(57)【要約】【課題】太陽電池の製造方法において、マスク材を除去する必要がなく、かつウエハの表面電極と裏面電極間を絶縁できる技術を提供する。【解決手段】本発明による太陽電池の製造方法は、半導体ウエハ１の周縁部にシロキサン結合を有する高分子化合物層２を形成する工程と、高分子化合物層２が形成された半導体ウエハ１の表面にドーパントを含む溶液３を塗布する工程と、酸素雰囲気での熱処理により高分子化合物層２をシリコン酸化膜４に変化させる工程と、熱処理により溶液３から半導体ウエハ１にドーパントを拡散してＰＮ接合８を形成する工程とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの周縁部にシロキサン結合を有する高分子化合物層を形成する工程と；
前記高分子化合物層が形成された半導体ウエハの表面にドーパントを含む溶液を塗布する工程と；
第１の熱処理により前記高分子化合物層をシリコン酸化膜に変化させる工程と；
第２の熱処理により前記溶液から前記半導体ウエハに前記ドーパントを拡散してＰＮ接合を形成する工程とを備える；
太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記高分子化合物層が疎水性であり、前記溶液が水溶液である；
請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項３】
半導体ウエハの周縁部にシロキサン結合を有する高分子化合物層を形成する工程と；
前記高分子化合物層が形成された半導体ウエハの表面にドーパントを含む溶液を塗布する工程と；
第２の熱処理により前記溶液から前記半導体ウエハに前記ドーパントを拡散してＰＮ接合を形成する工程とを備え；
前記高分子化合物層が疎水性であり、前記溶液が水溶液である；
太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記高分子化合物層がシリコーン樹脂、シリコーンオイル又はシリコーンゴムのいずれかから成る；
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項５】
前記半導体ウエハがＰ型シリコンであり、前記ドーパントがリンである；
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項６】
半導体ウエハの周縁部に酸化シリコン粒子を含む高分子化合物層を形成する工程と；
前記高分子化合物層が形成された半導体ウエハの表面にドーパントを含む溶液を塗布する工程と；
第１の熱処理により前記高分子化合物層をシリコン酸化膜に変化させる工程と；
第２の熱処理により前記溶液から前記半導体ウエハに前記ドーパントを拡散してＰＮ接合を形成する工程とを備える；
太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は太陽電池の製造方法に関する。詳しくは、太陽電池の製造方法において、半導体ウエハの表面と裏面間を絶縁する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池の製造において、例えばＰ型シリコンウエハの表面にリンを拡散してＮ型領域を形成する時に、ドーパントを含む溶液をスピンコートする際にウエハ裏面への回り込みが生じ、その状態で又はウエハの側面や裏面が露出した状態でリンを拡散すると、ウエハの側面や裏面にもＮ型層が形成されるので、このＮ型層をエッチングにより除去するか、レーザカットによりＮ型層に島状の切り込みを入れて、表面に形成するＮ型電極と裏面に形成するＰ型電極間の絶縁を担保している。
（特許文献１参照）
【０００３】
【特許文献１】特開平５−７５１４８号公報（段落００１３〜００２２、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、Ｎ型層をエッチングにより除去する方法では、表面にマスク材を形成する工程、エッチング後にマスク材を除去する工程が増加するという問題がある。また、レーザカットを用いる方法では、レーザ照射により、ウエハに温度上昇による機械的歪が生じたり、ウエハカット時に生じる発塵によってウエハを損傷するという問題、絶縁を担保するための装置が大型化するという問題があった。
