(57)【要約】【課題】磁性体の回転位置と同期してセンサ信号のサンプリングを行うことなく、ロータ温度を推定することができる真空ポンプの提供。【解決手段】ロータ側に磁性体１０２Ａ，１０２Ｂと凹部１０３を設け、それらを２つのギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂで検出する。ギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂが磁性体１０２Ａ，１０２Ｂと対向したときのセンサ信号は、ロータ温度Trに応じてHIとLOWとの間で変化する。ギャップセンサ４４Ａ，４４ＢのHI／LOW状態の組み合わせにより、４つのパターンＡ〜Ｄが発生する。温度範囲に応じて発生するパターンの種類が異なるので、その種類の違いからロータ温度を推定することができる。【選択図】図８
2008240688.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロータを回転駆動してガスを排気する真空ポンプにおいて、
前記ロータに設けられ、前記ロータの監視温度範囲内においてキュリー温度が異なる複数の磁性体と、
前記ロータの前記磁性体が設けられた面と対向するように配設され、前記磁性体のキュリー温度近傍における透磁率変化をインダクタンス変化として検出する複数のインダクタンス式ギャップセンサと、
前記複数のギャップセンサの各センサ信号の状態で表され、前記磁性体の配置と前記ギャップセンサの配置とによって決まる複数種類の信号パターンに基づいて、前記ロータの温度を推定する温度推定手段とを備えたことを特徴とする真空ポンプ。
【請求項２】
請求項１に記載の真空ポンプにおいて、
回転軸を中心とする回転角度で表される位相に関して、前記磁性体の配置と前記ギャップセンサの配置とを同一位相としたことを特徴とする真空ポンプ。
【請求項３】
ロータを回転駆動してガスを排気する真空ポンプにおいて、
前記ロータに設けられ、前記ロータの監視温度範囲内においてキュリー温度が異なる複数の磁性体と、
前記ロータの前記磁性体が設けられた面と対向するように配設され、前記磁性体のキュリー温度近傍における透磁率変化をインダクタンス変化として検出する複数のインダクタンス式ギャップセンサと、
前記ロータの前記ギャップセンサが対向する面に形成された少なくとも１つの凹部と、
前記複数のギャップセンサの各センサ信号の状態で表され、前記磁性体および凹部の配置と前記ギャップセンサの配置とによって決まる複数種類の信号パターンに基づいて、前記ロータの温度を推定する温度推定手段とを備えたことを特徴とする真空ポンプ。
【請求項４】
ロータを回転駆動してガスを排気する真空ポンプにおいて、
前記ロータに設けられ、前記ロータの監視温度範囲内にキュリー温度を有する磁性体と、
前記ロータの前記磁性体が設けられた面と対向するように配設され、前記磁性体のキュリー温度近傍における透磁率変化をインダクタンス変化として検出する２つのギャップセンサと、
前記ロータの前記ギャップセンサが対向する面に形成された凹部と、
前記２のギャップセンサの各センサ信号の状態で表され、前記磁性体および凹部の配置と前記ギャップセンサの配置とによって決まる複数種類の信号パターンに基づいて、前記ロータの温度を推定する温度推定手段とを備えたことを特徴とする真空ポンプ。
【請求項５】
請求項３または４に記載の真空ポンプにおいて、
回転軸を中心とする回転角度で表される位相に関して、前記凹部および前記磁性体の配置と前記ギャップセンサの配置とを同一位相としたことを特徴とする真空ポンプ。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれか一項に記載の真空ポンプにおいて、
前記凹部および前記磁性体の対向面形状を同一形状としたことを特徴とする真空ポンプ。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の真空ポンプにおいて、
前記温度推定手段は、ロータ回転時に前記複数種類の信号パターンのいずれが発生するかに応じて前記ロータの温度を推定することを特徴とする真空ポンプ。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の真空ポンプにおいて、
前記温度推定手段は、ロータ回転時に発生する信号パターンの発生頻度に応じて、前記ロータの温度を推定することを特徴とする真空ポンプ。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の真空ポンプにおいて、
前記ギャップセンサの各々のセンサ信号を比較して前記ギャップセンサの不具合を検出する検出手段を備えたことを特徴とする真空ポンプ。
【請求項１０】
請求項９に記載の真空ポンプにおいて、
