(57)【要約】【課題】押圧の荷重負荷領域と重なる領域とそれ以外の領域の双方で、被処理基板と蒸着マスクの良好な密着性を確保し、被処理基板への成膜精度を高めることができる蒸着装置、蒸着方法、電気光学装置及び電子機器を提供する。【解決手段】成膜パターンの開口５１１を有すると共に磁性を有し、被処理基板１０の被成膜面側に重ねて配置される蒸着マスク５と、被処理基板１０の被成膜面と反対側から、被処理基板１０を蒸着マスク５に向けて押圧する押圧部と、被処理基板１０の被成膜面と反対側から、少なくとも前記押圧による荷重負荷領域ＧＲと重なる領域以外の領域で、蒸着マスク５を被処理基板１０に向けて磁気吸引する磁気吸引部とを備える蒸着装置。【選択図】図２
2008240088.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜パターンの開口を有すると共に磁性を有し、被処理基板の被成膜面側に重ねて配置
される蒸着マスクと、
前記被処理基板の被成膜面と反対側から、前記被処理基板を蒸着マスクに向けて押圧す
る押圧部と、
前記被処理基板の被成膜面と反対側から、少なくとも前記押圧による荷重負荷領域と重
なる領域以外の領域で、前記蒸着マスクを前記被処理基板に向けて磁気吸引する磁気吸引
部とを備えることを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
前記蒸着マスクを、成膜パターンの開口を有すると共に磁性を有する複数のマスク基板
と、前記複数のマスク基板を保持するベース基板とで構成し、
前記マスク基板を前記磁気吸引部で磁気吸引することを特徴とする請求項１記載の蒸着
装置。
【請求項３】
前記蒸着マスクの開口形成領域の少なくとも一部領域を前記磁気吸引部で磁気吸引する
ことを特徴とする請求項１又は２記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記押圧部の押圧による前記被処理基板に対する荷重負荷領域を、前記蒸着マスクの開
口形成領域と重ならない領域とすることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の蒸着
装置。
【請求項５】
前記被処理基板に対する荷重負荷領域を、前記マスク基板の外枠と重なる領域とするこ
とを特徴とする請求項４記載の蒸着装置。
【請求項６】
前記押圧部で前記被処理基板を押圧した状態で、前記磁気吸引部で前記蒸着マスクを磁
気吸引することを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の蒸着装置。
【請求項７】
前記磁気吸引部を電磁石として前記押圧部に一体的に設け、前記押圧部で前記被処理基
板を押圧した状態で、前記電磁石の磁力を発生させて前記蒸着マスクを磁気吸引すること
を特徴とする請求項６記載の蒸着装置。
【請求項８】
前記磁気吸引部を永久磁石として前記押圧部と別体で設け、前記押圧部で前記被処理基
板を押圧した状態で、前記永久磁石を前記被処理基板に近付けて前記蒸着マスクを磁気吸
引することを特徴とする請求項６記載の蒸着装置。
【請求項９】
成膜パターンの開口を有すると共に磁性を有する蒸着マスクを、被処理基板の被成膜面
側に重ねて配置する工程と、
前記被処理基板の被成膜面と反対側から、前記被処理基板を前記蒸着マスクに向けて押
圧すると共に、前記被処理基板の被成膜面と反対側から、少なくとも前記押圧による荷重
負荷領域と重なる領域以外の領域で、前記蒸着マスクを前記被処理基板に向けて磁気吸引
する工程と、
前記被処理基板の被成膜面側に前記成膜パターンの開口を介して蒸着する工程とを備え
ることを特徴とする蒸着方法。
【請求項１０】
請求項１〜８の何れかに記載の蒸着装置で前記被処理基板に薄膜を蒸着された薄膜構造
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１〜８の何れかに記載の蒸着装置で前記被処理基板に薄膜を蒸着された薄膜構造
を有する装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板に蒸着マスクを重ねて蒸着する蒸着装置、蒸着方法、電気光学装
置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置や半導体装置の製造工程に於いて、開口を有する蒸着マスクを被処理基板
に重ねて配置し、真空蒸着やスパッタリングで成膜を行うマスク蒸着法が知られている。
例えば電気光学装置である有機ＥＬ装置の有機機能層はマスク蒸着法で形成することが多
い。斯様なマスク蒸着法では、被処理基板と蒸着マスクとの間に隙間が生ずると成膜精度
が低下するため、被処理基板と蒸着マスクの密着性を確保することが必要となる。そのた
め、例えば蒸着マスクを被処理基板に重ねて配置し、その状態で被処理基板を蒸着マスク
に向けて押圧し、被処理基板と蒸着マスクとの密着性を確保している（特許文献１参照）
。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１５８５７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記被処理基板を蒸着マスクに向けて押圧する構成は、その押圧の荷重
負荷領域と重なる領域では被処理基板と蒸着マスクの密着性を確保することができるもの
の、前記荷重負荷領域と重なる領域以外の領域での密着性は十分ではない。そのため、押
