(57)【要約】【課題】静電吸着を利用したパーティクル除去方法では、試料に向かって浮動するパーティクルを除去することができず、回路パターン間の短絡等、電気回路にダメージを与えやすい。【解決手段】試料１１を載置する領域を備えた載置部１２と、グランド電位に対し正または負の電圧を試料に印加する試料用電極１３と、該試料用電極１３の印加電圧と正負が逆の電圧が印加され、前記試料用電極１３より離間して前記試料の載置領域の周囲に配置された第１電極１４と、該第1電極１４の印加電圧と異なる値の電圧が印加され、前記第１電極１４より離間して前記試料の載置領域の周囲に配置された第２電極１５とを有し、前記第１電極１４および第２電極１５との間に配置され、前記第１電極１４および第２電極１５それぞれに電気的に導通する抵抗体１６を備えた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を載置する領域を備えた載置部と、グランド電位に対し正または負の電圧を試料に印加する試料用電極と、該試料用電極の印加電圧と正負が逆の電圧が印加され、前記試料用電極より離間して前記試料の載置領域の周囲に配置された第１電極と、該第1電極の印加電圧と異なる値の電圧が印加され、前記第１電極より離間して前記試料の載置領域の周囲に配置された第２電極とを有し、前記第１電極および第２電極との間に配置され、前記第１電極および第２電極それぞれに電気的に導通する抵抗体を備えたことを特徴とする試料ホルダ。
【請求項２】
前記第２電極は、前記第1電極の印加電圧と正負が同一で、且つ、絶対値が小さい電圧が印加されることを特徴とする請求項１に記載の試料ホルダ。
【請求項３】
前記第２電極は、グランドに接地されていることを特徴とする請求項１に記載の試料ホルダ。
【請求項４】
前記第１電極は、前記試料用電極の印加電圧と正負が逆で、且つ絶対値が同等又はそれ以上の電圧が印加されることを特徴とする１〜３の何れかに記載の試料ホルダ。
【請求項５】
前記第１電極、第２電極および抵抗体は、前記試料載置領域の周囲に環状に配置されることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の試料ホルダ。
【請求項６】
前記第１電極、第２電極および抵抗体は、その各主面が前記載置部に載置される試料の主面と平行に配置されることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の試料ホルダ。
【請求項７】
請求項１〜６の何れかに記載の試料ホルダを備え、該試料ホルダにより保持される試料を荷電粒子を用いて検査することを特徴とする検査装置。
【請求項８】
請求項１〜６の何れかに記載の試料ホルダを備え、該試料ホルダにより保持される試料を荷電粒子を用いて処理することを特徴とする試料処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビームやイオンビーム等を利用して半導体ウエハやマスク等の各種試料を検査または観察等を行う際に用いる走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、走査型イオン顕微鏡等の検査装置に用いられる試料ホルダに関し、特に、装置内部に浮遊する塵や埃が試料に飛散することを防止する構造を有する試料ホルダであり、さらにはこの試料ホルダ用いた検査装置および試料に荷電粒子を用いて処理する試料処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体製造工程において、ウエハやマスク等を高分解能で観察、検査する際に、走査型電子線顕微鏡（以下、ＳＥＭと称す）等の荷電粒子を利用した検査装置が用いられている。図４は、ＳＥＭの構造を模式的に示す分解斜視図である。ＳＥＭは、電子銃５１から電子の束からなる、いわゆる電子ビーム１４０を引き出し電極５２を用い放出させ、電子ビーム１４０を加速電極５３により加速、偏向電極５４により偏向走査しながら、観察用の試料１３１の所定の位置に照射させ、その電子の衝突により試料１３１から放出される２次電子や反射電子等を検出器５６により検出して、試料１３１の表面の形状等を観察することができる。電子ビーム１４０は、その性質上、真空環境下で使用される上、数ｍｍというような大きな偏向走査が困難ため、試料１３１は、試料１３１を保持する試料ホルダ１３０を具備したＸＹステージ等の移動手段を用い、真空容器である試料室内で所定の座標に自由に移動できる必要がある。
