(57)【要約】【課題】カラー／モノクロスキャンモードを有する複写機では、モノクロスキャン時に高速読み出しが要求されるため、ラインセンサの蓄積時間が短くなる分、その出力が低下してしまう。【解決手段】モノクロ画素と複数の異なる色成分のカラー画素と、各色毎の光信号を保持する保持手段とを含んだ複数の基本セルと、各色毎に設けられた複数の光信号共通出力線を含み、基本セル内の保持手段の間を接続するＭＯＳトランジスタを有し、各々のカラー画素に対応して接続されるＭＯＳトランジスタのドレイン容量が等しくなるようレイアウトされ、保持手段にそれぞれ接続するＭＯＳトランジスタのドレイン領域の両側にゲート電極が形成されており、ゲート電極の一部は基本セル間に配置されており、該基本セル間に配置されたゲート電極には、ＭＯＳトランジスタのゲート電極が接続された制御配線とは異なる制御配線が接続される。【選択図】図１
2008263298.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モノクロ画素及び複数の異なる色成分のカラー画素と、各色毎の光信号を保持する保持手段とを含んだ複数の基本セルと、各色毎に設けられた複数の光信号共通出力線を含み、
前記基本セルの内部の前記保持手段の間を接続するＭＯＳトランジスタを有し、各々のカラー画素に対応して接続される前記ＭＯＳトランジスタのドレイン容量が等しくなるようレイアウトされたラインセンサであって、
前記保持手段にそれぞれ接続する前記ＭＯＳトランジスタのドレイン領域の両側にゲート電極が形成されており、前記ゲート電極の一部は前記基本セル間に配置されており、該基本セル間に配置されたゲート電極には、前記基本セルの内部に配置された前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極が接続された制御配線とは異なる制御配線が接続されていることを特徴とするラインセンサ。
【請求項２】
前記カラー画素の各色成分は、Ｒ，Ｇ，Ｂの三つの色成分であることを特徴とする請求項１記載のラインセンサ。
【請求項３】
前記基本セルの内部の保持手段の間を接続するＭＯＳトランジスタを導通させることによって、モノクロ画素に対応する保持手段とカラー画素に対応する保持手段とを導通させた状態で、モノクロ画素に対応する前記光信号共通出力線への読み出し動作を行うモノクロ読み出しモードを有することを特徴とする請求項１記載のラインセンサ。
【請求項４】
前記ＭＯＳトランジスタが、隣接する２つのＭＯＳトランジスタのゲートとゲートの間に形成されたひとつのドレイン領域を互いのドレイン領域として共用しており、かつ前記共用されたドレイン領域が前記保持手段に接続していることを特徴とする請求項１記載のラインセンサ。
【請求項５】
複数の異なる色成分のカラー画素と、各色毎の光信号を保持する保持手段とを含んだ複数の基本セルと、各色毎に設けられた複数の光信号共通出力線を含み、
前記基本セルの内部の前記保持手段の間を接続するＭＯＳトランジスタを有し、各々のカラー画素に対応して接続される前記ＭＯＳトランジスタのドレイン容量が等しくなるようレイアウトされたラインセンサであって、
前記保持手段にそれぞれ接続する前記ＭＯＳトランジスタのドレイン領域の両側にゲート電極が形成されており、前記ゲート電極の一部は前記基本セル間に配置されており、該基本セル間に配置されたゲート電極には、前記基本セルの内部に配置された前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極が接続された制御配線とは異なる制御配線が接続されていることを特徴とするラインセンサ。
【請求項６】
前記カラー画素の各色成分は、Ｒ，Ｇ，Ｂの三つの色成分であることを特徴とする請求項５記載のラインセンサ。
【請求項７】
前記基本セルの内部の保持手段の間を接続するＭＯＳトランジスタを導通させることによって、或る一つのカラー画素に対応する保持手段と他のカラー画素に対応する保持手段とを導通させた状態で、前記或る一つのカラー画素に対応する前記光信号共通出力線への読み出し動作を行うモノクロ読み出しモードを有することを特徴とする請求項５記載のラインセンサ。
【請求項８】
前記ＭＯＳトランジスタが、隣接する２つのＭＯＳトランジスタのゲートとゲートの間に形成されたひとつのドレイン領域を互いのドレイン領域として共用しており、かつ前記共用されたドレイン領域が前記保持手段に接続していることを特徴とする請求項５記載のラインセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的にラインセンサに関し、特にモノクロ画像撮像時のゲイン増加が可能なラインセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
画素が一次元状に配列されてなるラインセンサは、複写機やファクシミリ等の画像入力装置やスキャナ等の画像読み取り装置のイメージセンサとして用いられている。
【０００３】
一般的に、このようなラインセンサをカラー読出しモードとモノクロ読出しモードの両スキャンモードを有する複写機に用いた場合、特にモノクロスキャン時の高速読み出しが要求される。しかし、読み出し期間を高速化すれば、電荷の蓄積時間が短くなる分、ラインセンサの出力が低下してしまう。よって、モノクロスキャン時の感度増加が必要となる。
【０００４】
感度増加を行う一つの手段として、図１３に示すような、光信号を保持容量上で加算する手法が知られている（特許文献１参照）。
【０００５】
図１３においては、ＨＬ１，  ＨＬ２，  ＨＬ３，，，を制御することにより、画素から光信号を行単位で、保持容量ＣＴ１，  ＣＴ２，  ＣＴ３，，，に読み出す。この時、保持容量ＣＴ１，  ＣＴ３，  ＣＴ５，，，には同一行の同色画素の光信号が保持されている。また、保持容量ＣＴ２，  ＣＴ４，  ＣＴ６，，，にも同一行の同色画素の光信号が保持されている。この状態で、ΦＢＬＫをハイレベルとすると、保持容量ＣＴ１とＣＴ３とＣＴ５、保持容量ＣＴ２とＣＴ４とＣＴ６、・・・といった同色画素の信号が加算される。その後、水平走査回路により、ＳＷＣ１とＳＷＣ２、ＳＷＣ３とＳＷＣ４、・・・と順次導通させ、加算信号を水平出力線に読み出していく。
【０００６】
図１３においては、３つの保持容量ＣＴを加算して水平出力線に読み出す。この時の信号の読み出しゲインＧは、水平出力線の容量をＣＨとすると、
【０００７】
【数１】
2008263298.tif 000003
【０００８】
である。上式からわかるように、保持容量から水平出力線へ信号を読み出す際のゲインＧは、保持容量が大きい程、大きくなる。よって、保持容量ＣＴ上で光信号を加算することによって、感度を増加させることが可能となる。
