(57)【要約】      （修正有）【課題】ディスク基板に要求される優れた平坦性を有する情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板の表面を研磨する工程の前にガラス基板を２００℃以上４００℃以下の温度で加熱する工程を設け、ガラス内部の応力歪みをアニールにより開放し、その跡に研磨工程としてのポリッシングを行ってもクラックの発生がなく不良品の発生率を少なくする。【選択図】図３
2008287779.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板の表面を研磨する工程を有する情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、
前記表面を研磨する工程の前に前記ガラス基板を加熱する工程を有することを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記加熱する工程において、前記ガラス基板を２００℃以上４００℃以下の温度に加熱することを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の製造方法により製造されたことを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。
【請求項４】
請求項３に記載の情報記録媒体用ガラス基板の表面に磁性膜を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、情報記録媒体用ガラス基板及び磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、コンピュータ等に用いられる情報記録媒体として磁気ディスクがある。磁気ディスク用基板としては、アルミニウム基板が一般的に用いられてきた。しかし、近年、記録密度向上のための磁気ヘッド浮上量の低減の要請に伴い、アルミニウム基板よりも表面の平滑性に優れ、しかも表面欠陥が少ないことから磁気ヘッド浮上量の低減を図ることができるガラス基板を磁気ディスク用基板として用いる割合が増えてきている。
【０００３】
このような磁気ディスク等の情報記録媒体用ガラス基板は、ブランク材と呼ばれるガラス基板に研磨加工等を施すことによって製造される。ガラス基板（ブランク材）は、プレス成形によって製造する方法や、フロート法等によって作製された板ガラスを切断して製造する方法等が知られている。一定の形状に切り出されたガラス基板のままでは表面の凹凸が大きく、表面研磨を行う必要があり、また、高密度化の要請からより高精度に研磨する技術が求められている。
【０００４】
しかし、ガラス基板の表面をいくら高精度に研磨しても基板上に異物が付着してしまい、高い平滑性が得られないと言う問題があった。
【０００５】
このような問題に対して、特許文献１では、精密研磨工程の後で行う洗浄工程でも取りきれない研磨のこりが原因であるとして、研磨工程の後に硫酸洗浄する工程を提案している。
【特許文献１】特開２０００−３４８３３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造工程に硫酸洗浄を加えると工程数が増え、製造コストが高くなるとともに、洗浄液の取り扱いや、廃液等の処理が問題となる。
【０００７】
本発明は、このような問題点に鑑みて成されたものであって、ディスク基板に要求される優れた平坦性を有する情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題は、以下の構成により解決される。
【０００９】
１．
ガラス基板の表面を研磨する工程を有する情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、
前記表面を研磨する工程の前に前記ガラス基板を加熱する工程を有することを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【００１０】
２．
前記加熱する工程において、前記ガラス基板を２００℃以上４００℃以下の温度に加熱することを特徴とする１に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【００１１】
３．
１又は２に記載の製造方法により製造されたことを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。
【００１２】
４．
