(57)【要約】【課題】容量が変化する容量変化部を一面側に有するセンサチップを、回路チップに実装してなる半導体容量式センサの製造方法において、特性検査時において取り扱い性に優れた実装状態を実現し、且つ異物の容量変化部への付着防止をしながら、センサチップの特性検査を行えるようにする。【解決手段】回路チップ２０となる構造体２０ａが複数個形成され個々の構造体２０ａに対して検査用のパッド２１が設けられた回路ウェハ２００を用意し、センサチップ１０の一面１１を回路ウェハ２００における構造体２０ａに対向させ、各構造体２０ａにバンプ３０を介してセンサチップ１０を搭載して電気的に接合した状態とし、この状態にて、検査用のパッド２１を介してセンサチップ１０の特性を検査した後、回路ウェハ２００を構造体２０ａの単位に分断する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体よりなり容量が変化する容量変化部（１２）を一面（１１）側に有するセンサチップ（１０）と、このセンサチップ（１０）に電気的に接続され前記センサチップ（１０）の容量変化を検出する回路チップ（２０）とを備える半導体容量式センサの製造方法において、
前記回路チップ（２０）となる構造体（２０ａ）が複数個形成されるとともに個々の前記構造体（２０ａ）に対して検査用のパッド（２１）が設けられた回路ウェハ（２００）を用意し、
前記センサチップ（１０）の一面（１１）を前記回路ウェハ（２００）における前記構造体（２０ａ）に対向させ、それぞれの前記構造体（２０ａ）にバンプ（３０）を介して前記センサチップ（１０）を搭載して電気的に接合した状態とし、
この状態にて、前記検査用のパッド（２１）を介して前記センサチップ（１０）の特性を検査した後、前記回路ウェハ（２００）を前記構造体（２０ａ）の単位に分断することを特徴とする半導体容量式センサの製造方法。
【請求項２】
前記センサチップ（１０）の接合を行う前に、前記回路ウェハ（２００）において個々の前記構造体（２０ａ）の特性を検査しておき、不良品と判定された前記構造体（２０ａ）の上には前記センサチップ（１０）の接合を行わないことを特徴とする請求項１に記載の半導体容量式センサの製造方法。
【請求項３】
前記センサチップ（１０）の接合を行う前に、前記回路ウェハ（２００）を前記構造体（２０ａ）の単位にハーフカットしておき、この後、前記センサチップ（１０）の接合を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体容量式センサの製造方法。
【請求項４】
前記回路ウェハ（２００）における前記構造体（２０ａ）の配置に対応して並べられた複数個の前記センサチップ（１０）をテープ部材（３００）に貼り付けて一体化しておき、
この一体化した複数個の前記センサチップ（１０）を、前記バンプ（３０）を介して前記回路ウェハ（２００）に接合した後、前記テープ部材（３００）を剥がし、
続いて、前記センサチップ（１０）の特性検査を行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体容量式センサの製造方法。
【請求項５】
１つの前記回路ウェハ（２００）に対して前記センサチップ（１０、１０’、１０”）として前記２種類以上の異なるものを接合することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体容量式センサの製造方法。
【請求項６】
半導体よりなり容量が変化する容量変化部（１２）を一面（１１）側に有するセンサチップ（１０）と、このセンサチップ（１０）に電気的に接続され前記センサチップ（１０）の容量変化を検出する回路チップ（２０）とを備える半導体容量式センサの製造方法において、
前記回路チップ（２０）となる構造体（２０ａ）が複数個形成されるとともに個々の前記構造体（２０ａ）に対して検査用のパッド（２１）が設けられた回路ウェハ（２００）を用意し、
前記回路ウェハ（２００）のうち前記センサチップ（１０）との接合面とは反対側の面にテープ部材（３００）を貼り付けた後、前記回路ウェハ（２００）を前記構造体（２０ａ）の単位に分断して前記回路チップ（２０）とすることにより、この分断された個々の前記回路チップ（２０）が前記テープ部材（３００）によって一体化された一体化部材（４００）を形成し、
前記センサチップ（１０）の一面（１１）を前記一体化部材（４００）における前記回路チップ（２０）に対向させ、それぞれの前記回路チップ（２０）にバンプ（３０）を介して前記センサチップ（１０）を搭載して電気的に接合した状態とし、
この状態にて、前記検査用のパッド（２１）を介して前記センサチップ（１０）の特性を検査した後、前記回路チップ（３０）から前記テープ部材（３００）を剥がすことを特徴とする半導体容量式センサの製造方法。
【請求項７】
前記一体化部材（４００）に貼り付けられているテープ部材（３００）を第１のテープ部材（３００）とし、
