(57)【要約】【課題】製造プロセス及び製造コストを抑制した上で、段差を有する基板の段差下面の金属膜を確実に除去することができる配線形成方法及びその配線を備えた液滴吐出ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】リザーバ形成基板３０の表面全体に金属膜９２，９３を形成する工程と、段差上面７１の金属膜９２，９３の表面にレジスト膜９４を形成する工程と、レジスト膜９４を第１マスクとして段差下面７２の金属膜９２，９３を除去する工程と、レジスト膜９４をパターニングして形成した第２マスクを用いて、段差上面７１の金属膜９２，９３をエッチングすることにより配線を形成することを特徴とする。【選択図】図３
2008132700.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
段差を有する基板の段差上面に配線を形成する配線形成方法であって、
前記基板の表面全体に金属膜を形成する工程と、
前記段差上面の前記金属膜の表面に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜を第１マスクとして段差下面の前記金属膜を除去する工程と、
前記段差上面の前記金属膜をパターニングして配線を形成する工程と、を有することを特徴とする配線形成方法。
【請求項２】
前記段差上面の前記金属膜をパターニングする工程では、前記保護膜をパターニングして形成した第２マスクを用いて前記金属膜をエッチングすることにより前記配線を形成することを特徴とする請求項１記載の配線形成方法。
【請求項３】
前記保護膜は、電着レジストであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の配線形成方法。
【請求項４】
前記段差上面の前記金属膜をパターニングする工程の後に、パターニング後の前記金属膜にめっきを形成することを特徴とする請求項１ないし請求項３記載の配線形成方法。
【請求項５】
前記めっきは、無電解めっきを用いることを特徴とする請求項４記載の配線形成方法。
【請求項６】
液滴吐出ノズルに連通するインク室と、前記インク室内に圧力変化を生じさせる駆動素子と、前記駆動素子を覆う封止基板と、前記封止基板に形成されたインク導入路と、前記インク導入路の内部に形成された段差と、前記封止基板の表面に形成された配線とを備えた液滴吐出ヘッドの製造方法であって、
請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の配線形成方法を使用して、前記段差を有する前記封止基板の表面に前記配線を形成することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の液滴吐出ヘッドを備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、配線形成方法及びその配線を備えた液滴吐出ヘッドの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、高画質、高速描画を可能にするプリンタとして、液滴吐出ヘッドを用いたものが知られている。液滴吐出ヘッドは、内容積が変化する液室を備えた液滴吐出ヘッドを備え、このヘッドを走査させつつ、そのノズルから液滴を吐出することにより、描画するものである。このようなヘッドにおけるヘッドアクチュエータとしては、従来、ＰＺＴ（Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３）に代表される圧電素子が用いられている（例えば、特許文献１，２，３参照）。
【０００３】
この圧電素子へ駆動用ＩＣ等から電気的接続を行うために、この駆動用ＩＣを保持する基板の表面には金属配線が形成されている。この配線は、まずスパッタ法等により金属膜を形成し、その金属膜を配線形状にパターニングした後に、めっきを施して形成されている。
【特許文献１】特開平２０００−１２７３７９号公報
【特許文献２】特開平２０００−１３５７９０号公報
【特許文献３】特開平２０００−２９６６２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、配線が形成される基板には、段差を有するインク流路が形成されている。この段差は、インクの流量を制御するために形成されるものである。ところが、スパッタ法で配線となる金属膜を段差上面に形成する際、段差下面にも金属膜が形成されてしまう。この段差下面に形成された金属膜は、最終的にエッチングにより除去しなければならない。段差下面に金属膜が残留していると、この金属膜にもめっきが付着（析出）してしまうため、ヘッドに組み込まれた際、インク流路内にめっきが流出してインク流路詰まりを起こすおそれがあるからである。
【０００５】
