(57)【要約】【課題】一対の電極間に空隙部を形成している２枚のウエハの接合界面部の剥離を防止した高耐性の超音波トランスデューサを提供すること。【解決手段】本発明の超音波トランスデューサ２５は、一対の電極３１，３５間に配設された空隙部５１と、該空隙部と接し、超音波送受信面となる振動膜３８と、上記空隙部を介し上記振動膜と対向する位置にある基板と、上記空隙部の外周を形成する隔壁部と、を有し、上記隔壁部、及び該隔壁部と接触する上記基板表面部の少なくとも一部分を同一の絶縁材料により形成した。【選択図】  図６
2008110059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に配設された空隙部と、
該空隙部と接し、超音波送受信面となる振動膜と、
上記空隙部を介し上記振動膜と対向する位置にある基板と、
上記空隙部の外周を形成する隔壁部と、
を有し、
上記隔壁部、及び該隔壁部と接触する上記基板表面部の少なくとも一部分を同一の絶縁材料により形成したことを特徴とする超音波トランスデューサ。
【請求項２】
上記同一の絶縁材料は、酸化シリコンであることを特徴とする請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項３】
上記隔壁部、及び上記基板表面部の少なくとも一部分の酸化シリコンのうちの１方、又は両方が熱酸化シリコンであることを特徴とする請求項２に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項４】
上記一対の電極のうち、少なくとも一方の電極は低抵抗シリコンからなることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項５】
内視鏡挿入部に配設され、１つ、又は複数の超音波振動子エレメントを配列した構成の前記請求項１から請求項４の何れかに記載の超音波トランスデューサを備えたことを特徴とする超音波内視鏡。
【請求項６】
２枚の基板を接合して、一対の電極間に空隙部を形成する超音波トランスデューサの製造方法であって、
第１の電極が形成された第１の基板上に接合膜を形成し、
第２の電極が形成された第２の基板上に上記接合膜と同一の絶縁部材により上記空隙部の外周壁となる隔壁部を形成し、
上記第１の電極と上記第２の電極とが上記空隙部を介在して対向するように、上記第１の基板の上記接合膜、及び上記第２の基板の上記隔壁部の夫々を表面活性化接合したことを特徴とする超音波トランスデューサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２枚の半導体基板を接合加工して製造される静電容量型微細加工の超音波トランスデューサ、該超音波トランスデューサの製造方法、及び該超音波トランスデューサを超音波送受部に備えた超音波内視鏡に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、体腔内に超音波を照射し、そのエコー信号から体内の状態を画像化して診断する超音波診断法が広く普及している。このような超音波診断法に用いられる医療装置には、例えば、体表から体内の状態を画像化できる超音波エコー装置、先端部に超音波を送受信する超音波振動子部を備え、体腔内に挿入して体内の状態を画像化できる超音波内視鏡などがある。
【０００３】
これらの超音波診断用の医療装置うち、特に超音波内視鏡は、体腔への挿入性の向上、及び患者の苦痛を軽減するために細径化のための種々の工夫がなされている。そのため、超音波振動子部も小型化が進み、そのための種々の工夫がなされている。
【０００４】
このような、超音波内視鏡に用いられる従来の超音波トランスデューサには鉛が含まれている場合がある。このため、近年の環境問題を踏まえて、体腔内に挿入されて使用される超音波内視鏡に設けられる超音波トランスデューサの鉛フリー化が望まれている。
【０００５】
このように、鉛を用いることなく、小型化を実現することができる超音波トランスデューサには、ｃ−ＭＵＴ（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ  Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：静電容量型微細加工超音波探触子）を用いることが好適とされる。このｃ−ＭＵＴを含む超音波振動子は、シリコン基板を加工して成形され、例えば、特許文献１、及び特許文献２に記載されるように２枚のウエハを製造時に接合して一対の電極間に空隙部であるキャビティを形成した構造が開示されている。
【特許文献１】国際公開Ｎｏ：ＷＯ２００４／０１６０３６  Ａ２号公報
【特許文献２】特開２００３−１５３３９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１、及び特許文献２の超音波振動子は、一対の電極間に上記キャビティを形成するため２枚のウエハをボンディング接合する際、夫々のウエハの接合面に異種材料、例えば、特許文献１ではＳｉＯ２（二酸化ケイ素）−Ｓｉ（シリコン）による陽極接合などを用いて接合している。
【０００７】
そのため、これら異種材料により接合された２枚のウエハは、後に行う表面に保護膜などを形成するための、ＣＶＤ（化学気相成長法）などによる高温の熱が加わる製造プロセスにおいて、上記接合面の界面部が剥離してしまうとういう問題があった。また、この製造過程において上記接合面の界面部に剥離が発生しなかったとしても、医療機器である超音波内視鏡のリプロセス工程における高圧蒸気滅菌処理時に、その高熱により上記界面部に剥離が生じる可能性がある。
【０００８】
そこで、本発明は上述の事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、一対の電極間にキャビティを形成している２枚のウエハの接合界面部が剥離による損傷を防止した耐久性の高い超音波トランスデューサ、この超音波トランスデューサの製造方法、及びこの超音波トランスデューサを備えた超音波内視鏡を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく、本発明の超音波トランスデューサは、一対の電極間に配設された空隙部と、該空隙部と接し、超音波送受信面となる振動膜と、上記空隙部を介し上記振動膜と対向する位置にある基板と、上記空隙部の外周を形成する隔壁部と、を有し、上記隔壁部、及び該隔壁部と接触する上記基板表面部の少なくとも一部分を同一の絶縁材料により形成したことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の超音波トランスデューサの製造方法は、２枚の基板を接合して、一対の電極間に空隙部を形成するものであって、第１の電極が形成された第１の基板上に接合膜を形成し、第２の電極が形成された第２の基板上に上記接合膜と同一の絶縁部材により上記空隙部の外周壁となる隔壁部を形成し、上記第１の電極と上記第２の電極とが上記空隙部を介在して対向するように、上記第１の基板の上記接合膜、及び上記第２の基板の上記隔壁部の夫々を表面活性化接合したことを特徴とする。
