(57)【要約】【課題】本発明は、簡易な構成で、有機層の保護性能に優れ、発光領域の広いＥＬ素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係るチップ型のＥＬ素子において、有機ＥＬチップＡは、チップ基板Ａ１と；チップ基板Ａ１上に形成された第１電極層Ａ２と；第１電極層Ａ２の一部を露出する形で、第１電極層Ａ２上に形成された有機層Ａ４と；第１電極層Ａ２と絶縁された形で、有機層Ａ４を被覆する第２電極層Ａ５と；第１電極層Ａ２の一部と第２電極層Ａ５に導通する第３電極層Ａ７の一部を各々導電領域Ａ８ａ、Ａ８ｂとして露出する形で、チップ基板Ａ１上を被覆するパシベーション層Ａ６と；を有して成り、絶縁基板Ｂ１の基板電極Ｂ２ａ、Ｂ２ｂと有機ＥＬチップＡの導電領域Ａ８ａ、Ａ８ｂとの間を、各々導電部材Ｃ１ａ、Ｃ１ｂで接続して成る構成とされている。【選択図】図１
2008293787.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１、第２基板電極を有する絶縁基板と、前記絶縁基板上に搭載された有機ＥＬチップと、前記絶縁基板上で前記有機ＥＬチップを被覆する透光性の封止部材と、を有して成るＥＬ素子であって、
前記有機ＥＬチップは、チップ基板と；前記チップ基板上に形成された第１電極層と；前記第１電極層の一部を露出する形で、前記第１電極層上に形成された有機層と；前記第１電極層と絶縁された形で、前記有機層を被覆する第２電極層と；前記第１電極層の一部と前記第２電極層の一部、若しくは、前記第１電極層の一部と前記第２電極層に導通する第３電極層の一部または全部を、各々第１、第２導電領域として露出する形で、前記チップ基板上を被覆するパシベーション層と；を有して成り、
前記絶縁基板の第１、第２基板電極と、前記有機ＥＬチップの第１、第２導電領域との間を、各々導電部材で接続して成ることを特徴とするＥＬ素子。
【請求項２】
前記有機ＥＬチップは、前記第１電極層側から光を取り出すボトムエミッション型であり、導電ペーストまたはバンプを介して、前記絶縁基板上にフェイスダウン実装されていることを特徴とする請求項１に記載のＥＬ素子。
【請求項３】
前記第１電極層と前記第３電極層は、互いに絶縁された形で、前記チップ基板上に分割形成されており、前記第２電極層は、前記第３電極層の一部と導通する形で、前記有機層を被覆するように形成されていることを特徴とする請求項２に記載のＥＬ素子。
【請求項４】
前記有機ＥＬチップは、前記パシベーション層上に貼付されたガラス板を有して成ることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のＥＬ素子。
【請求項５】
前記封止部材は、前記チップ基板を露出する形で、前記有機ＥＬチップを被覆するものであることを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれかに記載のＥＬ素子。
【請求項６】
前記有機ＥＬチップは、前記第１電極層と前記第２電極層とを絶縁するとともに、発光領域となる前記有機層の開口部を縁取る形で、前記第１電極層上に形成された絶縁層を有して成ることを特徴とする請求項２〜請求項５のいずれかに記載のＥＬ素子。
【請求項７】
前記第１電極層は、前記チップ基板の長手方向に沿って、その一端が前記チップ基板の一端まで引き出されており、前記有機層は、前記第１電極層の前記一端を露出し、その余の部分を被覆する形で、前記第１電極層上に形成されており、前記第２電極層は、前記チップ基板の長手方向に沿って、その一端が前記チップ基板の他端まで引き出されており、前記パシベーション層は、前記第１、第２電極層の前記一端を各々前記第１、第２導電領域として露出し、その余の部分を被覆する形で、前記チップ基板上に形成されていることを特徴とする請求項２に記載のＥＬ素子。
【請求項８】
前記第１電極層は、前記チップ基板の長手方向に沿って、その一端が前記チップ基板の一端まで引き出されており、前記有機層及び前記第２電極層は、前記第１電極層の前記一端を露出する形で、前記第１電極層上に積層されており、前記パシベーション層は、前記第１電極層の前記一端を前記第１導電領域として露出し、その余の部分を被覆する形で、前記チップ基板上に形成されており、前記第３電極層は、前記パシベーション層を被覆するとともに、前記第２導電領域として、前記チップ基板の長手方向に沿って、その一端が前記チップ基板の他端まで引き出されており、かつ、前記パシベーション層に設けられたコンタクトホールを介して、前記第２電極層と導通されていることを特徴とする特徴とする請求項２に記載のＥＬ素子。
