(57)【要約】【課題】高い生産性で無機配向膜を形成する。【解決手段】対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の基板の内面側に無機配向膜を形成してなる。成膜室２、２と、成膜室内にて基板Ｗに配向膜材料をスパッタ法で成膜して無機配向膜を形成するスパッタ装置３とを備える。スパッタ装置は、プラズマ生成領域を挟んで対向する一対のターゲット５ａ、５ｂと、プラズマ生成領域を挟む両側に配置されプラズマ生成領域からスパッタ粒子５ｐをそれぞれ放出する開口部３ａ、３ａとを有する。成膜室は、開口部のそれぞれに対応して設けられる。開口部は、成膜室の基板の無機配向膜形成面に対して斜め方向からスパッタ粒子を入射させる位置にそれぞれ配置される。【選択図】図１
2008170869.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の内面側に無機配向膜を形成してなる液晶装置の製造装置であって、
成膜室と、該成膜室内にて前記基板に配向膜材料をスパッタ法で成膜して無機配向膜を形成するスパッタ装置とを備え、
前記スパッタ装置は、プラズマ生成領域を挟んで対向する一対のターゲットと、前記プラズマ生成領域を挟む両側に配置され該プラズマ生成領域からスパッタ粒子をそれぞれ放出する開口部とを有し、
前記成膜室は、前記開口部のそれぞれに対応して設けられ、
前記開口部は、前記成膜室の前記基板の無機配向膜形成面に対して斜め方向から前記スパッタ粒子を入射させる位置にそれぞれ配置されていることを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶装置の製造装置において、
前記基板は、前記成膜室にて前記無機配向膜形成面を略鉛直方向に沿わせて支持されることを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の液晶装置の製造装置において、
前記成膜室で前記基板を支持して、前記スパッタ粒子の放出方向と交差して往復移動自在な移動装置を有することを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の液晶装置の製造装置において、
前記プラズマ生成領域の前記開口部側にそれぞれ設けられて、前記プラズマ生成領域に含まれる電子を捕捉ないし反射する電子拘束手段を有していることを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の液晶装置の製造装置において、
前記プラズマ生成領域に第１のスパッタガスを流通させる第１のガス供給手段と、
前記スパッタ粒子と反応して前記無機配向膜を前記基板上に形成する第２のスパッタガスを前記開口部の外側において前記基板上に流通させる第２のガス供給手段とを備えていることを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の液晶装置の製造装置において、
前記開口部と前記基板との間に、接地電位に保持された金属製メッシュが設けられていることを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の液晶装置の製造装置において、
前記開口部と前記基板との間に、前記スパッタ粒子の前記基板に対する入射角度を規制するべく接地電位に保持された筒状体が設けられていることを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項８】
対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の内面側に無機配向膜を形成してなる液晶装置の製造方法であって、
成膜室と、該成膜室内にて前記基板に配向膜材料をスパッタ法で成膜して無機配向膜を形成するスパッタ装置とを設け、
前記スパッタ装置に、プラズマ生成領域を挟んで対向する一対のターゲットと、前記プラズマ生成領域を挟む両側に配置され該プラズマ生成領域からスパッタ粒子をそれぞれ放出する開口部とを設け、
前記成膜室を前記開口部のそれぞれに対応して設け、
前記成膜室の前記基板の無機配向膜形成面に対して、それぞれ斜め方向から前記スパッタ粒子を入射させる工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の液晶装置の製造方法において、
前記基板を、前記成膜室にて前記無機配向膜形成面を略鉛直方向に沿わせて支持することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８または９記載の液晶装置の製造方法において、
前記成膜室で前記基板を前記スパッタ粒子の放出方向と交差して往復移動させる工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８から１０のいずれかに記載の液晶装置の製造方法において、
前記プラズマ生成領域の前記開口部側で前記プラズマ生成領域に含まれる電子を捕捉ないし反射する工程を有していることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造装置、及び液晶装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶プロジェクタ等の投射型表示装置の光変調手段として用いられる液晶装置は、一対の基板間の周縁部にシール材が配設され、その中央部に液晶層が封止されて構成されている。その一対の基板の内面側には液晶層に電圧を印加する電極が形成され、これら電極の内面側には非選択電圧印加時において液晶分子の配向を制御する配向膜が形成されている。このような構成によって液晶装置は、非選択電圧印加時と選択電圧印加時との液晶分子の配向変化に基づいて光源光を変調し、表示画像を形成するようになっている。
【０００３】
ところで、前述した配向膜としては、側鎖アルキル基を付加したポリイミド等からなる高分子膜の表面に、ラビング処理を施したものが一般に用いられている。しかし、このようなラビング法は簡便であるものの、物理的にポリイミド膜をこすることでポリイミド膜に対して配向特性を付与するために、種々の不都合が指摘されている。具体的には、（１）配向性の均一さを確保することが困難であること、（２）ラビング処理時の筋跡が残り易いこと、（３）配向方向の制御およびプレチルト角の選択的な制御が可能ではなく、また広視野角を得るために用いられるマルチドメインを使用した液晶パネルには適さないこと、（４）ガラス基板からの静電気による薄膜トランジスタ素子の破壊や、配向膜の破壊が生じ、歩留まりを低下させること、（５）ラビング布からのダスト発生による表示不良が発生しがちであること、などである。
【０００４】
また、このような有機物からなる配向膜では、液晶プロジェクタのような高出力光源を備えた機器に用いた場合、光エネルギーにより有機物がダメージを受けて配向不良を生じてしまう。特に、プロジェクタの小型化および高輝度化を図った場合には、液晶パネルに入射する単位面積あたりのエネルギーが増加し、入射光の吸収によりポリイミドそのものが分解し、また、光を吸収したことによる発熱でさらにその分解が加速される。その結果、配向膜に多大なダメージが付加され、機器の表示特性が低下してしまう。
【０００５】
そこで、このような不都合を解消するため、ターゲットから放出されるスパッタ粒子が１方向から斜めに基板に入射するようにスパッタリングを実施することにより、基板に対して斜め方向に結晶成長した複数の柱状構造を有する無機材料からなる配向膜を形成する方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。このような方法によれば、得られる無機配向膜は高い信頼性を有するものと期待されている。
