(57)【要約】【課題】  高温下での使用に適したプローブカード及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】電源用プローブ５Ａに接続されているパターン領域１１に電極１３を形成し、この電極１３の電極板１３Ｂをグランド用プローブ５Ｂに接続されているパターン領域１１に対向させる。これにより、電極板１３Ｂ及び電極板１３Ｂに対向するパターン領域１１からなる１対の電極間に誘電層１４として空気が介在したコンデンサ１５を形成することができる。誘電層１４として空気を介在させることによりコンデンサ１５が形成されているので、高温下で使用した場合であっても、電極間に絶縁体が介在する場合のように、電極と絶縁体の熱膨張率の相違などに起因して熱応力が生じるのを防止できる。【選択図】  図２
2008002804.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板面上にコンタクトプローブが形成されたコンタクト基板と、
上記基板面上に形成された１対の電極を有し、上記１対の電極間に誘電層として空気を介在させることにより形成されたコンデンサとを備え、
上記１対の電極の少なくとも一方が、上記コンタクトプローブと同一の材料を用いて、上記基板面から上記コンタクトプローブの高さよりも低く突出するように形成されていることを特徴とするプローブカード。
【請求項２】
上記コンタクトプローブは、上記基板面との間に空間を形成するように配置され、
上記コンデンサは、上記コンタクトプローブが上記基板面との間に形成している空間内、又は、互いに近接する上記コンタクトプローブが上記基板面との間にそれぞれ形成している空間の間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のプローブカード。
【請求項３】
コンタクト基板の基板面上に、ＭＥＭＳ技術を用いてコンタクトプローブ及び１対の電極を形成した後、上記１対の電極間に絶縁体を介在させることによりコンデンサを形成することを特徴とするプローブカードの製造方法。
【請求項４】
コンタクト基板の基板面上に、ＭＥＭＳ技術を用いてコンタクトプローブを形成する工程と、
上記コンタクトプローブを形成する工程中に、上記コンタクト基板の基板面上に、ＭＥＭＳ技術を用いてコンデンサを形成する工程とを備え、
上記コンデンサを形成する工程には、上記コンタクト基板の基板面上に第１の電極を形成する工程と、上記第１の電極上に誘電体層を形成する工程と、上記誘電体層の上方に第２の電極を形成する工程とが含まれることを特徴とするプローブカードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブカード及びその製造方法に係り、さらに詳しくは、コンタクトプローブが形成されるコンタクト基板の構造及び形成方法の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハなどの被検査対象の電極にコンタクトプローブを電気的に接続させ、被検査対象の電気的特性を検査するためのプローブカードが知られている。プローブカードは、テスター装置に接続され、多数のコンタクトプローブが被検査対象の電極に接触した状態で、テスター装置と被検査対象との間で信号が入出力されることにより、被検査対象の電気的特性の検査が行われる。
【０００３】
プローブカードに形成された各コンタクトプローブは、テスター装置から電源電圧が供給される電源線、接地されたグランド線、又は、テスター装置と被検査対象との間で信号を入出力するための信号線のいずれかの配線に接続されている。検査時には、多数のコンタクトプローブを被検査対象の電極に接触させることにより、テスター装置から電源線を介して被検査対象に電源電圧を供給し、信号線を介して入出力される信号に基づいて、テスター装置が被検査対象の電気的特性を検査する。
【０００４】
