(57)【要約】 【課題】  電極間隔を一定に保つことができる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】  プラズマＣＶＤ装置１０は、上部電極１３と下部電極１４とは、鉛直方向Ｙに関して、対向して設けられ、支持リフトベース１８は、下部電極１４を支持し、下部電極１４が間隔調整ストッパ１９に当接して、下部電極１４の上方Ｙ１への変位を禁止する移動禁止位置と、間隔調整ストッパ１９から離間して下部電極１４の上方Ｙ１への変位を許容する移動許容位置とにわたって変位自在であり、さらに支持リフトベース１８は、ばね部材３１を含んで構成される。【選択図】      図１
2008266716.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室内部に原料ガスを導入して、反応室内部に配置される被処理基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記反応室内部の予め定める基準方向一方側に設けられる上部電極と、
前記反応室内部の前記上部電極から前記基準方向他方側に、前記上部電極に対向して設けられ、被処理基板を支持可能な下部電極と、
前記反応室内部の前記上部電極から前記基準方向他方側に設けられる位置決め部材と、
前記下部電極の前記基準方向他方側を支持する支持部材であって、前記下部電極および前記支持部材の少なくともいずれか一方が前記位置決め部材に当接して、前記下部電極の基準方向一方側への変位を禁止する移動禁止位置と、位置決め部材から離間して前記下部電極の基準方向一方側への変位を許容する移動許容位置とにわたって変位自在である支持部材と、
前記支持部材に設けられ、支持部材が移動禁止位置に配置された状態で、前記位置決め部材に当接している前記下部電極および前記支持部材の少なくともいずれか一方を、基準方向一方へ弾発的に押圧する押圧手段と、を含むことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
前記下部電極の基準方向一方側の面は、前記支持部材が移動禁止位置に配置された状態では、位置決め部材の基準方向一方側の面より、基準方向一方側に配置されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学気相成長法によって被処理基板に薄膜を形成する薄膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図５は、従来の技術のプラズマ化学気相堆積（Chemical vapor deposition：略称ＣＶＤ）装置１を簡略化して示す断面図である。半導体デバイスの薄膜形成において、従来の技術のプラズマＣＶＤ装置１では平行平板電極２，３が多く用いられ、平行平板電極２，３間に発生させたプラズマによって材料ガスの反応を促し、基板４上に膜を形成する。このように形成される薄膜の出来栄えを決定する項目として、たとえばガス、圧力、電極印加電力、温度、および電極間隔ｈが挙げられる。これらの項目が安定して再現されることで品質の安定性が保たれている。
【０００３】
このような項目のうち、上部電極２と下部電極３との電極間隔ｈは、生産中の基板４の搬送動作、定期的に行われる反応室５内のクリーニング、および電極交換などの保守作業などに起因して変わることがある。具体的には、処理中の基板４の搬送に伴う下部電極３の動作時の機械的誤差、および保守作業時に行う電極間隔ｈの平行調整での誤差によって、各電極２，３の位置ずれおよび傾きが発生し、上部電極２と下部電極３との電極間隔ｈが変化する。このように所望の電極間隔ｈが前述のような位置ずれによって変化すると、基板４上に形成された薄膜の膜質および膜厚が均一ではなくなり、歩留りの低下および品質低下の要因となる。したがって品質の安定性を保つことを目的として、２つの電極２，３の位置ずれおよび傾きには規定があり、調整時には位置ずれ量を規定内に収めるため、慎重な作業が要求されていた。
【０００４】
