(57)【要約】【課題】本発明は、基板、磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記憶装置に関し、低ノイズを実現可能とすることを目的とする。【解決手段】垂直磁気記録媒体用の基板は、非磁性材料からなり、表面断面曲線の傾斜角度が２．０度以下、若しくは、８３ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜３０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲内で０．１５ｎｍ以下の表面形状を有するように構成されている。【選択図】図８
2008293552.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直磁気記録媒体用の基板であって、
非磁性材料からなり、
表面断面曲線の傾斜角度が２．０度以下、若しくは、８３ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜３０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲内で０．１５ｎｍ以下の表面形状を有することを特徴とする、基板。
【請求項２】
５０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲が０．１５ｎｍ以下の表面形状を有することを特徴とする、請求項１記載の基板。
【請求項３】
該基板表面は、トラック方向に機械的な加工を施されていることを特徴とする、請求項１又は２項記載の基板。
【請求項４】
非磁性基板と、
該基板の上方に設けられ、少なくとも軟磁性裏打ち層、中間層及び磁性層を有する磁気記録構造とを備え、
該基板は、表面断面曲線の傾斜角度が２．０度以下、若しくは、８３ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜３０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲内で０．１５ｎｍ以下の表面形状を有することを特徴とする、垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
該基板は、５０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲が０．１５ｎｍ以下の表面形状を有することを特徴とする、請求項４記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
該基板表面は、トラック方向に機械的な加工を施されていることを特徴とする、請求項４又は５記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
非磁性材料からなる基板の表面に対してトラック方向に機械的な加工を施し、表面断面曲線の傾斜角度を２．０度以下、若しくは、８３ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜３０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲内で０．１５ｎｍ以下の表面形状に加工する加工工程と、
該加工の後に該基板の表面を洗浄する洗浄工程と、
該基板の上方に、少なくとも軟磁性裏打ち層、中間層及び磁性層を有する磁気記録構造を形成する工程とを含むことを特徴とする、垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
該加工工程は、該基板を５０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲が０．１５ｎｍ以下の表面形状に加工することを特徴とする、請求項７記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
ヘッドと、
請求項４〜６のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体を少なくとも１つ備えたことを特徴とする、磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板、磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記憶装置に係り、特に垂直磁気記録媒体に適した基板、垂直磁気記録媒体及びその製造方法、並びにそのような垂直磁気記録媒体を備えた磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報処理技術の発展に伴い、コンピュータの外部記録装置等として用いられている磁気ディスク装置に対しては、大容量化や高速転送化等の高性能化の要求がある。このような要求に鑑み磁気記録の高記録密度化を達成するために、近年、垂直磁気記録媒体の開発が活発になってきている。
【０００３】
垂直磁気記録媒体においても、水平磁気記録媒体の場合と同様に、高記録密度化に対して磁気記録媒体の記録層（又は、磁性層）の低ノイズ化を図ることが効果的であり、従来は、基板の表面粗さＲａを小さくすることでノイズを低減している。
【０００４】
