(57)【要約】【課題】バースト性を持つ信号を増幅するアンプにおいて、その信号のオン・オフ時に発生する歪を無くす。【解決手段】バイアス制御信号生成部１は、バースト情報に基づき、アンプ２に入力されるバースト性を持つ送信信号のＯＮ、ＯＦＦを検知する。バイアス制御信号生成部１は、アンプ２に流れるアイドル電流が、送信ＯＦＦの期間には多めに、送信ＯＮの期間には通常時のレベルに戻るように、アンプ２に加えるバイアス電圧を制御する。【選択図】図２
2008011086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バースト性を持つ送信信号を入力して増幅する増幅器制御装置であって、
前記送信信号のオン／オフに関する情報を基に、送信オフ時に予め前記増幅器のアイドル電流を増加させ、送信オン時に前記増幅器のアイドル電流が減少するように制御する制御手段を、
備えることを特徴とする増幅器制御装置。
【請求項２】
請求項１記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、前記増幅器に印加するバイアス電圧を制御することにより、前記アイドル電流の値を制御することを特徴とする。
【請求項３】
請求項２記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オフ時には、通常、前記アイドル電流を小さくし、送信オフから送信オンに切り替わる直前の期間のみ前記アイドル電流を大きくするように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
【請求項４】
請求項３記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オンから送信オフに切り替わった直後の期間に前記増幅器にアイドル電流が流れるように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
【請求項５】
請求項３または４記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オンとなる直前の期間において、前記増幅器の出力電流にダンピングが発生しない時定数で前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
【請求項６】
請求項３または４記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オン時における送信信号のレベルに応じて、前記アイドル電流を上昇させるタイミングを決定することを特徴とする。
【請求項７】
請求項３または４記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、連続的に前記送信信号が送信されている時に前記送信信号のレベルが突然上昇する場合、そのレベル変動が発生する直前に、前記増幅器に流れるアイドル電流が前記送信信号のレベル上昇に合わせて増加するように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
【請求項８】
請求項４記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、連続的に前記送信信号が送信されている時に前記送信信号のレベルが突然下降する場合、そのレベル変動が発生した直後に、前記増幅器に流れるアイドル電流が前記送信信号のレベルに合わせて下降するように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
【請求項９】
請求項３または４記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オフから送信オンに切り替わる時点の直前と直後に前記増幅器の動作点が徐々に変更するように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
【請求項１０】
請求項１記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、
前記増幅器の出力信号を増幅前のレベルまで減衰して出力する減衰手段と、
前記増幅器に入力する送信信号がオフからオンに立ち上がるときに、該送信信号と前記減衰手段から出力される信号との差分を誤差信号累積値として算出する誤差信号累積値算出手段と、
該誤差信号累積値算出手段によって算出された前記誤差信号累積を基に、前記増幅器に印加するバイアス電圧を制御するバイアス制御手段と、
を備えることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は増幅器（アンプ）に係り、特に、バースト性を持つ信号を増幅する増幅器の制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図２９は、バースト性を持つ信号（バースト信号）のイメージ図である。同図に示すように、バースト信号は、送信ＯＦＦの期間の後に送信ＯＮとなり、その送信ＯＮの期間が継続した後、再び、送信ＯＦＦとなる信号であり、送信ＯＮとなる期間はバースト的に発生する。
【０００３】
このようなバースト性を持つＴＤＤ(Time Division Duplex)信号等をアンプにて電力増幅する場合、信号が入力（送信ＯＮ）された直後のアンプ電源系の過渡応答により、図３０に示すように、増幅後の信号に歪（オーバーシュート）が生じる。また、バースト信号が送信ＯＮから送信ＯＦＦに切り替わる時にもアンプ電源系の過渡応答により、図３０に示すように、増幅後の信号に歪（アンダーシュート）が発生する。
【０００４】
このアンプの増幅出力信号の歪は、送信信号の品質劣化を招くと共に、送信信号の周波数帯域外への漏洩電力、つまり、ＡＣＬＲ(Adjacent Channel Leakage Ratio)特性の劣化として現れ、隣接チャネルへの干渉信号となる。
【０００５】
通常、アンプを高い電力効率で使用するには、深いバイアス設定によってアンプを動作させる必要がある。このとき、アンプでは無信号時に流れるアイドル電流は少なくなっている。この状態で、送信信号が急に入力すると（送信ＯＮになると）、アンプの電流が急速に流れてしまう。この急速な電流変化により電源系が過渡応答を示し、その結果としてアンプ特性が変わり、アンプの増幅信号の歪を招く。
【０００６】
図３１は、バースト性を持つ送信信号のＯＮ、ＯＦＦ時にアンプに流れる電流の変化を示す図である。
送信信号がＯＦＦの期間（送信ＯＦＦ期間）は、アンプにはアイドル電流１１１が流れる。送信信号がＯＮの期間（送信ＯＮ期間）は、アンプに流れる電流は図中のハッチングした矩形１１３の範囲内で変動し、平均すると、図中の破線で示す電流（送信信号の平均電流）１１５が流れる。
【０００７】
上記バースト性を持つＴＤＤ信号等を増幅する場合に生じる歪を軽減する方法の一つとして、アンプ入力信号にランプ処理を施す技術がある（例えば、特許文献１、２参照）。これらの技術では、アンプの前段に可変ＡＴＴ（可変アッテネータ）を設け、バースト信号を徐々に立ち上げる（または、立ち下げる）処理を施している。
【特許文献１】特開平５−１２９８６０号公報
【特許文献２】特開平１０−２３０８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記アンプ入力信号に可変ＡＴＴを使ってランプ処理を施して、信号バースト性によるアンプの増幅信号の歪を補正する場合、アンプ入力信号の振幅を直接加工していることになる。これでは、送信信号を変えて出力することになり、信号品質を劣化させることになる。
【０００９】
