(57)【要約】【課題】残膜を低減でき、基板全面での残膜の均一性に優れると共に、耐久性が向上し、ディスクリートトラックメディア、及びパターンドメディアに高品質なパターンを転写し形成することができるモールド構造体及び該モールド構造体を用いたインプリント方法の提供。【解決手段】円板状の基板と、該基板の一方の表面に複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有するモールド構造体であって、前記凸部における頂部の１０点平均粗さＲｚと、凸部の高さＨとの比率〔（Ｒｚ／Ｈ）×１００〕が１０％〜５０％であるモールド構造体である。該凸部における頂部の１０点平均粗さＲｚが１０ｎｍ以上である態様が好ましい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状の基板と、該基板の一方の表面に複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有するモールド構造体であって、
前記凸部における頂部の１０点平均粗さＲｚと、凸部の高さＨとの比率〔（Ｒｚ／Ｈ）×１００〕が１０％〜５０％であることを特徴とするモールド構造体。
【請求項２】
凸部における頂部の１０点平均粗さＲｚが１０ｎｍ以上である請求項１に記載のモールド構造体。
【請求項３】
凸部の配列方向における長さが１００ｎｍ以下である請求項１から２のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項４】
石英、金属、及び樹脂のいずれかの材料からなる請求項１から３のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のモールド構造体を、磁気記録媒体用基板上に形成されたインプリントレジスト組成物からなるインプリントレジスト層に押圧して前記モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に情報を転写するための凹凸状パターンを備えたモールド構造体及び該モールド構造体を用いたインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高速性やコストに優れたハードディスクドライブが、ストレージ機器の主力として、携帯電話、小型音響機器、ビデオカメラ等のポータブル機器に搭載され始め、より一層の小型大容量化という要求に応えるために、記録密度を向上させる技術が求められている。
ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体の高性能化、及び磁気ヘッド幅の狭小化という手法が用いられてきたが、データトラック間隔を狭めることによる隣接トラック間の磁気の影響（クロストーク）、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、磁気ヘッドの狭小化などによる面記録密度の向上には限界があった。
【０００３】
そこで、前記クロストークによるノイズを解決する手段として、ディスクリートトラックメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている（特許文献１〜２参照）。このディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減したものである。
【０００４】
前記熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている（特許文献３参照）。
【０００５】
前記ディスクリートトラックメディア及びパターンドメディアを製造する際には、特許文献４に開示されているように、レジストパターン形成用モールド（以下、「スタンパ」と称することもある）を用いて、表面に磁性層を具備した磁気記録媒体用基板上に形成されたレジスト層に所望のパターンを転写するインプリント法がある。
【０００６】
このインプリント法では、コストダウンの観点から多数回転写プロセスが必要であり、少なくとも数百〜数万回転写可能なモールドの耐久性が要求される。
また、インプリント法を用いて、ハードディスク、光ディスクなどの情報記録媒体を作製する場合、インプリントプロセスにて形成された有機物レジストパターンをマスクとして、ウェットエッチング方式又はドライエッチング方式によって、微細パターン加工が行われる。
しかし、これら微細パターン加工前には、インプリントプロセス後のレジストパターンで生じる残膜の除去が必要となる。そのため、残膜を極力低減することに加えて、基板全面での残膜の均一性が重要となる。
このような残膜の低減、及び基板全面での残膜の均一性を向上させるため、インプリントプロセスでの加圧均一性を狙った各種インプリント装置が開発されている。ただし、これらのインプリント装置を用いた場合でも、残膜は用いるモールド構造体の凹凸パターンに依存してしまう。例えば、非特許文献１、特許文献４、及び特許文献５に記載されているような配列方向における断面形状が矩形の凹凸パターンでは、レジスト層に押し当てる際に、レジスト層を充分な押圧力で押し出すことができず、また、凸部の中央部に比べて両端部に応力が集中するため、凸部の中央部の残膜が厚くなる傾向にある。更に、パターンの粗密により、微細エリアでの残膜の不均一性が生じてしまうという問題がある。
【０００７】
したがって残膜を低減でき、基板全面での残膜の均一性に優れると共に、耐久性が向上し、高精細なパターンが形成できるモールド構造体は未だ実現されておらず、その提供が望まれているのが現状である。
【０００８】
【特許文献１】特開昭５６−１１９９３４号公報
【特許文献２】特開平２−２０１７３０号公報
【特許文献３】特開平３−２２２１１号公報
【特許文献４】特開２００４−２２１４６５号公報
