(57)【要約】【課題】ピンホールのない酸化膜を基板に形成できるデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】インクを噴射するノズル開口に連通する圧力発生室１２が形成される流路形成基板１０と、流路形成基板１０の一方面側に設けられて圧力発生室１２に圧力を付与する圧電素子３００と、シリコン基板からなり流路形成基板１０の前記一方面側に接合される保護基板３０とを具備するインクジェット式記録ヘッドの製造方法であって、保護基板３０の表面を熱酸化して二酸化シリコン膜１５０ａ、１５０ｂを形成する成膜工程と、保護基板３０に形成された二酸化シリコン膜をエッチングして厚さ方向の一部を除去する洗浄工程とを交互に繰り返すことにより保護膜１５０を所定膜厚に形成する。【選択図】図６
2008110502.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に所定膜厚の酸化膜からなる保護膜を介して配線パターンが形成されたデバイスの製造方法であって、
前記基板の表面に酸化膜を形成する成膜工程と、
前記基板に形成された前記酸化膜をエッチングして厚さ方向の一部を除去する洗浄工程とを交互に繰り返すことにより所定膜厚の保護膜を形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項２】
液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室が形成される流路形成基板と、前記流路形成基板の一方面側に設けられて前記圧力発生室に圧力を付与する圧力発生手段と、前記流路形成基板の前記一方面側に接合される接合基板とを具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記接合基板の表面に酸化膜を形成する成膜工程と、
前記接合基板に形成された前記酸化膜をエッチングして厚さ方向の一部を除去する洗浄工程とを交互に繰り返すことにより所定膜厚の保護膜を形成することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載する液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記接合基板の表面に前記保護膜を介して前記圧力発生手段に接続される駆動配線を形成する工程を更に具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項４】
請求項２又は請求項３に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記接合基板は、前記圧力発生室に連通するリザーバ部が形成された保護基板であり、当該保護基板に前記保護膜を形成することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４の何れか一項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、
２度の成膜工程を実施することにより前記所定膜厚の保護膜を形成し、且つ１度目の洗浄工程後の前記酸化膜の膜厚が前記所定膜厚の略半分であるように１度目の成膜工程と１度目の洗浄工程とを実施することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、プリンタ、ファクシミリ、複写装置等に用いられる液体噴射ヘッドであるインクジェット式記録ヘッドとしては、インク滴を吐出させるためのメカニズムに応じて各種方式のものが知られている。このようなインクジェット式記録ヘッドとしては、例えば、ノズル開口に連通する圧力発生室が形成される流路形成基板と、この流路形成基板の一方面側に形成される圧電素子と、流路形成基板の圧電素子側に接合されて圧電素子の駆動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部と、圧力発生室の共通のインク室であるリザーバの一部を構成するリザーバ部とを有する保護基板と、保護基板上に接着剤を介して接着されてリザーバ部の開口を封止する可撓部を有するコンプライアンス基板と、保護基板の表面に形成されて圧電素子と電気的に接続された駆動配線とで構成されたものがある（特許文献１参照）。
【０００３】
上述の構造をもつインクジェット式記録ヘッドは、実際には、流路形成基板が複数一体的に形成される流路形成基板用ウェハと、保護基板が複数一体的に形成される保護基板用ウェハとを接合して、複数個同時に組み立てられ、これを一つのチップサイズに分割することで一度に複数個製造される。
【０００４】
このインクジェット式記録ヘッドの製造工程には、保護基板用ウェハを洗浄した後、拡散炉で熱酸化して酸化膜である絶縁膜を形成し、そして絶縁膜上に駆動配線を所定パターンで形成し、この駆動配線上に圧電素子を駆動するための駆動回路を実装する工程がある。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１４８８１３号公報（図１、段落００２７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、保護基板用ウェハを洗浄してもその表面には金属等の異物が付着することがあり、この異物が付着したまま熱酸化を行うと、保護基板用ウェハの異物が付着した領域にはピンホールが生じ、駆動配線の絶縁不良の原因となっていた。また、保護基板のリザーバ部に形成された酸化膜は保護基板をインクから防護する機能を有しているが、ピンホール部分からインクが保護基板を侵食してしまい、ピンホールは酸化膜のインクからの防護機能を低下せしめるものであった。
