(57)【要約】      （修正有）【課題】新規なビュウレット構造を有する２−ナフトール誘導体の製造方法を提供すること。【解決手段】対応する２−ナフトールアミド誘導体と、カルバモイルイソシアナートを反応させることにより、一般式〔１〕で表される化合物とし、これを加水分解して２−ナフトール誘導体が得られる。2008247799.tif 000022        〔１〕（式中、Ｒ１はアセチル基等、Ｙは置換フェニル基等を表す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式〔２〕で表される２−ナフトール誘導体と、一般式〔３〕で表される化合物とを反応させることを含む、一般式〔１〕で表される２−ナフトール誘導体の製造方法：
【化１】
2008247799.tif 000015
〔１〕
［式〔１〕中、
Ｑは、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、およびニトロソ基からなる群から選ばれる基；
ｎは、０〜６の整数；
Ｒ１は、水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアシル基、およびベンジル基からなる群から選ばれる基；および、
Ｙは、置換基を有していてもよい芳香族基、および置換基を有していてもよい共役二重結合を有する複素環基からなる群から選ばれる基；
Ｙが有していてもよい置換基は、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基、ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、シアノ基、フェノキシ基、ベンゾイルアミノ基、炭素原子数２〜７のアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、炭素原子数２〜７のアルキルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、および炭素原子数１〜６のアルキルアミノスルホニル基からなる群より選択される一個以上の置換基；
Ｙが有する置換基が芳香族基を含む場合には、その芳香族環上に、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、フェニル基、およびシアノ基からなる群より選択される一個以上の置換基をさらに有していてもよい］
【化２】
2008247799.tif 000016
〔２〕
［式〔２〕中、Ｑ、ｎおよびＲ１は、式〔１〕において定義したとおり］
【化３】
2008247799.tif 000017
〔３〕
［式〔３〕中、Ｙは、式〔１〕において定義したとおり］。
【請求項２】
一般式〔５〕で表される２−ナフトール誘導体と、一般式〔３〕で表される化合物とを反応させ、一般式〔６〕で表される２−ナフトール誘導体を調製する工程、および、一般式〔６〕で表される２−ナフトール誘導体中の基−ＯＲ２を脱保護し水酸基に変換する工程を含む、一般式〔４〕で表される２−ナフトール誘導体の製造方法：
【化４】
2008247799.tif 000018
〔４〕
［式〔４〕中、
Ｑは、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、およびニトロソ基からなる群から選ばれる基；
ｎは、０〜６の整数；および、
Ｙは、置換基を有していてもよい芳香族基、および置換基を有していてもよい共役二重結合を有する複素環基からなる群から選ばれる基；
Ｙが有していてもよい置換基は、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基、ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、シアノ基、フェノキシ基、ベンゾイルアミノ基、炭素原子数２〜７のアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、炭素原子数２〜７のアルキルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、および炭素原子数１〜６のアルキルアミノスルホニル基からなる群より選択される一個以上の置換基；
Ｙが有する置換基が芳香族基を含む場合には、その芳香族環上に、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、フェニル基、およびシアノ基からなる群より選択される一個以上の置換基をさらに有していてもよい］
【化５】
2008247799.tif 000019
〔５〕
［式〔５〕中、
Ｑ、およびｎは、式〔４〕において定義したとおり；
Ｒ２は、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアシル基、およびベンジル基からなる群から選ばれる基］
【化６】
2008247799.tif 000020
〔３〕
［式〔３〕中、Ｙは、式〔４〕において定義したとおり］
【化７】
2008247799.tif 000021
〔６〕
［式〔６〕中、
Ｑ、Ｙ、およびｎは、式〔４〕において定義したとおり；
Ｒ２は、式〔５〕において定義したとおり］。
【請求項３】
一般式〔５〕および一般式〔６〕において、Ｒ２が炭素原子数２〜６のアシル基である、請求項２に記載の一般式〔４〕で表される２−ナフトール誘導体の製造方法。
