(57)【要約】【課題】トッププレ−ト上にタッチ入力部を充分に確保することができ、タッチ入力検出の応答性がよく、ノイズによる誤検出を防止することができる加熱調理器を提供する。【解決手段】キッチンに組に込まれる調理器本体上面のトッププレ−トの下方に誘導加熱コイル８が配置され、張出し部の上面のタッチ入力部に対応してその張出し部下面側に複数の検出電極Ｐ１１〜Ｐ４４が設けられ、前記タッチ入力部に対して手指が接触されて対応する検出電極の静電容量が変化することに基づき各検出電極Ｐ１１〜Ｐ４４に対するタッチ入力を個別に検出するマイクロコンピュータ３０が設けられ、マイクロコンピュータ３０は、複数の検出電極Ｐ１１〜Ｐ４４に対して高周波で充放電させ、この検出電極の充放電による電荷量を検出し、その検出値の変化量を検出することにより当該検出電極の容量変化を検出してタッチ入力を判定する。【選択図】図１
2008293887.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キッチンに組に込まれる調理器本体と、
この調理器本体の上面の開口にこれを覆うよう設けられ、前縁部に前方に張出して金属製の支持部で支持される張出し部を有するトッププレ−トと、
このトッププレ−トの下方に配設された誘導加熱コイルと、
前記トッププレ−トの張出し部の上面に設けられ、使用者の手指が接触可能なタッチ入力部と、
このタッチ入力部に対応して前記トッププレ−トの張出し部下面側に設けられた複数の検出電極と、
前記タッチ入力部に対して手指が接触されることにより対応する検出電極の静電容量が変化することに基づき各検出電極に対するタッチ入力を個別に検出するタッチ入力検出手段と、
このタッチ入力検出手段の検出結果に応じた調理条件で前記誘導加熱コイルを制御する加熱制御手段とを備え、
前記タッチ入力検出手段は、前記複数の検出電極に対して高周波で充放電させる充放電手段と、この検出電極の充放電による電荷量を検出する電荷量検出手段と、この電荷量検出手段の検出値の変化量を検出することにより当該検出電極の容量変化を検出してタッチ入力を判定する判定手段とを有し、
前記タッチ入力検出手段及び加熱制御手段は、マイクロコンピュ−タにより構成されていることを特徴とする加熱調理器。
【請求項２】
マイクロコンピュ−タは、検出電極の電荷量の検出値に基づき検出基準値を設定して検出値がこの検出基準値を超えたときにタッチ入力と判定するとともに、前記検出基準値を所定時間毎に補正することを特徴とする請求項１記載の加熱調理器。
【請求項３】
マイクロコンピュ−タは、複数の検出電極を順次スキャニングしてタッチ入力の検出を行なうとともに、検出電極毎に検出基準値を設定することを特徴とする請求項２記載の加熱調理器。
【請求項４】
マイクロコンピュ−タは、複数の検出電極を順次スキャニングしてタッチ入力の検出を行なうとともに、検出電極の１スキャニング当たりの検出回数が可変であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の加熱調理器。
【請求項５】
マイクロコンピュ−タは、検出値が検出基準値を超えている接触継続時間を検出し、この接触継続時間が所定時間以上となったときに異常と判定することを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の加熱調理器。
【請求項６】
マイクロコンピュ−タは、検出値が検出基準値から離れる方向に変化したときには、前記検出基準値を再設定することを特徴とする請求項２ないし５のいずれかに記載の加熱調理器。
【請求項７】
マイクロコンピュ−タは、検出値が検出基準値を超えている接触継続時間を検出するとともに、検出値の変化率を検出し、前記接触継続時間が所定時間以上でかつ前記変化率が所定値以上のときに前記検出基準値を再設定することを特徴とする請求項２ないし６のいずれかに記載の加熱調理器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トッププレ−ト上にタッチ入力部を備えた加熱調理器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、加熱調理器としては、調理器本体の上面の開口にトッププレ−トが配置されこのトッププレ−トの下方に加熱手段として誘導加熱コイルが配置されて構成され、さらに、前記トッププレ−トのタッチ入力部に使用者の手指が触れることにより調理条件の設定を行うための複数のタッチキ−を備え、これらのタッチキ−からの信号を入力して前記誘導加熱コイルへ供給する電力を制御する制御部を備えた構成のものがある。そして、前記タッチキ−は、高周波電圧を出力する発振部と、前記発振部の出力電圧を降下させる所定のインピ−ダンスを有する電圧降下部と、前記トッププレ−トのタッチ入力部に設けられ前記電圧降下部の出力電圧が印加される電極部と、前記電極部の端子電圧を検出する検出部とを備え、前記検出部は、前記電極部に印加した高周波電圧を整流し直流電圧に変換する整流部と、前記整流部の出力電圧を検出する直流電圧検出部とを備え、前記制御部は、前記直流電圧検出部の検出結果から前記タッチ入力部に手指が触れてないときの前記整流部の出力電圧値と前記タッチ入力部に手指が触れたときの前記整流部の出力電圧値との差を演算し、前記整流部の出力電圧値の差が所定値以上あるとき前記タッチ入力部に手指が触れたと判定するように構成されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３８０７３１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の構成では、特にキッチン組み込み式の加熱調理器の場合には、組み込みスペ−スが限られるので、トッププレ−トの大きさに余裕をもたせることができず、タッチ入力部を充分に確保することは困難である。
また、電極部に印加した高周波電圧を整流し直流電圧に変換する整流部有するので、タッチ入力検出に時間を要して応答性が悪い。
さらに、加熱手段が誘導加熱コイルの場合、誘導加熱コイルにはインバ−タにより２０ＫＨｚ〜７０ＫＨｚの高周波電流が供給されるのが一般的であるが、このため、インバ−タの発生するノイズも整流部で整流されて出力電圧値となり、タッチ入力の誤検出が生じる問題がある。
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、トッププレ−ト上にタッチ入力部を充分に確保することができながらも、タッチ入力検出の応答性がよく、ノイズによる誤検出を防止することができる加熱調理器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の加熱調理器は、キッチンに組に込まれる調理器本体と、この調理器本体の上面の開口にこれを覆うよう設けられ前縁部に前方に張出して金属製の支持部で支持される張出し部を有するトッププレ−トと、このトッププレ−トの下方に配設された誘導加熱コイルと、前記トッププレ−トの張出し部の上面に設けられ使用者の手指が接触可能なタッチ入力部と、このタッチ入力部に対応して前記トッププレ−トの張出し部下面側に設けられた複数の検出電極と、前記タッチ入力部に対して手指が接触されることにより対応する検出電極の静電容量が変化することに基づき各検出電極に対するタッチ入力を個別に検出するタッチ入力検出手段と、このタッチ入力検出手段の検出結果に応じた調理条件で前記誘導加熱コイルを制御する加熱制御手段とを備え、前記タッチ入力検出手段は、前記複数の検出電極に対して高周波で充放電させる充放電手段と、この検出電極の充放電による電荷量を検出する電荷量検出手段と、この電荷量検出手段の検出値の変化量を検出することにより当該検出電極の容量変化を検出してタッチ入力を判定する判定手段とを有し、前記タッチ入力検出手段及び加熱制御手段は、マイクロコンピュ−タにより構成されていることを特徴とする。
