(57)【要約】【課題】製造工程及び製造費用を減少させて、生産収率を向上させることができる液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法に関する。液晶ディスプレイ装置用アレー基板は、薄膜を蒸着して写真エッチングする工程を通してなされるが、写真エッチング工程は多様な工程を伴っているので写真エッチング工程を減らすことによって、製造費用を減少させて不良発生率を減らすことができる。本発明による液晶ディスプレイ装置用アレー基板は、４枚のマスクを利用して製造することによって製造費用を節減でき、回折露光を利用してアクティブ層とソース及びドレイン電極を一回の写真エッチング工程で形成することにおいて、薄膜トランジスタのチャネルをラウンディングされた“Ｕ”字形態で形成することによって安定的で向上された製造収率を得ることができる。【選択図】図５
2008282052.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されているゲート配線と前記ゲート配線に連結されているゲート電極と、
前記ゲート配線と前記ゲート電極上部に形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上部に形成されているアクティブ層と、
前記アクティブ層上部に形成されているオーミックコンタクト層と、
前記オーミックコンタクト層上部に形成されているデータ配線、ソース電極及びドレイン電極と、
前記データ配線と前記ソース及びドレイン電極上部に形成されている保護層と、
前記保護層上部に形成されている画素電極と、
前記ゲート配線と同じ物質でなされて前記データ配線と平行方向を有する第１遮光パターンであって、両端に前記データ配線と重畳する突出部を有する第１遮光パターンとを含み、
前記オーミックコンタクト層は、前記データ配線と前記ソース及びドレイン電極と同一形態を有し、
前記アクティブ層は前記ソース及びドレイン電極間のチャネル領域を除いて前記データ配線と前記ソース及びドレイン電極と同一形態でなされて、
前記チャネル領域は“Ｕ”字形態でなされて、
前記第１遮光パターンの突出部と前記データ配線は、これらの間に挿入された前記ゲート絶縁膜と共に互いに重畳することを特徴とする液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
【請求項２】
前記第１遮光パターンは、少なくとも前記画素電極の一部と重畳することを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
【請求項３】
前記第１遮光パターンと平行した第２遮光パターンをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
【請求項４】
前記第２遮光パターンは、少なくとも前記画素電極の一部と重畳することを特徴とする請求項３に記載の液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
【請求項５】
前記第２遮光パターンは、前記ゲート配線に連結されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
【請求項６】
前記ドレイン電極は、前記ゲート配線に平行した第１部分と前記第１部分から延びた第２部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
【請求項７】
前記第１部分は、少なくとも前記画素電極の一部と重畳することを特徴とする請求項６に記載の液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
【請求項８】
前記第２部分は、複数の突出部を有してコンタクトホールによって露出されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
【請求項９】
前記画素電極は、少なくとも前記ゲート配線の一部と重畳されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
【請求項１０】
