(57)【要約】【課題】スプラッシュによる成膜不良を低減可能な薄膜形成装置、薄膜形成方法、電気光学装置の製造方法、電子機器を提供すること。【解決手段】薄膜形成装置１００は、チャンバー１０１内に設けられた蒸発源としてのハース１０４に収納された膜材料ＭにプラズマビームＰＢを照射して加熱することにより蒸発させて、基板Ｗに薄膜を形成する薄膜形成装置であって、プラズマビームＰＢを発生させるプラズマビーム発生器１１０と、基板Ｗをハース１０４に対して対向するように支持する基板装着部１２１と、基板装着部１２１とハース１０４との間に設けられた複数の開口部を有する導電性の捕獲板１３０と、捕獲板１３０に正または負の電位を与える電位発生部Ｖ４と、を備えた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバー内に設けられた蒸発源に収納された膜材料にプラズマビームを照射して加熱することにより蒸発させて、基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記プラズマビームを発生させるプラズマビーム発生器と、
前記基板を前記蒸発源に対して対向するように支持する基板装着部と、
前記基板装着部と前記蒸発源との間に設けられた複数の開口部を有する導電性の捕獲部と、
前記捕獲部に正または負の電位を与える電位発生部と、を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
前記チャンバー内に反応性ガスを導入する反応性ガス導入部をさらに備え、
蒸発した前記膜材料と前記反応性ガスとを化学反応させ、反応物からなる前記薄膜を前記基板の表面に形成することを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。
【請求項３】
前記膜材料が一酸化珪素であり、前記反応性ガスが窒素または酸素であって、前記反応物が酸化窒化珪素または二酸化珪素であることを特徴とする請求項２に記載の薄膜形成装置。
【請求項４】
前記膜材料が一酸化珪素であり、前記反応性ガスが窒素と酸素であって、前記反応物が酸化窒化珪素と二酸化珪素の混合物であることを特徴とする請求項２に記載の薄膜形成装置。
【請求項５】
前記捕獲部が、前記基板装着部と前記蒸発源との間において、前記プラズマビームに接しない位置で、前記基板装着部の側に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の薄膜形成装置。
【請求項６】
前記捕獲部が、高融点材料からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の薄膜形成装置。
【請求項７】
前記捕獲部が、金属材料またはその合金、あるいは導電性無機材料からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の薄膜形成装置。
【請求項８】
前記捕獲部の複数の開口部が、数百μｍ〜数十ｍｍの開口径を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の薄膜形成装置。
【請求項９】
前記捕獲部の少なくとも前記蒸発源に対向する表面が、凹凸を有するように表面処理が施されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の薄膜形成装置。
【請求項１０】
前記捕獲部が前記蒸発源に対して凹状となるように湾曲していることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の薄膜形成装置。
【請求項１１】
前記基板装着部と前記蒸発源との相対的な距離を保って、前記基板装着部を一定方向に移動可能な移動機構をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の薄膜形成装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の薄膜形成装置を用いて、基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成工程を備えることを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項１３】
基板上に形成された複数の画素領域に発光層を含む機能層と前記機能層を保護する保護層とを有する有機ＥＬ素子を備えた電気光学装置の製造方法であって、
請求項１２に記載の薄膜形成方法を用いて、前記保護層を形成する工程を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
前記保護層が、酸化窒化珪素または二酸化珪素あるいはこれらの混合物であることを特徴とする請求項１３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３または１４に記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造された電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被膜形成部材の表面に薄膜を形成する薄膜形成装置、この薄膜形成装置を用いた薄膜形成方法、電気光学装置の製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜形成装置として、成膜室内で、膜材料を収納する蒸発源にプラズマを照射して膜材料を蒸発させることにより、蒸発源に対向させた基板に薄膜を形成するイオンプレーティング装置が知られている（特許文献１）。
【０００３】
上記イオンプレーティング装置は、成膜室が、基板上に薄膜を形成する成膜領域と、基板を待機させる待機領域と、成膜領域と待機領域との間に設けられたプラズマ遮蔽手段と、成膜領域と待機領域とを連通させる連通部と、を備えている。プラズマ遮蔽手段により、待機領域へのプラズマの進入を防ぎ、プラズマが待機中の基板に影響を与えることを低減できるとした。また、連通部を設けることにより、成膜領域と待機領域とをプラズマ遮蔽手段で完全に遮蔽せずに、両者間の圧力（減圧状態）を均等とすることで、圧力調整することなく成膜室内での基板の移動を可能とした。
【０００４】
このようなイオンプレーティング装置を用いれば、熱劣化が生じやすい各種機能素子、例えば、発光機能層が予め形成された基板に、発光機能層の熱劣化を抑制して所望の薄膜を形成可能であるとしている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３３０５０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記イオンプレーティング装置において、プラズマを照射して膜材料を加熱すると、溶融した膜材料にプラズマが照射され突沸して飛沫（スプラッシュ）が生ずることがあった。そして、飛沫の一部が蒸発源に対向して配置された基板に到達して、成膜不良が発生するという課題があった。
