(57)【要約】【課題】表示品質が高く封止構造を必要としない横型有機ＥＬ装置を得る。【解決手段】基板１０上に局所的に形成された陰極１２と、陰極１２に一部が重なるように形成された、少なくとも上層部分に有機エレクトロルミネッセンス材料を含む第１金属酸化物層１４と、第１金属酸化物層１４上に積層された有機エレクトロルミネッセンス材料を含む第１絶縁性金属酸化物層２２と、基板１０に対して垂直方向から見て所定の距離を有する領域に形成された、第１絶縁性金属酸化物層２２と面接触する第２金属酸化物層１７と、第２金属酸化物層１７と面接触する陽極１３と、を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。【選択図】図２
2008305721.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して垂直方向から見て、
陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に配置された有機エレクトロルミネッセンス材料を含む領域
と、
前記陰極と前記有機エレクトロルミネッセンス材料を含む領域との間に配置された第１
金属酸化物領域と、
前記陽極と前記有機エレクトロルミネッセンス材料を含む領域との間に配置された第２
金属酸化物領域と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
基板上に局所的に形成された陰極と、
前記陰極に一部が重なるように形成された、少なくとも上層部分に有機エレクトロルミ
ネッセンス材料を含む第１金属酸化物層と、
前記第１金属酸化物層上に積層された有機エレクトロルミネッセンス材料を含む第１絶
縁性金属酸化物層と、
前記基板に対して垂直方向から見て所定の距離を有する領域に形成された、前記第１絶
縁性金属酸化物層と面接触する第２金属酸化物層と、
前記第２金属酸化物層と面接触する陽極と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
基板上に局所的に形成された陰極と、
前記陰極に一部が重なるように形成された、多孔性の第１金属酸化物層と、
前記多孔性の第１金属酸化物層中の孔に含有される有機エレクトロルミネッセンス材料
と、
前記多孔性の第１金属酸化物層上に積層された多孔性の第１絶縁性金属酸化物層と、
前記多孔性の第１絶縁性金属酸化物層中の孔に含有される有機エレクトロルミネッセン
ス材料と、
前記基板の垂直方向から見て、前記陰極との間に所定の距離を有する領域に形成された
、前記多孔性の第１絶縁性金属酸化物層と面接触する第２金属酸化物層と、
前記第２金属酸化物層と面接触する陽極と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記第１金属酸化物層の下層に前記基板及び前記陰極を覆う緻密金属酸化物層をさらに
備えることを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記多孔性の第１絶縁性金属酸化物層の有する孔の径は、前記多孔性の第１金属酸化物
層の有する孔の径よりも大きいことを特徴とする請求項３または４に記載の有機エレクト
ロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記多孔性の第１絶縁性金属酸化物層、前記第２金属酸化物層、及び前記陽極を覆うよ
うに前記基板上に積層された多孔性の第２絶縁性金属酸化物層をさらに備えることを特徴
とする請求項３〜５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
前記多孔性の第２絶縁性金属酸化物層の有する孔の径は、前記多孔性の第１絶縁性金属
酸化物層の有する孔の径と同等以上であることを特徴とする請求項６に記載の有機エレク
トロルミネッセンス装置。
【請求項８】
前記多孔性の第１金属酸化物層は多孔性の酸化チタニウムからなることを特徴とする請
求項３〜７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項９】
前記有機エレクトロルミネッセンス材料はベンゾチアヂアゾール（ＢＴ）ユニットを含
むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス
装置。
【請求項１０】
前記第２金属酸化物層は酸化バナジウム又は酸化モリブデンのいずれかからなることを
特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１１】
陰極と、
基板及び前記陰極を覆う緻密金属酸化物層と、
前記陰極に一部が重なるように形成された、多孔性の第１金属酸化物層と、
前記第１金属酸化物層上に積層された多孔性の第１絶縁性金属酸化物層と、
前記基板に対して垂直方向から見て所定の距離を有する領域に形成された、前記第１
絶縁性金属酸化物層と面接触する第２金属酸化物層と、
前記第２金属酸化物層と面接触する陽極と、
前記第１絶縁性金属酸化物層、前記第２金属酸化物層、及び前記陽極を覆うように前記
基板上に積層された多孔性の第２絶縁性金属酸化物層と、
を備えることを特徴とする基板。
【請求項１２】
基板上に形成した導電性材料層をパターニングして陰極を形成する第１工程と、
前記基板上に、多孔性の第１金属酸化物層を形成する第２工程と、
前記第１金属酸化物層上に多孔性の第１絶縁性金属酸化物層を積層する第３工程と、
前記第１絶縁性金属酸化物層上の前記基板の垂直方向から見て前記陰極との間に所定の
距離を有する領域に、導電性材料からなる陽極と第２金属酸化物層とを、前記第１絶縁性
金属酸化物層と前記第２金属酸化物層とが面接触する部分及び前記第２金属酸化物層と前
記陽極とが面接触する部分の双方が生じるように形成する第４工程と、
前記陰極と前記陽極との間に有機エレクトロルミネッセンス材料を含む液体材料を供給
して、第１絶縁性金属酸化物層及び前記第１金属酸化物層の少なくとも上層に、前記有機
エレクトロルミネッセンス材料を含有させる第５工程と、
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第４工程終了後、前記第５工程を実施する前に、前記基板上に多孔性の第２絶縁性
金属酸化物層を積層する第６工程さらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機エ
レクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１工程を経た前記基板上に緻密金属酸化物層を形成する第７工程をさらに含むこ
とを特徴とする請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は横型有機エレクトロルミネッセンス装置、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
少なくとも一層の発光性有機化合物層（有機エレクトロルミネッセンス層）が、陰極と
陽極とに挟まれた構造の有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、「有機ＥＬ装置」と
称する。）は、無機ＥＬ装置に比べて印加電圧を大幅に低下させることができ、多彩な発
光色の装置が作製可能である（特許文献１〜３参照）。
かかる有機ＥＬ装置において、基板上に陰極と陽極を水平方向に配置して、双方の電極
間に挟まれた有機ＥＬ層からの発光光を基板に垂直方向に射出する横型有機ＥＬ装置は、
電極の形成後に発光層を形成し得るため、“発光する画”をユーザーが自由に作成できる
プリンタブルな表示装置の可能性があり、実現が望まれている。
横型有機ＥＬ装置については、従来の縦型有機ＥＬ装置の材料及び構造を利用したもの
も報告されており、また、他の構造を用いたものとして例えばＦＥＴ構造を基本としたも
の（非特許文献１〜２参照）、あるいは、エレクトロケミカルセル構造を基本としたもの
（非特許文献３参照）が報告されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１５３９６７号公報
【特許文献２】特開平１０−１２３７７号公報
【特許文献３】特開平１１−４０３５８号公報
【非特許文献１】Appl.Phys.Lett.51(12),21  September  1987,p.913
【非特許文献２】Appl.Phys.Lett.71(1),7  July  1997,p.34
【非特許文献３】Nature  357,477  1992
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記のＦＥＴ構造を基本としたものは、基板側に複雑な構造を必要としかつ高
電圧を必要とするという点で問題があり、また、上記のエレクトロケミカルセル構造を基
本としたものは、反応時間が遅いなどの駆動時間の問題があった。
そして、従来の縦型有機ＥＬ装置の材料及び構造を利用した場合、有機物の低いキャリ
ア移動度に起因する発光層の薄さにより発光領域が限定され、表示品質が向上しないとい
う問題があった。また、陰極に低仕事関数の活性な金属を用いるため封止構造が必要とな
り、プリンタブルな表示装置は困難であった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のいくつかの態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたもの
であり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］陰極と、陽極と、上記陰極と上記陽極との間に配置された有機エレクトロ
ルミネッセンス材料を含む領域と、上記陰極と上記有機エレクトロルミネッセンス材料を
含む領域との間に配置された第１金属酸化物領域と、上記陽極と上記有機エレクトロルミ
ネッセンス材料を含む領域との間に配置された第２金属酸化物領域と、を備えることを特
徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【０００７】
このような構造によれば安定的な金属電極を用いてのキャリア注入が可能なため封止構
造が不要となる。したがって、基板の材質等の製造上の制約を低減できる。また、電極の
形成後に有機発光性材料を配置することも可能となり、プリンタブルな表示装置も可能と
なる。
【０００８】
［適用例２］基板上に局所的に形成された陰極と、上記陰極に一部が重なるように形成
された、少なくとも上層部分に有機エレクトロルミネッセンス材料を含む第１金属酸化物
層と、上記第１金属酸化物層上に積層された有機エレクトロルミネッセンス材料を含む第
１絶縁性金属酸化物層と、上記基板に対して垂直方向から見て所定の距離を有する領域に
形成された、上記第１絶縁性金属酸化物層と面接触する第２金属酸化物層と、上記第２金
属酸化物層と面接触する陽極と、を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
ス装置。
【０００９】
金属酸化物は有機材料と比べてキャリア移動度が高いので、電子及び正孔は、基板に対
して水平方向に長距離を移動して、広い範囲において上記有機エレクトロルミネッセンス
材料を発光させることができる。そして上記陰極及び上記陽極に覆われていない領域から
基板に対して垂直方向に発光光を射出できる。したがって、このような構成により、広い
発光領域を有する横型の有機エレクトロルミネッセンス装置を得ることができる。
【００１０】
［適用例３］基板上に局所的に形成された陰極と、上記陰極に一部が重なるように形成
された、多孔性の第１金属酸化物層と、上記多孔性の第１金属酸化物層中の孔に含有され
る有機エレクトロルミネッセンス材料と、上記多孔性の第１金属酸化物層上に積層された
多孔性の第１絶縁性金属酸化物層と、上記多孔性の第１絶縁性金属酸化物層中の孔に含有
される有機エレクトロルミネッセンス材料と、上記基板の垂直方向から見て、上記陰極と
の間に所定の距離を有する領域に形成された、上記多孔性の第１絶縁性金属酸化物層と面
接触する第２金属酸化物層と、上記第２金属酸化物層と面接触する陽極と、を備えること
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【００１１】
このような構成であれば、上記孔に含有させる有機エレクトロルミネッセンス材料の種
類及び量により、発光光の色度等を任意に設定できる。したがって、カラー画像を表示す
る表示装置の画素として用いることが可能な有機エレクトロルミネッセンス装置を提供で
きる。上記多孔性の第１絶縁性金属酸化物層中の孔を介して上記第１金属酸化物層の孔に
上記有機エレクトロルミネッセンス材料を含有できるので、工程の自由度も向上する。
【００１２】
［適用例４］上記第１金属酸化物層の下層に上記基板及び上記陰極を覆う緻密金属酸化
