(57)【要約】【課題】従来に比較して、材料コストの低減が可能であり、シール性も確保しやすい液晶表示パネルを提供すること。【解決手段】アクティブマトリクスアレイ基板とカラーフィルタ基板との間にシール材によって液晶材が封入されてなる液晶表示パネルにおいて、アクティブマトリクスアレイ基板および／またはカラーフィルタ基板を構成するガラス基板として、アルカリ成分を含むアルカリガラス基板を用いるとともに、シール材として、光硬化型シール材を用いる。上記アルカリ成分としては、Ｎａ２Ｏを６〜１５重量％、または、Ｎａ２ＯとＫ２Ｏとを合計で６〜１５重量％含むと良い。また、アルカリガラス基板の歪点は、５５０〜６００℃の範囲内にあると良い。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクスアレイ基板とカラーフィルタ基板との間にシール材によって液晶材が封入されてなる液晶表示パネルであって、
前記アクティブマトリクスアレイ基板および／または前記カラーフィルタ基板を構成するガラス基板は、アルカリ成分を含むアルカリガラス基板であり、かつ、
前記シール材は、光硬化型であることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
前記アルカリ成分として、Ｎａ２Ｏを６〜１５重量％、または、Ｎａ２ＯとＫ２Ｏとを合計で６〜１５重量％含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
Ｋ２Ｏ／Ｎａ２Ｏ（重量比）が２以上であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記アルカリガラス基板は、その歪点が５５０〜６００℃の範囲内にあることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネル（Liquid Crystal Display Panel）は、２枚の基板の間にシール材によって液晶材が封入されてなり、透過あるいは反射光量を電気的に制御可能な光学素子である。
【０００３】
一方の基板であるアレイ基板としては、例えば、アクティブマトリクスアレイ基板などが知られている。このアクティブマトリクスアレイ基板は、通常、ガラス基板上にゲート配線とソース配線とがマトリックス状に配置されており、その交点部分に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）などのアクティブ素子が形成され、このアクティブ素子に画素電極が接続されている。
【０００４】
また、他方の基板であるカラーフィルタ基板としては、例えば、ガラス基板上に、不要な光の漏れを防ぐためにブラックマトリクスを形成した後、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の着色層をパターン形成し、必要に応じて保護膜を形成した後、画素電極に対向する対向電極を形成したものなどが知られている。
【０００５】
また、上記シール材としては、熱硬化型樹脂など、その硬化に加熱を必要とする熱硬化型シール材が広く使用されている。
【０００６】
ところで、アクティブマトリクスアレイ基板を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルは、イオン性の汚染によって、ＴＦＴなどのアクティブ素子の特性低下が発生しやすいことが知られている。
【０００７】
そのため、この種の液晶表示パネルに用いるガラス基板、とりわけ、アクティブマトリクスアレイ基板側のガラス基板には、イオン源となるＮａ２Ｏなどのアルカリ成分を含まない無アルカリガラス基板を使用するのが、当該液晶技術分野におけるこれまでの技術常識になっている（例えば、非特許文献１など）。
【０００８】
また、無アルカリガラス基板を用いたとしても、ＴＦＴなどの安定性を考慮し、さらに、アルカリイオンの侵入を阻止するバリア膜を、ガラス基板表面に１枚以上介在させ、このバリア膜上にＴＦＴなどが形成されることさえある。
【０００９】
これに対し、同じフラットディスプレイパネル（ＦＤＰ：Flat Display Panel）であっても、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）は、液晶表示パネルと全く表示構造が異なっており、アクティブ素子を有していない。
【００１０】
そのため、ＰＤＰでは、アルカリ成分が全く問題にならず、ソーダ石灰ガラス基板などのアルカリガラス基板が多用されている。
【００１１】
また、ＰＤＰは、その製造時の処理温度が液晶表示パネルの処理温度よりも高い。このため、最近では、ソーダ石灰ガラスの歪点を高温側にシフトさせた高歪点のガラス基板も使用され始めている。