【０００７】
本発明は、上記課題を考慮してなされたものであり、スプラッシュによる成膜不良を低減可能な薄膜形成装置、薄膜形成方法、電気光学装置の製造方法、電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の薄膜形成装置は、チャンバー内に設けられた蒸発源に収納された膜材料にプラズマビームを照射して加熱することにより蒸発させて、基板に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、プラズマビームを発生させるプラズマビーム発生器と、基板を蒸発源に対して対向するように支持する基板装着部と、基板装着部と蒸発源との間に設けられた複数の開口部を有する導電性の捕獲部と、捕獲部に正または負の電位を与える電位発生部と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、基板装着部と蒸発原との間に、複数の開口部を有する捕獲部が設けられている。したがって、蒸発源において、プラズマビームが照射され加熱された膜材料が突沸して生じた飛沫（スプラッシュ）は、プラズマビームによって負に帯電する。よって、電位発生部により捕獲部に正の電位を与えれば、負に帯電したスプラッシュを捕獲部に吸着（捕獲）することができる。また、電位発生部により捕獲部に負の電位を与えれば、捕獲部に到達する負に帯電したスプラッシュを反発させて跳ね返すことができる。蒸発した膜材料は、捕獲部の複数の開口部を通過して基板に到達し薄膜を形成する。すなわち、スプラッシュが基板に到達することを抑制し、スプラッシュによる成膜不良を低減可能な薄膜形成装置を提供することができる。
【００１０】
上記チャンバー内に反応性ガスを導入する反応性ガス導入部をさらに備え、蒸発した膜材料と反応性ガスとを化学反応させ、反応物からなる薄膜を基板の表面に形成するとしてもよい。これによれば、スプラッシュによる成膜不良を低減して、反応物からなる薄膜を基板の表面に歩留りよく形成することができる。
【００１１】
上記膜材料が一酸化珪素であり、反応性ガスが窒素または酸素であって、反応物が酸化窒化珪素または二酸化珪素であることを特徴とする。これによれば、酸化窒化珪素または二酸化珪素からなる薄膜を基板の表面に歩留りよく形成することができる。
【００１２】
また、上記膜材料が一酸化珪素であり、反応性ガスが窒素と酸素であって、反応物が酸化窒化珪素と二酸化珪素の混合物であるとしてもよい。これによれば、酸化窒化珪素と二酸化珪素の混合物からなる薄膜を基板の表面に歩留りよく形成することができる。
【００１３】
この場合、上記捕獲部が、基板装着部と蒸発源との間において、プラズマビームに接しない位置で、基板装着部の側に配置されていることが好ましい。これによれば、捕獲部は、プラズマビームにより熱せられず変形しにくい。また、膜材料の蒸発を妨げない。すなわち、スプラッシュを捕獲する機能の低下を防ぐと共に、捕獲部に影響されずに成膜を行うことができる。
【００１４】
また、上記捕獲部が、高融点材料からなることが好ましい。これによれば、より熱変形しない。
【００１５】
上記捕獲部が、金属材料またはその合金、あるいは導電性無機材料からなるとしてもよい。これによれば、導電性を有する高融点材料を比較的容易に選択することができる。例えば、金属材料としてステンレス、鉄、銅、タングステン、モリブデン、ニッケル、チタン等が挙げられる。また、導電性無機材料としてカーボン、シリコン等が挙げられる。
【００１６】
上記捕獲部の複数の開口部が、数百μｍ〜数十ｍｍの開口径を有することが好ましい。これによれば、比較的に粒径の大きなスプラッシュが基板に到達することを抑制する一方で、蒸発した膜材料が容易に開口部を通過して基板に到達し成膜される。
【００１７】
上記捕獲部の少なくとも蒸発源に対向する表面が、凹凸を有するように表面処理が施されていることが好ましい。これによれば、蒸発源から飛散したスプラッシュを捕獲部に吸着させた場合には、捕獲部の表面が凹凸を有しているのでスプラッシュが付着し易い。言い換えれば、付着したスプラッシュが落下し難い。
【００１８】
上記捕獲部が蒸発源に対して凹状となるように湾曲していることが好ましい。これによれば、突沸したスプラッシュは、蒸発源から放射状に飛散するので、捕獲部を湾曲させることにより効率よく捕獲する、または反発させることができる。
【００１９】
また、上記基板装着部と蒸発源との相対的な距離を保って、基板装着部を一定方向に移動可能な移動機構をさらに備えることが好ましい。これによれば、基板装着部に装着された基板を移動機構により移動させることにより、蒸発源に対して基板を移動させずに蒸着する場合に比べて、ムラなく薄膜を形成することができる。
【００２０】
本発明の薄膜形成方法は、上記発明の薄膜形成装置を用いて、基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成工程を備えることを特徴とする。
【００２１】
この方法によれば、スプラッシュの付着による成膜不良を低減して、歩留りよく基板上に薄膜を形成可能な薄膜形成方法を提供することができる。
【００２２】
本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に形成された複数の画素領域に発光層を含む機能層と機能層を保護する保護層とを有する有機ＥＬ素子を備えた電気光学装置の製造方法であって、上記発明の薄膜形成方法を用いて、保護層を形成する工程を備えたことを特徴とする。
【００２３】
また、上記保護層が、酸化窒化珪素または二酸化珪素あるいはこれらの混合物であることを特徴とする。この方法によれば、スプラッシュの付着による成膜不良を低減して、歩留りよく基板上に保護層を形成することができる。保護層を酸化窒化珪素または二酸化珪素あるいはこれらの混合物とすることにより、発光層を含む機能層へ劣化要因となる水分や酸素等のガスの浸入が抑制されると共に、保護層が高い光透過性を有するので、発光を阻害しない。すなわち、高い信頼性と所望の発光特性を有する電気光学装置を製造することができる。
【００２４】
