(57)【要約】  【課題】  装置コストを低く抑え、エネルギー変換効率を向上させるとともに、ドロップレットの位置のずれを解消して、エネルギーのばらつきがなく安定してＥＵＶ光出力が得られるようにする。【解決手段】  ドロップレット供給手段６は、金属または金属化合物をターゲット１として含むドロップレット１Ａを供給路１Ｂに沿ってＥＵＶ光発生点Ａに向けて供給する。ドロップレット加熱手段７は、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂの周囲に熱源７ａが配置され、熱源７ａから輻射される輻射熱によりドロップレット１Ａを加熱する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットがプラズマ状態にされてＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置において、
金属または金属化合物をターゲットとして含むドロップレットを供給路に沿ってＥＵＶ光発生点に向けて供給するドロップレット供給手段と、
ドロップレットの供給路の周囲に熱源が配置され、熱源から輻射される輻射熱によりドロップレットを加熱するドロップレット加熱手段と
が備えられたことを特徴とするＥＵＶ光発生装置。
【請求項２】
ドロップレット加熱手段は、熱源をランプとしてドロップレットを加熱する手段であること
を特徴とする請求項１記載のＥＵＶ光発生装置。
【請求項３】
ドロップレット加熱手段は、熱源を壁面としてドロップレットを加熱する手段であること
を特徴とする請求項１記載のＥＵＶ光発生装置。
【請求項４】
ランプは、ハロゲンランプまたはアークランプまたは白熱ランプであること
を特徴とする請求項２記載のＥＵＶ光発生装置。
【請求項５】
ランプは、ドロップレットの供給路に沿って配置され、ランプから輻射される輻射熱の強度分布は、ドロップレットの供給路に沿った方向に広く、ドロップレットの供給路に対して垂直な方向に狭くなっていること
を特徴とする請求項２記載のＥＵＶ光発生装置。
【請求項６】
壁面は、抵抗加熱または誘導加熱により加熱されること
を特徴とする請求項３記載のＥＵＶ光発生装置。
【請求項７】
壁面は、ドロップレットの供給路の周りを囲む壁面であって、壁面から輻射される輻射熱の強度分布は、ドロップレットの供給路に沿った方向に広く、ドロップレットの供給路に対して垂直な方向に狭くなっていること
を特徴とする請求項３記載のＥＵＶ光発生装置。
【請求項８】
ドロップレットが加熱される加熱室と、ＥＵＶ光が発生する空間とは、ドロップレットが通過する開口を有する隔壁によって仕切られていること
を特徴とする請求項１記載のＥＵＶ光発生装置。
【請求項９】
ドロップレットは、液体金属または金属溶液または金属化合物溶液若しくは、金属粒子または金属化合物粒子を含んだコロイド溶液であること
を特徴とする請求項１記載のＥＵＶ光発生装置。
【請求項１０】
金属の主成分は、錫ＳｎまたはリチウムＬｉであること
を特徴とする請求項１記載のＥＵＶ光発生装置。
【請求項１１】
金属化合物の主成分は、酸化錫ＳｎＯ２であること
を特徴とする請求項１記載のＥＵＶ光発生装置。
【請求項１２】
ドロップレットの溶媒の主成分は、分散性の液体または有機溶媒または水または液体窒素または液体キセノンであること
を特徴とする請求項１記載のＥＵＶ光発生装置。
【請求項１３】
ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットがプラズマ状態にされてＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生方法であって、
金属または金属化合物をターゲットとして含むドロップレットを供給路に沿ってＥＵＶ光発生点に向けて供給する工程と、
ドロップレットに熱を輻射することにより、ドロップレットを構成する溶媒の一部または全部を取り除いて、金属粒子または金属化合物粒子が、固体金属または固体金属化合物の密度よりも低い密度に凝集された状態またはターゲットをプラズマ状態にすることができる一定の空間に分散された状態にする工程と、
金属粒子または金属化合物粒子の凝集体または金属粒子または金属化合物粒子が分散された一定の空間をターゲットとして、ターゲットをプラズマ状態にする工程と
を含むこと
を特徴とするＥＵＶ光発生方法。
が備えられたことを特徴とするＥＵＶ光発生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置などの光源に用いられるＥＵＶ光発生装置に関し、特にＥＵＶ光の発生源となるターゲットを供給する装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
回路パターンを半導体ウェーハ上に光転写する光リソグラフィ技術は、ＬＳＩの集積化を図る上で重要である。光リソグラフィに用いられる露光装置は、主に、ステッパと呼ばれる縮小投影露光方式によるものが使用されている。すなわち照明光源により照らされた原画（レチクル）パターンの透過光を縮小投影光学系により半導体基板上の光感光性物質に投影して回路パターンを形成するというものである。この投影像の分解能は、用いられる光源の波長で制限される。このためパターン線幅をより微細化したいとの要求に伴って、光源の波長は紫外領域へと次第に短波長化してきている。
【０００３】
近年は深紫外領域の光（ＤＵＶ光）を発振するＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡrＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）が光源として使用され、あるいは真空紫外領域の光（ＶＵＶ光）を発振するＦ２レーザ（波長１５７ｎｍ）が光源として開発されている。
【０００４】
現在では更なる微細加工を行うべく極端紫外領域（Extreme Ultra Violet）の光（以下ＥＵＶ光）を出力するＥＵＶ光源（波長１３．５ｎｍ）を、光リソグラフィの光源とする試みがなされている。
【０００５】
ＥＵＶ光を発生させる方式を大別すると、ＬＰＰ（レーザ生成プラズマ）方式とＤＰＰ（放電生成プラズマ）方式がある。ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源では、短パルスレーザ光をターゲットに照射してターゲットをプラズマ状態に励起してＥＵＶ光を発生させこれを集光レンズで集光して外部にＥＵＶ光を出力するものである。一方、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源では、両電極間にターゲットとなるガスを導入して両電極間に電圧を印加することで両電極間でターゲットをプラズマ状態に励起してＥＵＶ光を発生させこれを集光レンズで集光して外部にＥＵＶ光を出力するものである。
【０００６】