【請求項９】
前記第１電極層は、前記チップ基板の長手方向に沿って、その一端が前記チップ基板の一端まで引き出されており、前記有機層及び前記第２電極層は、前記第１電極層の前記一端を露出する形で、前記第１電極層上に積層されており、前記パシベーション層は、前記第１電極層の前記一端と前記第２電極層の一部を各々前記第１、第２導電領域として露出し、その余の部分を被覆する形で、前記チップ基板上に形成されていることを特徴とする特徴とする請求項２に記載のＥＬ素子。
【請求項１０】
前記有機層及び前記第２電極層は、前記第１電極層の一部を露出する形で、前記第１電極層上に積層されており、前記パシベーション層は、前記第１電極層の前記一部と前記第２電極層の一部を各々前記第１、第２導電領域として露出し、その余の部分を被覆する形で、前記チップ基板上に形成されていることを特徴とする特徴とする請求項２に記載のＥＬ素子。
【請求項１１】
前記絶縁基板と前記有機ＥＬチップとの間には、隙間が設けられていることを特徴とする請求項２〜請求項１０のいずれかに記載のＥＬ素子。
【請求項１２】
前記有機ＥＬチップは、前記第２電極層側から光を取り出すトップエミッション型であり、ボンディングワイヤを介して、前記絶縁基板上にフェイスアップ実装されていることを特徴とする請求項１に記載のＥＬ素子。
【請求項１３】
前記有機ＥＬチップから放出された光を所望の方向に反射する反射部材を有して成ることを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれかに記載のＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板に表面実装が可能なチップ型のＥＬ［ElectroLuminescence］素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器のインジケータや照明機器の光源として、回路基板に表面実装が可能なチップ型のＬＥＤ［Light Emitting Diode］が広く一般に用いられている（例えば、本願出願人による特許文献１〜３を参照）。
【０００３】
また、上記に関連する他の従来技術の一例として、特許文献４〜７には、回路基板に表面実装が可能なチップ型のＥＬ素子が開示・提案されている。
【特許文献１】特開２００５−１０１２０３号公報
【特許文献２】特開２００４−２９６６１８号公報
【特許文献３】特開２００１−２１０８７３号公報
【特許文献４】特開２０００−２８６０５３号公報
【特許文献５】特開平１１−３０７２５２号公報
【特許文献６】特開平１１−１１１４５１号公報
【特許文献７】特開平１０−１６２９５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
確かに、チップ型のＬＥＤは、高輝度、高寿命という利点がある上、電子機器の小型化や軽薄化にも貢献することができる。
【０００５】
しかしながら、チップ型のＬＥＤは、少なくとも数［ｍＡ］の電流を投入しなければ発光しないため、チップ型のＥＬ素子に比べて、消費電力が大きいという課題があった。
【０００６】
一方、チップ型のＥＬ素子であれば、数［μＡ］〜数十［μＡ］の投入電流で発光がみられるため、低消費電力での発光が可能となる。
【０００７】
しかしながら、特許文献４に記載されたチップ型のＥＬ素子は、これが表面実装される回路基板に対して水平方向に光を放射する構成であるため、回路基板の法線方向に光を放射するには、別途の反射膜やレンズ部を形成しなければならず、構造が複雑であった。
【０００８】
また、特許文献５、６に記載されたチップ型のＥＬ素子は、あくまでカラー表示の実現を目的とするものであり、ＥＬ素子と基板との電気的な接続構造や、発光層の保護構造については、何ら具体的に開示されておらず、また、ＥＬ素子の発光領域をいかにして広げるかについても、一切考慮・言及されていなかった。
【０００９】