前記検出手段により不具合が検出された場合に警報を発生する警報発生手段を備えたことを特徴とする真空ポンプ。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の真空ポンプにおいて、
搬送波信号を生成して、その搬送波信号を前記ギャップセンサの各々に供給する搬送波生成手段と、
前記搬送波生成手段による搬送波生成と同期して前記ギャップセンサのセンサ信号をサンプリングし、前記センサ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換手段と、
前記Ａ／Ｄ変換手段で変換されたセンサ信号を復調する復調手段とをさらに備え、
前記温度推定手段は、前記復調手段からの復調センサ信号に基づいて前記ロータの温度を推定することを特徴とする真空ポンプ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性体の温度による透磁率変化を利用してロータ温度を検出する真空ポンプに関する。
【背景技術】
【０００２】
ターボ分子ポンプでは、ロータ材料としてアルミ合金が一般的に用いられている。アルミ合金はクリープ変形の許容温度が比較的低い温度（約１２０〜１４０℃）であるため、ポンプ運転時にはロータ温度がこの許容温度以下になるように常に監視する必要がある。ロータ温度を非接触で検出する方法として、強磁性体の透磁率がキュリー温度において大きく変化することを利用する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。そこでは、ロータの一部に上記許容温度域にキュリー温度を有する磁性体を配置し、キュリー温度を越えたときの磁性体の透磁率変化を、インダクタンス式ギャップセンサで検出するようにしている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１９４０９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ロータとともに回転する磁性体の透磁率変化を検出するためには、回転する磁性体の位置を特定し、ギャップセンサと磁性体とが対向するタイミングでギャップセンサの信号をサンプリングする必要がある。そのためには、ロータの回転位置を検出するセンサを別に設け、その回転信号を利用して磁性体の回転位置を特定し、ギャップセンサ信号のサンプリングタイミングを算出するという複雑な処理が必要であった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１の発明は、ロータを回転駆動してガスを排気する真空ポンプに適用され、ロータに設けられ、ロータの監視温度範囲内においてキュリー温度が異なる複数の磁性体と、ロータの磁性体が設けられた面と対向するように配設され、磁性体のキュリー温度近傍における透磁率変化をインダクタンス変化として検出する複数のインダクタンス式ギャップセンサと、複数のギャップセンサの各センサ信号の状態で表され、磁性体の配置とギャップセンサの配置とによって決まる複数種類の信号パターンに基づいて、ロータの温度を推定する温度推定手段とを備えたことを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１に記載の真空ポンプにおいて、回転軸を中心とする回転角度で表される位相に関して、磁性体の配置とギャップセンサの配置とを同一位相としたものである。
請求項３の発明は、ロータを回転駆動してガスを排気する真空ポンプに適用され、ロータに設けられ、ロータの監視温度範囲内においてキュリー温度が異なる複数の磁性体と、ロータの磁性体が設けられた面と対向するように配設され、磁性体のキュリー温度近傍における透磁率変化をインダクタンス変化として検出する複数のインダクタンス式ギャップセンサと、ロータのギャップセンサが対向する面に形成された少なくとも１つの凹部と、複数のギャップセンサの各センサ信号の状態で表され、磁性体および凹部の配置とギャップセンサの配置とによって決まる複数種類の信号パターンに基づいて、ロータの温度を推定する温度推定手段とを備えたことを特徴とする。
請求項４の発明は、ロータを回転駆動してガスを排気する真空ポンプに適用され、ロータに設けられ、ロータの監視温度範囲内にキュリー温度を有する磁性体と、ロータの磁性体が設けられた面と対向するように配設され、磁性体のキュリー温度近傍における透磁率変化をインダクタンス変化として検出する２つのギャップセンサと、ロータのギャップセンサが対向する面に形成された凹部と、２のギャップセンサの各センサ信号の状態で表され、磁性体および凹部の配置とギャップセンサの配置とによって決まる複数種類の信号パターンに基づいて、ロータの温度を推定する温度推定手段とを備えたことを特徴とする。
請求項５の発明は、請求項３または４に記載の真空ポンプにおいて、回転軸を中心とする回転角度で表される位相に関して、凹部および磁性体の配置とギャップセンサの配置とを同一位相としたものである。
