(57)【要約】【課題】  ファインピッチでかつ真円率の高い多数の貫通孔を有する多孔質樹脂膜を得られるようにする。【解決手段】  一つのレーザ光から分岐する多数のレーザ光をレーザ加工用光学装置５１により発生させ、その多数のレーザ光を多孔質樹脂膜２に照射して、膜厚方向に貫通する多数の貫通孔５を前記樹脂膜２に同時に穿孔する。【選択図】      図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つのレーザ光から分岐する多数のレーザ光をレーザ加工用光学装置により発生させ、その多数のレーザ光を多孔質樹脂膜に照射して、膜厚方向に貫通する多数の貫通孔を前記樹脂膜に同時に穿孔することを特徴とする多孔質樹脂膜の穿孔方法。
【請求項２】
前記レーザ加工用光学装置は、レーザ光を発生させるレーザ発振器と、このレーザ発振器より発生したレーザ光を所定の偏向角度で偏向させるガルバノミラーと、このガルバノミラーにより偏向されたレーザ光を集光するｆθレンズと、このｆθレンズと加工対象物である前記樹脂薄膜との間の光路上に配置され、当該ｆθレンズにより集光されるレーザ光を複数のレーザ光に分岐する回折型光学素子とを備えている請求項１に記載の多孔質樹脂膜の穿孔方法。
【請求項３】
前記ｆθレンズが、像側テレセントリック光学系とされている請求項２に記載の多孔質樹脂膜の穿孔方法。
【請求項４】
前記レーザ加工用光学装置は、光軸方向における前記回折型光学素子の位置を調整する位置調整手段を備えている請求項２又は３に記載の多孔質樹脂膜の穿孔方法。
【請求項５】
前記レーザ加工用光学装置は、前記回折型光学素子の軸心を回転軸とした回転角度を調整する角度調整手段を備えている請求項２〜４のいずれか１項に記載の多孔質樹脂膜の穿孔方法。
【請求項６】
一つのレーザ光から分岐する多数のレーザ光によって膜厚方向に貫通する多数の貫通孔が穿孔された多孔質樹脂膜であって、
前記多数の貫通孔の真円率が０．９〜１．１の範囲内であることを特徴とする多孔質樹脂膜。
【請求項７】
請求項６に記載の多孔質樹脂膜の各貫通孔の内壁面に導電性物質が付着されていることを特徴とする、膜厚方向のみに導電性を有する異方性導電シート。
【請求項８】
請求項７に記載の異方性導電シートをコンタクタとして用いることを特徴とする電気検査方法。
【請求項９】
請求項７に記載の異方性導電シートをコネクタとして用いることを特徴とする回路接続方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路の検査に用いられる異方性導電シート、その中間素材として好適に使用される多孔質樹脂膜とその穿孔方法、及び、その異方性導電シートを用いた電気検査方法及び回路接続方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイスの初期故障を取り除くスクリーニング手法の一つとして、バーンイン試験が行われている。このバーンイン試験では、半導体デバイスの動作条件よりも高温かつ高圧の加速ストレスを印加し、故障発生を加速して短時間で不良品を取り除いている。
例えば、パッケージングされた半導体デバイスをバーンインボードに多数個配置し、高温槽中にて、外部から加速ストレスとなる電源電圧及び入力信号を一定時間印加する。その後、半導体デバイスを外部に取り出して、良品と不良品との判定試験を行う。判定試験では、半導体デバイスの欠陥によるリーク電流の増加、多層配線の欠陥による不良品、コンタクトの欠陥などを判定する。半導体デバイスは、一般には、ＢＧＡ(Ball Grid Array)、ＬＧＡ(Land Grid Array)、ＰＬＣＣ(Plastic Leaded Chip Carrier) 等の表面実装型ＬＳＩである。
【０００３】
例えば、半導体デバイスのバーンイン試験を行う場合、上記ＢＧＡ、ＬＧＡ及び、ＰＬＣＣ等の表面実装型ＬＳＩ表面の電極パッドを介して試験を行う。
その際、半導体デバイスの電極パッドと検査用治具のヘッド電極との間の電極高さのバラツキによる接触不良を補うため、通常、これらの電極間に、膜厚方向のみに導電性を有する異方性導電シート（インタポーザ（interposer））を挟んで試験を行う。この異方性導電シート（異方性導電膜ともいう。）は、表面電極に対応するパターンに従って配置された導通部において、膜厚方向のみに導電性を示すものである。
【０００４】
上記異方性導電シートは、バーンイン試験用の検査用治具の構成部品としてだけでなく、ＬＳＩとプリント回路基板（ＰＣＢ）との接続用ソケットや電気コネクタ、更には、プリント回路基板間の接続用の電気コネクタとして用いられる。
この異方性導電シートは、合成樹脂から形成された電気絶縁性の多孔質樹脂膜を基膜とし、この基膜の複数箇所に膜厚方向に貫通する複数の貫通孔を形成し、この貫通孔の内壁面に導電性金属を付着させて導通部を形成することによって製造される（特許文献１の〔請求項９〕及び〔請求項１０〕参照）。
【０００５】
上記多孔質樹脂膜の特定位置に膜厚方向の貫通孔を形成する方法としては、例えば、化学エッチング法、熱分解法、レーザ光や軟Ｘ線照射によるアブレーション法及び超音波法などがある。
このうち、多孔質ＰＴＦＥ膜（多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜）を基膜として使用する異方性導電シートの製造方法として、次の工程（１）〜（５）よりなる製造方法がある（特許文献１の〔００３８〕及び〔００３９〕参照）。
【０００６】
（１）  多孔質ＰＴＦＥ膜よりなる基膜の両面にマスク層としてＰＴＦＥ膜を融着して三層構造の積層体を形成する工程
（２）  一方のマスク面の表面から、所定のパターン状に独立した複数の光透過部を有する光遮蔽シートを介して、シンクロトロン放射光又は波長２５０ｎｍ以下のレーザ光の照射により貫通孔を形成する工程
（３）  貫通孔の壁面を含む積層体の全表面に化学還元反応を促進する触媒粒子を付着させる工程
（４）  積層体の両面のマスク層を剥離する工程
（５）  無電界めっきにより貫通孔の壁面で多孔質構造の樹脂部に導電性金属を付着させる工程
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−２６５８４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記異方性導電シートの製造工程のうち、積層体にレーザ光を照射して貫通孔を形成する方法としては、積層体の可動ステージの上に載せ、この可動ステージを所定ピッチで動かしながら貫通孔を一つずつ穿孔する方法（第一方法）と、上記のように、光遮蔽シートを透過した多数のレーザ光によって複数の貫通孔を一括して同時に穿孔する方法（第二方法）がある。
