(57)【要約】【課題】凹部に発光ダイオードが収納されてなる照明装置において、設計通りの発光量が得られ、かつ発光量と蛍光体の量とのバランスが適切な照明装置を提供する。【解決手段】無機物絶縁体からなるベース基体及びカバー部材３が接合用の金属層を介して接合されてなる基体５と、基体５に取り付けられた半導体発光素子６とを具備してなり、基体のカバー部材側の一面上に凹部４が設けられ、凹部４には半導体発光素子６が収納され、凹部４の側壁面のうち半導体発光素子６と対向する領域に金属層の端面が露出され、端面によって半導体発光素子６の放射光を反射する光反射部が構成されていることを特徴とする照明装置１を採用する。【選択図】図１
2008282920.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機物絶縁体からなるベース基体及びカバー部材が接合用の金属層を介して接合されてなる基体と、前記基体に取り付けられた半導体発光素子とを具備してなり、
前記基体の前記カバー部材側の一面上に凹部が設けられ、前記凹部には前記半導体発光素子が収納され、前記凹部の側壁面のうち前記半導体発光素子と対向する領域に前記金属層の端面が配置され、前記端面によって前記半導体発光素子の放射光を反射する光反射部が構成されていることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記金属層の端面に光反射性金属膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記金属層の端面を含む前記凹部の側壁面に光反射性金属膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項４】
前記カバー部材には、前記凹部を構成する貫通孔が設けられ、前記カバー部材の前記ベース基体側の面の前記貫通孔の周囲にはカバー側の接合用金属箔が形成され、前記ベース基体の前記カバー部材側の面には、前記カバー側の接合用金属箔に重なるベース側の接合用金属箔が形成され、前記の各接合用金属箔が相互に接合されることによって前記金属層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の照明装置。
【請求項５】
前記ベース基体及び前記カバー部材が酸化アルミニウムから構成されるとともに、前記の各接合用金属箔が銅から構成されていることを特徴とする請求項４に記載の照明装置。
【請求項６】
蛍光体を含有する透明樹脂が前記凹部に充填されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の照明装置。
【請求項７】
前記半導体発光素子がフリップチップ型発光ダイオードであることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の照明装置。
【請求項８】
板状の無機物絶縁体に貫通孔を設けるとともに、前記無機物絶縁体の一面であって前記の貫通孔の周囲にカバー側の接合用金属箔を形成するカバー部材形成工程と、
無機物絶縁体からなるベース基体の一面上に、前記カバー側の接合用金属箔と重なるベース側の接合用金属箔を形成するベース基体形成工程と、
前記ベース基体に前記カバー部材を重ねて熱圧着することにより、前記貫通孔の一端側開口部を前記ベース基体によって閉口させて凹部を形成するとともに、前記の各接合用金属箔を相互に接合して金属層を形成し、この金属層の端面を前記凹部の側壁面に配置させて光反射部とする基体形成工程と、
半導体発光素子を前記光反射部に対向させつつ前記凹部に収納する実装工程と、からなることを特徴とする照明装置の製造方法。
【請求項９】
前記基体形成工程において、前記ベース基体及び前記カバー部材を１０００℃以上に加熱して熱圧着することを特徴とする請求項８に記載の照明装置の製造方法。
【請求項１０】
前記基体形成工程の後に、少なくとも前記金属層の端面上に、光反射性金属膜を形成することを特徴とする請求項８に記載の照明装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照明装置及び照明装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、各種電球や放電管等の代替として、発光ダイオードを光源とする照明装置が開発されている。発光ダイオードは、消費電力に対する発光量が大きく、故障も少ないことから、家庭用のみならず、自動車用の光源としても広く検討されている。
【０００３】
