(57)【要約】【課題】従来よりも工数の削減が可能な積層セラミックパッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る積層セラミックパッケージは、表面にキャビティ10が凹設された積層セラミック基板１と、積層セラミック基板１の表面に接合されたキャップ２と、積層セラミック基板１のキャビティ10に収容された電子デバイス３とから構成され、積層セラミック基板１の裏面には、電子デバイス３と導体充填部６を経て繋がる複数の外部電極７が形成されている。電子デバイス３はキャップ２の内面に配置されており、積層セラミック基板１とキャップ２の対向面間には、電子デバイス３を積層セラミック基板１の導体充填部６と接続するための複数の内部電極５が介在すると共に、これらの内部電極５を包囲して、積層セラミック基板１とキャップ２の間に形成された空間を封止する金属製の封止部４が介在している。【選択図】図１
2008211062.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にキャビティ(10)が凹設された積層セラミック基板(１)と、該積層セラミック基板(１)のキャビティ(10)を覆って積層セラミック基板(１)の表面に接合されたキャップ(２)と、積層セラミック基板(１)のキャビティ(10)に収容された電子デバイス(３)とから構成され、積層セラミック基板(１)の裏面には、前記電子デバイス(３)と導電経路を経て繋がる複数の外部電極(７)が形成されている積層セラミックパッケージにおいて、前記電子デバイス(３)はキャップ(２)の内面に配置されており、積層セラミック基板(１)とキャップ(２)の対向面間には、前記電子デバイス(３)を積層セラミック基板(１)内の導電経路と接続するための複数の内部電極(５)が介在すると共に、これらの内部電極(５)を包囲して、積層セラミック基板(１)とキャップ(２)の間に形成された空間を封止するための金属製の封止部(４)が介在することを特徴とする積層セラミックパッケージ。
【請求項２】
前記複数の内部電極(５)は、前記封止部(４)を形成する封止用金属と同一の金属から形成されている請求項１に記載の積層セラミックパッケージ。
【請求項３】
表面にキャビティ(10)が凹設された積層セラミック基板(１)と、該積層セラミック基板(１)のキャビティ(10)を覆って積層セラミック基板(１)の表面に接合されたキャップ(２)と、積層セラミック基板(１)のキャビティ(10)に収容された電子デバイス(３)とから構成され、積層セラミック基板(１)の裏面には、前記電子デバイス(３)と導電経路を経て繋がる複数の外部電極(７)が形成されている積層セラミックパッケージの製造方法において、
内面に電子デバイス(３)を具えたキャップ(２)を作製すると共に、表面にキャビティ(10)が凹設されると共に裏面に複数の外部電極(７)が形成された積層セラミック基板(１)を作製する第１工程と、
積層セラミック基板(１)とキャップ(２)を接合して一体化することにより、キャップ(２)の電子デバイス(３)を積層セラミック基板(１)の複数の外部電極(７)に電気接続する第２工程
とを有し、前記第１工程では、積層セラミック基板(１)の表面に、キャップ(２)の内面に形成されている複数の電極パッドと対応させて、前記複数の外部電極(７)と導電経路を介して繋がる複数の接続金属パッド(68)を形成し、前記第２工程では、積層セラミック基板(１)の各接続金属パッド(68)とキャップ(２)の各電極パッドとを互いに接合させると共に、積層セラミック基板(１)とキャップ(２)の対向面間に、前記複数の接続金属パッド(68)を包囲する封止金属枠部を介在させた状態で、前記接続金属パッド(68)と封止金属枠部を一旦溶融させた後に固化させる処理を施すことを特徴とする積層セラミックパッケージの製造方法。
【請求項４】
前記第１工程では、積層セラミック基板(１)の表面に、前記複数の接続金属パッド(68)を包囲する枠状の封止金属枠(８)を設置し、該封止金属枠(８)を前記接続金属パッド(68)と同時に溶融固化させて、前記封止金属枠部を形成する請求項３に記載の積層セラミックパッケージの製造方法。
【請求項５】