物層をさらに備えることを特徴とする上記有機エレクトロルミネッセンス装置。
【００１３】
かかる構成であれば、上記陰極と上記有機エレクトロルミネッセンス材料とが直接的に
接触することを回避できる。したがって、発光に寄与しない電流を抑制でき、発光効率の
向上した有機エレクトロルミネッセンス装置を得ることができる。
【００１４】
［適用例５］上記多孔性の第１絶縁性金属酸化物層の有する孔の径は、上記多孔性の第
１金属酸化物層の有する孔の径よりも大きいことを特徴とする上記有機エレクトロルミネ
ッセンス装置。
【００１５】
このような構成であれば、上記多孔性の第１絶縁性金属酸化物層を介してであっても、
上記多孔性の第１金属酸化物層内の孔に充分な有機エレクトロルミネッセンス材料を含有
させられる。したがって、より一層発光効率の向上した有機エレクトロルミネッセンス装
置を得ることができる。
【００１６】
［適用例６］上記多孔性の第１絶縁性金属酸化物層、上記第２金属酸化物層、及び上記
陽極を覆うように上記基板上に積層された多孔性の第２絶縁性金属酸化物層をさらに備え
ることを特徴とする記載の上記有機エレクトロルミネッセンス装置。
【００１７】
上記多孔性の第２絶縁性金属酸化物層は、上記第２金属酸化物層から供給される正孔の
移動路として機能し得る。したがって、このような構成により、発光効率の向上した有機
エレクトロルミネッセンス装置を得ることができる。
【００１８】
［適用例７］上記多孔性の第２絶縁性金属酸化物層の有する孔の径は、上記多孔性の第
１絶縁性金属酸化物層の有する孔の径と同等以上であることを特徴とする上記有機エレク
トロルミネッセンス装置。
【００１９】
このような構成であれば、上記多孔性の第１絶縁性金属酸化物層及び上記多孔性の第２
絶縁性金属酸化物層を介してであっても、上記第１金属酸化物層内の孔に充分な有機エレ
クトロルミネッセンス材料を含有させられる。したがって、より一層発光効率の向上した
有機エレクトロルミネッセンス装置を得ることができる。
【００２０】
［適用例８］上記多孔性の第１金属酸化物層は多孔性の酸化チタニウムからなることを
特徴とする上記有機エレクトロルミネッセンス装置。
【００２１】
このような構成によれば上記陰極から供給される電子の移動度を向上できるため、より
発光効率が高い有機エレクトロルミネッセンス装置を得ることができる。
【００２２】
［適用例９］上記有機エレクトロルミネッセンス材料はベンゾチアヂアゾール（ＢＴ）
ユニットを含むことを特徴とする上記有機エレクトロルミネッセンス装置。
【００２３】
このような構成により、より発光効率が高い有機エレクトロルミネッセンス装置を得る
ことができる。
【００２４】
［適用例１０］上記第２金属酸化物層は酸化バナジウム又は酸化モリブデンのいずれか
からなることを特徴とする上記有機エレクトロルミネッセンス装置。
【００２５】
このような構成によれば上記陽極から供給される正孔の移動度を向上でき、有機エレク
トロルミネッセンス材料への正孔注入が促進されるため、より発光効率が高い有機エレク
トロルミネッセンス装置を得ることができる。
【００２６】
［適用例１１］陰極と、基板及び上記陰極を覆う緻密金属酸化物層と、上記陰極に一部
が重なるように形成された、多孔性の第１金属酸化物層と、上記第１金属酸化物層上に積
層された多孔性の第１絶縁性金属酸化物層と、上記基板に対して垂直方向から見て所定の
距離を有する領域に形成された、上記第１絶縁性金属酸化物層と面接触する第２金属酸化
物層と、上記第２金属酸化物層と面接触する陽極と、上記第１絶縁性金属酸化物層、上記
第２金属酸化物層、及び上記陽極を覆うように上記基板上に積層された多孔性の第２絶縁
性金属酸化物層と、を備えることを特徴とする基板。
【００２７】
このような構成の基板であれば、上記陰極と上記陽極との間の任意の位置（領域）に任
意の有機エレクトロルミネッセンス材料を溶媒に分散させて得られる液体材料を滴下して
、上記第１絶縁性金属酸化物層の孔を経由して上記位置（領域）における上記第１金属酸
化物層の孔内に該有機エレクトロルミネッセンス材料を含有させた後、上記双方の電極間
に通電させて任意の画像を形成できる。すなわち、形成される画像の決定を上記液体材料
の滴下工程のみで行うことができ、装置にかかる費用を抑制でき、有機エレクトロルミネ
ッセンス材料を用いた表示装置を普及させることができる。
【００２８】
［適用例１２］基板上に形成した導電性材料層をパターニングして陰極を形成する第１
工程と、上記基板上に、多孔性の第１金属酸化物層を形成する第２工程と、上記第１金属
酸化物層上に多孔性の第１絶縁性金属酸化物層を積層する第３工程と、上記第１絶縁性金
属酸化物層上の上記基板の垂直方向から見て上記陰極との間に所定の距離を有する領域に
、導電性材料からなる陽極と第２金属酸化物層とを、上記第１絶縁性金属酸化物層と上記
第２金属酸化物層とが面接触する部分及び上記第２金属酸化物層と上記陽極とが面接触す
る部分の双方が生じるように形成する第４工程と、上記陰極と上記陽極との間に有機エレ
クトロルミネッセンス材料を含む液体材料を供給して、第１絶縁性金属酸化物層及び上記
第１金属酸化物層の少なくとも上層に、上記有機エレクトロルミネッセンス材料を含有さ
せる第５工程と、を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
。
【００２９】
このような製造方法によれば、基板上に水平距離をもって形成された電極間に、有機エ
レクトロルミネッセンス材料を含有する第１金属酸化物層と、該金属酸化物層と絶縁性金
属酸化物層を挟んで対向する第２金属酸化物層との界面を、平面的に形成できる。したが
って、広い発光領域を有する横型の有機エレクトロルミネッセンス装置を得ることができ
る。
【００３０】
［適用例１３］上記第４工程終了後、上記第５工程を実施する前に、上記基板上に多孔
性の第２絶縁性金属酸化物層を積層する第６工程さらに含むことを特徴とする上記有機エ
レクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【００３１】
このような製造方法によれば、上記第５工程において滴下する液体材料の下層への浸透
を損なわずに、上記陽極等を保護できる。したがって、信頼性の向上した有機エレクトロ
ルミネッセンス装置を得ることができる。
【００３２】
［適用例１４］上記第１工程を経た上記基板上に緻密金属酸化物層を形成する第７工程
