(57)【要約】【課題】基板の両面に傷等の不良を発生させることなくその基板の両面に傷等の不良のない導電パターンを形成できる基板の製造方法を提供する。【解決手段】基板の第２主面を覆う第１保護膜を形成する工程Ｐ１と、工程Ｐ１の後に基板の第１主面にａ−ＩＴＯ膜を形成する工程Ｐ５と、ａ−ＩＴＯ膜上に第１レジスト膜を形成しこの第１レジスト膜を用いてａ−ＩＴＯ膜をパターニングする工程Ｐ６と、第１レジスト膜を除去する工程Ｐ７と、第１主面上であってａ−ＩＴＯ膜のパターンを覆う形状に第２保護膜を形成する工程Ｐ１０と、工程Ｐ１０の後に第２主面上の第１保護膜を除去する工程Ｐ１１と、工程Ｐ１１の後に第２主面にａ−ＩＴＯ膜を形成する工程Ｐ１３と、ａ−ＩＴＯ膜上に第２レジスト膜を形成しこの第２レジスト膜を用いてａ−ＩＴＯ膜をパターニングする工程Ｐ１４と、第２レジスト膜を除去する工程Ｐ１５とを有する基板の製造方法である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１主面及び第２主面に導電パターンを有する基板の製造方法であって、
前記第２主面を覆う第１保護膜を形成する第１保護膜形成工程と、
前記第１保護膜形成工程の後に前記第１主面に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、
前記第１導電膜上に第１レジスト膜を形成し該第１レジスト膜を用いて前記第１導電膜をパターニングして第１導電パターンを形成する第１パターニング工程と、
前記第１レジスト膜を除去する第１レジスト膜除去工程と、
前記第１主面上であって前記第１導電パターンを覆う形状に第２保護膜を形成する第２保護膜形成工程と、
前記第２保護膜形成工程の後に前記第２主面上の前記第１保護膜を除去する第１保護膜除去工程と、
前記第１保護膜除去工程の後に前記第２主面に第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、
前記第２導電膜上に第２レジスト膜を形成し該第２レジスト膜を用いて前記第２導電膜をパターニングして第２導電パターンを形成する第２パターニング工程と、
前記第２パターニング工程の後に前記第２レジスト膜を除去する第２レジスト膜除去工程と
を有することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の基板の製造方法において、前記第２レジスト膜除去工程では、前記第２レジスト膜と同時に前記第２保護膜を除去することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の基板の製造方法において、前記第２パターニング工程の後であって前記第２レジスト膜除去工程の前に、前記基板を分割する分割工程をさらに有し、該分割工程は、前記基板をスクライブする工程とスクライブした部分で前記基板を分割する工程とを有し、前記第２保護膜形成工程では、前記分割工程において前記基板をスクライブする部分に形成した前記第２保護膜を除去することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２記載の基板の製造方法において、前記第２レジスト膜除去工程の後に前記基板を分割する分割工程をさらに有することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の基板の製造方法において、前記第１導電パターンに導電接続される金属パターンを形成する金属パターン形成工程を前記第１導電膜形成工程の前に有することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の基板の製造方法において、前記第１保護膜形成工程では前記第２主面を覆う形状にポリＩＴＯを用いて第１保護膜を形成し、前記第１保護膜除去工程では前記ポリＩＴＯから成る第１保護膜を除去することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の基板の製造方法において、前記第１保護膜形成工程では前記第２主面を覆う形状に金属を用いて第１保護膜を形成し、前記第１保護膜除去工程では前記金属から成る第１保護膜を除去することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の基板の製造方法において、前記第１保護膜形成工程では、前記金属パターン形成工程において形成する前記金属パターンとは異なる金属材料を用いて前記第１保護膜を形成することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１つに記載の基板の製造方法において、前記基板は透光性を有し、前記第１導電膜形成工程及び前記第２導電膜形成工程では透光性を有する導電材料を用いて前記第１導電膜及び前記第２導電膜を形成することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか１つに記載の基板の製造方法において、前記第１レジスト膜除去工程の後に前記第１導電パターンを焼成する工程をさらに有し、前記第１導電膜形成工程では前記第１導電膜をアモルファスＩＴＯを用いて形成し、前記第１導電膜をパターニングして形成した第１導電パターンを前記第１導電パターンを焼成する工程においてポリ化することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか１つに記載の基板の製造方法において、前記第２レジスト膜除去工程の後に前記基板を焼成する工程をさらに有し、前記第２導電膜形成工程では前記第２導電膜をアモルファスＩＴＯを用いて形成し、前記第２導電膜をパターニングして形成した第２導電パターンを前記基板を焼成する工程においてポリ化することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれか１つに記載の基板の製造方法において、前記第２保護膜形成工程の前であって前記第１導電パターンを焼成する工程の後には、前記第１導電パターン及び前記金属パターンを覆う樹脂膜を形成する樹脂膜形成工程を有することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の基板の製造方法において、前記樹脂膜形成工程は、前記第１導電パターン及び前記金属パターンを覆う形状に前記樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜をパターニングする工程と、前記樹脂膜を焼成する工程とを有し、前記第１導電パターンを焼成する工程は前記樹脂膜を焼成する工程と同時に行われることを特徴とする基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１つの基板の両面に導電膜等のパターンを有する基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において、例えば、当該電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として、液晶装置やＥＬ（Electro luminessence）装置等といった電気光学装置が広く用いられている。また、これらの電気光学装置にはタッチパネル等といった入力装置が設けられることがある。これらの電気光学装置や入力装置は、一般に、透明導電膜や金属膜等といった種々の要素が形成された基板を用いて構成されている。
【０００３】
基板上に導電膜等の要素を形成する作業、いわゆるパターン形成作業の際には、一般に、スパッタ、露光、現像、エッチング等といった作業が行われる。これらの作業を行う際には、各作業を行う装置に予め備えられたテーブルやマガジンに基板を固定した状態でそれらの作業が行われることがある。
【０００４】
上記のような基板を製造する方法として、従来から、基板の一方の面に種々の要素をパターン形成するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この製造方法は、２つの基板を平面的に重ねて構成された液晶装置の製造方法であって、２つの基板のうちの一方の基板に導電膜等のパターンを形成している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２６８０４２号公報（第６頁、図１２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、基板に形成される導電膜等のパターンは、基板の表裏両面に設けられる場合がある。この場合には、基板の一方の面にパターン形成を行い、その後、その基板の他方の面にパターン形成を行うことが考えられる。しかしながら、特許文献１に開示された基板の製造方法は、専ら基板の一方の面のみにパターンを形成するものであり、パターン形成を行う際、そのパターンを形成する面の反対側の面を保護することに関してなんらの考慮もされていない。そのため、特許文献１に開示された方法を用いて基板の表裏両面にパターンを形成しようとすると、基板の一方の面にパターン形成を行う際に反対側の面が不良となるおそれがある。例えば、基板を搬送する工程のとき等に、基板の他方の面に傷やシミがついたり異物が付着することがある。傷、シミ、異物がある基板面にパターンを形成すると、形成されたそのパターンに不良が発生するおそれがある。
