(57)【要約】      （修正有）【課題】ＣＭＰ法により半導体基板を研磨する際に用いるスラリーが、良好に排出されながら半導体基板を研磨することができる研磨装置、研磨パッド、研磨方法を提供する。【解決手段】研磨装置は、複数の溝３２が表面に配置された円板状の研磨パッド３０と、研磨パッドが載置されて回転可能な研磨テーブルと、研磨パッドの上方にあって、基板を保持しながら基板を研磨パッドに押し付け、基板を回転させる機能を備える保持機構と、研磨パッドの上面に研磨剤を供給する供給機構とを具備している。研磨パッドは、複数の溝の深さが、研磨パッドの中心から外縁に行くに従って深くなり、複数の溝の各々が有する空間は、つながっている。【選択図】図５Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の溝が表面に配置された円板状の研磨パッドと、
前記研磨パッドが載置されて回転可能な研磨テーブルと、
前記研磨パッドの上方にあって、基板を保持しながら前記基板を前記研磨パッドに押し付け、前記基板を回転させる機能を備える保持機構と、
前記研磨パッドの上面に研磨剤を供給する供給機構と
を具備し、
前記複数の溝の深さが、前記研磨パッドの中心から外縁に行くに従って深くなり、前記複数の溝の各々が有する空間は、つながっている
研磨装置。
【請求項２】
前記複数の溝が、前記研磨パッドの表面に、格子状に配置されている
請求項１に記載の研磨装置。
【請求項３】
前記複数の溝が、前記研磨パッドの表面に、前記研磨パッドの中心から放射状に配置されている
請求項１に記載の研磨装置。
【請求項４】
前記複数の溝が、前記研磨パッドの表面に、前記研磨パッドの中心から外縁に向かって曲線状に配置されている
請求項１に記載の研磨装置。
【請求項５】
前記複数の溝の側壁は、前記研磨パッドの表面に向かって広角な斜面である
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の研磨装置。
【請求項６】
円板の形状である研磨パッドであって、
前記円板の表面に配置された複数の溝を具備し、
前記複数の溝の深さが、前記研磨パッドの中心から外縁に行くに従って深くなり、前記複数の溝の各々が有する空間は、つながっている
研磨パッド。
【請求項７】
前記複数の溝が、前記研磨パッドの表面に、格子状に配置されている
請求項６に記載の研磨パッド。
【請求項８】
前記複数の溝が、前記研磨パッドの表面に、前記研磨パッドの中心から放射状に配置されている
請求項６に記載の研磨パッド。
【請求項９】
前記複数の溝が、前記研磨パッドの表面に、前記研磨パッドの中心から外縁に向かって曲線状に配置されている
請求項６に記載の研磨パッド。
【請求項１０】
前記複数の溝の側壁は、前記研磨パッドの表面に向かって広角な斜面である
請求項６乃至９のいずれか一項に記載の研磨パッド。
【請求項１１】
請求項６乃至１０のいずれか一項に記載の研磨パッドを用い、
前記研磨パッドを研磨テーブルに載置するステップと、
保持機構に基板を保持するステップと、
前記保持機構が、前記基板を前記研磨パッドに押し付けるステップと、
供給装置が、研磨剤を前記研磨パッドの上面に供給するステップと、
前記研磨テーブルが回転するステップと、
前記保持機構が、前記基板を回転するステップと
を具備する
前記基板の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の表面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法により研磨する研磨装置及び、その研磨装置に用いる研磨パッド、その研磨パッドを用いた研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板の製造工程や半導体装置の製造工程における半導体基板表面凹凸の平坦化方法として、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法を用いた研磨が行われている。ＣＭＰ法による研磨は、図１及び図２に示すようなＣＭＰ装置２が用いられる。