(57)【要約】【課題】シリコンゴムのプレス加硫時のように熱が加わるような場合においても、ＩＣチップやアンテナが破損しない耐熱性に優れたインレット封止体を得ること、またＩＣチップやアンテナが破損しないようにリストバンドにインレットが封入されるようにしたリストバンドを得ること。【解決手段】ＰＥＴフィルム３上にアンテナ７及びＩＣチップ５を搭載したインレット８の両面を、粘着層１３，１５を介してＰＥＮフィルム１１で封止してなることを特徴とするインレット封止体。アンテナ７及びＩＣチップ５が搭載された面側に設けるＰＥＮフィルム１１Ａの厚みを他方の面に設けるＰＥＮフィルム１１Ｂの厚みよりも厚くしたことを特徴とするインレット封止体。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＥＴフィルム上にアンテナ及びＩＣチップを搭載したインレットの両面を、粘着層を介してＰＥＮフィルムで封止してなることを特徴とするインレット封止体。
【請求項２】
アンテナ及びＩＣチップが搭載された面側に設けるＰＥＮフィルムの厚みを他方の面に設けるＰＥＮフィルムの厚みよりも厚くしたことを特徴とする請求項１に記載のインレット封止体。
【請求項３】
請求項１または２に記載のインレット封止体をシリコンゴム内に封入してなることを特徴とするリストバンド。
【請求項４】
リストバンドはリング状のシリコンゴムからなり、リングの一部分が低硬度のシリコンゴムからなる低硬度部からなり、リングの他の部分が高硬度のシリコンゴムからなる高硬度部からなり、インレット封止体が高硬度部に封入されていることを特徴とする請求項３に記載のリストバンド。
【請求項５】
２枚の高硬度未加硫シリコンゴム短冊の間にインレット封止体を挟んでなる積層構造体と、１枚の低硬度未加硫シリコンゴム短冊をプレス加硫することによってリング状に成型してなることを特徴とする請求項４に記載のリストバンド。
【請求項６】
インレット封止体を封入している部位のシリコンゴムの厚みを厚くしたことを特徴とする請求項４又は５に記載のリストバンド。
【請求項７】
インレット封止体がシリコンゴムと分離可能状態で封入されていることを特徴とする請求項３〜６の何れか一項に記載のリストバンド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インレット封止体、該インレット封止体を封入してなるリストバンドに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣチップを搭載したＩＣタグを物品に取り付け、商品の物流管理、製造履歴管理、あるいはセキュリティ管理等を非接触で行うシステムが注目されている。
このようなＩＣタグの製造には、情報を記録した小さなＩＣチップと該ＩＣチップの情報を無線で送信する小さなアンテナをフィルム上に実装してなるインレットが部品として用いられる。
このようなインレットは、ラミネートやモールドなどのタグ加工によってその表面を保護することによって、耐久性を有するＩＣタグとなり、種々の用途に用いられる。
このようなＩＣタグの一つの用途として、インレットをリストバンドに封入して、人の手首に装着可能とし、工場内での作業者の入退場の管理、スポーツクラブでの種々の管理などに用いられることがある。
このようなリストバンドの一例としては、例えば以下に示すＲＦ−ＩＤ用リストバンドがある。
【０００３】
データを記憶するＩＣチップと当該データを電磁波を用いて非接触で送受信するアンテナとが回路基板上に形成され、封止材にて封止されてなるＩＣタグと、合成樹脂にて成形され、ＩＣタグ収納部を中心にしてその両端部からベルト部を延伸させてなるリストバンド本体と、前記ＩＣタグ収納部は、前記両ベルト部よりも厚肉であって、表面側に近接する位置に前記ＩＣタグを収納する凹部が形成されており、前記凹部は、前記ＩＣタグ収納部の背面側から断面Ｔ字状の切り込みにより形成されていることを特徴とするRF−ID用リストバンド（特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３８８３８９６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に示されたリストバンドにおいては、ＩＣタグをリストバンド内に収納するために、ＩＣタグの収納部を断面Ｔ字状の切り込みにより形成し、ＩＣタグを収納したあとポッテリング加工（樹脂盛）を行うようにしている。
