(57)【要約】【課題】本発明は、レーザ光の進行方向において、改質領域を形成するべき部分よりさらに先の部分にまで、レーザ光が照射されることを抑制することができる、マザー複合基板の分割方法、レーザ加工方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】マザー複合基板の分割方法は、マザー第一基板及びマザー第二基板を有するマザー複合基板を、第一基板と第二基板とを備える複合基板に分割するマザー複合基板の分割方法であって、改質領域をマザー第一基板又はマザー第二基板の平面方向に連続的に連ねた第一改質層を形成する改質層形成工程と、マザー第一基板と、マザー第二基板とを接合してマザー複合基板を形成する接合工程と、マザー複合基板の厚さ方向において、第一改質層に積層するように第二改質層を形成することによって、マザー複合基板の厚さ方向に、第一改質層及び第二改質層を積層して成る改質帯を形成する改質帯形成工程と、を有する。【選択図】図５
2008194720.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板が区画形成されたマザー第一基板と、第二基板が区画形成されたマザー第二基板とを、区画形成された前記第一基板又は前記第二基板の境界面においてそれぞれ前記第一基板又は前記第二基板に分割することによって、前記マザー第一基板及び前記マザー第二基板を有するマザー複合基板を、前記第一基板と前記第二基板とを備え、前記第一基板と前記第二基板とが、その厚さ方向において少なくとも一部分で互いに重なっている複合基板に分割するマザー複合基板の分割方法であって、
前記マザー第一基板又は前記マザー第二基板の少なくとも一方の、前記境界面の部分を含み、前記マザー第一基板と前記マザー第二基板とが組合わされた状態において、前記マザー第二基板又は前記マザー第一基板に対向する面に隣接する領域に、レーザ光を集光して改質領域を形成し、前記改質領域を前記マザー第一基板又は前記マザー第二基板の平面方向に連続的に連ねた第一改質層を形成する改質層形成工程と、
前記マザー第一基板と、前記マザー第二基板とを接合して前記マザー複合基板を形成する接合工程と、
前記マザー第一基板又は前記マザー第二基板の厚さ方向において、前記第一改質層に積層する前記改質領域を連続的又は間隔を隔てて連ねた第二改質層を形成することによって、前記マザー第一基板又は前記マザー第二基板の厚さ方向に、前記第一改質層及び前記第二改質層を積層して成る改質帯を形成する改質帯形成工程と、を有することを特徴とするマザー複合基板の分割方法。
【請求項２】
区画形成された第一基板又は第二基板の境界面にレーザ光を集光させて改質帯を形成することにより、前記第一基板が区画形成されたマザー第一基板と、前記第二基板が区画形成されたマザー第二基板とを、前記境界面においてそれぞれ前記第一基板又は前記第二基板に分割することによって、前記マザー第一基板及び前記マザー第二基板を有するマザー複合基板を、前記第一基板と前記第二基板とを備え、前記第一基板と前記第二基板とが、その厚さ方向において少なくとも一部分で互いに重なっている複合基板に分割するレーザ加工方法であって、
前記マザー第一基板又は前記マザー第二基板の少なくとも一方の、前記境界面の部分を含み、前記マザー第一基板と前記マザー第二基板とが組合わされた状態において、前記マザー第二基板又は前記マザー第一基板に対向する面に隣接する領域に、レーザ照射装置から射出したレーザ光を集光して改質領域を形成し、前記改質領域を前記マザー第一基板又は前記マザー第二基板の平面方向に連続的に連ねた第一改質層を形成する改質層形成工程と、
前記マザー第一基板と、前記マザー第二基板とを接合して前記マザー複合基板を形成する接合工程と、
前記マザー第一基板又は前記マザー第二基板の厚さ方向において、前記第一改質層に積層する前記改質領域を連続的又は間隔を隔てて連ねた第二改質層を形成することによって、前記マザー第一基板又は前記マザー第二基板の厚さ方向に、前記第一改質層及び前記第二改質層を積層して成る改質帯を形成する改質帯形成工程と、を有することを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項３】
素子基板が区画形成されたマザー素子基板と、対向基板が区画形成されたマザー対向基板とを、区画形成された前記素子基板又は前記対向基板の境界面において、それぞれ前記素子基板又は前記対向基板に分割することによって、前記マザー素子基板及び前記マザー対向基板を有する電気光学基板を、前記素子基板と前記対向基板とを備え、前記素子基板と前記対向基板とが、その厚さ方向において少なくとも一部分で互いに重なっている電気光学装置に分割する電気光学装置の製造方法であって、
前記マザー素子基板又は前記マザー対向基板の少なくとも一方の、前記境界面の部分を含み、前記マザー素子基板と前記マザー対向基板とが組合わされた状態において、前記マザー対向基板又は前記マザー素子基板に対向する面に隣接する領域に、レーザ光を集光して改質領域を形成し、前記改質領域を前記マザー素子基板又は前記マザー対向基板の平面方向に連続的に連ねた第一改質層を形成する改質層形成工程と、
前記マザー素子基板と、前記マザー対向基板とを接合して前記電気光学基板を形成する接合工程と、
前記マザー素子基板又は前記マザー対向基板の厚さ方向において、前記第一改質層に積層する前記改質領域を連続的又は間隔を隔てて連ねた第二改質層を形成することによって、前記マザー素子基板又は前記マザー対向基板の厚さ方向に、前記第一改質層及び前記第二改質層を積層して成る改質帯を形成する改質帯形成工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マザー第一基板とマザー第二基板とを有するマザー複合基板の分割方法、レーザ光照射装置を用いるレーザ加工方法、及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、基板又はウエハなどの加工対象物を任意のラインに沿って切断する技術として、加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を、切断予定ラインに沿って形成し、当該改質領域を利用して切断する技術が知られている。この技術によれば、わずかな力を加えるだけで、改質領域を起点にして加工対象物を切断することができる。この技術は、切断屑が生じないので、微細な加工に適している。ここで、加工対象物の内部における多光子吸収は、レーザ加工装置を用いて、レーザ光を加工対象物に照射し、改質させる部分に当該レーザ光を集光させることによって生じさせる。特許文献１には、レーザ加工装置を用いてパルスレーザ光を加工対象物に照射し、当該パルスレーザ光を集光させることによって、加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工方法が開示されている。
