(57)【要約】【課題】  半導体スイッチ回路の信号経路を簡略化する。【解決手段】  高周波スイッチ１０には、制御回路１、ＳＰ６Ｔ（内部回路部）２、ＲＦ端子ＰＲＦ１乃至ＰＲＦ６、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭ、制御端子ＰＶ１乃至ＰＶ３、高電位側電源端子PＶＤＤ、低電位側電源端子ＰＶＳＳ、及び接地端子ＰＶＳが設けられている。ＳＰ６Ｔ（内部回路部）２は、制御回路１から出力されるスイッチ制御信号Ｓ１１乃至Ｓ１６にもとづいて、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ１乃至ＰＲＦ６のいずれか１つのＲＦ端子間を活性化して高周波（ＲＦ）信号を伝播させる。【選択図】  図１
2008011120.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｃｈ  絶縁ゲート電界効果トランジスタから構成されるスルーＦＥＴと、
ゲートが前記スルーＦＥＴのゲートに接続されるＰｃｈ  絶縁ゲート電界効果トランジスタから構成されるシャントＦＥＴと、
前記スルーＦＥＴ及び前記シャントＦＥＴのゲートにスイッチ制御信号を出力し、前記スイッチ制御信号の信号レベルが“Ｈｉｇｈ”の場合、前記スルーＦＥＴを“ＯＮ”させ、前記シャントＦＥＴを“ＯＦＦ”させ、前記スイッチ制御信号の信号レベルが“Ｌｏｗ”の場合、前記スルーＦＥＴを“ＯＦＦ”させ、前記シャントＦＥＴを“ＯＮ”させる端子と、
を具備することを特徴とする半導体スイッチ回路。
【請求項２】
共通端子と信号端子との間に設けられ、Ｎｃｈ  絶縁ゲート電界効果トランジスタから構成されるスルーＦＥＴと、
前記共通端子と接地端子の間に設けられ、ゲートが前記スルーＦＥＴのゲートに接続されるＰｃｈ  絶縁ゲート電界効果トランジスタから構成されるシャントＦＥＴと、
前記スルーＦＥＴ及び前記シャントＦＥＴのゲートにスイッチ制御信号を出力し、前記スイッチ制御信号の信号レベルが“Ｈｉｇｈ”の場合、前記シャントＦＥＴを“ＯＦＦ”させ、前記スルーＦＥＴを“ＯＮ”させて前記共通端子と前記信号端子の間をアクティブにし、前記スイッチ制御信号の信号レベルが“Ｌｏｗ”の場合、前記スルーＦＥＴを“ＯＦＦ”させ、前記シャントＦＥＴを“ＯＮ”させて前記共通端子と前記信号端子の間を“ＯＦＦ”させる端子と、
を具備することを特徴とする半導体スイッチ回路。
【請求項３】
前記スルーＦＥＴのゲートが第１の抵抗に接続され、前記シャントＦＥＴのゲートが第２の抵抗に接続され、前記第１の抵抗を介して前記スイッチ制御信号が前記スルーＦＥＴのゲートに入力され、前記第２の抵抗を介して前記スイッチ制御信号が前記シャントＦＥＴのゲートに入力されることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体スイッチ回路。
【請求項４】
共通端子と信号端子との間に設けられ、バックゲートがソースに接続され、ゲートが第１の抵抗に接続され、Ｎｃｈ  絶縁ゲート電界効果トランジスタから構成されるスルーＦＥＴと、
前記共通端子と接地端子との間に設けられ、バックゲートがソースに接続され、ゲートが第２の抵抗に接続され、ゲートが前記第２の抵抗及び前記第１の抵抗を介して前記スルーＦＥＴのゲートに接続され、Ｐｃｈ  絶縁ゲート電界効果トランジスタから構成されるシャントＦＥＴと、
前記第１の抵抗を介して前記スルーＦＥＴのゲートと前記第２の抵抗を介して前記シャントＦＥＴのゲートとにスイッチ制御信号を出力し、前記スイッチ制御信号の信号レベルが“Ｈｉｇｈ”の場合、前記シャントＦＥＴを“ＯＦＦ”させ、前記スルーＦＥＴを“ＯＮ”させて前記共通端子と前記信号端子の間をアクティブにし、前記スイッチ制御信号の信号レベルが“Ｌｏｗ”の場合、前記スルーＦＥＴを“ＯＦＦ”させ、前記シャントＦＥＴを“ＯＮ”させて前記共通端子と前記信号端子の間を“ＯＦＦ”させる端子と、
を具備することを特徴とする半導体スイッチ回路。
【請求項５】
共通端子と信号端子との間に設けられ、ゲートが第１の抵抗に接続され、バックゲートと接地電位の間に第２の抵抗が設けられ、Ｎｃｈ  絶縁ゲート電界効果トランジスタから構成されるスルーＦＥＴと、
前記共通端子と前記接地端子との間に設けられ、ゲートが第３の抵抗に接続され、ゲートが前記第３の抵抗及び前記第１の抵抗を介して前記スルーＦＥＴのゲートに接続され、バックゲートと高電位側電源の間に第４の抵抗が設けられ、Ｐｃｈ  絶縁ゲート電界効果トランジスタから構成されるシャントＦＥＴと、
前記第１の抵抗を介して前記スルーＦＥＴのゲートと前記第３の抵抗を介して前記シャントＦＥＴのゲートとにスイッチ制御信号を出力し、前記スイッチ制御信号の信号レベルが“Ｈｉｇｈ”の場合、前記シャントＦＥＴを“ＯＦＦ”させ、前記スルーＦＥＴを“ＯＮ”させて前記共通端子と前記信号端子の間をアクティブにし、前記スイッチ制御信号の信号レベルが“Ｌｏｗ”の場合、前記スルーＦＥＴを“ＯＦＦ”させ、前記シャントＦＥＴを“ＯＮ”させて前記共通端子と前記信号端子の間を“ＯＦＦ”させる端子と、
を具備することを特徴とする半導体スイッチ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スイッチに係り、特に高周波（ＲＦ）信号の切り替えを行うスイッチ回路及び半導体集積回路の内部信号を切り替えるスイッチ回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
スイッチ回路としての高周波（ＲＦ）スイッチは、移動体通信やＬＡＮ分野などの無線通信システムの重要な構成部品であり、携帯電話、無線インフラ設備、衛星通信設備、或いはケーブルＴＶ設備などに数多く使用されている。また、半導体集積回路で生成される内部信号を切り替え、その信号を論理回路やメモリなどに出力するスイッチ回路が用いられている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１などに記載されているＲＦスイッチでは、移動体通信の進展に伴い、周波数の異なる種々の規格のＲＦ信号を切り替えるために、例えばＳＰ６ＴやＳＰ７Ｔなどの多ポートＲＦスイッチが使用されている。そして、制御信号を発生する制御回路やドライバなどの内蔵化が進行している。また、半導体集積回路の高集積度化、システム化の進展に伴い、内部信号を切り替える多ポートスイッチが使用されている。
【０００４】
ところが、多ポートスイッチ回路では、スイッチ切り替えを制御する制御信号本数が増加し、制御信号を発生するデコーダ回路などの制御回路やドライバが複雑になるという問題点がある。また、制御信号の配線が複雑になり、タイミングずれによる誤動作が発生する可能性がある。
【特許文献１】国際公開番号第ＷＯ２００３／０３２４３１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、信号経路を簡略化できる半導体スイッチ回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の半導体スイッチ回路は、Ｎｃｈ  絶縁ゲート電界効果トランジスタから構成されるスルーＦＥＴと、ゲートが前記スルーＦＥＴのゲートに接続されるＰｃｈ  絶縁ゲート電界効果トランジスタから構成されるシャントＦＥＴと、前記スルーＦＥＴ及び前記シャントＦＥＴのゲートにスイッチ制御信号を出力し、前記スイッチ制御信号の信号レベルが“Ｈｉｇｈ”の場合、前記スルーＦＥＴを“ＯＮ”させ、前記シャントＦＥＴを“ＯＦＦ”させ、前記スイッチ制御信号の信号レベルが“Ｌｏｗ”の場合、前記スルーＦＥＴを“ＯＦＦ”させ、前記シャントＦＥＴを“ＯＮ”させる端子とを具備することを特徴とする。
【０００７】
更に、本発明の他態様の半導体スイッチ回路は、共通端子と信号端子との間に設けられ、Ｎｃｈ  絶縁ゲート電界効果トランジスタから構成されるスルーＦＥＴと、前記共通端子と接地端子の間に設けられ、ゲートが前記スルーＦＥＴのゲートに接続されるＰｃｈ  絶縁ゲート電界効果トランジスタから構成されるシャントＦＥＴと、前記スルーＦＥＴ及び前記シャントＦＥＴのゲートにスイッチ制御信号を出力し、前記スイッチ制御信号の信号レベルが“Ｈｉｇｈ”の場合、前記シャントＦＥＴを“ＯＦＦ”させ、前記スルーＦＥＴを“ＯＮ”させて前記共通端子と前記信号端子の間をアクティブにし、前記スイッチ制御信号の信号レベルが“Ｌｏｗ”の場合、前記スルーＦＥＴを“ＯＦＦ”させ、前記シャントＦＥＴを“ＯＮ”させて前記共通端子と前記信号端子の間を“ＯＦＦ”させる端子と、を具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、信号経路を簡略化できる半導体スイッチ回路を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１０】
まず、本発明の実施例１に係る半導体スイッチ回路について、図面を参照して説明する。図１は高周波スイッチの構成を示すブロック図、図２は制御信号により共通ＲＦ端子と接続されるＲＦ端子の関係を示す図、図３は高周波スイッチの内部回路部を示す回路図である。本実施例では、シャントＦＥＴにＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタを用いて、制御信号の本数を削減している。
【００１１】
図１に示すように、高周波スイッチ（ＳＰ６Ｔ  Single  Pole  ６  Throw）１０には、制御回路１、ＳＰ６Ｔ（内部回路部）２、ＲＦ端子ＰＲＦ１乃至ＰＲＦ６、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭ、制御端子ＰＶ１乃至ＰＶ３、高電位側電源端子PＶＤＤ、低電位側電源端子ＰＶＳＳ、及び接地端子ＰＶＳが設けられている。
【００１２】
高周波スイッチ（ＳＰ６Ｔ）１０は、例えば携帯電話用アンテナスイッチとして用いられ、共通ＲＦ端子（共通端子）ＰＲＦＣＯＭがアンテナ側のポートに電気的に接続され、ＲＦ端子（信号端子）ＰＲＦ１乃至ＰＲＦ６がＴｘ（送信部）やＲｘ（受信部）のポートに電気的に接続され、アナログ信号である高周波（ＲＦ）信号を切り替えるアナログスイッチである。
【００１３】
制御回路１は、例えばデコーダ回路から構成され、制御端子ＰＶ１乃至ＰＶ３とＳＰ６Ｔ（内部回路部）２間に設けられ、制御端子ＰＶ１乃至ＰＶ３を介して外部から制御信号ＳＶ１乃至ＳＶ３をそれぞれ入力し、スイッチ制御信号Ｓ１１乃至Ｓ１６をＳＰ６Ｔ（内部回路部）２に出力する。そして、高電位側電源端子ＰＶＤＤを介して高電位側電源ＶＤＤが供給され、低電位側電源端子ＰＶＳＳを介して低電位側電源ＶＳＳが供給される。
【００１４】
ここで、高電位側電源ＶＤＤ電圧は、例えば２．５Ｖに設定され、低電位側電源ＶＳＳ電圧は、例えば−２．５Ｖに設定される。制御信号ＳＶ１乃至ＳＶは、例えば“Ｌｏｗ”レベルが低電位側電源ＶＳＳ電圧レベルの−２．５Ｖに設定され、“Ｈｉｇｈ”レベルが高電位側電源ＶＤＤ電圧レベルの２．５Ｖに設定される。スイッチ制御信号Ｓ１１乃至Ｓ１６は、例えば“Ｌｏｗ”レベルがＶＳＳレベルの−２．５Ｖに設定され、“Ｈｉｇｈ”レベルがＶＤＤレベルの２．５Ｖに設定される。
【００１５】
ＳＰ６Ｔ（内部回路部）２は、接地端子ＰＶＳを介して接地電位ＶＳに接続され、制御回路１とＲＦ端子ＰＲＦ１乃至ＰＲＦ６の間に設けられ、スイッチ制御信号Ｓ１１乃至Ｓ１６にもとづいて、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ１乃至ＰＲＦ６のいずれか１つのＲＦ端子間を活性化して高周波（ＲＦ）信号を伝播させる。
【００１６】
