(57)【要約】【課題】レーザ光によって液状体の配置位置を制御して所望の配置位置で液状体を乾燥させて、高精細、高精密なパターンを形成すことができるパターン形成方法、パターン形成装置及び液状体乾燥装置を提供する。【解決手段】金属インクＦに対して吸収率が高い波長の第１照射光Ｌｅ１を出射する第１半導体レーザＬＤ１と、金属インクＦに対して吸収率が低い波長の第２照射光Ｌｅ２を出射する第２半導体レーザＬＤ２をキャリッジ２０に備えた。第２照射光Ｌｅ２によって、液状膜ＦＬを第１照射光Ｌｅ１の照射方向と反対方向への移動を付与して配置位置制御しながら、第１照射光Ｌｅ１が入射する液状膜ＦＬの部分（照射位置Ｐ１）を平坦化する。液状膜ＦＬは、第１照射光Ｌｅ１によって乾燥されると、乾燥不足もなく高精細、高精密な層パターンＦＰが形成される。【選択図】図６
2008194617.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体に配置されたパターン形成材料を含む液状体を乾燥させ、前記基体にパターン形成材料からなるパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記基体に配置された前記液状体を、複数のレーザ光を、異なる方向から照射して、前記液状体を乾燥させてパターン形成材料からなるパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のパターン形成方法において、
複数のレーザ光は、液状体に照射して該液状体を配置位置制御するレーザ光であって、前記複数のレーザ光を、当該レーザ光が前記液状体の少なくとも移動可能な方向の運動量に関して互いに略相殺する向きと強度分布で、照射することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
基体に配置されたパターン形成材料を含む液状体を乾燥させ、前記基体にパターン形成材料からなるパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記液状体に照射して該液状体を乾燥させる第１レーザ光と、前記液状体に照射して該液状体を配置位置制御する第２レーザ光とで前記液状体を乾燥させることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
請求項３に記載のパターン形成方法において、
前記第２レーザ光にて前記液状体を所定の配置位置に配置位置制御した後に、前記第１レーザ光にて、前記液状体を乾燥することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項５】
請求項３に記載のパターン形成方法において、
前記第２レーザ光にて前記液状体を所定の配置位置に移動制御しながら、前記第１レーザ光にて、前記液状体を乾燥することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項６】
請求項３に記載のパターン形成方法おいて、
前記第２レーザ光にて前記液状体を所定の配置位置に保持しながら、前記第１レーザ光にて、前記液状体を乾燥することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項７】
請求項３〜６のいずれか1に記載のパターン形成方法において、
前記第１レーザ光は、前記液状体に対して吸収率の高い波長のレーザ光であり、
前記第２レーザ光は、前記液状体に対して吸収率の低い波長のレーザ光であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項８】
パターン形成材料を含んだ液状体を液滴吐出ヘッドにて液滴にして基体に吐出し、該基体に配置された前記液状体を乾燥させて、パターン形成材料からなるパターンを形成するパターン形成装置であって、
前記基体に配置された液状体を乾燥させるための第１レーザ光を出射する第１レーザ出力手段と、
前記基体に配置された液状体を移動させるための第２レーザ光を出射する第２レーザ出力手段と、
前記第１レーザ出力手段から出射する第１レーザ光を、前記基体に配置された液状体に照射する第１照射手段と、
前記第２レーザ出力手段から出射する第２レーザ光を、前記基体に配置された液状体に対して、前記第１レーザ光と異なる方向から照射する第２照射手段と、
を備えたことを特徴とするパターン形成装置。
【請求項９】
請求項８に記載のパターン形成装置において、
前記基体を載置し走査方向に移動案内するステージと、
前記ステージの走査方向の移動に対して、直交する副走査方向に移動するキャリッジとを備え、前記キャリッジに、前記液滴吐出ヘッド、前記第１照射手段、前記第２照射手段を搭載したことを特徴とするパターン形成装置。
【請求項１０】
請求項９に記載のパターン形成装置において、
前記第１照射手段と前記第２照射手段は、前記液滴吐出ヘッドを挟んで配設したことを特徴とするパターン形成装置。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれか１に記載のパターン形成装置において、
パターン形成材料液は、金属微粒子が分散した金属インクであり、
前記基体は、低温焼成セラミック基板であること特徴とするパターン形成装置。
【請求項１２】
請求項８〜１１のいずれか１に記載のパターン形成装置において、
前記第１レーザ出力手段の第１レーザ光は、パターン形成材料液に対して吸収率の高い波長のレーザ光であり、前記第２レーザ出力手段の第２レーザ光は、パターン形成材料液に対して吸収率の低い波長のレーザ光であることを特徴とするパターン形成装置。
【請求項１３】
基体に配置されたパターン形成材料を含んだ液状体を乾燥させて、パターン形成材料からなるパターンを形成する液状体乾燥装置であって、
前記基体に配置された液状体を乾燥させるための第１レーザ光を出射する第１レーザ出力手段と、
前記基体に配置された液状体を移動させるための第２レーザ光を出射する第２レーザ出力手段と、
前記第１レーザ出力手段から出射する第１レーザ光を、前記基体に配置された液状体に照射する第１照射手段と、
前記第２レーザ出力手段から出射する第２レーザ光を、前記基体に配置された液状体に対して、前記第１レーザ光と異なる方向から照射する第２照射手段と、
を備えたことを特徴とする液状体乾燥装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の液状体乾燥装置において、
前記基体を載置し走査方向に移動案内するステージと、
前記ステージの走査方向の移動に対して、直交する副走査方向に移動するキャリッジとを備え、前記キャリッジに、前記第１照射手段と前記第２照射手段を搭載したことを特徴とするパターン形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法、パターン形成装置及び液状体乾燥装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子などの電子部品を搭載する回路モジュールには、ガラスセラミックからなる低温焼成セラミックス多層基板（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ多層基板）を有するものが知られている。ＬＴＣＣ多層基板は、積層したグリーンシートを９００℃以下の低温で焼成できるため、内部配線に銀や金などの低融点金属を使用することができ、内部配線の低抵抗化を図ることができる。
