(57)【要約】【課題】被加工基板を機械的にゲージングするときや、被加工基板を持ち運ぶときなどに加わる外力によって、被加工基板の割断面のエッジが欠けることを防止すること。【解決手段】本発明の割断装置１０は、被加工基板６０を保持する基板ホルダ５０と、基板ホルダ５０に保持された被加工基板６０の割断予定線６５近傍の領域に、レーザ光ＬＢ２を照射して局部的に加熱するレーザ加熱部３０と、基板ホルダ５０に保持された被加工基板６０のうち、レーザ加熱部３０からのレーザ光ＬＢ２によって加熱された割断予定線６５近傍の領域に、流動性のある冷却剤Ｃを噴射する冷却部４０とを備えている。冷却部４０から噴射される冷却剤Ｃは、被加工基板６０の表面に付着して残留することによって、被加工基板６０の割断面６０ｔのエッジ６０ｅを保護する保護材料１を含有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
脆性材料からなる被加工基板を、割断予定線に沿って局部的に加熱および冷却し、その際に生じる応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断する割断装置において、
被加工基板を保持する基板ホルダと、
基板ホルダに保持された被加工基板の割断予定線近傍の領域に、レーザ光を照射して局部的に加熱するレーザ加熱部と、
基板ホルダに保持された被加工基板のうち、レーザ加熱部からのレーザ光によって加熱された割断予定線近傍の領域に、流動性のある冷却剤を噴射する冷却部とを備え、
冷却部から噴射される冷却剤は、被加工基板の表面に付着して残留することによって、被加工基板の割断面のエッジを保護する保護材料を含有することを特徴とする割断装置。
【請求項２】
冷却剤は水を含有し、
保護材料は、当該水に溶解する水溶性材料からなることを特徴とする請求項１記載の割断装置。
【請求項３】
冷却剤は有機溶媒を含有し、
保護材料は、当該有機溶媒に溶解する油性材料からなることを特徴とする請求項１記載の割断装置。
【請求項４】
冷却剤は固体微粉末を含有することを特徴とする請求項１記載の割断装置。
【請求項５】
保護材料は、被加工基板に付着して乾燥した後、弾性を有することを特徴とする請求項１記載の割断装置。
【請求項６】
保護材料は、被加工基板に付着して乾燥した後、粘着性を有さないことを特徴とする請求項１記載の割断装置。
【請求項７】
冷却部は、保護材料が被加工基板のエッジに０．１μｍから１ｍｍの厚みで付着して残留するよう、被加工基板の表面に冷却剤を噴射することを特徴とする請求項１記載の割断装置。
【請求項８】
請求項１記載の割断装置と、
被加工基板のエッジに付着して残留した保護材料を、被加工基板から除去する除去装置とを備えたことを特徴とする割断システム。
【請求項９】
除去装置は、被加工基板に付着した保護材料を、水または有機溶媒で洗浄することによって、被加工基板から保護材料を除去することを特徴とする請求項８記載の割断システム。
【請求項１０】
除去装置は、被加工基板に付着した保護材料に、機械的、熱的または化学的な外因をもたらすことによって、被加工基板から保護材料を除去することを特徴とする請求項８記載の割断システム。
【請求項１１】
脆性材料からなる被加工基板を、割断予定線に沿って局部的に加熱および冷却し、その際に生じる応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断する割断方法において、
基板ホルダによって、被加工基板を保持する基板保持工程と、
レーザ加熱部によって、基板ホルダに保持された被加工基板の割断予定線近傍の領域に、レーザ光を照射して局部的に加熱するレーザ加熱工程と、
冷却部によって、基板ホルダに保持された被加工基板のうち、レーザ加熱部からのレーザ光によって加熱された割断予定線近傍の領域に、流動性のある冷却剤を噴射する冷却工程とを備え、
冷却部から噴射される冷却剤は、被加工基板の表面に付着して残留することによって、被加工基板の割断面のエッジを保護する保護材料を含有することを特徴とする割断方法。
【請求項１２】