【００１１】
さらに、本発明の超音波内視鏡は、内視鏡挿入部に１つ、又は複数の上記超音波トランスデューサを配列したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、一対の電極間に空隙部を形成している２枚のウエハの接合界面部が剥離による損傷を防止した耐久性の高い超音波トランスデューサ、この超音波トランスデューサの製造方法、及びこの超音波トランスデューサを備えた超音波内視鏡を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。  
（第１の実施の形態）
図１から図１７は本発明の第１の実施の形態を示し、図１は超音波内視鏡の概略構成を説明する図、図２は超音波内視鏡の先端部分の概略構成を示す図、図３は超音波振動子部の構成を説明する図、図４は超音波トランスデューサの上面図、図５は図４の円Ｖを拡大した図、図６は図５のＶＩ−ＶＩ線に沿ったｃ−ＭＵＴセルの断面図、図７は図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿ったｃ−ＭＵＴセルの断面図、図８は厚酸化膜付ウエハを示す断面図、図９は厚酸化膜付ウエハ上に下部電極を形成した状態を示す断面図、図１０は第１絶縁層を形成した状態の厚酸化膜付ウエハを示す断面図、図１１はＳＯＩウエハを示す断面図、図１２はＳＯＩウエハにシリコン熱酸化膜を形成した状態を示す断面図、図１３は上部電極上のシリコン熱酸化膜をエッチングした状態のＳＯＩウエハを示す断面図、図１４は厚酸化膜付ウエハとＳＯＩウエハを接合した状態のｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図、図１５はＳＯＩウエハのベースシリコンをエッチング除去した状態のｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図、図１６は絶縁膜が上面に形成された状態のｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図、図１７はｃ−ＭＵＴセルの製造工程を示すフローチャートである。
【００１４】
図１に示すように本実施形態の超音波内視鏡１は、体腔内に挿入される細長の挿入部２と、この挿入部２の基端に位置する操作部３と、この操作部３の側部から延出するユニバーサルコード４とで主に構成されている。
【００１５】
上記ユニバーサルコード４の基端部には、図示しない光源装置に接続される内視鏡コネクタ４ａが設けられている。この内視鏡コネクタ４ａからは、図示しないカメラコントロールユニットに電気コネクタ５ａを介して着脱自在に接続される電気ケーブル５、及び図示しない超音波観測装置に超音波コネクタ６ａを介して着脱自在に接続される超音波ケーブル６が延出している。
【００１６】
上記挿入部２は、先端側から順に硬質な樹脂部材で形成した先端硬性部７、この先端硬性部７の後端に位置する湾曲自在な湾曲部８、この湾曲部８の後端に位置して上記操作部３の先端部に至る細径かつ長尺で可撓性を有する可撓管部９を連設して構成されている。そして、上記先端硬性部７の先端側には、超音波を送受する複数の電子走査型の超音波トランスデューサを配列した超音波送受部である超音波振動子部２０が設けられている。
【００１７】
なお、上記先端硬性部７の材質としては、耐薬品性、或いは生体適合性が良好なポリスルフォンが用いられる。また、上記操作部３には上記湾曲部８を所望の方向に湾曲制御するアングルノブ１１、送気、及び送水操作を行うための送気送水ボタン１２、吸引操作を行うための吸引ボタン１３、体腔内に導入する処置具の入り口となる処置具挿入口１４等が設けられている。
【００１８】
超音波振動子部２０が設けられた先端硬性部７の先端面７ａには、図２に示すように、照明光学系を構成する照明用レンズカバー２１、観察光学系を構成する観察用レンズカバー２２、吸引口を兼ねる鉗子口２３、及び図示しない送気送水ノズルが配置されている。
【００１９】
超音波振動子部２０は、シリコン半導体基板をシリコンマイクロマシーニング技術が用いられて加工してなる、ｃ−ＭＵＴ（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ  Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：静電容量型微細加工超音波探触子）の振動膜が外向するように形成され、複数のｃ−ＭＵＴセルから構成される最小の駆動単位で、表面が矩形状の振動子エレメント（以下、単にエレメントという場合がある）２５が、図３に示すように、円筒状に複数配列された電子ラジアル型振動子先端部となっている。
【００２０】
超音波振動子部２０は、各エレメント２５に電気的に接続される電極パッド、及びＧＮＤ（グランド）電極パッドを備えたケーブル接続基板部２４が基端側に連設されている。そして、超音波振動子部２０からは、ケーブル接続基板部２４に各信号線が電気的に接続された同軸ケーブル束２６が延設している。この同軸ケーブル束２６は、先端硬性部７、湾曲部８、可撓管部９、操作部３、ユニバーサルコード４、及び超音波ケーブル６に挿通され、超音波コネクタ６ａを介して、図示しない超音波観測装置と接続される。
【００２１】
尚、各エレメント２５間の印加（信号）側の電極は、夫々が個別に同軸ケーブル束２６の各ケーブルから電気的シグナルが給電される構造となっており、電気的に非接続された構成となっている。
【００２２】
各エレメント２５には、図４に示すように、ここでは、複数のｃ−ＭＵＴセル（以下、単にセルという）３０が配列されている。１つのエレメント２５内の各セル３０は、印加側、及び帰還（接地）側の電極の夫々が隣接するセル３０の印加側、及び帰還側の電極と電気的に接続された構造となっている。尚、セル３０は、後述するように、一対の電極、振動膜であるメンブレン、及び一対の電極周りに形成された隔壁部４１により、上記一対の電極間で表面円形状に形成された略円盤形状の空隙であるキャビティ５１を備えた駆動単位要素となる。
【００２３】