本発明の目的は、バースト性を持つ信号を増幅するアンプにおいて、その信号のオン・オフ時に歪が発生しないようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、バースト性を持つ送信信号を入力して増幅する増幅器制御装置を前提とする。
本発明の第１態様は、前記送信信号のオン／オフに関する情報を基に、送信オフ時に予め前記増幅器のアイドル電流を増加させ、送信オン時に前記増幅器のアイドル電流が減少するように制御する制御手段を備える。
【００１１】
本発明の第１態様によれば、バースト性を持つ送信信号（以下、バースト信号）の送信オフから送信オンへの切り替わり時において増幅器の出力電流の急激な変化が解消されるので、該切り替わり直後における増幅器の出力信号の歪（オーバーシュート）を抑制することができる。
【００１２】
本発明の第２態様は、上記第１態様において、前記制御手段は、前記増幅器に印加するバイアス電圧を制御することにより、前記アイドル電流の値を制御することを特徴とする。
【００１３】
本発明の第２態様によれば、増幅器のバイアス電圧を制御することで、上記第１態様の作用・効果を実現できる。
本発明の第３態様は、上記第２態様において、前記制御手段は、送信オフ時には、通常、前記アイドル電流を小さくし、送信オフ（送信ＯＦＦ）から送信オン（送信ＯＮ）に切り替わる直前の期間のみ前記アイドル電流を大きくするように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
【００１４】
本発明の第３態様によれば、送信オフ時の増幅器の消費電力を小さくできるので、前記送信オン／オフ切り替え時における増幅器の出力信号の歪抑制を電力効率良く低消費電力で実現できる。
【００１５】
本発明の第４態様は、上記第３態様の増幅器制御装置において、前記制御手段は、送信オンから送信オフに切り替わった直後の期間に前記増幅器にアイドル電流が流れるように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
【００１６】
本発明の第４態様によれば、前記送信信号が送信オンから送信オフに切り替わった際に、増幅器の出力信号の急激な変化が解消されるので、送信オンから送信オフへの切り替わり時においても増幅器の出力信号の急激な変化が解消される。したがって、上記送信オン／オフの切り替わり時における増幅器の出力信号の歪（アンダーシュート）を抑制できる。
【００１７】
本発明の第５態様は、上記第３または第４態様の増幅器制御装置において、前記制御手段は、送信オンとなる直前の期間において、前記増幅器の出力電流にダンピングが発生しない時定数で前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
【００１８】
本発明の第５態様によれば、増幅器の出力信号の電流（増幅器がＦＥＴ(Field Effect Transistor)で構成されている場合はドレイン電流）のオーバーシュートを招くことなく、送信オフ／オンの切り替わり（送信信号の立ち下がり）または送信オン／オフの切り替わり（送信信号の立ち下がり）時における増幅器の出力信号の歪発生を抑制できる。
【００１９】
本発明の第６態様は、上記第３または第４態様の増幅器制御装置において、前記制御手段は、送信オン時における送信信号のレベルに応じて、前記アイドル電流を上昇させるタイミングを決定することを特徴とする。該送信信号のレベルは、例えば、振幅レベルなどである。
【００２０】
本発明の第６態様によれば、送信オン時における送信信号のレベルに応じて、送信オフ／オン切り替わり直前のアイドル電流の上昇開始制御タイミングを適切に設定することにより、増幅器の消費電力を低減することができる。
【００２１】
本発明の第７態様は、上記第３または第４態様の増幅器制御装置において、前記制御手段は、連続的に前記送信信号が送信されている時に前記送信信号のレベルが突然上昇する場合、そのレベル変動が発生する直前に、前記増幅器に流れるアイドル電流が前記送信信号のレベル上昇に合わせて増加するように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
【００２２】
本発明の第７態様によれば、送信信号が連続して送信されているとき（送信信号が連続してオンとなっているとき）に該送信信号のレベルが突然上昇した場合でも、そのレベル変化の直前にアイドル電流を前記送信信号のレベル上昇に合わせて増加させるので、上記送信信号のレベル上昇による増幅器の出力信号の歪発生を抑制できる。
【００２３】
本発明の第８態様は、上記第４態様の増幅器制御装置において、前記制御手段は、連続的に前記送信信号が送信されている時に前記送信信号のレベルが突然下降する場合、そのレベル変動が発生した直後に、前記増幅器に流れるアイドル電流が前記送信信号のレベルに合わせて下降するように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
【００２４】
本発明の第８態様によれば、送信信号が連続して送信されているときに該送信信号のレベルが突然下降した場合でも、そのレベル変化の直後に、前記増幅器に流れるアイドル電流を前記送信信号のレベル下降に応じて減少させるので、上記送信信号のレベル下降による増幅器の出力信号の歪発生を抑制できる。
【００２５】
本発明の第９態様は、上記第３または第４態様の増幅器制御装置において、前記制御手段は、送信オフから送信オンに切り替わる時点の直前と直後に前記増幅器の動作点が徐々に変更するように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
【００２６】
本発明の第９態様によれば、例えば、送信オフ／オン直前に増幅器の動作をＢ級からＡ級に徐々に変化させ、送信オン直後に増幅器の動作をＡ級からＡＢ級で徐々に変化させるように前記バイアス電圧を制御する。増幅器はＡ級動作に近いほど、送信信号のバースト性に対する耐性が強いからである。このようにして、送信オフ／オン切り替わりによる増幅器の出力信号の歪発生を抑制できる。
【００２７】
本発明の第１０態様は、上記第１態様の増幅器制御装置において、前記制御手段は、下記の手段を備える。
減衰手段は、前記増幅器の出力信号を増幅前のレベルまで減衰して出力する。誤差信号累積値算出手段は、前記増幅器に入力する送信信号がオフからオンに立ち上がるときに、該送信信号と前記減衰手段から出力される信号との差分を誤差信号累積値として算出する。バイアス制御手段は、該誤差信号累積値算出手段によって算出された前記誤差信号累積を基に、前記増幅器に印加するバイアス電圧を制御する。
【００２８】
本発明の第１０態様によれば、増幅器により増幅された出力信号を増幅前のレベルまで減衰させてフィードバックし、その出力信号と増幅器により増幅される前の信号（送信信号）を基に前記出力信号の歪量を調べ、前記歪量を基に前記バイアス電圧を制御するので、前記歪量を直接検出して前記バイアス電圧が適切な値となるように制御することができる。
【００２９】
このように、増幅器の出力信号の歪量を監視しながら前記バイアス電圧を制御するので、送信オフ／オン切り替わり時における増幅器の出力信号の歪発生を効果的に抑制できる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、バースト性を持つ信号を増幅するアンプにおいて、その信号のオン・オフ時に発生する歪をなくすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
［本発明の原理］