【０００３】
近年、半導体素子の高集積化に伴い、半導体ウエハに形成される回路パターンの線幅は数十ｎｍと細くなり、回路パターンに影響を与える塵や埃（以下、パーティクル）の大きさ又は粒径も非常に小さくなってきており、試料上へのパーティクル付着の低減への要求はより高くなっている。
【０００４】
ＳＥＭに備えられた試料を保持するための試料ホルダについて、図５（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。図５（ａ）は斜視図、（ｂ）は、同図（ａ）におけるＢ−Ｂ線における断面図、（ｃ）は同図（ｂ）の一部を拡大した断面図である。
【０００５】
特許文献１に示される一般的な試料ホルダ１３０は、半導体ウエハ等の試料１３１を載置する載置部１３２と、試料１３１を固定し、同時に試料１３１に電圧印加可能な試料用電極１３３とを備え、試料１３１には電子銃（不図示）から放出された電子ビーム１４０を照射して、試料１３１を検査できるようになっている。
【０００６】
半導体回路パターンの微細化に伴い、試料に照射した高速度の電子ビームにより放出される二次電子などの反面散乱電子の放出効率の向上や回路パターンの損傷防止を目的として、電子ビーム１４０を試料１３１に照射する直前に減速させるため、試料１３１には試料用電極１３３を介して負の電圧が印加される。
【０００７】
ここで、図５（ｃ）を用いて試料用電極１３３の構造を説明すると、コイルバネ等からなる弾性部１４１と、試料１３１に接触して電圧を印加する先端部１４２と、弾性部１４１にて発生した力を先端部１４２に伝達する電極本体１４３と、ベース１３４に固定され、弾性部１４１と電極本体１４３を囲い保持する枠１４４とからなり、電極本体１４３は、ツバ１４３ａと枠１４４の上蓋１４４ａ間に挟まれた弾性部１４１により、試料１３１を押さえる方向の力を受け、先端部１４２により試料１３１を押さえることができる。そして、電極本体１４３に電圧を印加すると先端部１４２より試料１３１に電圧が印加できる。また、試料１３１を取り外す際は、電極本体１４３を上方へ持ち上げるとともに、電極本体１４３の支柱１４３ｂの外径と枠１４４の上蓋１４４ａの内径部を回転／摺動させることができ、試料１３１の脱着を可能とする。試料用電極１３３とベース１３４は電気的に絶縁されている。
【０００８】
しかし、負の電圧を試料１３１に印加すると、ＳＥＭ内部で浮遊している塵や埃等の正に帯電したパーティクルが静電吸着力により試料１３１に引き寄せられるという問題が発生する。パーティクルが試料１３１に付着した場合、回路パターン間の短絡等、完成した電気回路に致命的なダメージを与えることとなる。特に、正に帯電したパーティクルは試料１３１に引き寄せられ易く大量のパーティクルが試料１３１に吸着されることとなり、試料１３１に電圧を印加しない場合に比較し歩留まりが大幅に悪化するという問題を有していた。
【０００９】
この問題を解決する方法として、特許文献２および特許文献３では静電力を利用したパーティクル除去方法が提案されている。
【００１０】
特許文献２の構造を図６（ａ）、（ｂ）に示す。試料１３１の載置部１３２の周囲に試料用電極１３３と離間して吸着電極１３６を配置する。図６（ｂ）に示すように、吸着電極１３６は、絶縁体１３５と、絶縁体１３５の底面から電圧を印加する吸着電極部１３６ａ，１３６ｂとから構成され、ＳＥＭ内を浮遊する帯電したパーティクルを静電吸着力により絶縁体１３５で吸着する仕組みである。
【００１１】