ＣＭＰ装置２は、研磨テーブル４、スピンドルキャリア８、スピンドル１０、スラリーノズル１４で構成されている。研磨テーブル４の上面には研磨パッド６が貼り付けられている。スピンドルキャリア８は、半導体基板であるウエハ１２を保持し、ウエハ１２を研磨パッド６に一定の荷重で押し付けている。スラリーノズル１４は、研磨剤を含んだ泥状のスラリー１６を研磨パッド６の上面に滴下する。研磨テーブル４及びスピンドル１０は、図示しない回転機構によって回転する。ＣＭＰ装置２は、同時に２枚のウエハ１２を研磨することができるように、２セットのスピンドルキャリア８及びスピンドル１０を備え、２つのスピンドル１０は、ブリッジ１８と呼ばれる構造体に接続されている。
【０００３】
ウエハ１２の表面の研磨のプロセスは、研磨パッド６の表面にある直径１０〜５０μｍの微孔にスラリー１６の研磨剤が入り込み保持され、その研磨剤によってウエハ１２の表面の凹凸が平滑になるというものである。
【０００４】
図３に研磨パッド６の上面図を示し、図４に研磨パッド６の断面図を示す。研磨パッド６は、円板形状で、ポリウレタンなどの合成樹脂で作られている。研磨パッド６には、パッド溝２０が格子状に形成されている。図４は図３のＡ−Ａ’断面図である。パッド溝２０の断面形状は、コの字形状であり、パッド溝底２０ａは平面で、パッド溝壁２０ｂはパッド溝底２０ａに垂直な壁である。
【０００５】
パッド溝２０の溝幅Ｗ１及びパッド溝２０の溝深さＤ１は、どの場所のパッド溝２０においても同じ寸法である。また、パッド溝２０の溝ピッチＰ１は一定であり、パッド溝２０が格子状に形成されているのである。
【０００６】
なお、研磨パッド６は、上層研磨パッド６ａと下層研磨パッド６ｂの２層に分かれており、上層研磨パッド６ａにパッド溝２０が形成されている。
【０００７】
研磨を行うことにより、研磨パッド６の表面の微孔はつぶれる。したがって、定期的にダイヤモンド粒子を電着させたディスク板などで研磨パッド６の表面を削ることで、新たな微孔を有する表面を創出することが行われる。これは、研磨パッド６の表面の目詰まりを解消するために行う作業である。したがって、この作業を行えば、安定して精度よくウエハ１２を研磨することができる。
【０００８】
また、供給されるスラリー１６が、常に新鮮であれば、安定してウエハ１２を研磨することができる。つまり、供給されたスラリー１６が、いつまでも研磨パッド６の表面に滞留し、後から供給されるスラリー１６と入れ替わることがなければ、ウエハ１２を研磨することができない。また、研磨中に発生する研磨パッド６の削り屑が、研磨パッド６の上面からスムーズに研磨パッド６の外縁から外に排出されることも、精度よくウエハ１２を研磨するうえで重要である。
【０００９】
特許文献１に、被加工物を研磨剤を用いて研磨する研磨パッドであって、研磨パッドの研磨面において、研磨面の中央部付近を始点とし、研磨面の外縁を終点とする溝が形成され、当該溝の断面積が、始点と終点との間で最大となる部分を有するように、始点と終点との間で変化していることを特徴とする研磨パッドが開示されている（特許文献１参照）。
【００１０】
特許文献２に、研磨面内に互いに平行であるほぼ直線の溝からなる複数の平行溝群を有する研磨パッドであって、少なくとも前記溝の一つが、同一溝内で異なる溝深度を有する異深度溝であることを特徴とする複数の平行溝群を有する研磨パッドが開示されている（特許文献２参照）。
【００１１】
【特許文献１】特開２００１−１２１４０５号公報
【特許文献２】特開２００５−１８３７１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
研磨パッド６の表面を中心６ｃから外縁にむかって、中心部分、中間部分、外縁部分と大別し、上記のように定期的にディスク板で研磨パッド６を削る作業や通常のウエハ１２を研磨する作業を行うと、中間部分が最も磨耗し、その中間部分に相当する研磨パッド６の表面がくぼんでしまう。特にディスク板で研磨パッド６を削る作業の方が、研磨パッド６の表面の中間部分の磨耗が激しい。
