(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、安価なリードフレーム付きハイブリッドＩＣを提供することにある。また、安価にリードフレーム付きハイブリッドＩＣを製造することにある。【解決手段】  ハイブリッドＩＣの基板７の端縁部近傍にリードフレーム１の先端部１ａ及び１ｂが貫通する孔８ａ及び８ｂを設け、孔８ａ及び８ｂの周囲にはんだランド９ａ及び９ｂを設ける。更に、基板７の端縁部近傍にガイド孔１０又は一部開口して形成された半円状切り欠き１１を設ける。次に、リードフレーム１を仮置きでき、基板７に設けられたガイド孔１０に挿入可能な位置決めピン１５を所定位置に備えた専用工具１２を準備する。基板７を位置決めピン１５に合わせ挿入し、リードフレーム１の先端部１ａとはんだランド９ａをはんだ付けし、リードフレーム１の先端部１ｂとはんだランド９ｂをはんだ付けする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
他の回路基板へ取り付けるための複数のリードフレームを有するリードフレーム体と、
そのリードフレーム体とはんだ付けされると共に、ＩＣを含む部品を搭載した基板と、を備えたリードフレーム付きハイブリッドＩＣにおいて、
前記各リードフレームは、略直角に折り曲げられた先端部を有し、
前記基板には、
前記各リードフレームの前記先端部を挿入可能な複数の貫通孔と、
前記各リードフレームの前記先端部と前記基板に搭載された部品とを電気的に接続するためのはんだランドとを配設したリードフレーム付きハイブリッドＩＣ。
【請求項２】
他の回路基板へ取り付けるための複数のリードフレームを有するリードフレーム体と、
そのリードフレーム体を有すると共に、ＩＣを含む部品を搭載した基板と、を備えたリードフレーム付きハイブリッドＩＣにおいて、
前記各リードフレームは、
略直角に折り曲げられた第１の先端部と、
略直角に折り曲げられた第２の先端部であって、前記第１の先端部とは長さの異なる第２の先端部と、を有し、
前記基板には、
前記各リードフレームの前記第１，第２の先端部を挿入可能な複数の貫通孔と、
前記各リードフレームの前記第１，第２の先端部と前記基板に搭載された部品とを電気的に接続するためのはんだランドとを配設したリードフレーム付きハイブリッドＩＣ。
【請求項３】
請求項１において、
前記各リードフレームの前記第１，第２の先端部は、前記基板の片面側から前記はんだランドとはんだ付けされていることを特徴とするリードフレーム付きハイブリッドＩＣ。
【請求項４】
他の回路基板へ取り付けるための複数のリードフレームを有するリードフレーム体と、
そのリードフレーム体とはんだ付けされると共に、ＩＣを含む部品を搭載した基板と、を備えたリードフレーム付きハイブリッドＩＣの製造方法において、
前記リードフレーム体を仮固定するための位置決めピンと、前記基板を位置決め固定するための位置決めピンとを備えた工具に、略直角に折り曲げられた第１の先端部と、略直角に折り曲げられた第２の先端部であって、前記第１の先端部とは長さの異なる第２の先端部とを備えると共に、前記各リードフレームを接続するためのプレートに前記位置決めピンを係合するための孔を備えたリードフレーム体を、前記位置決めピンと前記孔との係合によって仮固定するステップと、
前記工具に、前記各リードフレームの前記第１，第２の先端部を挿入可能な複数の貫通孔と、前記各リードフレームの前記第１，第２の先端部と前記基板に搭載された部品とを電気的に接続するためのはんだランドとを備えると共に、前記はんだ付けのために前記基板を位置決め固定するためのガイド孔を備えた前記基板を、前記位置決めピンと前記ガイド孔との係合によって仮固定するステップと、
前記第１，第２の先端部と、前記はんだランドとをはんだ付けするステップと、
前記各リードフレームと前記プレートとを切断するステップと、
を有するリードフレーム付きハイブリッドＩＣの製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記はんだ付けするステップは、はんだ鏝を用いたはんだ付けであることを特徴とするリードフレーム付きハイブリッドＩＣの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、他の回路基板（マザーボードという）への取付用リードフレームを備えたリードフレーム付きハイブリッドＩＣ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板にチップ部品やＩＣ等の部品を混載し、これを１つのＩＣのような回路ブロックとして使用するハイブリッドＩＣは、マザーボードとの機械的および電気的接続は、一般的にリードフレームを介して行われる。
