(57)【要約】【課題】個別液室の深さを浅く形成することができるインクジェットヘッド等を提供する。【解決手段】インクジェットヘッドは、吐出口１０７ａに連通する個別液室１０６が形成され、かつ個別液室１０６の１つの面を形成する振動板１１０を構成する部材を含む流路基板１０を有する。インクジェットヘッドはさらに、振動板１１０上に設けられ、吐出口１０７ａから液体を吐出させるためのエネルギーを個別液室１０６中の液体に付与する圧電素子１１１，１１２，１１３を有する。流路基板１０８は第１のＳｉ層と絶縁層と第２のＳｉ層とが積層されてなるＳＯＩ基板１０４の一部で構成され、個別液室１０６はその第１のＳｉ層に形成されている。ＳＯＩ基板１０４の絶縁層は振動板１１０の一部または全てを構成している。【選択図】図１
2008110595.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴を吐出する吐出口に連通する個別液室が形成され、かつ前記個別液室を画定する１つの面を形成する振動板を構成する部材を含む流路基板と、
前記振動板上に設けられ、前記吐出口から前記液体を吐出させるためのエネルギーを前記個別液室中の液体に付与する圧電素子と、
を有するインクジェットヘッドにおいて、
前記流路基板は第１のＳｉ層と絶縁層と第２のＳｉ層とが積層されてなるＳＯＩ基板の一部で構成され、前記個別液室は前記Ｓｉ層に形成されており、
前記絶縁層は前記振動板の一部または全てを構成していることを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項２】
液滴を吐出する吐出口に連通する個別液室が形成され、かつ前記個別液室を画定する１つの面を形成する振動板を構成する部材を含む流路基板と、
前記振動板上に設けられ、前記吐出口から前記液体を吐出させるためのエネルギーを前記個別液室中の液体に付与する圧電素子と、
を有するインクジェットヘッドの製造方法において、
第１のＳｉ層と絶縁層と第２のＳｉ層とが積層されてなるＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層を前記絶縁層をエッチングストップ層として加工することで、前記第１のＳｉ層に前記個別液室が形成された前記流路基板を構成する工程と、
前記流路基板の前記第１のＳｉ層側の面と、前記吐出口が形成されたオリフィスプレートとを接合する工程と、
前記第２のＳｉ層の一部または全てを除去する工程と、
前記絶縁層によって一部または全てが構成された前記振動板の上に前記圧電素子を構成する工程と、
を有することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記流路基板の前記第１のＳｉ層側の面と、前記吐出口が形成されたオリフィスプレートとを接合する工程は、前記流路基板と前記オリフィスプレートとを直接接合または金属膜を介した固相接合で接合することを含む、請求項２に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項４】
液滴を吐出する吐出口が形成されたオリフィスプレートと、前記吐出口に連通する個別液室が形成された流路基板とが互いに接合されて構成されているインクジェットヘッドにおいて、
前記オリフィスプレートは第１のＳｉ層と第１の絶縁層と第２のＳｉ層とが積層されてなる第１のＳＯＩ基板の一部で構成され、前記吐出口は前記第１のＳｉ層に形成されており、
前記流路基板は第３のＳｉ層と第２の絶縁層と第４のＳｉ層とが積層されてなる第２のＳＯＩ基板の一部で構成され、前記個別液室は前記第３のＳｉ層に形成されている、
ことを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項５】
液滴を吐出する吐出口が形成されたオリフィスプレートと、前記吐出口に連通する個別液室が形成された流路基板とが互いに接合されて構成されているインクジェットヘッドの製造方法において、
第１のＳｉ層と第１の絶縁層と第２のＳｉ層とが積層されてなる第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層を前記第１の絶縁層をエッチングストップ層として加工することで、前記第１のＳｉ層に前記吐出口が形成された前記オリフィスプレートを構成する工程と、
第３のＳｉ層と第２の絶縁層と第４のＳｉ層とが積層されてなる第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層を前記第２の絶縁層をエッチングストップ層として加工することで、前記第３のＳｉ層に前記個別液室が形成された前記流路基板を構成する工程と、
前記第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層側の面と前記第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層側の面とを接合する工程と、
前記第４のＳｉ層の一部または全てを除去する工程と、
を有することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記個別液室を画定する１つの面を形成する振動板の一部または全てを前記第２の絶縁層によって構成する工程と、
前記振動板上に下電極と圧電体薄膜と上電極とをこの順に積層して圧電素子を構成する工程と、
を有する請求項５に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記圧電素子を構成する工程の後に、前記第２のＳｉ層と、前記第１の絶縁層の一部または全てを除去する工程を有する、請求項６に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層側の面と前記第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層側の面とを接合する工程は、前記第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層側の面と前記第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層側の面とを直接接合または金属膜を介した固相接合で接合することを含む、請求項５から７のいずれか１項に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項９】
液滴を吐出する吐出口と、該吐出口に連通する連通部とを有するオリフィスプレートにおいて、
前記吐出口は、第１のＳｉ層と第１の絶縁層と第２のＳｉ層とが積層されてなる第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層に形成され、
前記連通部は、第３のＳｉ層と第２の絶縁層と第４のＳｉ層とが積層されてなる第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層に形成されている、
ことを特徴とするオリフィスプレート。
【請求項１０】
流路抵抗となる供給口が、前記第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層に形成されている、請求項９に記載のオリフィスプレート。
【請求項１１】
前記供給口に連通する共通液室が、前記第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層に形成されている、請求項９または１０に記載のオリフィスプレート。
【請求項１２】
液滴を吐出する吐出口と、該吐出口に連通する連通部とを有するオリフィスプレートの製造方法において、
第１のＳｉ層と第１の絶縁層と第２のＳｉ層とが積層されてなる第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層を前記第１の絶縁層をエッチングストップ層として加工することで、前記第１のＳｉ層に前記吐出口を形成する工程と、
第３のＳｉ層と第２の絶縁層と第４のＳｉ層とが積層されてなる第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層を前記第２の絶縁層をエッチングストップ層として加工することで、前記第３のＳｉ層に前記連通部を形成する工程と、
前記第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層側の面と前記第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層側の面とを接合する工程と、
前記第２のＳｉ層及び前記第４のＳｉ層を除去する工程と、
を有することを特徴とするオリフィスプレートの製造方法。
【請求項１３】
前記第２のＳｉ層及び前記第４のＳｉ層を除去する工程の後に、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を除去する工程を有する、請求項１２に記載のオリフィスプレートの製造方法。
【請求項１４】
前記第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層を前記第２の絶縁層をエッチングストップ層として加工することで、前記第３のＳｉ層に前記連通部を形成する工程は、流路抵抗となる供給口を前記第３のＳｉ層に形成することを含む、請求項１２または１３に記載のオリフィスプレートの製造方法。
【請求項１５】
前記第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層を前記第２の絶縁層をエッチングストップ層として加工することで、前記第３のＳｉ層に前記連通部を形成する工程は、前記供給口に連通する共通液室を前記第３のＳｉ層に形成することを含む、請求項１４に記載のオリフィスプレートの製造方法。
