(57)【要約】【課題】受光面の損傷や受光特性の劣化が防止され受光感度が高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１では、光半導体素子１０、環状金属板２０、金属板３０およびバンプ４１，４２が、樹脂５０により封止されている。環状金属板２０および金属板３０それぞれの下面は共通の仮想平面上にある。光半導体素子１０の上面は、仮想平面に対して一方の側に設けられた樹脂５０により覆われている。光半導体素子１０の受光部１３，環状金属板２０の下面および金属板３０の下面は、樹脂５０により覆われることなく露出している。【選択図】図１
2008047830.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１面および第２面を有し、受光部、この受光部を囲む環状金属層、および、この環状金属層の外側に配置された電極パッドが、該第２面に形成された光半導体素子と、
互いに対向する第１面および第２面を有し、該第１面が前記光半導体素子の前記環状金属層と接続された環状金属板と、
互いに対向する第１面および第２面を有し、該第１面が前記光半導体素子の前記電極パッドと接続された金属板と、
を備え、
前記環状金属板および前記金属板それぞれの第２面が共通の仮想平面上にあり、
前記光半導体素子の第１面が、前記仮想平面に対して一方の側に設けられた樹脂により覆われ、
前記光半導体素子の受光部，前記環状金属板の第２面および前記金属板の第２面が、前記樹脂により覆われることなく露出している、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
互いに対向する第１面および第２面を有し、受光部および電極パッドが該第１面に形成され、この受光部に対応する該第２面側の領域を囲む環状金属層が該第２面に形成された光半導体素子と、
互いに対向する第１面および第２面を有し、該第１面が前記光半導体素子の前記環状金属層と接続された環状金属板と、
互いに対向する第１面および第２面を有し、該第１面が前記光半導体素子の前記電極パッドと導電性ワイヤで接続された金属板と、
を備え、
前記環状金属板および前記金属板それぞれの第２面が共通の仮想平面上にあり、
前記光半導体素子の第１面および前記導電性ワイヤが、前記仮想平面に対して一方の側に設けられた樹脂により覆われ、
前記光半導体素子の受光部に対応する第２面側の領域，前記環状金属板の第２面および前記金属板の第２面が、前記樹脂により覆われることなく露出している、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
互いに対向する第１面および第２面を有し、受光部、この受光部を囲む環状金属層、および、この環状金属層の外側に配置された電極パッドが、該第２面に形成された光半導体素子を用いて、請求項１記載の半導体装置を製造する方法であって、
導電性を有する電鋳基板の主面上に所定のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターン形成工程において形成されたレジストパターンを除く前記電鋳基板の主面の露出部上に導電性金属を電着して、前記電鋳基板の主面上に、環状金属板を形成するとともに、この環状金属板の外側に金属板を形成する電着工程と、
前記電着工程の後に、前記電鋳基板から前記レジストパターンを除去するレジストパターン除去工程と、
前記レジストパターン除去工程の後に、前記光半導体素子の環状金属層を前記環状金属板に接着するとともに、前記光半導体素子の電極パッドを前記金属板に接続する光半導体素子搭載工程と、
前記光半導体素子搭載工程の後に前記光半導体素子を樹脂で覆う樹脂封止工程と、
前記樹脂封止工程の後に前記電鋳基板を除去する電鋳基板除去工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置製造方法。
【請求項４】
互いに対向する第１面および第２面を有し、受光部および電極パッドが該第１面に形成され、この受光部に対応する該第２面側の領域を囲む環状金属層が該第２面に形成された光半導体素子を用いて、請求項２記載の半導体装置を製造する方法であって、