３に記載の情報記録媒体用ガラス基板の表面に磁性膜を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ガラス基板の表面を研磨する工程の前にガラス基板を加熱する工程を有するので、ガラス基板の内部における歪みを開放することができ、その後の研磨工程で新たに発生する表面傷が少なくなり、研磨剤等の異物の埋まり原因が無くなる。その結果、優れた平坦性を有する情報記録媒体用ガラス基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明を図示の実施の形態に基づいて説明するが、本発明は該実施の形態に限らない。
【００１５】
図１は、本発明に係わる情報記録媒体用ガラス基板（以降、ガラス基板とも称する。）１の全体構成を示している。図１に示す様に、ガラス基板１は、中心に孔５が形成されたドーナツ状の円板形状をしている。１０ｔは外周端面、２０ｔは内周端面、７ａは表主表面、７ｂは裏主表面を示している。また、図２は、図１で示したガラス基板１の表主表面７ａの上に磁性膜２を備えている磁気記録媒体Ｄの一例を示す図である。磁性膜２は裏主表面７ｂの上にも設けることができる。
【００１６】
図３に本発明に係る情報記録媒体用ガラス基板の製造方法の一実施例の製造工程図を示す。
【００１７】
本実施形態においては、研磨工程であるポリッシング工程の前に情報記録媒体用ガラス基板を加熱する工程であるアニール工程を入れる。このアニール工程を入れることにより、それまでの製造工程の中で生じたガラス基板内部の歪みを開放することができる。特にガラス溶融され、プレスにより成形される工程で、ガラスの冷却温度が均一でないため、ガラス内部に応力歪みを生じる。この応力歪みが原因となり、ポリッシングを行うと歪みに応じて微小なクラックが生じる。このクラックの内部に研磨材や異物等が入り込み、高精度の研磨を繰り返しても凸部が発生し、不良品となる。このガラス内部の応力歪みをアニール処理することにより開放することができ、その後に研磨工程としてのポリッシングを行ってもクラックの発生がなく不良品の発生率が少なくなる。
【００１８】
アニール工程の温度は、２００℃以上４００℃以下が好ましい。２００℃未満では、ガラスの内部応力の開放が不十分であり、微小クラックが発生し、異物が埋まる。また、４００℃を越えると、ガラスの転移温度に近くなり、表面に凹凸ムラが生じやすくなる。
【００１９】
また、アニール温度での保持時間は、２０〜１２０分が好ましい。
【００２０】
本発明の情報記録媒体用ガラス基板は、磁気記録媒体に限定されるものではなく、光磁気ディスクや光ディスクなどにも用いることができる。
【００２１】
（情報記録媒体用ガラス基板の製造工程）
情報記録媒体用ガラス基板の製造工程に関して図３の製造工程図を用いて詳しく説明する。
【００２２】
ガラス基板の大きさに限定はない。例えば、外径が２．５インチ、１．８インチ、１インチ、０．８インチなど種々の大きさのガラス基板がある。また、ガラス基板の厚みにも限定はなく、２ｍｍ、１ｍｍ、０．６３ｍｍなど種々の厚みのガラス基板がある。
【００２３】
まず、ガラス素材を溶融し（ガラス溶融工程）、溶融ガラスを下型に流し込み、上型によってプレス成形して円板状のガラス基板前駆体を得る（プレス成形工程）。なお、円板状のガラス基板前駆体は、プレス成形によらず、例えばダウンドロー法やフロート法で形成したシートガラスを研削砥石で切り出して作製してもよい。
【００２４】
ガラス基板の材料としては、イオン交換による化学強化が可能なガラスであれば特に制限はない。例えば、ＳｉＯ2、Ｎａ2Ｏ、ＣａＯを主成分としたソーダライムガラス；ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｒ2Ｏ（Ｒ＝Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ）を主成分としたアルミノシリケートガラス；ボロシリケートガラス；Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2系ガラス；Ｌｉ2Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス；Ｒ’Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス（Ｒ’＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）などを使用することができる。中でも、アルミノシリケートガラスやボロシリケートガラスは、耐衝撃性や耐振動性に優れるため特に好ましい。
【００２５】
プレス成形したガラス基板前駆体は、カッター部にダイヤモンド砥石等を備えたコアドリル等で中心部に孔を開ける（コアリング加工工程）。
【００２６】
次に、ガラス基板の両表面を研磨加工し、ガラス基板の全体形状、すなわちガラス基板の平行度、平坦度および厚みを予備調整する（第１ラッピング工程）。
【００２７】
次に、ガラス基板の外周端面および内周端面を、例えば鼓状のダイヤモンド等の研削砥石により研削することで内・外径加工する（内・外径加工工程）。
