(57)【要約】【課題】蒸着用マスクを繰り返し使っていくうちに堆積層が付着した場合でも、所望の薄膜パターンを形成することができるマスク蒸着法を提供すること。【解決手段】被処理基板２００に対する蒸着パターンに対応するマスク開口部２２が形成された蒸着用マスク４０を被処理基板２００に重ねた状態で蒸着用マスク４０および被処理基板２００を面内方向で回転させるとともに、回転中心軸線上から側方にずらした位置に配置された蒸着源１２から被処理基板２００に蒸着材料流を供給する。前回までの蒸着工程と今回の蒸着工程とで同一の蒸着用マスク４０を用いるにあたって、前回までの蒸着工程により蒸着用マスク４０に付着した堆積層の厚さの測定結果、あるいは当該堆積層の厚さの算出結果に基づいて、今回行う蒸着条件を決定する。【選択図】図２
2008240015.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に対する蒸着パターンに対応するマスク開口部が形成された蒸着用マスクを前記被処理基板に重ねた状態で当該蒸着用マスクおよび前記被処理基板を面内方向で回転させるとともに、回転中心軸線上から側方にずらした位置に配置された蒸着源から前記被処理基板に蒸着材料流を供給するマスク蒸着法において、
前回までの蒸着工程と今回の蒸着工程とで同一の蒸着用マスクを用いるにあたって、
前回までの蒸着工程により前記蒸着用マスクに付着した堆積層の厚さの測定結果、あるいは当該堆積層の厚さの算出結果に基づいて、今回行う蒸着条件を決定することを特徴とするマスク蒸着法。
【請求項２】
前記堆積層の厚さを測定するにあたっては、接触式段差計あるいは光学式距離計により測定を行うことを特徴とする請求項１に記載のマスク蒸着法。
【請求項３】
前記堆積層の厚さを算出するにあたっては、蒸着室に配置した膜厚モニタでの計測結果に基づいて、当該蒸着用マスクに対する前記堆積層の累積厚を算出することを特徴とする請求項１に記載のマスク蒸着法。
【請求項４】
今回の蒸着工程では、前回の蒸着工程よりも、膜厚が厚くなる蒸着条件に設定することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のマスク蒸着法。
【請求項５】
今回の蒸着工程では、前回の蒸着工程よりも、蒸着時間を延長することを特徴とする請求項４に記載のマスク蒸着法。
【請求項６】
今回の蒸着工程では、前記被処理基板に形成された薄膜の断面積が前回までの蒸着工程と同一になるように蒸着条件を設定することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載のマスク蒸着法。
【請求項７】
被処理基板に対する蒸着パターンに対応するマスク開口部が形成された蒸着用マスクを前記被処理基板に重ねた状態で当該蒸着用マスクおよび前記被処理基板を面内方向で回転させるとともに、回転中心軸線上から側方にずらした位置に配置された蒸着源から前記被処理基板に蒸着材料流を供給するマスク蒸着法において、
前回までの蒸着工程と今回の蒸着工程とで同一の蒸着用マスクを用いるにあたって、
前回の蒸着工程により前記被処理基板に形成した薄膜の厚さの測定結果と目標値とを比較し、その比較結果に基づいて、今回行う蒸着条件を決定することを特徴とするマスク蒸着法。
【請求項８】
前回の蒸着工程により前記被処理基板に形成した薄膜の厚さを測定するにあたっては、接触式段差計あるいは光学式距離計により測定を行うことを特徴とする請求項７に記載のマスク蒸着法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク開口部が形成された蒸着用マスクを被処理基板に重ねた状態で蒸着を行なうマスク蒸着法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種半導体装置や電気光学装置の製造工程では、蒸着パターンに対応するマスク開口部が形成された蒸着用マスクを被処理基板に重ね、この状態で真空蒸着、スパッタ蒸着などの蒸着工程を行うことがある。例えば、電気光学装置としての有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）装置の製造工程において、発光素子用の有機ＥＬ材料（有機機能層）を所定形状に形成する際にフォトリソグラフィ技術を利用すると、パターニング用のレジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に有機機能材料が水分や酸素に触れて劣化するおそれがあるため、図２に示すように、被処理基板２００に蒸着用マスク４０を重ねた状態で真空蒸着を行うマスク蒸着法によって有機機能層を形成する（例えば、特許文献１、２参照）。