段差下面の金属膜を除去する方法として、まずドライフィルムや保護シートを用いて基板表面全体に保護膜を形成し、基板裏面のインク流路の開口部からエッチング液を侵入させて段差下面に形成された金属膜のみを除去する方法が用いられている。
しかしながら、上述した方法は、基板をエッチング液に侵入させる際に、段差下面と保護膜との間に空気が残留し、気泡が生じてしまう。そのため、エッチング液の侵入が妨げられ、段差下面に形成された金属膜が完全に除去できず、エッチング残りが発生するという問題がある。
【０００６】
また、基板表面全体にレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィにより基板の段差下面に付着するレジスト膜のみを除去した後に、エッチングにより段差下面に付着した金属膜を除去する方法も用いられている。
しかしながら、この方法では、段差下面のレジスト膜を除去するため新たなフォトマスクが必要になり、製造プロセス、製造コストの増加に繋がってしまうという問題がある。
【０００７】
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、製造プロセス及び製造コストを抑制した上で、段差を有する基板の段差下面の金属膜を確実に除去することができる配線形成方法及びその配線を備えた液滴吐出ヘッドの製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明に係る配線形成方法は、段差を有する基板の段差上面に配線を形成する配線形成方法であって、前記基板の表面全体に金属膜を形成する工程と、前記段差上面の前記金属膜の表面に保護膜を形成する工程と、前記保護膜を第１マスクとして段差下面の前記金属膜を除去する工程と、前記段差上面の前記金属膜をパターニングして配線を形成する工程と、を有することを特徴とする。
また、前記段差上面の前記金属膜をパターニングする工程では、前記保護膜をパターニングして形成した第２マスクを用いて前記金属膜をエッチングすることにより前記配線を形成することが望ましい。
この構成によれば、新たなフォトマスクを用いることなく段差上面のみに保護膜を形成し、この保護膜を用いて配線をパターニングすることができるため、製造プロセス及び製造コストを抑制した上で、基板の段差下面の金属膜を確実に除去することができる。さらに、基板の段差下面の金属膜が確実に除去されるため、剥離した金属膜等の付着による配線のショートを防止することが可能になり、信頼性を向上させることができる。
【０００９】
また、前記保護膜は、電着レジストであることが望ましい。
この構成によれば、段差上面のみに確実に保護膜を形成することができる。
【００１０】
前記段差上面の前記金属膜をパターニングする工程の後に、パターニング後の前記金属膜にめっきを形成することを特徴とする。
この構成によれば、配線が厚膜化されて抵抗値を低減することができる。低温プロセスであるメッキで配線を厚膜化することにより、高温プロセスであるスパッタのみで厚膜化する場合と比べて、基板の温度上昇を抑制することができる。それに伴い、金属膜の拡散による配線抵抗の上昇や、応力発生による基板の反りを防止することができる。
【００１１】
また、前記めっきは無電解めっきを用いることが望ましい。
この構成によれば、微細な配線にも均一性の優れためっきを形成することができる。
【００１２】
一方、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、液滴吐出ノズルに連通するインク室と、前記インク室内に圧力変化を生じさせる駆動素子と、前記駆動素子を覆う封止基板と、前記封止基板に形成されたインク導入路と、前記インク導入路の内部に形成された段差と、前記封止基板の表面に形成された配線とを備えた液滴吐出ヘッドの製造方法であって、請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の配線形成方法を使用して、前記段差を有する前記封止基板の表面に前記配線を形成することを特徴とする。
この構成によれば、インク導入路の段差下面へのめっきの析出をなくし、流路の詰まりを防止することができるため、高精細な液滴吐出ヘッドを提供することができる。
【００１３】
一方、本発明の液滴吐出装置は、上述した液滴吐出ヘッドを備えたことを特徴とする。
この構成によれば、高精細なデバイスを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
（液滴吐出ヘッド）
図１は、液滴吐出ヘッドの分解斜視図であり、図２（ａ）は、液滴吐出ヘッドの平面図である。また、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。なお、図１及び図２（ａ）においては、後述する各配線等は省略する。また、図１に示す本実施形態における液滴吐出ヘッドは、後述する圧力発生室の並設方向に対称の装置であるため、図２及び図３では、その半分のみを示す。