被加工基板のエッジに付着して残留した保護材料を、被加工基板から除去する除去工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１１記載の割断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、脆性材料からなる被加工基板を割断する割断装置、割断システムおよび割断方法に係り、とりわけ、被加工基板の割断面のエッジが欠けることを防止する割断装置、割断システムおよび割断方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図６に示すように、従来のガラスなどの脆性材料からなる被加工基板６０を割断する割断装置１０は、被加工基板６０を保持する基板ホルダ５０と、基板ホルダ５０に保持された被加工基板６０の割断予定線６５近傍の領域にレーザ光ＬＢ１を照射して、被加工基板６０の割断予定線６５上を予熱するレーザ予熱部２０と、基板ホルダ５０に保持された被加工基板６０のうち、レーザ予熱部２０からのレーザ光ＬＢ１により予熱された割断予定線６５近傍の領域に、レーザ光ＬＢ２を照射して局部的に加熱するレーザ加熱部３０と、基板ホルダ５０に保持された被加工基板６０のうち、レーザ加熱部３０からのレーザ光ＬＢ２によって加熱された割断予定線６５近傍の領域に、流動性のある冷却剤Ｃ’を噴射する冷却部４０とを備えている。
【０００３】
そして、冷却部４０から噴射される冷却剤Ｃ’としては、水や霧（水と気体との混合物）、窒素等の気体、二酸化炭素粒子（ドライアイス）等の微粒子固体、アルコール等の液体、霧状のアルコール、雪状のドライアイス等が用いられている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような割断装置１０によって割断された被加工基板６０の割断面のエッジは、何ら保護されておらず外部にむき出しになっている。このため、当該エッジは、被加工基板６０を機械的にゲージングするときや、被加工基板６０を持ち運ぶときなどに加わる外力によって、欠けることがある。
【０００５】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、被加工基板を機械的にゲージングするときや、被加工基板を持ち運ぶときなどに加わる外力によって、被加工基板の割断面のエッジが欠けることを防止する割断装置、割断システムおよび割断方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、脆性材料からなる被加工基板を、割断予定線に沿って局部的に加熱および冷却し、その際に生じる応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断する割断装置において、被加工基板を保持する基板ホルダと、基板ホルダに保持された被加工基板の割断予定線近傍の領域に、レーザ光を照射して局部的に加熱するレーザ加熱部と、基板ホルダに保持された被加工基板のうち、レーザ加熱部からのレーザ光によって加熱された割断予定線近傍の領域に、流動性のある冷却剤を噴射する冷却部とを備え、冷却部から噴射される冷却剤が、被加工基板の表面に付着して残留することによって、被加工基板の割断面のエッジを保護する保護材料を含有することを特徴とする割断装置である。
【０００７】
このような構成により、被加工基板を機械的にゲージングするときや、被加工基板を持ち運ぶときなどに加わる外力によって、被加工基板の割断面のエッジが欠けることを防止することができる。
【０００８】
本発明は、冷却剤が水を含有し、保護材料が、当該水に溶解する水溶性材料からなることを特徴とする割断装置である。
【０００９】
本発明は、冷却剤が有機溶媒を含有し、保護材料が、当該有機溶媒に溶解する油性材料からなることを特徴とする割断装置である。
【００１０】
本発明は、冷却剤が固体微粉末を含有することを特徴とする割断装置である。
【００１１】
本発明は、保護材料が、被加工基板に付着して乾燥した後、弾性を有することを特徴とする割断装置である。
【００１２】
このような構成により、被加工基板を機械的にゲージングするときや、被加工基板を持ち運ぶときなどに加わる外力を十分に吸収することができるので、被加工基板の割断面のエッジが欠けることをより確実に防止することができる。
【００１３】
本発明は、保護材料が、被加工基板に付着して乾燥した後、粘着性を有さないことを特徴とする割断装置である。
【００１４】
このような構成により、被加工基板に付着した保護材料が、周辺機器など様々な箇所に付着する可能性を無くすことができ、当該被加工基板を容易に取り扱うことができる。
【００１５】
本発明は、冷却部が、保護材料が被加工基板のエッジに０．１μｍから１ｍｍの厚みで付着して残留するよう、被加工基板の表面に冷却剤を噴射することを特徴とする割断装置である。