【０００６】
このような構成によれば、トッププレ−トの前縁部に前方に張出して金属製の支持部で支持される張出し部が設けられ、この張出し部の上面に使用者の手指が接触可能なタッチ入力部が設けられ、このタッチ入力部に対応して前記張出し部の下面側に複数の検出電極が設けられるようにしたので、キッチン組み込み式であってもタッチ入力部のスペ−スを充分に確保することができる。
【０００７】
また、各検出電極に対するタッチ入力を個別に検出するタッチ入力検出手段は、複数の検出電極に対して高周波で充放電させる充放電手段と、この検出電極の充放電による電荷量を検出する電荷量検出手段と、この電荷量検出手段の検出値の変化量を検出することにより当該検出電極の容量変化を検出してタッチ入力を判定する判定手段とを有するように構成されているので、従来のような整流部の必要はなくて、タッチ入力検出の応答性がよく、ノイズの影響も少ない。
【０００８】
そして、タッチ入力検出手段及び加熱制御手段は、マイクロコンピュ−タにより構成されているので、タッチ入力検出の応答性は一層よいものとなり、また、ノイズの影響もデジタル処理にてなくすことができて、ノイズによるタッチ入力検出の誤動作を防止することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の加熱調理器は、トッププレ−トの張出し部の上面側及び下面側にタッチ入力部及び検出電極が設けられ、前記検出電極に高周波により充放電させることに基づき各検出電極のタッチ入力を検出するタッチ入力検出手段及びこのタッチ入力検出手段の検出結果に応じた調理条件で誘導加熱コイルを制御する加熱制御手段がマイクロコンピュ−タで構成されているので、トッププレ−ト上にタッチ入力部を充分に確保することができながらも、タッチ入力検出の応答性がよく、ノイズによる誤検出を防止することができる、という優れた効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の第１の実施例につき、図１ないし図１１を参照しながら説明する。図２には、キッチンキャビネット１に、加熱調理器２が組み込まれた状態の外観斜視図が示されている。また、図３は、トッププレ−トを外した状態で示す調理器本体３の平面図である。加熱調理器２の調理器本体３は、キャビネット１に設けられた開口４に落とし込み状態に組み込まれている。この調理器本体３の下部には、ロ−スタ部５が設けられている。
【００１１】
前記調理器本体３は、図３に示すように、矩形状をなす金属製の筐体から構成されて上面が開口しており、内部の手前側に加熱手段としての２つの誘導加熱コイル８、９が設けられ、中央奥部に別の加熱手段として例えばラジエントヒ−タからなるヒ−タ１０が設けられている。また、この調理器本体３内には、図４に示すように、主回路基板１１が主回路基板ホルダ１１ａを介して配設されており、この主回路基板１１には、図６にも示すように、多数の加熱強度表示用の発光ダイオ−ド１２ｄ１〜１２ｄｎが実装されているとともに、例えば蛍光表示管からなる表示器１３が実装されている。さらに、調理器本体３の開口３ａの内面には、配線用中間基板１４がホルダ１４ａを介して取り付けられている。この配線用中間基板１４は、複数（後述する検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄの数と対応）の接続パタ−ン（図示せず）が形成されている。
【００１２】
上記発光ダイオ−ド１２ｄ１〜１２ｄｎは、発光案内部材１２ａに収容されていて、図６に示すように、矩形状の表示形態となる。この発光ダイオ−ド１２ｄ１〜１２ｄｎの数は、後述の検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎの数と同数としている。
図４及び図５に示すように、前記調理器本体３の開口３ａの周縁部には、上面に絶縁体１５ａを有する金属製の支持部たるフランジ部１５が設けられており、このフランジ部１５が前記キャビネット１の開口４の縁部に配置されている。
【００１３】
さらに、図４ないし図６に示すように、前記調理器本体３の上面には、開口３ａを覆うように、つまり前記誘導加熱コイル８、９及びヒ−タ１０を上方から覆うように、耐熱ガラス製のトッププレ−ト１６が設けられている。この場合、このトッププレ−ト１６の前縁部は調理器本体３より外側（前後方向及び左右方向）へ張出して張出し部１６ａに形成されており、この張出し部１６ａは前記フランジ部１５により支持されている。このトッププレ−ト１６において、左右の誘導加熱コイル８、９及びヒ−タ１０の上方に対応する部位はそれぞれ円形の加熱部１７、１８、１９とされている。表示部１７ａ、１８ａ、１９ａの内部領域が加熱部１７、１８、１９に相当する。
【００１４】
前記トッププレ−ト１６において、加熱部１７、１８の前側には、前記発光ダイオ−ド１２ｄ１〜１２ｄｎからなる調理条件表示手段としての調理条件表示部２０（図６参照）が形成されている。この調理条件表示部２０の上側及び下側に、調理条件たる加熱条件である加熱温度及び加熱強度を表示する加熱温度文字表示部２１ａ及び加熱強度文字表示部２１ｂが印刷により形成されている。なお、表示器１３も調理条件表示手段たるものである。
【００１５】
さらに、このトッププレ−ト１６の張出し部１６ａの上面には、図６に示すように、前記加熱部１７の前方に位置してタッチ入力部２２、単一タッチ入力部２３〜２５が設けられている。タッチ入力部２２は調理条件たる加熱条件設定用である。また、単一タッチ入力部２３〜２５は、制御切換用であり、そのうち、単一タッチ入力部２３は調理条件たる調理メニュ−設定用、単一タッチ入力部２４は電源オン用、単一タッチ入力部２５は電源オフ用である。タッチ入力部２２は、使用者の手指の接触位置を任意に変更できる長さの領域（所定領域）を有する形態に、つまり長尺形態に、トッププレ−ト１６上に印刷膜により形成されている。
【００１６】
また、単一タッチ入力部２３〜２５も、トッププレ−ト１６上に印刷膜により形成されている。前記加熱モ−ド設定用の単一タッチ入力部２３は、通常加熱、天ぷら、炊飯などの調理に適した加熱モ−ドを設定するためのものである。