例えば、下記特許文献１には、複数の発光ダイオードと、これら発光ダイオードが実装された実装基板と、カバープレートとから概略構成されてなる発光ダイオードランプ（照明装置）が開示されている。この照明装置の断面模式図を図１０に示す。図１０に示すように、照明装置の実装基板１１０は、アルミニウム板１１０ａと、アルミニウム板１１０ａの一面上に形成された絶縁樹脂膜１１０ｂと、絶縁樹脂膜１１０ｂ上に形成された銅箔からなる配線パターン１１３とから構成されている。また、カバープレート１１４は、アルミニウム板１１４ａと、アルミニウム板１１４ａの一面全面に形成された絶縁樹脂膜１１０ｅとから構成されている。また、カバープレート１１４には、配線パターン１１３を露出させる貫通孔１１４ｂが設けられており、この貫通孔１１４ｂは、カバープレート１１４が実装基板１１０に重ねられることによって配線パターン１１３を露出させる凹部１１４ｃとなる。この凹部１１４ｃの内部に発光ダイオード１０１が収納されている。また凹部１１４ｃには、蛍光体入りの透明樹脂１１６が充填されている。発光ダイオードとして青色発光ダイオードを用い、凹部１１４ｃに充填される蛍光体として黄色蛍光体を用いることで、白色光を発光できるようになっている。
【特許文献１】特願２００５−３６４３８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、図１０に示す照明装置においては、凹部１１４ｃの側壁面においてカバープレート側の絶縁樹脂膜１１０ｅの端面が露出し、この絶縁樹脂膜１１０ｅの端面が発光ダイオード１０１と対向している。このため、発光ダイオード１０１から放射された青色光の一部が、絶縁樹脂膜１１０ｅに照射されるようになっている。絶縁樹脂膜１１０ｅは高分子化合物から構成されており、青色光を吸収しやすい特性を有している。このため、発光ダイオード１０１の放射光の一部が絶縁樹脂膜１１０ｅに吸収されてしまい、設計通りの発光量が得られないという問題があった。
また、凹部１１４ｃに充填する黄色蛍光体の量は、発光ダイオード１０１の発光量に対して最適な量に調整されているが、上記のように設計通りの発光量が得られなくなると、発光量と黄色蛍光体の量とのバランスが崩れて、発光色が白色から薄黄色になってしまう虞があった。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、凹部に発光ダイオードが収納されてなる照明装置において、設計通りの発光量が得られ、かつ発光量と蛍光体の量とのバランスが適切な照明装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
［１］  無機物絶縁体からなるベース基体及びカバー部材が接合用の金属層を介して接合されてなる基体と、前記基体に取り付けられた半導体発光素子とを具備してなり、前記基体の前記カバー部材側の一面上に凹部が設けられ、前記凹部には前記半導体発光素子が収納され、前記凹部の側壁面のうち前記半導体発光素子と対向する領域に前記金属層の端面が配置され、前記端面によって前記半導体発光素子の放射光を反射する光反射部が構成されていることを特徴とする照明装置。
［２］  前記金属層の端面に光反射性金属膜が形成されていることを特徴とする前項１に記載の照明装置。
［３］  前記金属層の端面を含む前記凹部の側壁面に光反射性金属膜が形成されていることを特徴とする前項１に記載の照明装置。
［４］  前記カバー部材には、前記凹部を構成する貫通孔が設けられ、前記カバー部材の前記ベース基体側の面の前記貫通孔の周囲にはカバー側の接合用金属箔が形成され、前記ベース基体の前記カバー部材側の面には、前記カバー側の接合用金属箔に重なるベース側の接合用金属箔が形成され、前記の各接合用金属箔が相互に接合されることによって前記金属層が形成されていることを特徴とする前項１乃至前項３のいずれかに記載の照明装置。
［５］  前記ベース基体及び前記カバー部材が酸化アルミニウムから構成されるとともに、前記の各接合用金属箔が銅から構成されていることを特徴とする前項４に記載の照明装置。
［６］  蛍光体を含有する透明樹脂が前記凹部に充填されていることを特徴とする前項１乃至前項５のいずれかに記載の照明装置。
［７］  前記半導体発光素子がフリップチップ型発光ダイオードであることを特徴とする前項１乃至前項６のいずれかに記載の照明装置。
［８］  板状の無機物絶縁体に貫通孔を設けるとともに、前記無機物絶縁体の一面であって前記貫通孔の周囲にカバー側の接合用金属箔を形成するカバー部材形成工程と、無機物絶縁体からなるベース基体の一面上に、前記カバー側の接合用金属箔と重なるベース側の接合用金属箔を形成するベース基体形成工程と、前記ベース基体に前記カバー部材を重ねて熱圧着することにより、前記貫通孔の一端側開口部を前記ベース基体によって閉口させて凹部を形成するとともに、前記の各接合用金属箔を相互に接合して金属層を形成し、この金属層の端面を前記凹部の側壁面に配置させて光反射部とする基体形成工程と、半導体発光素子を前記光反射部に対向させつつ前記凹部に収納する実装工程と、からなることを特徴とする照明装置の製造方法。
［９］  前記基体形成工程において、前記ベース基体及び前記カバー部材を１０００℃以上に加熱して熱圧着することを特徴とする前項８に記載の照明装置の製造方法。
