの上に吐出される次の液滴Ｄ’によってもたらされる溶媒雰囲気が、基板Ｐの表面エネルギーを高める要因の一つと考えられる。
【０３１２】
なお、上述の第６、第７実施形態において、図１２の模式図に示すように、同一の第１ピクセルＣ１に対して、液滴Ｄを吐出する動作を複数回実行してもよい。すなわち、ある第１ピクセルＣ１に液滴Ｄを吐出した後、その液滴Ｄの上に、次の液滴Ｄ’を吐出してもよい。こうすることによっても、上述同様、その液滴Ｄ、Ｄ’の近傍の基板Ｐの表面エネルギーが高まる（親液性が高まる）現象が生じるので、バルジ現象等の発生が抑制される。
【０３１３】
また、同一の第１ピクセルＣ１に対して、液滴Ｄを吐出する動作を複数回実行する際、各吐出動作のそれぞれにおける液滴Ｄの量（体積）を変えても良い。例えば、液滴Ｄを吐出する動作を複数回実行する際、最後に吐出する液滴Ｄの量を最も多くするようにしてもよい。
【０３１４】
＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０３１５】
図２７は、本実施形態に係る基板Ｐの表面に設定された膜パターン形成領域１０、及びビットマップデータを示す図、図２８は、図２７の一部（破線ＡＲで囲まれた部分）を拡大した図である。第８実施形態においても、上述の第６、第７実施形態と同様、図３に示すような膜パターンＦを形成する場合を例にして説明する。
【０３１６】
まず、膜パターンＦの設計データが、入力装置８を介して、制御装置７に入力される。また、上述の第６実施形態と同様、制御装置７には、基板Ｐの表面状態、及び液滴Ｄの物性等に関するデータが入力装置８を介して入力される。制御装置７は、入力装置８を介して入力された、基板Ｐの表面状態、液滴Ｄの物性、及び膜パターンＦの設計データ等に基づいて、基板Ｐの表面に、膜パターン形成領域１０を設定する。上述の第６、第７実施形態と同様、膜パターン形成領域１０は、最終的に形成される膜パターンＦの大きさよりも僅かに小さくなるように、ＸＹ平面内において所定の大きさを有する矩形状（長方形状）に設定される。
【０３１７】
また、制御装置７は、膜パターン形成領域１０を、複数のピクセルＣで区画するとともに、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１の配列情報、すなわちビットマップデータを作成する。
【０３１８】
また、上述の第６、第７実施形態と同様、本実施形態においても、制御装置７は、エッジピクセルＣｅのそれぞれを第１ピクセルＣに設定する。
【０３１９】
また、制御装置７は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側（エッジピクセルＣｅの内側）に、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１、及び液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２のそれぞれを設定する。すなわち、制御装置７は、膜パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣのうち、エッジピクセルＣｅの内側の複数のピクセルＣのそれぞれを、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１、及び液滴Ｄが吐出されない第２ピクセルＣ２のいずれか一方に設定する。
【０３２０】
本実施形態においても、第２領域１２は、パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ（エッジピクセルＣｅ）の内側において、互いに離れて複数設定され、第１領域１１は、第２領域１２同士の間に、第２領域１２のそれぞれを囲むように設定される。
【０３２１】
本実施形態においては、１つの第２領域１２は、１つの第２ピクセルＣ２で形成されている。本実施形態においては、１つの第２領域１２が１つの第２ピクセルＣ２によって形成されているので、液滴Ｄが吐出されない第２位置１２Ｄは、１つの第２領域１２について１つ設定されている。
【０３２２】
複数の第２領域１２（第２ピクセルＣ２）は、基板Ｐの表面とほぼ平行なＸＹ平面のＸ軸方向、及びＸＹ平面においてＸ軸方向と直交するＹ軸方向のそれぞれに関して互いに離れて並べられる。複数の第２領域１２（第２ピクセルＣ２）は、Ｘ軸方向に関して規則的に並べられるとともに、Ｙ軸方向に関して規則的に並べられる。すなわち、本実施形態においても、複数の第２領域１２（第２ピクセルＣ２）は、基板Ｐの表面に沿って２次元的に規則的に配列されている。
【０３２３】
具体的には、Ｘ軸方向に関して第１距離Ｄ１ずつ離れて並べられた複数の第２領域１２（第２ピクセルＣ２）によって形成されたグループが、Ｙ軸方向に関して第２距離Ｄ２ずつ離れて複数並べられている。第２領域１２は、Ｘ軸方向に関して第１距離Ｄ１ずつ等間隔で複数設定されるとともに、Ｙ軸方向に関して第２距離Ｄ２ずつ等間隔で複数設定される。
【０３２４】
そして、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１を含む第１領域１１は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ（エッジピクセルＣｅ）の内側において、格子状に設定されている。
【０３２５】
第２領域１２（第２ピクセルＣ２）同士の間には、１つ分の第１ピクセルＣ１が設定される。すなわち、第２領域１２同士の間の第１距離Ｄ１及び第２距離Ｄ２は、１つ分の第１ピクセルＣ１に対応した値であり、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とはほぼ等しい。
【０３２６】
このように、本実施形態においても、各第２領域１２のそれぞれは正方形状であるとともに、それら複数の第２領域１２は、ＸＹ平面内において等間隔で規則的に設定されている。
【０３２７】
上述のように、本実施形態においては、第２領域１２のＸ軸方向の大きさは、１つ分の第２ピクセルＣ２に対応した値であり、第１距離Ｄ１と等しい。同様に、第２領域１２のＹ軸方向の大きさは、第２距離Ｄ２と等しい。すなわち、本実施形態においては、ＸＹ平面内における第２領域１２の大きさと、各第２領域１２同士の間隔とは等しい。
【０３２８】
次に、上述のように設定した膜パターン形成領域１０、第１領域１１、及び第２領域１２に基づいて、基板Ｐの表面に液滴Ｄを吐出して、基板Ｐの表面に膜パターンＦを形成する動作の一例について説明する。
【０３２９】
上述の第６、第７実施形態と同様、制御装置７は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成するエッジピクセルＣｅのそれぞれに、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。エッジピクセルＣｅのそれぞれに吐出された液滴Ｄの少なくとも一部は、膜パターン形成領域１０の外側まで濡れ拡がり、膜パターンＦのエッジ（外形）を規定する。
【０３３０】
エッジピクセルＣｅのそれぞれに液滴Ｄを吐出した後、制御装置７は、熱処理装置６等を用いて、基板Ｐの表面に形成された液滴Ｄの膜を乾燥させる。
【０３３１】
次に、制御装置７は、吐出ヘッド２の吐出ノズル１より吐出した液滴Ｄが第１領域１１に供給されるように、吐出ヘッド２、吐出ヘッド移動機構４、及び基板ステージ移動機構５のそれぞれを制御して、吐出ヘッド２の吐出ノズル１と基板ステージ３に保持された基板Ｐとの位置関係を調整しつつ、第１領域１１を形成する第１ピクセルＣ１のそれぞれに、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。
【０３３２】
第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄは、基板Ｐの表面で濡れ拡がって、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の間で互いに接続される。
【０３３３】
本実施形態においても、第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄが、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の間で互いに接続されるように、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の距離、及び第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出される液滴Ｄの量等が最適化されている。
【０３３４】
その後、熱処理装置６を用いた乾燥処理、あるいは別の装置を用いた焼成処理等を経て、所望の膜パターンＦが形成される。
【０３３５】
以上説明したように、本実施形態においても、液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２は互いに離れて複数設定され、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１は、第２領域１２同士の間に、第２領域１２のそれぞれを囲むように設定されているので、バルジ現象等の発生を抑制し、所望の膜パターンＦを形成できる。
【０３３６】
なお、本実施形態においても、図１２を参照して説明したように、同一の第１ピクセルＣ１に対して、液滴Ｄを吐出する動作を複数回実行してもよい。すなわち、ある第１ピクセルＣ１に液滴Ｄを吐出した後、その液滴Ｄの上に、次の液滴Ｄ’を吐出してもよい。また、同一の第１ピクセルＣ１に対して、液滴Ｄを吐出する動作を複数回実行する際、各吐出動作のそれぞれにおける液滴Ｄの量（体積）を変えても良い。
【０３３７】
＜第９実施形態＞
次に、第９実施形態について説明する。上述の第６〜第８実施形態においては、第２領域１２が正方形状である場合を例にして説明したが、第２領域１２のＸ軸方向の大きさと、Ｙ軸方向の大きさとが異なっていてもよい。例えば、第２領域１２は、複数の第２ピクセルＣ２の組み合わせによって、長方形状であってもよい。この場合において、第１領域１１の第１位置１１Ｄのそれぞれに吐出された液滴Ｄが基板Ｐの表面で濡れ拡がって、第１領域１１同士の間で互いに接続されるように、第１位置１１Ｄのそれぞれに吐出する液滴Ｄの量（体積）を変えることができる。
【０３３８】
また、例えば図２９に示すように、第２領域１２は、複数の第２ピクセルＣ２の組み合わせによって、十字状であってもよい。
【０３３９】
＜第１０実施形態＞
次に、第１０実施形態について説明する。上述の第６〜第９実施形態においては、Ｘ軸方向に関して第１距離Ｄ１ずつ離れて並べられた複数の第２領域１２によって形成されたグループが、Ｙ軸方向に関して第２距離Ｄ２ずつ離れて複数並べられているが、図３０に示すように、例えば、Ｘ軸方向に関して第１距離Ｄ１ずつ離れて並べられた複数の第１領域１１によって形成されたグループが、Ｘ軸方向に関して、所定量だけ偏倚しつつ、Ｙ軸方向に関して第２距離Ｄ２ずつ離れて複数並べられてもよい。この場合においても、第１位置のそれぞれに吐出された液滴Ｄが基板Ｐの表面で濡れ拡がって、第１領域１１同士の間で互いに接続されるように、第１位置１１Ｄのそれぞれに吐出する液滴Ｄの量（体積）を変えることができる。
【０３４０】
なお、上述の第６〜第１０実施形態においては、第２領域１２同士のＸ軸方向の間隔（第１距離）Ｄ１と、Ｙ軸方向の間隔（第２距離）Ｄ２とは等しいが、異なっていてもよい。この場合においても、第１位置１１Ｄのそれぞれに吐出された液滴Ｄが基板Ｐの表面で濡れ拡がって、第１領域１１同士の間で互いに接続されるように、第１位置１１Ｄのそれぞれに吐出する液滴Ｄの量（体積）を変えることができる。
【０３４１】
＜第１１実施形態＞
次に、第１１実施形態について説明する。
【０３４２】
本実施形態においては、図３１のフローチャートに示すように、形成しようとする膜パターンＦを設計する工程ＳＣ１と、基板Ｐの表面に、膜パターンＦの設計データに応じた膜パターン形成領域を設定するとともに、膜パターン形成領域のエッジの内側に、液滴Ｄを吐出する第１位置を含む第１領域、及び液滴Ｄを吐出しない第２位置を含む第２領域のそれぞれを設定する工程ＳＣ２と、設定した膜パターン形成領域、第１領域、及び第２領域に応じて基板Ｐの表面に液滴Ｄを吐出して、その基板Ｐの表面に所定の膜パターンＦを形成する工程ＳＣ３と、が実行される。以下、各工程ＳＣ１〜ＳＣ３毎に説明する。
【０３４３】
（工程ＳＣ１：膜パターンの設計）
まず、形成しようとする膜パターンＦの設計が行われる。膜パターンＦの設計では、形成しようとする膜パターンＦの大きさ、形状、及び厚み（膜厚）等が設定される。
【０３４４】
本実施形態においては、基板Ｐの表面に液滴Ｄを吐出して、第１実施形態と同様、最終的に、図３に示すような膜パターンＦを形成する場合を例にして説明する。図３に示す膜パターンＦは、基板Ｐの表面と平行な平面内（ＸＹ平面内）において所定の大きさを有する矩形状（長方形状）であり、所定の厚み（例えば１０μｍ）を有する。
【０３４５】
（工程ＳＣ２：膜パターン形成領域、第１領域、及び第２領域の設定）
膜パターンＦの設計が行われた後、その膜パターンＦの設計データが、入力装置８を介して制御装置７に入力される。膜パターンＦの設計データは、形成しようとする膜パターンＦの大きさ、形状、及び厚み（膜厚）等に関するデータを含む。具体的には、膜パターンＦの設計データは、形成しようとする膜パターンＦの大きさ、形状、及び厚み等の目標値に関する情報を含む。