導電性を有する電鋳基板の主面上に所定のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターン形成工程において形成されたレジストパターンを除く前記電鋳基板の主面の露出部上に導電性金属を電着して、前記電鋳基板の主面上に、環状金属板を形成するとともに、この環状金属板の外側に金属板を形成する電着工程と、
前記電着工程の後に、前記電鋳基板から前記レジストパターンを除去するレジストパターン除去工程と、
前記レジストパターン除去工程の後に、前記光半導体素子の環状金属層を前記環状金属板に接着するとともに、前記光半導体素子の電極パッドを導電性ワイヤで前記金属板に接続する光半導体素子搭載工程と、
前記光半導体素子搭載工程の後に前記光半導体素子および前記導電性ワイヤを樹脂で覆う樹脂封止工程と、
前記樹脂封止工程の後に前記電鋳基板を除去する電鋳基板除去工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体素子を含む半導体装置、および、このような半導体装置を製造する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光半導体素子は、発光または受光する半導体素子である。その中でも、光を受光する受光部を有する半導体素子は、例えば、入射した光を受光して光電変換するフォトダイオード（ＰＤ）、光の入射位置に応じた値の電気信号を出力するＰＳＤ（Position Sensing Device）、入射光の強度分布に応じた電気信号を出力するＣＣＤ（Charge Coupled Device）やＰＤアレイ等が挙げられる。
【０００３】
このような光半導体素子を含む半導体装置として、特許文献１に開示された樹脂封止型のものが知られている。この特許文献１に開示された半導体装置は、フォトダイオードが樹脂封止されたものであるが、フォトダイオードの受光面が当該樹脂に覆われることなく露出している。このような構成とすることにより、フォトダイオードの受光面に入射する光は、樹脂を通過すること無く受光面に達して受光されるので、樹脂における吸収や反射に因る減衰が防止され、高い感度で受光され得る。
【特許文献１】特開２００３−１７７１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記文献に開示された半導体装置は、トランスファーモールドによりフォトダイオードが樹脂封止されて製造され、その際に金型がフォトダイオードの受光面に密着される。このことから、フォトダイオードの受光面には金型から機械的応力が加わるので、この半導体装置は、受光面が損傷し易く、また、受光特性が劣化し易い。
【０００５】
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、受光面の損傷や受光特性の劣化が防止され受光感度が高い半導体装置および半導体装置製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の発明に係る半導体装置は、(1) 互いに平行な第１面および第２面を有し、受光部、この受光部を囲む環状金属層、および、この環状金属層の外側に配置された電極パッドが、該第２面に形成された光半導体素子と、(2) 互いに対向する第１面および第２面を有し、該第１面が光半導体素子の環状金属層と接続された環状金属板と、(3) 互いに対向する第１面および第２面を有し、該第１面が光半導体素子の電極パッドと接続された金属板と、を備えることを特徴とする。さらに、この第１の発明に係る半導体装置は、環状金属板および金属板それぞれの第２面が共通の仮想平面上にあり、光半導体素子の第１面が、仮想平面に対して一方の側に設けられた樹脂により覆われ、光半導体素子の受光部，環状金属板の第２面および金属板の第２面が、樹脂により覆われることなく露出していることを特徴とする。
【０００７】
