(57)【要約】【課題】支持プレート上に配置された基板の位置を判断する方法及び基板を処理する方法、並びに基板処理装置を提供する。【解決手段】支持プレート上に配置された基板の位置は、支持プレートの温度を測定することによって分かる。基板を支持プレートに配置した後に基板の温度を測定し、測定された温度を基準温度と比較した後、測定された温度が基準温度の範囲内にある場合、基板が正位置に配置されたものと判断し、測定された温度が基準温度の範囲外にある場合、基板が正位置に配置されないものと判断する。基板が正位置に配置されていないものと判断される場合に、アラームを発生するか、又は基板に対する工程を中断させる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持プレートに配置し、
前記支持プレートの温度を測定し、
前記測定された温度とプリセットされた基準温度とを比較し、
前記基板の位置を判断することを特徴とする基板の位置を判断する方法。
【請求項２】
前記測定された温度は、前記支持プレートの最低温度であることを特徴とする請求項１に記載の基板の位置を判断する方法。
【請求項３】
前記測定された温度は、プリセットされた時間が経過した後に測定された温度であることを特徴とする請求項１または２に記載の基板の位置を判断する方法。
【請求項４】
基板を支持プレート上に配置し、
前記支持プレートの温度を測定し、
前記測定された温度とプリセットされた基準温度とを比較し、
前記基板の位置が前記支持プレートのプリセットされた位置にあるかを判断することを特徴とする基板を処理する方法。
【請求項５】
前記測定された温度は、前記支持プレートの最低温度であることを特徴とする請求項４に記載の基板を処理する方法。
【請求項６】
前記測定された温度は、プリセットされた時間が経過した後に測定された温度であることを特徴とする請求項４に記載の基板を処理する方法。
【請求項７】
前記測定された温度が前記基準温度の範囲外にある場合、前記基板が前記支持プレート上の正位置に配置されていないものと判断し、
前記測定された温度が前記基準温度の範囲内にある場合、前記基板が前記支持プレート上の正位置に配置されたものと判断することを特徴とする請求項４乃至請求項６のうちのいずれか一項に記載の基板を処理する方法。
【請求項８】
前記基板が正位置に配置されていない場合には、前記基板に対する工程を中断し、
前記基板が正位置に配置された場合には、前記基板に対する工程を行うことを特徴とする請求項７に記載の基板を処理する方法。
【請求項９】
前記基板が正位置に配置されていない場合に、アラームを発生することを特徴とする請求項７に記載の基板を処理する方法。
【請求項１０】
内部で基板に対する工程が行われるプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバの内部に設置され、前記基板が配置される支持プレートと、
前記支持プレートを加熱するヒータと、
前記支持プレート上に設置されて、前記支持プレートの温度を感知する温度感知部と、
前記温度感知部から伝達された信号を介して、前記ヒータを制御する温度制御器と、
前記基板に対する工程を制御する主制御器と、を備え、
前記主制御器は、前記温度感知部で感知された温度によって、前記支持プレートに配置された前記基板の位置を判断することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
前記主制御器は、
前記支持プレートのプリセットされた基準温度が保存されているデータベース部と、
前記データベース部に保存された前記基準温度と前記温度感知部で感知された温度とを比較することによって、前記基板の位置を判断する判断部と、
