(57)【要約】【課題】反り量が極めて小さく、平坦性に優れたモールド、及び反り量のバラツキが小さく、高精度な凹凸パターンを効率よく形成できるモールドの製造方法、並びに磁気記録媒体の提供。【解決手段】表面に凹凸パターンを有し、かつ少なくとも２層の電鋳層を有してなり、該電鋳層の少なくとも隣接する２層が同じ結晶方位を有することを特徴とするモールドである。該電鋳層がＮｉからなる態様、少なくとも隣接する２層が、Ｎｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有する態様、などが好ましい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹凸パターンを有し、かつ少なくとも２層の電鋳層を有してなり、該電鋳層の少なくとも隣接する２層が同じ結晶方位を有することを特徴とするモールド。
【請求項２】
電鋳層がＮｉからなる請求項１に記載のモールド。
【請求項３】
少なくとも隣接する２層が、Ｎｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有する請求項２に記載のモールド。
【請求項４】
電鋳層が少なくとも３層からなり、凹凸パターン側から少なくとも２層がＮｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有する請求項２から３のいずれかに記載のモールド。
【請求項５】
反り量が±５０μｍ以下である請求項１から４のいずれかに記載のモールド。
【請求項６】
電鋳層の合計厚みが１００〜３５０μｍである請求項１から５のいずれかに記載のモールド。
【請求項７】
ディスクリートトラック媒体用スタンパー、パターンド媒体用スタンパー、及び磁気転写用マスターディスクのいずれかに用いられる請求項１から６のいずれかに記載のモールド。
【請求項８】
表面に凹凸パターンを形成した原版上に、少なくとも隣接する２層が同じ結晶方位を有する２層以上の電鋳層からなる金属盤を電鋳により形成し、該金属盤面に前記凹凸パターンを転写する電鋳工程と、
前記金属盤を前記原版上から剥離してモールドとする剥離工程とを含むことを特徴とするモールドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスクリートトラック媒体用スタンパー、パターンド媒体用スタンパー、及び磁気転写用マスターディスクのいずれかに好適なモールド及び該モールドの製造方法、並びに磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録媒体は、その記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も更なる面記録密度の向上が期待されている。
しかし、ヘッドの加工限界、磁界の広がりに起因する記録対象のトラックに隣り合う他のトラックへの誤った情報の記録、再生時のクロストークなどの問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきている。そこで、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、トラック間で発生する磁気的相互作用を低減するための凹凸パターンもしくは磁性層を分断した構造を持つディスクリートトラック媒体やパターンド媒体が提案されている（特許文献１参照）。前記ディスクリートトラック媒体の場合、記録層はデータ領域においてトラックパターン形状で形成される。前記パターンド媒体の場合、記録層はビット等のパターン形状で形成される。また、前記ディスクリートトラック媒体及びパターンド媒体の場合、サーボ領域において記録層がサーボパターン形状で形成される。
【０００３】
このような磁気記録媒体における凹凸パターンを、ナノメートルサイズの凹凸パターンを形成したモールド（以下、「スタンパー」と称することもある）を基材上の樹脂層に押し付けて該モールドの凹凸形状を樹脂層に転写することによって、基材上にナノメートルサイズの凹凸パターンを形成するナノインプリントリソグラフィ法（ナノメートルサイズの凹凸パターンを形成するインプリント方法：以下、「インプリント方法」と称することもある）で形成することが提案されている（特許文献２参照）。
【０００４】
前記スタンパーは、情報を凹凸パターンで形成した原版上に電鋳を施して、電鋳層から成る金属盤を原版上に積層して該金属盤面に凹凸パターンを転写する電鋳工程、金属盤を原版上から剥離する剥離工程により製造されるのが一般的である。
しかし、上記の方法によって製造された従来のスタンパーは、必ずしも平坦なものではなく、反りや歪みを有している。そのため、形成される凹凸パターンに変形や歪みが生じて、高精度な凹凸パターンを形成できないという問題がある。
【０００５】
また近年、急速に普及しているハードディスクドライブに使用される磁気ディスク（ハードディスク）は、磁気ディスクメーカーよりドライブメーカーに納入された後、ドライブに組み込まれる前に、フォーマット情報やアドレス情報が書き込まれるのが一般的である。この書き込みは、磁気ヘッドにより行うこともできるが、フォーマット情報やアドレス情報が書き込まれたモールド（以下、「マスターディスク」と称することもある）により一括転写する方法が効率的であり、好ましい。
【０００６】
この一括転写する磁気転写方法は、マスターディスクと被転写用ディスク（スレーブディスク）とを密着させた状態で、片面又は両面に電磁石装置、永久磁石装置等の磁界生成手段を配設して転写用磁界を印加することにより、マスターディスクの有する情報（例えばサーボ信号）をスレーブディスクに磁気転写する。そして、磁気転写を精度良く行うには、マスターディスクとスレーブディスクとを均一に隙間なく密着させることが極めて重要である。
【０００７】
ところで、この磁気転写方法に使用されるマスターディスクとしては、例えば特許文献３のように、基板の表面に情報信号に対応する凹凸パターンを形成し、この凹凸パターンの表面に磁性層を被覆したものが通常使用されている。この磁気転写用のマスターディスクは、情報を凹凸パターンで形成した原版上に電鋳を施して、電鋳層からなる金属盤を原版上に積層して該金属盤面に凹凸パターンを転写する電鋳工程、金属盤を原版上から剥離する剥離工程、剥離した金属盤を所定サイズに打ち抜きする打ち抜き工程を経た後、凹凸パターンの面に磁性層を被覆することにより製造されるのが一般的である。
【０００８】
しかし、上記の方法によって製造された従来のマスターディスクは、金属盤を原版から剥離する剥離工程や所定サイズに打ち抜く打ち抜き工程等の加工時に発生した変形により必ずしも平坦面ではなく、反りや歪みを有している。また、フォトエッチング工程においても、電鋳層の内部応力により、反りや歪みが生じる場合がある。このようにマスターディスクに反りや歪みがあると、マスターディスクとスレーブディスクとの密着状態を良好にできず、高精度な磁気転写を行えないという問題がある。
【０００９】