【特許文献１】特開２００４−１７０７４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
斜め方向にスパッタ粒子を入射させることから、基板上に成膜される無機配向膜の成膜レートが遅く、量産を想定した場合には生産性が高いとはいえず、生産性に優れた装置が求められていた。
【０００７】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、高い生産性で無機配向膜を形成できるようにした液晶装置の製造装置及び液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の液晶装置の製造装置は、対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の内面側に無機配向膜を形成してなる液晶装置の製造装置であって、成膜室と、該成膜室内にて前記基板に配向膜材料をスパッタ法で成膜して無機配向膜を形成するスパッタ装置とを備え、前記スパッタ装置は、プラズマ生成領域を挟んで対向する一対のターゲットと、前記プラズマ生成領域を挟む両側に配置され該プラズマ生成領域からスパッタ粒子をそれぞれ放出する開口部とを有し、前記成膜室は、前記開口部のそれぞれに対応して設けられ、前記開口部は、前記成膜室の前記基板の無機配向膜形成面に対して斜め方向から前記スパッタ粒子を入射させる位置にそれぞれ配置されていることを特徴とするものである。
従って、本発明の液晶装置の製造装置では、対向ターゲット型のスパッタ装置を備えたことで、所定の方向に選択的にスパッタ粒子を放出することを可能にし、さらに前記スパッタ装置の開口部を、放出されたスパッタ粒子が基板に対して斜めに入射する位置に配置しているので、基板に対して入射角を規制されたスパッタ粒子を堆積させることができ、柱状構造の無機配向膜を容易に形成することができる。そして、上記開口部がプラズマ生成領域を挟む両側に配置され、各開口部に対応して成膜室が設けられることから、プラズマ生成領域から放出されたスパッタ粒子により、両成膜室の基板に同時に無機配向膜を形成することが可能になり、スパッタ粒子が１方向から斜めに基板に入射するようにスパッタリングを実施して成膜レートが遅い場合でも、高い生産性で無機配向膜を形成することができる。
【０００９】
前記基板としては、前記成膜室にて前記無機配向膜形成面を略鉛直方向に沿わせて支持される構成を好適に採用できる。
従って、本発明の液晶装置の製造装置では、成膜室で浮遊（飛散）するパーティクル（塵埃）が自重で下降して、基板の無機配向膜形成面に堆積し、無機配向膜の品質が低下することを防止できる。
【００１０】
また、本発明では、前記成膜室で前記基板を支持して、前記スパッタ粒子の放出方向と交差して往復移動自在な移動装置を有する構成も好適に採用できる。
従って、本発明では、放出されるスパッタ粒子に対して往路及び復路の双方でスパッタ粒子を基板の無機配向膜形成面に堆積させることができ、一方向のみで堆積させる場合と比較して、大幅に生産性を高めることが可能になる。
【００１１】
また、本発明では、前記プラズマ生成領域の前記開口部側にそれぞれ設けられて、前記プラズマ生成領域に含まれる電子を捕捉ないし反射する電子拘束手段を有する構成も好適に採用できる。
これにより、本発明では、プラズマの電子が基板の無機配向膜形成面に到達しないようにすることができ、プラズマの影響による基板表面の濡れ性の上昇を抑え、スパッタ粒子の拡散によって柱状構造の形成が阻害されるのを防止することができる。従って本発明の製造装置によれば、所望形状の柱状構造を有する配向性に優れた配向膜を具備した液晶装置を容易に製造することができる。
【００１２】
また、本発明では、前記プラズマ生成領域に第１のスパッタガスを流通させる第１のガス供給手段と、前記スパッタ粒子と反応して前記無機配向膜を前記基板上に形成する第２のスパッタガスを前記開口部の外側において前記基板上に流通させる第２のガス供給手段とを備える構成も好適に採用できる。
従って、本発明では、スパッタ装置と成膜室とで異なるスパッタガスを流通させる構成を採用していることで、反応性ガスのプラズマによって反応性ガスのイオンやラジカルが発生するのを防止することができる。従って反応性ガスのイオンやラジカルによる基板表面の濡れ性の上昇を抑制することができ、所望形状の柱状構造の形成を促進して配向性の良好な無機配向膜を基板上に形成することができる。このように本発明の製造装置によれば、配向性に優れる配向膜を具備した液晶装置を容易に製造することができる。
【００１３】
また、本発明では、前記開口部と前記基板との間に、接地電位に保持された金属製メッシュが設けられる構成も好適に採用できる。
これにより、本発明では、前記電子拘束手段から電子やイオン状物質が漏れ出た場合であっても、金属製メッシュによりこれらの荷電粒子を捕捉し除去することができるので、基板表面にプラズマの影響が及ぶのを効果的に防止することができ、基板表面の濡れ性の上昇によって柱状構造の形成が阻害されるのを防ぐことができる。これにより、配向性の良好な無機配向膜を容易に得られるようになる。
【００１４】
また、本発明では、前記開口部と前記基板との間に、前記スパッタ粒子の前記基板に対する入射角度を規制するべく接地電位に保持された筒状体が設けられる構成も好適に採用できる。
これにより、本発明では、前記筒状体によってスパッタ装置から漏れ出た電子を捕捉し除去することができる。また筒状体によりスパッタ粒子の角度規制を行えることから、スパッタ粒子の基板に対する入射角度を均一にし、均一な柱状構造の無機配向膜を形成できるようになる。
【００１５】
一方、本発明の液晶装置の製造方法は、対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の内面側に無機配向膜を形成してなる液晶装置の製造方法であって、成膜室と、該成膜室内にて前記基板に配向膜材料をスパッタ法で成膜して無機配向膜を形成するスパッタ装置とを設け、前記スパッタ装置に、プラズマ生成領域を挟んで対向する一対のターゲットと、前記プラズマ生成領域を挟む両側に配置され該プラズマ生成領域からスパッタ粒子をそれぞれ放出する開口部とを設け、前記成膜室を前記開口部のそれぞれに対応して設け、前記成膜室の前記基板の無機配向膜形成面に対して、それぞれ斜め方向から前記スパッタ粒子を入射させる工程を有することを特徴とするものである。従って、本発明の液晶装置の製造方法では、対向ターゲット型のスパッタ装置を備えたことで、所定の方向に選択的にスパッタ粒子を放出することを可能にし、さらに前記スパッタ装置の開口部を、放出されたスパッタ粒子が基板に対して斜めに入射する位置に配置しているので、基板に対して入射角を規制されたスパッタ粒子を堆積させることができ、柱状構造の無機配向膜を容易に形成することができる。そして、上記開口部がプラズマ生成領域を挟む両側に配置され、各開口部に対応して成膜室が設けられることから、プラズマ生成領域から放出されたスパッタ粒子により、両成膜室の基板に同時に無機配向膜を形成することが可能になり、スパッタ粒子が１方向から斜めに基板に入射するようにスパッタリングを実施して成膜レートが遅い場合でも、高い生産性で無機配向膜を形成することができる。
【００１６】
また、本発明では、前記基板を、前記成膜室にて前記無機配向膜形成面を略鉛直方向に沿わせて支持する構成を好適に採用できる。
これにより、本発明では、成膜室で浮遊（飛散）するパーティクル（塵埃）が自重で下降して、基板の無機配向膜形成面に堆積し、無機配向膜の品質が低下することを防止できる。
