(57)【要約】【課題】駆動時に印加する電界と反対方向の電界印加を用いることなく分極特性が回復可能な圧電体素子を備えた液体吐出ヘッドを提供する。【解決手段】本発明の液体吐出ヘッドが備える圧電体素子は、少なくとも１つの履歴曲線を含む分極−電界ヒステリシス特性を有している。ヒステリシス特性の１つの履歴曲線における飽和分極点７１と臨界分極点７３とが同じ電界極性に位置し、飽和分極点における分極値と臨界分極点における分極値とは符号が異なる。【選択図】図１
2008265289.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出する吐出口に連通した液室と、該液室に対応して設けられた圧電体素子と、を有する液体吐出ヘッドにおいて、
前記圧電体素子は少なくとも１つの履歴曲線を含む分極−電界ヒステリシス特性を備え、前記履歴曲線における飽和分極点と臨界分極点とが同じ電界極性に位置しており、前記飽和分極点における分極値と前記臨界分極点における分極値とは符号が異なることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項２】
前記圧電体素子は反強誘電体と強誘電体とを含んでおり、
前記強誘電体は、前記強誘電体の抗電界が前記反強誘電体における飽和分極点に到達する電界よりも大きな値をとる材料で構成されている請求項１に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項３】
前記圧電体素子は、内部に空間電荷分極を有する反強誘電体を含んでいる請求項１または２に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドと、該液体吐出ヘッドを搭載するための搭載部材と、を具備する液体吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電体素子を備えた液体吐出ヘッド及び該液体吐出ヘッドを搭載する液体吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体吐出ヘッドは、プリンタ等の画像記録装置において用いられる。液体吐出ヘッドは、液体を吐出させる吐出口、吐出口とオリフィス連通部により接続されている個別液室、個別液室内の液体を吐出させるための吐出手段とを備えている。液体吐出ヘッドは、個別液室を膨張または収縮させることで、オリフィス連通部を介し吐出口より液体を吐出させる。
【０００３】
このような液体吐出ヘッドには、電極を備えた圧電体素子に電圧を印加し、個別液室の壁面を形成している振動板を変位させることで液体を吐出させるピエゾ型液体吐出ヘッドがある。このピエゾ型液体吐出ヘッドは、加熱を必要としない吐出のため、吐出する液体に制限が少ないという利点を有する。
【０００４】
圧電体素子を長時間駆動させると、その変位性能が低下するという現象がしばしば出現することは、一般によく知られている。圧電体材料は強誘電体材料を用いられている場合が多く、この場合、変位性能の低下は強誘電体の分極特性の劣化によるものであるという事実も、一般によく知られている。
【０００５】
強誘電体の分極特性における残留分極の劣化（残留分極の絶対値が経時変化によって小さくなってゆく現象）は、一般に「分極疲労」あるいは単に「疲労」と呼ばれている。疲労の起源については、今日においても明確な究明はなされていない。しかしながら、酸化物強誘電体材料においては、疲労と酸素欠損との間に何らかの関係がある、という事実については、多くの実験結果から明らかになっている。
【０００６】
酸素欠損は、一般に正の電荷に帯電していると考えられている。従って、印加電界によって強誘電体材料中で移動させることが可能である。印加電界に伴い、電極界面付近に酸素欠損が集中することで疲労が出現するというモデルが提案されており、多くの実験結果を説明することが可能である。
【０００７】
一方で、疲労の起源は、強誘電体内部に発生した内部電界が分極特性を劣化させていることによる、と解釈している報告もある（特許文献１参照）。
【０００８】
これらの諸事実に鑑みると、印加電界により電極界面付近に集中した酸素欠損が、何らかの作用により内部電界を硬直化させ、結果として疲労が起こる、と解釈すべきであることが容易に推察される。
【０００９】
強誘電体材料を用いた圧電体素子の変位性能の低下を抑制する対策としては、図１１に示すように駆動時に印加する電界と反対の方向に抗電界以上の電界を印加することを特徴とする方法が提案されている（特許文献１参照）。この方法は、電極界面付近に集中した酸素欠損を分散させ、硬直化した内部電界をリセットすることに効果がある、ということは容易に推察される。