このようにして被検査対象の電気的特性の検査を行う際、半導体装置の電源、グランド間に過渡電流が生じるため、電源線、グランド線でノイズが発生する。このようなノイズが発生すると、半導体装置の電位基準である、電源、グランドの電位が変動するため、半導体装置が誤作動したり、検査結果に悪影響を及ぼす。一般に、この悪影響は高い動作周波数での検査になればなるほど顕著になる。そのため、電源用プローブとグランド用プローブ間に、ノイズ成分に応じたコンデンサを取り付ける必要がある。そこで、高い動作周波数での検査でも、ノイズの発生を抑制し、安定して信頼性の高い検査を行う技術が提案されている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００２−６２３３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示されている技術においては、コンタクトプローブが形成されたシリコン基板上に、誘電層として絶縁体を挟んで電源電極及びグランド電極を形成することにより、電源線とグランド線との間にコンデンサが形成されている。しかし、このようなプローブカードを高温下で使用した場合には、電極と絶縁体の熱膨張率の相違などに起因して熱応力が生じ、各部材に歪みが生じるおそれがある。
【０００６】
また、特許文献１に開示されているような技術では、コンタクトプローブを形成する工程とは別にコンデンサを形成する工程を行わなければならないため、プローブカードを製造する際の工程が複雑になるといった問題がある。
【０００７】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、高温下での使用に適したプローブカード及びその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、製造工程を簡略化することができるプローブカード及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の本発明によるプローブカードは、基板面上にコンタクトプローブが形成されたコンタクト基板と、上記基板面上に形成された１対の電極を有し、上記１対の電極間に誘電層として空気を介在させることにより形成されたコンデンサとを備え、上記１対の電極の少なくとも一方が、上記コンタクトプローブと同一の材料を用いて、上記基板面から上記コンタクトプローブの高さよりも低く突出するように形成されて構成される。
【０００９】
このような構成によれば、コンタクト基板上に形成されたコンデンサに静電容量を生じさせることによって、このコンデンサに接続された配線を介して印加される電圧を安定化させることができる。１対の電極間に誘電層として空気を介在させることによりコンデンサが形成されているので、高温下で使用した場合であっても、電極間に絶縁体が介在する場合のように、電極と絶縁体の熱膨張率の相違などに起因して熱応力が生じるのを防止できる。
【００１０】
また、１対の電極の少なくとも一方をコンタクトプローブと同一の材料を用いて形成するような構成とすることにより、コンタクトプローブを形成する工程中にその電極を形成することができる。したがって、プローブカードを製造する際の工程数を少なくして、製造工程を簡略化することができる。また、上記電極がコンタクトプローブの高さよりも低く突出するように形成されているので、検査時に、その電極が被検査対象に接触するのを防止できる。
【００１１】
第２の本発明によるプローブカードは、上記コンタクトプローブが、上記基板面との間に空間を形成するように配置され、上記コンデンサが、上記コンタクトプローブが上記基板面との間に形成している空間内、又は、互いに近接する上記コンタクトプローブが上記基板面との間にそれぞれ形成している空間の間に配置されるように構成されている。
【００１２】
このような構成によれば、コンタクトプローブが基板面との間に形成している空間内、又は、互いに近接するコンタクトプローブが基板面との間にそれぞれ形成している空間の間にコンデンサを配置することにより、多数のコンタクトプローブが形成されている領域内にコンデンサを形成することができる。したがって、コンタクトプローブが形成されている領域とは別にコンデンサを形成するための領域を設ける必要がなく、プローブカードを小型化することができる。
【００１３】