【０００３】
こうしたＬＴＣＣ多層基板の製造工程では、金属ペーストや金属インクを利用し、積層する前の各グリーンシート上に配線パターンを描画する。この描画方法として、特許文献１は、金属インクを微小な液滴にして吐出する、いわゆるインクジェット法を提案している。インクジェット法は、微小な液滴を接合して配線パターンを描画するため、内部配線の設計変更（例えば、内部配線の高密度化や配線幅及び配線ピッチの狭小化）に対して迅速に対応することができる。
【特許文献１】特開２００５−５７１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、グリーンシートに着弾した液滴は、グリーンシートの表面状態や液滴の表面張力に基づいて、サイズや形状などを経時的に変動する。サイズや形状の変動する液滴は、乾燥するタイミングに応じて、配線パターンのサイズを規定する。例えば、外径が３０μｍの金属インクからなる液滴は、親液性のグリーンシートに着弾して１００ミリ秒を経過すると、外径を７０μｍに拡張し、２００ミリ秒を経過すると、外径をさらに１００μｍにする。そのため、液滴の乾燥タイミングが、１００ミリ秒後〜２００ミリ秒後の範囲でばらつくと、対応する配線パターンの線幅が約７０μｍ〜１００μｍの範囲でばらつく。
【０００５】
そこで、こうした液滴の乾燥方法には、パターンサイズのばらつきを抑制させるため、グリーンシートに着弾した液滴にレーザ光を照射するレーザ乾燥が提案されている。レーザ乾燥では、レーザ光の照射領域のみで液滴の乾燥処理を行うことから、精度の高い乾燥が行える。
【０００６】
しかしながら、レーザを照射し液滴を乾燥しているとき、液滴中に分散している金属微粒子の濃度分布が変動し、パターンの端部において、中央部より盛り上がってしまう「しみ上がり」の現象が起き、乾燥後の金属微粒子による配線パターンの平坦化が難しかった。
【０００７】
また、着弾する基板が撥水性により又は液滴の表面張力により、着弾した液滴同士はレーザ乾燥中であっても引き合い縮退しやすく、所望のパターンに精密に乾燥させることには限界があった。
【０００８】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、レーザ光によって液状体の配置位置を制御して所望の配置位置で該液状体を乾燥させて、高精細、高精密なパターン形成材料からなるパターンを形成すことができるパターン形成方法、パター
ン形成装置及び液状体乾燥装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のパターン形成方法は、基体に配置されたパターン形成材料を含む液状体を乾燥させ、前記基体にパターン形成材料からなるパターンを形成するパターン形成方法であって、前記基体に配置された前記液状体を、複数のレーザ光を、異なる方向から照射して、前記液状体を乾燥させてパターン形成材料からなるパターンを形成する。
【００１０】
本発明のパターン形成方法によれば、基体に配置された液状体は、複数の異なる方向から照射されるレーザ光によって移動されて配置位置が制御される。従って、液状体を基体の所望の配置位置において乾燥させることが可能となり、高精細、高精密なパターン形成材料からなるパターンを形成すことができる。
【００１１】
このパターン形成方法において、複数のレーザ光は、液状体に照射して該液状体を配置位置制御するレーザ光であって、前記複数のレーザ光を、当該レーザ光が前記液状体の少なくとも移動可能な方向の運動量に関して互いに略相殺する向きと強度分布で、照射するようにしてもよい。
【００１２】
このパターン形成方法によれば、液状体は、各レーザ光によって、所定の配置位置に保持さように照射される。やがて、液状体は、その各レーザ光によって乾燥させる。
本発明のパターン形成方法は、基体に配置されたパターン形成材料を含む液状体を乾燥させ、前記基体にパターン形成材料からなるパターンを形成するパターン形成方法であって、前記液状体に照射して該液状体を乾燥させる第１レーザ光と、前記液状体に照射して該液状体を配置位置制御する第２レーザ光とで前記液状体を乾燥させる。
【００１３】
本発明のパターン形成方法によれば、液状体は、第２レーザ光によって、基板に配置された液状体の配置位置が自由に変更されて、第１レーザ光によって乾燥される。この結果、第２レーザによって、基板に配置される液状体を所望のパターンにでき、その所望のパターンに確実に乾燥させる。
【００１４】
このパターン形成方法において、前記第２レーザ光にて前記液状体を所定の配置位置に配置位置制御した後に、前記第１レーザ光にて、前記液状体を乾燥するようにしてもよい。
【００１５】
このパターン形成方法によれば、液状体は、第２レーザ光によってその位置が事前に調整された後、第１レーザ光によって乾燥される。この結果、基板に配置される液状体の位置が偏倚しても、第２レーザ光によって修正されて、基板に配置された液状体を、所望のパターンにして確実に乾燥することができる。
【００１６】
このパターン形成方法において、前記第２レーザ光にて前記液状体を所定の配置位置に移動制御しながら、前記第１レーザ光にて、前記液状体を乾燥するようにしてもよい。
このパターン形成方法によれば、液状体は、第２レーザ光によって所定の配置位置に移動しながら、第１レーザ光によって乾燥されることから、基板に配置された液状体は所望のパターンになりながら乾燥する。
【００１７】
このパターン形成方法おいて、前記第２レーザ光にて前記液状体を所定の配置位置に保持しながら、前記第１レーザ光にて、前記液状体を乾燥するようにしてもよい。
このパターン形成方法によれば、液状体は、第２レーザ光によってその配置位置を保持して、第１レーザ光によって乾燥されることから、液状体をむら無く確実に乾燥でき、基板にパターン形成材料からなる所望の平坦なパターンを形成することができる。
【００１８】
このパターン形成方法において、前記第１レーザ光は、前記液状体に対して吸収率の高い波長のレーザ光であり、前記第２レーザ光は、前記液状体に対して吸収率の低い波長のレーザ光であってもよい。
【００１９】
このパターン形成方法によれば、第１レーザ光は、液状体に対して吸収率の高いことから、光子（フォトン）の運動エネルギーが液状体の表面部分のパターン形成材料に集中する。そして、そのパターン形成材料同士が衝突し、その衝突による熱で液状体を乾燥させる。一方、第２レーザ光は、液状体に対して吸収率の低いため、光子（フォトン）の運動エネルギーが液状体の内部全体のパターン形成材料に伝わる。各パターン形成材料は、パターン形成材料同士が衝突して熱に変わるまでの大きな運動量エネルギーを得られず、そのパターン形成材料を第２レーザ光の進行方向に沿った方向に並進運動を起すための運動をする。その結果、第２レーザ光は、その照射方向を変更させたり、そのパワーを変更させることによって、液状体の配置位置を自由に制御することができる。
【００２０】
本発明のパターン形成装置は、パターン形成材料を含んだ液状体を液滴吐出ヘッドにて液滴にして基体に吐出し、該基体に配置された前記液状体を乾燥させて、パターン形成材料からなるパターンを形成するパターン形成装置であって、前記基体に配置された液状体を乾燥させるための第１レーザ光を出射する第１レーザ出力手段と、前記基体に配置された液状体を移動させるための第２レーザ光を出射する第２レーザ出力手段と、前記第１レーザ出力手段から出射する第１レーザ光を、前記基体に配置された液状体に照射する第１照射手段と、前記第２レーザ出力手段から出射する第２レーザ光を、前記基体に配置された液状体に対して、前記第１レーザ光と異なる方向から照射する第２照射手段とを備えた。
