(57)【要約】【課題】  １メモリブロックのデータ容量以上の読み出し専用データを扱う場合、メモリブロックの記憶容量を効率的に利用でき、対象データの書き込み、読み出し時の処理速度の向上が可能な不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】  不揮発性記憶領域を複数のメモリブロックＢ１〜Ｂ４０に分割して、一部のメモリブロックに対するデータの読み出しと書き換えをメモリブロック単位で管理可能に構成された不揮発性記憶装置であって、複数のメモリブロックの各ブロック種別を、１つのメモリブロック内にデータ書き換えに関する管理情報を記憶する管理情報記憶領域を備える書き換えデータ用の第１種メモリブロックと、１つのメモリブロック内に管理情報記憶領域を備えない読み出し専用データ用の第２種メモリブロックの何れか一方に設定し、設定したブロック種別に関する情報を不揮発性のブロック種別記憶領域１２に保存するブロック種別設定手段１４を備える。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に書き換え可能な不揮発性のメモリセルを複数配列してなるメモリアレイを１または複数備えてなる不揮発性記憶領域を複数のメモリブロックに分割して、少なくとも前記メモリブロックの一部に対するデータの読み出し及び書き換えをメモリブロック単位で管理可能に構成された不揮発性記憶装置であって、
前記複数のメモリブロックの各ブロック種別を、１つの前記メモリブロック内にデータ書き換えに関する管理情報を記憶する管理情報記憶領域を備える書き換えデータ用の第１種メモリブロックと、１つの前記メモリブロック内に前記管理情報記憶領域を備えない読み出し専用データ用の第２種メモリブロックの何れか一方に設定し、設定した前記ブロック種別に関する情報を不揮発性のブロック種別記憶領域に保存するブロック種別設定手段を備えていることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項２】
前記ブロック種別設定手段は、前記メモリブロックの全ブロックの内の先頭ブロックから１または連続する複数のメモリブロックからなる第１ブロック群の前記ブロック種別を前記第１種メモリブロックと前記第２種メモリブロックの一方側に設定し、前記メモリブロックの全ブロックの内の前記第１ブロック群より１ブロック後から最終ブロックまでの第２ブロック群の前記ブロック種別を前記第１種メモリブロックと前記第２種メモリブロックの他方側に設定することを特徴とする請求項１に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３】
前記ブロック種別設定手段は、前記第１ブロック群に設定した前記第１種メモリブロックと前記第２種メモリブロックの一方側のブロック数と、前記第２ブロック群に設定した前記第１種メモリブロックと前記第２種メモリブロックの他方側のブロック数を、前記ブロック種別記憶領域に保存することを特徴とする請求項２に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４】
前記ブロック種別設定手段は、前記複数のメモリブロックの夫々に対して設定する前記ブロック種別に関する情報を外部から受け付け可能に構成されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項５】
前記ブロック種別設定手段は、前記複数のメモリブロックの夫々に対して設定する前記ブロック種別に関する情報として、前記第１種メモリブロックと前記第２種メモリブロックの何れか一方に設定する前記メモリブロックのブロック数を外部から受け付け可能に構成されていることを特徴とする請求項２または３に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項６】
前記ブロック種別設定手段は、前記複数のメモリブロックに対する前記ブロック種別の設定が終了したブロック種別設定済状態か否かを判定し、前記複数のメモリブロックに対する前記ブロック種別の設定を、前記ブロック種別設定済状態でない場合にのみ行い、前記ブロック種別設定済状態である場合には行わないことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項７】
前記ブロック種別設定手段は、前記複数のメモリブロックに対する前記ブロック種別の設定を行うと、前記ブロック種別設定済状態を示す不揮発性のブロック種別設定フラグを設定することを特徴とする請求項６に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項８】
電気的に書き換え可能な不揮発性のメモリセルを複数配列してなるメモリアレイを１または複数備えてなる不揮発性記憶装置領域を複数のメモリブロックに分割して、少なくとも前記メモリブロックの一部に対するデータの読み出し及び書き換えをメモリブロック単位で管理可能に構成された不揮発性記憶装置の管理方法であって、
前記複数のメモリブロックの夫々に対して設定するブロック種別に関する情報を外部から受け付けるブロック種別受付工程と、
前記複数のメモリブロックに対する前記ブロック種別の設定が終了したブロック種別設定済状態か否かを判定する設定済判定工程と、
前記設定済判定工程において、前記ブロック種別設定済状態であると判定された場合に、前記複数のメモリブロックの前記ブロック種別を、１つの前記メモリブロック内にデータ書き換えに関する管理情報を記憶する管理情報記憶領域を備える書き換えデータ用の第１種メモリブロックと、１つの前記メモリブロック内に前記管理情報記憶領域を備えない読み出し専用データ用の第２種メモリブロックの何れか一方に各別に設定し、設定した前記ブロック種別に関する情報を不揮発性のブロック種別記憶領域に保存するブロック種別設定工程と、を有することを特徴とする不揮発性記憶装置の管理方法。
【請求項９】
前記ブロック種別設定工程の実行後、前記ブロック種別設定済状態を示す不揮発性のブロック種別設定フラグを設定するブロック種別設定終了工程を備え、
前記設定済判定工程において、前記ブロック種別設定フラグの設定値を判定することを特徴とする請求項８に記載の不揮発性記憶装置の管理方法。
【請求項１０】
前記ブロック種別受付工程において、前記複数のメモリブロックに対して設定する前記ブロック種別に関する情報として、前記第１種メモリブロックと前記第２種メモリブロックの何れか一方に設定する前記メモリブロックの設定ブロック数を外部から受け付け、