本発明の電子機器は、上記発明の電気光学装置の製造方法を用いて製造された電気光学装置を備えたことを特徴とする。これによれば、高い信頼性と所望の発光特性を有する電気光学装置を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態は、基板上の複数の画素領域に発光層を含む機能層と、機能層を保護する保護層とを有する電気光学装置の製造方法と、これに用いられた薄膜形成装置、薄膜形成方法を例に説明する。
【００２６】
（薄膜形成装置）
まず、本実施形態の薄膜形成装置について、図１および図２を参照して説明する。図１は薄膜形成装置の構造を示す概略側断面図である。
【００２７】
図１に示すように、本実施形態の薄膜形成装置１００は、気密性のチャンバー（真空容器）１０１と、プラズマビームを発生するプラズマビーム発生器１１０と、チャンバー１０１内を減圧する真空ポンプ１５０とを備えている。真空ポンプ１５０としては、例えば、ターボ分子ポンプ等を用いる。
【００２８】
チャンバー１０１は、上部の成膜室１０２と下部のプラズマ室１０３とからなり、プラズマ室１０３の内底部１０３ａには、蒸発源としてのハース（陽極）１０４が設けられている。ハース１０４は上方に開口した筒状の容器となっており、内部に膜材料Ｍが収納されている。また、ハース１０４を取り囲むように補助陽極１４０が設けられている。補助陽極１４０は、内部にコイル１４０ａを有している。
【００２９】
プラズマ室１０３の内壁１０３ｂには、プラズマビーム発生器１１０と、プラズマ室１０３内に反応性ガスＲＧを導入する反応性ガス導入部１５６が取り付けられている。
【００３０】
プラズマビーム発生器１１０は、一方の端部がプラズマ室１０３に開口する導入管１０５を有している。導入管１０５の外側には、これを取り巻くようにステアリングコイルＳＣが設けられている。また、導入管１０５には、第１の中間電極１０６と、第２の中間電極１０７とが互いに同心となるように連結されている。第１の中間電極１０６は内部にコイル１０６ａを有し、第２の中間電極１０７は内部に永久磁石１０７ａとコイル（図示省略）を有している。第１の中間電極１０６および第２の中間電極１０７を介した導入管１０５のもう一方の端には、例えば、ガラス管からなる絶縁管１０８が連結しており、絶縁管１０８の他方の端は、導体板１０９によって閉塞されている。絶縁管１０８の内部には、熱電子放出部材１１２が先端側に設けられた導電性のパイプ１１１と、導体板１０９を貫通して、パイプ１１１の内部にキャリアガスＣＧを導入する配管とを有している。この場合、パイプ１１１は高融点材料のモリブデン、タンタル等からなり、熱電子放出部材１１２は六ホウ化ランタン（ＬａＢ６）を用いている。この場合、キャリアガスＣＧは、アルゴン（Ａｒ）ガスである。
【００３１】
薄膜形成装置１００は、導体板１０９にマイナス端が接続された第１の可変電源Ｖ１と、第１の中間電極１０６のコイル１０６ａとステアリングコイルＳＣとに接続された第２の可変電源Ｖ２と、第２の中間電極１０７のコイル（図示省略）にプラス端が接続された第３の可変電源Ｖ３と、を備えている。第１の可変電源Ｖ１のプラス端は、第３の可変電源Ｖ３のマイナス端に接続されると共に、抵抗Ｒ0を介して第１の中間電極１０６に接続されている。また、補助陽極１４０に接続されると共に、可変抵抗Ｒ１を介してハース１０４に接続されている。可変抵抗Ｒ１の値を調整することによりハース１０４に印加される電位を調整することができる。
【００３２】
第１の可変電源Ｖ１は、導体板１０９を介して熱電子放出部材１１２に電位を与え、熱電子を放出させる。また、抵抗Ｒ0を所定の大きさに設定し電圧値を調整することで、第１の中間電極１０６が発生する磁場の大きさを制御することができる。第２の可変電源Ｖ２は、その電圧レベルを調整することにより、ステアリングコイルＳＣにより発生する磁場の大きさを調整することができる。
【００３３】
キャリアガスＣＧであるＡｒガスに熱電子放出部材１１２からの電子放出を受けて発生したプラズマビームＰＢは、第１の中間電極１０６によって収束され、ステアリングコイルＳＣが発生する磁場の大きさにより所望の方向にガイドされてプラズマ室１０３に射出される。そして、補助陽極１４０のコイル１４０ａに印加される電圧レベルを調整することにより、補助陽極１４０において発生する磁場の大きさが制御され、射出されたプラズマビームＰＢがハース１０４に導かれる。第３の可変電源Ｖ３は、その電圧レベルを制御することにより、発生したプラズマビームＰＢを収束させるだけでなく、一時的に第２の中間電極１０７に引き付けることができる。例えば、導体板１０９に電圧を与えプラズマビームＰＢを着火してプラズマビーム発生器１１０を暖める際には、発生したプラズマビームＰＢを近くの第２の中間電極１０７に落とすように制御する。すなわち、むやみにプラズマビームＰＢをハース１０４に照射して、膜材料Ｍが無駄に蒸発するのを防ぐことを可能としている。
【００３４】
プラズマ室１０３のもう一方の内壁１０３ｃには、真空ポンプ１５０に繋がる配管１５５が設けられている。配管１５５には、真空ポンプ１５０側にゲートバルブ（ＧＶ）１５４と、プラズマ室１０３側に圧力調整バルブ１５３とを有している。圧力調整バルブ１５３は、成膜室１０２に設けられた真空計１５１からの信号を受けて圧力コントローラ（ＡＰＣ）１５２が制御信号を生成し、この制御信号を受けて稼動するように構成されている。真空計１５１を成膜室１０２に設置することにより、プラズマビームＰＢの影響を受け難く、真空計１５１の計測の信頼性と寿命を確保している。
【００３５】
成膜室１０２には、被膜形成物としての基板Ｗが装着される基板装着部１２１と、基板装着部１２１を吊設してハース１０４に対して所定の距離を保って一定方向（Ｘ軸方向）に移動可能な移動機構１２０とが設けられている。移動機構１２０により基板Ｗを移動させて、基板Ｗの表面に薄膜を均一に蒸着することができる。また、基板装着部１２１とハース１０４との間において、導電性の捕獲部としての捕獲板１３０が設けられている。捕獲板１３０は電位発生部Ｖ４に電気的に接続されている。電位発生部Ｖ４は、捕獲板１３０に正または負の電位を与えることができ、発生する電圧レベルを数ｍＶ〜数百Ｖまで可変することができる構成となっている。
【００３６】
図２（ａ）〜（ｃ）は捕獲部の構造を示す概略平面図である。図２（ａ）に示すように、本実施形態の捕獲板１３０は、複数の開口部１３０ａを有するメッシュ状の部材である。使用する材料としては、熱変形し難い高融点金属またはその合金、あるいは導電性の無機材料を用いるのが好ましい。高融点金属としては、ステンレス、鉄、銅、タングステン、モリブデン、ニッケル、チタン等が挙げられる。また、導電性無機材料としてカーボン、シリコン等が挙げられる。
【００３７】
