(57)【要約】【課題】ＪＢＳのＰＮダイオードを構成する不純物層とショットキー電極とをオーミック接触させられるようにする。【解決手段】ショットキー電極４を複数の電極材料で構成し、上層電極４ｂをｎ-型ドリフト層２とショットキー接触させつつ、下層電極４ａを各ｐ型層８とオーミック接触させるようにする。これにより、ショットキーダイオード特性とＰＮダイオード特性の２つを兼ね備えたＪＢＳとして、各特性を有効に生かすことが可能となる。【選択図】図１
2008282972.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面（１ａ）および裏面（１ｂ）を有し、第１導電型の炭化珪素からなる基板（１）と、
前記基板（１）の前記主表面（１ａ）上に形成され、前記基板（１）よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなるドリフト層（２）と、
前記ドリフト層（２）の上に配置され、該ドリフト層（２）におけるセル部に開口部（３ａ）が形成された絶縁膜（３）と、
前記セル部に形成され、前記絶縁膜（３）の開口部（３ａ）を通じて、前記ドリフト層（２）の表面とショットキー接触するように形成されたショットキー電極（４）と、前記基板（１）の裏面（１ｂ）に形成されたオーミック電極（５）とを備えてなるショットキーバリアダイオード（１０）と、
前記セル部の外周領域に形成され、前記ドリフト層（２）の表層部において、前記セル部を囲むように形成された第２導電型のリサーフ層（６）を含む終端構造と、
前記リサーフ層（６）の内側となる前記ショットキー電極（４）のうち前記ドリフト層（２）と接する領域の下方に、前記ドリフト層（２）の表面において前記ショットキー電極（４）と接続されるように形成され、かつ、互いに離間して配置された複数の第２導電型層（８）とを備え、
前記複数の第２導電型層（８）と前記ドリフト層（２）とによりＰＮダイオードが構成され、
前記ショットキー電極（４）は、前記複数の第２導電型層（８）とオーミック接触する電極材料で構成された第１電極（４ａ）と、前記第１電極（４ａ）と接触し、かつ、前記ドリフト層（２）とショットキー接触する電極材料で構成された第２電極（４ｂ）と、を有していることを特徴とするジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置。
【請求項２】
前記第１電極（４ａ）が下層電極とされ、前記第２電極（４ｂ）を前記第１電極（４ａ）を覆う上層電極とされていることを特徴とする請求項１に記載のジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置。
【請求項３】
前記第１導電型はｎ型、前記第２導電型はｐ型であり、前記第１電極（４ａ）は、ｐ型半導体とオーミック接触させられるＡｌであることを特徴とする請求項１または２に記載のジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置。
【請求項４】
主表面（１ａ）および裏面（１ｂ）を有し、第１導電型の炭化珪素からなる基板（１）と、
前記基板（１）の前記主表面（１ａ）上に形成され、前記基板（１）よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなるドリフト層（２）と、
前記ドリフト層（２）の上に配置され、該ドリフト層（２）におけるセル部に開口部（３ａ）が形成された絶縁膜（３）と、
前記セル部に形成され、前記絶縁膜（３）の開口部（３ａ）を通じて、前記ドリフト層（２）の表面とショットキー接触するように形成されたショットキー電極（４）と、前記基板（１）の裏面（１ｂ）に形成されたオーミック電極（５）とを備えてなるショットキーバリアダイオード（１０）と、
前記セル部の外周領域に形成され、前記ドリフト層（２）の表層部において、前記セル部を囲むように形成された第２導電型のリサーフ層（６）を含む終端構造と、
前記リサーフ層（６）の内側となる前記ショットキー電極（４）のうち前記ドリフト層（２）と接する領域の下方に、前記ドリフト層（２）の表面において前記ショットキー電極（４）と接続されるように形成され、かつ、互いに離間して配置された複数の第２導電型層（８）とを備え、
前記複数の第２導電型層（８）と前記ドリフト層（２）とによりＰＮダイオードが構成され、
前記複数の第２導電型層（８）は、前記ショットキー電極（４）側の方が該ショットキー電極（４）から離れた位置よりも高濃度とされ、前記ショットキー電極（４）に対してオーミック接触させられていることを特徴とするジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置。
【請求項５】
