(57)【要約】【課題】ＦＣＣの規格を満たすことができる高性能なＵＷＢ用反射型バンドパスフィルターの提供。【解決手段】導体層と誘電体層とが積層された基板の該誘電体層上に、不均一な幅を有する導体からなるマイクロストリップ線路が設けられた超広帯域無線情報通信用の反射型バンドパスフィルターであって、周波数ｆがｆ＜３．１ＧＨｚとｆ＞１０．６ＧＨｚの領域での反射率と、３．４ＧＨｚ≦ｆ≦１０．３ＧＨｚの領域での反射率との差の絶対値が１０ｄＢ以上になり、３．４ＧＨｚ≦ｆ≦１０．３ＧＨｚの領域で群遅延の変動が±０．２ｎｓ以内になるように前記マイクロストリップ線路の幅の長手方向分布が設定され、前記導体層と前記マイクロストリップ線路とが２．１μｍ以上の厚さの銅箔からなることを特徴とする反射型バンドパスフィルター。【選択図】図１
2008136062.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層と誘電体層とが積層された基板の該誘電体層上に、不均一な幅を有する導体からなるマイクロストリップ線路が設けられた超広帯域無線情報通信用の反射型バンドパスフィルターであって、
周波数ｆがｆ＜３．１ＧＨｚとｆ＞１０．６ＧＨｚの領域での反射率と、３．４ＧＨｚ≦ｆ≦１０．３ＧＨｚの領域での反射率との差の絶対値が１０ｄＢ以上になり、３．４ＧＨｚ≦ｆ≦１０．３ＧＨｚの領域で群遅延の変動が±０．２ｎｓ以内になるように前記マイクロストリップ線路の幅の長手方向分布が設定され、
前記導体層と前記マイクロストリップ線路とが２．１μｍ以上の厚さの銅箔からなることを特徴とする反射型バンドパスフィルター。
【請求項２】
導体層と誘電体層とが積層された基板の該誘電体層上に、不均一な幅を有する導体からなるマイクロストリップ線路が設けられた超広帯域無線情報通信用の反射型バンドパスフィルターであって、
周波数ｆがｆ＜３．１ＧＨｚとｆ＞１０．６ＧＨｚの領域での反射率と、３．６ＧＨｚ≦ｆ≦１０．１ＧＨｚの領域での反射率との差の絶対値が１０ｄＢ以上になり、３．６ＧＨｚ≦ｆ≦１０．１ＧＨｚの領域で群遅延の変動が±０．２ｎｓ以内になるように前記マイクロストリップ線路の幅の長手方向分布が設定され、
前記導体層と前記マイクロストリップ線路とが２．１μｍ以上の厚さの銅箔からなることを特徴とする反射型バンドパスフィルター。
【請求項３】
導体層と誘電体層とが積層された基板の該誘電体層上に、不均一な幅を有する導体からなるマイクロストリップ線路が設けられた超広帯域無線情報通信用の反射型バンドパスフィルターであって、
周波数ｆがｆ＜３．１ＧＨｚとｆ＞１０．６ＧＨｚの領域での反射率と、４．０ＧＨｚ≦ｆ≦９．７ＧＨｚの領域での反射率との差の絶対値が１０ｄＢ以上になり、４．０ＧＨｚ≦ｆ≦９．７ＧＨｚの領域で群遅延の変動が±０．２ｎｓ以内になるように前記マイクロストリップ線路の幅の長手方向分布が設定され、
前記導体層と前記マイクロストリップ線路とが２．１μｍ以上の厚さの銅箔からなることを特徴とする反射型バンドパスフィルター。
【請求項４】
入力端伝送線路の特性インピーダンスＺｃが１０Ω≦Ｚｃ≦３００Ωであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の反射型バンドパスフィルター。
【請求項５】
終端で前記特性インピーダンスと同じ値をもつ抵抗あるいは無反射終端で終端されたことを特徴とする請求項４に記載の反射型バンドパスフィルター。
【請求項６】
前記基板の誘電体層は、厚さｈが０．５ｍｍ≦ｈ≦１０ｍｍ、比誘電率εｒが１≦εｒ≦５００であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の反射型バンドパスフィルター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超広帯域（Ultra Wide Band：ＵＷＢ）無線情報通信用（以下、ＵＷＢ用と記す。）の反射型バンドパスフィルターに関するものである。このＵＷＢ用反射型バンドパスフィルターを使用することにより、米国連邦通信委員会（ＦＣＣ）が定めたスペクトルマスクを満足させることができる。