【０００３】
加工対象物の厚さが加工対象物の厚さ方向の改質領域の幅に比べて大きい場合には、一つの切断予定ラインに対して、加工対象物の厚さ方向についての集光点の位置を変えながら複数回の改質領域形成工程を実行し、改質領域を加工対象物の厚さ方向に積層して、加工対象物の平面方向の改質領域の面積を増すことなく、厚さ方向全域に渉る改質領域を形成している。特許文献２には、加工対象物の厚さが加工対象物の厚さ方向の改質領域の幅に比べて大きい場合に、一つの切断予定ラインに対して、加工対象物の厚さ方向についての集光点の位置を変えながら複数回の改質領域形成工程を実行することで、改質領域を加工対象物の厚さ方向に積層して、加工対象物の平面方向の改質領域の面積を増すことなく、厚さ方向全域にわたる改質領域を形成する方法が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１９２３６７号公報
【特許文献２】特開２００２−２０５１８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、集光されたレーザ光は、集光された位置において、必ずしも全てが吸収されないため、レーザ光の進行方向において、改質領域を形成するべき部分よりさらに先の部分にまで、レーザ光が照射される可能性があった。レーザ光が照射された部分は、レーザ光によって、なんらかの加工が施される。このため、改質領域が形成されるべきでない部分に、改質領域が形成されることによって、形成された部分の強度が低下するというような課題があった。また、当該部分に回路配線などが形成されている場合には、配線が溶融されることによって、断線したり、周囲の配線と短絡したりする可能性があるという課題もあった。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するものであり、レーザ光の進行方向において、改質領域を形成するべき部分よりさらに先の部分にまで、レーザ光が照射されることを抑制することができる、マザー複合基板の分割方法、レーザ加工方法、及び電気光学装置の製造方法を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によるマザー複合基板の分割方法は、第一基板が区画形成されたマザー第一基板と、第二基板が区画形成されたマザー第二基板とを、区画形成された前記第一基板又は前記第二基板の境界面においてそれぞれ前記第一基板又は前記第二基板に分割することによって、前記マザー第一基板及び前記マザー第二基板を有するマザー複合基板を、前記第一基板と前記第二基板とを備え、前記第一基板と前記第二基板とが、その厚さ方向において少なくとも一部分で互いに重なっている複合基板に分割するマザー複合基板の分割方法であって、前記マザー第一基板又は前記マザー第二基板の少なくとも一方の、前記境界面の部分を含み、前記マザー第一基板と前記マザー第二基板とが組合わされた状態において、前記マザー第二基板又は前記マザー第一基板に対向する面に隣接する領域に、レーザ光を集光して改質領域を形成し、前記改質領域を前記マザー第一基板又は前記マザー第二基板の平面方向に連続的に連ねた第一改質層を形成する改質層形成工程と、前記マザー第一基板と、前記マザー第二基板とを接合して前記マザー複合基板を形成する接合工程と、前記マザー第一基板又は前記マザー第二基板の厚さ方向において、前記第一改質層に積層する前記改質領域を連続的又は間隔を隔てて連ねた第二改質層を形成することによって、前記マザー第一基板又は前記マザー第二基板の厚さ方向に、前記第一改質層及び前記第二改質層を積層して成る改質帯を形成する改質帯形成工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明に係るマザー複合基板の分割方法によれば、改質帯形成工程に先立って、マザー第一基板に区画形成された第一基板の境界面の部分を含み、マザー第二基板に対向する面に隣接する領域、又はマザー第二基板に区画形成された第二基板の境界面の部分を含み、マザー第一基板に対向する面に隣接する領域の少なくとも一方に第一改質層が形成される。改質帯形成工程では、第一改質層に積層するように第二改質層を形成することから、第二改質層を構成する改質領域を形成するために照射されるレーザ光のうち、目的の改質領域を形成するべき位置を通過したレーザ光は、第一改質層によって吸収されたり、反射されたりする。これにより、改質領域を形成するために、マザー第一基板又はマザー第二基板の一方に照射されたレーザ光が、もう一方のマザー第一基板又はマザー第二基板にまで到達することを抑制することができる。
【０００９】
本発明によるレーザ加工方法は、区画形成された第一基板又は第二基板の境界面にレーザ光を集光させて改質帯を形成することにより、前記第一基板が区画形成されたマザー第一基板と、前記第二基板が区画形成されたマザー第二基板とを、前記境界面においてそれぞれ前記第一基板又は前記第二基板に分割することによって、前記マザー第一基板及び前記マザー第二基板を有するマザー複合基板を、前記第一基板と前記第二基板とを備え、前記第一基板と前記第二基板とが、その厚さ方向において少なくとも一部分で互いに重なっている複合基板に分割するレーザ加工方法であって、前記マザー第一基板又は前記マザー第二基板の少なくとも一方の、前記境界面の部分を含み、前記マザー第一基板と前記マザー第二基板とが組合わされた状態において、前記マザー第二基板又は前記マザー第一基板に対向する面に隣接する領域に、レーザ照射装置から射出したレーザ光を集光して改質領域を形成し、前記改質領域を前記マザー第一基板又は前記マザー第二基板の平面方向に連続的に連ねた第一改質層を形成する改質層形成工程と、前記マザー第一基板と、前記マザー第二基板とを接合して前記マザー複合基板を形成する接合工程と、前記マザー第一基板又は前記マザー第二基板の厚さ方向において、前記第一改質層に積層する前記改質領域を連続的又は間隔を隔てて連ねた第二改質層を形成することによって、前記マザー第一基板又は前記マザー第二基板の厚さ方向に、前記第一改質層及び前記第二改質層を積層して成る改質帯を形成する改質帯形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明に係るレーザ加工方法によれば、改質帯形成工程に先立って、マザー第一基板に区画形成された第一基板の境界面の部分を含み、マザー第二基板に対向する面に隣接する領域、又はマザー第二基板に区画形成された第二基板の境界面の部分を含み、マザー第一基板に対向する面に隣接する領域の少なくとも一方に第一改質層が形成される。改質帯形成工程では、第一改質層に積層するように第二改質層を形成することから、第二改質層を構成する改質領域を形成するために照射されるレーザ光のうち、目的の改質領域を形成するべき位置を通過したレーザ光は、第一改質層によって吸収されたり、反射されたりする。これにより、改質領域を形成するために、マザー第一基板又はマザー第二基板の一方に照射されたレーザ光が、もう一方のマザー第一基板又はマザー第二基板にまで到達することを抑制することができる。
