(57)【要約】【課題】最外周部分に平坦領域を有する電鋳体を歩留まりよく得るための電鋳用基板およびそれを用いた電鋳体の製造方法を提供する。【解決手段】電鋳用基板ＳＢは、電鋳体に転写するための微細パターンを有する微細パターン領域ＦＡと、微細パターン領域ＦＡを取り囲む平坦領域ＭＡと、平坦領域ＭＡよりも外側に配置されたアンカーパターン領域ＡＡとを備えている。アンカーパターン領域ＡＡは、微細パターン領域ＦＡに形成された少なくとも１つの微細パターンの深さと同一の寸法のアンカーパターンを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電鋳により上面に電鋳体を形成するための電鋳用基板であって、
前記電鋳体に転写するための少なくとも１つの微細パターンを有する微細パターン領域と、
前記微細パターン領域を取り囲む平坦領域と、
前記平坦領域よりも外側に配置され、かつ前記微細パターン領域に形成された少なくとも１つの前記微細パターンの深さと同一の寸法のアンカーパターンを有するアンカーパターン領域とを備えた、電鋳用基板。
【請求項２】
電鋳により上面に電鋳体を形成するための電鋳用基板であって、
前記電鋳体に転写するための微細パターンを有する微細パターン領域と、
前記微細パターン領域を取り囲む平坦領域と、
前記平坦領域よりも外側に配置され、かつ５００ｎｍ以上１μｍ以下の寸法のアンカーパターンを有するアンカーパターン領域とを備えた、電鋳用基板。
【請求項３】
前記平坦領域の幅が６ｍｍ以上であることを特徴とする、請求項１または２に記載の電鋳用基板。
【請求項４】
前記アンカーパターンが、複数の孤立パターンが少なくとも１本の線状に配列されたものであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の電鋳用基板。
【請求項５】
前記孤立パターンの平面パターンが円形であることを特徴とする、請求項４に記載の電鋳用基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の電鋳用基板を用いた電鋳体の製造方法であって、
前記電鋳用基板の前記微細パターン領域、前記平坦領域および前記アンカーパターン領域上に前記電鋳により電鋳膜を形成する電鋳工程と、
前記微細パターン領域が転写された領域よりも外側であり、かつ前記アンカーパターン領域が転写された領域よりも内側の位置において前記電鋳膜を切断する切断工程とを備えたことを特徴とする、電鋳体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電鋳用基板およびそれを用いた電鋳体の製造方法に関し、特に、微細パターン領域を取り囲む平坦領域を備えた電鋳用基板およびそれを用いた電鋳体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、微細パターンを有する電鋳用基板を用いた電鋳法により、微細パターンを有する電鋳体を製造する方法が知られている。図２１は、電鋳用基板に電鋳体が形成される様子を示す断面図である。図２１を参照して、電鋳用基板ＳＢ上に電鋳膜ＥＦが電着される。電鋳用基板ＳＢの電鋳膜ＥＦが形成される側の面は、微細パターンを有する微細パターン領域ＦＡと、その外側のパターンのない領域ＮＡとを有する。この電鋳膜ＥＦが電鋳用基板ＳＢから分離されることにより、微細パターンが転写された領域と、その外側のパターンのない領域とを有する電鋳体を得ることができる。
【０００３】
なお、微細パターンを有する電鋳体を製造する方法は、たとえば特開２００５−２８３８１４号公報に記載されている。
【特許文献１】特開２００５−２８３８１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記従来の方法では、図２２に示すように、電着の際にパターンのない外周側で電鋳膜ＥＦの反りや捲れ（図中のＰＬ部）が発生しやすいという問題があった。このため、電鋳体の製造歩留まりが低下するという課題があった。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、微細パターンが転写された領域とその外側のパターンのない領域とを有する電鋳体を、高い歩留まりで製造するための、電鋳用基板およびそれを用いた電鋳体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一の局面に従う電鋳用基板は、電鋳により上面に電鋳体を形成するためのものである。この電鋳用基板は、電鋳体に転写するための少なくとも１つの微細パターンを有する微細パターン領域と、この微細パターン領域を取り囲む平坦領域と、この平坦領域よりも外側に配置されたアンカーパターン領域とを備えている。このアンカーパターン領域は、微細パターン領域に形成された少なくとも１つの微細パターンの深さと同一の寸法のアンカーパターンを有している。
