(57)【要約】【課題】処理液の再生により処理液に含まれる界面活性剤の濃度が低くなるのを防止することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、界面活性剤が含まれた処理液を貯留する貯留槽１１と、処理液によって基板を処理する処理機構１２と、貯留槽１１内の処理液を貯留槽１１と処理機構１２との間で循環させる第１循環機構２０と、処理機構１２での基板処理によって処理液に含まれるようになった金属イオンを吸着する吸着材が内部に充填された吸着容器３２，３３と、貯留槽１１内の処理液を吸着容器３２，３３内に供給して流通させるとともに、流通させた処理液を吸着容器３２，３３から貯留槽１１に回収し、貯留槽１１と吸着容器３２，３３との間で処理液を循環させる第２循環機構３４と、貯留槽１１に貯留された処理液又は吸着容器３２，３３から貯留槽１１に回収される処理液に界面活性剤を供給する供給機構７０とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
界面活性剤が含まれた処理液を貯留する貯留槽と、前記処理液によって基板を処理する処理手段と、前記貯留槽に貯留された処理液を前記処理手段に供給し、供給した処理液をこの処理手段から前記貯留槽に回収して、前記貯留槽と処理手段との間で処理液を循環させる第１処理液循環手段とを備えた基板処理装置であって、
前記処理手段における基板処理によって前記処理液に含まれるようになった金属イオンを吸着する吸着材が内部に充填された吸着容器と、
前記貯留槽に貯留された処理液を前記吸着容器内に供給して流通させるとともに、流通させた処理液をこの吸着容器から前記貯留槽に回収し、前記貯留槽と吸着容器との間で処理液を循環させる第２処理液循環手段と、
前記貯留槽に貯留された処理液又は前記吸着容器から前記貯留槽に回収される処理液に前記界面活性剤を供給する供給手段とを備えてなることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記吸着容器を少なくとも２つ備えるとともに、前記第２処理液循環手段の作動を制御する制御手段を備え、
前記第２処理液循環手段は、前記貯留槽内の処理液を前記各吸着容器に供給するための処理液供給管と、前記各吸着容器内を流通した処理液を前記貯留槽内に回収するための処理液回収管と、前記処理液供給管に設けられ、前記各吸着容器への前記処理液の供給を制御する第１切換弁とを有し、前記第１切換弁により前記各吸着容器のいずれか１つに対し選択的に前記処理液を供給して循環させるように構成され、
前記制御手段は、前記第１切換弁の切換制御を行うように構成されてなることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記各吸着容器の吸着材に吸着された金属を溶離させる溶離液をこの各吸着容器に供給するための溶離液供給管と、前記溶離液供給管に設けられ、前記各吸着容器への前記溶離液の供給を制御する第２切換弁とを有し、前記第２切換弁により前記各吸着容器のいずれか１つに対し選択的に前記溶離液を供給する溶離液供給手段と、
前記各吸着容器内を流通した溶離液を回収する溶離液回収手段とを更に備え、
前記制御手段は、前記第１切換弁を切り換えると、前記第２切換弁を制御して、前記処理液の供給が停止され且つ前記吸着材が金属イオンを吸着した状態にある吸着容器に前記溶離液を供給するように構成されてなることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記各吸着容器の内部を洗浄する洗浄液をこの各吸着容器に供給するための洗浄液供給管と、前記洗浄液供給管に設けられ、前記各吸着容器への前記洗浄液の供給を制御する第３切換弁とを有し、前記第３切換弁により前記各吸着容器のいずれか１つに対し選択的に前記洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記各吸着容器内を流通した洗浄液を外部に排出するための洗浄液排出管とを更に備え、
前記制御手段は、前記溶離液の供給を終了すると、前記第３切換弁を制御して、溶離液供給後の吸着容器に前記洗浄液を供給するように構成されてなることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御手段は、予め設定された時間間隔で前記第１切換弁を切り換えるように構成されてなることを特徴とする請求項２乃至４記載のいずれかの基板処理装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記処理手段で処理された基板の枚数を計数し、計数した枚数が予め設定された枚数となったときに前記第１切換弁を切り換えるように構成されてなることを特徴とする請求項２乃至４記載のいずれかの基板処理装置。
【請求項７】
前記貯留槽に貯留された処理液に含まれる金属イオンの濃度を検出する第１検出手段を更に備え、
前記制御手段は、前記第１検出手段によって検出される濃度が予め設定された基準値よりも高くなったときに前記第１切換弁を切り換えるように構成されてなることを特徴とする請求項２乃至４記載のいずれかの基板処理装置。
【請求項８】
前記貯留槽に貯留された処理液に含まれる界面活性剤の濃度を検出する第２検出手段と、
前記第２検出手段によって検出される濃度を基に前記供給手段の作動を制御して、前記処理液に含まれる界面活性剤の濃度を予め設定された濃度にする制御手段とを更に備えてなることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記貯留槽に貯留された処理液に含まれる界面活性剤の濃度を検出する第２検出手段を更に備え、
前記制御手段は、前記第２検出手段によって検出される濃度を基に前記供給手段の作動を制御して、前記処理液に含まれる界面活性剤の濃度を予め設定された濃度にするように構成されてなることを特徴とする請求項２乃至７記載のいずれかの基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、界面活性剤が含まれた処理液を貯留する貯留槽と、前記処理液によって基板を処理する処理手段と、前記貯留槽と処理手段との間で処理液を循環させる処理液循環手段とを備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体（シリコン）ウエハ，液晶ガラス基板，フォトマスク用ガラス基板，光ディスク用基板といった各種基板を製造する工程では、これらの基板にエッチング液や現像液、洗浄液といった各種の処理液を供給して基板を処理する工程がある。
【０００３】
例えば、エッチング液を用いた処理（エッチング処理）は、エッチング液を貯留する貯留槽と、基板をエッチングする基板処理機構と、貯留槽内のエッチング液を基板処理機構に供給し、供給したエッチング液をこの基板処理機構から回収して、貯留槽と基板処理機構との間でエッチング液を循環させるエッチング処理用循環機構とを備えたエッチング装置によって実施される（特開２０００−９６２６４号公報参照）。
【０００４】
前記基板処理機構は、閉塞空間を備えた処理チャンバと、処理チャンバ内に配設され、基板を水平に搬送する複数の搬送ローラと、処理チャンバ内に配設され、基板の上面に向けてエッチング液を吐出する複数のノズル体とからなり、前記エッチング処理用循環機構は、貯留槽と各ノズル体とを接続する供給管と、供給管を介して各ノズル体にエッチング液を供給する供給ポンプと、処理チャンバの底部と貯留槽とを接続する回収管とからなる。
【０００５】
