(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、取り扱いが簡便で、かつ、生産性にも優れた小型の圧電発振器を提供することにある。【解決手段】  圧電素板１１に励振電極１２を形成した圧電振動片８を密閉容器１に収納した圧電振動子１４と半導体回路部品３７とで構成される圧電発振器において、圧電振動子１４の下部に半導体回路部品３７の電極面を搭載し、圧電振動子１４の入出力端９と半導体回路部品３７は直接的に電気的接続が取られており、半導体回路部品３７の電極面からはリードフレーム３１を介して半導体回路部品３７の裏面に電極端子３８が引き回されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電素板に励振電極を形成した圧電振動片を密閉容器に収納した圧電振動子と半導体回路部品とで構成される圧電発振器において、
前記圧電振動子の下部に前記半導体回路部品の電極面を搭載し、前記圧電振動子の入出力端と前記半導体回路部品は直接的に電気的接続が取られており、前記半導体回路部品の電極面からはリードフレームを介して前記半導体回路部品の裏面に電極端子が引き回されていることを特徴とする圧電発振器。
【請求項２】
請求項１記載の圧電振動子と半導体回路部品とは導電部材により電気的な接続が取られていることを特徴とする圧電発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯用通信機器等の電子機器に用いられる圧電発振器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、携帯用通信機器等の電子機器に圧電発振器が用いられている。
【０００３】
かかる従来の圧電発振器としては、例えば図４に示す如く、内部に図中には示されていないが、圧電振動片が収容されている第１の容器２３を、キャビティー部２５内に前記の圧電振動片の振動に基づいて発振出力を制御する半導体回路部品２６やコンデンサ等の電子部品素子が収容されている第２の容器２１上に取着させた構造のものが知られており、かかる圧電発振器をマザーボード等の外部配線基板上に載置させた上、第２の容器２１の下面に設けられている電極端子を外部配線基板の配線にハンダ接合することにより外部配線基板上に実装される。
【０００４】
なお、第１の容器２３や第２の容器２１は、通常、セラミック材料によって形成されており、その内部や表面には配線導体が形成され、従来周知のセラミックグリーンシート積層法等を採用することにより製作される。
【０００５】
また、前記半導体回路部品２６の内部には、圧電振動片の温度特性に応じて作成された温度補償データに基づいて圧電発振器の発振周波数を補正するための温度補償回路が設けられており、圧電発振器を組み立てた後、上述の温度補償データを半導体回路部品２６のメモリ内に格納すべく、第２の密閉容器２１の下面や外側面等には温度補償データ書込用の温度補償制御端子２７が設けられていた。この温度補償制御端子２７に温度補償データ書込装置のプローブ針を当てて半導体回路部品２６内のメモリに温度補償データを入力することにより、温度補償データが半導体回路部品２６のメモリ内に格納される。
【特許文献１】特開２００４−２２８８９５号公報  なお、出願人は前記した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を、本件出願時までに発見するに至らなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、圧電発振器が小型化されると第２の容器２１内に収容される半導体回路部品２６も小型化も必要となるが半導体回路部品２６の小型化にも限界があった。よって、従来の第２の容器２１の構造では半導体回路部品２６を収納するのが困難となり、圧電発振器の小型化の障害となっていた。
【０００７】
本発明は上記欠点に鑑み考え出されたものであり、従ってその目的は、取り扱いが簡便で、かつ、生産性にも優れた小型の圧電発振器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の圧電発振器は、圧電素板に励振電極を形成した圧電振動片を密閉容器に収納した圧電振動子と半導体回路部品とで構成される圧電発振器において、前記圧電振動子の下部に前記半導体回路部品の電極面を搭載し、前記圧電振動子の入出力端と前記半導体回路部品は直接的に電気的接続が取られており、前記半導体回路部品の電極面からはリードフレームを介して前記半導体回路部品の裏面に電極端子が引き回されていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の圧電発振器は上記構成において、圧電振動子と半導体回路部品とは導電部材により電気的な接続が取られていることを特徴とする圧電発振器。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の圧電発振器によれば、圧電素板に励振電極を形成した圧電振動片を密閉容器に収納した圧電振動子と、発振回路を形成した半導体回路部品とから構成する圧電発振器において、圧電振動子の下部に半導体回路部品の電極面を搭載し、圧電振動子の入出力端と半導体回路部品は直接的に電気的接続が取られており、半導体回路部品の電極面からはリードフレームを介して半導体回路部品の裏面に電極端子が引き回されていることから、従来構造の圧電発振器では必要であった半導体回路部品を収容するための容器を不要とすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図においての同一の符号は同じ対象を示すものとする。
【００１２】
図１は本発明の実施形態にかかる圧電発振器の断面図である。図１に図示する圧電発振器は大略的に言って、密閉容器１と、圧電振動片８、半導体回路部品３７とで構成されている。図１に図示する圧電発振器は、キャビティー部１０に圧電振動片８を収容した密閉容器１に、密閉容器１の底面の四隅部に入出力端９が設けられている。入出力端９には密閉容器１の下面に半導体回路部品３７を搭載した構造を有している。また、密閉容器１の入出力端９と半導体回路部品３７は直接的に電気的接続が取られており、半導体回路部品３７の電極面からはリードフレーム３１を介して半導体回路部品３７の裏面に電極端子３８が引き回されている構造となっている。
【００１３】
図２は図３のリードフレーム３１から切断された１個の半導体回路部品３７の電極面の上面図を示したものである。また、図３はリードフレーム３１に半導体回路部品３７を搭載する前の上面図である。
