(57)【要約】【課題】基板の表面に、ムラのない、均一なめっき層を形成することができるめっき方法を提供する。【解決手段】めっき液を減圧雰囲気下で脱気して該めっき液に溶解していたガス成分を除去する脱気工程と、前記脱気工程により得られためっき液に基板を浸漬して該基板の表面にめっき層を形成するめっき工程とを有する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき液を減圧雰囲気下で脱気して該めっき液に溶解していたガス成分を除去する脱気工程と、前記脱気工程により得られためっき液に基板を浸漬して該基板の表面にめっき層を形成するめっき工程とを有するめっき方法。
【請求項２】
前記脱気工程の前に、加圧雰囲気下で前記めっき液に酸素を供給して前記めっき液に酸素を溶解させる酸素溶解工程を有することを特徴とする請求項１に記載のめっき方法。
【請求項３】
前記酸素溶解工程の前に、前記めっき液を減圧雰囲気下で脱気して前記めっき液に溶解しているガス成分を除去する予備脱気工程を有することを特徴とする請求項２に記載のめっき方法。
【請求項４】
前記脱気工程の際に、前記めっき液を所定の温度に加熱することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のめっき方法。
【請求項５】
前記めっき工程の前に、前記めっき液から金属成分を除去した第１の前処理液に、減圧雰囲気下で前記基板を浸漬させる第１の前処理工程を有することを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載のめっき方法。
【請求項６】
前記めっき工程の前に、前記めっき液よりも表面張力が小さい第２の前処理液に前記基板を浸漬させる第２の前処理工程を有することを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載のめっき方法。
【請求項７】
前記めっき液が、理論値よりも過剰に錯化剤又は還元剤を含有する無電解めっき液であることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載のめっき方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面にめっき層を形成するめっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハの表面に配線を設けるなど、基板の微細な部分に所定形状の金属層を形成することがある。例えば、金属層としてはワイヤーボンディングを実装する配線等が挙げられ、そのような金属層を形成する方法としてはスパッタリング法などが知られている。しかしながら、金属層を比較的厚く形成する場合には、スパッタリング法はコストがかかるという問題と、形成した金属層のソリ（応力）が大きくなるという問題がある。
【０００３】
このため、スパッタリング法等によりベース金属層を形成した後、このベース金属層上に無電解めっきによりめっき層を形成することで比較的厚い金属層を形成している。具体的には、置換金めっき液により置換金めっき膜を形成し、水洗後さらに還元型無電解めっきを行う方法（例えば特許文献１参照）や、銅箔を設け、パラジウムにより銅箔の表面を活性化させ、その上にニッケルめっき層を設け、置換型無電解金めっきにより薄い金めっき層を形成し、最後に自己触媒型無電解めっきを行う方法（例えば特許文献２参照）などにより、金属層を形成している。
【０００４】
そして、このような無電解めっき方法では、一般的に、化学量論的な理論値よりも過剰な量の還元剤がめっき液に添加されており、めっき処理を行う際には、めっき液を所定の温度に加熱している。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２１６７２号公報
【特許文献２】特開２００３−１２９２５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このような従来のめっき方法に用いられるめっき液には、空気などのガス成分が溶解しており、めっきを行う際に、そのガス成分が基板の表面で気泡化してしまうことがある。その結果、基板の表面の気泡が付着した部分にめっき層を形成することができず、めっきムラを生じさせてしまうという問題があった。特に、めっき液の温度を上げてめっきを行う場合には、めっき液に溶解しているガス成分が基板表面でマイクロバブル化してしまい、結果としてめっきムラを生じさせ易くなるという問題があった。