また、本実施の形態の一対の電極のうちの帰還電極となる夫々の上部電極３１は、エレメント２５の表面形状と略同一形状の１枚の板状の電極板となっている。その一方で、一対の電極のうち印加電極となる下部電極３５は、表面略円形状をしており、１つのセル３０内において伝導部３５ａによって、隣接する下部電極３５と電気的に接続されている。これら伝導部３５ａは、本実施の形態では円盤状に形成された下部電極３５の縁辺部の四方から、９０度の略等間隔の角度を有して四方に延設している。尚、上部電極３１は、例えば、下部電極３５に対応した、例えば、表面円形状にセル３０毎に分割された形状としても良い。
【００２４】
ここで、図６、及び図７を用いて、図５に示したＶＩ−ＶＩ線、及びＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断したセル３０の断面構造について詳しく説明する。尚、図６、及び図７においては、隣接する２つのセル３０の構造のみの断面構造を示している。
【００２５】
図６に示すように、本実施の形態のセル３０は、ここでは、第1の基板である厚酸化膜付ウエハ３９上に形成された、上記下部電極３５と、この下部電極３５の表面に形成される接合膜を構成する第１絶縁層３４と、下部電極３５上にキャビティ５１によって、所定の離間距離を有して配設される上記上部電極３１と、この上部電極３１上に形成される第２絶縁層３２と、この第２絶縁層３２上に形成される保護膜３３と、によって主に構成されている。本実施の形態では、上部、及び下部の記載について、発生する超音波振動における超音波走査領域側を上部としている。
【００２６】
本実施の形態のセル３０は、上部電極３１、第２絶縁層３２、及び保護膜３３によって、超音波送受信面となる振動膜であるメンブレン３８を構成している。また、上述したキャビティ５１は、上下が第１絶縁層３４、及び上部電極３１によって、周囲が隔壁部４１によって閉塞された真空空隙部であり、本形態においてメンブレン３８の制動層となっている。
【００２７】
また、１つのエレメント２５の各セル３０は、図７に示すように、下部電極３５が夫々隣接するセル３０の下部電極３５と伝導部３５ａとが連続して一体形成され電気的に接続されている。また、この伝導部３５ａにも、第１絶縁層３４が上面に形成されている。
【００２８】
上記厚酸化膜付ウエハ３９は、本実施の形態において例えば、厚さ５２５μｍのシリコン（Ｓｉ）基板３７の表面に、例えば、厚さ１．５μｍのシリコン熱酸化膜（例えば、二酸化ケイ素膜：ＳｉＯ２膜）３６を形成した低抵抗シリコン（Ｓｉ）基板が用いられる。この厚酸化膜付ウエハ３９のシリコン熱酸化膜３６の一面上に形成される下部電極３５は、電気的導電性のある金属、半導体などからなり、本実施の形態では、例えば、厚さ０．４μｍのプラチナ（Ｐｔ）が用いられる。尚、下部電極３５を形成する電気的導電性材料は、プラチナ（Ｐｔ）に限定することなく、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、或いはチタン（Ｔｉ）でも良い。また、下部電極３５と一体形成される伝導部３５ａも、この下部電極３５と同じ材質となる。
【００２９】
下部電極３５と厚酸化膜付ウエハ３９の表面を被覆する上記第１絶縁層３４は、例えば、厚さ０．１５μｍのシリコン熱酸化膜（例えば、二酸化ケイ素膜：ＳｉＯ２膜）であり、下部電極３５の保護膜を構成している。この第１絶縁層３４は、下部電極３５を保護すると共に、上部電極３１に対する電気的な絶縁膜となる。
【００３０】
上記キャビティ５１は、例えば、直径φ４０μｍの高さ０．８μｍに設定された略円柱状（略円盤状）の空隙部である。このキャビティ５１の上面を形成する上部電極３１は、例えば、厚さ２．０μｍの導電性を有する低抵抗のシリコン（Ｓｉ）から形成されている。また、上部電極３１上に形成された第２絶縁層３２は、例えば、厚さ０．３μｍのシリコン熱酸化膜（例えば、二酸化ケイ素膜：ＳｉＯ２膜）により形成されている。
【００３１】
さらに、第２絶縁層３２上には、例えば、生体適合性のある外皮膜となるパリレンにより、例えば、厚さ１．０μｍの保護膜３３が形成されている。尚、保護膜３３を形成するパリレンには、フッ素を含有したものを用いると、たんぱく質をはじめとした汚れを付着し難くでき、本実施の形態の超音波内視鏡１は、超音波振動子部２０のより確実な洗浄、消毒、及び滅菌作業を行うことができる構成となる。勿論、保護膜３３は、パリレン膜に限定することなく、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）、ポリミド膜（ＰＩ膜）でも良く、これらを積層しても良い。
【００３２】
以上のように構成された本実施の形態のセル３０が複数配列されたエレメント２５の製造方法について、図８〜図１６、及び図１７のフローチャートのステップ（Ｓ）に基づいて説明する。尚、図８〜図１６には形成される２つのｃ−ＭＵＴセル３０の断面を図示しているが、以下の説明において、シリコンマイクロマシーニング技術により一枚の厚酸化膜付ウエハ３９上には微細なダイアフラム状の複数のｃ−ＭＵＴセル３０を備えた複数のエレメント２５を形成する工程である。尚、１つのエレメント２５のｃ−ＭＵＴセル３０の数は、複数に限定することなく、１つでも良い。
【００３３】
まず、図８に示すような、第１の基板として、酸化膜（１．５μｍの熱酸化膜）が形成された低抵抗シリコン（Ｓｉ）基板である厚酸化膜付ウエハ３９を準備する（Ｓ１）。そして、始めに、ここではプラチナ（Ｐｔ）をスパッタリング法で、本実施の形態では、厚さ０．４μｍに成膜し、フォトリソグラフ法によりパターニング後、エッチングして、図９に示すように、第１の電極である下部電極３５を形成する（Ｓ２）。このとき、図７に示したように、隣接する各下部電極３５の夫々は、一体形成される伝導部３５ａにより、電気的に接続されるようにパターニングされる。
【００３４】
次に、下部電極３５が形成された厚酸化膜付ウエハ３９を熱酸化して、ここでは、厚さ０．１５μｍのシリコン熱酸化膜（ＳｉＯ２膜）を成膜して、下部電極３５上に第１絶縁層３４を形成する（Ｓ３）。尚、このシリコン熱酸化膜は、厚酸化膜付ウエハ３９の全面、若しくは下部電極３５を形成した一面のみに成膜しても良い。  
以上説明した、ここまでにおけるステップＳ１〜ステップＳ３の工程により、厚酸化膜付ウエハ３９上に下部電極３５、及び第１絶縁層３４が形成された第１の基板が作製される。
【００３５】
