(57)【要約】  【課題】  表面弾性波素子及び実装基板間を封止している封止樹脂が表面弾性波素子の励振部に至るまで流入するのを防止できる表面弾性波装置を提供する。  【解決手段】  本発明にかかる表面弾性波装置１は、表面弾性波素子２がバンプ４を実装基板３に介して接続され、表面弾性波素子２の外周縁を封止樹脂５で封止した構成を有し、表面弾性波素子２の励振部６と実装基板３との間には振動空間７が確保されたものであって、表面弾性波素子２には、バンプ４及び励振部６を取り囲んだ外側樹脂流入防止堰９と、励振部６を取り囲んだ内側樹脂流入防止堰１０とが設けられており、外側樹脂流入防止堰９の高さｈ１はバンプ４の高さｈ２と実装基板３に形成された電極ランド８の高さｈ３との合算高さｈ４より低く設定され、かつ、内側樹脂流入防止堰１０の高さｈ５はバンプ４の高さｈ２より低く設定されていることを特徴とする。  【選択図】    図１
2008199664.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に形成された少なくとも１つのくし型電極部からなる励振部を機能面に有する表面弾性波素子と、実装基板と、封止樹脂とを備え、実装基板の実装面と表面弾性波素子の機能面とが対向するように、表面弾性波素子と実装基板とがバンプを介して接続され、かつ、表面弾性波素子の外周縁を封止樹脂で封止した構成を有しており、表面弾性波素子の励振部と実装基板の実装面との間に振動空間が確保されてなる表面弾性波装置であって、
表面弾性波素子の機能面には、バンプ及び励振部を取り囲んで配置された外側樹脂流入防止堰と、前記バンプの内側に励振部を取り囲んで配置された内側樹脂流入防止堰を有することを特徴とする、表面弾性波装置。
【請求項２】
前記外側樹脂流入防止堰の高さは、内側樹脂流入防止堰よりも高いことを特徴とする、請求項１に記載の表面弾性波装置。
【請求項３】
前記外側樹脂流入防止堰の高さは、表面弾性波素子と実装基板とをバンプを介して接続した後のバンプの高さと実装基板の実装面に形成された電極ランドの高さとの合算高さよりも低く設定され、かつ、内側樹脂流入防止堰の高さは、表面弾性波素子と実装基板とをバンプを介して接続した後のバンプの高さよりも低く設定されていることを特徴とする、請求項２に記載の表面弾性波装置。
【請求項４】
少なくとも内側樹脂流入防止堰は、表面弾性波素子の機能面及び実装基板の実装面よりも封止樹脂の濡れ性が不良な材料を使用して形成されたものであることを特徴とする、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の表面弾性波装置。
【請求項５】
前記内側樹脂流入防止堰は、第１の内側樹脂流入防止堰と第２の内側樹脂流入防止堰からなることを特徴とする、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の表面弾性波装置。
【請求項６】
前記第１の内側樹脂流入防止堰と第２の内側樹脂流入防止堰とは同程度の高さを有するものであることを特徴とする、請求項５に記載の表面弾性波装置。
【請求項７】
前記第１の内側樹脂流入防止堰と第２の内側樹脂流入防止堰とは同一の材料を使用して形成されたものであることを特徴とする、請求項５又は請求項６に記載の表面弾性波装置。
【請求項８】
前記外側樹脂流入防止堰は段差を有することを特徴とする、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の表面弾性波装置。
【請求項９】
前記外側樹脂流入防止堰の段差は、少なくとも１つの凹部によって構成されていることを特徴とする、請求項８に記載の表面弾性波装置。
【請求項１０】
前記外側樹脂流入防止堰の段差は、少なくとも１つの凸部によって構成されていることを特徴とする、請求項８に記載の表面弾性波装置。
【請求項１１】
前記外側樹脂流入防止堰と対向するように、実装基板上に形成された基板側樹脂流入防止堰を更に有することを特徴とする、請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の表面弾性波装置。
【請求項１２】
前記外側樹脂流入防止堰と基板側樹脂流入防止堰との合算高さは、表面弾性波素子と実装基板とをバンプを介して接続した後のバンプの高さと実装基板の実装面に形成された電極ランドの高さとの合算高さよりも低く設定されていることを特徴とする、請求項１１に記載の表面弾性波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表面弾性波装置にかかり、特には、表面弾性波素子を実装基板との間で封止している封止樹脂が表面弾性波素子の励振部に至るまで流入するのを防止する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、表面弾性波装置の一例としては、特許文献１で開示され、図２１で側断面を示すような構造とされたものがある。すなわち、この表面弾性波装置５１は、表面弾性波素子（ＳＡＷデバイスチップ）５２及び実装基板５３が一体化された構成を有しており、表面弾性波素子５２の機能面と実装基板５３の実装面とはバンプ５４を介して接続されている。
【０００３】
そして、表面弾性波素子５２の機能面には、平面構造を図示した図２２でも示すように、くし型電極部（以下、ＩＤＴという）などからなる励振部５６が形成されており、この励振部５６と実装基板５３の実装面との間で振動空間５７が確保された表面弾性波素子５２の外周縁は、エポキシ樹脂などのような熱硬化型樹脂である封止樹脂５８を使用したうえで封止されている。なお、この際、実装基板５３の実装面には、平面構造を図示した図２３で示すように、バンプ５４を固定的に接続するための電極ランド５９が形成されている。
【０００４】
また、表面弾性波装置５１にあっては、表面弾性波素子５２と実装基板５３との間を封止している封止樹脂５８が表面弾性波素子５２の励振部５６へと流入するのを防止するため、バンプ５４の高さよりも低い高さとされ、かつ、励振部５６を取り囲んで配置された内外二重の樹脂流入防止堰６１，６２が表面弾性波素子５２の機能面に設けられている。すなわち、ここでの樹脂流入防止堰６１，６２は、フォトレジストで形成され、封止樹脂５８の流入を防止する堰として機能するものであり、これらの高さがバンプ５４よりも低く設定されているのは、実装基板５３に対する表面弾性波素子５２のフェイスダウンボンディング時に押圧されるバンプ５４の十分な接続強度を得る必要上、樹脂流入防止堰６１，６２と実装基板５３の実装面との間に僅かな隙間を確保するためである。
【０００５】
このような構造とされた表面弾性波装置５１では、表面弾性波素子５２の外周縁を封止するために塗布された封止樹脂５８が、表面張力の作用により外側の樹脂流入防止堰６１と実装基板５３との隙間にまで、また、場合によっては、内側の樹脂流入防止堰６２と実装基板５３との隙間にまで到達する。ところが、これらの隙間が狭隘であるため、樹脂流入防止堰６１，６２を越えて封止樹脂５８が流入することは起こらず、表面弾性波素子５２の励振部５６に至るまで封止樹脂５８が流入することは防止される。
【０００６】
