(57)【要約】【課題】基板の両面に傷等の不良のない導電パターンを形成でき、しかも複数回のパターニング工程を連続して行うことができる基板の製造方法を提供する。【解決手段】基板の第２主面上に第１保護膜を形成する工程Ｐ１と、その後に第１主面にａ−ＩＴＯ膜を形成する工程Ｐ５と、ａ−ＩＴＯ膜をパターニングして第１電極を形成する工程Ｐ６と、第１電極を覆う形状に第２保護膜を形成する工程Ｐ１０と、その後に第１保護膜上に第２レジスト膜を形成し第２レジスト膜を用いて第１保護膜をパターニングする工程Ｐ１１と、パターニング後の第２レジスト膜を除去する工程Ｐ１２と、工程Ｐ１２後に第２主面に無機膜を形成する工程Ｐ１３と、無機膜をパターニングする工程Ｐ１４とを有する基板の製造方法である。工程Ｐ１０の第２保護膜は非感光性材料によって形成され、工程Ｐ１２では第２レジスト膜を全面露光した後で現像によって除去する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１主面及び第２主面に導電パターンを有する基板の製造方法であって、
（Ａ）前記第２主面を覆う第１保護膜を導電膜によって形成する第１保護膜形成工程と、
（Ｂ）前記第１保護膜形成工程の後に前記第１主面に第１導電膜を形成し、該第１導電膜上に第１レジスト膜を形成し、該第１レジスト膜を用いて前記第１導電膜をパターニングし、該パターニング後の第１レジスト膜を除去して第１導電パターンを形成する第１導電パターン形成工程と、
（Ｃ）前記第１主面上であって前記第１導電パターンを覆う形状に第２保護膜を形成する第２保護膜形成工程と、
（Ｄ）前記第２保護膜形成工程の後に前記第２主面上の前記第１保護膜上に第２レジスト膜を形成し、該第２レジスト膜を用いて前記第１保護膜をパターニングして第２導電パターンを形成し、該パターニング後の第２レジスト膜を除去する第２導電パターン形成工程と、
（Ｅ）前記第２導電パターン形成工程の後に前記第２主面に無機膜を形成し、該無機膜上に第３レジスト膜を形成し、該第３レジスト膜を用いて前記無機膜をパターニングして無機膜パターンを形成する無機膜パターン形成工程とを有し、
（Ｆ）前記第２保護膜は非感光性材料によって形成され、
（Ｇ）前記第２導電パターン形成工程では、前記パターニング後に残った第２レジスト膜を全面露光した後で現像によって除去する
ことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の基板の製造方法において、前記第１保護膜をポリＩＴＯによって形成し、前記第２導電パターン形成工程では該ポリＩＴＯによって前記第２導電パターンが形成されることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の基板の製造方法において、
前記第１導電パターン形成工程では、
前記第１導電膜はアモルファスＩＴＯによって形成され、該アモルファスＩＴＯは焼成によってポリ化される
ことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の基板の製造方法において、前記無機膜パターン形成工程の後に、前記第３レジスト膜及び前記第２保護膜を同時に除去する工程を有することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の基板の製造方法において、前記無機膜パターン形成工程の後に前記基板を分割する分割工程をさらに有し、前記第３レジスト膜及び前記第２保護膜を同時に除去する工程は前記分割工程の後に行われることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項６】
基板の第１主面及び第２主面に導電パターンを有する基板の製造方法であって、
（Ａ）前記第２主面を覆う第１保護膜を導電膜によって形成する第１保護膜形成工程と、
（Ｂ）前記第１保護膜形成工程の後に前記第１主面に第１導電膜を形成し、該第１導電膜上に第１レジスト膜を形成し、該第１レジスト膜を用いて前記第１導電膜をパターニングし、該パターニング後の第１レジスト膜を除去して第１導電パターンを形成する第１導電パターン形成工程と、
（Ｃ）前記第１主面上であって前記第１導電パターンを覆う形状に第２保護膜を形成する第２保護膜形成工程と、
（Ｄ）前記第２保護膜形成工程の後に前記第２主面上の前記第１保護膜上に第２レジスト膜を形成し、該第２レジスト膜を用いて前記第１保護膜をパターニングして第２導電パターンを形成し、該パターニング後の第２レジスト膜を除去する第２導電パターン形成工程と、
（Ｅ）前記第２導電パターン形成工程の後に前記第２主面に樹脂膜を形成し、該樹脂膜をパターニングして樹脂パターンを形成する樹脂パターン形成工程とを有し、
（Ｆ）前記第２保護膜は非感光性材料によって形成され、
（Ｇ）前記第２導電パターン形成工程では、前記パターニング後に残った第２レジスト膜を全面露光した後で現像によって除去する
ことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の基板の製造方法において、前記第１保護膜をポリＩＴＯによって形成し、前記第２導電パターン形成工程では該ポリＩＴＯによって前記第２導電パターンが形成されることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７記載の基板の製造方法において、
前記第１導電パターン形成工程では、
前記第１導電膜はアモルファスＩＴＯによって形成され、該アモルファスＩＴＯは焼成によってポリ化される
ことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項９】
請求項６から請求項８のいずれか１つに記載の基板の製造方法において、前記樹脂パターン形成工程の後に、前記樹脂膜を除去せず前記第２保護膜を除去する工程を有することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の基板の製造方法において、前記樹脂膜を除去せず前記第２保護膜を除去する工程は水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用いて行われることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１１】
基板の第１主面及び第２主面に導電パターンを有する基板の製造方法であって、
（Ａ）前記第２主面を覆う第１保護膜を形成する第１保護膜形成工程と、
（Ｂ）前記第１保護膜形成工程の後に前記第１主面に第１導電膜を形成し、該第１導電膜上に第１レジスト膜を形成し、該第１レジスト膜を用いて前記第１導電膜をパターニングし、該パターニング後の第１レジスト膜を除去して第１導電パターンを形成する第１導電パターン形成工程と、
（Ｃ）前記第１主面上であって前記第１導電パターンを覆う形状に第２保護膜を形成する第２保護膜形成工程と、
（Ｄ）前記第２保護膜形成工程の後に前記第１保護膜を前記第２主面上から除去する第１保護膜除去工程と、
（Ｅ）前記第１保護膜除去工程の後に前記第２主面上に第２導電膜を形成し、該第２導電膜上に第２レジスト膜を形成し、該第２レジスト膜を用いて前記第２導電膜をパターニングして第２導電パターンを形成し、該パターニング後の第２レジスト膜を除去する第２導電パターン形成工程と、
（Ｆ）前記第２導電パターン形成工程の後に前記第２主面に無機膜を形成し、該無機膜膜上に第３レジスト膜を形成し、該第３レジスト膜を用いて前記無機膜をパターニングして無機膜パターンを形成する無機膜パターン形成工程とを有し、
（Ｇ）前記第２保護膜は非感光性材料によって形成され、
（Ｈ）前記第２導電パターン形成工程では、前記パターニング後に残った第２レジスト膜を全面露光した後で現像によって除去する
ことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１２】
基板の第１主面及び第２主面に導電パターンを有する基板の製造方法であって、
（Ａ）前記第２主面を覆う第１保護膜を形成する第１保護膜形成工程と、
（Ｂ）前記第１保護膜形成工程の後に前記第１主面に第１導電膜を形成し、該第１導電膜上に第１レジスト膜を形成し、該第１レジスト膜を用いて前記第１導電膜をパターニングし、該パターニング後の第１レジスト膜を除去して第１導電パターンを形成する第１導電パターン形成工程と、
（Ｃ）前記第１主面上であって前記第１導電パターンを覆う形状に第２保護膜を形成する第２保護膜形成工程と、
（Ｄ）前記第２保護膜形成工程の後に前記第１保護膜を前記第２主面上から除去する第１保護膜除去工程と、
（Ｅ）前記第１保護膜除去工程の後に前記第２主面上に第２導電膜を形成し、該第２導電膜上に第２レジスト膜を形成し、該第２レジスト膜を用いて前記第２導電膜をパターニングして第２導電パターンを形成し、該パターニング後の第２レジスト膜を除去する第２導電パターン形成工程と、
（Ｆ）前記第２導電パターン形成工程の後に前記第２主面に樹脂膜を形成し、該樹脂膜をパターニングして樹脂パターンを形成する樹脂パターン形成工程とを有し、
（Ｇ）前記第２保護膜は非感光性材料によって形成され、
（Ｈ）前記第２導電パターン形成工程では、前記パターニング後に残った第２レジスト膜を全面露光した後で現像によって除去する
ことを特徴とする基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１つの基板の両面に導電膜等のパターンを有する基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において、例えば、当該電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として、液晶装置やＥＬ（Electro luminessence）装置等といった電気光学装置が広く用いられている。また、これらの電気光学装置にはタッチパネル等といった入力装置が設けられることがある。これらの電気光学装置や入力装置は、一般に、透明導電膜や金属膜等といった種々の要素が形成された基板を用いて構成されている。
【０００３】
基板上に導電膜等の要素を形成する作業、いわゆるパターン形成作業の際には、一般に、スパッタ、露光、現像、エッチング等といった作業が行われる。これらの作業を行う際には、各作業を行う装置に予め備えられたテーブルやマガジンに基板を固定した状態でそれらの作業が行われることがある。
【０００４】
上記のような基板を製造する方法として、従来から、基板の一方の面に種々の要素をパターン形成するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この製造方法は、２つの基板を平面的に重ねて構成された液晶装置の製造方法であって、２つの基板のうちの一方の基板に導電膜等のパターンを形成している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２６８０４２号公報（第６頁、図１２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、基板に形成される導電膜等のパターンは、基板の表裏両面に設けられる場合がある。この場合には、基板の一方の面にパターン形成を行い、その後、その基板の他方の面にパターン形成を行うことが考えられる。しかしながら、特許文献１に開示された基板の製造方法は、専ら基板の一方の面のみにパターンを形成するものであり、パターン形成を行う際、そのパターンを形成する面の反対側の面を保護することに関してなんらの考慮もされていない。そのため、特許文献１に開示された方法を用いて基板の表裏両面にパターンを形成しようとすると、基板の一方の面にパターン形成を行う際に反対側の面が不良となるおそれがある。例えば、基板を搬送する工程のとき等に、基板の搬送面に傷やシミがついたり異物が付着することがある。傷、シミ、異物がある基板面にパターンを形成すると、形成されたそのパターンに不良が発生するおそれがある。