をさらに含むことを特徴とする上記有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【００３３】
このような製造方法によれば、上記第５工程において滴下（供給）した液体材料（発光
材料）が上記陰極に直接的に接触して、発光に寄与しない電流が流れることを回避できる
。したがって、上記液体材料の滴下量の設定の自由度を向上でき、表示品質の向上した有
機エレクトロルミネッセンス装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる
各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
（概要）
【００３５】
本発明の概要、すなわち基本的な概念について、図１を参照して説明する。図１に示す
ように、基板１上に水平距離を持って配置された陰極２及び陽極３とが、多孔性すなわち
微細な孔（後述するように毛細状の経路を含む）を有する第１金属酸化物（以下、「多孔
性第１金属酸化物」と称する。）領域４及び第２金属酸化物領域７を狭持するように配置
されている。陰極２及び陽極３は図示しない電源に接続されており、上述の多孔性第１金
属酸化物領域４及び第２金属酸化物領域７に電圧を印加可能である。
【００３６】
多孔性第１金属酸化物領域４の、第２金属酸化物領域７との界面に隣接する領域には、
該孔内に有機エレクトロルミネッセンス材料（以下、「有機ＥＬ材料」と称する。）３２
が含有されて、有機ＥＬ材料３２を含む第１金属酸化物領域すなわち有機ＥＬ材料含有第
１金属酸化物領域５となっている。なお、多孔性第１金属酸化物領域４から有機ＥＬ材料
含有第１金属酸化物領域５への移行は連続的であり、明確な界面は有しない。
【００３７】
ここで、第２金属酸化物領域７は孔を有しないため、有機ＥＬ材料含有第１金属酸化物
領域５に充分な有機ＥＬ材料３２が含まれている場合、第２金属酸化物領域７と有機ＥＬ
材料含有第１金属酸化物領域５との界面には、有機ＥＬ材料層６が形成さる。そして、該
有機ＥＬ材料層により、第２金属酸化物領域７と有機ＥＬ材料含有第１金属酸化物領域５
とが直接接触してダイオード状態となることが回避される。かかる状態において双方の電
極間に電圧を印加すると、有機ＥＬ材料層６が通電により発光する。
【００３８】
ここで、金属酸化物は有機材料に比べてキャリア移動度（キャリアの注入効率）が高い
ため、電子及び正孔は有機ＥＬ材料含有第１金属酸化物領域５内を広い範囲で移動する。
したがって、上記の発光は、有機ＥＬ材料層６内のみではなく、有機ＥＬ材料含有第１金
属酸化物領域５内の全域で生じ得る。有機ＥＬ材料３２の発光は等方的であるため、有機
ＥＬ材料含有第１金属酸化物領域５が、厚さすなわち基板１に対しての垂直方向の長さよ
りも水平方向の長さが充分大きく形成されている場合、上記発光光は殆んどが基板１に対
して垂直方向に射出される。したがって、基板１の水平方向に印加される電界により基板
１の水直方向に発光光が生じる横型有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００３９】
以上述べたように、多孔性の金属酸化物の孔内に有機ＥＬ材料３２を含有して、キャリ
ア移動度の高い有機ＥＬ材料層６すなわち有機ＥＬ材料３２が含有されている層（領域）
を形成する。そして該層（領域）に通電することで、電極から離れた領域で発光光を生じ
させて横型有機ＥＬ装置を得ている。
【００４０】
また、かかる構成によれば、金属酸化物の材料の選択により、金、ＩＴＯ（酸化インジ
ウム・錫）、若しくはＦＴＯ等の大気中で安定的な導電材料で電極を形成できるため、封
止構造を要しないという効果も得ることができる。しかし、上述の図１に示す構造はフォ
トリソグラフィーで形成することが困難である。そこで、以下に記載する実施形態にて、
より実用的な横型有機ＥＬ装置の態様を示す。
（第１の実施形態）
【００４１】
本発明の第１の実施形態にかかる横型有機ＥＬ装置について、図２を参照して説明する
。そして、該横型有機ＥＬ装置を用いた表示装置について、図３、図４を参照して説明す
る。
図２は、横型有機ＥＬ装置を帯状の電極に対して垂直な線で切った模式断面図である。
図２（ａ）は、金属酸化物層に有機ＥＬ材料を含有させた態様を示すものであり、図２（
ｂ）は、金属酸化物層から生じる発光光を示すものである。図３及び図４は、本実施形態
にかかる有機ＥＬ装置を用いて、プリンタブルな表示装置を形成した場合を模式的に示す
ものである。
【００４２】
図２（ａ）に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置は基板１０上の、後述する陽極１
３とは水平方向に離れた位置に陰極１２が形成されている。陰極１２の形成材料は、金、
白金、銀、ＩＴＯ、ＦＴＯ等の大気安定な高仕事関数材料である。陰極１２の厚さは、表
示装置内全域で充分な通電を可能にするためには１００ｎｍ以上あることが好ましい。
【００４３】
陰極１２上には、緻密金属酸化物層としての酸化チタン膜層１１が基板１０上全面に積
層されている。陰極１２と後述する多孔性酸化チタン膜層１４との間に緻密金属酸化物層
としての酸化チタン膜層１１を形成する目的は、後述する有機ＥＬ材料が陰極１２と直接
接触することを回避するためである。したがって酸化チタン膜層１１は多孔性を有せず、
緻密な膜層である。膜厚は発光には寄与しないため１００ｎｍ以下が好ましい。なお、緻
密金属酸化物層の材料としては酸化チタンに限定されず、酸化ニオブ等の他の金属酸化物
を用いてもよい。
【００４４】
酸化チタン膜層１１上には、多孔性を有する第１金属酸化物層としての多孔性酸化チタ
ン膜層１４が積層されている。多孔性酸化チタン膜層１４は、文字通り微小な孔を有する
酸化チタンからなる層である。ここで言う孔とは、独立した気泡状の微小空間ではなく、
微細な毛細状の経路である。上層から供給される液体材料を含有（含浸）すると共に、該
液体材料を透過して下層に移動させることができる。膜厚は充分な液体材料を含有するた
めに、２０〜１０００ｎｍ程が必要である。
なお、多孔性の第１金属酸化物層の形成材料は酸化チタンに限定されず、また、上述の
緻密金属酸化物層とは異なる材料を用いても構わない。
【００４５】
多孔性酸化チタン膜層１４上には、多孔性の第１絶縁性金属酸化物層として、微細な孔
を有する酸化ジルコニウムからなる第１多孔性酸化ジルコニウム膜層２２が積層されてい