【００１５】
図１，２に示すように、流路形成基板１０は、シリコン単結晶基板からなっている。流路形成基板１０には、後述する液滴吐出ノズル２１の配列方向に複数の圧力発生室１２（インク室）が配列形成されている。また、２列に配列形成された圧力発生室１２の外側には連通部１３が形成されている。連通部１３は、後述するリザーバ形成基板３０のリザーバ部３１と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００の一部を構成する。連通部１３と圧力発生室１２とが圧力発生室１２毎に設けられたインク供給路１４を介して連通されている。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。
【００１６】
流路形成基板１０の一方の面には、ノズルプレート２０が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、厚さが例えば０．０１〜１ｍｍで、線膨張係数が例えば３００℃以下で２．５〜４．５［×１０−６／℃］であるガラスセラミック、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼等からなる。ノズルプレート２０には、各圧力発生室１２に連通する複数の液滴吐出ノズル２１が穿設されている。液滴吐出ノズル２１は、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に形成されている。
【００１７】
一方、このような流路形成基板１０のノズルプレート２０とは反対側の面には、予め熱酸化によって二酸化シリコンからなる厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。この弾性膜５０上には、厚さが例えば、約０．４μｍの絶縁体膜５１が形成されている。さらに、この絶縁体膜５１上には、厚さが例えば、約０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約１．０μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば約０．０５μｍの上電極膜８０とが積層されて、圧電素子３００（駆動素子）を構成している。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして個別電極とする。本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。
【００１８】
また、このような各圧電素子３００の上電極膜８０には、例えば、金（Ａｕ）等の金属材料からなるリード電極９０が各々接続され、このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加されるようになっている。
【００１９】
さらに、流路形成基板１０の圧電素子３００側の面には、リザーバ形成基板３０（封止基板）が、接着剤等からなる接着層を介して接合されている。リザーバ形成基板３０は、複数の圧力発生室１２にインクを供給するためのリザーバ１００の少なくとも一部を構成するリザーバ部（インク導入路）３１を有するものである。このようなリザーバ部３１を有するリザーバ形成基板３０は、流路形成基板１０と同一材料であるシリコン単結晶基板からなり、例えば厚さが４００μｍで形成されている。
【００２０】
本実施形態に係るリザーバ部３１は、リザーバ形成基板３０を貫通する貫通部３２と、リザーバ形成基板３０の流路形成基板１０とは反対側であって、貫通部３２の開口部付近に形成された段差部３３（段差）とで構成されている。リザーバ部３１を構成する貫通部３２及び段差部３３は、リザーバ形成基板３０をその両面から異方性エッチングすることによって形成されている。また、リザーバ部３１は、圧力発生室１２の並設方向に沿って連続形成されている。
【００２１】
さらに、リザーバ形成基板３０の表面には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェレニンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３１の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。
【００２２】
リザーバ形成基板３０の表面における貫通部３２の開口部は、コンプライアンス基板４０のうち可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。さらに、コンプライアンス基板４０の段差部３３に対向する領域には、インクカートリッジからのインクをリザーバ１００内に導入するためのインク導入口４４が設けられている。このように段差部３３に対向する領域にインク導入口４４を設けることでインクの流れがスムーズになり、気泡の停滞等を防止してインク吐出特性を向上することができる。