【０３４６】
膜パターンＦの設計データが入力された後、制御装置７は、基板Ｐの表面に、膜パターンＦの設計データに応じた膜パターン形成領域１０を設定する。制御装置７は、入力された膜パターンＦの設計データに基づいて、膜パターン形成領域１０の大きさ及び形状（膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの位置及び形状）を設定する。
【０３４７】
図３２は、本実施形態に係る基板Ｐの表面に設定された膜パターン形成領域１０の一例を示す図、図３３は、図３２の一部（破線ＡＲで囲まれた部分）を拡大した図である。
【０３４８】
膜パターン形成領域１０は、機能液の液滴Ｄが吐出（供給）され得る領域である。換言すれば、膜パターン形成領域１０は、膜パターンＦを形成するための液滴Ｄを吐出する動作を実行中の吐出ノズル１と対向する位置に配置される基板Ｐ上の領域である。所定の膜パターンＦを形成するために、膜パターン形成領域１０の内側の少なくとも一部には、吐出ノズル１からの液滴Ｄが吐出（供給）され、膜パターン形成領域１０の外側には、吐出ノズル１からは液滴Ｄが吐出（供給）されない。
【０３４９】
本実施形態においては、膜パターン形成領域１０の内側に、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄが複数設定される。本実施形態においては、制御装置７は、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴Ｄの中心と、第１位置１１Ｄとが合致するように、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。
【０３５０】
膜パターン形成領域１０の内側に設定される複数の第１位置１１Ｄのうち、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに最も近い第１位置１１Ｄｅは、その第１位置１１Ｄｅに吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅとが対応するように（合致するように）、基板Ｐの表面に設定される。換言すれば、本実施形態においては、第１位置１１Ｄｅに吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅとが対応するように（合致するように）、膜パターン形成領域１０が設定される。
【０３５１】
膜パターン形成領域１０は、設計データ上の膜パターンＦに応じて定められる。図３、図３２、及び図３３に示すように、本実施形態においては、膜パターン形成領域１０は、設計データ上の膜パターンＦの大きさよりも僅かに小さくなるように、ＸＹ平面内において所定の大きさを有する矩形状（長方形状）に設定される。
【０３５２】
膜パターン形成領域１０は、その膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅが設計データ上の膜パターンＦのエッジの内側でその膜パターンＦのエッジに沿うように、且つ、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅと設計データ上の膜パターンＦのエッジとの距離が膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの各位置においてほぼ等しくなるように、換言すれば、膜パターン形成領域１０と設計データ上の膜パターンＦとがほぼ相似関係となるように、設定される。
【０３５３】
基板Ｐの表面に吐出（供給）され、基板Ｐの表面に接触した後の液滴Ｄは、基板Ｐの表面で濡れ拡がる。したがって、制御装置７は、基板Ｐの表面に吐出（供給）され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）を考慮して、設計データに則した所望の膜パターンＦが形成されるように、膜パターン形成領域１０の大きさ及び形状を設定する。
【０３５４】
すなわち、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ近傍に吐出され、基板Ｐの表面に接触した後の液滴Ｄの少なくとも一部は、基板Ｐの表面で濡れ拡がって、膜パターン形成領域１０の外側に配置される。したがって、例えば膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ近傍に吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する場合において、制御装置７は、その膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ近傍の第１位置１１Ｄｅに吐出され、膜パターン形成領域１０の外側に濡れ拡がった後の液滴Ｄの外側のエッジが、設計データ上の膜パターンＦのエッジに対応するように、膜パターン形成領域１０の大きさ及び形状（膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの位置及び形状）を設定する。
【０３５５】
すなわち、最終的に形成される膜パターンＦは、基板Ｐの表面に設定された膜パターン形成領域１０の内側に吐出され、基板Ｐの表面で濡れ拡がって、膜パターン形成領域１０の外側に配置された液滴（機能液）も含む。したがって、制御装置７は、基板Ｐの表面に吐出され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）を考慮して、膜パターン形成領域１０の大きさが、最終的に形成される設計データ上の膜パターンＦの大きさよりも僅かに小さくなるように、膜パターン形成領域１０を設定する。
【０３５６】
このように、膜パターンＦは、その設定された膜パターン形成領域１０に吐出され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）に応じた大きさ及び形状を有するものとなる。膜パターン形成領域１０は、基板Ｐの表面に吐出され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）を考慮して、設計データ上の膜パターンＦに応じて設定される。
【０３５７】
ここで、基板Ｐの表面に吐出され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）は、基板Ｐの表面状態、機能液（液滴Ｄ）の物性、及び吐出する液滴Ｄの量（大きさ、体積）等に応じて定まる。基板Ｐの表面状態は、液滴Ｄに対する基板Ｐの表面の接触角等を含み、機能液（液滴Ｄ）の物性は、機能液（液滴Ｄ）の表面張力等を含む。したがって、制御装置７は、基板Ｐの表面状態、液滴Ｄの物性、及び吐出する液滴Ｄの量等を考慮して、所望の膜パターンＦが形成されるように、膜パターンＦの設計データに応じて、膜パターン形成領域１０を設定する。
【０３５８】
具体的には、本実施形態においては、制御装置７は、基板Ｐの表面状態、液滴Ｄの物性、及び吐出する液滴Ｄの量等を考慮して、所望の膜パターンＦが形成されるように、膜パターンＦの設計データに応じて、膜パターン形成領域１０の内側に設定される複数の第１位置１１Ｄのうち、少なくとも膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに最も近い第１位置１１Ｄｅの位置（膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅと各第１位置１１Ｄｅとの距離）を設定する。なお、上述のように、本実施形態においては、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴Ｄの中心と、第１位置１１Ｄ（１１Ｄｅ）とが合致するように、吐出ノズル１より液滴Ｄが吐出されるとともに、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅとが対応するように（合致するように）、第１位置１１Ｄｅが設定されるので、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅと第１位置１１Ｄｅとの距離は、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴Ｄの半径に相当する。
【０３５９】
本実施形態においては、制御装置７には、膜パターンＦの設計データに加えて、基板Ｐの表面状態（液滴Ｄに対する基板Ｐの表面の接触角等）、及び液滴Ｄの物性（表面張力等）に関するデータが入力装置８を介して入力される。制御装置７は、入力装置８を介して入力された、基板Ｐの表面状態、液滴Ｄの物性、及び膜パターンＦの設計データと、予め定められている吐出ノズル１より吐出する液滴Ｄの量とに基づいて、膜パターン形成領域１０の大きさ及び形状（膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの位置及び形状）、ひいては第１位置１１Ｄｅを設定する。
【０３６０】
次に、制御装置７は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側に、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１、及び液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２を設定する。
【０３６１】
本実施形態においては、第１領域１１及び第２領域１２のそれぞれは、基板Ｐの表面においてＹ軸方向を長手方向とするライン状の領域に設定されるとともに、Ｘ軸方向に関して複数交互に並ぶように設定される。
【０３６２】
本実施形態においては、１つの第１領域１１の長手方向の両端（＋Ｙ側の端、−Ｙ側の端）のそれぞれは、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに設定される。すなわち、第１領域１１は、Ｙ軸方向に関して膜パターン形成領域１０の一端から他端まで延びるように設定される。
【０３６３】
複数の第１領域１１は、Ｘ軸方向に関して互いに離れて規則的に並べられる。本実施形態においては、Ｙ軸方向を長手方向とする第１領域１１のそれぞれは、Ｘ軸方向に関して第１距離Ｄ１ずつ等間隔で複数設定される。そして、それら第１領域１１同士の間に、Ｙ軸方向を長手方向とする第２領域１２が設定される。
【０３６４】
本実施形態においては、第１領域１１のＸ軸方向の大きさ（幅）は、第１距離Ｄ１と等しい。本実施形態においては、第２領域１２のＸ軸方向の大きさ（幅）と、第１領域１１同士の間の第１距離Ｄ１とは等価であるため、第１領域１１のＸ軸方向の大きさ（幅）と、第２領域１２のＸ軸方向の大きさ（幅）とは等しい。
【０３６５】
本実施形態においては、制御装置７は、少なくとも膜パターン形成領域１０を含む基板Ｐの表面の所定領域を、複数のピクセルＣで区画する。複数のピクセルＣのそれぞれは、液滴Ｄを供給可能な領域を規定するものであって、液滴Ｄに応じた大きさを有する。ピクセルＣは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に関してマトリクス状に複数設定される。膜パターン形成領域１０は、液滴Ｄに応じた大きさをそれぞれ有し、マトリクス状に設定された仮想的な複数のピクセルＣで区画される。
【０３６６】
本実施形態においては、複数のピクセルＣの組み合わせによって、膜パターン形成領域１０が形成される。
【０３６７】
本実施形態においては、複数のピクセルＣのそれぞれは、正方形状であり、その１辺の長さは、例えば１０μｍに設定される。また、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴Ｄの直径（所謂飛翔径）は、例えば１０μｍに設定される。すなわち、本実施形態においては、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、ピクセルＣのエッジとが対応するように（合致するように）、ピクセルＣが設定される。
【０３６８】
なお、ピクセルＣは、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジが、ピクセルＣのエッジよりも僅かに内側に配置されるように設定されてもよい。すなわち、ピクセルＣが液滴Ｄの飛翔径よりも僅かに大きくてもよい。例えばピクセルＣの１辺が１０μｍであり、液滴Ｄの飛翔径が９μｍであってもよい。
【０３６９】
次に、制御装置７は、複数のピクセルＣのそれぞれを、液滴Ｄを吐出するピクセル又は吐出しないピクセルのいずれか一方に設定する。
【０３７０】
以下の説明において、吐出ノズル１より液滴Ｄが吐出（供給）されるピクセルを適宜、第１ピクセルＣ１、と称し、吐出ノズル１より液滴Ｄが吐出（供給）されないピクセルを適宜、第２ピクセルＣ２、と称する。
【０３７１】
本実施形態においては、制御装置７は、ある１つの第１ピクセルＣ１に対して吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出するとき、その第１ピクセルＣ１の中心と、吐出する液滴Ｄの中心とがほぼ合致するように、液滴Ｄを吐出する。すなわち、１つの第１ピクセルＣ１は、その中心に、液滴Ｄが吐出される第１位置１１Ｄを１つ有する。
【０３７２】
