(57)【要約】【課題】  ブレードを使って複数マークが設置されているスクライブラインを切断するとそれぞれのマークの大半部分は切断によって削除されるため、マークの一部が残ることになる。ダイシング後はマークの下地とマーク残留部分の密着面積が小さくなるため、密着力が低下した状態になる。そのためダイシング時にかかる外部応力、例えば切削水の圧力などによって密着力が低下したマークが剥がれたり、捲れあがったりしてしまい、その後の実装工程で不良を引き起こす問題があった。【解決手段】  スクライブラインに設置したマークをダイシングによって切断しても、保護膜やポリイミド膜など上層面の膜を分離しない事、もしくは分離した場合でも十分な接触面積を確保できるサイズのマーク幅を持たす事によって、切断後にマークが捲れたり、剥がれたりする事がない。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣチップと、
前記ＩＣチップ周囲のスクライブラインと、
前記上にスクライブライン配置され、ウエハ製造工程でモニター等に使用する１種類の膜からなるマークと、からなり、
前記マークを構成する前記１種類の膜は前記ＩＣチップ表面にまで繋がって分離されることなく配置された半導体装置。
【請求項２】
ＩＣチップと、
前記ＩＣチップ周囲のスクライブラインと、
前記上にスクライブライン配置され、ウエハ製造工程でモニター等に使用する複数種類の膜からなるマークと、からなり、
前記マークを構成する前記複数の膜はそれぞれ前記ＩＣチップ表面にまで繋がって分離されることなく配置された半導体装置。
【請求項３】
前記複数の膜が保護膜とポリイミド膜とである請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
ＩＣチップと、
前記ＩＣチップ周囲のスクライブラインと、
前記上にスクライブライン配置され、ウエハ製造工程でモニター等に使用する１種類の膜からなるマークと、からなり、
前記マークを構成する前記１種類の膜は前記ＩＣチップ表面にまで繋がって分離されることなく配置された半導体ウエハを前記スクライブラインでダイシングする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
ＩＣチップと、
前記ＩＣチップ周囲のスクライブラインと、
前記上にスクライブライン配置され、ウエハ製造工程でモニター等に使用する複数種類の膜からなるマークと、からなり、
前記マークを構成する前記複数の膜はそれぞれ前記ＩＣチップ表面にまで繋がって分離されることなく配置された半導体ウエハを前記スクライブラインでダイシングする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スクライブラインにマークを有するＩＣチップ等の半導体装置とこのマークを有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハに複数形成されたＩＣチップを分離するダイシング工程では、スクライブライン部分を切断して行う。但し、前記スクライブラインの中には、フォトリソ工程に必要なアライメントマーク、線幅、合わせずれ、エッチング状態などを測定する工程モニターマークなど、ウエハ表面に回路を形成する製造工程で必要な様々なマークが、設置されている。これらの複数のマークが設置されている、すなわち単一の層で形成されていない、スクライブラインへ（ダイシング）ブレードを当てて、半導体ウエハを切断する。そして、それぞれのＩＣチップに分離している。これは、いわゆる研削加工により行われるものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このように、従来の半導体装置のＩＣチップを分離するダイシング工程では、複数のＩＣは、複数マークが設置されているスクライブラインにてブレードを使って研削／切断される。すなわちマークも同時に切断される事になる。そして複数のＩＣを分離するウエハ切断後、それぞれのマークの大半部分は研削／切断によって削除される。また、研削されないスクラブラインには、マークの一部が残ることになる。そして、ダイシング後はマークの下地とマーク残留部分の密着面積が小さくなるため、密着力が低下した状態になる。そのためダイシング時にかかる外部応力、例えば切削水の圧力などによって密着力が低下したマークが剥がれたり、捲れあがったりしてしまい、その後の実装工程で不良を引き起こす問題があった。また実装工程で問題が出なくても、ＩＣチップ表面に異物があるため信頼性上の弊害をもたらすことがあつた。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は上記課題を解決するため、マークを形成する各層膜とＩＣ側のマークで使用している同一層膜を分離しないパターン構造を用いたマークを設置する。
【０００５】
更に、ＩＣを分離するダイシング工程において、ダイシング後のスクライブラインに設置しているマーク幅の残りが１０μｍ以上残る様に、ダイシングブレードの幅を選択してダイシングを行う。
