(57)【要約】      （修正有）【課題】信号印加線間の長さ差によって発生する抵抗差によるＲＣ遅延値の差を最少化することができる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板１１０上に形成され、表示領域から横方向に相互対向する第１及び第２周辺領域のうちの少なくともいずれか１つに延長形成される複数のゲート線１２１、複数のゲート線１２１上に形成されるゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成され、表示領域から縦方向に第３及び第４周辺領域のうちの少なくともいずれか１つに延長形成される複数のデータ線１７１、第１または第２周辺領域に配置される駆動部４００、そして第３及び第４周辺領域のうちの少なくともいずれか１つに形成され、少なくとも一部はそれぞれの一端部が対応するデータ線１７１の一端部とそれぞれ互いに異なる接触面積を有するように連結され、他の端部は駆動部４００に連結される複数のデータ信号印加線を含む。【選択図】図２
2008287259.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像を表示する表示領域と前記表示領域を囲む周辺領域とを有する基板と、
前記基板上に形成される複数の第１信号線と、
前記基板上に形成され、前記第１信号線と交差して前記表示領域を定義し、前記第１信号線と絶縁される複数の第２信号線と、
前記基板の周辺領域に配置される駆動部と、
前記基板の周辺領域に配置され、前記駆動部と前記第１信号線の間を連結する複数の連結線と、
前記第１信号線と前記連結線の間を絶縁する絶縁膜と、
を含み、
前記第１信号線と前記連結線のうちの少なくとも一部は前記絶縁膜が有する接触孔を通じて連結され、前記接触孔が露出する前記第１信号線の面積は前記駆動部から遠くなるほど広くなる、薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２】
前記第１信号線と前記連結線とは前記絶縁膜を介して異なる層に形成され、前記接触孔を通じて直接接触している、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３】
前記第１信号線と前記連結線とは前記絶縁膜によって覆われ、前記接触孔は前記第１信号線を露出する第１接触孔と前記連結線を露出する第２接触孔とを有し、前記第１接触孔と前記第２接触孔とを通じて前記第１信号線と前記連結線とに接触している連結部材をさらに含む、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項４】
映像を表示する表示領域と前記表示領域の外郭を囲む少なくとも第１、第２、第３及び第４周辺領域とを含む周辺領域を有する薄膜トランジスタ表示板であって、
絶縁基板上に形成され、前記表示領域から第１方向に相互対向している前記第１及び第２周辺領域のうちの少なくともいずれか１つに延長形成される複数のゲート線と、
前記複数のゲート線の上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に形成され、前記表示領域から前記第１方向と交差している第２方向に相互対向している前記第３及び第４周辺領域のうちの少なくともいずれか１つに延長形成される複数のデータ線と、
前記第１または第２周辺領域に配置される駆動部と、
前記第３及び第４周辺領域のうちの少なくともいずれか１つに形成され、少なくとも一部はそれぞれの一端部が対応する前記データ線の一端部とそれぞれ互いに異なる接触面積を有するように連結され、他の端部は前記駆動部に連結される複数のデータ信号印加線と、
を含む薄膜トランジスタ表示板。
【請求項５】
前記複数のデータ信号印加線は、
前記第３周辺領域に形成され、前記複数のデータ線の中で偶数番目データ線と前記駆動部を連結する複数の第１データ信号印加線と、
前記表示領域を介して前記第３周辺領域と対向する前記第４周辺領域に形成され、前記複数のデータ線の中で奇数番目データ線と前記駆動部を連結する複数の第２データ信号印加線と、を有する請求項４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項６】
前記複数の第１データ信号印加線は、
ｊ-２番目データ線と連結される複数の第１偶数信号印加線と、
ｊ番目データ線と連結される複数の第２偶数信号印加線と、を備え、
ｊは４の倍数である、請求項５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項７】
前記複数の第２データ信号印加線は、
ｊ-３番目データ線と連結される複数の第１奇数信号印加線と、
ｊ-１番目データ線と連結される複数の第２奇数信号印加線と、を備える請求項６に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項８】
前記複数の第１偶数信号印加線及び前記複数の第２偶数信号印加線は前記ゲート絶縁膜を介して互いに異なる層に形成され、
前記複数の第１奇数信号印加線及び前記複数の第２奇数信号印加線は前記ゲート絶縁膜を介して互いに異なる層に形成されている、請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項９】
前記複数の第１偶数信号印加線及び前記複数の第１奇数信号印加線は前記複数のゲート線と同一層に形成され、
前記複数の第２偶数信号印加線及び前記複数の第２奇数信号印加線は前記複数のデータ線と同一層に形成されている、請求項８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１０】
前記複数の第１偶数信号印加線及び前記複数の第１奇数信号印加線は前記複数のゲート線と同一の第１金属で形成され、
前記複数の第２偶数信号印加線及び前記複数の第２奇数信号印加線は前記複数のデータ線と同一の第２金属で形成されている、請求項９に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１１】
前記第１金属の比抵抗は前記第２金属の比抵抗より大きい、請求項１０に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１２】
前記ゲート絶縁膜には、前記複数の第１偶数信号印加線それぞれの一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第１接触孔及び前記複数の第１奇数信号印加線それぞれの一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第２接触孔が形成され、
前記複数の第１偶数信号印加線それぞれの一端部は、前記複数の第１接触孔を通じて対応する前記データ線の一端部とそれぞれ互いに異なる面積で接触され、
前記複数の第１奇数信号印加線それぞれの一端部は、前記複数の第２接触孔を通じて対応する前記データ線の一端部とそれぞれ互いに異なる面積で接触されている、請求項１１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１３】
前記データ線及び前記データ信号印加線上に形成され、
前記複数の第２偶数信号印加線それぞれの一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第３接触孔と、前記複数の第２奇数信号印加線それぞれの一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第４接触孔と、前記複数の第２偶数信号印加線それぞれの一端部に対応する前記複数のデータ線の一端部を互いに異なる面積で露出させる第５接触孔と、前記複数の第２奇数信号印加線それぞれの一端部に対応する前記複数のデータ線の一端部を互いに異なる面積で露出させる第６接触孔とが形成されている保護膜をさらに含む、請求項１２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１４】
前記保護膜上に形成され、
前記複数の第３接触孔及び前記複数の第５接触孔を通じて露出された前記第２偶数信号印加線それぞれの一端部と対応する前記データ信号線の一端部とをそれぞれ互いに異なる接触面積で連結する複数の第１連結部材と、
前記複数の第４接触孔及び前記複数の第６接触孔を通じて露出された前記第２奇数信号印加線それぞれの一端部と、対応する前記データ信号線の一端部とをそれぞれ互いに異なる接触面積で連結する複数の第２連結部材と、をさらに含む、請求項１３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１５】
前記第３及び第４周辺領域のうちの少なくともいずれか１つに形成され、
前記ゲート線及び前記データ信号印加線と絶縁形成される少なくとも１つのダミー配線と、
前記複数のデータ線と分離形成され、前記ダミー配線に連結される複数の連結配線と、
前記連結配線及び前記データ線に連結され、それぞれ第１制御電極、第１半導体層、第１入力電極及び第１出力電極からなる複数の第１ダイオードと、
をさらに含む、請求項１２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１６】
前記ダミー配線は前記ゲート線と同一な物質からなり、前記連結配線は前記データ線と同一物質からなる、請求項１５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１７】
前記複数の第１制御電極のうちの一部は前記複数の第１偶数信号印加線の一端部から延長形成されている、請求項１６に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１８】
前記ゲート絶縁膜には複数の第３接触孔がさらに形成され、
前記複数の第２偶数信号印加線に一体で連結される前記複数のデータ線それぞれの一端部は前記第３接触孔を通じて前記第１制御電極と接している、請求項１７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１９】
前記データ線は前記第１入力電極を有し、
前記連結配線は前記第１入力電極と対向する前記第１出力電極を有し、
前記第１半導体層は前記ゲート絶縁膜と前記第１入力電極及び前記第１出力電極の間に形成されている、請求項１８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２０】
前記ダミー配線は複数の第２制御電極をさらに有し、
前記連結配線は第２入力電極をさらに有し、
前記データ線は前記第２入力電極と対向する第２出力電極をさらに有し、
前記第２制御電極上の前記ゲート絶縁膜と前記第２入力電極及び前記第２出力電極との間に形成される第２半導体層をさらに含み、
前記第２制御電極、第２半導体層、第２入力電極及び第２出力電極は第２ダイオードを構成する、請求項１９に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２１】
前記データ線及び前記データ信号印加線上に形成されていて、
前記複数の第２偶数信号印加線それぞれの一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第４接触孔と、前記複数の第２偶数信号印加線それぞれの一端部に対応する前記複数のデータ線の一端部をそれぞれ互いに異なる面積で露出させる第５接触孔と、が形成されている保護膜をさらに含む、請求項２０に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２２】
前記保護膜上に形成され、前記複数の第４接触孔及び前記複数の第５接触孔を通じて露出された前記第２偶数信号印加線それぞれの一端部と、対応する前記データ信号線の一端部とをそれぞれ互いに異なる接触面積で連結する複数の連結部材をさらに含む、請求項２１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２３】
前記データ線及び前記データ信号印加線上に形成され、
前記ゲート絶縁膜と共に前記複数の第１偶数信号印加線それぞれの一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第１接触孔と、