また、開口部１３０ａの大きさ（開口径）は、数百μｍ〜数十ｍｍとし、膜材料Ｍが加熱され突沸して飛散する飛沫（スプラッシュ）が容易に開口部１３０ａを通過しない大きさが好ましい。また、あまりに細かくすると、成膜に影響を及ぼすので、適宜その大きさを設定することが好ましい。この場合、開口部１３０ａは四角形であり、一辺がおよそ２００μｍである。
【００３８】
なお、開口部１３０ａの形状は、メッシュ状に限らず、例えば、図２（ｂ）に示すような丸孔１３０ｂや、図２（ｃ）に示すようなハニカム構造１３０ｃとしてもよい。
【００３９】
さらに、捕獲板１３０の少なくともハース１０４に対向する表面を凹凸に表面処理することが好ましい。表面処理の方法としては、サンドブラスト、ケミカルエッチング等の方法が挙げられる。これにより、スプラッシュを捕獲板１３０に付着し易くする。また、付着後、冷却して落下することも低減することができる。
【００４０】
このような薄膜形成装置１００は、真空ポンプ１５０によりチャンバー１０１内を所定の減圧状態（真空状態）とする。そして、プラズマビーム発生器１１０から発生したプラズマビームＰＢをハース１０４に導くことにより、収納された膜材料ＭにプラズマビームＰＢを照射する。プラズマビームＰＢが照射された膜材料Ｍはジュール熱により加熱され蒸発する。蒸発した膜材料Ｍは、基板装着部１２１に装着された基板Ｗに到達して薄膜として形成される。また、プラズマ室１０３に反応性ガスＲＧを導入すれば、蒸発した膜材料Ｍと反応性ガスＲＧとを反応させ、反応物からなる薄膜を基板Ｗの表面に形成することもできる。すなわち、本実施形態の薄膜形成装置１００は、所謂イオンプレーティング装置である。
【００４１】
加熱された膜材料Ｍは、蒸発するだけでなく、その物性により溶融物を生ずる場合がある。溶融物にプラズマビームＰＢが照射されると突沸し易い。溶融物が突沸すると、飛沫（スプラッシュ）となって飛散する。スプラッシュは、その大きさによりハース１０４の周辺に飛び散るだけでなく、基板Ｗに付着するおそれがある。スプラッシュはプラズマビームＰＢにより負に帯電する。本実施形態の薄膜形成装置１００では、捕獲板１３０に正の電位を与えることにより、基板Ｗの方向に飛散する負に帯電したスプラッシュを引き付けて捕獲（吸着）するものである。
【００４２】
次に、上記薄膜形成装置１００を用いて製造された電気光学装置ついて、図３を参照して説明する。
【００４３】
（電気光学装置）
図３は、電気光学装置の構造を示す概略断面図である。図３に示すように、本実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）表示装置６００は、有機ＥＬ素子としての発光素子部６０３を有する素子基板６０１と、素子基板６０１と空間６２１を隔てて封着された封止基板６２０とを備えている。また素子基板６０１は、素子基板６０１上に回路素子部６０２を備えており、発光素子部６０３は、回路素子部６０２上に重畳して形成され、回路素子部６０２により駆動されるものである。発光素子部６０３には、有機ＥＬ発光層としての３色の発光層６１７Ｒ，６１７Ｇ，６１７Ｂがそれぞれの発光層形成領域（画素領域）Ａに形成され、ストライプ状となっている。素子基板６０１は、３色の発光層６１７Ｒ，６１７Ｇ，６１７Ｂに対応する３つの発光層形成領域Ａを１組の絵素とし、この絵素が素子基板６０１の回路素子部６０２上にマトリクス状に配置されたものである。有機ＥＬ表示装置６００は、発光素子部６０３からの発光が封止基板６２０側に出射する所謂トップエミッション型の表示装置である。
【００４４】
封止基板６２０は、透明なガラスからなるもので、封止樹脂を介して素子基板６０１に接合されている。封止基板６２０は、発光素子部６０３を外部の衝撃から保護すると共に、水または酸素によって劣化することを防ぐものである。
【００４５】
素子基板６０１は、回路素子部６０２上に複数の発光層形成領域Ａを区画する隔壁部としてのバンク６１８と、複数の発光層形成領域Ａに形成された電極６１３とを備えている。
【００４６】
発光素子部６０３は、陽極としての電極６１３と、電極６１３上に順次積層された正孔注入／輸送層６１７ａ、各発光層６１７Ｒ，６１７Ｇ，６１７Ｂ（総称して発光層Ｌｕ）と、バンク６１８および発光層Ｌｕを覆うように積層された電子注入層６１７ｃ、保護層６０４、陰極６０５とを備えている。正孔注入／輸送層６１７ａ、発光層Ｌｕ、電子注入層６１７ｃにより発光が励起される機能層６０３ａを構成している。保護層６０４と陰極６０５とが透明な材料で構成されているので、発光を封止基板６２０側から出射させることができる。この場合、正孔注入／輸送層６１７ａ、発光層６１７Ｒ，６１７Ｇ，６１７Ｂは、液滴吐出法（インクジェット法）を用いて形成されている。
【００４７】
バンク６１８は、発光層形成領域Ａの内側に張り出すように設けられて、電極６１３と各発光層６１７Ｒ，６１７Ｇ，６１７Ｂとが直接接触して電気的に短絡することを防止している。
【００４８】
素子基板６０１は、例えば、ガラス等の透明な基板または不透明なシリコン基板等を用いることができる。素子基板６０１上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜６０６が形成され、この下地保護膜６０６上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜６０７が形成されている。なお、半導体膜６０７には、ソース領域６０７ａおよびドレイン領域６０７ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みにより形成されている。なお、Ｐイオンが導入されなかった部分がチャネル領域６０７ｃとなっている。さらに下地保護膜６０６および半導体膜６０７を覆う透明なゲート絶縁膜６０８が形成され、ゲート絶縁膜６０８上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極６０９が形成され、ゲート電極６０９およびゲート絶縁膜６０８上には透明な第１層間絶縁膜６１１ａと第２層間絶縁膜６１１ｂが形成されている。ゲート電極６０９は半導体膜６０７のチャネル領域６０７ｃに対応する位置に設けられている。また、第１層間絶縁膜６１１ａおよび第２層間絶縁膜６１１ｂを貫通して、半導体膜６０７のソース領域６０７ａ、ドレイン領域６０７ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール６１２ａ，６１２ｂが形成されている。そして、第２層間絶縁膜６１１ｂ上に、発光を反射する金属膜等からなる電極６１３が所定の形状にパターニングされて配置され、一方のコンタクトホール６１２ａがこの電極６１３に接続されている。また、もう一方のコンタクトホール６１２ｂが電源線６１４に接続されている。このようにして、回路素子部６０２には、各電極６１３に接続された駆動用の薄膜トランジスタ６１５が形成されている。なお、回路素子部６０２には、保持容量とスイッチング用の薄膜トランジスタも形成されているが、図３ではこれらの図示を省略している。