【００１６】
このような構成により、被加工基板の割断面のエッジが欠けることをより確実に防止することができるとともに、保護材料が被加工基板に厚く付着しすぎて、被加工基板の取り扱いが困難になることを防止することができる。
【００１７】
本発明は、上述の割断装置と、被加工基板のエッジに付着して残留した保護材料を、被加工基板から除去する除去装置とを備えたことを特徴とする割断システムである。
【００１８】
このような構成により、被加工基板に残留して付着した保護材料を、被加工基板から自動的に除去することができる。
【００１９】
本発明は、除去装置が、被加工基板に付着した保護材料を、水または有機溶媒で洗浄することによって、被加工基板から保護材料を除去することを特徴とする割断システムである。
【００２０】
本発明は、除去装置が、被加工基板に付着した保護材料に、機械的、熱的または化学的な外因をもたらすことによって、被加工基板から保護材料を除去することを特徴とする割断システムである。
【００２１】
本発明は、脆性材料からなる被加工基板を、割断予定線に沿って局部的に加熱および冷却し、その際に生じる応力によって当該被加工基板に亀裂を生じさせて割断する割断方法において、基板ホルダによって、被加工基板を保持する基板保持工程と、レーザ加熱部によって、基板ホルダに保持された被加工基板の割断予定線近傍の領域に、レーザ光を照射して局部的に加熱するレーザ加熱工程と、冷却部によって、基板ホルダに保持された被加工基板のうち、レーザ加熱部からのレーザ光によって加熱された割断予定線近傍の領域に、流動性のある冷却剤を噴射する冷却工程とを備え、冷却部から噴射される冷却剤が、被加工基板の表面に付着して残留することによって、被加工基板の割断面のエッジを保護する保護材料を含有することを特徴とする割断方法である。
【００２２】
このような構成により、被加工基板を機械的にゲージングするときや、被加工基板を持ち運ぶときなどに加わる外力によって、被加工基板の割断面のエッジが欠けることを防止することができる。
【００２３】
本発明は、被加工基板のエッジに付着して残留した保護材料を、被加工基板から除去する除去工程をさらに備えたことを特徴とする割断方法である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、被加工基板の表面に付着して残留することによって、被加工基板の割断面のエッジを保護する保護材料を含有する冷却剤を用いることにより、被加工基板を機械的にゲージングするときや、被加工基板を持ち運ぶときなどに加わる外力により、被加工基板の割断面のエッジが欠けることを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
実施の形態
以下、本発明に係る割断システムの実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図１乃至図５は本発明の実施の形態を示す図である。
【００２６】
割断システムは、ガラスなどの脆性材料からなる被加工基板６０を、割断予定線６５に沿って局部的に加熱および冷却し、その際に生じる応力によって当該被加工基板６０に亀裂を生じさせて割断する割断装置１０（図１参照）と、被加工基板６０のエッジ６０ｅに付着して残留した保護材料１（後述する）を、被加工基板６０から除去する除去装置７０（図２乃至図４（ａ）（ｂ）参照）とを備えている。
【００２７】
図１に示すように、割断システムに含まれる割断装置１０は、被加工基板６０を保持する基板ホルダ５０と、基板ホルダ５０に保持された被加工基板６０の割断予定線６５近傍の領域にレーザ光ＬＢ１を照射して、被加工基板６０の割断予定線６５上を予熱するレーザ予熱部２０と、基板ホルダ５０に保持された被加工基板６０のうち、レーザ予熱部２０からのレーザ光ＬＢ１により予熱された割断予定線６５近傍の領域に、レーザ光ＬＢ２を照射して局部的に加熱するレーザ加熱部３０と、基板ホルダ５０に保持された被加工基板６０のうち、レーザ加熱部３０からのレーザ光ＬＢ２によって加熱された割断予定線６５近傍の領域に、流動性のある冷却剤Ｃを噴射する冷却部４０とを備えている。
【００２８】
なお、図１において、被加工基板６０内に延在する割断予定線６５の方向をＸ方向とし、被加工基板６０の面内方向であって、Ｘ方向に直交する方向をＹ方向とし、被加工基板６０の法線方向（Ｘ方向及びＺ方向に直交する方向）をＺ方向とする。