【００１１】
本発明による電気光学装置の製造方法は、素子基板が区画形成されたマザー素子基板と、対向基板が区画形成されたマザー対向基板とを、区画形成された前記素子基板又は前記対向基板の境界面において、それぞれ前記素子基板又は前記対向基板に分割することによって、前記マザー素子基板及び前記マザー対向基板を有する電気光学基板を、前記素子基板と前記対向基板とを備え、前記素子基板と前記対向基板とが、その厚さ方向において少なくとも一部分で互いに重なっている電気光学装置に分割する電気光学装置の製造方法であって、前記マザー素子基板又は前記マザー対向基板の少なくとも一方の、前記境界面の部分を含み、前記マザー素子基板と前記マザー対向基板とが組合わされた状態において、前記マザー対向基板又は前記マザー素子基板に対向する面に隣接する領域に、レーザ光を集光して改質領域を形成し、前記改質領域を前記マザー素子基板又は前記マザー対向基板の平面方向に連続的に連ねた第一改質層を形成する改質層形成工程と、前記マザー素子基板と、前記マザー対向基板とを接合して前記電気光学基板を形成する接合工程と、前記マザー素子基板又は前記マザー対向基板の厚さ方向において、前記第一改質層に積層する前記改質領域を連続的又は間隔を隔てて連ねた第二改質層を形成することによって、前記マザー素子基板又は前記マザー対向基板の厚さ方向に、前記第一改質層及び前記第二改質層を積層して成る改質帯を形成する改質帯形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、マザー素子基板に区画形成された素子基板の境界面の部分を含み、マザー対向基板に対向する面に隣接する領域と、又はマザー対向基板に区画形成された対向基板の境界面の部分を含み、マザー素子基板に対向する面に隣接する領域との少なくとも一方に第一改質層が形成される。改質帯形成工程では、第一改質層に積層するように第二改質層を形成することから、第二改質層を構成する改質領域を形成するために照射されるレーザ光のうち、目的の改質領域を形成するべき位置を通過したレーザ光は、第一改質層によって吸収されたり、反射されたりする。これにより、改質領域を形成するために、マザー素子基板又はマザー対向基板の一方に照射されたレーザ光が、もう一方のマザー対向基板又はマザー素子基板にまで到達することを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明に係るマザー複合基板の分割方法、レーザ加工方法、及び電気光学装置の製造方法の一実施形態について、図面を参照して説明する。本発明の実施形態は、電気光学装置の一例である液晶表示装置を構成する液晶表示パネルを製造する工程において、液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を切断して、個別の液晶表示パネルに分割する工程で用いられる分割方法及びレーザ加工方法を例に説明する。
【００１４】
＜レーザ加工装置＞
最初に、本実施形態でマザー基板（図４参照）を液晶表示パネル（図３参照）に分割するために用いるレーザ加工装置１０について、図１を参照して説明する。図１は、レーザ加工装置の構成を示す模式図である。
【００１５】
図１に示すように、レーザ加工装置１０は、レーザ光源２１と、ダイクロイックミラー２２と、集光レンズ２３と、Ｚ軸スライド機構２４と、撮像装置２９と、ステージ２０と、回動機構２５と、Ｘ軸スライド機構２７と、Ｙ軸スライド機構２６と、機台２８と、を備えている。
【００１６】
レーザ光源２１は、例えばイットリウム−アルミニウム−ガーネットにネオジウムをドープした結晶をレーザ媒質として用いるＮｄ：ＹＡＧレーザであり、レーザ光源２１の励起方式は、ＬＤ励起である。後述するが、加工対象物であるマザー素子基板８１（図４又は図８参照）は、石英ガラスで形成されている。石英ガラスからなるマザー素子基板８１などに改質層を形成するためには、レーザ光は、Ｎｄ：ＹＡＧ−ＴＨＧ（第３高調波）を発振させて用いる。レーザ光源２１から射出されたレーザ光は、ダイクロイックミラー２２で反射され、集光レンズ２３によって加工対象物Ｗの内部に集光される。集光レンズ２３はＺ軸スライド機構２４から延びたスライドアーム２４ａによって支持されており、Ｚ軸スライド機構２４は、ステージ２０に載置された加工対象物Ｗに対して集光レンズ２３を相対的に移動させてレーザ光の集光の位置を加工対象物Ｗの厚み方向（図１のＺ軸方向）で移動させる。撮像装置２９は、ダイクロイックミラー２２を挟んで集光レンズ２３と反対側に位置しており、加工対象物Ｗの像などを撮影する。
【００１７】
機台２８は、レーザ加工装置１０を構成する各機構などを支持する枠体である。Ｘ軸スライド機構２７を構成するＸ軸スライド台２７ｂが機台２８に固定されており、Ｘ軸スライド機構２７を構成するＸ軸スライダ２７ａが、Ｘ軸方向に摺動自在且つ固定可能にＸ軸スライド台２７ｂと係合している。Ｙ軸スライド機構２６を構成するＹ軸スライド台２６ｂがＸ軸スライダ２７ａに固定されており、Ｙ軸スライド機構２６を構成するＹ軸スライダ２６ａが、Ｙ軸方向に摺動自在且つ固定可能にＹ軸スライド台２６ｂと係合している。回動機構２５を構成する回動機構台２５ｂがＹ軸スライダ２６ａに固定されており、回動機構２５を構成する回動テーブル２５ａが、Ｚ軸回りに回動自在且つ固定可能に回動機構台２５ｂと係合している。Ｘ軸スライダ２７ａ、Ｙ軸スライダ２６ａ、回動テーブル２５ａは、それぞれＸ軸スライド台２７ｂ、Ｙ軸スライド台２６ｂ、回動機構台２５ｂとの間に構成されたサーボモータ（図示省略）によって駆動される。
【００１８】
ステージ２０は、回動テーブル２５ａに固定されており、加工対象物Ｗを載置するために用いられる。ステージ２０に載置された加工対象物Ｗは、ステージ２０に構成された例えば吸引装置で吸引されて、ステージ２０に固定される。ステージ２０に固定された加工対象物Ｗは、回動機構２５によって、Ｚ軸回りに回動可能であり、集光レンズ２３に対するＸ軸とＹ軸とに平行な方向（平面方向）の姿勢が調整される。さらに、ステージ２０に固定された加工対象物Ｗは、Ｘ軸スライド機構２７と、Ｙ軸スライド機構２６とによって、Ｘ軸とＹ軸とに平行な平面方向に移動され、加工対象物Ｗの任意の部位が集光レンズ２３に対向する位置に移動される。ステージ２０に載置され固定された加工対象物Ｗの厚さ方向がＺ軸方向となる。
【００１９】