【００１２】
【非特許文献１】社団法人  日本半導体製造装置協会  編，「液晶ディスプレイ製造装置用語辞典」，第２版，日刊工業新聞社，１９９９年１０月２０日，ｐ．１０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところで、液晶表示パネルに用いるガラス基板に要求される重要な物理的特性の一つとして、熱膨張係数が挙げられる。大きな熱膨張係数を持ったガラス基板は、熱を伴うパネル製造プロセスにおいて、製造性に大きな影響を与えるからである。
【００１４】
液晶パネルの製造プロセスにおいて、熱を伴う代表的な製造プロセスの一つとして、例えば、アクティブマトリクスアレイ基板とカラーフィルタ基板との貼り合わせ工程がある。
【００１５】
相対的に小さな熱膨張係数を有するガラス基板を用いている場合には、熱硬化型シール材を硬化させるために加熱を行っても、ガラス基板の寸法変化が小さく、２枚の基板をしっかりと貼り合わせることが可能である。
【００１６】
これに対し、相対的に大きな熱膨張係数を有するガラス基板を用いている場合には、未硬化の熱硬化型シール材が硬化しつつある段階で、ガラス基板が膨張してしまう。そのため、シール材が剥がれやすくなり、シール性を確保し難くなるといった問題が生じる。
【００１７】
この点、従来、アクティブマトリクス型液晶表示パネルでは、熱膨張を大きくする原因になるアルカリ成分を含まない無アルカリガラス基板を用いることが技術常識であった。そのため、これまでは上記問題を比較的回避しやすい状況にあったと言える。
【００１８】
しかしながら、無アルカリガラス基板は、熱膨張係数が小さく、確実なシール性を確保しやすいなどの利点を有しているものの、アルカリガラス基板に比較して、極めて高価であるという大きな欠点がある。
【００１９】
近年、急速な勢いでパネルの大型化が進められている現況下では、液晶表示パネルの材料コスト全体に占めるガラス基板コストの比率が増大している。それ故、このまま高価な無アルカリガラスを使用し続けていては、コスト競争力の低下を招くといった問題があった。
【００２０】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、本発明の解決しようとする課題は、従来に比較して、材料コストの低減が可能であり、シール性も確保しやすい液晶表示パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記課題に対し、本件発明者らによる研究成果によれば、これまでの技術常識に反して、意外にも、アクティブマトリクス型液晶表示パネルのガラス基板として、アルカリガラス基板を用いることが可能であることが判明している。
【００２２】
しかしながら、アルカリガラス基板は、これまで使用してきた無アルカリガラス基板に比較して、熱膨張係数が極めて大きく、熱硬化型シール材ではシール性を確保し難い。
【００２３】
本件発明者らは、種々の検討を重ねた結果、下記の本発明をなすに至ったものである。
【００２４】
すなわち、本発明に係る液晶表示パネルは、アクティブマトリクスアレイ基板とカラーフィルタ基板との間にシール材によって液晶材が封入されてなり、上記アクティブマトリクスアレイ基板および／または上記カラーフィルタ基板を構成するガラス基板が、アルカリ成分を含むアルカリガラス基板であり、かつ、上記シール材が、光硬化型であることを要旨とする。
【００２５】
ここで、上記アルカリガラス基板は、アルカリ成分として、Ｎａ２Ｏを６〜１５重量％、または、Ｎａ２ＯとＫ２Ｏとを合計で６〜１５重量％含むことが好ましい。
【００２６】
また、アルカリ成分として、Ｎａ２ＯとＫ２Ｏとを含む場合には、Ｋ２Ｏ／Ｎａ２Ｏ（重量比）が２以上であることが好ましい。
【００２７】
また、上記アルカリガラス基板は、その歪点が５５０〜６００℃の範囲内にあることが好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明に係る液晶表示パネルは、アクティブマトリクスアレイ基板および／またはカラーフィルタ基板を構成するガラス基板として、アルカリガラス基板を用いている。そのため、無アルカリガラス基板を用いた従来の液晶表示パネルに比較して、大幅に材料コストの低減を図ることが可能である。
【００２９】
加えて、本発明に係る液晶表示パネルは、上記アルカリガラス基板と組み合わせて光硬化型シール材を用いている。そのため、アクティブマトリクスアレイ基板とカラーフィルタ基板との貼り合わせ時に、シール材の硬化に加熱を必要としない。
【００３０】
