(57)【要約】      （修正有）【課題】新規な多環式複素環化合物、それよりなるホール輸送材料、発光材料およびそれを用いた電界効果トランジスタや有機ＥＬ素子の提供。【解決手段】下記一般式（１）2008247810.tif 000083（式中、Ｚは炭素または窒素であり、Ｒ１〜Ｒ４は水素、アルキル基、アルコキシ基を表す。またＡはキノリン環等である）で示されることを特徴とする多環式複素環化合物、それよりなるホール輸送材料、発光材料およびそれを用いた電界効果トランジスタや有機ＥＬ素子。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
2008247810.tif 000081
（式中、Ｚは炭素元素または窒素元素であり、Ｒ１〜Ｒ４は水素、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基よりなる群から選ばれたものであるが、Ｚが窒素元素の場合は、Ｒ１とＲ４は存在しない。またＡは下記式
【化２】
2008247810.tif 000082
で示された多環基よりなる群から選ばれた基であり、Ｒ１０〜Ｒ１８およびＲ２０〜Ｒ４０は、水素、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基および炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキルアミノ基よりなる群から選ばれた基である）
で示されることを特徴とする多環式複素環化合物。
【請求項２】
請求項１記載の多環式複素環化合物よりなるホール輸送材料。
【請求項３】
請求項１記載の多環式複素環化合物よりなるホール発光材料。
【請求項４】
請求項１記載の多環式複素環化合物を用いた電界効果トランジスタ。
【請求項５】
請求項１記載の多環式複素環化合物を用いた有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多環式複素環化合物、該化合物よりなるホール輸送材料、ホール発光材料、該化合物を用いた電界効果トランジスタおよび有機ＥＬ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年情報社会が飛躍的に発展し、それに基づいて携帯電話やポータブルオーディオシステム、デジタルカメラなどのモバイルデバイスの機能向上や小型化が進んできている。その背景には半導体分野の発展があり、半導体技術の進歩が新しい製品を生み出していると言っても過言ではない。
【０００３】
半導体技術の大きな分野として有機半導体デバイスの研究があり、この中にはここ数年で実用化レベルまで至った有機ＥＬデバイスが挙げられる。さらに有機ＥＬと並ぶ有機半導体デバイスとして有機トランジスタの研究も盛んに行われるようになってきた。有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）は１９８６年に肥塚らによって世界で初めて動作が確認された。肥塚らの作成したデバイスは、シリコンウェハー上にポリチオフェンを電解重合法によって成膜し、ドレイン・ソース電極として金を成膜したもので、〜１０−５（ｃｍ２／Ｖｓｅｃ）程のＦＥＴ移動度と〜１０３ほどのＯｎ／Ｏｆｆ比をえる事に成功した（非特許文献１）。Ｓｉを用いたＦＥＴの特性には到底及ぶものではなかったがフレキシブル化、軽量化また塗布技術の応用による作成プロセスの簡便化や低コスト化が可能と言った特徴を持つものであった。
【０００４】
材料開発においてｐ型（ホール輸送性）、ｎ型（電子輸送性）の双方で高移動度な材料が求められており、これまでにｐ型ではペンタセンやセスキチオフェンで１０−２〜１００（ｃｍ／Ｖｓｅｃ）後半の移動度が報告され（非特許文献２〜３）、ｎ型ではＰＩＣＢＩやフッ素化ペンタセン、フラーレンなどで１０−２〜１０−１（ｃｍ／Ｖｓｅｃ）程の移動度が報告されている（非特許文献４〜６）。これらに共通して言えることは平面性に優れ、結晶性が高い材料であるという点である。高移動度材料の分子設計指針としてはπ電子が多く、より平面性の分子を導入する傾向にある。しかしこのような高移動度な材料はπ共役が非常に長くなるために可視光として光が取り出せない、あるいは凝集することにより発光性に乏しい材料が多く、高移動度の材料で高い蛍光性もつ材料の報告例は少ないのが現状である。
【０００５】
発光性を有する有機半導体としてはポリチオフェン、ポリフルオレン、オリゴチオフェンやチオフェン−ポリアセンオリゴマーが報告されており、特にポリマー半導体材料においては有機ＦＥＴと有機ＥＬの双方での応用例が多く有用性が高いが、低分子材料に較べ高純度化が難しく、合成段階で構造欠陥も生じるためＯＦＥＴにおいては移動度が低くなることが問題点として挙げられ有機ＥＬにおいても同様に高効率化が難しいとされている。
【０００６】
【非特許文献１】肥塚裕至  化学  Ｖｏｌ．５６  Ｎｏ．１０（２００１）
【非特許文献２】Ａ．Ｄｏｄａｂａｌａｐｕｒ，Ｌ．Ｔｏｒｓｈ  ａｎｄ  Ｈ．Ｅ．Ｋａｔｚ，Ｓｃｉｅｎｃｅ  ２６８，２７０，１９９５
【非特許文献３】Ｊ．Ｈ．Ｓｃｈｏｎ，Ｃ．Ｋｌｏｃ  ａｎｄ  Ｂ．Ｂａｔｌｏｇｇ，Ｏｒｇ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  １，５７，２０００
【非特許文献４】Ｃ．Ｒｏｓｔ，Ｄ．Ｊ．Ｇｕｎｄｌａｃｈ，Ｓ．Ｋａｒｇ  ａｎｄ  Ｅ．Ｒｉｅｓｓ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．９５，５７８２，２００４
【非特許文献５】Ｙ．Ｓａｋａｍｏｔｏ，Ｔ．Ｓｕｚｕｋｉ，Ｆ．Ｓａｔｏ  ａｎｄ  Ｓ．Ｔｏｋｉｔｏ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２６，８１３８，２００４
【非特許文献６】Ｒ．Ｃ．Ｈａｄｄｏｎ，Ａ．Ｓ．Ｐｅｒｅｌ  ａｎｄ  Ｒ．Ｍ．Ｆｌｅｍｉｎｇ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６７，１２１，１９９５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、新規なビチオフェン系化合物またはビチアゾール系化合物を含む多環式複素環化合物、それよりなるホール輸送材料、ホール発光材料およびそれを用いた電界効果トランジスタや有機ＥＬ素子を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１は、下記一般式（１）
【化３】
2008247810.tif 000002
（式中、Ｚは炭素元素または窒素元素であり、Ｒ１〜Ｒ４は水素、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基よりなる群から選ばれたものであるが、Ｚが窒素元素の場合は、Ｒ１とＲ４は存在しない。またＡは下記式
【化４】
2008247810.tif 000003
で示された多環基よりなる群から選ばれた基であり、Ｒ１０〜Ｒ１８およびＲ２０〜Ｒ４０は、水素、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基および炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキルアミノ基よりなる群から選ばれた基である）
で示されることを特徴とする多環式複素環化合物に関する。
本発明の第２は、請求項１記載の多環式複素環化合物よりなるホール輸送材料に関する。
本発明の第３は、請求項１記載の多環式複素環化合物よりなるホール発光材料に関する。
本発明の第４は、請求項１記載の多環式複素環化合物を用いた電界効果トランジスタに関する。
本発明の第５は、請求項１記載の多環式複素環化合物を用いた有機ＥＬ素子に関する。
【０００９】
前記一般式（１）で示される化合物をやや具体的に示すと下記一般式（２）〜（１１）のようになる。
【化５】
2008247810.tif 000004
【化６】
2008247810.tif 000005
（式中、Ｒ１〜Ｒ４は水素、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基よりなる群から選ばれたものであり、Ｒ１０〜Ｒ１８およびＲ２０〜Ｒ４０は、水素、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキルアミノ基よりなる群から選ばれた基である）。
前記一般式（２）〜（６）のものはビチオフェン化合物と称することができ、前記一般式（７）〜（１１）のものはビチアゾール化合物と称することができる。
【００１０】
本発明のビチオフェン化合物およびビチアゾール化合物は、以下の方法で製造することができる。なお、下記式中、Ｒ１〜Ｒ４は水素、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基よりなる群から選ばれたものであり、Ｒ１０〜Ｒ１８およびＲ２０〜Ｒ４０は、水素、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキルアミノ基よりなる群から選ばれた基である。
（Ｉ）一般式（２）のビチオフェン化合物の製造
【化７】
2008247810.tif 000006
（II）一般式（３）のビチオフェン化合物の製造
【化８】
2008247810.tif 000007
（III）一般式（４）のビチオフェン化合物の製造
【化９】
2008247810.tif 000008
（IV）一般式（５）のビチオフェン化合物の製造
【化１０】
2008247810.tif 000009
（Ｖ）一般式（６）のビチオフェン化合物の製造
【化１１】
2008247810.tif 000010
（VI）一般式（７）のビチアゾール化合物の製造
【化１２】
2008247810.tif 000011
（VII）一般式（８）のビチアゾール化合物の製造
【化１３】
2008247810.tif 000012
（VIII）一般式（９）のビチアゾール化合物の製造
【化１４】
2008247810.tif 000013
（IX）一般式（１０）のビチアゾール化合物の製造
【化１５】
2008247810.tif 000014
（Ｘ）一般式（１１）のビチアゾール化合物の製造
【化１６】
2008247810.tif 000015
（注）
前記（VI）〜（Ｘ）において、Ｒ２とＲ３が同一の場合は、原料である
【化１７】
2008247810.tif 000016
のみでよいが、Ｒ２とＲ３が同一でない場合には、
【化１８】
2008247810.tif 000017
を併用することになる。
【００１１】
本発明におけるＲ１〜Ｒ４、Ｒ１０〜Ｒ１８およびＲ２０〜Ｒ４０におけるアルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基を形成する炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基部分としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−へプチル、ｓｅｃ−ヘプチル、ｉｓｏ−ヘプチル、ｎ−ヘキシル、ｓｅｃ−ヘキシル、ｉｓｏ−ヘキシル等を挙げることができる。
【００１２】
以下に本発明の化合物の具体例を示す。
【００１３】
一般式（２）の化合物の例示
【化１９】
2008247810.tif 000018
【化２０】
2008247810.tif 000019
【化２１】
2008247810.tif 000020
【化２２】
2008247810.tif 000021
【化２３】
2008247810.tif 000022
【化２４】
2008247810.tif 000023
【００１４】
一般式（３）の化合物の例示
【化２５】
2008247810.tif 000024
【化２６】
2008247810.tif 000025
【００１５】
一般式（４）の化合物の例示
【化２７】
2008247810.tif 000026
【化２８】
2008247810.tif 000027
【００１６】
一般式（５）の化合物の例示
【化２９】
2008247810.tif 000028
【化３０】
2008247810.tif 000029
【００１７】
一般式（６）の化合物の例示
【化３１】
2008247810.tif 000030
【化３２】
2008247810.tif 000031
【００１８】
一般式（７）の化合物の例示
【化３３】
2008247810.tif 000032
【化３４】
2008247810.tif 000033
【化３５】
2008247810.tif 000034
【化３６】
2008247810.tif 000035
【化３７】
2008247810.tif 000036
【化３８】
2008247810.tif 000037
【００１９】
一般式（８）の化合物の例示
【化３９】
2008247810.tif 000038
【化４０】
2008247810.tif 000039