【０００９】
しかし、上記積層体に貫通孔を一つずつ穿孔する第一方法では、穿孔対象物が多孔質樹脂膜である場合に高精度の穿孔が行い難いという欠点がある。すなわち、多孔質樹脂膜をレーザ光で穿孔する場合、例えば図１１に仮想線で示すように、先に行われた穿孔の際にレーザ光から受ける圧力によって、多孔質樹脂膜２の貫通孔５周辺の高さが低くなってしまうことがある。このため、特にファインピッチに穿孔する場合においては、次の穿孔ポイントとの距離差が短く膜厚のバラツキが顕著になり、貫通孔５の真円率が悪化して高精度の穿孔が困難である。
このことは、ハイパワーのレーザ光を用いるために溶断というよりは切断に近い挙動を示す、フェムト秒レーザを用いた場合に特に顕著である。
【００１０】
一方、光遮蔽シートを用いる第二方法では、上記のような不都合はないが、その反面、レーザ光から受けた熱によって光遮蔽シートの開口部の形状が変形し易いため、多孔質樹脂薄膜に対してファインピッチに穿孔できないことがある。
本発明は、このような実情に鑑み、ファインピッチでかつ真円率の高い多数の貫通孔を有する多孔質樹脂膜と、この樹脂膜の穿孔方法等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の多孔質樹脂膜の穿孔方法は、一つのレーザ光から分岐する多数のレーザ光をレーザ加工用光学装置により発生させ、その多数のレーザ光を多孔質樹脂膜に照射して、膜厚方向に貫通する多数の貫通孔を前記基膜に同時に穿孔することを特徴とする。
この穿孔方法によれば、多数のレーザ光を多孔質樹脂膜に照射することにより、膜厚方向に貫通する多数の貫通孔をその樹脂膜に同時に穿孔するので、基膜の厚さにバラツキがない状態で多数の貫通孔を穿孔できる。このため、貫通孔を一つずつ穿孔する場合に比べて、貫通孔の真円率を向上することができ、具体的には、多数の貫通孔の真円率が０．９〜１．１の範囲内の多孔質樹脂膜が得られる。
また、上記穿孔方法によれば、光遮蔽シートの開口部を通過したレーザ光ではなく、一つのレーザ光から分岐する多数のレーザ光（例えば、後述するＤＯＥ等で分岐されたレーザ光）を使用しているので、多数のレーザ光の形状にバラツキが生じ難く、このため、多孔質樹脂膜に対してファインピッチに穿孔することができる。
【００１２】
ところで、レーザ光をガルバノミラーで偏向させてレンズで集光し、加工対象物に瞬時に穴開け等の加工をするレーザ加工用光学装置として、ガルバノミラー及びガルバノスキャナと、ガルバノミラーにより反射されたレーザ光を集光するｆθレンズと、加工対象物をＸＹ方向に移動させ、走査エリアを変えるＸＹテーブルとを備えたものがある。
しかし、市場から要求されている加工時間の短縮を図ることは、ガルバノスキャナ、ＸＹテーブルの能力が限界に近づいているため困難である。そのため、ガルバノミラーとｆθレンズのほかに、レーザ光を複数のレーザ光に分岐する回折型光学素子（ＤＯＥ）を光路に導入したレーザ加工用光学装置が知られている。
【００１３】
このような装置として、例えば特許第３４５８７５９号公報に記載のものでは、レーザ発振器とガルバノミラーとの間の光路上に回折型光学素子を配置し、偏向された分岐レーザ光をｆθレンズで集光することにより高速加工を可能としている。
しかし、上記特許公報に記載のレーザ加工用光学装置で微細な穴開け加工を行う場合、回折型光学素子で分岐された分岐レーザ光は、角度調整された二つのガルバノミラーで偏向されｆθレンズを通って走査される。その際、加工対象物上の走査する箇所により、分岐レーザ光のスポット群のピッチが若干変わってしまうという原理上の問題がある。そのため、レーザ光の走査時における集光位置にズレが生じ、加工する穴のピッチ精度が低下するという問題がある。
【００１４】
これは、各分岐レーザ光の分岐角度（光軸と成す角度）とガルバノミラーによるレーザ光の偏向角度とが単純な和とならないことに原因がある。
すなわち、ある分岐レーザ光の分岐角度のＸ成分、Ｙ成分をα、β、Ｘ方向、Ｙ方向の２つのガルバノミラーによる偏向角度（ミラー揺動によるビーム振り角）をξ、ζとすると、ｆθレンズへの入射角度のＸ成分、Ｙ成分がそれぞれγ＝α＋ξ、η＝β＋ζのような単純和となれば、加工対象物上のスポットのピッチはΔＸ＝ｆ×Δγ＝ｆ×Δα、ΔＹ＝ｆ×Δη＝ｆ×Δβとなり、偏向角度ξ、ζによってピッチが変化することはない。ここで、ｆはｆθレンズの焦点距離である。
【００１５】
しかしながら、実際には、上記のような分岐角度と偏向角度の単純和は原理的に成立しない。詳細の説明は割愛するが、結論としては、γ≒（α＋ξ）√（１＋ｔａｎ２η）、η≒β√（１＋ｔａｎ２ξ）＋ζというような複雑な関係式となってしまう。従って、スポットのピッチは、ΔＸ≒ｆ×Δα√（１＋ｔａｎ２（β√（１＋ｔａｎ２ξ）＋ζ））、ΔＹ≒ｆ×Δβ√（１＋ｔａｎ２ξ）となり、偏向角度ξ、ζによってピッチが変化することになるのである。
【００１６】
そこで、本発明は、上記多孔質樹脂薄膜の穿孔方法に使用するレーザ加工用光学装置として、レーザ光を発生させるレーザ発振器と、このレーザ発振器より発生した前記レーザ光を所定の偏向角度で偏向させるガルバノミラーと、このガルバノミラーにより偏向されたレーザ光を集光するｆθレンズと、このｆθレンズと加工対象物との間の光路上に配置され、前記ｆθレンズにより集光されるレーザ光を複数のレーザ光に分岐する回折型光学素子とを備えたものを採用することを推奨する。
【００１７】
かかるレーザ加工用光学装置によれば、ｆθレンズで集光されたレーザ光が回折型光学素子により複数のレーザ光に分岐されるため、高速加工が可能となっている。
また、分岐ビームをガルバノミラーで偏向するものではないので、分岐角度と偏向角度とが単純な和とならないためにスポットのピッチ精度が低下するという前出の問題がなくなる。従って、レーザ光の走査時における集光位置精度を高めることができ、加工対象物である多孔質樹脂膜に開ける貫通孔のピッチ精度を向上させることができる。
【００１８】
上記ｆθレンズとしては、像側テレセントリック光学系のものが好適である。像側テレセントリックでないｆθレンズでは、ガルバノミラーによるビーム偏向角度に依存してｆθレンズからの出射レーザ光に角度が付く。偏向角度が小さくて光軸に近い場合には光軸にほぼ平行となるが、偏向角度が大きくなるに従って、レーザ光がｆθレンズから斜めに出射されるようになる。その斜めのレーザ光が回折型光学素子に入射すると、垂直入射の場合とは微妙に異なる分岐角度にレーザ光が分岐されるのである。数式では、ｓｉｎα＋ｓｉｎθｉｎ∝λと表される。