【００２３】
また、リザーバ形成基板３０の圧電素子３００に対向する領域には凹部が形成されて、圧電素子保持部３８が構成されている。圧電素子３００は、この圧電素子保持部３８内に形成されているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。なお、圧電素子保持部３８は、密封されていてもよいし密封されていなくてもよい。
【００２４】
ここで、リザーバ形成基板３０の表面、つまり、圧電素子保持部３８と反対側の面は、段差部３３からみて段差上面７１となっている。また、リザーバ部３１の内部における段差部３３の表面が、段差下面７２となっている。この段差上面７１から段差下面７２までの深さは、例えば約８０μｍ、また段差下面７２の幅は、例えば約１００μｍで形成されている。
【００２５】
リザーバ形成基板３０の段差上面７１には、圧電素子３００を駆動するための駆動用ＩＣ２１０が実装されている。また、段差上面７１には、配線８６，８６，８７が形成されている。そして、配線８６，８６と駆動用ＩＣ２１０とが、ワイヤ８３，８３を介して接続されている。さらに、段差上面７１の配線８７と各圧電素子３００から圧電素子保持部３８の外側まで引き出された各リード電極９０の先端部とが駆動用ワイヤ２２０を介して接続されている。なお、配線８６，８６，８７は、後述するニクロム（ＮｉＣｒ）合金からなる下側金属膜９２と金（Ａｕ）からなる上側金属膜９３を積層し、この表面に金（Ａｕ）からなるめっき９５を成膜して形成されるが、図２（ｂ）においては簡単に１層のみを示している。
【００２６】
このような液滴吐出ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００から液滴吐出ノズル２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動用ＩＣ２１０からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加する。そして、圧電素子３００及び弾性膜５０を撓み変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まり液滴吐出ノズル２１からインクが吐出される。
【００２７】
（配線形成方法）
次に、図３，４に基づいて、このような液滴吐出ヘッドの配線形成方法、具体的には、リザーバ形成基板３０の段差上面７１に形成された配線８６，８６，８７（図２（ｂ）参照）の形成方法について説明する。
図３，４は、リザーバ形成基板３０の配線形成の工程図である。
まず、図３（ａ）に示すように、リザーバ形成基板３０の表面に下側金属膜９２と上側金属膜９３を積層形成する。具体的には、リザーバ形成基板３０の段差下面７２を含む表面全体にスパッタ法により、下側金属膜９２としてニクロム（ＮｉＣｒ）合金（Ｃｒ２０％）を０．０３〜０．１μｍ、上側金属膜９３として金（Ａｕ）を０．１〜０．３μｍ積層する。
【００２８】
次に、図３（ｂ）に示すように、段差上面７１にレジスト膜９４（保護膜）を形成する。ここで、レジスト膜９４の形成材料として、電着レジストを用いる。電着レジストは、電流が流れる部分にのみ付着するレジストである。電着レジストの形成材料として、カルボキシル基を有するアクリル系不飽和化合物で、それをアクリルモノマーまたはスチレンに溶解させて有機アミンで中和させたものに、光増感剤を少量加えたもの等が挙げられる。しかし、上記アクリル系に限らず、例えば、ポリオレフィン系や、ポリブタジエン系の電着液であっても良い。また、光増感剤としては、例えば、ベンゾインエーテルがある。
【００２９】
電着レジストを形成するには、まず電着レジストが溶解した液中に、アノード側にリザーバ形成基板３０を接続し、カソード側に白金（Ｐｔ）板を接続する。そして、リザーバ形成基板３０の表面に形成された金属膜９２，９３と白金板との間に数Ｖの電圧を約１０秒印加する。すると、段差上面７１に形成された金属膜９２，９３の全体に電流が流れて、段差上面７１には５〜６μｍのレジスト膜９４が形成される。
これに対し、段差下面７２にも金属膜９２，９３は形成されているが、段差上面７１から段差下面７２までの垂直面には金属膜が形成されていない。具体的には、その垂直面には金属粒子は存在するものの、電気的導通が確保されるまでに薄膜化していない。そのため、段差下面７２には電流が流れず、レジスト膜９４は形成されない。したがって、段差上面７１のみにレジスト膜９４が形成される。
【００３０】
次に、図３（ｃ）に示すように、段差下面７２に形成された金属膜９２，９３を除去する。具体的には、段差上面７１に形成されたレジスト膜９４を第一マスクとしてエッチングを行う。このとき使用するエッチャントとしては、例えばＩ（ヨウ素）とＫＩ（ヨウ素カリウム）とをベースとしたエッチャントやＨＮＯ３（硝酸）とＣｅ（ＮＨ４）２（ＮＯ３）６（硝酸第二セリウムアンモニウム）とをベースとしたエッチャントが挙げられる。このエッチング処理により、段差下面７２に形成された金属膜９２，９３が除去される。