請求項６の発明は、請求項３〜５のいずれか一項に記載の真空ポンプにおいて、凹部および磁性体の対向面形状を同一形状としたものである。
請求項７の発明は、請求項１〜６のいずれか一項に記載の真空ポンプにおいて、ロータ回転時に複数種類の信号パターンのいずれが発生するかに応じてロータの温度を推定するようにしたものである。
請求項８の発明は、請求項１〜６のいずれか一項に記載の真空ポンプにおいて、ロータ回転時に発生する信号パターンの発生頻度に応じてロータの温度を推定するようにしたものである。
請求項９の発明は、請求項１〜８のいずれか一項に記載の真空ポンプにおいて、ギャップセンサの各々のセンサ信号を比較してギャップセンサの不具合を検出する検出手段を備えたものである。
請求項１０の発明は、請求項９に記載の真空ポンプにおいて、検出手段により不具合が検出された場合に警報を発生する警報発生手段を備えたものである。
請求項１１の発明は、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の真空ポンプにおいて、搬送波信号を生成して、その搬送波信号をギャップセンサの各々に供給する搬送波生成手段と、搬送波生成手段による搬送波生成と同期してギャップセンサのセンサ信号をサンプリングし、センサ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換手段と、Ａ／Ｄ変換手段で変換されたセンサ信号を復調する復調手段とをさらに備え、復調手段からの復調センサ信号に基づいてロータの温度を推定するようにしたものである。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、複数のギャップセンサの各センサ信号の状態で表され、磁性体の配置とギャップセンサの配置とによって決まる複数種類の信号パターンに基づいて、ロータの温度を推定するようにしたので、従来のように磁性体の回転位置と同期してセンサ信号のサンプリングを行う必要がない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、図を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。図１は本発明による真空ポンプの一実施の形態を示す図であり、磁気軸受式ターボ分子ポンプのポンプ本体１の構成を示す断面図である。ロータ２が取り付けられたシャフト３は、ベース４に設けられた電磁石５１，５２，５３によって非接触支持されている。シャフト３の浮上位置は、ベース４に設けられたラジアル変位センサ７１，７２およびアキシャル変位センサ７３によって検出される。ラジアル磁気軸受を構成する電磁石５１，５２と、アキシャル磁気軸受を構成する電磁石５３と、変位センサ７１〜７３とで５軸制御型磁気軸受が構成される。
【０００８】
シャフト３の下端には円形のディスク４１が設けられており、電磁石５３はディスク４１を上下に挟むように設けられている。電磁石５３によりディスク４１を吸引することにより、シャフト３がアキシャル方向に浮上する。ディスク４１はナット４２によりシャフト３の下端部に固定されており、シャフト３と一体で回転する。
【０００９】
ロータ２には、回転軸方向に沿って複数段の回転翼８が形成されている。上下に並んだ回転翼８の間には固定翼９がそれぞれ配設されている。これらの回転翼８と固定翼９とにより、ポンプ本体１のタービン翼段が構成される。各固定翼９は、スペーサ１０によって上下に挟持されるように保持されている。スペーサ１０は、固定翼９の保持機能とともに、固定翼９間のギャップを所定間隔に維持する機能を有している。
【００１０】
さらに、固定翼９の後段（図示下方）にはドラッグポンプ段を構成するネジステータ１１が設けられており、ネジステータ１１の内周面とロータ２の円筒部１２との間にはギャップが形成されている。ロータ２およびスペーサ１０によって保持された固定翼９は、吸気口１３ａが形成されたケーシング１３内に納められている。ロータ２が取り付けられたシャフト３を電磁石５１〜５３により非接触支持しつつモータ６により回転駆動すると、吸気口１３ａ側のガスは矢印Ｇ１のように背圧側（空間ＳＰ）に排気される。背圧側に排気されたガスは、排気口２６に接続された補助ポンプにより排出される。
【００１１】
本実施の形態のターボ分子ポンプではロータ温度を非接触で検出するために、ロータ２が固定されるシャフト３のフランジ１０１に磁性体１０２を埋め込むとともに凹部１０３を形成し、それらが対向する位置にインダクタンス式ギャップセンサ４４が設けられている。
【００１２】