次に、図１１に示すように、第２の基板として、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハ４５を準備する（Ｓ４）。本実施の形態のＳＯＩウエハ４５は、ベースシリコン（Ｓｉ）４３の一面上に、ここでは厚さ０．３μｍのシリコン熱酸化膜（ＳｉＯ２膜）からなるＢＯＸ（Ｂｕｒｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）である第２絶縁層３２、及びこの第２絶縁層３２上に、ここでは厚さ２．０μｍの低抵抗シリコン（Ｓｉ）からなる上部電極３１が形成されている。
【００３６】
このＳＯＩウエハ４５をさらに熱酸化して、図１２に示すように、ここでは、厚さ０．８μｍのシリコン熱酸化膜（ＳｉＯ２膜）４４を形成する（Ｓ５）。次に、上部電極３１側のシリコン熱酸化膜４４にレジスト塗布して、フォトリソグラフ法により、キャビティ５１の外形を形成する形状に、ここではＢＨＦ（弗酸系緩衝溶液）によりエッチング除去する（Ｓ６）。
【００３７】
このステップＳ６の工程により、エッチングされて、パターン形成された残在するシリコン熱酸化膜４４は、図１３に示すように、キャビティ５１の側周面を形成する隔壁部４１となる。
【００３８】
以上説明した、ここまでにおけるステップＳ４〜ステップＳ６の工程により、ＳＯＩウエハ４５の一面（上部電極３１側の面）に隔壁部４１が形成された第２の基板が作製される。
【００３９】
次に、これら各ウエハ３９，４５に成膜された、シリコン熱酸化膜である第１絶縁層３４、及び隔壁部４１の夫々の接合部となる表面を活性化させる（Ｓ７）。ここで、本実施の形態では、表面活性化の工程を例えば、Ｏ２プラズマにより実施した。尚、シリコン熱酸化膜の表面活性化は、Ｏ２プラズマだけでなく、ＵＶ照射、イオンガス、アルゴン（Ａｒ）プラズマなどを用いても良い。
【００４０】
そして、図１４に示すように、各ウエハ３９，４５を所定の位置となる、キャビティ５１が下部電極３５上となる位置で、表面活性化された第１絶縁層３４、及び隔壁部４１の互いの表面となる接合面をボンディング接合する（Ｓ８）。すなわち、活性化したＳＯＩウエハ４５に形成された隔壁部４１の表面、及び活性化した厚酸化膜付ウエハ３９に形成された第１絶縁層３４とが接した少なくとも一部分の表面が化学結合して、強固に接合される。
【００４１】
次いで、図１５に示すように、不要なＳＯＩウエハ４５のベースシリコン４３をシリコン熱酸化膜（ＳｉＯ２膜）４４と共に、ＫＯＨ（水酸化カリウム溶液）、及びＢＨＦ（弗酸系緩衝溶液）を用いてエッチング除去する（Ｓ９）。
【００４２】
最後に、図１６に示すように、フッ素系のパリレンＨＴを第２絶縁層３２上に、ここでは厚さ１．０μｍで蒸着して、保護膜３３を形成する（Ｓ１０）。
【００４３】
以上のような一連の工程により、ｃ−ＭＵＴセル３０が形成された超音波トランスデューサを構成する振動子エレメント２５が製造される。  
以上説明したように、本実施の形態の振動子エレメント２５は、ｃ−ＭＵＴセル３０の一対の電極間に設けられるキャビティ５１を形成する、下部電極３５上、及び厚酸化膜付ウエハ３９上に形成された第１絶縁層３４と、上部電極３１の表面に形成された隔壁部４１との接合において、第１絶縁層３４と隔壁部４１とを同一の材料｛シリコン熱酸化膜（ＳｉＯ２膜）｝を用い、表面活性化により、各接合表面の原子が化学結合を形成し易い活性な状態となるため、その接合界面部の接合強度を強固にすることができる。
【００４４】
その結果、上述したような製造方法により振動子エレメント２５は、ステップＳ１０で行う保護膜３３を形成するための、特に、ＣＶＤなどによる高温の熱が加わる製造プロセスにおいて、第１絶縁層３４と隔壁部４１との接合面の界面部の剥離を充分に防止できる構造となる。また、第１絶縁層３４と隔壁部４１とが強固に接合されるため、本実施の形態の超音波内視鏡１は、リプロセスされる際の高圧蒸気滅菌処理時の高熱による第１絶縁層３４と隔壁部４１との接合面の界面部の剥離も生じ難くなる。
【００４５】
さらに、接合面を表面活性化することにより、低湿での接合が可能となり、各ウエハ３９，４５の第１絶縁層３４と隔壁部４１の各接合面の平面度を向上させた場合には、常温接合が可能となる。このように低温接合が可能となると、下部電極３５として利用できる導電性材料の選択肢が増えるため、低コスト化が実現できる。
【００４６】
また、本実施の形態では、ｃ−ＭＵＴセル３０を形成するベース基板に低抵抗シリコン基板である厚酸化膜付ウエハ３９を使用している。その理由には、低抵抗シリコン基板自体を配線経路とすることができる為である。しかし、寄生容量を極力減らすためには、高抵抗基板を用いることが好ましいため、上記ベース基板を低抵抗シリコン基板のみ限定することなく、高抵抗基板を用いても良い。いずれにせよ、どちらの基板を用いても熱酸化は同様に実施でき、上述の製造方法とすることで、第１絶縁層３４と隔壁部４１とが強固に接合できるため、どちらの構成としても接合強度が強固な振動子エレメント２５を作製することができる。
【００４７】
（第２の実施の形態）
次に、図１８〜図２９を用いて、本発明の第２の実施の形態について説明する。  
図１８〜図２９は、第２の実施の形態に係り、図１８はｃ−ＭＵＴセルの断面図、図１９は図１８とは別方向で切断したｃ−ＭＵＴセルの断面図、図２０は低抵抗シリコン基板の断面図、図２１は低抵抗シリコン基板の一面に凹部を形成した状態を示す断面図、図２２は低抵抗シリコン基板に熱酸化膜を形成した状態を示す断面図、図２３は低抵抗シリコン基板の凹部を形成した一面側に導電性材料を成膜した状態を示す断面図、図２４は導電性材料をエッチングして下部電極を形成した低抵抗シリコン基板を示す断面図、図２５は下部電極上に絶縁膜を形成した低抵抗シリコン基板を示す断面図、図２６は低抵抗シリコン基板とＳＯＩウエハを接合した状態のｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図、図２７はＳＯＩウエハのベースシリコンをエッチング除去した状態のｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図、図２８は絶縁膜が上面に形成された状態のｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図、図２９はｃ−ＭＵＴセルの製造工程を示すフローチャートである。
【００４８】
尚、以下の説明において、第１の実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付して説明を省略し、異なる部分のみを説明する。
【００４９】