しかしながら、このようなＩＣタグの収納方式だと、リストバンドを形成した後に、ＩＣタグを収納するための別工程を経なければならず、製造工程が煩雑である。
【０００５】
このように、従来のＩＣタグを封入したリストバンドにおいては、製造工程が煩雑化するにも関わらず、ＩＣタグをリストバンドの成型後に封入する形態を採っている。
これは、リストバンドをシリコンゴムのプレス加硫によって成型する場合において、ＩＣタグを封入した状態でリストバンドを成型しようとすると、プレス加硫時の熱によってＩＣチップやアンテナが破損する危険があると考えられ、これを避けるために比較的低温での加工ができるポッテリング加工によってリストバンドの成型後にＩＣタグを封入するようにしているものと考えられる。
【０００６】
したがって、リストバンドのプレス加硫時の熱によってＩＣチップ等が破損しないようにインレットを封止したＩＣタグ（インレット封止体）ができれば、リストバンドの成型時にＩＣタグを封止してリストバンドを成型でき、工程の簡素化が実現できる。このような耐熱性に優れたＩＣタグは、リストバンドに封入する場合に限らず、種々の用途において有用なものとなる。
【０００７】
そこで、本発明の一つの課題は、シリコンゴムのプレス加硫時のように熱が加わるような場合においても、ＩＣチップやアンテナが破損しない耐熱性に優れたインレット封止体を得ることである。
また、そのようなインレット封止体をシリコンゴム内に封入してリストバンドを成型したとしても、リストバンドの使用状態において、ＩＣチップやアンテナが破損しないようにすることも必要である。
そこで、本発明の他の課題は、ＩＣチップやアンテナが破損しないようにリストバンドにインレットが封入されるようにしたリストバンドを得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明に係るインレット封止体は、ＰＥＴフィルム上にアンテナ及びＩＣチップを搭載したインレットの両面を、粘着層を介してＰＥＮフィルムで封止してなることを特徴とするものである。
【０００９】
（２）また、上記（１）に記載のものにおいて、アンテナ及びＩＣチップが搭載された面側に設けるＰＥＮフィルムの厚みを他方の面に設けるＰＥＮフィルムの厚みよりも厚くしたことを特徴とするものである。
【００１０】
（３）また、本発明に係るリストバンドは、上記（１）または（２）に記載のインレット封止体をシリコンゴム内に封入してなることを特徴とするリストバンド。
【００１１】
（４）また、上記（３）に記載のものにおいて、リストバンドはリング状のシリコンゴムからなり、リングの一部分が低硬度のシリコンゴムからなる低硬度部からなり、リングの他の部分が高硬度のシリコンゴムからなる高硬度部からなり、インレット封止体が高硬度部に封入されていることを特徴とするものである。
【００１２】
（５）また、上記（４）に記載のものにおいて、２枚の高硬度未加硫シリコンゴム短冊の間にインレット封止体を挟んでなる積層構造体と、１枚の低硬度未加硫シリコンゴム短冊をプレス加硫することによってリング状に成型してなることを特徴とするものである。
【００１３】
（６）また、上記（４）又は（５）に記載のものにおいて、インレット封止体を封入している部位のシリコンゴムの厚みを厚くしたことを特徴とするものである。
【００１４】
（７）また、上記（３）〜（６）のいずれかに記載のものにおいて、インレット封止体がシリコンゴムと分離可能状態で封入されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明においては、ＰＥＴフィルム上にアンテナ及びＩＣチップを搭載したインレットの両面を、粘着層を介してＰＥＮフィルムで封止してインレット封止体を構成したので、シリコンゴムの熱プレス成形工程においても、インレットに熱的なストレスが作用せず、ＩＣチップやアンテナを破損することがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
[実施の形態１]
図１は本発明の一実施の形態に係るインレット封止体の説明図であり、インレット封止体の平面図を示している。図２は、図１における矢視Ａ−Ａ断面を拡大して示す図である。
本実施の形態に係るインレット封止体１は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム３にＩＣチップ５と該ＩＣチップ５に接続された無線通信用のアンテナ７が搭載されてなるインレット８の両面に両面テープ９の粘着層を介してＰＥＮ（２軸延伸ポリエチレン２，６−ナフタレート）フィルムを貼着して形成されている。
