(57)【要約】【課題】安定したガス処理能力と高いガス処理能力を得る。コストダウンを図る。【解決手段】処理対象ガスＧＳの通過方向（ダクト１の入口から出口への方向）に沿ってハニカム構造体４を間隔を設けて配置する。ハニカム構造体４−１と４−２を第１のハニカム構造体群とし、ハニカム構造体４−１の外側に第１の電極として電極８を、ハニカム構造体４−２の外側に第２の電極として電極９を配置する。ハニカム構造体４−３と４−４を第２のハニカム構造体群とし、ハニカム構造体４−３の外側に第１の電極として電極９を、ハニカム構造体４−４の外側に第２の電極として電極１０を配置する。電極８と９との間、電極９と１０との間に異なる値の高電圧を印加し、ハニカム構造体４の貫通孔（セル）４ａとハニカム構造体４間の空間ギャップ１２にプラズマを発生させる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
通風路内に間隔を設けて配置され前記処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数のハニカム構造体と、
前記複数のハニカム構造体のうち隣り合う複数のハニカム構造体を１群のハニカム構造体群とし、これらハニカム構造体群毎にその両端に位置するハニカム構造体の外側に配置された第１および第２の電極と、
前記各ハニカム構造体群の第１の電極と第２の電極との間に個別に高電圧を印加し前記ハニカム構造体の貫通孔および前記ハニカム構造体間の空間にプラズマを発生させる高電圧源と
を備えることを特徴とするガス処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載されたガス処理装置において、
前記高電圧源は、前記各ハニカム構造体群の第１の電極と第２の電極との間に電圧値が異なる高電圧を印加する
ことを特徴とするガス処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載されたガス処理装置において、
前記高電圧源は、前記各ハニカム構造体群の第１の電極と第２の電極との間に電圧種別が異なる高電圧を印加する
ことを特徴とするガス処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載されたガス処理装置において、
前記高電圧源は、前記各ハニカム構造体群の第１の電極と第２の電極との間に周波数が異なる高電圧を印加する
ことを特徴とするガス処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、処理対象ガスに含まれる有害ガスを浄化するガス処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、排気ガス中で高電圧放電を行ってプラズマ状態を作ることで、排気ガスに含まれる有害ガスの浄化を行う技術が知られている。近年、この技術は、脱臭を目的として、工場の排気を浄化する浄化装置や室内の空気を浄化する空気清浄機に応用されつつある。
【０００３】
熱的に非平衡な状態、つまり気体の温度やイオン温度に比べ、電子温度が非常に高い状態のプラズマ（非平衡プラズマ（以下、単にプラズマと言う））は、電子衝突でつくられるイオンやラジカルが常温では起こらない化学反応を促進させるので、有害ガスを効率的に除去あるいは分解することが可能な媒体として有害ガス処理において有用であると考えられている。実用化で肝心なことは、処理時のエネルギーの効率の向上と、プラズマで処理した後に完全に安全な生成物質へと変換されることである。
【０００４】
一般に、大気圧でのプラズマは気体放電や電子ビームなどによって生成される。現在において、適用が考えられているものに、窒素酸化物（ＮＯｘ）、硫黄酸化物（ＳＯｘ）、フロン、ＣＯ2 ，揮発性有機溶剤（ＶＯＣ）などがある。中でもＮＯｘは車の排ガスなどに含まれているので早急な実用化が必要となっている。
【０００５】
ＮＯｘ除去における放電プラズマ（気体放電によって生成されたプラズマ）内の現象は、電子衝突によって１次的に生成されたイオンやラジカルが最初の反応を起こし、その後の反応を通してＮ2 ，Ｈ2 Ｏ，ＮＨ4 ＮＯ3 などの各粒子に変換されて行くものと考えられている。
【０００６】
また、有害ガスを例えばアセトアルデヒドやホルムアルデヒドとした場合、この有害ガスをプラズマを通すことによって、ＣＯ2 とＨ2 Ｏに変換される。この場合、副生成物として、オゾン（Ｏ3 ）が発生する。
【０００７】
