(57)【要約】【課題】従来の無機レジストを用いたスタンパは、その側面部に支持基材が露出していた。このようなスタンパを用いて２Ｐ法により基板等の成形を行うと、スタンパの側面部に露出した支持基材と成形時にはみ出した硬化性樹脂が密着し、スタンパの側面部に残渣が生じてしまうという問題があった。本発明の目的は、支持基材と無機レジストからなるスタンパを用いて基板成形を行った場合でも、硬化性樹脂の残渣を生じないスタンパを提供することにある。【解決手段】本発明に係る透光性スタンパは、光記録媒体の情報パターンを硬化性樹脂を用いて形成する際に用いられる透光性スタンパであって、該透光性スタンパは、透光性支持基材と情報パターンに対応した凹凸パターンが形成された透光性無機レジスト層を有し、前記透光性スタンパの側面部に、前記硬化性樹脂との剥離性が前記透光性支持基材よりも優れる剥離層が形成されていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光記録媒体の情報パターンを硬化性樹脂を用いて形成する際に用いられる透光性スタンパであって、
該透光性スタンパは、透光性支持基材の上に情報パターンに対応した凹凸パターンが形成された透光性無機レジスト層を有し、
前記透光性スタンパの側面部に、前記硬化性樹脂との剥離性が前記透光性支持基材よりも優れる剥離層が形成されていることを特徴とする透光性スタンパ。
【請求項２】
前記剥離層が、無機レジストとして用いることのできる無機材料を使用して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の透光性スタンパ。
【請求項３】
前記剥離層が、ポジ型の無機レジストを用いて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の透光性スタンパ。
【請求項４】
前記剥離層が、ネガ型の無機レジストを用いて形成されており、露光により変質され耐エッチング性が付与されたことを特徴とする請求項１に記載の透光性スタンパ。
【請求項５】
前記剥離層が、前記透光性無機レジスト層と同一の無機材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかの請求項に記載の透光性スタンパ。
【請求項６】
前記剥離層が、酸化タングステン、酸化モリブデン若しくは酸化テルル又はこれらの混合物を主成分としてなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの請求項に記載の透光性スタンパ。
【請求項７】
前記剥離層が、金属のとりうる価数に応じた化学量論的組成よりも酸素含有量が少ない方向にずれた酸化タングステン、酸化モリブデン若しくは酸化テルル又はこれらの混合物を主成分としてなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかの請求項に記載の透光性スタンパ。
【請求項８】
前記剥離層が、スパッタリングにより形成されたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかの請求項に記載の透光性スタンパ。
【請求項９】
前記剥離層が、有機材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の透光性スタンパ。
【請求項１０】
前記有機材料が、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂又はシクロオレフィン系樹脂であることを特徴とする請求項９に記載の透光性スタンパ。
【請求項１１】
前記シリコン系樹脂が、シリコン系紫外線硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１０に記載の透光性スタンパ。
【請求項１２】
前記有機材料中にシランカップリング剤が添加されていることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれかの請求項に記載の透光性スタンパ。
【請求項１３】