【特許文献１】特開２００６−５０６５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述のような信号加算はセンサの解像度を低下させてしまう。また図１３において、信号を加算するためのＭＯＳトランジスタＳＷｄ１，ＳＷｄ２，ＳＷｄ３，，，は、信号を加算しない場合、各ＣＴに付加される寄生容量をばらつかせる要因となる。例えば、ＣＴ１にはＳＷｄ１、ＣＴ５にはＳＷｄ３、と一つずつのＭＯＳトランジスタが接続されているのに対して、ＣＴ３にはＳＷｄ１とＳＷｄ３の二つのＭＯＳトランジスタが接続されている。よって、ＣＴ３に付加されるドレイン容量がＣＴ１とＣＴ５と比較して大きくなる。このことにより、実効的な保持容量の値がそれぞれ異なってしまうため、列毎に共通出力線への読み出しゲインがばらついてしまう。また、列間で出力にオフセットが生じ、これらは列毎の固定パターンノイズとなる。また、列毎にランダムノイズの大きさが異なってくる。
【００１０】
そこで、解像度を低下させることなくモノクロスキャン時のゲインを増加させることが可能なラインセンサを提供することを目的として以下の構成が考えられる。また、カラースキャン時に各保持容量に付加される寄生容量のバラツキを低減させて読み出すことが可能なラインセンサを提供することを目的として以下の構成が考えられる。
【００１１】
図３は上記の目的を達成するためのラインセンサの構成を示す概略図であり、図４は図３のラインセンサの動作を示すタイミング図である。
【００１２】
図３のラインセンサは、Ｗ（モノクロ），Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）画素１Ｗ，１Ｒ，１Ｇ，１Ｂを含む基本セル２２を複数有する。また更に、各色毎の光信号共通出力線６Ｗ，６Ｒ，６Ｇ，６Ｂと、走査回路２３と、リセット手段８と、出力回路部７Ｗ，７Ｒ，７Ｇ，７Ｂとを有している。容量５Ｗ，５Ｒ，５Ｇ，５Ｂは各色毎の光信号共通出力線６Ｗ，６Ｒ，６Ｇ，６Ｂにそれぞれ付加する容量である。以下で説明するモノクロスキャンモード時には画素１Ｗの信号を読み出す。またカラースキャンモード時には画素１Ｗ，１Ｒ，１Ｇ，１Ｂの信号をそれぞれ読み出す。
【００１３】
基本セル２２は、その内部に画素１Ｗ，１Ｒ，１Ｇ，１Ｂを備える。基本セル２２は、それらに加えて、各画素からの光信号を保持する光信号保持手段３Ｗ，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを備える。基本セル２２は、更に、各画素に接続され、光信号保持手段３Ｗ，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂへの信号の書き込みを制御する第一のスイッチ手段２を有する。また、光信号保持手段３Ｗ，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂから光信号共通出力線６Ｗ，６Ｒ，６Ｇ，６Ｂへの信号読出しを制御する第二のスイッチ手段４と、光信号保持手段３Ｗ，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ間の相互の接続を制御する第三のスイッチ手段１１とを有する。また、第一のスイッチ手段２と光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの間に第四のスイッチ手段９を有する。さらに、第二のスイッチ手段４と光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの間に第五のスイッチ手段１０を有する。
【００１４】
尚、本例においては、光信号保持手段３Ｗ，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂとして容量素子を用いている。また、第一のスイッチ手段２、第二のスイッチ手段４、第三のスイッチ手段１１、第四のスイッチ手段９、第五のスイッチ手段１０として、ＮＭＯＳトランジスタ素子を用いた場合を例にとって説明する。
【００１５】
第三のスイッチ手段１１は、３つのＮＭＯＳトランジスタ素子を備える。中央のＮＭＯＳトランジスタ１１Ｇが、隣接する２つのＭＯＳトランジスタ１１Ｒ、１１Ｂのゲートとゲートの間に形成されたひとつのドレイン領域を互いのドレイン領域として共用しており、かつ共用されたドレイン領域が保持手段３Ｒ、３Ｇに接続されている。
【００１６】
まず、このラインセンサのモノクロスキャンモード時の動作について、図４のタイミングチャートを用いて説明する。制御配線上のΦＴは第一のスイッチ手段２を制御する制御信号である。制御配線上のΦ１、Φ２は走査回路２３から順次出力されるシフトパルスであり、第２のスイッチ手段４, ４’をそれぞれ制御する。制御配線上のΦＣＨＲはリセット手段を制御する制御信号である。また、ここでは図示していないが、第三のスイッチ手段１１は制御配線上の制御信号ΦＭＯＤＥ＿ｂで制御され、第四のスイッチ手段９、第五のスイッチ手段１０は制御配線上の制御信号ΦＭＯＤＥで制御されるものである。
【００１７】
モノクロスキャンモード時にはΦＭＯＤＥがローレベル、ΦＭＯＤＥ＿ｂがハイレベルとなり、第三のスイッチ手段１１は全ての基本セル２２でオンとなり、第四のスイッチ手段９及び第五のスイッチ手段１０は全ての基本セル２２でオフとなる。以下、この時の動作について説明する。
【００１８】
まず、ΦＴをハイレベルにすることにより、全ての基本セル一括で第一のスイッチ手段２をオンする。この時、第四のスイッチ手段９がオフとなっているため、画素１Ｒ，１Ｇ，１Ｂにより得られた光信号は光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂには読み出されない。
【００１９】
一方、画素１Ｗにより得られた光信号は光信号保持手段３Ｗに読み出されるが、この時、第三のスイッチ手段１１がオンとなっているため、光信号保持手段３Ｗには並列に光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂが接続されている。よって、画素１Ｗの光信号は光信号保持手段３Ｗ，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの並列容量に読み出される。
【００２０】
次に、ΦＣＨＲをハイレベルにすることにより、光信号共通出力線６Ｗ，６Ｒ，６Ｇ，６Ｂは、所望のリセット電圧ＶＣＨＲにリセットされる。
【００２１】
その後、走査回路２３のシフトパルスΦ１を用いて第二のスイッチ手段４をオンする。この時、第五のスイッチ手段１０はオフとなっているので、光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂは光信号共通出力線６Ｒ，６Ｇ，６Ｂから切り離されている。よって、光信号共通出力線６Ｗにのみ、光信号保持手段３Ｗ，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの並列容量に保持された光信号が読み出される。光信号保持手段１つあたりの容量値をＣＴとすると、この時の並列容量値は、４ＣＴである。この時の信号の読み出しゲインＧは、光信号共通出力線６Ｗの容量をＣＨとして、