【００１９】
ここで、θｉｎはレーザ光が回折型光学素子に入射する角度、λはレーザ光の波長である。一方、像側テレセントリックのｆθレンズの場合は、ガルバノミラーによるビーム偏向角度に依らずｆθレンズからの出射レーザ光はほぼ垂直となる。像側テレセントリックのｆθレンズを使用することでレーザ光がほぼ垂直に回折型光学素子に入射するようになり（ｓｉｎθｉｎ≒０）、斜入射の場合に発生する分岐角度のバラツキが抑制されるので、加工対象物上での集光位置精度を更に向上させる効果がある。
【００２０】
また、前記レーザ加工用光学装置は、光軸方向における前記回折型光学素子の位置を調整する位置調整手段を備えていることが好ましい。
この場合、回折型光学素子の光軸方向における位置を調整し、回折型光学素子と加工対象物間の間隔を変えることで、分岐スポット群のピッチを比較的大きな範囲で変えることができる。
【００２１】
更に、前記レーザ加工用光学装置は、前記回折型光学素子の軸心を回転軸とした回転角度を調整する角度調整手段を備えていることが好ましい。
この場合、回折型光学素子の軸心を回転軸とした回転角度を変えれば、分岐レーザ光のスポット群も同様に回転し向きが変わるため、分岐レーザ光のスポット群を加工対象物に対して適切な向きに簡単に調整することができる。
【００２２】
前記した通り、本発明の穿孔方法で得られる多孔質樹脂膜は、多数の貫通孔の真円率が０．９〜１．１の範囲内に収まっている。
そこで、この多孔質樹脂膜の各貫通孔の内壁面に導電性物質を付着すれば、膜厚方向のみに導電性を有する異方性導電シートが得られ、貫通孔の真円率が高いことから、異方性導電シートの導通部もファインピッチで配列することができる。
上記異方性導電シートは、バーンイン試験等の電気検査方法のコンタクタとして使用することができ、或いは、プリント回路基板間を接続する際のコネクタとしても使用することができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上の通り、本発明によれば、ファインピッチでかつ真円率の高い多数の貫通孔を有する多孔質樹脂膜を得ることができる。また、この多孔質樹脂膜を異方性導電シートの基膜として利用することで、当該シートの導通部をファインピッチで配列することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
〔異方性導電シートの構造〕
図１は、異方性導電シート１の構造の一例を示す斜視図である。図２は、図１に示すII−II線における異方性導電シート１の断面図である。
図１及び図２に示すように、本実施形態の異方性導電シート１は、多数の微細孔を有する多孔質樹脂からなる矩形平板状の基膜２（厚さが例えば約１２０μｍ）と、この基膜２の第一面３と第二面４との間を膜厚方向に貫通する多数の貫通孔５と、この貫通孔５の内壁部に形成された導通部となる筒状電極膜６とを備えている。これにより、膜厚方向に導電性を有しかつ面内方向には導通性がないという、異方性導電機能が付与されている。
【００２５】
貫通孔５は、径ｄが１０μｍ程度であり、ピッチｐは２５μｍ程度にファインピッチ化されている。異方導電性シート１は、半導体デバイスのバーンイン試験等の高温環境下で用いられるので、基膜２は耐熱性が高いことが必要である。かつ、導通部となる各筒状電極膜６間の電気的短絡を防ぐために、基膜２は絶縁体であることが必要である。
しかも、後述するように、本実施形態では、異方性導電シート１に弾性と高強度とを併せてもたせるために、基膜２を多孔質膜の合成樹脂によって構成している。なお、半導体デバイスのバーンイン試験等に用いる導電性シートにおいては、ファインピッチ化のために、貫通孔５の径が１５μｍ以下であることが好ましい。
【００２６】
上記多孔質樹脂膜よりなる基膜２を構成する合成樹脂材料としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン／パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリふっ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリふっ化ビニリデン共重合体、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ樹脂）などのフッ素樹脂；ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、変性ポリフェニレンエーテル（ｍＰＰＥ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＵ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）などのエンジニアリングプラスチック、などが挙げられる。
【００２７】
これらの中でも、耐熱性、加工性、機械的特性、誘電特性などを総合的に考慮すると、ＰＴＦＥが好ましい。従って、本実施形態においては、基膜２として、多孔質ＰＴＦＥ膜（多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜）を用いている。
本実施形態においては、後述するように、延伸法により得られた多孔質ＰＴＦＥ膜を用いているので、基膜２は、それぞれＰＴＦＥにより形成された非常に細い繊維（フィブリル）と該繊維によって互いに連結された結節（ノード）とからなる微細繊維状組織（多孔質構造）を有している。
【００２８】
本実施形態においては、基膜２として使用する多孔質ＰＴＦＥ膜は、気孔率が２０〜８０％程度であることが好ましい。多孔質ＰＴＦＥ膜は、微細孔の平均孔径が１０μｍ以下あるいはバブルポイントが２ｋＰａ以上であることが好ましく、導通部のファインピッチ化の観点からは、平均孔径が１μｍ以下あるいはバブルポイントが１０ｋＰａ以上であることがより好ましい。多孔質ＰＴＦＥ膜の膜厚は、使用目的や使用箇所に応じて適宜選択することができるが、通常、０．０５〜３ｍｍ程度である。
【００２９】
筒状電極膜６は、貫通孔５の内壁面および微細孔内を含む内壁部に、管厚ｔが０．２〜５０μｍの多層金属めっき層（無電解めっき層）を有している。つまり、無電解めっきの際に、内壁面から微細孔内に侵入した触媒粒子や金属によって、多孔質ＰＴＦＥ膜の繊維も含まれる表面領域に筒状電極膜６が形成されている。
