(57)【要約】      （修正有）【課題】ナノインプリント成形によって微細パターンを好適に形成することができる転写材料を提供する。【解決手段】ナノインプリント成形に用いる転写材料において、有機ケイ素化合物と周期律表の３族〜１４族の金属化合物とを含有する微細パターン樹脂組成物。前記有機ケイ素化合物が、ポリシルセスキオキサン化合物である。前記金属化合物が、式Ｍ（ＯＲ）nで表される微細パターン転写材料。（式中、Ｍは周期律表第３族〜１４族に属する金属元素、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基もしくはフェニル基を示し、ｎは１〜５の整数を示す。）【選択図】図１
2008194894.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノインプリント成形に用いる転写材料において、有機ケイ素化合物と周期律表の３族から１４族の金属化合物とを含有することを特徴とする、微細パターン転写材料。
【請求項２】
前記有機ケイ素化合物が、ポリシルセスキオキサン化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の微細パターン転写材料。
【請求項３】
前記金属化合物が、下記式（１）で表されることを特徴とする、請求項１または２に記載の微細パターン転写材料。
Ｍ（ＯＲ）n                    式（１）
（式中、Ｍは周期律表第３族〜１４族に属する金属元素、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基もしくはフェニル基を示し、ｎは１〜５の整数を示す。）
【請求項４】
前記式（１）におけるＭがＮｂ、Ｔｉ、Ｔａ、ＳｂまたはＨｆであって、Ｒがメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基またはｔｅｒｔ−ブチル基であることを特徴とする、請求項３に記載の微細パターン転写材料。
【請求項５】
前記有機ケイ素化合物がポリフェニルシルセスキオキサンまたはポリスチリルシルセスキオキサンであり、前記金属化合物がテトラエトキシチタン、ペンタエトキシタンタル、ペンタｎ−ブトキシタンタルまたはペンタエトキシタングステンであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の微細パターン転写材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造プロセスおよび垂直磁気記録方式のパターンドメディア製造プロセスなどにおいて好適に用いられる微細なパターン転写材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスおよび垂直磁気記録方式のパターンドメディア製造プロセスなどにおいて必要な微細パターンをナノインプリント成形するための技術、なかでも転写材料の開発が産業界より強く求められている。
【０００３】
これまで、ポリ水素化シルセスキオキサンによる塗布膜を基板上に形成後、該塗布面を１５０℃以下でプリベークした後に型押しすることにより基板上に微細なパターンを室温でナノインプリント成形する技術が開示されている（特許文献１および非特許文献１，２，３参照）。さらに篭型ポリシルセスキオキサンを用いた同様の技術も開示されている（特許文献２参照）。このような技術は、半導体製造プロセスのみならず、パターンドメディアまたはディスクリートトラックメディアなどの磁気記録メディアの加工にも応用され始めている（特許文献３参照）。しかし、これまでに用いられているポリマーは、耐熱性が低く、パターン形成後の環境によってはパターン形状を維持できないという問題があった。
【０００４】
このような問題点を克服するため、耐熱性の高いポリイミド樹脂を用いて微細パターンを形成させる技術も開示されている（特許文献４参照）。しかし、矩形の上部が凹んだ形で転写されるなど、成形性に問題があった。
【特許文献１】特開２００３−１００６０９号公報
【特許文献２】特開２００６−２８５０１７号公報
【特許文献３】特開２００６−３０２３９６号公報
【特許文献４】特開２００６−１１０９５６号公報
【非特許文献１】Y.Igaku et al., Jpn. J. Appli. Phys., 41, 4198 (2002)
【非特許文献２】S. Matsui et al., J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 688 (2003)