レーザ加工装置１０は、上記各構成を制御する制御部としてのメインコンピュータ３０を備えている。メインコンピュータ３０には、ＣＰＵや各種メモリーの他に撮像装置２９が撮像した画像情報を処理する画像処理部３４を有している。撮像装置２９は、同軸落射型光源とＣＣＤ（固体撮像素子）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から射出した可視光は、集光レンズ２３を透過して焦点を結ぶ。
【００２０】
また、メインコンピュータ３０には、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する入力部３５とレーザ加工時の各種情報を表示する表示部３６が接続されている。そして、レーザ光源２１の出力やパルス幅、パルス周期を制御するレーザ制御部３１と、Ｚ軸スライド機構２４を駆動して集光レンズ２３のＺ軸方向の位置を制御するレンズ制御部３２とが接続されている。さらに、回動機構２５と、Ｘ軸スライド機構２７と、Ｙ軸スライド機構２６とを駆動するサーボモータ（図示省略）を制御するステージ制御部３３が接続されている。
【００２１】
集光レンズ２３をＺ軸方向に移動させるＺ軸スライド機構２４には、移動距離を検出可能な位置センサが内蔵されており、レンズ制御部３２は、この位置センサの出力を検出して集光レンズ２３のＺ軸方向の位置を制御可能となっている。したがって、撮像装置２９の同軸落射型光源から射出した可視光の焦点が加工対象物Ｗの表面と合うように集光レンズ２３をＺ軸方向に移動させれば、加工対象物Ｗの厚みを計測することが可能である。また、加工対象物Ｗの表面から任意の位置に集光レンズ２３の集光位置を合わせることも可能である。
【００２２】
＜改質領域の形成＞
ここで、レーザ加工の一例である多光子吸収による改質領域４０（図２参照）の形成について、説明する。加工対象物Ｗが当てられた光に対して透過性を有する材料からなっていても、当該材料の吸収のバンドギャップＥｇよりも光子のエネルギｈνが非常に大きいと吸収が生じる。この吸収を多光子吸収と言う。多光子吸収を加工対象物Ｗの内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギが熱エネルギに転化することで、加工対象物Ｗの内部に微小クラックが形成される。あるいは、レーザ光のパルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物Ｗの内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギが熱エネルギに転化せずに、イオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。本実施形態では、これらの微小クラック形成領域や屈折率変化領域を改質領域４０と呼ぶ。
【００２３】
パルスレーザ光によって改質領域４０を形成する場合、１パルスのレーザ光で１個の改質領域４０を形成する。集光位置を加工対象物Ｗの平面方向に移動させながら当該改質領域４０を形成することで、加工対象物Ｗの平面方向に連続して、又は若干の間隔を隔てて並ぶ、改質領域４０の列を形成する。この改質領域４０の列を、以降、改質層４２（図２参照）と表記する。集光位置を加工対象物Ｗの厚さ方向に移動して、形成されている改質層４２と加工対象物Ｗの平面方向で重なる位置にさらに改質層４２を形成することで、改質層４２が積層して改質領域４０が面状に並んだ領域を形成する。この改質領域４０が面状に並んだ領域を、以降、改質帯４４（図２参照）と表記する。改質帯４４が形成された加工対象物Ｗは、加えられた力が微小な力であっても、改質帯４４をきっかけとして割れが発生し、当該改質帯４４の部分で容易に分割される。
【００２４】
＜改質帯の形成＞
次に、レーザ加工装置１０を用いて、加工対象物Ｗに改質帯４４を形成する工程について、図２を参照して説明する。図２は、加工対象物に改質帯を形成する工程を示す加工対象物の模式断面図である。最初に、図２（ａ）に示したように、レーザ光を、加工対象物Ｗのレーザ光の入射面の反対側の面の近傍に集光することで改質領域４０を形成する。図２に示したレンズ２３ａは、集光レンズ２３を構成する対物レンズである。改質領域４０の形成と並行して、Ｙ軸スライド機構２６によって加工対象物Ｗを矢印ａの方向に移動することで、改質領域４０が連続した、又は連なった改質層４２を形成する。上述したように、レーザ光の光源であるレーザ光源２１は、ＬＤ励起のＮｄ：ＹＡＧレーザである。本実施形態では、波長３５５ｎｍの第３高調波を用いる。波長３５５ｎｍのレーザ光による改質領域は、微小なクラックが形成された微小クラック形成領域となる。
【００２５】
１層の改質層４２の形成が終了したところで、集光位置を加工対象物Ｗの厚さ方向に移動して、その位置において同様に改質層４２を形成することで、加工対象物Ｗの厚さ方向に改質層４２を積層する。最後に、図２（ｂ）に示したように、レーザ光を、加工対象物Ｗのレーザ光の入射面の近傍に集光して改質領域４０を形成すると共に、加工対象物Ｗを矢印ａの方向に移動することで、入射面の近傍に改質層４２を形成して、図２（ｃ）及び（ｄ）に示したように、加工対象物Ｗの断面の略全面に改質領域４０を連ねた改質帯４４を形成する。なお、図２（ｄ）は、図２（ｃ）に示した断面と略直交する断面を示す断面図である。加工対象物Ｗに、改質帯４４を挟んだ両側を互いに分離するように力を加えることで、改質帯４４の部分が分断され、概ね改質帯４４を構成する改質領域４０の中心を通る面を切断面として、加工対象物Ｗが切断される。
【００２６】
次に、レーザ加工装置１０を用いて切断する加工対象物Ｗの一例である、液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板、及びレーザ加工装置１０を用いたレーザスクライブ方法によって当該マザー基板を分割（切断）して個々の液晶表示パネルに分離する工程について説明する。
【００２７】
＜液晶表示パネル＞
最初に、液晶表示パネルについて説明する。図３は、液晶表示パネルの構造を示す概略図である。同図（ａ）は、液晶表示パネルについて、各構成要素とともに対向基板側から見た平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線に沿う概略断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２８】
図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、液晶表示パネル６０は、ＴＦＴ（Thin  Film  Transistor）素子６３を有する素子基板６１と、対向電極６６を有する対向基板６２と、シール材層６４を形成するシール材によって接着された素子基板６１と対向基板６２との隙間に充填された液晶６５とを備えている。素子基板６１は対向基板６２より一回り大きく額縁状に張り出した状態となっている。
【００２９】