【００２２】
【数２】
2008263298.tif 000004
【００２３】
である。光信号共通出力線６Ｗに読み出された光信号は出力回路部７Ｗに入力され、光信号が出力される。その後、ΦＣＨＲをハイレベルにすることにより再度、光信号共通出力線６Ｗは所望のリセット電圧ＶＣＨＲにリセットされる。
【００２４】
次に、走査回路２３のシフトパルスΦ２により第二のスイッチ手段４’をオンし、同様な読み出し動作を繰り返す。よって、出力回路部７Ｗからは、まず基本セル２２のモノクロ画素の光信号が読み出され、次に基本セル２２’のモノクロ画素の光信号、というふうに順次読み出される。
【００２５】
一方、カラースキャンモード時には、図３において、ΦＭＯＤＥがハイレベル、ΦＭＯＤＥ＿ｂがローレベルとなり、第三のスイッチ手段１１は全ての基本セル２２でオフとなり、第四のスイッチ手段９及び第五のスイッチ手段１０は全ての基本セル２２でオンとなる。
【００２６】
画素１Ｗ，１Ｒ，１Ｇ，１Ｂにより得られた光信号は光信号保持手段３Ｗ，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに、ΦＴをハイレベルにすることで、第一のスイッチ手段２をオンすることによって読み出される。その後、ΦＣＨＲをハイレベルにすることにより、光信号共通出力線６Ｗ，６Ｒ，６Ｇ，６Ｂは、所望のリセット電圧ＶＣＨＲにリセットされる。
【００２７】
次に、走査回路２３のシフトパルスΦ１により第二のスイッチ手段４をオンし、光信号保持手段３Ｗ，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの光信号を光信号共通出力線６Ｗ，６Ｒ，６Ｇ，６Ｂに読み出す。光信号保持手段１つあたりの容量値をＣＴとすると、それぞれの信号の読み出しゲインＧは、光信号共通出力線６Ｗ，６Ｒ，６Ｇ，６Ｂの寄生容量をＣＨとして、
【００２８】
【数３】
2008263298.tif 000005
【００２９】
である。その後、出力回路部７Ｗ，７Ｒ，７Ｇ，７Ｂから各色成分毎の光信号を読み出した後、光信号共通出力線６Ｗ，６Ｒ，６Ｇ，６Ｂは、ΦＣＨＲをハイレベルにすることにより再度、所望のリセット電圧ＶＣＨＲにリセットされる。
【００３０】
次に、走査回路２３のシフトパルスΦ２により第二のスイッチ手段４’をオンし、同様な読み出し動作を繰り返す。よって、出力回路部７Ｗ，７Ｒ，７Ｇ，７Ｂからは、まず１つ目の基本セル２２のモノクロ画素及びＲ，Ｇ，Ｂ画素の光信号が同時に読み出され、次に２つ目の基本セル２２’のモノクロ画素及びＲ，Ｇ，Ｂ画素の光信号、というふうに順次読み出される。
【００３１】
このようにして、カラースキャンモード時には、モノクロ画素及びＲ，Ｇ，Ｂ画素からの出力の同時読み出しが行われる。
【００３２】
ここで、（１）式と（２）式を比較すると、モノクロスキャンモード時の方が、光信号共通出力線への読み出しゲインが大きい。よって、光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを光信号保持手段３Ｗに並列に接続して、光信号共通出力線６Ｗに読み出すことにより、モノクロスキャン時の感度増加が可能となっていることがわかる。
【００３３】
これにより、高速でモノクロスキャンを行い、蓄積時間が短くなる際のラインセンサの出力低下を補うことができる。言い換えると、本例に係るラインセンサを用いることによって、より高速なモノクロスキャンを行うことが可能となる。
【００３４】
また、本例においては、モノクロスキャン時に用いられない光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを光信号保持手段３Ｗに接続して、読み出しゲインの増加を達成している。これにより、信号加算を行った際にも、図３において、一つの基本セル２２から一つのモノクロ信号が得られる。よって、解像度を低下させることなくモノクロスキャン時のゲイン増加を行うことができる。
【００３５】
一方、上述のようにカラースキャンモード時には、第三のスイッチ手段１１は全ての基本セル２２でオフとし、各色の光信号を光信号保持手段３Ｗ，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂから各色毎の光信号共通出力線６Ｗ，６Ｒ，６Ｇ，６Ｂに読み出す。
【００３６】
この時、光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに付加される寄生容量にバラツキがあると、各色毎に光信号共通出力線６Ｒ，６Ｇ，６Ｂへ信号を読み出す際の読み出しゲインが異なってしまう。つまり、Ｒ，Ｇ，Ｂ間の相対感度が設計値からずれてしまう。
【００３７】
また、光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに付加される寄生容量にバラツキがあると、画素１Ｒ，１Ｇ，１Ｂから信号を光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに書き込む際に重畳される熱雑音の大きさが異なる。加えて、図３においてΦＴがオフする際に光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに保持されている光信号に重畳されるリセットノイズの大きさが異なる。つまり、色間でランダムノイズの大きさが異なってしまう。
【００３８】
更にまた、光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに付加される寄生容量にバラツキがあると、ΦＴがオフする際の光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ上の電位のフラレ量が異なる。上述のようにフラレ量が異なると、暗時においても出力回路部７Ｒ，７Ｇ，７Ｂから出力される各信号の電位は等しくならない。つまり、色間の出力信号間のオフセット成分が大きくなってしまう。
【００３９】
図５はＭＯＳトランジスタで構成された第三のスイッチ手段１１の模式平面図である。本例においては、第三のスイッチ手段１１を図５のようにレイアウトすることによって、光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに付加される寄生容量のバラツキを低減している。
【００４０】