かかる問題の対策として、スレーブディスクとの密着性を良くするために、マスターディスクの裏面に緩衝材（クッション材）を設けたり、密着圧力を高めたり、真空吸引によりマスターディスクとスレーブディスクとの密着面のエアーを排除したりすることが行われている。しかし、これらの対策によっても、密着性の問題が完全に解決された訳ではなく、本質的にはマスターディスクの反りや歪みをなくして平坦性を良くすることが必要である。また、密着圧力を高めることはマスターディスクの凹凸パターンを破損したり、変形を発生させる可能性があり、マスターディスクの耐久性能を低下させる原因になる。
【００１０】
そこで、本願出願人は、既に、表面に転写情報に対応する凹凸パターンが転写された金属盤を構成する電鋳層の層構成が結晶粒径の異なる多層構造からなるマスター基板（特許文献４参照）、金属盤を構成する電鋳層の層構成が結晶方位の同じ第１層と第３層との間に該二つの層とは結晶方位の異なる第２層を挟んでなる３層構造のマスター基板（特許文献５参照）、金属盤を構成する電鋳層の層構成が結晶方位の異なる２層以上からなるマスター基板（特許文献６参照）、などを提案している。
これらの提案によれば、反り量や歪み量が小さくなり、平坦性に優れた磁気転写用マスターディスクを得ることができるが、転写密着性を更に向上させるため、より高い平坦度を有し、反り量のバラツキが小さいマスターディスクの提供が望まれているのが実情である。
【００１１】
【特許文献１】特開２０００−１９５０４２号公報
【特許文献２】特開２００５−３５３１６４号公報
【特許文献３】特開２００１−２５６６４４号公報
【特許文献４】特開２００６−２１６２０４号公報
【特許文献５】特開２００６−２２１６９２号公報
【特許文献６】特開２００６−２２８３１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、反り量が極めて小さく、平坦性に優れたモールド、及び反り量のバラツキが小さく、高精度な凹凸パターンを効率よく形成できるモールドの製造方法、並びに磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  表面に凹凸パターンを有し、かつ少なくとも２層の電鋳層を有してなり、該電鋳層の少なくとも隣接する２層が同じ結晶方位を有することを特徴とするモールドである。
＜２＞  電鋳層がＮｉからなる前記＜１＞に記載のモールドである。
＜３＞  少なくとも隣接する２層が、Ｎｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有する前記＜２＞に記載のモールドである。
＜４＞  電鋳層が少なくとも３層からなり、凹凸パターン側から少なくとも２層がＮｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有する前記＜２＞から＜３＞のいずれかに記載のモールドである。
＜５＞  反り量が±５０μｍ以下である前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載のモールドである。
＜６＞  電鋳層の合計厚みが１００〜３５０μｍである前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載のモールドである。
＜７＞  ディスクリートトラック媒体用スタンパー、パターンド媒体用スタンパー、及び磁気転写用マスターディスクのいずれかに用いられる前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載のモールドである。
＜８＞  表面に凹凸パターンを形成した原版上に少なくとも隣接する２層が同じ結晶方位を有する２層以上の電鋳層からなる金属盤を電鋳により形成し、該金属盤面に前記凹凸パターンを転写する電鋳工程と、
前記金属盤を前記原版上から剥離してモールドとする剥離工程とを含むことを特徴とするモールドの製造方法である。
＜９＞  基材上の樹脂層に、前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載のモールドを当接させて該樹脂層に凹凸パターンを転写することを特徴とする凹凸パターン形成方法である。
＜１０＞  前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載のモールドを用いてデータ記録用トラック及びサーボ情報の少なくともいずれかが記録されていることを特徴とする磁気記録媒体である。
【００１４】
本発明のモールドは、表面に凹凸パターンを有し、かつ少なくとも２層の電鋳層を有してなり、該電鋳層の少なくとも隣接する２層が同じ結晶方位を有する。本発明のモールドにおいては、少なくとも隣接する２層の電鋳層が同じ結晶方位を有し、物性が同じであるが、単層で形成した場合に比べて層厚方向に応力分布を持たせることができるため、反り形状の制御が可能となること、また、２層以上に積層化することで結晶粒の粗大化を抑制できることから、単層構造の場合に比べて打ち抜き時のせん断抵抗が高くなる結果、反り量が極めて小さくなり、平坦性が大幅に向上する。本発明のモールドは、ディスクリートトラック媒体用スタンパー、パターンド媒体用スタンパー、及び磁気転写用マスターディスクのいずれかに好適に用いられる。
【００１５】
本発明のモールドの製造方法は、表面に凹凸パターンを形成した原版上に少なくとも隣接する２層が同じ結晶方位を有する電鋳層からなる金属盤を電鋳により形成し、該金属盤面に前記凹凸パターンを転写する電鋳工程と、
前記金属盤を前記原版上から剥離してモールドとする剥離工程とを含む。
本発明のモールドの製造方法においては、少なくとも隣接する２層が同じ結晶方位を有する電鋳層からなる金属盤で形成することによって、電鋳層を反り量のバラツキが小さく、高精度な凹凸パターン形成できるモールドを効率よく製造できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、従来における問題を解決することができ、反り量が極めて小さく、平坦性に優れたモールド、及び反り量のバラツキが小さく、高精度な凹凸パターンを効率よく形成できるモールドの製造方法、並びに磁気記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（モールド）
本発明のモールドは、少なくとも２層の電鋳層を有してなり、導電層、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
前記モールドの表面には、データ記録用トラック及びサーボ情報の少なくともいずれかに対応した凹凸パターンが形成されている。
【００１８】
−電鋳層−
前記電鋳層は、前記モールドの金属盤を構成し、その形状、大きさ、材料等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記大きさ及び形状としては用途等に応じて適宜選択することができる。