【背景技術】
【０００２】
本発明に係る従来技術としては、例えば特許文献１〜９に開示された技術が知られている。
また、非特許文献１には、ＵＷＢ用広帯域バンドパスフィルターとして、デュアルモード型マイクロストリップで実現したバンドパスフィルターが報告されている。
【特許文献１】米国特許第２４１１５５５号明細書
【特許文献２】特開昭５６−６４５０１号公報
【特許文献３】特開平９−１７２３１８号公報
【特許文献４】特開平９−２３２８２０号公報
【特許文献５】特開平１０−６５４０２号公報
【特許文献６】特開平１０−２４２７４６号公報
【特許文献７】特開２０００−４１０８号公報
【特許文献８】特開２０００−１０１３０１号公報
【特許文献９】特開２００２−４３８１０号公報
【非特許文献１】C-Y. Chen and C-Y. Hsu, "Design of a UWB low inserion loss bandpass filter with spurious response suppression," Microwave J., pp. 112-116, Feb. 2006
【非特許文献２】G-B. Xiao, K. Yashiro, N. Guan and S. Ohkawa, "An effective method for designing nonuniformly coupled transmission-line filters," IEEE Trans. Microwave Theory tech., vol.49, pp. 1027-1031, June 2001.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、通過帯域は約３ＧＨｚから５．５ＧＨｚまでとなっており、ＦＣＣで規定されている帯域と比較すると、通過帯域が狭く、ＵＷＢ全領域をカバーすることができない。また、設計手法が複雑であり、実現することが難しいという問題がある。
【０００４】
本発明は、前記事情に鑑みてなされ、ＦＣＣの規格を満たすことができる高性能なＵＷＢ用反射型バンドパスフィルターの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記目的を達成するため、本発明は、導体層と誘電体層とが積層された基板の該誘電体層上に、不均一な幅を有する導体からなるマイクロストリップ線路が設けられた超広帯域無線情報通信用の反射型バンドパスフィルターであって、
周波数ｆがｆ＜３．１ＧＨｚとｆ＞１０．６ＧＨｚの領域での反射率と、３．４ＧＨｚ≦ｆ≦１０．３ＧＨｚの領域での反射率との差の絶対値が１０ｄＢ以上になり、３．４ＧＨｚ≦ｆ≦１０．３ＧＨｚの領域で群遅延の変動が±０．２ｎｓ以内になるように前記マイクロストリップ線路の幅の長手方向分布が設定され、
前記導体層と前記マイクロストリップ線路とが２．１μｍ以上の厚さの銅箔からなることを特徴とする反射型バンドパスフィルターを提供する。
【０００６】
また本発明は、導体層と誘電体層とが積層された基板の該誘電体層上に、不均一な幅を有する導体からなるマイクロストリップ線路が設けられた超広帯域無線情報通信用の反射型バンドパスフィルターであって、
周波数ｆがｆ＜３．１ＧＨｚとｆ＞１０．６ＧＨｚの領域での反射率と、３．６ＧＨｚ≦ｆ≦１０．１ＧＨｚの領域での反射率との差の絶対値が１０ｄＢ以上になり、３．６ＧＨｚ≦ｆ≦１０．１ＧＨｚの領域で群遅延の変動が±０．２ｎｓ以内になるように前記マイクロストリップ線路の幅の長手方向分布が設定され、
前記導体層と前記マイクロストリップ線路とが２．１μｍ以上の厚さの銅箔からなることを特徴とする反射型バンドパスフィルターを提供する。
【０００７】
また本発明は、導体層と誘電体層とが積層された基板の該誘電体層上に、不均一な幅を有する導体からなるマイクロストリップ線路が設けられた超広帯域無線情報通信用の反射型バンドパスフィルターであって、