【特許文献５】米国特許第５７７２９０５号明細書
【非特許文献１】Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ，  ｅｔ  ａｌ．，  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  ｖｏｌ．６７，  ３３１４，  １９９５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、凸部における頂部の表面粗さを適正な範囲内で大きく形成することにより、残膜を低減でき、基板全面での残膜の均一性に優れると共に、耐久性が向上し、ディスクリートトラックメディア、及びパターンドメディアに高品質なパターンを転写し、形成することができるモールド構造体及び該モールド構造体を用いたインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するため本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、凸部における頂部の表面粗さを適正な範囲内で大きく形成することにより、従来は凸部の断面形状が矩形であるため充分に押し切れなかったレジスト層に対しバッファとして機能させることができ、残膜を限りなく０（ゼロ）に低減でき、かつ基板全面での残膜の均一性が向上することを知見した。また、本発明においては、インプリント後のレジストパターンの凹部には凸部における頂部の表面粗さに対応したスパイク状のレジスト残渣が生じるが、次のアッシング工程において、スパイク状のレジスト残渣はプラズマに曝される表面積が大きいため、比較的早期に除去できるため問題とはならない。ただし、凸部における頂部の表面粗さを大きくしすぎると、形成された突起部に圧力が集中して破損の原因となるため、耐久性も加味すると、凸部における頂部の表面粗さを適正な範囲内で大きく形成することが有効であることを知見した。
【００１１】
本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  円板状の基板と、該基板の一方の表面に複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有するモールド構造体であって、
前記凸部における頂部の１０点平均粗さＲｚと、凸部の高さＨとの比率〔（Ｒｚ／Ｈ）×１００〕が１０％〜５０％であることを特徴とするモールド構造体である。
＜２＞  凸部における頂部の１０点平均粗さＲｚが１０ｎｍ以上である前記＜１＞に記載のモールド構造体である。
＜３＞  凸部の配列方向における長さが１００ｎｍ以下である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
＜４＞  石英、金属、及び樹脂のいずれかの材料からなる前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のモールド構造体である。
＜５＞  前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のモールド構造体を、磁気記録媒体用基板上に形成されたインプリントレジスト組成物からなるインプリントレジスト層に押圧して前記モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法である。
＜６＞  前記＜５＞に記載のインプリント方法を用いて、磁気記録媒体を製造することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
＜７＞  磁気記録媒体が、ディスクリート型磁気記録媒体、及びパターンドメディア型磁気記録媒体の少なくともいずれかである前記＜６＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜８＞  前記＜６＞から＜７＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
＜９＞  ディスクリート型磁気記録媒体、及びパターンドメディア型磁気記録媒体の少なくともいずれかである前記＜８＞に記載の磁気記録媒体である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、凸部における頂部の表面粗さを適正な範囲内で大きく形成することにより、残膜を低減でき、基板全面での残膜の均一性に優れると共に、耐久性が向上し、ディスクリートトラックメディア、及びパターンドメディアに高品質なパターンを転写し、形成することができるモールド構造体及び該モールド構造体を用いたインプリント方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（モールド構造体）
本発明のモールド構造体は、円板状の基板と、該基板の一方の表面に複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有してなり、更に必要に応じてその他の構成を有してなる。
【００１４】
本発明においては、前記凸部における頂部の１０点平均粗さＲｚと、凸部の高さＨとの比率〔（Ｒｚ／Ｈ）×１００〕は、１０％〜５０％であり、１５％〜４０％が好ましい。前記比率〔（Ｒｚ／Ｈ）×１００〕が、１０％未満であると、本発明の目的であるレジスト流動によるインプリント後の残膜低減効果が期待できないことがあり、５０％を超えると、残膜部分の厚みムラ（残渣）がその後のパターン加工にばらつきを生じさせることがある。
【００１５】
前記凸部における頂部の１０点平均粗さＲｚは、１０ｎｍ以上が好ましく、１５ｎｍ〜５０ｎｍがより好ましい。前記１０点平均粗さＲｚが、１０ｎｍ未満であると、本発明の目的であるレジスト流動によるインプリント後の残膜低減効果が期待できないことがある。