前記材料としては、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ等の各種金属、又はこれらの合金を用いることができる。これらの中でも、Ｎｉ、Ｎｉ合金が特に好ましい。
前記電鋳層は、少なくとも２層からなり、３層以上が好ましく、４層以上の多層構造であってもよい。
前記少なくとも２層の積層構造からなる電鋳層は、少なくとも隣接する２層が同じ結晶方位を有する。この場合、少なくとも隣接する２層の電鋳層が、Ｎｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有することが好ましい。
また、前記電鋳層が少なくとも３層からなり、凹凸パターン側から少なくとも２層がＮｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有することが好ましく、すべての電鋳層がＮｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有することがより好ましい。
ここで、前記電鋳層の断面における結晶方位の分布は、例えば反射電子回折パターン（ＥＢＳＤ：Electron  Backscatter  diffraction  Pattern）により求めることができる。このＥＢＳＤは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning  Electron  Microscopy）に専用の検出器を設け、一次電子の後方散乱から結晶方位を分析する手法である。
【００１９】
このような少なくとも隣接する２層が同じ結晶方位を有する電鋳層は、後述する本発明のモールドの製造方法における電鋳処理において、電流密度と電流プロファイルを制御することにより形成することができる。
前記電鋳層の合計厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、通常、１００〜３５０μｍ程度である。
【００２０】
−導電層−
前記導電層は、その材料、形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記構造としては単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、前記大きさとしては用途等に応じて適宜選択することができる。
前記材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｆｅ、Ｒｕ、又はこれらの合金、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記導電層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メッキ法、印刷法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法、などにより形成することができる。
前記導電層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５〜２００ｎｍが好ましく、７〜１５０ｎｍがより好ましい。
【００２１】
−その他の層−
前記モールドは、ディスクリートトラック媒体用スタンパー、パターンド媒体用スタンパー、及び磁気転写用マスターディスクのいずれかに好適に用いられる。
前記モールドをディスクリートトラック媒体用スタンパー、又はパターンド媒体用スタンパーとして形成する場合には、凹凸パターンの表面にフッ素系材料を含有する離型層を有することが、前記スタンパーを用いてナノインプリントする際の樹脂層との離型性を向上させることができる点から好ましい。なお、前記電鋳層の凹凸パターン上には、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等の保護膜を設けることもできる。
【００２２】
前記モールドを磁気転写用マスターディスクとして形成する場合には、前記電鋳層の凹凸パターン表面に磁性層を有することが好ましい。
前記磁性層の磁性材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばＣｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ等）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ等）などが挙げられる。これらの中でも、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉが特に好ましい。
前記磁性層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜法、メッキ法、塗布法などにより成膜することができる。
前記磁性層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、５〜２００ｎｍが好ましく、１０〜１５０ｎｍがより好ましい。
なお、前記磁性層上に、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等の保護膜を設けることが好ましく、該保護膜の上に更に潤滑剤層を設けてもよい。この場合、保護膜として厚みが３〜３０ｎｍのＤＬＣ膜と潤滑剤層とする構成が好ましい。また、磁性層と保護膜との間に、Ｓｉ等の密着強化層を設けるようにしてもよい。潤滑剤はスレーブディスクとの接触過程で生じるずれを補正する際の、摩擦による傷の発生などの耐久性の劣化を改善する効果を有する。
【００２３】
−モールドの反り量−
前記モールドの反り量は、例えば２．５インチのディスクサイズにおいて、±５０μｍ以下であることが好ましく、±３０μｍ以下がより好ましく、±２０μｍ以下が更に好ましい。前記反り量が±５０μｍ未満であると、レジスト層に凹凸パターンを形成する際、密着力が高くなるため、レジスト層からモールドを剥離することが困難になり、モールド表面にレジスト残渣が多く発生してしまうことがある。なお、前記モールドの反り量は、２．５インチサイズ以外のディスクにも適用することができ、例えば０．８５インチ、１インチ、１．８インチサイズのディスクにおいても同様に適用することができる。前記反り量の「＋」と「−」とは、反る方向が互いに逆であることを意味する。
前記モールドの反り量は、例えば、モールドをスピンドルモータに固定し、１０ｒｐｍで回転させた。モールドの面に対して垂直になるようにレーザー変位計（ＫＥＹＥＮＣＥ社製、ＬＣ−２４３０）を設置し、その半径位置における１周の垂直方向の変位量を測定した後、ステッピングモータで１ｍｍごとに半径方向に送りながら全面（半径位置＝１２．５〜３２．５ｍｍ）を測定する。そして、半径ごとにデータの平均値を算出し、半径と平均値をプロットしたときの最大値と最小値の差を反り量と定義する。
前記反り量は、モールドの１周の間、即ち１トラックにおける歪みはなくても、モールドの内周部位と外周部位とで高さが異なる変形であり、例えば球面状の変形がある。従って、反り量の測定は、上述した歪み量の測定において、同心円状の各トラックに対してレーザー変位計で測定された変位値の平均をとったとき、最も変位値の高いトラックと最も変位値の低いトラックとの差として算出する。