特許文献３の構造を図７（ａ）〜（ｃ）に示す。特許文献３による除去方法では、試料に電圧が印加される場合、試料表面に飛散するパーティクルが、その試料電位により吸着されて試料表面に付着する点に着目し、試料周辺に試料に印加する電圧と正負が逆で、かつ、試料の印加電圧の値とその絶対値が同等の電圧を有する電極部を有し、静電的な反発力をもって試料表面にパーティクルが付着することを抑制している。例えば、図７（ａ）に示すように試料１３１に電圧を印加する試料用電極１３３を有する試料載置部１３２に対し、試料１３１の周辺に反発電極１３７を配置し、試料１３１に印加された電圧と正負が逆で、かつ、絶対値が同等の電圧を印加し、試料１３１へ吸着されるパーティクルとの間に静電力を発生させて、反発電極１３７の反発力により外部にパーティクルを除去している。
【特許文献１】特開２００４−３１９８４０号公報
【特許文献２】特許第３３４８２２３号公報
【特許文献３】特開２００６−３３２５０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
帯電しているパーティクルは、ステージを駆動させるための摺動部や案内部での摩擦摩耗やケーブル被覆の擦れ等により多く発生すると考えられているため、パーティクルの発生を完全に無くすことは困難である。また、正負どちらに帯電するかは発生源である摩擦部材の材質にも左右されるが、その他、周辺環境にも左右されやすく、また、電子等荷電粒子の衝突等、摩擦以外の原因により帯電することもあるので、パーティクルの帯電する正負を完全に推測することは困難である。そのため、特許文献２による除去方法では、静電吸着部材の電圧と正負が逆に帯電しているパーティクルは静電吸着できない上、一度吸着されたパーティクルも静電吸着部材より電荷の移動により帯電が中和されれば、静電吸着力を失い再度浮遊することとなり、この電気的に中和されたパーティクルが試料上へ飛散することを回避することが非常に困難であるという課題を有している。
【００１３】
特許文献３の除去方法では、反発電極１３７周辺に存在するグランド等の他の電圧と反発電極１３７の位置関係が反発電極１３７により等電位線の形成に大きな影響を与えてしまう。つまり、帯電しているパーティクルが受ける静電気的な反発力は、等電位線に対し垂直方向に力を受けるので、パーティクル移動方向と形成される等電位線が平行に近づくほど、パーティクルの除去効果が減少するという課題を有している。
【００１４】
例えば、図７（ｂ）に示すように、電子線を用いた検査装置などに試料ホルダが用いられる場合は、試料上面近くに金属製の真空容器の壁面が存在し、真空容器の多くはグランドに接地されており、図７（ｂ）に示すように等電位線が形成されるので、真空容器の壁面近くを試料１３１方向に移動するパーティクルは、移動方向に反発力を受けにくいことになる。
【００１５】
パーティクルの正負の帯電極性は、帯電列によって決定される。例えば、パーティクルが、ガラス、セラミックス、ナイロン、レーヨン、アルミニウム等の微粉である場合、正に帯電しやすく、パーティクルがアクリル、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエステル、アクリル、塩化ビニル、ステンレス等の微粉である場合、負に帯電しやすいことが報告されている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため、本発明は、試料を載置する領域を備えた載置部と、グランド電位に対し正または負の電圧を試料に印加する試料用電極と、該試料用電極の印加電圧と正負が逆の電圧が印加され、前記試料用電極より離間して前記試料の載置領域の周囲に配置された第１電極と、該第1電極の印加電圧と異なる値の電圧が印加され、前記第１電極より離間して前記試料の載置領域の周囲に配置された第２電極とを有し、前記第１電極および第２電極との間に配置され、前記第１電極および第２電極それぞれに電気的に導通する抵抗体を備えたことを特徴とするものである。
【００１７】
前記第２電極は、前記第1電極の印加電圧と正負が同一で、且つ、絶対値が小さい電圧が印加されることを特徴とするものである。
【００１８】
前記第２電極は、グランドに接地されていることを特徴とするものである。
【００１９】
前記第１電極は、前記試料用電極の印加電圧と正負が逆で、且つ絶対値が同等又はそれ以上の電圧が印加されることを特徴とするものである。