【００４９】
有機ＥＬ表示装置６００は、ゲート電極６０９に接続された走査線（図示省略）とソース領域６０７ａに接続された信号線（図示省略）とを有し、走査線に伝わった走査信号によりスイッチング用の薄膜トランジスタ（図示省略）がオンになると、そのときの信号線の電位が保持容量に保持され、該保持容量の状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ６１５のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ６１５のチャネル領域６０７ｃを介して、電源線６１４から電極６１３に電流が流れ、さらに機能層６０３ａを介して陰極６０５に電流が流れる。発光層Ｌｕは、これを流れる電流量に応じて発光する。有機ＥＬ表示装置６００は、このような発光素子部６０３の発光メカニズムにより、所望の文字や画像などを表示することができる。また、保護層６０４が上記薄膜形成装置１００を用いて形成されているため、スプラッシュによる成膜不良が低減され高い表示品質を有している。
【００５０】
（電気光学装置の製造方法および薄膜の形成方法）
次に、電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置６００の製造方法について、図４〜図７を参照して説明する。図４は有機ＥＬ表示装置の製造方法を示すフローチャート、図５（ａ）〜（ｅ）および図６（ｆ）〜（ｉ）は有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す概略断面図、図７（ａ）および（ｂ）は液滴吐出ヘッドの構造を示す概略図である。なお、図５および図６においては、素子基板６０１上に形成された回路素子部６０２は、図示を省略している。
【００５１】
図４に示すように、有機ＥＬ表示装置６００の製造方法は、回路素子部６０２が形成された素子基板６０１上に画素電極としての電極６１３を形成する工程（ステップＳ１）と、電極６１３に一部が掛かるようにバンク６１８を形成し、実質的に発光層形成領域Ａを区画するバンク形成工程（ステップＳ２）とを備えている。またバンク６１８で区画された発光層形成領域Ａを表面処理し、表面処理された発光層形成領域Ａに正孔注入／輸送層形成材料を含む液状体を付与して、乾燥することにより正孔注入／輸送層６１７ａを形成する工程（ステップＳ３）と、を備えている。また、正孔注入／輸送層６１７ａが形成された発光層形成領域Ａを表面処理し、表面処理された発光層形成領域Ａに発光層形成材料を含む３種の液状体を吐出して、乾燥することにより発光層Ｌｕを成膜する工程（ステップＳ４）とを備えている。さらに、バンク６１８および発光層Ｌｕを覆うように電子注入層６１７ｃを形成する工程（ステップＳ５）と、電子注入層６１７ｃを覆うように保護層６０４を形成する工程（ステップＳ６）と、保護層６０４を覆うように陰極６０５を形成する工程（ステップＳ７）とを備えている。
【００５２】
図４のステップＳ１は、画素電極形成工程である。ステップＳ１では、図５（ａ）に示すように、素子基板６０１の発光層形成領域Ａに対応する位置に電極６１３を形成する。形成方法としては、例えば、素子基板６０１の表面にアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の金属材料を用いて真空中でスパッタ法あるいは蒸着法で高反射率の金属膜を形成する。その後、フォトリソグラフィ法にて必要な部分だけを残してエッチングして電極６１３を形成する方法が挙げられる。例えば、Ａｌ膜を膜厚が１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲で成膜する。さらに、Ａｌ膜の上にＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）膜を５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲となるように積層してもよい。そして、ステップＳ２へ進む。
【００５３】
図４のステップＳ２は、バンク形成工程である。ステップＳ２では、図５（ｂ）に示すように、素子基板６０１の複数の電極６１３の一部を覆うようにバンク６１８を形成する。バンク６１８の材料としては、後述する発光層形成材料を含む３種の液状体７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂの溶媒に対して耐久性を有するものであることが望ましく、さらに、フッ素系ガスを処理ガスとするプラズマ処理により撥液化できること、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、感光性ポリイミドなどといった有機材料が好ましい。バンク６１８の形成方法としては、例えば、素子基板６０１の表面に感光性の上記有機材料をロールコート法やスピンコート法で塗布し、乾燥させて厚みがおよそ２μｍの感光性樹脂層を形成する。そして、発光層形成領域Ａに対応した大きさで開口部が設けられたマスクを素子基板６０１と所定の位置で対向させて露光・現像することにより、バンク６１８を形成する方法が挙げられる。なお、後に形成される発光層Ｌｕと電極６１３との電気的な短絡をより防止するために、ＳｉＯ2などの無機絶縁膜を蒸着法、スパッタ法等で先に形成し、その上にバンク６１８を形成する二層バンク構造としてもよい。そして、ステップＳ３へ進む。
【００５４】
図４のステップＳ３は、正孔注入輸送層形成工程である。ステップＳ３では、まず、バンク６１８が形成された素子基板６０１の表面を、Ｏ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより電極６１３の表面およびバンク６１８の表面（壁面を含む）を活性化させて親液処理する。次にＣＦ4等のフッ素系ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより有機材料である感光性樹脂からなるバンク６１８の表面のみにフッ素系ガスが反応して撥液処理される。続いて、図５（ｃ）に示すように、正孔注入／輸送層形成材料を含む液状体６０を発光層形成領域Ａに付与する。液状体６０を付与する方法としては、液状体を液滴Ｄとして吐出可能な液滴吐出ヘッド５０を有する液滴吐出装置を用いる。
【００５５】