【請求項４】
Ｒ２がアセチル基である、請求項３に記載の一般式〔４〕で表される２−ナフトール誘導体の製造方法。
【請求項５】
一般式〔６〕で表される２−ナフトール誘導体中の基−ＯＲ２の脱保護を、一般式〔６〕で表される化合物と塩基性化合物とを反応させることにより行う、請求項３または４に記載の一般式〔４〕で表される２−ナフトール誘導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビュウレット構造を有する２−ナフトール誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
２−ナフトール誘導体は共役ポリエン系を形成し、電子帯に吸収を有する縮合芳香族化合物の中で最も安価であるため、合成用原料としても利用し易いものであり、例えば、染料・顔料などの色材、液晶性ポリエステルなどの有機高分子材料などの種々の特徴ある化合物の合成原料に用いられている。
【０００３】
２−ナフトール誘導体の中では、２−ヒドロキシナフタレンカルボン酸類のカルボキシル基を、酸アミド化またはウレイド化した誘導体がアゾ色素合成用のカップラーとして知られている。
【０００４】
かかる２−ナフトール誘導体の製造方法に関し、酸アミド化については、酸ハロゲン化物とアミンの反応など効率的な処方が種々知られており、大規模に工業的に実施されている。一方、ウレイド化については、例えば、カルボン酸クロリドと尿素誘導体の反応による２−ヒドロキシナフタレン−３，６−ジカルボン酸のウレイド化方法などが提案されている（特許文献１および２を参照）。
【０００５】
しかし、ビュウレット構造（−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−）を有する２−ナフトール誘導体の製造方法についてはいまだ知られていない。
【特許文献１】特許第３２２８５１６号公報
【特許文献２】特開２００５−２２００４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、新規なビュウレット構造を有する２−ナフトール誘導体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、一般式〔２〕で表される２−ナフトール誘導体と、一般式〔３〕で表される化合物とを反応させることを含む、一般式〔１〕で表される２−ナフトール誘導体の製造方法を提供する：
【化１】
2008247799.tif 000002
〔１〕
［式〔１〕中、
Ｑは、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、およびニトロソ基からなる群から選ばれる基；
ｎは、０〜６の整数；
Ｒ１は、水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアシル基、およびベンジル基からなる群から選ばれる基；および、
Ｙは、置換基を有していてもよい芳香族基、および置換基を有していてもよい共役二重結合を有する複素環基からなる群から選ばれる基；
Ｙが有していてもよい置換基は、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基、ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、シアノ基、フェノキシ基、ベンゾイルアミノ基、炭素原子数２〜７のアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、炭素原子数２〜７のアルキルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、および炭素原子数１〜６のアルキルアミノスルホニル基からなる群より選択される一個以上の置換基；
Ｙが有する置換基が芳香族基を含む場合には、その芳香族環上に、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、フェニル基、およびシアノ基からなる群より選択される一個以上の置換基をさらに有していてもよい］
【化２】
2008247799.tif 000003
〔２〕
［式〔２〕中、Ｑ、ｎおよびＲ１は、式〔１〕において定義したとおり］
【化３】
2008247799.tif 000004
〔３〕
［式〔３〕中、Ｙは、式〔１〕において定義したとおり］。
【０００８】
なお、本明細書および特許請求の範囲において、「芳香族基」は６員の単環または縮合環であって、縮合環の環数４までの芳香族基を示す。
本明細書および特許請求の範囲において、「共役二重結合を有する複素環基」は１以上のＮ、Ｓ、Ｏを含み、共役二重結合を有する５員乃至６員の単環または縮合環である複素環基を示す。縮合環を形成する場合は、環数６までのものとする。
【０００９】
本発明の方法において原料として用いる一般式〔２〕で表される２−ナフトール誘導体の調製方法は特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。
【００１０】