前記一体化部材（４００）における前記回路チップ（２０）の配置に対応して並べられた複数個の前記センサチップ（１０）を第２のテープ部材（３１０）で一体化しておき、
この一体化した複数個の前記センサチップ（１０）を、前記バンプ（３０）を介して前記一体化部材（４００）に接合した後、前記第２のテープ部材（３１０）を剥がし、
続いて、前記センサチップ（１０）の特性検査を行うことを特徴とする請求項６に記載の半導体容量式センサの製造方法。
【請求項８】
１つの前記一体化部材（４００）に対して前記センサチップ（１０、１０’、１０”）として前記２種類以上の異なるものを接合することを特徴とする請求項６または７に記載の半導体容量式センサの製造方法。
【請求項９】
前記回路チップ（２０）は、前記センサチップ（１０）の容量変化を電圧信号に変換する機能を有するものであり、前記検査用パッド（２１）から当該電圧信号を検出するようにしたことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１つに記載の半導体容量式センサの製造方法。
【請求項１０】
前記バンプ（３０）は金バンプもしくははんだバンプよりなるものであることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１つに記載の半導体容量式センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、容量が変化する容量変化部を一面側に有するセンサチップを、当該容量変化部の容量変化を検出する回路チップに実装してなる半導体容量式センサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の半導体容量式センサとしては、例えば加速度センサや角速度センサなどの半導体力学量センサが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。このものは、たとえば、容量変化部としての可動電極および固定電極を有するセンサチップを備えたものである。そして、このようなセンサチップに対して加速度や角速度などの力学量が印加されたときに、これら可動電極と固定電極との間の距離が変化することにより容量変化を引き起こすものである。
【０００３】
そして、センサチップは回路チップと組み付けられており、このセンサチップの容量変化は、回路チップに備えられたＣＶ変換回路（容量−電圧変換回路）によって電圧変化、すなわち電圧信号に変換される。そして、この電圧信号がセンサ信号として出力され、印加力学量が測定されるようになっている。
【０００４】
このような半導体容量式センサは、一般に、それぞれ半導体プロセスにより、センサチップおよび回路チップを作製し、センサチップの特性を、センサチップ単体の状態で検査した後、良品と判定されたセンサチップを回路チップに組み付け、これら両チップを電気的に接続することで製造されていた。
【０００５】
ここで、センサチップの特性検査は、一般にＬＣＲメータなどのテスタを用いて容量変化部における容量変化を調べることにより行われる。具体的には、テスタの針（プローブ）をセンサチップのパッドに当てて、この状態で容量変化部の容量を、テスタ内にて電圧に変換することでセンサ特性を検査していた。
【０００６】
また、それ以外にも従来では、半導体容量式センサの容量を求める方法として、複数個のセンサチップを用い、これらセンサチップの容量測定を行って測定容量値と容量電極間の距離との関係を示す漸近線を求めることにより、容量値を求める方法が提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００４−２７１３１２号公報
【特許文献２】特開２０００−３２１３００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記したようなセンサチップ単体状態でテスタを用いてセンサ特性を検査する方法では、容量変化部の微小な容量値（たとえば１ｐＦ程度）に対し、センサチップ内のパッドやこのパッドに押し当てたテスタの針の部分の浮遊容量が大きい（たとえば１〜１００ｐＦ程度）。
【０００８】
その結果、従来の特性検査では、センサチップを回路チップに電気的に接続した状態すなわち実装状態におけるセンサチップの容量値に対して、検査により求められた容量値の誤差が大きくなり、精度のよい容量値測定を行うことが困難であるという問題が発生しやすかった。
【０００９】
また、上記特許文献２に記載の方法においても、上記漸近線を用いて容量値を推定するようにはしているが、上記した浮遊容量による影響は避けがたく、当該方法によって求めた容量値の実装状態における容量値に対する誤差は大きくなる可能性が高い。
【００１０】