また、第２の発明に係る半導体装置は、(1) 互いに対向する第１面および第２面を有し、受光部および電極パッドが該第１面に形成され、この受光部に対応する該第２面側の領域を囲む環状金属層が該第２面に形成された光半導体素子と、(2) 互いに対向する第１面および第２面を有し、該第１面が光半導体素子の環状金属層と接続された環状金属板と、(3) 互いに対向する第１面および第２面を有し、該第１面が光半導体素子の電極パッドと導電性ワイヤで接続された金属板と、を備えることを特徴とする。さらに、この第２の発明に係る半導体装置は、環状金属板および金属板それぞれの第２面が共通の仮想平面上にあり、光半導体素子の第１面および導電性ワイヤが、仮想平面に対して一方の側に設けられた樹脂により覆われ、光半導体素子の受光部に対応する第２面側の領域，環状金属板の第２面および金属板の第２面が、樹脂により覆われることなく露出していることを特徴とする。
【０００８】
これら第１または第２の発明に係る半導体装置は、パッケージに入れられることなく、樹脂封止された形態のままであるので、小型化および薄型化が可能であり、また、例えばプリント基板上における実装の密度の向上が可能である。また、この半導体装置では、光半導体素子の受光面に入射する光は、樹脂を通過すること無く受光面に達して受光されるので、樹脂における吸収や反射に因る減衰が防止され、高い感度で受光され得る。さらに、この半導体装置を製造する際には、光半導体素子に金型を密着させる必要がないので、光半導体素子の損傷や受光特性の劣化が防止される。なお、光半導体素子の電極パッドと、これに接続される外部接続端子としての金属板とは、一般に複数組ある。
【０００９】
第１の発明に係る半導体装置製造方法は、互いに対向する第１面および第２面を有し、受光部、この受光部を囲む環状金属層、および、この環状金属層の外側に配置された電極パッドが、該第２面に形成された光半導体素子を用いて、上記の第１の発明に係る半導体装置を製造する方法であって、(1)導電性を有する電鋳基板の主面上に所定のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、(2) レジストパターン形成工程において形成されたレジストパターンを除く電鋳基板の主面の露出部上に導電性金属を電着して、電鋳基板の主面上に、環状金属板を形成するとともに、この環状金属板の外側に金属板を形成する電着工程と、(3) 電着工程の後に、電鋳基板からレジストパターンを除去するレジストパターン除去工程と、(4) レジストパターン除去工程の後に、光半導体素子の環状金属層を環状金属板に接着するとともに、光半導体素子の電極パッドを金属板に接続する光半導体素子搭載工程と、(5) 光半導体素子搭載工程の後に光半導体素子を樹脂で覆う樹脂封止工程と、(6) 樹脂封止工程の後に電鋳基板を除去する電鋳基板除去工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
また、第２の発明に係る半導体装置製造方法は、互いに対向する第１面および第２面を有し、受光部および電極パッドが該第１面に形成され、この受光部に対応する該第２面側の領域を囲む環状金属層が該第２面に形成された光半導体素子を用いて、上記の第２発明に係る半導体装置を製造する方法であって、(1)導電性を有する電鋳基板の主面上に所定のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、(2) レジストパターン形成工程において形成されたレジストパターンを除く電鋳基板の主面の露出部上に導電性金属を電着して、電鋳基板の主面上に、環状金属板を形成するとともに、この環状金属板の外側に金属板を形成する電着工程と、(3) 電着工程の後に、電鋳基板からレジストパターンを除去するレジストパターン除去工程と、(4) レジストパターン除去工程の後に、光半導体素子の環状金属層を環状金属板に接着するとともに、光半導体素子の電極パッドを導電性ワイヤで金属板に接続する光半導体素子搭載工程と、(5) 光半導体素子搭載工程の後に光半導体素子および導電性ワイヤを樹脂で覆う樹脂封止工程と、(6) 樹脂封止工程の後に電鋳基板を除去する電鋳基板除去工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、受光面の損傷や受光特性の劣化が防止され受光感度が高い半導体装置および半導体装置製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一または同種の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１３】