【０００７】
また、基板上にパターンを形成する際には、その基板に対してスパッタ等の作業を行うことがある。スパッタ装置は一般に基板を載置するためのテーブルを有しており、基板はこのテーブルに接触した状態で作業を受ける。基板の一方の面にパターンを形成した後、基板の他方の面にパターン形成を行う際には、既にパターンが形成されている基板面がスパッタ装置のテーブルに直接に接触して、既に一方の面に形成されたパターンに傷がつく等の不良が発生するおそれがある。それらのパターン不良が発生すると、基板を製造する工程における歩留まりが低下するおそれがある。
【０００８】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、基板の両面に傷等の不良を発生させることなくその基板の両面に傷等の不良のない導電パターンを形成できる基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る基板の製造方法は、基板の第１主面及び第２主面に導電パターンを有する基板の製造方法であって、前記第２主面を覆う第１保護膜を形成する第１保護膜形成工程と、前記第１保護膜形成工程の後に前記第１主面に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、前記第１導電膜上に第１レジスト膜を形成し該第１レジスト膜を用いて前記第１導電膜をパターニングして第１導電パターンを形成する第１パターニング工程と、前記第１レジスト膜を除去する第１レジスト膜除去工程と、前記第１主面上であって前記第１導電パターンを覆う形状に第２保護膜を形成する第２保護膜形成工程と、前記第２保護膜形成工程の後に前記第２主面上の前記第１保護膜を除去する第１保護膜除去工程と、前記第１保護膜除去工程の後に前記第２主面に第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と、前記第２導電膜上に第２レジスト膜を形成し該第２レジスト膜を用いて前記第２導電膜をパターニングして第２導電パターンを形成する第２パターニング工程と、前記第２パターニング工程の後に前記第２レジスト膜を除去する第２レジスト膜除去工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
この基板の製造方法では、基板の第１主面に第１導電膜を形成する前に、第１保護膜形成工程において基板の第２主面を覆う第１保護膜を形成する。これにより、基板の第２主面は第１保護膜によって保護されるので、第１主面に第１導電パターン等を形成する際に、基板の第２主面がスパッタ装置等といった製造装置において基板を載置する部分（例えば、テーブルやマガジン等）に直接に触れることがなくなる。その結果、基板の第２主面の表面に傷がついたり異物が付着することを防止できる。
【００１１】
また、第１パターニング工程において用いた第１レジスト膜を第１レジスト膜除去工程で除去した後に、第２保護膜形成工程において第１導電パターンを覆う形状に第２保護膜を形成する。これにより、基板の第１主面及び該第１主面上に形成された第１導電パターンは第２保護膜によって保護されるので、基板の第２主面に第２導電パターンを形成する等の処理を行う際に、基板の第１主面及び第１導電パターンがスパッタ装置等といった製造装置において基板を載置する部分に直接に触れることがなくなる。その結果、基板の第１主面の表面及びその上の第１導電パターンに傷がついたり異物が付着することを防止し、第１導電パターンに不良が発生することを防止できる。
【００１２】
なお、第１保護膜形成工程において第２主面に形成された第１保護膜は、第２保護膜形成工程の後の第１保護膜除去工程によって除去される。そしてその後、第１保護膜が無くなった第２主面上に第２導電パターンが形成される。従って、仮に、基板の第１主面に第１導電パターンを形成する等の処理を行う際に第２主面上の第１保護膜に傷やシミが付いたとしても、それらの傷やシミが原因となって第２主面に形成される第２導電パターン等に不良が生じることがなくなる。
【００１３】
次に、本発明に係る基板の製造方法において、前記第２レジスト膜除去工程では、前記第２レジスト膜と同時に前記第２保護膜を除去することが望ましい。こうすれば、製造工程を増やすことなく第２保護膜を除去できるので、製造コストを低く抑えることができる。
【００１４】
次に、本発明に係る基板の製造方法においては、前記第２パターニング工程の後であって前記第２レジスト膜除去工程の前に、前記基板を分割する分割工程をさらに有し、該分割工程は、前記基板をスクライブする工程とスクライブした部分で前記基板を分割する工程とを有し、前記第２保護膜形成工程では、前記分割工程において前記基板をスクライブする部分に形成した前記第２保護膜を除去することが望ましい。
【００１５】
導電パターン等を有する基板を製造する際には、一般に、複数個の基板をつくることができる大面積の基板上に複数個分の導電パターンを形成し、その後、個々の基板に分割することにより複数個の基板を同時に作る、いわゆる、多数個取りの手法が用いられる。この分割工程では、大面積の基板の表面であって、個々の基板に分割する線に沿って傷をつけるスクライブ工程が行われ、その後個々の基板に分割されるブレイク工程が行われる。
【００１６】
本発明態様によれば、基板をスクライブする工程においてスクライブされる部分に形成された第２保護膜を第２保護膜形成工程において予め除去することにしたので、スクライブ工程の際に第２保護膜が削られることがなくなる。これにより、第２保護膜が削られることによって塵が発生することを防止できる。
【００１７】
次に、本発明に係る基板の製造方法においては、前記第２レジスト膜除去工程の後に前記基板を分割する分割工程をさらに有することが望ましい。本発明態様も多数個取りの手法を用いて基板を製造する方法に関する。本発明態様においては、基板上の第２レジスト膜及び第２保護膜が既に除去された状態で分割工程を行うことになる。従って、分割工程においてスクライブの作業が行われる際に、第２保護膜が削られることによって塵が発生することがなくなる。
【００１８】
また、大面積の基板から分割された個々の基板の表面には、その後の搬送時や後処理時において基板を保護すること等を目的として、製品保護膜が貼り付けられることがある。この場合、分割された後に、複数の基板の個々に製品保護膜を貼り付けることは手間がかかる。本発明態様によれば、基板を分割する前に第２レジスト膜及び第２保護膜を除去するので、上記の製品保護膜を分割工程の前の基板に貼り付けることができる。その結果、複数個分の製品保護膜を大面積の基板に一度に貼り付けることができ、作業効率が向上する。
【００１９】
次に、本発明に係る基板の製造方法においては、前記第１導電パターンに導電接続される金属パターンを形成する金属パターン形成工程を前記第１導電膜形成工程の前に有することが望ましい。一般に、金属は低抵抗の導電材料である。その金属を用いて金属パターンを形成することにより、基板表面に低抵抗の電極や配線等を設けることができる。この金属パターンは、例えば、基板の面積が大きい場合等、導電パターンの抵抗値を下げる必要があるときに好適に用いることができる。
【００２０】
また、第１導電膜形成工程の前に金属パターンを形成することにより、金属パターンの上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）等といった導電膜を積層することができる。こうすれば、金属パターンを導電膜によって保護できるので金属パターンに電蝕が発生することを防止できる。
【００２１】
次に、本発明に係る基板の製造方法において、前記第１保護膜形成工程では前記第２主面を覆う形状にｐ（ポリ）−ＩＴＯを用いて第１保護膜を形成し、前記第１保護膜除去工程では前記ｐ−ＩＴＯから成る第１保護膜を除去することが望ましい。ｐ−ＩＴＯは、いわゆる結晶質ＩＴＯ又は多結晶ＩＴＯである。このｐ−ＩＴＯは、一般に、透明度が高く且つ抵抗値が低い導電材料である。また、このｐ−ＩＴＯは、例えばスパッタ処理によって基板上に容易に成膜でき、エッチング処理によって所望のパターンに容易にパターニングできる材料である。そのため、ｐ−ＩＴＯは、基板上に形成する導電パターンの材料として用いられることが多い。
【００２２】
本発明態様では、第１保護膜形成工程においてｐ−ＩＴＯを用いて第１保護膜を形成し、第１保護膜除去工程においてｐ−ＩＴＯから成る第１保護膜を除去することにした。その結果、第１保護膜は、基板表面に導電パターンを形成する場合と同じ製造装置及び同じ製造方法によって、容易に成膜及び除去をすることができる。
【００２３】