【特許文献１】特開平８−３１６７７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前記従来の表面弾性波装置５１においては、樹脂流入防止堰６１，６２とバンプ５４との位置関係についての配慮がなされておらず、樹脂流入防止堰６１，６２のいずれもが励振部５６を取り囲んで設けられているに過ぎない。そこで、樹脂流入防止堰６１，６２のそれぞれが電極ランド５９と対向していたり、電極ランド５９が形成されずに露出している実装基板５３の実装面そのものと対向していたりする。このような場合、本来的には均一であるべき隙間の大きさ、つまり、樹脂流入防止堰６１，６２と実装基板５３の実装面との離間間隔が不均一となってしまう。
【０００８】
その結果、表面弾性波素子５２の機能面に対して内外二重の樹脂流入防止堰６１，６２を設けているにも拘わらず、封止樹脂５８が樹脂流入防止堰６１，６２を越えて流入するのを防止できなくなり、封止樹脂５８が表面弾性波素子５２の励振部５６にまで流入して付着することが起こる。このようになると、表面弾性波装置５１の性能低下を招くことが避けられず、表面弾性波装置５１の不良品率が増加することになってしまう。
【０００９】
本発明はこれらの不都合に鑑みて創案されたものであり、表面弾性波素子及び実装基板間を封止している封止樹脂が表面弾性波素子の励振部に至るまで流入することを確実に防止できる表面弾性波装置の提供を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の表面弾性波装置は、圧電基板上に形成された少なくとも１つのくし型電極部からなる励振部を機能面に有する表面弾性波素子と、実装基板と、封止樹脂とを備え、実装基板の実装面と表面弾性波素子の機能面とが対向するように、表面弾性波素子と実装基板とがバンプを介して接続され、かつ、表面弾性波素子の外周縁を封止樹脂で封止した構成を有しており、表面弾性波素子の励振部と実装基板の実装面との間に振動空間が確保されてなる表面弾性波装置であって、表面弾性波素子の機能面には、バンプ及び励振部を取り囲んで配置された外側樹脂流入防止堰と、前記バンプの内側に励振部を取り囲んで配置された内側樹脂流入防止堰を有することを特徴とする。
【００１１】
本発明の表面弾性波装置は、外側樹脂流入防止堰と内側樹脂流入防止堰とを有しているので、外側樹脂流入防止堰で封止樹脂をせき止めることができなくても、内側樹脂流入防止堰で封止樹脂をせき止めることができ、封止樹脂が表面弾性波素子の励振部に至るまで流入することに伴う不良の発生を防止することができる。
【００１２】
このとき、外側樹脂流入防止堰の高さは、内側樹脂流入防止堰よりも高いことが好ましい。特に、外側樹脂流入防止堰の高さは、表面弾性波素子と実装基板とをバンプを介して接続した後のバンプの高さと実装基板の実装面に形成された電極ランドの高さとの合算高さよりも低く設定され、かつ、内側樹脂流入防止堰の高さは、表面弾性波素子と実装基板とをバンプを介して接続した後のバンプの高さよりも低く設定されていることが好ましい。
【００１３】
そして、少なくとも内側樹脂流入防止堰は、表面弾性波素子の機能面及び実装基板の実装面よりも封止樹脂の濡れ性が不良な材料を使用して形成されたものであることが好ましい。また、内側樹脂流入防止堰は、第１の内側樹脂流入防止堰と第２の内側樹脂流入防止堰からなることが好ましい。特に、第１の内側樹脂流入防止堰と第２の内側樹脂流入防止堰とは同程度の高さを有するものであることが好ましい。このとき、第１の内側樹脂流入防止堰と第２の内側樹脂流入防止堰とは、同一の材料を使用して形成されたものであることが好ましい。
【００１４】
更に、外側樹脂流入防止堰は段差を有することが好ましい。更にまた、第１及び第２の発明の表面弾性波装置における外側樹脂流入防止堰の段差は、少なくとも１つの凹部によって構成されている、又は、少なくとも１つの凸部によって構成されていることが好ましい。
【００１５】
また、本発明の表面弾性波装置は、外側樹脂流入防止堰と対向するように、実装基板上に形成された基板側樹脂流入防止堰を更に有することが好ましい。特に、外側樹脂流入防止堰と基板側樹脂流入防止堰との合算高さは、表面弾性波素子と実装基板とをバンプを介して接続した後のバンプの高さと実装基板の実装面に形成された電極ランドの高さとの合算高さよりも低く設定されていることが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（実施の形態１）
図１は実施の形態１にかかる表面弾性波装置の構造を示す側断面図、図２は実施の形態１にかかる実装基板の構造を示す平面図であり、図３は実施の形態１にかかる表面弾性波素子の構造を示す平面図である。そして、図４は第１の変形例にかかる表面弾性波装置の構造を示す側断面図、図５は第２の変形例にかかる側断面図であり、図６は第３の変形例にかかる側断面図である。また、図７は実施の形態１にかかる表面弾性波素子の製造手順を示す説明図であり、図８は表面弾性波装置の製造手順を示す説明図である。
【００１７】
実施の形態１にかかる表面弾性波装置１は、図１で示すように、対向しあう状態として配置された表面弾性波素子（ＳＡＷデバイスチップ）２の機能面と実装基板３の実装面とがＡｕからなるバンプ４を介して互いに接続され、かつ、表面弾性波素子２の外周縁がエポキシ樹脂などのような熱硬化型樹脂である封止樹脂５によって封止された構成を有している。そして、表面弾性波素子２の機能面、つまり、圧電基板上に形成されたＩＤＴや反射器、配線部からなる表面弾性波素子２の励振部６と、アルミナなどの誘電体からなる実装基板３の実装面との間には、表面弾性波を励振するために必要な振動空間７が確保されている。なお、実装基板３の実装面には、図２で示すように、バンプ４を固定的に接続するための電極ランド８が位置決めしたうえで形成されている。なお、図３における弾性表面波素子２のＩＤＴや反射器、配線部は略して示してある。よって、これと異なっていても良い。
【００１８】
一方、表面弾性波素子２の機能面には、この表面弾性波素子２と実装基板３との間を封止している封止樹脂５が表面弾性波素子２の励振部６へと流入するのを防止する外側樹脂流入防止堰９と内側樹脂流入防止堰１０とが設けられている。すなわち、図３で示すように、この際における表面弾性波素子２の機能面には、バンプ４及び励振部６の双方共を取り囲む圧電基板の外周位置に配置され、平面視矩形枠形状を有する外側樹脂流入防止堰９と、励振部６のみを取り囲む内周位置に配置されて平面視矩形枠形状を有する内側樹脂流入防止堰１０とが設けられている。なお、外側樹脂流入防止堰９及び内側樹脂流入防止堰１０は角部が丸みを帯びた形状であってもよい。
【００１９】
外側樹脂流入防止堰９及び内側樹脂流入防止堰１０は、表面弾性波素子２の機能面及び実装基板３の実装面よりも封止樹脂５に対する濡れ性が不良な材料、例えば、感光性ポリイミド樹脂やＢＣＢ（樹脂成分：ベンゾシクロブテン）、Ｚcoat（樹脂成分：環状ポリオシフィン）などを用いたフォトレジスト法によって形成されたものであり、ここでの外側樹脂流入防止堰９は、下側層９ａと上側層９ｂとが積層された２層構造を有している。
【００２０】
これらの外側樹脂流入防止堰９と内側樹脂流入防止堰１０とに用いられる材料は、表面弾性波装置１をプリント基板に半田で実装する際のリフローへの耐熱性に優れていることが望ましいが、リフロー時の温度は使用する半田の材料によって異なる。例えば、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田のリフロー時の温度は１８０℃、また、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田のリフロー時の温度は２２０℃であり、これらのことを考慮すると、外側樹脂流入防止堰９及び内側樹脂流入防止堰１０に用いられる材料は２６０℃の温度に耐えることができればよい。