また、特許文献７に記載されたチップ型電界発光素子は、第１の半製品（非透明電極、発光層、第１、第２の入力用端子電極、絶縁層、接続用導電部、導電性バインダ）と、第２の半製品（透明電極、絶縁体、高誘電率バインダ）と、を別工程で製造し、接続用導電部が導電性バインダを介して透明電極の片側端部に電気的に接続され、透明電極の残りの部分が高誘電率バインダを介して発光層の透明電極側対向面に接続されるように、第１の半製品と第２の半製品とを機械的に加圧接合する構成であるため、その製造工程で発光層に少なからぬ外力が加わる形となっており、発光層の保護に対する配慮が欠けていた。
【００１０】
また、特許文献７に記載されたチップ型電界発光素子では、透明電極と発光層の間にバインダが介在する形となるため、ＥＬ素子の発光特性に悪影響を及ぼすおそれがあった。
【００１１】
本発明は、上記の問題点に鑑み、簡易な構成で、有機層の保護性能に優れ、発光領域の広いＥＬ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明に係るＥＬ素子は、第１、第２基板電極を有する絶縁基板と、前記絶縁基板上に搭載された有機ＥＬチップと、前記絶縁基板上で前記有機ＥＬチップを被覆する透光性の封止部材と、を有して成るＥＬ素子であって、前記有機ＥＬチップは、チップ基板と；前記チップ基板上に形成された第１電極層と；前記第１電極層の一部を露出する形で、前記第１電極層上に形成された有機層と；前記第１電極層と絶縁された形で、前記有機層を被覆する第２電極層と；前記第１電極層の一部と前記第２電極層の一部、若しくは、前記第１電極層の一部と前記第２電極層に導通する第３電極層の一部または全部を、各々第１、第２導電領域として露出する形で、前記チップ基板上を被覆するパシベーション層と；を有して成り、前記絶縁基板の第１、第２基板電極と、前記有機ＥＬチップの第１、第２導電領域との間を、各々導電部材で接続して成る構成（第１の構成）とされている。
【００１３】
なお、上記第１の構成から成るＥＬ素子において、前記有機ＥＬチップは、前記第１電極層側から光を取り出すボトムエミッション型であり、導電ペーストまたはバンプを介して、前記絶縁基板上にフェイスダウン実装されている構成（第２の構成）にするとよい。
【００１４】
また、上記第２の構成から成るＥＬ素子にて、前記第１電極層と前記第３電極層は、互いに絶縁された形で、前記チップ基板上に分割形成されており、前記第２電極層は、前記第３電極層の一部と導通する形で、前記有機層を被覆するように形成されている構成（第３の構成）にするとよい。
【００１５】
また、上記第２または第３の構成から成るＥＬ素子において、前記有機ＥＬチップは、前記パシベーション層上に貼付されたガラス板を有して成る構成（第４の構成）にするとよい。
【００１６】
また、上記第２〜第４いずれかの構成から成るＥＬ素子にて、前記封止部材は、前記チップ基板を露出する形で前記有機ＥＬチップを被覆するものである構成（第５の構成）にするとよい。
【００１７】
また、上記第２〜第５いずれかの構成から成るＥＬ素子において、前記有機ＥＬチップは、前記第１電極層と前記第２電極層とを絶縁するとともに、発光領域となる前記有機層の開口部を縁取る形で、前記第１電極層上に形成された絶縁層を有して成る構成（第６の構成）にするとよい。
【００１８】
また、上記第２の構成から成るＥＬ素子において、前記第１電極層は、前記チップ基板の長手方向に沿って、その一端が前記チップ基板の一端まで引き出されており、前記有機層は、前記第１電極層の前記一端を露出し、その余の部分を被覆する形で、前記第１電極層上に形成されており、前記第２電極層は、前記チップ基板の長手方向に沿ってその一端が前記チップ基板の他端まで引き出されており、前記パシベーション層は、前記第１、第２電極層の前記一端を各々前記第１、第２導電領域として露出し、その余の部分を被覆する形で、前記チップ基板上に形成されている構成（第７の構成）にするとよい。
【００１９】
また、上記第２の構成から成るＥＬ素子にて、前記第１電極層は、前記チップ基板の長手方向に沿って、その一端が前記チップ基板の一端まで引き出されており、前記有機層及び前記第２電極層は、前記第１電極層の前記一端を露出する形で、前記第１電極層上に積層されており、前記パシベーション層は、前記第１電極層の前記一端を前記第１導電領域として露出し、その余の部分を被覆する形で、前記チップ基板上に形成されており、前記第３電極層は、前記パシベーション層を被覆するとともに、前記第２導電領域として、前記チップ基板の長手方向に沿って、その一端が前記チップ基板の他端まで引き出されており、かつ、前記パシベーション層に設けられたコンタクトホールを介して、前記第２電極層と導通されている構成（第８の構成）にするとよい。