【００２０】
一般式（９）の化合物の例示
【化４１】
2008247810.tif 000040
【化４２】
2008247810.tif 000041
【００２１】
一般式（１０）の化合物の例示
【化４３】
2008247810.tif 000042
【化４４】
2008247810.tif 000043
【００２２】
一般式（１１）の化合物の例示
【化４５】
2008247810.tif 000044
【化４６】
2008247810.tif 000045
【００２３】
本発明のビチオフェン化合物またはビチアゾール化合物を含む多環式複素環化合物は高いホール輸送性能を有する。従って、ホール輸送材料として使用することができる。また本発明のビチオフェン化合物およびビチアゾール化合物は、化合物からの発光が見られることからホール発光材料として使用することができる。
ゆえにこれらの特性を生かせるものとして、電界効果トランジスタや有機ＥＬ素子で使用することができる。
【００２４】
本発明のビチオフェン化合物およびビチアゾール化合物を電界効果トランジスタに使用する場合、熱酸化膜付シリコンウェハーを基板に用いその上に真空蒸着またはスピンコート法によって製膜する。
【００２５】
本発明のビチオフェン化合物およびビチアゾール化合物は電界効果トランジスタで使用する場合アクティブレイヤーで使用される。
【００２６】
次に本発明の電界効果トランジスタについて説明する。本発明の電界効果トランジスタは、基板とソース・ドレイン電極の間に酸化シリコン膜絶縁層を積層し、本発明のビチオフェン化合物およびビチアゾール化合物を真空蒸着法またはスピンコート法で積層させる。この電界効果トランジスタをトップコンタクトタイプと称する。トップコンタクト型は、ボトムトップ型に比べ作製プロセスが簡便であり、用いることのできる絶縁層や電極の幅が広がる利点を有するが、有機材料の種類、膜質によっては金属蒸着時に損傷、改質を受けるおそれがある。ソース・ドレイン電極の材質としては金、金−チタン合金、金−マグネシウム合金などが使用できるが好ましくは金を用いる。シリコンウェハー基板は角をやすりで削りヘビードープシリコンを剥き出しにしゲート電極を形成する。
【００２７】
本発明の電界効果トランジスタの基板としてはガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。ゲート電極は、トランジスタのオン抵抗と比較して小さいシート抵抗を有するものであれば特に材質にこだわる必要はない。ソース・ドレイン電極については、本発明のビチオフェン化合物およびビチアゾール化合物と良好なる接触が可能なものであれば金属、有機導電膜に限定する必要はない。
【００２８】
本発明のビチオフェン化合物およびビチアゾール化合物を有機ＥＬ素子に使用する場合、適当な電子輸送材料や発光材料と組み合わせて使用することができる。
【００２９】
次に本発明の有機ＥＬ素子について説明する。本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に一層もしくは多層の有機化合物を積層した素子であり、該有機化合物層の少なくとも一層が本発明のビチオフェン化合物およびビチアゾール化合物を含有する。有機ＥＬ素子が一層の場合、陽極と陰極間に発光層を設けている。発光層は、発光材料を含有しそれに加えて陽極から注入した正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送するのが目的で、本発明の化合物もしくは既存の正孔輸送材料もしくは電子輸送材料を含有していても良い。多層型の有機ＥＬ素子の構成例としては、例えば陽極（ＩＴＯ）／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、ＩＴＯ／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極、
ＩＴＯ／ホール輸送層／発光層／ホールブロック層／電子輸送層／陰極、ＩＴＯ／ホール輸送層／発光層／ホールブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極、ＩＴＯ／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／ホールブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極等の多層構成で積層したものが挙げられる。また、必要に応じて陰極上に封止層を有していても良い。
【００３０】
正孔輸送層、電子輸送層および発光層のそれぞれの層は、一層構造であっても多層構造であっても良い。また正孔輸送層、電子輸送層はそれぞれの層で注入機能を受け持つ層（正孔注入層および電子注入層）と輸送機能を受け持つ層（正孔輸送層および電子輸送層）を別々に設けることもできる。
【００３１】
本発明の有機ＥＬ素子は、上記構成例に限らず、種々の構成とすることができる。必要に応じて、正孔輸送層成分と発光層成分、あるいは電子輸送層成分と発光層成分を混合した層を設けても良い。
【００３２】
以下本発明の有機ＥＬ素子の構成要素に関して、陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極からなる素子構成を例として取り上げて説明する。本発明の有機ＥＬ素子は、基板に支持されていることが好ましい。
【００３３】
基板の素材については特に制限はなく、従来の有機ＥＬ素子に慣用されているものであれば良く、例えば、ガラス、石英ガラス、透明プラスチックなどからなるものを用いることができる。
【００３４】
本発明の有機ＥＬ素子の陽極としては、仕事関数の大きな金属単体（４ｅＶ以上）、仕事関数の大きな金属同士の合金（４ｅＶ以上）または導電性物質およびこれらの混合物を電極材料とすることが好ましい。このような電極材料の具体例としては、金、銀、銅等の金属、ＩＴＯ（インジウム−スズオキサイド）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの導電性透明材料、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性高分子材料が挙げられる。陽極はこれらの電極材料を、例えば蒸着、スパッタリング、塗布などの方法により形成することができる。陽極のシート電気抵抗は数百Ω／ｃｍ２以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、一般に５〜１，０００ｎｍ程度、好ましくは１０〜５００ｎｍである。
【００３５】
陰極としては、仕事関数の小さな金属単体（４ｅＶ以下）、仕事関数の小さな金属同士の合金（４ｅＶ以下）または導電性物質およびこれらの混合物を電極材料とすることが好ましい。このような電極材料の具体例としては、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−マグネシウム合金などが挙げられる。陰極はこれらの電極材料を、例えば蒸着、スパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることにより作成することができる。陰極のシート電気抵抗は数百Ω／ｃｍ２以下が好ましい。陰極の膜厚は材料にもよるが、一般に５〜１，０００ｎｍ程度、好ましくは１０〜５００ｎｍである。本発明の有機ＥＬ素子の発光を効率よく取り出すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極は透明もしくは半透明であることが好ましい。
【００３６】
本発明の有機ＥＬ素子の電子輸送層は、電子伝達物質からなるもので、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有している。電界が与えた２つの電極の間に電子伝達物質が配置されて陰極から電子が注入された場合、少なくとも１０−６ｃｍ２／Ｖ・秒以上の電子移動度を有する電子伝達物質が好ましい。本発明の有機ＥＬ素子に使用する電子輸送層に使用する電子伝達物質は、前記の好ましい性能を有するものであれば特に制限はない。従来から光導電材料において電子の電荷注入材料として慣用されているものや有機ＥＬ素子の電子輸送層に使用されている公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができる。
【００３７】
前記の電子伝達物質としては、たとえばトリス（８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリノラト）（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム錯体（ＢＡｌｑ）のようなキノリン錯体、１−Ｎ−フェニル−２−（ｐ−ビフェニル）−５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジン（ＴＡＺ）のようなトリアジン誘導体、１，４−ジ（１，１０−フェナントロリン−２−イル）ベンゼン（ＤＰＢ）のようなフェナントロリン誘導体、フッ化リチウムのようなハロゲン化アルカリ金属などが挙げられる。電子輸送層は、これらの他の電子伝達物質の一種または二種以上からなる一層で構成されたものでよく、前記の電子伝達物質とは別の化合物からなる電子輸送層を積層したものでも良い。
電子注入材料としては、下記化学式に示されるフッ化リチウムや８−ヒドロキシキノリノラトリチウム錯体（Ｌｉｑ）などを挙げることができるが、本出願人の特願２００６−２９２０３２号にかかげるフェナントロリン誘導体のリチウム錯体（ＬｉＰＢ）や特願２００７−２９６９５号に掲げるフェノキシピリジンのリチウム錯体（ＬｉＰＰ）を用いることもできる。
【化４７】
2008247810.tif 000046
電子輸送材料としては、下記化学式に示すＡｌｑ３、ＴＡＺ、ＤＰＢなどを挙げることができる。
【化４８】
2008247810.tif 000047
【００３８】
本発明の有機ＥＬ素子の発光層については、本発明のビチオフェン化合物およびビチアゾール化合物を用いることができる。また従来の公知の材料についても特に制限はなく任意のものを選択して用いることができる。
【００３９】
発光材料としては、ペリレン誘導体、ナフタセン誘導体、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体（例えばクマリン１、クマリン５４０、クマリン５４５など）、ピラン誘導体（例えばＤＣＭ−１、ＤＣＭ−２、ＤＣＪＴＢなど）、有機金属錯体、例えばトリス（８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｍｑ３）等の蛍光材料や［２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジル−Ｎ，Ｃ２′］イリジウム（III）ピコリレート（ＦＩｒｐｉｃ）、トリス｛１−［４−（トリフルオロメチル）フェニル］−１Ｈ−ピラゾラート−Ｎ，Ｃ２′｝イリジウム（III）（Ｉｒｔｆｍｐｐｚ３）、ビス［２−（４′，６′−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２′］イリジウム（III）テトラキス（１−ピラゾリル）ボレート（ＦＩｒ６）、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（III）（Ｉｒｐｐｙ３）などのリン光材料などを挙げることができる。
【００４０】
発光層は、ホスト材料とゲスト材料（ドーパント）から形成することもできる［Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６５  ３６１０（１９８９）］。特にリン光材料を発光層に使用する場合、ホスト材料の使用が必要であり、この時使用されるホスト材料としては４，４′−ジ（Ｎ−カルバゾリル）−１，１′−ビフェニル（ＣＢＰ）、１，４−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン−２，２′−ジ［４″−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−１，１′−ビフェニル（４ＣｚＰＢＰ）等が挙げられる。
【００４１】
ゲスト材料は、ホスト材料に対して好ましくは０．０１〜４０重量％であり、より好ましくは０．１〜２０重量％である。ゲスト材料としては、下記に示す従来公知のＦＩｒｐｉｃ、Ｉｒｐｐｙ３、ＦＩｒ６等を挙げることができる。
【化４９】
2008247810.tif 000048
【００４２】
本発明の有機ＥＬ素子のホール輸送層の材料としては、本発明のビチオフェン化合物およびビチアゾール化合物が好ましい。このものは単独で使用できるが他のホール輸送材料と併用しても構わない。
【００４３】
