(57)【要約】【課題】成膜速度の向上及び装置サイズの小型化が可能な配向膜の形成方法を提供する。【解決手段】液晶分子を配向する配向膜の形成方法であって、プラズマ化学気相法を用いて基板上にプラズマ重合膜８６ａを形成するプラズマ重合膜形成工程と、紫外光を照射することによって上記プラズマ重合膜８６ａに凹凸を形成し、これによって上記プラズマ重合膜を上記配向膜とする紫外光照射工程とを有する。【選択図】図５
2008170678.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶分子を配向する配向膜の形成方法であって、
プラズマ化学気相法を用いて基板上にプラズマ重合膜を形成するプラズマ重合膜形成工程と、
紫外光を照射することによって前記プラズマ重合膜に凹凸を形成し、これによって前記プラズマ重合膜を前記配向膜とする紫外光照射工程と
を有することを特徴とする配向膜の形成方法。
【請求項２】
前記紫外光照射工程は、マスクを介して前記紫外光を前記プラズマ重合膜に照射する工程であることを特徴とする請求項１記載の配向膜の形成方法。
【請求項３】
前記紫外光照射工程における紫外光の照射時間、光量及び雰囲気は、所望の前記液晶分子のプレチルト角に応じて設定されることを特徴とする請求項１または２記載の配向膜の形成方法。
【請求項４】
互いに配向膜が形成された一対の基板に狭持される液晶層を備える液晶装置の製造方法であって、
前記配向膜は、請求項１〜３いずれかに記載の配向膜の形成方法を用いて形成されることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配向膜の形成方法及び液晶装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶テレビや液晶プロジェクタの光変調手段等として用いられる液晶装置では、液晶の初期配向制御を行うために液晶層に当接して配向膜が設けられている。配向膜としては一般的にポリイミド膜が用いられているが、液晶プロジェクタのように高出力光源を備えた機器に用いる場合、光エネルギーによる配向膜の劣化が問題となる。そこで、シリコン酸化物等の無機材料を用いた配向膜（無機配向膜）が提案されている。
無機配向膜では、所望の配向規制力を得るために所定方向に配向した柱状構造を膜面に形成する必要があり、かかる無機配向膜の形成方法としては、真空蒸着法が知られている。
例えば、下記特許文献１に記載の技術では、ターゲットから放出されるスパッタ粒子を被成膜基板に対して一方向から斜めに入射させることで、上記柱状構造を形成するようになっている。
【特許文献１】特開２００４−１７０７４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、蒸着法では、基板上に均一な配向膜を形成するために蒸着源と基板との距離を極めて大きくする必要があり、装置サイズ、成膜速度等の面で多くの課題を有している。
【０００４】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、成膜速度の向上及び装置サイズの小型化が可能な配向膜の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の配向膜の形成方法は、液晶分子を配向する配向膜の形成方法であって、プラズマ化学気相法を用いて基板上にプラズマ重合膜を形成するプラズマ重合膜形成工程と、紫外光を照射することによって上記プラズマ重合膜に凹凸を形成し、これによって上記プラズマ重合膜を上記配向膜とする紫外光照射工程とを有することを特徴とする。
【０００６】
このような配向膜の形成方法によれば、プラズマ重合膜形成工程において形成されたプラズマ重合膜に、紫外光照射工程にて紫外光が照射されることによって凹凸が形成される。凹凸を有するプラズマ重合膜は、液晶分子に対する配向規制力を有するため、本発明の配向膜の形成方法によれば、配向膜を形成することができる。
このような本発明の配向膜の形成方法によれば、蒸着源を必要とせずに基板上に配向膜を形成することができる。したがって、蒸着源と基板との距離を確保することによって生じる成膜速度の低下及び装置サイズの大型化を抑制することができる。
したがって、本発明の配向膜の形成方法によれば、成膜速度の向上及び装置サイズの小型化が可能となる。
【０００７】
また、本発明の配向膜の形成方法においては、上記紫外光照射工程は、マスクを介して上記紫外光を上記プラズマ重合膜に照射する工程であるという構成を採用する。
このような構成を採用することによって、容易に凹凸を形成することが可能となる。また、例えばマスクとしてラインアンドスペースマスクを用いた場合には、プラズマ重合膜に形成される凹凸が、所定方向に延在する複数の溝となる。よって、本発明によれば、当接する液晶分子の配向方向を一様とすることができる配向膜を容易に形成することが可能となる。
