(57)【要約】      （修正有）【課題】頻繁に書換える必要のあるデータのバックアップを低コストで不具合なく実現することが出来るデータ記録装置を提供することにある。【解決手段】データ記録装置１０は、不揮発性のデータ記憶部７０と、入力データの変換処理に用いる変換キーデータを生成する変換キーデータ生成部３０と、前記変換キーデータに基づき入力データのデータ変換処理を行い変換後データを生成しするデータ変換部６０と、変換後データと、変換後データに関連づけて記憶されている変換キーデータを前記データ記憶部から読み出す処理を行う読み出し処理部と、読み出した変換キーデータに基づき、読み出した変換後データを変換前のデータに逆変換するデータ逆変換処理を行い変換前のデータを生成するデータ逆変換部６０と、を含む。【選択図】図１
2008305022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ記憶装置であって、
不揮発性のデータ記憶部と、
入力データを前記データ記憶部へ書き込む制御を行うデータ書き込み制御部と、
前記データ記憶部からデータを読み出して出力する制御を行うデータ読み出し制御部と、を含み、
前記データ書き込み制御部は、
入力データの変換処理に用いる変換キーデータを生成する変換キーデータ生成部と、
前記変換キーデータに基づき入力データのデータ変換処理を行い変換後データを生成するデータ変換部と、
変換後データと変換キーデータを関連づけて前記データ記憶部に書き込む処理を行う書き込み処理部とを含み、
前記データ読み出し制御部は、
変換後データと、変換後データに関連づけて記憶されている変換キーデータを前記データ記憶部から読み出す処理を行う読み出し処理部と、
読み出した変換キーデータに基づき、読み出した変換後データを変換前のデータに逆変換するデータ逆変換処理を行い変換前のデータを生成するデータ逆変換部と、
を含む事を特徴とするデータ記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記書き込み処理部は、
不揮発性のデータ記憶部の同じ領域に変換後データと変換キーデータを上書きし、
読み出し処理部は、
不揮発性のデータ記憶部の同じ領域から変換後データと変換キーデータを読み出す事を特徴とするデータ記憶装置。
【請求項３】
請求項１乃至２のいずれかにおいて、
データ書き込みに関連したタイミングで、所定の規則に従って、書き込みアドレスを生成する書き込みアドレス生成部を含み、
前記書き込み処理部は、
生成された書き込みアドレスに、変換後データと変換後データに関連づけられた変換キーデータを書き込む処理を行い、
前記読み出し処理部は、
前記書き込みアドレスから、変換後データ及び変換後データと関連づけられた変換キーデータを読み出す処理を行うことを特徴とするデータ記憶装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記書き込みアドレス生成部は、
各回の書き込みデータの書き込みエリアが前記データ記憶部の少なくとも一部の領域内で巡回して移動するように書き込みアドレスを生成することを特徴とするデータ記憶装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記書き込みアドレス生成部は、
ｎ＋１回目の書き込みデータがｎ回目の書き込みデータの一部を上書きするように書き込みアドレスを生成することを特徴とするデータ記憶装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
記憶部は、強誘電体メモリで構成されていることを特徴とするデータ記録装置。
【請求項７】
データ記憶装置の制御方法であって、
入力データを前記データ記憶部へ書き込む制御を行うデータ書き込み制御ステップと、
前記データ記憶部からデータを読み出して出力する制御を行うデータ読み出し制御ステップと、を含み、
前記データ書き込み制御ステップにおいて、
入力データの変換処理に用いる変換キーデータを生成するステップと、
前記変換キーデータに基づき入力データのデータ変換処理を行い変換後データを生成するステップと、
変換後データと変換キーデータを関連づけて不揮発性のデータ記憶部に書き込む処理を行うステップとを含み、
前記データ読み出し制御ステップにおいて、
変換後データと、変換後データに関連づけて記憶されている変換キーデータを前記データ記憶部から読み出す処理を行うステップと、
