(57)【要約】      （修正有）【課題】良好な蒸気圧を持ち、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法等によってニオブ又はタンタル含有薄膜を製造するための原料となる新規なニオブあるいはタンタル錯体、その製造方法、それを用いた金属含有薄膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】一般式（１）で表されるイミド錯体を、例えばＭ１（ＮＲ１）Ｘ３（Ｌ）ｒ（２）とアルカリ金属アルコキシド（３）との反応等により製造し2008266280.tif 000033（式中、Ｍ１はニオブ原子又はタンタル原子を示し、Ｒ１は炭素数１から１２のアルキル基を示し、Ｒ２は炭素数２から１３のアルキル基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｌが１，２−ジメトキシエタン配位子のとき、ｒは１であり、Ｌがピリジン配位子のとき、ｒは２であり、Ｍ２はアルカリ金属を示す。）、そのイミド錯体（１）を原料として用いることにより、ニオブ又はタンタル含有薄膜を製造する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2008266280.tif 000016
（式中、Ｍ１はニオブ原子又はタンタル原子を示し、Ｒ１は炭素数１から１２のアルキル基を示し、Ｒ２は炭素数２から１３のアルキル基を示す。）で表されることを特徴とするイミド錯体。
【請求項２】
Ｒ１が炭素数１から１０のアルキル基を示し、Ｒ２がイソプロピル基又はｔｅｒｔ−ブチル基であることを特徴とする、請求項１に記載のイミド錯体。
【請求項３】
Ｍ１がニオブ原子であり、Ｒ１がプロピル基、イソプロピル基又はｔｅｒｔ−ブチル基であり、Ｒ２がｔｅｒｔ−ブチル基であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のイミド錯体。
【請求項４】
Ｍ１がタンタル原子であり、Ｒ１がイソプロピル基又はｔｅｒｔ−ブチル基であり、Ｒ２がｔｅｒｔ−ブチル基であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のイミド錯体。
【請求項５】
一般式（２）
【化２】
2008266280.tif 000017
（式中、Ｍ１はニオブ原子又はタンタル原子を示し、Ｒ１は炭素数１から１２のアルキル基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。Ｌは１，２−ジメトキシエタン配位子又はピリジン配位子を示す。Ｌが１，２−ジメトキシエタン配位子のとき、ｒは１であり、Ｌがピリジン配位子のとき、ｒは２である。）で表される化合物に、一般式（３）
【化３】
2008266280.tif 000018
（式中、Ｒ２は炭素数２から１３のアルキル基を示す。Ｍ２はアルカリ金属を示す。）で表されるアルカリ金属アルコキシドを反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化４】
2008266280.tif 000019
（式中、Ｍ１、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ意味を示す。）で表されるイミド錯体の製造方法。
【請求項６】
Ｘが塩素原子であり、Ｍ２がリチウム原子、ナトリウム原子又はカリウム原子であることを特徴とする、請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
一般式（４）
【化５】
2008266280.tif 000020
（式中、Ｍ１はニオブ原子又はタンタル原子を示し、Ｒ１は炭素数１から１２のアルキル基を示す。Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立にメチル基又はエチル基を示す。）で表される化合物に、一般式（５）
【化６】
2008266280.tif 000021
（式中、Ｒ２は炭素数２から１３のアルキル基を示す。）で表されるアルコールを反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化７】
2008266280.tif 000022
（式中、Ｍ１、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ意味を示す。）で表されるイミド錯体の製造方法。
【請求項８】
一般式（２）
【化８】
2008266280.tif 000023
（式中、Ｍ１はニオブ原子又はタンタル原子を示し、Ｒ１は炭素数１から１２のアルキル基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。Ｌは１，２−ジメトキシエタン配位子又はピリジン配位子を示す。Ｌが１，２−ジメトキシエタン配位子のとき、ｒは１であり、Ｌがピリジン配位子のとき、ｒは２である。）で表される化合物に、一般式（６）
【化９】
2008266280.tif 000024
（式中、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立にメチル基又はエチル基を示す。）で表されるリチウムジアルキルアミドを反応させることにより得られた一般式（４）で表される化合物を用いることを特徴とする請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
Ｘが塩素原子であり、Ｒ３及びＲ４は、ともにメチル基又はともにエチル基である、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
一般式（１ａ）
【化１０】
2008266280.tif 000025
（式中、Ｍ１はニオブ原子又はタンタル原子を示し、Ｒ１ａはｔｅｒｔ−ブチル基又はイソプロピル基を示し、Ｒ２は炭素数２から１３のアルキル基を示す。）で表される化合物に、一般式（７）
【化１１】
2008266280.tif 000026
（式中、Ｒ１は炭素数１から１２のアルキル基を示す。ただし、Ｒ１とＲ１ａは同時に同じ基を示すことはない。）で表されるアミンを反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化１２】
2008266280.tif 000027
（式中、Ｍ１、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ意味を示す。）で表されるイミド錯体の製造方法。
【請求項１１】
一般式（８）
【化１３】
2008266280.tif 000028
（式中、Ｍ１はニオブ原子又はタンタル原子を示し、Ｙはハロゲン原子を示す。）で表される金属ハロゲン化物に、一般式（３）
【化１４】
2008266280.tif 000029
（式中、Ｒ２は炭素数２から１３のアルキル基を示し、Ｍ２はアルカリ金属を示す。）で表されるアルカリ金属アルコキシド及び一般式（９）
【化１５】
2008266280.tif 000030
（式中、Ｒ１は炭素数１から１２のアルキル基を示す。）で表されるリチウムアミドを反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化１６】
2008266280.tif 000031
（式中、Ｍ１、Ｒ１及びＲ２は前記と同じ意味を示す。）で表されるイミド錯体の製造方法。
【請求項１２】
Ｙが塩素原子であり、Ｍ２がリチウム原子、ナトリウム原子又はカリウム原子であることを特徴とする、請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
一般式（１）
【化１７】
2008266280.tif 000032
（式中、Ｍ１はニオブ原子又はタンタル原子を示し、Ｒ１は炭素数１から１２のアルキル基を示し、Ｒ２は炭素数２から１３のアルキル基を示す。）で表されるイミド錯体を原料として用いることを特徴とする、ニオブ又はタンタル含有薄膜の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法により製造されることを特徴とする、ニオブ又はタンタル含有薄膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造に有用な金属錯体、その製造方法、金属含有薄膜及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
これまでに開発されてきた半導体装置のＤＲＡＭキャパシタ誘電体には、窒化酸化ケイ素（ＳｉＯＮ）やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）が主な素材として用いられてきた。しかし、次世代の半導体には、高性能化に応えるために素子の微細化が求められており、次世代のキャパシタ誘電体の素材としては、さらに誘電率が高いものが求められている。現在、キャパシタ誘電体に使用される新規な素材として酸化タンタルや酸化ニオブが注目されている。
【０００３】
現在半導体用素子として用いられている薄膜の形成方法としては、スパッタによる物理気相成長法（ＰＶＤ法）、化学気相成長法（ＣＶＤ法）が挙げられる。しかし次世代以降の半導体製造では、微細化した素子の複雑な３次元構造の表面に均一で薄い膜を形成することが求められるため、凹凸のある面に均一な膜を形成することが難しいＰＶＤ法は適切ではない。そのため段差被覆性よく薄膜を作成する手法として、原料を気体として反応槽に送り込み、分解して膜を堆積させるＣＶＤ法又は基板表面に吸着させた原料を分解して膜を堆積させる原子層蒸着法（ＡＬＤ法）による薄膜形成法が検討されている。
【０００４】
半導体素子製造において、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法により薄膜を形成するための材料には、適度な蒸気圧と熱安定性を持ち、安定した供給量で気化させることが出来る材料が選択される。さらに複雑な３次元構造の表面に均一な膜厚で成膜出来ることも必要な条件のひとつである。さらに供給時には液体であるほうが好ましい。
【０００５】
ＣＶＤ法又はＡＬＤ法により酸化ニオブ薄膜及び酸化タンタル薄膜を形成するための原料としては、アミド化合物（例えば特許文献１及び非特許文献１）やペンタアルコキシド（例えば非特許文献２）の使用が検討されている。しかしながら、アミド化合物のうちＮｂ（ＮｔＰｅ）（ＮＭｅ２）３は、室温で固体であり、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＮＥｔ２）３及びＴａ（ＮｔＢｕ）（ＮＥｔ２）３は、室温で液体ではあるが蒸気圧が低い。Ｎｂ（ＯＥｔ）５及びＴａ（ＯＥｔ）５などのペンタアルコキシドも、室温で液体ではあるが蒸気圧が低い。すなわち、これらの化合物は、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法による薄膜形成用の原料として用いる上で、それぞれ問題点を有しており、最適な原料とは言いがたい。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１３１６０６号公報
【非特許文献１】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｉｎｅｓｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ、４５巻、３５５ページ（１９９８年）
【非特許文献２】Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、１２巻、１９１４ページ（２０００年）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、良好な蒸気圧を持ち、ＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの手法によって金属含有薄膜を製造するための原料となる新規な化合物、その製造方法、それを用いた金属含有薄膜及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは上述の現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、一般式（１）で表されるイミド錯体及びその製造方法、並びにイミド錯体（１）を原料として用いる金属含有薄膜及びその製造方法により、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち本発明は、一般式（１）
【００１０】
【化１】
2008266280.tif 000002
（式中、Ｍ１はニオブ原子又はタンタル原子を示し、Ｒ１は炭素数１から１２のアルキル基を示し、Ｒ２は炭素数２から１３のアルキル基を示す。）で表されることを特徴とするイミド錯体である。
【００１１】
また本発明は、一般式（２）
【００１２】
【化２】
2008266280.tif 000003
（式中、Ｍ１、Ｒ１は前記と同様を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。Ｌは１，２−ジメトキシエタン配位子又はピリジン配位子を示す。Ｌが１，２−ジメトキシエタン配位子のとき、ｒは１であり、Ｌがピリジン配位子のとき、ｒは２である。）で表される化合物に、一般式（３）
【００１３】
【化３】
2008266280.tif 000004
（式中、Ｒ２は前記と同様を示す。Ｍ２はアルカリ金属を示す。）で表されるアルカリ金属アルコキシドを反応させることを特徴とする、一般式（１）で表されるイミド錯体の製造方法である。
【００１４】
さらに本発明は、一般式（４）
【００１５】
【化４】
2008266280.tif 000005
（式中、Ｍ１、Ｒ１は前記と同様を示す。Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立にメチル基又はエチル基を示す。）で表される化合物に、一般式（５）
【００１６】
【化５】
2008266280.tif 000006
（式中、Ｒ２は前記と同様を示す。）で表されるアルコールを反応させることを特徴とする、一般式（１）で表されるイミド錯体の製造方法である。
【００１７】
また本発明は、一般式（１ａ）
【００１８】
【化６】
2008266280.tif 000007
（式中、Ｍ１、Ｒ２は前記と同様を示し、Ｒ１ａはｔｅｒｔ−ブチル基又はイソプロピル基を示す。）で表される化合物に、一般式（７）
【００１９】
【化７】
2008266280.tif 000008
（式中、Ｒ１は前記と同様を示す。ただし、Ｒ１とＲ１ａは同時に同じ基を示すことはない。）で表されるアミンを反応させることを特徴とする、一般式（１）で表されるイミド錯体の製造方法である。
【００２０】
また本発明は、一般式（８）
【００２１】
【化８】
2008266280.tif 000009
（式中、Ｍ１はニオブ原子又はタンタル原子を示し、Ｙはハロゲン原子を示す。）で表される金属ハロゲン化物に、一般式（３）で表されるアルカリ金属アルコキシド及び一般式（９）
【００２２】
【化９】
2008266280.tif 000010
（式中、Ｒ１は炭素数１から１２のアルキル基を示す。）で表されるリチウムアミドを反応させることを特徴とする、一般式（１）で表されるイミド錯体の製造方法である。
【００２３】
また本発明は、一般式（１）で表されるイミド錯体を原料として用いることを特徴とする、ニオブ又はタンタル含有薄膜の製造方法である。
【００２４】
また本発明は、上述の製造方法により製造されることを特徴とする、ニオブ又はタンタル含有薄膜である。以下に本発明を更に詳細に説明する。
【００２５】
Ｒ１で表される炭素数１から１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロプロピルメチル基、シクロプロピルエチル基、シクロブチルメチル基、ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、１，１−ジエチル−プロピル基、２−メチルシクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、オクチル基、２，５−ジメチルシクロヘキシル基、３，５−ジメチルシクロヘキシル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基、１，１，２，３，３−ペンタメチルブチル基、１，１―ジエチル―３，３−ジメチルブチル基、アダマンチル基、１，１−ジメチルオクチル基、１，１−ジプロピルブチル基、１，１−ジメチルデシル基、１，１−ジエチルオクチル基などを例示することができる。
【００２６】
Ｒ２で表される炭素数２から１３のアルキル基としては、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロプロピルメチル基、シクロプロピルエチル基、シクロブチルメチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、１，１−ジエチルプロピル基、１−メチル−１−プロピルブチル基、オクチル基、２，５−ジメチルシクロヘキシル基、３，５−ジメチルシクロヘキシル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基、１，１，２，３，３−ペンタメチルブチル基、１，１―ジエチル―３，３−ジメチルブチル基、アダマンチル基、１，１−ジメチルオクチル基、１，１−ジプロピルブチル基、１，１−ジメチルデシル基、１，１−ジエチルオクチル基、１，１−ジメチルウンデシル基、１，１−ジブチルペンチル基などを例示することができる。
【００２７】
イミド錯体（１）は、良好な蒸気圧を持つという点で、Ｒ１は炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、またＲ２は炭素数２〜１０のアルキル基が好ましく、特にイソプロピル基又はｔｅｒｔ−ブチル基であることが好ましい。特にＭ１がニオブ原子の場合には、更に好ましくは、Ｒ１がプロピル基、イソプロピル基又はｔｅｒｔ−ブチル基であり、かつＲ２がｔｅｒｔ−ブチル基である。Ｍ１がタンタル原子の場合には、更に好ましくは、Ｒ１がイソプロピル基又はｔｅｒｔ−ブチル基であり、Ｒ２がｔｅｒｔ−ブチル基である。
【００２８】