【００２９】
また、図１に示すように、基板ホルダ５０は、レーザ予熱部２０、レーザ加熱部３０及び冷却部４０に対して、ＸＹ平面内で相対的に移動する移動ステージ５５上に設けられている。
【００３０】
次に、上述したレーザ予熱部２０、レーザ加熱部３０及び冷却部４０を、詳細に説明する。
【００３１】
図１に示すレーザ予熱部２０は、被加工基板６０上にレーザ光ＬＢ１を照射して被加工基板６０を局部的に予熱するためのものである。図１に示すように、レーザ予熱部２０は、２００Ｗ程度のＣＯ２レーザ光を出射するレーザ発振器２１と、レーザ発振器２１により出射されたレーザ光ＬＢ１を反射する反射ミラー２２と、反射ミラー２２により反射されたレーザ光ＬＢ１を被加工基板６０上で走査するポリゴンミラー２３とを有している。そして、レーザ発振器２１から出射したレーザ光ＬＢ１は、反射ミラー２２を経てポリゴンミラー２３で反射され、被加工基板６０上で割断予定線６５に沿って繰り返し走査される。
【００３２】
また、図１に示すレーザ加熱部３０は、被加工基板６０上にレーザ光ＬＢ２を照射して被加工基板６０を局部的に加熱して、被加工基板６０に亀裂を生じさせるためのものである。図１に示すように、レーザ加熱部３０は、数十Ｗ〜百数十Ｗ程度のＣＯ２レーザ光を出射するレーザ発振器３１と、レーザ発振器３１により出射されたレーザ光ＬＢ２を反射する反射ミラー３２と、反射ミラー３２により反射されたレーザ光ＬＢ２を被加工基板６０上で走査するポリゴンミラー３３とを有している。そして、レーザ発振器３１から出射したレーザ光ＬＢ２は、反射ミラー３２を経てポリゴンミラー３３で反射され、被加工基板６０上で割断予定線６５に沿って繰り返し走査される。
【００３３】
また、図１に示す冷却部４０は、局部的に加熱された被加工基板６０上の割断予定線６５に冷却剤Ｃを吹き付けて冷却するためのものである。このような冷却剤Ｃは、被加工基板６０の表面に付着して残留することによって、被加工基板６０の割断面６０ｔのエッジ６０ｅを保護する保護材料１を含有している（図３（ａ）（ｂ）および図４（ａ）（ｂ）参照）。ところで、図３（ａ）（ｂ）および図４（ａ）（ｂ）は、保護部材１が被加工基板６０のエッジ６０ｅに付着した様子を図１の矢印Ａから見た正面図である。
【００３４】
冷却剤Ｃが水（霧状になったものを含む）を含有している場合には、保護材料１は、当該水に溶解する水溶性材料からなっている。また、冷却剤Ｃがアルコールなどの有機溶媒（霧状になったものを含む）を含有している場合には、保護材料１は、当該有機溶媒に溶解する油性材料からなっている。
【００３５】
また、冷却剤Ｃがドライアイスなどの固体微粉末を含有している場合には、保護材料１は、当該固体微粉末に混在している。
【００３６】
保護材料１は、被加工基板６０に付着して乾燥した後、弾性を有するものが好ましい。このような保護材料１を用いることによって、被加工基板６０を機械的にゲージングするときや被加工基板６０を持ち運ぶときなどに加わる外力を十分に吸収することができ、被加工基板６０の割断面６０ｔのエッジ６０ｅが欠けることをより確実に防止することができるためである（図３（ａ）（ｂ）および図４（ａ）（ｂ）参照）。
【００３７】
また、保護材料１は、被加工基板６０に付着して乾燥した後、粘着性を有さないことが好ましい。保護材料１が粘着性を有していると、保護材料１が周辺機器など様々な箇所に付着する可能性があり、被加工基板６０を取り扱うことが困難になるためである。
【００３８】
また、水溶性材料からなる保護材料１としては、水溶性塗料や水溶性接着剤などを用いることができる。より具体的には、水性ペンキ、ボンド（登録商標）などを用いることができる。
【００３９】
上述した水溶性材料からなる保護材料１のうち、酢酸ビニル系接着剤を用いることがとりわけ好ましい。酢酸ビニル系接着剤は、水に容易に溶け、乾燥すると適度な弾性を有し、安価で入手することができ、さらに、後述するように被加工基板６０から保護材料１を除去する際、被加工基板６０から剥がして容易に取り除くことができるためである。
【００４０】
また、油性材料からなる保護材料１としては、油性塗料や油性接着剤などを用いることができる。
【００４１】
ところで、冷却剤Ｃがドライアイスなどの固体微粉末を含有している場合には、上述のように、保護材料１は固体微粉末に混在している。このため、保護材料１としては、水溶性塗料、水溶性接着剤、油性塗料、油性接着剤など、被加工基板６０に付着して残存するものであれば、あらゆるものを用いることができる。