【０００８】
また、本発明の配向膜の形成方法においては、上記紫外光照射工程における紫外光の照射時間、光量及び雰囲気は、所望の上記液晶分子のプレチルト角に応じて設定されるという構成を採用する。
このような構成を採用することによって、上記紫外光照射工程における紫外光の照射時間、光量及び雰囲気を決定することができる。逆に、紫外光照射工程における紫外光の照射時間、光量及び雰囲気を調整することによって、任意のプレチルト角を液晶分子に付与する配向膜を形成することができる。
【０００９】
次に、本発明の液晶装置の製造方法は、互いに配向膜が形成された一対の基板に狭持される液晶層を備える液晶装置の製造方法であって、上記配向膜は、本発明の配向膜の形成方法を用いて形成されることを特徴とする。
【００１０】
本発明の配向膜の形成方法によれば、均一な特性を有する配向膜の成膜速度の向上及び該配向膜の成膜に用いられる装置サイズの小型化が可能となる。
このため、本発明の液晶装置の製造方法によれば、信頼性の高い液晶装置を短時間で製造することができる。  
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明に係る配向膜の形成方法及び液晶装置の製造方法の一実施形態について説明する。なお、以下の図面においては、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１２】
図１は、本実施形態の配向膜の形成方法を用いた液晶装置の製造方法によって製造される液晶装置（以下、本実施形態の液晶装置）が備えるＴＦＴアレイ基板８０の平面構成図である。図２は、本実施形態の液晶装置の等価回路図である。図３は、ＴＦＴアレイ基板８０の画像表示領域を拡大して示す平面構成図である。図４は、図３のＡ−Ａ’線に沿う液晶装置の断面構成図である。
【００１３】
本実施形態の液晶装置は、図４に示すように、対向配置されたＴＦＴアレイ基板（第１基板）８０と、対向基板（第２基板）９０との間に液晶層５０を挟持した構成を備えたＴＦＴアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置である。
【００１４】
図１に示すように、ＴＦＴアレイ基板８０の中央には画像表示領域１０１が形成されている。画像表示領域１０１の周縁部にシール材８９が配設されており、かかるシール材８９により上記ＴＦＴアレイ基板８０と対向基板９０とを貼り合わせ、上記両基板８０，９０とシール材８９とに囲まれる領域内に液晶層（不図示）が封止される。シール材８９の外側には、後述する走査線に走査信号を供給する走査線駆動回路１１０と、後述するデータ線に画像信号を供給するデータ線駆動回路１２０とが実装されている。ＴＦＴアレイ基板８０の端部には外部回路に接続する複数の接続端子７９が設けられており、かかる接続端子７９には上記駆動回路１１０，１２０から延びる配線が接続されている。シール材８９の四隅には上記ＴＦＴアレイ基板８０と対向基板９０とを電気的に接続する基板間導通部７０が設けられており、基板間導通部７０も配線を介して接続端子７９と電気的に接続されている。
【００１５】
図２は、液晶装置の等価回路図である。液晶装置の画像表示領域には、複数のデータ線４６ａと、データ線４６ａと交差する方向に延びる複数の走査線４３ａとが形成されており、隣接する２本のデータ線４６ａと隣接する２本の走査線４３ａとに囲まれた矩形状の領域に対応して画素電極４９が配置されており、画像表示領域全体では画素電極４９が平面視マトリクス状に配列されている。各画素電極４９には、画素電極４９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ３０が接続されている。ＴＦＴ３０のソースにはデータ線４６ａが接続されている。各データ線４６ａには、前述したデータ線駆動回路から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給されるようになっている。
【００１６】
また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線４３ａが接続されている。走査線４３ａには、前述した走査線駆動回路から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが供給される。一方、ＴＦＴ３０のドレインには画素電極４９が接続されている。そして、走査線４３ａから供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、ＧｍによりＴＦＴ３０を一定期間だけオンすることで、データ線４６ａから供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、画素電極４９を介して各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００１７】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極４９と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極４９と容量線４３ｂとの間に蓄積容量１７が付与され、液晶容量と並列に接続されている。