前記“Ｕ”字形態は、対称形態であることを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイ装置用アレー基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近情報化社会に時代が急発展するによって薄形化、軽量化、低消費電力化などの優秀な特性を有する平板ディスプレイ装置の必要性が高まりつつある。
【０００３】
このような平板ディスプレイ装置は、自ら光を発するかそうでないのかによって分けることができるが、自ら光を発して画像を表示するものを発光形ディスプレイ装置として、そうでなくて外部の光源を利用して画像を表示するものを受光型ディスプレイ装置という。発光形ディスプレイ装置ではプラズマディスプレイ装置と電界放出ディスプレイ装置、電界発光ディスプレイ装置などがあり、受光型ディスプレイ装置では液晶ディスプレイ装置がある。
【０００４】
この中液晶ディスプレイ装置は解像度、カラー表示、画質などが優秀でノートブックコンピュータやデスクトップコンピュータのモニターに活発に適用されている。
【０００５】
一般的に液晶ディスプレイ装置は、一面に電極が各々形成されている二基板を二電極が形成されている面が接するように配置して二基板間に液晶物質を注入した後に、二電極に電圧を印加して生成する電界によって液晶分子を動かすことによって、これにより変わる光の透過率によって画像を表現する装置である。
【０００６】
液晶ディスプレイ装置は、多様な形態でなされることができるが、現在薄膜トランジスタと薄膜トランジスタに連結された画素電極がマトリクス方式で配列されたアクティブマトリクス液晶ディスプレイ装置が解像度及び動映像具現能力が優秀で最も注目されている。
【０００７】
このような液晶ディスプレイ装置は、下部のアレー基板に画素電極が形成されていて上部基板であるカラーフィルター基板に共通電極が形成されている構造であって、上下にかかる基板に垂直方向の電界によって液晶分子を駆動する方式である。これは、透過率と開口率などの特性が優秀で、上板の共通電極が接地役割をして静電気による液晶セルの破壊を防止できる。
【０００８】
液晶ディスプレイ装置の上部基板は、画素電極以外の部分から発生する光漏れ現像を防ぐためにブラックマトリックスをさらに含む。
【０００９】
一方、液晶ディスプレイ装置の下部基板であるアレー基板は、薄膜を蒸着してマスクを利用して写真エッチングする工程を何度も繰り返すことによって形成されるが、通常的にマスク数は５枚ないし６枚が用いられており、マスクの数がアレー基板を製造する工程数を示す。
【００１０】
以下、添付した図面を参照して従来の液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法に対して説明する。
【００１１】
図１は従来の液晶ディスプレイ装置用アレー基板に対する平面図であって、図２は図１でＩＩ−ＩＩ線に沿って切った断面図である。
【００１２】
図１及び図２に示したように、液晶ディスプレイ装置用アレー基板では透明な絶縁基板１０上に横方向を有するゲート配線２１と、ゲート配線２１から延びたゲート電極２２が形成されている。
【００１３】
ゲート配線２１とゲート電極２２上部にはゲート絶縁膜３０が形成されており、その上にアクティブ層４１とオーミックコンタクト層５１、５２が順次に形成されている。
【００１４】
オーミックコンタクト層５１、５２上にゲート配線２１と直交するデータ配線６１、データ配線６１から延びたソース電極６２、ゲート電極２２を中心にソース電極６２と接しているドレイン電極６３及びゲート配線２１と重畳するキャパシタ電極６５が形成されている。
【００１５】
データ配線６１とソース及びドレイン電極６２、６３、そしてキャパシタ電極６５は保護層７０で覆われてあり、保護層７０はドレイン電極６３とキャパシタ電極６５を各々あらわす第１及び第２コンタクトホール７１、７２を有する。
【００１６】
ゲート配線２１とデータ配線６１が交差して定義される画素領域の保護層７０上部には画素電極８１が形成されているが、画素電極８１は第１及び第２コンタクトホール７１、７２を通して各々ドレイン電極６２及びキャパシタ電極６５と連結されている。
【００１７】