前記トッププレ−ト１６の張出し部６ａの下面側には、前記タッチ入力部２２に対応して多数（複数）の検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎが設けられており、この検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎは、後述する基板２８に導体パタ−ンにより形成されていて、相互に手指による同時タッチ入力が可能な配置間隔で設けられている。なお、この検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎは、トッププレ−ト１６の下面側に存在するので、実際に手指が接触することはない。
【００１７】
ここで、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎは、トッププレ−ト１６の張出し部６ａの下面に設けた基板２８（図５参照）に形成されている。すなわち、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎは同じ構成であるので、検出電極２６Ｄ１について述べる。基板２８の上面には、前記検出電極２６Ｄ１が導体パタ−ンにより形成され、基板２８の下面には、この検出電極２６Ｄ１とスル−ホ−ル２６ａを介して導通する接続導体部２６ｂが形成されている。本実施例の各種の電気電子回路は、前記主回路基板１１に実装されており、この主回路基板１１の接続部（図示せず）に、前記検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎの各接続導体部２６ｂが、接続導体１４ｂ、配線用中間基板１４の接続パタ−ン及びハ−ネス２７介して接続されている。
【００１８】
前記各検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎは、前記調理条件表示部２０と対応して設けられており、各検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎは、図６に示すように、左側のものから右側へ、順次、加熱条件（加熱強度あるいは加熱温度）を大なる方向へ設定するようになっている。
前記単一タッチ入力部２３〜２５に対応するトッププレ−ト１６の張出し部１６ａの下面側には、単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄが設けられており、この単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄも前記基板２８の上面に形成されている。この場合、この単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄの配置間隔は、前記検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ相互の配置間隔よりも広く設定されて誤検出防止が図られている。これらの単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄも、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎと同様にして主回路基板１１の接続部に接続されている。
【００１９】
次に、本実施例の電気的構成について図１及び図７を参照して説明する。
図１において、検出電極Ｐ１１〜Ｐ１４、Ｐ２１〜Ｐ２４．Ｐ３１〜Ｐ３４及びＰ４１〜Ｐ４４は、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄに１対１で対応するものであるが、説明の便宜上このように示す。
【００２０】
検出電極Ｐ１１〜Ｐ１４、Ｐ２１〜Ｐ２４．Ｐ３１〜Ｐ３４及びＰ４１〜Ｐ４４は、マトリックス回路２９を構成する。すなわち、検出電極Ｐ１１〜Ｐ１４の一方の端子は信号線Ｌ１に接続され、検出電極Ｐ２１〜Ｐ２４の一方の端子は信号線Ｌ２に接続され、検出電極Ｐ３１〜Ｐ３４の一方の端子は信号線Ｌ３に接続され、検出電極Ｐ４１〜Ｐ４４の一方の端子は信号線Ｌ４に接続されている。また、検出電極Ｐ１１〜Ｐ４１の他方の端子は信号線Ｒ１に接続され、検出電極Ｐ１２〜Ｐ４２の他方の端子は信号線Ｒ２に接続され、検出電極Ｐ１３〜Ｐ４３の他方の端子は信号線Ｒ３に接続され、検出電極Ｐ１４〜Ｐ４４の他方の端子は信号線Ｒ４に接続されている。
【００２１】
マトリックス回路２９において、信号線Ｌ１〜Ｌ４は、抵抗器Ｒ１１〜Ｒ１４を介して制御手段たるマイクロコンピュ−タ３０の出力ポ−トＧ１〜Ｇ４にそれぞれ接続され、信号線Ｒ１〜Ｒ４は、抵抗器Ｒ２１〜Ｒ２４を介してマイクロコンピュ−タ３０の入力ポ−トＤ１ａ〜Ｄ４ａにそれぞれ接続されている。さらに、マイクロコンピュ−タ３０の入力ポ−トＤ１ａ〜Ｄ４ａは、コンデンサＣ１〜Ｃ４を介してマイクロコンピュ−タ３０の入力ポ−トＤ１ｂ〜Ｄ４ｂにそれぞれ接続され，これらの入力ポ−トＤ１ｂ〜Ｄ４ｂは、抵抗器Ｒ３１〜Ｒ３４をそれぞれ介してマイクロコンピュ−タ３０の入力ポ−トＩに接続されている。
マイクロコンピュ−タ３０の入出力ポ−トには、インバ−タ制御回路３１が接続されている。このインバ−タ制御回路３１は、誘導加熱コイル８に高周波電流を供給するインバ−タ３２を制御する。
【００２２】
さて、図７は、図１に示す電気的構成の一部を取り出して示すもので、特に検出電極Ｐ１１の部分を代表して示す。すなわち、検出電極Ｐ１１は、対向する２つの電極部Ｐａ、Ｐｂからなり、一方の電極Ｐａが抵抗器Ｒ１１を介してタッチ入力検出手段３３の出力ポ−トＧ１に接続され、他方の電極部Ｐｂが抵抗器Ｒ２１を介してタッチ入力検出手段３３の入力ポ−トＤ１ａに接続され、この入力ポ−トＤ１ａがタッチ入力検出手段３３の入力ポ−トＤ１ｂにコンデンサＣ１を介してタッチ入力検出手段３３の入力ポ−トＤ１ｂに接続され、そして、入力ポ−トＤ１ｂが抵抗器Ｒ３１を介してタッチ入力検出手段３３の入力ポ−トＩに接続されている。
【００２３】
このことから明らかなように、タッチ入力検出手段３３は、マイクロコンピュ−タ３０によって構成されるものであるが、以下においては、説明の便宜上、ハ−ドウエアの構成として述べる。タッチ入力検出手段３３は、放電タイミング制御部３３ｂを含む充放電手段３３ａ、電荷量検手段たる電圧検出部３３ｃ及び判定手段３３ｄを備えている。
【００２４】
充放電手段３３ａの充放電タイミング制御部３３ｂにおいて、充電タイミング電圧Ｖ１を出力する出力端子は、スイッチング素子たるＦＥＴＱ１ａ、Ｑ１ｂのゲ−トに接続され、放電タイミング電圧Ｖ２を出力する出力端子は、スイッチング素子たるＦＥＴＱ２のゲ−ト及び電圧検出部３３ｃの１つの入力端子に接続され、計測終了電圧Ｖ３を出力する出力端子は、スイッチング素子たるＦＥＴＱ３のゲ−ト及び電圧検出部３３ｃの他の入力端子に接続されている。なお、電圧検出部３３ｃのもう１つの入力端子は、入力ポ−トＩに接続されている。
【００２５】
ＦＥＴＱ１ａにおいて、ソ−スはグランドＧＮＤ（０Ｖ）に接続され、ドレインは出力ポ−トＧ１に接続され、ソ−ス、ドレイン間にはダイオ−ドＤａが接続されている。ＦＥＴＱ１ｂにおいて、ソ−スは入力ポ−トＤ１ｂに接続され、ドレインは負電圧−Ｖｓｓ（−５Ｖ）の負直流電源に接続され、ソ−ス、ドレイン間にはダイオ−ドＤｂが接続されている。ＦＥＴＱ２において、ソ−スはグランドＧＮＤに接続され、ドレインは入力ポ−トＤ１ａに接続されているとともにＦＥＴＱ３のソ−スに接続されており、さらに、ＦＥＴＱ３のドレインは負電圧−Ｖｓｓ（−５Ｖ）の負直流電源に接続されている。