次に本発明の製造方法について詳細に説明する。製法１は、化合物（２）とアルカリ金属アルコキシド（３）との反応により、本発明のイミド錯体（１）を製造する方法である。
【００２９】
【化１０】
2008266280.tif 000011
（式中、Ｍ１、Ｒ１、Ｘ、Ｌ、ｒ、Ｒ２及びＭ２は前記と同じ意味を示す。）
製法１は、有機溶媒中で実施することができ、有機溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの炭化水素類や、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテルなどのエーテル類を例示することが出来、これらを単独で又は混合して用いることが出来る。収率が良好な点でテトラヒドロフラン、ヘキサン、トルエン又はヘキサンとトルエンを混合して用いることが好ましい。
【００３０】
製法１において、反応温度に限定は無いが、−８０℃から１５０℃の範囲から適宜選択された温度で反応させることにより、イミド錯体（１）を収率よく得ることが出来る。反応時間にも限定はないが、１時間から１５０時間の範囲内から適宜選択された時間反応させることにより、イミド錯体（１）を収率よく得ることが出来る。イミド錯体（１）の収率がことさら良好な点で、１５℃から１１０℃の範囲内の温度で６時間から４８時間反応させることがさらに好ましい。
【００３１】
製法１において、反応はアルゴン又は窒素雰囲気下で行うことがイミド錯体（１）の収率が良い点で好ましい。また、原料化合物（２）において、Ｘが塩素原子であることが収率が良い点で好ましい。さらに、原料化合物（３）において、Ｍ２がリチウム原子、ナトリウム原子又はカリウム原子であることが収率が良い点で好ましく、とりわけリチウム原子であることが好ましい。
【００３２】
得られた本発明のイミド錯体（１）は、通常の後処理により単離することが出来る。
【００３３】
製法１における原料化合物（２）は、公知の方法（例えば、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、３６巻、２６４７ページ（１９９７年）またはＪｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｉｎｅｓｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ、４５巻、３５５ページ（１９９８年））を参考にして容易に合成することが出来る。
【００３４】
製法２は、化合物（４）とアルコール（５）との反応により、本発明のイミド錯体（１）を製造する方法である。
【００３５】
【化１１】
2008266280.tif 000012
（式中、Ｍ１、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４及びＲ２は前記と同じ意味を示す。）
製法２は、有機溶媒中で実施することができる。有機溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの炭化水素類や、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテルなどのエーテル類を例示することが出来、これらを単独で又は混合して用いることが出来る。収率が良好な点でヘキサン又はトルエンが好ましい。
【００３６】
製法２において、反応温度には限定は無いが、−２０℃から１００℃の範囲から適宜選択された温度で反応させることにより、イミド錯体（１）を収率よく得ることが出来る。反応時間にも限定はないが、１時間から１５０時間の範囲内から適宜選択された時間反応させることにより、イミド錯体（１）を収率よく得ることが出来る。イミド錯体（１）の収率がとりわけ良好な点で、０℃から５０℃の範囲内の温度で６時間から４８時間反応させることがさらに好ましい。
【００３７】
製法２において、反応はアルゴン又は窒素雰囲気下で行うことがイミド錯体（１）の収率が良い点で好ましい。また、原料化合物（４）において、Ｒ３及びＲ４はともにメチル基又はともにエチル基であることが収率が良い点で好ましい。
【００３８】
得られた本発明のイミド錯体（１）は、通常の後処理により単離することが出来る。
【００３９】
製法２における原料化合物（４）は、公知の方法（例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｉｎｅｓｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ、４５巻、３５５ページ（１９９８年）またはＩｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、２２巻、９６５ページ（１９８３年））を参考にして容易に合成することが出来る。
【００４０】
特に製法２における原料化合物（４）は、以下の工程により製造することが収率がよい点で好ましい。すなわち、化合物（２）とリチウムジアルキルアミド（６）との反応により化合物（４）を製造する方法である。
【００４１】
【化１２】
2008266280.tif 000013
（式中、Ｍ１、Ｒ１、Ｘ、Ｌ、ｒ、Ｒ３、及びＲ４は前記と同じ意味を示す。）
この工程は、化合物（２）とリチウムジアルキルアミド（６）との反応により、化合物（４）を得るものである。本反応は、有機溶媒中で実施することができる。有機溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの炭化水素類や、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテルなどのエーテル類を例示することが出来、これらを単独で又は混合して用いることが出来る。収率が良好な点でヘキサン、トルエン又はヘキサンとトルエンを混合して用いることが好ましい。
【００４２】
この工程において、反応温度には限定は無いが、−８０℃から１００℃の範囲から適宜選択された温度で反応させることにより、化合物（４）を収率よく得ることが出来る。反応時間にも限定はないが、４時間から１５０時間の範囲内から適宜選択された時間反応させることにより、化合物（４）を収率よく得ることが出来る。収率がことさら良好な点で、０℃から５０℃の範囲内の温度で６時間から７２時間反応させることがさらに好ましい。
【００４３】
この工程において、反応はアルゴン又は窒素雰囲気下で行うことが化合物（４）の収率が良い点で好ましい。また、原料化合物（２）において、Ｘが塩素原子であることが収率が良い点で好ましい。さらに、リチウムジアルキルアミド（６）において、Ｒ３及びＲ４は、ともにメチル基又はともにエチル基であることが収率が良い点で好ましい。
【００４４】
この工程によって得られた化合物（４）は、単離することなくそのまま前述の製法２における原料化合物として反応に供することも出来るが、必要に応じて通常の後処理により単離してから製法２の反応に供してもよい。
【００４５】
製法３は、化合物（１ａ）とアミン（７）との反応によりイミド錯体（１）を製造する方法である。
【００４６】
【化１３】
2008266280.tif 000014
（式中、Ｍ１、Ｒ１ａ、Ｒ２、Ｒ１は前記と同じ意味を示す。）
製法３は、有機溶媒中で実施することも出来るが、有機溶媒を用いなくても実施することが出来る。有機溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの炭化水素類や、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテルなどのエーテル類を例示することが出来、これらを単独で又は混合して用いることが出来る。収率が良好な点で、溶媒を用いない方法又はヘキサン若しくはトルエン中で反応させることが好ましい。
【００４７】
製法３において、反応温度には限定は無いが、１０℃から１５０℃の範囲から適宜選択された温度で反応させることにより、イミド錯体（１）を収率よく得ることが出来る。反応時間にも限定はないが、４時間から１５０時間の範囲内から適宜選択された時間反応させることにより、イミド錯体（１）を収率よく得ることが出来る。イミド錯体（１）の収率がことさら良好な点で、２０℃から５０℃の範囲内の温度で８時間から７２時間反応させることがさらに好ましい。
【００４８】
製法３において、反応はアルゴン又は窒素雰囲気下で行うことがイミド錯体（１）の収率が良い点で好ましい。
【００４９】
得られた本発明のイミド錯体（１）は、通常の後処理により単離することが出来る。
【００５０】
製法４は、ニオブ又はタンタルの五ハロゲン化物（８）にアルカリ金属アルコキシド（３）及びリチウムアミド（９）を反応させてイミド錯体（１）を製造する方法である。
【００５１】
【化１４】
2008266280.tif 000015
（式中、Ｍ１、Ｙ、Ｒ２、Ｍ２及びＲ１は前記と同じ意味を示す。）
製法４は、有機溶媒中で実施することができ、有機溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、オクタン、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの炭化水素類や、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテルなどのエーテル類を例示することが出来、これらを単独で又は混合して用いることが出来る。収率が良好な点でペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサンが好ましく、ヘキサンが更に好ましい。
【００５２】
製法４において、反応温度に限定は無いが、−８０℃から１５０℃の範囲から適宜選択された温度で反応させることにより、イミド錯体（１）を収率よく得ることが出来る。反応時間にも限定はないが、４時間から１５０時間の範囲内から適宜選択された時間反応させることにより、イミド錯体（１）を収率よく得ることが出来る。イミド錯体（１）の収率がことさら良好な点で、１５℃から１１０℃の範囲内の温度で６時間から４８時間反応させることがさらに好ましい。
【００５３】
製法４において、反応はアルゴン又は窒素雰囲気下で行うことがイミド錯体（１）の収率が良い点で好ましい。また、原料である金属ハロゲン化物（８）としては、五塩化ニオブ又は五塩化タンタルが収率が良い点で好ましい。さらに、原料であるアルカリ金属アルコキシド（３）において、Ｍ２がリチウム原子、ナトリウム原子又はカリウム原子であることが収率が良い点で好ましく、とりわけリチウム原子であることが好ましい。アルカリ金属アルコキシド（３）は、例えばアルコールＲ２ＯＨとアルカリ金属を反応させる方法やアルコールＲ２ＯＨとアルキルリチウムを反応させる方法によって調製することが出来る。原料であるリチウムアミド（９）は、例えばアルキルリチウムとアミンＲ１ＮＨ２を反応させることにより調製することが出来る。これらの方法で調製したアルカリ金属アルコキシド（３）およびリチウムアミド（９）を精製して用いることも精製せずに用いることも出来る。アルカリ金属アルコキシド（３）およびリチウムアミド（９）を同一系内で混合溶液として調製し、そのまま使用することも出来る。
【００５４】
得られた本発明のイミド錯体（１）は、通常の後処理により単離することが出来る。
【００５５】
本発明のイミド錯体（１）を原料に用いて、ニオブ又はタンタル含有薄膜を製造することが出来る。ニオブ又はタンタル含有薄膜の製造方法に特に限定はないが、例えばＣＶＤ法又はＡＬＤ法によりニオブ又はタンタル含有薄膜を製造する場合には、イミド錯体（１）をガス化して基板上に供給する。ガス化する方法としては、例えば加熱した恒温槽にイミド錯体（１）を入れ、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン若しくは窒素などのキャリアガスを吹き込みガス化する方法、又はイミド錯体（１）をそのまま若しくは溶液とし、これらを気化器に送って加熱して気化器内でガス化する方法などがある。溶液とする場合に用いる溶媒としては、１，２−ジメトキシエタン、ジグライム、トリグライム、ジオキサン、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル類、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の炭化水素類を例示することが出来る。
【００５６】
ガスとして基板上に供給したイミド錯体（１）を、水、酸素、オゾンなどの反応性ガスを共存させて分解する方法又は基板上に吸着させたイミド錯体（１）にこれらの反応ガスを反応させることによって金属含有薄膜を製造することが出来る。分解は加熱だけでも可能であるが、プラズマや光などを併用しても良い。
【発明の効果】
【００５７】
本発明のイミド錯体（１）は、良好な蒸気圧を持ち、これを原料に用いて例えばＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの手法によってニオブまたはタンタル含有薄膜を製造することが可能である。
【実施例】
【００５８】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、本明細書において、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を、Ｐｒはプロピル基を、ｉＰｒはイソプロピル基を、ｔＢｕはｔｅｒｔ−ブチル基を、ｓＢｕはｓｅｃ−ブチル基を、ｔＰｅはｔｅｒｔ−ペンチル基を示す。ｄｍｅは１，２−ジメトキシエタン配位子を示す。
【００５９】
（参考例１）（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）トリクロロ（１，２−ジメトキシエタン）ニオブ（Ｎｂ（ＮｔＢｕ）Ｃｌ３（ｄｍｅ））の合成
アルゴン雰囲気下、トルエン３０ｍＬに五塩化ニオブ３．４８ｇ（１２．９ｍｍｏｌ）を懸濁させ、氷浴で冷却しながらｔｅｒｔ−ブチルアミン２．８７ｇ（３９．２ｍｍｏｌ）及び１，２−ジメトキシエタン１．１７ｇ（１３．０ｍｍｏｌ）、塩化亜鉛（ＩＩ）４．２２ｇ（３１．０ｍｍｏｌ）を順に加えた。室温で１２時間撹拌した後、−８℃で６時間冷却しながら静置した。不溶物をろ別し、ろ液からトルエンを減圧留去することにより、明黄色の固体３．６２ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）を得た。収率７８％。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
３．４５（ｓ，３Ｈ），３．２７（ｓ，３Ｈ），３．０５（ｍ，２Ｈ），３．０１（ｍ，２Ｈ），１．３３（ｓ，９Ｈ）。
【００６０】
（実施例１）（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）トリ（ｔｅｒｔ−ブトキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５９Ｍ）１８．９ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール２．２４ｇを加えて室温で３０分間攪拌し、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド溶液を調製した。これをＮｂ（ＮｔＢｕ）Ｃｌ３（ｄｍｅ）３．６２ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）をトルエン１５ｍｌに溶かした溶液に加え、室温で１５時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を蒸留することにより、無色の液体２．８５ｇを得た（収率７４％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
１．３８（ｓ，２７Ｈ），１．３７（ｓ，９Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７７．５（ｂｒ），６６．２（ｂｒ），３３．８，３２．９。
【００６１】
Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧ（熱重量測定）の結果及び密閉容器中で昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定したＤＳＣ（示差走査熱量測定）の結果を図１に示した。ＴＧからＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの材料として良好な気化特性を有していることがわかり、ＤＳＣから熱安定性も良好であることがわかった。
【００６２】
Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３の蒸気圧測定
Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３の蒸気圧を測定したところ、４６℃において０．１Ｔｏｒｒであった。
【００６３】
（実施例２）Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３の合成
アルゴン雰囲気下で、（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）トリス（ジメチルアミド）ニオブ（Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＮＭｅ２）３）１．０６ｇ（３．５９ｍｍｏｌ）をヘキサン５ｍｌに溶かした溶液にｔｅｒｔ−ブタノール８１０ｍｇ（１０．９ｍｍｏｌ）を加え、室温で２４時間攪拌した、溶媒を減圧留去し、残渣を蒸留することにより、無色の液体１．１７ｇを得た（収率８５％）。この液体をＣ６Ｄ６に溶かして１Ｈ  ＮＭＲ及び１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定したところ、実施例１と同じスペクトルが得られ、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３であることを確認した。
【００６４】
（実施例３）Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３の合成