このような位置調整における精度向上を図る第１の従来の技術として、電極に平行調整機構を組込み電極間隔の平行精度の向上手段を設ける半導体製造装置が開示されている。このような平行調整機構が作業者の手作業による調整精度向上手段である場合、調整作業に多くの時間が必要である。また平行調整機構が自動的に調整する機構であっても、調整作業として存在するので、結局調整に多くの時間が必要である。また平行調整機構を構成する駆動機構の消耗および誤差などが発生した場合、再び調整作業をする必要がある。さらに駆動機構の消耗および誤差などが生じるので、平行調整機構の調整効果の持続性についても問題がある（たとえば特許文献１および特許文献２参照）。
【０００５】
このような第１の従来の技術の課題を解決する第２の従来の技術として、各電極の位置を調整するのではなく、電極間に直接電極間隔を調整する調整手段を設ける技術が開示されている。このような調整手段は、電極間に設けられるので、調整手段自身が基板に近接している。したがって電極間の調整手段の存在がプラズマ領域またはガスの流れなどに影響を与えるおそれがあり、これによって膜厚分布の悪化を引き起すおそれがある（たとえば特許文献３および特許文献４参照）。
【０００６】
また電極間隔を維持する第３の従来の技術として、ストッパで処理室を形成する技術が開示されている。ストッパで処理室を形成すると、成膜条件の見直しなど、大きな変更要素が発生する（たとえば特許文献５および特許文献６参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開平３−１２７８２２号公報
【特許文献２】特開２００１−２３０３０７号公報
【特許文献３】特開平６−１２０１４７号公報
【特許文献４】特開平７−１５３６９４号公報
【特許文献５】特開平１０−３１０８７０号公報
【特許文献６】特開２００２−１４６５３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前述したように従来の薄膜形成装置の電極構造では、薄膜形成の製造回数が多くなると、下部電極の駆動機構の停止位置センサーの誤差、駆動系の精度による誤差が発生する。したがってこのような誤差が原因で徐々に下部電極の停止位置が変化し、電極間隔の均一性が悪化することがある。したがって不良品が発生すると、生産を中断して電極間隔の調整をする必要がある。また従来の技術では、保守作業時には電極間隔の平行調整作業に多くの時間を費やしているので、品質維持のため、生産効率に悪影響を与えている。
【０００９】
したがって本発明の目的は、電極間隔を一定に保つことができる薄膜形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、反応室内部に原料ガスを導入して、反応室内部に配置される被処理基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記反応室内部の予め定める基準方向一方側に設けられる上部電極と、
前記反応室内部の前記上部電極から前記基準方向他方側に、前記上部電極に対向して設けられ、被処理基板を支持可能な下部電極と、
前記反応室内部の前記上部電極から前記基準方向他方側に設けられる位置決め部材と、
前記下部電極の前記基準方向他方側を支持する支持部材であって、前記下部電極および前記支持部材の少なくともいずれか一方が前記位置決め部材に当接して、前記下部電極の基準方向一方側への変位を禁止する移動禁止位置と、位置決め部材から離間して前記下部電極の基準方向一方側への変位を許容する移動許容位置とにわたって変位自在である支持部材と、
前記支持部材に設けられ、支持部材が移動禁止位置に配置された状態で、前記位置決め部材に当接している前記下部電極および前記支持部材の少なくともいずれか一方を、基準方向一方へ弾発的に押圧する押圧手段と、を含むことを特徴とする薄膜形成装置である。
【００１１】