積層セラミック基板(１)の表面に前記複数の接続金属パッド(68)を形成する工程は、積層セラミック基板(１)を表面から裏面まで貫通して導電経路を構成する複数の導体充填部(６)を形成する工程と、該積層セラミック基板(１)の表面に、前記複数の導体充填部(６)の基板表面側の露出面に対応する複数の丸孔(91)を有する平板状の治具(９)を設置すると共に、該治具(９)の複数の丸孔(91)にそれぞれ接続金属ボール(60)を収容し、該接続金属ボール(60)を溶融させた後、治具(９)を除去する請求項３又は請求項４に記載の積層セラミックパッケージの製造方法。
【請求項６】
積層セラミック基板(１)の表面に前記複数の接続金属パッド(68)を形成する工程は、積層セラミック基板(１)を表面から裏面まで貫通する導電経路の内、基板裏面側の経路を構成する複数の円柱状の導体充填部(６)と、該導体充填部(６)から基板表面に至る経路を構成する複数の円筒状の導体内周壁(69)とを形成する工程と、該積層セラミック基板(１)の複数の導電内周壁(69)の開口部にそれぞれ接続金属ボール(60)を収容し、該接続金属ボール(60)を溶融させる請求項３又は請求項４に記載の積層セラミックパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック基板とキャップとの間に形成されるキャビティに電子デバイスを収容してなる積層セラミックパッケージ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、図１３(ｃ)に示す如く、表面にキャビティ(104)が凹設された積層セラミック基板(100)と、該積層セラミック基板(100)のキャビティ(104)を覆って積層セラミック基板(100)の表面に接合されたキャップ(101)と、積層セラミック基板(100)のキャビティ(104)に収容された弾性表面波素子等の電子デバイス(102)とから構成される積層セラミックパッケージが知られている。
該積層セラミックパッケージにおいては、積層セラミック基板(100)の裏面に、電子デバイス(102)と電気的に繋がる複数の外部電極(図示省略)が形成されており、該積層セラミックパッケージを回路基板上に表面実装することが可能となっている。
【０００３】
従来の積層セラミックパッケージの製造においては、図１３(ａ)に示す如く、先ず、表面にキャビティ(104)が凹設された積層セラミック基板(100)を作製し、該積層セラミック基板(100)のキャビティ(104)に電子デバイス(102)を収容して、該電子デバイス(102)を接着剤(105)により積層セラミック基板(100)に固定する(ダイボンド工程)。
次に図１３(ｂ)の如く、電子デバイス(102)の複数の端子部を、積層セラミック基板(100)の表面に形成されている複数の電極部にワイヤー(103)を用いて連結する(ワイヤボンド工程)。
最後に、図１３(ｃ)に示す如く、積層セラミック基板(100)の表面に、キャビティ(104)を覆ってキャップ(101)を接合して、積層セラミック基板(100)とキャップ(101)の間に形成された空間を封止する(封止工程)。
【特許文献１】特開平９−１１６３７７号公報［H03H9/25］
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の積層セラミックパッケージにおいては、その製造において、図１３(ｂ)に示すワイヤボンド工程を実施した後に図１３(ｃ)に示す封止工程を実施する必要があるため、工数が多くなる問題があった。
そこで本発明の目的は、従来よりも工数の削減が可能な積層セラミックパッケージ及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る積層セラミックパッケージは、表面にキャビティ(10)が凹設された積層セラミック基板(１)と、該積層セラミック基板(１)のキャビティ(10)を覆って積層セラミック基板(１)の表面に接合されたキャップ(２)と、積層セラミック基板(１)のキャビティ(10)に収容された電子デバイス(３)とから構成され、積層セラミック基板(１)の裏面には、前記電子デバイス(３)と導電経路を経て繋がる複数の外部電極(７)が形成されている。
ここで、前記電子デバイス(３)はキャップ(２)の内面に配置されており、積層セラミック基板(１)とキャップ(２)の対向面間には、前記電子デバイス(３)を積層セラミック基板(１)内の導電経路と接続するための複数の内部電極(５)が介在すると共に、これらの内部電極(５)を包囲して、積層セラミック基板(１)とキャップ(２)の間に形成された空間を封止するための金属製の封止部(４)が介在している。