前記ブロック種別設定工程において、前記メモリブロックの全ブロックの内の先頭ブロックから１または連続する複数のメモリブロックからなる第１ブロック群と、前記第１ブロック群より１ブロック後から最終ブロックまでの第２ブロック群の何れか一方のブロック数を、前記ブロック種別受付工程において受け付けた前記設定ブロック数に設定して前記ブロック種別記憶領域に保存し、他方のブロック数を、前記メモリブロックの全ブロック数から前記設定ブロック数を差し引いたブロック数に設定して前記ブロック種別記憶領域に保存することを特徴とする請求項８または９に記載の不揮発性記憶装置の管理方法。
【請求項１１】
前記ブロック種別設定工程において、前記第１種メモリブロックに設定した前記第１ブロック群と前記第２ブロック群の何れか一方の前記各メモリブロックの前記管理情報記憶領域に前記管理情報を記憶することを特徴とする請求項１０に記載の不揮発性記憶装置の管理方法。
【請求項１２】
請求項１〜７の何れか１項に記載の不揮発性記憶装置へデータを書き込むための不揮発性記憶装置の書き込み方法であって、
書き込みデータが書き換えデータと読み出し専用データの何れであるかを判定する書き込みデータ判別工程と、
前記書き込みデータが読み出し専用データの場合、前記第２種メモリブロックに設定された前記第１ブロック群と前記第２ブロック群の何れか一方の先頭アドレスを検出し、検出した前記先頭アドレスから前記書き込みデータを書き込む第１書き込み工程と、
前記書き込みデータが書き換えデータの場合、前記第１種メモリブロックに設定された前記第１ブロック群と前記第２ブロック群の他方の中から書き込み対象ブロックを選択し、選択した前記書き込み対象ブロックに前記書き込みデータを書き込む第２書き込み工程と、を有することを特徴とする不揮発性記憶装置の書き込み方法。
【請求項１３】
請求項１〜７の何れか１項に記載の不揮発性記憶装置からデータを読み出すための不揮発性記憶装置の読み出し方法であって、
読み出しデータが書き換えデータと読み出し専用データの何れであるかを判定する読み出しデータ判別工程と、
前記読み出しデータが読み出し専用データの場合、前記第２種メモリブロックに設定された前記第１ブロック群と前記第２ブロック群の何れか一方内の前記読み出しデータの先頭アドレスを検索し、検索した前記先頭アドレスから前記読み出しデータを読み出す第１読み出し工程と、
前記読み出しデータが書き換えデータの場合、前記第１種メモリブロックに設定された前記第１ブロック群と前記第２ブロック群の他方の中から前記読み出しデータが書き込まれた読み出し対象ブロックを選択し、選択した前記読み出し対象ブロックから前記読み出しデータを読み出す第２読み出し工程と、を有することを特徴とする不揮発性記憶装置の読み出し方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気的に書き換え可能な不揮発性のメモリセルを複数配列してなるメモリアレイを１または複数備えてなる不揮発性記憶領域を複数のメモリブロックに分割して、少なくとも分割されたメモリブロックの一部に対するデータの読み出し及び書き換えをメモリブロック単位で管理可能に構成された不揮発性記憶装置に関し、より具体的には、不揮発性記憶領域が複数のメモリブロックで構成されたフラッシュメモリやＥＥＰＲＯＭ（電気的に消去書き込み可能な読み出し専用メモリ）等の不揮発性記憶装置を搭載したＩＣカード等の電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、カード型の薄い筐体内にフラッシュメモリまたはＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性記憶装置を搭載したＩＣカードは、現在広く利用されている磁気カードに比べ、より大量のデータを扱うこと、セキュリティに優れていることから普及し始めている。また、フラッシュメモリは、ブロック単位でデータを消去するため、データの一括消去や高速書き込みが可能であり、バックアップ電源が不要で、メモリ自体のサイズも小さくできる。
【０００３】
下記の特許文献１においては、不揮発性記憶装置のメモリブロック構成、データ書き込み、データ読み出しに関する管理方法が提案されている。図７は、不揮発性記憶装置を備える従来のＩＣカード等の電子機器における一般的なメモリブロック構成を示している。図７に示すような従来のＩＣカード等の電子機器では、不揮発性記憶装置をメモリブロック単位で管理し、各メモリブロック内にデータ書き換え、連続データのための管理情報を持つ。管理情報内には、データが記録されていることを示す利用情報、書き換え回数を示す回数情報、データが連続して記録された次のブロックの有無を示す連続情報、次のブロックを示す位置情報が記録される。これら管理情報により、特定のメモリブロックに書き込みが集中しないよう管理を行い、１メモリブロックのデータ容量以上のデータを扱う際に連続データの管理を行うよう構成されている。
【０００４】
この特許文献１では、これら不揮発性記憶装置のメモリブロック構成、データ書き込み、データ読み出し方法による管理を行うことにより、１メモリブロックのデータ容量より大きいデータを扱う場合でも、管理情報内の連続情報、位置情報への書き込み、読み出しを行うことで、容易に次ブロックを認識できるため、不揮発性記憶装置の各メモリブロックを効率よく利用することができるとされている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１１０９３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した従来技術には、以下のような問題があった。即ち、各メモリブロックの構成が全て同じで、各メモリブロック内に夫々管理情報が格納されているため、１メモリブロックのデータ容量より大きいデータは、データ書き込み後におけるデータ書き換えの要否に関係なく、必ず管理情報を持つ複数のメモリブロックに分割して格納する必要がある。このとき、データは物理的連続領域に配置されず、書き込み処理、読み出し処理を行う際、連続情報、位置情報等の管理情報を基に、物理的に非連続な領域へ繰り返しアクセスする必要がある。このため、データを分割して格納しているメモリブロック数に比例して、書き込み、読み出し時の管理情報へのアクセス回数が増加し、処理速度が遅くなるという問題がある。
【０００７】
