(57)【要約】      （修正有）【課題】耐電蝕性に優れた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】シール材２３を周囲に配置し、シール材の内側領域から外側領域まで延在する電気配線を有する電気光学装置用基板を備えた電気光学装置等であって、シール材の外側領域の電気配線において、シール材２３に近い側を、電蝕防止用フォトスペーサ２４を用いて被覆することにより、電蝕防止部とするとともに、シール材から遠い側をモールド樹脂９１’で被覆して、モールド樹脂部９２とする。【選択図】図１
2008287058.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シール材を周囲に配置し、前記シール材の内側領域から外側領域まで延在する電気配線
を有する電気光学装置用基板を備えた電気光学装置であって、
前記シール材の外側領域の電気配線において、
前記シール材に近い側の電気配線を、電蝕防止用フォトスペーサを用いて被覆して形成
した電蝕防止部が設けてあるとともに、
前記シール材から遠い側の電気配線をモールド樹脂で被覆して形成したモールド樹脂部
が設けてあり、
かつ、前記電蝕防止用フォトスペーサおよびモールド樹脂により、前記シール材の外側
領域の電気配線が、全面的に被覆されていること
を特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記電蝕防止部の内部、あるいは電蝕防止部において隣接する電気配線の間に、所定形
状を有する開口部として、電蝕防止用フォトスペーサが設けられていない領域が形成して
あることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記電蝕防止用フォトスペーサが、前記電気配線を被覆し、全体として、くし歯状に形
成してあることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記電気光学装置用基板に、前記電蝕防止用フォトスペーサの高さ位置を調節するため
の位置調整部材が設けてあることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気
光学装置。
【請求項５】
前記モールド樹脂部の内部に位置する電気配線上に、ベタ状電気絶縁層を設けることを
特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
シール材を周囲に配置し、前記シール材の内側領域から外側領域まで延在する電気配線
を有する電気光学装置用基板を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記シール材の外側領域の電気配線において、
前記シール材に近い側の電気配線を、電蝕防止用フォトスペーサを用いて被覆すること
により、電蝕防止部を設ける工程と、
前記シール材から遠い側の電気配線をモールド樹脂で被覆することにより、モールド樹
脂部を設ける工程と、
を含み、かつ、前記電蝕防止用フォトスペーサおよびモールド樹脂により、前記シール
材の外側領域の電気配線を、全面的に被覆すること
を特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載された電気光学装置を備えることを特徴とする電子
機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器に関する。特に、耐電
蝕性に優れた電気光学装置、そのような電気光学装置の製造方法、及びそのような電気光
学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置の一態様である液晶装置は、それぞれ着色層や保護膜、電極等を備
えた一対の基板を対向配置するとともに、当該一対の基板の間に液晶材料を注入して構成
されている。
例えば、三端子型の非線形素子であるＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）を備えた液
晶装置の場合、素子基板は、ガラス基板等の上に、電気配線、ＴＦＴ素子、層間絶縁膜、
画素電極、配向膜等が積層されて構成されている。また、素子基板と対向する対向基板上
には、着色層、遮光膜、対向電極、配向膜等が積層されて構成されている。そして、これ
らの素子基板及び対向基板を、導電性シール材により貼り合わせてセル構造を形成すると
ともに、形成されたセル内に液晶材料が注入された後、封止剤で注入孔を封止することに
より液晶パネルが構成されている。
【０００３】
ところで、このような液晶パネルにおいて、シール材の外側領域の電気配線における電
気腐蝕（電蝕）が問題となっている。すなわち、図１２に示すように、外部から水分等が
浸入し、シール材２３の外側領域の電気配線６５が露出した部分において、電蝕が生じや
すいという問題が見られた。
そこで、図１３に示すように、シール材３６２を横切って延在する電気配線３２２にお
いて、シール材３６２と、電気配線３２２との間に、電気絶縁層３２６を設けた電気光学
装置（液晶表示装置）３０１が提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
また、図１４に示すように、液晶装置４０１を構成する基板４０５ａの張り出し部に形
成された電気配線４１２の表面に、第１の電気絶縁層４１４ａと、第２の電気絶縁層４１
４ｂと、を形成した液晶表示装置４０１も提案されている（特許文献２参照）。
【０００５】
さらに、図１５に示すように、シール材５１０の外側領域に形成された電気配線５３９
を、通常使用されるＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等のかわりに、Ｍｏ（モリブテン）お
よびＷ（タングステン）を含む合金から形成した電気光学装置（液晶表示装置）５０１も
提案されている（特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００５−２４２１６１号公報  （特許請求の範囲）
