(57)【要約】【課題】  測長光路近傍や当該光路全域への補正用センサまたは温度調整機構の設置が容易でない場合にも、測長光路の屈折率変動による測長精度への影響をより正確に補正する。【解決手段】  被測長物１までの距離を計測するレーザ干渉計２と、該レーザ干渉計から被測長物までの測長光路３の屈折率を変動させる屈折率変動パラメータの少なくとも１つを制御する制御手段９と、を有するレーザ干渉計測長装置において、前記制御手段の動作パラメータから前記屈折率変動パラメータの少なくとも１つ、屈折率またはそれらの変動分を算出する手段と、算出結果に基づいて前記レーザ干渉計による計測値を補正する手段とを設ける。【選択図】図１
2008170199.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測長物までの距離を計測するレーザ干渉計と、該レーザ干渉計から被測長物までの測長光路の屈折率を変動させる屈折率変動パラメータの少なくとも１つを制御する制御手段と、を有するレーザ干渉計測長装置であって、
前記制御手段の動作パラメータから前記屈折率変動パラメータ、屈折率またはそれらの変動分を算出する手段と、算出結果に基づいて前記レーザ干渉計による計測値を補正する手段と
を有することを特徴とするレーザ干渉計測長装置。
【請求項２】
被測長物までの距離を計測するレーザ干渉計と、該レーザ干渉計から被測長物までの測長光路の屈折率を変動させる屈折率変動パラメータの少なくとも１つを検知するセンサと、を有するレーザ干渉計測長装置であって、
前記センサの出力から前記屈折率変動パラメータの真値もしくは前記屈折率またはそれらの変動分を算出する手段と、
該算出結果に基づいて前記レーザ干渉計による計測値を補正する手段と、
を有することを特徴とするレーザ干渉計測長装置。
【請求項３】
前記屈折率変動パラメータは、前記測長光路の温度、圧力および湿度であることを特徴とする請求項１または２に記載のレーザ干渉計測長装置。
【請求項４】
被測長物までの距離を計測するレーザ干渉計と、該レーザ干渉計から被測長物までの測長光路の温度を制御する温度調整機構と、を有するレーザ干渉計測長装置であって、
温度調整機構の動作パラメータから前記測長光路の温度もしくは屈折率またはそれらの変動分を算出する手段と、算出結果に基づいてレーザ干渉計により計測された被測長物までの距離を補正する手段と
を有することを特徴とするレーザ干渉計測長装置。
【請求項５】
前記動作パラメータは、温調ヒータ出力、吹き出し直後の温度、温調エアの風速または風量、前記測長光路の長さ、前記温度調整機構から前記測長光路までの距離および前記測長光路の温度を検知するセンサの出力の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１または４に記載のレーザ干渉計測長装置。
【請求項６】
被測長物までの距離を計測するレーザ干渉計と、該レーザ干渉計から被測長物までの測長光路の温度を検知するセンサと、を有するレーザ干渉計測長装置であって、
前記センサの出力から前記測長光路における温度の真値もしくは前記測長光路の屈折率またはそれらの変動分を算出する手段と、
該算出結果に基づいて前記レーザ干渉計による計測値を補正する手段と、
を有することを特徴とするレーザ干渉計測長装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載のレーザ干渉計測長装置を有することを特徴とする露光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被測長物までの距離を計測するレーザ干渉計測長装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
精密な位置合わせが要求される半導体露光装置などにおいてはその測長にレーザ干渉計測長装置が用いられる。レーザ干渉計測長装置の測長精度はその計測原理から、基準レーザ光と測長レーザ光の分岐点から被測長物との間の測長光が通過する光路の屈折率の影響を受ける。屈折率は温度、気圧、湿度の関数であるため、測長光路中の温度、圧力、湿度に変動があると測長精度にも変動が生じる。レーザ干渉計測長装置の精度向上のために特許文献１や特許文献２では温度、圧力、湿度を計測するセンサを測長光路近傍に設け、そのセンサ計測値を用いて測長光の波長を補正している。また特許文献３では測長光近傍雰囲気の固定区間に補正用レーザを通し、そのレーザ出力ゆらぎを屈折率ゆらぎとして測長光波長を補正している。