【特許文献１】特開２００１−１８５３５０号公報
【特許文献２】特開２００３−１００４６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、被処理基板２００が大型化すると、蒸着源１２から被処理基板２００への蒸着粒子の入射角度が被処理基板２００の面内位置によって変動し、所定形状の薄膜パターンを形成できなくなる。そこで、被処理基板２００の中心から外れた位置に蒸着源１２を配置する一方、被処理基板２００を回転させる方法が提案されている。その際、処理基板２００の回転中心軸線から側方への蒸着源１２のオフセット量と、蒸着源１２と被処理基板２００との距離を調整すれば、被処理基板２００に形成した薄膜の面内ばらつきを５％以下に抑えることができる。
【０００４】
このようなマスク蒸着法では、図６（ａ１）、（ｂ１）、（ｃ１）に示すように、蒸着用マスク４０は繰り返し使用される。そのため、蒸着工程を行う度に蒸着用マスク４０の梁部２７の下面に付着した堆積層８ｂが厚くなっていくので、その分、被処理基板２００においてマスク開口部２２と重なる領域では、堆積層８ｂの陰になる部分が広くなっていく。ここで、図６（ａ２）、（ｂ２）、（ｃ２）の各々には、図６（ａ１）、（ｂ１）、（ｃ１）に示す状態の蒸着用マスク４０を用いて蒸着を行った場合に形成される薄膜パターン８の断面図を示してあり、図６（ａ２）、（ｂ２）、（ｃ２）に示すように、被処理基板２００においてマスク開口部２２と重なる領域では、堆積層８ｂの陰になる部分が広くなっていくにもかかわらず、同一の蒸着条件（矢印Ｌ１で示す）で蒸着を行うと、被処理基板２００に形成された薄膜パターン８の膜厚がｔ１、ｔ２、ｔ３と薄くなってしまう。また、マスク４０の梁部２７の側面（開口部２２の側面）に堆積層８ｃが付着すると、薄膜パターン８の幅寸法が狭くなってしまう。かといって、マスク４０を頻繁に洗浄して堆積層を除去すると、多大な手間がかかるなどの問題点がある。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、蒸着用マスクを繰り返し使っていくうちに堆積層が付着した場合でも、所望の薄膜パターンを形成することができるマスク蒸着法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、被処理基板に対する蒸着パターンに対応するマスク開口部が形成された蒸着用マスクを前記被処理基板に重ねた状態で当該蒸着用マスクおよび前記被処理基板を面内方向で回転させるとともに、回転中心軸線上から側方にずらした位置に配置された蒸着源から前記被処理基板に蒸着材料流を供給するマスク蒸着法において、前回までの蒸着工程と今回の蒸着工程とで同一の蒸着用マスクを用いるにあたって、前回までの蒸着工程により前記蒸着用マスクに付着した堆積層の厚さの測定結果、あるいは当該堆積層の厚さの算出結果に基づいて、今回行う蒸着条件を決定することを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、蒸着用マスクを繰り返し使っていくうちに蒸着用マスクに堆積層が付着した場合でも、かかる堆積層の影響を相殺するように蒸着条件を設定できるので、所望の薄膜パターンを形成することができる。
【０００８】
本発明において、前記堆積層の厚さを測定するにあたっては、例えば、接触式段差計あるいは光学式距離計により測定を行う。
【０００９】
本発明において、前記堆積層の厚さを算出するにあたっては、例えば、蒸着室に配置した膜厚モニタでの計測結果に基づいて、当該蒸着用マスクに対する前記堆積層の累積厚を算出する。
【００１０】
本発明において、今回の蒸着工程では、前回の蒸着工程よりも、膜厚が厚くなる蒸着条件に設定する。