【００１０】
しかしながら、駆動時とは反対の方向に抗電界以上の電界を印加し分極特性を回復させるという前記方法には、駆動回路が複雑になることでコストアップにつながるという問題がある。即ち、正負の電源電圧を供給可能な電源装置を用意する必要がある。また、抗電界以上の電界を駆動時とは反対方向に印加することで、圧電体素子への負担も大きくなるという問題もある。
【００１１】
圧電性を向上させる目的であり、分極特性を回復させることが目的ではないが、反強誘電体材料を圧電体素子に利用する方法が提案されている（特許文献２参照）。反強誘電体材料を圧電体素子に利用すれば、印加電界をゼロにすることで、駆動時と反対方向に印加することなく、全分極の半数を反転させることが出来る。
【００１２】
しかしながら、上記反強誘電体材料において印加電界がゼロの場合でも、分極特性の回復には、それほど効果が期待出来ないと考えられる。何故なら、印加電界がゼロの場合、正の電荷に帯電している酸素欠損を、結晶内部に分散させることに対し、ほとんど効果がないからである。
【００１３】
上記従来技術の問題点に鑑みると、強誘電体材料または反強誘電体材料を用いた圧電体素子の変位性能の低下を抑制するための望ましい圧電体素子は、次の通りである。即ち、駆動時と反対方向の電界印加を用いることなく酸素欠損を結晶内部に分散させ、分極特性を回復させることが可能な圧電体素子、である。
【００１４】
広い電界領域での圧電体素子の使用が目的であり、変位性能の低下を抑制することが目的ではないが、図１２に示すようなヒステリシス特性を示す強誘電体材料を圧電体素子に利用する方法が提案されている（特許文献３参照）。この方法を利用すれば、駆動時に印加する電界と反対方向の電界印加を用いることなく分極反転を行うことが可能であり、酸素欠損を結晶内部に分散させ分極特性を回復させることが可能である。特許文献３の段落００３１には、「基板とその上に成膜した強誘電体材料との間に格子不整合があると、ヒステリシス特性が分極軸に対し左右非対称になる」ことが記載された非特許文献１が引用されている。そして、特許文献３には、図１２に示すような分極軸に対する左右非対称のヒステリシス特性は、非特許文献１に記載されている技術を用いることで実現可能であると記載されている。
【特許文献１】特開２００６−０６８９７０号公報
【特許文献２】特開平１０−５２０７１号公報
【特許文献３】特開２００３−２４３７４１号公報
【非特許文献１】阿部和秀，「応力による格子歪みと強誘電性発現のメカニズム」，表面技術，２０００年，ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．７，ｐ．６８４−６８８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、図１２に示すようなヒステリシス特性を示す強誘電体材料は、実際に実現することが非常に困難である。なぜなら、印加する電界と強誘電体の分極の方向は密接に関連しており、分極を反転させる際には必ず反対向きの電界印加を必要とするためである。ちなみに特許文献３で引用されている非特許文献１においては、格子不整合とヒステリシス特性の分極軸に対する左右非対称との関係については特に言及しておらず、ヒステリシス特性の左右非対称となる起源が格子不整合であるという根拠は示されていない。当然のことながら、抗電界Ｅｃ１及びＥｃ２が同符号になる可能性については全く言及されていない。したがって、図１２に示すようなヒステリシス特性を強誘電体材料で実現することは非常に困難であると判断できる。
【００１６】
本発明の目的は、駆動時に印加する電界と反対方向の電界印加を用いることなく分極特性が回復可能な圧電体素子を備えた液体吐出ヘッド及び液体吐出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するため、本発明の液体吐出ヘッドは、液体を吐出する吐出口に連通した液室と、該液室に対応して設けられた圧電体素子と、を有する液体吐出ヘッドにおいて、前記圧電体素子は少なくとも１つの履歴曲線を含む分極−電界ヒステリシス特性を備え、前記履歴曲線における飽和分極点と臨界分極点とが同じ電界極性に位置しており、前記飽和分極点における分極値と前記臨界分極点における分極値とは符号が異なることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、駆動時に印加する電界と反対方向の電界印加を用いることなく分極特性が回復可能な圧電体素子を備えた液体吐出ヘッド及び液体吐出装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００２０】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態を、図１から図８を参照して説明する。