図５に放電プラズマを利用した従来のガス処理装置の要部を例示する（例えば、特許文献１参照）。同図において、１は処理対象ガス（有害ガスを含む空気）ＧＳが流れるダクト（通風路）であり、ダクト１内には、処理対象ガスＧＳの通過方向に沿って放電電極２とアース電極３とが交互に配置され、これら電極２，３間にセルと呼ばれる多数の貫通孔４ａを有するハニカム構造体４が配設されている。５は高電圧電源である。なお、ハニカム構造体４はセラミックス等の絶縁体で形成されており、特許文献２にもその使用例がある。
【０００８】
放電電極２は、金属製メッシュ、極細ワイヤ、または針状体等で形成されている。各放電電極２は、導線６によって高電圧電源５の＋極に接続されている。アース電極３は、金属性メッシュ等で形成されている。各アース電極３は、導線７によって高電圧電源５の−極に接続されている。
【０００９】
このガス処理装置では、処理対象ガスＧＳをダクト１に流し、放電電極２とアース電極３との間に高電圧電源５からの高電圧（数ｋＶ〜数１０ｋＶ）を印加する。これにより、各ハニカム構造体４の貫通孔４ａ内にプラズマが発生し、このプラズマ中に生成されるイオンやラジカルによって、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスが無害な物質に分解される。
【００１０】
【特許文献１】特開２０００−１４０５６２号公報
【特許文献２】特開２００１−２７６５６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上述した従来のガス処理装置では、次の(１)〜（３）のような問題があった。
【００１２】
(１)多数のハニカム構造体４を有するが、ばらつきなく均一なプラズマを発生させる技術が確立されておらず、ハニカム構造体４の性能にばらつきが出てしまう。例えば、同じハニカム構造体４同士でもインピータンス値が異なることがあり、また１つのハニカム構造体４内でも例えばその上下でインピーダンス値が異なるというようなこともあり、全体として均一なプラズマが発生せず、ガス処理能力が不安定となる。また、貫通孔４ａだけでのプラズマ発生なので、プラズマの発生量が少なく、ガス処理能力が低い。
【００１３】
(２)ハニカム構造体４は吸湿すると低インピーダンスに、乾燥すると高インピーダンスになる特性を持っており、ハニカム構造体４が低インピーダンスになると、流れる電流が増大し放電電極２とアース電極３との間に印加される高電圧値が低下し、ハニカム構造体４が高インピーダンスになると、流れる電流が減少し放電電極２とアース電極３との間に印加される高電圧値が上昇する。このような高電圧値の変化に対し、所望のプラズマの発生量を確保し得る高電圧値を得ることのできる高電圧電源５は、その設計に要する工数も含めて非常に高価となる。
【００１４】
(３)ハニカム構造体４のぞれぞれに対して放電電極２とアース電極３を設けているため、部品点数が多く、構造も複雑となり、高価となる。
(４)単一の電源で高電圧を発生させているので、これ以上のプラズマ発生量の向上は期待できず、ガス処理能力の向上も頭打ちとなる。
【００１５】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、安定したガス処理能力と高いガス処理能力を備えたガス処理装置を安価に提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
このような目的を達成するために本発明は、通風路内に間隔を設けて配置され処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数のハニカム構造体と、複数のハニカム構造体のうち隣り合う複数のハニカム構造体を１群のハニカム構造体群とし、これらハニカム構造体群毎にその両端に位置するハニカム構造体の外側に配置された第１および第２の電極と、各ハニカム構造体群の第１の電極と第２の電極との間に個別に高電圧を印加しハニカム構造体の貫通孔およびハニカム構造体間の空間にプラズマを発生させる高電圧源とを設けたものである。
【００１７】
この発明によれば、通風路内に複数のハニカム構造体が間隔を設けて配置され、この複数のハニカム構造体のうち隣り合う複数のハニカム構造体を１群のハニカム構造体群とし、これらハニカム構造体群毎にその両端に位置するハニカム構造体の外側に第１および第２の電極が配置される。
【００１８】
