(57)【要約】【課題】位置検出を高精度に行うことができる位置検出装置を提供する。【解決手段】ギヤの歯の移動により変化する磁界によって抵抗値が変化する磁気抵抗素子が備えられ、磁気抵抗素子の抵抗値の変化に基づいてギヤの回転角度位置が検出される。基板３０上に、同一の層において磁性薄膜にて構成される磁気抵抗素子ブリッジが複数並設され、かつ、縦方向にシリコン酸化膜３３，３５，３７，３９を介在させた状態で磁気抵抗素子ブリッジの一部が重なるようにして３層以上に磁気抵抗素子ブリッジが積層されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検出体の移動により変化する磁界によって抵抗値が変化する磁気抵抗素子を備え、前記磁気抵抗素子の抵抗値の変化に基づいて前記被検出体の位置を検出する位置検出装置であって、
基板上に、同一の層において磁性薄膜にて構成される磁気抵抗素子または磁気抵抗素子ブリッジが複数並設され、かつ、縦方向に絶縁膜を介在させた状態で前記磁気抵抗素子または磁気抵抗素子ブリッジの一部が重なるようにして３層以上に前記磁気抵抗素子または磁気抵抗素子ブリッジを積層してなることを特徴とする位置検出装置。
【請求項２】
基板の両面に、同一の層において磁性薄膜にて構成される磁気抵抗素子または磁気抵抗素子ブリッジが複数並設され、かつ、縦方向に絶縁膜を介在させた状態で前記磁気抵抗素子または磁気抵抗素子ブリッジの一部が重なるようにして３層以上に前記磁気抵抗素子または磁気抵抗素子ブリッジを積層してなる請求項１に記載の位置検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位置検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
回転角度位置等を検出する位置検出装置として磁気抵抗素子を複数用いたものが知られている（特許文献１参照）。磁気抵抗素子は、基板上に磁性薄膜を１層形成して構成していた。
【特許文献１】特開２００１−１５３６８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年、センサの高精度化の要求が増している。特に、回転センサにおいては３６０°検出、０．１％ＦＳ等の厳しい要求がＸ−ｂｙＷｉｒｅの進展とともに増えている。
高精度回転センサでは、センサの取り付け位置を精度良く調整・決定する必要がある。このためには、Ｘ，Ｙ方向、Ｚ方向に接近して磁気抵抗素子を配置する必要があるが、Ｘ，Ｙ方向、つまり平面方向では、同じ平面上の素子を重ね合わせることはできない。
【０００４】
本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、その目的は、位置検出を高精度に行うことができる位置検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明では、基板上に、同一の層において磁性薄膜にて構成される磁気抵抗素子または磁気抵抗素子ブリッジが複数並設され、かつ、縦方向に絶縁膜を介在させた状態で前記磁気抵抗素子または磁気抵抗素子ブリッジの一部が重なるようにして３層以上に前記磁気抵抗素子または磁気抵抗素子ブリッジを積層してなることを要旨とする。
【０００６】
請求項１に記載の発明によれば、単一の層のみにおいて磁気抵抗素子または磁気抵抗素子ブリッジを並設する場合に比べ横方向に磁気抵抗素子または磁気抵抗素子ブリッジを接近して配置することができ、位置検出を高精度に行うことができる。
【０００７】
請求項２に記載のように、請求項１に記載の位置検出装置において、基板の両面に、同一の層において磁性薄膜にて構成される磁気抵抗素子または磁気抵抗素子ブリッジが複数並設され、かつ、縦方向に絶縁膜を介在させた状態で前記磁気抵抗素子または磁気抵抗素子ブリッジの一部が重なるようにして３層以上に前記磁気抵抗素子または磁気抵抗素子ブリッジを積層してなるものであると、磁気抵抗素子または磁気抵抗素子ブリッジの積層数を多くでき、さらに位置検出を高精度に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