図１８に示すように、本実施の形態のｃ−ＭＵＴセル３０が配列された振動子エレメント２５は、ベース基板を構成し第１の基板となる低抵抗シリコン（Ｓｉ）基板６０に、本実施の形態では、ｃ−ＭＵＴセル３０毎に対応した各キャビティ５１下に深さ０．４μｍの基板側凹部６０ａが形成されている。そして、この低抵抗シリコン（Ｓｉ）基板６０の表面に、シリコン熱酸化膜（ＳｉＯ２膜）６１（６１ａ，６１ｂ）が、ここでは厚さ０．５μｍで成膜されている。これにより、基板側凹部６０ａに沿って、上面側となるシリコン熱酸化膜６１ａの表面に電極用凹部６１Ａが形成されている。
【００５０】
この電極用凹部６１Ａ内には、下部電極３５が配設され、この下部電極３５上に絶縁膜５５が成膜されている。尚、本実施の形態のシリコン熱酸化膜６１は、下部電極３５が形成される一面側を接合膜を構成する上面側シリコン熱酸化膜６１ａとし、他面側を下面側シリコン熱酸化膜６１ｂとする。
【００５１】
また、下部電極３５の上面には、キャビティ５１が介在する上部電極３１との絶縁性を保持するための絶縁膜５５が形成されている。
【００５２】
さらに、本実施の形態においても、図１９に示すように、各下部電極３５は、隣接する各セル３０の夫々の下部電極３５と伝導部３５ａにより電気的に接続されるように一体形成されている。
【００５３】
以上のように構成された本実施の形態のセル３０が複数配列されたエレメント２５の製造方法について、図２０〜図２８、及び図２９のフローチャートのステップ（Ｓ）に基づいて説明する。ここで、図２９のフローチャートのステップＳ１６〜ステップＳ１８と、第１の実施の形態での図１７のフローチャーのステップＳ４〜ステップＳ６とは、同一のＳＯＩウエハ４５の製造工程であるため、それらの説明を省略し、第１の実施の形態とは異なる工程のみの説明を行う。
【００５４】
先ず、図２０に示すように、第１の基板となる低抵抗シリコン（Ｓｉ）基板（ウエハ）６０を準備する（Ｓ１１）。尚、この低抵抗シリコン基板６０は、第１の実施の形態と同様な、例えば、厚さ５２５μｍのもので、勿論、高抵抗基板でも良い。
【００５５】
次に、この低抵抗シリコン基板６０の一面の下部電極３５の位置となる部分を、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を用いて、深さ０．４μｍの基板側凹部６０ａをエッチングにより形成する（Ｓ１２）。
【００５６】
そして、低抵抗シリコン基板６０の表面を熱酸化し、図２２に示すように、厚さ０．５μｍのシリコン熱酸化膜（ＳｉＯ２膜）６１を形成する（Ｓ１３）。このとき、上面側シリコン熱酸化膜６１ａの表面には、上記基板側凹部６０ａの形状に合わせて凹部が形成され、その部分が電極用凹部６１Ａとなる。
【００５７】
続いて、図２３に示すように、上面側シリコン熱酸化膜６１ａ上に、ここではプラチナ（Ｐｔ）膜６７をスパッタリング法により形成する。このとき、プラチナ膜６７は、上面側シリコン熱酸化膜６１ａの表面形状に合わせて成膜され、表面が凹凸状に成膜される。
【００５８】
そして、このプラチナ膜６７の凸部をＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により、上面側シリコン熱酸化膜６１ａの表面が露出するまで研磨加工する。このように、プラチナ膜６７を研磨加工することで、図２４に示すように、電極用凹部６１Ａ上に成膜されたプラチナ膜６７により下部電極３５が形成される（Ｓ１４）。
【００５９】
次に、下部電極３５の形状に合わせて、上面側シリコン熱酸化膜６１ａ上にレジスト塗布して、フォトリソグラフィを行い、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）をスパッタリング法で成膜して、リフトオフによって、図２５に示すように、下部電極３５上に二酸化ケイ素の絶縁膜５５を形成する（Ｓ１５）。
【００６０】
以上説明した、ここまでにおけるステップＳ１１〜ステップＳ１５の工程により、シリコン熱酸化膜６１が形成されたウエハである低抵抗シリコン基板６０上に下部電極３５、及び絶縁膜５５が形成された第１の基板が作製される。
【００６１】
次に、第１の実施の形態と同様に、ステップＳ１６〜ステップＳ１８の工程により、ＳＯＩウエハ４５の一面（上部電極３１側の面）に隔壁部４１が形成された第２の基板が作製される。
【００６２】
次に、これら各ウエハ６０，４５に成膜された、露出している上面側シリコン熱酸化膜６１ａ、及び隔壁部４１の夫々の表面を活性化させる（Ｓ１９）。ここで、本実施の形態では、表面活性化の工程において、２つのウエハ６０，４５をチャンバ内に入れて、例えば、イオンガスにより実施した。
【００６３】
そして、大気開放せずに、図２６に示すように、各ウエハ６０，４５を所定の位置となる、キャビティ５１が下部電極３５上となる位置で、表面活性化された上面側シリコン熱酸化膜６１ａ、及び隔壁部４１の互いの表面となる接合面をボンディング接合する（Ｓ２０）。こうして、一対の電極３１，３５間にキャビティ５１が形成される。
【００６４】
次いで、第１の実施の形態と同様にして、図２７に示すように、不要なＳＯＩウエハ４５のベースシリコン４３をシリコン熱酸化膜（ＳｉＯ２膜）４４と共に、ＫＯＨ（水酸化カリウム溶液）、及びＢＨＦ（弗酸系緩衝溶液）を用いてエッチング除去する（Ｓ２１）。
【００６５】
最後に、図２８に示すように、ポリイミド（ＰＩ）を第２絶縁層３２上に、ここでは厚さ１．０μｍで蒸着、例えば、ＰＶＤ（物理気相成長法）、或いはＣＶＤ（化学気相成長法）により成膜して、保護膜３３を形成する（Ｓ２２）。
【００６６】
以上のような一連の工程により、本実施の形態のｃ−ＭＵＴセル３０が形成された超音波トランスデューサを構成する振動子エレメント２５が製造される。  
以上のように形成した、本実施の形態の各セル３０の構成によれば、各ウエハ６０，４５の接合面が同一の材料、ここでは二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）であるため、第１の実施の形態での同様な効果を奏すると共に、キャビティ５１の空隙形状、特に各電極３１，３５が対向する面に凹凸が形成されない構造となるため、安定した特性を備えた振動子エレメント２５を作製することができる。
【００６７】
（第３の実施の形態）
次に、図３０〜図４２を用いて、本発明の第３の実施の形態について説明する。  
