(57)【要約】      （修正有）【課題】画像表示装置のスペーサに適した部材であって、低コストで作製でき、その抵抗温度特性が良好な導電性部材を提供する。【解決手段】絶縁性の基材中に導体粒子を分散させてなる導電性部材であって、該導電性部材の活性化エネルギーが０．３ｅＶ以下で、且つ体積抵抗率が１０5Ωｃｍ以上となるように、上記導体粒子が基材中に分散されている。【選択図】図１
2008293960.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と該基材中に分散された該基材よりも導電率が大きい導体粒子とを有する導電性部材であって、
上記導体粒子は上記基材中において、当該導電性部材の活性化エネルギーが０．３ｅＶ以下で、且つ体積抵抗率が１０5Ωｃｍ以上となるような分散状態を呈していることを特徴とする導電性部材。
【請求項２】
上記導体粒子は上記基材中において、当該導電性部材の活性化エネルギーが０．２ｅＶ以下となるような分散状態を呈している請求項１に記載の導電性部材。
【請求項３】
上記導体粒子は上記基材中において、当該導電性部材の体積抵抗率が１０8Ωｃｍ以上となるような分散状態を呈している請求項１又は２に記載の導電性部材。
【請求項４】
上記導体粒子の粒径が０．５ｎｍ乃至５０μｍである請求項１乃至３のいずれかに記載の導電性部材。
【請求項５】
上記導体粒子が導電性部材全体に占める割合が体積率で５０体積％以下である請求項１乃至４のいずれかに記載の導電性部材。
【請求項６】
上記導体粒子が、金、白金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジウム、から選ばれる少なくとも１種類の貴金属で構成されている請求項１乃至５のいずれかに記載の導電性部材。
【請求項７】
電子源が配置された第１の基板と、該電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備えた画像表示装置の、上記第１の基板と第２の基板との間に配置されるスペーサであって、請求項１乃至６のいずれかに記載の導電性部材であることを特徴とするスペーサ。
【請求項８】
電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器と、上記第１の基板と第２の基板との間に配置されたスペーサとを備えた画像表示装置であって、前記スペーサが請求項１乃至６のいずれかに記載の導電性部材であることを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出素子を用いて構成される画像表示装置の構成部材であるスペーサ、該スペーサに適した導電性部材、該導電部材をスペーサとして用いた画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子放出素子を使用した平面ディスプレイでは、特許文献１に示されるように、その内部を高真空に保持するために、スペーサ或いはリブと呼ばれる耐大気圧支持構造が用いられる。
【０００３】
図７は多数の電子放出素子を使用した画像表示装置の断面模式図である。図中、１５はリアプレート、１６は側壁、１７はフェースプレートであり、リアプレート１５，側壁１６，フェースプレート１７で気密容器が形成される。気密容器の耐大気圧支持構造であるスペーサ２０ｂは低抵抗膜７０が設けられ、導電性フリット７８により配線１３と接続される。
【０００４】
電子放出素子１２はリアプレート１５上に形成し、蛍光膜１８とメタルバック１９はフェースプレート１７上に形成する。メタルバック１９を設けた目的は、蛍光膜１８が発する光の一部を鏡面反射して光利用率を向上させる、負イオンの衝突から蛍光膜１８を保護する、電子ビーム加速電圧を印加するための電極として作用させるためである。また、蛍光膜１８を励起した電子の導電路として作用させるためにも用いられる。
【０００５】
スペーサ２０ａは、スペーサの帯電状態を示したものであり、近傍の電子源から放出された電子の一部が当たることにより帯電（図中；プラス帯電）を引き起こされている様子を示している。尚、スペーサ２０ａは帯電防止膜７２が設けられていない場合のスペーサの帯電状態を示すものであり、低抵抗膜７０の厚さも、図示の都合上、スペーサ２０ｂの帯電防止膜７２に接する低抵抗膜７０に比べて厚く示されている。
【０００６】
このようにスペーサ２０ａがプラスに帯電すると、電子源である電子放出素子１２から放出された電子は、例えば電子軌道７１ａのように、スペーサ２０ａ側に引き寄せられ、結果的に表示画像の品位を損なってしまう。
【０００７】
この問題を解決するために、スペーサ２０ｂに帯電防止膜７２を設け、表面に微小電流が流れるようにすることにより除電し、電子軌道７１ｂのように、電子がスペーサ２０ｂに引き寄せられることなく所定の軌跡を描くようにする提案がなされている。
【０００８】
又、特許文献２に示されるように、スペーサガラス基板表面に凹凸を設けることで、スペーサ表面が平滑である場合よりも実効的な二次電子放出係数を小さくし、スペーサ表面の帯電を効果的に抑えることが提案されている。
【特許文献１】特開平１０−２８４２８６号公報
【特許文献２】特開２００１−１４３６２０号公報（米国特許第６４９４７５７号明細書）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、前述の画像表示装置において、様様な要因でスペーサ２０ｂに温度分布がついた場合、帯電防止膜７２の抵抗温度特性により、帯電防止膜７２の抵抗に分布が生じる。この抵抗の分布が除電機能のばらつきの要因となる。例えば、平面ディスプレイパネルにおいて、フェースプレート１７とリアプレート１５の温度差から引き起こされるパネル面内の温度分布によって、スペーサ２０ｂ近傍画像の乱れが生じる。
【００１０】
又、従来例で示された帯電防止膜はスパッタリング法など真空装置を用いた成膜法を用いるため、製造コストの低減が困難であった。
【００１１】
本発明は、低コストで作製でき、その抵抗温度特性が良好な導電性部材及びそれを用いたスペーサ、さらには該スペーサを用いた画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１は、基材と該基材中に分散された該基材よりも導電率が大きい導体粒子とを有する導電性部材であって、
上記導体粒子は上記基材中において、当該導電性部材の活性化エネルギーが０．３ｅＶ以下で、且つ体積抵抗率が１０5Ωｃｍ以上となるような分散状態を呈していることを特徴とする。
【００１３】
本発明の導電性部材においては、