また、ともにウェハから切り出されたセンサチップと回路チップとを組み付けて実装状態とした後、このような実装状態にある個々の実装体について、特性検査を行うことも考えられる。しかし、この場合、数多くの実装体を１つ１つ拾い上げて検査装置に取り付けるなどの必要があり、取り扱いに手間がかかる。
【００１１】
また、センサチップを切り出す前に、センサチップとなる構造体が複数形成されたウェハを用い、このウェハの状態で電気検査を実施することも考えられる。しかし、この場合、ウェハのパッドにテスタの針を当てることによってパッドの材料がえぐられ、異物として容量変化部に付着するおそれがある。
【００１２】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、容量が変化する容量変化部を一面側に有するセンサチップを、当該容量変化を検出する回路チップに実装してなる半導体容量式センサの製造方法において、特性検査時において取り扱い性に優れた実装状態を実現し、且つ異物の容量変化部への付着防止をしながら、センサチップの特性検査を行えるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記した目的を達成するため、本発明は、回路チップ（２０）となる構造体（２０ａ）が複数個形成されるとともに個々の構造体（２０ａ）に対して検査用のパッド（２１）が設けられた回路ウェハ（２００）を用意し、センサチップ（１０）の一面（１１）を回路ウェハ（２００）における構造体（２０ａ）に対向させ、それぞれの構造体（２０ａ）にバンプ（３０）を介してセンサチップ（１０）を搭載して電気的に接合した状態とし、この状態にて、検査用のパッド（２１）を介してセンサチップ（１０）の特性を検査した後、回路ウェハ（２００）を構造体（２０ａ）の単位に分断することを、第１の特徴としている。
【００１４】
それによれば、センサチップ（１０）を回路チップ（２０）となる構造体（２０ａ）に電気的に接合することで実質的に実装状態とし、また、回路ウェハ（２００）によりセンサチップ（１０）が一体化されるため取り扱い性に優れ、さらに、センサチップ（１０）における容量変化部（１２）の面を回路ウェハ（２００）に向けているため、異物が容量変化部（１２）の面側に入り込みにくくなる。
【００１５】
そして、この状態でセンサチップ（１０）の特性を検査するため、特性検査時において取り扱い性に優れた実装状態を実現し、且つ異物の容量変化部（１２）への付着防止をしながら、センサチップ（１０）の特性検査を行うことができる。
【００１６】
ここにおいて、センサチップ（１０）の接合を行う前に、回路ウェハ（２００）において個々の構造体（２０ａ）の特性を検査しておき、不良品と判定された構造体（２０ａ）の上にはセンサチップ（１０）の接合を行わないようにすれば、歩留まりの向上が期待できる。
【００１７】
また、センサチップ（１０）の接合を行う前に、回路ウェハ（２００）を構造体（２０ａ）の単位にハーフカットしておき、この後、センサチップ（１０）の接合を行うようにすれば、ハーフカットされた部位によって、ウェハの反りによって発生する応力による特性検査への影響を低減することができる。
【００１８】
また、回路ウェハ（２００）における構造体（２０ａ）の配置に対応して並べられた複数個のセンサチップ（１０）をテープ部材（３００）に貼り付けて一体化しておき、この一体化した複数個のセンサチップ（１０）を、バンプ（３０）を介して回路ウェハ（２００）に接合した後、テープ部材（３００）を剥がし、続いて、センサチップ（１０）の特性検査を行うようにすれば、個々のセンサチップ（１０）を一括して回路ウェハ（２００）上に搭載することが可能になる。
【００１９】
また、本発明は、上記した回路ウェハ（２００）を用意し、回路ウェハ（２００）のうちセンサチップ（１０）との接合面とは反対側の面にテープ部材（３００）を貼り付けた後、回路ウェハ（２００）を構造体（２０ａ）の単位に分断して回路チップ（２０）とすることで、個々の回路チップ（２０）がテープ部材（３００）によって一体化された一体化部材（４００）を形成し、センサチップ（１０）の一面（１１）を一体化部材（４００）における回路チップ（２０）に対向させ、それぞれの回路チップ（２０）にバンプ（３０）を介してセンサチップ（１０）を搭載して電気的に接合した状態とし、この状態にて、検査用のパッド（２１）を介してセンサチップ（１０）の特性を検査した後、回路チップ（３０）からテープ部材（３００）を剥がすことを、第２の特徴とする。
【００２０】
それによれば、センサチップ（１０）を回路チップ（２０）に電気的に接合することで実質的に実装状態とし、また、回路チップ（２０）をテープ部材（３００）で一体化した一体化部材（４００）によりセンサチップ（１０）が一体化されるため取り扱い性に優れ、さらに、センサチップ（１０）における容量変化部（１２）の面を回路チップ（２０）に向けているため、異物が容量変化部（１２）の面側に入り込みにくくなる。
【００２１】
