(57)【要約】【課題】プローブの平坦度が向上されたプローブカード及びその製造方法を提供する。【解決手段】複数のプローブモジュール１０００と、プローブモジュール１０００の下に位置した多層セラミック基板２０００と、プローブモジュール１０００と多層セラミック基板２０００を接続させるソルダボール１８３とを含み、ソルダボール１８３の高さＨは位置によって異なるプローブカード及び、ソルダボール１８３が付着された複数のプローブモジュール１０００を用意する段階と、ピックアップ装置を利用してプローブモジュール１０００のうち少なくとも一つをピックアップして多層セラミック基板２０００の所定位置に付着させる段階と、プローブモジュール１０００を掴んでいるピックアップ装置を上昇または下降させることによって、ソルダボール１８３の高さＨを調節してプローブモジュール１０００の高さを調整する段階とを含むプローブカードの製造方法。【選択図】図２
2008170413.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のプローブモジュールと、
前記プローブモジュールの下に位置した多層セラミック基板と、
前記プローブモジュールと前記多層セラミック基板を接続させるソルダボールとを含み、
前記ソルダボールの高さは、位置によって異なることを特徴とするプローブカード。
【請求項２】
前記ソルダボールの高さは、前記プローブモジュール毎に異なることを特徴とする請求項１に記載のプローブカード。
【請求項３】
前記ソルダボールの高さは、前記多層セラミック基板の中心部から周辺部の側へ向かうほど大きくなることを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブカード。
【請求項４】
前記ソルダボールの高さは、前記多層セラミック基板の中心部から周辺部の側へ向かうほど小さくなることを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブカード。
【請求項５】
前記複数のプローブモジュールの高さは互いに一致することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のプローブカード。
【請求項６】
前記プローブモジュールは、ベース基板と、前記ベース基板上に形成されている複数のプローブとを含み、
前記プローブモジュールの高さは、前記プローブモジュールのプローブの上端部の高さであることを特徴とする請求項５に記載のプローブカード。
【請求項７】
前記ベース基板下に形成されて第１ソルダパッドを有する回路部と、
前記回路部を覆って前記第１ソルダパッドを露出する第１接触孔を有する第１ソルダレジストと、
前記第１ソルダレジスト上に形成されている第１中間層と、をさらに含み、
前記ソルダボールは、前記第１中間層に付着されていることを特徴とする請求項６に記載のプローブカード。
【請求項８】
前記多層セラミック基板上に形成されている第２ソルダパッドと、
前記第２ソルダパッドを露出する第２接触孔を有する第２ソルダレジストと、
前記第２ソルダレジスト上に形成されている第２中間層と、をさらに含み、
前記ソルダボールは、前記第２中間層に付着されていることを特徴とする請求項７に記載のプローブカード。
【請求項９】
ソルダボールが付着された複数のプローブモジュールを用意する段階と、
ピックアップ装置を利用して前記プローブモジュールのうち少なくとも一つをピックアップして多層セラミック基板の所定位置に付着させる段階と、
前記プローブモジュールを掴んでいる前記ピックアップ装置を上昇または下降させることによって、前記ソルダボールの高さを調節して前記プローブモジュールの高さを調整する段階と、
を含むことを特徴とするプローブカードの製造方法。
【請求項１０】
前記ピックアップ装置を利用して前記プローブモジュールのうち少なくとも一つをピックアップして多層セラミック基板の所定位置に付着させる段階は、
ピックアップされた前記プローブモジュールのソルダボールを前記多層セラミック基板上の所定位置に接触させる段階、及び
前記ソルダボールを加熱する段階と、
を含むことを特徴とする請求項９に記載のプローブカードの製造方法。
【請求項１１】
前記ソルダボールを加熱する段階は、ピックアップされた前記プローブモジュールに前記ピックアップ装置内部を通したレーザーの照射若しくは、熱源を用いて行うことを特徴とする請求項１０に記載のプローブカードの製造方法。
【請求項１２】
前記ソルダボールが付着された複数のプローブモジュールを用意する段階は、
複数のプローブモジュールが形成されているウエハーの各プローブモジュールのソルダパッドにソルダボールを付着する段階と、