第３の本発明によるプローブカードの製造方法は、コンタクト基板の基板面上に、ＭＥＭＳ技術を用いてコンタクトプローブ及び１対の電極を形成した後、上記１対の電極間に絶縁体を介在させることによりコンデンサを形成するように構成される。
【００１４】
このような構成によれば、ＭＥＭＳ技術を用いてコンタクトプローブ及び１対の電極を形成するので、コンタクトプローブを形成する工程と１対の電極を形成する工程を一度に行った後、１対の電極間に絶縁体を介在させることによりコンデンサを形成することができる。したがって、プローブカードを製造する際の工程数を少なくして、製造工程を簡略化することができる。
【００１５】
第４の本発明によるプローブカードの製造方法は、コンタクト基板の基板面上に、ＭＥＭＳ技術を用いてコンタクトプローブを形成する工程と、上記コンタクトプローブを形成する工程中に、上記コンタクト基板の基板面上に、ＭＥＭＳ技術を用いてコンデンサを形成する工程とを備え、上記コンデンサを形成する工程には、上記コンタクト基板の基板面上に第１の電極を形成する工程と、上記第１の電極上に誘電体層を形成する工程と、上記誘電体層の上方に第２の電極を形成する工程とが含まれるように構成される。
【００１６】
このような構成によれば、ＭＥＭＳ技術を用いてコンタクトプローブを形成する工程中に、基板面上に第１の電極を形成し、その第１の電極上に誘電体層を形成して、当該誘電体層の上方に第２の電極を形成することにより、ＭＥＭＳ技術を用いてコンデンサを形成することができる。したがって、プローブカードを製造する際の工程数を少なくして、製造工程を簡略化することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、１対の電極間に誘電層として空気を介在させることによりコンデンサが形成されているので、高温下で使用した場合であっても、電極間に絶縁体が介在する場合のように、電極と絶縁体の熱膨張率の相違などに起因して熱応力が生じるのを防止できる。また、１対の電極の少なくとも一方をコンタクトプローブと同一の材料を用いて形成するような構成とすることにより、コンタクトプローブを形成する工程中にその電極を形成することができるので、プローブカードを製造する際の工程数を少なくして、製造工程を簡略化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１によるプローブカード１の一例を示した側面図であり、被検査対象としてのシリコンウエハ２とのコンタクト前の状態を示している。このプローブカード１は、平板状に形成された薄いシリコン基板からなるコンタクト基板３と、コンタクト基板３を上方から保持するメイン基板４とを備えている。
【００１９】
コンタクト基板３の下面の中央部には、多数のコンタクトプローブ５が複数列に整列配置されている。この例では、多数のコンタクトプローブ５が２列に整列配置され、各列のコンタクトプローブ５が対向する列のコンタクトプローブ５側に向かって延びるように片持ち支持されている。
【００２０】
コンタクトプローブ５は、いわゆるＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)技術を用いて形成される。ＭＥＭＳ技術とは、基本的には半導体製造プロセス技術をベースとした微細加工技術による製品・技術の総称であって、ここでは特に、基板上に、構造物を形成する層と後で除去する犠牲層とを順次積層し、その後、犠牲層を除去して必要とする構造物を形成する技術を意味している。本実施の形態では、コンタクト基板３の下面に、犠牲層を挟んで金属構造物を形成した後、犠牲層をエッチングにより除去することで、コンタクトプローブ５を形成することができる。コンタクトプローブ５を形成するための金属材料としては、ニッケルコバルト（Ｎｉ−Ｃｏ）、パラジウムニッケル（Ｐｄ−Ｎｉ）、パラジウムコバルト（Ｐｄ−Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、ニッケルタングステン（Ｎｉ−Ｗ）などの弾性のある導電性の金属材料を用いることができる。
【００２１】