また、管理情報内には、データ書き換えのための情報、ブロック消去回数等が含まれるが、当該管理情報は、読み出し専用データの場合は不要であり、メモリブロック内の管理情報格納用のデータ記憶容量が無駄となる問題があった。尚、本発明では、データ書き込み後にデータの書き換えが不要な、つまり、書き換えが発生しないデータを「読み出し専用データ」と定義し、逆に、データ書き込み後にデータの書き換えが発生することを予定しているデータを「書き換えデータ」と定義している。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、第１に、１メモリブロックのデータ容量以上の読み出し専用データを扱う場合、メモリブロックの記憶容量を効率的に利用でき、対象データの書き込み、読み出し時の処理速度の向上が可能な不揮発性記憶装置及びその管理方法を提供する点にあり、第２に、当該不揮発性記憶装置に対するデータの書き込み方法及び読み出し方法を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記第１の目的を達成するための本発明に係る不揮発性記憶装置は、電気的に書き換え可能な不揮発性のメモリセルを複数配列してなるメモリアレイを１または複数備えてなる不揮発性記憶領域を複数のメモリブロックに分割して、少なくとも前記メモリブロックの一部に対するデータの読み出し及び書き換えをメモリブロック単位で管理可能に構成された不揮発性記憶装置であって、前記複数のメモリブロックの各ブロック種別を、１つの前記メモリブロック内にデータ書き換えに関する管理情報を記憶する管理情報記憶領域を備える書き換えデータ用の第１種メモリブロックと、１つの前記メモリブロック内に前記管理情報記憶領域を備えない読み出し専用データ用の第２種メモリブロックの何れか一方に設定し、設定した前記ブロック種別に関する情報を不揮発性のブロック種別記憶領域に保存するブロック種別設定手段を備えていることを第１の特徴とする。
【００１０】
上記第１の特徴の不揮発性記憶装置によれば、複数のメモリブロックに分割された不揮発性記憶領域の各メモリブロックを、データの書き込みに供する前に、ブロック種別設定手段によって、第１種メモリブロックと第２種メモリブロックの何れか一方に設定することができる。ここで、ブロック種別設定手段は、複数の連続するメモリブロックに対して、管理情報記憶領域を備えない読み出し専用データ用の第２種メモリブロックをブロック種別として設定することができるので、斯かるブロック種別の設定後において１メモリブロックのデータ容量以上の読み出し専用データを不揮発性記憶装置に書き込む場合に、第２種メモリブロックに設定された複数の連続するメモリブロックを使用することで、従来管理情報記憶領域として使用できなかった記憶領域も読み出し専用データの書き込みに利用でき、物理的に連続する１つのアドレス範囲内に１つの纏まったデータとして当該読み出し専用データを書き込むことができる。また、当該読み出し専用データは書き込み後にデータの書き換えが発生しないため、また、物理的に連続する１つのアドレス範囲内に書き込むため、書き換えに関する情報、連続情報、位置情報等の管理情報が不要で、且つ、次のメモリブロックを認識せずに物理的に連続するアドレス範囲内に順次書き込み処理を行えるので、書き込み処理が高速化できる。更に、書き込んだ読み出し専用データを読み出す際にも、管理情報を読み出す必要がなく、また、次のメモリブロックを認識せずに物理的に連続するアドレス範囲内から順次読み出し処理を行えるので、読み出し処理の高速化が図れる。尚、物理的に連続するとは、不揮発性記憶装置のアドレス入力端子に入力するアドレス信号によって規定されるアドレス値が連続していることを意味する。
【００１１】
以上の結果、上記第１の特徴の不揮発性記憶装置は、読み出し専用データとして、個人を認証する顔写真の画像データのように、データ量としては大きく、一旦書き込みを行うと変更することを前提としないデータをＩＣカード等の電子機器に格納する場合等に好適に応用できる。
【００１２】
本発明に係る不揮発性記憶装置は、上記第１の特徴に加えて、更に、前記ブロック種別設定手段は、前記メモリブロックの全ブロックの内の先頭ブロックから１または連続する複数のメモリブロックからなる第１ブロック群の前記ブロック種別を前記第１種メモリブロックと前記第２種メモリブロックの一方側に設定し、前記メモリブロックの全ブロックの内の前記第１ブロック群より１ブロック後から最終ブロックまでの第２ブロック群の前記ブロック種別を前記第１種メモリブロックと前記第２種メモリブロックの他方側に設定することを第２の特徴とする。
【００１３】
本発明に係る不揮発性記憶装置は、上記第２の特徴に加えて、更に、前記ブロック種別設定手段は、前記第１ブロック群に設定した前記第１種メモリブロックと前記第２種メモリブロックの一方側のブロック数と、前記第２ブロック群に設定した前記第１種メモリブロックと前記第２種メモリブロックの他方側のブロック数を、前記ブロック種別記憶領域に保存することを第３の特徴とする。
【００１４】
上記第２または第３の特徴の不揮発性記憶装置によれば、不揮発性記憶領域が第１ブロック群と第２ブロック群に予め分割可能に構成されているので、ブロック種別設定手段は、メモリブロック毎に各別にブロック種別の設定を行うことなく、第１ブロック群と第２ブロック群の境界アドレスを決定して、第１ブロック群と第２ブロック群に、ブロック種別として、第１種メモリブロックと第２種メモリブロックの何れか一方と他方を夫々設定することで、複数のメモリブロックの夫々に対してブロック種別の設定を簡単に行うことができる。また、第２種メモリブロックを物理的に連続する１つの大きな記憶領域として確保できるため、データ量の大きい読み出し専用データを扱うのに好適である。
【００１５】
特に、第３の特徴の不揮発性記憶装置によれば、第１ブロック群と第２ブロック群の夫々のブロック数がブロック種別記憶領域に保存されるので、第１種メモリブロックと第２種メモリブロックの夫々のアドレス範囲が、ブロック種別記憶領域に保存されたブロック数を読み出すことで認識できるので、書き換えデータまたは読み出し専用データの書き込み処理や読み出し処理を行うときに、どのメモリブロックにアクセスすれば良いかが簡単に認識できるようになる。
【００１６】
本発明に係る不揮発性記憶装置は、上記何れかの特徴に加えて、更に、前記ブロック種別設定手段は、前記複数のメモリブロックの夫々に対して設定する前記ブロック種別に関する情報を外部から受け付け可能に構成されていることを第４の特徴とする。
【００１７】