本発明の有機ＥＬ素子は、正孔注入性をさらに向上させる目的で陽極と有機層の間に有機導電体から構成されるホール注入層をさらに設けても良い。ここで使用される導電体としては、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン誘導体、ポリフェニレンジアミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、およびＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸）などが挙げられる。
【００４４】
本発明の化合物を含む正孔輸送層、発光層の形成方法については特に限定されるものではない。例えば乾式製膜法（例えば真空蒸着法、イオン化蒸着法など）、湿式製膜法［溶媒塗布法（例えばスピンコート法、キャスト法、インクジェット法など）］を使用することができる。本発明のビチオフェン化合物およびビチアゾール化合物は乾式製膜法（例えば真空蒸着法、イオン化蒸着法など）が好ましい。電子輸送層の製膜については、湿式製膜法で行うと下層が溶出する恐れがあるため乾式製膜法（例えば真空蒸着法、イオン化蒸着法など）に限定される。素子の作成については上記の製膜法を併用しても構わない。
【００４５】
真空蒸着法により正孔輸送層、発光層、電子輸送層などの各層を形成する場合、真空蒸着条件は特に限定されるものではない。通常１０−５Ｔｏｒｒ程度以下の真空下で５０〜５００℃程度のボート温度（蒸着原温度）、−５０〜３００℃程度の基板温度で、０．０１〜５０ｎｍ／ｓｅｃ．程度蒸着することが好ましい。正孔輸送層、発光層、電子輸送層の各層を複数の化合物を使用して形成する場合、化合物を入れたボートをそれぞれ温度制御しながら共蒸着することが好ましい。
【００４６】
正孔輸送層、発光層を溶媒塗布法で形成する場合、各層を構成する成分を溶媒に溶解または分散させて塗布液とする。溶媒としては、炭化水素系溶媒（例えばヘプタン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン等）、ケトン系溶媒（例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等）、ハロゲン系溶媒（例えばジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等）、エステル系溶媒（例えば酢酸エチル、酢酸ブチル等）、アルコール系溶媒（例えばメタノール、エタノール、ブタノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等）、エーテル系溶媒（例えばジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン等）、非プロトン性溶媒（例えばＮ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等）、水等が挙げられる。溶媒は単独で使用しても良く、複数の溶媒を併用しても良い。
【００４７】
正孔輸送層、発光層、電子輸送層等の各層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常５〜５，０００ｎｍになるようにする。
【００４８】
本発明の有機ＥＬ素子は、酸素や水分等の接触を遮断する目的で保護層（封止層）を設けたり、不活性物質中に素子を封入して保護することができる。不活性物質としては、パラフィン、シリコンオイル、フルオロカーボン等が挙げられる。保護層に使用する材料としては、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、光硬化性樹脂等がある。
【００４９】
本発明の有機ＥＬ素子は、通常直流駆動の素子として使用できる。直流電圧を印加する場合、陽極をプラス、陰極をマイナスの極性として通常１．５〜２０Ｖ程度印加すると発光が観察される。また本発明の有機ＥＬ素子は交流駆動の素子としても使用できる。交流電圧を印加する場合には、陽極がプラス、陰極がマイナスの状態になった時に発光する。本発明の有機ＥＬ素子は、例えば電子写真感光体、フラットパネルディスプレイなどの平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト、計器等の光源、各種発光素子、各種表示装置、各種標識、各種センサー、各種アクセサリーなどに使用することができる。
【発明の効果】
【００５０】
今回合成したビチオフェン化合物およびビチアゾール化合物を用いて有機電界効果トランジスタを作成したところ、いずれもｐ型の特性を示しｎ型の特性は示さなかった。このことから、本発明の化合物はホール輸送材料としての有用性を示す。特にビチオフェンにピレンのような縮合多環を導入した構造のものは良好な特性を示し、Ｏｎ／Ｏｆｆ比：＞１０５、移動度：＞１０−２［ｃｍ２／Ｖｓｅｃ］の高いＦＥＴ特性を得ることができた。またキノリン環のような複素環のついたビチオフェン化合物やビチアゾール化合物でも同様な結果が得られた。
また今回有機電界効果トランジスタ評価用に用いた化合物について有機ＥＬ発光材料として用いたところ、いずれの化合物からも発光が見られ良好な特性を示した。特にジピレン置換ビチオフェン化合物〔実施例２の（２）の化合物：ＤＰｙｌＢＴ〕は、溶液でもフィルム状でも高い発光特性を示し、２５ｗｔ％という高濃度でのドープ濃度においても強い蛍光を示した。
本発明の材料は、蒸着により容易に薄膜を形成でき、膜欠損も起こりにくい。本発明の材料を使用することで、効率の高い有機電界トランジスタの作成が可能になり、携帯電話やデジタルカメラと言った分野での応用が期待できる。
【実施例】
【００５１】
以下に実施例を示して本発明を説明するが、本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
【００５２】
参考例１
（１）２−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−ナフタレン｛２−（４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅ−２−ｙｌ）−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ｝［２ＤＯＢＮａｐ］の合成
【化５０】
2008247810.tif 000049
２−ブロモナフタレン（２−Ｂｒｏｍｏｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）［２ＢｒＮａｐ］１４．４９ミリモルを脱水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５０ミリリットルに溶解させ、−７８℃まで冷却した後ｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）１７．３９ミリモルをゆっくり滴下し１時間反応させ、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（２−Ｉｓｏｐｒｏｐｏｘｙ−４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅ）［ＤＯＢ］１４．４９ミリモルをゆっくり滴下し−７８℃で１時間反応させ、ゆっくり室温に戻し１２時間反応させ、２ＤＯＢＮａｐを得た。反応は窒素気流下にて行なった。
反応終了後水を加えクロロホルムで抽出し、ブライン洗浄を行い、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。精製はカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム）、再結晶（ｎ−ヘキサン）にて行い、白色の（２ＤＯＢＮａｐ）結晶２ｇを得た。同定は１Ｈ−ＮＭＲにて行なった。
（２）２，２′−ジ（ナフチル−２−イル）−５，５′−ビチオフェン［２，２′−Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈｙｌ−２−ｙｌ）−５，５′−ｂｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ］［ＤＮｐＢＴ］の合成
【化５１】
2008247810.tif 000050
２ＤＯＢＮａｐ３．９３ミリモルと２，２′−ジブロモビチオフェン（２ＤＢｒＢＴ）１．３１ミリモルをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５０ミリリットルに溶解させ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）｛Ｐｄ（ＰＰｈ３）４｝０．０７ミリモル、Ｋ２ＣＯ３（２ミリモル）水溶液を加え、窒素気流下６０℃で４８時間攪拌させ、ＤＮｐＢＴを得た。
反応終了後、析出した固体を吸引濾過により回収し、真空乾燥させた。精製はトレインサブリメーション法（高温部：２３０℃、低温部：１００℃、窒素流量：５０ｃｃ／ｍｉｎ）を三回行い、黄色のＤＮｐＢＴ結晶０．５ｇを得た。同定は元素分析にて行なった。
ＤＮｐＢＴのＴＧＡ−７（熱重量分析装置）による分解状況およびＤＳＣ（示差走査熱量測定装置）による熱挙動をそれぞれ図１および図２に示す。また電気化学特性を表１に示す。
【００５３】
実施例１
（１）２−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−ピレン｛２−（４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅ−２−ｙｌ）−ｐｙｌｅｎｅ｝［ＤＯＢＰｙｌ］の合成
【化５２】
2008247810.tif 000051
２−ブロモピレン（２−Ｂｒｏｍｏｐｙｌｅｎｅ）［２ＢｒＰｙｌ］１７．８ミリモルを脱水ジエチルエーテル１５０ミリリットルに溶解させ、−７８℃まで冷却した後ｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）２１．３ミリモルをゆっくり滴下し１時間反応させ、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（２−Ｉｓｏｐｒｏｐｏｘｙ−４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅ）［ＤＯＢ］２１．３ミリモルをゆっくり滴下し−７８℃で１時間反応させ、ゆっくり室温に戻し１２時間反応させＤＯＢＰｙｌを得た。反応は窒素気流下にて行なった。
反応終了後水を加えクロロホルムで抽出し、ブライン洗浄を行い、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。精製はカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；クロロホルム：ｎ−ヘキサン＝１：１）、再結晶（ｎ−ヘキサン）にて行い、白色のＤＯＢＰｙｌ結晶５．６ｇを得た。同定は１Ｈ−ＮＭＲ、元素分析にて行なった。
（２）２，２′−ジ（ピレン−２−イル）−５，５′−ビチオフェン［２，２′−Ｄｉ（ｐｙｌｅｎｅ−２−ｙｌ）−５，５′−ｂｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ］［ＤＰｙｌＢＴ］の合成
【化５３】
2008247810.tif 000052
ＤＯＢＰｙｌ６．０９ミリモルと２ＤＢｒＢＴ２．４４ミリモルをＴＨＦ１００ミリリットルに溶解させ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４０．１２ミリモル、Ｋ２ＣＯ３（２ミリモル）水溶液を加え、窒素気流下６０℃で４８時間攪拌させ、ＤＰｙｌＢＴを得た。
反応終了後、析出した固体を吸引濾過により回収し、真空乾燥させた。精製はトレインサブリメーション法（高温部：３８０℃、低温部：１００℃、窒素流量：５０ｃｃ／ｍｉｎ）を三回行い、黄橙色ＤＰｙｌＢＴの結晶１．２６ｇを得た。同定は元素分析にて行なった。
ＤＰｙｌＢＴのＴＧＡ−７による分解状況及びＤＳＣによる熱挙動をそれぞれ図３および図４に示す。また電気化学特性を表１に示す。
【表１】
2008247810.tif 000053
イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）の値は理研計器ＡＣ−３により見積もり、エネルギーギャップ（Ｅｇ）はＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルの吸収端により見積もった。また電子親和力はＩｐ−Ｅｇにて見積もった。
Ｉｐ：大気中電子分析により測定したイオン化ポテンシャル値（ＨＯＭＯ値）
Ｅａ：Ｉｐ値からＥｇ値を引き算することにより算出した電子親和力値
（エネルギーアフィニティー：ＬＵＭＯ値）
Ｅｇ：ＵＶ吸収スペクトルの吸収端より算出したエネルギーギャップ値
（ＨＯＭＯ値とＬＵＭＯ値の差）
【００５４】
実施例２
（１）６−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−キノリン｛６−［４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅ−２−ｙｌ］−ｑｕｉｎｏｌｉｎｅ｝［６ＤＯＢＱ］の合成
【化５４】
