(57)【要約】【課題】画素領域の反射部に形成されたカップリングキャパシタを通して反射曲線と透過曲線とをマッチングさせ、画素領域に均一な階調を形成可能な半透過型液晶表示パネルを得る。【解決手段】基板上に形成されるゲートライン１０２と；ゲートラインと交差するように形成され、透過部及び反射部からなる画素領域を定義するデータライン１０８と；ゲートラインとデータラインとの交差領域に形成される薄膜トランジスタＴＲと；薄膜トランジスタを覆う保護膜上に形成される第１絶縁膜と；画素領域の反射部に形成されて入射光を反射させる反射電極１２０と；反射電極を覆う第２絶縁膜上に形成され、コンタクトホールを通して薄膜トランジスタのドレーン電極に接続される画素電極１２６と；ドレーン電極から供給されるデータ電圧によって反射部の反射曲線を正規化させ、反射部の反射曲線と透過部の透過曲線とをマッチングさせるカップリングキャパシタと；を備えている。【選択図】図３
2008242428.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されるゲートラインと；
前記ゲートラインと交差するように形成され、透過部及び反射部からなる画素領域を定義するデータラインと；
前記ゲートラインと前記データラインとの交差領域に形成される薄膜トランジスタと；
前記薄膜トランジスタを覆う保護膜上に形成される第１絶縁膜と；
前記画素領域の反射部に形成されて入射光を反射させる反射電極と；
前記反射電極を覆う第２絶縁膜上に形成され、コンタクトホールを通して前記薄膜トランジスタのドレーン電極に接続される画素電極と；
前記ドレーン電極から供給されるデータ電圧によって前記反射部の反射曲線を正規化させ、前記反射部の反射曲線と前記透過部の透過曲線とをマッチングさせるカップリングキャパシタと；を備えたことを特徴とする半透過型液晶表示パネル。
【請求項２】
前記第１絶縁膜は、フォトアクリルからなる有機絶縁物質により構成されたことを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項３】
前記第２絶縁膜は、無機絶縁物質により構成されたことを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項４】
前記カップリングキャパシタは、
前記反射電極と、前記第１絶縁膜を挟んで前記反射電極に重畳される前記ドレーン電極とにより構成された第１カップリングキャパシタと；
前記画素電極と、前記第２絶縁膜を挟んで前記画素電極に重畳される前記反射電極とにより構成された第２カップリングキャパシタと；を備えたことを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項５】
前記第１及び第２カップリングキャパシタは、並列に接続されたことを特徴とする請求項４に記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項６】
前記第２カップリングキャパシタの静電容量は、前記反射部に形成される前記画素電極の面積を通して可変設定されることを特徴とする請求項５に記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項７】
基板上にゲートラインを形成する段階と；
前記ゲートラインと交差し、透過部及び反射部からなる画素領域を定義するデータラインを形成する段階と；
前記ゲートラインとデータラインとの交差領域に薄膜トランジスタを形成する段階と；
前記薄膜トランジスタを覆う保護膜上に第１絶縁膜を形成する段階と；
入射光を反射させるための反射電極を、前記画素領域の反射部に形成する段階と；
コンタクトホールを通して前記薄膜トランジスタのドレーン電極に接続される画素電極を、前記反射電極を覆う第２絶縁膜上に形成する段階と；
前記ドレーン電極から供給されるデータ電圧によって前記反射部の反射曲線を正規化させ、前記反射部の反射曲線と前記透過部の透過曲線とをマッチングさせるカップリングキャパシタを形成する段階と；を備えたことを特徴とする半透過型液晶表示パネルの製造方法。
【請求項８】
前記第１絶縁膜は、フォトアクリルからなる有機絶縁物質により構成されたことを特徴とする請求項７に記載の半透過型液晶表示パネルの製造方法。
