(57)【要約】【課題】ＣＳＰ型のＳＡＷ素子を備えるＳＡＷデバイスにおいて、機械的強度及び実装強度の向上、気密性及び耐湿性の確保により、高い信頼性及び品質を得る。【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、ＳＡＷチップ５とカバー６とを直接接合したＣＳＰ型のＳＡＷ素子２と平板状のベース３とを備える。ＳＡＷ素子はベースにフリップチップ実装され、その引出電極１７，１７をベースの接続端子１９，１９と直接接続する。ＳＡＷ素子は、その外面及びベース表面を被覆するモールド樹脂４で封止されることにより、チッピングや割れ、欠け等の損傷から保護されると共に、機械的により強固に固定される。モールド樹脂が十分な気密性又は耐湿性を持たなくても、ＳＡＷ素子自体の気密性及び耐湿性が十分に確保される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性表面波（ＳＡＷ）素子と、前記ＳＡＷ素子を支持するためのベースとを備え、
前記ＳＡＷ素子が、圧電基板の主面にＩＤＴ電極及び前記ＩＤＴ電極から引き出した取出電極を有するＳＡＷチップと、前記ＳＡＷチップの前記圧電基板主面に一体的に接合されて、前記ＳＡＷチップとの間に前記ＩＤＴ電極を気密に封止する空間を画定する絶縁性基板からなるカバーとを備え、前記カバーが、前記絶縁性基板の前記圧電基板との対向面に形成されて前記ＳＡＷチップの前記取出電極と電気的に接続される接続電極と、前記絶縁性基板の前記圧電基板とは反対側の面に形成された引出電極とを有し、前記接続電極と前記引出電極とが、前記絶縁性基板に設けられかつ気密に封止された貫通孔の内部に設けられた導電材料により電気的に接続され、
前記ベースが、前記ＳＡＷ素子の引出電極と電気的に接続するための接続端子と、前記接続端子と電気的に接続された、外部と接続するための外部端子とを備え、
前記ＳＡＷ素子が、前記引出電極を前記接続端子と電気的に接続して前記ベースに実装されると共に、前記ＳＡＷ素子の外面と前記ベースの表面とが樹脂材料により被覆され、それにより前記ＳＡＷ素子と前記ベースとを機械的に結合していることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記ベースが平板状の基板からなり、その一方の面に前記接続端子が設けられ、かつ他方の面に前記外部端子が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記ベースが上部開放した箱型をなし、その内部に前記ＳＡＷ素子が実装されることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
箱型をなす前記ベースの内部底面に前記接続端子が設けられ、かつその下面に前記外部端子が設けられていることを特徴とする請求項３に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
前記ＳＡＷ素子がフリップチップボンディングにより前記ベースに実装されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項６】
前記ＳＡＷ素子がワイヤボンディングにより前記ベースと電気的に接続されることを特徴とする請求項３に記載の弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）を利用した共振子、フィルタ、発振器などのＳＡＷデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、圧電基板の表面に形成した交差指電極からなるＩＤＴ（すだれ状トランスデューサ）と反射器とを備え、ＩＤＴから励振した弾性表面波を利用するＳＡＷ素子を用いた共振子、フィルタ、発振器などのＳＡＷデバイスが様々な電子機器に広く使用されている。特に最近は、情報通信の高速化に対応したＳＡＷデバイスの高周波化及び高精度化に加えて、ＩＣカード等の小型・薄型の情報機器に使用するために、より一層の小型化、薄型化が要求されている。
【０００３】