圧の荷重負荷領域と重なる領域以外の領域でも、被処理基板と蒸着マスクの密着性を確保
できる構成が求められている。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑み提案するものであって、押圧の荷重負荷領域と重なる領域とそ
れ以外の領域の双方で、被処理基板と蒸着マスクの良好な密着性を確保し、被処理基板へ
の成膜精度を高めることができる蒸着装置、蒸着方法、電気光学装置及び電子機器を提供
することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の蒸着装置は、成膜パターンの開口を有すると共に磁性を有し、被処理基板の被
成膜面側に重ねて配置される蒸着マスクと、前記被処理基板の被成膜面と反対側から、前
記被処理基板を蒸着マスクに向けて押圧する押圧部と、前記被処理基板の被成膜面と反対
側から、少なくとも前記押圧による荷重負荷領域と重なる領域以外の領域で、前記蒸着マ
スクを前記被処理基板に向けて磁気吸引する磁気吸引部とを備えることを特徴とする。本
発明によれば、被処理基板１０とマスク基板５１の双方を互いに倣うように変形させて、
押圧の荷重負荷領域と重なる領域とそれ以外の領域の双方で、被処理基板と蒸着マスクの
良好な密着性を確保することが可能となり、被処理基板への成膜精度を高めることができ
る。
【０００７】
本発明の蒸着装置は、前記蒸着マスクを、成膜パターンの開口を有すると共に磁性を有
する複数のマスク基板と、前記複数のマスク基板を保持するベース基板とで構成し、前記
マスク基板を前記磁気吸引部で磁気吸引することを特徴とする。複数のマスク基板をベー
ス基板で保持する蒸着マスクは、大型の被処理基板に対応する高強度化と、成膜パターン
に対応する開口の高精度化を実現することができるが、本発明によれば、その蒸着マスク
について、押圧の荷重負荷領域と重なる領域とそれ以外の領域の双方で、被処理基板と蒸
着マスクの良好な密着性を確保することが可能となり、被処理基板への成膜精度を高める
ことができる。特に、複数のマスク基板をベース基板で保持する蒸着マスクの場合、押圧
だけ行うと押圧箇所によっては被処理基板とマスク基板との間に大きな隙間が生ずるが、
マスク基板を磁気吸引することで前記隙間を解消し、被処理基板とマスク基板の良好な密
着性を確保することができる。
【０００８】
本発明の蒸着装置は、前記蒸着マスクの開口形成領域の少なくとも一部領域を前記磁気
吸引部で磁気吸引することを特徴とする。本発明によれば、成膜パターンの開口形成領域
を確実に被処理基板に密着させ、被処理基板への成膜精度を確実に且つ一層高めることが
できる。
【０００９】
本発明の蒸着装置は、前記押圧部の押圧による前記被処理基板に対する荷重負荷領域を
、前記蒸着マスクの開口形成領域と重ならない領域とすることを特徴とする。本発明によ
れば、押圧による荷重負荷で蒸着マスクの開口に変形や損傷を生ずることを防止でき、蒸
着マスクの成膜精度を維持することができる。
【００１０】
本発明の蒸着装置は、前記被処理基板に対する荷重負荷領域を、前記マスク基板の外枠
と重なる領域とすることを特徴とする。本発明によれば、押圧による荷重負荷でマスク基
板の開口に変形や損傷が生ずることを防止でき、マスク基板の成膜精度を維持することが
できる。
【００１１】
本発明の蒸着装置は、前記押圧部で前記被処理基板を押圧した状態で、前記磁気吸引部
で前記蒸着マスクを磁気吸引することを特徴とする。本発明によれば、押圧部の押圧によ
り、被処理基板と蒸着マスクとの弛みを減じつつ、被処理基板と蒸着マスクの位置合わせ
した位置を正確に維持し、その状態のまま磁気吸引して被処理基板と蒸着マスクを密着す
ることが可能となり、被処理基板の成膜精度をより一層高めることができる。
【００１２】
本発明の蒸着装置は、前記磁気吸引部を電磁石として前記押圧部に一体的に設け、前記
押圧部で前記被処理基板を押圧した状態で、前記電磁石の磁力を発生させて前記蒸着マス
クを磁気吸引することを特徴とする。本発明によれば、押圧と磁気吸引を１つの部材で行
うことが可能となり、装置構成の簡略化、製造コストの低減を図ることができる。
【００１３】
本発明の蒸着装置は、前記磁気吸引部を永久磁石として前記押圧部と別体で設け、前記
押圧部で前記被処理基板を押圧した状態で、前記永久磁石を前記被処理基板に近付けて前
記蒸着マスクを磁気吸引することを特徴とする。本発明によれば、永久磁石を近付けるだ
けで蒸着マスクを磁気吸引することが可能となり、装置構成の簡略化、製造コストの低減
を図ることができる。
【００１４】
また、本発明の蒸着方法は、成膜パターンの開口を有すると共に磁性を有する蒸着マス
クを、被処理基板の被成膜面側に重ねて配置する工程と、前記被処理基板の被成膜面と反
対側から、前記被処理基板を前記蒸着マスクに向けて押圧すると共に、前記被処理基板の
被成膜面と反対側から、少なくとも前記押圧による荷重負荷領域と重なる領域以外の領域
で、前記蒸着マスクを前記被処理基板に向けて磁気吸引する工程と、前記被処理基板の被
成膜面側に前記成膜パターンの開口を介して蒸着する工程とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、被処理基板１０とマスク基板５１の双方を互いに倣うように変形させて
、押圧の荷重負荷領域と重なる領域とそれ以外の領域の双方で、被処理基板と蒸着マスク