なお、この時に、段差下面７２以外の領域、例えばリザーバ形成基板３０の側面や裏面に存在する金属粒子も除去される。
【００３１】
次に、図３（ｄ）に示すように、段差上面７１表面に形成されたレジスト膜９４をパターニングする。具体的には、フォトリソグラフィ技術を利用して、露光、現像することにより、レジスト膜９４を段差上面７１に形成すべき配線パターンにパターニングする。
【００３２】
次に、図４（ａ）に示すように、段差上面７１に形成された金属膜９２，９３をパターニングする。具体的には、レジスト膜９４を第二マスクとしてエッチングを行い、金属膜９２，９３を配線パターンに形成する。
次に、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜９４を除去する。
【００３３】
次に、上側金属膜９３の表面を活性化する。具体的には、酸素プラズマ等の乾式方法や、硫酸過水等の湿式方法を用いて、後述するめっき９５を形成し易い表面に活性化する。
【００３４】
次に、図４（ｃ）に示すように、金属膜９２，９３上にめっき９５を形成する。具体的には、４５〜６０℃に加温した無電解金（Ａｕ）めっき浴に１〜６時間浸漬し、金（Ａｕ）を０．７〜１．５μｍ積層する。無電解金めっきには、亜硫酸浴を用いる。なお、化学処理と次の化学処理との間には純水による洗浄を３〜１０分行う。また、連続的な配線を形成する場合には電界めっきを用いてめっきを形成してもよい。このように、無電解金めっきを用いてめっき９５を形成することにより、微細な配線にも均一性の優れためっきを形成することができる。また、低温プロセスであるめっきで配線を厚膜化することにより、高温プロセスであるスパッタのみで厚膜化する場合と比べて、基板の温度上昇を抑制することができる。それに伴い、金属膜中の下地膜の拡散による配線抵抗の上昇や、応力発生による基板の反りを防止することができる。
以上より、リザーバ形成基板３０の段差上面７１に所望の配線８６，８６，８７（図２（ｂ）参照）を形成することができる。
【００３５】
したがって、上述の実施形態によれば、まず電着レジストによって段差上面７１に形成された金属膜９２，９３上のみにレジスト膜９４を形成し、このレジスト膜９４を第一マスクとしてエッチングを行い、段差下面７２に形成された金属膜９２，９３を除去する。次に、フォトリソグラフィ技術を利用し、配線パターンにパターニングしたレジスト膜９４を第二マスクとしてエッチングを行い、金属膜９２，９３を配線パターンに形成する。そして、配線パターンに形成された金属膜９２，９３上にめっき９５を形成することで配線８６，８６，８７を形成する構成とした。
【００３６】
この構成によれば、従来のリザーバ形成基板３０の表面全体にレジスト膜を形成し、リザーバ形成基板３０の裏面から段差下面７２のみをウエットエッチングする場合のように、段差下面７２とレジスト膜との間に気泡が生じることがなく、段差下面７２に形成された金属膜９２，９３を確実に除去することができる。したがって、リザーバ形成基板３０が組み込まれた際に、エッチング残りによって段差下面７２に残留した金属膜やめっきの流出を防止することができる。その結果、インク流路詰まりを防止できるとともに、段差下面７２から剥離した金属膜やメッキの付着による配線のショートを防止することが可能になり、高歩留まりな液滴吐出ヘッドとして駆動させることができる。
【００３７】
また、従来のリザーバ形成基板３０の表面全体にレジスト膜を形成した後に、フォトリソグラフィによって段差下面７２に形成されたレジスト膜のみを除去する場合と比べ、電着レジストにより段差上面７１のみにレジスト膜９４が形成されるため、新たなフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ技術により段差下面７２のレジスト膜を除去する必要がない。したがって、製造プロセス及び、製造コストを抑制した上で、リザーバ形成基板３０の段差上面７１に確実に配線８６，８６，８７を形成することができる。
【００３８】
さらに、フォトリソグラフィ技術による段差上面７１のレジスト膜９４のパターニングと同時に段差下面７２のレジスト膜を除去し、さらに配線のパターニングと同時に段差下面７２の金属膜をエッチングする方法もある。しかしながら、この方法を用いる場合、段差下面７２の金属膜のエッチングレートが段差上面７１のエッチングレートに比べて遅いため、段差下面７２の金属膜を完全に除去しようとすると、段差上面７１に形成される配線パターンがオーバーエッチングされてしまい、導通不良の原因となってしまう。