ここで、液滴吐出ヘッド５０について説明しておく。図７（ａ）は液滴吐出ヘッドの概略分解斜視図、図７（ｂ）はノズル部の構造を示す断面図である。図７（ａ）および（ｂ）に示すように、液滴吐出ヘッド５０は、液滴Ｄが吐出される複数のノズル５２を有するノズルプレート５１と、複数のノズル５２がそれぞれ連通するキャビティ５５を区画する隔壁５４を有するキャビティプレート５３と、各キャビティ５５に対応するエネルギー発生手段としての振動子５９を有する振動板５８とが、順に積層され接合された構造となっている。
【００５６】
キャビティプレート５３は、ノズル５２に連通するキャビティ５５を区画する隔壁５４と、キャビティ５５に液状体を充填するための流路５６，５７とを有している。流路５７は、ノズルプレート５１と振動板５８とによって挟まれ、出来上がった空間が、液状体が貯留されるリザーバの役目を果たす。
【００５７】
液状体は、液状体供給機構から配管を通じて供給され、振動板５８に設けられた供給孔５８ａを通じてリザーバに貯留された後に、流路５６を通じて各キャビティ５５に充填される。
【００５８】
図７（ｂ）に示すように、振動子５９は、ピエゾ素子５９ｃと、ピエゾ素子５９ｃを挟む一対の電極５９ａ，５９ｂとからなる圧電素子である。外部から一対の電極５９ａ，５９ｂに駆動電圧パルスが印加されることにより接合された振動板５８を変形させる。これにより隔壁５４で仕切られたキャビティ５５の体積が増加して、液状体がリザーバからキャビティ５５に吸引される。そして、駆動電圧パルスの印加が終了すると、振動板５８は元に戻り充填された液状体を加圧する。これにより、ノズル５２から液状体を液滴Ｄとして吐出できる構造となっている。ピエゾ素子５９ｃへ印加される駆動電圧パルスを制御することにより、それぞれのノズル５２に対して液状体の吐出制御を行うことができる。
【００５９】
液滴吐出ヘッド５０におけるエネルギー発生手段は、圧電素子（ピエゾ素子）に限らない。振動板５８を静電吸着により変位させる電気機械変換素子や、液状体を加熱してノズル５２から液滴Ｄとして吐出させる電気熱変換素子でもよい。
【００６０】
図５（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッド５０から吐出された液状体６０は、液滴Ｄとして素子基板６０１の電極６１３に着弾して濡れ拡がる。液状体６０は発光層形成領域Ａの面積に応じて必要量が液滴Ｄとして吐出され表面張力で盛り上がった状態となる。次に、素子基板６０１を例えばランプアニール等の方法で加熱することにより、液状体６０の溶媒成分を乾燥させて除去する。これにより、図５（ｄ）に示すように、電極６１３のバンク６１８により区画された領域に正孔注入／輸送層６１７ａが形成される。本実施形態では、正孔注入／輸送層形成材料としてＰＥＤＯＴ（Polyethylene  Dioxy  Thiophene；ポリエチレンジオキシチオフェン）を用いた。膜厚が５ｎｍ〜５０ｎｍとなるように成膜した。なお、この場合、各発光層形成領域Ａに同一材料からなる正孔注入／輸送層６１７ａを形成したが、後に形成される発光層Ｌｕに対応して正孔注入／輸送層６１７ａの材料を発光層形成領域Ａごとに変えてもよい。そして、ステップＳ４へ進む。
【００６１】
図４のステップＳ４は、発光層形成工程である。ステップＳ４では、まず、上記の正孔注入／輸送層形成材料を用いて正孔注入／輸送層６１７ａを形成した場合、その表面が、３種の液状体７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂに対して撥液性を有するので、少なくとも発光層形成領域Ａの領域内を再び親液性を有するように表面処理を行う。表面処理の方法としては、３種の液状体７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂに用いられる溶媒を塗布して乾燥する。溶媒の塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法等の方法が挙げられる。次に、図５（ｅ）に示すように、それぞれに異なる液状体７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂが充填された３つの液滴吐出ヘッド５０から複数の発光層形成領域Ａに液状体７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂを液滴Ｄとして吐出する。液状体７０Ｒは発光層６１７Ｒ（赤色）を形成する材料を含み、液状体７０Ｇは発光層６１７Ｇ（緑色）を形成する材料を含み、液状体７０Ｂは発光層６１７Ｂ（青色）を形成する材料を含んでいる。着弾した各液状体７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂは、発光層形成領域Ａに濡れ拡がって断面形状が円弧状に盛り上がる。続いて、図６（ｆ）に示すように、吐出された各液状体７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂの溶媒成分を乾燥させて除去し、各発光層形成領域Ａの正孔注入／輸送層６１７ａに各発光層６１７Ｒ，６１７Ｇ，６１７Ｂが積層されるように成膜する。吐出された各液状体７０Ｒ，７０Ｇ，７０Ｂの乾燥方法としては、溶媒の蒸発速度をほぼ一定とすることが可能な、減圧乾燥が好ましい。なお、発光層形成材料としては、公知の材料を用いればよく、例えば、赤色発光材料としてシアノピリフェニレンビニレン、緑色発光材料および青色発光材料としてポリフェニレンビニレンなどを用いることができる。そして、ステップＳ５へ進む。
【００６２】
図４のステップＳ５は、電子注入層形成工程である。ステップＳ５では、図６（ｇ）に示すように、バンク６１８および各発光層６１７Ｒ，６１７Ｇ，６１７Ｂを覆うように電子注入層６１７ｃを形成する。電子注入層６１７ｃの形成方法としては、上記実施形態の薄膜形成装置１００を用いる。膜材料Ｍとして、例えば、バソクプロイン（ＢＣＰ）とセシウムとを用いて共蒸着膜を形成する。膜厚は内部抵抗が高くならない程度の５ｎｍ〜２０ｎｍとする。この他にもマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の共蒸着膜、ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌなどを好適に用いることができる。そして、ステップＳ６へ進む。
【００６３】
図４のステップＳ６は、保護層形成工程である。ステップＳ６では、図６（ｈ）に示すように、電子注入層６１７ｃを覆うように保護層６０４を形成する。保護層６０４の形成方法としては、上記実施形態の薄膜形成装置１００を用いる。膜材料Ｍとして一酸化珪素（ＳｉＯ）を用いる。反応性ガスＲＧとして窒素（Ｎ2）を導入する。これにより、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）からなる薄膜としての保護層６０４を形成する。膜厚は後に積層される陰極６０５と機能層６０３ａとが絶縁されない程度の０．５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲で成膜する。