【請求項９】
前記第２絶縁膜は、無機絶縁物質により構成されたことを特徴とする請求項７に記載の半透過型液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記カップリングキャパシタを形成する段階は、
前記反射電極と、前記第１絶縁膜を挟んで前記反射電極に重畳される前記ドレーン電極とにより構成された第１カップリングキャパシタを形成する段階と；
前記画素電極と、前記第２絶縁膜を挟んで前記画素電極に重畳される前記反射電極とにより構成された第２カップリングキャパシタを形成する段階と；を備えたことを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記第１及び第２カップリングキャパシタは、並列に接続されたことを特徴とする請求項１０に記載の半透過型液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記第２カップリングキャパシタの静電容量は、前記反射部に形成される前記画素電極の面積を通して可変設定されることを特徴とする請求項１１に記載の半透過型液晶表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半透過型液晶表示パネル及びその製造方法に関し、特に、画素領域の反射部に形成されたカップリングキャパシタを通して反射曲線と透過曲線とをマッチングさせることにより、画素領域に均一な階調値を形成することのできる半透過型液晶表示パネル及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ；ＬＣＤ）は、電界を用いて液晶の光透過率を調節することにより、画像を表示するものである。この種の液晶表示装置は、液晶を駆動させる電界の方向によって垂直電界印加型と水平電界印加型とに区分される。
【０００３】
垂直電界印加型液晶表示装置は、上部基板上に形成された共通電極と、下部基板上に形成された画素電極とが互いに対向するように配置され、これらの間に形成される垂直電界によってＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードの液晶を駆動する。この垂直電界型液晶表示装置は、開口率が大きいという長所を有する反面、視野角が狭いという短所を有する。
【０００４】
水平電界印加型液晶表示装置は、下部基板に並んで配置された画素電極と共通電極との間の水平電界によってインプレーンスイッチ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈ；以下、ＩＰＳという。）モードの液晶を駆動する。この水平電界型液晶表示装置は、視野角が広いという長所を有する。
【０００５】
また、液晶表示装置は、バックライトユニットから入射される光を用いて画像を表示する透過型と、自然光などの外部光を反射させて画像を表示する反射型とに区分される。ここで、透過型は、バックライトユニットの電力消耗が大きい反面、反射型は、外部光に依存しているので、暗い環境では画像を表示できないという問題点がある。
【０００６】
上記のような問題点を解決するために、バックライトユニットを用いる透過モードと、外部光を用いる反射モードとを選択可能な半透過型液晶表示装置が台頭している。半透過型液晶表示装置は、外部光が充分であると反射モードで動作し、外部光が不充分であると、バックライトユニットを用いた透過モードで動作するので、透過型に比べて消費電力が減少し、反射型と異なって外部光の制約を受けない。
【０００７】
以下、図１を参照しながら、従来の半透過型液晶表示装置の構成及び動作について説明する。
【０００８】
半透過水平電界型液晶表示装置は、画素領域が透過部と反射部とに区分され、水平電界によって液晶が駆動されるもので、図１に示すように、多数個の配線及び薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板１１と、薄膜トランジスタ基板１１と対向するカラーフィルタ基板２１と、２つの基板１１，２１の間のセルギャップに充填された液晶層１６とを備えている。
【０００９】