【０００７】
本発明の一の局面に従う電鋳用基板によれば、電鋳用基板は平坦領域よりも外側にアンカーパターン領域を備えている。これにより、平坦領域の外側で電鋳膜が電鋳用基板に固定される。よって、平坦領域の外側での電鋳膜の反りや捲れを抑制することができる。また、この電鋳用基板によれば、アンカーパターンの寸法は、微細パターン領域に形成された少なくとも１つの微細パターンの深さと同一である。これにより、微細パターンとアンカーパターンとを同時に形成できる。よって、アンカーパターンを付加することによる製造コストの増大を抑制することができる。
【０００８】
本発明の他の局面に従う電鋳用基板は、電鋳により上面に電鋳体を形成するためのものである。この電鋳用基板は、電鋳体に転写するための微細パターンを有する微細パターン領域と、この微細パターン領域を取り囲む平坦領域と、この平坦領域よりも外側に配置されたアンカーパターン領域とを備えている。このアンカーパターン領域は、５００ｎｍ以上１μｍ以下の寸法のアンカーパターンを有している。
【０００９】
本発明の他の局面に従う電鋳用基板によれば、電鋳用基板は平坦領域よりも外側にアンカーパターン領域を備えている。これにより、平坦領域の外側で電鋳膜が電鋳用基板に固定される。よって、平坦領域の外側での電鋳膜の反りや捲れを抑制することができる。また、この電鋳用基板によれば、アンカーパターンの寸法は５００ｎｍ以上である。これにより、電鋳膜が電鋳用基板に固定される作用を、より確実に得ることができる。また、アンカーパターンの寸法が１μｍ以下であることにより、この作用が過度とならず、電鋳膜と電鋳用基板とを破損させることなく分離することができる。
【００１０】
本発明のいずれの局面の電鋳用基板においても好ましくは、平坦領域の幅が６ｍｍ以上とされる。
【００１１】
これにより、電鋳体の最外周部分に、この６ｍｍの寸法から電鋳膜の切断マージンを差し引いた寸法の幅以上の平坦部分を形成することができる。
【００１２】
また好ましくは、アンカーパターンは複数の孤立パターンが少なくとも１本の線状に配列されたものとされ、さらに好ましくは、この孤立パターンの平面パターンが円形とされる。
【００１３】
これにより、アンカーパターンが線状に連続的には存在しなくなる。よって、電鋳膜が電鋳用基板から分離される際に、アンカーパターンに沿って電鋳膜が連続的に破断することを防ぐことができる。また、孤立パターンの平面パターンが円形とされることにより、この分離をどの方位からも安定的に行なうことができる。
【００１４】
本発明の電鋳体の製造方法は、上記の電鋳用基板を用いた電鋳体の製造方法である。この電鋳体の製造方法は、電鋳用基板の微細パターン領域、平坦領域およびアンカーパターン領域上に電鋳により電鋳膜を形成する電鋳工程と、この電鋳膜を微細パターン領域が転写された領域よりも外側でありかつアンカーパターン領域が転写された領域よりも内側の位置において切断して電鋳体を切り出す切断工程とを備えている。
【００１５】
本発明の電鋳体の製造方法によれば、パターン形成面の最外周部分にパターンのない領域を有する電鋳体を歩留まり良く製造することができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明の電鋳用基板およびこれを用いた製造方法によれば、微細パターンが転写された領域とその外側のパターンのない領域とを有する電鋳体を、高い歩留まりで製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
はじめに、本実施の形態の電鋳用基板の構成について説明する。図１は、本発明の実施の形態１における電鋳用基板の構成を概略的に示す平面図である。また、図２は、図１のII−II線における概略的な断面図である。
【００１８】
主に図１を参照して、たとえばシリコン基板などから形成される電鋳用基板ＳＢの上面には、微細パターン領域ＦＡ（図中破線正方形内部の領域）が設けられている。この微細パターン領域ＦＡを取り囲むように、枠状の平坦領域ＭＡが設けられている。この平坦領域ＭＡの外側に、枠状のアンカーパターン領域ＡＡが設けられている。このアンカーパターン領域ＡＡの外側は、周辺領域ＯＡが設けられている。