【００１７】
また、本発明では、前記成膜室で前記基板を前記スパッタ粒子の放出方向と交差して往復移動させる工程を有する手順も好適に採用できる。
従って、本発明では、放出されるスパッタ粒子に対して往路及び復路の双方でスパッタ粒子を基板の無機配向膜形成面に堆積させることができ、一方向のみで堆積させる場合と比較して、大幅に生産性を高めることが可能になる。
【００１８】
また、本発明では、前記プラズマ生成領域の前記開口部側で前記プラズマ生成領域に含まれる電子を捕捉ないし反射する工程を有する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、プラズマの電子が基板の無機配向膜形成面に到達しないようにすることができ、プラズマの影響による基板表面の濡れ性の上昇を抑え、スパッタ粒子の拡散によって柱状構造の形成が阻害されるのを防止することができる。従って本発明の製造装置によれば、所望形状の柱状構造を有する配向性に優れた配向膜を具備した液晶装置を容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の液晶装置の製造装置、及び液晶装置の製造方法の実施の形態を、図１ないし図９を参照して説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２０】
（液晶装置の製造装置）
図１（ａ）は本発明の係る液晶装置の製造装置の一実施の形態を示す概略的な平面断面図である。図１（ｂ）は、スパッタ装置３をＸａ方向に観察した側面構成図である。
なお、図１においては、水平方向にＸ、Ｘａ、Ｚ、Ｚａ方向を設定し、鉛直方向にＹ方向を設定している。
【００２１】
図１（ａ）に示すように、製造装置１は、液晶装置の構成部材となる基板Ｗ上にスパッタ法により無機配向膜を成膜する装置であり、Ｘ方向に延びてそれぞれが基板Ｗを収容する真空チャンバーである成膜室２、２と、前記基板Ｗの表面に無機材料からなる配向膜をスパッタ法により形成するスパッタ装置３とを備えている。スパッタ装置３は、そのプラズマ生成領域に放電用のアルゴンガス（第１のスパッタガス）を流通させる第１のガス供給手段２１を備えており、成膜室２は、内部に収容された基板Ｗ上に飛来する配向膜材料と反応して無機配向膜を形成する反応ガスとしての酸素ガス（第２のスパッタガス）を供給する第２のガス供給手段２２を備えている。
【００２２】
成膜室２は、スパッタ装置３の両側に同様の構成でそれぞれ設けられており、各成膜室２には、その内部圧力を制御し、所望の真空度を得るための排気制御装置２０が配管２０ａを介して接続されている。また、成膜室２のスパッタ装置３に臨む側の壁面から外側に突出するようにして、スパッタ装置３との接続部を成す装置接続部２５が形成されている。前記装置接続部２５は、成膜室２内部に収容される基板Ｗの成膜面（無機配向膜形成面）法線方向（図示Ｚ軸方向）と所定の角度（θ１）を成して斜め方向に延びて形成されており、その先端部に接続されるスパッタ装置３を基板Ｗに対して所定の角度で斜めに向けて配置することができるようになっている。
前記第２のガス供給手段２２は、装置接続部２５に関して排気制御装置２０と反対側に接続されており、第２のガス供給手段２２から供給される酸素ガスは、矢印２２ｆで示すように、＋Ｚ側の成膜室２では＋Ｘ側から基板Ｗ上を経由して排気制御装置２０側へ−Ｘ方向に流通し、−Ｚ側の成膜室２では−Ｘ側から基板Ｗ上を経由して排気制御装置２０側へ＋Ｘ方向に流通するようになっている。
【００２３】
また実際の製造装置では、成膜室２の真空度を保持した状態での基板Ｗの搬入／搬出を可能とするロードロックチャンバーが、成膜室２の第１のガス供給手段２１側に備えられている。ロードロックチャンバーにも、これを独立して真空雰囲気に調整する排気制御装置が接続され、ロードロックチャンバーと成膜室２とは、チャンバー間を気密に閉塞するゲートバルブを介して接続されている。かかる構成により、成膜室２を大気に解放することなく基板Ｗの出し入れを行えるようになっている。
【００２４】
スパッタ装置３は、２枚（一対）のターゲット５ａ、５ｂを対向配置してなる対向ターゲット型のスパッタ装置であり、第１のターゲット５ａは略平板状の第１電極９ａに装着され、第２のターゲット５ｂは略平板状の第２電極９ｂに装着されている。電極９ａ、９ｂに支持されたターゲット５ａ、５ｂは、基板Ｗ上に形成する無機配向膜の構成物質を含む材料、例えばシリコンからなるものとされる。またターゲット５ａ、５ｂは図示Ｙ方向に延びる細長い板状のものが用いられており（図２参照）、互いの対向面がほぼ平行になるように設置されている。
第１電極９ａには直流電源又は高周波電源からなる電源４ａが接続され、第２電極９ｂには直流電源又は高周波電源からなる電源４ｂが接続されており、各電源４ａ、４ｂから供給される電力によりターゲット５ａ、５ｂが対向する空間（プラズマ生成領域）にプラズマＰｚを発生させるようになっている。
【００２５】
第１電極９ａのターゲット５ａと反対側にはターゲット５ａを冷却するための第１の冷却手段８ａが設けられており、第１の冷却手段８ａには。第１の冷媒循環手段１８ａが配管等を介して接続されている。また第２電極９ｂのターゲット５ｂと反対側には、ターゲット５ｂを冷却するための第２の冷却手段８ｂが設けられており、第２の冷却手段８ｂには、配管等を介して第２の冷媒循環手段１８ｂが接続されている。第１の冷却手段８ａは、図１（ｂ）に示すようにターゲット５ａとほぼ同一の平面寸法に形成されており、第１電極９ａを介してターゲット５ａと平面視で重なる位置に配設されている。また特に図示はしないが、第２の冷却手段８ｂについても同様にターゲット５ｂと平面視で重なる位置に配設されている。冷却手段８ａ、８ｂは内部に冷媒を流通させる冷媒流路を備えており、かかる冷媒流路に対して冷媒循環手段１８ａ、１８ｂから供給される冷媒を循環させることでターゲット５ａ、５ｂの冷却を行うようになっている。
【００２６】
また、図１（ｂ）に示すように、平面視矩形状の第１の冷却手段８ａを取り囲むようにして矩形枠状の永久磁石、電磁石、これらを組み合わせた磁石等からなる第１の磁界発生手段１６ａが配設されており、図１（ａ）に示す第２の冷却手段８ｂを取り囲む第２の磁界発生手段１６ｂも同様の形状である。
なお、冷却手段８ａ、８ｂは、導電部材により作製してそれぞれ第１電極９ａ、９ｂと電気的に接続してもよく、この場合には冷却手段８ａ、８ｂに対しそれぞれ電源４ａ、４ｂを電気的に接続することができる。また、第１電極９ａ、９ｂの内部に冷媒流路を形成することで第１電極９ａ、９ｂが冷却手段を兼ねる構成としてもよい。
【００２７】
図２は、図１（ａ）に示すスパッタ装置３の構成を示す図であり、図２（ａ）はスパッタ装置３を成膜室２側から見た平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＧ−Ｇ’矢視図である。
図１及び図２に示すように、第１電極９ａ及び第２電極９ｂは、Ｙ軸方向両端部にそれぞれ接続された側壁部材９ｃ、９ｄとともにスパッタ装置３の真空チャンバーとなる箱形筐体を構成している。ただし、箱形筐体を構成する第１電極９ａ、第２電極９ｂ、及び側壁部材９ｃ、９ｄは互いに絶縁された構造である。箱形筐体は、Ｚａ方向両端部にスパッタ粒子が排出される開口部３ａを有している。そして、開口部３ａを介して成膜室２に突出形成された装置接続部２５と接続され、かかる接続構造により前記箱形筐体の内部は成膜室２の内部とそれぞれ連通している。
【００２８】