前記ゲート絶縁膜と共に前記複数の第１奇数信号印加線それぞれの一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第２接触孔と、
前記複数の第１偶数信号印加線それぞれの一端部に対応する前記複数のデータ線の一端部をそれぞれ互いに異なる面積で露出させる第３接触孔と、
前記複数の第１奇数信号印加線それぞれの一端部に対応する前記複数のデータ線の一端部をそれぞれ互いに異なる面積で露出させる第４接触孔が形成される保護膜と、をさらに含む、請求項１１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２４】
前記保護膜の上に形成され、
前記複数の第１接触孔及び前記複数の第３接触孔を通じて露出された前記第１偶数信号印加線それぞれの一端部と、対応する前記データ信号線の一端部とをそれぞれ互いに異なる接触面積で連結する複数の第１連結部材と、
前記複数の第２接触孔及び前記複数の第４接触孔を通じて露出された前記第１奇数信号印加線の一端部と、対応する前記データ信号線の一端部とをそれぞれ互いに異なる接触面積で連結する複数の第２連結部材と、
をさらに含む、請求項２３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２５】
前記保護膜には、
前記複数の第２偶数信号印加線それぞれの一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第５接触孔と、
前記複数の第２奇数信号印加線それぞれの一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第６接触孔と、
前記複数の第２偶数信号印加線それぞれの一端部に対応する前記複数のデータ線の一端部をそれぞれ互いに異なる面積で露出させる第７接触孔と、
前記複数の第２奇数信号印加線それぞれの一端部に対応する前記複数のデータ線の一端部をそれぞれ互いに異なる面積で露出させる第８接触孔と、がさらに形成されている、請求項２４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２６】
前記保護膜上に形成され、
前記複数の第５接触孔及び前記複数の第７接触孔を通じて前記第２偶数信号印加線それぞれの一端部と、対応する前記データ信号線の一端部とをそれぞれ互いに異なる接触面積で連結する複数の第３連結部材と、
前記複数の第６接触孔及び前記複数の第８接触孔を通じて前記第２奇数信号印加線それぞれの一端部と、対応する前記データ信号線の一端部とをそれぞれ互いに異なる接触面積で連結する複数の第４連結部材と、
をさらに含む、請求項２５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２７】
前記保護膜上に形成される画素電極をさらに含み、
前記第１乃至第４連結部材は前記画素電極と同一物質からなる、請求項２６に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２８】
前記接触面積は前記駆動部から遠くなるほど増加する、請求項４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２９】
映像を表示する表示領域と前記表示領域の外郭を囲む少なくとも第１、第２、第３及び第４周辺領域とを含み、前記第１または第２周辺領域に配置される駆動部をさらに含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法であって、
絶縁基板上に前記表示領域から第１方向に相互対向する前記第１及び第２周辺領域のうちの少なくともいずれか１つに伸びる複数のゲート線を形成する段階と、
前記ゲート線上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に前記表示領域から前記第１方向と交差している第２方向に相互対向する前記第３及び第４周辺領域のうちの少なくともいずれか１つに伸びる複数のデータ線を形成する段階と、
前記第３及び第４周辺領域のうちの少なくともいずれか１つに、少なくとも一部はそれぞれの一端部が対応する前記データ線の一端部とそれぞれ互いに異なる接触面積を有するように連結され、他の端部は前記駆動部に連結される複数のデータ信号印加線を形成する段階と、
を含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項３０】
前記ゲート絶縁膜には前記複数のデータ信号印加線のうちの少なくとも一部の各一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の接触孔が形成され、
前記データ線のうちの少なくとも一部の各一端部は前記接触孔を通じて露出された前記データ信号印加線のうちの少なくとも一部の各端部とそれぞれ互いに異なる面積で接触するように形成する、請求項２９に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項３１】
前記データ線上に保護膜を形成する段階と、
前記保護膜上に連結部材を形成する段階と、をさらに含み、
前記保護膜には前記複数のデータ信号印加線のうちの少なくとも一部の各一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第１接触孔及び前記複数のデータ線のうちの少なくとも一部の各一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第２接触孔が形成され、
前記複数の連結部材は、各々前記第１接触孔及び前記第２接触孔を通じて前記複数のデータ信号印加線のうちの少なくとも一部の各一端部及び前記複数のデータ線のうちの少なくとも一部の各一端部とそれぞれ互いに異なる接触面積で接触するように形成する、請求項２９に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に使用される薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に表示装置は、複数のゲート線と複数のデータ線が互いに交差するように形成されて複数の画素を構成する薄膜トランジスタ表示板、液晶層を介して薄膜トランジスタ表示板と対向する共通電極表示板、及び表示装置を駆動させるために薄膜トランジスタ表示板の一側周辺領域に配置される駆動部である駆動チップを含む。
従来は、駆動部が複数のデータ線端部に対応する薄膜トランジスタ表示板の上側または下側周辺領域に配置された。したがって、薄膜トランジスタ表示板は、駆動部が占める幅だけ大きさが増加し、これによって表示装置の大きさも増加する。
【０００３】
一方、駆動部からの信号をデータ線またはゲート線に印加する複数の信号印加線間の長さの差が均一でなく差が発生する場合、これら信号印加線間の長さ差が大きくなるほど信号印加線間の抵抗差も増加する。したがって、信号印加線を通じる信号遅延の程度などが一定でなく表示性能が低下する問題が発生した。
【特許文献１】特開２００６−２０９０８９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、本発明は、表示領域を基準に上側及び下側周辺領域の面積を最少化しながら、信号印加線間の長さ差によって発生する抵抗差によるＲＣ遅延値の差を最少化することができる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記目的を達成するために、発明１は、
・映像を表示する表示領域と前記表示領域を囲む周辺領域とを有する基板と、
・前記基板上に形成される複数の第１信号線と、
・前記基板上に形成され、前記第１信号線と交差して前記表示領域を定義し、前記第１信号線と絶縁される複数の第２信号線と、
・前記基板の周辺領域に配置される駆動部と、
・前記基板の周辺領域に配置され、前記駆動部と前記第１信号線の間を連結する複数の連結線と、
・前記第１信号線と前記連結線の間を絶縁する絶縁膜と、
を含み、
前記第１信号線と前記連結線のうちの少なくとも一部は前記絶縁膜が有する接触孔を通じて連結され、前記接触孔が露出する前記第１信号線の面積は前記駆動部から遠くなるほど広くなる、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【０００６】
発明２は、前記発明１において、前記第１信号線と前記連結線とは前記絶縁膜を介して異なる層に形成され、前記接触孔を通じて直接接触している、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
発明３は、前記発明１において、前記第１信号線と前記連結線とは前記絶縁膜によって覆われ、前記接触孔は前記第１信号線を露出する第１接触孔と前記連結線を露出する第２接触孔とを有し、前記第１接触孔と前記第２接触孔とを通じて前記第１信号線と前記連結線とに接触している連結部材をさらに含む、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【０００７】
発明４は、映像を表示する表示領域と前記表示領域の外郭を囲む少なくとも第１、第２、第３及び第４周辺領域とを含む周辺領域を有する薄膜トランジスタ表示板であって、
・絶縁基板上に形成され、前記表示領域から第１方向に相互対向している前記第１及び第２周辺領域のうちの少なくともいずれか１つに延長形成される複数のゲート線と、
・前記複数のゲート線の上に形成されるゲート絶縁膜と、
・前記ゲート絶縁膜の上に形成され、前記表示領域から前記第１方向と交差している第２方向に相互対向している前記第３及び第４周辺領域のうちの少なくともいずれか１つに延長形成される複数のデータ線と、
・前記第１または第２周辺領域に配置される駆動部と、
・前記第３及び第４周辺領域のうちの少なくともいずれか１つに形成され、少なくとも一部はそれぞれの一端部が対応する前記データ線の一端部とそれぞれ互いに異なる接触面積を有するように連結され、他の端部は前記駆動部に連結される複数のデータ信号印加線と、を含む薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【０００８】
発明５は、前記発明４において、前記複数のデータ信号印加線は、前記第３周辺領域に形成され、前記複数のデータ線の中で偶数番目データ線と前記駆動部を連結する複数の第１データ信号印加線と、前記表示領域を介して前記第３周辺領域と対向する前記第４周辺領域に形成され、前記複数のデータ線の中で奇数番目データ線と前記駆動部を連結する複数の第２データ信号印加線と、を有する薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【０００９】
発明６は、前記発明５において、前記複数の第１データ信号印加線は、ｊ-２番目データ線と連結される複数の第１偶数信号印加線と、ｊ番目データ線と連結される複数の第２偶数信号印加線と、を備え、ｊは４の倍数である、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
発明７は、前記発明６において、前記複数の第２データ信号印加線は、ｊ-３番目データ線と連結される複数の第１奇数信号印加線と、ｊ-１番目データ線と連結される複数の第２奇数信号印加線と、を備える薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【００１０】
発明８は、前記発明７において、前記複数の第１偶数信号印加線及び前記複数の第２偶数信号印加線は前記ゲート絶縁膜を介して互いに異なる層に形成され、前記複数の第１奇数信号印加線及び前記複数の第２奇数信号印加線は前記ゲート絶縁膜を介して互いに異なる層に形成されている、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
発明９は、前記発明８において、前記複数の第１偶数信号印加線及び前記複数の第１奇数信号印加線は前記複数のゲート線と同一層に形成され、前記複数の第２偶数信号印加線及び前記複数の第２奇数信号印加線は前記複数のデータ線と同一層に形成されている薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【００１１】
