(57)【要約】【課題】設計ルールの異なるレイアウトを含む場合でも、ＯＰＣ補正を一括で行う。【解決手段】リソグラフィで用いられるマスクデータを、第１の設計ルールで設計された第１のレイアウトと、第１の設計ルールよりも小さい第２の設計ルールで設計された第２のレイアウトとを含む設計レイアウトデータを取得するステップ（Ｓ１０２）と、第２のレイアウトに対して第１の設計ルールに対応して設定された第１のＯＰＣ補正ルールでＯＰＣ補正が行われたときに、第２のレイアウトが所望の形状となるように予め準備された、第２のレイアウトに対応するＯＰＣ前補正データを取得するステップと、設計レイアウトデータのうちの第２のレイアウトをＯＰＣ前補正データと置き換えた中間データを生成するステップ（Ｓ１０８）と、第１のＯＰＣ補正ルールで中間データのＯＰＣ補正を行うステップとにより生成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィで用いられるマスクデータの生成方法であって、
第１の設計ルールで設計された第１のレイアウトと、前記第１の設計ルールよりも小さい第２の設計ルールで設計された第２のレイアウトとを含む設計レイアウトデータを取得するステップと、
前記第２のレイアウトに対して前記第１の設計ルールに対応して設定された第１のＯＰＣ補正ルールでＯＰＣ補正が行われたときに、前記第２のレイアウトが所望の形状となるように予め準備された、前記第２のレイアウトに対応するＯＰＣ前補正データを取得するステップと、
前記設計レイアウトデータのうちの前記第２のレイアウトを前記ＯＰＣ前補正データと置き換えた中間データを生成するステップと、
前記第１のＯＰＣ補正ルールで前記中間データのＯＰＣ補正を行うステップと、
を含むマスクデータ生成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のマスクデータ生成方法において、
前記設計レイアウトデータは第１のグリッドサイズで描画され、
前記ＯＰＣ前補正データは、前記第１のグリッドサイズよりも小さい第２のグリッドサイズで描画され、
前記中間データを生成するステップの前に、前記設計レイアウトデータのグリッドサイズを前記第２のグリッドサイズに変換するステップをさらに含むマスクデータ生成方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のマスクデータ生成方法において、
前記第１のレイアウトはロジック部、
前記第２のレイアウトはメモリ部であるマスクデータ生成方法。
【請求項４】
請求項１から３いずれかに記載のマスクデータ生成方法において、
前記ＯＰＣ前補正データは、前記第２のレイアウトのビットセル単位に対応してそれぞれ設けられたマスクデータ生成方法。
【請求項５】
リソグラフィで用いられるマスクデータの生成システムであって、
第１の設計ルールで設計された第１のレイアウトと、前記第１の設計ルールよりも小さい第２の設計ルールで設計された第２のレイアウトとを含む設計レイアウトデータを取得するレイアウトデータ取得部と、
前記第２のレイアウトに対して、前記第１の設計ルールに対応して設定された第１のＯＰＣ補正ルールでＯＰＣ補正が行われたときに、前記第２のレイアウトが所望の形状となるように予め準備されたＯＰＣ前補正データを記憶するＯＰＣ前補正データ記憶部と、
前記設計レイアウトデータのうちの前記第２のレイアウトにつき、前記ＯＰＣ前補正データ記憶部に記憶された前記ＯＰＣ前補正データと置き換えて中間データを生成する中間データ生成部と、
前記第１のＯＰＣ補正ルールで前記中間データのＯＰＣ補正を行うＯＰＣ補正処理部と、
を含むマスクデータ生成システム。
【請求項６】
請求項５に記載のマスクデータ生成システムにおいて、
前記設計レイアウトデータは第１のグリッドサイズで描画され、
前記ＯＰＣ前補正データは、前記第１のグリッドサイズよりも小さい第２のグリッドサイズで描画され、
当該マスクデータ生成システムは、前記レイアウトデータ取得部が取得した前記設計レイアウトデータのグリッドサイズを前記第２のグリッドサイズに変換するグリッド変換処理部をさらに含み、