制御信号により共通ＲＦ端子と接続されるＲＦ端子の関係は、図２に示すように、まず、制御信号ＳＶ１乃至ＳＶ３が“Ｌｏｗ”レベルのとき、スイッチ制御信号Ｓ１１が“Ｈｉｇｈ”レベル（この信号以外は“Ｌｏｗ”レベル）となり共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ１の間が選択されて“アクティブ”となる。次に、制御信号ＳＶ１が“Ｈｉｇｈ”レベルで制御信号ＳＶ２及びＳＶ３が“Ｌｏｗ”レベルのとき、スイッチ制御信号Ｓ１２が“Ｈｉｇｈ”レベル（この信号以外は“Ｌｏｗ”レベル）となり共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ２の間が選択されて“アクティブ”となる。
【００１７】
続いて、制御信号ＳＶ２が“Ｈｉｇｈ”レベルで制御信号ＳＶ１及びＳＶ３が“Ｌｏｗ”レベルのとき、スイッチ制御信号Ｓ１３が“Ｈｉｇｈ”レベル（この信号以外は“Ｌｏｗ”レベル）となり共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ３の間が選択されて“アクティブ”となる。そして、制御信号ＳＶ３が“Ｈｉｇｈ”レベルで制御信号ＳＶ１及びＳＶ２が“Ｌｏｗ”レベルのとき、スイッチ制御信号Ｓ１４が“Ｈｉｇｈ”レベル（この信号以外は“Ｌｏｗ”レベル）となり共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ４の間が選択されて“アクティブ”となる。
【００１８】
次に、制御信号ＳＶ１及びＳＶ２が“Ｈｉｇｈ”レベルで制御信号ＳＶ３が“Ｌｏｗ”レベルのとき、スイッチ制御信号Ｓ１５が“Ｈｉｇｈ”レベル（この信号以外は“Ｌｏｗ”レベル）となり共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ５の間が選択されて“アクティブ”となる。続いて、制御信号ＳＶ１及びＳＶ３が“Ｈｉｇｈ”レベルで制御信号ＳＶ２が“Ｌｏｗ”レベルのとき、スイッチ制御信号Ｓ１６が“Ｈｉｇｈ”レベル（この信号以外は“Ｌｏｗ”レベル）となり共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ６の間が選択されて“アクティブ”となる。
【００１９】
ここで、制御信号ＳＶ１及びＳＶ２の信号レベルとスイッチ制御信号Ｓ１１乃至Ｓ１６の信号レベルの関係は、必ずしも図２に示した組み合わせに限定されるものではなく、制御回路１の回路構成などを変更することにより、種々の組み合わせが可能である。
【００２０】
図３に示すように、ＳＰ６Ｔ（内部回路部）２には、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１乃至ＮＴ６、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１乃至ＰＴ６、抵抗Ｒ１乃至Ｒ６、抵抗Ｒ１１乃至Ｒ１６、及び抵抗Ｒ２１が設けられている。
【００２１】
ここで、ＳＰ６Ｔ（内部回路部）２を含む高周波スイッチ（ＳＰ６Ｔ）１０は、厚さが薄いＳＯＩ（Silicon  On  Insulator）基板を用いた半導体集積回路である。なお、ＳＯＩ基板の代わりにＳＯＳ（Silicon  On  Sapphire）基板を用いてもよい。ＭＯＳトランジスタは、ＭＯＳＦＥＴ（Metal  Oxide  Semiconductor  Field  Effect  Transistor）とも呼称される。ここでは、ＭＯＳＦＥＴを用いて高周波スイッチ（ＳＰ６Ｔ）１０を構成しているが、シリコン酸化膜を熱窒化したＳｉＮｘＯｙ膜、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）／シリコン酸化膜の積層膜、或いは高誘電体膜（Ｈｉｇｈ−Ｋゲート絶縁膜）等がゲート絶縁膜となるＭＩＳＦＥＴ（Metal  Insulator  Semiconductor  Field  Effect  Transistor））を用いてもよい。ＭＯＳＦＥＴとＭＩＳＦＥＴは、絶縁ゲート電界効果トランジスタとも呼称される。
【００２２】
スルーＦＥＴとは、“ＯＮ”したときに共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦの間を“アクティブ”にする役目をする。シャントＦＥＴとは、“ＯＮ”したときにＲＦ端子ＰＲＦを接地電位ＶＳにして共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦの間を“ＯＦＦ”にする役目をする。抵抗Ｒ１乃至Ｒ６と抵抗Ｒ１１乃至Ｒ１６は、例えば１０KΩの抵抗値を有し、高周波（ＲＦ）信号のパワーレベルが大きな場合などでのトランジスタの実効降伏電圧の向上などを図るために設けられたものである。スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタとシャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタには、エンハンスメントモード（E-typeとも呼称される）トランジスタを用いている。
【００２３】
抵抗Ｒ２１は、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭ及びＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１乃至ＮＴ６と接地端子ＰＶＳの間に設けられ、高抵抗値を有する。
【００２４】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１は、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ１に接続され、抵抗Ｒ１を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１１が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１は、ドレインが接地端子ＰＶＳに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ１に接続され、抵抗Ｒ１１を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１１が入力される。
【００２５】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１１が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１が“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１が“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ１の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１１が“Ｌｏｗ”レベル（−２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１が“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１が“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ１が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ１の間が“ＯＦＦ”となる。
【００２６】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２は、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ２に接続され、抵抗Ｒ２を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１２が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ２は、ドレインが接地端子ＰＶＳに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ２に接続され、抵抗Ｒ１２を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１２が入力される。
【００２７】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１２が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２が“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ２が“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ２の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１２が“Ｌｏｗ”レベル（−２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２が“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ２が“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ２が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ２の間が“ＯＦＦ”となる。
【００２８】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ３は、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ３に接続され、抵抗Ｒ３を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１３が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ３は、ドレインが接地端子ＰＶＳに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ３に接続され、抵抗Ｒ１３を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１３が入力される。
【００２９】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１３が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ３が“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ３が“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ３の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１３が“Ｌｏｗ”レベル（−２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ３が“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ３が“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ３が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ３の間が“ＯＦＦ”となる。