発明１０は、前記発明９において、前記複数の第１偶数信号印加線及び前記複数の第１奇数信号印加線は前記複数のゲート線と同一の第１金属で形成され、前記複数の第２偶数信号印加線及び前記複数の第２奇数信号印加線は前記複数のデータ線と同一の第２金属で形成されている、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
発明１１は、前記発明１０において、前記第１金属の比抵抗は前記第２金属の比抵抗より大きい薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【００１２】
発明１２は、前記発明１１において、前記ゲート絶縁膜には、前記複数の第１偶数信号印加線それぞれの一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第１接触孔及び前記複数の第１奇数信号印加線それぞれの一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第２接触孔が形成され、前記複数の第１偶数信号印加線それぞれの一端部は、前記複数の第１接触孔を通じて対応する前記データ線の一端部とそれぞれ互いに異なる面積で接触され、前記複数の第１奇数信号印加線それぞれの一端部は、前記複数の第２接触孔を通じて対応する前記データ線の一端部とそれぞれ互いに異なる面積で接触されている、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【００１３】
発明１３は、前記発明１２において、前記データ線及び前記データ信号印加線上に形成され、前記複数の第２偶数信号印加線それぞれの一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第３接触孔と、前記複数の第２奇数信号印加線それぞれの一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第４接触孔と、前記複数の第２偶数信号印加線それぞれの一端部に対応する前記複数のデータ線の一端部を互いに異なる面積で露出させる第５接触孔と、前記複数の第２奇数信号印加線それぞれの一端部に対応する前記複数のデータ線の一端部を互いに異なる面積で露出させる第６接触孔とが形成されている保護膜をさらに含む、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【００１４】
発明１４は、前記発明１３において、前記保護膜上に形成され、前記複数の第３接触孔及び前記複数の第５接触孔を通じて露出された前記第２偶数信号印加線それぞれの一端部と対応する前記データ信号線の一端部とをそれぞれ互いに異なる接触面積で連結する複数の第１連結部材と、前記複数の第４接触孔及び前記複数の第６接触孔を通じて露出された前記第２奇数信号印加線それぞれの一端部と、対応する前記データ信号線の一端部とをそれぞれ互いに異なる接触面積で連結する複数の第２連結部材と、をさらに含む、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【００１５】
発明１５は、前記発明１２において、前記第３及び第４周辺領域のうちの少なくともいずれか１つに形成され、前記ゲート線及び前記データ信号印加線と絶縁形成される少なくとも１つのダミー配線と、前記複数のデータ線と分離形成され、前記ダミー配線に連結される複数の連結配線と、前記連結配線及び前記データ線に連結され、それぞれ第１制御電極、第１半導体層、第１入力電極及び第１出力電極からなる複数の第１ダイオードと、をさらに含む薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【００１６】
発明１６は、前記発明１５において、前記ダミー配線は前記ゲート線と同一な物質からなり、前記連結配線は前記データ線と同一物質からなる薄膜トランジスタ表示板を提供する。
発明１７は、前記発明１６において、前記複数の第１制御電極のうちの一部は前記複数の第１偶数信号印加線の一端部から延長形成されている薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【００１７】
発明１８は、前記発明１７において、前記ゲート絶縁膜には複数の第３接触孔がさらに形成され、前記複数の第２偶数信号印加線に一体で連結される前記複数のデータ線それぞれの一端部は前記第３接触孔を通じて前記第１制御電極と接している、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
発明１９は、前記発明１８において、前記データ線は前記第１入力電極を有し、前記連結配線は前記第１入力電極と対向する前記第１出力電極を有し、前記第１半導体層は前記ゲート絶縁膜と前記第１入力電極及び前記第１出力電極の間に形成されている、の薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【００１８】
発明２０は、前記発明１９において、前記ダミー配線は複数の第２制御電極をさらに有し、前記連結配線は第２入力電極をさらに有し、前記データ線は前記第２入力電極と対向する第２出力電極をさらに有し、前記第２制御電極上の前記ゲート絶縁膜と前記第２入力電極及び前記第２出力電極との間に形成される第２半導体層をさらに含み、前記第２制御電極、第２半導体層、第２入力電極及び第２出力電極は第２ダイオードを構成する、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【００１９】
発明２１は、前記発明２０において、前記データ線及び前記データ信号印加線上に形成されていて、前記複数の第２偶数信号印加線それぞれの一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第４接触孔と、前記複数の第２偶数信号印加線それぞれの一端部に対応する前記複数のデータ線の一端部をそれぞれ互いに異なる面積で露出させる第５接触孔と、が形成されている保護膜をさらに含む、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【００２０】
発明２２は、前記発明２１において、前記保護膜上に形成され、前記複数の第４接触孔及び前記複数の第５接触孔を通じて露出された前記第２偶数信号印加線それぞれの一端部と、対応する前記データ信号線の一端部とをそれぞれ互いに異なる接触面積で連結する複数の連結部材をさらに含む、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
発明２３は、前記発明１１において、前記データ線及び前記データ信号印加線上に形成され、前記ゲート絶縁膜と共に前記複数の第１偶数信号印加線それぞれの一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第１接触孔と、前記ゲート絶縁膜と共に前記複数の第１奇数信号印加線それぞれの一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第２接触孔と、前記複数の第１偶数信号印加線それぞれの一端部に対応する前記複数のデータ線の一端部をそれぞれ互いに異なる面積で露出させる第３接触孔と、前記複数の第１奇数信号印加線それぞれの一端部に対応する前記複数のデータ線の一端部をそれぞれ互いに異なる面積で露出させる第４接触孔が形成される保護膜と、をさらに含む、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【００２１】
発明２４は、前記発明２３において、前記保護膜の上に形成され、前記複数の第１接触孔及び前記複数の第３接触孔を通じて露出された前記第１偶数信号印加線それぞれの一端部と、対応する前記データ信号線の一端部とをそれぞれ互いに異なる接触面積で連結する複数の第１連結部材と、前記複数の第２接触孔及び前記複数の第４接触孔を通じて露出された前記第１奇数信号印加線の一端部と、対応する前記データ信号線の一端部とをそれぞれ互いに異なる接触面積で連結する複数の第２連結部材と、をさらに含む薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【００２２】
発明２５は、前記発明２４において、前記保護膜には、前記複数の第２偶数信号印加線それぞれの一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第５接触孔と、前記複数の第２奇数信号印加線それぞれの一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第６接触孔と、前記複数の第２偶数信号印加線それぞれの一端部に対応する前記複数のデータ線の一端部をそれぞれ互いに異なる面積で露出させる第７接触孔と、前記複数の第２奇数信号印加線それぞれの一端部に対応する前記複数のデータ線の一端部をそれぞれ互いに異なる面積で露出させる第８接触孔と、がさらに形成されている、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【００２３】
発明２６は、前記発明２５において、前記保護膜上に形成され、前記複数の第５接触孔及び前記複数の第７接触孔を通じて前記第２偶数信号印加線それぞれの一端部と、対応する前記データ信号線の一端部とをそれぞれ互いに異なる接触面積で連結する複数の第３連結部材と、前記複数の第６接触孔及び前記複数の第８接触孔を通じて前記第２奇数信号印加線それぞれの一端部と、対応する前記データ信号線の一端部とをそれぞれ互いに異なる接触面積で連結する複数の第４連結部材と、をさらに含む、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【００２４】
発明２７は、前記発明２６において、前記保護膜上に形成される画素電極をさらに含み、前記第１乃至第４連結部材は前記画素電極と同一物質からなる、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
発明２８は、前記発明４において、前記接触面積は前記駆動部から遠くなるほど増加する薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【００２５】
前記発明２９は、映像を表示する表示領域と前記表示領域の外郭を囲む少なくとも第１、第２、第３及び第４周辺領域とを含み、前記第１または第２周辺領域に配置される駆動部をさらに含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法であって、
・絶縁基板上に前記表示領域から第１方向に相互対向する前記第１及び第２周辺領域のうちの少なくともいずれか１つに伸びる複数のゲート線を形成する段階と、
・前記ゲート線上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
・前記ゲート絶縁膜上に前記表示領域から前記第１方向と交差している第２方向に相互対向する前記第３及び第４周辺領域のうちの少なくともいずれか１つに伸びる複数のデータ線を形成する段階と、
・前記第３及び第４周辺領域のうちの少なくともいずれか１つに、少なくとも一部はそれぞれの一端部が対応する前記データ線の一端部とそれぞれ互いに異なる接触面積を有するように連結され、他の端部は前記駆動部に連結される複数のデータ信号印加線を形成する段階と、を含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【００２６】
発明３０は、前記発明２９において、前記ゲート絶縁膜には前記複数のデータ信号印加線のうちの少なくとも一部の各一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の接触孔が形成され、前記データ線のうちの少なくとも一部の各一端部は前記接触孔を通じて露出された前記データ信号印加線のうちの少なくとも一部の各端部とそれぞれ互いに異なる面積で接触するように形成する、薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【００２７】