2008247810.tif 000054
６−ブロモキノリン（６−ＢｒＱ）を脱水したジエチルエーテルに溶解させ−３０℃まで冷却し、ｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）１．６モル／リットルをゆっくり加え３０分反応させ、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（２−Ｉｓｏｐｒｏｐｏｘｙ−４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅ）［ＤＯＢ］をゆっくり加え室温に戻し１２時間反応させ、６ＤＯＢＱを得た。
反応終了後水を注ぎ、酢酸エチルにて抽出、水、ブラインにて洗浄を行い、無水硫酸マグネシウムにて乾燥させた。
精製はカラムクロマトグラフィー法［展開溶媒：酢酸エチル］にて行い薄黄色の固体６ＤＯＢＱを得た。同定は１Ｈ−ＮＭＲ、元素分析にて行った。
（２）２，２′−ジ（キノリン−６−イル）−５，５′−ビチオフェン｛２，２′−Ｄｉ（ｑｕｉｎｏｌｉｎｅ−６−ｙｌ）−５，５′−ｂｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ｝［６ＤＱＢＴ］の合成
【化５５】
2008247810.tif 000055
６ＤＯＢＱ４．７０ミリモルと２，２′−ジブロモ−５，５′−ビチオフェン｛２，２′−Ｄｉｂｒｏｍｏ−５，５′−ｂｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ｝［ＤＢｒＢＴ］１．８８ミリモルを１，４−ジオキサン１００ミリリットルに溶解させ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）〔Ｐｄ（ＰＰｈ３）４〕０．０９ミリモル、Ｋ２ＣＯ３（２ミリモル）水溶液を加え窒素気流下８０℃で２４時間攪拌させた。
反応終了後、酢酸エチル、水を注ぎ析出した固体６ＤＱＢＴを洗浄し、吸引ろ過にて固体を回収し真空乾燥にて乾燥させた。
精製はトイレインサブリメーション法［高温部：２８０℃，低温部：１００℃，窒素流量：１００ｃｃ／ｍｉｎ］にて３回行いオレンジ色の６ＤＱＢＴ固体０．６８ｇを得た。同定は元素分析にて行った。
図５は６ＤＱＢＴのＴＧＡ−７による分解状況を示すグラフである。
図６は６ＤＱＢＴのＤＳＣによる熱挙動を示すグラフである。
また、６ＤＱＢＴの熱的および電気化学的性質は表２に示す。
【表２】
2008247810.tif 000056
Ｔｇ：ガラス転移温度
Ｔｍ：融解温度
Ｔｄ：熱分解温度
【００５５】
実施例３
（１）６−ブロモキノキサリン（６−Ｂｒｏｍｏｑｕｉｎｏｘａｌｉｎｅ）［６ＢｒＱｘ］の合成
【化５６】
2008247810.tif 000057
３−ブロモフェニレンジアミン（３−Ｂｒｏｍｏｐｈｅｎｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ）［ＢｒｐｈＤＡ］２１．３９ミリモルとグリオキサール（Ｇｌｙｏｘａｌ）［ＧＯｘ］２１．３９ミリモルをエタノール１００ミリリットルに溶解させ窒素気流下で４時間還流させ、６ＢｒＱｘを得た。
反応終了後、クロロホルムで抽出し１０％希塩酸と水で数回洗浄し、ブラインで洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。
精製はカラムクロマトグラフィー法［展開溶媒；クロロホルム：ｎ−ヘキサン＝１０：１］にて行い薄黄色の６ＢｒＱｘ固体３．５ｇを得た。同定は１Ｈ−ＮＭＲにて行なった。
（２）２，２′−ジ（キノキサリン−６−イル）−５，５′−ビチオフェン［２，２′−Ｄｉ（ｑｕｉｎｏｘａｌｉｎｅ−６−ｙｌ）−５，５′−ｂｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ］［６ＤＱｘＢＴ］の合成
【化５７】
2008247810.tif 000058
６ＢｒＱｘ５．４ミリモルと２，２′−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−２，２′−ビチオフェン｛２，２′−Ｂｉｓ（４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅ−２−ｙｌ）−２，２′−ｂｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ｝［ＤＢｒＢＴ］１．８ミリモルを１，４−ジオキサン１００ミリリットルに溶解させ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４０．０９ミリモル、Ｋ２ＣＯ３（２ミリモル）水溶液を加え、窒素気流下８０℃で２４時間攪拌させ、６ＤＱｘＢＴを得た。
反応終了後、酢酸エチル、水を注ぎ析出した固体を洗浄し、吸引ろ過にて固体を回収し真空乾燥にて乾燥させた。
精製はトイレインサブリメーション法［高温部：２５０℃，低温部：１００℃，窒素流量：１００ｃｃ／ｍｉｎ］にて３回行いオレンジ色の６ＤＱｘＢＴ固体０．２８ｇを得た。同定は元素分析にて行った。
６ＤＱｘＢＴの熱的および電気化学的性質は表２に示す。
【００５６】
参考例２
（１）２−（ナフタレン−２−イル）−４−ブロモチアゾール［２−（Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−２−ｙｌ）−４−Ｂｒｏｍｔｈｉａｚｏｌｅ］［ＢｒＮｐＴｚ］の合成
【化５８】
2008247810.tif 000059
ナフタレン−２−ホウ酸（Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−２−ｂｏｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）［ＮｐＢＡ］４．１１ミリモルと２，５−ジブロモチアゾール（２，５−Ｄｉｂｒｏｍｏｔｈｉａｚｏｌｅ）［ＤＢｒＴｚ］４．１１ミリモルをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ミリリットルに溶解させ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４０．２ミリモル、Ｋ２ＣＯ３（２モル／リットル）水溶液を加え窒素気流下６０℃で２４時間攪拌させ、ＢｒＮｐＴｚを得た。
反応終了後酢酸エチルにて抽出し、水、飽和食塩水にて洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。精製はカラムクロマトグラフィー法［展開溶媒；ｎ−ヘキサン：クロロホルム＝１：１］にて行い、薄黄色のＢｒＮｐＴｚ固体０．５８ｇを得た。同定は１Ｈ−ＮＭＲ，Ｍａｓｓスペクトルにて行った。
（２）２，２′−ジ（ナフタレン−２−イル）−５，５′−ビチアゾール［２，２′−Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−２−ｙｌ）−５，５′−ｂｉｔｈｉａｚｏｌｅ］［ＤＮｐＢＴｚ］の合成
【化５９】
2008247810.tif 000060
２−（ナフタレン−２−イル）−４−ブロモチアゾール（ＢｒＮｐＴｚ）１．０３ミリモルとビスピナコラトジボロン（Ｂｉｓｐｉｎａｃｏｌａｔｏｄｉｂｏｒｏｎ）［ＤＯＢ２］１．０３ミリモルを脱水・脱酸素したジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）５０ミリリットルに溶解させ、ビス（ジフェニルホスフィノフェロセン）ジクロロパラジウム（０）｛Ｂｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｏｆｅｒｒｏｃｅｎｅ）ｄｉｃｈｌｏｒｏｐａｒａｄｉｕｍ（０）｝０．０３ミリモルと酢酸カリウム３．０９ミリモルを加え、窒素雰囲気下８０℃で２４時間反応させ、ＤＮｐＢＴｚを得た。
反応終了後、水を注ぎ固体を析出させた後固体を吸引濾過し真空乾燥させた。精製はトレインサブリメーション法［高温部：２５０℃、低温部：１００℃、窒素流量：１００ｃｃ／ｍｉｎ］にて行いオレンジ色のＤＮｐＢＴｚ針状結晶０．２ｇを得た。同定は１Ｈ−ＮＭＲ、元素分析、Ｍａｓｓスペクトルにて行った。
【００５７】
実施例４
参考例１で得られた２，２′−ジ（ナフチル−２−イル）−５，５′−ビチオフェン（ＤＮｐＢＴ）および実施例１で得られた２，２′−ジ（ピレン−２−イル）−５，５′−ビチオフェン（ＤＰｙｌＢＴ）をそれぞれ用いて下記の構成による有機電界効果トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ＝ＦＥＴ）を作成した。
デバイス１：ｎ−Ｓｉ／ＳｉＯ２（３００ｎｍ）／ＤＮｐＢＴ（５０ｎｍ）／Ａｕ（５０ｎｍ）
デバイス２：ｎ−Ｓｉ／ＳｉＯ２（３００ｎｍ）／ＤＰｙｌＢＴ（５０ｎｍ）／Ａｕ（５０ｎｍ）
デバイス１のドレイン電圧−ドレイン電流（ソースからドレインに流れる電流）の関係は図７に、
デバイス１のゲート電圧−ドレイン電流の関係は図８に、
デバイス１のゲート電圧−（ドレイン電流）１／２の関係は図９に示し、
デバイス２のドレイン電圧−ドレイン電流の関係は図１０に、
デバイス２のゲート電圧−ドレイン電流の関係は図１１に、
デバイス２のゲート電圧−（ドレイン電流）１／２の関係は図１２に示す。
図８と図１１中におけるＯｎ／Ｏｆｆ比とは、ゲート電圧が０Ｖの時のドレイン電流値と、ゲート電圧が−１００Ｖの時のドレイン電流値の比であり、大きい方がよい。図９と図１２における（ドレイン電流）１／２とは、ソースからドレインに流れるドレイン電流値の平方根の値である。ドレイン電圧を−１００Ｖに固定し、ゲート電圧を変化させた時のソースからドレインへ流れる電流値の平方根をプロットした場合、曲線の傾きが「移動度μ」に相当し、曲線の接線がＸ軸と交わったところが「閾値電圧ＶＴ」に相当する。移動度μは速い方がよく、閾値電圧ＶＴは低い方がよい。
図７と図１０における１番上に示されている曲線はゲート電圧を−１００Ｖに固定してドレイン電圧を変化させた場合のドレイン電流値の変化を示しており、２番目はゲート電圧を−７５Ｖにした場合で、その下の曲線はゲート電圧を−５０Ｖにした場合のものである。１番下の曲線（ほぼ直線）は、ゲート電圧を−２５Ｖにした場合と０Ｖにした場合のものが重なってしまっている。
【００５８】
実施例５
実施例２で得られた２，２′−ジ（キノリン−６−イル）−５，５′−ビチオフェン（６ＤＱＢＴ）を用いて、下記の構成による有機電界効果トランジスタを作成した。
デバイス３：ｎ＋＋Ｓｉ／ＳｉＯ２（３００ｎｍ）／６ＤＱＢＴ（５０ｎｍ）／Ａｕ（５０ｎｍ）
デバイス３の特性
【表３】
2008247810.tif 000061
＊１）半導体としての構造にＮＰＮ構造とＰＮＰ構造があるが、ＮＰＮを使ったものを
Ｎチャネル、ＰＮＰを使ったものをＰチャネルといい、このケースはＰチャネル
である。
＊２）ＯＮ／ＯＦＦ比とは、ＯＮ状態（ゲート電圧：１００Ｖ）の時のドレイン電流の
値とＯＦＦ状態（ゲート電圧：０Ｖ）の時のドレイン電流の値との比である。
＊３）ＶＴとは、閾値電圧である。ゲート電圧をかけていくと、急にソース−ドレイン
間に電流が流れはじめる。このときの電圧が閾値電圧である。この値が低いほど
応答が早いということになる。
図１３にデバイスの断面図を示す。Ｗは奥行きの長さ、Ｌはソースとドレイン間の距離である。
デバイス３のドレイン電圧−ドレイン電流の関係は図１４に、
デバイス３のゲート電圧−ドレイン電流の関係および
デバイス３のゲート電圧−（ドレイン電流）１／２の関係は図１５に示す。
図１４における１番上に示されている曲線はゲート電圧を−１００Ｖに固定してドレイン電圧を変化させた場合のドレイン電流値の変化を示しており、２番目はゲート電圧を−７５Ｖにした場合で、その下の曲線はゲート電圧を−５０Ｖにした場合のものである。１番下の曲線（ほぼ直線）は、ゲート電圧を−２５Ｖにした場合と０Ｖにした場合のものが重なってしまっている。
【００５９】
実施例６
実施例１で得られた２，２′−ジ（ピレン−２−イル）−５，５′−ビチオフェン（ＤＰｙｌＢＴ）を発光材料とし、Ａｌｑ３をホスト材料として、有機ＥＬ素子を作成した。なお、デバイス４は比較のためのものである。
デバイスの構成は下記のとおりである。
デバイス４：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／Ａｌｑ３（６０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）［Ｒｅｆ．］