【０００３】
ここでレーザ干渉計測長装置の測長精度とレーザ波長、測長光路媒質の屈折率、温度、圧力、湿度との関係を説明する。一般的なレーザ干渉計測長装置のひとつは僅かに異なる周波数をもつ２つのレーザ光を用いている。一方を基準光とし周波数一定となるような光路を通し受光部に導く。もう一方を測長光とし測長したい区間の始点にて基準光と分岐させ、測長したい区間の終点つまり被測長物に反射させる。被測長物に反射した測長光を再び分岐点まで戻し、その後は基準光と同じ光路にて受光部へと導く。この時基準光と測長光の周波数の差分Δｆ＝ｆ２−ｆ１をビート周波数とする。ｆ２は被測長物に反射することから被測長物が動くとドップラ効果により周波数変動する。ｆ１を一定とするとビート周波数Δｆの変化から被測長物の速度がわかり、速度を積分することで距離がわかる。これがレーザ干渉計測長装置の計測原理である。
【０００４】
一方、媒質中を進む光の波長は媒質の屈折率に反比例することが知られている。また気体の屈折率は式１のＥｄｌｅｎの公式ように温度、圧力、湿度に依存する。
【０００５】
【数１】
2008170199.tif 000003
このようにレーザ干渉計測長装置の計測精度は測長光路の温度、圧力、湿度の影響を受けるため、精密な測長を行うには測長光路の温度、圧力、湿度から屈折率を正確に補正しなければならない。
【特許文献１】特開昭６２−１３９０１４号公報
【特許文献２】特開平９−１１５８００号公報
【特許文献３】特開平６−１６００１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したように、半導体露光装置などにおける精密測長にはレーザ干渉計測長装置が用いられる。その測長精度は測長光路の屈折率、つまり光路の温度、圧力、湿度の影響を受ける。従来技術としては、測長精度向上のために測長光路近傍に温度、圧力、湿度、屈折率の計測センサを設け、そのセンサの計測値から測長光路屈折率を補正していた。しかし実際の測長環境においては、スペースの関係上、補正用センサ類を必ずしも測長光路近傍に置くことができない。例えば測長光路温度起因の屈折率変動を補正するために温度センサを用いたとする。実際の測長光路温度と温度センサの計測温度には場所差により少なからず温度差をもつし、有限個数の局所的な温度センサ計測値から光路全域の平均温度を正確に求めることは困難である。従って測長光路温度起因の屈折率変動を適切に補正するには、測長光路と温度センサとの場所差による両者の関係を考慮しなければならい。また測長光路と温度センサの周辺に移動体があり、その移動体が移動することで気流が変化し測長光路温度と温度センサ温度との関係が変わってしまう場合は、その移動体の情報も適切に考慮しなければならない。
【０００７】
本発明は、特に、レーザ干渉計測長装置の測長光路屈折率補正用センサ類または雰囲気調整手段を測長光路近傍に設置できない場合の問題点に鑑み、考え出されたものである。測長光路とこれらのセンサ類または調整手段との場所差に起因する測長光路屈折率補正誤差を軽減するために考え出されたものである。また測長光路屈折率と補正用センサ計測値との関係が両者以外の要素により変化してしまう場合も、本発明により変化要素の情報により測長光路屈折率補正の補正方法を変えることで測長精度を向上させることができる。
すなわち、本発明は、測長光路近傍や当該光路全域への補正用センサまたは温度調整機構の設置が容易でない場合にも、測長光路の屈折率変動による測長精度への影響をより正確に補正することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明に係る第１のレーザ干渉計測長装置は、被測長物までの距離を計測するレーザ干渉計と、該レーザ干渉計から被測長物までの測長光路の屈折率を変動させる屈折率変動パラメータの少なくとも１つを制御する制御手段と、を有するレーザ干渉計測長装置であって、前記制御手段の動作パラメータから前記屈折率変動パラメータの少なくとも１つ、屈折率またはそれらの変動分を算出する手段と、算出結果に基づいて前記レーザ干渉計による計測値を補正する手段とを有することを特徴とする。ここで、前記屈折率変動パラメータは、例えば、前記測長光路の温度、圧力および湿度である。
【０００９】