【００２１】
すなわち、外側樹脂流入防止堰９と内側樹脂流入防止堰１０とを形成する材料には、次のような特性を有することが求められる。まず、半田による実装時のリフローに対する耐熱性であり、上述のように、２６０℃での大きな変形、分解、アウトガスを生じないことが求められる。但し、封止樹脂５で封止した後の変形については、必須要件ではない。
【００２２】
次に、封止樹脂５の流入を防止するため、表面弾性波素子２の圧電基板、実装基板３の表面や実装基板３上に配置された電極ランド８などの表面よりも封止樹脂５に対する濡れ性が悪いことが好ましい。また、誘電率が低いことが求められる。誘電率が大きい場合には、樹脂流入防止堰９，１０の配置によって電気的特性、特に、入力容量が変化し、その結果、表面弾性波装置１の特性劣化が生じることもあるため、特には、表面弾性波素子２を構成する圧電基板の有する誘電率よりも低いことが望ましい。更に、樹脂流入防止堰９，１０の形成後は、封止樹脂５によって変形しない硬度を有していることが必要となる。更にまた、表面弾性波素子２と実装基板３との線膨張係数の違いに起因して発生する表面弾性波の変形をなくすため、硬度が低いことが望ましい。
【００２３】
一方、温度変化に対応する必要上、表面弾性波素子２の圧電基板と同程度の線膨張係数を有することが求められる。例えば、圧電基板がＬｉＴａＯ3 である場合の線膨張係数は、表面弾性波の伝搬方向で約１５ｐｐｍ／℃、表面弾性波の伝搬方向と垂直方向で約７ｐｐｍ／℃であり、樹脂流入防止堰９，１０を形成する材料の線膨張係数はこれらの近いことが望ましい。なお、内側樹脂流入防止堰１０の線膨張係数は、励振部６に当接するのを防ぐため、バンプ４の線膨張係数よりも小さいことが望ましい。
【００２４】
また、表面弾性波素子２の圧電基板に対し、高さ一定で作成可能な材質を有することが求められる。すなわち、樹脂流入防止堰９，１０の最小幅は数十μｍであり、所定の位置に精度良く形成するためには感光性樹脂であることが望ましい。更に、高さ方向のうねりがあると間隔が不均一になるので、凹凸の少ない、粒径が小さい材質であることが望ましい。更にまた、樹脂流入防止堰９，１０の形成後には、例えば、洗浄工程や封止樹脂の塗布工程、加熱工程があるため、これらの処理に耐えることができ、しかも、封止樹脂５中の成分にも耐えられる耐薬品性を有することが求められる。
【００２５】
ところで、外側樹脂流入防止堰９の高さｈ１は、バンプ４の接続後の高さｈ２と実装基板３の実装面に形成された電極ランド８の高さｈ３との合算高さｈ４（＝ｈ２＋ｈ３）よりも低く設定され（ｈ１＜ｈ４）、かつ、内側樹脂流入防止堰１０の高さｈ５はバンプ４の接続後の高さｈ２よりも低く設定されている（ｈ５＜ｈ２）。このとき、外側樹脂流入防止堰９の高さｈ１が、バンプ４の接続後の高さｈ２と実装基板３の実装面に形成された電極ランド８の高さｈ３との合算高さｈ４よりも低く設定されているので、外側樹脂流入防止堰９と実装基板３の実装面との間には僅かな隙間Ｓが確保される。
【００２６】
なお、外側樹脂流入防止堰９の高さｈ１がバンプ４の接続後の高さｈ２と実装基板３の実装面に形成された電極ランド８の高さｈ３との合算高さｈ４よりも高い場合には、外側樹脂流入防止堰９の高さ（厚み）の分だけバンプ４を押圧できないため、実装基板３と表面弾性波素子２とを機械的に接続した際の十分な接続強度が得られない。つまり、実装基板３に対する表面弾性波素子２のフェイスダウンボンディング時に押圧されるバンプ４の十分な接続強度を得るには、外側樹脂流入防止堰９と実装基板３の実装面との間に隙間Ｓを確保する必要があり、外側樹脂流入防止堰９の高さｈ１がバンプ４の接続後の高さｈ２と実装基板３の実装面に形成された電極ランド８の高さｈ３との合算高さｈ４よりも低く設定された本実施の形態では、外側樹脂流入防止堰９と実装基板３の実装面との間に隙間Ｓを確保できる結果として十分な接続強度が得られる。
【００２７】
外側樹脂流入防止堰９と実装基板３の実装面との間の隙間Ｓは、０〜１５μｍであることが望ましい。また、内側樹脂流入防止堰１０の高さｈ５をバンプ４の接続後の高さｈ２よりも低くしておくと、内側樹脂流入防止堰１０が実装基板３の実装面に形成された電極ランド８と接触するのを防止できる。なお、内側樹脂流入防止堰１０の高さｈ５がバンプ４の接続後の高さｈ２よりも高いと、内側樹脂流入防止堰１０が実装基板３の電極ランド８と接触し、バンプ４を押圧できいため、実装基板３と表面弾性波素子２との十分な接続強度を得ることが困難となる。
【００２８】
更に、内側樹脂流入防止堰１０の幅寸法を封止樹脂５の濡れ量以上としておくことにより、この内側樹脂流入防止堰１０の高さｈ５を低くし得る。更にまた、外側樹脂流入防止堰９が下側層９ａ及び上側層９ｂを積層したものである場合には、その下側層９ａを内側樹脂流入防止堰１０と同一の高さｈ５とすることが好ましい。これにより、外側樹脂流入防止堰９の下側層９ａと内側樹脂流入防止堰１０とを同じ工程で形成することができ、また、外側樹脂流入防止堰９を下側層９ａと上側層９ｂで２回に分けて形成するため、高アスペクトの外側樹脂流入防止堰９を形成することが可能となる。
【００２９】
本実施の形態にかかる表面弾性波装置１では、表面弾性波素子２の機能面における外側樹脂流入防止堰９がバンプ４よりも外周位置に設けられ、かつ、上記した高さ関係が採用される結果、外側樹脂流入防止堰９は実装基板３の実装面そのもの、つまり、電極ランド８が形成されずに露出した実装面と対向することになり、外側樹脂流入防止堰９と実装基板３の実装面との間にはｈ４−ｈ１の均一な離間間隔を有する隙間Ｓが確保される。従って、表面弾性波素子２の外周縁を封止する封止樹脂５が外側樹脂流入防止堰９まで到達した場合でも、外側樹脂流入防止堰９と実装基板３の実装面との隙間Ｓが均一な離間間隔を有しているため、この外側樹脂流入防止堰９を越えてまで封止樹脂５が流入することは起こらない。
【００３０】
そして、封止樹脂５が外側樹脂流入防止堰９を越えて流入することがあったとしても、バンプ４の接続後の高さｈ２よりも低い高さｈ５とされた内側樹脂流入防止堰１０が表面弾性波素子２の励振部６を取り囲む内周位置に設けられているので、外側樹脂流入防止堰９を越えてきた少量の封止樹脂５が内側樹脂流入防止堰１０を越えて表面弾性波素子２の励振部６に至るまで流入することは確実に防止される。更に、この際、内側樹脂流入防止堰１０が封止樹脂５に対する濡れ性の不良な材料から形成されていれば、外側樹脂流入防止堰９では流入防止が困難であった封止樹脂５中の低分子成分が表面弾性波素子２の機能面を伝って流入することをより確実に防止し得る。
【００３１】
なお、本実施の形態では、外側樹脂流入防止堰９がバンプ４の全てを取り囲んで配置され、内側樹脂流入防止堰１０が励振部６のみを取り囲んで配置されるとしているが、このような構造に限られず、外側樹脂流入防止堰９がバンプ４の一部及び励振部６を取り囲んで配置されており、かつ、内側樹脂流入防止堰１０が少なくとも励振部６を取り囲んで配置されていればよい。すなわち、外側樹脂流入防止堰９は実装基板３の実装面と対向する状態で配置されていればよく、その結果として外側樹脂流入防止堰９と実装基板３の実装面との間に均一な離間間隔を有する隙間Ｓが確保されていればよいのである。