本発明は、バースト性を持つ信号（以下、バースト信号）に応じて流れるアンプのアイドル電流を調整し、アンプにバーストへの耐性を持たせる。本発明では、アンプのアイドル電流を調整するために、アンプのバイアス電圧を操作する。
【００３２】
図１は、本発明の基本原理を示す図である。
同図に示すように、本発明では、バースト信号のＯＮ／ＯＦＦ（送信ＯＮ／ＯＦＦ）切り替わり時の急激なアンプの電流変動を抑制するために、送信ＯＦＦ時にアンプに多めのアイドル電流１１を流し、送信ＯＮ時にはこのアイドル電流１１を元のレベルに戻す。これは、バースト信号を扱う場合に、アンプの電流の変化をスムーズに移行させるための工夫である。送信ＯＮ時にアンプに流れるアイドル電流１１の大きさは、送信信号のオン・オフ切り替わり時に過渡応答が発生しないような小レベルに設定する。図１に示す例では、アイドル電流１１の大きさを、バースト信号送信ＯＮ期間中の平均電流１５（図１の破線）と同レベルに設定している。尚、図１の矩形領域１５は、送信ＯＮ期間中に流れる送信信号によるアンプ電流の変動の範囲を示している。
【００３３】
図２は、本発明によるアンプのバイアス電圧制御回路の構成例を示す図である。
バイアス制御信号生成部１は、バースト情報と送信信号を入力し、これらを基にアンプ２に印加するバイアス電圧を制御する。バースト情報はバースト信号のＯＮ、ＯＦＦに関する情報であり、例えば、送信信号がＯＮ（送信ＯＮ）になるタイミングを“１”で、ＯＦＦ（送信ＯＦＦ）になるタイミングを“０”でバイアス制御信号生成部１に通知する。バイアス制御信号生成部１は、送信信号またはバースト情報により、アンプ２に入力する送信信号がＯＮまたはＯＦＦに切り替わるタイミングを検知する。また、アンプ２にバイバイアス電圧に印加して、アンプ２のアイドル電流の大きさを制御する。アンプ２は、送信信号を増幅出力する。
【００３４】
図２の回路においては、バイアス制御信号生成部１が上記バースト情報または上記送信信号に基づいてアンプ２に加えるバイアス電圧を制御することにより、上述した図１に示すようなアンプ２の制御を実現する。
【００３５】
［本発明の実施例］
以下に述べる実施例では、電力増幅用のアンプがＦＥＴ(Field Effect Transistor)素子で構成されているものと仮定する。また、実施例２〜８の回路は、図２に示すような構成である。
【００３６】
［実施例１］
本実施例では、バースト信号のＯＦＦ（以下、送信ＯＦＦと記載）とＯＮ（以下、送信ＯＮと記載）により、アンプのアイドル電流値を変更する。送信ＯＦＦ時にはアンプのアイドル電流を多めに流し、送信ＯＮ時にはアンプのアイドル電流を少なく流す。
【００３７】
図３に、本実施例による、送信ＯＦＦ時と送信ＯＮ時におけるアンプのドレイン電流の様子を例示する。図３の上向きの縦軸はドレイン電流を示す（図５、８、１０、１２、１４、１５、１７〜１９についても同様）。また、横軸は時刻を示す（図４〜２１についても同様）。
【００３８】
図中でアイドル電流は実線１１で示し、ハッチング部分１３は送信ＯＮ時に変動するアンプのドレイン電流を示している。本実施例では、送信ＯＮ／ＯＦＦに応じてアイドル電流１１の大きさを変更する。例えば、図３に示すように、信号が送信されている期間（送信ＯＮの期間）の平均電流（図中の破線１５）に合わせて、送信ＯＦＦ時のアイドル電流を設定する。
【００３９】
本実施例では送信ＯＦＦ時のアイドル電流１１の大きさを、送信ＯＮ期間におけるアンプのドレイン電流の平均値に設定するようにしているが、アンプの消費電力の観点からは、送信ＯＦＦ時のアンプのアイドル電流は過渡応答が生じない最低レベルに設定されるのが望ましい。送信ＯＦＦ時のアンプのアイドル電流は、送信ＯＮ時にアンプに流れる電流の実効値であってもよいし、送信ＯＮの先頭の信号レベルにより決定してもかまわない。
【００４０】
[実施例２]
本実施例では、アンプのアイドル電流を制御する方法として、アンプに加えるバイアス電圧を制御する。図４がバイアス電圧の設定例を、図５がそのバイアス電圧設定に応じたアンプのアイドル電流の変化を示している。尚、図４で下向きの縦軸は、負のバイアス電圧を示す（図７、９、１１、１３、１６、２０、２１についても同様）。本実施例の回路構成は、例えば、図２に示すようになる。
【００４１】
図４に示すように、送信ＯＦＦ時にはバイアス電圧１７を浅く設定し、アンプ２がＡ級動作に近いアンプとなるように制御する。逆に、送信ＯＮ時にはバイアス電圧１７を深く設定し、アンプ２がＡＢ級動作に近いアンプとなるように設定する。
【００４２】
ここで、Ａ級、ＡＢ級は、パワーアンプを動作点の違いによりクラス分けするために一般的に使用されている用語である。本明細書の実施例の説明では、説明のし易さから、アンプの動作点の違いを、Ａ級、ＡＢ級、Ｂ級とクラス表現している。したがって、これらのクラス表現は本発明にとって重要なものではなく、あくまでも、アイドル電流の制御が重要であることに留意していただきたい。バイアス電圧の絶対値を大きくする（深くする）に従い、アンプ２の動作はＡ級、ＡＢ級、Ｂ級と変化する。
【００４３】
図４に示すバイアス電圧制御により、アンプ２に流れるアイドル電流１１は図５に示すように制御される。すなわち、アイドル電流１１は、送信ＯＦＦ時には大きくなり、送信ＯＮ時には小さくなる。このため、送信ＯＦＦから送信ＯＮに切り替わり時に、バースト信号の立ち上がりが緩やかになり、アンプ２の出力信号の歪（オーバーシュート）が抑制される。同様に、送信ＯＦＦから送信ＯＮに切り替わる時にも、バースト信号の立下りが緩やかになり、アンプ２の出力信号の歪（アンダーシュート）が抑制される。
【００４４】
[実施例３]
実施例２によるアイドル電流制御では、アンプ２の電力効率の面で不利となる。無信号状態（送信ＯＦＦの期間）の期間中、常にアイドル電流が多く流れるので、電力を無駄に消費してしまうからである。そこで、本実施例（実施例３）では、送信ＯＦＦの期間中に行うアンプ動作点を図に示すように制御する。
【００４５】
図６は、アンプ２の動作点の変更例を示す図である。同図に示すように、送信ＯＮの直前（時刻ｔ３１）にアンプ動作をＡ級に近づけ、それ以外の送信ＯＦＦ期間（時刻３１以前と時刻ｔ３３以降）はアイドル電流が流れない（理論上ゼロ）Ｂ級動作にアンプ２を設定する。送信ＯＮ期間（時刻ｔ３２〜ｔ３３）は、アンプをＡＢ級で動作させる。
【００４６】
この方法におけるアンプ２のバイアス電圧の設定例を図７に示す。同図に示すように、送信ＯＦＦの間（時刻ｔ３１以前）は、バイアス電圧１７を深く設定してアンプ２をＢ級動作させる。そして、送信ＯＮとなる直前（時刻ｔ３１）に、アンプ２に加えるバイアス電圧を小さくして、アンプ２がＡ級動作するように制御する。時刻ｔ３２で送信ＯＮになると、バイアス電圧１７をアンプ２がＡＢ級動作する程度の大きさに設定し、送信ＯＮの期間中（時刻ｔ３２〜ｔ３３の期間）、そのバイアス電圧１７を維持させる。そして、時刻ｔ３３で送信ＯＦＦになると、再び、バイアス電圧１７を、アンプ２がＢ級動作するように設定する。
【００４７】
図８に、図６のようにアンプ動作が行われた場合にアンプ２に流れるアイドル電流の変化の様子を示す。図８に示す例では、送信ＯＮとなる直前（時刻ｔ３１）のアイドル電流１１の大きさは、送信ＯＮ期間中（時刻ｔ３２〜ｔ３３）にアンプ２に流れる送信信号の平均電流１５に等しくなうように設定している。
【００４８】
このように、実施例３では、送信ＯＦＦの間（時刻ｔ３１以前）はアンプ２をＢ級で動作させ、送信ＯＮとなる直前（時刻ｔ３２）にだけアンプ動作をＡ級動作に近づけるので、実施例２よりもアンプの電力効率の点で優れている。
【００４９】
［実施例４］