読み出した変換キーデータに基づき、読み出した変換後データを変換前のデータに逆変換するデータ逆変換処理を行い変換前のデータを生成するステップと、
を含む事を特徴とするデータ記憶装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、データ記録装置及びその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
動作中のマイコン等が突然の停電に遭った時、ＳＲＡＭ等の不揮発性メモリーに保管していたデータは全て失われてしまう。従来、こうしたトラブルに対しては、電池等のバックアップ電源を備えておいて停電時に電流供給して揮発性メモリーからのデータ消失を防いだり、常時電源電圧をモニターして停電を察知し、停電時にはスーパーキャパシタ等の短時間のバックアップ電源から電流供給してフラッシュ等の不揮発性メモリーにデータ退去させて保護していた。
【０００３】
産業用機械等の連続稼動装置が、停電やハードトラブル等で突然停止した場合に、その瞬間もしくは直前に揮発メモリーに保持されていた重要データを保管する際も同様のことが行われていた。
【特許文献１】特開２００５−２５９０４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ただし上記のデータ保護方法では、電池等のバックアップ電源、もしくは電源電圧モニターとスーパーキャパシタのセットが必須であり、コスト面及び使用環境の面から問題があった。
【０００５】
そこで揮発性メモリーに保管してある重要データを１から数秒程度の短い間隔で常時不揮発メモリーに書込み、停電等のトラブルがあった時でもデータが消失しないようにする、という対策法を考えることが可能である。ここで対象としている重要データには、時々刻々と変わりその保管のため頻繁に書換える必要のあるデータを含むことを想定する。そうした目的のために１から数秒程度の間隔でデータを常時書換えるとすると、事実上書き換え回数の制限のない不揮発性メモリを使うことになるが、書換え回数の制限としては問題ないが、データの焼き付き現象（インプリント）が起きる懸念がある。すなわち、保存データの全ビットが頻繁に変化する訳ではなく、中には１、０いずれかに殆ど固定されたビットも存在し、同一データを繰り返し書き込むことになるので、この固定データが焼き付いてしまい、反対データを書込みにくくなる現象が発生するという問題点がある。
【０００６】
本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、頻繁に書換える必要のあるデータのバックアップを低コストで不具合なく実現することが出来るデータ記録装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明は、
データ記憶装置であって、
不揮発性のデータ記憶部と、
入力データを前記データ記憶部へ書き込む制御を行うデータ書き込み制御部と、
前記データ記憶部からデータを読み出して出力する制御を行うデータ読み出し制御部と、を含み、
前記データ書き込み制御部は、
入力データの変換処理に用いる変換キーデータを生成する変換キーデータ生成部と、
前記変換キーデータに基づき入力データのデータ変換処理を行い変換後データを生成するデータ変換部と、
変換後データと変換キーデータを関連づけて前記データ記憶部に書き込む処理を行う書き込み処理部とを含み、
前記データ読み出し制御部は、
変換後データと、変換後データに関連づけて記憶されている変換キーデータを前記データ記憶部から読み出す処理を行う読み出し処理部と、
読み出した変換キーデータに基づき、読み出した変換後データを変換前のデータに逆変換するデータ逆変換処理を行い変換前のデータを生成するデータ逆変換部と、
を含む事を特徴とする。
【０００８】
ここで記録の対象としているデータには、時々刻々と値が変化しその保管のため頻繁に書換える必要のあるデータ（例えば時刻や、現在のアクセス領域のアドレス等の刻々と変化するカレントデータ）を含む。
【０００９】
変換キーデータ発生部は、入力データに対し例えば１ビットの変換キーデータを発生させるようにしてもよい。例えば、乱数発生器によって発生させた乱数を利用して変換キーデータを生成しても良いし、タイマーからのカウント等を利用して１、０を発生させても良い。入力データと相関がなく、しかも頻繁に変化する１、０データを発生させることができればよい。変換キーデータ発生部が生成する変換キーは入力データと同期せずに変化させることが好ましい。例えばランダムに変化させてもよいし、所定の周期で変化させてもよい。