前記剥離層の表面がプラズマ処理、アッシング処理又はＵＶオゾン処理されたことを特徴とする請求項９乃至１２のいずれかの請求項に記載の透光性スタンパ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は無機レジストを用いたスタンパに関し、とくに透光性スタンパ及びその原盤に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年光記録媒体は、コンピュータをはじめ、オーディオビジュアル等の分野で各種情報を記録する記録媒体として応用されている。さらに、モバイルコンピュータの普及や情報の多様化が進み、小型大容量の光記録媒体が要求されている。
【０００３】
光記録媒体は、基板上に記録膜が形成され、記録膜へ光エネルギーで記録がなされることでドライブによって読み取る信号パターンとなる。記録膜は膜面保護のため、有機保護層や基板を貼り合わせされており、光記録媒体の構成を成す。また、容量をさらに増すため、記録膜を有する基板を対向させて貼り合せた構成の光記録媒体等がある。
【０００４】
しかし、地上波デジタル放送等高画質なコンテンツの記録媒体としてはより大きな容量が必要となっている。光ディスクのトラック記録密度の高密度化は、再生光学系のレーザー波長λ及び対物レンズの開口数ＮＡに大きく依存し、信号再生時の空間周波数は、ＮＡ／λ程度が検出可能な限界である。したがって、従来の光ディスクで高密度化を実現するためには、再生光学系のレーザー波長λを短くし、対物レンズの開口数ＮＡを大きくすることで、よりトラック記録密度を高めることが可能である。開口比を大きく取ることによって、ビームのスポットを波長限界まで小さくすることが可能となるが、光記録媒体の傾きにも著しく弱くなるため、基板厚さを薄くする必要がある。そうした技術を取り入れ、光記録媒体として光入射側の基板を薄くし、かつ大容量の記録媒体の商品化がなされている（例えばブルーレイディスク（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｋ）（登録商標、以下ＢＤと略す））。
【０００５】
また、光ディスクの記憶容量を向上させる微細化技術は、光ディスクのパターン形成を行うマスタリング技術によって飛躍的に向上してきた。マスタリングに用いられる露光装置の露光波長を短くすること、露光パターン制御の精度向上、フォトレジストの感度向上等によってなされてきた。
【０００６】
しかし、従来のフォトレジストを用いた生産方法では、ＢＤ生産に用いられる精密金型であるマスタースタンパの露光時間が一枚あたり４時間以上もかかってしまうため、より早いプロセスを構築すべく検討されている。
【０００７】
この問題点を解決すべく、従来の有機材料からなるレジストではなく、無機材料からなるレジストを用いた方式が提案され、各社において検討されている。
【０００８】
例えば、特許文献１及び２では、遷移金属の不完全酸化物からなる無機材料をレジストとして用いたスタンパ原盤を提案している。これらの特許文献では、遷移金属酸化物において、酸素の含有量を遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論的組成の酸素含有量より小さくすると、この酸化物（不完全酸化物）の紫外線又は可視光の吸収が増大することを見出している。当該文献記載の発明によれば、遷移金属の不完全酸化物をレジスト材料として使用することで、紫外線又は可視光を露光源としてＢＤ生産に対応可能な微細な露光現像を実施することが可能となる。さらに、ＢＤにおける記録再生と等倍速度である４．９２ｍ／ｓｅｃの速度で露光が可能となり、飛躍的に露光速度を向上させることも可能となる。
【０００９】
また、無機レジストとして用いられる酸化タングステン（ＷＯ）や酸化モリブデン（ＭｏＯ）は、光硬化性樹脂を硬化する際に用いられる紫外線に対して透光性を有するため、多層構造の光記録媒体の中間層（主に光硬化性樹脂が用いられる）の成形に利用することができる。例えば、石英ガラス等の透光性を有する材料をスタンパの支持基材とし、その透光性支持基材上に凹凸パターンが形成された透光性の無機レジスト層を設けた構成のスタンパとすることにより、多層構造の光記録媒体の中間層を形成する際にスタンパ側からの紫外線照射が可能となり、有利である。
【００１０】