【００２０】
前記第１電極、第２電極および抵抗体は、前記試料載置領域の周囲に環状に配置されることを特徴とするものである。
【００２１】
前記第１電極、第２電極および抵抗体は、その各主面が前記載置部に載置される試料の主面と平行に配置されることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の試料ホルダによれば、試料を載置する領域を備えた載置部と、試料にグランド電位に対し正または負の電圧を印加する試料用電極と、該試料用電極の印加電圧と正負が逆の電圧が印加され、前記試料用電極より離間して前記試料の載置領域の周囲に配置された第１電極と、該第１電極の印加電圧と異なる値の電圧が印加され、前記第１電極より離間して前記試料の載置領域の周囲に配置された第２電極とを有し、前記第１電極および第２電極との間に配置され、前記第１電極および第２電極それぞれに電気的に導通する抵抗体を備えたことから、抵抗体により第２電極から試料の方向に対して等電位線をほぼ垂直方向に走らせることができ、試料の電圧により試料側に移動、吸着しようとするパーティクルは、第２電極から試料の方向に形成された等電位線により移動方向と逆方向に静電力を与えられ、試料上へのパーティクルの付着を低減することができる。
【００２３】
また、第１電極と第２電極間の抵抗体の抵抗値を所定の値にすることで、抵抗体に流れる電流を小さくして、その電流が電子ビームやイオンビームに与える影響を低減でき、電子ビームやイオンビームの直進性を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の試料ホルダおよび検査装置の実施形態について図面に基づいて説明する。
【００２５】
以下、本発明に係る試料ホルダ１０の一実施形態を図１（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
【００２６】
図１（ａ）は、前記検査装置内部に配置される試料ホルダ１０の斜視図、（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図を示す。
【００２７】
本発明の試料ホルダ１０は、半導体用ウエハやマスク等の各種試料１１を載置する領域を備える載置部１２と、前記試料１１にグランド電位に対して所定の電圧を印加するための試料用電極１３と、前記試料１１の載置領域の周囲に配置された第１電極１４および第２電極１５と、前記第１電極１４および第２電極１５との間に配置され、前記第１電極１４および第２電極１５のそれぞれに電気的に導通する抵抗体１６とを有するものである。
【００２８】
ここで、試料１１は、真空環境下にある試料室内で超音波モータ等を駆動源とするＸＹステージ等の移動手段上に搭載された試料ホルダ１０により保持されている。
【００２９】
試料用電極１３は、試料１１に照射する電子ビーム２０を構成する電子を照射する直前に減速させる作用をなし、試料１１が半導体ウエハの場合は、試料１１に形成された回路パターンの損傷を防止するものである。
【００３０】
試料用電極１３は、電子を減速させるため、試料１１が負の電圧となるように電圧が印加される。また、電圧は、電子を加速した電圧に依存するため、数ｋＶ〜数十ｋＶとする。また、試料１１は表面の電圧を均一とした方が望ましいため、体積固有抵抗値の低い導電性の材料にて製作されるか、これに類する材料をＣＶＤ等により膜付けされている。このため、試料１１は試料用電極１３に印加された電圧とほぼ同等の電圧をもつことになる。
【００３１】
図１（ｂ）に示すように、試料用電極１３は、コイルバネ等よりなる弾性部４１と、試料１１に接触して電圧を印加する先端部４２と、弾性部４１にて発生した力を先端部４２に伝達する電極本体４３と、ベース１９に固定され弾性部４１と電極本体４２を囲い保持する枠４４とからなり、電極本体４３は、ツバ４３ａと枠４４の上蓋４４ａ間に挟まれた弾性部４１により、試料３１を押さえる方向の力を受け、先端部４２により試料３１を押さえることができる。そして、電極本体４３に電圧を印加すると先端部４２より試料３１に電圧が印加できる。また、試料３１を取り外す際は、電極本体４３を上方へ持ち上げるとともに、電極本体４３の支柱４３ｂの外径と枠４４の上蓋４４ａの内径部を回転／摺動させることができ、試料３１の脱着を可能とする構造となっている。