以下では、ＬＰＰ方式を代表させて説明する。
【０００７】
図１は、露光装置の光源として用いられるＬＰＰ方式によるＥＵＶ光発生装置の構成を概念的に示している。
【０００８】
真空チャンバ２の内部にはＥＵＶ光を集光する集光ミラー３が設けられている。集光ミラー３で集光されたＥＵＶ光は、真空チャンバ２外の図示しない露光装置に伝送される。露光装置では、ＥＵＶ光を使用して半導体回路パターンが半導体ウェーハ上に形成される。
【０００９】
真空チャンバ２の内部は真空ポンプ等により真空引きされており、真空状態にされている。これはＥＵＶ光は波長が１３．５ｎｍと短く真空中でないと効率よく伝搬しないからである。
【００１０】
ＥＵＶ光発生源となるターゲット１は、真空チャンバ２内の所定のＥＵＶ光発生点Ａ、つまりレーザ光の集光点に位置される。ターゲット１の材料には、錫Ｓｎ、リチウムＬｉ、キセノンＸｅなどが用いられる。
【００１１】
レーザ発振器としてのドライバレーザ装置４では、レーザ光Ｌがパルス発振されて、レーザ光Ｌが出射される。レーザには、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザなどが用いられる。
【００１２】
レーザ光Ｌは集光光学系を介して、ＥＵＶ光発生点Ａに集光される。レーザ光Ｌは、ターゲット１がＥＵＶ光発生点Ａに位置するタイミングでターゲット１に照射される。ターゲット１にレーザ光Ｌが照射されることによってターゲット１がプラズマ状態に励起されＥＵＶ光が発生する。
【００１３】
発生したＥＵＶ光はプラズマを中心に全方位に発散する。集光ミラー３は、プラズマを取り囲むように配置されている。全方位に発散するＥＵＶ光は、集光ミラー３により集光され、集光したＥＵＶ光を反射する。集光ミラー３は、所望する波長１３．５ｎｍを選択的に反射する。集光ミラー３で反射されたＥＵＶ光５（出力ＥＵＶ光）は、露光装置に伝播される。
【００１４】
ターゲット１の一部はプラズマ発生時の衝撃波等により分裂、飛散しデブリとなる。デブリは、高速イオン、プラズマにならなかったターゲット１の残滓を含む。
【００１５】
ターゲット１には、大別すると、ドロップレット（液滴）ターゲット、つまり液体ターゲット、もしくは固定ターゲットが用いられる。液体ターゲットの場合には、たとえば、錫ＳｎやリチウムＬｉなどの金属を高温で溶融し、たとえばノズルなどの微細孔からジェット状若しくはドロップレット状にしてＥＵＶ光発生点Ａへ噴射する。また固定ターゲットの場合には、金属をワイヤ状あるいはテープ状にしてＥＵＶ光発生点Ａに送給したり、金属を円板状あるいは棒状にしてＥＵＶ光発生点Ａにて回転させる。
【００１６】
液体ターゲットは、さらに金属または金属化合物を溶融した溶融金属をターゲットとするものと、メタノールなどの溶媒中に金属または金属化合物を溶かしたもの、あるいはコロイド溶液状に分散したものをターゲットとするものに分類される。前者ではドロップレット中の金属成分または金属化合物成分は１００％であるが、後者ではドロップレット中の金属成分または金属化合物成分は、溶媒の量に応じた濃度となる。
【００１７】
さて、近年、ＥＵＶ光の出力の著しい増大が要求されるようになっている。これに伴いドライバレーザ装置４に高出力のレーザを使用して、高出力で安定したＥＵＶ光の出力を長時間維持することが要求されるようになってきている。
【００１８】
たとえば５０Ｗ以上の高出力のＥＵＶ光を得るためには、ＤＰＰ方式よりも図１で例示したようなＬＰＰ方式の方が適している。
【００１９】
しかし、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置を採用した場合であっても、上述したようにＥＵＶ光の発生に伴ってデブリが生成されるという問題は避けられない。
【００２０】
デブリは、ＥＵＶ光発生装置の耐久性上、あるいは光出力の効率上、望ましくない。
【００２１】
すなわち高速イオンのデブリは、集光ミラー３等の光学機器に衝突して集光ミラー３等の平滑な反射面をキズを付けて、光学系の耐久性を損なわせる。またデブリが集光ミラー３等の光学機器に付着すると、ＥＵＶ光の反射率が低下して、ＥＵＶ光の出力が低下する。またデブリがガス化することで真空チャンバ２内の真空度が低下し、ＥＵＶ光の伝搬効率が低下して、ＥＵＶ光の出力が低下する。
【００２２】
液体ターゲットにレーザ光を照射する場合を考える。
【００２３】
たとえば、粒径１０μｍ程度のドロップレットの場合であっても、ＥＵＶ光の生成に寄与するターゲットの厚さは、ドロップレットの表面の僅かな厚さ（たとえば１０ｎｍ）程度である。残りの材料はデブリとなる。
【００２４】
このためドロップレットが１００％の金属で構成されている場合と、溶媒によって金属の濃度が低くなっている場合とを比較すると、ドロップレットの粒径が同じであれば、デブリとなる金属の量は、後者の金属溶液のドロップレットの方が少なく、デブリの生成を抑制できる点で有利である。
【００２５】
このためレーザ光が照射されるＥＵＶ光発生点Ａに必要最小限の量のターゲット１を供給することによりデブリの発生量を減少させることを目的として、溶融金属または溶融金属化合物で構成される金属成分または金属化合物成分が１００％のドロップレットを用いるのではなく、金属または金属化合物の成分濃度を低くした金属溶液などのドロップレットを用いる試みがなされている。
【００２６】
下記特許文献１、２では、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置において、金属溶液のドロップレットまたは金属粒子を含んだ溶液のドロップレットをＥＵＶ光発生点Ａに供給することにより、デブリの発生を抑制するという発明が記載されている。この場合、金属成分の濃度に依存するが、溶融金属をドロップレットとした場合よりも２０％から５％程度の低い金属成分密度でＥＵＶ光５を安定して発生させることができる。
【００２７】
しかし、金属溶液をドロップレットとした場合または金属粒子を含んだ溶液をドロップレットとした場合には、ドロップレット中のＥＵＶ光の発生源となる金属成分以外の溶媒成分が、ＥＵＶ光の出力に影響を与える。すなわち、ドロップレット中の金属以外の液体成分は、ＥＵＶ光５の発生に寄与することなく、レーザ光Ｌの照射により真空チャンバ２内に飛散若しくは蒸発する。かかる溶媒の飛散物若しくは蒸発物は、デブリとなって集光ミラー３等の光学機器の表面に付着したり、損傷を与える。この結果、ＥＵＶ光５の反射率を低下させる。
【００２８】
また、溶媒が蒸発することで発生したガスは、プラズマ近傍に滞留する。かかる滞留したガスは、ＥＵＶ光の吸収体となる。このため有効利用できるＥＵＶ光が減少して、実質的にＥＵＶ光の出力低下をもたらす。
【００２９】
よってドロップレット中の金属成分以外の溶媒成分が、レーザ光Ｌの照射によって真空チャンバ２内に飛散したり蒸発することを防止する必要がある。そのための一方法として、ドロップレットがＥＵＶ光発生点Ａに到達する前に、上記溶媒成分をドロップレット中から取り除くことが考えられる。