を備えることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記主制御器は、前記基板が前記支持プレート上の正位置に配置されていない場合にアラームを発生するアラーム部をさらに備えることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の位置を判断する方法及び基板を処理する方法、並びに基板処理装置に関し、さらに詳細には、支持プレート上に配置された基板の位置を判断する方法及び基板を処理する方法、並びに基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体を製造するためには、フォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）を使用するリソグラフィ（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程が必須である。フォトレジストは、光に感応する有機高分子又は感光剤と高分子との混合物からなり、露光と溶解過程とを経た後に基板上にパターンを形成したフォトレジストは、基板又は基板上の膜をエッチングする過程において基板へパターンを転写させる。このような高分子をフォトレジストといい、光源を用いて基板上に微細パターンを形成させる工程をリソグラフィ工程という。
【０００３】
このような半導体の製造工程において、基板上にライン又はスペースパターンなどのような各種の微細回路パターンを形成するか、イオン注入工程においてマスクとして用いられたフォトレジストは、主にアッシング（ａｓｈｉｎｇ）工程により基板から除去される。
【０００４】
一般に用いられるアッシング工程は、高温（２００℃〜３００℃）で加熱されたヒータチャック上にウェハを配置した状態で酸素プラズマをフォトレジストと反応させてフォトレジストを除去する。反応ガスには、主に酸素（Ｏ２）ガスを使用し、アッシング効率を増加させるために、他のガスを混合して使用する場合もある。
【０００５】
このとき、ウェハは、ヒータチャック上のプリセット（あらかじめ設定）された位置に配置されなければならない。ウェハがプリセットされた位置から外れるか、又はウェハが斜めに配置されると、ヒータチャックから発生した熱はウェハに円滑に伝達されることができない。
【０００６】
図１Ａ〜図２Ｂは、支持プレート１２０上に配置されたウェハＷを示す図である。
【０００７】
図１Ａ及び図１Ｂは、支持プレート１２０上の正位置に設けられたウェハＷを示す図である。正位置状態のウェハＷは、支持プレート１２０のエッジに備えられたウェハガイド１４０の内側に配置される。
【０００８】
図２Ａ及び図２Ｂは、支持プレート１２０上に正位置から外れて配置されたウェハＷを示す図である。移送ロボット（図示せず）の誤動作によって、ウェハＷがウェハガイド１４０の上部に配置されることがある。このような場合に、ウェハガイド１４０によってウェハＷの一側が支持プレート１２０から離隔され、支持プレート１２０の熱がウェハＷの離隔された部分に伝達されない。したがって、ウェハＷの離隔された部分は、離隔されない部分に比べて温度が低く、これによってアッシング工程が十分に行われないという問題が発生した。
【０００９】
しかしながら、従来では、ウェハＷの位置を判断できる方法がなかったので、ウェハＷが正位置から外れて配置された場合にもアッシング工程を行い、これによって多量の不良ウェハＷを生産せざるを得なかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、支持プレート上に配置された基板の位置を判断する方法及び基板を処理する方法、並びに基板処理装置を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、支持プレート上に基板が正位置から外れて配置された場合に、基板に対する工程を中断できる基板の位置を判断する方法及び基板を処理する方法、並びに基板処理装置を提供することにある。
【００１２】
本発明のさらに他の目的は、次の詳細な説明と添付した図面からより明確になるはずである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成すべく、本発明の一実施の形態によれば、基板を支持プレートに配置し、支持プレートの温度を測定し、測定された温度とプリセットされた基準温度とを比較し、基板の位置を判断することを特徴とする基板の位置を判断する方法が提供される。
【００１４】
測定された温度は、支持プレートの最低温度である。
【００１５】
測定された温度は、プリセットされた時間が経過した後に測定された温度である。
【００１６】
上記の目的を達成すべく、本発明の一実施の形態によれば、基板を支持プレート上に配置し、支持プレートの温度を測定し、測定された温度とプリセットされた基準温度とを比較し、基板の位置が支持プレートのプリセットされた位置にあるかを判断することを特徴とする基板を処理する方法が提供される。