図１には本実施形態における位置検出装置としてのクランク角センサを示し、図１（ａ）はクランク角センサの縦断面図であり、図１（ｂ）はクランク角センサの横断面図である。
【０００９】
エンジンブロック１１内にギヤ１０が配置され、外周に歯を有するギヤ１０はクランクシャフトの回転と共に回転する。
エンジンブロック１１にはクランク角センサ２０がネジ２７により取り付けられている。クランク角センサ２０は円柱状のセンサボディ２１を具備し、この円柱状のセンサボディ２１の外周部には鍔部２６が突出している。この鍔部２６を貫通するネジ２７をエンジンブロック１１に螺入することによりクランク角センサ２０がエンジンブロック１１に固定されている。
【００１０】
円柱状のセンサボディ２１の一端面には平板状のプレート部２２が突出している。プレート部２２の一方の面にはセンサチップ２３が配置されている。センサチップ２３はギヤ１０と一定の距離だけ離間している。センサチップ２３には複数の磁気抵抗素子（ＭＲ素子）が形成されている。
【００１１】
センサチップ２３とギヤ１０の位置関係について、図１（ａ）に示すように、Ｘ，Ｙで示す同一の平面内においてセンサチップ２３とギヤ１０が離間して配置され、かつ、図１（ｂ）に示すように、Ｘ，Ｙ平面に直交するＺ軸方向においてセンサチップ２３とギヤ１０が同一高さに配置されている。Ｙ方向がギヤ１０に対しセンサチップ２３が接離する方向である。
【００１２】
円柱状のセンサボディ２１には有蓋円筒形をなすキャップ２４が装着され、プレート部２２およびセンサチップ２３はキャップ２４により覆われている。キャップ２４の内面にはバイアス磁石２５が配置されている。バイアス磁石２５により、センサチップ２３の磁気抵抗素子（ＭＲ素子）を通りギヤ１０に向かうバイアス磁界が印加される。
【００１３】
図２にはセンサチップ２３の縦断面図を示す。図２において、基板３０上において磁気抵抗素子を構成する磁性薄膜（ＮｉＦｅ膜やＮｉＣｏ膜）が立体的にパターニングされている（積層して配置されている）。詳しくは、シリコン基板３０上に絶縁膜としてのシリコン酸化膜３１が形成され、このシリコン酸化膜３１上にはＭＲ素子を構成する磁性薄膜のパターン３２が形成されている。パターン３２上を含めたシリコン酸化膜３１上には絶縁膜としてのシリコン酸化膜３３が形成されている。シリコン酸化膜３３上にはＭＲ素子を構成する磁性薄膜のパターン３４が形成されている。パターン３４上を含めたシリコン酸化膜３３上に絶縁膜としてのシリコン酸化膜３５が形成されている。シリコン酸化膜３５上にはＭＲ素子を構成する磁性薄膜のパターン３６が形成されている。パターン３６上を含めたシリコン酸化膜３５上には絶縁膜としてのシリコン酸化膜３７が形成されている。シリコン酸化膜３７上にはＭＲ素子を構成する磁性薄膜のパターン３８が形成されている。パターン３８上を含めたシリコン酸化膜３７上には絶縁膜としてのシリコン酸化膜３９が形成されている。シリコン酸化膜３９上にはＭＲ素子を構成する磁性薄膜のパターン４０が形成されている。パターン４０上を含めたシリコン酸化膜３９上にはパッシベーション膜としてのシリコン窒化膜４１が形成されている。
【００１４】
また、図２において各層のパターン３２，３４，３６，３８，４０はシリコン酸化膜３３，３５，３７，３９に設けたビアホール４２を通して電気的に接続されている。
図２におけるＭＲ素子を構成する磁性薄膜のパターン３２、即ち、第１層目のパターンの平面図を図３に示す。また、図２におけるＭＲ素子を構成する磁性薄膜のパターン３４、即ち、第２層目のパターンの平面図を図４に示す。また、図２におけるＭＲ素子を構成する磁性薄膜のパターン３６、即ち、第３層目のパターンの平面図を図５に示す。また、図２におけるＭＲ素子を構成する磁性薄膜のパターン３８、即ち、第４層目のパターンの平面図を図６に示す。また、図２におけるＭＲ素子を構成する磁性薄膜のパターン４０、即ち、第５層目のパターンの平面図を図７に示す。
