(57)【要約】【課題】  高周波特性が良好な無線通信装置の提供。【解決手段】  トランジスタで構成される低雑音増幅器（ＬＮＡ）を含む送受信ＩＣが組み込まれたＩＣチップを有する無線通信装置であって、チップの主面にはその辺の縁に沿って複数の電極端子（パッド）が設けられているが、パッドとＬＮＡを構成するトランジスタのエミッタ，ベース，コレクタとの間には、上記エミッタ，ベース，コレクタとパッドを接続する配線を横切るような他の配線が設けられず、エミッタ，ベース，コレクタに繋がる配線を短くでき容量の低減ができる。また、チップの辺と上記パッドとの間には電源ラインやグランドライン等の配線が設けられていない。これにより、パッドとリードを接続するワイヤの長さを短くできる。ＬＮＡはチップの一辺の中央付近に配置されている。これによりリードは短いものを使用できる。従って、利得・雑音特性が良好になる。【選択図】      図１
2008011561.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ上に形成された無線通信用の半導体集積回路装置であって、
上記半導体集積回路装置の外部より供給された増幅されるべき第一の信号を受ける増幅回路と前記増幅回路の出力を受け前記第一の信号の周波数より低い周波数に変換する周波数変換回路とを含む受信系回路を有し、
上記半導体チップの主面には上記半導体チップの第１の辺に沿って複数の電極端子が設置され、
上記増幅回路は上記第一の信号が供給される制御電極と上記制御電極に供給される上記第一の信号に従い信号を出力する第１電極と第１電圧の供給される第２電極を含むトランジスタを有し、
上記制御電極と上記第１電極及び上記第２電極は上記複数の電極端子の一つとそれぞれ短い配線で接続され、
上記複数の電極端子の一つと上記第１電極の間を接続する配線、上記複数の電極端子の上記とは異なる一つと上記第２電極の間を接続する配線、上記複数の電極端子の上記とは更に異なる一つと上記制御電極の間を接続する配線、のそれぞれと交差する配線が無いことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
上記半導体チップは、上記第一の辺及び上記第１の辺と対向し上記第一の辺とは異なる第２の辺を有し、
上記第１の辺から上記第２の辺に向かい上記電極端子、上記トランジスタ、上記トランジスタへ電圧を供給する配線、の順に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
上記半導体集積回路装置は、上記制御電極と上記第１電極及び上記第２電極それぞれに接続される静電保護回路を更に有し、
上記第１電圧は接地電圧であり、
上記第２電極に接地電圧を供給する電極端子と上記第２電極に接続されている上記静電保護回路に接地電圧を供給する電極端子とは異なることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
上記半導体集積回路装置は、
上記増幅回路にバイアス電圧を供給するバイアス回路と、
上記増幅回路に接続された静電保護回路と、
送信される信号を生成する送信系回路とを更に有し、
上記送信系回路に上記電圧を供給する配線は、上記バイアス回路に上記電圧を供給する配線及び上記静電保護回路に上記電圧を供給する配線とは異なることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
上記増幅回路は、上記第１の辺に沿って設けられ、かつ上記第１の辺の中央付近に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項６】
上記半導体チップは、上記第１の辺と交差する第３の辺を更に有し、
上記増幅回路は、上記第１の辺と上記第３の辺の交差する角部に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項７】
上記制御電極と上記第１電極及び上記第２電極のそれぞれに接続された上記複数の電極端子と上記第１の辺との間には配線が設置されていないことを請求項２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項８】
上記半導体集積回路装置は、保護ダイオードを含む静電保護回路をさらに有し、
上記制御電極と上記保護ダイオードの一方の電極は、配線により接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項９】
上記増幅回路は、上記第１の辺と上記静電保護回路との間に配置されることを特徴とする請求項３に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１０】
上記半導体チップは、上記トランジスタと接続されている上記複数の電極端子と第１の配線を介して接続されている静電保護回路を更に有し、
上記第１の配線を除き、上記複数の電極端子の一つと上記第１電極の間を接続する配線、上記複数の電極端子の上記とは異なる一つと上記第２電極の間を接続する配線、上記複数の電極端子の上記とは更に異なる一つと上記制御電極の間を接続する配線、のそれぞれと交差する配線が無いことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１１】
上記送信系回路は、上記半導体チップの外部から供給された上記送信される信号を生成する変調回路を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１２】
半導体チップ上に形成され、複数の夫々周波数の異なる信号に対応した複数の受信系回路を有する無線通信用の半導体集積回路装置であって、
上記複数の受信系回路のそれぞれは上記半導体集積回路装置の外部より供給された増幅されるべき信号を受ける増幅回路と前記増幅回路の出力を受け前記第一の信号の周波数より低い周波数に変換する周波数変換回路とを含み、
上記半導体チップの主面には上記半導体チップの第１の辺に沿って複数の電極端子が設置され、
上記増幅回路それぞれは上記第一の信号が供給される制御電極と上記制御電極に供給される上記第一の信号に従い信号を出力する第１電極と第１電圧の供給される第２電極を含むトランジスタを有し、
上記トランジスタそれぞれの上記制御電極と上記第１電極及び上記第２電極は上記複数の電極端子の一つとそれぞれ短い配線で接続され、
上記複数の電極端子の一つと上記第１電極の間を接続する配線、上記複数の電極端子の上記とは異なる一つと上記第２電極の間を接続する配線、上記複数の電極端子の上記とは更に異なる一つと上記制御電極の間を接続する配線、のそれぞれと交差する配線が無いことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１３】