（第１実施形態）
【００１４】
先ず、本発明に係る半導体装置および半導体装置製造方法の第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る半導体装置１の上面図，断面図および底面図である。同図（ａ）は上面図を示し、同図（ｂ）は断面図を示し、同図（ｃ）は底面図を示す。この図に示される半導体装置１では、光半導体素子１０、環状金属板２０、金属板３０およびバンプ４１，４２が、樹脂５０により封止されている。図２は、第１実施形態に係る半導体装置１に含まれる光半導体素子１０の底面図である、
【００１５】
第１実施形態に係る半導体装置１に含まれる光半導体素子１０は、互いに対向し平行な第１面（上面）および第２面（下面）を有し、環状金属層１１，電極パッド１２および受光部１３が下面に形成されている。光半導体素子１０の下面において、環状金属層１１は受光部１３を囲むように設けられ、電極パッド１２は環状金属層１１の外側に設けられている。この光半導体素子１０は、例えば、入射した光を受光して光電変換するフォトダイオード（ＰＤ）であってもよいし、光の入射位置に応じた値の電気信号を出力するＰＳＤであってもよいし、また、入射光の強度分布に応じた電気信号を出力するＣＣＤやＰＤアレイであってもよい。
【００１６】
環状金属板２０は、互いに対向し平行な第１面（上面）および第２面（下面）を有し、上面が光半導体素子１０の環状金属層１１とバンプ４１で接続されている。金属板３０は、互いに対向し平行な第１面（上面）および第２面（下面）を有し、上面が光半導体素子１０の電極パッド１２とバンプ４２で電気的に接続されていて、外部接続端子として用いられる。なお、光半導体素子１０の電極パッドと、これに接続される外部接続端子としての金属板とは、一般に複数組ある。
【００１７】
樹脂５０としては、一般に樹脂封止型半導体装置を形成する際に用いられる樹脂が用いられ、例えば熱硬化型のエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等が用いられる。環状金属板２０および金属板３０それぞれの下面は共通の仮想平面上にある。光半導体素子１０の上面は、仮想平面に対して一方の側に設けられた樹脂５０により覆われている。しかし、光半導体素子１０の受光部１３，環状金属板２０の下面および金属板３０の下面は、樹脂５０により覆われることなく露出している。
【００１８】
環状金属板２０および金属板３０それぞれの露出した下面が例えばプリント基板上に半田付けされることで、半導体装置１は該基板上に実装される。このような半導体装置１は、パッケージに入れられることなく、樹脂封止された形態のままであるので、小型化および薄型化が可能であり、また、基板上における実装の密度の向上が可能である。
【００１９】
また、この半導体装置１では、光半導体素子１０の受光部１３が樹脂５０により覆われることなく露出している。このことから、光半導体素子１０の受光面１３に入射する光は、樹脂を通過すること無く受光面１３に達して受光されるので、樹脂における吸収や反射に因る減衰が防止され、高い感度で受光され得る。さらに、このような構成を有する半導体装置１を製造する際には、以下に製造方法を説明するように光半導体素子１０に金型を密着させる必要がないので、光半導体素子１０の損傷や受光特性の劣化が防止される。
【００２０】
次に、第１実施形態に係る半導体装置１を製造する方法について説明する。図３は、第１実施形態に係る半導体装置１を製造する方法を説明するフローチャートである。図４および図５は、第１実施形態に係る半導体装置１を製造する方法を説明する工程図である。これらの図では、複数個（図示では３個）の半導体装置１を同時に製造する場合を示している。初めに、図２に示されるような光半導体素子１０が用意される。
【００２１】
