(57)【要約】【課題】低解像度で画像情報を読み込む場合であっても出力信号のデータレートの低下を抑制することができるリニアセンサを提供する。【解決手段】複数の受光部１を有するセンサ部２と、センサ部で得られた信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部４とを備えるリニアセンサにおいて、２以上の受光部１を１つのグループとして、このグループと水平電荷転送部４の単位転送ビットとを対応させ、各受光部で蓄積された信号電荷は同受光部が属するグループと対応する単位転送ビットに転送すべく構成すると共に、グループ内の各受光部がそれぞれ異なる経路によって単位転送ビットに信号電荷を転送するための信号電荷保持部を備える。【選択図】図１
2008199328.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光部が一方向に配列したセンサ部と、
該センサ部から得られた信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有し、該電荷蓄積部のポテンシャルを変化することにより前記電荷蓄積部間で信号電荷を水平方向に転送する電荷転送部とを備えるリニアセンサにおいて、
２以上の所定数の前記受光部を１つのグループとして該グループと前記電荷転送部の単位転送ビットとを対応させ、各受光部で蓄積された信号電荷は同受光部が属するグループと対応する前記単位転送ビットに転送すべく構成されると共に、
前記グループ内の各受光部がそれぞれ異なる経路によって前記単位転送ビットに信号電荷を転送するための信号電荷保持部を備える
ことを特徴とするリニアセンサ。
【請求項２】
複数の受光部が一方向に配列したセンサ部と、
該センサ部から得られた信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有し、該電荷蓄積部のポテンシャルを変化することにより前記電荷蓄積部間で信号電荷を水平方向に転送する電荷転送部とを備え、
２以上の所定数の前記受光部を１つのグループとして該グループと前記電荷転送部の単位転送ビットとを対応させ、各受光部で蓄積された信号電荷は同受光部が属するグループと対応する前記単位転送ビットに転送すべく構成されたリニアセンサであって、
前記グループ内の各受光部がそれぞれ異なる経路によって前記単位転送ビットに信号電荷を転送するための２以上の信号電荷保持部を備え、
各信号電荷保持部には高レベル電位及び低レベル電位の２値をとる駆動パルスが印加され、各信号電荷保持部に前記高レベル電位が印加される期間が略等しい
リニアセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリニアセンサに関する。詳しくはコピーやファクシミリ等に用いられるリニアセンサに係るものである。
【背景技術】
【０００２】
入力光に応じた量の信号電荷を蓄積するフォトダイオードからなる受光部が一次元的に配列され、これらの受光部からの信号電荷をＣＣＤ（ｃｈａｒｇｅ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｄｅｖｉｃｅ）の電荷転送方式によって出力部側に転送する水平電荷転送部を有するＣＣＤリニアセンサ（以下、単に「リニアセンサ」と言う）は、コピー，ファクシミリ，ＯＣＲ，パターン認識及び各種計測など、多くの分野で使用されている（例えば、特許文献１参照。）。
以下、図面を用いて従来のリニアセンサについて説明する。
【０００３】
図３４は従来のリニアセンサを示す模式図であり、複数の受光部１０１が一次元的に配列してなるセンサ部１０２と、このセンサ部に隣接して設けられセンサ部の受光部で蓄積した信号電荷を読み出す読み出しゲート１０３と、読み出しゲートに隣接して設けられ読み出しゲートによって読み出された信号電荷を出力部側に水平転送する水平電荷転送部１０４が形成されている。
【０００４】
ここで、水平電荷転送部はセンサ部から得られた信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部１０５を有しており、この電荷蓄積部のポテンシャルを変化することにより電荷蓄積部間で信号電荷を水平転送する様に構成されている。また、１つの受光部と水平電荷転送部の単位転送ビットとを対応させ、各受光部で蓄積された信号電荷は対応する単位転送ビットに転送できる様に構成されている。
【０００５】
上記の様に構成されたリニアセンサでは、入力光に応じてセンサ部の各受光部に蓄積された信号電荷は、読み出しゲートを介して水平電荷転送部の対応する単位転送ビットに読み出され、読み出された信号電荷は順次出力部側に転送され、電荷電圧変換部１０６で信号電圧に変換され、更にはアンプ等から成る出力回路１０７を経て出力信号となる。
【０００６】
さて、最近のリニアセンサでは、高解像度モードに加えて低解像度モードも存在しており、それぞれのモードに応じた画像情報が求められることとなる。
例えば、"１２００ｄｐｉ／Ａ４サイズ"で画像を取り込む場合には１０６００画素程度、"６００ｄｐｉ／Ａ４サイズ"で画像を取り込む場合には５３００画素程度、"３００ｄｐｉ／Ａ４サイズ"で画像を取り込む場合には２６５０画素程度の画像情報が求められるといった具合である。
【０００７】
そこで、従来のリニアセンサでは、電荷電圧変換部において信号電荷を加算することによりそれぞれのモードに応じた画像情報に対応している。
具体的には、１０６００画素程度の画像情報が求められる場合には信号電荷の加算を行なうことなく出力を行い、５３００画素程度の画像情報が求められる場合には隣接する２つの受光部で蓄積された信号電荷を加算して出力を行い、２６５０画素程度の画像情報が求められる場合には隣接する４つの受光部で蓄積された信号電荷を加算して出力を行なうことで、それぞれのモードに応じた画像情報に対応しているのである。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２４４４４８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、リニアセンサにおいては出力信号のデータレートを高速化することは重要な開発要素として位置づけられているのであるが、電荷電圧変換部で信号電荷を加算した場合には出力信号のデータレートの低下を招くことになってしまう。
【００１０】
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、低解像度で画像情報を読み込む場合であっても出力信号のデータレートの低下を抑制することができるリニアセンサを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明のリニアセンサは、複数の受光部が一方向に配列したセンサ部と、該センサ部から得られた信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有し、該電荷蓄積部のポテンシャルを変化することにより前記電荷蓄積部間で信号電荷を水平方向に転送する電荷転送部とを備えるリニアセンサにおいて、２以上の所定数の前記受光部を１つのグループとして該グループと前記電荷転送部の単位転送ビットとを対応させ、各受光部で蓄積された信号電荷は同受光部が属するグループと対応する前記単位転送ビットに転送すべく構成されると共に、前記グループ内の各受光部がそれぞれ異なる経路によって前記単位転送ビットに信号電荷を転送するための信号電荷保持部を備える。
【００１２】
ここで、２以上の所定数の受光部を１つのグループとし、このグループと電荷転送部の単位転送ビットとを対応させ、各受光部で蓄積された信号電荷は受光部が属するグループと対応する単位転送ビットに転送すべく構成されることによって、センサ部で得られた信号電荷を電荷転送部に転送する際に、同一のグループに属する受光部に蓄積された信号電荷を加算することができる。
また、グループ内の各受光部がそれぞれ異なる経路によって単位転送ビットに信号電荷を転送するための信号電荷保持部によって、信号電荷の加算を行なわずに各受光部で蓄積した信号電荷を読み出すことができる。
【００１３】
また、本発明のリニアセンサは、複数の受光部が一方向に配列したセンサ部と、該センサ部から得られた信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有し、該電荷蓄積部のポテンシャルを変化することにより前記電荷蓄積部間で信号電荷を水平方向に転送する電荷転送部とを備え、２以上の所定数の前記受光部を１つのグループとして該グループと前記電荷転送部の単位転送ビットとを対応させ、各受光部で蓄積された信号電荷は同受光部が属するグループと対応する前記単位転送ビットに転送すべく構成されたリニアセンサであって、前記グループ内の各受光部がそれぞれ異なる経路によって前記単位転送ビットに信号電荷を転送するための２以上の信号電荷保持部を備え、各信号電荷保持部には高レベル電位及び低レベル電位の２値をとる駆動パルスが印加され、各信号電荷保持部に前記高レベル電位が印加される期間が略等しい。
【００１４】
ここで、各信号電荷保持部に高レベル電位が印加される期間を略等しくすることによって、各受光部に蓄積された信号電荷に影響を及ぼす暗時成分が全ての信号電荷保持部で略同量となる。
即ち、信号電荷保持部に高レベル電位を印加している期間は、低レベル電位を印加している期間よりも暗時成分の発生量が増加するために、各々の信号電荷保持部で高レベル電位を印加する期間が異なる場合には、各々の信号電荷保持部の暗時成分の発生量が異なることとなり、受光部に蓄積された信号電荷に及ぼす影響が信号電荷保持部毎に異なってしまう。従って、各信号電荷保持部に高レベル電位を印加する期間を略等しくすることで、各信号電荷保持部の暗時成分の発生量を略同量とすることができるのである。
【発明の効果】
【００１５】
上記した本発明のリニアセンサでは、低解像度で画像情報を読み込む場合であっても出力信号のデータレートの低下を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
図１は本発明を適用したリニアセンサの一例を説明するための模式図であり、ここで示すリニアセンサは従来のリニアセンサと同様に、複数の受光部１が一次元的に配列してなるセンサ部２と、このセンサ部に隣接して設けられセンサ部の受光部で蓄積した信号電荷を読み出す読み出しゲート３と、読み出しゲートに近接して設けられ読み出しゲートによって読み出された信号電荷を出力部側に水平転送する水平電荷転送部４が形成されている。
【００１７】
ここで、水平電荷転送部はセンサ部から得られた信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部５を有しており、この電荷蓄積部のポテンシャルを変化することにより電荷蓄積部間で信号電荷を水平転送する様に構成されている。また、４つの受光部を１つのグループとして、このグループと水平電荷転送部の単位転送ビットとを対応させ、各受光部で蓄積された信号電荷はそれぞれの受光部が属するグループに対応する単位転送ビットに転送できる様に構成されている。
【００１８】