さらに、一般に、無機レジストを用いたスタンパは、電鋳工程や研磨工程を行う必要がない程平坦性に優れている。この観点からも、無機レジストを用いたスタンパは、とくに平坦性が求められる多層構造の光記録媒体の中間層（以下、中間層と略す）を成形するのに有利である。
【００１１】
無機レジストを用いたスタンパの製造工程を以下に示す。まず、スタンパの支持基材を洗浄する。支持基材としては、ガラスやＳｉウエハー等が用いられる。次に、支持基材の上にスパッタリング方式によって無機レジスト層を形成し、スタンパの原盤を作製する。次に、作製したスタンパの原盤にレーザ光によって所定の凹凸パターンの露光を行う。その後、アルカリ現像を行い、支持基材上に凹凸パターンが形成された無機レジスト層を有するスタンパを作製する。
【００１２】
しかし、この方法により作製したスタンパの側面部には無機レジストは形成されず、スタンパの側面部は支持基材が露出した状態となる。側面部に支持基材が露出しているスタンパを用いてＰｈｏｔｏ  ｐｏｌｙｍｅｒ法（以下、２Ｐ法と略す）により硬化性樹脂を材料として基板や中間層の成形を行うと、成形時にスタンパの側面部にはみ出した硬化性樹脂と支持基材とが密着し、スタンパから基板や中間層を剥離することが困難になってしまう。さらには、剥離後に硬化性樹脂が露出している支持基材に張り付いて残ってしまい、スタンパの側面部に硬化性樹脂の残渣が生じてしまう。スタンパの側面部に硬化性樹脂の残渣が生じると、成形時にスタンパと基板又は中間層との間で局所的な隙間が発生し、硬化性樹脂をスタンパ全面に均一に広げることができなくなり、良好な成形ができなくなる。なお、一般に、硬化性樹脂としては、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂又はエポキシ系樹脂等の紫外線又は可視光で硬化する樹脂が用いられている。
【００１３】
このため、スタンパの側面部に硬化性樹脂の残渣が発生すると、残渣除去及びスタンパ洗浄工程が必須になり、生産性を著しく悪化させていた。さらに、スタンパの寿命が短くなり、生産コストが高くなってしまうという問題も生じていた。
【００１４】
特に、支持基材としてガラスを使用し、硬化性樹脂としてエポキシ系の紫外線硬化性樹脂を用いた場合では、残渣の発生が顕著であった。これは、スタンパの側面部に露出したガラス（支持基材）と基板成形時にはみ出した硬化性樹脂が反応して強固な密着力を生じているためと考えられる。
【００１５】
また、成形基板とスタンパのサイズがほぼ同径又はスタンパが成形基板より小径の場合は、基板成形時における硬化性樹脂のスタンパ側面へのはみ出しを完全に防止することは困難であり、成形不良や残渣が発生しやすくなっていた。
【００１６】
すなわち、従来の無機レジストを用いたスタンパは、スタンパの側面部の支持基材の露出について考慮されていなかった。このため、無機レジストを用いたスタンパにおいて、成形時にスタンパ側面に硬化性樹脂の残渣を生じない方法が求められていた。
【特許文献１】特開２００３−３１５９８８号公報
【特許文献２】特開２００４−１５２４６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
上述のように、無機レジストを用いたスタンパは、その側面部に支持基材が露出していた。このようなスタンパを用いて２Ｐ法により基板や中間層の成形を行った場合、スタンパ側面に露出した支持基材と成形時にはみ出した硬化性樹脂が密着し、スタンパの側面部に残渣が生じてしまうという問題があった。
【００１８】
本発明の目的は、支持基材と無機レジストからなるスタンパを用いて基板成形を行った場合でも、硬化性樹脂の残渣を生じないスタンパを提供することにある。とくに、本発明の目的は、支持基材としてガラス等の透光性を有する材料を用い、レジスト材料として透光性を有する無機材料を用いて作製した透光性スタンパにおいて、中間層の成形時に硬化性樹脂の残渣が生じない透光性スタンパを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
そこで、本発明に係る透光性スタンパは、
光記録媒体の情報パターンを硬化性樹脂を用いて形成する際に用いられる透光性スタンパであって、
該透光性スタンパは、透光性支持基材の上に情報パターンに対応した凹凸パターンが形成された透光性無機レジスト層を有し、