【００６４】
より具体的な薄膜形成方法としては、基板装着部１２１に機能層６０３ａが形成された素子基板６０１を装着する。（以降、素子基板６０１を基板Ｗに置き換えて説明する。）真空ポンプ１５０によりチャンバー１０１内をおよそ１×１０-2Ｐａ程度に減圧する。プラズマビーム発生器１１０を稼動させてプラズマビームＰＢを発生させ、ハース１０４に収納されたＳｉＯをおよそ１１００〜１３００℃に加熱する。ＳｉＯは昇華材料であり、加熱により蒸発する。一方で反応性ガスＲＧとしてＮ2ガスを導入して、基板Ｗとハース１０４との空間をＮ2で満たし外部からの酸素を遮断した雰囲気を作り出し、機能層６０３ａの酸化を防止する。蒸発したＳｉＯは、Ｎ2と結びついてＳｉＯＮとなり基板Ｗの表面に成膜される。
【００６５】
プラズマビームＰＢを膜材料ＭであるＳｉＯに照射して加熱すると、ＳｉＯとして蒸発するだけでなく、次のような反応が起こる。２ＳｉＯ⇒ＳｉＯ2＋Ｓｉ、すなわち、Ｓｉが析出してＳｉＯ上で溶融する現象が起こる。溶融したＳｉにプラズマビームＰＢが照射されると、突沸が発生し、負に帯電したＳｉのスプラッシュ（飛沫）が生ずる。基板Ｗとハース１０４との間に、正の電位が与えられた捕獲板１３０が配置されているので、基板Ｗに向かうＳｉのスプラッシュは、捕獲板１３０に吸着して捕獲される。この場合、基板Ｗとハース１０４との距離は、およそ６０ｃｍである。Ｓｉのスプラッシュの粒径は、およそ５〜５０μｍである。このような条件を鑑み、プラズマビームＰＢに触れない範囲で、捕獲板１３０を基板装着部１２１からおよそ５〜１０ｃｍ程度離して配置した。さらに捕獲板１３０に数十Ｖの正電位を印加した。これにより、捕獲板１３０に到達するＳｉのスプラッシュをほとんど吸着することができた。また、捕獲板１３０に影響されずにＳｉＯＮからなる保護層６０４を成膜することができた。そして、ステップＳ７へ進む。
【００６６】
図４のステップＳ７は、陰極形成工程である。ステップＳ７では、図６（ｉ）に示すように、保護層６０４を覆うように陰極６０５を形成する。陰極６０５の形成方法としては、同様に薄膜形成装置１００を用いる。膜材料Ｍとして透明導電膜材料であるＩＴＯを用いる。ハース１０４にＩＴＯの粉末またはタブレットを収納してプラズマビームＰＢを照射し加熱する。加熱されたＩＴＯは蒸発して、保護層６０４に積層される。膜厚がおよそ１００ｎｍとなるように成膜した。この場合、ＩＴＯを加熱しても溶融物ができ難いので、薄膜形成装置１００において、捕獲板１３０を除いた構成としてもよい。
【００６７】
このようにして製造された発光素子部６０３を有する有機ＥＬ表示装置６００は、成膜不良が低減されたＳｉＯＮの薄膜からなる保護層６０４を有する。ＳｉＯＮの薄膜は、高いガスバリア性と光透過性を兼ね備えている。また、保護層６０４の成膜時に、チャンバー１０１内にＮ2ガスが満たされ、酸素が遮断されると共に、基板ＷがプラズマビームＰＢの熱の影響を受け難い薄膜形成装置１００の構造となっている。したがって、保護層６０４により機能層６０３ａが確実に保護され、高い信頼性と優れた耐久寿命とを有する有機ＥＬ表示装置６００を実現することができる。
【００６８】
なお、本実施形態では、発光素子部６０３は、３色の発光が可能な発光層６１７Ｒ，６１７Ｇ，６１７Ｂを有する構成としたが、発光素子部６０３を単色としてよい。例えば、白色の単色発光とし、封止基板６２０側に少なくとも３色に対応する着色層を有するカラーフィルタを具備すれば、カラー表示が可能なトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置６００とすることができる。
【００６９】
上記実施形態１の効果は、以下の通りである。
（１）上記実施形態１の薄膜形成装置１００は、膜材料Ｍが収納された蒸発源としてのハース１０４と基板Ｗが装着される基板装着部１２１との間に、正電位が与えられた捕獲板１３０を設けているので、負に帯電した膜材料Ｍのスプラッシュを捕獲することができる。したがって、スプラッシュが基板Ｗの表面に付着する成膜不良を低減して、基板Ｗに歩留りよく膜材料Ｍからなる薄膜を形成することができる。
【００７０】
（２）上記実施形態１の電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置６００の製造方法は、ＳｉＯＮからなる保護層６０４を薄膜形成装置１００を用いて形成する。したがって、スプラッシュによる成膜不良を低減して、高い信頼性と優れた耐久寿命とを有する有機ＥＬ表示装置６００を歩留りよく製造することができる。
【００７１】
＜実施形態２＞
次に、電気光学装置を備えた電子機器について説明する。図８は電子機器としてのテレビの一例を示した斜視図である。
【００７２】
図８に示すように、テレビ１０００は、表示部１００１に上記実施形態１の薄膜形成装置１００を用いて製造された保護層６０４を有する有機ＥＬ表示装置６００を備えた。
【００７３】
上記実施形態２の効果は、以下の通りである。
（１）上記実施形態２の電子機器としてのテレビ１０００は、表示部１００１として有機ＥＬ表示装置６００を備えている。したがって、高い信頼性と優れた耐久寿命とを有するフルカラー表示可能な電子機器としてのテレビ１０００を提供することができる。
【００７４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。例えば上記実施形態以外の変形例は、以下の通りである。
【００７５】
（変形例１）上記実施形態１の薄膜形成装置１００において、捕獲部として捕獲板１３０は、これに限定されない。図９は変形例の捕獲板を示す概略図である。例えば、基板Ｗが装着される基板装着部１２１と、膜材料Ｍが収容されたハース１０４との間において、捕獲板１３０をハース１０４から半径ｒで凹状となるように湾曲させてもよい。加熱された膜材料Ｍから突沸によって発生するスプラッシュは、ハース１０４から放射状に飛散する。これによれば、飛散するスプラッシュを効率的に捕獲することができる。
【００７６】
（変形例２）上記実施形態１の薄膜形成装置１００において、蒸発源としてのハース１０４は、１つに限定されない。例えば、図１において、基板装着部１２１を移動させる移動機構１２０をＹ軸方向にも移動可能とし、プラズマ室１０３の内底部１０３ａにＹ軸方向に沿って複数のハース１０４を配列させてもよい。このようにすれば、移動機構１２０により基板ＷをＸ，Ｙ軸方向に移動させながら、複数のハース１０４からの膜材料Ｍの蒸発を受けて、より大型の基板Ｗに薄膜を形成することができる。
