(57)【要約】【課題】アモルファス酸化物でコーティングされた基板を使用してミラーなどの光学コンポーネントを製造または作成する方法が提示される。【解決手段】アモルファス酸化物コーティングが光学基板に塗布される。コーティングされた表面の表面ラフネスの評価が行われる。コーティングされた表面は、評価に基づいて研磨される。コーティングのためのより良い表面を用意するために、初期評価を行い、該初期評価に基づいて、コーティング塗布の前に研磨を行うことができる。各評価では、表面の中空間周波数ラフネス（ＭＳＦＲ）、高空間周波数ラフネス（ＨＳＦＲ）、またはその両方を評価することができる。評価、研磨、および／またはコーティングの実行は、コンピュータ制御することができる。このプロセスは、ゼロに近い熱膨張係数を有する基板から形成される光学コンポーネントの製造において理想的である。また、この方法で製造される光学コンポーネントが提示される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）Ｓｉコーティング、アモルファス酸化物コーティング、またはその組み合わせであるコーティングを光学基板表面に塗布すること、
（ｂ）コーティングされた表面の表面ラフネスを評価すること、および
（ｃ）評価に基づいてコーティングされた表面を研磨すること、
を含み、
コーティングおよび研磨された表面は、低散乱および低イメージフレアをもたらす助けとなるような表面ラフネスを有する、方法。
【請求項２】
工程（ａ）は酸化ケイ素コーティングを塗布することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ｂ）は中空間周波数ラフネス（ＭＳＦＲ）、高空間周波数ラフネス（ＨＳＦＲ）、またはその両方を評価することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
表面を初期研磨して非球面化することを工程（ａ）の前にさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
一つ以上の初期評価を行って表面ラフネスを決定すること、および
一つ以上の初期評価に基づいて表面を研磨すること
を工程（ａ）の前にさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
一つ以上の初期評価を行うことは、該一つ以上の初期評価のそれぞれにつき、ＭＳＦＲ、ＨＳＦＲ、またはその両方を評価することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
工程（ａ）はミラーブランクの表面にコーティングを塗布することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
工程（ａ）はゼロに近い熱膨張係数を有する光学基板にコーティングを塗布することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
工程（ａ）は多相材料で作られた光学基板にコーティングを塗布することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
工程（ａ）は、Ｚｅｒｏｄｕｒ、超低膨張（ＵＬＥ）ガラス、コージライト、クリアセラム、ネオセラム、アストロシタル、ＳｉＣ、およびＳｉＳｉＣからなる群から選択される材料で作られた光学基板にコーティングを塗布することを含む、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
工程（ａ）は多層材料で作られた光学基板にコーティングを塗布することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
工程（ａ）、（ｂ）、または（ｃ）の一つ以上がコンピュータ制御される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
（ａ）光学基板表面を研磨して非球面化すること、
（ｂ）表面について一つ以上のコーティング前評価を行って表面ラフネスを評価すること、  
（ｃ）一つ以上のコーティング前評価に基づいて表面を研磨すること、
（ｄ）Ｓｉコーティング、アモルファス酸化物コーティング、またはその組み合わせであるコーティングを表面に塗布すること、
（ｅ）コーティングされた表面のコーティング後評価を行って表面ラフネスを評価すること、および
（ｆ）コーティング後評価に基づいてコーティングされた表面を研磨すること、
を含み、