本発明に係る第２のレーザ干渉計測長装置は、被測長物までの距離を計測するレーザ干渉計と、該レーザ干渉計から被測長物までの測長光路の屈折率を変動させる屈折率変動パラメータの少なくとも１つを検知するセンサと、を有するレーザ干渉計測長装置であって、前記センサの出力から前記屈折率変動パラメータの真値もしくは前記屈折率またはそれらの変動分を算出する手段と、該算出結果に基づいて前記レーザ干渉計による計測値を補正する手段と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、屈折率に影響を与え得る温度調整機構の動作パラメータから、温度調整機構が実際に測長光路に与える影響を算出する。または、測長光路の屈折率変動パラメータのセンサによる検知結果を、より正確であろう値に換算する。これにより、測長光路の屈折率が測長結果に与える影響をより精度良く補正することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の好ましい実施の一形態に係るレーザ干渉計測長装置は、屈折率変動パラメータ（温度、圧力、湿度）が、温度である場合についてのものである。このレーザ干渉計測長装置は、被測長物までの距離を計測するレーザ干渉計と、該レーザ干渉計から被測長物までの測長光路の温度（屈折率変動パラメータ）を制御する温度調整機構とを有する。また、温度調整機構の動作パラメータから前記測長光路の温度もしくは屈折率またはそれらの変動分を算出する手段と、算出結果に基づいてレーザ干渉計により計測された被測長物までの距離を補正する手段とを有する。ここで、前記動作パラメータは、温調ヒータ出力、吹き出し直後の温度、温調エアの風速または風量、前記測長光路の長さ、前記温度調整機構から前記測長光路までの距離および前記測長光路の温度を検知するセンサの出力などである。前記算出する手段は、前記動作パラメータと、前記測長光路の温度もしくは屈折率またはそれらの変動分との関係を予め実測によりまたは設計仕様等から求めて、結果を関数またはテーブルとして備えると良い。
【００１２】
本発明の好ましい実施の他の形態に係るレーザ干渉計測長装置は、被測長物までの距離を計測するレーザ干渉計と、該レーザ干渉計から被測長物までの測長光路の温度を検知するセンサとを有する。また、前記センサの検知出力から前記測長光路における温度の真値もしくは前記測長光路の屈折率またはそれらの変動分を算出する手段と、該算出結果に基づいて前記レーザ干渉計による計測値を補正する手段とを有する。センサは測長光路中には配置できないため、測長光路の真の温度を検知することは困難である。そこで、センサの検知温度を測長光路の真の温度(真値)に換算する。または測長光路の真値における屈折率を算出する。前記算出する手段は、前記センサの検知出力と、前記測長光路の温度の真値もしくは屈折率またはそれらの変動分との関係を予め実測によりまたは設計仕様等から求めて、結果を関数またはテーブルとして備えると良い。
【００１３】
前述のようにレーザ干渉計測長装置にて高精度測長するには測長光路屈折率を正しく補正する必要がある。測長光路近傍に屈折率補正用センサを設置できない場合は、測長光路と補正用センサとの場所差に起因する屈折率差が問題となる。更に測長光路屈折率と補正用センサ計測値との関係が両者以外の要素で変化する場合は、その変化要素も考慮する必要がある。本発明では、その測長光路と補正用センサとの場所差の関係および両者の関係を変化させ得る両者以外の要素を考慮し、変化要素情報と補正用センサ計測値をもとに測長光路屈折率を補正することを提案している。
【００１４】
例えば、レーザ干渉計測長装置による高精度測長が要求される場合には、その測長光路は高精度に温度制御されることが多い。測長精度は式１のように測長光路温度の影響を受けるからである。低温空気を所望の温度までヒータ過熱し測長光路に吹きつける温調システムを考える。吹き出し直後の温度は時間と共に変化するとして次のように表される。
【００１５】
【数２】
2008170199.tif 000004
またヒータ加熱から吹き出し空気温度応答までにはヒータの応答特性や空気の熱時定数など考慮する必要があるため、光路温度は時間の関数としても考えなければならず式２は次のように修正される。
【００１６】
【数３】
2008170199.tif 000005
上式でヒータ出力が時間の関数となっているのはヒータ出力も温調制御により時間変化するためである。
