(57)【要約】【課題】長時間駆動しても帯電特性の変化が小さいスペーサを提供することにより、長時間駆動における発光輝点の移動を低減し、画像表示への影響を抑えた画像表示装置を提供する。【解決手段】絶縁体からなる基材１上に、銀粒子がアルミニウムの酸窒化物中に分散配置された構造を有する第１の膜２と、タングステンとゲルマニウム、窒素を含む第２の膜３とを順次積層してスペーサとする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備えた画像表示装置の、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されるスペーサであって、
基材上に、銀粒子がアルミニウムの酸窒化物中に分散配置された構造を有する第１の膜と、タングステンとゲルマニウム、窒素を含む第２の膜とを当該順序で積層した膜構成を有することを特徴とするスペーサ。
【請求項２】
電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されたスペーサを有する画像表示装置であって、
前記スペーサが、基材上に、銀粒子がアルミニウムの酸窒化物中に分散配置された構造を有する第１の膜と、タングステンとゲルマニウム、窒素を含む第２の膜とを当該順序で積層した膜構成を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備えた画像表示装置の、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されるスペーサの製造方法であって、
基材上に、銀粒子がアルミニウムの酸窒化物中に分散配置された構造を有する第１の膜と、タングステンとゲルマニウム、窒素を含む第２の膜とを当該順序で積層することを特徴とするスペーサの製造方法。
【請求項４】
電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されたスペーサを有する画像表示装置の製造方法であって、
前記スペーサを、基材上に、銀粒子がアルミニウムの酸窒化物中に分散配置された構造を有する第１の膜と、タングステンとゲルマニウム、窒素を含む第２の膜とを当該順序で積層することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面型の画像表示装置に用いられるスペーサとその製造方法、さらには、該スペーサを用いた画像表示装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型化・軽量化が可能な画像表示装置として、表面伝導型電子放出素子を用いた平面型の画像表示装置が提案されている。このような電子放出素子を用いた画像表示装置は、電子放出素子を備えたリアプレートと、電子の照射によって発光する発光部材を備えたフェースプレートとを対向配置させ、周縁部に枠材を介して封止することにより、真空容器を形成してなる。このような画像表示装置においては、真空容器内部と外部との気圧差による基板の変形や破損を防止するため、スペーサと呼ばれる大気圧支持構造体を基板間に介在させている。
【０００３】
スペーサは通常、矩形薄板状であり、表面が基板の法線方向に平行になるように、端部を両基板に接して配置される。
【０００４】
しかしながら、スペーサ近傍の素子を駆動すると反射電子のスペーサへの照射によりスペーサが帯電することがある。これを取り除くためにスペーサ表面に除電膜を設ける構成が開示されている（特許文献１，２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２３５７５１号公報
【特許文献２】特開２０００−１９２０１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来のスペーサを備えた画像表示装置を長時間駆動し続けると、スペーサ近傍の発光輝点の位置がごく微量移動するという現象が見出された。上記特許文献で示された画像表示装置においては、その移動量はごくわずかであるが、さらなる高画質化のためには、その移動量をさらに低減することが望まれる。
【０００７】