素子基板６１は、厚さおよそ１．２ｍｍの石英ガラス基板を用いており、その表面には画素を構成する画素電極（図示省略）と、３端子のうちの一つが画素電極に接続されたＴＦＴ素子６３が形成されている。ＴＦＴ素子６３の残りの２端子は、画素電極を囲んで互いに絶縁状態で格子状に配置されたデータ線（図示省略）と走査線（図示省略）とに接続されている。データ線に接続された配線７２ａは、Ｙ軸方向に引き出されて端子部７０においてデータ線駆動回路部６９に接続されている。走査線は、Ｘ軸方向に引き出され、左右の額縁領域に形成された２つの走査線駆動回路部７３，７３に個々に接続されている。各データ線駆動回路部６９及び走査線駆動回路部７３の入力側配線である配線７２ｂは、端子部７０に沿って配列した実装端子７１にそれぞれ接続されている。端子部７０とは反対側の額縁領域には、２つの走査線駆動回路部７３，７３を繋ぐ配線７２ｃが設けられている。
【００３０】
対向基板６２は、厚みおよそ１．０ｍｍの透明なガラス基板を用いており、共通電極としての対向電極６６が設けられている。対向電極６６は、対向基板６２の四隅に設けられた上導通端子７４ａ（図６（ａ）参照）と配線７６（図６（ａ）参照）を介して接続されている。上導通端子７４ａは、上下導通部７４を介して素子基板６１側に設けられた下導通端子７４ｂ（図８（ａ）参照）と導通している。下導通端子７４ｂには、配線７２ｄが接続されており、当該配線７２ｄも端子部７０に設けられた実装端子７１に接続されている。
【００３１】
画素とデータ線と走査線とデータ線駆動回路部６９と実装端子７１と走査線駆動回路部７３と配線７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄと下導通端子７４ｂとを総称して、下セルパターン７７ｂと表記する（図８（ａ）参照）。対向電極６６と上導通端子７４ａと配線７６とを総称して、上セルパターン７７ａと表記する（図６（ａ）参照）。配線７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄを総称して、配線７２とも表記する。
【００３２】
液晶６５に面する素子基板６１の表面及び対向基板６２の表面には、それぞれ配向膜６７，６８が形成されている。上述したように、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてあり、液晶６５の層は対向基板６２などと同程度の厚さに描いてあるが、実際は、数ミクロン程度の厚さのものが多く用いられている。
【００３３】
液晶表示パネル６０は、外部駆動回路と電気的に繋がる中継基板が実装端子７１に接続される。そして、外部駆動回路からの入力信号が各データ線駆動回路部６９及び走査線駆動回路部７３に入力されることにより、ＴＦＴ素子６３が画素電極ごとにスイッチングされ、画素電極と対向電極６６との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。
【００３４】
なお、液晶表示パネル６０においては、使用する液晶６５の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置される（図示省略）。また、液晶表示パネル６０をカラー表示用として構成する場合には、対向基板６２において、素子基板６１の各画素電極に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。液晶表示パネル６０が、複合基板又は電気光学装置に相当する。素子基板６１が、第一基板、第二基板、又は素子基板に相当し、対向基板６２が、第一基板、第二基板、又は対向基板に相当する。
【００３５】
＜液晶表示パネルマザー基板＞
次に、液晶表示パネル６０が区画形成されたマザー基板８０について説明する。図４は、液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を示す概略図である。同図（ａ）は、対向基板側から見た平面図であり、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った概略断面図である。
【００３６】
図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、マザー基板８０は、マザー素子基板８１とマザー対向基板８２とが接着されて形成されている。マザー素子基板８１には、１つの液晶表示パネル６０の素子基板６１に相当する素子基板区画６１ａが複数区画形成されている。マザー対向基板８２には、１つの液晶表示パネル６０の対向基板６２に相当する対向基板区画６２ａが複数区画形成されている。マザー素子基板８１とマザー対向基板８２とは、素子基板区画６１ａと対向基板区画６２ａとの位置関係が、液晶表示パネル６０における素子基板６１と対向基板６２との位置関係となるように、シール材層６４を形成するシール材によって貼り合わされている。シール材層６４によって囲まれたマザー素子基板８１とマザー対向基板８２との隙間には、液晶６５が充填されている。
【００３７】
マザー基板８０から液晶表示パネル６０を切出すための切断面をそれぞれ、Ｈ素子切断面８４、Ｖ素子切断面８６、Ｈ対向切断面８７、Ｖ対向切断面８８と表記する。Ｈ素子切断面８４は、二点鎖線で示したマザー素子基板８１の切断面であり、図４（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。Ｖ素子切断面８６は、二点鎖線で示したマザー素子基板８１の切断面であり、図４（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。Ｈ対向切断面８７は、一点鎖線で示したマザー対向基板８２の切断面であり、図４（ａ）のＸ軸方向に延在する切断面である。Ｖ対向切断面８８は、一点鎖線で示したマザー対向基板８２の切断面であり、図４（ａ）のＹ軸方向に延在する切断面である。図４に示した、８４ａ，８４ｂ，８４ｃは、それぞれＨ素子切断面８４であり、８６ａ，８６ｂ，８６ｃは、それぞれＶ素子切断面８６であり、８７ａ，８７ｂ，８７ｃ，８７ｄ，８７ｅは、それぞれＨ対向切断面８７であり、８８ａ，８８ｂ，８８ｃ，８８ｄ，８８ｅは、それぞれＶ対向切断面８８である。マザー基板８０が、マザー複合基板又は電気光学基板に相当する。マザー素子基板８１が、マザー第一基板、マザー第二基板、又はマザー素子基板に相当し、マザー対向基板８２が、マザー第一基板、マザー第二基板、又はマザー対向基板に相当する。
【００３８】
＜液晶表示パネルの形成＞
次に、液晶表示パネル６０を形成する工程について、図５，６，７，８，９，１０，１１を参照して説明する。図５は、液晶表示パネルを形成する工程を示すフローチャートである。ステップＳ１からステップＳ３でマザー対向基板８２を形成し、ステップＳ４からステップＳ８でマザー素子基板８１側を形成し、ステップＳ９からステップＳ１１で、マザー素子基板８１とマザー対向基板８２とを貼り合わせてマザー基板８０を形成し、個別の液晶表示パネル６０に分割する。