次に、本発明に係る基板の製造方法において、前記第１保護膜形成工程では前記第２主面を覆う形状に金属を用いて第１保護膜を形成し、前記第１保護膜除去工程では前記金属から成る第１保護膜を除去することが望ましい。既述のように、金属は一般に低抵抗の導電材料であり、基板上に形成する金属パターンの材料として用いられるものである。従って、第１保護膜形成工程において金属を用いて第１保護膜を形成すること、及び第１保護膜除去工程において金属から成る第１保護膜を除去することを、基板表面に金属パターンを形成する場合と同じ製造装置及び同じ製造方法によって、容易に行うことができる。
【００２４】
なお、前記第１保護膜形成工程では、前記金属パターン形成工程において形成する前記金属パターンとは異なる金属材料を用いて前記第１保護膜を形成することが望ましい。仮に、基板の第１主面に形成される金属パターンと同じ金属材料を用いて第１保護膜を形成したとする。この場合、金属パターン形成工程において金属をエッチング処理によってパターニングする際、そのエッチング処理によって第１保護膜が溶けるおそれがある。第１保護膜が溶けてしまうと、基板の第２主面を保護するという機能を果たすことができなくなるおそれがある。
【００２５】
本発明態様では、第１保護膜を、第１主面に形成される金属パターンとを異なる金属材料を用いて形成することにしたので、金属パターン形成工程では、第１保護膜を溶かすことのないエッチング液を用いて処理することができる。これにより、金属パターン形成工程において第１保護膜が溶けることを防止し、第１保護膜が有する保護機能を維持することができる。
【００２６】
次に、本発明に係る基板の製造方法において、前記基板は透光性を有し、前記第１導電膜形成工程及び前記第２導電膜形成工程では透光性を有する導電材料を用いて前記第１導電膜及び前記第２導電膜を形成することが望ましい。液晶装置等といった電気光学装置では、光を用いて表示を行うために透光性の基板が用いられることが多い。本構成の基板によれば、基板を透光性とし、さらにその基板の両面に形成される導電膜を透光性の材料を用いて形成することにより、液晶装置等といった電気光学装置に好適に用いることができる。
【００２７】
次に、本発明に係る基板の製造方法において、前記第１レジスト膜除去工程の後に前記第１導電パターンを焼成する工程をさらに有し、前記第１導電膜形成工程では前記第１導電膜をａ（アモルファス）−ＩＴＯを用いて形成し、前記第１導電膜をパターニングして形成した第１導電パターンを焼成する工程において前記ａ−ＩＴＯをポリ化することが望ましい。ａ−ＩＴＯは、いわゆる非晶質ＩＴＯである。このａ−ＩＴＯはｐ−ＩＴＯに比べて耐エッチング性が弱いＩＴＯである。すなわち、ａ−ＩＴＯは弱酸のエッチング液を用いてエッチングすることができる。このような弱酸のエッチング液として、例えば蓚酸を用いることができる。
【００２８】
第１パターニング工程の際、基板の第２主面には第１保護膜がｐ−ＩＴＯを用いて形成されている。仮に、第１導電膜をｐ−ＩＴＯを用いて形成して第１パターニング工程を行うと、第１導電膜をエッチングするためのエッチング液によって、同じｐ−ＩＴＯで形成された第１保護膜が損傷するおそれがある。本発明態様では、第１導電膜をａ−ＩＴＯを用いて形成することにした。これにより、第１パターニング工程の際に、第１導電膜をエッチングするエッチング液によってｐ−ＩＴＯで形成された第１保護膜が損傷することを防止できる。
【００２９】
また、本発明態様では、第１導電パターンを焼成する工程において、第１導電膜に用いたａ−ＩＴＯをポリ化（すなわち、結晶化又は多結晶化）することができる。ａ−ＩＴＯは、透明度が低く抵抗値が高い導電材料であるが、ポリ化することにより透明度を向上させ、且つ抵抗値を低くでき、導電パターンとして必要十分な性能を得ることができる。
【００３０】
次に、本発明に係る基板の製造方法において、前記第２レジスト膜除去工程の後に前記基板を焼成する工程をさらに有し、前記第２導電膜形成工程では前記第２導電膜をａ−ＩＴＯを用いて形成し、前記第２導電膜をパターニングして形成した第２導電パターンを前記基板を焼成する工程においてポリ化することが望ましい。
【００３１】
第２パターニング工程の際、基板の第１主面に形成された第１導電パターンは第２保護膜によって保護されている。しかしながら、この第２保護膜が何等かの理由で傷つくことが考えられる。第２保護膜が傷ついた状態で第２パターニング工程を行うと、第２導電膜をエッチングするためのエッチング液が第２保護膜の傷の部分から進入して第１導電パターンを腐蝕するおそれがある。本発明態様では、第２導電膜をａ−ＩＴＯを用いて形成するので、仮にエッチング液が第２保護膜から進入して第１導電パターンに達したとしても、第１導電パターンが腐蝕することがなくなる。
【００３２】
また、本発明態様では、基板を焼成する工程において、第２導電膜に用いたａ−ＩＴＯをポリ化することができる。このポリ化により、第２導電パターンの透明度を向上させ、且つ抵抗値を低くでき、導電パターンとして必要十分な性能を得ることができる。また、ａ−ＩＴＯは低い温度、例えば室温で成膜することができる。そのため、第２導電膜形成工程において基板の第２主面に第２導電膜を形成する際に、反対側の第１主面に形成された第２保護膜が熱で硬化することを防止できる。
【００３３】
次に、本発明に係る基板の製造方法において、前記第２保護膜形成工程の前であって前記第１導電パターンを焼成する工程の後には、前記第１導電パターン及び前記金属パターンを覆う樹脂膜を形成する樹脂膜形成工程を有することが望ましい。本発明に係る基板の製造方法において、金属パターンは第２保護膜によって覆われている。しかしながら、第２保護膜は第２レジスト膜除去工程において除去されるので、完成した基板には金属パターンが覆われていない部分が在る。本発明態様では、第２保護膜形成工程の前に金属パターンを覆う樹脂膜を形成することにより、第２保護膜が除去された完成した基板においても金属パターンを当該樹脂膜によって保護することができる。その結果、金属パターンに電蝕が発生することを防止できる。
【００３４】
次に、本発明に係る基板の製造方法において、前記樹脂膜形成工程は、前記第１導電パターン及び前記金属パターンを覆う形状に前記樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜をパターニングする工程と、前記樹脂膜を焼成する工程とを有し、前記第１導電パターンを焼成する工程は前記樹脂膜を焼成する工程と同時に行われることが望ましい。このように第１導電膜を焼成する工程を樹脂膜を焼成する工程と兼用すれば、製造工程を減らすことができるので、製造コストを低く抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
（基板の製造方法の第１実施形態）
以下、本発明に係る基板の製造方法を一実施形態に基づいて説明する。なお、本実施形態の説明で例示する基板は特定の用途を企図したものではないが、例えば平面領域内において指示された位置を検出する装置、例えばタッチパネルとしての用途が考えられる。また、これ以降に説明する実施形態は本発明の一例であって、本発明を限定するものではない。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素をわかり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示している。
【００３６】
まず、本実施形態の基板の製造方法を用いて製造される基板について説明する。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、その基板の一例を示している。図１３（ａ）は基板の平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）の矢印Ｚ１方向から見たその基板の側面図である。
【００３７】
図１３（ｂ）において、基板１は、透光性の基板２と、その透光性基板２の両面に形成された複数の導電パターン（後述する）から構成されている。透光性基板２は本実施形態では化学強化ガラス（いわゆるアルカリ強化ガラス）によって形成されている。このアルカリ強化ガラスは、例えば図１４に示すように、ガラス基材１５と、そのガラス基材１５の両側の表面に形成された強化層１６と、強化層１６上に形成されたＳｉＯ２層１７とによって構成されている。強化層１６はガラス表面に形成された圧縮層であり、これをガラス基材１５の両面に被覆することによりガラス基材１５の傷等に対する強度を向上させている。また、ＳｉＯ２層１７は、ガラス基材１５又は強化層１６に含まれる成分が透光性基板２の表面に形成される種々の要素に流出することを防止するために設けられている。これらの強化層１６及びＳｉＯ２層１７は、第１主面Ｓ１側及び第２主面Ｓ２側の両側に形成されている。
【００３８】
ガラス基材１５は、Ｎａ（ナトリウム）を多く含む厚み０．５ｍｍｔのアルカリガラスである。このガラス基材１５の表面部分のＮａをＫ（カリウム）に置換し、焼成することによって、ガラス基材１５の表面に強化層１６が形成される。この強化層１６の層厚は、例えば約２０〜３０μｍとすることができる。強化層１６上に設けられるＳｉＯ２層１７は、例えばスパッタ処理によって約２００Åの厚さに形成される。