本発明の目的は、長時間駆動しても帯電特性の変化が小さいスペーサを提供することにより、長時間駆動における発光輝点の移動を低減し、画像表示への影響を抑えた画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１は、電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備えた画像表示装置の、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されるスペーサであって、
基材上に、銀粒子がアルミニウムの酸窒化物中に分散配置された構造を有する第１の膜と、タングステンとゲルマニウム、窒素を含む第２の膜とを当該順序で積層した膜構成を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の第２は、電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されたスペーサを有する画像表示装置であって、
前記スペーサが、
基材上に、銀粒子がアルミニウムの酸窒化物中に分散配置された構造を有する第１の膜と、タングステンとゲルマニウム、窒素を含む第２の膜とを当該順序で積層した膜構成を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の第３は、電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備えた画像表示装置の、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されるスペーサの製造方法であって、
基材上に、銀粒子がアルミニウムの酸窒化物中に分散配置された構造を有する第１の膜と、タングステンとゲルマニウム、窒素を含む第２の膜とを当該順序で積層することを特徴とする。
【００１１】
本発明の第４は、電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されたスペーサを有する画像表示装置の製造方法であって、
前記スペーサを、
基材上に、銀粒子がアルミニウムの酸窒化物中に分散配置された構造を有する第１の膜と、タングステンとゲルマニウム、窒素を含む第２の膜とを当該順序で積層することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、長時間駆動した後もスペーサの表面層の抵抗変化及び二次電子放出効率の変化が小さく、画像表示装置における、ビーム輝点の位置が初期設計値から変わることなく、安定に望ましい位置に表示される。よって、高画質画像を長時間に渡って表示しうる画像表示装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１０（ａ）は本発明のスペーサの一例を模式的に示す斜視図であり、図１０（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面模式図である。図１に、図１０（ｂ）のＢで示される、該スペーサ表面付近の拡大模式図を示す。
【００１４】
本発明のスペーサは、基材１上に第１の膜２と第２の膜３とをこの順序で積層した膜構成を有している。基材１は、スペーサに必要とされる機械的強度を担う役割を持つ部分である。この部分は、機械的強度があり、画像表示装置の製造方法との整合性を持っていればよい。例えば、画像表示装置の組立で熱工程を経る場合において、画像表示装置の他の部材と熱膨張率が離れすぎていると、うまくいかない場合があるので、画像表示装置における組立プロセスに応じて適宜選ばれる。
【００１５】
スペーサ表面の除電は本発明の特徴である、第１の膜２，第２の膜３によって行われるので、特に電流を流すような必要はない。逆に、抵抗が低いものが使われると、スペーサ上下に電子の加速電圧Ｖａが印加されるので、電流が流れすぎてしまい、消費電力が増えてしまい、好ましくない。基材の抵抗値に関しては、第１の膜２より充分に高い抵抗値であることが必要であり、好ましくは絶縁体、具体的にはガラスやセラミックなどの絶縁体が使用される。
【００１６】
第１の膜２，第２の膜３は真空蒸着法や液相法など任意の方法によって、当該順序で基材１上に設けられる。
【００１７】
本発明において、第１の膜２は銀粒子がアルミニウムの酸窒化物中に分散配置された構造を有し、第２の膜３はタングステンとゲルマニウム、窒素を含む。
【００１８】
本発明のスペーサの導電性は、第１の膜２に含まれる銀粒子によって決定される。従って、銀粒子の粒径、及び銀の含有量によってスペーサに最適な抵抗値を持つ膜が作られる。
