(57)【要約】【課題】必要なフェイル情報だけをフェイルメモリから取得して外部記憶装置に転送格納することにより、半導体メモリ検査装置全体の稼働効率を高めること。【解決手段】フェイルメモリに格納される被測定対象半導体メモリのフェイル情報を取得して外部記憶装置に転送格納するように構成された半導体メモリ検査装置において、被測定対象半導体メモリのテスト項目にかかわらず共通の情報を静的な取得条件として設定する静的取得条件設定部と、被測定対象半導体メモリのテスト項目ごとに変化する情報を動的な取得条件として設定する動的取得条件設定部を設けたことを特徴とするもの。【選択図】                    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェイルメモリに格納される被測定対象半導体メモリのフェイル情報を取得して外部記憶装置に転送格納するように構成された半導体メモリ検査装置において、
被測定対象半導体メモリのテスト項目にかかわらず共通の情報を静的な取得条件として設定する静的取得条件設定部と、
被測定対象半導体メモリのテスト項目ごとに変化する情報を動的な取得条件として設定する動的取得条件設定部を設けたことを特徴とする半導体メモリ検査装置。
【請求項２】
前記フェイルメモリには、テスト項目ごとにフェイル情報を格納する座標領域と、テスト項目ごとに発生するフェイル数をカウントするテスト単位フェイルカウンタと、テスト項目ごとに座標領域上でフェイルが発生しているブロック数をカウントするブロック単位フェイルカウンタが設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体メモリ検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体メモリ検査装置に関し、詳しくは、フェイルメモリに格納されるフェイル情報の取得転送制御の改善に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図３は、従来の半導体メモリ検査装置のフェイルメモリに格納されている被測定対象半導体メモリ(以下ＤＵＴという)のフェイル情報を取得転送制御するためのブロック図である。ＤＵＴ１０のフェイルを検出した場合には、図に「x」マークで示すように、テスト項目ごとに、半導体メモリ検査装置２０のフェイルメモリ２１の対応する座標にフェイル情報として格納される。これらのフェイル情報は、不具合ビットを予備ビットと置き換えるためのリダンダンシー処理に用いられる他、ウエハ単位、ロット単位などの種々の観点からの不具合解析や統計処理データなどとしても有益である。
【０００３】
そこで、フェイル情報取得転送制御部２２は、取得条件設定部２３により設定される取得条件に基づき、取得条件に合致するフェイル情報をフェイルメモ２１から取り出し、ハードディスクなどの外部記憶装置２４に転送格納する。ここで、取得条件としては、ＤＵＴ１０の属性、テスト項目、注目座標などが設定される。なお、注目座標は、ＤＵＴ１０がウエハの場合はチップの位置が指定され、ＤＵＴ１０がチップの場合はビットの位置が指定される。
【０００４】
特許文献１には、フェイルメモリを用いたメモリ不良ビット救済解析方法が記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平２−４１１１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、一般的にフェイルメモリ２１としては、ＤＵＴ１０のフェイルを検出した場合にテスト項目ごとにフェイルメモリ２１の対応する座標にフェイル情報として格納することから、例えば１Ｇビット程度のかなり大きな記憶容量のものが用いられている。このために、フェイル情報を外部記憶装置２４に転送格納するには相当の処理時間がかかってしまう。
【０００７】
しかし、従来の装置では、フェイル情報を外部記憶装置に転送格納する必要の有無にかかわらず、取得条件設定部２３により設定される取得条件に基づいて、フェイル情報の外部記憶装置への転送格納処理が行われていた。
【０００８】
フェイル情報の転送格納が不要であるにもかかわらず行われる外部記憶装置への転送格納処理は、そのまま無駄な処理時間になり、半導体メモリ検査装置全体の稼働効率を低下させる要因の一つになっている。
【０００９】
本発明は、このような従来の問題点に着目したものであり、その目的は、必要なフェイル情報だけをフェイルメモリから取得して外部記憶装置に転送格納することにより、半導体メモリ検査装置全体の稼働効率を高めることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような課題を達成する請求項１の発明は、
フェイルメモリに格納される被測定対象半導体メモリのフェイル情報を取得して外部記憶装置に転送格納するように構成された半導体メモリ検査装置において、
被測定対象半導体メモリのテスト項目にかかわらず共通の情報を静的な取得条件として設定する静的取得条件設定部と、
被測定対象半導体メモリのテスト項目ごとに変化する情報を動的な取得条件として設定する動的取得条件設定部を設けたことを特徴とする。
【００１１】
請求項２の発明は、請求項１記載の半導体メモリ検査装置において、