第１領域１１は、第１ピクセルＣ１で形成され、第２領域１２は、第２ピクセルＣ２で形成される。本実施形態においては、制御装置７は、膜パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣのそれぞれを、第１ピクセルＣ１及び第２ピクセルＣ２のいずれか一方に設定することによって、膜パターン形成領域１０の内側に、第１領域１１及び第２領域１２のそれぞれを設定する。すなわち、第１ピクセルＣ１の配列、及び／又は第２ピクセルＣ２の配列が決定されることによって、膜パターン形成領域１０の内側に、複数の第１領域１１、及び／又は第２領域１２が設定される。
【０３７３】
以下の説明において、第１領域１１、及び／又は第２領域１２を設定するために決定される、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１の配列情報、及び／又は液滴Ｄが吐出されない第２ピクセルＣ２の配列情報を適宜、ビットマップデータ、と称する。
【０３７４】
本実施形態においては、１つの第１領域１１は、Ｙ軸方向に並ぶ複数の第１ピクセルＣ１によって形成される。本実施形態においては、１つの第１領域１１は、Ｘ軸方向に関して１つ分の第１ピクセルＣ１が、Ｙ軸方向に関して複数並べられることによって形成される。したがって、第１領域１１のＸ軸方向の大きさ（幅）は、１つ分の第１ピクセルＣ１の大きさに対応する。
【０３７５】
同様に、本実施形態においては、１つの第２領域１２は、Ｙ軸方向に並ぶ複数の第２ピクセルＣ２によって形成される。本実施形態においては、１つの第２領域１２は、Ｘ軸方向に関して１つ分の第２ピクセルＣ２が、Ｙ軸方向に関して複数並べられることによって形成される。したがって、第２領域１２のＸ軸方向の大きさ（幅）は、１つ分の第２ピクセルＣ２の大きさに対応する。
【０３７６】
上述のように、１つの第１ピクセルＣ１は、液滴Ｄが吐出される第１位置１１Ｄを１つ有している。本実施形態においては、１つの第１領域１１が、Ｙ軸方向に並ぶ複数の第１ピクセルＣ１によって形成されているので、液滴Ｄが吐出される第１位置１１Ｄは、１つの第１領域１１について、Ｙ軸方向に沿って複数設定される。
【０３７７】
また、上述したように、１つの第１ピクセルＣ１は、吐出ノズル１から吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴Ｄの大きさ（飛翔径）に応じた大きさを有し、１つの第１領域１１のＸ軸方向の大きさ（幅）は、吐出ノズル１から吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の１つの液滴ＤのＸＹ平面内におけるＸ軸方向の大きさを有する。
【０３７８】
また、上述したように、本実施形態においては、１つの第１領域１１の長手方向の両端（＋Ｙ側の端、−Ｙ側の端）のそれぞれは、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに設定される。したがって、膜パターン形成領域１０の＋Ｙ側及び−Ｙ側のそれぞれのエッジを形成する複数のピクセルＣ（膜パターン形成領域１０の＋Ｙ側及び−Ｙ側のそれぞれのエッジに沿って配列された複数のピクセルＣ）は、Ｘ軸方向に関して断続的に（１つ置きに）、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１に設定される。
【０３７９】
また、本実施形態においては、膜パターン形成領域１０の＋Ｘ側及び−Ｘ側のそれぞれのエッジを形成する複数のピクセルＣ（膜パターン形成領域１０の＋Ｘ側及び−Ｘ側のそれぞれのエッジに沿って配列された複数のピクセルＣ）は、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１に設定される。すなわち、膜パターン形成領域１０の＋Ｘ側及び−Ｘ側のそれぞれのエッジを形成する複数のピクセルＣは、液滴Ｄが吐出される第１領域１１を形成する。
【０３８０】
以下の説明において、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成する複数のピクセル（膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って配列された複数のピクセル）のそれぞれを適宜、エッジピクセルＣｅ、と称する。
【０３８１】
したがって、本実施形態においては、膜パターン形成領域１０の＋Ｘ側のエッジ及び−Ｘ側のエッジを形成するエッジピクセルＣｅのそれぞれが、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１に設定される。また、本実施形態においては、膜パターン形成領域１０の＋Ｙ側のエッジ及び−Ｙ側のエッジを形成するエッジピクセルＣｅの一部が、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１に設定される。
【０３８２】
エッジピクセルＣｅは、設計データ上の膜パターンＦのエッジの内側において、そのエッジピクセルＣｅと設計データ上の膜パターンＦのエッジとの距離が、少なくともピクセルＣの１つ分の大きさよりも小さくなるように設定される。エッジピクセルＣｅは、設計データ上の膜パターンＦのエッジに沿って連続的に配列される。
【０３８３】
本実施形態においては、エッジピクセルＣｅは、そのエッジピクセルＣｅの中心に設定された第１位置１１Ｄｅに吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ（エッジピクセルＣｅの外側のエッジ）とが対応するように（合致するように）、基板Ｐの表面に設定される。換言すれば、本実施形態においては、第１位置１１Ｄｅに吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、エッジピクセルＣｅの外側のエッジとが対応するように（合致するように）、エッジピクセルＣｅが設定される。
【０３８４】
また、本実施形態においては、エッジピクセルＣｅに吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する場合において、その膜パターン形成領域１０の外側に濡れ拡がった後の液滴Ｄのエッジが、設計データ上の膜パターンＦのエッジに対応するように、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成するエッジピクセルＣｅが設定される。
【０３８５】
なお、ここでは、制御装置７が、膜パターンＦの設計データに応じて、膜パターン形成領域１０、第１領域１１、及び第２領域１２のそれぞれを設定しているが、形成装置ＩＪに、制御装置７とは別の所定の処理装置（演算装置）を設け、その処理装置（演算装置）が、膜パターンＦの設計データに応じて、膜パターン形成領域１０、第１領域１１、及び第２領域１２のそれぞれを設定してもよい。また、形成装置ＩＪ以外の所定の処理装置（演算装置）が、膜パターンＦの設計データに応じて、膜パターン形成領域１０、第１領域１１、及び第２領域１２のそれぞれを設定してもよい。
【０３８６】
（工程ＳＣ３：第１領域に液滴を吐出）
上述のように、基板Ｐの表面に、膜パターンＦの設計データに応じた膜パターン形成領域１０を設定するとともに、膜パターン形成領域１０の内側に、液滴Ｄを吐出する第１ピクセルＣ１を含む第１領域１１、及び液滴Ｄを吐出しない第２ピクセルＣ２を含む第２領域１２のそれぞれを設定した後、制御装置７は、吐出ヘッド２、吐出ヘッド移動機構４、及び基板ステージ移動機構５のそれぞれを制御して、吐出ヘッド２の吐出ノズル１と基板ステージ３に保持された基板Ｐとの位置関係を調整しつつ、第１領域１１を形成する第１ピクセルＣ１のそれぞれに、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。
【０３８７】
具体的には、制御装置７は、図３４に示すように、膜パターン形成領域１０の第１領域１１の第１ピクセルＣ１のそれぞれに、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。膜パターン形成領域１０の第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄは、基板Ｐの表面に接触した後、基板Ｐの表面で濡れ拡がる。本実施形態においては、吐出ノズル１から吐出され、基板Ｐの表面に接触する前の液滴Ｄの形状は、吐出方向（Ｚ軸方向）に関してほぼ軸対称であり、基板Ｐの表面に接触した後の形状は、ＸＹ平面内においてほぼ円形状となる。一例として、基板Ｐの表面に接触した後の液滴Ｄの直径（所謂着弾径）は、約２５μｍである。
【０３８８】
複数の第１ピクセルＣ１のうち、特に、エッジピクセルＣｅに設定された第１ピクセルＣ１に吐出された液滴Ｄの少なくとも一部は、膜パターン形成領域１０の外側まで濡れ拡がる。
【０３８９】
そして、第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄは、基板Ｐの表面で濡れ拡がって、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の間で互いに接続される。
【０３９０】
本実施形態においては、第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄが、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の間で互いに接続されるように、第１領域１１同士の距離（第１距離Ｄ１）、第１ピクセルＣ１の中心位置同士、及び第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出される液滴Ｄの量等が最適化されている。なお、制御装置７は、例えば特開２００１−５８４３３号公報等に開示されているように、吐出ヘッド２の駆動波形を調整することによって、第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出される液滴の量を調整することができる。
【０３９１】
本実施形態においては、制御装置７は、１つの第１領域１１を構成する複数の第１ピクセルＣ１のそれぞれに関して、液滴Ｄを順次吐出する。制御装置７は、吐出ヘッド２に対して基板Ｐを保持した基板ステージ３の走査方向（Ｙ軸方向）への１回の移動中に、第１領域１１を構成する複数の第１ピクセルＣ１のそれぞれに液滴Ｄを吐出する。
【０３９２】
本実施形態においては、吐出ノズル１同士の間隔（ノズルピッチ）と、第１領域１１同士の間隔（第１距離Ｄ１）とは合致しており、制御装置７は、吐出ヘッド２に対して基板Ｐを保持した基板ステージ３の走査方向（Ｙ軸方向）への１回の移動中に、第１領域１１を構成する複数の第１ピクセルＣ１のそれぞれに液滴Ｄを吐出することができる。
【０３９３】
その後、熱処理装置６を用いた乾燥処理、あるいは別の装置を用いた焼成処理等を経て、図３５に示すように、所望の膜パターンＦが形成される。
【０３９４】
以上説明したように、本実施形態においては、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１及び液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２のそれぞれが、Ｙ軸方向を長手方向とするライン状の領域であり、Ｘ軸方向に関して複数交互に並べられているので、バルジ現象等の発生を抑制し、所望の膜パターンを形成できる。
【０３９５】
例えば、図１０の模式図に示すように、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを、基板Ｐの表面において連続的に設定したり、均一な密度で設定したりした場合、基板Ｐの表面状態、あるいは機能液（液滴Ｄ）の物性等によっては、バルジ現象等の不具合が発生する可能性が高くなる。例えば、基板Ｐの表面エネルギーが小さい場合（撥液性が高い場合）、あるいは機能液（液滴Ｄ）の表面張力が大きい場合においては、基板Ｐの表面と液滴Ｄとが引き合う力よりも、互いに接する液滴Ｄ同士が表面張力によって引き合う力のほうが強くなる場合がある。この場合、機能液の液滴Ｄが基板Ｐの表面で良好に濡れ拡がらず、バルジ現象が発生し、均一な膜パターンＦを形成できなくなる可能性がある。また、バルジ現象の発生に伴って、機能液が欠如する部分が生じ、基板Ｐの表面の一部が露出してしまう可能性もある。
【０３９６】
本発明者は、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１及び液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２のそれぞれを、Ｙ軸方向を長手方向とするライン状の領域とし、Ｘ軸方向に関して複数交互に並べるように設定することによって、第１位置１１Ｄに吐出された液滴Ｄが、バルジ現象等を発生することなく、基板Ｐの表面において良好に濡れ拡がることを見出した。
【０３９７】
したがって、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１及び液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２のそれぞれを、Ｙ軸方向を長手方向とするライン状の領域とし、Ｘ軸方向に関して複数交互に並べることによって、バルジ現象等の発生を抑制しつつ、均一な厚みを有する所望の膜パターンＦを形成できる。