上記第４の特徴の不揮発性記憶装置によれば、本発明に係る不揮発性記憶装置に対して外部からブロック種別に関する情報を提供することにより、ブロック種別設定手段が複数のメモリブロックの夫々に対してブロック種別を設定できるので、外部から本発明に係る不揮発性記憶装置に対して当該ブロック種別の設定のための細かな制御を行う必要がなく、上記第１の特徴の不揮発性記憶装置の作用効果を奏することができるようになる。
【００１８】
本発明に係る不揮発性記憶装置は、上記第２または第３の特徴に加えて、更に、前記ブロック種別設定手段は、前記複数のメモリブロックの夫々に対して設定する前記ブロック種別に関する情報として、前記第１種メモリブロックと前記第２種メモリブロックの何れか一方に設定する前記メモリブロックのブロック数を外部から受け付けることを第５の特徴とする。
【００１９】
上記第５の特徴の不揮発性記憶装置によれば、本発明に係る不揮発性記憶装置に対して外部からブロック種別に関する情報として、第１種メモリブロックと第２種メモリブロックの何れか一方に設定するメモリブロック数を提供することにより、ブロック種別設定手段が、第１ブロック群と第２ブロック群の境界アドレスを決定して、第１ブロック群と第２ブロック群に、ブロック種別として、第１種メモリブロックと第２種メモリブロックの何れか一方と他方を夫々設定することで、複数のメモリブロックの夫々に対してブロック種別の設定を簡単に行うことができるので、外部から本発明に係る不揮発性記憶装置に対して当該ブロック種別の設定のための細かな制御を行う必要がなく、上記第２または第３の特徴の不揮発性記憶装置の作用効果を奏することができるようになる。
【００２０】
本発明に係る不揮発性記憶装置は、上記何れかの特徴に加えて、更に、前記ブロック種別設定手段は、前記複数のメモリブロックに対する前記ブロック種別の設定が終了したブロック種別設定済状態か否かを判定し、前記複数のメモリブロックに対する前記ブロック種別の設定を、前記ブロック種別設定済状態でない場合にのみ行い、前記ブロック種別設定済状態である場合には行わないことを第６の特徴とする。
【００２１】
本発明に係る不揮発性記憶装置は、上記第６の特徴に加えて、更に、前記ブロック種別設定手段は、前記複数のメモリブロックに対する前記ブロック種別の設定を行うと、前記ブロック種別設定済状態を示す不揮発性のブロック種別設定フラグを設定することを第７の特徴とする。
【００２２】
上記第６または第７の特徴の不揮発性記憶装置によれば、ブロック種別の設定後に、第１種または第２種メモリブロックに設定されたメモリブロックに対応する書き換えデータまたは読み出し専用データが書き込まれた後に、ブロック種別の設定が行われ、既に書き込まれた書き換えデータまたは読み出し専用データの一部または全部が誤って消去されたり、上書きされたりするのを未然に防止できる。特に、上記第７の特徴の不揮発性記憶装置によれば、ブロック種別設定済状態か否かをブロック種別設定フラグの設定値に基づいて判定することができる。
【００２３】
上記第１の目的を達成するための本発明に係る不揮発性記憶装置の管理方法は、電気的に書き換え可能な不揮発性のメモリセルを複数配列してなるメモリアレイを１または複数備えてなる不揮発性記憶装置領域を複数のメモリブロックに分割して、少なくとも前記メモリブロックの一部に対するデータの読み出し及び書き換えをメモリブロック単位で管理可能に構成された不揮発性記憶装置の管理方法であって、前記複数のメモリブロックの夫々に対して設定するブロック種別に関する情報を外部から受け付けるブロック種別受付工程と、前記複数のメモリブロックに対する前記ブロック種別の設定が終了したブロック種別設定済状態か否かを判定する設定済判定工程と、前記設定済判定工程において、前記ブロック種別設定済状態であると判定された場合に、前記複数のメモリブロックの前記ブロック種別を、１つの前記メモリブロック内にデータ書き換えに関する管理情報を記憶する管理情報記憶領域を備える書き換えデータ用の第１種メモリブロックと、１つの前記メモリブロック内に前記管理情報記憶領域を備えない読み出し専用データ用の第２種メモリブロックの何れか一方に各別に設定し、設定した前記ブロック種別に関する情報を不揮発性のブロック種別記憶領域に保存するブロック種別設定工程と、を有することを第１の特徴とする。
【００２４】
本発明に係る不揮発性記憶装置の管理方法は、上記第１の特徴に加えて、更に、前記ブロック種別設定工程の実行後、前記ブロック種別設定済状態を示す不揮発性のブロック種別設定フラグを設定するブロック種別設定終了工程を備え、前記設定済判定工程において、前記ブロック種別設定フラグの設定値を判定することを第２の特徴とする。
【００２５】
上記第１または第２の特徴の不揮発性記憶装置の管理方法によれば、複数のメモリブロックに分割された不揮発性記憶領域の各メモリブロックを、データの書き込みに供する前に、外部から受け付けたブロック種別に関する情報に基づいて、第１種メモリブロックと第２種メモリブロックの何れか一方に設定することができる。ここで、ブロック種別設定工程では、複数の連続するメモリブロックに対して、管理情報記憶領域を備えない読み出し専用データ用の第２種メモリブロックをブロック種別として設定することができるので、斯かるブロック種別の設定後において１メモリブロックのデータ容量以上の読み出し専用データを不揮発性記憶装置に書き込む場合に、第２種メモリブロックに設定された複数の連続するメモリブロックを使用することで、従来管理情報記憶領域として使用できなかった記憶領域も読み出し専用データの書き込みに利用でき、物理的に連続する１つのアドレス範囲内に１つの纏まったデータとして当該読み出し専用データを書き込むことができる。また、当該読み出し専用データは書き込み後にデータの書き換えが発生しないため、また、物理的に連続する１つのアドレス範囲内に書き込むため、書き換えに関する情報、連続情報、位置情報等の管理情報が不要で、且つ、次のメモリブロックを認識せずに物理的に連続するアドレス範囲内に順次書き込み処理を行えるので、書き込み処理が高速化できる。更に、書き込んだ読み出し専用データを読み出す際にも、管理情報を読み出す必要がなく、また、次のメモリブロックを認識せずに物理的に連続するアドレス範囲内から順次読み出し処理を行えるので、読み出し処理の高速化が図れる。
【００２６】