また本発明は、前記下部電極の基準方向一方側の面は、前記支持部材が移動禁止位置に配置された状態では、位置決め部材の基準方向一方側の面より、基準方向一方側に配置されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、薄膜形成装置は、上部電極、下部電極、位置決め部材、および支持部材を含み、これらは反応室内部に設けられる。上部電極と下部電極とは、基準方向に関して、対向して設けられる。支持部材は、下部電極を支持し、下部電極および支持部材の少なくともいずれか一方が位置決め部材に当接して、下部電極の基準方向一方側への変位を禁止する移動禁止位置と、位置決め部材から離間して下部電極の基準方向一方側への変位を許容する移動許容位置とにわたって変位自在である。したがって支持部材が移動禁止位置に配置された状態では、移動禁止位置から基準方向一方側に変位することができないので、上部電極と下部電極との間隔は一定となる。
【００１３】
さらに支持部材は、押圧手段が設けられる。押圧手段は、支持部材が移動禁止位置に変位された状態で、位置決め部材に当接している下部電極および支持部材の少なくともいずれか一方（以下、移動禁止位置で位置決め部材に当接している部材を、単に「当接部材」ということがある）を、基準方向一方へ弾発的に押圧する。したがって支持部材が移動禁止位置に配置される状態で、当接部材は位置決め部材に弾発的に押圧しているので、位置決め部材と当接部材との密着性を確保することができる。これによって支持部材が繰り返し変位されることによって機械的な位置決め精度が低下した場合であっても、位置決め部材に当接部材を確実に当接させて、当接部材を位置決めすることができる。これによって単に、当接部材を位置決め部材に当接させるだけで、下部電極を所望の位置に高精度に位置決めすることができる。したがって簡単な構成で、かつ長期間にわたって、下部電極と上部電極との間隔を一定にすることができる。これによって被処理基板に形成される成膜の膜厚分布および再現性が改善され、薄膜の信頼性をより向上させることができる。また従来の技術に比べて、保守作業の簡易化および調整作業時間を短くすることができる。したがって保守作業の簡易化および作業時間短縮によって薄膜形成装置の稼働率も向上し、生産性を向上することができる。
【００１４】
また本発明によれば、下部電極の基準方向一方側の面は、前記支持部材が移動禁止位置に配置された状態では、位置決め部材の基準方向一方側の面より、基準方向一方側に配置される。これによって支持部材が移動禁止位置に配置された状態では、下部電極と上部電極との間に、位置決め部材が介在することを防止することができる。したがって位置決め部材が前記電極間に介在して、ガスの流れなどに影響を与えることを防止することができる。したがって被処理基板に形成される成膜の膜厚分布を、一定にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態を、複数の形態について説明する。各形態で先行する形態で説明している事項に対応している部分には同一の参照符を付し、重複する説明を略する場合がある。構成の一部のみを説明している場合、構成の他の部分は、先行して説明している形態と同様とする。実施の各形態で具体的に説明している部分の組合せばかりではなく、特に組合せに支障が生じなければ、実施の形態同士を部分的に組合せることも可能である。
【００１６】
図１は、本発明の第１の実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１０を簡略化して示す断面図である。図２は、プラズマＣＶＤ装置１０を簡略化して示す断面図であって、プラズマＣＶＤ装置１０が膜を形成可能な状態を示す断面図である。プラズマＣＶＤ装置１０は、薄膜形成装置であって、反応室１１内部に原料ガスを導入して、反応室１１内部に配置される被処理基板１２上に、予め定める材料から成る堆積膜を形成する。前記堆積膜は、絶縁膜、半導体膜および導体膜などである。プラズマＣＶＤ装置１０は、たとえば光半導体チップ、パワートランジスタおよび集積回路などの半導体素子を形成するたに好適に用いられる。またプラズマＣＶＤ装置１０は、たとえば光送信用ユニット、リモートコントロール用受光ユニット、ＰＣ（Personal Computer）のＧＰ−ＩＢ（General Purpose 