本実施形態では、筒状電極膜６は、繊維の表面に付着した触媒触媒粒子を核として堆積したＮｉ合金層であるＮｉ−Ｐ合金層およびＡｕ層によって構成されている。本実施形態では、Ｎｉ−Ｐ合金層中のＰ含有量は、５ｗｔ％以上であり、かつ、電気抵抗値が低いことが特徴である。この特徴点については、後述する。
【００３０】
上記のように、筒状電極膜６は、酸化防止及び電気的接触性を高めるため、酸化防止剤を使用するか、貴金属もしくは貴金属の合金で被覆しておくことが好ましい。貴金属としては、電気抵抗の小さい点で、パラジウム、ロジウム、金又は銀が好ましい。貴金属層の厚さは、０．０５〜０．５μｍが好ましく、０．０１〜０．１μｍがより好ましい。この被覆層の厚みが薄すぎると、電気的接触性の改善効果が小さく、厚すぎると、製造コストが増大するため、いずれも好ましくない。例えば、筒状電極膜６の表面を金で被覆する場合、８ｎｍ程度以上のニッケルで下地金属層を被覆した後、置換金めっきを行う方法が効果的である。
【００３１】
上述のように、無電解めっきの際、触媒粒子は貫通孔５の内壁面だけでなく多孔質ＰＴＦＥ膜の微細孔から内部に侵入して繊維の表面に付着するので、多層金属めっき層も、多孔質ＰＴＦＥ膜の微細孔から内部に浸透して堆積されている。すなわち、図２に示す管厚ｔの領域（内壁部）には、多層金属めっき層だけでなく多孔質ＰＴＦＥ膜の繊維も混在していることになる。
この筒状電極膜６は、多孔質構造の樹脂部の表面に付着して形成されているため、筒状電極膜６自体も多孔質としての特性を有している。つまり、異方性導電シート１の膜厚方向に圧縮荷重を加えることにより、各筒状電極膜６間の絶縁性を維持しつつ、異方性導電シート１の膜厚方向のみに導電性が付与される（異方導電性）。また、圧縮荷重を除去すると、筒状電極膜６を含む異方性導電シート１全体が弾性回復するので、本実施形態の異方性導電シート１は、繰り返して使用することができる。
【００３２】
本実施形態においては、筒状電極膜６の管厚ｔは、１μｍ程度であり、所定の圧縮量（３０μｍ程度）を加えた時に導通部である筒状電極膜６の抵抗値が０．１Ω以下になるように形成されている。なお、圧縮量は、通常、基膜２の厚さの１／４程度に設定されており、本実施形態においては、厚さ約１２０μｍの基膜２を用いているため、圧縮量を３０μｍとしている。ただし、異方性導電シート１のタイプや被検査対象によって必要な抵抗値は異なっているので、接触度合いにばらつきのある各筒状電極膜６の抵抗値が、いずれも所望の抵抗値以下に収まる圧縮量であればよい。
【００３３】
〔異方性導電シートの製造工程〕
〔第一工程：基膜の製造〕
図３（ａ）〜（ｅ）は、第一実施形態に係る異方性導電シート１の製造工程を示す斜視図である。以下、図３（ａ）〜（ｅ）を参照しつつ、異方性導電シート１の製造工程について説明する。
【００３４】
図３（ａ）に示す工程では、多孔質ＰＴＦＥ膜である基膜２を準備する。一般に、合成樹脂を用いて多孔質膜を作製する方法としては、造孔法、相分離法、溶媒抽出法、延伸法、レーザ照射法などが挙げられる。合成樹脂を用いて多孔質膜を形成することにより、膜厚方向に弾性を持たせることができるとともに、誘電率をさらに下げることができる。特に、延伸法により得られた多孔質膜（本実施形態では多孔質ＰＴＦＥ膜）は、耐熱性、加工性、機械的特性、誘電特性などに優れ、しかも均一な孔径分布を有する多孔質膜が得られ易いため、異方性導電シート１の基膜２には最適の材料である。
【００３５】
本実施形態の多孔質ＰＴＦＥ膜は、例えば、特公昭４２−１３５６０号公報に記載の方法により製造することができる。この方法では、まず、ＰＴＦＥの未焼結粉末に液体潤滑剤を混合し、ラム押し出しによってチューブ状または板状に押し出す。厚みの薄いシートが所望な場合は、圧延ロールによって板状体の圧延を行う。押出圧延工程の後、必要に応じて、押出品または圧延品から液体潤滑剤を除去する。
こうして得られた押出品または圧延品を少なくとも一軸方向に延伸すると、未焼結の多孔質ＰＴＦＥが膜状で得られる。未焼結の多孔質ＰＴＦＥ膜は、収縮が起こらないように固定しながら、ＰＴＦＥの融点である３２７°Ｃ以上の温度に加熱して、延伸した構造を焼結・固定すると、強度の高い多孔質ＰＴＦＥ膜が得られる。多孔質ＰＴＦＥ膜がチューブ状である場合には、チューブを切り開くことにより、平らな膜にすることができる。
【００３６】
〔第二工程：貫通孔の穿孔〕
次に、図３（ｂ）に示す工程では、延伸法により得られた多孔質ＰＴＦＥ膜である基膜２の両面に、マスク膜１１，１２を融着させて三層構造の積層体１４を形成し、この積層体１４全体に貫通孔５を形成する（破線参照）。マスク膜１１，１２は、基膜２と同じ材質のＰＴＦＥ膜、好ましくは多孔質ＰＴＦＥ膜を用いる。このとき、例えば、積層された３枚の多孔質ＰＴＦＥ膜の両面を２枚のステンレス板で挟み、各ステンレス板を高温に加熱することにより、三層の多孔質ＰＴＦＥ膜を互いに融着させることができる。
【００３７】
一般に、合成樹脂の特定位置の膜厚方向に貫通孔を形成する方法としては、例えば、化学エッチング法、熱分解法、レーザ光や軟Ｘ線照射によるアブレーション法、超音波法等があるが、本実施形態では、多数の貫通孔５を一括して穿孔するレーザ加工用光学装置５１を用いる。この光学装置５１とこれによる穿孔方法については、後述する。
多数の貫通孔５の配置パターンは、円形、星型、八角形、六角形、四角形、三角形など任意の形状が可能である。貫通孔５の孔径は、作製される異方性導電シート１の筒状電極膜６のサイズを決定するので、作製したい筒状電極膜６のサイズに応じて適宜形成すればよい。
【００３８】
異方性導電シート１を高密度実装された半導体デバイスの検査用（バーンイン試験等）のインタポーザとして使用する場合には、貫通孔５間のピッチｐは、３０μｍ以下にファインピッチ化されていることが好ましい。本実施形態では、ピッチｐは２５μｍである。この方法による貫通孔５の径ｄは、一般的には、５〜１００μｍ程度であるが、ファインピッチ化に対応するためには、１５μｍ以下が好ましい。本実施形態では、貫通孔５の径ｄは１０μｍ程度である。
【００３９】
〔第三工程：触媒の付与〕
次に、図３（ｃ）に示す工程では、積層体１４のコンディショニング、水洗、プレディップを経て、積層体１４に対して触媒の付与を施す。コンディショニングの目的は、撥水性を有するＰＴＦＥの表面にできるだけ親水性を持たせること、及び、後の工程における触媒粒子の付着を容易化することにある。多孔質ＰＴＦＥ膜に対しては、コンディショナーとして、エタノール等のアルコールや、界面活性剤などを含む溶液を用い、コンディショナーを多孔質構造中の各繊維まで浸透させる。
【００４０】