の良好な密着性を確保することが可能であり、被処理基板への成膜精度を高めることがで
きる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置は、本発明の蒸着装置で前記被処理基板に薄膜を蒸着され
た薄膜構造を備えることを特徴とする。本発明によれば、電気光学装置の薄膜構造の成膜
精度を高め、電気光学装置を高品質化することができる。
【００１６】
また、本発明の電子機器は、本発明の蒸着装置で前記被処理基板に薄膜を蒸着された薄
膜構造を有する装置を備えることを特徴とする。本発明によれば、電子機器の装置の薄膜
構造の成膜精度を高め、電子機器を高品質化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１８】
〔第１実施形態〕
図１は第１実施形態の蒸着装置を示す模式断面図、図２は押圧板、被処理基板及び蒸着
マスクの位置関係を示す斜視図、図３は押圧板の押圧及び磁気吸引を説明する縦断説明図
、図４は蒸着マスクの平面説明図である。第１実施形態の蒸着装置１は、図１に示すよう
に、蒸着槽２と、蒸着槽２内を減圧して真空雰囲気とする真空ポンプ３と、蒸着粒子を供
給する蒸着源４と、成膜パターンの開口を有すると共に磁性を有する蒸着マスク５と、被
処理基板１０及び蒸着マスク５を水平に保持するホルダ６と、密着機構７とを備える。蒸
着装置１は、蒸着槽２内を真空ポンプ３で真空排気し、蒸着源４の蒸着物質を蒸発して蒸
着粒子を被処理基板１０の表面に蒸着する真空蒸着装置である。
【００１９】
蒸着源４は、蒸着槽２内の底面側に配置され、抵抗加熱又は電子ビームで加熱され、図
１の点線の如く、収容した蒸着物質を蒸着粒子として蒸発する。ホルダ６は、蒸着槽２内
の中央より若干上側の位置に設けられており、蒸着マスク５の下面の相対向する両端部分
を支持するように対向して設けられ、被処理基板１０及び被処理基板１０の被成膜面側に
重ねて配置される蒸着マスク５を保持する。本例のホルダ６は、後述する長方形のマスク
基板５１の長手方向に沿う蒸着マスク５の両端部分を支持するように対向して設けられて
いる。
【００２０】
蒸着マスク５は、図２〜図４に示すように、磁性を有する複数の長方形のマスク基板５
１と、各マスク基板５１を保持するベース基板５２とで構成され、各マスク基板５１がア
ラインメントされて紫外線硬化型接着剤等によりベース基板５２に接合されている。マス
ク基板５１には、成膜パターンに対応する長孔状の開口５１１の複数が所定間隔で平行に
形成され、開口５１１の形成領域の周りに外枠５１２が設けられている。ベース基板５２
には、マスク基板５１に対応する長方形の開口が複数設けられ、アラインメントマーク（
図示省略）で位置合わせして前記開口を塞ぐように各マスク基板５１が配置され、固定さ
れている。前記固定されたマスク基板５１はベース基板５２の上面から被処理基板１０側
に段差状に突出している。更に、ベース基板５２には蒸着マスク５の位置合わせを行うた
めのアラインメントマーク５２１が設けられている。
【００２１】
マスク基板５１は、図５に示すように、開口５１１を有するシリコン基板５１ａに所定
パターンの磁性体膜５１ｄを形成して構成される。マスク基板５１を製造する際には、先
ず、図５（ａ）に示すように、面方位（１００）を有する単結晶シリコンや、面方位（１
１０）を有する単結晶シリコン等のシリコン基板５１ａに、フォトリソグラフィ技術、ウ
エットエッチング、ドライエッチングなどを用いて開口５１１を形成する。次いで、図５
（ｂ）に示すように、シリコン基板５１ａに酸化シリコン膜等の耐アルカリ膜５１ｂを成
膜する。耐アルカリ膜５１ｂは、ジンケート処理や無電解メッキ等に用いられるアルカリ
性液に耐性を有する膜であり、アルカリ性液への浸漬によるシリコン基板５１ａの溶解を
防ぐために成膜される。次いで、図５（ｃ）に示すように、耐アルカリ膜５１ｂが形成さ
れたシリコン基板５１ａの開口５１１の形成領域の裏面側に、マスクスパッター法を用い
て、所定パターンを有する合金膜の下地膜５１ｃを形成する。下地膜５１ｃは、後工程の
無電解メッキ処理で磁性体膜５１ｄを析出させるための下地となる膜であり、Ｎｉ合金や
Ｃｕ合金を用いることが好ましい。次いで、図５（ｄ）に示すように、無電解メッキ処理
で下地膜５１ｃ上に磁性体膜５１ｄを形成し、マスク基板５１となる。磁性体膜５１ｄは
、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ等を含んだ強磁性体で形成された膜であり、具体的にはＣｏ−Ｎｉ−
Ｐ膜やＮｉ−Ｆｅ−Ｐ膜等である。
【００２２】
ベース基板５２は、マスク基板５１の構成材料の熱膨張係数と同一又は近い熱膨張係数
の材料で構成することが好ましく、これにより、ベース基板５２とマスク基板５１との熱
膨張量の違いによる歪み又は撓みの発生を抑えることができる。本例では、マスク基板５
１をシリコン基板５１ａで構成するので、シリコンの熱膨張係数と同一又は近い熱膨張係
数の材料で構成することが好ましく、例えば無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソー
ダガラス、石英等の透明基板とするとよい。
【００２３】
密着機構７は、図１に示すように、蒸着槽２内の上面側に配置され、ホルダ６に載置さ
れた被処理基板１０の被成膜面と反対側である上側に配置される。密着機構７は、図１〜