本実施例では、実施例３で行ったアンプ動作点の変更を、送信ＯＮから送信ＯＦＦの切り替え時にも行う。上述したように、送信ＯＦＦに切り替わる際に、アンプ電源系のアンダーシュートが発生し、これがアンプ増幅後の信号に歪となって現れる。また、次の送信ＯＦＦから送信ＯＮの切り替わりが短い期間にあった場合に、アンプ電源系の過渡応答の影響が出て、アンプの増幅信号に歪が生じる。本実施例は、これらのアンプ増幅信号の歪を抑制する。
【００５０】
図９は、上記アンプ動作点の変更を行うためのバイアス電圧の設定例を示す。本実施例では、実施例３のバイアス電圧設定制御に、送信ＯＮから送信ＯＦＦに切り替わった直後（時刻ｔ４３）に、バイアス電圧を浅く設定し、一定期間が経過した後、バイアス電圧を深く設定する制御を付け加える。この例では、時刻ｔ４３で送信ＯＮから送信ＯＦＦに切り替わる際に、バイアス電圧１７の波形が、送信ＯＦＦから送信ＯＮに切り替わる直前（時刻ｔ４２）制御時のバイアス電圧１７の波形と鏡面対称な形となるように、バイアス電圧１７を制御している。
【００５１】
図９に示すバイアス電圧の制御に応じて、アンプ２に流れるアイドル電流１１は、図１０に示すように変化する。送信ＯＮ／ＯＦＦの直前（時刻ｔ４１〜ｔ４２）と送信ＯＦＦ／ＯＮの切り替え直後（時刻ｔ４３〜ｔ４４）において、アイドル電流１１は上昇する。それらの期間以外（送信ＯＦＦの期間）には、アイドル電流１１は流れない（Ｂ級動作）。
【００５２】
本実施例の場合、実施例３に比べて、消費電力は若干増えるものの、送信ＯＮ／ＯＦＦに切り替わる際のアンダーシュートが解消される。
［実施例５］
今までに述べた実施例によるアイドル電流の制御では、逆に、ドレイン電流のオーバーシュートを招く可能性がある。そこで、本実施例では、図１１に示すように、ドレイン電流がダンピング（オーバーシュート及びアンダーシュート）しない時定数でバイアス電圧１７を制御する。本実施例では、この制御を、送信ＯＦＦから送信ＯＮへの切り替わる前（時刻ｔ５１〜ｔ５２）と送信ＯＮから送信ＯＦＦへの切り替わる後（時刻ｔ５３〜ｔ５４）の両方で行う。
【００５３】
図１１に示すようにバイアス電圧１７を制御した場合、アンプ２のドレイン電流（アイドル電流１１）の変化は図１２に示すようになる。送信ＯＦＦから送信ＯＮに切り替わる直前（時刻ｔ５１〜ｔ５２）においては、アンプ２はＢ級からＡ級に徐々に変更するように動作する。また、送信ＯＮから送信ＯＦＦに切り替わる直後（時刻ｔ５３〜ｔ５４）には、アンプ２はＡ級からＢ級に徐々に変更するように動作する。
【００５４】
この実施例では、送信ＯＦＦから送信ＯＮに切り替わる直前と送信ＯＮから送信ＯＦＦに切り替わる直後の両方で、バイアス電圧の制御を行っているが、送信ＯＮから送信ＯＦＦに切り替わる直前のみにバイアス電圧を制御するようにしてもよい。
【００５５】
［実施例６］
本実施例では、送信ＯＮ時の信号のレベル（振幅レベルまたは電力レベル）に応じて、ドレイン電流の制御タイミングを変更する。少しでも無駄なアイドル電流が流れるのを抑えて、低消費電力化を図るためである。
【００５６】
図１３に、本実施例におけるバイアス電圧の設定例を示し、図１４に、そのバイアス電圧設定制御による、送信信号の大きさに応じたアイドル電流の制御タイミングを示す。
本実施例では、図１３に示すように、送信ＯＦＦから送信ＯＮの切り替わる直前（時刻ｔ６１）にバイアス電圧１７の制御を開始し、ドレイン電流の制御タイミングを遅らせている。図１４のハッチング部分１３は、時刻ｔ６２での信号ＯＮによる送信ＯＮ期間中（時刻ｔ６２〜ｔ６３）の電流変動を示している。アンプ２のアイドル電流１１が、送信ＯＮとなる時刻ｔ６２で送信ＯＮ期間中のアンプ２の送信信号に平均電流１５に等しくなるように、バイアス電圧を制御する。図１４は、信号電力が低い場合の制御例である。送信信号のレベルがもっと大きい場合には、ドレイン電流の制御タイミングを早める。送信信号が大きければ、アンプ電源系の過渡応答が激しくなるので、早くからアイドル電流を上昇させる必要があるが、送信信号が小さければ過渡応答が少ないので、制御開始タイミングを遅らせる。
【００５７】
本実施例では、送信信号がＯＦＦからＯＮになる直前にのみアイドル電流を制御しているが、送信信号がＯＮからＯＦＦになる直後にも、アイドル電流を制御するようにしてもよい。この場合、アイドル電流の波形は、直前時のときのアイドル電流を（ドレイン電流と平行な軸を中心にして）反転させたものとなる。
【００５８】
また、アイドル電流の波形は、実施例３、４のようなものであってもよい。
［実施例７］
図１５に示すように、信号が常に送信される場合であっても、送信信号の大きさが突然変化する場合がある。本実施例は、このような場合であっても、アンプ電源系の過渡応答によるアンプ出力信号の歪を抑制するようにするものである。
【００５９】
図１５の例では、時刻ｔ７１と時刻ｔ７３において、送信信号が急激に変動している。
このため、時刻ｔ７１〜ｔ７２の期間（第１の過渡応答区間）と時刻ｔ７３〜ｔ７４の期間（第２の過渡応答区間）で、アンプ電源系の過渡応答が発生している。このため、第１及び第２の過渡応答区間で、アンプ２の出力信号に歪が発生する。
【００６０】
本実施例は、このような過渡応答区間においてアンプ２の出力信号に歪が発生しないように、アンプ２に加えるバイアス電圧を制御するものである。本実施例は、図１５に示す過渡応答に対処するために、図１６に示すようなバイアス電圧制御を行う。このバイアス電圧制御は実施例６に準ずるものである。
【００６１】
本実施例では、バイアス制御信号生成部１は、入力する送信信号を基に送信信号の変化点を検出し、図１６に示すように、その変化点の直前（時刻ｔ７０〜ｔ７１、時刻ｔ７２〜ｔ７３、時刻ｔ７５〜ｔ７６）に、送信信号のレベルに応じたタイミングでバイアス電圧１７をアンプ２に加える。これにより、アンプ２に流れるドレイン電流（アイドル電流１１）は、図１７に示すようにバイアス電圧に追随して増加する。これにより、実施例５と同様な作用により、信号レベルの変化点でのアンプ２の電源系の過渡応答によるアンプ２の出力信号の歪が解消される。
【００６２】
［実施例８］
アンプは、Ａ級動作に近いほど、バースト性に対する耐性が強い。これは、Ａ級動作であれば、もともとアイドル電流が大きいため、信号ＯＮ／ＯＦＦ時の切り替わりで発生するドレイン電流の段差が大きくならないためだと考えられる。従って、信号がＯＮになった直後に瞬間的にＡＢ級に切り替えなくても、徐々に、Ａ級からＡＢ級に切り替えて良い場合もある。
【００６３】
図１８と図１９に、本実施例におけるアイドル電流制御方法のイメージを示す。
図１８の方法（第１の方法）では、送信ＯＦＦの期間（時刻ｔ８１以前）にアンプ２をＢ級で動作させる。そして、送信ＯＮになる前（時刻ｔ８１〜８２）にＢ級からＡ級への変更を行い、送信ＯＮ後（時刻ｔ８２〜ｔ８４）にＡ級からＡＢ級への変更を行っている。送信ＯＮから送信ＯＦＦへの切り替わり時は、上記と逆の制御を行っている。すなわち、アンプ２の動作を、ＡＢ級からＡ級（時刻ｔ８５〜ｔ８６）、Ａ級からＢ級（時刻ｔ８６〜ｔ８７）へと順次変更している。
【００６４】
図１９の方法（第２の方法）では、送信ＯＮ直後（時刻ｔ８２〜ｔ８３）と送信ＯＦＦ直前（時刻８６〜ｔ８７）に、しばらくアンプ２にＡ級動作をさせる期間を設けている。このような期間を設けたので、図１９の方法のほうが図１８の方法よりもタイミング制御が容易である。
【００６５】
図２０と図２１に、それぞれ、図１８と図１９のアイドル電流制御を行うために、バイアス制御信号生成部１がアンプ２に加えるべきバイアス電圧１７の制御方法を示す。
尚、本実施例では、送信信号の立ち上がり（送信ＯＦＦ→送信ＯＮ）と送信信号の立ち下がり（送信ＯＮ→送信ＯＦＦ）の両方で、アイドル電流制御を行っているが、送信信号の立ち上がり時にのみ、上記アイドル電流制御を行うようにしてもよい。