【００１８】
図３は、ＴＦＴアレイ基板８０の平面構成図である。本実施形態の液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板上に、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide；ＩＴＯ）等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極４９（破線４９ａによりその輪郭を示す）が、マトリクス状に配列形成されている。各画素電極４９の縦横の境界に沿って、データ線４６ａ、走査線４３ａ及び容量線４３ｂが設けられている。本実施形態では、各画素電極４９の形成領域に対応する矩形状の領域が画素の平面領域に対応しており、マトリクス状に配列された画素毎に表示動作が行われるようになっている。
【００１９】
ＴＦＴ３０は、ポリシリコン膜等からなる半導体層４１ａを備えている。半導体層４１ａのソース領域（後述）には、コンタクトホール４５を介して、データ線４６ａが接続されている。また、半導体層４１ａのドレイン領域（後述）には、コンタクトホール４８ｂ（４８ａ）を介して、画素電極４９が接続されている。一方、半導体層４１ａにおける走査線４３ａとの対向部分には、チャネル領域４１ａ’が形成されている。
【００２０】
図４は、液晶装置の断面構造を示す図であり、図３のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図である。図４に示すように、本実施形態の液晶装置６０は、ＴＦＴアレイ基板８０と、これに対向配置された対向基板９０と、これらの間に挟持された液晶層５０とを備えて構成されている。ＴＦＴアレイ基板８０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体８０Ａ、及びその内側（液晶層側）に形成されたＴＦＴ３０や画素電極４９、さらにこれを覆う配向膜８６などを備えている。一方の対向基板９０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体９０Ａ、およびその内側（液晶層側）に形成された共通電極６１、さらにこれを覆う配向膜９２などを備えている。
【００２１】
基板本体８０Ａの内面側には、後述する第１遮光膜５１ａおよび第１層間絶縁膜５２が形成されている。第１層間絶縁膜５２上に島状の半導体層４１ａが形成されている。半導体層４１ａにおける走査線４３ａとの対向部分にはチャネル領域４１ａ’が形成されており、チャネル領域４１ａ’の両側にソース領域およびドレイン領域が形成されている。ＴＦＴ３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を採用しており、ソース領域およびドレイン領域に、それぞれ不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と、相対的に低い低濃度領域（ＬＤＤ領域）とが形成されている。チャネル領域４１ａ’側から順に形成された低濃度ソース領域４１ｂと高濃度ソース領域４１ｄとが上記ソース領域を構成し、チャネル領域４１ａ’側から順に形成された低濃度ドレイン領域４１ｃと高濃度ドレイン領域４１ｅとが上記ドレイン領域を構成している。
【００２２】
半導体層４１ａの表面にゲート絶縁膜４２が形成されており、ゲート絶縁膜４２上に走査線４３ａが形成されている。走査線４３ａのうちチャネル領域４１ａ’との対向部分はＴＦＴ３０のゲート電極を構成している。ゲート絶縁膜４２及び走査線４３ａを覆って第２層間絶縁膜４４が形成されている。第２層間絶縁膜４４上にデータ線４６ａ、及びドレイン電極４６ｂが形成されており、データ線４６ａの一部は第２層間絶縁膜４４に貫設されたコンタクトホール４５内に埋設されて高濃度ソース領域４１ｄと電気的に接続されている。一方、ドレイン電極４６ｂは、第２層間絶縁膜４４に貫設されたコンタクトホール４８ａを介して半導体層４１ａの高濃度ドレイン領域４１ｅと電気的に接続されている。
【００２３】
第２層間絶縁膜４４、データ線４６ａ、及びドレイン電極４６ｂを覆って第３層間絶縁膜４７が形成されている。第３層間絶縁膜４７の表面に画素電極４９が形成されており、画素電極４９は第３層間絶縁膜４７を貫通してドレイン電極４６ｂに達する画素コンタクトホール４８ｂを介してドレイン電極４６ｂと電気的に接続されている。かかる構造により、画素電極４９とＴＦＴ３０とが電気的に接続されている。さらに、画素電極４９を覆って配向膜８６が形成されている。配向膜８６には、当接する液晶分子に対して所定方向の配向規制力及びプレチルト角を付与するための微細な溝が形成されている。