【非特許文献３】S.Z.Chen et al., J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 1934 (2006)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、ナノインプリント成形によって微細パターンを好適に形成することができる転写材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題に関し、鋭意検討を行った結果、有機ケイ素化合物に金属化合物を混合した樹脂組成物を調製することで耐熱性を向上させた微細パターン転写材料が本発明の目的を達成できることを見出した。すなわち本発明は、以下の事項からなる。
［１］ナノインプリント成形に用いる転写材料において、有機ケイ素化合物と周期律表の３族から１４族の金属化合物とを含有することを特徴とする、微細パターン転写材料。
［２］前記有機ケイ素化合物が、ポリシルセスキオキサン化合物であることを特徴とする、［１］に記載の微細パターン転写材料。
［３］前記金属化合物が、下記式（１）で表されることを特徴とする、［１］または［２］に記載の微細パターン転写材料。
【０００７】
Ｍ（ＯＲ）n                    式（１）
（式中、Ｍは周期律表第３族〜１４族に属する金属元素、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基もしくはフェニル基を示し、ｎは１〜５の整数を示す。）
［４］前記式（１）におけるＭがＮｂ、Ｔｉ、Ｔａ、ＳｂまたはＨｆであって、Ｒがメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基またはｔｅｒｔ−ブチル基であることを特徴とする、［３］に記載の微細パターン転写材料。
［５］前記有機ケイ素化合物がポリフェニルシルセスキオキサンまたはポリスチリルシルセスキオキサンであり、前記金属化合物がテトラエトキシチタン、ペンタエトキシタンタル、ペンタｎ−ブトキシタンタルまたはペンタエトキシタングステンであることを特徴とする、［１］〜［４］のいずれかに記載の微細パターン転写材料。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の微細パターン転写材料は、耐熱性に優れ、半導体製造プロセスおよび垂直磁気記録方式のパターンドメディア製造プロセスなどにおいて必要な微細なパターンを好適に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の微細パターン転写材料について以下に具体的に説明する。
〔転写材料〕
本発明の微細パターン転写材料は、有機ケイ素化合物と金属化合物とを含有する。微細パターンは、基板上に塗布された本発明の転写材料に、あらかじめ微細パターンが刻み込まれた金型を押しつけることによって転写される。
【００１０】
＜有機ケイ素化合物＞
有機ケイ素化合物としては、シリコン樹脂およびポリシルセスキオキサン化合物を使用することができるが、特にポリシルセスキオキサンを使用することが好ましい。ここで、「ポリシルセスキオキサン」とは、三官能性シラン化合物を加水分解することによって得られる、主鎖にシロキサン結合を有し、側鎖に水素原子または有機基を有するネットワーク型ポリマーまたは多面体クラスターのことをいう。
【００１１】
ポリシルセスキオキサンの具体例としては、ポリ水素化シルセスキオキサン、ポリメチルシルセスキオキサン、ポリエチルシルセスキオキサン、ポリプロピルシルセスキオキサン、ポリイイソプロピルシルセスキオキサン、ポリブチルシルセスキオキサン、ポリ−ｓｅｃ−ブチルシルセスキオキサン、ポリ−ｔｅｒｔ−ブチルシルセスキオキサン、ポリフェニルシルセスキオキサン、ポリナフチルシルセスキオキサン、ポリスチリルシルセスキオキサンおよびポリアダマンチルシルセスキオキサンなどが挙げられる。これらの中では、ポリ水素化シルセスキオキサン、ポリメチルシルセスキオキサン、ポリエチルシルセスキオキサン、ポリ−ｔｅｒｔ−ブチルシルセスキオキサン、ポリフェニルシルセスキオキサンおよびポリスチリルシルセスキオキサンが好ましく、ポリフェニルシルセスキオキサンおよびポリスチリルシルセスキオキサンが特に好ましい。
【００１２】