それ故、ガラス基板をほとんど膨張させることなくシール材を硬化させることができ、必要とするシール性を確保することが可能となる。また、硬化に要する時間も少なくて済み、その分、パネルの製造性も向上する。
【００３１】
とりわけ、両基板のガラス基板がアルカリガラス基板である場合には、材料コストの低減効果が大きくなる。さらに、両基板間の熱膨張差を小さくすることができるため、シール材へのストレスも低減しやすくなる利点がある。
【００３２】
ここで、上記アルカリガラス基板中に含まれるアルカリ成分として、Ｎａ２ＯまたはＮａ２ＯとＫ２Ｏとの合計が６重量％以上であれば、ガラス製造時におけるガラス溶融温度が高くなり過ぎず、均質性、清澄性も良好で、ガラス基板の製造コストの低減に寄与しやすい点で好ましい。一方、Ｎａ２ＯまたはＮａ２ＯとＫ２Ｏとの合計が１５重量％以下であれば、高歪点を維持しやすいため、熱的に安定で、体積抵抗率が低下し過ぎなくなる点で好ましい。
【００３３】
また、上記アルカリガラス基板が、アルカリ成分としてＮａ２ＯとＫ２Ｏとを含む場合、Ｋ２Ｏ／Ｎａ２Ｏ（重量比）が２以上であるときには、混合アルカリ効果により、ガラス中でのアルカリイオンの移動を抑制しやすくなる。そのため、材料コストの低減効果に加え、パネル信頼性も向上させやすくなる利点がある。
【００３４】
また、上記アルカリガラス基板の歪点が５５０〜６００℃の温度範囲内にある場合には、ガラス基板の熱的な安定性が向上する。そのため、当該液晶表示パネルの製造性を向上させることができる。また、アルカリイオンの溶出を抑制しやすくなる利点もある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本実施形態に係る液晶表示パネル（以下、「本パネル」ということがある。）およびその製造方法（以下、「本製造方法」ということがある。）について詳細に説明する。
【００３６】
１．本パネル
本パネルは、アクティブマトリクスアレイ基板と、これに対向して設けられたカラーフィルタ基板と、両基板の間にシール材によって封入された液晶材とを備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルである。
【００３７】
ここで、本パネルは、上記両基板のうち、少なくとも一方の基板を構成するガラス基板が、アルカリガラス基板よりなる。なお、両基板のうち、何れか一方の基板のガラス基板がアルカリガラス基板である場合には、他方の基板のガラス基板は無アルカリガラス基板であっても良い。
【００３８】
アルカリガラス基板とは、ソーダ石灰系ガラスなど、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏなどのアルカリ成分を含むガラス基板のことであり、アルカリ成分を含まない無アルカリガラス基板と区別される。
【００３９】
もっとも、無アルカリガラス基板といえども、通常、アルカリ成分を全く含まないという意味で用いられることはない。１％未満のオーダーで不純物としてアルカリ成分が存在するものも、当液晶業界では無アルカリガラス基板と称されている。
【００４０】
本パネルにおいて、アクティブマトリクスアレイ基板のガラス基板が無アルカリガラス基板であり、カラーフィルタ基板のガラス基板がアルカリガラス基板である場合には、次の利点がある。すなわち、この場合、アクティブマトリクスアレイ基板のアクティブ素子とアルカリガラス基板との距離が大きく離れている。そのため、アルカリ成分による影響をそれほど考慮する必要がない。したがって、早期に製品への導入が図りやすく、材料コスト低減によるメリットを早期に享受することが可能となる。
【００４１】
より好ましくは、両基板のガラス基板がアルカリガラス基板であると良い。材料コストの低減効果が大きくなるばかりでなく、両基板間の熱膨張差も小さくすることができる。そのため、反りなどを小さくすることができるなどの利点も生じるからである。
【００４２】
上記アルカリガラス基板のアルカリ成分として、Ｎａ２Ｏを含み、Ｋ２Ｏを含まない場合、Ｎａ２Ｏ含有量としては、６〜１５重量％の範囲内にあることが好ましい。また、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏを含む場合、Ｎａ２ＯとＫ２Ｏとの合計の含有量としては、６〜１５重量％の範囲内にあることが好ましい。
【００４３】
両含有量の下限が６重量％以上であれば、ガラス製造時におけるガラス溶融温度が高くなり過ぎず、均質性、清澄性も良好で、ガラス基板の製造コストの低減に寄与しやすい点で好ましい。なお、６％未満になると、より高温での溶融に耐えうる高価な設備が必要となるし、ガラス溶融も不十分になる傾向が見られる。