【００２０】
また、上記第２の構成から成るＥＬ素子において、前記第１電極層は、前記チップ基板の長手方向に沿って、その一端が前記チップ基板の一端まで引き出されており、前記有機層及び前記第２電極層は、前記第１電極層の前記一端を露出する形で、前記第１電極層上に積層されており、前記パシベーション層は、前記第１電極層の前記一端と前記第２電極層の一部を各々前記第１、第２導電領域として露出し、その余の部分を被覆する形で、前記チップ基板上に形成されている構成（第９の構成）にするとよい。
【００２１】
また、上記第２の構成から成るＥＬ素子において、前記有機層及び前記第２電極層は、前記第１電極層の一部を露出する形で、前記第１電極層上に積層されており、前記パシベーション層は、前記第１電極層の前記一部と前記第２電極層の一部を各々前記第１、第２導電領域として露出し、その余の部分を被覆する形で、前記チップ基板上に形成されている構成（第１０の構成）にするとよい。
【００２２】
また、上記第２〜第１０いずれかの構成から成るＥＬ素子において、前記絶縁基板と前記有機ＥＬチップの間には、隙間が設けられている構成（第１１の構成）にするとよい。
【００２３】
また、上記第１の構成から成るＥＬ素子において、前記有機ＥＬチップは、前記第２電極層側から光を取り出すトップエミッション型であり、ボンディングワイヤを介して前記絶縁基板上にフェイスアップ実装されている構成（第１２の構成）にしてもよい。
【００２４】
また、上記第１〜第１２いずれかの構成から成るＥＬ素子は、前記有機ＥＬチップから放出された光を所望方向に反射する反射部材を有して成る構成（第１３の構成）にしてもよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、簡易な構成で、有機層の保護性能に優れ、発光領域の広いＥＬ素子を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
まず、本発明に係るチップ型のＥＬ素子の第１実施形態について、図１を参照しながら詳細に説明する。
【００２７】
図１は、本発明に係るＥＬ素子の第１実施形態を示す縦断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。なお、縦断面図（ａ）は、上面図（ｂ）中のＸ−Ｘ’断面である。
【００２８】
第１実施形態のＥＬ素子において、有機ＥＬチップＡは、チップ基板Ａ１と、第１電極層Ａ２と、絶縁層Ａ３と、有機層Ａ４と、第２電極層Ａ５と、パシベーション層Ａ６と、第３電極層Ａ７と、を有して成る。
【００２９】
チップ基板Ａ１は、透光性の絶縁基板であり、その素材としては、ガラスなどを用いることができる。
【００３０】
第１電極層Ａ２は、有機ＥＬチップＡのアノード電極として、チップ基板Ａ１上にスパッタリング法などで形成された透明電極であり、その素材としては、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ［Indium Tin Oxide］）や酸化インジウムなどを用いることができる。
【００３１】
絶縁層Ａ３は、第１電極層Ａ２と第２電極層Ａ５とを絶縁するとともに、発光領域となる有機層Ａ４の開口部（図１（ｂ）のハッチング部分）を縁取る形で、第１電極層Ａ２上にフォトレジスト法などで形成された無機絶縁層であり、第１電極層Ａ２と第３電極層Ａ７とを分離する役割も果たしている。このような絶縁層Ａ３を設けた構成であれば、輪郭のはっきりした発光領域を得ることが可能となる。
【００３２】
有機層Ａ４は、第１電極層Ａ２の一部（本図では左端側）を露出する形で、第１電極層Ａ２ないし絶縁層Ａ３上に真空蒸着法やフォトリソグラフィ法で形成されたものであり、本図では描写されていないが、第１電極層Ａ２側から順に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層が積層構造で形成されている。また、必要に応じて、第１電極層Ａ２と正孔輸送層との間には、正孔注入層が形成され、第２電極層Ａ５と電子輸送層との間には、電子注入層が形成される。ただし、有機層Ａ４は、上記の３層構造ないし５層構造に限定されるものではなく、少なくとも発光層が形成されていればよく、また、各層をさらに複層構造とすることもできる。