図１及び図２に示すように、側壁部材９ｃ、９ｄには、前記第１のガス供給手段が接続されており、第１のガス供給手段２１から供給されるアルゴンガスは、側壁部材９ｃ、９ｄ側からプラズマ生成領域（ターゲット対向領域）に流入し、装置接続部２５を介して成膜室２内に流入するようになっている。そして、成膜室２に流入したアルゴンガスは、矢印２１ｆで示すように、第２のガス供給手段２２から供給されて矢印２２ｆに沿って流通する酸素ガスと合流して排気制御装置２０側へ流れるようになっている。本実施形態の製造装置１では、第１のスパッタガスであるアルゴンガスを図示Ｚａ方向に沿って成膜室２側へ流通させ、成膜室２内を流通する酸素ガスと合流させ、その後−Ｘ方向（＋Ｚ側の成膜室２）または＋Ｘ方向（−Ｚ側の成膜室２）に流通させるようになっており、第２のスパッタガスである酸素ガスの流通方向と前記アルゴンガスの流通方向との成す角度が鋭角になるようにしてスパッタガスを円滑に流通させるようになっている。これにより、酸素ガスとアルゴンガスとの合流地点においてガス流が乱れるのを防止することができ、基板Ｗに対するスパッタ粒子５ｐの入射角度がばらつくのを防止することができる。
【００２９】
開口部３ａ近傍の第１電極９ａのターゲット５ａと反対側に第１の磁界発生手段１６ａが配置され、第２電極９ｂのターゲット５ｂと反対側には第２の磁界発生手段１６ｂが配置されている。図２（ｂ）に示すように、第２の磁界発生手段１６ｂは、矩形状のターゲット５ｂの外周端に沿って配置された矩形枠状であり、第１の磁界発生手段１６ａも同様である。従って第１の磁界発生手段１６ａと第２の磁界発生手段１６ｂとは、対向配置されたターゲット５ａ、５ｂの外周部で互いに対向して配置されている。そして、これらの磁界発生手段１６ａ、１６ｂがターゲット５ａ、５ｂを取り囲むＸａ方向の磁界をスパッタ装置３内に発生させ、かかる磁界によってプラズマＰｚに含まれる電子をプラズマ生成領域内に拘束する電子拘束手段を構成している。
【００３０】
各成膜室２内には、基板Ｗをその被処理面（成膜面）が鉛直（ＸＹ面に平行）になるようにして支持する基板ホルダ６が設けられている。基板ホルダ６には、基板ホルダ６を図示略のロードロックチャンバー（図示せず）側からその反対側へ、及びその逆方向へも往復移動自在で水平に搬送する移動手段（移動装置）６ａが接続されている。移動手段６ａによる基板Ｗの搬送方向は、図１においてＸ軸方向に平行であり、ターゲット５ａ、５ｂの長さ方向（Ｙ軸方向）と直交する方向となっている。
【００３１】
また、基板ホルダ６には、保持した基板Ｗを加熱するためのヒータ（加熱手段）７が設けられており、さらに、保持した基板Ｗを冷却するための第３の冷却手段８ｃが設けられている。ヒータ７は、電源等を具備した制御部７ａに接続されており、制御部７ａを介した昇温動作により所望の温度に基板ホルダ６を加熱し、これによって基板Ｗを所望の温度に加熱できるように構成されている。一方、第３の冷却手段８ｃは、第３の冷媒循環手段１８ｃと配管等を介して接続されており、第３の冷媒循環手段１８ｃから供給される冷媒を循環させることにより所望の温度に基板ホルダ６を冷却し、これによって基板Ｗを所望の温度に冷却するように構成されている。
【００３２】
上記構成の製造装置１により液晶装置の構成部材である基板Ｗ上に無機配向膜を形成するには、第１のガス供給手段２１からアルゴンガスを導入しつつ、第１電極９ａ及び第２電極９ｂにＤＣ電力（ＲＦ電力）を供給することで、ターゲット５ａ、５ｂに挟まれる空間にプラズマＰｚを発生させ、プラズマ雰囲気中のアルゴンイオン等をターゲット５ａ、５ｂに衝突させることで、ターゲット５ａ、５ｂから配向膜材料（シリコン）をスパッタ粒子５ｐとしてたたき出し、さらにプラズマＰｚに含まれるスパッタ粒子５ｐのうち、プラズマＰｚから開口部３ａ側へ飛行するスパッタ粒子５ｐのみを選択的に成膜室２側へ放出する。
【００３３】
一方、各成膜室２においては、基板ホルダ６によって成膜面（無機配向膜形成面）を鉛直方向に沿わせた状態で支持された基板Ｗが、移動手段６ａの駆動により酸素ガスが流通する方向（＋Ｚ側の成膜室２では−Ｘ方向、−Ｚ側の成膜室２では＋Ｘ方向）に沿って移動している。
そして、基板Ｗの面上に斜め方向から飛来したスパッタ粒子５ｐと、成膜室２を流通する酸素ガスとを、双方の成膜室２内の基板Ｗ上で反応させることで、シリコン酸化物からなる配向膜をそれぞれの基板Ｗ上に形成するようになっている。
【００３４】
なお、本実施形態では、スパッタ粒子５ｐとしてのシリコンを、第２のスパッタガスである酸素ガスと反応させることでシリコン酸化物を基板Ｗ上に成膜する場合について説明しているが、ターゲット５ａ、５ｂとして例えばシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）やアルミニウム酸化物（ＡｌＯｙ等）などを用い、ターゲット５ａ、５ｂに対してＲＦ電力を入力してスパッタ動作を行うことで、これらシリコン酸化物やアルミニウム酸化物からなる無機配向膜を基板Ｗ上に形成することができる。またこの場合において、第２のスパッタガス（酸素ガス）を成膜室２内に流通させておくことで、形成される無機配向膜の酸化物組成からのずれを防止することができ、無機配向膜の絶縁性を高めることができる。
【００３５】
このように、上記構成を備えた製造装置１によれば、対向ターゲット型のスパッタ装置３を基板Ｗに対して所定角度（θ１）傾けて配置しているので、スパッタ装置３の開口部３ａから放出されるスパッタ粒子５ｐを所定角度で斜め方向から基板Ｗの成膜面に入射させることができる。そして、このようにして斜め方向から入射させたスパッタ粒子５ｐの堆積により、一方向に配向した柱状構造を具備した無機配向膜を基板Ｗ上に形成することができるようになっている。また、本実施形態では、スパッタ装置３のプラズマ生成領域を挟んだ両側に成膜室２がそれぞれ設けられているため、プラズマ生成領域から放出されたスパッタ粒子により、両成膜室２の基板Ｗに同時に無機配向膜を形成することが可能になり、スパッタ粒子が１方向から斜めに基板に入射するようにスパッタリングを実施して成膜レートが遅い場合でも、高い生産性で無機配向膜を形成することができる。
【００３６】
また、本実施形態の対向ターゲット型のスパッタ装置３では、開口部３ａから放出されないスパッタ粒子は、主にターゲット５ａ、５ｂに入射して再利用されるため、極めて高いターゲット利用効率を得られるようになっている。さらにスパッタ装置３においては、ターゲット間隔を狭めることで開口部３ａから放出されるスパッタ粒子５ｐの指向性を高めることができるので、基板Ｗに到達するスパッタ粒子５ｐの入射角は高度に制御されたものとなり、形成される無機配向膜における柱状構造の配向性も良好なものとなる。
【００３７】
さらに、本実施形態では、基板Ｗの成膜面を鉛直方向に設定しているため、成膜室２等で浮遊（飛散）するパーティクル（塵埃）が自重で下降して、基板Ｗの成膜面に堆積し、無機配向膜の品質が低下することを防止でき、高品質で配向特性に優れた液晶装置を製造することが可能になる。また、基板Ｗを鉛直方向に支持することから、各成膜室２の設置に要する面積（フットプリント）を少なくすることができ、製造装置１の小型化にも寄与できる。
【００３８】
また、上記成膜動作に際して、スパッタ装置３のターゲット５ａ、５ｂを取り囲む矩形枠状の磁界発生手段１６ａ、１６ｂにより形成される磁界によって、プラズマＰｚに含まれる電子５ｒを捕捉ないし反射させることができ、プラズマＰｚをターゲット５ａ、５ｂが対向する領域内に良好に閉じ込めることができるので、前記電子５ｒが基板Ｗの成膜面に入射して基板Ｗ表面の濡れ性が上昇するのを防止することができる。これにより、基板Ｗに付着したスパッタ粒子５ｐの再配置により柱状構造の形成が阻害されるのを良好に防止することができる。従って本実施形態の製造装置１によれば、配向性の良好な無機配向膜を基板Ｗ上に容易に形成することができる。