【００２６】
そして、電圧検出部３３ｃの出力端子は、判定手段３３ｄの入力端子に接続されている。電圧検出部３３ｃは、後述するように、入力ポ−トＩの検出電圧Ｖｓｉ（負（−）電圧）を入力して検出タイミング時の検出電圧Ｖｓｉを容量検出値としての検圧検出値Ｖｎｃとして検出し、判定手段３３ｄに与える。判定手段３３ｄは、この電圧検出値Ｖｎｃと後述する検出基準値Ｖｎｓとを比較し、電圧検出値Ｖｎｃが検出基準値Ｖｎｓを超えている（負方向に大）と判定したときにタッチ入力検出としてタッチ検出信号Ｖｔｏｃを出力するようになっている。
【００２７】
以上の図７のタッチ入力検出手段３３は、マイクロコンピュ−タ３０における出力ポ−トＧ１と入力ポ−トＤ１ａ、Ｄ１ｂとに関して設けられたものであるが、出力ポ−トＧ２と入力ポ−トＤ２ａ、Ｄ２ｂとに関して、出力ポ−トＧ３と入力ポ−トＤ３ａ、Ｄ３ｂとに関して。及び、出力ポ−トＧ４と入力ポ−トＤ４ａ、Ｄ４ｂとに関してもタッチ入力検出手段３３と同様のタッチ入力検出手段が設けられている。
【００２８】
次に、本実施例の作用につき、図８ないし図１１をも参照しながら説明する。
マイクロコンピュ−タ３０の概略的な動作は、以下の通りである。すなわち、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎのいずれか１つの検出電極に対するタッチ入力が検出されると、当該検出電極に対応して予め割り当てられた調理条件が設定される。この実施例では、当該検出電極の左方からの順位に応じた加熱強度あるいは加熱温度が設定される。また、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎのいずれか１つの検出電極に対してタッチ入力が検出された場合には、当該１つの検出電極に対応して予め定められた加熱条件表示パタ−ンを調理条件表示部２０に表示させる。
【００２９】
使用者が単一タッチ入力部２３に対して、そのほぼ真上から手指を接触させると、単一検出電極２３Ｄに対するタッチ入力が正確に検出され、タッチ入力の回数に応じて、通常加熱、天ぷら、炊飯などの調理に適した加熱モ−ドが選択設定される。他の単一タッチ入力部２４、２５に対しても、そのほぼ真上から手指を接触させると、単一検出電極２４Ｄ、２５Ｄに対するタッチ入力が正確に検出される。従って、電源オン用の単一タッチ入力部２４の単一検出電極２４Ｄに対するタッチ入力が検出された場合には、加熱制御手段としても機能するマイクロコンピュ−タ３０は、上述した調理条件たる加熱モ−ド、加熱条件で調理を実行させるべく、インバ−タ制御回路３１を介してインバ−タ３２を制御し、以て、誘導加熱コイル８を駆動制御する。
【００３０】
さて、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄに対するタッチ入力の検出に関して説明する。マイクロコンピュ−タ３０は、図８に示すように、出力ポ−トＧ１、Ｇ２、Ｇ３及びＧ４から２ｍｓｅｃの検出期間信号Ｔ１（時刻ｔｃ１−ｔｃ２）、Ｔ２（時刻ｔｃ２−ｔｃ３）、Ｔ３（時刻ｔｃ３−ｔｃ４）及びＴ４（ｔｃ４−ｔｃ５）を１周期（８ｍｓｅｃ）として順次出力し、出力ポ−トＧ１、Ｇ２、Ｇ３及びＧ４とマトリックスを構成する入力ポ−トＤ１ｂ、Ｄ２ｂ、Ｄ３ｂ及びＤ４ｂに検出期間信号Ｔ５（時刻ｔｃ１−ｔｃ５）、Ｔ６（時刻ｔｃ５−ｔｃ９）、Ｔ７（時刻ｔｃ９−ｔｃ１３）及びＴ８（時刻ｔｃ１３−ｔｃ１７）を１周期（３２ｍｓｅｃ）として順次出力する。
【００３１】
この場合、検出期間信号Ｔ１〜Ｔ７は、実際のハイレベル、ロウレベルの信号ではなく、検出期間を示す便宜上の信号である。すなわち、各検出期間信号Ｔ１（時刻ｔｃ１−ｔｃ２）、Ｔ２（時刻ｔｃ２−ｔｃ３）、Ｔ３（時刻ｔｃ３−ｔｃ４）及びＴ４（ｔｃ４−ｔｃ５）の期間においては、マイクロコンピュ−タ３０は、出力くポ−トＧ１、Ｇ２、Ｇ３及びＧ４から、インバ−タ３２より誘導加熱コイル８に与えられる高周波の周波数２０ＫＨｚ〜７０ＫＨｚよりも高い高周波の周波数２００ＫＨｚの放電タイミング電圧Ｖ１（図９（ａ）参照）に対応した高周波電圧を出力する。検出期間信号Ｔ５（時刻ｔｃ１−ｔｃ５）、Ｔ６（時刻ｔｃ５−ｔｃ９）、Ｔ７（時刻ｔｃ９−ｔｃ１３）及びＴ８（時刻ｔｃ１３−ｔｃ１７）の期間においては、マイクロコンピュ−タ３０は、入力ポ−トＤ１ｂ、Ｄ２ｂ、Ｄ３ｂ及びＤ４ｂにおいて入力ポ−トＩに与えられる検出電圧Ｖｉの検出を可能とする。
【００３２】
図９は、図７に示す検出電極Ｐ１１に関する各部の電圧波形であり、（ｂ）図の放電タイミング電圧Ｖ２は充電タイミング電圧Ｖ１を反転した電圧、（ｃ）図の計測終了電圧Ｖ３は、時刻ｔｃ１から時刻ｔｃ２より放電タイミング信号Ｖ１の１サイクル分長い時刻ｔｃ２´までの間ロウレベルとなる電圧である。以下、図７について説明する。
【００３３】
放電タイミング制御部３３ｂは、検出指令ＳＴが与えられると（これはマイクロコンピュ−タ３０のプログラムに基づく）、出力ポ−トＧ１及び入力ポ−トＤ１ｂが検出期間信号Ｔ１及びＴ５の期間となる。今、タッチ入力部２２に使用者が手指を触れない状態において、充電タイミング電圧Ｖ１がハイレベルになると、ＦＥＴＱ１ａ、Ｑ１ｂがオンになり、ＦＥＴＱ１ａのソ−スがグランドＧＮＤ（０Ｖ）に接続されかつＦＥＴＱ１ｂのドレインがが−Ｖｓｓ（−５Ｖ）の負直流電源に接続される。これにより、検出電極Ｐ１１において、電極部Ｐａ、Ｐｂ間に（寄生）静電容量Ｃ０１が生じるとともに、グランドＧＮＤと電極部Ｐｂとの間に（寄生）静電容量Ｃ０２（Ｃ０＝Ｃ０１＋Ｃ０２）が生じる。そして、グランドＧＮＤ、ＦＥＴＱ１ａのソ−ス、ドレイン、抵抗器Ｒ１１、検出電極Ｐ１１の電極部Ｐａ、静電容量Ｃ０１、電極部Ｐｂ、抵抗器Ｒ２１、コンデンサＣ１、ＦＥＴＱ１ｂのソ−ス、ドレイン及び−Ｖｓｓ（−５Ｖ）の負直流電源の経路で静電容量Ｃ０１及びコンデンサＣ１が充電されるとともに、グランドＧＮＤ、静電容量Ｃ０２、検出電極Ｐ１１の電極部Ｐｂ，抵抗器Ｒ２１、コンデンサＣ１、ＦＥＴＱ１ｂのソ−ス、ドレイン及び−Ｖｓｓ（−５Ｖ）の負直流電源の経路で静電容量Ｃ０２及びコンデンサＣ１が充電される。
【００３４】
充電タイミング電圧Ｖ１がロウレベルになり、代わりに、放電タイミング電圧Ｖ２が
ハイレベルになると、ＦＥＴＱ１ａ、Ｑ１ｂがオフし、ＦＥＴＱ２がオンする。これにより、静電容量Ｃ０１の充電電荷は、電極部Ｐａ、抵抗器Ｒ１１、ダイオ−ドＤａ、グランドＧＮＤ、ＦＥＴＱ２のソ−ス、ドレイン、抵抗器Ｒ２１及び電極部Ｐｂの経路で放電するとともに、静電容量Ｃ０２の充電電荷は、ＦＥＴＱ２のソ−ス、ドレイン、抵抗器Ｒ２１及び電極部Ｐｂの経路で放電する。この場合、ＦＥＴＱ２がオンしてもコンデンサＣ１の放電経路は形成されないので、コンデンサＣ１の充電電荷は保持される。以下、同様にして、充電タイミング電圧Ｖ１と放電タイミング電圧Ｖ２とが交互にハイレベルになることにより、コンデンサＣ１の端子電圧Ｖｓは、図９（ｄ）に示すように、徐々に上昇する。また、入力ポ−トＩの検出電圧Ｖｉは、図９（ｅ）に示すように、ＦＥＴＱ１ｂがオンのときには、ＦＥＴＱ１ｂのソ−スが−Ｖｓｓ（−５Ｖ）になるので、その−Ｖｓｓ（−５Ｖ）となり、ＦＥＴＱ２がオンのときには、コンデンサＣ１の充電電圧分だけ負（−）方向に段階的に大きくなる。