前記透光性スタンパの側面部に、前記硬化性樹脂との剥離性が前記透光性支持基材よりも優れる剥離層が形成されていることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明に係る透光性スタンパの原盤は、
光記録媒体の情報パターンを硬化性樹脂を用いて形成する際に用いられる透光性スタンパを作製するのに用いられる透光性スタンパの原盤であって、
該透光性スタンパの原盤は、透光性支持基材の上に透光性無機レジスト層を有し、
前記透光性スタンパの原盤の側面部に、前記硬化性樹脂との剥離性が前記透光性支持基材よりも優れる剥離層が形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、スタンパの側面部に剥離層を形成することで、スタンパの側面部と硬化性樹脂からなる基板や中間層との間に強力な密着力を生じさせることなく、スタンパと成形した基板や中間層を容易に剥離することが可能になる。
【００２２】
また、無機レジスト層を形成する際に、無機レジストをスタンパの原盤の側面部まで形成して剥離層とすることにより、無機レジストを用いたスタンパで２Ｐ法により基板や中間層の成形を行った場合でも、スタンパの側面部への硬化性樹脂の残渣を防止することができる。さらに、無機レジスト層と同一の無機材料用いて剥離層を形成することで、剥離層を設けるための複雑な処理工程を別に設けることなく、生産性良くスタンパを提供することができる。
【００２３】
すなわち、スタンパの側面部に剥離層を形成することで、平坦性に優れる無機レジストを用いたスタンパをさらに繰り返して使用することができるようになる。また、硬化性樹脂層に高精度な膜厚均一性を要求される多層構成光ディスクの製造に利用することができる。
【００２４】
さらに、支持基材及び無機レジスト層に透光性を有する材料を用いることで、多層構造の光記録媒体の中間層を成形する際にスタンパ側からの紫外線照射が可能な、硬化性樹脂との剥離性に優れる透光性スタンパを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に本発明に係るスタンパ及びその製造方法について詳細に説明する。
【００２６】
本発明に係るスタンパは、支持基材上に情報パターンに対応する凹凸パターンを有する無機レジスト層が形成されたスタンパであって、スタンパの側面部に剥離層が形成されていることを特徴とする。この構成とすることで、スタンパの側面部と情報パターンを形成する硬化性樹脂（基板や中間層等）との間に強力な密着力を生じさせることなく、スタンパと情報パターンを形成した硬化性樹脂（基板や中間層）を容易に剥離することが可能になる。
【００２７】
支持基材は、特に限定するものではなく、例えば青板ガラス、石英ガラス、アルカリガラス、Ｓｉウエハー、樹脂板、金属板等を使用することができるが、本発明は汎用されるガラスを支持基材として用いた場合に特に効果的である。ガラス等のような透光性を有する支持基材（以下、透光性支持基材と略す）を用いることにより、多層構造の光記録媒体の中間層を成形する際に、スタンパ側から紫外線又は可視光を照射することが可能になる。
【００２８】
無機レジスト層の材料は、熱により結晶／非結晶の相変化を示す無機材料であれば特に制限されない。例えば、テルル（Ｔｅ）、モリブデン（Ｍｏ）若しくはタングステン（Ｗ）又はこれらの酸化物若しくは不完全酸化物、あるいはこれらの混合物を主成分とする材料を使用することができる。これらの材料のうち、Ｗ、Ｍｏ又はＴｅの不完全酸化物は、硬化性樹脂との剥離性が良く、硬化性樹脂の硬化に必要な紫外線又は可視光に対して透光性を有するため、中間層の成形用スタンパの無機レジスト層として好適な材料である。透光性を有する無機レジスト（以下、透光性無機レジストと略す）と透光性支持基材からなるスタンパを用いることにより、中間層を成形する際に、スタンパ側から紫外線又は可視光を照射することが可能になるためである。ここで、不完全酸化物とは、金属のとりうる価数に応じた化学量論的組成よりも酸素含有量が少ない方向にずれた酸化物のことである。さらに、無機レジスト層の材料としては、後工程における現像液により凹凸パターンを形成するため、露光部と未露光部との現像液に対する選択比が大きい無機材料が特に望ましい。
【００２９】