コーティングおよび研磨された表面は、低散乱および低イメージフレアをもたらす助けとなるような表面ラフネスを有する、方法。
【請求項１４】
工程（ｄ）は酸化ケイ素コーティングを表面に塗布することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
工程（ｂ）および（ｅ）は、各評価について、ＭＳＦＲを評価すること、ＨＳＦＲを評価すること、またはその両方を評価することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
工程（ａ）はミラーブランクの表面を研磨することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
工程（ａ）はゼロに近い熱膨張係数を有する光学基板の表面を研磨することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
工程（ａ）は多相材料で作られた光学基板の表面を研磨することを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
工程（ａ）は、Ｚｅｒｏｄｕｒ、超低膨張（ＵＬＥ）ガラス、コージライト、クリアセラム、ネオセラム、アストロシタル、ＳｉＣ、およびＳｉＳｉＣからなる群から選択される材料で作られた光学基板の表面を研磨することを含む、請求項１３から１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
工程（ａ）は多層材料で作られた光学基板の表面を研磨することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
工程（ａ）から（ｆ）の一つ以上がコンピュータ制御される、請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
ＳｉＣ、および／またはＳｉＳｉＣを含む材料層、および
Ｓｉコーティング、アモルファス酸化物コーティング、またはその組み合わせである、層表面上のコーティング
を備え、光学コンポーネント
コーティングされた層は、該層の表面ラフネスの評価に基づいて研磨され、
コーティングおよび研磨された表面の表面ラフネスは、低散乱および低イメージフレアをもたらす助けとなるような表面ラフネスである、
パターニングデバイスなどの光学コンポーネント。
【請求項２３】
ゼロに近い熱膨張係数を有する材料層、および
Ｓｉコーティング、アモルファス酸化物コーティング、またはその組み合わせである、層表面のコーティング
を含光学コンポーネントみ、
コーティングされた層は、該層の表面ラフネスの評価に基づいて研磨され、
コーティングおよび研磨された表面の表面ラフネスは、低散乱および低イメージフレアをもたらす助けとなるような表面ラフネスである、
パターニングデバイスなどの光学コンポーネント。
【請求項２４】
アモルファス酸化物コーティングは酸化ケイ素コーティングである、請求項２２または２３に記載の光学コンポーネント。
【請求項２５】
材料層は多相材料である、請求項２２または２３に記載の光学コンポーネント。
【請求項２６】
材料層は多層材料である、請求項２２または２３に記載の光学コンポーネント。
【請求項２７】
材料層は、Ｚｅｒｏｄｕｒ、超低膨張（ＵＬＥ）ガラス、コージライト、クリアセラム、ネオセラム、およびアストロシタルからなる群より選択される、請求項２３から２６のいずれかに記載の光学コンポーネント。
【請求項２８】
（ａ）光学コンポーネントとして形成された、ＳｉＣおよび／またはＳｉＳｉＣである材料の材料層の表面を研磨すること、
（ｂ）表面について一つ以上のコーティング前評価を行って表面ラフネスを評価すること、
（ｃ）一つ以上のコーティング前評価に基づいて表面を研磨すること、
（ｄ）Ｓｉコーティング、アモルファス酸化物コーティング、またはその組み合わせであるコーティングを表面に塗布すること、
（ｅ）コーティングされた表面のコーティング後評価を行って表面ラフネスを評価すること、および
（ｆ）コーティング後評価に基づいてコーティングされた表面を研磨すること、
を含み、
コーティングおよび研磨された表面は、低散乱および低イメージフレアをもたらす助けとなるような表面ラフネスを有する、方法。
【請求項２９】
（ａ）光学コンポーネントとして形成された、ゼロに近い熱膨張係数を有する材料層の表面を研磨して、非球面化すること、
（ｂ）一つ以上のコーティング前評価を行って表面ラフネスを評価すること、
（ｃ）一つ以上のコーティング前評価に基づいて表面を研磨すること、