【０３９８】
また、本実施形態によれば、吐出ノズル１同士の間隔（ノズルピッチ）と、第１領域１１同士の間隔（第１距離Ｄ１）とを合致させることができるので、例えば、吐出ヘッド２に対する基板Ｐを保持した基板ステージ３の走査方向（Ｙ軸方向）への１回の移動中に、第１領域１１を構成する複数の第１ピクセルＣ１のそれぞれに液滴Ｄを吐出して、膜パターンＦを形成することができる。したがって、短時間で効率良く膜パターンＦを形成できる。
【０３９９】
＜第１２実施形態＞
次に、第１２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０４００】
図３６は、本実施形態に係る基板Ｐの表面に設定された膜パターン形成領域１０、及びビットマップデータを示す図、図３７は、図３６の一部（破線ＡＲで囲まれた部分）を拡大した図である。本実施形態においても、上述の第１１実施形態と同様、図３に示すような膜パターンＦを形成する場合を例にして説明する。
【０４０１】
まず、膜パターンＦの設計データが、入力装置８を介して、制御装置７に入力される。また、上述の第１実施形態と同様、制御装置７には、基板Ｐの表面状態、及び液滴Ｄの物性等に関するデータが入力装置８を介して入力される。制御装置７は、入力装置８を介して入力された、基板Ｐの表面状態、液滴Ｄの物性、及び膜パターンＦの設計データ等に基づいて、基板Ｐの表面に、膜パターン形成領域１０を設定する。上述の第１実施形態と同様、膜パターン形成領域１０は、設計データ上の膜パターンＦの大きさよりも僅かに小さくなるように、ＸＹ平面内において所定の大きさを有する矩形状（長方形状）に設定される。
【０４０２】
また、制御装置７は、少なくとも膜パターン形成領域１０を含む基板Ｐの表面の所定領域を、複数のピクセルＣで区画するとともに、ビットマップデータを作成する。
【０４０３】
本実施形態においては、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄｅが連続的に複数設定される。制御装置７は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側を囲むように、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って第１位置１１Ｄｅを枠状に設定する。
【０４０４】
すなわち、本実施形態においても、膜パターン形成領域１０は、複数のピクセルＣで区画され、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成する複数のエッジピクセルＣｅのそれぞれが、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１に設定される。そして、各エッジピクセルＣｅそれぞれの中心に、第１位置１１Ｄｅが設定される。このように、本実施形態においては、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１が、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側を囲むように、枠状に設定される。
【０４０５】
制御装置７は、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側（エッジピクセルＣｅの内側）に、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１、及び液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２のそれぞれを設定する。制御装置７は、膜パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣのうち、エッジピクセルＣｅの内側の複数のピクセルＣのそれぞれを、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１、及び液滴Ｄが吐出されない第２ピクセルＣ２のいずれか一方に設定する。第１領域１１は、第１ピクセルＣ１によって形成され、第２領域１２は、第２ピクセルＣ２によって形成される。
【０４０６】
上述の第１１実施形態と同様、本実施形態においても、第１領域１１及び第２領域１２のそれぞれは、基板Ｐの表面においてＹ軸方向を長手方向とするライン状の領域に設定されるとともに、Ｘ軸方向に関して複数交互に並ぶように設定される。
【０４０７】
１つの第１領域１１の長手方向の両端（＋Ｙ側の端、−Ｙ側の端）のそれぞれは、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに設定される。すなわち、第１領域１１は、Ｙ軸方向に関して膜パターン形成領域１０の一端から他端まで延びるように設定される。
【０４０８】
複数の第１領域１１は、Ｘ軸方向に関して互いに離れて規則的に並べられる。本実施形態においては、Ｙ軸方向を長手方向とする第１領域１１のそれぞれは、Ｘ軸方向に関して第１距離Ｄ１ずつ等間隔で複数設定される。そして、それら第１領域１１同士の間に、Ｙ軸方向を長手方向とする第２領域１２が設定される。
【０４０９】
上述の第１１実施形態と同様、本実施形態においても、第１領域１１のＸ軸方向の大きさ（幅）と、第２領域１２のＸ軸方向の大きさ（幅）とは等しい。第１領域１１のＸ軸方向の大きさ（幅）は、１つ分の第１ピクセルＣ１の大きさに対応し、第２領域１２のＸ軸方向の大きさ（幅）は、１つ分の第２ピクセルＣ２の大きさに対応する。
【０４１０】
次に、上述のように設定した膜パターン形成領域１０、第１領域１１、及び第２領域１２に基づいて、基板Ｐの表面に液滴Ｄを吐出して、基板Ｐの表面に膜パターンＦを形成する動作の一例について説明する。
【０４１１】
上述のように、基板Ｐの表面に、膜パターンＦの設計データに応じた膜パターン形成領域１０を設定するとともに、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの内側に、液滴Ｄを吐出する第１ピクセルＣ１を含む第１領域１１、及び液滴Ｄを吐出しない第２ピクセルＣ２を含む第２領域１２のそれぞれを設定した後、制御装置７は、吐出ヘッド２、吐出ヘッド移動機構４、及び基板ステージ移動機構５のそれぞれを制御して、吐出ヘッド２の吐出ノズル１と基板ステージ３に保持された基板Ｐとの位置関係を調整しつつ、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って、吐出ノズル１より、基板Ｐの表面に複数の液滴Ｄを連続的に吐出する。
【０４１２】
具体的には、制御装置７は、図３８に示すように、膜パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って配列された複数のエッジピクセルＣｅのそれぞれに、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。膜パターン形成領域１０のエッジピクセルＣｅのそれぞれに吐出された液滴Ｄは、基板Ｐの表面に接触した後、基板Ｐの表面で濡れ拡がる。
【０４１３】
エッジピクセルＣｅのそれぞれに吐出された液滴Ｄの少なくとも一部は、膜パターン形成領域１０の外側まで濡れ拡がり、膜パターンＦのエッジ（外形）を規定する。
【０４１４】
エッジピクセルＣｅのそれぞれに液滴Ｄを吐出した後、制御装置７は、熱処理装置６等を用いて、基板Ｐの表面に形成された液滴Ｄの膜を乾燥させる。これにより、基板Ｐの表面に配置された液滴Ｄの膜の流動性が低下し、図３９の模式図に示すように、基板Ｐの表面に固定される。
【０４１５】
なお、例えば特開２００５−２８２７６号公報、特開２００５−１４４３２４号公報等に開示されているように、基板Ｐの表面に配置された液滴Ｄの乾燥条件、対流条件等を調整して、エッジピクセルＣｅのそれぞれに吐出した液滴Ｄに、ピニング現象を生じさせるようにしてもよい。液滴Ｄの乾燥過程においては、液滴Ｄの周縁部における固形分濃度が飽和濃度に達すると、その周縁部において固形分が局所的に析出する。すると、その析出した固形分によって液滴Ｄの周縁部がピン止めされたような状態となり、それ以降の乾燥に伴う液滴の収縮（外径の収縮）が抑制される。このような、周縁部に析出した固形分によって乾燥に伴う液滴の収縮が抑制される現象（ピニング現象）を生じさせることによって、膜パターンＦのエッジ（外形）を良好に規定することができる。
【０４１６】
次に、制御装置７は、吐出ヘッド２の吐出ノズル１より吐出した液滴Ｄが第１領域１１に供給されるように、吐出ヘッド２、吐出ヘッド移動機構４、及び基板ステージ移動機構５のそれぞれを制御して、吐出ヘッド２の吐出ノズル１と基板ステージ３に保持された基板Ｐとの位置関係を調整しつつ、図４０に示すように、第１領域１１を形成する第１ピクセルＣ１のそれぞれに、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。
【０４１７】
第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄは、基板Ｐの表面で濡れ拡がって、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の間で互いに接続される。
【０４１８】
本実施形態においても、第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄが、第１領域１１同士（第１ピクセルＣ１同士）の間で互いに接続されるように、第１領域１１同士の距離（第１距離Ｄ１）、第１ピクセルＣ１の中心位置同士、及び第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出される液滴Ｄの量等が最適化されている。
【０４１９】
その後、熱処理装置６を用いた乾燥処理、あるいは別の装置を用いた焼成処理等を経て、図３５に示したような、所望の膜パターンＦが形成される。
【０４２０】
以上説明したように、本実施形態においても、液滴Ｄを吐出する第１位置１１Ｄを含む第１領域１１及び液滴Ｄを吐出しない第２位置１２Ｄを含む第２領域１２のそれぞれが、Ｙ軸方向を長手方向とするライン状の領域であり、Ｘ軸方向に関して複数交互に並べられているので、バルジ現象等の発生を抑制し、所望の膜パターンを形成できる。
【０４２１】
なお、上述の第１１、第１２実施形態において、図１２の模式図に示すように、同一の第１ピクセルＣ１に対して、液滴Ｄを吐出する動作を複数回実行してもよい。すなわち、ある第１ピクセルＣ１に液滴Ｄを吐出した後、その液滴Ｄの上に、次の液滴Ｄ’を吐出してもよい。先に基板Ｐに吐出された液滴Ｄの上に、次の液滴Ｄ’を吐出することによって、その液滴Ｄ、Ｄ’の近傍の基板Ｐの表面エネルギーが高まる（親液性が高まる）現象が生じる。したがって、次の液滴Ｄ’（あるいはその次の液滴）は、親液性が付与された基板Ｐの表面で良好に濡れ拡がることができる。したがって、バルジ現象等の発生が抑制されると考えられる。なお、先に基板Ｐに吐出された液滴Ｄの上に、次の液滴Ｄ’を吐出することによって、その液滴Ｄ、Ｄ’の近傍の基板Ｐの表面エネルギーが高まる（親液性が高まる）現象のメカニズムは、十分に解明されていないが、先に吐出された液滴Ｄの上に吐出される次の液滴Ｄ’によってもたらされる溶媒雰囲気が、基板Ｐの表面エネルギーを高める要因の一つと考えられる。
【０４２２】
また、同一の第１ピクセルＣ１に対して、液滴Ｄを吐出する動作を複数回実行する際、各吐出動作のそれぞれにおける液滴Ｄの量（体積）を変えても良い。例えば、液滴Ｄを吐出する動作を複数回実行する際、最後に吐出する液滴Ｄの量を最も多くするようにしてもよい。
【０４２３】
なお、上述の第１１、第１２実施形態においては、第１領域１１のＸ軸方向の大きさ（幅）、及び第２領域１２のＸ軸方向の大きさ（幅）のそれぞれが、１つ分のピクセルＣに相当する場合を例にして説明したが、所望の膜パターンＦを形成できるのであれば、第１領域１１のＸ軸方向の大きさ（幅）、及び第２領域１２のＸ軸方向の大きさ（幅）のそれぞれが、２つ分のピクセルＣに相当していてもよいし、３つ分のピクセルＣに相当していてもよい。すなわち、所望の膜パターンＦを形成できるのであれば、第１領域１１のＸ軸方向の大きさ（幅）、及び第２領域１２のＸ軸方向の大きさ（幅）のそれぞれは、任意に設定可能である。この場合において、第１位置のそれぞれに吐出された液滴Ｄが基板Ｐの表面で濡れ拡がって、第１領域１１同士の間で互いに接続されるように、第１位置１１Ｄのそれぞれに吐出する液滴Ｄの量（体積）を変えることができる。
【０４２４】
また、上述の第１１、第１２実施形態においては、第１領域１１のＸ軸方向の大きさ（幅）と、第２領域１２のＸ軸方向の大きさ（幅）とが等しい場合を例にして説明したが、所望の膜パターンＦを形成できるのであれば、第１領域１１のＸ軸方向の大きさ（幅）と、第２領域１２のＸ軸方向の大きさ（幅）とは異なっていてもよい。また、第１領域１１のＸ軸方向の大きさ（幅）が、第２領域１２のＸ軸方向の大きさ（幅）より大きくてもよいし、小さくてもよい。例えば、第１領域１１のＸ軸方向の大きさ（幅）が、３つ分のピクセルＣに相当し、第２領域１２のＸ軸方向の大きさ（幅）が、２つ分のピクセルＣに相当していてもよいし、第１領域１１のＸ軸方向の大きさ（幅）が、２つ分のピクセルＣに相当し、第２領域１２のＸ軸方向の大きさ（幅）が、３つ分のピクセルＣに相当していてもよい。この場合においても、第１位置のそれぞれに吐出された液滴Ｄが基板Ｐの表面で濡れ拡がって、第１領域１１同士の間で互いに接続されるように、第１位置１１Ｄのそれぞれに吐出する液滴Ｄの量（体積）を変えることができる。