上記導体粒子は上記基材中において、当該導電性部材のＥａ（活性化エネルギー）が０．２ｅＶ以下となるような分散状態を呈していること、
上記導体粒子は上記基材中において、当該導電性部材の体積抵抗率が１０8Ωｃｍ以上となるような分散状態を呈していること、
上記導体粒子の粒径が０．５ｎｍ乃至５０μｍであること、
上記導体粒子が導電性部材全体に占める割合が体積率で５０体積％以下であること、
上記導体粒子が、金、白金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジウム、から選ばれる少なくとも１種類の貴金属で構成されていること、
を好ましい態様として含む。
【００１４】
本発明の第２は、電子源が配置された第１の基板と、該電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備えた画像表示装置の、上記第１の基板と第２の基板との間に配置されるスペーサであって、上記本発明の導電性部材であることを特徴とするスペーサである。
【００１５】
本発明の第３は、電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器と、上記第１の基板と第２の基板との間に配置されたスペーサとを備えた画像表示装置であって、前記スペーサが上記本発明の導電性部材であることを特徴とする画像表示装置である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の導電性部材は、温度による抵抗の変化が小さいことから、画像表示装置のスペーサとして使用した場合に、フェースプレートとリアプレートの温度差等から引き起こされる気密容器内の温度分布が原因で生じる表示画像の乱れを小さく抑えることができる。また、係る導電性部材は、真空成膜プロセスが不要のため、低コストでスペーサを提供することができる。
【００１７】
また、本発明の導電性部材は、複写機やプリンタなどの電子写真装置の現像ローラ、転写ローラ、クリーニングブレード、クリーニングローラ、給紙ローラ等に用いられる導電制御部材としても使用可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明者は、前述したフェースプレートとリアプレートの温度差等に起因してスペーサに温度分布が発生することによって生じるスペーサ近傍画像の乱れを解決することを目的とする。我々は鋭意検討の結果、フェースプレートとリアプレートとの温度差を制御しても、表示装置の設置場所等、外部の環境によっては、フェースプレートとリアプレートとに部分的な温度差が数度程度生じる場合があることを発見した。また、整った外部環境下で、フェースプレートとリアプレートの温度を精密に制御しても、表示装置の動作状態によっては、スペーサに数度程度の温度分布が生じる場合があることを発見した。この現象の原因は、詳細には不明な点があるが、我々は以下のように考えている。表示装置の動作中、リアプレート上の電子放出素子から放出された電子は、フェースプレート上で反射電子を生成し、この反射電子はスペーサを照射する。スペーサを照射する反射電子の量は、スペーサのフェースプレート側の部分のほうが、スペーサのリアプレート側の部分よりも多い。またスペーサのフェースプレート側の部分に照射する反射電子のエネルギーは、スペーサのリアプレート側の部分を照射する反射電子のエネルギーよりも大きい。これらの理由から、スペーサのフェースプレート側の部分の温度は、スペーサのリアプレート側の部分の温度よりも若干高くなっているものと思われる。従って、フェースプレートとリアプレートの温度制御を行っても、外部環境や動作環境によって、スペーサには数度程度の温度分布が生じるため、このような温度分布が生じても、抵抗分布が生じないスペーサが求められている。そこで我々は、絶縁性の基材中に複数の導体粒子を分散させた形態を有する導電性部材を導電性スペーサとして用いることを見出した。この形態を有する導電性部材は、ある電界強度と温度範囲における、活性化エネルギー（Ｅａ）、体積抵抗率（ρ）を制御することによって、温度変化によって生じる電気抵抗率の変動をより低減することができる。
【００１９】
即ち、本発明の導電性部材は、絶縁性の基材中に、該基材よりも導電率が大である導体粒子を、導電性部材のＥａが０．３ｅＶ以下で、且つ体積抵抗率が１０5Ωｃｍ以上となるよう分散させてなる。本発明において、導電性部材のＥａが０．３ｅＶを超えるような分散状態であった場合には、スペーサとして用いた際に第１の基板と第２の基板の温度差によって生じた気密容器内の温度分布によって、電気抵抗が変動して表示に影響を与えてしまう。また、導電性部材の体積抵抗率ρが１０5Ωｃｍ未満となるような分散状態であった場合には、スペーサとして用いた際に電気抵抗が不十分で熱暴走を生じてしまう。本発明においてさらに好ましい分散状態は、導電性部材のＥａが０．２ｅＶ以下、及び／又は、体積抵抗率が１０8Ωｃｍ以上となるような分散状態である。
【００２０】
（導電性部材作製方法）
１）粉末作製
先ず、絶縁性の基材と導体粒子の粉末をそれぞれ用意する。粉末作製手段は特に限定されないが、粉砕機やレーザー式及び誘導加熱式微粒子製造機などの物理的方法、或いはエアロゾル噴霧法や熱分解法などの化学的方法を用いて粉末を得る。粉末は所望の粒径になるように、ふるい、乾式分級機或いは湿式分級機などにより分級を行なう。
【００２１】
２）混合
種々の組成濃度比に合わせて検量を行なった上記基材と導体粒子の粉末を混合する。例えば、ガラスと金粒子の粉末を混合する。混合手段は特に限定されないが、ボールミル等で行なえばよい。混合は、窒素ガスやＡｒガス等の非酸化性雰囲気中で行なう。
【００２２】
３）仮焼成
この混合粉末を、窒素ガスやＡｒガス等の不活性ガス雰囲気中又は真空中で仮焼成する。又、水素等の還元雰囲気中で仮焼成してもよい。好ましくは８００乃至１５００℃で加熱し、仮焼成とする。
【００２３】
４）粉砕
こうしてできた混合固形物を粉砕する。粉砕手段は特に限定されないが、ボールミル等で行なえばよい。粉砕は、窒素ガスやＡｒガス等の非酸化性雰囲気中で行なう。粉砕後得られた混合粉末を必要な粒径に応じて、ふるい、乾式分級機或いは湿式分級機などにより分級する。ここで粒子径の大きいものを粗粒、粒子径の小さいものを微粒と称する。
【００２４】
５）振動充填