レジストパターン形成工程（ステップＳ１）では、導電性を有する電鋳基板９０の主面上に所定のレジストパターン９１が形成される（図４（ａ），（ｂ））。ここで用いられる電鋳基板９０は、両面が平坦な金属板であり、厚みが例えば０.１ｍｍであり、例えばステンレススチール，アルミニウムおよび銅などからなる。この電鋳基板９０の両面にレジスト９１，９２が塗布される（図４（ａ））。ここで塗布されるレジストは、例えば厚み５０μｍのアルカリタイプの感光性フィルムレジストである。このレジストが塗布された電鋳基板９０の一方の主面上に所定パターンのマスクが配され、この状態で紫外線照射による両面露光が行われ、現像処理が行われる。これにより、電鋳基板９０の主面上のレジストが硬化し、所定のレジストパターン９１が形成される（図４（ｂ））。
【００２２】
レジストパターン形成工程（ステップＳ１）に続く電着工程（ステップＳ２）では、レジストパターン９１を除く電鋳基板９０の主面の露出部上に導電性金属が電着されて、電鋳基板９０の主面上に環状金属板２０および金属板３０が形成される（図４（ｃ））。このとき、環状金属板２０の外側に金属板３０が形成される。なお、この電着の前に、必要に応じて化学エッチングによる表面酸化被膜除去や薬品による化学処理等の表面活性化処理が行われる。例えば、電着物としてはニッケルやニッケル−コバルト合金、銅その他種々の金属が用いられ、また、スルファミン酸ニッケルの無光沢浴が使用され、レジストパターン９１の厚さ程度の４０〜５０μｍの厚さで環状金属板２０および金属板３０が形成される。なお、必要に応じて、環状金属板２０および金属板３０それぞれの表面に結着力向上用の金メッキ等を０.３〜０.４μｍ厚で行うのが好ましい。
【００２３】
電着工程（ステップＳ２）に続くレジストパターン除去工程（ステップＳ３）では、電鋳基板９０からレジスト９１，９２が除去される（図４（ｄ））。レジスト除去方法としては、アルカリ溶液による膨潤除去の方法等が可能である。
【００２４】
レジストパターン除去工程（ステップＳ３）に続く半導体素子搭載工程（ステップＳ４）では、光半導体素子１０の環状電極層１１が環状金属板２０にバンプ４１で接続されるとともに、光半導体素子１０の電極パッド１２が金属板３０にバンプ４２で接続される（図５（ａ））。
【００２５】
半導体素子搭載工程（ステップＳ４）に続く樹脂封止工程（ステップＳ５）では、光半導体素子１０、環状金属板２０、金属板３０およびバンプ４１，４２は、樹脂５０により覆われて封止される（図５（ｂ））。このとき、光半導体素子１０の環状電極層１１と環状金属板２０とがバンプ４１でバンプ間に隙間が無い状態で互いに接続されているので、光半導体素子１０の受光部１３と電鋳基板９０との間には樹脂５０は侵入しない。具体的には、電鋳基板９０の上面がモールド金型（上型）に装着されて、そのモールド金型内のキャビティに樹脂５０が圧入される。このとき、電鋳基板９０は樹脂モールド時における下型の機能を果たす。これにより、電鋳基板９０上に複数の光半導体素子１０等が配列されて樹脂５０により一体的に封止された形態となる。なお、モールド時に複数の電鋳基板９０を並列に配置して、樹脂９０をランナーにより分配して各電鋳基板９０と上型との間に圧入するようにすれば、効率よく多数の樹脂封止を行うことが可能である。
【００２６】
樹脂封止工程（ステップＳ５）に続く電鋳基板除去工程（ステップＳ６）では、電鋳基板９０が除去されることにより、光半導体素子１０の受光部１３，環状金属板２０の下面および金属板３０の下面が露出した樹脂封止体が得られる（図５（ｃ））。電鋳基板９０を除去する方法としては、樹脂封止体から電鋳基板９０を機械的に引き剥がす等の強制的に剥離除去する方法の他、電鋳基板９０等を構成する材質に応じては、樹脂封止体側への影響のない溶剤等により電鋳基板９０を溶解して除去する方法も可能である。環状金属板２０および金属板３０それぞれの下面および樹脂５０の下面は、共通の仮想平面上にある。なお、本工程後に必要に応じて、環状金属板２０および金属板３０それぞれの下面に、実装用に金および銀等の導電性金属層の薄膜をフラッシュメッキ等の方法により０.３〜０.５μｍ厚で形成するようにしてもよい。
【００２７】
電鋳基板除去工程（ステップＳ６）に続く切断工程（ステップＳ７）では、図５（ｃ）中において点線で示される切断線に沿って上記の樹脂封止体が切断されて、これにより、個々の半導体装置１（図１）が製造される。
【００２８】