【００１７】
続いて測長光路上の点ｘ０の温度を考える。温調エアによる温度影響は正確には熱の拡散など様々な現象を考慮する必要があるが、ここでは説明容易化のため一定風速の温調エアが測長光路上の点に到達するまでの時間差に着目し議論を進める。測長光路上の点ｘ０の温度は吹き出し直後の温度の影響を受けることから次式のように表される。
【００１８】
【数４】
2008170199.tif 000006
また上記光路上の点ｘ０から僅かに離れたもうひとつの光路上の点ｘの温度は温調エアが到達するまでの時間差を考慮すると次のようになる。
【００１９】
【数５】
2008170199.tif 000007
ここで更なる説明容易化のため点ｘと点ｘ０温度が両者間の距離に依存するとして式５を次式のように修正する。
【００２０】
【数６】
2008170199.tif 000008
従って測長光路全域の平均温度は次のようにして求まる。
【００２１】
【数７】
2008170199.tif 000009
上式第２項を定数として扱えば、測長光路全域の平均温度は温調ヒータ出力と時間の関数で表すことができ、式７のＴａｖｇを式１のＴに代入すれば測長光路屈折率が補正できる。このように測長光路から離れた位置の温調パラメータから測長光路全域の平均温度を算出し屈折率補正をするため、測長光路近傍に補正用センサを設置できない場合には有効な屈折率補正手段となる。
【００２２】
また測長光路近傍に補正用温度センサが設置できた場合でも、局所的な温度が光路全域の平均温度を必ずしも代表しているとは限らない。更にこのような微小な屈折率誤差を議論する場合は高精度な温度測定が必要である。高精度な温度センサの応答は早くても１秒弱かかってしまうため測長光路温度の時間変化に補正用温度センサの応答が追従するのが困難である。
【００２３】
続いて、ある障害物が温調エア吹き出し口直後にあり、その位置により温調性能に影響を与えている場合を考える。その場合、式６の点ｘと点ｘ０の温度の関係は障害物の位置に依存するため式６、式７は次のように修正される。
【００２４】
【数８】
2008170199.tif 000010
このように測長光路温度と温調エアの関係が障害物の位置により変化する場合は、障害物の位置情報とその影響度を考慮し屈折率補正するべきである。
【００２５】
ここで参考として前述の式に実際に値を当てはめてみよう。計算容易化のために温調ヒータが温調エア吹き出し部の極めて近傍にあるとする。ヒータ出力の影響が吹き出しエア温度に直ちに伝わるとすると式３は次のように簡易化できる。
【００２６】
【数９】
2008170199.tif 000011
また測長光路の吹き出しエア側の端を点ｘ０とし、吹き出し口が点ｘ０の極めて近傍にあるとすると式４も次のように簡易化される。
【００２７】
【数１０】
2008170199.tif 000012
【００２８】
続いて点ｘ０からｘ離れた測長光路上の点ｘと端点ｘ０の温度の関係を次のように仮定する。温調エア吹き出し口側の端点ｘ０において温度は最も高く、端点ｘ０から測長光路長Ｌｘ離れたもう一方の端点で最も温度が低い。端点間の距離を０．２ｍ、温度差０．０１Ｋとし、温度差は距離の２乗に比例する。
これらの仮定において点ｘの温度は次のように表される。
【００２９】
【数１１】
2008170199.tif 000013
従って測長光路全域の平均温度は次のようになる。
【００３０】
【数１２】
2008170199.tif 000014
即ち測長光路全域の平均温度は温調エア吹き出し部の温度より０．００３３Ｋ低いことになる。
【００３１】
続いて仮に測長光路のちょうど真ん中に補正用温度センサを設けたとしよう。補正用温度センサ位置は点ｘ０から測定光路長の半分の０．１ｍの距離にあるので、補正用センサ部の温度は式１４から次のようになる。
【００３２】
【数１３】
2008170199.tif 000015
補正用温度センサがこの温度を応答遅れなく計測し、測長光路全域がこの温度であるとし屈折率補正をするとする。式１５と式１６からわかるように、式１５のように測長光路長全域の平均温度を積分して求めた場合と式１６のような局所的な代表値では０．００３３−０．００２５＝０．０００８Ｋの温度誤差が発生する。これを測長光路０．２ｍで換算する。式１のように温度１Ｋで屈折率はおよそ１ｐｐｍ変化するので、測長誤差はおよそ０．２×０．０００８×１０−６＝０．１６×１０−９ｍ＝０．１６ｎｍとなる。