図５において、配線１２Ｗは光信号保持手段３Ｗと第三のスイッチ手段１１Ｒのソースもしくはドレイン領域及び第二のスイッチ手段４Ｗを接続するものである。また、図５において、配線１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂと第三のスイッチ手段１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂのソースもしくはドレイン領域及び第五のスイッチ手段１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを接続するものである。１３は半導体領域であり、第三のスイッチ手段１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂのソースもしくはドレイン領域が形成される。また、１４は第三のスイッチ手段１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの共通ゲート電極であり、前記ソースもしくはドレイン領域の間の半導体領域上に形成される。
【００４１】
図６は図５のａ−ｂの断面図である。配線１２Ｗ，１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂはコンタクト１６を介して第三のスイッチ手段１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂのソースもしくはドレイン領域１５Ｗ，１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂに接続されている。１８はＭＯＳトランジスタのウエル層である。２４は素子分離領域であり、図５の基本セル間に対応して形成される。
【００４２】
ソースもしくはドレイン領域１５Ｗ，１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂはウエル層１８との間に接合容量１７Ｗ，１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂを形成する。また、配線１２Ｗ，１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、第三のスイッチ手段１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂのゲート電極１４との間に寄生容量２０を形成する。
【００４３】
ドレイン容量はドレイン領域の面積に応じてほぼその大きさが決まる。図５に示したように、配線１２Ｗ，１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂにそれぞれ接続するドレイン領域の数がいずれもひとつずつであり、かつそれぞれのドレイン面積が等しくなるように第三のスイッチ手段１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを構成するＭＯＳトランジスタのゲート幅を決めている。これにより、配線１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに付加されるドレイン容量はほぼ等しくすることができる。よって、配線１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに接続する光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに付加される寄生容量の差を軽減することができる。
【００４４】
図６において、金属配線１２Ｒ，１２Ｇには、第三のスイッチ手段１１のゲート電極１４との間の寄生容量２０がそれぞれ２つずつ付加されている。しかし、配線１２Ｂには１つしか付加されていない。よって、図６においてもまだ、光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに付加される寄生容量に差が存在する。
【００４５】
そこで、本発明は、各色の光信号保持手段に付加される寄生容量の差がなくなったラインセンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００４６】
上記課題を解決するために、本発明によるラインセンサは、モノクロ画素及び複数の異なる色成分のカラー画素と、各色毎の光信号を保持する保持手段とを含んだ複数の基本セルと、各色毎に設けられた複数の光信号共通出力線を含み、前記基本セルの内部の前記保持手段の間を接続するＭＯＳトランジスタを有し、各々のカラー画素に対応して接続される前記ＭＯＳトランジスタのドレイン容量が等しくなるようレイアウトされたラインセンサであって、前記保持手段にそれぞれ接続する前記ＭＯＳトランジスタのドレイン領域の両側にゲート電極が形成されており、前記ゲート電極の一部は前記基本セル間に配置されており、該基本セル間に配置されたゲート電極には、前記基本セルの内部に配置された前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極が接続された制御配線とは異なる制御配線が接続されていることを特徴とする。
【００４７】
また、本発明によるラインセンサは、複数の異なる色成分のカラー画素と、各色毎の光信号を保持する保持手段とを含んだ複数の基本セルと、各色毎に設けられた複数の光信号共通出力線を含み、前記基本セルの内部の前記保持手段の間を接続するＭＯＳトランジスタを有し、各々のカラー画素に対応して接続される前記ＭＯＳトランジスタのドレイン容量が等しくなるようレイアウトされたラインセンサであって、前記保持手段にそれぞれ接続する前記ＭＯＳトランジスタのドレイン領域の両側にゲート電極が形成されており、前記ゲート電極の一部は前記基本セル間に配置されており、該基本セル間に配置されたゲート電極には、前記基本セルの内部に配置された前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極が接続された制御配線とは異なる制御配線が接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００４８】
本発明によれば、解像度を低下させることなくモノクロスキャン時のゲインを増加させる効果を得る事ができる。また、信号を非加算で読み出す際に各保持容量に付加される寄生容量のバラツキを低減させる効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
以下、図面に基づき本発明に係るラインセンサについて説明する。
【００５０】
図１は第三のスイッチ手段１１の第二の模式平面図である。図１において、２１は半導体領域であり、第三のスイッチ手段１１のソースもしくはドレイン領域が形成される。前記半導体領域２１は基本セル間にまたがって形成されている。１９は第２のゲート電極である。第２のゲート電極１９の電位を常にローレベルとして、光信号保持手段３Ｂと３Ｗ’間を常に非導通にすることで、電気的には図３の回路構成を実現したものである。