図３に示すように、被処理基板１０を蒸着マスク５に向けて押圧する押圧部と、蒸着マス
ク５を被処理基板１０に向けて磁気吸引する磁気吸引部とが一体となったものとして、永
久磁石で形成された複数の押圧板７１を有する。押圧板７１は、マスク基板５１と平面視
形状及びサイズが略同一であり、ワイヤーなど上下に伸縮可能な支持部材７２を介して、
伸縮調整部７３で支持されている。各押圧板７１は、伸縮調整部７３による各支持部材７
２の伸長で被処理基板１０の上面に一括してローディングされ、又、伸縮調整部７３によ
る各支持部材７２の短縮で被処理基板１０の上面から一括してアンローディングされる。
【００２４】
ローディングされた押圧板７１は、マスク基板５１の全体と重なる押圧板配置領域１１
で被処理基板１０の上面に当接し、錘となって自重を被処理基板１０に負荷し、上側の被
処理基板１０を下側の蒸着マスク５に向けて押圧する。前記ローディング時には、支持部
材７２の押圧板７１に対する支持力（張力）がゼロになるまで支持部材７２を伸長し、押
圧板７２の自重の全部が被処理基板１０の上面に負荷される。更に、永久磁石である押圧
板７１は、当接する被処理基板１０を挟んで、磁性を有する下側の蒸着マスク５、即ち磁
性体膜５１ｄを有するマスク基板５１を上側の被処理基板１０に向けて磁気吸引する。
【００２５】
第１実施形態の蒸着装置１で蒸着する際には、被処理基板１０の被成膜面側を下側にし
て、前記被成膜面側に蒸着マスク５を重ねて配置する。この状態で蒸着マスク５のマスク
基板５１の無いベース基板５２の部分をホルダ６に載置し、被処理基板１０と蒸着マスク
５をホルダ６で水平に保持する。この際、ホルダ６で保持された蒸着マスク５は自重によ
り中央が凹んだ状態に撓み、マスク基板５１に撓みや傾きが生ずる。
【００２６】
そして、伸縮調整部７３で支持部材７２を伸長して各押圧板７１を下降し、各押圧板７
１を押圧板配置領域１１に配置して被処理基板１０の上面に当接し、押圧板７１の自重を
被処理基板１０に負荷して被処理基板１０を蒸着マスク５に向けて押圧する。前記押圧に
より、図３の太線矢印の如く、押圧板７１の長手方向に沿う両端部分で被処理基板１０に
荷重Ｇが負荷され、被処理基板１０の各押圧板７１の長手方向に沿う両端縁及びその近傍
領域が荷重負荷領域ＧＲとなる（図２参照）。荷重負荷領域ＧＲは、マスク基板５１の外
枠５１２と重なる領域で、開口５１１の形成領域と重ならない領域である。そして、荷重
Ｇは、マスク基板５１の長手方向に沿う両端部分の荷重受領域Ｒで受けられ、被処理基板
１０がマスク基板５１の傾きや撓みに倣うように変形する。
【００２７】
前記押圧だけでは、前記両端の荷重負荷領域ＧＲ・ＧＲと重なる領域以外の領域、即ち
前記両端の荷重負荷領域ＧＲ・ＧＲ間の領域と重なる領域で、被処理基板１０とマスク基
板５１との間に隙間が残る。しかしながら、本実施形態では、押圧だけではなく、前記両
端の荷重負荷領域ＧＲ・ＧＲ及びその間の領域と重なる領域、換言すればマスク基板５１
の開口５１１の形成領域及び外枠５１２の領域の全体に亘り、永久磁石の押圧板７１によ
りマスク基板５１を被処理基板１０に向けて磁気吸引している。前記磁気吸引により、前
記隙間の発生を防止し、マスク基板５１を被処理基板１０に倣うように変形することがで
きる。尚、本実施形態では永久磁石の押圧板７１を被処理基板１０に近付けて前記押圧及
び磁気吸引を行っていることから、押圧と磁気吸引は同時か、或いは押圧より磁気吸引が
僅かに早く行われる。
【００２８】
第１実施形態の蒸着装置１は、被処理基板１０とマスク基板５１の双方を互いに倣うよ
うに変形させて、押圧の荷重負荷領域ＧＲと重なる領域とそれ以外の領域の双方で、被処
理基板１０とマスク基板５１の良好な密着性を確保することが可能であり、被処理基板１
０への成膜精度を高めることができる。特に、マスク基板５１の開口５１１の形成領域を
磁気吸引していることから、成膜パターンの開口５１１の形成領域を確実に被処理基板１
０に密着することができ、成膜精度を確実に且つ一層高めることができる。また、押圧の
荷重負荷領域ＧＲがマスク基板５１の開口５１１の形成領域ではなく外枠５１２と重なる
領域であるから、押圧による荷重負荷でマスク基板５１の開口５１１に変形や損傷が生ず
ることを防止でき、マスク基板５１の成膜精度を維持することができる。
【００２９】
尚、上記蒸着装置１では、複数のマスク基板５１をベース基板５２で支持する蒸着マス
ク５を用いる場合について説明したが、本発明の蒸着装置で用いられる蒸着マスクには、
単体のマスク基板５１に相当する構成の蒸着マスクも含まれ、後述の実施形態でも同様で
ある。例えば図６に示すように、押圧板７１と同一構成の押圧板７４で押圧し、磁気吸引
する構成としてもよい。本例では、被処理基板１０の被成膜面側に平面視長方形の蒸着マ
スク５０を重ねて配置する。この際、蒸着マスク５０は被処理基板１０より大きい外形を
有し、その外枠は被処理基板１０より外方に突出する。そして、蒸着マスク５０の長手方
向に沿う両端部分の前記突出部分をホルダ６に載置し、蒸着マスク５０及び被処理基板１
０をホルダ６で保持する。
【００３０】
更に、被処理基板１０と平面視形状及びサイズが略同一の押圧板７４で、被処理基板１
０を蒸着マスク５０に向けて押圧する。押圧時には、図６の被処理基板１０の両端部分で
荷重Ｇが負荷され、ホルダ６と重ならず且つ蒸着マスク５０の外枠と重なる、被処理基板
１０の押圧板７４の長手方向に沿う両端縁及びその近傍領域が荷重負荷領域ＧＲとなる。
