(57)【要約】【課題】より良質な層膜を高速に対象基板に形成することができる構造の気相成長装置を提供する。【解決手段】交流の電力が印加されるコイル部材１６０が高周波磁束を発生すると、導電材からなる基板支持部材１１０が渦電流の誘導により発熱するので、これで加熱される対象基板ＣＢの表面に原料ガスにより層膜が形成される。ただし、コイル部材１６０を形成している金属管１６１の断面形状が矩形であるため、断面形状が円形の従来例に比較して、その表面積が大幅に増加している。従って、コイル部材１６０の表面電位を上昇させることなく電流量を増加させることができる。このため、コイル部材１６０から発生する高周波磁束の密度を増加させることができるので、この高周波磁束により基板支持部材１１０を従来より安全に、高温かつ高速に発熱させることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相成長法により対象基板の表面に層膜を形成する気相成長装置であって、
導電材で形成されていて前記対象基板を支持する円盤状の基板支持部材と、
前記基板支持部材を軸支している回転軸と、
前記回転軸とともに前記基板支持部材を回転駆動する基板回転機構と、
前記基板支持部材で支持された前記対象基板の表面に原料ガスを供給するガス供給機構と、
所定の高周波磁束を発生して前記基板支持部材を渦電流の誘導で発熱させる高周波誘導加熱部と、を有し、
前記高周波誘導加熱部は、断面形状が矩形の金属管を前記基板支持部材の盤面と対向する円盤状の螺旋形に巻回した形状のコイル部材を有する気相成長装置。
【請求項２】
前記コイル部材は、上下方向と直交する平面と平行な円盤状の螺旋形に形成されており、
前記金属管は、横幅より縦幅が長大な矩形の断面形状に形成されている請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
前記コイル部材は、中心に確保されている空間に前記回転軸が挿通されており、
前記回転軸は、少なくとも前記基板支持部材に連結されている部分が導電材で形成されている請求項１または２に記載の気相成長装置。
【請求項４】
前記回転軸は、少なくとも前記基板支持部材に連結されている部分から前記コイル部材に挿通されている部分まで導電材で形成されている請求項３に記載の気相成長装置。
【請求項５】
前記回転軸の導電材で形成されている部分と前記基板支持部材とが一体に形成されている請求項４に記載の気相成長装置。
【請求項６】
前記対象基板を直接に保持して前記基板支持部材に着脱自在に装着される円盤状の基板保持部材を、さらに有し、
前記基板保持部材と前記基板支持部材との相互に当接する盤面の少なくとも一方に所定形状の凹部が形成されている請求項１ないし５の何れか一項に記載の気相成長装置。
【請求項７】
前記基板支持部材は、盤面からなる上面で前記対象基板を支持し、
前記ガス供給機構は、前記基板支持部材で支持された前記対象基板の表面に上方から前記原料ガスを供給し、
前記コイル部材は、前記基板支持部材に下方から対向しており、
前記回転軸は、前記コイル部材の中心の前記空間を経由して前記基板支持部材を下方から軸支している請求項４ないし６の何れか一項に記載の気相成長装置。
【請求項８】
前記基板支持部材は、盤面からなる下面で前記対象基板を支持し、
前記ガス供給機構は、前記基板支持部材で支持された前記対象基板の表面に下方から前記原料ガスを供給し、
前記コイル部材は、前記基板支持部材に上方から対向しており、
前記回転軸は、前記コイル部材の中心の前記空間を経由して前記基板支持部材を上方から軸支している請求項４ないし６の何れか一項に記載の気相成長装置。
【請求項９】
前記ガス供給機構は、前記対象基板の表面まで前記原料ガスを誘導するガス誘導管を有し、
前記コイル部材は、中心に確保されている空間に前記ガス誘導管が挿通されている請求項１または２に記載の気相成長装置。
【請求項１０】
前記基板支持部材は、盤面からなる上面で前記対象基板を支持し、