【００１０】
データ変換部は変換キーデータの１、０に従い入力データを反転させて変換後データを生成するようにしてもよい。このようにすると不揮発性のデータ記憶部内の頻繁に書き換える全てのビットで１、０が頻繁に入れ替わることになり、インプリントを防止することが出来る。
【００１１】
データ逆変換部は、保存された変換後データを読み出す時は、変換後データに関連づけて記憶された変換キーデータに基づいて、データの反転／非反転を判断して元データに逆変換し、変換キーデータを除いて出力するようにしてもよい。
【００１２】
一般に、例えば時計の時刻等のカレントデータを保存するために常時不揮発性メモリに書き込む用途のデータ記録装置では、値が変化するのはメモリ領域の一部で残り大多数のメモリ領域の値は変化しないような場合もおおい。このような場合、データ事態は更新されても値が変化しないメモリ領域には、同一データの繰り返しの書き込みが発生し、固定データが焼き付いてしまい、反対データを書込みにくくなる現象が発生するという問題点があった。
【００１３】
しかし本発明によれば、本発明は、入力データは同じでも、変換キーデータによって変換された変換後データの値は変化する。しかし本発明では、不揮発性の記憶領域に書き込まれるのは、変換後キーデータであるため、入力データが同一データの繰り返しでも固定データが焼き付を発生を防止することができる。
【００１４】
従って本発明によれば、頻繁に書換える必要のあるデータのバックアップを低コストで不具合なく実現することが出来る。
【００１５】
（２）本発明のデータ記憶装置は、
前記書き込み処理部は、
不揮発性のデータ記憶部の同じ領域に変換後データと変換キーデータを上書きし、
読み出し処理部は、
不揮発性のデータ記憶部の同じ領域から変換後データと変換キーデータを読み出す事を特徴とする。
【００１６】
例えばカレントデータを保存する場合には、最新のカレントデータが１つあればたりるので、同じ領域に毎回上書きするようにしてもよい。
【００１７】
（３）本発明のデータ記憶装置は、
データ書き込みに関連したタイミングで、所定の規則に従って、書き込みアドレスを生成する書き込みアドレス生成部を含み、
前記書き込み処理部は、
生成された書き込みアドレスに、変換後データと変換後データに関連づけられた変換キーデータを書き込む処理を行い、
前記読み出し処理部は、
前記書き込みアドレスから、変換後データ及び変換後データと関連づけられた変換キーデータを読み出す処理を行うことを特徴とする。
【００１８】
アドレス生成部は、データ書き込み時に所定の規則に従って、書き込みアドレスを生成するようにしてもよい。また生成された書き込みアドレスを保持する書き込みアドレスアドレス保持部を含み、前記書き込み処理部は、前記書き込みアドレス保持部に保持された書き込みアドレスに、変換後データと変換キーデータを関連づけて書き込む処理を行い、
前記読み出し処理部は、前記書き込みアドレス保持部に保持された書き込みアドレスから、変換後データ及び変換後データと関連づけられた変換キーデータを読み出す処理を行うようにしてもよい。
【００１９】
（４）本発明のデータ記憶装置は、
前記書き込みアドレス生成部は、
各回の書き込みデータの書き込みエリアが前記データ記憶部の少なくとも一部の領域内で巡回して移動するように書き込みアドレスを生成することを特徴とする。
【００２０】
例えば書き込みアドレスをデータ領域の大きさ分づつインクリメントさせて所定の記憶領域の最後まで使用したら再び先頭から巡回使用するようにしてもよい。
【００２１】
（５）本発明のデータ記憶装置は、
前記書き込みアドレス生成部は、
ｎ＋１回目の書き込みデータがｎ回目の書き込みデータの一部を上書きするように書き込みアドレスを生成することを特徴とする。
【００２２】
（６）本発明のデータ記憶装置は、
記憶部は、強誘電体メモリで構成されていることを特徴とする。
【００２３】
強誘電体メモリとは例えばＦｅＲＡＭ等である。
【００２４】
強誘電体メモリは、フラッシュメモリやＥＥＰＲＯＭと比べて書き換え可能な回数が格段に多く、かつ、書き換えに要する時間が短い。
【００２５】
従って、リングバッファとして使用する第１の記憶領域を強誘電体メモリで構成すると書き込んでから時間が経ち一時保管の必要がなくなった情報は次々に上書きされていくので、書換え回数は増えるものの、比較的小さなメモリーエリアで実現することができる。
【００２６】