図２はターボ分子ポンプの制御系の概略を示すブロック図である。シャフト３の浮上位置を検出するラジアル変位センサ７１，７２およびアキシャル変位センサ７３は、ギャップセンサ４４と同様のインダクタンス式のセンサである。なお、４５は、インダクタンス式の回転数センサ（回転センサはホールセンサ等どのような方式でも良い）である。ラジアル変位センサ７１，７２，アキシャル変位センサ７３，ギャップセンサ４４（４４Ａ，４４Ｂ）および回転数センサ４５の各々には、搬送波生成回路２０１からの搬送波信号が入力され、ギャップ変位の変化によるセンサ部インピーダンスの変化により搬送波信号が変調される。
【００１３】
各センサ７１〜７３，４４，４５で振幅変調された変調波信号はセンサ回路２０２を介してＡ／Ｄコンバータ２０３に入力される。センサ回路２０２からは、変位センサ７１〜７１に関する変調波信号Ｓｂ、回転数センサ４５に関する変調波信号Ｓｒ、ギャップセンサ４４に関する変調波信号ＳＴが出力される。変調波信号Ｓｂ，Ｓｒは、Ａ／Ｄコンバータ２０３によりデジタル信号Ｓｂ’，Ｓｒ’へと変換される。
【００１４】
変位センサ７１〜７３に関する信号Ｓｂ’は、軸受制御装置２０４に入力される。軸受制御装置２０４は、信号Ｓｂ’に基づいて励磁電流制御信号を生成し励磁アンプ２０５に出力する。励磁アンプ２０５は、励磁電流制御信号に基づく励磁電流を各電磁石５１〜５３に供給する。回転数センサ４５に関する信号Ｓｒ’は、回転駆動装置２０６に入力され回転制御に用いられる。一方、ギャップセンサ４４に関する変調波信号ＳＴは温度検出回路２０７に入力され、変調波信号ＳＴに基づいて後述するようなロータ温度判定が行われる。２０８は、ロータ温度判定結果に基づいて警報を発生する警報装置である。
【００１５】
図２に示すように、フランジ１０１には２種類の磁性体１０２Ａ，１０２Ｂおよび凹部１０３が設けられ、それらと対向する位置には２つのギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂが配設されている。図３は、磁性体１０２Ａ，１０２Ｂ，凹部１０３およびギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂの配置を説明する図である。磁性体１０２Ａ，１０２Ｂおよび凹部１０３は同一形状を有しており、シャフト３の軸の回りに１２０°間隔で配設されている。磁性体１０２Ａ，１０２Ｂは、それぞれフランジ１０１に埋め込まれている。一方、これらと対向するギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂも１２０°間隔で配設されている。
【００１６】
図４は、温度検出回路２０７を説明するブロック図である。ギャップセンサ４４には搬送波生成回路２０１から搬送波が印加される。温度検出回路２０７には、検波回路２１１，整流回路２１２、コンパレータ２１４および判定部２１５が設けられている。コンパレータ２１４は、整流回路２１２からの信号と基準信号ｖ０（後述する閾値に対応する信号）とを比較する。判定部２１５は、比較結果に基づいて後述する温度判定を行う。
【００１７】
ロータ２の回転とともにギャップセンサ４４がフランジ１０１，磁性体１０２Ａ，フランジ１０１，磁性体１０２Ｂ，フランジ１０１，凹部１０３の順に対向し、その度にギャップセンサ４４のインダクタンスが変化する。図５（ａ）は、図４の符号（ｂ）の位置に現れる振幅変調信号の一例を示したものである。搬送波がギャップセンサ４４のインダクタンスで振幅変調され、振幅レベルが階段状に変化する交流信号が得られる。この信号を検波回路２１１に通し、さらに整流回路２１２で整流すると、符号（ｄ）の位置には図５（ｂ）に示すような信号が現れる。図５（ｂ）の信号は、図５（ａ）の信号から振幅を取り出したものになっている。この信号を基準信号ｖ０と比較することになる。
【００１８】
《ロータ温度判定処理の説明》
次に、判定部２１５で行われるロータ温度判定処理について説明する。磁性体１０２Ａ，１０２Ｂはそれぞれキュリー温度が異なっており、検出したい温度域すなわち監視温度範囲にキュリー温度を有する磁性材料が選ばれる。一般的には、ロータ２に用いられるアルミ材のクリープ変形の許容上限温度Tmax（約１２０〜１４０℃）とほぼ同一か、または、それに近い温度を有する磁性材料が用いられる。監視温度範囲としては、例えば、許容上限温度Tmaxの前後２０℃程度の温度範囲が設定される。
【００１９】
キュリー温度Tcが１２０℃程度の磁性材料としては、ニッケル・亜鉛フェライトやマンガン・亜鉛フェライト等がある。ここでは、磁性体１０２Ａのキュリー温度をTca、磁性体１０２Ｂのキュリー温度をTcb（＞Tca）とする。なお、フランジ１０１のキュリー温度は、ここで問題としている許容温度１２０〜１４０℃よりも十分高く、監視温度範囲よりも高温側にある。
【００２０】