ポリシルセスキオキサンは、たとえば、特開２００２−８８１５７号公報および特開２００２−８８２４５号公報に示されるような公知の方法により製造してもよいし、たとえば、小西化学工業（株）などにより市販されているものを使用してもよい。
【００１３】
＜金属化合物＞
金属化合物としては、一般式Ｍ（ＯＲ）n（式中、Ｍは周期律表第３族〜１４族に属す
る金属元素、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基もしくはフェニル基を示し、ｎは１〜６の整数を示す。）で表される金属アルコキシド化合物を使用することができる。ここで、「金属元素」とは、３〜１３族のすべての元素および１４族のゲルマニウムおよび錫をいう。また、「周期律表」とは、ＩＵＰＡＣ無機化学命名法改訂版（１９８９）による周期律表
をいう。
【００１４】
金属化合物の具体例としては、トリメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、トリ−ｎ−プロポキシアルミニウム、トリイソプロポキシアルミニウム、トリ−ｎ−ブトキシアルミニウム、トリイソブトキシアルミニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシアルミニウム、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシアルミニウム、トリエトキシ砒素、トリメトキシボロン、トリエトキシボロン、トリイソプロポキシボロン、トリ−ｎ−プロポキシボロン、トリイソプロポキシビスマス、トリエトキシビスマス、トリ−ｔｅｒｔ−アミロキシビスマス、トリフェニルビスマス、ジイソプロポキシコバルト、トリイソプロポキシジスプロシウム、トリイソプロポキシエルビウム、トリイソプロポキシユーロピウム、トリエトキシ鉄、トリイソプロポキシ鉄、トリメトキシガリウム、トリイソプロポキシガリウム、トリ−ｎ−プロポキシガリウム、トリ−ｎ−プロポキシガドリニウム、テトラメトキシゲルマニウム、テトラエトキシゲルマニウム、テトライソプロポキシゲルマニウム、テトラノルマルプロポキシゲルマニウム、テトライソブトキシゲルマニウム、テトラ−ｎ−ブトキシゲルマニウム、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシゲルマニウム、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシゲルマニウム、テトラメトキシハフニウム、テトラエトキシハフニウム、テトライソイソプロポキシハフニウム、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシハフニウム、トリイソプロポキシインジウム、トリエトキシランタン、トリイソプロポキシランタン、ジ−ｎ−ブトキシマンガン、ペンタエトキシモリブデン、ペンタメトキシニオブ、ペンタエトキシニオブ、ペンタイソプロポキシニオブ、ペンタ−ｎ−プロポキシニオブ、ペンタイソブトキシニオブ、ペンタ−ｎ−ブトキシニオブ、ペンタ−ｓｅｃ−ブトキシニオブ、トリイソプロポキシネオジム、ジイソプロポキシ鉛、トリイソプロポキシプラセオジム、トリメトキシアンチモン、トリエトキシアンチモン、トリイソプロポキシアンチモン、トリ−ｎ−プロポキシアンチモン、トリイソブトキシアンチモン、トリ−ｎ−ブトキシアンチモン、トリイソプロポキシスカンジウム、トリイソプロポキシサマリウム、テトラエトキシ錫、テトライソプロポキシ錫、テトラ−ｎ−ブトキシ錫、
【００１５】
ペンタメトキシタンタル、ペンタエトキシタンタル、ペンタイソプロポキシタンタル、ペンタｎ−プロポキシタンタル、ペンタイソブトキシタンタル、ペンタ−ｎ−ブトキシタンタル、ペンタ−ｓｅｃ−ブトキシタンタル、ペンタ−ｔｅｒｔ−ブトキシタンタル、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラｎ−プロポキシチタン、テトライソブトキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシチタン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシチタン、ペンタエトキシタングステン、ペンタイソプロポキシタングステン、トリエトキシイットリウム、トリイソプロポキシイットリウム、トリイソプロポキシイッテルビウム、ジエトキシ亜鉛、テトラメトキシジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、テトライソプロポキシジルコニウム、テトラｎ−プロポキシジルコニウム、テトライソブトキシジルコニウム、テトラ−ｎ−ブトキシジルコニウムおよびテトラ−ｓｅｃ−ブトキシジルコニウム、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシジルコニウムを挙げることができる。