Interface Bus）用ユニットおよびサイリスタなどを備える電子部品機器の作成に好適に用いられる。本実施の形態では、被処理基板１２は、半導体ウエハによって実現される。プラズマＣＶＤ装置１０は、平行平板電極型のＣＶＤ装置１０であり、反応室１１と、上部電極１３と、下部電極１４と、駆動手段１５と、ガス供給手段１６と、高周波電源１７と、支持リフトベース１８と、間隔調整ストッパ１９と、排気手段２０とを含んで構成される。
【００１７】
反応室１１は、真空空間を形成可能に構成される。反応室１１の側壁には、反応室１１内に被処理基板１２を搬入、または前記反応室１１内から被処理基板１２を搬出するために、開閉可能な開閉部（図示せず）が形成されている。
【００１８】
上部電極１３は、反応室１１内部の予め定める基準方向の一方側に設けられる。本実施の形態では、基準方向は、鉛直方向Ｙと略平行（用語「略平行」は平行を含む）であり、基準方向の一方は上方Ｙ１、基準方向の他方を下方Ｙ２とする。したがって上部電極１３は、反応室１１内部の上方Ｙ１側に設けられる。上部電極１３は、下部電極１４に対向して設けられる。上部電極１３の下端面、言い換えれば上部電極１３の下部電極１４に対向する第１端面１３ａは、平面である。上部電極１３は、略中空箱形状を有し、この上部電極１３には、原料ガスが導入されるガス導入空間２１と、ガス流出孔２２とが形成される。ガス流出孔２２は、上部電極１３の下部電極１４に臨む部分に形成される。図１では、ガス流出孔２２は１つだけ示すが、１つに限ることはなく、上部電極１３には、上部電極１３の第１端面１３ａの全領域にわたって、すなわち上部電極１３の下部電極１４に臨む部分の全領域にわたって、複数のガス流出孔２２を形成してもよい。
【００１９】
上部電極１３は、その外形が、略直方体形状に形成される。上部電極１３の上方Ｙ１、言い換えれば上部電極１３の前記ガス流出孔２２が形成される側とは反対側には、後述するガス供給手段１６から原料ガスが供給されるガス流入孔２３が形成される。ガス流入孔２３は、ガス導入空間２１に連通する。原料ガスは、ガス流入孔２３からガス導入空間２１に流入し、ガス流出孔２２から流出する。上部電極１３は、いわゆるシャワー電極である。
【００２０】
下部電極１４は、反応室１１内部の上部電極１３から下方Ｙ２側に、上部電極１３に対向して設けられ、被処理基板１２を支持可能に構成される。下部電極１４の上端面１４ａ、言い換えれば下部電極１４の上部電極１３に対向する第２端面１４ａは、平面に形成される。下部電極１４は、その外形が、略直方体形状に形成される。第２端面１４ａと第１端面１３ａの面積は、等しく選ばれる。また下部電極１４は、外縁部が第２端面１４ａから下方Ｙ２に向かって離間するような段差部２４を有する。段差部２４の上端面２４ａ、言い換えれば段差部２４の上部電極１３に対向する第３端面２４ａは、平面に形成され、第２端面１４ａと第３端面２４ａとは略平行に形成される。
【００２１】
高周波電源１７は、電極間に高周波を印加しプラズマを発生させ反応室１１に導入された複数の材料ガスを活性、反応させる。高周波電源１７は、単相の高周波電圧を発生する。高周波電源１７によって上部電極１３および下部電極１４に予め定める電位を与えることによって、上部電極１３および下部電極１４間に予め定める電圧が印加され、上部電極１３および下部電極１４間で放電して、これによって原料ガスがプラズマ化される。
【００２２】
排気手段２０は、反応室１１の排気を行う。排気手段２０は、排気管２５および真空ポンプ（図示せず）を含んで構成される。排気管２５は、反応室１１に接続される。反応室１１の底壁１１ａには、排気孔２６が形成される。排気孔２６は、下部電極１４の下方Ｙ２に形成される。真空ポンプは、たとえば油回転ポンプ、油拡散ポンプおよびターボ分子ポンプなどによって実現される。真空ポンプは、堆積膜の形成において、反応室１１内で必要な真空度を得られるものを用いる。真空ポンプは、排気管２５を介して反応室１１内の気体を排気する。