周波数ｆがｆ＜３．１ＧＨｚとｆ＞１０．６ＧＨｚの領域での反射率と、４．０ＧＨｚ≦ｆ≦９．７ＧＨｚの領域での反射率との差の絶対値が１０ｄＢ以上になり、４．０ＧＨｚ≦ｆ≦９．７ＧＨｚの領域で群遅延の変動が±０．２ｎｓ以内になるように前記マイクロストリップ線路の幅の長手方向分布が設定され、
前記導体層と前記マイクロストリップ線路とが２．１μｍ以上の厚さの銅箔からなることを特徴とする反射型バンドパスフィルターを提供する。
【０００８】
本発明の反射型バンドパスフィルターにおいて、入力端伝送線路の特性インピーダンスＺｃが１０Ω≦Ｚｃ≦３００Ωであることが好ましい。
【０００９】
本発明の反射型バンドパスフィルターにおいて、終端で前記特性インピーダンスと同じ値をもつ抵抗あるいは無反射終端で終端されたことが好ましい。
【００１０】
本発明の反射型バンドパスフィルターにおいて、前記基板の誘電体層は、厚さｈが０．５ｍｍ≦ｈ≦１０ｍｍ、比誘電率εｒが１≦εｒ≦５００であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の反射型バンドパスフィルターは、ストリップバンドリジェクションが１０ｄＢ以上、かつ群遅延の変動が±０．２ｎｓ以内となり、ＦＣＣが規定するＵＷＢ用フィルターを実現できる。
本発明の反射型バンドパスフィルターは、窓関数の手法を応用し、不均一マイクロストリップ線路で構成された反射型バンドパスフィルターを設計することにより、製造誤差の許容が大きくても、従来のフィルターと比べると、ストリップリジェクションが大きく、透過帯域内の群遅延の変動が小さくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
図１は、本発明の反射型バンドパスフィルターの概略構成を示す斜視図である。図中符号１は反射型バンドパスフィルター、２は基板、３は導体層、４は誘電体層、５はマイクロストリップ線路である。
【００１３】
本実施形態の反射型バンドパスフィルター１は、導体層３と誘電体層４とが積層された基板２の該誘電体層４上に、不均一な幅を有する導体からなるマイクロストリップ線路５が設けられたＵＷＢ用の反射型バンドパスフィルターであり、
（１）周波数ｆがｆ＜３．１ＧＨｚとｆ＞１０．６ＧＨｚの領域での反射率と、３．４ＧＨｚ≦ｆ≦１０．３ＧＨｚの領域での反射率との差の絶対値が１０ｄＢ以上になり、３．４ＧＨｚ≦ｆ≦１０．３ＧＨｚの領域で群遅延の変動が±０．２ｎｓ以内になるように、又は、
（２）周波数ｆがｆ＜３．１ＧＨｚとｆ＞１０．６ＧＨｚの領域での反射率と、３．６ＧＨｚ≦ｆ≦１０．１ＧＨｚの領域での反射率との差の絶対値が１０ｄＢ以上になり、３．６ＧＨｚ≦ｆ≦１０．１ＧＨｚの領域で群遅延の変動が±０．２ｎｓ以内になるように、又は、
（３）周波数ｆがｆ＜３．１ＧＨｚとｆ＞１０．６ＧＨｚの領域での反射率と、４．０ＧＨｚ≦ｆ≦９．７ＧＨｚの領域での反射率との差の絶対値が１０ｄＢ以上になり、４．０ＧＨｚ≦ｆ≦９．７ＧＨｚの領域で群遅延の変動が±０．２ｎｓ以内になるように、前記マイクロストリップ線路５の幅の長手方向分布を設定し、かつ導体層３とマイクロストリップ線路５とが２．１μｍ以上の厚さの銅箔からなることを特徴とする。
【００１４】
図１に示す反射型バンドパスフィルター１の伝送線路は、図２のような不均一分布定数回路で表すことができる。
図２より、線路電圧ｖ（ｚ，ｔ）、線路電流ｉ（ｚ，ｔ）に、次の関係式（１）が成り立つ。
【００１５】
【数１】
2008136062.tif 000003
【００１６】
ただし、Ｌ（ｚ），Ｃ（ｚ）は、それぞれ伝送線路における単位長さ当たりのインダクタンス及びキャパシタンスである。ここで、次式（２）の関数
【００１７】
【数２】
2008136062.tif 000004
【００１８】
を導入する。ただし、Ｚ（ｚ）＝√Ｌ（ｚ）／Ｃ（ｚ）は局所特性インピーダンスであり、φ１，φ２はそれぞれ＋ｚ，−ｚ方向に伝搬する電力波振幅である。
これを式（１）に代入すると、次式（３）が得られる。
【００１９】
【数３】