［１０］  前記基体形成工程の後に、少なくとも前記金属層の端面上に、光反射性金属膜を形成することを特徴とする前項８に記載の照明装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の照明装置によれば、凹部の側壁面のうち半導体発光素子と対向する領域に金属層の端面が配置されて光反射部が構成されているので、半導体発光素子からの放射光の一部が吸収されることがなく、これにより照明装置の発光量を増大させることができる。
また、本発明の照明装置によれば、ベース基体及びカバー部材がそれぞれ無機物絶縁体から構成されており、これにより凹部の側壁面を含む内面の大部分が無機物絶縁体から構成されるので、半導体発光素子からの放射光が吸収されることがなく、照明装置の発光量を増大させることができる。
また、本発明の照明装置によれば、金属層の端面あるいはこの端面を含む凹部の側壁面に光反射性金属膜が形成されているので、半導体発光素子からの放射光を効率良く出射させることができる。
更に、本発明の照明装置によれば、各接合用金属箔が相互に接合されることによってベース基体とカバー部材とが相互に接合されるので、ベース基体とカバー部材とを締結材や接着剤等で接合する必要がなく、耐振動性及び耐熱性に優れた照明装置を構成できる。
また、本発明の照明装置によれば、凹部に蛍光体を含有する透明樹脂が充填されているので、例えば半導体発光素子を青色発光ダイオードで構成し、蛍光体を黄色蛍光体で構成することで、白色光を発光させることが可能になる。
【０００８】
また、本発明の照明装置の製造方法によれば、ベース基体にカバー部材を重ねあわせ、ベース側の接合用金属箔とカバー側の接合用金属箔とを相互に接合することによって光反射部を形成するので、半導体発光素子の放射光が一部吸収される虞のない照明装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
［第１の実施形態］
以下、本発明の第１の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態の照明装置を示す平面模式図であり、図２は、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面模式図であり、図３は、図２の拡大断面模式図である。尚、これらの図は本実施形態の照明装置の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の照明装置の寸法関係とは異なる場合がある。
【００１０】
図１〜図３に示すように、本実施形態の照明装置１は、ベース基板（ベース基体）２とカバー部材３とが一体化されてなる基体５と、半導体発光素子６（以下、発光素子という）とから概略構成されている。ベース基板２とカバー部材３とは金属層８を介して一体化されている。また、基体５には凹部４が設けられており、この凹部４に発光素子６が収納されている。また、図１〜図３に示すように、凹部４の底面にベース基板２が露出されており、この露出されたベース基板２上には銅箔等からなる一対の配線パターン７が形成されており、この配線パターン７の上に発光素子６が実装されている。更に、凹部４には、ベース基板２とカバー部材３を相互に接合している金属層８の端面８ａが配置されており、この端面８ａが光反射部９となっている。尚、図２における金属層８は、凹部４を除いた部分の全面に形成されているが、本発明はこれに限らず、金属層８を凹部４の周辺にのみ形成してもよく、凹部４の周辺に形成するとともに、他の部分についてはベース基板２とカバー部材３との接合強度が低下しない程度にパターニングしても良い。
【００１１】
図２及び３に示すように、基体５を構成するベース基板２は、アルミナや窒化アルミニウム等の無機物絶縁体からなる板状の基板本体２１と、基板本体２１上に形成された金属箔からなる配線パターン７と、基板本体２１上に形成され前記金属層８を構成する金属箔からなる接合用金属箔８１と、基板本体２１の配線パターン７側とは反対側の面２１ａの全面に形成された銅等からなる反り防止用の金属箔２２とから構成されている。反り防止用の金属箔２２は、基板本体２１と配線パターン７及び接合用金属箔８１との間の熱膨張率差に起因する反りを防止するためのものであり、その厚みは３５〜２５０μｍ程度とされている。また、配線パターン７、接合用金属箔８１及び反り防止用の金属箔２２をそれぞれ構成する金属箔は、同じ金属種かつ同じ厚みであることが望ましい。尚、ベース基板２の具体例としては、プリント回路基板等を例示することができる。
【００１２】
一対の配線パターン７は、反り防止用の金属箔２２と同様に、厚み３５〜２５０μｍ程度の銅箔等から構成されている。図１に示すように、各配線パターン７は、端子部７１と、各端子部７１に接続された配線部７２とからそれぞれ構成されている。各端子部７１には、後述するように発光素子６の正極パッドと負極パッドがそれぞれ接続されている。尚、配線パターン７の厚みは、接合用金属箔８１の厚みよりも薄くすることがより望ましい。