（ｄ）Ｓｉコーティング、アモルファス酸化物コーティング、またはその組み合わせであるコーティングを表面に塗布すること、
（ｅ）コーティングされた表面のコーティング後評価を行って表面ラフネスを評価すること、および
（ｆ）コーティング後評価に基づいてコーティングされた表面を研磨すること、
を含み、
コーティングおよび研磨された表面は、低散乱および低イメージフレアをもたらす助けとなるような表面ラフネスを有する、方法。
【請求項３０】
工程（ｄ）は酸化ケイ素コーティングを表面に塗布することを含む、請求項２８または２９に記載の方法。
【請求項３１】
工程（ｂ）および（ｅ）は、各評価につき、ＭＳＦＲを評価すること、ＨＳＦＲを評価すること、またはその両方を評価することを含む、請求項２８または２９に記載の方法。
【請求項３２】
工程（ａ）において、材料層は多相材料の層を含む、請求項２８または２９に記載の方法。
【請求項３３】
工程（ａ）において、材料層は多層材料の層を含む、請求項２８または２９に記載の方法。
【請求項３４】
工程（ａ）において、材料層は、Ｚｅｒｏｄｕｒ、超低膨張（ＵＬＥ）ガラス、コージライト、クリアセラム、ネオセラム、およびアストロシタルからなる群より選択される材料の層を含む、請求項２９から３３のいずれかに記載の方法。
【請求項３５】
工程（ａ）から（ｆ）の一つ以上がコンピュータ制御される、請求項２８または２９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、概して光学製造を対象とする。特に、本発明はリソグラフィプロセスにおいて使用されるミラーなどの光学コンポーネントの製造に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、または基板の一部分に付与するものである。リソグラフィ装置は、たとえば、フラットパネルディスプレイ、集積回路（ＩＣ）、およびその他の精密構造を伴う装置の製造において用いることができる。従来の装置では、ＩＣ、フラットパネルディスプレイ、またはその他の装置の個々の層上に対応する回路パターンを生成するために、個別制御可能エレメントのアレイ、マスク、レチクルなどとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板上に設けられた放射感応性材料（たとえばレジスト）の層に結像することによって、基板（たとえばガラス板、ウェーハ等）の全体または一部に転写される。結像は、投影システムを通して光プロセスを含むことができ、投影システムはミラー、レンズ、ビームスプリッタなどの光学コンポーネントを含むことができる。
【０００３】
[0003]  リソグラフィプロセスにおいて使用される光学コンポーネントは、様々な材料から製造することができる。しかしながら、製造上の理由または近年の性能についての要求から、現在のところ多くの材料は選択されない。リソグラフィ業界で現在広く用いられる材料は、Ｚｅｒｏｄｕｒ （ショット社製）および超低膨張（Ultra Low Expansion ＵＬＥ）ガラス（コーニング社製）の２種類である。それ以外で採用し得る光学基板材料には、コージライト(cordierite)、クリアセラム(clearcearm)、ネオセラム(neoceram)、アストロシタル(astrosital)、ＳｉＣ、およびＳｉＳｉＣがある。これらの材料の多くが、ゼロに近い熱膨張係数（Coefficient of Thermal Expansion ＣＴＥ）を示す。これらのうちいずれかの材料で作られた光学コンポーネントは、その形状が露光中に目に見えるほどに変化することがなく、このことは、極紫外線（Extreme Ultra-Violet ＥＵＶ）プロセスなどある種のリソグラフィプロセスにとっては特に重要である。
【０００４】
[0004]  イメージフレアの原因は、中空間周波数ラフネス（Mid-Spatial Frequency Roughness ＭＳＦＲ）、すなわち、光学コンポーネントに見られる周期的面誤差（periodic surface errors）であり、これによって目的とする像の近傍に光が散乱することがある。投影システム、特にＥＵＶ投影システムでは、イメージフレアを可能な限り減らすことが望ましい。これは主に、イメージフレアがコントラストに与える影響を減らすためである。光学コンポーネントにおける別のレベルの空間周波数ラフネスは、高空間周波数ラフネス （High-Spatial Frequency Roughness ＨＳＦＲ）として知られ、イメージフィールドの外側で光を散乱させることによって透過に影響を与える可能性がある。