前記中間データ生成部は、前記グリッド変換処理部による変換後のレイアウトデータのうちの前記第２のレイアウトにつき、前記ＯＰＣ前補正データ記憶部に記憶された前記ＯＰＣ前補正データと置き換えて中間データを生成するマスクデータ生成システム。
【請求項７】
請求項６に記載のマスクデータ生成システムにおいて、
前記第２のレイアウトに対応する前記ＯＰＣ前補正データが描画されたグリッドサイズを記憶する記憶部と、
前記設計レイアウトデータのグリッドサイズが前記記憶部に記憶されたグリッドサイズと異なるか否かを判断し、異なる場合に、前記設計レイアウトデータのグリッドサイズを前記記憶部に記憶されたグリッドサイズに変換するグリッド変換処理部と、をさらに含み、
前記中間データ生成部は、前記グリッド変換処理部による変換後のレイアウトデータのうちの前記第２のレイアウトにつき、前記ＯＰＣ前補正データ記憶部に記憶された前記ＯＰＣ前補正データと置き換えて中間データを生成するマスクデータ生成システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィで用いられるマスクデータの生成方法およびマスクデータ生成システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、マスクデータを用いて半導体デバイスのパターニングを行う際、隣接効果等により光学特性が劣化し解像不良が生じるという問題がある。これにより、くびれの増加、寸法バラツキ悪化、配線ショート等の形状異常等欠陥を引き起こす可能性がある。そのため、このような光の近接効果を考慮して、マスクデータを補正するＯＰＣ補正技術（光近接効果補正（ＯＰＣ：optical proximity correction））が知られている。
【０００３】
特許文献１（特開２００２−３２８４５７号公報）には、自動レイアウト装置により設計されたパターンの設計レイアウトデータを受け取るステップと、受け取った設計レイアウトデータ中に含まれる補正対象セルの各々について、周囲に他図形が存在するかどうかに基づき、特定の形式で表現する環境プロファイルを決定するステップと、セル置換テーブルを参照して、決定された環境プロファイルに対応して置き換えられるべき補正パターンの名前である置換セル名を読み出して、補正後レイアウトデータを生成するステップと、前記読み出した置換セル名に対応する補正パターンをセルライブラリから取り込むステップと、を含むパターン補正方法が記載されている。当該文献においては、各環境プロファイルに応じた最適なＯＰＣ補正後のサブセルのパターンをリソグラフィシミュレータ等を使用して予め作成し、ＯＰＣ補正用のビアセルライブラリにあらかじめ登録しておく。そして、設計レイアウトデータ内の着目ビアの環境プロファイルを決定し、環境プロファイルに応じてサブセルの名前を置換することにより、ビアセルライブラリに格納された対応する図形データに展開してマスク用のデータが作成されるようになっている。
【０００４】
特許文献２（特開２００１−１３６６９号公報）には、リソグラフィで用いられるマスクの描画データ作成方法において、設計グリッド（Ｇ０）を持つ入力データの一部のパターンレイアウトを抽出する工程と、抽出された領域のパターンレイアウトをＧ０より大きいＧ１に変換する工程と、Ｇ１で定義されたパターンレイアウトをパターンマッチングする工程とを含むマスク描画データ作成方法が記載されている。このように、入力データのグリッドを大きいグリッドに変換してからパターンマッチングを行うことによって、パターンマッチング効率をあげることができるとされている。
【特許文献１】特開２００２−３２８４５７号公報
【特許文献２】特開２００１−１３６６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載された技術では、各環境プロファイルに応じたＯＰＣ補正後のサブセルのパターンを予め作成しているので、同じパターンであっても、周囲の環境が異なる場合、環境毎に異なるサブセルのパターンを準備する必要があり、膨大な数のパターンを準備する必要が生じる。