図１は、従来の垂直磁気記録媒体のＲｕ（００２）ロッキングΔθ５０（度）対基板の表面粗さＲａ特性を示す図である。図１に示す特性は、化学強化ガラスからなる基板上に、膜厚が３５ｎｍのＣｏＦｅ合金からなる軟磁性裏打ち層、膜厚５ｎｍのＮｉ合金からなるＦＣＣ構造の中間層、膜厚が２０ｎｍのＲｕからなる中間層、膜厚が１０ｎｍの磁性粒子の周りに酸化物が偏析したＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２からなるグラニュラ酸化物層、膜厚が１０ｎｍのＣｏＣｒＰｔＢ合金からなる磁性層、膜厚が４ｎｍのダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる保護層及び膜厚が１ｎｍの潤滑層が積層された構造を有する垂直磁気記録媒体の実測値である。図１において、縦軸はＲｕ合金中間層の結晶軸方向のバラツキ（又は、分散）、即ち、ＸＲＤロッキングカーブ測定の半値幅Δθ５０を示し、横軸は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて基板の１μｍ×１μｍ四方の表面形状を観察したときの三次元像の中心表面粗さ、即ち、表面粗さＲａを示す。図１において、Δθ５０が小さい程磁性層のノイズが低い。
【０００５】
テープを用いて基板表面を鏡面加工する方法は、例えば特許文献１に記載されている。基板に円周方向のテキスチャリングを施す方法は、例えば特許文献２に記載されている。又、メッキ法で基板の表面粗さを制御する方法は、例えば特許文献３に記載されている。
【特許文献１】特開平６−２０３３７１号公報
【特許文献２】特開２００４−２８０９６１号公報
【特許文献３】特開２００４−３４２２９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１において、基板の表面粗さＲａが０．４ｎｍよりも小さい領域では、基板表面の低Ｒａ化による低ノイズ化の効果が小さい。このため、基板の表面粗さＲａを小さくするだけでは、垂直磁気記録媒体の更なる低ノイズ化は困難であるという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、低ノイズを実現可能な基板、磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題は、垂直磁気記録媒体用の基板であって、非磁性材料からなり、表面断面曲線の傾斜角度が２．０度以下、若しくは、８３ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜３０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲内で０．１５ｎｍ以下の表面形状を有することを特徴とする基板によって達成できる。
【０００９】
上記の課題は、非磁性基板と、該基板の上方に設けられ、少なくとも軟磁性裏打ち層、中間層及び磁性層を有する磁気記録構造とを備え、該基板は、表面断面曲線の傾斜角度が２．０度以下、若しくは、８３ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜３０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲内で０．１５ｎｍ以下の表面形状を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体によって達成できる。
【００１０】
上記の課題は、非磁性材料からなる基板の表面に対してトラック方向に機械的な加工を施し、表面断面曲線の傾斜角度を２．０度以下、若しくは、８３ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜３０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲内で０．１５ｎｍ以下の表面形状に加工する加工工程と、該加工の後に該基板の表面を洗浄する洗浄工程と、該基板の上方に、少なくとも軟磁性裏打ち層、中間層及び磁性層を有する磁気記録構造を形成する工程とを含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法によって達成できる。
【００１１】
上記の課題は、ヘッドと、上記の垂直磁気記録媒体を少なくとも１つ備えたことを特徴とする磁気記憶装置によって達成できる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、低ノイズを実現可能な基板、磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記憶装置を実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明者らは、垂直磁気記録媒体のノイズと関係の深い基板表面の形状指標を見出した。この形状指標を満足するように非磁性基板の表面に研磨等の機械的な加工を施すことで、記録層のノイズが低減された垂直磁気記録媒体を構成することができる。機械的な加工は、垂直磁気記録媒体上のトラック方向に沿って施される。例えば、垂直磁気記録媒体が磁気ディスクの場合、磁気ディスクの円周方向に沿って基板表面に加工を施す。
【００１４】