上記半導体チップは、上記第一の辺及び上記第１の辺と対向し上記第一の辺とは異なる第２の辺を有し、
上記第１の辺から上記第２の辺に向かい上記電極端子、上記トランジスタそれぞれ、上記トランジスタそれぞれへ電圧を供給する配線、の順に配置されていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１４】
上記半導体集積回路装置は、上記制御電極と上記第１電極及び上記第２電極それぞれに接続される静電保護回路を更に有し、
上記第１電圧は接地電圧であり、
上記第２電極に接地電圧を供給する電極端子と上記第２電極に接続されている上記静電保護回路に接地電圧を供給する電極端子とは異なることを特徴とする請求項１２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１５】
上記半導体集積回路装置は、上記制御電極と上記第１電極及び上記第２電極それぞれに接続される静電保護回路を更に有し、
上記増幅回路と上記静電保護回路は上記半導体チップの主面の第一の領域に設置され、
上記第一の領域は、上記第１の辺に沿った輪郭領域を有し、
上記輪郭領域は、電源電位を供給される電源配線と接地電位を供給される接地配線からなり、
上記輪郭領域は、段階的に変化するように形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１６】
上記増幅回路のそれぞれは、低雑音増幅回路であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１７】
上記半導体集積回路装置は、上記制御電極と上記第１電極及び上記第２電極それぞれに接続される静電保護回路を更に有し、
上記増幅回路それぞれと上記静電保護回路それぞれは、上記半導体チップの主面の第一の領域に設置され、
上記第一の領域は、上記第１の辺に沿った輪郭領域を有し、
上記第一の領域は、上記第一の辺及び上記第１の辺と対向し上記第一の辺とは異なる第２の辺の間に所望の間隔で設置され、
上記輪郭領域は、電源電位を供給される電源配線と接地電位を供給される接地配線からなり、
上記輪郭領域は、段階的に変化するように形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１８】
上記半導体集積回路装置は、
上記増幅回路それぞれにバイアス電圧を供給するバイアス回路と、
上記増幅回路それぞれに接続された静電保護回路と、
送信される信号を生成する送信系回路とを更に有し、
上記送信系回路に上記電圧を供給する配線は、上記バイアス回路に上記電圧を供給する配線及び上記静電保護回路に上記電圧を供給する配線と同じ上記電極端子に接続されていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１９】
上記増幅回路それぞれは、上記第１の辺に沿って設けられ、かつ上記第１の辺の中央付近に配置されていることを特徴とする請求項１３に記載の半導体集積回路装置。
【請求項２０】
上記半導体チップは、上記第１の辺と交差する第３の辺を更に有し、
上記増幅回路それぞれは、上記第１の辺と上記第３の辺の交差する角部に配置されていることを特徴とする請求項１３に記載の半導体集積回路装置。
【請求項２１】
上記制御電極と上記第１電極及び上記第２電極のそれぞれに接続された上記複数の電極端子と上記第１の辺との間には配線が設置されていないことを特徴とする請求項１３に記載の半導体集積回路装置。
【請求項２２】
上記トランジスタそれぞれの上記制御電極と上記第１電極及び上記第２電極のそれぞれに接続された上記複数の電極端子と上記第１の辺との間には配線が設置されていないことを特徴とする請求項１２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項２３】
上記第１電極及び上記第２電極それぞれに静電保護回路が接続されていることを特徴とする請求項２２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項２４】
上記受信系回路は、上記トランジスタと接続されている上記複数の電極端子と第１の配線を介して接続されている静電保護回路を更に有し、
上記受信系回路は、上記第１の配線を除き、上記複数の電極端子の一つと上記第１電極の間を接続する配線、上記複数の電極端子の上記とは異なる一つと上記第２電極の間を接続する配線、上記複数の電極端子の上記とは更に異なる一つと上記制御電極の間を接続する配線、のそれぞれと交差する配線が無いことを特徴とする請求項１２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項２５】
上記送信系回路は、上記半導体チップの外部から供給された上記送信される信号を生成する変調回路を有することを特徴とする請求項１９に記載の半導体集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は無線通信装置に係わり、特に高周波特性が良好になる無線通信用受信集積回路の内部回路のレイアウト技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディジタルセルラーシステム等の無線通信装置（無線通信移動体端末機器、以下、端末機器とも称す）における信号処理集積回路（ＩＣ）は、単一の半導体チップに多くの内部回路が組み込まれている。
【０００３】
信号処理ＩＣについては、例えば、「DIGEST OF TECHNICAL PAPERS」,ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)98/February5,1998,pp48-49,PP411「A single-Chip CMOS Transceiver for DCS1800 wireless Communications」に記載されている。この文献には、ＤＣＳ（Digital Cellular System ）１８００向け送受信回路が１チップ化されたＩＣが開示されている。レイアウト写真によれば、電極端子（パッド）の内側に電源ラインまたはグランドラインがあり、その内側にＬＮＡ（Low-Noise Amplifier ：低雑音増幅）回路が配置され、さらにその内側に電源ラインまたはグランドラインが配置されている。
【０００４】