この中でも、トリエトキシ砒素、トリメトキシボロン、トリエトキシボロン、トリイソプロポキシボロン、トリ−ｎ−プロポキシボロン、テトラメトキシゲルマニウム、テトラエトキシゲルマニウム、テトライソプロポキシゲルマニウム、テトラ−ｎ−プロポキシゲルマニウム、テトライソブトキシゲルマニウム、テトラ−ｎ−ブトキシゲルマニウム、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシゲルマニウム、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシゲルマニウム、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシハフニウム、ペンタエトキシモリブデン、ペンタエトキシニオブ、ペンタ−ｎ−プロポキシニオブ、ペンタ−ｎ−ブトキシニオブ、ペンタ−ｓｅｃ−ブトキシニオブ、トリエトキシアンチモン、トリイソプロポキシアンチモン、トリ−ｎ−プロポキシアンチモン、トリイソブトキシアンチモン、トリ−ｎ−ブトキシアンチモン、ペンタメトキシタンタル、ペンタエトキシタンタル、ペンタイソプロポキシタンタル、ペンタｎ−プロポキシタンタル、ペンタイソブトキシタンタル、ペンタ−ｎ−ブトキシタンタル、ペンタ−ｓｅｃ−ブトキシタンタル、ペンタ
−ｔｅｒｔ−ブトキシタンタル、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラ−ｎ−プロポキシチタン、テトライソブトキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシチタン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシチタン、ペンタエトキシタングステンおよびペンタイソプロポキシタングステンが好ましく、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシハフニウム、ペンタエトキシニオブ、ペンタ−ｎ−プロポキシニオブ、ペンタ−ｎ−ブトキシニオブ、ペンタ−ｓｅｃ−ブトキシニオブ、トリエトキシアンチモン、トリイソプロポキシアンチモン、トリ−ｎ−プロポキシアンチモン、トリイソブトキシアンチモン、トリ−ｎ−ブトキシアンチモン、ペンタメトキシタンタル、ペンタエトキシタンタル、ペンタイソプロポキシタンタル、ペンタ−ｎ−プロポキシタンタル、ペンタイソブトキシタンタル、ペンタ−ｎ−ブトキシタンタル、ペンタ−ｓｅｃ−ブトキシタンタル、ペンタ−ｔｅｒｔ−ブトキシタンタル、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラ−ｎ−プロポキシチタン、テトライソブトキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシチタン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシチタン、ペンタエトキシタングステンおよびペンタイソプロポキシタングステンが特に好ましい。
【００１６】
＜調製方法＞
本発明の微細パターン転写材料は、ポリシルセスキオキサンおよび金属アルコキシドを含有する樹脂組成物からなる。前記樹脂組成物の調整方法としては、両者を直接混合させる方法、あるいは、ポリシルセスキオキサンおよび金属アルコキシドの溶液をあらかじめ調製した後、混合する方法が挙げられる。
【００１７】
溶媒の具体例としては、
ベンゼン、トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素類；
塩化メチレンおよびクロロホルムなどのハロゲン化炭化水素類；
テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルおよびジエチレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル類；
アセトン、メチルエチルケトン、３，５，５−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−オンおよびメチルイソブチルケトンなどのケトン類；
