(57)【要約】【課題】複数の蒸発源から蒸着材料を蒸発させる蒸着技術において、全ての蒸発源による目標の成膜レートへの制御を迅速に収束させること。【解決手段】本発明は、蒸着材料Ｍを収納する複数のポッドＰ１〜Ｐ３と、複数のポッドＰ１〜Ｐ３から蒸発する蒸着材料Ｍの被着膜厚を温度によって各々制御する複数の温度制御部１１〜１３とを備えており、複数の温度制御部１１〜１３のうち一の温度制御部による一のポッドの温度制御を行うにあたり、他のポッドから蒸発する蒸着材料Ｍの一のポッドの担当領域に対する影響度合いを反映した温度制御を行う蒸着装置である。【選択図】図１
2008291320.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着材料を収納する複数の蒸発源と、
前記複数の蒸発源から蒸発する前記蒸着材料の被着膜厚を温度によって各々制御する複数の温度制御手段とを備えており、
前記複数の温度制御手段のうち一の温度制御手段による一の蒸発源の温度制御を行うにあたり、他の蒸発源から蒸発する前記蒸着材料の前記一の蒸発源の担当領域に対する影響度合いを反映した温度制御を行う
ことを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
前記一の温度制御手段は、前記他の蒸発源から蒸発する前記蒸着材料の影響度合いを表す所定の係数を用いて温度制御を行う
ことを特徴とする請求項１記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記所定の係数は、前記一の蒸発源と前記他の蒸発源との距離に応じた値である
ことを特徴とする請求項２記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記一の温度制御手段は、前記所定の係数と前記他の蒸発源の温度との関係から求まる前記蒸発材料の蒸着膜厚を差し引く演算によって設定温度を決定する
ことを特徴とする請求項２記載の蒸着装置。
【請求項５】
蒸着材料を収納する蒸発源、前記蒸発源から担当領域に蒸着される前記蒸着材料の膜厚を検出する膜厚検出手段、および前記膜厚検出手段によって検出した膜厚に応じて前記蒸発源の温度をフィードバック制御する温度制御手段を備える蒸着ユニットを複数備える蒸着装置において、
複数の前記蒸着ユニットのうち一の蒸着ユニットにおける温度制御手段は、他の蒸着ユニットが当該一の蒸着ユニットの担当領域に与える前記蒸着材料の影響度合いを反映した温度制御を行う
ことを特徴とする蒸着装置。
【請求項６】
前記一の蒸着ユニットにおける温度制御手段は、前記他の蒸着ユニットの温度検出手段で検出した温度から当該他の蒸着ユニットの蒸着源から前記一の蒸着ユニットの担当領域に蒸着されると予測される前記蒸着材料の蒸着膜厚を差し引く演算によって設定温度を決定する
ことを特徴とする請求項５記載の蒸着装置。
【請求項７】
蒸着材料を収納する複数の蒸発源の温度を制御して、各蒸発源から前記蒸着材料を蒸発させる蒸着方法において、
前記複数の蒸発源のうち一の蒸発源の温度制御を行うにあたり、他の蒸発源から蒸発する前記蒸着材料の前記一の蒸発源の担当領域に対する影響度合いを反映した温度制御を行う
ことを特徴とする蒸着方法。
【請求項８】
前記他の蒸発源から蒸発する前記蒸着材料の前記一の蒸発源の担当領域に対する影響度合いを予め所定の係数として取り込んでおき、当該係数を用いた演算によって前記一の蒸発源の設定温度を決定する
ことを特徴とする請求項７記載の蒸着方法。
【請求項９】
蒸着材料を収納する複数の蒸発源の温度を制御して、各蒸発源から前記蒸着材料を蒸発させ、蒸着膜を形成する工程を有する表示装置の製造方法法において、
前記複数の蒸発源のうち一の蒸発源の温度制御を行うにあたり、他の蒸発源から蒸発する前記蒸着材料の前記一の蒸発源の担当領域に対する影響度合いを反映した温度制御を行う