【００２１】
図１は、本実施形態における圧電体素子の分極−電界ヒステリシス特性を示す図である。本実施形態における圧電体素子は、反強誘電体を含む圧電材料により構成されている。以下、図１に示すヒステリシス特性を得る方法について説明する。
【００２２】
図２は反強誘電体の分極−電界ヒステリシス特性を示す図であり、図３は図２に示したヒステリシス特性を示す反強誘電体の分極の概略を示す断面図である。図３（ａ）に示すように、外部電界が存在しないときの反強誘電体の分極は、結晶の単位格子（ユニットセル）ごとに互いに逆向きの分極を示しており、反強誘電体全体での分極値はゼロとなる。一方、図３（ｂ）のように、例えば上部電極１５及び下部電極１３への電圧印加により、反強誘電体１０に外部電界が生じた場合は、全ての分極が外部電界に対応した同一の向きとなり、反強誘電体状態から強誘電体状態へと特性の変化を示す。また、外部電界が逆向きのときは分極が揃う向きも逆向きとなる。このような理由により、反強誘電体は図２に示すように２つの履歴曲線を持つヒステリシス特性を示す。
【００２３】
反強誘電体１０の材料としては、例えばジルコン酸錫酸鉛（ＰｂＺｒ0.6Ｓｎ0.4Ｏ3；ＰＺＳ）を用いる。例えば白金（Ｐｔ）で形成される下部電極１３上に、ＰＺＳの塗布溶液をスピンコートで塗布後乾燥させ、７００℃・１時間の加熱処理により結晶化させることで、図２のヒステリシス特性を示すＰＺＳ膜を得ることができる。さらに、例えば白金（Ｐｔ）で形成される上部電極１５を成膜することで、図３に示す構造を形成することが可能である。
【００２４】
次に、図４に、反強誘電体に強誘電体を積層した概略構造を示す。上部電極１５と下部電極１３との間に、反強誘電体１０及び強誘電体１１が積層されている。ただし本実施形態においては、強誘電体１１は、強誘電体１１の抗電界が反強誘電体１０における飽和分極点に到達する電界よりも大きな値をとる材料で構成されている。本実施形態では、ランタン（Ｌａ）をドープしたジルコン酸チタン酸ランタン鉛（Ｐｂ0.95Ｌａ0.05Ｚｒ0.2Ｔｉ0.8Ｏ3；ＰＬＺＴ）を用いる。前記と同様の方法で成膜したＰＺＳの反強誘電体１０上に、ＰＬＺＴの塗布溶液をスピンコートで塗布後乾燥させ、７００℃・１時間の加熱処理により結晶化させることで、ＰＬＺＴ薄膜が形成される。
【００２５】
図４（ａ）に示すように、外部電界が存在しないときの反強誘電体１０の分極は、結晶の単位格子（ユニットセル）ごとに互いに逆向きの分極を示しており、反強誘電体１０全体での分極値はゼロとなる。一方、強誘電体１１は、外部電界が存在しない場合でも一方向の分極を示している。ここで、反強誘電体１０における飽和分極点に到達する電界よりも大きく、かつ強誘電体１１の抗電界よりも小さな値の外部電界を印加する。このときの分極の状態は図４（ｂ）に示すようになり、反強誘電体１０の全ての分極が外部電界に対応した同一の向きとなり、反強誘電体状態から強誘電体状態へと特性の変化を示す。一方、強誘電体１１においては、外部電界が抗電界よりも小さな値のため、分極反転は起こらない。但し、図４（a）及び図４（b）に示す本実施形態においては、下部電極１３から上部電極１５への電界の向きを正の電界の向きと定義する。
【００２６】
反強誘電体１０及び強誘電体１１のそれぞれの分極−電界ヒステリシス特性を、図５に示す。これら２つのヒステリシス特性を合成したものが、図１に示した本実施形態における分極−電界ヒステリシス特性である。図１に示した分極−電界ヒステリシス特性では、ヒステリシス特性の１つの履歴曲線における飽和分極点と臨界分極点とが同じ電界極性に位置している。具体的には、飽和分極点７１と臨界分極点７３とが同じ電界極性に位置し、飽和分極点７２と臨界分極点７４とが同じ電界極性に位置している。ここで、例えば飽和分極点７１と臨界分極点７３とが同じ電界極性に位置するとは、臨界分極点７３がゼロの位置にあることも含むものとする。
【００２７】