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ブチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、酢酸３−メトキシブチル、
エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートおよびジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートなどのエステル類；
ジメチルスルホキシドおよびＮ−メチルピロリドンなどの極性有機溶媒；
メタノール、エタノールおよびイソプロパノールなどのアルコール類；
プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、３−メトキシブタノール、ジエチレングリコールモノエチルエーテルおよびジエチレングリコールモノブチルエーテルなどのエーテルアルコール類を挙げることができる。これらは１種単独で用いてもよく、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１８】
本発明の微細パターン転写材料としては、ポリシルセスキオキサンを１００重量部とすると、金属アルコキシドを対応する金属の酸化物の重量へ換算した際の重量は、好ましくは、０．１〜３００重量部、好ましくは５〜２００重量部、特に好ましくは１０〜１００重量部となるように混合して用いる。
【００１９】
上記範囲内では形成される微細パターンが安定するため好ましい。
〔基板〕
微細パターン転写材料を塗布する基板としては、シリコン基板、アルミ基板、ガラス基板、スパッタ法などによりメタル層または炭素層を表面に形成させた基板およびガラス基板製ハードディスクメディアの他、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルム、ポリエチレンテレナフタレート樹脂フィルムおよびシリコン樹脂フィルムを用いることができる。
【００２０】
〔塗布〕
微細パターン転写材料の基板への塗布は大気中で実施してもよいし、窒素ガス、ヘリウムガスおよびアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気下で実施することもできる。その際、−１０℃〜２００℃の範囲の温度下で実施することができる。
【００２１】
微細パターン転写材料の基板への塗布は太陽光の下で実施してもよいし、蛍光灯下もしくはＵＶカット蛍光灯下で実施してもよい。
微細パターン転写材料の基板への塗布方法としては、インクジェットプリンタなどの印刷機を用いて基板上へ印刷する方法、基板上に転写材料を直接滴下もしくは噴霧する方法、あるいは、基板を転写材料溶液に浸漬させた後、静置するか、または、浸漬後、１００ｒｐｍ〜１００００ｒｐｍの回転速度、好ましくは１００ｒｐｍ〜６０００ｒｐｍの回転速度で基板を回転させて基板全面に均一な転写材料の膜を塗布する方法が挙げられる。その際、回転速度は任意の段数であってよく、多段的に変化させることもできる。また、転写材料は基板両面に塗布してもよいし、必要に応じて片面にだけ塗布することもできる。
【００２２】
塗布する膜厚は、ナノインプリント成形に用いるスタンパの形状などに応じて、０．０１ｎｍから１０μｍまでの任意の厚みに塗布することができる。最適な膜厚は、塗布工程の条件を検討して決定してもよいし、ナノインプリント成形時の転写材料の挙動を有限要素法などのシミュレーション方法を用いて決定することもできる。ここで、「ナノインプリント成形」とは、金型に刻み込んだ凹凸の線幅寸法が数十ｎｍ〜数百ｎｍのパターンを基板上に塗布した樹脂材料に押しつけて転写する技術をいう。
【００２３】
転写材料を塗布した後の基板は、直接ナノインプリント成形による微細パターン製造の工程へと進んでもよいし、必要に応じて、真空下、あるいは、空気、酸素ガス、水素ガス、窒素ガス、ハロゲンガス、ハロゲン化炭化水素ガス、炭化水素ガス、芳香族系有機化合物ガス、ヘリウムガスまたはアルゴンガスなどのガス気流下に放置して乾燥および前処理などを行ってから、ナノインプリント成形による微細パターン製造の工程へと進んでもよい。その際、−１０℃〜３００℃までの任意の温度下で行うことができる。
【００２４】
〔微細パターンの製造〕