そして、このエッチング装置では、搬送ローラにより所定方向に搬送される基板の上面に向けて、供給ポンプにより供給管を介し各ノズル体に供給された貯留槽内のエッチング液がこれらの各ノズル体から吐出され、かかるエッチング液によって基板がエッチングされる。尚、基板の上面に吐出されたエッチング液は、回収管を通って処理チャンバ内から貯留槽内に回収される。
【０００６】
ところで、例えば、基板の上面に形成された酸化インジウムスズ膜などの金属膜に対してエッチングを行うと、この金属膜を構成するインジウムやスズといった金属がエッチング液に溶解するため、エッチング液を貯留槽と基板処理機構との間で循環させるように構成された上記エッチング装置では、貯留槽内のエッチング液に含まれる金属成分が徐々に増えて、エッチング処理を効率的に実施することができないという問題や、精度の良いエッチング形状が得られないという問題を生じる。
【０００７】
したがって、上記エッチング装置では、貯留槽内のエッチング液を定期的に取り替えなければならず、エッチング液の取り替えにかかる費用（取り替えたエッチング液の廃棄処理費用や、取り替えるエッチング液の購入費用）によって処理コストが上昇する。
【０００８】
そこで、本願出願人は、エッチング液中の金属成分を除去してこのエッチング液を再生可能なエッチング装置を提案している（特願２００７−１０１３９２号）。このエッチング装置は、上記エッチング装置の構成に加え、エッチング液中の金属イオンを吸着するキレート材が内部に充填された吸着塔と、貯留槽内のエッチング液を吸着塔内に供給して流通させるとともに、流通させたエッチング液をこの吸着塔から回収し、貯留槽と吸着塔との間でエッチング液を循環させる除去処理用循環機構とを更に備える。
【０００９】
そして、この本願出願人の提案に係るエッチング装置では、除去処理用循環機構によって貯留槽と吸着塔との間でエッチング液を循環させることで、吸着塔のキレート材によってエッチング液中の金属イオン（エッチング液に溶解している金属）が吸着，除去されるので、上述のような問題が防止される。
【００１０】
【特許文献１】特開２０００−９６２６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記本願出願人の提案に係るエッチング装置においても、以下に説明するような問題があった。即ち、前記エッチング液には、エッチング後に残渣が生じるのを防止すべく界面活性剤が添加されていることがあり、このような場合には、貯留槽内のエッチング液を吸着塔に供給すると、この界面活性剤が金属成分とともにキレート材に吸着され、エッチング液に含まれる界面活性剤の濃度が低くなる。そして、界面活性剤の濃度が一定の基準濃度よりも低くなると、残渣の発生を防止することができなくなる。
【００１２】
本発明は、以上の実情に鑑みなされたものであって、処理液の再生により処理液に含まれる界面活性剤の濃度が低くなるのを防止することができる基板処理装置の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するための本発明は、
界面活性剤が含まれた処理液を貯留する貯留槽と、前記処理液によって基板を処理する処理手段と、前記貯留槽に貯留された処理液を前記処理手段に供給し、供給した処理液をこの処理手段から前記貯留槽に回収して、前記貯留槽と処理手段との間で処理液を循環させる第１処理液循環手段とを備えた基板処理装置であって、
前記処理手段における基板処理によって前記処理液に含まれるようになった金属イオンを吸着する吸着材が内部に充填された吸着容器と、
前記貯留槽に貯留された処理液を前記吸着容器内に供給して流通させるとともに、流通させた処理液をこの吸着容器から前記貯留槽に回収し、前記貯留槽と吸着容器との間で処理液を循環させる第２処理液循環手段と、
前記貯留槽に貯留された処理液又は前記吸着容器から前記貯留槽に回収される処理液に前記界面活性剤を供給する供給手段とを備えてなることを特徴とする基板処理装置に係る。
【００１４】
この発明によれば、第１処理液循環手段によって、界面活性剤を含む、貯留槽内の処理液がこの貯留槽と処理手段との間で循環せしめられ、処理手段では、この処理液によって基板が適宜処理される。また、貯留槽内の処理液は、第２処理液循環手段によって、この貯留槽と吸着容器との間で循環せしめられ、吸着容器では、その内部に充填された吸着材によって、処理手段における処理過程で処理液に含まれるようになった金属イオン（処理液に溶解した金属）が吸着，除去される。
【００１５】
処理液が吸着容器内に供給されると、処理液中の界面活性剤が金属成分とともに吸着材に吸着，除去されるが、供給手段によって界面活性剤が貯留槽内の処理液又は吸着容器から貯留槽に回収される処理液に供給され、これにより、貯留槽内の処理液に含まれる界面活性剤の濃度低下が防止される。
【００１６】
尚、前記吸着容器内へは、処理手段で基板を処理している間、常に処理液を供給するようにしても、例えば、基板処理を開始してからの経過時間が所定時間になったときや、基板処理枚数が所定枚数になったとき、貯留槽内の処理液に含まれる金属イオンの濃度が所定濃度を超えたときなどに処理液を一定時間供給するようにしても良い。但し、このような態様に限定されるものではない。
【００１７】
また、界面活性剤は、吸着容器内に処理液を常時供給する場合には、常に一定量供給するようにしても、例えば、基板処理を開始してからの経過時間が所定時間になったときや、基板処理枚数が所定枚数になったとき、貯留槽内の処理液に含まれる界面活性剤の濃度が所定濃度を下回ったときなどに一定量供給するようにしても良い。一方、基板処理を開始してからの経過時間が所定時間になったときや、基板処理枚数が所定枚数になったとき、貯留槽内の処理液に含まれる金属イオンの濃度が所定濃度を超えたときなどに吸着容器内に処理液を供給する場合には、吸着容器内に処理液を供給したときに、界面活性剤を一定量供給すると良い。但し、このような態様に限定されるものではない。
【００１８】
斯くして、本発明に係る基板処理装置によれば、処理液を吸着容器内に供給して再生しても、貯留槽内の処理液に含まれる界面活性剤の濃度が一定の基準濃度より低くなるのを防止することができる。これにより、界面活性剤の濃度低下によって基板処理に問題が生じる（例えば、不良品が生産される）のを防止することができる。
【００１９】
また、処理液を再生することで、処理液の延命化を図ってその取り替えサイクルを長くすることができるので、新しい処理液の購入費用や使用済の処理液の廃棄費用などを省いて処理液にかかる費用を抑えることや、処理液の交換のために停止させることなく連続的に基板処理を行うことができ、基板処理にかかるコストを低く抑えることができる。また、廃棄処分する処理液を減らすことや、基板処理によって減少した分だけしか新しい処理液を必要としないようにすることができるので、環境保護に貢献することもできる。
【００２０】
尚、前記基板処理装置は、前記吸着容器を少なくとも２つ備えるとともに、前記第２処理液循環手段の作動を制御する制御手段を備え、前記第２処理液循環手段は、前記貯留槽内の処理液を前記各吸着容器に供給するための処理液供給管と、前記各吸着容器内を流通した処理液を前記貯留槽内に回収するための処理液回収管と、前記処理液供給管に設けられ、前記各吸着容器への前記処理液の供給を制御する第１切換弁とを有し、前記第１切換弁により前記各吸着容器のいずれか１つに対し選択的に前記処理液を供給して循環させるように構成され、前記制御手段は、前記第１切換弁の切換制御を行うように構成されていても良い。
【００２１】