各コンタクトプローブ５の先端部は、シリコンウエハ２の電極２Ａに対する接点を形成している。上記のようなコンタクトプローブ５の配置態様により、各コンタクトプローブ５の接点が近接配置され、電極２Ａが高密度で配置されている被検査対象にも適用できるようになっている。コンタクト基板３の上面には、コンタクト基板３の反りを抑制するための板状の反り抑制部材６が形成されている。
【００２２】
コンタクト基板３の上方には、ガラスエポキシ製のメイン基板４が一定間隔を隔てて対向するように配置されており、このメイン基板４によりコンタクト基板３が上下動可能に保持されている。メイン基板４の上面には、板状の補強板７が形成されている。メイン基板４の下面には、コンタクト基板３とメイン基板４とを電気的に接続するための配線の一例として、複数のフレキシブル基板８の各端部が取り付けられている。各フレキシブル基板８の他端部は、コンタクト基板３の下面に取り付けられている。
【００２３】
コンタクト基板３の下面には、コンタクトプローブ５が形成されている中央部から周縁部に向かって延びるように、各コンタクトプローブ５に接続された多数の配線（図示せず）が形成されている。各フレキシブル基板８の他端部は、コンタクト基板３の下面の周縁部に取り付けられ、それぞれコンタクトプローブ５から延び出した配線に接続されている。これにより、各コンタクトプローブ５が、コンタクト基板３及びフレキシブル基板８を介してメイン基板４と電気的に接続される。したがって、メイン基板４をテスター装置（図示せず）に取り付けることにより、テスター装置と各コンタクトプローブ５とを電気的に接続することができる。
【００２４】
検査時には、シリコンウエハ２が、半導体集積回路の電極２Ａが形成されている面を上にして可動テーブル９上に載置される。そして、可動テーブル９を水平面内で移動又は回転させ、コンタクトプローブ５とシリコンウエハ２の電極２Ａとの位置合わせを行った後に、可動テーブル９を上昇させてコンタクトプローブ５を電極２Ａにコンタクトさせる。このとき、シリコンウエハ２に形成されている電極２Ａの高さのずれ、コンタクトプローブ５の高さのバラツキなどによって、一部のコンタクトプローブ５だけが電極２Ａに接触した状態となる。その後、コンタクトプローブ５がさらに押し付けられることにより、いわゆるオーバードライブが行われ、すべてのコンタクトプローブ５が電極２Ａに接触した状態で、テスター装置による上記集積回路の電気的特性の検査が行われる。
【００２５】
図２は、コンタクト基板３の一構成例を示した図であり、（ａ）はコンタクト基板３を下面側から見た図、（ｂ）はコンタクト基板３の下面の一部を斜めから見た図である。図２（ａ）に示すように、このコンタクト基板３はほぼ正方形状に形成され、その中央部に多数のコンタクトプローブ５が２列に整列配置されている。
【００２６】
各コンタクトプローブ５は、その先端部が対向する列の隣接する２つのコンタクトプローブ５間に位置するように、千鳥状に配置されている。コンタクト基板３の下面の周縁部には、それぞれ矩形形状の導体パターンからなる多数のパターン領域１１が形成されている。これらのパターン領域１１は、各コンタクトプローブ５から延び出した配線１２に接続されている。
【００２７】
各列のコンタクトプローブ５には、検査時にテスター装置からシリコンウエハ２へ電源電圧を供給するための電源用プローブ５Ａと、テスター装置を介して接地されるグランド用プローブ５Ｂと、テスター装置とシリコンウエハ２との間で信号を入出力するための信号用プローブ５Ｃとが含まれる。この例では、各列の両端に配置されているコンタクトプローブ５の一方を電源用プローブ５Ａ、他方をグランド用プローブ５Ｂとし、電源用プローブ５Ａ及びグランド用プローブ５Ｂの間に配置されている他の複数のコンタクトプローブ５を信号用プローブ５Ｃとしている。
【００２８】
一方の列の電源用プローブ５Ａは、他方の列のグランド用プローブ５Ｂに近接するように配置されている。一方の列の電源用プローブ５Ａに接続されているパターン領域１１と、他方の列のグランド用プローブ５Ｂに接続されているパターン領域１１とは、互いに対向するように配置され、対向する端部が近接するように形成されている。これらの１対のパターン領域１１のうちの一方には、図２（ｂ）に示すように、他方のパターン領域１１側へ延びる電極１３が突出形成されている。