【請求項１６】
前記第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層側の面と前記第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層側の面とを接合する工程は、前記第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層側の面と前記第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層側の面とを直接接合または金属膜を介した固相接合で接合することを含む、請求項１２から１５のいずれか１項に記載のオリフィスプレートの製造方法。
【請求項１７】
前記第２のＳｉ層及び前記第４のＳｉ層を除去する工程は、ドライエッチングまたは研磨によって行われる、請求項１２から１６のいずれか１項に記載のオリフィスプレートの製造方法。
【請求項１８】
液滴を吐出する吐出口と、該吐出口に連通する連通部とを有するオリフィスプレートの製造方法において、
第１のＳｉ層と第１の絶縁層と第２のＳｉ層とが積層されてなる第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層を前記第１の絶縁層をエッチングストップ層として加工することで、前記第１のＳｉ層に前記吐出口を形成する工程と、
第３のＳｉ層と第２の絶縁層と第４のＳｉ層とが積層されてなる第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層を前記第２の絶縁層をエッチングストップ層として加工することで、前記第３のＳｉ層に前記連通部を形成する工程と、
前記第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層側の面と前記第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層側の面とを接合する工程と、
前記第２のＳＯＩ基板の前記第４のＳｉ層を除去する工程と、
前記第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層側に、個別液室が形成された流路基板を接合する工程と、
前記第１のＳＯＩ基板の前記第２のＳｉ層を除去する工程と、
を有することを特徴とするオリフィスプレートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴を吐出する吐出口とこれに連通する個別液室を備え、この個別液室の一部を構成する振動板に、時間とともに推移する変位を与えることにより液滴を吐出させる圧電体を用いたインクジェットヘッド等に関する。本発明によるインクジェットヘッドは、紙、布、革、不織布、ＯＨＰシート等に印刷するインクジェット記録装置や、基板、板材等の固体物に液体を付着させるパターニング装置や塗布装置等に適用可能である。
【背景技術】
【０００２】
従来から、インクジェットヘッドは、低騒音、低ランニングコスト、装置の小型化およびカラー化が容易である等の理由から、プリンターやファクシミリ等の記録装置に広く内蔵されている。また、特に圧電体を用いたインクジェットヘッドは、吐出させる液体の選択自由度の高さからデバイス製造向けのパターニング装置としての用途も拡大しつつある。
【０００３】
インクジェットヘッドは一般に、液体流路を備えた流路基板と、流路基板の第１の面に設けられた個別液室と、個別液室から流路基板の第２の面に貫通する貫通路と、流路基板の第２の面に接着され貫通路と連通する吐出口を備えたオリフィスプレートとを有する。インク滴の吐出を行うためには個別液室内を加圧させる必要がある。その圧力発生手段としては、個別液室内に設置された発熱体により液体を発泡させて液滴を吐出させるバブル型のものや、個別液室の一部を形成している振動板を圧電素子により変形させることで液滴を形成させるピエゾ型のものが知られている。さらには、静電気力で振動板を変形させることで液滴を吐出させる静電型のものも知られている。
【０００４】
このようなインクジェットヘッドにおいては、近年の画像形成の高精細化の要求に伴い、流路基板の個別液室、及び圧電素子等の圧力発生源を高密度かつ多数配列した高集積化がなされている。このような要求に応えるため、ピエゾ型のインクジェットヘッドにおいては、例えば振動板の全面に成膜技術により電極や圧電体を形成し、フォトリソグラフィー技術を用いて個別液室に対応した電極や圧電体を加工するものが提案されている。成膜技術とフォトリソグラフィー技術を用いることにより、高密度なインクジェットヘッドが実現されている。
【０００５】
また、特許文献１には、Ｓｉ基板上に電極や圧電膜を形成した後、異方性エッチングでＳｉを加工することで高精度な個別液室を形成する技術が開示されている。しかしながら、このようなインクジェットヘッドでは、個別液室の深さは基板の厚みに依存してしまい、自由な個別液室深さにすることができない。また６インチや８インチといった比較的大きな基板を用いてインクジェットヘッドを作製する際は、製造時の取り扱いの問題からある程度の厚みの基板を用いる必要があり、それ故に個別液室の深さも深くなってしまう。特に高密度のインクジェットヘッドの場合は、個別液室を区画する隔壁の厚さが薄く、かつ個別液室が深い構造となってしまい、十分な剛性が得られずクロストークの発生や所望の吐出性能が得られないという問題点がある。
【０００６】
特許文献２には、このような問題を解決すべく、ＳＯＩ基板の単結晶Ｓｉ層に圧力発生室となる溝を形成し、溝に犠牲層を形成した後に振動板を形成し、最後に犠牲層を除去して深さが浅い圧力発生室を形成する製法が開示されている。
【０００７】
また、特許文献３には、Ｓｉ基板の一方の面から異方性エッチングによってＳｉを加工することで、Ｓｉ基板に個別液室や貫通路を形成する技術が開示されている。
【特許文献１】特開平１１−２２７２０４号公報
【特許文献２】特開２００１−２０５８０８号公報
【特許文献３】特開平０５−２２９１２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献２に開示された製法では、溝に犠牲層を充填するという複雑な工程があるとともに、その犠牲層を狭い流路を介して除去するという工程が含まれる。また、犠牲層が圧力発生室から完全に除去できないなどの問題点がある。
【０００９】
また、特許文献３に開示された技術では、Ｓｉの異方性エッチングを用いて液体流路を形成しているため、液体の流路の深さはその幅に依存してしまうことから、液体の流路の幅と深さの両方を所望の寸法に形成することができない。さらに、特許文献３に開示された技術では、液体の流路の寸法は用いるＳｉウエハの厚みにも依存してしまい、吐出口等を単独で自由な寸法に形成することができない。さらには、高密度のインクジェットヘッドの作製にあたっては、液体の流路はさらに小型化、高精度化を図る必要があり、これらに対応した構成や製造方法が求められている。
【００１０】
そこで本発明は、個別液室の深さを浅く形成することができるインクジェットヘッドおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
また、本発明は、液体の流路構成をより高精度に形成することができるオリフィスプレートおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明のインクジェットヘッドは、液滴を吐出する吐出口に連通する個別液室が形成され、かつ前記個別液室を画定する１つの面を形成する振動板を構成する部材を含む流路基板と、前記振動板上に設けられ、前記吐出口から前記液体を吐出させるためのエネルギーを前記個別液室中の液体に付与する圧電素子と、を有するインクジェットヘッドにおいて、前記流路基板は第１のＳｉ層と絶縁層と第２のＳｉ層とが積層されてなるＳＯＩ基板の一部で構成され、前記個別液室は前記第１のＳｉ層に形成されており、前記絶縁層は前記振動板の一部または全てを構成していることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の他のインクジェットヘッドは、液滴を吐出する吐出口が形成されたオリフィスプレートと、前記吐出口に連通する個別液室が形成された流路基板とが互いに接合されて構成されているインクジェットヘッドにおいて、前記オリフィスプレートは第１のＳｉ層と第１の絶縁層と第２のＳｉ層とが積層されてなる第１のＳＯＩ基板の一部で構成され、前記吐出口は前記第１のＳｉ層に形成されており、前記流路基板は第３のＳｉ層と第２の絶縁層と第４のＳｉ層とが積層されてなる第２のＳＯＩ基板の一部で構成され、前記個別液室は前記第３のＳｉ層に形成されていることを特徴とする。
【００１４】
また、上記目的を達成するため、本発明のオリフィスプレートは、液滴を吐出する吐出口と、該吐出口に連通する連通部とを有するオリフィスプレートにおいて、前記吐出口は、第１のＳｉ層と第１の絶縁層と第２のＳｉ層とが積層されてなる第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層に形成され、前記連通部は、第３のＳｉ層と第２の絶縁層と第４のＳｉ層とが積層されてなる第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層に形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