【００３０】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ４は、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ４に接続され、抵抗Ｒ４を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１４が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ４は、ドレインが接地端子ＰＶＳに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ４に接続され、抵抗Ｒ１４を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１４が入力される。
【００３１】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１４が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ４が“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ４が“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ４の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１４が“Ｌｏｗ”レベル（−２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ４が“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ４が“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ４が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ４の間が“ＯＦＦ”となる。
【００３２】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ５は、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ５に接続され、抵抗Ｒ５を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１５が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ５は、ドレインが接地端子ＰＶＳに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ５に接続され、抵抗Ｒ１５を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１５が入力される。
【００３３】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１５が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ５が“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ５が“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ５の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１５が“Ｌｏｗ”レベル（−２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ５が“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ５が“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ５が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ５の間が“ＯＦＦ”となる。
【００３４】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ６は、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ６に接続され、抵抗Ｒ６を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１６が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ６は、ドレインが接地端子ＰＶＳに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ６に接続され、抵抗Ｒ１６を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１６が入力される。
【００３５】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１６が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ６が“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ６が“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ６の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１６が“Ｌｏｗ”レベル（−２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ６が“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ６が“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ６が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ６の間が“ＯＦＦ”となる。
【００３６】
次に、従来の高周波スイッチの構成及び動作について図４乃至図６を参照して説明する。図４は従来の高周波スイッチの構成を示すブロック図、図５は従来の高周波スイッチで、制御信号により共通ＲＦ端子と接続されるＲＦ端子の関係を示す図、図６は従来の高周波スイッチの内部回路部を示す回路図である。従来の高周波スイッチでは、ＳＰ６Ｔ（内部回路部）に入力されるスイッチ制御信号の本数が、例えば本実施例と比較して２倍多い。
【００３７】
図４に示すように、従来の高周波スイッチ（ＳＰ６Ｔ）１０ａには、制御回路１ａ、ＳＰ６Ｔ（内部回路部）２ａ、ドライバ３、ＲＦ端子ＰＲＦ１乃至ＰＲＦ６、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭ、制御端子ＰＶ１乃至ＰＶ３、高電位側電源端子ＰＶＤＤ、及び接地端子ＰＶＳが設けられている。
【００３８】
制御回路１ａは、例えばデコーダ回路から構成され、制御端子ＰＶ１乃至ＰＶ３とドライバ３の間に設けられ、制御端子ＰＶ１乃至ＰＶ３を介して外部から制御信号ＳＶ１乃至ＳＶ３をそれぞれ入力し、スイッチ制御信号Ｓ１１ａ乃至Ｓ１６ａをドライバ３に出力する。そして、高電位側電源端子ＰＶＤＤを介して高電位側電源ＶＤＤが供給される。
【００３９】
ここで、高電位側電源ＶＤＤ電圧は、例えば２．５Ｖに設定される。制御信号ＳＶ１乃至ＳＶは、例えば“Ｌｏｗ”レベルが接地電位ＶＳレベルの０（ゼロ）Ｖに設定され、“Ｈｉｇｈ”レベルが高電位側電源ＶＤＤ電圧レベルの２．５Ｖに設定される。スイッチ制御信号Ｓ１１ａ乃至Ｓ１６ａは、例えば“Ｌｏｗ”レベルがＶＳレベルの０（ゼロ）Ｖに設定され、“Ｈｉｇｈ”レベルがＶＤＤレベルの２．５Ｖに設定される。
【００４０】
ドライバ３は、制御回路１ａとＳＰ６Ｔ（内部回路部）２ａの間に設けられ、スイッチ制御信号Ｓ１１ａ乃至Ｓ１６ａ（６本のスイッチ制御信号）を入力し、スイッチ制御信号Ｓ１１０、スイッチ制御信号Ｓ１１１、スイッチ制御信号Ｓ１２０、スイッチ制御信号Ｓ１２１、スイッチ制御信号Ｓ１３０、スイッチ制御信号Ｓ１３１、スイッチ制御信号Ｓ１４０、スイッチ制御信号Ｓ１４１、スイッチ制御信号Ｓ１５０、スイッチ制御信号Ｓ１５１、スイッチ制御信号Ｓ１６０、及びスイッチ制御信号Ｓ１６１（１２本のスイッチ制御信号）をＳＰ６Ｔ（内部回路部）２ａに出力する。
【００４１】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１１０、Ｓ１１１、Ｓ１２０、Ｓ１２１、Ｓ１３０、Ｓ１３１、Ｓ１４０、Ｓ１４１、Ｓ１５０、Ｓ１５１、Ｓ１６０、及びＳ１６１は、例えば“Ｌｏｗ”レベルが接地電位ＶＳレベルの０（ゼロ）Ｖに設定され、“Ｈｉｇｈ”レベルが高電位側電源ＶＤＤ電圧レベルの２．５Ｖに設定される。スイッチ制御信号Ｓ１１０及びＳ１１１、スイッチ制御信号Ｓ１２０及びＳ１２１、スイッチ制御信号Ｓ１３０及びＳ１３１、スイッチ制御信号Ｓ１４０及びＳ１４１、スイッチ制御信号Ｓ１５０及びＳ１５１、スイッチ制御信号Ｓ１６０及びＳ１６１は、それぞれ対をなす信号レベルを有する。
【００４２】
対をなす信号レベルとは、例えばスイッチ制御信号Ｓ１１０が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）のとき、スイッチ制御信号Ｓ１１１が“Ｌｏｗ”レベル（０（ゼロ）Ｖ）に設定され、例えばスイッチ制御信号Ｓ１１０が“Ｌｏｗ”レベル（０（ゼロ）Ｖ）のとき、スイッチ制御信号Ｓ１１１が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）に設定される。対をなす信号レベルを生成するには、例えばインバータなどを用いて信号反転させる。
【００４３】
ＳＰ６Ｔ（内部回路部）２ａは、接地端子ＰＶＳを介して接地電位ＶＳに接続され、ドライバ３とＲＦ端子ＰＲＦ１乃至ＰＲＦ６の間に設けられ、スイッチ制御信号Ｓ１１０、Ｓ１１１、Ｓ１２０、Ｓ１２１、Ｓ１３０、Ｓ１３１、Ｓ１４０、Ｓ１４１、Ｓ１５０、Ｓ１５１、Ｓ１６０、及びＳ１６１にもとづいて、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ１乃至ＰＲＦ６のいずれか１つのＲＦ端子間を活性化して高周波（ＲＦ）信号を伝播させる。
【００４４】
制御信号により共通ＲＦ端子と接続されるＲＦ端子の関係は、図５に示すように、まず、制御信号ＳＶ１乃至ＳＶ３が“Ｌｏｗ”レベルのとき、スイッチ制御信号Ｓ１１１が“Ｈｉｇｈ”レベル、スイッチ制御信号Ｓ１１０が“Ｌｏｗ”レベル（この信号対以外は信号レベルが異なる）となり共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ１の間が選択されて“アクティブ”となる。次に、制御信号ＳＶ１が“Ｈｉｇｈ”レベルで制御信号ＳＶ２及びＳＶ３が“Ｌｏｗ”レベルのとき、スイッチ制御信号Ｓ１２１が“Ｈｉｇｈ”レベル、スイッチ制御信号Ｓ１２０が“Ｌｏｗ”レベル（この信号対以外は信号レベルが異なる）となり共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ２の間が選択されて“アクティブ”となる。
【００４５】
続いて、制御信号ＳＶ２が“Ｈｉｇｈ”レベルで制御信号ＳＶ１及びＳＶ３が“Ｌｏｗ”レベルのとき、スイッチ制御信号Ｓ１３１が“Ｈｉｇｈ”レベル、スイッチ制御信号Ｓ１３０が“Ｌｏｗ”レベル（この信号対以外は信号レベルが異なる）となり共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ３の間が選択されて“アクティブ”となる。そして、制御信号ＳＶ３が“Ｈｉｇｈ”レベルで制御信号ＳＶ１及びＳＶ２が“Ｌｏｗ”レベルのとき、スイッチ制御信号Ｓ１４１が“Ｈｉｇｈ”レベル、スイッチ制御信号Ｓ１４０が“Ｌｏｗ”レベル（この信号対以外は信号レベルが異なる）となり共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ４の間が選択されて“アクティブ”となる。