【００２３】
支持リフトベース１８は、下部電極１４の下方Ｙ２側を支持する支持部材であって、下部電極１４が間隔調整ストッパ１９に当接して、下部電極１４の上方Ｙ１への変位を禁止する移動禁止位置（図２参照）と、間隔調整ストッパ１９から離間して下部電極１４の上方Ｙ１への変位を許容する移動許容位置（図１参照）とにわたって変位自在である。支持リフトベース１８は、本実施の形態では鉛直方向Ｙに関して、移動禁止位置と移動許容位置とにわたってスライド変位可能に構成される。プラズマＣＶＤ装置１０は、図２に示す下部電極１４が移動禁止位置にある状態で、被処理基板１２に成膜する。支持リフトベース１８の具体的な構成に関しては、後述する。
【００２４】
駆動手段１５は、下部電極１４の被処理基板１２を保持する第２端面１４ａに垂直な軸線に関して、支持リフトベース１８をスライド変位させる。駆動手段１５は、電気モータ（図示せず）および電気モータの回転力を支持リフトベース１８に伝達する伝達手段（図示せず）を含んで構成される。伝達手段は、たとえば歯車、プーリーおよびチェーンなどによって実現され、回転力をスライド変位力に変換して、支持リフトベース１８に伝達する。駆動手段１５をスライド変位駆動することによって、支持リフトベース１８が鉛直方向Ｙに関して変位する。
【００２５】
間隔調整ストッパ１９は、位置決め部材であって、反応室１１内部に、上部電極１３の下方Ｙ２側に設けられる。間隔調整ストッパ１９は、反応室１１の底壁１１ａ、および下部電極１４の周辺を囲むように任意の長さに調整され、反応室１１の底壁１１ａから上部電極１３に向かって延びるように設置される。間隔調整ストッパ１９は、支持リフトベース１８が移動禁止位置にある状態では、図２に示すように、下部電極１４の上方Ｙ１への変位を規制し、下方Ｙ２への変位を許容するように構成される。間隔調整ストッパ１９は、支持リフトベース１８が移動禁止位置にある状態では、下部電極１４の段差部２４の第３端面２４ａに当接し、下部電極１４の上方Ｙ１への変位を規制する。
【００２６】
間隔調整ストッパ１９は、支柱部２７と係止部２８とを含んで構成される。支柱部２７は、鉛直方向Ｙに沿って延びる長手状部材であって、下部電極１４に対して、鉛直方向Ｙに直交する左右方向Ｘに間隔を開けて、支持リフトベース１８を覆うように複数、設けられる。支柱部２７の下方Ｙ２の端部は、反応室１１の下方Ｙ２の底壁１１ａに連結される。支柱部２７の長手方向の寸法Ｈ１は、図２を参照して、膜形成時の上部電極１３の第１端面１３ａと下部電極１４の第２端面１４ａとの鉛直方向Ｙの間隔ｈ１（以下、単に「電極間の間隔ｈ１」ということがある）に基づいて設定される。支柱部２７の長手方向の寸法Ｈ１は、電極間の間隔ｈ１が大きくなると、小さく設定され、電極間の間隔ｈ１が小さくなると、大きく設定される。
【００２７】
係止部２８は、支柱部２７の上方Ｙ１の端部から、左右方向Ｘに沿って、支持リフトベース１８に向かって突出するように設けられる。係止部２８は、略平板状であって、その下方Ｙ２の第４端面２８ａが、移動禁止位置に配置されている状態では、図２に示すように、段差部２４の第３端面２４ａと当接する。係止部２８の鉛直方向Ｙの寸法Ｈ２は、段差部２４の段差寸法ｈ２、すなわち第２端面１４ａと第３端面２４ａとの間隔ｈ２以下になるように設定される。このように設定されることによって、下部電極１４の第２端面１４ａは、支持リフトベース１８が移動禁止位置に配置された状態では、係止部２８の上方Ｙ１の第５端面２８ｂより、上方Ｙ１に配置される。換言すると、係止部２８は、下部電極１４と当接したとき、下部電極１４に設けられた段差部２４によって埋没するように構成される。このような間隔調整ストッパ１９は、好ましくは絶縁材によって構成される。
【００２８】