【００３５】
電圧検出部３３ｃは、検出期間信号Ｔ１の終了時点ｔｃ２において放電タイミング信号Ｖ２がロウレベルからハイレベルに立ち上がると、ＦＥＴＱ２がオンしてそのソ−スがグランドＧＮＤに接続されることにより入力ポ−トＩの検出電圧Ｖｉを読み込み可能となり、このときには、コンデンサＣ１の端子電圧Ｖｓは、図９（ｄ）に示すように、電圧Ｖｓ´となっているものとする。そして、検出電圧Ｖｉは、電圧Ｖｓ´分だけ負（−）方向に大きくなった値となり、電圧検出部３３ｃは、この電圧値を電圧検出値Ｖｎｃ（図９（ｅ）参照）として読み込んで記憶する。充放電タイミング制御部３３ｂから出力される計測終了電圧Ｖ３は、図９（ｃ）に示すように、時刻ｔｃ１−ｔｃ２間はロウレベルであるが、時刻ｔｃ２´になるとハイレベルになる。これにより、ＦＥＴＱ３がオンして、そのドレインが−Ｖｓｓ（−５Ｖ）の負直流電源に接続され、コンデンサＣ１は、ＦＥＴＱ３のソ−ス、ドレイン、−Ｖｓｓ（−５Ｖ）の負直流電源及びダイオ−ドＤｂの経路で放電するようになり、図９（ｄ）に示すように、コンデンサＣ１の端子電圧Ｖｓは零（０）になる。
【００３６】
マイクロコンピュ−タ３０は、検出電極Ｐ１１に対する電圧検出値Ｖｎｃの検出を複数回実行しての平均の電圧検出値Ｖｎｃを得、図１０に示すように、この平均の電圧検出値Ｖｎｃより閾値分（例えば平均の電圧検出値Ｖｎｃの２％分）だけ負方向に大きな検出基準値Ｖｎｓを設定する。
【００３７】
以上のように、マイクロコンピュ−タ３０は、出力ポ−トＧ１の検出期間信号Ｔ１の期間においては、入力ポ−トＤ１ａ、Ｄ１ｂ及びＩに関する電圧検出部３３ｃで検出電極Ｐ１１の電圧検出値Ｖｎｃを検出して検出基準値Ｖｎｓを設定することができ、同様にして、出力ポ−トＧ２、Ｇ３及びＧ４の検出期間信号Ｔ２、Ｔ３及びＴ４をスキャニングしてその期間において、電圧検出部３３ｃで検出電極Ｐ２１、Ｐ３１及びＰ４１の電圧検出値を検出して検出基準値を設定することができる。
【００３８】
さらに、マイクロコンピュ−タ３０は、同様にして、出力ポ−トＧ１，Ｇ２、Ｇ３及びＧ４の検出期間信号Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３及びＴ４をスキャニングしてその期間において、入力ポ−トＤ２ａ、Ｄ２ｂ及びＩに関する電圧検出部で検出電極Ｐ１２、Ｐ２２、Ｐ３２及びＰ４２の電圧検出値を検出して検出基準値を設定し、出力ポ−トＧ１，Ｇ２、Ｇ３及びＧ４の検出期間信号Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３及びＴ４をスキャニングしてその期間において、入力ポ−トＤ３ａ、Ｄ３ｂ及びＩに関する電圧検出部で検出電極Ｐ１３、Ｐ２３、Ｐ３３及びＰ４３の電圧検出値を検出して検出基準値を設定し、出力ポ−トＧ１，Ｇ２、Ｇ３及びＧ４の検出期間信号Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３及びＴ４をスキャニングしてその期間において、入力ポ−トＤ４ａ、Ｄ４ｂ及びＩに関する電圧検出部で検出電極Ｐ１４、Ｐ２４、Ｐ３４及びＰ４４の電圧検出値を検出して検出基準値を設定することができる。すなわち、マイクロコンピュ−タ３０は、各検出電極Ｐ１１〜Ｐ４４毎に検出基準値（Ｖｎｓ）を設定するものである。
【００３９】
しかして、再び図７及び図９を参照して検出電極Ｐ１１のタッチ入力検出動作につき説明する。出力ポ−トＧ１の検出期間信号Ｔ１の期間において、充電タイミング電圧Ｖ１がハイレベルのときには、前述したように、（寄生）静電容量Ｃ０（Ｃ０１＋Ｃ０２）を介してコンデンサＣ１が充電されるが、使用者が検出電極Ｐ１１に対応するタッチ入力部２２の部位に手指を触れると、使用者の手指を介して電極部Ｐａ、Ｐｂ間に（寄生）静電容量Ｃｘ１が生じるとともに、使用者の人体を介して電極部ＰｂとグランドＧＮＤとの間に（寄生）静電容量Ｃｘ２が生じる。このため、検出電極Ｐ１１は、静電容量Ｃ０の他に静電容量Ｃｘ（＝Ｃｘ１＋Ｃｘ２）が加わって静電容量が変化する。従って、コンデンサＣ１は、静電容量Ｃ０の他に静電容量Ｃｘを介しても充電されるようになり、コンデンサＣ１の端子電圧Ｖｓは、静電容量Ｃ０のみを介する場合（前述の検出基準値Ｖｎｓを設定する場合）よりも大きくなる。
【００４０】
その後、電圧検出部３３ｃは、検出期間信号Ｔ１の終了時点ｔｃ２で入力ポ−トＩの検出電圧Ｖｉを検圧検出値Ｖｎｃとして読み込み記憶する。判定手段３３ｄは、前述したようにして予め設定された検出基準値Ｖｎｓと上記電圧検出値Ｖｎｃとを比較し、電圧検出値Ｖｎｃが検出基準値Ｖｎｓを超えたとき（負方向に大なるとき）にタッチ入力ありと判定してタッチ入力信号Ｖｔｏｃを出力する。他の検出電極ＰＰ１２〜Ｐ４４に対するタッチ入力検出も同様である。以上のような原理に基づいて、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄのタッチ入力検出が行なわれる。
【００４１】
マイクロコンピュータ３０は、前記検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄとしての出電極Ｐ１１〜Ｐ４４の検出基準値を所定時間毎に補正するようになっている。すなわち、マイクロコンピュータ３０は、例えば、前述したように検出電極Ｐ１１の検出基準値Ｖｎｓを設定した後所定時間が経過すると、再び新たに検出基準値を検出演算し、これが前回の検出基準値Ｖｎｓと一致しない場合は、その新たな検出基準値を検出基準値Ｖｎｓの代わりに検出基準値とするのではなく、新たな検出基準値の一定割合（例えば１／２００）の値を検出基準値Ｖｎｓに１秒毎に加算若しくは減算して補正するのである。これは、前記検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄとしての出電極Ｐ１１〜Ｐ４４の（寄生）静電容量（例えばＣ０、Ｃｘ）は、周囲の温度、加熱温度などにより変化することにより検出基準値が変化するために補正するのであり、しかも、急激な変化補正は行なわず、徐々に補正するのである。
【００４２】
また、マイクロコンピュータ３０は、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄのタッチ入力検出を行なっている場合において、電圧検出値が検出基準値から離れる方向に変化したときには、前記検出基準値を再設定するようになっている。すなわち、マイクロコンピュータ３０は、例えば、検出電極Ｐ１１において、図１１に示すように、電圧検出値Ｖｎｃが検出基準値Ｖｎｓよりも負方向に大きくなってタッチ入力を検出し（時刻ｔ１），その後、電圧検出値Ｖｎｃが検出基準値Ｖｎｓより離れる方向に変化（通常ありえない状況）して、時刻ｔ２で零（０）方向に戻ったとすると、これは、使用者の手指による接触ではないと判断する。具体的には、マイクロコンピュータ３０は、時刻ｔ１でタッチ検出部２２に高温鍋が載せられ、または、水こぼれがあり、時刻ｔ２で高温鍋が取り除かれ、または、水こぼれがふき取られたと判断する。この場合、その後の電圧検出値Ｖｎｃは、その影響受けてタッチ入力がないときにも元の値には戻らないので、マイクロコンピュータ３０は、が安定するまで（時刻ｔ３）、検出基準値Ｖｎｓをそのときの電圧検出値Ｖｎｃより閾値分（例えば電圧検出値Ｖｎｃの２％分）だけ負方向に大きな検出基準値Ｖｎｓ´を再設定する。