発明３１は、前記発明２９において、前記データ線上に保護膜を形成する段階と、前記保護膜上に連結部材を形成する段階と、をさらに含み、前記保護膜には前記複数のデータ信号印加線のうちの少なくとも一部の各一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第１接触孔及び前記複数のデータ線のうちの少なくとも一部の各一端部を互いに異なる面積で露出させる複数の第２接触孔が形成され、前記複数の連結部材は、各々前記第１接触孔及び前記第２接触孔を通じて前記複数のデータ信号印加線のうちの少なくとも一部の各一端部及び前記複数のデータ線のうちの少なくとも一部の各一端部とそれぞれ互いに異なる接触面積で接触するように形成する、薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の薄膜トランジスタ表示板によると、駆動チップを表示領域の左側または右側に配置することによって、表示領域の上側または下側周辺領域の面積を減少させることができる。
さらに、信号印加線間の長さ差によって発生する抵抗差によるＲＣ遅延値の差を接触孔の露出面積を互いに異ならせて形成することで最少化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は多様で相異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限られない。
図面で多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似の部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分“上”にあるとする時、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分“直上”にあるとする時には中間に他の部分がないことを意味する。
【００３０】
次に、添付した図面を参照して本発明の多様な実施例による薄膜トランジスタ表示板について説明する。
[第１実施例]
まず、図１乃至図７を参照して、本発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板を備える表示装置と薄膜トランジスタ表示板について説明する。
【００３１】
図１は、本発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板を含む表示装置を示す斜視図である。図２は、本発明の第１実施例による薄膜トランジスタ表示板の概略図である。図３は、複数の画素領域を示す図２の薄膜トランジスタ表示板における‘Ａ’領域の拡大図である。図４は、図３の薄膜トランジスタ表示板をＩＶ-ＩＶ線に沿って切断した断面図である。図５は、図２の薄膜トランジスタ表示板のデータ線及びデータ信号印加線の配置図である。そして、図６及び図７は、図５の薄膜トランジスタ表示板をそれぞれＶＩ-ＶＩ線及びＶＩＩ-ＶＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【００３２】
本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板を含む表示装置は、一般に液晶表示装置であって、薄膜トランジスタ表示板１００、液晶層（図示せず）を介して薄膜トランジスタ表示板１００と対向する共通電極表示板２００とを含む。
図２に示したように、薄膜トランジスタ表示板１００は、表示領域ＤＡと表示領域外郭の周辺領域ＰＡを含む。
【００３３】
表示領域ＤＡは、映像を表示する領域で、図２及び図３に示したように複数のゲート線（１２１、Ｇ１-Ｇｎ）、複数のデータ線(１７１、Ｄ１-Ｄｍ）、これらゲート線１２１とデータ線１７１に連結されている複数の画素（図示せず）を含む。
各画素は、ゲート線１２１とデータ線１７１に連結されるスイッチング素子、これに連結されている液晶キャパシタ及びストレージキャパシタを含むことができる。ストレージキャパシタは必要に応じて省略してもよい。
【００３４】
周辺領域ＰＡは、表示領域ＤＡの４つの辺を囲む第１、第２、第３及び第４周辺領域（ＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４）に分けられる。
第１周辺領域ＰＡ１はゲート駆動部５１０が形成されている領域であり、第２周辺領域ＰＡ２は、表示領域ＤＡを介して第１周辺領域ＰＡ２と対向し駆動部４００が配置されている領域である。また、第３周辺領域ＰＡ３は、第１データ信号印加線５２０とゲート信号印加線５１１の一部が形成されている領域である。第４周辺領域ＰＡ４は、第２データ信号印加線５３０とゲート信号印加線５１１の一部が形成されていて表示領域ＤＡを介して第３周辺領域ＰＡ３と対向する領域である。
【００３５】
ゲート駆動部５１０は、ゲート信号印加線５１１を通じて駆動部４００と連結され、駆動部４００は第１及び第２データ信号印加線（５２０、５３０）を通じてデータ線１７１に連結される。
第３及び第４周辺領域（ＰＡ３、ＰＡ４）に形成されたゲート信号印加線５１１は、第１及び第２データ信号印加線（５２０、５３０）との交差を防止するために第１及び第２データ信号印加線（５２０、５３０）の外郭に形成されている。
【００３６】
図２とは異なり、ゲート信号印加線５１１は第３周辺領域ＰＡ３と第４周辺領域ＰＡ４のうちいずれか１つの領域にのみ形成されることができる。
図２に示したように、本実施例では、第１データ信号印加線５２０は偶数番目データ線１７１に連結され、第２データ信号印加線５３０は奇数番目データ線に連結されるが、このようなデータ線１７１と第１及び第２データ信号印加線（５２０、５３０）の連結関係は変更することができる。
【００３７】
第１データ信号印加線５２０は、偶数番目データ線（１７１、Ｄｊ-２及びＤｊ）の中でｊ-２番目データ線Ｄｊ-２とそれぞれ連結される複数の第１偶数信号印加線５２２及びｊ番目データ線Ｄｊとそれぞれ連結される複数の第２偶数信号印加線５２４を含む。ここで、ｊは４の倍数である。
第２データ信号印加線５３０は奇数番目データ線（１７１、Ｄｊ-３及びＤｊ-１）の中でｊ-３番目データ線Ｄｊ-３とそれぞれ連結される複数の第１奇数信号印加線５３２及びｊ-１番目データ線Ｄｊ-１とそれぞれ連結される複数の第２奇数信号印加線５３４を含む。
【００３８】
ゲート駆動部５１０は、複数の駆動薄膜トランジスタからなるシフトレジスターを含むことができる。
ゲート駆動部５１０は、ゲート線１２１、データ線１７１及び画素を形成する工程と同時に形成されることができる。
ゲート駆動部５１０は、駆動部４００からゲート信号印加線５１１を通じて印加されるゲート制御信号によってゲート線１２１にゲート信号を順次に印加する。
【００３９】
駆動部４００は駆動チップを使用し、薄膜トランジスタ表示板１１０上に装着する。
既に説明したように、駆動部４００を薄膜トランジスタ表示板１００の右側に相当する第２周辺領域ＰＡ２に配置することによって、薄膜トランジスタ表示板１００上側または下側に相当する第３周辺領域ＰＡ３または第４周辺領域ＰＡ４の面積が減少する。
駆動部４００は、外部装置（図示せず）から入力される各種制御信号に基づいて表示装置を駆動させるための各種出力信号を出力する。
【００４０】
例えば、駆動部４００は、データ線１７１に印加されるデータ電圧、ゲート駆動部５１０に印加されるゲート制御信号及び共通電極表示板２００に印加される共通電圧などを出力することができる。
本実施例とは異なって、薄膜トランジスタ表示板１００は、駆動部４００が第１周辺領域ＰＡ１に配置され、ゲート駆動部５１０が第２周辺領域ＰＡ２に形成された構造を有することができる。
【００４１】
まず、表示領域ＤＡを中心に薄膜トランジスタ表示板１００を説明する。
透明なガラスなどからなる絶縁基板１１０上には、ゲート信号を伝達する複数のゲート線（１２１、Ｇ１〜Ｇｎ、ここでｎは任意の正の整数）が形成されている。ゲート線１２１は横方向に伸び、第１周辺領域ＰＡ１からゲート駆動部５１０に連結されている。図３及び図４に示したように、各ゲート線１２１は複数のゲート電極１２４を含み、ゲート駆動部５１０からゲート信号の印加を受けて、これをゲート電極１２４に伝達する。
【００４２】
各ゲート線１２１は、他の層または外部駆動回路との接続のために面積の広い端部（図示せず）を含むことができ、この端部は表示領域ＤＡや周辺領域ＰＡ（例えば、第１周辺領域ＰＡ１）に形成されることができる。
ゲート線１２１は、アルミニウムとアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀と銀合金などの銀系金属、銅と銅合金などの銅系金属、モリブデンとモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタルなどからなるのが好ましい。ゲート線１２１は、物理的性質の異なる２つの膜、つまり、下部膜（図示せず）とその上の上部膜（図示せず）を含むことができる。上部膜は、ゲート線１２１の信号遅延や電圧降下を減らせるように低い比抵抗の金属、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属からなる。これとは異なって、下部膜は、他の物質、特にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）及びＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）との接触特性に優れた物質、例えばモリブデン（Ｍｏ）、モリブデン合金、クロム（Ｃｒ）などからなる。下部膜と上部膜の組み合わせの例としてはクロム/アルミニウム-ネオジム（Ｎｄ）合金がある。
【００４３】
本実施例では、ゲート線１２１は比抵抗が４．５μΩｃｍであるクロム/アルミニウム-ネオジム（Ｎｄ）合金の下部膜と上部膜の組み合わせで備えられている。
ゲート線１２１は２層以上を有するか、３層以上含むことができる。
ゲート線１２１上には、窒化シリコンなどからなり、ゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００４４】
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコンなどからなる半導体層１５４が形成されている。
半導体層１５４上には、シリサイドまたはｎ型不純物が高濃度でドーピングされているｎ+水素化非晶質シリコンなどの物質からなる抵抗性接触部材（１６３、１６５）が互いに分離形成されている。
【００４５】
抵抗性接触部材（１６３、１６５）は、その下の半導体層１５４と、その上部のソース電極１７３及びドレイン電極１７５の間に存在し、接触抵抗を下げる役割を果たす。
抵抗性接触部材（１６３、１６５）及びゲート絶縁膜１４０上には、それぞれ複数のデータ線（１７１、Ｄ１〜Ｄｍ、ここでｍは任意の正の整数）、複数のドレイン電極１７５が形成されている。
【００４６】
各データ線１７１は縦方向に伸びてゲート線１２１と交差する。第１及び第２データ信号印加線（５２０、５３０）はデータ線１７１に連結され、データ線１７１は第１及び第２データ信号印加線（５２０、５３０）からデータ電圧の印加を受けて各画素に伝達する。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって伸びたソース電極１７３をそれぞれ含む。また、図５に示したように、データ線１７１のうちの一部（Ｄｊ-３、Ｄｊ-２、ここでｊは４の倍数である）は第１偶数信号印加線５２２の端部５２９または第１奇数信号印加線５３２または第１奇数信号印加線５３２との接続のために面積の広い端部１７９と棒状の他側端部１７２を含む。この端部１７９は、周辺領域ＰＡ、例えば、第３または第４周辺領域（ＰＡ３、ＰＡ４）に形成される。
【００４７】
一方、データ線１７１のうちの他の一部Ｄｊ-１は、第２偶数信号印加線５２４または第２奇数信号印加線５３４と直接連結され、第３または第４周辺領域（ＰＡ３、ＰＡ４）まで伸びた棒状端部１７２を備える。ドレイン電極１７５は、データ線１７１と互いに分離され、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と互いに反対の側に位置している。