ここで、前記凸部における頂部の１０点平均粗さＲｚとは、表面粗さの平均値からの偏差値のうち、最大のものから上位５つの偏差値の平均と、最小のものから下位５つの偏差値の是絶対値の平均値の和で定義され、表面粗さは、例えば原子間力顕微鏡（Atomic  Force  Microscope；ＡＦＭ）により測定することができる。
前記凸部の高さＨは、図２に示すように、凸部３ａの最低点（基準面２ａ）から凸部３ａの頂部（頂部の突起のうちの最高点）までの距離を意味し、１０ｎｍ〜１００ｎｍが好ましい。
前記凸部の高さＨは、例えば原子間力顕微鏡（Atomic  Force  Microscope；ＡＦＭ）又は断面走査型電子顕微鏡（断面ＳＥＭ）により測定することができる。
【００１６】
前記モールド構造体の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、石英、金属、及び樹脂のいずれかの材料が好適である。
前記金属としては、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ等の各種金属、又はこれらの合金を用いることができる。これらの中でも、Ｎｉ、Ｎｉ合金が特に好ましい。
前記樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、低融点フッ素樹脂などが挙げられる。
【００１７】
ここで、図１は、本発明に係るモールド構造体の一実施形態における構成を示す部分斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線での概略断面図である。なお、図１の凸部３ａにおける頂部４には全面に渡って微細な凹凸が形成されているが一部省略しており、図２において模式的に示している。
図１のモールド構造体１は、円板状をなす基板２の一方の表面２ａ（以下、基準面２ａということがある）に、複数の凸部３ａ及び凹部３ｂが同心円状に形成されてなる。この場合、凸部３ａと、複数の凸部３ａ間に形成された凹部３ｂとを総称して凹凸部３とする。
なお、前記凸部３ａの配列方向における断面形状は、矩形に限られず、目的に応じて、後述するエッチング工程を制御することにより、任意の形状を選択することができる。
本発明において、前記凸部３ａの「断面（形状）」とは、特に断りがない限り、凸部３ａの配列方向（凸部３ａが列設されている方向）における断面（形状）を指す。
前記凸部３ａの配列方向の長さＬは、１００ｎｍ以下が好ましく、９０ｎｍ以下がより好ましい。前記凸部の半径方向の長さが１００ｎｍを超えると、本発明の目的である磁気記録媒体の記録密度を高めることができないことがある。
前記凸部の配列方向の長さは、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、又は原子間力顕微鏡（Atomic  Force  Microscope；ＡＦＭ）にて断面形状を計測し、高さ規格の半値幅により求めることができる。
また、基板２の厚みは、０．５ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
前記凸部３ａにおける頂部４の表面粗さを適正な範囲内で大きく形成（１０点平均粗さＲｚを１０ｎｍ以上）する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、（１）モールド構造体を加工前の原盤の凹部の底部にイオン打ち込み、ブラスト処理等の物理的処理を行う方法、（２）モールド構造体を加工前の原盤の凹部の底部を表面化学反応により化学的処理する方法、（３）作製したモールド構造体の凸部における頂部を物理的処理又は化学的処理する方法、などが挙げられる。
【００１９】
＜モールド構造体の製造方法＞
以下、本発明に係るモールド構造体の製造方法について図３及び図４を参照して説明する。
−原盤の作製−
図３は、本発明のモールド構造体の製造方法における原盤の作製の一例を示す断面図である。
図３のＡに示すように、まず、Ｓｉ基板１０上に、スピンコート法などによりフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。前記フォトレジスト層の材料としては、ポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料のいずれであってもよい。
次に、図３のＢに示すように、Ｓｉ基板１０を回転させながら、データ記録用トラック及びサーボ情報の少なくともいずれかに対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
次に、図３のＣに示すように、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して残ったフォトレジスト層２１によって所望の凹凸パターンを形成する。
次に、図３のＤに示すように、形成されたフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ；反応性イオンエッチング）などにより選択エッチングを行い、基板１０に凹凸パターンを形成する。
次に、図３のＥに示すように、残余フォトレジスト層２１を除去して、凹凸形状を有する原盤１１を作製する。
【００２０】
−モールド構造体の作製−
図４は、本発明のモールド構造体の製造方法におけるモールド構造体の作製の一例を示す断面図である。
図４のＡに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４が一方の面に形成された被加工基板としての石英基板３０に対して、原盤１１を押し当て、原盤１１上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層２４に転写される。