また、基板本体２１のカバー部材側の面２１ｂ上に形成されたベース側の接合用金属箔８１は、配線パターン７と同様に厚み３５〜２５０μｍ程度の銅箔等から構成されている。図２における接合用金属箔８１は、基板本体２１のカバー部材側の面２１ｂであってカバー部材３と重なる領域のほぼ全面に形成されている。尚、接合用金属箔８１は、ベース基板２のうち凹部４を除いた全面に形成する必要はなく、凹部４の周辺にのみ形成してもよく、ベース基板２とカバー部材３との接合強度が低下しない程度にパターニングしてもよい。
【００１３】
配線パターン７と接合用金属箔８１との関係については、配線パターン７と接合用金属箔８１とが相互に接続されず、接合用金属箔８１が配線パターン７に対して独立した金属箔になっていれば良い。また、接合用金属箔８１が少なくとも２つのパターンに分割され、一方のパターンが一の配線パターン７に接続され、他方のパターンが別の配線パターン７に接続されていても良い。要するに、一対の配線パターン７が接合用金属箔８１を介して相互に電気的に接続されなければよい。各配線パターン７同士が電気的に接続されると短絡を起こしてしまうので好ましくない。
【００１４】
次に図１〜図３に示すように、カバー部材３は、アルミナ等の絶縁材料からなる板状の基板本体３１（板状の絶縁体）と、基板本体３１のベース基板２とは反対側の面３１ａの全面に形成された銅等からなる反り防止用の金属箔３２とから構成されている。反り防止用の金属箔３２は、ベース基板２の金属箔２２と同様に３５〜２５０μｍ程度の厚みを有しており、基板本体３１と後述する接合用金属箔８２との間の熱膨張率差に起因する反りを防止している。
また、基板本体３１には貫通孔３３が設けられている。更に、基板本体３１のベース基板側の面３１ｂであって貫通孔３３を囲む領域には、カバー側の接合用金属箔８２が形成されている。このカバー側の接合用金属箔８２は、ベース側の接合用金属箔８１と同様に厚み３５〜２５０μｍ程度の銅箔等から構成され、ベース側の接合用金属箔８１とほぼ同じ形に形成されている。即ち、接合用金属箔８２は貫通孔３３を除いた全面に形成してもよく、貫通孔３３の周辺にのみ形成してもよく、ベース基板２とカバー部材３との接合強度が低下しない程度にパターニングしてもよい。
【００１５】
そして図２及び図３に示すように、上記のベース基板２とカバー部材３とが一体化されて、照明装置１を構成する基体５が構成されている。この基体５の一面５ａには、貫通孔３３からなる凹部４が形成されている。凹部４は、貫通孔３３の一端側開口部３３ａがベース基板２によって閉口されてなるものであって、ベース基板２のカバー部材側の面２１ｂからなる底面部４ａと、貫通孔３３を区画する面からなる側壁面部４ｂによって区画形成されている。この凹部４の底面部４ａには、配線パターン７の端子部７１が配置されている。
【００１６】
また、ベース基板２とカバー部材３との間においては、ベース側の接合用金属箔８１と、カバー側の接合用金属箔８２とが相互に熱圧着されて接合されており、これによりベース基板２とカバー部材３との間に金属層８が形成されている。この金属層８によって、ベース基板２とカバー部材３とが接着剤や締結材によらずに一体化されている。また、凹部４の側壁面部４ｂであって発光素子６と対向する位置には、金属層８の端面８ａが配置されている。この端面８ａによって光反射部９が構成されている。
【００１７】
次に、発光素子６は、例えばフリップチップ型の青色発光ダイオードにより構成されている。この発光素子６は、図示しない発光層を備えた素子本体部６１と、素子本体部６１に設けられた正負極用の電極パッド６２から概略構成されている。そして、図２及び図３に示すように、発光素子６は、配線パターン７の端子部７１に各電極パッド６２がそれぞれ接続された状態で凹部４の内部に収納されている。尚、本発明においては、発光素子としていわゆるフェイスアップ型の発光ダイオードを用いてもよい。
【００１８】
この発光素子６は、ベース側の接合用金属箔８１とほぼ同じ厚みの端子部７１上に載置されている。従って発光素子６は、凹部４の底面４ａに対して、カバー側の接合用金属箔８２とほぼ同じ高さの位置に配置されている。
また、発光素子６の各電極パッド６２の厚みが数μｍ程度の厚みとされ、素子本体部６１の厚みが８０μｍ程度の厚みとされている。一方、カバー側の接合用金属箔８２の厚みは、上述したように３５〜２５０μｍ程度に設定されている。このような寸法関係から、凹部４の側壁面部４ｂであって発光素子６の素子本体部６１を囲む領域に、金属層８の端面８ａが配置される関係になっている。
【００１９】
以上のように、凹部４の側壁面４ｂのうち発光素子６と対向する領域に、金属層８の端面８ａが配置されている。この端面８ａは、発光素子６の放射光を反射する光反射部９になっている。この光反射部９によって、発光素子６の放射光が吸収されることなく凹部４の外に効率良く出射できるようになっている。また、凹部４の側壁面部４ｂは、カバー部材３に設けられた貫通孔３３によって形成されるとともに、凹部４の底面部４ａは、ベース基板２によって形成されている。従って凹部４の底面部４ａ及び側壁面部４ｂの大部分は、光吸収率が小さな無機物絶縁体によって構成されている。このため、発光素子６の放射光は、凹部４の底面部４ａ及び側壁面部４ｂによっても吸収されずに、凹部４の外に効率良く出射される。
