(57)【要約】【課題】真空処理中に基板付近で発生するＨ2Ｏなどの吸着ガスを効率的に捕捉することで、真空処理条件を安定させ基板の品質の向上を図ることが可能な真空処理装置を提供すること。【解決手段】真空容器とターゲットと基板と真空排気ポンプと着脱可能でターゲットと対向して配置され、裏面がゲッターである複数のパンチングメタルからなる防着板を有し、防着板裏面のゲッターにて真空処理装置内のＨ2Ｏなどの吸着ガスを捕捉することで、効率的な排気が可能となる。【選択図】図１
2008266699.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空維持可能な真空容器と、前記真空容器内に配置されかつ基板を載置する基板載置台と、前記基板載置台に対向して設けられたターゲットを載置するターゲットホルダーと、前記ターゲットホルダーに電圧或いは高周波電力を印加する電源と、前記真空容器内にガスを導入或いは排気するガス供排気手段とを備える真空処理装置において、
前記基板載置台の外周でかつ前記ターゲットホルダーに対向して複数の開口部を有する防着板が設けられ、前記防着板のうち前記ターゲットホルダーと面する側とは逆の面にゲッター材料が形成されていること
を特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
ガスの下流に設けられかつ複数の開口部を有する排気整流板のうち、ターゲットホルダーと面する側とは逆の面にゲッター材料が形成されることを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
防着板は、ターゲットホルダーのうちターゲットを載置する表面と鉛直方向に複数枚配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の真空処理装置。
【請求項４】
排気整流板は、ターゲットホルダーのうちターゲットを載置する表面と平行方向に複数枚配置されることを特徴とする請求項２または３に記載の真空処理装置。
【請求項５】
防着板は、パンチングメタルであることを特徴とする請求項２〜４の何れか一項に記載の真空処理装置。
【請求項６】
ゲッター材料はＴｉまたはＢａまたはＮｉかその合金からなることを特徴とする請求項２〜５の何れか一項に記載の真空処理装置。
【請求項７】
ゲッター材料は着脱可能であることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の真空処理装置。
【請求項８】
真空容器内にガスを導入すると共に排気し、前記真空容器内に配置されたターゲットを載置するターゲットホルダーに電圧或いは高周波電力を印加することで、前記真空容器内にプラズマを発生させ、前記ターゲットに対向して設けられた基板を処理する真空処理方法において、
前記基板の外周でかつ前記ターゲットに対向して複数の開口部を有する防着板が設けられ、前記防着板のうち前記ターゲットと面する側とは逆の面にゲッター材料が形成されていること
を特徴とする真空処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に金属膜や化合物皮膜を形成するスパッタリング技術において、真空容器内にゲッターを配置することにより真空排気を促進する点に特徴を有す真空処理装置及び方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のスパッタリング装置などの真空処理装置においては、ターゲット等の内臓物を交換する際、真空容器内を一旦、大気開放して内臓物を交換した後、再度、真空容器内を排気ポンプで排気することで真空容器内を真空にし、スパッタリングなどの真空処理を行っているのが現状である。大気開放した際、真空容器内に吸着したＨ2Ｏなどのガスを排気し、大気開放前と同様なコンディションを得るためには、（１）長時間の真空引き，（２）真空容器を加熱することによる積極的なガス排気，（３）ダミー基板を用いたエージング真空処理（これをスパッタリング装置では「事前スパッタリング」と言う場合もある）などの立ち上げ工程が必然的に生じることになる。また、通常の生産処理の最中においても、処理する基板から持ち込まれるＨ2Ｏなどの吸着ガスにより、真空容器内のコンディションが時々刻々と変化する場合があり、真空処理する基板の品質に悪影響を与えることも少なくない。
【０００３】