例えば、無置換、または１〜６個の置換基Ｑ（Ｑは、一般式〔１〕において定義したとおり）がナフタレン環上に導入された６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸の水酸基を、所望により炭素原子数１〜６のハロゲン化アルカンなどのアルキル化剤、炭素原子数２〜６の脂肪酸の酸ハロゲン化物や酸無水物などのアシル化剤、またはハロゲン化ベンジルなどのベンジル化剤などを用いて、アルキル化、アシル化あるいはベンジル化した後に、カルボキシル基を、塩化チオニルなどにより酸ハロゲン化した後にアンモニアと反応させるなどの常法によってアミド化することにより調製することができる。
【００１１】
また、ナフタレン環上に１〜６個の置換基Ｑを有する一般式〔２〕で表される２−ナフトール誘導体は、前述の方法に従い、無置換の６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸を原料に用いて、ｎが０である一般式〔２〕で表される２−ナフトール誘導体を調製した後に、常法に従い、ナフタレン環上に置換基Ｑを導入することによっても調製することができる。
【００１２】
一般式〔２〕で表される２−ナフトール誘導体において、Ｒ１は、水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアシル基、およびベンジル基からなる群から選ばれる基である。
【００１３】
これらＲ１の中では、後述する一般式〔２〕で表される２−ナフトール誘導体と一般式〔３〕で表される化合物との反応において、水酸基の保護基として働き副反応を抑えることができることから、Ｒ１は、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアシル基、またはベンジル基であるのが好ましい。
【００１４】
また、これらの中では、調製が容易であることなどから、Ｒ１が炭素原子数２〜６のアシル基であるのがより好ましい。
【００１５】
Ｒ１が炭素原子数１〜６のアルキル基である場合のＲ１の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基などが挙げられ、炭素原子数２〜６のアシル基である場合のＲ１の具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、カプロイル基などが挙げられる。
【００１６】
Ｒ１が炭素原子数２〜６のアシル基である場合には、アセチル基またはプロピオニル基であるのが好ましく、アセチル基であるのがより好ましい。
【００１７】
一般式〔２〕で表される２−ナフトール誘導体において、Ｑは、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、およびニトロソ基からなる群から選ばれる基である。
【００１８】
Ｑが炭素原子数１〜６のアルキル基である場合のＱの具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基などが挙げられる。Ｑが炭素原子数１〜６のアルコキシ基である場合のＱの具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基などが挙げられる。Ｑがハロゲン原子である場合のＱの具体例としては、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素などが挙げられる。
【００１９】
一般式〔２〕で表される２−ナフトール誘導体において、ｎは０〜６の整数であり、ｎは０〜３であるのが好ましい。ｎが２〜６である場合にはＱは同じであっても異なっていてもよい。
【００２０】
本発明の方法において、一般式〔２〕で表される２−ナフトール誘導体と反応させる一般式〔３〕で表される化合物の調製方法は特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、一般式〔３〕で表される化合物は、酢酸エチルなどの溶媒中で、一般式〔Ｉ〕で表される尿素化合物に、ホスゲン、トリホスゲンなどから選択されるホスゲン化剤を作用させることにより得ることが出来る：
【化４】
2008247799.tif 000005
〔Ｉ〕
［一般式〔Ｉ〕において、Ｙは一般式〔１〕において定義した通り］。
【００２１】
一般式〔３〕で表される化合物において、基Ｙは、置換基を有していてもよい芳香族基、または置換基を有していてもよい共役二重結合を有する複素環基である。
【００２２】
一般式〔３〕で表される化合物における基Ｙの具体例としては、フェニル基、ナフチル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、キノリニル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズイミダゾロニル基などが挙げられる。
【００２３】
基Ｙが有していてもよい置換基は、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基、ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、シアノ基、フェノキシ基、ベンゾイルアミノ基、炭素原子数２〜７のアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、炭素原子数２〜７のアルキルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、および炭素原子数１〜６のアルキルアミノスルホニル基からなる群より選択される基である。
【００２４】