【００１３】
研磨パッド６の中間部分が磨耗すると、そこにスラリー１６や研磨パッド６の削り屑が排出されずに、その中間部分に滞留してしまう。その結果、当該削り屑が、ウエハ１２の表面に細かなキズ（マイクロスクラッチ）をつけてしまう。また、排出されずに滞留したスラリー１６があると、そのスラリー１６が乾燥し、スラリー１６に含まれる研磨剤が粗大化し、粗大化した研磨剤が、やはりウエハ１２の表面を傷付け、マイクロスクラッチを与えてしまうこともある。したがって、ウエハ１２の研磨面の精度が確保され、ウエハ１２が均一な研磨面を得る為に、スラリー１６の排出性を良くすることは重要である。
【００１４】
しかし、図３あるいは図４に示すような研磨パッド６を用いた場合、スラリー１６の排出性は良好とは言えず、スラリー１６の排出性が、より良好な研磨パッド６及びＣＭＰ装置２、研磨方法が求められる。
【００１５】
本発明は、ＣＭＰ法により半導体基板を研磨する際に用いるスラリーが、良好に排出されながら半導体基板を研磨することができる研磨装置、研磨パッド、研磨方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
以下に、（発明を実施するための最良の形態）で使用される番号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、（特許請求の範囲）の記載と（発明を実施するための最良の形態）との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、（特許請求の範囲）に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１７】
本発明による研磨装置（２）は、複数の溝（２０）が表面に配置された円板状の研磨パッド（３０）と、研磨パッド（３０）が載置されて回転可能な研磨テーブル（４）と、研磨パッド（３０）の上方にあって、基板（１２）を保持しながら基板（１２）を研磨パッド（３０）に押し付け、基板（１２）を回転させる機能を備える保持機構（８）と、研磨パッド（３０）の上面に研磨剤（１６）を供給する供給機構（１４）とを具備し、複数の溝（３２）の深さが、研磨パッド（３０）の中心から外縁に行くに従って深くなり、複数の溝（３２）の各々が有する空間は、つながっている。
【００１８】
本発明による研磨パッド（３０）は、円板の形状である研磨パッド（３０）であって、円板の表面に配置された複数の溝（３２）を具備し、複数の溝（３２）の深さが、研磨パッドの中心から外縁に行くに従って深くなり、複数の溝（３２）の各々が有する空間は、つながっている。
【００１９】
本発明による研磨方法は、上記研磨パッド（３０）を用い、研磨パッド（３０）を研磨テーブル（４）に載置するステップと、保持機構（８）に基板（１２）を保持するステップと、保持機構（８）が、基板（１２）を研磨パッド（３０）に押し付けるステップと、供給装置（１４）が、研磨剤（１６）を研磨パッド（３０）の上面に供給するステップと、研磨テーブル（４）が回転するステップと、保持機構（８）が、基板（１２）を回転するステップとを具備する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ＣＭＰ法により半導体基板を研磨する際に用いるスラリーが、良好に排出されながら半導体基板を研磨することができる研磨装置、研磨パッド、研磨方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
添付図面を参照して、本発明による研磨装置、研磨パッド、研磨方法を実施するための最良の形態を以下に説明する。
【００２２】
（第１の実施形態）
図５Ａ及び図５Ｂに、本発明に係る第１の実施形態の研磨パッド３０の断面図を示す。研磨パッド３０は、ポリウレタンなどの合成樹脂で作られている。また、研磨パッド３０は、図３に示した研磨パッド６と同様に格子状にパッド溝３２が形成されている。パッド溝３２は、機械加工によって形成する。また、図５Ａは、図３のＡ−Ａ’断面図であり、図５Ｂは、図３のＢ−Ｂ’断面図である。さらに、パッド溝３２の断面形状は、コの字形状であり、パッド溝底３２ａは平面で、パッド溝壁３２ｂはパッド溝底３２ａに垂直な壁である。