ここで、「飽和分極点」とは、強誘電体あるいは反強誘電体内部の各分極が、外部電界等により完全に同一方向に揃ったときの状態であると定義する。例えば、図１に示す分極−電界のヒステリシス特性においては、符号７１，７２で示す点が飽和分極点である。また、「臨界分極点」とは、外部電界ゼロから電界の絶対値を大きくしていくときに、１つの履歴曲線が出現し始める臨界点であると定義する。例えば、図１に示す分極−電界のヒステリシス特性においては、符号７３，７４で示す点が臨界分極点である。
【００２８】
前述したように、本実施形態においては、反強誘電体１０及び強誘電体１１の材料に、強誘電体１１の抗電界が反強誘電体１０における飽和分極点に到達する電界よりも大きな値をとる強誘電体材料を使用している。そのため、反強誘電体１０の分極動作領域においては強誘電体１１の分極が反転することはない。その結果、例えば図１に示すように、本実施形態のヒステリシス特性は、反強誘電体のヒステリシス特性が負の分極方向にシフトしたものと概略同様の特性を示し、飽和分極点における分極値と臨界分極点における分極値が異符号の値となる。
【００２９】
反強誘電体１０及び強誘電体１１の積層構造は、図４に示すように反強誘電体１０の成膜後に強誘電体１１を成膜した構造であることが望ましい。何故なら酸素欠損は正の電荷に帯電していると考えられ、上部電極１５界面付近により集中していると考えられるからである。また、反強誘電体１０の成膜後に強誘電体１１を成膜し、さらにその上から反強誘電体１０を成膜した３層構造であっても構わない。
【００３０】
以上が、図１に示すヒステリシス特性を得る方法に関する説明である。
【００３１】
図１のヒステリシス特性を示す反強誘電体を液体吐出ヘッドに適用すると、印加電界を反転させることなく分極特性の回復が可能となる。何故なら、強誘電体１１は外部電界と反対の向きに分極しており、この分極が作る電界により、酸素欠損を電極界面付近から誘電体膜内部へ分散させることが出来るからである。この酸素欠損の分散により、内部電界の硬直化が緩和される。
【００３２】
また図１のヒステリシス特性は、正の電界方向へシフトしていても構わない。このシフト分に対応する電界はビルトイン電界として一般に知られている。このビルトイン電界は、例えば下電極１３と上電極１５とにそれぞれ仕事関数の異なる電極材料を用いた場合に出現する現象である。
【００３３】
図６は、本実施形態における駆動パルスの例を示した図である。
【００３４】
図４及び図５に示したように、外部電界（駆動パルスでは電圧）がゼロのとき反強誘電体１０の分極はゼロとなっており、内部電界が消失し、分極特性が回復された状態になっている。すなわち、電界ゼロでスタンバイしている状態で同時に分極処理も施された状態となる。一方、強誘電体１１を構成しているＰＬＺＴは疲労に強い材料として知られており、分極反転を施す必要はない。分極処理は毎回行う必要はなく、例えばプリンタの電源を入れたときに１度行う、程度の頻度でよい。次に液体吐出ヘッドを動作させる際は、最初に、反強誘電体１０の飽和分極点に到達するよりも大きな電界（駆動パルスではこれに対応する電圧）を印加する。その後、吐出オペレーションに応じた電界（駆動パルスでは電圧）を印加することで、一極性の電界（駆動パルスでは電圧）のみで吐出オペレーションが可能となる。分極飽和領域は、分極の向きを一様に揃えるという目的で毎回行うのがよい。
【００３５】
図７は、本実施形態における液体吐出ヘッドの構成を示す断面図である。この液体吐出ヘッドは、図８（ａ）から図８（ｅ）に示す製造工程を経て作製される。以下、図８（ａ）から図８（ｅ）を参照しながら、本実施形態の液体吐出ヘッド全体の製造方法を説明する。
【００３６】
まず、図８（ａ）に示すように、パターニングを行う３種類の基板１，２，３を用意する。各基板１，２，３にはＳｉ基板やＳＯＩ(Silicon-On-Insulator)基板等を用いることができるが、下記のパターニングの工程を鑑みるとＳＯＩ基板を用いることが望ましい。例えば、第１の基板１及び第２の基板２には、シリコン（Ｓｉ）の厚さが１９９．５μｍで、酸化シリコン（ＳｉＯ2）の厚さが０．５μｍである、全体の厚さが２００μｍのＳＯＩ基板を用いる。また、第３の基板３には、シリコン（Ｓｉ）の厚さが３９９．５μｍで、酸化シリコン（ＳｉＯ2）の厚さが０．５μｍである、全体の厚さが４００μｍのＳＯＩ基板を用いる。
【００３７】