このようにすれば、第２処理液循環手段によって、貯留槽内の処理液が処理液供給管を介して吸着容器のいずれか１つに対し選択的に供給されるとともに、この吸着容器内を流通後、処理液回収管を介して貯留槽内に回収され、貯留槽と吸着容器との間で循環せしめられる。このとき、処理液の供給される吸着容器は、制御手段により、例えば、吸着材が略飽和状態に達したと判断されたときに第１切換弁が切り換えられて他の吸着容器に変更される。これにより、吸着容器内の吸着材の吸着能力を一定に維持することができ、効率的に金属成分を除去することができる。尚、処理液の供給される吸着容器が切り換えられると、処理液の供給が停止された吸着容器は、その吸着材がこれに吸着された金属を溶離させる溶離液などを用いて適宜再生される。
【００２２】
また、前記基板処理装置は、前記各吸着容器の吸着材に吸着された金属を溶離させる溶離液をこの各吸着容器に供給するための溶離液供給管と、前記溶離液供給管に設けられ、前記各吸着容器への前記溶離液の供給を制御する第２切換弁とを有し、前記第２切換弁により前記各吸着容器のいずれか１つに対し選択的に前記溶離液を供給する溶離液供給手段と、前記各吸着容器内を流通した溶離液を回収する溶離液回収手段とを更に備え、前記制御手段は、前記第１切換弁を切り換えると、前記第２切換弁を制御して、前記処理液の供給が停止され且つ前記吸着材が金属イオンを吸着した状態にある吸着容器に前記溶離液を供給するように構成されていても良い。
【００２３】
このようにすれば、処理液の供給される吸着容器が切り換えられると、制御手段により第２切換弁が制御されて、処理液の供給が停止された吸着容器に溶離液が供給される。吸着容器の吸着材に吸着された金属（金属イオン）は、この溶離液によって溶離し、溶離した金属イオンを含む溶離液が溶離液回収手段によって回収される。これにより、吸着材を再生することができる。また、処理液中に溶解した金属には非常に高価なものもあり、これを回収することができれば好都合であるが、溶離液中の金属イオンを適宜回収することで、処理液に溶解した金属を効果的に回収することができる。
【００２４】
また、前記基板処理装置は、前記各吸着容器の内部を洗浄する洗浄液をこの各吸着容器に供給するための洗浄液供給管と、前記洗浄液供給管に設けられ、前記各吸着容器への前記洗浄液の供給を制御する第３切換弁とを有し、前記第３切換弁により前記各吸着容器のいずれか１つに対し選択的に前記洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記各吸着容器内を流通した洗浄液を外部に排出するための洗浄液排出管とを更に備え、前記制御手段は、前記溶離液の供給を終了すると、前記第３切換弁を制御して、溶離液供給後の吸着容器に前記洗浄液を供給するように構成されていても良い。
【００２５】
このようにすれば、吸着材に吸着された金属の溶離が終了すると、制御手段により第３切換弁が制御されて溶離液供給後の吸着容器に洗浄液が供給される。この洗浄液によって吸着容器の内部が洗浄され、この洗浄液は洗浄液排出管から外部に排出される。吸着容器の内部に溶離液が残存していると、処理液が吸着容器内に供給されたときに処理液と溶離液とが混ざって処理手段での基板処理に悪影響を及ぼす恐れがあるが、溶離液の供給後、洗浄液を供給することで、吸着容器内に残存している溶離液を洗い流してこのような不都合が生じるのを防止することができる。
【００２６】
また、前記制御手段は、予め設定された時間間隔で前記第１切換弁を切り換えるように構成されていても良い。このようにすれば、制御手段により、所定の時間間隔で（吸着容器の吸着材が略飽和状態に達すると推定される時間間隔で）第１切換弁が切り換えられ、処理液の供給される吸着容器が切り換えられる。したがって、このように構成しても、上記と同様の効果を得ることができる。
【００２７】
また、前記制御手段は、前記処理手段で処理された基板の枚数を計数し、計数した枚数が予め設定された枚数となったときに前記第１切換弁を切り換えるように構成されていても良い。このようにすれば、制御手段により、処理手段における基板処理枚数が所定枚数となったときに（吸着容器の吸着材が略飽和状態に達すると推定される枚数となったときに）第１切換弁が切り換えられ、処理液の供給される吸着容器が切り換えられる。したがって、このように構成しても、上記と同様の効果を得ることができる。
【００２８】
また、前記基板処理装置は、前記貯留槽に貯留された処理液に含まれる金属イオンの濃度を検出する第１検出手段を更に備え、前記制御手段は、前記第１検出手段によって検出される濃度が予め設定された基準値よりも高くなったときに前記第１切換弁を切り換えるように構成されていても良い。このようにすれば、吸着容器の吸着材が略飽和状態に達してその吸着能力が低下し、貯留槽内の処理液に含まれる金属イオンの濃度が上昇して、第１検出手段により検出される濃度が所定の基準値よりも高くなったときに第１切換弁が切り換えられ、処理液の供給される吸着容器が切り換えられる。
【００２９】
したがって、このように構成しても、上記と同様の効果を得ることができる。また、処理手段における処理内容や処理条件などによって処理液に溶解する金属量が異なるために、吸着容器の吸着材が略飽和状態に達するまでの時間や処理枚数を設定するのは難しいが、第１切換弁の切換制御を貯留槽内の処理液に含まれる金属イオンの濃度を基に行えば、この切換制御をより高精度に実施することができる。
【００３０】
また、前記基板処理装置は、前記貯留槽に貯留された処理液に含まれる界面活性剤の濃度を検出する第２検出手段と、前記第２検出手段によって検出される濃度を基に前記供給手段の作動を制御して、前記処理液に含まれる界面活性剤の濃度を予め設定された濃度にする制御手段とを更に備えていたり、前記基板処理装置は、前記第２検出手段を更に備え、前記制御手段は、前記第２検出手段によって検出される濃度を基に前記供給手段の作動を制御して、前記処理液に含まれる界面活性剤の濃度を予め設定された濃度にするように構成されていても良い。
【００３１】
このようにすれば、制御手段により、第２検出手段によって検出される濃度を基に供給手段が制御されて、処理液に含まれる界面活性剤の濃度が所定の濃度に維持されるので、界面活性剤の濃度を高精度に制御することができる。また、処理液に添加されている界面活性剤の種類や、吸着容器内に充填されている吸着材の種類、吸着材に吸着されている金属の量などによって、吸着材に吸着される界面活性剤の量が変化するために、供給手段によって供給する界面活性剤の量を設定するのは難しいが、第２検出手段による検出濃度を基に供給手段を制御すれば、処理液中の界面活性剤濃度を常に最適な濃度とすることができる。
【００３２】
尚、前記基板としては、例えば、半導体（シリコン）ウエハ，液晶ガラス基板，フォトマスク用ガラス基板及び光ディスク用基板などを、前記処理液としては、例えば、エッチング液，現像液及び洗浄液などを、吸着容器内の吸着材に吸着させる金属としては、例えば、インジウムなどを、前記吸着材としては、例えば、キレート材やイオン交換樹脂などをそれぞれ挙げることができるが、これらに限定されるものではない。また、吸着材としてキレート材を用いた場合、前記溶離液には塩酸や硫酸あるいは苛性ソーダなどを、前記洗浄液には純水などを採用することができ、吸着材としてイオン交換樹脂を用いた場合、前記溶離液には塩酸や水酸化ナトリウムなどを、前記洗浄液には純水などを採用することができる。また、前記界面活性剤としては、例えば、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びその塩，ポリスチレンスルホン酸及びその塩，リグニンスルホン酸及びその塩といったポリスルホン酸化合物、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ドデシルベンゼンスルホン酸のようなアルキルベンゼンスルホン酸及びその塩，アルキル硫酸エステル及びその塩，スルホコハク酸のジアルキルエステル及びその塩，ポリオキシエチレンアルキルエーテルスルホン酸やポリオキシエチレンアリルエーテルスルホン酸及びそれらの塩といったスルフォネート型陰イオン界面活性剤、パーフルオロアルキルエチレンオキシドやパーフルオロアルケニルエチレンオキシドといったフッ素系非イオン性界面活性剤、パーフルオロアルケニルスルホン酸及びその塩やパーフルオロアルケニルカルボン酸及びその塩といったフッ素系陰イオン性界面活性剤などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【発明の効果】