上記と同様の観点から、開口部３ａと基板Ｗとの間に位置する成膜室２や装置接続部２５の壁部は、接地電位に保持しておくことが好ましい。このような構成とすることで、電子拘束手段から漏れ出た電子を前記壁部により捕捉し除去することができ、基板Ｗ表面の濡れ性が上昇してしまうのを効果的に防止することができる。
【００３９】
さらに製造装置１では、ターゲット５ａ、５ｂに細長い板状のものを用いており、スパッタ装置３からＹ軸方向に延びるライン状にスパッタ粒子５ｐを放出させることができる。そして、基板ホルダ６は前記スパッタ粒子のラインと直交する方向（Ｘ軸方向）に基板Ｗを搬送することができるようになっているので、前記スパッタ粒子のラインにより基板Ｗ上を走査するようにして面状に成膜を行うことができ、連続的に基板処理を行うことができ、極めて高い生産効率を実現することができる。
【００４０】
また本実施形態の製造装置１では、成膜法としてスパッタ装置３によるスパッタ法を採用しているので、例えば蒸着法やイオンビームスパッタ法に比べて低い圧力で成膜を行うことができ、真空ポンプ等の真空装置（排気制御装置）に関する負担を軽減することができる。さらに、蒸着法に比べて低い圧力で成膜を行うことから、成膜材料（配向膜材料）の平均自由行程が短くなり、従って蒸着法を採用した場合に比べて真空チャンバー等からなる成膜室を小型化することができ、装置に関する負担を軽減することができる。
【００４１】
また、スパッタ法によってターゲットから放出されるスパッタ粒子（配向膜材料）の持つエネルギーは例えば１０ｅＶであり、蒸着法によって蒸着源から発生するクラスター状粒子の持つエネルギーが例えば０．１ｅＶであるのに比べて格段に大きいため、スパッタ粒子は蒸着法によるクラスター状粒子に比べて密着性が高いものとなる。すなわち、クラスター状粒子の場合、例えば成膜室２や装置接続部２５の内壁面に付着した粒子が振動等によって脱落し、発塵を起こしてこれが基板Ｗ上に異物となって付着してしまうおそれがあるが、スパッタ粒子の場合には、内壁面などに一旦付着すると、その高密着性によって容易には脱落せず、従ってこれが基板Ｗ上に異物となって付着してしまうといった不都合を回避することができる。
【００４２】
また、基板ホルダ６に基板Ｗを冷却するための第３の冷却手段８ｃを設けているので、成膜時に第３の冷却手段８ｃによって基板Ｗを冷却し、基板Ｗを室温等の所定温度に保持することができ、スパッタによって基板Ｗに付着した配向膜材料分子の基板上での拡散（マイグレーション）を抑制することができる。これにより、基板Ｗ上における配向膜材料の局所的な成長が促進され、一軸方向に柱状に成長した配向膜を容易に得られるようになる。
【００４３】
なお、上記実施形態では、箱形筐体の対向する二側壁を成す第１電極９ａ及び第２電極９ｂにのみターゲット５ａ、５ｂが支持されている構成としているが、対向ターゲット型のスパッタ装置３では、図２に示すように、側壁部材９ｃ、９ｄにもそれぞれターゲット５ｃ、５ｄを配設することができる。このような構成において、各側壁部材９ｃ、９ｄに電源を接続して電極として機能させ、前記各ターゲット５ｃ、５ｄに電力を供給するならば、これらのターゲット５ｃ、５ｄから放出されるスパッタ粒子を成膜に用いることができるので、成膜速度の向上が期待できる。また、プラズマ生成領域を取り囲むようにしてターゲット５ａ〜５ｄが配置されていると、開口部３ａから成膜室２へ放出されるスパッタ粒子を除くスパッタ粒子はプラズマＰｚを取り囲むターゲット５ａ〜５ｄに入射して、他のスパッタ粒子の生成等に再利用されるので、ターゲットの利用効率を高めることができる。
上記構成においては、ターゲット５ｃ、５ｄを冷却するための冷却手段を各側壁部材９ｃ、９ｄに隣接して設けることが好ましい。さらには、増設したターゲット５ｃ、５ｄに対応して電子拘束手段（磁界発生手段）の配置を変更し、プラズマＰｚとターゲット５ａ〜５ｄとの位置関係を最適化することが好ましい。
【００４４】
［製造装置の他の構成例］
本実施形態に係る製造装置１では、スパッタ粒子５ｐの進行方向をさらに良好に規制する手段を設けることができる。以下、かかる構成について図３及び図４を参照して説明する。図３は、本構成例における製造装置１の概略構成を示す図である。図３に示すように、本構成例では、装置接続部２５に通じる成膜室２の開口部に、金属製メッシュ１１と複数の金属製筒状体１２とがそれぞれ設けられている。図４は、これら金属製メッシュ１１と金属製筒状体１２とを、図３の概略Ｚａ方向に観察したときの概略斜視図である。
【００４５】
金属製メッシュ１１は、アルミニウム等の非磁性金属からなるもので、装置接続部２５に通じる各成膜室２の開口部２５ａを覆うように成膜室２の内壁に取り付けられたものである。金属製メッシュ１１は成膜室２の壁部と電気的に導通して接地電位に保持されている。従って金属製メッシュ１１によって、電子拘束手段から漏れ出るプラズマＰｚ中の電子やイオン状物質を捕捉して除去することができ、これにより基板Ｗに対してプラズマＰｚの影響が及ぶのを防ぐことができる。すなわち、スパッタ装置３には磁界発生手段１６ａ、１６ｂからなる電子拘束手段が設けられているものの、この電子拘束手段から電子等が洩れ出て基板Ｗに到達すると、先に記載のように基板Ｗ表面の濡れ性が上昇してスパッタ粒子のマイグレーションが生じ、柱状構造の形成が阻害されるおそれがあるが、このような金属製メッシュ１１を配設しておくことにより、電子等が成膜室２の開口部２５ａから洩れ出てくるのを防止することができ、無機配向膜における柱状構造の形成を促進し、良好な配向性を備えた無機配向膜を形成することができる。また金属製メッシュ１１については、その開口径を例えば２〜３ｍｍ程度に小さくできるため、所望の開口径にすることにより、プラズマＰｚに含まれる電子やイオン状物質の洩れ防止効果を十分発揮させることができる。
【００４６】
金属製筒状体１２は、アルミニウム等の非磁性金属からなる六角筒状のもので、金属製メッシュ１１のスパッタ装置３と反対側に取り付けられたものである。また、金属製筒状体１２は、図４に示すように、多数が密に配列されて筒状体群１３を構成している。なお、図４では図面を見やすくするために金属製メッシュ１１の一部を省略しているが、実際には金属製メッシュ１１は筒状体群１３のスパッタ装置３側の開口端を覆うようにして設けられている。
【００４７】
図３に示すように、筒状体群１３を構成する各金属製筒状体１２は、その中心軸が、水平面に対する法線方向（Ｚ軸方向）に対して、前記θ１にほぼ一致する角度で傾斜したＺａ方向に向くよう配置されている。従って、前記中心軸は、基板Ｗに対して傾斜して配置されたスパッタ装置３の開口部３ａと同じ傾斜角で鉛直方向に対し傾斜させられたものとなっている。このような構成により、前記ターゲット５ａ、５ｂから放出されたスパッタ粒子は、金属製筒状体１２を通過することにより、基板Ｗに対する入射角が設定された角度に、より良好に規制される。なお、金属製筒状体１２の長さ（高さ）については特に制限がないものの、例えば数ｃｍ〜十数ｃｍ程度である。
【００４８】
また、各金属製筒状体１２からなる筒状体群１３は、各金属製筒状体１２の開口部が、ハニカム構造と呼ばれる最密充填構造となるように配置されている。かかる構造を具備した筒状体群１３は、各金属製筒状体１２の開口部からなる空間率が高く、よって圧力損失が小さくなり、従って成膜性を損なうことなく、スパッタ粒子の基板Ｗに対する入射角を良好に規制することができるものとなっている。さらに本実施形態では、筒状体群１３も金属製メッシュ１１と同様に接地（アース）されており、筒状体群１３によってもプラズマＰｚ中の電子やイオン状物質が捕捉除去されるので、プラズマＰｚの影響が基板Ｗに及ぶのを防ぎ、柱状構造の無機配向膜を良好に形成することができる。
