(57)【要約】【課題】有機物レジストマスクを用いた場合でも材料加工性とマスクダメージの低減を両立でき、パターンサイズの変化が少なく、磁気特性が安定した磁気記録媒体、及び該磁気記録媒体を効率よく製造することができる磁気記録媒体の製造方法の提供。【解決手段】磁気記録媒体用基板の表面にレジスト層及び磁性層をこの順に有する磁気記録媒体における該レジスト層に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程と、前記レジスト層の凹凸パターンをマスクとして、アルゴンガスを高密度プラズマ源に導入して発生させたアルゴンイオンを用いたドライエッチングにより前記磁性層に凹凸形状を形成するドライエッチング工程とを含む磁気記録媒体の製造方法である。【選択図】図１
2008293595.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面にレジスト層及び磁性層をこの順に有する磁気記録媒体における該レジスト層に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程と、
前記レジスト層の凹凸パターンをマスクとして、アルゴンガスを高密度プラズマ源に導入して発生させたアルゴンイオンを用いたドライエッチングにより前記磁性層に凹凸形状を形成するドライエッチング工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
高密度プラズマ源のプラズマ密度が１０１０個／ｃｍ３以上である請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
アルゴンイオンのイオンエネルギーが５ｅＶ〜５００ｅＶである請求項１から２のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
アルゴンイオンのイオンエネルギーが５ｅＶ〜１００ｅＶである請求項３に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
高密度プラズマ源が、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲＰ；Electron  Cyclotron  Resonance  Plasma）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ；Helicon  Wave  Plasma）、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ；Inductively  Coupled  Plasma）及びマイクロ波励起表面波プラズマ（ＳＷＰ；Surface  Wave  Plasma）から選択される少なくとも１種である請求項１から４のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
アルゴンガスの圧力が０．１Ｐａ〜１００．０Ｐａである請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
ドライエッチング時の磁気記録媒体の表面温度が１７０℃以下である請求項１から６のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
レジスト層の凹凸パターンに対し熱エネルギー及び光エネルギーのいずれかを付与するエネルギー付与工程を含む請求項１から７のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
エネルギー付与後のレジスト層の凹凸パターンを冷却する冷却工程を含む請求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
レジスト層の凹凸パターンがインプリント法で形成されている請求項１から９のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
レジスト層の厚み（Ｔｒ）と、磁性層の厚み（Ｔｍ）とが、次式、０．５＜Ｔｒ／Ｔｍ≦５を満たす請求項１から１０のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法により製造されたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１３】
ディスクリート型磁気記録媒体及びパターンドメディア型磁気記録媒体の少なくともいずれかである請求項１２に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスクリート型磁気記録媒体、パターンドメディア型磁気記録媒体等として好適な磁気記録媒体及び該磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高速性やコストに優れたハードディスクドライブが、ストレージ機器の主力として、携帯電話、小型音響機器、ビデオカメラ等のポータブル機器に搭載され始め、より一層の小型大容量化という要求に応えるために、記録密度を向上させる技術が求められている。
ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体の高性能化、及び磁気ヘッド幅の狭小化という手法が用いられてきたが、データトラック間隔を狭めることによる隣接トラック間の磁気の影響（クロストーク）、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、磁気ヘッドの狭小化などによる面記録密度の向上には限界があった。
【０００３】
そこで、前記クロストークによるノイズを解決する手段として、ディスクリートトラックメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている（特許文献１〜２参照）。このディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減したものである。
【０００４】
前記熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている（特許文献３参照）。
【０００５】
前記ディスクリートトラックメディア及びパターンドメディアを製造する際には、特許文献４に開示されているように、レジストパターン形成用モールド（以下、「スタンパ」と称することもある）を用いて、表面に磁性層を具備した磁気記録媒体用基板上に形成されたレジスト層に所望のパターンを転写するインプリント法がある。
【０００６】
このインプリント法では、コストダウンの観点から多数回転写プロセスが必要であり、少なくとも数百〜数万回転写可能なモールド耐久性が要求される。そこで、モールド耐久性を付与するため、モールド表面に離型剤を液相又は気相中で付与するプロセスが行われていた。しかし、前記離型剤は、インプリントプロセスを重ねるうちに枯渇していき、終にはモールド構造体の凹凸パターンへのレジスト目詰まりが発生する。
【０００７】
また、前記インプリント法を用いて、ハードディスク、光ディスク等の情報記録媒体を得る場合、インプリントプロセスにて形成された有機物レジストパターンをマスクとして、ウェットエッチング方式又はドライエッチング方式によって、微細パターン加工が行われる。前記ウェットエッチング方式は生産性が高く、かつ有機物レジストパターンを用いることで、最適なエッチング液を選択することにより、磁性層の選択エッチングが可能である。しかし、ウェットエッチング方式はコンタミコントロールが困難であり、かつエッチングが等方的に進むため、非常に微細なパターンを加工する際には不適である。
一方、前記ドライエッチング方式はウェットエッチング方式に比べて、コンタミコントロールが容易であり、かつ反応性イオンエッチングの場合、最適な反応ガスを選択することで、磁性層のエッチングが可能である。しかし、これまでの検討から、磁性層をエッチングするための反応ガスは、塩素系、又は中谷プロセス（ＮＨ３＋ＣＯ）等のカルボニル系化合物を得るプロセスに限られ、これらのエッチングプロセスに対して、有機物レジストマスクは耐性が低く、充分な選択比を稼ぐことができないという課題がある。
【０００８】
これに対し、従来から検討されてきたアルゴンイオンミリング法は、加工異方性に優れ、有機物レジストマスクとの選択比が稼げるものの、物質選択性が低い。そのため、レジスト厚みを増してエッチング耐性を付与させていた、それ故、エッチング加工後のパターン形状が悪い（例えば、バリが生じる、壁角度の制御が困難など）とされており、高微細パターンが求められるディスクリート型磁気記録媒体又はパターンドメディア型磁気記録媒体の製造プロセスとしては不向きなものであった。
【０００９】
そこで、有機物レジストではなく、スピンオングラスレジスト（ＳＯＧ）を用いて室温インプリントプロセスでマスク層を形成する、アルゴンイオンミリング法が提案されている（特許文献５及び６参照）。
しかし、前記スピンオングラス（ＳＯＧ）は、粘性が高く、室温インプリントプロセスでは、最新のハードディスク、ディスクリート型磁気記録媒体、又はパターンドメディア型磁気記録媒体に要求される微細パターンの転写性が不十分であると共に、残膜コントロールが困難であり、基板全面での残膜の均一性が充分に得られないという問題がある。
【００１０】
したがって有機物レジストマスクを用いた場合でも材料加工性とマスクダメージの低減を両立でき、パターンサイズの変化が少なく、磁気特性が安定した磁気記録媒体、及び該磁気記録媒体を効率よく製造することができる磁気記録媒体の製造方法は未だ実現されておらず、その提供が望まれているのが現状である。
【００１１】
【特許文献１】特開昭５６−１１９９３４号公報
【特許文献２】特開平２−２０１７３０号公報
【特許文献３】特開平３−２２２１１号公報
【特許文献４】特開２００４−２２１４６５号公報
【特許文献５】特開２００６−３１８５２号公報