【０００３】
図５はリードフレームをハイブリッドＩＣの基板に挿入したときの断面図及び平面図、図６はリードフレームとハイブリッドＩＣの基板にはんだ付けするときの断面図及びはんだ付けした後の平面図を示している。
【０００４】
図５（ａ）は、従来のリードフレーム付きハイブリッドＩＣの構造の一例を示すものである。このリードフレーム付きハイブリッドＩＣは、基板７の一縁端部側（図中では下側）に、リードフレーム１９が基板７と略並行にせり出した形のシングルインライン型ハイブリッドＩＣと称されている。ハイブリッドＩＣの基板７には、両面にプリント配線を施してあり、はんだランド１８が基板７の側縁部の両面に設けてある。基板７には、チップ部品４やＩＣ５及びチップ型ＩＣ６等が両面に実装されている。更に基板７の端部には、リードフレーム１９が取り付けられた構造になっている。
【０００５】
ここで、リードフレーム１９は、一端側に基板７の端部が挿入されるクリップ部１９ａが備えられている。前記クリップ部１９ａは、リードフレーム１９の本体部の一端をクリップ状に折り曲げて構成される。リードフレーム１９を基板７に取り付ける場合、クリップ部１９ａに基板７が挿入されるように専用設備で取り付けられ、クリップ部１９ａに存在するバネ力で基板７の上下面を押さえて仮固定される。そして、図６（ａ）に示されるように、はんだディップ槽２０でクリップ部１９ａとこれに当接するはんだランド１８とを溶融はんだ２１に浸漬して、はんだ付けする。以上によって、ハイブリッドＩＣの基板７をリードフレーム１９に対して機械的および電気的に接続する。
【０００６】
また、従来技術として特許文献１では、はんだディップ槽２０の溶融はんだ２１に、基板７のはんだランド１８とリードフレーム１９とをはんだディップする際の溶融はんだ２１への侵漬深さの調整作業を省略する等の作業改良を図っている。
【０００７】
【特許文献１】特開平２−２３０６７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、図５（ａ）に示すようなリードフレーム１９を使用して専用設備で基板７に挿入した場合には、問題がある。ここで、図５（ｂ）は図５（ａ）の左側面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）の処理の後、図５（ｂ）のように表した図である。
【０００９】
図５（ｂ）中の矢印Ｂ方向にリードフレームのクリップ部１９ａの位置がずれることがあった。これはリードフレームの座屈に起因するものと考えられる。または、最初から曲がった方向で押し込んでしまったときにも、このようなことが起こると考えられる。こうなると、クリップ部１９ａは、はんだランド１８からはみ出して、隣のはんだランド１８との絶縁距離が短くなることがある。
【００１０】
この状態で図６（ａ）に示すはんだディップ槽２０ではんだ付けすると、図６（ｂ）に示す通り、はんだランド１８からはみ出したままの状態ではんだ２１で接続されてしまうことがある。このため、隣合うはんだ２１が接触し、回路短絡不良となることがあった。また、はんだ２１で接続されず、短絡しないまでも、隣合うはんだランド１８の間の絶縁信頼性の低下の要因となる。
【００１１】
更には、リードフレーム１９を基板７に挿入する専用設備の調整時間が必要になり、生産稼動率の低下の要因となっていた。加えて、リードフレーム１９を基板７に挿入する専用設備が必要で、設備導入及び維持に大きな費用が掛かっていた。
【００１２】
また、特許文献１を含む従来技術の場合、リードフレーム１９の先端部１９ａと基板７のはんだランド１８とをはんだ付けする工程は、はんだディップ槽２０を使用するため、溶融はんだ２１の温度をはんだ付け可能な温度（例として、鉛フリーはんだの場合、約２５０℃）まで加熱，維持する必要が生じ、はんだ鏝と比較して大きな設備電力が必要であり、はんだディップ槽２０の設備導入及び維持にも大きな費用が掛かっていた。
【００１３】