【００６６】
［実施例９］
本実施例では、バースト信号の立ち下がりまたは立ち下がり時におけるアンプの出力信号を解析し、該出力信号の歪量（オーバーシュート成分またはアンダーシュート成分の量）が所定値未満に収まるように、アンプに印加するバイアス電圧を制御する。この出力信号解析においては、送信信号と増幅器の出力信号（該送信信号の増幅信号）を比較し、両信号の差分を歪量として算出する。尚、増幅器の出力信号は、入力される送信信号を増幅したものであるため、上記歪量算出の際は、増幅器の利得を基に、増幅器の出力信号を元のレベル（増幅前のレベル）まで減衰し、その減衰後の出力信号を送信信号と比較することで、歪量を求める。後述する実施例１０においても同様な手法により、増幅器の出力信号の歪量を算出する。
【００６７】
図２２は、本実施例の回路構成例を示す図である。本実施例の回路は、バイアス制御信号生成部９１、アンプ９２、可変ＡＴＴ（可変アッテネータ）９３及び誤差信号算出部９４を備えている。
【００６８】
バイアス制御信号生成部９１は、アンプ９２に加えるバイアス電圧を制御して、アンプ９２の出力信号の歪発生を抑制する。バイアス制御信号生成部９１は、外部からバースト情報と送信信号（バースト信号）を入力し、バースト情報を基に、アンプ９２に入力される送信信号の立ち上がり（送信ＯＦＦ→送信ＯＮ）を検出する。そして、それを検出すると、誤差信号算出部１４に誤差信号算出の指示信号を出力する。前記バースト情報は、図２の回路のバースト情報と同様なものである。
【００６９】
アンプ９２は、前記送信信号を増幅し、その増幅した信号を可変ＡＴＴ１３と外部に出力する。可変ＡＴＴ９３は、アンプ９２の出力信号を増幅前のレベルまで減衰させて誤差信号算出部９４に出力する。誤差信号算出部９４は、バイアス制御信号生成部９１から前記指示信号を入力すると、前記送信信号と可変ＡＴＴ９３から入力される信号を基に、それらの信号間の差分、つまり前記送信信号の立ち上がりで発生するアンプ９２の出力信号の歪成分（オーバーシュート）の量を抽出・算出する。そして、その歪量を前記誤差信号累積値としてバイアス制御信号生成部９１に出力する。
【００７０】
バイアス制御信号生成部９１は、誤差信号算出部９４から入力される誤差信号累積値を内部のレジスタやメモリ等に保持している閾値と比較し、アンプ９２に加える最適なバイアス電圧またはアンプ９２のアイドル電流の制御開始タイミングを設定する。そして、それらの設定が完了すると、誤差信号算出部９４に完了信号を通知する。誤差信号算出部９４は、その完了信号を入力すると、再び、バイアス制御信号生成部９１から前記指示信号を入力するまで処理を休止する。
【００７１】
バイアス制御信号生成部９１及び誤差信号算出部９４は、ハードウェア回路で構成してもよく、マイクロプロセッサによるプログラム実行でソフトウェア処理する回路であってよい。また、ハードウェア回路とソフトウェア処理部が混載した回路であってもよい。
【００７２】
｛バイアス制御信号生成部９１の第１の構成例｝
バイアス制御信号生成部９１は、アンプ９２の送信ＯＦＦ時のアイドル電流が、送信信号の立ち上がりや立下り時に過渡応答がなくなる最小値となるように、アンプ９２に加えるバイアス電圧を設定して、アンプ９２の低消費電力化を図る（図４参照）。
【００７３】
図２３は、本構成例の処理手順を説明するフローチャートである。このフローチャートの処理は、製品製造時に行われる。バイアス制御信号生成部９１及び誤差信号算出部９４には、バースト性を持つテスト信号が送信信号として入力される。
【００７４】
バイアス制御信号生成部９１は、送信ＯＦＦ時のバイアス電圧を、送信ＯＮ時のバイアス電圧に設定する（Ｓ１１）。バイアス制御信号生成部９１は、バースト情報を調べ（Ｓ１２）、送信信号に立ち上がり（送信ＯＦＦ→送信ＯＮ）が発生したか判断する（Ｓ１３）。そして、その立ち上がりを検出しない場合にはステップＳ１２に戻る。
【００７５】
このようにして、バイアス制御信号生成部９１は、送信信号の立ち上がりを検出するまでステップＳ１２〜Ｓ１３の処理を繰り返す。
バイアス制御信号生成部９１は、ステップＳ１３でバースト信号の立ち上がりを検出すると、誤差信号算出部９４に前記指示信号を出力する。誤差信号算出部９４は、前記指示信号が入力されると、アンプ９２に入力する送信信号と可変ＡＴＴ９３から入力される信号との差分（誤差信号）を所定のサンプリング周期で求め、各サンプリング時刻で求めた誤差信号の絶対値を累積（積分）する。そして、その誤差信号累積値（歪量）ErrAcmをバイアス制御信号生成部９１に出力する（Ｓ１４）。
【００７６】
バイアス制御信号生成部９１は、誤差信号算出部１３から入力される誤差信号累積値ErrAcmを閾値Thr1と比較し、Thr1＞ErrAcmであるか判別し（Ｓ１５）、Thr1＞ErrAcmでなければ、送信ＯＦＦ時のバイアス電圧を再設定し（Ｓ１６）、ステップＳ１２に戻る。ステップＳ１６では、バイアス電圧を、例えば、所定値だけ浅く設定する。バイアス電圧が負であれば、その絶対値が所定値だけ低くなるようにする。
【００７７】
ステップＳ１２〜Ｓ１６の処理は、ステップＳ１６で、バイアス制御信号生成部９１がThr1＞ErrAcmと判別するまで繰り返される。そして、バイアス制御信号生成部９１がThr1＞ErrAcmと判別すると、本フローチャートの処理を終了する。バイアス制御信号生成部９１は、この処理終了後、誤差信号算出部１４に完了信号を通知する。
【００７８】
このようにして、バースト性を持つ送信信号のＯＦＦ→ＯＮ（立ち上がり）毎にステップＳ１４〜Ｓ１６の処理を行いながらバイアス電圧を調整し、最終的に、アンプ９２の出力信号の誤差信号累積値が閾値Thr1未満となるバイアス電圧を求める。
【００７９】
｛バイアス制御信号生成部９１の第２の構成例｝
バイアス制御信号生成部９１は、アンプ９２の消費電力を低電力化し、かつ、送信信号の立ち上がり／立ち上がり時にアンプ９２の出力信号に過渡応答が発生しなくなるようにするため、できるだけアンプ９２のドレイン電流の制御開始タイミングを遅らせるようにする（図１４参照）。このため、その制御開始タイミングを設定する。
【００８０】
図２５は、本構成例の処理手順を説明するフローチャートである。このフローチャートの処理は、製品製造時に行われる。バイアス制御信号生成部９１及び誤差信号算出部１４には、バースト性を持つテスト信号が送信信号として入力される。
【００８１】
バイアス制御信号生成部９１は、アンプ９２のドレイン電流の制御開始タイミングを設定する。このタイミングは、十分に余裕をもった長さ（送信信号がＯＮとなる時点よりも時間間隔に余裕があるタイミング）に設定する。（Ｓ２１）。バイアス制御信号生成部１１は、バースト情報を調べ（Ｓ２２）、送信信号に立ち上がり（送信ＯＦＦ→送信ＯＮ）が発生したか判断する（Ｓ２３）。そして、その立ち上がりを検出しない場合にはステップＳ２２に戻る。
【００８２】
このようにして、バイアス制御信号生成部９１は、送信信号の立ち上がりを検出するまでステップＳ２２〜Ｓ２３の処理を繰り返す。
バイアス制御信号生成部９１は、ステップＳ２３でバースト信号の立ち上がりを検出すると、誤差信号算出部９４に前記指示信号を出力する。誤差信号算出部９４は、前記指示信号が入力されると、アンプ９２に入力する送信信号と可変ＡＴＴ９３から入力される信号との差分（誤差信号）を所定のサンプリング周期で求め、各サンプリング時刻で求めた誤差信号の絶対値を累積（積分）する。そして、その誤差信号累積値ErrAcmをバイアス制御信号生成部９１に出力する（Ｓ２４）。
【００８３】