粉砕工程にて得られた混合粉末を、窒素ガスやＡｒガス等の不活性ガス雰囲気中又は真空中で成形型に充填する。分級によって得られた粒子径の異なる複数の粒子径（粗粒と微粒）を選択し、その配合比を変化させる。粒径の大きな粗粒の隙間に粒径の小さな微粒が入り込むように、成形型に振動を与えながら充填する。粗粒と微粒の重量配合比が粗粒：微粒＝４：６、５：５、７：３、８：２のそれぞれの場合における粒径比（粗粒／微粒）と充填率の関係を図９に示す。充填率を高めるためには、粗粒と微粒の配合比は、粗粒：微粒＝５：５乃至７：３が適当である。配合比が偏ると粒子の流動性が阻害されるため、粒子間の空隙を埋めることができない。
【００２５】
又、粗粒と微粒の粒径比が大きくなると、振動充填によって、粗粒と微粒の分布に偏りが生じる。そのため、導体粒子の均一分散が阻害される。従って混合粉末の粗粒と微粒の粒径比は、１００以下、好ましくは１０≦粒径比≦２０である。混合粉末の粗粒と微粒の配合比が粗粒：微粒＝５：５乃至７：３、粒径比≧１０において充填率≧９０％となった。混合粉末の配合比及び粒径比を制御することで充填率を向上でき、且つ導体粒子を均一に分散できる。
【００２６】
６）本焼成
成形型に充填した混合粉末を窒素ガスやＡｒガス等の不活性ガス雰囲気中又は真空中で加圧焼成することにより、焼結体を得る。水素等の還元ガス雰囲気中で加圧焼成してもかまわない。加圧焼成には、ホットプレス法を用いることが好ましい。圧力と温度を制御することで更に充填率を向上し、粒子間に残存する鬆（す＝空隙）を減らす。同体積の鬆が残存する場合、大きな鬆がまばらに存在するものに比べて、小さな鬆が分散して存在するもののほうが、導体粒子はより均一に分散する。所定の板厚や形状になるように成形し、好ましくは１乃至２ＭＰａの圧力下において８００乃至１５００℃で加熱するという本焼成の工程を経て導電性部材とする。
【００２７】
このようにして得られた導電性部材を所定の形状に適宜、切削加工を行い、本発明の画像表示装置のスペーサとする。スペーサの形状は十字型、Ｌ字型、円柱型、或いは電子線通過部に穴を有したものなどがあり、ここで示した平板型に制限されない。
【００２８】
本発明の導電性部材の基材としては、絶縁性の部材であれば特に素材は限定されないが、例えばガラスが好ましく用いられる。また、導体粒子としては、基材よりも導電率が高い素材であれば良く、好ましくは金、白金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジウム、から選ばれる少なくとも１種類の貴金属が用いられる。
【００２９】
（パネル構成）
図２は、本発明の画像表示装置の一実施形態における表示パネルの斜視図であり、内部構造を示すためにパネルの一部を切り欠いて示している。
【００３０】
図中、１５はリアプレート（背面板）、１６は側壁、１７はフェースプレート（前面板）であり、リアプレート１５，側壁１６，フェースプレート１７により表示パネルの内部を真空に維持するための気密容器を形成している。尚、本発明に係る第１の基板、第２の基板はそれぞれリアプレート、フェースプレートのいずれかに相当する。
【００３１】
リアプレート１５とフェースプレート１７とは互いに対向して配置され、フェースプレート１７には画像表示部材としての蛍光膜１８が付設されている。気密容器を組み立てるにあたっては、各部材の接合部に十分な強度と気密性を保持させるため封着する必要があるが、例えばフリットガラスを接合部に塗布し、大気中或いは窒素雰囲気中で、４００乃至５００℃で１０分以上焼成することにより封着を達成した。気密容器内部を真空に排気する方法については後述する。
【００３２】
又、上記気密容器の内部は１０-4［Ｐａ］程度の真空に保持されるので、大気圧や不意の衝撃などによる気密容器の破壊を防止する目的で、耐大気圧構造体として、スペーサ２０が設けられている。このスペーサ２０としては上述した、絶縁性の基材と該基材中に分散させた導体粒子とを有する本発明の導電性部材を用いる。この導電性部材においては、前記導体粒子の当該基材中での分散状態が、当該導電性部材のＥａが０．３ｅＶ以下、体積抵抗率が１０5Ωｃｍ以上となるように制御されている。
【００３３】
リアプレート１５には、基板１１が固定されているが、基板１１上には表面伝導型電子放出素子１２がＮ×Ｍ個形成されている。ここで、Ｎ，Ｍは２以上の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定される。例えば、高品位テレビジョンの表示を目的とした表示装置においては、Ｎ＝３０００，Ｍ＝１０００以上の数を設定することが望ましい。本例においては、Ｎ＝３０７２，Ｍ＝１０２４とした。
【００３４】
前記Ｎ×Ｍ個の電子放出素子１２は、Ｍ本の行方向配線１３とＮ本の列方向配線１４により単純マトリクス配線されている。基板１１、電子放出素子１２、行方向配線１３、列方向配線１４によって構成される部分を電子源基板と呼ぶ。
【００３５】
又、フェースプレート１７の下面には、蛍光膜１８が形成されている。そして、蛍光膜１８のリアプレート１５側の面には、ＣＲＴの分野では公知のメタルバック１９を設けてある。
【００３６】
又、Ｄｘ１乃至Ｄｘｍ及びＤｙ１乃至Ｄｙｎ及びＨｖは、当該表示パネルと不図示の電気回路とを電気的に接続するために設けた気密構造の電気接続用端子である。
【００３７】
Ｄｘ１乃至Ｄｘｍは表面伝導型電子放出素子の行方向配線１３と、Ｄｙ１乃至Ｄｙｎは電子放出素子１２の列方向配線１４と、Ｈｖはフェースプレート１７のメタルバック１９と電気的に接続している。
【００３８】
又、気密容器内部を真空に排気するには、気密容器を組み立てた後、不図示の排気管と真空ポンプとを接続し、気密容器内を１０-5［Ｐａ］以下の真空度まで排気する。その後、排気管を封止するが、気密容器内の真空度を維持するために、封止の直前或いは封止後に気密容器内の所定の位置にゲッター膜（不図示）を形成する。ゲッター膜とは、例えばＢａを主成分とするゲッター材料をヒーターもしくは高周波加熱により加熱し蒸着して形成した膜であり、該ゲッター膜の吸着作用により気密容器内は１×１０-3乃至１×１０-5［Ｐａ］の真空度に維持される。
【００３９】
以上説明した表示パネルを用いた画像表示装置は、容器外端子Ｄｘ１乃至Ｄｘｍ、Ｄｙ１乃至Ｄｙｎを通じて各電子放出素子１２に電圧を印加すると、各電子放出素子１２から電子が放出される。それと同時にメタルバック１９に容器外端子Ｈｖを通じて数百［Ｖ］乃至数［ｋＶ］の高圧を印加して、上記放出された電子を加速し、フェースプレート１７の内面に衝突させる。これにより、蛍光膜１８をなす各色の蛍光体が電子ビームによって励起されて発光し、画像が表示される。
【００４０】
通常、電子放出素子１２への印加電圧は１２乃至１６［Ｖ］程度、メタルバック１９と電子放出素子１２との距離ｄは０．１乃至８［ｍｍ］程度、メタルバック１９と電子放出素子１２間の電圧は０．１乃至１２［ｋＶ］程度である。
