(57)【要約】【課題】プレチルト角制御性に優れ、大面積基板上へ均一に無機配向膜を形成可能な、液晶配向膜の形成に好適な蒸着薄膜の成膜装置を提供する。【解決手段】被蒸着基板１１を移動させるための基板可搬手段１７と、該基板可搬手段が移動する軌跡が描く線分に対して、それぞれ一定の角度を有して蒸着を行う複数の蒸着源１２、１３と、該基板可搬手段と蒸着源の間に設けられた、複数のスリット１５、１６を有する防着部材１４と、該複数の蒸着源を同時に作動させ、かつ複数の蒸着源の投入電力量を独立して制御することが可能な蒸着源制御手段を具備する蒸着薄膜の成膜装置。【選択図】図１
2008031501.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被蒸着基板を移動させるための基板可搬手段と、該基板可搬手段が移動する軌跡が描く平面に対して、それぞれ一定の角度を有して蒸着を行う複数の蒸着源と、該基板可搬手段と蒸着源の間に設けられた、複数のスリットを有する防着部材と、該複数の蒸着源を同時に作動させ、かつ複数の蒸着源の投入電力量を独立して制御することが可能な蒸着源制御手段を具備することを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記複数の蒸着源とスリットとの間に、複数の蒸着源に対応して設けられた複数のシャッターを有することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記複数の蒸着源の数が２個であることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記一定の角度が４０度以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの項に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記複数の蒸着源が、蒸着原料を保持するための容器と、該容器中の蒸着原料に電子ビームを照射する照射手段から構成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかの項に記載の成膜装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の成膜装置を用いた蒸着薄膜の製造方法であって、基板可搬手段に設置された被蒸着基板を一方向に移動させる工程、該被蒸着基板上に防着部材に設けられた複数のスリットを介して複数の蒸着源を用いて同時に蒸着を行う工程、を有することを特徴とする蒸着薄膜の製造方法。
【請求項７】
前記複数の蒸着源の、個々の成膜速度が異なることを特徴とする請求項６に記載の蒸着薄膜の製造方法。
【請求項８】
前記複数の蒸着源の、個々の成膜速度の制御を、個々の蒸着源に対して設けられたシャッターの開閉により行うことを特徴とする請求項６または７に記載の蒸着薄膜の製造方法。
【請求項９】
前記複数の蒸着源を用いて同時に行う蒸着が、電子ビーム蒸着であることを特徴とする請求項６乃至８のいずれかの項に記載の蒸着薄膜の製造方法。
【請求項１０】
前記被蒸着基板上に蒸着する物質が酸化珪素であることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかの項に記載の蒸着薄膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被蒸着基板表面に蒸着薄膜を形成する成膜装置、液晶配向膜の形成に好適な蒸着薄膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＣモニター、薄型テレビ、プロジェクター等に用いられる液晶素子は、画素電極および対向電極が形成された一対の基板間に、液晶組成物を導入した構成となっている。液晶素子が光スイッチング機能を有するためには、液晶を電界印加中、及びその前後で液晶配列が一定の規則性を保っている必要があり、そのために基板と液晶が接する部分には、液晶配列を一定方向に規制する、液晶配向膜が形成されている。