【０００７】
なお、このような問題は、インク滴を吐出するインクジェット式記録ヘッドだけでなく、他の液滴を吐出する各種液体噴射ヘッドにおいても同様に存在し、また保護基板のみならず流路形成基板等の基板に酸化膜を形成する場合においても同様に存在する。
【０００８】
本発明は、上述の如き従来技術に鑑み、ピンホールのない酸化膜を基板に形成できるデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するための本発明の態様は、基板の表面に所定膜厚の酸化膜からなる保護膜を介して配線パターンが形成されたデバイスの製造方法であって、前記基板の表面に酸化膜を形成する成膜工程と、前記基板に形成された前記酸化膜をエッチングして厚さ方向の一部を除去する洗浄工程とを交互に繰り返すことにより所定膜厚の保護膜を形成することを特徴とするデバイスの製造方法にある。
【００１０】
かかる態様では、基板にピンホールのない酸化膜を形成できる。これにより、酸化膜を介して基板上に形成された配線パターンが短絡されるのを防止することができる。
【００１１】
上記目的を達成するための本発明の態様は、液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室が形成される流路形成基板と、前記流路形成基板の一方面側に設けられて前記圧力発生室に圧力を付与する圧力発生手段と、前記流路形成基板の前記一方面側に接合される接合基板とを具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記接合基板の表面に酸化膜を形成する成膜工程と、前記接合基板に形成された前記酸化膜をエッチングして厚さ方向の一部を除去する洗浄工程とを交互に繰り返すことにより所定膜厚の保護膜を形成することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる態様では、接合基板にピンホールのない保護膜を形成することができる。
【００１２】
ここで、前記接合基板の表面に前記保護膜を介して前記圧力発生手段に接続される駆動配線を形成する工程を更に有することが好ましい。
これによれば、保護膜を介して接合基板に形成された駆動配線が短絡することを防止でき、絶縁不良による誤動作の無い液体噴射ヘッドを形成することができる。
【００１３】
また、前記接合基板は、前記圧力発生室に連通するリザーバ部が形成された保護基板であり、当該保護基板に前記保護膜を形成することが好ましい。
これによれば、接合基板の表面が液体により侵食されることを防ぐことができ、この結果、信頼性の高い液体噴射ヘッドを製造することができる。
【００１４】
また、２度の成膜工程を実施することにより前記所定膜厚の保護膜を形成し、且つ１度目の洗浄工程後の前記酸化膜の膜厚が前記所定膜厚の略半分であるように１度目の成膜工程と１度目の洗浄工程とを実施することが好ましい。
これによれば、接合基板の異物が付着した領域に形成される保護膜の膜厚が所定膜厚の半分となる。これにより、当該膜厚が極端に薄くなることを回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
〈実施形態１〉
本発明の実施の形態に係る液体噴射ヘッドの一種であるインクジェット式記録ヘッドの製造方法を説明するのに先立ち当該インクジェット式記録ヘッドの一例を説明する。
【００１６】
図１は、本発明の実施形態１に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及びそのＡ−Ａ′断面図である。図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化によって二酸化シリコン（酸化膜）からなる厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。
【００１７】
流路形成基板１０には、他方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁１１によって区画された圧力発生室１２がその幅方向（短手方向）に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向一端部側には、インク供給路１４と連通路１５とが隔壁１１によって区画されている。また、連通路１５の一端には、各圧力発生室１２の共通のインク室（液体室）となるリザーバ１００の一部を構成する連通部１３が形成されている。すなわち、流路形成基板１０には、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５からなる液体流路が設けられている。
【００１８】
連通部１３は、後述する保護基板３０（接合基板）のリザーバ部３１と連通して各圧力発生室１２の共通の液体室となるリザーバ１００の一部を構成する。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路１４を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。さらに、各連通路１５は、インク供給路１４の圧力発生室１２とは反対側に連通し、インク供給路１４の幅方向（短手方向）より大きい断面積を有する。本実施形態では、連通路１５を圧力発生室１２と同じ断面積で形成した。
【００１９】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。
【００２０】