【特許文献２】特開２０００−２７５６７１号公報  （特許請求の範囲）
【特許文献３】特開２００６−２１５１４０号公報  （特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１における電気光学装置では、シール材における電気配線に絶
縁層を設けて、シール材における電気配線の腐蝕防止を考慮しているものの、シール材の
外側領域における電気配線の腐蝕防止まで考慮したものではなかった。
また、特許文献２における液晶表示装置では、複数層の絶縁層を設けて、基板上の電気
配線の腐蝕防止を考慮しているものの、構造が複雑になって、かつ安価に製造することが
できないという問題が見られた。
さらに、特許文献３における電気光学装置では、基板上に電気配線を形成するのに、高
価な金属種（ＭｏやＷ）を含む合金を使用しなければならず、安価に製造することができ
ないという問題が見られた。
【０００７】
一方、シール材の外側領域の電気配線の全てを、モールド樹脂で被覆することも考えら
れるが、上下基板が邪魔して、精度良く被覆することは困難であった。
また、モールド樹脂で本来、電気絶縁される半導体素子等に不具合があった場合に、シ
ール材の外側領域の電気配線の全てを、モールド樹脂で被覆してしまうと、半導体素子等
のリペアが困難であるという問題が見られた。
さらには、モールド樹脂を使用した場合、電気配線の表面のみならず、非電気配線領域
までも被覆しなければならず、配線設計の自由度が低いという問題が見られた。
【０００８】
そこで、本発明の発明者らは、シール材に近い側の電気配線を、電蝕防止用フォトスペ
ーサを用いて被覆し、所定の電蝕防止部を設けるとともに、シール材に遠い側の電気配線
はモールド樹脂を用いて被覆し、モールド樹脂部を設けることにより、耐電蝕性に優れた
電気光学装置が、簡単かつ安価に得られることを見出した。
すなわち、本発明は、耐電蝕性に優れた電気光学装置を簡単かつ安価に提供することを
目的とする。
また、本発明の別の目的は、そのような電気光学装置を効率的に製造する方法を提供す
ることである。
さらに、本発明の別の目的は、そのような電気光学装置を備えた電子機器を提供するこ
とである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、シール材を周囲に配置し、シール材の内側領域から外側領域まで延在
する電気配線を有する電気光学装置用基板を備えた電気光学装置であって、シール材の外
側領域の電気配線において、シール材に近い側の電気配線を、電蝕防止用フォトスペーサ
を用いて被覆することにより、電蝕防止部が設けてあるとともに、シール材から遠い側の
電気配線をモールド樹脂で被覆することにより、モールド樹脂部が設けてあり、かつ、電
蝕防止用フォトスペーサおよびモールド樹脂により、シール材の外側領域の電気配線が、
全面的に被覆されていることを特徴とする電気光学装置が提供され、上述した問題を解決
することができる。
すなわち、シール材近傍の電気配線に電蝕防止部を設けるとともに、シール材から離れ
た位置の電気配線にモールド樹脂部を設け、かつ、シール材の外側領域の電気配線が、全
面的に被覆されていることから、簡易かつ安価に、耐電蝕性に優れた電気光学装置を得る
ことができる。
また、このように構成することにより、電気配線の露出部分がなくなり、電気配線の耐
電蝕性が向上し、ひいては、耐電蝕性に優れた電気光学装置を得ることができる。
さらに、このように構成することにより、フォトスペーサの形成と同時に形成すること
ができ、迅速かつ安価に電蝕防止部を形成することができる。
【００１０】
なお、シール材に近い側の電気配線およびシール材から遠い側の電気配線とは、それぞ
れ相対的な関係であって、シール材の端部と、モールド樹脂部の間の電気配線に、電蝕防
止部が設けてあれば良い。
さらに、電蝕防止部において、電蝕防止用フォトスペーサを用いて被覆されるのは、基
本的に、電気配線のみであって、半導体素子は含まれていない。それに対して、モールド
樹脂部においては、モールド樹脂で被覆されるのは、半導体素子等であって、電蝕防止部
と、モールド樹脂部とは、明確に区別することができる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、電蝕防止部の内部、あるいは電蝕防
止部において隣接する電気配線の間に、所定形状を有する開口部として、電蝕防止用フォ
トスペーサが設けられていない領域が形成してあることが好ましい。
このように構成することにより、電蝕防止用フォトスペーサと、シール材とが重なって
形成されたような場合であっても、所定の開口部が、シール材の内部に含まれるスペーサ
粒子の逃げ場となることができる。したがって、シール材において、厚さむら等が生じる
おそれを少なくすることができる。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、電蝕防止部が、電気配線を被覆し、
全体として、くし歯状に形成してあることが好ましい。
このように構成することにより、電蝕防止部と、シール材とが重なって形成された場合
であっても、くし歯状の開口部が、シール材の内部に含まれるスペーサ粒子の逃げ場とな
ることができる。したがって、シール材の厚さむら等が生じるおそれを少なくすることが
できる。
また、このようにくし歯状の電蝕防止用フォトスペーサであれば、電気配線上に、精度
良く形成することができる。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、電気光学装置用基板に、電蝕防止部
の高さ位置を調節するための位置調整部材が設けてあることが好ましい。
このように構成することにより、電蝕防止部の高さが調整できるため、通常のスペーサ
として機能させることができるばかりか、通常のスペーサと併用することもできる。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、モールド樹脂部の内部に位置する電
気配線上に、ベタ状電気絶縁層を設けることが好ましい。
このように構成することにより、モールド樹脂部の端部から侵入する水分等に起因した