薄膜トランジスタ基板１１には、互いに交差するように形成されて画素領域を定義するゲートライン及びデータラインと、その交差部に形成された薄膜トランジスタと、反射部に形成された有機絶縁膜１８と、有機絶縁膜１８上に形成され、外部から入射される光を反射させる反射電極６０と、反射電極６０と同一の層で透過部に形成される画素電極１７と、反射電極６０及び画素電極１７を覆う保護膜１６と、保護膜１６上に形成され、画素電極１７と一緒に水平電界を形成する共通電極２４とが構成されている。
【００１０】
図１に示した従来の半透過水平電界型液晶表示装置において、透過部に形成されたセルギャップは、反射部に形成された有機絶縁膜６０のために、反射部のセルギャップと比較して約２倍ほど大きいデュアルセルギャップ構造を有する。これによって、反射部と透過部との間の位相差が補償されることにより、画素領域に対する同一の輝度特性を達成している。
【００１１】
しかしながら、上述したように、画素領域に対する同一の輝度特性を達成するデュアルセルギャップ構造を形成するためには、反射部領域に有機絶縁膜６０を形成する別途の工程が要求されるので、工程が複雑になるだけでなく、工程効率が低下するという問題点があった。
【００１２】
上述したようなデュアルセルギャップを有する半透過型液晶表示装置の問題点を解消するための方案として、段差特性に優れた有機絶縁物質を通して画素領域の反射部と透過部との間の段差を除去することにより、単一セルギャップ構造を有する半透過型液晶表示装置が開発されている。
【００１３】
しかしながら、このように構成された単一セルギャップ構造の半透過型液晶表示装置の場合、図２に示すように、画素領域の反射部及び透過部に位置する液晶層の有効屈折率差のために、反射部の反射曲線（ＲＶ）と透過部の透過曲線（ＴＶ）とが互いにマッチングされなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
したがって、従来の単一ギャップ構造を有する半透過型液晶表示パネルは、反射部の反射曲線と透過部の透過曲線とを互いにマッチングさせることができなく、これによって、画素領域を構成する反射部及び透過部に、異なったグレー階調が形成されるという課題があった。
【００１５】
本発明は、上記のような課題を解決するためのもので、その目的は、画素領域の反射部に形成されたカップリングキャパシタを通して反射曲線と透過曲線とをマッチングさせることにより、画素領域に均一な階調を形成することのできる半透過型液晶表示パネル及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の目的を達成するために、本発明に係る半透過型液晶表示パネルは、基板上に形成されるゲートラインと；ゲートラインと交差するように形成され、透過部及び反射部からなる画素領域を定義するデータラインと；ゲートラインとデータラインとの交差領域に形成される薄膜トランジスタと；薄膜トランジスタを覆う保護膜上に形成される第１絶縁膜と；画素領域の反射部に形成されて入射光を反射させる反射電極と；反射電極を覆う第２絶縁膜上に形成され、コンタクトホールを通して薄膜トランジスタのドレーン電極に接続される画素電極と；ドレーン電極から供給されるデータ電圧に対する反射部の反射曲線を正規化させ、透過部の透過曲線にマッチングさせるカップリングキャパシタと；を備えている。
【００１７】
また、本発明に係る第１絶縁膜は、フォトアクリルなどの有機絶縁物質により構成されている。
【００１８】
本発明に係る第２絶縁膜は、無機絶縁物質により構成されている。
【００１９】
本発明に係るカップリングキャパシタは、反射電極と、第１絶縁膜を挟んで反射電極に重畳されるドレーン電極により構成された第１カップリングキャパシタと；画素電極と、第２絶縁膜を挟んで画素電極に重畳される反射電極により構成された第２カップリングキャパシタと；を備えている。
【００２０】
本発明に係る第１及び第２カップリングキャパシタは、並列に接続されている。
【００２１】
本発明に係る第２カップリングキャパシタの静電容量は、反射部に形成される画素電極の面積を通して可変設定されている。
【００２２】