更に、上記第１の特徴の不揮発性記憶装置の管理方法によれば、ブロック種別設定済状態でないと判定された場合にのみ、ブロック種別設定工程が実行されるので、ブロック種別設定工程の実行後に、第１種または第２種メモリブロックに設定されたメモリブロックに対応する書き換えデータまたは読み出し専用データが書き込まれた後に、ブロック種別の設定が行われ、既に書き込まれた書き換えデータまたは読み出し専用データの一部または全部が誤って消去されたり、上書きされたりするのを未然に防止できる。特に、上記第２の特徴の不揮発性記憶装置の管理方法によれば、ブロック種別設定済状態か否かをブロック種別設定フラグの設定値に基づいて判定することができる。
【００２７】
以上の結果、上記第１の特徴の不揮発性記憶装置の管理方法は、読み出し専用データとして、個人を認証する顔写真の画像データのように、データ量としては大きく、一旦書き込みを行うと変更することを前提としないデータをＩＣカード等の電子機器に格納する場合等に好適に応用できる。
【００２８】
本発明に係る不揮発性記憶装置の管理方法は、上記第１または第２の特徴に加えて、更に、前記ブロック種別受付工程において、前記複数のメモリブロックに対して設定する前記ブロック種別に関する情報として、前記第１種メモリブロックと前記第２種メモリブロックの何れか一方に設定する前記メモリブロックの設定ブロック数を外部から受け付け、前記ブロック種別設定工程において、前記メモリブロックの全ブロックの内の先頭ブロックから１または連続する複数のメモリブロックからなる第１ブロック群と、前記第１ブロック群より１ブロック後から最終ブロックまでの第２ブロック群の何れか一方のブロック数を、前記ブロック種別受付工程において受け付けた前記設定ブロック数に設定して前記ブロック種別記憶領域に保存し、他方のブロック数を、前記メモリブロックの全ブロック数から前記設定ブロック数を差し引いたブロック数に設定して前記ブロック種別記憶領域に保存することを第３の特徴とする。
【００２９】
上記第３の特徴の不揮発性記憶装置の管理方法によれば、不揮発性記憶装置に対して外部からブロック種別に関する情報として、第１種メモリブロックと第２種メモリブロックの何れか一方に設定するメモリブロック数を提供することにより、ブロック種別設定工程において、第１ブロック群と第２ブロック群の境界アドレスを決定して、第１ブロック群と第２ブロック群に、ブロック種別として、第１種メモリブロックと第２種メモリブロックの何れか一方と他方を夫々設定することで、複数のメモリブロックの夫々に対してブロック種別の設定を簡単に行うことができる。
【００３０】
本発明に係る不揮発性記憶装置の管理方法は、上記第３の特徴に加えて、更に、前記ブロック種別設定工程において、前記第１種メモリブロックに設定した前記第１ブロック群と前記第２ブロック群の何れか一方の前記各メモリブロックの前記管理情報記憶領域に前記管理情報を記憶することを第４の特徴とする。
【００３１】
上記第４の特徴の不揮発性記憶装置の管理方法によれば、第１ブロック群と第２ブロック群の何れか一方が、第１種メモリブロックとして書き換えデータの書き込みに使用可能な状態に初期化され、書き換えデータの書き込み処理及び読み出し処理が可能となる。
【００３２】
上記第２の目的を達成するための本発明に係る不揮発性記憶装置の書き込み方法は、上記何れかの特徴の不揮発性記憶装置へデータを書き込むための不揮発性記憶装置の書き込み方法であって、書き込みデータが書き換えデータと読み出し専用データの何れであるかを判定する書き込みデータ判別工程と、前記書き込みデータが読み出し専用データの場合、前記第２種メモリブロックに設定された前記第１ブロック群と前記第２ブロック群の何れか一方の先頭アドレスを検出し、検出した前記先頭アドレスから前記書き込みデータを書き込む第１書き込み工程と、前記書き込みデータが書き換えデータの場合、前記第１種メモリブロックに設定された前記第１ブロック群と前記第２ブロック群の他方の中から書き込み対象ブロックを選択し、選択した前記書き込み対象ブロックに前記書き込みデータを書き込む第２書き込み工程と、を有することを特徴とする。
【００３３】
上記特徴の不揮発性記憶装置の書き込み方法によれば、複数のメモリブロックに対するブロック種別の設定が終了した本発明に係る不揮発性記憶装置に対して、書き換えデータは第１種メモリブロックに設定された第１または第２ブロック群に適正に書き込まれ、読み出し専用データは第２種メモリブロックに設定された第１または第２ブロック群に適正に書き込まれるため、１メモリブロックのデータ容量以上の読み出し専用データを不揮発性記憶装置に書き込む場合に、第２種メモリブロックに設定された複数の連続するメモリブロックを使用することで、従来管理情報記憶領域として使用できなかった記憶領域も読み出し専用データの書き込みに利用でき、物理的に連続する１つのアドレス範囲内に１つの纏まったデータとして当該読み出し専用データを高速に書き込むことができる。
【００３４】
上記第２の目的を達成するための本発明に係る不揮発性記憶装置の読み出し方法は、上記何れかの特徴の不揮発性記憶装置へデータを読み出すための不揮発性記憶装置の読み出し方法であって、読み出しデータが書き換えデータと読み出し専用データの何れであるかを判定する読み出しデータ判別工程と、前記読み出しデータが読み出し専用データの場合、前記第２種メモリブロックに設定された前記第１ブロック群と前記第２ブロック群の何れか一方内の前記読み出しデータの先頭アドレスを検索し、検索した前記先頭アドレスから前記読み出しデータを読み出す第１読み出し工程と、前記読み出しデータが書き換えデータの場合、前記第１種メモリブロックに設定された前記第１ブロック群と前記第２ブロック群の他方の中から前記読み出しデータが書き込まれた読み出し対象ブロックを選択し、選択した前記読み出し対象ブロックから前記読み出しデータを読み出す第２読み出し工程と、を有することを特徴とする。
【００３５】
上記特徴の不揮発性記憶装置の読み出し方法によれば、第１種メモリブロックに設定された第１または第２ブロック群に適正に書き込まれた書き換えデータ、及び、第２種メモリブロックに設定された第１または第２ブロック群に適正に書き込まれた読み出し専用データを、夫々適正に判別して所定のメモリブロックから読み出すことができる。特に、読み出し専用データは、管理情報を読み出す必要がないため、また、物理的に連続する１つのアドレス範囲内から順次読み出すため、高速に読み出すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明に係る不揮発性記憶装置（以下、適宜「本発明装置」と称す）、並びに、その管理方法、書き込み方法及び読み出し方法の一実施形態につき、図面に基づいて具体的に説明する。