【００１９】
主に図２を参照して、微細パターン領域ＦＡは、少なくとも１つの微細パターンを有している。この微細パターンは、たとえば深さＥＤが５００ｎｍの円錐状の多数の凹部パターンであり、パターン間のピッチは、たとえば３００ｎｍとすることができる。平坦領域ＭＡはパターンが形成されていない領域であり、たとえば鏡面研磨されたシリコン基板表面のように高い平滑性を有している領域とすることができる。平坦領域ＭＡの幅（図２のＷＭ）は、好ましくは６ｍｍ以上である。アンカーパターン領域ＡＡはアンカーパターンＡＰ１、ＡＰ２を有している。このアンカーパターンＡＰ１、ＡＰ２は、微細パターン領域ＦＡの微細パターンの深さＥＤと同一の寸法を有する。好ましくは、隣り合うアンカーパターンＡＰ１、ＡＰ２の間の領域ＳＰ（図１）の幅寸法ＷＳ（図２）は、１ｍｍ以上である。なお、周辺領域ＯＡの表面形状は特に限定されない。
【００２０】
次に、本実施の形態の電鋳用基板ＳＢを用いた電鋳体の製造方法について、図３〜図７を用いて説明する。
【００２１】
図３は、本実施の形態１における電鋳体の製造工程の第１段階を概略的に示す平面図である。また、図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線における概略的な断面図である。主に図３を参照して、微細パターン領域ＦＡ、平坦領域ＭＡ、およびアンカーパターン領域ＡＡを包含するように、たとえばニッケル膜などの電鋳膜ＥＦが電鋳により形成される。具体的には、まず、深さＥＤ（図２）に比して十分に薄い離型剤（図示せず）が、たとえばディッピング法により形成される。たとえば深さＥＤが５００ｎｍの場合、離型剤の厚みは数ｎｍ〜数十ｎｍとすることができる。この後、スパッタ法などにより厚さ約１００ｎｍのニッケル層が下地層として形成される。次いで、この下地層上に電着がなされ、電鋳膜ＥＦが形成される。主に図４を参照して、電鋳膜ＥＦの微細パターン転写領域ＴＦＡには、電鋳用基板ＳＢの微細パターン領域ＦＡの微細パターンが転写形成される。電鋳膜ＥＦの平坦転写領域ＴＭＡには、電鋳用基板ＳＢの平坦領域ＭＡの平坦性に対応した平坦面が形成される。電鋳膜ＥＦのアンカーパターン転写領域ＴＡＡには、電鋳用基板ＳＢのアンカーパターン領域ＡＡのパターンが転写形成される。すなわち、アンカーパターンＡＰ１、ＡＰ２の凹部に噛み合うように、転写アンカーパターンＴＡＰ１、ＴＡＰ２が形成される。電鋳膜ＥＦの周辺転写領域ＴＯＡは、電鋳用基板ＳＢの周辺領域ＯＡのアンカーパターン領域ＡＡに隣接する部分に電着された膜の領域である。この後、電鋳膜ＥＦが電鋳用基板ＳＢから分離される。
【００２２】
なお、上記の離型剤は、電鋳膜ＥＦが電鋳用基板ＳＢから分離されるときに、電鋳用基板ＳＢが電鋳膜ＥＦに固着して部分的に脱離するのを防止するため形成されるものである。よって、電鋳用基板ＳＢの材質如何によっては形成する必要はない。
【００２３】
また、上記の下地層は、電鋳用基板ＳＢが絶縁材料からなる場合に形成されるものである。下地層の材料としては、ニッケル以外にアルミニウム、銅、金などを使用することができる。また、下地層の形成方法としては、スパッタ法以外に蒸着法、無電解電鋳法などを用いることができる。
【００２４】
図５は、本実施の形態１における電鋳体の製造工程の第２段階を概略的に示す断面図であり、電鋳膜の断面位置は図４と同一である。また、図６は、この段階における電鋳膜を概略的に示す平面図である。主に図５を参照して、平坦転写領域ＴＭＡにおけるアンカーパターン転写領域ＴＡＡから距離ＷＣの位置の切断線ＣＬに沿って、電鋳膜ＥＦが切断される。距離ＷＣは切断時のマージンであり、たとえば１ｍｍとすることができる。この切断により、平坦転写領域ＴＭＡが、微細パターン転写領域ＴＦＡ側の平坦転写領域ＴＭＡ１と、アンカーパターン転写領域ＴＡＡ側の平坦転写領域ＴＭＡ２とに分断される。主に図６を参照して、上述した切断により、電鋳膜ＥＦの切断線ＣＬよりも内側の部分が切り出されて電鋳体とされる。
【００２５】
図７は、本実施の形態１における電鋳体の製造工程により得られる電鋳体を概略的に示す平面図である。電鋳体ＥＢは、最外周部分にパターンのない領域である平坦転写領域ＴＭＡ１を有している。この平坦転写領域ＴＭＡ１の内側は微細パターン転写領域ＴＦＡ、すなわち電鋳用基板ＳＢの微細パターン領域ＦＡに形成されたパターンが転写された領域である。
【００２６】
続いて、本実施の形態の電鋳用基板ＳＢの製造方法について、主に図８および図９を用いて説明する。
【００２７】