【００３３】
以上のように、本発明に係る基板処理装置によれば、処理液を再生しても処理液に含まれる界面活性剤の濃度が低くなるのを防止することができるので、基板処理を行う際に、例えば、不良品が生産されるなどの問題が生じるのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の具体的な実施形態について、添付図面に基づき説明する。尚、図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示した説明図である。
【００３５】
図１に示すように、本例の基板処理装置１は、エッチング液Ｌを貯留する貯留槽１１と、エッチング液Ｌによって基板Ｋをエッチングする基板処理機構１２と、貯留槽１１と基板処理機構１２との間でエッチング液Ｌを循環させる第１循環機構２０と、エッチング液Ｌに溶解した金属を除去する除去機構３０と、貯留槽１１内のエッチング液Ｌに含まれる特定の成分の濃度を検出する濃度センサ６５と、貯留槽１１内のエッチング液Ｌに特定の成分を供給する供給機構７０と、基板処理機構１２，第１循環機構２０，除去機構３０及び供給機構７０などの作動を制御する制御装置２５などから構成される。
【００３６】
前記貯留槽１１には、例えば、蓚酸及び界面活性剤がそれぞれ所定濃度となるように調整されたエッチング液Ｌが貯留される。尚、界面活性剤としては、例えば、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びその塩，ポリスチレンスルホン酸及びその塩，リグニンスルホン酸及びその塩といったポリスルホン酸化合物、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ドデシルベンゼンスルホン酸のようなアルキルベンゼンスルホン酸及びその塩，アルキル硫酸エステル及びその塩，スルホコハク酸のジアルキルエステル及びその塩，ポリオキシエチレンアルキルエーテルスルホン酸やポリオキシエチレンアリルエーテルスルホン酸及びそれらの塩といったスルフォネート型陰イオン界面活性剤、パーフルオロアルキルエチレンオキシドやパーフルオロアルケニルエチレンオキシドといったフッ素系非イオン性界面活性剤、パーフルオロアルケニルスルホン酸及びその塩やパーフルオロアルケニルカルボン酸及びその塩といったフッ素系陰イオン性界面活性剤などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００３７】
また、貯留槽１１には、供給制御弁２８が設けられた新液供給管２６の一端側と、供給制御弁２９が設けられた補給管２７の一端側とが接続されており、前記新液供給管２６の他端側には、複数の基板処理装置１の各貯留槽１１にエッチング液Ｌをそれぞれ供給するための供給装置（図示せず）が接続され、前記補給管２７の他端側には、前記供給装置（図示せず）、又は、基板処理装置１の各々に設けられ、その貯留槽１１内にエッチング液Ｌを補給するための補給装置（図示せず）が接続されている。また、更に、貯留槽１１には、エッチング液Ｌの液面位置を検出する２つの液面検出センサ６６，６７が上下に間隔を隔てて設けられている。
【００３８】
前記基板処理機構１２は、閉塞空間を備えた処理チャンバ１３と、処理チャンバ１３内の下部に配設され、例えば、上面に酸化インジウムスズ膜（金属膜）が形成された基板Ｋを水平に支持して所定方向（矢示方向）に搬送する複数の搬送ローラ１４と、処理チャンバ１３内の上部に配設され、第１循環機構２０によって供給されたエッチング液Ｌが流通する流通管１５と、流通管１５に固設され、搬送ローラ１４によって搬送される基板Ｋの上面に向けてエッチング液Ｌを吐出する複数のノズル体１６などからなり、処理チャンバ１３内のエッチング液Ｌは、この処理チャンバ１３の底面に形成された排出口１３ａから外部に排出されるようになっている。
【００３９】
前記第１循環機構２０は、一端側が貯留槽１１に接続し、他端側が流通管１５に接続した供給管２１と、供給管２１を介して流通管１５内にエッチング液Ｌを供給する供給ポンプ２２と、一端側が処理チャンバ１３の排出口１３ａに接続し、他端側が貯留槽１１に接続した回収管２３などからなる。
【００４０】
前記除去機構３０は、基板処理機構１２でのエッチング処理によってエッチング液Ｌに溶解し、このエッチング液Ｌに含まれるようになった金属イオン（インジウムイオンやスズイオン）を吸着する吸着機構３１と、貯留槽１１と吸着機構３１との間でエッチング液Ｌを循環させる第２循環機構３４と、吸着機構３１によって吸着された金属（インジウムやスズ）を溶離させるための溶離液を供給する溶離液供給機構４２と、溶離液を吸着機構３１から回収する溶離液回収機構４８と、吸着機構３１を洗浄するための洗浄液を供給する洗浄液供給機構５４と、洗浄液を吸着機構３１から回収する洗浄液回収機構５８とを備える。
【００４１】
前記吸着機構３１は、金属イオン（インジウムイオンやスズイオン）を吸着する吸着材としてキレート材（図示せず）が内部に充填された２つの吸着容器（第１吸着容器３２及び第２吸着容器３３）を備える。尚、キレート材（図示せず）とは、一般的には、有機系のアミノカルボン酸塩を総称したものであり、金属イオンを吸着し、吸着された金属は特定の溶液によって溶離するという性質を備えたものである。具体的には、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸），ＮＴＡ（ニトリロ三酢酸），ＤＴＰＡ（ジエチレントリアミン五酢酸），ＧＬＤＡ（Ｌ−グルタミン酸二酢酸），ＨＥＤＴＡ（ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸），ＧＥＤＴＡ（グリコールエーテルジアミン四酢酸），ＴＴＨＡ（トリエチレンテトラミン六酢酸），ＨＩＤＡ（ヒドロキシエチルイミノ二酢酸）及びＤＨＥＧ（ヒドロキシエチルグリシン）などが一例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４２】
前記第２循環機構３４は、一端側が貯留槽１１に接続し、他端側が分岐して各吸着容器３２，３３に接続したエッチング液供給管３５と、エッチング液供給管３５を介して各吸着容器３２，３３の内部にエッチング液Ｌを供給する供給ポンプ３６と、一端側が貯留槽１１に接続し、他端側が分岐して各吸着容器３２，３３に接続したエッチング液回収管３７と、エッチング液供給管３５の他端側にそれぞれ設けられた第１供給側切換弁３８及び第２供給側切換弁３９と、エッチング液回収管３７の他端側にそれぞれ設けられた第１排出側切換弁４０及び第２排出側切換弁４１とからなる。
【００４３】
前記各切換弁３８，３９，４０，４１は、第１供給側切換弁３８及び第１排出側切換弁４０が開いているときには第２供給側切換弁３９及び第２排出側切換弁４１が閉じるように、第２供給側切換弁３９及び第２排出側切換弁４１が開いているときには第１供給側切換弁３８及び第１排出側切換弁４０が閉じるように、制御装置２５によって制御される。