更に、凹部４の内部には、黄色蛍光体入りの透明樹脂４ｃが充填されている。この黄色蛍光体入りの透明樹脂４ｃによって青色発光ダイオード（発光素子６）が埋め込まれることで、青色発光ダイオードを点灯した際に、光の加色作用によって白色光を出射できるようになっている。
【００２０】
上記の照明装置１によれば、凹部４の側壁面４ｂのうち発光素子６と対向する領域に金属層８の端面８ａが配置されて光反射部９が構成されているので、発光素子６からの放射光の一部が吸収されることがなく、照明装置１の発光量を増大させることができる。
また、ベース基板２及びカバー部材３がそれぞれ無機物絶縁体から構成されており、これにより凹部４の側壁面部４ｂを含む内面の大部分が無機物絶縁体から構成されているので、発光素子６からの放射光が吸収されることがなく、照明装置１の発光量をより増大させることができる。
更に、各接合用金属箔８１，８２が相互に接合されることによってベース基板２とカバー部材３とが相互に接合されるので、ベース基板２とカバー部材３とを締結材や接着剤等で接合する必要がなく、耐振動性及び耐熱性に優れた照明装置１を構成できる。
また、凹部４に蛍光体を含有する透明樹脂４ｃが充填されているので、例えば発光素子６を青色発光ダイオードで構成し、蛍光体を黄色蛍光体で構成することで、白色光を発光させることができる。
【００２１】
次に、上記の照明装置１の製造方法について図面を参照して説明する。図４は本実施形態の照明装置の製造方法を説明するための図であって、図４（Ａ）はカバー部材形成工程を示す断面模式図であり、図４（Ｂ）はベース基体形成工程を示す断面模式図であり、図４（Ｃ）は基体形成工程を示す断面模式図であり、図４（Ｄ）は実装工程を示す断面模式図である。
尚、図４は図１〜図３と同様に、本実施形態の照明装置を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の照明装置の寸法関係とは異なる場合がある。
【００２２】
本実施形態の照明装置１の製造方法は、カバー部材形成工程と、ベース基板形成工程（ベース基体形成工程）と、基体形成工程と、実装工程とから概略構成されている。以下、各工程について順次説明する。
【００２３】
まず、カバー部材形成工程では、アルミナ等の基板本体３１の両面全面に銅箔が積層されてなる積層板（例えばプリント回路基板）を用意し、次に、積層板の一方の面３１ｂにある銅箔をエッチング等の手段でパターニングすることにより、カバー側の接合用金属箔８２を形成する。また、基板本体３１の他方の面３１ａにある銅箔についても同様にエッチングを行い、反り防止用の金属箔３２を形成する。尚、接合用金属箔８２は、貫通孔３３を除いた全面に残してもよく、貫通孔３３の周辺のみに残してもよく、ベース基板２とカバー部材３との接合強度が低下しない程度にパターニングしてもよい。
次に、図４（Ａ）に示すように、レーザーカット法によって基板本体３１に貫通孔３３を形成する。
【００２４】
次に、ベース基板形成工程では、カバー部材形成工程と同様にして、アルミナ等の基板本体２１の両面全面に銅箔が積層されてなる積層板（例えばプリント回路基板）を用意する。次に、積層板の一方の面にある銅箔をエッチング等の手段でパターニングすることにより、配線パターン７及び接合用金属箔８１を形成する。反対側の銅箔はそのままにしておく。この銅箔は、基板本体２１の反り防止用の金属箔２２になる。このようにして、図４（Ｂ）に示すようなベース基板２を形成する。尚、接合用金属箔８１は、貫通孔３３が重なる領域を除く全面に残してもよく、貫通孔３３が重なる領域の周辺のみに残してもよく、ベース基板２とカバー部材３との接合強度が低下しない程度にパターニングしてもよい。
【００２５】
次に、基体形成工程では、図４（Ｃ）に示すように、ベース基板２にカバー部材３を重ねて熱圧着する。熱圧着は、ベース基板２及びカバー部材３を１０００℃以上に加熱した状態で、１．５ｋｇ／ｃｍ２〜３ｋｇ／ｃｍ２程度の圧力でベース基板２及びカバー部材３を相互に圧着させる。
この熱圧着によって、カバー部材３の貫通孔３３の一端側開口部３３ａがベース基板２によって閉口されて凹部４が形成される。この凹部４には、ベース基板２の端子部７１が露出された状態になる。
【００２６】
また、この熱圧着によって、カバー側の接合用金属箔８２と、ベース側の接合用金属箔８１とが接合される。これら接合用金属箔８１、８２はいずれも銅から構成されており、１０００℃以上の温度では銅の表面に酸化銅が形成されるが、この酸化銅は金属銅に比べて融点が低くなっている。従って、接合用金属箔８１、８２を１０００℃以上に加熱することによって、接合用金属箔８１、８２の表面に酸化銅からなる被膜が形成され、この酸化銅からなる被膜同士が溶融した状態になって接合用金属箔８１、８２が相互に接合される。