【００４６】
次に、制御信号ＳＶ１及びＳＶ２が“Ｈｉｇｈ”レベルで制御信号ＳＶ３が“Ｌｏｗ”レベルのとき、スイッチ制御信号Ｓ１５１が“Ｈｉｇｈ”レベル、スイッチ制御信号Ｓ１５０が“Ｌｏｗ”レベル（この信号対以外は信号レベルが異なる）となり共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ５の間が選択されて“アクティブ”となる。続いて、制御信号ＳＶ１及びＳＶ３が“Ｈｉｇｈ”レベルで制御信号ＳＶ２が“Ｌｏｗ”レベルのとき、スイッチ制御信号Ｓ１６１が“Ｈｉｇｈ”レベル、スイッチ制御信号Ｓ１６０が“Ｌｏｗ”レベル（この信号対以外は信号レベルが異なる）となり共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ６の間が選択されて“アクティブ”となる。
【００４７】
図６に示すように、ＳＰ６Ｔ（内部回路部）２ａには、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１乃至ＮＴ６、シャントＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１１乃至ＮＴ１６、抵抗Ｒ１乃至Ｒ６、抵抗Ｒ３１乃至Ｒ３６、及び抵抗Ｒ２１が設けられている。
【００４８】
抵抗Ｒ２１は、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭ及びＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１乃至ＮＴ６と接地端子ＰＶＳの間に設けられ、高抵抗値を有する。
【００４９】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１は、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ１に接続され、抵抗Ｒ１を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１１１が入力される。Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１１は、ソースが接地端子ＰＶＳに接続され、ドレインがＲＦ端子ＰＲＦ１に接続され、抵抗Ｒ３１を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１１０が入力される。
【００５０】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１１１が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）で、スイッチ制御信号Ｓ１１０が“Ｌｏｗ”レベル（０（ゼロ）Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１が“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１１が“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ１の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１１１が“Ｌｏｗ”レベル（０（ゼロ）Ｖ）で、スイッチ制御信号Ｓ１１０が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１が“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１１が“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ１が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ１の間が“ＯＦＦ”となる。
【００５１】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２は、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ２に接続され、抵抗Ｒ１を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１２１が入力される。Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１２は、ソースが接地端子ＰＶＳに接続され、ドレインがＲＦ端子ＰＲＦ２に接続され、抵抗Ｒ３２を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１２０が入力される。
【００５２】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１２１が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）で、スイッチ制御信号Ｓ１２０が“Ｌｏｗ”レベル（０（ゼロ）Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２が“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１２が“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ２の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１２１が“Ｌｏｗ”レベル（０（ゼロ）Ｖ）で、スイッチ制御信号Ｓ１２０が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２が“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１２が“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ２が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ２の間が“ＯＦＦ”となる。
【００５３】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ３は、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ３に接続され、抵抗Ｒ３を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１３１が入力される。Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１３は、ソースが接地端子ＰＶＳに接続され、ドレインがＲＦ端子ＰＲＦ３に接続され、抵抗Ｒ３３を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１３０が入力される。
【００５４】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１３１が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）で、スイッチ制御信号Ｓ１３０が“Ｌｏｗ”レベル（０（ゼロ）Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ３が“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１３が“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ３の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１３１が“Ｌｏｗ”レベル（０（ゼロ）Ｖ）で、スイッチ制御信号Ｓ１３０が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ３が“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１３が“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ３が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ３の間が“ＯＦＦ”となる。
【００５５】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ４は、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ４に接続され、抵抗Ｒ４を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１４１が入力される。Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１４は、ソースが接地端子ＰＶＳに接続され、ドレインがＲＦ端子ＰＲＦ４に接続され、抵抗Ｒ３４を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１４０が入力される。
【００５６】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１４１が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）で、スイッチ制御信号Ｓ１４０が“Ｌｏｗ”レベル（０（ゼロ）Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ４が“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１４が“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ４の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１４１が“Ｌｏｗ”レベル（０（ゼロ）Ｖ）で、スイッチ制御信号Ｓ１４０が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ４が“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１４が“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ４が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ４の間が“ＯＦＦ”となる。
【００５７】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ５は、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ５に接続され、抵抗Ｒ５を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１５１が入力される。Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１５は、ソースが接地端子ＰＶＳに接続され、ドレインがＲＦ端子ＰＲＦ５に接続され、抵抗Ｒ３５を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１５０が入力される。