【００１９】
スペーサにとって適正な比抵抗である、ρ＝１×１０4乃至１×１０11Ωｃｍに調節するためには、銀粒子の粒径は０．５乃至２０ｎｍ、銀含有量は、元素比率で全体の８乃至２２％の範囲であることが望ましい。更に望ましくは、粒径５乃至１０ｎｍ、銀含有量は１１乃至２０％の範囲である。
【００２０】
第１の膜２に含まれるアルミニウムの酸窒化物は、高抵抗な材料である。酸窒化物は、窒化物と酸化物の混合物、或いは一つの原子が窒素と酸素と両方結合を持っているような化合物が含まれ、窒素と酸素の比率は基本的には任意である。このような酸窒化物は、スパッタリングで窒化物を作製すると、酸素が自然に膜中に取り込まれて形成され、本発明においても、Ｎ／Ｏ比で、０．０５乃至０．８の間の膜が自然に出来やすいので、この範囲の膜が好適に使われる。
【００２１】
第２の膜３はタングステン、或いはタングステンの窒化物、ゲルマニウム、或いはゲルマニウムの窒化物が混在したものである。構成元素の主成分は基本的にタングステン、ゲルマニウム、窒素であるが、一部、膜中に酸素が含まれることもある。本発明においては、該第２の膜３中に酸素が含まれた膜も問題なく用いることができる。また、タングステンとゲルマニウムの比率は、膜抵抗に影響を与え、本発明において好適な範囲は、元素比率で、タングステンが０．２乃至２％、ゲルマニウムが３５乃至６０％の範囲である。また、窒素含有量も抵抗に影響を与える。窒化しないタングステンやゲルマニウムが多くなると抵抗が低くなるので、ある程度窒素含有量があることが望ましい。窒素含有量は元素比率で４０乃至６５％の範囲が好適である。
【００２２】
また、本発明においては、第１の膜２，第２の膜３を基材１側からこの順で積層することにより所定の効果を発揮する。
【００２３】
次に、本発明のスペーサを用いた画像表示装置について説明する。
【００２４】
図２に、本発明の画像表示装置の一実施形態の表示パネルの構成を模式的に示す。図２は内部構造を示すためにパネルの一部を切り欠いて示している。図中、１１は電子放出素子、１２は行方向配線、１３は列方向配線、１６はリアプレート（電子源基板）、１７は枠材、１８はフェースプレート（アノード基板）、１９は蛍光膜、２０はメタルバック（アノード電極）である。また、２１はスペーサ、２２はスペーサの固定部材である。尚、本発明に係る第１の基板、第２の基板はそれぞれリアプレート、フェースプレートのいずれかに相当する。
【００２５】
本発明においては、電子源基板であるリアプレート１６とアノード基板であるフェースプレート１８とが、周縁部において枠材１７を介して封止され、気密容器を形成している。当該気密容器内は、１０-4Ｐａ程度の真空に保持されるため、大気圧や不意の衝撃などによる損傷を防止するために大気圧支持構造体として矩形薄板状のスペーサ２１を備えている。該スペーサ２１は画像表示領域外において端部を固定部材２２により固定されている。
【００２６】
リアプレート１６には、表面伝導型の電子放出素子１１がＮ×Ｍ個形成されており、Ｍ本の行方向配線１２とＮ本の列方向配線１３により単純マトリクス配置されている（Ｍ、Ｎは正の整数）。行方向配線１２と列方向配線１３との交差部は不図示の層間絶縁層にて絶縁されている。尚、本実施形態においては表面伝導型の電子放出素子を単純マトリクス配置した構成を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、電界放出型（ＦＥ型）やＭＩＭ型などの電子放出素子においても好ましく適用される。また、本発明は単純マトリクス配置に限定されるものではない。
【００２７】
図２の構成において、フェースプレート１８には、画像表示部材としての蛍光膜１９と、アノード電極としてＣＲＴの分野では公知のメタルバック２０が設けられている。蛍光膜１９は赤、緑、青、の３原色の蛍光体に塗り分けられ、各色の蛍光体の間には黒色導電体（ブラックストライプ）が設けてある。蛍光体の配列は電子源の配列に応じて、例えばストライプ、デルタ、マトリクス状配列などをとる。
【００２８】
本発明で用いられるスペーサ２１はカソード電極である行方向配線１２に平行に配置され、行方向配線１２及びアノード電極であるメタルバック２０とに電気的に接続されている。
【００２９】
また、本発明にかかるスペーサは、アノード電極と電子源とに当接しており、該当接面に別途導電性膜を付設してもよい。