【００２９】
この電極１３は、パターン領域１１から突出した保持部１３Ａと、この保持部１３Ａの端部からコンタクト基板３の下面に対して平行に延びる電極板１３Ｂとを有するＬ字形状に形成されている。電極板１３Ｂは、他方のパターン領域１１に対して一定間隔を隔てて対向している。この電極１３は、コンタクト基板３の下面に対する電極板１３Ｂの高さがコンタクトプローブ５の高さよりも低くなるように形成されており、検査時に、電極１３がシリコンウエハ２に接触するのを防止できるようになっている。
【００３０】
この例では、電源用プローブ５Ａに接続されているパターン領域１１に電極１３が形成され、この電極１３の電極板１３Ｂが、グランド用プローブ５Ｂに接続されているパターン領域１１に対向している。このような構成により、電極板１３Ｂ及び電極板１３Ｂに対向するパターン領域１１からなる１対の電極間に誘電層１４として空気が介在したコンデンサ１５を形成することができる。すなわち、検査時に電源用プローブ５Ａに電源電圧が印加されると、電源用プローブ５Ａに接続されているパターン領域１１を介して電極１３に電圧が印加され、電極板１３Ｂと対向するパターン領域１１との間に静電容量を生じさせることができる。
【００３１】
このように、電源用プローブ５Ａに接続されているパターン領域１１とグランド用プローブ５Ｂに接続されているパターン領域１１との間にコンデンサ１５を形成し、検査時にコンデンサ１５に静電容量を生じさせることによって、シリコンウエハ２に供給される電源電圧を安定化させることができる。
【００３２】
特に、コンタクト基板３にコンデンサ１５を形成することにより、テスター装置とコンタクトプローブ５とを電気的に接続する経路内におけるコンタクトプローブ５の近くにコンデンサ１５を接続することができる。したがって、テスター装置及びコンタクトプローブ５間の経路内におけるコンタクトプローブ５から離れた位置にコンデンサが接続される場合と比べて、ノイズが生じるのを防止でき、シリコンウエハ２に供給される電源電圧をより安定化させることができる。
【００３３】
コンデンサ１５に生じる静電容量は、電極板１３Ｂ及び電極板１３Ｂに対向するパターン領域１１からなる１対の電極の各面積に比例し、１対の電極間の距離に反比例する。シリコンウエハ２に供給される電源電圧を十分に安定化させるためには、１対の電極間の距離が５０μｍ以下であることが好ましい。この場合、１対の電極の各面積が１〜７ｍｍ２程度であれば、１〜６ｐＦ程度の静電容量を生じさせることができる。
【００３４】
また、本実施の形態では、電極板１３Ｂ及びパターン領域１１からなる１対の電極間に、誘電層１４として空気を介在させることによりコンデンサ１５が形成されているので、高温下で使用した場合であっても、電極間に絶縁体が介在する場合のように、電極と絶縁体の熱膨張率の相違などに起因して熱応力が生じるのを防止できる。
【００３５】
ただし、電源用プローブ５Ａに接続されているパターン領域１１に電極１３が形成されるような構成に限らず、グランド用プローブ５Ｂに接続されているパターン領域１１に電極１３が形成され、その電極１３の電極板１３Ｂが、電源用プローブ５Ａに接続されているパターン領域１１に対向するような構成とすることにより、コンデンサ１５が形成されていてもよい。
【００３６】
図２（ｂ）に示すような電極１３は、コンタクトプローブ５と同一の金属材料を用いて、コンタクトプローブ５を形成する工程中に形成することができる。すなわち、コンタクトプローブ５を形成する工程中に、１対のパターン領域１１上に犠牲層を挟んでコンタクトプローブ５と同一の金属材料からなる金属構造物を形成し、その後に犠牲層をエッチングにより除去することで、図２（ｂ）に示すような電極１３を形成することができる。したがって、プローブカード１を製造する際の工程数を少なくして、製造工程を簡略化することができる。
【００３７】
図３は、実施の形態１のコンデンサ１５の変形例を示した図であり、（ａ）は第１変形例によるコンデンサ１５Ａの側面図、（ｂ）は第２変形例によるコンデンサ１５Ｂの側面図、（ｃ）は第３変形例によるコンデンサ１５Ｃの側面図である。
