(57)【要約】【課題】生産性を向上させる露光装置を提供する。【解決手段】  基板を保持するチャックを有し、該基板を露光するジョブごとに設定されたパラメータにしたがって前記チャックに保持された基板を露光する露光装置であって、チャックに付着した異物の大きさに関する許容値を該パラメータとして設定する設定手段と、前記設定手段により設定された許容値に基づいて前記チャックに付着した異物を検査する検査手段と、を有し、前記検査手段による検査の結果に基づいて前記チャックの保守に関する処理を実行する。【選択図】図１
2008282885.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持するチャックを有し、該基板を露光するジョブごとに設定されたパラメータにしたがって前記チャックに保持された基板を露光する露光装置であって、
前記チャックに付着した異物の大きさに関する許容値を該パラメータとして設定する設定手段と、
前記設定手段により設定された許容値に基づいて前記チャックに付着した異物を検査する検査手段と、
を有し、
前記検査手段による検査の結果に基づいて前記チャックの保守に関する処理を実行する、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
原版からの光を該基板に投影する投影光学系と、
前記投影光学系の光軸の方向における該基板の表面の位置を計測する計測手段と、
を有し、
前記検査手段は、前記計測手段を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
該基板に形成されたアライメントマークの位置を計測するためのスコープ、
を有し、
前記検査手段は、前記スコープを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記チャックを含む可動ステージを複数有する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項５】
前記チャックに付着した異物を除去する除去手段を有し、
該処理は、前記除去手段による前記チャックに付着した異物の除去を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の露光装置。
【請求項６】
前記設定手段は、さらに、前記除去手段が前記チャックに付着した異物を除去するタイミングを該パラメータとして設定する、
ことを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記検査手段により検出された異物の大きさに関する値より小さい該許容値を有するジョブを実行する前に、前記除去手段が前記チャックに付着した異物を除去するようにした、
ことを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項８】
前記除去手段が前記チャックに付着した異物を除去した後に、前記検査手段が前記チャックに付着した異物を再度検査するようにした、
ことを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
該露光された基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を露光する露光装置、及び当該露光装置を用いたデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体露光装置においては、高精度の解像力を達成できるようにレチクルステージ及びウェハステージに対して、レーザ測長器を用いて並進方向の位置を精密に制御する。
また、レチクルステージ及びウェハステージの鉛直方向に関しては、フォーカス検出系により、ウェハ面と光学系像面との距離及び傾きを計測して、ウェハステージをスキャン駆動させる。
そして、ウェハステージをスキャン駆動させながら同時にウェハ面が像面にならうよう、Ｚ方向（フォーカス）及びチルト方向に逐次駆動制御される。
しかし、ウェハチャック上に異物が付着した状態でウェハを載せ、露光を開始すると局部的にデフォーカスとなり、解像不良が発生し得る。
異物の一例としては、ウェハからレジストが剥離してウェハチャックに付着したもの等が挙げられる。露光中に異物による解像不良が発生するとチップ生産の歩留まりが低下し得る。
【０００３】
このため、特にこうしたウェハチャック上の異物に関しては、半導体製造現場では非常に注意を払っており、定期的にチャックメンテナンス機構でチャックをクリーニングする等の措置をとっている。
また、定期的なウェハチャッククリーニングのインターバルにおけるウェハの露光プロセスを行っている。
例えば特開２００３−２３４２６５号公報（特許文献１）により、ウェハチャック上の異物の付着を検出する機構及び手段によってウェハチャック上の異物が検出された場合は、次のプロセスを行う露光装置が提案されている。
即ち、一つには検出した異物の大きさを記憶機構に記憶して規定の許容値と比較し、異物が許容値より大きいと判定した場合はユーザインタフェースにその旨を警告するメッセージ等を表示する。