【００２４】
ここで、本発明のモールドの具体例について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明のモールドの一例を示す部分斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。なお、図１及び図２において電鋳層以外の層の記載は省略している。
図１及び図２で示されるように、電鋳層１１が、第１電鋳層１１Ａと第２電鋳層１１Ｂとの２層構造からなり、第１電鋳層１１Ａと第２電鋳層１１Ｂとが、Ｎｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有している。
前記第１電鋳層１１Ａの厚みは２０〜１００μｍ、前記第２電鋳層１１Ｂの厚みは４０〜２５０μｍが好ましく、２層からなる電鋳層１１の合計厚みは、１００〜３５０μｍが好ましい。なお、前記第１電鋳層１１Ａの厚みは図２中Ｈで表される。
また、モールド１０の表面には、データ記録用トラック及びサーボ情報の少なくともいずれかに対応した微細な凹凸パターンＰを有する。この微細な凹凸パターンＰは、平面視で長方形であり、トラック方向（図の矢印方向）の長さｑと、半径方向の長さＬとからなる。この長さｑと長さＬとの最適値は、記録密度や記録信号波形により異なるが、例えば長さｑを８０ｎｍ、長さＬを２００ｎｍにできる。この微細な凹凸パターンＰはサーボ信号の場合は、半径方向に長く形成される。この場合、例えば半径方向の長さＬが０．０５〜２０μｍ、トラック方向（円周方向）の長さｑが０．０１〜５μｍであることが好ましい。この範囲で半径方向の方が長い凹凸パターンＰを選ぶことがサーボ信号を担持するパターンとして好ましい。凹凸パターンＰの高さｔ（突起の高さ）は、３０〜８００ｎｍの範囲が好ましく、５０〜３００ｎｍの範囲がより好ましい。
【００２５】
図３に示すモールドは、電鋳層１１が、第１電鋳層１１Ａと第２電鋳層１１Ｂと第３電鋳層１１Ｃとの３層構造からなり、第１電鋳層１１Ａと第２電鋳層１１Ｂと第３電鋳層１１Ｃとが、Ｎｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有している。なお、第１電鋳層１１Ａと第２電鋳層１１ＢとがＮｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有していれば、第３電鋳層１１Ｃは異なる結晶方位であっても構わない。
前記第１電鋳層１１Ａの厚みは２０〜１４０μｍ、前記第２電鋳層１１Ｂの厚みは４０〜１４０μｍ、前記第３電鋳層１１Ｃの厚みは１０〜７０μｍが好ましく、３層からなる電鋳層１１の合計厚みは、１００〜３５０μｍが好ましい。
【００２６】
図４に示すモールドは、電鋳層１１が、第１電鋳層１１Ａと第２電鋳層１１Ｂと第３電鋳層１１Ｃと第４電鋳層１１Ｄの４層構造からなり、第１電鋳層１１Ａと第２電鋳層１１Ｂと第３電鋳層１１Ｃと第４電鋳層１１Ｄが、Ｎｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有している。なお、第１電鋳層１１Ａと第２電鋳層１１ＢとがＮｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有していれば、第３電鋳層１１Ｃ及び第４電鋳層１１Ｄは異なる結晶方位であっても構わない。
前記第１電鋳層１１Ａの厚みは２０〜９０μｍ、前記第２電鋳層１１Ｂの厚みは２０〜９０μｍ、前記第３電鋳層１１Ｃの厚みは２０〜９０μｍ、前記第４電鋳層１１Ｄの厚みは４０〜１００μｍ好ましく、４層からなる電鋳層の合計厚みは、１００〜３５０μｍが好ましい。
【００２７】
（モールドの製造方法）
本発明のモールドの製造方法は、電鋳工程と、剥離工程とを含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
前記電鋳工程は、表面に凹凸パターンを形成した原版上に少なくとも隣接する２層が同じ結晶方位を有する２層以上の電鋳層からなる金属盤を電鋳により形成し、該金属盤面に前記凹凸パターンを転写する工程である。前記電鋳処理の詳細については後述する。
前記剥離工程は、前記金属盤を前記原版上から剥離してモールドとする工程である。
前記剥離としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、導電層と電鋳層と原版との積層体に対してウェットエッチング処理を実行して原版を除去することで、金属盤を剥離する方法などが挙げられる。
【００２８】
ここで、図５Ａ〜図５Ｅは、本発明のモールドの製造方法を示す工程図である。
まず、図５Ａに示すように、表面が平滑かつ清浄なシリコンウエハによる基板１５（ガラス板、石英板でもよい）の上に、密着層形成等の前処理を行い、電子線レジスト液をスピンコート等で塗布してレジスト膜１６を形成し、ベーキングする。前記レジスト膜の材料としては、ポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料のいずれであってもよい。
次に、図５Ｂに示すように、高精度な回転ステージ又はＸ−Ｙステージを備えた電子ビーム露光装置（不図示）にて、そのステージに搭載した基板１５にサーボ信号等に対応して変調した電子ビームを照射し、レジスト膜１６に所望の凹凸パターンＰ'を描画露光する。
【００２９】
次に、図５Ｃに示すように、レジスト膜１６を現像処理し、露光部分を除去して残ったレジスト膜１６によって所望の凹凸パターンＰ'を形成する。この凹凸パターンＰ'上に例えばスタッパリングにより導電層（不図示）を付与し、電鋳可能な原版１７を作製する。
【００３０】
次に、この原版を図５Ｃに示すように、原版１７の全面に電鋳装置（不図示）で電鋳処理を施し、Ｎｉ金属による所望厚み及び結晶方位を有する金属盤１８（Ｎｉ電鋳層）を積層する。
【００３１】
本発明においては、前記電鋳処理において、電流密度と電流プロファイルを制御することにより、少なくとも隣接する２層が同じ結晶方位を有する電鋳層を形成する。即ち、導電層が付与された原版１７を、Ｎｉ電鋳浴に浸漬させて５０〜１５０ｒｐｍの回転速度で回転させながら図６に示すようにＮｉ電鋳浴中に通電する電流の電流密度を変えることにより、少なくとも隣接する２層がＮｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有する電鋳層を形成する。
【００３２】