具体的には、表面断面曲線の傾斜角度が２．０度以下、若しくは、８３ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜３０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲内で０．１５ｎｍ以下、望ましくは、５９ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜４０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲内で０．１５以下、例えば、５０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａが０．１５ｎｍ以下の表面形状を有する基板を用いることによって、垂直磁気記録媒体のノイズを低減することができる。
【実施例】
【００１５】
１．傾斜角度：
基板の平坦度の指標としては、表面粗さＲａが用いられるのが一般的である。しかし、本発明者らは、基板表面の「高低差」に依存する表面粗さＲａではなく、「傾き」が垂直記録媒体のノイズと関係が深いことを見出し、基板の断面形状プロファイルから算出した傾斜角度という新しい指標を見出した。
【００１６】
図２は、傾斜角度を説明する基板の断面図である。同図中、（ａ），（ｂ）の表面粗さＲａは、高低差が同じであるため同じであるが、（ｂ）の方が（ａ）の場合より傾斜角度は小さい状態を示す。図２において、矢印は基板の上方に形成される中間層の結晶軸方向のバラツキ（又は、分散）を示す。
【００１７】
図３は、傾斜角度の算出を説明する図である。同図中、縦軸は基板の高さ方向Ｚ、横軸は基板の水平方向Ｘを夫々任意単位で示す。傾斜角度は、サンプリング点の数をｎ（ｎは整数）とすると、次式で表され、基板表面上に存在する全ての傾斜の平均値を示す。
2008293552.tif 000003
ここで、Ｌは
2008293552.tif 000004
である。
【００１８】
本発明者らは、この傾斜角度という指標と垂直磁気記録媒体のノイズとの相関性を調査した。図４及び図５は、傾斜角度とノイズとの相関性を調査した結果を示す図である。図４及び図５に示す特性は、化学強化ガラスからなる基板上に、膜厚が３５ｎｍのＣｏＦｅ合金からなる軟磁性裏打ち層、膜厚５ｎｍのＮｉ合金からなるＦＣＣ構造の中間層、膜厚が２０ｎｍのＲｕからなる中間層、膜厚が１０ｎｍの磁性粒子の周りに酸化物が偏析したＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２からなるグラニュラ酸化物層、膜厚が１０ｎｍのＣｏＣｒＰｔＢ合金からなる磁性層（又は、記録層）、膜厚が４ｎｍのダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる保護層及び膜厚が１ｎｍの潤滑層が積層された構造を有する垂直磁気記録媒体の実測値である。図４中、縦軸はＲｕ合金中間層の結晶軸方向のバラツキ（又は、分散）、即ち、ＸＲＤロッキングカーブ測定の半値幅Δθ５０を示し、横軸は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて基板の１μｍ×１μｍ四方の表面形状を観察したときの三次元像の中心表面粗さ、即ち、表面粗さＲａを示す。図５中、縦軸はＲｕ合金中間層の結晶軸方向のバラツキ（又は、分散）、即ち、ＸＲＤロッキングカーブ測定の半値幅Δθ５０を示し、横軸は傾斜角度を示す。図４に示すＲ２＝０．８５は、Ｘ軸をＲａ、Ｙ軸をΔθ５０にて最小二乗法で１次式近似直線を算出したときの相関係数を示す。図５に示すＲ２＝０．９４は、Ｘ軸を傾斜角度、Ｙ軸をΔθ５０にて最小二乗法で１次式近似直線を算出したときの相関係数を示す。図４及び図５から、傾斜角度は表面粗さＲａに比べてノイズとの相関が高いことが確認された。
【００１９】
従来の基板の基板表面を解析すると、傾斜角度は２．０度より大きい。これは、従来の基板は表面粗さＲａを基準に作成されており、表面粗さＲａが０．４ｎｍよりも小さい領域では基板表面の低Ｒａ化による低ノイズ化の効果が小さく、又、垂直磁気記録媒体の基板表面に処理を施すと、一般的には洗浄時の化学反応等により垂直磁気記録媒体の特性が低下してしまうので、例えば表面粗さＲａが０．４ｎｍの基板表面に加工を施して表面粗さＲａを更に小さくしようとする考え方がなかったことによる。
【００２０】
これに対し、本発明では基板表面に積極的に加工を施して傾斜角度を２．０度以下にすることで、垂直磁気記録媒体のノイズを更に低減する。
【００２１】
２．短周期の表面粗さＲａ：
基板表面の断面形状は、様々な周波数成分から構成される波形の和で表すことができる。このような周波数成分のうち、比較的長い波長の周波数成分から構成される波形を長周期成分と定義し、比較的短い波長の周波数成分から構成される波形を短周期成分と定義すると、長周期成分の粗さは傾斜角度に対して影響が小さく、短周期成分の粗さは傾斜角度に対して影響が大きいという幾何学的な関係がある。このため、短周期成分の粗さという指標を、上記傾斜角度という指標の代わりに使用することも可能である。
【００２２】
図６は、基板の評価結果を示す図である。図６中、基板Ａは表面粗さＲａが０．３７ｎｍの従来の化学強化ガラス基板の一例、基板Ｂは表面粗さＲａが０．３０ｎｍの従来の化学強化ガラス基板の他の例、基板Ｃは基板Ａの円周方向に加工を施した例、基板Ｄは基板Ｂの円周方向に加工を施した例である。
【００２３】
図７は、基板Ｃ，Ｄの加工方法を説明する斜視図である。ここでは説明の便宜上、加工する基板１がディスク形状を有するものとする。円周方向の加工は、図７に示すように基板１を矢印で示す円周方向に回転させながら、ダイヤモンドスラリー２を浸透させた発泡ウレタン等からなるテープ３をゴムローラ４でＰ方向に押し付けることで、テープ３を基板１の表面に押し付けて行った。このような機械的な加工により、基板１の表面が研磨された。