【０００７】
また、基板上にパターンを形成する際には、その基板に対してスパッタ等の作業を行うことがある。スパッタ装置は一般に基板を載置するためのテーブルを有しており、基板はこのテーブルに接触した状態で作業を受ける。基板の一方の面にパターンを形成した後、基板の他方の面にパターン形成を行う際には、既にパターンが形成されている基板面がスパッタ装置のテーブルに直接に接触して、既に一方の面に形成されたパターンに傷がつく等の不良が発生するおそれがある。それらのパターン不良が発生すると、基板を製造する工程における歩留まりが低下するおそれがある。
【０００８】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、基板の両面に傷等の不良を発生させることなく、その基板の両面に傷等の不良のない導電パターンを形成できる基板の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、複数回のパターニング工程を連続して行う場合にも、基板や導電パターンに不良を発生させないようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る第１の基板の製造方法は、基板の第１主面及び第２主面に導電パターンを有する基板の製造方法であって、（Ａ）前記第２主面を覆う第１保護膜を導電膜によって形成する第１保護膜形成工程と、（Ｂ）前記第１保護膜形成工程の後に前記第１主面に第１導電膜を形成し、該第１導電膜上に第１レジスト膜を形成し、該第１レジスト膜を用いて前記第１導電膜をパターニングし、該パターニング後の第１レジスト膜を除去して第１導電パターンを形成する第１導電パターン形成工程と、（Ｃ）前記第１主面上であって前記第１導電パターンを覆う形状に第２保護膜を形成する第２保護膜形成工程と、（Ｄ）前記第２保護膜形成工程の後に前記第２主面上の前記第１保護膜上に第２レジスト膜を形成し、該第２レジスト膜を用いて前記第１保護膜をパターニングして第２導電パターンを形成し、該パターニング後の第２レジスト膜を除去する第２導電パターン形成工程と、（Ｅ）前記第２導電パターン形成工程の後に前記第２主面に無機膜を形成し、該無機膜上に第３レジスト膜を形成し、該第３レジスト膜を用いて前記無機膜をパターニングして無機膜パターンを形成する無機膜パターン形成工程とを有し、（Ｆ）前記第２保護膜は非感光性材料によって形成され、（Ｇ）前記第２導電パターン形成工程では、前記パターニング後に残った第２レジスト膜を全面露光した後で現像によって除去する、ことを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る第１の基板の製造方法によれば、基板の第１主面に第１導電パターン（例えば電極）を形成している最中に、その裏面である第２主面に傷、シミ等の不良がつくことを第１保護膜によって保護できる。また、基板の第２主面に第２導電パターン（例えば電極）を形成している最中に、その裏面である第１主面に傷、シミ等の不良がつくことを第２保護膜によって保護できる。この結果、基板の第１主面及び第２主面の両面に傷等の不良を発生させることなく、その基板の両面に傷等の不良のない導電パターンを形成できる。
【００１１】
さらに、本発明に係る第１の基板の製造方法によれば、第１主面を保護する第２保護膜を非感光性材料によって形成すると共に、その後に行われる第２主面に対するフォトリソグラフィ処理に基づいた第２導電パターンの形成処理におけるレジスト膜の除去処理を、溶剤や硫酸等を用いた処理でなく、露光及び現像による除去処理としたので、第２主面上での第２導電パターンの形成処理の最中に、反対面である第１主面上の第２保護膜が露光と現像されて除去されたり、第１導電パターンが損傷したりすることがない。従って、その第２保護膜を第１主面上に載せておいたままで、第２導電パターンの形成処理に引き続いて２回目のパターン形成処理である無機膜のパターン形成処理を行うことができる。こうして、第２導電パターンと無機膜パターンの２回の膜形成を短時間に低コストで実施できる。
【００１２】
さらに、２回目のフォトリソグラフィ処理である無機膜パターン形成工程におけるレジスト膜の除去処理を露光及び現像によって行えば、その２回目のフォトリソグラフィ処理の後に引き続いて、さらに別のフォトリソグラフィ処理を行うことができる。また、その同じ処理を繰り返せば、１つの保護膜で第１主面を保護している間に反対面である第２主面に対して複数回のパターン形成処理を実行できる。このことは、材料コスト及び製造コストの低減に大きく貢献する。
【００１３】
次に、本発明に係る基板の製造方法においては、第１保護膜をポリＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム・スズ酸化物）によって形成し、第２導電パターン形成工程では該ポリＩＴＯによって第２導電パターンが形成されることが望ましい。この構成によれば、第２導電膜として特別な材料を用意しなくて済むので、経済的であり、工程数も低減できる。
【００１４】
次に、本発明に係る基板の製造方法において、第１主面に対する第１導電パターン形成工程では、第１導電膜はアモルファスＩＴＯによって形成され、該アモルファスＩＴＯは焼成によってポリ化されることが望ましい。アモルファスＩＴＯは、一般に、弱い酸（例えば蓚酸）によってもエッチングできる物質である。第１導電膜の材料としてアモルファスＩＴＯを用いれば、第１導電膜に対するパターニング処理（特にエッチング処理）の最中に第１保護膜のポリＩＴＯがエッチングされないので好都合である。
【００１５】
次に、本発明に係る基板の製造方法は、無機膜パターニングにおいてパターン上に残る第３レジスト膜及び反対面上に残る第２保護膜の両方を同時に除去する工程を無機膜パターン形成工程の後に有することが望ましい。この工程は、例えば溶剤を用いて行なわれる。この構成によれば、工程数を低減できる。
【００１６】
次に、本発明に係る基板の製造方法は、無機膜パターン形成工程の後に基板を分割する分割工程を有することができる。そしてこの場合には、第３レジスト膜及び第２保護膜を同時に除去する工程はその分割工程の後に行われることが望ましい。この構成によれば、大判（すなわち大面積）状態の基板の両面を第３レジスト膜及び第２保護膜によって保護できるので、大判状態の基板の取扱いが行い易くなる。
【００１７】
次に、本発明に係る第２の基板の製造方法は、基板の第１主面及び第２主面に導電パターンを有する基板の製造方法であって、（Ａ）前記第２主面を覆う第１保護膜を導電膜によって形成する第１保護膜形成工程と、（Ｂ）前記第１保護膜形成工程の後に前記第１主面に第１導電膜を形成し、該第１導電膜上に第１レジスト膜を形成し、該第１レジスト膜を用いて前記第１導電膜をパターニングし、該パターニング後の第１レジスト膜を除去して第１導電パターンを形成する第１導電パターン形成工程と、（Ｃ）前記第１主面上であって前記第１導電パターンを覆う形状に第２保護膜を形成する第２保護膜形成工程と、（Ｄ）前記第２保護膜形成工程の後に前記第２主面上の前記第１保護膜上に第２レジスト膜を形成し、該第２レジスト膜を用いて前記第１保護膜をパターニングして第２導電パターンを形成し、該パターニング後の第２レジスト膜を除去する第２導電パターン形成工程と、（Ｅ）前記第２導電パターン形成工程の後に前記第２主面に樹脂膜を形成し、該樹脂膜をパターニングして樹脂パターンを形成する樹脂パターン形成工程とを有し、（Ｆ）前記第２保護膜は非感光性材料によって形成され、（Ｇ）前記第２導電パターン形成工程では、前記パターニング後に残った第２レジスト膜を全面露光した後で現像によって除去する、ことを特徴とする。
【００１８】
上記の第１の基板の製造方法では、第２主面を第１保護膜で保護した状態で反対面である第１主面上に第１導電パターンをパターニングし、さらに、第１主面上を第２保護膜で保護した状態で、第２主面上に２回のパターニング処理を連続して施すことによって第２導電パターン及び無機膜パターンの２つのパターンを形成した。これに対し、上記第２の基板の製造方法では、第２主面を第１保護膜で保護した状態で反対面である第１主面上に第１導電パターンをパターニングし、さらに、第１主面上を第２保護膜で保護した状態で、第２主面上に２回のパターニング処理を連続して施すことに関しては第１の基板の製造方法と同じである。異なるのは、第２主面に対して行う２回のパターニングのうちの１回を無機膜パターニングに代えて樹脂膜のパターニングとしたことである。
【００１９】
樹脂膜パターンも無機膜パターンも主たる目的は第２導電パターンを保護することであるが、有機膜である樹脂膜パターンを採用するか、無機膜である無機膜パターンを採用するかは、第２導電パターンの種類に応じて、あるいはその他の理由に従って適宜に選定する。なお、コストの面では現状では無機膜の方が安い状態である。
【００２０】
上記第２の基板の製造方法によっても、基板の片面の処理中に反対面を保護膜で保護するので、基板の両面に傷等の不良を発生させることなく、その基板の両面に傷等の不良のない導電パターンを形成できる。
【００２１】
さらに、第１主面を保護する第２保護膜を非感光性材料によって形成すると共に、その後に行われる第２主面に対するフォトリソグラフィ処理に基づいた第２導電パターンの形成処理におけるレジスト膜の除去処理を、露光及び現像による除去処理としたので、第２主面上での第２導電パターンの形成処理の最中に、反対面である第１主面上の第２保護膜が露光と現像されて除去されたり、第１導電パターンが損傷したりすることがない。従って、その第２保護膜を第１主面上に乗せておいたままで、第２導電パターンの形成処理に引き続いて２回目のパターン形成処理である樹脂膜の形成処理を行うことができる。こうして、第２導電パターンと樹脂膜パターンの２回の膜形成を短時間に低コストで実施できる。
【００２２】
次に、本発明に係る第２の基板の製造方法においては、第１保護膜をポリＩＴＯによって形成し、第２導電パターン形成工程では該ポリＩＴＯによって第２導電パターンが形成されることが望ましい。この構成によれば、第２導電膜として特別な材料を用意しなくて済むので、経済的であり、工程数も低減できる。
【００２３】
次に、本発明に係る第２の基板の製造方法において、第１主面に対する第１導電パターン形成工程では、第１導電膜はアモルファスＩＴＯによって形成され、該アモルファスＩＴＯは焼成によってポリ化されることが望ましい。アモルファスＩＴＯは、一般に、弱い酸（例えば蓚酸）によってもエッチングできる物質である。第１導電膜の材料としてアモルファスＩＴＯを用いれば、第１導電膜に対するパターニング処理（特にエッチング処理）の最中に第１保護膜のポリＩＴＯがエッチングされないので好都合である。
【００２４】