そこで、真空処理装置内のＨ2Ｏなどの吸着ガスを効率的に排気するため、主ポンプとしてのクライオポンプやターボ分子ポンプの補助ポンプとしてゲッターポンプやチタンサプリメーションポンプなどが設置されていた（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００４】
例えば、図３は特許文献１に記載の従来のゲッターポンプとその活性化および再生の方法を示すものである。図３において符号１０１は真空容器１０２の排気流路１０３に設けられたゲッターポンプであり、ゲッターポンプ１０１の活性化と再生を開閉バルブ１０４で真空容器１０２と隔離されたポンプ筐体１０５内にゲッターポンプ１０１を移動させて行なうものであった。
【特許文献１】特開平１１−０８２３０１号公報
【特許文献２】特開平０４−００８８７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の技術のように、真空処理装置内のＨ2Ｏなどの吸着ガスを効率的に排気するために、ゲッターポンプやチタンサプリメーションポンプなどの補助ポンプを用いた場合、真空容器内に設置された補助ポンプの活性化や再生の際に真空容器と補助ポンプを隔離するためのゲートバルブや補助ポンプを通電過熱して排気したり、筺体との間でグロー放電等を発生させるための複雑な構成が必要とされていたりしていた。
【０００６】
これに加えて、補助ポンプの活性化や再生の際には本来の真空処理動作ができない場合（補助ポンプの活性化は、加熱やプラズマ処理を用いて行うため、通常の真空処理時に活性化すると、真空条件が変わってしまう。このため、本来の真空処理動作を行っていない時に実施するか、別系統の排気経路を設けて切離して行う必要がある。）や、本来の真空処理を止めずに補助ポンプの活性化や再生する場合には、クライオポンプやターボ分子ポンプなどの主ポンプを別系統に増設する必要があった。
【０００７】
また、ゲッターポンプやチタンサプリメーションポンプなどの補助ポンプの設置位置が真空処理する基板から離れた構造になっており、真空処理中に基板付近で発生するＨ2Ｏなどの吸着ガスを効率的に捕捉することが難しく、真空処理の条件が安定せず基板の品質低下の原因になるという課題を有していた。
【０００８】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、着脱可能な複数のパンチングメタルからなる防着板または排気整流板の裏面がゲッター材料であるため複雑な構造を必要とせずに真空処理装置内のＨ2Ｏなどの吸着ガスを捕捉し効率的に排気することが可能な、真空処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の真空処理装置は、真空維持可能な真空容器と、前記真空容器内に配置されかつ基板を載置する基板載置台と、前記基板載置台に対向して設けられたターゲットを載置するターゲットホルダーと、前記ターゲットホルダーに電圧或いは高周波電力を印加する電源と、前記真空容器内にガスを導入或いは排気するガス供排気手段とを備える真空処理装置において、前記基板載置台の外周でかつ前記ターゲットホルダーに対向して複数の開口部を有する防着板が設けられ、前記防着板のうち前記ターゲットホルダーと面する側とは逆の面にゲッター材料が形成されることで、真空容器内のＨ2Ｏなどの吸着ガスを捕捉し効率的な排気を行なうことができる。
【００１０】
本構成によって真空処理する際にターゲット付近に発生するプラズマから出た電子がターゲットと対向する防着板や排気整流板に捕捉され、防着板表裏面および排気整流板表裏面間でのプラズマを誘発することで裏面に形成されたゲッターを活性化させＨ2Ｏなどの吸着ガスの効率的な捕捉を行える。
【００１１】
また、本発明の真空処理方法は、真空容器内にガスを導入すると共に排気し、前記真空容器内に配置されたターゲットを載置するターゲットホルダーに電圧或いは高周波電力を印加することで、前記真空容器内にプラズマを発生させ、前記ターゲットに対向して設けられた基板を処理する真空処理方法において、前記基板の外周でかつ前記ターゲットに対向して複数の開口部を有する防着板が設けられ、前記防着板のうち前記ターゲットと面する側とは逆の面にゲッター材料が形成されているので、真空容器内のＨ2Ｏなどの吸着ガスを捕捉し効率的な排気を行なうことができ、その結果、真空処理の条件が安定し、基板の品質低下を抑えることができる。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように、本発明の真空処理装置及び方法によれば、真空処理時に防着板表裏面で誘発するプラズマでゲッター材料を活性化させるため、複雑な構成が不要となり、安価でトラブルの少ない真空処理装置及び方法を提供することができる。