【００１１】
この場合、今回の蒸着工程では、前回の蒸着工程よりも、蒸着時間を延長することが好ましい。このように構成すると、蒸着源からの蒸着材料流の放出速度を変えなくても、前回の蒸着工程よりも、膜厚が厚くなる蒸着条件で今回の蒸着工程を行うことができる。
【００１２】
本発明において、今回の蒸着工程では、前記被処理基板に形成された薄膜の断面積が前回までの蒸着工程と同一になるように蒸着条件を設定することが好ましい。配線などにおいてはその断面形状などが変動しても断面積が変化しなければ、電気的抵抗が変動しないとして許容されることが多いからである。
【００１３】
本発明の別の形態では、被処理基板に対する蒸着パターンに対応するマスク開口部が形成された蒸着用マスクを前記被処理基板に重ねた状態で当該蒸着用マスクおよび前記被処理基板を面内方向で回転させるとともに、回転中心軸線上から側方にずらした位置に配置された蒸着源から前記被処理基板に蒸着材料流を供給するマスク蒸着法において、前回までの蒸着工程と今回の蒸着工程とで同一の蒸着用マスクを用いるにあたって、前回の蒸着工程により前記被処理基板に形成した薄膜の厚さの測定結果と目標値とを比較し、その比較結果に基づいて、今回行う蒸着条件を決定することを特徴とする。
【００１４】
本発明によれば、蒸着用マスクを繰り返し使っていくうちに蒸着用マスクに堆積層が付着した場合でも、かかる堆積層の影響を相殺するように蒸着条件を設定できるので、所望の薄膜パターンを形成することができる。
【００１５】
この場合、前回の蒸着工程により前記被処理基板に形成した薄膜の厚さを測定するにあたっては、例えば、接触式段差計あるいは光学式距離計により測定を行う。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図面を参照して、本発明を適用したマスク蒸着法およびマスク蒸着装置を説明する。なお、以下の実施の形態では、本発明の蒸着用マスクが使用される対象として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置を例示する。また、以下の説明では、各実施の形態で共通の構成を説明した後、各実施の形態の特徴部分を説明する。
【００１７】
［共通の構成］
（有機ＥＬ装置の構成例）
図１は、本発明が適用される有機ＥＬ装置の要部断面図である。図１に示す有機ＥＬ装置１は、表示装置やプリンタの光学ヘッドなどとして用いられるものであり、素子基板２上では、感光性樹脂からなる隔壁９で囲まれた複数の領域に画素３が構成されている。複数の画素３は各々、有機ＥＬ素子３ａを備えており、有機ＥＬ素子３ａは、陽極として機能するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる画素電極４と、この画素電極４からの正孔を注入／輸送する正孔注入輸送層５と、有機ＥＬ材料からなる発光層６と、電子を注入／輸送する電子注入輸送層７と、アルミニウムやアルミニウム合金からなる陰極８ｆとを備えている。陰極８ｆの側には、有機ＥＬ素子３ａが水分や酸素により劣化するのを防止するための封止層や封止部材（図示せず）が配置されている。素子基板２上には、画素電極４に電気的に接続された駆動用トランジスタ２ａなどを含む回路部２ｂが有機ＥＬ素子３ａの下層側に形成されている。ここで、有機ＥＬ装置１が表示装置として用いられる場合、各画素３はマトリクス状に形成される。
【００１８】
有機ＥＬ装置１がボトムエミッション方式である場合は、発光層６で発光した光を画素電極４の側から出射するため、素子基板２の基体としては、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）などの透明基板が用いられる。その際、陰極８ｆを光反射膜によって構成すれば、発光層６で発光した光を陰極８ｆで反射して透明基板の側から出射することができる。
【００１９】