また、同様の技術については、「DIGEST OF TECHNICAL PAPERS」,ISSCC99/February16,1999,pp224-225,PP463 「Dual-Band High-Linearity Variable-Gain Low-Noise Amplifiers for Wireless Applications 」に記載されている。この文献には、０．９、２．０ＧＨｚ帯向けデュアルバンド無線通信送受信ＩＣ向けに２つの低雑音増幅器を１チップ化し、静電保護回路をつけて、ＴＳＳＯＰ（Thin Small Outline Package）２０ピンパッケージに封止したものが開示されている。レイアウト写真によれば、外周に電源ライン又はグランドラインがあり、その内側にパッドが並び、その内側に電源ライン又はグランドラインが取り囲み、その中にＬＮＡ回路が配置されている。
【０００５】
また、「日立評論」、Vol.81,No.10(1999-10),PP17〜20には、ＬＮＡ，デュアルシンセサイザを含む送受信部をワンチップ化した信号処理ＩＣについて記載されている。この文献には、ＧＳＭ（Global System for Mobile Communications ）とＤＣＳ１８００の信号処理が行えるデュアルバンド携帯電話用ＩＣについて記載されている。ＧＳＭではアンテナで受信した信号を帯域通過フィルタにかけて不要信号成分を除去して９２５〜９６０ＭＨｚの信号を取り出し、その後専用のＬＮＡ回路で増幅する。また、ＤＣＳ１８００ではアンテナで受信した信号を帯域通過フィルタにかけて不要信号成分を除去して１８０５〜１８８０ＭＨｚの信号を取り出し、その後専用のＬＮＡ回路で増幅する。
【非特許文献１】「DIGEST OF TECHNICAL PAPERS」,ISSCC98/February5,1998,pp48-49,PP411「A single-Chip CMOS Transceiver for DCS1800 wireless Communications」
【非特許文献２】「DIGEST OF TECHNICAL PAPERS」,ISSCC99/February16,1999,pp224-225,PP463 「Dual-Band High-Linearity Variable-Gain Low-Noise Amplifiers for Wireless Applications 」
【非特許文献３】「日立評論」、Vol.81,No.10(1999-10),PP17〜20
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
無線通信装置において、低雑音増幅器（ＬＮＡ）は受信系の第１ステージの回路で、極めて小さい受信信号を増幅して次段のミキサへ信号を送るため、受信系全体の特性を大きく支配する。従って、低雑音増幅器は、高利得，低雑音等の高周波特性が要求される。これらの特性を劣化させる要因として、以下の２点が挙げられる。
【０００７】
（１）ＬＮＡ回路を構成するトランジスタのエミッタパッドに接続されるワイヤ、及びパッケージの内外に亘って延在するリードの寄生インダクタンス分で負帰還量が大きくなり、利得が低下する。
【０００８】
（２）上記パッドからＬＮＡ回路を構成するトランジスタのベースまでの配線距離が長いと、配線容量が大きくなり利得が低下するとともに、配線抵抗の増大によって雑音特性が劣化する。
【０００９】
一方、従来の信号処理ＩＣでは、以下のような問題がある。
【００１０】
（ａ）半導体チップの辺と、ワイヤを接続するパッドとの間に電源ライン又はグランドラインがある従来の信号処理ＩＣでは、上記パッドとリード内端を接続するワイヤが電源ライン又はグランドラインをまたぐ分長くなり、利得が低下し、かつ雑音特性が劣化する。
【００１１】
（ｂ）ＬＮＡ回路とパッド間に電源ラインやグランドラインが存在する従来の信号処理ＩＣも、上記同様に電源ラインやグランドラインを設ける分、配線距離が長くなり、利得及び雑音特性が劣化する。
【００１２】
本発明の目的は、高周波帯域での利得及び雑音特性を良好にできる無線通信装置を提供することにある。
【００１３】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１５】
（１）アンテナに接続されるフィルタと、
上記フィルタに接続される増幅器（低雑音増幅器）を含む送受信回路が組み込ま
れた信号処理ＩＣチップとを有し、
上記ＩＣチップの主面にはその辺の縁に沿って複数の電極端子が設けられ、
上記増幅器は、上記フィルタの出力信号が供給されるべき制御電極と、上記制御
電極に供給される信号に従った信号を出力する第１電極と、電圧（接地
電圧）が印加される第２電極とからなるトランジスタを有し、
上記制御電極及び上記第１電極並びに上記第２電極は配線を介して上記電極端子
に接続されてなるデュアルバンドの無線通信装置において、
上記電極端子と、上記制御電極及び上記第１電極並びに上記第２電極との間には
、上記各配線を横切るような他の配線が設けられていない。
また、上記電極端子と上記半導体チップの辺との間に配線が設けられていない。
上記増幅器は上記半導体チップの一辺側に存在し、その辺の中央付近に配置され
ている。
単一の上記電極端子から延在する配線は上記トランジスタの制御電極と、上記ト
ランジスタに対して設けられる静電破壊保護ダイオードの一方の電極に
繋がっている。第１電極，第２電極も同様である。
【００１６】
上記（１）の手段によれば、（ａ）電極端子と各電極（制御電極及び第１・第２電極）との間にトランジスタ以外の配線が設けられていないことから、各電極と電極端子との距離が短くなり、配線容量が小さくなり利得が高くなるとともに、配線抵抗の低減によって雑音特性が良好になる。
【００１７】
（ｂ）半導体チップの辺と電極端子との間に配線が設けられていないことから、電極端子とリードの内端とを電気的に接続するワイヤの長さが短くなり、ワイヤによる寄生インダクタンスの低減によって雑音特性が良好になる。
【００１８】
（ｃ）増幅器は半導体チップの一辺側に存在し、その辺の中央付近に配置されている。リードを用いるパッケージ構造では、上記辺の中央付近に配置されるリードの長さも短い。この結果、各電極とパッケージの外に突出するリード外端までの距離が短くなり、利得の向上及び雑音特性の向上を図ることができる。
【００１９】
（ｄ）単一の電極端子から延在する配線はトランジスタの制御電極と、上記トランジスタに対して設けられる保護ダイオードの一方の電極に繋がる構造から、回路各部のレイアウトの設計が容易になる。
【００２０】
（ｅ）無線通信装置において、低雑音増幅器は受信系の第１ステージの回路で、極めて小さい受信信号を増幅して次段のミキサへ信号を送るため、受信系全体の特性を大きく支配する。従って、以上のように低雑音増幅器は高利得で低雑音となることから、無線通信装置の受信系の全体の特性を向上させることができる。
【００２１】
（ｆ）上記（ｅ）により、低雑音増幅器の利得，雑音特性が良好であることから、後段のミキサ以降の回路の仕様を緩くでき、回路設計が容易になる。