【００３７】
図１に、本発明装置１０の概略のブロック構成を、本発明の本旨に関係する部分のみに着目して模式的に示す。本発明装置１０は、ＩＣカード等の電子機器に内蔵される不揮発性記憶装置であって、例えば、フラッシュメモリ等の単体の不揮発性記憶装置を１または複数備えて構成される。本実施形態では、本発明装置１０が１または複数のフラッシュメモリによって構成される場合を想定して説明する。
【００３８】
本発明装置１０は、図１に示すように、一例として、ブロック種別を設定可能な４０個の通常メモリブロックＢ１〜Ｂ４０からなるブロック種別設定可能領域１１と、ブロック種別記憶領域１２及びブロック種別設定フラグ１３として使用される１つの管理用メモリブロックＢ４１と、４０個の通常メモリブロックＢ１〜Ｂ４０のブロック種別を設定し、設定したブロック種別に関する情報をブロック種別記憶領域１２に保存するブロック種別設定手段１４を備えて構成される。
【００３９】
通常メモリブロックＢ１〜Ｂ４０が取り得るブロック種別としては、各メモリブロックＢ１〜Ｂ４１が、１つのメモリブロック内にデータ書き換えに関する管理情報を記憶する管理情報記憶領域１５（図４参照）を備える書き換えデータ用の第１種メモリブロックと、１つのメモリブロック内に管理情報記憶領域１５（図４参照）を備えない読み出し専用データ用の第２種メモリブロックの２種類がある。また、「書き換えデータ」とは、データ書き込み後にデータの書き換えが発生することを予定しているデータを意味し、「読み出し専用データ」とは、データ書き込み後にデータの書き換えが不要な、つまり、書き換えが発生しないデータを意味する。
【００４０】
本発明装置１０は、一般に市販されているのと同様の回路構成のフラッシュメモリを使用するので、当該フラッシュメモリは、データの書き込み・消去に伴う複雑な制御を内蔵するライトステートマシン等（図示せず）の制御回路によって実行可能に構成されている。従って、各メモリブロックＢ１〜Ｂ４１へのデータの書き込み及び消去等も同じ制御回路を使用して行うので、本実施形態におけるブロック種別設定手段１４は、既存のフラッシュメモリに備わる書き込み・消去用の制御回路を応用して構成される。
【００４１】
また、本発明装置１０は、一般に市販されているのと同様の回路構成のフラッシュメモリを使用するので、データの書き込み及び消去処理等のためのコマンドを外部から受け取ることで、本発明装置１０内の制御回路が当該コマンドを認識して例えば所定の書き込み処理を実行するように構成されている。従って、当該制御回路を応用して構成されるブロック種別設定手段１４は、データの書き込み及び消去処理等のためのコマンドと同様に、ブロック種別設定処理を行うためのブロック種別設定コマンドを外部から受け付け可能に構成されている。従って、ブロック種別設定手段１４の具体的な回路構成の詳細な説明は省略するとともに、図１では、各メモリブロックＢ１〜Ｂ４１に付随する周辺回路、つまり、デコーダ回路や入出力インターフェース等の記載も省略している。
【００４２】
また、本発明装置１０は、一般に市販されているのと同様の回路構成のフラッシュメモリを使用するので、各メモリブロックＢ１〜Ｂ４１は、ブロック単位で一括消去可能なデータ記憶容量となっている。尚、各メモリブロックＢ１〜Ｂ４１のブロックサイズは、必ずしも均等なサイズに限定されるものではなく、特に、管理用メモリブロックＢ４１は、通常メモリブロックＢ１〜Ｂ４０より小さくても良い。
【００４３】
通常メモリブロックＢ１〜Ｂ４０はブロック種別設定可能領域１１であり、上述の第１種メモリブロックと第２種メモリブロックの何れかに夫々設定することができる。管理用メモリブロックＢ４１は、通常メモリブロックＢ１〜Ｂ４０の各ブロック種別を記憶するための領域で、ブロック種別記憶領域１２とブロック種別設定フラグ１３で構成される。
【００４４】
ＩＣカードの製造工程の初期状態では、本発明装置１０のブロック種別設定可能領域１１の通常メモリブロックＢ１〜Ｂ４０、ブロック種別記憶領域１２とブロック種別設定フラグ１３の管理用メモリブロックＢ４１は、全てデータ“１”の消去状態（バイト単位では“ＦＦ”）となっている。
【００４５】
ブロック種別設定フラグ１３は、ブロック種別設定手段１４がブロック種別設定処理を行い、通常メモリブロックＢ１〜Ｂ４０の夫々に対して第１種メモリブロックと第２種メモリブロックの何れかが既に設定されたか否かを示すフラグであり、ブロック種別の設定が行われていない場合は“１”に設定され、ブロック種別の設定が行われた後は“０”に設定される。後述するように、本発明装置１０が外部からブロック種別設定コマンドを受信した場合でも、ブロック種別設定フラグ１３が“０”となっている場合には、ブロック種別設定手段１４が既にブロック種別の設定が行われていると判断し、ブロック種別設定処理を行えないように構成されている。
【００４６】
また、本発明装置１０は、上述のように、一般に市販されているのと同様の回路構成のフラッシュメモリを使用するので、データの書き込み及び消去処理等のためのコマンドを外部から受け取ることで、本発明装置１０内の制御回路が当該コマンドを認識して例えば所定の書き込み処理を実行するように構成されている。しかし、ブロック種別設定フラグ１３が “１”の場合は、ブロック種別の設定が終了していないため、本発明装置１０の制御回路は、ブロック種別設定コマンド以外のコマンドを受け付けないように設計されている。ブロック種別設定コマンドによって、ブロック種別の設定が終了した後、ブロック種別設定コマンド以外のコマンドが受付可能となる。尚、ブロック種別設定処理は、本発明装置の管理方法により、ＩＣカードの製造工程の初期段階で実行される。
【００４７】
次に、本発明に係る不揮発性記憶装置の管理方法の処理手順について、図２を参照して説明する。図２は、上記管理方法の処理手順を示すフローチャートである。
【００４８】
先ず、本発明装置１０の受信したコマンドがブロック種別設定コマンドであるかを判定し（ステップＳ２０１）、受信していない場合は（ステップＳ２０１のＮＯ分岐）、当該コマンドを受信するまで待機する。ブロック種別設定コマンドを受信した場合は（ステップＳ２０１のＹＥＳ分岐）、ブロック種別設定フラグ１３が“１”になっているかを調べる（ステップＳ２０２）。ブロック種別設定フラグ１３が“１”になっていない場合（ステップＳ２０２のＹＥＳ分岐）、ブロック種別設定処理を行わずに終了する。
【００４９】