【００２３】
パッド溝３０の溝幅Ｗ３０は、どの場所のパッド溝３２においても同じ寸法である。また、パッド溝３２の溝ピッチＰ３０も一定である。
【００２４】
研磨パッド３０の中心３０ｃから外縁に行くにしたがって、パッド溝３２の溝深さが深くなっている。つまり、研磨パッド３０の中心３０ｃ付近では、パッド溝３２の溝深さは、Ｄ２であるが、中心３０ｃと外縁の中間付近ではＤ３となり、外縁ではＤ４となっている。図５Ｂに示すように、任意のパッド溝３２の断面をみれば、研磨パッド３０の中心３０ｃを最高点として、研磨パッド３０の外縁に向かって斜面３２ａ’を有している。
【００２５】
なお、研磨パッド３０は、上層研磨パッド３０ａと下層研磨パッド３０ｂの２層に分かれており、上層研磨パッド３０ａにパッド溝３２が形成されている。
【００２６】
このように、研磨パッド３０は、中心３０ｃから外縁に行くに従って、パッド溝３２の溝深さが深くなる構造である。したがって、研磨テーブル４が回転することによる遠心力に、パッド溝底３２の斜面３２ａ’の作用が加わり、スラリー１６や研磨パッド３２の削り屑が容易に排出することになる。研磨パッド６の外縁が、斜面３２ａ’の低いほうに相当するため、外縁に向かってスラリー１６や削り屑は流れるのである。スラリー１６や削り屑が容易に排出されれば、スラリーノズル１４から供給される新たなスラリー１６が、ウエハ１２の研磨面に供給され、マイクロスクラッチの発生を防止することが可能となる。なお、研磨パッド３０に対してパッド溝３２を形成することに加えて、さらに穴を形成しても良い。
【００２７】
このような、研磨パッド３０を備えた研磨装置２を用い、以下のようにしてウエハ１２が研磨される。まず、研磨パッド３０を研磨テーブル４の上面に接着する。スピンドルキャリア８がウエハ１２を保持し、スピンドルキャリア８は、ウエハ１２を研磨パッド３０に一定の荷重で押し付ける。スラリーノズル１４からは、図示しないスラリー１６の貯蔵容器から、スラリー１６が、連続的あるいは間欠的に研磨パッド３０の上面に供給される。研磨テーブル４は、一定の回転速度で回転し、スピンドルキャリア８も一定の回転速度で回転する。
【００２８】
図６に、本発明に係る研磨パッド３０のパッド溝壁の一形態を説明する図を示す。図６は、パッド溝４１が、浅溝パッド溝４４と深溝パッド溝４６の場合を示している。これは、上記において図５Ａ及び図５Ｂを参照して説明したことに対応して、溝深さＤ２’を有する浅溝パッド溝４４は、研磨パッド３２の中心３０ｃ付近のパッド溝４１を示し、溝深さＤ４’を有する深溝パッド溝４６は、研磨パッド３０の外縁付近のパッド溝４１を示している。浅溝パッド溝４４の底部の幅Ｗ３よりも上部の幅Ｗ２のほうが広くなり、パッド溝壁４４ａは斜面となっている。また、深溝パッド溝４６の底部の幅Ｗ５よりも上部の幅Ｗ４のほうが広くなり、パッド溝壁４６ａは斜面となっている。この場合、上部の幅Ｗ２とＷ４は同一寸法である。パッド溝４１は、機械加工によって形成される。
【００２９】
このようにパッド溝４１のパッド溝壁４４ａ・４６ａが斜面を形成することで、スラリー１６や研磨パッド３０の削り屑がパッド溝４１に滞留し難く、排出し易くなる。つまり、パッド溝壁４４ａ・４６ａの斜面は、ウエハ１２にマイクロスクラッチが発生することを防止する効果を有する。
【００３０】
（第２の実施形態）
図７に、本発明に係る第２の実施形態の研磨パッド４０の断面図を示す。研磨パッド４０は、ポリウレタンなどの合成樹脂で作られている。また、研磨パッド４０は、図３に示した研磨パッド６と同様に格子状にパッド溝４２が形成されている。パッド溝４２は、機械加工によって形成する。また、図７は、図３のＡ−Ａ’断面図である。さらに、パッド溝４２の断面形状は、コの字形状であり、パッド溝底４２ａは平面で、パッド溝壁４２ｂはパッド溝底４２ａに垂直な壁である。なお、図６に示すように、パッド溝４２の断面形状において、パッド溝壁４２ｂが斜面を形成していてもよい。