ナノインプリント成形による微細パターンの製造は、大気中で行ってもよいし、真空下、あるいは、窒素ガス、ヘリウムガスおよびアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気下で行ってもよい。その際、−１０℃〜３００℃までの任意の温度下で行うことができる。ナノインプリント成形による微細パターンの製造は、太陽光の下で行ってもよいし、蛍光灯または紫外波長を除外した蛍光灯の下で行ってもよい。
【００２５】
ナノインプリント成形によって形成される微細パターンの線幅は、１０μｍ以下である。
ナノインプリント成形により微細パターンを製造した後の基板は、そのまま次の工程で用いてもよいし、必要に応じて、低圧水銀灯または高圧水銀灯照射下、紫外ＬＥＤ光の下で真空下、あるいは空気、酸素ガス、水素ガス、窒素ガス、ハロゲンガス、ハロゲン化炭化水素ガス、炭化水素ガス、芳香族系有機化合物ガス、ヘリウムガスまたはアルゴンガスなどのガス気流下に放置して乾燥および前処理などを行ってから、次の工程へと進んでもよい。その際、−１０℃〜３００℃までの任意の温度下で行うことができる。
【００２６】
微細パターンの製造に用いられる金型（モールド）の素材としては、タンタル、ニッケル、タングステン、シリコンおよびガラス製のものが挙げられる。基板に塗布された転写材料に金型を押しつける際の圧力は、５０ＭＰａ〜２５０ＭＰａ、好ましくは１００ＭＰａ〜２００ＭＰａである。
【００２７】
〔実施例〕
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００２８】
ポリフェニルシルセスキオキサン（商品名：ＰＰＳＱ−Ｔ、小西化学工業(株)社製）０．５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート９．５ｇに溶解させた。その溶液５ｇに室温下、窒素ボックス内で、ペンタエトキシタンタル０．３２ｇを滴下し、容器を震盪させて混合した。その容器を窒素ボックス内に４８時間放置した後、得られた無色透明の溶液を細孔径０．２μｍのフィルターで濾過すると樹脂組成物（以下、「微細パターン転写材料（ａ）」という。）溶液が得られた。その溶液０．５ｍｌをスピンコーター内にセットされたガラス基板製ハードディスクメディア上に滴下し、５００ｒｐｍで１０秒間回転させ、次いで３０００ｒｐｍで２秒間、さらに５０００ｒｐｍで２０秒間回転させることによって、ハードディスクメディアの片面に微細パターン転写材料（ａ）の薄膜を形成させた。形成された薄膜をプレス機を使ってＮｉ製金型に押しつけることによって（１１８ＭＰａ）、ハードディスクメディア上に微細パターン転写材料（ａ）による微細パターンを形成させた。ハードディスクメディアを破断し、断面を電界放射型電子顕微鏡を用いて観測したところ、図１に示したように微細パターン転写材料（ａ）による微細パターンが形成されていることが分かった。また、微細パターン転写材料（ａ）による微細パターンが形成されたハードディスクメディアを２５０℃で１時間熱処理した後、断面を観察したところ、図２に示したように形成された微細パターンがそのまま残っていることが分かった。
【００２９】
なお、図はライン幅１２０ｎｍおよびスペース幅６０ｎｍの金型を用いた場合の写真である。「ライン幅」とは、転写されてできた凹凸の凸部の線幅、「スペース幅」とは、転写されてできた凹凸の凹部の線幅をいう。
【実施例２】
【００３０】
実施例１と同様の方法で、ハードディスクメディア上に微細パターン転写材料（ａ）の薄膜を形成させた。そのハードディスクメディアを１６０℃で１時間熱処理した後、室温下、薄膜をプレス機を使ってＮｉ製金型に押しつけることによって（１１８ＭＰａ）、ハードディスクメディア上に微細パターン転写材料（ａ）による微細パターンを形成させた。ハードディスクメディアを破断し、断面を観察したところ、図３に示したように微細パターンが形成されていることが分かった。また、微細パターン転写材料（ａ）による微細パターンが形成されたハードディスクメディアをさらに２５０℃で１時間熱処理した後、断面を観察したところ、図４に示したように形成された微細パターンは高温の熱処理後もそのまま残っていることが分かった。
【実施例３】
【００３１】
ペンタエトキシタンタル０．１４ｇを用いた以外は、実施例１および実施例２と同様にして、微細パターン転写材料（ｂ）の溶液を調製し、微細パターンの形成および観察を行った。結果を表１に示す。
【実施例４】
【００３２】
ペンタエトキシタンタル０．２３ｇを用いた以外は、実施例１および実施例２と同様にして、微細パターン転写材料（ｃ）の溶液を調製し、微細パターンの形成および観察を行った。結果を表１に示す。