【００３９】
最初に、マザー対向基板８２側の工程を説明する。図５のステップＳ１では、ガラスウェハ上に複数の上セルパターン７７ａを形成する。次に、ステップＳ２では、上セルパターン７７ａの対向電極６６が形成された部分を覆う配向膜６７（図３（ｂ）参照）を形成する。ステップＳ２を実行して、図６に示すようなマザー対向基板８２が形成される。
【００４０】
図６は、マザー対向基板の形状を示す平面図である。図６（ａ）は、液晶表示パネル一個分の上セルパターンの平面図であり、図６（ｂ）は、複数の上セルパターンが形成されたマザー対向基板の平面図である。図６（ａ）に示すように、上セルパターン７７ａは、分割されて対向基板６２（図３（ｂ）参照）を構成する領域であって、一点鎖線で示した方形の領域である対向基板区画６２ａに形成されている。図６（ｂ）に示すように、１枚のマザー対向基板８２には、２８個の上セルパターン７７ａが形成されている。また、マザー対向基板８２の外周側の、上セルパターン７７ａが形成されていない部分には、マザー対向基板８２とマザー素子基板８１とを基板の面方向で位置合わせするためのアライメントマーク（図示省略）が形成されている。マザー基板８０を液晶表示パネル６０に分割する際には、図に一点鎖線で示したＨ対向切断面８７及びＶ対向切断面８８においてマザー対向基板８２を分割することにより、マザー対向基板８２を個別の対向基板６２に分割する。
【００４１】
次に、図５のステップＳ３では、マザー対向基板８２のＨ対向切断面８７及びＶ対向切断面８８に第一改質層４２ａを形成する。第一改質層４２ａは、図１を参照して説明したレーザ加工装置１０を用いて形成する。
【００４２】
ステップＳ３のＨ対向切断面８７及びＶ対向切断面８８に第一改質層４２ａを形成する工程について、図７を参照して説明する。図７は、Ｈ対向切断面及びＶ対向切断面に第一改質層を形成する工程を示すマザー対向基板の模式断面図である。図７（ａ）は、Ｈ対向切断面又はＶ対向切断面に平行な断面の断面図であり、図７（ｂ）は、Ｈ対向切断面又はＶ対向切断面と交差する断面の断面図である。
【００４３】
図７に示したように、マザー対向基板８２の内部におけるＨ対向切断面８７又はＶ対向切断面８８の部分を含む領域であって、対向電極６６などの上セルパターン７７ａが形成された面の近傍の領域にレーザ光を集光することで、改質領域４０を形成する。改質領域４０の形成と並行して、Ｙ軸スライド機構２６（図１参照）によってマザー対向基板８２を矢印ａの方向に相対移動させることで、改質領域４０が略連続した第一改質層４２ａを形成する。マザー対向基板８２の上セルパターン７７ａが形成された面は、図４を参照して説明したように、マザー対向基板８２をマザー素子基板８１と貼り合わせたときにマザー素子基板８１に臨む面である。なお、第一改質層４２ａを形成する領域は、上セルパターン７７ａが形成された面の部分を含む領域であっても良いし、当該面の近傍であって当該面の部分を含まない領域であってもよい。図７に示したレンズ２３ａは、集光レンズ２３を構成する対物レンズである。ステップＳ３のＨ対向切断面８７及びＶ対向切断面８８に第一改質層４２ａを形成する工程が、改質層形成工程に相当する。
【００４４】
全てのＨ対向切断面８７及びＶ対向切断面８８に第一改質層４２ａが形成されたマザー対向基板８２を、マザー対向基板８２ａと表記する。なお、マザー対向基板８２の厚さ方向における第一改質層４２ａの高さは、例えば３００μｍ程度であり、マザー対向基板８２の厚さはおよそ１．０ｍｍである。したがって、全てのＨ対向切断面８７及びＶ対向切断面８８に第一改質層４２ａが形成されたマザー対向基板８２ａにおいても、当該第一改質層４２ａによってマザー対向基板８２ａが分割される可能性は非常に小さい。
【００４５】
次に、マザー素子基板８１側の工程を説明する。図５のステップＳ４では、ガラスウェハ上に複数の下セルパターン７７ｂを形成する。次に、ステップＳ５では、下セルパターン７７ｂの画素やデータ線や走査線が形成された画素領域７８（図８（ａ）参照）を覆う配向膜６８（図３（ｂ）参照）を形成する。ステップＳ５を実行することで、図８に示すようなマザー素子基板８１が形成される。
【００４６】
図８は、マザー素子基板の形状を示す平面図である。図８（ａ）は、液晶表示パネル一個分の下セルパターンの平面図であり、図８（ｂ）は、複数の下セルパターンが形成されたマザー素子基板の平面図である。図８（ａ）に示すように、下セルパターン７７ｂは、分割されて素子基板６１（図３（ｂ）参照）を構成する領域であって、二点鎖線で示した方形の領域である素子基板区画６１ａに形成されている。図８（ｂ）に示すように、１枚のマザー素子基板８１には、２８個の下セルパターン７７ｂが形成されている。また、マザー素子基板８１の外周側の、下セルパターン７７ｂが形成されていない部分には、マザー対向基板８２とマザー素子基板８１とを基板の面方向で位置合わせするためのアライメントマーク（図示省略）が形成されている。マザー基板８０を液晶表示パネル６０に分割する際には、図に二点鎖線で示したＨ素子切断面８４及びＶ素子切断面８６においてマザー素子基板８１を分割することにより、マザー素子基板８１を個別の素子基板６１に分割する。なお、マザー素子基板８１とマザー対向基板８２とが貼り合わされたマザー基板８０の状態では、マザー対向基板８２を個別の対向基板６２に分割するためのＨ対向切断面８７及びＶ対向切断面８８は、図８（ａ）及び図９に示したように、マザー素子基板８１の厚さ方向において、配線７２と重なる位置に位置する。
【００４７】
次に、図５のステップＳ６では、それぞれの下セルパターン７７ｂにおいて、画素領域７８の周囲のシール材層６４を形成する位置（図４参照）に、シール材を配置する。シール材は、マザー対向基板８２（対向基板６２）とマザー素子基板８１（素子基板６１）とを接着する接着剤と、ギャップ材とで構成されている。ギャップ材は、球形の固体で、マザー対向基板８２（対向基板６２）とマザー素子基板８１（素子基板６１）とに挟持されることで、マザー対向基板８２（対向基板６２）とマザー素子基板８１（素子基板６１）との間のセルギャップを規定する。上述したように、液晶６５の層の厚み、即ちセルギャップは数ミクロンであり、ギャップ材は、セルギャップ値と同程度の直径をもつ、直径数ミクロンの球体である。
【００４８】
次に、ステップＳ７では、それぞれの下セルパターン７７ｂにおいて、シール材層６４の四角の下導通端子７４ｂを覆う位置に、上下導通部７４（図４参照）を形成する導通材を配置する。次に、ステップＳ８では、それぞれの下セルパターン７７ｂにおいて、シール材層６４に囲まれた領域に、液晶６５を配置する。
【００４９】
次に、ステップＳ９では、液晶６５などが配置されたマザー素子基板８１に、ステップＳ３を実行して形成されたマザー対向基板８２ａを貼り合わせる。ステップＳ９を実行することによって、Ｈ対向切断面８７及びＶ対向切断面８８に第一改質層４２ａが形成されたマザー基板であるマザー基板８０ａを形成する。