【００２４】
図６では、各基板Ａ〜Ｄの表面粗さＲａ、傾斜角度、短周期成分の表面粗さＲａ及びＲｕ合金中間層の結晶軸方向のバラツキ（又は、分散）、即ち、ＸＲＤロッキングカーブ測定の半値幅Δθ５０の実測値を、図４及び図５の実測値を得たのと同様の構成の垂直磁気記録媒体について示す。短周期成分の表面粗さＲａは、１００ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ、５０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ及び２０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａを含む。
【００２５】
表面粗さＲａ、傾斜角度及び短周期成分の表面粗さＲａは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて基板の１μｍ×１μｍ四方の表面形状を観察して求めた。表面粗さＲａは、ＡＦＭを用いて１μｍ×１μｍ四方の表面形状を観察したときの三次元像の中心平面表面粗さを示し、傾斜角度はこの三次元像から断面プロファイルデータを取り出しプロファイルデータの前後３点を平均化してスムージングしたデータを用いて上記傾斜角度の式より算出した値を示す。５０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａはＡＦＭ三次元データについて二次元フーリエ変換を行いＸＹ方向で５０ｎｍ以下の周期データを抽出して三次元データに復元した三次元像の中心平均面粗さを示す。この周期データには、Ｘ方向の波長、Ｙ方向の波長及び強度の３種類のパラメータが含まれる。
【００２６】
図６から分かるように、１００ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａと２０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａは、傾斜角度（即ち、ノイズ）と相関がないが、５０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａは、傾斜角度（即ち、ノイズ）の変動と挙動が同傾向である。これにより、５０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａであれば、傾斜角度の代替の指標として使用できることが確認された。又、５０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａを０．１５ｎｍよりも小さくすることにより、傾斜角度が２．０以下となりノイズを低減できることが確認された。
【００２７】
図８は、本発明の磁気記録媒体の一実施例の構成を示す断面図である。本実施例では、本発明が垂直磁気記録方式の磁気ディスク１０に適用されている。磁気ディスク１０は、化学強化ガラスからなる基板上１１に、膜厚が３５ｎｍのＣｏＦｅ合金からなる軟磁性裏打ち層１２、膜厚５ｎｍのＮｉ合金からなるＦＣＣ構造の中間層１３、膜厚が２０ｎｍのＲｕからなる中間層１４、膜厚が１０ｎｍの磁性粒子の周りに酸化物が偏析したＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２からなるグラニュラ酸化物層１５、膜厚が１０ｎｍのＣｏＣｒＰｔＢ合金からなる磁性層１６、膜厚が４ｎｍのダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる保護層１７及び膜厚が１ｎｍの潤滑層１８が積層された構造を有する。磁気ディスク１０は、基板１１の表面の傾斜角度が２．０以下であるか、若しくは、基板１１が５０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａが０．１５ｎｍ以下の表面形状を有することを特徴としており、基板１１の材質は化学強化ガラスに限定されず、各種非磁性材料を用いることができる。例えば、基板１１はＡｌの表面にＮｉＰを形成された構成であっても、ガラスの表面に金属が形成された構成であっても良い。つまり、基板１１は単層構造のものに限定されず、多層構造を有するものであっても良い。又、基板１１以外の層１２〜１８の膜厚及び材質も、上記のものに限定されるものではない。
【００２８】
更に、基板１１の上方に設けられる軟磁性裏打ち層１２、中間層１３，１４、グラニュラ酸化物層１５及び磁性層１６からなる磁気記録構造は、図８に示す構造に限定されるものではなく、垂直磁気記録を行うことが可能な磁気記録構造であれば良い。
【００２９】
図９は、垂直磁気記録媒体のサンプルの特性を示す図である。表面粗さの異なる２種類の化学強化ガラス基板Ａ，Ｂに円周方向の加工を施さないサンプルと円周方向の加工を１６秒、５０秒、２００秒施したサンプルを作成した。円周方向の加工は、図７に示すように基板１を円周方向に回転させながらダイヤモンドスラリー２を浸透させた発泡ウレタンからなるテープ３を基板１にゴムローラ４で押し付けて行った。円周方向の加工を施さないサンプルについては、表面摩擦を生じない超音波（ＵＳ）洗浄のみを施した（ＵＳ）サンプルと、ＵＳ洗浄の後にスクラブ洗浄を施した（ＵＳ＋ＳＲＢ）サンプルを作成した。スクラブ洗浄は、花王株式会社製のクリンスルーＫＳ３０８０なる洗剤を用いた。又、円周方向の加工を施したサンプルについては、ＵＳ洗浄の後にスクラブ洗浄を施した（ＵＳ＋ＳＲＢ）。従って、サンプル番号（Ｎｏ．）１，２の基板Ａには円周方向の加工が施されず、サンプル番号１の基板ＡにはＵＳ洗浄のみを施し、サンプル番号２の基板ＡにはＵＳ洗浄の後にスクラブ洗浄を施した。サンプル番号３〜５の基板Ａには、夫々円周方向の加工を１６秒、５０秒、２００秒施し、ＵＳ洗浄の後にスクラブ洗浄を施した。サンプル番号６，７の基板Ｂには円周方向の加工が施されず、サンプル番号６の基板ＢにはＵＳ洗浄のみを施し、サンプル番号７の基板ＢにはＵＳ洗浄の後にスクラブ洗浄を施した。サンプル番号８〜１０の基板Ｂには、夫々円周方向の加工を１６秒、５０秒、２００秒施し、ＵＳ洗浄の後にスクラブ洗浄を施した。