前記複数の第２導電型層（８）は、前記ショットキー電極（４）と接触する表層部において、不純物濃度が１×１０20ｃｍ-3以上とされていることを特徴とする請求項４に記載のジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置。
【請求項６】
前記複数の第２導電型層（８）は、前記ショットキー電極（４）のうち前記ドリフト層（２）と接する領域の中心に位置する中心部（８ａ）と、該中心部（８ａ）を中心として囲むように配置されていると共に該中心部（８ａ）を中心として点対称とされた複数の環状部（８ｂ〜８ｅ）とを有し、前記複数の環状部（８ｂ〜８ｅ）の最も前記中心部（８ａ）の外周側に配置されるものを外周部（８ｅ）とすると、前記中心部（８ａ）を中心として径方向に切断した断面において、前記複数の環状部（８ｂ〜８ｅ）のうち前記中心部（８ａ）と前記外周部（８ｅ）の間に位置する内周部（８ｂ〜８ｄ）が、前記中心部（８ａ）と前記外周部（８ｅ）の間で対称となる形状とされていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載のジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置。
【請求項７】
前記複数の第２導電型層（８）は、前記中心部（８ａ）を中心とした同心円状に並べられていることを特徴とする請求項６に記載のジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置。
【請求項８】
前記複数の第２導電型層（８）は、前記中心部（８ａ）が角を丸めた正多角形で構成されていると共に、前記環状部（８ｂ〜８ｅ）も前記中心部（８ａ）と同じ角を丸めた正多角形とされていることを特徴とする請求項６に記載のジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置。
【請求項９】
前記外周部（８ｅ）は前記リサーフ層（６）の内側の端部と接触もしくは前記リサーフ層（６）の内部に含まれることを特徴とする請求項６ないし８のいずれか１つに記載のジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化珪素（以下、ＳｉＣという）を用いて構成されたジャンクションバリアショットキーダイオード（以下、ＪＢＳという）を備えるＳｉＣ半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ショットキーバリアダイオード（以下、ＳＢＤという）では、ショットキー電極と半導体と界面において、電極材料となる金属と半導体との仕事関数差が小さいため、物性上、ＰＮダイオードと比べて逆方向電圧印加時のリーク電流が大きくなるという問題を有している。
【０００３】
これに対し、従来、特許文献１において、ショットキー接合の一部にＰＮダイオードを作り込み、逆方向電圧印加時のリーク電流を抑制する構造が提案されている。具体的には、ショットキー電極とｎ-型ドリフト層とが接触する領域、つまり終端構造（外周耐圧領域）を構成するリサーフ層よりも内側に、ドリフト層の表面部や内部にストライプ状に延設されたｐ型層を配置することで、ショットキー接合の一部にＰＮダイオードを作り込んだＪＢＳとしている。
【０００４】
このようなＪＢＳは、ショットキーダイオード特性とＰＮダイオード特性、すなわちＶ−Ｉ特性において、ショットキーダイオードのように比較的小さい電圧でブレークダウンしたのち電圧上昇に対して電流が所定の傾きで大きくなる特性と、ＰＮダイオードのようにショットキーダイオードより高い電圧でブレークダウンすると雪崩的に電流が大きくなる特性の２つを兼ね備えているという特徴を有している。
【特許文献１】特開２０００−２９４８０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のＪＢＳでは、ショットキー電極をｎ-型ドリフト層とショットキー接触させなければならないため、電極材料としてショットキー障壁を形成できる金属が用いられている。このため、ｐ型層とオーミックコンタクトが図りにくく、ＪＢＳの特徴を有効に生かせなくなるという問題がある。
【０００６】