ここで、本発明における被加工基板の材料は、光透過性を有し、モールド構造体として機能する強度を有する材料であれば、特に制限されることなく、目的に応じて適宜選択され、例えば、石英（ＳｉＯ２）、樹脂（ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリカーボネート、低融点フッ素樹脂）等が挙げられる。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、被加工基板にインプリントレジスト層が形成される一方の面から出射するように、前記被加工基板の他方の面から光を入射した場合に、インプリントレジストが十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他方の面から前記一方の面への光透過率が５０％以上であることを意味する。
また、前記「モールド構造体として機能する強度を有する」とは、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に対して、平均面圧力が４ｋｇｆ／ｃｍ２という条件下で押し当て、加圧しても耐えられるような強度を意味する。
【００２１】
次に、図４のＢに示すように、インプリントレジスト層２４に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させる。
【００２２】
次に、図４のＣに示すように、転写されたパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行った。
その後、作製したモールド構造体の凸部における頂部をイオン打ち込み、ブラスト処理等の物理的処理、又は化学的処理することにより、図４のＤに示すように、凸部における頂部の１０点平均粗さＲｚが１０ｎｍ以上であるモールド構造体１を作製できる。
【００２３】
また、図３のＡ〜Ｅで作製した凹凸パターンを有する原盤を用い、該原盤の表面にスパッタリング法により、導電膜を形成し、該導電膜が付与された原盤を、Ｎｉ電鋳浴に浸漬させて電鋳処理を行い、Ｎｉモールド構造体を作製することもできる。なお、原盤の凹部の底部は物理的処理又は化学的処理されており、凸部における頂部の表面粗さを適正な範囲内で大きく形成できるようになっている。
また、図３のＡ〜Ｅで作製した凹凸パターンを有する原盤を用い、樹脂層が形成された基板に対して、原盤を押し当てる。その後、加熱して樹脂の粘度を下げた状態とすることで、原盤上に形成された凸部のパターンが樹脂層に転写される。その後、冷却して転写されたパターンを硬化させ、基板から樹脂層を剥離することで、凹凸形状を有する樹脂モールド構造体を作製することもできる。なお、原盤の凹部の底部は物理的処理又は化学的処理されており、凸部における頂部の表面粗さを適正な範囲内で大きく形成できるようになっている。
前記樹脂層における樹脂としては、例えばポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ノボラック樹脂、フッ素樹脂などが挙げられる。
【００２４】
本発明のモールド構造体は、該モールド構造体の凸部をインプリントレジスト層に対向させて該インプリントレジスト層に前記凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むインプリント方法に好適に用いられ、以下に説明する磁気記録媒体の製造方法に特に好適である。
【００２５】
＜磁気記録媒体の製造方法＞
前記磁気記録媒体の製造方法は、本発明の前記インプリント方法を用いて磁気記録媒体を製造する。
以下、本発明に係るモールド構造体を用いて、ディスクリートトラックメディア、パターンドメディア等の磁気記録媒体を製造する製造方法（インプリント法）について図面を参照して説明する。
【００２６】
図５のＡに示すように、磁気記録媒体用基板４０上に、磁性層５０と、ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等を含むインプリントレジスト組成物を塗布してなるインプリントレジスト層２４とがこの順に形成された磁気記録媒体に対して、凸部における頂部の表面粗さを適正な範囲内で大きく形成したモールド構造体１を押し当て、加圧することにより、モールド構造体１上に形成された凹凸部のパターンをインプリントレジスト層２４に転写する。なお、レジスト層には凸部における頂部の表面粗さに対応したスパイク状のレジスト残渣が生じるが、次のアッシング工程において容易に除去される。
ここで、インプリントレジスト層２４は、例えば、熱硬化性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有するインプリントレジスト組成物（以下、インプリントレジスト液ということがある）を磁気記録媒体用基板に塗布することによって形成される層である。
前記レジスト層の材料としては、ポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料のいずれであってもよい。
前記磁性層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮｉ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＰ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＮｉＰｔなどが好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２７】