また、永久磁石の押圧板７４は、前記両端の荷重負荷領域ＧＲ・ＧＲ及びその間の領域と
重なる領域、換言すれば蒸着マスク５０の開口形成領域及び被処理基板１０に重なる蒸着
マスク５０の外枠の領域に亘り、蒸着マスク５０を被処理基板１０に向けて磁気吸引する
。前記押圧と磁気吸引により、略中央が撓む蒸着マスク５０と被処理基板５０とが正確に
倣うように変形することができる。本例の蒸着マスク５０の場合にも、被処理基板１０と
蒸着マスク５０の良好な密着性を確保できる等、上記マスク基板５１で構成される蒸着マ
スク５の場合と同様の効果が得られる。
【００３１】
〔第２実施形態〕
図７は第２実施形態の蒸着装置の押圧板、被処理基板及び蒸着マスクの位置関係を示す
斜視図、図８は蒸着マスクの平面説明図である。第２実施形態の蒸着装置１は、第１実施
形態の永久磁石の押圧板７１に代え、電磁石７６を内装した押圧板７５を用いるものであ
り、以下では第１実施形態と相違する箇所のみ説明する。
【００３２】
押圧板７５は、被処理基板１０を蒸着マスク５に向けて押圧する押圧部と、蒸着マスク
５を被処理基板１０に向けて磁気吸引する磁気吸引部とが一体となったものである。押圧
板７５は、図７に示すように、押圧板７１と平面視形状及びサイズが同一の長方形であり
、幅方向の中央位置に長手方向に沿うように細長の電磁石７６が内装されている。電磁石
７６は、マスク基板５１の開口５１１の形成領域の幅より幅狭で、開口５１１の形成領域
の幅方向中央に対応する位置に配置されている。電磁石７６には、支持部材７２に沿って
設けられる電路（図示省略）を介して電流が供給され、制御部（図示省略）の切替制御で
前記電路を介して電流が供給／停止され、電磁石７６の磁力が発生／停止する。
【００３３】
第２実施形態の蒸着装置１で蒸着する際には、第１実施形態と同様に被処理基板１０と
蒸着マスク５を配置し、ホルダ６で保持する。次いで、電磁石７６の磁力を停止した状態
で、伸縮調整部７３で支持部材７２を伸長して各押圧板７５を下降し、各押圧板７５を押
圧板配置領域１１に配置して被処理基板１０の上面に当接し、錘となる押圧板７５の自重
を被処理基板１０に負荷して被処理基板１０を蒸着マスク５に向けて押圧する。前記押圧
により、図３の場合と同様に荷重Ｇが負荷され、被処理基板１０の各押圧板７５の長手方
向に沿う両端縁及びその近傍領域が荷重負荷領域ＧＲとなる。荷重負荷領域ＧＲは、マス
ク基板５１の外枠５１２と重なる領域で、開口５１１の形成領域と重ならない領域である
。そして、荷重Ｇは、マスク基板５１の長手方向に沿う両端部分の荷重受領域Ｒで受けら
れ（図８参照）、被処理基板１０がマスク基板５１の傾きや撓みに倣うように変形する。
【００３４】
その後、前記押圧した状態で、電磁石７６の磁力を発生させ、前記両端の荷重負荷領域
ＧＲ・ＧＲ間の中央に位置する所定領域と重なる領域、換言すればマスク基板５１の開口
５１１の形成領域の一部領域及び外枠５１２の一部領域とからなる磁気吸引領域Ｍで、マ
スク基板５１を被処理基板１０に向けて磁気吸引する。前記磁気吸引により、前記両端の
荷重負荷領域ＧＲ・ＧＲ間の領域と重なる領域でマスク基板５１と被処理基板１０との間
に隙間が発生することを防止し、マスク基板５１を被処理基板１０に倣うように変形する
ことができる。
【００３５】
第２実施形態の蒸着装置１は、第１実施形態と同様の効果が得られる。更に、押圧板７
５で被処理基板１０を押圧した状態で、電磁石７６でマスク基板５１を磁気吸引すること
により、押圧で、被処理基板１０とマスク基板５１との弛みを減じつつ、被処理基板１０
とマスク基板５１の位置合わせした位置を正確に維持し、その状態のまま磁気吸引して被
処理基板１０とマスク基板５１を密着することが可能となり、被処理基板１０の成膜精度
をより一層高めることができる。また、電磁石７６が一体化された押圧板７５で押圧と磁
気吸引の双方で行うことが可能であり、装置構成の簡略化、製造コストの低減を図ること
ができる。
【００３６】
〔第３実施形態〕
図９は第３実施形態の蒸着装置を示す模式断面図、図１０は押圧板、磁石体、被処理基
板及び蒸着マスクの位置関係を示す斜視図、図１１は押圧板の押圧及び磁石体の磁気吸引
を説明する縦断説明図。図１２は蒸着マスクの平面説明図である。第３実施形態の蒸着装
置１は、第１実施形態の永久磁石の押圧板７１で押圧し且つ磁気吸引する密着機構７に代
え、押圧板７７で押圧し、押圧板７７と別体の磁石体７８で磁気吸引する密着機構７０を
用いるものであり、以下では第１実施形態と相違する箇所のみ説明する。
【００３７】
密着機構７０は、図９〜図１１に示すように、ホルダ６に載置された被処理基板１０の
被成膜面と反対側である上側に配置され、被処理基板１０を蒸着マスク５に向けて押圧す
る押圧部として押圧板７７と、蒸着マスク５を被処理基板１０に向けて磁気吸引する磁気
吸引部として磁石体７８とを有する。押圧板７７は、マスク基板５１の長手方向と同一長
さの四角棒状であり、ワイヤーなど上下に伸縮可能な支持部材７２１を介して、伸縮調整
部７３で支持されている。押圧板７７は、マスク基板５１の長手方向に沿う端部に対応す
る位置に配置されている。図１０の前後方向の両外側の押圧板７１はマスク基板５１の外
枠５１２の一端部の上面に対応する位置に配置され、内側の押圧板７１は隣り合うマスク
基板５１・５１の外枠５１２・５１２の対向する両端部の上面に対応する位置に配置され