例えば、複数のハニカム構造体が第１のハニカム構造体群と第２のハニカム構造体群とに分けられた場合、第１のハニカム構造体群の両端に位置するハニカム構造体群の外側に第１の電極と第２の電極が配置され、第２のハニカム構造体群の両端に位置するハニカム構造体群の外側に第１の電極と第２の電極が配置される。この場合、第１のハニカム構造体群に対して配置する第１の電極および第２の電極と、第２のハニカム構造体群に対して配置する第１の電極および第２の電極とが存在することになるが、第１のハニカム構造体群に対して配置する第２の電極と第２のハニカム構造体群に対して配置する第１の電極とを共通電極とするなどとしてもよい。
【００１９】
各ハニカム構造体群の第１の電極と第２の電極との間には個別に高電圧が印加される。この高電圧の印加により、ハニカム構造体の貫通孔およびハニカム構造体間の空間にプラズマが発生し、このプラズマを通過する際に処理対象ガスに含まれる有害ガスが無害な物質に分解される。
【００２０】
この発明において、プラズマはハニカム構造体の貫通孔だけではなく、ハニカム構造体間の空間（空気層）にも発生する。このため、貫通孔内での有害ガスの分子分解効果に加え、ハニカム構造体間の空間での有害ガスの分子分解効果が加わり、さらにこの貫通孔内での分子分解効果とハニカム構造体間の空間での分子分解効果との相乗効果により、有害ガスの無害な物質への分解が促進される。また、ハニカム構造体間の空間には、均一なプラズマが大量に発生する。
【００２１】
また、この発明において、ハニカム構造体間には空気層が設けられるので、電極間のインピーダンスが安定し、ハニカム構造体の吸湿・乾燥によるインピーダンス変化に対して流れる電流の変化が小さくなり、専用に設計された特殊な高電圧電源を使用する必要がなくなる。
また、この発明において、電極はハニカム構造体群毎に設けるのみでよく、ハニカム構造体毎に電極を配置する必要がなくなり、部品点数が削減され、構造が簡単となり、組立工数も少なくて済む。
【００２２】
また、この発明では、各ハニカム構造体群の第１の電極と第２の電極との間に個別に高電圧を印加するので、ハニカム構造体間の空間での電位を安定的に高電界状態に保ち、プラズマを安定して発生させることが可能となり、単一電源を用いる場合に比べてガス処理能力を向上させることが可能となる。
【００２３】
本発明では、各ハニカム構造体群の第１の電極と第２の電極との間に個別に高電圧を印加するが、電圧値が異なる高電圧として印加するようにしたり、電圧種別が異なる高電圧として印加するようにしたり、周波数が異なる高電圧として印加するようにするなどとしてもよい。電圧種別を異ならせたり、周波数を異ならせたりすることにより、ハニカム構造体間の空間の電位を複雑な高電界状態にして、プラズマを安定して発生させることが可能となる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、通風路内に複数のハニカム構造体を間隔を設けて配置し、この複数のハニカム構造体のうち隣り合う複数のハニカム構造体を１群のハニカム構造体群とし、これらハニカム構造体群毎にその両端に位置するハニカム構造体の外側に第１および第２の電極を配置し、各ハニカム構造体群の第１の電極と第２の電極との間に個別に高電圧を印加するようにしたので、ハニカム構造体の貫通孔だけではなく、ハニカム構造体間の空間にもプラズマが発生するものとなり、貫通孔内での有害ガスの分子分解効果に加え、ハニカム構造体間の空間での有害ガスの分子分解効果が加わり、さらにこの貫通孔内での分子分解効果とハニカム構造体間の空間での分子分解効果との相乗効果により、有害ガスの無害な物質への分解が促進され、ガス処理能力が高まる。また、ハニカム構造体間の空間には、均一なプラズマが大量に発生するので、ガス処理能力が安定する。
【００２５】
また、本発明によれば、ハニカム構造体間に空気層が設けられるので、電極間のインピーダンスが安定し、ハニカム構造体の吸湿・乾燥によるインピーダンス変化に対して流れる電流の変化が小さくなり、専用に設計された特殊な高電圧電源を使用する必要がなくなり、市販されている安価な高電圧電源を用いることができるようになる。
また、本発明によれば、電極はハニカム構造体群毎に設けるのみでよく、ハニカム構造体毎に電極を配置する必要がない。これにより、部品点数が削減され、構造が簡単となり、組立個数も少なくて済み、コストダウンが図られる。
【００２６】
また、本発明によれば、各ハニカム構造体群の第１の電極と第２の電極との間に個別に高電圧を印加するようにしたので、電圧値が異なる高電圧として印加するようにしたり、電圧種別が異なる高電圧として印加するようにしたり、周波数が異なる高電圧として印加するようにするなどして、ハニカム構造体間の空間での電位を安定的に高電界状態に保ち、プラズマを安定して発生させることが可能となり、単一電源を用いる場合に比べてガス処理能力を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