そして、この状態でセンサチップ（１０）の特性を検査するため、特性検査時において取り扱い性に優れた実装状態を実現し、且つ異物の容量変化部（１２）への付着防止をしながら、センサチップ（１０）の特性検査を行うことができる。
【００２２】
また、本製造方法によれば、特性検査時には、回路チップ（２０）はテープ部材（３００）に一体化されているがチップ状態であるため、ウェハの反りによって発生する応力による特性検査への影響を無くすことができる。
【００２３】
また、この場合、一体化部材（４００）に貼り付けられているテープ部材（３００）を第１のテープ部材（３００）とし、一体化部材（４００）における回路チップ（２０）の配置に対応して並べられた複数個のセンサチップ（１０）を第２のテープ部材（３１０）で一体化しておき、この一体化した複数個のセンサチップ（１０）を、バンプ（３０）を介して一体化部材（４００）に接合した後、第２のテープ部材（３１０）を剥がし、続いて、センサチップ（１０）の特性検査を行うようにすれば、個々のセンサチップ（１０）を一括して一体化部材（４００）上に搭載することが可能になる。
【００２４】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２６】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体容量式センサとしての半導体容量式加速度センサＳ１の構成を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）の上視概略平面図である。なお、図１において（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ断面を示すものである。この加速度センサＳ１は、特に限定するものではないが、たとえば、エアバッグ、ＡＢＳ、ＶＳＣ等の作動制御を行うための自動車用加速度センサなどに適用することができる。
【００２７】
センサチップ１０は、シリコン半導体などの半導体チップよりなるもので、その一面１１側に容量変化部１２を有する。この容量変化部１２は、加速度の印加によって容量を変化させるものであればよいが、たとえば上記特許文献１にも記載されているような櫛歯状の可動電極と固定電極を有するものにできる。
【００２８】
図示しないが、このような可動電極と固定電極とを有する容量変化部１２の場合、加速度が印加されると、可動電極が一定方向に変位するものである。それによって、可動電極と固定電極との距離が変化し、これら両電極間の容量も変化する。そして、この容量変化を検出することにより印加された加速度が測定される。
【００２９】
このようなセンサチップ１０は、特に限定するものではないが、たとえば、第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とを酸化膜を介して貼り合わせてなるＳＯＩ（シリコン−オン−インシュレータ）基板に対して、マイクロマシニング技術などを用いることにより構成できる。また、センサチップ１０の一面１１には、図示しないアルミニウムなどよりなるパッドが設けられており、このパッドは上記容量変化部１２と電気的に接続されている。
【００３０】
そして、センサチップ１０は、一面１１を回路チップ２０に対向させた状態で、回路チップ２０上に搭載されている。この回路チップ２０は、シリコン半導体などの半導体チップよりなり、センサチップ１０における容量変化部１２の容量変化を電圧信号に変換する機能を有する。
【００３１】
このような機能は、具体的には、回路チップ２０にＣＶ変換回路を設けることで実現できる。なお、ＣＶ変換回路は、一般的なものと同様に、回路チップ２０としてのシリコン半導体チップに対して半導体プロセスを用いてＭＯＳトランジスタ素子などを形成することにより構成できる。
【００３２】
そして、これらセンサチップ１０と回路チップ２０とは、バンプ３０を介して電気的・機械的に接合されている。ここでは、バンプ３０は、センサチップ１０側と回路チップ２０側とにそれぞれ設けられており、これら両側のバンプ３０の先端が接合した状態となっている。
【００３３】
このバンプ３０は、センサチップ１０の一面１１における上記した図示しないパッドに対応する位置に設けられ、一方、回路チップ２０においては図示しない回路チップ２０の電極に対応した位置に設けられ、これらパッドと電極との間がバンプ３０を介して電気的に接続されている。
【００３４】
このようなバンプ３０としては、金、銅、アルミニウムなど、一般的なバンプ材料を採用し、メッキや蒸着など公知の方法にて形成されたものにできる。そして、センサチップ１０側および回路チップ２０側の両バンプ３０は熱圧着など、一般的な方法で接続されている。また、本実施形態のバンプ３０としては、はんだバンプを用い、はんだ接合により接合されるものであってもよい。
【００３５】
なお、バンプ３０は、センサチップ１０および回路チップ２０のどちらか一方のみに設け、当該一方のバンプ３０により両チップ１０、２０を接合してもよい。この場合のバンプ３０の形成方法や接続方法についても、公知の方法を採用できる。