2008136062.tif 000005
【００２０】
ただし、ｃ（ｚ）＝１／√Ｌ（ｚ）／Ｃ（ｚ）である。ここで時間因子をｅｘｐ（ｊωｔ）とおき、次式（４）の通り変数変換
【００２１】
【数４】
2008136062.tif 000006
【００２２】
を行うと、次式（５）のようなＺａｋｈａｒｏｖ−Ｓｈａｂａｔ方程式を得る：
【００２３】
【数５】
2008136062.tif 000007
【００２４】
ただし、ｑ（ｘ）は次式（６）の通りである。
【００２５】
【数６】
2008136062.tif 000008
【００２６】
Ｚａｋｈａｒｏｖ−Ｓｈａｂａｔの逆問題とは、上式を満足する解のスペクトルデータからポテンシャルｑ（ｘ）を合成することである（非特許文献２参照。）。すなわち、不均一伝送線路の設計問題もＺａｋｈａｒｏｖ−Ｓｈａｂａｔの逆散乱問題を解くことに帰着される。ポテンシャルｑ（ｘ）が求められれば、局所特性インピーダンスが次式（７）のように求められる。
【００２７】
【数７】
2008136062.tif 000009
【００２８】
それを非均一マイクロストリップ線路で実現すれば、所望のフィルターが得られる。
以下、本発明に係る実施例に基づいて、本発明を更に詳細に説明する。以下に記す各実施例は、あくまでも本発明の例示に過ぎず、本発明はこれらの実施例の記載にのみ限定されるものではない。
【実施例１】
【００２９】
周波数ｆが３．３ＧＨｚ≦ｆ≦１０．４ＧＨｚの領域で反射率が１で、その他の領域で０とし、また、導波路長が１ＧＨｚ時１波長とし、システムの特性インピーダンスが５０Ωとして、設計を行った。図３は厚さｈ＝０．６３５ｍｍ、比誘電率εｒ＝１０．２の基板（例えば、ＲＴ／ｄｕｒｏｉｄ（登録商標）６０１０ＬＭ）を使用した場合のストリップ線路の幅を示す。また表１〜３はその寸法のリストを示す。
【００３０】
【表１】
2008136062.tif 000010
【００３１】
【表２】
2008136062.tif 000011
【００３２】
【表３】
2008136062.tif 000012
【００３３】
図４は、本実施例で作製した反射型バンドパスフィルターにおけるマイクロストリップ線路の形状を表す。この反射型バンドパスフィルターの終端（位置（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ）が１１３．９３ｍｍの端面）以降には、無反射終端、あるいはＲ＝５０Ωの抵抗で終端されている。また、マイクロストリップ線路を構成する導体および基板の導体層に用いる金属は、ｆ＝１ＧＨｚでスキンデップスδｓ＝√２／（ωμ０σ）より十分厚いものとする。ここでω、μ０、σはそれぞれ角周波数、真空内の透磁率、金属の誘電率を表す。たとえば、銅を使用した場合、厚さが２．１μｍ以上とする。また、この反射型バンドパスフィルターは特性インピーダンスが５０Ωのシステムで使用するものとする。
【００３４】
図５と図６はそれぞれデバイス反射波（Ｓ１１）の振幅特性と群遅延性を表す。図示のように、周波数ｆは３．４ＧＨｚ≦ｆ≦１０．３ＧＨｚの帯域では、反射率は−０．５ｄＢ以上であり、群遅延の変動は±０．１ｎｓ以内である。ｆ＜３．１ＧＨｚあるいはｆ＞１０．６ＧＨｚの領域では、反射率は−１０ｄＢ以下である。
【実施例２】
【００３５】
周波数ｆが３．３ＧＨｚ≦ｆ≦１０．４ＧＨｚの領域で反射率が１で、その他の領域で０とし、また導波路長が１ＧＨｚ時１波長とし、システムの特性インピーダンスが３０Ωとして、設計を行った。図７は厚さｈ＝０．６３５ｍｍ、比誘電率εｒ＝１０．２の基板（例えば、ＲＴ／ｄｕｒｏｉｄ（登録商標）６０１０ＬＭ）を使用した場合のストリップ線路の幅を示す。表４〜６はその寸法リストを示す。
【００３６】
【表４】
2008136062.tif 000013
【００３７】
【表５】
2008136062.tif 000014
【００３８】
【表６】
2008136062.tif 000015
【００３９】