あるいは、露光装置内にチャッククリーニングを行う機構がある場合は、自動でチャッククリーニングを実施することにより、異物の付着による解像不良を防止し、常に最良な露光条件での露光を可能にする。
【特許文献１】特開２００３−２３４２６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記許容値は、露光する各種の露光処理のパラメータとして規定するものではなく、ウェハチャックに付着した異物が比較的大きくても解像不良に至らないラフレイヤーの露光時でもデフォーカスが発生すると判定してしまう場合がある。
したがって、そのような場合も、ウェハチャックのクリーニングを行わなければならず、その時間だけスループットの低下を発生させ得る。
また、従来の定期的なチャックメンテナンスはチャックに異物の付着がなくてもなされているため、そのメンテナンス中は露光処理を実施できず、これもスループットの低下の要因となっていた。
【０００５】
そこで、本発明は、露光装置の生産性を向上させることを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するための本発明の露光装置は、基板を保持するチャックを有し、該基板を露光するジョブごとに設定されたパラメータにしたがって前記チャックに保持された基板を露光する露光装置であって、前記チャックに付着した異物の大きさに関する許容値を該パラメータとして設定する設定手段と、前記設定手段により設定された許容値に基づいて前記チャックに付着した異物を検査する検査手段と、を有し、
前記検査手段による検査の結果に基づいて前記チャックの保守に関する処理を実行する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、例えば、露光装置の生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
【実施例１】
【０００９】
図１は、本発明の実施例１の縮小投影型露光装置の概略構成を示す構成図である。
本実施例１は、レチクル等の原版１を保持するレチクルステージ２と、保持した原版１のパターンをウェハ４、２０に露光するための光源７、照明光学系８、及び投影光学系３とを有する。
投影光学系３は、原版１からの光を基板であるウェハ４、２０に投影する光学系である。
また、基板であるウェハ４、２０を保持するチャックであるウェハチャック５、及びウェハ２０を保持するウェハチャック１７と、ウェハチャック５を支持するウェハステージ６、及びウェハチャック１７を支持するウェハステージ１８とを有する。
チャックであるウェハチャック５、２０を含む可動ステージであるウェハステージ６とウェハステージ１８とを複数有する。
ウェハ４を露光するジョブごとに設定されたパラメータにしたがってウェハチャック５に保持された基板であるウェハ４を露光する。 
ウェハステージ６、１８が二組存在し、露光処理の実施時には一方のウェハステージ６でウェハ４の露光をしている間に他方のウェハステージ１８でウェハ２０の供給、位置決め及びフォーカス計測等を行う。
【００１０】
次にウェハステージ６での露光が終了すると、ウェハステージ６とウェハステージ１８をスワップして、ウェハステージ１８でウェハ２０の露光を行う。
ウェハ２０の露光中にウェハステージ６からウェハ４の回収と次に露光する予定のウェハの供給、位置決め及びフォーカス計測を行い、以後の露光処理はウェハ毎にウェハステージ６及び１８がスワップしながら露光が逐次実行される。
ウェハステージ１８でのウェハ２０の位置決めにはアライメントスコープ系１９が用いられる。
さらに、被検査物であるウェハ２０からの反射光の明るさ即ち濃淡に応じた濃淡画像信号を出力するイメージセンサと、そのイメージセンサから得られる濃淡画像信号をデジタル画像信号に変換するＡ／Ｄ変換器とを有する。
レチクルステージ２とウェハステージ６及び１８は、レーザ測長器９、１０、１６を用いてＸＹ平面内における位置が精密に制御される。ここで、投影光学系３の光軸をＺ軸としている。
【００１１】
また、レチクルステージ２とウェハステージ６及び１８の鉛直方向に関しては、フォーカス検出系１１により、ウェハ面と光学系像面との距離及び傾きを計測する。その計測の値はコントローラ１５により記憶機構１４に保存される。
設定手段であるコントローラ１５は、チャックであるウェハチャック５に付着した異物の大きさに関する許容値を該パラメータとして設定する手段である。
さらに、検査手段であるフォーカス検出系１１は、設定手段であるフォーカス検出系１１により設定された許容値に基づいてウェハチャック５に付着した異物を検査する手段である。
検査手段であるフォーカス検出系１１による検査の結果に基づいてウェハチャック５の保守に関する処理を実行する。
計測手段であるフォーカス検出系１１は、投影光学系３の光軸の方向における基板であるウェハ４、２０の表面の位置を計測する手段である。
検査手段は、計測手段であるフォーカス検出系１１を含む。