【００３０】
そこで、下記特許文献３、４では、金属の微粒子を含んだ溶液をドロップレットとしてＥＵＶ光発生点Ａに向けて供給するに際して、ドロップレットがＥＵＶ光発生点Ａに到達する前にレーザ光あるいは粒子ビームをドロップレットに照射することでドロップレットを予備的に加熱して、ドロップレット中の溶媒の蒸発あるいは昇華を促進して、上記溶媒成分をドロップレット中から取り除くという発明が記載されている。
【特許文献１】ＵＳＰ６８６２３３９
【特許文献２】ＵＳＰ６８６５２５５
【特許文献３】特開２００４−２８８５１７号公報
【特許文献４】特開２００６−２１０１１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３１】
レーザ光は集光性がよいため、ドロップレットがＥＵＶ光発生点Ａに到達する前にドロップレットを予備的に加熱するに際して、ドロップレットのねらいとする狭い空間にエネルギーを注入して溶媒を蒸発ないしは昇華させる方法として有効である。
【００３２】
しかし、レーザは装置コストが比較的高く、電気入力からレーザ出力への変換効率が１０％程度と低いという問題点がある。
【００３３】
さらに、レーザ光は集光性がよいために、ドロップレットの片側にレーザ光が照射されるとドロップレットは一様には加熱されない。このためドロップレット中の溶媒が蒸発ないしは昇華するときに反動でドロップレットの位置がずれることがある。これによりＥＵＶ光発生点Ａにプラズマ生成用のドライバレーザ光Ｌを照射する際にドロップレットの位置がＥＵＶ光発生点Ａからずれてしまい、ＥＵＶ光５の出力エネルギーがばらつくという問題点がある。このようにＥＵＶ光５の出力エネルギーがばらつき、ＥＵＶパルスエネルギーが不安定になると、半導体デバイスを高品質に安定して生産することができなくなるおそれがある。
【００３４】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、装置コストを低く抑え、エネルギー変換効率を向上させるとともに、ドロップレットの位置のずれを解消して、エネルギーのばらつきがなく安定してＥＵＶ光出力が得られるようにすることを解決課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００３５】
第１発明は、
ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットがプラズマ状態にされてＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置において、
金属または金属化合物をターゲットとして含むドロップレットを供給路に沿ってＥＵＶ光発生点に向けて供給するドロップレット供給手段と、
ドロップレットの供給路の周囲に熱源が配置され、熱源から輻射される輻射熱によりドロップレットを加熱するドロップレット加熱手段と
が備えられたことを特徴とする。
【００３６】
第２発明は、第１発明において、
ドロップレット加熱手段は、熱源をランプとしてドロップレットを加熱する手段であること
を特徴とする。
【００３７】
第３発明は、第１発明において、
ドロップレット加熱手段は、熱源を壁面としてドロップレットを加熱する手段であること
を特徴とする。
【００３８】
第４発明は、第２発明において、
ランプは、ハロゲンランプまたはアークランプまたは白熱ランプであること
を特徴とする。
【００３９】
第５発明は、第２発明において、
ランプは、ドロップレットの供給路に沿って配置され、ランプから輻射される輻射熱の強度分布は、ドロップレットの供給路に沿った方向に広く、ドロップレットの供給路に対して垂直な方向に狭くなっていること
を特徴とする。
【００４０】
第６発明は、第３発明において、
壁面は、抵抗加熱または誘導加熱により加熱されること
を特徴とする。
【００４１】
第７発明は、第３発明において、
壁面は、ドロップレットの供給路の周りを囲む壁面であって、壁面から輻射される輻射熱の強度分布は、ドロップレットの供給路に沿った方向に広く、ドロップレットの供給路に対して垂直な方向に狭くなっていること
を特徴とする。
【００４２】
第８発明は、第１発明において、
ドロップレットが加熱される加熱室と、ＥＵＶ光が発生する空間とは、ドロップレットが通過する開口を有する隔壁によって仕切られていること
を特徴とする。
【００４３】
第９発明は、第１発明において、
ドロップレットは、液体金属または金属溶液または金属化合物溶液若しくは、金属粒子または金属化合物粒子を含んだコロイド溶液であること
を特徴とする。
【００４４】
第１０発明は、第１発明において、
金属の主成分は、錫ＳｎまたはリチウムＬｉであること
を特徴とする。
【００４５】
第１１発明は、第１発明において、
金属化合物の主成分は、酸化錫ＳｎＯ２であること
を特徴とする。
【００４６】
第１２発明は、第１発明において、
ドロップレットの溶媒の主成分は、分散性の液体または有機溶媒または水または液体窒素または液体キセノンであること
を特徴とする。
【００４７】
第１３発明は、
ＥＵＶ光発生点に位置するターゲットがプラズマ状態にされてＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生方法であって、
金属または金属化合物をターゲットとして含むドロップレットを供給路に沿ってＥＵＶ光発生点に向けて供給する工程と、
ドロップレットに熱を輻射することにより、ドロップレットを構成する溶媒の一部または全部を取り除いて、金属粒子または金属化合物粒子が、固体金属または固体金属化合物の密度よりも低い密度に凝集された状態またはターゲットをプラズマ状態にすることができる一定の空間に分散された状態にする工程と、
金属粒子または金属化合物粒子の凝集体または金属粒子または金属化合物粒子が分散された一定の空間をターゲットとして、ターゲットをプラズマ状態にする工程と
を含むこと
を特徴とする。
【００４８】
第１発明は、図２に示すように、ＥＵＶ光発生点Ａに位置するターゲット１（ドロップレット１Ａ）がプラズマ状態にされてＥＵＶ光が発生するＥＵＶ光発生装置１０を前提とする。
【００４９】
ドロップレット供給手段６は、金属または金属化合物をターゲット１として含むドロップレット１Ａを供給路１Ｂに沿ってＥＵＶ光発生点Ａに向けて供給する。
【００５０】
ドロップレット加熱手段７は、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂの周囲に熱源７ａが配置され、熱源７ａから輻射される輻射熱によりドロップレット１Ａを加熱する。
【００５１】