図８は、本実施例で作製した反射型バンドパスフィルターにおけるマイクロストリップ線路の形状を表す。この反射型バンドパスフィルターの終端（位置（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ）が１０８．９９ｍｍの端面）以降に無反射終端、あるいはＲ＝３０Ωの抵抗で終端されている。また、マイクロストリップ線路を構成する導体および基板の導体層に用いる金属は、ｆ＝１ＧＨｚでスキンデップスδｓ＝√２／（ωμ０σ）より十分厚いものとする。ここでω、μ０、σはそれぞれ角周波数、真空内の透磁率、金属の誘電率を表す。たとえば、銅を使用した場合、厚さが２．１μｍ以上とする。また、この反射型バンドパスフィルターは特性インピーダンスが３０Ωのシステムで使用するものとする。
【００４０】
図９と１０はそれぞれデバイス反射波（Ｓ１１）の振幅特性を表す。図示のように、周波数ｆは３．４ＧＨｚ≦ｆ≦１０．３ＧＨｚの帯域では、反射率は−０．５ｄＢ以上であり、群遅延の変動は±０．１ｎｓ以下である。ｆ＜３．１あるいはｆ＞１０．６ＧＨｚの領域では、−１０ｄＢ以下である。
【実施例３】
【００４１】
周波数ｆが３．３ＧＨｚ≦ｆ≦１０．４ＧＨｚの領域で反射率が０．９５で、その他の領域で０とし、また、導波路長が１ＧＨｚ時１波長とし、システムの特性インピーダンスが５０Ωとして、設計を行った。図１１は厚さｈ＝１．２７ｍｍ、比誘電率εｒ＝６．１５の基板（例えば、ＲＴ／ｄｕｒｏｉｄ（登録商標）６００６）を使用した場合のストリップ線路の幅を示す。表７〜９はその寸法のリストを示す。
【００４２】
【表７】
2008136062.tif 000016
【００４３】
【表８】
2008136062.tif 000017
【００４４】
【表９】
2008136062.tif 000018
【００４５】
図１２は、本実施例で作製した反射型バンドパスフィルターにおけるマイクロストリップ線路の形状を表す。この反射型バンドパスフィルターの終端（位置（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ）が１４１．５６ｍｍの端面）以降に無反射終端、あるいはＲ＝５０Ωの抵抗で終端されている。また、マイクロストリップ線路を構成する導体および基板の導体層に用いる金属は、ｆ＝１ＧＨｚでスキンデップスより十分厚いものとする。たとえば、銅を使用した場合、厚さが２．１μｍ以上とする。また、この反射型バンドパスフィルターは特性インピーダンスが５０Ωのシステムで使用するものとする。
【００４６】
図１３と１４はそれぞれデバイス反射波（Ｓ１１）の振幅特性と群遅延特性を表す。図示のように、周波数ｆは３．６ＧＨｚ≦ｆ≦１０．１ＧＨｚの帯域では、反射率は−１ｄＢ以上であり、群遅延の変動は±０．１ｎｓ以内である。ｆ＜３．１ＧＨｚあるいはｆ＞１０．６ＧＨｚの領域では、反射率は−１５ｄＢ以下である。
【実施例４】
【００４７】
周波数ｆが３．６ＧＨｚ≦ｆ≦１０．１ＧＨｚの領域で反射率が１で、その他の領域で０とし、また、導波路長が１ＧＨｚ時１波長とし、システムの特性インピーダンスが５０Ωとして、設計を行った。図１５は厚さｈ＝０．６３５ｍｍ、比誘電率εｒ＝１０．２の基板（例えば、ＲＴ／ｄｕｒｏｉｄ（登録商標）６０１０ＬＭ）を使用した場合のストリップ線路の幅を示す。表１０はその寸法のリストを示す。
【００４８】
【表１０】
2008136062.tif 000019
【００４９】
図１６は、本実施例で作製した反射型バンドパスフィルターにおけるマイクロストリップ線路の形状を表す。この反射型バンドパスフィルターの終端（位置（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ）が３４．０３ｍｍの端面）以降に無反射終端、あるいはＲ＝５０Ωの抵抗で終端されている。また、マイクロストリップ線路を構成する導体および基板の導体層に用いる金属は、ｆ＝１ＧＨｚでスキンデップスより十分厚いものとする。たとえば、銅を使用した場合、厚さが２．１μｍ以上とする。また、この反射型バンドパスフィルターは特性インピーダンスが５０Ωのシステムで使用するものとする。
