(57)【要約】【課題】制御速度を向上させて、情報処理作業の迅速化を図る。【解決手段】左右の側壁に夫々所要数の半円状の切欠部３、３、３・・・を設けたシリコンインターポーザー２の表裏両面に、印刷によって再配線回路４、５を形成する。また該再配線回路４、５を前記切欠部３、３、３・・・内に施したメッキ６、６により電気的に接続する。シリコンインターポーザー２の中央にメモリコントローラＩＣ７を形成して前記再配線回路５に接続する。シリコンインターポーザー２の表面にメモリＩＣ８を載せ、その電極部をはんだバンプ９、９、９をもって前記再配線回路４に接続する。【選択図】図３
2008282895.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリコントローラＩＣのシリコンインターポーザー部分の左右の側壁に夫々所要数の半円状の切欠部を設けると共に、該シリコンインターポーザー部分の表裏両面に再配線回路を形成し、該シリコンインターポーザー部分の表裏両面の再配線回路を前記切欠部内にメッキ等により施した導体により電気的に接続し、前記メモリコントローラＩＣを前記再配線回路に接続する一方、前記メモリコントローラＩＣの表面にメモリＩＣを載せ、該メモリＩＣの電極部をはんだバンプをもって前記再配線回路に接続してなることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記シリコンインターポーザーの中央部にメモリコントローラＩＣを形成してなることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記シリコンインターポーザーの裏面中央部にメモリコントローラＩＣを形成してなることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリＩＣと該メモリＩＣを制御するメモリコントローラＩＣとを一体化し、パーソナルコンピュータやデジタルスチルカメラ等に着脱可能に装着して使用するシリコンディスク或いはメモリーカードと称される外部記憶装置の部品として用いられる半導体パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータやデジタルスチルカメラ等に着脱可能に装着して使用するシリコンディスク或いはメモリーカードと称される外部記憶装置には、その部品として、絶縁基板と、メモリＩＣと、該メモリＩＣを制御するメモリコントローラＩＣを使用した半導体パッケージが用いられる。
【０００３】
図５には斯かる半導体パッケージの従来例を示しており、図において１００は半導体パッケージである。そして、該半導体パッケージ１００は、絶縁基板１０１の上に絶縁性接着剤１０２を介してメモリＩＣ１０３を載せると共に、更に該メモリＩＣ１０３の上に絶縁性接着剤１０４を介してメモリコントローラＩＣ１０５を載せ、これら重なったメモリＩＣ１０３とメモリコントローラＩＣ１０５の夫々の電極パッド１０３ａ、１０３ａ、１０５ａ、１０５ａをワイヤー１０６、１０７をもって絶縁基板１０１の上面に形成した再配線回路１０８の電極部１０８ａに接続し、この状態において封止樹脂１０９によりモールドしてなるものである。
【０００４】
しかし、斯かる従来の半導体パッケージには、次の如き問題点がある。それは、メモリＩＣ１０３とメモリコントローラＩＣ１０５との電気的接続を、ワイヤー１０６、１０７を介して行っていることによるものである。このようにワイヤー１０６、１０７を介して電気的な接続を行う場合には、どうしても厚みが大きくなり、自ずと部品自体が大嵩となるため、使用できる製品に限界がある。また、メモリコントローラＩＣ１０５によるメモリＩＣ１０３に対する制御速度が遅く、情報処理作業を迅速に行うことができない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上記の点に鑑みなされたものであって、メモリコントローラＩＣとメモリＩＣとの電気的接続を直接的に行うようになして、従来に比してはるかに小型化すると共に、制御速度を向上させることができ、もって情報処理作業の迅速化を図ることができるようになした半導体パッケージを提供せんとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
而して、本発明の要旨とするところは、メモリコントローラＩＣのシリコンインターポーザー部分の左右の側壁に夫々所要数の半円状の切欠部を設けると共に、該シリコンインターポーザー部分の表裏両面に再配線回路を形成し、該シリコンインターポーザー部分の表裏両面の再配線回路を前記切欠部内にメッキ等により施した導体により電気的に接続し、前記メモリコントローラＩＣを前記再配線回路に接続する一方、前記メモリコントローラＩＣの表面にメモリＩＣを載せ、該メモリＩＣの電極部をはんだバンプをもって前記再配線回路に接続してなることを特徴とする半導体パッケージにある。尚、前記メモリコントローラＩＣはシリコンインターポーザーの中央に設けることが望ましい。