【００５１】
図２は図１のｃ−ｄの断面図である。図２からわかるように、金属配線１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂには寄生容量２０がそれぞれ２つずつ付加されている。よって、図６と比較して、光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに付加される寄生容量の差を更に軽減することができる。
【００５２】
これにより、Ｒ，Ｇ，Ｂ間の読み出しゲインのバラツキによる相対感度の設計値からのずれ、Ｒ，Ｇ，Ｂ間のランダムノイズの大きさの差異、Ｒ，Ｇ，Ｂの出力信号間のオフセット成分を軽減することができる。
【００５３】
このようにして、本実施形態においては、モノクロスキャン時のゲインを増加させることが可能なラインセンサを、解像度を低下させることなく、また、信号を非加算で読み出す際の寄生容量のバラツキを低減させて提供することができる。
【００５４】
尚、第三のスイッチ手段１１は、図３に示した構成に限られるものではない。光信号保持手段３Ｗと３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの導通と非導通の切り替えができ、かつ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに付加される容量が等しくなるよう配置できれば、どのような構成でも構わない。また、本例においては、３Ｗと３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの４つの加算例を示したが、これに限るものではない。また、図３では、ｎＭＯＳトランジスタ素子を用いているが、他のスイッチ手段でも構わない。例えば、ＣＭＯＳスイッチを用いても構わない。
【００５５】
尚、第四のスイッチ手段９は、図３に示した構成に限られるものではなく、各々のカラー画素１Ｒ，１Ｇ，１Ｂと各々のカラー画素の光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ間の導通と非導通の切り替えができればどのような構成でも構わない。例えば、第四のスイッチ手段９は、各々のカラー画素１Ｒ，１Ｇ，１Ｂと第一のスイッチ手段２との間に接続される構成でも構わない。また、図３では、ｎＭＯＳトランジスタ素子を用いているが、他のスイッチ手段でも構わない。例えば、ＣＭＯＳスイッチを用いても構わない。
【００５６】
また、第五のスイッチ手段１０は、図３に示した構成に限られるものではなく、各々のカラー画素の光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂと光信号共通出力線６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ間の導通と非導通の切り替えができればどのような構成でも構わない。例えば、第五のスイッチ手段１０は、光信号共通出力線６Ｒ，６Ｇ，６Ｂと第二のスイッチ手段４との間に接続される構成でも構わない。また、図３では、ｎＭＯＳトランジスタ素子を用いているが、他のスイッチ手段でも構わない。例えば、ＣＭＯＳスイッチを用いても構わない。
【００５７】
図７に本発明に係るラインセンサの第一の実施形態を示す。但し、ここでは参考形態との相違点についてのみ説明する。
【００５８】
図７において、図３のラインセンサと異なる点は、第四のスイッチ手段９及び第五のスイッチ手段１０をより少ない素子数で実現していることである。基本セル２２内の素子数削減により、受光部の面積を増やして一層の感度増加を図ることが可能となる。
【００５９】
図７において、第四のスイッチ手段９は９−１，９−２から成っている。また、第五のスイッチ手段１０は１０−１，１０−２から成っている。
【００６０】
モノクロスキャンモード時にはΦＭＯＤＥがローレベル、ΦＭＯＤＥ＿ｂがハイレベルとなり、第三のスイッチ手段１１は全ての基本セル２２でオンとなる。また、第五のスイッチ手段１０の内、１０−１はオフとなり、１０−２はオンとなる。この時、第二のスイッチ手段４の内、４Ｒ，４Ｇ，４Ｂは常にオフとなる。さらにまた、第四のスイッチ手段９の内、９−１はオフとなり、９−２はオンとなる。この時、第一のスイッチ手段２の内、２Ｒ，２Ｇ，２Ｂは常にオフとなる。
【００６１】
よって、ΦＴをハイレベルにすることにより、画素１Ｗの光信号は光信号保持手段３Ｗ，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの並列容量に読み出される。その後、走査回路２３のシフトパルスΦ１により、第二のスイッチ手段４の内、４Ｗのみがオンとなる。よって、光信号共通出力線６Ｗにのみ、光信号保持手段３Ｗ，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの並列容量の光信号が読み出される。読み出しゲインは参考形態のモノクロスキャンモード時と同様である。
【００６２】
一方、カラースキャンモード時にはΦＭＯＤＥがハイレベル、ΦＭＯＤＥ＿ｂがローレベルとなり、第三のスイッチ手段１１は全ての基本セル２２でオフとなる。また、第五のスイッチ手段１０の内、１０−１はオンとなり、１０−２はオフとなる。さらにまた、第四のスイッチ手段９の内、９−１はオンとなり、９−２はオフとなる。この時、図７のラインセンサの動作は、カラースキャンモード時の図３のラインセンサと同様で、モノクロ画素及びＲ，Ｇ，Ｂ画素からの出力の同時読み出しを行う。光信号共通出力線への読み出しゲインは参考形態のカラースキャンモード時と同様である。
【００６３】
よって、本実施形態においても参考形態と同様に、モノクロスキャン時の感度の増加を、解像度を低下させることなく可能としている。
【００６４】
本実施形態では、モノクロスキャン時のゲイン増加のために、第三のスイッチ手段１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ及び第五のスイッチ手段１０−１，１０−２及び第四のスイッチ手段９−１，９−２を用いている。第四のスイッチ手段９−１，９−２は基本セル２２に含まれないので、基本セルあたり５個のスイッチ手段でモノクロスキャン時のゲイン増加を達成しているので、参考形態よりも少ない回路規模で同様の効果を得る事ができる。
【００６５】
また、本実施形態においても、第三のスイッチ手段１１の配置を図５もしくは図１のようにすることによって、光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに付加される寄生容量のバラツキを低減させることができる。
【００６６】
図８に本発明に係るラインセンサの第二の実施形態を示す。但し、ここでは参考形態との相違点についてのみ説明する。図９は図８のラインセンサの動作を示すタイミング図である。