【００３１】
パッド溝４０の溝幅Ｗ４０は、どの場所のパッド溝４２においても同じ寸法である。また、パッド溝４２の溝ピッチＰ４０も一定である。
【００３２】
研磨パッド４０は、外縁の側から、第１パッド溝４０ｄ、第２パッド溝４０ｅ、第３パッド溝４０ｆ、第４パッド溝４０ｇ、第５パッド溝４０ｈの各グループにパッド溝４２を分けて、各々の溝深さを設定している。第１パッド溝４０ｄの溝深さＤ５が最も深く、中心４０ｃに近いグループになればなるほど溝深さは浅くなる。例えば、第３パッド溝４０ｆは、溝深さＤ６で、最も溝深さが浅いのは第５パッド溝４０ｈの溝深さＤ７である。
【００３３】
なお、研磨パッド４０は、上層研磨パッド４０ａと下層研磨パッド４０ｂの２層に分かれており、上層研磨パッド４０ａにパッド溝４２が形成されている。上層研磨パッド４０ａ及び下層研磨パッド４０ｂは各々、厚さが１〜２ｍｍ程度である。第１パッド溝４０ｄの溝深さＤ５は、上層研磨パッド４０ａの厚さの８０％であり、第３パッド溝４０ｆの溝深さＤ６は、上層研磨パッド４０ａの厚さの６０％であり、第５パッド溝４０ｈの溝深さＤ７は、上層研磨パッド４０ａの厚さの４０％である。
【００３４】
このように、研磨パッド４０は、中心４０ｃから外縁に行くに従って、段階的にパッド溝４２の溝深さが深くなる構造である。したがって、研磨テーブル４が回転することによる遠心力に、段階的にパッド溝４２の深さが深くなる作用が加わり、スラリー１６や研磨パッド４０の削り屑が容易に排出することになる。スラリー１６や削り屑が容易に排出されれば、スラリーノズル１４から供給される新たなスラリー１６が、ウエハ１２の研磨面に供給され、マイクロスクラッチの発生を防止することが可能となる。なお、研磨パッド４０に対してパッド溝４２を形成することに加えて、さらに穴を形成しても良い。
【００３５】
（第３の実施形態）
図８に、本発明に係る第３の実施形態の研磨パッド５０の上面図を示す。研磨パッド５０は、ポリウレタンなどの合成樹脂で作られている。パッド溝５２が、研磨パッド５０の中心から放射状に配置されている。パッド溝５２は、機械加工によって形成する。また、パッド溝５２は、図示しない断面がコの字形状であるが、図６に示すように、パッド溝壁が斜面を形成していてもよい。
【００３６】
図９に、本発明に係る第３の実施形態の研磨パッド５０の断面図を示す。図９は、図８のＣ−Ｃ’断面図である。研磨パッド５０の中心５０ｃから研磨パッド５０の外縁に向かって、パッド溝底５２ａは斜面となっている。なお、研磨パッド５０は、上層研磨パッド５０ａと下層研磨パッド５０ｂの２層に分かれており、上層研磨パッド５０ａにパッド溝５２が形成されている。
【００３７】
このように、研磨パッド５０は、中心５０ｃから外縁に行くに従って、パッド溝５２の溝深さが深くなる構造である。したがって、研磨テーブル４が回転することによる遠心力に、パッド溝５２の溝深さが深くなる作用が加わり、スラリー１６や研磨パッド５０の削り屑が容易に排出することになる。スラリー１６や削り屑が容易に排出されれば、スラリーノズル１４から供給される新たなスラリー１６が、ウエハ１２の研磨面に供給され、マイクロスクラッチの発生を防止することが可能となる。なお、研磨パッド５０に対してパッド溝５２を形成することに加えて、さらに穴を形成しても良い。
【００３８】
（第４の実施形態）
図１０に、本発明に係る第４の実施形態の研磨パッド６０の上面図を示す。研磨パッド６０は、ポリウレタンなどの合成樹脂で作られている。パッド溝６２が、研磨パッド６０の中心から螺旋状に配置されている。パッド溝６２は、機械加工によって形成する。また、パッド溝６２は、図示しない断面がコの字形状であるが、図６に示すように、パッド溝壁が斜面を形成していてもよい。
【００３９】
図１１に、本発明に係る第４の実施形態の研磨パッド６０の断面図を示す。図１１は、図１０のＤ−Ｄ’断面図である。研磨パッド６０の中心６０ｃから研磨パッド６０の外縁に向かって、パッド溝底６２ａは斜面となっている。なお、研磨パッド６０は、上層研磨パッド６０ａと下層研磨パッド６０ｂの２層に分かれており、上層研磨パッド６０ａにパッド溝６２が形成されている。