【発明の効果】
【００２２】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）高周波帯の利得及び雑音特性を良好にできる無線通信装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
（実施形態１）
図１乃至図７は本発明の一実施形態（実施形態１）である無線通信装置に係わる図である。本実施形態１ではＴＤＭＡ（time division multiple access ）システムの無線通信装置、例えば、無線通信移動体端末機器に本発明を適用した例について説明する。
【００２４】
ここで、図２を参照しながらＴＤＭＡデュアルバンド無線通信端末機器の構成について説明する。この端末機器は、９００ＭＨｚ帯のＧＳＭシステムと、１８００ＭＨｚ帯のＤＣＳ１８００システムの信号処理を行うことができる。
【００２５】
図２のブロック図では、アンテナ３３０に送受切換器３３１を介して接続する送信系と、受信系とを示してあり、送信系及び受信系はいずれも図示しないベースバンドに接続されるものである。
【００２６】
受信系は、アンテナ３３０、送受切換器３３１、この送受切換器３３１に並列に接続される二つの帯域通過フィルタ３１１、前記帯域通過フィルタ３１１にそれぞれ接続される高周波バンドＬＮＡ３０２ａ及び低周波バンドＬＮＡ３０２ｂ、前記高周波バンドＬＮＡ３０２ａ及び低周波バンドＬＮＡ３０２ｂに接続される二つの帯域通過フィルタ３１１，前記帯域通過フィルタ３１１に接続される高周波バンド受信ミキサ３０３ａ及び低周波バンド受信ミキサ３０３ｂ、前記高周波バンド受信ミキサ３０３ａ及び低周波バンド受信ミキサ３０３ｂに接続される帯域通過フィルタ３１１、前記帯域通過フィルタ３１１に接続される次段のミキサ３０４，次段のミキサ３０４に接続される可変利得増幅器３０５，前記可変利得増幅器３０５に接続される復調器３０６で構成され、復調器３０６から出力されるＩ，Ｑ信号をベースバンドに入力する。上記帯域通過フィルタ３１１は帯域外スプリアスを除去する。
【００２７】
送信系は、ベースバンドから出力されるＩ，Ｑ信号を入力信号とする変調器３０８，オフセットＰＬＬ（Phase-Locked Loop ）３０９、オフセットＰＬＬ３０９に並列に接続される二つのＶＣＯ（Voltage-Controlled Oscillator ）３２０ａ，３２０ｂ、ＶＣＯ３２０ａ，３２０ｂにそれぞれ接続される高周波電力増幅モジュール３２１ａ，３２１ｂ、高周波電力増幅モジュール３２１ａ，３２１ｂにそれぞれ接続されるＬＰＦ３２２、二つのＬＰＦ３２２が接続される送受切換器３３１、アンテナ３３０で構成されている。
【００２８】
信号処理ＩＣにはシンセサイザ３１０が設けられている。このシンセサイザ３１０はＩＦ（Intermediate）ＶＣＯ３２５に接続され、ＩＦＶＣＯ３２５がＩＦローカル信号を出力するように制御する。デバイダ３０７はＶＣＯ３２５に接続され次段のミキサ３０４，復調器３０６及び変調器３０８にそれぞれ一層低周波なローカル信号を供給する。
【００２９】
また、シンセサイザ３１０は並列に接続される二つのＲＦＶＣＯ３２６ａ，３２６ｂを介して、高周波バンド受信ミキサ３０３ａ，低周波バンド受信ミキサ３０３ｂ及びオフセットＰＬＬ３０９に接続され、高周波バンド受信ミキサ３０３ａ，低周波バンド受信ミキサ３０３ｂ及びオフセットＰＬＬ３０９にローカル信号を供給する。
【００３０】
送受信ＩＣ３０１はデュアルバンドの高周波回路と中間周波数帯の回路を合わせてワンチップに内蔵したものである。図２の太線で囲まれる各回路によって送受信ＩＣ３０１が構成される。即ち、ＩＣチップ２１３には、高周波バンドＬＮＡ３０２ａ，低周波バンドＬＮＡ３０２ｂ，高周波バンド受信ミキサ３０３ａ，低周波バンド受信ミキサ３０３ｂ，次段のミキサ３０４，可変利得増幅器３０５，復調器３０６，デバイダ３０７，変調器３０８，オフセットＰＬＬ３０９，シンセサイザ３１０及びＩＦＶＣＯ３２５がモノリシックに組み込まれている。
【００３１】
アンテナ３３０で受信された信号（電波）は、受信系の各素子で順次処理されてベースバンドに送られる。また、ベースバンドから送られた信号は、送信系の各素子で順次処理されてアンテナ３３０から電波として放射される。
【００３２】
図５は、ＩＣチップ２１３における各回路の配置を示す模式的レイアウト図である。ＩＣチップ２１３の主面には、辺に沿って電極端子（パッド）２１２が配置されている。そして、これらパッド２１２の内側に領域を分けて各回路が配置されている。図５に示すように、ＩＣチップ（半導体チップ）２１３の中央にはＰＧＡ（Programmable Gain Amplifier ）が配置され、図中上方には２ｎｄＭＩＸが配置され、図中下方にはＤＩＶ，ＱＭＯＤ，ＤＥＭＯＤが配置されている。また、これら各部の左側には、図中上から下に向けて１ｓｔＭＩＸ，ＬＮＡ，ＯＰＬＬが配置され、右側には上から下に向けてＤｕａｌ  Ｓｙｎｔｈ，ＶＣＯが配置されている。
【００３３】
１ｓｔＭＩＸの部分には、高周波バンド受信ミキサ３０３ａ及び低周波バンド受信ミキサ３０３ｂが設けられ、２ｎｄＭＩＸの部分には次段のミキサ３０４が設けられている。
【００３４】
ＬＮＡの部分には高周波バンドＬＮＡ３０２ａ及び低周波バンドＬＮＡ３０２ｂが設けられている。この高周波バンドＬＮＡ３０２ａ及び低周波バンドＬＮＡ３０２ｂは、パッド２１２に近接し、かつ半導体チップ（ＩＣチップ２１３）の一辺側に存在し、その辺の中央付近に配置されている（図３参照）。これは、リードフレームを使用して製造する半導体装置構造では、図３に示すように、リード２００の長さが、半導体チップの辺の中央寄りのもの程短くなることから、ＬＮＡの入・出力リードはより短いものを使用して寄生インダクタンスを小さくするためである。
【００３５】
ＯＰＬＬの部分にはオフセットＰＬＬ３０９が設けられ、ＰＧＡの部分には可変利得増幅器３０５が設けられ、ＤＩＶの部分にはデバイダ３０７が設けられ、ＱＭＯＤの部分には変調器３０８が設けられ、ＤＥＭＯＤの部分には復調器３０６が設けられ、Ｄｕａｌ  Ｓｙｎｔｈの部分にはシンセサイザ３１０が設けられ、ＶＣＯの部分にはＩＦＶＣＯ３２５が設けられている。
【００３６】
ＩＣチップ２１３は、所望のパッケージに組み込まれて半導体装置になる。本実施形態１の半導体装置２３０は、図３及び図４のように、ＱＦＰ（Quadrature Flat Package ）構造となり、絶縁性樹脂からなる偏平四角形状のパッケージ２１５の周面（各辺）からリード２００を突出させている。リード２００の外端部分は、図４に示すように階段状に一段折れ曲がり、表面実装に適したガルウィング型になっている。