【００３０】
図２に示したスペーサは矩形薄板状であり、本発明において好ましく用いられるが、本発明においては当該形状に限定されるものではなく、同等の効果が得られる範囲で柱状等適宜選択することができる。
【実施例】
【００３１】
（実施例）
次に、図２、図３を用いて本発明を適用した画像表示装置の表示パネルの製造法について、具体的な例を示して説明する。
【００３２】
（スペーサ作製工程）
基材としては、旭硝子製のディスプレイ用低アルカリガラス、ＰＤ２００を用いた。この材料を用い、加熱延伸法を使って、図５に示す基材を作製した。図５（ａ）は基材の平面図、図５（ｂ）は基材の表面部分の断面部分模式図である。本例ではスペーサ２１の高さを２ｍｍとした。また、長手方向の長さは９００ｍｍとした。
【００３３】
本例では基材表面に、長手方向に沿ったストライプ状の凹凸を設けており、その形状は、図５（ｂ）に示すように略正弦波状で、ピッチが４０μｍ、深さが１０μｍである。また基材上部（フェースプレートと接合される側）には、凹凸溝を設けない領域を作り、その幅は基材上端部から２００μｍとした。
【００３４】
上記基材上に、スパッタリングにより第１の膜２，第２の膜３を積層した。
【００３５】
最初に基材１上に、銀とアルミニウムのターゲットで二元同時スパッタを行い、それぞれのターゲットに与える投入電力を変化させることにより組成の調節を行った。本例で用いた第１の膜２の成膜条件を表１に示す。成膜条件は１乃至３まであり、それにより３種類の膜厚を作り分けている。
【００３６】
次いで、タングステンとゲルマニウムのターゲットで二元同時スパッタを行い、それぞれのターゲットに与える投入電力を変化させることにより組成の調節を行って第２の膜３を第１の膜２上に積層した。本例で用いた第２の膜３の成膜条件を表２に示す。成膜条件は４乃至８まであり、それにより５種類の膜厚を作り分けている。
【００３７】
上記第１の膜２と第２の膜３のそれぞれの成膜条件を組み合わせて表３に示すようなスペーササンプルａ乃至ｇを作製した。尚、第１の膜２及び第２の膜３はそれぞれ基材１の表裏両面に同じように成膜される。
【００３８】
【表１】
2008293956.tif 000003
【００３９】
【表２】
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【００４０】
【表３】
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【００４１】
（リアプレート工程）
＜工程１：配線、電極の形成＞
リアプレート１６として、洗浄した青板ガラスの表面に、厚さ０．５μｍのＳｉＯ2層をスパッタリングにより形成し、スパッタリングとフォトリソグラフィ法を用いて表面伝導型電子放出素子の素子電極３１を形成した。材質はＴｉとＮｉを積層したものである。また、素子電極間隔は２μｍとした〔図３（ａ）〕。
【００４２】
続いて、Ａｇペーストを所定の形状に印刷し、焼成することにより列方向配線１３を形成した。列方向配線１３は電子源形成領域の外部まで延長され、電子源駆動用配線となる〔図３（ｂ）〕。
【００４３】
次に、ＰｂＯを主成分とし、ガラスバインダを混合したペーストを用い、同じく印刷法により絶縁層３２を形成した。これは上記列方向配線１３と後述の行方向配線１２を絶縁するものである。尚、素子電極３１の部分には切り欠きを設けて、行方向配線１２と素子電極３１の接続をとるようにした〔図３（ｃ）〕。
【００４４】
続いて、行方向配線１２を上記絶縁層３２上に形成した〔図３（ｄ）〕。方法は列方向配線１３の場合と同じである。
【００４５】
＜工程２：電子源基板作製＞
続いて、ＰｄＯよりなる素子膜３３を形成した。素子膜３３の形成方法は、行及び列方向配線１２，１３を形成したリアプレート１６上に、スパッタリングによりＣｒ膜を形成し、フォトリソグラフィ法により、素子膜３３の形状に対応する開口部をＣｒ膜に形成する。続いて、有機Ｐｄ錯体化合物の溶液を塗布して、大気中３００℃の焼成を行って、ＰｄＯ膜を形成した後、上記Ｃｒ膜をウェットエッチングにより除去して、リフトオフにより所定の形状の素子膜３３とした〔図３（ｅ）〕。
【００４６】
本例においては、前記したＮ×Ｍ個の電子放出素子として、Ｎ＝２４００，Ｍ＝８００とした。また、それぞれの素子は、Ｘ方向で２００μｍ間隔、Ｙ方向で６００μｍ間隔で配置した。