【００１５】
図３において、図８に示す、４つのＭＲ素子１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄでフルブリッジを組んだ磁気抵抗素子ブリッジ（以下、ＭＲＥブリッジという）１００が、９個配置されている。
【００１６】
まず、図８について説明する。図８（ａ）はＭＲＥブリッジ１００の平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図である。
図８において、シリコン酸化膜上において磁性薄膜が帯状にパターニングされている。ここで、ＭＲ素子１００ａは蛇行しながら同一方向、詳しくはＹ方向に対し略４５°傾いた方向に延びている。また、ＭＲ素子１００ｂはＭＲ素子（蛇行部）１００ａと同一方向に蛇行しながら延びている。ＭＲ素子１００ｃはＭＲ素子（蛇行部）１００ａ，１００ｂとは直交する方向に蛇行しながら延び、また、ＭＲ素子１００ｄはＭＲ素子（蛇行部）１００ｃと同一方向に蛇行しながら延びている。ＭＲ素子１００ａの一端とＭＲ素子１００ｃの一端とが電気的に接続され、ここに電源電圧Ｖｃｃが印加される。ＭＲ素子１００ａの他端とＭＲ素子１００ｄの一端とが電気的に接続されるとともに、ＭＲ素子１００ｃの他端とＭＲ素子１００ｂの一端とが電気的に接続されている。ＭＲ素子１００ｄの他端とＭＲ素子１００ｂの他端とが電気的に接続され、ここが接地（グランド電位に）される。ＭＲ素子１００ａとＭＲ素子１００ｄとの間の接続点Ｐ１と、ＭＲ素子１００ｃとＭＲ素子１００ｂとの間の接続点Ｐ２との間の電位差がブリッジ出力となる。
【００１７】
図３の説明に戻り、図２でのシリコン酸化膜３１上において、図８の素子構成（ＭＲＥブリッジ）がＸ方向に５つ並べて配置され、これを図３では符号１１１，１１２，１１３，１１４，１１５で示す。つまり、ＭＲＥブリッジ１１１の右横にＭＲＥブリッジ１１２，１１３が並べて配置されるとともに、ＭＲＥブリッジ１１１の左横にＭＲＥブリッジ１１４，１１５が並べて配置されている。また、ＭＲＥブリッジ１１１を中心にして図８の素子構成がＹ方向に５つ並べて配置され、これを図３では符号１１１，１１６，１１７，１１８，１１９で示す。つまり、図３においてＭＲＥブリッジ１１１の上にＭＲＥブリッジ１１６，１１７が並べて配置されるとともに、ＭＲＥブリッジ１１１の下にＭＲＥブリッジ１１８，１１９が並べて配置されている。
【００１８】
このようにして図３において９個のＭＲＥブリッジ１１１〜１１９が十字状に配置されている。即ち、第１層目において磁性薄膜にて構成されるＭＲＥブリッジがＸ，Ｙ方向に９個並設されている。
【００１９】
図２でのシリコン酸化膜３３上において、図８の素子構成（ＭＲＥブリッジ）がＸ方向に４つ並べて配置され、これを図４では符号１２１，１２２，１２３，１２４で示す。つまり、第１層目のＭＲＥブリッジ１１１の上層側において、Ｘ方向においてＭＲＥブリッジ１１１と半分重なるようにＭＲＥブリッジ１２１，１２３が並べて配置され、さらに、ＭＲＥブリッジ１２１の右横にＭＲＥブリッジ１２２が並べて配置されるとともに、ＭＲＥブリッジ１２３の左横にＭＲＥブリッジ１２４が並べて配置されている。
【００２０】
このようにして、第２層目において磁性薄膜にて構成されるＭＲＥブリッジがＸ方向に４個並設され、かつ、下層（第１層目）のＭＲＥブリッジとは一部が重なるように配置されている。
【００２１】