ている。各押圧板７７は、伸縮調整部７３による各支持部材７２１の伸長で被処理基板１
０の上面に一括してローディングされ、又、伸縮調整部７３による各支持部材７２１の短
縮で被処理基板１０の上面から一括してアンローディングされる。
【００３８】
磁石体７８は永久磁石であり、マスク基板５１の長手方向と同一長さで且つマスク基板
５１の開口５１１の形成領域より幅狭の長方形平板状である。磁石体７８は、ワイヤーな
ど上下に伸縮可能な支持部材７２２を介して、伸縮調整部７３で支持されている。各磁石
体７８は、伸縮調整部７３による各支持部材７２２の伸長で被処理基板１０の上面に一括
してローディングされ、又、伸縮調整部７３による各支持部材７２２の短縮で被処理基板
１０の上面から一括してアンローディングされる。
【００３９】
ローディングされた押圧板７７は、マスク基板５１の外枠５１２の端部と重なる押圧板
配置領域１２で被処理基板１０の上面に当接し、錘となって自重を被処理基板１０に負荷
し、被処理基板１０を蒸着マスク５に向けて押圧する。前記ローディング時には、支持部
材７２の押圧板７１に対する支持力（張力）がゼロになるまで支持部材７２を伸長し、押
圧板７７の自重の全部が被処理基板１０の上面に負荷される。また、ローディングされた
磁石体７８は、マスク基板５１の開口５１１の形成領域の一部と重なる磁石配置領域１３
で被処理基板１０の上面に当接し、当接する被処理基板１０を挟んで、磁性を有する下側
の蒸着マスク５、即ち磁性体膜５１ｄを有するマスク基板５１を被処理基板１０に向けて
磁気吸引する。
【００４０】
第３実施形態の蒸着装置１で蒸着する際には、第１実施形態と同様に被処理基板１０と
蒸着マスク５を配置し、ホルダ６で保持する。次いで、伸縮調整部７３で支持部材７２１
を伸長して各押圧板７７を下降し、各押圧板７７を押圧板配置領域１２に配置して被処理
基板１０の上面に当接し、押圧板７７の自重を被処理基板１０に負荷して被処理基板１０
を蒸着マスク５に向けて押圧する。前記押圧により、図１１の太線矢印の如く、押圧板７
７の長手方向に沿う端部分で被処理基板１０に荷重Ｇが負荷され、被処理基板１０の各押
圧板７７の長手方向に沿う両端縁及びその近傍領域が荷重負荷領域ＧＲとなる（図１０参
照）。図１０の前後方向の両外側に位置する荷重負荷領域ＧＲ以外の荷重負荷領域ＧＲは
、マスク基板５１の外枠５１２と重なる領域で、開口５１１の形成領域と重ならない領域
である。そして、図１１の両外側の荷重Ｇ以外の荷重Ｇが、マスク基板５１の長手方向に
沿う両端部分の荷重受領域Ｒで受けられ（図１２参照）、被処理基板１０がマスク基板５
１の傾きや撓みに倣うように変形する。
【００４１】
その後、前記押圧した状態で、伸縮調整部７３で支持部材７２２を伸長して各磁石体７
８を下降し、各磁石体７８を被処理基板１０の上面に近付けていき、磁石配置領域１３に
配置して被処理基板１０の上面に当接する。磁石体７８は、隣り合う押圧板７７・７７の
荷重負荷領域ＧＲ・ＧＲ間の中央に位置する所定領域と重なる領域、換言すればマスク基
板５１の開口５１１の形成領域の一部領域及び外枠５１２の一部領域とからなる磁気吸引
領域Ｍで、マスク基板５１を被処理基板１０に向けて磁気吸引する。前記磁気吸引により
、隣り合う押圧板７７・７７の荷重負荷領域ＧＲ・ＧＲ間の中央に位置する所定領域と重
なる領域で被処理基板１０とマスク基板５１との間に隙間が発生することを防止し、マス
ク基板５１を被処理基板１０に倣うように変形することができる。
【００４２】
第３実施形態の蒸着装置１は、第１実施形態と同様の効果が得られる。更に、押圧板７
７で被処理基板１０を押圧した状態で、磁石体７８をマスク基板５１に近付けて磁気吸引
することにより、押圧で、被処理基板１０とマスク基板５１との弛みを減じつつ、被処理
基板１０とマスク基板５１の位置合わせした位置を正確に維持し、その状態のまま磁気吸
引して被処理基板１０とマスク基板５１を密着することが可能となり、被処理基板１０の
成膜精度をより一層高めることができる。また、永久磁石の磁石体７８を近付けるだけで
蒸着マスクを磁気吸引することができ、装置構成の簡略化、製造コストの低減を図ること
ができる。
【００４３】
〔第１〜第３実施形態の変形例等〕
尚、本明細書に開示の発明は、上記課題解決手段の各発明の構成を一部変更したもの、
或いは各発明の構成を一部削除して上位概念化したものを包含するものであり、第１〜第
３実施形態等に種々の変更を加えたものも包含する。
【００４４】
例えば第１〜第３実施形態は、各押圧板７１、７５、７７で被処理基板１０に負荷する
荷重Ｇを同一としているが、所要の押圧板７１、７５、７７の負荷荷重と他の押圧板７１
、７５、７７の負荷荷重とを異ならせることも可能であり、例えば図２の前後両外側の押
圧板７１の自重と、その内側の押圧板７１の自重を異ならせ、負荷荷重が異ならせる構成
等としてもよい。また、押圧板７１、７５、７７は、所要の単数又は複数の押圧板７１毎
に順次ローディングしてもよい。
【００４５】
また、本発明の被処理基板を蒸着マスクに向けて押圧する押圧部は、錘となる押圧板７
１、７４、７５、７７に限定されず、例えば押圧板の支持部材としてコイルバネ等のバネ
材を設け、前記バネ材の弾性力で押圧板を被処理基板に付勢する構成等としてもよい。ま
た、例えば前記バネ材で押圧板を付勢する構成等を用い、被処理基板１０の被成膜面を上
向きに配置して蒸着する構成や、被処理基板１０を立てて蒸着する構成とすることも可能
である。
【００４６】