具体的には、１つのグループに属する４つの受光部を第１の受光部Ｓ１、第２の受光部Ｓ２、第３の受光部Ｓ３及び第４の受光部Ｓ４とすると、第１の受光部から読み出された信号電荷を保持する第１の電荷保持部ａ、第２の受光部から読み出された信号電荷を保持する第２の電荷保持部ｂ、第３の受光部から読み出された信号電荷を保持する第３の電荷保持部ｃ、第４の受光部から読み出された信号電荷を保持する第４の電荷保持部ｄが形成されている。また、第１の電荷保持部及び第２の電荷保持部に保持された信号電荷が転送される第５の電荷保持部ｅ、第３の電荷保持部及び第４の電荷保持部に保持された信号電荷が転送される第６の電荷保持部ｆが形成されている。更に、第５の電荷保持部及び第６の電荷保持部に保持された信号電荷は第１の受光部〜第４の受光部が属するグループに対応する単位転送ビットに転送できる様に構成されている。
【００１９】
以下、上記の様に構成されたリニアセンサについて、［１］画素加算を行なわずに出力する場合（１）、［２］画素加算を行なわずに出力する場合（２）、［３］２画素加算を行なって出力する場合（１）、［４］２画素加算を行なって出力する場合（２）、［５］４画素加算を行なって出力する場合（１）、［６］４画素加算を行なって出力する場合（２）を説明する。
なお、図中の符合φＲＯＧは読み出しゲートに印加する駆動パルスを示し、図中の符号φＶ１は第１の電荷保持部及び第３の電荷保持部に印加する駆動パルスを示し、図中の符号φＶ２は第２の電荷保持部及び第４の電荷保持部に印加する駆動パルスを示し、図中の符号φＶ３は第５の電荷保持部に印加する駆動パルスを示し、図中の符号φＶ４は第６の電荷保持部に印加する駆動パルスを示し、図中の符号φ１及びφ２は水平電荷転送部に印加する駆動パルスを示している。また、図中の丸囲み文字は受光部で蓄積された信号電荷を示している。
【００２０】
［１］画素加算を行なわずに出力する場合（１）（図２及び図３参照。）
画素加算を行なわずに第１の受光部に蓄積された信号電荷、第２の受光部に蓄積された信号電荷、第３の受光部に蓄積された信号電荷、第４の受光部に蓄積された信号電荷の順に出力する場合には、先ず、符合ｔ１で示すタイミングでφＲＯＧ，φＶ１，φＶ２，φＶ３及びφ１をハイレベル（以下、Ｈレベルと称する。）とし、φＶ４をローレベル（以下、Ｌレベルと称する。）として、第１の受光部〜第４の受光部に蓄積された信号電荷を読み出しゲートに読み出した後に（図３（ａ）参照。）、符合ｔ２で示すタイミングでφＲＯＧをＬレベルとして、第１の受光部で蓄積された信号電荷を第１の電荷保持部へ、第２の受光部で蓄積された信号電荷を第２の電荷保持部へ、第３の受光部で蓄積された信号電荷を第３の電荷保持部へ、第４の受光部で蓄積された信号電荷を第４の電荷保持部へ転送する（図３（ｂ）参照。）。
次に、符合ｔ３で示すタイミングでφＶ１をＬレベルとして、第１の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５の電荷保持部に転送し（図３（ｃ）参照。）、符合ｔ４で示すタイミングでφＶ３をＬレベルとして、第５の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図３（ｄ）参照。）。なお、符合ｔ５で示すタイミングでφＶ２をＬレベルとする。その後、符合ｔ６で示すタイミングで水平電荷転送部の水平転送を行なって、第１の受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
次に、符合ｔ７で示すタイミングでφＶ３をＨレベルとして、第２の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５の電荷保持部に転送し（図３（ｅ）参照。）、符合ｔ８で示すタイミングでφＶ３をＬレベルとして、第５の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図３（ｆ）参照。）。その後、符合ｔ９で示すタイミングで水平電荷転送部の水平転送を行なって、第２の受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
次に、符合ｔ１０で示すタイミングでφＶ１をＨレベルとし、符合ｔ１１で示すタイミングでφＶ２をＨレベルとし、符合ｔ１２で示すタイミングでφＶ４をＨレベルとし、符合ｔ１３で示すタイミングでφＶ１をＬレベルとして、第３の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６の電荷保持部に転送し（図３（ｇ）参照。）、符合ｔ１４で示すタイミングでφＶ４をＬレベルとして、第６の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図３（ｈ）参照。）。なお、符合ｔ１５で示すタイミングでφＶ２をＬレベルとする。その後、符合ｔ１６で示すタイミングで水平電荷転送部の水平転送を行なって、第３の受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
次に、符合ｔ１７で示すタイミングでφＶ４をＨレベルとして、第４の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６の電荷保持部に転送し（図３（ｉ）参照。）、符合ｔ１８で示すタイミングでφＶ４をＬレベルとして、第６の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図３（ｊ）参照。）。その後、符合ｔ１９で示すタイミングで水平電荷転送部の水平転送を行なって、第４の受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
【００２１】
［２］画素加算を行なわずに出力する場合（２）（図４及び図５参照。）
画素加算を行なわずに第１の受光部に蓄積された信号電荷、第３の受光部に蓄積された信号電荷、第２の受光部に蓄積された信号電荷、第４の受光部に蓄積された信号電荷の順に出力する場合には、先ず、符合ｔ１で示すタイミングでφＲＯＧ，φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４及びφ１をＨレベルとして、第１の受光部〜第４の受光部に蓄積された信号電荷を読み出しゲートに読み出した後に（図５（ａ）参照。）、符合ｔ２で示すタイミングでφＲＯＧをＬレベルとして、第１の受光部で蓄積された信号電荷を第１の電荷保持部へ、第２の受光部で蓄積された信号電荷を第２の電荷保持部へ、第３の受光部で蓄積された信号電荷を第３の電荷保持部へ、第４の受光部で蓄積された信号電荷を第４の電荷保持部へ転送する（図５（ｂ）参照。）。
次に、符合ｔ３で示すタイミングでφＶ１をＬレベルとして、第１の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５の電荷保持部に転送すると共に第３の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６の電荷保持部に転送する（図５（ｃ）参照。）。なお、符合ｔ４で示すタイミングでφＶ１をＨレベルとする。続いて、符合ｔ５で示すタイミングでφＶ３をＬレベルとして、第５の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図５（ｄ）参照。）。なお、符合ｔ６で示すタイミングでφＶ３をＨレベルとする。その後、符合ｔ７で示すタイミングで水平電荷転送部の水平転送を行なって、第１の受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
次に、符合ｔ８で示すタイミングでφＶ４をＬレベルとして、第６の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図５（ｅ）参照。）。なお、符合ｔ９で示すタイミングでφＶ４をＨレベルとする。その後、符合ｔ１０で示すタイミングで水平電荷転送部の水平転送を行なって、第３の受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
次に、符合ｔ１１で示すタイミングでφＶ２をＬレベルとして、第２の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５の電荷保持部に転送すると共に第４の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６の電荷保持部に転送する（図５（ｆ）参照。）。なお、符合ｔ１２で示すタイミングでφＶ２をＨレベルとする。続いて、符合ｔ１３で示すタイミングでφＶ３をＬレベルとして、第５の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図５（ｇ）参照。）。なお、符合ｔ１４で示すタイミングでφＶ３をＨレベルとする。その後、符合ｔ１５で示すタイミングで水平電荷転送部の水平転送を行なって、第２の受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
次に、符合ｔ１６で示すタイミングでφＶ４をＬレベルとして、第６の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図５（ｈ）参照。）。なお、符合ｔ１７で示すタイミングでφＶ４をＨレベルとする。その後、符合ｔ１８で示すタイミングで水平電荷転送部の水平転送を行なって、第４の受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
【００２２】
［３］２画素加算を行なって出力する場合（１）（図６及び図７参照。）
２画素加算を行なって出力する場合の一例では、先ず、符合ｔ１で示すタイミングでφＲＯＧ，φＶ１，φＶ２，φＶ３及びφ１をＨレベルとし、φＶ４をＬレベルとして、第１の受光部〜第４の受光部に蓄積された信号電荷を読み出しゲートに読み出した後に（図７（ａ）参照。）、符合ｔ２で示すタイミングでφＲＯＧをＬレベルとして、第１の受光部で蓄積された信号電荷を第１の電荷保持部へ、第２の受光部で蓄積された信号電荷を第２の電荷保持部へ、第３の受光部で蓄積された信号電荷を第３の電荷保持部へ、第４の受光部で蓄積された信号電荷を第４の電荷保持部へ転送する（図７（ｂ）参照。）。
次に、符合ｔ３で示すタイミングでφＶ１及びφＶ２をＬレベルとして、第１の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５の電荷保持部に転送すると共に第２の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５の電荷保持部に転送する（図７（ｃ）参照。）。即ち、第５の電荷保持部で第１の受光部で蓄積された信号電荷と第２の受光部で蓄積された信号電荷とを加算する。続いて、符合ｔ４で示すタイミングでφＶ３をＬレベルとして、第５の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図７（ｄ）参照。）。その後、符合ｔ５で示すタイミングで水平電荷転送部の水平転送を行なって、第１の受光部に蓄積された信号電荷と第２の受光部に蓄積された信号電荷を加算した信号電荷の出力を行なう。