以上のようにして製造される本実施形態に係る半導体装置１は、光半導体素子１０の受光部１３が樹脂５０により覆われることなく露出している。このことから、光半導体素子１０の受光面１３に入射する光は、樹脂を通過すること無く受光面１３に達して受光されるので、樹脂における吸収や反射に因る減衰が防止され、高い感度で受光され得る。さらに、半導体装置１を製造する際には、光半導体素子１０の受光面１３に金型等の他の物が接触しないので、光半導体素子１０の受光面１３の損傷や受光特性の劣化が防止される。
【００２９】
（第２実施形態）
【００３０】
次に、本発明に係る半導体装置および半導体装置製造方法の第２実施形態について説明する。図６は、第２実施形態に係る半導体装置２の上面図，断面図および底面図であり、同図（ａ）は上面図を示し、同図（ｂ）は断面図を示し、同図（ｃ）は底面図を示す。この図に示される半導体装置２では、光半導体素子１０、環状金属板２０、金属板３０、バンプ４１および導電性ワイヤ４３が、樹脂５０により封止されている。図７は、第２実施形態に係る半導体装置２に含まれる光半導体素子１０の上面図，断面図および底面図であり、同図（ａ）は上面図を示し、同図（ｂ）は断面図を示し、同図（ｃ）は底面図を示す。
【００３１】
第２実施形態に係る半導体装置２に含まれる光半導体素子１０は、互いに対向し平行な第１面（上面）および第２面（下面）を有し、電極パッド１２および受光部１３が上面に形成され、環状金属層１１が下面に形成されている。光半導体素子１０の環状金属層１１は、上面における受光部１３に対応する下面側の領域を囲むように設けられている。この光半導体素子１０は、いわゆる裏面入射型のものであって、下面側から入射し透過して上面側の受光部１３に到達した光を受光する。また、この光半導体素子１０は、受光部１３が形成された上面と反対側の下面が研削されて厚みが調整され、これにより受光感度特性が調整されている。
【００３２】
環状金属板２０は、互いに対向し平行な第１面（上面）および第２面（下面）を有し、上面が光半導体素子１０の環状金属層１１とバンプ４１で接続されている。金属板３０は、互いに対向し平行な第１面（上面）および第２面（下面）を有し、上面が光半導体素子１０の電極パッド１２と導電性ワイヤ４３で電気的に接続されていて、外部接続端子として用いられる。なお、光半導体素子１０の電極パッドと、これに接続される外部接続端子としての金属板とは、一般に複数組ある。
【００３３】
樹脂５０としては、一般に樹脂封止型半導体装置を形成する際に用いられる樹脂が用いられ、例えば熱硬化型のエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等が用いられる。環状金属板２０および金属板３０それぞれの下面は共通の仮想平面上にある。光半導体素子１０の上面および導電性ワイヤ４３は、仮想平面に対して一方の側に設けられた樹脂５０により覆われている。しかし、光半導体素子１０の下面における環状金属層１１の内側の領域（すなわち、受光部１３に対応する下面側の領域），環状金属板２０の下面および金属板３０の下面は、樹脂５０により覆われることなく露出している。
【００３４】
環状金属板２０および金属板３０それぞれの露出した下面が例えばプリント基板上に半田付けされることで、半導体装置２は該基板上に実装される。このような半導体装置２は、パッケージに入れられることなく、樹脂封止された形態のままであるので、小型化および薄型化が可能であり、また、基板上における実装の密度の向上が可能である。
【００３５】
また、この半導体装置２では、光半導体素子１０の下面における環状金属層１１の内側の領域（すなわち、受光部１３に対応する下面側の領域）が樹脂５０により覆われることなく露出している。このことから、光半導体素子１０の受光面１３に入射する光は、樹脂を通過すること無く受光面１３に達して受光されるので、樹脂における吸収や反射に因る減衰が防止され、高い感度で受光され得る。さらに、このような構成を有する半導体装置２を製造する際には、以下に製造方法を説明するように光半導体素子１０に金型を密着させる必要がないので、光半導体素子１０の損傷や受光特性の劣化が防止される。
【００３６】