次に、本発明に係る第２の基板の製造方法においては、樹脂パターン形成工程の後に、樹脂膜を除去せずに第２保護膜を除去する工程を有することが望ましい。この構成により、樹脂パターンを第２主面上に確実に残すことができる。樹脂膜を除去せずに第２保護膜を除去する工程は、例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用いて行うことができる。
【００２５】
次に、本発明に係る第３の基板の製造方法は、基板の第１主面及び第２主面に導電パターンを有する基板の製造方法であって、（Ａ）前記第２主面を覆う第１保護膜を形成する第１保護膜形成工程と、（Ｂ）前記第１保護膜形成工程の後に前記第１主面に第１導電膜を形成し、該第１導電膜上に第１レジスト膜を形成し、該第１レジスト膜を用いて前記第１導電膜をパターニングし、該パターニング後の第１レジスト膜を除去して第１導電パターンを形成する第１導電パターン形成工程と、（Ｃ）前記第１主面上であって前記第１導電パターンを覆う形状に第２保護膜を形成する第２保護膜形成工程と、（Ｄ）前記第２保護膜形成工程の後に前記第１保護膜を前記第２主面上から除去する第１保護膜除去工程と、（Ｅ）前記第１保護膜除去工程の後に前記第２主面上に第２導電膜を形成し、該第２導電膜上に第２レジスト膜を形成し、該第２レジスト膜を用いて前記第２導電膜をパターニングして第２導電パターンを形成し、該パターニング後の第２レジスト膜を除去する第２導電パターン形成工程と、（Ｆ）前記第２導電パターン形成工程の後に前記第２主面に無機膜を形成し、該無機膜上に第３レジスト膜を形成し、該第３レジスト膜を用いて前記無機膜をパターニングして無機膜パターンを形成する無機膜パターン形成工程とを有し、（Ｇ）前記第２保護膜は非感光性材料によって形成され、（Ｈ）前記第２導電パターン形成工程では、前記パターニング後に残った第２レジスト膜を全面露光した後で現像によって剥離して除去する、ことを特徴とする。
【００２６】
上記第３の基板の製造方法は、基板の第２主面上に第２導電パターン及び無機膜パターンの２種類のパターンを形成することに関して上記第１の基板の製造方法と同じである。そして、（１）第１主面に対するパターニング処理の最中に反対面である第２主面を保護する第１保護膜が導電膜に限られないこと、（２）第２主面に対するパターニング処理を開始する前に、それまで第２主面を保護していた第１保護膜を第２主面から除去すること、及び（３）第１保護膜を除去した後に第２導電パターン用の導電材料を改めて成膜すること、が上記第１の基板の製造方法と異なることである。第１保護膜が導電膜に限られないのは、第１保護膜を反対面の導電パターンのための導電材料として兼用しないからである。
【００２７】
本発明に係る第３の基板の製造方法によれば、基板の第１主面に第１導電パターン（例えば電極）を形成している最中に、その裏面である第２主面に傷、シミ等の不良がつくことを第１保護膜によって保護できる。また、基板の第２主面に第２導電パターン（例えば電極）を形成している最中に、その裏面である第１主面に傷、シミ等の不良がつくことを第２保護膜によって保護できる。この結果、基板の第１主面及び第２主面の両面に傷等の不良を発生させることなく、その基板の両面に傷等の不良のない導電パターンを形成できる。
【００２８】
さらに、本発明に係る第３の基板の製造方法によれば、第１主面を保護する第２保護膜を非感光性材料によって形成すると共に、その後に行われる第２主面に対するフォトリソグラフィ処理に基づいた第２導電パターンの形成処理におけるレジスト膜の除去処理を、溶剤や硫酸等を用いた除去処理でなく、露光及び現像による除去処理としたので、第２主面上での第２導電パターンの形成処理の最中に、反対面である第１主面上の第２保護膜が露光と現像されて除去されたり、第１導電パターンが損傷したりすることがない。従って、その第２保護膜を第１主面上に乗せておいたままで、第２導電パターンの形成処理に引き続いて２回目のパターン形成処理である無機膜の形成処理を行うことができる。こうして、第２導電パターンと無機膜パターンの２回の膜形成を短時間に低コストで実施できる。
【００２９】
さらに、２回目のフォトリソグラフィ処理である無機膜パターン形成工程におけるレジスト膜の除去処理をも露光及び現像によって行えば、その２回目のフォトリソグラフィ処理の後に引き続いて、さらに別のフォトリソグラフィ処理を行うことができる。また、その同じ処理を繰り返せば、１つの保護膜で第１主面を保護している間に反対面である第２主面に対して複数回のパターン形成処理を実行できる。このことは、材料コスト及び製造コストの低減に大きく貢献する。
【００３０】
また、上記第３の基板の製造方法によれば、第２主面に対するパターニング処理の開始に先立って、それまで第２主面を保護していた第１保護膜を除去して、新しい導電膜を形成した上でパターニング処理を行う。従って、第１の基板の製造方法に比べ、工程数は増加するものの、第２主面上に綺麗で高精細な第２導電パターンを得ることができる。
【００３１】
次に、本発明に係る第４の基板の製造方法は、基板の第１主面及び第２主面に導電パターンを有する基板の製造方法であって、（Ａ）前記第２主面を覆う第１保護膜を形成する第１保護膜形成工程と、（Ｂ）前記第１保護膜形成工程の後に前記第１主面に第１導電膜を形成し、該第１導電膜上に第１レジスト膜を形成し、該第１レジスト膜を用いて前記第１導電膜をパターニングし、該パターニング後の第１レジスト膜を除去して第１導電パターンを形成する第１導電パターン形成工程と、（Ｃ）前記第１主面上であって前記第１導電パターンを覆う形状に第２保護膜を形成する第２保護膜形成工程と、（Ｄ）前記第２保護膜形成工程の後に前記第１保護膜を前記第２主面上から除去する第１保護膜除去工程と、（Ｅ）前記第１保護膜除去工程の後に前記第２主面上に第２導電膜を形成し、該第２導電膜上に第２レジスト膜を形成し、該第２レジスト膜を用いて前記第２導電膜をパターニングして第２導電パターンを形成し、該パターニング後の第２レジスト膜を除去する第２導電パターン形成工程と、（Ｆ）前記第２導電パターン形成工程の後に前記第２主面に樹脂膜を形成し、該樹脂膜をパターニングして樹脂パターンを形成する樹脂パターン形成工程とを有し、（Ｇ）前記第２保護膜は非感光性材料によって形成され、（Ｈ）前記第２導電パターン形成工程では、前記パターニング後に残った第２レジスト膜を全面露光した後で現像によって除去する、ことを特徴とする。
【００３２】
上記第４の基板の製造方法は、基板の第２主面上に第２導電パターン及び第２樹脂膜パターンの２種類のパターンを形成することに関して上記第２の基板の製造方法と同じである。そして、（１）第１主面に対するパターニング処理の最中に反対面である第２主面を保護する第１保護膜が導電膜に限られないこと、（２）第２主面に対するパターニング処理を開始する前に、それまで第２主面を保護していた第１保護膜を第２主面から除去すること、及び（３）第１保護膜を除去した後に第２導電パターン用の導電材料を改めて成膜すること、が上記第２の基板の製造方法と異なることである。第１保護膜が導電膜に限られないのは、第１保護膜を反対面の導電パターンのための導電材料として兼用しないからである。
【００３３】
本発明に係る第４の基板の製造方法によれば、基板の第１主面に第１導電パターン（例えば電極）を形成している最中に、その裏面である第２主面に傷、シミ等の不良がつくことを第１保護膜によって保護できる。また、基板の第２主面に第２導電パターン（例えば電極）を形成している最中に、その裏面である第１主面に傷、シミ等の不良がつくことを第２保護膜によって保護できる。この結果、基板の第１主面及び第２主面の両面に傷等の不良を発生させることなく、その基板の両面に傷等の不良のない導電パターンを形成できる。
【００３４】
さらに、本発明に係る第４の基板の製造方法によれば、第１主面を保護する第２保護膜を非感光性材料によって形成すると共に、その後に行われる第２主面に対するフォトリソグラフィ処理に基づいた第２導電パターンの形成処理におけるレジスト膜の除去処理を、溶剤や硫酸等を用いた除去処理でなく、露光及び現像による除去処理としたので、第２主面上での第２導電パターンの形成処理の最中に、反対面である第１主面上の第２保護膜が露光と現像されて除去されたり、第１導電パターンが損傷したりすることがない。従って、その第２保護膜を第１主面上に乗せておいたままで、第２導電パターンの形成処理に引き続いて２回目のパターン形成処理である第２樹脂膜の形成処理を行うことができる。こうして、第２導電パターンと第２樹脂膜パターンの２回の膜形成を短時間に低コストで実施できる。
【００３５】
また、上記第４の基板の製造方法によれば、第２主面に対するパターニング処理の開始に先立って、それまで第２主面を保護していた第１保護膜を除去して、新しい導電膜を形成した上でパターニング処理を行う。従って、第２の基板の製造方法に比べ、工程数は増加するものの、第２主面上に綺麗で高精細な第２導電パターンを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
（基板の製造方法の第１実施形態）
以下、本発明に係る基板の製造方法を一実施形態に基づいて説明する。なお、本実施形態の説明で例示する基板は特定の用途を企図したものではないが、例えば平面領域内において指示された位置を検出する装置、例えばタッチパネルとしての用途が考えられる。また、これ以降に説明する実施形態は本発明の一例であって、本発明を限定するものではない。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素をわかり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示している。
【００３７】
まず、本実施形態の基板の製造方法を用いて製造される基板について説明する。図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、その基板の一例を示している。図１１（ａ）は基板の平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の矢印Ｚ１方向から見たその基板の側面図である。
【００３８】
図１１（ｂ）において、基板１は、透光性の基板２と、その透光性基板２の両面に形成された複数の導電パターン（後述する）から構成されている。透光性基板２は本実施形態では化学強化ガラス（いわゆるアルカリ強化ガラス）によって形成されている。このアルカリ強化ガラスは、例えば図１２に示すように、ガラス基材１５と、そのガラス基材１５の両側の表面に形成された強化層１６と、強化層１６上に形成されたＳｉＯ2層１７とによって構成されている。強化層１６はガラス表面に形成された圧縮層であり、これをガラス基材１５の両面に被覆することによりガラス基材１５の傷等に対する強度を向上させている。また、ＳｉＯ２層１７は、ガラス基材１５又は強化層１６に含まれる成分が透光性基板２の表面に形成される種々の要素に流出することを防止するために設けられている。これらの強化層１６及びＳｉＯ２層１７は、第１主面Ｓ１側及び第２主面Ｓ２側の両側に形成されている。
【００３９】
ガラス基材１５は、Ｎａ（ナトリウム）を多く含む厚み０．５ｍｍｔのアルカリガラスである。このガラス基材１５の表面部分のＮａをＫ（カリウム）に置換し、焼成することによって、ガラス基材１５の表面に強化層１６が形成される。この強化層１６の層厚は、例えば約２０〜３０μｍとすることができる。強化層１６上に設けられるＳｉＯ２層１７は、例えばスパッタ処理によって約２００Åの厚さに形成される。