電気配線における電蝕をさらに有効に防止することができる。
【００１５】
また、本発明の別の態様は、シール材を周囲に配置し、シール材の内側領域から外側領
域まで延在する電気配線を有する電気光学装置用基板を備えた電気光学装置の製造方法で
あって、シール材の外側領域の電気配線において、シール材に近い側の電気配線を、電蝕
防止用フォトスペーサを用いて被覆することにより、電蝕防止部を設ける工程と、シール
材から遠い側の電気配線をモールド樹脂で被覆することにより、モールド樹脂部を設ける
工程と、を含み、かつ、電蝕防止用フォトスペーサおよびモールド樹脂により、シール材
の外側領域の電気配線を、全面的に被覆することを特徴とする電気光学装置の製造方法で
ある。
すなわち、このように実施することにより、実装した半導体素子と、電気配線との間の
電蝕を防止するためのモールド樹脂部と相俟って、シール材の外側領域の電気配線の電蝕
を防止するための所定の電蝕防止部を簡易かつ安価に形成できる。その結果、耐電蝕性に
優れた電気光学装置を効率的に得ることができる。
【００１６】
また、本発明のさらに別の態様は、上述したいずれかの電気光学装置を備えた電子機器
である。
すなわち、このように構成することにより、耐電蝕性に優れた電気光学装置を備えた電
子機器とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
［第１実施形態］
第１実施形態は、図１に例示するように、シール材２３を周囲に配置し、シール材２３
の内側領域（Ｅ）から外側領域（Ｈ）まで延在する電気配線６５を有する電気光学装置用
基板６０を備えた電気光学装置１０であって、シール材２３の外側領域（Ｈ）の電気配線
６５において、シール材２３に近い側の電気配線６５を、電蝕防止用フォトスペーサ２４
を用いて被覆することにより、電蝕防止用フォトスペーサ２４からなる電蝕防止部とする
とともに、シール材２３から遠い側の電気配線６５をモールド樹脂９１´、９１´´によ
り被覆してモールド樹脂部９２とし、かつ、電蝕防止用フォトスペーサ２４およびモール
ド樹脂９１´、９１´´により、シール材２３の外側領域の電気配線６５が、全面的に被
覆されていることを特徴とする電気光学装置１０である。
【００１８】
すなわち、モールド樹脂部において、半導体素子等の実装箇所および電気配線の電蝕を
防止するのみならず、シール材の外側領域の電気配線において、シール材に近い側を、電
蝕防止用フォトスペーサを用いて被覆することにより、所定の電蝕防止部を設けることが
でき、その結果、電蝕防止用フォトスペーサからなる電蝕防止部と、モールド樹脂部とが
所定箇所の電気配線を全面的に覆うため、電気配線の電蝕を有効に防止することができる
。
したがって、電蝕防止部等のみならず、全体として、簡易かつ安価に、耐電蝕性に優れ
た電気光学装置を得ることができる。
【００１９】
以下、第１実施形態の電気光学装置として、所定構造の三端子型非線型素子及び画素電
極を有する素子基板と、対向基板としての着色層及び対向電極を有するカラーフィルタ基
板と、を備えた液晶装置を例に採って説明する。
ただし、かかる実施形態の説明は、本発明の一態様を示すものであって、本発明の範囲
内で任意に変更することが可能である。例えば、本実施形態においては、三端子型非線形
素子であるＴＦＴ素子を備えたアクティブマトリクス構造の液晶装置を例に採って説明す
るが、これに限定されるものではなく、二端子型非線型素子であるＴＦＤ素子（Thin Fil
m Diode）を備えたアクティブマトリクス構造の液晶装置であってもよく、さらには、ス
イッチング素子を備えていないパッシブマトリクス構造の液晶装置であっても構わない。
【００２０】
１．基本構造
（１）構成
まず、図２（ａ）〜（ｂ）および図３を参照しながら、液晶装置１０の構成について、
具体的に説明する。
ここで、図２（ａ）は、液晶装置１０の断面図を示し、図２（ｂ）は、図２（ａ）の液
晶装置における素子基板６０の平面図を示しており、図３は、液晶装置１０の外観に対応
した斜視図を示している。
そして、かかる液晶装置１０における液晶パネル（電気光学パネル）は、対向基板３０
と、素子基板６０とが、それらの周辺部においてシール材（図示せず）によって貼り合せ
られ、さらに、対向基板３０、素子基板６０及びシール材によって囲まれる間隙内に液晶
材料２１を封入して、基本的に構成されている。
【００２１】
また、対向基板３０は、ガラス、プラスチック等によって形成され、当該対向基板３０
上には、カラーフィルタすなわち着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂと、その着色層３７ｒ、
３７ｇ、３７ｂの上に形成された対向電極３３と、その対向電極３３の上に形成された配
向膜４５とを備えている。また、反射領域Ｒにおける、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂと
対向電極３３との間には、リタデーションを最適化するための絶縁層４１を備えている。
【００２２】
ここで、対向電極３３は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等によって対向基板３０の
表面全域に形成された面状電極である。また、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂは、素子基
板６０側の画素電極６３に対向する位置にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）又はＣ（シアン
）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）等といった各色のいずれかの色フィルタエレメント
を備えている。そして、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂの隣であって、画素電極６３に対
向しない位置にブラックマスク又はブラックマトリクスすなわち遮光膜３９が設けられて
いる。
【００２３】