【０００６】
ところで、たとえばＳＲＡＭ等のメモリ部とロジック部とが混載されるデバイスにおいては、ＳＲＡＭの設計ルールはロジック部よりも小さい。このように設計ルールが異なるレイアウトを有するデバイスでは、それぞれ異なるＯＰＣ補正を必要とする。一方、効率よくＯＰＣ補正を行うためには、デバイス全体に対してＯＰＣ補正処理を一括で行うことが好ましい。しかし、設計ルールが異なるレイアウトを有するデバイスに一括でＯＰＣ補正を行おうとすると、ルールが複雑になり、処理時間が増大するという問題が生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、
リソグラフィで用いられるマスクデータの生成方法であって、
第１の設計ルールで設計された第１のレイアウトと、前記第１の設計ルールよりも小さい第２の設計ルールで設計された第２のレイアウトとを含む設計レイアウトデータを取得するステップと、
前記第２のレイアウトに対して前記第１の設計ルールに対応して設定された第１のＯＰＣ補正ルールでＯＰＣ補正が行われたときに、前記第２のレイアウトが所望の形状となるように予め準備された、前記第２のレイアウトに対応するＯＰＣ前補正データを取得するステップと、
前記設計レイアウトデータのうちの前記第２のレイアウトを前記ＯＰＣ前補正データと置き換えた中間データを生成するステップと、
前記第１のＯＰＣ補正ルールで前記中間データのＯＰＣ補正を行うステップと、
を含むマスクデータ生成方法が提供される。
【０００８】
本発明によれば、
リソグラフィで用いられるマスクデータの生成システムであって、
第１の設計ルールで設計された第１のレイアウトと、前記第１の設計ルールよりも小さい第２の設計ルールで設計された第２のレイアウトとを含む設計レイアウトデータを取得するレイアウトデータ取得部と、
前記第２のレイアウトに対して、前記第１の設計ルールに対応して設定された第１のＯＰＣ補正ルールでＯＰＣ補正が行われたときに、前記第２のレイアウトが所望の形状となるように予め準備されたＯＰＣ前補正データを記憶するＯＰＣ前補正データ記憶部と、
前記設計レイアウトデータのうちの前記第２のレイアウトにつき、前記ＯＰＣ前補正データ記憶部に記憶された前記ＯＰＣ前補正データと置き換えて中間データを生成する中間データ生成部と、
前記第１のＯＰＣ補正ルールで前記中間データのＯＰＣ補正を行うＯＰＣ補正処理部と、
を含むマスクデータ生成システムが提供される。
【０００９】
このような構成によれば、設計ルールの異なる第１のレイアウトと第２のレイアウトとが含まれる場合でも、第２のレイアウトを予め補正した後に第１のレイアウトに対応して設定されたＯＰＣ補正が行われるので、第２のレイアウトも所望の形状とすることができ、ＯＰＣ補正を一括で行って効率よく精度よくマスクデータを生成することができる。ここで、第２のレイアウトは、小さい設計ルールで設計され、かつ繰り返しパターンが多く含まれる構造とすることができる。第２のレイアウトは、たとえばＳＲＡＭやＤＲＡＭ等のメモリ部とすることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、設計ルールの異なるレイアウトを含む場合でも、ＯＰＣ補正を一括で行って効率よく精度よくマスクデータを生成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１２】
本実施の形態においては、設計ルールが異なるロジック部（第１のレイアウト）とＳＲＡＭ部（第２のレイアウト）とが混載されたデバイスを製造する際にリソグラフィで用いられるマスクデータを生成する例を説明する。ここで、ＳＲＡＭ部の設計ルールは、ロジック部の設計ルールよりも小さい。ＯＰＣ補正は、設計ルールの大きいロジック部に対応するＯＰＣ補正ルールでデバイス全体に対して一括で行う。この場合、ＳＲＡＭ部はロジック部と設計ルールが異なるため、そのままだとＳＲＡＭ部のレイアウトが所望の形状とならなくなってしまう。本実施の形態においては、ＳＲＡＭ部にロジック部と同じＯＰＣ補正ルールをかけたときに、ＳＲＡＭ部のレイアウトが所望の形状となるように、予めＳＲＡＭ部用のＯＰＣ前補正データを準備しておき、ＯＰＣ補正前にＳＲＡＭ部のレイアウトのみＯＰＣ前補正データと置換して中間データを生成する。これにより、ＳＲＡＭ部のレイアウトも所望の形状とすることができき、ＯＰＣ補正を一括で行って効率よく精度よくマスクデータを生成することができる。