図８は、本実施の形態１における電鋳用基板の製造工程の第１段階を概略的に示す断面図であり、電鋳用基板の断面位置は図２と同一である。図８を参照して、たとえば鏡面研磨されたシリコン基板などの電鋳用基板ＳＢ上にレジストパターンＰＲが形成される。レジストパターンＰＲのパターニングは、たとえば電子線描画技術を用いて行なわれる。
【００２８】
図９は、本実施の形態１における電鋳用基板の製造工程の第２段階を概略的に示す断面図であり、断面位置は図８と同一である。図９を参照して、レジストパターンＰＲをマスクとして、たとえば反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching)によりエッチングが行なわれる。この後、たとえば酸素プラズマアッシングによりレジストパターンＰＲが除去されることにより、図２に示す電鋳用基板ＳＢが得られる。
【００２９】
本実施の形態の電鋳用基板ＳＢによれば、図４に示すように、電鋳膜ＥＦの転写アンカーパターンＴＡＰ１、ＴＡＰ２が、電鋳用基板ＳＢのアンカーパターンＡＰ１、ＡＰ２の凹部に噛み合うように形成される。これにより、電鋳膜ＥＦが電鋳用基板ＳＢのアンカーパターンＡＰ１、ＡＰ２の部分で固定されるアンカー作用が働く。よって、アンカーパターン領域ＡＡのない電鋳用基板ＳＢが用いられる場合（図２１）に生じやすい電鋳工程中における反りや捲れ（図２２のＰＬ部）を抑制することができる。
【００３０】
また、本実施の形態の電鋳用基板ＳＢのアンカーパターン領域ＡＡに形成されたアンカーパターンＡＰ１、ＡＰ２は、微細パターン領域ＦＡに形成された少なくとも１つの微細パターンの深さと同一の寸法を有する。これにより、電鋳用基板ＳＢの製造において、アンカーパターン領域ＡＡのアンカーパターンＡＰ１、ＡＰ２と微細パターン領域ＦＡの微細パターンとを同時に形成することができる。よって、アンカーパターン領域ＡＡを設けることによるプロセスコストの増大を抑制することができる。
【００３１】
また、好ましくは、平坦領域ＭＡの幅ＷＭ（図２）は６ｍｍ以上とされる。電鋳膜ＥＦの外周側にパターンのない領域、特に鏡面性の高い領域が幅６ｍｍ以上存在すると、電鋳膜の反りや捲れ（図２２のＰＬ部）が発生しやすくなるが、本実施の形態によれば、上述したアンカー作用によりこれを効果的に抑制することができる。また、たとえば電鋳膜ＥＦから電鋳体ＥＢを切り出す際に距離ＷＣ（図５）を１ｍｍ以下とすれば、電鋳体ＥＢに幅５ｍｍ以上の平坦部分をもたせることができる。
【００３２】
また、好ましくは、隣り合うアンカーパターンＡＰ１、ＡＰ２の間の領域ＳＰ（図１）の幅寸法ＷＳ（図２）は１ｍｍ以上とされる。これにより、アンカー作用が過度とならないようにすることができる。よって、電鋳工程終了後に、電鋳膜ＥＦと電鋳用基板ＳＢとを破損させることなく分離することができる。
【００３３】
なお、本実施の形態においては、アンカーパターンＡＰ１、ＡＰ２が正方形の枠状の２本の溝である場合を示したが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。溝の形状は、円形、螺旋形などの形状とすることができる。また、溝の本数も２本に限定されるものではない。
【００３４】
（実施の形態２）
図１０は、本発明の実施の形態２における電鋳用基板の構成を概略的に示す断面図であり、その断面位置は実施の形態１における断面図（図２）に対応する。図１０を参照して、微細パターン領域ＦＡは、任意の微細パターンを有する。この微細パターンは、たとえば深さＥＤ１が４００ｎｍの円錐形状の多数の凹状パターンである。アンカーパターン領域ＡＡは、５００ｎｍ以上１μｍ以下の寸法ＥＤ２を有するアンカーパターンＡＰ１Ｂ、ＡＰ２Ｂを有する。
【００３５】
なお、これ以外の電鋳用基板ＳＢの構成およびこの電鋳用基板ＳＢを用いた電鋳体ＥＢの製造方法については実施の形態１とほぼ同様であるため、同一の要素には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００３６】
続いて、本実施の形態の電鋳用基板ＳＢの製造方法について説明する。図１１〜図１５は、本発明の実施の形態２における電鋳用基板の製造工程の第１段階〜第５段階を順に示す概略的な断面図であり、その断面位置は図１０と同一である。
【００３７】
図１１を参照して、たとえば鏡面研磨されたシリコン基板などの電鋳用基板ＳＢ上にレジストパターンＰＲが形成される。レジストパターンＰＲのパターニングは、たとえば電子線描画技術を用いて行なわれる。
【００３８】