尚、前記複数の内部電極(５)は、具体的には、前記封止部(４)を形成する封止用金属と同一の金属から形成されている。
【０００６】
上記本発明の積層セラミックパッケージの製造方法は、
内面に電子デバイス(３)を具えたキャップ(２)を作製すると共に、表面にキャビティ(10)が凹設されると共に裏面に複数の外部電極(７)が形成された積層セラミック基板(１)を作製する第１工程と、
積層セラミック基板(１)とキャップ(２)を接合して一体化することにより、キャップ(２)の電子デバイス(３)を積層セラミック基板(１)の複数の外部電極(７)に電気接続する第２工程
とを有し、前記第１工程では、積層セラミック基板(１)の表面に、キャップ(２)の内面に形成されている複数の電極パッドと対応させて、前記複数の外部電極(７)と導電経路を介して繋がる複数の接続金属パッド(68)を形成し、前記第２工程では、積層セラミック基板(１)の各接続金属パッド(68)とキャップ(２)の各電極パッドとを互いに接合させると共に、積層セラミック基板(１)とキャップ(２)の対向面間に、前記複数の接続金属パッド(68)を包囲して延びる封止金属枠部を介在させた状態で、前記接続金属パッド(68)と封止金属枠部を一旦溶融させた後に固化させる処理を施すことを特徴とする。
【０００７】
上記本発明の積層セラミックパッケージの製造方法において、第１工程では、キャップ(２)の内面に、予め作製された電子デバイス(３)を実装する方法により、或いはキャップ(２)上に電子デバイス(３)を積層によって形成する方法により、電子デバイス(３)を具えたキャップ(２)が作製される。
【０００８】
第２工程では、積層セラミック基板(１)とキャップ(２)の接合体にリフロー工程を施すことによって、積層セラミック基板(１)の各接続金属パッド(68)が一旦溶融すると共に、積層セラミック基板(１)とキャップ(２)の対向面間に介在する封止金属枠部が一旦溶融し、その後、これらの溶融金属が固化して、積層セラミック基板(１)とキャップ(２)とが一体化される。この様にして、接続金属パッド(68)が溶融固化して内部電極(５)となり、該内部電極(５)を介して、電子デバイス(３)が外部電極(７)と接続される。又、これと同時に、封止金属枠部が溶融固化して封止部(４)となり、積層セラミック基板(１)とキャップ(２)の間に形成される空間を周囲から封止する。
【０００９】
具体的構成において、前記第１工程では、積層セラミック基板(１)の表面に、前記複数の接続金属パッド(68)を包囲する枠状の封止金属枠(８)を設置し、該封止金属枠(８)を前記接続金属パッド(68)と同時に溶融固化させて、前記封止金属枠部を形成する。
【００１０】
上記具体的構成によれば、金型を用いた打ち抜き等によって容易に封止金属枠(８)を作製することが出来る。ここで、封止金属枠(８)は全体が平板状に形成されているので、積層セラミック基板(１)の表面に安定した状態で設置することが出来る。
【００１１】
又、具体的構成において、積層セラミック基板(１)の表面に前記複数の接続金属パッド(68)を形成する工程は、積層セラミック基板(１)を表面から裏面まで貫通して導電経路を構成する複数の導体充填部(６)を形成する工程と、該積層セラミック基板(１)の表面に、前記複数の導体充填部(６)の基板表面側の露出面に対応する複数の丸孔(91)を有する平板状の治具(９)を設置すると共に、該治具(９)の複数の丸孔(91)にそれぞれ接続金属ボール(60)を収容し、該接続金属ボール(60)を溶融させた後、治具(９)を除去する工程とを有している。
【００１２】
上記具体的構成によれば、接続金属ボール(60)が溶融して、導体充填部(６)の表面に盛り上がることとなり、これが固化することにより、接続金属パッド(68)が形成される。ここで、接続金属ボール(60)は治具(９)の丸孔(91)に拘持されているので、接続金属ボール(60)の転がりが阻止されて、正確な位置決めが実現される。
【００１３】