そして、プレディップ工程の終了後に、積層体１４を、Ｐｄを含む触媒液（例えば、塩化スズ−塩化パラジウムコロイド液）に浸して、積層体１４を構成するＰＴＦＥの各繊維の表面にＰｄ化合物からなるコロイド粒子を付着させて、貫通孔５の内壁部などの表面領域に、各繊維表面にコロイド粒子が付着してなるコロイド粒子付着領域１５を形成する。
触媒液中のＰｄ濃度は、約１００ｐｐｍである。コロイド粒子付着領域１５において、コロイド粒子は連続した層になることは少なく、島状の層となっていることが多い。このとき、各マスク膜１１，１２の露出している部分の表面領域（図３（ｃ）に示すハッチング領域）にもコロイド粒子付着領域１５が形成されることになる。なお、プレディップ工程を省略することにしてもよい。
【００４１】
そして、この工程によって、後の工程で、多孔質ＰＴＦＥ膜の各繊維の表面に触媒粒子が均一に分散して付着することになり、無電解めっきにより形成される筒状電極膜６の電気抵抗値を抑制することができる。ただし、この工程では、Ｐｄ化合物からなるコロイド粒子がＰＴＦＥの繊維の表面に付着していて、Ｐｄ単体が付着しているわけではない。触媒付与の工程が終了すると、積層体１４の水洗を行なって、次工程に進む。
【００４２】
〔第四工程：マスク膜の除去〕
次に、図３（ｄ）に示す工程で、基膜２の両面からマスク膜１１，１２を剥がす。このとき、基膜２の両面にはコロイド粒子形成領域１５は形成されていない。一方、基膜２の側端部もコロイド粒子付着領域１５が形成されているが、この部分に形成されているコロイド粒子付着領域１５は、この工程の終了後、または無電解めっきの終了後に適宜除去される。
【００４３】
〔第五工程：無電界めっき〕
次に、図３（ｅ）に示す工程で、無電解めっきを行なって、筒状電極膜６を形成するが、その前に、希塩酸や希硫酸等を用いて、Ｐｄ化合物からなるコロイド粒子中のＰｄを活性化する処理を行う。これにより、活性化された触媒粒子６ａが形成される。この触媒粒子６ａは、Ｐｄ化合物（例えば、パラジウム−塩化スズ）と、Ｐｄ単体とを含んでいるのが一般的であり、すべてのコロイド粒子がＰｄ単体に変化していなくても、Ｐｄが表面に露出していれば、無電解めっきの触媒としての機能は発揮することができる。その後、基膜２の表面に付着している処理液を水洗により洗い落とす。
【００４４】
この無電解めっき工程では、硫酸ニッケル等のＮｉイオンを含む溶液と、ホスフィン酸イオンを含む還元剤とを用いた無電解Ｎｉ−Ｐ合金めっきにより、活性化された触媒粒子６ａを核として触媒粒子６ａの周囲に、厚さ０．１μｍ程度のＮｉ−Ｐ合金層６ｂを堆積する。その後、水洗を行う。硫酸ニッケル等のＮｉイオンを含む溶液の組成は、例えば溶液１リットルに対して、硫酸ニッケルが３０ｇであり、ホスフィン酸イオンを含む還元剤の組成は、例えば溶液１リットルに対してホスフィン酸ナトリウム１０ｇである。
【００４５】
その後、置換金めっきにより、厚さ０．０５μｍ 程度のＡｕ層６ｃを形成する。電気化学的に貴な金属（Ａｕ）のイオンを含む溶液に、電気化学的に卑な金属（Ｎｉ）を浸すと、卑な金属の溶解で放出される電子によって貴な金属イオンが還元され、貴な金属（Ａｕ）の被膜が卑な金属（Ｎｉ）表面上に析出する。これを利用して、Ｎｉ−Ｐ合金層６ｂの上に、厚さ０．０５μｍ程度のＡｕ層６ｃを形成する。
以上の工程により、触媒粒子６ａ、Ｎｉ−Ｐ合金層６ｂおよびＡｕ層６ｃからなる筒状電極膜６を形成する。なお、置換めっきの後、自己触媒型の無電解めっきによりＡｕ層を形成してもよい。その後、水洗、アルコール置換を経て乾燥することにより、無電解めっき工程を終了する。
【００４６】
ところで、通常の無電解めっき工程では、図３（ｄ）に示す工程において、まず、無電解めっきにより、触媒粒子を核として、厚さ０．１〜０．２μｍ程度のＣｕ層を形成し、その上に、厚さ０．０１μｍ程度のＮｉ−Ｐ合金層を形成する。その後、Ｎｉ−Ｐ合金層の上にＡｕ層を形成する。このＡｕ層およびＮｉ−Ｐ合金層によって、Ｃｕの防錆機能を果たしている。Ｎｉ−Ｐ合金層は、ＡｕとＣｕの反応を防止するためのバリア層である。
ところが、このような筒状電極膜６の構造では、バーンイン試験等を繰り返すうちに、Ｃｕの酸化物が析出することがある。特に、筒状電極膜６間のピッチｐが５０μｍ以下にまでファインピッチ化されてくると、筒状電極膜６の管厚ｔも薄くせざるを得ないので、Ｃｕの析出物の発生は、信頼性の低下を招く。
【００４７】
そこで、Ｎｉ−Ｐ合金層を厚くしてＣｕの酸化物の生成を抑制することが考えられるが、実験によると、Ｎｉ−Ｐ合金層を厚くすると、筒状電極膜の硬度が上昇する結果、バーンイン試験などの際に、筒状電極膜に所定の圧縮量（例えば３０μｍ程度）を加えると、筒状電極膜の電気抵抗値が上昇するという現象が生じた。詳細に調べると、この現象は、Ｎｉ−Ｐ合金層に微小クラックが発生していることが原因と推定される。
【００４８】
従来の異方性導電シートの筒状電極膜を構成するＮｉ−Ｐ合金層におけるＰ濃度は、たかだか４％程度である。その理由は、低抵抗性を維持するには、Ｐ濃度が高いことは好ま
しくないと考えられているからである。ところが、Ｐ濃度が４〜５ｗｔ％、５〜７ｗｔ％、７〜９ｗｔ％であるＮｉ−Ｐ合金層を作成した結果、Ｐ濃度が高くなるほど、試験時の圧縮量を加えたときの電気抵抗値が低下することが判明した。
【００４９】
図４は、Ｐ濃度を変えたときの筒状電極膜の電気抵抗値（試験時の圧縮量を加えたときの値）を表にして示した図である。なお、試験時の圧縮量を加えていないときには、Ｐ濃度が低い方が電気抵抗値が低いことが確認されている。
一般に、異方性導電シート１を半導体デバイスのバーンイン試験に用いるときには、測定の誤差をなくすために、接触度合いにばらつきのある各筒状電極膜６の抵抗値が、いずれも所望の抵抗値（例えば、０．１Ω）以下になっていることが必要であり、できるだけ小さいことが好ましい（例えば、０．１Ω程度）。
図４を参照すると、Ｎｉ−Ｐ合金層におけるＰ濃度は、４〜９ｗｔ％の範囲であることが好ましく、Ｐ濃度が５〜７ｗｔ％の範囲であることがより好ましい。
【００５０】
そして、本実施形態では、Ｎｉ−Ｐ合金層６ｂを従来の０．０１μｍ程度から０．１μｍ程度まで厚くして、電気抵抗値を低く抑制することが可能であることを見いだしたことから、Ｃｕ層をなくすことができ、その上に置換金めっきによるＡｕ層６ｃを形成するようにしている。
その結果、Ｃｕ酸化物の析出がないので、高い信頼性を得ることができ、しかも、試験時の圧縮量を加えたときの電気抵抗値を低くすることができる。すなわち、筒状電極膜６ の管厚ｔを薄くして、ファインピッチ化に対応することができる。
【００５１】
〔積層シート体及び検査ユニット〕