【００３２】
試料１１の載置領域の周囲には第１電極１４が配置され、この第１電極１４は、試料用電極１３の印加電圧と正負が逆の電圧が印加される。印加電圧は試料用電極１３の印加電圧の絶対値と同等又はそれ以上であることが好ましい。
【００３３】
第１電極１４と抵抗体１６を介して載置部１２の周囲に配置される第２電極１５は、第1電極１４の印加電圧と異なる値の電圧が印加される。第１電極１４と第２電極１５の間にはそれぞれに電気的に導通する抵抗体１６を備えることから、抵抗体１６により第２電極１５から試料１１の方向に対して等電位線をほぼ垂直方向に走らせることができる。試料１１の電圧により試料１１側に移動、吸着しようとするパーティクルは、第２電極１５から試料１１の方向に形成された等電位線により移動方向と逆方向に静電力を与えられるため、試料１１上へのパーティクルの付着を低減することができる。
【００３４】
特に、第２電極１５は、第１電極１４の印加電圧と正負が同一であって、第２電極１５の印加電圧の絶対値が第１電極１４の印加電圧の絶対値より小さい電圧が印加されることが好ましく、これにより試料電極１３の有する電圧と異符号に帯電したパーティクルが第１電極１４や抵抗体１６から受ける吸着力を低減させることができる。
【００３５】
上述の場合、第２電極１５には電圧が印加されているが、第２電極１５の電圧が０Ｖとなるように、グランドに接地されていてもよい。この場合、第１電極１４や抵抗体１６のもつ電圧と正負が逆に帯電したパーティクルが、第１電極１４や抵抗体１６に引き寄せられることを有効に防ぐことができる。
【００３６】
これら第１電極１４および第２電極１５は、アルミニウム、銅、チタンおよびそれらを主体とした合金等、磁性の低いものから構成することにより電子ビームに与える磁場の影響を低減できる。
【００３７】
載置部１２、試料用電極１３、第１電極１４および第２電極１５は、体積固有抵抗値が低い銅、銀、金およびそれらを主体とした合金で製作され、図１（ｂ）に示すように各電極はアルミナ、コージライト、窒化珪素、炭化珪素等のセラミックスからなる電極ベース１７上にネジ締結や接着または、化学的気相成膜（ＣＶＤ）法等の膜付け技術により配置することが可能である。
【００３８】
第１電極１４および第２電極１５の間に配置された抵抗体１６は、第１電極１４および第２電極１５に配線１８を介して電気的に導通し、第１電極１４から第２電極１５に上述のような電圧を印加すると、抵抗体１６に両電極間の電位差に応じた電位を等配的に与えることができる。
【００３９】
抵抗体１６は、厚み５０μｍ以下の薄膜にて形成することにより、抵抗体１６が荷電粒子の近傍を移動する際に発生する渦電流を抑制し、渦電流が荷電粒子に与える電磁力を抑制することができる。
【００４０】
試料ホルダ１０が搭載されるＳＥＭは、真空チャンバ内で使用され、図２（ａ）に示すように試料ホルダ１０の上面近くに真空チャンバの壁面が存在し、この壁面は鉄やアルミニウム等の合金にて製作されており、真空チャンバ壁面のグランド２１に接地される。
【００４１】
その結果、第１電極１４、第２電極１５および抵抗体１６のそれぞれに存在する電圧とチャンバ壁面のグランド２１により作成される等電位線は図２（ａ）に示すように、第１電極１４と真空チャンバ壁面のグランド２１間にできる電圧と抵抗体１６上に発生する電圧により描かれる。ここで、第１電極１４と第２電極１５間の距離を第１電極１４とグランド２１間距離に比べ、著しく短く設定することにより、図２（ｂ）に示すように、パーティクル２２の試料１１への移動経路に対し、略垂直方向に等電位線を形成させることが可能となり、パーティクル２２が試料１１へ接近する方向の反対方向への静電気力をより大きく与えることができる。
【００４２】