【００６７】
本実施形態は、解像度を低下させることなくモノクロスキャン時のゲイン増加が可能であり、かつノイズ成分の除去手段を備えている。
【００６８】
ＣＭＯＳ型の固体撮像素子においては、各画素内に用いている増幅素子のバラツキが固定パターンノイズとなることが知られている。このようなノイズ成分の除去方法として、光信号と暗状態の信号（以下、ノイズ信号と定義する）の差分をとることにより、増幅素子のバラツキを補正する方法が知られている。以下で、図８のラインセンサにおいて如何にしてノイズ成分が除去されるかについて説明する。
【００６９】
図８のラインセンサは、複数の基本セル２２と、各色毎の光信号共通出力線６Ｗ，６Ｒ，６Ｇ，６Ｂと、各色毎の光信号共通出力線６Ｗ，６Ｒ，６Ｇ，６Ｂの容量５Ｗ，５Ｒ，５Ｇ，５Ｂと、を有している。また、各色毎のノイズ信号共通出力線３２Ｗ，３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂと、各色毎のノイズ信号共通出力線３２Ｗ，３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂの容量３１Ｗ，３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂと、を有している。更にまた、走査回路２３と、リセット手段８と、差動出力回路部３４Ｗ，３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂと、を有している。
【００７０】
基本セルは各画素と、各画素からの光信号及びノイズ信号を保持する光信号保持手段３Ｗ，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ及びノイズ信号保持手段３０Ｗ，３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂと、を有している。また、第一のスイッチ手段２と、第二のスイッチ手段４と、第三のスイッチ手段１１と、第四のスイッチ手段９と、第五のスイッチ手段１０と、第六のスイッチ手段３３と、第七のスイッチ手段３５と、を有している。
【００７１】
図８のラインセンサは、モノクロスキャンモード時にはΦＭＯＤＥ＿ｂがハイレベルとなり、第三のスイッチ手段１１及び第七のスイッチ手段３５は全ての基本セルでオンとなる。また、ΦＭＯＤＥがローレベルとなり、第四のスイッチ手段９及び第五のスイッチ手段１０は全ての基本セルでオフとなる。以下、この時の動作について図９を用いて説明する。
【００７２】
まず、ΦＴＮをハイレベルにすることにより、全ての基本セル一括で第六のスイッチ手段３３をオンすることによって、画素１Ｗにより得られたノイズ信号はノイズ信号保持手段３０Ｗに読み出される。この時、第七のスイッチ手段３５が全ての基本セルでオンとなっているため、画素１Ｗのノイズ信号はノイズ信号保持手段３０Ｗ，３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの並列容量に読み出される。一方、第四のスイッチ手段９がオフとなっているため、画素１Ｒ，１Ｇ，１Ｂにより得られたノイズ信号はノイズ信号保持手段３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂには読み出されない。次に、ΦＴＳをハイレベルにすることにより、全ての基本セル一括で第一のスイッチ手段２をオンすることによって、画素１Ｗにより得られた光信号は光信号保持手段３Ｗに読み出される。この時、第三のスイッチ手段１１が全ての基本セルでオンとなっているため、画素１Ｗの光信号は光信号保持手段３Ｗ，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの並列容量に読み出される。一方、第四のスイッチ手段９がオフとなっているため、画素１Ｒ，１Ｇ，１Ｂにより得られた光信号は光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂには読み出されない。その後、走査回路２３のシフトパルスΦ１，Φ２を用いて順次、第二のスイッチ手段４，４’をオンする。この時、第五のスイッチ手段１０がオフとなっており、光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ及びノイズ信号保持手段３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂは光信号共通出力線６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ及びノイズ信号共通出力線３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂからそれぞれ切り離されている。よって、光信号共通出力線６Ｗ及びノイズ信号共通出力線３２Ｗにのみ、基本セル単位で順次、光信号及びノイズ信号がそれぞれ読み出される。この時の光信号及びノイズ信号に対する読み出しゲインＧは、光信号共通出力線６Ｗ及びノイズ信号共通出力線３２Ｗの容量をＣＨとして、
【００７３】
【数４】
2008263298.tif 000006
【００７４】
である。光信号共通出力線６Ｗ及びノイズ信号共通出力線３２Ｗに読み出された光信号及びノイズ信号は差動出力回路部３４Ｗに入力され、差分成分が読み出される。この動作により、画素内で発生するノイズ成分が除去されたモノクロ画素からの光信号が出力される。尚、光信号共通出力線６Ｗ，６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ及びノイズ信号共通出力線３２Ｗ，３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂは、参考形態の動作と同様に信号を読み出す前に毎回、ΦＣＨＲにより所望のリセット電圧ＶＣＨＲにリセットされる。
【００７５】
一方、カラースキャンモード時にはΦＭＯＤＥ＿ｂがローレベルとなり、第三のスイッチ手段１１及び第七のスイッチ手段３５は全ての基本セルでオフとなる。また、ΦＭＯＤＥがハイレベルとなり、第四のスイッチ手段９及び第五のスイッチ手段１０は全ての基本セルでオンとなる。以下、この時の動作について図９のタイミング図を用いて説明する。
【００７６】