【００３７】
パッケージ２１５内には、ＩＣチップ２１３よりも僅かに大きくパッケージ２１５よりは小さな四角形状のチップ固定部２１４が位置している。そして、このチップ固定部２１４の主面にはＩＣチップ２１３が図示しない接合材を介して固定されている。また、ＩＣチップ２１３の露出する主面に設けられた各パッド２１２と、これに対応する各リード２００の内端部分は導電性のワイヤ２１１で電気的に接続されている。ＩＣチップ２１３及びワイヤ２１１もパッケージ２１５に完全に覆われている。
【００３８】
チップ固定部２１４の各角部からは吊りリード２１６がパッケージ２１５の各角部に向かって延在するとともに、この吊りリード２１６はパッケージ２１５の外周部分で切断されている。
【００３９】
この半導体装置２３０の製造においては、図示はしないがリードフレームが用いられる。リードフレームは、所定厚さの金属板を精密プレスやエッチングによってパターン化したものであり、フレーム枠内に前記チップ固定部２１４，チップ固定部２１４を支持する吊りリード２１６，及びリード２００を有するパターンとなっている。また前記パッケージ２１５を形成する領域から外れた領域に設けた細いタイバーによって各リード２００をフレーム枠に支持している。また、吊りリード２１６は前記タイバーあるいはフレーム枠に支持されている。そして、樹脂封止によってパッケージ２１５を形成した後、前記タイバー等の不要リードフレーム部分を切断除去し、かつパッケージ２１５から突出したリード２００の外端をガルウィング型に成形されることによって半導体装置２３０を製造する。
【００４０】
図３及び図４に示すように、低雑音増幅器（ＬＮＡ）２１０は、ＩＣチップ２１３の一辺に沿い、かつ辺の中央に設けられて、寄生インダクタンスが小さい短いリード２００をＬＮＡ用の入・出力リードとして使用する。
【００４１】
次に、図１の模式図，図６及び図７を参照しながら、ＬＮＡ回路のレイアウトについて説明する。図１には、チップ固定部２１４の主面に固定され、かつパッケージ２１５で封止されたＩＣチップ２１３のＬＮＡ回路１４７部分（一点鎖線で囲まれた部分）と、パッケージ２１５の内外に亘って延在するリード２００と、リード２００とパッド２１２を電気的に接続するワイヤ２１１と、一部のリード２００に接続される整合回路１３４〜１３７と、前記整合回路１３４〜１３７に接続される端子１３８〜１４１と、一部のリード２００に接続されるＩＣ外の電源ライン１４３及びＩＣ外のグランドライン１４２とを示す。
【００４２】
ＬＮＡ回路１４７は、ＧＳＭシステムで使用する低周波バンド用ＬＮＡ１１０と、ＤＣＳ１８００システムで使用する高周波バンド用ＬＮＡ１１１の二つのＬＮＡを有する。両ＬＮＡはバイポーラトランジスタで構成されている。また、低周波バンド用ＬＮＡ１１０の各電極には静電破壊保護回路１１２〜１１４が接続され、高周波バンド用ＬＮＡ１１１の各電極には静電破壊保護回路１１５〜１１７が接続され、低周波バンド用ＬＮＡ１１０及び高周波バンド用ＬＮＡ１１１の静電破壊を保護するようになっている。
【００４３】
低周波バンド用ＬＮＡ１１０及び高周波バンド用ＬＮＡ１１１のパッド２１２はＩＣチップ２１３の一辺に沿って配列されるとともに、辺１１９の中央部分に設けられている。これは、前述のようにＩＣチップ２１３の辺１１９の中央及び辺１１９の中央寄りに内端を臨ませるリード２００は、外端までの距離が短く、寄生インダクタンスの低減を図ることができるためである。
【００４４】
また、低周波バンド用ＬＮＡ１１０及び高周波バンド用ＬＮＡ１１１の各電極と各パッド２１２との間には、上記各電極と各パッド２１２を電気的に接続する配線を横切るような配線は設けられず、上記各電極と各パッド２１２を電気的に接続する配線ができるだけ短くなるように配慮されている。これは配線の寄生抵抗や寄生容量を低減して利得及び雑音特性を良好にするためである。
【００４５】
ＬＮＡ回路１４７に係わるパッド２１２は、図１に示すように、上から下に向けてパッド１０１からパッド１０９の順序で配列されている。パッド１０１〜１０９の機能はつぎのとおりである。
【００４６】
１０１のパッドは低周波バンドＬＮＡの出力パッド、１０２のパッドは低周波バンドＬＮＡのグランドパッド、１０３のパッドは低周波バンドＬＮＡの入力パッド、１０４のパッドは高周波バンドＬＮＡの第１のグランドパッド、１０５のパッドは高周波バンドＬＮＡの出力パッド、１０６のパッドは高周波バンドＬＮＡの第２のグランドパッド、１０７のパッドは高周波バンドＬＮＡの入力パッド、１０８のパッドはＬＮＡのバイアス回路と静電破壊保護回路の電源パッド、１０９のパッドはＬＮＡのバイアス回路と静電破壊保護回路のグランドパッドである。
【００４７】
ＬＮＡ回路１４７のグランドパッド１０２，１０４，１０６は、ＬＮＡバイアス回路のＬＮＡのバイアス回路と静電破壊保護回路のグランドパッド１０９とは、リードを分離してワイヤ，リードで生じる寄生インダクタンスと、ＬＮＡバイアス回路及び静電破壊保護回路の寄生容量による発振を防止する構造になっている。
【００４８】
上記パッド１０１〜１０９に対応するリード２００の配列は、図１に示すように、上から下に向けてリード２０１からリード２０９の順序で配列されている。リード２０１〜２０９の機能はつぎのとおりである。
【００４９】
２０１のリードは低周波バンドＬＮＡの出力リード、２０２のリードは低周波バンドＬＮＡのグランドリード、２０３のリードは低周波バンドＬＮＡの入力リード、２０４のリードは高周波バンドＬＮＡの第１のグランドリード、２０５のリードは高周波バンドＬＮＡの出力リード、２０６のリードは高周波バンドＬＮＡの第２のグランドリード、２０７のリードは高周波バンドＬＮＡの入力リード、２０８のリードはＬＮＡのバイアス回路と静電破壊保護回路の電源リード、２０９のリードはＬＮＡのバイアス回路と静電破壊保護回路のグランドリードである。
【００５０】
そしてリード２０１〜２０９の内端部分と、これに対応するパッド１０１〜１０９は導電性のワイヤ２１１で電気的に接続されている。
【００５１】
ＬＮＡ回路１４７よりもＩＣチップ２１３の中心寄りには受信系回路１３２及び送信系回路１３３が配置されている。図１にはＬＮＡ回路以外の受信系回路１３２の一部のパッド１２６，１２７と、送信系回路１３３の一部のパッド１２８が示されている。受信回路系の一部のパッド１２６，１２７及び送信回路系の一部のパッド１２８は、受信系のグランドライン１４５と受信系の電源ライン１４６との間に二つのダイオードを直列に接続した静電破壊保護回路１２９，１３０，１３１に接続されている。即ち、受信回路系の一部のパッド１２６，１２７及び送信回路系の一部のパッド１２８は、直列に接続された二つのダイオードの間に接続されている。