上記本発明のインクジェットヘッドによれば、個別液室の深さを浅く形成することができる。
【００１６】
また、上記本発明のオリフィスプレートによれば、液体の流路構成をより高精度に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るインクジェットヘッドを模式的に示す斜視図である。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態のインクジェットヘッドは、複数の個別液室１０６が形成された流路基板１０８を有している。流路基板１０８はＳＯＩ(Silicon On Insulator)基板１０４の一部で構成されている。流路基板１０８をなすＳＯＩ基板１０４の絶縁層１０２（図２Ａ参照）が形成されている面の上にはＳｉＯ2層１０９が形成され、さらにその上には、そのほぼ全面にわたって下電極１１１が形成されている。さらに、下電極１１１上の各個別液室１０６に対向する位置には、個別液室１０６に沿って長手方向に延びた形状を有する圧電体薄膜１１２が設けられている。各圧電体薄膜１１２上には上電極１１３が設けられている。これらの下電極１１１、圧電体薄膜１１２および上電極１１３によって圧電素子が構成されている。また、流路基板１０８をなすＳＯＩ基板１０４の他方の面上には、吐出口１０７ａが形成されたオリフィスプレート１０７が設けられている。
【００２０】
このように構成された本実施形態のインクジェットヘッドによれば、下電極１１１と上電極１１３との間に電圧を印加すると圧電体薄膜１１２が変形し、その変形に伴って、ＳｉＯ2層１０９等からなる振動板１１０（図２Ｂ参照）が変形する。すると、振動板１１０が接する個別液室１０６内に貯留されているインク等の液体が加圧され、オリフィスプレート１０７の吐出口１０７ａから液滴として吐出される。
【００２１】
次に、本実施形態のインクジェットヘッドの製造方法について、図２Ａ及び図２Ｂを参照して説明する。
【００２２】
図２Ａ（ａ）に示すように、第１のＳｉ層１０１の厚みが５０μｍ、絶縁層１０２の厚みが１μｍ、第２のＳｉ層１０３の厚みが２００μｍである６インチサイズのＳＯＩ基板１０４を用意する。
【００２３】
続いて、図２Ａ（ｂ）に示すように、第１のＳｉ層１０１側にエッチングマスク１０５を施し、絶縁層１０２をエッチングストップ層としてエッチングを行い、個別液室１０６を形成する。エッチングには、Ｓｉの深堀り技術として知られているＩＣＰ(Inductively Coupled Plasma)エッチング装置を用いる。本実施形態では、エッチングガスとしてＣＦ4とＳＦ6を用いてエッチングを行っている。なお、エッチングマスク１０５はレジストのみで形成してもよいし、ＳｉＯ2やＳｉＯＮで形成してもよい。
【００２４】
次に、図２Ａ（ｃ）に示すように、ＳＯＩ基板１０４と、これとは別途用意したＳｉからなる厚さ２００μｍのオリフィスプレート１０７とを、Ｓｉの直接接合技術により接合する。本実施形態では、ＳＯＩ基板１０４とオリフィスプレート１０７を共に洗浄し、両者の清浄なＳｉ表面同士を貼り合わせた後に両者に圧力を加えて接合している。
【００２５】
続いて、図２Ｂ（ｄ）に示すように、第２のＳｉ層１０３を除去して流路基板１０８を構成する。本実施形態では、ＩＣＰエッチング装置により厚さ２００μｍの第２のＳｉ層１０３を全面除去する。なお、第２のＳｉ層１０３は必ずしもその厚み方向の全てを除去する必要はなく、たとえば２００μｍの厚みのうち１９５μｍをエッチングして、５μｍ分をエッチングせずに絶縁層１０２上に残しておいてもよい。また第２のＳｉ層１０３は、ＩＣＰによるドライエッチング法ではなく、例えば研磨によって除去してもよい。
【００２６】
なお、流路基板１０８は単体の厚みが約５０μｍと薄いため単体で取り扱うと割れやすい。しかし、本実施形態では流路基板１０８をオリフィスプレート１０７と接合した後に第２のＳｉ層１０３のみを除去することにより、単体で取り扱う場合に比べて流路基板１０８を損傷するおそれが少なくなっている。
【００２７】
その後、図２Ｂ（ｅ）に示すように、絶縁層１０２上にＳｉＯ2層１０９を３μｍの厚さに形成し、絶縁層１０２とＳｉＯ2層１０９とからなる振動板１１０を構成する。なお、振動板１１０はこの形態に限られず、絶縁層１０２のみで構成してもよい。またＳｉＯ2層１０９の代わりにＳｉＯＮやＳｉＮなどの絶縁膜、またはＰｔやＡｕなどの金属膜を形成し、これらと絶縁層１０２とで振動板１１０を構成してもよい。絶縁層１０２上に所望の厚みやヤング率を有する絶縁膜や金属膜をすることで、振動板１１０の厚みや剛性を自由に設計することが可能である。振動板１１０の厚みは上記の厚さに限られず、個別液室１０６の寸法等も考慮して自由な厚みに設計することができる。
【００２８】
また、第２のＳｉ層１０３を一部残す形態とした場合は、絶縁層１０２上の膜厚方向に一部残したＳｉからなる第２のＳｉ層１０３とＳｉＯ2からなる絶縁層１０２とで振動板１１０を構成してもよい。これにより、単結晶Ｓｉからなる第２のＳｉ層１０３とＳｉＯ2からなる絶縁層１０２とで剛性の高い高精度な振動板を構成することが可能である。
【００２９】
続いて、図２Ｂ（ｆ）に示すように、振動板１１０上に下電極１１１と圧電体薄膜１１２と上電極１１３とを形成する。圧電体薄膜１１２の成膜の際には、まず、流路基板１０８とオリフィスプレート１０７との接合体をスパッタ装置内に入れる。そして、鉛、チタン、ジルコニウムから構成されたＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3ペロブスカイト型酸化物（以下、「ＰＺＴ」と称する。）をスパッタ法によって下電極１１１上に３μｍの厚さに形成する。その後、上記接合体をスパッタ装置から取り出し、酸素雰囲気中で焼成を行い、ＰＺＴ膜を結晶化させる。これにより、圧電体薄膜１１２が形成される。圧電体薄膜１１２の圧電性を良好にするため、ＰＺＴ薄膜の組成がＰｂ（Ｚｒ0.52Ｔｉ0.48）Ｏ3となるようにする。ＰＺＴ膜の組成としては必ずしも上記組成に限定されず、他の組成であっても構わない。また、ＰＺＴ膜厚は３μｍに限定されるものではない。
【００３０】
その後、圧電体薄膜１１２上に上電極１１３を形成する。続いて、上電極１１３と圧電体薄膜１１２を個別液室１０６に対応するようにドライエッチングで加工すると、図１に示すようなインクジェットヘッドが完成する。なお、本実施形態では上電極１１３は塩化ホウ素ガスによりエッチングを行い、圧電体薄膜１１２は塩素とフッ素系の混合ガスによりエッチングを行なっている。
【００３１】
このように、本実施形態によれば、準備するＳＯＩ基板１０４の第１のＳｉ層１０１の厚みを所望の個別液室１０６の深さとして個別液室１０６が形成され、流路基板１０８とオリフィスプレート１０７とを接合した後に第２のＳｉ層１０３が除去される。これにより、深さの浅い個別液室１０６が形成された流路基板１０８を製造工程中の取り扱い時に破損することなく、インクジェットヘッドを製造することができる。
【００３２】
なお、本実施形態では第１のＳｉ層１０１の厚さは５０μｍであるが、第１のＳｉ層１０１の厚さはその寸法に限られない。所望の個別液室１０６の深さに合わせた厚さの第１のＳｉ層１０１を有するＳＯＩ基板１０４を用いることで、個別液室１０６の深さを適宜選択することができる。
【００３３】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の本実施形態に係るインクジェットヘッドの製造方法について、図３Ａ及び図３Ｂを参照して説明する。
【００３４】
図３Ａ（ａ）に示すように、第１のＳｉ層２０１の厚みが１００μｍ、絶縁層２０２の厚みが３μｍ、第２のＳｉ層２０３の厚みが２００μｍである６インチサイズのＳＯＩ基板２０４を用意する。
【００３５】
続いて、図３Ａ（ｂ）に示すように、第１のＳｉ層２０１上にエッチングマスクを施し、絶縁層２０２をエッチングストップ層として第１のＳｉ層２０１側からエッチングを行い、個別液室２０５とこれに連通する供給路２０６とを形成する。エッチングにはＳｉの深堀り技術として知られているＩＣＰエッチング装置を用いる。なお、図３Ａ（ｂ）は個別液室２０５の長手方向から見た断面図である。
【００３６】
次に、図３Ａ（ｃ）に示すように、ＳＯＩ基板２０４と、これとは別途用意したＳｉからなる厚さ２００μｍのオリフィスプレート２０７とを、Ｓｉの直接接合技術により接合する。なお、接合方法はこれに限られず、Ａｕ膜を介した固相接合技術等を用いてもよい。
【００３７】
続いて、図３Ｂ（ｄ）に示すように、第２のＳｉ層２０３を除去して流路基板２０８を構成する。この際、供給路２０６の上方の部分の第２のＳｉ層２０３ａは除去せず、個別液室２０５および個別液室２０５を区切る隔壁２０９（図４参照）の上方の部分の第２のＳｉ層２０３を除去する。なお、流路基板２０８自体の厚みは約１００μｍと薄いが、オリフィスプレート２０７と接合した後に第２のＳｉ層２０３を除去していることより、製造工程中の取り扱い時に流路基板２０８が割れるおそれはない。
【００３８】
その後、図３Ｂ（ｅ）に示すように、露出した絶縁層２０２を振動板２１０とし、振動板２１０上に下電極２１１と圧電体薄膜２１２と上電極２１３とを形成する。圧電体薄膜２１２の成膜の際には、まず、流路基板２０８とオリフィスプレート２０７との接合体ををスパッタ装置内に入れる。そして、ＰＺＴをスパッタ法によって下電極２１１上に３μｍの厚さに形成する。その後、上記接合体をスパッタ装置から取り出し、酸素雰囲気中で焼成を行い、ＰＺＴ膜を結晶化させる。これにより、圧電体薄膜２１２が形成される。圧電体薄膜２１２の圧電性を良好にするため、ＰＺＴ薄膜の組成がＰｂ（Ｚｒ0.52Ｔｉ0.48）Ｏ3となるようにする。ＰＺＴ膜の組成としては必ずしも上記組成に限定されず、他の組成であっても構わない。また、ＰＺＴ膜厚は３μｍに限定されるものではない。