本実施形態においては、電着レジストにより段差上面７１のみにレジスト膜９４を形成し、段差下面７２に形成された金属膜９２，９３を確実に除去した後に、このレジスト膜９４を用いて配線８６，８６，８７を形成することができる。そのため、製造プロセス及び、製造コストを抑制した上で、段差下面７２に付着する金属膜９２，９３を確実に除去して、リザーバ形成基板３０の段差上面７１に確実に配線８６，８６，８７を形成することができる。
【００３９】
（液滴吐出装置）
次に、上述した液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置の一例について図５を参照しながら説明する。本例では、その一例として、前述の液滴吐出ヘッドを備えたインクジェット式記録装置について説明する。
【００４０】
液滴吐出ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載されている。図５に示すように、液滴吐出ヘッドを有する記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂには、インク供給手段を構成するカートリッジ２Ａ及び２Ｂが着脱可能に設けられており、この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３が、装置本体４に取り付けられたキャリッジ軸５に軸方向移動自在に取り付けられている。
【００４１】
記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。そして、駆動モータ６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト７を介してキャリッジ３に伝達されることで、記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３がキャリッジ軸５に沿って移動するようになっている。一方、装置本体４にはキャリッジ軸５に沿ってプラテン８が設けられており、図示しない給紙ローラなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートＳがプラテン８上に搬送されるようになっている。上記構成を具備したインクジェット式記録装置は、前述の液滴吐出ヘッドを備えているので、信頼性が高く、更に低コストなインクジェット式記録装置となっている。
【００４２】
なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。例えば、上述した実施形態においては、配線形成方法の一例として液滴吐出ヘッドの段差上面に配線を形成する場合を挙げて説明したが、本発明は段差を有する基板を備えた機器全般を対象としたものであり、例えば電子基板や輸送機器、印刷機器等の基板の配線を形成する場合に用いてもよい。
【００４３】
また、配線の金属膜にニクロム合金の代わりにチタンタングステン（ＴｉＷ）や、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、クロム含有合金、ニッケル含有合金、銅（Ｃｕ）等、または、その中の２種類以上を組み合わせて用いてもよい。同様に、上述した実施形態においては、めっきに金を用いたが、例えば、ニッケルや銅、または、その中の２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４４】
さらに、段差上面に電着レジスト法を用いてレジスト膜を形成する代わりに、レジスト印刷法等を用いて形成してもよい。また、配線は、蒸着法を用いて形成してもよい。また、段差下面の金属膜を除去した後に電着レジストを除去し、新たなレジストを形成して配線パターニングしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施形態における液滴吐出ヘッドの分解斜視図である。
【図２】本発明の実施形態における液滴吐出ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】本発明の実施形態における液滴吐出ヘッドの配線形成の工程図である。
【図４】本発明の実施形態における液滴吐出ヘッドの配線形成の工程図である。
【図５】液滴吐出装置の一例であるインクジェット式記録装置の斜視構成図である。
【符号の説明】
【００４６】
１２…圧力発生室（インク室）  ２１…液滴吐出ノズル  ３０…リザーバ形成基板（封止基板）  ３２…貫通部  ３３…段差部  ７１…段差上面  ７２…段差下面  ８６，８７…配線（配線）  ９２…下側金属膜（金属膜）  ９３…上側金属膜（金属膜）  ９４…レジスト膜（保護膜）  ９５…めっき  ３００…圧電素子（駆動素子）
【図１】
2008132700.tif 000003
【図２】
2008132700.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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