図１２を参照して、レジストパターンＰＲをマスクとして、たとえば反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching)によりエッチングが行なわれる。この後、たとえば酸素プラズマアッシングによりレジストパターンＰＲが除去される。
【００３９】
図１３を参照して、電鋳用基板ＳＢの微細パターン領域ＦＡとなる部分の加工が完了する。
【００４０】
図１４を参照して、再度、電鋳用基板ＳＢ上にレジストパターンＰＲが形成される。レジストパターンＰＲのパターニングは、たとえばフォトリソグラフィ技術を用いて行なわれる。
【００４１】
図１５を参照して、再度、エッチングが行なわれ、その後レジストパターンＰＲの除去が行なわれる。これにより、図１０に示す電鋳用基板ＳＢが得られる。
【００４２】
本実施の形態の電鋳用基板ＳＢによれば、微細パターン領域ＦＡに形成されている微細パターンの深さに関わらず、アンカーパターン領域に形成されているアンカーパターンＡＰ１Ｂ、ＡＰ２Ｂ（図１０）の寸法ＥＤ２を５００ｎｍ以上１μｍ以下とすることができる。アンカーパターンＡＰ１Ｂ、ＡＰ２Ｂの寸法ＥＤ２が５００ｎｍ以上であることにより、実施の形態１で説明したアンカー作用を十分に作用させることができる。また、寸法ＥＤ２が１μｍ以下であることにより、アンカー作用が過剰とならないようにすることができ、電鋳工程終了後に、電鋳膜ＥＦと電鋳用基板ＳＢとを破損させることなく分離することができる。
【００４３】
（実施の形態３）
図１６は、本発明の実施の形態３における電鋳用基板の構成を概略的に示す断面図であり、その断面位置は実施の形態１における断面図（図２）に対応する。図１６を参照して、本実施の形態の電鋳用基板ＳＢの表面形状は、実施の形態１の場合の凹凸形状が反転した形状となっている。よって、アンカーパターン領域ＡＡに形成されているアンカーパターンＡＰ１Ｃ、ＡＰ２Ｃは凸状の形状を有している。
【００４４】
なお、これ以外の電鋳用基板ＳＢの構成およびこの電鋳用基板ＳＢを用いた電鋳体ＥＢの製造方法については実施の形態１とほぼ同様であるため、同一の要素には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００４５】
本実施の形態の電鋳用基板ＳＢによっても、実施の形態１と同様に、電鋳膜ＥＦが電鋳用基板ＳＢのアンカーパターンＡＰ１Ｃ、ＡＰ２Ｃの部分で固定されるアンカー作用が働く。よって、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００４６】
（実施の形態４）
図１７は、本発明の実施の形態４における電鋳用基板の構成を概略的に示す平面図である。図１７を参照して、実施の形態１におけるアンカーパターンＡＰ１、ＡＰ２（図１）の溝の延在方向に沿って線状に、複数の孤立したアンカーパターンＡＰＩ、ＡＰＯが、アンカーパターンＡＰ１、ＡＰ２に代わってそれぞれ配列されている。
【００４７】
図１８は、図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線における概略的な断面図である。図１７および図１８を参照して、アンカーパターンＡＰＩ、ＡＰＯは、電鋳用基板ＳＢの主面上に形成された円錐形状の凹部である。
【００４８】
なお、これ以外の電鋳用基板ＳＢの構成およびこの電鋳用基板ＳＢを用いた電鋳体ＥＢの製造方法については実施の形態１とほぼ同様であるため、同一の要素には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００４９】
本実施の形態の電鋳用基板ＳＢによれば、アンカーパターンＡＰＩ、ＡＰＯの平面パターンは円形である。これにより、たとえば電鋳用基板ＳＢの図１９（図１７のＭ２部拡大図）に示す部位に形成された電鋳膜ＥＦが分離される方向（たとえば図中矢印方向）がいずれの方向であっても、各アンカーパターンＡＰＯは等方性形状である円形形状であるため、大差なく分離される。よって、分離方向の影響を受けずに安定して電鋳膜ＥＦを分離することができる。
【００５０】
なお、実施の形態１の場合は、電鋳工程後にたとえば図２０（図１のＭ１部拡大図）に示す部位に形成された電鋳膜ＥＦが電鋳用基板ＳＢから分離される際に、分離される方向がたとえば図中矢印方向である場合、分離方向に沿ってアンカーパターンＡＰ２が延在する部分Ｈと分離方向に垂直にアンカーパターンＡＰ２が延在する部分Ｖとでは分離に要する力や電鋳膜ＥＦの破断強度が異なる。よって、電鋳膜ＥＦを電鋳用基板ＳＢから分離する工程の安定性は、本実施の形態の方が実施の形態１よりも優れている。