誤差信号算出部１４は、アンプ９２に入力する送信信号と可変ＡＴＴ１３を介して入力されるアンプ９２の出力信号との誤差（誤差信号）を所定のサンプリング周期で求め、各サンプリング時刻で求めた誤差信号の絶対値を累積する。そして、その誤差信号累積値ErrAcmをバイアス制御信号生成部９１に出力する。
【００８４】
バイアス制御信号生成部９１は、誤差信号算出部１３から入力される誤差信号累積値ErrAcmを閾値Thr2と比較し、Thr2＞ErrAcmであるか判別し（Ｓ２５）、Thr2＞ErrAcmでなければ、アンプ９２の制御開始タイミングを再設定し（Ｓ２６）、ステップＳ２２に戻る。ステップＳ２６では、前記制御開始タイミングを、例えば、所定時間だけ遅れるように設定する。
【００８５】
ステップＳ２２〜Ｓ２６の処理は、ステップＳ２５で、バイアス制御信号生成部９１がThr2＞ErrAcmと判別するまで繰り返される。そして、バイアス制御信号生成部９１がThr2＞ErrAcmと判別すると、本フローチャートの処理は終了する。バイアス制御信号生成部９１は、この処理終了後、誤差信号算出部１４に完了信号を通知する。
【００８６】
このようにして、バースト性を持つ送信信号の立ち上がり毎に、ステップＳ２４〜Ｓ２６の処理を行い、それらの切り替わり時にアンプ９２の出力信号の誤差信号累積値が閾値Thr2未満となる制御開始タイミングを決定する。
【００８７】
｛バイアス制御信号生成部９１の第３の構成例｝
バイアス制御信号生成部９１は、上記第１の構成例の機能と第２の構成例の機能の両方を備える。すなわち、誤差信号累積値が閾値Thr1未満となるバイアス電圧を設定すると共に、誤差信号累積値が閾値Thr2未満となる制御開始タイミングを設定する。
【００８８】
図２６は、本構成の処理手順を説明するフローチャートである。同図において、図２４のステップと図２５のステップと同一の処理を行うステップには同じステップ番号を付与している。
【００８９】
バイアス制御信号生成部９１は、まず、ステップＳ１１〜Ｓ１６の処理を行い、アンプ９２に加えるバイアス電圧（前記誤差信号累積値が閾値Thr1未満となるバイアス電圧）を設定する。バイアス制御信号生成部９１は、続いて、ステップＳ２２〜Ｓ２６の処理を行い、アンプ９２のアイドル電流制御の開始タイミングを設定する。そして、以上の処理が終了すると、誤差信号算出部１４に完了信号を通知する。
【００９０】
［実施例１０］
実施例９は、製品製造時に、バイアス制御信号生成部９１が、アンプ９２に加えるバイアス電圧またはアンプ９２のドレイン電流の制御開始タイミングを設定するものであった。
本実施例は、製品稼動時において、バイアス制御信号生成部９１が上記バイアス電圧の設定や上記制御開始タイミングを設定するものである。実施例１０の回路構成は、実施例９と同様である。
【００９１】
｛バイアス制御信号生成部９１の第１の構成例｝
図２６は、本構成の処理手順を説明するフローチャートである。
本構成では、まず、送信ＯＦＦ時のバイアス電圧を、製造時に設定されたバイアス電圧に設定する（Ｓ３１）。以後は、実施例９の第１構成例のステップＳ１２〜Ｓ１６と同様なステップＳ３２〜Ｓ３６の処理を行う。
【００９２】
製造時に設定されたバイアス電圧が、製造集荷後に、動作環境などによる回路の電気的特性の変化などで、Thr1＞ErrAcmを満足しない場合もありうる。このような場合、本構成の処理を製品に組み込むことによって、アンプ９２に印加するバイアス電圧を再設定し、送信信号のオン・オフ切り替え時にアンプ９２の出力信号に歪が発生しないように対処することができると共に、アンプ９２の低消費電力化が可能となる。
【００９３】
｛バイアス制御信号生成部９１の第２の構成例｝
図２７は、本構成の処理手順を説明するフローチャートである。
本構成では、まず、アンプ９２のドレイン電流の制御開始タイミングを、製造時に設定されたタイミングに設定する（Ｓ４１）。以後は、実施例９の第２構成例のステップ２２〜Ｓ２６と同様なステップＳ４２〜Ｓ４６の処理を行う。
【００９４】
製造時に設定された制御開始タイミングが、製造集荷後に、動作環境などによる回路の電気的特性の変化などで、Thr2＞ErrAcmを満足しない場合もありうる。このような場合、本構成の処理を製品に組み込むことによって、アンプ９２のドレイン電流制御の開始タイミングを再設定し、送信信号のオン・オフ切り替え時にアンプ９２の出力信号に歪が発生しないように対処することが可能となると共に、アンプ９２の低消費電力化が可能となる。
【００９５】
｛バイアス制御信号生成部９１の第３の構成例｝
図２８は、本構成の処理手順を説明するフローチャートである。
本構成では、まず、送信ＯＦＦ時のバイアス電圧を、製造時に設定されたバイアス電圧に設定する（Ｓ５１）。以後は、実施例９の第１構成例のステップ１２〜Ｓ１６と同様なステップＳ５２〜Ｓ５４の処理を行う。このようにして、製造時に設定された送信ＯＦＦ時のバイアス電圧を再設定する。
【００９６】
続いて、アンプ９２のドレイン電流の制御開始タイミングを、製造時に設定された制御開始タイミングに設定する（Ｓ６１）。以後は、実施例９の第２の構成例のステップ２２〜Ｓ２６と同様なステップＳ６２〜Ｓ６６の処理を行う。このようにして、製造時に設定されたアンプ９２のドレイン電流の制御開始タイミングを再設定する。
【００９７】
以上のようにして、製品出荷後に、何らかの要因により、前記バイアス電圧や前記制御開始タイミングが不適切になった場合でも、それらを再設定して、送信信号のオン・オフ切り替え時のアンプ９２の出力信号の歪発生の抑制、アンプ９２の低消費電力化を図ることが可能となる。
【００９８】
上記実施例９、１０では、送信信号の立ち上がり時の歪（オーバーシュート）量を誤差信号累積値として求め、それを閾値と比較してアンプ９２に印加する適切なバイアス電圧を求めるようにしているが、送信信号の立ち下がり（送信信号ＯＮ→送信ＯＦＦ）時の歪（アンダーシュート）量を誤差信号累積値として、それを閾値と比較することにより、アンプ９２に印加する適切なバイアス電圧を求めるようにしてもよい。
【００９９】
このように、実施例９、１０では、アンプ９２の出力信号をフィードバックし、その出力信号を増幅前のレベルまで減衰させて、その減衰後の出力信号を増幅前の送信信号と比較することにより、両信号の差分を求め、その差分を歪量（誤差信号累積値）として算出する。そして、その誤差信号累積値が所定の閾値未満となるようなフィードバック制御を行い、アンプ９２に印加するバイアス電圧を調整することにより、送信信号の立ち下がりまたは立ち下がり時におけるアンプ９２の出力信号の歪発生を抑制する。
【０１００】
［変形例］
以上に述べた実施例は、本発明をＦＥＴで構成されたアンプに適用したものである。本発明は、これに限定されることなく、バイポーラトランジスタなど他の半導体素子で構成されたアンプなどにも適用可能である。
【０１０１】
（付記１）
バースト性を持つ送信信号を入力して増幅する増幅器制御装置であって、
前記送信信号のオン／オフに関する情報を基に、送信オフ時に予め前記増幅器のアイドル電流を増加させ、送信オン時に前記増幅器のアイドル電流が減少するように制御する制御手段を、
備えることを特徴とする増幅器制御装置。
（付記２）
付記１記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、前記送信オフ時に前記増幅器に流れるアイドル電流が、送信オン／オフ切り替え時に前記増幅器が過渡応答しない最低レベルに設定されるように制御することを特徴とする。
（付記３）
付記１記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、前記送信オフ時に前記増幅器に流れるアイドル電流が、送信オン期間中の前記送信信号の平均電流に等しくなるように制御することを特徴とする。