【０００７】
また、従来の無電解めっき方法では、めっき液に化学量論的な理論値よりも過剰な量の還元剤や錯化剤を添加しているために、余剰の還元剤や錯化剤によってめっきが異常析出してしまうことがあるという問題があった。そして、そのようにめっきが異常析出してしまうことによって、基板に形成されるめっき層のめっきレート（析出速度）が低下してしまうという問題があった。このような問題に対して、めっき処理中にめっき液に気泡状の酸素を供給しつづけて余分な還元剤を除去する方法も考えられるが、その気泡状の酸素によるめっきムラが発生してしまうおそれがあるという問題がある。
【０００８】
本発明は、上述した事情に鑑み、基板の表面に、ムラのない、均一なめっき層を形成することができるめっき方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の態様は、めっき液を減圧雰囲気下で脱気して該めっき液に溶解していたガス成分を除去する脱気工程と、前記脱気工程により得られためっき液に基板を浸漬して該基板の表面にめっき層を形成するめっき工程とを有するめっき方法にある。
かかる態様では、めっき液中の基板の表面で気泡が発生することが防止されるので、基板の表面に、ムラのない、均一なめっき層を形成することができる。
【００１０】
また、前記脱気工程の前に、加圧雰囲気下で前記めっき液に酸素を供給して前記めっき液に酸素を溶解させる酸素溶解工程を有することが好ましい。これによれば、めっき処理中に酸素と還元剤及び錯化剤とを反応させてめっき液中に含有する余剰の還元剤などを除去することができる。
【００１１】
また、前記酸素溶解工程の前に、前記めっき液を減圧雰囲気下で脱気して前記めっき液に溶解しているガス成分を除去する予備脱気工程を有することが好ましい。これによれば、めっき液にガス成分として酸素のみを溶解させることができる。
【００１２】
また、前記脱気工程の際に、前記めっき液を所定の温度に加熱することが好ましい。これによれば、めっき液に溶解しているガス成分をめっき液からより多く除去することができる。
【００１３】
また、前記めっき工程の前に、前記めっき液から金属成分を除去した第１の前処理液に、減圧雰囲気下で前記基板を浸漬させる第１の前処理工程を有することが好ましい。これによれば、基板の表面に付着しているガス成分を除去することができると共に、前処理液が基板の表面を荒らすおそれがなく、基板の表面に不純物が付着するおそれもなく、密着性の高いめっき層を形成することができる。
【００１４】
また、前記めっき工程の前に、前記めっき液よりも表面張力が小さい第２の前処理液に前記基板を浸漬させる第２の前処理工程を有することが好ましい。これによれば、基板上に形成された微細な凹凸部にめっき液を確実に入り込ませることができる。
【００１５】
また、前記めっき液が、理論値よりも過剰に錯化剤又は還元剤を含有する無電解めっき液であることが好ましい。これによれば、基板の表面に、ムラなく、より均一なめっき層を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、実施形態に基づいて本発明の詳細を説明する。
（実施形態１）
本実施形態では、めっき液として無電解めっきで用いられるめっき液を用いる。具体的には、めっき液として、安定剤、還元剤、錯化剤、隠蔽剤、還元補助剤及び析出金属である金イオンを含有し、還元剤及び錯化剤が化学量論的な理論値よりも過剰に添加されているものを用いる。なお、安定剤、還元剤、錯化剤、隠蔽剤及び還元補助剤は特に限定されない。
【００１７】
そして、このめっき液を減圧雰囲気下で脱気することによりこのめっき液に溶解しているほとんどのガス成分を除去する（脱気工程）。例えば、図１に示すような脱気装置５０を用いてめっき液を減圧雰囲気下で脱気する。図１は脱気装置の概略図である。図１に示すように、脱気装置５０は、めっき液１００を入れる耐圧槽５１と、耐圧槽５１の底部上面に設置された耐圧超音波振動子５２と、耐圧槽５１の右側上方側部に接続された真空ポンプ５３と、耐圧槽５１の左側上方側部に接続された大気開放弁５４とで構成されており、めっき液１００を減圧雰囲気下で脱気することができるようになっている。