【００１３】
また、ゲッター材料は真空処理の際に防着板表裏面で誘発するプラズマで常に活性化されており、ゲッター材料活性化のために生産処理を停止する必要がなく生産時間の有効活用ができる。
【００１４】
更に、真空処理直後から活性化されたゲッター材料に基板付近の部材に吸着するＨ2Ｏなどの吸着ガスを効率的に捕捉でき、安定した処理条件で基板の真空処理が可能となり基板の品質向上が図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１６】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における真空処理装置の真空容器の断面を示す概略図である。
【００１７】
図１において、２０１は上面にターゲット２０２とガス供給ノズル２０３を、下面にホルダー２０４で保持した基板２０５と圧力調整バルブ２０６を介して真空排気ポンプ（図示せず）に繋がる排気口２０７と側面にゲート２０８を介してロードロック室（図示せず）から基板２０５を投入する投入口２０９を配置した真空容器であり、本発明の実施の形態１ではステンレス製の容器を使用している。
【００１８】
２１０はターゲット２０２に向かって裏面にゲッター２１１を形成し、ターゲット２０２に向かって表面に誘電体２１２を形成したパンチングメタルからなる防着板であり、本発明の実施の形態１では３枚のパンチングメタルを所定の間隔を保って平行に重ね、固定ピン２１３を介して真空容器２０１の底面に着脱可能で取り付ける構成になっている。
【００１９】
防着板２１０の芯材は開口率１０％〜４０％で貫通穴２１４が設けられたステンレス板を使用し、固定ピン２１３と真空容器２０１の底面を介して電気的にアースに接続されている。２１５はターゲット２０２に向かって裏面にゲッター２１６を形成し、ターゲット２０２に向かって表面に誘電体２１７形成した平板からなる排気整流板であり、本発明の実施の形態１では４枚の平板を所定の間隔を保って平行に重ね、ガスの流れが排気抵抗を持って排気口２０７へ導かれるように所定の角度で支持棒２１８を介して排気筒部２１９に着脱可能で取り付ける構成で、芯材は支持棒２１７と真空容器２０１の底面を介して電気的にアースに接続されている。また、ターゲット２０２は、ターゲットホルダー２２０に載置され、ターゲットホルダー２２０には電圧或いは高周波電力を印加する電源２２１が接続されている。
【００２０】
本発明の実施の形態１における真空処理は、ホルダー２０４で保持した基板２０５をアーム（図示せず）でロードロック室（図示せず）を経て投入、基板２０５を真空容器２０１底面の所定の位置にセットしてゲート２０８を閉じる。真空容器２０１内を真空排気ポンプ（図示せず）で排気しながらガス供給ノズル２０３より所定流量のガスを真空容器２０１内に供給し、圧力調整バルブ２０６で真空容器２０１内を所定の圧力に保つ。この状態でターゲット２０２に所定の電力を印加し、ターゲット２０２と基板２０５の間にプラズマを発生させることでターゲット材料を基板２０５表面に成膜している。膜圧はターゲットに印加する電力の投入時間によってコントロールしている。成膜が終了した基板２０５は投入口２０９からロードロック（図示せず）に取り出すとともに、新たな基板２０５が真空容器２０１内に投入される。この際、ロードロック室（図示せず）は真空引きされた状態であり、真空容器２０１内が大気に曝されることはない。
【００２１】
成膜の際、プラズマに曝されたターゲット表面からは電子が放出され真空容器２０１内の誘電体にチャージアップされる。特に防着板２１０と排気整流板２１５はターゲット２０２に向かって表面に誘電体２１２、２１７が形成されているため多量の電子がチャージアップする。また防着板２０１の芯材には開口率１０％〜４０％で貫通穴が設けられ所定の間隔を保って平行に重ねられた構造になっているため、下側の防着板２１０の誘電体２１２にも多量の電子がチャージアップする。大量の電子がチャージアップした誘電体２１２、２１７に対向した防着板２１０と排気整流板２１５の裏面には電気的にアースに接続されたゲッター２１１，２１６があり、誘電体２１２、２１７にチャージアップした電子はゲッター２１１、２１６の表面へ放電される。