更に、はんだ付けされるリードフレームの先端部１９ａ以外のリードフレーム１９の多くの部分が溶融はんだ２１に侵漬され、リードフレーム１９に溶融はんだ２１が付着するため、はんだ使用量に無駄が生じていた。また、リードフレームのめっき材（例えば、銅，錫，ニッケル等）がはんだディップ槽２０に溶け出し、溶融はんだ２１の金属成分が変動するため、溶融はんだ２１の金属成分の分析や管理に手間が掛かっていた。
【００１４】
更には、溶融はんだ２１が当接する雰囲気中の酸素と反応し酸化生成物が発生するため、酸化生成物を取り除く作業が必要となり、稼働率低下の要因となっていた。
【００１５】
更に、図５に示すような従来技術の場合、リードフレーム１９の先端部１９ａに複雑な曲げ加工を施す必要が生じ（図５では、リードフレーム１９の先端部をクリップ状にする）、曲げ加工に要する金型製作及び工数の増加によるリードフレーム１９のコスト上昇の要因となっていた。
【００１６】
従って、曲げ加工が容易で安価なリードフレームを用いることが望まれ、はんだ付けする際の欠点を解消し、製造工数低減，コスト低減に寄与できるリードフレーム付きハイブリッドＩＣが望まれる。
【００１７】
本発明の目的は、安価なリードフレーム付きハイブリッドＩＣを提供することにある。また、安価にリードフレーム付きハイブリッドＩＣを製造することにある。また、製造工数を低減することを目的とする。また、簡易にリードフレーム付きハイブリッドＩＣを製造することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
前記課題を解決するために、本発明は主として次のような構成を採用する。
【００１９】
ＩＣを含む部品を搭載したリードフレーム付きハイブリッドＩＣにおいて、前記ハイブリッドＩＣの基板は、前記リードフレームの先端部を挿入可能な複数の貫通孔が設けられるとともに、前記基板の端縁部近傍に前記基板の位置決め用である複数のガイド孔が設けられ、前記ガイド孔によって位置決めされる前記基板と、前記貫通孔に挿入された前記リードフレームの先端部とがはんだ付けされた構成とする。
【００２０】
また、ＩＣを含む部品を搭載したリードフレーム付きハイブリッドＩＣの製造方法において、前記リードフレームの先端部を挿入可能な複数の貫通孔と位置決め用であるガイド孔を設けるとともに前記ＩＣを含む部品を搭載した基板を準備するステップと、前記ガイド孔に挿通する位置決めピンを備えた工具に前記リードフレームを仮固定するステップと、前記工具の前記位置決めピンに前記ガイド孔を挿通することで前記工具に前記基板を取り付けるステップと、前記工具に取り付けられた前記基板の貫通孔近傍のはんだランドと挿入された前記リードフレームの先端部とをはんだ付けするステップと、前記工具を前記基板と前記リードフレームから取り外してリードフレーム付きハイブリッドＩＣを製造するステップと、からなる構成とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、安価なリードフレーム付きハイブリッドＩＣを実現することができる。また、安価にリードフレーム付きハイブリッドＩＣを製造することができる。また、製造工数を低減することができる。また、簡易にリードフレーム付きハイブリッドＩＣを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の実施形態に係るリードフレーム付きハイブリッドＩＣについて、図１〜図４を参照しながら以下詳細に説明する。
【実施例】
【００２３】
図１はリードフレーム付きハイブリッドＩＣの製造のための部品，専用工具を示す図である。
【００２４】
１はリードフレーム、１ａはリードフレーム先端部、１ｂはリードフレーム先端部、２はプレートである帯バー、３は孔、４はチップ部品、５はＩＣ、６はチップ型ＩＣ、７は基板、８ａは貫通孔、８ｂは貫通孔、９ａははんだランド、９ｂははんだランド、１０はガイド孔、１１は半円状切り欠き、１２は専用工具、１３はリードフレーム１を位置決めする位置決めピン、１４は基板７を位置決めする位置決めピン、１５は基板７を位置決めする位置決めピンである。
【００２５】