高すぎるＭＳＦＲおよび／またはＨＳＦＲは、様々な問題の中でも鮮明度、解像度、および背景光の問題を引き起こし得る。各光学コンポーネントについてＭＳＦＲおよびＨＳＦＲを可能な限り低くすることが理想的である。特定の光学コンポーネントについてのＭＳＦＲおよびＨＳＦＲの範囲は、コンポーネントのサイズに依存する。そのため、何をＭＳＦＲおよびＨＳＦＲと考えるかは、特定のシステムにおいても光学コンポーネントによって変わるであろう。最近では、ＭＳＦＲは通常およそ数ミリメートル（ｍｍ）から数マイクロメートル（μｍ）であり、ＨＳＦＲは通常およそ数マイクロメートル（μｍ）から数ナノメートル（ｎｍ）である。
【０００５】
[0005]  ＺｅｒｏｄｕｒおよびＵＬＥガラスの両方が、ほぼ全ての面においてリソグラフィ（特にＥＵＶ）プロセスにとって理想的な特性を示すが、それぞれが有する固有の材料特性は、望ましいＭＳＦＲおよびＨＳＦＲの達成を非常に困難にする。たとえば、Ｚｅｒｏｄｕｒは多相材料である。イオンビーム加工（Ion Beam Figuring ＩＢＦ）といったある種の光学系製造プロセスは、様々な割合で位相に影響を与え、そのことにより達成可能なＭＳＦＲ／ＨＳＦＲは実質的に制限される。ＵＬＥ ガラスは多層材料である。ある種の光学系製造プロセスは層ごとに異なる影響を与えて溝を発生させ、そのことにより望ましいＭＳＦＲ／ＨＳＦＲの仕様に合わせることがさらに困難となる。
【０００６】
[0006]  最近の業界においては、滑らかな面を得る、すなわちＭＳＦＲおよび／またはＨＳＦＲを減らす目的で、研磨処理された光学面に薄膜コーティングが塗布されることがある。しかしながら、最近の業界で使用されているこのような方法では、必要な範囲のＭＳＦＲおよび／またはＨＳＦＲが製造中に得られることは保証されない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
[0007]  そのため、光学コンポーネントを製造する方法、および、リソグラフィプロセスにおける使用中に低散乱および低イメージフレアをもたらす助けとなるような、望ましい範囲のＭＳＦＲおよびＨＳＦＲを示す、上記の方法で製造された光学コンポーネントが必要とされる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
[0008]  本発明の一実施形態において、アモルファス酸化物でコーティングされた基板を用いてミラーなどの光学コンポーネントを製造または作成する方法が提示される。たとえば、ＳｉＯ２又はＳｉＯなどのアモルファス酸化物コーティングが光学基板に塗布される。コーティングされた表面の表面ラフネスの評価が行われる。その後、該コーティングされた表面は評価に基づいて研磨される。コーティングのためのより良い表面を用意するために、初期評価を行い、該初期評価に基づいて、コーティングを塗布する前に研磨を行うことができる。各評価で、表面の中空間周波数ラフネス（ＭＳＦＲ）、高空間周波数ラフネス（ＨＳＦＲ）、またはその両方を評価することができる。表面の初期研磨は、たとえば非球面化するために最初に行うことができる。評価、研磨および／またはコーティングの実行は、コンピュータ制御することができる。上述の方法で製造された光学コンポーネントも提示される。
【０００９】
[0009]  このプロセスは、ゼロに近い熱膨張係数を有する基板から形成される光学コンポーネント（特にミラー）の製造において理想的である。このような基板は、たとえばＺｅｒｏｄｕｒ（ガラスセラミック）などの多相材料、または超低膨張（ＵＬＥ）ガラスなどの多層材料から作ることができる。
【００１０】
[0010]  本発明のさらなる実施形態、特徴、および効果は、本発明の様々な実施形態の構造および動作と同様に、添付の図面を参照して以下に詳細に説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
[0011]  本明細書に組み込まれてその一部を形成する添付の図面は、本発明を図示し、明細書本文と共に本発明の原理を説明し、かつ当業者による本発明の実施および使用に供する。
【００１２】
[0022]  特定の構造、配置、および工程につき議論されるが、これらが例示のみを目的とすることは明らかである。当業者であれば、本発明の精神および範囲を逸脱しない範囲において他の構造、配置、および工程が使用可能であることを認識するであろう。本発明が他の様々な用途において採用可能であることは、当業者には明らかであろう。
【００１３】