図３０〜図４２は、第３の実施の形態に係り、図３０は厚酸化膜付ウエハの断面図、図３１は厚酸化膜付ウエハにシリコン窒化膜を形成した状態を示す断面図、図３２は導電性材料をエッチングして形成した下部電極上にシリコン窒化膜を形成した厚酸化膜付ウエハを示す断面図、図３３は平坦層を形成した厚酸化膜付ウエハを示す断面図、図３４は下部電極が露出するまで平坦層を研磨加工した厚酸化膜付ウエハを示す断面図、図３５はさらに下部電極上に平坦層を形成した厚酸化膜付ウエハを示す断面図、図３６は上部電極上のシリコン熱酸化膜をエッチングした状態のＳＯＩウエハを示す断面図、図３７は圧酸化膜ウエハとＳＯＩウエハを接合した状態のｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図、図３８はＳＯＩウエハのベースシリコンをエッチング除去した状態のｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図、図３９は上部電極をエッチング形成した状態のｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図、図４０は上部電極の配線を形成したｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図、図４１は保護膜を形成したｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図、図４２はｃ−ＭＵＴセルの製造工程を示すフローチャートである。  
尚、以下の説明においても、第１、及び第２の実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付して説明を省略し、異なる部分のみを説明する。
【００６８】
また、本実施の形態は、シリコン基板上に形成するｃ−ＭＵＴセル３０の上述の各実施の形態と異なる製造方法の一例であり、本実施の形態のセル３０が複数配列されたエレメント２５の製造方法について、図３０〜図４１、及び図４２のフローチャートのステップ（Ｓ）に基づいて説明する。ここで、図４２のフローチャートのステップＳ４６〜ステップＳ４８と、第１の実施の形態での図１７のフローチャーのステップＳ４〜ステップＳ６とは、同一のＳＯＩウエハ４５の製造工程であるため、それらの説明を省略し、第１の実施の形態とは異なる工程のみの説明を行う。
【００６９】
先ず、図３０に示すように、厚酸化膜付ウエハ３９を準備する（Ｓ４１）。尚、本実施の形態の圧酸化膜付ウエハ３９は、厚さ５２５μｍのシリコン基板３７に厚さ１５μｍ〜２０μｍのシリコン酸化膜３６が形成されている。次に、図３１に示すように、厚酸化膜付ウエハ３９の、ここでは一方の面上に、後述する導電性膜の酸化防止のためのシリコン窒化膜７１を、ここでは厚さ０．１μｍで成膜形成する（Ｓ４２）。
【００７０】
次に、導電性材料である、例えば、モリブデン（Ｍｏ）を、ここでは厚さ０．４μｍでシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）７１上に成膜した後、フォトリソグラフ法によりパターンニングして、下部電極３５を形成する（Ｓ４３）。このとき、図示していないが、各実施の形態と同様に導電部３５ａもパターン形成する。
【００７１】
そして、厚酸化膜付ウエハ３９の下部電極３５を形成した一面上に、図３２に示すように、第１絶縁層となるシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）７２を、ここでは厚さ０．０５μｍで成膜形成する（Ｓ４４）。すなわち、下部電極３５は、その周囲全面がシリコン窒化膜７１，７２によって、被覆された状態となる。これにより、後に行う加熱工程の際、シリコン窒化膜７１，７２によって下部電極３５の酸化を防止することができる構成となる。
【００７２】
次に、図３３に示すように、下部電極３５が形成された厚酸化膜付ウエハ３９のシリコン酸化膜７２上に第２絶縁層となるシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）７３を厚さ２．０〜３．０μｍ程度にテトラエトキシラン（ＴＥＯＳ）を用いたＣＶＤ法により成膜する。そして、このシリコン酸化膜７３を、図３４に示すように、一旦、下部電極３５が露出するまで研磨し、表面を平坦化した後、再度、ここでは厚さ０．６μｍのシリコン酸化膜をＴＥＯＳを用いたＣＶＤ法により成膜し、図３５に示すように、シリコン酸化膜からなる接合膜を構成する平坦層７４を形成する（Ｓ４５）。すなわち、厚酸化膜付ウエハ３９は、下部電極３５上に厚さ０．６μｍのシリコン酸化膜が成膜され、それ以外の部分には表面が連続的に平坦となる厚さ１．０μｍのシリコン酸化膜が成膜された状態となる。尚、ＴＥＯＳを用いて、シリコン酸化膜を積み直すことによって、この平坦層７４の膜厚を自由にコントロールすることができる。
【００７３】
以上説明した、ここまでにおけるステップＳ４１〜ステップＳ４５の工程により、厚酸化膜付ウエハ３９上にシリコン窒化膜７１，７２に囲まれた下部電極３５、及び平坦層７４が形成された第１の基板が作製される。
【００７４】
次に、第１の実施の形態と同様に、ステップＳ４６〜ステップＳ４８の工程により、ＳＯＩウエハ４５の一面（上部電極３１側の面）に隔壁部４１が形成された、図３６に示す第２の基板が作製される。尚、図３６では、符号３１ａを用いて、ここでは低抵抗シリコン層とする。
【００７５】
次に、これら各ウエハ３９，４５に成膜された、平坦層７４、及び隔壁部４１の夫々の表面を活性化させる（Ｓ４９）。ここで、本実施の形態では、厚酸化膜付ウエハ３９上に形成された上部電極３５は、シリコン窒化膜７１，７２に覆われているため、９００℃程度までの加熱を行ったとしても、酸化が防止される。
【００７６】
そして、図３７に示すように、各ウエハ３９，４５を所定の位置となる、キャビティ５１が下部電極３５上となる位置で、表面活性化された平坦層７４、及び隔壁部４１の互いの表面となる接合面をボンディング接合する（Ｓ５０）。こうして、一対の電極３１，３５間にキャビティ５１が形成される。
【００７７】
次いで、図３８に示すように、不要なＳＯＩウエハ４５のベースシリコン４３を、本実施の形態ではバックグラインダをした後、ＴＭＡＨ(テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド)などの薬液によりエッチング除去する（Ｓ５１）。
【００７８】
次に、フォトリソグラフ法により、ＢＯＸであるシリコン熱酸化膜（第２絶縁層３２）と共に、低抵抗シリコン層３１ａを、ここではケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）して、図３１に示すように、上部電極３１を形成する（Ｓ５２）。
【００７９】