【０４２５】
すなわち、Ｙ軸方向を長手方向とし、Ｘ軸方向に関して第１の幅をする第１領域１１と、Ｙ軸方向を長手方向とし、Ｘ軸方向に関して第２の幅を有する第２領域１２とが、Ｘ軸方向に関して、所望の膜パターンＦを形成するために交互に規則的に並べられているのであれば、第１の幅及び第２の幅のそれぞれは任意に設定可能である。
【０４２６】
＜第１３実施形態＞
次に、第１３実施形態について説明する。
【０４２７】
本実施形態においては、図４１のフローチャートに示すように、形成しようとする配線パターンＦを設計する工程ＳＤ１と、基板Ｐの表面に、配線パターンＦの設計データに応じた配線パターン形成領域を設定するとともに、その設定した配線パターン形成領域を、液滴Ｄの大きさに応じた複数のピクセルでマトリクス状に区画する工程ＳＤ２と、複数のピクセルのそれぞれを、液滴Ｄを吐出するピクセル又は吐出しないピクセルのいずれか一方に設定する工程ＳＤ３と、複数のピクセルのうち、所定のピクセルに液滴Ｄを吐出して、基板Ｐの表面に所定の配線パターンＦを形成する工程ＳＤ４と、が実行される。以下、各工程ＳＤ１〜ＳＤ４毎に説明する。
【０４２８】
（工程ＳＤ１：配線パターンの設計）
まず、形成しようとする配線パターンＦの設計が行われる。配線パターンＦの設計では、形成しようとする配線パターンＦの大きさ、形状、及び厚み（膜厚）等が設定される。
【０４２９】
図４２は、基板Ｐの表面の少なくとも一部に形成される配線パターンＦの一例を示す図である。本実施形態においては、基板Ｐの表面に液滴Ｄを吐出して、最終的に、図４２に示すような配線パターンＦを形成する場合を例にして説明する。図４２に示す配線パターンＦは、ＸＹ平面と平行な基板Ｐの表面において、Ｘ軸方向に延びる第１ラインパターンＦ１と、Ｙ軸方向に延び、第１ラインパターンＦ１と交わる第２ラインパターンＦ２とを含む。第１ラインパターンＦ１の一端（−Ｘ側の端）と、第２ラインパターンＦ２の一端（＋Ｙ側の端）とが接続され、ＸＹ平面内においてほぼＬ字状となるように、配線パターンＦが設計される。
【０４３０】
（工程ＳＤ２：配線パターン形成領域の設定、ピクセルによる区画）
配線パターンＦの設計が行われた後、その配線パターンＦの設計データが、入力装置８を介して制御装置７に入力される。配線パターンＦの設計データは、形成しようとする配線パターンＦの大きさ、形状、及び厚み（膜厚）等に関するデータを含む。具体的には、配線パターンＦの設計データは、形成しようとする配線パターンＦの大きさ、形状、及び厚み等の目標値に関する情報を含む。
【０４３１】
配線パターンＦの設計データが入力された後、制御装置７は、基板Ｐの表面に、配線パターンＦの設計データに応じた配線パターン形成領域１０を設定する。制御装置７は、入力された配線パターンＦの設計データに基づいて、配線パターン形成領域１０の大きさ及び形状（配線パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの位置及び形状）を設定する。
【０４３２】
配線パターン形成領域１０は、機能液の液滴Ｄが吐出（供給）され得る領域である。換言すれば、配線パターン形成領域１０は、配線パターンＦを形成するための液滴Ｄを吐出する動作を実行中の吐出ノズル１と対向する位置に配置される基板Ｐ上の領域である。所定の配線パターンＦを形成するために、配線パターン形成領域１０の内側の少なくとも一部には、吐出ノズル１からの液滴Ｄが吐出（供給）される。
【０４３３】
また、本実施形態においては、制御装置７は、少なくとも配線パターン形成領域１０を含む基板Ｐの表面の所定領域を、複数のピクセルＣで区画する。複数のピクセルＣのそれぞれは、液滴Ｄを供給可能な領域を規定するものであって、液滴Ｄに応じた大きさを有する。ピクセルＣは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に関してマトリクス状に複数設定される。配線パターン形成領域１０は、液滴Ｄに応じた大きさをそれぞれ有し、マトリクス状に設定された仮想的な複数のピクセルＣで区画される。
【０４３４】
本実施形態においては、複数のピクセルＣの組み合わせによって、配線パターン形成領域１０が形成される。
【０４３５】
図４２に示すように、本実施形態においては、複数のピクセルＣのそれぞれは、正方形状であり、その１辺の長さは、例えば１０μｍに設定される。また、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する前の液滴Ｄの直径（所謂飛翔径）は、例えば１０μｍに設定される。
【０４３６】
本実施形態においては、制御装置７は、ある１つのピクセルＣに対して吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出するとき、そのピクセルＣの中心と、吐出する液滴Ｄの中心とがほぼ合致するように、液滴Ｄを吐出する。
【０４３７】
すなわち、本実施形態においては、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、ピクセルＣのエッジとが対応するように（合致するように）、ピクセルＣが設定される。
【０４３８】
なお、ピクセルＣは、吐出ノズル１より吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジが、ピクセルＣのエッジよりも僅かに内側に配置されるように設定されてもよい。すなわち、ピクセルＣが液滴Ｄの飛翔径よりも僅かに大きくてもよい。例えばピクセルＣの１辺が１０μｍであり、液滴Ｄの飛翔径が９μｍであってもよい。
【０４３９】
図４２に示すように、本実施形態においては、第１ラインパターンＦ１に対応する配線パターン形成領域１０は、Ｙ軸方向に並べられた２つのピクセルＣのグループがＸ軸方向に関して１３個並べられることによって形成される。また、本実施形態においては、第２ラインパターンＦ２に対応する配線パターン形成領域１０は、Ｘ軸方向に並べられた２つのピクセルＣのグループがＹ軸方向に関して１３個並べられることによって形成される。
【０４４０】
また、配線パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣのうち、第１ラインパターンＦ１と第２ラインパターンＦ２とが交わる部分に対応するピクセルＣは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに２つずつ並べられた、合計４つのピクセルＣからなる。換言すれば、第１ラインパターンＦ１と第２ラインパターンＦ２とが交わる部分に対応する配線パターン形成領域１０は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに２つずつ並べられた、合計４つのピクセルＣによって形成されている。
【０４４１】
以下の説明において、第１ラインパターンＦ１と第２ラインパターＦ２とが交わる部分を適宜、交差部、と称する。また、第１ラインパターンＦ１のうち、交差部以外の部分を適宜、第１直線部、と称し、第２ラインパターンＦ２のうち、交差部以外の部分を適宜、第２直線部、と称する。
【０４４２】
すなわち、第１直線部は、第１ラインパターンＦ１のうち、第２ラインパターンＦ２と交わらない部分であり、第２直線部は、第２ラインパターンＦ２のうち、第１ラインパターンＦ１と交わらない部分である。
【０４４３】
交差部に対応するピクセルＣは、図４２中、破線Ａ３で囲まれた部分のピクセルＣであって、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに２つずつ並べられ、合計４つ存在する。第１直線部に対応するピクセルＣは、図４２中、破線Ａ１で囲まれた部分のピクセルＣであって、Ｙ軸方向に２つ、Ｘ軸方向に１１個並べられ、合計２２個存在する。第２直線部に対応するピクセルＣは、図４２中、破線Ａ２で囲まれた部分のピクセルＣであって、Ｘ軸方向に２つ、Ｙ軸方向に１１個並べられ、合計２２個存在する。
【０４４４】
複数のピクセルＣによって区画される配線パターン形成領域１０は、最終的に形成される設計データ上の配線パターンＦに応じて定められる。本実施形態においては、配線パターン形成領域１０は、設計データ上の配線パターンＦの大きさよりも僅かに小さくなるように、ＸＹ平面内において所定の大きさを有するＬ字状に設定される。
【０４４５】
具体的には、図４２に示すように、配線パターン形成領域１０は、その配線パターン形成領域１０のエッジ１０ｅが設計データ上の配線パターンＦのエッジの内側でその配線パターンＦのエッジに沿うように、且つ、配線パターン形成領域１０のエッジ１０ｅと設計データ上の配線パターンＦのエッジとの距離が配線パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの各位置においてほぼ等しくなるように、換言すれば、配線パターン形成領域１０と設計データ上の配線パターンＦとがほぼ相似関係となるように、設定される。
【０４４６】
すなわち、配線パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成する複数のピクセルＣｅ（配線パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って配列される複数のピクセルＣｅ）は、設計データ上の配線パターンＦのエッジの内側でその配線パターンＦのエッジに沿って連続的に配列される。また、配線パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成する複数のピクセルＣｅは、そのピクセルＣｅの外側のエッジと設計データ上の配線パターンＦのエッジとの距離が少なくともピクセルＣの１つ分の大きさよりも小さくなるように配列される。
【０４４７】
以下の説明において、配線パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成する複数のピクセル（配線パターン形成領域１０のエッジ１０ｅに沿って配列された複数のピクセル）のそれぞれを適宜、エッジピクセルＣｅ、と称する。
【０４４８】
なお、本実施形態においては、第１ラインパターンＦ１に対応する配線パターン形成領域１０は、Ｙ軸方向に並べられた２つのピクセルＣのグループがＸ軸方向に関して１３個並べられることによって形成され、第２ラインパターンＦ２に対応する配線パターン形成領域１０は、Ｘ軸方向に並べられた２つのピクセルＣのグループがＹ軸方向に関して１３個並べられることによって形成されている。したがって、本実施形態においては、配線パターン形成領域１０を区画するピクセルＣの全てが、エッジピクセルＣｅとなる。
【０４４９】
なお、例えば第１ラインパターンＦ１に対応する配線パターン形成領域１０が、Ｙ軸方向に並べられた３つ以上のピクセルＣのグループがＸ軸方向に関して所定数（例えば２０個）並べられることによって形成される場合には、エッジピクセルＣｅは、Ｙ軸方向に並べられた３つ以上のピクセルＣのうち、Ｙ軸方向に関して両端のピクセルＣとなる。
【０４５０】
エッジピクセルＣｅは、そのエッジピクセルＣｅに吐出され、基板Ｐの表面に接触する直前の液滴ＤのＸＹ平面内における外側のエッジと、配線パターン形成領域１０のエッジ１０ｅ（エッジピクセルＣｅの外側のエッジ）とが対応するように（合致するように）、基板Ｐの表面に設定される。
【０４５１】
基板Ｐの表面に吐出（供給）され、基板Ｐの表面に接触した後の液滴Ｄは、基板Ｐの表面で濡れ拡がる。本実施形態においては、エッジピクセルＣｅに吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出した場合において、その配線パターン形成領域１０の外側に濡れ拡がった後の液滴Ｄのエッジが、設計データ上の配線パターンＦのエッジに対応するように、配線パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの位置及び形状、ひいてはその配線パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成するエッジピクセルＣｅが設定される。
【０４５２】
すなわち、配線パターン形成領域１０のエッジ１０ｅを形成するエッジピクセルＣｅに吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出した場合、基板Ｐの表面に接触した後の液滴Ｄの少なくとも一部は、基板Ｐの表面で濡れ拡がって、配線パターン形成領域１０の外側に配置される。したがって、例えばそのエッジピクセルＣｅに吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する場合において、制御装置７は、そのエッジピクセルＣｅに吐出され、配線パターン形成領域１０の外側に濡れ拡がった後の液滴Ｄの外側のエッジが、設計データ上の配線パターンＦのエッジに対応するように、配線パターン形成領域１０の大きさ及び形状（配線パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの位置及び形状）、ひいてはエッジピクセルＣｅを設定する。
【０４５３】