ブロック種別設定フラグ１３が“１”になっている場合（ステップＳ２０２のＮＯ分岐）、ブロック種別設定処理を行って、管理用メモリブロックＢ４１のブロック種別記憶領域１２に各メモリブロックのブロック種別に関する情報を書き込む（ステップＳ２０３）。その後、ブロック種別記憶領域１２のブロック種別設定フラグ１３に“０”を書き込む（ステップＳ２０４）。
【００５０】
図３は、図２のステップＳ２０３にて実行されるブロック種別設定処理を示すフローチャートである。先ず、図２のステップＳ２０１において、ブロック種別設定コマンドとともに受信した通常メモリブロックＢ１〜Ｂ４０の内の第２種メモリブロックに設定するブロック数を、設定したブロック種別に関する情報として、ブロック種別記憶領域１２に書き込む（ステップＳ３０１）。第２種メモリブロックに設定するメモリブロックは、ブロック種別設定可能領域１１の先頭ブロックＢ１から指定ブロック数分（第１ブロック群に相当）とする。図４に示す例では、指定ブロック数が２０で、通常メモリブロックＢ１〜Ｂ２０が、第２種メモリブロックに設定される。第２種メモリブロックに設定されたメモリブロック（図４に示す例では、通常メモリブロックＢ１〜Ｂ２０：第１ブロック群）にはデータ書き換えに関する管理情報は書き込まない。
【００５１】
次に、通常メモリブロックＢ１〜Ｂ４０の内の第１種メモリブロックに設定するブロック数を、通常メモリブロックＢ１〜Ｂ４０の全ブロック数からブロック種別設定コマンドとともに受信した指定ブロック数を差し引いて算出し、設定したブロック種別に関する情報として、ブロック種別記憶領域１２に書き込む（ステップＳ３０２）。第１種メモリブロックに設定されたメモリブロック（第２ブロック群に相当）は、第２種メモリブロックに設定されたメモリブロック（第１ブロック群）の１ブロック後から最終メモリブロックまでとなる（図４に示す例では、通常メモリブロックＢ２１〜Ｂ４０）。引き続き、第２種メモリブロックに設定した通常メモリブロックＢ２１〜Ｂ４０に、各別に管理情報記憶領域１５（図４参照）を設定し、各メモリブロックＢ２１〜Ｂ４０のデータ書き換えに関する管理情報を書き込む（ステップＳ３０３）。
【００５２】
図４は、図２及び図３のフローチャートに示す本発明に係る不揮発性記憶装置の管理方法によりブロック種別設定処理された後の本発明装置１０のメモリブロックの一構成例を示している。図４では、通常メモリブロックＢ１〜Ｂ２０（第１ブロック群）が第２種メモリブロックに設定され、通常メモリブロックＢ２１〜Ｂ４０（第２ブロック群）が第１種メモリブロックに設定されている。第２種メモリブロックに設定された通常メモリブロックＢ１〜Ｂ２０には、データ書き換えに関する管理情報を記憶する管理情報記憶領域１５が設定されていないため、読み出し専用データは、通常メモリブロック間を跨いで書き込まれる場合でも、通常メモリブロックＢ１〜Ｂ２０内において物理的に連続する１つのアドレス範囲内に書き込むことができる。尚、第１種メモリブロックに設定された通常メモリブロックＢ２１〜Ｂ４０には、メモリブロック毎に、データ書き換えに関する管理情報を記憶する管理情報記憶領域１５が設定されている。
【００５３】
図４では、管理用メモリブロックＢ４１のブロック種別記憶領域１２には、第２種メモリブロックに設定された通常メモリブロックＢ１〜Ｂ２０（第１ブロック群）のブロック数“２０”と、第１種メモリブロックに設定された通常メモリブロックＢ２１〜Ｂ４０（第２ブロック群）のブロック数“２０”が夫々書き込まれている。また、ブロック種別設定フラグ１３には、ブロック種別設定処理が既に実行されたことを示すフラグ値“０”が書き込まれている。
【００５４】
次に、図２及び図３のフローチャートに示す本発明に係る不揮発性記憶装置の管理方法によりブロック種別設定処理された後の本発明装置１０へデータを書き込む場合の概略の処理手順について、図５を参照して説明する。図５は、本発明装置１０へのデータ書き込み方法の概略の処理手順を示すフローチャートである。尚、本発明装置１０へのデータ書き込み方法は、本発明装置１０とともにＩＣカード内に搭載されたマイクロプロセッサ等の制御装置によって管理及び実行される。
【００５５】
先ず、書き込むデータが、読み出し専用データか否かを判定する（ステップＳ５０１）。読み出し専用データか否かの判定は、例えば、外部から受け付けたデータ書き込みのためのコマンド種別等に基づいて判定する。書き込むデータが読み出し専用データでなく、書き換えデータの場合は（ステップＳ５０１のＮＯ分岐）、第１種メモリブロックに設定されたメモリブロック（第２ブロック群）からメモリブロックを選択し（ステップＳ５０４）、書き換えデータを書き込み（ステップＳ５０５）、書き込み処理を終了する。尚、書き換えデータを２以上のメモリブロックに跨って書き込んだ場合には、必要に応じて管理情報を管理情報記憶領域１５に書き込む（図示せず）。
【００５６】
ステップＳ５０１において、書き込むデータが読み出し専用データと判定された場合（ステップＳ５０１のＹＥＳ分岐）、第２種メモリブロックに設定されたメモリブロック（第１ブロック群）の未使用領域の先頭アドレスを確認する（ステップＳ５０２）。引き続いて、第１ブロック群の未使用領域の先頭アドレスから読み出し専用データを書き込み（ステップＳ５０３）、書き込み処理を終了する。読み出し専用データを２以上のメモリブロックに跨って書き込んだ場合であっても、管理情報は管理情報記憶領域１５には書き込まない。
【００５７】
次に、図２及び図３のフローチャートに示す本発明に係る不揮発性記憶装置の管理方法によりブロック種別設定処理された後の本発明装置１０からデータを読み出す場合の概略の処理手順について、図６を参照して説明する。図６は、本発明装置１０からのデータ読み出し方法の概略の処理手順を示すフローチャートである。尚、本発明装置１０からのデータ読み出し方法は、本発明装置１０とともにＩＣカード内に搭載されたマイクロプロセッサ等の制御装置によって管理及び実行される。
【００５８】
先ず、読み出すデータが、読み出し専用データか否かを判定する（ステップＳ６０１）。読み出し処理における読み出し専用データか否かの判定は、例えば、外部から受け付けたデータ読み出しのためのコマンド種別等に基づいて判定する。読み出すデータが読み出し専用データでなく、書き換えデータの場合は（ステップＳ６０１のＮＯ分岐）、第１種メモリブロックに設定されたメモリブロック（第２ブロック群）からメモリブロックを選択し（ステップＳ６０４）、読み出し対象の書き換えデータを読み出し（ステップ  Ｓ６０５）、読み出し処理を終了する。