図１（ａ）は、リードフレーム付きＩＣに用いられるリードフレーム１を含むリードフレーム体１００を示す。一般的に、リードフレーム体１００は、鉄板から金型で打ち抜かれた後、リードフレーム先端部１ａ，１ｂを形成する曲げ工程を経て、所定のリードフレーム数に切断されたものである。所定ピッチの孔３を備えた帯バー２と呼ばれるフレームが、個々のリードフレーム１と連結されている。図には、リードフレーム１が所定の間隔で１９本示されており、孔３が所定の間隔で１０個形成されている。これらリードフレーム１と孔３との位置関係は互いに比例しているような関係で無ければならない。
【００２６】
後述するように、孔３によってリードフレーム体１００を位置決めし、別の基準によって位置決めされた基板７に取り付けるからである。図の例では、孔３の中心とリードフレーム１の中心とが揃っているリードフレームが１０個あり、互いに隣合う孔３の中心の間（中心と中心との間）にリードフレーム１の中心が在るリードフレームが９個あり、比例して規則的に並んでいる。従って、前述の切断をどのように行っても孔３の中心にはリードフレーム１の中心が在り、それらリードフレーム１間には、もう一本のリードフレームが在ることとなる。図では０番目と２０番目のリードフレーム１が完全に除去されている仮想的な形態を表しているとも言える。
【００２７】
個々のリードフレーム１の基板に取り付けられる側は、二股に分岐しており、略直角に曲げ加工されてリードフレーム１の先端部１ａ及び１ｂを構成する。これらは各先端部までの長さが互いに異なり、フレームからの距離が短い方を１ａ、遠い方を１ｂとする。リードフレーム１の先端部１ａ及び１ｂは、挿入しやすいように面取りされている。先端部１ａ及び１ｂを有することで２箇所ではんだ付けを行うこととなり、つまり、２箇所で固定するので基板にはんだ付けされた後のはんだ付け強度を向上できる。また、リードフレーム１を有するハイブリッドＩＣをマザーボードにはんだ付けした際には、２箇所ではんだ付けが行われるので、はんだ付け部の熱容量が増加し、耐熱性を確保できる。はんだ付けは、例えば自動フローはんだ付け方式で行われる。
【００２８】
なお、必要な回路の端子が少なく、また、はんだ付け強度を要しない場合には、リードフレーム１の先端部を二股に分岐させる必要はなく一つでよいし、はんだ付け箇所も各リードフレーム１に対して一箇所で良い。
【００２９】
このリードフレームは、図５に示す従来のリードフレームのような複雑なクリップ形状が不要であり、形状だけでなくクリップ機能も不要である。このように、リードフレーム１をクリップ形状にするような曲げ加工が不要になるため、従来の金型が不要になる。また、工数を少なくすることもでき、リードフレーム１の製造コストを安くすることができる。つまり、安価なリードフレーム付きハイブリッドＩＣを実現することができる。
【００３０】
図１（ｂ）は、ハイブリッドＩＣの基板を示している。ハイブリッドＩＣの基板７は、片面若しくは両面及び多層に配線回路が形成されたプリント基板である。また、基板７にはチップ部品４やＩＣ５，チップ型ＩＣ６等がはんだ付けされている。ＩＣ５及びチップ型ＩＣ６は、樹脂モールドでパッケージングしても良いし、パッケージングを行う前のベアチップのままでも良い。
【００３１】
ハイブリッドＩＣの基板７の正面の辺の付近には、リードフレーム１の先端部１ａ及び１ｂが挿入可能な複数の貫通孔８ａ及び８ｂが設けられている。当然ながらこのピッチはリードフレーム１に合わせておかなければならない。また、貫通孔８ａの位置と貫通孔８ｂの位置は基板７の辺から引いた一の垂線の上に設けてはならず、先端部１ａ，先端部１ｂがズレている分だけズラして設けなければならない。
【００３２】
貫通孔８ａ及び８ｂの周囲には、先端部１ａ及び１ｂと配線回路とをはんだ付けするためのはんだランド９ａ及び９ｂが設けられている。図では、はんだランド９ａとはんだランド９ｂは繋げずに離しているが、はんだランド９ａとはんだランド９ｂは配線パターンで繋げても良い。また、貫通孔８ａ及び８ｂの壁面部、つまり、孔の内周面には銅めっきを施しても良い。
【００３３】
また、基板７の端縁部近傍、つまり基板７の隅には、基板７を貫通するガイド孔１０が設けられており、基板７の側縁部、つまり基板７の正面の辺に隣合う一辺（図中、手前側の辺と奥側の辺）に一部開口して形成された半円状切り欠き１１が設けられている。他の構成例としては、基板７の四隅に略扇状切り欠きを設けても良いし、基板７の複数の隅に略扇状切り欠きを設けても良い。ガイド孔１０の機能は位置決めであるので、その機能が担保できれば孔でなく略扇状切り欠きでも良い。こうすれば孔を設けるよりも小型化できる。更に他の構成とするため、ここに挙げたガイド孔１０，半円状切り欠き１１，略扇状切り欠き等を適宜組み合わせて用いても良い。基板７を後述の専用工具１２に確実に位置決めできることが重要である。ここでいう位置決めとは、基板７がその平面上で動かないことである。従って、ガイド孔１０，半円状切り欠き１１，略扇状切り欠き等は何れも係合部として考えることができ、後述の被係合部との連携により、基板７を位置決めする。