アルゴン雰囲気下で、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）Ｃｌ３（ｄｍｅ）４．７９ｇ（１３．３ｍｍｏｌ）をトルエン２０ｍＬに溶かし、ＬｉＮＭｅ２をヘキサンに懸濁させた液（５．３ｗｔ％，３８．６ｇ，４０．１ｍｍｏｌ）を加え、室温で１１時間攪拌した。不溶物をろ別して暗黄色溶液を得た。この暗黄色溶液に含まれる成分を分析するため、一部をサンプリングして濃縮した。得られた残渣の１Ｈ  ＮＭＲ及び１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定し、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＮＭｅ２）３が生成していることを確認した。また、得られた残渣の質量を基にして算出した暗黄色溶液中のＮｂ（ＮｔＢｕ）（ＮＭｅ２）３の含量は、３．１５ｇであった（工程１；収率８０％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
３．１９（ｓ，１８Ｈ），１．４２（ｓ，９Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
４７．３，３３．７。
【００６５】
工程１で得た暗黄色溶液に、ｔｅｒｔ−ブタノール２．３７ｇ（３２．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で６時間攪拌した、溶媒を減圧留去し、残渣を蒸留することにより、無色の液体２．９８ｇを得た（工程２；収率７３％、工程１及び２を通じた収率５８％）。この液体をＣ６Ｄ６に溶かして１Ｈ  ＮＭＲ及び１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定したところ、実施例１と同じスペクトルが得られ、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３であることを確認した。
【００６６】
（実施例４）（プロピルイミド）トリ（ｔｅｒｔ−ブトキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮＰｒ）（ＯｔＢｕ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３２．９８ｇ（７．７７ｍｍｏｌ）をプロピルアミン１４．０ｇに溶かし、室温で１７時間攪拌した。残ったプロピルアミン及び副生したｔｅｒｔ−ブチルアミンを減圧留去し、残渣を蒸留することにより、無色の液体２．３６ｇを得た（収率８２％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
３．７２（ｂｒ，ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．６８（ｓｅｘｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．３９（ｓ，２７Ｈ），０．９１（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７８．０，６５．３（ｂｒ），３２．９，２７．６，１２．２。
【００６７】
Ｎｂ（ＮＰｒ）（ＯｔＢｕ）３の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧの結果及び密閉容器中で昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定したＤＳＣの結果を図３に示した。ＴＧからＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの材料として良好な気化特性を有していることがわかり、ＤＳＣから熱安定性も良好であることがわかった。
【００６８】
（実施例５）（イソプロピルイミド）トリ（ｔｅｒｔ−ブトキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３２．８０ｇ（７．３０ｍｍｏｌ）をヘキサン３ｍＬおよびイソプロピルアミン１３．０ｇに溶かし、室温で１７時間攪拌した。ヘキサン、残ったイソプロピルアミン及び副生したｔｅｒｔ−ブチルアミンを減圧留去し、残渣を蒸留することにより、無色の液体２．２５ｇを得た（収率８３％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
３．９４（ｂｒ，１Ｈ），１．３９（ｓ，２７Ｈ），１．２６（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７７．７（ｂｒ），６２．６（ｂｒ），３２．９，２７．３。
【００６９】
Ｎｂ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧの結果及び密閉容器中で昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定したＤＳＣの結果を図４に示した。ＴＧからＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの材料として良好な気化特性を有していることがわかり、ＤＳＣから熱安定性も良好であることがわかった。
【００７０】
Ｎｂ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３の蒸気圧測定
Ｎｂ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３の蒸気圧を測定したところ、４９℃において０．１Ｔｏｒｒであった。
【００７１】
（実施例６）Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３を用いたＮｂ含有薄膜の製造
Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３を原料として、図２の装置を用いて、原料温度４０℃、キャリアガス（Ａｒ）流量２０ｓｃｃｍ、原料圧力１００Ｔｏｒｒ、希釈ガス（Ａｒ）流量２２０ｓｃｃｍ、反応ガス（Ｏ２）流量６０ｓｃｃｍ、基板温度４００℃、反応槽内圧力４Ｔｏｒｒで、ＣＶＤ法によりＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に１時間成膜を行った。作製した膜を蛍光Ｘ線分析装置にて測定したところ、Ｎｂの特性Ｘ線が検出され、また、膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ酸化ニオブであった。膜厚をＳＥＭにより確認したところ約４０ｎｍであった。
【００７２】
（実施例７）（メチルイミド）トリ（ｔｅｒｔ−ブトキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮＭｅ）（ＯｔＢｕ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３２．４３ｇ（６．３４ｍｍｏｌ）をメチルアミンのテトラヒドロフラン溶液（２．０Ｍ、１００ｍＬ）に溶かし、室温で１２時間攪拌した。溶媒及び過剰のメチルアミンを減圧留去し、残渣を昇華することにより、白色固体１．２２ｇを得た（収率５６％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
３．５５（ｓ，３Ｈ），１．３８（ｓ，２７Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７８．２，５０．３（ｂｒ），３３．０。
【００７３】
Ｎｂ（ＮＭｅ）（ＯｔＢｕ）３の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧの結果及び密閉容器中で昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定したＤＳＣの結果を図５に示した。ＴＧからＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの材料として良好な気化特性を有していることがわかり、ＤＳＣから熱安定性も良好であることがわかった。
【００７４】
（参考例２）（エチルイミド）トリクロロ（１，２−ジメトキシエタン）ニオブ（Ｎｂ（ＮＥｔ）Ｃｌ３（ｄｍｅ））の合成
アルゴン雰囲気下、トルエン８０ｍＬに五塩化ニオブ１０．９ｇ（４０．２ｍｍｏｌ）を懸濁させ、氷浴で冷却しながらエチルアミン５．５７ｇ（１２４ｍｍｏｌ）をトルエン１０ｍＬに溶かした溶液及び１，２−ジメトキシエタン３．６２ｇ（４０．２ｍｍｏｌ）、塩化亜鉛（ＩＩ）１６．４ｇ（１２０ｍｍｏｌ）を順に加えた。室温で１２時間撹拌した後、−８℃で１２時間冷却しながら静置した。不溶物をろ別し、ろ液からトルエンを減圧留去することにより、明黄色の固体９．４６ｇ（２８．５ｍｍｏｌ）を得た。収率７１％。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
３．７１（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），３．４２（ｓ，３Ｈ），３．１５（ｓ，３Ｈ），２．９７（ｍ，２Ｈ），２．９２（ｍ，２Ｈ），１．１１（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）。
【００７５】
（実施例８）（エチルイミド）トリ（ｔｅｒｔ−ブトキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮＥｔ）（ＯｔＢｕ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５８Ｍ）１９．６ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール２．３０ｇを加えて室温で３０分間攪拌し、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド溶液を調製した。これをＮｂ（ＮＥｔ）Ｃｌ３（ｄｍｅ）３．４４ｇ（１０．４ｍｍｏｌ）をトルエン１５ｍｌに溶かした溶液に加え、室温で１２時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を蒸留することにより、無色の液体３．４１ｇを得た（収率９３％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
３．７２（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．３５（ｓ，２７Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７７．９，５７．６（ｂｒ），３２．９，１９．７。
【００７６】
Ｎｂ（ＮＥｔ）（ＯｔＢｕ）３の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧの結果及び密閉容器中で昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定したＤＳＣの結果を図６に示した。ＴＧからＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの材料として良好な気化特性を有していることがわかり、ＤＳＣから熱安定性も良好であることがわかった。
【００７７】
（実施例９）（エチルイミド）トリ（ｔｅｒｔ−ペンチルオキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮＥｔ）（ＯｔＰｅ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５８Ｍ）１６．２ｍＬにｔｅｒｔ−ペンタノール２．２６ｇを加えて室温で３０分間攪拌し、リチウムｔｅｒｔ−ペンチルオキシド溶液を調製した。これをＮｂ（ＮＥｔ）Ｃｌ３（ｄｍｅ）２．８５ｇ（８．５７ｍｍｏｌ）をトルエン１２ｍｌに溶かした溶液に加え、室温で１２時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を蒸留することにより、無色の液体３．０９ｇを得た（収率９１％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
３．６９（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．５８（ｑ，Ｊ＝８Ｈｚ，６Ｈ），１．３０（ｓ，１８Ｈ），１．１８（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），０．９５（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
８０．０，５７．５（ｂｒ），３７．８，３０．６，１９．６，９．３。
【００７８】
Ｎｂ（ＮＥｔ）（ＯｔＰｅ）３の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧの結果及び密閉容器中で昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定したＤＳＣの結果を図７に示した。ＴＧからＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの材料として良好な気化特性を有していることがわかり、ＤＳＣから熱安定性も良好であることがわかった。
【００７９】
（実施例１０）（エチルイミド）トリ（１−エチル−１−メチルプロピルオキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮＥｔ）（ＯＣＥｔ２Ｍｅ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５８Ｍ）１４．５ｍＬに３−メチル−３−ペンタノール２．３５ｇを加えて室温で３０分間攪拌し、リチウム１−エチル−１−メチルプロピルオキシド溶液を調製した。これをＮｂ（ＮＥｔ）Ｃｌ３（ｄｍｅ）２．５５ｇ（７．６８ｍｍｏｌ）をトルエン１０ｍｌに溶かした溶液に加え、室温で１２時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を蒸留することにより、無色の液体２．６７ｇを得た（収率７９％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
３．７２（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．６２（ｍ，１２Ｈ），１．３２（ｓ，９Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），０．９８（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，１８Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
８２．２，５７．５（ｂｒ），３５．５，２７．６，１９．５，９．１。
【００８０】
Ｎｂ（ＮＥｔ）（ＯＣＥｔ２Ｍｅ）３の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧの結果及び密閉容器中で昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定したＤＳＣの結果を図８に示した。ＴＧからＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの材料として良好な気化特性を有していることがわかり、ＤＳＣから熱安定性も良好であることがわかった。
【００８１】
（実施例１１）（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）トリ（ｔｅｒｔ−ペンチルオキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＰｅ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５８Ｍ）５．４０ｍＬにｔｅｒｔ−ペンタノール７５４ｍｇを加えて室温で３０分間攪拌し、リチウムｔｅｒｔ−ペンチルオキシド溶液を調製した。これをＮｂ（ＮｔＢｕ）Ｃｌ３（ｄｍｅ）１．０３ｇ（２．８５ｍｍｏｌ）をトルエン５ｍｌに溶かした溶液に加え、室温で６時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を蒸留することにより、無色の液体１．１１ｇを得た（収率９１％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
１．６０（ｑ，Ｊ＝８Ｈｚ，６Ｈ），１．３４（ｓ，９Ｈ），１．３２（ｓ，１８Ｈ），０．９５（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，９Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７９．５（ｂｒ），６６．０（ｂｒ），３７．７，３３．７，３０．７，９．４。
【００８２】
Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＰｅ）３の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧの結果及び密閉容器中で昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定したＤＳＣの結果を図９に示した。ＴＧからＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの材料として良好な気化特性を有していることがわかり、ＤＳＣから熱安定性も良好であることがわかった。
【００８３】
（実施例１２）（ｔｅｒｔ−ペンチルイミド）トリ（ｔｅｒｔ−ブトキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮｔＰｅ）（ＯｔＢｕ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５８Ｍ）１５．８ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール１．８６ｇを加えて室温で３０分間攪拌し、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド溶液を調製した。これを（ｔｅｒｔ−ペンチルイミド）トリクロロ（１，２−ジメトキシエタン）ニオブ（Ｎｂ（ＮｔＰｅ）Ｃｌ３（ｄｍｅ））３．１３ｇ（８．３７ｍｍｏｌ）をトルエン１２ｍｌに溶かした溶液に加え、室温で８時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を蒸留することにより、無色の液体２．７３ｇを得た（収率８２％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