【００２８】
次に、ガラス基板の両表面を再び研磨加工して、ガラス基板の平行度、平坦度および厚みを微調整する（第２ラッピング工程）。そして、ガラス基板の外周端面を、研磨液を使用したブラシ研磨により面取り部の角部を曲面とし、また微細なキズ等を除去する（外周端面加工工程）。
【００２９】
コアリング加工以降の第１ラッピング工程から外周端面加工工程までの順序は、図５に示したものに限定されず、状況に応じて適宜変更することができる。例えば、ラッピング工程を一つにして最初に行ない、その後、内・外径加工工程、内周、外周端面加工工程を行っても良い。また、第１ラッピング工程、内・外径加工工程の後、第２ラッピング工程、内周、外周端面加工工程を行っても良い。
【００３０】
第１及び第２ラッピング工程にてガラス基板を研磨する研磨機について説明する。研磨機は、両面研磨機と呼ばれる公知の研磨機を使用できる。両面研磨機は、互いに平行になるように上下に配置された円盤状の上定盤と下定盤とを備えており、互いに逆方向に回転する。この上下の定盤の対向するそれぞれの面にガラス基板の主表面を研磨するための複数のダイヤモンドペレットが貼り付けてある。上下の定盤の間には、下定盤の外周に円環状に設けてあるインターナルギアと下定盤の回転軸の周囲に設けてある太陽ギアとに結合して回転する複数のキャリアがある。このキャリアには、複数の穴が設けてあり、この穴にガラス基板をはめ込んで配置する。上下の定盤、インターナルギア及び太陽ギアは別駆動で動作することができる。
【００３１】
研磨機の研磨動作は、上下の定盤が互いに逆方向に回転し、ダイヤモンドペレットを介して定盤に挟まれているキャリアは、複数のガラス基板を保持した状態で、自転しながら定盤の回転中心に対して下定盤と同じ方向に公転する。このような動作している研磨機において、研削液を上定盤とガラス基板及び下定盤とガラス基板との間に供給することでガラス基板の研磨を行うことができる。
【００３２】
この両面研磨機を使用する際、ガラス基板に加わる定盤の加重及び定盤の回転数を所望の研磨状態に応じて適宜調整する。第１及び第２ラッピング工程における加重は、６０ｇ／ｃｍ2から１２０ｇ／ｃｍ2とするのが好ましい。また、定盤の回転数は、１０ｒｐｍから３０ｒｐｍ程度とし、上の定盤の回転数を下の定盤回転数より３０％から４０％程度遅くするのが好ましい。定盤による加重を大きくし、定盤の回転数を速くすると研磨量は多くなるが、加重を大きくしすぎると面粗さが良好とならず、また、回転数が速すぎると平坦度が良好とならない。また加重が小さく定盤の回転数が遅いと研磨量が少なく製造効率が低くなる。
【００３３】
第２ラッピング工程を終えた時点で、大きなうねり、欠け、ひび等の欠陥は除去され、ガラス基板の主表面の面粗さは、Ｒｍａｘが２μｍから４μｍ、Ｒａが０．２μｍから０．４μｍ程度とするのが好ましい。このような面状態にしておくことで、次の化学強化工程を経て第１ポリッシング工程で研磨を効率よく行うことができる。
【００３４】
尚、第１ラッピング工程では、第２ラッピング工程を効率よく行うことができるように大まかに大きなうねり、欠け、ひびを効率よく除去する。このため、第２ラッピングで使用する粗さ＃１３００メッシュから＃１７００メッシュより粗い＃８００メッシュから＃１２００メッシュ程度のダイヤモンドペレットを使用するのが好ましい。第１ラッピング工程が完了した時点での面粗さは、Ｒｍａｘが４μｍから８μｍで、Ｒａが０．４μｍから０．８μｍ程度とするのが好ましい。
【００３５】
ガラス基板の内周、外周の端面は、内周及び外周端面加工工程でブラシ研磨によるポリッシング加工を行う。ブラシは、φ０．２からφ０．３ｍｍ程度のナイロン、ポリプロピレン等を使用するのが好ましい。また、研磨液は、粒径が数μｍ程度の酸化セリウムが好ましい。ブラシ研磨の結果、内周、外周の端面の面粗さは、Ｒｍａｘが０．２μｍから０．４μｍで、Ｒａが０．０２μｍから０．０４μｍ程度とするのが好ましい。内・外径加工工程及び内周及び外周端面加工工程を経たガラス基板の端面の形状は、主表面と端面とが成す角部が取り除かれ、外周端面から０．２ｍｍから０．５ｍｍ程度の位置から主表面よりダレた状態となる。
【００３６】
ここで、Ｒａ（中心線平均粗さ）、Ｒｍａｘ（最大高さ）は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定されている。これらは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等により測定することができる。これら規定及び測定方法は、以降で記述されるＲａ、Ｒｍａｘについても同じく適用する。
【００３７】