前記ソルダボールが付着されている前記プローブモジュールを前記ウエハーから分離してモジュールトレイに積む段階と、
を含むことを特徴とする請求項９〜１１の何れか一項に記載のプローブカードの製造方法。
【請求項１３】
前記プローブモジュールを掴んでいる前記ピックアップ装置を上昇または下降させることによって、前記ソルダボールの高さを調節して前記プローブモジュールの高さを調整する段階において、前記プローブモジュールの前記多層セラミック基板上の位置に応じて前記ソルダボールの高さを異ならせて調節することを特徴とする請求項９〜１２の何れか一項に記載のプローブカードの製造方法。
【請求項１４】
前記ソルダボールの高さは、前記多層セラミック基板の中心部から周辺部の側へ向かうほど大きくなるように調節することを特徴とする請求項９〜１３の何れか一項に記載のプローブカードの製造方法。
【請求項１５】
前記ソルダボールの高さは、前記多層セラミック基板の中心部から周辺部の側へ向かうほど小さくなるように調節することを特徴とする請求項９〜１３の何れか一項に記載のプローブカードの製造方法。
【請求項１６】
前記ピックアップ装置は、前記プローブモジュールの上部面に接触して真空を利用して前記プローブモジュールをピックアップすることを特徴とする請求項９〜１５の何れか一項に記載のプローブカードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプローブカード及びその製造方法に関し、半導体ウエハー上に形成された半導体集積回路装置などの異常有無を電気的に検査するプローブを含むプローブカード及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に半導体集積回路装置等は、一連の半導体製造工程などを経て製造されるが、その製造過程において、または製造完了後に、電気的検査を経て良品と不良品を選別する。このような電気的検査過程には、外部から各種電気的信号を伝達し、半導体集積回路からの応答信号を検出して分析する検査装備が用いられる。この際、検査装備と半導体集積回路とを電気的に接続させるためにはプローブ（探針）が必要となる。また、これと類似する検査過程が液晶表示装置などのような平板ディスプレイなどの製造過程において、または製造完了後にも施行される。この際も検査装備と素子間の電気的接続を担当するプローブが必要となる。
【０００３】
前記プローブが形成された装置をプローブカードといい、プローブモジュールと、多層セラミック基板（ＭＬＣ）及び印刷回路基板で構成されて検査工程を進行する。プローブモジュールは複数のプローブで構成され、このようなプローブモジュールの複数が多層セラミック基板上にソルダボール（半田球）を介して付着され、多層セラミック基板にはポゴブロック（ｐｏｇｏ  ｂｌｏｃｋ）が間に設けられ、当該ポゴブロックを介してプローブモジュールと印刷回路基板とが接続されている。
しかし、多層セラミック基板の平坦度が一定でない場合には、その上に配置されたプローブモジュールのプローブの高さも一定でない場合もありうる。従って、半導体集積回路装置等の検査工程において正確度が低下しやすいという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の技術的課題は、プローブの平坦度が向上したプローブカード及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のプローブカードは、複数のプローブモジュールと、前記プローブモジュールの下に位置した多層セラミック基板と、前記プローブモジュールと前記多層セラミック基板を接続させるソルダボールと、を含み、前記ソルダボールの高さは位置によって異なることを特徴とする。
【０００６】
また、前記ソルダボールの高さは、前記プローブモジュール別に異なるのが望ましい。
また、前記ソルダボールの高さは、前記多層セラミック基板の中心部から周辺部の側へ向かうほど大きくなるのが望ましい。
また、前記ソルダボールの高さは、前記多層セラミック基板の中心部から周辺部の側へ向かうほど小さくなるのが望ましい。
また、前記複数のプローブモジュールの高さは互いに一致するのが望ましい。
また、前記プローブモジュールは、ベース基板と、前記ベース基板上に形成されている複数のプローブと、を含み、前記プローブモジュールの高さは前記プローブモジュールのプローブの上端の高さであるのが望ましい。
また、前記ベース基板下に形成されて第１ソルダパッドを有する回路部と、前記回路部を覆っており、前記第１ソルダパッドを露出する第１接触孔を有する第１ソルダレジストと、前記第１ソルダレジスト上に形成されている第１中間層と、をさらに含み、前記ソルダボールは前記第１中間層に付着されているのが望ましい。