【００３３】
第２電極層Ａ５は、有機ＥＬチップＡのカソード電極として、チップ基板Ａ１上に真空蒸着法などで形成された金属電極であり、その素材としては、アルミニウムなどを用いることができる。なお、第２電極層Ａ５は、図１（ａ）、（ｂ）で示されるように、第１電極層Ａ２と絶縁される一方、第３電極層Ａ７の一部と導通する形で、有機層Ａ４を被覆するように形成されている。
【００３４】
パシベーション層Ａ６は、第１電極層Ａ２の一部と第３電極層Ａ７の一部を各々第１、第２導電領域Ａ８ａ、Ａ８ｂとして露出する形で、チップ基板Ａ１上を被覆する無機絶縁層であり、その素材としては、紫外線硬化性樹脂（ＵＶ樹脂）や窒化シリコンなどを用いることができる。なお、上記の第１、第２導電領域Ａ８ａ、Ａ８ｂは、各々導電部材Ｃ１ａ、Ｃ１ｂを介して、絶縁基板（インターポーザ）Ｂ１に設けられた第１、第２基板電極Ｂ２ａ、Ｂ２ｂ（例えば、銅ニッケル合金に金メッキを施したもの）との接続を確立するための領域である。
【００３５】
第３電極層Ａ７は、有機ＥＬチップＡのカソード電極（第２電極層Ａ５をチップ基板Ａ１の端部まで引き出すための仲介電極）として、第１電極層Ａ２と同時に、かつ、第１電極層Ａ２とは絶縁された形で、チップ基板Ａ１上に分割形成された透明電極である。言い換えれば、第１実施形態のＥＬ素子では、有機ＥＬチップＡのチップ基板Ａ１上に形成された透明電極層がアノード領域（第１電極層Ａ２）とカソード領域（第３電極層Ａ７）に分割されていると言える。このように、第１電極層Ａ２と第３電極層Ａ７とを同時に形成する構成であれば、工程数を不要に増大せずに済む。
【００３６】
上記構成から成る有機ＥＬチップＡは、第１電極層Ａ２側から光を取り出すボトムエミッション型であり、絶縁基板Ｂ１上にフェイスダウン実装された後、透光性の封止部材Ｄ１（エポキシ樹脂など）によって、絶縁基板Ｂ１上で被覆されている。なお、有機ＥＬチップＡの第１、第２導電領域Ａ８ａ、Ａ８ｂと、絶縁基板Ｂ１の第１、第２基板電極Ｂ２ａ、Ｂ２ｂとの間は、導電ペースト（銀ペーストなど）やバンプ（金バンプ、スズ鉛バンプ、スズ銀バンプなど）などの導電部材Ｃ１ａ、Ｃ１ｂによって各々接続されている。
【００３７】
このように、自発光手段として、有機ＥＬチップＡを用いたチップ型のＥＬ素子であれば、数［μＡ］〜数十［μＡ］の投入電流で発光がみられるため、チップ型のＬＥＤに比べて、低消費電力での発光が可能となる。
【００３８】
また、本実施形態のＥＬ素子であれば、有機ＥＬチップＡと絶縁基板Ｂ１とをワイヤレスで接続することができるので、その製造工程を簡易化することが可能となる。
【００３９】
また、本実施形態のＥＬ素子であれば、有機層Ａ４が第２電極層Ａ５及びパシベーション層Ａ６によって完全に被覆されているので、有機層Ａ４の保護性能を高めることが可能となる。
【００４０】
次に、本発明に係るチップ型のＥＬ素子の第２実施形態について、図２を参照しながら詳細に説明する。
【００４１】
図２は、本発明に係るＥＬ素子の第２実施形態を示す縦断面図である。
【００４２】
本図に示すように、第２実施形態のＥＬ素子は、有機ＥＬチップＡのパシベーション層Ａ６上にガラス板Ａ９を貼付した構成とされている。なお、ガラス板Ａ９の貼付方法については、例えば、パシベーション層Ａ６として紫外線硬化性樹脂（ＵＶ樹脂）を用い、ガラス板Ａ９を載せてから紫外線を照射して硬化させればよい。
【００４３】
このような構成とすることにより、絶縁基板Ｂ１へのフェイスダウン実装に際して、有機ＥＬチップＡを保護することが可能となるほか、絶縁基板Ｂ１側にパシベーション層Ａ６が直接暴露されなくなるので、素子の劣化防止を図ることが可能となる。
【００４４】
次に、本発明に係るチップ型のＥＬ素子の第３実施形態について、図３を参照しながら詳細に説明する。
【００４５】
図３は、本発明に係るＥＬ素子の第３実施形態を示す縦断面図である。
【００４６】
本図に示すように、第３実施形態のＥＬ素子において、封止部材Ｄ１は、チップ基板Ａ１の発光面を露出する形で、有機ＥＬチップＡを被覆する構成とされている。このような構成とすることにより、封止部材Ｄ１による光の減衰を防止することができるので、より明るい発光を得ることが可能となる。
【００４７】
次に、本発明に係るチップ型のＥＬ素子の第４実施形態について、図４を参照しながら詳細に説明する。