【００４４】
この第２循環機構３４では、供給ポンプ３６により貯留槽１１内のエッチング液Ｌがエッチング液供給管３５を介して吸着容器３２，３３のいずれか一方に選択的に供給される。即ち、第１供給側切換弁３８が開き、第２供給側切換弁３９が閉じているときには第１吸着容器３２に、第１供給側切換弁３８が閉じ、第２供給側切換弁３９が開いているときには第２吸着容器３３にエッチング液Ｌが供給される。そして、吸着容器３２，３３のいずれか一方に供給され、この吸着容器３２，３３内を流通したエッチング液Ｌは、エッチング液回収管３７により貯留槽１１内に回収される。
【００４５】
前記溶離液供給機構４２は、例えば、塩酸や硫酸あるいは苛性ソーダからなる溶離液を供給する溶離液供給部４３と、一端側が溶離液供給部４３に接続し、他端側が分岐して各吸着容器３２，３３に接続した溶離液供給管４４と、溶離液供給管４４の一端側に設けられた溶離液供給弁４５と、溶離液供給管４４の他端側にそれぞれ設けられた第１供給側切換弁４６及び第２供給側切換弁４７とからなる。
【００４６】
前記各切換弁４６，４７は、第１供給側切換弁４６が開いているときには第２供給側切換弁４７が閉じるように、第２供給側切換弁４７が開いているときには第１供給側切換弁４６が閉じるように、制御装置２５によって制御される。
【００４７】
前記溶離液回収機構４８は、溶離液を回収する溶離液回収部４９と、一端側が溶離液回収部４９に接続し、他端側が分岐して各吸着容器３２，３３に接続した溶離液回収管５０と、溶離液回収管５０の他端側にそれぞれ設けられた第１排出側切換弁５１及び第２排出側切換弁５２と、溶離液回収管５０の一端側に設けられた溶離液回収弁５３とからなる。
【００４８】
前記各切換弁５１，５２は、第１排出側切換弁５１が開いているときには第２排出側切換弁５２が閉じるように、第２排出側切換弁５２が開いているときには第１排出側切換弁５１が閉じるように、制御装置２５によって制御される。
【００４９】
この溶離液供給機構４２及び溶離液回収機構４８では、溶離液供給管４４を介して溶離液供給部４３から溶離液が吸着容器３２，３３のいずれか一方に選択的に供給される。即ち、第１供給側切換弁４６が開き、第２供給側切換弁４７が閉じているときには第１吸着容器３２に、第１供給側切換弁４６が閉じ、第２供給側切換弁４７が開いているときには第２吸着容器３３に溶離液が供給される。そして、吸着容器３２，３３のいずれか一方に供給され、この吸着容器３２，３３内を流通した溶離液は、溶離液回収管５０を介して溶離液回収部４９内に回収される。
【００５０】
尚、第１供給側切換弁４６が開いているときには、第１排出側切換弁５１が開いて、第２排出側切換弁５２は閉じており、第２供給側切換弁４７が開いているときには、第２排出側切換弁５２が開いて、第１排出側切換弁５１は閉じるようになっている。また、溶離液供給部４３が駆動されると、溶離液供給弁４５及び溶離液回収弁５３が開くようになっている。
【００５１】
前記洗浄液供給機構５４は、例えば、純水からなる洗浄液を供給する洗浄液供給部５５と、一端側が洗浄液供給部５５に接続し、他端側が溶離液供給管４４の分岐部と溶離液供給弁４５との間に接続して、この溶離液供給管４４を介し各吸着容器３２，３３に接続した洗浄液供給管５６と、洗浄液供給管５６に設けられた洗浄液供給弁５７と、前記第１供給側切換弁４６及び第２供給側切換弁４７とからなる。
【００５２】
前記各切換弁４６，４７は、上記と同様、第１供給側切換弁４６が開いているときには第２供給側切換弁４７が閉じるように、第２供給側切換弁４７が開いているときには第１供給側切換弁４６が閉じるように、制御装置２５によって制御される。
【００５３】
前記洗浄液回収機構５８は、洗浄液を回収する洗浄液回収部５９と、一端側が洗浄液回収部５９に接続し、他端側が溶離液回収管５０の分岐部と溶離液回収弁５３との間に接続して、この溶離液回収管５０を介し各吸着容器３２，３３に接続した洗浄液回収管（洗浄液排出管）６０と、前記第１排出側切換弁５１及び第２排出側切換弁５２と、洗浄液回収管６０に設けられた洗浄液回収弁６１とからなる。
【００５４】
前記各切換弁５１，５２は、上記と同様、第１排出側切換弁５１が開いているときには第２排出側切換弁５２が閉じるように、第２排出側切換弁５２が開いているときには第１排出側切換弁５１が閉じるように、制御装置２５によって制御される。
【００５５】
この洗浄液供給機構５４及び洗浄液回収機構５８では、洗浄液供給管５６及び溶離液供給管４４を介して洗浄液供給部５５から洗浄液が吸着容器３２，３３のいずれか一方に選択的に供給される。即ち、第１供給側切換弁４６が開き、第２供給側切換弁４７が閉じているときには第１吸着容器３２に、第１供給側切換弁４６が閉じ、第２供給側切換弁４７が開いているときには第２吸着容器３３に洗浄液が供給される。そして、吸着容器３２，３３のいずれか一方に供給され、この吸着容器３２，３３内を流通した洗浄液は、溶離液回収管５０及び洗浄液回収管６０を介して洗浄液回収部５９内に回収される。
【００５６】
尚、第１供給側切換弁４６が開いているときには、第１排出側切換弁５１が開いて、第２排出側切換弁５２は閉じており、第２供給側切換弁４７が開いているときには、第２排出側切換弁５２が開いて、第１排出側切換弁５１は閉じるようになっている。また、洗浄液供給部５５が駆動されると、洗浄液供給弁５７及び洗浄液回収弁６１が開くようになっている。
【００５７】
前記濃度センサ６５は、貯留槽１１内のエッチング液Ｌに含まれる蓚酸及び界面活性剤の濃度を検出する。
【００５８】
前記供給機構７０は、蓚酸及び純水を貯留槽１１内に供給する供給部７１と、一端側が供給部７１に接続し、他端側が貯留槽１１に接続した供給管７２と、界面活性剤が貯留された貯留タンク７３と、一端側が貯留タンク７３に接続し、他端側が貯留槽１１に接続した供給管７４と、供給管７４を介して貯留槽１１内に貯留タンク７３内の界面活性剤を供給する供給ポンプ７５とからなる。
【００５９】
前記制御装置２５は、供給ポンプ２２を制御して、貯留槽１１と基板処理機構１２との間でエッチング液Ｌを循環させる処理と、供給ポンプ２２を作動させると、供給ポンプ３６及び各切換弁３８，３９，４０，４１を制御して、エッチング液Ｌの供給される吸着容器３２，３３を予め設定された時間間隔、即ち、吸着容器３２，３３内のキレート材（図示せず）が略飽和状態に達すると推定される時間間隔で交互に切り換えながら吸着容器３２，３３のいずれか一方に貯留槽１１内のエッチング液Ｌを供給して循環させる処理と、エッチング液Ｌの供給される吸着容器３２，３３を切り換えると、溶離液供給部４３、溶離液供給弁４５、溶離液回収弁５３及び各切換弁４６，４７，５１，５２を制御して、吸着容器３２，３３の切換でエッチング液Ｌの供給が停止された吸着容器３２，３３に溶離液を所定時間供給する処理と、溶離液を所定時間供給すると、洗浄液供給部５４、洗浄液供給弁５７、洗浄液回収弁６１及び各切換弁４６，４７，５１，５２を制御して、溶離液を供給した吸着容器３２，３３と同じ吸着容器３２，３３に洗浄液を所定時間供給する処理とを実行する。
【００６０】
また、制御装置２５は、更に、濃度センサ６５によって検出された蓚酸の濃度を基に供給部７１を制御して、即ち、供給部７１から貯留槽１１内に純水又は蓚酸を供給して、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌの蓚酸濃度を一定範囲内に維持する処理と、濃度センサ６５によって検出された界面活性剤の濃度を基に供給ポンプ７５を制御して、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌの界面活性剤濃度を一定範囲内に維持する処理とを実行する。