【００５０】
図９は、第一改質層が形成されたマザー基板の断面図である。図９（ａ）は、Ｈ対向切断面と交差する断面の断面図であり、図９（ｂ）は、Ｖ対向切断面と交差する断面の断面図である。図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、Ｈ対向切断面８７の部分を含みＨ対向切断面８７に沿って形成された第一改質層４２７ａは、Ｈ対向切断面８７が延在する方向であるＸ軸方向に延在している。Ｖ対向切断面８８の部分を含みＶ対向切断面８８に沿って形成された第一改質層４２８ａは、Ｖ対向切断面８８が延在する方向であるＹ軸方向に延在している。
【００５１】
次に、図５のステップＳ１０では、マザー対向基板８２ａ及びマザー素子基板８１のＨ対向切断面８７、Ｖ対向切断面８８、Ｈ素子切断面８４、及びＶ素子切断面８６に沿った領域に、改質帯４４を形成する。
【００５２】
ステップＳ１０における、マザー対向基板８２ａのＨ対向切断面８７及びＶ対向切断面８８に改質帯４４を形成する工程について、図１０を参照して説明する。図１０は、Ｈ対向切断面に改質帯を形成する工程を示すマザー基板の模式断面図である。図１０（ａ）は、Ｈ対向切断面を含む断面の断面図であり、図１０（ｂ）は、Ｈ対向切断面と交差する断面の断面図である。上述したように、マザー基板８０ａのマザー対向基板８２ａには、第一改質層４２７ａ及び第一改質層４２８ａが形成されている。
【００５３】
図１０に示したように、マザー対向基板８２ａの内部におけるＨ対向切断面８７の部分を含む領域であって、第一改質層４２７ａの近傍の領域にレーザ光を集光することで、改質領域４０を形成する。改質領域４０の形成と並行して、Ｙ軸スライド機構２６（図１参照）によってマザー基板８０ａ（マザー対向基板８２ａ）を矢印ａの方向に相対移動させることで、改質領域４０が略連続又は一定の間隔を隔てて連なった改質層４２を形成する。当該改質層４２は、マザー対向基板８２ａの厚さ方向において、第一改質層４２７ａに積層している。なお、改質層４２を形成するために照射されたレーザ光は、第一改質層４２７ａによって遮光されたり散乱されたりするため、当該レーザ光がマザー対向基板８２ａから射出される可能性は極めて小さい。第一改質層４２７ａに積層した改質層４２にさらに積層させるように改質層４２を形成することによって、Ｈ対向切断面８７の略全面にわたって改質領域４０が形成された改質帯４４７ａ（図１１参照）を形成する。
【００５４】
改質帯４４７ａの形成と同様に、第一改質層４２８ａに積層するように改質層４２を形成することによって、Ｖ対向切断面８８の略全面にわたって改質領域４０が形成された改質帯４４８ａ（図１１参照）を形成する。改質帯４４７ａを形成する工程及び改質帯４４８ａを形成する工程が、改質帯形成工程に相当する。このとき形成する改質層４２が、第二改質層に相当する。図２を参照して説明した加工対象物Ｗに改質帯４４を形成する工程と同様にして、マザー素子基板８１のＨ素子切断面８４、及びＶ素子切断面８６の略全面にわたって改質領域４０が形成された改質帯４４を形成する。
【００５５】
図１１は、改質帯が形成されたマザー基板の断面図である。Ｈ対向切断面８７、及びＶ対向切断面８８には、それぞれ改質帯４４７ａ又は改質帯４４８ａが形成されており、Ｈ素子切断面８４、及びＶ素子切断面８６には、それぞれ改質帯４４が形成されている。なお、改質帯４４７ａ及び改質帯４４８ａは、形成過程において、予め第一改質層４２７ａ又は第一改質層４２８ａを形成することが異なるのみであって、形成された態様及び機能は実質的に改質帯４４と同じものである。
【００５６】
次に、図５のステップＳ１１では、マザー基板８０ａを分割して、個別の液晶表示パネル６０を形成する。マザー基板８０ａの全てのＨ対向切断面８７、Ｖ対向切断面８８、Ｈ素子切断面８４、及びＶ素子切断面８６に沿った領域に、改質帯４４又は改質帯４４７ａ又は改質帯４４８ａが形成されると、上述した素子基板区画６１ａ及び対向基板区画６２ａ（図４参照）の周囲に、改質帯４４又は改質帯４４７ａ又は改質帯４４８ａが形成されている。それぞれの液晶表示パネル６０に相当する部分は、周囲に改質帯４４又は改質帯４４７ａ又は改質帯４４８ａが形成されており、隣り合う液晶表示パネル６０間に、相対的に移動させる力を加えることにより、形成された改質帯４４又は改質帯４４７ａ又は改質帯４４８ａの部分で容易に分割することができる。液晶表示パネル６０が形成されていない、マザー基板８０ａの周辺の部分も同様に、形成された改質帯４４又は改質帯４４７ａ又は改質帯４４８ａの部分で容易に分割することができる。隣り合う液晶表示パネル６０を相対的に移動させる力は、マザー基板８０ａを弾性シートに貼り付けて当該弾性シートを伸展させるエキスパンド法などの周知の方法を用いて、加えることができる。ステップＳ１１を実行して、液晶表示パネル６０を形成する工程を終了する。
【００５７】
以下、実施形態の効果を記載する。
（１）改質帯４４の形成に先立って、マザー対向基板８２ａには、第一改質層４２７ａ及び第一改質層４２８ａが形成されている。改質帯４４７ａ又は改質帯４４８ａを形成するために、マザー対向基板８２ａの内部の第一改質層４２７ａ又は第一改質層４２８ａに重なる領域に照射されて集光されるレーザ光は、第一改質層４２７ａ又は第一改質層４２８ａによって遮光されたり散乱されたりするため、当該レーザ光がマザー対向基板８２ａから射出される可能性は極めて小さい。これにより、マザー対向基板８２ａに改質領域４０を形成するために照射されたレーザ光がマザー対向基板８２ａを透過して、マザー対向基板８２ａと貼り合わされたマザー素子基板８１に照射される可能性を極めて小さくすることができる。すなわち、マザー対向基板８２ａに改質領域４０を形成するために照射されたレーザ光がマザー素子基板８１に到達することによって、マザー素子基板８１に形成された配線７２などが損なわれる可能性を極めて小さくすることができる。なお、配線７２などの回路配線は、導電材料からなる微細な板状のパターンであり、レーザ光によって容易に溶融されることにより、断線する可能性がある。また、微小な間隔で並べられた回路配線が溶融されることにより、互いに接続されて短絡する可能性がある。
【００５８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明の実施形態は、前記実施形態に限らない。本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論であり、以下のように実施することもできる。
【００５９】