【００１７】
ＰＥＮフィルム１１の例としては、帝人株式会社の「テオネックス（登録商標）」フィルムが挙げられる。このテオネックス（登録商標）フィルムの物性値、およびＰＥＴフィルム３の物性値を表１に示す。
【表１】
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【００１８】
ＰＥＮフィルム１１は、ＩＣチップ５及びアンテナ７に対向する側のＰＥＮフィルム１１Ａの厚みを２５０μｍとし、他方の側のＰＥＮフィルム１１Ｂの厚みを１００μｍとしている。このように、ＩＣチップ５及びアンテナ７に対向する側のＰＥＮフィルム１１Ａの厚みを厚くすることにより、インレット封止体１に外力が作用した場合にもＩＣチップ５及びアンテナ７の破損を防止できる。
【００１９】
両面テープ９は、市販品を用いることができ、その構造を例示すると以下に示すようなものがある。すなわち、一つの例として、高分子粘着剤層１３の両面に低分子粘着剤層１５Ａ、１５Ｂが形成された３層構造のもので、厚さ８０μｍで、耐熱温度が１８０℃のものがある。
また、他の例としては、ポリエステル基材の両面にアクリル系粘着剤層が形成されたもので、厚さ１００μｍで、耐熱温度が１８０℃のものがある。
【００２０】
なお、インレット封止体１に用いる両面テープ９の例としては、上記のものに限定されない。また、インレット８の両面を覆う粘着層を形成する手段として、上記の例では両面テープを用いた例を示したが、これに限られず、粘着層を直接塗布するようにしてもよい。
【００２１】
次に、上記のように構成されたインレット封止体１の製造方法を説明する。
インレット封止体１は、以下の製造工程によって製造される。厚さ２５０μｍのＰＥＮフィルム１１Ａ上に両面テープ９を貼着する。貼着した両面テープ９の粘着層にインレット８を設置する。このとき、インレット８におけるＩＣチップ５及びアンテナ７側の面を粘着層側とする。次に、設置されたインレット８の上面に両面テープ９をさらに貼着する。そして、貼着した両面テープ９の粘着層の上に厚さ１００μｍのＰＥＮフィルム１１Ｂを貼着する。
【００２２】
上記のように構成されたインレット封止体１においては、インレット封止体１を例えばシリコンゴム内に封入する場合のような加熱工程を有する加工において、以下のような特徴を有する。
インレット８が粘着層を介してＰＥＮフィルム１１内に封止されており、このように粘着層を介することで、インレット８とＰＥＮフィルム１１は、両者を接着した場合のような固定状態ではなく、半固定状態で接合されている。このため、熱加工時の熱によって、ＰＥＮフィルム１１とインレット８を形成しているＰＥＴフィルム３との間の線膨張係数の相違から両者間の伸びの違いが生じても、粘着層がクッションとなりインレット８には過大な応力が作用せず、ＩＣチップ５及びアンテナ７を破損から防止する。
【００２３】
また、ＰＥＮフィルム１１は耐熱性に優れているので、このような素材で覆われたインレット封止体１は耐熱性に優れる。
さらに、インレット封止体１においては、インレット８に至るまでに、ＰＥＮフィルム１１、両面テープ９における３つの層（低分子粘着層→高分子粘着層→低分子粘着層、アクリル系粘着材層→ポリエステル基材→アクリル系粘着材層）というように材質の異なる複数の層が介在することが、熱伝達率を小さくしており、熱加工時においてインレット８への熱の伝達を少なくしてインレット８を保護するように作用する。
【００２４】
[実施の形態２]
図３は本発明の一実施の形態におけるリストバンドの外観を示す図、図４はリストバンドを側面から見た図である。
本実施の形態に係るリストバンド１７は、リング状に成形したシリコンゴムからなり、シリコンゴム内に実施の形態１のインレット封止体１が封入されている。
リストバンド１７は、高硬度のシリコンゴム１９と低硬度のシリコンゴム２１を周方向の２箇所で接着して形成されている。
また、高硬度のシリコンゴム１９の部分は、低硬度のシリコンゴム２１の部分よりも厚みが厚くなっており、インレット封止体１は高硬度のシリコンゴム１９の部分に封入されている。
【００２５】
このように、本実施の形態においては、リストバンド１７を低硬度のシリコンゴム２１と高硬度のシリコンゴム１９を周方向で接着して形成してなるので、リストバンド１７を装着する時のようにリストバンド１７を伸ばした場合において、低硬度の部分に大きな変形が集中し、このため、高硬度の部分に封入されたインレット封止体１には大きな力が作用しない。よって、リストバンド１７の伸長によってインレット封止体１に封止されたインレット８のＩＣ基板やアンテナ７が破損する恐れがない。