従来のＳＡＷデバイスは、一般にセラミック材料のベースに金属リッドをシーム溶接で接合したパッケージの中にＳＡＷ素子を気密封止する。ＳＡＷ素子は、圧電基板表面のボンディングパッドをパッケージ側の接続端子とワイヤボンディングで電気的に接続するのが一般的である。このような従来構造は、部品点数が多くかつ構成が複雑化し、ボンディングワイヤのためにパッケージ内に大きな空間が必要で、ＳＡＷデバイスの薄型化・小型化を制限している。
【０００４】
そこで、圧電基板の表面にＩＤＴ電極、取り出し電極及び陽極接合部を有するＳＡＷ素子と、貫通孔を有するガラス板に外部電極を設けたカバー基板とを備え、取り出し電極と外部電極とを電気的に接続しかつカバー基板と陽極接合部とを接合して、ＩＤＴ電極を封止した、ＣＳＰ型と呼ばれる２層構造のＳＡＷ装置が知られている（例えば、特許文献１を参照）。この構成は、ＳＡＷ素子を搭載するためのベース及びボンディングワイヤが省略されて、装置全体の構成を簡単かつ小型・薄型にし、かつ製造コストを安くでき、周波数特性が安定することになる。
【０００５】
また、ＳＡＷチップを実装基板にフェイスダウンでフリップチップ実装し、ＩＤＴを含む領域に気密な内部空間を画定するように、ＳＡＷチップの外面を樹脂で封止したＳＡＷデバイスが知られている（例えば、特許文献２，３を参照）。これにより、基板に実装したＳＡＷチップの外面が露出しないようにして破損から保護し、耐湿性、気密性に優れた高品質なＳＡＷデバイスが提供される。
【０００６】
更に、このようなＳＡＷデバイスにおいて、基板に実装したＳＡＷチップを封止する樹脂が流入することを防止するために、ＳＡＷチップの電極形成面の周囲に樹脂からなるダムを形成したＳＡＷ装置が知られている（例えば、特許文献４を参照）。また、パッケージに設けたキャビティにＳＡＷチップをフェイスダウンでフリップチップ実装し、ＳＡＷチップのＩＤＴ形成領域に中空部を形成するように樹脂封止したＳＡＷデバイスが知られている（例えば、特許文献５，６を参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開平８−２１３８７４号公報
【特許文献２】特許第３６８９４１４号公報
【特許文献３】特開２００３−１０１３８３号公報
【特許文献４】特開２００５−３９３３１号公報
【特許文献５】特開２００２−２６１１７７号公報
【特許文献６】特開２００５−３３２８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したＣＳＰ構造のＳＡＷデバイスは、それ自体気密性が十分に確保され、優れたエージング特性を発揮する。しかしながら、これを個別の電子部品として回路基板等に直接実装して使用した場合、ＳＡＷチップ及びカバー基板が双方共に比較的脆弱な圧電材料で形成されかつそのまま外部に露出しているので、外面や角部にチッピングや割れ、欠け等の損傷を生じ易く、気密性、耐湿性を損なう虞がある。そのため、ＳＡＷデバイスを実装する際及び実装後の使用中における取り扱いが難しく、信頼性が低下するという問題がある。
【０００９】
更に、ＣＳＰ構造のＳＡＷデバイスは、フリップチップボンディングなどで回路基板等に表面実装した場合、次のような問題を生じる。即ち、ＳＡＷチップ又はカバー基板の外面に形成される接続端子が比較的薄い電極膜で形成されるため、くわれ現象を生じて接合強度が低下し易いという問題がある。そのため、落下などの衝撃によって簡単に剥がれる虞があり、高い信頼性を得られない。また、ＳＡＷチップ及びカバー基板共に剛性が比較的低いので、回路基板等に実装する際の応力がＳＡＷチップに直接作用し、振動特性に悪影響を及ぼす虞がある。
【００１０】
また、上記特許文献２等に記載されるＳＡＷデバイスは、ＳＡＷチップを封止する樹脂の性質上、一般に十分な気密性及び耐湿性を確保することが困難である。そのため、特に共振子として使用する場合には、実用上必要かつ十分な品質が得られない。
【００１１】