また、対向基板３０に対向する素子基板６０は、ガラス、プラスチック等によって形成
され、当該素子基板６０上には、スイッチング素子として機能するアクティブ素子として
のＴＦＴ素子６９と、透明な絶縁膜８１を挟んでＴＦＴ素子６９の上層に形成された画素
電極６３とを備えている。
そして、ＴＦＴ素子６９は、素子基板６０上に形成されたゲート電極７１と、このゲー
ト電極７１の上で素子基板６０の全域に形成されたゲート絶縁膜７２と、このゲート絶縁
膜７２を挟んでゲート電極７１の上方位置に形成された半導体層７０と、その半導体層７
０の一方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたソース電極７３と、さらに半導体
層７０の他方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたドレイン電極６６とを備えて
いる。
【００２４】
また、画素電極６３は、反射領域Ｒにおいては反射表示を行うための光反射膜７９（６
３ａ）を兼ねて形成されるとともに、透過領域Ｔにおいては、ＩＴＯなどにより透明電極
６３ｂとして形成される。
また、画素電極６３ａとしての光反射膜７９は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（
銀）等といった光反射性材料によって形成される。そして、画素電極６３の上には、ポリ
イミド系の高分子樹脂からなる配向膜８５が形成されるとともに、この配向膜８５に対し
て、配向処理としてのラビング処理が施されている。
【００２５】
また、対向基板３０の外側（すなわち、図２（ａ）の上側）表面には、位相差板４７が
形成され、さらにその上に偏光板４９が形成されている。同様に、素子基板６０の外側（
すなわち、図２（ａ）の下側）表面には、位相差板８７が形成され、さらにその下に偏光
板８９が形成されている。さらに、素子基板６０の下方にはバックライトユニット（図示
せず）が配置される。
【００２６】
（２）動作
以上のような構成を有する液晶装置１０において、反射表示の際には、太陽光や室内照
明光などの外光が、対向基板３０側から液晶装置１０の反射領域（Ｒ）に入射するととも
に、着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）や液晶材料２１などを通過して光反射膜７９
に至る。そこで、光反射されて、再度液晶材料２１や着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７
ｂ）などを通過して、液晶装置１０の外部で認識されることにより、反射表示が行われる
。
【００２７】
一方、透過表示の際にはバックライトユニット（図示せず）が点灯されるとともに、バ
ックライトユニットから出射された光が、透過領域（Ｔ）としての透光性の透明電極６３
ｂ部分を通過し、着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）、液晶材料２１などを通過して
、液晶装置１０の外部で認識されることにより、透過表示が行われる。
【００２８】
２．シール材
（１）スペーサ粒子
図４（ａ）に示すように、シール材２３に、スペーサ粒子２３ａ、２３ｂとして、通常
、シール材の全体量に対して、０．１〜３０重量％の範囲で含むことが好ましい。
また、このようなスペーサ粒子２３ａ、２３ｂとしては、例えば、導電粒子、ガラス繊
維、ポリマー粒子、ガラス粒子、フォトスペーサ、カーボンブラック等の一種単独または
二種以上の組み合わせが挙げられる。
【００２９】
また、図４（ａ）中に示すスペーサ粒子２３ａは、導電粒子の例であり、もう一方のス
ペーサ粒子２３ｂは、ガラス繊維の例である。すなわち、このようなスペーサ粒子の組み
合わせであれば、上下方向の電気配線３３、７５の間で導通をとりながら、液晶パネルに
おけるセル厚さを、所定厚さに保持することができる。
したがって、図４（ｂ）に示すように、スペーサ粒子２３ａ、２３ｂが、対向基板とし
てのカラーフィルタ基板３０と、素子基板６０との間で、押圧されると、導電粒子からな
るスペーサ粒子２３ａは、所定の圧縮率（例えば、５〜１０％）になるように変形して、
上下方向の電気配線３３、７５の間で導通する。
一方、ガラス繊維からなるスペーサ粒子２３ｂは、ほとんど変形せず、液晶パネルにお
けるカラーフィルタ基板３０と、素子基板６０との間のセル厚さを、所定厚さに保持する
ことができる。
【００３０】
（２）熱硬化性樹脂
また、シール材の一部を構成する熱硬化性樹脂の種類としては、エポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、シリコーン樹脂、尿素樹脂、シアネート樹脂、グアナミン樹脂、熱硬化性ポリ
エステル樹脂、熱硬化性アクリル樹脂、ＳＧＡ、熱硬化性ウレタン樹脂等の一種単独また
は二種以上の組み合わせが挙げられる。
特に、エポキシ樹脂を用いる場合には、主剤として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
やビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、あるいは脂環族エポキシ樹脂等を用いることが好ま
しい。そして、硬化剤として、アミン化合物、カルボン酸化合物、イミダゾール化合物、
アミド化合物等を、例えば、主剤１００重量部に対して、１０〜５０重量部の範囲で使用
することが好ましい。
【００３１】
３．電蝕防止部
図１に示すように、基板張り出し部６０Ｔのシール材２３の外側領域の電気配線６５に
おいて、シール材２３に近い側の電気配線６５を、電蝕防止用フォトスペーサ２４を用い
て被覆することにより、当該電蝕防止用フォトスペーサ２４からなる電蝕防止部（以下、
単に、電蝕防止部材と称する場合がある。）を設けることを特徴とする。
すなわち、シール材の外側領域の電気配線において、シール材に近い側を、フォトスペ
ーサ用樹脂からなる電蝕防止用フォトスペーサを用いて被覆し、所定の電蝕防止部を設け
ることによって、所定箇所の電気配線の電蝕を有効に防止することができる。