前記回転軸は、前記基板支持部材を下方から軸支しており、
前記コイル部材は、前記基板支持部材に上方から対向しており、
前記ガス供給機構は、前記コイル部材の中心の前記空間に挿通されている前記ガス誘導管で前記対象基板の表面に上方から前記原料ガスを供給する請求項９に記載の気相成長装置。
【請求項１１】
前記基板支持部材は、盤面からなる下面で前記対象基板を支持し、
前記回転軸は、前記基板支持部材を上方から軸支しており、
前記コイル部材は、前記基板支持部材に下方から対向しており、
前記ガス供給機構は、前記コイル部材の中心の前記空間に挿通されている前記ガス誘導管で前記対象基板の表面に下方から前記原料ガスを供給する請求項９に記載の気相成長装置。
【請求項１２】
気相成長法により対象基板の表面に層膜を形成する気相成長装置の高周波誘導加熱部に利用されるコイル部材であって、
断面形状が矩形の金属管を上下方向と直交する平面と平行な円盤状の螺旋形に巻回した形状に形成されており、
前記金属管は、横幅より縦幅が長大な矩形の断面形状に形成されているコイル部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長法により対象基板の表面に層膜を形成する気相成長装置に関し、特に、コイル部材が発生する高周波磁束により渦電流の誘導で基板支持部材を発熱させる気相成長装置、そのコイル部材、に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、対象基板の表面に層膜を気相成長法により形成することがあり、これに気相成長装置が利用されている。この気相成長装置は、例えば、導電材で形成されていて対象基板を支持する円盤状の基板支持部材と、基板支持部材を軸支している回転軸と、回転軸とともに基板支持部材を回転駆動する基板回転機構と、基板支持部材で支持された対象基板の表面に原料ガスを供給するガス供給機構と、所定の高周波磁束を発生して基板支持部材を渦電流の誘導で発熱させる高周波誘導加熱部と、を有する。その高周波誘導加熱部は、断面形状が円形の金属管を基板支持部材の盤面と対向する円盤状の螺旋形に巻回した形状のコイル部材を有する。
【０００３】
このような気相成長装置では、層膜を形成する対象基板が基板支持部材で支持され、この基板支持部材とともに対象基板が回転駆動され、この回転駆動される対象基板の表面にガス供給部により原料ガスが供給される。
【０００４】
このとき、コイル部材に所定の周波数で交流の電力が印加されることにより、このコイル部材が所定の高周波磁束を発生する。すると、導電材からなる基板支持部材が渦電流の誘導により発熱するので、これで加熱される対象基板の表面に原料ガスにより層膜が形成される。
【０００５】
なお、コイル部材は、上述のように高周波磁束の発生を目的としているが、このために高電圧の電力が印加されるので発熱する。そこで、この発熱を抑制するため、コイル部材を形成している金属管の内部に冷媒が流動されている。
【０００６】
従来の気相成長装置は、例えば、数百rpmの速度で基板支持部材を回転させ、１２００℃程度の温度まで基板支持部材の表面を発熱させている。現在、上述のような構造の気相成長装置として、各種の提案がある(例えば、特許文献１，２参照)。
【特許文献１】特開平１１−０９２２８０号公報
【特許文献２】特開平０７−０４５５３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のような気相成長装置では、導電材からなる基板支持部材をコイル部材が発生する高周波磁束により１２００℃程度まで発熱させており、そのコイル部材の通電による自己発熱は内部に流動させる冷媒で抑制している。
【０００８】
しかし、より良質な層膜を高速に対象基板に形成するためには、さらに高温に対象基板を加熱する必要がある。これを気相成長装置の構成要素を変更することなく実現するためには、例えば、基板支持部材とコイル部材とを接近させる、コイル部材への投入電力を増加させる、等が想定できる。