【特許文献６】特開２００６−３０２３９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、有機物レジストマスクを用いた場合でも材料加工性とマスクダメージの低減を両立でき、パターンサイズの変化が少なく、磁気特性が安定した磁気記録媒体、及び該磁気記録媒体を効率よく製造することができる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記課題を解決するため、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、アルゴンのプラズマ密度を高め、アルゴンイオンエネルギーを低く抑えることができるプラズマ源を用いることにより、有機物レジストマスクを用いた場合でも材料加工性とマスクダメージの低減を両立でき、適切な圧力範囲にコントロールすることで、有機物レジストマスクとの選択比を高めることが可能となり、レジスト厚みを低減することができ、所望の形状加工性が得られることを知見した。
【００１４】
本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。即ち、
＜１＞  基板の表面にレジスト層及び磁性層をこの順に有する磁気記録媒体における該レジスト層に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程と、
前記レジスト層の凹凸パターンをマスクとして、アルゴンガスを高密度プラズマ源に導入して発生させたアルゴンイオンを用いたドライエッチングにより前記磁性層に凹凸形状を形成するドライエッチング工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
＜２＞  高密度プラズマ源のプラズマ密度が１０１０個／ｃｍ３以上である前記＜１＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜３＞  アルゴンイオンのイオンエネルギーが５ｅＶ〜５００ｅＶである前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜４＞  アルゴンイオンのイオンエネルギーが５ｅＶ〜１００ｅＶである前記＜３＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜５＞  高密度プラズマ源が、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲＰ；Electron  Cyclotron  Resonance  Plasma）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ；Helicon  Wave  Plasma）、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ；Inductively  Coupled  Plasma）及びマイクロ波励起表面波プラズマ（ＳＷＰ；Surface  Wave  Plasma）から選択される少なくとも１種である前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜６＞  アルゴンガスの圧力が０．１Ｐａ〜１００．０Ｐａである前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜７＞  ドライエッチング時の磁気記録媒体の表面温度が１７０℃以下である前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜８＞  レジスト層の凹凸パターンに対し熱エネルギー及び光エネルギーのいずれかを付与するエネルギー付与工程を含む前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜９＞  エネルギー付与後のレジスト層の凹凸パターンを冷却する冷却工程を含む前記＜８＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜１０＞  レジスト層の凹凸パターンがインプリント法で形成されている前記＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜１１＞  レジスト層の厚み（Ｔｒ）と、磁性層の厚み（Ｔｍ）とが、次式、０．５＜Ｔｒ／Ｔｍ≦５を満たす前記＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜１２＞  前記＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法により製造されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
＜１３＞  ディスクリート型磁気記録媒体及びパターンドメディア型磁気記録媒体の少なくともいずれかである前記＜１２＞に記載の磁気記録媒体である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、有機物レジストマスクを用いた場合でも材料加工性とマスクダメージの低減を両立でき、パターンサイズの変化が少なく、磁気特性が安定した磁気記録媒体、及び該磁気記録媒体を効率よく製造することができる磁気記録媒体の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法）
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、凹凸パターン形成工程と、ドライエッチング工程とを少なくとも含み、エネルギー付与工程、冷却工程、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