【００２４】
半導体層４１ａを延設して第１蓄積容量電極４１ｆが形成されている。また、ゲート絶縁膜４２を延設して誘電体膜が形成されており、かかる領域のゲート絶縁膜４２を介して上記第１蓄積容量電極４１ｆと対向する位置に第２蓄積容量電極を成す容量線４３ｂが配置されている。これにより、上記第１蓄積容量電極４１ｆと容量線４３ｂとが平面的に重なる位置に前述の蓄積容量５７が形成されている。
また、ＴＦＴ３０の形成領域に対応する基板本体８０Ａの表面に、第１遮光膜５１ａが形成されている。第１遮光膜５１ａは、ＴＦＴアレイ基板８０の外側からの光が、半導体層４１ａのチャネル領域４１ａ’、低濃度ソース領域４１ｂおよび低濃度ドレイン領域４１ｃに入射して光リークを生じるのを防止するものである。
【００２５】
一方、対向基板９０における基板本体９０Ａ上には、第２遮光膜６３が形成されている。第２遮光膜６３は、対向基板９０側からの光が半導体層４１ａのチャネル領域４１ａ’や低濃度ソース領域４１ｂ、低濃度ドレイン領域４１ｃ等に入射するのを防止するものであり、平面視において半導体層４１ａと重なる領域に設けられている。上記第２遮光膜６３を覆う対向基板９０のほぼ全面にＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極６１が形成されている。そして、共通電極６１を覆って配向膜９２が形成されている。配向膜９２には、当接する液晶分子に対して所定方向の配向規制力及びプレチルト角を付与するための微細な溝が形成されている。
【００２６】
ＴＦＴアレイ基板８０と対向基板９０との間には、ネマチック液晶等からなる液晶層５０が挟持されている。ネマチック液晶分子は、正の誘電率異方性を有するものであり、非選択電圧印加時には基板に沿って水平配向し、選択電圧印加時には電界方向に沿って垂直配向する。またネマチック液晶分子は、正の屈折率異方性を有するものであり、その複屈折と液晶層厚との積（リタデーション）Δｎｄは、例えば約０．４０μｍ（６０℃）となっている。ＴＦＴアレイ基板８０側の配向膜８６による配向規制方向と、対向基板９０側の配向膜９２による配向規制方向とは、約９０°ねじれた状態に設定されている。基板本体８０Ａ、９０Ａのそれぞれの外側（液晶層５０と反対側）には、偏光板５８、６８が互いの透過軸を直交させた状態（クロスニコル）で配置されている。従って、本実施形態の液晶装置６０は、ＴＮモードで動作し、捻れ配向した液晶の旋光性を利用した白表示と、電圧印加により垂直配向させた液晶の透過性を利用した黒表示との間で階調表示を行うものとなっている。
なお、本液晶装置６０をプロジェクタのライトバルブとして用いる場合には、偏光板５８、６８については、サファイヤガラスや水晶等の高熱伝導率材料からなる支持基板上に装着して、液晶装置６０から離間して配置することが望ましい。
【００２７】
本実施形態の液晶装置６０では、配向膜８６，９２は、プラズマ重合膜に紫外光を照射することによって、液晶分子の配向規制方向を決定する微細な溝となる凹凸が形成されたものである。このような配向膜８６，９２は、通常のスパッタ成膜にて形成される無機配向膜と比較して、成膜速度が速くかつ小型な成膜装置にて形成することが可能となっており、生産性が高いものとなっている。
したがって、本実施形態の液晶装置６０は、従来の液晶装置と同様の品質であれば廉価なものとなる。
【００２８】
次に、このような配向膜の形成方法を含む、本実施形態の液晶装置の製造方法について図５〜図７の模式図を参照して説明する。なお、図５〜図７では、製造工程の説明に直接関係しないＴＦＴ３０等の図示を省略している。
【００２９】
まず、上述のＴＦＴアレイ基板８０の基体である基板本体８０Ａ上に、遮光膜５１ａ、ＴＦＴ３０、複数の層間絶縁膜５２，４４，４７、画素電極４９等が形成された素子基板８０ａを用意する（図４参照）。かかる素子基板８０ａの製造に際しては、公知の製造方法が適用できるため、ここでは詳細な説明は省略する。素子基板８０ａの最上層には、図５（ａ）に示すように、画素コンタクトホール４８ａ（図４参照）を介して下層側のドレイン電極４６ｂ（図４参照）と電気的に接続される画素電極４９がパターン形成されている。
【００３０】
続いて、図５（ｂ）に示すように、画素電極４９が露出して形成された素子基板８０ａ上にプラズマ重合膜８６ａを形成する（プラズマ重合膜形成工程）。
図６は、素子基板８０ａ上に、プラズマ化学気相法を用いてプラズマ重合膜８６ａを形成するためのプラズマＣＶＤ装置１００の概略図である。プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置１００は、チャンバー１１１の側面に接続された導管１１２を有しており、制御バルブ１１５が設置された導管１１２を介して、チャンバー１１１内にアルゴンガス、シリコーン等が導入される。チャンバー１１１内には、対向する一対の平面電極１１３，１１４が上下に設置されている。