【００２１】
本発明のパターン形成装置によれば、第１レーザ光は、第１照射手段を介して、液状体に照射される。また、第２レーザ光は、第２照射手段を介して、液状体に対して、前記第１レーザ光と異なる方向から照射する。従って、液状体は、第２レーザ光によって配置位置が制御されて、第１レーザ光によって乾燥される。従って、液状体を基体の所望の配値位置において乾燥させることが可能となり、高精細、高精密なパターン形成材料からなるパターンを形成すことができる。
【００２２】
このパターン形成装置において、前記基体を載置し走査方向に移動案内するステージと、前記ステージの走査方向の移動に対して、直交する副走査方向に移動するキャリッジとを備え、前記キャリッジに、前記液滴吐出ヘッド、前記第１照射手段、前記第２照射手段を搭載してもよい。
【００２３】
このパターン形成装置によれば、キャリッジに第１照射手段及び第２照射手段が一体的に搭載されるため、キャリッジを介して第１照射手段と第２照射手段との相対位置が固定できることから、液状体に対して、照射する第１レーザ光と第２レーザ光の相対照射位置を維持させることができる。この結果、第１照射手段及び第２照射手段の照射するレーザ光を、より確実に所望に位置に、液状体に照射させることができる。
【００２４】
このパターン形成装置において、前記第１照射手段と前記第２照射手段は、前記液滴吐出ヘッドを挟んで配設してもよい。
このパターン形成装置によれば、記第１照射手段と前記第２照射手段は、前記液滴吐出ヘッドを挟んで配設したことにより、簡単な構造で、第１レーザ光と第２レーザ光を、液状体に対して相対向する方向から照射することができる。
【００２５】
このパターン形成装置において、パターン形成材料液は、金属微粒子が分散した金属イ
ンクであり、前記基体は、低温焼成セラミック基板であってもよい。
このパターン形成装置によれば、第１照射手段及び第２照射手段の照射する第１レーザ光及び第２レーザ光が、低温焼成セラミック基板上に配置された金属インクを照射する。よって、金属インクの乾燥効率を向上させることができ、金属インクからなるパターンの形成不良を低減させることができる。
【００２６】
このパターン形成装置において、前記第１レーザ出力手段の第１レーザ光は、パターン形成材料液に対して吸収率の高い波長のレーザ光であり、前記第２レーザ出力手段の第２レーザ光は、パターン形成材料液に対して吸収率の低い波長のレーザ光であってもよい。
【００２７】
このパターン形成装置によれば、第１レーザ光は、液状体に対して吸収率の高いことから、光子（フォトン）の運動エネルギーが液状体の表面部分のパターン形成材料に集中する。そして、そのパターン形成材料液同士が衝突し、その衝突による熱でパターン形成材料液を乾燥させる。一方、第２レーザ光は、液状体に対して吸収率の低いため、光子（フォトン）の運動エネルギーが液状体の内部全体のパターン形成材料に伝わる。各パターン形成材料は、パターン形成材液同士が衝突して熱に変わるまでの大きな運動量エネルギーを得られず、その液状体を第２レーザ光の進行方向に沿った方向に並進運動を起すための運動をする。その結果、第２レーザ光は、その照射方向を変更させたり、そのパワーを変更させることによって、液状体の配置位置を自由に制御することができる。
【００２８】
本発明の液状体乾燥装置は、基体に配置されたパターン形成材料を含んだ液状体を乾燥させて、パターン形成材料からなるパターンを形成する液状体乾燥装置であって、前記基体に配置された液状体を乾燥させるための第１レーザ光を出射する第１レーザ出力手段と、前記基体に配置された液状体を移動させるための第２レーザ光を出射する第２レーザ出力手段と、前記第１レーザ出力手段から出射する第１レーザ光を、前記基体に配置された液状体に照射する第１照射手段と、前記第２レーザ出力手段から出射する第２レーザ光を、前記基体に配置された液状体に対して、前記第１レーザ光と異なる方向から照射する第２照射手段とを備えた。
【００２９】
本発明の液状体乾燥装置によれば、第１レーザ光は、第１照射手段を介して、基体に配置された液状体に照射される。また、第２レーザ光は、第２照射手段を介して、液状体に対して、前記第１レーザ光と異なる方向から照射する。従って、基体に配置された液状体は、第２レーザ光によって配置位置が自由に制御されて、第１レーザ光によって乾燥される。従って、液状体を基体の所望の位置において乾燥させることが可能となり、高精細、高精密なパターン形成材料からなるパターンを形成すことができる。
【００３０】
この液状体乾燥装置において、前記基体を載置し走査方向に移動案内するステージと、前記ステージの走査方向の移動に対して、直交する副走査方向に移動するキャリッジとを備え、前記キャリッジに、前記第１照射手段と前記第２照射手段を搭載してもよい。
【００３１】
この液状体乾燥装置によれば、キャリッジに第１照射手段及び第２照射手段が一体的に搭載されるため、キャリッジを介して第１照射手段と第２照射手段との相対位置が固定できることから、基体に配置された液状体に対して、照射する第１レーザ光と第２レーザ光の相対照射位置を維持させることができる。この結果、第１照射手段及び第２照射手段の照射するレーザ光を、より確実に所望の位置に、液状体に照射させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図８に従って説明する。まず、本発明の回路モジュール１について説明する。
図１において、回路モジュール１には、板状に形成されたＬＴＣＣ多層基板２と、その
ＬＴＣＣ多層基板２の上側に、ワイヤーボンディング接続あるいはフリップチップ接続された複数の半導体チップ３とが備えられている。
【００３３】
ＬＴＣＣ多層基板２には、シート状に形成された複数の低温焼成セラミック基板（以下単に、絶縁層４という。）が積層されている。各絶縁層４は、それぞれガラスセラミック系材料（例えば、ホウケイ酸アルカリ酸化物などのガラス成分とアルミナなどのセラミック成分の混合物）からなる焼結体であり、その厚みが数百μｍで形成されている。
【００３４】
各絶縁層４の層間には、抵抗素子や容量素子、コイル素子などの各種の回路素子５と、各回路素子５を電気的に接続する金属配線としての複数の内部配線６とが形成されている。各回路素子５と各内部配線６は、それぞれ銀や銀合金などの金属微粒子の焼結体であって、本発明の液滴吐出装置１０（図３参照）を利用して形成される。各絶縁層４の層内には、スタックビア構造やサーマルビア構造を呈するビア配線７が形成され、各回路素子５や各内部配線６を層間で電気的に接続する。各ビア配線７は、各回路素子５や各内部配線６と同じく、銀や銀合金などの金属微粉末の焼結体である。
【００３５】
次に、上記ＬＴＣＣ多層基板２の製造方法について図２に従って説明する。
図２において、まず、絶縁層４を切出し可能にする基体としてのグリーンシート４Ｓにパンチ加工やレーザ加工を施し、ビアホール７Ｈを打抜き形成する。次いで、グリーンシート４Ｓに金属ペーストを用いたスクリーン印刷を複数回施し、ビアホール７Ｈの中に金属ペーストを充填し、金属ペーストからなるビアパターン７Ｆを形成する。次いで、金属ナノ微粒子を水系溶媒に分散させたパターン形成材料としての金属インクＦ（本実施形態では、水系銀インク）を用いて、グリーンシート４Ｓの上面（以下単に、パターン形成面４Ｓａという。）にインクジェット印刷を施す。