本発明の磁気記録媒体は、本発明の磁気記録媒体の製造方法により製造される。
以下、本発明の磁気記録媒体の製造方法の説明を通じて、本発明の磁気記録媒体の詳細についても明らかにする。
【００１７】
＜凹凸パターン形成工程＞
前記凹凸パターン形成工程は、基板の表面（好ましくは両面）にレジスト層及び磁性層をこの順に有する磁気記録媒体における該レジスト層に凹凸パターンを形成する工程である。
【００１８】
−基板−
前記基板としては、その形状、構造、大きさ、材質等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記形状としては、前記磁気記録媒体がハードディスク等の磁気ディスクである場合には、円板状である。また、前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。また、前記材質としては、磁気記録媒体の基材材料として公知のものの中から、適宜選択することができ、例えば、アルミニウム、ガラス、シリコン、石英、シリコン表面に熱酸化膜を形成してなるＳｉＯ２／Ｓｉ、等が挙げられる。これらの基板材料は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００１９】
−磁性層−
前記磁性層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮｉ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＰ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＮｉＰｔなどが好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記磁性層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、通常、５ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。
前記磁性層の形成方法としては、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができ、例えば、スパッタリング法、電着（電着法）等により行うことができる。
【００２０】
−レジスト層−
前記レジスト層の材料としては、ポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料のいずれであってもよい。前記レジスト層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の塗布方法の中から適宜選択することができ、例えば、スピンコート法などが好適に挙げられる。
前記レジスト層の厚みは、５ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。
また、前記レジスト層の厚み（Ｔｒ）と、前記磁性層の厚み（Ｔｍ）とが、次式、０．５＜Ｔｒ／Ｔｍ≦５を満たすことが好ましく、０．５＜Ｔｒ／Ｔｍ≦３がより好ましい。前記（Ｔｒ／Ｔｍ）が、０．５以下であると、磁性層をエッチングする際のレジストマスクのエッチング耐性が不十分となり、５を超えると、磁性層をエッチング時のエッチング膜が凸部の側壁に付着し、微細加工性が低下するおそれがある。
【００２１】
前記レジスト層への凹凸パターンの形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、モールド構造体を用いたインプリント法が好ましい。
前記インプリント法は、ナノメートルサイズの凹凸パターンを形成したモールド構造体をレジスト層に押し付けて該モールドの凹凸形状をレジスト層に転写することによって、基板上にナノメートルサイズの凹凸パターンを形成する方法である。
前記インプリント法によれば、広範囲全面での残膜コントロールが可能であり、かつ微細パターン転写が可能である。
【００２２】
−エネルギー付与工程−
前記エネルギー付与工程は、前記凹凸パターン形成工程により形成されたレジスト層の凹凸パターンに対し熱エネルギー及び光エネルギーのいずれかを付与する工程である。このエネルギー付与工程により、凹凸パターンを形成したレジスト層の架橋乃至変質を促進させて、レジストマスク層のドライエッチング耐性を高めることができる。
【００２３】
前記熱エネルギーの付与方法としては、パターンが形成されたレジスト層を架橋乃至変質させることができれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば３０℃〜８０℃に加熱手段により加熱する方法などが挙げられる。該加熱手段としては、例えばランプ加熱、誘導加熱等の非接触プロセスが好適である。
前記光エネルギー付与方法としては、パターンが形成されたレジスト層を架橋乃至変質させることができれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばＵＶ光、ＤＵＶ光、ＥＵＶ光等を照射する方法などが挙げられる。