【００１４】
図１において密閉容器１は、例えば、ガラス−セラミック、アルミナセラミックス等のセラミック材料から成る基板２、基板２と同様のセラミック材料から成る側壁３、４２アロイやコパール、リン青銅等から成る蓋体４から成り、前記基板２の上面に側壁３を取着させ、その上面に蓋体４を載置し固定させることによって密閉容器１が構成され、側壁３の内側に位置する基板２の上面に導電性接着剤１３を介して圧電振動片８が実装される。密閉容器１はその内部に、具体的には、基板２の上面と側壁３の内面と蓋体４の下面とで囲まれるキャビティー部１０内に圧電振動片８を収容して気密封止するためのものである。
【００１５】
一方、前記密閉容器１のキャビティー部１０に収容される圧電振動片８は、所定の結晶軸でカットした圧電振動片８の両主面に一対の励振電極１２を被着・形成してなり、外部からの変動電圧が一対の励振電極１２を介して圧電振動片８に印加されると、所定の周波数で厚みすべり振動を起こす。 
【００１６】
また一方で図１、図２に図示するように、上述した基板２の下面には、四隅部に入出力端９が形成されている。これら四隅部の入出力端９に対応する位置には、矩形状に形成されたフリップチップ型の半導体回路部品３７の接続端子３３が形成されており、半導体回路部品３７の接続端子３３と基板２の入出力端９とは導電性接着剤３６を介して接続されている。ここで半導体回路部品３７の電極面の配線は半導体回路部品３７の側面のリードフレーム３１を経由して半導体回路部品３７の裏面の電極端子３８と対応する電極同士が電気的に接続されている。また、図２に示すように半導体回路部品３７の側面には温度補償制御端子３４が形成されている。
【００１７】
ここで半導体回路部品３７はその電極面に、周囲の温度状態を検知する感温素子、圧電振動片８の温度特性を補償する温度補償制御端子３４を有し、温度補償制御端子３４で内部メモリーに書き込まれた温度補償データに基づいて前記圧電振動片８の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路、温度補償回路に接続されて所定の発振出力を生成する発振回路等が設けられており、発振回路で生成された発振出力は、外部に出力された後、例えばクロック信号等の基準信号として利用されることとなる。ここで圧電振動片８と半導体回路部品３７は図１に図示する基板２の内層に設けられたメタライズ配線１５により接続されている。 
【００１８】
また、図３は本発明の実施形態である圧電振動子１４のリードフレーム３１を集合状態から切断する前の上面図である。
【００１９】
次に上述した圧電発振器の製造方法について、本発明の実施形態である図２、図３を用いて説明する。 まず、図３に図示するように、縦ｍ列×横ｎ行（ｍ、ｎは２以上の自然数）のマトリクス状に配列された集合状態のリードフレーム３１を準備する。次に、図３に点線で図示するようにリードフレーム３１上にハンダバンプ３２が形成された半導体回路部品３７を搭載する。その後リフロ炉等を通過させることで半導体回路部品３７のハンダバンプ３２とリードフレーム３１とを電気的に接続する。次にリードフレーム３１を図２に示すように切断する。その後、温度補償制御端子３４と電極端子３８を所定の位置となるように折り曲げる。
これにより、温度補償制御端子３４は半導体回路部品３７の側面に配置され、電極端子３８は、半導体回路部品３７の裏面に配置され形成される。 そして、最後にリードフレーム３１の配線された半導体回路部品３７の接続端子３３と圧電振動子１４の入出力端９とを導電部材３６で電気的に接続することで本発明の圧電発振器が完成する。
【００２０】
そして、半導体回路部品３７は、その電極面に周囲の温度状態を検知する感温素子や圧電振動片８の温度特性を補償する温度補償データを有し、温度補償データに基づいて圧電振動片８の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路を有する半導体回路部品３７へ、圧電発振器の仕様を所望の数値となるように、温度補償制御端子３４よりビットデータを入力し温度補償データの書き込みを行う。
【００２１】
ここで、本発明の特徴部分は図１に図示するように、圧電振動子１４の入出力端９と直接半導体回路部品３７の接続端子３３を電気的に接続し、半導体回路部品３７の電極面からはリードフレーム３１を介して半導体回路部品３７の裏面に電極端子３８が引き回されている点にある。これにより、圧電発振器の更なる小型化が進展し、圧電振動子１４と半導体回路部品３７が該同サイズになったとしても、小型の圧電発振器を製作可能となる。
【００２２】
また、上述したように、リードフレーム３１の集合状態で圧電発振器の一連の組み立て作業を完了できるので圧電発振器の生産性の向上が可能となる。
【００２３】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００２４】
例えば上述の実施形態においては、半導体回路部品３７の裏面の電極端子３８が直接外部配線基板に接続される構造となっているが、これに変えて、電極端子３８を台座等を介して外部配線基板側に接続する構造としても構わない。この場合も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでも無い。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施形態にかかる圧電発振器の概略の断面図である。
【図２】本発明のリードフレームから切断された１個の半導体回路部品の上面図である。
【図３】本発明の実施形態に用いられるリードフレームの集合状態を示す概略の上面図である。
【図４】従来の圧電発振器の概略の断面図である。
【符号の説明】
【００２６】
１・・・密閉容器
２・・・基板
３・・・側壁
４・・・蓋体
８・・・圧電振動片
９・・・入出力端
１０・・・キャビティー部
１１・・・圧電素板
１２・・・励振電極
１３・・・導電性接着剤
１４・・・圧電振動子 
１５・・・メタライズ配線
３１・・・リードフレーム
３２・・・ハンダバンプ
３３・・・接続端子
３４・・・温度補償制御端子
３６・・・導電部材
３７・・・半導体回路部品
３８・・・電極端子
【図１】
2008011471.tif 000003
【図２】
2008011471.tif 000004
【図３】
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【図４】
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