【００３０】
これらのサンプル番号１〜１０の基板の表面粗さＲａ、傾斜角度、５０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの実測値を求めた。表面粗さＲａ、傾斜角度及び５０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａは、ＡＦＭを用いて基板の１μｍ×１μｍ四方の表面形状を観察して求めた。表面粗さＲａは、ＡＦＭを用いて１μｍ×１μｍ四方の表面形状を観察したときの三次元像の中心平面表面粗さを示し、傾斜角度はこの三次元像から断面プロファイルデータを取り出しプロファイルデータの前後３点を平均化してスムージングしたデータを用いて上記傾斜角度の式より算出した値を示す。５０ｎｍ以下の周期の粗さＲａはＡＦＭ三次元データについて二次元フーリエ変換を行いＸＹ方向で５０ｎｍ以下の周期データを抽出して三次元データに復元した三次元像の中心平均面粗さを示す。
【００３１】
これらのサンプル番号１〜１０の表面形状の異なる化学強化ガラス基板１１上に、膜厚が３５ｎｍのＣｏＦｅ合金からなる軟磁性裏打ち層１２、膜厚５ｎｍのＮｉ合金からなるＦＣＣ構造の中間層１３、膜厚が２０ｎｍのＲｕからなる中間層１４、膜厚が１０ｎｍの磁性粒子の周りに酸化物が偏析したＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２からなるグラニュラ酸化物層１５、膜厚が１０ｎｍのＣｏＣｒＰｔＢ合金からなる磁性層１６、膜厚が４ｎｍのダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる保護層１７及び膜厚が１ｎｍの潤滑層１８が図８に示す如き積層され、基板表面形状及び結晶配向バラツキの指標となるＸＲＤロッキングカーブ測定の半値幅Δθ５０及びエラーレートの指標となるＶＭＭ２Ｌの実測値を求めた。ＶＭＭ２Ｌの実測値は、１３０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ２相当の垂直磁気記録媒体用のＴＭＲヘッドを用いて８２５ｋｂｐｉの記録密度で評価した。
【００３２】
図９からもわかるように、基板に円周方向の加工を施すことにより、傾斜角度及び５０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａが低下し、それに伴いΔθ５０の値が小さくなってノイズが抑制され、ＶＭＭ２Ｌの値も低下してエラーレートが改善することが確認された。
【００３３】
以上説明したように、本実施例によれば、記録層のノイズを低減し、高いエラーレート特性を得ることができる。従って、高記録密度に適した垂直磁気記録媒体を提供することが可能である。
【００３４】
図１０は、図９に示すサンプル番号１〜１０のサンプルについて、１００ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜２０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの実測値を求めた周波数解析結果を示す図である。又、図１１は、Ｘ軸方向の１００ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜２０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａと、Ｙ軸方向の傾斜角度とΔθ５０の値の実測値を求めた結果を示す相関係数Ｒ２の解析結果を示す図である。更に、図１２は、図１０及び図１１の解析結果に基づいて、相関係数Ｒ２と１００ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜２０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａとの関係を、傾斜角度及びΔθ５０の値について示す図である。図１２中、菱形印のデータは傾斜角度を示し、四角印のデータはΔθ５０の値を示す。図１０〜図１２の実測値の求めた条件は、図９の場合と同様である。
【００３５】