〔実施の形態１〕
図１はこの発明に係るガス処理装置の一実施の形態（実施の形態１）の要部を示す図である。同図において、図５と同一符号は図５を参照して説明した構成要素と同一或いは同等構成要素を示し、その説明は省略する。
【００２８】
この実施の形態では、ダクト１内に処理対象ガスＧＳの通過方向（ダクト１の入口から出口への方向）に沿って、複数のハニカム構造体４を間隔を設けて配置している。この例では、ハニカム構造体４−１と４−２との間に間隔Ｇ１を設けて、ハニカム構造体４−３と４−４との間に間隔Ｇ２を設けて、ハニカム構造体４−１〜４−４をダクト１内に配置している。
【００２９】
また、ダクト１内の複数のハニカム構造体４のうち隣り合うハニカム構造体４−１と４−２を第１のハニカム構造体群とし、この第１のハニカム構造体群の両端に位置するハニカム構造体４−１および４−２の外側に、第１の電極として電極８を、第２の電極として電極９を配置している。
【００３０】
同様にして、ダクト１内の複数のハニカム構造体４のうち隣り合うハニカム構造体４−３と４−４を第２のハニカム構造体群とし、この第２のハニカム構造体群の両端に位置するハニカム構造体４−３および４−３の外側に、第１の電極として電極９を、第２の電極として電極１０を配置している。
【００３１】
なお、本実施の形態において、電極９は第１のハニカム構造体群の第２の電極と第２のハニカム構造体群の第１の電極とを兼ねた共通電極とされているが、第１のハニカム構造体群の第２の電極と第２のハニカム構造体群の第１の電極とを独立した電極とするようにしてもよい。
【００３２】
電極８，９および１０は、処理対象ガスＧＳが通過するように、金属製メッシュとされている。また、本実施の形態において、高電圧電源（高電圧源）５は、電圧値が異なる第１の高電圧電源５−１と第２の高電圧電源５−２とから構成され、電極８が導線１１によって高電圧電源５−１の＋極に接続され、電極９が導線１２によって高電圧電源５−１の−極および高電圧電源５−２の＋極に接続され、電極１０が導線１３によって高電圧電源５−２の−極に接続されている。
【００３３】
ハニカム構造体４は、セラミックス等の絶縁体で形成されており、処理対象ガスＧＳが通過する多数の貫通孔（セル）４ａを有している。各ハニカム構造体４の単位面積当たりの貫通孔４ａの数は等しくされている。すなわち、本実施の形態では、単位面積当たりの貫通孔４ａの数が等しい同一種類のハニカム構造体４−１〜４−４を使用している。
【００３４】
また、この実施の形態において、ハニカム構造体４−１と４−２との間の間隔Ｇ１と、ハニカム構造体４−３と４−４との間の間隔Ｇ２とは等しく、例えば０．５ｍｍ〜数ｍｍとされている。これにより、ハニカム構造体４−１と４−２との間に空気層１４−１が形成され、ハニカム構造体４−３と４−４との間に空気層１４−２が形成されている。以下、空気層１４（１４−１，１４−２）を空間ギャップと呼ぶ。
【００３５】
このガス処理装置では、処理対象ガスＧＳをダクト１内に流し、電極８と９との間に高電圧電源５−１からの高電圧を、電極９と１０との間に高電圧電源５−２からの高電圧を印加する。これにより、ハニカム構造体４の貫通孔４ａおよびハニカム構造体４間の空間ギャップ１４にプラズマが発生し、このプラズマ中に生成されるイオンやラジカルによって、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスが無害な物質に分解される。
【００３６】
本実施の形態において、プラズマはハニカム構造体４の貫通孔４ａだけではなく、ハニカム構造体４間の空間ギャップ１４にも発生する。このため、貫通孔４ａ内での有害ガスの分子分解効果に加え、ハニカム構造体４間の空間ギャップ１４での有害ガスの分子分解効果が加わり、さらにこの貫通孔４ａ内での分子分解効果とハニカム構造体４間の空間ギャップ１４での分子分解効果との相乗効果により、有害ガスの無害な物質への分解が促進され、ガス処理能力が高まる。また、ハニカム構造体４間の空間ギャップ１４には、対向する貫通孔４ａの縁面から電界が広がって、均一なプラズマが大量に発生する。これにより、貫通孔４ａ内に発生するプラズマのばらつきによる影響が小さくなり、ガス処理能力が安定する。
【００３７】