（付記４）
付記１記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、前記送信オフ時に前記増幅器に流れるアイドル電流が、送信オン期間の開始時刻における送信信号のレベルに等しくなるように制御することを特徴とする。
（付記５）
付記１記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、前記増幅器に印加するバイアス電圧を制御することにより、前記アイドル電流の値を制御することを特徴とする。
（付記６）
付記５記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オフ時には前記バイアス電圧を浅く設定し、送信オン時には前記バイアス電圧をより深く設定することを特徴とする。
（付記７）
付記５記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オン時には前記増幅器にアイドル電流がほとんど流れなくなるように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
（付記８）
付記５記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オフ時には、通常、前記アイドル電流を小さくし、送信オフから送信オンに切り替わる直前の期間のみ前記アイドル電流を大きくするように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
（付記９）
付記８記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オン期間中に前記増幅器に流れるアイドル電流が、送信オフから送信オンとなる直前のアイドル電流よりも小さく、かつ、前記送信オフ時の通常時におけるアイドル電流よりも大きくなるように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
（付記１０）
付記８記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オンから送信オフに切り替わった直後の期間に前記増幅器にアイドル電流が流れるように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
（付記１１）
付記１０記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オンから送信オフに切り替わった直後の一定期間内に、前記アイドル電流が送信オフであるときのレベルまで減少するように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
（付記１２）
付記１０記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オンから送信オフに切り替わった直後の期間において、前記アイドル電流が前記増幅器の出力電流にダンピングが発生しない時定数で徐々に減少するように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
（付記１３）
付記１０記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オン時における送信信号のレベルに応じて、前記アイドル電流が送信オフ時のレベルにまで下降するタイミングを決定することを特徴とする。
（付記１４）
付記８または１０記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オンとなる直前の期間において、前記増幅器の出力電流にダンピングが発生しない時定数で前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
（付記１５）
付記８または１０記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オン時における送信信号のレベルに応じて、前記アイドル電流を上昇させるタイミングを決定することを特徴とする。
（付記１６）
付記８または１０記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オン期間中に前記増幅器に流れるアイドル電流の値が、送信オフの通常時に前記増幅器に流れるアイドル電流の値よりも大きくなるように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
（付記１７）
付記８または１０記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、連続的に前記送信信号が送信されている時に前記送信信号のレベルが突然上昇する場合、そのレベル変動が発生する直前に、前記増幅器に流れるアイドル電流が前記送信信号のレベル上昇に合わせて増加するように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
（付記１８）
付記１０記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、連続的に前記送信信号が送信されている時に前記送信信号のレベルが突然下降する場合、そのレベル変動が発生した直後に、前記増幅器に流れるアイドル電流が前記送信信号のレベルに合わせて下降するように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
（付記１９）
付記８または１０記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オフから送信オンに切り替わる時点の直前と直後に前記増幅器の動作点が徐々に変更するように、前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
（付記２０）
付記１９記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オン直前に前記増幅器の動作がＢ級からＡ級に変化させ、送信オン直後に前記増幅器の動作をＡ級からＡＢ級に変化させることを特徴とする。
（付記２１）
付記１９記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オン直前に前記増幅器の動作がＢ級からＡ級に変化させ、送信オン直後に前記増幅器の動作をＡ級で一定期動作させ、その後Ａ級からＡＢ級に変化させることを特徴とする。  
（付記２２）
付記１９記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オンから送信オフに切り替わる時点の直前と直後に、前記増幅器の動作点が徐々に変更するように前記バイアス電圧を制御することを特徴とする。
（付記２３）
付記２２記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オフの直前に前記増幅器の動作をＡＢ級からＡ級に変化させ、送信オフ直後に前記増幅器の動作をＡ級からＢ級に変化させることを特徴とする。
（付記２４）
付記２２記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、送信オフの直前に前記増幅器の動作を最初はＡＢ級からＡ級に変化させ、次に送信オフとなる時刻まで前記増幅器をＡ級で動作させ、送信オフとなった直後には、前記増幅器の動作をＡ級からＢ級に変化させることを特徴とする。
（付記２５）