ウェハステージ６をスキャン駆動させる。同時にウェハ面が像面に適合するように記憶機構１４からの計測値に基づきアライメントスコープ系１９により、ウェハ面のＺ軸方向（フォーカス）及びチルト方向（レベリング）の駆動制御がされる。
アライメントスコープ系１９は、基板であるウェハ２０に形成されたアライメントマークの位置を計測するためのスコープである。
検査手段は、スコープであるアライメントスコープ系１９を含む。
フォーカス検出系１１は、斜入射光方式がよく用いられており、ウェハ２０の上面に斜めに結像光束を投射する投光器を有する。
フォーカス検出系１１は、さらに、その結像光束の反射光を受光して光電検出し、ウェハ上面の高さ位置又は投影レンズの結像面からのずれ量に応じた焦点信号を出力する受光器を有する。
フォーカス検出系１１は、ウェハチャック５、１７に付着した異物を検査する異物検査機構を構成する。
【００１２】
コントローラ１５は、記憶機構１４から取得したフォーカス検出系１１の複数回の検出結果の差分を計算することで、ウェハチャック５又は１７に異物が存在するか否かを判定する判定手段を構成する。
コントローラ１５は、ウェハチャック５、１７に付着する異物の粒径の許容値を露光処理毎に入力設定し、許容値とフォーカス検出系１１である異物検出機構から得たウェハチャック５、１７に付着した異物の粒径とを比較して異物の存在を求める。
ウェハチャック５又は１７に付着し検出された異物の粒径が前記許容値よりも大きい場合は、ウェハチャック５又は１７のクリーニングを実施することになる。
コントローラ１５により、異物の付着が判定された場合は、コントローラ１５がチャックに付着した異物を除去する除去手段であるクリーニング手段としてのチャックメンテナンス機構１２を作動させ、ウェハチャック５又は１７のクリーニングを実施する。
検査手段であるフォーカス検出系１１による検査の結果に基づいてウェハチャック５の保守に関する処理は、除去手段であるチャックメンテナンス機構１２によるチャックであるウェハチャック５又は１７に付着した異物の除去を含む。
【００１３】
設定手段であるコントローラ１５は、さらに、除去手段あるチャックメンテナンス機構１２がチャックであるウェハチャック５又は１７に付着した異物を除去するタイミングを、パラメータとして設定する。
検査手段であるフォーカス検出系１１により検出された異物の大きさに関する値より小さい該許容値を有するジョブを実行する前に、除去手段のチャックメンテナンス機構１２がウェハチャック５又は１７に付着した異物を除去するようにする場合もある。
除去手段のチャックメンテナンス機構１２がウェハチャック５又は１７に付着した異物を除去した後に、検査手段であるフォーカス検出系１１がウェハチャック５又は１７チャックに付着した異物を再度検査する場合もある。
【００１４】
次に、フォーカス系１１を用いたウェハチャック５又は１７上の異物の判定について図２を用いて詳細に説明する。
まず、ステップ１０１ではウェハ群のうち最初に露光処理するウェハの順位Ｗの値を数値１に設定する。
ステップ１０２ではコントローラ１５からの指令に従って、ウェハ群のうちＷ番目（Ｗ：１〜Ｎ、ここではＷ＝１）のウェハ２０のスキャン露光を開始する。
次いでステップ１０３では計測記憶の回数Ｓを数値１に設定する。
ステップ１０４では露光の前処理の中で、フォーカス検出系１１によってウェハ２０の全面に対してフォーカス計測を行い、かつステップ１０５では計測結果のＺ,ωｘ，ωｙを逐次、記憶機構１４に保存する。
ステップ１０６では上記保存の後、計測記憶の回数Ｓ＝Ｓ＋１に設定し、ステップ１０７では上記計測記憶の回数ＳがＭ回に達したか否かを判定する。
上記計測記憶の回数ＳがＭ回に達しない場合はステップ１０４、１０５、１０６を繰り返す。しかし、上記計測記憶の回数ＳがＭ回に達した場合は後続のステップ１０８へ進む。
【００１５】
ステップ１０８ではフォーカス計測値の差分を計算し、Ｗ枚目のウェハ２０の異物算出を行う。
即ちステップ１０２で得たウェハ２０の全面に対するフォーカス計測値のＮ回目とＮ＋１回目の計測値の差分を計算し、その値をウェハ２０のＸ，Ｙにおける異物量として記憶機構１４に保存する。これをウェハ全面に対して行う。
ステップ１０８で得られたウェハ２０の異物情報には、ウェハ２０自体に付着した異物とウェハチャック１７に付着した異物が混在している。
ステップ１０９ではウェハチャック１７に付着した異物のみを分離抽出するため、ウェハ２０の異物情報と１〜Ｗ（Ｗ＝Ｗ−１）番目のウェハの異物情報とを比較し、同じ傾向（大きさ）である情報のみをウェハチャック１７に付着した異物とみなす。
なお、前記分離抽出をせずに、ステップ１０８で得られた異物情報をウェハチャック１７に付着した異物情報としても良い。
【００１６】
ステップ１１０では今回のＷ枚目のウェハ２０及びウェハチャック１７の異物情報を記憶機構１４に保存する。
ステップ１１１ではステップ１０８で得られたウェハ２０のチャック異物情報を、露光処理毎のパラメータで規定された設定値と比較することでウェハチャック１７のクリーニング実施の有無を判定する。