次に、第１の基板１のパターニングと、第１の基板１への電極、圧電体膜及び振動板の形成とを行う。第１の基板１には、個別液室１６のパターニングを行う。個別液室１６の底面はシリコン（Ｓｉ）からなる振動板２２として形成され、その厚さは例えば６μｍとする。この後、例えば、膜厚０．３μｍの白金（Ｐｔ）からなる下部電極１３、膜厚３．０μｍの圧電膜１４、膜厚０．３μｍの白金（Ｐｔ）からなる上部電極１５などを形成する。これらと振動板２２とによって、個別液室１６の膨張収縮手段が構成される。下部電極１３及び上部電極１４の成膜方法としては、例えばスパッタリング、レーザーアブレーション法、ＭＯＣＶＤ法などの公知の成膜方法を用いる。また、圧電体膜１４は、例えば図４に示すような、膜厚２．５μｍの反強誘電体１０に膜厚０．５μｍの強誘電体１１を積層した構造のものを用いる。
【００３８】
また、第２及び第３の基板２，３に、直径６０μｍのオリフィス連通部１７と、直径１０μｍの共通液室連通部１８とをパターニングする。
【００３９】
これらの基板１，２，３のパターニングは、例えば化学エッチングまたはイオンミリングによって行う。これらのパターニングの後、それぞれの基板に対して平坦化を行う。
【００４０】
次に、図８（ｂ）に示すように、第１、第２及び第３の基板１，２，３同士の貼り合わせを行う。これらの基板の貼り合わせには、例えば金（Ａｕ）−金（Ａｕ）接合技術を用いる。これにより、第２及び第３の基板２，３の各々に形成されたオリフィス連通部１７及び共通液室連通部１８が連通する。
【００４１】
次に、図８（ｃ）に示すように、共通液室１９のパターニングを行う。共通液室１９のパターニングは、上記のように接合された基板のうち、オリフィス連通部１７が形成された領域以外の領域に対して行う。これにより、オリフィス連通部１７を形成するオリフィス連通部柱状部１１が形成される。このパターニングは、例えば化学エッチングまたはイオンミリングによって行う。図８（ｃ）は、化学エッチングでパターニングを行う過程を示しており、互いに貼り合わされた３つの基板の最上層を成す第３の基板３の上にレジスト５１を塗布し、化学エッチングを行った直後の状態を示している。レジスト５１は、この後に除去される。
【００４２】
次に、図８（ｄ）に示すように、パターニングを行う第４の基板４を用意する。第４の基板４にも、Ｓｉ基板やＳＯＩ基板等を用いることができるが、下記のパターニングを行うことを鑑みるとＳＯＩ基板を用いることが望ましい。例えば、第４の基板４には、シリコン（Ｓｉ）の厚さが１９９．５μｍで、酸化シリコン（ＳｉＯ2）の厚さが０．５μｍである、全体の厚さが２００μｍのＳＯＩ基板を用いる。
【００４３】
この第４の基板４に、オリフィス連通部１７、共通液室１９および吐出口２１のパターニングを行う。吐出口２１の寸法は、例えば直径が３０μｍで、高さが５０μｍである。これらのパターニングは、例えば化学エッチングまたはイオンミリングによって行う。前記のパターニングを行った後、第４の基板４に対して平坦化を行う。
【００４４】
最後に、図８（ｅ）に示すように、第３の基板３に第４の基板４を貼り合わせる。この貼り合わせには、例えば金（Ａｕ）−金（Ａｕ）接合技術を用いる。
【００４５】
以上の工程により第１〜第４の基板が一体化され、共通液室１９と、共通液室１９及び個別液室１６に連通した共通液室連通部１８と、一端が個別液室１６に連通し他端が吐出口２１に連通したオリフィス連通部１７とを有する液体吐出ヘッドが作製される。
【００４６】
（第２の実施形態）
次に、図９を参照して、本発明の第２の実施形態を説明する。図９は、本実施形態における反強誘電体の分極−電界ヒステリシス特性を示している。
【００４７】
本実施形態における反強誘電体、液体吐出ヘッドの構造及びその製造方法は、第１の実施形態とほぼ同様である。したがって、本実施形態において説明する各構成についても、第１の実施形態における参照番号と同じ番号を付している。
【００４８】
本実施形態における反強誘電体の構成及び製造方法について、図３を参照して説明する。本実施形態における反強誘電体１０は内部に空間電荷分極を有している。本実施形態では、反強誘電体１０の材料として、例えばエージングを施したＰＺＳを用いている。例えば白金（Ｐｔ）で形成される下部電極１３上に、ＰＺＳの塗布溶液をスピンコートで塗布後乾燥させた後に７００℃・１時間の加熱処理を行ってこれを結晶化させ、その後、例えば白金（Ｐｔ）で形成された上部電極１５を成膜する。その後、例えば飽和分極点の電界以上（例えば３０ｋＶ／ｃｍ）の外部電界を印加して強誘電体相に分極させた後、例えば５０℃・２時間の条件で外部電界を印加した状態でエージングを施す。このエージングによって反強誘電体１０の内部に空間電荷分極が出現し、図９のように電界軸に対して非対称なヒステリシス特性を示すＰＺＳ膜を得ることができる。