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の蒸発源の温度制御を行って蒸着材料を蒸発させ、成膜を行う蒸着装置および蒸着方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に対する所定材料の成膜技術である蒸着は、蒸着材料を加熱することで蒸発させ、対向する基板に向けて一様に蒸着材料を付着する方法である。近年では、有機ＥＬ表示装置の製造における各種薄膜の形成に用いられており、大面積で均一な薄膜を形成する技術が望まれている。ここで、幅広領域への蒸着を行う技術として、特許文献１〜３が挙げられる。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２９７５７０号公報
【特許文献２】特開２００３−３１７９５７号公報
【特許文献３】特開２００４−２３２０９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、複数の蒸着源を用いて蒸着を行う装置および方法において、各蒸着源に対する個別の温度制御は行うものの、従来の技術では、他の蒸着源に対する影響を考慮した温度制御は行われておらず、成膜レートを各蒸着源についてフィードバック制御する際、全ての蒸着源のレートバランスがとれるまで多くの時間を要するという問題が生じている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明はこのような課題を解決するために成されたものである。すなわち、本発明は、蒸着材料を収納する複数の蒸発源と、複数の蒸発源から蒸発する蒸着材料の被着膜厚を温度によって各々制御する複数の温度制御手段とを備えており、複数の温度制御手段のうち一の温度制御手段による一の蒸発源の温度制御を行うにあたり、他の蒸発源から蒸発する蒸着材料の一の蒸発源の担当領域に対する影響度合いを反映した温度制御を行う蒸着装置である。
【０００６】
このような本発明では、一の蒸発源の温度制御を行うにあたり、他の蒸発源から蒸発する蒸着材料の一の蒸発源の担当領域に対する影響度合いを反映させた温度制御を行うことから、一の蒸発源の担当領域に他の蒸発源から飛散する蒸着材料の量を加味した温度制御を実現できる。
【０００７】
すなわち、複数の蒸発源を備える蒸着装置では、各蒸着源が担当する領域にはその蒸着源のみならず他の蒸着源からも蒸着材料が飛散してくる。本発明では、このような他の蒸着源からの蒸着材料の飛散を考慮して、その影響度を先行して打ち消しながら制御できるようになる。
【０００８】
本発明では、他の蒸発源から蒸発する蒸着材料の影響度合いとして、所定の係数を用いた演算によって制御温度を決定する。この係数は、一の蒸発源と他の蒸発源との距離に応じた値である。一の温度制御手段は、この係数と他の蒸発源の温度との関係から求まる蒸発材料の蒸着膜厚を差し引く演算によって設定温度を決定する。
【０００９】
より具体的な本発明の構成としては、蒸着材料を収納する蒸発源、蒸発源から担当領域に蒸着される蒸着材料の膜厚を検出する膜厚検出手段、および膜厚検出手段によって検出した膜厚に応じて蒸発源の温度をフィードバック制御する温度制御手段を備える蒸着ユニットを複数備える蒸着装置であり、この複数の蒸着ユニットのうち一の蒸着ユニットにおける温度制御手段での温度制御として、他の蒸着ユニットが一の蒸着ユニットの担当領域に与える蒸着材料の影響度合いを反映した温度制御を行うものである。
【００１０】
また、本発明は、蒸着材料を収納する複数の蒸発源の温度を制御して、各蒸発源から蒸着材料を蒸発させる蒸着方法であり、複数の蒸発源のうち一の蒸発源の温度制御を行うにあたり、他の蒸発源から蒸発する蒸着材料の一の蒸発源の担当領域に対する影響度合いを反映した温度制御を行うものである。
【００１１】
このような本発明では、一の蒸発源の温度制御を行うにあたり、他の蒸発源から蒸発する蒸着材料の一の蒸発源の担当領域に対する影響度合いを反映させた温度制御を行うことから、一の蒸発源の担当領域に他の蒸発源から飛散する蒸着材料の量を加味した温度制御を行うことができる。
【００１２】