図３Ａないし図３Ｅはこのような液晶ディスプレイ装置用アレー基板の製造過程を示したものであって、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切った断面に該当する。そこで、図３Ａないし図３Ｅを参照して従来の液晶ディスプレイ装置用アレー基板の製造方法に対して説明する。
【００１８】
図３Ａに示したように、基板１０上に金属物質を蒸着して第１マスクを利用してパターニングすることによって、ゲート配線２１とゲート電極２２を形成する。
【００１９】
次に、図３Ｂに示したようにゲート絶縁膜３０、非晶質シリコン、不純物が含まれた非晶質シリコンを順次に蒸着した後、第２マスクを利用した写真エッチング工程でアクティブ層４１と不純物半導体層５３を形成する。
【００２０】
続いて、図３Ｃに示したように金属層を蒸着して第３マスクを利用してパターニングすることによって、データ配線(図１の６１)とソース電極６２、ドレイン電極６３及びキャパシタ電極６５を形成して、ソース電極６２とドレイン電極６３間にあらわれた不純物半導体層５３をエッチングしてオーミックコンタクト層５１、５２を完成する。
【００２１】
次に、図３Ｄに示したように保護層７０を蒸着して第４マスクを利用して保護層７０とゲート絶縁膜３０をパターニングすることによって、ドレイン電極６３とキャパシタ電極６５をあらわす第１及び第２コンタクトホール７１、７２を形成する。
【００２２】
次に、図３Ｅに示したように透明導電物質を蒸着して第５マスクを利用してパターニングすることによって、第１及び第２コンタクトホール７１、７２を通してドレイン電極６３及びキャパシタ電極６５と接触する画素電極８１を形成する。
【００２３】
このように、５枚のマスクを利用した写真エッチング工程でアレー基板を製造できるが、写真エッチング工程には洗浄と感光膜の塗布、露光及び現像、エッチング等多様な工程を伴っている。したがって、写真エッチング工程を一回のみ短縮しても製造時間は相当多く減って、製造費用を減少させることができ、不良発生率が少なくなるので、マスク数を減らしてアレー基板を製造することが望ましい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
本発明は前記した従来の問題点を解決するために案出されたものであり、本発明の目的は製造工程及び製造費用を減少させて、生産収率を向上させることができる液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
前記した目的を達成するための本発明による液晶ディスプレイ装置では、基板上にゲート配線と前記ゲート配線に連結されているゲート電極が形成されていて、その上にゲート絶縁膜とアクティブ層及びオーミックコンタクト層が順に形成されている。オーミックコンタクト層上にはモリブデンからなるデータ配線とソース電極及びドレイン電極が形成されていて、その上に保護層が形成されている。次に、保護層上部には画素電極が形成されている。ここで、オーミックコンタクト層はデータ配線、そしてソース及びドレイン電極と同一形態を有し、半導体層はソース及びドレイン電極間のチャネル領域を除いてデータ配線、ソース及びドレイン電極と同一形態に構成されて、チャネル領域は“Ｕ”字形態で構成されている。
【００２６】
本発明ではゲート配線と同じ物質でなされて、データ配線と平行方向を有する第１遮光パターンをさらに含むことができる。このとき、第１遮光パターンは少なくとも画素電極の一部と重畳する。第１遮光パターンは両端に前記データ配線と重畳する突出部を有する場合もある。
【００２７】
また、本発明では第１遮光パターンと平行した第２遮光パターンをさらに含む場合もあり、このとき第２遮光パターンは少なくとも画素電極の一部と重畳する。第２遮光パターンはゲート配線に連結されている場合もある。
【００２８】
一方、ドレイン電極は、ゲート配線に平行した第１部分と第１部分から延びた第２部分を含むことができる。第２部分は複数の突出部を有してコンタクトホールによって露出されている。
【００２９】
本発明で画素電極は、少なくともゲート配線の一部と重畳する場合もある。
また、“Ｕ”字形態は、対称形態に構成されることが望ましい。