【００４４】
一方、両含有量の上限が１５重量％以下であれば、高歪点を維持しやすいため、熱的に安定で、体積抵抗率が低下し過ぎない点で好ましい。
【００４５】
また、上記アルカリガラス基板が、アルカリ成分としてＮａ２ＯとＫ２Ｏとを含む場合、Ｋ２Ｏ／Ｎａ２Ｏ（重量比）は２以上であると良い。混合アルカリ効果により、ガラス中でのアルカリイオンの移動を抑制しやすくなるからである。
【００４６】
また、上記アルカリガラス基板の歪点は、５５０〜６００℃の温度範囲内にあると良い。この場合には、ガラス基板の熱的な安定性が向上し、当該液晶表示パネルの製造性を向上させることができるなどの利点があるからである。また、アルカリイオンの溶出も抑制しやすくなる。上記歪点とは、ガラスが粘度１０１４．５ポイズを示す温度を指す。
【００４７】
なお、上記歪点の上限は、高い程好ましい。一般的な無アルカリガラスには、歪点が６５０℃以上のものが存在するが、現在入手しうるアルカリガラスは、その歪点が６００℃程度のものしか確認できていない。一方、上記歪点の下限は、一般のソーダライムガラスが５１０℃程度であることを考慮すると、５５０℃以上が好ましい。
【００４８】
以上を満たすアルカリガラス基板は、例えば、旭硝子株式会社、日本電気硝子株式会社、セントラル硝子株式会社などから入手することが可能である。
【００４９】
本パネルにおいて、アクティブマトリクスアレイ基板が有するアクティブ素子（スイッチング素子）としては、薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と称する。）が好ましい。従来に比較して低廉なＴＦＴ液晶表示パネルを提供することが可能となるからである。
【００５０】
アクティブマトリクスアレイ基板がＴＦＴを有する場合、ＴＦＴの構造は、特に限定されるものではなく、逆スタガー型構造、正スタガー型構造の何れであっても良い。
【００５１】
上記ＴＦＴの構造としては、好ましくは、逆スタガー型構造を採用すると良い。逆スタガー構造は、正スタガー構造に比較して、半導体層とアルカリガラス基板との距離が遠くなる。また、アルカリガラス基板上にはゲート絶縁膜も成膜されている。したがって、アルカリイオンによる影響をより受け難くできる利点があるからである。
【００５２】
以下、逆スタガー型構造のＴＦＴを有するアクティブマトリクスアレイ基板（以下、「ＴＦＴアレイ基板」と称する。）を備えた本パネルの構成の一例につき、図面を用いて具体的に説明する。
【００５３】
図１は、本パネルが備えうるＴＦＴアレイ基板の１つの画素領域の一例を模式的に示した平面図である。図２は、図１中のＡ−Ａ’線に沿った本パネルの断面図である。なお、以下では、ＴＦＴアレイ基板およびカラーフィルタ基板の両基板がアルカリガラス基板を備える場合について説明を行っている。また、図２では、説明の都合上、パネル端部付近の模式的な断面も合わせて記載している。
【００５４】
図２に示すように、本パネル１０は、ＴＦＴアレイ基板１２と、これに対向して設けられたカラーフィルタ基板１４と、両基板１２、１４の間にシール材１５により封入された液晶材１６とを備えている。
【００５５】
図１に示すように、ＴＦＴアレイ基板１２は、アルカリガラス基板１８上に、相互に平行に延びる複数のゲート配線２０と、ゲート配線２０と直交して相互に平行に延びる複数のソース配線２２と、各ゲート配線２０の間にゲート配線２０に沿って相互に平行に延びる複数の補助容量配線２４と、ゲート配線２０およびソース配線２２の各交差部分に設けられたＴＦＴ２６と、各ＴＦＴ２６に対応して一対のゲート配線２０および一対のソース配線２２で囲まれる領域に設けられ、１つの画素を構成する画素電極２８とを備えている。
【００５６】
図１および図２に示すように、ＴＦＴ２６は、ゲート配線２２に電気的に接続されたゲート電極３０と、ゲート電極３０を覆うゲート絶縁膜３２と、ゲート絶縁膜３２を介してゲート電極３０の上方に形成された半導体層３４（真性半導体層３４ａ、不純物添加半導体層３４ｂ）と、半導体層３４上に形成されたソース電極３６およびドレイン電極３８とを有している。
【００５７】
半導体層３４のソース領域およびドレイン領域は、コンタクト層として機能する不純物添加半導体層３４ｂを介して、ソース電極３６およびドレイン電極３８にそれぞれ電気的に接続されている。
【００５８】
ＴＦＴ２６のドレイン電極３８には、補助容量配線２４に至るまでドレイン配線４０が延設されている。ドレイン配線４０のうち、補助容量配線２４とゲート絶縁膜３２を介して対向する部分が補助容量電極４２として機能する。また、補助容量配線２４のうち、補助容量電極４２とゲート絶縁膜３２を介して対向する部分が補助容量対向電極（図示されない）として機能する。