１．６６（ｑ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ），１．３９（ｓ，２７Ｈ），１．３３（ｓ，６Ｈ），１．０６（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，３Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７７．７（ｂｒ），６９．０（ｂｒ），３８．６，３２．９，３１．１，１０．４。
【００８４】
Ｎｂ（ＮｔＰｅ）（ＯｔＢｕ）３の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧの結果及び密閉容器中で昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定したＤＳＣの結果を図１０に示した。ＴＧからＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの材料として良好な気化特性を有していることがわかり、ＤＳＣから熱安定性も良好であることがわかった。
【００８５】
（実施例１３）（１，１，３，３−テトラメチルブチルイミド）トリ（ｔｅｒｔ−ブトキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮＣＭｅ２ＣＨ２ＣＭｅ３）（ＯｔＢｕ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５８Ｍ）５２．６ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール６．１６ｇを加えて室温で１時間攪拌し、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド溶液を調製した。これを（１，１，３，３−テトラメチルブチルイミド）トリクロロ（１，２−ジメトキシエタン）ニオブ（Ｎｂ（ＮＣＭｅ２ＣＨ２ＣＭｅ３）Ｃｌ３（ｄｍｅ））１１．５３ｇ（２７．７ｍｍｏｌ）をトルエン５０ｍｌに溶かした溶液に加え、室温で１２時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を蒸留することにより、淡黄色の液体９．９４ｇを得た（収率８２％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
１．８８（ｓ，２Ｈ），１．４８（ｓ，６Ｈ），１．４０（ｓ，２７Ｈ），１．０９（ｓ，９Ｈ）  
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７７．８（ｂｒ），７０．１（ｂｒ），５９．０，３３．３，３２．９，３２．３，３１．９。
【００８６】
Ｎｂ（ＮＣＭｅ２ＣＨ２ＣＭｅ３）（ＯｔＢｕ）３の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧの結果及び密閉容器中で昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定したＤＳＣの結果を図１１に示した。ＴＧからＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの材料として良好な気化特性を有していることがわかり、ＤＳＣから熱安定性も良好であることがわかった。
【００８７】
（実施例１４）Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３の合成
アルゴン雰囲気下で、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）Ｃｌ３（ｄｍｅ）２．９６ｇ（８．２１ｍｍｏｌ）をトルエン１５ｍｌに溶かし、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド２．７７ｇ（２４．６ｍｍｏｌ）を１５ｍＬのヘキサンに懸濁させたスラリーを加え、室温で１５時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を蒸留することにより、無色の液体１．７９ｇを得た（収率５７％）。この液体をＣ６Ｄ６に溶かして１Ｈ  ＮＭＲ及び１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定したところ、実施例１と同じスペクトルが得られ、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３であることを確認した。
【００８８】
（実施例１５）Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３の合成
アルゴン雰囲気下で、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）Ｃｌ３（ｄｍｅ）４．９５ｇ（１３．７ｍｍｏｌ）をトルエン２５ｍｌに溶かし、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド３．９６ｇ（４１．２ｍｍｏｌ）を２５ｍＬのヘキサンに懸濁させたスラリーを加え、室温で１５時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を蒸留することにより、無色の液体１．４４ｇを得た（収率２７％）。この液体をＣ６Ｄ６に溶かして１Ｈ  ＮＭＲ及び１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定したところ、実施例１と同じスペクトルが得られ、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３であることを確認した。
【００８９】
（実施例１６）（エチルイミド）トリ（ｔｅｒｔ−ペンチルオキソ）タンタル（Ｔａ（ＮＥｔ）（ＯｔＰｅ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、（エチルイミド）トリス（ジエチルアミド）タンタル（Ｔａ（ＮＥｔ）（ＮＥｔ２）３）１．４５ｇ（３．２９ｍｍｏｌ）をトルエン７ｍｌに溶かした溶液にｔｅｒｔ−ペンタノール８７１ｍｇ（９．８８ｍｍｏｌ）を加え、室温で１８時間攪拌した、溶媒を減圧留去し、残渣を昇華することにより、白色の固体１．１９ｇを得た（収率７４％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
４．１１（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．６３（ｍ，１２Ｈ），１．３１（ｓ，９Ｈ），１．２６（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），０．９７（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，１８Ｈ）。
【００９０】
（実施例１７）（エチルイミド）トリ（１−エチル−１−メチルプロピルオキソ）タンタル（Ｔａ（ＮＥｔ）（ＯＣＥｔ２Ｍｅ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、Ｔａ（ＮＥｔ）（ＮＥｔ２）３１．４６ｇ（３．３２ｍｍｏｌ）をトルエン７ｍｌに溶かした溶液に３−メチル−３−ペンタノール１．０２ｇ（９．９８ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間攪拌した、溶媒を減圧留去し、残渣を昇華することにより、無色の液体１．５２ｇを得た（収率８７％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
４．１１（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．６３（ｍ，１２Ｈ），１．３１（ｓ，９Ｈ），１．２６（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），０．９７（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，１８Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
８２．４，５５．６，３５．５，２７．７，２１．２，９．０。
【００９１】
Ｔａ（ＮＥｔ）（ＯＣＥｔ２Ｍｅ）３の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧの結果及び密閉容器中で昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定したＤＳＣの結果を図１２に示した。ＴＧからＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの材料として良好な気化特性を有していることがわかり、ＤＳＣから熱安定性も良好であることがわかった。
【００９２】
（参考例３）（イソプロピルイミド）トリクロロジピリジンタンタル（Ｔａ（ＮｉＰｒ）Ｃｌ３（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）２）の合成
アルゴン雰囲気下、トルエン２５ｍＬとジエチルエーテル５ｍＬの混合液に五塩化タンタル３．８２ｇ（１０．７ｍｍｏｌ）を懸濁させ、メタけい酸ナトリウム２．６１ｇ及びイソプロピルアミン１．２６ｇを順に加えた。室温で１０時間撹拌した後、ピリジン７．０ｍＬを加えてさらに１２時間撹拌した。不溶物をろ別し、ろ液から溶媒及び過剰のピリジンを減圧留去することにより、黄白色の固体３．３６ｇ（６．６９ｍｍｏｌ）を得た。収率６３％。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
９．１８（ｂｒ，２Ｈ），８．８３（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），６．８３（ｂｒ，１Ｈ），６．６７（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ），６．５１（ｂｒ，２Ｈ），６．２８（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），５．２３（ｓｅｐｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ），１．４０（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ）。
【００９３】
（実施例１８）（イソプロピルイミド）トリ（ｔｅｒｔ−ブトキソ）タンタル（Ｔａ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５８Ｍ）１２．７ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール１．４９ｇを加えて室温で３０分間攪拌し、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド溶液を調製した。これをＴａ（ＮｉＰｒ）Ｃｌ３（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）２３．３６ｇ（６．６８ｍｍｏｌ）をトルエン１５ｍｌに溶かした溶液に加え、室温で１２時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を蒸留することにより、無色の液体２．６５ｇを得た（収率８７％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
４．３１（ｓｅｐｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ），１．３８（ｓ，２７Ｈ），１．３１（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７８．１，６１．０，３２．９，２８．９。
【００９４】
Ｔａ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧの結果及び密閉容器中で昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定したＤＳＣの結果を図１３に示した。ＴＧからＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの材料として良好な気化特性を有していることがわかり、ＤＳＣから熱安定性も良好であることがわかった。
【００９５】
Ｔａ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３の蒸気圧測定
Ｔａ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３の蒸気圧を測定したところ、４７℃において０．１Ｔｏｒｒであった。
【００９６】
（参考例４）（イソプロピルイミド）トリクロロ（１，２−ジメトキシエタン）タンタル（Ｔａ（ＮｉＰｒ）Ｃｌ３（ｄｍｅ））の合成
アルゴン雰囲気下、トルエン６０ｍＬに五塩化タンタル５．８７ｇ（１６．４ｍｍｏｌ）を懸濁させ、氷浴で冷却しながらイソプロピルアミン２．９０ｇ（４９．１ｍｍｏｌ）及び１，２−ジメトキシエタン１．４８ｇ（１６．４ｍｍｏｌ）、塩化亜鉛（ＩＩ）５．８０ｇ（４２．６ｍｍｏｌ）を順に加えた。室温で１２時間撹拌した後、−８℃で２２時間冷却しながら静置した。不溶物をろ別し、ろ液からトルエンを減圧留去することにより、淡黄色の固体４．６７ｇ（１０．７ｍｍｏｌ）を得た。収率６６％。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
４．８８（ｓｅｐｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ），３．５２（ｓ，３Ｈ），３．４９（ｓ，３Ｈ），３．２１（ｍ，２Ｈ），３．１８（ｍ，２Ｈ），１．２５（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ）。
【００９７】
（実施例１９）Ｔａ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５７Ｍ）２０．５ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール２．３９ｇを加えて室温で３０分間攪拌し、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド溶液を調製した。これをＴａ（ＮｉＰｒ）Ｃｌ３（ｄｍｅ）４．６７ｇ（１０．７ｍｍｏｌ）をトルエン１７ｍｌに溶かした溶液に加え、室温で１２時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を蒸留することにより、無色の液体３．２３ｇを得た（収率６６％）。この液体をＣ６Ｄ６に溶かして１Ｈ  ＮＭＲ及び１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定したところ、実施例１８と同じスペクトルが得られ、Ｔａ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３であることを確認した。
【００９８】
（参考例５）（プロピルイミド）トリクロロ（１，２−ジメトキシエタン）タンタル（Ｔａ（ＮＰｒ）Ｃｌ３（ｄｍｅ））の合成
アルゴン雰囲気下、トルエン５０ｍＬに五塩化タンタル５．８６ｇ（１６．４ｍｍｏｌ）を懸濁させ、氷浴で冷却しながらプロピルアミン２．９１ｇ（４９．２ｍｍｏｌ）及び１，２−ジメトキシエタン１．４８ｇ（１６．４ｍｍｏｌ）、塩化亜鉛（ＩＩ）５．３６ｇ（３９．３ｍｍｏｌ）を順に加えた。室温で１２時間撹拌した後、−８℃で２４時間冷却しながら静置した。不溶物をろ別し、ろ液からトルエンを減圧留去することにより、白色の固体３．３９ｇ（７．８０ｍｍｏｌ）を得た。収率４８％。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
４．６７（ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，１Ｈ），３．４１（ｓ，３Ｈ），３．３１（ｓ，３Ｈ），２．９４（ｓ，４Ｈ），１．６３（ｍ，２Ｈ），１．１１（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）。
【００９９】
（実施例２０）（プロピルイミド）トリ（ｔｅｒｔ−ブトキソ）タンタル（Ｔａ（ＮＰｒ）（ＯｔＢｕ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５９Ｍ）１４．７ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール１．７４ｇを加えて室温で４時間攪拌し、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド溶液を調製した。これをＴａ（ＮＰｒ）Ｃｌ３（ｄｍｅ）３．３９ｇ（７．８０ｍｍｏｌ）をトルエン１４ｍｌに溶かした溶液に加え、室温で１８時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を蒸留することにより、無色の液体２．５０ｇを得た（収率７０％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
４．７１（ｍ，２Ｈ），２．０６（ｍ，２Ｈ），１．４８（ｓ，２７Ｈ），１．０９（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７８．６，６５．４，３２．８，２８．７，１２．２。
【０１００】