【００４３】
さらに、マイクロコンピュータ３０は、前述したように、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄのタッチ入力検出を行なうのであるが、いずれかの検出電極、例えば、１つの検出電極２６Ｄ１に対応する検出電極Ｐ１１のタッチ入力を検出した場合には、引き続きその検出電極Ｐ１１のタッチ入力を検出して接触継続時間を測定し、この接触継続時間が所定時間を超えたときには、異常と判定して、検出電極Ｐ１１すなわち２６Ｄ１のタッチ入力に応じた条件の加熱調理は行なわない。このように、接触継続時間が異常に長いということは、タッチ入力部２２に使用者の手指以外の物体たる鍋などが継続して載置されていることを意味しているからである。
【００４４】
このように、本実施例によれば、トッププレ−ト１６の前縁部に前方に張出して金属製のフランジ部１５で支持される張出し部１６ａが設けられ、この張出し部１６ａの上面に使用者の手指が接触可能なタッチ入力部２２及び２３〜２５が設けられ、このタッチ入力部２２及び２３〜２５に対応して前記張出し部１６ａの下面側に複数の検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄが設けられるようにしたので、キッチンキャビネット１に対する組み込み式であってもタッチ入力部２２及び２３〜２５のスペ−スを充分に確保することができる。従って、タッチ入力部２２及び２３〜２５を充分に広くとることができるので、操作性がよくなり、また、誤操作の虞もなくなる。
【００４５】
また、各検出電極に対するタッチ入力を個別に検出するマイクロコンピュータ３０で構成されるタッチ入力検出手段は、複数の検出電極に対して高周波で充放電させる充放電手段と、この検出電極の充放電による電荷量を検出する電荷量検出手段と、この電荷量検出手段の検出値の変化量を検出することにより当該検出電極の容量変化を検出してタッチ入力を判定する判定手段とを有するように構成されているので、従来のような整流部の必要はなくて、タッチ入力検出の応答性がよく、ノイズの影響も少ない。
【００４６】
そして、前述したようにタッチ入力検出手段及び加熱制御手段は、マイクロコンピュ−タ３０により構成されているので、タッチ入力検出の応答性は一層よいものとなり、また、ノイズの影響もデジタル処理にてなくすことができて、ノイズによるタッチ入力検出の誤動作を防止することができる。
【００４７】
図１２ないし図１６は本発明の第２の実施例であり、前記第１の実施例と同一部分には同一符号を付して示し、以下異なる部分について説明する。
図１２において、検出電極Ｐ１〜Ｐｎは、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄに１対１で対応するものであるが、説明の便宜上このように示す。
【００４８】
検出電極Ｐ１〜Ｐｎは、抵抗器Ｒ１１〜Ｒ１ｎ、コンデンサＣ１〜Ｃｎ及び抵抗器Ｒ２１〜Ｒ２ｎを直列に介して制御手段たるマイクロコンピュ−タ３４の出力ポ−トＧ１〜Ｇｎにそれぞれ接続され、抵抗器Ｒ１１〜Ｒ１ｎとコンデンサＣ１〜Ｃｎとの共通接続点は、マイクロコンピュ−タ３４の入力ポ−トＤ１〜Ｄｎにそれぞれ接続されている。さらに、マイクロコンピュ−タ３４の入出力ポ−トには、インバ−タ制御回路３１が接続されている。
【００４９】
さて、図１３は、図１２に示す電気的構成の一部を取り出して示すもので、特に検出電極Ｐ１の部分を代表して示す。すなわち、タッチ入力検出手段３５は、マイクロコンピュ−タ３４によって構成されるものであるが、以下においては、説明の便宜上、ハ−ドウエアの構成として述べる。タッチ入力検出手段３５は、放電タイミング制御部３５ｂを含む充放電手段３５ａと、電荷量検手段たる比較器３５ｃ及びパルスカウント部３５ｄと、判定手段３５ｅとを備えている。
【００５０】
充放電手段３５ａの充放電タイミング制御部３３５ｂにおいて、充電タイミング電圧Ｖ１を出力する出力端子は、スイッチング素子たるＦＥＴＱ１のゲ−ト及びパルスカウント部３５ｄの１つの入力端子に接続され、放電タイミング電圧Ｖ２を出力する出力端子は、スイッチング素子たるＦＥＴＱ２のゲ−ト及びパルスカウント部３５ｄの他の入力端子に接続され、計測終了電圧Ｖ３を出力する出力端子は、スイッチング素子たるＦＥＴＱ３のゲ−トに接続されている。なお、パルスカウント部３５ｄのもう１つの入力端子は、比較器３５ｃの出力端子及び充放電タイミング制御部３５ｂの入力ポ−トに接続されている。
【００５１】
ＦＥＴＱ１において、ソ−スは正電圧＋Ｖｃｃ（＋５Ｖ）の正直流電源に接続され、ドレインは出力ポ−トＧ１及びＦＥＴＱ３のソースに接続され、ＦＥＴＱ３のドレインはグランドＧＮＤ（０Ｖ）に接続されている。ＦＥＴＱ２において、ソ−スは入力ポ−トＤ１ｂに接続され、ドレインはグランドＧＮＤに接続され、ソ−ス、ドレイン間にはダイオ−ドＤｃが接続されている。
【００５２】
比較器３５ｃにおいて、一方の入力端子は出力ポートＧ１に接続され、他方の入力端子は基準値（基準電圧）Ｖｒを発生する基準電圧器３５ｆを介してグランドＧＮＤに接続されている。そして、パルスカウント部３５ｄの出力端子は、判定手段３５ｅの入力端子に接続されている。比較器３５ｃは、後述するように、出力ポ−トＧ１の端子電圧Ｖｃ（正（＋）電圧）と基準値Ｖｒとを入力して両者を比較し、端子電圧Ｖｃが基準値Ｖｒより大のときにハイレベルのパルス信号Ｖｐを出力して、パルスカウンタ部３５ｄに与える。
【００５３】
パルスカウント部３５ｄは、計測開始時点から計測終了時点までのパルス信号Ｖｐをカウントして、そのカウント検出値Ｎｃを判定手段３５ｅに与える。判定手段３５ｅは、このカウント検出値Ｎｃと後述する検出基準値Ｎｓとを比較して、カウント検出値Ｎｃが検出基準値Ｎｓより小と判定したときにタッチ入力検出としてタッチ検出信号Ｖｔｏｃを出力するようになっている。
【００５４】
以上の図１３のタッチ入力検出手段３５は、マイクロコンピュ−タ３０における出力ポ−トＧ１と入力ポ−トＤ１とに関して設けられたものであるが、出力ポ−トＧ２〜Ｇｎと入力ポ−トＤ２〜Ｄｎとに関しても、タッチ入力検出手段３５と同様のタッチ入力検出手段が設けられている。
【００５５】
次に、第２の実施例の作用につき、図１４ないし図１６をも参照しながら説明する。
マイクロコンピュ−タ３４の概略的な動作は、マイクロコンピュータ３０と同様である。すなわち、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ（図６参照）のいずれか１つの検出電極に対するタッチ入力が検出されると、当該検出電極に対応して予め定められた加熱条件が設定される。また、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎのいずれか１つの検出電極に対してタッチ入力が検出された場合には、当該１つの検出電極に対応して予め定められた加熱条件表示パタ−ンを調理条件表示部２０に表示させる。
【００５６】