【００４１】
（スペーサの評価方法：官能評価による基準の策定）
本発明の導電性部材を画像表示装置のスペーサとして用いた場合の評価方法について説明する。
【００４２】
図８に示すように、スペーサ２０の除電能力が不十分であると、電子ビームの軌道が乱され、等間隔で表示されるべき点灯画素の位置が移動する。本来のビーム位置８２の間隔Ｌを１Ｌとして、ビームがスペーサによって移動した場合８３との差分である移動量をΔＬで示す。
【００４３】
十分に明るい室内に表示装置を設置し、パネル面から１ｍ離れた場所から目視による表示画像の評価を成人男女５０人の被験者に対して実施した。
【００４４】
ビームの移動による画像の乱れを「見えない」「見えるが気にならない」「見えて気になる」の３段階で評価し、ビームの移動量ΔＬとの関係を求めた。
被験者の過半数が「見えない」と回答したのは、移動量ΔＬ＝０以上０．０１Ｌ以下
「見えるが気にならない」と回答したのは、移動量ΔＬ＝０．０１Ｌを超え０．０３Ｌ以下
「見える」と回答したのは移動量ΔＬ＝０．０３Ｌを超える
であった。換言すると、ビーム移動量が０．０３Ｌを超えると、画像の歪み（妨害感）を感じる被験者数が急増するため、画像品質の良、不良は、ビーム移動量が０．０３Ｌを超えるか否かによって判断できることとなる。評価結果を表１に示す。
【００４５】
【表１】
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【００４６】
上記の官能評価結果を元に、本発明の導電性部材の性能評価を実施する。即ち、該導電性部材をスペーサとして表示装置に設置し、該スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価にて行った。
【００４７】
図２で示した画像表示装置のリアプレート１５、フェースプレート１７の外側面に透明フィルムヒーターを貼付する。リアプレート１５に貼付した透明フィルムヒーターとフェースプレート１７に貼付した透明フィルムヒーターに与える電力をそれぞれ調整することで、フェースプレート１７とリアプレート１５に温度差をつける。充分な時間を経て温度が安定すれば、フェースプレート１７とリアプレート１５の温度差は、スペーサ２０の温度分布であるとみなすことができる。スペーサ２０に温度分布がついた場合、導電性部材の抵抗温度特性により、導電性部材の抵抗に分布が生じる。この抵抗の分布が除電機能の差として現れ、スペーサ２０近傍画像の乱れが生じる。
【００４８】
（導電性部材の抵抗温度特性評価指標  Ｅａ：活性化エネルギー）
導電性部材に所定の電界を印加しつつ、導電性部材に温度変化を与えて、抵抗温度特性を測定した。測定結果からＡｒｒｈｅｎｉｕｓプロットを行い、下記（１）式よりＥａ：活性化エネルギーを求めた。
ρ＝Ａ・ｅｘｐ（Ｅａ／ｋＴ）    （１）
ρ：体積抵抗率［Ωｃｍ］
Ａ：定数
Ｅａ：活性化エネルギー［ｅＶ］
ｋ：ボルツマン定数（１．３８１×１０-23［ＪＫ-1］）
Ｔ：温度［Ｋ］
【００４９】
本発明における導電性部材の抵抗温度特性は、Ａｒｒｈｅｎｉｕｓプロット（１）を用いて記述を行い、Ｅａを抵抗温度特性の良否の指標として用いた。導電性部材の抵抗温度特性を示すＡｒｒｈｅｎｉｕｓプロットを図３に示す。図３より、Ｅａのより小さいものが、温度変化に対して抵抗変化が小さく、抵抗温度特性が良好であることがわかる。
【００５０】
（ビーム移動量と許容温度差）
本発明の導電性部材の除電機能評価は、該導電性部材をスペーサとして画像表示装置に設置し、該スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価にて行った。
【００５１】
暗室内に画像表示装置を設置し、フェースプレートとリアプレートに所定の温度差をつけて、パネル面から所定の距離をおいた場所にＣＣＤカメラを設置して表示画像を撮影した。撮影画像をもとにビーム位置を算出し、スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを求めた。温度差ΔＴによるビーム移動量ΔＬは、Ｅａの小さい導電性部材をスペーサとして用いた場合に小さく抑えることができる。結果を図４に示す。
【００５２】
（許容温度差と活性化エネルギーＥａ）
画像表示装置は、リアプレートに設けた電子放出素子から放出された電子ビームをフェースプレートに設けた蛍光膜に衝突させることで画像表示を行なう。そのため表示画像や駆動条件によって、フェースプレートとリアプレートに温度差が生じる。この温度差によって、導電性部材からなるスペーサに温度分布がつき、導電性部材の抵抗温度特性により、抵抗に分布が生じる。この抵抗の分布が除電機能の差として現れ、スペーサ近傍画像の乱れが生じる。
【００５３】
官能評価で得られた「見えない」と判断される移動量ΔＬ≦０．０１Ｌ、「見えるが気にならない」と判断される移動量ΔＬ≦０．０３Ｌにおけるフェースプレートとリアプレートの許容温度差と活性化エネルギーＥａの関係を図５に示す。
【００５４】
Ｅａ：０．３ｅＶの導電性部材を用いて作製したスペーサを画像表示装置に設置した場合、フェースプレートとリアプレートの温度差３℃では、ビーム移動量ΔＬ≦０．０１Ｌとなり、画像の乱れは「見えない」。フェースプレートとリアプレートの温度差８℃では、ビーム移動量ΔＬ≦０．０３Ｌとなり、画像の乱れは「見えるが気にならない」。フェースプレートとリアプレートの温度差が８℃を超えるとビーム移動量ΔＬ＞０．０３Ｌとなり、画像の乱れとして「見える」ことを示す。つまり、Ｅａ≦０．３ｅＶであれば、数度の温度分布がスペーサに生じても、画像に乱れは生じないことを意味する。尚、Ｅａ≦０．３ｅＶでも、スペーサの体積抵抗率ρが１０5Ωｃｍ未満の場合、スペーサに流れる電流が大きく、これによってスペーサ全体の温度が上昇し、これに伴ってスペーサ抵抗の減少が生じ、いわゆる熱暴走現象が起こる。この場合、表示装置の動作が不安定になるという不具合が生じる。このため、スペーサは、体積抵抗率ρが１０5Ωｃｍ以上であって、活性化エネルギーＥａが０．３ｅＶ以下であることが必要である。
【００５５】
（導電性部材に含まれる導電性粒子の粒径と活性化エネルギー）