【００４８】
図４は、本発明に係るＥＬ素子の第４実施形態を示す縦断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。なお、縦断面図（ａ）は、上面図（ｂ）中のＸ−Ｘ’断面である。
【００４９】
本図に示すように、第４実施形態のＥＬ素子は、有機ＥＬチップＡの透明電極層を分割することなく、チップ基板Ａ１の長手方向に沿って、チップ基板Ａ１の一端（本図では左端）から他端（本図では右端）に至る第１電極層Ａ２を形成する一方、第２電極層Ａ５をチップ基板Ａ１の他端（本図では右端）まで直接引き出しておき、第１電極層Ａ２の一部と第２電極層Ａ５の一部を各々第１、第２導電領域Ａ８ａ、Ａ８ｂとして露出する形で、チップ基板Ａ１上をパシベーション層Ａ６で被覆する構成とされている。
【００５０】
このような構成とすることにより、先の第１〜第３実施形態に比べて、第３電極層Ａ７を設けずに済む分だけ、発光領域となる有機層Ａ４の開口部（図４（ｂ）のハッチング部分）を広げることができ、より明るい発光を得ることが可能となる。
【００５１】
次に、本発明に係るチップ型のＥＬ素子の第５実施形態について、図５を参照しながら詳細に説明する。
【００５２】
図５は、本発明に係るＥＬ素子の第５実施形態を示す縦断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。なお、縦断面図（ａ）は、上面図（ｂ）中のＸ−Ｘ’断面である。
【００５３】
本図に示す通り、第５実施形態のＥＬ素子において、第１電極層Ａ２は、チップ基板Ａ１の長手方向に沿って、その一端がチップ基板Ａ１の一端（本図では左端）まで引き出されており、有機層Ａ４は、第１電極層Ａ２の前記一端を露出し、その余の部分を被覆する形で、第１電極層Ａ２上に形成されており、第２電極層Ａ５は、チップ基板Ａ１の長手方向に沿って、その一端がチップ基板Ａ１の他端（本図では右端）まで引き出されており、パシベーション層Ａ６は、第１、第２電極層Ａ２、Ａ５の前記一端をそれぞれ第１、第２導電領域Ａ８ａ、Ａ８ｂとして露出し、その余の部分を被覆する形で、チップ基板Ａ１上に形成されている構成とされている。
【００５４】
このような構成とすることにより、先の第１〜第４実施形態に比べて、絶縁層Ａ３を設けずに済む分だけ、発光領域となる有機層Ａ４の開口部（図５（ｂ）のハッチング部分）を広げることができ、より明るい発光を得ることが可能となる。
【００５５】
なお、第１電極層Ａ２の他端（導電領域Ａ８ａとは逆側の端部）をチップ基板Ａ１の他端（本図では右端）まで引き出すことも可能ではあるが、第１電極層Ａ２の他端を第２電極層Ａ５で被覆する構成であれば、第１電極層Ａ２の保護を厚くすることが可能となる。
【００５６】
また、第５実施形態のＥＬ素子では、絶縁基板Ｂ１と有機ＥＬチップＡとの接続に際して、スペーサを咬ませた上で導電ペーストの塗布を行ったり、若しくは、バンプ接続を行うことにより、絶縁基板Ｂ１と有機ＥＬチップＡとの間には、所定の隙間が設けられている。このような構成とすることにより、絶縁基板Ｂ１側からの熱が有機ＥＬチップＡに伝わりにくくなるので、素子の劣化防止を図ることが可能となる。なお、上記の隙間を設ける構成については、先の第１〜第４実施形態にも当然適用することが可能である。
【００５７】
次に、本発明に係るチップ型のＥＬ素子の第６実施形態について、図６を参照しながら詳細に説明する。
【００５８】
図６は、本発明に係るＥＬ素子の第６実施形態を示す縦断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。なお、縦断面図（ａ）は、上面図（ｂ）中のＸ−Ｘ’断面である。
【００５９】
本図に示すように、第６実施形態のＥＬ素子において、第１電極層Ａ２は、チップ基板Ａ１の長手方向に沿って、その一端がチップ基板Ａ１の一端（本図では左端）まで引き出されており、有機層Ａ４及び第２電極層Ａ５は、第１電極層Ａ２の前記一端を露出する形で、第１電極層Ａ２上に積層されており、パシベーション層Ａ６は、第１電極層Ａ２の前記一端を第１導電領域Ａ８ａとして露出し、その余の部分を被覆する形で、チップ基板Ａ１上に形成されており、第３電極層Ａ７は、パシベーション層Ａ６を被覆するとともに、第２導電領域Ａ８ｂとして、チップ基板Ａ１の長手方向に沿って、その一端がチップ基板Ａ１の他端（本図では右端）まで引き出されており、かつ、パシベーション層Ａ６に設けられたコンタクトホールＡ１０を介して、第２電極層Ａ５と導通されている構成とされている。なお、第３電極層Ａ７やコンタクトホールＡ１０の素材としては、アルミニウムなどを用いればよい。