【００１７】
測定された温度は、支持プレートの最低温度である。
【００１８】
測定された温度は、プリセットされた時間が経過した後に測定された温度である。
【００１９】
測定された温度が基準温度の範囲外にある場合、基板が支持プレート上の正位置に配置されていないものと判断し、測定された温度が基準温度の範囲内にある場合、基板が支持プレート上の正位置に配置されたものと判断する。
【００２０】
基板が正位置に配置されていない場合には、基板に対する工程を中断し、基板が正位置に配置された場合には、基板に対する工程を行う。
【００２１】
基板が正位置に配置されていない場合に、アラームを発生する。
【００２２】
上記の目的を達成すべく、本発明の一実施の形態によれば、内部で基板に対する工程が行われるプロセスチャンバと、プロセスチャンバの内部に設置され、基板が配置される支持プレートと、支持プレートを加熱するヒータと、支持プレート上に設置されて、支持プレートの温度を感知する温度感知部と、温度感知部から伝達された信号を介して、ヒータを制御する温度制御器と、基板に対する工程を制御する主制御器と、を備え、主制御器は、温度感知部で感知された温度によって、支持プレートに配置された基板の位置を判断することを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００２３】
主制御器は、支持プレートのプリセットされた基準温度が保存されているデータベース部と、データベース部に保存された基準温度と温度感知部で感知された温度とを比較することによって、基板の位置を判断する判断部と、を備える。
【００２４】
主制御器は、基板が支持プレート上の正位置に配置されていない場合にアラームを発生するアラーム部をさらに備える。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、支持プレート上に配置されたウェハの位置を判断できる。特に、位置を判断するための別途の設備を設置しなくても、ウェハの位置状態を容易に判断できる。
【００２６】
また、本発明によれば、位置不良が発生した場合に、アラームを介して作業者に知らせることができ、全体工程を中断させることによって、位置不良による工程不良を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態を、添付した図３〜図８を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施の形態は、多様な形態に変形され、本発明の範囲が後述する実施の形態に限定されると解釈してはならない。本実施の形態は、単に当業者に本発明を完全に説明するために提供される。したがって、図面での要素の形状などは、明確な説明を強調するために一部が誇張されて示されている。
【００２８】
一方、以下では、アッシング装置を例に挙げて説明しているが、本発明は、ウェハ（基板）Ｗを支持プレート１２０に配置した状態で工程を行う蒸着装置をはじめとする多様な半導体の製造装置に応用できる。
【００２９】
図３は、一般的な半導体の製造設備を概略的に示す図であり、図４は、図３のバッファチャンバ２を概略的に示す図である。
【００３０】
図３に示すように、半導体の製造設備は、ウェハ移送システム１、バッファチャンバ２、トランスファモジュール５、プロセスモジュール６、及び主制御器７を備える。
【００３１】
ウェハ移送システム１は、バッファチャンバ２と隣接し、ウェハ容器（図示せず）からロードされたウェハＷをバッファチャンバ２に移送する。ウェハ容器は、清浄室内でウェハＷの格納及び運搬のために用いられるオープン型ウェハ容器と、比較的低い清浄度が維持される空間で大気中の異質物又は化学的な汚染からウェハを保護するために用いられる密閉型ウェハ容器とがある。密閉型ウェハ容器の代表的な例には、前面開放一体式容器（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）がある。また、ウェハ移送システム１の代表的な例には、設備前方端部モジュール（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｆｒｏｎｔ  Ｅｎｄ  Ｍｏｄｕｌｅ；ＥＦＥＭ）があり、米国登録特許第６，４７３，９９６号には、設備前方端部モジュールが開示されている。