【００３８】
図３（ａ）に示した第１変形例によるコンデンサ１５Ａは、電極１３の電極板１３Ｂに対向するパターン領域１１上に電極板１６が形成されている点を除いて、実施の形態１のコンデンサ１５と同様の構成を有している。パターン領域１１上に形成されている電極板１６は、当該パターン領域１１における電極１３の電極板１３Ｂに対向する領域に配置されている。電極１３及び電極板１６は、コンタクトプローブ５と同一の金属材料を用いて、コンタクトプローブ５を形成する工程中に形成することができる。この第１変形例では、電極板１３Ｂ及び電極板１６からなる１対の電極間に、誘電層１４として空気を介在させることによりコンデンサ１５Ａが形成されている。
【００３９】
図３（ｂ）に示した第２変形例によるコンデンサ１５Ｂは、電極板１３Ｂ及びパターン領域１１からなる１対の電極間に、誘電層１４として空気だけでなく絶縁体１７も介在している点を除いて、実施の形態１のコンデンサ１５と同様の構成を有している。すなわち、電極板１３Ｂ及びパターン領域１１からなる１対の電極間に、絶縁体１７からなる誘電層と空気からなる誘電層とが上下に並んで形成されている。
【００４０】
このコンデンサ１５Ｂは、実施の形態１のコンデンサ１５と同様にＭＥＭＳ技術を用いてコンタクトプローブ５及び電極１３を形成した後、コンタクト基板３の下面を上方に向けた状態で、電極板１３Ｂとパターン領域１１からなる１対の電極間に液状の絶縁体１７を注入して凝固させることにより形成することができる。このとき、いわゆる毛細管現象を利用して、１対の電極間に液状の絶縁体１７を注入することが可能である。
【００４１】
このように、電極板１３Ｂと対向するパターン領域１１の間に空気だけでなく絶縁体１７を介在させることにより、電極板１３Ｂがパターン領域１１に接触して短絡が生じるのを防止できる。また、このような構成であっても、電極板１３Ｂ及びパターン領域１１からなる１対の電極間に誘電層１４として空気が介在しているので、高温下で使用した場合に、電極間全体に絶縁体が介在する場合と比べて、電極と絶縁体の熱膨張率の相違などに起因して熱応力が生じるのを抑制できる。
【００４２】
この例では、ＭＥＭＳ技術を用いてコンタクトプローブ５及び電極１３を形成した後、電極板１３Ｂとパターン領域１１からなる１対の電極間に絶縁体１７を形成するような構成について説明したが、このような構成に限らず、コンタクトプローブ５を形成する工程中に、コンタクト基板３の基板面上に第１の電極を形成し、その第１の電極上に絶縁体からなる誘電体層を形成して、当該誘電体層の上方に第２の電極を形成することも可能である。
【００４３】
すなわち、コンタクト基板３の基板面上に、犠牲層を挟んでコンタクトプローブ５、１対の電極及び誘電体層を形成した後、犠牲層を除去することにより、コンタクトプローブ５とともにコンデンサを一度に形成することができる。これにより、コンタクト基板３の基板面上にＭＥＭＳ技術を用いてコンタクトプローブ５を形成する工程中に、ＭＥＭＳ技術を用いてコンデンサを形成することができる。このような構成であっても、プローブカード１を製造する際の工程数を少なくして、製造工程を簡略化することができる。
【００４４】
図３（ｃ）に示した第３変形例によるコンデンサ１５Ｃは、電極１３の両端部がコンタクト基板３に支持されている点で、電極１３が片持ち支持された実施の形態１のコンデンサ１５とは異なる構成を有している。この第３変形例では、電源用プローブ５Ａに接続されるパターン領域１１が２つのパターン領域１１Ａに分割され、これらのパターン領域１１Ａ間に、グランド用プローブ５Ｂに接続されるパターン領域１１Ｂが形成されている。
【００４５】
電極１３は、電源用プローブ５Ａに接続される２つのパターン領域１１Ａからそれぞれ突出した１対の保持部１３Ａと、これらの保持部１３Ａの端部に架け渡され、コンタクト基板３の下面に対して平行に延びる電極板１３Ｂとを有するブリッジ状に形成されている。電極板１３Ｂは、グランド用プローブ５Ｂに接続されたパターン領域１１Ｂに対して一定間隔を隔てて対向している。