【００３０】
本発明による液晶ディスプレイ装置用アレー基板の製造方法では、基板上にゲート配線とゲート電極を形成して、その上にゲート絶縁膜を形成する。次に、ゲート絶縁膜上部にアクティブ層を形成して、その上にオーミックコンタクト層を形成する。続いて、オーミックコンタクト層上部にモリブデンでなされたデータ配線とソース及びドレイン電極を形成する。次に、その上に保護層を形成して、保護層上部に画素電極を形成する。ここで、オーミックコンタクト層はデータ配線そしてソース及び電極と同一形態を有し、半導体層はソース及びドレイン電極間のチャネル領域を除いてデータ配線、ソース及びドレイン電極と同一形態に構成され、チャネル領域は“Ｕ”字形態に構成される。
【００３１】
ゲート配線を形成する段階は、ゲート配線と同じ物質でなされてデータ配線と平行した第１遮光パターンを形成する段階を含む。第１遮光パターンは少なくとも画素電極の一部と重畳し、両端にデータ配線と重畳する突出部を有することができる。
【００３２】
また、ゲート配線を形成する段階は、第１遮光パターンと平行した第２遮光パターンを形成する段階を含む場合もある。第２遮光パターンは少なくとも画素電極の一部と重畳し、ゲート配線に連結されていることができる。
【００３３】
一方、ドレイン電極は、ゲート配線に平行した第１部分と第１部分から延びた第２部分を含むことができる。第１部分は少なくとも画素電極の一部と重畳して、第２部分は複数の突出部を有してコンタクトホールによって露出できる。
【００３４】
本発明で画素電極は、少なくともゲート配線の一部と重畳されていることができる。
また、本発明で“Ｕ”字形態は、対称形態であることが望ましい。
【００３５】
本発明の他の液晶ディスプレイ装置用アレー基板の製造方法では、第１マスクを用いて基板上にゲート配線とゲート電極を形成して、ゲート絶縁膜と非晶質シリコン層、ドーピングされた非晶質シリコン層、そして金属層を順に形成する。続いて、第２マスクを利用してアクティブ層とオーミックコンタクト層、データ配線、ソース及びドレイン電極を形成する。次に、第３マスクを利用して保護層を形成して、第４マスクを利用して保護層上部に画素電極を形成する。このとき、ソース及びドレイン電極間のチャネル領域は“Ｕ”字形態を有する。
【００３６】
ここで、アクティブ層とオーミックコンタクト層、データ配線、ソース電極とドレイン電極を形成する段階はデータ配線とソース及びドレイン電極に対応する第１パターンとチャネル領域に対応する第２パターンでなされた感光膜パターンを形成する段階を含むが、第１パターンの厚さは第２パターンよりさらに厚い。
【００３７】
一方、第２マスクは、データ配線とソース及びドレイン電極に対応する複数の遮光パターンとチャネル領域に対応する微細パターンでなされ、遮光パターンと微細パターンは第１及び第２スリットを形成する。微細パターンの幅は約１．５μｍであって、第１及び第２スリットの幅は１．１μｍないし１．３μｍであるものが良い。一方、ドレイン電極に隣接したスリットの角部分幅は約１．１μｍである。
【００３８】
本発明で、“Ｕ”字形態は対称形態であるものが望ましい。
このように、本発明では４枚のマスクを利用してアレー基板を製造することによって製造費用を節減でき、ソース及びドレイン電極間に対応する部分にスリットを有するマスクを利用してソース及びドレイン電極間部分をラウンディングされた形態にすることにより、製造収率を向上させることができる。
【発明の効果】
【００３９】
本発明による液晶ディスプレイ装置用アレー基板は、４枚のマスクを利用して製造することによって製造費用を節減できる。また、本発明では回折露光を利用してアクティブ層とソース及びドレイン電極を一回の写真エッチング工程で形成することにおいて、薄膜トランジスタのチャネルを“Ｕ”字形態で形成することによって安定的で向上された製造収率を得ることができる。
【００４０】
本発明ではゲート配線と同じ物質でデータ配線と平行方向の遮光パターンを形成して画素電極と一部重畳させることによって、工程マージンを向上させて光漏れ不良を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施例による液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法に対して詳細に説明する。