【０００３】
液晶配向膜にはポリイミドに代表される有機配向膜が広く用いられている。しかし高輝度プロジェクター用途に用いられる液晶素子では、配向膜に照射される光強度が強いために、配向膜が光劣化するという問題がある。この問題は、有機配向膜に代わり、無機配向膜を採用することで解決される。
【０００４】
無機配向膜は、一般的に斜方蒸着法と呼ばれる蒸着法を用いて形成する。これは基板法線と基板中心−蒸着源を結ぶ線分が、ある一定の角度を保った状態で蒸着を行う方法で、この角度を一般に蒸着角と呼ぶ。材料は一般的に酸化ケイ素（ＳｉＯX：ｘ＝１から２）が用いられ、抵抗加熱法や電子ビーム照射によりボートまたは坩堝内の酸化ケイ素を蒸発させる。このような斜方蒸着法を用いることで、基板上に斜め方向に成長したＳｉＯXから成る柱状構造（カラム構造）を形成する。ＳｉＯXカラム構造を有する薄膜の表面は、蒸着角、蒸着方向に対応した形状異方性を有しており、それにより液晶が特定の方向に配向すると言われている。
【０００５】
斜方蒸着法により形成した無機配向膜は、大きく分けて６０度蒸着系と８０度蒸着系に大別される。一般的なＮｐ型液晶（誘電異方性が正のネマティック液晶）を用いた場合、６０度系蒸着膜では、液晶分子は蒸着方向に対して直交する方向に配列し、図８に示すプレチルト角θｐ（電圧非印加時の、液晶ダイレクターの平均的方向と基板法線がなす角度）は９０度となる。それに対して８０度系蒸着では蒸着方向と同方向に液晶ダイレクターが向いており、プレチルト角は５５度から８０度程度発生する。また、配向膜表面に対して垂直に配向するＮｎ型液晶（誘電異方性が負のネマティック液晶）を用いた場合には、６０度蒸着系の配向膜ではプレチルト角は０度になり、８０度蒸着系の配向膜ではプレチルト角は１０度から３５度となる。
【０００６】
プレチルト角は、表示品質に大きく影響するパラメータである。特に、コントラストを低下させる恐れのあるディスクリネーションラインの発生を抑制するためには、液晶素子はある程度のプレチルト角を有していることが好ましい。プレチルト角を制御するためには、通常の斜方蒸着法において蒸着角を変化させれば良い。しかし更に精密なプレチルト角の制御を行うためには、例えば、基板を回転させながら斜方蒸着を行う回転斜方蒸着（例えば非特許文献１）や、２回異なる方向より斜方蒸着を行う２段斜方蒸着法（例えば特許文献１）等の手法を用いる必要がある。
【特許文献１】特開２００３−１３８３６９号公報
【非特許文献１】Ｊａｐａｎｅｓｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌｕｍｅ２１，Ｌ７６１−７６３（１９８２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１に示す様な、異なる方向より２度斜方蒸着を行う方法においては、プレチルト角の精密な制御を行うために２回目の斜方蒸着により形成する配向膜の膜厚を数ｎｍレベルで厳密に制御する必要がある。
【０００８】
また、非特許文献１に示すような、基板を回転させながら斜方蒸着を行う方法においては、カラム角度の厳密な制御を行うことは可能であるが、それを基板全面に渡り均一に行うことは困難である。均一性を確保するためには、蒸着距離（基板と蒸着源との距離）を大きくする必要があるが、蒸着距離を大きくすると蒸着レートが低下するほか、真空装置が大型化するために生産装置の維持管理が困難になる欠点がある。
【０００９】
本発明は、上記問題点を鑑みなされたもので、プレチルト角制御性に優れ、大面積基板上へ均一に無機配向膜を形成可能な、液晶配向膜の形成に好適な蒸着薄膜の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するための、本発明における第１の発明は、成膜装置であって、被蒸着基板を移動させるための基板可搬手段と、該基板可搬手段が移動する軌跡が描く平面に対して、それぞれ一定の角度を有して蒸着を行う複数の蒸着源と、該基板可搬手段と蒸着源の間に設けられた、複数のスリットを有する防着部材と、該複数の蒸着源を同時に作動させ、かつ複数の蒸着源の投入電力量を独立して制御することが可能な蒸着源制御手段を具備することを特徴とする。