図２でのシリコン酸化膜３５上において、図８の素子構成（ＭＲＥブリッジ）がＹ方向に４つ並べて配置され、これを図５では符号１３１，１３２，１３３，１３４で示す。つまり、第１層目のＭＲＥブリッジ１１１の上層側において、Ｙ方向においてＭＲＥブリッジ１１１と半分重なるようにＭＲＥブリッジ１３１，１３３が並べて配置され、さらに、図５でのＭＲＥブリッジ１３１の上にＭＲＥブリッジ１３２が並べて配置されるとともに、ＭＲＥブリッジ１３３の下にＭＲＥブリッジ１３４が並べて配置されている。
【００２２】
このようにして、第３層目において磁性薄膜にて構成されるＭＲＥブリッジがＹ方向に４個並設され、かつ、下層（第１，２層目）のＭＲＥブリッジとは一部が重なるように配置されている。
【００２３】
図２でのシリコン酸化膜３７上において、図８の素子構成（ＭＲＥブリッジ）がＸ方向に４つ並べて配置され、これを図６では符号１４１，１４２，１４３，１４４で示す。つまり、第１層目のＭＲＥブリッジ１１１の上層側において、Ｘ方向においてＭＲＥブリッジ１１１と１／４だけ重なるようにＭＲＥブリッジ１４１，１４３が配置され、さらに、ＭＲＥブリッジ１４１の右横にＭＲＥブリッジ１４２が並べて配置されるとともに、ＭＲＥブリッジ１４３の左横にＭＲＥブリッジ１４４が並べて配置されている。
【００２４】
このようにして、第４層目において磁性薄膜にて構成されるＭＲＥブリッジがＸ方向に４個並設され、かつ、下層（第１，２，３層目）のＭＲＥブリッジとは一部が重なるように配置されている。
【００２５】
図２でのシリコン酸化膜３９上において、図８の素子構成（ＭＲＥブリッジ）がＹ方向に４つ並べて配置され、これを図７では符号１５１，１５２，１５３，１５４で示す。つまり、第１層目のＭＲＥブリッジ１１１の上層側において、Ｙ方向においてＭＲＥブリッジ１１１と１／４だけ重なるようにＭＲＥブリッジ１５１，１５３が配置され、さらに、図７でのＭＲＥブリッジ１５１の上においてＭＲＥブリッジ１５２が並べて配置されるとともに、ＭＲＥブリッジ１５３の下にＭＲＥブリッジ１５４が並べて配置されている。
【００２６】
このようにして、第５層目において磁性薄膜にて構成されるＭＲＥブリッジがＹ方向に４個並設され、かつ、下層（第１，２，３，４層目）のＭＲＥブリッジとは一部が重なるように配置されている。
【００２７】
以上のように、同一の層において磁性薄膜にて構成されるＭＲＥブリッジが複数並設され、かつ、縦方向にシリコン酸化膜を介在させた状態でＸ，Ｙそれぞれの方向に一部が重なるようにして５層にわたりＭＲＥブリッジが積層されている。
【００２８】
図９には、クランク角センサの回路構成を示す。
図９において、前述のように基板上に配置した１５個のＭＲＥブリッジは、それぞれ差動増幅器７０を介してコントローラ７１に接続されている。１５個のＭＲＥブリッジは、それぞれ差動増幅器７０を介することにより、ブリッジ出力Ｖｎ（＝Ｖｎａ−Ｖｎｂ）がコントローラ７１に送られる。なおここで、ｎは「１」から「１５」までの整数値である。コントローラ７１には組立用モニタ装置７２が接続され、ブリッジ出力Ｖｎ（＝Ｖｎａ−Ｖｎｂ）をＶｎ表示器７３により表示することができるようになっている。
【００２９】
次に、クランク角センサの作用について説明する。
組み付け時において、図１のエンジンブロック１１にクランク角センサ２０を取り付ける際に次のようにする。
【００３０】
エンジンブロック１１にクランク角センサ２０を仮止めした状態で、組立作業者は、図９のＶｎ表示器７３によるブリッジ出力Ｖｎ（＝Ｖｎａ−Ｖｎｂ）を読む。そして、各ＭＲＥブリッジ１１１〜１１９，１２１〜１２４，１３１〜１３４，１４１〜１４４，１５１〜１５４の出力値がそれぞれ所定値（最適値）となるようにクランク角センサ２０をエンジンブロック１１に組み付ける。
【００３１】
つまり、Ｘ方向に関して、図３においてはＭＲＥブリッジ１１１〜１１５の出力値のうちのＭＲＥブリッジ１１１の出力値が最大値となり、図４においてはＭＲＥブリッジ１２１〜１２４の出力値のうちのＭＲＥブリッジ１２１，１２３の出力値が最大値となり、図６においてはＭＲＥブリッジ１４１〜１４４の出力値のうちのＭＲＥブリッジ１４１，１４３の出力値が最大値となるようにする。