一方、このような電蝕防止部であれば、それを形成した後に、半導体素子等の実装箇所
および電気配線をモールド樹脂で埋設し、隣接してモールド樹脂部を形成することができ
るためである。
したがって、電蝕防止用フォトスペーサおよびモールド樹脂によって、シール材の外側
領域の電気配線が、全面的に絶縁被覆され、その結果、耐電蝕性に優れた電気光学装置を
得ることができる。
【００３２】
また、電蝕防止用フォトスペーサからなる電蝕防止部を有する電気光学装置用基板が、
対向配置された一対の電気光学装置用基板から構成されていることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、所定の電蝕防止部を、対向配置された一
対の電気光学装置用基板から構成されている液晶装置等におけるスペーサや電気絶縁膜と
して使用することができるためである。
【００３３】
また、電蝕防止用フォトスペーサが、モールド樹脂部と接触していることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、電蝕防止用フォトスペーサと、モールド
樹脂部との間における電気配線の耐電蝕性を高めることができ、その結果、さらに耐電蝕
性に優れた電気光学装置を得ることができるためである。
【００３４】
また、電蝕防止用フォトスペーサが、その端部において、シール材と接触していること
が好ましい。
この理由は、このように構成することにより、電蝕防止用フォトスペーサと、シール材
との間における電気配線の耐電蝕性を高めることができ、その結果、さらに耐電蝕性に優
れた電気光学装置を得ることができるためである。
【００３５】
また、図５（ａ）〜（ｄ）に示すように、電蝕防止用フォトスペーサ２４からなる電蝕
防止部の内部あるいは、電蝕防止部において隣接する電気配線の間に、所定形状の開口部
２４ｂとして、電蝕防止用フォトスペーサが設けられていない領域が形成してあることが
好ましい。
ここで、図５（ａ）は、円形の電蝕防止用フォトスペーサ２４の内部に、同じく円形の
開口部２４ｂが設けてある例である。
また、図５（ｂ）は、略長方形の電蝕防止用フォトスペーサ２４の内部に、略楕円形の
開口部２４ｂが複数個設けてある例である。
【００３６】
また、図５（ｃ）は、略長方形の電蝕防止用フォトスペーサ２４の両側または片側に、
ライン状の開口部２４ｂが設けてある例である。
さらに、図５（ｄ）は、略長方形の電蝕防止用フォトスペーサ２４の内部としての片端
に、半円形の開口部２４ｂが設けてある例である。
【００３７】
すなわち、例えば、これらの態様の開口部を設けることにより、電蝕防止用フォトスペ
ーサと、シール材とが重なって形成されたような場合であっても、所定の開口部が、シー
ル材の内部に含まれるスペーサ粒子の逃げ場とすることができる。したがって、シール材
において、厚さむら等が生じるおそれを少なくすることができる。
【００３８】
また、図６に示すように、電蝕防止用フォトスペーサが、全体として、くし歯状である
ことが好ましい。そして、図６に示すように、電蝕防止用フォトスペーサが、ベタ状電気
絶縁層２４Ｌに連なるくし歯状の電蝕防止部２４Ｍであることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、電蝕防止部と、例えば、シール材とが重
なって形成された場合であっても、くし歯状の開口部が、シール材の内部に含まれるスペ
ーサ粒子の逃げ場となることができるためである。
したがって、シール材の厚さむら等が生じるおそれを少なくすることができる。
なお、図６に示すように、くし歯状の電蝕防止部２４Ｌは、電気配線（図示せず）の形
状に合わせて、外側（図面上では、下方）に向かって拡大する形状であることが好ましい
。
【００３９】
また、図７に示すように、電気光学装置用基板３０に、電蝕防止用フォトスペーサ２４
の高さ位置を調節するための位置調整部材３７´が設けてあることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、電蝕防止用フォトスペーサについて、通
常のスペーサの機能を発揮させることができるためである。
すなわち、電蝕防止用フォトスペーサの高さおよび位置調整部材３７´の高さを足した
値と、上下基板３０、６０との間の距離とを一致させることにより、シール材２３の外側
領域においても、所定のスペーサ効果を発揮することができる。
なお、位置調整部材３７´は、カラーフィルタ３７と同様の材料を用いて、同一工程で
形成することにより、工程数を特に増やすことなく形成することができる。
【００４０】
また、電蝕防止用フォトスペーサからなる電蝕防止部が、フォトスペーサ用樹脂から基
本的に構成してあることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、フォトスペーサの形成と同時に形成する
ことができ、迅速かつ安価に電蝕防止部を形成することができるためである。
但し、電蝕防止用フォトスペーサについては、フォトスペーサ用樹脂中と異なる樹脂か
ら構成することも好ましい。例えば、シール材の外側領域に形成されるため、フォトスペ
ーサ用樹脂と比較して、より少ない吸湿性であって、さらに電気絶縁性に優れた樹脂から
構成することがより好ましい。
【００４１】
４．モールド樹脂部
図１に示すように、モールド樹脂部９２は、基板張り出し部６０Ｔにおいて、半導体素
子９１等の実装箇所および電気配線６５の電蝕を有効に防止するための部位である。
したがって、このようにモールド樹脂部９２を設けることにより、隣接する電蝕防止用
フォトスペーサ２４からなる電蝕防止部と相俟って、全体として、簡易かつ安価に、耐電
蝕性に優れた電気光学装置１０を得ることができる。
【００４２】
また、図６に示すように、モールド樹脂部（図示せず）と接触し、かつその下方位置に
おいて、電蝕防止用フォトスペーサ２４の一部として、ベタ状電気絶縁層２４Ｌを設ける
ことが好ましい。
この理由は、電気配線上であって、かつ、モールド樹脂部と部分的に重なるようにその
内部に、フォトスペーサ用樹脂等を用いて、電蝕防止用フォトスペーサの一部として、ベ