これに対して、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合は、発光層６で発光した光を陰極８ｆの側から出射するため、素子基板２の基体は透明である必要はない。但し、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合でも、素子基板２に対して光出射側とは反対側の面に反射層（図示せず）を配置して、発光層６で発光した光を陰極８ｆの側から出射する場合には、素子基板２の基体として透明基板を用いること必要がある。なお、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合において、素子基板２の基体と発光層６との間、例えば、画素電極４の下層側などに反射層を形成して、発光層６で発光した光を陰極８ｆの側から出射する場合には、素子基板２の基体は透明である必要はない。
【００２０】
ここで、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合、陰極８ｆが薄く形成される。このため、陰極８ｆの電気抵抗の増大を補うことを目的に、隔壁９の上面にアルミニウムやアルミニウム合金からなる補助配線８ａが形成されることもある。
【００２１】
有機ＥＬ装置１がカラー表示装置として用いられる場合、複数の画素３および有機ＥＬ素子３ａは各々、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応するサブ画素として構成される。その場合、有機ＥＬ素子３ａにおいて、発光層６は、各色に対応する光を出射可能な発光材料により形成された発光層６（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）として形成される。また、単独の発光材料からなる発光層６によって、ＲＧＢ各色の特性を得るのは難しいことが多いので、ホスト材料に蛍光色素をドーピングした発光層６を形成し、蛍光色素からのルミネッセンスを発光色として取り出すこともある。このようなホスト材料とドーパント材料の組み合わせとしては、例えば、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとクマリン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とスチリルアミン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とナフタセン誘導体との組み合わせ、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとジシアノピラン誘導体との組み合わせ、ナフタセン誘導体とジインデノペリレンとの組み合わせなどがある。また、電子注入輸送層７は、トリス（８−キノリラート）アルミニウムを含む有機アルミニウム錯体などが用いられる。
【００２２】
（有機ＥＬ装置１の製造方法）
素子基板２を形成するにあたっては、単品サイズの基板に以下の工程を施す方法の他、素子基板２を多数取りできる大型基板に以下の工程を施した後、単品サイズの素子基板２に切断する方法が採用されるが、以下の説明ではサイズを問わず、被処理基板２００と称する。
【００２３】
有機ＥＬ装置１を製造するには、被処理基板２００に対して蒸着工程、レジストマスクを用いてのパターニング工程などといった半導体プロセスを利用して各層が形成される。但し、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７などは、水分や酸素により劣化しやすい有機低分子材料で形成されるため、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７を形成する際、さらには、電子注入輸送層７の上層に補助配線８ａや陰極８ｆを形成する際、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行うと、レジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７が水分や酸素により劣化してしまう。そこで、本形態では、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７を形成する際、さらには陰極８ｆや補助配線８ａを形成する際には、以下に詳述する蒸着装置を用いてマスク蒸着を行い、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行わない。