（実施例２１）（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）トリ（ｔｅｒｔ−ブトキソ）タンタル（Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５８Ｍ）７９．０ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール９．２６ｇを加えて室温で１２時間攪拌し、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド溶液を調製した。これを（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）トリクロロ（１，２−ジメトキシエタン）タンタル（Ｔａ（ＮｔＢｕ）Ｃｌ３（ｄｍｅ））１８．６ｇ（４１．６ｍｍｏｌ）をトルエン８０ｍｌに溶かした溶液に加え、室温で６時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を蒸留することにより、無色の液体１４．５ｇを得た（収率７４％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
１．４３（ｓ，９Ｈ），１．３８（ｓ，２７Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７７．９，６４．４，３５．３，３３．０。
【０１０１】
Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧの結果及び密閉容器中で昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定したＤＳＣの結果を図１４に示した。ＴＧからＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの材料として良好な気化特性を有していることがわかり、ＤＳＣから熱安定性も良好であることがわかった。
【０１０２】
Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３の蒸気圧測定
Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３の蒸気圧を測定したところ、５０℃において０．１Ｔｏｒｒであった。
【０１０３】
（実施例２２）Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５８Ｍ）１４．３ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール１．６８ｇを加えて室温で３０分間攪拌し、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド溶液を調製した。これを（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）トリクロロジピリジンタンタル（Ｔａ（ＮｔＢｕ）Ｃｌ３（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）２）３．９０ｇ（７．５５ｍｍｏｌ）をトルエン１５ｍｌに溶かした溶液に加え、室温で６時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を蒸留することにより、無色の液体２．６０ｇを得た（収率７３％）。この液体をＣ６Ｄ６に溶かして１Ｈ  ＮＭＲ及び１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定したところ、実施例２１と同じスペクトルが得られ、Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３であることを確認した。
【０１０４】
（実施例２３）（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）トリ（ｔｅｒｔ−ペンチルオキソ）タンタル（Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＰｅ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）トリス（ジエチルアミド）タンタル（Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＮＥｔ２）３）２．５２ｇ（５．３８ｍｍｏｌ）をヘキサン８ｍｌに溶かした溶液にｔｅｒｔ−ペンタノール１．４２ｇ（１６．１ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間攪拌した、溶媒を減圧留去し、残渣を蒸留することにより、無色の液体２．５７ｇを得た（収率９３％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
１．６２（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），１．４１（ｓ，９Ｈ），１．３５（ｓ，１８Ｈ），０．９６（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，９Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
８０．０，６４．４，３７．７，３５．２，３０．７，９．３。
【０１０５】
Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＰｅ）３の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧの結果及び密閉容器中で昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定したＤＳＣの結果を図１５に示した。ＴＧからＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの材料として良好な気化特性を有していることがわかり、ＤＳＣから熱安定性も良好であることがわかった。
【０１０６】
（実施例２４）（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）トリス（１，１−ジエチルプロピルオキソ）タンタル（Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯＣＥｔ３）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＮＥｔ２）３１．４０ｇ（３．００ｍｍｏｌ）をヘキサン４ｍｌに溶かした溶液に３−エチル−３−ペンタノール１．０５ｇ（９．０４ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間攪拌した、溶媒を減圧留去し、残渣を蒸留することにより、無色の液体１．５６ｇを得た（収率８７％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
１．６６（ｑ，Ｊ＝８Ｈｚ，１８Ｈ），１．４１（ｓ，９Ｈ），０．９４（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，２７Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
８４．２，６４．６，３５．０，３２．２，８．８。
【０１０７】
Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯＣＥｔ３）３の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧの結果及び密閉容器中で昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定したＤＳＣの結果を図１６に示した。ＴＧからＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの材料として良好な気化特性を有していることがわかり、ＤＳＣから熱安定性も良好であることがわかった。
【０１０８】
（実施例２５）（ｔｅｒｔ−ペンチルイミド）トリ（ｔｅｒｔ−ブトキソ）タンタル（Ｔａ（ＮｔＰｅ）（ＯｔＢｕ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５７Ｍ）１３．６ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール１．５８ｇを加えて室温で１時間攪拌し、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド溶液を調製した。これを（ｔｅｒｔ−ペンチルイミド）トリクロロジピリジンタンタル（Ｔａ（ＮｔＰｅ）Ｃｌ３（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）２）３．７７ｇ（７．１１ｍｍｏｌ）をトルエン１０ｍｌに懸濁させた液に加え、室温で６時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を蒸留することにより、無色の液体２．６６ｇを得た（収率７７％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
１．６７（ｑ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ），１．３７（ｓ，２７Ｈ），１．３６（ｓ，６Ｈ），１．１０（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，３Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７８．１，６６．８，３９．８，３２．９，３２．７，１０．４。
【０１０９】
Ｔａ（ＮｔＰｅ）（ＯｔＢｕ）３の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧの結果及び密閉容器中で昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定したＤＳＣの結果を図１７に示した。ＴＧからＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの材料として良好な気化特性を有していることがわかり、ＤＳＣから熱安定性も良好であることがわかった。
【０１１０】
（実施例２６）（１，１，３，３−テトラメチルブチルイミド）トリ（ｔｅｒｔ−ブトキソ）タンタル（Ｔａ（ＮＣＭｅ２ＣＨ２ＣＭｅ３）（ＯｔＢｕ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５７Ｍ）１４．９ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール１．７３ｇを加えて室温で１時間攪拌し、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド溶液を調製した。これを（１，１，３，３−テトラメチルブチルイミド）トリクロロジピリジンタンタル（Ｔａ（ＮＣＭｅ２ＣＨ２ＣＭｅ３）Ｃｌ３（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）２）４．４７ｇ（７．８０ｍｍｏｌ）をトルエン１０ｍｌに懸濁させた液に加え、室温で６時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を蒸留することにより、淡黄色の液体３．２６ｇを得た（収率８０％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
１．８８（ｓ，２Ｈ），１．５０（ｓ，６Ｈ），１．３９（ｓ，２７Ｈ），１．１２（ｓ，９Ｈ）  
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７８．２，６８．３，６０．７，３４．９，３３．０，３２．４，３２．０。
【０１１１】
Ｔａ（ＮＣＭｅ２ＣＨ２ＣＭｅ３）（ＯｔＢｕ）３の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧの結果及び密閉容器中で昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定したＤＳＣの結果を図１８に示した。ＴＧからＣＶＤ法またはＡＬＤ法などの材料として良好な気化特性を有していることがわかり、ＤＳＣから熱安定性も良好であることがわかった。
【０１１２】
（比較例１）
Ｎｂ（ＯＥｔ）５の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧの結果を図１９に示した。本発明のイミド錯体（１）に比べて気化特性が悪いことが明らかである。
【０１１３】
Ｎｂ（ＯＥｔ）５の蒸気圧測定
Ｎｂ（ＯＥｔ）５の蒸気圧を測定したところ、１２０℃において０．１Ｔｏｒｒであった。
【０１１４】
（比較例２）
Ｔａ（ＯＥｔ）５の熱分析
アルゴンを４００ｍｌ／ｍｉｎにて流通させている雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定したＴＧの結果を図２０に示した。本発明のイミド錯体（１）に比べて気化特性が悪いことが明らかである。
【０１１５】
Ｔａ（ＯＥｔ）５の蒸気圧測定
Ｔａ（ＯＥｔ）５の蒸気圧を測定したところ、１２９℃において０．１Ｔｏｒｒであった。
【０１１６】
（実施例２７）（メチルイミド）トリス（１―エチル―１−メチルプロピルオキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮＭｅ）（ＯＣＥｔ２Ｍｅ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）２３．８ｍＬに３−メチル−３−ペンタノール２．４１ｇおよびメチルアミンのテトラヒドロフラン溶液（２．０Ｍ）９．８ｍＬを加えて室温で１時間撹拌した後、減圧乾固した。残った白色固体にヘキサン２０ｍＬを加えてスラリーとした。このスラリーを五塩化ニオブ２．１３ｇ（７．８７ｍｍｏｌ）のヘキサン（５ｍＬ）懸濁液に加え、室温で１２時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体１．７０ｇを得た（収率５１％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
３．５２（ｓ，３Ｈ），１．６６−１．５５（ｍ，１２Ｈ），１．３０（ｓ，９Ｈ），０．９７（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，１８Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
８２．５，４９．８（ｂｒ），３５．５，２７．７，９．０。
【０１１７】
（実施例２８）（エチルイミド）トリス（１，１―ジエチルプロピルオキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮＥｔ）（ＯＣＥｔ３）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）２３．９ｍＬに３−エチル−３−ペンタノール２．７５ｇおよびエチルアミンのトルエン溶液（７０ｗｔ％）１．２２ｇを加えて室温で１０時間撹拌した後、減圧乾固した。残った白色固体にヘキサン２０ｍＬを加えてスラリーとした。このスラリーを五塩化ニオブ２．１３ｇ（７．９０ｍｍｏｌ）のヘキサン（５ｍＬ）懸濁液に加え、室温で１２時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体３．１４ｇを得た（収率８３％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
３．７１（ｂｒ，２Ｈ），１．６４（ｑ，Ｊ＝８Ｈｚ，１８Ｈ），１．１９（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），０．９５（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，２７Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
８４．３，５７．０（ｂｒ），３２．２，１９．４，８．７。
【０１１８】
（実施例２９）（イソプロピルイミド）トリス（１―エチル―１−メチルプロピルオキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮｉＰｒ）（ＯＣＥｔ２Ｍｅ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）２３．３ｍＬに３−メチル−３−ペンタノール２．３６ｇおよびイソプロピルアミン９０９ｍｇを加えて室温で１２時間撹拌した。この溶液を五塩化ニオブ２．０８ｇ（７．７０ｍｍｏｌ）のヘキサン（５ｍＬ）懸濁液に加え、室温で１４時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体２．２２ｇを得た（収率６４％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
３．９１（ｂｒ，１Ｈ），１．６１（ｍ，１２Ｈ），１．３０（ｓ，９Ｈ），１．２２（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．９６（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，１８Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
８２．０，６２．５（ｂｒ），３５．５，２７．７，２７．１，９．１。
【０１１９】
（実施例３０）Ｎｂ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）１６．１ｍＬにイソプロピルアミン１．５７ｇを加えて室温で４時間撹拌した。この溶液を五塩化ニオブ３．５８ｇ（１３．２ｍｍｏｌ）のヘキサン（１０ｍＬ）懸濁液に加え、室温で７時間撹拌した。さらに、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）２４．１ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール２．９５ｇを加えて１１時間撹拌して調製したリチウムｔｅｒｔ−ブトキシド溶液を加え、室温で１４時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体３．１４ｇを得た（収率６４％）。この液体をＣ６Ｄ６に溶かして１Ｈ  ＮＭＲおよび１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定し、Ｎｂ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３であることを確認した。