【００１１】
前記複数の蒸着源とスリットとの間に、複数の蒸着源に対応して設けられた複数のシャッターを有することが好ましい。
前記複数の蒸着源の数が２個であることが好ましい。
【００１２】
前記一定の角度が４０度以下、好ましくは１０度以上２５度以下であることが望ましい。
前記複数の蒸着源が、蒸着原料を保持するための容器と、該容器中の蒸着原料に電子ビームを照射する照射手段から構成されていることが好ましい。
【００１３】
本発明における第２の発明である蒸着薄膜の製造方法は、上記の成膜装置を用いた蒸着薄膜の製造方法であって、基板可搬手段に設置された被蒸着基板を一方向に移動させる工程、該被蒸着基板上に、防着部材に設けられた複数のスリットを介して複数の蒸着源を用いて同時に蒸着を行う工程、を有することを特徴とする。
【００１４】
前記複数の蒸着源の、個々の成膜速度が異なることが好ましい。
前記複数の蒸着源の、個々の成膜速度の制御を、個々の蒸着源に対して設けられたシャッターの開閉により行うことが好ましい。
【００１５】
前記複数の蒸着源を用いて同時に行う蒸着が、電子ビーム蒸着であることが好ましい。
前記被蒸着基板上に蒸着する物質が酸化珪素であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、所望のプレチルト角を発現する無機配向膜となる蒸着薄膜を容易に、かつ比較的大面積の基板上へ高歩留まりで形成することが可能となる。また、そのような蒸着薄膜を容易に形成することができる製造装置を提供することができる。さらに、これらの製造方法および製造装置を用いることで、所望のプレチルト角に設定された、高品質な表示を可能にする液晶素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を詳細に説明する。
まず、図を用いて本発明の成膜装置について説明する。
図１に、本発明における成膜装置の構成の一例を示す。本発明の成膜装置は、蒸着薄膜を形成する被蒸着基板１１と、第１の蒸着源１２および第２の蒸着源１３は、防着部材１４中に形成された第１のスリット１５および第２のスリット１６を介して配置されている。
【００１８】
被蒸着基板１１は、液晶配向膜となる蒸着薄膜を形成する基板で、例えば、ＩＴＯ等の透明導電膜を成膜したガラス基板、ＴＦＴアレイが形成されたガラス基板、反射電極が形成されたＳｉ−ＭＯＳトランジスタ基板等の基板が用いられる。被蒸着基板１１は、基板可搬手段１７に固定することにより、防着部材１４および第１のスリット１５、第２のスリット１６の上部を移動することができる。基板可搬手段１７の移動方向は、防着部材１４の表面と平行方向であることが好ましい。
【００１９】
該基板可搬手段１７が移動する軌跡が描く線分１８に対して、蒸着源１２および１３は、それぞれ一定の角度θ0およびθ1の傾きを有する。防着部材１４には、蒸着源１２および１３から、被蒸着基板１１上の特定部分に対して、角度θ0およびθ1の傾きを有する蒸着粒子成分のみを選択的に通過させるためのスリット１５、１６が形成されている。このようなスリットを設けることにより、被蒸着基板１１上の極角方向の蒸着角分布、即ち基板法線に対する蒸着角分布が抑制され、基板全面に渡り、比較的均一な極角方向の蒸着角を有する蒸着薄膜を形成することができる。スリットは、この極角方向の蒸着角の均一性を確保可能であれば、その数に制限は無い。しかし図１に示すように、各蒸着源に対してそれぞれスリットを設けることで、各蒸着源からの極角方向の蒸着角の均一性が確保されやすくなるため、このような構成をとることが好ましい。
【００２０】