各接合用金属箔８１，８２が接合されることによって金属層８が形成される。この金属層８によってベース基板２とカバー部材３とが一体化されて基体５が形成される。
また、凹部４の側壁面部４ｂには、金属層８の端面８ａが配置される。この端面８ａの表面は金属光沢面とされており、これにより端面８ａが、比較的光の反射率の高い光反射部９となる。
【００２７】
最後に図４（Ｄ）に示すように、実装工程では凹部４に発光素子６を収納し、発光素子６の正負極用の電極パッド６２をそれぞれ各端子部７１に接続させる。そして、凹部４に蛍光体入りの透明樹脂４ｃを充填する。
以上のようにして、図１〜図３に示すような照明装置１が製造される。
【００２８】
上記の照明装置１の製造方法によれば、ベース基板２にカバー部材３を重ねあわせ、ベース側の接合用金属箔８１とカバー側の接合用金属箔８２とを相互に接合させて光反射部９を形成するので、発光素子６の放射光が一部吸収される虞のない照明装置１を製造することができる。
【００２９】
［第２の実施形態］
以下、本発明の第２の実施形態について図面を参照して説明する。図５は、本実施形態の照明装置の要部を示す断面模式図である。尚、図５は、図１〜３と同様に、本実施形態の照明装置の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の照明装置の寸法関係とは異なる場合がある。
また、本実施形態の照明装置と、第１の実施形態の照明装置との相違点は、凹部の側壁面部に露出する金属層の端面（光反射部）に、金属反射膜を形成した点である。従って以下の説明では、本実施形態と第１の実施形態との相違点を中心に説明する。また、図５に示す構成要素のうち、図１〜３に示す構成要素と同一の構成要素には、図１〜３と同一の符号を付している。
【００３０】
本実施形態の照明装置１１は、図５に示すように、ベース基板（ベース基体）２とカバー部材３とが一体化されてなる基体５と、半導体発光素子６（以下、発光素子という）とから概略構成されている。ベース基板２とカバー部材３とは金属層８を介して一体化されている。また、基体５には凹部４が設けられており、この凹部４に発光素子６が収納されている。また、凹部４の底面４ａにはベース基板２が露出されており、この露出されたベース基板２上に銅箔等からなる一対の配線パターン７が形成されており、この配線パターン７の上に発光素子６が実装されている。更に、凹部４の側壁面部４ｂには、ベース基板２とカバー部材３を相互に接合する金属層８の端面８ａが位置している。
【００３１】
図５に示すように、この端面８ａは、凹部４の側壁面部４ｂであって発光素子６と対向する位置に配置されている。また、この端面８ａには３μｍ〜５μｍ程度の厚みの光反射性金属膜１２が被覆形成されている。この光反射性金属膜１２によって光反射部９が形成されている。光反射性金属膜１２は、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ等の銀白色を呈する金属から構成されており、赤金属色を呈する銅からなる金属層８を被覆している。
【００３２】
銅からなる金属層８の端面８ａは、金属光沢を有しているので光の反射機能を有するが、この端面８ａに銀白色を呈する光反射性金属膜１２を更に被覆させることで、発光素子６からの放射光を更に効率良く反射させることができる。
これにより、照明装置１１の発光量をより増大させることができる。
【００３３】
尚、金属層８の端面８ａを光反射性金属膜１２で被覆させるには、第１の実施形態の基体形成工程（図４（Ｃ））において、ベース基板２とカバー部材３とを熱圧着させて接合させてから、凹部４に露出する金属層８の端面８ａに、メッキ法または蒸着法等の手段で光反射性金属膜１２を形成し、その後、発光素子６を実装すればよい。
【００３４】
［第３の実施形態］
次に、本発明の第３の実施形態について図面を参照して説明する。図６は、本実施形態の照明装置を示す断面模式図であり、図７は図６の拡大図である。尚、図６及び図７は、図１〜３と同様に、本実施形態の照明装置の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の照明装置の寸法関係とは異なる場合がある。
また、本実施形態の照明装置と、第１の実施形態の照明装置との相違点は、金属層８の端面８ａを含む凹部４の側壁面部４ｂに、光反射性金属膜を形成した点である。従って以下の説明では、本実施形態と第１の実施形態との相違点を中心に説明する。また、図６及び図７に示す構成要素のうち、図１〜３に示す構成要素と同一の構成要素には、図１〜３と同一の符号を付している。
【００３５】
本実施形態の照明装置４１は、図６及び図７に示すように、ベース基板（ベース基体）２とカバー部材３とが一体化されてなる基体５と、発光素子６とから概略構成されている。ベース基板２とカバー部材３とは金属層４８を介して一体化されている。また、基体５には凹部４が設けられており、この凹部４に発光素子６が収納されている。また、凹部４の底面４ａにはベース基板２が露出されており、この露出されたベース基板２上に銅箔等からなる一対の配線パターン７が形成されており、この配線パターン７の上に発光素子６が実装されている。