基Ｙが有していてもよい置換基の具体例は、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素などのハロゲン原子；トリフルオロメチル基などの炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基；ニトロ基；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基などの炭素原子数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基などの炭素原子数１〜６のアルコキシ基；シアノ基；フェノキシ基；ベンゾイルアミノ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、ｎ−ブチルオキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、イソペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、イソヘキシルオキシカルボニル基などの炭素原子数２〜７のアルコキシカルボニル基；フェノキシカルボニル基；メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、ｎ−プロピルアミノカルボニル基、イソプロピルアミノカルボニル基、ｎ−ブチルアミノカルボニル基、イソブチルアミノカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルアミノカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノカルボニル基、ｎ−ペンチルアミノカルボニル基、イソペンチルアミノアカルボニル基、ネオペンチルアミノカルボニル基、ｔｅｒｔ−ペンチルアミノカルボニル基、ｎ−ヘキシルアミノカルボニル基、イソヘキシルアミノカルボニル基などの炭素原子２〜７のアルキルアミノカルボニル基；フェニルアミノカルボニル基；メチルアミノスルホニル基、エチルアミノスルホニル基、ｎ−プロピルアミノスルホニル基、イソプロピルアミノスルホニル基、ｎ−ブチルアミノスルホニル基、イソブチルアミノスルホニル基、ｓｅｃ−ブチルアミノスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノスルホニル基、ｎ−ペンチルアミノスルホニル基、イソペンチルアミノスルホニル基、ネオペンチルアミノスルホニル基、ｔｅｒｔ−ペンチルアミノスルホニル基、ｎ−ヘキシルアミノスルホニル基、イソヘキシルアミノスルホニル基などの炭素原子数１〜６のアルキルアミノスルホニル基などが挙げられる。
【００２５】
基Ｙが有する置換基が芳香族基を含む場合には、その芳香族環上に、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、フェニル基、およびシアノ基からなる群より選択される一個以上の置換基をさらに有していてもよい。
【００２６】
本発明の方法において、一般式〔２〕で表される２−ナフトール誘導体と一般式〔３〕で表される化合物との反応は、９０〜２００℃、好ましくは１００〜１８０℃、より好ましくは１２０〜１５０℃で行われる。反応温度が９０℃より低ければ、２−ナフトール誘導体の有機溶媒への溶解度が低下することにより反応速度が極端に低下する。反応温度が２００℃より高ければ、加熱に多大なエネルギーを要するとともに一般式〔３〕で表される化合物の種類によっては副反応が激しくなる場合があり好ましくない。
【００２７】
一般式〔２〕で表される２−ナフトール誘導体と一般式〔３〕で表される化合物との反応において用いられる溶媒は、一般式〔２〕で表される２−ナフトール誘導体と一般式〔３〕で表される化合物との反応を阻害しないものであれば特に制限されない。
【００２８】
本発明において好適に使用される溶媒としては、例えば、キシレン、トルエン、メシチレン、ニトロベンゼン、クロルベンゼン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ヘキサメチルホスホルアミド、スルホラン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジクロロメタン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチルエーテルなどから選択される１種以上の有機溶媒が挙げられる。これらの中でも、キシレン、トルエン、メシチレン、ニトロベンゼン、クロルベンゼンから選ばれる有機溶媒を単独で用いるのが、沸点が高いことや、溶媒を回収後に精製し再利用しやすい点などで特に好ましい。
【００２９】
反応が良好に進行する限り特に限定されないが、一般式〔２〕で表される２−ナフトール誘導体と一般式〔３〕で表される化合物の反応は、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下に行うのが好ましい。
一般式〔２〕で表される２−ナフトール誘導体と一般式〔３〕で表される化合物の反応時の圧力条件は、大気圧下、加圧下、減圧下の何れの条件で行ってもよいが、通常、加圧条件や減圧条件に対応できる反応装置を必要としない点で、大気圧下で行うのがよい。
【００３０】