使用者が単一タッチ入力部２３に対して手指を接触させると、単一検出電極２３Ｄに対するタッチ入力が正確に検出され、タッチ入力の回数に応じて、通常加熱、天ぷら、炊飯などの調理に適した加熱モ−ドが選択設定される。他の単一タッチ入力部２４、２５に対しても手指を接触させると、単一検出電極２４Ｄ、２５Ｄに対するタッチ入力が正確に検出される。従って、電源オン用の検出電極２４Ｄに対するタッチ入力が検出された場合には、加熱制御手段としても機能するマイクロコンピュ−タ３４は、上述した加熱モ−ド、加熱条件で調理を実行させるべく、インバ−タ制御回路３１を介してインバ−タ３２を制御し、以て、誘導加熱コイル８を駆動制御する。
【００５７】
さて、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄすなわち検出電極Ｐ１〜Ｐｎに対するタッチ入力の検出に関して説明する。マイクロコンピュ−タ３４は、出力ポ−トＧ１〜Ｇｎから２ｍｓｅｃの各検出期間において図１４（ａ）に示す２００ＫＨｚの充電タイミング信号Ｖ１に対応する高周波電圧をスキャニングにより出力する。この場合、この出力ポートＧ１〜Ｇｎのスキャニングの１周期は、（２×ｎ）ｍｓｅｃである。従って、出力ポートＧ１〜Ｇｎの各検出期間においてこれらと対をなす入力ポートＤ１〜Ｄｎがタッチ入力検出可能になる。
【００５８】
図１４は、図１３に示す検出電極Ｐ１に関する各部の電圧波形であり、（ｂ）図の放電タイミング電圧Ｖ２は充電タイミング電圧Ｖ１を反転した電圧、（ｃ）図の計測終了電圧Ｖ３は、時刻ｔｃ１から時刻ｔｃ２までの間ロウレベルとなる電圧である。この場合、時刻ｔｃ１−ｔｃ２間が２ｍｓｅｃである。以下、図１３について説明する。
【００５９】
放電タイミング制御部３５ｂは、検出指令ＳＴ（これはマイクロコンピュ−タ３４のプログラムに基づく）が与えられると（時刻ｔｃ１）、出力ポ−トＧ１及び入力ポ−トＤ１が検出期間となり、充放電タイミング制御部３５ｂから放電タイミング信号Ｖ１を出力する。今、タッチ入力部２２（図６参照）に使用者が手指を触れない状態において、放電タイミング電圧Ｖ１がハイレベルになると、ＦＥＴＱ１がオンになり、ＦＥＴＱ１のソ−スが＋Ｖｃｃ（＋５Ｖ）の正直流電源に接続される。これにより、検出電極Ｐ１においては、グランドＧＮＤとの間に（寄生）静電容量Ｃ０が生じる。そして、＋Ｖｃｃの正直流電源、ＦＥＴＱ１のソ−ス、ドレイン、抵抗器Ｒ１１、コンデンサＣ１、抵抗器Ｒ２１、検出電極Ｐ１、電容量Ｃ０及びグランドＧＮＤの経路でコンデンサＣ１及び静電容量Ｃ０が充電される。
【００６０】
充電タイミング電圧Ｖ１がロウレベルになり、代わりに、放電タイミング電圧Ｖ２が
ハイレベルになると、ＦＥＴＱ１がオフし、ＦＥＴＱ２がオンする。これにより、静電容量Ｃ０の充電電荷は、検出電極Ｐ１、抵抗器Ｒ１１、ＦＥＴＱ２のソ−ス、ドレイン及びグランドＧＮＤの経路で放電する。この場合、ＦＥＴＱ２がオンしてもコンデンサＣ１の放電経路は形成されないので、コンデンサＣ１の充電電荷は保持される。以下、同様にして、充電タイミング電圧Ｖ１と放電タイミング電圧Ｖ２とが交互にハイレベルになることにより、コンデンサＣ１の端子電圧Ｖｓは、図１４（ｄ）に示すように、徐々に上昇する。また、出力ポ−トＧ１の端子電圧Ｖｃは、図１４（ｅ）に示すように、ＦＥＴＱ１がオンのときには、ＦＥＴＱ１のソ−スが＋Ｖｃｃ（＋５Ｖ）になるので、その＋Ｖｃｃ（＋５Ｖ）となり、ＦＥＴＱ２がオンのときには、コンデンサＣ１の端子電圧（充電電圧分）Ｖｓになる。
【００６１】
比較器３５ｃは、端子電圧Ｖｃと基準値Ｖｒとを比較して端子電圧Ｖｃが基準値Ｖｒより大なるときにハイレベルになるので、ＦＥＴＱ１がオンのときにはハイレベル及びＦＥＴＱ２がオンのときにはロウレベルになるパルス信号Ｖｐ（図１４（ｆ）参照）を出力する。パルスカウント部３５ｄは、このパルス信号Ｖｐを時刻ｔｃ１の時点からカウントし、時刻ｔｃ２の時点でそのカウント値をカウント検出値Ｎｃとして判定手段３５ｅに与える。
【００６２】
一方、充放電タイミング制御部３５ｂから出力される計測終了電圧Ｖ３は、図１４（ｃ）に示すように、時刻ｔｃ２になるとハイレベルになる。これにより、ＦＥＴＱ３がオンしてそのドレインがグランドＧＮＤに接続され、コンデンサＣ１は、抵抗器Ｒ２１、ＦＥＴＱ３のソ−ス、ドレイン、グランドＧＮＤ及びダイオードＤｃの経路で放電するようになり、図１４（ｄ）に示すように、コンデンサＣ１の端子電圧Ｖｓは零（０）になる。
【００６３】
マイクロコンピュ−タ３４は、検出電極Ｐ１に対するカウント検出値Ｎｃの検出を複数回実行しての平均のカウント検出値Ｎｃを得、図１５に示すように、この平均のカウント検出値Ｎｃより閾値分（例えば平均のカウント検出値Ｎｃの２％分）だけ小なる検出基準値Ｎｓを設定する。
【００６４】
以上のように、マイクロコンピュ−タ３４は、出力ポ−トＧ１の検出期間においては、入力ポ−トＤ１に関するパルスカウント部３５ｄで検出電極Ｐ１のカウント検出値Ｎｃを検出して検出基準Ｎｓを設定することができ、同様にして、出力ポ−トＧ２〜Ｇｎの検出期間をスキャニングしてその期間においてパルスカウント部で検出電極Ｐ２〜Ｐｎのカウント検出値を検出して検出基準値を設定することができる。すなわち、マイクロコンピュ−タ３４は、各検出電極Ｐ１〜Ｐｎ毎に検出基準値（Ｎｓ）を設定するものである。
【００６５】
しかして、再び図１３及び図１４を参照して検出電極Ｐ１のタッチ入力検出動作につき説明する。出力ポ−トＧ１の検出期間ｔｃ１−ｔｃ２において、充電タイミング電圧Ｖ１がハイレベルのときには、前述したように、（寄生）静電容量Ｃ０を介してコンデンサＣ１が充電されるが、使用者が検出電極Ｐ１に対応するタッチ入力部２２の部位に手指を触れると、使用者の手指及び人体を介して検出電極Ｐ１とグランドＧＮＤとの間に（寄生）静電容量Ｃｘが生じる。このため、検出電極Ｐ１は、静電容量Ｃ０の他に静電容量Ｃｘが加わって静電容量が変化する。従って、コンデンサＣ１は、静電容量Ｃ０の他に静電容量Ｃｘを介しても充電されるようになり、コンデンサＣ１の端子電圧Ｖｓは、静電容量Ｃ０のみを介する場合（前述の検出基準値Ｎｓを設定する場合）よりも大きくなる。
【００６６】
比較器３５ｃは、前述したように、端子電圧Ｖｃと基準値Ｖｒとの比較によりパルス信号をＶｐを出力し、パルスカウント部３５ｄは、このパルス信号Ｖｐをカウントするのであるが、端子電圧Ｖｓが基準値Ｖｒを超えると（端子電圧Ｖｓが基準値Ｖｒより大になると）、比較器３５ｃの出力信号はハイレベルのままとなってパルス信号Ｖｐを出力しなくなる。そして、パルスカウント部３５ｄは、このときのカウント値をカウント検出値Ｎｃとして記憶して判定部３５ｅに与える。
【００６７】
図１４では、端子電圧Ｖｓが基準値Ｖｒを超えた（端子電圧Ｖｓが基準値Ｖｒより大になった）時点を時刻ｔｃ２としているが、実際には、コンデンサＣ１の端子電圧Ｖｓは、静電容量Ｃ０のみを介する場合（前述の検出基準値Ｎｓを設定する場合）よりも静電容量Ｃｘが加わった場合の方が早急に大きくなるので、端子電圧Ｖｓが基準値Ｖｒを超える時点は時刻ｔｃ２より以前になる。従って、このときのカウント検出値Ｎｃは、検出基準値Ｎｓより小であるはずであり、判定手段３５ｅは、カウント検出値Ｎｃが検出基準値Ｎｓより小であることにより、検出電極Ｐ１にタッチ入力ありと判定してタッチ入力信号Ｖｔｏｃを出力する。他の検出電極Ｐ２〜Ｐｎのタッチ入力検出も同様である。以上のような原理に基づいて、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄのタッチ入力検出が行なわれる。