そして、厚酸化膜付ウエハ３９上の上部電極３１、及び隔壁部４１の表面上に、ここではアルミニウム（Ａｌ）をスパッタリング法により、厚さ１．０μｍで成膜した後、フォトリソグラフ法でパターンニングして、エッチングにより、図４０に示す、上部電極３１と電気的に接続された配線８０を形成する（Ｓ５３）。この配線８０は、１つの振動子エレメント２５内で隣接するｃ−ＭＵＴセル３０の上部電極３１同士を電気的に接続するための配線パターンとなる。
【００８０】
最後に、上部電極３１、及び配線８０上に、ここではシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）である保護膜８１を形成する（Ｓ５４）。尚、保護膜８１は、パリレン膜などでも良い。
【００８１】
以上のような一連の工程により、本実施の形態のｃ−ＭＵＴセル３０が形成された超音波トランスデューサを構成する振動子エレメント２５が製造される。  
以上のように形成した、本実施の形態の各セル３０の構成によれば、各ウエハ３９，４５の接合面が同一の材料、ここでは二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）であるため、第１の実施の形態での同様な効果を奏すると共に、各ウエハ３９，４５の接合工程で夫々の接合面を高温化させる活性化方法でも、金属材料を用いて形成する下部電極３５の酸化を防止することができる。すなわち、下部電極３５は、低融点金属材料のアルミニウム（Ａｌ）などでも形成することができる構成となる。
【００８２】
以上、各実施の形態で説明したように、２枚の基板（ウエハ）を接合して形成する振動子エレメント２５は、両基板の接合部を緻密でありながら、熱膨張係数なども等しい同一材料からなる熱酸化膜とすることで、設置される医療機器特有の高熱リプロセス処理（オートクレーブなど）に対し、充分に耐性のある構成となる。また、熱酸化膜は、成膜時に厚みのバラツキが生じにくいため、各ｃ−ＭＵＴセル３０の振動特性を均一にした精度の高い超音波トランスデューサである振動子エレメント２５となる。
【００８３】
尚、上述の各実施の形態では、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）同士の表面活性化接合を記載したが、同一の絶縁材料であれば、如何なるものでも良く、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）、シリコンカーバイド膜（ＳｉＣ膜）、酸化タルタン（Ｔａ２Ｏ５）、ルチル（ＴｉＯ２）などを用いても良い。
【００８４】
以上の実施の形態に記載した発明は、その実施の形態、及び変形例に限ることなく、その他、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し得ることが可能である。さらに、上記実施の形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組合せにより種々の発明が抽出され得る。
【００８５】
例えば、実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【００８６】
以上の実施の形態に記載した超音波トランスデューサは、以下の付記に記載する特徴を有している。
【００８７】
（付記１）
２枚の基板を接合して製造される超音波トランスデューサにおいて、
一対の電極間に配設された空隙部と、
第１の基板に形成された接合膜と、
第２の基板に形成され、上記接合膜と接合して、上記空隙部の外周を形成する隔壁部と、
を有し、
上記接合膜と、上記隔壁部とを同一の絶縁材料により形成したことを特徴とする超音波トランスデューサ。
【００８８】
（付記２）
上記接合膜と、上記隔壁部との接合部は、表面活性化接合されていることを特徴とする付記２に記載の超音波トランスデューサ。
【００８９】
（付記３）
上記同一の絶縁材料は、酸化シリコンであることを特徴とする付記１、又は付記２に記載の超音波トランスデューサ。
【００９０】
（付記４）
上記酸化シリコンは、上記接合膜、及び上記隔壁部の少なくとも１方が熱酸化により形成された熱酸化シリコンであることを特徴とする付記３に記載の超音波トランスデューサ。
【００９１】
（付記５）
上記第２の基板は、上記一対の電極のうちの一方となる電極として機能する低抵抗シリコンを有するＳＯＩウエハからなることを特徴とする付記１から付記４の何れか１項に記載の超音波トランスデューサ。
【００９２】
（付記６）
２枚の基板を接合して、一対の電極間に空隙部を形成する超音波トランスデューサの製造方法であって、
第１の電極が形成された第１の基板上に接合膜を形成し、
第２の電極が形成された第２の基板上に上記接合膜と同一の絶縁部材により上記空隙部の外周壁となる隔壁部を形成し、
上記第１の電極と上記第２の電極とが上記空隙部を介在して対向するように、上記第１の基板の上記接合膜、及び上記第２の基板の上記隔壁部の夫々を表面活性化接合し、
たことを特徴とする超音波トランスデューサの製造方法。
【００９３】
（付記７）
内視鏡挿入部の先端を構成する先端硬性部の先端側に配置され、１つ、又は複数の超音波振動子エレメントを配列した構成の超音波トランスデューサを備えた超音波内視鏡であって、
一対の電極間に配設された空隙部と、
第１の基板に形成された接合膜と、
第２の基板に形成され、上記接合膜と接合して、上記空隙部の外周を形成する隔壁部と、
を有し、
上記接合膜と、上記隔壁部とを同一の絶縁材料により形成したことを特徴とする超音波内視鏡。
【００９４】
（付記８）
上記接合膜と、上記隔壁部との接合部は、表面活性化接合されていることを特徴とする付記７に記載の超音波内視鏡。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】第１の実施の形態に係る、超音波内視鏡の概略構成を説明する図
【図２】同、超音波内視鏡の先端部分の概略構成を示す図
【図３】同、超音波振動子部の構成を説明する図
【図４】同、超音波トランスデューサの上面図
【図５】同、図４の円Ｖを拡大した図
【図６】同、図５のＶＩ−ＶＩ線に沿ったｃ−ＭＵＴセルの断面図
【図７】同、図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿ったｃ−ＭＵＴセルの断面図
【図８】同、厚酸化膜付ウエハを示す断面図
【図９】同、厚酸化膜付ウエハ上に下部電極を形成した状態を示す断面図
【図１０】同、第１絶縁層を形成した状態の厚酸化膜付ウエハを示す断面図
【図１１】同、ＳＯＩウエハを示す断面図
【図１２】同、ＳＯＩウエハにシリコン熱酸化膜を形成した状態を示す断面図
【図１３】同、上部電極上のシリコン熱酸化膜をエッチングした状態のＳＯＩウエハを示す断面図