【０００９】
しかし、基板支持部材は前述のように数百rpmなどの高速に回転駆動されるので、回転時の振れや付着物による接触を回避するためにコイル部材と一定の間隔を確保する必要がある。一方、コイル部材への投入電力を増加させる場合、電圧の上昇により真空放電が発生しやすくなって危険である。このため、現状ではコイル部材に印加する電力を一定のレベル以上に増強して対象基板の温度を上昇させることが困難となっている。
【００１０】
本発明は上述のような課題に鑑みてなされたものであり、現状よりコイル部材に印加する電圧を上昇させることなく電流量を増大させて投入電力を増加させることで、安全性を阻害することなく、より高温かつ高速に対象基板を加熱して良質な層膜を高速に形成することができる構造の気相成長装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の気相成長装置は、気相成長法により対象基板の表面に層膜を形成する気相成長装置であって、導電材で形成されていて対象基板を支持する円盤状の基板支持部材と、基板支持部材を軸支している回転軸と、回転軸とともに基板支持部材を回転駆動する基板回転機構と、基板支持部材で支持された対象基板の表面に原料ガスを供給するガス供給機構と、所定の高周波磁束を発生して基板支持部材を渦電流の誘導で発熱させる高周波誘導加熱部と、を有し、高周波誘導加熱部は、断面形状が矩形の金属管を基板支持部材の盤面と対向する円盤状の螺旋形に巻回した形状のコイル部材を有する。
【００１２】
本発明の気相成長装置では、層膜を形成する対象基板が基板支持部材で支持され、この基板支持部材とともに対象基板が回転駆動され、この回転駆動される対象基板の表面にガス供給部により原料ガスが供給される。このとき、コイル部材に所定の周波数で交流の電力が印加されることにより、このコイル部材が所定の高周波磁束を発生する。すると、導電材からなる基板支持部材が渦電流の誘導により発熱するので、これで加熱される対象基板の表面に原料ガスにより層膜が形成される。ただし、コイル部材を形成している金属管の断面形状が矩形であるため、断面形状が円形の一般的な金属管からなるコイル部材に比較して、その表面積が大幅に増加している。従って、コイル部材の表面電位を上昇させることなく電流量を増加させることができる。このため、コイル部材から発生する高周波磁束の密度を増加させることができるので、基板支持部材を従来より安全に、高温かつ高速に発熱させることができる。
【００１３】
本発明のコイル部材は、気相成長法により対象基板の表面に層膜を形成する気相成長装置の高周波誘導加熱部に利用されるコイル部材であって、断面形状が矩形の金属管を上下方向と直交する平面と平行な円盤状の螺旋形に巻回した形状に形成されており、金属管は、横幅より縦幅が長大な矩形の断面形状に形成されている。
【００１４】
なお、本発明の各種の構成要素は、必ずしも個々に独立した存在である必要はなく、複数の構成要素が一個の部材として形成されていること、一つの構成要素が複数の部材で形成されていること、ある構成要素が他の構成要素の一部であること、ある構成要素の一部と他の構成要素の一部とが重複していること、等でもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の気相成長装置では、コイル部材を形成している金属管の断面形状が矩形であるため、断面形状が円形の一般的な金属管からなるコイル部材に比較して、その表面積が大幅に増加している。従って、コイル部材の表面電位を上昇させることなく電流量を増加させることができる。このため、コイル部材から発生する高周波磁束の密度を増加させることができるので、基板支持部材を従来より安全に、高温かつ高速に発熱させることができ、より良質な層膜を高速に対象基板に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施の一形態を図１ないし図３を参照して以下に説明する。本実施の形態の気相成長装置１００は、例えば、ＣＶＤ装置であり、気相成長法により対象基板ＣＢの表面に層膜(図示せず)を形成する。