【００１８】
具体的には、まず、大気開放弁５４を開放した状態で耐圧槽５１内にめっき液１００を入れた後、大気開放弁５４を閉じる。ここで、めっき液１００を入れる段階では、めっき液１００が温められていることが不可欠ではないが、予め温められていてもよい。次いで、耐圧超音波振動子５２を振動させながら真空ポンプ５３を用いて耐圧槽５１内のガスを排出し、耐圧槽５１内の気圧が１０００Ｐａ（１０ｍｂ）程度になるまで減圧して、めっき液１００に溶解しているほとんどのガス成分をめっき液１００から除去する。
【００１９】
なお、めっき液１００を減圧雰囲気下で脱気する際に、所定の温度に加熱してもよい。所定の温度にめっき液１００を加熱することにより、加熱しない場合と比較して、めっき液１００に溶解しているガス成分をめっき液１００からより多く除去することができる。ここで、所定の温度とは、常温（２５℃以上）よりも高くめっき液の反応温度より低い温度であれば特に限定されないが、より高い温度であってめっき液１００の反応温度に近い温度（めっき液１００の反応温度より低い温度であることは当然のこと）の方がよりめっき液１００に溶解しているガス成分をめっき液１００からより多く除去することができるので好ましい。
【００２０】
次に、上述したようにして得られためっき液１００を用いためっき方法について説明する。図２は、本実施形態に係る無電解めっき方法により形成した配線の概略断面図である。図２に示すように、シリコン基板１０の配線面上には配線３０が複数形成されている。各配線３０は、ＮｉやＮｉＣｒからなる下地層１６と、金からなるスパッタ金属層１８と、金からなるめっき層２０とがシリコン基板１０上に順次積層して形成されている。そして、めっき層２０が本実施形態に係るめっき方法により形成されたものである。
【００２１】
図３及び図４は上記配線の形成工程を示す概略断面図である。図３及び図４を用いて、本実施形態に係るめっき方法を説明する。
【００２２】
まず、図３（ａ）に示すように、シリコン基板１０上に、例えばスパッタリング法やめっき処理によって下地層１６となる厚さ２０ｎｍ程度のＮｉＣｒ層１５を形成する。
【００２３】
次に、図３（ｂ）に示すように、ＮｉＣｒ層１５上に、例えばスパッタリング法によってスパッタ金属層１８となる厚さ２００ｎｍ程度のＡｕ層１７を形成する。
【００２４】
そして、図３（ｃ）に示すように、形成されたＮｉＣｒ層１５及びＡｕ層１７をフォトリソグラフィ法により所定形状にパターニングすることで、下地層１６及びスパッタ金属層１８を形成する。
【００２５】
次に、図４（ａ）に示すように、めっき槽２１０に満たされためっき液１００に、シリコン基板１０を浸漬させる。本実施形態では、めっき液１００を９０℃以上に保ち、シリコン基板１０を３時間浸漬させてめっき処理を行う。そして、めっき液１００からシリコン基板１０を取り出すと、図４（ｂ）に示すように、スパッタ金属層１８上にめっき層２０が形成される。
【００２６】
ここで、上述したように、めっき液１００にはガス成分がほとんど溶解していないので、めっき処理を行う際に、シリコン基板１０の表面で気泡が発生することを防止することができる。また、同様の理由から、めっき液１００の温度を上げてめっき処理を行う場合においても、シリコン基板１０の表面でマイクロバブルが発生することを防止することができる。その結果、スパッタ金属層１８上にめっきムラのない均一なめっき層２０を形成することができる。
【００２７】
（実施形態２）
本実施形態では、実施形態１で説明しためっき液１００を減圧雰囲気下で脱気する（脱気工程の）前に、加圧雰囲気下でめっき液１００に酸素を供給してめっき液１００に酸素を溶解させる（酸素溶解工程）。例えば、図５に示すような酸素供給装置３００を用いてめっき液１００に酸素を供給する。図５は酸素供給装置の概略図である。図５に示すように、酸素供給装置３００は、めっき液１００を入れる耐圧槽３５１と、耐圧槽３５１の底部上面に設置された耐圧超音波振動子３５２と、耐圧槽３５１の右側上方側部に接続されたコンプレッサー３５３と、耐圧槽３５１の左側上方側部に接続された大気開放弁３５４と、耐圧槽３５１の左側底部に制御弁３５６を介して接続された酸素ボンベ３５５とで構成されており、加圧雰囲気下でめっき液１００に酸素を供給することができるようになっている。