また、本発明に係る半透過型液晶表示パネルの製造方法は、基板上にゲートラインを形成する段階と；ゲートラインと交差し、透過部及び反射部からなる画素領域を定義するデータラインを形成する段階と；ゲートラインとデータラインとの交差領域に薄膜トランジスタを形成する段階と；薄膜トランジスタを覆う保護膜上に第１絶縁膜を形成する段階と；入射光を反射させるための反射電極を、画素領域の反射部に形成する段階と；コンタクトホールを通して薄膜トランジスタのドレーン電極に接続される画素電極を、反射電極を覆う第２絶縁膜上に形成する段階と；ドレーン電極から供給されるデータ電圧によって反射部の反射曲線を正規化させ、透過部の透過曲線にマッチングさせるカップリングキャパシタを形成する段階と；を備えている。
【００２３】
上記の目的の他に、本発明の他の目的及び利点は、添付の図面を参照した本発明の好適な実施の形態に対する説明を通して明白になるだろう。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、画素領域の反射部に形成されたカップリングキャパシタを通して反射曲線と透過曲線とをマッチングさせることにより、画素領域の反射部及び透過部に均一なグレー階調を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
実施の形態１．
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施の形態１に係る半透過型液晶表示パネル及びその製造方法について説明する。
【００２６】
まず、図３及び図４を参照しながら、本発明に係る半透過型液晶表示パネルの構成及び動作について説明する。
【００２７】
本発明に係る半透過型液晶表示パネル１００は、図３及び図４に示すように、基板１０１上に形成されるゲートライン１０２と、ゲートライン１０２と交差するように形成され、透過部及び反射部からなる画素領域を定義するデータライン１０８と、２つのライン１０２，１０８の交差部に形成された薄膜トランジスタＴＲと、薄膜トランジスタＴＲを覆う保護膜１１６上に形成される第１絶縁膜１１８と、画素領域の反射部に形成されて入射光を反射させる反射電極１２０と、反射電極１２０を覆う第２絶縁膜１２２上に形成され、コンタクトホール１２４を通して薄膜トランジスタＴＲに接続される画素電極１２６と、ストレージキャパシタから供給されるデータ電圧の充放電を通して反射部の反射曲線を正規化させ、反射部の反射曲線と透過部の透過曲線とをマッチングさせるカップリングキャパシタ１２８とを備えている。
【００２８】
ゲートライン１０２は、ゲートパッドに接続されたゲートドライバ（図示せず）から供給されるゲート信号を、薄膜トランジスタＴＲを構成するゲート電極１０４に伝達する。
【００２９】
データライン１０８は、データパッドに接続されたデータドライバ（図示せず）から供給されるデータ信号を、ゲート電極１０４のオン／オフと連動して薄膜トランジスタＴＲを構成するソース電極１１０及びドレーン電極１１２に伝達する。
【００３０】
また、データライン１０８は、ゲート絶縁膜１０６を挟んでゲートライン１０２と交差するように形成され、反射部１１４ａ及び透過部１１４ｂからなる画素領域１１４を定義する。
【００３１】
薄膜トランジスタＴＲは、ゲートライン１０２のゲート信号に応答して、データライン１０８の画素信号を画素電極１２６に充電させるもので、ゲートライン１０２に接続されたゲート電極１０４と、データライン１０８に接続されたソース電極１１０と、チャネルを挟んでソース電極１１０と対向するとともに、コンタクトホール１２４を通して画素電極１２６に接続されたドレーン電極１１２とを備えている。
【００３２】
また、薄膜トランジスタＴＲは、ゲート絶縁膜１０６を挟んでゲート電極１０４に対応して形成され、チャネルを形成する活性層１１５ａと、活性層１１５ａ上に形成され、ソース電極１１０及びドレーン電極１１２とオーミック接触を行うオーミック接触層１１５ｂとからなる半導体パターン１１５をさらに備えている。
【００３３】
反射電極１２０は、薄膜トランジスタＴＲが形成された画素領域１１４の反射部１１４ａを覆う第１絶縁膜１１８上に形成され、カラーフィルタ基板を通して入射される外部光をカラーフィルタ基板方向に反射させる機能を有する。
【００３４】
また、反射電極１２０は、第１絶縁膜１１８を挟んで薄膜トランジスタＴＲのドレーン電極１１２に重畳されるように構成され、画素領域１１４の反射部１１４ａに、カップリングキャパシタ１２８を構成する第１カップリングキャパシタ１２８ａを形成する。