データ線１７１及びドレイン電極１７５は、クロムまたはモリブデン系金属、タンタル及びチタニウムなどの耐火性金属からなることができ、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン合金、クロム（Ｃｒ）などの下部膜（図示せず）と、その上に位置したアルミニウム系金属の上部膜（図示せず）からなる多層膜構造を有することができる。
【００４８】
本実施例では、データ線１７１及びドレイン電極１７５を比抵抗が１２μΩｃｍであるモリブデンを単一膜として形成する。
ゲート電極１２４、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は、半導体層１５４と共に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の半導体層１５４に形成されている。
【００４９】
抵抗性接触部材（１６３、１６５）は、その下の半導体層１５４とその上部のソース電極１７３及びドレイン電極１７５の間に存在し、接触抵抗を下げる役割を果たす。
データ線１７１、ドレイン電極１７５及び露出された半導体層１５４上には、平坦化特性に優れて感光性を有する有機物質、ａ-Ｓｉ:Ｃ:Ｏ、ａ-Ｓｉ:Ｏ:Ｆなどの低誘電率絶縁物質または無機物質である窒化シリコンなどからなる保護膜１８０が形成されている。
【００５０】
保護膜１８０には、ドレイン電極１７５を露出させる複数の接触孔１８９が形成されている。
保護膜１８０上には、ＩＴＯまたはＩＺＯからなる複数の画素電極１９０が形成されている。
画素電極１９０は、接触孔１８９を通じてドレイン電極１７５と物理的・電気的に連結されてドレイン電極１７５からデータ電圧を受ける。
【００５１】
次に、周辺領域ＰＡを中心に薄膜トランジスタ表示板１００を説明する。
透明なガラスなどからなる絶縁基板１１０の第３及び第４周辺領域（ＰＡ３、ＰＡ４）上には、駆動部４００からのゲート制御信号をゲート駆動部５１０に伝達するゲート信号印加線５１１が形成されている。
ゲート信号印加線５１１は主に横方向に伸び、第３周辺領域ＰＡ３または第４周辺領域ＰＡ４の幅を減少させるためにゲート線１２１と同一物質（以下、「第１金属」と言う）で同一層に形成されている。したがって、第１データ信号印加線５２０または第２データ信号印加線５３０と最大限に近接させることができる。しかし、ゲート信号印加線５１１は本実施例とは異なってデータ線１７１と同一物質（以下、「第２金属」と言う）で同一層に形成してもよい。
【００５２】
また、絶縁基板１１０の第３周辺領域ＰＡ３及び第４周辺領域ＰＡ４上には、駆動部４００からのデータ電圧をデータ線１７１の一部に伝達する第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）がそれぞれ形成されている。
複数の第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）は主に横方向に伸び、データ線１７１の端部１７９との接続のために面積の広い端部（５２９、５３９）を含む。
【００５３】
第１偶数信号印加線５２２の端部５２９は、第３周辺領域ＰＡ３に形成されるデータ線１７１の端部１７９に対応する位置に形成され、第１奇数信号印加線５３２の端部５３９は第３周辺領域ＰＡ４に形成されているデータ線１７１の端部１７９に対応する位置に形成される。
図５に示したように、第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）の端部（５２９、５３９）の大きさは、対応するデータ線１７１の端部１７９の大きさより小さいこともあるが、これに限られない。
【００５４】
図６に示したように、第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）は第１金属からなり、ゲート線１２１と同一層に形成されている。
第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）上にはゲート絶縁膜１４０が形成され、ゲート絶縁膜１４０には、第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）の端部（５２９、５３９）を露出する複数の接触孔（１４４、１４６、１４８、１４３、１４５、１４７）が形成されている。この時、接触孔（１４４、１４６、１４８、１４３、１４５、１４７）を通じて露出される第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）の露出面積（Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ１、Ｓ３、Ｓ５）は互いに相異する。つまり、図５に示したように、複数の接触孔（１４４、１４６、１４８、１４３、１４５、１４７）を通じた第１偶数及び奇数信号印加線５２２の端部５２９の露出面積（Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ１、Ｓ３、Ｓ５）は、駆動部４００から遠くなるほど増加する。
【００５５】
第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）は、各接触孔（１４４、１４６、１４８、１４３、１４５、１４７）を通じて当該データ線１７１の端部１７９と連結されて駆動部４００からのデータ電圧を当該データ線１７１に伝達する。
このように、第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）の端部（５２９、５３９）と当該データ線１７１の端部１７９との接触面積は、当該接触孔（１４４、１４６、１４８、１４３、１４５、１４７）を通じた露出面積（Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ１、Ｓ３、Ｓ５）と実質的に類似しているので、接触面積は駆動部４００から遠くなるほど増加する。
【００５６】
複数の接触孔（１４４、１４６、１４８、１４３、１４５、１４７）は、第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）の端部（５２９、５３９）の露出面積（Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ１、Ｓ３、Ｓ５）が駆動部４００から遠くなるほど増加する条件でその形状及び個数の変更が可能である。
接触面積が増加すると、第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）の端部（５２９、５３９）とデータ線１７１の一部（Ｄｊ-２、Ｄｊ-３）の端部１７９間の接触抵抗は減少する。
【００５７】
ゲート絶縁膜１４０の第３及び第４周辺領域（ＰＡ３、ＰＡ４）上には、駆動部４００からのデータ電圧をデータ線１７１の一部に伝達する複数の第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）がそれぞれ形成されている。
第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）は横方向に伸びた後、縦方向に伸びて当該データ線１７１と直接連結される。
【００５８】
第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）は第２金属からなり、データ線１７１と同一層に形成されている。
第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）上には、保護膜１８０が形成されている。
しかし、実施例とは異なって複数の第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）はデータ線１７１と同一層に第２金属で形成され、複数の第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）はゲート線１２１と同一層に第１金属で形成されることができる。
【００５９】
このように第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）と第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）を互いに異なる層に形成すると、第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）と第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）の間の距離を減らせるので、第３及び第４周辺領域（ＰＡ３、ＰＡ４）の幅を減少させることができる。
第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）と第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）をある程度重なって形成すると、第３及び第４周辺領域（ＰＡ３、ＰＡ４）の幅をさらに減少させることができる。しかし、第１偶数信号印加線５２２と第２偶数信号印加線５２４が重なりすぎると、第１偶数信号印加線５２２と第２偶数信号印加線５２４の間に形成される寄生キャパシタによって信号の歪曲が発生することがある。したがって、信号の歪曲が発生しない範囲内で第１偶数信号印加線５２２と第２偶数信号印加線５２４間の距離を決めるのが好ましい。
【００６０】
一方、本実施例とは異なって第１データ信号印加線５２０が第４周辺領域ＰＡ４に形成され、第２データ信号印加線５３０が第３周辺領域ＰＡ３に形成されてもよい。また、第１データ信号印加線５２０及び第２データ信号印加線５３０とも第３周辺領域ＰＡ３に形成されてもよく、これとは反対に第１データ信号印加線５２０及び第２データ信号印加線５３０とも第４周辺領域ＰＡ４に形成されてもよい。
【００６１】
第１偶数信号印加線５２２及び第１奇数信号印加線５３２は第１金属からなり、第２偶数信号印加線５２４及び第２奇数信号印加線５３４は第２金属からなっているので、第１信号印加線（５２２、５３２）及び第２信号印加線（５２４、５３４）間に比抵抗が異なって抵抗値の差が発生する。
また、各データ線１７１にそれぞれ連結された複数の第１データ信号印加線５２０と複数の第２データ信号印加線５３０のそれぞれは長さの差によって抵抗値の差が発生する。
【００６２】
このような抵抗値の差はＲＣ遅延値の差で現れるので、信号の歪曲問題などを深化させて表示性能が低下する問題が発生する。したがって、抵抗値の差を減らしてＲＣ遅延値を一定化する必要がある。
このために本発明の一実施例による表示装置の薄膜トランジスタ表示板は既に説明したように、接触孔（１４３、１４４、１４５、１４６、１４７、１４８）の露出面積（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６）が駆動部４００からの距離に基づいて相異している。つまり、露出面積（Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ１、Ｓ３、Ｓ５）は駆動部４００から遠くなるほど増加する。
【００６３】
したがって、駆動部４００から遠くなるほど第１偶数信号印加線５２２及び第１奇数信号印加線５３２とこれに連結されるデータ線１７１間の接触抵抗が減少するために長さ増加による抵抗増加分を相殺することができる。したがって、互いに長さの異なる第１偶数信号印加線５２２及び第１奇数信号印加線５３２によって発生する抵抗差を減らすことができる。ここで、露出面積（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６）は、互いに長さが異なる第１偶数信号印加線５２２及び第１奇数信号印加線５３２によって発生する抵抗差を最少化することができる大きさに定められる。
【００６４】