次に、符合ｔ６で示すタイミングでφＶ４をＨレベルとして、第３の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６の電荷保持部に転送すると共に第４の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６の電荷保持部に転送する（図７（ｅ）参照。）。即ち、第６の電荷保持部で第３の受光部で蓄積された信号電荷と第４の受光部で蓄積された信号電荷とを加算する。続いて、符合ｔ７で示すタイミングでφＶ４をＬレベルとして、第６の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図７（ｆ）参照。）。その後、符合ｔ８で示すタイミングで水平電荷転送部の水平転送を行なって、第３の受光部に蓄積された信号電荷と第４の受光部に蓄積された信号電荷を加算した信号電荷の出力を行なう。
【００２３】
［４］２画素加算を行なって出力する場合（２）（図８及び図９参照。）
２画素加算を行なって出力する場合の他の例では、先ず、符合ｔ１で示すタイミングでφＲＯＧ，φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４及びφ１をＨレベルとして、第１の受光部〜第４の受光部に蓄積された信号電荷を読み出しゲートに読み出した後に（図９（ａ）参照。）、符合ｔ２で示すタイミングでφＲＯＧをＬレベルとして、第１の受光部で蓄積された信号電荷を第１の電荷保持部へ、第２の受光部で蓄積された信号電荷を第２の電荷保持部へ、第３の受光部で蓄積された信号電荷を第３の電荷保持部へ、第４の受光部で蓄積された信号電荷を第４の電荷保持部へ転送する（図９（ｂ）参照。）。
次に、符合ｔ３で示すタイミングでφＶ１及びφＶ２をＬレベルとして、第１の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５の電荷保持部に転送すると共に第２の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５の電荷保持部に転送すると同時に、第３の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６の電荷保持部に転送すると共に第４の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６の電荷保持部に転送する（図９（ｃ）参照。）。即ち、第５の電荷保持部で第１の受光部で蓄積された信号電荷と第２の受光部で蓄積された信号電荷とを加算すると共に第６の電荷保持部で第３の受光部で蓄積された信号電荷と第４の受光部で蓄積された信号電荷とを加算する。続いて、符合ｔ４で示すタイミングでφＶ１及びφＶ２をＨレベルとし、φＶ３をＬレベルとして、第５の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図９（ｄ）参照。）。その後、符合ｔ５で示すタイミングでφＶ３をＨレベルとすると共に水平電荷転送部の水平転送を行なって、第１の受光部に蓄積された信号電荷と第２の受光部に蓄積された信号電荷を加算した信号電荷の出力を行なう。
次に、符合ｔ６で示すタイミングでφＶ１及びφＶ２をＬレベルとし、符合ｔ７で示すタイミングでφＶ１及びφＶ２をＨレベルとすると共にφＶ４をＬレベルとして、第６の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図９（ｅ）参照。）。その後、符合ｔ８で示すタイミングでφＶ４をＨレベルとすると共に水平電荷転送部の水平転送を行なって、第３の受光部に蓄積された信号電荷と第４の受光部に蓄積された信号電荷を加算した信号電荷の出力を行なう。
【００２４】
［５］４画素加算を行なって出力する場合（１）（図１０及び図１１参照。）
４画素加算を行なって出力する場合の一例では、先ず、符合ｔ１で示すタイミングでφＲＯＧ，φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４，φ１をＨレベルとして、第１の受光部〜第４の受光部に蓄積された信号電荷を読み出しゲートに読み出した後に（図１１（ａ）参照。）、符合ｔ２で示すタイミングでφＲＯＧをＬレベルとして、第１の受光部で蓄積された信号電荷を第１の電荷保持部へ、第２の受光部に蓄積された信号電荷を第２の電荷保持部へ、第３の受光部で蓄積された信号電荷を第３の電荷保持部へ、第４の受光部で蓄積された信号電荷を第４の電荷保持部へ転送する（図１１（ｂ）参照。）。
次に、符合ｔ３で示すタイミングでφＶ１及びφＶ２をＬレベルとして、第１の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５の電荷保持部に転送すると共に第２の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５の電荷保持部に転送すると同時に、第３の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６の電荷保持部に転送すると共に第４の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６の電荷保持部に転送する（図１１（ｃ）参照。）。即ち、第５の電荷保持部で第１の受光部で蓄積された信号電荷と第２の受光部で蓄積された信号電荷とを加算すると共に第６の電荷保持部で第３の受光部で蓄積された信号電荷と第４の受光部で蓄積された信号電荷とを加算する。続いて、符合ｔ４で示すタイミングでφＶ３及びφＶ４をＬレベルとして、第５の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送すると共に第６の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図１１（ｄ）参照。）。即ち、水平電荷転送部の電荷蓄積部で第１の受光部〜第４の受光部で蓄積された信号電荷を加算する。その後、符合ｔ５で示すタイミングで水平電荷転送部の水平転送を行なって、第１の受光部〜第４の受光部に蓄積された信号電荷が加算された信号電荷の出力を行なう。
【００２５】
［６］４画素加算を行なって出力する場合（２）（図１２及び図１３参照。）
４画素加算を行なって出力する場合の他の例では、先ず、符合ｔ１で示すタイミングでφＲＯＧ，φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４及びφ１をＨレベルとして、第１の受光部〜第４の受光部で蓄積された信号電荷を読み出しゲートに読み出した後に（図１３（ａ）参照。）、符合ｔ２で示すタイミングでφＲＯＧをＬレベルとして、第１の受光部で蓄積された信号電荷を第１の電荷保持部へ、第２の受光部に蓄積された信号電荷を第２の電荷保持部へ、第３の受光部で蓄積された信号電荷を第３の電荷保持部へ、第４の受光部で蓄積された信号電荷を第４の電荷保持部へ転送する（図１３（ｂ）参照。）。
次に、符合ｔ３で示すタイミングでφＶ１及びφＶ２をＬレベルとして、第１の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５の電荷保持部に転送すると共に第２の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５の電荷保持部に転送すると同時に、第３の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６の電荷保持部に転送すると共に第４の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６の電荷保持部に転送する（図１３（ｃ）参照。）。即ち、第５の電荷保持部で第１の受光部で蓄積された信号電荷と第２の受光部で蓄積された信号電荷とを加算すると共に第６の電荷保持部で第３の受光部で蓄積された信号電荷と第４の受光部で蓄積された信号電荷とを加算する。続いて、符合ｔ４で示すタイミングでφＶ１及びφＶ２をＨレベルとすると共にφＶ３及びφＶ４をＬレベルとして、第５の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送すると共に第６の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図１３（ｄ）参照。）。即ち、水平電荷転送部の電荷蓄積部で第１の受光部〜第４の受光部で蓄積された信号電荷を加算する。その後、符合ｔ５で示すタイミングでφＶ３及びφＶ４をＨレベルとすると共に水平電荷転送部の水平転送を行なって、第１の受光部〜第４の受光部に蓄積された信号電荷が加算された信号電荷の出力を行なう。
【００２６】
上記の［１］〜［６］の様にして信号電荷の出力が行なわれるのであるが、φＶ１〜φＶ４のそれぞれがＨレベルとなる期間は略等しい方が好ましい。即ち、電荷保持部にＨレベルが印加されていると暗時成分が増加することとなってしまうために、第１〜第４の受光部で暗時成分の影響を略均等にするためにもφＶ１〜φＶ４のそれぞれがＨレベルとなる期間は略等しい方が好ましい。
なお、暗時成分を極力抑えるためには、φＶ１〜φＶ４のそれぞれがＨレベルとなる期間は短期間である方が好ましい。
【００２７】
図１４は本発明を適用したリニアセンサの他の一例を説明するための模式図であり、ここで示すリニアセンサは上記したリニアセンサの一例と同様に、複数の受光部１が一次元的に配列してなるセンサ部２と、このセンサ部に隣接して設けられセンサ部の受光部で蓄積した信号電荷を読み出す読み出しゲート３と、読み出しゲートに近接して設けられた読み出しゲートによって読み出された信号電荷を出力部側に水平転送する水平電荷転送部４が形成されている。
【００２８】
ここで、水平電荷転送部はセンサ部から得られた信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部５を有しており、この電荷蓄積部のポテンシャルを変化することにより電荷蓄積部間で信号電荷を水平転送する様に構成されている。また、４つの受光部を１つのグループとして、このグループと水平電荷転送部の単位転送ビットとを対応させ、各受光部で蓄積された信号電荷はそれぞれの受光部が属するグループに対応する単位転送ビットに転送できる様に構成されている。
【００２９】
具体的には、１つのグループに属する４つの受光部を第１の受光部Ｓ１、第２の受光部Ｓ２、第３の受光部Ｓ３及び第４の受光部Ｓ４とすると、第４の受光部から読み出された信号電荷を保持する第３の電荷保持部ｃ、第３の受光部から読み出された信号電荷を保持すると共に第３の電荷保持部から信号電荷が転送される第２の電荷保持部ｂ、第２の受光部から読み出された信号電荷を保持すると共に第２の電荷保持部から信号電荷が転送される第１の電荷保持部ａが形成されている。更に、第１の受光部から読み出された信号電荷及び第１の電荷保持部に保持された信号電荷は第１〜第４の受光部が属するグループに対応する単位転送ビットに転送できる様に構成されている。
【００３０】
以下、上記の様に構成されたリニアセンサについて、［１］画素加算を行なわずに出力する場合、［２］２画素加算を行なって出力する場合、［３］４画素加算を行なって出力する場合を説明する。
【００３１】
［１］画素加算を行なわずに出力する場合（図１５及び図１６参照。）