【００２４】
（蒸着方法および蒸着装置の基本構成）
図２は、本発明を適用したマスク蒸着装置１０の構成を示す概略構成図である。図２に示すように、マスク蒸着装置１０では、真空チャンバ１１内（蒸着室）の上方位置に、被処理基板２００（素子基板２）および蒸着用マスク４０を保持する基板ホルダ１４が配置されている。被処理基板２００および蒸着用マスク４０は、被処理基板２００の下面側（被蒸着面側）の所定位置に蒸着用マスク４０を重ねた状態で基板ホルダ１４により保持され、蒸着時、この状態で、矢印Ｐで示すように回転する。蒸着用マスク４０には、素子基板２に対する蒸着パターンに対応するマスク開口部２２が形成されている。真空チャンバ１１内の下方位置には、素子基板２に向けて蒸着分子や蒸着原子を供給する蒸着源１２が配置されており、蒸着源１２は、蒸着材料を内部に保持する坩堝１２１、坩堝１２１内の蒸着材料を加熱するためのヒータ１２２、および坩堝１２１の上部開口を開閉するシャッタ１２３などを備えている。
【００２５】
また、真空チャンバ１１には、２系統の真空引き装置が設けられている。２つの真空引き装置のうちの一方は、低真空用真空引き装置１５であって、低真空用吸引管１５１、低真空用制御バルブ１５２、およびドライポンプからなる低真空用ポンプ１５３を備えている。低真空用吸引管１５１は真空チャンバ１１内に連通している。他方の真空引き装置は、高真空用真空引き装置１６であり、高真空用吸引管１６１、高真空用制御バルブ１６２、およびクライオポンプやターブ分子ポンプからなる高真空用ポンプ１６３を備えている。高真空用吸引管１６１は真空チャンバ１１内に連通している。ここで、低真空用制御バルブ１５２および高真空用制御バルブ１６２は各々、制御部１９によって開閉が制御される。このため、真空チャンバ１１では、制御部１９による制御の下、窒素ガスの導入、低真空引きおよび高真空引きが自動的に行われる。なお、真空チャンバ１１には、窒素などの不活性ガスの導入口などが形成されているが、それらの図示は省略してある。
【００２６】
さらに、本形態では、真空チャンバ１１には膜厚モニタ１７が配置されており、膜厚モニタ１７での計測結果は、制御部１９に出力されている。膜厚モニタ１７は、水晶振動子を備えており、蒸着工程において水晶振動子に蒸着材料が堆積すると、共振周波数が変化していることを利用して蒸着速度を求めることができる。従って、膜厚モニタ１７によれば、それに累積して付着した堆積層の厚さを測定することができる。
【００２７】
なお、被処理基板２００と蒸着源１２との間のうち、膜厚モニタ１７より上方位置にはシャッタ板１８が配置されている。かかるシャッタ板１８は、膜厚モニタ１７によるモニター結果に基づいて、蒸着源１２からの蒸着材料流の放出速度が一定になるまでの間、一点鎖線で示す位置に出現し、被処理基板２００への蒸着を阻止する一方、蒸着源１２からの蒸着材料流の放出速度が一定になった時点で退避し、被処理基板２００への蒸着を開始させる。
【００２８】
このように構成したマスク蒸着装置１０において、被処理基板２００は大型であるが、本形態では、被処理基板２００および蒸着用マスク４０を、矢印Ｐで示すように回転させるとともに、その回転中心軸線から側方にずれた位置に蒸着源１２を配置してある。従って、処理基板２００の回転中心軸線から側方への蒸着源１２のオフセット量と、蒸着源１２と被処理基板２００との距離を調整すれば、被処理基板２００に形成した薄膜の面内ばらつきを５％以下に抑えることができる。
【００２９】
（蒸着用マスク４０の構成）
図３は、本発明を適用した蒸着用マスク全体の基本的構成を示す斜視図である。図４は、蒸着用マスクの一部を拡大してチップの基本的構成を示す説明図である。
【００３０】
図３および図４に示す蒸着用マスク４０は、ベース基板をなす矩形の支持基板３０に、複数のチップ２０（マスク用基板）を複数、取り付けた構成を有している。本形態では、チップ２０はシリコン基板２０ａからなるものとする。各チップ２０は各々、アライメントされて支持基板３０に陽極接合や紫外線硬化型接着剤などにより接合されている。
【００３１】