前記フェイルメモリには、テスト項目ごとにフェイル情報を格納する座標領域と、テスト項目ごとに発生するフェイル数をカウントするテスト単位フェイルカウンタと、テスト項目ごとに座標領域上でフェイルが発生しているブロック数をカウントするブロック単位フェイルカウンタが設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
これにより、フェイル情報を外部記憶装置に取り込む必要がない場合にはフェイル情報の取得転送制御処理をスキップすることができ、総合的な処理時間を短縮できることから半導体メモリ検査装置全体の稼働効率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明について、図面を用いて説明する。図１は本発明の実施の態様例を示すブロック図であり、図３と共通する部分には同一の符号を付けている。図１において、フェイルメモリ２１には、従来と同様にＤＵＴ１０のテスト項目ごとにフェイル情報を格納する座標領域２１ａが設けられているとともに、新たに、テスト項目ごとに発生するフェイル数をカウントするテスト単位フェイルカウンタ２１ｂと、テスト項目ごとに座標領域２１ａ上でフェイルが発生しているブロック数をカウントするブロック単位フェイルカウンタ２１ｃが設けられている。
【００１４】
そして、フェイル情報取得転送制御部２２には、従来と同様に取得条件設定部２３により設定される取得条件が入力されるとともに、新たに、スキップ条件設定部２４により設定されるスキップ条件が入力される。ここで、スキップ条件は、半導体メモリ検査装置のユーザーが、テスト項目ごとにテスト結果を参照しながら任意に設定する。たとえば、ユーザーが持っている統計データをスキップ条件に反映させたり、特定の生産ロットや特定の品種に対して特殊なスキップ条件を反映させるようにしてもよい。
【００１５】
取得条件設定部２３により設定される取得条件はテスト項目にかかわらず共通であることから静的取得転送条件と位置づけることができ、スキップ条件設定部２４により設定されるスキップ条件はテスト項目ごとに異なる可能性があることから動的取得転送条件と位置づけることができる。
【００１６】
図２は、図１におけるフェイル情報取得転送制御部２２の動作の流れを説明するフローチャートである。始めに、静的な取得条件を満しているか否かを判断し(ＳＰ１)、静的な取得条件を満している場合は続いて動的なスキップ条件を満しているか否かを判断し(ＳＰ２)、静的な取得条件を満たさない場合は取得処理を終了する。
【００１７】
動的なスキップ条件を満たさない場合はテスト単位フェイルカウンタ２１ｂのカウント値を読み込んで０であるか否かを判断し(ＳＰ３)、動的なスキップ条件を満たす場合は取得処理を終了する。
【００１８】
テスト単位フェイルカウンタ２１ｂのカウント値が０でない場合は各ブロック単位のデータ取得処理に移行し(ＳＰ４)、カウント値が０の場合はそのテスト項目ではフェイルが発生していなかったというフェイル情報が確定するので取得処理を終了する。
【００１９】
各ブロック単位のデータ取得処理において、ブロック単位フェイルカウンタ２１ｃのカウント値を読み込んで０以外であるか否かを判断し(ＳＰ５)、０以外である場合はブロック単位のフェイル情報を取り込み(ＳＰ６)、取得対象を次のブロックに移動した後(ＳＰ７)、ステップＳＰ３以降の処理を繰り返して実行する。ブロック単位フェイルカウンタ２１ｃのカウント値が０の場合は、そのテスト項目ではフェイルが発生していなかったというフェイル情報が確定するので、ステップＳＰ６の処理をスキップする。
【００２０】
フェイル情報取得転送制御部２２は、ステップＳＰ１からステップＳＰ５の条件を満たさない場合のみフェイル情報の取得転送制御処理を実行することになり、従来に比べてフェイル情報の取得転送制御処理回数は大幅に削減され、総合的なフェイル情報取得転送格納処理時間を短縮できる。
【００２１】
以上説明したように、本発明によれば、必要なフェイル情報だけをフェイルメモリから取得して外部記憶装置に転送格納することができ、半導体メモリ検査装置全体の稼働効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の態様例を示すブロック図である。
【図２】図１におけるフェイル情報取得転送制御部２２の動作の流れを説明するフローチャートである。
【図３】従来のフェイルメモリに格納されているフェイル情報を取得転送制御するためのブロック図である。
【符号の説明】
【００２３】
１０  被測定対象半導体メモリ(ＤＵＴ)
２０  半導体メモリ検査装置
２１  フェイルメモリ
２１ａ  座標領域
２１ｂ  テスト単位フェイルカウンタ
２１ｃ  ブロック単位フェイルカウンタ
２２  フェイル情報取得転送制御部
２３  取得条件設定部(静的)
２４  スキップ条件設定部(動的)
【図１】
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【図２】
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【図３】
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