【００２６】
次に、上記のようなリストバンド１７の製造方法を説明する。
リストバンド１７は、図５に示すように、高硬度の未加硫シリコンゴムからなる２枚の高硬度未加硫シリコンゴム短冊２３、低硬度の未加硫シリコンゴムからなる１枚の低硬度未加硫シリコンゴム短冊２５及びインレット封止体１を材料として、図６に示す熱プレス機２７を用いたシリコンゴムのプレス加硫によって製造される。
以下に未加硫シリコンゴム短冊の仕様及び熱プレス機２７の概要を説明する。
【００２７】
＜未加硫シリコンゴム短冊＞
未加硫シリコンゴム短冊は、シリコンポリマーに加硫剤、老化防止剤、軟化材、着色剤、補強剤などを加えてロールミルで混練し、１日経過したものであって、硬度の異なる硬軟２種類のものである。高硬度未加硫シリコンゴム短冊と低硬度未加硫シリコンゴム短冊はそれぞれ、以下の寸法に設定されている。
高硬度未加硫シリコンゴム短冊(内側)：幅１０ｍｍ、長さ８０ｍｍ、厚さ２．２５ｍｍ
高硬度未加硫シリコンゴム短冊(外側)：幅１０ｍｍ、長さ８０ｍｍ、厚さ２．０ｍｍ
低硬度未加硫シリコンゴム短冊      ：幅１０ｍｍ、長さ１１０ｍｍ、厚さ３ｍｍ
【００２８】
（高硬度の未加硫シリコンゴム）
高硬度の未加硫シリコンゴムは、一般成型品用と力のかかる部品用のシリコンポリマーを半々ブレンドしてなるものである。
これらシリコンポリマーの物性を、これをある条件でプレス加硫してなるシリコンゴムの物性値を示すことによって示す。
一般成型品用のシリコンポリマーをプレス加硫してなるシリコンゴムの例としては、ＧＥ東芝シリコン（株）製の製品名：ＴＳＥ２２８７Ｕがある。
また、力のかかる部品用のシリコンポリマーをプレス加硫してなるシリコンゴムの例としては、ＧＥ東芝シリコン（株）製の製品名：ＴＳＥ２６１−７Ｕがある。これらの各製品の製品規格値をそれぞれ以下の表２、表３に示す。
【表２】
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【表３】
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【００２９】
（低硬度の未加硫シリコンゴム）
低硬度の未加硫シリコンゴムは、高耐久性のシリコンポリマーを用いた。この高耐久性のシリコンポリマーをプレス加硫してなるシリコンゴムの例としては、ＧＥ東芝シリコン（株）製の製品名：ＸＥ２０−５２３−５Ｕがある。この製品の製品規格値を以下の表４に示す。
【表４】
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【００３０】
＜インレット封止体＞
実施の形態１で示した構造を有するインレット封止体１であって、幅４ｍｍ、長さ５５ｍｍ、厚さ０．２ｍｍのものを用いた。
【００３１】
＜熱プレス機の概要＞
図６はシリコンゴムのプレス加硫を行う熱プレス機２７の説明図である。まず、熱プレス機２７の構造を概説する。
熱プレス機２７は、下方に向けて凹陥する半円状の凹部２９を有する下型３１と、下型３１の凹部２９と略同一の半径を有する円柱状の中型３３と、上方に向けて凹陥する半円状の凹部３５を有する上型３６と、上型３６を下型３１に向けて押圧する油圧シリンダ３７を備えた本体部３９と、を備えている。
下型３１の凹部２９には、幅１０ｍｍ、深さ２．５ｍｍ〜３．３ｍｍの半円状の下溝４１が形成されている。下溝４１の深さは、中央部（インレット封止体１が配置される分部）が３．３ｍｍであり、そこから両端部にかけて漸次浅くなって、両端部では２．５ｍｍになっている。
下溝４１の中央部には下溝４１から下型３１の側面に連通するベント４３が形成されている。
また、下型３１の凹部２９を挟む両側上面にはガイドピン４５が設けられ、上型３６のガイド孔（図示なし）に挿入できるようになっている。
上型３６の凹部３５には、幅１０ｍｍ、深さ２．５ｍｍの半円状の上溝４７が形成されている。
なお、シリコンゴムのプレス加硫においては、上型３６と下型３１とは１６０℃から１７０℃に加熱される。
【００３２】
＜リストバンドの成形方法の説明＞
２枚の高硬度未加硫シリコンゴム短冊２３の間にインレット封止体１を挟み、高硬度未加硫シリコンゴム短冊２３とインレット封止体１からなる積層構造体４９にし（図５参照）、これを湾曲させながら下型３１の下溝４１に嵌め込む。嵌め込んだ状態において、下溝４１の中央は積層構造体４９で占められ、下溝４１の両端は約１０ｍｍずつ開いた状態になっている。また、積層構造体４９はその厚さ方向に１ｍｍ程度下溝４１から上方に突出している。