【００５８】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１５１が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）で、スイッチ制御信号Ｓ１５０が“Ｌｏｗ”レベル（０（ゼロ）Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ５が“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１５が“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ５の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１５１が“Ｌｏｗ”レベル（０（ゼロ）Ｖ）で、スイッチ制御信号Ｓ１５０が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ５が“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１５が“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ５が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ５の間が“ＯＦＦ”となる。
【００５９】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ６は、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ６に接続され、抵抗Ｒ６を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１６１が入力される。Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１６は、ソースが接地端子ＰＶＳに接続され、ドレインがＲＦ端子ＰＲＦ６に接続され、抵抗Ｒ３６を介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１６０が入力される。
【００６０】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１６１が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）で、スイッチ制御信号Ｓ１６０が“Ｌｏｗ”レベル（０（ゼロ）Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ６が“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１６が“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ６の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１６１が“Ｌｏｗ”レベル（０（ゼロ）Ｖ）で、スイッチ制御信号Ｓ１６０が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ６が“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１６が“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ６が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ６の間が“ＯＦＦ”となる。
【００６１】
上述したように、本実施例の半導体スイッチ回路では、制御回路１、ＳＰ６Ｔ（内部回路部）２、ＲＦ端子ＰＲＦ１乃至ＰＲＦ６、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭ、制御端子ＰＶ１乃至ＰＶ３、高電位側電源端子PＶＤＤ、低電位側電源端子ＰＶＳＳ、及び接地端子ＰＶＳが設けられている。制御回路１は、制御端子ＰＶ１乃至ＰＶ３を介して外部から制御信号ＳＶ１乃至ＳＶ３をそれぞれ入力し、スイッチ制御信号Ｓ１１乃至Ｓ１６をＳＰ６Ｔ（内部回路部）２に出力する。ＳＰ６Ｔ（内部回路部）２は、制御回路１から出力されるスイッチ制御信号Ｓ１１乃至Ｓ１６にもとづいて、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ１乃至ＰＲＦ６のいずれか１つのＲＦ端子間を活性化して高周波（ＲＦ）信号を伝播させる。スルーＦＥＴにはＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタを用い、シャントＦＥＴにはＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタを用いている。
【００６２】
このため、従来よりもスイッチ切り替えを制御するスイッチ制御信号の本数を抑制でき、スイッチ制御信号を生成する制御回路の構成を簡略化することができる。また、一つのスイッチ制御信号により、スルーＦＥＴが“ＯＮ”したときに対となるシャントＦＥＴが同時に“ＯＦＦ”する。一つのスイッチ制御信号により、スルーＦＥＴが“ＯＦＦ”したときに対となるシャントＦＥＴが同時に“ＯＮ”する。したがって、タイミングずれによる誤動作が発生する可能性がない。
【００６３】
なお、本実施例では、制御信号ＳＶ１乃至ＳＶ３とスイッチ制御信号Ｓ１１乃至Ｓ１６の“Ｈｉｇｈ”レベルを高電位側電源ＶＤＤ電圧と同じに設定（２．５Ｖ）し、制御信号ＳＶ１乃至ＳＶ３とスイッチ制御信号Ｓ１１乃至Ｓ１６の“Ｌｏｗ”レベルを低電位側電源ＶＳＳ電圧と同じに設定（−２．５Ｖ）しているが、制御信号ＳＶ１乃至ＳＶ３とスイッチ制御信号Ｓ１１乃至Ｓ１６の“Ｈｉｇｈ”レベルを高電位側電源ＶＤＤよりも低く設定し、制御信号ＳＶ１乃至ＳＶ３とスイッチ制御信号Ｓ１１乃至Ｓ１６の“Ｌｏｗ”レベルの絶対値を低電位側電源ＶＳＳ電圧の絶対値よりも低く設定してもよい。また、高周波スイッチ（ＳＰ６Ｔ）１０が形成される基板にＳＯＩを用いているが、ＳＯＩ基板の代わりにシリコン基板を用いてもよい。その場合、スルーＦＥＴのバックゲートと接地電位ＶＳの間に高抵抗値を有する抵抗を設け、シャントＦＥＴのバックゲートと高電位側電源ＶＤＤの間に高抵抗値を有する抵抗を設けるのが好ましい。
【実施例２】
【００６４】
次に、本発明の実施例２に係る半導体スイッチ回路について、図面を参照して説明する。図７は高周波スイッチの内部回路部を示す回路図である。本実施例では、シャントＦＥＴ及びスルーＦＥＴを並列２段構成にしている。
【００６５】
図７に示すように、ＳＰ６Ｔ（内部回路部）２ｂには、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１Ａ乃至ＮＴ６Ａ、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１Ｂ乃至ＮＴ６Ｂ、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１Ａ乃至ＰＴ６Ａ、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１Ｂ乃至ＰＴ６Ｂ、抵抗Ｒ１Ａ乃至Ｒ６Ａ、抵抗Ｒ１Ｂ乃至Ｒ６Ｂ、抵抗Ｒ１１Ａ乃至Ｒ１６Ａ、抵抗Ｒ１１Ｂ乃至Ｒ１６Ｂ、及び抵抗Ｒ２１が設けられている。抵抗Ｒ２１は、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭ及びＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１Ｂ乃至ＮＴ６Ｂと接地端子ＰＶＳの間に設けられ、高抵抗値を有する。なお、ＳＰ６Ｔ（内部回路部）２ｂを含む高周波スイッチは、シリコン基板を用いている。
【００６６】
ここで、抵抗Ｒ１Ａ乃至Ｒ６Ａ、抵抗Ｒ１Ｂ乃至Ｒ６Ｂ、抵抗Ｒ１１Ａ乃至Ｒ１６Ａ、及び抵抗Ｒ１１Ｂ乃至Ｒ１６Ｂは、例えば１０KΩの抵抗値を有し、高周波（ＲＦ）信号のパワーレベルが大きな場合でのトランジスタの実効降伏電圧の向上を図るために設けられたものである。
【００６７】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１Ｂは、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがバックゲート及びＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１Ａのドレインに接続され、抵抗Ｒ１Ｂを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１１が入力される。Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１Ａは、ドレインがバックゲートに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ１に接続され、抵抗Ｒ１Ａを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１１が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１Ａは、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ１に接続され、ドレインがバックゲート及びＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１Ｂのソースに接続され、抵抗Ｒ１１Ａを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１１が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１Ｂは、ソースがバックゲートに接続され、ドレインが接地端子ＰＶＳに接続され、抵抗Ｒ１１Ｂを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１１が入力される。
【００６８】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１１が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１Ａ及びＮＴ１Ｂが“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１Ａ及びＰＴ１Ｂが“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ１の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１１が“Ｌｏｗ”レベル（−２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１Ａ及びＮＴ１Ｂが“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１Ａ及びＰＴ１Ｂが“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ１が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ１の間が“ＯＦＦ”となる。