画素加算を行なわずに出力する場合には、先ず、符合ｔ１で示すタイミングでφＲＯＧ，φＶ１，φＶ２，φＶ３，φ１をＨレベルとして、第１〜第４の受光部に蓄積された信号電荷を読み出しゲートに読み出した後に（図１６（ａ）参照。）、符合ｔ２で示すタイミングでφＲＯＧをＬレベルとして、第１の受光部で蓄積された信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部へ、第２の受光部で蓄積された信号電荷を第１の電荷保持部へ、第３の受光部で蓄積された信号電荷を第２の電荷保持部へ、第４の受光部で蓄積された信号電荷を第３の電荷保持部へ転送する（図１６（ｂ）参照。）。その後、符合ｔ３で示すタイミングで水平電荷転送部の水平転送を行なって、第１の受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
次に、符合ｔ４で示すタイミングでφＶ１をＬレベルとして、第１の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部へ転送する（図１６（ｃ）参照。）。その後、符合ｔ５で示すタイミングでφＶ１をＨレベル、φＶ２をＬレベルとして第２の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の電荷保持部に転送すると共に（図１６（ｄ）参照。）、水平電荷転送部の水平転送を行なって、第２の受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
次に、符合ｔ６で示すタイミングでφＶ２をＨレベル、φＶ３をＬレベルとして、第３の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の電荷保持部に転送する（図１６（ｅ）参照。）。なお、符合ｔ７で示すタイミングでφＶ３をＨレベルとする。続いて、符合ｔ８で示すタイミングでφＶ１をＬレベルとして、第１の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図１６（ｆ）参照。）。その後、符合ｔ９で示すタイミングでφＶ１をＨレベル、φＶ２をＬレベルとして、第２の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の電荷保持部に転送すると共に（図１６（ｇ）参照。）、水平電荷転送部の水平転送を行なって、第３の受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。なお、符合ｔ１０で示すタイミングでφＶ２をＨレベルとする。
次に、符合ｔ１１で示すタイミングでφＶ１をＬレベルとして、第１の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図１６（ｈ）参照。）。その後、符合ｔ１２で示すタイミングでφＶ１をＨレベルとすると共に水平電荷転送部の水平転送を行なって、第４の受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
【００３２】
［２］２画素加算を行なって出力する場合（図１７及び図１８参照。）
２画素加算を行なって出力する場合には、先ず、符合ｔ１で示すタイミングでφＲＯＧ，φＶ１，φＶ２，φＶ３，φ１をＨレベルとして、第１〜第４の受光部に蓄積された信号電荷を読み出しゲートに読み出した後に（図１８（ａ）参照。）、符合ｔ２で示すタイミングでφＲＯＧをＬレベルとして、第１の受光部で蓄積された信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部へ、第２の受光部で蓄積された信号電荷を第１の電荷保持部へ、第３の受光部で蓄積された信号電荷を第２の電荷保持部へ、第４の受光部で蓄積された信号電荷を第３の電荷保持部へ転送する（図１８（ｂ）参照。）。続いて、符合ｔ３で示すタイミングでφＶ１をＬレベルとして、第１の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図１８（ｃ）参照。）。即ち、水平電荷転送部の電荷蓄積部で第１の受光部で蓄積された信号電荷と第２の受光部で蓄積された信号電荷とを加算する。その後、符合ｔ４で示すタイミングでφＶ１をＨレベル、φＶ３をＬレベルとして第３の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の電荷保持部に転送すると共に（図１８（ｄ）参照。）、水平電荷転送部の水平転送を行なって、第１の受光部に蓄積された信号電荷と第２の受光部に蓄積された信号電荷とを加算した信号電荷の出力を行なう。なお、第３の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の電荷保持部に転送することで、第３の受光部で蓄積された信号電荷と第４の受光部で蓄積された信号電荷とを加算することができる。
次に、符合ｔ５で示すタイミングでφＶ２をＬレベル、φＶ３をＬレベルとして、第２
の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の電荷保持部に転送する（図１８（ｅ）参照。）。次に、符合ｔ６で示すタイミングでφＶ２をＨレベル、符合ｔ７で示すタイミングでφＶ１をＬレベルとして、第１の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図１８（ｆ）参照。）。その後、符合ｔ８で示すタイミングでφＶ１をＨレベルとすると共に水平電荷転送部の水平転送を行なって、第３の受光部に蓄積された信号電荷と第４の受光部に蓄積された信号電荷とを加算した信号電荷の出力を行なう。
【００３３】
［３］４画素加算を行なって出力する場合（図１９及び図２０参照。）
４画素加算を行なって出力する場合には、先ず、符合ｔ１で示すタイミングでφＲＯＧ，φＶ１，φＶ２，φＶ３，φ１をＨレベルとして、第１〜第４の受光部に蓄積された信号電荷を読み出しゲートに読み出した後に（図２０（ａ）参照。）、符合ｔ２で示すタイミングでφＲＯＧをＬレベルとして、第１の受光部に蓄積された信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部へ、第２の受光部に蓄積された信号電荷を第１の電荷保持部へ、第３の受光部に蓄積された信号電荷を第２の電荷保持部へ、第４の受光部に蓄積された信号電荷を第３の電荷保持部へ転送する（図２０（ｂ）参照。）。続いて、符合ｔ３で示すタイミングでφＶ３をＬレベルとして、第３の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の電荷保持部に転送する（図２０（ｃ）参照。）。即ち、第３の受光部に蓄積された信号電荷と第４の受光部に蓄積された信号電荷とを加算する。更に、符合ｔ４で示すタイミングでφＶ２をＬレベルとし、φＶ３をＨレベルとして、第２の電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の電荷保持部に転送する（図２０（ｄ）参照。）。即ち、第２〜第４の受光部に蓄積された信号電荷を加算する。また、符合ｔ５で示すタイミングでφＶ１をＬレベルとし、φＶ２をＨレベルとして、第１の電荷保持部に保持されていた信号電荷を水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図２０（ｅ）参照。）。即ち、第１〜第４の受光部に蓄積された信号電荷を加算する。その後、符合ｔ６で示すタイミングでφＶ１をＨレベルとすると共に水平電荷転送部の水平転送を行なって、第１〜第４の受光部に蓄積された信号電荷が加算された信号電荷の出力を行なう。
【００３４】
図２１は本発明を適用したリニアセンサの更に他の一例を説明するための模式図であり、ここで示すリニアセンサは、複数のメイン受光部１ａが一次元的に配列してなる２４００ｄｐｉのメインセンサ部２ａと、複数のサブ受光部１ｂが一次元的に配列してなる２４００ｄｐｉのサブセンサ部２ｂと、メインセンサ部に隣接して設けられメイン受光部で蓄積した信号電荷を読み出す第１の読み出しゲート３ａと、サブセンサ部に隣接して設けられサブ受光部で蓄積した信号電荷を読み出す第２の読み出しゲート３ｂと、第１の読み出しゲートに近接して設けられ第１の読み出しゲートによって読み出された信号電荷を出力部側に水平転送する６００ｄｐｉの第１の水平電荷転送部４ａと、第２の読み出しゲートに近接して設けられ第２の読み出しゲートによって読み出された信号電荷を出力部側に水平転送する６００ｄｐｉの第２の水平電荷転送部４ｂが形成されている。
【００３５】
ここで、第１の水平電荷転送部はメインセンサ部から得られた信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部５ａを有しており、この電荷蓄積部のポテンシャルを変化することにより電荷蓄積部間で信号電荷を水平転送する様に構成されている。また、４つのメイン受光部を１つのグループとして、このグループと第１の水平電荷転送部の単位転送ビットとを対応させ、各メイン受光部で蓄積された信号電荷はそれぞれのメイン受光部が属するグループに対応する単位転送ビットに転送できる様に構成されている。
【００３６】
具体的には、１つのグループに属する４つのメイン受光部を第１のメイン受光部Ｍ１、第２のメイン受光部Ｍ２、第３のメイン受光部Ｍ３及び第４のメイン受光部Ｍ４とすると、第１のメイン受光部から読み出された信号電荷を保持する第１のメイン電荷保持部ｇ、第２のメイン受光部から読み出された信号電荷を保持する第２のメイン電荷保持部ｈ、第３のメイン受光部から読み出された信号電荷を保持する第３のメイン電荷保持部ｉ、第４のメイン受光部から読み出された信号電荷を保持する第４のメイン電荷保持部ｊが形成されている。また、第１のメイン電荷保持部及び第２のメイン電荷保持部に保持された信号電荷が転送される第５のメイン電荷保持部ｋ、第３のメイン電荷保持部及び第４のメイン電荷保持部に保持された信号電荷が転送される第６のメイン電荷保持部ｌが形成されている。更に、第５のメイン電荷保持部及び第６のメイン電荷保持部に保持された信号電荷は第１のメイン受光部〜第４のメイン受光部が属するグループに対応する単位転送ビットに転送できる様に構成されている。
【００３７】
また、第２の水平電荷転送部はサブセンサ部から得られた信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部５ｂを有しており、この電荷蓄積部のポテンシャルを変化することにより電荷蓄積部間で信号電荷を水平転送する様に構成されている。また、４つのサブ受光部を１つのグループとして、このグループと第２の水平電荷転送部の単位転送ビットとを対応させ、各サブ受光部で蓄積された信号電荷はそれぞれのサブ受光部が属するグループに対応する単位転送ビットに転送できる様に構成されている。
【００３８】
具体的には、１つのグループに属する４つのサブ受光部を第１のサブ受光部Ｓ１、第２のサブ受光部Ｓ２、第３のサブ受光部Ｓ３及び第４のサブ受光部Ｓ４とすると、第１のサブ受光部から読み出された信号電荷を保持する第１のサブ電荷保持部ｍ、第２のサブ受光部から読み出された信号電荷を保持する第２のサブ電荷保持部ｎ、第３のサブ受光部から読み出された信号電荷を保持する第３のサブ電荷保持部ｏ、第４のサブ受光部から読み出された信号電荷を保持する第４のサブ電荷保持部ｐが形成されている。また、第１のサブ電荷保持部及び第２のサブ電荷保持部に保持された信号電荷が転送される第５のサブ電荷保持部ｑ、第３のサブ電荷保持部及び第４のサブ電荷保持部に保持された信号電荷が転送される第６のサブ電荷保持部ｒが形成されている。更に、第５のサブ電荷保持部及び第６のサブ電荷保持部に保持された信号電荷は第１のサブ受光部〜第４のサブ受光部が属するグループに対応する単位転送ビットに転送できる様に構成されている。