【００４９】
また、第１の実施形態と同様に、図９のヒステリシス特性は、正の電界方向へシフトしていても構わない。このシフト分に対応する電界はビルトイン電界として一般に知られている。このビルトイン電界は、第１の実施形態と同様に、例えば下電極と上電極とにそれぞれ仕事関数の異なる電極材料を用いた場合に出現する現象である。
【００５０】
なお、本実施形態における反強誘電体１０の駆動パルスとしては、例えば第１の実施形態と同様に図６に示す駆動パルスを用いる。
【００５１】
（第３の実施形態）
次に、図１０を参照して、本発明の第３の実施形態に係る液体吐出装置を説明する。図１０は、本発明が適用可能な液体吐出装置を示す斜視図である。
【００５２】
本実施形態の液体吐出装置は、被記録媒体Ｐを搬送する送りローラ１０９，１１０を有している。液体吐出装置内に挿入された被記録媒体Ｐは、送りローラ１０９，１１０によって液体吐出ヘッドユニット１００の記録可能領域へ搬送される。
【００５３】
液体吐出ヘッドユニット１００は、２つのガイド軸１０７，１０２によって、それらの延在方向（主走査方向）に沿って移動可能にガイドされており、記録領域を往復走査する。本実施形態では、液体吐出ヘッドユニット１００の走査方向が主走査方向であり、被記録媒体Ｐの搬送方向が副走査方向となる。液体吐出ヘッドユニット１００には、図７に断面図を示した液体吐出ヘッド１１３と、共通液室に１９（図７等参照）にインクを供給するインクタンク１０１とが搭載されている。液体吐出ヘッドユニット１００には、例えば、ブラックインク用のインクタンク１０１Ｂ、シアンインク用のインクタンク１０１Ｃ、マゼンタインク用のインクタンク１０１Ｍ、イエローインク用のインクタンク１０１Ｙの４つのインクタンクが搭載される。これらの各色用のインクタンクは、液体吐出ヘッドユニット１００に対して全て独立に交換可能な構成となっている。液体吐出ヘッドユニット（搭載部材）１００には４つの液体吐出ヘッド１１３が搭載される。各々の液体吐出ヘッド１１３は各色用のインクタンクとそれぞれ接続され、各液体吐出ヘッド１１３の共通液室１９にそれぞれの色のインクが供給される。
【００５４】
また、液体吐出ヘッドユニット１００が移動可能な領域の図示右端の下部には、回復系ユニット１１２が配備されている。回復系ユニット１１２は、非記録動作時に液体吐出ヘッド１１３の液体吐出口部を回復処理する。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１の実施形態における圧電体素子の分極−電界ヒステリシス特性を示す図である。
【図２】反強誘電体の分極−電界ヒステリシス特性を示す図である。
【図３】図２に示したヒステリシス特性を示す反強誘電体の分極の概略を示す断面図である。
【図４】反強誘電体に強誘電体を積層した概略構造を示す図である。
【図５】反強誘電体及び強誘電体のそれぞれの分極−電界ヒステリシス特性を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施形態における駆動パルスを示す図である。
【図７】本発明の第１の実施形態における液体吐出ヘッドの構成を示す断面図である。
【図８】図７に示した液体吐出ヘッドの製造工程を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施形態における反強誘電体の分極−電界ヒステリシス特性を示す図である。
【図１０】本発明が適用可能な液体吐出装置を示す斜視図である。
【図１１】従来技術による電界印加を説明するための図である。
【図１２】従来技術による圧電体素子のヒステリシス特性を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０  反強誘電体
１１  強誘電体
１３  下電極
１５  上電極
１６  個別液室
２１  吐出口
２２  振動板
７１，７２  飽和分極点
７３，７４  臨界分極点
【図１】
2008265289.tif 000003
【図２】
2008265289.tif 000004
【図３】
2008265289.tif 000005
【図４】
2008265289.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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