【００６９】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２Ｂは、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがバックゲート及びＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２Ａのドレインに接続され、抵抗Ｒ２Ｂを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１２が入力される。Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２Ａは、ドレインがバックゲートに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ２に接続され、抵抗Ｒ２Ａを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１２が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ２Ａは、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ２に接続され、ドレインがバックゲート及びＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ２Ｂのソースに接続され、抵抗Ｒ１２Ａを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１２が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ２Ｂは、ソースがバックゲートに接続され、ドレインが接地端子ＰＶＳに接続され、抵抗Ｒ１２Ｂを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１２が入力される。
【００７０】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１２が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２Ａ及びＮＴ２Ｂが“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ２Ａ及びＰＴ２Ｂが“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ２の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１２が“Ｌｏｗ”レベル（−２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２Ａ及びＮＴ２Ｂが“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ２Ａ及びＰＴ２Ｂが“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ２が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ２の間が“ＯＦＦ”となる。
【００７１】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ３Ｂは、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがバックゲート及びＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ３Ａのドレインに接続され、抵抗Ｒ３Ｂを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１３が入力される。Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ３Ａは、ドレインがバックゲートに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ３に接続され、抵抗Ｒ３Ａを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１３が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ３Ａは、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ３に接続され、ドレインがバックゲート及びＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ３Ｂのソースに接続され、抵抗Ｒ１３Ａを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１３が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ３Ｂは、ソースがバックゲートに接続され、ドレインが接地端子ＰＶＳに接続され、抵抗Ｒ１３Ｂを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１３が入力される。
【００７２】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１３が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ３Ａ及びＮＴ３Ｂが“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ３Ａ及びＰＴ３Ｂが“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ３の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１３が“Ｌｏｗ”レベル（−２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ３Ａ及びＮＴ３Ｂが“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ３Ａ及びＰＴ３Ｂが“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ３が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ３の間が“ＯＦＦ”となる。
【００７３】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ４Ｂは、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがバックゲート及びＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ４Ａのドレインに接続され、抵抗Ｒ４Ｂを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１４が入力される。Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ４Ａは、ドレインがバックゲートに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ４に接続され、抵抗Ｒ４Ａを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１４が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ４Ａは、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ４に接続され、ドレインがバックゲート及びＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ４Ｂのソースに接続され、抵抗Ｒ１４Ａを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１４が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ４Ｂは、ソースがバックゲートに接続され、ドレインが接地端子ＰＶＳに接続され、抵抗Ｒ１４Ｂを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１４が入力される。
【００７４】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１４が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ４Ａ及びＮＴ４Ｂが“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ４Ａ及びＰＴ４Ｂが“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ４の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１４が“Ｌｏｗ”レベル（−２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ４Ａ及びＮＴ４Ｂが“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ４Ａ及びＰＴ４Ｂが“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ４が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ４の間が“ＯＦＦ”となる。
【００７５】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ５Ｂは、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがバックゲート及びＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ５Ａのドレインに接続され、抵抗Ｒ５Ｂを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１５が入力される。Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ５Ａは、ドレインがバックゲートに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ５に接続され、抵抗Ｒ５Ａを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１５が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ５Ａは、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ５に接続され、ドレインがバックゲート及びＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ５Ｂのソースに接続され、抵抗Ｒ１５Ａを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１５が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ５Ｂは、ソースがバックゲートに接続され、ドレインが接地端子ＰＶＳに接続され、抵抗Ｒ１５Ｂを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１５が入力される。