【００５１】
今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、微細パターン領域を取り囲む平坦領域を備えた電鋳用基板およびそれを用いた電鋳体の製造方法に特に有利に適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施の形態１における電鋳用基板の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１のII−II線における概略的な断面図である。
【図３】本発明の本実施の形態１における電鋳体の製造工程の第１段階を概略的に示す平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線における概略的な断面図である。
【図５】本発明の本実施の形態１における電鋳体の製造工程の第２段階を概略的に示す断面図である。
【図６】本発明の本実施の形態１における電鋳体の製造工程の第２段階における電鋳膜を概略的に示す平面図である。
【図７】本発明の本実施の形態１における電鋳体の製造工程により得られる電鋳体を概略的に示す平面図である。
【図８】本発明の本実施の形態１における電鋳用基板の製造工程の第１段階を概略的に示す断面図である。
【図９】本発明の本実施の形態１における電鋳用基板の製造工程の第２段階を概略的に示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２における電鋳用基板の構成を概略的に示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２における電鋳用基板の製造工程の第１段階を示す概略的な断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２における電鋳用基板の製造工程の第２段階を示す概略的な断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２における電鋳用基板の製造工程の第３段階を示す概略的な断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態２における電鋳用基板の製造工程の第４段階を示す概略的な断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態２における電鋳用基板の製造工程の第５段階を示す概略的な断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態３における電鋳用基板の構成を概略的に示す断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態４における電鋳用基板の構成を概略的に示す平面図である。
【図１８】図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線における概略的な断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態４における電鋳膜が電鋳用基板から分離される様子を示す説明図である。
【図２０】本発明の実施の形態１における電鋳膜が電鋳用基板から分離される様子を示す説明図である。
【図２１】従来の電鋳用基板に電鋳膜が電着された様子を示す概略的な断面図である。
【図２２】従来の電鋳用基板上での電鋳膜の反り、捲れを示す概略的な断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
ＡＡ  アンカーパターン領域、ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ１Ｂ，ＡＰ２Ｂ，ＡＰ１Ｃ，ＡＰ２Ｃ，ＡＰＩ，ＡＰＯ  アンカーパターン、ＥＢ  電鋳体、ＥＦ  電鋳膜、ＦＡ  微細パターン領域、ＭＡ  平坦領域、ＯＡ  周辺領域、ＰＲ  レジストパターン、ＳＢ  電鋳用基板、ＴＡＡ  アンカーパターン転写領域、ＴＡＰ１，ＴＡＰ２  転写アンカーパターン、ＴＦＡ  微細パターン転写領域、ＴＭＡ，ＴＭＡ１，ＴＭＡ２  平坦転写領域、ＴＯＡ  周辺転写領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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