【００３２】
ここでの内側樹脂流入防止堰１０は、外側樹脂流入防止堰９を越えた封止樹脂５が表面弾性波素子２の励振部６にまで流入することを防止し得ればよく、少なくとも励振部６を取り囲んで配置されていればよい。また、本実施の形態では、封止樹脂５に対する濡れ性が不良な材料を用いて外側樹脂流入防止堰９及び内側樹脂流入防止堰１０を形成しているが、これらの双方共が封止樹脂５に対する濡れ性の不良なものである必要はない。すなわち、封止樹脂５に対する濡れ性が不良な材料は、封止樹脂５中の低分子成分の流入を防止するのに特に有効であるから、封止樹脂５の流入を確実に防止することが必要な内側樹脂流入防止堰１０が封止樹脂５に対する濡れ性の不良なものであれば、外側樹脂流入防止堰９の形成材料はより一般的なフォトレジスト材料であってもよい。
【００３３】
更に、表面弾性波素子２の機能面に形成された外側樹脂流入防止堰９が下側層９ａ及び上側層９ｂを積層したものである場合には、その下側層９ａが表面弾性波素子２の励振部６、つまり、ＩＤＴなどと同様の金属材料を用いて形成されたものであってもよい。しかし、外側樹脂流入防止堰９が積層して構成されたものである必然性はなく、図４で示すように、この外側樹脂流入防止堰９が当初から高さｈ１として一体的に形成されたものであってもよいことは勿論である。
【００３４】
更にまた、本実施の形態では、図１で示したように、表面弾性波素子２の外周縁のみが封止樹脂５によって封止されており、表面弾性波素子２の天面は外部に露出しているが、このような構造に限定されず、表面弾性波素子２の外周縁だけではなくて天面も封止樹脂５によって封止された構成であってよい。なお、封止樹脂５は塗布時の温度下で１５Ｐａ・ｓ〜１５０Ｐａ・ｓの粘度を有していることが望ましく、この程度の粘度を有する場合には流入をより確実に防ぐことが可能となる。つまり、封止樹脂５の粘度が小さいと流入しやすくなり、粘度が大きいと封止性を悪化させる気泡が入りやすいため、粘度の下限値は励振部６への流入により、その上限値は気泡の発生により規定される。
【００３５】
ところで、本実施の形態においては、以下のような変形例を採用することも可能である。まず、図５で示すように、表面弾性波素子２の機能面に設けられた外側樹脂流入防止堰９に所定幅の溝（凹部）９ｃを形成することにより、外側樹脂流入防止堰９に段差を形成してもよい。このようにすれば、外側樹脂流入防止堰９における外側の角端部で封止樹脂５の流入を阻止できなくても、内側の角端部によって封止樹脂５の流入を阻止することが可能となる。なお、外側樹脂流入防止堰９に凸部を形成して段差を設けることによっても、同様の効果が得られる。
【００３６】
また、図６で示すように、外側樹脂流入防止堰９と内側樹脂流入防止堰１０との間に、外側樹脂流入防止堰（第１の外側樹脂流入防止堰）９と隣接するようにして外側樹脂流入防止堰（第２の外側樹脂流入防止堰）１１を設けてもよい。このような構造であれば、外側樹脂流入防止堰（第１の外側樹脂流入防止堰）９で封止樹脂５の流入を阻止できなくても、外側樹脂流入防止堰（第２の外側樹脂流入防止堰）１１でもって封止樹脂５の流入を阻止することが可能になる。
【００３７】
更に、図示省略しているが、内側樹脂流入防止堰１０に所定幅の溝を形成してもよく、このような構造である場合には、内側樹脂流入防止堰１０の大きさを変更しなくても内側樹脂流入防止堰１０と励振部６との離間距離が大きくなり、封止樹脂５が励振部６に至るまで流入することがなくなる。また、この内側樹脂流入防止堰（第１の内側樹脂流入防止堰）１０の内側位置に第２の内側樹脂流入防止堰を隣接する状態で設けてもよく、このような構造を採用すれば、第２の内側樹脂流入防止堰によって内側樹脂流入防止堰（第１の内側樹脂流入防止堰）１０と励振部６との離間距離が更に大きくなるため、励振部６に対する封止樹脂５の流入を確実に阻止し得る。
【００３８】
更にまた、この場合には、第２の内側樹脂流入防止堰が内側樹脂流入防止堰（第１の内側樹脂流入防止堰）１０と同程度の高さを有し、この第２の内側樹脂流入防止堰が内側樹脂流入防止堰（第１の内側樹脂流入防止堰）１０と同一の材料を使用して形成されたものであることが好ましい。つまり、このような構造であれば、第２の内側樹脂流入防止堰を内側樹脂流入防止堰（第１の内側樹脂流入防止堰）１０と同時的に形成することができる。
【００３９】
次に、本実施の形態にかかる表面弾性波装置１及び表面弾性波素子２の製造方法を、図７及び図８に基づいて簡単に説明する。
【００４０】
まず、表面弾性波素子の製造手順を図示した図７で示すように、ダイシングされることによって多数の表面弾性波素子２となる、バンプ４及び励振部６（図示省略）が複数形成された圧電基板１２（ＬｉＴａＯ3 ウエハ）を用意し、バンプ４及び励振部６が形成済みの表面弾性波素子領域１３毎に対し、外側樹脂流入防止堰９及び内側樹脂流入防止堰１０をそれぞれ形成する。なお、圧電基板１２がＬｉＴａＯ3 でなく、ＬｉＮｂＯ3 などの他の材料からなる基板であってもよい。
【００４１】
また、誘電体基板の表面上にＺｎＯなどのような圧電薄膜が形成されたものを圧電基板１２に代えて使用することも可能である。更に、以上の説明では、バンプ４が形成された表面弾性波素子領域１３に外側樹脂流入防止堰９及び内側樹脂流入防止堰１０を形成するとしているが、外側樹脂流入防止堰９及び内側樹脂流入防止堰１０を形成した後にバンプ４を形成する手順でもよい。
【００４２】
すなわち、ここでは、ＩＤＴや反射器などからなる励振部６が形成された圧電基板１２であるＬｉＴａＯ3 ウエハ上に対し、バンプ４及び励振部６を取り囲んで配置される外側樹脂流入防止堰９の下側層９ａと、励振部６のみを取り囲んで配置される内側樹脂流入防止堰１０とを、これらの高さｈ５がバンプ４の接続後の高さｈ２よりも低くなるように留意しながら感光性ポリイミド樹脂などを用いたフォトレジスト法により同時に形成することが行われる。引き続き、外側樹脂流入防止堰９の下側層９ａ上に、実装基板３の実装面に形成された電極ランド８の高さｈ３よりも高い高さｈ１−ｈ５となるようにしながら上側層９ｂを積層して形成する。
【００４３】
その結果、圧電基板１２の表面弾性波素子領域１３それぞれには、高さｈ１となってバンプ４及び励振部６を取り囲む外側樹脂流入防止堰９と、高さｈ５とされたうえで励振部６のみを取り囲んだ内側樹脂流入防止堰１０とが内外二重で形成されている。その後、圧電基板１２であるＬｉＴａＯ3 ウエハをチップサイズにダイシングすると、表面弾性波素子領域１３のそれぞれと対応した個々の表面弾性波素子２が作製される。
【００４４】
ところで、表面弾性波素子２の機能面に設けられた外側樹脂流入防止堰（第１の外側樹脂流入防止堰）９と内側樹脂流入防止堰１０との間に外側樹脂流入防止堰（第２の外側樹脂流入防止堰）１１を設けたり、内側樹脂流入防止堰（第１の内側樹脂流入防止堰）１０の内側位置に第２の内側樹脂流入防止堰を設けたりする場合には、圧電基板１２における表面弾性波素子領域１３毎に対し、これらの外側樹脂流入防止堰（第２の外側樹脂流入防止堰）１１及び第２の内側樹脂流入防止堰を外側樹脂流入防止堰（第１の外側樹脂流入防止堰）９及び内側樹脂流入防止堰（第１の内側樹脂流入防止堰）１０と共に形成することが行われる。