【００２８】
具体的には、まず、大気開放弁３５４を開放した状態で耐圧槽３５１内にめっき液１００を入れた後、大気開放弁３５４を閉じる。次いで、耐圧超音波振動子３５２を振動させながらコンプレッサー３５３を用いて耐圧槽３５１内のガス（窒素などの不活性ガス）を供給し、耐圧槽３５１内の気圧が３０３９７５Ｐａ（３ａｔｍ）以上になるまで加圧する。そして、制御弁３５６を操作して酸素ボンベ３５５から酸素をめっき液１００に供給する。本実施形態では、僅かな量の気泡状の酸素を供給する。この気泡の大きさは特に限定されないが小さいものが好ましい。なお、耐圧槽３５１内の気圧が３ａｔｍになる前に酸素を供給してもよい。また、酸素を供給した際にめっき液１００中に析出物が析出した場合には、めっき液１００をろ過する。そして、酸素が溶解しためっき液１００を図４に示しためっき装置２００に入れて実施形態１と同様の操作を行い、シリコン基板１０のスパッタ金属層１８上にめっき層２０を形成する。なお、本実施形態では、脱気工程を経ためっき液１００には僅かな酸素がめっき液１００中に溶解していることになる。
【００２９】
このように、加圧雰囲気下でめっき液１００に酸素を供給することにより、めっき液１００中に酸素を溶解させることができるので、めっき工程中に、めっき液１００中で酸素と還元剤及び錯化剤とを反応させてめっき液１００中に含有する余剰の還元剤及び錯化剤を除去することができる。その結果、スパッタ金属層１８上にめっき層２０を形成する際に、めっきの異常析出を防止することができると共に、めっき層２０のめっきレートを向上させることができるという効果を奏する。
【００３０】
なお、本実施形態では、このように僅かな酸素が溶解しているめっき液１００を用いてめっき処理をしているので、めっき処理中にめっき液１００に気泡状の酸素を供給しつづけて余分な還元剤を除去する方法などを用いる必要もなく、気泡状の酸素を供給する際に発生するめっきムラを防止することができる。
【００３１】
（実施形態３）
本実施形態では、シリコン基板１０をめっき液１００に浸漬させる前に、めっき液１００から金属成分を除去した第１の前処理液１１０に減圧雰囲気下でシリコン基板１０を浸漬させる（第１の前処理工程）。
【００３２】
第１の前処理液１１０としては、めっき液１００から金属成分を除去したものであれば特に限定されないが、めっき液１００の成分において、使用によって減少していく傾向が強い成分、例えば錯化剤を含有したものが好ましい。後のめっき工程において、めっき液１００中でのその成分の低下を軽減することができるからである。また、めっき液１００が複数種類の錯化剤を含有する場合には、第１の前処理液１１０は少なくとも１種類以上の錯化剤が除去されたものが好ましい。第１の前処理液１１０において含まれる錯化剤の種類が多すぎると、めっき層２０の形成を阻害するおそれがあるからである。なお、めっき層２０の形成を阻害するおそれがない場合には、第１の前処理液１１０が２種類以上の錯化剤を含有していてもよい。
【００３３】
さらに、第１の前処理液１１０は、安定剤や、還元剤補助剤を含有したものが好ましい。第１の前処理液１１０の前処理の効果を充分に発揮させるためである。
【００３４】
また、第１の前処理液１１０は、めっき液１００と同一の遮蔽剤、還元剤を含有していてもよいが、含有していないものが好ましい。これらの成分はめっき液１００中で濃度が増大するとめっき特性を阻害しやすい傾向にある成分だからである。
【００３５】
本実施形態では、第１の前処理液１１０として、めっき液１００から金イオン、遮蔽剤及び還元剤を除去したものを用いる。すなわち、第１の前処理液１１０は、安定剤、還元補助剤、錯化剤を含有し、これらはめっき液１００に含まれる安定剤、還元補助剤、錯化剤と同一の化合物である。
【００３６】
このような第１の前処理液１１０に減圧雰囲気下でシリコン基板１０を浸漬させる。例えば、酸性溶液にシリコン基板１０を浸漬させた後、シリコン基板１０を水洗いすることなく、図６に示すような前処理装置４００を用いて、シリコン基板１０を減圧雰囲気下で第１の前処理液１１０に浸漬させる。図６は前処理装置の概略図である。図６に示すように、前処理装置４００は、密閉可能な前処理槽４１０と、前処理槽４１０の底部上面に設置された耐圧超音波振動子４２０と、前処理槽４１０の右側上方側部に接続された真空ポンプ４３０と、前処理槽４１０の左側上方側部に接続された大気開放弁４４０とで構成されており、第１の前処理液１１０にシリコン基板１０を減圧雰囲気下で浸漬させることができるようになっている。