従って時々刻々と値が変化しその保管のため頻繁に書換える必要のあるデータのバックアップに適している。
【００２７】
（７）本発明は、
データ記憶装置の制御方法であって、
入力データを前記データ記憶部へ書き込む制御を行うデータ書き込み制御ステップと、
前記データ記憶部からデータを読み出して出力する制御を行うデータ読み出し制御ステップと、を含み、
前記データ書き込み制御ステップにおいて、
入力データの変換処理に用いる変換キーデータを生成するステップと、
前記変換キーデータに基づき入力データのデータ変換処理を行い変換後データを生成するステップと、
変換後データと変換キーデータを関連づけて不揮発性のデータ記憶部に書き込む処理を行うステップとを含み、
前記データ読み出し制御ステップにおいて、
変換後データと、変換後データに関連づけて記憶されている変換キーデータを前記データ記憶部から読み出す処理を行うステップと、
読み出した変換キーデータに基づき、読み出した変換後データを変換前のデータに逆変換するデータ逆変換処理を行い変換前のデータを生成するステップと、
を含む事を特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の内容を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【００２９】
図１は本実施の形態のデータ記録装置（ＦｅＲＡＭ）１０の機能ブロック図である。
本実施の形態のデータ記録装置（ＦｅＲＡＭ）１０は、時々刻々と値が変化しその保管のため頻繁に書換える必要のあるデータ（例えば時刻や、現在のアクセス領域のアドレス等の刻々と変化するカレントデータ）等が１から数秒程度の間隔でデータを常時書換えられるＦｅＲＡＭ記憶領域（不揮発性記憶部）７０を含む。
【００３０】
本実施の形態のデータ記録装置（ＦｅＲＡＭ）１０は、外部とデータのやり取りを行うＩ／Ｆ２０を含む。
【００３１】
本実施の形態のデータ記録装置（ＦｅＲＡＭ）１０は、入力データを変換するための変換キーデータ（例えばフラグ）を生成する変換キーデータ生成部３０を含む。
【００３２】
本実施の形態のデータ記録装置（ＦｅＲＡＭ）１０は、生成された変換キーデータと入力データに基づき、「変換キーデータ＋データ」を生成するデータ合成部４０を含む。
【００３３】
本実施の形態のデータ記録装置（ＦｅＲＡＭ）１０は、「変換キーデータ＋データ」を「変換キーデータ＋変換後データ」に変換する処理及び「変換キーデータ＋変換後データ」を「変換キーデータ＋データ」に逆変換する処理を行うデータ変換部（データ逆変換部）６０をふくむ。データ変換部６０は、変換キーデータに基づき入力データのデータ変換を行い変換後データを生成するデータ変換部として機能する。また読み出した変換キーデータに基づき、読み出した変換後データを変換前のデータに逆変換するデータ逆変換部として機能する。
【００３４】
本実施の形態のデータ記録装置（ＦｅＲＡＭ）１０は、「変換キーデータ＋データ」から変換キーデータを削除して出力する処理を行う変換キーデータ削除部５０を含む。
【００３５】
Ｉ／０２０、変換キーデータ発生部３０、データ合成部４０、データ変換部６０は、入力データを前記データ記憶部へ書き込む制御を行うデータ書き込み制御部として機能する。またＩ／０２０、変換キーデータ削除部５０、データ変換部６０は、前記データ記憶部からデータを読み出して出力する制御を行うデータ読み出し制御部として機能する。
【００３６】
ここでデータ書き込み処理は、毎回同じ領域（ＦｅＲＡＭ記憶領域７０の一部または全部）に変換後データと変換キーデータデータを上書きし、読み出し処理は、毎回同じ領域から変換後データと変換キーデータを読み出すようにしてもよい。
【００３７】
ＦｅＲＡＭは破壊読出しとなるため、ＦｅＲＡＭ内部の保存されているデータを読み出して、これから保存しようとしているデータと比較し、変更部分のみを書き込むという使い方は出来ない。毎回、全てのデータを上書きするのが基本である。従って書き換えの単位となるデータ全体に対して１つの変換キーデータをもたせればよい。
【００３８】
従って入出力で対象データが一致している場合にはデータ全体に対して１つの変換キーデータをもたせればよいが、それが保証されない場合には、バイト単位もしくはワード単位といったデータ単位で変換キーデータ付与するようにしてもよい。
【００３９】
変換キーデータ付与をコンピュータ側で実施することも考えられるが、１ビットの変換キーデータのためにバイト単位のデータ額域を用意しなければならず、効率的でない。また、コンピュータとＦｅＲＡＭの間でやり取りするデータ量も増えることになり、データ転送の効率も落ちることになる。
