(57)【要約】【課題】不揮発性メモリが何等かの原因で破損してデータが変質していたり、不揮発性メモリが交換された後であっても、当該不揮発性メモリを搭載する特定機器の誤動作を防止できる不揮発性メモリのデータチェック方法を提供すること。【解決手段】不揮発性メモリのデータチェック方法は、不揮発性メモリ２０に予め記憶されたパスワードＰＷ２ａおよびＰＷ２ａを読み出すステップと、パスワードＰＷ２ａおよびＰＷ２ａに対応する操作入力パスワードＰＷ１ａおよびＰＷ１ｂを入力するステップと、読み出されたパスワードＰＷ２ａおよびＰＷ２ｂと操作入力されたパスワードＰＷ１ａおよびＰＷ１ｂとを比較するステップと、これらの記憶されたパスワードＰＷ２ａおよびＰＷ２ｂと操作入力パスワードＰＷ１ａおよびＰＷ１ｂを比較した結果、一致したときに、不揮発性メモリ２０から予め記憶されたデータＤを読み出すステップとを具備する。【選択図】  図１
2008293202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリに予め記憶されたパスワードを読み出すステップと、
前記パスワードに対応する操作入力パスワードを入力するステップと、
前記読み出されたパスワードと操作入力されたパスワードとを比較するステップと、
これらの記憶されたパスワードと操作入力パスワードを比較した結果、一致したときに、不揮発性メモリから予め記憶されたデータを読み出すステップと、を具備することを特徴とする不揮発性メモリのデータチェック方法。
【請求項２】
前記不揮発性メモリに予め記憶されたパスワードを読み出すステップは、
複数の不揮発性メモリの上位バイトおよび下位バイトに跨って記憶した一意のパスワードを読み出すステップであることを特徴とする請求項１記載の不揮発性メモリのデータチェック方法。
【請求項３】
前記不揮発性メモリに予め記憶されたパスワードを読み出すステップは、
複数のＥＥＰＲＯＭの上位バイトおよび下位バイトに跨って記憶したパスワードを、上位バイトから下位バイトの順に読み出すステップであることを特徴とする請求項２記載の不揮発性メモリのデータチェック方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、各種電子機器に付属させて用いられるＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  ａｎｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ＲＯＭ）やＦＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ＲＡＭ）等の不揮発性メモリのデータチェック方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、不揮発性メモリは、電源が切られた後も、データが記憶される特性を有する。この種の不揮発性メモリ、例えばＥＥＰＲＯＭは、データが書き込まれた後に電源が切られ、再び電源が投入された際も、データが保存される機能を有している。この特徴を活かして、電源が定常的に切断されるような電子機器に採用してデータの書き込みや読み出し動作を行なう用途に用いられている。
【０００３】
しかし、不揮発性メモリから読み出されるデータが常に正常な状態で保存されているとは限らない場合がある。例えば電子機器の取扱者側が知らないでＥＥＰＲＯＭが機械的に破損していたりあるいは交換されていたりすると、電子機器の誤動作を招くことがしばしば存在する。
【０００４】
そこで、従来は、電子機器の動作時等ずい時に不揮発性メモリのデータチェックをする必要が生じ、各種電子機器に付属させて用いるにあたって、不揮発性メモリの特定アドレスに特定データを記憶させ、この記憶内容をチェックするチェック方法が取られるようになっている。（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
従来の不揮発性メモリのデータチェック方法（特許文献１）として、図４に示すように、不揮発性メモリ１０を設置した制御基板１１を図示しない所望の機器に設置するようにしたものがある。
【０００６】
図４は、従来の不揮発性メモリのデータチェック方法を実施する機器の制御基板を示す斜視図である。図４に示す不揮発性メモリ１０のデータチェック方法は、所望の電子機器の例えば履歴情報等の固有の情報を、電子機器に付属させた不揮発性メモリ１０を設置し、例えば制御基板１１の交換を行った場合、その交換作業を終えて電子機器に電源が投入された段階で、不揮発性メモリ１０の特定アドレスに特定データが記憶されているか否かをチェックするので、交換前の制御基板１１に装着されていた不揮発性メモリ１０が交換後の制御基板１１に装着されているか否かを確認することができる。
【０００７】
また、上記チェックの結果、交換後の制御基板１１に交換前の不揮発性メモリ１０が装着されていないと判定されたときは、その結果を表示または警報を出したり、あるいはこの電子機器を動作させないようにすることができるものである。