本発明は、太陽電池の製造方法において、ドーパント拡散用のマスク材を除去する必要がなく、ウエハに歪や損傷を与えず、かつ表面電極と裏面電極間を絶縁できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様における太陽電池の製造方法は、例えば図１に示すように、半導体ウエハ１の周縁部にシロキサン結合を有する高分子化合物層２を形成する工程と、高分子化合物層２が形成された半導体ウエハ１の表面にドーパントを含む溶液３を塗布する工程と、第１の熱処理により高分子化合物層２をシリコン酸化膜４に変化させる工程と、第２の熱処理により溶液３から半導体ウエハ１にドーパントを拡散してＰＮ接合８を形成する工程とを備える。
【０００６】
ここにおいて、半導体ウエハには典型的にはシリコンが用いられるが、平面形状は矩形でも円形でも良い。周縁部とはウエハの側面近傍の部分をいい、例えばウエハの側面から１ｍｍ以内をいう。高分子化合物層は側面近傍であればウエハの側面、表面、裏面のいずれに形成されても良く、表面から側面、裏面から側面、表面から裏面に連続的に形成されても良い。また、高分子化合物層には典型的にはシリコーンを使用できるが、他の高分子化合物やシリカ粒子等を含んでも良い。また、ドーパントとは半導体ウエハに不純物領域を形成するための添加物をいう。Ｐ型シリコンウエハにＮ型不純物領域を形成するにはドーパントとして例えばリンを使用するが、半導体の種類と型によりドーパントが変化する。また、溶液として水溶液が好ましいが有機溶液を使用しても良い。また、第１の熱処理は典型的には酸素雰囲気で行うが、酸素を含めば良く、例えば空気雰囲気、オゾン雰囲気でも良い。また、第２の熱処理の雰囲気は窒素雰囲気、酸素雰囲気、不活性ガス雰囲気又はこれらの混合ガス雰囲気のいずれでも良い。また、シリコン酸化膜は均一な二酸化シリコン膜になることが望ましいが、高分子化合物層の酸化が不充分な場合もあり得るので、全部又は局部的にストイキオメトリからずれた組成があっても良く、また、通常の熱酸化膜に比較して密度が低いあるいは多孔質であっても良い。また、高分子化合物層をシリコン酸化膜に変化させる熱処理は例えば６００℃、リンを拡散する熱処理は例えば９００℃で行われるが、他の温度でも良い。このように構成すると、ドーパントの拡散時には半導体ウエハの周縁部にシリコン酸化膜があるので、シリコン酸化膜に覆われた部分にはドーパントが拡散されず、ウエハ表面部と裏面部間の絶縁状態を維持できる。また、マスク材に用いたシロキサン結合を有する高分子化合物層はシリコン酸化膜となり、除去する必要がないので、マスク材を除去する必要がなく、ウエハに歪や損傷を与えず、かつ表面電極と裏面電極間を絶縁できる技術を提供できる。
【０００７】
また、本発明の好ましい態様によれば、第１の態様の太陽電池の製造方法において、高分子化合物層２が疎水性であり、溶液３が水溶液である。このように構成すると、高分子化合物層が疎水性のため、ドーパントを含む溶液を塗布する際に溶液が高分子化合物層内側のエッジまでしか広がらない。
【０００８】
また、本発明の第２の態様における太陽電池の製造方法は、例えば図１に示すように、半導体ウエハ１の周縁部にシロキサン結合を有する高分子化合物層２を形成する工程と、高分子化合物層２が形成された半導体ウエハ１の表面にドーパントを含む溶液３を塗布する工程と、第２の熱処理により溶液３から半導体ウエハ１にドーパントを拡散してＰＮ接合８を形成する工程とを備え、高分子化合物層２が疎水性であり、溶液３が水溶液である。
このように構成すると、高分子化合物層が疎水性のため、ドーパントを含む溶液を塗布する際に溶液が高分子化合物層のエッジまでしか広がらない。また、ドーパントの拡散時には半導体ウエハの周縁部にはドーパントが拡散されず、ウエハ表面部と裏面部間の絶縁状態を維持できる。
【０００９】
また、本発明の好ましい態様によれば、第１の態様又は第２の態様の太陽電池の製造方法において、高分子化合物層２がシリコーン樹脂、シリコーンオイル又はシリコーンゴムのいずれかから成る。このように構成すると、高分子化合物層の側鎖を酸素で置換することにより、比較的容易に酸化シリコン膜を形成できる。
【００１０】