最終的に形成される配線パターンＦは、基板Ｐの表面に設定された配線パターン形成領域１０の内側に吐出され、基板Ｐの表面で濡れ拡がって、配線パターン形成領域１０の外側に配置された液滴（機能液）も含む。したがって、制御装置７は、基板Ｐの表面に吐出され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）を考慮して、設計データに則した所望の配線パターンＦが形成されるように、配線パターン形成領域１０の大きさが、最終的に形成される設計データ上の配線パターンＦの大きさよりも僅かに小さくなるように、配線パターン形成領域１０の大きさ及び形状、ひいてはエッジピクセルＣｅを設定する。
【０４５４】
このように、配線パターンＦは、設定された配線パターン形成領域１０に吐出され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）に応じた大きさ及び形状を有するものとなる。配線パターン形成領域１０は、基板Ｐの表面に吐出され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）を考慮して、設計データ上の配線パターンＦに応じて設定される。
【０４５５】
なお、基板Ｐの表面に吐出され、濡れ拡がった後の液滴Ｄの大きさ及び形状の少なくとも一方（濡れ拡がり具合）は、基板Ｐの表面状態、及び機能液（液滴Ｄ）の物性、及び吐出する液滴Ｄの量（体積）等に応じて定まる。基板Ｐの表面状態は、液滴Ｄに対する基板Ｐの表面の接触角等を含み、機能液（液滴Ｄ）の物性は、機能液（液滴Ｄ）の表面張力等を含む。したがって、制御装置７は、基板Ｐの表面状態、及び液滴Ｄの物性、及び吐出する液滴Ｄの量（体積）等を考慮して、所望の配線パターンＦ（目標値通りの大きさ及び形状を有する配線パターンＦ）が形成されるように、配線パターンＦの設計データ（目標値）に応じて、配線パターン形成領域１０を設定する。
【０４５６】
本実施形態においては、制御装置７には、配線パターンＦの設計データに加えて、基板Ｐの表面状態（液滴Ｄに対する基板Ｐの表面の接触角等）、及び液滴Ｄの物性（表面張力等）に関するデータが入力装置８を介して入力される。制御装置７は、入力装置８を介して入力された、基板Ｐの表面状態、液滴Ｄの物性、及び配線パターンＦの設計データと、予め定められている吐出ノズル１より吐出する液滴Ｄの量とに基づいて、配線パターン形成領域１０の大きさ及び形状（配線パターン形成領域１０のエッジ１０ｅの位置及び形状）、ひいてはエッジピクセルＣｅを設定する。
【０４５７】
（工程ＳＤ３：液滴を吐出するピクセルの設定）
次に、制御装置７は、複数のピクセルＣのそれぞれを、液滴Ｄを吐出するピクセル又は吐出しないピクセルのいずれか一方に設定する。
【０４５８】
以下の説明において、吐出ノズル１より液滴Ｄが吐出（供給）されるピクセルを適宜、第１ピクセルＣ１、と称し、吐出ノズル１より液滴Ｄが吐出（供給）されないピクセルを適宜、第２ピクセルＣ２、と称する。
【０４５９】
また、以下の説明において、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１の配列情報、及び／又は液滴Ｄが吐出されない第２ピクセルＣ２の配列情報を適宜、ビットマップデータ、と称する。
【０４６０】
図４３は、本実施形態に係るビットマップデータを示す図である。本実施形態においては、制御装置７は、配線パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣのうち、第１ラインパターンＦ１と第２ラインパターンＦ２とが交わる部分（交差部）に対応するピクセルＣの少なくとも１つを、液滴Ｄを吐出しない第２ピクセルＣ２に設定する。
【０４６１】
上述のように、本実施形態においては、配線パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣのうち、第１ラインパターンＦ１と第２ラインパターンＦ２とが交わる部分（交差部）に対応するピクセルＣは、破線Ａ３で囲まれた部分のピクセルＣであって、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに２つずつ並べられ、合計４つ存在する。本実施形態においては、この交差部に対応する４つのピクセルＣのうち、少なくとも１つのピクセルＣを、第２ピクセルＣ２に設定する。
【０４６２】
一例として、本実施形態においては、図４３に示すように、制御装置７は、第１ラインパターンＦ１と第２ラインパターンＦ２とが交わる部分（交差部）に対応する４つのピクセルＣのうち、３つのピクセルＣを、液滴Ｄを吐出しない第２ピクセルＣ２に設定し、１つのピクセルＣを、液滴Ｄを吐出する第１ピクセルＣ１に設定する。
【０４６３】
また、図４３に示すように、本実施形態においては、制御装置７は、第１ラインパターンＦ１と第２ラインパターンＦ２とが交わる部分に対応するピクセルＣ以外の配線パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣの全てを、液滴Ｄを吐出する第１ピクセルＣ１に設定する。すなわち、制御装置７は、第１直線部に対応する、破線Ａ１で囲まれた２２個のピクセルＣの全てを、第１ピクセルＣ１に設定するとともに、第２直線部に対応する、破線Ａ２で囲まれた２２個のピクセルＣの全てを、第１ピクセルＣ１に設定する。
【０４６４】
また、本実施形態においては、第１ラインパターンＦ１の一端と第２ラインパターンＦ２の一端とが接続されるように配線パターン形成領域１０が設定されている。本実施形態においては、図４３に示すように、制御装置７は、第１ラインパターンＦ１と第２ラインパターンＦ２とで形成されるコーナーの内側のピクセルＣｈを、液滴Ｄを吐出するピクセルＣ１に設定する。本実施形態においては、ピクセルＣｈは、配線パターン形成領域１０の外側で、配線パターン形成領域１０の内側に設定された第１ピクセルＣ１と隣り合う位置に設定される。
【０４６５】
なお、ここでは、制御装置７が、配線パターンＦの設計データに応じて、配線パターン形成領域１０を形成するとともに、ビットマップデータを設定しているが、形成装置ＩＪに、制御装置７とは別の所定の処理装置（演算装置）を設け、その処理装置（演算装置）が、配線パターンＦの設計データに応じて、配線パターン形成領域１０、及びビットマップデータのそれぞれを設定してもよい。また、形成装置ＩＪ以外の所定の処理装置（演算装置）が、配線パターンＦの設計データに応じて、配線パターン形成領域１０、及びビットマップデータのそれぞれを設定してもよい。
【０４６６】
（工程ＳＤ４：第１ピクセルに液滴を吐出）
上述のように、基板Ｐの表面に、配線パターン形成領域１０、及びビットマップデータを設定した後、制御装置７は、吐出ヘッド２の吐出ノズル１より吐出した液滴Ｄが第１ピクセルＣ１に供給されるように、吐出ヘッド２、吐出ヘッド移動機構４、及び基板ステージ移動機構５のそれぞれを制御して、吐出ヘッド２の吐出ノズル１と基板ステージ３に保持された基板Ｐとの位置関係を調整しつつ、図４４に示すように、第１ピクセルＣ１のそれぞれに、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。
【０４６７】
第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄは、基板Ｐの表面に接触した後、基板Ｐの表面で濡れ拡がる。本実施形態においては、吐出ノズル１から吐出され、基板Ｐの表面に接触する前の液滴Ｄの形状は、吐出方向（Ｚ軸方向）に関してほぼ軸対称であり、基板Ｐの表面に接触した後の形状は、ＸＹ平面内においてほぼ円形状となる。
【０４６８】
第１ピクセルＣ１（エッジピクセルＣｅ）のそれぞれに吐出された液滴Ｄの少なくとも一部は、配線パターン形成領域１０の外側まで濡れ拡がり、配線パターンＦのエッジ（外形）を規定する。
【０４６９】
また、交差部に対応するピクセルＣに設定された第１ピクセルＣ１又はその交差部に対応するピクセルＣと隣接するピクセルＣに設定された第１ピクセルＣ１（ピクセルＣｈ）を含む）に吐出された液滴Ｄは、交差部に対応するピクセルＣに設定された第２ピクセルＣ２まで濡れ拡がり、第１ラインパターンＦ１と第２ラインパターンＦ２との交差部を形成する。
【０４７０】
こうして、第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄは、基板Ｐの表面で濡れ拡がって、第１ピクセルＣ１同士の間で互いに接続される。
【０４７１】
本実施形態においては、第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄが、第１ピクセルＣ１同士の間で互いに接続されるように、第１ピクセルＣ１の中心位置同士、及び第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出される液滴Ｄの量等が最適化されている。なお、制御装置７は、例えば特開２００１−５８４３３号公報等に開示されているように、吐出ヘッド２の駆動波形を調整することによって、第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出される液滴の量を調整することができる。
【０４７２】
本実施形態においては、制御装置７は、設定した複数の第１ピクセルＣ１のそれぞれに関して、液滴Ｄを順次吐出する。制御装置７は、吐出ヘッド２に対して基板Ｐを保持した基板ステージ３の走査方向（Ｙ軸方向）への１回の移動中に、設定した複数の第１ピクセルＣ１のそれぞれに液滴Ｄを吐出する。なお、制御装置７は、複数の第１ピクセルＣ１のそれぞれに液滴Ｄを吐出するために、基板ステージ３を走査方向（Ｙ軸方向）に複数回移動し、その移動動作毎に、吐出ノズル１より液滴Ｄを基板Ｐの表面に吐出するようにしてもよい。
【０４７３】
第１ピクセルＣ１のそれぞれに液滴Ｄを吐出した後、制御装置７は、熱処理装置６等を用いて、基板Ｐの表面に形成された液滴Ｄの膜を乾燥させる。これにより、基板Ｐの表面に配置された液滴Ｄの膜の流動性が低下し、基板Ｐの表面に固定される。
【０４７４】
なお、例えば特開２００５−２８２７６号公報、特開２００５−１４４３２４号公報等に開示されているように、基板Ｐの表面に配置された液滴Ｄの乾燥条件、対流条件等を調整して、第１ピクセルＣ１（エッジピクセルＣｅ）のそれぞれに吐出した液滴Ｄに、ピニング現象を生じさせるようにしてもよい。液滴Ｄの乾燥過程においては、液滴Ｄの周縁部における固形分濃度が飽和濃度に達すると、その周縁部において固形分が局所的に析出する。すると、その析出した固形分によって液滴Ｄの周縁部がピン止めされたような状態となり、それ以降の乾燥に伴う液滴の収縮（外径の収縮）が抑制される。このような、周縁部に析出した固形分によって乾燥に伴う液滴の収縮が抑制される現象（ピニング現象）を生じさせることによって、配線パターンＦのエッジ（外形）を良好に規定することができる。
【０４７５】
その後、熱処理装置６を用いた乾燥処理、あるいは別の装置を用いた焼成処理等を経て、図４２に示したような、所望の配線パターンＦが形成される。
【０４７６】
以上説明したように、互いに直交する第１ラインパターンＦ１及び第２ラインパターンＦ２を含む配線パターンＦを形成するに際し、基板Ｐの表面に、配線パターンＦの設計データに応じた配線パターン形成領域１０を設定するとともに、その配線パターン形成領域１０を、液滴Ｄに応じた大きさをそれぞれ有し、液滴Ｄを吐出可能な領域を規定する複数のピクセルＣによって区画し、それら複数のピクセルＣのうち、液滴Ｄを吐出する第１ピクセルＣ１の配列情報、及び／又は液滴Ｄを吐出しない第２ピクセルＣ２の配列情報、所謂ビットマップデータを作成することによって、そのビットマップデータに基づいて、基板Ｐの表面の所望の位置に液滴Ｄを円滑に吐出できる。
【０４７７】
そして、配線パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣのうち、設計データ上の第１ラインパターンＦ１と第２ラインパターンＦ２とが交わる部分（交差部）に対応するピクセルＣの少なくとも１つが、液滴Ｄを吐出しない第２ピクセルＣ２に設定されるので、バルジ現象等の発生を抑制し、所望の配線パターンを形成できる。
【０４７８】
本発明者は、互いに直交する第１ラインパターンＦ１及び第２ラインパターンＦ２を含む配線パターンＦを液滴吐出法に基づいて形成する場合、例えば、図４５の模式図に示すように、配線パターン形成領域１０を区画するピクセルＣの全てを、液滴Ｄを吐出する第１ピクセルＤに設定したり、第１ピクセルＣ１を均一な密度で設定したり、基板Ｐの表面において液滴Ｄを連続的に設定したりした場合、第１ラインパターンＦ１と第２ラインパターンＦ２とが交わる部分（交差部）に、図４６の模式図に示すように、バルジ現象が発生したり、そのバルジ現象の発生に伴って、形成される配線パターンの一部にクラック、断線等が発生したりする可能性が高くなることを見出した。なお、図４６（Ａ）は、交差部の近傍を示す平面図、図４６（Ｂ）は、図４６（Ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【０４７９】
また、本発明者は、基板Ｐの表面状態、あるいは機能液（液滴Ｄ）の物性等によっては、バルジ現象等の不具合が発生する可能性が高くなることを見出した。例えば、基板Ｐの表面エネルギーが小さい場合（撥液性が高い場合）、あるいは機能液（液滴Ｄ）の表面張力が大きい場合においては、基板Ｐの表面と液滴Ｄとが引き合う力よりも、互いに接する液滴Ｄ同士が表面張力によって引き合う力のほうが強くなる場合がある。この場合、機能液の液滴Ｄが基板Ｐの表面で良好に濡れ拡がらず、図４６に示すように、バルジ現象が発生し、均一な配線パターンＦを形成できなくなる可能性がある。また、バルジ現象の発生に伴って、クラック、断線等が生じる可能性もある。