付記１記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、
前記増幅器の出力信号を増幅前のレベルまで減衰して出力する減衰手段と、
前記増幅器に入力する送信信号がオフからオンに立ち上がるときに、該送信信号と前記減衰手段から出力される信号との差分を誤差信号累積値として算出する誤差信号累積値算出手段と、
該誤差信号累積値算出手段によって算出された前記誤差信号累積を基に、前記増幅器に印加するバイアス電圧を制御するバイアス制御手段と、
を備えることを特徴とする。       
（付記２６）
付記１記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、
前記増幅器の出力信号を増幅前のレベルまで減衰して出力する減衰手段と、
前記増幅器に入力する送信信号がオンからオフに立ち下がるときに、前記送信信号と前記減衰手段から出力される信号との差分を誤差信号累積値として算出する誤差信号累積値算出手段と、
該誤差信号累積値算出手段によって算出された前記誤差信号累積値を基に、前記増幅器に印加するバイアス電圧を制御するバイアス制御手段と、
を備えることを特徴とする。
（付記２７）
付記１記載の増幅器制御装置であって、
前記制御手段は、
前記増幅器の出力信号を増幅前のレベルまで減衰して出力する減衰手段と、
前記増幅器に入力する送信信号がオンからオフに立ち下がるときと前記送信信号がオンからオフに立ち下がるときに、前記送信信号と前記減衰手段から出力される信号との差分を誤差信号累積値として算出する誤差信号累積値算出手段と、
該誤差信号累積値算出手段によって算出された前記誤差信号累積値を基に、前記増幅器に印加するバイアス電圧を制御するバイアス制御手段と、
を備えることを特徴とする。
（付記２８）
付記２５、２６または２７記載の増幅器制御装置であって、
前記バイアス制御手段は、前記送信信号がオフの時における前記増幅器のアイドル電流の値が、前記増幅器に過渡応答が発生しなくなる最小値となるように、前記増幅器に印加するバイアス電圧の値を制御することを特徴とする。
（付記２９）
付記２５または２７記載の増幅器制御装置であって、
前記バイアス制御手段は、前記増幅器に印加するバイアス電圧の制御開始タイミングが、前記増幅器に過渡応答が発生しなくなる、できるだけ遅いタイミングとなるように制御することを特徴とする。
（付記３０）
付記２６または２７記載の増幅器制御装置であって、
前記バイアス制御手段は、前記増幅器に印加するバイアス電圧の制御終了タイミングが、前記増幅器に過渡応答が発生しなくなる、できるだけ早いタイミングとなるように制御することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の基本原理を示す図である。
【図２】本発明によるアンプのバイアス電圧制御回路の構成例を示す図である。
【図３】本発明の実施例１による、送信ＯＦＦ時と送信ＯＮ時におけるアンプのドレイン電流の様子を例示する図である。
【図４】本発明の実施例２におけるバイアス電圧の設定例を示す図である。
【図５】図４のバイアス電圧設定に応じたアンプのアイドル電流の変化を示す図である。
【図６】本発明の実施例３におけるアンプの動作点の変更例を示す図である。
【図７】図６の方法におけるアンプのバイアス電圧の設定例を示す図である。
【図８】図６のようにアンプ動作が行われた場合にアンプに流れるアイドル電流の変化の様子を示す図である。
【図９】本発明の実施例４におけるアンプ動作点の変更を行うためのバイアス電圧の設定例を示す図である。
【図１０】図９に示すバイアス電圧の制御に応じて変化するアンプに流れるアイドル電流の様子を示す図である。
【図１１】本発明の実施例５におけるドレイン電流がダンピング（オーバーシュート及びアンダーシュート）しない時定数でバイアス電圧を制御する方法を示す図である。
【図１２】図１１に示すようにバイアス電圧を制御した場合における、アンプに流れるドレイン電流の変化の様子を示す図である。
【図１３】本発明の実施例６におけるバイアス電圧の設定例を示す図である。
【図１４】図１３のバイアス電圧設定制御による、送信信号の大きさに応じたアイドル電流の制御タイミングを示す図である。
【図１５】信号が常に送信されているときにおける信号の急激なレベル変動の様子を示す図である。
【図１６】本発明の実施例７におけるバイアス電圧制御方法を示す図である。
【図１７】図１６に示すバイアス電圧制御を行った場合における、アンプに流れるドレイン電流の変化の様子を示す図である。
【図１８】本発明の実施例８におけるアイドル電流制御方法（その１）のイメージ図である。
【図１９】本発明の実施例８におけるアイドル電流制御方法（その２）のイメージ図である。
【図２０】図１８のアイドル電流制御を行うためのアンプに加えるバイアス電圧の制御方法を示す。
【図２１】図１９のアイドル電流制御を行うためのアンプ２に加えるバイアス電圧の制御方法を示す。
【図２２】本発明の実施例９の回路構成例を示す図である。
【図２３】実施例９におけるバイアス制御信号生成部の第１構成例の処理手順を説明するフローチャートである。
【図２４】実施例９におけるバイアス制御信号生成部の第２構成例の処理手順を説明するフローチャートである。
【図２５】実施例９におけるバイアス制御信号生成部の第３構成例の処理手順を説明するフローチャートである。
【図２６】実施例１０におけるバイアス制御信号生成部の第１構成例の処理手順を説明するフローチャートである。
【図２７】実施例１０におけるバイアス制御信号生成部の第２構成例の処理手順を説明するフローチャートである。
【図２８】実施例１０におけるバイアス制御信号生成部の第３構成例の処理手順を説明するフローチャートである。
【図２９】バースト性を持つ信号（バースト信号）のイメージ図である。
【図３０】バースト性を持つＴＤＤ信号等をアンプにて電力増幅する場合に発生するアンプ電源系の過渡応答のイメージ図である。
【図３１】バースト性を持つ送信信号のＯＮ、ＯＦＦ時にアンプに流れる電流の変化を示す図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１、９１      バイアス制御信号生成部
２、９２      アンプ
１１          アイドル電流
１３          送信信号による電流変動
１７          送信ＯＮ期間中の送信信号の平均電流
９３          可変ＡＴＴ
９４          誤差信号算出部
【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図１１】
2008011086.tif 000009
【図１３】
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【図１６】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図１】
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【図３】
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【図８】
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【図１０】
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【図１２】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図３１】
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