一方、このような流路形成基板１０のノズルプレート２０とは反対側の面には、上述したように、厚さが例えば約１．０μｍの弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、厚さが例えば、約０．４μｍの絶縁体膜５５が形成されている。さらに、この絶縁体膜５５上には、厚さが例えば、約０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約１．０μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子３００（圧力発生手段）を構成している。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。なお、上述した例では、弾性膜５０、絶縁体膜５５及び下電極膜６０が振動板として作用するが、弾性膜５０、絶縁体膜５５を設けずに、下電極膜６０のみを残して下電極膜６０を振動板としても良い。
【００２１】
また、このような各圧電素子３００の上電極膜８０には、流路形成基板１０のインク供給路１４とは反対側の端部近傍まで延設されたリード電極９０がそれぞれ接続されている。このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加される。
【００２２】
さらに、圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上には、連通部１３に対向する領域にリザーバ部３１が設けられた保護基板３０が接着剤３５を介して接合されている。このリザーバ部３１は、上述したように、流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００を構成している。また、流路形成基板１０の連通部１３を圧力発生室１２毎に複数に分割して、リザーバ部３１のみをリザーバとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板１０に圧力発生室１２のみを設け、流路形成基板１０と保護基板３０との間に介在する部材（例えば、弾性膜５０、絶縁体膜５５等）にリザーバと各圧力発生室１２とを連通するインク供給路１４を設けるようにしてもよい。
【００２３】
また、保護基板３０には、圧電素子３００に対向する領域に、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部３２が設けられている。なお、圧電素子保持部３２は、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。
【００２４】
また、保護基板３０上には、圧電素子３００に電気的に接続された駆動配線と後述する保護膜と（何れも図示せず）を介して圧電素子３００を駆動するための駆動回路１２０が実装されている。この駆動回路１２０としては、例えば、回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）等を用いることができる。そして、駆動回路１２０とリード電極９０とはボンディングワイヤ等の導電性ワイヤからなる接続配線１２１を介して電気的に接続されている。
【００２５】
保護基板３０としては、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料の面方位（１１０）のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００２６】
また、保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３１の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００２７】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路１２０からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、絶縁体膜５５、下電極膜６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。
【００２８】
以下、このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図３〜図５を参照して説明する。なお、図３〜図５は、インクジェット式記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【００２９】
まず、図３（ａ）に示すように、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなるシリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５１（熱酸化膜）を形成する。
【００３０】
次に、図３（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。具体的には、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、例えば、スパッタリング法等によりジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、５００〜１２００℃の拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）からなる絶縁体膜５５を形成する。
【００３１】