【００１３】
図１は、本実施の形態におけるマスクデータ生成方法の手順を示すフローチャートである。
まず、予め、ＳＲＡＭ部のレイアウトに対応する、ＯＰＣ前補正データを準備しておく（Ｓ１００）。ＯＰＣ前補正データは、レイアウトデータ中のＳＲＡＭのビットセルのような特定部品セルに対して１対１で作成することができる。ＯＰＣ前補正データの具体例については後述する。各特定部品セルに対応するＯＰＣ前補正データは、各特定部品セルのセル名に対応付けて記憶される。
【００１４】
本実施の形態において、ＯＰＣ前補正データは、実際にＳＲＡＭ部のレイアウトに対して、ロジック部に対応するＯＰＣ補正ルールでＯＰＣ補正を行った場合の形状に基づき、ロジック部に対応するＯＰＣ補正ルールでＯＰＣ補正を行ったときに、ＳＲＡＭ部のレイアウトが所望の形状となる方向に補正することにより生成される。また、ＯＰＣ前補正データは、たとえばリソグラフィを行う装置毎、装置の設置場所毎に準備することができる。このようにすれば、その装置や場所特有の特性に対応して補正を行うことができ、レイアウトを所望の形状とすることができる。
【００１５】
また、本実施の形態において、ＯＰＣ前補正データのグリッドサイズを設計レイアウトデータのグリッドサイズよりも小さくしておくことができる。これにより、ＯＰＣ前補正データの形状をより細かく設計できるので、ＳＲＡＭ部のレイアウトがより精度よく所望の形状となるようにすることができる。この場合、設計レイアウトデータをＯＰＣ前補正データと置換する前に、設計レイアウトデータのグリッドサイズをＯＰＣ前補正データのグリッドサイズと同様に小さくする必要がある。たとえば、設計レイアウトデータのグリッドサイズを１ｎｍとし、ＯＰＣ前補正データのグリッドサイズを０．２５ｎｍとした場合、設計レイアウトデータのＳＲＡＭ部のレイアウトをＯＰＣ前補正データと置換する前に、設計レイアウトデータのグリッドサイズを１ｎｍから０．２５ｎｍに変換する必要がある。この後、ＳＲＡＭ部のレイアウトを、対応するＯＰＣ前補正データと置換する。
【００１６】
図２（ａ）は、設計レイアウトデータの一例を示す模式図である。設計レイアウトデータ２００ａは、ＳＲＡＭ部設計レイアウト２０２ａとロジック部設計レイアウト２０４ａとを含む。ここで、ＳＲＡＭ部設計レイアウト２０２ａとロジック部設計レイアウト２０４ａとは、設計ルールが異なる。たとえば、ＳＲＡＭ部設計レイアウト２０２ａは、配線の最小幅／間隔の設計ルールが９０ｎｍ／９０ｎｍ、ロジック部設計レイアウト２０４ａは、配線の最小幅／間隔の設計ルールが１００ｎｍ／１００ｎｍであるとすることができる。このように、ＳＲＡＭ部の設計ルールは、ロジック部の設計ルールよりも小さい。また、ここで、ＳＲＡＭ部設計レイアウト２０２ａおよびロジック部設計レイアウト２０４ａは、いずれもグリッドサイズが１ｎｍとすることができる。
【００１７】
図１に戻り、設計レイアウトデータを取得すると（Ｓ１０２のＹＥＳ）、グリッドサイズの変換が必要か否かを判断し（Ｓ１０４）、グリッドサイズの変換が必要な場合（Ｓ１０４のＹＥＳ）、グリッドサイズを変換する（Ｓ１０６）。グリッドサイズの変換が必要か否かは、ＯＰＣ前補正データのグリッドサイズと、設計レイアウトデータのグリッドサイズとが異なるか否かによって決定される。すなわち、ＯＰＣ前補正データのグリッドサイズと、設計レイアウトデータのグリッドサイズとが異なる場合は、設計レイアウトデータのグリッドサイズがＯＰＣ前補正データのグリッドサイズと一致するように設計レイアウトデータのグリッドサイズを変換する必要があるが、ＯＰＣ前補正データのグリッドサイズと、設計レイアウトデータのグリッドサイズとがもともと同じであれば、グリッドサイズの変換は必要ない。ＯＰＣ前補正データのグリッドサイズを設計レイアウトデータのグリッドサイズより小さくすることを標準としておき、常にグリッドサイズの変換を行うようにしてもよく、またＯＰＣ前補正データのグリッドサイズを設計レイアウトデータのグリッドサイズと同じとすることを標準としておき、常にグリッドサイズの変換が不要とするようにしてもよい。この場合、ステップＳ１０４の判断ステップを省略することができる。