【００３２】
バッファチャンバ２は、ウェハ移送システム１とトランスファモジュール５との間に配置され、図４に示すように、二段に設置された冷却ステージ３ａ、３ｂと整列ステージ４ａ、４ｂとを備える。冷却ステージ３ａ、３ｂは、プロセスモジュール６で工程が完了した後にトランスファモジュール５によりロードされたウェハＷを冷却し、整列ステージ４ａ、４ｂは、プロセスモジュール６で工程を行うために、トランスファモジュール５にロードされるウェハＷを整列させる。冷却ステージ３ａ、３ｂを用いてウェハＷを冷却する方法と、整列ステージ４ａ、４ｂを用いてウェハＷを整列する方法とは、本発明の技術分野の当業者にとって周知の事実であるので、これに対する詳細な説明は省略する。
【００３３】
トランスファモジュール５の一側は、バッファチャンバ２に接続され、トランスファモジュール５の他側は、複数のプロセスモジュール６に接続される。トランスファモジュール５内には、移送ロボット（図示せず）が設置され、移送ロボットは、整列ステージ４ａ、４ｂで整列されたウェハＷをプロセスモジュール６に移送し、プロセスモジュール６で工程が完了したウェハＷを冷却ステージ３ａ、３ｂに移送する。
【００３４】
プロセスモジュール６は、トランスファモジュール５に接続され、ウェハＷに対して工程を行う。図３には、二つのプロセスモジュール６が示されているが、三個以上のプロセスモジュール６を備えることができる。プロセスモジュール６についての詳細な説明は後述する。
【００３５】
主制御器７は、ウェハ移送システム１、バッファチャンバ２、トランスファモジュール５、及びプロセスモジュール６に接続され、ウェハＷに対する全体工程は、主制御器７によって制御される。本実施の形態では、主制御器７によって全体工程が制御されると説明しているが、これは、説明の便宜のためのものであって、主制御器７は、複数の副制御器からなることができ、複数の副制御器は、各々の設備内に設置させることができる。
【００３６】
図５は、図３のプロセスモジュール６を概略的に示す図である。図５に示すように、プロセスモジュール６は、工程処理部１０、プラズマ生成部２０、及び排気部３０を備える。工程処理部１０は、アッシング工程を含む基板処理工程を行う。プラズマ生成部２０は、アッシング工程時に用いられるプラズマを生成させ工程処理部１０に供給する。そして、排気部３０は、工程処理部１０の内部のガス及び反応副産物などを外部に排出する。
【００３７】
工程処理部１０は、ハウジング１２、ヒータチャック１００、シャワーヘッド１６、及び電源１８を備える。ハウジング１２は、アッシング工程を行うプロセスチャンバを提供する。ハウジング１２の側壁には、工程時に基板（ウェハ）Ｗの出入が行われる基板出入口１２ａが形成される。基板出入口１２ａは、スリットドア（図示せず）のような開閉部材により開閉される。そして、ハウジング１２の下部壁には、ハウジング１２内のガスを排出する排気口１２ｂが形成される。排気口１２ｂは、ヒータチャック１００の周りに形成され、後述する排気部３０に接続される。
【００３８】
ヒータチャック１００は、工程時に基板Ｗを支持する。ヒータチャック１００には、静電チャック（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ  ｃｈｕｃｋ）が使用される。また、ヒータチャック１００は、工程時に基板（ウェハ）Ｗを配置させてプリセットされた工程温度に加熱する。ヒータチャック１００についての詳細な説明は後述する。
【００３９】
シャワーヘッド１６は、ヒータチャック１００の上部面に向けてプラズマを噴射する。電源１８は、ヒータチャック１００に電力を供給する。すなわち、電源１８は、ヒータチャック１００のそれぞれにプリセットされた大きさのバイアス電力を供給する。
【００４０】