本発明は上記点に鑑みて、ＪＢＳのＰＮダイオードを構成する不純物層とショットキー電極とをオーミック接触させられるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明では、絶縁膜（３）の開口部（３ａ）を通じて、ドリフト層（２）の表面とショットキー接触するように形成されたショットキー電極（４）と、基板（１）の裏面（１ｂ）に形成されたオーミック電極（５）とを備えてなるショットキーバリアダイオード（１０）がセル部に形成されている共に、ドリフト層（２）の表層部において、セル部を囲むように形成された第２導電型のリサーフ層（６）を含む終端構造がセル部の外周領域に形成され、さらに、リサーフ層（６）の内側となるショットキー電極（４）のうちドリフト層（２）と接する領域の下方に、ドリフト層（２）の表面においてショットキー電極（４）と接続されるように、かつ、互いに離間するように配置された複数の第２導電型層（８）が形成され、複数の第２導電型層（８）とドリフト層（２）とによりＰＮダイオードが構成されたショットキーバリアダイオードを備えた炭化珪素半導体装置において、ショットキー電極（４）は、複数の第２導電型層（８）とオーミック接触する電極材料で構成された第１電極（４ａ）と、第１電極（４ａ）と接触し、かつ、ドリフト層（２）とショットキー接触する電極材料で構成された第２電極（４ｂ）と、を有した構成とされていることを第１の特徴としている。
【０００８】
このように、ショットキー電極（４）を複数の電極材料で構成し、第２電極（４ｂ）をドリフト層（２）とショットキー接触させつつ、第１電極（４ａ）を各第２導電型層（８）とオーミック接触させるようにしている。これにより、ショットキーダイオード特性とＰＮダイオード特性の２つを兼ね備えたＪＢＳとして、各特性を有効に生かすことが可能となる。
【０００９】
このような構造とされる場合、例えば、第１電極（４ａ）が下層電極、第２電極（４ｂ）が第１電極（４ａ）を覆う上層電極とされる。また、この逆の構造であっても構わない。
【００１０】
なお、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とする場合、例えば、第１電極（４ａ）の電極材料として、ｐ型半導体とオーミック接触させられるＡｌを用いることができる。
【００１１】
また、本発明では、複数の第２導電型層（８）は、ショットキー電極（４）側の方が該ショットキー電極（４）から離れた位置よりも高濃度とされ、ショットキー電極（４）に対してオーミック接触させられていることを第２の特徴としている。
【００１２】
このように、第２導電型層（８）のうちショットキー電極（４）と接触する部位の第２導電型不純物の濃度を濃くすることによっても、上記と同様の効果を得ることができる。例えば、複数の第２導電型層（８）のうちショットキー電極（４）と接触する表層部の不純物濃度が１×１０20ｃｍ-3以上とされるようにすれば良い。
【００１３】
このような複数の第２導電型層（８）としては、例えば、ショットキー電極（４）のうちドリフト層（２）と接する領域の中心に位置する中心部（８ａ）と、該中心部（８ａ）を中心として囲むように配置されていると共に該中心部（８ａ）を中心として点対称とされた複数の環状部（８ｂ〜８ｅ）とを有した構造とし、複数の環状部（８ｂ〜８ｅ）の最も中心部（８ａ）の外周側に配置されるものを外周部（８ｅ）とすると、中心部（８ａ）を中心として径方向に切断した断面において、複数の環状部（８ｂ〜８ｅ）のうち中心部（８ａ）と外周部（８ｅ）の間に位置する内周部（８ｂ〜８ｄ）が、中心部（８ａ）と外周部（８ｅ）の間で対称となる形状とすることができる。
【００１４】
この場合、複数の第２導電型層（８）は、中心部（８ａ）を中心とした同心円状に並べたレイアウトとしても良いし、中心部（８ａ）を角を丸めた正多角形とし、環状部（８ｂ〜８ｅ）も中心部（８ａ）と同じ角を丸めた正多角形としたレイアウトとしても良い。
【００１５】
また、複数の第２導電型層（８）のうち最も中心部（８ａ）に対して外周側に位置する外周部（８ｅ）をリサーフ層（６）の内側の端部に接触させることができる。
【００１６】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００１８】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。図１に、本実施形態にかかるＪＢＳを備えたＳｉＣ半導体装置の断面図を示す。また、図２に、図１に示すＳｉＣ半導体装置の上面レイアウト図を示す。図１は、図２のＡ−Ａ断面に相当する断面図である。以下、これらを参照して、本実施形態のＳｉＣ半導体装置について説明する。
【００１９】
図１に示すように、ＳｉＣ半導体装置は、例えば２×１０18〜１×１０21ｃｍ-3程度不純物濃度とされた炭化珪素からなるｎ+型基板１を用いて形成されている。ｎ+型基板１の上面を主表面１ａ、主表面１ａの反対面である下面を裏面１ｂとすると、主表面１ａ上には、基板１よりも低いドーパント濃度、例えば５×１０15（±５０％）ｃｍ-3程度不純物濃度とされた炭化珪素からなるｎ-型ドリフト層２が積層されている。これらｎ+型基板１およびｎ-型ドリフト層２のセル部にＳＢＤ１０が形成されていると共に、その外周領域に終端構造が形成されることでＳｉＣ半導体装置が構成されている。