図３（ａ）は、金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´を含むドロップレット１Ａが供給路１Ｂの周囲にあるドロップレット加熱手段７の熱源７ａから輻射される輻射熱により予備的に加熱されて、金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´がそれらの固体密度よりも低い密度に凝集された状態になったことを示す図である。また、図３（ｂ）は、金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´を含むドロップレット１Ａが供給路１Ｂの周囲にあるドロップレット加熱手段７の熱源７ａから輻射される輻射熱により予備的に加熱されて、金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´が、ターゲット１をプラズマ状態にすることができる一定の空間に分散された状態になったことを示す図である。
【００５２】
第１発明によれば、図２に示すように、金属または金属化合物をターゲット１として含むドロップレット１Ａが供給路１Ｂに沿ってＥＵＶ光発生点Ａに向けて供給される。
【００５３】
すると、図３（ａ）に示すように、たとえば金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´を含むコロイド溶液となっているドロップレット１Ａが供給路１Ｂの周囲にあるドロップレット加熱手段７の熱源７ａから輻射される輻射熱により予備的に加熱される。これにより、ドロップレット１Ａ中の溶媒の全部または一部が取り除かれて金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´がそれらの固体密度よりも低い密度に凝集された状態になる。あるいは、図３（ｂ）に示すように、金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´を含むドロップレット１Ａが供給路１Ｂの周囲にあるドロップレット加熱手段７の熱源７ａから輻射される輻射熱により予備的に加熱される。これにより、ドロップレット１Ａ中の溶媒の全部または一部が取り除かれて金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´が、ターゲット１をプラズマ状態にすることができる一定の空間に分散された状態になる。
【００５４】
このようにドロップレット１Ａ中の金属成分以外の溶媒成分の全部または一部が取り除かれ、金属粒子１Ｃ等の凝集状態あるいは金属粒子１Ｃ等の分散状態となったドロップレット１ＡがＥＵＶ光発生点Ａに到達する。ＥＵＶ光発生点Ａでは、プラズマ生成用のドライバレーザ光Ｌがドロップレット１Ａに照射されて、ＥＵＶ光５が発生する。
【００５５】
第１発明によれば、溶媒成分が取り除かれ金属粒子等が凝集された状態あるいは分散された状態となったターゲット１Ａにレーザ光Ｌを照射するようにしたので、溶媒成分が取り除かれていないターゲット１Ａにレーザ光Ｌを照射した場合と比較して、ＥＵＶ光５の発生効率が高くなる。すなわち、ドロップレット１Ａ中の金属以外の液体成分が存在したとするならば、その液体成分はＥＵＶ光５の発生に寄与することなく、レーザ光Ｌの照射により真空チャンバ２内に飛散若しくは蒸発する。かかる溶媒の飛散物若しくは蒸発物は、デブリとなって集光ミラー３等の光学機器の表面に付着したり、損傷を与える。この結果、ＥＵＶ光５の反射率を低下させることになる。また、溶媒が蒸発することで発生したガスは、プラズマ近傍に滞留する。かかる滞留したガスは、ＥＵＶ光の吸収体となる。このため有効利用できるＥＵＶ光が減少して、実質的にＥＵＶ光５の出力低下をもたらす。しかるに、溶媒成分が予め取り除かれたドロップレット１Ａでは、このようなＥＵＶ光５の出力低下をきたさない。
【００５６】
また高価な集光ミラー３の交換頻度が低減する。これによりＥＵＶ光発生装置１０の運転コストの削減や、稼働率の向上が図られる。
【００５７】
また、第１発明では、ドロップレット１ＡがＥＵＶ光発生点Ａに到達する前に行うドロップレット１への予備的な加熱は、レーザ光による照射ではなくて、熱源７ａからの輻射熱により行うようにしたので、レーザを用いる場合と比較して、装置コストが低く抑えられるとともに、エネルギー変換効率が非常に高くなる。
【００５８】
また、レーザを用いる場合と比較して、ドロップレット１Ａの全体が一様に加熱されるため、液体成分の蒸発ないしは昇華によって、ドロップレット１Ａの位置がずれることがない。よって、ドロップレット１ＡがＥＵＶ光発生点Ａで位置ずれを生じることにより、ＥＵＶ光５の出力エネルギーがばらつき、ＥＵＶパルスエネルギーが不安定になることを防ぐことができる。これにより、半導体デバイスを高品質に安定して生産することができるようになる。
【００５９】
以上のように第１発明によれば、装置コストが低く抑えられ、エネルギー変換効率が向上するとともに、ドロップレット１Ａの位置のずれが解消され、エネルギーのばらつきがなく安定してＥＵＶ光出力が得られるようになる。
【００６０】
なお、本発明は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置のみならず、両電極間にターゲットを導入するＤＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置にも適用することができる。
【００６１】
第２発明では、図４に示すように、熱源７ａはランプであり、ランプ７ａから輻射される輻射熱によってドロップレット１Ａが加熱される。
【００６２】
第３発明では、図８に示すように、熱源７ａは、壁面であり壁面７ａから輻射される輻射熱によってドロップレット１Ａが加熱される。
【００６３】
第４発明では、図４に示すように、ハロゲンランプまたはアークランプまたは白熱ランプで構成されるランプ７ａから輻射される輻射熱によってドロップレット１Ａが加熱される。
【００６４】
第５発明では、図５に示すように、ランプ７ａは、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂに沿って配置されている。図６に示すように、ランプ７ａから輻射される輻射熱の強度分布は、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂに沿った方向に広く、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂに対して垂直な方向に狭くなっている。
【００６５】
第６発明では、図９に示すように、壁面７ａは、抵抗加熱により加熱され、壁面７ａから輻射される輻射熱によってドロップレット１Ａが加熱される。また、図１０に示すように、壁面７ａは、誘導加熱により加熱され、壁面７ａから輻射される輻射熱によってドロップレット１Ａが加熱される。
【００６６】