【００４２】
図１において、冷却部４０は、保護材料１が被加工基板６０のエッジ６０ｅに０．１μｍから１ｍｍの厚みで付着して残留するよう、被加工基板６０の表面に冷却剤Ｃを噴射する（図３（ａ）（ｂ）および図４（ａ）（ｂ）参照）。
【００４３】
また、割断システムに含まれる除去装置７０は、図２に示すように、被加工基板６０を保持する基板ホルダ７２と、基板ホルダ７２の下部に連結され、基板ホルダ７２を水平方向に駆動する移動ステージ７５と、基板ホルダ７２の上方に配置され、被加工基板６０のエッジ６０ｅに付着して残留した保護材料１を被加工基板６０から除去する除去部７１とを備えている。
【００４４】
ここで、被加工基板６０に付着した保護材料１が水溶性材料からなる場合には、除去部７１として、保護材料１を水で洗浄することによって、被加工基板６０から保護材料１を除去するものを用いることができる。また、保護材料１が油性材料からなる場合には、除去部７１として、保護材料１を有機溶媒で洗浄することによって、被加工基板６０から保護材料１を除去するものを用いることができる。
【００４５】
また、除去部７１として、被加工基板６０に付着した保護材料１に、物理的な力を加えて（機械的な外因をもたらすことによって）被加工基板６０から保護材料１を除去するものや、熱を加えたり冷却したりして（熱的な外因をもたらすことによって）被加工基板６０から保護材料１を除去するものや、薬品などを塗布して（化学的な外因をもたらすことによって）被加工基板６０から保護材料１を除去するものなどを用いることもできる。
【００４６】
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。
【００４７】
まず、基板ホルダ５０によって、被加工基板６０が保持される（基板保持工程８１）（図１および図５参照）。
【００４８】
次に、移動ステージ５５により基板ホルダ５０を移動させ、被加工基板６０の割断予定線６５上にレーザ予熱部２０、レーザ加熱部３０及び冷却部４０を位置付ける（図１参照）。なお、レーザ予熱部２０、レーザ加熱部３０及び冷却部４０は、被加工基板６０の割断予定線６５上に位置付けられた後、当該割断予定線６５に沿って適切な間隔で一直線状に配置されるように予めアライメント調整される。
【００４９】
次に、基板ホルダ５０に保持された被加工基板６０の割断予定線６５上の領域が、レーザ予熱部２０から照射される線状のレーザビームＬＢ１によって、所定の温度（３０℃〜２００℃程度）で局部的に予熱される（レーザ予熱工程８３）（図１および図５参照）。このとき、レーザ予熱部２０は、レーザ発振器２１により出射されたレーザ光ＬＢ１を、反射ミラー２２で反射した後、ポリゴンミラー２３で反射し、被加工基板６０上の割断予定線６５に沿って繰り返し走査する。
【００５０】
次に、レーザ予熱部２０によって局部的に予熱された被加工基板６０上の領域よりも幅の狭い割断予定線６５上の領域が、レーザ加熱部３０から照射される線状のレーザビームＬＢ２によって、所定の温度（１００℃〜４００℃程度）で局部的に加熱される（レーザ加熱工程８５）（図１および図５参照）。このとき、レーザ加熱部３０は、レーザ発振器３１により出射されたレーザ光ＬＢ２を、反射ミラー３２で反射した後、ポリゴンミラー３３で反射し、被加工基板６０上で割断予定線６５に沿って繰り返し走査する。このように、被加工基板６０の割断予定線６５上の領域で加熱することによって、熱応力が発生する。
【００５１】
その後、レーザ加熱部３０により局部的に加熱が行われた領域よりも幅の広い円形状の領域に、冷却部４０によって流動性のある冷却剤Ｃを噴射することにより、被加工基板６０が局部的に冷却される（冷却工程８７）（図１および図５参照）。このように冷却することによって、被加工基板６０の表面が収縮し、引張応力が発生する。このため、誘起された応力を拡大させることができ、被加工基板６０を割断予定線６５で、効率よく割断することができる。
【００５２】
このように冷却部４０から噴射される冷却剤Ｃには、被加工基板６０の表面に付着して残留する保護材料１が含有されている。このため、被加工基板６０の割断面６０ｔのエッジ６０ｅに保護材料１が付着して残留し、被加工基板６０のエッジ６０ｅを保護することができる（図３（ａ）（ｂ）および図４（ａ）（ｂ）参照）。この結果、被加工基板６０を機械的にゲージングしたり、持ち運んだりするときに、被加工基板６０のエッジ６０ｅが誤って欠けてしまうことを防止することができる。