次いで、図３（ｃ）に示すように、例えば、白金（Ｐｔ）とイリジウム（Ｉｒ）とを絶縁体膜５５上に積層することにより下電極膜６０を形成した後、この下電極膜６０を所定形状にパターニングする。次に、図３（ｄ）に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層７０と、例えば、イリジウムからなる上電極膜８０とを流路形成基板用ウェハ１１０の全面に形成し、これら圧電体層７０及び上電極膜８０を、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を形成する。
【００３２】
また、圧電体層７０の形成方法は、特に限定されないが、例えば、本実施形態では、金
属有機物を溶媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼
成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧
電体層７０を形成した。なお、圧電体層７０の製造方法は、ゾル−ゲル法に限定されず、
例えば、ＭＯＤ（Metal-Organic Decomposition）法やスパッタリング法等を用いてもよい。
【００３３】
次に、図４（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って金膜（Ａｕ）を形成後、各圧電素子３００毎に金膜をパターニングしてリード電極９０を形成する。
【００３４】
次に、図４（ｂ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０を、流路形成基板用ウェハ１１０上に接着剤３５によって接着する。ここで、この保護基板用ウェハ１３０には、リザーバ部３１及び圧電素子保持部３２が予め形成されている。また保護基板用ウェハ１３０の流路形成基板用ウェハ１１０の表面には、後述する方法により所定膜厚の二酸化シリコン膜からなる保護膜１５０が形成されている。そして、この保護膜１５０上には図示しない駆動配線を介して駆動回路１２０が実装されている。なお、流路形成基板用ウェハ１１０は、保護基板用ウェハ１３０を接合することによって流路形成基板用ウェハ１１０の剛性は著しく向上する。
【００３５】
次いで、図４（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで薄くする。
【００３６】
次に、図５（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に、マスク２００を新たに形成し、所定形状にパターニングして開口部２０１を形成する。そして、図５（ｂ）に示すように、このマスク２００を介して流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチング（ウェットエッチング）することにより、流路形成基板用ウェハ１１０の開口部２０１に対応する領域に圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５を形成する。
【００３７】
このように、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５を形成した後は、マスク２００を除去し、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、これら流路形成基板用ウェハ１１０等を、図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって上述した構造のインクジェット式記録ヘッドが製造される。
【００３８】
ここで、上述した保護基板用ウェハ１３０に対して保護膜１５０を形成する方法について説明する。なお、最終的に必要とする保護膜１５０の膜厚を所定膜厚といい、本実施形態では所定膜厚を７７０ｎｍとした。
【００３９】
図６は、保護基板用ウェハ１３０の断面図であり、保護基板用ウェハ１３０に保護膜１５０を形成する工程を示している。まず、図６（ａ）に示すように、シリコン単結晶基板からなるシリコンウェハである保護基板用ウェハ１３０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、膜厚が所定膜厚の半分以上の膜厚となるまで二酸化シリコン膜１５０ａを形成する（成膜工程）。これにより、保護基板用ウェハ１３０の表面とリザーバ部３１の内周面とに保護膜１５０を構成する二酸化シリコン膜１５０ａが形成される。本実施形態では、二酸化シリコン膜１５０ａの膜厚を３９５ｎｍとした。これは所定膜厚の半分である３８５ｎｍに１０ｎｍ加えた厚さである。
【００４０】
なお、この成膜工程のとき、保護基板用ウェハ１３０の表面に金属などの異物１６０が付着していると、前記表面の異物１６０が付着した領域にはピンホール１６１が形成される。
【００４１】
次に、図６（ｂ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０をフッ化水素（ＨＦ）でエッチングし、二酸化シリコン膜１５０ａの一部を除去する（洗浄工程）。このとき、二酸化シリコン膜１５０ａの除去量が全面に亘って厚さ方向に１〜１０ｎｍ程度となることが好ましい。これにより、二酸化シリコン膜１５０ａの一部と共に異物１６０が除去される。本実施形態では除去量を１０ｎｍとし、その結果二酸化シリコン膜１５０ａの膜厚は３８５ｎｍとなっている。
【００４２】
次に、図６（ｃ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０に対して再度成膜工程を行う。すなわち保護基板用ウェハ１３０を約１１００℃の拡散炉で再度熱酸化し、膜厚が所定膜厚となるまで二酸化シリコン膜１５０ａを成長させる（図６中、二酸化シリコン膜１５０ａの２回目の熱酸化により成長した部分を二酸化シリコン膜１５０ｂとして表示した）。このように、１回目の成膜工程で生じた保護基板用ウェハ１３０のピンホール１６１の部分は、洗浄工程で異物１６０が除去されるため２回目の成膜工程で熱酸化され、ピンホール１６１が消滅する。