前記熱エネルギー付与と前記光エネルギー付与とは併用することが好ましい。
【００２４】
−冷却工程−
前記冷却工程は、エネルギー付与後のレジスト層の凹凸パターンを冷却する工程である。この冷却工程により、次のドライエッチング工程における揮発性を抑制することができる。
【００２５】
前記冷却は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、冷却槽を用いて行うことが好ましく、該冷却槽として真空槽を用いることが磁気記録媒体の表面が結露し、磁性層が酸化され磁気特性が劣化することを防止できる点から特に好ましい。
前記冷却方法としては、冷却槽内で凹凸パターンを形成した磁気記録媒体に冷却用ガスを吹き付けることにより行うことが、基板最表面のレジスト層を選択的にかつ、効果的に冷却することが可能となる。また、ドライエッチング後は、ある程度基板温度が上昇しているので、基板の冷却を目的としてガス吹き付けを行うことが好ましい。
前記冷却用ガスとして、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば希ガス、Ｎ２ガス、及び還元性ガスのいずれかを用いることができる。
前記希ガスとしては、例えばヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、などが挙げられる。
【００２６】
前記最表面のレジスト層の凹凸パターンのみ冷却し、基板を冷却しないことで磁性層のエッチングレートは低下せず、レジスト層の保護のみ強化され、かつ基板自体の温度変化を少なくすることで、膨張及び収縮によるパターンサイズの変化を防止することができるので好ましい。
前記冷却工程における冷却温度としては、０℃以下が好ましい。また、冷却時間は２秒間以上が好ましい。
【００２７】
−ドライエッチング工程−
前記ドライエッチング工程は、前記レジスト層の凹凸パターンをマスクとして、アルゴンガスを高密度プラズマ源に導入して発生させたアルゴンイオンを用いたドライエッチングにより前記磁性層に凹凸形状を形成する工程である。このドライエッチング工程において、アルゴンイオンエネルギーを低く抑えることができる高密度プラズマ源を用いているので、有機物レジストマスクを用いた場合であっても材料加工性とマスクダメージの低減との両立を図れる。
【００２８】
前記高密度プラズマ源のプラズマ密度は、１０１０個／ｃｍ３以上が好ましく、１０１１個／ｃｍ３〜１０１８個／ｃｍ３が好ましい。前記プラズマ密度が１０１０個／ｃｍ３未満であると、エッチングプロセス時間が長くなってしまい、レジスト層に熱がかかるため、レジスト層のダメージが大きくなってしまうことがある。
前記アルゴンイオンのイオンエネルギーは、５ｅＶ〜５００ｅＶが好ましく、５ｅＶ〜１００ｅＶがより好ましい。前記イオンエネルギーが５ｅＶ未満であると、エッチング量が微量又は、逆に付着膜が生じることがあり、５００ｅＶを超えると、レジスト層表面のダメージが大きくなり、微細パターン加工不良が生じることがある。
【００２９】
前記高密度プラズマ源としては、例えば電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲＰ；Electron  Cyclotron  Resonance  Plasma）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ；Helicon  Wave  Plasma）、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ；Inductively  Coupled  Plasma）及びマイクロ波励起表面波プラズマ（ＳＷＰ；Surface  Wave  Plasma）から選択される少なくとも１種が好適に用いられる。これらの中でも、簡便な装置構造、多様なプロセスに対応可能な点からＩＣＰが特に好ましい。
【００３０】
前記アルゴンガスの圧力（プロセス圧力）が０．１Ｐａ〜１００．０Ｐａが好ましく、０．１Ｐａ〜１０．０Ｐａがより好ましい。前記圧力が、０．１Ｐａ未満であると、放電が不安定となることがあり、１００．０Ｐａを超えると、ビーム方向性が保持できなくなり、より等方的な加工となるため、微細パターン加工性が劣化してしまうことがある。
前記ドライエッチング時の磁気記録媒体の表面温度は、１７０℃以下が好ましく、２０℃〜１５０℃がより好ましい。前記表面温度が１７０℃を超えると、磁性層の性能及び保護層の強度低下が生じることがある。
【００３１】
前記その他の工程としては、必要に応じて、磁性層の凸部上のレジスト層を除去する工程、前記磁性層の凹部をＳｉＯ２、カーボン、アルミナ；ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー；円滑油等の非磁性材料で埋める工程、表面を平坦化する工程、平坦化した表面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等で保護膜を形成する工程、最後に潤滑剤を塗布する工程などが挙げられる。
【００３２】
以下、本発明のディスクリートトラックメディア、パターンドメディア等の磁気記録媒体を製造する製造方法の一例について図面を参照して説明する。