また、本発明の好ましい態様によれば、以上の態様の太陽電池の製造方法において、半導体ウエハ１がＰ型シリコンであり、ドーパントがリンである。このように構成すると、太陽電池の普及した技術を本発明に適用できる。
【００１１】
また、本発明の第１の態様における太陽電池の製造方法は、例えば図８に示すように、半導体ウエハ１の周縁部に酸化シリコン粒子１２を含む高分子化合物層１３を形成する工程と、高分子化合物層１３が形成された半導体ウエハ１の表面にドーパントを含む溶液３を塗布する工程と（以下の工程は図１を参照）、第１の熱処理により高分子化合物層１３をシリコン酸化膜４に変化させる工程と、第２の熱処理により溶液３から半導体ウエハ１にドーパントを拡散してＰＮ接合８を形成する工程とを備える。このように構成すると、高分子化合物層を酸化することにより密度の高い酸化膜を形成できる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、太陽電池の製造方法において、ドーパント拡散用のマスク材を除去する必要がなく、ウエハに歪や損傷を与えず、かつウエハの表面電極と裏面電極間を絶縁できる技術を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に図面に基づき本発明の実施の形態について説明する。
【００１４】
〔第１の実施の形態〕
図１に、本発明の第１の実施の形態による太陽電池の製造方法の処理フロー例を示す。まず、例えば（１００）面を有するＰ型単結晶シリコンウエハ１を準備し、洗浄する（図１（ａ））。ウエハ１の形状は例えば正方形とするが、円形でも良く、形状寸法は変更可能である。ここで、ウエハ１表面に反射率低減のため例えばイソプロピルアルコール添加水酸化ナトリウム溶液を用いてピラミッド状のテクスチャーを形成しても良いが、本実施の形態ではテクスチャーの形成を省略する。次に、ウエハ１の周縁部にシロキサン結合を有する高分子化合物層２を形成する（図１（ｂ））。周縁部とはウエハの側面近傍の部分をいい、側面近傍であればウエハの側面、表面、裏面のいずれに形成されても良く、表面から側面、裏面から側面、表面から裏面に連続的に形成されても良いが、本実施の形態では側面に形成するものとする。シロキサン結合を有する高分子化合物層２として、例えば、シリコーン樹脂、シリコーンオイル又はシリコーンゴムを使用できる。ここではシリコーンゴムを用いるものとする。次に、シロキサン結合を有する高分子化合物層２をウエハ１の周縁部に固着（例えば焼付処理）する。
【００１５】
図２にシリコーンの分子構造を示す。図ではジメチルシリコーンの例を示すが、シロキサン結合（−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−）を有し、側鎖に疎水性のアルキル基ＣｎＨ２ｎ＋１（図ではメチル基ＣＨ３）を有している。酸素雰囲気で加熱するとアルキル基は水Ｈ２Ｏと炭酸ガスＣＯ２に分解し、ＣＨ３が離脱したＳｉ分子の結合手は酸素と結合してシロキサン結合を形成する。このようにして、ジメチルシリコーンは酸化されて、理想的には二酸化シリコンＳｉＯ２に変化する。ただし、酸化が不十分な場合には全部又は局部的にストイキオメトリからずれた組成の酸化シリコンになる。シリコーンはジメチルシリコーンに限られず、疎水性の側鎖（例えば、アルキル基ＣｎＨ２ｎ＋１、トリフルオロメチル基ＣＦ３）を有するものであれば良く、また、例えば、アルキル変性、フッ素変性のシリコーンでも良く、シリル化剤（シランカップリング剤）でも良い。低温処理、例えば紫外線照射でシリコーンを酸化する場合には、アクリル変性シリコーンを用いても良い。
【００１６】
図３に高分子化合物層の形成プロセスを特に周縁部に注目して概略的に示す。まず、Ｐ型シリコンウエハ１（図３（ａ）参照）を洗浄する。次に周縁部に高分子化合物層２としてシリコーン層を形成する（図３（ｂ）参照）。周縁部にシリコーン層２を形成するにあたり、本実施の形態では側面にのみ形成するが（側面図上段参照）、その他の例として、（イ）側面から、表面、裏面にかけて連続的に被覆する例、（ロ）表面側に形成する例の２通りを記載した。次に例えば１５０℃で硬化（焼付処理）し、シリコーン層２をウエハ１表面に固着させる。次にドーパントであるリンを含むリン酸水溶液３をウエハ１表面に塗布する（図３（ｃ）参照）。リン酸水溶液３は空気中３００℃の温度で乾燥させる（乾燥処理）。次に例えば酸素雰囲気中３００〜５００℃でシリコーン層２を酸化し、酸化シリコン膜４を形成する（第１の熱処理）。次に例えば窒素雰囲気中９００℃でウエハ１にリンを拡散してＰＮ接合８を形成する（第２の熱処理）。第１の熱処理は典型的には酸素雰囲気で行うが、酸素を含めば良く、例えば清浄空気雰囲気、オゾン雰囲気でも良い。また、第２の熱処理の雰囲気は窒素雰囲気、酸素雰囲気、不活性ガス雰囲気又はこれらの混合ガス雰囲気のいずれでも良い。