【００４３】
以上に説明したように、保護基板用ウェハ１３０の表面にピンホール１６１の無い保護膜１５０を形成することができる。詳言すると、この保護膜１５０の膜厚は、保護基板用ウェハ１３０のピンホール１６１が存在した領域では所定膜厚の半分の厚さとなり、それ以外の領域では所定膜厚となっている。そして、この保護膜１５０を介して駆動配線が保護基板用ウェハ１３０上に形成されることで駆動配線の短絡を防止することができ、この結果、絶縁不良による誤動作のないインクジェット式記録ヘッドを製造することができる。またリザーバ部３１の内周面に形成された保護膜１５０はピンホールが無いことから保護基板用ウェハ１３０のシリコン部分がインクにより侵食されることを防ぐことができ、この結果、信頼性の高いインクジェット式記録ヘッドを製造することができる。
【００４４】
なお、１回目と２回目の成膜工程で形成する各二酸化シリコン膜１５０ａ、１５０ｂの膜厚は合計が所定膜厚となることを条件にそれぞれ任意に決めてよいが、各膜厚の差が極端に大きくならないようにすることが望ましい。例えば二酸化シリコン膜１５０ａの膜厚が二酸化シリコン膜１５０ｂの膜厚よりも極端に大きい場合、保護膜１５０がピンホール１６１を塞いでいる部分の膜厚は比較的薄い二酸化シリコン膜１５０ｂの膜厚となるからである。逆に二酸化シリコン膜１５０ａの膜厚が二酸化シリコン膜１５０ｂの膜厚よりも極端に小さい場合、２回目の成膜工程において、保護基板用ウェハに新たな異物が付着した場合に、当該異物が付着した領域には二酸化シリコン膜１５０ｂが形成されにくい。このため、保護膜１５０の当該領域の膜厚は比較的薄い二酸化シリコン膜１５０ａの膜厚となってしまう。したがって、各二酸化シリコン膜１５０ａ、１５０ｂの膜厚はそれぞれ所定膜厚の半分であることが最も好ましい。
【００４５】
また、本実施形態では、成膜工程を２回行って保護膜１５０を形成したが、この回数は２回に限定されない。例えば、二酸化シリコン膜１５０ａをエッチングして異物１６０を除去した後に、非常に稀ではあるがそれとは異なる別の異物がピンホール１６１上に再度付着し、その後２回目の熱酸化を行ってもピンホール１６１が残ることを懸念する場合に、成膜工程が３回以上行われるよう成膜工程と洗浄工程とを交互に繰り返すことは有効である。ピンホールが残留する確率を限りなく低減することができるからである。さらに、本実施形態では、２回目の成膜工程が最後となったが、洗浄工程が最後となってもよい。すなわち最後の成膜工程では所定膜厚よりも厚く二酸化シリコン膜を形成し、その後洗浄工程では所定膜厚となるよう二酸化シリコン膜をエッチングして所定膜厚の保護膜を形成してもよい。
【００４６】
〈他の実施形態〉
上述した実施形態１では、保護基板用ウェハ１３０に保護膜１５０を成膜工程と洗浄工程とを繰り返して形成したが、流路形成基板用ウェハ１１０に二酸化シリコン膜５１（弾性膜５０）を形成する工程に適用してもよい。これにより、流路形成基板用ウェハ１１０にはピンホールのない弾性膜５０を形成することができる。例えば絶縁体膜５５を設けずに弾性膜５０のみを振動板とする場合であっても圧電素子３００の絶縁破壊を防ぐことができ、インクジェット式記録ヘッドの歩留まりを向上することができる。
【００４７】
また、本発明は、基板に設けられた振動板と圧電素子とからなるアクチュエータ装置を製造する場合にも適用することができる。
【００４８】
さらに、上述した実施形態１では、液体噴射ヘッドの製造方法の一例としてインクジェット式記録ヘッドの製造方法を挙げて説明したが、本発明は、広く液体噴射ヘッドの製造方法を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（電界放出ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【００４９】
また本発明は、液体噴射ヘッドを製造する場合のみならず、基板に酸化膜を形成してデバイスを形成する場合にも広く適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図。
【図２】図１の平面図及びそのＡ−Ａ′断面図。
【図３】実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図４】実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図５】実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図６】実施形態１に係る保護基板用ウェハの製造工程を示す断面図。
【符号の説明】
【００５１】
１０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  ３０  保護基板、  ３１  リザーバ部、  １００リザーバ  、  １１０  流路形成基板用ウェハ、  １２０  駆動回路、  １３０  保護基板用ウェハ、  １５０  保護膜、  １５０ａ、１５０ｂ  二酸化シリコン膜、  １６０  異物、  １６１  ピンホール、  ３００  圧電素子
【図１】
2008110502.tif 000003
【図２】
2008110502.tif 000004
【図３】
2008110502.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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