チップ２０には、蒸着パターンに対応する長孔形状のマスク開口部２２が複数一定間隔で平行に並列した状態で形成されており、マスク開口部２２の各間には梁部２７が形成されている。また、チップ２０において、マスク開口部２２の形成領域の周りには外枠部２５が形成されており、かかる外枠部２５が支持基板３０に接合されている。
【００３２】
支持基板３０には、長方形の貫通穴からなる複数の開口領域３２が平行、かつ一定間隔で設けられており、複数のチップ２０は、支持基板３０の開口領域３２を塞ぐように支持基板３０上に固定されている。支持基板３０には、アライメントマーク３９が形成されており、アライメントマーク３９は、蒸着用マスク４０を使用して蒸着などを行うときに、蒸着用マスク４０の位置合わせを行うためのものである。なお、チップ２０の外枠部２５にアライメントマーク３９を形成してもよい。支持基板３０の構成材料は、チップ２０の構成材料の熱膨張係数と同一又は近い熱膨張係数を有するものが好ましい。チップ２０はシリコンであるので、シリコンの熱膨張係数と同等の熱膨張係数をもつ材料で支持基板３０を構成する。このようにすることにより、支持基板３０とチップ２０との熱膨張量の違いによる「歪み」や「撓み」の発生を抑えることができる。本形態では、支持基板３０としては、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラス、石英ガラスなどからなる透明基板が用いられている。
【００３３】
複数のチップ２０の各々において、外枠部２５の下面などにはアライメントマーク２４が少なくとも２ヶ所形成されている。これらのアライメントマーク２４と、複数の開口領域３２の外周に一定間隔に形成されたアライメントマーク３４とを重ね合わせることにより、支持基板３０に対するチップ２０の位置合わせを行うことができる。アライメントマーク２４および３４は、フォトリソグラフィ技術または結晶異方性エッチングなどにより形成される。
【００３４】
本形態において、チップ２０は、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板からなり、この単結晶シリコン基板にフォトリソグラフィ技術やエッチング技術などを用いて、貫通溝からなるマスク開口部２２を形成することにより製造される。チップ２０の裏面には大きな凹部２９が形成されており、マスク開口部２２は、凹部２９の底部で開口している。このため、マスク開口部２２が形成された領域では基板厚が薄く、斜め方向に進行する蒸着粒子もマスク開口部２２を通過しやすくなっている。
【００３５】
かかる蒸着用マスク４０を用いて、被処理基板２００にマスク蒸着を行う場合には、まず、被処理基板２００の下面（被蒸着面／素子基板２の両面のうち、有機ＥＬ素子３ａが形成される側の面）に蒸着用マスク４０を重ねる。その結果、被処理基板２００の下面には蒸着用マスク４０のチップ２０の上面が当接する。この状態で真空蒸着を行うと、坩堝１２１から供給された蒸着分子や蒸着原子は、チップ２０のマスク開口部２２を介して被処理基板２００の下面に堆積する。
【００３６】
また、図３および図４に示す蒸着用マスク４０を用いて被蒸着領域の所定領域に蒸着を行った後、蒸着用マスク４０をずらしながら複数回、蒸着することにより、被蒸着領域全体にわたってストライプ状の薄膜を形成することができる。
【００３７】
［実施の形態１］
図５は、本発明の実施の形態１に係るマスク蒸着法の説明図である。なお、図５（ａ１）、（ｂ１）、（ｃ１）には、同一の蒸着用マスク４０を用いて蒸着を行った際、堆積層が厚くなっていく様子を示してあり、図５（ａ２）、（ｂ２）、（ｃ２）の各々には、本形態の方法で、図５（ａ１）、（ｂ１）、（ｃ１）に示す状態の蒸着用マスク４０を用いて蒸着を行った場合に形成される薄膜パターン８の断面図を示してある。
【００３８】
まず、図５（ａ１）には、まだ堆積物が付着していない蒸着用マスク４０を用いて所定の条件（矢印Ｌ１で示す）でマスク蒸着を行うと、蒸着用マスク４０のマスク開口部２２に対応した薄膜パターン８が形成される。本形態において、薄膜パターン８は、図１に示す補助配線８ａである。
【００３９】