タ状電気絶縁層を形成することにより、モールド樹脂部の端部から侵入する水分等に起因
した電蝕をさらに有効に防止することができるためである。
また、図６に示すように、電蝕防止用フォトスペーサ２４の一部として、ベタ状電気絶
縁層２４Ｌが、くし歯状の電蝕防止部２４Ｍに連なり、一体的な形態であることより、さ
らに、モールド樹脂部の端部から侵入する水分等に起因した電蝕についても有効に防止す
ることができる。
【００４３】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態は、シール材を周囲に配置し、シール材の内側領域から外側領域
まで延在する電気配線を有する電気光学装置用基板を備えた電気光学装置の製造方法であ
って、シール材の外側領域の電気配線において、シール材に近い側の電気配線を、電蝕防
止用フォトスペーサを用いて被覆することにより、電蝕防止部を設ける工程と、シール材
から遠い側の電気配線をモールド樹脂で被覆することにより、モールド樹脂部を設ける工
程と、を含み、かつ、電蝕防止用フォトスペーサおよびモールド樹脂により、シール材の
外側領域の電気配線を、全面的に被覆することを特徴とする電気光学装置の製造方法であ
る。
以下、図８〜図１０を適宜参照し、液晶装置の製造方法につき、第１実施形態で説明し
たＴＦＴ素子を備えた液晶装置を例に採って説明する。
【００４４】
１．ＴＦＴ素子の形成工程
まず、ＴＦＴ素子の形成工程を実施する。かかるＴＦＴ素子の形成工程は、素子基板の
基体上に金属膜および絶縁膜を形成し、パターニングすることによって、図８（ａ）に示
すように、ＴＦＴ素子６９等のスイッチング素子を形成する工程である。
このようなスイッチング素子６９を形成するにあたり、ガラス基板からなる基体６１上
に、ゲート電極７１を形成する。このゲート電極７１は、例えば、クロム、タンタル、モ
リブデン等の低抵抗材料から構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用
いて形成することができる。
【００４５】
次いで、このゲート電極７１上に、絶縁層としてのゲート絶縁膜７２を形成する。この
ゲート絶縁膜７２は、窒化シリコン（ＳｉＮx）や酸化シリコン（ＳｉＯx）等の半導体材
料からなる電気絶縁材料を積層させて形成することができる。
次いで、このゲート絶縁膜７２上に、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、多結晶シリ
コン、ＣｄＳｅ等の半導体材料を積層させて半導体層７０を形成する。さらに、この半導
体層７０の両端部分に、ドープされたアモルファスシリコン等によりコンタクト電極７７
を形成する。
【００４６】
最後に、このコンタクト電極７７と接触するように、ソース電極７３及びそれと一体を
なすドレイン電極６６やソースバス配線７５を形成する。このとき、ソース電極７３、ソ
ースバス配線７５及びドレイン電極６６は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等
の低抵抗材料を、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることで形成することがで
きる。一方、ＴＦＴ素子６９をスイッチングさせるための信号線６５を電気接続する。
【００４７】
２．画素電極等の形成工程
次いで、画素電極等の形成工程を実施する。かかる画素電極等の形成工程は、図８（ａ
）〜（ｃ）に示すように、ＴＦＴ素子６９が形成された基体６１上に、有機絶縁膜からな
る保護膜８１と、透明導電膜からなる画素電極６３と、を順次形成する工程である。
より具体的には、ＴＦＴ素子６９が形成してある基体６１上に、光硬化性樹脂等の樹脂
材料を塗布するとともに、この樹脂層に対して所定のパターニングを施すことにより有機
絶縁膜からなる保護膜８１を形成する。
【００４８】
次いで、この有機絶縁膜からなる保護膜８１内に設けられたコンタクトホール８３の周
辺部であって、反射領域（Ｒ）に相当する領域に対して、アルミニウム等の金属を蒸着し
た後、この膜に対して、フォトリソグラフィ及びエッチング法を施すことで、表示領域に
マトリクス状の光反射膜７９を形成する。
一方、透過領域（Ｔ）に相当する領域に対して、スパッタリング法等により透明導電膜
を形成することにより、画素電極６３を形成し、素子基板６０の基本形態とする。
【００４９】
次いで、このようにして得られた素子基板６０に対して、ポリイミド樹脂等からなる配
向膜８５を形成するとともに、この配向膜８５にラビング処理を施すことにより、配向制
御機能を持たせることができる。
最後に、ＴＦＴ素子や画素電極が形成された基体上に、フォトリソグラフィ法等を用い
て、感光性樹脂材料からなる樹脂膜としての柱状スペーサを形成する。この柱状スペーサ
により、素子基板６０と対向基板３０との間隙幅（セルギャップ）を正確に規定して、所
望の表示特性を得ることができる。
【００５０】
３．着色層の形成工程
次いで、対向基板の製造工程について説明する。まず、着色層の形成工程を実施する。
かかる着色層の形成工程は、図９（ａ）〜（ｂ）に示すように、対向基板の基体３１上に
着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）、遮光膜３９及び層厚調整層４１等を順次形成す
る工程である。
より具体的には、基体３１上に、顔料や染料等の着色材を分散させた樹脂材料からなる
感光性樹脂を塗布し、この感光性樹脂に対してパターン露光及び現像処理を順次施すこと
により、着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）を形成することができる。
なお、かかる露光及び現像処理は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）それぞれの色毎に繰
り返すことで、３色に対応した着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂをそれぞれ形成することが
できる。
【００５１】