【００３９】
（第１主面Ｓ１上の導電パターン）
図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、上記構成の透光性基板２の第１主面Ｓ１と、第２主面Ｓ２とに、複数の導電パターンがそれぞれ形成されている。まず、第１主面Ｓ１上に形成される導電パターンの構成について説明する。
【００４０】
図１３（ｂ）において、第１主面Ｓ１上には、金属パターンとしての配線３と、第１導電パターンとしての第１透光性電極４ａとが設けられている。第１透光性電極４ａは、図１３（ａ）において破線で示すように、縦方向Ｘに延びる帯状に形成されている。そしてそれら帯状の第１透光性電極４ａの複数が、横方向Ｙに間隔を空けて設けられている。
【００４１】
本実施形態において、第１透光性電極４ａは、透光性の導電材料であるｐ（ポリ）−ＩＴＯを用いて形成されている。ｐ−ＩＴＯは、いわゆる結晶質ＩＴＯ又は多結晶ＩＴＯである。このｐ−ＩＴＯは、一般に、透明度が高く且つ抵抗値が低い導電材料である。従って、ｐ−ＩＴＯを用いて第１透光性電極４ａを形成すれば、透明度が高く且つ抵抗値が低い第１透光性電極４ａを基板の表面に設けることができる。なお、第１透光性電極４ａは、ＩＴＯ以外の透光性の導電材料を用いて形成することもできる。
【００４２】
配線３は複数本設けられている。これらの配線３は、透光性基板２の横方向Ｙに延びる端辺２ｂ及び２ｃの近傍で横方向Ｙに沿って延在する部分と、縦方向Ｘへ延在する部分とによって形成されている。個々の配線３同士は互いに間隔を空けて設けられている。
【００４３】
図１３（ｂ）において、配線３の左側の先端部分６の上に導電部材７が設けられ、その先端部分６及びその導電部材７によって端子部５ａが形成されている。以下、先端部分６を端子部５ａの第１層といい、導電部材７を端子部５ａの第２層という。端子部５ａは図１３（ａ）に示すように透光性基板２上に複数個、設けられている。これらの端子部５ａは透光性基板２の縦方向Ｘに延びる端辺２ａの近傍で縦方向Ｘに沿って間隔を空けて並んでいる。個々の端子部５ａは、平面的に見て正方形状又は長方形状のドット状に形成されている。なお、端子部５ａを円形状に形成しても良い。
【００４４】
図１３（ｂ）において、配線３は端子部５ａの第１層６を含めて金属によって形成されている。本実施形態ではその金属として単層構造のＣｒ（クロム）を用いている。端子部５ａの第２層７は、第１透光性電極４ａと同じく、透光性の導電材料であるｐ−ＩＴＯを用いて形成されている。なお、配線３は、Ｃｒ及びそれを覆うｐ−ＩＴＯから成る積層膜によって形成することも可能である。この場合には、端子部５ａの第２層７は第１層６を形成する積層膜の上層そのものとなる。
【００４５】
また、外部接続領域の端子部５ａ及び基板端辺領域を除くほぼ全面の配線３、第１透光性電極４ａの領域には、それらを覆う樹脂膜１２が設けられている。この樹脂膜１２は、主に配線３に水分や異物が付着することを防止して、金属から成る配線３が水分や異物によって腐蝕すること（いわゆる、コロージョン）を防止している。
【００４６】
（第２主面Ｓ２上の導電パターン）
次に、透光性基板２の第２主面Ｓ２上に形成される導電パターンの構成について説明する。透光性基板２の第２主面Ｓ２上には、第２導電パターンとしての第２透光性電極４ｂが設けられている。第２透光性電極４ｂは、図１３（ａ）において実線で示すように、横方向Ｙに延びて帯状に形成されている。そしてそれら帯状の第２透光性電極４ｂの複数が、縦方向Ｘに間隔を空けて設けられている。従って、帯状に形成された第２透光性電極４ｂは、透光性基板２の反対側の面である第１主面Ｓ１上に設けられた第１透光性電極４ａと平面的に見て直交する方向に延びて形成されている。
【００４７】
第２透光性電極４ｂの左側の一端は端子部５ｂを構成している。端子部５ｂは反対面（すなわち、第１主面Ｓ１）上の端子部５ａと平面的に重なる位置に設けられている。なお、端子部５ａと端子部５ｂとは平面的に重ならない位置に設けても良い。本実施形態において、第２透光性電極４ｂ及び端子部５ｂは、透光性の導電材料であるｐ−ＩＴＯ（すなわち、結晶質ＩＴＯ又は多結晶ＩＴＯ）を用いて形成されている。なお、第２透光性電極４ｂ及び端子部５ｂは、ＩＴＯ以外の透光性の導電材料を用いて形成することもできる。
【００４８】
（基板１の製造方法）
以上に説明したように、基板１は、透光性基板２の両面に導電パターンを有する基板である。以下、この基板１を製造する方法について説明する。なお、本実施形態では、基板を１つずつ作製するのではなく、面積の大きな透光性基板（いわゆる、マザー透光性基板）を用いて複数の基板を同時に作製する、いわゆる多数個取りの手法に基づいて基板を作製するものとする。このような多数個取りの製造方法においては、図１３（ｂ）に示す基板１を１つずつ形成するのではなく、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、複数の基板１を形成できる大きさの面積を有するマザー透光性基板２’の上に、基板１の複数個分の要素（すなわち、第１透光性電極４ａや第２透光性電極４ｂ等を含む導電パターン）を同時に形成する。こうして、基板１を縦及び横に複数列含む大きさの大面積のパネル構造体１’を作製する。そして、その大面積のパネル構造体１’に対して、縦方向及び横方向にスクライブ及びブレイクを行い、個々の基板１に分割することにより、個々の基板１が作製される。
【００４９】
図１は、図１３（ａ）の基板１を製造するための本実施形態の製造方法を示している。また、図４〜図９は、図１の各工程において形成される基板の構造を工程順に示す構造変遷図である。図４〜図９では、左側に図３（ａ）のＺ３−Ｚ３線に従った断面、すなわち端子部５ａ及び５ｂの断面を示し、右側に図３（ａ）の矢印Ｚ４で示す基板１の隅の部分を拡大して平面的に示している。これらの図４〜図９において隣り合う断面図と平面図は互いに対応した状態を示している。以下、図４〜図９を参照しながら図１の製造方法を説明する。なお、図４〜図７では、第１主面Ｓ１上の構造の変化をわかり易く示すため、図３（ａ）のＺ３−Ｚ３断面を上下反転して第１主面Ｓ１を上側に示している。一方、図８及び図９では、第２主面Ｓ２上の構造の変化をわかり易く示すため、図３（ａ）のＺ３−Ｚ３断面の通り第２主面Ｓ２を上側に示している。
【００５０】
図１において、工程Ｐ２〜工程Ｐ１０は図３（ａ）のマザー基板２’の第１主面Ｓ１（図の裏面）に導電パターン等を形成する第１主面形成工程Ｑ１である。図１の工程Ｐ１２〜工程Ｐ１５は図３（ａ）の第２主面Ｓ２（図の表面）に導電パターンを形成する第２主面形成工程Ｑ２である。図１の工程Ｐ１６及びＰ１７は、図３（ａ）のマザー基板２’を個々の基板へと分割するための工程Ｑ３である。
【００５１】
まず、第１主面形成工程Ｑ１に先立って第１保護膜形成工程Ｐ１において、図４（ａ）に示すように、マザー基板２’の第２主面Ｓ２（左図の下面）上に第１保護膜１１を成膜する。具体的には、マザー基板２’の第２主面Ｓ２の表面を覆う形状に第１保護膜１１をｐ（ポリ）−ＩＴＯを材料として、例えばスパッタリングによって成膜する。
【００５２】
ここで、第１保護膜１１は、マザー基板２’の第２主面Ｓ２の表面に傷、シミ、異物等が付くことを防止するために設けられる部材である。従って、第１保護膜形成工程Ｐ１を行う際には、マザー基板２’の第２主面Ｓ２に傷、シミ、異物等が付かない事は当然であるが、この時点で裏面となる第1主面Ｓ１の表面に傷、シミ、異物等が付かないように、すなわち、作業者の手や装置のテーブル等が触れないように作業を行うことが必要である。例えば、治具を用いてマザー基板２’を垂直又は斜めに立てた状態で第１保護膜形成工程Ｐ１の作業を行うことにより、マザー基板２’の第1主面Ｓ１と第２主面Ｓ２に触れることなく作業を行うことができる。
【００５３】
（第１主面Ｓ１の形成工程）
次に、図３（ａ）に示すマザー基板２’に対する第１主面形成工程Ｑ１について説明する。図１の工程Ｐ２において、図３（ａ）のマザー基板２’を所定の洗浄液によって洗浄する。次に、図１の工程Ｐ３において、図４（ｂ）に示すように、マザー基板２’の第１主面Ｓ１（左図の上面）上に材料層３’を、例えばＣｒを材料としてスパッタリングによって約２４００Åの膜厚に成膜する。このときの材料層３’のシート抵抗値は約１．０Ω／□である。材料層３’は、図１３（ｂ）の端子部５ａの第１層６及び配線３の材料層である。
【００５４】
次に、図１の工程Ｐ４において、図４（ｂ）の材料層３’に対してフォトエッチング処理が行われ、材料層３’がパターニングされる。このパターニング工程Ｐ４の具体的な内容は以下の通りである。まず、図４（ｃ）に示すように、材料層３’上にポジ型の感光性樹脂であるレジスト２１ａを、例えばスピンコートによって一様な厚さ、例えば約１．５μｍの厚さに塗布する。次に、プレベークを行ってレジスト２１ａ内の溶媒を除去する。
【００５５】