【００３６】
詳述すると、パターン形成面４Ｓａであって、回路素子５及び内部配線６を形成するための領域（以下単に、パターン形成領域という。）に金属インクＦの液滴Ｆｂ（図５参照）を吐出し、パターン形成領域に着弾した液滴Ｆｂを乾燥する。そして、この吐出動作と乾燥動作とを繰り返し、パターン形成領域に対応する素子パターン５Ｆ及び配線パターン６Ｆを描画する。この際、パターン形成領域に着弾した液滴Ｆｂの乾燥は、着弾した液滴Ｆｂにレーザ光を照射することによって行う。
【００３７】
グリーンシート４Ｓに素子パターン５Ｆ、配線パターン６Ｆ及びビアパターン７Ｆを形成すると、複数のグリーンシート４Ｓを一括して積層し、ＬＴＣＣ多層基板２に対応する領域を積層体４Ｂとして切り出して焼成する。すなわち、グリーンシート４Ｓ、素子パターン５Ｆ、配線パターン６Ｆ及びビアパターン７Ｆを一括積層し、同時に焼成する。これによって、絶縁層４、回路素子５、内部配線６及びビア配線７を有したＬＴＣＣ多層基板２が形成される。
【００３８】
次に、上記素子パターン５Ｆ及び配線パターン６Ｆを描画するための液滴吐出装置１０について図３に従って説明する。図３は、液滴吐出装置１０を示す全体斜視図である。
図３において、液滴吐出装置１０は、直方体形状に形成された基台１１を備えている。基台１１の上面には、その長手方向（Ｙ矢印方向）に沿って延びる一対の案内溝１２が形成されている。案内溝１２の上方には、案内溝１２に沿ってＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に移動するステージ１３が備えられている。ステージ１３の上面には、載置部１４が形成され、上記パターン形成面４Ｓａを上側にしたグリーンシート４Ｓを載置する。載置部１４は、載置された状態のグリーンシート４Ｓをステージ１３に対して位置決め固定し、グリーンシート４ＳをＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に搬送する。尚、本実施形態では、図３において、Ｙ矢印方向を走査方向と定義する。また、グリーンシート４Ｓの走査方向に沿う搬送速度を、走査速度Ｖｙと定義する。
【００３９】
基台１１には、その走査方向と直交するＸ矢印方向両側に、門型に形成されたガイド部材１６が基台１１を跨ぐように架設されている。ガイド部材１６の上側には、Ｘ矢印方向に延びるインクタンク１７が配設されている。インクタンク１７は、液状体としての金属インクＦを貯留し、下方に配設される液滴吐出ヘッド（以下単に、吐出ヘッドという。）２１に、それぞれ所定の圧力で金属インクＦを供給する。
【００４０】
ここで、金属インクＦは、パターン形成材料としての金属微粒子、例えば粒径が数ｎｍの金属微粒子を溶媒に分散させた分散系金属インクを用いることができる。
金属インクＦに使用する金属微粒子としては、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、パラジウム（Ｐｄ）、マンガン（Ｍｎ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、及びニッケル（Ｎｉ）などの材料の他、これらの酸化物、並びに超電導体の微粒子などが用いられる。金属微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと吐出ヘッド２１の吐出ノズルＮに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと金属微粒子に対する分散剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００４１】
分散媒としては、上記の金属微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば水系溶媒のほか、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、グリセリン、1，３−プロパンジオールなどのポリオール類、ポリエチレングリコール、エチレング
リコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノン、乳酸エチルなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００４２】
例えば、水（沸点１００℃）４０％、エチレングリコール（沸点１９８℃）４０％、ポリエチレングリコール＃１０００（分解温度１６８℃）３０％からなる水系溶媒に、銀（Ａｇ）の粒子を分散させた金属インクＦが考えられる。また、テトラデカン（沸点２５３℃）からなる溶媒に、金属微粒子（Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｍｎなどの粒子）を分散させた金属インクＦが考えられる。
【００４３】
ガイド部材１６の反Ｙ矢印方向側には、そのＸ矢印方向略全幅にわたって、Ｘ矢印方向に延びる上下一対のガイドレール１８が形成されている。一対のガイドレール１８には、キャリッジ２０が取り付けられ、ガイドレール１８に沿ってＸ矢印方向及び反Ｘ矢印方向に移動（フィード）する。キャリッジ２０の底面２０ａであって、その走査方向略中央には、吐出ヘッド２１が搭載されている。図４は、吐出ヘッド２１を下側（グリーンシート４Ｓ側）から見た斜視図であって、図５は、図４の５−５線断面図である。図６は、キャリッジ２０を説明する説明図である。
【００４４】
図４において、吐出ヘッド２１は、Ｘ矢印方向に延びる直方体形状に形成されている。吐出ヘッド２１の下側（グリーンシート４Ｓ側：図４の上側）には、ノズルプレート２２
が備えられている。ノズルプレート２２は、Ｘ矢印方向に延びる板状に形成され、その下面（図４の上面）には、ノズル形成面２２ａが形成されている。ノズル形成面２２ａは、グリーンシート４Ｓのパターン形成面４Ｓａと略平行に形成され、グリーンシート４Ｓが吐出ヘッド２１の直下に位置するときに、ノズル形成面２２ａとパターン形成面４Ｓａとの間の距離（プラテンギャップ）を所定の距離（本実施形態では、３００μｍ）に保持する。そのノズル形成面２２ａには、ノズル形成面２２ａの法線方向に貫通形成された複数のノズルＮがＸ矢印方向に沿って配列されている。
【００４５】
図５において、各ノズルＮの上側には、それぞれインクタンク１７に連通するキャビティ２３が形成されている。キャビティ２３は、インクタンク１７からの金属インクＦを対応するノズルＮに供給する。各キャビティ２３の上側には、上下方向に振動してキャビティ２３内の容積を拡大及び縮小する振動板２４が貼り付けられている。振動板２４の上側には、ノズルＮに対応する複数の圧電素子ＰＺが配設されている。各圧電素子ＰＺは、それぞれ上下方向に収縮及び伸張して対応する振動板２４の領域を上下方向に振動し、対応するノズルＮから金属インクＦを所定容量（本実施形態では、１０ｐｌ）の液滴Ｆｂにして吐出する。液滴Ｆｂは、対応するノズルＮの反Ｚ矢印方向に飛行し、対向するパターンであって、各ノズルＮの反Ｚ矢印方向に対応する位置、すなわち液滴Ｆｂの着弾する位置を、それぞれ着弾位置Ｐと定義する。
【００４６】
着弾する液滴Ｆｂは、グリーンシート４Ｓが走査方向に走査される間に、パターン形成面４Ｓａに沿って濡れ広がり、やがて、先行して着弾した液滴Ｆｂと接合する。接合する各液滴Ｆｂは、走査方向に沿って延びる液状膜ＦＬを形成し、その頂部表面の全体にわたってパターン形成面４Ｓａと略平行な液面ＦＬａを形成する。