また、基板との剥離性や無機レジスト層の特性向上のために、無機レジスト層の添加剤としてＩｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｐｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｓ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｚｎ若しくはＳｉ等の酸化物又は窒化物あるいはこれらの金属のうち少なくとも２種以上からなる合金等を用いてもよい。
【００３０】
無機レジスト層の厚さは、露光部と未露光部との現像液に対する選択比を元に算出することが望ましい。
【００３１】
紫外線や可視光に対して透光性を有するスタンパ（透光性スタンパ）として用いる場合は、中間層の材料となる硬化性樹脂の硬化に必要な波長域の透過率を考慮して、透光性支持基材や透光性無機レジスト層の材料及び厚さを選択することが望ましい。
【００３２】
また、露光時における無機レジスト層の露光エネルギーの熱的拡散を抑制するため、支持基材よりも熱伝導率が低い材料からなる層を支持基材と無機レジスト層の間に形成しても良い。熱伝導率が低い材料としては、例えば、アモルファスシリコン、窒化シリコン、アルミナ等が挙げられる。
【００３３】
無機レジスト層は、任意の凹凸パターンに応じて、ネガ型又はポジ型を選択することができる。ここで、透光性無機レジスト層としてＷＯ、ＭｏＯ、酸化テルル（ＴｅＯ）等からなる無機材料を用いる場合は、成膜条件を変えてその酸素含有量を調整することにより、ポジ型レジストとしてもネガ型レジストとしても機能させることができる。
【００３４】
無機レジスト層の形成方法としては、スパッタリング方式以外にも、蒸着方式、ＣＶＤ方式等選択することも可能であり、特に制限されるものではない。
【００３５】
上記剥離層としては、基板や中間層の材料となる硬化性樹脂との剥離性が支持基材との剥離性よりも良い材料を用いることができる。なお、一般に、基板や中間層の材料となる硬化性樹脂としては、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂又はエポキシ系樹脂等の紫外線又は可視光で硬化する樹脂が用いられている。
【００３６】
例えば、剥離層として、無機レジストとして用いることのできる無機材料を使用することができる。さらには、無機レジスト層と同一の無機材料を用いて、剥離層とすることができる。この場合は、支持基材の上部表面に無機レジスト層をスパッタリング等の手法で形成するのと同時に、支持基材の側面部に無機レジストを剥離層として形成することができる。無機レジスト層として用いる無機材料は、硬化性樹脂との剥離性、支持基材との密着性及び耐久性において優れており、剥離層として適している。また、無機レジスト層と同一の材料をそのまま剥離層として利用することで、特別な工程を必要とすることなく、剥離層を形成可能となる。特に、ポジ型の無機レジスト層の場合は、未露光部分の耐エッチング性が高いため、スタンパの側面部にポジ型無機レジストを剥離層として形成することができる。一方、剥離層としてネガ型の無機レジストを用いる場合は、露光により剥離層（ネガ型の無機レジスト）を変質させることで、耐エッチング性を向上させ、剥離層の欠落を防止することができる。ここで、変質とは、相状態の変化を示す。相状態とは、例えば、結晶状態、非晶質状態、非晶質状態から結晶性が増して結晶状態へ遷移している過程の遷移状態、または異なる結晶状態が混ざった状態、等が含まれる。非晶質状態には、密度が異なる相状態が混ざった状態が含まれる。相状態の変化には、非晶質状態から結晶状態への変化、結晶状態から非晶質状態への変化、非晶質状態あるいは結晶状態における結晶性の変化、非晶質状態における密度の変化が含まれる。露光における光ビームの照射においては、例えば、半導体レーザーや、アルゴンレーザー等の気体レーザー、ＹＡＧレーザー（固体レーザー）等の高調波発生装置を使用できる。露光を行う際、光ビームの照射条件（パワー、照射速度、集光条件等）を調整して無機レジストの相状態を変えることができる。
【００３７】