【００４９】
なお、上記では金属製メッシュ１１と金属製筒状体１２からなる筒状体群１３の両方を設けた場合について説明したが、いずれか一方のみを設けるようにしてもよい。また金属製メッシュ１１の格子形状や、金属製筒状体１２の開口端形状等は適宜変更することが可能である。
【００５０】
［液晶装置の製造方法］
次に、上記製造装置１を用いた液晶装置の製造方法（基板Ｗ上に無機配向膜を形成する工程）について説明する。
まず、基板Ｗとして、液晶装置用基板としてスイッチング素子や電極等、所定の構成部材が形成された基板を用意する。次いで、基板Ｗを成膜室２に併設されたロードロックチャンバー内に収容し、ロードロックチャンバー内を減圧して真空状態とする。また、これとは別に、排気制御装置を作動させて成膜室２内を所望の真空度に調整しておく。
【００５１】
続いて、基板Ｗを成膜室２、２内にそれぞれ搬送し、基板ホルダ６にセットする。そして、配向膜形成の前処理として、基板ホルダ６のヒータ７によって基板Ｗを例えば２５０℃〜３００℃程度で加熱し、基板Ｗの表面に付着した吸着水やガスなどの脱水・脱ガス処理を行う。次いで、ヒータ７による加熱を停止した後、スパッタリングによる基板温度の上昇を抑制するため、冷媒循環手段１８ｃを作動させて冷却手段８ｃに冷媒を循環させることで基板Ｗを所定温度、例えば室温に保持する。
【００５２】
次に、アルゴンガスを第１のガス供給手段２１からスパッタ装置３内に所定流量で導入し、酸素ガスを第２のガス供給手段２２から所定流量で成膜室２内に導入するとともに、排気制御装置２０を作動させ、所定の操作圧力、例えば１０−１Ｐａ程度に調整する。酸素ガスプラズマでは酸素ラジカル、酸素の負イオンが発生するため、本実施形態の製造装置１では、プラズマ生成領域であるターゲット５ａ、５ｂの前面にはアルゴンガスのみを導入し、酸素ガスは別系統のガス供給路から基板Ｗ上へ流入させている。また、成膜中にも必要に応じてヒータ７、冷却手段８ｃを作動させることにより、基板Ｗを室温に保持することが好ましい。
【００５３】
その後、このような成膜条件のもとで、移動手段６ａにより基板Ｗを図１中のＸ方向に所定の速度で移動させつつ、スパッタ装置３によるスパッタリングを行う。すると、ターゲット５ａ、５ｂからは、配向膜材料となるスパッタ粒子（シリコン）が放出されるが、対向ターゲット型のスパッタ装置３では、ターゲット対向方向に進行するスパッタ粒子はプラズマＰｚ内に閉じ込められ、ターゲット面方向の開口部３ａに向かって進行するスパッタ粒子５ｐのみが開口部３ａから成膜室２内に放出され、進行方向を規制されたスパッタ粒子５ｐのみが基板Ｗ上に入射するようになる。
【００５４】
スパッタ粒子５ｐは、装置接続部２５に臨む基板Ｗの成膜面に対してのみ選択的に入射、基板Ｗ上で酸素ガスと反応してシリコン酸化物の被膜を形成する。このように基板Ｗに対して斜めに傾けて配置されたスパッタ装置３から放出され、さらに基板Ｗに対してスパッタ装置３と同様に斜めに傾けて配置された装置接続部２５を通過したスパッタ粒子５ｐは、基板Ｗの成膜面に対して所定の角度、すなわち前記θ１で入射するようになる。その結果、基板Ｗ上で酸素ガスとスパッタ粒子５ｐとの反応を伴って堆積した無機配向膜は、前記の入射角θ１に対応した角度で傾斜する柱状構造を有した無機配向膜となる。
【００５５】
このように、製造装置１により基板Ｗ状に形成される無機配向膜は所望の角度で傾斜した柱状構造を有する無機配向膜であり、この配向膜を備えてなる液晶装置は、かかる無機配向膜によって液晶のプレチルト角を良好に制御することがでるものとなる。
またこのとき、スパッタ装置３の開口部３ａに設けられた電子拘束手段（磁界発生手段１６ａ、１６ｂ）によりプラズマＰｚに含まれる電子やイオン状物質が捕捉又は反射されるため、これらの電子やイオン状物質が基板Ｗに到達するのを防止することができる。さらに、図３及び図４に示した金属製メッシュ１１や金属製筒状体１２を成膜室２に配設しておけば、上記電子やイオン状物質が基板Ｗに到達するのをより効果的に防止することができ、また基板Ｗに入射するスパッタ粒子５ｐの入射角制御もより高精度に行うことができる。
【００５６】
以上の工程により、基板Ｗ上に無機配向膜を形成したならば、別途製造した他の基板とシール材を介して貼り合わせ、基板間に液晶を封入することで液晶装置を製造することができる。なお、本発明に係る液晶装置の製造方法において、無機配向膜の形成工程以外の製造工程については公知の製造方法を適用することができる。
【００５７】
（液晶装置）
以下、製造装置１を用いて製造することができる液晶装置の一例について図面を参照して説明する。
図５は、本実施形態の液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板８０の平面構成図である。
図６は、本実施形態の液晶装置の等価回路図である。図７は、ＴＦＴアレイ基板８０の画像表示領域を拡大して示す平面構成図である。図８は、図７のＡ−Ａ’線に沿う液晶装置の断面構成図である。
本実施形態の液晶装置は、図８に示すように、対向配置されたＴＦＴアレイ基板（第１基板）８０と、対向基板（第２基板）９０との間に液晶層５０を挟持した構成を備えたＴＦＴアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置である。
【００５８】
図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板８０の中央には画像表示領域１０１が形成されている。画像表示領域１０１の周縁部にシール材８９が配設されており、かかるシール材８９により前記ＴＦＴアレイ基板８０と対向基板９０とを貼り合わせ、前記両基板８０，９０とシール材８９とに囲まれる領域内に液晶層（不図示）が封止される。シール材８９の外側には、後述する走査線に走査信号を供給する走査線駆動回路１１０と、後述するデータ線に画像信号を供給するデータ線駆動回路１２０とが実装されている。ＴＦＴアレイ基板８０の端部には外部回路に接続する複数の接続端子７９が設けられており、かかる接続端子７９には前記駆動回路１１０，１２０から延びる配線が接続されている。シール材８９の四隅には前記ＴＦＴアレイ基板８０と対向基板９０とを電気的に接続する基板間導通部７０が設けられており、基板間導通部７０も配線を介して接続端子７９と電気的に接続されている。
【００５９】
図６は、液晶装置の等価回路図である。液晶装置の画像表示領域には、複数のデータ線４６ａと、データ線４６ａと交差する方向に延びる複数の走査線４３ａとが形成されており、隣接する２本のデータ線４６ａと隣接する２本の走査線４３ａとに囲まれた矩形状の領域に対応して画素電極４９が配置されており、画像表示領域全体では画素電極４９が平面視マトリクス状に配列されている。各画素電極４９には、画素電極４９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ３０が接続されている。ＴＦＴ３０のソースにはデータ線４６ａが接続されている。各データ線４６ａには、前述したデータ線駆動回路から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給されるようになっている。
【００６０】