【００４７】
本実施形態では、着弾した液滴Ｆｂが液状膜ＦＬを形成するまでに要する時間を、照射待機時間Ｔｙと定義する。また、この照射待機時間Ｔｙの間に液滴Ｆｂの走査される距離を、照射待機距離ＷＦ（＝走査速度Ｖｙ×照射待機時間Ｔｙ）と定義する。
【００４８】
また、本実施形態では、液面ＦＬａ上の位置であって、各着弾位置Ｐから走査方向に照射待機距離ＷＦだけ離間する位置を、それぞれ照射位置Ｐ１と定義する。
図６において、キャリッジ２０の底面２０ａであって、吐出ヘッド２１の走査方向（Ｙ矢印方向）には、キャリッジ２０の内部にまでを貫通する第１出射孔Ｈ１が形成されている。第１出射孔Ｈ１は、そのＸ矢印方向の幅が吐出ヘッド２１のＸ矢印方向の幅と略同じサイズで形成されている。その第１出射孔Ｈ１の上側には、第１レーザ出力手段としての第１半導体レーザＬＤ１が配設されている。
【００４９】
第１半導体レーザＬＤ１は、第１出射孔Ｈ１のＸ矢印方向略全幅に広がる帯状のコリメートされたレーザ光を下方に向けて出射する。第１半導体レーザＬＤ１の出射するレーザ光の波長は、金属インクＦに対して吸収率が高い領域の波長に設定されている。即ち、第１半導体レーザＬＤ１は、液状膜ＦＬに照射し、該液状膜ＦＬを乾燥させるためのレーザ光を出射するものである。
【００５０】
詳述すると、金属インクＦに対して吸収率の高いと、該金属インクＦに第１半導体レーザＬＤ１のレーザ光（第１照射光Ｌｅ１）が照射されると、図７（ａ）に示すように、第１半導体レーザＬＤ１のレーザ光は、金属インクＦの液滴Ｆｂの表面で吸収が起こって内部に光子（フォトン）が届かず、表面の金属微粒子だけに運動を伝える。言い換えると、液滴Ｆｂの表面部分の金属微粒子は光子（フォトン）から運動エネルギーを集中して受けることから個々の金属微粒子は大きな運動エネルギーを受けることになり、金属微粒子同士が衝突を起こす。そして、この衝突が熱に変わり、液滴Ｆｂを乾燥させる。
【００５１】
一方、金属インクＦに対して吸収率が低いと、内部まで届くようになり、内部全体の金属微粒子に運動量エネルギーを伝える。その結果、各金属微粒子がレーザ照射方向に移動し金属インクＦを移動させる。
【００５２】
レーザ光の吸収率は、金属インクＦの濃度に依存する。ここで、濃度Ｃ、吸光係数ε、液滴Ｆｂの長さＬ、透過度Ｔ、吸光度Ｅとすると、
【数１】
2008194617.tif 000003
【数２】
2008194617.tif 000004
となる。このとき、Ｃ≒Ｅ／εＬの場合には、光子が液滴全体に行き渡って液滴Ｆｂの移動が起こる。また、Ｃ＞＞Ｅ／εＬの場合には、光子が液滴表面しか届かず液滴Ｆｂの乾燥が起こる。さらに、Ｃ＜＜Ｅ／εＬの場合には、光子が液滴を素通りしてなにも起こらない。
【００５３】
そして、本実施形態では、金属インクＦに対して吸収率が高く乾燥に適した領域の第１半導体レーザＬＤ１のレーザ光の波長を、予め実験等で求め、本実施形態では、その波長を、８００ｎｍに設定している。
【００５４】
第１出射孔Ｈ１の内部には、第１照射手段を構成する第１シリンドリカルレンズ２５ａが配設されている。第１シリンドリカルレンズ２５ａは、Ｙ矢印方向にのみ曲率を有するレンズであり、レンズ面のＸ矢印方向の幅が吐出ヘッド２１のＸ矢印方向の幅と同じサイズで形成されている。第１シリンドリカルレンズ２５ａは、第１半導体レーザＬＤ１がレーザ光を出射するときに、そのレーザ光の走査方向に沿う成分のみを収束し、第１照射光Ｌｅ１として下方に出射する。
【００５５】
第１出射孔Ｈ１の下側には、キャリッジ２０の下方に延びる第１照射手段を構成する第１ミラーステージ２６ａと、第１ミラーステージ２６ａに回動可能に支持された第１照射手段を構成する第１反射ミラー２７ａとが配設されている。第１ミラーステージ２６ａは、Ｘ矢印方向に沿う回動軸を中心にして第１反射ミラー２７ａを回動可能に支持する。
【００５６】
第１反射ミラー２７ａは、第1シリンドリカルレンズ２５ａ側に反射面２７ｍａを有し
た平面ミラーであって、反射面２７ｍａのＸ矢印方向の幅が吐出ヘッド２１のＸ矢印方向の幅と同じサイズで形成されている。第1反射ミラー２７ａは、第1半導体レーザＬＤ１がレーザ光を出射するときに、第1シリンドリカルレンズ２５ａからの第１照射光Ｌｅ１を
パターン形成面４Ｓａの略接線方向（略反走査方向）に沿って反射する。第1反射ミラー
２７ａは、反射する第１照射光Ｌｅ１が全ての照射位置Ｐ１に収束するように照射する。
【００５７】
照射位置Ｐ１を照射する帯状の第１照射光Ｌｅ１は、金属インクＦへの吸収率は高い領域の波長であることから、液面ＦＬａを透過し、液状膜ＦＬに吸収されて液状膜ＦＬの乾燥を開始させる。詳述すると、吸収率が高いと、液状膜ＦＬの表面に近い部分の金属微粒子に第１照射光Ｌｅ１（光子）の運動量が伝達される。即ち、その近い部分の金属微粒子同士が衝突を起こして熱に変わり乾燥が開始される。
【００５８】
図６において、キャリッジ２０の底面２０ａであって、吐出ヘッド２１の反走査方向（反Ｙ矢印方向）には、キャリッジ２０の内部にまでを貫通する第２出射孔Ｈ２が形成されている。第２出射孔Ｈ２は、そのＸ矢印方向の幅が吐出ヘッド２１のＸ矢印方向の幅と略同じサイズで形成されている。その第２出射孔Ｈ２の上側には、第２レーザ出力手段としての第２半導体レーザＬＤ２が配設されている。
【００５９】
第２半導体レーザＬＤ２は、第２出射孔Ｈ２のＸ矢印方向略全幅に広がる帯状のコリメートされたレーザ光を下方に向けて出射する。第２半導体レーザＬＤ２の出射するレーザ光の波長は、金属インクＦに対して吸収率が低い領域の波長に設定されている。
【００６０】
詳述すると、金属インクＦに対して吸収率の低いと、該金属インクＦに第２半導体レーザＬＤ２のレーザ光（第２照射光Ｌｅ２）が照射されると、図７（ｂ）に示すように、第２半導体レーザＬＤ２のレーザ光は、前記したように、内部まで届くようになり、内部全体の金属微粒子に運動量エネルギーを伝える。言い換えると、液滴Ｆｂの内部全体の金属微粒子まで運動量エネルギーが満遍なく伝達されることから、各金属粒子は、金属微粒子同士が衝突して熱に変わるまでの大きな運動量エネルギーを得られず、その金属微粒子は液滴Ｆｂを第２照射光Ｌｅ２の進行方向に沿った方向に並進運動を起すための運動をする。
【００６１】
そして、本実施形態では、金属インクＦに対して吸収率が低く並進運動を起すに適した領域の第２半導体レーザＬＤ２のレーザ光の波長を、予め実験等で求め、本実施形態では、その波長を１０００ｎｍに設定している。
【００６２】
そして、本実施形態の第２半導体レーザＬＤ２は、液状膜ＦＬに照射し、該液状膜ＦＬを移動、即ち、この場合、照射位置Ｐ１で第１半導体レーザＬＤ１のレーザ光（第１照射光Ｌｅ１）にて液状膜ＦＬを乾燥させる時、第１照射光Ｌｅ１が入射する液状膜ＦＬの部分を平坦化するとともに、その照射位置Ｐ１で乾燥される部分の液状膜ＦＬが第１照射光Ｌｅ１による乾燥中に該第１照射光Ｌｅ１の照射方向に移動しないように保持する。
【００６３】
第２出射孔Ｈ２の内部には、第２照射手段を構成する第２シリンドリカルレンズ２５ｂが配設されている。第２シリンドリカルレンズ２５ｂは、Ｙ矢印方向にのみ曲率を有するレンズであり、レンズ面のＸ矢印方向の幅が吐出ヘッド２１のＸ矢印方向の幅と同じサイズで形成されている。第２シリンドリカルレンズ２５ｂは、第２半導体レーザＬＤ２がレーザ光を出射するときに、そのレーザ光の走査方向に沿う成分のみを収束し、第２照射光Ｌｅ２として下方に出射する。
【００６４】