【００３２】
また、Ｙ方向に関して、図３のＭＲＥブリッジ１１１，１１６〜１１９の出力値、図５のＭＲＥブリッジ１３１〜１３４の出力値、図７のＭＲＥブリッジ１５１〜１５４の出力値がそれぞれ所定値（最適値）となるようにする。
【００３３】
こうすれば、ＸおよびＹ方向において適切に配置されたことになる。換言すると、こうなるように位置決めする。
また、Ｚ方向においても、各ＭＲＥブリッジ１１１〜１１９，１２１〜１２４，１３１〜１３４，１４１〜１４４，１５１〜１５４の出力値がそれぞれ所定値（最適値）となれば、Ｚ方向において適切に配置されたことなる。
【００３４】
組み付け後の測定時においては、図３のＭＲＥブリッジ１１１等からの信号出力によりギヤ１０の回転位置を検出する。即ち、被検出体としてのギヤ１０の歯の移動により変化する磁界によって磁気抵抗素子の抵抗値が変化し、この抵抗値の変化に基づいてギヤ１０の回転角度位置（クランク角）が検出される。
【００３５】
図８（ａ）においてＭＲＥブリッジ１００の縦横寸法が「Ｗ」であったとき、１平面のみにおいて当該ＭＲＥブリッジ１００を２つ並べて配置する場合にはパターンショートとなるので重ね合わせることができず、図１０のように、中心間距離がＷだけ離れてしまう。この場合には、角度精度を悪化させる要因となる。
【００３６】
これに対し、本実施形態においては、層間絶縁膜を挟んでＭＲＥブリッジを重ねて配置することによりパターンショートを防止するとともに、絶縁膜に形成したビアホール４２を用いて層間を電気的に接続する。これにより、第１層目においてＭＲＥブリッジを十字状に配置し、その十字の中心に対しＭＲＥブリッジをＸまたはＹ方向に一部が重なり合うようにして接近して多数配置している。よって、図１０のように１平面のみにおいてＭＲＥブリッジを並べて配置する場合に比べ、回転角センサに必要になる正確な位置合わせを行うことができ、これにより高精度な磁気位置検出が可能となる。
【００３７】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
基板３０上に、同一の層において磁性薄膜にて構成されるＭＲＥブリッジが複数並設され、かつ、縦方向に絶縁膜（シリコン酸化膜３３，３５，３７，３９）を介在させた状態でＭＲＥブリッジの一部が重なるようにして３層以上にＭＲＥブリッジを積層してなる構成とした。これにより、単一の層のみにおいてＭＲＥブリッジを並設する場合に比べ横方向（Ｘ，Ｙ方向）にＭＲＥブリッジを接近して配置することができ、センサの取り付け位置を精度良く調整・決定でき、回転角度位置検出を高精度に行うことができる。
【００３８】
なお、前記実施形態は以下のように変更してもよい。
・前記実施形態では、回転角度位置検出を高精度に行うべく組み立て時に各ＭＲＥブリッジ１１１〜１１９，１２１〜１２４，１３１〜１３４，１４１〜１４４，１５１〜１５４の出力値がそれぞれ所定値（最適値）となるようにクランク角センサ２０をエンジンブロック１１に組み付けるようにした。これに限らず、組み立て時に各ＭＲＥブリッジの出力値をモニターすることなく組み付けを行って、その組み付け後において回転角度位置検出を高精度に行うべく各ＭＲＥブリッジ１１１〜１１９，１２１〜１２４，１３１〜１３４，１４１〜１４４，１５１〜１５４の内の出力値の大きな所定のＭＲＥブリッジを用いてクランク角の検出を行うようにしてもよい。
【００３９】