【００３９】
その後、圧電体薄膜２１２上に上電極２１３を形成する。続いて、上電極２１３と圧電体薄膜２１２を個別液室２０５に対応するようドライエッチングで加工する。最後に、第２のＳｉ層２０３ａに供給路２０６と連通する共通液室２１４を形成すると、図４に示すようなインクジェットヘッドが完成する。
【００４０】
このように構成された本実施形態のインクジェットヘッドも、下電極２１１と上電極２１３との間に電圧を印加すると圧電体薄膜２１２が変形し、その変形に伴って、絶縁層２０２からなる振動板２１０（図３Ｂ（ｅ）参照）が変形する。すると、振動板２１０が接する個別液室２０５内に貯留されているインク等の液体が加圧され、オリフィスプレート２０７に形成された吐出口２０７ａから液滴として吐出される。
【００４１】
なお、本実施形態では共通液室２１４は２００μｍの厚さの第２のＳｉ層２０３ａに形成したが、第２のＳｉ層２０３ａの厚みを例えば１００μｍ程度に薄くした後に共通液室を形成してもよい。また、第２のＳｉ層２０３ａは必ずしも共通液室２１４を形成するためだけのものではなく、例えば上電極２１３とつながる引き出し電極を第２のＳｉ層２０３ａ上に設けてもよいし、圧電体薄膜２１２を外気から封止するための封止材の一部として利用してもよい。
【００４２】
本実施形態では第１のＳｉ層２０１の厚さは１００μｍであるが、第１のＳｉ層２０１の厚さはその寸法に限られない。所望の個別液室２０５の深さに合わせた厚さの第１のＳｉ層２０１を有するＳＯＩ基板２０４を用いることで、個別液室２０５の深さを適宜選択することができる。
【００４３】
（第３の実施形態）
図５は、本発明の第３の実施形態に係るインクジェットヘッドを模式的に示す斜視図である。
【００４４】
図５に示すように、本実施形態のインクジェットヘッドは、複数の個別液室３１２が形成された流路基板３１３を有している。流路基板３１３は第１のＳＯＩ基板３０４の一部で構成されている。流路基板３１３をなす第１のＳＯＩ基板３０４の第１の絶縁層３０２（図６参照）が形成されている面の上にはＳｉＯ2層３１４が形成され、さらにその上には、そのほぼ全面にわたって下電極３１６が形成されている。さらに、下電極３１６上の各個別液室３１２に対向する位置には、個別液室３１２に沿って長手方向に延びた形状を有する圧電体薄膜３１７が設けられている。各圧電体薄膜３１７上には上電極３１８が設けられている。これらの下電極３１６、圧電体薄膜３１７および上電極３１８によって圧電素子が構成されている。また、流路基板３１３をなす第１のＳＯＩ基板３０４の他方の面上には、吐出口３０６が形成されたオリフィスプレート３０７が設けられている。オリフィスプレート３０７は、第２のＳＯＩ基板３１０の一部で構成されている。
【００４５】
このように構成された本実施形態のインクジェットヘッドによれば、下電極３１６と上電極３１８との間に電圧を印加すると圧電体薄膜３１７が変形し、その変形に伴って、ＳｉＯ2層３１４等からなる振動板３１５（図８Ａ参照）が変形する。すると、振動板３１５が接する個別液室３１２内に貯留されているインク等の液体が加圧され、オリフィスプレート３０７の吐出口３０６から液滴として吐出される。
【００４６】
次に、本実施形態のインクジェットヘッドの製造方法について、図６〜図８Ｂを参照して説明する。
【００４７】
図６Ａ（ａ）に示すように、第１のＳｉ層３０１の厚みが７０μｍ、第１の絶縁層３０２の厚みが１μｍ、第２のＳｉ層３０３の厚みが２００μｍの６インチサイズの第１のＳＯＩ基板３０４を用意する。
【００４８】
続いて、図６Ａ（ｂ）に示すように、第１のＳｉ層３０１側にエッチングマスク３０５を施し、第１の絶縁層３０２をエッチングストップ層としてエッチングを行い、吐出口３０６を形成する。エッチングには、Ｓｉの深堀り技術として知られているＩＣＰエッチング装置を用いる。本実施形態では、エッチングガスとしてＣＦ4とＳＦ6を用いてエッチングを行っている。なお、エッチングマスク３０５はレジストのみで形成してもよいし、ＳｉＯ2やＳｉＯＮで形成してもよい。
【００４９】
次に、図７（ａ）に示すように、第３のＳｉ層３０７の厚みが１００μｍ、第２の絶縁層３０８の厚みが１μｍ、第４のＳｉ層３０９の厚みが２００μｍの６インチサイズの第２のＳＯＩ基板３１０を用意する。
【００５０】
続いて、図７（ｂ）に示すように、第３のＳｉ層３０７側にエッチングマスク３１１を施し、第２の絶縁層３０８をエッチングストップ層としてエッチングを行い、個別液室３１２を形成する。エッチングには、Ｓｉの深堀り技術として知られているＩＣＰエッチング装置を用いる。
【００５１】
次に、図８Ａ（ａ）に示すように、吐出口３０６を形成した第１のＳＯＩ基板３０４と個別液室３１２を形成した第２のＳＯＩ基板３１０とをＳｉの直接接合技術により接合する。本実施形態では、第１のＳＯＩ基板３０４と第２のＳＯＩ基板３１０を共に洗浄し、Ｓｉ層３０１，３０７同士を貼り合せた後に圧力を加えて接合している。なお、接合方法はこれに限られず、Ａｕ膜を介した固相接合技術等を用いてもよい。
【００５２】
続いて、図８Ａ（ｂ）に示すように、第２のＳＯＩ基板３１０の第４のＳｉ層３０９を除去し、第２のＳＯＩ基板３１０の第３のＳｉ層３０７と第２の絶縁層３０８とからなる流路基板３１３を構成する。本実施形態では、ＩＣＰエッチング装置により厚さ２００μｍの第４のＳｉ層３０９を全面除去する。なお、第４のＳｉ層３０９の除去方法は上記に限られず、研磨等で除去しても構わない。
【００５３】
一体となった流路基板３１３と第１のＳＯＩ基板３０４との合計の厚みは約３００μｍであり、製造工程中の取り扱いに問題のない範囲の厚みになっている。
【００５４】
その後、図８Ａ（ｃ）に示すように、第２の絶縁層３０８上にＳｉＯ2層３１４を３μｍの厚さに形成し、第２の絶縁層３０８とＳｉＯ2層３１４とからなる振動板３１５を構成する。なお、振動板３１５はこの形態に限られず、第２の絶縁層３０８のみで構成してもよい。またＳｉＯ2層１１４の代わりにＳｉＯＮやＳｉＮなどの絶縁膜、またはＰｔやＡｕなどの金属膜を形成し、これらと第２の絶縁層３０８とで振動板３１５を構成してもよい。第２の絶縁層３０８上に所望の厚みやヤング率を有する絶縁膜や金属膜をすることで、振動板３１５の厚みや剛性を自由に設計することが可能である。振動板３１５の厚みは上記の厚さに限られず、個別液室３１２の寸法等も考慮して自由な厚みに設計することができる。
【００５５】
続いて、図８Ｂ（ｄ）に示すように、振動板３１５上に下電極３１６と圧電体薄膜３１７と上電極３１８とからなる圧電素子１１９を構成する。
【００５６】
まず、振動板３１５上にＰｔを３００ｎｍの厚さに成膜して下電極３１６を形成する。圧電体薄膜３１７の成膜の際には、まず、第１のＳＯＩ基板３０４と第２のＳＯＩ基板３１０との接合体をスパッタ装置内に入れる。そして、ＰＺＴをスパッタ法によって下電極１１１上に２．８μｍの厚さに形成する。その後、上記接合体をスパッタ装置から取り出し、酸素雰囲気中で焼成を行い、ＰＺＴ膜を結晶化させる。これにより、圧電体薄膜３１７が形成される。圧電体薄膜３１７の圧電性を良好にするため、ＰＺＴ薄膜の組成がＰｂ（Ｚｒ0.52Ｔｉ0.48）Ｏ3となるようにする。ＰＺＴ膜の組成としては必ずしも上記組成に限定されず、他の組成であっても構わない。また、ＰＺＴ膜厚は２．８μｍに限定されるものではない。その後、圧電体薄膜３１７上にＰｔを３００ｎｍの厚さに成膜して上電極３１８を形成する。
【００５７】
その後、図８Ｂ（ｅ）に示すように、上電極３１８と圧電体薄膜３１７を個別液室３１２に対応するようにドライエッチングで加工する。なお、本実施形態では上電極３１８は塩化ホウ素ガスによりエッチングを行い、圧電体薄膜３１７は塩素とフッ素系の混合ガスによりエッチングを行っている。
【００５８】
最後に、第２のＳｉ層３０３と第１の絶縁層３０２をエッチングによって除去すると、図５に示した本実施形態のインクジェットヘッドが完成する。
【００５９】
本実施形態では、第２のＳｉ層３０３をＩＣＰエッチング装置によって全面除去し、続いて第１の絶縁層３０２をＣＦ4ガスを用いて除去した。なお、第１の絶縁層３０２は必ずしもすべて除去する必要はなく、例えば、第２のＳｉ層３０３を除去した後に吐出口３０６に対応する第１の絶縁層３０２のみを除去しても構わない。
【００６０】
また、第２のＳｉ層３０３と第１の絶縁層３０２は、少なくとも吐出口３０６に対応する領域は除去し、その他の領域は除去せずに残すか、または厚み方向の一部のみを除去するような構成にしても構わない。
【００６１】
また、第２のＳｉ層３０３と第１の絶縁層３０２の除去方法は上記に限られず、研磨やアルカリ溶液等によるウエットエッチングを用いても構わない。
【００６２】
なお、個別液室３１２へインクを供給する共通液室２１４は、第３のＳｉ層３０７に個別液室３１２を形成する際に同時に形成してもよいし、第１のＳｉ層３０１側に形成しても構わない。
【００６３】
準備するＳＯＩ基板３０４，３１０の第１のＳｉ層３０１と第３のＳｉ層３０７の厚みを、それぞれ吐出口３０６と個別液室３１２の所望の深さに設定して、吐出口３０６と個別液室３１２を形成することができる。よって、比較的浅い深さの吐出口３０６及び個別液室３１２を形成することができ、所望の吐出性能に合わせた自由度のある液室設計が可能となる。
【００６４】
また、圧電素子３１９の構成時に個別液室３１２及び吐出口３０６は接合されえ閉塞しているので、圧電素子３１９の構成時のレジストやリムーバー等の液体や異物をそれらの中に侵入させることなく圧電素子３１９を作製することができる。さらに、第２のＳｉ層３０３や第１の絶縁層３０２を最後に除去することより、吐出口３０６の表面をエッチング装置等に触れさせて汚すことなく形成することができる。