第２出射孔Ｈ２の下側には、キャリッジ２０の下方に延びる第２照射手段を構成する第２ミラーステージ２６ｂと、第２ミラーステージ２６ｂに回動可能に支持された第２照射手段を構成する第２反射ミラー２７ｂとが配設されている。第２ミラーステージ２６ｂは、Ｘ矢印方向に沿う回動軸を中心にして第２反射ミラー２７ｂを回動可能に支持する。
【００６５】
第２反射ミラー２７ｂは、第２シリンドリカルレンズ２５ｂ側に反射面２７ｍｂを有した平面ミラーであって、反射面２７ｍｂのＸ矢印方向の幅が吐出ヘッド２１のＸ矢印方向
の幅と同じサイズで形成されている。第２反射ミラー２７ｂは、第２半導体レーザＬＤ２がレーザ光を出射するときに、第２シリンドリカルレンズ２５ｂからの第２照射光Ｌｅ２をパターン形成面４Ｓａの略接線方向（略反走査方向）に沿って反射する。第２反射ミラー２７ｂは、反射する第２照射光Ｌｅ２が全ての照射位置Ｐ１に収束するように照射する。
【００６６】
照射位置Ｐ１を照射する帯状の第２照射光Ｌｅ２は、金属インクＦへの吸収率が低い領域の波長であることから、その照射位置Ｐ１部分の液状膜ＦＬを第２照射光Ｌｅ２の進行方向に沿った方向に移動させる運動を付与する。従って、帯状の第２照射光Ｌｅ２が入射する液状膜ＦＬの部分（照射位置Ｐ１）は、該第２照射光Ｌｅ２によって平坦化される。
【００６７】
また、第１照射光Ｌｅ１が照射されて液状膜ＦＬ（液滴Ｆｂ）は、第２照射光Ｌｅ２の照射によって、第１照射光Ｌｅ１の照射方向への流動（移動）が規制されてその場において確実に乾燥し、乾燥不足のない層パターンＦＰを形成する。そして、この層パターンＦＰを順に積層させることによって、素子パターン５Ｆ及び配線パターン６Ｆを形成することができ、その形成不良を低減させることができる。
【００６８】
次に、上記のように構成した液滴吐出装置１０の電気的構成を図８に従って説明する。
図８において、制御手段としての制御装置４０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭなどを有し、格納された各種データ及び各種制御プログラムに従って、ステージ１３及びキャリッジ２０を移動させるとともに、第1半導体レーザＬＤ１、第2半導体レーザＬＤ２及び各圧電素子ＰＺを駆動制御する。
【００６９】
制御装置４０には、起動スイッチ、停止スイッチなどの操作スイッチを有した入力装置４１が接続されている。入力装置４１は、描画平面（パターン形成面４Ｓａ）に対するパターン形成領域（層パターンＦＰ）の位置座標に関する情報を既定形式の描画情報Ｉａとして制御装置４０に入力する。制御装置４０は、入力装置４１からの描画情報Ｉａを受けて、ビットマップデータＢＭＤを生成する。
【００７０】
ビットマップデータＢＭＤは、各ビットの値（０あるいは１）に応じて各圧電素子ＰＺのオンあるいはオフを規定するデータである。ビットマップデータＢＭＤは、吐出ヘッド２１の通過する描画平面（パターン形成面４Ｓａ）上の各位置に、それぞれ液滴Ｆｂを吐出するか否かを規定するデータである。すなわち、ビットマップデータＢＭＤは、パターン形成領域に規定される各目標位置に液滴Ｆｂを吐出させるためのものである。
【００７１】
制御装置４０には、Ｘ軸モータ駆動回路４２が接続されて、Ｘ軸モータ駆動回路４２に対応する駆動制御信号を出力する。Ｘ軸モータ駆動回路４２は、制御装置４０からの駆動制御信号に応答し、キャリッジ２０を移動させるためのＸ軸モータＭＸを正転又は逆転させる。Ｘ軸モータ駆動回路４２には、Ｘ軸エンコーダＸＥが接続されて、Ｘ軸エンコーダＸＥからの検出信号が入力される。Ｘ軸モータ駆動回路４２は、Ｘ軸エンコーダＸＥからの検出信号に基づいて、パターン形成面４Ｓａに対するキャリッジ２０（各着弾位置Ｐ）の移動方向及び移動量に関する信号を生成し、制御装置４０に出力する。
【００７２】
制御装置４０には、Ｙ軸モータ駆動回路４３が接続されて、Ｙ軸モータ駆動回路４３に対応する駆動制御信号を出力する。Ｙ軸モータ駆動回路４３は、制御装置４０からの駆動制御信号に応答し、ステージ１３を移動させるためのＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させる。すなわち、制御装置４０は、Ｙ軸モータ駆動回路４３を介して、照射待機時間Ｔｙの間にステージ１３（パターン形成面４Ｓａ）を照射待機距離ＷＦだけ走査し、照射位置Ｐ１に位置する液滴Ｆｂに液状膜ＦＬを形成させる。
【００７３】
Ｙ軸モータ駆動回路４３には、Ｙ軸エンコーダＹＥが接続されて、Ｙ軸エンコーダＹＥからの検出信号が入力される。Ｙ軸モータ駆動回路４３は、Ｙ軸エンコーダＹＥからの検出信号に基づいて、ステージ１３（パターン形成面４Ｓａ）の移動方向及び移動量に関する信号を生成し、制御装置４０に出力する。制御装置４０は、Ｙ軸モータ駆動回路４３からの信号に基づいて、パターン形成面４Ｓａに対する着弾位置Ｐの相対位置を演算し、目標位置が対応する着弾位置Ｐに位置するたびに吐出タイミング信号ＬＰを出力する。
【００７４】
制御装置４０には、第1半導体レーザ駆動回路４４が接続されて、描画動作を開始する
ときに描画開始信号Ｓ１を出力し、描画動作を終了するときに描画終了信号Ｓ２を出力する。第1半導体レーザ駆動回路４４は、制御装置４０からの描画開始信号Ｓ１を入力して
第1半導体レーザＬＤ１にレーザ光を出射させ、制御装置４０からの描画終了信号Ｓ２を
入力して第1半導体レーザＬＤ１にレーザ光の出射を停止させる。すなわち、制御装置４
０は、第1半導体レーザ駆動回路４４を介して、描画動作の間に第1半導体レーザＬＤ１を駆動制御し、レーザ光の照射動作を行う。
【００７５】
制御装置４０には、第２半導体レーザ駆動回路４５が接続されて、描画動作を開始するときに描画開始信号Ｓ１を出力し、描画動作を終了するときに描画終了信号Ｓ２を出力する。第２半導体レーザ駆動回路４５は、制御装置４０からの描画開始信号Ｓ１を入力して第２半導体レーザＬＤ２にレーザ光を出射させ、制御装置４０からの描画終了信号Ｓ２を入力して第２半導体レーザＬＤ２にレーザ光の出射を停止させる。すなわち、制御装置４０は、第２半導体レーザ駆動回路４５を介して、描画動作の間に第２半導体レーザＬＤ２を駆動制御し、レーザ光の照射動作を行う。
【００７６】
制御装置４０には、吐出ヘッド駆動回路４６が接続されて、各圧電素子ＰＺを駆動するための圧電素子駆動電圧ＣＯＭを前記吐出タイミング信号ＬＰと同期させて出力する。また、制御装置４０は、ビットマップデータＢＭＤに基づいて、所定のクロック信号に同期した吐出制御信号ＳＩを生成し、吐出制御信号ＳＩを吐出ヘッド駆動回路４６にシリアル転送する。吐出ヘッド駆動回路４６は、制御装置４０からの吐出制御信号ＳＩを各圧電素子ＰＺに対応させて順次シリアル／パラレル変換する。吐出ヘッド駆動回路４６は、制御装置４０からの吐出タイミング信号ＬＰを受けるたびに、シリアル／パラレル変換した吐出制御信号ＳＩをラッチし、選択される各圧電素子ＰＺにそれぞれ圧電素子駆動電圧ＣＯＭを供給する。
【００７７】
次に、液滴吐出装置１０を使用して素子パターン５Ｆ及び配線パターン６Ｆを描画する方法について説明する。 
まず、図３に示すように、パターン形成面４Ｓａが上側になるようにグリーンシート４Ｓをステージ１３に載置する。このとき、ステージ１３は、グリーンシート４Ｓをキャリッジ２０の反走査方向に配置する。
【００７８】