る。第１多孔性酸化ジルコニウム膜層２２は、多孔性酸化チタン膜層１４の持つ孔と同様
の微細な経路を有している。そのため、上層から供給される液体材料を含有すると共に、
該液体材料を透過して、下層の多孔性酸化チタン膜層１４に移動させることができる。
上記多孔性の第１絶縁性金属酸化物層の形成材料は酸化ジルコニウムに限定されず、絶
縁性と透光性を有する他の金属酸化物、例えば酸化錫等を用いることができる。膜厚は充
分な液体材料を含有するために、１００〜１０００ｎｍ程が必要である。
【００４６】
第１多孔性酸化ジルコニウム膜層２２上には、陰極１２から水平方向に離れた位置に陽
極１３が形成され、陽極１３の周囲には該陽極を覆うように第２金属酸化物層としての酸
化バナジウム膜層１７が形成されている。
第２金属酸化物層は、陽極１３から供給される正孔の移動度が高い材料で形成されるこ
とが必要であり、酸化バナジウム以外に酸化モリブデン等も用いることができる。有機Ｅ
Ｌ材料を含有する必要がないため多孔性は要しない。第２金属酸化物層の膜厚は、１〜１
００ｎｍと多孔性酸化チタン膜層１４等よりも薄く形成される。陽極１３の上面部と側壁
部とを同じ膜厚の酸化バナジウム膜層１７で覆うことは必須ではない。しかし、図２（ａ
）に示す陽極１３の側壁部と酸化バナジウム膜層１７とが面接触する接触部Ａは正孔が移
動する際の主要な経路となるため、該移動を妨げない程度に薄いことが求められる。した
がって、該接触部における酸化バナジウム膜層１７の膜厚は１００ｎｍ以下であることが
好ましい。
【００４７】
陽極１３の形成材料は、陰極１２の形成材料と同様に金等の大気安定な高仕事関数材料
である。陰極１２と陽極１３とで、同一の材料を用いることもできる。膜厚（高さ）は、
陰極１２と同様に充分な通電を可能にするためには１００ｎｍ以上が必要である。また、
陰極１２と陽極１３との中心線間距離は、２０μｍないし１００μｍが好ましい。広いほ
ど基板１０の表面積に占める発光領域の割合が増加する一方で、キャリア移動度等からの
制限もある。
【００４８】
陰極１２に隣接する金属酸化物層に酸化チタン又は酸化ニオブを用い、陽極１３に隣接
する金属酸化物層に酸化バナジウム又は酸化モリブデンを用いることで、大気安定な金属
（又は金属酸化物）である金、白金、ＩＴＯ、ＦＴＯ等を電極に用いてのキャリア注入を
可能にする。その結果として、封止構造は基本的に必要としなくなる。
【００４９】
基板１０の最上層、すなわち第１多孔性酸化ジルコニウム膜層２２上、及び酸化バナジ
ウム膜層１７上には、多孔性の第２絶縁性金属酸化物層として微細な孔を有する酸化ジル
コニウム膜層からなる第２多孔性酸化ジルコニウム膜層２３が積層されている。形成材料
は、酸化ジルコニウム以外に酸化錫等を用いることができる。
【００５０】
第２多孔性酸化ジルコニウム膜層２３の機能は、第１多孔性酸化ジルコニウム膜層２２
の機能とは若干異なり、酸化バナジウム膜層１７等を保護すると共に、陽極１３から供給
される正孔の経路としての役割が大きい。酸化バナジウム膜層１７は陽極１３を覆ってい
るため、接触部Ａにおいて酸化バナジウム膜層１７と陽極１３とは面接触している。そし
て、第２多孔性酸化ジルコニウム膜層２３は酸化バナジウム膜層１７を覆っているため、
接触部Ａにおいて第２多孔性酸化ジルコニウム膜層２３と酸化バナジウム膜層１７とは、
同じく面接触している。したがって、第２多孔性酸化ジルコニウム膜層２３が有機ＥＬ材
料３２を含有すると、陽極１３の接触部Ａにおいて、陽極１３から酸化バナジウム膜層１
７を経て第２多孔性酸化ジルコニウム膜層２３内の有機ＥＬ材料３２に連なる経路ができ
、正孔の移動が可能となる。
【００５１】
また、第２多孔性酸化ジルコニウム膜層２３は、液体材料を充分に含有することよりも
、該液体材料を下層の第１多孔性酸化ジルコニウム膜層２２に移動させられることが重要
である。したがって、孔（上述の毛細状の経路）の大きさ（孔径）は、第１多孔性酸化ジ
ルコニウム膜層２２に含まれる孔の大きさよりも大きいことが好ましい。また、孔の密度
を増加させてもよい。第２多孔性酸化ジルコニウム膜層２３の膜厚は、第１多孔性酸化ジ
ルコニウム膜層２２の膜厚よりも薄くてもよく、２０〜１０００ｎｍ程が好ましい。
【００５２】
ここで、基板１０の、陰極１２と陽極１３との間の領域を、以下、「電極間領域３０」
と称する。そして電極間領域３０における緻密金属酸化物層としての酸化チタン膜層１１
を除く各層すなわち、多孔性酸化チタン膜層１４、第１多孔性酸化ジルコニウム膜層２２
、及び第２多孔性酸化ジルコニウム膜層２３の孔内には有機ＥＬ材料３２が含まれている
。陰極１２と陽極１３との間に図示しない電源から電圧を印加すると、該領域で発光が生
じる。かかる発光の態様を図２（ｂ）に示す。
【００５３】
図２（ｂ）に示すように、電極間領域３０において、上記の３層（１４，２２，２３）
の金属酸化物層に有機ＥＬ材料３２が含まれることにより、有機ＥＬ材料含有金属酸化物
層１５と有機ＥＬ材料含有絶縁性金属酸化物層２５とが形成されている。有機ＥＬ材料含
有金属酸化物層１５は、多孔性酸化チタン膜層１４に有機ＥＬ材料３２が含まれて形成さ
れ、有機ＥＬ材料含有絶縁性金属酸化物層２５は、第１多孔性酸化ジルコニウム膜層２２
及び第２多孔性酸化ジルコニウム膜層２３に有機ＥＬ材料３２が含まれて形成されている
。かかる状態で陰極１２と陽極１３との間に電圧を印加すると、陰極１２からは電子が有
機ＥＬ材料含有金属酸化物層１５内に供給され、陽極１３からは正孔が有機ＥＬ材料含有
絶縁性金属酸化物層２５内に供給される。
【００５４】
ここで、有機ＥＬ材料含有金属酸化物層１５は金属酸化物層に有機ＥＬ材料３２が含有
されているため、高い移動度で電子を移動させることができる。したがって、陰極１２か
ら供給される電子を、有機ＥＬ材料含有金属酸化物層１５内において基板１０に対して水
平方向に移動させて、電極間領域３０の全域に行き渡らせることができる。
また、有機ＥＬ材料含有絶縁性金属酸化物層２５は絶縁性ではあるが、含有する有機Ｅ
Ｌ材料３２により一般的に有機ＥＬ装置に用いられる有機材料層に比べて高い移動度で正
孔を移動させることができる。したがって、陽極１３から供給される正孔を、同じく有機
ＥＬ材料含有絶縁性金属酸化物層２５内において基板１０に対して水平方向に移動させて
、電極間領域３０の全域に行き渡らせることができる。ここで、Ｂが有機ＥＬ材料含有金