【００４０】
（第１主面Ｓ１上の導電パターン）
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、上記構成の透光性基板２の第１主面Ｓ１と、第２主面Ｓ２とに、複数の導電パターンがそれぞれ形成されている。まず、第１主面Ｓ１上に形成される導電パターンの構成について説明する。
【００４１】
図１１（ｂ）において、第１主面Ｓ１上には、金属パターンとしての配線３と、第１導電パターンとしての第１透光性電極４ａとが設けられている。第１透光性電極４ａは、図１１（ａ）において破線で示すように、縦方向Ｘに延びて帯状に形成されている。そしてそれら帯状の第１透光性電極４ａの複数が、横方向Ｙに間隔を空けて設けられている。
【００４２】
本実施形態において、第１透光性電極４ａは、透光性の導電材料であるｐ（ポリ）−ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム・スズ酸化物）を用いて形成されている。ｐ−ＩＴＯは、いわゆる結晶質ＩＴＯ又は多結晶ＩＴＯである。このｐ−ＩＴＯは、一般に、透明度が高く且つ抵抗値が低い導電材料である。従って、ｐ−ＩＴＯを用いて第１透光性電極４ａを形成すれば、透明度が高く且つ抵抗値が低い第１透光性電極４ａを基板の表面に設けることができる。なお、第１透光性電極４ａは、ＩＴＯ以外の透光性の導電材料を用いて形成することもできる。
【００４３】
配線３は複数本設けられている。これらの配線３は、透光性基板２の横方向Ｙに延びる端辺２ｂ及び２ｃの近傍で横方向Ｙに沿って延在する部分と、縦方向Ｘへ延在する部分とによって形成されている。個々の配線３同士は互いに間隔を空けて設けられている。
【００４４】
図１１（ｂ）において、配線３の左側の先端部分６の上に導電部材７が設けられ、その先端部分６及びその導電部材７によって端子部５ａが形成されている。以下、先端部分６を端子部５ａの第１層といい、導電部材７を端子部５ａの第２層という。端子部５ａは図１１（ａ）に示すように透光性基板２上に複数個、設けられている。これらの端子部５ａは透光性基板２の縦方向Ｘに延びる端辺２ａの近傍で縦方向Ｘに沿って間隔を空けて並んでいる。個々の端子部５ａは、平面的に見て正方形状又は長方形状のドット状に形成されている。なお、端子部５ａを円形状に形成しても良い。
【００４５】
図１１（ｂ）において、配線３は端子部５ａの第１層６を含めて金属によって形成されている。本実施形態ではその金属として単層構造のＣｒ（クロム）を用いている。端子部５ａの第２層７は、第１透光性電極４ａと同じく、透光性の導電材料であるｐ−ＩＴＯを用いて形成されている。なお、配線３は、Ｃｒ及びそれを覆うｐ−ＩＴＯから成る積層膜によって形成することも可能である。この場合には、端子部５ａの第２層７は第１層６を形成する積層膜の上層そのものとなる。
【００４６】
また、外部接続領域の端子部５ａ及び基板端辺領域を除くほぼ全面の配線３、第１透光性電極４ａの領域には、それらを覆う第１樹脂膜１２が設けられている。この第１樹脂膜１２は、主に配線３に水分や異物が付着することを防止して、金属から成る配線３が水分や異物によって腐蝕すること（いわゆる、コロージョン）を防止している。
【００４７】
（第２主面Ｓ２上の導電パターン）
次に、透光性基板２の第２主面Ｓ２上に形成される導電パターンの構成について説明する。透光性基板２の第２主面Ｓ２上には、第２導電パターンとしての第２透光性電極４ｂが設けられている。第２透光性電極４ｂは、図１１（ａ）において実線で示すように、横方向Ｙに延びて帯状に形成されている。そしてそれら帯状の第２透光性電極４ｂの複数が、縦方向Ｘに間隔を空けて設けられている。従って、帯状に形成された第２透光性電極４ｂは、透光性基板２の反対側の面である第１主面Ｓ１上に設けられた第１透光性電極４ａと平面的に見て直交する方向に延びて形成されている。
【００４８】
第２透光性電極４ｂの左側の一端は端子部５ｂを構成している。端子部５ｂは反対面（すなわち第１主面Ｓ１）上の端子部５ａと平面的に重なる位置に設けられている。なお、端子部５ａと端子部５ｂとは平面的に重ならない位置に設けても良い。本実施形態において、第２透光性電極４ｂ及び端子部５ｂは、透光性の導電材料であるｐ−ＩＴＯ（すなわち結晶質ＩＴＯ又は多結晶ＩＴＯ）を用いて形成されている。なお、第２透光性電極４ｂ及び端子部５ｂは、ＩＴＯ以外の透光性の導電材料を用いて形成することもできる。
【００４９】
さらに、第２主面Ｓ２上には、外部接続領域の端子部５ｂを除くほぼ全面の第２透光性電極４ｂを覆って無機膜パターンが設けられている。この無機膜パターンは無機材料（例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ）であって、主に、第２透光性電極４ｂを保護するために設けられている。
【００５０】
（基板１の製造方法）
以上に説明したように、基板１は、透光性基板２の両面に導電パターンを有する基板である。以下、この基板１を製造する方法について説明する。なお、本実施形態では、基板を１つずつ作製するのではなく、面積の大きな透光性基板（いわゆるマザー透光性基板）を用いて複数の基板を同時に作製する、いわゆる多数個取りの手法に基づいて基板を作製するものとする。このような多数個取りの製造方法においては、図１１（ｂ）に示す基板１を１つずつ形成するのではなく、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、複数の基板１を形成できる大きさの面積を有するマザー透光性基板２’の上に、基板１の複数個分の要素（すなわち、第１透光性電極４ａや第２透光性電極４ｂ等を含む導電パターン）を同時に形成する。こうして、基板１を縦及び横に複数列含む大きさの大面積のパネル構造体１’を作製する。そして、その大面積のパネル構造体１’に対して、縦方向及び横方向にスクライブ及びブレイクを行い、個々の基板１に分割することにより、個々の基板１が作製される。
【００５１】
図１は、図１１（ａ）の基板１を製造するための本実施形態の製造方法を示している。また、図３〜図９は、図１の各工程において形成される基板の構造を工程順に示す構造変遷図である。図３〜図９では、左側に図１０（ａ）のＺ３−Ｚ３線に従った断面、すなわち端子部５ａ及び５ｂの断面を示し、右側に図１０（ａ）の矢印Ｚ４で示す基板１の隅の部分を拡大して平面的に示している。これらの図３〜図９において隣り合う断面図と平面図は互いに対応した状態を示している。右側の平面図は、図３〜図６が、第１主面Ｓ１から見たものであり、図７〜図９が、第２主面Ｓ２から見たものである。以下、図３〜図９を参照しながら図１の製造方法を説明する。
【００５２】
図１において、工程Ｐ２〜工程Ｐ１０は図１０（ａ）のマザー基板２’の第１主面Ｓ１（図の裏面）に導電パターン等を形成する第１主面形成工程Ｑ１である。図１の工程Ｐ１１〜工程Ｐ１５は図１０（ａ）の第２主面Ｓ２（図の表面）に導電パターンを形成する第２主面形成工程Ｑ２である。図１の工程Ｐ１６及びＰ１７は、図１０（ａ）のマザー基板２’を個々の基板へと分割するための工程Ｑ３である。
【００５３】
まず、第１主面形成工程Ｑ１に先立って第１保護膜形成工程Ｐ１において、図３（ａ）に示すように、マザー基板２’の第２主面Ｓ２上に第１保護膜１１を成膜する。具体的には、マザー基板２’の第２主面Ｓ２の表面を覆う形状に第１保護膜１１をｐ（ポリ）−ＩＴＯを材料として、例えばスパッタリングによって成膜する。
【００５４】
ここで、第１保護膜１１は、マザー基板２’の第２主面Ｓ２の表面に傷、シミ、異物等が付くことを防止するために設けられる部材である。従って、第１保護膜形成工程Ｐ１を行う際には、マザー基板２’の第２主面Ｓ２に傷、シミ、異物等が付かない事は当然であるが、この時点で裏面となる第１主面Ｓ１の表面に傷、シミ、異物等が付かないように、すなわち、作業者の手や装置のテーブル等が触れないように作業を行うことが必要である。例えば、治具を用いてマザー基板２’を垂直又は斜めに立てた状態で第１保護膜形成工程Ｐ１の作業を行うことにより、マザー基板２’の第１主面Ｓ１と第２主面Ｓ２に触れることなく作業を行うことができる。
【００５５】
（第１主面Ｓ１の形成工程）
次に、図１０（ａ）に示すマザー基板２’に対する第１主面形成工程Ｑ１について説明する。図１の工程Ｐ２において、図１０（ａ）のマザー基板２’を所定の洗浄液によって洗浄する。次に、図１の工程Ｐ３において、図３（ｂ）に示すように、マザー基板２’の第１主面Ｓ１上に材料層３’を、例えばＣｒを材料としてスパッタリングによって約２４００Åの膜厚に成膜する。このときの材料層３’のシート抵抗値は約１．０Ω／□である。材料層３’は、図１１（ｂ）の端子部５ａの第１層６及び配線３の材料層である。
【００５６】
次に、図１の工程Ｐ４において、図３（ｂ）の材料層３’に対してフォトエッチング処理が行われ、材料層３’がパターニングされる。このパターニング工程Ｐ４の具体的な内容は以下の通りである。まず、図３（ｃ）に示すように、材料層３’上にポジ型の感光性樹脂を、例えばスピンコートによって一様な厚さ、例えば約１．５μｍの厚さに塗布してレジスト膜２１ａを成膜する。次に、プレベークを行ってレジスト膜２１ａ内の溶媒を除去する。
【００５７】
次に、図３（ｄ）において、塗布されたレジスト膜２１ａに対して露光処理を実行する。具体的には、マザー基板２’を露光装置、例えば一括露光装置又はステッパの所定位置に設置し、さらに、露光マスク２２Ａをマザー基板２’に対向する所定位置に設置する。露光マスク２２Ａは、ガラス基板２３によって形成された完全光透過領域Ａ０と遮光パターン２４Ａによって形成された完全遮光領域Ａ１の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。この露光マスク２２Ａは、完全光透過領域Ａ０がレジスト膜２１ａを除去する部分に対向し、完全遮光領域Ａ１がレジスト膜２１ａを残す部分に対向するように、マザー基板２’に対向する位置に設置される。この状態で露光マスク２２Ａを通してレジスト膜２１ａへ一定光量の露光光Ｌ１を照射すると、鎖線で示す露光像が形成されて露光された部分Ｂ１が可溶化する。
【００５８】
次に、現像処理を行う。具体的には、図３（ｄ）のマザー基板２’を現像液に所定時間、浸漬する。すると、図３（ｄ）において可溶化した部分Ｂ１のレジスト膜２１ａが除去されて、レジスト膜２１ａが図４（ｅ）に示す形状にパターニングされる。
【００５９】
なお、現像液としては、例えば「有機アルカリ水溶液」を用いることができる。この有機アルカリ水溶液の組成は、例えばＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）が１．８％〜２．８％、水が９７．２％〜９８．２％である。現像処理の条件は、例えば、現像液の温度を約２３℃、浸漬時間を約６０秒とすることができる。
【００６０】
次に、ポストベークを、例えば約１２０℃の温度で行い、後のエッチング処理に用いるエッチング液に対するレジスト膜２１ａの耐性を調整する。その後、材料層３’に対してレジスト膜２１ａをマスクとしてエッチング処理を行うことにより、図４（ｆ）に示すように材料層３’が配線３及び端子部５ａの第１層６へパターニングされる。
【００６１】