【００４２】
まず、図４は本発明の実施例による液晶ディスプレイ装置用アレー基板の平面図であって、図５は図４でＶ−Ｖ線に沿って切った断面図である。
【００４３】
図４及び図５に示したように、透明な基板１１０上にゲート配線１２１とゲート電極１２２、そして第１及び第２遮光パターン１２４、１２５が形成されている。ここで、ゲート配線１２１は横方向に延びていて、ゲート電極１２２はゲート配線１２１と連結されており、第１及び第２遮光パターン１２４、１２５は縦方向を有してゲート配線１２１間に形成されているが、第２遮光パターン１２５の一端はゲート配線１２１と連結されている。一方、ゲート電極１２１はゲート電極１２２と連結された部分の反対側にへこんだ部分を有し、第１遮光パターン１２４は第２遮光パターン１２５方向に両端に突出部を有する。
【００４４】
ゲート配線１２１とゲート電極１２２、そして第１及び第２遮光パターン１２４、１２５上部にはゲート絶縁膜１３０が形成されてこれらを覆っている。
【００４５】
続いて、ゲート絶縁膜１３０上にはアクティブ層１４１が形成されていて、その上にオーミックコンタクト層１５１、１５２が形成されている。
【００４６】
オーミックコンタクト層１５１、１５２上にはデータ配線１６１とソース及びドレイン電極１６２、１６３が形成されているが、データ配線１６１は縦方向に延びてゲート配線１２１と直交することにより画素領域を定義して、ソース電極１６２はデータ配線１６１から延びて対称である“Ｕ”字形態を有し、ドレイン電極１６３はソース電極１６２と分離されていて横方向に延びた第１部分と突出されて以後に形成される画素電極と連結される第２部分とで構成される。ドレイン電極１６３の第１部分は一端がソース電極１６２内に位置して薄膜トランジスタのチャネルが“Ｕ”字形態を有するようになり、第２部分は画素電極との接触面積を広くするために側面に複数の屈曲を有する。一方、データ配線１６１は第１遮光パターン１２４の両端と重畳されているので、以後にデータ配線１６１が断線する場合を考慮して第１遮光パターン１２４の両端をレーザーで短絡させ第１遮光パターン１２４を通して信号が伝えられるようにすることによって、データ配線１６１の断線を補完できる。
【００４７】
ここで、オーミックコンタクト層１５１、１５２は、データ配線１６１、そしてソース及びドレイン電極１６２、１６３と同一形態を有し、アクティブ層１４１はソース及びドレイン電極１６２、１６３間すなわち、薄膜トランジスタのチャネルに該当する部分を除いてデータ配線１６１、ソース及びドレイン電極１６２、１６３と同一形態を有する。
【００４８】
次に、データ配線１６１とソース及びドレイン電極１６２、１６３上部には保護層１７０が形成されてこれらを覆っており、保護層１７０はゲート絶縁膜１３０と一緒にドレイン電極１６３をあらわすコンタクトホール１７１を有する。このとき、コンタクトホール１７１はドレイン電極１６３の第２部分の一側を完全にあらわす。
【００４９】
次に、画素領域には透明導電物質からなる画素電極１８１が形成されている。画素電極１８１はコンタクトホール１７１を通してドレイン電極１６３と連結されており、前段のゲート配線１２１と重畳されてストレージキャパシタを形成して、また第１及び第２遮光パターン１２４、１２５、そしてドレイン電極１６３の第１部分とも一部重畳されている。ここで、第１及び第２遮光パターン１２４、１２５とドレイン電極１６３の第１部分は画素電極１８１と重畳することによって、液晶ディスプレイ装置の合着マージンを考慮したパネル設計の自由度を増やして光漏れを効果的に防止する役割をする。
【００５０】
このような液晶ディスプレイ装置用アレー基板は、４枚のマスクを利用して製造されるが、その製造過程に対して図６Ａ及び図６Ｂ、図７Ａないし図７Ｅ、図８Ａ及び図８Ｂ、そして先立った図４と図５を参照して詳細に説明する。
【００５１】