図１３は、図１０〜図１２の解析結果とＶＭＭ２Ｌの実測値とに基づいた、傾斜角度、Δθ５０の値、ＶＭＭ２Ｌの値、表面粗さＲａ、及び１００ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜２０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａとの相関関係を示す図である。ＶＭＭ２Ｌの実測値は、図９の場合と同様に、１３０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ２相当の垂直磁気記録媒体用のＴＭＲヘッドを用いて８２５ｋｂｐｉの記録密度で評価した。図１３からもわかるように、８３ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜３０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲では、傾斜角度又はΔθ５０の値との相関係数Ｒ２の値が０．９５以上であり、傾斜角度と略同じ相関関係にあることが確認された。特に、５９ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜４０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲では、相関係数Ｒ２の値が０．９９以上であり、この範囲の周期の表面粗さＲａは、基板の平坦度の指標である傾斜角度の代わりに使用可能であることが確認された。つまり、８３ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜３０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲内で０．１５ｎｍ以下、望ましくは、５９ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜４０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲内で０．１５以下であれば、傾斜角度が２．０度以下の場合と略等価であることが確認された。
【００３６】
次に、本発明の磁気記憶装置の一実施例を、図１４及び図１５と共に説明する。図１４は、磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図であり、図１１は、磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図である。
【００３７】
図１４及び図１５に示すように、磁気記憶装置は、ハウジング１１３内に設けられたモータ１１４、ハブ１１５、複数の磁気記録媒体１１６、複数の記録再生ヘッド１１７、複数のサスペンション１１８、複数のアーム１１９及びアクチュエータ装置２１０からなる。磁気記録媒体１１６は、モータ１１４により回転されるハブ１１５に取り付けられている。記録再生ヘッド１１７は、再生ヘッドと記録ヘッドから構成されている。各記録再生ヘッド１１７は、対応するアーム１１９の先端にサスペンション１１８を介して取り付けられている。アーム１１９は、アクチュエータ装置２１０により移動される。このような磁気記憶装置の基本構成自体は周知であり、本明細書ではその詳細な説明は省略する。
【００３８】
本実施例では、磁気記憶装置は、磁気記録媒体１１６に特徴がある。各磁気記録媒体１１６は、図２〜図１３と共に説明した実施例の構造を有する。尚、磁気記録媒体１１６の数は３つに限定されるものではなく、２つであっても、４以上であっても良い。
【００３９】
磁気記憶装置の基本構成は、図１４及び図１５に示すものに限定されない。又、本発明で用いられる磁気記録媒体は、磁気ディスクに限定されるものではなく、磁気テープや磁気カード等の他の形状の磁気記録媒体であっても良い。更に、磁気記録媒体は、磁気記憶装置のハウジング１１３内に固定されている必要はなく、磁気記録媒体はハウジング１１３に対してロードされアンロードされる可搬型の媒体であっても良い。
【００４０】
尚、本発明は、以下に付記する発明をも包含するものである。
（付記１）
垂直磁気記録媒体用の基板であって、
非磁性材料からなり、
表面断面曲線の傾斜角度が２．０度以下、若しくは、８３ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜３０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲内で０．１５ｎｍ以下の表面形状を有することを特徴とする、基板。
（付記２）
５９ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜４０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲内で０．１５以下の表面形状を有することを特徴とする、付記１記載の基板。
（付記３）
５０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲が０．１５ｎｍ以下の表面形状を有することを特徴とする、付記１記載の基板。
（付記４）
該基板表面は、トラック方向に機械的な加工を施されていることを特徴とする、付記１〜３のいずれか１項記載の基板。
（付記５）
非磁性基板と、
該基板の上方に設けられ、少なくとも軟磁性裏打ち層、中間層及び磁性層を有する磁気記録構造とを備え、
該基板は、表面断面曲線の傾斜角度が２．０度以下、若しくは、８３ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜３０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲内で０．１５ｎｍ以下の表面形状を有することを特徴とする、垂直磁気記録媒体。
（付記６）
該基板は、５９ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜４０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲内で０．１５以下の表面形状を有することを特徴とする、付記５記載の垂直磁気記録媒体。
（付記７）