なお、このエッチング処理に用いるエッチング液としては、例えば「過塩素酸硝酸第２セリウムアンモニウム水溶液」を用いることができる。この水溶液の組成は、例えば「過塩素酸」が５％〜１０％、「硝酸第２セリウムアンモニウム」が１０％〜２０％、水が７０％〜８０％である。エッチング処理の条件は、例えば、エッチング液の温度を約２５℃、浸漬時間を約６０秒とすることができる。
【００６２】
上記のエッチング処理の後、マスクとして使用したレジスト膜２１ａを、例えば有機溶剤等によって剥離して除去することにより、図４（ｇ）に示すように金属パターンとしての配線３及び端子部５ａの第１層６が形成される。
【００６３】
次に、第１導電膜形成工程としての図１の工程Ｐ５において、図４（ｈ）に示すように、配線３及び第１層６上に、図１１（ｂ）の第１透光性電極４ａの材料である第１導電膜としてのａ（アモルファス）−ＩＴＯ膜４ａ’を、スパッタリングによって約７００Åの膜厚に成膜する。このときのａ−ＩＴＯ膜４ａ’のシート抵抗値は約１００Ω／□である。
【００６４】
次に、第１パターニング工程としての図１の工程Ｐ６において、図４（ｈ）のａ−ＩＴＯ膜４ａ’に対してフォトエッチング処理が行われ、ａ−ＩＴＯ膜４ａ’が所定の形状にパターニングされる。このパターニング工程Ｐ６の具体的な内容は以下の通りである。まず、図５（ｉ）に示すように、ａ−ＩＴＯ膜４ａ’上にポジ型の感光性樹脂を、例えばスピンコートによって一様な厚さに塗布して、第１レジスト膜としてのレジスト膜２１ｂを成膜する。次に、プレベークを行ってレジスト膜２１ｂ内の溶媒を除去する。
【００６５】
次に、図５（ｊ）に示すように、成膜されたレジスト膜２１ｂに対して露光処理を実行する。具体的には、マザー基板２’を露光装置、例えば一括露光装置又はステッパの所定位置に設置し、さらに、露光マスク２２Ｂをマザー基板２’に対向する所定位置に設置する。露光マスク２２Ｂは、ガラス基板２３によって形成された完全光透過領域Ａ０と遮光パターン２４Ｂによって形成された完全遮光領域Ａ１の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。この露光マスク２２Ｂは、完全光透過領域Ａ０がレジスト膜２１ｂを除去する部分に対向し、完全遮光領域Ａ１がレジスト膜２１ｂを残す部分に対向するように、マザー基板２’に対向する位置に設置される。この状態で露光マスク２２Ｂを通してレジスト膜２１ｂへ一定光量の露光光Ｌ２を照射すると、鎖線で示す露光像が形成されて露光された部分Ｂ２が可溶化する。
【００６６】
次に、現像処理を行う。具体的には、図５（ｊ）のマザー基板２’を現像液に所定時間、浸漬する。すると、図５（ｊ）において可溶化した部分Ｂ２のレジスト膜２１ｂが除去されて、図５（ｋ）に示す形状にパターニングされる。なお、現像液としては、例えば図１のＣｒパターニング工程Ｐ４で使用した現像液を使用できる。また、現像処理の条件も工程Ｐ４と同じ条件とすることができる。
【００６７】
次に、図５（ｋ）のマザー基板２’に対して、例えば１２０℃でポストベークを行い、後のエッチング処理に用いるエッチング液に対するレジスト膜２１ｂの耐性を調整する。その後、図５（ｋ）のａ−ＩＴＯ膜４ａ’に対してエッチング処理を行う。具体的には、レジスト膜２１ｂをマスクとして用い、エッチング液として、例えば蓚酸を用いてエッチング処理を行う。ここで、エッチング液として弱酸性の蓚酸を用いてエッチング処理を行うことにより、マザー基板２’の第２主面Ｓ２に設けられた第１保護膜１１（ｐ−ＩＴＯ製）がそのエッチング液によって損傷することを防止できる。以上のエッチング処理により、図５（ｌ）に示すように、ａ−ＩＴＯ膜４ａ’が第１導電パターンである第１透光性電極４ａへパターニングされ、図１のａ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ６が終了する。
【００６８】
その後、第１レジスト膜除去工程としての図１の工程Ｐ７において、マスクとして使用したレジスト膜２１ｂを、例えば有機溶剤等によって剥離して除去することにより、図６（ｍ）に示すように第１透光性電極４ａ及び端子部５ａの第２層７が形成される。
【００６９】
次に、図１のａ−ＩＴＯ焼成工程Ｐ８において、第１透光性電極４ａ及び第２層７を所定の温度（例えば２２０℃）で焼成する。この焼成工程Ｐ８により、ａ−ＩＴＯで形成された第１透光性電極４ａ及び第２層７がポリ化（すなわち結晶化又は多結晶化）する。これにより、第１透光性電極４ａ及び第２層７の透光性を向上させ、且つ抵抗値を低くすることができる。以上により、第１主面Ｓ１上に第１導電パターンを形成するための第１導電パターン形成工程が終了する。
【００７０】
次に、図１の第１樹脂膜形成工程Ｐ９において、図１０（ｂ）のマザー基板２’上に第１樹脂膜１２を形成する。この第１樹脂膜１２は配線３、第１透光性電極４ａ等を被覆してそれらの腐食を防止するためのものである。第１樹脂膜形成工程Ｐ９の具体的な内容を図２を用いて説明する。まず、図２の工程Ｐ２１において、図６（ｎ）に示すように、マザー基板２’上の第１透光性電極４ａ及び端子部５ａを覆う形状にネガ型の感光性樹脂膜１２’（例えばアクリル樹脂）を、例えばスピンコートによって約２μｍの膜厚に塗布する。
【００７１】
次に、図２の工程Ｐ２２において、図６（ｎ）の樹脂膜１２’に対して所定のマスクパターンを有した露光マスクを用いて露光処理が行われ、図１０（ａ）において基板２’の第１主面Ｓ１（裏面）のうち、外部接続用端子５ａ及び斜線で示す周辺及び境界の領域Ｔを除くの大部分の領域が露光される。この領域Ｔに関しては後に詳しく説明する。
【００７２】
次に、図２の工程Ｐ２３において現像処理が行われる。具体的には、図１０（ａ）のマザー基板２’を現像液に所定時間、浸漬する。すると、未露光領域の感光性樹脂膜１２’が除去されて、個々の基板１に対応した形状にパターニングされる。
【００７３】
なお、現像液としては、例えば「炭酸ナトリウム水溶液」を用いることができる。この炭酸ナトリウム水溶液の組成は、例えば炭酸ナトリウムが０％〜１３％、重炭酸ナトリウムが３％〜７％、水が６５％〜７５％、アニオン界面活性剤が１２％〜１８％である。現像処理の条件は、例えば、現像液の温度を約３０℃、浸漬時間を約６０秒とすることができる。その後、図２のポストベーク工程Ｐ２４において、感光性樹脂膜１２’を、例えば２２０℃で焼成する。こうして、個々の基板１に対応した形状の第１樹脂膜１２が形成される。
【００７４】
次に、図１の第２保護膜形成工程Ｐ１０において、図６（ｏ）に示すように、マザー基板２’の第１主面Ｓ１に設けられた第１樹脂膜１２上に、非感光性樹脂材料によって第２保護膜１３を、例えばスピンコートによって１μｍ〜２μｍの厚さに塗布して成膜する。この非感光性樹脂材料としては、以上の工程で行なわれたフォトリソグラフィ処理で用いられたポジ型レジストと同じ樹脂であって、しかし感光基を持たない樹脂を用いることができる。
【００７５】
図１０（ａ）の斜線領域Ｔは、基板２’のうち個々の基板１の導電パターンが設けられていない領域である。この領域Ｔのうちの鎖線Ｘ０に沿った境界の領域は、パネル構造体１’を個々の基板１に分割する際にスクライブする領域を含む領域である。領域Ｔのうちのマザー基板２’の外周に沿った領域は、後の工程においてマザー基板２’にマガジン等といった処理設備が接触（例えば、把持）する領域である。上記のように基板２’の周辺領域Ｔの第２保護膜１３を端面リンスによって除去するのは、把持操作等といった後処理を行い易くしたり、把持等といった後処理の際に第２保護膜１３が塵となって飛散することを防止したりするためである。
以上により、マザー基板２’の第１主面Ｓ１形成工程が終了する。
【００７６】
（第２主面Ｓ２の形成工程）
次に、第２主面形成工程Ｑ２が行なわれる。まず、図１の第１保護膜パターニング工程Ｐ１１において、図６（ｏ）のマザー基板２’が反転されて図７（ａ）に示すように、第２主面Ｓ２が処理面とされる。このとき、第２主面Ｓ２上には図１の第１保護膜形成工程Ｐ１で形成された第１保護膜１１（ｐ−ＩＴＯ製）が載っている。この第１保護膜１１は必要に応じて洗浄（例えばブラシ洗浄）される。次に、図７（ｂ）に示すように、導電膜材料としての第１保護膜１１上にポジ型の感光性樹脂を、例えばスピンコートによって一様な厚さに塗布して、第２レジスト膜２１ｃを成膜する。
【００７７】
次に、図７（ｃ）において、塗布されたレジスト膜２１ｃに対して露光処理を実行する。具体的には、マザー基板２’を露光装置、例えば一括露光装置又はステッパの所定位置に設置し、さらに、露光マスク２２Ｃをマザー基板２’に対向する所定位置に設置する。このとき、反対面である第１主面Ｓ１上のパターンと露光マスク２２Ｃとが、透光性基板２’を通してアライメント（すなわち位置合わせ）される。露光マスク２２Ｃは、ガラス基板２３によって形成された完全光透過領域Ａ０と遮光パターン２４Ｃによって形成された完全遮光領域Ａ１の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。この露光マスク２２Ｃは、完全光透過領域Ａ０がレジスト膜２１ｃを除去する部分に対向し、完全遮光領域Ａ１がレジスト膜２１ｃを残す部分に対向するように、基板２’に対向する位置に設置される。この状態で露光マスク２２Ｃを通してレジスト膜２１ｃへ一定光量の露光光Ｌ３を照射すると、鎖線で示す露光像が形成されて露光された部分Ｂ３が可溶化する。
【００７８】
次に、現像処理を行う。具体的には、図７（ｃ）のマザー基板２’を現像液に所定時間、浸漬する。すると、図７（ｃ）において可溶化した部分Ｂ３のレジスト膜２１ｃが除去されて、図８（ｄ）に示す形状にパターニングされる。なお、現像液としては、例えば図１のａ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ６と同じ、すなわち、ＴＭＡＨを含有した有機アルカリ水溶液を用いることができる。また、現像処理の条件も工程Ｐ６と同じとすることができる。
【００７９】
次に、ポストベークを、例えば１２０℃の温度で行い、後のエッチング処理に用いるエッチング液に対するレジスト膜２１ｃの耐性を調整する。その後、導電膜としての第１保護膜１１に対してエッチング処理を行う。具体的には、レジスト膜２１ｃをマスクとして用い、エッチング液として王水又は塩化第二鉄を用いてエッチング処理を行う。以上のエッチング処理により、図８（ｅ）に示すように所定形状の第２透光性電極（すなわち第２導電パターン）４ｂがパターニングされ、図１の第１保護膜パターニング工程Ｐ１１が終了する。
【００８０】
その後、図１の第２レジスト膜剥離工程Ｐ１２において、図８（ｅ）のレジスト膜２１ｃを、例えばステッパ又は一括露光装置によって全面露光し、さらに現像液（例えばＴＭＡＨ）によって現像することによって図８（ｆ）に示すように剥離して除去する。第１主面Ｓ１上に形成された第２保護膜１３は非感光樹脂であるので、上記のように第２主面Ｓ２上のレジスト膜２１ｃを露光する際、第２保護膜１３は感光せず、よって第２保護膜１３は除去されること無く第１主面Ｓ１に残って該第１主面Ｓ１を保護する。以上の第１保護膜パターニング工程Ｐ１１及び第２レジスト膜剥離工程Ｐ１２によって第２導電パターン形成工程が達成される。
【００８１】