【００３５】
第１絶縁膜１１８は、平坦化特性に優れたフォトアクリルなどの絶縁物質で構成され、カラーフィルタ基板から入射される入射光を散乱させて反射効率を増加させるために、その表面がエンボス処理される。
【００３６】
このとき、第１絶縁膜１１８がフォトアクリルなどの有機絶縁物質で構成されることにより、第１カップリングキャパシタ１２８ａは小さい電気容量を有する。これによって、ストレージキャパシタＣｓｔから入力されるデータ電圧に対する充放電を迅速に行うことにより、画素領域１１４の反射部１１４ａに、急激に変化する反射曲線（ＲＶ）の特性を形成する。
【００３７】
画素電極１２６は、反射電極１２０を覆う第２絶縁膜１２２上に形成され、共通電極と一緒に液晶配向のための垂直電界を形成するもので、第２絶縁膜１２２、第１絶縁膜１１８及び保護膜１１６を貫通するコンタクトホール１２４を通して、薄膜トランジスタＴＲのドレーン電極１１２に電気的に接続される。
【００３８】
また、画素電極１２６は、無機絶縁物質により構成された第２絶縁膜１２２を挟んで反射電極１２０に重畳されるように構成され、画素領域１１４の反射部１１４ａに、カップリングキャパシタ１２８を構成する第２カップリングキャパシタ１２８ｂを形成する。
【００３９】
このとき、第２絶縁膜１２２が無機絶縁物質で構成されることにより、第２カップリングキャパシタ１２８ｂは大きい電気容量を有し、これによって、ストレージキャパシタＣｓｔから供給されるデータ電圧の充放電を徐々に行うことにより、画素領域１１４の反射部１１４ａに、緩慢に変化する反射曲線の特性を形成する。
【００４０】
第２カップリングキャパシタ１２８ｂの電気容量は、第２絶縁膜１２２を挟んで反射電極１２０に重畳される画素電極１２６の面積、例えば、画素領域１１４の反射部１１４ａに形成される面積を変化させることにより、多様な値に調整される。
【００４１】
カップリングキャパシタ１２８は、ストレージキャパシタＣｓｔから供給されるデータ電圧の充放電を調整して反射部１１４ａの反射曲線を正規化させ、反射部１１４ａの反射曲線と透過部１１４ｂの透過曲線とをマッチングさせるもので、図５に示すように、画素領域１１４の反射部１１４ａに少なくとも２個のキャパシタ（以下、「第１及び第２カップリングキャパシタ」と称する）１２８ａ，１２８ｂが並列に接続された形態で構成される。
【００４２】
第１カップリングキャパシタ１２８ａは、画素領域１１４の反射部１１４ａに形成された反射電極１２０と、フォトアクリルなどの有機絶縁物質により構成された第１絶縁膜１１８を挟んで反射電極１２０に重畳されるように形成される薄膜トランジスタＴＲのドレーン電極１１２とから構成される。
【００４３】
このとき、第１絶縁膜１１８がフォトアクリルなどの有機絶縁物質で構成されることにより、第１カップリングキャパシタ１２８ａは小さい電気容量を有するので、ストレージキャパシタＣｓｔ（図５参照）から供給されるデータ電圧に対する充放電を迅速に行い、画素領域１１４の反射部１１４ａに、急激に変化する反射曲線（ＲＶ１）の特性を形成する。
【００４４】
第２カップリングキャパシタ１２８ｂは、画素領域１１４の反射部１１４ａに形成される画素電極１２６と、無機絶縁物質により構成された第２絶縁膜１２２を挟んで画素電極１２６に重畳されるように形成される反射電極１２０とから構成される。
【００４５】
このとき、第２絶縁膜１２２が厚さの薄い無機絶縁物質で構成されることにより、第２カップリングキャパシタ１２８ｂは大きい電気容量を有するので、ストレージキャパシタＣｓｔ（図５参照）から供給されるデータ電圧に対する充放電を徐々に行い、画素領域１１４の反射部１１４ａに、緩慢に変化する反射曲線（ＲＶ２）の特性を形成する。
【００４６】
上述したように、カップリングキャパシタ１２８を構成する第１及び第２カップリングキャパシタ１２８ａ，１２８ｂが並列に接続された形態で構成されることにより、図６に示すように、画素領域１１４の反射部１１４ａに供給されるデータ電圧の充放電によって形成される第１及び第２反射曲線が正規化され、第１及び第２反射曲線と、画素領域１１４の透過部１１４ｂに形成される透過曲線とが互いにマッチングされる。
【００４７】