次に、本実施形態の異方性導電シート１を用いた積層シート体と検査ユニットについて説明する。
図５は、本実施形態の検査ユニット２０の概略構成を示す側面図である。図６は、検査ユニット２０中の積層シート体３０の第１例を示す断面図である。図７は、検査ユニット２０中の積層シート体４０の第２例を示す断面図である。
【００５２】
図５に示すように、本実施形態の検査ユニット２０は、異方性導電シート１が載置される回路基板１０と、被検査物である半導体デバイス１７を異方性導電シート１の直上まで案内するためのデバイスガイド１３と、半導体デバイス１７を回路基板１０上に押圧して圧縮荷重を印加するための押さえ蓋１８と、回路基板１０を作業机等に固定するための固定部材１９とを備えている。これらデバイスガイド１３、押さえ蓋１８および固定部材１９により、半導体デバイス１７、異方性導電シート１および回路基板１０が電気的に接続されるように保持する保持手段が構成されている。
【００５３】
被検査物である半導体デバイス１７は、例えば裏面にＢＧＡ端子１７ａ（ボールグリッドアレイ）を配置させたＬＳＩパッケージである。回路基板１０は、異方性導電シート１と同じピッチｐの配列パターンを有する電極を寿お面に有し、裏面にはそれよりもピッチが拡大された配列パターンを有する電極が設けられている。なお、図５に示す回路基板１０はピッチ変換機能を有しているが、ピッチ変換機能を有していなくてもよい。
【００５４】
本実施形態の検査ユニット２０を使用して試験（検査）を行うには、半導体デバイス１７をデバイスガイド１３に装着し、上方から押さえ蓋１８を下降させて、半導体デバイス１７を裏面から押圧して、半導体デバイス１７のＢＧＡ端子１７ａと異方性導電シート１の筒状電極膜６とを接触させた後、異方性導電シート１に所定の圧縮量を加える（例えば３０μｍ程度）。これにより、半導体デバイス１７の各ＢＧＡ端子１７ａと回路基板１０上の各電極との接触位置が上下方向にばらついていても、異方性導電シート１の弾性によって吸収されることになる。
そして、回路基板１０の下方に配置された検査装置の電極を回路基板１０の裏面電極に接触させて、バーンイン試験等を行うようになっている。
【００５５】
図６は、ピッチ変換機能を有しない回路基板１０と異方性導電シート１とを貼り合わせて、一体化した積層シート体３０の断面図である。ファインピッチ化された異方導電性シート１と回路基板１０とは、相互の筒状電極膜６と電極配線３１とを接触させた状態で貼り合わせて一体化されている。
図７は、２つの積層シート体を重ねた複合型の積層シート体４０の断面図である。図７に示すように、この積層シート体４０では、ピッチ変換機能を有する第一の回路基板４２の上にファインピッチ化された第一の異方導電性シート４１が貼り合わされている。
【００５６】
このとき、第一の異方性導電シート４１の筒状電極膜６Ａと、第一の回路基板４２の配線電極３１Ａとが接触した状態で両者が貼り合わされている。また、ピッチ変換機能を有していない第二の回路基板４４の上に比較的ピッチの大きい第二の異方性導電シート４３が貼り合わされている。このとき、第二の異方導電性シート４３の筒状電極膜６Ｂと、第二の回路基板４４の配線電極３１Ｂとが接触した状態で両者が貼り合わされている。
また、第一の回路基板４２の電極３１Ａと第二の異方性導電シート４３の筒状電極膜６Ｂとが接触した状態で、第一の回路基板４２と第二の異方性導電シート４３とが貼り合わされている。
【００５７】
図６に示す積層シート体３０によると、半導体デバイスの高密度実装に伴い、異方性導電シート１がファインピッチ化されることにより、異方性導電シート１と回路基板１０上の電極との位置あわせの手間も増大する恐れがあるが、本実施形態の積層シート体３０を用いることで、作業の迅速化が可能となり、著効を発揮することができる。
図７に示す複合型の積層シート体４０によると、図６に示す積層シート体３０と同様に作業の迅速化を図ることができる効果に加えて、ファインピッチ化された第一の異方性導電シート４１のピッチを第二の回路基板４４では拡大して試験装置と接続することが可能となる。また、２つの異方性導電シート４１，４３が介在していることにより、接触位置の上下方向のばらつきを弾性によって吸収する機能も向上することになる。
【００５８】
図５に示す本実施形態の検査ユニット２０によれば、上述の効果を発揮する積層シート体３０，４０を備えるとともに、さらに以下の効果を発揮することができる。
半導体デバイス１７が高密度実装されたＬＳＩパッケージである場合にも、ファインピッチ化された異方性導電シート１の筒状電極膜６間の短絡や、筒状電極膜６の高電気抵抗に起因する測定誤差を招くことなく、バーンイン試験等に用いることができる。
そして、保持手段であるデバイスガイド１３、押さえ蓋１８および固定部材１９によって、半導体デバイス１７、異方性導電シート１および回路基板１０が電気的に接続されるように保持されるので、試験等の作業が高効率になる。しかも、デバイスガイド１３や押さえ蓋１８の形状や位置が、予めファインピッチ化された異方導電シート１に適合するように設けられているので、バーンイン試験等の際にも、半導体デバイス１７のＢＧＡ端子１７ａと異方導電性シート１の筒状電極膜６との位置合わせの作業が迅速になる。
【００５９】
なお、上記実施形態では、基膜２を両面からマスク膜１１，１２で挟んで積層体１４を形成してから、貫通孔の形成および触媒液への浸漬を行なったが、積層体１４は必ずしも形成する必要はない。例えば、基膜２単独で、貫通孔の形成、触媒付与、活性化処理および無電解めっきなど、図３（ｃ）〜（ｅ）に示す工程を施してもよい。
その場合、基膜２の表裏両面にも無電解めっき層が形成されるが、研磨などによって除去すればよい。ただし、本実施形態のように、積層体１４に貫通孔５を形成することにより、高精度の貫通孔５が得られる。また、余分な無電解めっき層を形成しないことで、製造コストも削減することができる。
【００６０】
また、上記実施形態では、コンディショニング、プレディップ、触媒付与および活性化処理によって、触媒粒子をＰＴＦＥ繊維表面に付着させているが、触媒粒子の固定方法はこの手順に限定されるものではなく、他のいかなる方法を用いてもよい。触媒粒子もＰｄ化合物を活性化してなるものに限定されるものではなく、他の金属や、金属以外の無機材料、有機導電体などであってもよい。
また、上記実施形態では、Ｎｉ合金層としてＮｉ−Ｐ合金層を用いたが、Ｎｉ−Ｂ合金層を用いてもよい。
【００６１】
〔レーザ加工用光学装置〕
次に、多数の貫通孔５を一括穿孔する前記レーザ加工用光学装置について説明する。
図８は、本実施形態のレーザ加工用光学装置５１の概略構成を示す斜視図であり、図９は、その要部を示す斜視図である。