【発明の効果】
【０００７】
本発明は上記の如き構成であり、メモリＩＣをメモリコントローラＩＣの表面に載せ、その電極部をはんだバンプをもってシリコンインターポーザーに形成された再配線回路に接続したものであるから、メモリコントローラＩＣとメモリＩＣとの電気的接続を直接化することができるものである。したがって、従来のワイヤーを介して行う場合に比してはるかに小型化することができると共に、制御速度を向上させることができ、もって情報処理作業の迅速化を図ることができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明を実施するための最良の形態は、メモリコントローラＩＣのシリコンインターポーザー部分の左右の側壁に夫々所要数の半円状の切欠部を設けると共に、前記シリコンインターポーザーの表裏両面に再配線回路を形成すると共に、該表裏両面の再配線回路を前記切欠部内に施したメッキ等により施した導体により電気的に接続し、前記メモリコントローラＩＣの表面にメモリＩＣを載せ、該メモリＩＣの電極部をはんだバンプをもって前記再配線回路に接続することにある。尚、前記メモリコントローラＩＣはシリコンインターポーザーの中央部に設けることが望ましい。
【実施例１】
【０００９】
以下、本発明の実施例について説明する。
図１は本発明の一実施例の斜視図、図２は同平面図、図３は図２中Ａ−Ａ線断面図である。
【００１０】
図中、１は半導体パッケージである。２はシリコンインターポーザーである。また、該シリコンインターポーザー２は、左右の側壁に夫々所要数の半円状の切欠部３、３、３・・・を設けている。更にまた、該シリコンインターポーザー２は、その表裏両面に印刷によって再配線回路４、５を形成すると共に、該表裏両面の再配線回路４、５を前記切欠部３、３、３・・・内に施した銅メッキ６、６によって電気的に接続している。尚、メモリコントローラＩＣにおけるシリコンインターポーザー２はダイニングラインを大きめにとり、その空間部をインターポーザーとしたものである。
【００１１】
７は前記シリコンインターポーザー２の裏面中央に形成したメモリコントローラＩＣである。したがって、メモリコントローラＩＣとメモリＩＣ８との間にはシリコンインターポーザーの一部が介在している。そしてまた、該メモリコントローラＩＣ７は、前記シリコンインターポーザー２に形成した再配線回路５に接続している。
【００１２】
８は前記シリコンインターポーザー２の表面に載せたメモリＩＣであり、その電極部（図示せず。）をはんだバンプ９、９、９・・・をもって前記シリコンインターポーザー２の表面に形成した再配線回路４に接続している。尚、該メモリＩＣ８は、図示はしないが、電極部に接続された再配線回路８を形成すると共に該再配線回路上にはんだ等の導電材による熱応力緩和ポストを形成し、該熱応力緩和ポスト上にはんだバンプを形成してなるものである。
【００１３】
上記実施例によれば、メモリコントローラＩＣ７とメモリＩＣ８との電気的接続を直接化することができるものである。したがって、従来のワイヤーを介して行う、所謂ワイヤボンディングの場合に比してはるかに小型化することができると共に、制御速度を向上させることができ、もって情報処理作業の迅速化を図ることができるものである。
【実施例２】
【００１４】
以下、本発明の第２実施例について説明する。
図４は本発明の第２実施例の断面図である。
【００１５】
この実施例が第１実施例と異なる点は、第１実施例ではメモリコントローラＩＣ７とメモリＩＣ８との間にインターポーザーの一部が介在しているが、第２実施例ではインターポーザーの中央部に、これが存在しないように形成した点である。その他の構成は、第１実施例と同様であるので、同一の部材には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施例の斜視図である。
【図２】本発明の第１実施例の平面図である。
【図３】図２中Ａ−Ａ線断面図である。
【図４】本発明の第２実施例の断面図である。
【図５】従来方法を示す説明図である。
【符号の説明】
【００１７】
１  半導体パッケージ
２  シリコンインターポーザー
３、３、３  半円状の切欠部
４、５  再配線回路
６  銅メッキ
７  メモリコントローラＩＣ
８  メモリＩＣ
９、９、９  はんだバンプ
【図１】
2008282895.tif 000003
【図２】
2008282895.tif 000004
【図３】
2008282895.tif 000005
【図４】
2008282895.tif 000006
【図５】
2008282895.tif 000007