すなわち、画素領域１１４の反射部１１４ａに形成されたカップリングキャパシタ１２８を通して反射部１１４ａの反射曲線を正規化させ、反射部１１４ａの反射曲線と透過部１１４ｂの透過曲線とを互いにマッチングさせることにより、画素領域１１４の反射部１１４ａ及び透過部１１４ｂには、均一なグレー階調値が形成される。
【００４８】
以下、図７Ａ〜図７Ｆを参照しながら、本発明に係る半透過型液晶表示パネルの製造方法について詳細に説明する。
【００４９】
まず、図７Ａに示すように、本発明に係る第１マスク工程において、基板１０１上にゲートライン１０２及びゲート電極１０４を含む第１導電性パターンを形成する。
【００５０】
この第１マスク工程を具体的に説明すると、まず、基板１０１上にスパッタリング方法などの蒸着方法を通してゲート金属層を形成する。
【００５１】
ゲート金属層は、アルミニウム（Ａｌ）系金属、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデンなどを含む少なくとも１層構造、または、アルミニウム／ネオジウム（ＡｌＮｄ）とモリブデン（Ｍｏ）が順次積層された２層構造で形成される。
【００５２】
続いて、ゲート金属層上の全面にフォトレジストを塗布した後、第１マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を行うことにより、ゲート金属層のうちから第１導電性パターンの形成領域を除いた残りの領域を露出させるフォトレジストパターンを形成する。
【００５３】
その後、フォトレジストパターンによって露出されたゲート金属層をエッチングした後、残留するフォトレジストパターンに対するアッシング工程を行うことにより、基板１０１上に、ゲートライン１０２及びゲートライン１０２に接続されたゲート電極１０４を含む第１導電性パターンを最終的に形成する。
【００５４】
次に、図７Ｂに示すように、本発明に係る第２マスク工程において、第１導電性パターンを覆うゲート絶縁膜１０６上に、チャネル及びオーミック接触を構成するための半導体パターン１１５を形成する。
【００５５】
この第２マスク工程を具体的に説明すると、まず、第１導電性パターンが形成された基板１０１上の全面にゲート絶縁膜１０６を形成した後、ゲート絶縁膜１０６上に、ａ−Ｓｉ層及びｎ＋シリコン層により構成された半導体層を順次形成する。
【００５６】
その後、半導体層上の全面にフォトレジストを塗布した後、第２マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を行うことにより、薄膜トランジスタＴＲのチャネル領域を除いた残りの領域に形成された半導体層を露出させるフォトレジストパターンを形成する。
【００５７】
このとき、フォトレジストパターンによって露出された半導体層を順次エッチングした後、残留するフォトレジストパターンを除去することにより、本発明に係るチャネルを形成する活性層１１５ａ及びオーミック接触を行うオーミック接触層１１５ｂからなる半導体パターン１１５を形成する。
【００５８】
次に、図７Ｃに示すように、本発明に係る第３マスク工程において、半導体パターン１１５が形成された基板１０１上に、データライン１０８、データライン１０８に接続されるソース電極１１０及びドレーン電極１１２を含む第２導電性パターンを形成する。
【００５９】
この第３マスク工程を具体的に説明すると、まず、半導体パターン１１５が形成されたゲート絶縁膜１０６上の全面にデータ金属層を蒸着させる。
【００６０】
その後、データ金属層上の全面にフォトレジストを形成した後、本発明に係る第３マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を行い、データ金属層のうちから第２導電性パターンの形成領域を除いた残りの領域を露出させるフォトレジストパターンを形成する。
【００６１】
このとき、フォトレジストパターンによって露出されたデータ金属層をエッチングした後、残留するフォトレジストパターンをアッシングすることにより、本発明に係るデータライン１０８、データライン１０８に接続されるソース電極１１０、及びチャネルを挟んでソース電極１１０と対向するドレーン電極１１２を含む第２導電性パターンを形成する。
【００６２】