また、前記多層セラミック基板上に形成されている第２ソルダパッド、前記第２ソルダパッドを露出する第２接触孔を有する第２ソルダレジスト、前記第２ソルダレジスト上に形成されている第２中間層をさらに含み、前記ソルダボールは前記第２中間層に付着されているのが望ましい。
【０００７】
また、本発明のプローブカードの製造方法は、ソルダボールが付着された複数のプローブモジュールを用意する段階と、ピックアップ装置を利用して前記プローブモジュールのうち少なくとも一つをピックアップして多層セラミック基板の所定位置に付着させる段階と、前記プローブモジュールを掴んでいる前記ピックアップ装置を上昇または下降させることによって、前記ソルダボールの高さを調節して前記プローブモジュールの高さを調整する段階と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
また、前記ピックアップ装置を利用して前記プローブモジュールのうち少なくとも一つをピックアップして多層セラミック基板の所定位置に付着させる段階は、ピックアップされた前記プローブモジュールのソルダボールを前記多層セラミック基板上の所定位置に接触させる段階及び前記ソルダボールを加熱する段階を含むのが望ましい。
また、前記ソルダボールを加熱する段階は、ピックアップされた前記プローブモジュールに、前記ピックアップ装置内部を通してレーザーを照射したり、熱源を用いて行うのが望ましい。
また、前記ソルダボールが付着された複数のプローブモジュールを用意する段階は、複数のプローブモジュールが形成されているウエハーの各プローブモジュールのソルダパッドにソルダボールを付着する段階と、前記ソルダボールが付着されている前記プローブモジュールを前記ウエハーから分離してモジュールトレイに積む段階と、を含むのが望ましい。
また、前記プローブモジュールを掴んでいる前記ピックアップ装置を上昇または下降させることによって、前記ソルダボールの高さを調節して前記プローブモジュールの高さを調整する段階において、前記プローブモジュールの前記多層セラミック基板上の位置によって前記ソルダボールの高さを異ならせて調節するのが望ましい。
また、前記ソルダボールの高さは、前記多層セラミック基板の中心部から周辺部の側へ向かうほど大きくなるように調節するのが望ましい。
また、前記ソルダボールの高さは、前記多層セラミック基板の中心部から周辺部の側へ向かうほど小さくなるように調節するのが望ましい。
また、前記ピックアップ装置は、前記プローブモジュールの上部面に接触して真空を利用して前記プローブモジュールをピックアップするのが望ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、多層セラミック基板の平坦度が不良の場合や、プローブカードの組立過程等で多層セラミック基板の平坦度が変化する場合であっても、ソルダボールの高さを調整することにより、その上に配置されたプローブモジュールのプローブの高さを基準平坦線に一致させることができる。この結果、半導体集積回路装置等の検査工程において検査の正確度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように、本発明の実施形態について添付図を参照して詳細に説明する。しかし、本発明は多様な形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００１１】
図面から多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似する部分については同一図面符号を付けた。
本発明の実施形態によるプローブカード及びその製造方法について図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
図１は本発明のプローブカードの斜視図であり、図２は図１のＩＩ−ＩＩに沿って切断して示した断面図であり、図３は図２でプローブモジュールを拡大して示した図としてプローブモジュールの平面図であり、図４は図３のＩＶ−ＩＶに沿って切断して示した断面図である。
【００１３】
図１及び図２に示したように、プローブカードは、複数のプローブモジュール１０００と、複数のプローブモジュール１０００の下に位置した多層セラミック基板２０００、及び多層セラミック基板２０００の下に位置した印刷回路基板３０００とで構成される。この時、多層セラミック基板２０００は、ポゴブロック２５００を間に置いて印刷回路基板３０００と接続されている。
【００１４】