このような蒸着工程を順次、新たな被処理基板２００に行うにあたって、同一の蒸着用マスク４０を繰り返し使用すると、図５（ｂ１）に示すように、さらには、図５（ｃ１）に示すように、蒸着工程を行う度に蒸着用マスク４０の梁部２７の下面に付着した堆積層８ｂが厚くなっていくので、その分、被処理基板２００においてマスク開口部２２と重なる領域では、堆積層８ｂの陰になる部分が広くなっていく。その結果、図６を参照して説明したように、被処理基板２００に形成された薄膜パターン８の膜厚がｔ１、ｔ２、ｔ３と薄くなってしまう。また、マスク４０の梁部２７の側面（開口部２２の側面）に堆積層８ｃが付着すると、薄膜パターン８の幅寸法が狭くなってしまう。
【００４０】
そこで、本形態では、例えば、図５（ｂ１）に示す状態で今回の蒸着工程を行う際、前回までの蒸着工程により蒸着用マスク４０（チップ２０の梁部２７の下面）に付着した堆積層８ｂの厚さを接触式段差計あるいは光学式距離計により測定し、その測定結果に基づいて、今回行う蒸着条件を決定する。より具体的には、今回の蒸着工程では、前回の蒸着工程よりも、膜厚が厚くなる蒸着条件（矢印Ｌ２で示す）に変更する。このような条件としては、蒸着源１２の温度を高めて蒸着材料流の放出速度を増大させる設定や、蒸着時間を延長する設定などが考えられるが、本形態では、蒸着時間を延長する。また、図５（ｃ１）に示す状態で今回の蒸着工程を行う際も、前回までの蒸着工程により蒸着用マスク４０（チップ２０の梁部２７の下面）に付着した堆積層８ｂの厚さを接触式段差計あるいは光学式距離計により測定し、その測定結果に基づいて、今回行う蒸着条件（矢印Ｌ３で示す）を決定する。より具体的には、今回の蒸着工程では、前回の蒸着工程よりも、膜厚が厚くなるように、蒸着時間を延長する。
【００４１】
ここで、蒸着用マスク４０に付着した堆積層８ｂの厚さと、形成される薄膜パターン８の厚さとの関係を予め把握してテーブル化しておけば、蒸着用マスク４０に付着した堆積層８ｂの厚さが分かった時点で、薄膜パターン８に対する補正度合い（蒸着条件の変更内容）を適正に決定することができる。
【００４２】
従って、蒸着用マスク４０に堆積層８ｂが付着していることが原因で、薄膜パターン８が薄くなる傾向にあっても、本形態によれば、かかる変動を蒸着時間によって相殺できる。それ故、図５（ａ１）に示す状態で形成した薄膜パターン８（図５（ａ２）参照）と、図５（ｂ１）に示す状態で形成した薄膜パターン８（図５（ｂ２）参照）と、図５（ｃ１）に示す状態で形成した薄膜パターン８（図５（ｃ２）参照）とを比較すると分かるように、いずれの薄膜パターン８でも厚さ寸法および幅寸法の双方が同一である。
【００４３】
また、蒸着用マスク４０の梁部２７の下面に堆積層８ｂが付着していれば、それに一定の関係を有する厚さで梁部２７の側面にも堆積層８ｃが付着していることになる。このような場合、薄膜パターン８の幅寸法が狭くなってしまうが、その分、蒸着時間を延長すれば、薄膜パターン８の幅寸法が狭くなった分、薄膜パターン８を厚く形成することができる。それ故、いずれの蒸着工程でも、断面積が等しい薄膜パターン８を形成することができる。ここで、図１に示すような補助配線８ａは、電気的抵抗が等しければ、断面形状が多少変化しても許容できる。
【００４４】
よって、蒸着用マスク４０を頻繁に洗浄して堆積層８ｂ、８ｃを除去せずに、同一の蒸着用マスク４０を蒸着工程に繰り返し用いた場合でも、所望の薄膜パターン８を得ることができる。
【００４５】
なお、蒸着用マスク４０（チップ２０の梁部２７の下面）に付着した堆積層８ｂの厚さの測定に接触式段差計を用いれば、堆積層８ｂの種類によらず、厚さを正確に測定できるという利点がある。また、光学式距離計を用いれば、非接触で厚さを計測できるという利点がある。ここで、蒸着用マスク４０（チップ２０の梁部２７の下面）に付着した堆積層８ｂの厚さの測定は、真空チャンバ１１から出た大気下で行ってもよいが、真空チャンバ１１に連結された別のチャンバ内で行ってもよい。
【００４６】
［実施の形態２］