【００４５】
更に、表面弾性波素子２の各々と対応する領域、つまり、素子対応領域１４毎に電極ランド８が予め形成され、後に実装基板３となる集合基板１５を用意したうえ、図８で示すように、ダイシングされた表面弾性波素子２の各々を集合基板１５の素子対応領域１４毎に対してフェイスダウンボンディングで実装する。その後、図示省略しているが、集合基板１５に実装された表面弾性波素子２それぞれの外周囲に封止樹脂５を塗布して硬化させたうえ、集合基板１５をチップサイズにダイシングすると、図１で示したような構造を有する表面弾性波装置１が作製される。
【００４６】
（実施の形態２）
図９は実施の形態２にかかる表面弾性波装置の構造を示す側断面図、図１０は表面弾性波素子の構造を示す平面図であり、図１１は実装基板の構造を示す平面図である。そして、図１２は実施の形態２にかかる表面弾性波素子の製造手順を示す説明図であり、図１３は表面弾性波装置の製造手順を示す説明図である。なお、実施の形態２にかかる表面弾性波装置の全体構造は実施の形態１と基本的に異ならないので、図９〜図１３において図１〜図８と互いに同一または相当する部品、部分には同一符号を付し、ここでの詳しい説明は省略する。
【００４７】
実施の形態２にかかる表面弾性波装置２１は、図９で示すように、表面弾性波素子（ＳＡＷデバイスチップ）２の機能面が実装基板３の実装面にバンプ４を介して接続されたものであり、表面弾性波素子２の外周縁のみが封止樹脂５で封止された構成を有している。そして、表面弾性波素子２の機能面に形成された励振部６、つまり、ＩＤＴや反射器、配線部である表面弾性波素子２の励振部６と、アルミナなどの誘電体からなる実装基板３の実装面との間には振動空間７が確保されている。なお、図１０における弾性表面波素子２のＩＤＴや反射器、配線部は略して示してある。よって、これと異なっていても良い。
【００４８】
また、表面弾性波素子２の機能面には、図１０の平面図で示すように、表面弾性波素子２と実装基板３との間を封止している封止樹脂５、例えば、エポキシ樹脂などのような封止樹脂５が表面弾性波素子２の励振部６へと流入するのを防止するための外側樹脂流入防止堰２２及び内側樹脂流入防止堰２３が内外二重で設けられている。すなわち、この表面弾性波素子２の機能面には、バンプ４及び励振部６を取り囲む外周位置に配置されて平面視矩形枠形状を有する外側樹脂流入防止堰２２と、励振部６のみを取り囲む内周位置に配置されて平面視矩形枠形状を有する内側樹脂流入防止堰２３とが設けられている。なお、外側樹脂流入防止堰２２の高さは内側樹脂流入防止堰２３の高さｈ５と同じにされ、バンプ４の接続後の高さｈ２よりも低く設定されている（ｈ５＜ｈ２）。
【００４９】
一方、実装基板３の実装面には、図１１の平面図で示すように、バンプ４を固定的に接続するための電極ランド８が位置決めして形成されると共に、表面弾性波素子２の機能面に形成されたバンプ４及び励振部６を取り囲んで配置される基板側樹脂流入防止堰２４が、表面弾性波素子２に形成された外側樹脂流入防止堰２２と対向する位置に形成されている。更に、このとき、基板側樹脂流入防止堰２４の高さｈ６は、外側樹脂流入防止堰２２の高さｈ５との合算高さｈ７（＝ｈ５＋ｈ６）がバンプ４の接続後の高さｈ２と実装基板３の実装面に形成された電極ランド８の高さｈ３との合算高さｈ４（＝ｈ２＋ｈ３）よりも低くなるよう設定されている。
【００５０】
そして、外側樹脂流入防止堰２２及び内側樹脂流入防止堰２３と基板側樹脂流入防止堰２４とが上記したような高さ関係にあるため、表面弾性波素子２の機能面に形成された外側樹脂流入防止堰２２と実装基板３の実装面に形成された基板側樹脂流入防止堰２４との間には、ｈ４−ｈ７の均一な離間間隔を有する隙間Ｓが確保される。その結果、実装基板３に対する表面弾性波素子２のフェイスダウンボンディング時にバンプ４を押圧しても、対向しあって形成された外側樹脂流入防止堰２２及び基板側樹脂流入防止堰２４が当接することは起こらず、バンプ４の十分な接続強度を得ることが可能となる。
【００５１】
表面弾性波装置２１では、表面弾性波素子２の外周縁を封止している封止樹脂５が外側樹脂流入防止堰２２及び基板側樹脂流入防止堰２４まで到達した場合でも、外側樹脂流入防止堰２２及び基板側樹脂流入防止堰２４との隙間Ｓが均一であるため、外側樹脂流入防止堰２２及び基板側樹脂流入防止堰２４を越えてまで封止樹脂５が流入することは起こらない。また、封止樹脂５が外側樹脂流入防止堰２２及び基板側樹脂流入防止堰２４を越えて流入することがあったとしても、内側樹脂流入防止堰２３が表面弾性波素子２の励振部６を取り囲んでいるので、外側樹脂流入防止堰２２を越えてきた少量の封止樹脂５が励振部６に至るまで流入することは確実に防止される。
【００５２】
なお、外側樹脂流入防止堰２２と実装基板３の実装面との間の隙間Ｓは、０〜１５μｍであることが望ましい。つまり、この実装基板３上のうねり、傾きに起因し、外側樹脂流入防止堰２２と実装基板３とが部分的に接することもあるが、隙間Ｓの平均的な間隔を上記値に設定しておくことによって封止樹脂５の流入を防ぐことが可能となる。
【００５３】
また、外側樹脂流入防止堰２２、内側樹脂流入防止堰２３、基板側樹脂流入防止堰２４のうちの少なくとも内側樹脂流入防止堰２３は、実施の形態１と同様、表面弾性波素子２の機能面及び実装基板３の実装面よりも封止樹脂５に対する濡れ性が不良な材料、例えば、感光性ポリイミド樹脂などを用いて形成されたものであることが好ましい。このような構成であれば、外側樹脂流入防止堰２２及び基板側樹脂流入防止堰２４では流入を防止することが困難であった封止樹脂５中の低分子成分が、表面弾性波素子２の機能面を伝って流入するのをより確実に防止することが可能となる。
【００５４】
封止樹脂５に対する濡れ性が不良な材料は、封止樹脂５中の低分子成分の流入防止に有効であり、封止樹脂５の確実な流入防止を求められる内側樹脂流入防止堰２３が、封止樹脂５に対する濡れ性の不良なものであれば、外側樹脂流入防止堰２２及び基板側樹脂流入防止堰２４は、必ずしも封止樹脂５の濡れ性が不良である必要がない。よって、封止樹脂５の流入を確実に防止することが求められる内側樹脂流入防止堰２３が、封止樹脂５に対する濡れ性の不良なものであれば、外側樹脂流入防止堰２２の形成材料はより一般的なフォトレジスト材料であってもよい。更に、外側樹脂流入防止堰２２、内側樹脂流入防止堰２３、基板側樹脂流入防止堰２４を形成する材料が、リフロー耐熱性（２６０℃）にも優れていることが望ましいのは勿論である。
【００５５】
ところで、図示省略しているが、実施の形態２においても、実施の形態１と同様の変形例を採用することが可能である。すなわち、表面弾性波素子２の機能面に設けられた外側樹脂流入防止堰２２がバンプ４の一部及び励振部６を取り囲んで配置され、かつ、内側樹脂流入防止堰２３が少なくとも励振部６を取り囲んで配置されたものであってよい。また、外側樹脂流入防止堰２２及び内側樹脂流入防止堰２３それぞれに溝を形成したり、外側樹脂流入防止堰２２と内側樹脂流入防止堰２３との間に第２の外側樹脂流入防止堰を設けたりしてもよく、更に、内側樹脂流入防止堰２３の内側位置に第２の内側樹脂流入防止堰を設けてもよい。
【００５６】
次に、本実施の形態にかかる表面弾性波装置２１及び表面弾性波素子２の製造方法を、図１２及び図１３に基づいて簡単に説明する。
【００５７】