・前記実施形態では、図２に示すように、基板３０の片面にＭＲＥブリッジを多層に配置したが、基板の両面においてＭＲＥブリッジを多層に配置してもよい。より具体的には、図１１に示すように、基板３０の一方の面において図２を用いて説明したようにシリコン酸化膜３１，３３，３５，３７，３９を挟んで各層にＭＲＥブリッジを形成し、基板５０の一方の面においてシリコン酸化膜５１，５３，５５，５７，５９を挟んで各層にＭＲＥブリッジ（パターン５２，５４，５６，５８，６０）を形成するとともにシリコン窒化膜６１で被覆し、基板３０の他方の面と基板５０の他方の面を貼り合せる。基板の一方の面でのＭＲＥブリッジの配置と、基板の他方の面でのＭＲＥブリッジの配置を異ならせるとよい。このようにして、基板の両面に、同一の層において磁性薄膜にて構成されるＭＲＥブリッジが複数並設され、かつ、縦方向に絶縁膜を介在させた状態でＭＲＥブリッジの一部が重なるようにして３層以上にわたり形成してなる構成としてもよい。これにより、ＭＲＥブリッジの積層数を多くでき、さらに位置検出を高精度に行うことができる。
【００４０】
・図１でのセンサチップ２３を立てて図１２に示すようにＺ軸方向を向くようにして配置し、ギヤ１０との関係においてＺ軸方向での素子出力が最大となるように取り付けるようにしてもよい。つまり、図１に代わる構成として、図１２に示すように、Ｚ軸方向に関しても一定間隔でＭＲＥブリッジを配置してＺ軸方向の位置検出を行なうようにしてもよい。
【００４１】
・前記実施形態では５層にわたりＭＲＥブリッジを重ねて配置したが、３層以上であればよい。
・前記実施形態では同一の層において磁性薄膜にて構成されるＭＲＥブリッジを複数並設したが、これに代わり、同一の層において磁性薄膜にて構成される磁気抵抗素を複数並設してもよい。つまり、４つのＭＲ素子を用いてフルブリッジを組んだが、２つのＭＲ素子を用いてハーフブリッジを組んでも、１つのＭＲ素子と固定抵抗を直列接続して素子出力を得るようにしてもよい。
【００４２】
・前記実施形態では位置検出装置としてクランク角センサに適用したが、回転角度位置を検出する位置検出装置以外にも、直線運動する被検出体の移動に伴う被検出体の直線移動位置を検出するようにしてもよい。即ち、ギヤでなく直線運動する部材の位置を検出する場合に適用してもよい。
【００４３】
・前記実施形態ではバイアス磁石を用いたが、バイアス磁石が無いシステムに適用してもよく、例えばマグネットロータの位置を検出する場合にはバイアス磁石は不要にできる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】（ａ）は本実施形態におけるクランク角センサの縦断面図。（ｂ）はクランク角センサの横断面図。
【図２】センサチップの縦断面図。
【図３】１層目の磁性薄膜のパターンの平面図。
【図４】２層目の磁性薄膜のパターンの平面図。
【図５】３層目の磁性薄膜のパターンの平面図。
【図６】４層目の磁性薄膜のパターンの平面図。
【図７】５層目の磁性薄膜のパターンの平面図。
【図８】（ａ）はＭＲＥブリッジの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図９】クランク角センサの回路構成図。
【図１０】１平面内に２つのＭＲＥブリッジを配置したときの平面図。
【図１１】別例のセンサチップの縦断面図。
【図１２】（ａ）は別例のクランク角センサの縦断面図。（ｂ）はクランク角センサの横断面図。
【符号の説明】
【００４５】
１０…ギヤ、３０…基板、３１…シリコン酸化膜、３２…パターン、３３…シリコン酸化膜、３４…パターン、３５…シリコン酸化膜、３６…パターン、３７…シリコン酸化膜、３８…パターン、３９…シリコン酸化膜、４０…パターン、５０…基板、５１…シリコン酸化膜、５２…パターン、５３…シリコン酸化膜、５４…パターン、５５…シリコン酸化膜、５６…パターン、５７…シリコン酸化膜、５８…パターン、５９…シリコン酸化膜、６０…パターン、１１１〜１１９…ＭＲＥブリッジ、１２１〜１２４…ＭＲＥブリッジ，１３１〜１３４…ＭＲＥブリッジ、１４１〜１４４…ＭＲＥブリッジ、１５１〜１５４…ＭＲＥブリッジ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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