【００６０】
このような構成とすることにより、有機層Ａ４は、第２電極層Ａ５とパシベーション層Ａ６だけでなく、その外側に設けられた第３電極層Ａ７によっても被覆される形となるので、先の第５実施形態に比べて、有機層Ａ４の保護性能をより高めることが可能となる。
【００６１】
次に、本発明に係るチップ型のＥＬ素子の第７実施形態について、図７を参照しながら詳細に説明する。
【００６２】
図７は、本発明に係るＥＬ素子の第７実施形態を示す縦断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。なお、縦断面図（ａ）は、上面図（ｂ）中のＸ−Ｘ’断面である。
【００６３】
本図に示すように、第７実施形態のＥＬ素子において、第１電極層Ａ２は、チップ基板Ａ１の長手方向に沿って、その一端がチップ基板Ａ１の一端（本図では左端）まで引き出されており、有機層Ａ４及び第２電極層Ａ５は、第１電極層Ａ２の前記一端を露出する形で、第１電極層Ａ２上に積層されており、パシベーション層Ａ６は、第１電極層Ａ２の前記一端と第２電極層Ａ５の一部を各々第１、第２導電領域Ａ８ａ、Ａ８ｂとして露出し、その余の部分を被覆する形で、チップ基板Ａ１上に形成されている構成とされている。なお、図７の例では、第２導電領域Ａ８ｂが有機ＥＬチップＡの中央付近に配設されていることに伴い、絶縁基板Ｂ１の第２基板電極Ｂ２ｂについても、絶縁基板Ｂ１の中央付近まで延出されている。
【００６４】
このように、パシベーション層Ａ６のパターニングによって、第２導電領域Ａ８ｂ（第２電極層Ａ５の露出領域）を形成し、導電ペーストやバンプなどの導電部材Ｃ１ｂを用いて、第２基板電極Ｂ２ｂと第２導電領域Ａ８ｂとの導通を確立する構成であれば、先の第１〜第６実施形態に比べて、チップ基板Ａ１の他端（本図では右端）側に導電領域を確保せずに済む分だけ、発光領域となる有機層Ａ４の開口部（図７（ｂ）のハッチング部分）を広げることができ、より明るい発光を得ることが可能となる。
【００６５】
なお、導電部材Ｃ１ｂとして導電ペーストを用いる場合には、有機ＥＬチップＡと絶縁基板Ｂ１との接着に際して、導電部材Ｃ１ｂが広がり、パシベーション層Ａ６を被覆する形となるので、先の第６実施形態と同様、有機層Ａ４の保護性能をより高めることが可能となる。従って、導電部材Ｃ１ｂとして導電ペーストを用いる場合には、導電部材Ｃ１ｂによるパシベーション層Ａ６の被覆領域を広げるべく、第２導電領域Ａ８ｂを有機ＥＬチップＡの中央付近に配設することが望ましい。
【００６６】
次に、本発明に係るチップ型のＥＬ素子の第８実施形態について、図８を参照しながら詳細に説明する。
【００６７】
図８は、本発明に係るＥＬ素子の第８実施形態を示す縦断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。なお、縦断面図（ａ）は、上面図（ｂ）中のＸ−Ｘ’断面である。
【００６８】
本図に示す通り、第８実施形態のＥＬ素子において、有機層Ａ４と第２電極層Ａ５は、第１電極層Ａ２の一部を露出する形で、第１電極層Ａ２上に積層されており、パシベーション層Ａ６は、第１電極層Ａ２の前記一部と第２電極層Ａ５の一部をそれぞれ第１、第２導電領域Ａ８ａ、Ａ８ｂとして露出し、その余の部分を被覆する形で、チップ基板Ａ１上に形成されている構成とされている。
【００６９】
このように、先述の第７実施形態と同様に、パシベーション層Ａ６のパターニングによって、第２導電領域Ａ８ｂ（第２電極層Ａ５の露出領域）を形成する一方、有機層Ａ４、第２電極層Ａ５、及び、パシベーション層Ａ６のパターニングによって、第１導電領域Ａ８ａ（第１電極層Ａ２の露出領域）を形成し、導電ペーストやバンプなどの導電部材Ｃ１ａ、Ｃ１ｂを用いて、第１、第２基板電極Ｂ２ａ、Ｂ２ｂと第１、第２導電領域Ａ８ａ、Ａ８ｂとの導通を確立する構成であれば、先の第７実施形態と同様に、チップ基板Ａ１の他端（本図では右端）側に導電領域を確保せずに済む上、チップ基板Ａ１の一端（本図では左端）側の導電領域についても、その確保領域を縮小することができるので、発光領域となる有機層Ａ４の開口部（図８（ｂ）のハッチング部分）を広げることができ、より明るい発光を得ることが可能となる。