【００２０】
具体的には、ｎ-型ドリフト層２の表面には、セル部において部分的に開口部３ａが形成されたシリコン酸化膜などで構成された絶縁膜３が形成され、この絶縁膜３の開口部３ａにおいてｎ-型ドリフト層２とショットキー接触するように、例えばＭｏ（モリブデン）もしくはＴｉ（チタン）にて構成された部分を主な電極材料とするショットキー電極４が形成されている。絶縁膜３に形成された開口部３ａは、図２に示すように円形状とされており、ショットキー電極４はこの円形状の開口部３ａにおいてｎ-型ドリフト層２にショットキー接続されている。なお、ショットキー電極４のうち、後述するｐ型層８との接触部分に関しては、ＭｏやＴｉなどの電極材料とは異なる材料が用いられているが、これに関しては後で詳細に説明する。
【００２１】
一方、ｎ+型基板１の裏面と接触するように、例えばＮｉ（ニッケル）、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ（タングステン）等により構成されたオーミック電極５が形成されている。これにより、ＳＢＤ１０が構成されている。
【００２２】
また、ＳＢＤ１０の外周領域に形成された終端構造として、ショットキー電極４の両端位置において、ショットキー電極４と接するように、ｎ-型ドリフト層２の表層部にｐ型リサーフ層６が形成されていると共に、ｐ型リサーフ層６の外周をさらに囲むように複数個のｐ型ガードリング層７等が配置され、終端構造が構成されている。ｐ型リサーフ層６は、例えばＡｌを不純物として用いて構成されたものであり、例えば、５×１０16〜１×１０18ｃｍ-3程度の不純物濃度で構成されている。これらｐ型リサーフ層６やｐ型ガードリング層７は、図２に示すようにセル部を囲むように円環状とされ、これらを配置することにより、ＳＢＤ１０の外周において電界が広範囲に延びるようにでき、電界集中を緩和できるため、耐圧を向上させることができる。
【００２３】
さらに、終端構造を構成する部分のうち最もセル部側に位置しているｐ型リサーフ層６の内側（内周側）の端部よりもさらに内側に、ショットキー電極４と接するように構成されたｐ型層８が形成されることで、ｐ型層８とｎ-型ドリフト層２によるＰＮダイオードが作り込まれたＪＢＳを構成している。ｐ型層８は、図２に示すように、セル部の外縁（ショットキー電極４の外縁）に沿うような円環状とされ、ショットキー電極４のうちｎ-型ドリフト層２と接触する領域の中心に位置する円形状の中心部８ａを中心として、同心円状に複数個（本実施形態では４個）の円環状部８ｂ〜８ｅが配置されている。また、複数のｐ型層８のうちの最も外周側に位置する外周部８ｅがｐ型リサーフ層６の内側の端部と接触もしくはリサーフ層６の内部に含まれるように配置されている。そして、中心部８ａと外周部８ｅとの間に配置される内周部８ｂ〜８ｄが、中心部８ａを中心とする径方向に切断する断面において、対称的に配置されるように、各ｐ型層８ａ〜８ｅが等しい間隔Ｗ１だけ空けた配置とされ、かつ、各ｐ型層８ａ〜８ｅの幅Ｗ２も等しくされた構造とされている。このようなｐ型層８は、例えば、５×１０17〜１×１０20ｃｍ-3程度の不純物濃度で構成され、各ｐ型層８の間隔Ｗ１が２．０±０．５μｍ程度、幅Ｗ２（図２の径方向寸法）が１．５±０．５μｍ程度とされている。
【００２４】
図３は、図１に示したＪＢＳを備えたＳｉＣ半導体装置の部分拡大図である。この図を参照して、本実施形態のショットキー電極４の詳細構造について説明する。
【００２５】
ショットキー電極４は、図３に示すように、各ｐ型層８と接する下層電極４ａに関しては、ｐ型層８とオーミック接触できる電極材料、例えばＡｌ等で構成されており、下層電極４ａを覆うように配置された上層電極４ｂは、上述したように主にＭｏやＴｉにより構成され、ｎ-型ドリフト層２と接触した構造となっている。このため、上層電極４ｂをｎ-型ドリフト層２とショットキー接触させつつ、下層電極４ａを各ｐ型層８とオーミック接触させることが可能となり、ショットキーダイオード特性とＰＮダイオード特性の２つを兼ね備えたＪＢＳとして、各特性を有効に生かすことが可能となる。
【００２６】
このような構造のＪＢＳを備えたＳｉＣ半導体装置では、ショットキー電極４をアノードとオーミック電極５をカソードとして、ショットキー電極４に対してショットキー障壁を超える電圧を印加すると、ショットキー電極４とオーミック電極の間に電流が流れる。
【００２７】
一方、外周部領域に関しては、オフ時にショットキー電極４の下方に配置した複数個のｐ型層８からｎ-型ドリフト層２に向かって伸びる空乏層により、ｐ型層８に挟まれたｎ-型ドリフト層２が完全空乏化する。このため、サージ発生時（逆方向電圧印加時）のリーク電流を低減することが可能となる。