画素１Ｗ，１Ｒ，１Ｇ，１Ｂにより得られたノイズ信号はノイズ信号保持手段３０Ｗ，３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂに、ΦＴＮをハイレベルにすることにより、全ての基本セル一括で第六のスイッチ手段３３をオンすることによって読み出される。また、画素１Ｗ，１Ｒ，１Ｇ，１Ｂにより得られた光信号は光信号保持手段３Ｗ，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに、ΦＴＳをハイレベルにすることにより、全ての基本セル一括で第一のスイッチ手段２をオンすることによって読み出される。その後、走査回路２３のシフトパルスΦ１，Φ２を用いて順次、第二のスイッチ手段４，４’をオンする。この動作により、基本セル単位で順次、光信号保持手段３Ｗ，３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの光信号が光信号共通出力線６Ｗ，６Ｒ，６Ｇ，６Ｂに一括で読み出される。また、基本セル単位で順次、ノイズ信号保持手段３０Ｗ，３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂのノイズ信号がノイズ信号共通出力線３２Ｗ，３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂに一括で読み出される。この時の光信号及びノイズ信号に対する読み出しゲインＧは、光信号共通出力線６Ｗ，６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ及びノイズ信号共通出力線３２Ｗ，３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂの寄生容量をＣＨとして、
【００７７】
【数５】
2008263298.tif 000007
【００７８】
である。各色毎の光信号共通出力線６Ｗ，６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ及びノイズ信号共通出力線３２Ｗ，３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂに出力された光信号及びノイズ信号は、差動出力回路部３４Ｗ，３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに入力され、差分成分が読み出される。この動作により、各画素内で発生するノイズ成分が除去された各画素からの光信号が出力される。
【００７９】
このようにして、カラースキャンモード時には、ノイズ成分が除去されたモノクロ画素及び各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素からの出力の同時読み出しが行われる。
【００８０】
ここで、（１）式と（２）式を比較すると、モノクロスキャンモード時の方が、光信号共通出力線への読み出しゲインが大きい。よって、解像度を低下させることなくモノクロスキャン時の感度増加が可能となっていることがわかる。
【００８１】
図１０は図９における第三のスイッチ手段及び第七のスイッチ手段の模式平面図である。
【００８２】
また、第三および第七のスイッチ手段１１、３５の配置を図１０のようにすることによって、光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂおよびノイズ信号保持手段３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂに付加される寄生容量のバラツキを参考形態と同様に低減させることができる。
【００８３】
図１０において、配線３６Ｗはノイズ信号保持手段３０Ｗと第七のスイッチ手段３５Ｒのソースもしくはドレイン領域及び第二のスイッチ手段４Ｗを接続するものである。また、図１０において、配線３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂはノイズ信号保持手段３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂと第七のスイッチ手段３５Ｒ，３５Ｇ，３５Ｂのソースもしくはドレイン領域及び第五のスイッチ手段１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを接続するものである。
【００８４】
図１１は図１０のｅ−ｆにおける断面図である。同図からわかるように、配線１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに付加されるドレイン容量はほぼ等しくなる。また、配線１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに付加される寄生容量２０もほぼ等しくなる。配線３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂに関しても同様である。よって、光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに付加される寄生容量のバラツキ及びノイズ信号保持手段３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂに付加される寄生容量のバラツキを低減させることができる。
【００８５】
尚、第七のスイッチ手段３５は、図８に示した構成に限られるものではない。ノイズ保持手段３０Ｗと３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの導通と非導通の切り替えができ、かつ３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂに付加される容量が等しくなるよう配置できれば、どのような構成でも構わない。また、本例においては、３０Ｗと３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの４つの加算例を示したが、これに限るものではない。また、図８では、ｎＭＯＳトランジスタ素子を用いているが、他のスイッチ手段でも構わない。例えば、ＣＭＯＳスイッチを用いても構わない。
【００８６】
図１２は本発明に係るラインセンサの第三の実施形態を示す概略図である。但し、ここでは参考形態との相違点について説明する。
【００８７】
図１２において、図３のラインセンサと異なる点は、別個に設けたモノクロ画素を備えていないことである。一般にモノクロスキャンとは色情報を出力せずに輝度情報を出力するものである。よって、ある色成分の画素からの光信号を輝度信号として用いれば、実質的にモノクロスキャンを行うことが可能である。
【００８８】
図１２のラインセンサは、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）画素１Ｒ，１Ｇ，１Ｂを含む複数の基本セル２２と、各色毎の光信号共通出力線６Ｒ，６Ｇ，６Ｂと、走査回路２３と、光信号共通出力線のリセット手段８と、出力回路部７Ｒ，７Ｇ，７Ｂと、から成っている。容量５Ｒ，５Ｇ，５Ｂは各色毎の光信号共通出力線６Ｒ，６Ｇ，６Ｂにそれぞれ付加する容量である。
【００８９】