【００２２】
この放電現象により、ゲッター表層部は清浄化される。基板２０５の成膜が終了し、真空容器２０１内の在留ガスを真空排気ポンプ（図示せず）で排気する際、排気の経路にある清浄化されたゲッター２１１、２１６にＨ2Ｏなどの吸着ガスを捕捉する。このことで、真空容器２０１内壁や真空容器２０１の内臓物表面に吸着したＨ2Ｏなどの吸着ガスが成膜時の温度上昇などで徐々に放出され成膜条件が変化することが防止できる。
【００２３】
一旦、ゲッター２１１、２１６内に捕捉された吸着ガスはゲッター材料内に拡散して捕り込まれる。ゲッター２１１、２１６の表層部に吸着したガスは通常行われている基板への本成膜前に基板シャッター（図示せず）を閉じて行う事前成膜の際に誘電体２１２、２１７からゲッター２１１、２１６の表面に誘発される放電で防着板２１０や排気整流板２１５の裏面から排気の経路に沿って再吸着することなく排出される。
【００２４】
また装置を長時間停止した場合、真空容器内の温度低下に伴いゲッター２１１、２１６表層部には大量のガスが吸着するが、装置運転再開時に通常真空容器２０１内のコンディショニングとして行われているダミー基板２０５にターゲット材料を成膜することで誘電体２１２、２１７からゲッター２１１、２１６の表面へ誘発される放電で防着板２１０や排気整流板２１５の裏面から排気の経路に沿って再吸着することなく排出される。
【００２５】
ゲッター２１１は防着板２１０の裏面に予め形成される。本実施の形態１においてＴｉをゲッター材料として使用し、ゲッター効果を得ている。Ｔｉと防着板の芯材との間に酸化膜が生じないようにするため、Ｔｉは真空中で形成している。本実施の形態１で前処理として逆スパッタ処理で芯材表層の酸化膜を除去後、スパッタリングで膜厚０．５μｍ以上のＴｉ膜を形成している。防着板はターゲット２０２の交換周期で取り替え可能であるが、１交換周期を通じてゲッター効果を継続するためには、０．５μｍ以上のＴｉ膜厚が必要である。また真空処理装置内で真空処理直後にＨ2Ｏなどの吸着ガスを効率的にゲッター内部に捕捉するためにはゲッター面積を確保しておく必要があり、予め芯材はブラスト処理で凹凸を設けている。本実施の形態１では芯材の表面粗さを１０ｓ以上にすることでゲッター面積を確保することができている。
【００２６】
誘電体２１２は防着板２１０の表面に予め形成される。本実施の形態１においてＡｌ2Ｏ3膜を溶射している。芯材に予めブラスト処理で表面粗さを１０ｓ以上にすることでＡｌ2Ｏ3膜の密着強度を確保し、膜厚を１００μｍ以上とすることでピンホールのない誘電体膜の形成している。
【００２７】
ゲッター２１６は排気整流板２１５の裏面に予め形成される。本実施の形態１において防着板２１０と同様にＴｉをゲッター材料として使用し、ゲッター効果を得ている。Ｔｉ膜と排気整流板２１５の芯材との間に酸化膜が生じないようにするため、Ｔｉ膜は真空中で形成している。本実施の形態１では防着板２１０と同様に前処理として逆スパッタ処理で芯材表層の酸化膜を除去後、スパッタリングで膜厚０．５μｍ以上のＴｉ膜を形成している。０．５μｍ以上のＴｉ膜厚で防着板と同様にターゲット２０２の１交換周期を通じてゲッター効果が維持できている。
【００２８】
また、防着板と同様に予め芯材はブラスト処理で凹凸を設け、芯材の表面粗さを１０ｓ以上にすることでゲッター面積を確保している。
【００２９】
ターゲット２０２の交換や防着板２１０、排気整流板２１５を交換で真空容器２０１が大気開放された場合ゲッター２１１、２１６の表層に酸化膜などの不活性な膜が形成されるが、防着板と排気整流板を装着し真空排気した後、真空容器２０１内のコンディショニングとして通常行われているダミー基板２０５にターゲット材料を成膜で誘電体２１２、２１７からゲッター２１１、２１６の表面へ誘発される放電で除去することが可能である。
【００３０】
かかる構成によればゲッター材料は真空処理の際に防着板表裏面および排気整流板表裏面間で誘発するプラズマで常に活性化されており、ゲッター材料活性化のために生産処理を停止する必要がなく生産時間の有効活用ができる。
【００３１】
また、真空処理直後から活性化されたゲッター材料に基板付近の部材に吸着するＨ2Ｏなどの吸着ガスを効率的に捕捉でき、安定した処理条件で基板の真空処理が可能となり基板の品質向上がはかれる。