[0023]  なお、本明細書における「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示の実施形態」等への言及は、説明される実施形態は特定の機能、構造、または特徴を含み得るが、全ての実施形態が必ずしも特定の機能、構造、または特徴を含むわけではないことを示す。また、このような表現は必ずしも同じ実施形態を言及しているわけではない。さらに、ある実施形態に関連して特定の機能、構造、または特徴が説明される場合、明示的な説明の有無にかかわらずその機能、構造、または特徴を他の実施形態に組み込むことは、当業者の知識の範囲内である。
【００１４】
[0024]  図１は、リソグラフィ装置１００の例として示された簡易ブロック図である。リソグラフィ装置１００は、放射ソース１０２、照明システム１０４、パターニングデバイス１０６（たとえば、マスクまたはマスクレスパターニングデバイス）、投影システム１０８、基板テーブル１１０、および基板ステージ１１２を含む。放射ソース１０２は、照明システム１０４、パターニングデバイス１０６、および投影システム１０８によって、基板テーブル１１０の基板１１６に像が生成されるように加工される光ビーム１１４を提供する。照明システム１０４は、たとえば、光ビーム１１４がパターニングデバイス１０６を通過する前に光ビーム１１４を調節する一つ以上の光学コンポーネント１１８を含むことができる。同様に、投影システム１０８は、像を基盤１１６に投影する前に光ビーム１１４をさらに調節する一つ以上の光学コンポーネント１２０を含むことができる。光学コンポーネント１０６／１１８／１２０は、たとえばレンズ、ミラー、パターニングデバイス、およびビームスプリッタを含むことができるが、これに限らない。
【００１５】
[0025]  光学コンポーネント１０６／１１８／１２０は通常、非アモルファス構造を備える様々な材料で作られ、中でもシリコンカーバイドおよびベリリウムが代表的である。しかしながら、露光中に光学コンポーネントの形状が目に見えるほど変化しないよう（たとえば、光ビーム１１４が照射されるとき）、使用される光学コンポーネントはゼロに近い熱膨張係数を有する材料のものであることが望ましい。ゼロに近い熱膨張係数を有する材料の例には、上述のとおり、Ｚｅｒｏｄｕｒ、ＵＬＥガラス、コージライト、クリアセラム、ネオセラム、およびアストロシタル、が含まれる。ＳｉＣおよびＳｉＳｉＣといった他の光学材料も使用することができ、そのため本発明から利益を得ることができる。
【００１６】
[0026]  光学コンポーネント１０６／１１８／１２０を製造するための従来の製造システム２００の簡易ブロック図が図２に示される。製造システム２００は、測量システム２３０、研磨システム２３２、および任意的制御システム２３４を含む。測量システム２３０は光学コンポーネント表面のトポロジーを測量または評価する。これは、たとえば位相測定顕微鏡を用いて行うことができる。研磨システム２３２は表面を研磨する。この研磨は、測量システム２３０の評価結果に基づいて行うことができる。任意的制御システム２３４は、測量システム２３０および／または研磨システム２３２の使用を制御および／または自動化するために使用することができる。
【００１７】
[0027]  図３は、製造システム２００を使用して行われるような光学コンポーネント製造の例示的な方法３００を、フローチャートを通して示す。従来の方法３００は、工程３０２から開始する。工程３０２では、光学基板の初期研磨が行われる。光学基板は、光学コンポーネントに通常使用されるあらゆる材料を備えることができる。初期研磨は、たとえば非球面化（すなわち、所望の形状を与え、表面を非球形化する）を含むことができ、研磨システム２３２によって行うことができる。工程３０４では、図、ＭＳＦＲ、及びＨＳＦＲのための初期プロセスおよび研磨が発生する。初期プロセスは、ＭＳＦＲおよび／またはＨＳＦＲについての光学基板表面のトポロジーの測量または評価を含む。この評価は、たとえば測量システム２３０によって行うことができる。この評価結果に基づいて、光学基板は、たとえば研磨システム２３２によって研磨される。工程３０６では、図、ＭＳＦＲ、及びＨＳＦＲのための最終プロセスおよび研磨が行われる。最終プロセス工程は、光学基板表面のトポロジーの最終的な測量または評価を含み、再び測量システム２３０によって行うことができる。この評価については、工程３０４の初期評価時とは異なるパラメータを使用してよい。この最終評価結果に基づいて、像が補正されるようにして光学基板が研磨される。この最終研磨工程も研磨システム２３２によって行われることができる。工程３０２／３０４／３０６の研磨は、異なるパラメータを使用して行ってよく、たとえば行われた評価に基づいて行うことができる。工程３０４／３０６のプロセスは、たとえば位相測定顕微鏡を用いた光学基板表面の試験または測定を含むことができる。さらには、上述の従来の方法３００のすべての工程３０２〜３０６は、制御システム２３４によって任意に制御および／または自動化され得る。