【００４０】
このように、研磨パッド６０は、中心６０ｃから外縁に行くに従って、パッド溝６２の溝深さが深くなる構造である。したがって、研磨テーブル４が回転することによる遠心力に、パッド溝６２の溝深さが深くなる作用が加わり、スラリー１６や研磨パッド６０の削り屑が容易に排出することになる。スラリー１６や削り屑が容易に排出されれば、スラリーノズル１４から供給される新たなスラリー１６が、ウエハ１２の研磨面に供給され、マイクロスクラッチの発生を防止することが可能となる。なお、研磨パッド６０に対してパッド溝６２を形成することに加えて、さらに穴を形成しても良い。
【００４１】
以上、実施形態１〜４を示したが、実施形態１〜４のいずれの態様の組み合わせもありうる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】図１は、ＣＭＰ装置の概略を示す斜視図である。
【図２】図２は、ＣＭＰ装置の概略を示す側面図である。
【図３】図３は、従来技術の研磨パッドの上面図を示す。
【図４】図４は、従来技術の研磨パッドの断面図を示す。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明に係る第１の実施形態の研磨パッドの断面図を示す。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明に係る第１の実施形態の研磨パッドの断面図を示す。
【図６】図６は、本発明に係る研磨パッドのパッド溝壁の一形態を説明する図である。
【図７】図７は、本発明に係る第２の実施形態の研磨パッドの断面図を示す。
【図８】図８は、本発明に係る第３の実施形態の研磨パッドの上面図を示す。
【図９】図９は、本発明に係る第３の実施形態の研磨パッドの断面図を示す。
【図１０】図１０は、本発明に係る第４の実施形態の研磨パッドの上面図を示す。
【図１１】図１１は、本発明に係る第４の実施形態の研磨パッドの断面図を示す。
【符号の説明】
【００４３】
２    ：ＣＭＰ装置
４    ：研磨テーブル
６    ：研磨パッド
６ａ  ：上層研磨パッド
６ｂ  ：下層研磨パッド
６ｂ  ：中心
８    ：スピンドルキャリア
１０  ：スピンドル
１２  ：ウエハ
１４  ：スラリーノズル
１６  ：スラリー
１８  ：ブリッジ
２０  ：パッド溝
２０ａ：パッド溝底
２０ｂ：パッド溝壁
３０  ：研磨パッド
３０ａ：上層研磨パッド
３０ｂ：下層研磨パッド
３０ｃ：中心
３２  ：パッド溝
３２ａ：パッド溝底
３２ａ’：斜面
３２ｂ：パッド溝壁
４０  ：研磨パッド
４０ａ：上層研磨パッド
４０ｂ：下層研磨パッド
４０ｃ：中心
４０ｄ：第１パッド溝
４０ｅ：第２パッド溝
４０ｆ：第３パッド溝
４０ｇ：第４パッド溝
４０ｈ：第５パッド溝
４１  ：パッド溝
４２  ：パッド溝
４２ａ：パッド溝底
４２ｂ：パッド溝壁
４４  ：浅溝パッド溝
４４ａ：パッド溝壁
４６  ：深溝パッド溝
４６ａ：パッド溝壁
５０  ：研磨パッド
５０ａ：上層研磨パッド
５０ｂ：下層研磨パッド
５０ｃ：中心
５２  ：パッド溝
５２ａ：パッド溝底
６０  ：研磨パッド
６０ａ：上層研磨パッド
６０ｂ：下層研磨パッド
６０ｃ：中心
６２  ：パッド溝
６２ａ：パッド溝底
【図１】
2008062367.tif 000003
【図２】
2008062367.tif 000004
【図３】
2008062367.tif 000005
【図４】
2008062367.tif 000006
【図５Ａ】
2008062367.tif 000007
【図５Ｂ】
2008062367.tif 000008
【図６】
2008062367.tif 000009
【図７】
2008062367.tif 000010
【図８】
2008062367.tif 000011
【図９】
2008062367.tif 000012
【図１０】
2008062367.tif 000013
【図１１】
2008062367.tif 000014