次に、図４（ｄ）において、塗布されたレジスト２１ａに対して露光処理を実行する。具体的には、マザー基板２’を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設置し、さらに、露光マスク２２Ａをマザー基板２’に対向する所定位置に設置する。露光マスク２２Ａは、ガラス基板２３によって形成された完全光透過領域Ａ０と遮光パターン２４Ａによって形成された完全遮光領域Ａ１の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。この露光マスク２２Ａは、完全光透過領域Ａ０がレジスト２１ａを除去する部分に対向し、完全遮光領域Ａ１がレジスト２１ａを残す部分に対向するように、マザー基板２’に対向する位置に設置される。この状態で露光マスク２２Ａを通してレジスト２１ａへ一定光量の露光光Ｌ１を照射すると、鎖線で示す露光像が形成されて露光された部分Ｂ１が可溶化する。
【００５６】
次に、現像処理を行う。具体的には、図４（ｄ）のマザー基板２’を現像液に所定時間、浸漬する。すると、図４（ｄ）において可溶化した部分Ｂ１のレジストが除去されて、レジスト２１ａが図５（ｅ）に示す形状にパターニングされる。
【００５７】
なお、現像液としては、例えば「有機アルカリ水溶液」を用いることができる。この有機アルカリ水溶液の組成は、例えばＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）が１．８％〜２．８％、水が９７．２％〜９８．２％である。現像処理の条件は、例えば、現像液の温度を約２３℃、浸漬時間を約６０秒とすることができる。
【００５８】
次に、ポストベークを、例えば約１２０℃の温度で行い、後のエッチング処理に用いるエッチング液に対するレジスト２１ａの耐性を調整する。その後、材料層３’に対してレジスト２１ａをマスクとしてエッチング処理を行うことにより、図５（ｆ）に示すように材料層３’を所定の形状にパターニングする。
【００５９】
なお、このエッチング処理に用いるエッチング液としては、例えば「過塩素酸硝酸第２セリウムアンモニウム水溶液」を用いることができる。この水溶液の組成は、例えば「過塩素酸」が５％〜１０％、「硝酸第２セリウムアンモニウム」が１０％〜２０％、水が７０％〜８０％である。エッチング処理の条件は、例えば、エッチング液の温度を約２５℃、浸漬時間を約６０秒とすることができる。
【００６０】
上記のエッチング処理の後、マスクとして使用したレジスト２１ａを、例えば有機溶剤等によって剥離することにより、図５（ｇ）に示すように金属パターンとしての配線３及び端子部５ａの第１層６が形成される。
【００６１】
次に、第１導電膜形成工程としての図１の工程Ｐ５において、図５（ｈ）に示すように、配線３及び第１層６上に、図１３（ｂ）の第１透光性電極４ａの材料である第１導電膜としてのａ（アモルファス）−ＩＴＯ膜４ａ’を、スパッタリングによって約３５０Åの膜厚に成膜する。このときのａ−ＩＴＯ膜４ａ’のシート抵抗値は約２４０Ω／□である。
【００６２】
次に、第１パターニング工程としての図１の工程Ｐ６において、図６（ｉ）のａ−ＩＴＯ膜４ａ’に対してフォトエッチング処理が行われ、ａ−ＩＴＯ膜４ａ’が所定の形状にパターニングされる。このパターニング工程Ｐ６の具体的な内容は以下の通りである。まず、図６（ｉ）に示すように、ａ−ＩＴＯ膜４ａ’上にポジ型の感光性樹脂である第1レジスト膜としてのレジスト２１ｂを、例えばスピンコートによって一様な厚さに塗布する。次に、プレベークを行ってレジスト２１ｂ内の溶媒を除去する。
【００６３】
次に、図６（ｊ）に示すように、塗布されたレジスト２１ｂに対して露光処理を実行する。具体的には、マザー基板２’を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設置し、さらに、露光マスク２２Ｂをマザー基板２’に対向する所定位置に設置する。露光マスク２２Ｂは、ガラス基板２３によって形成された完全光透過領域Ａ０と遮光パターン２４Ｂによって形成された完全遮光領域Ａ１の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。この露光マスク２２Ｂは、完全光透過領域Ａ０がレジスト２１ｂを除去する部分に対向し、完全遮光領域Ａ１がレジスト２１ｂを残す部分に対向するように、マザー基板２’に対向する位置に設置される。この状態で露光マスク２２Ｂを通してレジスト２１ｂへ一定光量の露光光Ｌ２を照射すると、鎖線で示す露光像が形成されて露光された部分Ｂ２が可溶化する。
【００６４】
次に、現像処理を行う。具体的には、図６（ｊ）のマザー基板２’を現像液に所定時間、浸漬する。すると、図６（ｊ）において可溶化した部分Ｂ２のレジスト２１ｂが除去されて、図６（ｋ）に示す形状にパターニングされる。なお、現像液としては、例えば図１のＣｒパターニング工程Ｐ４で使用した現像液を使用できる。また、現像処理の条件も工程Ｐ４と同じ条件とすることができる。
【００６５】
次に、図６（ｋ）のマザー基板２’に対してポストベークを行い、後のエッチング処理に用いるエッチング液に対するレジスト２１ｂの耐性を調整する。その後、図６（ｋ）のａ−ＩＴＯ膜４ａ’に対してエッチング処理を行う。具体的には、レジスト２１ｂをマスクとして用い、エッチング液として、例えば蓚酸を用いてエッチング処理を行う。ここで、エッチング液として弱酸性の蓚酸を用いてエッチング処理を行うことにより、マザー基板２’の第２主面Ｓ２に設けられた第１保護膜１１がそのエッチング液によって損傷することを防止することができる。以上のエッチング処理により、図６（ｌ）に示すように、ａ−ＩＴＯ膜４ａ’が第１導電パターンである第１透光性電極４ａへパターニングされ、図１のａ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ６が終了する。
【００６６】
その後、第1レジスト膜除去工程としての図１の工程Ｐ７において、マスクとして使用したレジスト２１ｂを、例えば有機溶剤等によって剥離することにより、図７（ｍ）に示すように第１透光性電極４ａ及び端子部５ａの第２層７が形成される。
【００６７】
次に、図１のａ−ＩＴＯ焼成工程Ｐ８において、第１透光性電極４ａ及び第２層７を所定の温度（例えば２２０℃）で焼成する。この焼成工程Ｐ８により、ａ−ＩＴＯで形成された第１透光性電極４ａ及び第２層７がポリ化（すなわち、結晶化又は多結晶化）する。これにより、第１透光性電極４ａ及び第２層７の透光性を向上させ、且つ抵抗値を低くすることができる。
【００６８】
次に、図１の樹脂膜形成工程Ｐ９において、図３（ｂ）のマザー基板２’上に樹脂膜１２を形成する。この樹脂膜１２は配線３、第１透光性電極４ａ等を被覆してそれらの腐食を防止するためのものである。樹脂膜形成工程Ｐ９の具体的な内容を図２を用いて説明する。まず、図２の工程Ｐ２１において、図７（ｎ）に示すように、マザー基板２’上の第１透光性電極４ａ及び端子部５ａを覆うようにネガ型の感光性樹脂膜１２’（例えばアクリル樹脂）を、例えばスピンコートによって約２μｍの膜厚に塗布する。
【００６９】
次に、図２の工程Ｐ２２において、図７（ｎ）の樹脂膜１２’に対して所定のマスクパターンを有した露光マスクを用いて露光処理が行われ、図３（ａ）において基板２’の第１主面Ｓ１のうち、斜線で示す周辺及び境界の領域Ｔが露光される。この領域Ｔに関しては後に詳しく説明する。
【００７０】
次に、図２の工程Ｐ２３において現像処理が行われる。具体的には、図３（ａ）のマザー基板２’を現像液に所定時間、浸漬する。すると、露光された領域Ｔ内の感光性樹脂膜１２’が除去されて、個々の基板１に対応した形状にパターニングされる。
【００７１】
なお、現像液としては、例えば「炭酸ナトリウム水溶液」を用いることができる。この炭酸ナトリウム水溶液の組成は、例えば炭酸ナトリウムが０％〜１３％、重炭酸ナトリウムが３％〜７％、水が６５％〜７５％、アニオン界面活性剤が１２％〜１８％である。現像処理の条件は、例えば、現像液の温度を約３０℃、浸漬時間を約６０秒とすることができる。その後、図２のポストベーク工程Ｐ２４において、感光性樹脂膜１２’を焼成する。こうして、個々の基板１に対応した形状の樹脂膜１２が形成される。
【００７２】
次に、図１の第２保護膜形成工程Ｐ１０において、図７（ｏ）に示すように、マザー基板２’の第１主面Ｓ１に設けられた樹脂膜１２上に第２保護膜であるポジ型の感光性樹脂１３を、例えばスピンコートによって１μｍ〜２μｍの厚さに塗布して成膜する。その後、マザー基板２’の第１主面Ｓ１のうち、図３（ａ）において斜線で示す領域Ｔに形成された第２保護膜１３をパターニングにより除去する。
【００７３】
斜線領域Ｔは、基板２’のうち個々の基板１の導電パターンが設けられていない領域である。この領域Ｔのうちの鎖線Ｘ０に沿った境界の領域は、パネル構造体１’を個々の基板１に分割する際にスクライブする領域を含む領域である。領域Ｔのうちのマザー基板２’の外周に沿った領域は、後の工程においてマザー基板２’にマガジン等といった処理設備が接触（例えば、把持）する領域である。上記のように基板２’の周辺領域Ｔの第２保護膜１３を除去するのは、把持操作等といった後処理を行い易くしたり、把持等といった後処理の際に第２保護膜１３が塵となって飛散することを防止したりするためである。