プラズマ生成部２０は、工程時にプラズマを発生させてシャワーヘッド１６に供給する。プラズマ生成部２０には、遠隔プラズマ発生装置が使用される。すなわち、プラズマ生成部２０は、マグネトロン（ｍａｇｎｅｔｒｏｎ）２２、導波管（ｗａｖｅ  ｇｕｉｄｅ  ｌｉｎｅ）２４、及びガス供給管２６を備える。マグネトロン２２は、工程時にプラズマを生成するためのマイクロ波を発生させる。導波管２４は、マグネトロン２２で生成させたマイクロ波をガス供給管２６へ誘導する。ガス供給管２６は、工程時に反応ガスを供給する。このとき、ガス供給管２６を介して供給された反応ガスは、マグネトロン２２から生成させたマイクロ波によりプラズマが発生する。プラズマ生成部２０から生成されたプラズマは、アッシング工程時に工程処理部１０のシャワーヘッド１６に供給される。
【００４１】
排気部３０は、工程処理部１０の圧力調節及び内部ガスの排気を行う。排気部３０は、主排気ライン３４及び補助排気ライン３２を備える。図５に示すように、二つの補助排気ライン３２は、二つの排気口１２ｂにそれぞれ接続され、二つの補助排気ライン３２は、主排気ライン３４に接続される。したがって、補助排気ライン３２を介して排気されたガスは、主排気ライン３４で集まり、主排気ライン３４を介して外部に排出される。主排気ライン３４上には、別途のポンプ（図示せず）を設置させることができる。ポンプは、ハウジング１２内のガスを強制的に吸入して、ハウジング１２の内部圧力を下げる。
【００４２】
以下、図５を参考にして、プロセスモジュール６を用いた工程を詳細に説明する。
【００４３】
工程が開始されると、ウェハＷは、ウェハ出入口（基板出入り口）１２ａを介してヒータチャック１００上にロード（ｌｏａｄｉｎｇ）される。ウェハＷがロードされると、ウェハＷは、ヒータチャック１００によりプリセットされた工程温度に加熱される。そして、電源１８は、ヒータチャック１００にバイアス電力を供給する。また、ポンプ（図示せず）を用いてハウジング１２の内部空気を強制排出することによって、ハウジング１２の内部の圧力をプリセットされた圧力に減圧する。このとき、ハウジング１２内の工程圧力は、最大１２００ｍＴｏｒｒ（≒１５９．９８６４Ｐａ）であり、ヒータチャック１００に供給されるバイアス電力は、最大５００Ｗである。仮に、工程圧力が１２００ｍＴｏｒｒ（≒１５９．９８６４Ｐａ）を超過するか、又はバイアス電力が５００Ｗを超過すると、工程時にハウジング１２の内部に放電現象が発生してしまう。
【００４４】
ハウジング１２の内部工程圧力及び温度などの工程条件がプリセットされた条件を満足すると、プラズマ生成部３０は、プラズマを生成して工程処理部１０に供給し、排気部３０は、工程処理部１０の内部圧力を一定に維持させる。すなわち、プラズマ生成部３０のマグネトロン２２は、マイクロ波を発生させ、導波管２４は、ガス供給管２６を介してシャワーヘッド１６に供給される反応ガスとしてマイクロ波を供給して、プラズマを発生させる。そして、プラズマがシャワーヘッド１６を通過するとき、プラズマ内の電子又はイオンなどのような荷電粒子は、接地された金属材質のシャワーヘッド１６により閉じ込められ、酸素ラジカルなどのような電荷を帯びない中性粒子のみがシャワーヘッド１６を介して基板Ｗに供給される。このような酸素プラズマは、基板Ｗの表面に残留するレジストを除去する。そして、排気部３０は、ハウジング１２の内部に供給されたプラズマ及び反応ガスを一定流量で排気させて、ハウジング１２の内部圧力を維持する。ウェハＷの表面のレジストが除去されると、ウェハＷは、支持部材であるヒータチャック１００からアンロード（ｕｎｌｏａｄ）された後にウェハ出入口１２ａを介してハウジング１２の内部から搬出される。
【００４５】
図６は、図５のヒータチャック１００を概略的に示す図である。ヒータチャック１００は、支持プレート１２０、ウェハガイド１４０、及び複数のリフトピン１６０を備える。支持プレート１２０は、ウェハＷより大きな直径を有する円板形状であり、支持プレート１２０の上部には、ウェハＷが配置される。ウェハガイド１４０は、支持プレート１２０の上部面のエッジに置かれ、支持プレート１２０の上部面から突出する。上述のように、正位置状態のウェハＷは、支持プレート１２０のエッジに備えられたウェハガイド１４０の内側に配置される。
【００４６】
リフトピン１６０は、支持プレート１２０を貫通して支持プレート１２０の上部に昇降可能であり、複数提供される。リフトピン１６０は、支持プレート１２０上にウェハＷをロードする際に、ウェハＷを持ち上げるために上昇し、ロードされたウェハＷを支持プレート１２０の上部面に配置するために下降する。リフトピン１６０の下端には、リフト軸１６２が接続され、リフト軸１６２は、駆動部１６４によって昇降する。