まず、表面弾性波素子の製造手順を図示した図１２で示すように、ダイシングされて多数の表面弾性波素子２となる、バンプ４及び励振部６（図示省略）が複数形成された圧電基板１２（ＬｉＴａＯ3 ウエハ）を用意し、バンプ４及び励振部６が形成された表面弾性波素子領域１３毎に対して外側樹脂流入防止堰２２及び内側樹脂流入防止堰２３をそれぞれ形成する。なお、圧電基板１２としては、ＬｉＴａＯ3 だけではなく、ＬｉＮｂＯ3 などの他の材料からなる基板であってもよい。
【００５８】
また、ここでは圧電基板１２としたが、誘電体基板の表面上にＺｎＯなどの圧電薄膜が形成されたものを圧電基板１２に代えて使用することも可能である。更に、バンプ４が形成された表面弾性波素子領域１３に外側樹脂流入防止堰２２及び内側樹脂流入防止堰２３を形成するとしているが、外側樹脂流入防止堰２２及び内側樹脂流入防止堰２３を形成した後にバンプ４を形成する手順であってもよい。
【００５９】
すなわち、この際には、ＩＤＴや反射器などからなる励振部６が形成された圧電基板１２であるＬｉＴａＯ3 ウエハ上に対し、バンプ４及び励振部６を取り囲んで配置される外側樹脂流入防止堰２２と、励振部６のみを取り囲んで配置される内側樹脂流入防止堰２３とを、これら双方共の高さｈ５がバンプ４の接続後の高さｈ２よりも低くなるように留意しながら感光性ポリイミド樹脂などを用いたフォトレジスト法により同時に形成することが行われる。
【００６０】
引き続き、圧電基板１２であるＬｉＴａＯ3 ウエハをチップサイズにダイシングし、表面弾性波素子領域１３のそれぞれと対応した個々の表面弾性波素子２を作製する。一方、表面弾性波素子２の各々と対応している領域、つまり、素子対応領域１４毎に電極ランド８が予め形成され、後に実装基板３となる集合基板１５を用意し、図１３で示すように、用意した集合基板１５の素子対応領域１４毎における外側樹脂流入防止堰２２との対向位置、つまり、表面弾性波素子２に形成された外側樹脂流入防止堰２２と対向する位置に基板側樹脂流入防止堰２４を形成する。
【００６１】
その後、ダイシングされた表面弾性波素子２のそれぞれを、集合基板１５の素子対応領域１４毎に対してフェイスダウンボンディングで実装する。更に、引き続き、図示省略しているが、集合基板１５に実装された表面弾性波素子２それぞれの外周囲に封止樹脂５を塗布して硬化させたうえ、集合基板１５をチップサイズにダイシングして分割すると、図９で示したような構造を有する表面弾性波装置２１が作製される。
【００６２】
（参考例１）
図１４は参考例１にかかる表面弾性波装置の構造を示す側断面図、図１５は表面弾性波素子の構造を示す平面図であり、図１６は参考例１の変形例にかかる表面弾性波装置の構造を示す側断面図である。なお、参考例１にかかる表面弾性波装置の全体構造は、実施の形態１と基本的に異ならないので、図１４〜図１６において図１〜図８と互いに同一または相当する部品、部分には同一符号を付し、ここでの詳しい説明は省略する。
【００６３】
参考例１にかかる表面弾性波装置３１は、図１４で示すように、表面弾性波素子（ＳＡＷデバイスチップ）２の機能面が実装基板３の実装面にバンプ４を介して接続されたものであり、表面弾性波素子２の外周縁及び天面が封止樹脂５で封止された構成を有している。そして、表面弾性波素子２の機能面に形成された励振部６、つまり、ＩＤＴや反射器、配線部からなる表面弾性波素子２の励振部６と、アルミナなどの誘電体からなる実装基板３の実装面との間には振動空間７が確保されている。なお、図１５における弾性表面波素子２のＩＤＴや反射器、配線部は略して示してある。よって、これと異なっていても良い。
【００６４】
一方、実装基板３の実装面には、図１４で示すように、バンプ４を固定的に接続するための電極ランド８が位置決めして形成されている。また、表面弾性波素子２の機能面には、図１５の平面図で示すように、表面弾性波素子２と実装基板３との間を封止している封止樹脂５、例えば、エポキシ樹脂などである封止樹脂５が表面弾性波素子２の励振部６へと流入するのを防止するための外側樹脂流入防止堰３２が設けられている。すなわち、この表面弾性波素子２の機能面には、バンプ４及び励振部６を取り囲む外周位置に配置されて平面視矩形枠形状を有する外側樹脂流入防止堰３２が設けられている。
【００６５】
この外側樹脂流入防止堰３２は、表面弾性波素子２の機能面及び実装基板３の実装面よりも封止樹脂５に対する濡れ性が不良な材料、例えば、感光性ポリイミド樹脂やＢＣＢ（樹脂成分：ベンゾシクロブテン）、Ｚcoat（樹脂成分：環状ポリオシフィン）などを用いたフォトレジスト法によって形成されたものである。そして、外側樹脂流入防止堰３２に用いられる材料は、表面弾性波装置１をプリント基板に半田で実装する際のリフローへの耐熱性にも優れていることが望ましい。
【００６６】
なお、リフロー時の温度は、使用する半田の材料によって異なる。例えば、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田のリフロー時の温度は１８０℃、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田のリフロー時の温度は２２０℃であり、これらの点を考慮すると、外側樹脂流入防止堰３２に用いられる材料は２６０℃の温度に耐えることができればよい。また、この際における外側樹脂流入防止堰３２は、図１４で示すように、下側層３２ａと上側層３２ｂとが積層された構造を有している。このような構成であれば、下側層３２ａを形成した上に上側層３２ｂを形成できるため、単層で作製するのに比して高アスペクト比の堰を形成することが可能となる。
【００６７】
更に、外側樹脂流入防止堰３２は、接続後のバンプ４の高さと電極ランドの高さの合算高さよりも低く設定されている。そして、外側樹脂流入防止堰３２が上記したような高さであるため、表面弾性波素子２の機能面に形成された外側樹脂流入防止堰３２と実装基板３の実装面との間には、均一な離間間隔を有する隙間Ｓが確保される。その結果、実装基板３に対する表面弾性波素子２のフェイスダウンボンディング時にバンプ４を押圧しても、対向しあって形成された外側樹脂流入防止堰３２が実装基板３に当接することは起こらず、バンプ４の十分な接続強度を得ることが可能となる。
【００６８】
表面弾性波装置３１においては、表面弾性波素子２の外周縁を封止している封止樹脂５が外側樹脂流入防止堰３２まで到達した場合でも、外側樹脂流入防止堰３２と実装基板３との隙間Ｓが均一であるため、外側樹脂流入防止堰３２を越えてまで封止樹脂５が流入することは起こらない。なお、外側樹脂流入防止堰３２と実装基板３の実装面との間の隙間Ｓは、０〜１５μｍ程度であることが望ましい。
【００６９】
ところで、本実施の形態における外側樹脂流入防止堰３２は、図１４及び図１５で示すように、所定幅の溝（凹部）３２ｃを有しており、この溝３２ｃを有する結果として外側樹脂流入防止堰３２は段差を有している。従って、外側樹脂流入防止堰３２における外側の角端部で封止樹脂の流入を阻止できなかったとしても、内側の角端部によって封止樹脂の流入を阻止することが可能となる。
【００７０】