【００５９】
ステップＳ６０１において読み出すデータが読み出し専用データと判定された場合（ステップＳ６０１のＹＥＳ分岐）、第２種メモリブロックに設定されたメモリブロック（第１ブロック群）内の読み出し対象の読み出し専用データの先頭アドレスを確認する（ステップＳ６０２）。引き続いて、第１ブロック群の読み出し対象データの先頭アドレスから読み出し専用データを読み出し（ステップＳ６０３）、読み出し処理を終了する。読み出し対象データが２以上のメモリブロックに跨って格納されている場合でも、従来技術のような連続情報、位置情報等の管理情報を管理情報記憶領域１５から読み出す必要がなく、物理的に連続する一連のアドレス範囲内から、読み出し専用データを順次読み出すことが可能である。
【００６０】
次に、本発明の別実施形態について説明する。
【００６１】
〈１〉上記実施形態では、通常メモリブロックＢ１〜Ｂ４０からなるブロック種別設定可能領域１１を、先頭ブロックＢ１から始まる第１ブロック群と、第１ブロック群の１ブロック後から最終ブロックＢ４０までの第２ブロック群に２分割して、第１ブロック群を第２種メモリブロックに割り当て、第２ブロック群を第１種メモリブロックに割り当てるように設定されている場合を想定したが、第１ブロック群を第１種メモリブロックに割り当て、第２ブロック群を第２種メモリブロックに割り当てるように設定しても良い。
【００６２】
また、通常メモリブロックＢ１〜Ｂ４０からなるブロック種別設定可能領域１１を、先頭ブロックＢ１から始まる第１ブロック群と、第１ブロック群の１ブロック後から最終ブロックＢ４０より前までの第２ブロック群と、第２ブロック群の１ブロック後から最終ブロックＢ４０までの第３ブロック群に２分割して、第１及び第３ブロック群を第１種メモリブロックに割り当て、第２ブロック群を第２種メモリブロックに割り当てるように設定しても良い。
【００６３】
更に、上記実施形態では、ブロック種別設定可能領域１１は、４０個の通常メモリブロックＢ１〜Ｂ４０からなる場合を想定したが、ブロック種別設定可能領域１１のブロック分割数は４０に限定されるものではない。
【００６４】
〈２〉更に、上記実施形態では、ブロック種別記憶領域１２及びブロック種別設定フラグ１３として、１つのメモリブロック（管理用メモリブロックＢ４１）を使用する場合を想定したが、複数のメモリブロックを使用しても構わないし、或いは、メモリブロックとは別の専用の不揮発性メモリ領域として設計されたものでも構わない。
【００６５】
また、ブロック種別設定フラグ１３は、ブロック種別設定処理が実行されていない状態を“１”、ブロック種別設定処理が既に実行済みの状態を“０”として説明を行ったが、これに限定されるものではなく、ブロック種別設定処理が実行されていない状態を“０”、ブロック種別設定処理が既に実行済みの状態を“１”としても良い。
【００６６】
〈３〉更に、上記実施形態では、設定したブロック種別に関する情報として、第２種メモリブロックに設定するブロック数と第１種メモリブロックに設定するブロック数を、夫々ブロック種別記憶領域１２に書き込んだが、設定したブロック種別に関する情報としては、上記ブロック数に代えて、第１ブロック群と第２ブロック群の境界を示す第１ブロック群の最終アドレスまたは最終ブロック番号、或いは、第２ブロック群の先頭アドレスまたは先頭ブロック番号等であっても構わない。また、図２のステップＳ２０１において、ブロック種別設定コマンドとともに受信するブロック種別に関する情報も同様である。
【００６７】
〈４〉更に、上記実施形態では、本発明装置１０が１または複数のフラッシュメモリによって構成される場合を想定したが、フラッシュメモリ以外の不揮発性記憶装置を備えた構成であっても構わない。
【００６８】
〈５〉更に、上記実施形態では、本発明装置１０がＩＣカード等の電子機器に内蔵される不揮発性記憶装置である場合を想定したが、本発明装置１０は、不揮発性記憶装置とともに、不揮発性記憶装置に対する書き込み及び読み出し処理等の管理するマイクロプロセッサ等の制御装置を搭載したＩＣカード等の電子機器であっても構わない。この場合、ブロック種別設定手段１４は、必ずしも、不揮発性記憶装置内に備えている必要はなく、例えば、上述のマイクロプロセッサ等の制御装置内に設けられていても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明は、電気的に書き換え可能な不揮発性のメモリセルを複数配列してなるメモリアレイを１または複数備えてなる不揮発性記憶領域を複数のメモリブロックに分割して、少なくとも分割されたメモリブロックの一部に対するデータの読み出し及び書き換えをメモリブロック単位で管理可能に構成された不揮発性記憶装置、更に、不揮発性記憶領域が複数のメモリブロックで構成されたフラッシュメモリ等の不揮発性記憶装置を搭載したＩＣカード等の電子機器に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明に係る不揮発性記憶装置の一実施形態における概略のブロック構成を模式的に示すブロック図
【図２】本発明に係る不揮発性記憶装置の管理方法の一実施形態における処理手順を示すフローチャート
【図３】本発明に係る不揮発性記憶装置の管理方法の一実施形態における処理手順の一部のブロック種別設定処理を示すフローチャート
【図４】本発明に係る不揮発性記憶装置の一実施形態におけるブロック種別設定処理後の概略のメモリブロック構成の一例を示すブロック図
【図５】本発明に係る不揮発性記憶装置の書き込み方法の一実施形態における処理手順を示すフローチャート
【図６】本発明に係る不揮発性記憶装置の読み出し方法の一実施形態における処理手順を示すフローチャート
【図７】不揮発性記憶装置を備える従来のＩＣカード等の電子機器における一般的なメモリブロック構成を示すブロック図
【符号の説明】
【００７１】
１０：  本発明に係る不揮発性記憶装置
１１：  ブロック種別設定可能領域
１２：  ブロック種別記憶領域
１３：  ブロック種別設定フラグ
１４：  ブロック種別設定手段
Ｂ１〜Ｂ４０：  通常メモリブロック
Ｂ４１：  管理用メモリブロック
【図１】
2008293615.tif 000003
【図２】
2008293615.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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