【０００６】
以上のようにダイシング後にマークの設置面積を確保することにより、ダイシング時に必要とする洗浄水の圧力等でマークが捲れたり、剥がれたりする事がなくなり、その後の実装工程に及ぼす不良因子を無くす事が可能となる。
【発明の効果】
【０００７】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のような効果がある。スクライブラインに設置したマークをダイシングによって切断しても、保護膜やポリイミド膜など上層面の膜を分離しない事、もしくは分離した場合でも十分な接触面積を確保できるサイズのマーク幅を持たす事によって、切断後に外部からの応力でマークが捲れたり、剥がれたりする事がない。そのためＩＣチップを分離した後パッケージ等の実装時に剥がれた物がパッドにつく事がなく、実装不良の発生を低減する効果がある。以上のように本発明はダイシング工程において不良発生率を低減する効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下に、この本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１（ａ）、（ｂ）は本発明の第一の実施例における半導体装置の上面図と断面図である。
【０００９】
１は、例えばＳｉからなる半導体基板（ウエハ基板）である。２は、スクライブラインである。スクラブライン2にダイシングソーの歯を当て、ウエハを切断するものである。５は、スクライブライン上に設置されたウエハ状で半導体装置を製造する工程に必要なマークである。３は、半導体基板１上に形成される例えば窒化膜からなる保護膜である。４は、保護膜３上に形成されるポリイミド膜である。
【００１０】
６は、マーク５とＩＣチップのスリット部に形成されている保護膜である。７は、マーク５とＩＣチップのスリット部に形成されているポリイミド膜である。８は、ＩＣチップとマーク５のスリット部である。スクライブライン２を設計する場合ウエハ製造工程でモニター等に使用するマーク５を設置する。この時マーク５を形成している半導体基板上部の層、本実施例では保護膜３とポリイミド膜４をＩＣチップ側と分離せずにスリット部８の保護膜６とスリット部８のポリイミド膜７も形成される様にパターン設計を行う。
【００１１】
以上のように構成されたスクライブライン２をダイシング工程でＩＣチップを分離すると、マーク５の半導体基板１との設置面積はスリット部８にポリイミド４、保護膜３が形成されているため大きくなっており、ダイシング時にかかる洗浄水などの応力によって、切断後のマーク５が捲れたり、剥がれたりしなくなる。
【００１２】
図２は本発明の第二の実施例における半導体装置の断面図である。マーク５を２種類以上の膜で形成する場合、マーク５とＩＣチップのスリット部８をマーク５を形成する全層で埋めるのでなく、最上層の膜、本実施例ではポリイミド膜４のみでスリット部ポリイミド膜７を形成する。以上のように構成されたスクライブライン２をダイシングし、ＩＣチップを分離した場合でも最上層のポリイミド膜４がマーク５の下層を押さえつけているため、切断後のマーク５が捲れたり、剥がれたりしなくなる。
【００１３】
図３（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第三の実施例における半導体装置の上面図と断面図である。９はマーク５のマーク幅であり記号Ｗで表す、１０はダイシング後のスクライブに残ったマーク幅で記号Δｗで表す、１１はカーフ幅であり記号Ｄで表す。ダイシング後にスクライブラインに残るダイシング後マーク幅１０が１０μｍ以上残るように、ダイシングに使用するブレードの幅、すなわちカーフ幅１１とマーク幅９を決めて、スクライブライン２にマーク５を設置する。マーク幅９、ダイシング後マーク幅１０とカーフ幅１１の関係は次の様になる。
【００１４】
Δｗ≧１０μｍ
Δｗ＝（Ｗ-Ｄ）／２
例えばカーフ幅Ｄが２５μｍになるブレードを使う場合、１０μｍ以上のダイシング後マーク幅１０が必要のため、マーク幅は上記式より４５μｍ以上のマーク幅９のマーク５をスクライブライン２に設置する。以上の様に構成されたマーク５はやはり設置面積が剥がれない
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施例における半導体装置の上面図と断面図である。
【図２】本発明の実施例における半導体装置の断面図である。
【図３】本発明の実施例における半導体装置の上面図と断面図である。
【符号の説明】
【００１６】
１  半導体基板
２  スクライブライン
３  保護膜
４  ポリイミド膜
５  マーク
６  スリット部保護膜
７  スリット部ポリイミド膜
８  スリット部
９  マーク幅
１０  ダイシング後マーク幅
１１  カーフ幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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