【００４６】
このような構成により、電極板１３Ｂ及び電極板１３Ｂに対向するパターン領域１１Ｂからなる１対の電極間に誘電層１４として空気が介在したコンデンサ１５Ｃを形成することができる。特に、電極１３の両端部が支持されているので、電極１３が片持ち支持されている場合と比べて、熱変形が生じたときに１対の電極間の距離が変動しにくく、安定した静電容量を得ることができる。
【００４７】
ただし、電源用プローブ５Ａに接続されているパターン領域１１Ａに電極１３が形成されるような構成に限らず、グランド用プローブ５Ｂに接続されているパターン領域１１Ｂに電極が形成され、その電極１３の電極板１３Ｂが、電源用プローブ５Ａに接続されているパターン領域１１Ａに対向するような構成であってもよい。また、図３（ａ）及び（ｂ）の場合と同様に、電極板１３Ｂに対向するパターン領域１１上に、電極板１６又は絶縁体１７を形成してもよい。さらに、図３（ｃ）に示すようなブリッジ構造は、互いに交差する配線を短絡させることなく接続するための立体配線手段として用いることも可能である。
【００４８】
実施の形態２．
図４は、本発明の実施の形態２によるコンタクト基板１０３の一構成例を示した図であり、（ａ）はコンタクト基板１０３を下面側から見た図、（ｂ）はコンタクト基板１０３の下面の一部を斜めから見た図である。図４（ａ）に示すように、このコンタクト基板１０３は実施の形態１のコンタクト基板３とほぼ同じ構成を有しているが、１対のパターン領域１１の両方に電極１１３が形成されている点で、一方のパターン領域１１にのみ電極１３が形成されている実施の形態１のコンタクト基板３とは異なる。
【００４９】
互いに対向している電源用プローブ５Ａに接続されたパターン領域１１及びグランド用プローブ５Ｂに接続されたパターン領域１１には、それぞれコンタクト基板１０３の下面に対して直交するように電極１１３が突出形成されている。これらの１対の電極１１３は、実施の形態１と同様に、いわゆるＭＥＭＳ技術を用いて、コンタクトプローブ５を形成する工程中にコンタクトプローブ５と同一の金属材料で形成することができる。１対の電極１１３は、互いに一定間隔を隔てて平行に配置されており、コンタクトプローブ５の高さよりも低く形成されている。これにより、１対の電極１１３間に誘電層１１４として空気が介在したコンデンサ１１５を形成することができる。
【００５０】
したがって、検査時に電源用プローブ５Ａに電源電圧が印加されると、電源用プローブ５Ａに接続されているパターン領域１１を介して電極１１３に電圧が印加され、１対の電極１１３間に静電容量を生じさせることができるので、シリコンウエハ２に供給される電源電圧を安定化させることができる。また、１対の電極１１３間に、誘電層１１４として空気を介在させることによりコンデンサ１１５が形成されているので、高温下で使用した場合であっても、電極間に絶縁体が介在する場合のように、電極と絶縁体の熱膨張率の相違などに起因して熱応力が生じるのを防止できる。
【００５１】
また、コンタクト基板１０３の下面に対する１対の電極１１３の高さがコンタクトプローブ５の高さよりも低くなるように形成されているので、検査時に、電極１１３がシリコンウエハ２に接触するのを防止できる。
【００５２】
実施の形態３．
図５は、本発明の実施の形態３によるコンタクト基板２０３の一構成例を示した図であり、（ａ）はコンタクト基板２０３の一部を示した側面図、（ｂ）はコンタクト基板２０３を下面側から見た図である。実施の形態１及び実施の形態２では、コンタクト基板３，１０３の下面におけるコンタクトプローブ５が形成されている領域の外側に、コンデンサ１５，１１５が形成されているような構成について説明したが、実施の形態３では、多数のコンタクトプローブ５が形成されている領域（以下、「プローブ形成領域２０５」と呼ぶ。）にコンデンサ２１５が形成されている点が異なっている。
【００５３】
プローブ形成領域２０５は、複数列に整列配置されたコンタクトプローブ５によって囲まれたほぼ矩形形状の領域として形成されている。この例では、多数のコンタクトプローブ５が２列に整列配置されたプローブ形成領域２０５内に、多数のコンデンサ２１５が形成されている。より具体的には、図５（ｂ）に示すように、各列の互いに近接するコンタクトプローブ５間にコンデンサ２１５が配置されている。なお、図５（ｂ）では、コンタクト基板２０３の下面におけるプローブ形成領域２０５の外側の構成を省略して示している。