実施の形態１では、蒸着用マスク４０（チップ２０の梁部２７の下面）に付着した堆積層８ｂの厚さを接触式段差計あるいは光学式距離計により測定したが、膜厚モニタ１７での計測結果を用いれば、前回までの蒸着工程により蒸着用マスク４０（チップ２０の梁部２７の下面）に付着した堆積層８ｂの厚さを算出できる。従って、かかる算出結果に基づいて、図５を参照して説明したように、今回の蒸着工程では、前回の蒸着工程よりも、膜厚が厚くなる蒸着条件に設定変更すれば、実施の形態１と同様、蒸着用マスク４０に堆積層８ｂが付着していることが原因で、薄膜パターン８が薄くなる傾向にあっても、本形態によれば、かかる変動を蒸着条件の変更によって相殺できる。
【００４７】
なお、膜厚モニタ１７での計測結果と、蒸着用マスク４０に付着した堆積層８ｂの厚さとの間には、シャッタ板１８の開閉タイミングに起因する誤差が発生する。すなわち、シャッタ板１８が閉状態にあるときは、膜厚モニタ１７の水晶振動子には蒸着材料が堆積するが、蒸着用マスク４０には堆積が起こらない。従って、シャッタ板１８を有する場合には、膜厚モニタ１７での計測結果に対して、シャッタ板１８の開閉タイミング（開時間）に起因する誤差を補正すれば、蒸着用マスク４０に付着した堆積層８ｂの厚さを正確に算出することができる。
【００４８】
［実施の形態３］
実施の形態１、２では、蒸着用マスク４０（チップ２０の梁部２７の下面）に付着した堆積層８ｂの厚さの測定結果あるいは算出結果に基づいて、今回の蒸着工程の蒸着条件を設定したが、前回の蒸着工程により被処理基板２００に形成した薄膜パターン８の厚さを接触式段差計あるいは光学式距離計を用いて測定した結果と目標値とを比較し、その比較結果に基づいて、今回行う蒸着条件を決定してもよい。このような方法を採用した場合も、蒸着用マスク４０を繰り返し使っていくうちに蒸着用マスク４０に堆積層が付着した場合でも、前回の蒸着工程により被処理基板２００に形成した薄膜パターン８の厚さを測定し、その測定結果をフィードバックして今回の蒸着条件を設定するので、常に所望の薄膜パターンを形成することができる。すなわち、前回の蒸着工程で形成した薄膜パターン８の厚さを測定した結果、薄膜パターン８の厚さが目標値より薄い場合、今回の蒸着工程では、膜厚が厚くなるように蒸着条件を変更すれば、今回の蒸着工程では、所望の薄膜パターンを形成することができる。
【００４９】
なお、被処理基板２００に形成した薄膜パターン８の厚さの測定に接触式段差計を用いれば、薄膜パターン８の種類によらず、厚さを正確に測定できるという利点がある。また、光学式距離計を用いれば、非接触で厚さを計測できるという利点がある。ここで、被処理基板２００に形成した薄膜パターン８の厚さの測定は、真空チャンバ１１から出た大気下で行ってもよいが、真空チャンバ１１に連結された別のチャンバ内で行ってもよい。さらに、薄膜パターン８については、最終的に補助配線８ａなどとして実際に利用できるものであってもよいし、被処理基板２００の端部などにダミーパターンとして形成したものを利用してもよい。
【００５０】
（他の実施の形態）
上記形態では、本発明を真空蒸着に適用した例を中心に説明したが、マスクスパッタ蒸着に本発明を適用してもよい。また、有機ＥＬ装置１の補助配線８ａを形成する場合の他、有機ＥＬ装置１に形成される他の薄膜パターン、さらには、有機ＥＬ装置１以外の電気光学装置や半導体装置の薄膜パターンを形成する際に本発明を適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】有機ＥＬ装置の要部断面図である。
【図２】本発明を適用したマスク蒸着装置の構成を示す概略構成図である。
【図３】本発明を適用した蒸着用マスク全体の基本的構成を示す斜視図である。
【図４】図３に示す蒸着用マスクの一部を拡大してチップの基本的構成を示す説明図である。
【図５】本発明を適用したマスク蒸着法の説明図である。
【図６】従来のマスク蒸着法の問題点を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５２】
８・・薄膜パターン、１０・・マスク蒸着装置、１２・・蒸着源、１７・・膜厚モニタ、１８・・シャッタ板、２０・・チップ、２２・・マスク開口部、４０・・蒸着用マスク、２００・・被処理基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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