この状態から、描画情報Ｉａが入力装置４１から制御装置４０に入力され、制御装置４０が描画情報Ｉａに基づいたビットマップデータＢＭＤを生成して格納する。次いで、グリーンシート４Ｓが走査されるときに、目標位置が対応する着弾位置Ｐを通過するように、制御装置４０が、Ｘ軸モータ駆動回路４２を介してキャリッジ２０（吐出ヘッド３１）を所定の位置に配置移動する。キャリッジ２０が配置移動すると、制御装置４０が、Ｙ軸モータ駆動回路４３を介してグリーンシート４Ｓの走査（スキャン）を開始する。
【００７９】
グリーンシート４Ｓの走査を開始すると、制御装置４０が、ビットマップデータＢＭＤに基づいて生成した吐出制御信号ＳＩを吐出ヘッド駆動回路４５に出力する。
また、グリーンシート４Ｓの走査を開始すると、目標位置が対応する着弾位置Ｐに位置するたびに、制御装置４０が、吐出タイミング信号ＬＰを吐出ヘッド駆動回路４５に出力
する。そして、吐出タイミング信号ＬＰを出力するたびに、制御装置４０は、吐出ヘッド駆動回路４６を介して、吐出制御信号ＳＩに基づいて液滴Ｆｂを吐出するためのノズルＮを選択し、選択したノズルＮに対応する着弾位置Ｐ、すなわち目標位置に向けて液滴Ｆｂを吐出する。吐出された各液滴Ｆｂは、それぞれパターン形成面４Ｓａ上の対応する目標位置に着弾する。各目標位置に着弾する液滴Ｆｂは、それぞれ走査方向に照射待機距離ＷＦだけ走査されると、照射位置Ｐ１の近傍で先行する液滴Ｆｂと接合し、走査方向に延びる液状膜ＦＬを形成する。
【００８０】
また、グリーンシート４Ｓの走査を開始すると、制御装置４０が、描画開始信号Ｓ１を第1及び第２半導体レーザ駆動回路４４，４５にそれぞれ出力し、第１及び第２半導体レ
ーザＬＤ１，ＬＤ２からそれぞれレーザ光を出射する。
【００８１】
第１及び第２半導体レーザＬＤ１，ＬＤ２がレーザ光を出射すると、第１及び第２反射ミラー２７ａ，２７ｂが、対応する第１及び第２半導体レーザＬＤ１，ＬＤ２からのレーザ光をそれぞれ反射する。そして、第１半導体レーザＬＤ１からのレーザ光は、略反走査方向に沿う第１照射光Ｌｅ１として照射位置Ｐ１を照射する。一方、第２半導体レーザＬＤ２からのレーザ光は、略走査方向に沿う第２照射光Ｌｅ２として照射位置Ｐ１を照射する。
【００８２】
従って、照射位置Ｐ１の液状膜ＦＬは、第２照射光Ｌｅ２によって第１照射光Ｌｅ１の照射方向への移動を規制された状態で、第１照射光Ｌｅ１によって乾燥を開始する。この結果、液状膜ＦＬは、第２照射光Ｌｅ２によって平坦化されながらその場において確実に乾燥されるため、乾燥不足のない平坦な層パターンＦＰとなる。そして、この層パターンＦＰを順に積層させることによって、素子パターン５Ｆ及び配線パターン６Ｆを形成することができ、その形成不良を低減させることができる。
【００８３】
次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、液状膜ＦＬを乾燥させるための金属インクＦに対して吸収率が高い波長のレーザ光（第１照射光Ｌｅ１）を出射する第１半導体レーザＬＤ１と、液状膜ＦＬを移動させることができる金属インクＦに対して吸収率が低い波長のレーザ光（第２照射光Ｌｅ２）を出射する第２半導体レーザＬＤ２を備えた。
【００８４】
そして、第２照射光Ｌｅ２によって、液状膜ＦＬを第１照射光Ｌｅ１の照射方向と反対方向への移動を付与して、乾燥用の第１照射光Ｌｅ１による該第１照射光Ｌｅ１の照射方向への移動を規制、即ち、配置位置制御する。また、第２照射光Ｌｅ２によって、第１照射光Ｌｅ１が入射する液状膜ＦＬの部分（照射位置Ｐ１）を平坦化する。
【００８５】
従って、液状膜ＦＬを第１照射光Ｌｅ１によって液状膜ＦＬを乾燥させる場合、液状膜ＦＬは、平坦化されながらその位置において確実に乾燥される。その結果、乾燥不足もなく高精細、高精密な層パターンＦＰ（素子パターン５Ｆ、配線パターン６Ｆ）を形成することができる。
【００８６】
また、層パターンＦＰは、その端部に乾しみ上がりがなく平坦なパターンを形成することができる。さらに、キャリッジ２０をフィードし新たな位置でスキャンする場合に、先のスキャンで乾燥された層パターンＦＰと新たに配置される液状膜ＦＬとの境（繋ぎ目）を平坦にして該液状膜ＦＬを乾燥させることができる。
【００８７】
（２）上記実施形態によれば、第１照射光Ｌｅ１の照射位置Ｐ１への照射方向（上から見て反Ｙ矢印方向）と、第２照射光Ｌｅ２の照射位置Ｐ１への照射方向（上からみてＹ矢印方向）が、上方から見て相対向するようにした。照射位置Ｐ１上の液状膜ＦＬの流動は
第１照射光Ｌｅ１及び第２照射光Ｌｅ２のパワー又は出射タイミングだけで簡単に制御できる。
【００８８】
（３）上記実施形態によれば、第１半導体レーザＬＤ１と第２半導体レーザＬＤ２に対して、それぞれ別々の駆動回路４４，４５を設けた。従って、第１照射光Ｌｅ１及び第２照射光Ｌｅ２のパワーや出射タイミングがそれぞれ独立して制御できる。その結果、乾燥と配置位置制御が自由に制御でき、より最適な乾燥を実施できる。よって、パターンの形成不良を、より確実に解消させることができる。
【００８９】
（４）上記実施形態によれば、キャリッジ２０が、吐出ヘッド２１、第１及び第２半導体レーザＬＤ１，ＬＤ２、第１及び第２シリンドリカルレンズ２５ａ，２５ｂ、第１及び第２反射ミラー２７ａ，２７ｂを搭載する。
【００９０】
よって、液滴Ｆｂの着弾位置Ｐ（液状膜ＦＬ）に対して、第１照射光Ｌｅ１及び第２照射光Ｌｅ２の相対位置を維持させることができる。この結果、第１照射光Ｌｅ１及び第２照射光Ｌｅ２を、より高い再現性の下で、液状膜ＦＬの照射位置Ｐ１に照射させることができる。そのため、素子パターン５Ｆと配線パターン６Ｆの乾燥状態を安定させることができ、回路素子５と内部配線６の形成不良を、さらに低減させることができる。
【００９１】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○上記実施形態では、液滴Ｆｂを吐出して順次新たな場所に液状膜ＦＬを形成しながら、第１照射光Ｌｅ１及び第２照射光Ｌｅ２を照射し液状膜ＦＬを乾燥した。これに代えて、ステージ１３とキャリッジ２０を相対移動させて、まず、吐出ヘッド２１にてグリーンシート４Ｓのパターン形成面４Ｓａに、所定のパターンの液状膜ＦＬを形成する。そして、次に、再び、ステージ１３とキャリッジ２０を相対移動させて、先のグリーンシート４Ｓに形成した所定のパターンの液状膜ＦＬに対して、第１照射光Ｌｅ１及び第２照射光Ｌｅ２を照射し該液状膜ＦＬを乾燥させるようにしてもよい。
【００９２】
このとき、第１照射光Ｌｅ１及び第２照射光Ｌｅ２を同時に照射して乾燥させる方法以外に、まず、ステージ１３とキャリッジ２０を相対移動させて、第２照射光Ｌｅ２だけを使って、グリーンシート４Ｓに形成した所定のパターンの液状膜ＦＬの液面ＦＬａをならして全体を平坦化にした後に、次に、ステージ１３とキャリッジ２０を相対移動させて、第１照射光Ｌｅ１を使って、液状膜ＦＬを乾燥させるようにしてもよい。
【００９３】
○上記実施形態では、金属インクＦへの吸収率が低い領域の波長の第１照射光Ｌｅ１と金属インクＦへの吸収率が低い領域の波長の第２照射光Ｌｅ２とを、使用して乾燥させた。これを、第１照射光Ｌｅ１及び第２照射光Ｌｅ２とも、金属インクＦへの吸収率が低い領域の波長のレーザ光であってもよい。勿論同じ波長であってもよい。この場合、液状膜ＦＬの照射位置Ｐ１部分の金属インクＦは、第１照射光Ｌｅ１及び第２照射光Ｌｅ２にて、それぞれ反対方向の運動エネルギーを受けることによって、液状膜ＦＬ（液滴Ｆｂ）は移動することなく金属微粒子は大きな運動エネルギーを受けることになり、金属微粒子同士が衝突を起こす。そして、この衝突が熱に変わり、液状膜ＦＬ（液滴Ｆｂ）を乾燥させる。
【００９４】