第７発明では、図８に示すように、壁面７ａは、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂの周りを囲む壁面であって、壁面７ａから輻射される輻射熱によってドロップレット１Ａが加熱される。図５と同様に、壁面７ａから輻射される輻射熱の強度分布は、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂに沿った方向に広く、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂに対して垂直な方向に狭くなっている。
【００６７】
第８発明では、図１１に示すように、ドロップレット１Ａが加熱される加熱室７ｃと、ＥＵＶ光が発生する空間（真空チャンバ２）とは、ドロップレット１Ａが通過する開口７ｄ、７ｅ、７ｆを有する隔壁７ｇ１、７ｇ２、７ｇ３によって仕切られている。このため真空チャンバ２内の圧力を上昇させることなく、加熱室７ｃにおいてドロップレット１Ａの液体成分の蒸発ないしは昇華を行うことができる。
【００６８】
第９発明では、液体金属または金属溶液または金属化合物溶液若しくは、金属粒子または金属化合物粒子を含んだコロイド溶液となっているドロップレット１ＡがＥＵＶ発生点Ａに向けて供給される。
【００６９】
第１０発明では、金属の主成分が錫ＳｎまたはリチウムＬｉであるドロップレット１ＡがＥＵＶ発生点Ａに向けて供給される。
【００７０】
第１１発明では、金属化合物の主成分が酸化錫ＳｎＯ２であるドロップレット１ＡがＥＵＶ発生点Ａに向けて供給される。
【００７１】
第１２発明では、溶媒の主成分が分散性の液体または有機溶媒または水または液体窒素または液体キセノンであるドロップレット１ＡがＥＵＶ発生点Ａに向けて供給される。
【００７２】
第１３発明は、第１発明の装置の発明に対応する方法の発明であり、第１発明と同様の作用効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７３】
以下、図面を参照して本発明に係るＥＵＶ光発生装置およびその方法の実施の形態について説明する。
【００７４】
（第１の装置構成例）
図２は、第１の装置構成例を示している。
【００７５】
図２に示すＥＵＶ光発生装置１０は、ＥＵＶ光発生点Ａに位置するターゲット１をプラズマ状態にしてＥＵＶ光５を発生させて、外部に出力する装置である。
【００７６】
このＥＵＶ光発生装置１０は、露光装置２０の光源として用いられるＬＰＰ方式によるＥＵＶ光発生装置である。
【００７７】
すなわち、ＥＵＶ光発生装置１０の真空チャンバ２の内部にはＥＵＶ光を集光する集光ミラー３が設けられている。集光ミラー３で集光されたＥＵＶ光は、真空チャンバ２外の露光装置２０に伝送される。露光装置２０では、ＥＵＶ光５を使用して半導体回路パターンが半導体ウェーハ上に形成される。
【００７８】
真空チャンバ２の内部は真空ポンプ等により真空引きされており、真空状態にされている。真空チャンバ２内の気体は、排気装置４０によって外部に排気される。ＥＵＶ光が発生する空間を真空状態にしているのは、ＥＵＶ光は波長が１３．５ｎｍと短く真空中でないと効率よく伝搬しないからである。
【００７９】
ＥＵＶ光発生源となるターゲット１は、ドロップレット（液滴）１Ａとなって、真空チャンバ２内の所定のＥＵＶ光発生点Ａ、つまりレーザ光Ｌの集光点に供給される。
【００８０】
ドロップレット１Ａは、液体金属または金属溶液または金属化合物溶液若しくは、金属粒子または金属化合物粒子を含んだコロイド溶液である。
【００８１】
ドロップレット１Ａ中のターゲット１が金属で構成されている場合には、金属の主成分を、たとえば錫ＳｎまたはリチウムＬｉとすることができる。
【００８２】
また、ドロップレット１Ａ中のターゲット１が金属化合物で構成されている場合には、金属化合物の主成分を、たとえば酸化錫ＳｎＯ２とすることができる。
【００８３】
ドロップレット１Ａの溶媒の主成分は、たとえば分散性を有する液体または有機溶媒または水または液体窒素または液体キセノンとすることができる。有機溶媒としては、たとえばメタノールまたはエタノールまたはアセトンまたはこれらの混合溶液とすることができる。
【００８４】
以下では、錫Ｓｎの金属粒子１Ｃまたは酸化錫ＳｎＯ２の金属化合物粒子１Ｃ´を含むコロイド溶液となっているドロップレット１Ａを想定して説明する。
【００８５】
レーザ発振器としてのドライバレーザ装置４では、レーザ光Ｌがパルス発振されて、レーザ光Ｌが出射される。レーザは、ＣＯ２レーザである。なお、他のレーザ、たとえばＮｄ：ＹＡＧレーザを使用する実施も可能である。
【００８６】
レーザ光Ｌは、集光レンズ等で構成された集光光学系８を介して、ＥＵＶ光発生点Ａに集光される。レーザ光Ｌは、ドロップレット１Ａ中のターゲット１がＥＵＶ光発生点Ａに位置するタイミングでターゲット１に照射される。ターゲット１にレーザ光Ｌが照射されることによってターゲット１がプラズマ状態に励起されＥＵＶ光が発生する。すなわち、金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´の凝集体または金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´が分散された一定の空間をターゲット１として、ターゲット１がプラズマ状態にされる。
【００８７】
発生したＥＵＶ光５はプラズマを中心に全方位に発散する。集光ミラー３は、プラズマを取り囲むように配置されている。全方位に発散するＥＵＶ光は、集光ミラー３により集光され、集光したＥＵＶ光を反射する。集光ミラー３は、所望する波長１３．５ｎｍを選択的に反射する。集光ミラー３で反射されたＥＵＶ光５（出力ＥＵＶ光）は、露光装置２０に伝播される。図２中の破線は、ＥＵＶ光の光路を示している。
【００８８】
ドロップレット１Ａの一部、つまりターゲット１の一部は、プラズマ発生時の衝撃波などにより分裂、飛散し、デブリとなる。デブリは、荷電粒子である高速イオン、プラズマにならなかった残滓を含む。
【００８９】
ドロップレット１Ａが供給される方向には、回収装置３０が設けられている。回収装置３０は、たとえばフィルタや真空ポンプ等により構成されており、デブリをトラップしたり真空引きして外部に排出したりするなどして、デブリを回収する。
【００９０】
ターゲット供給手段６は、ノズル６ａなどを含んで構成され、ドロップレット１ＡをＥＵＶ光発生点Ａに向けて滴下する装置である。ターゲット供給手段６は、ドロップレット１Ａを供給路１Ｂに沿ってＥＵＶ光発生点Ａに向けて供給する。
【００９１】
ドロップレット加熱手段７は、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂの周囲に配置された熱源７ａを含んで構成されている。熱源７ａから輻射される輻射熱によりドロップレット１Ａが加熱される。熱源７ａは、ハロゲンランプまたはアークランプまたは白熱ランプで構成されるランプである。
【００９２】