【００１８】
図２（ｂ）は、図２（ａ）のＳＲＡＭ部設計レイアウト２０２ａおよびロジック部設計レイアウト２０４ａのそれぞれのグリッドサイズを小さくしたＳＲＡＭ部グリッド置換レイアウト２０２ｂおよびロジック部グリッド置換レイアウト２０４ｂを含むグリッド置換レイアウトデータ２００ｂの一例を示す模式図である。
【００１９】
図３（ａ）は、ＳＲＡＭ部設計レイアウト２０２ａの一例、図３（ｂ）は、ＳＲＡＭ部設計レイアウト２０２ａのグリッドサイズを小さくしたＳＲＡＭ部グリッド置換レイアウト２０２ｂの一例をそれぞれ示す図である。ここでは、一例として、ＳＲＡＭ部設計レイアウト２０２ａのグリッドサイズが１ｎｍ、ＳＲＡＭ部グリッド置換レイアウト２０２ｂのグリッドサイズが０．２５ｎｍであるとする。図中、破線で示しているのがグリッド線である。この場合、図３（ａ）に示したＳＲＡＭ部設計レイアウト２０２ａで１画素のデータは、図３（ｂ）に示したＳＲＡＭ部グリッド置換レイアウト２０２ｂにおいて１６画素のデータとなる。すなわち、ＳＲＡＭ部グリッド置換レイアウト２０２ｂは、ＳＲＡＭ部設計レイアウト２０２ａの解像度を高めたものである。
【００２０】
図１に戻り、ＳＲＡＭ部のレイアウトを対応するＯＰＣ前補正データと置換して中間データを生成する（Ｓ１０８）。ＳＲＡＭ部のレイアウトに含まれる各特定部品セルは、セル名に基づき、対応するＯＰＣ前補正データに置換される。
【００２１】
図２（ｃ）は、図２（ｂ）のＳＲＡＭ部グリッド置換レイアウト２０２ｂを対応するＳＲＡＭ部ＯＰＣ前補正データ２０２ｃと置換した中間データ２００ｃの一例を示す模式図である。ここで、ロジック部グリッド置換レイアウト２０４ｂは、そのままである。
【００２２】
図４は、ＳＲＡＭ部グリッド置換レイアウト２０２ｂの一例を示す図である。ここで、ＳＲＡＭ部グリッド置換レイアウト２０２ｂは、ビットセル２０８ｂおよびビットセル２１０ｂと、それらの周囲に設けられたアレイ終端用セル２０６ｂとを含む。ここで、ビットセル２０８ｂはアレイ終端用セル２０６ｂに隣接して設けられ、ビットセル２１０ｂは、他のビットセルに囲まれている。
【００２３】
図５（ａ）は、ビットセル２０８ｂの一例を示すパターン模式図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）に示したビットセル２０８ｂに対応するＯＰＣ前補正データ２０８ｃの一例を示すパターン模式図である。図６（ａ）は、アレイ終端用セル２０６ｂの一例を示すパターン模式図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）に示したアレイ終端用セル２０６ｂに対応するＯＰＣ前補正データ２０６ｃの一例を示すパターン模式図である。
【００２４】
図１に戻り、この後、ロジック部に対応するＯＰＣ補正ルールでＯＰＣ補正処理を行う（Ｓ１１０）。本実施の形態において、中間データを生成した後にＯＰＣ補正を一括で行うので、対象のセルの周囲の環境が異なる場合でも、ＯＰＣ補正プログラムで微少な違いを調整することができる。そのため、対象のセルの周囲の環境が異なる場合でも、複数のＯＰＣ前補正データを準備するような手間を省くことができる。すなわち、たとえば、ビットセル２０８ｂとビットセル２１０ｂとは周囲の環境が異なるが、これらが同じセル名で指定される同じレイアウトを有する場合、同じＯＰＣ前補正データ（たとえばＯＰＣ前補正データ２０８ｃ）で置き換えるようにすることができる。この場合でも、その後のＯＰＣ補正プログラムで、ＯＰＣ前補正データ２０８ｃの周囲の環境の違いを調整することができ、それぞれ所望の形状のレイアウトとすることができる。