【００３２】
なお、本実施の形態１においてゲッター材料としてＴｉを用いたが、ＢａまたはＮｉを用いてもゲッターとしての効果はあるが、同じ膜厚のＴｉ、Ｂａ、Ｎｉを用いてのゲッターを比較した場合、１ターゲットサイクル中のゲッター効果の低下はＴｉ、Ｂａ、Ｎｉの順で少なくなっている。
【００３３】
なお、本実施の形態１において誘電体としてＡｌ2Ｏ3を防着板および排気整流板のターゲットに対向する表面に溶射にて形成しているが、ＳｉＯ２など誘電体として作用しターゲット表面から放出される電子をチャージアップさせる膜であればよい。形成方法も誘電体と芯材の密着強度が確保できればよく、スパッタリングなど方法を用いてもよい。
【００３４】
（実施の形態２）
図２は、本発明の実施の形態２における真空処理装置の真空容器の断面を示す概略図である。
【００３５】
図２において３０１はターゲット３０２に向かって表面に誘電体３０２を形成し、開口率１０％〜４０％で貫通穴３０３が設けられた防着版で、本発明の実施の形態２ではゲッター作用のあるＴｉ板を使用している。防着板３０１の裏面３０４はゲッター面積を確保するため表面粗さを１０ｓ以上にしている。本発明の実施の形態２では３枚の防着板を所定の間隔を保って平行に重ね、固定ピン３０５を介して真空容器３０６の底面に着脱可能で取り付ける構成になっている。
【００３６】
３０７はターゲット３０２に向かって表面に誘電体３０８形成した排気整流板で、本発明の実施の形態２ではゲッター作用のあるＴｉ板を使用している。排気整流板３０９の裏面３１０はゲッター面積を確保するため凹凸を形成し、表面粗さを１０ｓ以上にしている。本発明の実施の形態１では４枚の排気整流板を所定の間隔を保って平行に重ね、ガスの流れが排気抵抗を持って排気口３１１へ導かれるように所定の角度で支持棒３１２を介して排気筒部３１３に着脱可能で取り付ける構成で、支持棒３１１と真空容器３０６の底面を介して電気的にアースに接続されている。また、ターゲット３０２は、ターゲットホルダー３２０に載置され、ターゲットホルダー３２０には電圧或いは高周波電力を印加する電源３２１が接続されている。
【００３７】
このように構成された真空処理装置内に基板３１４を投入し、ターゲット材料を成膜する際、誘電体３０２、３０８からゲッター面３０４、３１０へ誘発される放電で防着板３０１や排気整流板３０８の裏面が清浄化される。成膜が終了し、真空容器３０６内の在留ガスを真空排気ポンプ（図示せず）で排気する際、排気の経路にある清浄化されたゲッター３０４、３１０にＨ2Ｏなどの吸着ガスを捕捉する。
【００３８】
防着板３０１および排気整流板３０８の表面への誘電体や裏面の凹凸は予め形成される。本発明の実施の形態２ではＡｌ2Ｏ3膜を溶射している。裏面はゲッターとして酸化を防止するためブラスト処理で凹凸加工をした後、真空中で逆スパッタ処理してブラスト処理で発生した表層の酸化膜を除去している。
【００３９】
防着板および排気整流板としてＴｉ板を用いた場合、比重が４．５１と軽いために熱容量を小さくできる。このため、冷却されるのが早くゲッター面が清浄化された後Ｈ2Ｏなどの吸着ガスを効果的に捕捉することができる。また、表面に誘電体として溶射されたＡｌ2Ｏ3膜とＴｉ板の熱膨張係数が６．８×１０-6／℃と８．４×１０-6／℃で差が少ないため、温度変化による誘電体膜の剥がれを防止することができている。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本願発明は、真空処理直後から活性化されたゲッター材料に基板付近の部材に吸着するＨ2Ｏなどの吸着ガスを効率的に捕捉でき、安定した処理条件で基板の真空処理が可能となり基板の品質向上が図れるどの効果を有し、半導体，液晶，光学部品など品質のよい薄膜を安定して成膜する必要のあるスパッタリング装置などの真空成膜装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の形態１における真空処理装置の真空容器の断面を示す概略図
【図２】本発明の実施の形態２における真空処理装置の真空容器の断面を示す概略図
【図３】従来の真空容器を備えるゲッターポンプ装置の断面を示す概略図
【符号の説明】
【００４２】
２０１  真空容器
２０２  ターゲット
２０５  基板
２１０  防着板
２１４  貫通穴