図１（ａ）に示す、本発明の導電性部材３の任意のＡ−Ａ’断面をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）或いはＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）によって観察した。その形態は、模式図である図１（ｂ）に示すように、０．５ｎｍ乃至５０μｍの平均粒径を有する導体粒子１が複数個、基材２中に分散配置された構造を有する。ここで平均粒径は、図１（ｂ）のような断面形状の観察から２０個の導体粒子の粒径の平均値を算出することで得られる。導電性部材に含まれる導体粒子の粒径と活性化エネルギー（Ｅａ）の関係を図６に示す。
【００５６】
平均粒径が、０．５ｎｍ以上、好ましくは１ｎｍ以上であれば、Ｅａ≦０．３ｅＶとすることが容易で、抵抗温度特性の良好な導電性部材とすることができる。即ち、温度の変化による抵抗の変化量が小さい導電性部材とすることができる。また、係る導体粒子の導電性部材全体に占める割合は体積率で５０体積％以下が好ましい。導体粒子の体積率が５０体積％を超えた場合、導電性部材の体積抵抗率ρを１０5Ωｃｍ以上にすることが困難である。この導電性部材をスペーサとして画像表示装置に用いた場合、スペーサによる画像の乱れを小さくすることができる。
【実施例】
【００５７】
（実施例１）
導体粒子の粉末として０．５ｎｍの粒径を有する金粒子、及び絶縁性の基材として、５０μｍの粒径を有するガラス粉末（体積抵抗率＝１０14Ωｃｍ）を用意した。金粒子の基材全体に占める体積率が４５体積％になるように混合調整して、８００℃で加熱し仮焼成を行った。これを粉砕して得た混合粉末を分級し、粒径５００μｍのものを粗粒、粒径５０μｍを微粒、粗粒と微粒の粒径比を１０とした。粗粒と微粒を重量比７：３で配合したものを、振動を与えながら成形型に充填した。成形型をＡｒガス雰囲気中で２ＭＰａの圧力下において８００℃で焼成することで導電性部材を作製した。導電性部材の充填率は、９６％であった。
【００５８】
ＴＥＭ或いはＳＥＭを用いて導電性部材中に分散された金粒子の平均粒径を求めたところ、金粒子の平均粒径は０．５ｎｍであった。
【００５９】
この導電性部材を真空中に設置して所定の電界（１０００Ｖ／ｍｍ）を印加して体積抵抗率を測定した。抵抗測定時には、導電性部材を２００℃まで加熱し、その後室温まで冷却を行った。これによって抵抗温度特性もあわせて測定し、Ａｒｒｈｅｎｉｕｓプロットにより活性化エネルギーＥａを求めた。その結果、この導電性部材の体積抵抗率ρは１×１０8Ωｃｍ、活性化エネルギーＥａは０．３ｅＶであった。
【００６０】
この導電性部材を成型加工して、表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。このスペーサを備えた画像表示装置のフェースプレートとリアプレートに所定の温度差をつけて、スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【００６１】
このスペーサを用いた画像表示装置では、フェースプレートとリアプレートの温度差８℃以下においてビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。さらに、フェースプレートとリアプレートの温度差３℃以下においては、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。
【００６２】
（実施例２）
導体粒子の粉末として５０μｍの粒径を有する金粒子、及び絶縁性の基材として、５０μｍの粒径を有するガラス粉末（体積抵抗率＝１０14Ωｃｍ）を用意した。金粒子の基材全体に占める体積率が５０体積％になるように混合調整して、８００℃で加熱し仮焼成を行った。これを粉砕して得た混合粉末を分級し、粒径５００μｍのものを粗粒、粒径５０μｍを微粒、粗粒と微粒の粒径比を１０とした。粗粒と微粒を重量比７：３で配合したものを、振動を与えながら成形型に充填した。成形型をＡｒガス雰囲気中で１ＭＰａの圧力下において８００℃で焼成することで導電性部材を作製した。導電性部材の充填率は、９６％であった。
【００６３】
ＴＥＭ或いはＳＥＭを用いて導電性部材中に分散された金粒子の平均粒径を求めたところ、金粒子の平均粒径は５０μｍであった。
【００６４】
この導電性部材を真空中に設置して所定の電界（１０００Ｖ／ｍｍ）を印加して体積抵抗率を測定した。抵抗測定時には、導電性部材を２００℃まで加熱し、その後室温まで冷却を行った。これによって抵抗温度特性もあわせて測定し、Ａｒｒｈｅｎｉｕｓプロットにより活性化エネルギーＥａを求めた。その結果、この導電性部材の体積抵抗率ρは１×１０5Ωｃｍであって、活性化エネルギーＥａは０．２ｅＶであった。
【００６５】
この導電性部材を成型加工して、表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。このスペーサを備えた画像表示装置のフェースプレートとリアプレートに所定の温度差をつけて、スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【００６６】
このスペーサを用いた画像表示装置では、フェースプレートとリアプレートの温度差２０℃以下においてビームの移動量ΔＬが認められず、表示画像は良好であった。
【００６７】
（実施例３）
導体粒子の粉末として１ｎｍの粒径を有する金粒子、及び絶縁性の基材として、５０μｍの粒径を有するガラス粉末（体積抵抗率＝１０14Ωｃｍ）を用意した。金粒子の基材全体に占める体積率が４５体積％になるように混合調整して、８００℃で加熱し仮焼成を行った。これを粉砕して得た混合粉末を分級し、粒径５００μｍのものを粗粒、粒径５０μｍを微粒、粗粒と微粒の粒径比を１０とした。粗粒と微粒を重量比７：３で配合したものを、振動を与えながら成形型に充填した。成形型をＡｒガス雰囲気中で２ＭＰａの圧力下において８００℃で焼成することで導電性部材を作製した。導電性部材の充填率は、９６％であった。
【００６８】
ＴＥＭ或いはＳＥＭを用いて導電性部材中に分散された金粒子の平均粒径を求めたところ、金粒子の平均粒径は１ｎｍであった。
【００６９】
この導電性部材を真空中に設置して所定の電界（１０００Ｖ／ｍｍ）を印加して体積抵抗率を測定した。抵抗測定時には、導電性部材を２００℃まで加熱し、その後室温まで冷却を行った。これによって抵抗温度特性もあわせて測定し、Ａｒｒｈｅｎｉｕｓプロットにより活性化エネルギーＥａを求めた。その結果、この導電性部材の体積抵抗率ρは１×１０8Ωｃｍであって、活性化エネルギーＥａは０．２ｅＶであった。
【００７０】
この導電性部材を成型加工して、表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。このスペーサを備えた画像表示装置のフェースプレートとリアプレートに所定の温度差をつけて、スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【００７１】