或いは、他の具体的構成において、積層セラミック基板(１)の表面に前記複数の接続金属パッド(68)を形成する工程は、積層セラミック基板(１)を表面から裏面まで貫通する導電経路の内、基板裏面側の経路を構成する複数の円柱状の導体充填部(６)と、該導体充填部(６)から基板表面に至る経路を構成する複数の円筒状の導体内周壁(69)とを形成する工程と、該積層セラミック基板(１)の複数の導電内周壁(69)の開口部にそれぞれ接続金属ボール(60)を収容し、該接続金属ボール(60)を溶融させる工程とを有している。
【００１４】
上記具体的構成によれば、接続金属ボール(60)が溶融して、導体内周壁(69)の内部に充填され、導体充填部(６)の表面に盛り上がることとなり、これが固化することにより、接続金属パッド(68)が形成される。ここで、接続金属ボール(60)は導体内周壁(69)の開口部に拘持されているので、接続金属ボール(60)の転がりが阻止されて、正確な位置決めが実現される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る積層セラミックパッケージ及びその製造方法によれば、第２工程において、接続金属パッド(68)が溶融固化して内部電極(５)となり、該内部電極(５)によって電子デバイス(３)が外部電極(７)と接続されると同時に、封止金属枠部が溶融固化して封止部(４)となり、該封止部(４)によって積層セラミック基板(１)とキャップ(２)の間に形成される空間が封止されるので、ワイヤボンド工程の後に封止工程を実施していた従来の製造方法よりも工数が削減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態につき、図面に沿って具体的に説明する。
本発明に係る積層セラミックパッケージは、図１に示す如く、表面にキャビティ(10)が凹設された積層セラミック基板(１)と、該積層セラミック基板(１)のキャビティ(10)を覆って積層セラミック基板(１)の表面に接合された平板状のキャップ(２)と、積層セラミック基板(１)のキャビティ(10)に収容された弾性表面波素子等の電子デバイス(３)とから構成される。
【００１７】
キャップ(２)はセラミック基板から構成され、その内面、即ち積層セラミック基板(１)との対向面に、電子デバイス(３)が設置されている。
尚、キャップ(２)の内面には、電子デバイス(３)の複数の端子部と繋がる複数の電極パッド(図示省略)が形成されている。
【００１８】
一方、積層セラミック基板(１)には、キャップ(２)の前記電極パッドと対応させて、積層セラミック基板(１)を貫通するスルーホールにＡｇ等の導電材料を充填してなる複数の導体充填部(６)が形成されており、積層セラミック基板(１)の裏面には、各導体充填部(６)が露出する領域にそれぞれＡｇ等からなる外部電極(７)が形成されている。
【００１９】
又、積層セラミック基板(１)とキャップ(２)の対向面間には、キャップ(２)の内面に形成されている前記複数の電極パッドと積層セラミック基板(１)の複数の導体充填部(６)とを互いに接続する複数の内部電極(５)が介在すると共に、これらの内部電極(５)を包囲して、積層セラミック基板(１)とキャップ(２)の間に形成された空間を封止するための金属製の封止部(４)が介在している。
ここで、内部電極(５)は、封止部(４)を形成するＡｕＳｎやＡｇＳｎ等の封止用金属と同一の金属から形成されている。
【００２０】
上記積層セラミックパッケージを回路基板(図示省略)に表面実装することにより、電子デバイス(３)は、内部電極(５)、導体充填部(６)及び外部電極(７)を介して、回路基板上の特定の電子回路と接続されることになる。
【００２１】
図２〜図１２は、上記積層セラミックパッケージの製造工程を示している。
図８に示す如く、第１工程では、内面に電子デバイス(３)を一体に具えたキャップ(２)を作製すると共に、表面にキャビティ(10)が凹設された積層セラミック基板(１)を作製する。尚、キャップ(２)の内面には、電子デバイス(３)の複数の端子部(図示省略)と電気的に繋がった複数の電極パッド(図示省略)が形成されている。
【００２２】
ここで、電子デバイス(３)を一体に具えたキャップ(２)は、電子デバイス(３)とキャップ(２)とを別工程により作製した後、キャップ(２)の内面に電子デバイス(３)を実装することによって作製することが出来るが、キャップ(２)の内面に積層工程によって電子デバイス(３)を形成する方法により作成することも可能である。
【００２３】