そこで本発明は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、所謂ＣＳＰ型の２層構造を有するＳＡＷ素子を備え、それにより小型化を図ることができるだけでなく、機械的強度及び実装強度を向上させ、優れた気密性及び耐湿性を確保し、かつ外部応力による特性の変化を防止でき、高い信頼性及び品質を有するＳＡＷデバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によれば、上記目的を達成するために、ＳＡＷ素子と、該ＳＡＷ素子を支持するためのベースとを備え、ＳＡＷ素子が、圧電基板の主面にＩＤＴ電極及び該ＩＤＴ電極から引き出した取出電極を有するＳＡＷチップと、該ＳＡＷチップの圧電基板主面に一体的に接合されて、ＳＡＷチップとの間にＩＤＴ電極を気密に封止する空間を画定する絶縁性基板からなるカバーとを備え、該カバーが、絶縁性基板の圧電基板との対向面に形成されてＳＡＷチップの取出電極と電気的に接続される接続電極と、絶縁性基板の圧電基板とは反対側の面に形成された引出電極とを有し、これら接続電極と引出電極とが、絶縁性基板に設けられかつ気密に封止された貫通孔の内部に設けられた導電材料により電気的に接続され、前記ベースが、ＳＡＷ素子の引出電極と電気的に接続するための接続端子と、該接続端子と電気的に接続された、外部と接続するための外部端子とを備え、前記ＳＡＷ素子が、その引出電極をベースの接続端子と電気的に接続してベースに実装されると共に、ＳＡＷ素子外面とベース表面とが、例えばモールドやポッティングによりまたはシート状の樹脂材料で被覆され、それによりＳＡＷ素子とベースとが機械的に結合されるＳＡＷデバイスが提供される。
【００１３】
このようにＳＡＷ素子をベースに実装しかつ樹脂材料で被覆することにより、比較的脆弱材料からなるＳＡＷチップ及びカバーがチッピングや割れ、欠け等の損傷から確実に保護され、ＣＳＰ構造が元より有する優れた気密性及び耐湿性を十分に確保できると共に、ＳＡＷ素子をベースにより強固に固定することができる。これにより、ＳＡＷ素子の機械的強度及び接合強度の向上を図り、高信頼性及び高品質のＳＡＷデバイスを得ることができる。
【００１４】
或る実施例では、前記ベースが平板状の基板からなり、その一方の面に接続端子が設けられ、かつ他方の面に外部端子が設けられる。これにより、ＳＡＷデバイスの構造をより簡単にし、部品点数を少なくし、より小型化及び低コスト化を図ることができる。
【００１５】
別の実施例では、前記ベースが上部開放した箱型をなし、その内部にＳＡＷ素子が実装されることにより、より少ない量の樹脂材料でＳＡＷ素子をより確実に損傷から保護し、かつより強固にベースに固定することができる。この場合、箱型のベース内部の底面に接続端子を設け、かつその下面に外部端子を設けることにより、ＳＡＷ素子をフェイスダウンで実装することができる。
【００１６】
また、或る実施例では、前記ＳＡＷ素子がフリップチップボンディングによりベースに実装され、ＳＡＷデバイスをより薄型化することができる。この場合でも、ＳＡＷ素子は樹脂材料で被覆されるので、十分な接合強度が確保されている。別の実施例では、前記ＳＡＷ素子をワイヤボンディングによりベースと電気的に接続することができ、ベースの構造を簡単にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明を適用したＳＡＷデバイスの好適実施例について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１は、本発明によるＳＡＷデバイスの第１実施例の構成を示している。このＳＡＷデバイス１は、例えば共振子として使用されるＳＡＷ素子２と、該ＳＡＷ素子を支持するためのベース３とを備える。ＳＡＷ素子２は、後述するようにベース３に実装され、かつその全体がモールド樹脂４で封止されている。
【００１８】
図２に示すように、ＳＡＷ素子２は、ＳＡＷチップ５とカバー６とを直接接合した所謂ＣＳＰ型の２層構造を有する。ＳＡＷチップ５は、図１（Ｂ）及び（Ｃ）に示すように矩形の圧電基板７からなり、その上面中央に１対の交差指電極からなるＩＤＴ８が形成されかつその長手方向両側に反射器９，９が形成されている。前記交差指電極は、そのバスバーから圧電基板７の長手方向辺縁に沿ってそれぞれリード線１０，１０が互いに逆向きに引き出され、該圧電基板の対角方向の隅部付近に形成した取出電極１１，１１に接続されている。圧電基板７の周辺部には、全周に亘って金属接合部１２が設けられている。
【００１９】
本実施例において、圧電基板７は水晶で形成されているが、リチウムタンタレート、リチウムニオベートなど他の圧電材料を用いることもできる。前記交差指電極、反射器及びリード線は、その特性、加工性及びコストの観点からＡｌ膜で形成されているが、それ以外に一般に使用されているアルミニウム合金などの導電性金属材料を使用することもできる。