【図１４】同、厚酸化膜付ウエハとＳＯＩウエハを接合した状態のｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図
【図１５】同、ＳＯＩウエハのベースシリコンをエッチング除去した状態のｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図
【図１６】同、絶縁膜が上面に形成された状態のｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図
【図１７】同、ｃ−ＭＵＴセルの製造工程を示すフローチャート
【図１８】第２の実施の形態に係る、ｃ−ＭＵＴセルの断面図、
【図１９】同、図１８とは別方向で切断したｃ−ＭＵＴセルの断面図
【図２０】同、低抵抗シリコン基板の断面図
【図２１】同、低抵抗シリコン基板の一面に凹部を形成した状態を示す断面図
【図２２】同、低抵抗シリコン基板に熱酸化膜を形成した状態を示す断面図
【図２３】同、低抵抗シリコン基板の凹部を形成した一面側に導電性材料を成膜した状態を示す断面図
【図２４】同、導電性材料をエッチングして下部電極を形成した低抵抗シリコン基板を示す断面図
【図２５】同、下部電極上に絶縁膜を形成した低抵抗シリコン基板を示す断面図
【図２６】同、低抵抗シリコン基板とＳＯＩウエハを接合した状態のｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図
【図２７】同、ＳＯＩウエハのベースシリコンをエッチング除去した状態のｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図
【図２８】同、絶縁膜が上面に形成された状態のｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図
【図２９】同、ｃ−ＭＵＴセルの製造工程を示すフローチャート
【図３０】第３の形態に係る、厚酸化膜付ウエハの断面図
【図３１】同、厚酸化膜付ウエハにシリコン窒化膜を形成した状態を示す断面図
【図３２】同、導電性材料をエッチングして形成した下部電極上にシリコン窒化膜を形成した厚酸化膜付ウエハを示す断面図
【図３３】同、平坦層を形成した厚酸化膜付ウエハを示す断面図
【図３４】同、下部電極が露出するまで平坦層を研磨加工した厚酸化膜付ウエハを示す断面図
【図３５】同、さらに下部電極上に平坦層を形成した厚酸化膜付ウエハを示す断面図
【図３６】同、上部電極上のシリコン熱酸化膜をエッチングした状態のＳＯＩウエハを示す断面図
【図３７】同、圧酸化膜ウエハとＳＯＩウエハを接合した状態のｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図
【図３８】同、ＳＯＩウエハのベースシリコンをエッチング除去した状態のｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図
【図３９】同、上部電極をエッチング形成した状態のｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図
【図４０】同、上部電極の配線を形成したｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図
【図４１】同、保護膜を形成したｃ−ＭＵＴセルの製造過程を示す断面図
【図４２】同、ｃ−ＭＵＴセルの製造工程を示すフローチャート
【符号の説明】
【００９６】
１・・・超音波内視鏡
７・・・先端硬性部
２０・・・超音波振動子部
２５・・・振動子エレメント
２６・・・同軸ケーブル束
３０・・・セル
３１・・・上部電極
３２・・・第１絶縁層
３３・・・保護膜
３４・・・第２絶縁層
３５・・・下部電極
３５ａ・・・伝導部
３６・・・シリコン熱酸化膜
３７・・・シリコン基板
３８・・・メンブレン
３９・・・厚酸化膜付ウエハ
４１・・・隔壁部
４３・・・ベースシリコン
４４・・・シリコン熱酸化膜
４５・・・ウエハ
５１・・・キャビティ
５５・・・絶縁膜
【図１】
2008110059.tif 000003
【図２】
2008110059.tif 000004
【図３】
2008110059.tif 000005
【図４】
2008110059.tif 000006
【図５】
2008110059.tif 000007
【図６】
2008110059.tif 000008
【図７】
2008110059.tif 000009
【図８】
2008110059.tif 000010
【図９】
2008110059.tif 000011
【図１０】
2008110059.tif 000012
【図１１】
2008110059.tif 000013
【図１２】
2008110059.tif 000014
【図１３】
2008110059.tif 000015
【図１４】
2008110059.tif 000016
【図１５】
2008110059.tif 000017
【図１６】
2008110059.tif 000018
【図１７】
2008110059.tif 000019
【図１８】
2008110059.tif 000020
【図１９】
2008110059.tif 000021
【図２０】
2008110059.tif 000022
【図２１】
2008110059.tif 000023
【図２２】
2008110059.tif 000024
【図２３】
2008110059.tif 000025
【図２４】
2008110059.tif 000026
【図２５】
2008110059.tif 000027
【図２６】
2008110059.tif 000028
【図２７】
2008110059.tif 000029
【図２８】
2008110059.tif 000030
【図２９】
2008110059.tif 000031
【図３０】
2008110059.tif 000032
【図３１】
2008110059.tif 000033
【図３２】
2008110059.tif 000034
【図３３】
2008110059.tif 000035
【図３４】
2008110059.tif 000036
【図３５】
2008110059.tif 000037
【図３６】
2008110059.tif 000038
【図３７】
2008110059.tif 000039
【図３８】
2008110059.tif 000040
【図３９】
2008110059.tif 000041
【図４０】
2008110059.tif 000042
【図４１】
2008110059.tif 000043
【図４２】
2008110059.tif 000044