【００５２】
図１において、受信系のグランドライン１４５及び受信系の電源ライン１４６は、それぞれ同一のハッチングで示されている。
【００５３】
図１においてリード２０１〜２０９の下方にリード１４４が並んで示されている。このリード１４４は送信回路系の一部のパッド１２８にワイヤ２１１を介して電気的に接続されている。
【００５４】
リード２０１と端子１３８との間には低周波バンドＬＮＡの出力整合回路１３４が接続され、リード２０３と端子１３９との間には低周波バンドＬＮＡの入力整合回路１３５が接続され、リード２０５と端子１４０との間には高周波バンドＬＮＡの出力整合回路１３６が接続され、リード２０７と端子１４１との間には高周波バンドＬＮＡの入力整合回路１３７が配置されている。
【００５５】
低周波バンドＬＮＡの出力整合回路１３４は、端子１３８から高周波信号を出力し、電源ライン１４３からの電源電圧を低周波バンド用ＬＮＡ１１０のコレクタに供給する。低周波バンドＬＮＡの入力整合回路１３５は、端子１３９より低周波バンド用ＬＮＡ１１０のベースに高周波信号を入力する。
【００５６】
高周波バンドＬＮＡの出力整合回路１３６は、端子１４０から高周波信号を出力し、電源ライン１４３からの電源電圧を高周波バンド用ＬＮＡ１１１のコレクタに供給する。高周波バンドＬＮＡの入力整合回路１３７は、端子１４１より高周波バンド用ＬＮＡ１１１のベースに高周波信号を入力する。
【００５７】
リード２０２，２０４，２０６は低周波バンド用ＬＮＡ１１０及び高周波バンド用ＬＮＡ１１１のエミッタに電気的に接続され、ＩＣ外でグランドに接続される。
【００５８】
低周波バンド用ＬＮＡ１１０のベースとパッド１０３の間、及びエミッタとパッド１０２の間の高周波配線１２０ａ，１２０ｂを最短にするように、低周波バンド用ＬＮＡ１１０（トランジスタ部分）をパッド１０１からパッド１０３に隣接して配置する。高周波バンド用ＬＮＡ１１１においても同様にパッド１０６，１０７に高周波バンド用ＬＮＡ１１１（トランジスタ部分）を隣接して配置する。
【００５９】
低周波バンド用ＬＮＡ１１０を保護する静電破壊保護回路１１２〜１１４は、それぞれ低周波バンド用ＬＮＡ１１０のそばに配置し、ＬＮＡのコレクタ，ベース，エミッタに接続する。高周波バンド用ＬＮＡ１１１を保護する静電破壊保護回路１１５〜１１７も同様に高周波バンド用ＬＮＡ１１１のそばに配置する。
【００６０】
ＬＮＡのバイアス回路１１８も低周波バンド用ＬＮＡ１１０及び高周波バンド用ＬＮＡ１１１に近接して配置し、破線で示す信号ライン１２３ａ，１２３ｂで低周波バンド用ＬＮＡ１１０及び高周波バンド用ＬＮＡ１１１に接続する。
【００６１】
低周波バンド用ＬＮＡ１１０のバイアス抵抗１２４は、バイアス回路１１８からのバイアス電流をバイアス電圧に変換して低周波バンド用ＬＮＡ１１０に供給する。高周波バンド用ＬＮＡ１１１のバイアス抵抗１２５は、バイアス回路１１８からのバイアス電流をバイアス電圧に変換して高周波バンド用ＬＮＡ１１１に供給する。
【００６２】
上記静電破壊保護回路１１２〜１１７とバイアス回路１１８には、送信系の電源ライン１２１とグランドライン１２２で電源を供給する。ＴＤＭＡシステムでは、受信系が動作しているとき、送信系は動作していないため、電源系からの雑音が乗らない。この電源は、リード２０８，ワイヤ２１１，電源パッド１０８と繋がる電源ライン、及びリード２０９，ワイヤ２１１，グランドパッド１０９と繋がる電源ラインを介してＩＣ外部から供給される。これらの電源ラインは送信系回路１３３にも接続されている。
【００６３】
図６は低周波バンド用ＬＮＡ１１０を構成するバイポーラトランジスタの配線パターンを示す模式的平面図であり、図７はバイポーラトランジスタの配線を示す模式的断面図である。
【００６４】
図７に示すように、バイポーラトランジスタは、第１導電型の半導体層１１に順次形成されるコレクタ領域１２，ベース領域１３及びエミッタ領域１４と、これら各領域に接続されるコレクタ電極１２ｃ（第１電極），ベース電極１３ｃ（制御電極）及びエミッタ電極１４ｃ（第２電極）とによって形成されている（図６参照）。図６は各電極と各パッドを接続する高周波配線１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃを示す。
【００６５】
また、図７はエミッタ電極１４ｃと低周波バンドＬＮＡのグランドパッド１０２を接続する高周波配線１２０ｂの配線構造を示す。半導体層１１の表面は多層の絶縁膜１５が形成されている。そして、この絶縁膜１５内と表面に亘って３層の導電層１６ａ，１６ｂ，１６ｃと、各導電層を接続する導体からなるコンタクトプラグ１７ａ，１７ｂが設けられ、これらによってエミッタ電極１４ｃ，高周波配線１２０ｂ及びパッド１０２が形成されている。
【００６６】
導電層１６ａは最下層となるとともに、一部はエミッタ領域１４に接触してエミッタ電極１４ｃを構成する。導電層１６ｂは中層となり、コンタクトプラグ１７ａを介して導電層１６ａに電気的に接続されるとともに、コンタクトプラグ１７ｂを介して上層の導電層１６ｃと電気的に接続される。導電層１６ｃは絶縁膜１５の表面に形成され最上層の導電層となり、外端部分は幅広になりパッド１０２を形成している。前記導電層１６ａ，１６ｂ，１６ｃは、例えばアルミニウム層によって形成される。
【００６７】
図６に示すように、ベース電極１３ｃ及びエミッタ電極１４ｃとパッド１０３及びパッド１０２との間の配線は短くなり高周波配線１２０ａ，１２０ｂを構成することになる。
【００６８】
また、上記半導体層１１は、ＩＣチップ２１３を形成するシリコンからなる半導体基板の主面に設けられたエピタキシャル層の電気的に絶縁分離された部分等で構成されている。
【００６９】
なお、特に図示はしないが、高周波バンド用ＬＮＡ１１１もその配線パターンは上記低周波用ＬＮＡ１１０と近似したパターンになり、レイアウト上最短となるパターンが採用される。高周波バンド用ＬＮＡ１１１の場合は、ワイヤとリードの寄生インダクタンス分を低減し高利得化を図るために、エミッタは二つのパッド２１２（１０４，１０６）に接続されている。
【００７０】
次に、ＬＮＡ回路１４７の周辺送受信回路のレイアウトについて簡単に説明する。受信系の電源ライン１４６，受信系のグランドライン１４５は、ここでは図示されていない電源リード，グランドリードでＩＣ外部と接続され、受信系回路１３２へ電源電圧を供給する。受信回路の一部のパッド１２６，１２７は、ここでは図示されていないリードへワイヤを介して接続され、ＩＣ外部と信号の入出力を行う。送信回路の一部のパッド１２８はリード１４４にワイヤ２１１を介して接続され、ＩＣ外部と信号の入出力を行う。ＬＮＡ回路１４７以外の回路は、ＩＣチップ２１３の辺１１９からＩＣチップ２１３の中心に向かい、グランドライン，静電破壊保護回路，電源ライン，パッド，送信系回路あるいは受信系回路等の順で配置されている。