【００１７】
このため、本実施の形態の気相成長装置１００は、図１に示すように、導電材で形成されていて対象基板ＣＢを支持する円盤状の基板支持部材である固定サセプタ１１０と、固定サセプタ１１０を軸支している回転軸１２０と、回転軸１２０とともに固定サセプタ１１０を回転駆動する基板回転機構である駆動モータ１３０と、固定サセプタ１１０で支持された対象基板ＣＢの表面に原料ガスを供給するガス供給機構１４０と、所定の高周波磁束を発生させて固定サセプタ１１０を渦電流の誘導で発熱させる高周波誘導加熱部１５０と、を有する。
【００１８】
ただし、高周波誘導加熱部１５０は、図２に示すように、断面形状が矩形の金属管１６１を固定サセプタ１１０の盤面と対向する円盤状の螺旋形に巻回した形状のコイル部材１６０を有する。このコイル部材１６０は、上下方向と直交する平面と平行な円盤状の螺旋形に形成されており、金属管１６１は、横幅より縦幅が長大な矩形の断面形状に形成されている。
【００１９】
より詳細には、本実施の形態の気相成長装置１００は、対象基板ＣＢを直接に保持する円盤状の基板保持部材である移動サセプタ１１１も有し、この移動サセプタ１１１が固定サセプタ１１０に着脱自在に装着される。
【００２０】
固定サセプタ１１０は、上面の所定位置に凹穴が形成されており、移動サセプタ１１１は、固定サセプタ１１０の凹穴に係合する係合ピン１１２が下面に装着されている。このため、固定サセプタ１１０は、対象基板ＣＢを間接的に保持する。
【００２１】
固定サセプタ１１０は、盤面からなる上面で対象基板ＣＢを支持し、ガス供給機構１４０は、固定サセプタ１１０で支持された対象基板ＣＢの表面に上方から原料ガスを供給する。
【００２２】
コイル部材１６０は、固定サセプタ１１０に下方から対向しており、中心に所定の空間が確保されている。そこで、回転軸１２０は、コイル部材１６０の中心空間を経由して固定サセプタ１１０を下方から軸支している。
【００２３】
また、回転軸１２０は、少なくとも固定サセプタ１１０に連結されている部分からコイル部材１６０に挿通されている部分まで導電材で形成されており、この回転軸１２０の導電材で形成されている部分１２１と固定サセプタ１１０とが一体に形成されている。
【００２４】
この固定サセプタ１１０および回転軸１２０の上述の部分１２１とは、例えば、黒鉛で形成されており、その表面は熱分解性窒化硼素でコーティングされている。同様に、移動サセプタ１１１も、例えば、黒鉛で形成されて表面が熱分解性窒化硼素でコーティングされている。
【００２５】
本実施の形態の気相成長装置１００は、円筒状のリアクタ本体１０１を有し、このリアクタ本体１０１の上部にガス供給機構１４０が配置されている。また、リアクタ本体１０１の下部中央にはシール機構を介して回転軸１２０が挿通されている。
【００２６】
リアクタ本体１０１の下部には円環状の隔壁１０２が一体に固定されており、この隔壁１０２の内部にコイル部材１６０は配置されている。このコイル部材１６０には、所定の周波数で交流の電力を印加する電力印加機構(図示せず)と、その内部に冷媒として冷却水を流動させる冷媒流動機構１５１と、が連結されている。
【００２７】
なお、コイル部材１６０と固定サセプタ１１０とは隔壁１０２を介して対向しているが、この隔壁１０２は高周波磁束を最小限の減衰で透過する絶縁材からなる。さらに、固定サセプタ１１０と対向する隔壁１０２の上面には、やはり絶縁材からなる遮熱板１０３が設置されている。
【００２８】
本実施の形態の気相成長装置１００では、駆動モータ１３０は、例えば、最大３０００rpmなどの速度で固定サセプタ１１０を回転駆動する。また、コイル部材１６０を形成している金属管１６１は、例えば、矩形断面の縦幅が１５ｍｍ、横幅が６ｍｍ、板厚が１ｍｍ、の既存の銅管からなる。
【００２９】