【００６１】
また、更に、制御装置２５は、前記液面検出センサ６６，６７によって検出される液面位置を基に、前記供給装置（図示せず）や補給装置（図示せず）、供給制御弁２８，２９を制御して、貯留槽１１に貯留されるエッチング液Ｌの量を制御する。
【００６２】
以上のように構成された本例の基板処理装置１によれば、まず、エッチング液Ｌが貯留されていない状態の貯留槽１１にエッチング液Ｌが供給される。具体的には、制御装置２５により供給装置（図示せず）及び供給制御弁２８が制御され、上側の液面検出センサ６６によってエッチング液Ｌの液面が検出されるまでエッチング液Ｌが供給される。これにより、貯留槽１１の内部が所定量のエッチング液Ｌで満たされた状態となる。
【００６３】
ついで、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌが、供給ポンプ２２により供給管２１及び流通管１５を介して各ノズル体１６に供給され、これら各ノズル体１６から基板Ｋの上面に向けて吐出される。そして、基板Ｋの上面に吐出されたエッチング液Ｌは、処理チャンバ１３の排出口１３ａから回収管２３内を流通して貯留槽１１内に回収され、このようにして貯留槽１１内のエッチング液Ｌが貯留槽１１と基板処理機構１２との間で循環する。
【００６４】
前記基板Ｋは、搬送ローラ１４によって所定方向に搬送されており、各ノズル体１６から吐出されたエッチング液Ｌ（エッチング液Ｌ中の蓚酸）によってエッチングされる。尚、このエッチング処理により基板Ｋの酸化インジウムスズ膜がエッチング液Ｌに溶解し、このエッチング液Ｌにインジウムイオンやスズイオンが含まれるようになる。
【００６５】
また、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌは、供給対象となる吸着容器３２，３３が予め設定された時間間隔で交互に切り換えられながら、供給ポンプ３６によりエッチング液供給管３５を介して吸着容器３２，３３のいずれか一方に供給されるとともに、この吸着容器３２，３３内を流通後、エッチング液回収管３７を介して貯留槽１１内に回収され、貯留槽１１と吸着容器３２，３３との間で循環する。これにより、エッチング液Ｌ中の金属成分たるインジウムイオンやスズイオンが吸着容器３２，３３内のキレート材（図示せず）によって吸着，除去され、エッチング液Ｌが再生される（再利用可能な状態にされる）。
【００６６】
エッチング液Ｌの供給される吸着容器３２，３３が切り換えられると、まず、この切換によってエッチング液Ｌの供給が停止された吸着容器３２，３３に（第１吸着容器３２から第２吸着容器３３に切り換わったときには第１吸着容器３２に、第２吸着容器３３から第１吸着容器３２に切り換わったときには第２吸着容器３３に）、溶離液が溶離液供給部４３から溶離液供給管４４を介して供給され、供給された溶離液は、吸着容器３２，３３内を流通した後、溶離液回収管５０を介して溶離液回収部４９内に回収される。これにより、吸着容器３２，３３のキレート材（図示せず）に吸着されたインジウムやスズがこの溶離液によって溶離し、溶離したインジウムイオンやスズイオンを含む溶離液が溶離液回収部４９内に回収される。
【００６７】
この後、溶離液の供給された吸着容器３２，３３と同じ吸着容器３２，３３に、洗浄液が洗浄液供給部５５から洗浄液供給管５６及び溶離液供給管４４を介して供給され、供給された洗浄液は、吸着容器３２，３３内を流通した後、溶離液回収管５０及び洗浄液回収管６０を介して洗浄液回収部５９内に回収される。これにより、吸着容器３２，３３の内部に残存した溶離液がこの洗浄液によって洗い流される。
【００６８】
このようにして、エッチング液Ｌの供給が停止された吸着容器３２，３３には、溶離液及び洗浄液が順次供給され、吸着容器３２，３３は、この後、待機状態となる。
【００６９】
尚、エッチング処理が行われている間、制御装置２５により、濃度センサ６５によって検出された蓚酸の濃度を基に供給部７１が制御され、エッチング液Ｌの蓚酸濃度が一定範囲内に制御される。具体的には、濃度センサ６５によって検出された蓚酸濃度が前記一定範囲よりも高い場合には供給部７１から供給管７２を介して貯留槽１１内に純水が供給され、前記一定範囲よりも低い場合には供給部７１から供給管７２を介して貯留槽１１内に蓚酸が供給されて、エッチング液Ｌに含まれる蓚酸の濃度が前記一定範囲内とされる。
【００７０】
また、エッチング処理によって貯留槽１１内のエッチング液Ｌが減少するが、制御装置２５により、供給装置（図示せず）及び供給制御弁２８、又は、補給装置（図示せず）及び供給制御弁２９が制御され、エッチング液Ｌが貯留槽１１内に補給される。具体的には、エッチング液Ｌの液面が下側の液面検出センサ６７によって検出されると、上側の液面検出センサ６６によってエッチング液Ｌの液面が検出されるまでエッチング液Ｌが供給される。これにより、貯留槽１１内のエッチング液Ｌが一定量に維持される。
【００７１】
ところで、前記吸着容器３２，３３内のキレート材（図示せず）は、エッチング液Ｌ中のインジウムイオンやスズイオンだけでなく、エッチング液Ｌに含まれる界面活性剤も吸着するため、エッチング液Ｌが吸着容器３２，３３内に供給されると、エッチング液Ｌ中の界面活性剤がインジウムイオンやスズイオンとともに除去され、エッチング液Ｌに含まれる界面活性剤の濃度が低下する。
【００７２】
そこで、本例の基板処理装置１では、制御装置２５により、濃度センサ６５によって検出された界面活性剤の濃度を基に供給ポンプ７５を制御して、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌに含まれる界面活性剤の濃度を一定範囲内に維持するようにしている。即ち、供給ポンプ７５により、キレート材（図示せず）によって吸着，除去された分だけ貯留槽１１内に貯留タンク７３内の界面活性剤を供給し、貯留槽１１内のエッチング液Ｌに含まれる界面活性剤の濃度が低下するのを防止するようにしている。
【００７３】
したがって、本例の基板処理装置１によれば、エッチング液Ｌを吸着容器３２，３３内に循環させて再生しても、貯留槽１１内のエッチング液Ｌに含まれる界面活性剤の濃度が一定範囲より低くなるのを防止することができるので、界面活性剤の濃度低下によってエッチング処理に問題が生じる（例えば、エッチング不良が生じる）のを防止することができる。
【００７４】
また、エッチング液Ｌを再生することで、エッチング液Ｌの延命化を図ってその取り替えサイクルを長くすることができるので、新しいエッチング液Ｌの購入費用や使用済のエッチング液Ｌの廃棄費用などを省いてエッチング液Ｌにかかる費用を抑えることや、エッチング液Ｌの交換のために停止させることなく連続的にエッチング処理を行うことができ、基板処理にかかるコストを低く抑えることができる。また、廃棄処分するエッチング液Ｌを減らすことや、エッチング処理によって減少した分だけしか新しいエッチング液Ｌを必要としないようにすることができるので、環境保護に貢献することもできる。更に、エッチング処理を行っている間、常時、吸着容器３２，３３内にエッチング液Ｌを循環させるようにしたので、貯留槽１１内のエッチング液Ｌに含まれるインジウムイオンの濃度やスズイオンの濃度を常に一定レベル以下の低い状態に維持してエッチング液Ｌを常に新品と同様の状態に保つことができ、このことによってもエッチング不良などの問題が生じるのを防止することができる。
【００７５】