また、剥離層は、上記無機レジスト層の材料と同種のものに限定することなく、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、又は一般的な剥離剤、離型剤や潤滑剤となる有機材料を用いることができる。さらに、上記有機材料と支持基材との密着性を向上させるために、支持基材にシランカップリング剤層を形成すること、または、有機材料中にシランカップリング剤を添加することも可能である。特にシリコン系樹脂は、熱や紫外線による劣化が少なく、剥離層形成時にシランカップリング剤と同様に樹脂中のシラノール基により無機物との密着性を持たせることができ、また、樹脂表面の表面張力により剥離性及び撥水性を持たせることが可能であるため、好適な材料である。上記有機材料による剥離層の形成は、製造されたスタンパの支持基材の側面部に形成されていれば良く、無機レジスト層の形成前でも、下記現像工程後に形成しても良い。また、剥離層の劣化に応じて、繰り返し剥離層を形成することもできる。望ましくは、剥離層の形成におけるスタンパの有効領域の汚染防止や剥離層の均一な形成を行うために、上記無機レジストの形成前に支持基材上に形成することが好ましい。支持基材上に有機材料からなる剥離層は、スピンコート法、ディッピング法、スリットコート法等の公知の塗布方法で形成することができる。支持基材上に有機材料からなる剥離層を形成した場合、必要に応じて剥離層の表面をプラズマ処理、アッシング処理又はＵＶオゾン処理等の公知の表面処理方法を用いることにより、剥離層と無機レジスト層との密着性の低下を防止することができる。
【００３８】
剥離層の厚さは、剥離層に用いる材料に合わせて、繰り返し使用に耐えうる充分な耐久性を持たせるように調整すれば良い。無機材料を使用する場合には、例えば、１ｎｍから１０００ｎｍとすることが好ましく、３ｎｍから２００ｎｍとすることがより好ましい。有機材料を使用する場合には、例えば、１ｎｍから１００００ｎｍとすることが好ましく、５００ｎｍから５０００ｎｍとすることがより好ましい。
【００３９】
以下、本発明に係る無機レジストを用いたスタンパの作製方法の例について図１を用いて説明する。
【００４０】
第一工程としては、支持基材１を洗浄する。洗浄では、支持基材１の表面へのゴミを取除ければ、ドライ、ウェット等の洗浄方法のいかなる方法であっても構わない。
【００４１】
第二工程としては、スパッタリング方式等により支持基材１上に無機レジスト層２を形成する。剥離層については、支持基材１への無機レジスト層２の形成と同時に支持基材１の側面にも無機レジストを形成し、剥離層とする。剥離層の形成は、必要に応じてスパッタリングにおけるターゲット、支持基材の大きさ又は配置等を調整することで、成膜量等を調整することができる。
【００４２】
第三工程としては、レーザ光を用いて無機レジスト層に情報パターンに対応した凹凸パターンの露光を行う。
【００４３】
第四工程としては、露光部３又は未露光部をエッチングし、凹凸パターンが形成された無機レジスト層を有するスタンパを作製する。エッチングに用いる現像液としては、アルカリ溶液、酸溶液、純水又は有機溶剤等の無機レジスト２のエッチングに最適なものを選択することが可能であり、特に限定するものではない。
【実施例】
【００４４】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００４５】
（実施例１）
実施例１による透光性スタンパの製造方法の概略図を図１に示した。支持基材１は外径１２０ｍｍ、厚さ１．０ｍｍの石英ガラスである。透光性無機レジスト層及び剥離層として、酸化タングステンを真空チャンバー内でスパッタリング方式により透光性支持基材の上部表面及び側面に形成し、透光性スタンパの原盤を作製した。このときのスパッタリングは、外径２００ｍｍの酸化タングステンターゲットを用い、導入ガスはＡｒとＯ2（Ａｒ：１５ｓｃｃｍ、Ｏ2：１６ｓｃｃｍ）とし、圧力０．４Ｐａの下、２３０ｓｅｃ間処理した。また、透光性スタンパの原盤の上部表面の無機レジスト（透光性無機レジスト層）の厚さは１００ｎｍ、側面部の無機レジスト（剥離層）の厚さは３０ｎｍであった。
【００４６】