【００４７】
支持プレート１２０内にはヒータ１２２が設置され、支持プレート１２０上には複数の感知センサ１２４が埋設される。ヒータ１２２は、外部から供給される電源を用いて、支持プレート１２０を加熱する。感知センサ１２４は、支持プレート１２０の温度をリアルタイムで感知する。複数の感知センサ１２４は、設置された領域の温度を各々感知できるので、複数の感知センサ１２４を用いて支持プレート１２０の位置に応じる温度を把握することができる。しかしながら、本実施の形態とは異なり、一つの感知センサ１２４を設置させることができる。
【００４８】
感知センサ１２４によって感知された温度は、温度制御器３００に伝達される。温度制御器３００は、支持プレート１２０の温度がプリセットされた温度に到達すると、ヒータ１２２に伝達される電源を遮断することによって、支持プレート１２０の温度をプリセットされた温度に維持できる。一方、ディスプレイ部２００は、感知センサ１２４によって感知された温度を表示する。
【００４９】
温度制御器３００は、主制御器７に接続され、主制御器７の制御によってヒータ１２２を作動する。ユーザは、所望の工程によって支持プレート１２０の温度を異なるように設定でき、主制御器７は、設定された温度を温度制御器３００に伝達する。温度制御器３００は、設定された温度によって感知センサ１２４及びヒータ１２２を制御することができる。
【００５０】
一方、主制御器３００には、アラーム装置４００が接続される。アラーム装置４００は、主制御器７により制御され、非常状況が発生した場合に、外部に警報音を出力する。
【００５１】
図７は、図６に示す支持プレート１２０の温度変化を概略的に示すグラフであり、図８は、本発明によるウェハＷの位置を判断する方法を示すフローチャートである。以下では、図６に示すヒータチャック１００を用いて、ウェハＷの位置を判断する方法を説明する。
【００５２】
図７に示すように、支持プレート１２０上にウェハＷが配置される前に支持プレート１２０は、約２５０℃に加熱され、加熱された状態を維持する。
【００５３】
上述のように、ウェハＷがウェハ出入口１２ａを介してヒータチャック１００上にロードされる（Ｓ１０）。ロードされたウェハＷは、図６に示すように、上昇したリフトピン１６０上に配置され、リフトピン１６０により支持プレート１２０から一定の距離が離隔した状態を維持する。このとき、ウェハＷの温度は、支持プレート１２０の温度に比べて低いので、ウェハＷと支持プレート１２０との間の熱伝逹によって支持プレート１２０の温度が多少下げることができる。しかしながら、ウェハＷが支持プレート１２０と離隔された状態を維持するので、支持プレート１２０の温度変化は微々たるものである。
【００５４】
次に、リフトピン１６０を下降させてウェハＷを支持プレート１２０上に配置させた後に、支持プレート１２０の温度を測定する（Ｓ２０）。ウェハＷを支持プレート１２０上に配置させると、ウェハＷと支持プレート１２０との間で熱伝逹が活発に行われ、支持プレート１２０は、ウェハＷによって一定温度まで冷却される。しかしながら、支持プレート１２０は、ヒータ１２２によって加熱されるので、一定時間が経過すると、支持プレート１２０の温度は上昇する。図７に示すように、実線で示すグラフは、支持プレート１２０上の正位置にウェハＷが配置された場合に、支持プレート１２０の温度変化を示す。支持プレート１２０は、約２４７℃まで冷却された後にヒータ１２２によって再度２５０℃に加熱される。
【００５５】
点線で示すグラフは、支持プレート１２０上の正位置にウェハＷが配置されない場合における支持プレート１２０の温度変化を示す。上述の図２Ａ及び図２Ｂに示すように、ウェハＷが移送ロボットの誤動作によってウェハガイド１４０の上部に配置されることがあり、この場合にウェハガイド１４０によってウェハＷの一側が支持プレート１２０から離隔されるので、ウェハＷと支持プレート１２０との間で熱伝逹が活発に行われることがない。これは、熱伝逹量は、接触面積に比例するためである。したがって、ウェハＷが正位置に配置されていない場合に、支持プレート１２０は、２４７℃まで冷却されず、２４７℃より高い温度まで冷却された後に再加熱される。すなわち、ウェハＷが正位置に配置された場合に、支持プレート１２０の温度変化ΔＴ１は、ウェハＷが正位置に配置されていない場合に支持プレート１２０の温度変化ΔＴ２に比べて大きい。