【００３３】
図１のＡに示すように、アルミニウム、ガラス、シリコン、石英、又はシリコン等の磁気記録媒体用基板４０上に、Ｆｅ又はＦｅ合金、Ｃｏ又はＣｏ合金等の磁性層５０と、ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のインプリントレジスト液を塗布してなるレジスト層２４とがこの順に形成された磁気記録媒体に対して、表面に凹凸パターンが形成されたモールド構造体１を押し当て、加圧する。
【００３４】
次に、図１のＢに示すように、レジスト層２４にモールド構造体１を押し当てた際には、系を前記インプリントレジスト液のガラス転移温度（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、レジスト層２４が前記インプリントレジスト液のガラス転移温度よりも低下することにより硬化する。これにより、モールド構造体１上に形成された凹凸パターンがレジスト層２４に転写される。
【００３５】
次に、図１のＣに示すように、モールド構造体１を剥離すると、レジスト層２４に凹凸パターンが形成される。
この場合、前記レジスト層の凹凸パターンに対し、熱エネルギー及び光エネルギーの少なくともいずれかを付与し、その後、レジスト層の凹凸パターンを冷却することが好ましい。
【００３６】
次に、図１のＤに示すように、凹凸部のパターンが転写されたレジスト層２４をマスクにして、アルゴンガスを高密度プラズマ源に導入して発生させたアルゴンイオンを用いたドライエッチングを行い、レジスト層に形成された凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を磁性層５０に形成する。
前記高密度プラズマ源としては、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲＰ；Electron  Cyclotron  Resonance  Plasma）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ；Helicon  Wave  Plasma）、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ；Inductively  Coupled  Plasma）及びマイクロ波励起表面波プラズマ（ＳＷＰ；Surface  Wave  Plasma）から選択される少なくとも１種が好適に用いられる。
【００３７】
次に、図１のＥに示すように、凹部に非磁性材料７０を埋め込み、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護膜などを形成して磁気記録媒体１００を作製することができる。
前記非磁性材料としては、例えばＳｉＯ２、カーボン、アルミナ；ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー；円滑油などが挙げられる。
前記保護膜としては、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等が好ましく、該保護膜の上に更に潤滑剤層を設けてもよい。
【００３８】
本発明の磁気記録媒体の製造方法により製造された磁気記録媒体は、ディスクリート型磁気記録媒体及びパターンドメディア型磁気記録媒体の少なくともいずれかであることが好適である。
前記磁気記録媒体の面積は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、４００ｍｍ２以上が好ましく、８００ｍｍ２以上がより好ましい。前記面積が、４００ｍｍ２未満であると、大容量化の点で不十分となることがある。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００４０】
（実施例１）
図１のＡに示すように、直径２．５インチのガラス基板４０上に、厚み２０ｎｍのＦｅ合金からなる磁性層５０と、ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）を含有するインプリントレジスト液を塗布してなる厚み５０ｎｍのレジスト層２４とをこの順に形成した磁気記録媒体に対して、表面に凹凸パターンが形成されたモールド構造体１を押し当て、加圧した。
【００４１】
次に、図１のＢに示すように、レジスト層２４にモールド構造体１を押し当てた際に、系を前記インプリントレジスト液のガラス転移温度（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、レジスト層２４が前記インプリントレジスト液のガラス転移温度よりも低下させてレジスト層を硬化させた。これにより、モールド構造体１上に形成された凹凸パターンがレジスト層２４に転写された。
【００４２】
次に、図１Ｃに示すように、モールド構造体１をレジスト層２４から剥離することにより、レジスト層に凹凸形状を形成した。
【００４３】