【００３７】
具体的には、まず、上述した前処理装置４００に第１の前処理液１１０を入れる。次に、シリコン基板１０を第１の前処理液１１０に浸漬させた後、前処理装置４００を密閉する。次いで、耐圧超音波振動子４２０を振動させながら真空ポンプ４３０を用いて耐圧槽５１内のガスを排出し、耐圧槽５１内の気圧が１０００Ｐａ（１０ｍｂ）程度になるまで減圧する。なお、第１の前処理液１１０を減圧雰囲気下で脱気する際に、所定の温度に加熱してもよい。所定の温度に加熱する理由は、実施形態１に記載の理由と同様である。
【００３８】
このようにすることにより、シリコン基板１０の表面に付着しているガス成分を除去することができる。その結果、後のめっき工程において、めっきムラがなく、より均一なめっき層２０を形成することができる。
【００３９】
また、第１の前処理液１１０にはめっきを阻害する成分が含まれていないため、この第１の前処理液１１０によってスパッタ金属層１８の表面の前処理を行うことで、従来のようにスパッタ金属層１８の水洗によって表面に酸素等の異物が付着してスパッタ金属層１８とめっき層２０との間に隙間等の境界が発生するというおそれがない。このため、スパッタ金属層１８の表面との密着性が高くムラのないめっき層２０を形成することができる。また、第１の前処理液１１０がスパッタ金属層１８の表面を荒らすおそれもない。
【００４０】
さらに、第１の前処理液１１０により前処理を行うことで、めっき液１００の寿命を延ばすことができる。一般にめっき液１００のｐＨが低くなるとめっきレートが遅くなることが知られており、めっき液１００は所定のｐＨとなったところで交換する必要があるが、本実施形態に係るめっき方法では、この交換までの期間が長くなる。前処理においてシリコン基板１０全体がめっき液１００と同程度のｐＨとなるために、めっき液１００のｐＨを著しく低下させるおそれがないからである。例えば、スパッタ金属層１８の表面の酸洗浄を行った後に、水洗いし、めっき処理を行うという従来のめっき方法では、水洗により酸を除去したつもりでも、シリコン基板１０全体のｐＨは低下しているためにめっき液１００のｐＨの低下を招いていた。これに対し、本実施形態に係る前処理においては、第１の前処理液１１０は、酸を除去すると共にシリコン基板１０全体のｐＨをめっき液１００のｐＨの±１以内、好適には同じにすることができ、めっき液１００のｐＨの低下を防止することができる。その結果、めっき液１００の寿命を延ばすことができる。なお、本実施形態の脱気工程の前に、実施形態２に記載しためっき液１００に対する酸素溶解工程を行ってもよい。
【００４１】
（実施形態４）
本実施形態では、シリコン基板１０をめっき液１００に浸漬させる前に、めっき液１００よりも表面張力が小さい第２の前処理液にシリコン基板１０を浸漬させる（第２の前処理工程）。
【００４２】
ここで、第２の前処理液としては、めっき液１００よりも表面張力が小さく、めっき液１００に悪影響を与えないものであれば特に限定されず、めっき液１００よりも表面張力が小さいものであれば、実施形態３で説明した第１の前処理液１１０のみであってもよい。例えば、めっき液１００の表面張力の大きさにもよるが、第２の前処理液としてイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）などを用いることができる。
【００４３】
このような第２の前処理液にシリコン基板１０を浸漬させると、第２の前処理液は、めっき液１００よりも表面張力が小さいので、めっき液１００が入り込みにくいシリコン基板１０上に形成された微細な凹凸部（微細パターン）に入り込むことができる。その結果、後のめっき工程で、第２の前処理液が付着したシリコン基板１０をめっき液１００に浸漬した際に、微細な凹凸部に付着した第２の前処理液がめっき液１００と入れ替わって微細な凹凸部にめっき液１００が確実に入り込むことになり、均一でムラのないめっき層２０を確実に形成することができる。なお、本実施形態の脱気工程の前に、実施形態２に記載しためっき液１００に対する酸素溶解工程を行ってもよい。