第１の蒸着源１２と第２の蒸着源１３は、それぞれ独立に、蒸着物質の成膜速度を制御可能である。成膜速度の制御は、蒸着源に投入する電力量や、被蒸着基板１１と各蒸着源との距離によっても制御可能である。しかし、蒸着物質の成膜速度を制御可能であるならば、上記の方法に限定されず適用可能である。また、図２に示すように蒸着源１２，１３の間とスリット１５，１６の間にシャッター２１、２２を設け、これらの開閉時間を制御することで被蒸着基板１１に到達する蒸着粒子量を制御しても良い。このような操作により上記の電力量や蒸着距離の制御と同等の効果を得ることができる。
【００２１】
第１の蒸着源１２と第２の蒸着源１３は、抵抗加熱法や電子ビーム蒸着法などの方法により、蒸着源内の原料を蒸発させることで成膜を行う。蒸着源の形状は特に限定されず、例えば抵抗加熱法であれば、点状や線状、円筒状等の形状を有する蒸着源を使用可能である。また、蒸着源の数は２個以上であれば特に限定されず、複数個の蒸着源を用いても良い。しかし２つの蒸着源を用いると装置も小型簡略化でき、かつある程度必要な極角方向の蒸着角制御の効果を十分に得ることができるため、成膜装置としてはこのような構成が好ましい。
【００２２】
図３は、本発明における成膜装置の構成の全体像を示す概略図である。成膜装置の構成は、図３に示すように真空排気手段３２に接続された真空チャンバー３１内に設置される。複数の蒸着源の投入電力量は、蒸着源制御手段３３で独立に制御され、その結果、各蒸着源の成膜速度の独立制御が可能となる。基板可搬手段１７や真空排気手段３２の制御は真空チャンバー外部に設置される制御手段３４で制御される。
【００２３】
次に、蒸着薄膜の製造方法について、図を用いて説明する。
まず、図１を用いて説明する。蒸着薄膜は、蒸着源１２、１３を同時に作動させながら、基板可搬手段１７により被蒸着基板１１を左端から右端、もしくは右端から左端へと移動させる工程を経ることにより作製する。その際に、蒸着源１２と１３の成膜速度を、予め適当な値に設定しておくことで、所望のカラム形状を有する蒸着薄膜を形成することができる。蒸着源１２、１３の成膜速度は、蒸着源への投入電力量や、蒸着距離、また図２に示すようなシャッターの開閉によって制御しても良い。
【００２４】
ここで、蒸着源１２、１３を同時に作動させながら成膜を行うことにより生じる効果について図４を用いて説明する。
まず、蒸着源１２のみを用いて成膜速度Ａ（Å／秒）で蒸着薄膜を作製する場合を考える。蒸着方向に平行に基板を切断した時、蒸着薄膜の断面構造が図４（ａ）に示す様な構造となる。
【００２５】
次に、蒸着源１２、１３を同時に作動させながら成膜を行った場合について考える。このとき蒸着源１２単独で成膜した場合の成膜速度をＡ（Å／秒）、蒸着源１３単独で成膜した場合の成膜速度をＢ（Å／秒）とし、Ａ＞Ｂの関係が成り立つとする。この場合、蒸着薄膜の断面構造は図４（ｂ）に示すような構造となり、蒸着源１２を単独で用いて成膜した場合のカラム角度θaよりも、同時成膜を行った場合のカラム角度θbの方が大きくなる。
【００２６】
また、比較の為に、１つの蒸着源で作製し、かつカラム角度がθbと同じとなるような蒸着角で作製した蒸着薄膜のカラム構造を図４（ｂ’）に示す。θbと同様のカラム角を有するカラムでは、カラム間の隙間が狭くなる。このカラム角とカラム間の隙間はほぼ一義的に決まるため、蒸着源が１つの場合、カラム角度とカラム間隙を独立に制御するのは困難である。
【００２７】
さらに、蒸着源１２、１３を同時に作動させ、かつそれぞれ単独で使用した場合の成膜速度Ａ、Ｂが等しい場合、カラム構造は図４（ｃ）のようになり、基板に対してカラム構造がほぼ垂直に成長する構造となる。このような構造は単一の蒸着源を用いた場合には実現できない。
【００２８】
以上述べたように、蒸着源を複数有し、それらを同時に作動させながら成膜を行うことにより、１つの蒸着源のみを用いた場合には作製困難なカラム構造を、大面積の基板上に比較的均一に作製することができる。液晶配向は液晶配向膜である蒸着薄膜の形状に強く影響を受けるので、本発明を用いた、より精密なカラム構造制御を行うことで、液晶配向、特にプレチルト角の精密な制御が可能となる。
【００２９】