一方、積層セラミック基板(１)には、図８の如く、キャップ(２)の前記複数の電極パッドと対向する位置に、Ａｇからなる複数の接合パッド(67)が形成されると共に該接合パッド(67)を覆って、ＡｕＳｎからなる接続金属パッド(68)が形成されている。又、図６の如く、積層セラミック基板(１)の表面には、キャビティ(10)と複数の接続金属パッド(68)を包囲して、Ａｇからなる枠状パッド(66)が形成されている。更に、図７の如く、積層セラミック基板(１)の裏面にはＡｇからなる複数の外部電極(７)が形成されている。そして、図８の如く、互いに対応する接合パッド(67)と外部電極(７)とが、Ａｇからなる導体充填部(６)によって互いに接続されている。
【００２４】
更に第１工程においては、図６に示す如く、積層セラミック基板(１)の輪郭形状に合わせて、ＡｕＳｎからなる封止金属枠(８)を作製する。該封止金属枠(８)は、金型を用いてＡｕＳｎ製の金属板に打ち抜き加工を施すことにより容易に作製すること出来る。
そして、積層セラミック基板(１)の表面に、複数の接続金属パッド(68)を包囲して封止金属枠(８)を設置し、該封止金属枠(８)を接続金属パッド(68)と同時に溶融固化させる。
【００２５】
第２工程では、図８に示す如く積層セラミック基板(１)とキャップ(２)を接合せしめる。これによって、図９の如く、積層セラミック基板(１)のキャビティ(10)にキャップ(２)の電子デバイス(３)が収容されることになる。
又、キャップ(２)の各電極パッドと積層セラミック基板(１)の各接続金属パッド(68)とが互いに接合されると共に、キャップ(２)の外周部とセラミック基板(１)上の封止金属枠(８)とが互いに接合されることになる。
【００２６】
この状態で、積層セラミック基板(１)とキャップ(２)の接合体に対し、リフロー処理を施す。これによって、積層セラミック基板(１)の各接続金属パッド(68)と積層セラミック基板(１)上の封止金属枠(８)とが一旦溶融し、その後、これらの溶融金属が固化して、積層セラミック基板(１)とキャップ(２)とが一体化される。
この様にして、接続金属パッド(68)が溶融固化して前記内部電極(５)となり、該内部電極(５)を介して、電子デバイス(３)が外部電極(７)と接続される。又、これと同時に、封止金属枠(８)が溶融固化して前記封止部(４)となり、積層セラミック基板(１)とキャップ(２)の間に形成される空間が周囲から封止される。
この結果、図１に示す本発明の積層セラミックパッケージが完成する。
【００２７】
図２〜図５は、図８に示す積層セラミック基板(１)の製造工程を示している。
先ず図２(ａ)の如く、第１のグリーンシート(11)に複数のスルーホール(12)を開設した後、図２(ｂ)の如く、各スルーホール(12)にＡｇ製の導電ペースト(61)を充填する。その後、図２(ｃ)の如く、グリーンシート(11)の裏面に、導電ペースト(61)の露出部に重ねてＡｇ製の導電ペースト(62)を電極状に印刷する。
【００２８】
又、図３(ａ)の如く第２のグリーンシート(13)に、１つの中央開口(14)と複数のスルーホール(15)とを開設した後、図３(ｂ)の如く、各スルーホール(15)にＡｇ製の導電ペースト(63)を充填する。その後、図３(ｃ)の如く、グリーンシート(13)の表面に、導電ペースト(63)の露出部に重ねて導電ペースト(65)をパッド状に印刷すると共に、これらの導電ペースト(65)を包囲して導電ペースト(64)を枠状に印刷する。
【００２９】
次に図４に示す如く第１のグリーンシート(11)と第２のグリーンシート(13)とを接合せしめ、両グリーンシート(11)(13)を両側からプレスする。これによって、図５に示す一体の積層体が得られる。そして、この積層体に焼成を施し、更に金属露出面に対してＡｕメッキを施す。この結果、図８に示す積層セラミック基板(１)が得られる。ここで、パッド状の導電ペースト(65)が接合パッド(67)となり、枠状の導電ペースト(64)が枠状パッド(66)となり、電極状の導電ペースト(62)が外部電極(７)となる。尚、Ａｕメッキ層は図示省略している。
【００３０】
図１０及び図１１は、積層セラミック基板(１)の表面に接合パッド(67)を設けることなく接続金属パッド(68)を形成する場合の工程を示している。
先ず、図１０及び図１１(ａ)に示す如く、各導体充填部(６)の露出面と対応する位置に複数の丸孔(91)を有するセラミック板からなる治具(９)を用意し、該治具(９)を積層セラミック基板(１)の表面に重ね合わせる。