基本セル２２はＲ，Ｇ，Ｂ画素と、各画素からの光信号を保持する光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂと、第一のスイッチ手段２と、第二のスイッチ手段４と、第三のスイッチ手段１１と、第四のスイッチ手段９と、第五のスイッチ手段１０と、からなっている。
【００９０】
図１２のラインセンサにおいて、モノクロスキャンモード時にはΦＭＯＤＥがローレベルとなる。また、ΦＭＯＤＥ＿ｂがハイレベルとなる。更に、第三のスイッチ手段１１は全ての基本セルでオンとなる。更に、第四のスイッチ手段９及び第五のスイッチ手段１０は全ての基本セルでオフとなる。以下、この時の動作について説明する。
【００９１】
画素１Ｒにより得られた光信号は光信号保持手段３Ｒに、ΦＴをハイレベルにすることにより、全ての基本セル一括で第一のスイッチ手段２をオンすることによって読み出される。この時、第三のスイッチ手段１１が全ての基本セルでオンとなっているため、光信号保持手段３Ｒには並列に光信号保持手段３Ｇ，３Ｂが接続されている。よって、画素１Ｒの光信号は光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの並列容量に読み出される。
【００９２】
一方、第四のスイッチ手段９がオフとなっているため、画素１Ｇ，１Ｂにより得られた光信号は光信号保持手段３Ｇ，３Ｂには読み出されない。その後、走査回路２３のシフトパルスΦ１，Φ２を用いて順次、第二のスイッチ手段４，４’をオンする。この時、第五のスイッチ手段１０がオフとなっており、光信号保持手段３Ｇ，３Ｂは光信号共通出力線６Ｇ，６Ｂから切り離されている。よって、光信号共通出力線６Ｒにのみ、基本セル単位で順次、光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの並列容量の光信号が読み出される。この時の信号の読み出しゲインＧは、光信号共通出力線６Ｗの容量をＣＨとして、
【００９３】
【数６】
2008263298.tif 000008
【００９４】
である。このようにして読み出したＲ画素からの光信号をモノクロ信号として用いることで、モノクロスキャンを行う。
【００９５】
一方、カラースキャンモード時には、ΦＭＯＤＥがハイレベル、ΦＭＯＤＥ＿ｂがローレベルとなり、第三のスイッチ手段１１は全ての基本セルでオフとなり、第四のスイッチ手段９及び第五のスイッチ手段１０は全ての基本セルでオンとなる。この時、図１２のラインセンサは、カラースキャンモード時の図３のラインセンサと同様な動作により、光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの光信号を光信号共通出力線６Ｒ，６Ｇ，６Ｂに同時に読み出す。光信号保持手段１つあたりの容量値をＣＴとすると、それぞれの信号の読み出しゲインＧは、光信号共通出力６Ｒ，６Ｇ，６Ｂの寄生容量をＣＨとして、
【００９６】
【数７】
2008263298.tif 000009
【００９７】
である。
【００９８】
（３）式と（４）式を比較すると、モノクロスキャンモード時の方が、光信号共通出力線への読み出しゲインが大きい。よって、光信号保持手段３Ｇ，３Ｂを光信号保持手段３Ｒに並列に接続して、光信号共通出力線６Ｒに読み出すことにより、解像度を低下させることなくモノクロスキャン時の感度増加が可能となっていることがわかる。
【００９９】
また、第三のスイッチ手段を図５もしくは図１のように配置することによって、光信号保持手段３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに付加される寄生容量のバラツキを低減させることができる。
【０１００】
尚、本実施形態において、モノクロスキャンモード時にＲ画素からの光信号をモノクロ信号として用いたが、これはＲ画素に限られるものではなく、他のどのカラー画素でも構わない。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】ラインセンサの構成例を示す概略構成図である。
【図２】ラインセンサの構成例を示す概略構成図である。
【図３】ラインセンサの構成例を示す概略構成図である。
【図４】ラインセンサの動作を示すタイミング図である。
【図５】参考形態に係るラインセンサの構成例を示す概略構成図である。
【図６】参考形態に係るラインセンサの構成例を示す概略構成図である。
【図７】本発明の第一の実施形態に係るラインセンサの構成例を示す概略構成図である。
【図８】本発明の第二の実施形態に係るラインセンサの構成例を示す概略構成図である。
【図９】本発明の第二の実施形態に係るラインセンサの動作を示すタイミング図である。
【図１０】本発明の第二の実施形態に係るラインセンサの構成例を示す概略構成図である。
【図１１】本発明の第二の実施形態に係るラインセンサの構成例を示す概略構成図である。
【図１２】本発明の第三の実施形態に係るラインセンサの構成例を示す概略構成図である。
【図１３】従来例に係る構成例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１    画素
２    第一のスイッチ手段
３    光信号保持手段
４    第二のスイッチ手段
５    光信号共通出力線の容量
６    光信号共通出力線
７    出力回路部
８    光信号共通出力線のリセット手段
９    第四のスイッチ手段
１０  第五のスイッチ手段
１１  第三のスイッチ手段
１２  金属配線
１３  半導体領域
１４  第三のスイッチ手段１１の共通ゲート電極
１５  第三のスイッチ手段１１のソース・ドレイン領域
１６  コンタクト
１７  ドレイン容量
１８  Ｐウエル
１９  ゲート電極
２０  寄生容量
２１  半導体領域
２２  基本セル
２３  走査回路
２４  素子分離領域
３０  ノイズ信号保持手段
３１  ノイズ信号共通出力線の容量
３２  ノイズ信号共通出力線
３３  第六のスイッチ手段
３４  差動出力回路部
３５  第七のスイッチ手段
３６  配線
【図１】
2008263298.tif 000010
【図２】
2008263298.tif 000011
【図３】
2008263298.tif 000012
【図４】
2008263298.tif 000013
【図５】
2008263298.tif 000014
【図６】
2008263298.tif 000015
【図７】
2008263298.tif 000016
【図８】
2008263298.tif 000017
【図９】
2008263298.tif 000018
【図１０】
2008263298.tif 000019
【図１１】
2008263298.tif 000020
【図１２】
2008263298.tif 000021
【図１３】
2008263298.tif 000022