このレーザ加工用光学装置５１は、レーザ光を発生させるレーザ発振器５２と、このレーザ発振器５２の近傍に設けられたベンドミラー３と、レーザ光を偏向させる一対のガルバノミラー５４と、このガルバノミラー５４を駆動するガルバノスキャナ５５と、ガルバノミラー５４により偏向されたレーザ光を集光するｆθレンズ５６とを備えている。
【００６２】
また、このレーザ加工用光学装置５１は、上記ｆθレンズ５６と加工対象物５７との間の光路上に配置された回折型光学素子５８と、回折型光学素子５８の位置調整手段と角度調整手段とが一体的に構成されたステージ機構６０と、レーザ発振器５２及びガルバノスキャナ５５を制御する制御装置５９とを備えている。
上記加工対象物５７は、前記異方性導電シート１の基膜２であり、レーザ照射によりその表面に複数の貫通孔４の穴開け加工（穿孔工程）が行われる。
【００６３】
レーザ発振器５２で発生させるレーザ光は、例えば炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ（基本波あるいはその高調波を含む）である。また、多孔質樹脂膜よりなる基膜２に貫通孔５を穿孔する本実施形態の場合には、フェムト秒レーザを使用すること好ましい。
その理由は、フェムト秒レーザでは、１００万ワット以上の大パワーを瞬間的に発生させるため、熱の影響が小さくて溶断というよりは切断に近い挙動を示し、高精度の穿孔加工が可能となるためである。
【００６４】
一対のガルバノミラー５４は、レーザ発振器５２より出力されたレーザ光を、所定の偏向角度で偏向させて加工対象物５７上におけるＸ軸方向及びＹ軸方向に振らせるものである。制御装置５９は、レーザ発振器５２によるレーザ光出射を制御し、並びに、ガルバノスキャナ５５を駆動してガルバノミラー５４を揺動させ、ｆθレンズ５６へのレーザ光入射位置を変化させる。
ｆθレンズ５６は、像側テレセントリック光学系とされており、当該ｆθレンズ５６を用いることにより、ガルバノミラー５４で様々な方向に偏向された光軸上及び光軸外のレーザ光が共に光軸に略平行となり、加工対象物５７の表面にほぼ垂直入射し、その表面上で焦点を結ぶ。そうすることで、加工対象物５７の表面に、例えば離散的に格子状に配置された多数の貫通孔５が開けられるようになっている。
【００６５】
ｆθレンズ５６と加工対象物５７との間の光路上に配置された回折型光学素子５８（ＤＯＥ）は、一本の入射ビームを回折によって出射角度の相違する所望の空間分布をもつ複数のビームに分岐するものであり、各分岐レーザ光は、ｆθレンズ５６により集光されて加工対象物５７に照射される。
つまり、回折型光学素子５８が一挙に複数本のレーザ光を作り出すので、ガルバノミラー５４が静止した状態で加工対象物５７上に瞬時に多数の穴を開けることができる。通常は、一度のレーザ光発振で１箇所の加工しかできないが、例えば２５分光するように設計された回折型光学素子８８とすることで、一度のレーザ発振で同時に２５箇所の加工が可能となり、高速で穿孔加工を行える。
【００６６】
図１０はステージ機構６０を示している。
このステージ機構６０は、光軸方向における回折型光学素子５８の位置を調整する位置調整手段６１と回折型光学素子５８の軸心を回転軸とした回転角度を調整する角度調整手段６２とが一体的に構成されたものである。
位置調整手段６１は、調整部本体６１ｈや調整ローラ６１ｒ等からなり、この調整ローラ６１ｒを回すことにより、回折型光学素子５８がＺ軸方向、すなわち光軸方向に動くようになっている。そうすることで、回折型光学素子８８から加工対象物５７までの距離Ｌが変化する。
【００６７】
一方、角度調整手段６２は、調整部本体６２ｈや調整ローラ６２ｒ等からなり、この調整ローラ１２ｒを回すことにより、回折型光学素子５８の軸心を回転軸とした回転角度が変化するようになっている。なお、位置調整手段６１及び角度調整手段６２の詳細な構成の説明は省略するが、これら各調整手段６１，６２は、市販されている公知のものを使用することができる。
また、図３に示すステージ機構６０では位置調整手段６１と角度調整手段６２が一体的に構成されているが、各手段が分離されて構成されても良い。角度調整手段を成すステージ機構を、位置調整手段を成す上下移動可能なステージ機構に接続する構成も取り得る。
【００６８】
ここで、回折型光学素子５８の光軸方向の位置に関して、分岐レーザ光のスポット群のピッチをＰ１とすると、次の関係式（１）が成立する。
Ｐ１＝Ｌｔａｎθ  ……（１）
ただし、上記関係式（１）において、Ｌは、回折型光学素子５８から加工対象物５７までの距離であり、θは、回折型光学素子５８に対して光軸上のスポットと他のスポットがなす角度である。
【００６９】
従って、回折型光学素子５８から加工対象物５７までの距離を、例えば５％変えると、スポット群のピッチが５％変化することになる。
これに対し、仮に回折型光学素子５８をレーザ発振器５２とガルバノミラー５４との間に位置させた場合のスポット群のピッチをＰ２とすると、次の関係式（２）が成立する。
Ｐ２  ∝  λｆ１−（Ｍ／ｆ）Δ  ……（２）
ただし、λは、レーザ光の波長、ｆは、その焦点距離、Ｍは、倍率、Δは、回折型光学素子５８を動かした距離である。
【００７０】
上記関係式（２）において、Ｍ＝１／１０〜１／１００と小さいので、Δの変化量に対するスポット群のピッチＰ２の変化量が非常に小さくなる。従って、位置調整手段６１により回折型光学素子５８から加工対象物５７までの距離Ｌを変えると、ガルバノミラー５４の手間に回折型光学素子５８を位置させる場合よりも、分岐レーザ光のスポット群のピッチＰ１を大きな範囲で変更することができる。
また、角度調整手段６２により回折型光学素子５８の軸心を回転軸とした回転角度を変えれば、分岐レーザ光のスポット群も同様に回転し向きを変えるので、分岐レーザ光のスポット群を加工対象物５７に対して適切な向きに簡単に調整することができる。
【００７１】
上記レーザ加工用光学装置５１で加工対象物５７に穴開け加工をする場合、レーザ発振器５２で発生させたレーザ光は、発振器５２により放出され、レーザ発振器５２の近傍に設けられた２枚のベントミラー５３により進行方向が変えられ、一対のガルバノミラー５４で偏向されてｆθレンズ５６へ導かれる。
ガルバノミラー５４を出射したレーザ光は、ｆθレンズ５６で集光されながら、ステージ機構６０に保持された回折型光学素子５８に入って分割され、分岐レーザ光となってｆθレンズ５６がもつ焦点距離に従って加工対象物５７に照射される。そして、ガルバノミラー５４が、レーザ光の進行方向を振る（レーザ光を偏向する）ことにより、加工対象物５７上の分岐レーザ光の照射位置を変化させ、加工対象物５７に複数の穴開け加工が高速で行われる。