【００６５】
なお、本実施例では第１のＳｉ層３０１の厚さを７０μｍとし、第３のＳｉ層３０７の厚みを１００μｍとしているが、これらのＳｉ層３０１，３０７の厚さはそれらの寸法に限られない。所望の吐出口３０６の深さに合わせた厚さの第１のＳｉ層３０１を有する第１のＳＯＩ基板３０４を用いることで、吐出口３０６の深さ適宜選択することができる。また、所望の個別液室３１２の深さに合わせた厚さの第３のＳｉ層３０７を有する第２のＳＯＩ基板３１０を用いることで、個別液室３１２の深さを適宜選択することができる。
【００６６】
（第４の実施形態）
次に、図９を参照して、本発明の第４の実施形態について説明する。第４の実施形態は、振動板の形成方法が異なる点を除いて第３の実施形態と同様であるので、以下ではその異なる点について説明する。
【００６７】
図９（ａ）に示すように、本実施形態においても、吐出口４０６が形成された第１のＳＯＩ基板４０４と、個別液室４１２が形成された第２のＳＯＩ基板４１０とのＳｉ層同士を接合させる。
【００６８】
その後、図９（ｂ）に示すように、第２のＳＯＩ基板４１０の第４のＳｉ層４０９を研磨によって薄片化する。本実施形態では２００μｍの厚さの第４のＳｉ層４０９のうちの１９６μｍ分を研磨し、４μｍ分を研磨せずに第２の絶縁層４０８上に残し、第２の絶縁層４０８と４μｍの厚みの第４のＳｉ層４０９ａとを振動板４１５として機能させている。ＳｉＯ2からなる第２の絶縁層４０８とＳｉからなる第４のＳｉ層４０９とで構成された振動板４１５は剛性が高く、所望の吐出性能を得るのに十分な機能を持たすことができる。
【００６９】
また、第４のＳｉ層４０９の研磨はＳｉを機械研磨することで行われ、研磨量の面内均一性もよく高精度な研磨が可能となる。なお、研磨する際に第４のＳｉ層４０９の逆面（第２のＳｉ層４０３）は研磨装置の冶具等に触れることになるが、その冶具等が吐出口４０６に直接触れて吐出口４０６を汚すことはない。
【００７０】
なお、本実施形態では振動板４１５の一部となる第４のＳｉ層４０９ａの厚さを４μｍとしたが、その寸法はこれに限られない。
【００７１】
その後の圧電素子の構成等は第３の実施形態と同様の方法で行い、インクジェットヘッドを作製する。
【００７２】
このような第４の実施形態の製法によっても第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７３】
（第５の実施形態）
次に、図１０Ａ及び図１０Ｂを参照して、本発明の第５の実施形態について説明する。第５の実施形態は、第４のＳｉ層５０９を除去する工程が異なる点を除いて第３の実施形態と同様であるので、以下ではその異なる点について説明する。
【００７４】
図１０Ａ（ａ）に示すように、本実施形態においても、吐出口５０６が形成された第１のＳＯＩ基板４０４と、個別液室５１２が形成された第２のＳＯＩ基板５１０とのＳｉ層同士を接合させる。
【００７５】
その後、図１０Ａ（ｂ）に示すように、少なくとも個別液室５１２の上方に位置する部分の第４のＳｉ層５０９は完全に除去し、その他の一部を除去せずに残して第４のＳｉ層５０９ｂを設けておく。第４のＳｉ層５０９の除去方法としてはＩＣＰによるドライエッチングでもアルカリ溶液によるウエットエッチングでも構わない。また、第４のＳｉ層５０９ｂは厚み方向に一部エッチングを施して、例えば１００μｍ程度の厚みにしても構わない。
【００７６】
その後、図１０Ｂ（ｃ）に示すように、圧電素子５１９を構成し、第２のＳｉ層５０３の除去等を行う。最後に、第４のＳｉ層５０９ｂに個別液室５１２と連通する共通液室５２０を形成することで、インクジェットヘッドが完成する。
【００７７】
なお、第４のＳｉ層５０９ａは必ずしも共通液室５１２を形成するためだけのものではない。例えば圧電素子５１９の上電極とつながる引き出し電極を第４のＳｉ層５０９ａ上に設けてもよいし、圧電素子５１９を外気から封止するための封止材の一部として利用してもよい。個別液室５１２の上方に位置している部分以外の部分の第４のＳｉ層５０９の領域を除去せずに一部残しておくことで、共通液室５２０等を自由に形成することができる。
【００７８】
このような第５の実施形態の製法によっても第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７９】
（第６の実施形態）
図１１は、本発明の第６の実施形態に係るオリフィスプレートを模式的に示す透視斜視図である。図１２は、図１１に示したオリフィスプレートに流路基板が貼り付けられて構成されたインクジェットヘッドを模式的に示す透視斜視図である。
【００８０】
図１１に示すように、本実施形態のオリフィスプレート１１３０は、複数の吐出口１１０１、連通部１１０２、供給口１１０３及び共通液室１１０４が形成されている。
【００８１】
図１２に示すように、供給口１１０３及び連通部１１０２は、オリフィスプレート１１３０とは別に用意される流路基板１１０６に形成された個別液室１１０７とそれぞれ連通する。流路基板１１０６は、個別液室１１０７の上方に位置し、個別液室１１０７の一面となる振動板１１０８を有している。振動板１１０８の上には、下電極、圧電体薄膜および上電極からなるアクチュエータ１１１２が設けられている。このように構成されたインクジェットヘッドによれば、アクチュエータ１１１２が給電されると振動板１１０８が変形させられる。これにより、振動板１１０８が接する個別液室１１０７内に貯留されているインク等の液体が加圧され、連通部１１０２を介して吐出口１１０１から液滴として吐出される。供給口１１０２は、液滴吐出時に流路抵抗の役割を果たす。
【００８２】
次に、本実施形態のインクジェットヘッドの製造方法について、図１３〜図１５を用いて説明する。
【００８３】
最初に、図１３（ａ）に示すように、第１のＳｉ層１１２０の厚みが３０μｍ、第１の絶縁層１１２１の厚みが１μｍ、第２のＳｉ層１１２２の厚みが１５０μｍの６インチサイズの第１のＳＯＩ基板１１２３を用意する。
【００８４】
続いて、図１３（ｂ）に示すように、第１のＳｉ層１１２０側にエッチングマスク１１２４を施し、第１の絶縁層１１２１をエッチングストップ層としてエッチングを行い、吐出口１１０１を形成する。本実施形態では、吐出口１１０１の形状を直径１５μｍの円形形状とした。エッチングには、Ｓｉの深堀り技術として知られているＩＣＰエッチング装置を用いる。本実施形態では、エッチングガスとしてＣＦ4とＳＦ6を用いてエッチングを行っている。
【００８５】
次に、連通部１１０２、供給口１１０３及び共通液室１１０４の加工を行う。
【００８６】
まず、図１４（ａ）に示すように、第３のＳｉ層１１２５の厚みが５０μｍ、第２の絶縁層１１２６の厚みが１μｍ、第４のＳｉ層１１２７の厚みが１５０μｍの６インチサイズの第２のＳＯＩ基板１１２８を用意する。
【００８７】
続いて、図１４（ｂ）に示すように、第３のＳｉ層１１２５側にエッチングマスク１１２９を施し、第２の絶縁層１１２６をエッチングストップ層としてエッチングを行い、連通部１１０２、供給口１１０３及び共通液室１１０４を形成する。本実施形態では、連通部１１０２の形状は直径３０μｍの円形形状とし、供給口１１０３は幅３０μｍで長さ２００μｍの形状とした。エッチングには、Ｓｉの深堀り技術として知られているＩＣＰエッチング装置を用いる。
【００８８】
なお、供給口１１０３や共通液室１１０４は必ずしも第３のＳｉ層１１２５に形成する必要はなく、後述する流路基板側に形成してもよい。また、本実施形態例では吐出口１１０１や連通部１１０２及び供給口１１０３はＩＣＰエッチングにより形成したが、これらの形成手段は必ずしもこれに限る必要はなく、アルカリ溶液を用いたＳｉの異方性エッチングにより形成してもよい。また、エッチングマスク１１２４，１１２９はレジストのみで形成してもよいし、ＳｉＯ2やＳｉＯＮで形成してもよい。
【００８９】
次に、第１及び第３のＳｉ層１１２０，１１２５の上からエッチングマスク１１２４，１１２９をそれぞれ除去する。
【００９０】
その後、図１５（ａ）に示すように、第１のＳＯＩ基板１１２３の第１のＳｉ層１１２０と第２のＳＯＩ基板１１２８の第３のＳｉ層１１２５とを、吐出口１１０１と連通部１１０２とが連通するよう貼り合せて接合する。接合には、Ｓｉの直接接合技術を用いてもよいし、Ｓｉ層の表面に形成したＡｕ膜を介した固相接合技術等を用いてもよい。
【００９１】
続いて、図１５（ｂ）に示すように、第１のＳＯＩ基板１１２３の第２のＳｉ層１１２２と第２のＳＯＩ基板１１２８の第４のＳｉ層１１２７とを、ＩＣＰによるドライエッチングもしくは研磨により除去する。
【００９２】
最後に、図１５（ｃ）に示すように、第１のＳＯＩ基板１１２３の第１の絶縁層１１２１と第２のＳＯＩ基板１１２８の第２の絶縁層１１２６とをバッファードフッ酸溶液によりエッチングし、オリフィスプレート１１３０を作製する。なお、第１及び第２の絶縁層１１２１，１１２６は必ずしもエッチングにより除去する必要はなく、場合によっては除去せずに残したままでも構わない。
【００９３】
続いて、オリフィスプレート１１３０と、上述したアクチュエータ１１１２、振動板１１０８及び個別液室１１０７等が構成された流路基板１１０６とを接合してインクジェットヘッドを作製する（図１２参照）。
【００９４】