第１電極１４および第２電極１５に印加する電圧および各電極間距離は、試料１１に印加される電圧と、試料１１、第１電極１４、第２電極１５および真空チャンバ壁面等の周辺電極の相対的な位置関係より適宜設定される。
【００４３】
抵抗体１６は、体積固有抵抗値は1×１０６〜1×１０１２Ω・ｃｍの範囲であれば、荷電粒子が抵抗体１６側に浮遊した場合の抵抗体１６への帯電を有効に防止することができる。体積固有抵抗値は１×１０８Ω・ｃｍ以上であることがより好ましく、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素等を主成分とする各種セラミックスにより形成する。上述のような体積固有抵抗値の材料を使用することで、第１電極１４と第２電極１５間距離を第１電極１４とチャンバ壁面のグランド２１間距離に比べ、著しく短く設定することができ、抵抗体１６に流れる電流による周辺の磁場変動が電子ビーム２０に影響を与えないレベルに低減することもできる。
【００４４】
一般的には、電子ビーム２０が＋２０ｋＶの電圧にて加速され試料１１に照射される際、試料用電極１３により試料１１に印加される負の電圧は−２０ｋＶ前後に設定される。例えば、試料用電極１３および試料１１の電圧を−２０ｋＶとすると、第１電極１４の電圧を＋２０ｋＶ以上、第２電極１５をグランドに接地するように設定する。また、抵抗体１６にも電圧が発生し、負に帯電したパーティクルは第１電極１４、第２電極１５、抵抗体１６およびチャンバ壁面グランドにより発生する等電位線又は電気力線により第２電極１５の外側に戻される静電気力を受ける。
【００４５】
第１電極１４、第２電極１５および抵抗体１６は、試料１１の載置領域の周囲に環状に配置されていることが好ましい。試料１１が半導体ウエハ等の円板形状である場合、試料１１の載置領域を囲うように環状に形成することで、試料１１側に吸着しようとするパーティクルを試料１１の周囲全体にわたって第２電極１５の外側へ戻すことができ、さらに省スペース化を図ることができる。
【００４６】
なお、第１電極１４、第２電極１５および抵抗体１６は、試料１１へのパーティクルの吸着が防げるものであれば、試料１１を完全に囲繞する必要はなく、第１電極１４、第２電極１５および抵抗体１６が試料１１の周囲を一部周回していない箇所を有する形状でも良い。例えば、第１電極１４、第２電極１５および抵抗体１６が繋がったものを、複数個それぞれ離間して配置してもよい。
【００４７】
第１電極１４、第２電極１５および抵抗体１６は、周知の物理的気相成膜（ＰＶＤ）法やＣＶＤ法を用いて、絶縁性材料からなる絶縁体に膜付けすることにより作成してもよい。
【００４８】
また、試料１１が載置される載置部１２は、試料ホルダ１０がＳＥＭに搭載された場合は真空チャンバ内で用いられること、試料１１が半導体ウエハの場合には、その回路パターンの微細化に伴って、試料１１の平面度を強制的に修正する必要があることから、試料１１と同形状のアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素および炭化珪素を主成分とするセラミックスからなる静電チャック等が用いられることが多い。
【００４９】
ここで、載置部１２として静電チャックを用いた試料ホルダについて図２（ｃ）を用いて説明する。静電チャックは、載置部１２の下方に、表面に静電チャック用電極２３を備えた絶縁体２１と、絶縁体２１の裏面から各電極にそれぞれの電圧を印加するための引き出し部２４とを備えてなる。試料１１に電圧を印加すると、載置部１２上に載置された試料１１と載置部１２間に静電力を発生させて、試料を静電気力にて吸着するものである。特に、静電チャック用電極２３を２分割とし、双方の電極に異なる電位を印加することで、試料１１に電圧を印加せずとも、試料１１には電位が現れ、載置部１２に静電力により吸着される。
【００５０】
次いで、本発明の試料ホルダの製造方法について説明する。ここでは、載置部１２に静電チャックを備えた試料ホルダについて説明する。
【００５１】