ドロップレット加熱手段７は、ドロップレット１Ａが通過する空間７ｈ、つまり供給路１Ｂを含む空間７ｈが中心に形成され、ランプ７ａが設けられた筒状の部材７ｉと、ランプ７ａに電力を供給してランプ７ａを発熱させる電源装置７ｊとで構成されている。電源装置７ｊによってランプ７ａに電力が供給されると、ランプ７ａは発熱して輻射熱を輻射する。これにより、筒状部材７ｉのドロップレット１Ａが通過する空間７ｈ、つまり供給路１Ｂのドロップレット１Ａに輻射熱が輻射される。
【００９３】
図３（ａ）は、金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´を含むドロップレット１Ａが供給路１Ｂの周囲にあるドロップレット加熱手段７の熱源７ａから輻射される輻射熱により予備的に加熱されて、金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´がそれらの固体密度よりも低い密度に凝集された状態になったことを示す図である。また、図３（ｂ）は、金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´を含むドロップレット１Ａが供給路１Ｂの周囲にあるドロップレット加熱手段７の熱源７ａから輻射される輻射熱により予備的に加熱されて、金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´が、ターゲット１をプラズマ状態にすることができる一定の空間に分散された状態になったことを示す図である。
【００９４】
以下、上述した第１の装置構成例の作用効果について説明する。
【００９５】
第１の装置構成例によれば、図２に示すように、ドロップレット供給手段６によって、たとえば金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´を含むコロイド溶液となっているドロップレット１Ａが供給路１Ｂに沿ってＥＵＶ光発生点Ａに向けて供給される。
【００９６】
すると、図３（ａ）に示すように、たとえば金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´を含むコロイド溶液となっているドロップレット１Ａが供給路１Ｂの周囲にあるドロップレット加熱手段７の熱源であるランプ７ａから輻射される輻射熱により予備的に加熱される。これにより、ドロップレット１Ａ中の溶媒の全部または一部が取り除かれて金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´がそれらの固体密度よりも低い密度に凝集された状態になる。あるいは、図３（ｂ）に示すように、金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´を含むドロップレット１Ａが供給路１Ｂの周囲にあるドロップレット加熱手段７の熱源であるランプ７ａから輻射される輻射熱により予備的に加熱される。これにより、ドロップレット１Ａ中の溶媒の全部または一部が取り除かれて金属粒子１Ｃまたは金属化合物粒子１Ｃ´が、ターゲット１をプラズマ状態にすることができる一定の空間に分散された状態になる。
【００９７】
このようにしてドロップレット１Ａ中の金属成分以外の溶媒成分の全部または一部が取り除かれ、金属粒子１Ｃ等の凝集状態あるいは金属粒子１Ｃ等の分散状態となったドロップレット１ＡがＥＵＶ光発生点Ａに到達する。ＥＵＶ光発生点Ａでは、プラズマ生成用のドライバレーザ光Ｌがドロップレット１Ａに照射されて、ＥＵＶ光５が発生する。
【００９８】
第１の装置構成例によれば、溶媒成分が取り除かれ金属粒子等が凝集された状態あるいは分散された状態となったターゲット１Ａにレーザ光Ｌを照射するようにしたので、溶媒成分が取り除かれていないターゲット１Ａにレーザ光Ｌを照射した場合と比較して、ＥＵＶ光５の発生効率が高くなる。すなわち、ドロップレット１Ａ中に金属以外の液体成分が存在したとするならば、その液体成分は、ＥＵＶ光５の発生に寄与することなく、レーザ光Ｌの照射により真空チャンバ２内に飛散若しくは蒸発する。かかる溶媒の飛散物若しくは蒸発物は、デブリとなって集光ミラー３等の光学機器の表面に付着したり、損傷を与える。この結果、ＥＵＶ光５の反射率を低下させることになる。また、溶媒が蒸発することで発生したガスは、プラズマ近傍に滞留する。かかる滞留したガスは、ＥＵＶ光の吸収体となる。このため有効利用できるＥＵＶ光が減少して、実質的にＥＵＶ光５の出力低下をもたらす。しかるに、溶媒成分が予め取り除かれたドロップレット１Ａでは、このようなＥＵＶ光５の出力低下をきたさない。
【００９９】
また高価な集光ミラー３の交換頻度が低減する。これによりＥＵＶ光発生装置１０の運転コストの削減や、稼働率の向上が図られる。
【０１００】
また、第１の装置構成例では、ドロップレット１ＡがＥＵＶ光発生点Ａに到達する前に行うドロップレット１への予備的な加熱は、レーザ光による照射ではなくて、熱源であるランプ７ａからの輻射熱により行うようにしたので、レーザを用いる場合と比較して、装置コストが低く抑えられるとともに、エネルギー変換効率が非常に高くなる。
【０１０１】
また、レーザを用いる場合と比較して、ドロップレット１Ａの全体が一様に加熱されるため、液体成分の蒸発ないしは昇華によって、ドロップレット１Ａの位置がずれることがない。よって、ドロップレット１ＡがＥＵＶ光発生点Ａで位置ずれを生じることにより、ＥＵＶ光５の出力エネルギーがばらつき、ＥＵＶパルスエネルギーが不安定になることを防ぐことができる。これにより、半導体デバイスを高品質に安定して生産することができるようになる。
【０１０２】
以上のように第１の装置構成例によれば、装置コストが低く抑えられ、エネルギー変換効率が向上するとともに、ドロップレット１Ａの位置のずれが解消され、エネルギーのばらつきがなく安定してＥＵＶ光出力が得られるようになる。
【０１０３】
（第２の装置構成例）
第１の装置構成例を適宜変形した実施も可能である。
【０１０４】
図４は、第２の装置構成例を示している。ドロップレット加熱手段７以外の構成要素は、第１の装置構成例と同じである。
【０１０５】
第２の装置構成例のドロップレット加熱手段７は、熱源としてのランプ７ａと、ランプ７ａから輻射された輻射熱を供給路１Ｂに導く回転楕円鏡７ｋと、ランプ７ａに電力を供給してランプ７ａを発熱させる電源装置７ｊとで構成されている。
【０１０６】
回転楕円鏡７ｋの回転楕円面の第１焦点には、ランプ７ａが配置されている。回転楕円鏡７ｋの回転楕円面の第２焦点には、供給路１Ｂが位置されている。ランプ７ａは、点光源に近いフィラメント形状を有するランプである。ランプ７ａは、ハロゲンランプまたはアークランプまたは白熱ランプのいずれかを使用することができる。
【０１０７】
電源装置７ｊによってランプ７ａに電力が供給されると、ランプ７ａは発熱して輻射熱を輻射する。これにより、ランプ７ａで輻射された輻射熱が回転楕円鏡７ｋで反射されて、供給路１Ｂのドロップレット１Ａに輻射される。