そして、下側に設置される平面電極１１４によって素子基板８０ａが固定されるとともに、上側に設置される平面電極１１３に発電機１１６から電力が供給される。このような状態にて、導管１１２を介して、アルゴンガス、シリコーンが導入されると、アルゴンプラズマ中で気化したシリコーンが重合反応して素子基板８０ａ上に、下式（１）からなるプラズマ重合膜８６ａが１０ｎｍ〜５００ｎｍ形成される。
このように本実施形態の液晶装置の製造方法（配向膜の形成方法）では、プラズマ化学気相法を用いてプラズマ重合膜８６ａが形成される。
【００３１】
【化１】
2008170678.tif 000003
【００３２】
続いて、図５（ｃ）に示すように、プラズマ重合膜８６ａに紫外光を照射することによって凹凸を形成する（紫外光照射工程）。
具体的には、図７に示すような開口部がライン状に複数形成されたラインアンドスペースマスクＭを介して、プラズマ重合膜８６ａが形成された素子基板８０ａに波長１７２ｎｍの紫外光を大気雰囲気あるいは酸素雰囲気において照射する。
そして、紫外光が照射されたプラズマ重合膜８６ａの部位が、紫外光によってＣＨ３の結合が切れるとともに雰囲気中の酸素と反応してシリコン酸化物化する（下式（２）参照）。この結果、紫外光が照射されたプラズマ重合膜８６ａの部位がシュリンクし、図５（ｃ）に示す凹凸が形成される。
【００３３】
【化２】
2008170678.tif 000004
【００３４】
このように本実施形態においては、プラズマ化学気相法を用いて素子基板８０ａ上にプラズマ重合膜８６ａを形成するプラズマ重合膜形成工程と、紫外光を照射することによってプラズマ重合膜８６ａに凹凸を形成し、これによってプラズマ重合膜８６ａを配向膜８６とする紫外光照射工程とを有し、これらの工程によって配向膜８６が形成される。そして、素子基板８０ａ上に配向膜８６が形成されたＴＦＴアレイ基板８０が形成される。
なお、配向膜８６に当接する液晶分子のプレチルト角は、凹凸の深さに依存する。そして、凹凸の深さは、紫外光照射工程における紫外光の照射時間、光量及び雰囲気によって制御可能である。このため、紫外光照射工程における紫外光の照射時間、光量及び雰囲気は、配向膜８６に当接する液晶分子に対して付与されるプレチルト角に応じて設定されている。
【００３５】
また、同様の工程を経て、対向基板９０の共通電極６１が形成された側の面に、配向膜９２が形成される。
そして、ＴＦＴアレイ基板８０と対向基板９０と貼り合せ、ＴＦＴアレイ基板８０と対向基板との間に液晶を封入することによって液晶層５０を形成し、必要な配線を引き回すことによって、互いに配向膜が形成された一対の基板に狭持される液晶層を備える液晶装置が製造される。
【００３６】
以上の説明のように本実施形態の液晶装置の製造方法は、プラズマ化学気相法を用いて基板上にプラズマ重合膜を形成するプラズマ重合膜形成工程と、紫外光を照射することによって上記プラズマ重合膜に凹凸を形成し、これによって上記プラズマ重合膜を上記配向膜とする紫外光照射工程とを有している。
このような液晶装置の製造方法によれば、プラズマ重合膜形成工程において形成されたプラズマ重合膜に、紫外光照射工程にて紫外光が照射されることによって凹凸が形成される。凹凸を有するプラズマ重合膜は、液晶分子に対する配向規制力を有するため、プラズマ重合膜形成工程と紫外光照射工程とによって配向膜８６，９２を形成することができる。
このため、蒸着源を必要とせずに基板上に配向膜を形成することができる。したがって、蒸着源と基板との距離を確保することによって生じる成膜速度の低下、及び、成膜装置の装置サイズの大型化を抑制することができる。
したがって、本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、成膜速度の向上及び装置サイズの小型化が可能となる。
また、本実施形態の液晶装置の製造方法において用いられる成膜装置は、従来の無機配向膜の成膜装置のように原料の入射角を制御する必要がないため、装置の簡便化が容易となる。
【００３７】
また、本実施形態の液晶装置の製造方法においては、紫外光照射工程にて図７に示すようなラインアンドスペースマスクを介して紫外光を上記プラズマ重合膜に照射する。このため、プラズマ重合膜に形成される凹凸が、所定方向に延在する複数の溝となる。よって、当接する液晶分子の配向方向を一様とすることができる配向膜を容易に形成することが可能となる。
【００３８】
また、本実施形態の液晶装置の製造方法においては、紫外光照射工程における紫外光の照射時間、光量及び雰囲気は、所望の上記液晶分子のプレチルト角に応じて設定される。逆に、紫外光照射工程における紫外光の照射時間、光量及び雰囲気を調整することによって、任意のプレチルト角を液晶分子に付与する配向膜を形成することができる。