次に、透光性スタンパの原盤の透光性無機レジスト層に露光を行った。露光に用いた光ビームは、波長３５１ｎｍのＡｒ+イオンレーザである。線速は１．０ｍ／ｓｅｃで露光を行った。露光の強度は、現像後の溝深さが２０ｎｍになるように設定した。露光後、アルカリ溶液により３分間のウェットエッチングを行い、所定の形状にパターニングした透光性スタンパを作製した。アルカリ溶液としては、ＴＭＡＨ溶液２．３８％を原液とし、これを純水によりＴＭＡＨ：純水＝１：４に希釈した物を用いた。
【００４７】
現像後、溝形状を確認するためＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて溝形状を確認した。その結果溝深さは２０ｎｍであった。また、上記方法により形成した透光性無機レジスト層は、露光部３が現像により除去されるポジ型であった。
【００４８】
また、作製した透光性スタンパの未露光部分の透光性無機レジスト層の厚さは１００ｎｍであり、スタンパの側面部における無機レジスト（剥離層）の厚さは３０ｎｍであった。したがって、透光性スタンパの側面部において剥離層となる無機レジストの欠落は、まだ発生していないことが確認された。
【００４９】
得られた透光性スタンパを用いて、２Ｐ法により基板成形を行った。成形用支持基材は外径１２０ｍｍ、厚さ１．１５ｍｍのガラス基材を用いた。硬化性樹脂としては、エポキシアクリレート系の紫外線硬化型樹脂（商品名：ＭＰ−１２１（三菱レイヨン製））を用いた。成形用支持基材上に硬化性樹脂を均一に塗布し、塗布した硬化性樹脂に透光性スタンパを押し当て、３６５ｎｍを中心波長とした積算照度１２００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射して硬化性樹脂を硬化させた。この時、透光性スタンパの側面部に硬化性樹脂のはみ出しが確認された。次いで、透光性スタンパから硬化性樹脂を剥離し、情報パターンを有する成形基板を得た。
【００５０】
上記方法により、繰り返し成形基板を作製した結果、成形不良や透光性スタンパへの硬化性樹脂の残渣は発生しなかった。
【００５１】
（実施例２）
実施例２による透光性スタンパの製造方法の概略図を図２に示した。実施例２では、実施例１と同様に酸化タングステンを支持基材１の上部表面及び側面部に形成し、透光性スタンパの原盤を作製した。このときのスパッタリングの条件は、導入ガスとしてＡｒとＯ2を用い、Ａｒのガス流量を５０ｓｃｃｍ、Ｏ2のガス流量を４０ｓｃｃｍにした。透光性スタンパの原盤の上部表面の無機レジスト（透光性無機レジスト層）の厚さは１００ｎｍ、透光性スタンパの原盤の側面部の無機レジスト（剥離層）の厚さは３０ｎｍであった。なお、上記方法により形成した無機レジストは、露光部が耐エッチング性を有するネガ型となる。
【００５２】
次に、透光性スタンパの原盤の無機レジスト層に所定の情報パターンに対応した露光を行った。露光に用いた光ビームは、波長３５１ｎｍのＡｒ+イオンレーザである。線速は１．０ｍ／ｓｅｃで露光を行った。
【００５３】
次いで、透光性スタンパの原盤の側面部の無機レジスト（剥離層）を上記レーザ光により露光し変質させ、耐エッチング性を付与した。現像後、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて凹凸パターン形状を確認した結果、その溝の深さは２０ｎｍであった。
【００５４】
作製した透光性スタンパの未露光部分の無機レジスト層の厚さは８０ｎｍであり、透光性スタンパの側面部における露光した無機レジスト（剥離層）の厚さは３０ｎｍであった。したがって、透光性スタンパの原盤の側面部における無機レジストを露光して変質させ、耐エッチング性を向上させたことにより、現像後の透光性スタンパの側面部における無機レジスト（剥離層）の欠落は発生しなかったことがわかった。
【００５５】
次に、実施例１と同様に、得られた透光性スタンパを用いて２Ｐ法により基板成形を行った。
【００５６】
２Ｐ法により基板成形を繰り返しても、成形不良や透光性スタンパの側面部への硬化性樹脂の残渣は発生しなかった。
【００５７】
実施例２では、ネガ型の無機レジストを用いた場合でも、透光性スタンパの原盤の側面部に形成した無機レジストを露光することにより、透光性スタンパの側面部に剥離層を形成することが可能であり、生産性を向上することができることがわかった。
【００５８】
（実施例３）
実施例３によるスタンパ製造方法の概略図を図３に示した。
【００５９】