【００２８】
そして、上層電極４ｂをｎ-型ドリフト層２とショットキー接触させつつ、下層電極４ａを各ｐ型層８とオーミック接触させているため、ショットキーダイオード特性とＰＮダイオード特性の２つを兼ね備えたＪＢＳとして、各特性を有効に生かすことが可能となる。
【００２９】
次に、本実施形態にかかるＳｉＣ半導体装置の製造方法について説明する。図４は、図１に示すＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。なお、図４中では図を簡略化してｐ型ガードリング層７を省略してある。
【００３０】
まず、図４（ａ）に示す工程では、ｎ+型基板１の主表面１ａにｎ-型ドリフト層２をエピタキシャル成長させる。続いて、図４（ｂ）に示す工程では、ＬＴＯ（low-temperature oxide）等で構成されたマスク１１を配置したのち、フォトリソグラフィ・エッチング工程にてマスク１１のうちｐ型リサーフ層６およびｐ型ガードリング層７の形成予定領域を開口させる。そして、このマスク１１を用いて例えばＡｌなどのｐ型不純物をイオン注入し、熱処理などによって活性化することでｐ型リサーフ層６およびｐ型ガードリング層７を形成する。
【００３１】
次に、図４（ｃ）に示す工程では、マスク１１を除去したのち、再びＬＴＯ等で構成されたマスク１２を配置したのち、フォトリソグラフィ・エッチング工程にてマスク１２のうちｐ型層８の形成予定領域を開口させる。そして、このマスク１２を用いて例えばＡｌなどのｐ型不純物をイオン注入し、熱処理などによって活性化することでｐ型層８を形成する。このとき、イオン注入のエネルギーをｐ型リサーフ層６やｐ型ガードリング層７の形成時よりも高く設定することで、ｐ型不純物がより深くまで注入されるようにすることができる。
【００３２】
その後、図４（ｄ）に示す工程では、マスク１２を除去したのち、ｎ+型基板１の裏面１ｂ側にニッケル、チタン、モリブデン、タングステン等により構成される金属層を形成することにより、オーミック電極５を形成する。さらに、例えば、犠牲酸化でＳｉＣ表面を清浄化した後、プラズマＣＶＤによりシリコン酸化膜を成膜したのち、これをリフロー処理することで絶縁膜３を成膜し、フォトリソグラフィ・エッチング工程を経て、絶縁膜３に対して開口部３ａを形成する。
【００３３】
そして、図５（ａ）に示す工程において、開口部３ａ内を含めて絶縁膜３の上にＡｌ等で構成される金属層を形成したのち、図５（ｂ）に示す工程において、この金属層をパターニングすることで各ｐ型層８と接触する下層電極４ａを形成する。
【００３４】
続いて、図５（ｂ）に示す工程では、下層電極４ａを覆うように、開口部３ａ内を含めて絶縁膜３の上にＭｏもしくはＴｉで構成される金属層を形成したのち、この金属層をパターニングすることで上層電極４ｂを形成する。これにより、ショットキー電極４が形成される。これにより、図１に示したＳＢＤ１０を備えたＳｉＣ半導体装置が完成する。
【００３５】
以上説明したように、本実施形態のＳｉＣ半導体装置では、ショットキー電極４を複数の電極材料で構成し、上層電極４ｂをｎ-型ドリフト層２とショットキー接触させつつ、下層電極４ａを各ｐ型層８とオーミック接触させるようにしている。これにより、ショットキーダイオード特性とＰＮダイオード特性の２つを兼ね備えたＪＢＳとして、各特性を有効に生かすことが可能となる。
【００３６】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。図６は、本実施形態にかかるＪＢＳを備えたＳｉＣ半導体装置の断面図である。本実施形態は、ショットキー電極４はＭｏやＴｉ等で構成された１層構造とし、ｐ型層８の不純物濃度を第１実施形態に対して変更することで、ｐ型層８とショットキー電極４とをオーミック接触させるようにしたものであり、その他に関しては、第１実施形態と同様である。
【００３７】
図６に示すように、本実施形態では、ｐ型層８の不純物濃度が表層部においてそれよりも深い位置よりも高濃度とされている。例えば、ｐ型層８のうちショットキー電極４と接触する部位は、ｐ型不純物の濃度が１×１０20ｃｍ-3以上とされている。これにより、ｐ型層８とショットキー電極４とがオーミック接触となっている。このように、ｐ型層８のうちショットキー電極４と接触する部位のｐ型不純物の濃度を濃くすることによっても、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３８】
なお、本実施形態のＳｉＣ半導体装置の製造方法は、基本的には第１実施形態と同様であるが、図４（ｃ）に示す工程において、ｐ型層８のイオン注入のプロファイルを第１実施形態に対して変更し、表層部において濃くなるようにすると共に、図５（ａ）、（ｂ）に示す工程を省略し、最初からＭｏやＴｉ等によりショットキー電極４を形成することになる。