特に、本発明では、他の蒸発源から蒸発する蒸着材料の一の蒸発源の担当領域に対する影響度合いを予め所定の係数として取り込んでおき、この係数を用いた演算によって一の蒸発源の設定温度を決定する方法である。これにより、他の蒸着源からの蒸着材料の飛散による影響度合いを、予め取り込んだ係数によって演算し、その影響度を先行して打ち消しながら制御できるようになる。
【００１３】
また、本発明は、蒸着材料を収納する複数の蒸発源の温度を制御して、各蒸発源から蒸着材料を蒸発させ、蒸着膜を形成する工程を有する表示装置の製造方法法において、複数の蒸発源のうち一の蒸発源の温度制御を行うにあたり、他の蒸発源から蒸発する蒸着材料の一の蒸発源の担当領域に対する影響度合いを反映した温度制御を行う表示装置の製造方法でもある。
【００１４】
このような本発明では、一の蒸発源の温度制御を行うにあたり、他の蒸発源から蒸発する蒸着材料の一の蒸発源の担当領域に対する影響度合いを反映させた温度制御を行うことから、一の蒸発源の担当領域に他の蒸発源から飛散する蒸着材料の量を加味した温度制御によって蒸着膜を形成することができる。
【発明の効果】
【００１５】
したがって、本発明によれば次のような効果がある。すなわち、複数の蒸発源から蒸着材料を蒸発させる蒸着技術において、全ての蒸発源による目標の成膜レートへの制御を迅速に収束させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図に基づき説明する。図１は、本実施形態に係る蒸着装置を説明する模式図である。すなわち、本実施形態に係る蒸着装置は、蒸着材料Ｍを収納する複数の蒸発源であるポッドＰ１〜Ｐ３と、複数のポッドＰ１〜Ｐ３より蒸発する蒸着材料の被着膜厚を温度によって各々制御する複数の温度制御部１１〜１３とを備えるものである。
【００１７】
なお、本実施形態では、ポッドＰ１〜Ｐ３として蒸着の幅方向（ノズル３０の長手方向）に沿って左、中央、右の３つを備え、各ポッドＰ１〜Ｐ３に対応して温度制御部１１〜１３が設けられている蒸着装置を例とする。
【００１８】
このポッドＰ１〜Ｐ３の各々に対応して各ポッドＰ１〜Ｐ３の蒸着の担当領域での被着膜厚を検出する膜厚検出器Ｓ１〜Ｓ３が設けられている。ここで、一つのポッド、それに対応する温度検出器および温度制御部によって一つの蒸着ユニットが構成され、本実施形態では、この蒸着ユニットが３つ設けられたものとなっている。
【００１９】
また、蒸着材料Ｍとしては、主として有機材料であり、有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置の製造に適した蒸着装置となっている。
【００２０】
ポッドＰ１〜Ｐ３は、ステンレス等の金属製の容器であり、内部に蒸着材料Ｍを所定量収納できるようになっている。ポッドＰ１〜Ｐ３は蒸着材料Ｍの補充のために着脱可能に取り付けられている。ポッドＰ１〜Ｐ３には、蒸着材料Ｍを所定の温度に加熱するためのヒータが設けられ、また、蒸着材料Ｍの温度を測定するための温度検出器も設けられている。
【００２１】
ポッドＰ１〜Ｐ３の図中上部にある流出口は、蒸着の幅方向に延設されるノズルＮと接続されている。ノズルＮの内部におけるポッドＰ１〜Ｐ３の流出口付近には分散板が配置されており、流出口から飛散する蒸着材料Ｍの流れを拡散させる役目を果たしている。これにより、蒸着材料Ｍが飛散方向の特定箇所に多く蒸着されることを防ぎ、均一な膜を形成できるようになっている。
【００２２】
ノズルＮから蒸着方向に向けた対向位置には、各ポッドＰ１〜Ｐ３が蒸着を担当する領域（担当領域）での被着膜厚を検出する膜厚検出器Ｓ１〜Ｓ３が配置されている。本実施形態では、左のポッドＰ１の担当領域（Ｌ担当領域）での被着膜厚を測定するＬｃｈ膜厚検出器Ｓ１、中央のポッドＰ２の担当領域（Ｃ担当領域）での被着膜厚を測定するＣｃｈ膜厚検出器Ｓ２、右のポッドＰ３の担当領域（Ｒ担当領域）での被着膜厚を測定するＲｃｈ膜厚検出器Ｓ３の３つが設けられている。
【００２３】