【０１０８】
図４において、ドロップレット加熱手段７は、ランプ７ａと回転楕円鏡７ｋの一組の加熱手段により構成されているが、一組に限定されることなく、二組以上のランプ７ａと回転楕円鏡７ｋを、供給路１Ｂの周囲に配置する実施も可能である。これにより供給路１Ｂ上における輻射熱強度の一様性を向上させることができる。
【０１０９】
この第２の装置構成例による作用効果は、第１の装置構成例による作用効果と同様であるので説明は省略する。
【０１１０】
（第３の装置構成例）
図５（ａ）は、第３の装置構成例を示している。ドロップレット加熱手段７以外の構成要素は、第１の装置構成例と同じである。
【０１１１】
第３の装置構成例のドロップレット加熱手段７は、熱源としてのランプ７ａと、ランプ７ａから輻射された輻射熱を供給路１Ｂに導く楕円集光鏡７ｌと、ランプ７ａに電力を供給してランプ７ａを発熱させる電源装置７ｊとで構成されている。
【０１１２】
ランプ７ａは、棒状に形成されている。ランプ７ａは、フィラメントが線状に長い形状を有している。ランプ７ａは、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂに沿って配置されている。
【０１１３】
楕円集光鏡７ｌは、ランプ７ａに応じた長さを有しており、ランプ７ａと同様に供給路１Ｂに沿って配置されている。
【０１１４】
図５（ｂ）は、ランプ７ａと楕円集光鏡７ｌのＡ-Ａ断面、つまり供給路１Ｂに垂直な断面を示している。同図５（ｂ）に示すように、楕円集光鏡７ｌは、楕円面を有しており、楕円面の第１焦点には、ランプ７ａが配置されている。楕円集光鏡７ｌの楕円面の第２焦点には、供給路１Ｂつまりドロップレット１Ａが位置されている。ランプ７ａは、ハロゲンランプまたはアークランプまたは白熱ランプのいずれかを使用することができる。
【０１１５】
図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、ランプ７ａから輻射される輻射熱の強度分布を示している。
【０１１６】
図６において、ｚ軸は、供給路１Ｂの方向の軸であり、ｘ軸、ｙ軸は、供給路１Ｂに垂直な方向の軸である。
【０１１７】
図６に示すように、ランプ７ａから輻射される輻射熱の強度分布は、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂに沿ったｚ軸方向に広く、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂに対して垂直なｘ軸方向、ｙ軸方向に狭くなっている。
【０１１８】
この第３の装置構成例による作用効果は、第１の装置構成例による作用効果と同様であるので説明は省略する。
【０１１９】
（第４の装置構成例）
図５に示す第３の装置構成例では、供給路１Ｂに沿って、供給路１Ｂの片側に、一組のランプ７ａと楕円集光鏡７ｌを設けるようにしているが、供給路１Ｂに沿って、供給路１Ｂを挟んで両側にそれぞれ、一組のランプ７ａと楕円集光鏡７ｌを設ける実施も可能である。
【０１２０】
図７は、第４の装置構成例を示す図で、図５（ｂ）に対応する図を示している。
【０１２１】
図７は、ランプ７ａと楕円集光鏡７ｌの供給路１Ｂに垂直な断面を示している。同図７に示すように、供給路１Ｂに沿って、供給路１Ｂを挟んで両側にそれぞれ、一組のランプ７ａと楕円集光鏡７ｌが設けられている。二組のランプ７ａと楕円集光鏡７ｌは、供給路１Ｂを挟むように対向して配置されている。
【０１２２】
楕円集光鏡７ｌは、楕円面を有しており、楕円面の第１焦点には、ランプ７ａが配置されている。楕円集光鏡７ｌの楕円面の第２焦点には、供給路１Ｂが位置されている。ランプ７ａは、ハロゲンランプまたはアークランプまたは白熱ランプのいずれかを使用することができる。
【０１２３】
ランプ７ａから輻射される輻射熱の強度分布は、図６と同様に、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂに沿ったｚ軸方向に広く、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂに対して垂直なｘ軸方向、ｙ軸方向に狭くなっている。
【０１２４】
この第４の装置構成例による作用効果は、第１の装置構成例による作用効果と同様であるので説明は省略する。
【０１２５】
なお、図７では、二組のランプ７ａと楕円集光鏡７ｌを、供給路１Ｂを挟むように対向して配置しているが、二組に限定されることなく、３組以上のランプ７ａと楕円集光鏡７ｌを、供給路１Ｂの周囲に配置する実施も可能である。
【０１２６】
（第５の装置構成例）
以上の第１、第２、第３、第４の装置構成例では、ドロップレット加熱手段７の熱源７ａがランプである場合を例示したが、ドロップレット加熱手段７の熱源７ａを、壁面とする実施も可能である。
【０１２７】
図８は、第５の装置構成例を示している。ドロップレット加熱手段７以外の構成要素は、第１の装置構成例と同じである。
【０１２８】
第５の装置構成例のドロップレット加熱手段７は、熱源としての壁面７ａと、壁面７ａを加熱する壁面加熱装置７ｍと、壁面加熱装置７ｍに電力を供給して壁面加熱装置７ｍを発熱させる電源装置７ｎとで構成されている。
【０１２９】
壁面加熱装置７ｍは、抵抗加熱によって壁面７ａを加熱する装置、誘導加熱によって壁面７ａを加熱する装置などを用いることができる。
【０１３０】
壁面７ａは、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂの周りを囲む壁面であって、供給路１Ｂの長さに応じた長さを有している。
【０１３１】
電源装置７ｎによって壁面加熱装置７ｍに電力が供給されると、壁面加熱装置７ｍが発熱または高周波放射を行い壁面７ａが加熱される。このため壁面７ａが発熱して輻射熱を輻射する。この結果、壁面７ａに面した供給路１Ｂのドロップレット１Ａに輻射熱が輻射される。壁面７ａからドロップレット１Ａに輻射熱が輻射されると、ドロップレット１Ａが加熱される。図６で示すランプ７ａの輻射熱強度分布と同様に、壁面７ａから輻射される輻射熱の強度分布は、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂに沿った方向に広く、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂに対して垂直な方向に狭くなっている。
【０１３２】
（第６の装置構成例）
図９（ａ）は、第６の装置構成例を示している。
【０１３３】
図９（ａ）は、図８に示すドロップレット加熱手段７の壁面加熱装置７ｍの具体的構成を例示しており、壁面加熱装置７ｍが、抵抗加熱によって壁面７ａを加熱する装置で構成されていることを示している。
【０１３４】
ドロップレット加熱手段７以外の構成要素は、第１の装置構成例と同じである。
【０１３５】