【００１８】
[0028]   その他の方法が以下の文献に示される。Spiller他, "Smoothing of mirror substrates by thin-film deposition," SPIE Conference on EUV, X-RAY, and Neutron Optics and Sources, 1999年7月21日, コロラド州デンバー, Proceedings of SPIE Vol.3767, Carolyn A. MacDonald, Kenneth A. Goldberg, Juan R. Maldonado, Huaiyu H. Chen-Mayer, Stephen P. Vernon編集, 1999年11月, pp. 143-153; Braun他, "Carbon buffer layers for smoothing substrates of EUV and Xray multilayer mirrors," SPIE Conference on Testing, Reliability, and Application of Micro- and Nano-Material Systems II, 2004年3月15日, カリフォルニア州サンディエゴ, Proceedings of SPIE Vol.5392, Norbert Meyendorf, George Y. Baaklini, Bernd Michel, SPIE, ワシントン州ベリンガム, 2004年7月, pp. 132-140;およびKleineberg他, "Bufferlayer and Caplayer Engineering of Mo/Si EUVL Multilayer Mirrors," SPIE Conference on Soft X-Ray and EUV Imaging Systems II, 2001年7月31日, カリフォルニア州サンディエゴ, Proceedings of SPIE Vol.4306, Daniel A. Tichenor, James A. Folta編集, 2001年12月, pp. 113-120
。これら全ての文献は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。また、Michael Goldstein, "Method for Making a Mirror for Photolithography," 2003年3月27日発行、2001年9月26日出願の米国特許出願公開第2003/0057178A1, およびMurakami他, "Mirror for Soft X-Ray Exposure Apparatus," 1999年11月10日発行の欧州特許出願EP0955565Ａ2号も参照。両文献は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【００１９】
[0029]  図4は、本発明の一実施形態による、図３の方法３００の有効な改善を示す。製造方法４００では、初期プロセスおよび研磨工程３０４と最終プロセスおよび研磨工程３０６との間の工程４２０において、シリコンまたはアモルファス酸化物（酸化ケイ素ＳｉＯまたはＳｉＯ２（石英ガラス））コーティングを塗布する。すなわち、アモルファス酸化物コーティングは、最適なプレコーティング平滑化された光学基板に塗布される。研磨された表面へのコーティング塗布は、数多くの従来的な方法で行うことができ、該方法にはたとえば物理蒸発スパッタリングまたはコーティング、イオンアシストスパッタリングまたはコーティング、ケミカルアシストコーティングまたはスパッタリング、または蒸着があるが、これに限定されない。コーティングは薄くてよいが、工程３０６においてさらなる研磨を可能とするのに十分な厚さである必要がある。一方、特定の研磨動作中には、全てではなくとも殆どの研磨工程により単相コーティングは均一に研磨され得ること、その結果より滑らかな光学表面を得られることは、Ｚｅｒｏｄｕｒの多相特性およびＵＬＥガラスの多層特性によって明確に示されるであろう。
【００２０】