【００３４】
図１（ｃ）は、専用工具１２にリードフレーム１を位置決めし、仮固定した状態を示している。専用工具１２には、リードフレーム体１００が仮置き状態であっても位置がズレないように、孔３に係合する位置決めピン１３を備えている。また、基板７のガイド孔１０，半円状切り欠き１１に係合する位置決めピン１４，１５が専用工具１２の所定位置に配設されている。前述のように、ガイド孔１０や半円状切り欠き１１の構成を変えれば、位置決めピン１４，１５の構成も代えなければならない。繰返しになるが、基板７を専用工具１２に確実に位置決めできることが重要である。これら位置決めピン１４，１５は、前述の被係合部として考えることができ、前述の係合部との連携により、基板７を位置決めする。
【００３５】
図２は、リードフレーム付きハイブリッドＩＣの製造の段取り示す図である。リードフレーム１を専用工具１２に固定し、基板７を専用工具１２に固定し、これらを取り付け、ハイブリッドＩＣを製造する製造過程を示している。
【００３６】
リードフレーム１は孔３を位置決めピン１３に係合することで、専用工具１２に仮固定されている。このとき位置決めピン１３が配設されている部分の平面の幅Ｈが小さいと、リードフレーム１が傾いてしまう虞があるので、幅Ｈはそれを防ぐように十分な大きさを取っておくことが好ましい。基板７はガイド孔１０と半円状切り欠き１１とをそれぞれ、位置決めピン１５，１４に係合し、専用工具１２に仮固定する。このとき、位置決めピン１５，１４の段付部１５ａ，１４ａで基板７は上下方向の所望の高さに位置決めされる。仮に基板７を押し込もうとしても、これ以上押し込むことはできず、リードフレーム１が折損することもない。
【００３７】
これらの位置決めピン１３，１４，１５によりリードフレーム１の位置と基板７の位置とが規定され、リードフレーム１の先端部１ａ及び１ｂは、基板７の貫通孔８ａ及び８ｂに挿入される。このとき、リードフレーム１の先端部１ａ及び１ｂは、基板７の貫通孔８ａ及び８ｂの略中心に位置しており、リードフレーム１の先端部１ａ及び１ｂの位置ズレや基板７との干渉による変形が起きることはない。なお、リードフレーム１の先端部１ａ及び１ｂはリードフレーム１に対して略直角に折り曲げられているので折り曲げ部で基板７の上下方向の取り付け位置が規定されることになる。
【００３８】
図３は、はんだ付けの製造過程を示す図である。１６は線状はんだ、１７ははんだ鏝、をそれぞれ示している。このように、リードフレーム１の先端部１ａ及び１ｂと基板７に設けられたはんだランド９ａ及び９ｂとをはんだ付けする。このはんだ付けは、専用工具１２に固定した状態の上面、つまり、リードフレーム１の先端部１ａ及び１ｂが基板７に差し込まれて基板７上に出てきた側の片面側で行われる。
【００３９】
専用工具１２にリードフレーム１及び基板７が仮固定されている状態のまま、線状はんだ１６とはんだ鏝１７を用いてはんだ付けすることが可能であるので、特に大きな力が加わることも無く、リードフレーム１の変形や傾きを防止できる。また、リードフレーム１の基板７への取り付けからはんだ付け作業までの一連の工程を、専用工具１２に仮固定したまま行うことができるので、簡易にはんだ付けを行うことができる。また、作業スペースを縮小できる。
【００４０】
更に、本実施形態により、従来のディップ槽の設備導入や維持は不要となるので、大幅な設備投資費用の削減が可能であるし、簡易にはんだ付けを行うことができる。また、はんだ付けに必要とする設備電力の大幅な削減を図ることが可能になる。また、線状はんだ１６とはんだ鏝１７ではんだ付けすることで、はんだ使用量を大幅に削減することができる。延いては、環境保護にも役立つ。なお、はんだ鏝１７を用いる人手作業もしくは、はんだ鏝を備えるはんだ付けロボットでもほぼ同様の効果が得られる。
【００４１】