【００３３】
積層構造体４９を下型３１に設置した後、下型３１に中型３３を入れ、積層構造体４９上に載せる。この状態では、中型３３の上半分は下型３１から露出しているので、この露出面の中央部に設けられた目印線にあわせて低硬度未加硫シリコンゴム短冊２５を載せる。低硬度未加硫シリコンゴム短冊２５を中型３３に載置した状態において、低硬度未加硫シリコンゴム短冊２５は中型３３の半円部の全てを覆うことはなく、中型３３の半円部の両端部には５ｍｍ程度低硬度未加硫シリコンゴム短冊２５に覆われていない部分が存在する。
【００３４】
低硬度未加硫シリコンゴム短冊２５を設置した状態で下型３１に立設されたガイドピン４５に上型３６のガイド孔を挿入することにより上型３６と下型３１を組み合わせ、熱プレス機２７の本体部３９に設置し、油圧シリンダ３７によって上型３６を下型３１側に所定の圧力（１５０ｋｇ/ｃｍ２）で押圧する。
各短冊２３、２５は、加圧・加熱の作用により未加硫のシリコンゴムが流れて、高硬度未加硫シリコンゴム短冊２３と低硬度未加硫シリコンゴム短冊２５がその両端面で合流し、また高硬度の２枚の高硬度未加硫シリコンゴム短冊２３は接合面で合流し、余分なシリコンゴムはベント４３から流出する。
高硬度未加硫シリコンゴム短冊２３と低硬度未加硫シリコンゴム短冊２５の合流部においては過酸化物加硫が起こり、両者が接着する。また、２枚の高硬度未加硫シリコンゴム短冊２３の接合面においても、インレット封止体１を除く領域で上下の高硬度未加硫シリコンゴム短冊２３相互が接着し、インレット封止体１は厚み方向でほぼ中央に配置される。
この状態で６〜７分加熱すると加硫反応が終了する。
【００３５】
加硫反応の終了後に、プレス機を開き、上型３６を取り外し、さらに中型３３を取り外す。このとき、接合されてリング状になったリストバンド１７が中型３３に装着された状態で下型３１から取り外せる。
その後、１〜１．５日経過後に、１８０℃で１時間の二次加硫を行う。
【００３６】
上記のようにして成型されたリストバンド１７に対して、（１）リストバンド１７の使用環境においてインレット８の動作が正常に行われるかどうか、（２）ＩＣチップ５の信頼性がリストバンド１７の成型工程を経ることによって劣化していないかどうか、という２つの観点から確認試験を行った。
以下、この確認試験について試験方法及び試験結果を説明する。
【００３７】
（１）リストバンド１７の使用環境においてインレット８の動作が正常に行われるかどうかについて
この確認試験においては、リストバンド１７を引っ張って伸縮させるが、その場合の引っ張る方法については、図７、図８に示す２つの方法で行った。図７の方法は、インレット封止体１を封入した箇所と異なる箇所に２本の棒材を挿入して、これらを離したり近づけたりして引張試験を行う方法である。図８の方法は、２本の棒材のうちの１本をインレット封止体１を封入した箇所に配置して他の１本の棒材をその対向部に配置して、これら２本の棒材を離したり近づけたりして引張試験を行う方法である。
これら、２つの方法を行ったのは、リストバンド１７に対する引張の力の作用点の位置によって、インレット封入体への影響が異なることを考慮したものである。
以下、具体的な試験方法について説明する。
【００３８】
(i)限界引っ張り試験
（試験方法）
インレット８からの情報の読取りを行いながら一定の速度でリストバンド１７を引っ張り、読取りが不能になるか、またはリストバンド１７が破断するまでの強度を測定する。
（試験結果）
３つのサンプルについて上記の試験を行ったが、全てのサンプルにおいて、破断に至るまで読取りが可能であった。
【００３９】
(ii)繰り返し引っ張り試験（加速）
（試験方法）
リストバンド１７を２倍程度に伸ばすことを繰り返すことによりストレスを付加し、リストバンド１７が破断するまで、または情報の読取りが不能になるまでのストレス回数を測定する。読取りをしながら、自動計数伸縮装置で一定変形を繰り返し加える。
（試験結果）
３つのサンプルについて上記の試験を行ったが、全てのサンプルにおいて、破断に至るまで読取りが可能であった。
【００４０】
(iii)繰り返し引っ張り試験（通常使用条件）
（試験方法）