（変形例１）前記実施形態においては、マザー対向基板８２の全てのＨ対向切断面８７及びＶ対向切断面８８に第一改質層４２ａを形成したが、Ｈ対向切断面８７及びＶ対向切断面８８の全てに第一改質層４２ａを形成することは必須ではない。対向する基板と貼り合わされた状態で、対向する基板上の配線などのような、レーザ光によって影響を及ぼす可能性がある部分に対向する切断面にのみ、予め第一改質層を形成してもよい。
【００６０】
（変形例２）前記実施形態においては、マザー対向基板８２のＨ対向切断面８７及びＶ対向切断面８８には第一改質層４２ａを形成し、マザー素子基板８１のＨ素子切断面８４、及びＶ素子切断面８６には第一改質層４２ａを形成することなく改質帯４４を形成していたが、第一改質層を形成するのは一方の基板のみに限らない。両方の基板において、当該基板を貼り合わせる前に、切断予定面に第一改質層を形成してもよい。
【００６１】
（変形例３）前記実施形態においては、液晶表示パネル６０が区画形成されたマザー基板８０ａを切断して、個別の液晶表示パネル６０に分割する工程で用いられる分割方法及びレーザ加工方法を例に説明したが、分割する対象は液晶表示パネルに限らない。本発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置の製造にも適用できる。例えば、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスの製造にも本発明の適用が可能である。
【００６２】
（変形例４）前記実施形態においては、加工対象物のマザー対向基板８２及びマザー素子基板８１は石英ガラス基板であったが、本発明は、シリコン基板や、水晶から成る水晶基板や、パイレックス（登録商標）やネオセラム（登録商標）やＯＡ−１０から成る基板にも適用することができる。
【００６３】
（変形例５）前記実施形態においては、レーザ光源２１は、イットリウム−アルミニウム−ガーネットにネオジウムをドープした結晶をレーザ媒質として用いるＮｄ：ＹＡＧレーザであったが、レーザ光源は他のレーザ媒質を用いるレーザ光源であってもよい。例えば、他のＹＡＧレーザやＹＬＦレーザやＹＶＯ４レーザなどを使用してもよい。Ｎｄ：ＹＡＧレーザも、第３高調波以外にも、Ｎｄ：ＹＡＧ基本波などを用いることができる。レーザ媒質や発振させるレーザ光は、加工する材質に合わせて適切なものを選択することが好ましい。
【００６４】
（変形例６）前記実施形態においては、集光レンズ２３に対してステージ２０をＺ軸に直交する方向に移動することで、集光レンズ２３と、マザー対向基板８２又はマザー基板８０と、を相対移動させていたが、ステージ２０側を移動させることは必須ではない。集光レンズ２３側を移動することで、集光レンズ２３と、マザー対向基板８２又はマザー基板８０との相対移動を行ってもよい。
【００６５】
（変形例７）前記実施形態においては、マザー対向基板８２又はマザー基板８０に対する集光点のＺ軸方向の位置調整は、Ｚ軸スライド機構２４によって集光レンズ２３を移動することで行っていたが、集光レンズ２３を移動することは必須ではない。マザー対向基板８２又はマザー基板８０に対する集光点のＺ軸方向の位置調整は、ステージ２０をＺ軸方向に移動して調整してもよい。レーザ光源２１や集光レンズ２３を含むレーザ光照射装置が調整装置を持たなくてすみ、レーザ光照射装置が調整装置を持つ場合に比べてレーザ光照射装置全体を軽量小型にすることができる。
【００６６】
（変形例８）前記実施形態においては、改質層は改質領域を互いに略連接するように連ねて形成していたが、改質領域が略連接することは必須ではない。小さい応力をかけて分割できれば、改質領域を互いに間隔を隔てて連ねる構成であってもよい。間隔を隔てることで、改質領域を略連接させる構成に比べて相対移動速度を速くして、加工速度を速くすることができる。
【００６７】
（変形例９）前記実施形態においては、改質帯は改質層を互いに略連接するように積層して形成していたが、改質層が略連接することは必須ではない。小さい応力をかけて分割できれば、改質層を互いに間隔を隔てて積層する構成であってもよい。間隔を隔てることで、改質層を略連接させる構成に比べて改質帯の形成に要する時間を短縮することができる。
【００６８】
（変形例１０）前記実施形態においては、Ｈ対向切断面８７及びＶ対向切断面８８に第一改質層４２７ａ又は第一改質層４２８ａを形成する際に、マザー対向基板８２の対向電極６６などが形成された面の反対側の面からレーザ光を入射させていたが、レーザ光を当該面から入射させることは必須ではない。レーザ光は対向電極６６などが形成された面から入射させてもよい。第一改質層４２７ａ及び第一改質層４２８ａは、対向電極６６などが形成された面の近傍に形成するため、当該面からレーザ光を入射させることにより、レーザ光がマザー対向基板８２の内部を透過する際のエネルギの減衰を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】レーザ加工装置の構成を示す模式図。
【図２】加工対象物に改質帯を形成する工程を示す加工対象物の模式断面図。
【図３】液晶表示パネルの構造を示す概略図。
【図４】液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を示す概略図。
【図５】液晶表示パネルを形成する工程を示すフローチャート。
【図６】（ａ）液晶表示パネル一個分の上セルパターンの平面図。（ｂ）複数の上セルパターンが形成されたマザー対向基板の平面図。
【図７】Ｈ対向切断面及びＶ対向切断面に第一改質層を形成する工程を示すマザー対向基板の模式断面図。
【図８】（ａ）液晶表示パネル一個分の下セルパターンの平面図。（ｂ）複数の下セルパターンが形成されたマザー素子基板の平面図。
【図９】（ａ）第一改質層が形成されたマザー基板のＨ対向切断面と交差する断面の断面図。（ｂ）第一改質層が形成されたマザー基板のＶ対向切断面と交差する断面の断面図。
【図１０】（ａ）Ｈ対向切断面に改質帯を形成する工程を示す、マザー基板のＨ対向切断面を含む断面の断面図。（ｂ）Ｈ対向切断面に改質帯を形成する工程を示す、マザー基板のＨ対向切断面と交差する断面の断面図。
【図１１】改質帯が形成されたマザー基板の断面図。
【符号の説明】
【００７０】
１０…レーザ加工装置、２３…集光レンズ、４０…改質領域、４２…改質層、４２ａ…第一改質層、４４…改質帯、６０…液晶表示パネル、６１…素子基板、６２…対向基板、７２…配線、７６…配線、７７ａ…上セルパターン、７７ｂ…下セルパターン、８０，８０ａ…マザー基板、８１…マザー素子基板、８２，８２ａ…マザー対向基板、８４…Ｈ素子切断面、８６…Ｖ素子切断面、８７…Ｈ対向切断面、８８…Ｖ対向切断面、４２７ａ，４２８ａ…第一改質層、４４７ａ，４４８ａ…改質帯。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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