各膜厚検出器Ｓ１〜Ｓ３では、各々の担当領域についての測定した蒸着材料Ｍの被着膜厚の検出値を制御系１０に送っている。制御系１０には、各ポッドＰ１〜Ｐ３の温度を各々制御する３つの温度制御部１１〜１３が設けられている。温度制御部１１〜１３では、この膜厚の検出値に基づき蒸着量をフィードバック制御するため、蒸着量をポッドＰ１〜Ｐ３の温度に換算して、ポッドＰ１〜Ｐ３のヒータへの供給電力を制御している。
【００２４】
ここで、本実施形態のような複数のポッドＰ１〜Ｐ３を備える蒸着装置での蒸着レートについて説明する。図１に示すノズルＮの図中上側に記載されるグラフは各ポッドに対応した蒸着レートおよび全体の蒸着レートを示している。左のポッドＰ１に対応した蒸着レートはＰＦ−Ｌ、中央のポッドＰ２に対応した蒸着レートはＰＦ−Ｃ、右のポッドＰ３に対応した蒸着レートはＰＦ−Ｒ、全体の蒸着レートはＰＦ−ＡＬＬである。
【００２５】
例えば、左のポッドＰ１に対応した蒸着レートＰＦ−Ｌでは、左のポッドＰ１の正面部分が一番レートが高く、右側に行くにつれてレートが低くなっている。また、中央のポッドＰ２に対応した蒸着レートＰＦ−Ｃでは、中央のポッドＰ２の正面部分が一番レートが高く、左側および右側に行くにつれてレートが低くなっている。さらに、右のポッドＰ３に対応した蒸着レートＰＦ−Ｒでは、右のポッドＰ３の正面部分が一番レートが高く、左側に行くにつれてレートが低くなっている。
【００２６】
全体の蒸着レートＰＦ−ＡＬＬは、各ポッドＰ１〜Ｐ３に対応した蒸着レートＰＦ−Ｌ、ＰＦ−Ｃ、ＰＦ−Ｒの合成となっており、各ポッドＰ１〜Ｐ３に対応した蒸着レートＰＦ−Ｌ、ＰＦ−Ｃ、ＰＦ−Ｒより均一性が高くなっているものの、各ポッドＰ１〜Ｐ３の正面位置が若干レートが高くなっている。
【００２７】
全体の蒸着レートＰＦ−ＡＬＬは、各ポッドＰ１〜Ｐ３に対応した蒸着レートＰＦ−Ｌ、ＰＦ−Ｃ、ＰＦ−Ｒの合成で決まるが、各ポッドＰ１〜Ｐ３の担当領域について見ると、ポッドＰ１〜Ｐ３の自らが担当する領域には、他のポッドからの蒸着レートも寄与していることが分かる。例えば、左のポッドＰ１の担当領域であるＬ担当領域では、左のポッドＰ１による蒸着レートの寄与分が最も高いが、次に中央のポッドＰ２による蒸着レートの寄与分が高く、その次に右のポッドＰ３による蒸着レートの寄与分も含まれている。
【００２８】
また、中央のポッドＰ２の担当領域であるＣ担当領域では、中央のポッドＰ２による蒸着レートの寄与分が最も高く、次に左のポッドＰ１および右のポッドＰ３による蒸着レートの寄与分が同じだけ含まれている。
【００２９】
また、右のポッドＰ３の担当領域であるＲ担当領域では、右のポッドＰ３による蒸着レートの寄与分が最も高いが、次に中央のポッドＰ２による蒸着レートの寄与分が高く、その次に左のポッドＰ１による蒸着レートの寄与分も含まれている。
【００３０】
このように、各ポッドＰ１〜Ｐ３における各担当領域では、自らのポッド以外のポッドからも、距離に応じた分の蒸着レートが寄与しており、あるポッドについて単独で温度制御して蒸着レートを変更しても、他のポッドの担当領域に対して影響を及ぼすことになり、これによって全体の蒸着レートＰＦ−ＡＬＬを安定させるまでに多くの時間を要する原因となっている。
【００３１】
ここで、理想的には全体の蒸着レートＰＦ−ＡＬＬが均一であることが望ましいが、各ポッドＰ１〜Ｐ３の正面位置のレートの高さが同じとなることで、十分な膜厚均一性を得ることができる。そこで、本実施形態では、各ポッドＰ１〜Ｐ３の正面位置のレートを迅速に揃える制御が特徴となっている。
【００３２】
次に、本実施形態に係る蒸着方法を具体的に説明する。図２は、本実施形態に係る蒸着方法で用いる制御パラメータを示す模式図、図３は、制御系の各温度制御部の構成を説明するブロック図である。
【００３３】
本実施形態に係る蒸着方法は、複数のポッドＰ１〜Ｐ３のうち、一のポッドの温度制御を行うにあたり、他のポッド（少なくとも１つのポッド）から蒸発する蒸着材料の、一のポッドの担当領域に対する影響度合いを反映した温度制御を行うものである。
【００３４】
この一のポッドの担当領域に対する影響度合いを係数として予め求めておき、温度制御を行う際にこの係数を用いた演算を行う。
【００３５】