また、吸着容器３２，３３を切り換えながら貯留槽１１と吸着容器３２，３３のいずれか一方と間でエッチング液Ｌを循環させるようにしたので、吸着容器３２，３３内のキレート材（図示せず）の吸着能力を一定に維持することができ、効率的にインジウムイオンやスズイオンを除去したり、エッチング液Ｌに含まれるインジウムイオンの濃度やスズイオンの濃度を一定レベル以下に抑えることができる。
【００７６】
また、エッチング液Ｌの供給が停止され、キレート材（図示せず）がインジウムイオンやスズイオンを吸着した状態にある吸着容器３２，３３内に溶離液を供給し、溶離したインジウムイオンやスズイオンを含む溶離液を溶離液回収部４９内に回収するようにしており、このキレート材（図示せず）を再生することができるとともに、溶離液回収部４９内の溶離液からインジウムイオンやスズイオンを適宜回収することで、エッチング液Ｌに溶解したインジウム（非常に高価な金属である）やスズを効果的に回収することができる。
【００７７】
また、溶離液の供給後に洗浄液を供給し、吸着容器３２，３３の内部に残存した溶離液を洗い流すようにしたので、貯留槽１１内のエッチング液Ｌが吸着容器３２，３３内に供給されたときに、このエッチング液Ｌと吸着容器３２，３３内に残存した溶離液とが混ざってエッチング液Ｌの成分が変わり、基板処理機構１２でのエッチング処理に悪影響を及ぼすのを有効に防止することができる。
【００７８】
また、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌの蓚酸濃度が一定範囲内となるように制御しているので、エッチング液Ｌの蓚酸濃度が変動して所定のエッチング能力が得られなくなるといった不都合を防止し、エッチング処理能力を最適な状態に維持することができる。
【００７９】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の採り得る具体的な態様は、何らこれに限定されるものではない。
【００８０】
上例では、前記除去機構３０に前記溶離液供給機構４２，溶離液回収機構４８，洗浄液供給機構５４及び洗浄液回収機構５８を設けて構成したが、これに限られるものではなく、図２に示すように、これらを省略して構成することもできる。この場合、除去機構８０は、同図２に示すように、金属イオンを吸着する吸着機構８１と、貯留槽１１と吸着機構８１との間でエッチング液Ｌを循環させる第２循環機構８５とからなる。
【００８１】
前記吸着機構８１は、前記キレート材（図示せず）が内部に充填され、可搬性を有するように構成された複数の吸着容器８２と、吸着容器８２がそれぞれ着脱可能に取り付けられる第１取付部８３及び第２取付部８４とを備える。前記各吸着容器８２の上端部には、エッチング液Ｌや溶離液、洗浄液を内部に供給するための供給部（図示せず）と、この供給部（図示せず）から内部に供給されたエッチング液Ｌや溶離液、洗浄液を外部に排出するための排出部（図示せず）とが形成される。
【００８２】
前記第２循環機構８５は、一端側が貯留槽１１に接続し、他端側が分岐して各吸着容器８２の供給部（図示せず）に接続可能となったエッチング液供給管８６と、エッチング液供給管８６を介して吸着容器８２の内部にエッチング液Ｌを供給する供給ポンプ８７と、一端側が貯留槽１１に接続し、他端側が分岐して各吸着容器８２の排出部（図示せず）に接続可能となったエッチング液回収管８８と、エッチング液供給管８６の他端側にそれぞれ設けられた第１供給側切換弁８９及び第２供給側切換弁９０と、エッチング液回収管８８の他端側にそれぞれ設けられた第１排出側切換弁９１及び第２排出側切換弁９２などからなり、各取付部８３，８４に吸着容器８２が取り付けられたときに、エッチング液供給管８６の他端側が各吸着容器８２の供給部（図示せず）に、エッチング液回収管８８の他端側が各吸着容器８２の排出部（図示せず）にそれぞれ接続するようになっている。
【００８３】
前記各切換弁８９，９０，９１，９２は、第１供給側切換弁８９及び第１排出側切換弁９１が開いているときには第２供給側切換弁９０及び第２排出側切換弁９２が閉じるように、第２供給側切換弁９０及び第２排出側切換弁９２が開いているときには第１供給側切換弁８９及び第１排出側切換弁９１が閉じるように、制御装置２５によって制御される。
【００８４】
この第２循環機構８５では、供給ポンプ８７により貯留槽１１内のエッチング液Ｌがエッチング液供給管８６を介して吸着容器８２のいずれか一方に選択的に供給される。即ち、第１供給側切換弁８９が開き、第２供給側切換弁９０が閉じているときには第１取付部８３側の吸着容器８２に、第１供給側切換弁８９が閉じ、第２供給側切換弁９０が開いているときには第２取付部８４側の吸着容器８２にエッチング液Ｌが供給される。そして、吸着容器８２のいずれか一方に供給され、この吸着容器８２内を流通したエッチング液Ｌは、エッチング液回収管８８により貯留槽１１内に回収される。
【００８５】
前記制御装置２５は、供給ポンプ２２を作動させると、供給ポンプ８７及び各切換弁８９，９０，９１，９２を制御して、エッチング液Ｌの供給される吸着容器８２を予め設定された時間間隔（吸着容器８２内のキレート材（図示せず）が略飽和状態に達すると推定される時間間隔）で交互に切り換えながら吸着容器８２のいずれか一方に貯留槽１１内のエッチング液Ｌを供給して循環させる。
【００８６】
このように構成された除去機構８０では、貯留槽１１内のエッチング液Ｌが、供給対象となる吸着容器８２が予め設定された時間間隔で交互に切り換えられながら、供給ポンプ８７及び各切換弁８９，９０によりエッチング液供給管８６を介して吸着容器８２のいずれか一方に供給されるとともに、この吸着容器８２内を流通した後、エッチング液回収管８８を介して貯留槽１１内に回収され、貯留槽１１と吸着容器８２との間で循環する。そして、エッチング液Ｌに含まれるインジウムイオンやスズイオンが吸着容器８２内のキレート材（図示せず）によって吸着，除去される。
【００８７】
尚、供給対象となる吸着容器８２が切り換えられると、使用後の吸着容器８２（キレート材（図示せず）にインジウムやスズが吸着された吸着容器８２）が未使用の吸着容器８２（キレート材（図示せず）にインジウムやスズが吸着されていない吸着容器８２）と適宜交換される。即ち、第１取付部８３の吸着容器８２から第２取付部８４の吸着容器８２に切り換わったときには、第１取付部８３から使用後の吸着容器８２が取り外されて未使用の吸着容器８２が取り付けられ、第２取付部８４の吸着容器８２から第１取付部８３の吸着容器８２に切り換わったときには、第２取付部８４から使用後の吸着容器８２が取り外されて未使用の吸着容器８２が取り付けられる。
【００８８】
そして、使用後の吸着容器８２には、前記溶離液が前記供給部（図示せず）から内部に流入して前記排出部（図示せず）から排出されるように通液された後、前記洗浄液が前記供給部（図示せず）から内部に流入して前記排出部（図示せず）から排出されるように通液され、キレート材（図示せず）の再生や、キレート材（図示せず）に吸着されたインジウムやスズの回収が行われる。
【００８９】
このように除去機構８０を構成すれば、除去機構３０に比べて装置構成の簡素化を図ることができるので、簡単且つ安価な設備でエッチング液Ｌを再生することができる。
【００９０】
また、上例では、制御装置２５により、濃度センサ６５によって検出された界面活性剤の濃度を基に供給ポンプ７５を制御して、貯留槽１１内のエッチング液Ｌの界面活性剤濃度を調整するようにしたが、これに限られるものではなく、供給ポンプ７５によって貯留タンク７３から貯留槽１１内に界面活性剤を常時一定量供給するようにしたり、エッチング処理を開始してからの経過時間が所定時間になったときや、エッチング枚数が所定枚数になったときなどに、供給ポンプ７５によって貯留タンク７３から貯留槽１１内に界面活性剤を一定量供給するようにしても良い。