パラメータには、チャックに付着した異物の許容値と前記チャック異物情報が前記許容値を超えた場合にどのタイミングでウェハチャック１７のクリーニングを実施するかについての実施タイミング指定値を含む。
実施するタイミング指定値は、以下の設定値のいずれか１つ以上を含む。
すなわち、直後にウェハチャック１７のクリーニングを実施する設定値と、露光処理であるジョブの終了時にクリーニングを実施する設定値である。
さらに、後続する任意の露光処理であるジョブの開始時にクリーニングを実施する設定値と、露光処理であるジョブのための露光装置の稼動が中断したときにクリーニングを実施する設定値である。
【００１７】
クリーニングの実施タイミングについては、図７に示すように、前記実施タイミング指定値に基づいてチャックのクリーニングの実施をスケジューリングできるようにする。
一例として、第１には、露光処理であるジョブＡの後、チャッククリーニングを実施し、そのチャッククリーニング中に露光処理であるジョブが可能であれば露光処理であるジョブＡを再開する。
第２には、露光処理であるジョブＡが終了した後、チャッククリーニングを実行し、終了後にジョブである露光処理であるジョブＢ以降を順次に開始する。
第３には、線幅の細いジョブである露光処理であるジョブＤの開始前にチャッククリーニングを実施する。
第４には、待機してキューイングされ露光処理であるジョブがなくなったときにチャッククリーニングを実施する。
また、後続の露光処理であるジョブが待機してキューイングされている場合で後続する任意の露光処理のジョブの開始時にチャッククリーニングを実施するような実施タイミング指定の場合は、図９に示すように、次のようにする。
【００１８】
ウェハチャック１７に付着した異物の粒径と後続する露光処理であるジョブのそれぞれの異物許容値を比較することで、適切なタイミングでチャッククリーニングが実施できるようにする。
この例の場合はジョブである露光処理であるジョブＢの直後がその適切なタイミングとなる。
ステップ１１２によりクリーニングすると判定した場合は、ステップ１１３において上記のいずれかのタイミングでウェハチャック１７のクリーニングを実施した後、ステップ１０３へ戻る。
本例の場合、ウェハチャック１７のクリーニングを即座に実施する場合は、ウェハ２０を一度ウェハ退避機構１３に退避させた後にウェハチャック１７をチャックメンテナンス機構１２に搬送して実施する。
クリーニングが終了すると、再びウェハチャック１７及びウェハ２０をウェハステージ１８に載せ、ウェハ２０に対して再度ステップ１０３からやり直して、ウェハチャック１７の異物が除去されていることを確認する。
【００１９】
しかし、ステップ１１２によりクリーニングしないと判定した場合は、ステップ１１４においてＷ枚目のウェハのスキャン露光を行い、かつステップ１１５でＷ＝Ｗ＋１に設定した後、ステップ１１６でＷがＮに達したか否かを判定する。
ＷがＮに至らない場合はステップ１０２へ戻るが、ＷがＮに達した場合は本フローを終了する。
以上のステップ１０１〜１１６までの処理を待機してキューイングされているすべての露光処理であるジョブのすべてのウェハに対して行う。
上記フローには、後続の露光処理であるジョブが待機しているときは、後続の露光処理であるジョブの許容値を記憶機構１４から先読みし、ウェハチャック５等から検出した異物の粒径と比較し、チャッククリーニングを実施しても良い。
さらに、上記フローには、ウェハチャック５、１７のクリーニングを実施した直後に、クリーニングを実施する直前に計測したウェハを再度計測することでウェハチャック５、１７に付着した異物が除去されたことを確認しても良い。
【００２０】
露光処理毎にウェハチャックに付着した異物の許容値を設ける理由は以下のとおりである。
光学系像面から露光するウェハ４の位置が鉛直方向にずれている場合でもデフォーカスが発生しない限界値である焦点深度は図４に示すように露光するパターン線幅の例えば２乗に比例する。
それゆえ線幅のばらつきは図１０に示すようにフォーカス・チルト値に依存する。また鉛直成分のフォーカス・チルトのずれ量は図５に示すようにウェハチャックに付着した異物の粒径に比例する。
このため、パターンの線幅とその線幅で露光する際にデフォーカスしないウェハチャック上の異物の粒径の許容値は図６に示すような関係がある。
以上のチャッククリーニングにより露光処理毎に異なる線幅のパターンを露光する際にチャックに付着した異物によって解像不良が発生することを防止できる。
なお、スループットの低下が発生することをできるだけ防止するために、必要な場合だけチャッククリーニングを実施するような露光方法及び露光装置には、チャックに付着した異物の許容値を露光処理毎に設定できることが必要である。
【００２１】
Ｗ−１番目のウェハ４の露光が終了すれば、直ちにウェハステージ６によってウェハ４の回収を実施する。
またウェハ２０以降に露光する予定のウェハが存在する場合は、それらのウェハを順にウェハステージ６に載せ、位置決め、フォーカス計測、露光等の処理を行う。