次に、図１のＤに示すように、表１及び表２に示す条件にしたがって、レジスト層の凹凸パターンに対しエネルギー付与、冷却を行った。更に、凹凸パターンが転写されたレジスト層２４をマスクにして、ＩＣＰ法（誘導結合型プラズマ；Inductively  Coupled  Plasma）によりドライエッチングを行い、レジスト層に形成された凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を磁性層５０に形成した。
なお、レジスト層の凹凸パターンに対するエネルギー付与は５０℃のランプ加熱に加えて、ＤＵＶ光照射により行い、冷却は真空中でのＨｅガス吹き付けにより行った。
次に、図１のＥに示すように、凹部に非磁性材料７０を埋め込み、表面を平坦化した。以上により、実施例１の磁気記録媒体１００を作製した。
【００４４】
（実施例２）
実施例１において、表１及び表２に示す条件に従って、凹凸パターンに対しエネルギー付与、冷却を行い、更にＥＣＲＰ法（電子サイクロトロン共鳴プラズマ；Electron  Cyclotron  Resonance  Plasma）によりドライエッチングを行った以外は、実施例１と同様にして、実施例２の磁気記録媒体を作製した。
【００４５】
（実施例３）
実施例１において、表１及び表２に示す条件に従って、レジスト層の凹凸パターンに対しエネルギー付与、冷却を行い、更にＨＷＰ法（ヘリコン波励起プラズマ；Helicon  Wave  Plasma）によりドライエッチングを行った以外は、実施例１と同様にして、実施例３の磁気記録媒体を作製した。
【００４６】
（実施例４）
実施例１において、表１及び表２に示す条件に従って、レジスト層の凹凸パターンに対しエネルギー付与、冷却を行い、更にＳＷＰ法（マイクロ波励起表面波プラズマ；Surface  Wave  Plasma）によりドライエッチングを行った以外は、実施例１と同様にして、実施例４の磁気記録媒体を作製した。
【００４７】
（実施例５）
実施例１において、レジスト層の厚みを５０ｎｍから２００ｎｍに変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例５の磁気記録媒体を作製した。
【００４８】
（実施例６及び７）
実施例１において、表１及び表２に示す条件に従い、ＩＣＰ法によりドライエッチングを行った以外は、実施例１と同様にして、実施例６及び７の磁気記録媒体を作製した。
【００４９】
（比較例１）
実施例１において、表１及び表２に示す条件に従って、レジスト層の凹凸パターンに対しエネルギー付与及び冷却を行わず、更にイオンガンによりドライエッチングを行った以外は、実施例１と同様にして、比較例１の磁気記録媒体を作製した。
【００５０】
次に、実施例１〜７及び比較例１の各磁気記録媒体について、以下のようにして、パターン加工性、及び磁気特性を評価した。結果を表２に示す。
【００５１】
＜パターン加工性の評価＞
ドライエッチングプロセスを行った後に、原子間力顕微鏡（Atomic  Force  Microscope；ＡＦＭ）にて、各磁気記録媒体の５００ｎｍ角エリアパターン形状の評価を行い、パターン抜け、パターン倒れ等の不良の有無を下記基準で評価した。
〔評価基準〕
○：凹部の深さが所定の４０％未満のパターンであり、パターン倒れが１点もなく、幅方向の変化が所定の５％以内である
△：凹部の深さが所定の４０％未満のパターンであり、パターン倒れが１点もなく、幅方向の変化が所定の１０％未満である
×：凹部の深さが所定の４０％未満のパターンであり、パターン倒れが１点以上存在する、又は、幅方向の変化が所定の１０％以上である
【００５２】
＜磁気特性＞
ドライエッチング加工の前後における、メディアＨｃを測定し、プロセス前後のＨｃ変化が１０％未満であれば○、１０％以上１５％未満の場合△、１５％以上であれば×と評価した。
【００５３】
【表１】
2008293595.tif 000003
＊ＩＣＰ（誘導結合型プラズマ；Inductively  Coupled  Plasma）
＊ＥＣＲＰ（電子サイクロトロン共鳴プラズマ；Electron  Cyclotron  Resonance  Plasma）
＊ＨＷＰ（ヘリコン波励起プラズマ；Helicon  Wave  Plasma）
＊ＳＷＰ（マイクロ波励起表面波プラズマ；Surface  Wave  Plasma）
【００５４】
【表２】
2008293595.tif 000004
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明の磁気記録媒体の製造方法により製造された磁気記録媒体は、ディスクリート型磁気記録媒体及びパターンドメディア型磁気記録媒体の少なくともいずれかに好適であり、例えば、コンピュータの外部記憶装置、民生用ビデオ記録装置等として広く使用されているハードディスク装置、などに設計し使用することができ、ハードディスク等の磁気ディスクに特に好適に設計し使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】図１は、本発明の磁気記録媒体を製造する方法の一例を示す工程図である。
【符号の説明】
【００５７】
１      モールド構造体
２４      レジスト層
４０      磁気記録媒体用基板
５０      磁性層
７０      非磁性材料
１００      磁気記録媒体
【図１】
2008293595.tif 000005