すなわち、外側樹脂流入防止堰３２に溝３２ｃからなる段差があるため、封止樹脂５の流入を防止できる原理は以下の通りである。まず、封止樹脂５は表面弾性波素子２の外周縁の方向から塗布されるが、外側樹脂流入防止堰３２に段差がない場合、外側樹脂流入防止堰３２の角端部を超えた封止樹脂５は、そのまま励振部６まで達することがある。一方、外側樹脂流入防止堰３２に段差がある場合には、封止樹脂５が外側樹脂流入防止堰３２の角端部を超えたとしても、外側樹脂流入防止堰３２を乗り越えた封止樹脂５は段差である溝３２の底部に達する。
【００７１】
すると、段差の角端部が作用し、表面張力の関係より封止樹脂５は励振部６へ向かう方向よりも段差方向に伝いやすくなる。つまり、封止樹脂５は励振部６へ向かう方向ではなく、溝３２ｃの伸びる方向に封止樹脂５は伝わることとなる。よって、段差をつけた外側樹脂流入防止堰３２を設けておけば、より確実に封止樹脂５の流入を防止することが可能となる。なお、図１６で示すように、外側樹脂流入防止堰３２に凸部を形成することで段差を設けても、同様の効果が得られる。このとき、段差が必ずしも直角である必要はなく、プロセス上発生するすそ引きやテーパー角を持っていてもよい。
【００７２】
また、本実施の形態においても、第２の実施形態と同様に、実装基板３上の外側樹脂流入防止堰３２と対向する位置に基板側樹脂流入防止堰を設けておいてもよいことは勿論である。更に、外側樹脂流入防止堰３２と基板側樹脂流入防止堰との合算高さは、表面弾性波素子２と実装基板３とをバンプ４を介して接続した後のバンプ４の高さと実装基板３の実装面に形成された電極ランド８の高さとの合算高さよりも低く設定されていることが好ましい。
【００７３】
（参考例２）
図１７は参考例２にかかる表面弾性波装置の構造を示す側断面図、図１８は表面弾性波素子の構造を示す平面図、図１９は参考例２の第１の変形例にかかる表面弾性波装置の構造を示す側断面図、図２０は参考例２の第２の変形例にかかる表面弾性波装置の構造を示す側断面図である。参考例２にかかる表面弾性波装置の全体構造は、実施の形態１と基本的に異ならないので、図１７〜図２０において図１〜図８と互いに同一または相当する部品、部分には同一符号を付し、ここでの詳しい説明は省略する。
【００７４】
参考例２にかかる表面弾性波装置４１は、図１７で示すように、表面弾性波素子（ＳＡＷデバイスチップ）２の機能面が実装基板３の実装面にバンプ４を介して接続されたものであり、表面弾性波素子２の外周縁及び天面が封止樹脂５でもって封止された構成を有している。そして、表面弾性波素子２の機能面に形成された励振部６、つまり、ＩＤＴや反射器、配線部、パッド部である表面弾性波素子２の励振部６と、アルミナなどの誘電体からなる実装基板３の実装面との間には振動空間７が確保されている。なお、表面弾性波素子２は、２つのＩＤＴが２段縦続接続されたものに限られない。
【００７５】
実装基板３の実装面には、図１７に示すように、バンプ４を固定的に接続するための電極ランド８が位置決めして形成されている。また、表面弾性波素子２の機能面には、図１８の平面図で示すように、表面弾性波素子２と実装基板３との間を封止している封止樹脂５、例えば、エポキシ樹脂などのような封止樹脂５が表面弾性波素子２の励振部６へと流入するのを防止するための第１の外側樹脂流入防止堰４２と、第２の外側樹脂流入防止堰４３とが、内外二重で設けられている。すなわち、この表面弾性波素子２の機能面には、バンプ４及び励振部６を取り囲む外周位置に配置されて平面視矩形枠形状を有する第１の外側樹脂流入防止堰４２と、第１の外側樹脂流入防止堰４２の内周位置に配置されて平面視矩形枠形状を有する第２の外側樹脂流入防止堰４３とが設けられている。なお、第１の外側樹脂流入防止堰４２及び第２の外側樹脂流入防止堰４３は角部が丸みを帯びた形状であってもよい。
【００７６】
従って、表面弾性波装置４１において、表面弾性波素子２の外周縁を封止している封止樹脂５が、第１の外側樹脂流入防止堰４２を越えて流入することがあったとしても、第２の外側樹脂流入防止堰４３が、第１の外側樹脂流入防止堰４２の内周位置にバンプ４及び励振部６を取り囲んで設けられている結果、第１の外側樹脂流入防止堰４２を越えてきた封止樹脂５のうちの低分子成分が励振部６に至るまで流入することを防止することができる。なお、表面弾性波素子２においては、表面上にＳｉＯ2などからなる保護膜が形成されていても良い。
【００７７】
このとき、第１の外側樹脂流入防止堰４２及び第２の外側樹脂流入防止堰４３は、表面弾性波素子２の機能面や実装基板３の実装面よりも封止樹脂５に対する濡れ性が不良な材料、例えば、感光性ポリイミド樹脂やＢＣＢ（樹脂成分：ベンゾシクロブテン）、Ｚcoat（樹脂成分：環状ポリオシフィン）などを用いたフォトレジスト法により形成されている。なお、第１の外側樹脂流入防止堰４２及び第２の外側樹脂流入防止堰４３を形成するのに用いられる材料は、表面弾性波装置１をプリント基板に半田で実装する際のリフローへの耐熱性にも優れていることが望ましい。
【００７８】
但し、リフロー時の温度は、用いられる半田の材料によって異なる。例えば、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田のリフロー時の温度は１８０℃、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田のリフロー時の温度は２２０℃であり、これらのことを考慮すると、外側樹脂流入防止堰３２に用いられる材料は２６０℃の温度に耐えることができればよいものである。
【００７９】
また、第１の外側樹脂流入防止堰４２は、図１７で示すように、下側層４２ａと上側層４２ｂとが積層されてなる２層構造を有している。この構成であれば、下側層４２ａを形成した上に上側層４２ｂを形成できるため、単層で作製するよりも高アスペクト比の堰を形成することができる。更に、第１の外側樹脂流入防止堰４２の下側層４２ａと第２の外側樹脂流入防止堰４３とは、同じ高さを有している。従って、第１の外側樹脂流入防止堰４２の下側層４２ａと第２の外側樹脂流入防止堰４３とを同じプロセスで形成することが可能となる。
【００８０】
一方、第２の外側樹脂流入防止堰４３は第１の外側樹脂流入防止堰４２の高さよりも低く設定されており、かつ、第１の外側樹脂流入防止堰４２は接続後のバンプ４の高さと電極ランドの高さの合算高さよりも低く設定されている。そして、第１の外側樹脂流入防止堰４２及び第２の外側樹脂流入防止堰４３が上記したような高さであるため、表面弾性波素子２の機能面に形成された第１の外側樹脂流入防止堰４２と実装基板３の実装面との間には、均一な離間間隔を有する隙間Ｓが確保される。
【００８１】
その結果、実装基板３に対する表面弾性波素子２のフェイスダウンボンディング時にバンプ４を押圧しても、対向しあって形成された第１の外側樹脂流入防止堰４２及び第２の外側樹脂流入防止堰４３が実装基板３と当接することは起こらず、バンプ４の十分な接続強度を得ることが可能となる。従って、表面弾性波装置４１において、表面弾性波素子２の外周縁を封止している封止樹脂５が第１の外側樹脂流入防止堰４２まで到達することがあっても、第１の外側樹脂流入防止堰４２と実装基板３との隙間Ｓが均一であるため、第１の外側樹脂流入防止堰４２を越えてまで封止樹脂５が流入することは起こらない。
【００８２】
なお、第１の外側樹脂流入防止堰４２と実装基板３の実装面との間における隙間Ｓの離間間隔は、０〜１５μｍであることが望ましい。
【００８３】