【００３９】
次に、本実施形態の液晶装置の製造方法によって製造された液晶装置を備えるプロジェクタの一実施形態について、図８を用いて説明する。図８は、プロジェクタの要部を示す概略構成図である。このプロジェクタは、前述した実施形態の液晶装置を光変調手段として備えたものである。
【００４０】
図８において、８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は本発明の液晶装置からなる光変調手段、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投射レンズである。光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。
【００４１】
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用光変調手段８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用光変調手段８２３に入射される。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９および出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が青色光用光変調手段８２４に入射される。
【００４２】
各光変調手段８２２、８２３、８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投影され、画像が拡大されて表示される。
【００４３】
前述したプロジェクタは、上記の液晶装置を光変調手段として備えている。この液晶装置は、前述したように、従来の液晶装置と同様の品質であれば廉価なものとなる。このため、このプロジェクタ自体も従来のプロジェクタと同様の品質であれば廉価なものとなる。
【００４４】
なお、本発明の技術的範囲は、前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、前述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。例えば、上記実施形態ではスイッチング素子としてＴＦＴを備えた液晶装置を例にして説明したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode）等の二端子型素子を備えた液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、上記実施形態では透過型液晶装置を例にして説明したが、反射型液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、上記実施形態ではＴＮ（Twisted Nematic）モードで機能する液晶装置を例にして説明したが、ＶＡ（Vertical Alignment）モードで機能する液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、実施形態では３板式の投射型表示装置（プロジェクタ）を例にして説明したが、単板式の投射型表示装置や直視型表示装置に本発明を適用することも可能である。
【００４５】
また、本発明の液晶装置の製造方法によって製造せれた液晶装置を、プロジェクタ以外の電子機器に適用することも可能である。その具体例として、携帯電話を挙げることができる。この携帯電話は、前述した各実施形態またはその変形例に係る液晶装置を表示部に備えたものである。また、その他の電子機器としては、例えばＩＣカード、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】実施形態に係るＴＦＴアレイ基板の平面構成図。
【図２】同、等価回路図。
【図３】同、画素の詳細構成を示す平面構成図。
【図４】図３のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図。
【図５】液晶装置の製造方法を説明するための模式図。
【図６】液晶装置の製造方法に用いられるプラズマＣＶＤ装置の概略図。
【図７】液晶装置の製造方法に用いられるラインアンドスペースマスクの斜視図。
【図８】液晶装置を備えるプロジェクタの概略構成図。
【符号の説明】
【００４７】
６０……液晶装置、８０……ＴＦＴアレイ基板（基板）、９０……対向基板（基板）、８６，９２……配向膜、８６ａ……プラズマ重合膜、Ｍ……ラインアンドスペースマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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