次いで、それぞれの画素領域の境界領域に遮光膜３９を形成する。この遮光膜３９に用
いられる材料としては、例えば、クロム（Ｃｒ）やモリブテン（Ｍｏ）等の金属膜を使用
したり、あるいは、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたり
したものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたりしたもの
などを用いることができる。
したがって、かかる遮光膜３９を金属膜から形成するに際しては、例えば、クロム（Ｃ
ｒ）等の金属材料をスパッタリング法等により基体３１上に積層した後、所定パターンに
合せて、エッチング処理を施すことによって形成することになる。
【００５２】
最後に、着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）や、遮光膜３９等が形成された対向基
板の基体３１上に、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂
等を用いて、全面的に層厚調整層４１を形成する。
この層厚調整層４１は、透過領域（Ｔ）と反射領域（Ｒ）とのリタデーション調整のた
めの層であって、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等の樹脂材料に対して所定のパターニング
を施すことにより形成される。
【００５３】
４．対向電極等の形成工程
次いで、対向電極の形成工程を実施する。かかる対向電極の形成工程は、図９（ｃ）に
示すように、対向基板に形成された着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）、遮光膜３９
及び層厚調整層４１に、透明導電材料等からなる対向電極３３を形成する工程である。
より具体的には、着色層３７（３７ｒ、３７ｇ、３７ｂ）及び遮光膜３９が形成された
対向基板の基体３１上に、スパッタリング法等により透明導電膜を積層した後、フォトリ
ソグラフィ法及びエッチング法により、表示領域全面に所定パターンを有する対向電極３
３を形成する。
さらに、この対向電極３３の表面に、ポリイミド樹脂等からなる配向膜４５を形成する
ことで、対向基板３０の基本形態とすることができる。
ここで、上述した素子基板６０に用いられるスイッチング素子が、ＴＦＴ素子（Thin
Film Transistor）６９の場合には、この対向電極３３は、それぞれのセル領域に対応し
た面状電極としてパターニングされる。
【００５４】
５．組立工程
次いで、組立工程は、図１０（ａ）〜（ｂ）に示すように、素子基板６０と、対向基板
３０とを、シール材２３を介して貼り合わせ、その間隙に液晶材料２１を注入する工程で
ある。より具体的には、対向基板３０と、シール材２３が形成された素子基板６０と、を
アライメントして貼り合わせ位置を確定する。
【００５５】
その後、両基板を重ね合わせて接合させた後、加熱しながら加圧保持して、シール材２
３を硬化させながら対向基板３０と、素子基板６０とを貼合せることにより、図１０（ｂ
）に示すように、内部に間隙２１ａを備えた空セルが形成される。
次いで、空セルの間隙２１ａに対して、真空吸引法等の公知の方法により液晶材料２１
を注入した後、その注入口を、紫外線硬化型樹脂等の封止樹脂を用いて封止する。
【００５６】
最後に、素子基板６０の外表面に位相差板８７と、偏光板８９と、を貼り付けるととも
に、対向基板３０の外表面に位相差板４７と、偏光板４９とを貼り付けることにより、図
１０（ｃ）に示すように、液晶パネル２０の組立を終了することができる。
【００５７】
６．実装工程等
最後に、実装された液晶パネル２０に対して、半導体素子等の電子部品を実装したり、
フレキシブル回路基板やバックライト等を接続したりするとともに、筐体に組み込むこと
で液晶装置を製造することができる。
そして、シール材の外側領域の電気配線において、シール材に近い側の電気配線を、電
蝕防止用フォトスペーサを用いて被覆することによって電蝕防止部を設ける工程と、シー
ル材から遠い側の電気配線をモールド樹脂で被覆することにより、モールド樹脂部を設け
る工程と、を含むことを特徴としている。
【００５８】
すなわち、このように実施することにより、実装した半導体素子と、電気配線との間の
電蝕を防止するためのモールド樹脂部と相俟って、シール材の外側領域の電気配線の電蝕
を防止するための所定の電蝕防止部が設けてあることから、その結果、耐電蝕性に優れた
電気光学装置を簡易かつ安価に得ることができる。
【００５９】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態として、第１実施形態の液晶装置を備えた電子機器について具体
的に説明する。
【００６０】
図１１は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機器は
、液晶パネル２０と、これを制御するための制御手段２００とを有している。また、図１
１中では、液晶パネル２０を、パネル構造体２０Ａと、半導体素子（ＩＣ）等で構成され
る駆動回路２０Ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段２００は、表示情報
出力源２０１と、表示処理回路２０２と、電源回路２０３と、タイミングジェネレータ２
０４とを有することが好ましい。
また、表示情報出力源２０１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random
Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるス
トレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジ
ェネレータ１２４０によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマッ
トの画像信号等の形で表示情報を表示処理回路２０２に供給するように構成されているこ
とが好ましい。
【００６１】