このスペーサを用いた画像表示装置では、フェースプレートとリアプレートの温度差２０℃以下においてビームの移動量ΔＬが認められず、表示画像は良好であった。
【００７２】
（比較例１）
導体粒子の粉末として０．５ｎｍの粒径を有する金粒子、及び絶縁性の基材として、５０μｍの粒径を有するガラス粉末（体積抵抗率＝１０14Ωｃｍ）を用意した。金粒子の基材全体に占める体積率が５０体積％になるように混合調整して、８００℃で加熱し仮焼成を行った。これを粉砕して得た混合粉末を分級し、粒径５００μｍのものを粗粒、粒径５０μｍを微粒、粗粒と微粒の粒径比を１０とした。粗粒と微粒を重量比８：２で配合したものを、振動を与えながら成形型に充填した。成形型をＡｒガス雰囲気中で２ＭＰａの圧力下において８００℃で焼成することで導電性部材を作製した。導電性部材の充填率は７８％で、空隙が多く認められた。
【００７３】
ＴＥＭ或いはＳＥＭを用いて導電性部材中に分散された金粒子の平均粒径を求めたところ、金粒子の平均粒径は０．５ｎｍであった。
【００７４】
この導電性部材を真空中に設置して所定の電界（１０００Ｖ／ｍｍ）を印加して体積抵抗率を測定した。抵抗測定時には、導電性部材を２００℃まで加熱し、その後室温まで冷却を行った。これによって抵抗温度特性もあわせて測定し、Ａｒｒｈｅｎｉｕｓプロットにより活性化エネルギーＥａを求めた。その結果、この導電性部材の体積抵抗率ρは１×１０5Ωｃｍであったが、活性化エネルギーＥａは０．４ｅＶであった。
【００７５】
この導電性部材を成型加工して、表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。このスペーサを備えた画像表示装置のフェースプレートとリアプレートに所定の温度差をつけて、スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【００７６】
このスペーサを用いた画像表示装置では、フェースプレートとリアプレートの温度差が６℃より大きくなった場合においてビームの移動量ΔＬが３％を超え（０．０３Ｌ以上）て、表示画像にスペーサの影響による画像の乱れが認められた。
【００７７】
（比較例２）
導体粒子の粉末として０．５ｎｍの粒径を有する金粒子、及び絶縁性の基材として、５０μｍの粒径を有するガラス粉末（体積抵抗率＝１０14Ωｃｍ）を用意した。金粒子の基材全体に占める体積率が５０体積％になるように混合調整して、８００℃で加熱し仮焼成を行った。これを粉砕して得た混合粉末を分級し、粒径５００μｍのものを粗粒、粒径５μｍを微粒、粗粒と微粒の粒径比を１００とした。粗粒と微粒を重量比７：３で配合したものを、振動を与えながら成形型に充填した。成形型をＡｒガス雰囲気中で２ＭＰａの圧力下において８００℃で焼成することで導電性部材を作製した。導電性部材の充填率は９７％であった。
【００７８】
ＴＥＭ或いはＳＥＭを用いて導電性部材中に分散された金粒子の平均粒径を求めたところ、金粒子の平均粒径は０．５ｎｍであった。
【００７９】
この導電性部材を真空中に設置して所定の電界（１０００Ｖ／ｍｍ）を印加して体積抵抗率を測定した。抵抗測定時には、導電性部材を２００℃まで加熱し、その後室温まで冷却を行った。これによって抵抗温度特性もあわせて測定し、Ａｒｒｈｅｎｉｕｓプロットにより活性化エネルギーＥａを求めた。その結果、この導電性部材の体積抵抗率ρは１×１０5Ωｃｍであったが、活性化エネルギーＥａは０．４ｅＶであった。
【００８０】
この導電性部材を成型加工して、表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。このスペーサを備えた画像表示装置のフェースプレートとリアプレートに所定の温度差をつけて、スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【００８１】
このスペーサを用いた画像表示装置では、フェースプレートとリアプレートの温度差が６℃より大きくなった場合においてビームの移動量ΔＬが３％を超え（０．０３Ｌ以上）て、表示画像にスペーサの影響による画像の乱れが認められた。
【００８２】
（比較例３）
導体粒子の粉末として１００μｍの粒径を有する金粒子、及び絶縁性の基材として、５０μｍの粒径を有するガラス粉末（体積抵抗率＝１０14Ωｃｍ）を用意した。金粒子の基材全体に占める体積率が５０体積％になるように混合調整して、８００℃で加熱し仮焼成を行った。これを粉砕して得た混合粉末を分級し、粒径５００μｍのものを粗粒、粒径５０μｍを微粒、粗粒と微粒の粒径比を１０とした。粗粒と微粒を重量比７：３で配合したものを、振動を与えながら成形型に充填した。成形型をＡｒガス雰囲気中で１ＭＰａの圧力下において８００℃で焼成することで導電性部材を作製した。導電性部材の充填率は９６％であった。
【００８３】
ＴＥＭ或いはＳＥＭを用いて導電性部材中に分散された金粒子の平均粒径を求めたところ、金粒子の平均粒径は１００μｍであった。
【００８４】
この導電性部材を真空中に設置して所定の電界（１０００Ｖ／ｍｍ）を印加して体積抵抗率を測定したところ、放電が発生した。即ち、導電性部材は耐圧が低かった。そのため、表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いることができなかった。
【００８５】
（比較例４）
導体粒子の粉末として０．５ｎｍの粒径を有する金粒子、及び絶縁性の基材として、５０μｍの粒径を有するガラス粉末（体積抵抗率＝１０14Ωｃｍ）を用意した。金粒子の基材全体に占める体積率が５５体積％になるように混合調整して、８００℃で加熱し仮焼成を行った。これを粉砕して得た混合粉末を分級し、粒径５００μｍのものを粗粒、粒径５０μｍを微粒、粗粒と微粒の粒径比を１０とした。粗粒と微粒を重量比７：３で配合したものを、振動を与えながら成形型に充填した。成形型をＡｒガス雰囲気中で２ＭＰａの圧力下において８００℃で焼成することで導電性部材を作製した。導電性部材の充填率は９６％であった。
【００８６】
この導電性部材を真空中に設置して所定の電界（１０００Ｖ／ｍｍ）を印加して体積抵抗率を測定した。抵抗測定時には、導電性部材を２００℃まで加熱し、その後室温まで冷却を行った。これによって抵抗温度特性もあわせて測定し、Ａｒｒｈｅｎｉｕｓプロットにより活性化エネルギーＥａを求めた。その結果、この導電性部材の体積抵抗率ρは１×１０3Ωｃｍであって、活性化エネルギーＥａは０．２ｅＶであった。