【００１７】
図４にウエハ１の周縁部に高分子化合物層２を形成する方法を示す。図４（ａ）はシリコーンゴムをローラーブラシで側面に塗布する例を、図４（ｂ）はシリコーンゴムをブラシノズルで表面側周縁部に滴出して塗布する例を、図４（ｃ）はシリコーンゴムをローラーブラシで左右両側面又は、左右両側面及び表面側と裏面側の周縁部に塗布する例を示す。本実施の形態では（ａ）又は（ｃ）のように側面に塗布する。シリコーンゴムの粘度が高い場合には、トルエン、キシレン等の溶剤を用いて希釈して塗布する。
【００１８】
図１に戻り、次にウエハ１表面にドーパントを含む溶液３を塗布する（図１（ｃ））。本実施の形態ではドーパントとしてリンを用いる例を示す。ドーパントを含む溶液３としてリン酸Ｈ３ＰＯ４水溶液を使用できる。ドーパントを含む溶液３はリンＰを含む溶液であれば良く、リン酸エステル等のリンを含む有機化合物でも良い。この場合、高分子化合物層２は側鎖に疎水性の基（アルキル基、トリフルオロメチル基等）を有しているので親水性のドーパントを含む水溶液３とは混じり合わず、水溶液３は高分子化合物層のエッジまでしか広がらない。次に、高分子化合物層２を酸化し、水溶液３が乾燥するとリンの結晶が残る（図１（ｄ））。
【００１９】
図５は高分子化合物層２の酸化を説明するための図である。シリコーンオイル、シリコーン樹脂、シリコーンゴムを酸素雰囲気中で熱処理（第１の熱処理）すると、高分子化合物層２は酸化によりシリコン酸化膜４に変化する。図５には、まずシリコンウエハ１の表面に結合した原子（例えば水素Ｈ、水酸基ＯＨ等）がシリコーンゴムのＳｉの結合手に置換され、次いでシリコーンオイルの側鎖のアルキル基ＣｎＨ２ｎ＋１（図ではメチル基ＣＨ３）が酸素に置換されてＳｉと結合してシロキサン結合を形成し、シロキサン結合層がウエハに積層されていく様子が示されている。第１の熱処理は例えば３００〜５００℃で、酸素０２雰囲気、オゾンＯ３雰囲気等で行なう。シリコン酸化膜４は二酸化シリコンＳｉＯ２膜が理想的であるが、温度や酸素の供給状況によりストイキオメトリからのずれが生じ得る場合がある。しかしながら、ここでのシリコン酸化膜４はリン拡散のマスクとして機能すれば良いので、ストイキオメトリからずれた不完全なＳｉＯ２膜であっても良い。
【００２０】
図１に戻り、次にＰ型のシリコンウエハ１にリンを拡散してＮ型領域６及びＰＮ接合８を形成する（図１（ｅ））。ウエハ１周縁部はシリコン酸化膜４で被覆されているのでリンが拡散しない。
【００２１】
図６はシリコン酸化膜４をマスクとするリン拡散を説明するための図であり、リン拡散時のシリコンウエハ１の断面摸式図である。図６（ａ）には拡散用マスクとしてのシリコン酸化膜（図ではＳｉＯ２膜）４がシリコンウエハ１の側面に形成されている例を、図６（ｂ）にはシリコンウエハ１の周縁部表面側に形成されている例を示す。本実施の形態は図６（ａ）に該当し、シリコン酸化膜４は側面に形成されている。これらのシリコン酸化膜４が形成されている周縁部をマスク部という。マスク部以外の表面部分には五酸化リン（Ｐ２Ｏ５）５が存在している。拡散は例えば窒素雰囲気中９００℃で行なう。マスクとしてリン拡散に必要な二酸化シリコンＳｉＯ２膜４の厚さは０．５μｍ以上あれば良い。第２の熱処理を例えば９００℃、５分とする。窒素雰囲気とするため熱処理炉に窒素Ｎ２ガスを流す。第２の熱処理の雰囲気は窒素雰囲気、酸素雰囲気、不活性ガス雰囲気又はこれらの混合ガス雰囲気のいずれでも良いが、窒素雰囲気又は不活性ガス雰囲気ではシリコンウエハ１の裏面に酸化膜が形成されないので好ましい。
【００２２】