【００３９】
以下、上記の様に構成されたリニアセンサについて、［１］４８００ｄｐｉの出力を行なう場合（１）、［２］４８００ｄｐｉの出力を行なう場合（２）、［３］２４００ｄｐｉの出力を行なう場合、［４］１２００ｄｐｉの出力を行なう場合（１）、［５］１２００ｄｐｉの出力を行なう場合（２）、［６］６００ｄｐｉの出力を行なう場合（１）、［７］６００ｄｐｉの出力を行なう場合（２）を説明する。
【００４０】
［１］４８００ｄｐｉの出力を行なう場合（１）（図２２及び図２３−１、図２３−２参照。）
４８００ｄｐｉの出力を行なう場合の一例では、先ず、符合ｔ１で示すタイミングでφＲＯＧ，φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４及びφ１をＨレベルとして、第１のメイン受光部〜第４のメイン受光部に蓄積された信号電荷を第１の読み出しゲートに読み出すと共に第１のサブ受光部〜第４のサブ受光部に蓄積された信号電荷を第２の読み出しゲートに読み出した後に（図２３−１（ａ）参照。）、符合ｔ２で示すタイミングでφＲＯＧをＬレベルとして、第１のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第１のメイン電荷保持部へ、第２のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第２のメイン電荷保持部へ、第３のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第３のメイン電荷保持部へ、第４のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第４のメイン電荷保持部へ、第１のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第１のサブ受光部へ、第２のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第２のサブ電荷保持部へ、第３のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第３のサブ電荷保持部へ、第４のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第４のサブ電荷保持部へ転送する（図２３−１（ｂ）参照。）。
次に、符合ｔ３で示すタイミングでφＶ１をＬレベルとして、第１のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のメイン電荷保持部に転送し、第３のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のメイン電荷保持部に転送すると共に第１のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のサブ電荷保持部に転送し、第３のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のサブ電荷保持部に転送する（図２３−１（ｃ）参照。）。なお、符合ｔ４で示すタイミングでφＶ１をＨレベルとする。続いて、符合ｔ５で示すタイミングでφＶ３をＬレベルとして、第５のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送すると共に第５のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図２３−１（ｄ）参照。）。なお、符合ｔ６で示すタイミングでφＶ３をＬレベルとする。その後、符合ｔ７で示すタイミングで第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送を行なって、第１のメイン受光部に蓄積された信号電荷及び第１のサブ受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
次に、符合ｔ８で示すタイミングでφＶ４をＬレベルとして、第６のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送すると共に第６のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図２３−２（ｅ）参照。）。なお、符合ｔ９で示すタイミングでφＶ４をＨレベルとする。その後、符合ｔ１０で示すタイミングで第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送を行なって、第３のメイン受光部に蓄積された信号電荷及び第３のサブ受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
次に、符合ｔ１１で示すタイミングでφＶ２をＬレベルとして、第２のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のメイン電荷保持部に転送し、第４のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のメイン電荷保持部に転送すると共に第２のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のサブ電荷保持部に転送し、第４のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のサブ電荷保持部に転送する（図２３−２（ｆ）参照。）。なお、符合ｔ１２で示すタイミングでφＶ２をＨレベルとする。続いて、符合ｔ１３で示すタイミングでφＶ３をＬレベルとして、第５のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の水平電荷保持部の電荷蓄積部に転送すると共に、第５のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の水平電荷保持部の電荷蓄積部に転送する（図２３−２（ｇ）参照。）。なお、符合ｔ１４で示すタイミングでφＶ３をＨレベルとする。その後、符合ｔ１５で示すタイミングで第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送を行なって、第２のメイン受光部に蓄積された信号電荷及び第２のサブ受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
次に、符合ｔ１６で示すタイミングでφＶ４をＬレベルとして、第４のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送すると共に、第４のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図２３−２（ｈ）参照。）。なお、符合ｔ１７で示すタイミングでφＶ４をＨレベルとする。その後、符合ｔ１８で示すタイミングで第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送を行なって、第４のメイン受光部に蓄積された信号電荷及び第４のサブ受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
なお、上記の様にして出力した第１の水平電荷転送部からの信号電荷の出力と第２の水平電荷転送部からの信号電荷の出力とを加算することで、４８００ｄｐｉの出力が実現する。
【００４１】
［２］４８００ｄｐｉの出力を行なう場合（２）（図２４及び図２５−１、図２５−２、図２５−３参照。）
４８００ｄｐｉの出力を行なう場合の他の一例では、先ず、符合ｔ１で示すタイミングでφＲＯＧ，φＶ１，φＶ２，φＶ３及びφ１をＨレベルとし、φＶ４をＬレベルとして、第１のメイン受光部〜第４のメイン受光部に蓄積された信号電荷を第１の読み出しゲートに読み出すと共に、第１のサブ受光部〜第４のサブ受光部に蓄積された信号電荷を第２の読み出しゲートに読み出した後に（図２５−１（ａ）参照。）、符合ｔ２で示すタイミングでφＲＯＧをＬレベルとして、第１のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第１のメイン電荷保持部へ、第２のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第２のメイン電荷保持部へ、第３のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第３のメイン電荷保持部へ、第４の受光部で蓄積された信号電荷を第４のメイン電荷保持部へ転送すると共に、第１のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第１のサブ電荷保持部へ、第２のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第２のサブ電荷保持部へ、第３のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第３のサブ電荷保持部へ、第４のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第４のサブ電荷保持部へ転送する（図２５−１（ｂ）参照。）。
次に、符合ｔ３で示すタイミングでφＶ１をＬレベルとして、第１のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のメイン電荷保持部に転送すると共に第１のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のサブ電荷保持部に転送し（図２５−１（ｃ）参照。）、符合ｔ４で示すタイミングでφＶ３をＬレベルとして、第５のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送すると共に、第５のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図２５−１（ｄ）参照。）。なお、符合ｔ５で示すタイミングでφＶ２をＬレベルとする。その後、符合ｔ６で示すタイミングで第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送を行なって、第１のメイン受光部に蓄積された信号電荷及び第１のサブ受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
次に、符合ｔ７で示すタイミングでφＶ３をＨレベルとして、第２のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のメイン電荷保持部に転送すると共に第２のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のサブ電荷保持部に転送し（図２５−２（ｅ）参照。）、符合ｔ８で示すタイミングでφＶ３をＬレベルとして、第５のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送すると共に第５のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図２５−２（ｆ）参照。）。その後、符合ｔ９で示すタイミングで第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送を行なって、第２のメイン受光部に蓄積された信号電荷及び第２のサブ受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