吐出口１１０１の深さは、準備する第１のＳＯＩ基板１１２３の第１のＳｉ層１１２０の厚みによって所望の深さに設定することができ、かつ吐出口１１０１の径は第１のＳｉ層１１２０の面内方向で自由に設計することができる。また、吐出口１１０１は、連通部１１０２や供給口１１０３等が形成される第２のＳＯＩ基板１１２８とは別のＳＯＩ基板である第１のＳＯＩ基板１１２３に形成されるので、連通部１１０２や供給口１１０３等の寸法に依存せずに独立して設計することができる。よって、液滴吐出の性能を左右する吐出口１１０１は、所望の吐出性能に合わせて自由にかつ高精度に形成することが可能となる。
【００９５】
同様に、連通部１１０２や供給口１１０３の深さは、準備する第２のＳＯＩ基板１１２８の第３のＳｉ層１１２５の厚みによって所望の深さに設定することができる。また、連通部１１０２や供給口１１０３の径あるいは幅及び長さは、第３のＳｉ層１１２５の面内方向で自由に設計することができる。
【００９６】
なお、本実施形態では第１のＳＯＩ基板１１２３として、第１のＳｉ層１１２０の厚みが３０μｍ、第１の絶縁層１１２１の厚みが１μｍ、第２のＳｉ層１１２２の厚みが１５０μｍの６インチサイズの基板を用いた。しかし、第１のＳＯＩ基板１１２３のサイズはこれに限られず、吐出口１１０１の所望の寸法に合わせて第１のＳＯＩ基板１１２３のサイズを決定することができる。同様に、第２のＳＯＩ基板１１２８のサイズは連通部１１０２や供給口１１０３の所望の寸法に合わせて決定することができる。また、吐出口１１０１、連通部１１０２及び供給口１１０３の各々の寸法は上記の寸法に限定されるものではなく、所望に応じて適宜変更することができる。
【００９７】
（第７の実施形態）
次に、本発明の第７の実施形態に係るオリフィスプレート及びそのオリフィスプレートによって構成されたインクジェットヘッドについて説明する。
【００９８】
図１６Ａ及び図１６Ｂは、本発明の第７の実施形態に係るオリフィスプレート及びそのオリフィスプレートによって構成されたインクジェットヘッドの製造方法を示す図である。本実施形態は、オリフィスプレート１１３０と流路基板１１０６とを接合した後に、第１のＳＯＩ基板１１２３の第２のＳｉ層１１２２を除去する点が異なる他は、第６の実施形態と同様である。したがって、吐出口１１０１、連通部１１０２、供給口１１０３、共通液室１１０４等の構成は第６の実施形態と同様である（図１３〜図１５を参照）。図１６Ａ及び図１６Ｂにおいて、符号は第６の実施形態と同じものを用いている。
【００９９】
本実施形態のインクジェットヘッドの製造方法について説明する。
【０１００】
図１６Ａ（ａ）に示すように、第１のＳＯＩ基板１１２３の第１のＳｉ層１１２０と第２のＳＯＩ基板１１２８の第３のＳｉ層１１２５とを、吐出口１１０１と連通部１１０２とが連通するよう貼り合せて接合する。接合には、Ｓｉの直接接合技術を用いてもよいし、Ｓｉ層の表面に形成したＡｕ膜を介した固相接合技術等を用いてもよい。
【０１０１】
次に、図１６Ａ（ｂ）に示すように、第２のＳＯＩ基板１１２８の第４のＳｉ層１１２７をＩＣＰによるドライエッチングもしくは研磨により除去する。
【０１０２】
続いて、図１６Ａ（ｃ）に示すように、第２のＳＯＩ基板１１２８の第２の絶縁層１１２６をバッファードフッ酸溶液により除去する。
【０１０３】
次に、図１６Ｂ（ｄ）に示すように、第３のＳｉ層１１２５に形成された連通部１１０２と供給口１１０３とを連通させる個別液室１１０７が形成された流路基板１１０６を、Ｓｉの直接接合技術やＡｕ同士の固相接合技術により、第３のＳｉ層１１２５に接合する。なお、アクチュエータ１１１２や振動板１１０８はあらかじめ流路基板１１０６に形成しておいてもよいし、上記の接合後に成膜法や転写法によって流路基板１１０６に形成してもよい。
【０１０４】
最後に、図１６Ｂ（ｅ）に示すように、第１のＳＯＩ基板１１２３の第２のＳｉ層１１２２及び第１の絶縁層１１２１を研磨やウエットエッチングにより除去し、インクジェットヘッドを作製する。なお、第１の絶縁層１１２１は必ずしもエッチングにより除去する必要はなく、場合によっては除去しないで残したままでも構わない。
【０１０５】
本実施形態においても、吐出口１１０１、連通部１１０２及び流路抵抗となる供給口１１０３はそれぞれ所望の吐出性能に合わせて自由にかつ高精度に形成することが可能となる。また、第１のＳＯＩ基板１１２３の第２のＳｉ層１１２２を、第３のＳｉ層１１２５に流路基板１１０６を接合した後に除去することより、吐出口１１０１面は、作製するインクジェットヘッドを把持するチャック（不図示）等で汚されることがない。さらに、吐出口１１０１や連通部１１０２及び個別液室１１０７の深さを浅く形成したい場合でも、第２のＳｉ層１１２２の厚みがある分、作製中のハンドリングが極めて容易となる。
【０１０６】
このような第７の実施形態における構成及び製法によっても、その他は第６の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０７】
＜付記項＞
［付記項１］
液滴を吐出する吐出口に連通する個別液室が形成され、かつ前記個別液室を画定する１つの面を形成する振動板を構成する部材を含む流路基板と、
前記振動板上に設けられ、前記吐出口から前記液体を吐出させるためのエネルギーを前記個別液室中の液体に付与する圧電素子と、
を有するインクジェットヘッドにおいて、
前記流路基板は第１のＳｉ層と絶縁層と第２のＳｉ層とが積層されてなるＳＯＩ基板の一部で構成され、前記個別液室は前記第１のＳｉ層に形成されており、
前記絶縁層は前記振動板の一部または全てを構成していることを特徴とするインクジェットヘッド。
［付記項２］
前記圧電素子は、下電極と圧電体薄膜と上電極とがこの順に前記振動板上に積層されて構成されている、付記項１に記載のインクジェットヘッド。
［付記項３］
前記振動板は、前記絶縁層と前記絶縁層上に形成された金属膜または絶縁膜とで構成されている、付記項１または２に記載のインクジェットヘッド。
［付記項４］
前記振動板は、前記絶縁層と前記第２のＳｉ層の一部とで構成されている、付記項１または２に記載のインクジェットヘッド。
［付記項５］
液滴を吐出する吐出口に連通する個別液室が形成され、かつ前記個別液室を画定する１つの面を形成する振動板を構成する部材を含む流路基板と、
前記振動板上に設けられ、前記吐出口から前記液体を吐出させるためのエネルギーを前記個別液室中の液体に付与する圧電素子と、
を有するインクジェットヘッドの製造方法において、
第１のＳｉ層と絶縁層と第２のＳｉ層とが積層されてなるＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層を前記絶縁層をエッチングストップ層として加工することで、前記第１のＳｉ層に前記個別液室が形成された前記流路基板を構成する工程と、
前記流路基板の前記第１のＳｉ層側の面と、前記吐出口が形成されたオリフィスプレートとを接合する工程と、
前記第２のＳｉ層の一部または全てを除去する工程と、
前記絶縁層によって一部または全てが構成された前記振動板の上に前記圧電素子を構成する工程と、
を有することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
［付記項６］
前記圧電素子を構成する工程は、下電極と圧電体薄膜と上電極とをこの順に前記振動板上に積層することを含む、付記項５に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
［付記項７］
前記第１のＳｉ層に前記個別液室が形成された前記流路基板を構成する工程は、前記第１のＳｉ層をドライエッチングすることを含む、付記項５または６に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
［付記項８］
前記流路基板の前記第１のＳｉ層側の面と、前記吐出口が形成されたオリフィスプレートとを接合する工程は、前記流路基板と前記オリフィスプレートとを直接接合または金属膜を介した固相接合で接合することを含む、付記項５から７のいずれか１項に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
［付記項９］
前記第２のＳｉ層の一部または全てを除去する工程は、ドライエッチングまたは研磨によって行われる、付記項５から８のいずれか１項に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
［付記項１０］
前記振動板を、前記絶縁層と、前記絶縁層上に成膜した金属膜または絶縁膜とで構成することを含む、付記項５から９のいずれか１項に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
［付記項１１］
前記振動板を、前記絶縁層と、前記第２のＳｉ層の一部とで構成することを含む、付記項５から９のいずれか１項に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
［付記項１２］
液滴を吐出する吐出口が形成されたオリフィスプレートと、前記吐出口に連通する個別液室が形成された流路基板とが互いに接合されて構成されているインクジェットヘッドにおいて、
前記オリフィスプレートは第１のＳｉ層と第１の絶縁層と第２のＳｉ層とが積層されてなる第１のＳＯＩ基板の一部で構成され、前記吐出口は前記第１のＳｉ層に形成されており、
前記流路基板は第３のＳｉ層と第２の絶縁層と第４のＳｉ層とが積層されてなる第２のＳＯＩ基板の一部で構成され、前記個別液室は前記第３のＳｉ層に形成されている、
ことを特徴とするインクジェットヘッド。
［付記項１３］
前記個別液室を画定する１つの面を形成する振動板を有しており、該振動板は前記第２の絶縁層で構成されている、付記項１２に記載のインクジェットヘッド。
［付記項１４］
前記個別液室を画定する１つの面を形成する振動板を有しており、該振動板は前記第２の絶縁層と前記第４のＳｉ層の一部とで構成されている、付記項１２に記載のインクジェットヘッド。