【００７１】
図１で示す受信系回路１３２が図２の高周波バンド受信ミキサ３０３ａ，低周波バンド受信ミキサ３０３ｂ，次段のミキサ３０４，可変利得増幅器３０５，復調器３０６にあたり、図１の送信系回路１３３が図２の変調器３０８，オフセットＰＬＬ３０９にあたる。
【００７２】
本実施形態１によれば、以下の効果を有する。
【００７３】
（１）電極端子（パッド）２１２と各電極（制御電極及び第１・第２電極）１２ｃ，１３ｃ，１４ｃとの間に低雑音増幅器以外の配線が設けられていないことから、各電極とパッドとの距離が短くなり、配線容量が小さくなり利得が高くなるとともに、配線抵抗の低減によって雑音特性が良好になる。
【００７４】
（２）ＩＣチップ２１３の辺１１９とパッド２１２との間に配線が設けられていないことから、パッド２１２とリード２００の内端とを電気的に接続するワイヤ２１１の長さが短くなり、ワイヤの寄生インダクタンス低減によって雑音特性が良好になる。
【００７５】
（３）増幅器は半導体チップ２１３の一辺側に存在し、その辺１１９の中央付近に配置されている。リード２００を用いるパッケージ構造では、上記辺１１９の中央付近に配置されるリード２００の長さも短い。この結果、各電極とパッケージの外に突出するリード外端までの距離が短くなり、利得の向上及び雑音特性の向上を図ることができる。
【００７６】
（４）単一のパッド２１２から延在する配線はトランジスタの制御電極と、上記トランジスタに対して設けられる保護ダイオードの一方の電極に繋がる構造から、回路各部のレイアウトの設計が容易になる。
【００７７】
（５）無線通信装置において、低雑音増幅器は受信系の第１ステージの回路で、極めて小さい受信信号を増幅して次段のミキサへ信号を送るため、受信系全体の特性を大きく支配する。従って、本実施形態１によれば、低雑音増幅器は高利得で低雑音となることから、無線通信装置の受信系の全体の特性を向上させることができる。
【００７８】
（６）上記（５）により、低雑音増幅器の利得，雑音特性が良好であることから、後段のミキサ以降の回路の仕様を緩くでき、回路設計が容易になる。
【００７９】
（実施形態２）
図８は本発明の他の実施形態（実施形態２）であるデュアルバンドの無線通信装置における低雑音増幅器が組み込まれた半導体集積回路装置の一部を示す模式図、図９は本実施形態２の無線通信装置に組み込まれるＩＣチップにおける低雑音増幅器を構成するバイポーラトランジスタの配線パターンを示す模式的平面図である。
【００８０】
本実施形態２は、図１に示す実施形態１では、低周波バンド用ＬＮＡ１１０と高周波バンド用ＬＮＡ１１１との間のＬＮＡのバイアス回路１１８が設けられる部分では、ＬＮＡ回路１４７の外周部分が内側に窪み、受信系回路１３２や送信系回路１３３のレイアウト設計において前記窪み領域が有効に使用できない場合もある。
【００８１】
そこで、本実施形態２ではレイアウト設計を容易にするＬＮＡ回路１４７のパターンを提供するものである。即ち、低周波バンド用ＬＮＡ１１０，高周波バンド用ＬＮＡ１１１及びこれら増幅器を保護する保護回路は一つの領域に設けられているが、この領域は上記半導体チップ（ＩＣチップ）２１３の一辺に沿って延在する辺１１９と、この辺１１９に対向する対向辺２０、及び上記辺１１９と上記対向辺２０を結ぶ辺２１とで囲まれている。そこで、上記対向辺２０は段階的に変化する線で形成する。
【００８２】
換言するならば、各信号処理系の増幅器及びこの増幅器に接続される保護回路は一つの領域に設けられ、上記領域は、上記半導体チップの辺１１９と、この辺１１９に対向する対向辺との間に設けられていることから、上記対向辺に近い領域の辺（即ち、上記対向辺２０）は段階的に変化するように形成しておくものである。
【００８３】
このようにすると、図９に示すように、図６に比べて、送信系の電源ライン１２１やグランドライン１２２は煩雑になるが、ＬＮＡ回路の右側の電源ラインやグランドラインの折れ曲がりが、図６に比較して複雑でないため、ＬＮＡに隣接した別回路のレイアウトはし易くなる。
【００８４】
なお、対向辺２０を段階的に変化するレイアウトの場合、高周波バンド用ＬＮＡ１１１や低周波用ＬＮＡ１１０の配線パターンは変更を余儀なくされ配線長さが増大する。この場合、配線長の増大は、高周波バンド用ＬＮＡ１１１では低周波用ＬＮＡ１１０に比較して小さくし、配線長増大の負担は低周波用ＬＮＡ１１０でできるだけ賄うようにすることが、各通信システムの高性能化のために望ましい。
【００８５】
（実施形態３）
図１０及び図１１は本発明の他の実施形態（実施形態３）である。図１０は無線通信装置に組み込まれるＣＳＰ（Chip Size Package ）型の半導体集積回路装置の模式図、図１１は前記ＣＳＰ型の半導体集積回路装置を組み込む多層セラミック基板等を示すレイアウト図である。
【００８６】
ＣＳＰではＩＣチップ２１３の図示しないパッドに、はんだバンプ６０１を設け、このはんだバンプ６０１を多層セラミック基板６０３の表面の図示しないパッドに接着して取り付け、ＩＣチップ２１３と多層セラミック基板６０３間に充填材６０２を流し込んで固定した構造になっている。また、多層セラミック基板６０３の裏面（図１０の下面）にはランドプレーン６０５が設けられている。多層セラミック基板６０３に設けるビアホールとこのビアホールに充填されて形成された配線６０４によって、ＩＣチップ２１３のパッドと多層セラミック基板６０３の裏面のランドプレーン６０５は電気的に接続される。
【００８７】
信号入出力，電源供給はランドプレーン６０５から行われる。図からあきらかなように、ＣＳＰはＱＦＰのようにワイヤやリードがなく、略パッド直下で信号を入出力できるので、寄生インダクタンスが低減でき、利得や雑音特性が改善される。
【００８８】
図１１はＣＳＰを用いたＬＮＡレイアウト例である。図１０のようなパッケージ構造のため、リードの長さを考慮する必要がなく、ＬＮＡ（低周波バンド用ＬＮＡ１１０，高周波バンド用ＬＮＡ１１１）はＩＣチップ２１３の辺の中央部分でなく、ＩＣチップ２１３の角でもよい。角にＬＮＡを配置することによって、１辺側で低周波バンドＬＮＡの入出力を行い、この辺に直交する他の辺で高周波バンドＬＮＡの入出力を行うことができる。
【００８９】
図１１は図１のＬＮＡ回路１４７で示した低周波バンド用ＬＮＡ１１０，高周波バンド用ＬＮＡ１１１及び静電破壊保護回路１１２〜１１４高周波バンドＬＮＡの静電破壊保護回路１１５〜１１７とＣＳＰ外付け部品の接続を示している。ランドプレーンはパッド直下とする。パッドからの破線は、ランドプレーンからＣＳＰ下に設けられた配線を示す。
【００９０】