以上により、マザー基板２’の第１主面Ｓ１形成工程が終了する。
【００７４】
（第２主面Ｓ２の形成工程）
次に、第２主面形成工程Ｑ２が行なわれるのであるが、その前に、図１の第１保護膜除去工程Ｐ１１において、図７（ｏ）の第２主面Ｓ２上の第１保護膜１１を、例えば王水を用いてエッチングすることにより除去する。このとき、マザー基板２’の第２主面Ｓ２の全域が露出するように、第１保護膜１１の全面を除去する。なお、本実施形態においては、マザー基板２’としてアルカリ強化ガラスを用いている。このアルカリ強化ガラスは、図１４に示したように、ガラス基材１５の表面に強化層１６やＳｉＯ２層１７を有している。図１の第１保護膜除去工程Ｐ１１では、これらの強化層１６やＳｉＯ２層１７を損傷しないように、図７（ｏ）の第１保護膜１１が除去される。
【００７５】
次に、マザー基板２’の第２主面Ｓ２形成工程Ｑ２について説明する。第２主面Ｓ２形成工程Ｑ２を示す図８及び図９では、図を見易くするために第２主面Ｓ２を左図の上側に示し、第１主面Ｓ１を左図の下側に示す。まず、図１の工程Ｐ１２において、図８（ａ）に示すように、マザー基板２’の第２主面Ｓ２が処理できるように基板の表裏を反転してマザー基板２’を置き、その第２主面Ｓ２を所定の洗浄液によって洗浄する。次に、第２導電膜形成工程としての図１の工程Ｐ１３において、図８（ｂ）に示すように、マザー基板２’の第２主面Ｓ２上に図１３（ａ）の第２透光性電極４ｂの材料であるａ−ＩＴＯ膜４ｂ’を第２導電膜として、スパッタリングによって約３５０Åの膜厚に成膜する。このときのａ−ＩＴＯ膜４ｂ’のシート抵抗値は２４０Ω／□である。
【００７６】
次に、第２パターニング工程としての図１の工程Ｐ１４において、図８（ｂ）のａ−ＩＴＯ膜４ｂ’に対してフォトエッチング処理が行われ、ａ−ＩＴＯ膜４ｂ’が所定の形状にパターニングされる。このパターニング工程Ｐ１４の具体的な内容は以下の通りである。まず、図８（ｃ）に示すように、ａ−ＩＴＯ膜４ｂ’上にポジ型の感光性樹脂である第２レジスト膜としてのレジスト２１ｃを、例えばスピンコートによって一様な厚さに塗布する。
【００７７】
次に、図８（ｄ）において、塗布されたレジスト２１ｃに対して露光処理を実行する。具体的には、マザー基板２’を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設置し、さらに、露光マスク２２Ｃをマザー基板２’に対向する所定位置に設置する。このとき、反対面である第１主面Ｓ１上のパターンと露光マスク２２Ｃとが、透光性基板２’を通してアライメント（すなわち位置合わせ）される。露光マスク２２Ｃは、ガラス基板２３によって形成された完全光透過領域Ａ０と遮光パターン２４Ｃによって形成された完全遮光領域Ａ１の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。この露光マスク２２Ｃは、完全光透過領域Ａ０がレジスト２１ｃを除去する部分に対向し、完全遮光領域Ａ１がレジスト２１ｃを残す部分に対向するように、基板２’に対向する位置に設置される。この状態で露光マスク２２Ｃを通してレジスト２１ｃへ一定光量の露光光Ｌ３を照射すると、破線で示す露光像が形成されて露光された部分Ｂ３が可溶化する。
【００７８】
次に、現像処理を行う。具体的には、図８（ｄ）のマザー基板２’を現像液に所定時間、浸漬する。すると、図８（ｄ）において可溶化した部分Ｂ３のレジスト２１ｃが除去されて、図９（ｅ）に示す形状にパターニングされる。なお、現像液としては、例えば図１のａ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ６と同じ、すなわち、ＴＭＡＨを含有した有機アルカリ水溶液を用いることができる。また、現像処理の条件も工程Ｐ６と同じとすることができる。
【００７９】
次に、ポストベークを、例えば１２０℃の温度で行い、後のエッチング処理に用いるエッチング液に対するレジスト２１ｃの耐性を調整する。その後、ａ−ＩＴＯ膜４ｂ’に対してエッチング処理を行う。具体的には、レジスト２１ｃをマスクとして用い、エッチング液として蓚酸を用いてエッチング処理を行う。以上のエッチング処理により、図９（ｆ）に示すように所定形状のａ−ＩＴＯ膜４ｂ’がパターニングされ、図１のａ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ１４が終了する。
【００８０】
その後、第２レジスト膜除去工程としての図１の工程Ｐ１５において、図９（ｆ）のレジスト２１ｃを、例えば有機溶剤等に所定時間、浸漬することによって剥離する。このとき、マザー基板２’の第１主面Ｓ１上の樹脂膜１２を覆う第２保護膜１３を同時に剥離する。このようにしてマザー基板２’から第２レジスト膜２１ｃと第２保護膜１３とが除去され、図９（ｇ）に示す状態となる。
【００８１】
以上により、マザー基板２’の第２主面Ｓ２形成工程Ｑ２が終了し、マザー基板２’の両面に導電パターンが形成された図３（ａ）のパネル構造体１’が完成する。
【００８２】
（パネル構造体の分割）
次に、パネル構造体１’を分割する工程Ｑ３を説明する。まず、図１の工程Ｐ１６のスクライブ工程を行う。具体的には、図３（ａ）のパネル構造体１’の鎖線Ｘ０に沿って、例えばガラススクライバによってスクライブ（すなわち、罫書き）を第１主面Ｓ１に行う。このとき、スクライブ装置のテーブルに直接パターン面が触れることの無いように、テーブルに治具等で工夫をする必要がある。これを簡単に回避するには、スクライブする鎖線Ｘ０を除いてマザー基板１’の第２主面Ｓ２の表面自体及び第２主面膜要素４ｂ，５ｂに上に、保護シートをラミネートすれば、マザー基板１’の第２主面Ｓ２の表面自体及び第２主面膜要素４ｂ，５ｂに傷がついたり、異物が付着することを防止することができる。マザー基板２’の第１主面Ｓ１上に形成された樹脂膜１２は、工程Ｐ９のパターニングによって鎖線Ｘ０に沿った部分は除去されているので、ガラススクライバはマザー基板２’の表面を直接にスクライブできる。なお、第２主面Ｓ２にスクライブを行うこともできる。この場合も同様にスクライブする鎖線Ｘ０を除いて保護シート等で第１主面Ｓ１の表面自体及び第１主面膜要素４ａ，５ａ，３，１２を保護すれば、第２主面Ｓ２の鎖線Ｘ０に沿った部分には樹脂膜等が設けられていないので、マザー基板２’の表面を直接にスクライブできる。次に、図１の工程Ｐ１７において、例えばブレイクマシン等を用いて、図３（ａ）のパネル構造体１’を図１３（ａ）に示す個々の基板１に分割し、保護シートを剥離する。
【００８３】
次に、図１の基板焼成工程Ｐ１８において、個々の基板１を所定の温度（例えば２２０℃）で焼成する。当然のことながら分割した基板１の表裏に触らないような治具にセットする必要がある。この基板焼成工程Ｐ１８により、ａ−ＩＴＯで形成された第２透光性電極４ｂがポリ化（すなわち、結晶化又は多結晶化）する。これにより、第２透光性電極４ｂの透光性を向上させ、且つ抵抗値を低くすることができる。以上の工程により、基板１が完成する。
【００８４】
本実施形態の基板の製造方法では、図１の第１主面形成工程Ｑ１を行う前に、第１保護膜形成工程Ｐ１において、図４（ａ）のマザー基板２’の第２主面Ｓ２を覆う形状に第１保護膜１１を形成することにした。これにより、マザー基板２’の第２主面Ｓ２は第１保護膜１１によって保護されるので、図１の第１主面形成工程Ｑ１において第１主面Ｓ１上に第１透光性電極４ａ等のパターンを形成する際に、マザー基板２’の第２主面Ｓ２が、スパッタ装置等といった製造装置においてマザー基板２’を載置する部分（例えば、テーブルやマガジン等）に直接に触れることがなくなる。その結果、マザー基板２’の第２主面Ｓ２の表面に傷がついたり、異物が付着することを防止できる。
【００８５】
また、図１の第１レジスト膜除去工程Ｐ７において、図６（ｋ）のレジスト膜２１ｂを除去した後に、図１の第２保護膜形成工程Ｐ１０において、図７（ｏ）に示すように、第１透光性電極４ａ、端子部５ａ及び配線３（以下、第１主面膜要素という）を覆う形状に第２保護膜１３を形成した。これにより、マザー基板２’の第１主面Ｓ１に形成された第１主面膜要素４ａ，５ａ，３は第２保護膜１３によって保護される。その結果、図３（ａ）のマザー基板２’の第２主面（表側面）Ｓ２に第２透光性電極４ｂ及び端子部５ｂ（以下、第２主面膜要素）を形成する際に、第１主面Ｓ１の表面自体及び第１主面膜要素４ａ，５ａ，３がスパッタ装置等といった製造装置のテーブルやマガジンに直接に触れることがなくなる。従って、マザー基板２’の第１主面Ｓ１の表面自体及び第１主面膜要素４ａ，５ａ，３に傷がついたり、異物が付着することを防止でき、第１主面膜要素４ａ，５ａ，３に不良が発生することを防止できる。
【００８６】