下部電極１４は、図２に示す移動禁止位置に配置された状態では、第１端面１３ａと第２端面１４ａとが略平行であり、電極間の間隔ｈ１が一定となるように、間隔調整ストッパ１９の形状が設定される。これによって下部電極１４は、被処理基板１２の厚み方向一表面が、上部電極１３の第１端面１３ａに平行となるように保持することができる。
【００２９】
次に、支持リフトベース１８に関して、さらに説明する。支持リフトベース１８は、第１支持台２９と、第２支持台３０と、ばね部材３１と、支持軸３２と、ヒータ３３と、電力調整手段（図示せず）とを含んで構成される。第１支持台２９は、ヒータ３３を内蔵して設けられ、下部電極１４の下方Ｙ２を支持する。第１支持台２９は、略平板状であって、厚み方向の一方の面２９ａが、下部電極１４の下方Ｙ２の面１４ｂを支持する。第１支持台２９は、厚み方向の他方の面２９ｂが、ばね部材３１の一端部に連結される。
【００３０】
ヒータ３３は、下部電極１４を加熱し、下部電極１４を任意の設定温度で保持する。ヒータ３３は、第１支持台２９に一体に設けられる。ヒータ３３は、電力が供給されることによって発熱して、下部電極１４を加熱する。これによってヒータ３３は、下部電極１４に載置される被処理基板１２を加熱し、被処理基板１２を所望の温度に調整する。電力調整手段は、たとえば商用電源などの電力源から供給される電力を調整して、ヒータ３３に与える。電力調整手段は、ヒータ３３に予め定める電力を供給するように電力源からの電力を調整することによって、ヒータ３３の発熱を制御する。
【００３１】
第２支持台３０は、ばね部材３１を介して、第１支持台２９を支持する。第２支持台３０は、第１支持台２９と同様に略平板状であって、厚み方向の一方の面３０ａが、ばね部材３１の他端部に連結される。したがってばね部材３１は、第１支持台２９と第２支持台３０とに挟まれて設けられる。第２支持台３０は、厚み方向の他方の面３０ｂが、支持軸３２の一端部に連結される。ばね部材３１は、ばね力発生手段であって、第１支持台２９と第２支持台３０とが離反する方向のばね力を与える。
【００３２】
支持軸３２は、長手状部材であって、第２支持台３０を支持する。支持軸３２は、その軸線が鉛直方向Ｙに略平行に沿って延び、一端部が第２支持台３０に連結され、反応室１１の外方に突出して設けられる。支持軸３２の他端部は、駆動手段１５からの駆動力が伝達可能に構成される。したがって支持軸３２は、駆動手段１５によって駆動されると、軸線方向にスライド変位する。これによって第２支持台３０が支持する、ばね部材３１および第１支持台２９がスライド変位する。
【００３３】
このように支持リフトベース１８は構成されるので、図１に示す移動許容位置から、上方Ｙ１へ支持軸３２をスライド変位させて、下部電極１４が間隔調整ストッパ１９に当接する。さらにばね部材３１のばね力に抗して、上方Ｙ１へ支持軸３２をスライド変位させると、第２支持台３０が第１支持台２９に近接する。このような位置で、第２支持台３０を停止する。このような状態では、ばね部材３１は、第１支持台２９と第２支持台３０とを離反する方向へばね力が継続的に与えられているので、下部電極１４が間隔調整ストッパ１９に押圧している状態が維持される。換言すると、ばね部材３１は、押圧手段として機能し、第１支持台２９が移動禁止位置に配置された状態で、間隔調整ストッパ１９に当接している下部電極１４を上方Ｙ１へ弾発的に押圧する。
【００３４】
以上説明したように、本実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１０では、上部電極１３と下部電極１４とは、鉛直方向Ｙに関して、対向して設けられる。支持リフトベース１８は、下部電極１４を支持し、下部電極１４が間隔調整ストッパ１９に当接して、下部電極１４の上方Ｙ１への変位を禁止する移動禁止位置（図２参照）と、間隔調整ストッパ１９から離間して下部電極１４の上方Ｙ１への変位を許容する移動許容位置（図１参照）とにわたって変位自在である。したがって下部電極１４が移動禁止位置に配置された状態では、移動禁止位置から上方Ｙ１に変位することができないので、上部電極１３と下部電極１４との間隔は一定となる。したがって間隔調整ストッパ１９と下部電極１４との位置関係によって、電極間の間隔ｈ１と平行度が決定される。また図１に示す移動許容位置では、電極間の間隔ｈ１が大きくなるので、被処理基板１２を下部電極１４に載置、および載置解除を容易にすることができる。