【００５９】
ＴＦＴ２６上には、絶縁膜４４が形成されている。この絶縁膜４４は、ＴＦＴ２６のチャネル部の保護膜としても機能する。ドレイン電極３８上に位置する絶縁膜４４の表面には、コンタクトホール４６が形成されている。画素電極２８は、コンタクトホール４６を通じて、ＴＦＴ２６のドレイン電極３８と電気的に接続されている。そして、画素電極２８上には、配向膜（図示されない）が形成されている。
【００６０】
一方、図２に示されるように、カラーフィルタ基板１４は、アルカリガラス基板１８’上に、カラーフィルタ層（図示されない）、オーバーコート層（保護膜）（図示されない）、共通電極４８が順に積層された積層構造を有している。そして、共通電極４８上には、配向膜（図示されない）が形成されている。
【００６１】
カラーフィルタ層には、各画素電極２８に対応して赤、緑および青のうちの１色の着色層が設けられ、各着色層の間にはブラックマトリクスが設けられている。
【００６２】
上述した両基板１２、１４の間に挟持される液晶材１６は、特に限定されることなく、種々の表示モード用の液晶材を用いることができる。例えば、旋光性を利用するＴＮ（Twisted Nematic）モードの液晶材や、複屈折性を利用するＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）モードの液晶材などを用いることができる。ＥＣＢモードのなかでも、ＶＡ（Vertically Aligned）モードは、高コントラスト比を実現することができる。ＶＡモードの液晶材としては、例えば、負の誘電異方性を有するネマチック液晶材などを例示することができる
【００６３】
また、図２に示されるように、本パネル１０において、液晶材１６の封入に用いるシール材は、光硬化型シール材１５よりなる。ここで、光硬化型シール材１５は、可視光、紫外光など、何れの光によって硬化するものであっても適用することができる。
【００６４】
上記光硬化型シール材としては、具体的には、例えば、紫外線硬化性樹脂を１種または２種以上含んだ紫外線硬化型シール材などを好適に用いることができる。硬化特性に優れる、それほど大きな設備が必要ではなく、取扱い性も良好であるなどの利点があるからである。
【００６５】
上記紫外線硬化性樹脂としては、具体的には、例えば、アクリル系樹脂などを例示することができる。
【００６６】
２．本製造方法
本製造方法は、上述した本パネルを製造することができる方法である。したがって、本製造方法は、アクティブマトリクスアレイ基板の製造工程、カラーフィルタ基板の製造工程、得られた両基板を貼り合わせ、シール材により液晶材が封入されたパネルを製造するパネル製造工程を含んでいる。
【００６７】
そして、本製造方法では、少なくとも、アクティブマトリクスアレイ基板および／またはカラーフィルタ基板の製造時に使用するガラス基板として、アルカリガラス基板を用いることになる。また、パネル製造時に使用する液晶材封入用のシール材として、光硬化型シール材を用いることになる。
【００６８】
一般に、アクティブマトリクスアレイ基板の製造工程では、エッチングが行われる。また、カラーフィルタ基板の製造工程においても、エッチングが行われることがある。
【００６９】
本製造方法では、当該アルカリガラス基板からのアルカリイオンの溶出を極力抑制する観点から、アクティブマトリクスアレイ基板および／またはカラーフィルタ基板の製造工程に、アルカリガラス基板を侵す酸によるエッチング工程、特に、ウェットエッチング工程を含まないことが好ましい。
【００７０】
上記アルカリガラス基板を侵す酸としては、例えば、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）などを例示することができる。この酸によるエッチングを行わない場合には、当該アルカリガラス基板からのアルカリイオンの溶出を一層抑制しやすくなり、得られる液晶表示パネルの信頼性向上に寄与するからである。
【００７１】
上記ウェットエッチングを行う場合としては、アクティブマトリクスアレイ基板の製造時では、例えば、絶縁膜（保護膜）、透明電極の形成時などを例示することができる。
【００７２】
以下、上述した構成のＴＦＴアレイ基板、カラーフィルタ基板を製造する場合を例にとり、本製造方法を具体的に説明する。
【００７３】
（ＴＦＴアレイ基板の製造工程）
図３は、ＴＦＴアレイ基板１２の製造工程の一例を模式的に示した図である。図３（ａ）に示すように、アルカリガラス基板１８上に、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）などよりなる単層または多層の第１金属膜（膜厚５０〜１５０ｎｍ程度）をスパッタリング法などにより成膜する。