【０１２０】
（実施例３１）Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）６２．４ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール４．５８ｇおよびｔｅｒｔ−ブチルアミン３．０２ｇを加えて室温で１１時間撹拌した。この溶液を五塩化ニオブ５．５６ｇ（２０．６ｍｍｏｌ）のヘキサン（２０ｍＬ）懸濁液に加え、室温で２４時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体６．０４ｇを得た（収率７７％）。この液体をＣ６Ｄ６に溶かして１Ｈ  ＮＭＲおよび１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定し、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３であることを確認した。
【０１２１】
（実施例３２）Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）３０．９ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール２．２７ｇおよびｔｅｒｔ−ブチルアミン１．４９ｇを加えて室温で１２時間撹拌した。この溶液を五臭化ニオブ５．０２ｇ（１０．２ｍｍｏｌ）を１０ｍＬのヘキサンに懸濁させた液に加え、室温で２４時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体１．５６ｇを得た（収率４０％）。この液体をＣ６Ｄ６に溶かして１Ｈ  ＮＭＲおよび１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定し、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３であることを確認した。
【０１２２】
（実施例３３）Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）１９．０ｍＬにｔｅｒｔ−ブチルアミン２．２９ｇを加えて室温で１１時間撹拌した。この溶液を五塩化ニオブ４．２３ｇ（１５．７ｍｍｏｌ）のヘキサン（１０ｍＬ）懸濁液に加え、室温で１０分間撹拌した。さらにナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド４．５２ｇを加え、２４時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体４．３７ｇを得た（収率７３％）。この液体をＣ６Ｄ６に溶かして１Ｈ  ＮＭＲおよび１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定し、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３であることを確認した。
【０１２３】
（実施例３４）Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＰｅ）３の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）２６．５ｍＬにｔｅｒｔ−ペンタノール２．３２ｇおよびｔｅｒｔ−ブチルアミン１．２８ｇを加えて室温で１２時間撹拌した。この溶液を五塩化ニオブ２．３７ｇ（８．７６ｍｍｏｌ）のヘキサン（１０ｍＬ）懸濁液に加え、室温で２４時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体２．９３ｇを得た（収率７９％）。この液体をＣ６Ｄ６に溶かして１Ｈ  ＮＭＲおよび１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定し、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＰｅ）３であることを確認した。
【０１２４】
（実施例３５）（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）トリス（１，１―ジエチルプロピルオキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯＣＥｔ３）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）２４．２ｍＬに３−エチル−３−ペンタノール２．７８ｇおよびｔｅｒｔ−ブチルアミン１．１７ｇを加えて室温で１２時間撹拌した。この溶液を五塩化ニオブ２．１６ｇ（７．９８ｍｍｏｌ）のヘキサン（１０ｍＬ）懸濁液に加え、室温で２４時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体３．３３ｇを得た（収率８２％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
１．６５（ｑ，Ｊ＝８Ｈｚ，１８Ｈ），１．３５（ｓ，９Ｈ），０．９５（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，２７Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
８４．１，６６．４（ｂｒ），３３．５，３２．２，８．９。
【０１２５】
（実施例３６）Ｎｂ（ＮｔＰｅ）（ＯｔＢｕ）３の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）２３．１ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール１．６９ｇおよびｔｅｒｔ−ペンチルアミン１．３３ｇを加えて室温で１２時間撹拌した。この溶液を五塩化ニオブ２．０６ｇ（７．６２ｍｍｏｌ）のヘキサン（５ｍＬ）懸濁液に加え、室温で２４時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体２．１９ｇを得た（収率７２％）。この液体をＣ６Ｄ６に溶かして１Ｈ  ＮＭＲおよび１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定し、Ｎｂ（ＮｔＰｅ）（ＯｔＢｕ）３であることを確認した。
【０１２６】
（実施例３７）（１，３−ジメチルブチルイミド）トリス（ｔｅｒｔ−ブトキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮＣＨＭｅＣＨ２ＣＨＭｅ２）（ＯｔＢｕ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）２６．６ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール１．９５ｇおよび１，３−ジメチルブチルアミン１．７８ｇを加えて室温で１２時間撹拌した。この溶液を五塩化ニオブ２．３７ｇ（８．７８ｍｍｏｌ）のヘキサン（５ｍＬ）懸濁液に加え、室温で２４時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、淡黄色の液体１．５８ｇを得た（収率４４％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
３．９０（ｂｒ，１Ｈ），１．９３（ｍ，１Ｈ），１．７０（ｍ，１Ｈ），１．３９（ｓ，２７Ｈ），１．２９（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，３Ｈ），１．２５（ｍ，１Ｈ），０．９６（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），０．９４（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７７．８，６４．２（ｂｒ），５１．０，３５．９，３２．９，２５．７，２３．２２，２３．２１。
【０１２７】
（実施例３８）Ｎｂ（ＮＣＭｅ２ＣＨ２ＣＭｅ３）（ＯｔＢｕ）３の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）２８．６ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール２．１０ｇおよび１，１，３，３−テトラメチルブチルアミン２．４５ｇを加えて室温で１２時間撹拌した。この溶液を五臭化ニオブ４．６６ｇ（９．４６ｍｍｏｌ）のヘキサン（５ｍＬ）懸濁液に加え、室温で２４時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、淡黄色の液体２．０７ｇを得た（収率５０％）。この液体をＣ６Ｄ６に溶かして１Ｈ  ＮＭＲおよび１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定し、Ｎｂ（ＮＣＭｅ２ＣＨ２ＣＭｅ３）（ＯｔＢｕ）３であることを確認した。
【０１２８】
（実施例３９）（メチルイミド）トリス（１，１―ジエチルプロピルオキソ）タンタル（Ｔａ（ＮＭｅ）（ＯＣＥｔ３）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）１８．４ｍＬに３−エチル−３−ペンタノール２．１１ｇおよびメチルアミンのテトラヒドロフラン溶液（２．０Ｍ）７．５ｍＬを加えて室温で１時間撹拌した後、減圧乾固した。残った白色固体にヘキサン２０ｍＬを加えてスラリーとした。このスラリーを五塩化タンタル２．１７ｇ（６．０６ｍｍｏｌ）のヘキサン（５ｍＬ）懸濁液に加え、室温で１２時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体１．０７ｇを得た（収率３２％）。この液体を室温まで冷却して数時間放置したところ、無色の固体となった。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
３．９１（ｓ，３Ｈ），１．６３（ｑ，Ｊ＝８Ｈｚ，１８Ｈ），０．９５（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，２７Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
８４．５，４８．０，３２．３，８．６。
【０１２９】
（実施例４０）（エチルイミド）トリス（１，１―ジエチルプロピルオキソ）タンタル（Ｔａ（ＮＥｔ）（ＯＣＥｔ３）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）２３．９ｍＬに３−エチル−３−ペンタノール２．７５ｇおよびエチルアミンのトルエン溶液（７０ｗｔ％）１．２２ｇを加えて室温で１０時間撹拌した後、減圧乾固した。残った白色固体にヘキサン２０ｍＬを加えてスラリーとした。このスラリーを五塩化タンタル２．８３ｇ（７．９０ｍｍｏｌ）のヘキサン（５ｍＬ）懸濁液に加え、室温で１２時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体３．０２ｇを得た（収率６７％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
４．０９（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．６４（ｑ，Ｊ＝８Ｈｚ，１８Ｈ），１．２４（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），０．９４（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，２７Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
８４．４，５５．５，３２．３，２１．０，８．７。
【０１３０】
（実施例４１）（イソプロピルイミド）トリス（１，１―ジエチルプロピルオキソ）タンタル（Ｔａ（ＮｉＰｒ）（ＯＣＥｔ３）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）２１．７ｍＬに３−エチル−３−ペンタノール２．４９ｇおよびイソプロピルアミン８４６ｍｇを加えて室温で１２時間撹拌した。この溶液を五塩化タンタル２．５６ｇ（７．１６ｍｍｏｌ）のヘキサン（５ｍＬ）懸濁液に加え、室温で１３時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体２．０２ｇを得た（収率４８％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
４．３１（ｓｅｐｔ．，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ），１．６５（ｑ，Ｊ＝８Ｈｚ，１８Ｈ），１．２９（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．９５（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，２７Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
８４．３，６１．０，３２．２，２８．６，８．７。
【０１３１】
（実施例４２）Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）３６．７ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール２．７０ｇおよびｔｅｒｔ−ブチルアミン１．７７ｇを加えて室温で１２時間撹拌した。この溶液を五塩化タンタル４．３４ｇ（１２．１ｍｍｏｌ）のヘキサン（１０ｍＬ）懸濁液に加え、室温で８時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体４．４８ｇを得た（収率７８％）。この液体をＣ６Ｄ６に溶かして１Ｈ  ＮＭＲおよび１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定し、Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３であることを確認した。
【０１３２】
（実施例４３）Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）２４．８ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール１．８２ｇおよびｔｅｒｔ−ブチルアミン１．２０ｇを加えて室温で１２時間撹拌した。この溶液を五臭化タンタル４．７４ｇ（８．１７ｍｍｏｌ）のヘキサン（１０ｍＬ）懸濁液に加え、室温で２４時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体１．５１ｇを得た（収率３９％）。この液体をＣ６Ｄ６に溶かして１Ｈ  ＮＭＲおよび１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定し、Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３であることを確認した。
【０１３３】
（実施例４４）（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）トリス（１―エチル―１−メチルプロピルオキソ）タンタル（Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯＣＥｔ２Ｍｅ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）２７．０ｍＬに３−メチル−３−ペンタノール２．７３ｇおよびｔｅｒｔ−ブチルアミン１．３０ｇを加えて室温で１２時間撹拌した。この溶液を五塩化タンタル３．１９ｇ（８．９０ｍｍｏｌ）のヘキサン（１０ｍＬ）懸濁液に加え、室温で２４時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体３．４９ｇを得た（収率７１％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
１．６９−１．５６（ｍ，１２Ｈ），１．４０（ｓ，９Ｈ），１．３１（ｓ，９Ｈ），０．９５（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，１８Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
８２．１，６４．５，３５．５，３５．１，２７．７，９．１。
【０１３４】
（実施例４５）（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）トリス（１―メチル―１−プロピルブチルオキソ）タンタル（Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯＣＭｅＰｒ２）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）２５．８ｍＬに４−メチル−４−ヘプタノール３．３３ｇおよびｔｅｒｔ−ブチルアミン１．２５ｇを加えて室温で１２時間撹拌した。この溶液を五塩化タンタル３．０６ｇ（８．５３ｍｍｏｌ）のヘキサン（１０ｍＬ）懸濁液に加え、室温で２４時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体３．８９ｇを得た（収率７１％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
１．６３−１．５８（ｍ，１２Ｈ），１．４７−１．４１（ｍ，１２Ｈ）１．４４（ｓ，９Ｈ），１．３６（ｓ，９Ｈ），０．９８（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，１８Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
８１．８，６４．５，４６．１３５．３２８．９，１８．１，１５．２。
【０１３５】