属酸化物層１５内を電子が移動する経路であり、Ｃが有機ＥＬ材料含有絶縁性金属酸化物
層２５内を正孔が移動する経路である。
【００５５】
電子と正孔は基板１０の水平方向に移動しつつ、逆極性の電極に引かれて基板１０の垂
直方向にも移動するため、有機ＥＬ材料含有金属酸化物層１５と有機ＥＬ材料含有絶縁性
金属酸化物層２５との界面を中心とする部分（界面を中心とする、若干の厚みを有する部
分）で結合する。そして、該結合により、周囲の孔内に含有されている有機ＥＬ材料３２
から発光光３５が生じて、基板の外部に射出される。
【００５６】
上述したように、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置は、発光光３５が生じる部分をキャ
リア移動度が高い材料で形成しているため、基板１０上で上記双方の電極間の距離を大き
く設定して電極間領域３０を広くできる。したがって、従来の有機ＥＬ装置を単に水平に
配置した場合に比べて広い発光領域を形成でき、かかる有機ＥＬ装置を基板上に複数個配
置することで、表示品質が向上した表示装置を得ることができる。
【００５７】
本実施形態にかかる有機ＥＬ装置は、従来の縦型有機ＥＬ装置と同じく一方の電極を共
通電極とし他方の電極を外部回路により個別かつ段階的に電圧を印加可能として、動画等
の表示に用いることもできる。一方で、電極を高仕事関数の材料を用いることにより封止
膜を必要としないという特性を生かして、表示する画像を、基板１０の形成（第２多孔性
酸化ジルコニウム膜層２３の積層まで）とは別途に、個々のユーザーが決定するプリンタ
ブルな表示装置に用いることもできる。
図３及び図４に、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置を用いて、プリンタブルな表示装置
を形成した場合を模式的に示す。図３は、複数の有機ＥＬ装置が連続的に形成された基板
１０を電極に垂直な面で切断した態様を模式的に示す模式断面図である。図４は、本実施
形態にかかる有機ＥＬ装置を用いた、プリンタブルな表示装置の態様を示す模式平面図で
ある。
【００５８】
図３に示すように、基板１０上には陰極１２と陽極１３が交互に配置されている。そし
て各々の電極は、両側に隣接する逆極性の電極との間で、電極間領域３０（図２参照）に
配置した（含有させた）有機ＥＬ材料３２（図２参照）を発光させて、発光光３５を基板
１０も外部ヘ射出している。基板１０上の全ての電極が同時にＯＮ／ＯＦＦされ、個々の
有機ＥＬ装置ごとの制御、あるいは段階的な電圧制御は行わない。したがって、表示され
る画像は電極間領域３０に配置した有機ＥＬ材料により一義的に決定される。
なお、基板１０が不透明な材料からなる場合、下向きの発光光３５は射出されない。ま
た、図２に示す有機ＥＬ装置の構成要素と同一の要素については同一の符号を付与し、説
明の記載は省略している。
【００５９】
図４に示すように、陰極１２と陽極１３とは、スイッチ４５でＯＮ／ＯＦＦ可能な電源
４４に接続されており、双方の電極の間の帯状の領域が電極間領域３０である。そして、
電極間領域３０には、有機ＥＬ材料３２（図２（ａ）参照）が配置パターン４２に示すよ
うに配置されている。帯状の電極間領域３０と、該領域を挟む陰極１２及び陽極１３とで
１つの有機ＥＬ装置とも言え、また、配置パターン４２ごとに１つの有機ＥＬ装置が存在
するとも言える。
スイッチ４５がＯＮとなると、全ての電極間領域３０に電圧が印加され、配置されてい
る有機ＥＬ材料３２の濃度、種類等により配置パターン４２ごとに異なる発光光が生じ、
全体として１つの画像が表示される。
上述したように、横型で封止膜を必要としない有機ＥＬ装置を用いるため、配置する有
機ＥＬ材料３２の濃度、種類等をユーザーが独自に決定でき、プリンタブルな表示装置が
可能となる。
カラー表示を行う場合、有機ＥＬ材料３２は少なくとも、赤、緑、青の３原色に対応す
る発光材料が必要となる。しかし、配置する有機ＥＬ材料３２は上記３原色には限定され
ずその他の色を発光する有機ＥＬ材料を配置してもよい。また、配置パターン４２の大き
さ等も一定なものには限定されず、大きさ、形状も任意に設定可能である。さらには、複
数種の有機ＥＬ材料を混合したものを用いてもよい。
【００６０】
ここで、有機ＥＬ材料３２は、ベンゾチアヂアゾール骨格を持つ材料を主とするもので
あることが好ましい。ベンゾチアヂアゾール骨格を持った発光材料は、多孔性酸化チタン
膜層１４、あるいは第１多孔性酸化ジルコニウム膜層２２と好適な界面を作り得る。した
がって、より発光効率の優れた横型有機ＥＬ装置を得ることができる。ベンゾチアヂアゾ
ール骨格を持つ材料としては、例えば、ポリ（ジオクチルフルオレン−アルト−ベンゾチ
アジアゾール）（Ｆ８ＢＴ）、ポリ(Ｎ-ドデシル-２,５−ビス(２′−チエニル)ピロール
−２，１，３−ベンゾチアヂアゾール)（ＰＴＰＴＢ  文献：C.J.Brabec  et.al.,  Adv.
Func.Mater.  12  709  (2002)を参照）、及びその誘導体、そして２，１，３−ベンゾチ
アヂアゾールを混合物として含んだ有機化合物を挙げることができる。
（第２の実施形態）
【００６１】
次に、本発明の第２の実施形態として、図５、図６に、図２に示す横型有機ＥＬ装置の
製造方法を示す。
まず、図５（ａ）に示すように、基板１０上に陰極１２を形成し、次に、基板１０上全
面に緻密金属酸化物層としての酸化チタン膜層１１を形成する。陰極１２の材料は、上述
したように、金、銀、白金、ＩＴＯ、ＦＴＯ等の大気安定な金属（金属酸化物を含む）で
ある。上述の材料からなる膜層を基板１０上全面に形成した後、基板１０上に平行に並ぶ
帯状にパターニングして陰極１２とする。パターン間の距離は、陰極１２と陽極１３との
中心線間距離の２倍であるため、４０μｍないし２００μｍが好ましい。上記膜層の成膜
方法は一般的な気相成膜法が好ましい。また、パターニングも一般的なフォトリソグラフ
ィー法により行う。
【００６２】
そして、陰極１２を完全に覆うように、基板１０上全面に酸化チタン膜層１１を、スプ
レイ熱分解法により形成（積層）する。具体的には、ジイソプロポキシ・ビスアセチルア
セトナトチタニウム溶液とエタノールを質量比１：１０で混合し、４５０℃で過熱された
電極が用意された基板上にスプレイ塗布し、上記エタノールを乾燥除去して酸化チタン膜
層１１を得る。
なお、変形例１で後述するように、緻密金属酸化物層としての酸化チタン膜層１１を形