図４は、リードフレーム１と帯バー２とを分離する製造過程を示す図である。図３に示す製造工程ではんだ付けした後、図４に示すようにハイブリッドＩＣの基板７を専用工具１２から取り外す。そして、リードフレーム１と帯バー２の間（図４中の破線部Ａの部位）で、リードフレーム１を切断すれば、リードフレーム１と帯バー２を分離できる。図４において、リードフレーム１から帯バー２を分離した基板７側のものがハイブリッドＩＣ２００である。このリードフレーム付きハイブリッドＩＣ２００は、その各リードフレーム端部１ｃ（帯バーと分離された側）をマザーボードの貫通孔に挿入してはんだ付けされて、他の電気部品及び電子部品と共にマザーボード上に実装されることとなる。
【００４２】
以上の実施例によれば、マザーボードへの取り付け用リードフレーム１を備えたリードフレーム付きハイブリッドＩＣ２００において、ハイブリッドＩＣ２００の基板７の端縁部近傍にリードフレーム１の先端部１ａ，１ｂが挿入可能な複数の貫通孔８ａ，８ｂを備え、基板７の端縁部近傍にガイド孔１０若しくは一部開口して形成された切り欠き１１を備え、貫通孔８ａ，８ｂにリードフレーム１の先端部１ａ，１ｂを挿入して基板７とはんだ付けされることを特徴とする。ここにおいて、リードフレーム１を仮固定でき、基板７に設けられたガイド孔１０に挿入可能な位置決めピン１５を所定位置に備えた専用工具１２を準備して、基板７のガイド孔１０を位置決めピン１５に合わせて挿入することで、リードフレーム１の先端部１ａ，１ｂは、挿入位置のズレが極めて少ない状態で基板７の貫通孔８ａ，８ｂに挿入され、リードフレーム１の先端部１ａ，１ｂと基板７とをはんだ付けすることが可能であるので、生産性を向上することができる。また、隣合うはんだランド９ａ，９ｂとリードフレーム１の先端部１ａ，１ｂは接触することが無いので、絶縁信頼性が向上する。
【００４３】
また、リードフレーム１は、基板７に取り付けられる側が二股に分かれ、先端部が略直角に曲げられた構成としたものである。従来のリードフレームは複雑なクリップ状の先端部を備えていたが、本実施形態によれば、リードフレームの曲げ加工をする金型及び工数が簡易になるので、リードフレーム１のコスト低減が可能になる。また、リードフレーム１と基板７とははんだ鏝１７を用いてはんだ付けされる。このように、はんだ鏝を用いてはんだ付けすることで、専用工具１２に仮固定されたままの状態ではんだ付けが可能になり、製造工数を低減でき生産性が向上し作業スペースを縮小することができる。更に、はんだ鏝１７を用いてはんだ付けを行うことにより、従来のディップ槽でのはんだ付けと比較して、はんだ付けに必要とする設備電力の大幅な削減や設備投資額の削減及び設備維持費用の削減，はんだ使用量の削減が可能になる。
【００４４】
なお本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、使用する各部材の材料，製造方法等は適宜変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】リードフレーム付きハイブリッドＩＣの製造のための部品，専用工具を示す図。
【図２】リードフレーム付きハイブリッドＩＣの製造の段取り示す図。
【図３】はんだ付けの製造過程を示す図。
【図４】リードフレームと帯バーとを分離する製造過程を示す図。
【図５】リードフレームをハイブリッドＩＣの基板に挿入したときの断面図及び平面図。
【図６】リードフレームとハイブリッドＩＣの基板にはんだ付けするときの断面図及びはんだ付けした後の平面図。
【符号の説明】
【００４６】
１，１９  リードフレーム
１ａ，１ｂ  リードフレーム先端部
２  帯バー
３  孔
４  チップ部品
５  ＩＣ
６  チップ型ＩＣ
７  基板
８ａ，８ｂ  貫通孔
９ａ，９ｂ，１８  はんだランド
１０  ガイド孔
１１  半円状切り欠き
１２  専用工具
１３，１４，１５  位置決めピン
１６  線状はんだ
１７  はんだ鏝
２０  はんだディップ槽
２１  はんだ
１００  リードフレーム体
２００  ハイブリッドＩＣ
【図１】
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【図２】
2008282890.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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