また、ゲート絶縁膜１４０に形成されたそれぞれ大きさが異なる接触孔（１４３、１４４、１４５、１４６、１４７、１４８）を通じて比抵抗の低い第１金属からなる第１偶数信号印加線５２２及び第１奇数信号印加線５３２の各端部（５２９、５３９）と、これに対応するデータ線１７１の端部１７９を相互接触して電気的に連結すると接触抵抗が発生するために全体的に抵抗が増加する。この抵抗増加分を適切に調節することによって比抵抗の高い第２金属からなる第２偶数信号印加線５２４及び第２奇数信号印加線５３４との抵抗差も最少化することができる。
【００６５】
したがって、各第１偶数信号印加線５２２及び第１奇数信号印加線５３２の材質及び長さの差による抵抗値の差をそれぞれ補償して全体的に抵抗値を一定にすることができる。これによって各データ線１７１に印加されるデータ信号のＲＣ遅延値を一定化して表示性能を向上することができる。
以下では、本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板１００の製造方法を図２乃至図１３を参照して説明する。
【００６６】
図８、図１０及び図１２は図５の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を順次に示す平面図であり、図９、図１１及び図１３はそれぞれ図８、図１０及び図１２の薄膜トランジスタ表示板をＩＸ-ＩＸ線、ＸＩ-ＸＩ線及びＸＩＩＩ-ＸＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
まず、絶縁基板１１０上にスパッタリングなどの方法でクロム/アルミニウム-ネオジム（Ｎｄ）合金の下部膜と上部膜からなる導電膜を形成する。その後、図８及び図９に示したように導電膜をエッチングしてそれぞれ幅が拡張された端部（５２９、５３９）を含む第１偶数信号印加線５２２及び第１奇数信号印加線５３２を第３周辺領域ＰＡ３及び第４周辺領域ＰＡ４にそれぞれ形成し、同時に図２乃至図４に示したように表示領域ＤＡにはゲート電極１２４を含む複数のゲート線１２１を形成する。
【００６７】
引き続き、ゲート線１２１、第１偶数信号印加線５２２及び第１奇数信号印加線５３２上に窒化シリコンなどからなるゲート絶縁膜１４０、不純物がドーピングされていない直性非晶質シリコン（ａ-Ｓｉ）層及び不純物がドーピングされた非晶質シリコン（ｎ+ ａ-Ｓｉ）層をプラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）で形成する。
また、図３及び図４に図示したように、不純物がドーピングされた非晶質シリコン及び直性非晶質シリコンを写直エッチングして不純物半導体パターン（図示せず）を形成する。
【００６８】
その後、図１０及び図１１に示したようにゲート絶縁膜１４０を写直エッチングして複数の第１偶数信号印加線５２２の各端部５２９を互いに異なる面積（Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６）で露出させる複数の接触孔（１４４、１４６、１４８）及び第１奇数信号印加線５３２の各端部５３９を互いに異なる面積（Ｓ１、Ｓ３、Ｓ５）で露出させる複数の接触孔（１４３、１４５、１４７）を形成する。写直エッチング時に露光過程でスリットなどのパターンの大きさの異なる光マスクを使用したり、露光強度または露光時間を異ならせて各接触孔（１４３、１４４、１４５、１４６、１４７、１４８）の大きさを異ならせることができる。
【００６９】
その後、不純物半導体パターン及びゲート絶縁膜１４０上にモリブデンからなる導電膜をスパッタリング法で積層する。
なお、図２乃至図４、図１２及び図１３に示したように、導電膜をエッチングしてソース電極１７３と端部（１７２、１７９）を含むデータ線１７１、ドレイン電極１７５及び第２偶数信号印加線５２４及び第２奇数信号印加線５３４を形成する。この時、複数のデータ線１７１の一端部１７９は各接触孔（１４３、１４４、１４５、１４６、１４７、１４８）を通じて複数の第１偶数信号印加線５２２の各端部５２９及び複数の第１奇数信号印加線５３２の一端部５３９とそれぞれ異なる面積（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６）で接触するように形成する。
【００７０】
次いで、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５で覆われずに露出された不純物半導体パターン（図示せず）部分を除去して相互分離された抵抗性接触部材（１６３、１６５）を完成する一方、その下の半導体層１５４部分を露出する。
その後、図３乃至図７に示したように、平坦化特性に優れて感光性を有する有機物質、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ-Ｓｉ:Ｃ:Ｏ、ａ-Ｓｉ:Ｏ:Ｆなどの低誘電率絶縁物質または無機物質である窒化シリコンなどを単一層または複数層で形成して保護膜１８０を形成する。
【００７１】
また、保護膜１８０上に感光膜をコーティングした後、光マスクを通じて感光膜に光を照射して現像した後、ドレイン電極１７５を露出する接触孔１８９を形成する。
次に、図３及び図４に示したように、保護膜１８０上にＩＴＯまたはＩＺＯからなる透明導電層をスパッタリングで積層した後、写直エッチングして画素電極１９０を形成すると本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板が完成される。
【００７２】
[第２実施例]
以下、本発明の他の実施例による薄膜トランジスタ表示板を図１４及び図１５を参照して説明する。
本実施例による薄膜トランジスタ表示板の概略図は図２と同一である。
図５及び図７と同一の機能を行う部分に対しては同じ図面符号を付与し、それについての詳しい説明も省略する。
【００７３】
図１４は、本発明の第２実施例による薄膜トランジスタ表示板のデータ線及びデータ信号印加線の配置図であり、図１５は、図１４の薄膜トランジスタ表示板をXＶ-ＸＶ線に沿って切断した断面図である。
図５及び図６と比較すると、本実施例による薄膜トランジスタ表示板は複数の連結部材１９２をさらに備え、この連結部材１９２を利用して第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）と当該データ線１７１が連結される。
【００７４】
したがって、本実施例による薄膜トランジスタ表示板で連結部材１９２を通じて連結される第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）とデータ線１７１の一側端部はそれぞれ幅の広い端部（５２９、５３９、１７９）を備える。
図５及び図６と比較すると、第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）の端部（５２９、５３９）と当該データ線１７１の端部１７９の形成位置は所定距離だけ離れて、端部（５２９、５３９、１７９）の大きさは実質的に同一であり得る。
【００７５】
また、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０は、第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）の端部（５２９、５３９）を露出する複数の第１接触孔（１８３ａ、１８４ａ、１８５ａ、１８６ａ、１８７ａ、１８８ａ）を備え、保護膜１８０は一部データ線１７１の端部１７９を露出する複数の第２接触孔（１８３ｂ、１８４ｂ、１８５ｂ、１８６ｂ、１８７ｂ、１８８ｂ）を備える。
【００７６】
第１実施例のように複数の第１及び第２接触孔（１８３ａ、１８５ａ、１８７ａ、１８４ａ、１８６ａ、１８８ａ、１８３ｂ、１８５ｂ、１８７ｂ、１８４ｂ、１８６ｂ、１８８ｂ）を通じた第１偶数及び奇数信号印加線５２２端部（５２９、５３９）の露出面積（Ｓ１、Ｓ３、Ｓ５、Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６）と当該データ線１７１端部１７９の露出面積（Ｓ７、Ｓ９、Ｓ１１、Ｓ８、Ｓ１０、Ｓ１２）は、駆動部４００から遠くなるほど増加する。
【００７７】
連結部材１９２は、保護膜１８０上に画素電極１９０と同一層に同一物質で形成されている。
各連結部材１９２は、第１接触孔（１８３ａ、１８４ａ、１８５ａ、１８６ａ、１８７ａ１８８ａ）及び第２接触孔（１８３ｂ、１８４ｂ、１８５ｂ、１８６ｂ、１８７ｂ、１８８ｂ）を通じて第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）の一端部（５２９、５３９）及びこれに対応するデータ線１７１の端部１７９が連結される。
【００７８】
この時、連結部材１９２と第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）の一端部（５２９、５３９）の接触面積は当該第１及び第２接触孔を通じた露出面積（Ｓ１、Ｓ３、Ｓ５、Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ９、Ｓ１１、Ｓ８、Ｓ１０、Ｓ１２）と実質的に類似しているので、接触面積は駆動部４００から遠くなるほど増加する。
本実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、保護膜１８０を形成した後、ドレイン電極１７５を露出する接触孔１８９を形成する時に、第１接触孔（１８３ａ、１８４ａ、１８５ａ、１８６ａ、１８７ａ１８８ａ）及び第２接触孔（１８３ｂ、１８４ｂ、１８５ｂ、１８６ｂ、１８７ｂ、１８８ｂ）を共に形成し、画素電極１９０を形成する時に連結部材１９２をフォトエッチング工程を通じて共に形成するのを除いては本発明の第１実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法と同一である。
【００７９】
[第３実施例]
以下では、本発明の第３実施例による薄膜トランジスタ表示板を図１６及び図１７を参照して説明する。
本実施例による薄膜トランジスタ表示板の概略図は図２と同一である。
図１４及び図１５と同一な機能を行う部分に対しては同じ図面符号を付与し、それについての詳しい説明も省略する。
【００８０】
図１６は本発明の第３実施例による薄膜トランジスタ表示板のデータ線及びデータ信号印加線の配置図であり、図１７は図１６の薄膜トランジスタ表示板をXVII-XVII線に沿って切断した断面図である。
図１６及び図１７の薄膜トランジスタ表示板は、図１４及び図１５の薄膜トランジスタ表示板と異なって複数の連結部材１９３をさらに含み、第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）だけでなく第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）も連結部材１９３を通じて当該データ線１７１と接触されている。
【００８１】
この時、連結部材１９３を通じた第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）と当該データ線１７１との接触方式は、連結部材１９２を通じた第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）と当該データ線１７１との接触方式と類似している。しかし、第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）はゲート線１２１と同一層に同一材料で形成される反面、第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）はデータ線１７１と同一層にそして同一材料で形成されている。
【００８２】
したがって、第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）と当該データ線１７１の一側端部の構造は、第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）と当該データ線１７１の一側端部の構造と類似している。
つまり、連結部材１９３を通じて連結される第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）と当該データ線１７１の一側端部はそれぞれ幅の広い端部（５２８、５３８、１７９）を備える。
【００８３】