図６（ａ）は、典型的な磁性体であるフェライトの場合の透磁率変化を示したものであり、磁性体１０２Ａ，１０２Ｂも同様な特性を有している。常温における透磁率はキュリー温度Tc付近の透磁率よりも低く、温度上昇とともに上昇してキュリー温度Tcを越えると急激に低下する。ロータ温度上昇により磁性体の温度が上昇してキュリー温度Tcを越えると、図６（ａ）に示すように、磁性体の透磁率が真空の透磁率μ０程度まで急激に低下する。そのため、磁性体１０２Ａ，１０２Ｂと対向するギャップセンサ４４のインダクタンスも、透磁率変化に対応して急激に変化する（図６（ｂ）参照）。
【００２１】
図２の変調波信号ＳＴは上述したように温度検出回路２０７において検波・整流処理され、振幅変調された搬送波信号から振幅を取り出した信号が取得される。図７は検波・整流処理後の信号の一例を示す図であり、ギャップセンサ４４Ａがフランジ１０１，磁性体１０２Ａ，フランジ１０１，凹部１０３の順に対向したときの振幅を示したものである。なお、凹部１０３と同様の凹部を設け、磁性体を前記凹部に埋め込んだ状態としている。図７において、（ａ）はロータ温度Trが磁性体１０２Ａのキュリー温度Tcaよりも低い場合（Tr＜Tca）を示しており、逆に（ｂ）はTr＞Tcaの場合を示す。
【００２２】
図７（ａ）のTr＜Tcaの場合、ギャップセンサ４４Ａがフランジ１０１の面に対向したときの振幅ST1’と、ギャップセンサ４４Ａが磁性体１０２Ａと対向したときの振幅ST2’とは同程度である。一方、ギャップセンサ４４Ａが凹部１０３と対向した場合にはギャップが大きくなるため、その時の振幅ST3’は振幅ST1’，ST2’よりも小さくなっている。そのため、一点鎖線で示すような閾値と比較してHigh、Low信号を生成すると、ギャップセンサ４４Ａがフランジ１０１および磁性体１０２Ａと対向したときにはHigh信号が生成され、凹部１０３と対向したときにはLow信号が生成される。
【００２３】
一方、図７（ｂ）に示すTr＞Tcaの場合には、磁性体１０２Ａの透磁率が小さくなるため、そのときのギャップセンサ４４Ａのインダクタンスは磁性体１０２Ａが埋め込まれていない単なる凹部の場合のインダクタンスとほぼ同じになり、振幅ST3’は凹部１０３の場合の振幅ST2’のように小さくなる。その結果、閾値と比較してHigh、Low信号を生成すると、ギャップセンサ４４Ａが磁性体１０２Ａと対向したときにLow信号が生成されることになる。なお、ここでは、磁性体１０２Ａおよび凹部１０３を例に説明したが、磁性体１０２Ｂに関しても磁性体１０２Ａの場合と同様に考えれば良い。
【００２４】
本実施の形態では、２つの磁性体１０２Ａ，１０２Ｂおよび凹部１０３を２つのギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂで検出するようにしているので、シャフト３の回転角度によってギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂから出力される信号のHigh・Low状態の組み合わせが異なる。図８は、磁性体１０２Ａ，１０２Ｂおよび凹部１０３とギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂとの位置関係と、ロータ温度Trの温度領域とに応じて生じるHigh・Lowパターンの種類を示したものである。
【００２５】
第１列目は、ギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂの両方ともフランジ１０３の面に対向している場合のパターンを示したものである。上段はロータ温度TrがTr＜Tca＜Tcbの場合を、中段はTca＜Tr＜Tcbの場合を、下段はTca＜Tcb＜Trの場合を示したものであって、いずれの場合もギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂの信号は両方ともHigh状態となる。このように（ギャップセンサ４４Ａの信号，ギャップセンサ４４Ｂの信号）＝（High，High）となる信号パターンを、パターンＡと呼ぶことにする。
【００２６】
第２列目は、ギャップセンサ４４Ａが凹部１０３に対向し、ギャップセンサ４４Ｂが磁性体１０２Ａに対向する場合である。この位置関係では、ロータ温度TrがTr＜Tca＜Tcbの場合には、ギャップセンサ４４Ａの信号はLow状態となり、ギャップセンサ４４Ｂの信号はHigh状態となる。この信号パターン（Low，High）をパターンＢと呼ぶことにする。また、Tca＜Tr＜TcbおよびTca＜Tcb＜Trの場合には、ギャップセンサ４４Ｂの信号はHighからLowに変化する。その場合の信号パターン（Low，Low）をパターンＤと呼ぶことにする。
【００２７】