【００７４】
その後、フォトリソグラフィー技術（Photo Engraving Process、以下「ＰＥＰ技術」と称する。）により、ゲート配線２０、ゲート電極３０、補助容量配線４２をパターン形成する。この第１金属膜のパターン形成時に行うエッチングとしては、ＢＣｌ３＋Ｃｌ２、ＣＦ４（＋Ｏ２）などのドライエッチングガスによるドライエッチングを適用することができる。
【００７５】
次いで、図３（ｂ）に示すように、上記工程を経た基板表面に、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などよりなるゲート絶縁膜３２（膜厚５０〜１５０ｎｍ程度）をプラズマＣＶＤ法などにより成膜する。
【００７６】
次いで、図３（ｃ）に示すように、上記工程を経た基板表面に、アモルファスシリコンなどの真性半導体膜（膜厚１５０ｎｍ程度）、ｎ＋型のアモルファスシリコンなどの不純物添加半導体膜（膜厚５０ｎｍ程度）とを連続して成膜する。
【００７７】
その後、ＰＥＰ技術により、ゲート電極３０上に半導体層３４（真性半導体層３４ａ、不純物添加半導体層３４ｂ）をパターン形成する。このパターン形成時に行うエッチングとしては、ＣＦ４＋Ｏ２、ＣＣｌ４＋Ｏ２、ＳＦ６などのドライエッチングガスによるドライエッチングを適用することができる。
【００７８】
次いで、図３（ｄ）に示すように、上記工程を経た基板表面に、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）などよりなる単層または多層の第２金属膜（膜厚１００〜２００ｎｍ程度）をスパッタリング法などにより成膜する。
【００７９】
その後、ＰＥＰ技術により、ソース配線２２、ソース電極３６、ドレイン電極３８、ドレイン配線４０をパターン形成する。この第２金属膜のパターン形成時に行うエッチングとしては、弱酸のウェットエッチング液によるウェットエッチング、ＢＣｌ３＋Ｃｌ２、ＣＦ４（＋Ｏ２）などのドライエッチングガスによるドライエッチングを適用することができる。
【００８０】
さらに、ソース電極３６およびドレイン電極３８をマスクとして、半導体層３４のうち、不純物添加半導体層３４ｂを、ＣＦ４＋Ｏ２、ＣＣｌ４＋Ｏ２、ＳＦ６などのドライエッチングガスによるドライエッチングにて除去し、チャネル部を形成する。
【００８１】
次いで、図３（ｅ）に示すように、上記工程を経た基板表面に、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などよりなる絶縁膜４４（膜厚３００ｎｍ程度）をプラズマＣＶＤ法などにより成膜する。
【００８２】
その後、ＰＥＰ技術により、ドレイン電極３８上の絶縁膜４４にコンタクトホール４６を形成する。このコンタクトホール４６形成時に行うエッチングとしては、従来、ＢＨＦによるウェットエッチング液を用いたウェットエッチングが主流であった。本製造方法では、アルカリガラス基板１８を用いているので、特に、このような強酸によるウェットエッチングを行わないことが好ましい。
【００８３】
したがって、本製造方法では、コンタクトホール４６形成時に行うエッチングとして、ＣＦ４（＋Ｏ２）、ＣＨＦ３＋Ｏ２、ＳＦ６などのドライエッチングガスによるドライエッチングを適用すると良い。
【００８４】
次いで、図３（ｆ）に示すように、上記工程を経た基板表面に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などよりなる透明導電膜（膜厚１０ｎｍ程度）をスパッタリング法などにより成膜する。
【００８５】
その後、ＰＥＰ技術により、画素電極２８をパターン形成する。この画素電極のパターン形成時に行うエッチングとしては、ＨＣｌ＋ＨＮＯ３などのウェットエッチング液によるウェットエッチングを適用することができる。
【００８６】
以上のような工程を経ることにより、ＴＦＴアレイ基板１２を製造することができる。
【００８７】
（カラーフィルタ基板の製造工程）
カラーフィルタ基板の製造工程には、ブラックマトリクス形成工程、カラーフィルタ層形成工程、オーバーコート層（保護膜）形成工程、共通電極形成工程とが含まれる。
【００８８】
先ず、アルカリガラス基板１８’上に、クロム（Ｃｒ）などよりなる金属膜（膜厚１００ｎｍ程度）をスパッタリング法などにより成膜する。
【００８９】
その後、ＰＥＰ技術により、ブラックマトリクスをパターン形成する。このブラックマトリクスのパターン形成時に行うエッチングとしては、硝酸セリウム第２アンモニウムと過塩素酸の水溶液などのウェットエッチング液によるウェットエッチングを適用することができる。