［付記項１５］
前記個別液室を画定する１つの面を形成する振動板を有しており、該振動板は前記第２の絶縁層と前記第２の絶縁層上に形成された絶縁膜または金属膜とで構成されている、付記項１２に記載のインクジェットヘッド。
［付記項１６］
前記振動板上に下電極と圧電体薄膜と上電極とがこの順に積層されてなる圧電素子が構成されている、付記項１３から１５のいずれか１項に記載のインクジェットヘッド。
［付記項１７］
液滴を吐出する吐出口が形成されたオリフィスプレートと、前記吐出口に連通する個別液室が形成された流路基板とが互いに接合されて構成されているインクジェットヘッドの製造方法において、
第１のＳｉ層と第１の絶縁層と第２のＳｉ層とが積層されてなる第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層を前記第１の絶縁層をエッチングストップ層として加工することで、前記第１のＳｉ層に前記吐出口が形成された前記オリフィスプレートを構成する工程と、
第３のＳｉ層と第２の絶縁層と第４のＳｉ層とが積層されてなる第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層を前記第２の絶縁層をエッチングストップ層として加工することで、前記第３のＳｉ層に前記個別液室が形成された前記流路基板を構成する工程と、
前記第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層側の面と前記第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層側の面とを接合する工程と、
前記第４のＳｉ層の一部または全てを除去する工程と、
を有することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
［付記項１８］
前記個別液室を画定する１つの面を形成する振動板の一部または全てを前記第２の絶縁層によって構成する工程と、
前記振動板上に下電極と圧電体薄膜と上電極とをこの順に積層して圧電素子を構成する工程と、
を有する付記項１７に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
［付記項１９］
前記圧電素子を構成する工程の後に、前記第２のＳｉ層と、前記第１の絶縁層の一部または全てを除去する工程を有する、付記項１８に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
［付記項２０］
前記第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層側の面と前記第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層側の面とを接合する工程は、前記第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層側の面と前記第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層側の面とを直接接合または金属膜を介した固相接合で接合することを含む、付記項１７から１９のいずれか１項に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
［付記項２１］
前記第４のＳｉ層の一部または全てを除去する工程は、ドライエッチングまたは研磨によって行われる、付記項１７から２０のいずれか１項に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
［付記項２２］
前記第２のＳｉ層を除去する工程は、ドライエッチングまたは研磨によって行われる、付記項１８または１９に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るインクジェットヘッドを模式的に示す斜視図である。
【図２Ａ】本発明の第１の実施形態に係るインクジェットヘッドの製造方法を示す図である。
【図２Ｂ】本発明の第１の実施形態に係るインクジェットヘッドの製造方法を示す図である。
【図３Ａ】本発明の第２の実施形態に係るインクジェットヘッドの製造方法を示す図である。
【図３Ｂ】本発明の第２の実施形態に係るインクジェットヘッドの製造方法を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るインクジェットヘッドを模式的に示す斜視図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係るインクジェットヘッドを模式的に示す斜視図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係るインクジェットヘッドの製造方法を示す図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係るインクジェットヘッドの製造方法を示す図である。
【図８Ａ】本発明の第３の実施形態に係るインクジェットヘッドの製造方法を示す図である。
【図８Ｂ】本発明の第３の実施形態に係るインクジェットヘッドの製造方法を示す図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係るインクジェットヘッドの製造方法を示す図である。
【図１０Ａ】本発明の第５の実施形態に係るインクジェットヘッドの製造方法を示す図である。
【図１０Ｂ】本発明の第５の実施形態に係るインクジェットヘッドの製造方法を示す図である。
【図１１】本発明の第６の実施形態に係るオリフィスプレートを模式的に示す透視斜視図である。
【図１２】図１１に示したオリフィスプレートに流路基板が貼り付けられて構成されたインクジェットヘッドを模式的に示す透視斜視図である。
【図１３】本発明の第６の実施形態に係るオリフィスプレートの製造方法を示す図である。
【図１４】本発明の第６の実施形態に係るオリフィスプレートの製造方法を示す図である。
【図１５】本発明の第６の実施形態に係るオリフィスプレートの製造方法を示す図である。
【図１６Ａ】本発明の第７の実施形態に係るオリフィスプレート及びインクジェットヘッドの製造方法を示す図である。
【図１６Ｂ】本発明の第７の実施形態に係るオリフィスプレート及びインクジェットヘッドの製造方法を示す図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１０１    第１のＳｉ層
１０２    絶縁層
１０３    第２のＳｉ層
１０４    ＳＯＩ基板
１０６    個別液室
１０７    オリフィスプレート
１０７ａ  吐出口
１０８    流路基板
１０９    ＳｉＯ2層
１１０    振動板
１１１    下電極
１１２    圧電体薄膜
１１３    上電極
【図１】
2008110595.tif 000003
【図２Ａ】
2008110595.tif 000004
【図２Ｂ】
2008110595.tif 000005
【図３Ａ】
2008110595.tif 000006
【図３Ｂ】
2008110595.tif 000007
【図４】
2008110595.tif 000008
【図５】
2008110595.tif 000009
【図６】
2008110595.tif 000010
【図７】
2008110595.tif 000011
【図８Ａ】
2008110595.tif 000012
【図８Ｂ】
2008110595.tif 000013
【図９】
2008110595.tif 000014
【図１０Ａ】
2008110595.tif 000015
【図１０Ｂ】
2008110595.tif 000016
【図１１】
2008110595.tif 000017
【図１２】
2008110595.tif 000018
【図１３】
2008110595.tif 000019
【図１４】
2008110595.tif 000020
【図１５】
2008110595.tif 000021
【図１６Ａ】
2008110595.tif 000022
【図１６Ｂ】
2008110595.tif 000023
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月6日(2007.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴を吐出する吐出口に連通する液室を有するインクジェットヘッドの製造方法において、
第１のＳｉ層と絶縁層と第２のＳｉ層とがこの順に積層されてなるＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層を、前記絶縁層をエッチングストップ層としてエッチングすることで、前記第１のＳｉ層に前記液室を形成する工程と、
前記第２のＳｉ層の一部または全てを除去する工程と、
を有することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記ＳＯＩ基板として、前記第１のＳｉ層が前記第２のＳｉ層より厚さが薄いものを用いる請求項１に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記液室を形成する工程と前記除去する工程との間に、前記第１のＳｉ層と前記吐出口が形成されたオリフィスプレートとを接合する工程を更に有する請求項１に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第１のＳｉ層と前記オリフィスプレートとを接合する工程において、前記第１のＳｉ層と前記オリフィスプレートとを直接接合または金属膜を介した固相接合で接合する請求項３に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記除去する工程の後に、前記吐出口から液滴を吐出するためのエネルギーを発生する圧電素子を前記絶縁層の上に形成する工程を更に有する請求項１に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項６】