次に、図１の無機膜スパッタ工程Ｐ１３において、図８（ｆ）に示すマザー基板２’の第２主面Ｓ２を洗浄（例えばブラシ洗浄）する。そして、図９（ｇ）に示すように、スパッタリングにより無機膜を２０００Åの厚さで成膜して無機膜２６’を形成する。例えば、無機膜としては、第１主面Ｓ１の第２保護膜１３が加熱で硬化しない温度で、スパッタリング法では、ＳｉＯ２が一般的であるが、ＣＶＤ法でＳｉＮを成膜することも可能である。
【００８２】
次に、無機膜パターニング工程Ｐ１４を行う。具体的には、図９（ｈ）において、ポジ型感光性樹脂を塗布して第３レジスト膜２７を成膜し、さらにステッパ又は一括露光装置によって所定マスクパターンを有する露光マスク（図示せず）を介して第３レジスト膜２７を露光して不要な部分を可溶化する。例えば、図１０（ａ）に示した斜線領域Ｔ及び外部接続用端子５ｂ領域を可溶化する。
【００８３】
さらに、例えば現像液としてＴＭＡＨを用いて現像処理を行ってレジスト膜２７を所定形状とし、さらに例えば１２０℃でポストベークを行って耐エッチング性の調整を行う。その後、パターン化されたレジスト膜２７をマスクとして所定のエッチング液（例えばＳｉＯ２の場合は、弗酸）を用いてエッチング処理を行い、無機膜２６’を所定形状（例えば図１０（ａ）の斜線領域Ｔ及び外部接続用端子５ｂ領域を除いた形状）の無機膜パターン２６とする。以上により、無機膜パターニング工程Ｐ１４が終了する。以上の無機膜スパッタ工程Ｐ１３及び無機膜パターニング工程Ｐ１４によって無機膜パターン形成工程が達成される。
【００８４】
次に、第３レジスト膜・第２保護膜剥離工程Ｐ１５において、所定の有機溶剤を用いて図９（ｈ）のレジスト膜２７及び第２保護膜１３の両方が、それぞれ、第２主面Ｓ２及び第１主面Ｓ１から同時に除去されて、図９（ｉ）に示すパネル構造体１’が作製される。以上により、マザー基板２’の第２主面Ｓ２形成工程Ｑ２が終了し、マザー基板２’の両面に導電パターンが形成された図１０（ａ）のパネル構造体１’が完成する。
【００８５】
（パネル構造体の分割）
次に、パネル構造体１’を分割する工程Ｑ３を説明する。まず、図１の工程Ｐ１６のスクライブ工程を行う。具体的には、図１０（ａ）のパネル構造体１’の鎖線Ｘ０に沿って、例えばガラススクライバによってスクライブ（すなわち、罫書き）を第２主面Ｓ２に行う。このとき、マザー基板２’の第２主面Ｓ２上に形成された無機膜パターン２６は、工程Ｐ１４においてパターニングによって除去されていて鎖線Ｘ０に沿った部分には設けられていないので、ガラススクライバはマザー基板２’の表面を直接にスクライブできる。なお、第１主面Ｓ１にスクライブを行うこともできる。この場合も、第１主面Ｓ１の鎖線Ｘ０に沿った部分には樹脂膜等が設けられていないので、マザー基板２’の表面を直接にスクライブできる。このとき、スクライブ装置のテーブルに直接パターン面が触れることの無いように、テーブルに治具等で工夫をする必要がある。これを簡単に回避するには、スクライブする鎖線Ｘ０を除いてマザー基板１’のテーブル接触面側に、保護シートをラミネートすれば、マザー基板１’のテーブル接触面側に傷がついたり、異物が付着することを防止することができる。次に、図１の工程Ｐ１７において、例えばブレイクマシン等を用いて、図１０（ａ）のパネル構造体１’を図１１（ａ）に示す個々の基板１に分割する。保護シートを用いる場合は、ここ保護シートを剥離する。以上の工程により、基板１が完成する。
【００８６】
（主要な作用）
本実施形態の基板の製造方法では、図１の第１主面形成工程Ｑ１を行う前に、第１保護膜形成工程Ｐ１において、図３（ａ）のマザー基板２’の第２主面Ｓ２を覆う形状に第１保護膜１１を形成することにした。これにより、マザー基板２’の第２主面Ｓ２は第１保護膜１１によって保護されるので、図１の第１主面形成工程Ｑ１において第１主面Ｓ１上に第１透光性電極４ａ等のパターンを形成する際に、マザー基板２’の第２主面Ｓ２が、スパッタ装置等といった製造装置においてマザー基板２’を載置する部分（例えば、テーブルやマガジン等）に直接に触れることがなくなる。その結果、マザー基板２’の第２主面Ｓ２の表面に傷がついたり、異物が付着することを防止できる。
【００８７】
また、図１の第１レジスト膜剥離工程Ｐ７において、図５（ｋ）のレジスト膜２１ｂを剥離して除去した後に、図１の第２保護膜形成工程Ｐ１０において、図６（ｏ）に示すように、第１透光性電極４ａ、端子部５ａ及び配線３（以下、第１主面膜要素という）を覆う形状に第２保護膜１３を形成した。これにより、マザー基板２’の第１主面Ｓ１に形成された第１主面膜要素４ａ，５ａ，３は第２保護膜１３によって保護される。その結果、図１０（ａ）のマザー基板２’の第２主面（表側面）Ｓ２に第２透光性電極４ｂ及び端子部５ｂ（以下、第２主面膜要素）を形成する際に、第１主面Ｓ１の表面自体及び第１主面膜要素４ａ，５ａ，３がスパッタ装置等といった製造装置のテーブルやマガジンに直接に触れることがなくなる。従って、マザー基板２’の第１主面Ｓ１の表面自体及び第１主面膜要素４ａ，５ａ，３に傷がついたり、異物が付着することを防止でき、第１主面膜要素４ａ，５ａ，３に不良が発生することを防止できる。
【００８８】
また、図１の第１保護膜形成工程Ｐ１において、図３（ａ）に示すように第２主面Ｓ２上に形成された第１保護膜１１は、図１の第１保護膜パターニング工程Ｐ１１（図７（ａ）〜図８（ｅ）に対応）において，第２主面要素４ｂ，５ｂの材料である第２導電膜として用いられる。このように第２主面Ｓ２を保護するための第１保護膜１１を第２主面Ｓ２上の導電パターンの膜材料として用いることにより、材料コスト及び製造コストを大幅に低減できる。
【００８９】
また、本実施形態では、図１の第２保護膜形成工程Ｐ１０（図６（ｏ））において第２保護膜１３を非感光性樹脂によって形成した。そして、第２導電パターン形成工程（図１の工程Ｐ１１及びＰ１２）内の第２レジスト膜剥離工程Ｐ１２（図８（ｅ）及び（ｆ））において第２レジスト膜２１ｃを除去する際には、その第２レジスト膜２１ｃを全面露光した後で現像液によって現像することによってその第２レジスト膜２１ｃを剥離して除去することにした。
【００９０】
非感光性樹脂によって形成した第２保護膜１３は、反対面側の第２レジスト膜２１ｃを全面露光及び現像によって除去する際にも、第１主面Ｓ１上に残りつづける。そのため、図１の第２導電パターン形成工程Ｐ１１及びＰ１２によって第２主面Ｓ２上に第２導電パターン４ｂ，５ｂを形成した後に、引き続いて別の導電パターンを形成する際、第２保護膜１３によって引き続いて第１主面Ｓ１を保護しつつ、別の導電パターンの形成処理を行うことができる。更に、第２保護膜１３によって引き続いて第１主面Ｓ１を保護しつつ、無機膜パターン形成工程Ｐ１３及びＰ１４を行って第２主面Ｓ２上に無機膜パターンを形成することができる。こうして、本実施形態によれば、第２保護膜１３によって第１主面Ｓ１を保護しつつ、第２主面Ｓ２上に異なる成膜処理を２回以上続けて行うことが可能となった。
【００９１】
また、本実施形態では、透光性基板２として、図１２のアルカリ強化ガラスを用いている。この透光性基板２の表面には強化層１６及びＳｉＯ２層１７が形成されている。仮に、第２主面Ｓ２上に第１保護膜１１を設けずに、図１０（ａ）の第２主面膜要素４ｂ，５ｂを形成した場合、透光性基板２の表面に付いた傷やシミを、例えばエッチング処理によって除去しようとすれば、そのエッチング処理によって図１２の強化層１６及びＳｉＯ２層１７が損傷するおそれがある。しかしながら、本実施形態では、基板２の第２主面Ｓ２に第１保護膜１１を設けているので、強化層１６及びＳｉＯ２層１７が損傷を受けることを防止できる。
【００９２】
また、本実施形態において、図１１（ａ）の第１主面（裏面）Ｓ１上の第１透光性電極４ａと端子部５ａの第２層７は、図１の第１主面形成工程Ｑ１においてａ−ＩＴＯを用いて形成する。以下、この点について説明する。
【００９３】
本実施形態では、ａ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ６の際、図５（ｌ）に示すように、第２主面Ｓ２上にはｐ−ＩＴＯから成る第１保護膜１１が設けられた状態でエッチング処理が行われる。仮に、ａ−ＩＴＯ膜４ａ’に代えてｐ−ＩＴＯ膜を材料として第１透光性電極４ａを形成するとすると、パターニング工程Ｐ６のときに用いるエッチング液によって、同じｐ−ＩＴＯの膜である第１保護膜１１が損傷するおそれがある。しかし、本実施形態において第１透光性電極４ａの材料として用いるａ−ＩＴＯはｐ−ＩＴＯに比べて弱酸のエッチング液でエッチングすることができる。このような弱酸のエッチング液として、本実施形態では蓚酸を用いている。図１のａ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ６において蓚酸をエッチング液として用いれば、図５（ｌ）の第１保護膜１１が損傷することを防止できる。
【００９４】
また、本実施形態では、図１の工程Ｐ５でａ−ＩＴＯを成膜し、さらに工程Ｐ６でそのａ−ＩＴＯをパターニングして第１透光性電極４ａを形成した。そしてそのａ−ＩＴＯ４ａ（図６（ｍ）参照）を、図１のａ−ＩＴＯ焼成工程Ｐ８において焼成によってポリ化した。このポリ化により、第１透光性電極４ａの透明度を向上させ、且つ抵抗値を低くでき、導電パターンとして必要な性能を得ることができる。
【００９５】
（変形例１）
上記実施形態では、図１の工程Ｐ１５において図９（ｈ）の第３レジスト膜２７及び第２保護膜１３を同時に除去した後に、図１の分割工程Ｑ３を実行している。しかしながら、分割工程Ｑ３は、第３レジスト膜・第２保護膜剥離工程Ｐ１５の前に行うこともできる。この場合には、図１０（ａ）において斜線で示す領域Ｔのうちの周辺領域部分に加えて、境界の領域部分（すなわち、マザー基板２’をスクライブする領域）では、第３レジスト膜２７が除去されているので、第２主面Ｓ２側をスクライブ面とすることで、レジストが削られることもなく発塵を防止することができる。
【００９６】
（変形例２）
上記実施形態では、図１の第２レジスト膜剥離工程Ｐ１２において、図８（ｅ）の第２レジスト膜２１ｃを全面露光及び現像によって除去し、非感光性樹脂である第２保護膜１３を第１主面Ｓ１上の残したままで、図１の無機膜パターン形成工程Ｐ１３、Ｐ１４によって図９（ｇ）〜（ｈ）の無機膜２６’及び無機膜パターン２６を連続して形成した。そして、無機膜パターン形成工程Ｐ１３、Ｐ１４の後で、溶剤による剥離工程Ｐ１５を行って図９（ｉ）のように第２保護膜１３を同時に剥離して除去した。つまり、上記実施形態では、第２保護膜１３によって第１主面Ｓ１を保護する間に、ＩＴＯの導電パターン４ｂ，５ｂのための成膜処理と、無機膜パターン形成のための成膜処理の２回の成膜処理を行った。
【００９７】
上記の処理方法に代えて、図９（ｈ）に示す第３レジスト膜２７を除去することを、溶剤による除去ではなく、ＩＴＯの導電パターン４ｂ，５ｂの成膜処理時におけるレジスト除去処理と同じく全面露光及び現像による除去処理によって行えば、第２保護膜１３を基板２’の第１主面Ｓ１上に残すことができるので、無機膜パターンの下にさらに別の導電パターンを連続して形成することができる。さらに、同様にして、第２保護膜１３で第１主面Ｓ１を保護しながら、さらに多数回の成膜処理を行うこともできる。
【００９８】
（変形例３）