先ず、第１電極１４、第２電極１５および静電チャック電極２３は、アルミナ、窒化アルミニウム等の絶縁性セラミックスからなるベースの上に、チタン等の非磁性材料をＣＶＤ等の手法を用いて成膜して形成し、各々の電極に別々の電圧を印加できるように引き出し部２４と導通を確保しておく。その後、載置部１２と抵抗体１６部分をアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素および炭化珪素をＣＶＤ等の手法を用いて成膜形成することにより、試料ホルダ１０の配線１８が不要になり、容易に製作可能となる。
【００５２】
このような試料ホルダ１０は、検査装置内で図３に示されるようなＸＹステージ２７上に設置して用いられる。
【００５３】
ＸＹステージ２５は、検査装置の試料室内部に設置され、超音波モータ２６を駆動源として、クロスローラガイド等からなる案内部２７に沿って、Ｘ方向、Ｙ方向にそれぞれ２００〜３００ｍｍ程度の範囲で移動することができる。このＸＹステージ２５上に試料ホルダ１０を設置することで試料ホルダ１０に載置される試料１１の位置を調整することができる。
【００５４】
試料ホルダ１０を設置したＸＹステージ２５は、上述のＳＥＭ等の検査装置内に配置され、電子ビーム等の荷電粒子を試料に照射させ、その電子の衝突により試料から放出される２次電子や反射電子を検出器により検出することで試料表面の形状等を観察することができる。この試料ホルダ１０により、試料１１の検査中に、試料１１へのパーティクルの吸着が低減され、試料１１へのパーティクルの吸着が低減され、回路パターン間の短絡等、電気回路に致命的なダメージを有効に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の試料ホルダの一実施形態を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の試料ホルダによって形成される等電位線を模式的に表した部分断面図、（ｂ）は同図（ａ）の拡大図であり、パーティクルの移動を模式的に表した模式図、（ｃ）は本発明の試料ホルダに静電チャックを配置した際の断面図である。
【図３】本発明の試料ホルダをＸＹステージに搭載した斜視図である。
【図４】電子線走査型顕微鏡を用いた試料の検査方法を説明するための分解斜視図である。
【図５】従来の試料ホルダを示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、（ｃ）は試料用電極を示す部分拡大断面図である。
【図６】従来の試料ホルダを示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【図７】従来の試料ホルダを示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は同図（ａ）のＤ−Ｄ線断面図、（ｃ）は試料ホルダにより形成される等電位線を説明する図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０，１３０：試料ホルダ
１１，１３１：試料
１２，１３２：載置部
１３，１３３：試料用電極
１４        ：第１電極
１５        ：第２電極
１６        ：抵抗体
１７        ：電極ベース
１８        ：配線
１９，１３４：ベース
２０，１２０：電子ビーム
２１        ：チャンバ壁面のグランド
２２        ：パーティクル
２３        ：静電チャック用電極
２４        ：引き出し部
２５        ：ＸＹステージ
２６        ：超音波モータ
２７        ：案内部
４１，１４１：弾性部
４２，１４２：先端部
４３，１４３：電極本体
４４，１４４：枠
５１        ：電子銃
５２        ：加速電極
５３        ：アパーチャ
５４        ：偏光電極
５６        ：検出器
１３５      ：絶縁体
１３６      ：吸着電極
１３７      ：反発電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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