（実施例４６）Ｔａ（ＮｔＰｅ）（ＯｔＢｕ）３の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）１８．９ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール１．３９ｇおよびｔｅｒｔ−ペンチルアミン１．０９ｇを加えて室温で１２時間撹拌した。この溶液を五塩化タンタル２．２４ｇ（６．２５ｍｍｏｌ）のヘキサン（５ｍＬ）懸濁液に加え、室温で２４時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体２．０４ｇを得た（収率６７％）。この液体をＣ６Ｄ６に溶かして１Ｈ  ＮＭＲおよび１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定し、Ｔａ（ＮｔＰｅ）（ＯｔＢｕ）３であることを確認した。
【０１３６】
（実施例４７）Ｔａ（ＮＣＭｅ２ＣＨ２ＣＭｅ３）（ＯｔＢｕ）３の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）３２．３ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール２．３７ｇおよび１，１，３，３−テトラメチルブチルアミン２．７６ｇを加えて室温で１２時間撹拌した。この溶液を五塩化タンタル３．８２ｇ（１０．７ｍｍｏｌ）のヘキサン（５ｍＬ）懸濁液に加え、室温で２４時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体４．０７ｇを得た（収率７２％）。この液体をＣ６Ｄ６に溶かして１Ｈ  ＮＭＲおよび１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定し、Ｔａ（ＮＣＭｅ２ＣＨ２ＣＭｅ３）（ＯｔＢｕ）３であることを確認した。
【０１３７】
（実施例４８）（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）トリス（１―メチル―１−プロピルブチルオキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯＣＭｅＰｒ２）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５７Ｍ）１２．４ｍＬに４−メチル−４−ヘプタノール２．５３ｇを加えて室温で１２時間撹拌し、リチウム１―メチル―１−プロピルブチルオキシド溶液を調製した。これをＮｂ（ＮｔＢｕ）Ｃｌ３（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）２２．７７ｇ（６．４７ｍｍｏｌ）をトルエン１２ｍＬに懸濁させたスラリーに加え、室温で２４時間撹拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体２．６２ｇを得た（収率７３％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
１．６１−１．５６（ｍ、１２Ｈ），１．４７−１．４１（ｍ、１２Ｈ），１．３９（ｓ，９Ｈ），１．３５（ｓ，９Ｈ），０．９７（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，１８Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
８１．５，６４．８（ｂｒ），４６．１，３３．８，２８．９，１８．１，１５．３。
【０１３８】
（参考例６）（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）トリブロモジピリジンニオブ（Ｎｂ（ＮｔＢｕ）Ｂｒ３（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）２）の合成
アルゴン雰囲気下、トルエン５０ｍＬとジエチルエーテル５ｍＬの混合液に五臭化ニオブ４．６２ｇ（９．３９ｍｍｏｌ）を懸濁させ、メタけい酸ナトリウム２．２９ｇ及びｔｅｒｔ−ブチルアミン１．３７ｇを順に加えた。室温で１０時間撹拌した後、ピリジン７．０ｍＬを加えてさらに７時間撹拌した。不溶物をろ別し、ろ液から溶媒及び過剰のピリジンを減圧留去することにより、黄色の固体３．４８ｇ（６．１９ｍｍｏｌ）を得た。収率６６％。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
９．５２（ｂｒ，２Ｈ），８．８１（ｄ，Ｊ＝５Ｈｚ，２Ｈ），６．８５（ｂｒ，１Ｈ），６．６０（ｍ，１Ｈ），６．５８（ｂｒ，２Ｈ），６．１９（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．６１（ｓ，９Ｈ）。
【０１３９】
（実施例４９）Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）１１．２ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール１．３８ｇを加えて室温で１時間攪拌し、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド溶液を調製した。これをＮｂ（ＮｔＢｕ）Ｂｒ３（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）２３．４８ｇ（６．１９ｍｍｏｌ）をトルエン１０ｍｌに溶かした溶液に加え、室温で２４時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体１．８１ｇを得た（収率７６％）。この液体をＣ６Ｄ６に溶かして１Ｈ  ＮＭＲおよび１３Ｃ  ＮＭＲスペクトルを測定し、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３であることを確認した。
【０１４０】
（参考例７）（ｓｅｃ−ブチルイミド）トリクロロ（１，２−ジメトキシエタン）ニオブ（Ｎｂ（ＮｓＢｕ）Ｃｌ３（ｄｍｅ））の合成
アルゴン雰囲気下、トルエン５０ｍＬとジエチルエーテル５ｍＬの混合液に五塩化ニオブ６．０４ｇ（２２．４ｍｍｏｌ）を溶かし、氷浴で冷却しながらｓｅｃ−ブチルアミン４．９８ｇ及び１，２−ジメトキシエタン２．３４ｍＬ、塩化亜鉛（ＩＩ）７．６９ｇを順に加えた。室温で２１時間撹拌した後、−２０℃で６時間冷却しながら静置した。不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を減圧留去することにより、黄色の固体６．７３ｇ（１８．７ｍｍｏｌ）を得た。収率８３％。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
３．８２（ｓｅｘｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ），３．４７（ｓ，３Ｈ），３．２９（ｓ，３Ｈ），３．０９（ｍ，２Ｈ），３．０８（ｍ，２Ｈ），１．７４（ｍ、１Ｈ），１．３７（ｍ，１Ｈ），１．２５（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），１．１４（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７５．１，７３．３，７０．４，６８．７，６１．８，３１．７，２０．９，１１．６。
【０１４１】
（実施例５０）（ｓｅｃ−ブチルイミド）トリ（ｔｅｒｔ−ブトキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮｓＢｕ）（ＯｔＢｕ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）３３．９ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール４．１５ｇを加えて室温で１時間攪拌し、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド溶液を調製した。これをＮｂ（ＮｓＢｕ）Ｃｌ３（ｄｍｅ）６．７３ｇ（１８．７ｍｍｏｌ）をトルエン１０ｍｌに溶かした溶液に加え、室温で１０時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、淡黄色の液体６．０９ｇを得た（収率８５％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
３．６９（ｂｒ，１Ｈ），１．７１（ｍ，１Ｈ），１．４５（ｍ，１Ｈ），１．３７（ｓ，２７Ｈ），１．２４（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，３Ｈ），０．９８（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７７．８，６７．８（ｂｒ），３４．０，３２．９，２４．６，１１．８。
【０１４２】
（参考例８）（ｓｅｃ−ブチルイミド）トリクロロジピリジンタンタル（Ｔａ（ＮｓＢｕ）Ｃｌ３（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）２）の合成
アルゴン雰囲気下、トルエン７０ｍＬとジエチルエーテル７ｍＬの混合液に五塩化タンタル８．７５ｇ（２４．４ｍｍｏｌ）を懸濁させ、メタけい酸ナトリウム５．９６ｇ及びｓｅｃ−ブチルアミン３．５７ｇを順に加えた。室温で２０時間撹拌した後、ピリジン２０ｍＬを加えてさらに５時間撹拌した。不溶物をろ別し、ろ液から溶媒及び過剰のピリジンを減圧留去することにより、淡黄色の固体９．６９ｇ（１８．８ｍｍｏｌ）を得た。収率７７％。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
９．１６（ｂｒ，２Ｈ），８．８３（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），６．８６（ｂｒ，１Ｈ），６．７３（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ），６．５２（ｂｒ，２Ｈ），６．３２（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），５．０６（ｓｅｘｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，１Ｈ），１．９０（ｍ，１Ｈ），１．５９（ｍ，１Ｈ），１．４２（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，３Ｈ），１．２８（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
１５３．１，１５２．２，１３９．６，１３８．４，１２４．４，１２４．２，６８．３，３３．８，２３．５，１１．８。
【０１４３】
（実施例５１）（ｓｅｃ−ブチルイミド）トリ（ｔｅｒｔ−ブトキソ）タンタル（Ｔａ（ＮｓＢｕ）（ＯｔＢｕ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）３４．１ｍＬにｔｅｒｔ−ブタノール４．１７ｇを加えて室温で１時間攪拌し、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド溶液を調製した。これをＴａ（ＮｓＢｕ）Ｃｌ３（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）２９．６９ｇ（１８．８ｍｍｏｌ）をトルエン１０ｍｌに溶かした溶液に加え、室温で１０時間攪拌した。不溶物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、淡黄色の液体４．４８ｇを得た（収率５１％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
４．０５（ｓｅｘｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，１Ｈ），１．７１（ｍ，１Ｈ），１．５０（ｍ，１Ｈ），１．３８（ｓ，２７Ｈ），１．３０（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，３Ｈ），１．０６（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７８．２，６６．８，３５．４，３２．９，２６．４，１２．０。
【０１４４】
（参考例９）（１，１，３，３−テトラメチルブチルイミド）トリクロロジピリジンニオブ（Ｎｂ（ＮＣＭｅ２ＣＨ２ＣＭｅ３）Ｃｌ３（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）２）の合成
アルゴン雰囲気下、トルエン５０ｍＬとジエチルエーテル５ｍＬの混合液に五塩化ニオブ７．６３ｇ（２８．２ｍｍｏｌ）を懸濁させ、メタけい酸ナトリウム６．８９ｇ及び１，１，３，３−テトラメチルブチルアミン７．３０ｇを順に加えた。室温で３時間撹拌した後、ピリジン１５．０ｍＬを加えてさらに２４時間撹拌した。不溶物をろ別し、ろ液から溶媒及び過剰のピリジンを減圧留去することにより、暗黄色の固体１０．７ｇ（２２．０ｍｍｏｌ）を得た。収率７８％。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
９．１７（ｂｒ，２Ｈ），８．８９（ｂｒ，２Ｈ），６．８３（ｂｒ，１Ｈ），６．７０（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，１Ｈ），６．５２（ｂｒ，２Ｈ），６．３１（ｂｒ，２Ｈ），１．８７（ｓ，２Ｈ），１．６７（ｓ，６Ｈ），１．１５（ｓ，９Ｈ）。
【０１４５】
（参考例１０）トリス（ジメチルアミド）（１，１，３，３−テトラメチルブチルイミド）ニオブ（Ｎｂ（ＮＣＭｅ２ＣＨ２ＣＭｅ３）（ＮＭｅ２）３）の合成
アルゴン雰囲気下、トルエン５ｍＬにＮｂ（ＮＣＭｅ２ＣＨ２ＣＭｅ３）Ｃｌ３（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）２１．６３ｇ（３．３７ｍｍｏｌ）を懸濁させ、リチウムジメチルアミドのヘキサンスラリー（５．２８ｗｔ％）を１０．８ｇ加えた。室温で２０時間撹拌した後、不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を減圧留去した。残渣を減圧蒸留することにより、暗黄色の液体４１８ｍｇ（１．１８ｍｍｏｌ）を得た。収率３５％。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
３．１９（ｓ，１８Ｈ），１．７７（ｓ，２Ｈ），１．５１（ｓ，６Ｈ），１．１６（ｓ，９Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７２．９，５７．９，４７．２，３４．１，３２．３，３２．２。
【０１４６】
（実施例５２）（１，１，３，３−テトラメチルブチルイミド）（トリイソプロポキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮＣＭｅ２ＣＨ２ＣＭｅ３）（ＯｉＰｒ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、Ｎｂ（ＮＣＭｅ２ＣＨ２ＣＭｅ３）（ＮＭｅ２）３４１０ｍｇ（１．１６ｍｍｏｌ）をトルエン４ｍＬに溶かした溶液を−７８℃に冷却し、イソプロピルアルコール（２１０ｍｇ）のトルエン（４ｍＬ）溶液を３０分間かけて滴下した。室温で４時間撹拌した後、溶媒を減圧留去した。残渣を減圧昇華することにより、白色固体３１０ｍｇを得た（収率６７％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
５．１８（ｓｅｐｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，３Ｈ），１．９８（ｓ，２Ｈ），１．５１（ｓ，６Ｈ），１．４８（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，１８Ｈ），１．０５（ｓ，９Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７７．９，７０．５，５９．１，３３．１，３２．２，２６．９，２５．９。
【０１４７】
（実施例５３）（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）（トリイソプロポキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｉＰｒ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＮＥｔ２）３４１５ｍｇ（１．０９ｍｍｏｌ）をトルエン１０ｍＬに溶かした溶液を−７８℃に冷却し、イソプロピルアルコール（１９７ｍｇ）のトルエン（１０ｍＬ）溶液を３０分間かけて滴下した。−７８℃で３時間撹拌した後、溶媒を減圧留去した。室温で残渣をヘキサン５ｍＬに溶かし、−７８℃に冷却することにより白色固体２５５ｍｇを得た（収率６８％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
５．１２（ｍ，３Ｈ），１．４５（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，１８Ｈ），１．３８（ｓ，９Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７７．７，６５．７（ｂｒ），３３．８，２６．７。
【０１４８】
（実施例５４）（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）（トリエトキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯＥｔ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＮＥｔ２）３８２６ｍｇ（２．１７ｍｍｏｌ）をトルエン１０ｍＬに溶かした溶液を−７８℃に冷却し、エタノール（３００ｍｇ）のトルエン（１０ｍＬ）溶液を３０分間かけて滴下した。−７８℃で３時間撹拌した後、溶媒を減圧留去した。室温で残渣をヘキサン５ｍＬに溶かし、−７８℃に冷却することにより白色固体２５５ｍｇを得た（収率３９％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