【００２０】
カバー６は、圧電基板７と同じ水晶で形成された矩形の基板からなる。圧電基板７が水晶以外の圧電材料で形成されている場合には、それと同じ圧電材料でカバー６を形成することが、熱膨張率を等しくできるので好ましい。また、圧電基板７の圧電材料と同程度又は近似した熱膨張率を有するガラス材料又は絶縁性材料で、カバー６を形成することもできる。
【００２１】
カバー６には、その上面から下面に向けてテーパ状の貫通孔１３，１３が設けられている。前記貫通孔は、そのピッチ寸法を確保しつつＳＡＷチップ５の外形寸法を小さくするように、取出電極１１，１１に対応して対角方向に配置されている。カバー６下面には、前記取出電極に対応する形状の接続電極１４，１４が、それぞれ前記各貫通孔の開口周縁に形成されている。更にカバー６下面の周辺部には、全周に亘って金属接合部１５が設けられている。
【００２２】
各貫通孔１３，１３及びそれに連続する前記接続電極の内周面は、導電材料からなる金属膜１６，１６で被覆されている。カバー６の上面には、前記各貫通孔の開口周縁にそれぞれ引出電極１７，１７が形成されている。各引出電極１７，１７は、それぞれ隣接する前記貫通孔の金属膜１６，１６を介して、ＳＡＷチップ５の対応する接続電極１４，１４と電気的に接続している。
【００２３】
本実施例において、取出電極１１，１１及び金属接合部１２は、Ｃｒ／Ａｕ膜またはＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ膜で同じ高さに形成されている。同様に接続電極１４，１４及び金属接合部１５は、Ｃｒ／Ａｕ膜またはＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ膜で同じ高さに形成されている。金属膜１６，１６及び引出電極１７，１７も、同様にＣｒ／Ａｕ膜またはＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ膜で形成されている。
【００２４】
ＳＡＷチップ５とカバー６とは、互いに金属接合部１２と金属接合部１５とが、及び取出電極１１，１１と接続電極１４，１４とが熱圧着により一体に接合されている。これにより、ＳＡＷチップ５とカバー６間に画定される空間内にＩＤＴ８及び反射器９，９が気密に封止される。特に、前記取出電極、接続電極、及び金属接合部９、１３の厚さを、それらを接合した状態で前記Ａｌ膜よりも厚くなるように選択すると、前記ＩＤＴ及び反射器の上端とカバー３下面との間に空隙が画定される。これにより、ＩＤＴ及び反射器がカバー３と接触しないので、予め期待されるＳＡＷ素子の励振・受信動作を確保することができる。別の実施例では、接続電極１４，１４及び金属接合部１５のＣｒ／Ａｕ膜上にＡｕＳｎ合金膜を形成し、熱圧着又は共晶接合によって前記ＳＡＷチップとカバーとを同様に接合することができる。
【００２５】
ＩＤＴ８の各前記交差指電極は、それぞれ取出電極１１，１１及び接続電極１４，１４を介して、カバー６の対応する引出電極１７，１７と電気的に接続される。カバー６の前記各貫通孔内には、それぞれ導電材料の封止材１８が充填され、それにより前記取出電極及び接続電極と前記引出電極間の電気的導通、及び前記貫通孔における気密封止の信頼性を高くしている。封止材１８には、例えばＡｕＳｎ、ＡｕＧｅ、はんだ材料、高温はんだなどの導電材料が用いられる。
【００２６】
本実施例において、ＳＡＷ素子支持用のベース３は、一般に回路基板や電子部品に使用されているセラミック基板、樹脂基板、プリント回路基板などの、必要な剛性を有する基板材料の平板で形成される。ベース３の上面即ちＳＡＷ素子２との対向面には、接続端子１９，１９が形成されている。ベース３の下面即ちＳＡＷデバイス１の底面には、外部端子２０，２０が形成されている。各外部端子２０，２０は、それぞれベース３を上下に貫通して設けられたバイアホール２１，２１を介して、対応する接続端子１９，１９と電気的に接続されている。各接続端子１９，１９には、例えばはんだからなるバンプ２２，２２が形成されている。
【００２７】