第３列目は、ギャップセンサ４４Ａが磁性体１０２Ａに対向し、ギャップセンサ４４Ｂが磁性体１０２Ｂに対向する場合である。この位置関係では、ロータ温度TrがTr＜Tca＜Tcbの場合には、ギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂの信号はいずれもHigh状態（パターンＡ）となる。また、Tca＜Tr＜Tcbの場合には、ギャップセンサ４４Ａの信号はHighからLowに変化し、信号パターンは（Low，High）のパターンＢになる。さらに、Tca＜Tcb＜Trの場合には、ギャップセンサ４４Ｂの信号もHighからLowに変化して、信号パターンは（Low，Low）のパターンＤとなる。
【００２８】
第４列目は、ギャップセンサ４４Ａが磁性体１０２Ｂに対向し、ギャップセンサ４４Ｂが凹部１０３に対向する場合である。この位置関係では、ロータ温度TrがTr＜Tca＜TcbおよびTca＜Tr＜Tcbの場合には、ギャップセンサ４４Ａの信号はHigh状態でギャップセンサ４４Ｂの信号はLow状態になる。この信号パターン（High，Low）をパターンＣと呼ぶことにする。また、Tca＜Tcb＜Trの場合には、ギャップセンサ４４Ｂの信号もHighからLowに変化して、信号パターンは（Low，Low）のパターンＤとなる。
【００２９】
任意のタイミングでギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂの信号のサンプリングを多数回行うと、１列目から４列目までに示すパターンが全てが取得されることになる。そのため、取得されるパターンは、ロータ温度TrがTr＜Tca＜Tcbの場合にはパターンＡ，Ｂ，Ｃの３種類から成り、Tca＜Tr＜Tcbの場合にはパターンＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの４種類から成り、Tca＜Tcb＜Trの場合にはパターンＡ，Ｄの２種類から成る。このことから、含まれるパターンの種類を比較することで、ロータ温度Trがどの温度範囲にあるかを判断することができる。
【００３０】
図９は温度判定処理の一例を示すフローチャートである。ステップＳ１では上述したパターンＡ，Ｂ，Ｃに対応するフラグＦＡ，ＦＢ，ＦＣをクリアする。ステップＳ２では、ギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂに関するセンサ信号をサンプリングする。このサンプリングのタイミングは厳密に同時でなくても構わない。図３および図８からも分かるように、磁性体１０２Ａ，１０２Ｂおよび凹部１０３は回転方向にある程度の長さを有しているため、サンプリングタイミングが若干ずれても同一検出状態になっている。
【００３１】
ステップＳ３では、サンプリングされたギャップセンサ４４Ａのセンサ信号がLow状態か否かを判定する。ステップＳ３でYESと判定されるとステップＳ４へ進み、NOと判定されるとステップＳ５へ進む。ステップＳ４では、サンプリングされたギャップセンサ４４Ｂのセンサ信号がLow状態か否かを判定する。
【００３２】
ステップＳ４でYESと判定されるとステップＳ６へ進んでフラグＦＤを立て、NOと判定されるとステップＳ７へ進んでフラグＦＢを立てる。また、ステップＳ５においても、サンプリングされたギャップセンサ４４Ｂのセンサ信号がLow状態か否かを判定する。そして、ステップＳ５でYESと判定されるとステップＳ８へ進んでフラグＦＣを立て、NOと判定されるとステップＳ９へ進んでフラグＦＡを立てる。
【００３３】
続くステップＳ１０では、サンプリング回数が予め決められた回数だけ終了したか否かを判定する。このサンプリング回数は、シャフト３が少なくとも１回転する間のサンプリング数以上に設定される。所定回数を終了していない場合にはステップＳ２へ戻り、終了した場合にはステップＳ１１へ進む。ステップＳ１１では、フラグＦＡ，ＦＢ，ＦＣの状態を調べ、ＦＡ＝ＦＢ＝ＦＣ＝１の場合にはステップＳ１２へ進み、ＦＡ＝ＦＢ＝ＦＣ＝ＦＤ＝１の場合にはステップＳ１３へ進み、ＦＡ＝ＦＤ＝１の場合にはステップＳ１４へ進む。
【００３４】
ステップＳ１２に進んだ場合には、パターンＡ，Ｂ，Ｃから成るのでロータ温度TrをTr＜Tca＜Tcbと判定する。ステップＳ１３に進んだ場合には、パターンＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄから成るのでロータ温度TrをTca＜Tr＜Tcbと判定する。ステップＳ１４に進んだ場合には、パターンＡ，Ｄから成るのでロータ温度TrをTca＜Tcb＜Trと判定する。
【００３５】
図９に示した温度判定処理は所定時間間隔で行われ、ロータ温度が継続的に監視されることになる。温度検出回路２０７の温度判定結果は、ロータ温度モニタ信号として軸受制御装置２０４や回転駆動装置２０６などに入力され、ポンプ制御に反映される。図２に示した例では警報装置２０８に入力され、例えば、Tca＜Tcb＜Trの状態が所定時間継続されたならば警報を発生するようにする。
【００３６】