ここで、図６は、電鋳時間に対する電流密度（Ａ／ｄｍ２）の変化を示したものである。凹凸パターン表面側（凹凸パターンＰが転写される原版１７に接触する面側）を構成する第１電鋳層１１Ａの形成は、Ｎｉ（１１０）を優先配向とする結晶方位を有すると共に、微細な凹凸パターン形状をその形状に倣って被覆可能な電流密度で電鋳する。このため、ＥＢＳＤでＮｉ（１１０）が優先配向となるように電流密度を図６のＸ（Ａ／ｄｍ２）に設定する。この電流密度Ｘは、Ｎｉ電鋳浴や電鋳条件により多少異なるものの、１〜７Ａ／ｄｍ２の範囲内で設定することが好ましい。設定した電流密度Ｘまでの到達速度は毎分０．３Ａ／ｄｍ２である。そして、設定した電流密度Ｘまで到達したら（ｔ１）、Ｎｉ（１１０）が優先配向となる結晶方位の第１電鋳層１１Ａが所定の厚み（例えば５０μｍ）になるように所定時間（ｔ１〜ｔ２）保持する。これにより、第１電鋳層１１Ａが形成される。
【００３３】
次に、第１電鋳層１１Ａを形成した電流密度Ｘ（Ａ／ｄｍ２）を０．１（Ａ／ｄｍ２）まで急速に低下させる。その後、設定した電流密度Ｘまで上げ、該電流密度Ｘまで到達したら（ｔ３）、Ｎｉ（１１０）が優先配向となる結晶方位の第２電鋳層１１Ｂを所定の厚み（例えば５０μｍ）になるように所定時間（ｔ３〜ｔ４）保持する。これにより、第２電鋳層１１Ｂが形成される。
【００３４】
このように、金属盤１８を構成する電鋳層の層構成を少なくとも隣接する２層が同じ結晶方位を有する第１電鋳層１１Ａと第２電鋳層１１Ｂとから形成することにより、層厚方向に応力分布を持たせることができるため、反り形状の制御が可能となる。また積層化することで結晶粒の粗大化を抑制できることから、単層に比べて打ち抜き時のせん断抵抗が高くなり、反りや歪みに対する電鋳層全体の耐性を制御することができる。
なお、電鋳層が３層以上からなる場合にも、上記同様に電鋳処理において、電流密度と電流プロファイルを制御することにより形成することができる。
【００３５】
また、通常、モールドに使用される金属はニッケル（Ｎｉ）であるが、モールドを電鋳で製造する場合には、応力の小さなモールドが得られ易いスルファミン酸ニッケル浴を使用することが好ましい。このようなスルファミン酸ニッケル浴は、例えば、スルファミン酸ニッケルを４００〜８００ｇ／Ｌ、ホウ酸を２０〜５０ｇ／Ｌ（過飽和）をベースとして界面活性剤（例えばラウリル硫酸ナトリウム）等の添加物を必要に応じて添加したものである。メッキ浴の浴温度は４０〜６０℃が好適である。電鋳時の対極にはチタンケースに入れたニッケルボールを使用することが好ましい。
【００３６】
次に、この金属盤１８を原版１７から剥離し、残留するレジスト膜１６を除去し、洗浄する。これにより、図５Ｄに示すように、反転した凹凸パターンＰを有し、かつ所定サイズに打ち抜く前の外径Ｄを有するモールドの原盤１１'が得られる。この原盤１１'を打ち抜いて、必要に応じて裏面を研磨して表面粗さ（Ｒａ）を１μｍ以下とし、図５Ｅに示す外径ｄの所定サイズのモールド１０が得られる。
【００３７】
前記その他の工程としては、例えば保護層形成工程などが含まれる。前記モールドとして磁気転写用マスターディスクを製造する場合には、作製したモールド表面に磁性層を形成する磁性層形成工程が含まれる。なお、磁気転写用マスターディスクでは、端面処理を実施し、裏面研磨は行わなくてもよい。
【００３８】
なお、前記モールドの他の製造方法としては、原版１７に電鋳を施して第２原版を作製する。そして、この第２原版を使用して電鋳を行い、反転した凹凸パターンを有する金属盤を作製し、所定サイズに打ち抜いてモールドとしてもよい。更に、第２原版に電鋳を行うか、樹脂液を押しつけて硬化を行って第３原版を作製し、この第３原版に電鋳を行って金属盤を作製し、更に反転した凹凸パターンを有する金属盤を剥離してモールドとしてもよい。第２原版又は第３原版を繰り返し使用し、複数の金属盤１８を作製することができる。また、原版の作製において、レジスト膜を露光し、現像処理した後、エッチング処理を行って、原版の表面にエッチングによる凹凸パターンを形成してからレジスト膜を除去してもよい。
【００３９】
（磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法）
−インプリント法−
前記モールドをディスクリートトラック媒体用スタンパーとして用いた磁気記録媒体の製造方法（インプリント法）について説明する。
【００４０】
図７Ａ〜図７Ｅは、インプリント法による磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面模式図である。
まず、図７Ａに示すように、スピンコート法等により、表面に磁性層７２を具備した磁気記録媒体基板７１上にレジスト層７３を形成した後、このレジスト層７３に本発明のモールド（スタンパー）５０を押し付けて凹凸形状を転写する。この際、レジスト層を形成している樹脂のガラス転移温度よりも高温に加熱処理することにより、レジスト層が軟化して容易に変形可能な状態となる。
前記磁気記録媒体基板７１は、基板上に、磁性層７２を少なくとも有してなり、更に必要に応じて適宜選択したその他の層を有してなる。前記磁性層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮｉ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＰ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＮｉＰｔなどが好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記レジスト層の材料としては、ポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料のいずれであってもよい。
【００４１】
すると、図７Ｂに示すように、レジスト層７３表面に本発明のモールド（スタンパー）５０の凹凸形状が転写される。このとき、レジスト層７３凹部底にはレジスト残渣が生じている。
次に、図７Ｃに示すように、反応性イオンエッチングを用いて、レジスト凹部底のレジスト残渣を除去し、磁性層７２を露出させる。
次に、図７Ｄに示すように、Ａｒ等のイオンミリングを用いて、レジスト層７３の凹凸形状をマスクとし、磁性層露出部を凹部について基板垂直方向に切削する。
次に、図７Ｅに示すように、磁性層７２凸部上のレジスト層７３を除去することにより、凹凸パターンを有するディスクリート型の磁気記録媒体７０を得る。前記磁性層の凹部をＳｉＯ２、カーボン、アルミナ；ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー；円滑油等の非磁性材料で埋めてもよい。
次に、表面を平坦化する。平坦化した表面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等で保護膜を形成し、最後に潤滑剤を塗布する。これにより、磁気記録媒体が作製される。
【００４２】
前記インプリント法において、本発明の前記モールド（スタンパー）を用いることにより、正確な凹凸パターン（データ記録トラック）を高精度に形成することができる。
【００４３】
−磁気転写法−
前記モールドを磁気転写用マスターディスクとして用い、該マスターディスクの凹凸パターンをスレーブディスクに転写する磁気転写法について説明する。
【００４４】