本発明に係る半導体パターン及び第２導電性パターンは、半透過マスクまたは回折露光マスクを通して同時に形成されることもある。
【００６３】
次に、図７Ｄに示すように、本発明に係る第４マスク工程において、入射光を反射させるための反射電極１２０を、画素領域１１４の反射部１１４ａに形成する。
【００６４】
この第４マスク工程を具体的に説明すると、まず、第２導電性パターンが形成された基板１０１上の全面に、保護膜１１６及び第１絶縁膜１１８を形成する。保護膜１１６は、窒化シリコンなどの無機絶縁物質で構成され、第１絶縁膜１１８は、フォトアクリル（ｐｈｏｔｏ―ａｃｒｙｌ）などの有機絶縁物質で構成される。
【００６５】
続いて、第１絶縁膜１１８上の全面に反射金属層を形成した後、第４マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を行い、反射金属層のうちから反射電極１２０の形成領域を除いた残りの領域を露出させるフォトレジストパターンを形成する。反射金属層は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、またはクロム（Ｃｒ）などの反射率特性に優れた金属で構成される。
【００６６】
このとき、フォトレジストパターンによって露出された反射金属層をエッチングした後、残留するフォトレジストパターンをアッシングすることにより、画素領域１１４の反射部１１４ａを覆う第１絶縁膜１１８上に、入射光をカラーフィルタ基板方向に反射させるための反射電極１２０を形成する。
【００６７】
反射電極１２０は、第１絶縁膜１１８を挟んで薄膜トランジスタＴＲのドレーン電極１１２に重畳されるように構成され、画素領域１１４の反射部１１４ａに第１カップリングキャパシタ１２８ａを形成する。
【００６８】
このとき、第１絶縁膜１１８が平坦化特性に優れたフォトアクリルなどの無機絶縁物質で構成されることにより、反射電極１２０によって形成される第１カップリングキャパシタ１２８ａは、ストレージキャパシタＣｓｔから入力されるデータ電圧に対する充放電を迅速に行い、画素領域１１４の反射部１１４ａに、急激に変化する反射曲線の特性を形成する。
【００６９】
次に、図７Ｅに示すように、本発明に係る第５マスク工程において、薄膜トランジスタＴＲのドレーン電極１１２を露出させるコンタクトホール１２４を形成する。
【００７０】
この第５マスク工程を具体的に説明すると、まず、画素領域１１４の反射部１１４ａに反射電極１２０が形成された基板１０１上の全面に、第２絶縁膜１２２を形成する。第２絶縁膜１２２は、窒化シリコンなどの無機絶縁物質で構成される。
【００７１】
その後、第２絶縁膜１２２上の全面にフォトレジストを塗布した後、第５マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を行うことにより、第２絶縁膜１２２のうちからコンタクトホール１２４の形成領域を露出させるフォトレジストパターンを形成する。
【００７２】
このとき、フォトレジストパターンによって露出された第２絶縁膜１２２、第１絶縁膜１１８及び保護膜１１６を順次エッチングした後、残留するフォトレジストパターンをアッシングすることにより、第２絶縁膜１２２、第１絶縁膜１１８及び保護膜１１６を貫通して薄膜トランジスタＴＲのドレーン電極１１２を露出させるコンタクトホール１２４を形成する。
【００７３】
最後に、図７Ｆに示すように、本発明に係る第６マスク工程において、画素領域１１４に、共通電極と一緒に、液晶配向のための垂直電界を形成する画素電極１２６を形成する。
【００７４】
この第６マスク工程を具体的に説明すると、まず、第２絶縁膜１２２上の全面に、ＰＥＣＶＤなどの蒸着工程を通して透明導電層（ＩＴＯ）を蒸着させる。
【００７５】
その後、透明導電層（ＩＴＯ）上の全面にフォトレジストを塗布した後、第６マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を行うことにより、透明導電層（ＩＴＯ）のうちから画素電極１２６の形成領域を除いた残りの領域を露出させるフォトレジストパターンを形成する。
【００７６】