また、この実施の形態において、ハニカム構造体４間には空気層である空間ギャップ１４が設けられるので、この空間ギャップ１４により電極間のインピーダンスが安定し、ハニカム構造体の吸湿・乾燥によるインピーダンス変化に対して流れる電流の変化が小さくなる。これにより、電極間に加わる高電圧値の変化が小さくなり、高電圧電源５として、専用に設計された特殊な高電圧電源ではなく、市販されている安価な高電圧電源を使用することができるようになる。
【００３８】
また、この実施の形態において、電極はハニカム構造体群毎に設けるのみでよく、ハニカム構造体４毎に電極を配置する必要がない。これにより、部品点数が削減され、構造が簡単となり、組立工数も少なくて済み、コストダウンが図られる。
【００３９】
また、この実施の形態では、第１のハニカム構造体群の第１の電極８と第２の電極９との間に第１の高電圧電源５−１からの高電圧を、第２のハニカム構造体群の第１の電極９と第２の電極１０との間に第２の高電圧電源５−２からの高電圧を個別に印加しているので、空間ギャップ１４−１，１４−２での電位を安定的に高電界状態に保ち、プラズマを安定して発生させることが可能となり、従来のような単一電源を用いる場合に比べてガス処理能力を向上させることが可能となる。また、高電圧電源５−１からの高電圧と高電圧電源５−２からの高電圧が異なる値とすることにより、第１のハニカム構造体群と第２のハニカム構造体群とでプラズマの発生量を変えて、分解可能な有害ガスの種類を異ならせたりすることが可能となる。
【００４０】
〔実施の形態２〕
実施の形態１では、高電圧電源５として、直流の高電圧電源５−１と５−２との組合せ（ＤＣ＋ＤＣ）としたが、交流の高電圧電源同士の組合せ（ＡＣ＋ＡＣ）としたり、直流と交流の高電圧電源の組合せ（ＤＣ＋ＡＣ）としたり、パルス電源と交流電源との組合せ（パルス＋ＡＣ）としたするなど、各種の電圧種別の組合せが考えられる。また、交流の高電圧電源を用いた場合、周波数を異ならせるなどしてもよい。また、ハニカム構造体群の数を増やし、個別に印加する高電圧電源の種類をさらに増やしたり、周波数を異ならせたりするようにしてもよい。電圧種別を異ならせたり、周波数を異ならせたりすることにより、ハニカム構造体４間の空間の電位を複雑な高電界状態にして、プラズマを安定して発生させることが可能となる。
【００４１】
図２に高電圧電源５を交流の高電圧電源同士の組合せとした例を示す。この例では、第１の高電圧電源として交流の高電圧電源５−３を用い、第２の高電圧電源として交流の高電圧電源５−４を用いている。この例において、高電圧電源５−３と５−４の周波数を変えると、空間ギャップ１４（１４−１，１４−２）内を複雑な高電界状態とし、全体として空間ギャップ１４にプラズマが発生しない休止期間を少なくすることができ、安定してプラズマを発生させることが可能となる。
【００４２】
〔実施の形態３〕
実施の形態１では、処理対象ガスＧＳの通過方向に沿って複数のハニカム構造体４をダクト１内に設けるようにしたが、図３や図４に示すように、処理対象ガスＧＳの通過方向に直交する方向に沿って複数のハニカム構造体４をダクト１内に設けるようにしてもよい。
【００４３】
このようにすると、各ハニカム構造体４が処理対象ガスＧＳの通過方向に対し直交する方向に沿って間隔を設けて配置されるので、処理対象ガスＧＳの通過方向に沿って配置される場合よりも、処理対象ガスＧＳが各ハニカム構造体４の貫通孔４ａやハニカム構造体４間の空間ギャップ１２でプラズマに晒される時間が長くなる。これにより、ガス分解が行われる機会が多くなり、ガス処理能力が向上し、高速流におけるガス処理能力の低下を防ぐことが可能となる。
【００４４】
なお、上述した実施の形態１〜３では、ハニカム構造体４−１〜４−４の単位面積当たりの貫通孔４ａの数を等しくしているが、ハニカム構造体４−１〜４−４の単位面積当たりの貫通孔４ａの数を選択的に異ならせるようにしてもよい。例えば、ハニカム構造体４−１，４−２については単位面積当たりの貫通孔４ａの数を少なし、ハニカム構造体４−３，４−４については単位面積当たりの貫通孔４ａの数を多くするようにしたり、ハニカム構造体４−１，４−２，４−３，４−４の順で単位面積当たりの貫通孔４ａの数を多くするなどとしてもよい。
【００４５】
ハニカム構造体４−１，４−２，４−３，４−４の順で単位面積当たりの貫通孔４ａの数を多くすると、ハニカム構造体４−１，４−２，４−３，４−４の順でプラズマの発生量が大きくなり、各ハニカム構造体４で分解可能な有害ガスの種類を異ならせることが可能となる。
【００４６】