次に、図５のＢに示すように、インプリントレジスト層２４にモールド構造体１を押し付ける際には、系を前記レジスト液のガラス転移温度（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、インプリントレジスト層２４が前記レジスト液のガラス転移温度よりも低下することにより硬化する。
【００２８】
次に、図５のＣに示すように、凹凸部のパターンが転写されたインプリントレジスト層２４をマスクにして、ＲＩＥにより選択エッチングを行い、モールド構造体１上に形成されたパターン形状に基づく凹凸形状を磁性層５０に形成する。
次に、図５のＤに示すように、凹部に非磁性材料７０を埋め込み、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護膜などを形成して磁気記録媒体１００を作製することができる。
前記非磁性材料としては、例えばＳｉＯ２、カーボン、アルミナ；ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー；円滑油などが挙げられる。
前記保護膜としては、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等が好ましく、該保護膜の上に更に潤滑剤層を設けてもよい。
【実施例】
【００２９】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００３０】
（実施例１）
＜モールド構造体の製造＞
−原盤の作製−
図３のＡに示すように、まず、円板状のＳｉ基板１０上に、スピンコート法によりポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）を含むフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成した。
次に、図３のＢに示すように、Ｓｉ基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光を照射し、フォトレジスト層全面に各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光した。
次に、図３のＣに示すように、フォトレジスト膜２１を現像処理し、露光部分を除去して残ったレジスト膜１６によって所望の凹凸パターンを形成した。
次に、図３のＤに示すように、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥにより選択エッチングを行い、余分のフォトレジスト層を除去して図３のＥに示す凹凸形状を有する原盤１１を作製した。
【００３１】
−モールド構造体の作製−
次に、図４のＡに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４が形成された石英基板３０に対して、原盤１１を押し当て、原盤１１上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層２４に転写される。
その後、インプリントレジスト層２４に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ；反応性イオンエッチング）により選択エッチングを行い、モールド構造体１を作製した。
得られたモールド構造体の凸部の頂部の表面粗さを適正な範囲内で大きく形成するため、イオン源を用い、Ａｒイオン打ち込みを行った。
【００３２】
＜磁気記録媒体の作製＞
図５のＡに示すように、磁気記録媒体用基板４０上に、磁性層５０と、ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）を含むインプリントレジスト組成物を塗布してなるインプリントレジスト層２４とを、この順に有する磁気記録媒体に対して、凸部における頂部の表面粗さを適正な範囲内で大きく形成したモールド構造体１を押し当て、加圧することにより、モールド構造体１上に形成された凹凸部のパターンをインプリントレジスト層２４に転写した。
次に、図５のＢに示すように、インプリントレジスト層２４にモールド構造体１を押し当てる際には、系を前記レジスト液のガラス転移温度（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、インプリントレジスト層２４が前記レジスト液のガラス転移温度よりも低下することにより硬化することとなる。
次に、図５のＣに示すように、凹凸部のパターンが転写されたインプリントレジスト層２４をマスクにして、ＲＩＥにより選択エッチングを行い、モールド構造体１上に形成されたパターン形状に基づく凹凸形状を磁性層５０に形成し、凹部に非磁性材料７０を埋め込み、表面を平坦化して、図５のＤに示す磁気記録媒体１００を作製した。
【００３３】
（実施例２〜３及び比較例１〜２）
実施例１において、表１に示すように、凸部における頂部の１０点平均粗さＲｚ、凸部の高さＨ、及び凸部の配列方向長さを変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜３及び比較例１〜２のモールド構造体を作製した。
なお、この原盤の凹部の底部は、ＩＣＰエッチング装置を用いてＲＩＥ後、Ａｒガスを用いたイオン打ち込みを行うことにより、凸部における頂部の表面粗さを適正な範囲内で大きく形成するための表面粗さが付与されている。
作製した各モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして、インプリント法により磁気記録媒体を作製した。
【００３４】
（実施例４）
実施例１と同様にして、凹凸パターンを有する原盤を作製した。なお、この原盤の凹部の底部は、ＩＣＰエッチング装置を用いてＲＩＥ後、Ａｒガスを用いたイオン打ち込みを行うことにより、凸部における頂部の表面粗さを適正な範囲内で大きく形成するための表面粗さが付与されている。