また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線４３ａが接続されている。走査線４３ａには、前述した走査線駆動回路から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが供給される。一方、ＴＦＴ３０のドレインには画素電極４９が接続されている。そして、走査線４３ａから供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、ＧｍによりＴＦＴ３０を一定期間だけオンすることで、データ線４６ａから供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、画素電極４９を介して各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００６１】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極４９と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極４９と容量線４３ｂとの間に蓄積容量１７が液晶容量と並列に接続されている。
【００６２】
図７は、ＴＦＴアレイ基板８０の平面構成図である。本実施形態の液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板上に、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide；ＩＴＯ）等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極４９（破線４９ａによりその輪郭を示す）が、マトリクス状に配列形成されている。各画素電極４９の縦横の境界に沿って、データ線４６ａ、走査線４３ａ及び容量線４３ｂが設けられている。本実施形態では、各画素電極４９の形成領域に対応する矩形状の領域が画素の平面領域に対応しており、マトリクス状に配列された画素毎に表示動作が行われるようになっている。
【００６３】
ＴＦＴ３０は、ポリシリコン膜等からなる半導体層４１ａを備えている。半導体層４１ａのソース領域（後述）には、コンタクトホール４５を介して、データ線４６ａが接続されている。また、半導体層４１ａのドレイン領域（後述）には、コンタクトホール４８ｂ（４８ａ）を介して、画素電極４９が接続されている。一方、半導体層４１ａにおける走査線４３ａとの対向部分には、チャネル領域４１ａ’が形成されている。
【００６４】
図８は、液晶装置の断面構造を示す図であり、図７のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図である。図８に示すように、本実施形態の液晶装置６０は、ＴＦＴアレイ基板８０と、これに対向配置された対向基板９０と、これらの間に挟持された液晶層５０とを備えて構成されている。ＴＦＴアレイ基板８０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体８０Ａ、及びその内側（液晶層側）に形成されたＴＦＴ３０や画素電極４９、さらにこれを覆う配向下地膜８５及び無機配向膜８６などを備えている。一方の対向基板９０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体９０Ａ、およびその内側（液晶層側）に形成された共通電極６１、さらにこれを覆う配向下地膜９５、無機配向膜９２などを備えている。
【００６５】
基板本体８０Ａの内面側には、後述する第１遮光膜５１ａおよび第１層間絶縁膜５２が形成されている。第１層間絶縁膜５２上に島状の半導体層４１ａが形成されている。半導体層４１ａにおける走査線４３ａとの対向部分にはチャネル領域４１ａ’が形成されており、チャネル領域４１ａ’の両側にソース領域およびドレイン領域が形成されている。ＴＦＴ３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を採用しており、ソース領域およびドレイン領域に、それぞれ不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と、相対的に低い低濃度領域（ＬＤＤ領域）とが形成されている。チャネル領域４１ａ’側から順に形成された低濃度ソース領域４１ｂと高濃度ソース領域４１ｄとが前記ソース領域を構成し、チャネル領域４１ａ’側から順に形成された低濃度ドレイン領域４１ｃと高濃度ドレイン領域４１ｅとが前記ドレイン領域を構成している。
【００６６】
半導体層４１ａの表面にゲート絶縁膜４２が形成されており、ゲート絶縁膜４２上に走査線４３ａが形成されている。走査線４３ａのうちチャネル領域４１ａ’との対向部分はＴＦＴ３０のゲート電極を構成している。ゲート絶縁膜４２及び走査線４３ａを覆って第２層間絶縁膜４４が形成されている。第２層間絶縁膜４４上にデータ線４６ａ、及びドレイン電極４６ｂが形成されており、データ線４６ａの一部は第２層間絶縁膜４４に貫設されたコンタクトホール４５内に埋設されて高濃度ソース領域４１ｄと電気的に接続されている。一方、ドレイン電極４６ｂは、第２層間絶縁膜４４に貫設されたコンタクトホール４８ａを介して半導体層４１ａの高濃度ドレイン領域４１ｅと電気的に接続されている。
【００６７】
第２層間絶縁膜４４、データ線４６ａ、及びドレイン電極４６ｂを覆って第３層間絶縁膜４７が形成されている。第３層間絶縁膜４７の表面に画素電極４９が形成されており、画素電極４９は第３層間絶縁膜４７を貫通してドレイン電極４６ｂに達する画素コンタクトホール４８ｂを介してドレイン電極４６ｂと電気的に接続されている。かかる構造により、画素電極４９とＴＦＴ３０とが電気的に接続されている。さらに、画素電極４９を覆って、配向下地膜８５が形成され、配向下地膜８５上に無機配向膜８６が形成されている。無機配向膜８６は、先に記載のようにシリコン酸化物によって好適に構成されるが、シリコン酸化物に限らず、アルミニウム酸化物、亜鉛酸化物、マグネシウム酸化物、インジウム錫酸化物、あるいはシリコン窒化物、チタン窒化物などにより形成してもよい。後述する無機配向膜９２についても同様である。
【００６８】
半導体層４１ａを延設して第１蓄積容量電極４１ｆが形成されている。また、ゲート絶縁膜４２を延設して誘電体膜が形成されており、かかる領域のゲート絶縁膜４２を介して前記第１蓄積容量電極４１ｆと対向する位置に第２蓄積容量電極を成す容量線４３ｂが配置されている。これにより、前記第１蓄積容量電極４１ｆと容量線４３ｂとが平面的に重なる位置に前述の蓄積容量５７が形成されている。
また、ＴＦＴ３０の形成領域に対応する基板本体８０Ａの表面に、第１遮光膜５１ａが形成されている。第１遮光膜５１ａは、ＴＦＴアレイ基板８０の外側からの光が、半導体層４１ａのチャネル領域４１ａ’、低濃度ソース領域４１ｂおよび低濃度ドレイン領域４１ｃに入射して光リークを生じるのを防止するものである。
【００６９】
一方、対向基板９０における基板本体９０Ａ上には、第２遮光膜６３が形成されている。第２遮光膜６３は、対向基板９０側からの光が半導体層４１ａのチャネル領域４１ａ’や低濃度ソース領域４１ｂ、低濃度ドレイン領域４１ｃ等に入射するのを防止するものであり、平面視において半導体層４１ａと重なる領域に設けられている。前記第２遮光膜６３を覆う対向基板９０のほぼ全面にＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極６１が形成されている。そして、共通電極６１を覆って配向下地膜９５が形成され、かかる配向下地膜９５上に無機配向膜９２が形成されている。
【００７０】