【００４０】
そこで、データ記録用ＦｅＲＡＭに対し上記変換キーデータ付与機能を持たせることが有効となる。こうすることにより、見かけ上は単なるＦｅＲＡＭと何ら変わらない動作とすることが出来るのである。
【００４１】
図２は、不揮発性記憶部へのデータ書き込み時の処理の流れを説明するための図である。
【００４２】
まず入力データ「○○○○」がＦｅＲＡＭに取り込まれる（ステップＳ１０）。次に変換キーデータ生成部は、入力データに対応させる変換キーデータ’０’または’１’を生成する（ステップＳ２０）。例えば、乱数発生器によって発生させた乱数を利用して変換キーデータを生成しても良いし、タイマーからのカウント等を利用して１、０を発生させても良い。入力データと相関がなく、しかも頻繁に変化する１、０データを発生させることができればよい。
【００４３】
次に変換キーデータに基づきデータ変換を行う（ステップＳ３０）。例えば変換キーデータが’０’の場合には、入力データ「○○○○」を反転させず（非反転）変換後データ「○○○○」を生成し、変換キーデータが’１’の場合には、入力データ「○○○○」を反転させて変換後データ「××××」を生成するようにしてもよい。
【００４４】
次に反転後データとデータ変換処理に用いた変換キーデータを関連づける処理を行う（ステップＳ４０）。例えば変換キーデータと変換後データを連結させた合成データ（変換キーデータを上位１ビットに配置し、変換後データを２ビット移行に配置させた合成データ）を生成するようにしてもよい。
【００４５】
次に、生成した合成データをＦｅＲＡＭ記憶領域（不揮発性のデータ記憶部）に書き込む処理を行う（ステップＳ５０）。ここではいつも同じ領域に上書きされる。
【００４６】
図３は、不揮発性記憶部からのデータ読み出し時の処理の流れを説明するための図である。
【００４７】
まず変換キーデータと変換後データがセットになった合成データをＦｅＲＡＭ記憶領域（不揮発性のデータ記憶部）から読み出す（ステップＳ６０）。ここではいつも同じ領域から読み出される。
【００４８】
次に読み出した合成データに含まれた変換キーデータと変換後データに基づき、変換後データを変換前のデータに逆変換するデータ逆変換処理を行う（ステップＳ７０）。例えば変換キーデータが’０’の場合には、変換後データ「○○○○」を反転させず（非反転）変換前のデータ「○○○○」を生成し、変換キーデータが’１’の場合には、変換後データ「○○○○」を反転させて変換前のデータ「××××」を生成するようにしてもよい。
【００４９】
次に読み出した合成データに含まれた変換キーデータを削除する（ステップＳ８０）。
【００５０】
次に変換前のデータをＦｅＲＡＭ外へ出力する（ステップＳ９０）。
【００５１】
図４（Ａ）（Ｂ）は、データ記憶領域の異なるアドレスにデータを記憶させる構成について説明する図である。
【００５２】
例えば常時書込みするデータ量は不揮発性メモリ（ＦｅＲＡＭ等）の全記憶容量よりはるかに小さいことが一般的であり、使用せずに残る不揮発性記憶領域が発生する。
【００５３】
そこで、例えば図４（Ａ）に示すように、書込み毎に先頭アドレスｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、・・・を一定数αづつ移動していき、不揮発性メモリ７０内の全記憶領域を巡回使用するようにしてもよい。
【００５４】
また例えば図４（Ａ）に示すように、ｎ＋１回目の書き込みデータｄ２がｎ回目の書き込みデータｄ１を一部上書きする（２１０参照）ように書き込みアドレスを生成するようにしてもよい。
【００５５】
このようにすると、不揮発性メモリの全体に分散させて記憶させるので、結果的に各エリアの書き換え回数を低減させることができる。しかも過去の複数のデータを記憶させておくことができるので、データの変化の履歴が重要なタイプのデータ記録にも対応することができる。
【００５６】
図５は、データ記憶領域の異なるアドレスにデータを記憶させる構成の本実施の形態のデータ記録装置（ＦｅＲＡＭ）１２の機能ブロック図である。
【００５７】
さらに図４（Ａ）（Ｂ）に示すように、記憶領域をリングバッファとし、毎回、書込みデータの先頭アドレスを変えていく場合は、ＦｅＲＡＭ内で先頭アドレスを自動生成する機能も必要となる。すなわち、ＦｅＲＡＭ内の先頭アドレス記憶領域から前回の先頭アドレスを読み出し、それに一定数を加えて新しい先頭アドレスとし、その先頭アドレスを先頭アドレス記憶額域に書き込むと同時に、この先頭アドレスから取込みデータを書込んでいくのである。読み出し時は、まず先頭アドレスを読み出し、その先頭アドレスからデータを読み出していくことになる。