【特許文献１】特開平２−２６７６４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の不揮発性メモリ１０のデータチェック方法によれば、複数個の不揮発性メモリを実装した場合には、複数個実装のうちの１つが何らかの原因で破損、記憶データの変質および交換された後であっても、特定のデータが全ての不揮発性メモリにまたがらないため、データが正しいものとして読み込みを行い、誤動作を誘発してしまう可能性があった。
【０００９】
本発明は、単品または複数個使用している不揮発性メモリにおいて、取扱者側にて知らない間に不揮発性メモリが何等かの原因で破損し、記憶していたデータが変質していたり、不揮発性メモリが交換された後であっても、当該不揮発性メモリを搭載する特定機器の誤動作を防止できる不揮発性メモリのデータチェック方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明によれば、不揮発性メモリに予め記憶されたパスワードを読み出すステップと、パスワードに対応する操作入力パスワードを入力するステップと、読み出されたパスワードと操作入力されたパスワードとを比較するステップと、これらの記憶されたパスワードと操作入力パスワードを比較した結果、一致したときに、不揮発性メモリから予め記憶されたデータを読み出すステップと、を具備することを特徴とする不揮発性メモリのデータチェック方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の不揮発性メモリのデータチェック方法によれば、取扱者側にて知らない間にどちらかの不揮発性メモリが何等かの原因で破損してデータが変質していたり、不揮発性メモリが交換された後であっても、当該不揮発性メモリを搭載する特定機器の誤動作を防止できる不揮発性メモリのデータチェック方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明に係る不揮発性メモリのデータチェック方法の実施形態について、添付図面を参照して説明する。
【００１３】
図１は、本発明の不揮発性メモリのデータチェック方法を実施する不揮発性メモリの記憶領域の構成を示す説明図である。図２は、本発明方法を実施するパスワードおよびデータの書き込みステップを示すフロー図である。
【００１４】
図１に示す不揮発性メモリ、例えばＥＥＰＲＯＭ２０は、所望の図示しない電子機器に搭載されるＥＥＰＲＯＭ１（上位バイト）部分２１と、ＥＥＰＲＯＭ２（下位バイト）部分２２とが同一信号系統に一体的に設けられる。
【００１５】
ＥＥＰＲＯＭ１（上位バイト）部分２１は、例えば８ビットで構成される記憶領域ａ１〜ａｎを有している。記憶領域ａ１には、予め設定されるパスワードの一部例えば上位部分が記憶される領域で、例えばパスワードＰＷ２ａで示される。このパスワードＰＷ２ａは、必ずしも記憶領域ａ１ではなく、その他の記憶領域ａ２〜ａｎの内何れかであってもよい。
【００１６】
次に、記憶領域ａ２〜ａｎには、各種のデータＤ、すなわちデータＤ１１〜Ｄ１ｎが、それぞれ、例えば８ビットの記憶領域ａ２〜ａｎでのデータ記憶が可能であり、ビット単位にデータが書き込み、読み出し自在に格納され、これらのデータが協働して電子機器（図示せず）等の機器の動作が制御されるようになされる。また、記憶領域ａ２〜ａｎには、暗号化されたコンテンツデータも書き込み、読み出し自在に格納することができる。
【００１７】
一方、ＥＥＰＲＯＭ２（下位バイト）部分２２は、ＥＥＰＲＯＭ１（上位バイト）部分２１と同様のメモリ機能を有するもので、例えば８ビットで構成される記憶領域ｂ１〜ｂｎを有している。
【００１８】
記憶領域ｂ１には、予め設定されるパスワードの他の部分例えば下位部分が記憶される領域で、例えばＰＷ２ｂで示される。このパスワードＰＷ２ｂは、必ずしも記憶領域ｂ１ではなく、その他の記憶領域ｂ２〜ｂｎの内何れかであってもよい。
【００１９】
ゆえに、ＥＥＰＲＯＭ１（上位バイト）部分２１とＥＥＰＲＯＭ２（下位バイト）部分２２のそれぞれのパスワードＰＷ２ａおよびＰＷ２ｂは、双方の記憶領域８ビットの合計１６ビットに亘って、１つの分割できないパスワードが書き込まれる。
【００２０】
従って、１つの８ビット分の記憶領域に記憶されたパスワードが一致しても、他の８ビット分の記憶領域に記憶されたパスワードが一致しない場合には、ＥＥＰＲＯＭ２０は異常と判断できる。
【００２１】
次に、記憶領域ｂ２〜ｂｎには、ＥＥＰＲＯＭ１（上位バイト）部分２１の記憶領域ａ２〜ａｎと同様であり、各種のデータＤ、すなわちデータＤ２１〜Ｄ２ｎが、それぞれ、例えば８ビットの記憶容量をもってデータ記憶が可能であり、ビット単位にデータが書き込み、読み出し自在に格納される。そして、これらのデータが協働して電子機器（図示せず）等の機器の動作が制御される用途に用いられる。また、記憶領域ｂ２〜ｂｎには、ＥＥＰＲＯＭ１（上位バイト）部分２１の記憶領域ａ２〜ａｎと同様に暗号化されたコンテンツデータも書き込み、読み出し自在に格納することができる。