【００５０】
図１７と１８はそれぞれデバイス反射波（Ｓ１１）の振幅特性と群遅延特性を表す。図示のように、周波数ｆは３．９ＧＨｚ≦ｆ≦９．８ＧＨｚの帯域では、反射率は−２ｄＢ以上であり、群遅延の変動は±０．１５ｎｓ以内である。ｆ＜３．１ＧＨｚあるいはｆ＞１０．６ＧＨｚの領域では、反射率は−１３ｄＢ以下である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の反射型バンドパスフィルターの一実施形態を示す斜視図である。
【図２】不均一伝送線路の等価回路図である。
【図３】実施例１の反射型バンドパスフィルターにおけるマイクロストリップ線路の幅方向分布を示すグラフである。
【図４】実施例１の反射型バンドパスフィルターにおけるマイクロストリップ線路の平面形状を示すグラフである。
【図５】実施例１の反射型バンドパスフィルターにおける反射波の振幅特性を示すグラフである。
【図６】実施例１の反射型バンドパスフィルターにおける反射波の群遅延特性を示すグラフである。
【図７】実施例２の反射型バンドパスフィルターにおけるマイクロストリップ線路の幅方向分布を示すグラフである。
【図８】実施例２の反射型バンドパスフィルターにおけるマイクロストリップ線路の平面形状を示すグラフである。
【図９】実施例２の反射型バンドパスフィルターにおける反射波の振幅特性を示すグラフである。
【図１０】実施例２の反射型バンドパスフィルターにおける反射波の群遅延特性を示すグラフである。
【図１１】実施例３の反射型バンドパスフィルターにおけるマイクロストリップ線路の幅方向分布を示すグラフである。
【図１２】実施例３の反射型バンドパスフィルターにおけるマイクロストリップ線路の平面形状を示すグラフである。
【図１３】実施例３の反射型バンドパスフィルターにおける反射波の振幅特性を示すグラフである。
【図１４】実施例３の反射型バンドパスフィルターにおける反射波の群遅延特性を示すグラフである。
【図１５】実施例４の反射型バンドパスフィルターにおけるマイクロストリップ線路の幅方向分布を示すグラフである。
【図１６】実施例４の反射型バンドパスフィルターにおけるマイクロストリップ線路の平面形状を示すグラフである。
【図１７】実施例４の反射型バンドパスフィルターにおける反射波の振幅特性を示すグラフである。
【図１８】実施例４の反射型バンドパスフィルターにおける反射波の群遅延特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５２】
１…反射型バンドパスフィルター、２…基板、３…導体層、４…誘電体層、５…マイクロストリップ線路。
【図１】
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【図２】
2008136062.tif 000021
【図３】
2008136062.tif 000022
【図４】
2008136062.tif 000023
【図５】
2008136062.tif 000024
【図６】
2008136062.tif 000025
【図７】
2008136062.tif 000026
【図８】
2008136062.tif 000027
【図９】
2008136062.tif 000028
【図１０】
2008136062.tif 000029
【図１１】
2008136062.tif 000030
【図１２】
2008136062.tif 000031
【図１３】
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【図１４】
2008136062.tif 000033
【図１５】
2008136062.tif 000034
【図１６】
2008136062.tif 000035
【図１７】
2008136062.tif 000036
【図１８】
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