【００７６】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１５が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ５Ａ及びＮＴ５Ｂが“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ５Ａ及びＰＴ５Ｂが“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ５の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１５が“Ｌｏｗ”レベル（−２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ５Ａ及びＮＴ５Ｂが“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ５Ａ及びＰＴ５Ｂが“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ５が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ５の間が“ＯＦＦ”となる。
【００７７】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ６Ｂは、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがバックゲート及びＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ６Ａのドレインに接続され、抵抗Ｒ６Ｂを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１６が入力される。Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ６Ａは、ドレインがバックゲートに接続され、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ６に接続され、抵抗Ｒ６Ａを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１６が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ６Ａは、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ６に接続され、ドレインがバックゲート及びＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ６Ｂのソースに接続され、抵抗Ｒ１６Ａを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１６が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ６Ｂは、ソースがバックゲートに接続され、ドレインが接地端子ＰＶＳに接続され、抵抗Ｒ１６Ｂを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１６が入力される。
【００７８】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１６が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ６Ａ及びＮＴ６Ｂが“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ６Ａ及びＰＴ６Ｂが“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ６の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１６が“Ｌｏｗ”レベル（−２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ６Ａ及びＮＴ６Ｂが“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ６Ａ及びＰＴ６Ｂが“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ６が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ６の間が“ＯＦＦ”となる。
【００７９】
上述したように、本実施例の半導体スイッチ回路では、ＳＰ６Ｔ（内部回路部）２ｂは、制御回路から出力されるスイッチ制御信号Ｓ１１乃至Ｓ１６にもとづいて、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ１乃至ＰＲＦ６のいずれか１つのＲＦ端子間を活性化して高周波（ＲＦ）信号を伝播させる。ＳＰ６Ｔ（内部回路部）２ｂには、対となる並列配置された２つスルーＦＥＴと並列配置された２つのシャントＦＥＴが設けられ、それぞれのゲートには高抵抗値を有する抵抗が設けられている。スルーＦＥＴにはＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタを用い、シャントＦＥＴにはＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタを用いている。
【００８０】
このため、従来よりもスイッチ切り替えを制御するスイッチ制御信号の本数を抑制でき、スイッチ制御信号を生成する制御回路の構成を簡略化することができる。また、一つのスイッチ制御信号により、スルーＦＥＴが“ＯＮ”したときに対となるシャントＦＥＴが同時に“ＯＦＦ”する。一つのスイッチ制御信号により、スルーＦＥＴが“ＯＦＦ”したときに対となるシャントＦＥＴが同時に“ＯＮ”する。したがって、タイミングずれによる誤動作が発生する可能性がない。更に、並列配置された２つのスルーＦＥＴ及びシャントＦＥＴのゲートにはそれぞれ高抵抗値を有する抵抗が設けられているので、実施例１よりも高周波（ＲＦ）信号のパワーレベルが大きな場合でのトランジスタの実効降伏電圧の低下を抑制することができる。
【００８１】
なお、本実施例では、ＳＰ６Ｔ（内部回路部）２ｂを含む高周波スイッチにシリコン基板を用いているが、ＳＯＩ基板やＳＯＳ基板を用いてもよい。ＳＯＩ基板やＳＯＳ基板の場合、高周波アナログスイッチではスルーＦＥＴ及びシャントＦＥＴは部分空乏型或いは空乏化されていないタイプのトランジスタなどを用いるのが好ましい。
【実施例３】
【００８２】
次に、本発明の実施例３に係る半導体スイッチ回路について、図面を参照して説明する。図８は高周波スイッチの内部回路部を示す回路図である。本実施例では、シャントＦＥＴ及びスルーＦＥＴを並列３段構成にしている。
【００８３】
図８に示すように、ＳＰＤＴ（内部回路部）２ｃには、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１ａ乃至ＮＴ１ｃ、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２ａ乃至ＮＴ２ｃ、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１ａ乃至ＰＴ１ｃ、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ２ａ乃至ＰＴ２ｃ、抵抗Ｒ１ａ乃至Ｒ１ｃ、抵抗Ｒ２ａ乃至Ｒ２ｃ、抵抗Ｒ１１ａ乃至Ｒ１１ｃ、抵抗Ｒ１２ａ乃至Ｒ１２ｃ、抵抗Ｒｂ１ａ乃至Ｒｂ１ｃ、抵抗Ｒｂ２ａ乃至Ｒｂ２ｃ、抵抗Ｒｂ１１ａ乃至Ｒｂ１１ｃ、抵抗Ｒｂ１２ａ乃至Ｒｂ１２ｃ、及び抵抗Ｒ２１が設けられている。抵抗Ｒ２１は、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭと接地端子ＰＶＳの間に設けられ、高抵抗値を有する。
【００８４】
ここで、抵抗Ｒｂ１ａ乃至Ｒｂ１ｃ、抵抗Ｒｂ２ａ乃至Ｒｂ２ｃ、抵抗Ｒｂ１１ａ乃至Ｒｂ１１ｃ、及び抵抗Ｒｂ１２ａ乃至Ｒｂ１２ｃは、ＳＰＤＴスイッチの高周波（ＲＦ）特性の低下を抑制するために設けられたものであり、高抵抗値を有する抵抗を使用するのが好ましい。また、抵抗Ｒ１ａ乃至Ｒ１ｃ、抵抗Ｒ２ａ乃至Ｒ２ｃ、抵抗Ｒ１１ａ乃至Ｒ１１ｃ、及び抵抗Ｒ１２ａ乃至Ｒ１２ｃは、例えば１０KΩの抵抗値を有し、トランジスタの実効降伏電圧及びＥＳＤの向上を図るために設けられたものである。ＳＰＤＴ（内部回路部）２ｃを含む高周波スイッチは、シリコン基板を用いている。
【００８５】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１ｃは、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１ｂのドレインに接続され、バックゲートと接地電位ＶＳの間に抵抗Ｒｂ１ｃが設けられ、抵抗Ｒ１ｃを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１１が入力される。Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１ｂは、ソースがＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１ａのドレインに接続され、バックゲートと接地電位ＶＳの間に抵抗Ｒｂ１ｂが設けられ、抵抗Ｒ１ｂを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１１が入力される。Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１ａは、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ１に接続され、バックゲートと接地電位ＶＳの間に抵抗Ｒｂ１ａが設けられ、抵抗Ｒ１ａを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１１が入力される。
【００８６】
Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１ａは、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ１に接続され、ドレインがＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１ｂのソースに接続され、バックゲートと高電位側電源ＶＤＤの間に抵抗Ｒｂ１１ａが設けられ、抵抗Ｒ１１ａを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１１が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１ｂは、ドレインがＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１ｃのソースに接続され、バックゲートと高電位側電源ＶＤＤの間に抵抗Ｒｂ１１ｂが設けられ、抵抗Ｒ１１ｂを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１１が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１ｃは、ドレインが接地端子ＰＶＳに接続され、バックゲートと高電位側電源ＶＤＤの間に抵抗Ｒｂ１１ｃが設けられ、抵抗Ｒ１１ｃを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１１が入力される。