【００７０】
次に、本発明に係るチップ型のＥＬ素子の第９実施形態について、図９を参照しながら詳細に説明する。
【００７１】
図９は、本発明に係るＥＬ素子の第９実施形態を示す縦断面図である。
【００７２】
本図に示すように、第９実施形態のＥＬ素子において、有機ＥＬチップＡは、第２電極層Ａ５側から光を取り出すトップエミッション型であり、絶縁基板Ｂ１上にフェイスアップ実装された後、透光性の封止部材Ｄ１（エポキシ樹脂など）によって、絶縁基板Ｂ１上で被覆されている。なお、有機ＥＬチップＡの第１、第２導電領域Ａ８ａ、Ａ８ｂと、絶縁基板Ｂ１の第１、第２基板電極Ｂ２ａ、Ｂ２ｂとの間を各々接続する導電部材Ｃ１ａ、Ｃ１ｂとしては、ボンディングワイヤが用いられている。また、トップエミッション型を採用するに際して、チップ基板Ａ１としては、ガラス基板のほか、シリコン基板などを用いることも可能である。また、第２電極層Ａ５としては、真空蒸着法などでアルミニウム層を薄く形成し、その透光性を高める必要がある。
【００７３】
このように、トップエミッション型の有機ＥＬチップＡを採用することにより、ボトムエミッション型の有機ＥＬチップＡを採用した第１〜第８実施形態に比べて、構造的に発光領域を広げやすくなる。
【００７４】
また、第９実施形態のＥＬ素子は、有機ＥＬチップＡから放出された光を所望方向に反射する反射部材Ｅ１を有して成る構成とされている。このような構成とすることにより、有機ＥＬチップＡから放出された光を無駄なく有効利用することができるので、より明るい発光を得ることが可能となる。なお、上記の反射部材Ｅ１を設ける構成については、先の第１〜第８実施形態にも当然に適用することが可能である。
【００７５】
なお、上記では、第１〜第９実施形態を例に挙げて本発明の構成を説明したが、本発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明は、チップ型のＬＥＤの置換技術として利用することができ、特に、電池駆動の電子機器などに好適である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】は、本発明に係るＥＬ素子の第１実施形態を示す縦断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。
【図２】は、本発明に係るＥＬ素子の第２実施形態を示す縦断面図である。
【図３】は、本発明に係るＥＬ素子の第３実施形態を示す縦断面図である。
【図４】は、本発明に係るＥＬ素子の第４実施形態を示す縦断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。
【図５】は、本発明に係るＥＬ素子の第５実施形態を示す縦断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。
【図６】は、本発明に係るＥＬ素子の第６実施形態を示す縦断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。
【図７】は、本発明に係るＥＬ素子の第７実施形態を示す縦断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。
【図８】は、本発明に係るＥＬ素子の第８実施形態を示す縦断面図（ａ）及び上面図（ｂ）である。
【図９】は、本発明に係るＥＬ素子の第９実施形態を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
Ａ    有機ＥＬチップ
Ａ１    チップ基板
Ａ２    第１電極層
Ａ３    絶縁層
Ａ４    有機層
Ａ５    第２電極層
Ａ６    パシベーション層
Ａ７    第３電極層
Ａ８ａ    第１導電領域
Ａ８ｂ    第２導電領域
Ａ９    ガラス板
Ａ１０    コンタクトホール
Ｂ１    絶縁基板（インターポーザ）
Ｂ２ａ    第１基板電極
Ｂ２ｂ    第２基板電極
Ｃ１ａ、Ｃ１ｂ    導電部材
Ｄ１    封止部材
Ｅ１    反射部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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