デバイス５：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／Ａｌｑ３：ＤＰｙｌＢＴ（５ｗｔ％）（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス６：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／Ａｌｑ３：ＤＰｙｌＢＴ（１０ｗｔ％）（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス７：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／Ａｌｑ３：ＤＰｙｌＢＴ（１５ｗｔ％）（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス８：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／Ａｌｑ３：ＤＰｙｌＢＴ（２０ｗｔ％）（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス９：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／Ａｌｑ３：ＤＰｙｌＢＴ（２５ｗｔ％）（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス１０：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／ＤＰｙｌＢＴ（１００ｗｔ％）（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
【化６０】
2008247810.tif 000062
【化６１】
2008247810.tif 000063
前記デバイス４〜１０の
電圧−電流密度の関係は図１６に、
電圧−輝度の関係は図１７に、
電圧−視感効率の関係は図１８に、
電圧−電流効率の関係は図１９に、
電流密度−輝度の関係は図２０に、
波長−標準化ＥＬ強度の関係は図２１にそれぞれ示す。
また、
デバイス５の波長−標準化ＥＬ強度の関係は図２２に、
デバイス６の波長−標準化ＥＬ強度の関係は図２３に、
デバイス７の波長−標準化ＥＬ強度の関係は図２４に、
デバイス８の波長−標準化ＥＬ強度の関係は図２５に、
デバイス９の波長−標準化ＥＬ強度の関係は図２６に、
デバイス５〜９の有機ＥＬ素子のエネルギーダイヤグラムを図２７に、
それぞれ示す。
Ａｌｑ３フィルムの標準化吸収、ＤＰｙｌＢＴフィルムの標準化吸収、Ａｌｑ３フィルムの標準化ＰＬ強度、ＤＰｙｌＢＴフィルムの標準化ＰＬ強度、を図２８に、
Ａｌｑ３とＤＰｙｌＢＴとの共蒸着フィルムのそれぞれの単独蒸着膜のＰＬ強度を図２９に、
Ａｌｑ３とＤＰｙｌＢＴとの共蒸着フィルムのそれぞれの単独蒸着膜の標準化ＰＬ強度を図３０に、
それぞれ示す。
図２７においては、左側からＩＴＯの、つぎがα−ＮＰＤ層の、ついで点線で囲った部分がＤＰｙｌＢＴ５〜２５ｗｔ％を含むＡｌｑ３層の、つぎがＡｌｑ３層の、それぞれのエネルギーダイヤグラムを示すものである。
なお、ＰＬ強度とは、測定したままのＰＬの強さを示すが、標準化ＰＬ強度は、測定溶液の濃度がＰＬ強度に依存するため、ＰＬ強度を一番大きなピークにそろえ、ＰＬの極大の位置をよりわかりやすくしたものである。
下記表４には、デバイス４〜１０の１００ｃｄ／ｍ２におけるＥＬ特性を示し、表５にはデバイス４〜１０の１０００ｃｄ／ｍ２におけるＥＬ特性を示し、表６にはデバイス４〜１０の最高時におけるＥＬ特性を示す。
【表４】
2008247810.tif 000064
上記表４および後記表５、１１、１２における（１００ｗｔ％）という表示のデバイスは、１００ｗｔ％であるため、ドープされていない単層膜となっているので、発光していない。この点から考えて本発明化合物単独での使用は適当ではなく、Ａｌｑ３やＢＡｌｑなどの成分に本発明化合物を混合して使用することが好ましい。混合割合は所望する性能に対応した形で決定すればよい。
Ｐ．Ｅ．：電力効率
Ｃ．Ｅ．：電流効率
Ｑ．Ｅ．：量子効率
【表５】
2008247810.tif 000065
【表６】
2008247810.tif 000066
Ａｌｑ３をホストとしたＥＬデバイスの作製を試みた結果、ドープ濃度がＤＰｙｌＢＴ／Ａｌｑ３＝２０ｗｔ％のときに最適ドープ濃度となり駆動電圧２．５（Ｖ）、最大輝度７５０００（ｃｄ／ｍ２）、視感効率９．０２（ｌｍ／ｗ）、最大電流効率１１．８（ｃｄ／Ａ）、最大外部量子効率３．６％と高い特性を示した。
また、ＤＰｙｌＢＴのドープ濃度が高くなるにしたがってキャリアが入りやすくなり、駆動電圧低下の傾向が見られた。これはＤＰｙｌＢＴが比較的高いキャリア輸送性を持っていることによるものであると考えられる。あるいはＡｌｑ３のＩｐは約５．７（ｅＶ）、ＤＰｙｌＢＴのＩｐが５．５（ｅＶ）でありドープ濃度の増加に伴なってα−ＮＰＤからＤＰｙｌＢＴに直接ホールが注入され易くなったために駆動電圧が低下したと考えられる。
得られたＥＬスペクトルはＡｌｑ３のＥＬスペクトルに類似しているが、半値幅はＡｌｑ３スペクトルよりも狭く、また、ドープ濃度が高くなるにつれてレッドシフトし、ＤＰｙｌＢＴフィルムのＰＬスペクトルに近づいていることからＤＰｙｌＢＴが発光していることが考えられる。尚、得られたＥＬの発光色がＤＰｙｌＢＴフィルムのＰＬスペクトルよりも短波長化している原因としてはＡｌｑ３がソルバトクロミズム効果を引き起こしたためであると考えられる。蛍光材料を溶媒に溶解し、その発光スペクトルを測定すると溶媒の極性によって発光スペクトルに違いが見られることがある。これは極性溶媒に溶解させた状態で蛍光材料を励起させると、電子状態が分極して励起子が不安定になり、その結果発光スペクトルが短波長側にシフトしたり、逆に安定化して長波長側にシフトすることもある。このような現象をソルバトクロミズム効果と言っている。一般的に凝集によるレッドシフトが起こる場合エキシマーやエキシプレックス形成による特性の低下や濃度消光などによる特性の低下が観測されるが、この場合レッドシフトに伴ない逆に特性が向上しているのでホスト材料の溶媒効果がレッドシフトを引き起こしていると考えられる。
【００６０】
実施例７
実施例１で得られた２，２′−ジ（ピレン−２−イル）−５，５′−ビチオフェン（ＤＰｙｌＢＴ）を発光材料とし、ＢＡｌｑをホスト材料として有機ＥＬ素子を作成した。デバイスの構成は下記のとおりである。
デバイス１１：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／ＢＡｌｑ：ＤＰｙｌＢＴ（１５ｗｔ％）（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス１２：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／ＢＡｌｑ：ＤＰｙｌＢＴ（２０ｗｔ％）（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス１３：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／ＢＡｌｑ：ＤＰｙｌＢＴ（２５ｗｔ％）（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
ＢＡｌｑ：ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ
【化６２】
2008247810.tif 000067
前記デバイス１１〜１３の
電圧−電流密度の関係は図３１に、
電圧−輝度の関係は図３２に、
電圧−視感効率の関係は図３３に、
電圧−電流効率の関係は図３４に、
電流密度−輝度の関係は図３５に、
それぞれ示す。
また、
デバイス１１〜１３の５ｍＡ時における標準化ＥＬ強度を図３６に示し、
デバイス１１の１ｍＡ〜１００ｍＡ時における標準化ＥＬ強度を図３７に示し、
デバイス１２の１ｍＡ〜１００ｍＡ時における標準化ＥＬ強度を図３８に示し、
デバイス１３の１ｍＡ〜１００ｍＡ時における標準化ＥＬ強度を図３９に示す。
デバイス１１〜１３の１００ｃｄ／ｍ２におけるＥＬ特性を下記表７に示す。
【表７】
2008247810.tif 000068
上記表中、１ｃｄ／ｍ２Ｔｕｒｎ  ｏｎ〔Ｖ〕とは、１ｃｄ／ｍ２以上の輝度が得られたときの電圧を示す。
デバイス１１〜１３の１０００ｃｄ／ｍ２におけるＥＬ特性を下記表８に示す。
【表８】
2008247810.tif 000069
発光材料の２，２′−ジ（ピレン−２−イル）−５，５′−ビチオフェン（ＤＰｙｌＢＴ）とホスト材料のＢＡｌｑの光化学特性を図４０に、ＢＡｌｑ：ＤＰｙｌＢＴ共着フィルムのＰＬ強度を図４１に、その標準化ＰＬ強度を図４２に示す。
図４０における左側の破線は、ＢＡｌｑのＵＶ吸収スペクトル測定結果であり、右側の破線は、ＤＰｙｌＢＴのＵＶ吸収スペクトル測定結果であり、左側の実線は、ＢＡｌｑのＰＬスペクトル測定結果であり、右側の実線は、ＤＰｙｌＢＴのＰＬスペクトル測定結果である。
発光層のホストとゲストの組み合せを決める条件の１つとして、ホストのＰＬスペクトルとゲストの吸収スペクトルの重なりが大きいことが挙げられる。ホスト（ＢＡｌｑ）が励起されるとそれ自体が発光しようとするが、ホストのＰＬスペクトルとゲストの吸収スペクトルに重なりがある場合、ホストの発光する分のエネルギーをゲスト（ＤＰｙｌＢＴ）が吸収し、ゲストの方が発光すると考えられる。
図４０を見ると、ＤＰｙｌＢＴの吸収スペクトル（右側の破線）とＢＡｌｑのＰＬスペクトル（左側の実線）の重なりがある（４００〜５５０ｎｍ）ので、ホストからゲストへのエネルギー移動が行われると推定される。
また、ゲスト（ＤＰｙｌＢＴ）のＰＬスペクトル（右側の実線）の方がホスト（ＢＡｌｑ）のＰＬスペクトル（左側の実線）よりも長波長側にあるので、ゲストからの発光の方が強く出ると推定される。
図４１は、ゲスト（ＤＰｙｌＢＴ）のドープ濃度を変化させた時のＰＬスペクトルの比較である。
ドープ濃度を５〜２５重量％の間で振ったところ、２０重量％の時のＰＬスペクトルが最も高くなっていることから、ドープ濃度は２０重量％程度にした場合に高効率が得られると推定できる。
しかし、ＥＬ素子にした場合、ホールと電子のキャリアバランス等の影響があるので、必ずしも２０重量％が良いとは言い切れない。
図４２は、ノーマライズしてスペクトルのピークトップを揃えた形で比較したものである。
これは、ゲスト（ＤＰｙｌＢＴ）のドープ濃度を変化させた場合に、発光色に変化が見られるということを示している。
一番左に１本だけある曲線が、ホストであるＢＡｌｑの単独膜のＰＬスペクトルである。ゲスト（ＤＰｙｌＢＴ）のドープ濃度を高くしていくに従って、右側にシフトしている。このことから、ホストからゲストへのエネルギー移動が充分に行われていないことが分かる。つまり、ゲストのドープ濃度が低いと、ゲストだけでなく、ホストからも発光が得られているために、このようなスペクトルの変化が見られる。
ＥＬ素子においては、ドープ濃度を変えても発光色が変化しないものの方が良いとされている。
以上のデータを総合すると、ＰＬでの最適ドープ濃度は２０ｗｔ％であり、ドープ膜からはＢＡｌｑ由来の発光は観測されなかった。よって効率よくエネルギー移動が起こっていることが示唆される。
ＰＬでの最適ドープ濃度とその前後の濃度を用いて有機ＥＬデバイスの作製を試みた結果ドープ濃度が増すことによりキャリアが入るようになり、１００ｃｄ／ｍ２発光時と１０００ｃｄ／ｍ２発光時の視感効率では２０ｗｔ％のものが最も良い特性を示した。しかし、電流効率では１５ｗｔ％のものが良く、このことからドープ濃度が増すことによりキャリアが入りやすくなった反面キャリアバランスが崩れたことが考えられる。
ＢＡｌｑをホストに用いたもの（デバイス１１、１２、１３）とＡｌｑ３を用いたもの（デバイス５〜１０）を比較すると、ＢＡｌｑを用いたものは発光開始電圧ならびに各効率がＡｌｑ３を用いたものよりも悪くなっているのがわかる。これはホール輸送材料であるα−ＮＰＤとＢＡｌｑのＨＯＭＯの差が大きくホールがＢＡｌｑ層に入りづらくなり、加えてＢＡｌｑの電子移動度はＡｌｑ３に比べて低いので結果として駆動電圧が増加し、特性が低下したことが考えられる。よって改善策としてはα−ＮＰＤとＢＡｌｑのＨＯＭＯレベルの差を減少させるようなデバイス構造にすることで特性を向上させることができると考えられる。
【００６１】
実施例８
２５ｍｍ×２５ｍｍのＩＴＯ（シート抵抗＝１０Ω／□）基盤をメンディングテープにてマスキングし、王水雰囲気下に約１０分間放置しＩＴＯをエッチング後、ＩＴＯ基板を特級アセトン、基板洗浄液セミコクリーン５６（商品名）の順に各１５分間ずつ超音波洗浄した。セミコクリーン５６〔フルウチ化学（株）製の半導体洗浄液〕をイオン交換水で洗い落としたのち、イオン交換水で５分間、電子工業用２−プロパノールで１５分間、電子工業用メタノールで１５分超音波洗浄した後、沸騰した電子工業用２−プロパノール中で５分間煮沸洗浄した。使用直前に使用するＩＴＯ基板はＴＨＦでゴシゴシ拭き取り、電子工業用２−プロパノールで１５分間超音波洗浄、電子工業用２−プロパノール中で５分間煮沸洗浄した後、ＵＶＯ−Ｃｌｅｎｅｒ  Ｍｏｄｅｌ  ４２（Ｊｅｌｉｇｈｔ  Ｃｏｍｐａｎｙ  Ｉｎｃ．）でＵＶ−オゾン照射を３０分間行い表面を洗浄した。使用する直前の洗浄工程はクリーンベンチ内で行った。