図３及び図４に示したように、プローブモジュール１０００は、ベース基板１００と、ベース基板１００上に形成されている複数のプローブ２００と、を含む。ベース基板１００は単結晶シリコンウエハーであるのが望ましく、ベース基板１００の表面の一部には絶縁膜１２０が形成されている。
【００１５】
ベース基板１００の上部表面に隣接している部分にはトレンチ酸化膜１１１が形成されている。トレンチ酸化膜１１１と所定間隔に離隔した位置には貫通孔１０２が形成されて、当該貫通孔１０２の内部に接続部材１３０が充鎮されている。トレンチ酸化膜１１１は、熱酸化膜で形成されて電気的絶縁性及び硬度が非常に優れている。
【００１６】
プローブ２００は、ベース基板１００の接続部材１３０と電気的に接続されるビーム１５０と、ビーム１５０の一端部に形成されてビーム１５０に垂直方向に付着されている接触体１６０と、を含む。ビーム１５０は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）の中から選択されたいずれか一つの金属または前記一つの金属を主な成分とする合金で構成される。プローブモジュール１０００をなしている複数のプローブ２００は、第１プローブ群２１０及びこれと対向している第２プローブ群２２０で構成される。第１プローブ群２１０に属する複数のプローブ２１０の接触体１６０が形成された一端部は、第２プローブ群２２０に属する複数のプローブ２１０の接触体１６０が形成された一端部と対向している。従って、一つのプローブモジュール１０００内に形成された複数の接触体１６０は、Ｙ方向に沿って二列に配置される。
【００１７】
接触体１６０は、その側壁が段階状に形成されて、その上部が下部より小さい直径を有する。接触体１６０は、ビーム１５０と接触している第１チップ１６１と、第１チップ１６１上に形成されて第１チップ１６１より小さい直径を有する第２チップ１６２、及び第２チップ１６２上に形成されて第２チップ１６２より小さい直径を有する第３チップ１６３とで構成される。ここで、第１乃至第３チップ１６１、１６２、１６３の正断面は円形、楕円形、多角形など多様に変更できる。このような接触体１６０は、電気的検査過程における検査装備であるプローブ基板と検査対象である半導体集積回路などを電気的に接続する。
【００１８】
本発明の実施形態において、３個のチップ１６１、１６２、１６３で構成される接触体１６０が形成されるが、接触体１６０は上述の例に限られるものではなく、３個より少数又は多数のチップで構成される接触体１６０として形成されてもよい。
【００１９】
そして、ビーム１５０の下面にはシード層１４０が付着されている。このシード層１４０はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）の中から選択されたいずれか一つの金属または前記一つの金属を主にする合金で構成される。
【００２０】
そして、ビーム１５０の下側に位置するベース基板１００の一部は除去されて、ビーム１５０が上下にベンディングできるベンディング空間（Ａ）が形成されている。このようなベンディング空間（Ａ）によって、ビーム１５０とベース基板１００の一部が所定間隔に離隔され、ベンディング空間（Ａ）においてビーム１５０が弾性を有して上下に細かく動くことができる。
【００２１】
この時、ベンディング空間（Ａ）の側壁１０６は傾いており、側壁１０６の上端部はビーム１５０と接触し、ベンディング空間（Ａ）の側壁１０６とビーム１５０は所定角度（θ）をなしている。
【００２２】
トレンチ酸化膜１１１は、ビーム１５０とベンディング空間（Ａ）の側壁１０６の境界部、つまり、ビーム１５０とベース基板１００との間の境界部（Ｂ）に位置している。つまり、ベンディング空間（Ａ）の側壁１０６と隣接した位置にトレンチ酸化膜１１１が形成されている。従って、トレンチ酸化膜１１１は、ビーム１５０のベンディング動作が繰り返された際に、ビーム１５０とベース基板１００の境界部（Ｂ）に集中する応力によって境界部（Ｂ）が損傷されることを防止するとともに、ビーム１５０とベース基板１００との間の電気的絶縁性を維持して電気漏れを防止する。
図３に示したように、このようなトレンチ酸化膜１１１は、ビーム１５０の長さ方向（Ｘ）と垂直方向（Ｙ）に長く伸びている。
【００２３】
また、接続部材１３０の周辺には補助トレンチ酸化膜１１２が形成されており、補助トレンチ酸化膜１１２は、トレンチ酸化膜１１１の長さ方向（Ｙ）と垂直方向（Ｘ）に長く伸びている。補助トレンチ酸化膜１１２は、トレンチ酸化膜１１１によりベース基板１００がＹ方向に曲がって、貫通接続部材１３０が損傷されることを防止するためにＸ方向に長く形成されている。
【００２４】