次に、符合ｔ１０で示すタイミングでφＶ１をＨレベルとし、符合ｔ１１で示すタイミングでφＶ２をＨレベルとし、符合ｔ１２で示すタイミングでφＶ４をＨレベルとし、符合ｔ１３で示すタイミングでφＶ１をＬレベルとして、第３のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のメイン電荷保持部に転送すると共に第３のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のサブ電荷保持部に転送し（図２５−２（ｇ）参照。）、符合ｔ１４で示すタイミングでφＶ４をＬレベルとして、第６のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送すると共に第６のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図２５−２（ｈ）参照。）。なお、符合ｔ１５で示すタイミングでφＶ２をＨレベルとする。その後、符合ｔ１６で示すタイミングで第１の水平電荷転送及び第２の水平電荷転送部の水平転送を行なって、第３のメイン受光部に蓄積された信号電荷及び第３のサブ受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
次に、符合ｔ１７で示すタイミングでφＶ４をＨレベルとして、第４のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のメイン電荷保持部に転送すると共に第４のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のサブ電荷保持部に転送し（図２５−３（ｉ）参照。）、符合ｔ１８で示すタイミングでφＶ４をＬレベルとして、第６のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送すると共に第６のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図２５−３（ｊ）参照。）。その後、符合ｔ１９で示すタイミングで第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送を行なって、第４のメイン受光部に蓄積された信号電荷及び第４のサブ受光部に蓄積された信号電荷の出力を行なう。
なお、上記の様にして出力した第１の水平電荷転送部からの信号電荷の出力と第２の水平電荷転送部からの信号電荷の出力とを加算することで、４８００ｄｐｉの出力が実現する。
【００４２】
［３］２４００ｄｐｉの出力を行なう場合
上記した［１］や［２］の４８００ｄｐｉの出力を行なう場合と同様にして出力を行い、第２の水平電荷転送部からの出力信号を捨てて、第１の水平電荷転送部からの出力信号のみを用いることで２４００ｄｐｉの出力が実現する。
【００４３】
［４］１２００ｄｐｉの出力を行なう場合（１）（図２６及び図２７−１、図２７−２参照。）
１２００ｄｐｉの出力を行なう場合の一例では、先ず、符合ｔ１で示すタイミングでφＲＯＧ，φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４及びφ１をＨレベルとして、第１のメイン受光部〜第４のメイン受光部に蓄積された信号電荷を第１の読み出しゲートに読み出すと共に第１のサブ受光部〜第４のサブ受光部に蓄積された信号電荷を第２の読み出しゲートに読み出した後に（図２７−１（ａ）参照。）、符合ｔ２で示すタイミングでφＲＯＧをＬレベルとして、第１のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第１のメイン電荷保持部へ、第２のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第２のメイン電荷保持部へ、第３のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第３のメイン電荷保持部へ、第４のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第４のメイン電荷保持部へ転送すると共に、第１のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第１のサブ電荷保持部へ、第２のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第２のサブ電荷保持部へ、第３のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第３のサブ電荷保持部へ、第４のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第４のサブ電荷保持部へ転送する（図２７−１（ｂ）参照。）。
次に、符合ｔ３で示すタイミングでφＶ１及びφＶ２をＬレベルとして、第１のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５メイン電荷保持部に転送し、第２のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のメイン電荷保持部に転送し、第３のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のメイン電荷保持部に転送し、第４のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のメイン電荷保持部に転送すると共に、第１のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のサブ電荷保持部に転送し、第２のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のサブ電荷保持部に転送し、第３のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のサブ電荷保持部に転送し、第４のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のサブ電荷保持部に転送する（図２７−１（ｃ）参照。）。即ち、第５のメイン電荷保持部で第１のメイン受光部で蓄積された信号電荷と第２のメイン受光部で蓄積された信号電荷とを加算し、第６のメイン電荷保持部で第３のメイン受光部で蓄積された信号電荷と第４のメイン受光部で蓄積された信号電荷とを加算すると共に第５のサブ電荷保持部で第１のサブ受光部に蓄積された信号電荷と第２のサブ受光部で蓄積された信号電荷とを加算し、第６のサブ電荷保持部で第３のサブ受光部で蓄積された信号電荷と第４のサブ受光部で蓄積された信号電荷とを加算する。続いて、符合ｔ４で示すタイミングでφＶ１及びφＶ２をＨレベルとし、φＶ３をＬレベルとして、第５のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送すると共に、第５のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図２７−１（ｄ）参照。）。その後、符合ｔ５で示すタイミングでφＶ３をＨレベルとすると共に第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送を行なって、第１のメイン受光部に蓄積された信号電荷と第２のメイン受光部に蓄積された信号電荷を加算した信号電荷の出力を行なうと共に、第１のサブ受光部に蓄積された信号電荷と第２のサブ受光部に蓄積された信号電荷を加算した信号電荷の出力を行なう。
次に、符合ｔ６で示すタイミングでφＶ１及びφＶ２をＬレベルとし、符合ｔ７で示すタイミングでφＶ１及びφＶ２をＨレベルとすると共にφＶ４をＬレベルとして、第６のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送すると共に第６のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図２７−２（ｅ）参照。）。その後、符合ｔ８で示すタイミングでφＶ４をＨレベルとすると共に第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送を行なって、第３のメイン受光部に蓄積された信号電荷と第４のメイン受光部に蓄積された信号電荷を加算した信号電荷の出力を行なうと共に、第３のサブ受光部に蓄積された信号電荷と第４のサブ受光部に蓄積された信号電荷を加算した信号電荷の出力を行なう。
なお、上記の様にして出力を行い、第２の水平電荷転送部からの出力信号を捨てて、第１の水平電荷転送部からの出力信号のみを用いることで１２００ｄｐｉの出力が実現する。
【００４４】
［５］１２００ｄｐｉの出力を行なう場合（２）（図２８及び図２９−１、図２９−２参照。）
１２００ｄｐｉの出力を行なう場合の他の一例では、先ず、符合ｔ１で示すタイミングでφＲＯＧ，φＶ１，φＶ２，φＶ３及びφ１をＨレベルとし、φＶ４をＬレベルとして、第１のメイン受光部〜第４のメイン受光部に蓄積された信号電荷を第１の読み出しゲートに読み出すと共に第１のサブ受光部〜第４のサブ受光部に蓄積された信号電荷を第２の読み出しゲートに読み出した後に（図２９−１（ａ）参照。）、符合ｔ２で示すタイミングでφＲＯＧをＬレベルとして、第１のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第１のメイン電荷保持部へ、第２のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第２のメイン電荷保持部へ、第３のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第３のメイン電荷保持部へ、第４のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第４のメイン電荷保持部へ転送すると共に、第１のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第１のサブ電荷保持部へ、第２のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第２のサブ電荷保持部へ、第３のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第３のサブ電荷保持部へ、第４のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第４のサブ電荷保持部へ転送する（図２９−１（ｂ）参照。）。