【００３３】
このように補正用温度センサがその位置の温度を応答遅れなく計測できたとしても、光路上の位置による温度分布がある場合、そのセンサ計測値を光路全域の温度として用いると測長誤差がでてしまう。また実際には高精度温度センサには少なくとも１秒弱の応答遅れがあり温度センサ応答遅れによる測長誤差が乗る。更に式１３つまり点ｘ０と点ｘの温度の関係を変化させる障害物がある場合はその影響も考慮しなければならない。従ってそれらを考慮した例えば式１０のように測長光路屈折率補正を行うことでより高精度な測長が可能となる。
【００３４】
レーザ干渉計測長装置による高精度測長において、従来技術では測長光路近傍に補正用センサを設置し測長光路屈折率を補正していた。本発明によると測長光路屈折率補正に補正用センサを必ずしも測長光路近傍に設置する必要がなくなる。また本質的に測長光路屈折率に影響を与え得る情報とそれらの関係を考慮した補正を行うことから、より高精度な屈折率補正が可能となり測長精度を向上させることができる。
【実施例】
【００３５】
図１に本発明の一実施例に係るレーザ干渉計測長装置の構成を示す。同図において、１は被測長物、２はレーザ干渉計、３は測長用レーザ光（または測長光路）、４は測長光出射口、５は反射鏡、６は温調エア、７は送風機、８は低温エア、９は温調ヒータである。また、１０は温調エア吹き出し部、１１は温度センサ、１２は温調コントローラ、１３は支持構造体である。なお、本実施例を半導体露光装置に適用する場合、被測長物１はレチクルステージまたはウエハステージに対応する。
【００３６】
図１において、被測長物１はレーザ干渉計２にて測長される。測長用レーザ光３は測長光出射口４から出射し、被測長物に取り付けられた反射鏡５に反射し再び測長光出射口４に戻る。測長光出射口４から反射鏡５までの距離がレーザ干渉計２にて測長されることになる。測長光路３の温度変動による屈折率変動で測長精度が悪化せぬよう測長光路３は温調エア６にて温度制御される。温調エア６は送風機７から送られた低温エア８を温調ヒータ９にて加熱し所望の温度に制御したものである。温調エア吹き出し部１０には温度センサ１１が設けられ、温度センサ計測値が所望の値となるように温調コントローラ１２で温調ヒータの出力が制御される。
【００３７】
例えば今、温調エア６の温度が所望の温度より低かったとする。その低温の空気はある遅れと効き率を伴って測長光路３の温度つまり屈折率に影響を与え測長誤差を発生させる。同時に吹き出し部１０の温度センサ１１は温調エア６が所望の温度より低いことを感知し、温調コントローラ１２は温調ヒータ９へ加熱の指示を送る。ヒータ９の応答特性、空気の熱伝達、流れなど、温調エア６はある遅れと効き率を伴って所望の温度となる。温調エア６が所望の温度になった後、更にある遅れと効き率をもって測長光路３の温度が所望の温度となる。このように測長光路３の温度変動分の測長誤差抑制を温調エア６による測長光路３の温度安定化に頼る場合、どうしても温調システムの遅れや効き率による誤差を拾わざるを得ない。
【００３８】
そこで、もし温調ヒータ９出力と測長光路３の温度との関係が定量化できたらどうなるであろう。両者の関係を考慮し温調コントローラ１２の演算内容の一部を測長光路温度補正として測長光路３を屈折率補正すれば、温調エア起因の測長誤差を直ちに補正することができる。このように測長光路の屈折率に影響を与え得る情報と当該屈折率との関係がわかれば、その関係を考慮し当該情報から測長光路屈折率を適切に補正することでより高精度な測長が可能となる。
【００３９】
また被測長物１が可動式であり、被測長物１が移動することで温調ヒータ９出力と測長光路３の温度の関係が変化するとしよう。そのような場合は被測長物１の位置が温調ヒータ出力と測長光路温度の関係にいかに変化をもたらすかを考慮し適切に屈折率補正することにより高精度な測長を達成することができる。
【００４０】
［露光装置の実施例］
以下、本発明のレーザ干渉計測長装置が適用される例示的な露光装置を説明する。露光装置は図２に示すように、照明装置１０１、レチクルを搭載したレチクルステージ１０２、投影光学系１０３、ウエハを搭載したウエハステージ１０４を有する。１０５は露光装置本体である。露光装置は、レチクルに形成された回路パターンをウエハに投影露光するものであり、ステップアンドリピート投影露光方式またはステップアンドスキャン投影露光方式であってもよい。