４．７２（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），１．５０（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，９Ｈ），１．３３（ｓ，９Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７２．１，６６．７（ｂｒ），３３．４，２０．０。
【０１４９】
（参考例１１）トリス（ジエチルアミド）（ｔｅｒｔ−ペンチルイミド）ニオブ（Ｎｂ（ＮｔＰｅ）（ＮＥｔ２）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６５Ｍ）３６．１ｍＬにジエチルアミン４．３６ｇを加えて１２時間撹拌し、リチウムジエチルアミド溶液を調製した。これをＮｂ（ＮｔＰｅ）Ｃｌ３（ｄｍｅ）７．４４ｇ（１９．９ｍｍｏｌ）のトルエン（３０ｍＬ）懸濁液に加え、室温で１２時間撹拌した後、不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を減圧留去した。残渣を減圧蒸留することにより、黄褐色の液体２．７０ｇ（６．８５ｍｍｏｌ）を得た。収率３４％。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
３．６８（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，１２Ｈ），１．６４（ｑ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ），１．３７（ｓ，６Ｈ），１．１５（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，１８Ｈ），１．１３（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，３Ｈ）。
【０１５０】
（実施例５５）（ｔｅｒｔ−ペンチルイミド）（トリイソプロポキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮｔＰｅ）（ＯｉＰｒ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、Ｎｂ（ＮｔＰｅ）（ＮＥｔ２）３９２１ｍｇ（２．３３ｍｍｏｌ）をトルエン１０ｍＬに溶かした溶液を−７８℃に冷却し、イソプロピルアルコール（４２１ｍｇ）のトルエン（１０ｍＬ）溶液を３０分間かけて滴下した。−７８℃で３時間撹拌した後、溶媒を減圧留去した。残渣をシクロヘキサン１ｍＬで洗浄した後、減圧乾燥することにより白色固体５５５ｍｇを得た（収率６７％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
５．０９（ｍ，３Ｈ），１．６６（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．４１（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，１８Ｈ），１．３１（ｓ，６Ｈ），１．０１（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７７．７，６８．８（ｂｒ），３３．７，３０．８，２６．７，９．８。
【０１５１】
（実施例５６）（ｔｅｒｔ−ペンチルイミド）（トリエトキソ）ニオブ（Ｎｂ（ＮｔＰｅ）（ＯＥｔ）３）の合成
アルゴン雰囲気下で、Ｎｂ（ＮｔＰｅ）（ＮＥｔ２）３８８９ｍｇ（２．２５ｍｍｏｌ）をトルエン１０ｍＬに溶かした溶液を−７８℃に冷却し、エタノール（３１１ｍｇ）のトルエン（１０ｍＬ）溶液を３０分間かけて滴下した。−７８℃で３時間撹拌した後、溶媒を減圧留去した。残渣をシクロヘキサン１ｍＬで洗浄した後、減圧乾燥することにより黄色固体７０１ｍｇを得た（収率９９％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
４．６８（ｑ，Ｊ＝８Ｈｚ，６Ｈ），１．６０（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ），１．４６（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，９Ｈ），１．２６（ｓ，６Ｈ），１．０２（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，３Ｈ）
１３Ｃ  ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ、Ｃ６Ｄ６、δ／ｐｐｍ）
７１．９，６９．０（ｂｒ），３８．５，３０．６，２０．０，９．９。
【０１５２】
（比較例３）Ｎｂ（ＯＥｔ）５を用いたＮｂ含有薄膜の形成
Ｎｂ（ＯＥｔ）５を原料として、図２の装置を用いて、原料温度９７℃、キャリアガス（Ａｒ）流量３０ｓｃｃｍ、原料圧力５０Ｔｏｒｒ、希釈ガス（Ａｒ）流量２１０ｓｃｃｍ、反応ガス（Ｏ２）流量６０ｓｃｃｍ、基板温度４００℃、反応槽内圧力４Ｔｏｒｒで、ＣＶＤ法によりＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に１時間成膜を行った。作製した膜を蛍光Ｘ線分析装置にて測定したところ、Ｎｂの特性Ｘ線が検出された。膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ酸化ニオブであった。膜厚は約１４ｎｍであった。
【０１５３】
（比較例４）Ｎｂ（ＯＥｔ）５を用いたＮｂ含有薄膜の形成
Ｎｂ（ＯＥｔ）５を原料として、図２の装置を用いて、原料温度９７℃、キャリアガス（Ａｒ）流量３０ｓｃｃｍ、原料圧力５０Ｔｏｒｒ、希釈ガス（Ａｒ）流量２１０ｓｃｃｍ、反応ガス（Ｏ２）流量６０ｓｃｃｍ、基板温度２００℃、反応槽内圧力４Ｔｏｒｒで、ＣＶＤ法によりＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に１時間成膜を行った。蛍光Ｘ線分析装置にて測定したところ、Ｎｂの特性Ｘ線が検出されなかった。
【０１５４】
（実施例５７）Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３を用いたＮｂ含有薄膜の形成
Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３を原料として、図２の装置を用いて、原料温度４０℃、キャリアガス（Ａｒ）流量３０ｓｃｃｍ、原料圧力５０Ｔｏｒｒ、希釈ガス（Ａｒ）流量２１０ｓｃｃｍ、反応ガス（Ｏ２）流量６０ｓｃｃｍ、基板温度４００℃、反応槽内圧力４Ｔｏｒｒで、ＣＶＤ法によりＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に１時間成膜を行った。作製した膜を蛍光Ｘ線分析装置にて測定したところ、Ｎｂの特性Ｘ線が検出された。膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ酸化ニオブであった。膜厚は約２１０ｎｍであった。
【０１５５】
（実施例５８）Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３を用いたＮｂ含有薄膜の形成
Ｎｂ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３を原料として、図２の装置を用いて、原料温度４０℃、キャリアガス（Ａｒ）流量３０ｓｃｃｍ、原料圧力５０Ｔｏｒｒ、希釈ガス（Ａｒ）流量２１０ｓｃｃｍ、反応ガス（Ｏ２）流量６０ｓｃｃｍ、基板温度２００℃、反応槽内圧力４Ｔｏｒｒで、ＣＶＤ法によりＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に１時間成膜を行った。作製した膜を蛍光Ｘ線分析装置にて測定したところ、Ｎｂの特性Ｘ線が検出された。膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ酸化ニオブであった。膜厚は約２２０ｎｍであった。
【０１５６】
（実施例５９）Ｎｂ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３を用いたＮｂ含有薄膜の形成
Ｎｂ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３を原料として、図２の装置を用いて、原料温度４０℃、キャリアガス（Ａｒ）流量３０ｓｃｃｍ、原料圧力５０Ｔｏｒｒ、希釈ガス（Ａｒ）流量２１０ｓｃｃｍ、反応ガス（Ｏ２）流量６０ｓｃｃｍ、基板温度４００℃、反応槽内圧力４Ｔｏｒｒで、ＣＶＤ法によりＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に１時間成膜を行った。作製した膜を蛍光Ｘ線分析装置にて測定したところ、Ｎｂの特性Ｘ線が検出された。膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ酸化ニオブであった。膜厚は約２５０ｎｍであった。
【０１５７】
（実施例６０）Ｎｂ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３を用いたＮｂ含有薄膜の形成
Ｎｂ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３を原料として、図２の装置を用いて、原料温度４０℃、キャリアガス（Ａｒ）流量３０ｓｃｃｍ、原料圧力５０Ｔｏｒｒ、希釈ガス（Ａｒ）流量２１０ｓｃｃｍ、反応ガス（Ｏ２）流量６０ｓｃｃｍ、基板温度２００℃、反応槽内圧力４Ｔｏｒｒで、ＣＶＤ法によりＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に１時間成膜を行った。作製した膜を蛍光Ｘ線分析装置にて測定したところ、Ｎｂの特性Ｘ線が検出された。膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ酸化ニオブであった。膜厚は約２４０ｎｍであった。
【０１５８】
（比較例５）Ｔａ（ＯＥｔ）５を用いたＴａ含有薄膜の形成
Ｔａ（ＯＥｔ）５を原料として、図２の装置を用いて、原料温度９８℃、キャリアガス（Ａｒ）流量３０ｓｃｃｍ、原料圧力５０Ｔｏｒｒ、希釈ガス（Ａｒ）流量２１０ｓｃｃｍ、反応ガス（Ｏ２）流量６０ｓｃｃｍ、基板温度４００℃、反応槽内圧力４Ｔｏｒｒで、ＣＶＤ法によりＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に１時間成膜を行った。作製した膜を蛍光Ｘ線分析装置にて測定したところ、Ｔａの特性Ｘ線が検出された。膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ酸化タンタルであった。膜厚は約３０ｎｍであった。
【０１５９】
（比較例６）Ｔａ（ＯＥｔ）５を用いたＴａ含有薄膜の形成
Ｔａ（ＯＥｔ）５を原料として、図２の装置を用いて、原料温度９８℃、キャリアガス（Ａｒ）流量３０ｓｃｃｍ、原料圧力５０Ｔｏｒｒ、希釈ガス（Ａｒ）流量２１０ｓｃｃｍ、反応ガス（Ｏ２）流量６０ｓｃｃｍ、基板温度２００℃、反応槽内圧力４Ｔｏｒｒで、ＣＶＤ法によりＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に１時間成膜を行った。蛍光Ｘ線分析装置にて測定したところ、Ｔａの特性Ｘ線が検出されなかった。
【０１６０】
（実施例６１）Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３を用いたＴａ含有薄膜の形成
Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３を原料として、図２の装置を用いて、原料温度３８℃、キャリアガス（Ａｒ）流量３０ｓｃｃｍ、原料圧力５０Ｔｏｒｒ、希釈ガス（Ａｒ）流量２１０ｓｃｃｍ、反応ガス（Ｏ２）流量６０ｓｃｃｍ、基板温度４００℃、反応槽内圧力４Ｔｏｒｒで、ＣＶＤ法によりＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に１時間成膜を行った。作製した膜を蛍光Ｘ線分析装置にて測定したところ、Ｔａの特性Ｘ線が検出された。膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ酸化タンタルであった。膜厚は約２７０ｎｍであった。
【０１６１】
（実施例６２）Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３を用いたＴａ含有薄膜の形成
Ｔａ（ＮｔＢｕ）（ＯｔＢｕ）３を原料として、図２の装置を用いて、原料温度３８℃、キャリアガス（Ａｒ）流量３０ｓｃｃｍ、原料圧力５０Ｔｏｒｒ、希釈ガス（Ａｒ）流量２１０ｓｃｃｍ、反応ガス（Ｏ２）流量６０ｓｃｃｍ、基板温度２００℃、反応槽内圧力４Ｔｏｒｒで、ＣＶＤ法によりＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に１時間成膜を行った。作製した膜を蛍光Ｘ線分析装置にて測定したところ、Ｔａの特性Ｘ線が検出された。膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ酸化タンタルであった。膜厚は約１００ｎｍであった。
【０１６２】
（実施例６３）Ｔａ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３を用いたＴａ含有薄膜の形成
Ｔａ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３を原料として、図２の装置を用いて、原料温度４０℃、キャリアガス（Ａｒ）流量３０ｓｃｃｍ、原料圧力５０Ｔｏｒｒ、希釈ガス（Ａｒ）流量２１０ｓｃｃｍ、反応ガス（Ｏ２）流量６０ｓｃｃｍ、基板温度４００℃、反応槽内圧力４Ｔｏｒｒで、ＣＶＤ法によりＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に１時間成膜を行った。作製した膜を蛍光Ｘ線分析装置にて測定したところ、Ｔａの特性Ｘ線が検出された。膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ酸化タンタルであった。膜厚は約３４０ｎｍであった。
【０１６３】
（実施例６４）Ｔａ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３を用いたＴａ含有薄膜の形成
Ｔａ（ＮｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）３を原料として、図２の装置を用いて、原料温度４０℃、キャリアガス（Ａｒ）流量３０ｓｃｃｍ、原料圧力５０Ｔｏｒｒ、希釈ガス（Ａｒ）流量２１０ｓｃｃｍ、反応ガス（Ｏ２）流量６０ｓｃｃｍ、基板温度２００℃、反応槽内圧力４Ｔｏｒｒで、ＣＶＤ法によりＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に１時間成膜を行った。作製した膜を蛍光Ｘ線分析装置にて測定したところ、Ｔａの特性Ｘ線が検出された。膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ酸化タンタルであった。膜厚は約１２０ｎｍであった。
【図面の簡単な説明】
【０１６４】
【図１】実施例１で測定したＴＧ及びＤＳＣの結果を示す図である。
【図２】実施例６及び５７から６４並びに比較例３から６で用いたＣＶＤ成膜装置の概略図である。
【図３】実施例４で測定したＴＧ及びＤＳＣの結果を示す図である。
【図４】実施例５で測定したＴＧ及びＤＳＣの結果を示す図である。
【図５】実施例７で測定したＴＧ及びＤＳＣの結果を示す図である。
【図６】実施例８で測定したＴＧ及びＤＳＣの結果を示す図である。
【図７】実施例９で測定したＴＧ及びＤＳＣの結果を示す図である。
【図８】実施例１０で測定したＴＧ及びＤＳＣの結果を示す図である。
【図９】実施例１１で測定したＴＧ及びＤＳＣの結果を示す図である。
【図１０】実施例１２で測定したＴＧ及びＤＳＣの結果を示す図である。
【図１１】実施例１３で測定したＴＧ及びＤＳＣの結果を示す図である。
【図１２】実施例１７で測定したＴＧ及びＤＳＣの結果を示す図である。
【図１３】実施例１８で測定したＴＧ及びＤＳＣの結果を示す図である。
【図１４】実施例２１で測定したＴＧ及びＤＳＣの結果を示す図である。
【図１５】実施例２３で測定したＴＧ及びＤＳＣの結果を示す図である。
【図１６】実施例２４で測定したＴＧ及びＤＳＣの結果を示す図である。
【図１７】実施例２５で測定したＴＧ及びＤＳＣの結果を示す図である。
【図１８】実施例２６で測定したＴＧ及びＤＳＣの結果を示す図である。
【図１９】比較例１で測定したＴＧの結果を示す図である。
【図２０】比較例２で測定したＴＧの結果を示す図である。
【符号の説明】
【０１６５】
１．原料容器
２．恒温槽
３．反応槽
４．基板
５．反応ガス
６．希釈ガス
７．キャリアガス
８．マスフローコントローラー
９．マスフローコントローラー
１０．マスフローコントローラー
１１．真空ポンプ
１２．排気
【図１】
2008266280.tif 000034
【図２】
2008266280.tif 000035
【図３】
2008266280.tif 000036
【図４】
2008266280.tif 000037
【図５】
2008266280.tif 000038
【図６】
2008266280.tif 000039
【図７】
2008266280.tif 000040
【図８】
2008266280.tif 000041
【図９】
2008266280.tif 000042
【図１０】
2008266280.tif 000043
【図１１】
2008266280.tif 000044
【図１２】
2008266280.tif 000045
【図１３】
2008266280.tif 000046
【図１４】
2008266280.tif 000047
【図１５】
2008266280.tif 000048
【図１６】
2008266280.tif 000049
【図１７】
2008266280.tif 000050
【図１８】
2008266280.tif 000051
【図１９】
2008266280.tif 000052
【図２０】
2008266280.tif 000053