このことで片方の例えばウェハステージ１８のチャッククリーニング中も露光処理であるジョブを継続して実施できるようにする。
ウェハチャック１７のクリーニングが終了すれば直ちに両ウェハステージ６、１８での露光処理を実施する。
【００２２】
その流れについて図３を用いて説明すると、１枚目の露光処理３０１から１０枚目の露光処理３１０から成る。
ウェハ枚数が例えば１０枚の露光処理３１０を実施する際、初めはウェハステージ６及び１８の両方を使用したツインステージモードで所定枚数、例えば３枚目までのウェハの露光処理３０３を行う。
しかし、４枚目のウェハの露光処理３０４の時に片方の例えばウェハステージ６のウェハチャック１７をクリーニングする必要が発生した場合、そのウェハステージ６における処理は中断してシングルステージモードに切り替える。
ここで、クリーニング実施中のウェハステージ６が、ウェハステージ１８での駆動に影響がないようにウェハステージ６を退避させておく。これによりウェハステージ１８を使用した露光処理が可能となる。
クリーニングの最中は他方のウェハステージ１８によるシングルステージモードでの露光処理を例えば７枚目のウェハの露光処理３０７まで行い、クリーニングが終了すれば再びツインステージモードに切り替える。
その際、例えばウェハチャック５のクリーニングを実施する判定をした４枚目のウェハの露光処理３０４については、再度、最初からの処理を実施する。その後は８枚目のウェハの露光処理３０８を行う。
【００２３】
図１１は、露光処理毎に設定できるチャッククリーニングに関するパラメータ編集画面とその編集の一例を説明する説明図である。
ディスプレイ１００上において、チャッククリーニングのためのチャック異物粒径の許容値の設定を行い、かつ、チャッククリーニングの実施タイミング指定を行うことが可能である。
また、図１１では露光処理であるジョブＡについての設定の様子を表しているが、各露光処理であるジョブについても同様に設定することができる。
本発明の実施例１の露光装置によれば、ウェハチャック５、１７に付着する異物の粒径の許容値を露光処理毎に入力設定し、その許容値とウェハチャック６、１８に付着した異物の粒径とを比較して異物の存在を判定しクリーニングする。
このため、ウェハの露光処理であるジョブの際にウェハチャック６、１８に付着した異物による解像不良の発生を防止し、不必要なウェハチャック６、１８のクリーニングに伴う時間によるスループットの低下を防止することができる。
【実施例２】
【００２４】
次に、本発明の実施例２を説明する。
ウェハチャック５、１７に付着した異物を検出する機構及び方法として、アライメントスコープ系１９を用いても良い。
この場合は、ウェハステージ６、１８にウェハ４、２０を載せる前に、アライメントスコープ系１９によってウェハチャック５、１７を直接計測し、アライメントスコープ系１９から出力され変換された画像データを用いる。
アライメントスコープ系１９から出力され変換された画像データからウェハチャック５、１７に付着した異物の粒系を算出する。
ここでウェハチャック５、１７のクリーニング判定や露光方法については実施例１の場合と同様であり、詳しい説明は省略する。
【実施例３】
【００２５】
次に、本発明の実施例３を説明する。
実施例１は図１に示すようにウェハステージ６、１８が二つ存在しているツインステージを前提として説明した。
しかし、図８に示すように、ウェハステージ６が一つのみ存在するシングルステージの場合もウェハチャック５に付着した異物の算出及び異物の粒径や露光処理毎に設定したパラメータからチャッククリーニングの判定を行うことが可能である。
この点のアルゴリズムは実施例１の場合と同様で良く、その詳しい説明は省略する。
【００２６】
（デバイス製造方法の実施例）
次に、図１２及び図１３を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。
図１２は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等のデバイスの製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。
ステップＳ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスク（レクチルまたは原版ともいう）を製作する。
ステップＳ３（ウェハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウェハ（基板ともいう）を製造する。
ステップＳ４（ウェハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウェハ上に実際の回路を形成する。
ステップＳ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップＳ４によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。