有機物蒸着にはアルバック製新型有機用ガラスチャンバを用いて、真空度１．０×１０−４Ｐａにて行い、ホール輸送材料であるα−ＮＰＤは蒸着レート０．２ｎｍ／ｓｅｃにて行い、電子輸送材料であるＡｌｑ３、またはＢＡｌｑを蒸着レート０．２ｎｍ／ｓｅｃにて行なった。またホスト材料の選択はホスト材料の発光スペクトルと用いる発光材料の吸収スペクトルの重なりを考慮して選択した。
電極と電子注入層はアルバック製新型金属用ガラスチャンバ蒸着機を用い１．０×１０−３〔Ｐａ〕以下の真空度にて行い、電子注入層であるＬｉＦは０．０１〜０．０２ｎｍ／ｓｅｃの速度で０．５ｎｍ蒸着し、さらに電極であるＡｌを１００ｎｍ蒸着積層し、発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるようにデバイスの作製を行なった。
なお、以下の測定方法は本発明の全体に適用される測定方法である。
膜厚の測定はＳｌｏａｎ社製ＤＥＫＴＡＫ３ＳＴを使用して測定した。測定条件は、測定距離＝１，０００μｍ、測定速度＝Ｌｏｗ（５０秒）、データ分析能＝Ｈｉｇｈ、測定レンジ＝６５ＫＡ、触針圧＝１ｍｇで行った。
デバイスの測定として、輝度測定にはＴＯＰＣＯＮ社製ＢＭ−８、直流電源は菊水ＰＢＸ４０−２．５、電流値の測定にはデジタルマルチメータ（アドバンテストＴＲ６８４６）を使用し、大気中で行った。
ＥＬ素子に約２秒間隔で直流電流を０．５Ｖずつステップ状に印加し、その時の電流密度と輝度を約１秒後に測定した。
ＥＬスペクトル測定には浜松ホトニクス社製Ｐｈｏｔｏ  Ｍｕｌｔｉ−Ｃｈａｎｎｅｌ  Ａｎａｌｙｚｅｒ（ＰＭＡ−１０）と日立社製Ｆ−４０１０を用いて、大気中にて行なった。ＥＬ素子のガラス基板面を分光器の受光部に対して垂直になるように設置し、ＩＴＯを陽極、金属電極を陰極に接続して直流電流を印加することにより素子を発光させた時の発光スペクトルを測定した。測定は発光面の電流密度を１，２．５，５，１０，２５，５０，１００ｍＡ／ｃｍ２と変化させ、それぞれの電流密度に対して行った。
【００６２】
参考例１で得られたＤＮｐＢＴを発光材料に用いたデバイス１４の作成
２，２′−Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈｙｌ−２−ｙｌ）−５，５′−ｂｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ〔ＤＮｐＢＴ〕を発光材料として応用した。
デバイス１４：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＤＮｐＢＴ（３ｗｔ％）（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
なお、ｔ−ＢｕＤＮＡの化学構造式は下記に示すとおりである。
【化６３】
2008247810.tif 000070
図４３における実線は、ＤＮｐＢＴの溶液状態でのＰＬスペクトル測定結果であり、破線は、ＤＮｐＢＴの溶液状態でのＵＶ吸収スペクトル測定結果であり、点線は、ｔ−ＢｕＤＮＡの薄膜状態でのＰＬスペクトル測定結果である。
発光層のホストとゲスト（ＤＮｐＢＴ）の組み合せを決める条件の１つとして、ホストのＰＬスペクトルとゲストの吸収スペクトルの重なりが大きいことが挙げられる。
ホスト（ｔ−ＢｕＤＮＡ）が励起された場合それ自体が発光するが、ホストのＰＬスペクトルとゲストの吸収スペクトルに重なりがある場合、ホストの発光する分のエネルギーをゲストが吸収してゲストが発光すると考えられている。
図４３を見ると、ＤＮｐＢＴの吸収スペクトル（破線）とｔ−ＢｕＤＮＡのＰＬスペクトル（点線）の重なりがある（４００〜４５０ｎｍ）ので、エネルギー移動は行われていると思われる。
また、ゲストのＰＬスペクトル（実線）の方がホストのＰＬスペクトル（点線）よりも長波長側にあるので、ゲストからの発光の方が強く出ると推定できる。
図４４は、デバイス１４のＥＬスペクトルと、ｔ−ＢｕＤＮＡとＤＮｐＢＴの共蒸着膜のＰＬスペクトルを示す。
図４５〜４９に参考例１で得られたデバイス１４の各特性を示す。
図４５は、ＥＬスペクトルを示す。
図４６は、電圧−輝度の関係を示す。
図４７は、電圧−電流密度の関係を示す。
図４８は、電圧−視感効率の関係を示す。
図４９は、５ｍＡ時のＣＩＥ  ｃｏｌｏｒ  ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅを示す。
下記表９には、デバイス１４の１００ｃｄ／ｍ２におけるＥＬ特性を示し、表１０には、デバイス１４の１０００ｃｄ／ｍ２におけるＥＬ特性を示す。
下記表中、１ｃｄ／ｍ２Ｔｕｒｎ  ｏｎ〔Ｖ〕とは、１ｃｄ／ｍ２以上の輝度が得られたときの電圧を示す。Ｐ．Ｅ．（Ｐｏｗｅｒ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）は視感効率、Ｃ．Ｅ．（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）は電流効率、Ｑ．Ｅ．（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）は外部量子効率、ＣＩＥｃ．ｃ．（ＣＩＥ  ｃｏｌｏｒ  ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅ）は色度座標である。
【表９】
2008247810.tif 000071
【表１０】
2008247810.tif 000072
【００６３】
実施例９
２０ｍｍ×２４ｍｍにカットし洗浄した３００ｎｍ熱酸化膜付シリコンウェハー（シリコンウェハー上にＳｉＯ２膜を熱酸化法で形成したもの）を基盤として用い、その上に有機半導体化合物を５０ｎｍ成膜し、続いてソース・ドレイン電極としてＡｕを５０ｎｍ成膜し（デバイス２０の場合のみ、有機半導体化合物形成膜後、Ｃａ２ｎｍ、Ａｇ１００ｎｍを成膜し）、トップコンタクトタイプ（シリコン基板上に、絶縁層、有機半導体層を形成し、その上にソースおよびドレイン電極を付した構造）のデバイス作製を行なった。
シリコンウェハー基盤は角をやすりで削りヘビードープシリコン（ドープ量を増やすことにより抵抗値を低くしたもので、図中ｎ＋＋の表示あり）を剥き出しにしゲート電極を形成し、関東化学（株）製ガラス器具洗浄用中性洗剤シカクリーンを用いてスクラブ洗浄し、純水を用いてかけ洗い、流水洗浄、超音波洗浄（１５ｍｉｎ）の順に行い、次にアセトン超音波洗浄（１５ｍｉｎ）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）超音波洗浄（１５ｍｉｎ）、ＩＰＡ煮沸洗浄、ＵＶ−Ｏ３洗浄を行なったものを用いた。
有機膜の成膜法として、真空蒸着法を用いて成膜した。有機蒸着はアルバック製有機用新型ガラスチャンバーを用い、真空度１．０×１０−４〔Ｐａ〕、蒸着レート０．１〔ｎｍ／ｓｅｃ〕にて行なった。
測定はグローブボックス中（Ｏ２濃度＜０．１ｐｐｍ、Ｈ２Ｏ濃度＜０．１ｐｐｍ）にてＡｇｉｌｌｅｎｔ半導体パラメータアナライザー（ゲートとドレインに電圧をかけて、ソースからドレインに流れる電流量を調べる装置）を用いて行なった。各デバイスの積層構造は、図５０に示す。
デバイス１５に２５Ｖ、５０Ｖ、７５Ｖ、１００Ｖの電圧をかけたときのドレイン電圧−ドレイン電流の関係を図５１に、
デバイス１５のゲート電圧−ドレイン電流およびゲート電圧−（ドレイン電流）１／２の関係を図５２に、
デバイス１６に２５Ｖ、５０Ｖ、７５Ｖ、１００Ｖの電圧をかけたときのドレイン電圧−ドレイン電流の関係を図５３に、
デバイス１６のゲート電圧−ドレイン電流およびゲート電圧−（ドレイン電流）１／２の関係を図５４に、
デバイス１７に２５Ｖ、５０Ｖ、７５Ｖ、１００Ｖの電圧をかけたときのドレイン電圧−ドレイン電流の関係を図５５に、
デバイス１７のゲート電圧−ドレイン電流およびゲート電圧−（ドレイン電流）１／２の関係を図５６に、
デバイス１８に２５Ｖ、５０Ｖ、７５Ｖ、１００Ｖの電圧をかけたときのドレイン電圧−ドレイン電流の関係を図５７に、
デバイス１９に２５Ｖ、５０Ｖ、７５Ｖ、１００Ｖの電圧をかけたときのドレイン電圧−ドレイン電流の関係を図５８に、
デバイス２０に２５Ｖ、５０Ｖ、７５Ｖ、１００Ｖの電圧をかけたときのドレイン電圧−ドレイン電流の関係を図５９に、
デバイス２０のゲート電圧−ドレイン電流およびゲート電圧−（ドレイン電流）１／２の関係を図６０に、
それぞれ示す。
図５１、５３、５５、５９における１番上に示されている曲線はゲート電圧を−１００Ｖに固定してドレイン電圧を変化させた場合のドレイン電流値の変化を示しており、２番目はゲート電圧を−７５Ｖにした場合で、その下の曲線はゲート電圧を−５０Ｖにした場合のものである。１番下の曲線（ほぼ直線）は、ゲート電圧を−２５Ｖにした場合と０Ｖにした場合のものが重なってしまっている。
図５２、５４、５６、６０におけるオン／オフ比は、オン状態（ゲート電圧１００Ｖ）の時のドレイン電流の値と、オフ状態（ゲート電圧０Ｖ）の時のドレイン電流の値との比である。
図５２、５４、５６、６０におけるＶＴは閾値電圧のことであり、こればゲートに電圧をかけてゆくと、急にソース・ドレイン間に電流が流れ始める時点がある。このときの電圧の値が閾値電圧である。図５２、５４、５６、６０におけるμは移動度である。なお、これらのデータから本発明化合物がホール輸送性を有していることが判る。
Ｐ型トランジスタとしての各デバイスの構成は下記のとおりである。
デバイス１５：ｎ＋＋Ｓｉ／ＳｉＯ２（３００ｎｍ）／参考例１で得られたＤＮｐＢＴ（５０ｎｍ）／Ａｕ（５０ｎｍ）
デバイス１６：ｎ＋＋Ｓｉ／ＳｉＯ２（３００ｎｍ）／実施例１で得られたＤＰｙｌＢＴ（５０ｎｍ）／Ａｕ（５０ｎｍ）
デバイス１７：ｎ＋＋Ｓｉ／ＳｉＯ２（３００ｎｍ）／実施例２で得られた６ＤＱＢＴ（５０ｎｍ）／Ａｕ（５０ｎｍ）
デバイス１８：ｎ＋＋Ｓｉ／ＳｉＯ２（３００ｎｍ）／実施例３で得られた６ＤＱｘＢＴ（５０ｎｍ）／Ａｕ（５０ｎｍ）
デバイス１９：ｎ＋＋Ｓｉ／ＳｉＯ２（３００ｎｍ）／実施例３で得られた６ＤＱｘＢＴ（５０ｎｍ）／Ｃａ（２ｎｍ）／Ａｇ（１００ｎｍ）
デバイス２０：ｎ＋＋Ｓｉ／ＳｉＯ２（３００ｎｍ）／参考例２で得られたＤＮｐＢＴｚ（５０ｎｍ）／Ａｕ（５０ｎｍ）
【００６４】
実施例１０
２５ｍｍ×２５ｍｍのＩＴＯ（シート抵抗＝１０Ω／□）基盤をメンディングテープにてマスキングし、王水雰囲気下に約１０分間放置しＩＴＯをエッチング後、ＩＴＯ基板を特級アセトン、基板洗浄液セミコクリーン５６（商品名）の順に各１５分間ずつ超音波洗浄した。セミコクリーン５６〔フルウチ化学（株）製の半導体洗浄液〕をイオン交換水で洗い落としたのち、イオン交換水で５分間、電子工業用２−プロパノールで１５分間、電子工業用メタノールで１５分超音波洗浄した後、沸騰した電子工業用２−プロパノール中で５分間煮沸洗浄した。使用直前に使用するＩＴＯ基板はＴＨＦでゴシゴシ拭き取り、電子工業用２−プロパノールで１５分間超音波洗浄、電子工業用２−プロパノール中で５分間煮沸洗浄した後、ＵＶＯ−Ｃｌｅｎｅｒ  Ｍｏｄｅｌ  ４２（Ｊｅｌｉｇｈｔ  Ｃｏｍｐａｎｙ  Ｉｎｃ．）でＵＶ−オゾン照射を３０分間行い表面を洗浄した。使用する直前の洗浄工程はクリーンベンチ内で行った。
有機物蒸着にはアルバック製新型有機用ガラスチャンバを用いて、真空度１．０×１０−４Ｐａにて行い、ホール輸送材料であるα−ＮＰＤは蒸着レート０．２ｎｍ／ｓｅｃにて行い、電子輸送材料であるＡｌｑ３、またはＢＡｌｑを蒸着レート０．２ｎｍ／ｓｅｃにて行なった。またホスト材料の選択はホスト材料の発光スペクトルと用いる発光材料の吸収スペクトルの重なりを考慮して選択した。発光材料は下記の（その１）〜（その４）に規定する本発明化合物を用いた。
電極と電子注入層はアルバック製新型金属用ガラスチャンバ蒸着機を用い１．０×１０−３〔Ｐａ〕以下の真空度にて行い、電子注入層であるＬｉＦは０．０１〜０．０２ｎｍ／ｓｅｃの速度で０．５ｎｍ蒸着し、さらに電極であるＡｌを１００ｎｍ蒸着積層し、発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるようにデバイスの作製を行なった。
膜厚の測定はＳｌｏａｎ社製ＤＥＫＴＡＫ３ＳＴを使用して測定した。測定条件は、測定距離＝１，０００μｍ、測定速度＝Ｌｏｗ（５０秒）、データ分析能＝Ｈｉｇｈ、測定レンジ＝６５ＫＡ、触針圧＝１ｍｇで行った。
デバイスの測定として、輝度測定にはＴＯＰＣＯＮ社製ＢＭ−８、直流電源は菊水ＰＢＸ４０−２．５、電流値の測定にはデジタルマルチメータ（アドバンテストＴＲ６８４６）を使用し、大気中で行った。
ＥＬ素子に約２秒間隔で直流電流を０．５Ｖずつステップ状に印加し、その時の電流密度と輝度を約１秒後に測定した。
ＥＬスペクトル測定には浜松ホトニクス社製Ｐｈｏｔｏ  Ｍｕｌｔｉ−Ｃｈａｎｎｅｌ  Ａｎａｌｙｚｅｒ（ＰＭＡ−１０）と日立社製Ｆ−４０１０を用いて、大気中にて行なった。ＥＬ素子のガラス基板面を分光器の受光部に対して垂直になるように設置し、ＩＴＯを陽極、金属電極を陰極に接続して直流電流を印加することにより素子を発光させた時の発光スペクトルを測定した。測定は発光面の電流密度を１，２．５，５，１０，２５，５０，１００ｍＡ／ｃｍ２と変化させ、それぞれの電流密度に対して行った。
【００６５】
（その１）
実施例１で得られたＤＰｙｌＢＴを発光材料に用いたデバイス２１の作成