液滴を吐出する吐出口に連通する液室を有するインクジェットヘッドの製造方法において、
第１のＳｉ層と第１の絶縁層と第２のＳｉ層とがこの順に積層されてなる第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層を前記第１の絶縁層をエッチングストップ層としてエッチングすることで、前記第１のＳｉ層に前記吐出口を形成する工程と、
第３のＳｉ層と第２の絶縁層と第４のＳｉ層とがこの順に積層されてなる第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層を前記第２の絶縁層をエッチングストップ層としてエッチングすることで、前記第３のＳｉ層に前記液室を形成する工程と、
前記第１のＳｉ層と前記第３のＳｉ層とを、前記吐出口と前記液室とが対応する様に接合する工程と、
を有することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記接合する工程の後に、
前記第４のＳｉ層の一部または全てを除去する工程と、
前記吐出口から液滴を吐出するためのエネルギーを発生する圧電素子を前記第２の絶縁層の上に形成する工程と、
を更に有する請求項６に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記接合する工程は、前記第１のＳｉ層と前記第３のＳｉ層とを直接接合または金属膜を介した固相接合で接合する請求項６に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項９】
液滴を吐出する吐出口と、該吐出口に連通する連通部とを有するオリフィスプレートの製造方法において、
第１のＳｉ層と第１の絶縁層と第２のＳｉ層とがこの順に積層されてなる第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層を、前記第１の絶縁層をエッチングストップ層としてエッチングすることで、前記第１のＳｉ層に前記吐出口を形成する工程と、
第３のＳｉ層と第２の絶縁層と第４のＳｉ層とがこの順に積層されてなる第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層を、前記第２の絶縁層をエッチングストップ層としてエッチングすることで、前記第３のＳｉ層に前記連通部を形成する工程と、
前記第１のＳｉ層と前記第３のＳｉ層とを接合する工程と、
前記第２のＳｉ層及び前記第４のＳｉ層を除去する工程と、
を有することを特徴とするオリフィスプレートの製造方法。
【請求項１０】
前記第２のＳｉ層及び前記第４のＳｉ層を除去する工程の後に、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を除去する工程を更に有する請求項９に記載のオリフィスプレートの製造方法。
【請求項１１】
液滴を吐出する吐出口と該吐出口に連通する連通部とを有するオリフィスプレートと、前記連通部に連通する液室が形成された流路基板と、を有するインクジェットヘッドの製造方法において、
第１のＳｉ層と第１の絶縁層と第２のＳｉ層とがこの順に積層されてなる第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層を前記第１の絶縁層をエッチングストップ層としてエッチングすることで、前記第１のＳｉ層に前記吐出口を形成する工程と、
第３のＳｉ層と第２の絶縁層と第４のＳｉ層とがこの順に積層されてなる第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層を前記第２の絶縁層をエッチングストップ層としてエッチングすることで、前記第３のＳｉ層に前記連通部を形成する工程と、
前記第１のＳｉ層と前記第３のＳｉ層とを接合する工程と、
前記第４のＳｉ層を除去する工程と、
前記第３のＳｉ層と前記流路基板とを、前記連通部と前記液室とが対応する様に接合する工程と、
前記第２のＳｉ層を除去する工程と、
を有することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、液滴を吐出する吐出口とこれに連通する個別液室を備え、この個別液室の一部を構成する振動板に、時間とともに推移する変位を与えることにより液滴を吐出させる圧電体を用いたインクジェットヘッドの製造方法等に関する。本発明によるインクジェットヘッドは、紙、布、革、不織布、ＯＨＰシート等に印刷するインクジェット記録装置や、基板、板材等の固体物に液体を付着させるパターニング装置や塗布装置等に適用可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そこで本発明は、個別液室の深さを浅く形成することができるインクジェットヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、液体の流路構成をより高精度に形成することができるオリフィスプレートの製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明のインクジェットヘッドの製造方法は、液滴を吐出する吐出口に連通する液室を有するインクジェットヘッドの製造方法において、第１のＳｉ層と絶縁層と第２のＳｉ層とがこの順に積層されてなるＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層を、前記絶縁層をエッチングストップ層としてエッチングすることで、前記第１のＳｉ層に前記液室を形成する工程と、前記第２のＳｉ層の一部または全てを除去する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の他のインクジェットヘッドの製造方法は、液滴を吐出する吐出口に連通する液室を有するインクジェットヘッドの製造方法において、第１のＳｉ層と第１の絶縁層と第２のＳｉ層とがこの順に積層されてなる第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層を前記第１の絶縁層をエッチングストップ層としてエッチングすることで、前記第１のＳｉ層に前記吐出口を形成する工程と、第３のＳｉ層と第２の絶縁層と第４のＳｉ層とがこの順に積層されてなる第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層を前記第２の絶縁層をエッチングストップ層としてエッチングすることで、前記第３のＳｉ層に前記液室を形成する工程と、前記第１のＳｉ層と前記第３のＳｉ層とを、前記吐出口と前記液室とが対応する様に接合する工程と、を有することを特徴とする。
さらに、本発明の他のインクジェットヘッドの製造方法は、液滴を吐出する吐出口と該吐出口に連通する連通部とを有するオリフィスプレートと、前記連通部に連通する液室が形成された流路基板と、を有するインクジェットヘッドの製造方法において、第１のＳｉ層と第１の絶縁層と第２のＳｉ層とがこの順に積層されてなる第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層を前記第１の絶縁層をエッチングストップ層としてエッチングすることで、前記第１のＳｉ層に前記吐出口を形成する工程と、第３のＳｉ層と第２の絶縁層と第４のＳｉ層とがこの順に積層されてなる第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層を前記第２の絶縁層をエッチングストップ層としてエッチングすることで、前記第３のＳｉ層に前記連通部を形成する工程と、前記第１のＳｉ層と前記第３のＳｉ層とを接合する工程と、前記第４のＳｉ層を除去する工程と、前記第３のＳｉ層と前記流路基板とを、前記連通部と前記液室とが対応する様に接合する工程と、前記第２のＳｉ層を除去する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記目的を達成するため、本発明のオリフィスプレートの製造方法は、液滴を吐出する吐出口と、該吐出口に連通する連通部とを有するオリフィスプレートの製造方法において、第１のＳｉ層と第１の絶縁層と第２のＳｉ層とがこの順に積層されてなる第１のＳＯＩ基板の前記第１のＳｉ層を、前記第１の絶縁層をエッチングストップ層としてエッチングすることで、前記第１のＳｉ層に前記吐出口を形成する工程と、第３のＳｉ層と第２の絶縁層と第４のＳｉ層とがこの順に積層されてなる第２のＳＯＩ基板の前記第３のＳｉ層を、前記第２の絶縁層をエッチングストップ層としてエッチングすることで、前記第３のＳｉ層に前記連通部を形成する工程と、前記第１のＳｉ層と前記第３のＳｉ層とを接合する工程と、前記第２のＳｉ層及び前記第４のＳｉ層を除去する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記本発明のインクジェットヘッドの製造方法によれば、個別液室の深さを浅く形成することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、上記本発明のオリフィスプレートの製造方法によれば、液体の流路構成をより高精度に形成することができる。