【００５８】
図５のデータ記録装置１２は、図１の構成に加えてアドレスデータ生成部８０と、アドレスデータ補完領域を含む。図１と共通の構成については図１と同様の番号を付しており、説明を省略する。
【００５９】
アドレスデータ生成部８０は、データ書き込みに関連したタイミングで、所定の規則に従って、書き込みアドレスを生成し、生成された書き込みアドレスはアドレスデータ補完領域９０に保持される。データ書き込み時には、アドレスデータ保管領域９０に保管されたアドレスに、変換後データと変換後データに関連づけられた変換キーデータが書き込まれる。またデータ読み出し時には、アドレスデータ保管領域９０に保管されたアドレスから変換後データ及び変換後データと関連づけられた変換キーデータが読み出される。
【００６０】
このような構成の場合、書換え毎に先頭アドレス情報（書き込みアドレス）を更新する必要があり、この情報だけは同じ位置に繰り返し書き込むことが避けられない。そこで、この先頭アドレス情報格納エリアだけを一般の記憶領域と切り離し、エラー訂正機能を持たせたり、書換え可能回数の多い別構造の不揮発性メモリ（ＦｅＲＡＭセル）で構成してもよい。
【００６１】
図６は、データ記憶領域の異なるアドレスにデータを記憶させる場合の処理の流れを示す図である。
【００６２】
まず入力データを受け取ると、アドレスデータ保管領域９０からアドレスデータ（前回格納アドレス）を読み出す（ステップＳ１１０）。
【００６３】
次に読み出したアドレス（前回格納アドレス）に基づき新アドレスデータ（今回格納時アドレス）を生成する（ステップＳ１２０）。例えば読み出したアドレスａｄ１に書き込みデータの大きさαを加算して、新アドレスａｄ２を生成してもよい。
【００６４】
次に、ＦｅＲＡＭデータ領域の生成した新アドレスａｄ２に取り込みデータ「変換キーデータ＋変換後データ」を書き込みアドレスデータ保管領域に、新アドレスデータａｄ２を書き込む（ステップＳ１３０）。
【００６５】
上記実施の形態のように、ＦｅＲＡＭチップ内に各種ロジック回路等を搭載することで、見かけ上の特性を向上させることが可能となり、ＦｅＲＡＭの用途を大きく拡大することが出来る。
【００６６】
なお、本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【００６７】
上記実施の形態ではＦｅＲＡＭチップ内に各種ロジック回路等を搭載するここで、データ記録装置を実現する構成を例に説明したがそれに限られない。
【００６８】
例えば不揮発性の記憶部としてＦｅＲＡＭを用いて、データ書き込み制御部と、データ読み出し制御部との機能はＣＰＵとプログラムによって実現してもよい。
【００６９】
また上記実施の形態では不揮発性メモリとしてＦｅＲＡＭを使ってデータ記録装置を実現する構成を例に説明したがそれに限られない。ＦｅＲＡＭ以外の不揮発性メモリを用いてデータ記録装置を実現するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本実施の形態のデータ記録装置（ＦｅＲＡＭ）の機能ブロック図。
【図２】不揮発性記憶部へのデータ書き込み時の処理の流れを説明するための図。
【図３】不揮発性記憶部からのデータ読み出し時の処理の流れを説明するための図である。
【図４】データ記憶領域の異なるアドレスにデータを記憶させる構成について説明する図。
【図５】データ記憶領域の異なるアドレスにデータを記憶させる構成の本実施の形態のデータ記録装置（ＦｅＲＡＭ）の機能ブロック図。
【図６】データ記憶領域の異なるアドレスにデータを記憶させる場合の処理の流れを示す図。
【符号の説明】
【００７１】
１０、１２  データ記録装置、２０  Ｉ／Ｏ、３０  変換キーデータ生成部、４０  データ合成部、５０  変換キーデータ削除部、６０  データ変換部（データ逆変換部）、ＦｅＲＡＭ記憶部、８０  アドレスデータ生成部、９０  アドレスデータ保管領域
【図１】
2008305022.tif 000003
【図２】
2008305022.tif 000004
【図３】
2008305022.tif 000005
【図４】
2008305022.tif 000006
【図５】
2008305022.tif 000007
【図６】
2008305022.tif 000008