２，２′−Ｄｉ（ｐｙｌｅｎｅ−２−ｙｌ）−５，５′−ｂｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ〔ＤＰｙｌＢＴ〕を発光材料として応用した。ホストにはＡｌｑ３を用い、ドープ濃度５ｗｔ％、１０ｗｔ％、１５ｗｔ％、２０ｗｔ％、２５ｗｔ％にてデバイスを作成した。図６１にデバイス２１の構造を、図６２にデバイス２１のエネルギーダイヤグラムを示す。
図６３における実線は、ＤＰｙｌＢＴ溶液のＰＬスペクトルを、
破線は、ＤＰｙｌＢＴ溶液のＵＶスペクトルを、
点線は、Ａｌｑ３薄膜のＰＬスペクトル
を示す。
図６４は、Ａｌｑ３とＤＰｙｌＢＴの共蒸着膜のＰＬ強度およびそれぞれの単独蒸着膜のＰＬ強度を示す。
図６５は、デバイス２１−Ｒ〜２１−６のＥＬスペクトルおよびＤＰｙｌＢＴフィルムのＰＬスペクトルを示す。
図６６は、デバイス２１−ＲのＥＬスペクトルを示す。
図６７は、デバイス２１−１のＥＬスペクトルを示す。
図６８は、デバイス２１−２のＥＬスペクトルを示す。
図６９は、デバイス２１−３のＥＬスペクトルを示す。
図７０は、デバイス２１−４のＥＬスペクトルを示す。
図７１は、デバイス２１−５のＥＬスペクトルを示す。
図７２は、デバイス２１−Ｒおよび２１−１〜２１−６の電圧−輝度特性を示す。
図７３は、デバイス２１−Ｒおよび２１−１〜２１−６の電圧−電流密度の関係を示す。
図７４は、デバイス２１−Ｒおよび２１−１〜２１−６の電圧−視感効率の関係を示す。
図７５は、デバイス２１−４の５ｍＡ時におけるＣＩＥ  ｃｏｌｏｒ  ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅを示す。
デバイス２１−Ｒ：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／Ａｌｑ３（６０ｎｍ）／ＬｉＦｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）〔Ｒｅｆ．〕
デバイス２１−１：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／Ａｌｑ３：ＤＰｙｌＢＴ（５ｗｔ％）（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス２１−２：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／Ａｌｑ３：ＤＰｙｌＢＴ（１０ｗｔ％）（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス２１−３：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／Ａｌｑ３：ＤＰｙｌＢＴ（１５ｗｔ％）（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス２１−４：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／Ａｌｑ３：ＤＰｙｌＢＴ（２０ｗｔ％）（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス２１−５：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／Ａｌｑ３：ＤＰｙｌＢＴ（２５ｗｔ％）（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス２１−６：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／ＤＰｙｌＢＴ（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
下記表１１には、デバイス２１−Ｒ〜２１−６の１００ｃｄ／ｍ２におけるＥＬ特性を示し、表１２には、デバイス２１−Ｒ〜２１−６の１０００ｃｄ／ｍ２におけるＥＬ特性を示す。
【表１１】
2008247810.tif 000073
【表１２】
2008247810.tif 000074
【００６６】
（その２）
実施例２で得られた６ＤＱＢＴを発光材料に用いたデバイス２２の作成
２，２′−Ｄｉ（ｑｕｉｎｏｌｉｎｅ−６−ｙｌ）−５，５′−ｂｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ〔６ＤＱＢＴ〕を発光材料として応用した。ホストにはｔ−ＢｕＤＮＡを用い、ドープ濃度３ｗｔ％にてデバイス２２を作成した。デバイス構造を以下に示す。
デバイス２２：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／ｔ−ＢｕＤＮＡ：６ＤＱＢＴ（３ｗｔ％）（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
図７６は、デバイス２２（デバイス２２の構造は図６１と同じ）のエネルギーダイヤグラムを示す。
図７７は、デバイス２２の標準化ＥＬスペクトル（５ｍＡ時）と、ｔ−ＢｕＤＮＡと６ＤＱＢＴの共蒸着膜（３ｗｔ％）のＰＬスペクトルを示す。
図７８は、デバイス２２のＥＬスペクトルを示す。
図７９は、デバイス２２の電圧−輝度の関係を示す。
図８０は、デバイス２２の電圧−電流密度の関係を示す。
図８１は、デバイス２２の電圧−視感効率の関係を示す。
図８２は、デバイス２２の５ｍＡ時におけるＣＩＥ  ｃｏｌｏｒ  ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅを示す。
下記表１３には、デバイス２２の１００ｃｄ／ｍ２におけるＥＬ特性を示し、表１４には、デバイス２２の１０００ｃｄ／ｍ２におけるＥＬ特性を示す。
【表１３】
2008247810.tif 000075
【表１４】
2008247810.tif 000076
【００６７】
（その３）
実施例３で得られた６ＤＱｘＢＴを発光材料に用いたデバイス２３の作成
２，２′−Ｄｉ（ｑｕｉｎｏｘａｌｉｎｅ−６−ｙｌ）−５，５′−ｂｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ〔６ＤＱｘＢＴ〕を発光材料として応用した。ホストにはＢＡｌｑを用い、ドープ濃度３ｗｔ％にてデバイス２３を作成した。デバイス構造を以下に示す。
デバイス２３：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／ＢＡｌｑ：６ＤＱｘＢＴ（３ｗｔ％）（３０ｎｍ）／ＢＡｌｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
下記表１５には、デバイス２３の１００ｃｄ／ｍ２におけるＥＬ特性を示し、表１６には、デバイス２３の１０００ｃｄ／ｍ２におけるＥＬ特性を示す。
【表１５】
2008247810.tif 000077
【表１６】
2008247810.tif 000078
図８３は、デバイス２３（構造は図６１と同じ）のエネルギーダイヤグラムを示す。
図８４は、実施例３で得られた６ＤＱｘＢＴの標準化ＰＬ強度と標準化吸収スペクトルとＢＡｌｑ薄膜の標準化ＰＬ強度を示す。
図８５は、デバイス２３の標準化ＥＬ強度（５ｍＡ時）と、６ＤＱｘＢＴとＢＡｌｑの共蒸着膜（３ｗｔ％）の標準化ＰＬ強度を示す。
図８６は、デバイス２３のＥＬスペクトルを示す。
図８７は、デバイス２３の電圧−輝度の関係を示す。
図８８は、デバイス２３の電圧−電流密度の関係を示す。
図８９は、デバイス２３の電圧−視感効率の関係を示す。
図９０は、デバイス２３の５ｍＡ時におけるＣＩＥ  ｃｏｌｏｒ  ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅを示す。
【００６８】
（その４）
参考例２で得られたＤＮｐＢＴｚを発光材料に用いたデバイス２４の作成
２，２′−Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−２−ｙｌ）−５，５′−ｂｉｔｈｉａｚｏｌｅ〔ＤＮｐＢＴｚ〕を発光材料として応用した。ホストにはｔ−ＢｕＤＮＡを用い、ドープ濃度３ｗｔ％にてデバイス２４を作成した。デバイス構造を以下に示す。
デバイス２４：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４０ｎｍ）／ｔ−ＢｕＤＮＡ：ＤＮｐＢＴｚ（３ｗｔ％）（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
下記表１７には、デバイス２４の１００ｃｄ／ｍ２におけるＥＬ特性を示し、表１８には、デバイス２４の１０００ｃｄ／ｍ２におけるＥＬ特性を示す。
【表１７】
2008247810.tif 000079
【表１８】
2008247810.tif 000080
図９１は、デバイス２４のエネルギーダイヤグラムを示す。なお、デバイス２４の構造は図６１と同じである。
図９２は、参考例２で得られたＤＮｐＢＴｚ溶液のＰＬスペクトルとＥＬスペクトルおよびｔ−ＢｕＤＮＡフィルムのＰＬスペクトルを示す。
図９３は、デバイス２４の標準化ＥＬ強度（５ｍＡ時）と、ＤＮｐＢＴとｔ−ＢｕＤＮＡの共蒸着膜（３ｗｔ％）の標準化ＰＬ強度を示す。
図９４は、デバイス２４のＥＬスペクトルを示す。
図９５は、デバイス２４の電圧−輝度の関係を示す。
図９６は、デバイス２４の電圧−電流密度の関係を示す。
図９７は、デバイス２４の電圧−視感効率の関係を示す。
図９８は、デバイス２４の５ｍＡ時におけるＣＩＥ  ｃｏｌｏｒ  ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅを示す。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】熱重量分析装置（ＴＧＡ−７）による参考例１で得られた２，２′−ジ（ナフチル−２−イル）−５，５′−ビチオフェン（ＤＮｐＢＴ）の分解状況を示すグラフである。
【図２】示差走査熱量測定装置（ＤＳＣ）による参考例１で得られた２，２′−ジ（ナフチル−２−イル）−５，５′−ビチオフェン（ＤＮｐＢＴ）の熱挙動を示すグラフである。
【図３】熱重量分析装置（ＴＧＡ−７）による実施例１で得られた２，２′−ジ（ピレン−２−イル）−５，５′−ビチオフェン（ＤＰｙｌＢＴ）の分解状況を示すグラフである。
【図４】示差走査熱量測定装置（ＤＳＣ）による実施例１で得られた２，２′−ジ（ピレン−２−イル）−５，５′−ビチオフェン（ＤＰｙｌＢＴ）の熱挙動を示すグラフである。
【図５】熱重量分析装置（ＴＧＡ−７）による実施例２で得られた２，２′−ジ（キノリン−６−イル）−５，５′−ビチオフェン（６ＤＱＢＴ）の分解状況を示すグラフである。
【図６】示差走査熱量測定装置（ＤＳＣ）による実施例２で得られた２，２′−ジ（キノリン−６−イル）−５，５′−ビチオフェン（６ＤＱＢＴ）の熱挙動を示すグラフである。
【図７】実施例４記載のデバイス１のドレイン電圧−ドレイン電流の関係を示す。
【図８】実施例４記載のデバイス１のゲート電圧−ドレイン電流の関係を示す。
【図９】実施例４記載のデバイス１のゲート電圧−（ドレイン電流）１／２の関係を示す。
【図１０】実施例４記載のデバイス２のドレイン電圧−ドレイン電流の関係を示す。
【図１１】実施例４記載のデバイス２のゲート電圧−ドレイン電流の関係を示す。
【図１２】実施例４記載のデバイス２のゲート電圧−（ドレイン電流）１／２の関係を示す。
【図１３】実施例５記載のデバイス３の断面図を示す。
【図１４】実施例５記載のデバイス３のドレイン電圧−ドレイン電流の関係を示す。
【図１５】実施例５記載のデバイス３のゲート電圧−ドレイン電流の関係およびゲート電圧−（ドレイン電流）１／２の関係を示す。
【図１６】実施例６記載のデバイス４〜１０の電圧−電流密度の関係を示す。
【図１７】実施例６記載のデバイス４〜１０の電圧−輝度の関係を示す。
【図１８】実施例６記載のデバイス４〜１０の電圧−視感効率の関係を示す。
【図１９】実施例６記載のデバイス４〜１０の電圧−電流効率の関係を示す。
【図２０】実施例６記載のデバイス４〜１０の電流密度−輝度の関係を示す。
【図２１】実施例６記載のデバイス４〜１０の波長−標準化ＥＬ強度の関係を示す。
【図２２】実施例６記載のデバイス５の波長−標準化ＥＬ強度の関係を示す。
【図２３】実施例６記載のデバイス６の波長−標準化ＥＬ強度の関係を示す。
【図２４】実施例６記載のデバイス７の波長−標準化ＥＬ強度の関係を示す。
【図２５】実施例６記載のデバイス８の波長−標準化ＥＬ強度の関係を示す。
【図２６】実施例６記載のデバイス９の波長−標準化ＥＬ強度の関係を示す。
【図２７】実施例６記載のデバイス５〜９の有機ＥＬ素子のエネルギーダイヤグラムを示す。
【図２８】実施例６におけるで得られたＤＰｙｌＢＴフィルムとＡｌｑ３フィルムの標準化吸収スペクトルと標準化ＰＬ強度を示す。
【図２９】実施例６におけるＡｌｑ３とＤＰｙｌＢＴとの共蒸着フィルムとそれぞれの単独蒸着膜のＰＬ強度を示す。
【図３０】実施例６におけるＡｌｑ３とＤＰｙｌＢＴとの共蒸着フィルムとそれぞれの単独蒸着膜の標準化ＰＬ強度を示す。