【００３６】
また、ベース基板２を構成する基板本体２１のカバー部材側の面２１ｂには、接合用金属箔４８１とが形成されている。
更に、カバー部材３を構成する基板本体３１のベース基板側の面３１ｂであって貫通孔３３を囲む領域には、カバー側の接合用金属箔４８２が形成されている。
そして、各接合用金属箔が接合されることによって、金属層４８が形成されている。
【００３７】
次に、凹部４の側壁面部４ｂには、ベース基板２とカバー部材３を相互に接合している金属層４８の端面４８ａが位置している。また、金属層４８の端面４８ａに関して、接合用金属箔４８１の端面が接合用金属箔４８２の端面よりも突出している。これにより、金属層４８の端面４８ａが２つの面に分断されている。
【００３８】
図６及び図７に示すように、この端面４８ａは、凹部４の側壁面部４ｂであって発光素子６と対向する位置に配置している。そして、凹部の側壁面部４ｂには、３μｍ〜５μｍ程度の厚みの光反射性金属膜４２が被覆形成されている。この光反射性金属膜４２は、第２の実施形態と同様に、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ等の銀白色を呈する金属から構成されており、無機物絶縁体からなる側壁面部４ｂ及び銅からなる金属層４８を被覆している。また、図７に示すように、配線パターン７の端子部７１と発光素子６の電極パッド６２との間には、光反射性金属膜４２と同じ材質からなる金属膜４２ａが形成されている。
【００３９】
銅からなる金属層４８の端面４８ａは、金属光沢を有しているので光反射部として機能するが、この端面４８ａを銀白色を呈する光反射性金属膜４２で更に被覆することで、発光素子６からの放射光を更に効率良く反射させることができる。また、無機物絶縁体からなる凹部４の側壁面部４ｂは、金属光沢を有していないので光の反射機能が比較的低いところ、側壁面部４ｂの全体を光反射性金属膜４２で被覆することで、発光素子６からの放射光を更に効率良く反射させることができる。
これにより、照明装置４１の発光量をより増大させることができる。
【００４０】
尚、凹部の側壁面部４ｂ及び金属層４８の端面４８ａを光反射性金属膜４２で被覆させるには、第１の実施形態における基体形成工程（図４（Ｃ））において、ベース基板２とカバー部材３とを熱圧着させて接合させてから、凹部４の側壁面部４ｂ及び金属層４８の端面４８ａに、メッキ法または蒸着法等の手段で光反射性金属膜４２を形成し、その後、発光素子６を実装すればよい。
尚、光反射性金属膜４２の形成の際には、配線パターン７の端子部７１の上に、光反射性金属膜４２と同じ材質の金属膜４２ａが形成されるが、各端子部７１の間にはリフトオフレジスト等を予め形成することによって、金属膜４２ａの形成を防止しておくことが望ましい。これは、端子部７１同士の間に金属膜４２ａが形成されることによる端子部７１同士の短絡を防止するためである。
【００４１】
「第４の実施形態」
次に本発明の第４の実施形態について図面を参照して説明する。図８（Ａ）には本実施形態の照明装置の断面模式図を示し、図８（Ｂ）には照明装置の要部の断面模式図を示す。
【００４２】
本実施形態の照明装置５１は、図８に示すように、酸化アルミニウムを主体とするベース基板（ベース基体）５２と、酸化アルミニウムを主体とするカバー部材５３とが一体化されてなる基体５５と、発光素子５６とから概略構成されている。ベース基板５２とカバー部材５３とは金属層５８を介して一体化されている。また、基体５５には凹部５４が設けられており、この凹部５４に複数の発光素子５６が収納されている。凹部５４には１２個の発光素子５６が一列になって配列されている。また、凹部５４の底面にはベース基板５２が位置しており、このベース基板５２上には銅箔等からなる配線パターン５７が形成されており、この配線パターン５７の上に発光素子５６が実装されている。更に図８（Ｂ）に示すように、凹部５４の側壁面部には、ベース基板５２とカバー部材５３を相互に接合する金属層５８の端面５８ａが位置している。また、凹部５４の側壁面部には光反射性金属膜５９ａが形成されており、この光反射性金属膜５９ａによって光反射部５９が構成されている。
【００４３】
基体５５を構成するベース基板５２は、酸化アルミニウムからなる板状の基板本体５２ａと、基板本体５２ａの配線パターン５７側とは反対側の面に形成された銅等からなる反り防止用の金属箔５２ｂとから構成されている。基板本体５２ａのカバー部材５３側の面には、発光素子５６が接続される配線パターン５７と、接合用金属箔５８１とが形成されている。配線パターン５７及び接合用金属箔５８１はそれぞれ、厚み３５〜２５０μｍ程度の銅箔等から構成されている。
【００４４】