また、第１の外側樹脂流入防止堰４２には、図１７及び図１８で示すように、所定幅の溝（凹部）４２ｃが形成されている。そして、溝４２ｃが形成されている結果、第１の外側樹脂流入防止堰４２は段差を有していることになり、第１の外側樹脂流入防止堰４２における外側の角端部で封止樹脂５の流入を阻止できなかったとしても、その内側に位置する角端部によって封止樹脂５の流入を確実に阻止し得ることとなる。
【００８４】
ここで、第１の外側樹脂流入防止堰４２に形成された溝４２ｃからなる段差によって、封止樹脂５の流入を防止できる原理を説明をする。まず、封止樹脂５は表面弾性波素子２の外周縁の方向から塗布されるが、第１の外側樹脂流入防止堰４２に段差がない場合、第１の外側樹脂流入防止堰４２の角端部を超えた封止樹脂５は、そのまま励振部６まで達することがある。しかし、第１の外側樹脂流入防止堰４２に段差がある場合、封止樹脂５が第１の外側樹脂流入防止堰４２の角端部を超えたところで、第１の外側樹脂流入防止堰４２を乗り越えた封止樹脂５は段差である溝４２ｃの底部に達する。
【００８５】
そのため、段差の角端部が作用することになり、表面張力の関係に基づいて封止樹脂５は励振部６へ向かう方向よりも段差を伝いやすくなる。つまり、封止樹脂５は励振部６へ向かう方向ではなく、溝４２ｃの伸びる方向に沿って封止樹脂５は伝わることになる。よって、段差をつけた外側樹脂流入防止堰４２を設けることにより、封止樹脂５の流入を防止することが可能となる。なお、図１９で示すように、第１の外側樹脂流入防止堰４２に凸部を形成することで段差を設けることによっても、同様の効果を得ることができる。ここでの段差が直角である必要はなく、プロセス上発生するすそ引きやテーパー角を持っていてもよいことは勿論である。
【００８６】
なお、本実施の形態の構造では、実施の形態１及び実施の形態２の構造に比べて次の点で有利である。実施の形態１及び実施の形態２の構造においては、ＩＤＴ部とバンプの間に内側樹脂流入防止堰を配置する必要があるため、弾性表面波素子における圧電基板のレイアウトが複雑化する。これにより、信号側の配線部とアース側配線部の接近することで静電容量が増加することによる特性劣化が起こりやすくなるため、この問題を防ぐために圧電基板のサイズを拡大する必要があった。しかし、本実施の形態では内側樹脂流入防止堰を設けないので、圧電基板のサイズを大きくする必要がない。また、外側樹脂流入防止堰（本実施の形態における第１の外側樹脂流入防止堰）と圧電基板上のＩＤＴや反射器、配線部が接触すると封止樹脂が流入する原因となるため、実装基板への弾性表面波素子の搭載精度等の製造ばらつきを考慮すると、圧電基板上のＩＤＴや反射器、配線部などと外側樹脂流入防止堰（本実施の形態における第１の外側樹脂流入防止堰）との間には、ある一定の距離を空けることが必要である。本実施の形態では、第２の外側樹脂流入防止堰を、圧電基板上のＩＤＴや反射器、配線部などと外側樹脂流入防止堰（本実施の形態における第１の外側樹脂流入防止堰）との間の領域にに配置しているため、第２の外側樹脂流入防止堰を追加しても圧電基板のサイズを大きくする必要はない。
【００８７】
本実施の形態にあっては、以下のような変形例を採用することも可能である。すなわち、図２０で示すように、表面弾性波素子２の機能面に設けられた第１の外側樹脂流入防止堰４２が段差を有さない形状であってもよい。この場合でも、第１の外側樹脂流入防止堰４２の内周位置に第２の外側樹脂流入防止堰４３が設けられているので、表面弾性波素子２の外周縁を封止している封止樹脂５が第１の外側樹脂流入防止堰４２を越えて流入することが起こっても、第２の外側樹脂流入防止堰４３によって第１の外側樹脂流入防止堰４２を越えてきた封止樹脂５のうちの低分子成分が励振部６に至るまで流入することを防止することが可能である。
【００８８】
しかしながら、上記したように、第１の外側樹脂流入防止堰４２が段差を有する形状である方が、より確実に封止樹脂５の流入を防止できることはいうまでもない。また、本実施の形態においても、第２の実施形態と同様、実装基板３上の第１の外側樹脂流入防止堰４２と対向する位置に基板側樹脂流入防止堰を設けても良い。更に、第１の外側樹脂流入防止堰４２と基板側樹脂流入防止堰との合算高さは、表面弾性波素子２と実装基板３とをバンプ４を介して接続した後のバンプ４の高さと実装基板３の実装面に形成された電極ランド８の高さとの合算高さよりも低く設定されていることが好ましい。
【００８９】
(発明の効果)
本発明にかかる構成とされた表面弾性波装置であれば、表面弾性波素子及び実装基板間を封止している封止樹脂が表面弾性波素子の励振部に至るまで流入するのを確実に防止することができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】実施の形態１にかかる表面弾性波装置の構造を示す側断面図である。
【図２】実施の形態１にかかる実装基板の構造を示す平面図である。
【図３】実施の形態１にかかる表面弾性波素子の構造を示す平面図である。
【図４】実施の形態１の第１の変形例にかかる表面弾性波装置の構造を示す側断面図である。
【図５】実施の形態１の第２の変形例にかかる表面弾性波装置の構造を示す側断面図である。
【図６】実施の形態１の第３の変形例にかかる表面弾性波装置の構造を示す側断面図である。
【図７】実施の形態１にかかる表面弾性波素子の製造手順を示す説明図である。
【図８】実施の形態１にかかる表面弾性波装置の製造手順を示す説明図である。
【図９】実施の形態２にかかる表面弾性波素子の構造を示す側断面図である。
【図１０】実施の形態２にかかる表面弾性波素子の構造を示す平面図である。
【図１１】実施の形態２にかかる実装基板の構造を示す平面図である。
【図１２】実施の形態２にかかる表面弾性波素子の製造手順を示す説明図である。
【図１３】実施の形態２にかかる表面弾性波装置の製造手順を示す説明図である。
【図１４】参考例１にかかる表面弾性波装置の構造を示す側断面図である。
【図１５】参考例１にかかる表面弾性波素子の構造を示す平面図である。
【図１６】参考例１の変形例にかかる表面弾性波装置の構造を示す側断面図である。
【図１７】参考例２にかかる表面弾性波装置の構造を示す側断面図である。
【図１８】参考例２にかかる表面弾性波素子の構造を示す平面図である。
【図１９】参考例２の第１の変形例にかかる表面弾性波装置の構造を示す側断面図である。
【図２０】参考例２の第２の変形例にかかる表面弾性波装置の構造を示す側断面図である。
【図２１】従来の形態にかかる表面弾性波装置の構造を示す側断面図である。
【図２２】従来の形態にかかる表面弾性波素子の構造を示す平面図である。
【図２３】従来の形態にかかる実装基板の構造を示す平面図である。
【符号の説明】
【００９１】
１    表面弾性波装置
２    表面弾性波素子
３    実装基板
４    バンプ
５    封止樹脂
６    励振部
７    振動空間
８    電極ランド
９    外側樹脂流入防止堰
１０    内側樹脂流入防止堰
ｈ１    外側樹脂流入防止堰の高さ
ｈ２    バンプの高さ
ｈ３    電極ランドの高さ
ｈ４    合算高さ
ｈ５    内側樹脂流入防止堰の高さ
ｈ６    基板側樹脂流入防止堰の高さ
ｈ７    合算高さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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