次に図１１(ｂ)の如く治具(９)の各丸孔(91)にＡｕＳｎ製の接続金属ボール(60)を収容し、該接続金属ボール(60)を溶融させた後、治具(９)を除去する。これによって、図１１(ｃ)に示す如く、各導体充填部(６)の露出面上に盛り上がる接続金属パッド(68)が形成されることになる。
尚、各導体充填部(６)の露出面にはＡｕメッキ層が形成されているが、図示省略している。
【００３１】
上記工程によれば、接続金属ボール(60)は治具(９)の丸孔(91)に拘持されているので、接続金属ボール(60)の転がりが阻止されて、正確な位置決めが実現される。
【００３２】
又、図１２は、積層セラミック基板(１)の表面に接合パッド(67)を設けることなく接続金属パッド(68)を形成する場合の他の工程を表わしている。
先ず、図１２(ａ)に示す如く、積層セラミック基板(１)には、積層セラミック基板(１)の表面よりも所定距離だけ落ち込んだ高さまで、スルーホールにＡｇを充填してなる導体充填部(６)を形成すると共に、該導体充填部(６)の上面から積層セラミック基板(１)の表面までスルーホールの内周面を立ち上がるＡｇ製の導体内周壁(69)を形成する。
次に、図１２(ｂ)の如く、積層セラミック基板(１)の各導体内周壁(69)の開口部にＡｕＳｎ製の接続金属ボール(60)を収容し、該接続金属ボール(60)を溶融させる。これによって、図１２(ｃ)に示す如く、各導体充填部(６)の露出面上に盛り上がる接続金属パッド(68)が形成されることになる。
尚、各導体充填部(６)の露出面及び導体内周壁(69)の表面にはＡｕメッキ層が形成されているが、図示省略している。
【００３３】
上記工程によれば、接続金属ボール(60)は導体内周壁(69)の開口部に拘持されているので、接続金属ボール(60)の転がりが阻止されて、正確な位置決めが実現される。
【００３４】
上述の如く、本発明に係る積層セラミックパッケージの製造方法によれば、第２工程において、接続金属パッド(68)が溶融固化して内部電極(５)となり、該内部電極(５)によって電子デバイス(３)が外部電極(７)と接続されると同時に、封止金属枠(８)が溶融固化して封止部(４)となり、該封止部(４)によって積層セラミック基板(１)とキャップ(２)の間に形成される空間が封止されるので、ワイヤボンド工程の後に封止工程を実施していた従来の製造方法よりも工数が削減される。
尚、封止金属枠(８)は、接続金属ボール(60)を溶融固化させる際に、積層セラミック基板(１)の表面に配置し、接続金属ボール(60)と同時に溶融固化させればよい。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に係る積層セラミックパッケージの断面図である。
【図２】積層セラミック基板の作製に用いる第１のグリーンシートの製造工程を示す図である。
【図３】積層セラミック基板の作製に用いる第２のグリーンシートの製造工程を示す図である
【図４】第１のグリーンシートと第２のグリーンシートの接合工程を示す図である。
【図５】第１のグリーンシートと第２のグリーンシートの積層体を示す断面図である。
【図６】積層セラミック基板と封止金属枠の斜視図である。
【図７】積層セラミック基板の裏面を表わす斜視図である。
【図８】積層セラミック基板とキャップの接合工程を示す断面図である。
【図９】積層セラミック基板とキャップの接合体の断面図である。
【図１０】治具の平面図である。
【図１１】積層セラミック基板上に封止金属パッドを形成する工程を示す一連の断面図である。
【図１２】積層セラミック基板上に封止金属パッドを形成する他の工程を示す一連の断面図である。
【図１３】従来の積層セラミックパッケージの製造工程を示す一連の断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
(１)  積層セラミック基板
(２)  キャップ
(３)  電子デバイス
(４)  封止部
(５)  内部電極
(６)  導体充填部
(７)  外部電極
(10)  キャビティ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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