次に、符合ｔ３で示すタイミングでφＶ１及びφＶ２をＬレベルとして、第１のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のメイン電荷保持部に転送し、第２のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のメイン電荷保持部に転送すると共に、第１のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のサブ電荷保持部に転送し、第２のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のサブ電荷保持部に転送する（図２９−１（ｃ）参照。）。即ち、第５のメイン電荷保持部で第１のメイン受光部で蓄積された信号電荷と第２のメイン受光部で蓄積された信号電荷とを加算すると共に、第５のサブ電荷保持部で第１のサブ受光部で蓄積された信号電荷と第２のサブ受光部で蓄積された信号電荷とを加算する。続いて、符合ｔ４で示すタイミングでφＶ３をＬレベルとして、第５のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送すると共に、第５のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図２９−１（ｄ）参照。）。その後、符合ｔ５で示すタイミングで第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送を行なって、第１のメイン受光部に蓄積された信号電荷と第２のメイン受光部に蓄積された信号電荷を加算した信号電荷の出力を行なうと共に、第１のサブ受光部に蓄積された信号電荷と第２のサブ受光部に蓄積された信号電荷を加算した信号電荷の出力を行なう。
次に、符合ｔ６で示すタイミングでφＶ４をＨレベルとして、第３のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のメイン電荷保持部に転送し、第４のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のメイン電荷保持部に転送すると共に、第３のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のサブ電荷保持部に転送し、第４のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のサブ電荷保持部に転送する（図２９−２（ｅ）参照。）。即ち、第６のメイン電荷保持部で第３のメイン受光部で蓄積された信号電荷と第４のメイン受光部で蓄積された信号電荷とを加算すると共に、第６のサブ電荷保持部で第３のサブ受光部で蓄積された信号電荷と第４のサブ受光部で蓄積された信号電荷とを加算する。続いて、符合ｔ７で示すタイミングでφＶ４をＬレベルとして、第６のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送すると共に、第６のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図２９−２（ｆ）参照。）。その後、符合ｔ８で示すタイミングで第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送を行なって、第３のメイン受光部に蓄積された信号電荷と第４のメイン受光部に蓄積された信号電荷を加算した信号電荷の出力を行なうと共に、第３のサブ受光部に蓄積された信号電荷と第４のサブ受光部に蓄積された信号電荷を加算した信号電荷の出力を行なう。
なお、上記の様にして出力を行い、第２の水平電荷転送部からの出力信号を捨てて、第１の水平電荷転送部からの出力信号のみを用いることで１２００ｄｐｉの出力が実現する。
【００４５】
［７］６００ｄｐｉの出力を行なう場合（１）（図３０及び図３１参照。）
６００ｄｐｉの出力を行なう場合の一例では、先ず、符合ｔ１で示すタイミングでφＲＯＧ，φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４及びφ１をＨレベルとして、第１のメイン受光部〜第４のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第１の読み出しゲートに読み出すと共に、第１のサブ受光部〜第４のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第２の読み出しゲートに読み出した後に（図３１（ａ）参照。）、符合ｔ２で示すタイミングでφＲＯＧをＬレベルとして、第１のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第１のメイン電荷保持部へ、第２のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第２のメイン電荷保持部へ、第３のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第３のメイン電荷保持部へ、第４のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第４のメイン電荷保持部へ転送すると共に、第１のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第１のサブ電荷保持部へ、第２のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第２のサブ電荷保持部へ、第３のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第３のサブ電荷保持部へ、第４のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第４のサブ電荷保持部へ転送する（図３１（ｂ）参照。）。
次に、符合ｔ３で示すタイミングでφＶ１及びφＶ２をＬレベルとして、第１のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のメイン電荷保持部に転送し、第２のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のメイン電荷保持部に転送すると共に第３のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のメイン電荷保持部に転送し、第４のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のメイン電荷保持部に転送すると同時に、第１のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のサブ電荷保持部に転送し、第２のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のサブ電荷保持部に転送すると共に第３のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のサブ電荷保持部に転送し、第４のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のサブ電荷保持部に転送する（図３１（ｃ）参照。）。即ち、第５のメイン電荷保持部で第１のメイン受光部で蓄積された信号電荷と第２のメイン受光部で蓄積された信号電荷とを加算すると共に第６のメイン電荷保持部で第３のメイン受光部で蓄積された信号電荷と第４のメイン受光部で蓄積された信号電荷とを加算する。また、第５のサブ電荷保持部で第１のサブ受光部で蓄積された信号電荷と第２のサブ受光部で蓄積された信号電荷とを加算すると共に第６のサブ電荷保持部で第３のサブ受光部で蓄積された信号電荷と第４のサブ受光部で蓄積された信号電荷とを加算する。続いて、符合ｔ４で示すタイミングでφＶ１及びφＶ２をＨレベルとすると共にφＶ３及びφＶ４をＬレベルとして、第５のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送し、第６のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送すると共に、第５のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送し、第６のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図３１（ｄ）参照。）。即ち、第１の水平電荷転送部の電荷蓄積部で第１のメイン受光部〜第４のメイン受光部に蓄積された信号電荷を加算すると共に、第２の水平電荷転送部の電荷蓄積部で第１のサブ受光部〜第４のサブ受光部に蓄積された信号電荷を加算する。その後、符合ｔ５で示すタイミングでφＶ３及びφＶ４をＨレベルとすると共に第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送を行なって、第１のメイン受光部〜第４のメイン受光部に蓄積された信号電荷が加算された信号電荷の出力を行なうと共に、第１のサブ受光部〜第４のサブ受光部に蓄積された信号電荷が加算された信号電荷の出力を行なう。
なお、上記の様にして出力を行い、第２の水平電荷転送部からの出力信号を捨てて、第１の水平電荷転送部からの出力信号のみを用いることで６００ｄｐｉの出力が実現する。
【００４６】
［８］６００ｄｐｉの出力を行なう場合（２）（図３２及び図３３参照。）
６００ｄｐｉの出力を行なう場合の他の一例では、先ず、符合ｔ１で示すタイミングでφＲＯＧ，φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４，φ１をＨレベルとして、第１のメイン受光部〜第４のメイン受光部に蓄積された信号電荷を第１の読み出しゲートに読み出すと共に、第２のサブ受光部〜第４のサブ受光部に蓄積された信号電荷を第２の読み出しゲートに読み出した後に（図３３（ａ）参照。）、符合ｔ２で示すタイミングでφＲＯＧをＬレベルとして、第１のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第１のメイン電荷保持部へ、第２のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第２のメイン電荷保持部へ、第３のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第３のメイン電荷保持部へ、第４のメイン受光部で蓄積された信号電荷を第４のメイン電荷保持部へ転送すると共に、第１のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第１のサブ電荷保持部へ、第２のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第２のサブ電荷保持部へ、第３のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第３のサブ電荷保持部へ、第４のサブ受光部で蓄積された信号電荷を第４のサブ電荷保持部へ転送する（図３３（ｂ）参照。）。