【００３６】
また、回路チップ２０におけるセンサチップ１０が搭載される面の周辺部には、後述の製造方法における特性検査工程に用いられる検査用のパッド２１が設けられている。この検査用のパッド２１はアルミニウムなどよりなるもので、バンプ３０を介してセンサチップ１０の容量変化部１２と電気的に接続されている。
【００３７】
このように本実施形態の加速度センサＳ１は、半導体よりなり容量変化部１２を一面１１側に有するセンサチップ１０を、その一面１１側を回路チップ２０に向け、バンプ３０を介して両チップ１０、２０電気的に接続したものである。
【００３８】
そして、この加速度センサＳ１においては、加速度の印加によってセンサチップ１０における容量変化部１２の容量が変化すると、この容量変化を、回路チップ２０において電圧信号に変換し、これをセンサ信号として外部に出力することで印加加速度が検出されるようになっている。
【００３９】
次に、この加速度センサＳ１の製造方法について、図２を参照して述べる。図２は、本実施形態の加速度センサＳ１の製造方法を示す工程図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）の上視概略平面図である。なお、図２において（ａ）は（ｂ）のＢ−Ｂ断面を示すものである。
【００４０】
まず、センサチップ１０については、上述したように、マイクロマシニング技術などを用いて、半導体ウェハから切り出すことにより作製する。また、上記回路チップ２０となる構造体２０ａが複数個形成された回路ウェハ２００を用意する。ここで、構造体２０ａは、図２中の破線にて示すスクライブラインＫにて区画されたものであり、切り出される前の回路チップ２０に相当する。
【００４１】
また、回路ウェハ２００においては、各構造体２０ａに対して上記した検査用のパッド２１が設けられている。検査用のパッド２１は、上記図１に同じく、それぞれの構造体２０ａの周辺部に設けられている。このような回路ウェハ２００は、半導体プロセスを用いてシリコン半導体ウェハなどに対して構造体２０ａ、検査用のパッド２１を形成することにより作製される。
【００４２】
こうして用意された回路ウェハ２００に対して、各構造体２０ａ毎にセンサチップ１０を搭載する。すなわち、センサチップ１０の一面１１を回路ウェハ２００における構造体２０ａに対向させ、それぞれの構造体２０ａにバンプ３０を介してセンサチップ１０を搭載する。そして、バンプ３０を、超音波接合などの接合手法を用いて電気的・機械的に接合する。
【００４３】
ここまでの状態が、図２に示されるが、これによりセンサチップ１０と構造体２０ａとが電気的に接続され、回路チップ２０としてのチップ化はなされていないものの、実質的に実装状態となる。そして、この状態にて、検査用のパッド２１を介して個々のセンサチップ１０の特性を検査する。ここでは、従来の特性検査に使われるテスタ（図示せず）を用いて、このテスタの針を検査用のパッド２１に当てて電気検査を行う。
【００４４】
具体的には、容量変化部１２が上記した可動電極と固定電極とを有するものである場合、テスタにより検査用のパッド２１から、可動電極と固定電極との間に静電力を印加して、これら電極間の容量を変化させる。
【００４５】
そして、この容量変化を回路ウェハ２００における構造体２０ａにて、ＣＶ変換を行い、電圧信号に変換する。なお、上記図１にて述べたように、回路チップ２０がＣＶ変換機能を持つものであることから、当然ながら、構造体２０ａも同じ機能を持つものである。
【００４６】
そして、この電圧変化は、検査用のパッド２１からテスタへと出力される。つまり、本実施形態では、実質的に製品状態にて電気特性の検査を行っており、センサチップ１０の容量信号は、テスタではなく、製品と同様、回路チップ２０となる構造体２０ａによりＣＶ変換され、電圧信号となる。そして、テスタでは、この変換された電圧信号を検査すればよく、上記した従来のような浮遊容量の問題を回避できる。
【００４７】
本製造方法では、このような実装状態に即した特性検査を、それぞれのセンサチップ１０と構造体２０ａとの組について行う。そして、センサ特性が仕様を満たすものは良品、満たさないものは不良品と判定される。その後は、スクライブラインＫに沿って、ダイシングカットを行い、回路ウェハ２００を構造体２０ａの単位すなわちチップ単位に分断する。こうして、本実施形態の加速度センサＳ１ができあがる。
【００４８】
ところで、本実施形態の製造方法によれば、センサチップ１０を回路チップ２０となる構造体２０ａに電気的にバンプ３０を介して接合することで実質的に実装状態とし、この実装状態での特性検査を可能としている。それにより、構造体２０ａにてＣＶ変換がなされ、テスタに関する上記浮遊容量の問題が回避される。
【００４９】