なお、図１の第１保護膜形成工程Ｐ１において、図４（ａ）に示すように、第２主面Ｓ２上に形成された第１保護膜１１は、図１の第２保護膜形成工程Ｐ１０の後の第１保護膜除去工程Ｐ１１によって除去される。そしてその後、第２主面形成工程Ｑ２において、第１保護膜１１が無くなった状態の第２主面Ｓ２上に図３（ａ）の第２主面膜要素４ｂ，５ｂが形成される。従って、図１の第１主面形成工程Ｑ１において第２主面Ｓ２上の第１保護膜１１に傷やシミが付いたとしても、それらの傷やシミが原因となって第２主面Ｓ２上に形成される第２主面膜要素４ｂ，５ｂに不良が生じることはない。
【００８７】
また、本実施形態では、透光性基板２として、図１４のアルカリ強化ガラスを用いている。この透光性基板２の表面には強化層１６及びＳｉＯ２層１７が形成されている。仮に、第２主面Ｓ２上に第１保護膜１１を設けずに、図３（ａ）の第２主面膜要素４ｂ，５ｂを形成した場合、透光性基板２の表面に付いた傷やシミを、例えばガラス表面のエッチング処理によって除去しようとすれば、そのエッチング処理によって図１４の強化層１６及びＳｉＯ２層１７が除去され、強化ガラスの性能を損なうことになる。しかしながら、本実施形態では、基板２の第２主面Ｓ２に第１保護膜１１を設け、第1保護膜１１のみを除去しているので、強化層１６及びＳｉＯ２層１７が損傷を受けることを防止できる。
【００８８】
また、本実施形態において、図１３（ａ）の第１主面（裏面）Ｓ１上の第１透光性電極４ａと端子部５ａの第２層７は、図１の第１主面形成工程Ｑ１においてａ−ＩＴＯを用いて形成する。以下、この点について説明する。
【００８９】
本実施形態では、ａ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ６の際、図６（ｌ）に示すように、第２主面Ｓ２上にはｐ−ＩＴＯから成る第１保護膜１１が設けられた状態でエッチング処理が行われる。仮に、ａ−ＩＴＯ膜４ａ’に代えてｐ−ＩＴＯ膜を材料として第１透光性電極４ａを形成するとすると、パターニング工程Ｐ６のときに用いるエッチング液によって、同じｐ−ＩＴＯの膜である第１保護膜１１が損傷するおそれがある。しかし、本実施形態において第１透光性電極４ａの材料として用いるａ−ＩＴＯはｐ−ＩＴＯに比べて弱酸のエッチング液でエッチングすることができる。このような弱酸のエッチング液として、本実施形態では蓚酸を用いている。図１のａ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ６において蓚酸をエッチング液として用いれば、図６（ｌ）の第１保護膜１１が損傷することを防止できる。
【００９０】
また、本実施形態では、図１の工程Ｐ５でａ−ＩＴＯを成膜し、さらに工程Ｐ６でそのａ−ＩＴＯをパターニングして第１透光性電極４ａを形成した。そしてそのａ−ＩＴＯ４ａ（図７（ｍ）参照）を、図１のａ−ＩＴＯ焼成工程Ｐ８において焼成によってポリ化した。このポリ化により、第１透光性電極４ａの透明度を向上させ、且つ抵抗値を低くでき、導電パターンとして必要な性能を得ることができる。
【００９１】
また、本実施形態において、図１３（ａ）の第２主面Ｓ２上の第２透光性電極４ｂと端子部５ｂは、図１の第２主面形成工程Ｑ２においてａ−ＩＴＯを用いて形成する。このことに関連して次の作用がもたらされる。本実施形態では、第２主面洗浄工程Ｐ１２又はａ−ＩＴＯスパッタ工程Ｐ１３の際に、それらの処理を受ける第２主面Ｓ２の反対面である第１主面Ｓ１上に設けた第２保護膜１３（図８（ｂ）参照）に傷がつくかもしれない。このように傷がつくと、ａ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ１４においてエッチング液が第２保護膜１３についた傷へ進入するおそれがある。
【００９２】
しかし、既述のように、ａ−ＩＴＯはｐ−ＩＴＯをエッチングする場合よりも弱酸のエッチング液、例えば蓚酸を用いることができる。ａ−ＩＴＯパターニング工程Ｐ１４において蓚酸を用いてエッチングすることにすれば、仮に第２保護膜１３に傷がついて、その傷からエッチング液が進入して、そのエッチング液が第１透光性電極４ａ又は端子部５ａに達したとしても、図１のａ−ＩＴＯ焼成工程Ｐ８でポリ化された第１透光性電極４ａと端子部５ａの第２層７が腐蝕することがなくなる。
【００９３】
また、本実施形態では、図１の工程Ｐ１３でａ−ＩＴＯを成膜し、工程Ｐ１４でそのａ−ＩＴＯをパターニングして第２透光性電極４ｂを形成した。そして、そのａ−ＩＴＯ４ｂ（図９（ｇ）参照）を、図１の基板焼成工程Ｐ１８においてポリ化した。このポリ化により、第１透光性電極４ｂの透明度を向上させ、且つ抵抗値を低くでき、導電パターンとして必要な性能を得ることができる。また、ａ−ＩＴＯはｐ−ＩＴＯに比べて低い温度で成膜することができる。そのため、図１のａ−ＩＴＯスパッタ工程Ｐ１３においてａ−ＩＴＯ膜４ｂ’を形成する際に、反対側の面に形成された第２保護膜１３が、熱で硬化することを防止できる。
【００９４】
（変形例）
上記実施形態では、図１の工程Ｐ１５において図９（ｆ）の第２保護膜１３及び第２レジスト膜２１ｃを剥離した後に、図１の分割工程Ｑ３を実行している。しかしながら、分割工程Ｑ３は、第２レジスト膜除去工程としての第２保護膜・第２レジスト膜剥離工程Ｐ１５の前に行うこともできる。この場合には、図３（ａ）において斜線で示す領域Ｔのうちの周辺領域部分に加えて、境界の領域部分（すなわち、マザー基板２’をスクライブする領域）の第２保護膜１３を、図１の第２保護膜形成工程Ｐ１０において、予め、パターニングにより除去しておく。このようにスクライブする領域Ｔの第２保護膜１３を除去しておけば、マザー基板２’の第１主面Ｓ１をスクライブする際に第２保護膜１３が削られることによって塵が発生することを防止する他、直接ガラス基板をスクライブするため、ブレーク性も良好になる。また、スクライブとブレーク工程で製造装置のテーブルやマガジンに直接パターン面が触れることがなくなるため、マザー基板１’の第２主面Ｓ２の表面自体及び第２主面膜要素４ｂ，５ｂに傷がついたり、異物が付着することを防止でき、第２主面膜要素４ｂ，５ｂに不良が発生することを防止できる。また同様に、スクライブ面をマザー基板１’の第２主面Ｓ２とする場合は、第１主面Ｓ１の表面自体及び第１主面膜要素４ａ，５ａ，３，１２に傷がついたり、異物が付着することを防止でき、第１主面膜要素４ａ，５ａ，３，１２に不良が発生することを防止できる。
【００９５】
（基板の製造方法の第２実施形態）
次に、本発明に係る基板の製造方法の他の実施形態を説明する。本実施形態の製造方法の全体的な工程は、図１に示した第１実施形態に係る製造方法と同じである。図１に示した先の実施形態では、第１主面形成工程Ｑ１において、ａ−ＩＴＯをポリ化のために焼成する工程（図１のＰ８）と樹脂膜を材質調整のために焼成する工程（図２のＰ２４）とをそれぞれ個別に行った。これに対し、本実施形態では、第１主面Ｓ１上に形成されるａ−ＩＴＯと樹脂膜の焼成工程を同時に行うことにする。なお、以下の説明では、本実施形態を先の実施形態と異なる点を中心として説明するものとし、共通する工程については説明を省略する。
【００９６】
本実施形態において、図１のＰ１〜Ｐ７に示す工程は、先の第１実施形態と同じであるので、これらの工程の詳細な説明は省略する。図１の工程Ｐ７が終了した時点で、図７（ｍ）に示すように、マザー基板２’上に第１透光性電極４ａ、端子部５ａ及び配線３が形成されている。この時点で、端子部５ａの第２層７と第１透光性電極４ａは、焼成されていないので、ポリ化前のａ−ＩＴＯのままである。
【００９７】
次に、図１の工程Ｐ８を行わずに樹脂膜形成工程Ｐ９を行う。すなわち、図７（ｍ）の端子部５ａの第２層７と第１透光性電極４ａを焼成していない状態で、図７（ｎ）に示すように、第１主面膜要素４ａ，５ａ，３上に樹脂膜１２の材料である感光性樹脂膜１２’を形成する。
【００９８】
図１の樹脂膜形成工程Ｐ９は先の第１実施形態と同じである。すなわち、図２の工程Ｐ２１において、図７（ｎ）に示すように、マザー基板２’上の第１透光性電極４ａ及び端子部５ａを覆う形状にネガ型の感光性樹脂膜１２’を成膜する。その後、工程Ｐ２２において、感光性樹脂膜１２’に対して所定のマスクパターンを有した露光マスクを用いて露光処理が行われ、工程Ｐ２３において現像処理が行われ、感光性樹脂膜１２’が所定のパターンにパターニングされる。これらＰ２１〜Ｐ２３の各工程における処理条件は第１実施形態と同じであるので詳しい説明は省略する。
【００９９】
現像工程Ｐ２３が終了した時点で、図７（ｎ）の感光性樹脂１２’、端子部５ａの第２層７、及び第１透光性電極４ａは焼成されていない状態である。この状態で、図２のポストベーク工程Ｐ２４を実施することにより、感光性樹脂１２’を焼成して樹脂膜１２が完成し、同時に、端子部５ａの第２層７と第１透光性電極４ａが焼成され、ポリ化される。
【０１００】
このように、図１の第１レジスト膜剥離工程Ｐ７が終了した時点ではａ−ＩＴＯを焼成せずに、樹脂膜形成工程Ｐ９内のポストベーク工程Ｐ２４（図２参照）において感光性樹脂１２’とａ−ＩＴＯ膜とを同時に焼成すれば、製造工程を減らすことができるので、製造コストを低く抑えることができる。
【０１０１】
（基板の製造方法の第３実施形態）