【００８７】
この導電性部材を成型加工して、表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。このスペーサを備えた画像表示装置において、画像を表示するためにメタルバックを有するフェースプレートと表面伝導型電子放出素子を有するリアプレートの間に所定の電界をかけたところ、スペーサに流れる電流が増加し続けた。これはスペーサで消費される電力による温度上昇で導電性部材の抵抗値が減少し、更に発熱して温度が上昇しつづけ、過大な電流が流れる、いわゆる熱暴走という現象が起きたためである。
【００８８】
（実施例４）
導体粒子の粉末として０．５ｎｍの粒径を有する白金粒子、及び絶縁性の基材として、５０μｍの粒径を有するガラス粉末（体積抵抗率＝１０14Ωｃｍ）を用意した。白金粒子の基材全体に占める体積率が４５体積％になるように混合調整して、１５００℃で加熱し仮焼成を行った。これを粉砕して得た混合粉末を分級し、粒径５００μｍのものを粗粒、粒径５０μｍを微粒、粗粒と微粒の粒径比を１０とした。粗粒と微粒を重量比７：３で配合したものを、振動を与えながら成形型に充填した。成形型をＡｒガス雰囲気中で２ＭＰａの圧力下において１５００℃で焼成することで導電性部材を作製した。導電性部材の充填率は、９６％であった。
【００８９】
ＴＥＭ或いはＳＥＭを用いて導電性部材中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、白金粒子の平均粒径は０．５ｎｍであった。
【００９０】
この導電性部材を真空中に設置して所定の電界（１０００Ｖ／ｍｍ）を印加して体積抵抗率を測定した。抵抗測定時には、導電性部材を２００℃まで加熱し、その後室温まで冷却を行った。これによって抵抗温度特性もあわせて測定し、Ａｒｒｈｅｎｉｕｓプロットにより活性化エネルギーＥａを求めた。その結果、この導電性部材の体積抵抗率ρは１×１０8Ωｃｍであって、活性化エネルギーＥａは０．３ｅＶであった。
【００９１】
この導電性部材を成型加工して、表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。このスペーサを備えた画像表示装置のフェースプレートとリアプレートに所定の温度差をつけて、スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【００９２】
このスペーサを用いた画像表示装置では、フェースプレートとリアプレートの温度差８℃以下においてビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。さらに、フェースプレートとリアプレートの温度差３℃以下においては、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。
【００９３】
（実施例５）
導体粒子の粉末として５０μｍの粒径を有する白金粒子、及び絶縁性の基材として、５０μｍの粒径を有するガラス粉末（体積抵抗率＝１０14Ωｃｍ）を用意した。白金粒子の基材全体に占める体積率が５０体積％になるように混合調整して、１５００℃で加熱し仮焼成を行った。これを粉砕して得た混合粉末を分級し、粒径５００μｍのものを粗粒、粒径５０μｍを微粒、粗粒と微粒の粒径比を１０とした。粗粒と微粒を重量比７：３で配合したものを、振動を与えながら成形型に充填した。成形型をＡｒガス雰囲気中で１ＭＰａの圧力下において１５００℃で焼成することで導電性部材を作製した。導電性部材の充填率は、９６％であった。
【００９４】
ＴＥＭ或いはＳＥＭを用いて導電性部材中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、白金粒子の平均粒径は５０μｍであった。
【００９５】
この導電性部材を真空中に設置して所定の電界（１０００Ｖ／ｍｍ）を印加して体積抵抗率を測定した。抵抗測定時には、導電性部材を２００℃まで加熱し、その後室温まで冷却を行った。これによって抵抗温度特性もあわせて測定し、Ａｒｒｈｅｎｉｕｓプロットにより活性化エネルギーＥａを求めた。その結果、この導電性部材の体積抵抗率ρは１×１０5Ωｃｍであって、活性化エネルギーＥａは０．２ｅＶであった。
【００９６】
この導電性部材を成型加工して、表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。このスペーサを備えた画像表示装置のフェースプレートとリアプレートに所定の温度差をつけて、スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【００９７】
このスペーサを用いた画像表示装置では、フェースプレートとリアプレートの温度差２０℃以下においてビームの移動量ΔＬが認められず、表示画像は良好であった。
【００９８】
（実施例６）
導体粒子の粉末として０．５ｎｍの粒径を有する銀粒子、及び絶縁性の基材として、５０μｍの粒径を有するガラス粉末（体積抵抗率＝１０14Ωｃｍ）を用意した。銀粒子の基材全体に占める体積率が４５体積％になるように混合調整して、８００℃で加熱し仮焼成を行った。これを粉砕して得た混合粉末を分級し、粒径５００μｍのものを粗粒、粒径５０μｍを微粒、粗粒と微粒の粒径比を１０とした。粗粒と微粒を重量比７：３で配合したものを、振動を与えながら成形型に充填した。成形型をＡｒガス雰囲気中で２ＭＰａの圧力下において８００℃で焼成することで導電性部材を作製した。導電性部材の充填率は、９６％であった。
【００９９】
ＴＥＭ或いはＳＥＭを用いて導電性部材中に分散された銀粒子の平均粒径を求めたところ、銀粒子の平均粒径は０．５ｎｍであった。
【０１００】
この導電性部材を真空中に設置して所定の電界（１０００Ｖ／ｍｍ）を印加して体積抵抗率を測定した。抵抗測定時には、導電性部材を２００℃まで加熱し、その後室温まで冷却を行った。これによって抵抗温度特性もあわせて測定し、Ａｒｒｈｅｎｉｕｓプロットにより活性化エネルギーＥａを求めた。その結果、この導電性部材の体積抵抗率ρは１×１０8Ωｃｍであって、活性化エネルギーＥａは０．３ｅＶであった。
【０１０１】
この導電性部材を成型加工して、表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。このスペーサを備えた画像表示装置のフェースプレートとリアプレートに所定の温度差をつけて、スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０１０２】