ベンディング空間（Ａ）の表面には、絶縁膜１２０が形成されず、絶縁のためにベース基板１００とシード層１４０との間には絶縁膜１２０が形成されており、接続部材１３０とビーム１５０はシード層１４０を介して互いに接触している。
【００２５】
ビーム１５０の他端部は、接続部材１３０を介して、ベース基板１００の下に形成されている回路部１７０と接続されている。回路部１７０の一端部には第１ソルダパッド（下地半田層）１７９が形成されており、第１ソルダパッド１７９を露出する第１接触孔１８７を有する第１ソルダレジスト（半田付着阻止層）１８１が回路部１７０を覆っている。第１接触孔１８７を通して露出された第１ソルダパッド１７９上には第１中間層１８２が形成されており、第１中間層１８２上にはソルダボール（半田球）１８３が付着されている。第１中間層（Ｕｎｄｅｒ  Ｂｕｍｐ  Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ、ＵＢＭ）５６は、チタン（Ｔｉ）などのソルダボール１８３の拡散を防止できる拡散防止層及び、金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）などのソルダボール１８３の濡れ性を良くするための濡れ層で構成される。ソルダボール１８３は、金（Ａｕ）と錫（Ｓｎ）の合金、または錫（Ｓｎ）、白金（Ａｇ）及び銅（Ｃｕ）の合金で構成される。ソルダボール１８３の大きさは、数十μｍ乃至数百μｍであるのが望ましい。
【００２６】
図２に示したように、多層セラミック基板２０００には内部回路５０が形成されている。多層セラミック基板２０００上には内部回路５０と接続されている第２ソルダパッド５３が形成されている。多層セラミック基板２０００上には第２ソルダパッド５３を露出する第２接触孔５７を有する第２ソルダレジスト５４が形成されている。第２接触孔５７を通して露出された第２ソルダパッド５３上には第２中間層５５が形成されており、第２中間層５５上にはソルダボール１８３が付着されている。第２中間層５５はニッケル（Ｎｉ）などのようなソルダボール１８３の拡散を防止できる拡散防止層及び、金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）などのようなソルダボール１８３の濡れ性を良くするための濡れ層で構成される。そして、第２ソルダパッド５３にはプローブモジュール１０００の第１ソルダパッド１７９に付着されたソルダボール１８３の他面が付着されて、このようなソルダボール１８３を通して第１ソルダパッド１７９及び第２ソルダパッド５３が電気的に接続される。
【００２７】
複数のプローブモジュール１０００は、多層セラミック基板２０００に付着され、多層セラミック基板２０００の平坦度に応じてプローブモジュール１０００のソルダボール１８３の高さ（Ｈ）を異ならせて形成してある。
【００２８】
つまり、多層セラミック基板２０００の中心部が膨らんだ場合、複数のプローブモジュール１０００のうちの多層セラミック基板２０００の中心部に位置したプローブモジュール１０００のソルダボール１８３の高さ（Ｈ）は小さく、多層セラミック基板２０００の周辺部に近いほどこれに位置するプローブモジュール１０００のソルダボール１８３の高さ（Ｈ）は大きく形成する。ここで、ソルダボール１８３の高さ（Ｈ）は、高さに影響を与える縦直径を意味する。このように多層セラミック基板２０００の平坦度に応じてプローブモジュール１０００のソルダボール８１３の高さ（Ｈ）を異ならせて形成することによって、全てのプローブモジュール１０００のプローブ２００の高さを一定にし、基準平坦線（ＰＬ１）に一致させることができる。
【００２９】
一方、このような基準平坦線（ＰＬ１）は、図２に示したように同じ高さを有してもよいが、図５及び図６に示したように、基準平坦線（ＰＬ１）の一部が高くても低くてもよい。
【００３０】
図５には基準平坦線（ＰＬ２）の中心部が周辺部より高い一つの実施形態が示されており、図６には基準平坦線（ＰＬ３）の周辺部が中心部より高い一つの実施形態が示されている。
【００３１】
図５に示したように、基準平坦線（ＰＬ２）の中心部が周辺部より高い場合には、多層セラミック基板２０００の上部面２００１が平坦である条件で、複数のプローブモジュール１０００のうちの多層セラミック基板２０００の中心部に位置したプローブモジュール１０００のソルダボール１８３の高さ（Ｈ）は大きく、多層セラミック基板２０００の周辺部に近いほどこれに位置するプローブモジュール１０００のソルダボール１８３の高さ（Ｈ）は小さく形成される。
【００３２】