また、本発明の蒸着マスクを被処理基板に向けて磁気吸引する磁気吸引部は、上記実施
形態の永久磁石の押圧板７１や磁石体７８、電磁石７６に限定されず、例えば第３実施形
態の磁石体７８を電磁石とし、第２実施形態と同様に電路、制御部を設けてもよい。また
、本発明で磁気吸引する領域は、少なくとも押圧による荷重負荷領域と重なる領域以外の
領域を有するものであれば適宜であり、例えばマスク基板５１の開口５１１の形成領域近
傍に於ける外枠５１２の領域とすることも可能である。また、マスク基板５１の開口５１
１の形成領域を磁気吸引する場合には、その全部又は一部を磁気吸引することが可能であ
るが、少なくとも荷重負荷領域ＧＲ・ＧＲ間の中央に重なる領域を磁気吸引することが好
ましい。
【００４７】
また、複数のマスク基板５１を１つの押圧板で押圧し、又は１つの磁石体７８で磁気吸
引する構成とすることも可能であり、例えば上記実施形態の押圧板７１、７５、７７又は
磁石体７８を長手方向に延ばした形状とし、２つのマスク基板５１を１つの押圧板７１、
７５、７７で押圧し、又１つの磁石体７８で磁気吸引する構成としてもよい。
【００４８】
また、第１〜第３実施形態では、ホルダ６で、上記長方形のマスク基板５１の長手方向
に沿う蒸着マスク５の両端部分を保持する構成、或いは上記長方形の蒸着マスク５０の長
手方向に沿う両端部分を保持する構成としているが、これに限定されず、ホルダ６で蒸着
マスク５、５０を保持する箇所は適宜である。例えば前記長手方向と直交する方向にホル
ダ６を設け、蒸着マスク５、５０の前記直交方向の両端部分で保持する構成、或いは蒸着
マスク５、５０の下面の外周領域を支持するように周状にホルダ６を設ける構成等とする
ことが可能である。尚、前記マスク基板５１の長手方向或いは蒸着マスク５の長手方向で
蒸着マスク５、５０を保持する構成とすると、マスク基板５１或いは蒸着マスク５０の撓
みが大きくなる長手方向を押圧し、被処理基板１０とマスク基板５１或いは蒸着マスク５
との隙間をより小さくすることができるので好適である。
【００４９】
また、第１〜第３実施形態では真空蒸着装置の例を説明したが、本発明の蒸着装置は真
空蒸着装置に限定されず、例えばスパッタ蒸着装置等としてもよい。また、本発明の蒸着
マスク或いはマスク基板は、成膜パターンの開口が形成され、磁性を有するものであれば
適宜であり、例えば金属製の蒸着マスク或いはマスク基板等とすることも可能である。尚
、上記マスク基板５１で説明した構成は、適用可能な範囲で、マスク基板５１に相当する
構成の単体の蒸着マスク５０に適用できる。
【００５０】
〔電気光学装置〕
図１３は、上記実施形態の蒸着装置１で薄膜を蒸着して薄膜構造を形成された電気光学
装置の例として、有機ＥＬ装置の一例を示す模式断面図である。本例の有機ＥＬ装置１０
０は、図１３に示すように、透光性の基板１０１と、基板１０１の一方の面側に画素パタ
ーン毎に形成された陽極（画素電極）１０２と、陽極１０２上に形成された正孔輸送層１
０３と、正孔輸送層１０３上に形成された赤色、緑色、青色の各色の発光層１０４、１０
５、１０６と、発光層１０４、１０５、１０６上に形成された陰極１０７を備える。有機
ＥＬ装置１００は、マトリクス状に画素が配置される有機ＥＬ表示装置であり、図示省略
するが、基板１０１上には各画素を駆動する回路部が設けられている。
【００５１】
有機ＥＬ装置１００は、発光層１０４〜１０６の発光を基板１０１側から装置外部に取
り出すボトムエミッション型であり、基板１０１はガラス等の透明材料で形成され、陽極
１０２はインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電膜で形成されている。陰極１０７は
、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）等の金属電極である。正孔輸
送層１０３、発光層１０４〜１０６とで構成される機能層はそれぞれ低分子系の有機材料
で形成されており、発光層１０４〜１０６は蒸着装置１で蒸着して形成されている。発光
層１０４〜１０６では、前記回路部の制御に応じて陽極１０２と陰極１０７に電圧が印加
され、陽極１０２から正孔輸送層１０３を介して輸送された正孔と、陰極１０７からの電
子が結合し、これにより発光層１０４〜１０６が発光する。有機ＥＬ装置１００は、発光
層１０４〜１０６の成膜精度に優れ、信頼性の高い表示が可能であり、高品質なものとな
る。尚、正孔輸送層１０３、更に陰極１０７を蒸着装置１で蒸着して形成してもよい。
【００５２】
有機ＥＬ装置１００を上記実施形態の蒸着装置１で製造する際には、例えば基板１０１
上にＩＴＯ等の透明導電膜で陽極１０２を形成し、陽極１０２上に正孔輸送層１０３を形
成する。その後、陽極１０２と正孔輸送層１０３が形成された被成膜面側を下側にして、
被処理基板１０に相当する陽極１０２と正孔輸送層１０３が形成された基板１０１を蒸着
装置１の蒸着槽２内に搬送する。蒸着槽２内では、基板１０１と蒸着マスク５の位置を合
わせ、基板１０１の被成膜面側に蒸着マスク５を重ねて配置し、その状態の基板１０１と
蒸着マスク５をホルダ６で水平に保持する。
【００５３】
次いで、基板１０１の被成膜面と反対側の密着機構７又は７０により、基板１０１を蒸着
マスク５に向けて押圧すると共に、蒸着マスク５を基板１０１に向けて磁気吸引し、基板
１０１と蒸着マスク５とを密着させる。前記押圧及び磁気吸引に於いて、蒸着マスク５が