次にカバー部材５３は、酸化アルミニウムからなる板状の基板本体５３ａと、基板本体５３ａのベース基板５２とは反対側の面に形成された銅等からなる反り防止用の金属箔５３ｂとから構成されている。また、基板本体５３ａには貫通孔５３ｃが設けられている。更に、基板本体５３ａのベース基板側の面であって貫通孔５３ｃを囲む領域には、カバー側の接合用金属箔５８２が形成されている。このカバー側の接合用金属箔５８２は、ベース側の接合用金属箔５８１と同様に厚み３５〜２５０μｍ程度の銅箔等から構成され、接合用金属箔５８１とほぼ同じ形に形成されている。
【００４５】
そして図８に示すように、上記のベース基板５２とカバー部材５３とが一体化されて、照明装置５１を構成する基体５５が構成されている。この基体５５の一面５５ａには、貫通孔５３ｃからなる凹部５４が形成されている。
また、ベース基板５２とカバー部材５３との間においては、基板側の接合用金属箔５８１と、カバー側の接合用金属箔５８２とが相互に熱圧着されて接合されており、これによりベース基板５２とカバー部材５３との間に金属層５８が形成されている。この金属層５８によって、ベース基板５２とカバー部材５３とが接着剤や締結材によらずに一体化されている。また、凹部５４の側壁面部であって発光素子５６と対向する位置には、金属層５８の端面５８ａが配置されている。この端面５８ａを含む凹部５４の側壁面部には光反射性金属膜５９ａが形成されており、この光反射性金属膜５９ａによって光反射部５９が構成されている。
発光素子５６は、例えばフリップチップ型の青色発光ダイオードにより構成されている。この発光素子５６は、配線パターン５７に接続された状態で凹部５４の内部に収納されている。
【００４６】
以上のように、凹部５４の側壁面部に光反射性金属膜５９ａが形成され、この光反射性金属膜５９ａによって光反射部５９が構成されている。この光反射部５９によって、発光素子５６の放射光が吸収されることなく凹部５４の外に効率良く出射できるようになっている。
更に、凹部５４の内部には、黄色蛍光体入りの透明樹脂６０が充填されている。この黄色蛍光体入りの透明樹脂６０によって青色発光ダイオード（発光素子５６）が埋め込まれることで、青色発光ダイオードを点灯した際に、光の加色作用によって白色光を出射できるようになっている。
【００４７】
上記の照明装置５１によれば、第３の実施形態の照明装置４１とほぼ同様な効果が得られる。
【００４８】
［第５の実施形態］
図９（Ａ）には第５の実施形態の照明装置の断面模式図を示し、図９（Ｂ）には照明装置の要部の断面模式図を示す。
本実施形態の照明装置６１と、第４の実施形態の照明装置５１との相違点は、凹部の内部に６個の発光素子が３個ずつ２列になって配列されている点であり、その他の構成については、第４の実施形態とほぼ同じである。
【００４９】
従って上記の照明装置６１によれば、第３の実施形態の照明装置４１とほぼ同様な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態の照明装置を示す平面模式図である。
【図２】図２は、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面模式図である。
【図３】図３は、図２の拡大断面模式図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態である照明装置の製造方法を説明するための図であって、（Ａ）はカバー部材形成工程を示す断面模式図であり、（Ｂ）はベース基体形成工程を示す断面模式図であり、（Ｃ）は基体形成工程を示す断面模式図であり、（Ｄ）は実装工程を示す断面模式図である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施形態の照明装置の要部を示す断面模式図である。
【図６】図６は、本発明の第３の実施形態の照明装置を示す断面模式図である。
【図７】図７は、図６の拡大断面模式図である。
【図８】図８は、本発明の第４の実施形態の照明装置を示す図であって、（Ａ）は断面模式図であり、（Ｂ）は照明装置の要部の断面模式図である。
【図９】図９は、本発明の第５の実施形態の照明装置を示す図であって、（Ａ）は断面模式図であり、（Ｂ）は照明装置の要部の断面模式図である。
【図１０】図１０は、従来の照明装置を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００５１】
１、１１、４１、５１、６１…照明装置、２…ベース基板（ベース基体）、３…カバー部材、４…凹部、４ｂ…側壁面部（側壁面）、４ｃ…蛍光体を含有する透明樹脂、５…基体、５ａ…基体のカバー部材側の一面、６…発光素子（半導体発光素子）、８…接合用の金属層、８ａ…端面、９…光反射部、１２、４２…光反射性金属膜、２１ｂ…ベース基体のカバー部材側の面、３１ｂ…カバー部材のベース基体側の面、３３…貫通孔、３３ａ…貫通孔の一端側開口部、８１…ベース側の接合用金属箔、８２…カバー側の接合用金属箔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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