また、図６に示したように、基準平坦線（ＰＬ３）の中心部が周辺部より低い場合には、多層セラミック基板２０００の上部面２００１が平坦である条件で、複数のプローブモジュール１０００のうちの多層セラミック基板２０００の中心部に位置したプローブモジュール１０００のソルダボール１８３の高さ（Ｈ）は小さく、多層セラミック基板２０００の周辺部に近いほどこれに位置するプローブモジュール１０００のソルダボール１８３の高さ（Ｈ）は大きく形成される。
【００３３】
図５及び図６は、ソルダボール１８３の高さ（Ｈ）を位置によって異ならせて調節できることを示す例である。つまり、ソルダボール１８３の高さ（Ｈ）は必要に応じてプローブモジュール１０００毎に多様に調整できる。
上述のように、本発明に係るプローブカードでは、夫々のソルダボール１８３の高さ（Ｈ）を調整することにより、夫々のプローブモジュールの高さ、具体的にはプローブ２００の上端部の高さが、所期の基準平坦線（ＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３）に一致するように調整してある。
【００３４】
図７乃至図１１は、本発明のプローブ基板の製造方法を順に示した。
図７は本発明のプローブ基板の製造方法の第1段階としてベース基板からプローブモジュールを分離する段階を示した図であり、図８は分離されたプローブモジュールをピックアップ装置を利用してピックアップして多層セラミック基板に移動する段階を示した図であり、図９はピックアップ装置を利用してプローブモジュールのソルダボールを多層セラミック基板の周辺部に付着する段階を示した図であり、図１０はピックアップ装置を利用してソルダボールの縦直径を伸ばしてプローブモジュールの高さを基準平坦線に一致させる段階を示した図であり、図１１は他のプローブモジュールを多層セラミック基板の中央部に付着してプローブモジュールの高さを基準平坦性に一致させる段階を示した図である。
【００３５】
まず、図７に示すように、複数のソルダボール１８３をソルダバンパー（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｂｕｍｐｅｒ）（図示せず）を用いてプローブモジュール１０００の第１ソルダパッド１７９に位置させて、レーザーまたはその他の熱源を用いるリフロー（溶融半田を隣接部に流す）工程を進行して、ソルダボール１８３を第１中間層１８２を通して第１ソルダパッド１７９に固着させる。そして、複数のプローブモジュール１０００が形成されたウエハー１０を切断線に沿って切断して複数のプローブモジュール１０００を個々に分離する。
【００３６】
次に、図８に示したように、モジュールトレイ（Ｍｏｄｕｌｅ  Ｔｒａｙ）８０に複数のプローブモジュール１０００を整列させた後、ピックアップ装置９０を利用してモジュールトレイ８０のいずれか一つのプローブモジュール１０００をピックアップし、ピックアップされたプローブモジュール１０００を多層セラミック基板２０００の所定位置に整列させる。本発明の実施形態１では多層セラミック基板２０００の周辺部にまずプローブモジュール１０００を付着させる段階を行なう。ピックアップ装置９０は、プローブモジュール１０００の上部面のうち周辺領域（Ｓ）に接触して真空を利用してプローブモジュール１０００をピックアップする。
【００３７】
次に、図９に示したように、ピックアップ装置９０を利用してプローブモジュール１０００を多層セラミック基板２０００に接触させて加圧しながら、ピックアップ装置９０の内部空間を通してプローブモジュール１０００にレーザーを照射して加熱することによって、ソルダボール１８３を溶かしてセラミック基板２０００に付着させる。この時、プローブモジュール１０００のソルダボール１８３が第２ソルダパッド５３上の第２中間層５５に付着される。この時、製造工程によって多層セラミック基板２０００の上部面２００１はその中央部が膨らんで平坦度が落ちる場合もある。従って、このような工程を通して多層セラミック基板２０００の周辺部に付着されるプローブモジュール１０００は、その高さが基準平坦線（ＰＬ１）より低くなる。ここで、プローブモジュール１０００の高さは、プローブモジュール１０００のプローブ２００の上部端部の高さを意味する。
【００３８】
次に、図１０に示したように、プローブモジュール１０００の高さが基準平坦線（ＰＬ１）より低くなることを防止するために、プローブモジュール１０００を掴んでいるピックアップ装置９０を上に上昇させて、ソルダボール１８３の高さ（Ｈ）を伸ばしてプローブモジュール１０００の高さを基準平坦線（ＰＬ１）に一致させる。この時、ソルダボール１８３は、長い楕円形状となり、ほぼ楕円の長軸が縦方向と平行な楕円形状となる。
【００３９】