【図３１】実施例７記載のデバイス１１〜１３の電圧−電流密度の関係を示す。
【図３２】実施例７記載のデバイス１１〜１３の電圧−輝度の関係を示す。
【図３３】実施例７記載のデバイス１１〜１３の電圧−視感効率の関係を示す。
【図３４】実施例７記載のデバイス１１〜１３の電圧−電流効率の関係を示す。
【図３５】実施例７記載のデバイス１１〜１３の電流密度−輝度の関係を示す。
【図３６】実施例７記載のデバイス１１〜１３の５ｍＡ時におけるＥＬスペクトルとＢＡｌｑの標準化ＥＬ強度を示す。
【図３７】実施例７記載のデバイス１１の１ｍＡ〜１００ｍＡ時における標準化ＥＬ強度を示す。
【図３８】実施例７記載のデバイス１２の１ｍＡ〜１００ｍＡ時における標準化ＥＬ強度を示す。
【図３９】実施例７記載のデバイス１３の１ｍＡ〜１００ｍＡ時における標準化ＥＬ強度を示す。
【図４０】実施例１で得られたＤＰｙｌＢＴと公知のＢＡｌｑの標準化吸収スペクトルと標準化ＰＬ強度を示す。
【図４１】ＢＡｌｑとＤＰｙｌＢＴとの共蒸着膜とそれぞれの単独蒸着膜のＰＬ強度を示す。
【図４２】ＢＡｌｑとＤＰｙｌＢＴとの共蒸着膜とそれぞれの単独蒸着膜の標準化ＰＬ強度を示す。
【図４３】参考例１で得られたＤＮｐＢＴの溶液状態でのＰＬスペクトルを実線で、そのＵＶ吸収スペクトルを破線で、ｔ−ＢｕＤＮＡの薄膜状態でのＰＬスペクトルを点線で、それぞれ示す。
【図４４】デバイス１４の標準化ＥＬ強度（５ｍＡ時）と、ＤＮｐＢＴとｔ−ＢｕＤＮＡとの共蒸着膜（３ｗｔ％）の標準化ＰＬ強度を示す。
【図４５】参考例１で得られたデバイス１４のＥＬスペクトルを示す。
【図４６】参考例１で得られたデバイス１４の電圧−輝度を示す。
【図４７】参考例１で得られたデバイス１４の電圧−電流密度を示す。
【図４８】参考例１で得られたデバイス１４の電圧−視感効率を示す。
【図４９】参考例１で得られたデバイス１４の５ｍＡ時のＣＩＥ  ｃｏｌｏｒ  ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅを示す。
【図５０】実施例９で得られたデバイス１５〜２０の積層構造を示す。
【図５１】実施例９で得られたデバイス１５のドレイン電圧−ドレイン電流の関係を示す。
【図５２】実施例９で得られたデバイス１５のゲート電圧−ドレイン電流およびゲート電圧−（ドレイン電流）１／２の関係を示す。
【図５３】実施例９で得られたデバイス１６のドレイン電圧−ドレイン電流の関係を示す。
【図５４】実施例９で得られたデバイス１６のゲート電圧−ドレイン電流およびゲート電圧−（ドレイン電流）１／２の関係を示す。
【図５５】実施例９で得られたデバイス１７のドレイン電圧−ドレイン電流の関係を示す。
【図５６】実施例９で得られたデバイス１７のゲート電圧−ドレイン電流およびゲート電圧−（ドレイン電流）１／２の関係を示す。
【図５７】実施例９で得られたデバイス１８のドレイン電圧−ドレイン電流の関係を示す。
【図５８】実施例９で得られたデバイス１９のドレイン電圧−ドレイン電流の関係を示す。
【図５９】実施例９で得られたデバイス２０のドレイン電圧−ドレイン電流の関係を示す。
【図６０】実施例９で得られたデバイス２０のゲート電圧−ドレイン電流およびゲート電圧−（ドレイン電流）１／２の関係を示す。
【図６１】実施例１０で得られたデバイス２１の積層構造を示す。
【図６２】実施例１０で得られたデバイス２１のエネルギーダイヤグラムを示す。
【図６３】ＤＰｙｌＢＴ溶液のＰＬスペクトルを実線で、ＤＰｙｌＢＴ溶液のＵＶスペクトルを破線で、Ａｌｑ３薄膜のＰＬスペクトルを点線でそれぞれ示す。
【図６４】Ａｌｑ３とＤＰｙｌＢＴの共蒸着膜とそれぞれの単独蒸着膜のＰＬ強度を示す。
【図６５】デバイス２１−Ｒ〜２１−６のＥＬスペクトルおよびＤＰｙｌＢＴフィルムのＰＬスペクトルを示す。
【図６６】デバイス２１−ＲのＥＬスペクトルを示す。
【図６７】デバイス２１−１のＥＬスペクトルを示す。
【図６８】デバイス２１−２のＥＬスペクトルを示す。
【図６９】デバイス２１−３のＥＬスペクトルを示す。
【図７０】デバイス２１−４のＥＬスペクトルを示す。
【図７１】デバイス２１−５のＥＬスペクトルを示す。
【図７２】デバイス２１−Ｒおよび２１−１〜２１−６の電圧−輝度特性を示す。
【図７３】デバイス２１−Ｒおよび２１−１〜２１−６の電圧−電流密度の関係を示す。
【図７４】デバイス２１−Ｒおよび２１−１〜２１−６の電圧−視感効率の関係を示す。
【図７５】デバイス２１−４の５ｍＡ時におけるＣＩＥ  ｃｏｌｏｒ  ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅを示す。
【図７６】デバイス２２（デバイス２２の構造は図６１と同じ）のエネルギーダイヤグラムを示す。
【図７７】デバイス２２の標準化ＥＬスペクトル（５ｍＡ時）と、ｔ−ＢｕＤＮＡと６ＤＱＢＴの共蒸着膜（３ｗｔ％）のＰＬスペクトルを示す。
【図７８】デバイス２２のＥＬスペクトルを示す。
【図７９】デバイス２２の電圧−輝度の関係を示す。
【図８０】デバイス２２の電圧−電流密度の関係を示す。
【図８１】デバイス２２の電圧−視感効率の関係を示す。
【図８２】デバイス２２の５ｍＡ時におけるＣＩＥ  ｃｏｌｏｒ  ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅを示す。
【図８３】デバイス２３（構造は図６１と同じ）のエネルギーダイヤグラムを示す。
【図８４】実施例３で得られた６ＤＱｘＢＴ溶液の標準化ＰＬ強度と標準化吸収スペクトルとＢＡｌｑ薄膜の標準化ＰＬ強度を示す。
【図８５】デバイス２３の標準化ＥＬ強度（５ｍＡ時）と、６ＤＱｘＢＴとＢＡｌｑの共蒸着膜（３ｗｔ％）の標準化ＰＬ強度を示す。
【図８６】デバイス２３のＥＬスペクトルを示す。
【図８７】デバイス２３の電圧−輝度の関係を示す。
【図８８】デバイス２３の電圧−電流密度の関係を示す。
【図８９】デバイス２３の電圧−視感効率の関係を示す。
【図９０】デバイス２３の５ｍＡ時におけるＣＩＥ  ｃｏｌｏｒ  ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅを示す。
【図９１】デバイス２４のエネルギーダイヤグラムを示す。
【図９２】参考例２で得られたＤＮｐＢＴｚ溶液のＰＬスペクトルとＥＬスペクトルおよびｔ−ＢｕＤＮＡフィルムのＰＬスペクトルを示す。
【図９３】デバイス２４の標準化ＥＬ強度（５ｍＡ時）と、ＤＮｐＢＴとｔ−ＢｕＤＮＡの共蒸着膜（３ｗｔ％）の標準化ＰＬ強度を示す。
【図９４】デバイス２４のＥＬスペクトルを示す。
【図９５】デバイス２４の電圧−輝度の関係を示す。
【図９６】デバイス２４の電圧−電流密度の関係を示す。
【図９７】デバイス２４の電圧−視感効率の関係を示す。
【図９８】デバイス２４の５ｍＡ時におけるＣＩＥ  ｃｏｌｏｒ  ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅを示す。
【図１】
2008247810.tif 000084
【図２】
2008247810.tif 000085
【図３】
2008247810.tif 000086
【図４】
2008247810.tif 000087
【図５】
2008247810.tif 000088
【図６】
2008247810.tif 000089
【図７】
2008247810.tif 000090
【図８】
2008247810.tif 000091
【図９】
2008247810.tif 000092
【図１０】
2008247810.tif 000093
【図１１】
2008247810.tif 000094
【図１２】
2008247810.tif 000095
【図１３】
2008247810.tif 000096
【図１４】
2008247810.tif 000097
【図１５】
2008247810.tif 000098
【図１６】
2008247810.tif 000099
【図１７】
2008247810.tif 000100
【図１８】
2008247810.tif 000101
【図１９】
2008247810.tif 000102
【図２０】
2008247810.tif 000103
【図２７】
2008247810.tif 000104
【図２８】
2008247810.tif 000105
【図２９】
2008247810.tif 000106
【図３０】
2008247810.tif 000107
【図４０】
2008247810.tif 000108
【図４３】
2008247810.tif 000109
【図４４】
2008247810.tif 000110
【図４５】
2008247810.tif 000111
【図４６】
2008247810.tif 000112
【図４７】
2008247810.tif 000113
【図４８】
2008247810.tif 000114
【図５０】
2008247810.tif 000115
【図５１】
2008247810.tif 000116
【図５２】
2008247810.tif 000117
【図５３】
2008247810.tif 000118
【図５４】
2008247810.tif 000119
【図５５】
2008247810.tif 000120
【図５６】
2008247810.tif 000121
【図５７】
2008247810.tif 000122
【図５８】
2008247810.tif 000123
【図５９】
2008247810.tif 000124
【図６０】
2008247810.tif 000125
【図６１】
2008247810.tif 000126
【図６２】
2008247810.tif 000127
【図６３】
2008247810.tif 000128
【図６４】
2008247810.tif 000129
【図６５】
2008247810.tif 000130
【図６６】
2008247810.tif 000131
【図６７】
2008247810.tif 000132
【図６８】
2008247810.tif 000133
【図６９】
2008247810.tif 000134
【図７０】
2008247810.tif 000135
【図７１】
2008247810.tif 000136
【図７２】
2008247810.tif 000137
【図７３】
2008247810.tif 000138
【図７４】
2008247810.tif 000139
【図７６】
2008247810.tif 000140
【図７７】
2008247810.tif 000141
【図７８】
2008247810.tif 000142
【図７９】
2008247810.tif 000143
【図８０】
2008247810.tif 000144
【図８１】
2008247810.tif 000145
【図８３】
2008247810.tif 000146
【図８４】
2008247810.tif 000147
【図８５】
2008247810.tif 000148
【図８６】
2008247810.tif 000149
【図８７】
2008247810.tif 000150
【図８８】
2008247810.tif 000151
【図８９】
2008247810.tif 000152
【図９１】
2008247810.tif 000153
【図９２】
2008247810.tif 000154
【図９３】
2008247810.tif 000155
【図９４】
2008247810.tif 000156
【図９５】
2008247810.tif 000157
【図９６】
2008247810.tif 000158
【図９７】
2008247810.tif 000159
【図２１】
2008247810.tif 000160
【図２２】
2008247810.tif 000161
【図２３】
2008247810.tif 000162
【図２４】
2008247810.tif 000163
【図２５】
2008247810.tif 000164
【図２６】
2008247810.tif 000165
【図３１】
2008247810.tif 000166
【図３２】
2008247810.tif 000167
【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４９】
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【図７５】
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【図８２】
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【図９０】
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【図９８】
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