コイル部材１６０は、例えば、外形が１００ｍｍ、中心空間の内径が１８ｍｍ、の円盤状の螺旋形に、上述の金属管１６１を五重に巻回することで形成されている。このコイル部材１６０には、例えば、ピーク電圧が最大２５０Ｖ、周波数が３５ｋＨｚ、の交流電圧が印加される。
【００３０】
固定サセプタ１１０は、導電材である黒鉛により、板厚が７ｍｍ、直径が８０ｍｍの円盤状に形成されており、その表面は絶縁材である熱分解性窒化硼素でコーティングされている。
【００３１】
同様に、移動サセプタ１１１も、導電材である黒鉛により、板厚が７ｍｍ、直径が８０ｍｍの円盤状に形成されており、その表面は絶縁材である熱分解性窒化硼素でコーティングされている。
【００３２】
固定サセプタ１１０と一体に黒鉛により形成されている回転軸１２０の部分１２１は、例えば、直径が１４ｍｍ、全長が２０ｍｍ、に形成されている。コイル部材１６０の上面と固定サセプタ１１０の下面との間隔は、例えば、１０ｍｍである。
【００３３】
固定サセプタ１１０は、コイル部材１６０による高周波誘導加熱で移動サセプタ１１１を介して対象基板ＣＢを２０００℃まで１００deg/sec以上の速度で加熱する。ガス供給機構１４０は、図３に示すように、内部が複数に区分されており、例えば、III族やVI族の原料ガスを押圧ガスとともに下方に噴射する。
【００３４】
上述のような構成において、本実施の形態の気相成長装置１００では、層膜を形成する対象基板ＣＢが移動サセプタ１１１を介して固定サセプタ１１０で支持される。この固定サセプタ１１０とともに対象基板ＣＢが駆動モータ１３０により回転駆動され、この回転駆動される対象基板ＣＢの表面にガス供給部により原料ガスが供給される。
【００３５】
このとき、コイル部材１６０に所定の周波数で交流の電力が印加されることにより、このコイル部材１６０が所定の高周波磁束を発生する。すると、導電材からなる固定サセプタ１１０が渦電流の誘導により発熱するので、これで加熱される対象基板ＣＢの表面に原料ガスにより層膜が形成される。
【００３６】
ただし、コイル部材１６０を形成している金属管１６１の断面形状が矩形であるため、断面形状が円形の一般的な金属管からなる従来のコイル部材に比較して、その表面積が大幅に増加している。
【００３７】
従って、コイル部材１６０の表面電位を上昇させることなく通電する電流量を増加させることができるので、コイル部材１６０から発生する高周波磁束の密度を増加させることができる。このため、この高周波磁束により固定サセプタ１１０を従来より安全に、高温かつ高速に発熱させることができ、より良質な層膜を高速に対象基板ＣＢに形成することができる。
【００３８】
特に、コイル部材１６０の金属管１６１は、横幅より縦幅が長大な矩形の断面形状に形成されている。このため、固定サセプタ１１０と対向するコイル部材１６０の上面の面積に比較して、金属管１６１の表面積が増大している。従って、さらに良好に固定サセプタ１１０を高温に高速に発熱させることができ、さらに良質な層膜を高速に対象基板ＣＢに形成することができる。
【００３９】
なお、上述のように対象基板ＣＢを高温に加熱すると、対象基板ＣＢの表面に上昇気流が発生して形成される層膜が均質でなくなる懸念もある。しかし、本実施の形態の気相成長装置１００では、固定サセプタ１１０とともに対象基板ＣＢを従来より大幅に高速に回転させるので、上述の上昇気流が遠心力により栓流となる。このため、原料ガスが相対的に均一に対象基板ＣＢの表面に供給されることになり、層膜を均質に高速に形成することができる。
【００４０】
また、高周波磁束の発生を目的としたコイル部材１６０は発熱する必要がないが、電力印加により自己発熱するので、内部に冷却水が流動されることで水冷されている。そして、上述のようにコイル部材１６０は表面積が増大しており、冷却水の流路面積も増大しているので、その水冷の効果も良好である。
【００４１】