[0030]  図５は、本発明の一実施形態による光学コンポーネント１１８／１２０などの光学コンポーネントを製造するための製造システム５００の簡易ブロック図を示す。製造システム５００は、測量システム２３０、研磨システム２３２、および任意的制御システム５３４、さらに上述のアモルファス酸化物コーティングを塗布するためのコーティングシステム５４０を含む。測量システム２３０、研磨システム２３２、および／またはコーティングシステム５４０の使用を制御および／または自動化するために、任意的制御システム５３４を使用することができる。
【００２１】
[0031]  図６は、本発明の一実施形態による光学コンポーネント６５０（たとえばミラー）を示す。光学コンポーネント６５０は、ゼロに近い熱膨張係数を有する材料（Ｚｅｒｏｄｕｒ またはＵＬＥガラスなど）で作られ、加工および研磨された光学基板６５２を含む。また、光学コンポーネント６５０は、ＭＳＦＲおよび／またはＨＳＦＲが評価され、また本発明の方法に従って研磨されたＳｉ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２またはその他のアモルファス酸化物の層６５４を含む。
【００２２】
[0032]  図７は、リソグラフィプロセスにおいて使用される、本発明の一実施例による光学コンポーネント６５０といった光学コンポーネントを作成するための方法７００のフローチャートである。方法７００は工程７０２から開始し、すぐに工程７０４へ進む。工程７０４では、Ｓｉ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、またはその他のアモルファス酸化物（たとえば層６５４）のコーティングが光学基板（たとえば光学基板６５２）表面に塗布される。コーティング塗布に先立って、光学コンポーネントは最適プレコーティング滑らかさとなるよう準備しておくことができる。工程７０６では、表面ラフネスを評価するためにコーティングされた表面のコーティング後測量または評価が行われる。このコーティング後評価はＭＳＦＲ、ＨＳＦＲ、または理想的にはその両方の評価を含むことができる。コーティング後評価の結果に従って、コーティングされた表面が工程７０８で研磨される。研磨は、構成部品の最適性能にとって望ましいＭＳＦＲおよび／またはＨＳＦＲとなるようなものであってよい。方法７００は工程７１０で終了する。評価工程７０６は、たとえば位相測定顕微鏡を使用して行うことができる。工程７０４／７０６／７０８のいずれも、任意で自動化もしくはコンピュータ制御することができる。
【００２３】
[0033]  図８は、本発明の一実施形態による、リソグラフィプロセスで使用される光学コンポーネント（たとえば、光学コンポーネント６５０）を製造する方法８００のフローチャートである。方法８００は工程８０２から開始し、すぐに工程８０４へ進む。工程８０４では、光学コンポーネントとして形成される、ゼロに近い熱膨張係数を有する材料層の表面が最初に研磨される。たとえば、Ｚｅｒｏｄｕｒ またはＵＬＥガラスを使用することができる。この初期研磨により、たとえば非球面化される。工程８０６では、表面ラフネスを評価するために一つ以上のコーティング前表面測量または評価が行われる。コーティング前評価は、ＭＳＦＲ、ＨＳＦＲ、または理想的にはその両方の評価を含むことができる。各コーティング前評価結果に基づき、工程８０８で表面が研磨される。研磨は、望ましいＭＳＦＲおよび／またはＨＳＦＲとなるようなものであってよい。コーティング前工程８０４／８０６／８０８は、最適プレコーティング滑らかさを備える光学基板を提供する。工程８１０では、Ｓｉ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、またはその他のアモルファス酸化物のコーティングが表面に塗布される。工程８１２では、表面ラフネスを評価するためにコーティングされた表面のコーティング後測量または評価が行われる。このコーティング後評価は、ＭＳＦＲ、ＨＳＦＲ、または理想的にはその両方の評価を含むことができる。コーティング後評価の結果に従って、工程８１４でコーティングされた表面が研磨される。研磨は、構成部品の最適性能にとって望ましいＭＳＦＲおよび／またはＨＳＦＲとなるようなものであってよい。方法８００は工程８１６で終了する。評価工程８０６／８１２は、たとえば位相測定顕微鏡を使用して行うことができ、各評価について異なるパラメータを使用可能である。同様に、たとえば評価工程８０６／８１２の評価に基づいて、研磨工程８０４／８０８／８１４において異なるパラメータを使用可能である。工程８０４〜８１４のいずれも、任意に自動化またはコンピュータ制御することができる。