上述したように、本実施の形態では、フランジ１０１に設けられた磁性体１０２Ａ，１０２Ｂおよび凹部１０３を２つのギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂで検出し、それらの信号のHigh、Low状態の組み合わせよりなるパターンＡ〜Ｄの発生状況からロータ温度を判断するようにした。そのため、サンプリングタイミングとギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂが磁性体１０２Ａ，１０２Ｂおよび凹部１０３と対向するタイミングとを同期させる必要がなく、温度検出処理が簡略化されて演算を行うプロセッサへの負荷を低減することができる。
【００３７】
また、シャフト３が複数回転する間にサンプリングされた多数のデータに基づいてロータ温度判定を行えば、センサ信号へのノイズ混入等に対して安定した温度判定を行うことができる。なお、本実施の形態では、凹部１０３および磁性体１０２Ａ，１０２Ｂの位相差（角度間隔）と、ギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂの位相差とを同一とすることで、発生するパターンの数が少なくなるようにした。しかしながら、両者の位相差を一致させなくても良い。
【００３８】
さらに、２つのギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂを設けたことにより、センサ信号へのノイズ混入を検出することができる。図１０はノイズ検出を説明する図であり、（ａ）はノイズ混入が無い場合のギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂのセンサ信号（High・Low信号）を示し、（ｂ）はノイズ混入があった場合のセンサ信号を示す。
【００３９】
ノイズ混入が無い場合には、図１０（ａ）に示すように、ギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂのセンサ信号は同一波形を有しており、位相が異なっているだけである。そのため、ギャップセンサ４４Ｂのセンサ信号を破線で示すように位相シフトし、それらの差分をとるとキャンセルされることになる。一方、ギャップセンサ４４Ａのセンサ信号にノイズ混入があった場合、図１０（ｂ）に示すようにノイズ混入による波形乱れが生じる。そのため、センサ信号を位相シフトして差分を取ったときに、波形乱れの部分がキャンセルされずに残ることになる。
【００４０】
また、ギャップセンサ４４ａ，４４ｂのいずれかに不具合が発生した場合も、上述したノイズ混入の場合と同様に信号波形を位相シフトして比較することにより、ギャップセンサの故障を検出することができる。ギャップセンサ４４ａ，４４ｂの故障を検出した場合には、警報装置２０８により警報を発生する。
【００４１】
［変形例１］
図１１は変形例１を説明する図であり、図８と同様のパターンの種類を示す図である。変形例１では、凹部１０３を２個形成し、図１１に示すように磁性体１０２Ａ，１０２Ｂおよび凹部１０３を９０°間隔で配置した。また、ギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂの回転角度差も９０°とした。この場合、位置関係は５種類あるが、各温度範囲で発生するパターンの種類は図８の場合と同様になる。すなわち、温度範囲Tr＜Tca＜TcbではパターンＡ，Ｂ，Ｃが発生し、温度範囲Tca＜Tr＜TcbではパターンＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄが発生し、温度範囲Tca＜Tcb＜TrではパターンＡ，Ｄが発生する。
【００４２】
［変形例２］
図１２は変形例２を説明する図である。変形例２では、凹部１０３を設けずに磁性体１０２Ａ，１０２Ｂのみを１８０°間隔で配設した。ギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂも１８０°間隔で配置する。この場合、温度範囲Tr＜Tca＜TcbではパターンＡが発生し、温度範囲Tca＜Tr＜TcbではパターンＡ，Ｂ，Ｃが発生し、温度範囲Tca＜Tcb＜TrではパターンＡ，Ｄが発生する。
【００４３】
［変形例３］
図１３は変形例３を説明する図である。変形例３では、図８の場合と同様に磁性体１０２Ａ，１０２Ｂおよび凹部１０３を配置し、ギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂを１８０°間隔で配置した。この場合には、各温度範囲で発生するパターンの種類はいずれの温度範囲でもパターンＡ，Ｂ，Ｃとなっているため、パターンの種類で温度判定をすることはできない。しかしながら、サンプリング間隔を短くすることにより、パターンの発生する順序によってロータ温度Trがどの温度範囲であるかを判定することができる。すなわち、温度範囲Tr＜Tca＜Tcbでは、パターンはＡ→Ｂ→Ｃ→Ｂ→Ｃの順にサイクリックに発生する。温度範囲Tca＜Tr＜TcbではＡ→Ｄ→Ｄ→Ｂ→Ｃの順に発生し、温度範囲Tca＜Tcb＜TrではＡ→Ｄ→Ｄ→Ｄ→Ｄの順に発生する。