【００２５】
図７は、図１を参照して説明した手順を実行するマスクデータ生成システム１００の構成を示すブロック図である。
マスクデータ生成システム１００は、レイアウトデータ取得部１０２、グリッド変換処理部１０４、中間データ生成処理部１０６、ＯＰＣ補正処理部１０８、セル置換テーブル１１０、およびＯＰＣ前補正データ記憶部１１２を含む。
【００２６】
図７に示したマスクデータ生成システム１００の各構成要素は、ハードウエア単位の構成ではなく、機能単位のブロックを示している。マスクデータ生成システム１００の各構成要素は、任意のコンピュータのＣＰＵ、メモリ、メモリにロードされた本図の構成要素を実現するプログラム、そのプログラムを格納するハードディスクなどの記憶ユニット、ネットワーク接続用インタフェースを中心にハードウエアとソフトウエアの任意の組合せによって実現される。そして、その実現方法、装置にはいろいろな変形例があることは、当業者には理解されるところである。
【００２７】
レイアウトデータ取得部１０２は、第１の設計ルールで設計されたロジック部（第１のレイアウト）と、第１の設計ルールよりも小さい第２の設計ルールで設計されたＳＲＡＭ部（第２のレイアウト）とを含む設計レイアウトデータを取得する。本実施の形態において、設計レイアウトデータは、たとえば、製造者の設計部門が設計する。マスクデータ生成システム１００は、たとえば実際にリソグラフィを行うたとえばマスクデータ作成を請け負う部門等に設置される。ここで、設計レイアウトデータには、特定部品セル毎にセル名が付されており、レイアウトデータ取得部１０２は、これらのセル名も対応付けて取得する。また、レイアウトデータ取得部１０２は、設計レイアウトデータが描画されたグリッドサイズを示す情報も取得する。
【００２８】
グリッド変換処理部１０４は、レイアウトデータ取得部１０２が取得した設計レイアウトデータのグリッドサイズを変換する。たとえば、設計レイアウトデータが第１のグリッドサイズで描画され、ＯＰＣ前補正データが第２のグリッドサイズで描画されている場合、グリッド変換処理部１０４は、設計レイアウトデータのグリッドサイズを第１のグリッドサイズから第２のグリッドサイズに変換する。
【００２９】
ＯＰＣ前補正データ記憶部１１２は、第２のレイアウトに対して、第１の設計ルールに対応して設定された第１のＯＰＣ補正ルールでＯＰＣ補正が行われたときに、第２のレイアウトが所望の形状となるように予め準備されたＯＰＣ前補正データを記憶する。セル置換テーブル１１０は、各特定部品セルのセル名と、ＯＰＣ補正前データのセル名とを対応付けて記憶する。図８にセル置換テーブル１１０の内部構成を示す。ここで、セル名「Ａ００１」にＯＰＣ補正前データのセル名「Ｄａｔａ１」が対応付けられている。
【００３０】
中間データ生成処理部１０６は、レイアウトデータのうちの第２のレイアウトにつき、特定部品セルのセル名に基づき、ＯＰＣ前補正データ記憶部１１２に記憶されたＯＰＣ前補正データと置き換えて中間データを生成する。ＯＰＣ補正処理部１０８は、第１のＯＰＣ補正ルールで中間データのＯＰＣ補正を行う。
【００３１】
なお、ＯＰＣ前補正データについては、とくに設計ルールが定められておらず、所望の形状となるように適宜設計される。どの程度細かく設計するかは、ＯＰＣ前補正データを描画する際のグリッドサイズによって定まる。そのため、必要な補正の程度に応じて、ＯＰＣ前補正データのグリッドサイズを適宜設定する場合がある。セル置換テーブル１１０は、各特定部品セルのセル名およびＯＰＣ補正前データのセル名に対応付けて、ＯＰＣ前補正データを描画したグリッドサイズを記憶することもできる。この場合、グリッド変換処理部１０４は、セル置換テーブル１１０を参照して、レイアウトデータ取得部１０２が取得した設計レイアウトデータのグリッドサイズとＯＰＣ前補正データのグリッドサイズとが異なるか否かを判断し、グリッドサイズの変換が必要か否かを判断する。