【００９０】
この際、近年主流となっている樹脂ＢＭ材料を用いた場合には、ＰＥＰ技術により、ブラックマトリクスをパターン形成することができる。この場合には、酸によるエッチングを行わなくて済む利点がある。
【００９１】
次いで、ブラックマトリクスの間に、それぞれ、顔料分散レジストなどの材料を用いて、赤、緑および青の何れかの着色層（膜厚２μｍ程度）をパターン形成し、カラーフィルター層を形成する。
【００９２】
次いで、カラーフィルター層の表面に、アクリル樹脂などを塗布し、オーバーコート層（膜厚１μｍ程度）を形成する。
【００９３】
次いで、オーバーコート層の表面に、ＩＴＯ膜などよりなる共通電極４８（膜厚１００ｎｍ程度）を、スパッタリング法などにより成膜する。
【００９４】
以上のような工程を経ることにより、カラーフィルタ基板１４を製造することができる。
【００９５】
（パネル製造工程）
パネル製造工程には、配向膜形成工程、配向処理工程、シール材形成工程、液晶材滴下工程、スペーサ散布工程、貼り合わせ工程などが含まれる。
【００９６】
先ず、上記のようして製造したＴＦＴアレイ基板１２およびカラーフィルタ基板１４のそれぞれの表面に、ポリイミド系樹脂などによる配向膜を形成した後、配向膜に対して配向処理（ラビング）を施す。
【００９７】
次いで、上記工程を経たＴＦＴアレイ基板１２および／またはカラーフィルタ基板１４の表面に、シールパターニング装置などを用いて、光硬化型シール材１５とコモン転移材とを塗布する。また、ＴＦＴアレイ基板１２および／またはカラーフィルタ基板１４の表面に、スペーサ散布装置などを用いて、セルギャップを所定の値に均一に保つためのスペーサを散布する。
【００９８】
次いで、上記工程を経たＴＦＴアレイ基板１２および／またはカラーフィルタ基板１４の表面における光硬化型シール材１５に囲まれる領域に、液晶滴下装置などを用いて、液晶材１６を滴下する。
【００９９】
次いで、減圧雰囲気下にて、ＴＦＴアレイ基板１２とカラーフィルタ基板１４とを貼り合わせた後、光硬化型シール材１５に光を作用させ、光硬化型シール材１５を硬化させる。なお、光硬化型シール材１５を硬化させた後に、ＴＦＴアレイ基板１２とカラーフィルタ基板１４との隙間に液晶材１６を注入し、その後、注入口を封止する方法などを採用することもできる。
【０１００】
ここで、実際の液晶表示パネルの製造では、アクティブマトリクスアレイ基板の製造工程、カラーフィルタ基板の製造工程、および、パネル製造工程における貼り合わせ工程までは、生産性を考慮し、大型のマザーガラス基板が各工程内を流れることが多い。この場合には、その後に、単体のパネルサイズに切り出される。この点については、本製造方法も同様に行うことができる。
【０１０１】
もっとも、本製造方法では、以下のようにして、上記パネル製造工程を行うと良い。
【０１０２】
すなわち、アクティブマトリクスアレイ基板および／またはカラーフィルタ基板の表示領域外周に光硬化型シール材を配置するとともに、この光硬化型シール材の外周に別の光硬化型シール材を配置する工程と、アクティブマトリクスアレイ基板とカラーフィルタ基板とを重ね合わせ、両光硬化型シール材を光照射によって硬化させ、アクティブマトリクスアレイ基板とカラーフィルタ基板とを貼り合わせる工程と、硬化された両光硬化型シール材との間を切断する工程とを少なくとも経ると良い。
【０１０３】
より具体的には、図４に例示するように、マザーガラス基板Ｍを用いている場合には、アクティブマトリクスアレイ基板１２および／またはカラーフィルタ基板１４の表示領域Ｓの外周に、光硬化型シール材１５を配置する。
【０１０４】
この光硬化型シール材１５は、単体のパネルサイズの大きさ（図４では、光硬化型シール材１５のすぐ外側の実線部分）に切断された際に、本パネルの一部を構成するシール材になるものである（以下、これを「第１光硬化型シール材」ということがある。）。
【０１０５】
また、上記第１光硬化型シール部材１５の配置とともに、この第１光硬化型シール材の外周に、さらに、別の光硬化型シール材１７を配置する（以下、これを「第２光硬化型シール材」ということがある。）
【０１０６】
この第２光硬化型シール材１７は、単体のパネルサイズの大きさに切断された際に、本パネルの構成部材の一部に含まれないシール材である。図４では、各単体のパネルの外周を取り囲むように、第２光硬化型シール材１７を描画した状態を例示している。
【０１０７】
なお、第２光硬化型シール材１７の描画パターンは、第１光硬化型シール材１５の外周に配置されていれば、特に限定されるものではない。また、図４では、第２光硬化型シール部材１７は、連続的に描画されているが、不連続な部分があっても構わない。