ＳＡＷ素子２は、カバー６側を下にしてベース３上に位置決めし、はんだバンプ２２，２２を用いてフリップチップボンディングにより各引出電極１７，１７を対応する接続端子１９，１９と直接接続する。これにより、デバイス全体の薄型化を図りつつ、ＳＡＷ素子２がベース３と電気的に接続され、かつ機械的に固定される。ベース３が剛性を有するので、ＳＡＷデバイス１を回路基板等に実装したとき、その応力がＳＡＷ素子２に作用して、振動特性に影響を与える虞が解消される。
【００２８】
ＳＡＷ素子２の外周面及び上面とベース３の上面は、モールド樹脂４で完全に被包されている。モールド樹脂４により、ＳＡＷ素子２はその外面や角部にチッピングや割れ、欠け等の損傷が生じないように保護される。これに加えて、モールド樹脂４は、ＳＡＷ素子２外面とベース３上面とを機械的に結合するように設けられるので、ＳＡＷ素子２がベース３上に機械的にしっかりと固定される。特に本実施例では、モールド樹脂４がＳＡＷ素子２とベース３上面との空隙にも充填されるので、ＳＡＷ素子２をベース３上により堅固に固定できる。
【００２９】
また、上述したようにＳＡＷチップ５とカバー６とを直接接合したＣＳＰ構造のＳＡＷ素子２は、それ自体の気密性及び耐湿性が十分に確保されている。そのため、モールド樹脂４による封止構造が十分な気密性又は耐湿性を持たない場合でも、ＳＡＷ素子２の気密性及び耐湿性は何ら影響を受けない。従って、モールド樹脂４を安価に設けることができ、ＳＡＷデバイス１の製造コストを低減させることができる。
【００３０】
図３は、図１に示す第１実施例のＳＡＷデバイスの変形例を示している。この変形例のＳＡＷデバイス３１は、ＳＡＷ素子２外周面及び上面とベース３上面を被包するために、モールド樹脂４に代えて樹脂シート３２を用いた点において、第１実施例と異なる。樹脂シート３２は、ベース３上面を含むようにＳＡＷ素子２の上から被せて、ＳＡＷ素子２外面及びベース３上面に接着される。これにより、同様にＳＡＷ素子２の外面及び角部をチッピングや割れ、欠け等の損傷から保護し、かつＳＡＷ素子２とベース３とを機械的に結合させて機械的にしっかりと固定することができる。
【００３１】
図４は、本発明によるＳＡＷデバイスの第２実施例の構成を示している。第２実施例のＳＡＷデバイス４１は、ＳＡＷ素子２を支持するためのベース４２が、平板状のセラミック薄板４３の上に長方形枠状のセラミック薄板４４を積層することにより、上部を開放した矩形の箱型に形成されている。下側のセラミック薄板４３の上面には、箱型ベース４２の内部に露出しかつ上側のセラミック薄板４４と重なるように、接続端子４５，４５が形成されている。セラミック薄板４３の下面即ちＳＡＷデバイス１の底面には、外部端子４６，４６が形成されている。各外部端子４６，４６は、それぞれセラミック薄板４３を上下に貫通して上側セラミック薄板４４と重なる位置に設けられたバイアホール４７，４７を介して、対応する接続端子４５，４５と電気的に接続されている。各接続端子４５，４５には、例えばはんだからなるバンプ４８，４８が形成されている。
【００３２】
ＳＡＷ素子２は、カバー６側を下にしてベース４２内部のセラミック薄板４３上に位置決めし、はんだバンプ４８，４８を用いてフリップチップボンディングにより各引出電極１７，１７を対応する接続端子４５，４５と直接接続する。これにより、ＳＡＷ素子２がベース４２と電気的に接続されかつ機械的に固定される。上述した箱型構造のベース４２は十分な剛性を有するので、ＳＡＷデバイス４１を回路基板等に実装したとき、その応力がＳＡＷ素子２に作用して、振動特性に影響を与える虞が解消される。
【００３３】
箱型ベース４２の内部には、その内面とＳＡＷ素子２外面との隙間を、例えばポッティングによる樹脂材料４９が充填している。更に樹脂材料４９は、ＳＡＷ素子２上面を完全に被覆するように設けられている。樹脂材料４９と箱型ベース４２との組合せによって、ＳＡＷ素子２はその外面及び角部がチッピングや割れ、欠け等の損傷から完全に保護される。更に、ＳＡＷ素子２は、樹脂材料４９によってベース４２内面との間で機械的に堅固に固定される。
【００３４】
また、ＳＡＷチップ５とカバー６とを直接接合したＣＳＰ構造のＳＡＷ素子２は、それ自体の気密性及び耐湿性が十分に確保されている。そのため、樹脂材料４９による封止構造が十分な気密性又は耐湿性を持たない場合でも、ＳＡＷ素子２の気密性及び耐湿性は何ら影響を受けない。従って、モールド樹脂４９を安価に設けることができ、ＳＡＷデバイス４１の製造コストを低減させることができる。