蒸着物質は、抵抗加熱法や電子ビーム蒸着法等の蒸着法により薄膜形成が可能で、かつ形成した薄膜が液晶を配向させることができるのであれば特に限定はしないが、酸化物、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、一酸化珪素（ＳｉＯ）等の酸化ケイ素（ＳｉＯX：ｘ＝１から２程度）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化コバルト（Ｃｏ3Ｏ4）、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3、Ｆｅ3Ｏ4）等やフッ化物、例えばフッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）等、が好ましい。特に二酸化珪素（ＳｉＯ2）、一酸化珪素（ＳｉＯ）等の酸化ケイ素（ＳｉＯX）で有ることが望ましい。これらの材料は蒸着法によって容易にカラム構造を形成できるからである。
【００３０】
蒸着薄膜形成は、基板可搬手段１７を移動させながら行う。１回の成膜における基板可搬手段１７の移動回数は特に制限はないが、蒸着薄膜形成のスループットを高くするためには、１回の移動で成膜を完了させることが好ましい。１回の成膜を行うためには、基板可搬手段１７を左端から右端（もしくはその逆）へ１回移動させればよい。基板可搬手段の移動速度は、必要な蒸着薄膜の膜厚に応じて適当な値に設定する。例えば移動速度が速ければ膜厚は小さくなるし、遅ければ膜厚は大きくなる。蒸着薄膜の膜厚は２００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が望ましい。
【実施例】
【００３１】
以下、実施例を用いてさらに詳しく本実施の形態を説明するが、本発明は実施例に記述されたものに限定されるわけではない。
実施例１
本実施例は、図１に記載した構成を有する成膜装置を用いて液晶配向膜を作製し、それを用いて液晶素子、投射型表示装置を作製した例である。
【００３２】
本実施例では、図３に示す構成を有する成膜装置を用い、電子ビーム蒸着法により蒸着を行う。蒸着源は図１に示す様に２つ配置し、蒸着原料には二酸化珪素（ＳｉＯ2）の顆粒を用いる。二酸化珪素の顆粒は、両方の蒸着源中に設置されているハースに適量導入する。
【００３３】
次に、基板可搬手段にＭＯＳトランジスタとＡｌ反射電極が形成された、反射型液晶素子駆動用パネルが多数形成されたＳｉ基板（以下Ｓｉ−ＭＯＳ基板）を設置する。Ｓｉ−ＭＯＳ基板の大きさは直径２０ｃｍ（８インチ）である。
【００３４】
次に、２つの蒸着源の位置と２つのスリットの位置を決定し、蒸着角を決定する。蒸着角決定の具体的な工程を図５を用いて説明する。
（１）基板可搬手段により移動する基板表面の中心が、基板移動時に描く線分Ｃ５３と、線分Ｃの中心点Ｄ５６と、第１の蒸着源５７を結ぶ線分Ａ５１のなす角θAを１０度に設定する。
（２）線分Ｃ５３と、第２の蒸着源５８と点Ｄ５６を結ぶ線分Ｂ５２のなす角θBを１０度に設定した。
（３）線分Ａと線分Ｂ上にスリットが形成された防着部材を設置する。各々のスリットは長方形であり、双方のスリット共に長辺の長さは２５ｃｍであり、短辺の長さは３ｃｍである。また、それぞれのスリットの長辺が基板移動方向に対して直交するよう、防着部材内にスリットが形成されている。
【００３５】
上記のように基板、蒸着源、防着部材を配置した後、真空チャンバーを閉じ、スクロールポンプとクライオポンプから構成される真空排気系を順次作動させ、真空チャンバー内を１×１０-5Ｐａ程度の圧力になるまで排気する。
【００３６】
次に、図６に示す様に、基板可搬手段を初期位置に移動させる。初期位置は図６（ａ）のような位置であり、両方の蒸着源の蒸着粒子も、防着部材６２に遮られてＳｉ−ＭＯＳ基板に到達しない位置である。
【００３７】
次に、２つの蒸着源をＯＮにして電力を投入する。第１の蒸着源で蒸着角１０度において成膜速度約１２Å／ｓ、第２の蒸着源で蒸着角１０度において成膜速度約６Å／ｓとなるように、それぞれの蒸着源の電力量を調整する。成膜速度は、防着部材下部の、成膜に支障をきたさない場所に設置されている２つの膜厚計で、それぞれの蒸着源毎に独立に測定する。そして予め調査しておいた、各蒸着源を独立に用いた場合の蒸着角−成膜速度−投入電力量の関係を示すグラフを参照し、各蒸着源の成膜速度を決定する。