次に、図１１に示したように、ピックアップ装置９０を利用して他のプローブモジュール１０００を多層セラミック基板２０００の中央部に付着してプローブモジュール１０００の高さを基準平坦線（ＰＬ１）に一致させる。そして、図８乃至図１０に示した工程を繰り返して、全てのプローブモジュール１０００を多層セラミック基板２０００に付着し、全てのプローブモジュール１０００の高さを基準平坦線（ＰＬ１）に一致させることができる。
【００４０】
以上、平坦度が落ちる多層セラミック基板２０００上にプローブモジュール１０００を付着しながらプローブモジュール１０００の高さを基準平坦線（ＰＬ１）に一致させる場合について説明した。一方、多層セラミック基板２０００の現在の平坦度が良好であっても後のプローブカードの組立過程等で加えられる圧力によって、多層セラミック基板２０００の平坦度が変化することが予定される場合には、これに対応してプローブモジュール１０００の高さを基準平坦線（ＰＬ１）から所定の高さほど逸脱するように設定できる。これによって、プローブカードの組立が完了した状態で、プローブモジュール１０００の高さが基準平坦線（Ｐ１１）に一致することができる。
【００４１】
プローブモジュール１０００毎にソルダボール１８３の高さを調節して高さを異ならせるのは、ピックアップ装置９０を制御するコンピュータなどに予め位置別高さを設定しておくことによって自動的に行なわれる。
【００４２】
一方、多層セラミック基板２０００に付着された複数のプローブモジュール１０００のうち、いずれか一つが破損されたり、交替が必要な場合には、プローブモジュール１０００を多層セラミック基板２０００から分離し、同じ仕様のプローブモジュール１０００を再び多層セラミック基板２０００に付着できる。従って、プローブカードの修理が容易である。プローブモジュール１０００を多層セラミック基板２０００から分離する時は、ピックアップ装置９０に該当プローブモジュール１０００を掴んだ状態でレーザーを照射して、ソルダボール１８３を溶かしてピックアップ装置９０を上昇させる。
【００４３】
上述のように、本発明に係るプローブカードの製造方法では、夫々のソルダボール１８３の高さ（Ｈ）を調整することにより、夫々のプローブモジュールの高さ、具体的にはプローブ２００の上端部の高さが、所期の基準平坦線に一致するように調整することができる。
【００４４】
以上、本発明の望ましい実施形態について詳細に説明したが、当該技術分野における通常の知識を有する者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が実施可能である。従って、本発明の権利範囲はこれに限定されることなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も、本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明のプローブカードの斜視図
【図２】図１のＩＩ−ＩＩに沿って切断して示した断面図
【図３】図２でプローブモジュールを拡大して示したプローブモジュールの拡大平面図
【図４】図３のＩＶ−ＩＶに沿って切断して示した断面図
【図５】基準平坦線の中心部が周辺部より高い一つの実施形態を示した図
【図６】基準平坦線の周辺部が中心部より高い一つの実施形態を示した図
【図７】本発明のプローブ基板の製造方法におけるベース基板でプローブモジュールを分離する段階を示した図
【図８】分離されたプローブモジュールをピックアップ装置を利用してピックアップして多層セラミック基板に移動する段階を示した図
【図９】ピックアップ装置を利用してプローブモジュールのソルダボールを多層セラミック基板の周辺部に付着する段階を示した図
【図１０】ピックアップ装置を利用してソルダボールの高さを伸ばしてプローブモジュールの高さを基準平坦線に一致させる段階を示した図
【図１１】他のプローブモジュールを多層セラミック基板の中央部に付着してプローブモジュールの高さを基準平坦性に一致させる段階を示した図
【符号の説明】
【００４６】
８０    モジュールトレイ
９０    ピックアップ装置
１００  ベース基板
１０１  微細トレンチ
１０２  貫通孔
１１１  トレンチ酸化膜
１２０  絶縁膜
１３０  接続部材
１４０  シード層
１５０  ビーム
１６０  接触体
１６１  第１チップ
１６２  第２チップ
１６３  第３チップ
１７０  回路部
１８３  ソルダボール
２００  プローブ
１０００  プローブモジュール
２０００  多層セラミック基板
３０００  印刷回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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