第６の装置構成例のドロップレット加熱手段７は、ドロップレット１Ａが通過する空間７ｐ、つまり供給路１Ｂを含む空間７ｐが中心に形成され、抵抗ヒータ７ｑが設けられた筒状の部材７ｒと、筒状部材７ｒの内面を構成する、熱源としての壁面７ａと、壁面７ａを加熱する抵抗ヒータ７ｑと、抵抗ヒータ７ｑに電力を供給して抵抗ヒータ７ｑを発熱させるヒータ電源としての電源装置７ｎとで構成されている。図９（ｂ）に筒状部材７ｒを斜視図にて示している。
【０１３６】
壁面７ａは、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂの周りを囲む壁面であって、供給路１Ｂの長さに応じた長さを有している。
【０１３７】
電源装置７ｎによって抵抗ヒータ７ｑに電力が供給されると、抵抗ヒータ７ｑが発熱して熱が壁面７ａに伝導される。このため壁面７ａが発熱して輻射熱を輻射する。この結果、壁面７ａに面した供給路１Ｂのドロップレット１Ａに輻射熱が輻射され、ドロップレット１Ａが加熱される。図６で示すランプ７ａの輻射熱強度分布と同様に、壁面７ａから輻射される輻射熱の強度分布は、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂに沿った方向に広く、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂに対して垂直な方向に狭くなっている。
【０１３８】
（第７の装置構成例）
図１０は、第７の装置構成例を示している。
【０１３９】
図１０は、図８に示すドロップレット加熱手段７の壁面加熱装置７ｍの具体的構成を例示しており、壁面加熱装置７ｍが、誘導加熱によって壁面７ａを加熱する装置で構成されていることを示している。
【０１４０】
ドロップレット加熱手段７以外の構成要素は、第１の装置構成例と同じである。
【０１４１】
第７の装置構成例のドロップレット加熱手段７は、ドロップレット１Ａが通過する空間７ｐ、つまり供給路１Ｂを含む空間７ｐが中心に形成され、誘導加熱用コイル７ｓが設けられた筒状の導電体７ｔと、筒状の導電体７ｔの内面を構成する、熱源としての壁面７ａと、壁面７ａを加熱する誘導加熱用コイル７ｓと、誘導加熱用コイル７ｓに電力を供給して筒状導電体７ｔを発熱させる誘導加熱ＲＦ電源としての電源装置７ｎとで構成されている。        
壁面７ａは、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂの周りを囲む壁面であって、供給路１Ｂの長さに応じた長さを有している。
【０１４２】
筒状導電体７ｔは、融点が高く比較的抵抗値が高い導電体であることが望ましい。筒状導電体７ｔとしては、カーボンで構成された管、鋼で構成された管、タングステンで構成された管を使用することができる。
【０１４３】
電源装置７ｎによって誘導加熱用コイル７ｓに高周波電力が供給されると、筒状導電体７ｔが発熱して壁面７ａが発熱する。このため壁面７ａの発熱により輻射熱が輻射される。この結果、壁面７ａに面した供給路１Ｂのドロップレット１Ａに輻射熱が輻射され、ドロップレット１Ａが加熱される。図６で示すランプ７ａの輻射熱強度分布と同様に、壁面７ａから輻射される輻射熱の強度分布は、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂに沿った方向に広く、ドロップレット１Ａの供給路１Ｂに対して垂直な方向に狭くなっている。
【０１４４】
（第８の装置構成例）
図１１は、第８の装置構成例を示している。
【０１４５】
同図１１に示すように、真空チャンバ２内には、加熱室７ｃが設けられている。
【０１４６】
加熱室７ｃは、ドロップレット１Ａが通過する室であって、ドロップレット加熱手段７によって室内が加熱される。
【０１４７】
加熱室７ｃと、ＥＵＶ光が発生する空間（真空チャンバ２）とは、ドロップレット１Ａが通過する開口（アパチャー）７ｄ、７ｅ、７ｆを有する隔壁７ｇ１、７ｇ２、７ｇ３によって仕切られている。差動排気用排気装置５０は、差動排気によって、隔壁７ｇ１、７ｇ２、７ｇ３によって仕切られた各室７ｃ、７ｕ、７ｖ、真空チャンバ２の各室の圧力を調整する。このため真空チャンバ２内の圧力を上昇させることなく、加熱室７ｃにおいてドロップレット１Ａの液体成分の蒸発ないしは昇華を行うことができる。図１１では、差動排気用排気装置５０の排気用の配管が加熱室７ｃのみに結合されているが、これに限らず、各室７ｃ、７ｕ、７ｖを差動排気用排気装置５０から並列に配管を結合して排気することも可能である。さらに各室７ｃ、７ｕ、７ｖを各々独立の差動排気用排気装置で排気調整することも可能である。
【０１４８】
ドロップレット加熱手段７は、第１ないし第７の装置構成例で例示したものを適用することができる。たとえばランプを発熱させたり、加熱室７ｃの壁面７ａを発熱させたりすることで、加熱室７ｃ内に輻射熱を輻射して、ドロップレット１Ａを加熱させることができる。
【０１４９】
図１１においてドロップレット加熱手段７以外の構成要素は、第１の装置構成例と同じである。
【０１５０】
なお、以上の各装置構成例では、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置を前提として説明したが、本発明は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置のみならず、両電極間にターゲットを導入するＤＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５１】
【図１】図１は従来技術および実施例に共通する装置構成図である。
【図２】図２は第１の装置構成例を示した図である。
【図３】図３（ａ）、（ｂ）は、ドロップレットが予備加熱されることで状態が変化することを説明する図である。
【図４】図４は第２の装置構成例を示した図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は第３の装置構成例を示した図である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は輻射熱の強度分布を３次元にて示した図である。
【図７】図７は第４の装置構成例を示した図である。
【図８】図８は第５の装置構成例を示した図である。
【図９】図９（ａ）、（ｂ）は第６の装置構成例を示した図である。
【図１０】図１０は第７の装置構成例を示した図である。
【図１１】図１１は第８の装置構成例を示した図である。
【符号の説明】
【０１５２】
１  ターゲット、１Ａ  ドロップレット、６  ドロップレット供給手段、７  ドロップレット加熱手段、１０  ＥＵＶ発生装置
【図１】
2008293738.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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