次に、第２実施形態に係る半導体装置２を製造する方法について説明する。第２実施形態に係る半導体装置２を製造する方法を説明するフローチャートは、図３と同様である。第２実施形態に係る半導体装置２を製造する方法を説明する工程図については、前半は図４と同様であり、後半は図８に示されている。図８は、第２実施形態に係る半導体装置２を製造する方法を説明する工程図である。初めに、図７に示されるような光半導体素子１０が用意される。レジストパターン形成工程（ステップＳ１），電着工程（ステップＳ２）およびレジストパターン除去工程（ステップＳ３）については、第１実施形態の場合と同様である。
【００３７】
レジストパターン除去工程（ステップＳ３）に続く半導体素子搭載工程（ステップＳ４）では、光半導体素子１０の環状電極層１１が環状金属板２０にバンプ４１で接続されるとともに、光半導体素子１０の電極パッド１２が金属板３０に導電性ワイヤ４３で接続される（図８（ａ））。
【００３８】
半導体素子搭載工程（ステップＳ４）に続く樹脂封止工程（ステップＳ５）では、光半導体素子１０、環状金属板２０、金属板３０、バンプ４１および導電性ワイヤ４３は、樹脂５０により覆われて封止される（図８（ｂ））。このとき、光半導体素子１０の環状電極層１１と環状金属板２０とがバンプ４１でバンプ間に隙間が無い状態で互いに接続されているので、光半導体素子１０の下面における環状金属層１１の内側の領域（すなわち、受光部１３に対応する下面側の領域）と電鋳基板９０との間には樹脂５０は侵入しない。
【００３９】
樹脂封止工程（ステップＳ５）に続く電鋳基板除去工程（ステップＳ６）では、電鋳基板９０が除去されることにより、光半導体素子１０の下面における環状金属層１１の内側の領域（すなわち、受光部１３に対応する下面側の領域），環状金属板２０の下面および金属板３０の下面が露出した樹脂封止体が得られる（図８（ｃ））。
【００４０】
電鋳基板除去工程（ステップＳ６）に続く切断工程（ステップＳ７）では、図８（ｃ）中において点線で示される切断線に沿って上記の樹脂封止体が切断されて、これにより、個々の半導体装置２（図６）が製造される。
【００４１】
以上のようにして製造される本実施形態に係る半導体装置２は、光半導体素子１０の下面における環状金属層１１の内側の領域（すなわち、受光部１３に対応する下面側の領域）が樹脂５０により覆われることなく露出している。このことから、光半導体素子１０の受光面１３に入射する光は、樹脂を通過すること無く受光面１３に達して受光されるので、樹脂における吸収や反射に因る減衰が防止され、高い感度で受光され得る。さらに、半導体装置２を製造する際には、光半導体素子１０に金型を密着させる必要がないので、光半導体素子１０の損傷や受光特性の劣化が防止される。
【００４２】
（第３実施形態）
【００４３】
次に、本発明に係る半導体装置および半導体装置製造方法の第３実施形態について説明する。図９は、第３実施形態に係る半導体装置３の上面図，断面図および底面図である。同図（ａ）は上面図を示し、同図（ｂ）は断面図を示し、同図（ｃ）は底面図を示す。この図に示される半導体装置３では、光半導体素子１０、環状金属板２０、金属板３０およびバンプ４１，４２が、樹脂５０により封止されている。この半導体装置３に含まれる光半導体素子１０は、図２に示されたものと同様のものである。
【００４４】
図１に示された第１実施形態に係る半導体装置１と比較すると、この図９に示される第３実施形態に係る半導体装置３は、環状金属板２０および金属板３０それぞれの下面に対して樹脂５０の表面が後退している点で相違する。換言すれば、半導体装置３の下面において樹脂５０の表面に対して環状金属板２０および金属板３０が突出している。
【００４５】
この第３実施形態に係る半導体装置３は、第１実施形態に係る半導体装置１と同様の効果を有する他、樹脂５０の表面に対して環状金属板２０および金属板３０それぞれが突出していることにより、プリント基板等に実装する際に半田等の染み出しの問題が軽減される。
【００４６】
この第３実施形態に係る半導体装置３は、図３〜図５を用いて説明した製造方法と略同様にして製造される。ただし、ここで用いられる電鋳基板９０は、導電性金属が電着されるべき領域が他の領域に対して窪んでいる。このような電鋳基板９０を用いて以降は同様にして製造され得る。
【００４７】
なお、同様に、第２実施形態に係る半導体装置２においても、下面において環状金属板２０および金属板３０それぞれの下面に対して樹脂５０の表面が後退していてもよい。
【００４８】