【００４７】
（フェースプレート工程）
＜工程１；アノード電極作製＞
洗浄を行ったガラス基板に、アノード電極２０を作製した。アノード電極２０はスパッタリングにより透明導電膜であるＩＴＯを成膜した。
【００４８】
＜工程２；蛍光体膜作製＞
この工程は図４を用いて説明する。ガラスペースト及び黒色顔料及び銀粒子を含有したペーストを用い、図４（ａ）のようなマトリクス状のブラックマトリクス４１を、スクリーン印刷法により厚さ１０μｍで作製した。またここで、ブラックマトリクス４１は、蛍光体の混色防止、ビームが多少ずれても色ずれを起さない様にする、外光を吸収し画像のコントラストを向上する、等の理由で設けられる。本例ではスクリーン印刷法によりブラックマトリクス４１を作製したが、もちろんこれに限定されるものではなく、例えばフォトリソグラフィ法を用いて作製してもよい。また、ブラックマトリクス４１の材料として、ガラスペーストと黒色顔料及び銀粒子を含んだペーストを用いたが、もちろんこれに限定されるものではなく、例えばカーボンブラックなどを用いてもよい。またブラックマトリクス４１は、本例では図４（ａ）のように、マトリクス状に作製したが、もちろんこれに限定される訳ではなく、図４（ｂ）のようなデルタ状配列やストライプ状配列（不図示）やそれ以外の配列であっても良い。
【００４９】
次に、図４（ａ）に示すように、ブラックマトリクス４１の開口部に、赤色・青色・緑色の蛍光体ペーストを用いてスクリーン印刷法により、３色の蛍光体４２を１色ずつ３回に分けて作製した。本例ではスクリーン印刷法を用いて蛍光膜１９を作製したが、もちろんこれに限定される訳ではなく、例えばフォトリソグラフィ法などにより作製しても良い。また蛍光体はＣＲＴの分野で用いられているＰ２２の蛍光体とし、赤色（Ｐ２２−ＲＥ３；Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ3+）、青色（Ｐ２２−Ｂ２；ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ）、緑色（Ｐ２２−ＧＮ４；ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）のものを用いた。本発明では蛍光体はこれに限定されるわけではなく、その他の蛍光体を用いても良い。
【００５０】
（一体化（封着）工程）
＜封着工程＞
気密容器を組み立てるにあたっては、各部材の接合部に十分な強度と気密性を保持させるため封着する必要がある。本例においては先ず最初にフリットガラスを接合部に塗布し、窒素雰囲気中で、４００乃至５００℃で１０分以上焼成することにより、図２に示す枠材１７とリアプレート１６の接着を行った。
【００５１】
その後に、前述の工程で作製したスペーサ２１をリアプレート１６に固定した。スペーサ２１は全部で２０本を等間隔に並べて用いたが、その中に前述したａ乃至ｇのスペーサを含めた。固定の方法はスペーサ２１の長手方向両端部のリアプレート１６側に、スペーサ固定部材２２を使用してスペーサ２１を固定した。この両端固定部は、画像領域外であり、画像の品位に影響を及ぼさない。また、本例ではリアプレート１６側にスペーサ２１を固定したが、もちろんこれに限定されるわけではなく、例えばフェースプレート１８側に固定したり、固定せずとも自立するようなスペーサを用いてもよい。
【００５２】
その後、低融点金属であるＩｎを用いて、不活性雰囲気中で１６０℃に加熱することによりフェースプレート１８と枠材１７との接着を行い、気密容器の封着を完成した。
【００５３】
気密容器内部を真空に排気するには、気密容器を組み立てた後、不図示の排気管と真空ポンプとを接続し、気密容器内を１０-5Ｐａ程度の真空度まで排気する。その後、排気管を封止するが、気密容器内の真空度を維持するために、封止の直前或いは封止後に気密容器内の所定の位置にゲッター膜（不図示）を形成する。ゲッター膜とは、例えばＢａを主成分とするゲッター材料をヒーターもしくは高周波加熱により加熱し蒸着して形成した膜であり、該ゲッター膜の吸着作用により気密容器内は１×１０-3乃至１×１０-5Ｐａの真空度に維持される。
【００５４】