図６Ａ及び図６Ｂには本発明の実施例によって製造する最初段階におけるアレー基板に対する平面図及び断面図を各々示したが、図６Ｂは図６ＡでＶＩｂ−ＶＩｂ線に沿って切った断面に該当する。図示したように、ガラスのような透明基板１１０上に金属物質を蒸着して第１マスクを利用してパターニングすることによって、横方向のゲート配線１２１とゲート配線１２１から延びたゲート電極１２２、そして縦方向に延びている第１及び第２遮光パターン１２４、１２５を形成する。ここで、金属物質は比較的抵抗が低い物質を用いることが良いし、クロムとアルミニウムまたはクロムとアルミニウム合金の二重層で形成することができる。このとき、第２遮光パターン１２５はゲート配線１２１と連結されている。
【００５２】
次に、データ配線１６１とソース及びドレイン電極１６２、１６３、そしてオーミックコンタクト層１５１、１５２及び半導体層１４１を形成するが、このような過程を図７Ａないし図７Ｅに示した。
【００５３】
まず、図７Ｂに示したようにゲート絶縁膜１３０と非晶質シリコン層１４０及び不純物でドーピングされた非晶質シリコン層１５０を順に蒸着して、金属層１６０をスパッタリングのような方法で蒸着した後、感光膜を塗布して第２マスクを利用して露光及び現像して感光膜パターン１９１、１９２を形成する。
【００５４】
ここで、データ配線とソース及びドレイン電極が形成される部分には最も厚い厚さを有する第１感光膜パターン１９１が形成されて、ソース及びドレイン電極間のチャネルが形成される部分には第１感光膜パターン１９１より薄い厚さを有する第２感光膜パターン１９２が形成され、残り部分ではすべて除去されている。
【００５５】
このように厚さが異なる感光膜パターンを一度に形成するために、チャネルが形成される部分に対応する領域に微細パターンが形成されたマスクを利用することができるが、このような本発明による第２マスクについて図９に示した。ここで、図９の第２マスクはソース及びドレイン電極と対応する部分を拡大図示したものである。
【００５６】
図示したように、第２マスク２００はデータ配線とソース及びドレイン電極に対応する部分に形成されて光を遮断する遮光パターン２６１、２６２、２６３と、薄膜トランジスタのチャネルに対応する部分内に形成されている微細パターン２６４を含む。したがって、チャネルに対応する部分では微細パターン２６４によって露光器の分解能より狭い幅を有するスリット２６５ａ、２６５ｂが形成されて、光の回折現像によって露光される光の量が少ないために、第１感光膜パターン(図７Ｂの１９１)より薄い厚さを有する第２感光膜パターン(図７Ｂの１９２)が形成される。
【００５７】
ここで、スリット２６５ａ、２６５ｂを通過した光が球面波の形態を有するようになるので、パターンの再現性を確保するためにはチャネルをラウンディングされた“Ｕ”字形態にすることが望ましい。このとき、“Ｕ”字形態は対称形態をなす。
【００５８】
微細パターン２６４の幅ｂ、ｅは約１．５μｍであり、スリット２６５ａ、２６５ｂの間隔ａ、ｃ、ｄは約１．３μｍであるが、チャネルの幅が一定間隔を有するように形成するためにコーナー部分のドレイン電極と隣接した部分の幅ｆは約１．１μｍで他の部分に比べて狭い幅を有するようにする。
【００５９】
次に、図７Ｃに示したように感光膜パターン１９１、１９２に覆われない部分の金属層(図７Ｂの１６０)と不純物がドーピングされた非晶質シリコン層(図７Ｂの１５０)、そして非晶質シリコン層(図７Ｂの１４０)をエッチングして導電パターン１６５と不純物半導体層１５５、そして半導体層１４１を形成する。ここで、半導体層１４１はアクティブ層になる。このとき、金属層(図７Ｂの１６０)はドライエッチングによって除去されることができるようにモリブデン(Ｍｏ)で形成することが望ましい。
【００６０】
次に、図７Ｄに示したように第２感光膜パターン１９２を除去する。このとき、第２感光膜パターン１９２の除去はアッシング(ａｓhｉｎｇ)のような方法を利用することができ、第１感光膜パターン１９１も一緒に除去されて第１感光膜パターン１９１の厚さが薄くなる場合もある。
【００６１】
次に、図７Ｅに示したようにあらわれた導電パターン１６５とその下部の不純物半導体層１５５を除去してデータ配線１６１とソース及びドレイン電極１６２、１６３、そしてオーミックコンタクト層１５１、１５２を完成した後、残っている第１感光膜パターン１９１を除去する。
【００６２】