図２に示すノズルＮの図中上側に記載の矢印と符号（ａ〜ｆ）は、各ポッドが他のポッドの担当領域へ及ぼす影響度合いを示す係数である。すなわち、符号ａは、ポッドＰ１がポッドＰ２の担当領域へ及ぼす影響度合い、符号ｂは、ポッドＰ１がポッドＰ３の担当領域へ及ぼす影響度合い、符号ｃは、ポッドＰ２がポッドＰ１の担当領域へ及ぼす影響度合い、符号ｄは、ポッドＰ２がポッドＰ３の担当領域へ及ぼす影響度合い、符号ｅは、ポッドＰ３がポッドＰ１の担当領域へ及ぼす影響度合い、符号ｆは、ポッドＰ３がポッドＰ２の担当領域へ及ぼす影響度合いを各々示している。
【００３６】
各ポッドＰ１〜Ｐ３に設けられた温度検出器（図中丸印）は各ポッドＰ１〜Ｐ３の温度、Ｌ温度、Ｃ温度、Ｒ温度を検出して制御系１０へ送る。また、各ポッドＰ１〜Ｐ３に対応した担当領域での蒸着材料の被着膜厚を膜厚検出器Ｓ１〜Ｓ３で検出し、Ｌｃｈ膜厚、Ｃｃｈ膜厚、Ｒｃｈ膜厚として制御系１０へ送る。制御系１０は、各入力パラメータに基づき所定の演算を行って、各ポッドＰ１〜Ｐ３のヒータに対する供給電力（Ｌヒータ電力、Ｃヒータ電力、Ｒヒータ電力）を出力する。この演算を行う際、先に示した係数（ａ〜ｆ）を用い、あるポッドの温度制御で他のポッドの影響度合いを反映させた演算を行うようにしている。
【００３７】
図３に示すように、制御系１０には、各ポッドに対応した温度制御部１１〜１３が設けられている。左のポッドＰ１に対応する温度制御部１１は、レート指令と実レートであるＬｃｈ膜厚（膜厚検出器Ｓ１での膜厚検出値）とを用いたＰＩＤ演算を行うレートＰＩＤ１１１０と、他のポッドＰ２、Ｐ３の影響度合いの係数（ｃ，ｅ）を用いた温度換算の演算を行う演算部１１２０と、温度指令と実温度であるＬ温度（温度検出器での温度検出値）とを用いたＰＩＤ演算を行う温度ＰＩＤ１１３０と、温度演算値に基づきヒータへの電力（Ｌヒータ電力）を出力する電力増幅器１１４０とを備えている。
【００３８】
また、中央のポッドＰ２に対応する温度制御部１２は、レート指令と実レートであるＣｃｈ膜厚（膜厚検出器Ｓ２での膜厚検出値）とを用いたＰＩＤ演算を行うレートＰＩＤ１２１０と、他のポッドＰ１、Ｐ３の影響度合いの係数（ａ，ｆ）を用いた温度換算の演算を行う演算部１２２０と、温度指令と実温度であるＣ温度（温度検出器での温度検出値）とを用いたＰＩＤ演算を行う温度ＰＩＤ１２３０と、温度演算値に基づきヒータへの電力（Ｃヒータ電力）を出力する電力増幅器１２４０とを備えている。
【００３９】
また、右のポッドＰ３に対応する温度制御部１３は、レート指令と実レートであるＲｃｈ膜厚（膜厚検出器Ｓ３での膜厚検出値）とを用いたＰＩＤ演算を行うレートＰＩＤ１３１０と、他のポッドＰ１、Ｐ２の影響度合いの係数（ｂ，ｄ）を用いた温度換算の演算を行う演算部１３２０と、温度指令と実温度であるＲ温度（温度検出器での温度検出値）とを用いたＰＩＤ演算を行う温度ＰＩＤ１３３０と、温度演算値に基づきヒータへの電力（Ｒヒータ電力）を出力する電力増幅器１３４０とを備えている。
【００４０】
上記構成から成る各温度制御部１１〜１３は、種々の入力パラメータを用いて次のような演算により制御のための温度指令を求める。すなわち、レートＰＩＤ出力に下記の処理を施して温度指令を出力する。
【００４１】
左のポッドＰ１の温度指令Ｔｌ＝Ratel(ＰＩＤ演算結果)−Ｔｃ×ｃ−Ｔｒ×e
中央のポッドＰ２の温度指令Ｔｃ＝Ratec(ＰＩＤ演算結果)−Ｔl×a−Ｔｒ×f
右のポッドＰ３の温度指令Ｔｒ＝Rater(ＰＩＤ演算結果)−Ｔl×b−Ｔc×d
【００４２】
上記の演算によって、他のポッドによる蒸着の影響を予め相殺した温度指令を出すことができる。
【００４３】
次に、各ポッドの他のポッドへの影響度合いを示す係数の決定手法について説明する。
【００４４】
先ず、全てのポッドＰ１〜Ｐ３の蒸着レートが揃った状態で、左のポッドＰ１だけ昇温（ΔＴｌ）し、安定した状態で各ポッドＰ１〜Ｐ３の蒸着レート変化分ΔＲａｔｅｌ、ΔＲａｔｅｃ、ΔＲａｔｅｒを膜厚検出器Ｓ１〜Ｓ３で測定する。
【００４５】
次に、以下の換算式によって、蒸着レートを温度変化に換算する。
ΔＲａｔｅｌ＝２(ΔTl/10)