図８は、本発明のモールド（マスターディスク）１０を使用して磁気転写を行うための磁気転写装置２０の要部斜視図である。
磁気転写時には図１０Ａに示される後記する初期直流磁化を行った後のスレーブディスク１４のスレーブ面（磁気記録面）を、マスターディスク１０の情報担持面に接触させ、所定の押圧力で密着させる。そして、このスレーブディスク１４とマスターディスク１０との密着状態で、磁界生成手段３０により転写用磁界を印加して、マスターディスク１０の凹凸パターンＰをスレーブディスク１４に転写する。
【００４５】
スレーブディスク１４は、両面又は片面に磁気記録層が形成されたハードディスク、フレキシブルディスク等の円盤状記録媒体であり、マスターディスク１０に密着させる以前に、グライドヘッド、研磨体などにより表面の微小突起及び付着塵埃を除去するクリーニング処理（バーニッシィング等）が必要に応じて施される。
【００４６】
スレーブディスク１４の磁気記録層には、塗布型磁気記録層、メッキ型磁気記録層、又は金属薄膜型磁気記録層を採用できる。金属薄膜型磁気記録層の磁性材料としては、例えばＣｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＮｂＴａ、ＣｏＣｒＢ、ＣｏＮｉ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、ＦｅＣｏＮｉ等）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ等）、を用いることができる。これらは磁束密度が大きいこと、磁界印加方向と同じ方向（面内記録なら面内方向）の磁界異方性を有していることにより、明瞭な転写を行えるので好ましい。そして、磁性材料の下（支持体側）に必要な磁気異方性を付与するため、非磁性の下地層を設けることが好ましい。この下地層は、結晶構造と格子定数を磁性層１２に合わすことが必要である。そのため、前記下地層の材料としては、例えばＣｒ、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ、Ｒｕなどを用いることが好ましい。
【００４７】
マスターディスク１０による磁気転写は、スレーブディスク１４の片面にマスターディスク１０を密着させて片面に転写を行う場合と、図示を省略しているが、スレーブディスク１４の両面に一対のマスターディスク１０を密着させて両面で同時転写を行う場合とがある。転写用磁界を印加する磁界生成手段３０は、密着保持されたスレーブディスク１４とマスターディスク１０の半径方向に延びるギャップ３１を有するコア３２にコイル３３が巻き付けられた電磁石装置３４、３４が上下両側に配設されており、上下で同じ方向にトラック方向と平行な磁力線Ｇ（図９参照）を有する転写用磁界を印加する。図９は、円周トラック４０Ａ、４０Ａ・・・と磁力線Ｇとの関係を示したものである。
【００４８】
磁界印加時には、スレーブディスク１４とマスターディスク１０とを一体的に回転させつつ磁界生成手段３０によって転写用磁界を印加させ、マスターディスク１０の凹凸パターンをスレーブディスク１４のスレーブ面に磁気的に転写する。なお、この構成以外に磁界生成手段の方を回転移動させるようにしてもよい。
【００４９】
転写用磁界は、最適転写磁界強度範囲（スレーブディスク１４の保磁力Ｈｃの０．６〜１．３倍）の最大値を超える磁界強度がトラック方向のいずれにも存在せず、最適転写磁界強度範囲内の磁界強度となる部分が１つのトラック方向で少なくとも１カ所以上存在し、これと逆向きのトラック方向の磁界強度が何れのトラック方向位置においても最適転写磁界強度範囲内の最小値未満である磁界強度分布の磁界をトラック方向の一部分で発生させている。
【００５０】
ここで、図１０Ａ〜図１０Ｂは、本発明のモールド（マスターディスク）を用いた面内記録による磁気転写方法の基本工程を説明する説明図である。
まず、図１０Ａに示すように、予めスレーブディスク１４に初期磁界Ｈｉをトラック方向の一方向に印加して初期磁化（直流消磁）を施しておく。次に、図１０Ｂの上図に示すように、このスレーブディスク１４の記録面（磁気記録部）とマスターディスク１０の凹凸パターンＰが形成された情報担持面とを密着させ、スレーブディスク１４のトラック方向に初期磁界Ｈｉとは逆方向に転写用磁界Ｈｄを印加して磁気転写を行う。転写用磁界Ｈｄが凹凸パターンＰの凸部の磁性層１２に吸い込まれてこの部分の磁化は反転せず、その他の部分の磁界が反転する結果、図１０Ｂの下図に示すように、スレーブディスク１４の磁気記録面にはマスターディスク１０の凹凸パターンＰが磁気的に転写記録される。垂直記録媒体に対しては、ディスクの垂直方向に初期化磁界Ｈｉを印加し、初期化方向とは逆方向に転写磁界Ｈａを印加して磁気転写を行う。
磁気転写されたスレーブディスクは、磁気記録装置（ハードディスクドライブ）に組み込んで好適に使用できる。
【００５１】
前記磁気転写法においては、本発明のモールド（マスターディスク）１０を使用することにより、スレーブディスク１４とマスターディスク１０とを良好に密着させることができ、高精度な磁気転写を行うことができる。
【実施例】
【００５２】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００５３】
（実施例１）
−モールドの作製−
図５Ａに示すように、表面が平滑かつ清浄なシリコンウエハによる原板１５（ガラス板）上に、電子線レジスト液をスピンコート等で塗布してレジスト膜１６を形成し、ベーキングした。そして、高精度な回転ステージ又はＸ−Ｙステージを備えた電子ビーム露光装置（不図示）にて、そのステージに搭載した原板１５にサーボ信号等に対応して変調した電子ビームＢを照射し、レジスト膜１６に所望の凹凸パターンＰ'を描画露光した。
【００５４】
次に、図５Ｂに示すように、レジスト膜１６を現像処理し、露光部分を除去して残ったレジスト膜１６によって所望の凹凸パターンＰ'を形成した。この凹凸パターンＰ'上にスタッパリングにより導電層（不図示）を付与し、電鋳可能な原版１７を作製した。
【００５５】
次に、図５Ｃに示すように、導電層が付与された原版１７を、下記組成のＮｉ電鋳浴に浸漬させて５０〜１５０ｒｐｍの回転速度で回転させながら図６に示すようにＮｉ電鋳浴中に通電する電流の電流密度を変えることにより、電鋳処理を行った。即ち、図６に示す電流プロファイルにより電流密度６Ａ／ｄｍ２で７５分間電鋳した後、電流密度を０．１Ａ／ｄｍ２まで急速に下げ、その後、電流密度６Ａ／ｄｍ２まで電流密度を上げ、１７５分間電鋳した。これにより、Ｎｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有する第１電鋳層１１Ａ及び第２電鋳層１１Ｂからなる合計厚み３００μｍの金属盤を形成した。
−Ｎｉ電鋳浴組成及び温度−
・スルファミン酸ニッケル・・・６００ｇ／Ｌ
・ホウ酸・・・４０ｇ／Ｌ
・界面活性剤（ラウリル硫酸ナトリウム）・・・０．１５ｇ／Ｌ
・ｐＨ＝４．０
・温度＝５５℃
【００５６】