【００３８】
次に、基板可搬手段を作動させ、Ｓｉ−ＭＯＳ基板上への成膜を開始する。基板可搬手段は図６（ａ）の初期位置から、図６（ｂ）の位置を経ることで基板上への成膜を行い、図６（ｃ）の終了位置に到達することで成膜を終了する。図６（ｃ）の位置は、図６（ａ）の位置と同様、両方の蒸着源の蒸着粒子が、防着部材６２に遮られてＳｉ−ＭＯＳ基板に到達しない位置である。
【００３９】
上記の手順により、Ｓｉ−ＭＯＳ基板上に液晶配向膜を形成する。また、同様の手順で、直径２００ｍｍ（８インチ）のＩＴＯ対向電極付ガラス基板（以下ＩＴＯガラス基板）上にも液晶配向膜を形成する。
【００４０】
この液晶配向膜を基板進行方向に沿って切断した試料の断面ＳＥＭ観察を行うと、図４（ｂ）に示すような構造体が観察される。カラム角度は約５５度である。また、Ｓｉ−ＭＯＳ基板、ＩＴＯガラス基板の各所について同様の断面ＳＥＭ観察を行ったところ、同様に図４（ｂ）に示すような構造体が観察される。また、光学顕微鏡による観察でも、ムラ等は特に確認されない。この結果より、基板上で液晶配向膜が均一に形成されていることを確認できる。
【００４１】
次に、Ｓｉ−ＭＯＳ基板、ガラス基板共にスクライバーで２０ｍｍ×１６ｍｍ程度の大きさに切り出す。その後、Ｓｉ−ＭＯＳ基板上に、粒径３μｍのシリカスペーサ−入りシール剤を塗布し、液晶配向膜が図７に示す、反平行（アンチパラレル）の構成となるように重ね合わせたのち、前記シール剤を１２０℃で熱硬化し、空セル（液晶を注入していない状態のセル）を作製する。この空セルの、可視光反射強度スペクトル測定を行い、セルギャップを算出したところ、空セル内の各点でセル厚が約３μｍであることが確認できる。
【００４２】
次に、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード用の液晶混合物であるＭＬＣ−６６０８（メルク社製）を上記空セルに注入し、その後封止を行い、ネマティック−等方相相転移温度（９１℃）以上に加熱した後に冷却して配向処理を行う。以上の工程を行うことで、液晶セルを作製する。
【００４３】
ここで、プレチルト角測定のため、張り合わせる２枚の配向膜付き基板の両方をガラス基板にして、透過型液晶セルを作製する。クリスタルローテーション法によりプレチルト角の測定を行った結果、約１５度のプレチルト角が得られる。この時のプレチルト角の定義は図８に示すように、基板の法線と、液晶のダイレクターがなす角である。
【００４４】
また、基板上でのプレチルト角の均一性を確認するために、直径２００ｍｍ（８インチ）のガラス基板２枚上に同様の方法で蒸着薄膜を形成した後、２０×１６ｍｍ程度の大きさに切り出し、プレチルト測定のための液晶セルを作製する。作製の際には、２枚の基板の同じ位置から切り出した基板を、反平行になるように張り合わせる。そのようにして作製した液晶セルのプレチルト角を測定すると、どのセルにおいても約１５度となり、本製造方法により作製した蒸着薄膜を液晶配向膜として用いた際のプレチルト角の均一性が確認できる。
【００４５】
このようなプレチルト角を有した液晶セルを用いて液晶素子を作製し、これらを３個用いて三板型の反射型投影装置を作製する。この装置を用いて生成した映像をスクリーンに投射すると、表示ムラのない良好な表示が得られる。
【００４６】
実施例２
本実施例は、図２に記載した構成を有する成膜装置を用いて液晶配向膜を作製し、それを用いて液晶素子、投射型表示装置を作製した例である。
【００４７】
本実施例では、図２に示す様に蒸着源−基板間にシャッターを設けた以外は実施例１と同様の構成を有する成膜装置を用い、電子ビーム蒸着法により蒸着を行う。蒸着原料には実施例１と同様、二酸化珪素（ＳｉＯ2）の顆粒を用いる。
【００４８】