支持基材１上に剥離層５としてシリコン系紫外線硬化性樹脂（商品名：ＵＶＨＣ８５５８（ＧＥ東芝シリコーン社製））をディッピング法により塗布し、紫外線を照射して硬化させた。当該実施例では紫外線硬化性樹脂を用いているが、熱硬化性樹脂又は２液硬化性樹脂を用いても良く、ゾルゲル法により剥離層を形成しても良い。剥離層５の厚さは、支持基材の上部表面及び側面部で共に１μｍであった。
【００６０】
次に、剥離層５の表面を真空チャンバー内でプラズマ処理した後、実施例２と同様に、ネガ型の無機レジストを、剥離層５が形成された支持基材の上部表面及び側面部に形成し、スタンパの原盤を作製した。
【００６１】
次いで、スタンパ原盤の無機レジスト層に所定の情報パターンに対応した露光現像を行い、スタンパを作製した。また、スタンパ原盤の側面部の無機レジストは露光せず、耐エッチング性を付与しなかった。
【００６２】
得られたスタンパの側面部には、無機レジスト（ネガ型）が現像により除去され、シリコン系硬化性樹脂からなる剥離層が露出していた。このシリコン系硬化性樹脂からなる剥離層は、耐アルカリ性を有するため、欠落を生じることはなかった。シリコン系硬化性樹脂は支持基材（当該実施例においては石英ガラス）との密着性が良好であり、また、その表面をプラズマ処理したことにより無機レジスト層との密着性も良好であった。また、シリコン系硬化性樹脂は基板の材料として用いられる硬化性樹脂との剥離性に優れているため、実施例１と同様に２Ｐ法により繰り返して基板成形を行っても、成形不良やスタンパの側面部への残渣を生じることはなかった。さらに、シリコン系硬化性樹脂は撥水性を有するため、基板形成時に硬化性樹脂がスタンパの側面に付着することを防止でき、成形基板のバリ発生を防止することができた。
【００６３】
（実施例４）
実施例４によるスタンパ製造方法の概略図を図４に示した。
【００６４】
実施例２の方法で無機レジストを有するスタンパを作製した。次いで、上記スタンパのパターン転写用硬化性樹脂７として、エポキシアクリレート系の紫外線硬化型樹脂（商品名：ＭＰ−１２１（三菱レイヨン製））を用いて複製スタンパを作製した。複製スタンパの支持基材６としては、外径１２０ｍｍ、厚さ１．０ｍｍの石英ガラスを用いた。また、本実施例においては、必要に応じて、支持基材６上にシランカップリング剤層を形成することにより、硬化性樹脂７との密着性を向上させることもできる。
【００６５】
スタンパと硬化性樹脂７をその界面で剥離することにより、スタンパの凹凸パターンが転写された複製スタンパを得た。
【００６６】
次に、真空チャンバー内でシリコン（Ｓｉ）をスパッタリングすることにより、複製スタンパに剥離層８を形成した。得られた剥離層が形成された複製スタンパの剥離層の厚さは、表面部で１０ｎｍであり、側面部で３ｎｍであった。なお、本実施例ではＳｉを剥離層として設けたが、他の透光性を有する材料として窒化シリコン（ＳｉＮ）も使用することができる。また、剥離層の厚さも、本実施例の厚さに限定されることはなく、透光性を有する程度の厚さであればよく、例えば、１〜１００ｎｍとすることができる。
【００６７】
得られた剥離層が形成された複製スタンパを用いて、２Ｐ法により基板形成を繰り返した結果、成形不良やスタンパへの残渣を生じることはなかった。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１の実施例に係るスタンパの製造方法を示した概略図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係るスタンパの製造方法を示した概略図である。
【図３】本発明の第３の実施例に係るスタンパの製造方法を示した概略図である。
【図４】本発明の第４の実施例に係るスタンパの製造方法を示した概略図である。
【符号の説明】
【００６９】
１：支持基材
２：無機レジスト
３：露光部
４：スタンパの側面部におけるネガ型無機レジストの露光部
５：剥離層
６：複製スタンパの支持基材
７：複製スタンパのパターン転写用硬化性樹脂
８：複製スタンパの剥離層
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図２】
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