該基板は、５０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲が０．１５ｎｍ以下の表面形状を有することを特徴とする、付記５記載の垂直磁気記録媒体。
（付記８）
該基板表面は、トラック方向に機械的な加工を施されていることを特徴とする、付記５〜７のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記９）
非磁性材料からなる基板の表面に対してトラック方向に機械的な加工を施し、表面断面曲線の傾斜角度を２．０度以下、若しくは、８３ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜３０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲内で０．１５ｎｍ以下の表面形状に加工する加工工程と、
該加工の後に該基板の表面を洗浄する洗浄工程と、
該基板の上方に、少なくとも軟磁性裏打ち層、中間層及び磁性層を有する磁気記録構造を形成する工程とを含むことを特徴とする、垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記１０）
該加工工程は、該基板を５９ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜４０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲内で０．１５以下の表面形状に加工することを特徴とする、付記９記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記１１）
該加工工程は、該基板を５０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの範囲が０．１５ｎｍ以下の表面形状に加工することを特徴とする、付記９記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記１２）
ヘッドと、
付記５〜８のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体を少なくとも１つ備えたことを特徴とする、磁気記憶装置。
【００４１】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】従来の垂直磁気記録媒体のＲｕ（００２）ロッキングΔθ５０（度）対基板の表面粗さＲａ特性を示す図である。
【図２】傾斜角度を説明する基板の断面図である。
【図３】傾斜角度の算出を説明する図である。
【図４】傾斜角度とノイズとの相関性を調査した結果を示す図である。
【図５】傾斜角度とノイズとの相関性を調査した結果を示す図である。
【図６】基板の評価結果を示す図である。
【図７】基板の加工方法を説明する斜視図である。
【図８】本発明の磁気記録媒体の一実施例の構成を示す断面図である。
【図９】垂直磁気記録媒体のサンプルの特性を示す図である。
【図１０】図９に示すサンプルについて１００ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜２０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａの実測値を求めた周波数解析結果を示す図である。
【図１１】Ｘ軸方向の１００ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜２０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａと、Ｙ軸方向の傾斜角度とΔθ５０の値の実測値を求めた結果を示す相関係数の解析結果を示す図である。
【図１２】図１０及び図１１の解析結果に基づいて、相関係数と１００ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜２０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａとの関係を、傾斜角度及びΔθ５０の値について示す図である。
【図１３】傾斜角度、Δθ５０の値、ＶＭＭ２Ｌの値、表面粗さＲａ、及び１００ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａ〜２０ｎｍ以下の周期の表面粗さＲａとの相関関係を示す図である。
【図１４】本発明の磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図である。
【図１５】磁気記憶装置の要部を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１      基板
２      ダイヤモンドスラリー
３      テープ
４      ゴムローラ
１０      磁気ディスク
１１      化学強化ガラス基板
１２      軟磁性裏打ち層
１３，１４      中間層
１５      グラニュラ酸化物層
１６      磁性層
１７      保護層
１８      潤滑層
１１３      ハウジング
１１６      磁気記録媒体
１１７      記録再生ヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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