また、回路ウェハ２００によりセンサチップ１０が一体化されているため取り扱い性に優れる。上記図１に示される状態でも、実装状態での検査が可能であるが、この場合、検査の際には、チップ化されたちいさいものを多数取り扱うことになるため、本製造方法に比べて、取り扱い性に劣るものとなる。
【００５０】
さらに、本製造方法では、特性検査時において、センサチップ１０における一面１１すなわち容量変化部１２の面１１を回路ウェハ２００に向けている。そのため、たとえば検査用のパッド２１にテスタの針を当てることにより、パッド２１がえぐれて異物が発生しても、この異物がセンサチップ１０における容量変化部１２の面１１と回路ウェハ２００との間に入り込みにくくなる。
【００５１】
そして、このような長所を有する本実施形態の製造方法によれば、特性検査時において取り扱い性に優れた実装状態を実現し、且つ異物の容量変化部１２への付着防止をしながら、センサチップ１０の特性検査を行うことができる。
【００５２】
（第２実施形態）
図３は、本発明の第２実施形態に係る加速度センサＳ１の製造方法を示す工程図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）の上視概略平面図である。なお、図３において（ａ）は（ｂ）のＣ−Ｃ断面を示すものである。
【００５３】
本実施形態の製造方法では、上記第１実施形態の製造方法において、センサチップ１０と回路ウェハ２００とのバンプ３０を介した接合を行う前に、回路ウェハ２００において、個々の構造体２０ａの特性を検査しておく。この構造体２０ａの特性検査は、検査用のパッド２１を介して上記テスタを用いて行うことができる。
【００５４】
この構造体２０ａの検査によって、不良品と判定された構造体２０ａの上にはセンサチップ１０を接合しないようにする。図３では、この不良品の上にはセンサチップ１０を搭載していない。その後は、搭載されたセンサチップ１０について、上記同様の特性検査を行い、回路ウェハ２００の分断を行う。
【００５５】
こうして、本実施形態においても、上記図１に示される加速度センサＳ１を製造することができる。本実施形態では、上記した第１実施形態の製造方法による効果に加え、センサチップ１０を無駄に消費することなく、歩留まりのよい製造が可能となり、コストの低減などが期待できる。
【００５６】
（第３実施形態）
図４は、本発明の第３実施形態に係る加速度センサＳ１の製造方法を断面的に示す工程図である。
【００５７】
上記各実施形態の製造方法では、回路ウェハ２００の状態でセンサチップ１０の特性検査を行うため、当該検査は、回路ウェハ２００の反りなどにより発生する応力の影響を受けやすい。
【００５８】
そこで、本実施形態の製造方法では、上記第１実施形態の製造方法において、センサチップ１０と回路ウェハ２００とのバンプ３０を介した接合を行う前に、回路ウェハ２００を構造体２０ａの単位にハーフカットしておく。このハーフカットは、上記スクライブラインに沿ってダイシングを行い、そのカットを回路ウェハ２００の厚さ方向の途中で止めることにより行える。
【００５９】
ここでは、図４に示されるように、回路ウェハ２００には、ハーフカットする面すなわちセンサチップ１０の接合面とは反対側の面にダイシング用のダイシングテープ３００を貼り付けて、ハーフカットを行い、スクライブ領域に切り込み２１０を入れる。そして、ハーフカットの後も、回路ウェハ２００の補強のため、ダイシングテープ３００を付けたままとしている。なお、このテープ３００は上記ハーフカット後に回路ウェハ２００から剥がしてもよい。
【００６０】
そして、本実施形態では、この状態で、バンプ３０を介したセンサチップ１０の接合を行う。その後、上記したのと同様の特性検査を行い、回路ウェハ２００のうちハーフカットされている部位をダイシングによって完全に分断し、ダイシングテープ３００を剥がす。こうして、本実施形態においても、上記図１に示される加速度センサＳ１を製造することができる。
【００６１】
本実施形態では、上記した第１実施形態の製造方法による効果に加え、ハーフカットされた部位によって、回路ウェハ２００の反りによって発生する応力を緩和することができ、当該応力による特性検査への影響を低減することができる。なお、本実施形態においても、上記第２実施形態と同様に、不良品となった構造体２０ａの上にセンサチップ１０を搭載しない方法を採用できる。
【００６２】
（第４実施形態）
図５（ａ）、（ｂ）は、本発明の第３実施形態に係る加速度センサＳ１の製造方法を断面的に示す工程図である。本実施形態は、上記第１実施形態において、センサチップ１０の回路ウェハ２００への搭載方法を変形したものである。
【００６３】
すなわち、本実施形態の製造方法においては、図５（ａ）に示されるように、複数個のセンサチップ１０を回路ウェハ２００における構造体２０ａの配置に対応して並べ、このように並べられた各センサチップ１０における容量変化部１２とは反対側の面を、テープ部材３００に貼り付ける。
【００６４】