本例では、不図示の真空排気装置に接続して気密容器内を排気し、圧力が１０-4Ｐａ以下となったところで、フォーミング処理を行った。フォーミング工程は、行方向の各行毎に、行方向配線に波高値の漸増するパルス電圧を印加して行った。尚、フォーミング用のパルスの電流値を測定して、電子放出素子の抵抗値を同時に測定し、１素子当たりの抵抗値が１ＭΩを超えたところでその行のフォーミング処理を終了し、次の行の処理に移る。これを繰り返して、全ての行についてフォーミング処理を完了した。
【００５５】
次いで、活性化処理を行った。この処理に先立ち、上記真空装置の圧力を１０-5Ｐａ以下まで下げ、アセトンを真空装置内に導入し、圧力が１．３×１０-2Ｐａとなるよう導入量を調整した。続いて、行方向配線１２にパルス電圧を印加した。１パルス毎にパルスを加える行方向配線１２を隣の行に切り替え、順次行方向の各配線にパルスを印加することを繰り返す。この処理の結果、各電子放出素子の電子放出部近傍に炭素を主成分とする堆積膜が形成され、素子電流Ｉｆ及び放出電流Ｉｅが大きくなる。このようにして画像表示装置の電子源基板を完成させた。
【００５６】
得られた画像表示装置の画像評価の方法は次のように行った。
【００５７】
（画像の評価方法）
長時間駆動することにより、スペーサに何らかの変化が起きると、ビームの軌道が乱され、等間隔で表示されるべき点灯画素の位置が移動する。この時、本来のビーム位置の間隔Ｌを１Ｌとし、これをビームずれ量の単位とする。ビーム輝点位置がスペーサの変化によって移動した場合、本来表示されるべき位置と、実際に表示された位置との距離の差分をＬの何倍であるかで示し、ΔＬと表記する。本例ではＹ方向の素子ピッチが６００μｍであるので、１Ｌは６００μｍになる。
【００５８】
十分に明るい室内に表示装置を設置し、パネル面から１ｍ離れた場所から目視による表示画像の評価を成人男女５０人の被験者に対して実施した。
【００５９】
ビームの移動による画像の乱れを「見えない」「見えるが気にならない」「見えて気になる」の３段階で評価し、ビームの移動量ΔＬとの関係を求めた。
被験者の過半数が
「見えない」と回答した移動量ΔＬ＝０以上０．０１Ｌ以下。
「見えるが気にならない」と回答した移動量ΔＬ＝０．０１Ｌを超え０．０３Ｌ以下。
「見える」と回答した移動量ΔＬ＝０．０３Ｌを超える。
であった。評価結果を表４に示す。
【００６０】
【表４】
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【００６１】
本発明の抵抗膜の性能評価は、該抵抗膜を備えたスペーサを表示装置に設置し、該スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価にて行った。
【００６２】
また、この評価を長時間駆動の前と後の計２回行い、その２回の値を比較した。長時間駆動の条件は、電子加速電圧１０ｋＶ、全素子点灯（白色表示）で行い、駆動は連続で１０００時間行った。この時、１素子あたりの電子放出量は、３μＡに設定した。
【００６３】
次にビーム移動量の測定方法について示す。
【００６４】
測定は、スペーサ最近接の画素について画像表示階調を変化させ、その時のビームの輝度重心位置をそれぞれ測定することにより行った。
【００６５】
図６に示すように、表示装置の最高輝度階調を１として、１／２、１／４、１／８、１／１６階調で表示した時のビームの輝度重心位置を測定した。
【００６６】
基本的には、表示階調によらず、ビームは本来あるべき位置に変わらずに表示されるよう設計されているので、図６のようなプロファイルを示す。
【００６７】
それに対し、もし、スペーサに何らかの変化が生じると、次のいずれかの変化が生じる。
（ａ）図７のように高階調側（１階調）のビーム位置が変化する。
（ｂ）図８のように低階調側（１／１６階調）のビーム位置が変化する。
【００６８】
即ち、（ａ）、（ｂ）のいずれかにおいて、図９のような現象が観測されるということである。その時のΔＬを測定した。
【００６９】
本例においては、画像表示装置の組立が終わり、長時間駆動する前の最初の時点と、その後、連続１０００時間駆動した後の２回、画像評価測定を行った。
【００７０】
その結果を表５に示す。
【００７１】
先ず最初にａからｇいずれの条件においても、長時間駆動前のビーム位置は、表示階調によらず一定であり、１階調と１／１６階調のビーム輝度重心の位置の差は、ΔＬ＜０．００１Ｌ（測定限界以下）であり、高品位な画像を表示し続けた。
【００７２】
次に、長時間駆動前後のビーム位置を比較した。
【００７３】