【００９１】
但し、この場合、エッチング液Ｌに添加されている界面活性剤の種類やキレート材（図示せず）の種類、キレート材（図示せず）に吸着されているインジウムやスズの量などによって、キレート材（図示せず）に吸着される界面活性剤の量が変化するので、供給ポンプ７５によって供給する界面活性剤の量を設定するのが難しく、濃度センサ６５による検出濃度を基に界面活性剤の供給量を制御するときのように、エッチング液Ｌ中の界面活性剤濃度を常に最適な濃度とすることができない可能性がある。
【００９２】
また、上例では、制御装置２５を、これが、吸着容器３２，３３，８２を予め設定された時間間隔で交互に切り換えながら吸着容器３２，３３，８２のいずれか一方に貯留槽１１内のエッチング液Ｌを供給するように構成したが、これに限られるものではなく、例えば、基板処理機構１２でエッチングされた基板Ｋの枚数や、貯留槽１１内のエッチング液Ｌに含まれるインジウムイオンやスズイオンの濃度を基にエッチング液Ｌを供給する吸着容器３２，３３，８２を切り換えるように構成しても良い。
【００９３】
基板Ｋのエッチング枚数を基に切換制御を行う場合、前記基板処理機構１２は、例えば、処理チャンバ１３の外部又は内部などの適宜位置に配設され、処理チャンバ１３内に搬入される基板Ｋ又は処理チャンバ１３から搬出される基板Ｋを検出するセンサ（図示せず）を更に備え、前記制御装置２５は、前記センサ（図示せず）から得られる出力信号を基に、処理チャンバ１３内に搬入された基板Ｋの枚数又は処理チャンバ１３から搬出された基板Ｋの枚数、即ち、基板処理機構１２でエッチングされた基板Ｋの枚数を計数するとともに、計数した枚数が予め設定された枚数となったときに供給対象となる吸着容器３２，３３，８２を交互に切り換えながら貯留槽１１内のエッチング液Ｌを吸着容器３２，３３，８２のいずれか一方に供給する。尚、制御装置２５は、計数した枚数が予め設定された枚数になると、計数値をリセットして再び予め設定された枚数まで計数する。
【００９４】
このようにすれば、計数した枚数が予め設定された枚数となったときに、即ち、エッチング枚数が所定枚数になってキレート材（図示せず）が略飽和状態に達すると推定される枚数となったときに各切換弁３８，３９，４０，４１，８９，９０，９１，９２が切り換えられてエッチング液Ｌの供給される吸着容器３２，３３，８２が切り換えられる。
【００９５】
したがって、このようにしても、吸着容器３２，３３，８２の吸着能力が一定に維持され、エッチング液Ｌに含まれるインジウムイオンやスズイオンの濃度が一定レベル以下に抑えられる。
【００９６】
一方、インジウムイオン濃度やスズイオン濃度を基に切換制御を行う場合、前記基板処理装置１は、貯留槽１１内のエッチング液Ｌに含まれるインジウムイオンの濃度及び／又はスズイオンの濃度を検出する金属イオン濃度検出センサ（図示せず）を更に備え、前記制御装置２５は、金属イオン濃度検出センサ（図示せず）によって検出されるインジウムイオン濃度及び／又はスズイオン濃度が予め設定された基準値よりも高くなったときに供給対象となる吸着容器３２，３３，８２を交互に切り換えながら貯留槽１１内のエッチング液Ｌを吸着容器３２，３３，８２のいずれか一方に供給する。
【００９７】
このようにすれば、キレート材（図示せず）が略飽和状態に達してその吸着能力が低下し、貯留槽１１内のエッチング液Ｌに含まれるインジウムイオンやスズイオンの濃度が上昇して、金属イオン濃度検出センサ（図示せず）により検出されるインジウムイオン濃度及び／又はスズイオン濃度が所定の基準値よりも高くなったときに各切換弁３８，３９，４０，４１，８９，９０，９１，９２が切り換えられてエッチング液Ｌの供給される吸着容器３２，３３，８２が切り換えられる。
【００９８】
したがって、このようにしても、吸着容器３２，３３，８２の吸着能力が一定に維持され、エッチング液Ｌに含まれるインジウムイオンやスズイオンの濃度が一定レベル以下に抑えられる。また、基板処理機構１２におけるエッチング条件やエッチング対象となる基板Ｋの種類などによってエッチング液Ｌに溶解するインジウムやスズの量が異なるために、吸着容器３２，３３，８２のキレート材（図示せず）が略飽和状態に達するまでの時間やエッチング枚数を設定するのは難しいが、吸着容器３２，３３，８２の切換制御を貯留槽１１内のエッチング液Ｌに含まれるインジウムイオンの濃度及び／又はスズイオンの濃度を基に行れば、この切換制御をより高精度に実施することができる。
【００９９】
また、吸着容器３２，３３，８２のいずれか一方にのみエッチング液Ｌを供給するのではなく、両方に同時に供給しても良い。また、除去機構３０は、吸着容器３２，３３を３つ以上又は１つのみ備えるように構成したり、除去機構８０は、吸着容器８２を３つ以上又は１つのみ取付可能に構成しても良い。
【０１００】
また、上例では、基板処理機構１２で基板Ｋをエッチングしている間、吸着容器３２，３３，８２に絶えずエッチング液Ｌを供給するようにしたが、これに限られるものではなく、例えば、エッチング処理を開始してからの経過時間が所定時間になったときや、基板Ｋのエッチング枚数が所定枚数になったとき、貯留槽１１内のエッチング液Ｌに含まれるインジウムイオンやスズイオンの濃度が所定濃度を超えたときなどに、インジウムイオンやスズイオンを吸着すべく吸着容器３２，３３，８２にエッチング液Ｌを供給するようにしても良い。この場合、吸着容器３２，３３，８２にエッチング液Ｌを供給したときに、供給ポンプ７５によって貯留タンク７３から貯留槽１１内に界面活性剤を一定量供給すると良い。
【０１０１】
また、貯留槽１１内にエッチング液Ｌを補給する態様は、上記のものに限定されるものではなく、例えば、貯留槽１１内にエッチング液Ｌを常時一定量供給するようにしたり、基板Ｋを所定枚数処理する毎に一定量供給するようにしたり、エッチング処理を開始してからの経過時間が所定時間になったときに一定量供給するようにしても良い。
【０１０２】
また、界面活性剤を供給するに当たっては、上例のように貯留槽１１内に供給するようにしても、エッチング液回収管３７，８８内を流通するエッチング液Ｌに供給するようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示した説明図である。
【図２】本発明の他の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示した説明図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１    基板処理装置
１１  貯留槽
１２  基板処理機構
２０  第１循環機構
２５  制御装置
３０  除去機構
３１  吸着機構
３２  第１吸着容器
３３  第２吸着容器
３４  第２循環機構
３５  エッチング液供給管
３６  供給ポンプ
３７  エッチング液回収管
３８，３９，４０，４１  切換弁
４２  溶離液供給機構
４３  溶離液供給部
４４  溶離液供給管
４５  溶離液供給弁
４６，４７  切換弁
４８  溶離液回収機構
４９  溶離液回収部
５０  溶離液回収管
５１，５２  切換弁
５３  溶離液回収弁
５４  洗浄液供給機構
５５  洗浄液供給部
５６  洗浄液供給管
５７  洗浄液供給弁
５８  洗浄液回収機構
５９  洗浄液回収部
６０  洗浄液回収管
６１  洗浄液回収弁
Ｋ    基板
Ｌ    エッチング液
【図１】
2008291312.tif 000003
【図２】
2008291312.tif 000004