【００３２】
以上のようにすれば、以下の効果を得ることができる。
従来、量産途中等でＯＰＣ補正ルールを変更したくなった場合、設計レイアウトデータまでさかのぼってレイアウトを変えなければならなかった。しかし、本実施の形態では、ＯＰＣ補正ルールが変更された場合に、設計で使う部品セルを変更することなく（設計レイアウトデータを変更することなく）、またＯＰＣ補正ルール（プログラム）を大幅に修正することなく、ＯＰＣ補正後のレイアウトを最適なものにすることができる。本発明では、設計レイアウトデータとは別にＯＰＣ前補正データを生成するので、ＯＰＣ補正ルールが変更になった場合には、それに適合するようにＯＰＣ前補正データのみ変更すればよい。これによりＳＲＡＭ部の設計レイアウトデータにさかのぼってデータ修正する必要はない。また、ロジック部とＳＲＡＭ部の両方を考慮して大幅にＯＰＣ補正ルールを修正する必要もない。また、ＯＰＣ補正前にこのような補正を行うとともに、デバイス全体に一括してＯＰＣ補正を行うことにより、対象セルに隣接するセル等の周囲の環境が異なる場合でも、ＯＰＣ補正プログラムで微少な違いを調整することができる。そのため、ＯＰＣ前補正データを対象セルの周囲の環境に応じて複数準備する必要がなく、準備が簡易になる。
【００３３】
ＯＰＣ補正を精度よく行うためには、レイアウトデータのグリッドサイズを小さくしなくてはならない。しかし、最初から小さいグリッドサイズで設計レイアウトデータを作ると、データ量が膨大になるため望ましくない。本実施の形態においては、設計段階では大きなグリッドサイズでレイアウトし、ＯＰＣ補正直前に小さなグリッドサイズに変換するので、設計レイアウトデータ量を小さく保ちながら、精度の高いＯＰＣ補正を行うことができる。
【００３４】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００３５】
以上の実施の形態においては、第２のレイアウトがＳＲＡＭ部である場合を例として説明したが、第２のレイアウトはこれに限られず、小さい設計ルールで設計され、かつ繰り返しパターンが多く含まれる構造とすることができる。また、第２のレイアウトは、たとえばＳＲＡＭ以外のＤＲＡＭ等のメモリ部とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施の形態におけるマスクデータ生成方法の手順を示すフローチャートである。
【図２】マスクデータの一例を示す模式図である。
【図３】ＳＲＡＭ部のマスクデータの一例を示す模式図である。
【図４】ＳＲＡＭ部のマスクデータの一例を示す模式図である。
【図５】ＳＲＡＭ部のマスクデータの一例を示す模式図である。
【図６】ＳＲＡＭ部のマスクデータの一例を示す模式図である。
【図７】図１を参照して説明した手順を実行するマスクデータ生成システムの構成を示すブロック図である。
【図８】セル置換テーブルの内部構成の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００３７】
１００ マスクデータ生成システム
１０２ レイアウトデータ取得部
１０４ グリッド変換処理部
１０６ 中間データ生成処理部
１０８ ＯＰＣ補正処理部
１１０ セル置換テーブル
１１２ ＯＰＣ前補正データ記憶部
２００ａ 設計レイアウトデータ
２００ｂ グリッド置換レイアウトデータ
２００ｃ 中間データ
２０２ａ ＳＲＡＭ部設計レイアウト
２０２ｂ ＳＲＡＭ部グリッド置換レイアウト
２０２ｃ ＳＲＡＭ部ＯＰＣ前補正データ
２０４ａ ロジック部設計レイアウト
２０４ｂ ロジック部グリッド置換レイアウト
２０６ｂ アレイ終端用セル
２０６ｃ ＯＰＣ前補正データ
２０８ｂ ビットセル
２０８ｃ ＯＰＣ前補正データ
２１０ｂ ビットセル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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