【実施例５】
【００３３】
ペンタエトキシタンタル０．４６ｇを用いた以外は、実施例１および実施例２と同様にして、微細パターン転写材料（ｄ）の溶液を調製し、微細パターンの形成および観察を行った。結果を表１に示す。
【実施例６】
【００３４】
ペンタｎ−ブトキシタンタル０．１２ｇを用いた以外は、実施例１および実施例２と同様にして、微細パターン転写材料（ｅ）の溶液を調製し、微細パターンの形成および観察を行った。結果を表１に示す。
【実施例７】
【００３５】
ペンタエトキシタングステン０．０９ｇを用いた以外は、実施例１および実施例２と同様にして、微細パターン転写材料（ｆ）の溶液を調製し、微細パターンの形成および観察を行った。結果を表１に示す。
【実施例８】
【００３６】
ペンタエトキシタングステン０．１５ｇを用いた以外は、実施例１および実施例２と同様にして、微細パターン転写材料（ｇ）の溶液を調製し、微細パターンの形成および観察を行った。結果を表１に示す。
【実施例９】
【００３７】
ペンタエトキシタングステン０．２０ｇを用いた以外は、実施例１および実施例２と同様にして、微細パターン転写材料（ｈ）の溶液を調製し、微細パターンの形成および観察を行った。結果を表１に示す。
【００３８】
［比較例１］
ポリフェニルシルセスキオキサン（商品名：ＰＰＳＱ−Ｔ、小西化学工業(株)社製）０．５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート９．５ｇに溶解させた。その溶液（以下、「微細パターン転写材料（ｉ）」という。）０．５ｍｌをスピンコーター内にセットされたガラス基板製ハードディスクメディア上に滴下し、その後５００ｒｐｍで１０秒間回転、次いで３０００ｒｐｍで２秒間、さらに５０００ｒｐｍで２０秒間回転させることによって、ハードディスクメディア上に樹脂組成物（ｉ）の薄膜を形成させた。形成された薄膜をプレス機を使ってＮｉ製金型に押しつけることによって（１１８ＭＰａ）、ハードディスクメディア上に微細パターン転写材料（ｉ）による微細パターンを形成させた。ハードディスクメディアを破断し、断面を電界放射型電子顕微鏡を用いて観測したところ、微細パターン転写材料（ｉ）による微細パターンが形成されていることが分かった。しかし、２５０℃で１時間熱処理した後、断面を観察したところ、形成された微細パターンは熱処理によって消失していた。結果を表１に示す。
【００３９】
［比較例２］
比較例１と同様にして、ハードディスクメディア上に微細パターン転写材料（ｉ）の薄膜を形成させた。そのハードディスクメディアを１６０℃で1時間熱処理した後に、室温
下、形成された薄膜をプレス機を使ってＮｉ製金型に押しつけることによって（１１８ＭＰａ）、ハードディスクメディア上に微細パターンを形成させた。断面を電界放射型電子顕微鏡を用いて観測したところ、微細パターンが形成されていることが分かった。しかし、２５０℃で１時間熱処理した後に同様にして断面を観察したところ、形成された微細パ
ターンは熱処理によって消失していた。結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】
2008194894.tif 000003
【００４１】
○  微細パターンの形成が確認された
×  形成された微細パターンが消失していた
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明の微細パターン転写材料は、耐熱性が大幅に向上しており、ナノインプリント成形される基板上の微細パターン形状を安定に保つことができることから、半導体製造プロセスおよび垂直磁気記録方式のパターンドメディア製造プロセスなどに幅広く利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】実施例１の微細パターン転写材料（ａ）で形成された微細パターンを示す写真である。
【図２】実施例１の微細パターン転写材料（ａ）で形成された微細パターンをさらに熱処理した後の写真である。
【図３】実施例２の熱処理した微細パターン転写材料（ａ）で形成された微細パターンを示す写真である。
【図４】実施例２の熱処理した微細パターン転写材料（ａ）で形成された微細パターンをさらに熱処理した後の写真である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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