成しない場合は、プラスチック等の耐熱性を有しない材料からなる基板１０を用いること
も可能である。
【００６３】
次に、図５（ｂ）に示すように、酸化チタン膜層１１上に第１金属酸化物層としての多
孔性酸化チタン膜層１４を形成する。多孔性酸化チタン膜層１４を形成する手法としては
、酸化チタンの微粒子を用いる方法による。具体的には、酸化チタンの微粒子としての石
原産業製チタニア微粒子ＳＴ１とバインダーとしてのエチルセルロースとを分散質、エタ
ノールとテルピネオールを分散媒とする液体材料を、酸化チタン膜層１１上にスピンコー
ト法やスクリーン印刷法により塗布して膜層を形成した後、略４５０℃で焼成しバインダ
ーを蒸発させる。該バインダーが蒸発して気体となり上記膜層の外部へ放出されるときの
経路が孔となる。
なお、第１金属酸化物層の形成材料は、緻密金属酸化物層の材料とは同一である必要は
なく、酸化チタン以外の材料を用いることもできる。
【００６４】
次に、図５（ｃ）に示すように、多孔性酸化チタン膜層１４上に、多孔性の第１絶縁性
金属酸化物層としての第１多孔性酸化ジルコニウム膜層２２を形成する。酸化ジルコニウ
ムの替わりに酸化錫を用いてもよい。
成膜方法は多孔性酸化チタン膜層１４と同様であり、酸化ジルコニウムの微粒子とバイ
ンダーとを含む液体材料を塗布後に該バインダーを蒸発させて孔を形成する。多孔性の第
１絶縁性金属酸化物層に形成される孔の径は、上記第１金属酸化物層に形成される孔の径
と比べて、少なくとも同等の大きさであることが必要であり、若干大きめであることが、
より好ましい。したがって、上記微粒子及び上記バインダーの径は、第１金属酸化物層と
しての多孔性酸化チタン膜層１４の形成時に用いるものよりも大きなものを用いる。バイ
ンダーの量（比率）を増加させてもよい。
【００６５】
次に、図５（ｄ）に示すように、第１多孔性酸化ジルコニウム膜層２２上に陽極１３を
形成する。形成材料、形成方法等は陰極１２の形成材料、形成方法等と略同一である。陰
極１２との距離は、中心線間距離が２０μｍないし１００μｍである。
【００６６】
次に、図５（ｅ）に示すように、陽極１３の上部及び接触部を覆うように第２金属酸化
物層としての酸化バナジウム膜層１７を形成する。酸化バナジウムに替わり、酸化モリブ
デンでもよい。具体的には、第１多孔性酸化ジルコニウム膜層２２上に、気相成膜法によ
り形成した酸化バナジウム膜層をフォトリソグラフィーによりパターニングして、陽極１
３の周囲（上部及び接触部）を覆うようにする。上述したように、接触部Ａ（図２参照）
における酸化バナジウム膜層１７の膜厚は１００μｍ以下が好ましい。したがって、第１
多孔性酸化ジルコニウム膜層２２上に形成する酸化バナジウム膜層の膜厚も、１００μｍ
以下とすることが好ましい。
【００６７】
次に、図６（ａ）に示すように、酸化バナジウム膜層１７を含む第１多孔性酸化ジルコ
ニウム膜層２２上に、多孔性の第２絶縁性金属酸化物層としての第２多孔性酸化ジルコニ
ウム膜層２３を形成する。形成方法は第１多孔性酸化ジルコニウム膜層２２の形成方法等
と略同一である。ただし、多孔性の第２絶縁性金属酸化物層に形成される孔の径は、上記
多孔性の第２絶縁性金属酸化物層に形成される孔の径と比べて、少なくとも同等の大きさ
であることが必要であり、若干大きめであることが、より好ましい。したがって、第２多
孔性酸化ジルコニウム膜層２３の形成に用いる微粒子及びバインダーの径は、第１多孔性
酸化ジルコニウム膜層２２の形成時に用いるものよりも大きなものを用いる。バインダー
の量（比率）を増加させてもよい。
【００６８】
以上の工程で、いわゆるクリーンルーム内で行われる工程、あるいは真空装置を要する
工程が終了する。陰極１２、陽極１３、及び多孔性酸化チタン膜層１４等の、（有機ＥＬ
材料を除く）横型有機ＥＬ装置を構成する要素が形成された基板１０が得られる。表面が
第２多孔性酸化ジルコニウム膜層２３で保護された状態であるため、以後は通常の大気中
に晒しても品質上の問題は発生しない。
【００６９】
次に、図６（ｂ）に示すように、電極間領域３０における多孔性酸化チタン膜層１４等
に有機ＥＬ材料３２を供給する。具体的には、インクジェット装置のヘッド（以下、「イ
ンクジェットヘッド」と称する。）３４から有機ＥＬ材料３２と溶媒（又は分散媒）を含
む液体材料３３を電極間領域３０に滴下して、多孔性酸化チタン膜層１４と第１多孔性酸
化ジルコニウム膜層２２と第２多孔性酸化ジルコニウム膜層２３との計３層が有する微細
な孔内に有機ＥＬ材料３２を含有（含浸）させる。具体的には、ＡＤＳ社製ポリフルオレ
ン誘導体ＡＤＳ１３３ＹＥを１．０ｗｔ％で溶媒としてのキシレンに溶解させた液体材料
を滴下する。
上述したように、第２多孔性酸化ジルコニウム膜層２３が有する孔の径は第１多孔性酸
化ジルコニウム膜層２２が有する孔の径より大きく、また、第１多孔性酸化ジルコニウム
膜層２２が有する孔の径は多孔性酸化チタン膜層１４が有する孔の径より大きい。したが
って、最下層の多孔性酸化チタン膜層１４まで充分に有機ＥＬ材料３２を含有させること
ができる。
なお、有機発光性材料には、上記のＡＤＳ社製ポリフルオレン誘導体ＡＤＳ１３３ＹＥ
のように、ベンゾチアヂアゾールユニットを直接分子に含んでいてもよいが、それ以外に
、ベンゾチアヂアゾール分子自身を混合させて有機発光性材料を形成させることもできる
。
【００７０】
上記溶媒としては、上記キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒以外にも、例えば、四塩化
炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール
、エチレングリコール、等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエー
テル、等のエーテル系溶媒、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン
、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シク
ロヘキサノン等のケトン系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、
メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シク
ロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒等が挙げることができ、これらを単独又は混合して
用いることができる。
なお、溶媒の除去は自然乾燥でもよいが、加熱等の工程を別途実施してもよい。また、
液体材料の供給手段はインクジェット装置によるもの（インクジェット法）に限定される
ものではなく、ワイヤーバーコート法やスクリーン印刷法等の手段（装置）を用いること
も可能である。
【００７１】
以上の工程により、多孔性酸化チタン膜層１４と第１多孔性酸化ジルコニウム膜層２２
と第２多孔性酸化ジルコニウム膜層２３とが有するの微細な孔内に有機ＥＬ材料が含有さ
れる。その結果、図６（ｃ）に示すように、電極間領域３０に有機ＥＬ材料含有金属酸化
物層１５、及び有機ＥＬ材料含有絶縁性金属酸化物層２５が形成され、横型有機ＥＬ装置
が完成する。第１の実施形態で述べたように、陰極１２と陽極１３との間に電圧を印加す
ると、有機ＥＬ材料含有金属酸化物層１５と有機ＥＬ材料含有絶縁性金属酸化物層２５と
の少なくともどちらか一方の層で電子と正孔が結合して、基板１０に垂直方向の発光が生
じる。上記発光光は有機ＥＬ材料３２の種類や量により定まるものである。したがって、
インクジェットヘッド３４による滴下のパターンを制御することで、基板１０上に、上記
発光光による画像を形成できる。
【００７２】
以上述べたように、本実施形態にかかる横型有機ＥＬ装置の製造方法によれば、酸化チ
タン等の膜層を形成する工程、すなわちクリーンルーム等を必要とする工程を前工程とし
て実施できる。そして、該前工程を終えた段階で大気安定な状態で保つことができる。そ
して、最後の、有機ＥＬ材料を供給（配置）して表示する画像を決定する工程をインクジ
ェット装置を用いて行うことで、表示する画像の決定を、高価な設備を有しない一般の（
個々の）ユーザーに委ねることができ、いわゆるプリンタブルな横型の有機ＥＬ装置を製
造（提供）することができる。
（変形例１）
【００７３】
第１の実施形態にかかる横型有機ＥＬ装置の変形例として、酸化チタン膜層１１を基板
１０上に積層せず、陰極１２を形成後直接、多孔性酸化チタン膜層１４を積層する態様の
模式断面図を図７に示す。
酸化チタン膜層１１は陰極１２と、多孔性酸化チタン膜層１４内に供給された有機ＥＬ
材料３２と画素電極直接接触することを回避する機能を果たしている。しかし、有機ＥＬ
材料３２の供給量を制限して、多孔性酸化チタン膜層１４の下層膜厚では到達しないよう
にすると上記接触は酸化チタン膜層１１が存在しなくても回避できる。酸化チタン膜層１
１の形成には高温を要するため、基板１０をガラス等の耐熱性を有する材料で形成する必
要が生じるが、上述するように有機ＥＬ材料３２の供給量を制限（調節）して酸化チタン
膜層１１を積層しない場合、プラスチック等の安価な材料で基板１０を形成でき、プリン
タブルな表示装置を低コストで供給できる。
（変形例２）
【００７４】
第１の実施形態にかかる横型有機ＥＬ装置の変形例として、陽極１３と酸化バナジウム
膜層１７との積層の順序を逆にして、陽極１３の下層に酸化バナジウム膜層１７を形成し
た態様の模式断面図を図８に示す。
陽極１３と酸化バナジウム膜層１７の双方を平坦な下地上でパターニングできるため、
寸法制御が容易になるという利点がある。
（変形例３）
【００７５】
第１の実施形態にかかる横型有機ＥＬ装置の変形例として、第２多孔性酸化ジルコニウ
ム膜層２３を省いた態様の模式断面図を図９に示す。
第２多孔性酸化ジルコニウム膜層２３は陽極１３及び第１多孔性酸化ジルコニウム膜層
２２を保護するためのものであり、発光には殆んど寄与していない。したがって、かかる
態様により、耐久性等の若干の低下と引き換えに工数及び滴下する液体材料３３（図６参
照）の量を削減でき、製造コストを抑制できる。
（変形例４）
【００７６】
第１の実施形態にかかる横型有機ＥＬ装置の変形例として、電極間領域３０において、
基板１０と酸化チタン膜層１１との間に反射板５０及び該反射板を保護する保護膜５２を
積層した態様の模式断面図を図１０に示す。かかる態様により、発光光を有効に利用でき
、高効率の横型有機ＥＬ装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】基本的な概念について説明する図。
【図２】第１の実施形態にかかる横型有機ＥＬ装置の模式断面図。
【図３】複数の有機ＥＬ装置が連続的に形成された態様を示す模式断面図。
【図４】プリンタブルな表示装置の模式平面図。
【図５】第２の実施形態にかかる横型有機ＥＬ装置の工程断面図。
【図６】第２の実施形態にかかる横型有機ＥＬ装置の工程断面図。
【図７】変形例１にかかる横型有機ＥＬ装置の模式断面図。
【図８】変形例２にかかる横型有機ＥＬ装置の模式断面図。
【図９】変形例３にかかる横型有機ＥＬ装置の模式断面図。
【図１０】変形例４にかかる横型有機ＥＬ装置の模式断面図。
【符号の説明】
【００７８】
１…基板、２…陰極、３…陽極、４…多孔性第１金属酸化物領域、５…有機ＥＬ材料含
有第１金属酸化物領域、６…有機ＥＬ材料層、７…第２金属酸化物領域、１０…基板、１
１…緻密金属酸化物層としての酸化チタン膜層、１２…陰極、１３…陽極、１４…多孔性
の第１金属酸化物層としての多孔性酸化チタン膜層、１５…有機ＥＬ材料含有金属酸化物
層、１７…第２金属酸化物層としての酸化バナジウム膜層、２２…多孔性の第１絶縁性金
属酸化物層としての第１多孔性酸化ジルコニウム膜層、２３…多孔性の第２絶縁性金属酸
化物層としての第２多孔性酸化ジルコニウム膜層、２５…有機ＥＬ材料含有絶縁性金属酸
化物層、３０…電極間領域、３２…有機ＥＬ材料、３３…液体材料、３４…インクジェッ
トヘッド、３５…発光光、４２…配置パターン、４４…電源、４５…スイッチ、５０…反
射板、５２…保護膜、Ａ…接触部、Ｂ…電子の移動経路、Ｃ…正孔の移動経路。
【図１】
2008305721.tif 000003
【図２】
2008305721.tif 000004
【図３】
2008305721.tif 000005
【図４】
2008305721.tif 000006
【図５】
2008305721.tif 000007
【図６】
2008305721.tif 000008
【図７】
2008305721.tif 000009
【図８】
2008305721.tif 000010
【図９】
2008305721.tif 000011
【図１０】
2008305721.tif 000012