ウエハ１はボートやトレイに搭載して熱処理炉内に静置しても良く、ベルトコンベアで炉内を移送しても良い。これにより、シリコンウエハ１表面にＮ型領域６、シリコンウエハ１内にＰＮ接合８が形成される。シリコン酸化膜４に被覆された領域にはリンが拡散されずＰ型のままであり、これにより表面のＮ型領域６は裏面まで連続して延びることはなく、これにより後に表面に形成される表面電極と裏面に形成される裏面電極とは隔離され、絶縁される。ウエハ１周縁部におけるシリコン酸化膜４のエッジ近傍ではリンがシリコン酸化膜４下にもぐりこんで拡散するので、シリコン酸化膜４の幅をその拡散長より大きくする必要がある。このため、絶縁回避のためシリコン酸化膜の幅を十分大きく、例えば０．１ｍｍ以上とることが望ましい。図６（ａ）ではシリコン酸化膜４で側面全体を覆い充分な幅を有している。
【００２３】
再び図１に戻る。リン拡散後に必要であれば、ウエハ表面に残った五酸化リンＰ２Ｏ５５を例えばシリコンウエハに対してエッチング選択比の高い緩衝フッ酸（例えば、フッ酸：フッ化アンモニウム＝１：１０）で除去する（図１（ｆ））。次に表面及び裏面に電極を形成する。裏面電極９として例えばアルミＡｌ電極を形成する（図１（ｇ））。アルミＡｌ電極９の熱処理を高温で行なうために、アルミＡｌが部分的にシリコンウエハ１中に拡散してＰ＋層１０が形成され、ウエハ１のＰ型領域と電気的に接続される。裏面電極９はウエハ１裏面の大部分を占めるように大きく取って良い。表面電極１１として例えば銀Ａｇ電極を形成する（図１（ｈ））。できるだけ多くの太陽光を受光できるように、銀電極１１は表面の幾つかの小領域に形成する。例えば格子の交差点に銀電極１１を配置する。これにより太陽電池が形成される。
【００２４】
以上、本実施の形態によれば、太陽電池の製造方法において、マスク材はシリコン酸化膜４になるので除去する必要がなく、レーザカットを行なわないのでウエハ１に歪や損傷を与えず、かつ表面のＮ型領域６は高分子化合物層２により裏面まで連続して延びることはないので、表面電極１１と裏面電極９間を絶縁できる。また、レーザカットのように大型の装置を使用することもない。
【００２５】
〔第２の実施の形態〕
第１の実施の形態では、シリコーンゴムの固着、ドーパントを含む溶液３の乾燥、シリコーンゴムで形成した高分子化合物層２の酸化によるシリコン酸化膜４の形成、ドーパントとしてのリンの拡散を順次行う例を説明したが、本実施の形態では、連続熱処理炉を用いて、シリコン酸化膜の形成、ドーパントとしてのリンの拡散を連続的に行う例を説明する。
【００２６】
図７は熱処理工程における連続熱処理炉１５の断面図の例を示す。図７の最下部に熱処理炉１５の位置に対応する温度分布を示す。熱処理は、各熱処理工程の温度、雰囲気及び処理時間を調整して行えば良い。この例では第１ゾーンでシリコン酸化膜の形成を、第２ゾーンでリンの拡散を、第３ゾーンで徐冷を行う。第１の熱処理として、シリコン酸化膜の形成を例えば酸素雰囲気で３００〜５００℃×１０分、第２の熱処理としてリンの拡散を例えば窒素雰囲気で９００℃×５分、徐冷を１０分とする。昇温及び降温は急に行わず、例えば一定の温度勾配をとって行う。熱処理炉１５の第１ゾーンでは酸素雰囲気とするため酸素Ｏ２ガスを流し、第２、第３ゾーンでは窒素雰囲気とするため窒素Ｎ２ガスを流す。連続処理は基板をベルトコンベアのベルト１６に載せて熱処理炉１５中を移動する。これにより、連続的量産処理による効率的な処理が可能である。その他の工程は第１の実施の形態と同様であり、マスク材を除去する必要がなく、ウエハに歪や損傷を与えず、かつ表面電極と裏面電極間を絶縁できる。なお、シリコーンゴムの固着、ドーパントを含む溶液３の乾燥も、１つの連続熱処理炉内で行うことも可能である。
【００２７】
〔第３の実施の形態〕
第１の実施の形態ではウエハ１の周縁部に単体の高分子化合物層２を形成する例を説明したが、本実施の形態では、酸化シリコン粒子１２としてのシリカ（ＳｉＯ２）粒子を含む高分子化合物層１３を形成する例を説明する。
【００２８】