２１１，２１６  ゲッター
２１２，２１７  誘電体
２１５  排気整流板
【図１】
2008266699.tif 000003
【図２】
2008266699.tif 000004
【図３】
2008266699.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月10日(2007.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
真空維持可能な真空容器と、前記真空容器内に配置されかつ基板を載置する基板載置台と、前記基板載置台に対向して設けられたターゲットを載置するターゲットホルダーと、前記ターゲットホルダーに電力或いは高周波電力を印加する電源と、前記真空容器内にガスを導入或いは排気するガス供排気手段とを備える真空処理装置において、
前記基板載置台の外周でかつ前記ターゲットホルダーに対向して複数の開口部を有する防着板が設けられ、前記防着板のうち前記ターゲットホルダーと面する側とは逆の面にゲッター材料が形成されていること
を特徴とする真空処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
真空容器内にガスを導入すると共に排気し、前記真空容器内に配置されたターゲットを載置するターゲットホルダーに電力或いは高周波電力を印加することで、前記真空容器内にプラズマを発生させ、前記ターゲットに対向して設けられた基板を処理する真空処理方法において、
前記基板の外周でかつ前記ターゲットに対向して複数の開口部を有する防着板が設けられ、前記防着板のうち前記ターゲットと面する側とは逆の面にゲッター材料が形成されていること
を特徴とする真空処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の真空処理装置は、真空維持可能な真空容器と、前記真空容器内に配置されかつ基板を載置する基板載置台と、前記基板載置台に対向して設けられたターゲットを載置するターゲットホルダーと、前記ターゲットホルダーに電力或いは高周波電力を印加する電源と、前記真空容器内にガスを導入或いは排気するガス供排気手段とを備える真空処理装置において、前記基板載置台の外周でかつ前記ターゲットホルダーに対向して複数の開口部を有する防着板が設けられ、前記防着板のうち前記ターゲットホルダーと面する側とは逆の面にゲッター材料が形成されることで、真空容器内のＨ２Ｏなどの吸着ガスを捕捉し効率的な排気を行なうことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の真空処理方法は、真空容器内にガスを導入すると共に排気し、前記真空容器内に配置されたターゲットを載置するターゲットホルダーに電力或いは高周波電力を印加することで、前記真空容器内にプラズマを発生させ、前記ターゲットに対向して設けられた基板を処理する真空処理方法において、前記基板の外周でかつ前記ターゲットに対向して複数の開口部を有する防着板が設けられ、前記防着板のうち前記ターゲットと面する側とは逆の面にゲッター材料が形成されているので、真空容器内のＨ2Ｏなどの吸着ガ
スを捕捉し効率的な排気を行なうことができ、その結果、真空処理の条件が安定し、基板の品質低下を抑えることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
防着板２１０の芯材は開口率１０％〜４０％で貫通穴２１４が設けられたステンレス板を使用し、固定ピン２１３と真空容器２０１の底面を介して電気的にアースに接続されている。２１５はターゲット２０２に向かって裏面にゲッター２１６を形成し、ターゲット２０２に向かって表面に誘電体２１７形成した平板からなる排気整流板であり、本発明の実施の形態１では４枚の平板を所定の間隔を保って平行に重ね、ガスの流れが排気抵抗を持って排気口２０７へ導かれるように所定の角度で支持棒２１８を介して排気筒部２１９に着脱可能で取り付ける構成で、芯材は支持棒２１８と真空容器２０１の底面を介して電気的にアースに接続されている。また、ターゲット２０２は、ターゲットホルダー２２０に載置され、ターゲットホルダー２２０には電圧或いは高周波電力を印加する電源２２１が接続されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2008266699.tif 000006