このように、一般式〔２〕で表される２−ナフトール誘導体と一般式〔３〕で表される化合物を反応させることにより合成された、一般式〔１〕で表される２−ナフトール誘導体は、濃縮晶析、冷却晶析、加水晶析、抽出などの常法によって反応液から回収され、所望により再結晶、有機溶媒洗浄、水洗浄などにより精製される。
【００３１】
このようにして得られる、一般式〔１〕で表される２−ナフトール誘導体のなかでも、有機色素や有機高分子材料の原料に用いる場合の反応性などから、Ｒ１が水素原子であるもの、すなわち一般式〔４〕で表されるものが特に好ましい：
【化５】
2008247799.tif 000006
〔４〕
［式〔４〕中、
Ｑは、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、およびニトロソ基からなる群から選ばれる基；
ｎは、０〜６の整数；および、
Ｙは、置換基を有していてもよい芳香族基、および置換基を有していてもよい共役二重結合を有する複素環基からなる群から選ばれる基；
Ｙが有していてもよい置換基は、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基、ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、シアノ基、フェノキシ基、ベンゾイルアミノ基、炭素原子数２〜７のアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、炭素原子数２〜７のアルキルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、および炭素原子数１〜６のアルキルアミノスルホニル基からなる群より選択される一個以上の置換基；
Ｙが有する置換基が芳香族基を含む場合には、その芳香族環上に、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、フェニル基、およびシアノ基からなる群より選択される一個以上の置換基をさらに有していてもよい］。
【００３２】
一般式〔４〕で表される２−ナフトール誘導体は、上記のように、Ｒ１が水素原子である一般式〔２〕で表される２−ナフトール誘導体と、一般式〔３〕で表される化合物とを反応させることによって調製することが可能である。しかし、Ｒ１が炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアシル基、またはベンジル基である一般式〔２〕で表される化合物、すなわち下記一般式〔５〕で表される２−ナフトール誘導体を、一般式〔３〕で表される化合物と反応させて、下記一般式〔６〕で表される２−ナフトール誘導体を調製し、次いで、一般式〔６〕で表される化合物における基−ＯＲ２を脱保護して水酸基に変換し、一般式〔４〕で表される２−ナフトール誘導体を製造するのが、副反応が生じ難いことなどから好ましい：
【化６】
2008247799.tif 000007
〔５〕
［式〔５〕中、Ｑ、およびｎは、一般式〔４〕において定義したとおり；
Ｒ２は、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアシル基、およびベンジル基からなる群から選ばれる基］
【化７】
2008247799.tif 000008
〔６〕
［式〔６〕中、Ｑ、Ｙおよびｎは、一般式〔４〕において定義したとおり；
Ｒ２は、一般式〔５〕において定義したとおり］。
【００３３】
一般式〔６〕で表される２−ナフトール誘導体の基−ＯＲ２を脱保護する方法は、特に限定されず、従来公知の脱保護方法を用いることが出来る。例えば、保護基Ｒ２の種類に応じて、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどの塩基、硫酸や塩酸などの酸、または塩化アルミニウムや臭化水素酸などと反応させる方法、あるいはパラジウムカーボン触媒の存在下に水素により還元する方法などから適宜選択すればよい。
【００３４】
基Ｒ２が炭素原子数１〜６のアルキル基または炭素原子数２〜６のアシル基である場合のＲ２の具体例は、一般式〔１〕で表される２−ナフトール誘導体において、基Ｒ１が炭素原子数１〜６のアルキル基または炭素原子数２〜６のアシル基である場合の具体例と同様である。
【００３５】
上記方法において、式〔５〕で表される２−ナフトール誘導体、および式〔６〕で表される２−ナフトール誘導体について、水酸基の保護基Ｒ２は、水酸基の保護および脱保護が容易であることから、炭素原子数２〜６のアシル基であるのが好ましく、炭素原子数２〜６のアシル基の中ではアセチル基であるのが特に好ましい。
【００３６】
一般式〔６〕で表される２−ナフトール誘導体において、Ｒ２が炭素原子数２〜６のアシル基である場合には、基−ＯＲ２の脱保護は、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの有機溶媒中で、塩基性化合物と反応させた後に、中和することにより行うことができる。
【００３７】
Ｒ２がアシル基である場合の基−ＯＲ２の加水分解に用いる塩基性化合物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどが好適に使用される。
【００３８】
本発明の方法により製造される２−ナフトール誘導体は、例えばアゾ色素などの染料・顔料、有機高分子材料などの合成原料として好適に利用される。特に染料・顔料などの色材の合成原料用途においては、多様な色相の色材を合成可能にする点で有用なものである。