【０４８０】
本発明者は、配線パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣのうち、第１ラインパターンＦ１と第２ラインパターンＦ２とが交わる部分（交差部）に対応するピクセルＣの少なくとも１つを、液滴Ｄを吐出しない第２ピクセルＣ２に設定することによって、バルジ現象等の発生を抑え、所望の配線パターンＦを形成できることを見出した。
【０４８１】
したがって、本実施形態のように、配線パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣのうち、第１ラインパターンＦ１と第２ラインパターンＦ２とが交わる部分（交差部）に対応するピクセルＣの少なくとも１つを、液滴Ｄを吐出しない第２ピクセルＣ２に設定することによって、バルジ現象等の発生を抑えつつ、所望の配線パターンＦを形成できる。
【０４８２】
そして、第１直線部、及び第２直線部に対応するピクセルＣの全てを、液滴Ｄを吐出する第１ピクセルＣ１に設定し、それら第１ピクセルＣ１に液滴Ｄを吐出することによって、所望の配線パターンＦを形成できる。
【０４８３】
また、本発明者は、第１ラインパターンＦ１と第２ラインパターンＦ２とで形成されるコーナーの内側のピクセルＣｈを、液滴Ｄを吐出する第１ピクセルＣ１に設定し、そのピクセルＣｈに液滴Ｄを吐出することによって、バルジ現象、クラック、断線等の不具合の発生を抑制し、所望の配線パターンＦを形成できることを見出した。したがって、そのコーナーの内側のピクセルＣｈに液滴Ｄを吐出することによって、バルジ現象等を抑制することができる。
【０４８４】
＜第１４実施形態＞
次に、第１４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０４８５】
図４７は、本実施形態に係る基板Ｐの表面に設定された配線パターン形成領域１０、及びビットマップデータを示す図である。本実施形態においても、上述の第１実施形態と同様、図４２に示すような配線パターンＦを形成する場合を例にして説明する。
【０４８６】
まず、配線パターンＦの設計データが、入力装置８を介して、制御装置７に入力される。また、上述の第１実施形態と同様、制御装置７には、基板Ｐの表面状態、及び液滴Ｄの物性等に関するデータが入力装置８を介して入力される。制御装置７は、入力装置８を介して入力された、基板Ｐの表面状態、液滴Ｄの物性、及び配線パターンＦの設計データ等に基づいて、基板Ｐの表面に、配線パターン形成領域１０を設定する。上述の第１実施形態と同様、配線パターン形成領域１０は、最終的に形成される配線パターンＦの大きさよりも僅かに小さくなるように、ＸＹ平面内において所定の大きさを有する所定の形状に設定される。
【０４８７】
また、制御装置７は、少なくとも配線パターン形成領域１０を含む基板Ｐの表面の所定領域を、複数のピクセルＣで区画するとともに、ビットマップデータを作成する。
【０４８８】
上述の第１３実施形態と同様、本実施形態においても、配線パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣのうち、第１ラインパターンＦ１と第２ラインパターンＦ２とが交わる部分（交差部）に対応するピクセルＣの少なくとも１つが、液滴Ｄが吐出されない第２ピクセルＣ２に設定される。本実施形態においては、交差部に対応する４つのピクセルＣのうち、３つのピクセルＣが第２ピクセルＣ２に設定される。
【０４８９】
また、上述の第１３実施形態と同様、本実施形態においても、第１ラインパターンＦ１と第２ラインパターンＦ２とで形成されるコーナーの内側のピクセルＣｈが、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１に設定される。
【０４９０】
本実施形態においては、配線パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣのうち、第１ラインパターンＦ１と第２ラインパターンＦ２とが交わる部分（交差部）に対応する４つのピクセルＣと隣接するピクセルＣの少なくとも１つが、液滴Ｄが吐出されない第２ピクセルＣ２に設定される。具体的には、図４７に示すように、第１直線部に対応する複数（２２個）のピクセルＣのうち、交差部に対応するピクセルＣと隣接するピクセルＣｎ１が、第２ピクセルＣ２に設定されるとともに、第２直線部に対応する複数（２２個）のピクセルＣのうち、交差部に対応するピクセルＣと隣接するピクセルＣｎ２が、第２ピクセルＣ２に設定される。
【０４９１】
また、本実施形態においては、交差部に対応するピクセルＣ、及び交差部に対応するピクセルＣと隣接するピクセルＣ以外の配線パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣの全てが、液滴Ｄが吐出される第１ピクセルＣ１に設定される。
【０４９２】
次に、上述のように設定した配線パターン形成領域１０、及びビットマップデータに基づいて、基板Ｐの表面に液滴Ｄを吐出して、基板Ｐの表面に配線パターンＦを形成する。
【０４９３】
制御装置７は、吐出ヘッド２の吐出ノズル１より吐出した液滴Ｄが第１ピクセルＣ１に供給されるように、吐出ヘッド２、吐出ヘッド移動機構４、及び基板ステージ移動機構５のそれぞれを制御して、吐出ヘッド２の吐出ノズル１と基板ステージ３に保持された基板Ｐとの位置関係を調整しつつ、設定した第１ピクセルＣ１のそれぞれに、吐出ノズル１より液滴Ｄを吐出する。
【０４９４】
第１ピクセルＣ１のそれぞれに吐出された液滴Ｄは、基板Ｐの表面で濡れ拡がって、第１ピクセルＣ１同士の間で互いに接続される。
【０４９５】
その後、熱処理装置６を用いた乾燥処理、あるいは別の装置を用いた焼成処理等を経て、所望の配線パターンＦが形成される。
【０４９６】
以上説明したように、配線パターン形成領域１０を区画する複数のピクセルＣのうち、交差部に対応するピクセルＣと隣接するピクセルＣ（Ｃｎ１、Ｃｎ２）を、液滴Ｄを吐出しない第２ピクセルＣ２に設定することによっても、バルジ現象等の発生を抑制し、所望の配線パターンＦを形成できる。
【０４９７】
なお、上述の第１３、第１４実施形態で説明したビットマップデータは一例である。所望の配線パターンＦを形成可能であるならば、交差部に対応する複数のピクセル、又は交差部に対応するピクセルと隣接するピクセルのうち、任意のピクセルを第２ピクセルＣ２に設定可能である。例えば、図４８〜図５６のそれぞれに示すようなビットマップデータを設定することによっても、所望の配線パターンＦを形成可能である。
【０４９８】
なお、上述の各実施形態において、同一の第１ピクセルＣ１に対して、液滴Ｄを吐出する動作を複数回実行してもよい。すなわち、ある第１ピクセルＣ１に液滴Ｄを吐出した後、その液滴Ｄの上に、次の液滴Ｄを吐出してもよい。
【０４９９】
また、同一の第１ピクセルＣ１に対して、液滴Ｄを吐出する動作を複数回実行する際、各吐出動作のそれぞれにおける液滴Ｄの量（体積）を変えても良い。例えば、液滴Ｄを吐出する動作を複数回実行する際、最後に吐出する液滴Ｄの量を最も多くするようにしてもよい。
【０５００】
＜第１５実施形態＞
次に、第１５実施形態について説明する。本実施形態においては、上述の第１〜第１４実施形態で説明した膜パターン（配線パターン）Ｆの形成装置ＩＪ及び形成方法を用いて、デバイスを製造する場合の一例について説明する。
【０５０１】
例えば、形成装置ＩＪは、図５７に示すような、ＴＦＴアレイ基板２１の少なくとも一部を形成することができる。図５７において、ＴＦＴアレイ基板２１は、ガラス基板２２と、ガラス基板２２上に互いに交差するように配線された走査線２３及びソース線２４と、走査線２３と直交するゲート電極２９と、ソース線２４と直交するソース電極２５Ｓと、ガラス基板２２上に形成されたドレイン電極２５Ｄと、ドレイン電極２５Ｄに接続された画素電極（ＩＴＯ）２６と、走査線２３とソース線２４との間、及びゲート電極２９上に配置された絶縁膜２７と、アモルファスシリコン等の半導体からなるＴＦＴ（Thin Film Transistor）２８とを備えている。
【０５０２】
図５８は、ＴＦＴアレイ基板２１の一部を形成する工程を示す模式図である。図５８（Ａ）に示すように、ガラス基板２２上に、上述の各実施形態で説明した膜パターンＦの形成装置ＩＪ及び形成方法によって、ゲート電極２９が形成される。形成装置ＩＪは、吐出ヘッド２の吐出ノズル１より、ガラス基板２２の一方の面に、ゲート電極２９を形成するための導電性材料を含む機能液の液滴Ｄを吐出する。これにより、ガラス基板２２の一方の面には、ゲート電極２９が形成される。また、形成装置ＩＪは、走査線２３、ソース線２４等も形成可能である。なお、ゲート電極２９、走査線２３、及びソース線２４等を形成するために吐出ノズル１から吐出される液滴Ｄ（機能液）としては、例えば特開２００５−３４８３７号公報に開示されているような、導電性微粒子（有機銀化合物、酸化銀ナノ粒子を含む）を所定の分散媒に分散したものを用いることができる。
【０５０３】
次に、図５８（Ｂ）に示すように、ガラス基板２２上に、ゲート電極２９を覆うように、上述の各実施形態で説明した膜パターンＦの形成装置ＩＪ及び形成方法によって、絶縁膜（ゲート絶縁膜）２７が形成される。形成装置ＩＪは、吐出ヘッド２の吐出ノズル１より、ガラス基板２２の一方の面に、ゲート絶縁膜２７を形成するための絶縁材料を含む機能液の液滴Ｄを吐出する。これにより、ガラス基板２２の一方の面には、ゲート絶縁膜２７が形成される。
【０５０４】
そして、図５８（Ｃ）に示すように、絶縁膜２７の上に、上述の各実施形態で説明した膜パターンＦの形成装置ＩＪ及び形成方法によって、アモルファスシリコン膜２８Ａ、ｎ＋型シリコン膜２８Ｂ、及びソース・ドレイン電極形成用金属膜２５が順次形成される。更にその上に、上述の各実施形態で説明した膜パターンＦの形成装置ＩＪ及び形成方法によって、フォトレジスト膜３０が形成され、露光処理、現像処理、及びエッチング処理を含むフォトリソグラフィ工程、及び残留したフォトレジスト膜３０を取り除くアッシング工程を経て、図５８（Ｄ）に示すように、ＴＦＴ２８を含むＴＦＴアレイ基板２１が形成される。
【０５０５】
また、ドレイン電極２５Ｄに接続される画素電極２６を、上述の実施形態で説明した膜パターンＦの形成装置ＩＪ及び形成方法によって形成することができる。画素電極２６が例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によって形成される場合には、吐出ヘッド２の吐出ノズル１より、ＩＴＯを含む機能液の液滴Ｄがガラス基板２２上に吐出される。
【０５０６】
また、制御装置ＩＪは、例えば液晶装置の少なくとも一部を形成するための材料を含む機能液の液滴Ｄを吐出して、その液晶装置に含まれる膜パターンＦを形成することができる。
【０５０７】
例えば、図５９に示すような液晶装置４０の少なくとも一部を、上述の各実施形態で説明した膜パターンＦの形成装置ＩＪ及び形成方法によって形成することができる。図５９において、液晶装置４０は、ＴＦＴアレイ基板２１と、カラーフィルタ基板３１とを備えており、ＴＦＴアレイ基板２１とカラーフィルタ基板３１との間には、液晶層３２が形成されている。ＴＦＴアレイ基板２１とカラーフィルタ基板３１とは、シール部材３３を介して貼り合わせられている。
【０５０８】
ＴＦＴアレイ基板２１の一方の面及びカラーフィルタ基板３１の一方の面のそれぞれには、ポリイミド等の有機材料からなる配向膜３４、３４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板２１とカラーフィルタ基板３１とは、そのＴＦＴアレイ基板２１の一方の面に形成された配向膜３４と、カラーフィルタ基板３１の一方の面に形成された配向膜３４とが対向するように、貼り合わせられる。また、ＴＦＴアレイ基板２１の他方の面及びカラーフィルタ基板３１の他方の面のそれぞれには、偏光板３５、３５が設けられている。
【０５０９】
図６０は、図５９に示した液晶装置４０の製造工程の一部を示す模式図である。図６０（Ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板２１の一方の面に、上述の各実施形態で説明した膜パターンＦの形成装置ＩＪ及び形成方法によって、配向膜３４が形成される。形成装置ＩＪは、吐出ヘッド２の吐出ノズル１より、ＴＦＴアレイ基板２１の一方の面に、配向膜３４を形成するためのポリイミド等を含む機能液の液滴Ｄを吐出する。これにより、ＴＦＴアレイ基板２１の一方の面には、配向膜３４が形成される。
【０５１０】
なお、不図示であるが、カラーフィルタ基板３１の一方の面にも、上述の各実施形態で説明した膜パターンＦの形成装置ＩＪ及び形成方法によって、配向膜３４が形成される。
【０５１１】
次に、図６０（Ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板２１の一方の面にシール部材３３を配置した後、図６０（Ｃ）に示すように、上述の各実施形態で説明した膜パターンＦの形成装置ＩＪ及び形成方法によって、液晶層３２が形成される。形成装置ＩＪは、吐出ヘッド２の吐出ノズル１より、ＴＦＴアレイ基板２１の一方の面に、液層層３２を形成するための液晶分子を含む機能液の液滴Ｄを吐出する。これにより、ＴＦＴアレイ基板２１の一方の面には、液晶層３２が形成される。