次に、ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）からなる樹脂シートに対して、原盤を押し当てた。その後、加熱して樹脂の軟化点以上の温度とすることで、樹脂の粘度が低下し、原盤上に形成された凸部のパターンが樹脂シートに転写された。その後、冷却して転写されたパターンを硬化させ、原盤から樹脂シートを剥離することで、凹凸形状を有する樹脂モールド構造体を作製した。
作製した樹脂モールド構造体を用いて、実施例１と同様にして、インプリント法により磁気記録媒体を作製した。
【００３５】
（実施例５）
実施例１と同様にして、凹凸パターンを有する原盤を作製した。なお、この原盤の凹部の底部は、ＩＣＰエッチング装置を用いてＲＩＥ後、Ａｒガスを用いたイオン打ち込みを行うことにより、凸部における頂部の表面粗さを適正な範囲内で大きく形成するための表面粗さが付与されている。
次に、原盤１１の表面の凹凸パターンをもとに、この表面にスパッタリング法により、導電膜を形成した。導電膜が付与された原盤を、下記組成のＮｉ電鋳浴に浸漬させて５０ｒｐｍ〜１５０ｒｐｍの回転速度で回転させながら、電鋳処理を行い、厚み３００μｍのＮｉ盤を作製した。その後、このＮｉ盤を原盤から剥離し、残留するレジスト膜を除去し、洗浄した。以上により、実施例５のＮｉモールド構造体を作製した。
−Ｎｉ電鋳浴組成及び温度−
・スルファミン酸ニッケル・・・６００ｇ／Ｌ
・ホウ酸・・・４０ｇ／Ｌ
・界面活性剤（ラウリル硫酸ナトリウム）・・・０．１５ｇ／Ｌ
・ｐＨ＝４．０
・温度＝５５℃
作製したＮｉモールド構造体を用いて、実施例１と同様にして、インプリント法により磁気記録媒体を作製した。
【００３６】
次に、実施例１〜５及び比較例１〜２について、以下のようにして、モールド構造体の凸部における頂部の１０点平均粗さＲｚ、凸部の高さＨ、凸部の配列方向長さ、残膜量、及び耐久性を評価した。結果を表１に示す。
【００３７】
＜凸部における頂部の１０点平均粗さＲｚの測定＞
凸部における頂部の１０点平均粗さＲｚは、平均値からの偏差値のうち、最大のものから上位５つの偏差値の平均と、最小のものから下位５つの偏差値の是絶対値の平均値の和で定義され、表面粗さは原子間力顕微鏡（Atomic  Force  Microscope；ＡＦＭ）で測定した。
【００３８】
＜凸部の高さＨ、凸部の配列方向長さの測定＞
凸部の高さＨは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、又は原子間力顕微鏡（Atomic  Force  Microscope；ＡＦＭ）にて計測した。
凸部の配列方向の長さは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、又は原子間力顕微鏡（Atomic  Force  Microscope；ＡＦＭ）にて断面形状を計測し、高さ規格の半値幅により求めた。
【００３９】
＜残膜量の評価＞
作製した各モールド構造体を用いて、基板側に形成したレジスト層に凹凸微細パターンを転写した際に、各モールド構造体のレジスト層の樹脂残膜量を断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて測定し、その平均値を求め、下記基準で評価した。
〔評価基準〕
○：残膜量の値がパターン高さの２０％未満
×：残膜量の値がパターン高さの２０％以上
【００４０】
＜耐久性の評価＞
作製した各モールド構造体を用いて、基板側に形成した樹脂上に凹凸微細パターンを転写するプロセスを１００回繰り返して実施し、該プロセス後に原子間力顕微鏡（Atomic  Force  Microscope；ＡＦＭ）で各モールド構造体の半径位置２５ｍｍ箇所で９０°毎に４箇所の１μｍ角エリアを測定し、目詰まり、パターン倒れの有無を下記の基準で評価した。
〔評価基準〕
○：凹部の深さが所定の４０％未満のパターンであり、パターン倒れが１点もない。
×：凹部の深さが所定の４０％未満のパターンであり、パターン倒れが１点以上存在する。
【００４１】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明のモールド構造体及び該モールド構造体を用いたインプリント方法は、凸部における頂部の表面粗さを適正な範囲内で大きく形成することにより、残膜を低減でき、基板全面での残膜の均一性に優れると共に、耐久性が向上するので、ディスクリートメディアの作製、及びパターンドメディアの作製に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】図１は、本発明のモールド構造体の一例を示す部分斜視図である。
【図２】図２は、図１のＡ−Ａ線での概略断面図である。
【図３】図３は、本発明のモールド構造体の製造方法における原盤の作製を示す工程図である。
【図４】図４は、本発明のモールド構造体の製造方法におけるモールドの作製を示す工程図である。
【図５】図５は、本発明のモールド構造体を用いて磁気記録媒体を製造する方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００４４】
１      モールド構造体
２      基板
３      凹凸部
３ａ      凸部
３ｂ      凹部
４      頂部
２４      インプリントレジスト層
４０      磁気記録媒体用基板
５０      磁性層
１００      磁気記録媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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