以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００３９】
〔化合物１合成例〕
【化８】
2008247799.tif 000009
【００４０】
トリホスゲン６．０ｇ（２０ｍｍｏｌ）および酢酸エチル１７．１ｇからなる溶液に、１−（２−クロロフェニル）尿素１．７１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、酢酸エチル１７．１ｇからなる溶液を加えた後、攪拌下に４０℃で２時間反応させた。
反応終了後、ロータリーエバポレーターにて酢酸エチルを留去し、次いで残渣にキシレン３４ｇを加え、化合物１のキシレン溶液を得た。
【００４１】
〔化合物２合成例〕
【化９】
2008247799.tif 000010
【００４２】
化合物１合成例で調製した、化合物１のキシレン溶液に対して、２−アセトキシ−６−アミノカルボニルナフタレン３．４ｇとキシレン ３４ｇの混合液を加え、１２０℃まで昇温し１時間反応を行った。
反応終了後、室温まで冷却した後、析出物を吸引ろ過し、得られた析出物をメタノールで洗浄した後に乾燥し、化合物２を２．１ｇ得た。
化合物２の質量スペクトルを測定したところ、ｍ／ｚ  ４２４（ＭＷ４２５．８）であった。
【００４３】
〔化合物３合成例〕
【化１０】
2008247799.tif 000011
【００４４】
化合物２の１．７ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１７ｇに懸濁させた後、５％水酸化ナトリウム水溶液１０．５ｇを加え、室温にて１５分攪拌した。次いで、反応液に１０％塩酸水溶液を加えｐＨ３に調整し、析出物を吸引ろ過し、得られた析出物をメタノールで洗浄した後に乾燥し、化合物３の粗生成物１．４ｇを得た。
化合物３の粗生成物１．４ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）７ｇに室温にて溶解し、攪拌下に、７５％メタノール水溶液を滴下し、化合物３の再結晶を行った。
析出物を吸引ろ過により回収し、水洗した後に乾燥し、化合物３を１．２ｇ得た。
化合物３の質量スペクトルを測定したところ、ｍ／ｚ  ３８２（ＭＷ３８３．８）であった。
化合物３の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ法）を図１に示す。
【実施例２】
【００４５】
〔化合物４合成例〕
【化１１】
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【００４６】
トリホスゲン２８４．９ｇ（９６０ｍｍｏｌ）、ピリジン１９．２ｇ（２４０ｍｍｏｌ）、および酢酸エチル６１５ｇからなる溶液に、１−（３−クロロフェニル）尿素４１ｇ（２４０ｍｍｏｌ）、酢酸エチル６１５ｇからなる溶液を加えた後、攪拌下に、５〜１０℃で１．５時間反応し、次いで４０℃で３０分反応させた。
反応終了後、ロータリーエバポレーターにて酢酸エチルを留去し、次いで残渣にキシレン８２５ｇを加え、化合物４のキシレン溶液を得た。
【００４７】
〔化合物５合成例〕
【化１２】
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【００４８】
化合物４合成例で調製した、化合物４のキシレン溶液に対して、２−アセトキシ−６−アミノカルボニルナフタレン８２．５ｇを加え、１２０℃まで昇温し１．５時間反応を行った。
反応終了後、室温まで冷却した後、析出物を吸引ろ過し、得られた析出物をメタノールで洗浄した後に乾燥し、化合物５を７８．７ｇ得た。
化合物５の質量スペクトルを測定したところ、ｍ／ｚ  ４２４（ＭＷ４２５．８）であった。
【００４９】
〔化合物６合成例〕
【化１３】
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【００５０】
化合物５合成例で得られた化合物５のうちの７０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１００ｇに懸濁させた後、３％水酸化ナトリウム水溶液４８０ｇを加え、室温にて１．５時間攪拌した。次いで、反応液に１０％塩酸水溶液を加えｐＨ３に調整し、析出物を吸引ろ過し、得られた析出物をメタノールで洗浄した後に乾燥し、化合物６を４３．８ｇ得た。
化合物６の質量スペクトルを測定したところ、ｍ／ｚ  ３８２（ＭＷ３８３．８）であった。
化合物６の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ法）を図２に示す。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】図１は、実施例１において得られた化合物３の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ法）である。
【図２】図２は、実施例２において得られた化合物６の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ法）である。
【図１】
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【図２】
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