また、保護膜１８０は、第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）の端部（５２８、５３８）を露出する複数の第３接触孔（１８４ｃ、１８６ｃ、１８３ｃ、１８５ｃ）と当該データ線１７１の端部１７９を露出する複数の第４接触孔（１８４ｄ、１８６ｄ、１８３ｄ、１８５ｄ）をさらに備える。
図１４に示した露出面積（Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ１、Ｓ３、Ｓ５、Ｓ８、Ｓ１０、Ｓ１２、Ｓ７、Ｓ９、Ｓ１１）のように、第３及び第４接触孔（１８４ｃ、１８６ｃ、１８３ｃ、１８５ｃ、１８４ｄ、１８６ｄ、１８３ｄ、１８５ｄ）を通じた第２偶数及び奇数信号印加線５２２の端部（５２８、５３８）とデータ線１７１端部１７９の露出面積（Ｓ２２、Ｓ２４、Ｓ２１、Ｓ２３、Ｓ２６、Ｓ２８、Ｓ２５、Ｓ２７）は、駆動部４００から遠くなるほど増加する。
【００８４】
この時、連結部材１９３は連結部材１９２と同一層に同一物質で、つまり、保護膜１８０上に画素電極１９０と同一物質で形成されている。
連結部材１９２と同様に、各連結部材１９３は、第３接触孔（１８４ｃ、１８６ｃ、１８３ｃ、１８５ｃ）及び第４接触孔（１８４ｄ、１８６ｄ、１８３ｄ、１８５ｄ）を通じて第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）の端部（５２８、５３８）及びこれに対応するデータ線１７１の端部１７９が連結される。
【００８５】
また、連結部材１９３と第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）の端部（５２８、５３８）との接触面積、そして連結部材１９３とデータ線１７１の端部１７９との接触面積も駆動部４００から遠くなるほど増加する。
図１６及び図１７の薄膜トランジスタ表示板によると、第１偶数信号印加線５２２及び第１奇数信号印加線５３２の長さ差による抵抗差だけでなく、第２偶数信号印加線５２４及び第２奇数信号印加線５３４の長さ差による抵抗差も減らすことができるので、全データ信号印加線（５２０、５３０）の長さ差による抵抗差の減らすことができる。
【００８６】
本実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は第２実施例の薄膜トランジスタ表示板の製造方法と類似している。
しかし、本実施例の薄膜トランジスタ表示板製造方法は端部１７９を備えるデータ線１７１を製造する時、端部（５２８、５３８）を備える第２偶数及び奇数信号印加線（５３２、５３４）を形成し、第３接触孔（１８４ｃ、１８６ｃ、１８３ｃ、１８５ｃ）及び第４接触孔（１８４ｄ、１８６ｄ、１８３ｄ、１８５ｄ）をさらに備える保護膜１８０を形成する。次に、画素電極１９０を形成する時、連結部材１９２と共に連結部材１９３をさらに形成する。
【００８７】
[第４実施例]
以下、本発明の他の実施例による薄膜トランジスタ表示板について図１８を参照して説明する。本実施例の記載は図５及び図１６と比較して記載する。
本実施例による薄膜トランジスタ表示板の概略図は図２と同一である。
図５乃至７及び図１６と同一な機能を行う部分に対しては同じ図面符号を付与し、それについての詳しい説明も省略する。
【００８８】
図１８は、本発明の他の実施例による薄膜トランジスタ表示板のデータ線及びデータ信号印加線の配置図である。
図１８の薄膜トランジスタ表示板の第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）と対応データ線１７１との連結方式は、図５に示した薄膜トランジスタ表示板の第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）と対応データ線１７１との連結方式と同一である。また、第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）と対応データ線１７１との連結方式は、図１６に示した薄膜トランジスタ表示板の第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）と対応データ線１７１との連結方式と同一である。したがって、これについての詳しい説明は省略する。
【００８９】
図１８の薄膜トランジスタ表示板によると、第１偶数信号印加線５２２及び第１奇数信号印加線５３２の長さ差による抵抗差だけでなく、第２偶数信号印加線５２４及び第２奇数信号印加線５３４の長さ差による抵抗差も減らすことができるので、全データ信号印加線（５２０、５３０）の長さ差による抵抗差を減らすことができる。
[第５実施例]
以下では、本発明の第５実施例による薄膜トランジスタ表示板を図１９乃至図２２を参照して説明する。本実施例の記載は図２乃至図７と比較して記載する。
【００９０】
図１９は、本発明の第５実施例による薄膜トランジスタ表示板の平面図である。図２０は、図１９に示した薄膜トランジスタ表示板のデータ線及びデータ信号印加線の配置図である。図２１及び図２２は、各々図２０の薄膜トランジスタ表示板をＸＸＩ-ＸＸＩ線及びＸＸII-ＸＸII線に沿って切断した断面図である。
図１９乃至図２２を参照すると、本実施例の薄膜トランジスタ表示板１０１は、図２及び図５の薄膜トランジスタ表示板と異なり、第３周辺領域ＰＡ３及び第４周辺領域ＰＡ４にそれぞれ形成されているダミー配線６２１、ダミー配線６２１に連結される複数の連結配線１７６及び静電気を効果的に分散するために形成された第１ダイオードＤＯ１及び第２ダイオードＤＯ２をさらに含む。
【００９１】
したがって、第３周辺領域ＰＡ３に形成された第１及び第２偶数信号印加線（５２２、５２４）、偶数番目データ線１７１、ダミー線６２１及び第１及び第２ダイオードＤＯ１、ＤＯ２についてのみ説明する。
また、前記実施例と同一な機能を行う部分に対しては同じ図面符号を付与し、それについての詳しい説明も省略する。
【００９２】
ダミー配線６２１は横方向に伸び、複数の第２制御電極６２４を含む。ダミー配線６２１はゲート線１２１と同一物質で同一層に形成され、ゲート線１２１及び第１データ信号印加線５２０またはゲート線１２１及び第２データ信号印加線５３０とそれぞれ絶縁されてその間に形成される。
また、同一物質で同一層に島状導電体５２５が形成され、島状導電体５２５はゲート絶縁膜１４０に形成されている接触孔１４１を通じて第２偶数信号印加線５２４と連結されたデータ線１７１の端部１７８と連結されている。
【００９３】
図２０を参照すると、データ線１７１の端部１７８は左に拡張されているが、これに限定されずに右側のような多様な方向に拡張することができる。
島状導電体５２５はデータ線１７１の端部１７８から拡張された拡張部を含む。島状導電体５２５の一端部は第１制御電極５２７として機能する。
各連結配線１７６は縦方向に形成される。連結配線１７６はデータ線１７１と同一物質で同一層に分離されて形成され、第１出力電極１７６ａ及び第２入力電極１７６ｂ及び端部１７６ｃを含む。連結配線１７６はゲート絶縁膜１４０に形成された接触孔１４９を通じて一端部１７６ｃがダミー配線６２１にそれぞれ連結されている。
【００９４】
第１データ信号印加線５２０の第１偶数信号印加線５２２は横方向に伸びた後、ダミー線６２１の第２制御電極６２４側に伸びている。第１データ信号印加線５２０の第１偶数信号印加線５２２は、データ線１７１の端部１７８と接触孔（１４４、１４６、１４８）を通じて互いに異なる面積（Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６）で容易に接触するための端部である拡張部５２６を含む。拡張部５２６の一側端部は、また第１制御電極５２７として機能する。一方、第２偶数信号印加線５２４は、データ線１７１の端部１７８と直接連結されている。
【００９５】
複数の半導体層（１５６、１５８）は、半導体層１５４（図３参照）と同様にゲート絶縁膜１４０上に水素化非晶質シリコンなどで形成されている。
半導体層（１５６、１５８）は、対応する制御電極（６２４、５２４）の一部と重なるように形成されている。
半導体層（１５６、１５８）上には、シリサイドまたはｎ型不純物が高濃度でドーピングされているｎ+水素化非晶質シリコンなどの物質からなる抵抗性接触部材（１６６、１６７、１６８、１６９）が分離形成されている。
【００９６】
本実施例では、各データ線１７１は各連結配線１７６の第１出力電極１７６ａと第２入力電極１７６ｂに向かって突出されている第１入力電極１７４と第２出力電極１７７をさらに含む。
各連結配線１７６の第１出力電極１７６ａと第２入力電極１７６ｂもまた、第１入力電極１７４及び第２出力電極１７７に向かって突出されている。
【００９７】
第１制御電極５２７、第１半導体層１５６、第１入力電極１７４及び第１出力電極１７６ａは第１ダイオードＤＯ１として動作する薄膜トランジスタを構成し、第２制御電極６２４、第２半導体層１５８、第２入力電極１７６ｂ及び第２出力電極１７７は第２ダイオードＤＯ２として動作する薄膜トランジスタを構成する。
第１ダイオードＤ１及び第２ダイオードＤ２は薄膜トランジスタの制御電極と入力電極を短絡させておいた形態を有する。
【００９８】
抵抗性接触部材（１６６、１６７、１６８、１６９）は、それぞれ下の半導体層（１５６、１５８）とその上部の第１入力電極１７４及び第１出力電極１７６ａ、第２入力電極１７６ｂ及び第２出力電極１７７の間に存在し、接触抵抗を下げる役割を果たす。
薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置の製造及びテスト過程では静電気が発生する。通常、静電気は特定データ線１７１に沿って流れ、過剰の静電気は特定データ線１７１やデータ線１７１に連結される薄膜トランジスタなどを損傷させるために、これを効果的に分散除去しなければならない。
【００９９】
静電気が発生して第１データ信号印加線５２０またはデータ線１７１に伝達される場合に、第１データ信号印加線５２０または所定データ線１７１と直接または接触孔１４１を通じて連結される第１ダイオードＤ１の第１制御電極５２７にも静電気が伝達されて第１半導体層１５６のチャンネルが解放される。第１ダイオードＤＯ１のチャンネルが開放されると静電気が第１入力電極１７４から第１出力電極１７６ａに流れてダミー配線６２１を通じて分散除去される。
【０１００】
この時、ダミー配線６２１を通じて分散される静電気の一部は、第２ダイオードＤ２の第２制御電極６２４に伝達されて各第２半導体層１５８のチャンネルが解放される。第２ダイオードＤＯ２のチャンネルが開放されると、静電気の一部が各連結配線１７６の端部１７６ｃ、第２入力電極１７６ｂ及び第２出力電極１７７を通じて他のデータ線１７１にも伝達されてさらに効果的に分散除去される。
【０１０１】
図２０乃至図２２の薄膜トランジスタ表示板によると、静電気除去のためのダイオードＤ１形成過程で作られる接触孔（１４４、１４６、１４８）の露出面積（Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６）を互いに異ならせて形成することができる。図２０を参照すると、接触孔１４１の露出面積は同一であるが、駆動部（図示せず）からの距離に応じて接触孔１４１の露出面積は異なることもある。例えば、接触孔１４１の露出面積は駆動部からの距離が増加するほど広くなることがある。
【０１０２】
したがって、静電気を効果的に除去しながら、データ信号印加線（５２０、５３０）の長さ差によって発生する抵抗差を減少させることができる。
図２０乃至図２２の薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、図３及び図４の示した薄膜トランジスタを形成する時、その構造が類似な第１及び第２ダイオード（ＤＯ１、ＤＯ２）も共に形成することを除いては、図５の薄膜トランジスタ表示板の製造方法と同一である。
【０１０３】
[第６実施例]
以下では、本発明の他の実施例による薄膜トランジスタ表示板を図２３及び図２４を参照して説明する。図２０乃至２２と同一な機能を行う部分に対しては同じ図面符号を付与し、それについての詳しい説明も省略する。
図２３は、本発明の第６実施例による薄膜トランジスタ表示板のデータ線及びデータ信号印加線の配置図である。図２４は、図２３の薄膜トランジスタ表示板をＸＸIII-ＸＸIII線に沿って切断した断面図である。