それでいて、コイル部材１６０は、既存の金属管１６１を巻回することで形成されているので、生産性が良好である。特に、金属管１６１は断面形状が縦長なので、横方向に湾曲させることが容易である。しかも、この金属管１６１は銅製なので、電流を良好な効率で通電することができる。
【００４２】
なお、本実施の形態の気相成長装置１００では、上述のようにコイル部材１６０が発生する高周波磁束により渦電流が誘導されることで固定サセプタ１１０が発熱する。しかし、コイル部材１６０は回転軸１２０を挿通させるために中央に空間が確保されている。
【００４３】
このため、固定サセプタ１１０の中央にはコイル部材１６０が対向しないので、固定サセプタ１１０の中央は良好に発熱しない懸念がある。しかし、本実施の形態の気相成長装置１００では、回転軸１２０の固定サセプタ１１０に連結されている部分からコイル部材１６０に挿通されている部分まで導電材で形成されている。
【００４４】
このため、この回転軸１２０の導電材で形成されている部分１２１もコイル部材１６０が発生する高周波磁束で発熱することになり、その熱伝導により固定サセプタ１１０の中央も良好に発熱する。
【００４５】
特に、回転軸１２０の導電材で形成されている部分１２１と固定サセプタ１１０とが一体に形成されている。このため、回転軸１２０の部分１２１の発熱が固定サセプタ１１０の中央に良好な効率で伝導する。従って、固定サセプタ１１０は、上面の略全域が均等に発熱することになる。
【００４６】
従って、対象基板ＣＢを均一に加熱することができ、層膜を良好な品質で形成することができる。このため、移動サセプタ１１１の盤面に大径の一枚の対象基板ＣＢを設置した場合でも、その対象基板ＣＢを均一に加熱して盤面の全域に層膜を均質に形成することができる。
【００４７】
さらに、固定サセプタ１１０の上面には対象基板ＣＢが移動サセプタ１１１を介して支持される。このため、固定サセプタ１１０の発熱は移動サセプタ１１１を介して対象基板ＣＢまで伝導する。
【００４８】
この伝導によっても発熱の不均一性が改善されるので、対象基板ＣＢを良好に均一に加熱することができる。また、上述のように固定サセプタ１１０に対象基板ＣＢが移動サセプタ１１１を介して着脱自在に装着されるので、対象基板ＣＢの交換も容易である。
【００４９】
なお、本発明は本実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許容する。例えば、上記形態では、固定サセプタ１１０は、盤面からなる上面で対象基板ＣＢを支持し、ガス供給機構１４０は、固定サセプタ１１０で支持された対象基板ＣＢの表面に上方から原料ガスを供給し、コイル部材１６０は、固定サセプタ１１０に下方から対向しており、回転軸１２０は、コイル部材１６０の中心空間を経由して固定サセプタ１１０を下方から軸支していることを例示した。
【００５０】
しかし、図４に例示する気相成長装置２００のように、固定サセプタ１１０は、盤面からなる下面で対象基板ＣＢを支持し、ガス供給機構１４０は、固定サセプタ１１０で支持された対象基板ＣＢの表面に下方から原料ガスを供給し、コイル部材１６０は、固定サセプタ１１０に上方から対向しており、回転軸１２０は、コイル部材１６０の中心空間を経由して固定サセプタ１１０を上方から軸支してもよい。
【００５１】
なお、この気相成長装置２００では、前述のように係合ピン１１２による係合では移動サセプタ１１１が固定サセプタ１１０から落下するので、ボルト２０１やチャック機構(図示せず)などで移動サセプタ１１１を固定サセプタ１１０に保持させることがよい。
【００５２】
このような気相成長装置２００では、移動サセプタ１１１の交換の容易性は阻害される。しかし、対象基板ＣＢの表面が下方に位置するので、異物の付着を有効に防止することができる。
【００５３】
また、上記形態ではコイル部材１６０の中心空間に回転軸１２０が挿通されていることを例示した。しかし、図５に例示する気相成長装置２１０のように、コイル部材１６０の中心空間にガス供給機構１４０のガス誘導管１４１が挿通されていてもよい。
【００５４】