【００７７】
（変形例３）上記実施形態１の薄膜形成装置１００において、成膜室１０２とプラズマ室１０３との連通部に、これを開閉するシャッターを設けてもよい。シャッターを設けることにより、成膜の開始、停止を正確に制御することができる。よって、膜厚の制御がし易い。
【００７８】
（変形例４）上記実施形態１の薄膜形成装置１００を用いた有機ＥＬ表示装置６００の製造方法において、捕獲板１３０に印加する電位は、正の電位に限定されない。例えば、負の電位を電位発生部Ｖ４により印加すれば、負に帯電したＳｉのスプラッシュを捕獲板１３０によって跳ね返し、基板Ｗに到達させないようにすることができる。よって、捕獲板１３０に正の電位を与えた場合と同様な効果を奏する。
【００７９】
（変形例５）上記実施形態１の有機ＥＬ表示装置６００において、発光素子部６０３の構成は、これに限定されない。図１０（ａ）および（ｂ）は変形例の発光素子部を示す概略断面図である。例えば、図１０（ａ）に示すように、電子注入層６１７ｃを覆うように先に陰極６０５を形成する。その後に、保護層６０４を積層してもよい。また、図１０（ｂ）に示すように、電子注入層６１７ｃを覆うように先に陰極６０５を形成し、その後に透明な絶縁部材からなる平坦化層６１９を形成する。そして、平坦化層６１９上に保護層６０４を形成する。これによれば、発光素子部６０３の表面を平坦化して、発光ムラを低減可能である。なお、同図（ａ）と（ｂ）とを組み合わせ、平坦化層６１９を挟んで上下に保護層６０４を設ける構成としてもよい。なお、このように電子注入層６１７ｃと陰極６０５とを保護層６０４を介さずに積層するので、保護層６０４の膜厚をおよそ２００ｎｍ〜６００ｎｍに成膜して、ガスバリア性をさらに高めることができる。
【００８０】
（変形例６）上記実施形態１の薄膜形成装置１００を用いた有機ＥＬ表示装置６００の製造方法において、保護層６０４はＳｉＯＮの薄膜に限定されない。例えば、膜材料Ｍとして一酸化珪素（ＳｉＯ）を用い、反応性ガスＲＧとして酸素を導入すればＳｉＯ2膜を形成することができる。この場合にもスプラッシュによる成膜不良を低減可能である。また、反応性ガスＲＧとして酸素と窒素とを導入すれば、ＳｉＯＮとＳｉＯ2との混合物を薄膜として成膜することもできる。特に、反応性ガスＲＧとして発光層６１７Ｒ，６１７Ｇ，６１７Ｂの酸化を招く酸素を用いるので、図１０（ａ）および（ｂ）に示した発光素子部６０３の構成の場合に有効である。ＳｉＯＮにＳｉＯ2を混合することで保護層６０４としての機能を維持して、さらに光透過性を高めることができる。
【００８１】
（変形例７）上記実施形態１の有機ＥＬ表示装置６００の製造方法において、発光層６１７Ｒ，６１７Ｇ，６１７Ｂの形成方法は、液滴吐出法（インクジェット法）に限定されない。例えば、蒸着材料としてペレリン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素など公知の低分子ＥＬ材料を用い、マスク蒸着法により各発光層６１７Ｒ，６１７Ｇ，６１７Ｂを形成してもよい。形成された発光層６１７Ｒ，６１７Ｇ，６１７Ｂ（発光層Ｌｕ）を覆うように、薄膜形成装置１００を用いて、電子注入層６１７ｃ、保護層６０４、陰極６０５を成膜すれば、発光層Ｌｕに対する成膜時の熱影響等を低減して、高い信頼性と優れた耐久寿命とを有する有機ＥＬ表示装置６００を製造することができる。
【００８２】
（変形例８）上記実施形態１の薄膜形成装置１００を用いて製造された有機ＥＬ表示装置６００は、トップエミッション型に限定されない。例えば、素子基板６０１を透明なガラス等の基板とし、電極６１３をＩＴＯ等の透明電極とする、陰極６０５を反射性を有するＡｌ等の金属薄膜とすれば、機能層６０３ａからの発光を素子基板６０１側から射出するボトムエミッション型にも適用することができる。
【００８３】
（変形例９）上記実施形態２において、電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置６００を備えた電子機器は、テレビ１０００に限定されない。例えば、ノート型やデスクトップ型のパーソナルコンピュータ、ワークステーション、ページャ、ワードプロセッサ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオレコーダ、電子手帳、電子式卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、携帯電話機等の電子機器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】薄膜形成装置の構造を示す概略側断面図。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は捕獲部の構造を示す概略平面図。
【図３】電気光学装置の構造を示す概略断面図。
【図４】有機ＥＬ表示装置の製造方法を示すフローチャート。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す概略断面図。
【図６】（ｆ）〜（ｉ）は有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す概略断面図。
【図７】（ａ）および（ｂ）は液滴吐出ヘッドの構造を示す概略図。
【図８】電子機器としてのテレビの一例を示した斜視図。
【図９】変形例の捕獲板を示す概略図。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は変形例の発光素子部を示す概略断面図。
【符号の説明】
【００８５】
１００…薄膜形成装置、１０１…チャンバー、１０４…蒸発源としてのハース、１１０…プラズマビーム発生器、１２０…移動機構、１２１…基板装着部、１３０…捕獲部としての捕獲板、１３０ａ…開口部、１５６…反応性ガス導入部、６００…電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置、６０１…基板としての素子基板、６０３…有機ＥＬ素子としての発光素子部、６０３ａ…機能層、６０４…保護層、６１７Ｒ，６１７Ｇ，６１７Ｂ…発光層、１０００…電子機器としてのテレビ、Ａ…画素領域としての発光層形成領域、Ｍ…膜材料、ＰＢ…プラズマビーム、ＲＧ…反応性ガス、Ｖ４…電位発生部、Ｗ…基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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