上記の例では、ガラス基板を研磨する際にダイヤモンドペレットと研削液を用いているが、上下の定盤の研磨面にパッドを貼り付け、研磨液を供給して研磨する方法とすることもできる。研磨剤としては、例えば、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マンガン、コロイダルシリカ、ダイヤモンドなどが挙げられる。これらを水で分散化してスラリー状として使用する。パッドは硬質パッドと軟質パッドとに分けられるが、必要に応じて適宜選択して用いることができる。硬質パッドとしては、硬質ベロア、ウレタン発泡、ピッチ含有スウェード等を素材とするパッドが挙げられ、軟質パッドとしては、スウェードやベロア等を素材とするパッドが挙げられる。
【００３８】
パッドと研磨剤を使用する研磨方法は、研磨剤の粒度やパッドの種類を変えて、粗研磨から精密研磨まで対応することができる。よって、第１ラッピング工程と第２ラッピング工程で、効率よく大きなうねり、欠け、ひび等を除去し上記の面粗さを得ることができる様に研磨材、研磨材の粒度、パッドを適宜組み合わせて対応することができる。
【００３９】
また、第１及び第２ラッピング工程の後、ガラス基板の表面に残った研磨剤やガラス粉を除去するための洗浄工程を行うことが好ましい。
【００４０】
尚、第１ラッピング工程及び第２ラッピング工程で使用する研磨機は、同一構成ではあるがそれぞれの工程専用に用意された別の研磨機を用いて研磨加工を行うのが好ましい。これは、専用のダイヤモンドペレットを貼り付けているため交換が大掛かりな作業となり、また、研磨条件を再設定する等の煩雑な作業が必要となり、製造効率が低下するためである。
【００４１】
外端面研磨工程の次に、本発明に係るアニール工程を行う。アニール工程はガラス基板を電気加熱炉に入れ、２００℃以上４００℃以下の温度で２０〜１２０分の間、保持する。昇温速度、及び降温速度は特に規定しないが、１０〜３０分程度で所定の温度に上げ、１０分〜３０分程度の時間をかけて除冷するのが良い。このアニール工程により、これまでの加工工程でガラス基板内部に生じた応力歪みを開放することができる。また、アニール工程は、空気中の他に、シリコーンオイル等のアニールする温度で変質しにくい油中や、アルゴンガス、ヘリウムガスなどの不活性ガス中や、窒素ガス中などで行うのが好ましい。このような雰囲気中でアニールすると、ガラス基板表面にイオン化した物質が侵入しないので、ガラス基板表面の平坦度を維持することができる。
【００４２】
次に、研磨工程としてのポリッシング工程を行う。
【００４３】
ポリッシング工程では、ガラス基板の表面を精密に仕上げると伴に主表面の外周端部の形状を本発明の形状を得る様に研磨する。ポリッシング工程は１工程でも良いが、２工程の方が好ましい。アニール工程の後に研磨工程を行うことにより、ガラス内部に応力歪みが開放され、研磨工程中のクラックの発生が無く、不良品の発生率が少なくなる。
【００４４】
まず、第１ポリシング工程では、第２ポリッシング工程で最終的に必要とされる面粗さを効率よく得ることができるように、面粗さを向上させるとともに最終的に本発明の形状を効率よく得ることができる研磨を行う。
【００４５】
研磨の方法は、ラッピング工程で使用したダイヤモンドペレットと研削液に代えて、パットと研磨液を使用する以外は第１及び２ラッピング工程で使用した研磨機と同一の構成の研磨機を使用する。
【００４６】
パッドは硬度Ａで８０から９０程度の硬質パッドで例えば発泡ウレタンを使用するのが好ましい。パッドの硬度が研磨による発熱により柔らかくなると研磨面の形状変化が大きくなるため硬質パッドを用いるのが好ましい。研磨材は、粒径が０．６μｍから２．５μｍの酸化セリウム等を水に分散させてスラリー状にして用いるのが好ましい。水と研磨剤との混合比率は、概ね１：９から３：７程度が好ましい。
【００４７】
定盤によるガラス基板への加重は、９０ｇ／ｃｍ2から１１０ｇ／ｃｍ2とするのが好ましい。定盤によるガラス基板への加重は、外周端部の形状に大きく影響する。加重を大きくしていくと、外周端部の内側が下がり外側に向かって上がる傾向を示す。また、加重を小さくしていくと、外周端部は平面に近くなるとともに面ダレが大きくなる傾向を示す。こうした傾向を観察しながら加重を決めることができる。
【００４８】
また、面粗さを向上させるために、定盤の回転数を２５ｒｐｍから５０ｒｐｍとし、上の定盤の回転数を下の定盤回転数より３０％から４０％遅くするのが好ましい。
【００４９】
上記の研磨条件により研磨量を３０μｍから４０μｍとするのが好ましい。３０μｍ未満では、キズや欠陥を十分に除去ができない。また４０μｍを超える場合は、面粗さをＲｍａｘが２ｎｍから６０ｎｍ、Ｒａが２ｎｍから４ｎｍの範囲とすることができるが、必要以上に研磨を行うことになり製造効率が低下する。
【００５０】