より詳細には、この気相成長装置２１０では、固定サセプタ１１０は、盤面からなる下面で対象基板ＣＢを支持し、回転軸１２０は、固定サセプタ１１０を上方から軸支している。
【００５５】
コイル部材１６０は、固定サセプタ１１０に下方から対向しており、ガス供給機構１４０は、コイル部材１６０の中心空間に挿通されているガス誘導管１４１で対象基板ＣＢの表面に下方から原料ガスを供給する。
【００５６】
この気相成長装置２１０も、対象基板ＣＢの表面が下方に位置するので、異物の付着を有効に防止することができる。さらに、加熱されている対象基板ＣＢの表面に原料ガスが下方から供給されるので、対象基板ＣＢの表面に到達する以前に原料ガスが反応することを有効に防止することができる。
【００５７】
なお、上述の気相成長装置２１０を上下逆様とすることにより、固定サセプタ１１０は、盤面からなる上面で対象基板ＣＢを支持し、回転軸１２０は、固定サセプタ１１０を下方から軸支しており、コイル部材１６０は、固定サセプタ１１０に上方から対向しており、ガス供給機構１４０は、コイル部材１６０の中心空間に挿通されているガス誘導管で対象基板ＣＢの表面に上方から原料ガスを供給する気相成長装置(図示せず)も実現することができる。
【００５８】
また、上記形態では円盤状の固定サセプタ１１０の表面に円盤状の移動サセプタ１１１を着脱自在に装着することで、対象基板ＣＢの加熱の不均一性を改善することを例示した。
【００５９】
しかし、移動サセプタ１１１と固定サセプタ１１０との相互に当接する盤面の少なくとも一方に所定形状の凹部を形成することにより(図示せず)、この凹部で熱伝導を制御し、より良好に対象基板ＣＢの加熱の不均一性を改善してもよい。
【００６０】
さらに、上記形態では導電材である黒鉛で固定サセプタ１１０と一体に形成されている回転軸１２０の部分１２１が、コイル部材１６０の中心空間に完全に挿通されていることにより、その高周波磁束で良好に加熱されることを例示した。
【００６１】
しかし、この固定サセプタ１１０と一体に導電材で形成されている回転軸１２０の部分１２１は、固定サセプタ１１０の表面の発熱の不均一性を改善できるように、コイル部材１６０の高周波磁束により誘導加熱される位置まで突出していればよい。
【００６２】
このため、固定サセプタと一体に導電材で形成されている回転軸の部分が、コイル部材１６０の中心空間の途中まで挿通されていることや、コイル部材１６０の中心空間に近接しながらも挿通されていないことも可能である(図示せず)。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施の形態の気相成長装置の内部構造を示す模式的な縦断正面図である。
【図２】気相成長装置の要部の組立構造を示す模式的な分解斜視図である。
【図３】ガス供給機構の内部構造を示す模式的な底面図である。
【図４】一の変形例の気相成長装置の内部構造を示す模式的な縦断正面図である。
【図５】他の変形例の気相成長装置の内部構造を示す模式的な縦断正面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１００    気相成長装置
１０１    リアクタ本体
１０２    隔壁
１０３    遮熱板
１１０    固定サセプタ
１１１    移動サセプタ
１１２    係合ピン
１２０    回転軸
１２１    部分
１３０    駆動モータ
１４０    ガス供給機構
１４１    ガス誘導管
１５０    高周波誘導加熱部
１５１    冷媒流動機構
１６０    コイル部材
１６１    金属管
２００    気相成長装置
２０１    ボルト
２１０    気相成長装置
【図１】
2008240134.tif 000003
【図２】
2008240134.tif 000004
【図３】
2008240134.tif 000005
【図４】
2008240134.tif 000006
【図５】
2008240134.tif 000007