【００５４】
各コンデンサ２１５の構成は、実施の形態１に示したコンデンサ１５と同様の構成であるので、図に同一符号を付して詳細な説明を省略することとする。このコンデンサ２１５は、実施の形態１と同様に、いわゆるＭＥＭＳ技術を用いて、コンタクト基板２０３の下面に対してコンタクトプローブ５の高さよりも低く突出するように、コンタクトプローブ５と同一の金属材料を用いて形成されている。
【００５５】
コンデンサ２１５は、図５（ａ）に示した側面視において、コンタクトプローブ５がコンタクト基板２０３の下面との間に形成している空間２０６内に配置されている。すなわち、図５（ｂ）に示すように、各列の互いに近接するコンタクトプローブ５がコンタクト基板３の下面との間にそれぞれ形成している空間２０６の間に形成されている空間２０７内に、コンデンサ２１５が配置されている。このように、多数のコンタクトプローブ５が形成されているプローブ形成領域２０５内にコンデンサ２１５を形成することにより、プローブ形成領域２０５とは別にコンデンサ２１５を形成するための領域を設ける必要がなく、プローブカード１を小型化することができる。
【００５６】
ただし、図５に示したように、各列の互いに近接するコンタクトプローブ５がコンタクト基板２０３の下面との間にそれぞれ形成している空間２０６の間に形成されている空間２０７内にコンデンサ２１５が配置された構成に限らず、コンタクトプローブ５がコンタクト基板２０３の下面との間に形成している空間２０６内に、コンデンサ２１５の一部又は全部が配置されたような構成であってもよい。この場合、オーバードライブ時にコンタクトプローブ５が変形しても接触しない程度の高さでコンデンサ２１５を形成することが好ましい。
【００５７】
以上の実施の形態では、被検査対象の一例として、シリコンウエハ２の電極２Ａにコンタクトプローブ５を接触させる場合について説明したが、このプローブカード１は、シリコンウエハ２などの半導体集積回路に限らず、他の半導体装置の電極に接触させて使用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施の形態１によるプローブカードの一例を示した側面図であり、被検査対象としてのシリコンウエハとのコンタクト前の状態を示している。
【図２】コンタクト基板の一構成例を示した図であり、（ａ）はコンタクト基板を下面側から見た図、（ｂ）はコンタクト基板の下面の一部を斜めから見た図である。
【図３】実施の形態１のコンデンサの変形例を示した図であり、（ａ）は第１変形例によるコンデンサの側面図、（ｂ）は第２変形例によるコンデンサの側面図、（ｃ）は第３変形例によるコンデンサの側面図である。
【図４】本発明の実施の形態２によるコンタクト基板の一構成例を示した図であり、（ａ）はコンタクト基板を下面側から見た図、（ｂ）はコンタクト基板の下面の一部を斜めから見た図である。
【図５】本発明の実施の形態３によるコンタクト基板の一構成例を示した図であり、（ａ）はコンタクト基板の一部を示した側面図、（ｂ）はコンタクト基板を下面側から見た図である。
【符号の説明】
【００５９】
１  プローブカード
２  シリコンウエハ
３  コンタクト基板
４  メイン基板
５  コンタクトプローブ
６  反り抑制部材
７  補強板
８  可動テーブル
１１  パターン領域
１２  配線
１３  電極
１４  誘電層
１５，１５Ａ〜１５Ｃ  コンデンサ
１６  電極板
１７  絶縁体
１０３  コンタクト基板
１１３  電極
１１４  誘電層
１１５  コンデンサ
２０３  コンタクト基板
２０５  プローブ形成領域
２１５  コンデンサ
２０６，２０７  空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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