ステップＳ６（検査）では、ステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップＳ７）される。
【００２７】
図１３は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
ステップＳ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。
ステップＳ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップＳ１３（電極形成）では、ウェハに電極を形成する。
ステップＳ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。
ステップＳ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。
ステップＳ１６（露光）では、上述した露光装置を用い、マスクに形成されたパターンを介してウェハを露光する。
ステップＳ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。
ステップＳ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップＳ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
このデバイス製造方法によれば、上記の露光装置を用いるため、スループットの低下がなく、より生産性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の好適な実施例１の縮小投影露光装置の概略構成を示す構成図である。
【図２】実施例１の露光処理においてウェハチャックに付着した異物を算出し、その値からウェハチャックのクリーニングを判定する処理法の一例を示すフローチャートである。
【図３】ウェハ枚数が１０枚の露光処理の露光を実施する際、４枚目のウェハでウェハチャックのクリーニングが必要となり、７枚目のウェハ処理中にクリーニングが終了したときのツインステージのステージ使用状態を示すフローチャートである。
【図４】露光に使用するパターンの解像力（線幅）と焦点深度の関係を説明するグラフ図である。
【図５】ウェハチャックに付着した異物の粒径（大きさ）とその異物によって発生するフォーカス・チルト値のZ方向のずれ量の関係を説明する説明図である。
【図６】露光に使用するパターンの解像力（線幅）とそのパターンを露光する際にデフォーカスが発生しないウェハチャック上の異物の粒径（大きさ）の許容値との関係を説明する説明図である。
【図７】露光処理毎に設定できるウェハチャックのクリーニングに関する指定値と、その指定値に伴って露光処理のジョブとウェハチャックのクリーニングがなされるスケジュールの一例を説明する説明図である。
【図８】本発明の実施例２のウェハステージが一つであるシングルステージの縮小投影露光装置の概略構成を示す構成図である。
【図９】後続する露光処理であるジョブが待機してキューイングされている場合に検出されたウェハチャック上の異物と後続の露光処理であるジョブの異物許容値とを比較し、適切なタイミングでチャッククリーニングがなされるスケジュールの一例の説明図である。
【図１０】線幅のばらつきとフォーカス・チルト値との関係を説明する説明図である。
【図１１】露光処理毎に設定できるチャッククリーニングに関するパラメータ編集画面とその編集の一例を説明する説明図である。
【図１２】本発明の露光装置を使用したデバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１３】図１２に示すフローチャートのステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００２９】
１    原版
２    レチクルステージ
３    投影光学系
４、２０    ウェハ
５、１７    ウェハチャック
６、１８    ウェハステージ
７    光源
８    照明光学系
９、１０、１６    レーザ測長器
１１    フォーカス検出系
１２    チャックメンテナンス機構
１４    記憶機構
１５    コントローラ
１９    アライメントスコープ系
【図１】
2008282885.tif 000003
【図２】
2008282885.tif 000004
【図３】
2008282885.tif 000005
【図４】
2008282885.tif 000006
【図５】
2008282885.tif 000007
【図６】
2008282885.tif 000008
【図７】
2008282885.tif 000009
【図８】
2008282885.tif 000010
【図９】
2008282885.tif 000011
【図１０】
2008282885.tif 000012
【図１１】
2008282885.tif 000013
【図１２】
2008282885.tif 000014
【図１３】
2008282885.tif 000015