次に、図８Ａ及び図８Ｂに示したようにシリコン窒化膜やシリコン酸化膜または有機絶縁膜を蒸着した後に、第３マスクを利用した写真エッチング工程でパターニングしてドレイン電極１６３を一部あらわすコンタクトホール１７１を有する保護層１７０を形成する。
【００６３】
続いて、図４及び図５に示したようにインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）のような透明導電物質を蒸着して第４マスクを利用した写真エッチング工程で画素電極１８１を形成するが、画素電極１８１はコンタクトホール１７１を通してドレイン電極１６３と連結されて、ゲート配線１２１と重畳してストレージキャパシタを形成し、遮光パターン１２４、１２５及びドレイン電極１６３の一部とも重畳されている。
【００６４】
このように、液晶ディスプレイ装置用アレー基板を４枚のマスクを利用して製造することによって製造工程を減少させることができ、チャネルを“Ｕ”字形態にして回折露光を利用することによって生産収率を向上させることができる。
【００６５】
本発明は前記した実施例に限らず、本発明の精神を外れない範囲において多様な変化と変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】一般的な液晶ディスプレイ装置用アレー基板の平面図。
【図２】図１でＩＩ−ＩＩ線に沿って切った断面図。
【図３Ａ】従来の液晶ディスプレイ装置用アレー基板を製造する工程を示した断面図。
【図３Ｂ】従来の液晶ディスプレイ装置用アレー基板を製造する工程を示した断面図。
【図３Ｃ】従来の液晶ディスプレイ装置用アレー基板を製造する工程を示した断面図。
【図３Ｄ】従来の液晶ディスプレイ装置用アレー基板を製造する工程を示した断面図。
【図３Ｅ】従来の液晶ディスプレイ装置用アレー基板を製造する工程を示した断面図。
【図４】本発明による液晶ディスプレイ装置用アレー基板の平面図。
【図５】図４でＶ−Ｖ線に沿って切った断面図。
【図６Ａ】本発明によってアレー基板を製造する工程を示した図面。
【図６Ｂ】本発明によってアレー基板を製造する工程を示した図面。
【図７Ａ】本発明によってアレー基板を製造する工程を示した図面。
【図７Ｂ】本発明によってアレー基板を製造する工程を示した図面。
【図７Ｃ】本発明によってアレー基板を製造する工程を示した図面。
【図７Ｄ】本発明によってアレー基板を製造する工程を示した図面。
【図７Ｅ】本発明によってアレー基板を製造する工程を示した図面。
【図８Ａ】本発明によってアレー基板を製造する工程を示した図面。
【図８Ｂ】本発明によってアレー基板を製造する工程を示した図面。
【図９】本発明によるマスクの構造を示した図面。
【符号の説明】
【００６７】
１１０:基板
１２１:ゲート配線
１２２:ゲート電極
１３０:ゲート絶縁膜
１４１:アクティブ層
１５１、１５２:オーミックコンタクト層
１６１:データ配線
１６２:ソース電極
１６３:ドレイン電極
１７０:保護層
１７１:コンタクトホール
１８１:画素電極
【図１】
2008282052.tif 000003
【図２】
2008282052.tif 000004
【図３Ａ】
2008282052.tif 000005
【図３Ｂ】
2008282052.tif 000006
【図３Ｃ】
2008282052.tif 000007
【図３Ｄ】
2008282052.tif 000008
【図３Ｅ】
2008282052.tif 000009
【図４】
2008282052.tif 000010
【図５】
2008282052.tif 000011
【図６Ａ】
2008282052.tif 000012
【図６Ｂ】
2008282052.tif 000013
【図７Ａ】
2008282052.tif 000014
【図７Ｂ】
2008282052.tif 000015
【図７Ｃ】
2008282052.tif 000016
【図７Ｄ】
2008282052.tif 000017
【図７Ｅ】
2008282052.tif 000018
【図８Ａ】
2008282052.tif 000019
【図８Ｂ】
2008282052.tif 000020
【図９】
2008282052.tif 000021