このような場合、１つの半導体レーザ（例えば、上記実施形態では、第２半導体レーザＬＤ２）のレーザ光を、例えば、ハーフミラーで、２つの照射光に分けて、その２つの照射光を液状膜ＦＬに照射して乾燥させるようにしてもよい。また、１つの半導体レーザ（上記実施形態では、第２半導体レーザＬＤ２）のレーザ光が液状膜ＦＬに照射したとき、その反射光を凹面鏡で反射させて再び液状膜ＦＬに照射するようにしてもよい。
【００９５】
○上記実施形態では、パターン形成装置としての液滴吐出装置１０のキャリッジ２０に、吐出ヘッド２１とともに第１半導体レーザＬＤ１や第２半導体レーザＬＤ２等を搭載した。これを、液滴吐出装置１０において、吐出ヘッド２１だけを搭載した第１キャリッジの他に、第１半導体レーザＬＤ１や第２半導体レーザＬＤ２等を搭載した第２のキャリッジを備えて実施してもよい。
【００９６】
また、第１半導体レーザＬＤ１や第２半導体レーザＬＤ２等を、液状膜ＦＬを乾燥する手段は、液滴吐出装置に設けないで、第１半導体レーザＬＤ１や第２半導体レーザＬＤ２等を搭載した専用のレーザ乾燥装置を設けて実施してもよい。この場合、液滴吐出装置とレーザ乾燥装置でパターン形成装置となる。
【００９７】
○上記実施形態では、複数の液滴Ｆｂからなる液状膜ＦＬに、共通する第１照射光Ｌｅ１と共通する第２照射光Ｌｅ２とを照射する構成にした。これに限らず、例えば第１半導体レーザＬＤ１からのレーザ光を各ノズルＮに対応させて分割するとともに、第２半導体レーザＬＤ２からのレーザ光を各ノズルＮに対応させて分割する。そして、複数の第１照射光Ｌｅ１と複数の第２照射光Ｌｅ２とを、液状膜ＦＬ（各液滴Ｆｂ）に照射する構成にしてもよい。あるいは、第１半導体レーザＬＤ１及び第２半導体レーザＬＤ２をそれぞれノズルＮの数量分だけ配設し、複数の第１照射光Ｌｅ１と複数の第２照射光Ｌｅ２とを液状膜ＦＬ（各液滴Ｆｂ）に照射する構成にしてもよい。すなわち、各液滴Ｆｂに対応する第１照射光Ｌｅ１及び第２照射光Ｌｅ２を、それぞれ対応する液滴Ｆｂの領域に照射する構成にしてもよい。
【００９８】
○上記実施形態では、第１照射光Ｌｅ１及び第２照射光Ｌｅ２は、ともに帯状（ライン状）のレーザビームであったが、スポット状のレーザビームで実施してもよい。
○上記実施形態では、複数のノズルＮを、Ｘ矢印方向に沿って一列だけ配列する構成にした。これに限らず、例えば、複数のノズルＮを、Ｘ矢印方向に沿って二列だけ配列する構成にしてもよい。
【００９９】
○上記実施形態では、第１照射手段を、第1シリンドリカルレンズ２５ａ及び第1反射ミラー２７ａにて具体化するとともに、第２照射手段を、第２シリンドリカルレンズ２５ｂ及び第２反射ミラー２７ｂにて具体化した。これに限らず、第１及び第２照射手段を、それぞれ第1及び第2シリンドリカルレンズ２５ａ，２５ｂのみで構成し、シリンドリカルレンズ２５ａ，２５ｂの出射するレーザ光を液状膜ＦＬに直接照射するようにしてもよい。つまり、第１及び第2照射手段は、レーザ光源の出射したレーザ光を液滴の領域に照射す
るものであればよい。
【０１００】
○上記実施形態では、描画情報Ｉａに基づいてビットマップデータＢＭＤを生成する構成にした。これに限らず、予め外部装置で生成したビットマップデータＢＭＤを入力装置４１から制御装置４０に入力する構成にしてもよい。
【０１０１】
○上記実施形態では、液滴吐出ヘッドを、圧電素子駆動方式の液滴吐出ヘッド２１に具体化した。これに限らず、液滴吐出ヘッドを、抵抗加熱方式や静電駆動方式の吐出ヘッドに具体化してもよい。
【０１０２】
○上記実施形態では、回路素子５と内部配線６とをインクジェット法で形成する構成にした。これに限らず、比較的に微細な回路素子５あるいは内部配線６のみを、上記するインクジェット法によって形成する構成であってもよい。
【０１０３】
○上記実施形態では、パターン形成材料を、金属インクに具体化した。これに限らず、例えば、パターン形成材料を、絶縁膜材料や、レジスト、保護膜、表示装置等に使用され
るカラーフィルタ、透明電極（ＩＴＯ膜）、液晶表示装置の液晶や配向膜、有機ＥＬ表示装置の発光層、電子輸送層、正孔輸送層等の有機材料を分散又は溶解した液状体に具体化してもよい。つまり、パターン形成材料は、レーザ光を受けて乾燥し、固相のパターンを形成する材料であればよい。
【０１０４】
○上記実施形態では、パターンを、素子パターン５Ｆ及び配線パターン６Ｆに具体化した。これに限らず、パターンを、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、平面状の電子放出素子を備えた電界効果型表示装置（ＦＥＤやＳＥＤなど）などに備えられる各種金属配線に具体化してもよい。あるいは、パターンを、複数の線パターンやドットパターンからなる識別コードに具体化してもよい。つまり、パターンは、乾燥した液滴によって形成されるパターンであればよい。
【０１０５】
○上記実施形態では、第１照射光Ｌｅ１及び第２照射光Ｌｅ２の照射タイミングについて、特に限定していないが、第２照射光Ｌｅ２の照射タイミングは、液状膜ＦＬ（液滴Ｆｂ）が乾燥し、流動性がなくなる前であるならば、種々のパターン形成に応じて適宜変更して実施してもよい。
【０１０６】
○上記実施形態では、第１照射光Ｌｅ１及び第２照射光Ｌｅ２のパワーについて特に限定していないが、液状膜ＦＬ（液滴Ｆｂ）の乾燥に応じて、第１照射光Ｌｅ１及び第２照射光Ｌｅ２のパワーを適宜変更して実施してもよい。
【０１０７】
○上記実施形態では、第１照射光Ｌｅ１及び第２照射光Ｌｅ２の照射位置Ｐ１は、同じであったが、異なる位置であってもよい。第２照射光Ｌｅ２が照射される部分（位置）を該第２照射光Ｌｅ２で照射することによって、第１照射光Ｌｅ１が照射される部分（第２照射光Ｌｅ２が照射する位置と異なる位置）が所望の配置位置に保持されて、該第１照射光Ｌｅ１で乾燥されるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】回路モジュールを示す斜視図。
【図２】回路モジュールの製造方法を説明する説明図。
【図３】液滴吐出装置を示す斜視図。
【図４】液滴吐出ヘッドを示す斜視図。
【図５】液滴吐出ヘッドを示す側面図。
【図６】液滴吐出ヘッド及び半導体レーザを説明する説明図。
【図７】（ａ）は液滴の乾燥メカニズムを説明するための図、（ｂ）は液滴の移動メカニズムを説明するための図。
【図８】同じく、液滴吐出装置の電気的構成を説明する電気ブロック回路図。
【符号の説明】
【０１０９】
１…回路モジュール、４Ｓ…基板としてのグリーンシート、５…回路素子、５Ｆ…パターンを構成する素子パターン、６…金属配線としての内部配線、６Ｆ…パターンを構成する配線パターン、１０…液滴吐出装置、１３…ステージ、２０…キャリッジ、２１…液滴吐出ヘッド、２５ａ…第１照射手段を構成する第1シリンドリカルレンズ、２５ａ…第２
照射手段を構成する第２シリンドリカルレンズ、２７ａ…第１照射手段を構成する第1反
射ミラー、２７ｂ…第２照射手段を構成する第２反射ミラー、Ｆ…パターン形成材料としての金属インク、Ｆｂ…液滴、Ｌｅ１…レーザ光を構成する第１照射光、Ｌｅ２…レーザ光を構成する第２照射光、ＬＤ１…第１レーザ出力手段としての第1半導体レーザ、ＬＤ
２…第２レーザ出力手段としての第2半導体レーザ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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