高階調表示時（１階調）、長時間駆動前後のビーム輝度重心位置の差は、ΔＬ＜０．００１Ｌ（測定限界以下）であり、高品位な画像を表示し続けた。
【００７４】
また、低階調表示時（１／１６階調）、長時間駆動前後のビーム輝度重心位置の差は、ΔＬ＜０．００１Ｌ（測定限界以下）であり、高品位な画像を表示し続けた。
【００７５】
【表５】
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【００７６】
（比較例１）
比較例１として、実施例で作製した各成膜条件の第１の膜２、第２の膜３についてそれぞれ単層構成としたスペーサを作製し、実施例と同様にして画像表示装置を作製し、得られた画像表示装置の画像評価測定を、実施例と同様に行った。結果を表６に示す。
【００７７】
【表６】
2008293956.tif 000008
【００７８】
ｈ、ｉ、ｊのサンプルは、低階調表示のビーム輝度重心位置を長時間駆動前後において比較すると、０．０１１Ｌ乃至０．０１２Ｌ程度の移動が観測された。これは、過半数の人が「ビーム移動による画像のずれが見えるが気にならない」と感じるレベルであり、画像形成には問題ではないが、実施例に比べるとビームの移動量は大きいという結果になった。
【００７９】
また、ｋ乃至ｏのサンプルは、高階調表示のビーム輝度重心位置を長時間駆動前後において比較すると、≒０．０２０Ｌ程度の移動が観測された。これは、過半数の人が「ビーム移動による画像のずれが見えるが気にならない」と感じるレベルであり、画像形成には問題ではないが、実施例に比べるとビームの移動量は大きいという結果になった。
【００８０】
（比較例２）
比較例２として、実施例で作製した各成膜条件の第１の膜２、第２の膜３の積層順序を逆転させたスペーサを作製した。すなわち第１の膜２はタングステンとゲルマニウム、窒素を含む膜であり、第２の膜３は銀粒子がアルミニウムの酸窒化物中に分散配置された構造を有する膜である。それぞれ作製したサンプルを表７に示す。
【００８１】
【表７】
2008293956.tif 000009
【００８２】
実施例と同様にして画像表示装置を作製し、得られた画像表示装置の画像評価測定を、実施例と同様に行った。結果を表８に示す。
【００８３】
【表８】
2008293956.tif 000010
【００８４】
ｐ乃至ｖのサンプルは、低階調表示のビーム輝度重心位置を長時間駆動前後において比較すると、０．０１１Ｌ乃至０．０１２Ｌ程度の移動が観測された。これは、過半数の人が「ビーム移動による画像のずれが見えるが気にならない」と感じるレベルであり、画像形成には問題ではないが、実施例に比べるとビームの移動量は大きいという結果になった。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明のスペーサの表面近傍の部分断面模式図である。
【図２】本発明の画像表示装置の一例の表示パネルの構成を模式的に示す斜視図である。
【図３】本発明の実施例におけるリアプレートの作製工程を示す平面模式図である。
【図４】本発明の画像表示装置に用いられるフェースプレートの蛍光膜を示す平面模式図である。
【図５】本発明の実施例に用いたスペーサの形状を示す図である。
【図６】スペーサ最近接素子の表示階調、連続駆動によるビーム位置の動きの説明図である。
【図７】スペーサ最近接素子の表示階調、連続駆動によるビーム位置の動きの説明図である。
【図８】スペーサ最近接素子の表示階調、連続駆動によるビーム位置の動きの説明図である。
【図９】スペーサ最近接素子の表示階調、連続駆動によるビーム位置の動きの説明図である。
【図１０】本発明のスペーサの一例を模式的に示す斜視図とその断面模式図である。
【符号の説明】
【００８６】
１  基材
２  第１の膜
３  第２の膜
１１  電子放出素子
１２  行方向配線
１３  列方向配線
１６  リアプレート
１７  枠材
１８  フェースプレート
１９  蛍光膜
２０  メタルバック
２１  スペーサ
２２  スペーサ固定部材
３１  素子電極
３２  絶縁層
３３  素子膜
４１  ブラックマトリクス
４２  蛍光体
【図１】
2008293956.tif 000011
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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