【００８７】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１１が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１ａ乃至ＮＴ１ｃが“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１ａ乃至ＰＴ１ｃが“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ１の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１１が“Ｌｏｗ”レベル（−２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ１ａ乃至ＮＴ１ｃが“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ１ａ乃至ＰＴ１ｃが“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ１が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ１の間が“ＯＦＦ”となる。
【００８８】
Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２ｃは、ドレインが共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭに接続され、ソースがＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２ｂのドレインに接続され、バックゲートと接地電位ＶＳの間に抵抗Ｒｂ２ｃが設けられ、抵抗Ｒ２ｃを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１２が入力される。Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２ｂは、ソースがＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２ａのドレインに接続され、バックゲートと接地電位ＶＳの間に抵抗Ｒｂ２ｂが設けられ、抵抗Ｒ２ｂを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１２が入力される。Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２ａは、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ２に接続され、バックゲートと接地電位ＶＳの間に抵抗Ｒｂ２ａが設けられ、抵抗Ｒ２ａを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１２が入力される。
【００８９】
Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ２ａは、ソースがＲＦ端子ＰＲＦ２に接続され、ドレインがＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ２ｂのソースに接続され、バックゲートと高電位側電源ＶＤＤの間に抵抗Ｒｂ１２ａが設けられ、抵抗Ｒ１２ａを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１２が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ２ｂは、ドレインがＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ２ｃのソースに接続され、バックゲートと高電位側電源ＶＤＤの間に抵抗Ｒｂ１２ｂが設けられ、抵抗Ｒ１２ｂを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１２が入力される。Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ２ｃは、ドレインが接地端子ＰＶＳに接続され、バックゲートと高電位側電源ＶＤＤの間に抵抗Ｒｂ１２ｃが設けられ、抵抗Ｒ１２ｃを介してゲートにスイッチ制御信号Ｓ１２が入力される。
【００９０】
ここで、スイッチ制御信号Ｓ１２が“Ｈｉｇｈ”レベル（２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２ａ乃至ＮＴ２ｃが“ＯＮ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ２ａ乃至ＰＴ２ｃが“ＯＦＦ”して、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ２の間が“アクティブ”となる。一方、スイッチ制御信号Ｓ１２が“Ｌｏｗ”レベル（−２．５Ｖ）の場合、スルーＦＥＴとしてのＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタＮＴ２ａ乃至ＮＴ２ｃが“ＯＦＦ”し、シャントＦＥＴとしてのＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタＰＴ２ａ乃至ＰＴ２ｃが“ＯＮ”して、ＲＦ端子ＰＲＦ２が接地電位ＶＳとなり、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ２の間が“ＯＦＦ”となる。
【００９１】
上述したように、本実施例の半導体スイッチ回路では、ＳＰＤＴ（内部回路部）２ｃは、制御回路から出力されるスイッチ制御信号Ｓ１１及びＳ１２にもとづいて、共通ＲＦ端子ＰＲＦＣＯＭとＲＦ端子ＰＲＦ１及びＰＲＦ２のいずれか１つのＲＦ端子間を活性化して高周波（ＲＦ）信号を伝播させる。スルーＦＥＴにはＮｃｈ  ＭＯＳトランジスタを用い、シャントＦＥＴにはＰｃｈ  ＭＯＳトランジスタを用いている。ＳＰＤＴ（内部回路部）２ｃには、対となる並列配置された３つスルーＦＥＴと並列配置された３つのシャントＦＥＴが設けられ、それぞれのゲートには高抵抗値を有する抵抗が設けられている。スルーＦＥＴのバックゲートと接地電位ＶＳの間に高抵抗値を有する抵抗が設けられている。シャントＦＥＴのバックゲートと高電位側電源ＶＤＤの間に高抵抗値を有する抵抗が設けられている。
【００９２】
このため、従来よりもスイッチ切り替えを制御するスイッチ制御信号の本数を抑制でき、スイッチ制御信号を生成する制御回路の構成を簡略化することができる。また、一つのスイッチ制御信号により、スルーＦＥＴが“ＯＮ”したときに対となるシャントＦＥＴが同時に“ＯＦＦ”する。一つのスイッチ制御信号により、スルーＦＥＴが“ＯＦＦ”したときに対となるシャントＦＥＴが同時に“ＯＮ”する。したがって、タイミングずれによる誤動作が発生する可能性がない。更に、並列配置された３つのスルーＦＥＴ及びシャントＦＥＴのゲートにはそれぞれ高抵抗値を有する抵抗が設けられているので、実施例１よりも高周波（ＲＦ）信号のパワーレベルが大きな場合でのトランジスタの実効降伏電圧の低下を抑制することができる。
【００９３】
本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々、変更してもよい。
【００９４】
例えば、実施例では、高周波アナログスイッチに適用しているが、半導体集積回路で生成される内部デジタル信号の切り替えを行うスイッチに適用できる。また、実施例１及び実施例２ではＳＰ６Ｔのスイッチ回路、実施例３ではＳＰＤＴのスイッチ回路に適用しているが、これに限定されるものではなくＳＰｎＴ（poleが１個で、throwがｎ個）のスイッチ回路やｍPｎＴ（poleがｍ個で、throwがｎ個）のスイッチ回路に適用することができる。また、実施例３ではスルーＦＥＴ及びシャントＦＥＴをそれぞれ３個並列形成しているが、４個以上並列形成してもよい。
【００９５】
本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。  
（付記１）  共通端子と信号端子の間にｎ（ただし、ｎは２以上の整数）個並列に設けられ、ゲートが第１の抵抗に接続され、Ｎｃｈ  絶縁ゲート電界効果トランジスタから構成されるスルーＦＥＴ群と、前記共通端子と接地端子の間にｎ個並列に設けられ、ゲートが第２の抵抗に接続され、ゲートが前記第２の抵抗及び前記第２の抵抗を介して前記スルーＦＥＴ群のゲートに接続され、Ｐｃｈ  絶縁ゲート電界効果トランジスタから構成されるシャントＦＥＴ群と、前記第１の抵抗を介して前記スルーＦＥＴ群のゲートと前記第２の抵抗を介して前記シャントＦＥＴ群のゲートとにスイッチ制御信号を出力し、前記スイッチ制御信号の信号レベルが“Ｈｉｇｈ”の場合、前記シャントＦＥＴ群を“ＯＦＦ”させ、前記スルーＦＥＴ群を“ＯＮ”させて前記共通端子と前記信号端子の間をアクティブにし、前記スイッチ制御信号の信号レベルが“Ｌｏｗ”の場合、前記スルーＦＥＴ群を“ＯＦＦ”させ、前記シャントＦＥＴ群を“ＯＮ”させて前記共通端子と前記信号端子の間を“ＯＦＦ”させる端子とを具備する半導体スイッチ回路。
【００９６】
（付記２）  前記スルーＦＥＴ及び前記シャントＦＥＴは、エンハンスメントモードのトランジスタである付記１に記載の半導体スイッチ回路。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の実施例１に係る高周波スイッチの構成を示すブロック図。
【図２】本発明の実施例１に係る制御信号により共通ＲＦ端子と接続されるＲＦ端子の関係を示す図。
【図３】本発明の実施例１に係る高周波スイッチの内部回路部を示す回路図。
【図４】本発明の実施例１に係る従来の高周波スイッチの構成を示すブロック図。
【図５】本発明の実施例１に係る従来の高周波スイッチで、制御信号により共通ＲＦ端子と接続されるＲＦ端子の関係を示す図。
【図６】本発明の実施例１に係る従来の高周波スイッチの内部回路部を示す回路図。
【図７】本発明の実施例２に係る高周波スイッチの内部回路部を示す回路図。
【図８】本発明の実施例３に係る高周波スイッチの内部回路部を示す回路図。
【符号の説明】
【００９８】
１、１ａ  制御回路
２、２ａ、２ｂ  ＳＰ６Ｔ（内部回路部）
２ｃ  ＳＰＤＴ（内部回路部）
３  ドライバ
１０、１０ａ  高周波スイッチ（ＳＰ６Ｔ）
３０  半導体集積回路装置
ＮＴ１〜ＮＴ６、ＮＴ１Ａ〜ＮＴ６Ａ、ＮＴ１Ｂ〜ＮＴ６Ｂ、ＮＴ１ａ〜ＮＴ１ｃ、ＮＴ２ａ〜ＮＴ２ｃ、ＮＴ１１〜ＮＴ１６  Ｎｃｈ  ＭＯＳトランジスタ
ＰＲＦ１〜ＰＲＦ６  ＲＦ端子
ＰＲＦＣＯＭ  共通ＲＦ端子
ＰＴ１〜ＰＴ６、ＰＴ１Ａ〜ＰＴ６Ａ、ＰＴ１Ｂ〜ＰＴ６Ｂ、ＰＴ１ａ〜ＰＴ１ｃ、ＰＴ２ａ〜ＰＴ２ｃ  Ｐｃｈ  ＭＯＳトランジスタ
ＰＶＤＤ  高電位側電源端子
ＰＶＳＳ  低電位側電源端子
Ｒ１〜Ｒ６、Ｒ１Ａ〜Ｒ６Ａ、Ｒ１Ｂ〜Ｒ６Ｂ、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｃ、Ｒ２ａ〜Ｒ２ｃ、Ｒ１１〜Ｒ１６、Ｒ１１Ａ〜Ｒ１６Ａ、Ｒ１１Ｂ〜Ｒ１６Ｂ、Ｒ１１ａ〜Ｒ１１ｃ、Ｒ１２ａ〜Ｒ１２ｃ、Ｒ２１、Ｒ３１〜Ｒ３６、Ｒｂ１ａ〜Ｒｂ１ｃ、Ｒｂ２ａ〜Ｒｂ２ｃ、Ｒｂ１１ａ〜Ｒｂ１１ｃ、Ｒｂ１２ａ〜Ｒｂ１２ｃ  抵抗
Ｓ１１〜Ｓ１６、Ｓ１１ａ〜Ｓ１６ａ、Ｓ１１０、Ｓ１１１、Ｓ１２０、Ｓ１２１、Ｓ１３０、Ｓ１３１、Ｓ１４０、Ｓ１４１、Ｓ１５０、Ｓ１５１、Ｓ１６０、Ｓ１６１  スイッチ制御信号
ＳＶ１〜ＳＶ３  制御信号
ＶＤＤ  高電位側電源
ＶＳ  接地電位
ＶＳＳ  低電位側電源
【図１】
2008011120.tif 000003
【図２】
2008011120.tif 000004
【図３】
2008011120.tif 000005
【図４】
2008011120.tif 000006
【図５】
2008011120.tif 000007
【図６】
2008011120.tif 000008
【図７】
2008011120.tif 000009
【図８】
2008011120.tif 000010