図８に本実施の形態におけるシリカを含む高分子化合物層１３を示す。図８（ａ）はシリカ１２を混入した高分子化合物層１３を半導体ウエハ１側面に形成した状態で第１の実施の形態における図１（ｃ）に相応する。図８（ｂ）は周縁部の拡大図である。シリカ（ＳｉＯ２）１２を混入したシリコーンゴム等を用いて形成した高分子化合物層１３は、既に酸化シリコン粒子１２を含んでいるので、酸化により密度の高い酸化シリコン膜４を形成できるという利点がある。また、高分子化合物層１３形成時は疎水性のシリコーンゴム等が表面の大部分に存在するので疎水性を示し、この状態でドーパントを含む水溶液３をスプレー、スピンコートすると、水溶液３はシリカを混入した高分子化合物層１３のエッジまでしか広がらない。
【００２９】
ここで、シリカ１２表面をイソシアネート化合物で化学修飾し、側鎖若しくは末端にアルコール基で変性したシリコーンと混合しても良い。また、変性したシリコーンに代えてアクリル又はポリアルコール等を用いても良い。これにより、撥水性を高めることができ、水溶液を確実にはじくことができる。
シリカ１２を含む高分子化合物層１３の形成前及びシリコン酸化膜４形成後の工程は第１の実施の形態と同様であり、マスク材を除去する必要がなく、ウエハに歪や損傷を与えず、かつ表面電極と裏面電極間を絶縁できる。
【００３０】
また、本発明は、以上の実施の形態に記載の太陽電池の製造方法をコンピュータに実行させるためのプログラムとしても実現可能である。プログラムはコンピュータの内蔵メモリに蓄積して使用してもよく、コンピュータ周辺の記憶装置に蓄積して使用してもよく、インターネットからダウンロードして使用しても良い。また、当該プログラムを記録した記録媒体としても実現可能である。
【００３１】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、実施の形態に種々変更を加えられることは明白である。
【００３２】
例えば、以上の実施の形態では、半導体ウエハがＰ型のシリコンウエハで、Ｎ型のリンをドーパントとして用いる例を説明したが、Ｎ型のドーパントは砒素、アンチモン、ビスマスでも良い。また、Ｎ型のシリコンウエハで、Ｐ型のボロン、インジュームをドーパントとして用いても良く、ＧａＡｓ、ＩｎＳｂ等の化合物半導体ウエハにＳｉ、Ｇｅをドーパントとして用いても良い。また、以上の実施の形態では、高分子化合物としてシリコーンゴムを用いる例を主に説明したが、シリコーン樹脂、シリコーンオイルを用いても良い。また、熱処理工程においてベルトコンベア式の連続熱処理炉の代わりに１つの熱処理炉で温度、雰囲気及び時間をプログラムして目的の異なる熱処理を連続的に行うことも可能であり、個別の熱処理炉を用いて順次熱処理を行っても良い。また、シリコン酸化膜を形成する工程では低温熱処理に変えてＵＶ照射やオゾン照射しても良い。また、リン拡散のマスク材として使用したシリコン酸化膜は必ずしも除去する必要がなく、リン拡散後に除去することは工程の増加になるが、除去することも可能である。その他、熱処理の温度、時間等は適宜変更可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明は太陽電池の製造方法に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】第１の実施の形態による太陽電池の製造方法の処理フロー例を示す図である。
【図２】シリコーンオイルの分子構造を例示する図である。
【図３】高分子化合物層の形成プロセスを示す図である。
【図４】ウエハの周縁部に高分子化合物層を形成する方法の例を示す図である。
【図５】高分子化合物層の酸化を説明するための図である。
【図６】シリコン酸化膜をマスクとするリン拡散を説明するための図である。
【図７】熱処理工程における連続熱処理炉の断面図の例である。
【図８】第３の実施の形態におけるシリカを含む高分子化合物層を示す図である。
【符号の説明】
【００３５】
１    半導体ウエハ
２    高分子化合物層
３    ドーパントを含む溶液
４    シリコン酸化膜
５    五酸化リン
６    Ｎ型領域
８    ＰＮ接合
９    裏面電極
１０  Ｐ＋層
１１  表面電極
１２  酸化シリコン粒子
１３  酸化シリコン粒子を含む高分子化合物層
１５  熱処理炉
１６  ベルトコンベアのベルト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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