【００３５】
さらに支持リフトベース１８は、ばね部材３１を含んで構成される。ばね部材３１は、第１支持台２９が移動禁止位置に変位された状態で、間隔調整ストッパ１９に当接している下部電極１４を、上方Ｙ１へ弾発的に押圧する。したがって下部電極１４が移動禁止位置に配置される状態で、下部電極１４は間隔調整ストッパ１９に弾発的に押圧しているので、間隔調整ストッパ１９と下部電極１４との密着性を確保することができる。これによって支持リフトベース１８が繰り返し変位されることによって機械的な位置決め精度が低下した場合であっても、間隔調整ストッパ１９に下部電極１４を確実に当接させて、下部電極１４を位置決めすることができる。換言すると、支持リフトベース１８が繰り返し変位されることによって、電極間の間隔ｈ１に機械的誤差が生じた場合でもばね部材３１が誤差を吸収し、所望の電極間の間隔ｈ１で調整される。これによって単に、下部電極１４を間隔調整ストッパ１９に当接させるだけで、下部電極１４を所望の位置に高精度に位置決めすることができる。したがって簡単な構成で、かつ長期間にわたって、下部電極１４と上部電極１３との間隔ｈ１を一定にすることができる。これによって被処理基板１２に形成される成膜の膜厚分布および再現性が改善され、薄膜の信頼性をより向上させることができる。また従来の技術のように多くの時間を費やしている保守作業時における電極間隔の位置ずれおよび傾きの調整においても、間隔調整ストッパ１９で間隔が決定される。具体的には、保守作業時、ばね材のストローク分のマージンがあるので、下部電極１４の高さの調整作業のみとなり保守作業の簡易化および大幅な作業削減となる。したがって保守作業の簡易化および作業時間短縮によってプラズマＣＶＤ装置１０の稼働率も向上し、生産性を向上することができる。
【００３６】
また本実施の形態では、下部電極１４の第２端面１４ａは、下部電極１４が移動禁止位置に配置された状態では、間隔調整ストッパ１９の係止部２８の上方Ｙ１の第５端面２８ｂより、上方Ｙ１に配置される。これによって下部電極１４が移動禁止位置に配置された状態では、下部電極１４と上部電極１３との間に、間隔調整ストッパ１９が介在することを防止することができる。したがって間隔調整ストッパ１９が上部電極１３および下部電極１４間に介在して、ガスの流れなどに影響を与えることを防止することができる。したがって被処理基板１２に形成される成膜の膜厚分布を、一定にすることができる。
【００３７】
また本実施の形態では、間隔調整ストッパ１９は、好ましくは絶縁材によって構成される。これによって間隔調整ストッパ１９を上部電極１３および下部電極１４付近に設けた場合であっても、上部電極１３および下部電極１４と間隔調整ストッパ１９との間で、異常放電が発生してしまうことがない。したがって被処理基板１２上に堆積される堆積膜の膜厚分布の均一性を保つことができる。したがって被処理基板１２上の堆積膜の膜厚分布の再現性を向上させることができ、歩留りを向上させることができる。
【００３８】
次に、本発明の第２の実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１０Ａに関して説明する。図３は、本発明の第２の実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１０Ａを簡略化して示す断面図である。図４は、プラズマＣＶＤ装置１０Ａを簡略化して示す断面図であって、プラズマＣＶＤ装置１０Ａが膜を形成可能な状態を示す断面図である。本実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１０Ａでは、支持リフトベース１８が移動禁止位置にある場合、第１支持台２９が間隔調整ストッパ１９に当接している点が、前述の第１の実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１０と異なる。