その後、この金属盤を原版１７から剥離し、残留するレジスト膜１６を除去し、洗浄した。これにより、図５Ｄに示すように、反転した凹凸パターンＰを有し、かつ所定サイズに打ち抜く前の外径Ｄを有する原盤１１’が得られる。この原盤１１’を打ち抜いて、裏面を研磨して表面粗さ（Ｒａ）１μｍ以下とし、図５Ｅに示す２．５インチサイズ（ディスク外径６５ｍｍ、内径２４ｍｍ）のモールド１０を作製した。
【００５７】
得られたモールド１０について、以下のようにして、モールド断面の結晶方位、反り量（平坦度）、及び反り量のバラツキを測定した。結果を表１に示す。
【００５８】
＜結晶方位の測定＞
モールド断面の結晶方位は、ＥＢＳＤ（electron  backscattered  diffraction）法により測定した。即ち、ＥＢＳＤ測定装置（日本電子株式会社製、ＪＳＭ−６５００Ｆ、ＴＳＬ  ＯＩＭ方位解析装置）を用いて、ＥＢＳＤ  ＩＰＦ（inverse  pole  figure）像によるモールド断面の結晶方位を測定した。その結果、凹凸パターン側から２層の電鋳層がＮｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有することが認められた。
【００５９】
＜反り量の測定＞
反り量の測定は、モールドをスピンドルモータに固定し、１０ｒｐｍで回転させた。モールドの面に対して垂直になるようにレーザー変位計（ＫＥＹＥＮＣＥ社製、ＬＣ−２４３０）を設置し、その半径位置における１周の垂直方向の変位量を測定した後、ステッピングモータで１ｍｍごとに半径方向に送りながら全面（半径位置＝１２．５〜３２．５ｍｍ）を測定した。そして、半径ごとにデータの平均値を算出し、半径と平均値をプロットしたときの最大値と最小値の差を反り量と定義した。
前記反り量は、モールド１０の１周の間、即ち１トラックにおける歪みはなくても、モールドの内周部位と外周部位とで高さが異なる変形であり、例えば球面状の変形がある。従って、反り量の測定は、上述した歪み量の測定において、同心円状の各トラックに対してレーザー変位計で測定された変位値の平均をとったとき、最も変位値の高いトラックと最も変位値の低いトラックとの差として算出した。
〔評価基準〕
◎：極めて良好
○：良好
△：やや劣る
×：劣る
【００６０】
＜反り量のバラツキの測定＞
実施例１のモールドを５個作製し、これら５個のモールドについて上記反り量の測定方法により反り量を測定し、平均値を算出し、反り量のバラツキ（σ）を下記数式から算出した。
【数１】
2008137280.tif 000003
〔評価基準〕
◎：極めて良好
○：良好
△：やや劣る
×：劣る
【００６１】
（実施例２）
−モールドの作製−
実施例１において、電鋳処理の条件を電流密度６Ａ／ｄｍ２で７０分間を３サイクルに変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例２のモールドを作製した。
得られたモールドについて、実施例１と同様にして、モールド断面の結晶方位、反り量（平坦度）、及び反り量のバラツキを測定した。結果を表１に示す。
実施例２のモールド断面の結晶方位を測定したＥＢＳＤ  ＩＰＦ像の結果から、凹凸パターン側から３層の電鋳層がＮｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有することが認められた。
【００６２】
（実施例３）
−モールドの作製−
実施例１において、電鋳処理の条件を電流密度６Ａ／ｄｍ２で９５分間を２サイクル後、電流密度を１５Ａ／ｄｍ２まで上げて１０分間保持に変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例３のモールドを作製した。
得られたモールドについて、実施例１と同様にして、モールド断面の結晶方位、反り量（平坦度）、及び反り量のバラツキを測定した。結果を表１に示す。
実施例３のモールド断面の結晶方位を測定したＥＢＳＤ  ＩＰＦ像の結果から、凹凸パターン側から２層の電鋳層がＮｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有し、凹凸パターン側から３層目の電鋳層はＮｉ（１００）を優先配向とする結晶方位を有することが認められた。
【００６３】
（実施例４）
−モールドの作製−
実施例１において、電鋳処理の条件を電流密度６Ａ／ｄｍ２で４７分間を３サイクル行い、４サイクル目は電流密度６Ａ／ｄｍ２で６３分間保持に変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例４のモールドを作製した。
得られた実施例４のモールドについて、実施例１と同様にして、モールド断面の結晶方位、反り量（平坦度）、及び反り量のバラツキを測定した。結果を表１に示す。
実施例４のモールド断面の結晶方位を測定したＥＢＳＤ  ＩＰＦ像を図１１に示す。図１１中、左図、中央図、右図は、それぞれＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に対応し、Ｚ軸方向を示す右図から、Ｎｉの結晶方位の配向状態が観察できる。図１１中上側が凹凸パターン側であり、赤色はＮｉ（１００）、青色はＮｉ（１１１）、緑色はＮｉ（１１０）の結晶方位をそれぞれ表す。図１１の結果から、実施例４のモールドは、凹凸パターン側から４層の電鋳層が緑色のＮｉ（１１０）を優先配向とする同じ結晶方位を有することが認められた。
【００６４】
（比較例１）
−モールドの作製−
実施例１において、電鋳処理の条件を電流密度６Ａ／ｄｍ２で２３０分間保持に変えた以外は、実施例１と同様にして、比較例１のモールドを作製した。
得られた比較例１のモールドについて、実施例１と同様にして、モールド断面の結晶方位、反り量（平坦度）、及び反り量のバラツキを測定した。結果を表２に示す。
比較例１のモールド断面の結晶方位を測定したＥＢＳＤ  ＩＰＦ像を図１２に示す。図１２の結果から、比較例１のモールドは、単層構造の電鋳層が緑色のＮｉ（１１０）を優先配向とする結晶方位を有することが認められた。
【００６５】
（比較例２）
−モールドの作製−
実施例１において、電鋳処理の条件を電流密度６Ａ／ｄｍ２で３０分間保持した後、５分間で電流密度を２０Ａ／ｄｍ２まで上げて５８分間保持に変えた以外は、実施例１と同様にして、比較例２のモールドを作製した。
得られた比較例２のモールドについて、実施例１と同様にして、モールド断面の結晶方位、反り量（平坦度）、及び反り量のバラツキを測定した。結果を表２に示す。
比較例２のモールド断面の結晶方位を測定したＥＢＳＤ  ＩＰＦ像を図１３に示す。図１３の結果から比較例２のモールドは、凹凸パターン側から１層目の電鋳層が緑色のＮｉ（１１０）を優先配向とする結晶方位を有し、次の２層目の電鋳層が赤色のＮｉ（１００）を優先配向とする結晶方位を有することが認められた。
【００６６】
（比較例３）
−モールドの作製−
実施例１において、電鋳処理の条件を電流密度６Ａ／ｄｍ２で３０分間保持した後、５分間で電流密度を２０Ａ／ｄｍ２まで上げて５０分間保持した後、電流密度を６Ａ／ｄｍ２まで下げて１０分間保持した以外は、実施例１と同様にして、比較例３のモールドを作製した。