こうして、各センサチップ１０は、回路ウェハ２００に搭載された時と同じ配列状態にてテープ部材３００により一体に連結された状態となる。ここで、テープ部材３００としては、上記したダイシング用のダイシングテープ３００を用いる。このようなダイシングテープ３００は、ポリイミド系樹脂よりなる。なお、これ以外にも、テープ部材としてはセンサチップ１０に貼り付けが可能なものであればよい。
【００６５】
次に、本実施形態では、この一体化した複数個のセンサチップ１０を回路ウェハ２００に接合する。ここでは、図５（ａ）に示されるように、一体化した各センサチップ１０において一面１１側を上に向け、その上方からバンプ３０を介して回路ウェハ２００を搭載し、バンプ３０を介した接合を行う。
【００６６】
こうして、一体化した各センサチップ１０と回路ウェハ２００の各構造体２０ａとを電気的に接続した後、テープ部材３００をセンサチップ１０から剥がす。そして、図５（ｂ）に示されるように、ワークをひっくり返して、今度は、センサチップ１０が上になるようにする。
【００６７】
この図５（ｂ）に示される状態は、上記図２に示される状態と同様であり、後は、センサチップ１０について、上記したのと同様の特性検査を行い、回路ウェハ２００の分断を行う。こうして、本実施形態においても、上記図１に示される加速度センサＳ１を製造することができる。
【００６８】
本実施形態は、上記第１実施形態だけでなく、上記第２および第３の各実施形態に適用可能なものである。たとえば、上記第２実施形態への適用に関しては、不良品の構造体２０ａに対応する部位では、テープ部材３００にセンサチップ１０を貼り付けないようにすればよい。
【００６９】
そして、本実施形態によれば、上記した第１〜第３実施形態の製造方法による効果に加え、複数個のセンサチップ１０をテープ部材３００で一体化して回路ウェハ２００上に搭載するため、複数個のセンサチップ１０の一括した搭載が可能となる。
【００７０】
（第５実施形態）
図６は、本発明の第５実施形態に係る加速度センサＳ１の製造方法を断面的に示す工程図である。上記各実施形態では、回路ウェハ２００上にセンサチップ１０を搭載して接合したが、本実施形態では、回路ウェハ２００を分断してチップ化した後、センサチップ１０を搭載するものである。
【００７１】
すなわち、本実施形態では、上記第１実施形態と同様に、回路チップ２０となる構造体２０ａが複数個形成され且つ個々の構造体２０ａに対して検査用のパッド２１が設けられた回路ウェハ２００を用意する。
【００７２】
この後、本実施形態では、図６に示されるように、この回路ウェハ２００のうちセンサチップ１０との接合面とは反対側の面にテープ部材３００を貼り付ける。このテープ部材３００は、上記したダイシングテープ３００を採用する。その後、ダイシングカットにより、ダイシングテープ３００とは反対側から回路ウェハ２００を構造体２０ａの単位に分断して回路チップ２０とする。
【００７３】
このカットの完了に伴い、図６に示されるように、分断された個々の回路チップ２０がダイシングテープ３００によって一体化された一体化部材４００が、形成される。なお、テープ部材３００としては、上述のように分断された回路チップ２０を一体に支持することが可能であり、ダイシングへの適用性を持つものであればよい。
【００７４】
そして、図６に示されるように、センサチップ１０の一面１１を一体化部材４００における回路チップ２０に対向させ、それぞれの回路チップ２０にバンプ３０を介してセンサチップ１０を搭載して接合した状態とする。ここで、センサチップ１０の搭載前に、一体化部材４００においては、テープ３００を引っ張って各回路チップ２０の間隔を広くしてもよい。
【００７５】
この状態にて、上記第１実施形態と同様に、検査用のパッド２１を介してセンサチップ１０の特性を検査する。その後、本実施形態では、一体化部材４００において、回路チップ３０からダイシングテープ３００を剥がす。それにより、本実施形態においても、上記図１に示されるチップ化された加速度センサＳ１を製造することができる。
【００７６】
このような本実施形態の製造方法によれば、センサチップ１０を一体化部材４００における回路チップ２０に電気的に接合することで実質的に実装状態とできる。また、一体化部材４００によりセンサチップ１０が一体化されるため取り扱い性に優れる。さらに、センサチップ１０における一面１１すなわち容量変化部１２の面１１を、回路チップ２０に向けているため、異物が容量変化部１２の面側に入り込みにくくなる。
【００７７】
そして、この状態でセンサチップ１０の特性を検査するため、本実施形態においても、特性検査時において取り扱い性に優れた実装状態を実現し、且つ異物の容量変化部１２への付着防止をしながら、センサチップ１０の特性検査を行うことができる。
【００７８】