【００２４】
[0034]  本明細書に説明される発明の例示的な実施形態は、ＺｅｒｏｄｕｒまたはＵＬＥガラス、コージライト、クリアセラム、ネオセラム、アストロシタル、ＳｉＣおよびＳｉＳｉＣといった多相、多層、または多孔材料から作られた光学コンポーネント（特にミラー）の製造を容易にするもので、このことは、上述の素材の熱膨張係数がゼロに近いため、ＥＵＶプロセスにとって非常に重要である。望ましいＭＳＦＲ（現在のところ、ＥＵＶ応用に対しては０．１４ｎｍ  ｒｍｓ未満）には、ベア基板では到達する可能性は低いが、本明細書に説明される実施形態に従ってコーティングされる基板により到達可能であるから、上述の実施形態は有効である。
【００２５】
[0035]  図９は、本発明の一実施形態に従って用意されたＺｅｒｏｄｕｒサンプルについてこれまでに得られた結果を示すパワースペクトル密度（Power Spectral Density ＰＳＤ）プロットである。１００μｍから１０ｎｍの間の空間的周期における必要な滑らかさを達成する能力が、プロットにおいて証明される。また、プロットは、コーティングされる前のベアＺｅｒｏｄｕｒサンプルのラフネス、および本発明の実施形態に従って研磨される前の、ＳｉＯ２コーティングされたサンプルのラフネスも示す。
【００２６】
[0036]  本明細書では、リソグラフィプロセスに使用される光学コンポーネントの製造プロセスについて具体的に言及されたが、光学コンポーネントが用いられるあらゆる応用において使用される光学コンポーネントを製造するために本明細書に記載の製造プロセスを使用できることは明らかである。さらに、本明細書では、ＥＵＶプロセスに関連する本発明の効果につき具体的に言及された。しかしながら、本発明の実施形態に従って製造される光学コンポーネントの使用から他のプロセス技術も利益を得られるであろうことは明らかである。このプロセス技術とは、たとえば超平滑光学系(ultra smooth optics)および超精密光学系(ultra precise optics)、を含むが、これに限定されない。加えて、本明細書に記載されたような光学コンポーネントの製造に使用する理想的な材料としてＺｅｒｏｄｕｒおよびＵＬＥガラスという光学材料が強調されたが、低い熱膨張係数を有する他の材料も適切な場合があり、このことは当業者には明らかであろう。
【００２７】
[0037]  上述の実施形態は、同様の機能的光学システムを含む従来的なマスクベースリソグラフィ、マスクレスリソグラフィ、液浸リソグラフィ、干渉リソグラフィ、またはその他のタイプの光学システムにおいて使用可能であることが理解されるであろう。
【００２８】
[0038]  結論
本発明の様々な実施形態を説明してきたが、制限ではなく例示を目的として示されたことは明らかである。本発明の精神および範囲から逸脱しない範囲において、その形態および詳細につき様々な変更が可能であることは、当業者には明らかであろう。したがって、本発明の範囲は上述のいずれの例示的な実施形態にも制限されず、上記の請求項およびその均等物によってのみ定義されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】例示的なリソグラフィ装置の簡易ブロック図である。
【図２】例示的な光学コンポーネント製造システムの簡易ブロック図である。
【図３】光学コンポーネント製造の例示的な方法のフローチャートである。
【図４】本発明の一実施形態による光学コンポーネントの製造方法を示すフローチャートである。
【図５】本発明の一実施形態による光学コンポーネント製造システムのブロック図である。
【図６】本発明の一実施形態による光学コンポーネントを示す。
【図７】本発明の一実施形態による、リソグラフィプロセスで使用される光学コンポーネントを作成する方法のフローチャートである。
【図８】本発明の一実施形態による、リソグラフィプロセスで使用される光学コンポーネントを製造する方法のフローチャートである。
【図９】ベアＺｅｒｏｄｕｒ基板のラフネス、ＳｉＯ２コーティングされたがその後研磨されていないサンプルのラフネス、および本発明の一実施形態に従って用意されたＺｅｒｏｄｕｒサンプルについてこれまでに得られた結果を示すパワースペクトル密度（ＰＳＤ）プロットである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【外国語明細書】
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