このとき、フォトレジストパターンによって露出された透明導電層（ＩＴＯ）をエッチングした後、残留するフォトレジストパターンをアッシングすることにより、画素領域１１４に、共通電極と一緒に、セルギャップの間に滴下された液晶層を配向させるための垂直電界を形成する画素電極１２６を形成する。
【００７７】
画素電極１２６は、第２絶縁膜１２２、第１絶縁膜１１８及び保護膜１１６を貫通するコンタクトホール１２４を通して薄膜トランジスタＴＲのドレーン電極１１２に接続され、ドレーン電極１１２を通して供給されるデータ電圧と連動して、共通電極と一緒に液晶配向のための垂直電界を形成する。
【００７８】
また、画素電極１２６は、第２絶縁膜１２２を挟んで反射電極１２０に重畳されるように構成され、画素領域１１４の反射部１１４ａに、カップリングキャパシタ１２８を構成する第２カップリングキャパシタ１２８ｂを形成する。
【００７９】
第２カップリングキャパシタ１２８ｂの電気容量は、第１絶縁膜１１８を挟んで反射電極１２０に重畳される画素電極１２６の面積と連動して可変設定される。
【００８０】
上記のように構成された第２カップリングキャパシタ１２８ｂは、第２絶縁膜１２２が有機絶縁物質で構成されることにより、大きい電気容量を有する。これによって、ストレージキャパシタＣｓｔから供給されるデータ電圧の充放電を徐々に行うことにより、画素領域１１４の反射部１１４ａに、緩慢に変化する反射曲線の特性を形成する。
【００８１】
このとき、第２カップリングキャパシタ１２８ｂに第１カップリングキャパシタ１２８ａを並列形態で接続させることにより、第１及び第２カップリングキャパシタ１２８ａ，１２８ｂ（図５参照）によって画素領域１１４の反射部１１４ａにそれぞれ形成される反射曲線の特性は、透過部の透過曲線とマッチングされるように正規化される。
【００８２】
このように、画素領域１１４の反射部１１４ａに形成される反射曲線が、透過部の透過曲線とマッチングされるように正規化されることにより、単一セルギャップで構成された画素領域１１４の反射部１１４ａ及び透過部１１４ｂには、均一なグレー階調が形成される。
【００８３】
以上説明した内容を通して、当業者であれば、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることを理解できる。したがって、本発明の技術的範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるものでなく、特許請求の範囲によって定められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】従来のデュアルギャップ構造を有する半透過型液晶表示パネルの構成断面図である。
【図２】従来の単一ギャップ構造を有する半透過型液晶表示パネルの反射曲線及び透過曲線を示す図である。
【図３】本発明に係る半透過型液晶表示パネルの平面図である。
【図４】図３のＩ−Ｉ’線に沿って切断した液晶表示パネルの構成断面図である。
【図５】本発明に係る半透過型液晶表示パネルの等価回路図である。
【図６】本発明に係る半透過型液晶表示パネルを構成する画素領域の反射部に形成される正規化された反射曲線と、透過部に形成される透過曲線との関係図である。
【図７Ａ】本発明に係る液晶表示パネルの製造工程図である。
【図７Ｂ】本発明に係る液晶表示パネルの製造工程図である。
【図７Ｃ】本発明に係る液晶表示パネルの製造工程図である。
【図７Ｄ】本発明に係る液晶表示パネルの製造工程図である。
【図７Ｅ】本発明に係る液晶表示パネルの製造工程図である。
【図７Ｆ】本発明に係る液晶表示パネルの製造工程図である。
【符号の説明】
【００８５】
１００  半透過型液晶表示パネル、１０１  基板、１０２  ゲートライン、１０４  ゲート電極、１０８  データライン、１１０  ソース電極、１１４  画素領域、１１８  第１絶縁膜、１２０  反射電極、１２２  第２絶縁膜、１２４  コンタクトホール、１２６  画素電極、１２８  カップリングキャパシタ、１２８ａ  第１カップリングキャパシタ、１２８ｂ  第２カップリングキャパシタ、ＴＲ  薄膜トランジスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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