【００３９】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。図７は、本実施形態にかかるＪＢＳを備えたＳｉＣ半導体装置の上面レイアウト図である。この図のＢ−Ｂ断面が図１、図６に相当する。本実施形態のＳｉＣ半導体装置は、第１、第２実施形態に対してＪＢＳおよび終端構造のレイアウト構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
【００４０】
図７に示すように、本実施形態では、ｐ型リサーフ層６の内側の端部を角を丸めた正方形とし、各ｐ型層８ａ〜８ｅもその形状に合わせて角を丸めた正方形状としている。換言すると、中心部８ａが角を丸めた正方形とされ、それを囲むように他のｐ型層８ｂ〜８ｅも角を丸めた正方形の枠状とされている。このような構成にしても、上記第１、第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４１】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。図８は、本実施形態にかかるＪＢＳを備えたＳｉＣ半導体装置の上面レイアウト図である。この図のＣ−Ｃ断面がほぼ図１、図６と一致する。本実施形態のＳｉＣ半導体装置は、第１、第２実施形態に対してＪＢＳおよび終端構造のレイアウト構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
【００４２】
図８に示すように、本実施形態では、ｐ型リサーフ層６の内側の端部を正六角形とし、その内側に正六角形とされたｐ型層８を多数ハニカム状に配置した構造としている。各ｐ型層８は同サイズとされ、各ｐ型層８の間（各ｐ型層８の周囲を囲む部分）のｎ-型ドリフト層２は等間隔とされている。そして、各ｐ型層８は、ショットキー電極４の中心に対して点対称に配置されている。なお、図８のＣ−Ｃ断面中において、ｐ型層８は６個しか配置されていないため、実際には図１の断面とｐ型層８の個数が異なるが、図８で示したｐ型層８の個数などは単なる例示であり、これ以上の数であっても構わない。このような構成にしても、上記第１、第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４３】
（他の実施形態）
上記各実施形態では、各図においてｐ型層８の数の一例を示したが、これに限るものではない。また、第６施形態において、ｐ型リサーフ層６の内側の端部の形状やｐ型層８の形状として、角の丸めた正方形を例に挙げて説明したが、その他の角を丸めた正多角形としても構わない。勿論、特許文献１に示されるようにｐ型層８がストライプ状に配置されるものにおいて、ｐ型リサーフ層６よりも深くするような構造としても構わない。
【００４４】
また、上記実施形態では、第１導電型をｎ型とし、第２導電型をｐ型とするＳｉＣ半導体装置について説明したが、各導電型を反転させた構造としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第１実施形態にかかるＪＢＳを備えたＳｉＣ半導体装置の断面図である。
【図２】図１に示すＳｉＣ半導体装置の上面レイアウト図を示す。
【図３】図１に示すＳｉＣ半導体装置のＪＢＳ部分の拡大断面図である。
【図４】図１に示すＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図５】図４に続くＳｉＣ半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかるＪＢＳを備えたＳｉＣ半導体装置の断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態にかかるＪＢＳを備えたＳｉＣ半導体装置の上面レイアウト図である。
【図８】本発明の第４実施形態にかかるＪＢＳを備えたＳｉＣ半導体装置の上面レイアウト図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…ｎ+型基板、１ａ…主表面、１ｂ…裏面、２…ｎ-型ドリフト層、３…絶縁膜、３ａ…開口部、４…ショットキー電極、４ａ…下層電極、４ｂ…上層電極、５…オーミック電極、６…ｐ型リサーフ層、７…ｐ型ガードリング層、８…ｐ型層、８ａ…中心部、８ｂ〜８ｄ…内周部、８ｅ…外周部、１０…ＳＢＤ、１１…マスク、１２…マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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