ΔＲａｔｅｃ＝２(ΔTc/10)
ΔＲａｔｅr＝２(ΔTr/10)
【００４６】
そして、上記換算式より、係数ａ、ｂを以下の式によって算出する。
ａ＝ΔＴｃ／ΔＴｌ＝ｌn（ΔＲａｔｅｃ）／ｌn(ΔＲａｔｅｌ)
ｂ＝ΔＴr／ΔＴｌ＝ｌn（ΔＲａｔｅr）／ｌn(ΔＲａｔｅｌ)
【００４７】
また、同様に、全てのポッドＰ１〜Ｐ３の蒸着レートが揃った状態で、中央のポッドＰ２だけ昇温（ΔＴｃ）し、安定した状態で各ポッドＰ１〜Ｐ３の蒸着レート変化分ΔＲａｔｅｌ、ΔＲａｔｅｃ、ΔＲａｔｅｒを膜厚検出器Ｓ１〜Ｓ３で測定する。
【００４８】
そして、上記換算式より、係数ｃ、ｄを以下の式によって算出する。
ｃ＝ΔＴl／ΔＴc＝ｌn（ΔＲａｔｅl）／ｌn(ΔＲａｔｅc)
ｄ＝ΔＴr／ΔＴc＝ｌn（ΔＲａｔｅr）／ｌn(ΔＲａｔｅc)
【００４９】
また、同様に、全てのポッドＰ１〜Ｐ３の蒸着レートが揃った状態で、右のポッドＰ３だけ昇温（ΔＴｒ）し、安定した状態で各ポッドＰ１〜Ｐ３の蒸着レート変化分ΔＲａｔｅｌ、ΔＲａｔｅｃ、ΔＲａｔｅｒを膜厚検出器Ｓ１〜Ｓ３で測定する。
【００５０】
そして、上記換算式より、係数ｅ、ｆを以下の式によって算出する。
ｅ＝ΔＴl／ΔＴr＝ｌn（ΔＲａｔｅl）／ｌn(ΔＲａｔｅr)
ｆ＝ΔＴc／ΔＴr＝ｌn（ΔＲａｔｅc）／ｌn(ΔＲａｔｅr)
【００５１】
以上の演算によって、予め係数a〜fを求めておき、各温度制御部１１〜１３は、必要な係数を用いてポッドＰ１〜Ｐ３の制御温度を決定する。これにより、独立したポッドの温度制御において、当該ポッドによる蒸着レートだけでなく、他のポッドによる蒸着レートの影響度合いを反映させた温度制御を実現でき、フィードバック制御の過度なオーバーシュートを抑制して全体の蒸着レートを迅速に安定させることが可能となる。
【００５２】
なお、この係数ａ〜ｆを求めるにあたり、上記換算式を用いて蒸着レートを温度変化に変換しているが、この換算式は蒸着材料や温度域、蒸着距離（ノズルから蒸着対象物までの距離）によって変わるものであり、上記換算式に限定されるものではない。
【００５３】
また、本実施形態では、３つのポッドＰ１〜Ｐ３を用いる蒸着装置の例について説明したが、２つ以上のポッドを備える蒸着装置であっても同様である。この際、一つのポッドによる蒸着レートの制御で、その他の全てのポッドによる影響度合いを反映させるよう係数を設定しても、またその他のポッドのうち一部のポットによる影響度合いのみを反映させるよう係数を設定してもよい。
【００５４】
上記本実施形態によれば、次のような実施の効果を得られる。すなわち、全てポッドについて目標レートへ収束するまでの速度を向上させることが可能となる。これにより、蒸着レートの不安定期間を短縮でき、その分使用材料の無駄を省き、結果生産性向上を図ることが可能となる。また、いずれかのポッドのレートが乱れても、成膜における面内分布に及ぼす影響度を小さくすることができ、膜厚の均一性を向上させることが可能となる。
【００５５】
また、本実施形態の蒸着装置および蒸着方法を適用することで、特に均一な成膜が必要な有機ＥＬ表示装置の製造において、大面積化および品質向上を図ることが可能となる。
【００５６】
＜表示装置の製造方法＞
次に、以上のような構成の蒸着方法および蒸着装置を用いた表示装置の製造方法として、基板上に複数の有機電界発光素子を配列形成してなる表示装置の製造を説明する。図４はここで作製する表示装置における３画素分の概略断面図である。
【００５７】
図４に示すように、先ずガラス基板などからなる装置用の基板Ｗ上に、下部電極として例えば陽極２１を形成する。この陽極２１は、例えば画素毎にパターン形成され、ここでの図示は省略した薄膜トランジスタを有する各画素回路に接続されていることとする。次に、陽極２１の周縁部を覆う状態で絶縁性パターン２２を形成し画素分離を行う。なお、画素回路については、以降に詳細に説明する。
【００５８】