なお、図１や図８に示すＩＣチップ２１３においてもＣＳＰの適用は可能である。この場合ワイヤやリードは不要となるため、寄生インダクタンスの低減が可能になる。
【００９１】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。上記実施形態ではトランジスタとしてバイポーラトランジスタを用いたが、他のトランジスタ、例えばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）やＨＢＴ（Hetero Junction Bipolar Transistor）を使用し、前記実施形態同様な効果が得られる。
【００９２】
また、本発明はトリプルバンド等さらに複数バンドの通信システムにも適用できる。
【００９３】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるＧＳＭ／ＤＣＳ１８００向け無線通信装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、たとえば、ＷＣＤＭＡ（Wideband code division multiple access），ＣＤＭＡ−ｏｎｅ等の数ＧＨｚ帯のＬＮＡを有する無線通信装置にも同様に適用できる。これらの無線通信装置では、配線容量と配線抵抗及び寄生インダクタンスが高周波特性を劣化させることから、本発明を適用することによって配線容量，配線抵抗，寄生インダクタンスを小さくでき、高周波特性の向上を図ることができる。なお、ＣＤＭＡは送受同時動作のため、ＬＮＡバイアス回路及び静電破壊保護回路の電源系を別に設ける必要がある。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）であるデュアルバンドの無線通信装置における低雑音増幅器が組み込まれた半導体集積回路装置等の一部を示す模式図である。
【図２】本実施形態１の無線通信装置の機能構成を示すブロック図である。
【図３】本実施形態１の無線通信装置に組み込まれる半導体集積回路装置の概要を示す模式的平面図である。
【図４】前記半導体集積回路装置の模式的断面図である。
【図５】前記半導体集積回路装置に組み込まれるＩＣチップにおける各回路の配置を示す模式的レイアウト図である。
【図６】前記ＩＣチップにおける低雑音増幅器を構成するバイポーラトランジスタの配線パターンを示す模式的平面図である。
【図７】前記バイポーラトランジスタの配線を示す模式的断面図である。
【図８】本発明の他の実施形態（実施形態２）であるデュアルバンドの無線通信装置における低雑音増幅器が組み込まれた半導体集積回路装置の一部を示す模式図である。
【図９】本実施形態２の無線通信装置に組み込まれるＩＣチップにおける低雑音増幅器を構成するバイポーラトランジスタの配線パターンを示す模式的平面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態（実施形態３）である無線通信装置に組み込まれるＣＳＰ型の半導体集積回路装置の模式図である。
【図１１】前記ＣＳＰ型の半導体集積回路装置を組み込む多層セラミック基板等を示すレイアウト図である。
【符号の説明】
【００９５】
１２…コレクタ領域、１２ｃ…コレクタ電極、１３…ベース領域、１３ｃ…ベース電極、１４…エミッタ領域、１４ｃ…エミッタ電極、１５…絶縁膜、１６ａ，１６ｂ，１６ｃ…導電層、１７ａ，１７ｂ…コンタクトプラグ、２０…対向辺、２１…辺、１０１…低周波バンドＬＮＡの出力パッド、１０２…低周波バンドＬＮＡのグランドパッド、１０３…低周波バンドＬＮＡの入力パッド、１０４…高周波バンドＬＮＡの第１のグランドパッド、１０５…高周波バンドＬＮＡの出力パッド、１０６…高周波バンドＬＮＡの第２のグランドパッド、１０７…高周波バンドＬＮＡの入力パッド、１０８…ＬＮＡのバイアス回路と静電破壊保護回路の電源パッド、１０９…ＬＮＡのバイアス回路と静電破壊保護回路のグランドパッド、１１０…低周波バンド用ＬＮＡ、１１１…高周波バンド用ＬＮＡ、１１２〜１１４…低周波バンドＬＮＡの静電破壊保護回路、１１５〜１１７…高周波バンドＬＮＡの静電破壊保護回路、１１８…ＬＮＡのバイアス回路、１１９…辺、１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ…高周波配線、１２１…送信系の電源ライン、１２２…グランドライン、１２３ａ，１２３ｂ…信号ライン、１２４…低周波バンドＬＮＡのバイアス抵抗、１２５…高周波バンドＬＮＡのバイアス抵抗、１２６，１２７…受信回路の一部のパッド、１２８…送信回路の一部のパッド、１２９，１３０，１３１…静電破壊保護回路、１３２…受信系回路、１３３…送信系回路、１３４…低周波バンドＬＮＡの出力整合回路、１３５…低周波バンドＬＮＡの入力整合回路、１３６…高周波バンドＬＮＡの出力整合回路、１３７…高周波バンドＬＮＡの入力整合回路、１３８〜１４１…端子、１４２…ＩＣ外のグランドライン、１４３…ＩＣ外の電源ライン、１４４…リード、１４５…受信系のグランドライン、１４６…受信系の電源ライン、１４７…ＬＮＡ回路、２００…リード、２０１…低周波バンドＬＮＡの出力リード、２０２…低周波バンドＬＮＡのグランドリード、２０３…低周波バンドＬＮＡの入力リード、２０４…高周波バンドＬＮＡの第１のグランドリード、２０５…高周波バンドＬＮＡの出力リード、２０６…高周波バンドＬＮＡの第２のグランドリード、２０７…高周波バンドＬＮＡの入力リード、２０８…ＬＮＡのバイアス回路と静電破壊保護回路の電源リード、２０９…ＬＮＡのバイアス回路と静電破壊保護回路のグランドリード、２１０…低雑音増幅器、２１１…ワイヤ、２１２…電極端子（パッド）、２１３…ＩＣチップ、２１４…チップ固定部、２１５…パッケージ、２１６…吊りリード、２３０…半導体装置、３０１…送受信ＩＣ、３０２ａ…高周波バンドＬＮＡ、３０２ｂ…低周波バンドＬＮＡ、３０３ａ…高周波バンド受信ミキサ、３０３ｂ…低周波バンド受信ミキサ、３０４…次段のミキサ、３０５…可変利得増幅器、３０６…復調器、３０７…デバイダ、３０８…変調器、３０９…オフセットＰＬＬ、３１０…シンセサイザ、３１１…帯域通過フィルタ、３２０ａ，３２０ｂ…ＶＣＯ、３２１ａ，３２１ｂ…高周波電力増幅モジュール、３２２…ＬＰＦ、３２５…ＩＦＶＣＯ、３２６ａ，３２６ｂ…ＲＦＶＣＯ、６０１…はんだバンプ、６０２…充填材、６０３…多層セラミック基板、６０４…配線、６０５…ランドプレーン。
【図１】
2008011561.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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