【００６８】
マイクロコンピュータ３４は、上記第１の実施例と同様に、前記検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄとしての出電極Ｐ１〜Ｐｎの検出基準値を所定時間毎に補正するようになっている。すなわち、マイクロコンピュータ３４は、例えば、前述したように検出電極Ｐ１の検出基準値Ｎｓを設定した後所定時間が経過すると、再び新たに検出基準値を検出演算し、これが前回の検出基準値Ｎｓと一致しない場合は、その新たな検出基準値を検出基準値ｎｓの代わりに検出基準値とするのではなく、新たな検出基準値の一定割合（例えば１／２００）の値を検出基準値Ｎｓに１秒毎に加算若しくは減算して補正するのである。
【００６９】
また、マイクロコンピュータ３４は、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄのタッチ入力検出を行なっている場合において、カウント検出値が検出基準値から離れる方向に変化したときには、前記検出基準値を再設定するようになっている。すなわち、マイクロコンピュータ３４は、例えば、検出電極Ｐ１において、図１６に示すように、カウント検出値Ｎｃが検出基準値Ｎｓよりも小になってタッチ入力を検出し（時刻ｔ１）、その後、カウント検出値Ｎｃが検出基準地Ｎｓより離れる方向に変化（通常ありえない状況）して、時刻ｔ２で増加方向に戻ったとすると、これは、使用者の手指による接触ではないと判断する。具体的には、マイクロコンピュータ３４は、時刻ｔ１でタッチ検出部２２に高温鍋が載せられ、または、水こぼれがあり、時刻ｔ２で高温鍋が取り除かれ、または、水こぼれがふき取られたと判断する。この場合、その後のカウント検出値Ｎｃは、その影響受けてタッチ入力がないときにも元の値には戻らないので、マイクロコンピュータ３４は、が安定するまで（時刻ｔ３）、検出基準値Ｎｓをそのときのカウント検出値Ｎｃより閾値分（例えばカウント検出値Ｎｃの２％分）だけ負方向に大きな検出基準値Ｎｓ´を再設定する。
【００７０】
さらに、マイクロコンピュータ３４は、前述したように、検出電極２６Ｄ１〜２６Ｄｎ及び単一検出電極２３Ｄ〜２５Ｄのタッチ入力検出を行なうのであるが、いずれかの検出電極、例えば、１つの検出電極２６Ｄ１に対応する検出電極Ｐ１のタッチ入力を検出した場合には、引き続きその検出電極Ｐ１のタッチ入力を検出して接触継続時間を測定し、この接触継続時間が所定時間を超えたときには、異常と判定して、検出電極Ｐ１すなわち２６Ｄ１のタッチ入力に応じた条件の加熱調理は行なわない。このように、接触継続時間が異常に長いということは、タッチ入力部２２に使用者の手指以外の物体たる鍋などが継続して載置されていることを意味しているからである。
このような第２の実施例によっても、前記第１の実施例同様の作用効果を得ることができる。
【００７１】
図１７は、本発明の第３の実施例を示す作用説明図であり、構成については、説明の便宜上、第２の実施例の図１２を参照する。
第２の実施例で説明したように、マイクロコンピュータ３４は、複数の検出電極Ｐ１〜Ｐｎを、この順序で各検出期間が２ｍｓｅｃをもって順次スキャニングしてタッチ入力検出を行なうのであり、スキャニングの１周期は（２×ｎ）ｍｓｅｃである。
【００７２】
これに対して、この第３の実施例では、マイクロコンピュ−タ３４は、図１７に示すように、１周期のスキャニングにおいて、１つの検出電極のタッチ入力を検出した場合、例えば、検出電極Ｐ５のタッチ入力を検知した場合には、その後に次の検出電極Ｐ６のタッチ入力検出に移るのではなく、引き続きその検出電極Ｐ５のタッチ入力検出を複数回行なわせるようにし、以て、検出電極例えばＰ５の１スキャニング当たりの検出回数を可変にしたものである。
このような構成によれば、複数回の検出をもってタッチ入力検出とするので検出の信頼性が高くなり、この場合でも、タッチ入力検出を迅速に行なうことができる。
【００７３】
なお、本発明は、上記しかつ図面に示す実施例に限定されるものではなく、次のような変形、拡張が可能である。
マイクロコンピュ−タ３０或いは３４は、電圧検出値Ｖｎｃ或いはカウント検出値Ｎｃが検出基準値Ｖｎｓ或いはＮｓを超えている接触継続時間を検出するとともに、電圧検出Ｖｎｃ或いはカウント検出値Ｎｃの変化率を検出し、前記接触継続時間が所定時間以上でかつ前記変化率が所定値以上のときに前記検出基準値Ｖｎｓ或いはＮｓを再設定するようにしてもよい。
第１の実施例において、第３の実施例のように検出電極の１スキャニング当たりの検出回数を可変にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の第１の実施例を示し、誘導加熱コイルに関する電気的構成のブロック図
【図２】加熱調理器をキッチンキャビネットに組み込んで示す斜視図
【図３】トッププレートを省略して示す平面図
【図４】基板部分の縦断側面図
【図５】タッチ入力部の部分的拡大縦断側面図
【図６】タッチ入力部部分の拡大平面図
【図７】図１に示す電気的構成の一部を取り出して示す電気的構成図
【図８】マイクロコンピュータの出力ポート及び入力ポートの検出タイミング期間を示す図
【図９】（ａ）ないし（ｅ）は作用説明用の各部の電圧波形図
【図１０】検出基準値設定のための説明図
【図１１】検出基準値再設定のための説明図
【図１２】本発明の第２の実施例を示す図１相当図
【図１３】図７相当図
【図１４】（ａ）ないし（ｆ）は作用説明用の各部の電圧波形図
【図１５】図１０相当図
【図１６】図１１相当図
【図１７】本発明の第３の実施例を示すタッチ入力検出期間を説明するための図
【符号の説明】
【００７５】
図面中、１はキッチンキャビネット、２は加熱調理器、３は調理器本体、８及び９は誘導加熱コイル（加熱手段）、１０はヒータ（加熱手段）、１１は主回路基板、１６はトッププレート、１６ａは張出し部、２０は調理条件表示部、２２はタッチ入力部、２３ないし２５は単一タッチ入力部、２３Ｄないし２５Ｄは単一検出電極、２６Ｄ１ないし２６Ｄｎ、２６Ｄｎは検出電極、２８は基板、２９はマトリックス回路、３０はマイクロコンピュータ（加熱制御手段）、３２はインバータ、３３はタッチ入力検出手段（マイクロコンピュータ）、３３ａは充放電手段、３３ｂは充放電タイミング制御部、３３ｃは電圧検出手段（電荷量検出手段）、３３ｄは判定手段、３４はマイクロコンピュータ、３５はタッチ入力検出手段（マイクロコンピュータ）、３５ａは充放電手段、３５ｂは充放電タイミング制御部、３５ｃ及び３５ｄは比較器及びパルスカウント部（電荷量検出手段）、３５ｅは判定手段、３５ｆは基準電圧器を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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