【００４１】
照明装置１０１は回路パターンが形成されたレチクルを照明し、光源部と照明光学系とを有する。光源部は、例えば、光源としてレーザを使用する。レーザは、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ、波長約１５３ｎｍのＦ２エキシマレーザなどを使用することができる。但し、レーザの種類はエキシマレーザに限定されず、例えば、ＹＡＧレーザを使用してもよいし、そのレーザの個数も限定されない。光源にレーザが使用される場合、レーザ光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザ光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。また、光源部に使用可能な光源はレーザに限定されるものではなく、一または複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。
【００４２】
照明光学系はマスクを照明する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレータ、絞り等を含む。
投影光学系１０３は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子を少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）を使用することができる。また、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等も使用することができる。
レチクルステージ１０２およびウエハステージ１０４は、例えばリニアモータによって移動可能である。ステップアンドスキャン投影露光方式の場合には、それぞれのステージは同期して移動する。また、レチクルのパターンをウエハ上に位置合わせするためにウエハステージおよびレチクルステージの少なくともいずれかに別途アクチュエータを備える。
このような露光装置は、半導体集積回路等の半導体デバイスや、マイクロマシン、薄膜磁気ヘッド等の微細なパターンが形成されたデバイスの製造に利用され得る。
【００４３】
［デバイス製造方法の実施例］
次に、図３および図４を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図３は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスク（原版またはレチクルともいう）を製作する。ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ（基板ともいう）を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組立）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。
【００４４】
図４は、ステップ４のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施例に係るレーザ干渉計測長装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１のレーザ干渉計測長装置の適用例としての露光装置を説明するための図である。
【図３】露光装置を使用したデバイスの製造を説明するためのをフローチャートである。
【図４】図３に示すフローチャートのステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００４６】
１  被測長物
２  レーザ干渉計
３  測長用レーザ光
４  測長光出射口
５  反射鏡
６  温調エア
７  送風機
８  低温エア
９  温調ヒータ
１０  温調エア吹き出し部
１１  温度センサ
１２  温調コントローラ
１３  支持構造体
１０１  照明装置
１０２  レチクルステージ
１０３  投影光学系
１０４  ウエハステージ
１０５  露光装置本体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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