（第４実施形態）
【００４９】
次に、本発明に係る半導体装置および半導体装置製造方法の第４実施形態について説明する。図１０は、第４実施形態に係る半導体装置４の上面図，断面図および底面図である。同図（ａ）は上面図を示し、同図（ｂ）は断面図を示し、同図（ｃ）は底面図を示す。この図に示される半導体装置４では、光半導体素子１０、環状金属板２０、金属板３０およびバンプ４１，４２が、樹脂５０により封止されている。この半導体装置４に含まれる光半導体素子１０は、図２に示されたものと同様のものである。
【００５０】
図１に示された第１実施形態に係る半導体装置１と比較すると、この図１０に示される第４実施形態に係る半導体装置４は、環状金属板２０および金属板３０それぞれの下面に対して樹脂５０の表面が突出している点で相違する。換言すれば、半導体装置４の下面において樹脂５０の表面に対して環状金属板２０および金属板３０それぞれが後退している。
【００５１】
この第４実施形態に係る半導体装置４は、第１実施形態に係る半導体装置１と同様の効果を有する他、樹脂５０の表面に対して環状金属板２０および金属板３０が後退していることにより、プリント基板等に実装する際に半田等の染み出しの問題が軽減される。ただし、この半導体装置４が実装されるプリント基板等の表面においては、半導体装置４の下面の凹凸に応じて、環状金属板２０および金属板３０と接続が可能な形状を有していることが必要である。
【００５２】
この第４実施形態に係る半導体装置４は、図３〜図５を用いて説明した製造方法と略同様にして製造される。ただし、ここで用いられる電鋳基板９０は、導電性金属が電着されるべき領域が他の領域に対して窪んでいる。このような電鋳基板９０を用いて以降は同様にして製造され得る。
【００５３】
なお、同様に、第２実施形態に係る半導体装置２においても、下面において環状金属板２０および金属板３０それぞれの下面に対して樹脂５０の表面が突出していてもよい。
【００５４】
（他の実施形態）
【００５５】
光半導体素子１０の環状金属層１１と環状金属板２０とは、上記の各実施形態ではバンプ４１によりバンプ間に隙間が無い状態で接続されたが、ディスペンサを用いて接着剤により接続されてもよいし、また、マスク印刷によって接着剤、Ａｕ−Ｓｎ等の半田により接続されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置１の上面図，断面図および底面図である。
【図２】第１実施形態に係る半導体装置１に含まれる光半導体素子１０の底面図である、
【図３】第１実施形態に係る半導体装置１を製造する方法を説明するフローチャートである。
【図４】第１実施形態に係る半導体装置１を製造する方法を説明する工程図である。
【図５】第１実施形態に係る半導体装置１を製造する方法を説明する工程図である。
【図６】第２実施形態に係る半導体装置２の上面図，断面図および底面図である。
【図７】第２実施形態に係る半導体装置２に含まれる光半導体素子１０の上面図，断面図および底面図である。
【図８】第２実施形態に係る半導体装置２を製造する方法を説明する工程図である。
【図９】第３実施形態に係る半導体装置３の上面図，断面図および底面図である。
【図１０】第４実施形態に係る半導体装置４の上面図，断面図および底面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１〜４…半導体装置、１０…光半導体素子、１１…環状金属層、１２…電極パッド、１３…受光面、２０…環状金属板、３０…金属板、４１，４２…バンプ、４３…導電性ワイヤ、５０…樹脂、９０…電鋳基板、９１，９２…レジスト。
【図１】
2008047830.tif 000003
【図２】
2008047830.tif 000004
【図３】
2008047830.tif 000005
【図４】
2008047830.tif 000006
【図５】
2008047830.tif 000007
【図６】
2008047830.tif 000008
【図７】
2008047830.tif 000009
【図８】
2008047830.tif 000010
【図９】
2008047830.tif 000011
【図１０】
2008047830.tif 000012