ＴＦＴアレイ基板８０と対向基板９０との間には、ネマチック液晶等からなる液晶層５０が挟持されている。ネマチック液晶分子は、正の誘電率異方性を有するものであり、非選択電圧印加時には基板に沿って水平配向し、選択電圧印加時には電界方向に沿って垂直配向する。またネマチック液晶分子は、正の屈折率異方性を有するものであり、その複屈折と液晶層厚との積（リタデーション）Δｎｄは、例えば約０．４０μｍ（６０℃）となっている。ＴＦＴアレイ基板８０側の無機配向膜８６による配向規制方向と、対向基板９０側の無機配向膜９２による配向規制方向とは、約９０°ねじれた状態に設定されている。基板本体８０Ａ、９０Ａのそれぞれの外側（液晶層５０と反対側）には、偏光板５８、６８が互いの透過軸を直交させた状態（クロスニコル）で配置されている。従って、本実施形態の液晶装置６０は、ＴＮモードで動作し、捻れ配向した液晶の旋光性を利用した白表示と、電圧印加により垂直配向させた液晶の透過性を利用した黒表示との間で階調表示を行うものとなっている。
なお、本液晶装置６０をプロジェクタのライトバルブとして用いる場合には、偏光板５８、６８については、サファイヤガラスや水晶等の高熱伝導率材料からなる支持基板上に装着して、液晶装置６０から離間して配置することが望ましい。
【００７１】
以上説明した液晶装置６０にあっては、特に無機配向膜８６、９２として、前述したように製造装置１により形成できる配向性の良好な無機配向膜を備えているので、これらの無機配向膜８６、９２によって液晶分子のプレチルト角等の配向状態をより良好に制御することができ、高輝度、高コントラストの表示が可能であり、また耐熱性、耐光性に優れた信頼性の高い液晶装置となる。
【００７２】
（プロジェクタ）
次に、本発明の電子機器としてプロジェクタの一実施形態について、図９を用いて説明する。図９は、プロジェクタの要部を示す概略構成図である。このプロジェクタは、前述した実施形態に係る液晶装置を光変調手段として備えたものである。
【００７３】
図９において、８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は本発明の液晶装置からなる光変調手段、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投射レンズである。光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。
【００７４】
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用光変調手段８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用光変調手段８２３に入射される。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９および出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が青色光用光変調手段８２４に入射される。
【００７５】
各光変調手段８２２、８２３、８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投影され、画像が拡大されて表示される。
【００７６】
前述したプロジェクタは、前記の液晶装置を光変調手段として備えている。この液晶装置は、前述したように信頼性が高く、高画質の表示が得られるものとなっているので、このプロジェクタ（電子機器）自体も信頼性が高く、高画質のプロジェクタとなる。
【００７７】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００７８】
例えば、上記実施形態では、基板Ｗを酸素ガスの流通方向に移動させつつ、成膜面に無機配向膜を形成する構成としたが、これに限定されるものではなく、酸素ガスの流通方向と逆方向に移動させつつ成膜面に無機配向膜を形成する構成としてもよい。さらに、スパッタ粒子の放出方向（Ｚａ方向）と交差するＸ方向に往復移動させる構成としてもよい。このようにすることで、基板Ｗを複数回走査して無機配向膜を形成する場合に、走査する時間を減らすことが可能になり、無機配向膜を所定厚さで成膜するのに要する時間を短縮化でき、生産性を向上させることが可能になる。
また、両成膜室２における基板の移動方向も、必ずしも互いに逆方向にする必要はなく、同一方向に移動させる構成としてもよい。この場合、両成膜室２の間で基板の供給側（ロード側）と回収側（アンロード側）とを、同じにすることができるため、基板供給装置と基板回収装置とを共用するように設置することが可能になり、装置の小型化及び低価格化に寄与できる。
【００７９】
また、上記実施形態では、基板Ｗ（の成膜面）を鉛直方向に沿わせて支持する構成としたが、これに限定されるものではない。例えば、配向膜材料がパーティクルを形成する可能性が低い場合等には、基板Ｗを水平に支持する構成としてもよい。
【００８０】
また、上記実施形態ではスイッチング素子としてＴＦＴを備えた液晶装置を例にして説明したが、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode）等の二端子型素子を備えた液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、前記実施形態では透過型液晶装置を例にして説明したが、反射型液晶装置に本発明を適用することも可能である。
また、前記実施形態ではＴＮ（Twisted Nematic）モードで機能する液晶装置を例にして説明したが、ＶＡ（Vertical Alignment）モードで機能する液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、実施形態では３板式の投射型表示装置（プロジェクタ）を例にして説明したが、単板式の投射型表示装置や直視型表示装置に本発明を適用することも可能である。
【００８１】
また、本発明の液晶装置を、プロジェクタ以外の電子機器に適用することも可能である。その具体例として、携帯電話を挙げることができる。この携帯電話は、前述した各実施形態またはその変形例に係る液晶装置を表示部に備えたものである。また、その他の電子機器としては、例えばＩＣカード、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】実施形態に係る液晶装置の製造装置の概略構成図である。
【図２】図１に示すスパッタ装置の詳細構成を示す図である。
【図３】実施形態に係る製造装置の他の構成例を示す平面断面図である。
【図４】金属製メッシュと金属製筒状体との概略斜視図である。
【図５】実施形態に係るＴＦＴアレイ基板の全体構成図。
【図６】同、等価回路図である。
【図７】同、画素の詳細構成を示す図である。
【図８】図７のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図である。
【図９】電子機器の一例であるプロジェクタの概略構成図である。
【符号の説明】
【００８３】
Ｗ…基板、  １…製造装置、  ２…成膜室、  ３…スパッタ装置、  ３ａ…開口部、  ５ａ、５ｂ…ターゲット、  ６ａ…移動手段（移動装置）、  １１…金属製メッシュ、  １６ａ、１６ｂ…磁界発生手段（電子拘束手段）、  ２１…第１のガス供給手段、  ２２…第２のガス供給手段、  ５０…液晶層、  ６０…液晶装置、  ８０…ＴＦＴアレイ基板（第１基板）、  ８６、９２…無機配向膜、  ９０…対向基板（第２基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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