また、本実施形態の製造方法によれば、特性検査時には、回路チップ２０はテープ３００に一体化されているものの、チップ状態となっている。そのため、そもそもウェハの反りによって応力が発生するということがなく、当該応力による特性検査への影響という問題を根本的に回避できる。
【００７９】
なお、本実施形態において、一体化部材４００の上に、複数個のセンサチップ１０を搭載する場合、上記第４実施形態に示したテープ部材を用いたセンサチップ１０の搭載方法を適用してもよい。
【００８０】
この複数個のセンサチップ１０に貼り付けられるテープ部材は、一体化部材４００に貼り付けられているテープ部材３００を第１のテープ部材３００として、図６において、第２のテープ部材３１０として破線で示してある。この第２のテープ部材３１０は、センサチップ１０に貼り付け可能なものであればよいが、たとえば、上記ダイシングテープを採用することができる。
【００８１】
この場合、一体化部材４００における回路チップ２０の配置に対応して並べられた複数個のセンサチップ１０を第２のテープ部材３１０で一体化する。そして、図６に示されるように、この一体化した複数個のセンサチップ１０を一体化部材４００に接合する。その後、第２のテープ部材３１０を剥がし、続いて、上記同様にして、センサチップ１０の特性検査を行う。
【００８２】
この場合、上記した本実施形態の効果に加えて、個々のセンサチップ１０を一括して一体化部材４００上に搭載することが可能になる。
【００８３】
（他の実施形態）
図７は、本発明の他の実施形態に係る加速度センサの製造方法を断面的に示す工程図である。上記各実施形態において、１つの回路ウェハ２００や１つの一体化部材４００に対して搭載、接合される複数個のセンサチップ１０としては、同一種類のものに限られるものではない。
【００８４】
図７に示されるように、１つの回路ウェハ２００に対して、センサチップ１０、１０’、１０”として２種類以上の異なるものを接合してもよい。ここで、異なる種類のセンサチップとしては、たとえば加速度検出の感度が異なる加速度センサチップなどが挙げられる。
【００８５】
また、図示しないが、この図７に示される回路ウェハ２００の場合と同様に、１つの一体化部材４００に対しても異なる種類のセンサチップ１０、１０’、１０”を接合してもよい。これらのように、１つの回路ウェハ２００や１つの一体化部材４００に対して、2種類以上の異なるセンサチップ１０、１０’、１０”を搭載・接合すれば、異種センサチップ同士の特性検査が効率よく行える。
【００８６】
なお、各実施形態の組み合わせについては、上記したもの以外にも可能な範囲で上記の各実施形態を組み合わせてもよい。
【００８７】
また、本発明の半導体容量式センサとしては、半導体よりなり容量変化部を一面側に有するセンサチップと、当該センサチップの容量変化を検出する回路チップとを備え、センサチップの一面側を回路チップに対向させてバンプを介して電気的に接続したもの、いわゆるセンサチップをフェースダウンの状態でフリップチップ接合したものであればよく、上記した加速度センサに限定されるものではない。それ以外にも、たとえば角速度センサなどであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体容量式センサとしての加速度センサの構成を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）の上面図である。
【図２】第１実施形態の加速度センサの製造方法を示す工程図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）の上面図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る加速度センサの製造方法を示す工程図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）の上面図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る加速度センサの製造方法を示す工程図である。
【図５】本発明の第４実施形態に係る加速度センサの製造方法を示す工程図である。
【図６】本発明の第５実施形態に係る加速度センサの製造方法を示す工程図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る加速度センサの製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００８９】
１０…センサチップ、１１…センサチップの一面、１２…容量変化部、
２０…回路チップ、２０ａ…構造体、２１…検査用のパッド、３０…バンプ、
２００…回路ウェハ、３００…テープ部材、３１０…第２のテープ部材、
４００…一体化部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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