得られた比較例３のモールドについて、実施例１と同様にして、モールド断面の結晶方位、反り量（平坦度）、及び反り量のバラツキを測定した。結果を表２に示す。
比較例３のモールド断面の結晶方位を測定したＥＢＳＤ  ＩＰＦ像の結果から、凹凸パターン側から１層目の電鋳層がＮｉ（１１０）を優先配向とする結晶方位を有し、次の２層目の電鋳層がＮｉ（１００）を優先配向とする結晶方位を有し、次の３層目の電鋳層がＮｉ（１１０）を優先配向とする結晶方位を有することが認められた。
【００６７】
【表１】
2008137280.tif 000004
【００６８】
【表２】
2008137280.tif 000005
＊表１及び表２中、反り量の「＋」と「−」とは、反る方向が互いに逆であることを意味する。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明のモールドは、反り量が極めて小さく、平坦性に優れているので、ディスクリートトラック媒体用スタンパー、パターンド媒体用スタンパー、及び磁気転写用マスターディスクのいずれかに好適に用いられ、例えばディスクリートトラックメディア、パターンドメディア等の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体、凹凸パターンの連続した記録層を有するパームタイプの磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体、ハードディスク、各種半導体製品の製造に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】図１は、本発明のモールドの一例を示す部分斜視図である。
【図２】図２は、図１のＡ−Ａ線に沿ったモールドの概略断面図である。
【図３】図３は、本発明の別のモールドの概略断面図である。
【図４】図４は、本発明の更に別のモールドの概略断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明のモールドの製造方法における、基板上にレジスト膜を形成し、ベーキングを行う工程を示す図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明のモールドの製造方法における、露光工程を示す図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、本発明のモールドの製造方法における、凹凸パターン形成工程を示す図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、本発明のモールドの製造方法における、金属盤を原版から剥離する工程を示す図である。
【図５Ｅ】図５Ｅは、本発明のモールドの製造方法における、金属盤を打ち抜いて所定サイズのモールドを作製する工程を示す図である。
【図６】図６は、電鋳処理における時間と電流密度との関係を示すグラフである。
【図７Ａ】図７Ａは、磁気記録媒体の製造方法における、基板上にレジスト層を形成する工程を示す断面模式図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、磁気記録媒体の製造方法における、スタンパーによる転写工程を示す断面模式図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、磁気記録媒体の製造方法における、反応性イオンエッチング工程を示す断面模式図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、磁気記録媒体の製造方法における、磁性層の切削工程を示す断面模式図である。
【図７Ｅ】図７Ｅは、磁気記録媒体の製造方法における、磁性層上のレジスト層を除去して凹凸パターンを有する磁気記録媒体を作製する工程を示す断面模式図である。
【図８】図８は、本発明のモールドを使用して磁気転写を行うための磁気転写装置の要部斜視図である。
【図９】図９は、円周トラックと磁力線との関係を示した図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、本発明のモールドを用いた面内記録による磁気転写方法の工程を説明するための説明図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、本発明のモールドを用いた面内記録による磁気転写方法の基本工程を説明する説明図である。
【図１１】図１１は、実施例４のモールド断面におけるＥＢＳＤ  ＩＰＦ像である。
【図１２】図１２は、比較例１のモールド断面におけるＥＢＳＤ  ＩＰＦ像である。
【図１３】図１３は、比較例２のモールド断面におけるＥＢＳＤ  ＩＰＦ像である。
【符号の説明】
【００７１】
１０      モールド（マスターディスク、スタンパー）
１１      電鋳層
１１Ａ      第１電鋳層
１１Ｂ      第２電鋳層
１１Ｃ      第３電鋳層
１１Ｄ      第４電鋳層
１２      磁性層
１４      スレーブディスク
１５      基板
１６      レジスト層
１７      原版
１８      金属盤
２０      磁気転写装置
３０      磁界生成手段
３１      ギャップ
３２      コア
３３      コイル
３４      電磁石装置
４０Ａ      円周トラック
５０      スタンパー
７０      磁気記録媒体
７１      基板
７２      磁性層
７３      レジスト層
Ｐ      凹凸パターン
【図１】
2008137280.tif 000006
【図２】
2008137280.tif 000007
【図３】
2008137280.tif 000008
【図４】
2008137280.tif 000009
【図５Ａ】
2008137280.tif 000010
【図５Ｂ】
2008137280.tif 000011
【図５Ｃ】
2008137280.tif 000012
【図５Ｄ】
2008137280.tif 000013
【図７Ａ】
2008137280.tif 000014
【図７Ｂ】
2008137280.tif 000015
【図７Ｃ】
2008137280.tif 000016
【図７Ｄ】
2008137280.tif 000017
【図７Ｅ】
2008137280.tif 000018
【図８】
2008137280.tif 000019
【図９】
2008137280.tif 000020
【図１０Ｂ】
2008137280.tif 000021
【図５Ｅ】
2008137280.tif 000022
【図６】
2008137280.tif 000023
【図１０Ａ】
2008137280.tif 000024
【図１１】
2008137280.tif 000025
【図１２】
2008137280.tif 000026
【図１３】
2008137280.tif 000027