【００３９】
下部電極１４は、間隔調整ストッパ１９に当接せずに常に離間して設けられ、段差部２４が形成されずに、平板状である。下部電極１４は、左右方向Ｘの寸法が、第１支持台２９より小さくなるように設定される。したがって第１支持台２９は、上方Ｙ１の面であって、外縁部が上方Ｙ１に露出する。この露出部分３４の上方Ｙ１の第６端面３５は、移動禁止位置に配置されている状態では、係止部２８の第４端面２８ａに当接する。係止部２８の鉛直方向Ｙの寸法Ｈ２は、下部電極１４の高さ寸法ｈ３、すなわち第２端面１４ａと第６端面３５との間隔ｈ３以下になるように設定される。このように設定されることによって、下部電極１４の第２端面１４ａは、支持リフトベース１８が移動禁止位置に配置された状態では、係止部２８の上方Ｙ１の第５端面２８ｂより、上方Ｙ１に配置される。このような構成であって、前述の実施の形態と同様の作用および効果を達成することができる。
【００４０】
前述の実施の各形態では、間隔調整ストッパ１９は、一端部が反応室１１の底壁１１ａに連結されているが、このような構成に限ることはなく、反応室１１の側壁に連結してもよい。また間隔調整ストッパ１９は、ガスの流れを妨げないような構成であることが好ましく、たとえば複数の貫通孔を有する多孔部材から成ることが好ましい。また間隔調整ストッパ１０の係止部２８は、繰り返し下部電極１４または第１支持台２９が当接することによって変形しないような材質および形状が選択される。また移動禁止位置において係止部２８に与えられる応力は、ばね部材３１のばね力に基づいて設定されるので、成膜時に位置ずれすることがない、最低限のばね力が設定される。これによって係止部２８がばね力によって変形することを防止することができる。また間隔調整ストッパ１０は、係止部２８が支柱部２７に対して着脱自在に構成してもよい。このように係止部２８を着脱自在に構成することによって、係止部２８が損傷した場合であっても、単に新しい係止部２８に交換するだけで、間隔調整ストッパ１０を容易に再現することができる。
【００４１】
また前述の実施の各形態では、第１支持台２９と第２支持台３０とのばね部材３１によって連結されているが、ばね部材３１に限らず、弾力性を有する材料であればよい。また支持リフトベース１８は、移動禁止位置に配置された状態では、間隔調整ストッパ１９に当接部材が弾発的に押圧可能な構成であればよく、支持軸３２が弾力性を有するように構成してもよい。
【００４２】
また前述の実施の各形態では、支持リフトベース１８は、鉛直方向Ｙに沿ってスライド変位可能に構成されるが、このようなスライド変位する構成に限ることはなく、移動禁止位置と移動許容位置とにわたって変位可能な構成、たとえば角変位する構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】プラズマＣＶＤ装置１０を簡略化して示す断面図である。
【図２】プラズマＣＶＤ装置１０を簡略化して示す断面図であって、プラズマＣＶＤ装置１０が膜を形成可能な状態を示す断面図である。
【図３】プラズマＣＶＤ装置１０Ａを簡略化して示す断面図である。
【図４】プラズマＣＶＤ装置１０Ａを簡略化して示す断面図であって、プラズマＣＶＤ装置１０Ａが膜を形成可能な状態を示す断面図である。
【図５】従来の技術のプラズマＣＶＤ装置１を簡略化して示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０  プラズマＣＶＤ装置
１１  反応室
１２  被処理基板
１３  上部電極
１４  下部電極
１８  支持リフトベース
１９  間隔調整ストッパ
２４  段差部
３１  ばね部材
【図１】
2008266716.tif 000003
【図２】
2008266716.tif 000004
【図３】
2008266716.tif 000005
【図４】
2008266716.tif 000006
【図５】
2008266716.tif 000007