【０１０８】
また、第２光硬化型シール材１７の材料は、第１光硬化型シール材１５の材料と同じであっても良いし、異なっていても良い。両者が同じ材料である場合には、シール材の塗布効率が良く、生産性が向上する利点がある。コスト的にも有利である。
【０１０９】
上記のように、第１光硬化型シール材１５および第２光硬化型シール材１７とを配置した後、例えば、滴下注入法を適用する場合には、第１光硬化型シール材１５の内側に液晶材１６を滴下する。そして、マザーガラス基板同士、つまり、アクティブマトリクスアレイ基板１２とカラーフィルタ基板１４とを重ね合わせる。
【０１１０】
次いで、この積層体の外部から、紫外線などの光を照射し、第１光硬化型シール材１５および第２光硬化型シール材１７を硬化させる。
【０１１１】
このような工程を経た場合には、従来のように、両シール材１５、１７の硬化に加熱を必要としないばかりでなく、さらに、第２光硬化型シール材１７により、ガラス基板の位置ずれや膨張などを抑制しやすくなる。本製造方法は、マザーガラス基板の状態で、第１光硬化型シール部材１５だけを配置して本パネル１０を製造することも可能であるが、この場合に比較すると、シール性を確保しやすくなる利点がある。
【０１１２】
その後は、硬化された第１光硬化型シール材１５と、硬化された第２光硬化型シール材１７との間を、ガラス切断装置などを用いて切断するなどの工程を経れば、単体サイズの液晶表示パネルを得ることができる。
【０１１３】
以上のような工程を経ることにより、本パネル１０を製造することができる。
【実施例】
【０１１４】
以下、実施例を用いて本発明を説明する。
【０１１５】
（実施例）
逆スタガー型のａ−ＳｉＴＦＴを有するＴＦＴアレイ基板およびカラーフィルタ基板のガラス基板として、２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍのアルカリガラス基板（Ｎａ２Ｏ：４．３重量％、Ｋ２Ｏ：８．６重量％、歪点５８３℃）を用いるとともに、シール材として、紫外線硬化型シール材（協立化学産業株式会社製、「Ｘ−ＭＳ−０３Ｋ１１」）を用い、実施例に係るアクティブマトリクス型液晶表示パネルを作製した。
【０１１６】
その結果、アルカリガラス基板と組み合わせて、光硬化型シール材の一つである紫外線硬化型シール材を用い、２．０ｍｍ±０．２ｍｍのスペック内のシール幅を確保することができた。
【０１１７】
以上、本発明の一実施形態および一実施例について説明したが、上記実施形態および実施例は本発明を何ら限定するものではない。
【０１１８】
すなわち、本パネルは、アクティブマトリクスアレイ基板および／またはカラーフィルタ基板を構成するガラス基板として、アルカリガラス基板を用いる点、液晶を封入するシール材として光硬化型シール材を用いる点に最大のポイントがある。
【０１１９】
したがって、両基板の表面に形成する各種配線や機能層などの積層構造、その材質、膜厚、成膜方法などは、上述した以外にも、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形・改良することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルが備えうるＴＦＴアレイ基板の１つの画素領域の一例を模式的に示した平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ’線に沿った本パネルの断面図である。
【図３】ＴＦＴアレイ基板の製造工程の一例を模式的に示した図である。
【図４】アクティブマトリクスアレイ基板またはカラーフィルタ基板が複数形成されたマザーガラス基板上に、第１光硬化型シール材および第２光硬化型シール材を描画した一例を模式的に示した図である。
【符号の説明】
【０１２１】
１０    液晶表示パネル
１２    ＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクスアレイ基板）
１４    カラーフィルタ基板
１５    第１光硬化型シール材
１６    液晶材
１７    第２光硬化型シール材
１８    アルカリガラス基板
１８’  アルカリガラス基板
２６    ＴＦＴ（アクティブ素子）
Ｍ      マザーガラス基板
Ｓ      表示領域
【図１】
2008170513.tif 000002
【図２】
2008170513.tif 000003
【図３】
2008170513.tif 000004
【図４】
2008170513.tif 000005