【００７２】
本実施形態のレーザ加工用光学装置５１によれば、ｆθレンズ５６で集光されたレーザ光が回折型光学素子５８により複数のレーザ光に分岐されるため、高速加工が可能となる。また、ガルバノミラー５４で偏向されたレーザ光の角度がｆθレンズ５６により光路軸に対しほぼ平行に修正され、加工対象物５７に対して垂直となった状態のレーザ光が回折型光学素子により分岐されることで、加工対象物５７上の走査する箇所により、分岐レーザ光のスポット群のピッチが変わってしまうという原理上の問題がなくなる。
従って、レーザ光の走査時における集光位置精度を高めることができ、加工対象物５７に開ける穴のピッチ精度を向上させることができる。
【００７３】
このため、図３に示す異方性導電シート１の製造工程において、そのシート１の基膜２の貫通孔５の穿孔工程に当該光学装置５１を使用することにより、次の効果が得られる。
すなわち、多数のレーザ光を多孔質樹脂膜よりなる基膜２に照射することにより、膜厚方向に貫通する多数の貫通孔５を基膜２に同時に穿孔するので、基膜２の厚さにバラツキがない状態で多数の貫通孔５を穿孔できる。このため、貫通孔５を一つずつ穿孔する場合に比べて、貫通孔５の真円率を向上することができる。
より具体的には、上記レーザ加工用光学装置５１（ただし、レーザ光はフェムト秒レーザを使用）を用いて、図３（ｂ）に示す積層体１４に対して５０個の貫通孔５を一括穿孔し、その後、表裏のマスク膜１１，１２を剥がして基膜２の単体を取り出したところ、その基膜２の多数の貫通孔５の真円率は、すべて０．９〜１．１の範囲内に収まっていることが確認された。
【００７４】
また、本実施形態のレーザ加工用光学装置５１を用いた穿孔方法によれば、従前の光遮蔽シートの開口部を通過したレーザ光ではなく、一つのレーザ光から分岐する多数のレーザ光を使用しているので、多数のレーザ光の形状にバラツキが生じ難く、このため、多孔質樹脂膜に対してファインピッチに穿孔することができる。
このため、上記のようにファインピッチでかつ真円率の高い多孔質樹脂膜２の各貫通孔５の内壁面に、導電性物質を付着して前記異方性導電シート１を製造すれば、異方性導電シート１の筒状電極膜６も真円率が高くなり、ファインピッチで配列することができる。
【００７５】
更に、本実施形態のレーザ加工用光学装置５１を用いた穿孔方法によれば、分岐ビームをガルバノミラー５４で偏向するものではないので、分岐角度と偏向角度とが単純な和とならないためにスポットのピッチ精度が低下するという問題がなくなる。従って、レーザ光の走査時における集光位置精度を高めることができ、加工対象物５７である多孔質樹脂膜２に開ける貫通孔５のピッチ精度を向上させることができる。
【００７６】
また、位置調整手段部６１で回折型光学素子５８の光軸方向における位置を変えることで、分岐レーザ光のスポット群のピッチＰ１を比較的大きな範囲で変更することができるため、加工対象物５７に開ける穴のピッチを簡単に変えることができる。
更に、角度調整手段６２で分岐レーザ光のスポット群を加工対象物５７に対して適切な向きに簡単に調整することができるため、作業性が向上する。
【００７７】
なお、レーザ加工用光学装置５１は上記のものに限定されるものではない。
例えば、上記実施形態では、回折型光学素子５８は、入射面のどの位置にレーザ光が照射されても同じように分岐することを前提としている。つまり、回折型光学素子５８は全面で一様な特性を持っているのである。
この場合、スポット群の配置の変更やピッチの大きな変更は、回折型光学素子５８の交換で対応することができる。また、予め機能の異なる複数の回折型光学素子５８を準備して、回折型光学素子５８の交換手段を設けておけば、加工対象物５７の穴の配置やピッチの変更に応じて回折型光学素子５８を交換することが可能である。
【００７８】
一方、回折型光学素子５８は、その表面を複数の領域に分割してそれぞれの領域で異なるビーム分岐機能を持たせることもできる。この場合、レーザ光が入射する場所によって分岐レーザ光のスポット群の配置やピッチが変化する。
この方法は、加工対象物５７上の走査位置とスポット群の配置やピッチが明確に分離して対応づけられるような加工分野では非常に有効である。これにより、複数枚の回折型光学素子を準備する必要がなくなる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】異方性導電シートの構造を示す斜視図である。
【図２】図１のII−II線で切断した場合の異方性導電シートの断面図である。
【図３】異方性導電シートの製造工程を示す図であり、（ａ）は基膜の断面、（ｂ）は貫通孔の穿孔工程、（ｃ）は触媒の付与工程、（ｄ）はマスクの除去工程、（ｅ）は無電界めっき工程を示す。
【図４】Ｐ濃度を変えたときの筒状電極膜の電気抵抗値の表である。
【図５】検査ユニットの概略構成を示す側面図である。
【図６】検査ユニット中の積層シート体の第１例を示す断面図である
【図７】検査ユニット中の積層シート体の第２例を示す断面図である。
【図８】レーザ加工用光学装置の概略構成を示す斜視図である。
【図９】レーザ加工用光学装置の要部を示す斜視図である。
【図１０】ステージ機構の斜視図である。
【図１１】貫通孔を穿孔する際の多孔質樹脂膜の挙動を示す模式図である。
【符号の説明】
【００８０】
１      異方性導電シート
２      基膜（多孔質樹脂膜）
３      第一面
４      第二面
５      貫通孔
６      筒状電極膜（導通部）
２０      検査ユニット
３０      積層シート体
４０      積層シート体
５１      レーザ加工用光学装置
５２      レーザ発振器
５４      ガルバノミラー
５６      ｆθレンズ
５７      加工対象物
５８      回折型光学素子
６０      ステージ機構
６１      位置調整手段
６２      角度調整手段
【図１】
2008110384.tif 000003
【図２】
2008110384.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2008110384.tif 000008
【図７】
2008110384.tif 000009
【図８】
2008110384.tif 000010
【図９】
2008110384.tif 000011
【図１０】
2008110384.tif 000012
【図１１】
2008110384.tif 000013