【００５６】
次に、測定された温度と基準温度とを比較して、ウェハＷの位置を判断する（Ｓ３０）。基準温度は、ウェハＷの位置を判断するための値であり、ウェハＷが正位置に配置された場合に測定された支持プレート１２０の温度から上下に誤差範囲を有する。基準温度は、主制御器７のデータベース部７ａに保存され、主制御器７の処理部７ｂは、測定された温度と基準温度とを比較して、ウェハＷの位置を判断する。測定された温度が基準温度の範囲内の場合には、処理部７ｂは、ウェハＷが正位置に配置されたものと判断し、測定された温度が基準温度の範囲外の場合には、処理部７ｂは、ウェハＷが正位置に配置されていないものと判断する。誤差範囲は、ユーザが要求するウェハＷの位置の正確度に応じて決定される。ウェハＷが正位置に正確に配置させる必要がある場合に、誤差範囲は縮小され、そうでない場合には、誤差範囲は多少拡大される。一方、測定された温度を基準温度と比較する方法は様々である。以下、比較する方法について説明する。
【００５７】
第１の方法は、支持プレート１２０の最低温度を測定した後に、測定された最低温度と基準温度とを比較する。すなわち、図７に示すように、ウェハＷが正位置に配置された場合に、最低温度は２４７℃になり、誤差範囲が１℃と仮定したときの基準温度は２４６℃〜２４８℃である。したがって、測定された支持プレート１２０の最低温度が基準温度の範囲内の場合に、ウェハＷは、正位置に配置されたものと判断される。
【００５８】
第２の方法は、プリセットされる時間が経過した後に支持プレート１２０の温度を測定して、測定された温度と基準温度とを比較する。例えば、プリセットされた時間をｔ１とし、ｔ１で測定された支持プレート１２０の温度は２４７℃になり、誤差範囲が１℃と仮定したときの基準温度は２４６℃〜２４８℃である。したがって、プリセットされた時間ｔ１が経過した後に測定された支持プレート１２０の温度が基準温度の範囲内の場合に、ウェハＷは、正位置に配置されるものと判断できる。
【００５９】
ウェハＷが正位置に配置されていない場合に、主制御器７は、アラーム装置４００を駆動してアラームを発生させ（Ｓ４０）、作業者は、アラームにより工程中のエラー発生の有無を把握することができる。また、主制御器７は、全体設備で行われている工程を一時中断させ（Ｓ５０）、作業者は、措置を行った後に工程を再開できる。
【００６０】
上述によれば、支持プレート１２０上に配置されたウェハＷの位置を判断でき、ウェハＷが正位置に配置されていない場合にアラームを発生させて作業者に位置不良を知らせることができる。また、ティーチング不良時の全体工程を中断させることによって、位置不良による工程不良を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１Ａ】支持プレート上に正位置に配置されたウェハを示す図である。
【図１Ｂ】支持プレート上に正位置に配置されたウェハを示す図である。
【図２Ａ】支持プレート上に正位置から外れて配置されたウェハを示す図である。
【図２Ｂ】支持プレート上に正位置から外れて配置されたウェハを示す図である。
【図３】一般的な半導体の製造設備を概略的に示す図である。
【図４】図３のバッファチャンバを概略的に示す図である。
【図５】図３のプロセスモジュールを概略的に示す図である。
【図６】図５のヒータチャックを概略的に示す図である。
【図７】図６に示す支持プレートの温度変化を概略的に示すグラフである。
【図８】本発明による基板の位置を判断する方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６２】
１      ウェハ移送システム
２      バッファチャンバ
５      トランスファモジュール
６      プロセスモジュール
７      主制御器
１０    工程処理部
２０    プラズマ発生部
３０    排気部
１００  ヒータチャック
１２０  支持プレート
１４０  ウェハガイド
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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