リストバンド１７を手首に装着する場合と同程度のストレスを繰り返し加え、破断または読取り不能になるストレス回数を測定する。読取りをしながら、自動計数伸縮装置で一定変形を繰り返し加える。（４回×３６５日×３年＝約５０００回以上を目標とし、１０万回まで実施。）
（試験結果）
３つのサンプルについて上記の試験を行ったが、全てのサンプルにおいて、リストバンド１７が破断することなく、また読取りが可能であった。
【００４１】
以上の試験結果から、リストバンド１７の使用環境においてインレット８の動作が正常に行われることが実証された。
これは、ＩＣチップ５及びアンテナ７に対向する側のＰＥＮフィルム１１Ａの厚みを厚くしたことにより、ＩＣチップ５及びアンテナ７の破損を防止できたこと、インレット封止体１を封入した箇所のシリコンゴムを高硬度のものを使用して厚みを厚くすることで変形量を少なくしたこと等の効果によるものと推察される。
【００４２】
また、成型後のリストバンド１７におけるインレット封止体１を封入している部位に切込みを入れて、インレット封止体１とシリコンゴムとの状態を観察したところ、両者は溶着することなく、分離可能状態になっていた。
このように、リストバンド１７の成型時においてインレット封止体１がシリコンゴムと溶着しないのは、インレット封止体１を覆うＰＥＮフィルム１１が耐熱性に優れることによる効果であるが、この効果によって、リストバンド１７が伸びて変形したときにも、その変形がインレット封止体１に直接伝達されることなく、ＩＣチップ５及びアンテナ７の破損防止の効果を高めている。
【００４３】
（２）ＩＣチップ５の信頼性がリストバンド１７の成型工程を経ることによって劣化していないかどうかについて
以下に示す３つの試験方法を行った
＜試験方法＞
(i)高温放置試験
１２５℃に放置し、１０００時間まで約２００時間毎に取り出して読取り性を確認する。
（１２５℃、１０００時間）
(ii)恒温高湿試験
８５℃、８５％ＲＨに放置し、１０００時間まで約２００時間毎に取り出して読取り性能を確認する。（８５℃、８５％ＲＨ、１０００時間）
(iii)冷熱サイクル
―５５〜１２５℃に繰り返し曝し、１０００サイクルまで、約２００サイクル毎に読取り性能を確認する。（―５５〜１２５℃、１０００サイクル）
＜試験結果＞
いずれの試験においても、読取り可能であり、動作不良になったものは存在しなかた。
このことから、成型工程を経てもインレット８が劣化していないことが実証された。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一実施形態に係るインレット封止体の説明図である。
【図２】図１の矢視Ａ−Ａ断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るリストバンドの斜視図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るリストバンドの側面図である。
【図５】本発明に一実施形態に係るリストバンドの製造方法の説明図である。
【図６】本発明の一実施形態に係るリストバンドの製造方法に用いる熱プレス機の説明図である。
【図７】本発明の一実施形態に係るリストバンドの試験方法の説明図である。
【図８】本発明の一実施形態に係るリストバンドの試験方法の説明図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  インレット封止体
３  ＰＥＴフィルム
５  ＩＣチップ
７  アンテナ
８  インレット
９  両面テープ
１１  ＰＥＮフィルム
１１  ＡＰＥＮフィルム
１１  ＢＰＥＮフィルム
１３  高分子粘着剤層
１５  Ａ、１５Ｂ  低分子粘着剤層
１７  リストバンド
１９  高硬度のシリコンゴム
２１  低硬度のシリコンゴム
２３  高硬度未加硫シリコンゴム短冊
２５  低硬度未加硫シリコンゴム短冊
２７  熱プレス機
２９  凹部
３１  下型
３３  中型
３５  凹部
３７  油圧シリンダ
３９  本体部
４１  下溝
４３  ベント
４５  ガイドピン
４７  上溝
４９  積層構造体
【図１】
2008293394.tif 000007
【図２】
2008293394.tif 000008
【図３】
2008293394.tif 000009
【図４】
2008293394.tif 000010
【図５】
2008293394.tif 000011
【図６】
2008293394.tif 000012
【図７】
2008293394.tif 000013
【図８】
2008293394.tif 000014