上記実施形態では、図１の第１主面形成工程Ｑ１内の工程Ｐ３及びＰ４（図３（ｂ）〜図４（ｇ））において金属パターンとしての配線３（図３（ａ）参照）をＣｒによって形成した。本発明では、これに代えて、いわゆる銀系合金によって配線３を形成することもできる。銀系合金はＡｇ（銀）を主成分とし、Ｐｄ（パラジウム）、Ｃｕ（銅）、Ｇｅ（ゲルマニウム）が添加された金属材料である。銀系合金は、例えば２０００Åの膜厚で形成され、そのときのシート抵抗値は０．３Ω／□である。図１のパターニング工程Ｐ４ではこの銀系合金をエッチングによってパターニングする処理が行なわれるが（図４（ｆ））、この場合、エッチング液としては燐硝酢酸水溶液を用いることができる。この燐硝酢酸水溶液は、例えば、燐酸（Ｈ３ＰＯ４）８０％、硝酸（ＨＮＯ３）１％、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）３％、水（Ｈ２Ｏ）１６％によって形成される。この燐硝酢酸水溶液は、例えば液温４０℃で３０〜６０秒間の浸漬及び揺動、という条件によって用いられる。
【００９９】
（変形例４）
上記実施形態では、図１の第１主面形成工程Ｑ１内の工程Ｐ３及びＰ４（図３（ｂ）〜図４（ｇ））において金属パターンとしての配線３（図３（ａ）参照）をＣｒによって形成した。本発明では、これに代えて、下Ａｌ／上Ｍｏ系金属の積層構造によって配線３を形成することもできる。下Ａｌと上Ｍｏ系金属はＡｌ（アルミニウム）及びＭｏ（モリブデン）を主成分とする金属材料である。下Ａｌ／上Ｍｏ系金属の積層構造は、例えば下Ａｌが２０００Å、上Ｍｏが２００Åの膜厚で形成され、そのときのシート抵抗値は０．３Ω／□である。図１のパターニング工程Ｐ４ではこの下Ａｌ／上Ｍｏ系金属の積層構造を連続エッチングによってパターニングする処理が行なわれるが（図４（ｆ））、この場合、エッチング液としては、上記の銀系合金の場合と同じ燐硝酢酸水溶液を用いることができる。
【０１００】
（変形例５）
上記実施形態では、図１の第１主面形成工程Ｑ１内の工程Ｐ３及びＰ４（図３（ｂ）〜図４（ｇ））において金属パターンとしての配線３（図３（ａ）参照）をＣｒによって形成した。本発明では、これに代えて、標準電極電位がＩＴＯと差が少なく電蝕作用が少なく且つ低コンタクト特性を有するＡｌ系合金によって配線３を形成することもできる。このようなＡｌ系合金は、Ａｌを主成分としＮｉ、Ｃ、Ｂ等を含有する合金材料である。例えば２０００Åの膜厚で形成すれば、そのときのシート抵抗値は０．３Ω／□である。図１のパターニング工程Ｐ４ではこのＡｌ系合金をエッチングによってパターニングする処理が行なわれるが（図４（ｆ））、この場合、エッチング液としては、上記の銀系合金の場合と同じ燐硝酢酸水溶液を用いることができる。
【０１０１】
（基板の製造方法の第２実施形態）
図１３は本発明に係る基板の製造方法の第２実施形態を示している。本第２実施形態においても図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すパネル構造体１’、従って図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示す基板１を製造するものとする。第１実施形態では第２主面Ｓ２上にＩＴＯ導電パターンと無機膜パターンの２種類の膜パターンを形成する場合を例示したが、本第２実施形態ではそれに代えてＩＴＯ導電パターンと第２樹脂膜３６の２種類の膜パターンを形成するものとする。第２樹脂膜３６はネガ型レジスト材料によって形成された有機材料であって、外部接続用端子部５ｂを除くＩＴＯ導電パターンである第２透光性電極４ｂを保護する機能を奏する。
【０１０２】
本第２実施形態の基板の製造方法において、第１保護膜形成工程Ｐ３１は図１に示した第１実施形態の場合の第１保護膜形成工程Ｐ１と同じである。また、工程Ｐ３２〜工程Ｐ４０までの第１主面形成工程は図１に示した第１実施形態の場合の第１主面形成工程Ｑ１（工程Ｐ２〜工程Ｐ１０）と同じである。また、工程Ｐ４５〜工程Ｐ４６の分割工程Ｑ３も第１実施形態の場合の分割工程Ｑ３（工程Ｐ１６〜工程Ｐ１７）と同じである。本第２実施形態は第１実施形態に対して、第２主面形成工程Ｑ２の内容が異なっており、さらに、分割工程Ｑ３の後で樹脂焼成工程Ｐ４７を行うことが異なっている。以下、相違点について説明する。
【０１０３】
第２主面形成工程Ｑ２において第２導電パターン形成工程Ｐ４１〜Ｐ４２は、図１に示した第１実施形態における第２導電パターン形成工程Ｐ１１〜Ｐ１２と同じである。すなわち、図７（ａ）〜図８（ｆ）に示したように、ＩＴＯ導電膜としての第１保護膜１１に対してフォトリソグラフィ処理に基づいたパターニングを行い、図８（ｅ）で第２レジスト膜２１ｃを全面露光及び現像によって剥離して除去し、図８（ｆ）の第２透光性電極４ｂ及び端子部５ｂを得る。図８（ｆ）は図１３の第２レジスト膜剥離工程Ｐ４２に対応している。
【０１０４】
次の第２樹脂膜パターニング工程Ｐ４３では、図１４（ｇ）に示すように、ネガ型のレジスト材料が一様な厚さに塗布されて第２樹脂膜用レジスト膜３６’が成膜される。次に、図１４（ｈ）において、例えば一括露光装置によって所定の露光マスク（図示せず）を介して露光光Ｌ４がレジスト膜３６’に照射される。そして、所定の現像液、例えば「炭酸ナトリウム水溶液」を用いて現像処理が行なわれ、レジスト膜３６’が所定形状の第２樹脂膜３６に形成される（図１４（ｉ））。第２樹脂膜３６は図１０（ｂ）に示すように図１０（ａ）の斜線領域Ｔ及び外部接続用端子５ｂ領域を除いた形状で１つの基板１の略全面に面状に形成される。
【０１０５】
その後、第２保護膜剥離工程Ｐ４４において、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用いて図１４（ｈ）の第２保護膜１３を除去することにより、図１４（ｉ）に示す大面積のパネル構造体１’（図１０（ａ）参照）が得られる。水酸化カリウム水溶液は、例えば水酸化カリウム４％、水（Ｈ２Ｏ）９６％によって形成される。水酸化カリウム水溶液の使用条件は、液温２５℃、５分間の浸漬及び揺動とすることができる。その後、スクライブ工程Ｐ４５及びブレイク工程Ｐ４６を経て１つずつの基板１（図１１（ａ）参照）が作製され、さらにその後、樹脂焼成工程Ｐ４７において、例えば２２０℃で第２樹脂膜３６が焼成される。以上により、図１１（ａ）の基板１が完成する。
【０１０６】
本第２実施形態においても、第１主面形成工Ｑ１（図３（ａ）〜図６（ｏ））においてマザー基板２’の第１主面Ｓ１上に各種の処理が行なわれる間、マザー基板２’の第２主面Ｓ２は第１保護膜１１によって傷、シミ等から保護される。また、第２主面形成工程Ｑ２（図７（ａ）〜図８（ｆ）、図１４（ｇ）〜図１４（ｉ））においてマザー基板２’の第２主面Ｓ２上に各種の処理が行なわれる間、マザー基板２’の第１主面Ｓ１は第２保護膜１３によって傷、シミ等から保護される。以上により、基板１の両面に傷等の不良を発生させることなく、その基板１の両面に傷等の不良のない導電パターンを形成できる。
【０１０７】
さらに、本第２実施形態においても、図１３の第２保護膜形成工程Ｐ４０（図６（ｏ））において第２保護膜１３を非感光性樹脂によって形成した。そして、第２導電パターン形成工程（図１３の工程Ｐ４１及びＰ４２）内の第２レジスト膜剥離工程Ｐ４２（図８（ｅ）及び（ｆ））において第２レジスト膜２１ｃを除去する際には、その第２レジスト膜２１ｃを全面露光した後で現像液によって現像することによってその第２レジスト膜２１ｃを剥離して除去することにした。
【０１０８】
非感光性樹脂によって形成した第２保護膜１３は、反対面側の第２レジスト膜２１ｃを全面露光及び現像によって除去する際にも、第１主面Ｓ１上に残りつづける。そのため、図１３の第２導電パターン形成工程Ｐ４１及びＰ４２によって第２主面Ｓ２上に第２導電パターン４ｂ，５ｂを形成した後に、引き続いて別の導電パターンを形成する際、第２保護膜１３によって引き続いて第１主面Ｓ１を保護しつつ、別の導電パターンの形成処理を行うことができる。更に、第２保護膜１３によって引き続いて第１主面Ｓ１を保護しつつ、第２樹脂膜形成工程Ｐ４３及びＰ４４を行って第２主面Ｓ２上に第２樹脂膜３６を形成することができる。こうして、本第２実施形態によれば、第２保護膜１３によって第１主面Ｓ１を保護しつつ、第２主面Ｓ２上に異なる成膜処理を２回以上続けて行うことが可能となった。
【０１０９】
（基板の製造方法の第３実施形態）
図１５は本発明に係る基板の製造方法の第３実施形態を示している。本第３実施形態においても図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すパネル構造体１’、従って図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示す基板１を製造するものとする。第１実施形態では第２主面Ｓ２上にＩＴＯ導電パターンと無機膜パターンの２種類の膜パターンを形成する場合を例示した。本第３実施形態でも、同じ２種類の膜パターンを形成するものとする。
【０１１０】
本第３実施形態の基板の製造方法において、第１保護膜形成工程Ｐ５１は図１に示した第１実施形態の場合の第１保護膜形成工程Ｐ１と同じである。また、工程Ｐ５２〜工程Ｐ６０までの第１主面形成工程Ｑ１は図１に示した第１実施形態の場合の第１主面形成工程Ｑ１（工程Ｐ２〜工程Ｐ１０）と同じである。また、工程Ｐ７０〜工程Ｐ７１の分割工程Ｑ３も第１実施形態の場合の分割工程Ｑ３（工程Ｐ１６〜工程Ｐ１７）と同じである。本第３実施形態は第１実施形態に対して、第２主面形成工程Ｑ２の内容が異なっている。以下、相違点について説明する。
【０１１１】
第２保護膜形成工程Ｐ６０が終了すると、図６（ｏ）に示すように、マザー基板２’の第１主面Ｓ１上に必要な膜要素３、４ａ，５ａ及び非感光性の第２保護膜１３が形成され、さらに第２主面Ｓ２上に導電膜としての第１保護膜１１が形成される。図１５の第２主面形成工程Ｑ２が開始されると、第１保護膜除去工程Ｐ６１において図１６（ａ）に示すように第１保護膜１１が所定のエッチング液（例えば王水）を用いたエッチング処理によって第２主面Ｓ２から剥離されて除去される。次に、工程Ｐ６２において表面が洗浄される。
【０１１２】
次に、工程Ｐ６３において図１６（ｂ）に示すように導電膜材料であるａ−ＩＴＯ膜４ｂ’がスパッタリングによって形成される。そして、工程Ｐ６４においてフォトリソグラフィ処理に基づいたパターニング、すなわち露光処理、現像処理、及びエッチングが行なわれて、図１６（ｃ）に示すようにパターン状第４レジスト膜２１ｄの下に第２導電パターンとしての第２電極４ｂ及びその端子部５ｂが形成される。
【０１１３】
次に、工程Ｐ６５において、全面露光及び現像処理によるレジスト剥離処理を行って、図１６（ｄ）に示すように、不要な第４レジスト膜２１ｄを除去する。そして、焼成工程Ｐ６６において、例えば２２０℃で焼成を行って第２電極４ａ及び５ｂをａ（アモルファス）−ＩＴＯからｐ（ポリ）−ＩＴＯへと変化させる。一般に、ａ−ＩＴＯは透明度が低く且つ抵抗値が高いが、これをｐ−ＩＴＯへ変化させると透明度を高く且つ抵抗値を低くすることができるので、透光性電極としての品質を高めることができる。以上のａ−ＩＴＯスパッタ工程Ｐ６４〜ａ−ＩＴＯ焼成工程Ｐ６６によって第２導電パターン形成工程が達成される。
【０１１４】
その後、工程Ｐ６７〜工程Ｐ６８によって、第２主面Ｓ２に対する２回目のパターン形成処理である無機膜パターン形成工程が行なわれるが、この無機膜パターン形成工程は図１の第１実施形態における工程Ｐ１３〜Ｐ１４（図９（ｇ）〜図９（ｈ））と同じである。また、図９（ｈ）の第３レジスト膜２７及び第２保護膜１３の両方を、図１５の工程Ｐ６９において溶剤によって同時に除去することも、第１実施形態における図１の工程Ｐ１５を同じである。