マスク基板５１とベース基板５２で構成される場合には、基板１０１をマスク基板５１に
向けて押圧すると共に、マスク基板５１を基板１０１に向けて磁気吸引し、基板１０１と
マスク基板５１とを密着させる。更に、真空雰囲気の蒸着槽２に於いて蒸着源４で蒸着物
質を蒸発させ、蒸着マスク５の一色の発光層に相当する成膜パターンの開口５１１等を介
して蒸着粒子を基板１０１の被成膜面に蒸着し、赤色の発光層１０４を形成する。発光層
１０４の蒸着形成後には、前記押圧と磁気吸引を解除する。そして、例えば被処理基板１
０を支持具（図示省略）で支持し、ホルダ６の水平方向への移動等で蒸着マスク５を緑色
の発光層１０５の蒸着位置まで移動すると共に、伸縮調整部７３で支持部材７２、７２１
、７２２を水平方向へ移動し、前記蒸着マスク５の位置に対応させて押圧板７１、７４、
７５、７７や磁石体７８を配置する。更に、上記と同様に押圧及び磁気吸引して基板１０
１と蒸着マスク５を密着させ、緑色の発光層１０５を形成する。その後、同様の処理によ
り、青色の発光層１０６を形成する。
【００５４】
尚、有機ＥＬ装置１００に機能層として正孔注入層、電子注入層、電子輸送層を設ける
場合には、所要の機能層を本発明の蒸着装置で蒸着することが可能である。また、有機Ｅ
Ｌ装置は、有機ＥＬ表示装置の他にも適宜であり、例えばプリンターヘッドなど各種の有
機ＥＬ装置とすることが可能である。また、本発明の蒸着装置で蒸着される薄膜構造を備
える電気光学装置は、有機ＥＬ装置の他にも適宜であり、例えば液晶装置としてもよい。
【００５５】
〔電子機器〕
上記実施形態の蒸着装置１で薄膜を蒸着して形成する薄膜構造は各種の電子機器に設け
ることが可能である。有機ＥＬ装置など電気光学装置として前記薄膜構造を備える電子機
器の例としては、携帯電話機、ＰＤＡ等の携帯情報端末、ページャ、電子ブック、電子手
帳、電子ペーパー、腕時計、ノートパソコン、ワードプロセッサ、モニター、テレビ、テ
レビ電話機、デジタルカメラ、ビューファインダー型・モニター直視型のビデオテープレ
コーダー、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末など、前記薄膜構造を表示部である電気
光学装置に備える電子機器や、エレクトロクロミック調光ガラス、照明装置、前記薄膜構
造をプリンターヘッドとして備えるプリンター等が挙げられる。また、前記薄膜構造を備
える電子機器は、例えば各種の半導体装置として半導体基板に前記薄膜構造を備えるもの
等、電気光学装置以外の各種装置として前記薄膜構造を備えるものとしてもよい。これら
の電子機器は、優れた成膜精度の薄膜構造を有し、信頼性の高い表示が可能である等、高
品質なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１実施形態の蒸着装置を示す模式断面図。
【図２】第１実施形態の蒸着装置の押圧板、被処理基板及び蒸着マスクの位置関係を示す斜視図。
【図３】第１実施形態に於ける押圧板の押圧及び磁気吸引を説明する縦断説明図。
【図４】第１実施形態に於ける蒸着マスクの平面説明図。
【図５】第１実施形態に於けるマスク基板の製造工程を説明する模式図。
【図６】第１実施形態の蒸着装置の変形例に於ける押圧板の押圧を説明する縦断説明図。
【図７】第２実施形態の蒸着装置の押圧板、被処理基板及び蒸着マスクの位置関係を示す斜視図。
【図８】第２実施形態に於ける蒸着マスクの平面説明図。
【図９】第３実施形態の蒸着装置を示す模式断面図。
【図１０】第３実施形態の蒸着装置の押圧板、磁石体、被処理基板及び蒸着マスクの位置関係を示す斜視図。
【図１１】第３実施形態に於ける押圧板の押圧及び磁石体の磁気吸引を説明する縦断説明図。
【図１２】第３実施形態に於ける蒸着マスクの平面説明図。
【図１３】実施形態の蒸着装置で薄膜を蒸着して薄膜構造を形成された有機ＥＬ装置の一例を示す模式断面図。
【符号の説明】
【００５７】
１…蒸着装置  ２…蒸着槽  ３…真空ポンプ  ４…蒸着源  ５、５０…蒸着マスク  ５１
…マスク基板  ５１１…開口  ５１２…外枠  ５２…ベース基板  ５２１…アラインメン
トマーク  ５１ａ…シリコン基板    ５１ｂ…耐アルカリ膜    ５１ｃ…下地膜    ５１
ｄ…磁性体膜  ６…ホルダ  ７、７０…密着機構  ７１、７４、７５、７７…押圧板  ７
２、７２１、７２２…支持部材  ７３…伸縮調整部  ７６…電磁石  ７８…磁石体  １０
…被処理基板  １１、１２…押圧板配置領域  １３…磁石配置領域  １００…有機ＥＬ装
置  Ｇ…荷重  ＧＲ…荷重負荷領域  Ｒ…荷重受領域  Ｍ…磁気吸引領域
【図１】
2008240088.tif 000003
【図２】
2008240088.tif 000004
【図３】
2008240088.tif 000005
【図４】
2008240088.tif 000006
【図５】
2008240088.tif 000007
【図６】
2008240088.tif 000008
【図７】
2008240088.tif 000009
【図８】
2008240088.tif 000010
【図９】
2008240088.tif 000011
【図１０】
2008240088.tif 000012
【図１１】
2008240088.tif 000013
【図１２】
2008240088.tif 000014
【図１３】
2008240088.tif 000015