【０５１２】
そして、図６０（Ｄ）に示すように、配向膜３４及び液層層３２が形成されたＴＦＴアレイ基板２１とカラーフィルタ基板３１とが貼り合わせられる。そして、ＴＦＴアレイ基板２１の他方の面及びカラーフィルタ基板３１の他方の面のそれぞれに偏光板３５、３５が設けられて、液晶装置４０が形成される。
【０５１３】
なお、ＴＦＴアレイ基板２１、液晶装置４０のみならず、上述の各実施形態で説明した形成装置ＩＪ及び形成方法を用いて、例えば有機ＥＬ装置、電子回路など、任意のデバイス（電子デバイスを含む）の少なくとも一部を構成する膜パターンを形成することができる。
【０５１４】
また、形成装置ＩＪは、各種配線パターンＦを形成可能である。
【０５１５】
例えば、形成装置ＩＪは、図６１に示すような、半導体モジュール５１の少なくとも一部を形成することができる。図６１において、半導体モジュール５１は、インターポーザ５２と、インターポーザ５２上に搭載された半導体チップ５３と、半導体チップ５３上に搭載された電子部品５４とを備えている。
【０５１６】
インターポーザ５２の表面には、第１の端子５５が形成されている。半導体チップ３の表面には、インターポーザ５２に形成された第１の端子５５と電気的に接続可能な第２の端子５６が形成されている。第１の端子５５と、第２の端子５６とは、ワイヤーボンディングによって接続されている。
【０５１７】
図６２は、半導体チップ５３の一部を上方から見た拡大した図である。図６２において、半導体チップ５３の表面には、電子部品５４と電気的に接続する第３の端子５８が形成されている。また、半導体チップ５３の表面には、第２の端子５６と第３の端子５８とを電気的に接続する配線５７が形成されている。
【０５１８】
配線５７は、第２の端子５６と第３の端子５８とを接続するように形成されている。配線５７の一部は曲がり角を形成しており、上述の実施形態で説明した形成装置ＩＪは、配線５７を良好に形成可能である。
【０５１９】
なお、上述のＴＦＴアレイ基板２１等のみならず、上述の各実施形態で説明した形成装置ＩＪ及び形成方法を用いて、例えば有機ＥＬ装置、電子回路など、任意のデバイス（電子デバイスを含む）の少なくとも一部を構成する配線パターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０５２０】
【図１】第１実施形態に係る膜パターンの形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を示すフローチャートである。
【図３】第１実施形態に係る膜パターンの一例を示す図である。
【図４】第１実施形態に係る膜パターン形成領域及びビットマップデータの一例を示す図である。
【図５】図４の一部を拡大した図である。
【図６】第１実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を説明するための図である。
【図７】第１実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を説明するための図である。
【図８】第１実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を説明するための図である。
【図９】第１実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を説明するための図である。
【図１０】比較例に係る膜パターン形成領域及びビットマップデータの一例を示す図である。
【図１１】第１実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を説明するための図である。
【図１２】第１実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を説明するための図である。
【図１３】第２実施形態に係る膜パターン形成領域及びビットマップデータの一例を示す図である。
【図１４】図１３の一部を拡大した図である。
【図１５】第３実施形態に係る膜パターン形成領域及びビットマップデータの一例を示す図である。
【図１６】第４実施形態に係る膜パターン形成領域及びビットマップデータの一例を示す図である。
【図１７】第５実施形態に係る膜パターン形成領域及びビットマップデータの一例を示す図である。
【図１８】第６実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を示すフローチャートである。
【図１９】第６実施形態に係る膜パターン形成領域及びビットマップデータの一例を示す図である。
【図２０】図１９の一部を拡大した図である。
【図２１】第６実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を説明するための図である。
【図２２】第６実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を説明するための図である。
【図２３】第６実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を説明するための図である。
【図２４】第６実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を説明するための図である。
【図２５】第７実施形態に係る膜パターン形成領域及びビットマップデータの一例を示す図である。
【図２６】図２５の一部を拡大した図である。
【図２７】第８実施形態に係る膜パターン形成領域及びビットマップデータの一例を示す図である。
【図２８】図２７の一部を拡大した図である。
【図２９】第９実施形態に係る膜パターン形成領域及びビットマップデータの一例を示す図である。
【図３０】第１０実施形態に係る膜パターン形成領域及びビットマップデータの一例を示す図である。
【図３１】第１１実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を示すフローチャートである。
【図３２】第１１実施形態に係る膜パターン形成領域及びビットマップデータの一例を示す図である。
【図３３】図３２の一部を拡大した図である。
【図３４】第１１実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を説明するための図である。
【図３５】第１１実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を説明するための図である。
【図３６】第１２実施形態に係る膜パターン形成領域及びビットマップデータの一例を示す図である。
【図３７】図３６の一部を拡大した図である。
【図３８】第１２実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を説明するための図である。
【図３９】第１２実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を説明するための図である。
【図４０】第１２実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を説明するための図である。
【図４１】第１３実施形態に係る配線パターンの形成方法の一例を示すフローチャートである。
【図４２】第１３実施形態に係る配線パターンの一例を示す図である。
【図４３】第１３実施形態に係る配線パターン形成領域及びビットマップデータの一例を示す図である。
【図４４】第１３実施形態に係る配線パターンの形成方法の一例を説明するための図である。
【図４５】比較例に係る配線パターン形成領域及びビットマップデータの一例を示す図である。
【図４６】バルジ現象を説明するための模式図である。
【図４７】第１４実施形態に係る配線パターン形成領域及びビットマップデータの一例を示す図である。
【図４８】ビットマップデータの一例を示す図である。
【図４９】ビットマップデータの一例を示す図である。
【図５０】ビットマップデータの一例を示す図である。
【図５１】ビットマップデータの一例を示す図である。
【図５２】ビットマップデータの一例を示す図である。
【図５３】ビットマップデータの一例を示す図である。
【図５４】ビットマップデータの一例を示す図である。
【図５５】ビットマップデータの一例を示す図である。
【図５６】ビットマップデータの一例を示す図である。
【図５７】形成装置によって形成可能なデバイスの一例を示す模式図である。
【図５８】デバイスの製造工程の一例を示す模式図である。
【図５９】形成装置によって形成可能なデバイスの一例を示す模式図である。
【図６０】デバイスの製造工程の一例を示す模式図である。
【図６１】形成装置によって形成可能なデバイスの一例を示す模式図である。
【図６２】図６１の一部を拡大した図である。
【符号の説明】
【０５２１】
１…吐出ノズル、２…吐出ヘッド、３…基板ステージ、４…吐出ヘッド移動機構、５…基板ステージ移動機構、７…制御装置、１０…膜パターン形成領域（配線パターン形成領域）、１０ｅ…エッジ、１１…第１領域、１１Ｄ…第１位置、１２…第２領域、１２Ｄ…第２位置、Ｃ…ピクセル、Ｃ１…第１ピクセル、Ｃ２…第２ピクセル、Ｃｅ…エッジピクセル、Ｄ…液滴、Ｄ１…第１距離、Ｄ２…第２距離、Ｆ…膜パターン（配線パターン）、ＩＪ…形成装置、Ｐ…基板
【図１】
2008132471.tif 000003
【図２】
2008132471.tif 000004
【図３】
2008132471.tif 000005
【図４】
2008132471.tif 000006
【図５】
2008132471.tif 000007
【図６】
2008132471.tif 000008
【図７】
2008132471.tif 000009
【図８】
2008132471.tif 000010
【図９】
2008132471.tif 000011
【図１０】
2008132471.tif 000012
【図１１】
2008132471.tif 000013
【図１２】
2008132471.tif 000014
【図１３】
2008132471.tif 000015
【図１４】
2008132471.tif 000016
【図１５】
2008132471.tif 000017
【図１６】
2008132471.tif 000018
【図１７】
2008132471.tif 000019
【図１８】
2008132471.tif 000020
【図１９】
2008132471.tif 000021
【図２０】
2008132471.tif 000022
【図２１】
2008132471.tif 000023
【図２２】
2008132471.tif 000024
【図２３】
2008132471.tif 000025
【図２４】
2008132471.tif 000026
【図２５】
2008132471.tif 000027
【図２６】
2008132471.tif 000028
【図２７】
2008132471.tif 000029
【図２８】
2008132471.tif 000030
【図２９】
2008132471.tif 000031
【図３０】
2008132471.tif 000032
【図３１】
2008132471.tif 000033
【図３２】
2008132471.tif 000034
【図３３】
2008132471.tif 000035
【図３４】
2008132471.tif 000036
【図３５】
2008132471.tif 000037
【図３６】
2008132471.tif 000038
【図３７】
2008132471.tif 000039
【図３８】
2008132471.tif 000040
【図３９】
2008132471.tif 000041
【図４０】
2008132471.tif 000042
【図４１】
2008132471.tif 000043
【図４２】
2008132471.tif 000044
【図４３】
2008132471.tif 000045
【図４４】
2008132471.tif 000046
【図４５】
2008132471.tif 000047
【図４６】
2008132471.tif 000048
【図４７】
2008132471.tif 000049
【図４８】
2008132471.tif 000050
【図４９】
2008132471.tif 000051
【図５０】
2008132471.tif 000052
【図５１】
2008132471.tif 000053
【図５２】
2008132471.tif 000054
【図５３】
2008132471.tif 000055
【図５４】
2008132471.tif 000056
【図５５】
2008132471.tif 000057
【図５６】
2008132471.tif 000058
【図５７】
2008132471.tif 000059
【図５８】
2008132471.tif 000060
【図５９】
2008132471.tif 000061
【図６０】
2008132471.tif 000062
【図６１】
2008132471.tif 000063
【図６２】
2008132471.tif 000064