【００５３】
ここで、図３（ａ）（ｂ）および図４（ａ）（ｂ）を参照として、被加工基板６０のエッジ６０ｅに保護材料１が付着する工程について、具体的に説明する。まず、被加工基板６０に冷却部４０から噴射された冷却剤Ｃが、被加工基板６０に熱応力が加わることによって形成された亀裂ＣＲに、毛細管現象によって浸透する（図３（ａ）および図４（ａ）参照）。次に、被加工基板６０の表面に噴射された冷却剤Ｃの水、有機溶媒、固体微粉末などが蒸発し、保護材料１のみが被加工基板６０のエッジ６０ｅに残り、付着する（図３（ａ）および図４（ａ）参照）。その後、被加工基板６０が亀裂ＣＲで分離され、このとき、保護材料１も被加工基板６０とともに分離される（図３（ｂ）および図４（ｂ）参照）。
【００５４】
このとき、図４（ａ）（ｂ）に示すように、保護材料１を、被加工基板６０の割断面６０ｔのエッジ６０ｅのみに付着させてもよいが、図３（ａ）（ｂ）に示すように、被加工基板６０の割断面６０ｔ全体に、保護材料１を付着させることがより好ましい。図３（ａ）（ｂ）に示すように、被加工基板６０の割断面６０ｔ全体に保護材料１を付着させることによって、割断面６０ｔのエッジ６０ｅのみでなく、割断面６０ｔ全体を保護することができるためである。
【００５５】
なお、保護材料１が被加工基板６０のエッジ６０ｅに０．１μｍから１ｍｍの厚みで付着して残留するよう、冷却部４０によって、被加工基板６０の表面に冷却剤Ｃが噴射される。このような厚みで、被加工基板６０に保護材料１を付着させることによって、被加工基板６０の割断面６０ｔのエッジ６０ｅが欠けることをより確実に防止することができるとともに、保護材料１が被加工基板６０に厚く付着しすぎて、被加工基板６０の取り扱いが困難になることを防止することができる。
【００５６】
次に、除去装置７０の基板ホルダ７２によって、被加工基板６０が保持される（基板保持工程９１）（図２および図５参照）。
【００５７】
次に、除去装置７０の除去部７１によって、被加工基板６０のエッジ６０ｅに付着して残留した保護材料１が、被加工基板６０から除去される（除去工程９３）（図２および図５参照）。このとき、移動ステージ７５が水平方向に移動することによって、基板ホルダ７２によって保持された被加工基板６０が、除去部７１に対して相対的に移動する。
【００５８】
ここで、保護材料１が酢酸ビニル系接着剤からなる場合には、被加工基板６０から保護材料１を剥がして容易に取り除くことができるため、好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明による割断システムの割断装置を示す側方図。
【図２】本発明による割断システムの除去装置を示す側方図。
【図３】本発明による割断システムの割断装置によって、保護部材が被加工基板のエッジに付着した様子を図１の矢印Ａからみた正面図。
【図４】本発明による割断システムの割断装置によって、保護部材が被加工基板のエッジに付着した別の様子を図１の矢印Ａからみた正面図。
【図５】本発明による割断方法を示すフロー図。
【図６】従来の割断装置を示す側方図。
【符号の説明】
【００６０】
１      保護材料
１０    割断装置
２０    レーザ予熱部
３０    レーザ加熱部
４０    冷却部
５５    移動ステージ
６０    被加工基板
６０ｅ  エッジ
６０ｔ  割断面
６５    割断予定線
７５    移動ステージ
５０    基板ホルダ
７２    基板ホルダ
７０    除去装置
７１    除去部
８１    基板保持工程
８３    レーザ予熱工程
８５    レーザ加熱工程
８７    冷却工程
９１    基板保持工程
９３    除去工程
Ｃ      冷却剤
ＣＲ    亀裂
ＬＢ１，ＬＢ２  レーザ光
【図１】
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【図２】
2008110898.tif 000004
【図３】
2008110898.tif 000005
【図４】
2008110898.tif 000006
【図５】
2008110898.tif 000007
【図６】
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