次に、実施例１と同様な手順でＳｉ基板（以下Ｓｉ−ＭＯＳ基板）を設置し、２つの蒸着源の位置と２つのスリットの位置を決定し、蒸着角を決定し、１×１０-5Ｐａ程度まで真空チャンバー内を排気する。
【００４９】
次に基板可搬装置を初期位置に移動させる。初期位置は図６（ａ）のような位置であり、両方の蒸着源の蒸着粒子も、防着部材６２に遮られてＳｉ−ＭＯＳ基板に到達しない位置である。
【００５０】
次に、各蒸着源に設置されたシャッターを閉じた状態で、蒸着源をＯＮにして電力を投入する。それぞれの成膜速度が、蒸着角１０度において２０Å／ｓ、となるよう、蒸着源に投入する電力量を調整する。
【００５１】
次に、蒸着源１上に設置したシャッターを、０．５秒おきに開閉を繰り返すように設定し、開閉動作を開始する。また蒸着源２上に設置したシャッターを、０．７秒閉じた後に０．３秒開くという動作を繰り返すように設定し、開閉動作を開始する。このように設定した後に、実施例１と同様の２つの膜厚計で各蒸着源の成膜速度を測定したところ、蒸着源１においては約１０Å／ｓ、蒸着源２においては約６Å／ｓとなる。
【００５２】
上記の条件の元で、実施例１の場合と同様に、Ｓｉ−ＭＯＳ基板とＩＴＯガラス基板上へ蒸着を行い、液晶配向膜を形成する。
この液晶配向膜の断面ＳＥＭ観察を実施例１の場合と同様に行うと、実施例１で観察された、図４（ｂ）に示すような構造体とほぼ同じ構造体が観察される。また、Ｓｉ−ＭＯＳ基板、ＩＴＯガラス基板の各所について同様の断面ＳＥＭ観察を行うと、同様に図４（ｂ）に示すような構造体が観察される。また光学顕微鏡による観察でも、ムラ等は特に確認されない。つまり、本実施例で用いた形成方法を用いても、基板上で液晶配向膜が均一に形成されていることが確認できる。
【００５３】
その後、実施例１と同様の方法でプレチルト測定を行うと、基板の各場所においてプレチルト角が約１５度となり、プレチルト角の均一性も確認できる。
また、実施例１と同様に液晶セル作製、投射型表示装置作製を行い、この装置を用いて生成した映像をスクリーンに投射すると、実施例１とほぼ同様のムラのない良好な表示が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、蒸着法等の成膜法により形成される液晶配向膜を用いた液晶素子に利用可能であり、また該液晶素子を用いた表示装置、例えばプロジェクター等の投射型表示装置、液晶モニタ、液晶テレビ等に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明における成膜装置の構成の一例を示す概略図である。
【図２】本発明における成膜装置の構成の他の例を示す概略図である。
【図３】本発明における成膜装置の構成の全体像を示す概略図である。
【図４】本発明の液晶配向膜の製造方法で作製した、液晶配向膜の形状を示す概略図である。
【図５】本発明における成膜装置の構成の一例を示す概略図である。
【図６】本発明における液晶配向膜の製造方法の一工程を示す概略図である。
【図７】液晶配向膜付基板の貼りあわせ方向を説明する説明図である。
【図８】プレチルト角θｐを説明する説明図である。
【符号の説明】
【００５６】
１１  被蒸着基板
１２、５７、６３  第１の蒸着源
１３、５８、６４  第２の蒸着源
１４、６２  防着部材
１５  第１のスリット
１６  第２のスリット
１７、６１  基板可搬手段
１８  線分
２１  第１のシャッター
２２  第２のシャッター
３１  真空チャンバー
３２  真空排気手段
３３  蒸着源制御手段
３４  制御手段
３５  成膜装置
４１  カラム構造
５１  線分Ａ
５２  線分Ｂ
５３  線分Ｃ
５４  θＡ
５５  θＢ
５６  点Ｄ
７１  上部基板
７２  上部液晶配向膜
７３  下部基板
７４  下部液晶配向膜
８１  プレチルト角θｐ
８２  液晶分子
８３  液晶配向膜
８４  ガラス基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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