例えば、その分子が持つエネルギー準位が順に高い有害ガスＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄが処理対象ガスＧＳに含まれていたものとした場合、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスＡをハニカム構造体４−１で分解し、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスＢをハニカム構造体４−２で分解し、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスＣをハニカム構造体４−３で分解し、処理対象ガスＧＳに含まれる有害ガスＤをハニカム構造体４−４で分解するなど、各ハニカム構造体４で分解可能な有害ガスの種類を異ならせることができる。
【００４７】
この場合、ハニカム構造体４−２での有害ガスＢの分解に際し、ハニカム構造体４−１によって分解しきれなかった有害ガスＡの分解が行われ、ハニカム構造体４−３での有害ガスＣの分解に際し、ハニカム構造体４−１，４−２で分解しきれなかった有害ガスＡ，Ｂの分解が行われ、ハニカム構造体４−４での有害ガスＤの分解に際し、ハニカム構造体４−１，４−２，４−３で分解しきれなかった有害ガスＡ，Ｂ，Ｃの分解が行われる。
【００４８】
このような方法とすると、１つのハニカム構造体４で全ての有害ガスＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの分解を行うようにした場合よりも、有害ガスの分解に際して発生する副生成物（例えば、オゾン）の発生量を少なくすることができる。
【００４９】
また、上述した実施の形態１〜３ではハニカム構造体４間の間隔Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）を等しくしているが、異ならせるようにしてもよい。ハニカム構造体４間の間隔Ｇ１，Ｇ２を異ならせると、空間ギャップ１４−１，１４−２でのプラズマの発生量が異なるものとなり、ハニカム構造体４−１〜４−４の単位面積当たりの貫通孔４ａの数を選択的に異ならせた場合と同様の作用・効果を得ることができる。この場合、ハニカム構造体４−１〜４−４を単位面積当たりの貫通孔４ａの数が等しい同一種類のハニカム構造体とすることができるので、部品の種類を増やさずに済む。
【００５０】
また、上述した実施の形態１〜３において、ハニカム構造体４はオゾンを分解する触媒機能を備えたものとしてもよく、ハニカム構造体４−４の下流位置にオゾンを分解する触媒を設けるようにしてもよい。
また、上述した実施の形態１〜３では、ハニカム構造体４の数を４つとしたが、２つ以上のハニカム構造体群を形成することができれば、ハニカム構造体４の数は幾つあってもよい。
また、上述した実施の形態１〜３において、副生成物としてオゾンを大量に発生させ、オゾン発生器として転用するようにしてもよい。
【００５１】
なお、本ガス処理装置は、燃料電池等に用いられる水素を効率的に生成する目的で、炭化水素類等から水素含有ガスを生成する、いわゆる改質にも適用することができる。例えばオクタン（ガソリンの平均分子量に比較的近い物質）Ｃ8Ｈ18の場合は、本ガス処理装置に供給すると下記（１）式で示される化学反応が促進され、その結果水素ガスを効率よく生成することができる。
Ｃ8Ｈ18＋８Ｈ2Ｏ＋４（Ｏ2＋４Ｎ2）→８ＣＯ2＋１７Ｈ2＋１６Ｎ2・・・・（１）
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明に係るガス処理装置の一実施の形態（実施の形態１）の要部を示す図である。
【図２】高電圧電源として交流の高電圧電源同士の組合せとした例（実施の形態２）を示す図である。
【図３】処理対象ガスの通過方向に沿って複数のハニカム構造体をダクト内に設けた例（ＤＣ＋ＤＣの組合せの場合）を示す図である。
【図４】処理対象ガスの通過方向に沿って複数のハニカム構造体をダクト内に設けた例（ＡＣ＋ＡＣの組合せの場合）を示す図である。
【図５】放電プラズマを利用した従来のガス処理装置の要部を例示する図である。
【符号の説明】
【００５３】
１…ダクト（通風路）、４（４−１〜４−４）…ハニカム構造体、４ａ…貫通孔（セル）、５（５−１〜５−４）…高電圧電源、８，９，１０…電極、１４（１４−１，１４−２）…空間ギャップ、Ｇ（Ｇ１，Ｇ２）…間隔、ＧＳ…処理対象ガス。
【図１】
2008194670.tif 000003
【図２】
2008194670.tif 000004
【図３】
2008194670.tif 000005
【図４】
2008194670.tif 000006
【図５】
2008194670.tif 000007