【０１０４】
本実施例による薄膜トランジスタ表示板の概略図は図１９と同一である。
図２３に示した第２偶数信号印加線５２４とこれに対応するデータ線１７１との連結関係は、第２奇数信号印加線５３４とこれに対応するデータ線１７１にも同一に適用される。
したがって、第３周辺領域ＰＡ３に形成された第２偶数信号印加線５２４と当該データ線１７１についてのみ説明する。
【０１０５】
また、第５実施例と同一な機能を行う部分に対しては同じ図面符号を付与し、それについての詳しい説明も省略する。
図２３及び図２４の薄膜トランジスタ表示板は、図２０の薄膜トランジスタ表示板と異なって、第２偶数信号印加線５２４とこれに対応するデータ線１７１が接触孔（１８４ｃ、１８６ｃ、１８４ｄ、１８６ｄ）を通じて連結される。
【０１０６】
第２偶数信号印加線５２４は横方向に伸び、広い領域を有する端部５２８を含む。
また、第２偶数信号印加線５２４に対応するデータ線１７１は第２偶数信号印加線５２４まで縦方向に伸び、端部５２８と隣接するように広い領域を有する端部１７９を含む。
接触孔（１８４ｃ、１８６ｃ）は保護膜１８０に形成され、第２偶数信号印加線５２４それぞれの一端部５２８を露出する。
【０１０７】
接触孔（１８４ｄ、１８６ｄ）は保護膜１８０に形成され、第２偶数信号印加線５２４それぞれの一端部５２８に対応するデータ線１７１の一端部１７９を露出する。
接触孔（１８４ｃ、１８６ｃ）は、駆動部４００から遠くなるほど第２偶数信号印加線５２４端部５２８を露出する露出面積（Ｓ２２、Ｓ２４）が増加する。
接触孔（１８４ｄ、１８６ｄ）はまた、駆動部４００から遠くなるほどデータ線１７１端部１７９の露出面積（Ｓ２６、Ｓ２８）が増加する。
【０１０８】
そして保護膜１８０上には画素電極１９０と同一物質で形成され、接触孔（１８４ｃ、１８６ｃ）及び他の接触孔（１８４ｄ、１８６ｄ）を覆っている複数の連結部材１９４が形成されている。
したがって、連結部材１９４が第２偶数信号印加線５２４の各一端部５２８及びこれに対応するデータ線１７１の一端部１７９と接触する面積（Ｓ２２、Ｓ２４、Ｓ２６、２８）は駆動部４００から遠くなるほど広くなる。
【０１０９】
図２３及び図２４の薄膜トランジスタ表示板によると、静電気除去のためのダイオード（ＤＯ１、ＤＯ２）を形成する過程で第１偶数信号印加線５２２及び第１奇数信号印加線５３２の長さ差による抵抗差だけでなく、第２偶数信号印加線５２４及び第２奇数信号印加線５３４の長さ差による抵抗差も減らすことができる。したがって、全データ信号印加線（５２０、５３０）の長さ差による抵抗差を減らして抵抗を一定化することができる。
【０１１０】
[第７実施例]
以下では、本発明の他の実施例による薄膜トランジスタ表示板を図２５及び図２６を参照して説明する。本実施例の記載は図５乃至図７と比較して記載する。
本実施例による薄膜トランジスタ表示板の概略図は図２と同一である。
図５乃至図７及び図２５と同一の機能を行う部分に対しては同じ図面符号を付与し、それについての詳しい説明も省略する。
【０１１１】
図２５は本発明の第７実施例による薄膜トランジスタ表示板のデータ線及びデータ信号印加線の配置図であり、図２６は図２５の薄膜トランジスタ表示板をＸＸVI-ＸＸVI線に沿って切断した断面図である。
図２５及び図２６を参照すると、本実施例の薄膜トランジスタ表示板の第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）と当該データ線１７１との連結方式は、第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）と当該データ線１７１との連結方式と同一である。
【０１１２】
したがって、図５の薄膜トランジスタ表示板と異なって、第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）及び第２奇数信号印加線５３４もゲート線１２１と同一物質の第１金属からなり、ゲート線１２１と同一層に形成されている。
また、ゲート絶縁膜１４０には、駆動部４００から遠くなるほど第１及び第２偶数信号印加線（５２２、５２４）及び第１及び第２奇数信号印加線（５３２、５３４）の各一端部（５２９、５３９）の露出面積（Ｓ１〜Ｓ１０が増加する複数の接触孔（１４２ａ〜１４２ｊ）が形成されている。
【０１１３】
したがって、第１及び第２偶数信号印加線（５２２、５２４）及び第１及び第２奇数信号印加線（５３２、５３４）の各一端部（５２９、５３９）は複数の接触孔（１４２ａ〜１４２ｊ）を通じて接触するために駆動部４００から遠くなるほど接触面積（Ｓ１〜Ｓ１０）が増加する。したがって、全データ信号印加線（５２０、５３０）の長さ差による抵抗差を減らして抵抗を一定にすることができる。
【０１１４】
[第８実施例]
以下、本発明の他の実施例による薄膜トランジスタ表示板を図２７及び図２８を参照して説明する。本実施例の記載は図１６及び図１７の薄膜トランジスタ表示板と比較して記載する。
本実施例による薄膜トランジスタ表示板の概略図は図２と同一である。
【０１１５】
図１６乃至１７及び図２７及び２８と同一な機能を行う部分に対しては同じ図面符号を付与し、それについての詳しい説明も省略する。
図２７は本発明の第８実施例による薄膜トランジスタ表示板のデータ線及びデータ信号印加線の配置図であり、図２８は図２７の薄膜トランジスタ表示板をＸＸVIII-ＸＸVIII線に沿って切断した断面図である。
【０１１６】
図２７及び図２８を参照すると、本実施例の薄膜トランジスタ表示板の第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）と当該データ線１７１との連結方式は第２偶数及び奇数信号印加線（５２４、５３４）と当該データ線１７１との連結方式と同一である。
したがって、図２７及び図２８の薄膜トランジスタ表示板は、図１６及び図１７の薄膜トランジスタ表示板と異なって、第１偶数及び奇数信号印加線（５２２、５３２）もデータ線１７１と同一物質の第２金属からなり、データ線１７１と同一層に形成される。
【０１１７】
したがって、第１偶数信号印加線５２２及び第１奇数信号印加線５３２それぞれの一端部（５２８、５３８）を露出する接触孔（１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｅ、１８１ｆ、１８１ｉ、１８１ｊ）の形状も図２８に示したように第２偶数信号印加線５２４及び第２奇数信号印加線５３４それぞれの一端部（５２８、５３８）を露出する接触孔（１８１ｃ、１８１ｄ、１８１ｇ、１８１ｈ）の形状と同一である。
【０１１８】
また、複数の接触孔（１８１ａ〜１８１ｊ、１８２ａ〜１８２ｊ）は、駆動部４００から遠くなるほど第１及び第２偶数信号印加線（５２２、５２４）及び第１及び第２奇数信号印加線（５３２、５３４）それぞれの一端部（５２８、５３８）の露出面積（Ｓ１〜Ｓ１０）が増加するように形成され、各データ線１７１の一端部１７９の露出面積（Ｓ１１〜Ｓ２０）が増加するように形成される。
【０１１９】
したがって、第１及び第２偶数信号印加線（５２２、５２４）及び第１及び第２奇数信号印加線（５３２、５３４）の各端部（５２９、５３９）及びこれに対応する各データ線１７１の端部１７９は駆動部４００から遠くなるほど各連結部材１９３による接触面積（Ｓ１〜Ｓ１０、Ｓ１１〜Ｓ２０）が増加する。したがって、全データ信号印加線（５２０、５３０）の長さ差による抵抗差を減らして抵抗を一定にすることができる。
【０１２０】
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】本発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板を含む表示装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１実施例による薄膜トランジスタ表示板の概略図である。
【図３】複数の画素領域を示す図２の薄膜トランジスタ表示板における‘Ａ’領域の拡大図である。
【図４】図３の薄膜トランジスタ表示板をIV-IV線に沿って切断した断面図である。
【図５】図２の薄膜トランジスタ表示板のデータ線及びデータ信号印加線の配置図である。
【図６】図５の薄膜トランジスタ表示板をVI-VI線に沿って切断した断面図である。
【図７】図５の薄膜トランジスタ表示板をVII-VII線に沿って切断した断面図である。
【図８】図５の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を順次に示す平面図である。
【図９】図８、図１０及び図１２の薄膜トランジスタ表示板をIX-IX線に沿って切断した断面図である。
【図１０】図５の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を順次に示す平面図である。
【図１１】それぞれ図８、図１０及び図１２の薄膜トランジスタ表示板をXI-XI線に沿って切断した断面図である。
【図１２】図５の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を順次に示す平面図である。
【図１３】それぞれ図８、図１０及び図１２の薄膜トランジスタ表示板をXIII-XIII線に沿って切断した断面図である。
【図１４】本発明の第２実施例による薄膜トランジスタ表示板のデータ線及びデータ信号印加線の配置図である。
【図１５】図１４の薄膜トランジスタ表示板をXV-XV線に沿って切断した断面図である。
【図１６】本発明の第３実施例による薄膜トランジスタ表示板のデータ線及びデータ信号印加線の配置図である。
【図１７】図１６の薄膜トランジスタ表示板をＸVII-ＸVII線に沿って切断した断面図である。
【図１８】本発明の第４実施例による薄膜トランジスタ表示板のデータ線及びデータ信号印加線の配置図である。
【図１９】本発明の第５実施例による薄膜トランジスタ表示板の概略図である。
【図２０】図１９に示した薄膜トランジスタ表示板のデータ線及びデータ信号印加線の配置図である。
【図２１】図２０の薄膜トランジスタ表示板をXXI-XXI線に沿って切断した断面図である。
【図２２】図２０の薄膜トランジスタ表示板をXXII-XXII線に沿って切断した断面図である。
【図２３】本発明の第６実施例による薄膜トランジスタ表示板のデータ線及びデータ信号印加線の配置図である。
【図２４】図２３の薄膜トランジスタ表示板をＸＸIII-ＸＸIII線に沿って切断した断面図である。
【図２５】本発明の第７実施例による薄膜トランジスタ表示板のデータ線及びデータ信号印加線の配置図である。
【図２６】図２５の薄膜トランジスタ表示板をＸＸVI-ＸＸVI線に沿って切断した断面図である。
【図２７】本発明の第８実施例による薄膜トランジスタ表示板のデータ線及びデータ信号印加線の配置図である。
【図２８】図２７の薄膜トランジスタ表示板をＸＸVIII-ＸＸVIII線に沿って切断した断面図である。
【符号の説明】
【０１２２】
１００    薄膜トランジスタ表示板
１１０    絶縁基板
１２１    ゲート線
１４０    ゲート絶縁膜
１４２、１４３、１４４、１４５、１４６、１４７、１４８、１４９    接触孔
１５４、１５６、１５８    半導体層
１６３、１６５、１６６、１６７、１６８、１６９    抵抗性接触部材
１７１    データ線
１７６    連結配線
１８０    保護膜
１８１、１８２、１８３、１８４、１８５、１８６、１８７、１８８    接触孔
１９０    画素電極
１９２、１９３、１９４    連結部材
２００    共通電極表示板
４００    駆動部
５１０    ゲート駆動部
５１１    ゲート信号印加線
５２０    第１データ信号印加線
５２２    第１偶数信号印加線
５２４    第２偶数信号印加線
５３０    第２データ信号印加線
５３２    第１奇数信号印加線
５３４    第２奇数信号印加線
６２１    ダミー配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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