その後、上記蒸着成膜装置を用いた成膜方法を適用することにより、例えば全画素に共通の有機層（蒸着膜）として、正孔注入層２３および正孔輸送層２４をこの順に蒸着成膜する。この場合、基板Ｗの搬送方向ｙの上手側から順に、正孔注入層２３を成膜するための正孔注入材料を蒸着材料として充填した蒸着源、正孔輸送層２４を成膜するための正孔輸送材料を蒸着材料として充填した蒸着源を配置する。これにより、正孔注入層２３および正孔輸送層２４を、連続して蒸着成膜する。なお、これらの正孔注入層２３および正孔輸送層２４の蒸着成膜は、一つの蒸着源のみが配設された蒸着成膜装置を用いて順次個別に行っても構わない。
【００５９】
次に、上記蒸着成膜装置を用いた成膜方法を適用することにより、正孔輸送層２４上における各画素に、赤色発光層２５ｒ、緑色発光層２５ｇ、および青色発光層２５ｂをパターン形成する。この場合、正孔輸送層２４までが成膜された基板Ｗと蒸着源との間に、例えば赤色発光層２５ｒを形成する部分を開口させたメタルマスクを配置する。そして、赤色発光層２５ｒを成膜するための赤色発光材料が蒸着材料として充填された蒸着源の上方において、基板Ｗとメタルマスクとを搬送方向ｙに一体に搬送した蒸着成膜を行う。緑色発光層２５ｇおよび青色発光層２５ｂのパターン形成も、順次同様に行う。
【００６０】
その後、上記蒸着成膜装置を用いた成膜方法を適用することにより、例えば全画素に共通の有機層（蒸着膜）として、電子輸送層２６を蒸着成膜する。
【００６１】
以上の後には、電子輸送層２６上に、全画素に共通の上部電極として、透明導電性材料を用いた陰極２７をスパッタ成膜する。
【００６２】
これにより、陽極２１と陰極２７との間に、正孔注入層２３〜電子輸送層２６までの有機層(蒸着膜）を挟持してなる各色の有機電界発光素子、すなわち赤色発光素子３１ｒ、緑色発光素子３１ｇ、および青色発光素子３１ｂを得る。また、ここでの図示は省略したが、さらに各有機電界発光素子３１ｒ，３１ｇ，３１ｂを覆う封止膜を形成し、接着剤を介して光透過性材料からなる封止基板を貼り合わせる。これにより、各色の有機電界発光素子３１ｒ，３１ｇ，３１ｂの発光が、各陽極２１に接続された各画素回路によって制御されるアクティブマトリックス型の表示装置３３を完成させる。またこの表示装置３３においては、有機電界発光素子３１ｒ，３１ｇ，３１ｂで発生させた発光光は、光透過性材料からなる陰極２７を介して封止基板側から取り出されるものとなる。
【００６３】
以上説明した実施形態によれば、全てポッドについて目標レートへ収束するまでの速度を向上させることが可能となり、表示装置３３の製造において蒸着レートの不安定期間を短縮でき、その分使用材料の無駄を省き、結果生産性向上を図ることが可能となる。また、いずれかのポッドのレートが乱れても、成膜における面内分布に及ぼす影響度を小さくすることができ、膜厚の均一性を向上させることが可能となる。また、本実施形態によれば、特に均一な成膜が必要な有機ＥＬ表示装置の製造において、大面積化および品質向上を図ることが可能となる。
【００６４】
＜表示装置の概略構成＞
図５は、上記実施形態によって製造される表示装置３３の全体構成の一例を示す図であり、図５（Ａ）は概略構成図、図５（Ｂ）は画素回路の構成図である。ここでは、アクティブマトリックス方式の表示装置に本実施形態を適用した例を説明する。
【００６５】
図５（Ａ）に示すように、この表示装置３３の支持基板である基板Ｗ上には、表示領域Ｗ-1とその周辺領域Ｗ-2とが設定されている。表示領域Ｗ-1は、複数の走査線４１と複数の信号線４３とが縦横に配線されており、それぞれの交差部に対応して１つの画素ａが設けられた画素アレイ部として構成されている。これらの各画素ａに、図４に示した有機電界発光素子３１ｒ，３１ｇ，３１ｂの何れかが設けられている。また周辺領域Ｗ-2には、走査線４１を走査駆動する走査線駆動回路ｂと、輝度情報に応じた映像信号（すなわち入力信号）を信号線４３に供給する信号線駆動回路ｃとが配置されている。
【００６６】