次に、符合ｔ３で示すタイミングでφＶ１及びφＶ２をＬレベルとして、第１のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のメイン電荷保持部に転送し、第２のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のメイン電荷保持部に転送し、第３のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のメイン電荷保持部に転送し、第４のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のメイン電荷保持部に転送すると同時に、第１のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のサブ電荷保持部に転送し、第２のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第５のサブ電荷保持部に転送し、第３のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のサブ電荷保持部に転送し、第４のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第６のサブ電荷保持部に転送する（図３３（ｃ）参照。）。即ち、第５のメイン電荷保持部で第１のメイン受光部で蓄積された信号電荷と第２のメイン受光部で蓄積された信号電荷とを加算し、第６のメイン電荷保持部で第３のメイン受光部で蓄積され信号電荷と第４のメイン受光部で蓄積された信号電荷とを加算し、第５のサブ電荷保持部で第１のサブ受光部で蓄積された信号電荷と第２のサブ受光部で蓄積された信号電荷とを加算し、第６のサブ電荷保持部で第３のサブ受光部で蓄積された信号電荷と第４のサブ受光部で蓄積された信号電荷とを加算する。続いて、符合ｔ４で示すタイミングでφＶ３及びφＶ４をＬレベルとして、第５のメイン電荷保持部に保持されていた信号電荷を第１の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送し、第６のメイン電荷保持部で保持されていた信号電荷を第１の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送すると共に、第５のサブ電荷保持部に保持されていた信号電荷を第２の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送し、第６のサブ電荷保持部で保持されていた信号電荷を第２の水平電荷転送部の電荷蓄積部に転送する（図３３（ｄ）参照。）。即ち、第１の水平電荷転送部の電荷蓄積部で第１のメイン受光部〜第４のメイン受光部で蓄積された信号電荷の加算を行ない、第２の水平電荷転送部の電荷蓄積部で第１のサブ受光部〜第４のサブ受光部で蓄積された信号電荷の加算を行なう。その後、符合ｔ５で示すタイミングで第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送を行なって、第１のメイン受光部〜第４のメイン受光部に蓄積された信号電荷が加算された信号電荷の出力を行なうと共に、第２のサブ受光部〜第４のサブ受光部に蓄積された信号電荷が加算された信号電荷の出力を行なう。
なお、上記の様にして出力を行い、第２の水平電荷転送部からの出力信号を捨てて、第１の水平電荷転送部からの出力信号のみを用いることで６００ｄｐｉの出力が実現する。
【００４７】
上記した本発明を適用したリニアセンサでは、４つの受光部を１つのグループとして、このグループと水平電荷転送部の単位転送ビットとを対応させて各受光部で蓄積された信号電荷はそれぞれの受光部が属するグループに対応する単位転送ビットに転送できる様に構成されているために、低解像度で画像情報を読み込む場合であっても出力信号のデータレートを低下させることが無い。
【００４８】
また、４つの受光部を１つのグループとして、このグループと水平電荷転送部の単位転送ビットとを対応させており、単位転送ビットの横方向の長さが大きくなるために、水平電荷転送部の縦方向の長さを小さくすることができ、水平電荷転送部の負荷容量の低減を図ることができる。
即ち、近年のリニアセンサの高解像度化に伴って受光部ピッチが小さくなり、水平電荷転送部の単位転送ビットは必要な電荷数を確保するために、その長さを大きくする必要があり、従来のリニアセンサでは水平電荷転送部の負荷容量が増加していたのに対して、本発明を適用したリニアセンサでは、単位転送ビットの横方向の長さが大きくなるために、水平電荷転送部の縦方向の長さを小さくすることができ、結果として、水平電荷転送部の負荷容量の低減を図ることができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明を適用したリニアセンサの一例を説明するための模式図である。
【図２】画素加算を行なわずに出力する場合（１）の駆動パルスのタイミングチャートである。
【図３】画素加算を行なわずに出力する場合（１）の信号電荷の流れを説明するための模式図である。
【図４】画素加算を行なわずに出力する場合（２）の駆動パルスのタイミングチャートである。
【図５】画素加算を行なわずに出力する場合（２）の信号電荷の流れを説明するための模式図である。
【図６】２画素加算を行なって出力する場合（１）の駆動パルスのタイミングチャートである。
【図７】２画素加算を行なって出力する場合（１）の信号電荷の流れを説明するための模式図である。
【図８】２画素加算を行なって出力する場合（２）の駆動パルスのタイミングチャートである。
【図９】２画素加算を行なって出力する場合（２）の信号電荷の流れを説明するための模式図である。
【図１０】４画素加算を行なって出力する場合（１）の駆動パルスのタイミングチャートである。
【図１１】４画素加算を行なって出力する場合（１）の信号電荷の流れを説明するための模式図である。
【図１２】４画素加算を行なって出力する場合（２）の駆動パルスのタイミングチャートである。
【図１３】４画素加算を行なって出力する場合（２）の信号電荷の流れを説明するための模式図である。
【図１４】本発明を適用したリニアセンサの他の一例を説明するための模式図である。
【図１５】画素加算を行なわずに出力する場合の駆動パルスのタイミングチャートである。
【図１６】画素加算を行なわずに出力する場合の信号電荷の流れを説明するための模式図である。
【図１７】２画素加算を行なって出力する場合の駆動パルスのタイミングチャートである。
【図１８】２画素加算を行なって出力する場合の信号電荷の流れを説明するための模式図である。
【図１９】４画素加算を行なって出力する場合の駆動パルスのタイミングチャートである。
【図２０】４画素加算を行なって出力する場合の駆動パルスのタイミングチャートである。
【図２１】本発明を適用したリニアセンサの更に他の一例を説明するための模式図である。
【図２２】４８００ｄｐｉの出力を行なう場合（１）の駆動パルスのタイミングチャートである。
【図２３−１】４８００ｄｐｉの出力を行なう場合（１）信号電荷の流れを説明するための模式図（１）である。
【図２３−２】４８００ｄｐｉの出力を行なう場合（１）信号電荷の流れを説明するための模式図（２）である。
【図２４】４８００ｄｐｉの出力を行なう場合（２）の駆動パルスのタイミングチャートである。
【図２５−１】４８００ｄｐｉの出力を行なう場合（２）信号電荷の流れを説明するための模式図（１）である。
【図２５−２】４８００ｄｐｉの出力を行なう場合（２）信号電荷の流れを説明するための模式図（２）である。
【図２５−３】４８００ｄｐｉの出力を行なう場合（２）信号電荷の流れを説明するための模式図（３）である。
【図２６】１２００ｄｐｉの出力を行なう場合（１）の駆動パルスのタイミングチャートである。
【図２７−１】１２００ｄｐｉの出力を行なう場合（１）信号電荷の流れを説明するための模式図（１）である。
【図２７−２】１２００ｄｐｉの出力を行なう場合（１）信号電荷の流れを説明するための模式図（２）である。
【図２８】１２００ｄｐｉの出力を行なう場合（２）の駆動パルスのタイミングチャートである。
【図２９−１】１２００ｄｐｉの出力を行なう場合（２）信号電荷の流れを説明するための模式図（１）である。
【図２９−２】１２００ｄｐｉの出力を行なう場合（２）信号電荷の流れを説明するための模式図（２）である。
【図３０】６００ｄｐｉの出力を行なう場合（１）の駆動パルスのタイミングチャートである。
【図３１】６００ｄｐｉの出力を行なう場合（１）信号電荷の流れを説明するための模式図である。
【図３２】６００ｄｐｉの出力を行なう場合（２）信号電荷の流れを説明するための模式図である。
【図３３】６００ｄｐｉの出力を行なう場合（１）信号電荷の流れを説明するための模式図である。
【図３４】従来のリニアセンサを説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００５０】
１    受光部
１ａ  メイン受光部
１ｂ  サブ受光部
２    センサ部
２ａ  メインセンサ部
２ｂ  サブセンサ部
３    読み出しゲート
３ａ  第１の読み出しゲート
３ｂ  第２の読み出しゲート
４    水平電荷転送部
４ａ  第１の水平電荷転送部
４ｂ  第２の水平電荷転送部
５、５ａ、５ｂ    電荷蓄積部
【図１】
2008199328.tif 000003
【図２】
2008199328.tif 000004
【図３】
2008199328.tif 000005
【図４】
2008199328.tif 000006
【図５】
2008199328.tif 000007
【図６】
2008199328.tif 000008
【図７】
2008199328.tif 000009
【図８】
2008199328.tif 000010
【図９】
2008199328.tif 000011
【図１０】
2008199328.tif 000012
【図１１】
2008199328.tif 000013
【図１２】
2008199328.tif 000014
【図１３】
2008199328.tif 000015
【図１４】
2008199328.tif 000016
【図１５】
2008199328.tif 000017
【図１６】
2008199328.tif 000018
【図１７】
2008199328.tif 000019
【図１８】
2008199328.tif 000020
【図１９】
2008199328.tif 000021
【図２０】
2008199328.tif 000022
【図２１】
2008199328.tif 000023
【図２２】
2008199328.tif 000024
【図２３−１】
2008199328.tif 000025
【図２３−２】
2008199328.tif 000026
【図２４】
2008199328.tif 000027
【図２５−１】
2008199328.tif 000028
【図２５−２】
2008199328.tif 000029
【図２５−３】
2008199328.tif 000030
【図２６】
2008199328.tif 000031
【図２７−１】
2008199328.tif 000032
【図２７−２】
2008199328.tif 000033
【図２８】
2008199328.tif 000034
【図２９−１】
2008199328.tif 000035
【図２９−２】
2008199328.tif 000036
【図３０】
2008199328.tif 000037
【図３１】
2008199328.tif 000038
【図３２】
2008199328.tif 000039
【図３３】
2008199328.tif 000040
【図３４】
2008199328.tif 000041