このスペーサを用いた画像表示装置では、フェースプレートとリアプレートの温度差８℃以下においてビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。さらに、フェースプレートとリアプレートの温度差３℃以下においては、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。
【０１０３】
（実施例７）
導体粒子の粉末として５０μｍの粒径を有する銀粒子、及び絶縁性の基材として、５０μｍの粒径を有するガラス粉末（体積抵抗率＝１０14Ωｃｍ）を用意した。銀粒子の基材全体に占める体積率が５０体積％になるように混合調整して、８００℃で加熱し仮焼成を行った。これを粉砕して得た混合粉末を分級し、粒径５００μｍのものを粗粒、粒径５０μｍを微粒、粗粒と微粒の粒径比を１０とした。粗粒と微粒を重量比７：３で配合したものを、振動を与えながら成形型に充填した。成形型をＡｒガス雰囲気中で１ＭＰａの圧力下において８００℃で焼成することで導電性部材を作製した。導電性部材の充填率は、９６％であった。
【０１０４】
ＴＥＭ或いはＳＥＭを用いて導電性部材中に分散された銀粒子の平均粒径を求めたところ、銀粒子の平均粒径は５０μｍであった。
【０１０５】
この導電性部材を真空中に設置して所定の電界（１０００Ｖ／ｍｍ）を印加して体積抵抗率を測定した。抵抗測定時には、導電性部材を２００℃まで加熱し、その後室温まで冷却を行った。これによって抵抗温度特性もあわせて測定し、Ａｒｒｈｅｎｉｕｓプロットにより活性化エネルギーＥａを求めた。その結果、この導電性部材の体積抵抗率ρは１×１０5Ωｃｍであって、活性化エネルギーＥａは０．２ｅＶであった。
【０１０６】
この導電性部材を成型加工して、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。このスペーサを備えた画像表示装置のフェースプレートとリアプレートに所定の温度差をつけて、スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。このスペーサを用いた画像表示装置では、フェースプレートとリアプレートの温度差２０℃以下においてビームの移動量ΔＬが認められず、表示画像は良好であった。
【０１０７】
（実施例８）
導体粒子の粉末として５０μｍの粒径を有する金粒子、及び基材として、５０μｍの粒径を有するガラス粉末（体積抵抗率＝１０6Ωｃｍ）を用意した。金粒子の基材全体に占める体積率が５０体積％になるように混合調整して、８００℃で加熱し仮焼成を行った。これを粉砕して得た混合粉末を分級し、粒径５００μｍのものを粗粒、粒径５０μｍを微粒、粗粒と微粒の粒径比を１０とした。粗粒と微粒を重量比７：３で配合したものを、振動を与えながら成形型に充填した。成形型をＡｒガス雰囲気中で１ＭＰａの圧力下において８００℃で焼成することで導電性部材を作製した。導電性部材の充填率は、９６％であった。
【０１０８】
ＴＥＭ或いはＳＥＭを用いて導電性部材中に分散された金粒子の平均粒径を求めたところ、金粒子の平均粒径は５０μｍであった。
【０１０９】
この導電性部材を真空中に設置して所定の電界（１０００Ｖ／ｍｍ）を印加して体積抵抗率を測定した。抵抗測定時には、導電性部材を２００℃まで加熱し、その後室温まで冷却を行った。これによって抵抗温度特性もあわせて測定し、Ａｒｒｈｅｎｉｕｓプロットにより活性化エネルギーＥａを求めた。その結果、この導電性部材の体積抵抗率ρは１×１０5Ωｃｍであって、活性化エネルギーＥａは０．２ｅＶであった。
【０１１０】
この導電性部材を成型加工して、表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。このスペーサを備えた画像表示装置のフェースプレートとリアプレートに所定の温度差をつけて、スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０１１１】
このスペーサを用いた画像表示装置では、フェースプレートとリアプレートの温度差２０℃以下においてビームの移動量ΔＬが認められず、表示画像は良好であった。
【０１１２】
尚、上記各実施例において、材料、サイズ等は適宜変更が可能である。例えば、上記各例で絶縁性基材として、体積抵抗率１０14Ωｃｍのガラスを用いているが、これに限るものではない。基材はスペーサとして、体積抵抗率が１０5Ωｃｍ以上を満たせば十分故、導体粒子との組み合わせによって、適宜の絶縁性基材を選択すればよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】（ａ）は、本発明による導電性部材の一例を示し、（ｂ）は任意のＡ−Ａ’断面をＴＥＭ或いはＳＥＭによって観察した場合の模式図である。
【図２】本発明の画像表示装置の一例の、表示パネルの一部を切り欠いて示した斜視図である。
【図３】本発明の導電性部材の抵抗温度特性を示すＡｒｒｈｅｎｉｕｓプロットである。
【図４】本発明の画像表示装置の表裏パネル面に温度差を設けた際に発生する、スペーサの影響による画像の乱れとして発現するビーム移動量ΔＬを説明する図である。
【図５】本発明において、画像の乱れとして感知できるビーム移動量における導電性部材の活性化エネルギーＥａと画像表示装置のフェースプレートとリアプレートの許容温度差ΔＴを説明する図である。
【図６】本発明の導電性部材の導体粒子の粒径と活性化エネルギーの関係を説明する図である。
【図７】本発明に係るスペーサの帯電メカニズムを説明するための電子放出素子を使用した画像表示装置の断面模式図である。
【図８】本発明に係るスペーサの影響による画像の乱れとして発現するビーム移動量ΔＬを説明する図である。
【図９】本発明の導電性部材の作製工程における、成形充填時の粒径比（粗粒／微粒）と充填率の関係を示す図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１  導体粒子
２  基材
３  導電性部材
１１  基板
１２  電子放出素子
１３  行方向配線
１４  列方向配線
１５  リアプレート
１６  側壁
１７  フェースプレート
１８  蛍光膜
１９  メタルバック
２０，２０ａ，２０ｂ  スペーサ
７０  低抵抗膜
７１ａ，７１ｂ  電子軌道
７２  帯電防止膜
７８  導電性フリット
【図１】
2008293960.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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