また、表示処理回路２０２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテ
ーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示
情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２０Ｂへ供給
することが好ましい。さらに、駆動回路２０Ｂは、第１の配線パターン駆動回路、第２の
配線パターン駆動回路及び検査回路を含むことが好ましい。また、電源回路２０３は、上
述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
【００６２】
そして、本実施形態の電子機器であれば、実装した半導体素子と、電気配線との間の電
蝕を防止するためのモールド樹脂部と相俟って、シール材の外側領域の電気配線の電蝕を
防止するための電蝕防止部が設けてある電気光学装置を備えていることから、耐電蝕性に
優れた携帯電話等として、好適に提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明の電気光学装置及び電気光学装置の製造方法等によれば、実装した半導体素子と
、電気配線との間の電蝕を防止するためのモールド樹脂部と相俟って、シール材の外側領
域の電気配線の電蝕を防止するための所定の電蝕防止部を簡易かつ安価に形成できるよう
になった。
したがって、耐電蝕性に優れた電気光学装置を製造する際の歩留まりを著しく向上させ
ることができ、液晶装置を備えた電子機器、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュー
タ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレ
コーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプ
ロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機
器、電子放出素子を備えた装置（ＦＥＤ:Field Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface
-Conduction Electron-Emitter Display）などを安価に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】モールド樹脂部、および電蝕防止用フォトスペーサからなる電蝕防止部を説明するために供する図である。
【図２】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ第１実施形態の液晶装置を示す断面図及び平面図である。
【図３】第１実施形態の液晶装置を示す概略斜視図である。
【図４】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれスペーサ粒子を説明するために供する図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ電蝕防止用フォトスペーサに設けた開口部を説明するために供する図である。
【図６】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれくし歯状の電蝕防止用フォトスペーサを説明するために供する図である。
【図７】電蝕防止用フォトスペーサの高さ位置を調節するための位置調整部材を説明するために供する図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、素子基板を形成するための製造工程を示す図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、対向基板を形成するための製造工程を示す図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、液晶装置の製造工程を示す図である。
【図１１】電子機器を説明するために供する図である。
【図１２】従来の液晶装置における電蝕を説明するために供する図である。
【図１３】従来の電気光学装置（液晶装置）を説明するために供する図である（その１）。
【図１４】従来の液晶装置を説明するために供する図である（その２）。
【図１５】従来の電気光学装置（液晶装置）を説明するために供する図である（その３）。
【符号の説明】
【００６５】
１０：液晶装置（電気光学装置）、１１：外部端子、２０：液晶パネル、２３：シール材
、２３ａ：注入孔、２３ｂ：導電粒子、２３ｃ：ガラス繊維、２４: 電蝕防止用フォトス
ペーサ（電蝕防止部）、２４ａ：フォトスペーサ、２４ｂ：開口部、２４Ｌ：ベタ状電気
絶縁層、２４Ｍ：くし歯状の電蝕防止部、２５：封止剤、３０：対向基板、３７（３７ｒ
、３７ｇ、３７ｂ）：カラーフィルタ、６０：素子基板、６０Ｔ：基板張り出し部、６３
：画素電極、６５：：電気配線、６９：非線形素子（ＴＦＴ素子）、７５：電気配線、７
９：光反射膜、８５：配向膜、９１：半導体素子、９１´：モールド樹脂、９１´´：カ
バー樹脂、９２：モールド樹脂部、９３：フレキシブル回路基板
【図１】
2008287058.tif 000003
【図２】
2008287058.tif 000004
【図３】
2008287058.tif 000005
【図４】
2008287058.tif 000006
【図５】
2008287058.tif 000007
【図６】
2008287058.tif 000008
【図７】
2008287058.tif 000009
【図８】
2008287058.tif 000010
【図９】
2008287058.tif 000011
【図１０】
2008287058.tif 000012
【図１１】
2008287058.tif 000013
【図１２】
2008287058.tif 000014
【図１３】
2008287058.tif 000015
【図１４】
2008287058.tif 000016
【図１５】
2008287058.tif 000017