第２ポリッシング工程は、第１ポリッシング工程後のガラス基板の表面を更に精密に研磨する工程である。第２ポリッシング工程で使用するパッドは、第１ポリッシング工程で使用するパッドより柔らかい硬度６５から８０（ＡｓｋｅｒーＣ）程度の軟質パッドで、例えば発泡ウレタンやスウェードを使用するのが好ましい。研磨材としては、第１ポリッシング工程と同様の酸化セリウム等を用いることができるが、ガラス基板の表面をより滑らかにするため、粒径がより細かくバラツキが少ない研磨剤を用いるのが好ましい。粒径の平均粒子径が４０ｎｍから７０ｎｍの研磨剤を水に分散させてスラリー状にして研磨液として用い、水と研磨剤との混合比率は、１：９から３：７程度が好ましい。
【００５１】
定盤によるガラス基板への加重は、９０ｇ／ｃｍ2から１１０ｇ／ｃｍ2が好ましい。定盤によるガラス基板への加重は、第１ポリッシング工程と同様に外周端部の形状に大きく影響するが、研磨速度が遅いため第１ポリッシング工程ほど効率的に形状を変化させることはできない。加重の加減による外周端部の形状の変化は、第１ポリッシング工程と同様であり、加重を大きくしていくと、外周端部の内側が下がり外側に向かって上がる傾向を示す。また、加重を小さくしていくと、外周端部は平面に近くなるとともに面ダレが大きくなる傾向を示す。外周端部の形状を得るために、こうした傾向を観察しながら加重を決めることができる。定盤の回転数を１５ｒｐｍから３５ｒｐｍとし、上定盤の回転数を下定盤の回転数より３０％から４０％遅くするのが好ましい。
【００５２】
上記の様に第２ポリッシング工程での研磨条件を調整して本発明の外周端部の形状を得ると伴に、面粗さをＲｍａｘが２ｎｍから６ｎｍ、Ｒａが０．２ｎｍから０．４ｎｍの範囲とすることができる。
【００５３】
研磨量は２μｍから５μｍとするのが好ましい。研磨量をこの範囲とすると、表面に発生した微小な荒れやうねり、これまでの工程で生じた微小な傷痕といった微小な欠陥を効率良く除去することができる。
【００５４】
第２ポリッシング工程の終了後、ガラス基板の洗浄及び検査を行ない、情報記録媒体用ガラス基板が完成する。
【００５５】
尚、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法においては、上記以外の種々の工程を有していても良い。例えば、ガラス基板の強度の信頼性確認のためのヒートショック工程、ガラス基板の表面に残った研磨剤や化学強化処理液等の異物を除去する洗浄工程、種々の検査・評価工程等を有していても良い。
【００５６】
また、第２ポリッシング工程では、第１ポリッシング工程で使用した研磨機をそのまま用いるのではなく、同一構成ではあるがそれぞれの工程専用に用意された別の研磨機を用いて研磨を行うのが好ましい。これは、第１ポリッシング工程で使用した研磨機をそのまま用いると第１ポリッシング工程で残留した研磨剤等により第２ポリッシング工程での研磨精度が低下したり、研磨条件を再設定する等の煩雑な作業が必要となり、製造効率が低下するためである。
【００５７】
次に、情報記録媒体用ガラス基板に設ける磁気記録媒体について説明する。以下、図面に基づき磁気記録媒体について説明する。
【００５８】
図２は磁気記録媒体の一例である磁気ディスクの斜視図である。この磁気ディスクＤは、円形の情報記録媒体用ガラス基板１の表面に磁性膜２を直接形成されている。磁性膜２の形成方法としては従来公知の方法を用いることができ、例えば磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を基板上にスピンコートして形成する方法や、スパッタリング、無電解めっきにより形成する方法が挙げられる。スピンコート法での膜厚は約０．３μｍ〜１．２μｍ程度、スパッタリング法での膜厚は０．０４μｍ〜０．０８μｍ程度、無電解めっき法での膜厚は０．０５μｍ〜０．１μｍ程度であり、薄膜化および高密度化の観点からはスパッタリング法および無電解めっき法による膜形成が好ましい。
【００５９】
磁性膜に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉやＣｒを加えたＣｏ系合金などが好適である。具体的には、Ｃｏを主成分とするＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＮｉＰｔや、ＣｏＮｉＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯなどが挙げられる。磁性膜は、非磁性膜（例えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶなど）で分割しノイズの低減を図った多層構成（例えば、ＣｏＰｔＣｒ／ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａ／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＰｔＴａなど）としてもよい。上記の磁性材料の他、フェライト系、鉄−希土類系や、ＳｉＯ2、ＢＮなどからなる非磁性膜中にＦｅ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ、ＣｏＮｉＰｔ等の磁性粒子を分散された構造のグラニュラーなどであってもよい。また、磁性膜は、内面型および垂直型のいずれの記録形式であってもよい。