【００４４】
（他の実施形態）
上述した実施形態１〜４では、無電解めっきを例にして本発明のめっき方法を説明したが、本発明のめっき方法は電解めっきにおいても同様の効果が得られる。また、本発明に使用されるめっき液も特に限定されない。
【００４５】
また、上述した実施形態１〜４では、平坦な形状のシリコン基板１０のめっきを例にして本発明のめっき方法を説明したが、凹凸や貫通孔などがある被めっき部材に対しても有効であるのはいうまでもない。特に、スルーホールの表面に導電性の高い貴金属をめっきする場合には本発明のめっき方法は有効である。
【００４６】
さらに、上述した実施形態１〜４では、常圧でシリコン基板１０にめっき処理を行っているが、加圧雰囲気下でめっき処理を行ってもよい。例えば、図７に示すような装置５００を用いて、加圧雰囲気下でシリコン基板１０にめっき処理を行ってもよい。図７は本実施形態に係るめっき装置の概略図である。図７に示すように、めっき装置５００は、内部にシリコン基板１０を収容することができ、かつ密閉可能なめっき槽５１０と、めっき槽５１０の底面上に設置された耐圧超音波振動子５２０と、めっき槽５１０の右側上方側部に接続されたコンプレッサー５３０と、めっき槽５１０の左側上方側部に接続された大気開放弁５４０とで構成されており、シリコン基板１０を加圧雰囲気下でめっき処理することができるようになっている。
【００４７】
具体的には、めっき槽５１０内に満たされためっき液１００にシリコン基板１０を浸漬した後、めっき槽５１０を密閉する。次いで、耐圧超音波振動子５２０を振動させながらコンプレッサー５３０を用いてめっき槽５１０内に空気や窒素などのガスを導入し、めっき槽５１０内の気圧が３０３９７５Ｐａ（３ａｔｍ）以上になるまで加圧してめっき処理する。
【００４８】
このようにめっき液１００を加圧しているので、めっき液１００の沸点が上昇し、めっき処理中にめっき液１００中にマイクロバブルが発生することを防止することができる。また、めっき液１００の沸点が上昇することから、よりめっき液１００の温度を高くすることができるので、めっきレートを向上させることができる。
【００４９】
また、実施形態２では、めっき液１００を減圧雰囲気下で脱気する前に、加圧雰囲気下でめっき液１００に酸素を供給してめっき液１００に酸素を溶解させていたが、その前にめっき液１００を減圧雰囲気下で脱気してもよい（予備脱気工程）。酸素を供給する前にめっき液１００に溶解しているガス成分を除去することができるので、ガス成分として酸素のみをめっき液１００に溶解させることができる。その結果、めっきの異常析出をより防止することができるので、より均一でムラのないめっき層２０を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】実施形態１に係る脱気装置を示す概略図。
【図２】実施形態１に係る無電解めっき方法により形成した配線の概略断面図。
【図３】実施形態１に係る配線の形成工程を示す概略断面図。
【図４】実施形態１に係る配線の形成工程を示す概略断面図。
【図５】実施形態２に係る酸素供給装置を示す概略図。
【図６】実施形態３に係る前処理装置を示す概略図。
【図７】他の実施形態に係るめっき装置を示す概略図。
【符号の説明】
【００５１】
１０  シリコン基板、  １６  下地層、  １８  スパッタ金属層、  ２０  めっき層、  ３０  配線、  ５０  脱気装置、  ５１  耐圧槽、  ５２，３５２，４２０，５２０  耐圧超音波振動子、  ５３，４３０  真空ポンプ、  ５４，３５４，４４０，５４０  大気開放弁、  １００  めっき液、  １１０  前処理液、  ２００，５００  めっき装置、  ２１０，５１０  めっき槽、  ３００  酸素供給装置、  ３５１  耐圧槽、  ３５３，５３０  コンプレッサー、  ３５５  酸素ボンベ、  ３５６  制御弁、  ４００  前処理装置、  ４１０  前処理槽
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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