【０１１５】
本第３実施形態においても、第１主面形成工Ｑ１（図３（ａ）〜図６（ｏ））においてマザー基板２’の第１主面Ｓ１上に各種の処理が行なわれる間、マザー基板２’の第２主面Ｓ２は第１保護膜１１によって傷、シミ等から保護される。また、第２主面形成工程Ｑ２（図１６（ａ）〜（ｄ）、図９（ｇ）〜（ｉ））においてマザー基板２’の第２主面Ｓ２上に各種の処理が行なわれる間、マザー基板２’の第１主面Ｓ１は第２保護膜１３によって傷、シミ等から保護される。以上により、基板１の両面に傷等の不良を発生させることなく、その基板１の両面に傷等の不良のない導電パターンを形成できる。
【０１１６】
さらに、本第３実施形態においても、図１５の第２保護膜形成工程Ｐ６０（図６（ｏ））において第２保護膜１３を非感光性樹脂によって形成した。そして、第２導電パターン形成工程Ｐ６３〜Ｐ６６（図１６（ｂ）〜（ｃ））内の第４レジスト膜剥離工程Ｐ６５（図１６（ｃ）〜（ｄ））において第４レジスト膜２１ｄを除去する際には、その第４レジスト膜２１ｄを全面露光した後で現像液によって現像することによってその第４レジスト膜２１ｄを剥離して除去することにした。
【０１１７】
非感光性樹脂によって形成した第２保護膜１３は、反対面側の第４レジスト膜２１ｄを全面露光及び現像によって除去する際にも、第１主面Ｓ１上に残りつづける。そのため、図１５の第２導電パターン形成工程Ｐ６３〜Ｐ６６によって第２主面Ｓ２上に第２導電パターン４ｂ，５ｂを形成した後に、引き続いて別の導電パターンを形成する際、第２保護膜１３によって引き続いて第１主面Ｓ１を保護しつつ、別の導電パターンの形成処理を行うことができる。更に、第２保護膜１３によって引き続いて第１主面Ｓ１を保護しつつ、無機膜パターン形成工程Ｐ６７〜Ｐ６８を行って第２主面Ｓ２上に無機膜パターンを形成することができる。こうして、本第３実施形態によれば、第２保護膜１３によって第１主面Ｓ１を保護しつつ、第２主面Ｓ２上に異なる成膜処理を２回以上続けて行うことが可能となった。
【０１１８】
（基板の製造方法の第４実施形態）
図１７は本発明に係る基板の製造方法の第４実施形態を示している。本第４実施形態においても図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すパネル構造体１’、従って図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示す基板１を製造するものとする。本第４実施形態は基本的には図１５に示した第３実施形態と同様の工程を実施するものであるが、第３実施形態における図１５の無機膜パターン形成工程（Ｐ６７〜Ｐ６８）に代えて、図１７の第２樹脂膜パターニング工程Ｐ９７を実施することによって、マザー基板２’の第２主面Ｓ２上の第２導電パターン４ｂ，５ｂに加えて２回目のパターニング処理により第２樹脂膜３６を形成するものである。
【０１１９】
本第４実施形態の基板の製造方法において、第１保護膜形成工程Ｐ８１は図１に示した第１実施形態の場合の第１保護膜形成工程Ｐ１と同じである。また、工程Ｐ８２〜工程Ｐ９０までの第１主面形成工程Ｑ１は図１に示した第１実施形態の場合の第１主面形成工程Ｑ１（工程Ｐ２〜工程Ｐ１０）と同じである。また、工程Ｐ９９〜工程Ｐ１００の分割工程Ｑ３も第１実施形態の場合の分割工程Ｑ３（工程Ｐ１６〜工程Ｐ１７）と同じである。本第４実施形態は第１実施形態に対して、第２主面形成工程Ｑ２の内容が異なっている。以下、相違点について説明する。
【０１２０】
第２保護膜形成工程Ｐ９０が終了すると、図６（ｏ）に示すように、マザー基板２’の第１主面Ｓ１上に必要な膜要素３、４ａ，５ａ及び非感光性の第２保護膜１３が形成され、さらに第２主面Ｓ２上に導電膜としての第１保護膜１１が形成される。図１７の第２主面形成工程Ｑ２が開始されると、第１保護膜除去工程Ｐ９１において第３実施形態における図１６（ａ）に示す場合と同様に第１保護膜１１が所定のエッチング液（例えば王水）を用いたエッチング処理によって第２主面Ｓ２から剥離されて除去される。次に、工程Ｐ９２において表面が洗浄される。
【０１２１】
次に、工程Ｐ９３において図１６（ｂ）に示すように導電膜材料であるａ−ＩＴＯ膜４ｂ’がスパッタリングによって形成される。そして、工程Ｐ９４においてフォトリソグラフィ処理に基づいたパターニング、すなわち露光処理、現像処理、及びエッチングが行なわれて、図１６（ｃ）に示すようにパターン状第４レジスト膜２１ｄの下に第２導電パターンとしての第２電極４ｂ及びその端子部５ｂが形成される。
【０１２２】
次に、工程Ｐ９５において、全面露光及び現像処理によるレジスト除去処理を行って、図１６（ｄ）に示すように、不要な第４レジスト膜２１ｄを除去する。そして、焼成工程Ｐ９６において、例えば２２０℃で焼成を行って第２電極４ａ及び５ｂをａ（アモルファス）−ＩＴＯからｐ（ポリ）−ＩＴＯへと変化させて、電極４ｂの品質を高める。
【０１２３】
その後、工程Ｐ９７によって、第２主面Ｓ２に対する２回目のパターン形成処理である第２樹脂膜形成工程が行なわれるが、この第２樹脂膜形成工程Ｐ９７は図１３の第２実施形態における工程Ｐ４３（図１４（ｇ）〜（ｈ））と同じである。また、図１４（ｈ）の第２保護膜１３を、図１７の工程Ｐ９８においてＫＯＨ水溶液によって剥離して除去することも、第２実施形態における図１３の工程Ｐ４４と同じである。
【０１２４】
本第４実施形態においても、第１主面形成工Ｑ１（図３（ａ）〜図６（ｏ））においてマザー基板２’の第１主面Ｓ１上に各種の処理が行なわれる間、マザー基板２’の第２主面Ｓ２は第１保護膜１１によって傷、シミ等から保護される。また、第２主面形成工程Ｑ２（図１６（ａ）〜（ｄ）、図９（ｇ）〜（ｉ））においてマザー基板２’の第２主面Ｓ２上に各種の処理が行なわれる間、マザー基板２’の第１主面Ｓ１は第２保護膜１３によって傷、シミ等から保護される。以上により、基板１の両面に傷等の不良を発生させることなく、その基板１の両面に傷等の不良のない導電パターンを形成できる。
【０１２５】
さらに、本第４実施形態においても、図１７の第２保護膜形成工程Ｐ９０（図６（ｏ））において第２保護膜１３を非感光性樹脂によって形成した。そして、第２導電パターン形成工程Ｐ９３〜Ｐ９６（図１６（ｂ）〜（ｃ））内の第４レジスト膜剥離工程Ｐ９５（図１６（ｃ）〜（ｄ））において第４レジスト膜２１ｄを除去する際には、その第４レジスト膜２１ｄを全面露光した後で現像液によって現像することによってその第４レジスト膜２１ｄを剥離して除去することにした。
非感光性樹脂によって形成した第２保護膜１３は、反対面側の第４レジスト膜２１ｄを全面露光及び現像によって除去する際にも、第１主面Ｓ１上に残りつづける。そのため、図１７の第２導電パターン形成工程Ｐ９３〜Ｐ９６によって第２主面Ｓ２上に第２導電パターン４ｂ，５ｂを形成した後に、引き続いて別の導電パターンを形成する際、第２保護膜１３によって引き続いて第１主面Ｓ１を保護しつつ、別の導電パターンの形成処理を行うことができる。更に、第２保護膜１３によって引き続いて第１主面Ｓ１を保護しつつ、第２樹脂膜形成工程Ｐ９７及びＰ９８を行って第２主面Ｓ２上に第２樹脂膜３６を形成することができる。こうして、本第４実施形態によれば、第２保護膜１３によって第１主面Ｓ１を保護しつつ、第２主面Ｓ２上に異なる成膜処理を２回以上続けて行うことが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】本発明に係る基板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図２】図１の樹脂膜形成工程を詳しく示す工程図である。
【図３】図１の工程図に対応して基板の第１主面上の膜構成の変遷を示す図である。
【図４】図３に続いて基板の第１主面上の膜構成の変遷を示す図である。
【図５】図４に続いて基板の第１主面上の膜構成の変遷を示す図である。
【図６】図５に続いて基板の第１主面上の膜構成の変遷を示す図である。
【図７】図１の工程図に対応して基板の第２主面上の膜構成の変遷を示す図である。
【図８】図７に続いて基板の第２主面上の膜構成の変遷を示す図である。
【図９】図８に続いて基板の第２主面上の膜構成の変遷を示す図である。
【図１０】図１の製造方法によって製造される大面積のパネル構造体の一部を示す図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその断面図である。
【図１１】本発明に係る基板の製造方法を用いて製造される基板の一例を示す図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図である。
【図１２】図１１（ｂ）に示す基板の構成要素である透光性基板の構造を示す図である。
【図１３】本発明に係る基板の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。
【図１４】図１３の工程図に対応して基板の構成の変遷を示す断面図である。
【図１５】本発明に係る基板の製造方法のさらに他の実施形態を示す工程図である。
【図１６】図１５の工程図に対応して基板の構成の変遷を示す断面図である。
【図１７】本発明に係る基板の製造方法のさらに他の実施形態を示す工程図である。
【符号の説明】
【０１２７】
１．基板、  １’．パネル構造体、  ２．透光性基板、  ２’．マザー基板、
２ａ，２ｂ，２ｃ．端辺、  ３．配線（金属パターン）、  ３’．材料層、
４ａ．第１透光性電極（第１導電パターン）、  ４ａ’．ａ−ＩＴＯ膜（第１導電膜）、
４ｂ．第２透光性電極（第２導電パターン）、  ５ａ，５ｂ．端子部、
６．配線の先端部分（第１層）、  ７．導電部材（第２層）、
１１．第１保護膜（ｐ−ＩＴＯ）、  １２’．ネガ型感光性樹脂膜、
１２．第１樹脂膜、  １３．第２保護膜（非感光性樹材料）、  １５．ガラス基材、
１６．強化層、  １７．ＳｉＯ２層、  ２１ａ．レジスト膜（ポジ）、
２１ｂ．レジスト膜、  ２１ｃ．第２レジスト膜、  ２１ｄ．第４レジスト膜、
２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ．露光マスク、  ２３．ガラス基板、
２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ．遮光パターン、  ２６’．無機膜、
２６．無機膜パターン、  ２７．第３レジスト膜、
３６’．第２樹脂膜用レジスト膜、  ３６．第２樹脂膜、  Ａ０．完全光透過領域、
Ａ１．完全遮光領域、  Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３．露光部分、
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４．露光光、  Ｑ１．第１主面形成工程、  
Ｑ２．第２主面形成工程、  Ｑ３．分割工程、  Ｓ１．第１主面、  Ｓ２．第２主面、
Ｔ．鎖線領域、  Ｘ０．スクライブ領域
【図１】
2008170840.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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