【００２２】
以上のように構成されたＥＥＰＲＯＭ２０は各ＥＥＰＲＯＭ１（上位バイト）部分２１，ＥＥＰＲＯＭ２（下位バイト）部分２２のパスワード記憶領域ａ１およびｂ１の合計記憶領域１６ビットのパスワード領域として、また、他の憶領域ａ２〜ａｎ，ｂ２〜ｂｎにおいても、それぞれ８ビットのデータ記憶領域として持つことができる。
【００２３】
そして、ＥＥＰＲＯＭ２０によれば、図２に示すように、ＥＥＰＲＯＭ１（上位バイト）部分２１側に予め記憶されるパスワードＰＷ２ａとＥＥＰＲＯＭ２（下位バイト）部分２２側に予め記憶されるパスワードＰＷ２ｂとが一致するパスワードＰＷ１ａおよびＰＷ１ｂを書き込む（操作入力する）動作（ｒ１）と、両方のＥＥＰＲＯＭ１部分２１の上位バイトおよびＥＥＰＲＯＭ２部分２２の下位バイトへデータＤ１１〜Ｄ１ｎおよびＤ２１〜Ｄ２ｎの書き込みをする動作（ｒ２）により書き込みを終了するようになっている。
【００２４】
次に、ＥＥＰＲＯＭ２０についてのデータチェック方法について図３を参照して説明する。
【００２５】
図３は、本発明方法を実施するパスワードおよびデータの読み出しステップを示すフロー図である。
【００２６】
図３において、ＥＥＰＲＯＭ１部分２１に予め記憶させたパスワードＰＷ２ａおよびＥＥＰＲＯＭ２部分２２に予め記憶させたパスワードＰＷ２ｂを読み出すステップである＜ステップ１（ｓｔ１）＞と、予め記憶されたパスワードＰＷ２ａおよびＰＷ２ｂを、操作入力されるパスワードＰＷ１ａおよびＰＷ１ｂとを比較照合する＜ステップ２（ｓｔ２）＞と、パスワードＰＷ２ａはＰＷ１ａと、パスワードＰＷ２ｂはＰＷ１ｂとを比較照合して一致した場合＜ステップ３（ｓｔ３）＞には、Ｙｅｓの方向に進み、ＥＥＰＲＯＭ１部分２１およびＥＥＰＲＯＭ２部分２２のデータを読み出す＜ステップ４（ｓｔ４）＞の各ステップを踏む。なお、＜ステップ３（ｓｔ３）＞で、Ｎｏの方向に進んだ場合には、ＥＥＰＲＯＭ１部分２１にパスワードＰＷ１ａを、ＥＥＰＲＯＭ２部分２２にパスワードＰＷ１ｂを書き込む＜ステップ５（ｓｔ５）＞。続いて、ＥＥＰＲＯＭ１部分２１およびＥＥＰＲＯＭ２部分２２に初期値を書き込み＜ステップ６（ｓｔ６）＞、最初のステップである＜ステップ１（ｓｔ１）＞に戻る。
【００２７】
以上の＜ステップ１（ｓｔ１）＞〜＜ステップ４（ｓｔ４）＞を踏むことにより、操作入力した一意のパスワードＰＷ２ａおよびＰＷ２ｂが、予め記憶されたパスワードＰＷ１ａおよびＰＷ１ｂに一致しない限り、データを書き込むことができないので、例え片方のＥＥＰＲＯＭ１部分２１またはＥＥＰＲＯＭ２部分２２の一方のパスワードが一致しても、他方のパスワード部分が一致しない場合にはＥＥＰＲＯＭ２０からデータを読み出すことができない。
【００２８】
従って、ＥＥＰＲＯＭ２０が何等かの原因で破損してデータが変質していたり、ＥＥＰＲＯＭ２０を構成する各ＥＥＰＲＯＭ１部分２１またはＥＥＰＲＯＭ２部分２２について、取扱者側が知らないで交換された後であっても、２個のそれぞれの部分２１および２２に跨るパスワードが一致しない限り、データを読み出すことができない。すなわち、パスワードが一致する場合にはデータの読み出しが可能となることからＥＥＰＲＯＭ２０は、正常な状態にあることを認識することができ、当該ＥＥＰＲＯＭ２０を搭載した特定機器の誤動作を未然に防止できる不揮発性メモリのデータチェック方法を提供することができる。
【００２９】
なお、上述した実施例におけるＥＥＰＲＯＭ２０によれば、ＥＥＰＲＯＭ１部分２１またはＥＥＰＲＯＭ２部分２２の２個の部分を設けたが、３個以上の複数個、望まくは２の２乗倍の複数の部分で構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の不揮発性メモリのデータチェック方法を実施する不揮発性メモリの記憶領域の構成を示す説明図。
【図２】本発明の不揮発性メモリのデータチェック方法を実施するパスワードおよびデータの書き込みステップを示すフロー図。
【図３】本発明の不揮発性メモリのデータチェック方法を実施するパスワードおよびデータの読み出しステップを示すフロー図。
【図４】従来の不揮発性メモリのデータチェック方法を実施する機器の制御基板を示す斜視図。
【符号の説明】
【００３１】
２０  不揮発性メモリ
２１  ＥＥＰＲＯＭ１部分
２２  ＥＥＰＲＯＭ２部分
ａ１〜ａｎ，ｂ１〜ｂｎ  記憶領域
Ｄ（Ｄ１１〜Ｄ１ｎ，Ｄ２１〜Ｄ２ｎ）  データ
ＰＷ１ａ，ＰＷ１ｂ，ＰＷ２ａ，ＰＷ２ｂ  パスワード
【図１】
2008293202.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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