【００４４】
また、パターン発生順序ではなく、各パターンＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄにおけるパターン発生確率を比較することによっても温度範囲を判定することができる。例えば、磁性体、フランジ、穴の角度が等しい場合、各温度範囲におけるパターンＡの発生確率を比較すると、温度範囲Tr＜Tca＜Tcbでは５／７、温度範囲Tca＜Tr＜Tcbでは３／７、温度範囲Tca＜Tcb＜Trでは１／７になる。なお、パターンＡの発生確率だけでなく、他のパターンの発生確率も参考にして判定するようにしても良い。
【００４５】
［変形例４］
図１４は変形例４を説明する図である。変形例４は、磁性体１０２Ａと凹部１０３とをそれぞれ１つ設けた場合である。この場合には、ロータ温度TrがTr＜TcaであるかTca＜Trであるかを判定する。温度範囲Tr＜Tcaの場合にはパターンＡ，Ｂ，Ｃが発生し、温度範囲Tca＜Trの場合にはパターンＡ，Ｄが発生するので、それらの種類の違いから温度範囲を判定することができる。
【００４６】
なお、変形例３で説明したパターン発生順序やパターン発生確率を比較して温度範囲を判定する方法は、変形例３の場合に限らず、図８，１１，１２，１４の場合にも同様に適用することができる。
【００４７】
上述した実施の形態では、磁性体およびギャップセンサが２つの場合について説明したが、３以上設けても構わない。また、凹部１０３に関しても、３以上設けても構わない。さらに、凹部１０３と磁性体１０２Ａ，１０２Ｂの形状を同一形状として発生するパターンの種類が少なくなるようにしているが、異なっていても良く、サンプリングを同期させる必要がないという効果は同様に得られる。また、キュリー温度付近における磁性体の透磁率変化に伴って変化する信号変化に対して、HighとLowとの２段階の判定を行ったが、さらに３以上の段階に分割して判定しても良い。
【００４８】
なお、上述した実施の形態ではターボ分子ポンプを例に説明したが、本発明は、ターボ分子ポンプに限らずドラッグポンプ等の真空ポンプにも同様に適用することができる。
【００４９】
以上説明した実施の形態と特許請求の範囲の要素との対応において、温度検出回路２０７は温度推定手段、検出手段および復調手段を、警報装置１０８は警報発生手段を、搬送波生成回路２０１は搬送波発生手段をそれぞれ構成する。なお、以上の説明はあくまでも一例であり、発明を解釈する際、上記実施の形態の記載事項と特許請求の範囲の記載事項の対応関係に何ら限定も拘束もされない。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明による真空ポンプの一実施の形態を示す図であり、磁気軸受式ターボ分子ポンプのポンプ本体１の構成を示す断面図である。
【図２】ターボ分子ポンプの制御系の概略を示すブロック図である。
【図３】磁性体１０２Ａ，１０２Ｂ，凹部１０３およびギャップセンサ４４Ａ，４４Ｂの配置を説明する図である。
【図４】温度検出回路２０７を説明するブロック図である。
【図５】（ａ）はギャップセンサ４４から出力される振幅変調信号の一例を示す図であり、（ｂ）は整流回路２１２から出力される信号を示す図である。
【図６】磁性体温度に対する透磁率またはインダクタンスの変化を示す図であり、（ａ）は透磁率の温度変化を示し、（ｂ）はインダクタンス変化を示したものである。
【図７】ギャップセンサ４４Ａがフランジ１０１，磁性体１０２Ａ，フランジ１０１，凹部１０３の順に対向したときの振幅を示す図であり、（ａ）はTr＜Tcaの場合を示し、（ｂ）はTr＞Tcaの場合を示す。
【図８】High・Lowパターンの種類を示す図である。
【図９】温度判定処理の一例を示すフローチャートである。
【図１０】ノイズ検出を説明する図であり、（ａ）はノイズ混入が無い場合のセンサ信号を示し、（ｂ）はノイズ混入があった場合のセンサ信号を示す。
【図１１】変形例１を説明する図である。
【図１２】変形例２を説明する図である。
【図１３】変形例３を説明する図である。
【図１４】変形例４を説明する図である。
【符号の説明】
【００５１】
１：ポンプ本体、２：ロータ、３：シャフト、４４，４４Ａ，４４Ｂ：ギャップセンサ、１０１：フランジ、１０２，１０２Ａ，１０２Ｂ：磁性体、１０３：凹部、２０１：搬送波生成回路、２０２：センサ回路、２０３：Ａ／Ｄコンバータ、２０７：温度検出回路、２０８：警報装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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