【００６０】
また、磁気ヘッドの滑りをよくするために磁性膜の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。
【００６１】
さらに必要により下地層や保護層を設けてもよい。磁気ディスクにおける下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。Ｃｏを主成分とする磁性膜の場合には、磁気特性向上等の観点からＣｒ単体やＣｒ合金であることが好ましい。また、下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。
【００６２】
磁性膜の摩耗や腐食を防止する保護層としては、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の層からなる多層構成としてもよい。なお、上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）層を形成してもよい。
【００６３】
上記の様にして得られる本発明の情報記録媒体用ガラス基板を基体とした磁気記録媒体を用いることで、高速回転時の磁気ヘッドの動作を安定にすることができる。
【実施例】
【００６４】
（ガラス基板の作製）
ガラス材料としてアルミノシリケートガラス（Ｔｇ：５００℃）を用い、溶融ガラスをプレス成形してブランク材を作製した。内外周加工工程、ラッピング工程を経て、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍのガラス基板とした。ガラス基板の厚みは０．６４ｍｍとした。
（アニール工程）
アニール工程として、空気雰囲気で電気加熱炉を用い、表１に示すアニール温度とアニール時間でそれぞれガラス基板を１００枚ずつ作製した。常温からの昇温時間は、３０分とし、常温への降温時間は１時間とした。
（ポリッシング工程）
第１ポリッシング工程として、ニッタ・ハース社製のウレタンパッドを用い、研磨剤としては、酸化セリウムを用いた。ポリッシング条件は、１００ｇ／ｃｍ2、４０ｒｐｍとした。
【００６５】
第２ポリッシング工程として、ＦＩＬＷＥＬ社製のスウェードパッドを用い、研磨剤としては、酸化セリウムおよびコロイダルシリカを用いた。ポリッシング条件は、１００ｇ／ｃｍ2、３０ｒｐｍとした。
（洗浄工程）
洗浄工程として、ロールスクラブ機、カップスクラブ機でのブラシ洗浄を行い、その後超音波洗浄機で洗浄を行った。
（ガラス基盤面評価）
作製したガラス基板を走査型レーザーディスク表面検査装置を用い、基盤面の微小キズ、微小付着に関して評価した。
【００６６】
評価結果を表１に示す。１００枚中７枚以上の不良が発生したものを×、４から６枚の不良発生を△、１から３枚の不良発生を○、不良発生無しを◎とした。
【００６７】
比較例として、アニール処理を行わなかったガラス基板１００枚も合わせて評価したところ１５枚の不良が発生した。
【００６８】
【表１】
2008287779.tif 000003
【００６９】
表１の結果及び比較例から、研磨工程前にガラス基板を加熱処理することにより、ドライブ不良の発生が少なく、平坦性の優れた情報記録媒体用ガラス基板を製造することができた。
【００７０】
評価結果を表１に示す。１００枚中７枚以上の不良が発生したものを×、４から６枚の不良発生を△、１から３枚の不良発生を○、不良発生無しを◎とした。
【００７１】
比較例として、アニール処理を行わなかったガラス基板１００枚も合わせて評価したところ１５枚の不良が発生した。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】情報記録媒体用ガラス基板の全体構成を示す図である。
【図２】情報記録媒体用ガラス基板の表主表面の上に磁性膜を備えている磁気記録媒体の例を示す図である。
【図３】情報記録媒体用ガラス基板の製造における工程を説明する製造工程図である。
【符号の説明】
【００７３】
１  情報記録媒体用ガラス基板（ガラス基板）
２  磁性膜
１０ａ  表主表面
１０ｂ  裏主表面
１３  孔
１４  外周端面
１５  内周端面
Ｄ  磁気ディスク
【図１】
2008287779.tif 000004
【図２】
2008287779.tif 000005
【図３】
2008287779.tif 000006