図５（Ｂ）に示すように、各画素ａに設けられる画素回路は、例えば有機電界発光素子３１ｒ，３１ｇ，３１ｂの何れか１つと、駆動トランジスタＴｒ１、書き込みトランジスタ（サンプリングトランジスタ）Ｔｒ２、および保持容量Ｃｓで構成されている。そして、走査線駆動回路ｂによる駆動によって、書き込みトランジスタＴｒ２を介して信号線４３から書き込まれた映像信号が保持容量Ｃｓに保持され、保持された信号量に応じた電流が駆動トランジスタＴｒ１から各有機電界発光素子３１ｒ，３１ｇ，３１ｂに供給され、この電流値に応じた輝度で有機電界発光素子３１ｒ，３１ｇ，３１ｂが発光する。
【００６７】
なお、以上のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数のトランジスタを設けて画素回路を構成しても良い。また、周辺領域Ｗ-2には、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路が追加される。
【００６８】
以上説明した本実施形態に係る表示装置は、図６に開示したような、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部である表示領域Ｗ-1を囲むようにシーリング部５１が設けられ、このシーリング部５１を接着剤として、透明なガラス等の対向部（封止基板５２）に貼り付けられ形成された表示モジュールが該当する。この透明な封止基板５２には、カラーフィルタ、保護膜、遮光膜等が設けられてもよい。なお、表示領域Ｗ-1が形成された表示モジュールとしての基板Ｗには、外部から表示領域Ｗ-1（画素アレイ部）への信号等を入出力するためのフレキシブルプリント基板５３が設けられていても良い。
【００６９】
＜適用例＞
以上説明した本実施形態に係る表示装置は、図７〜図１１に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本実施形態が適用される電子機器の一例について説明する。
【００７０】
図７は、本実施形態が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作成される。
【００７１】
図８は、本実施形態が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００７２】
図９は、本実施形態が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００７３】
図１０は、本実施形態が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００７４】
図１１は、本実施形態が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本実施形態に係る蒸着装置を説明する模式図である。
【図２】本実施形態に係る蒸着方法で用いる制御パラメータを示す模式図である。
【図３】制御系の各温度制御部の構成を説明するブロック図である。
【図４】本実施形態の蒸着成膜装置を用いて作製される表示装置の概略構成例を示す模式図である。
【図５】実施形態の表示装置の回路構成の一例を示す図である。
【図６】本実施形態が適用される封止された構成のモジュール形状の表示装置を示す構成図である。
【図７】本実施形態が適用されるテレビを示す斜視図である。
【図８】本実施形態が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図９】本実施形態が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図１０】本実施形態が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。
【図１１】本実施形態が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【符号の説明】
【００７６】
１０…制御系、１１〜１３…温度制御部、Ｐ１〜Ｐ３…ポッド、Ｓ１〜Ｓ３…膜厚検出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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