【００３５】
図５は、図４に示す第２実施例のＳＡＷデバイスの変形例を示している。この変形例のＳＡＷデバイス５１は、ＳＡＷ素子２を支持するためのベース５２が、第２実施例と同様に平板状のセラミック薄板５３と長方形枠状のセラミック薄板５４とを積層して、上部を開放した矩形の箱型に形成されている。箱型ベース５２の内部には、ＳＡＷ素子２がＳＡＷチップ５側を下にして、セラミック薄板５３上面に接着剤５５で接着固定されている。同様に箱型構造のベース５２は十分な剛性を有するので、ＳＡＷデバイス５１を回路基板等に実装したとき、その応力がＳＡＷ素子２に作用して、振動特性に影響を与える虞が解消される。
【００３６】
上側の枠状セラミック薄板５４の上面には、接続端子５６，５６が形成されている。下側のセラミック薄板４３の下面即ちＳＡＷデバイス５１の底面には、外部端子５７，５７が形成されている。各外部端子５７，５７は、それぞれ箱型ベース５２の側面に上下に形成された導電材料の金属膜５８，５８により、対応する接続端子５６，５６と電気的に接続されている。ＳＡＷ素子２の各引出電極１７，１７は、それぞれ対応する接続端子５６，５６とボンディングワイヤ５９，５９により電気的に接続されている。
【００３７】
樹脂材料６０が例えばポッティングにより、箱型ベース５２の内面とＳＡＷ素子２外面との隙間を充填し、かつＳＡＷ素子２上面及びボンディングワイヤ５９，５９を完全に被覆するように設けられている。樹脂材料６０と箱型ベース５２との組合せによって、ＳＡＷ素子２はその外面及び角部がチッピングや割れ、欠け等の損傷から完全に保護される。更に、ＳＡＷ素子２は、樹脂材料６０によってベース５２内面との間で機械的に堅固に固定される。
【００３８】
この実施例では、ベース５２の側面に形成した金属膜により外部端子と接続端子とを接続したが、前述した各実施例と同様に、ベースを貫通するバイアホールを用いて接続することができる。逆に、前述した各実施例において、それぞれベースの側面に形成した金属膜で外部端子と接続端子とを接続することもできる。
【００３９】
本発明は、ＳＡＷ素子を用いたフィルタ、発振器など他のＳＡＷデバイスについても、同様に適用することができる。例えば、上記各実施例の前記ベースに、ＳＡＷ素子を駆動するためのＩＣ素子などの電子部品を実装することにより、モジュール化したＳＡＷデバイスを構成することができる。
【００４０】
以上、本発明の好適な実施例について詳細に説明したが、本発明は、上記実施例に様々な変形・変更を加えて実施することができる。例えば、ＳＡＷ素子は、図２に示す実施例のＣＳＰ構造に限定されるものではなく、様々な異なるＣＳＰ構造についても、同様に適用することができる。また、ＳＡＷ素子の引出電極とベースの接続端子とをフェイスダウンで接続する際に、はんだバンプに代えて、例えば導電性接着剤などの別の手段を用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明によるＳＡＷデバイスの第１実施例を示す断面図。
【図２】（Ａ）図は図１のＳＡＷ共振子を示す平面図、（Ｂ）図はそのII−II線における断面図、（Ｃ）図はカバーを取り外した状態のＳＡＷチップを示す平面図。
【図３】第１実施例の変形例を示す断面図。
【図４】本発明の第２実施例を示す断面図。
【図５】第２実施例の変形例を示す断面図。
【符号の説明】
【００４２】
１，３１，４１，５１…ＳＡＷデバイス、２…ＳＡＷ素子、３，４２，５２…ベース、４…モールド樹脂、５…ＳＡＷチップ、６…カバー、７…圧電基板、８…ＩＤＴ、９…反射器、１０…リード線、１１…取出電極、１２…金属接合部、１３…貫通孔、１４…接続電極、１５…金属接合部、１６，５８…金属膜、１７…引出電極、１８…封止材、１９，４５，５６…接続端子、２０，４６，５７…外部端子、２１，４７…バイアホール、２２，４８…バンプ、３２…樹脂シート、４３，４４，５３，５４…セラミック薄板、４９，６０…樹脂材料、５９…ボンディングワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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