次に、本発明に係る基板の製造方法のさらに他の実施形態を説明する。本実施形態の製造方法の全体的な工程は、図１に示した第１実施形態に係る製造方法と同じである。図１に示した先の実施形態では、工程Ｐ３及び工程Ｐ４において、図１３（ａ）の透光性基板２の第１主面Ｓ１上に金属膜である配線３を、Ｃｒを用いて単層に形成する場合を例示した。これに対し本実施形態では、配線３をＡｌとＭｏ（モリブデン）との積層構造としている。なお、配線を形成する工程以外の工程は先の実施形態と同じである。また、以下の説明では、本実施形態を先の実施形態と異なる点を中心として説明するものとし、共通する工程については説明を省略する。
【０１０２】
図１０は、本実施形態に係る基板の製造方法の工程のうちの第１主面形成工程Ｑ１を示す工程図である。図１１及び図１２は、金属パターン形成工程としての図１０のＡｌスパッタ工程Ｐ３２からＭｏパターニング工程Ｐ３５に対応する膜構成の変遷を示す断面図である。なお、これら図１１及び図１２は、図１３（ａ）における上辺部のＺ５−Ｚ５線に従った断面を示している。本実施形態において、図１０の工程Ｐ３１は図１の工程Ｐ２と同じであり、図１０の工程Ｐ３６〜Ｐ４１は図１の工程Ｐ５〜Ｐ１０と同じであるので、これらの工程の詳細な説明は省略する。
【０１０３】
図１０の工程Ｐ３１において、図１１（ａ）のマザー基板２’の第１主面Ｓ１を所定の洗浄液によって洗浄した後、図１０の工程Ｐ３２において、図１１（ａ）の材料層３４’を成膜する。この材料層３４’は図１３（ａ）の配線３３の第１層３４の材料層であり、Ａｌを材料としてスパッタリングによって成膜される。
【０１０４】
次に、図１０の工程Ｐ３３において、図１１（ａ）の配線の材料層３４’に対してフォトエッチング処理が行われ、材料層３４’が所定の形状にパターニングされる。このパターニング工程Ｐ３３の具体的な工程を説明すれば、まず、図１１（ｂ）において配線の材料層３４’上にポジ型の感光性樹脂であるレジスト２１ｄを一様な厚さに塗布し、プレベークを行ってレジスト２１ｄ内の溶媒を除去する。その後、図１１（ｃ）において、レジスト２１ｄに対して露光マスク２２Ｄを用いて露光処理が実施される。このマスク２２Ｄを用いて露光することにより、図１１（ｃ）の露光された部分Ｂ４が可溶化する。
【０１０５】
次に、マザー基板２’を現像液に所定時間浸漬して、可溶化した部分Ｂ４のレジスト２１ｄを除去する（図１１（ｄ））。その後ポストベークを行い、さらに材料層３４’に対してレジスト２１ｄをマスクとしてエッチング処理を行うことにより、図１１（ｅ）に示すように材料層３４’を所定の形状にパターニングする。そしてさらに、マスクとして使用したレジスト２１ｄを剥離することにより、図１１（ｆ）に示す第１層３４が形成される。この第１層３４は鎖線で示す配線３３の第１層になる層である。
【０１０６】
次に、図１０の工程Ｐ３４において、図１２（ｇ）に示すように、第１層３４上に材料層３５’を成膜する。この材料層３５’は、Ｍｏを材料としてスパッタリングによって所定の厚さに成膜される。次に、図１０の工程Ｐ３５において、図１２（ｇ）の材料層３５’に対してフォトエッチング処理が行われ、材料層３５’が所定の形状にパターニングされる。具体的には、図１２（ｈ）において配線の材料層３５’上にポジ型の感光性樹脂であるレジスト２１ｅを一様な厚さに塗布し、プレベークを行ってレジスト２１ｅ内の溶媒を除去する。その後、図１２（ｉ）において、レジスト２１ｅに対して露光マスク２２Ｅを用いて露光処理を実施する。これにより、図１２（ｉ）の露光された部分Ｂ５が可溶化する。
【０１０７】
次に、図１２（ｉ）の基板２’を現像液に所定時間浸漬して、可溶化した部分Ｂ５のレジスト２１ｅを除去する（図１２（ｊ））。その後ポストベークを行い、材料層３５’に対してレジスト２１ｅをマスクとしてエッチング処理を行うことにより、図１２（ｋ）に示すように材料層３５’を所定の形状にパターニングする。そしてさらに、マスクとして使用したレジスト２１ｅを剥離することにより、図１２（ｌ）に示す配線３３の第２層３５が形成される。以上により、Ａｌから成る第１層３４とＭｏから成る第２層３５とを積層して成る配線３３が形成される。
【０１０８】
この後、先の第１実施形態と同様に図１に示す第１保護膜除去工程Ｐ１１、第２主面形成工程Ｑ２及び分割工程Ｑ３が実行され、工程Ｐ１８において焼成して図１３（ａ）の基板１が完成する。本実施形態では、図１２（ｌ）に示すように、金属パターンである配線３３を積層構造とし、その配線３３の第１層３４をＡｌを用いて形成し、第２層３５をＭｏを用いて形成した。これにより、低抵抗の配線を容易に形成できる。
【０１０９】
（基板の製造方法の第４実施形態）
次に、本発明に係る基板の製造方法のさらに他の実施形態を説明する。本実施形態の製造方法の全体的な工程は、図１に示した第１実施形態に係る製造方法と同じである。図１に示した先の実施形態では、第１保護膜（図４（ａ）の符号１１）をｐ−ＩＴＯを用いて形成する場合を例示した。これに対し、本実施形態では、第１保護膜を金属を用いて形成することにする。なお、以下の説明では、本実施形態を先の実施形態と異なる点を中心として説明するものとし、共通する工程については説明を省略する。
【０１１０】
本実施形態において、図１のＰ２〜Ｐ１０に示す工程及びＰ１２〜１８に示す工程は、先の第１実施形態と同じであるので、これらの工程の詳細な説明は省略する。まず、図１の第１保護膜形成工程Ｐ１において、図４（ａ）のマザー基板２’の第２主面Ｓ２の表面を覆う形状に第１保護膜４１を金属を用いて、例えばスパッタリングによって成膜する。ここで、第１保護膜４１の材料である金属としては、図１の第１主面形成工程Ｑ１において形成する金属パターン、具体的には工程Ｐ３及び工程Ｐ４で形成される配線３（図５（ｇ）参照）の金属材料と異なる金属を用いる。本実施形態では、先の第１実施形態と同じく配線３をＣｒを用いて形成するので、第１保護膜４１はＣｒ以外の金属材料であるＡｇ（銀）を用いて形成することにする。
【０１１１】
この後、先の第１実施形態と同様に、図１に示す第１主面形成工程Ｑ１が実行され、図７（ｏ）に示すように、マザー基板２’の第１主面Ｓ１上に所望の導電パターン等が形成される。
【０１１２】
次に、図１の第１保護膜除去工程Ｐ１１において、図７（ｏ）の第１保護膜４１をエッチング処理によって除去する。このとき、マザー基板２’の第２主面Ｓ２の全面が露出するように、第１保護膜４１を全て除去する。なお、第１保護膜４１をエッチング処理する際のエッチング液としては、例えば「燐硝酢酸水溶液」を用いることができる。この燐硝酢酸水溶液の組成は、例えば燐酸（Ｈ３ＰＯ４）が８０％、硝酸（ＨＮＯ３）が１％、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）が３％、水（Ｈ２Ｏ）が１６％である。エッチング処理の条件は、例えば、エッチング液の温度を４０℃、浸漬時間を３０秒〜６０秒とすることができる。
【０１１３】
この後、先の第１実施形態と同様に、図１に示す第２主面形成工程Ｑ２、分割工程Ｑ３及び焼成工程Ｐ１８が実行されて図１３（ａ）の基板１が完成する。
【０１１４】
本実施形態では、第１保護膜４１をＡｇを用いて形成することにした。その結果、図１の第１保護膜形成工程Ｐ１は、配線３の材料層３’を形成するＣｒスパッタ工程Ｐ３と同じ装置を用いて容易に実行できる。また、第１保護膜除去工程Ｐ１１は、Ｃｒパターニング工程Ｐ４と同様にエッチング処理によって容易に実行できる。また、第１保護膜４１を、第１主面Ｓ１に形成される配線３と異なる金属材料であるＡｇを用いて形成するので、Ｃｒパターニング工程Ｐ４において第１保護膜４１が、Ｃｒをエッチングするためのエッチング液によって損傷することを防止することができる。その結果、第１主面形成工程Ｑ１を実行している間、第１保護膜４１がマザー基板２’の第２主面Ｓ２を確実に保護することができる。
【０１１５】
（変形例）
上記第４の実施形態では、第１主面Ｓ１の配線３をＣｒを用いて形成し、第１保護膜４１をＡｇを用いて形成する場合を例示している。しかしながら、第１保護膜４１に用いる金属材料は、配線３を形成する金属材料に応じて適宜に選択できる。具体的には、図１の工程Ｐ４において配線３の材料層３’をパターニングする際に用いるエッチング液に対して耐性を有する金属材料を第１保護膜４１の材料として選択できる。
【０１１６】
より具体的には、配線３及び第１保護膜４１に用いることができる金属として、例えば
（１）Ｃｒ単体又はＣｒを主成分とする合金（以下、Ｃｒ系金属という）、
（２）Ａｇ単体又はＡｇを主成分とする合金（以下、Ａｇ系金属という）、
（３）Ｃｕ（銅）単体又はＣｕを主成分とする合金（以下、Ｃｕ系金属という）、
（４）Ａｌ（アルミニウム）単体又はＡｌを主成分とする合金（以下、Ａｌ系金属という）、
（５）Ｍｏ（モリブデン）単体又はＭｏを主成分とする合金（以下、Ｍｏ系金属という）、
（６）Ｗ（タングステン）単体又はＷを主成分とする合金（以下、Ｗ系金属という）、
等から選ばれる組合せが考えられる。
【０１１７】
例えば、配線３をＣｒ系金属を用いて形成する場合には、第１保護膜４１は、Ａｇ系金属、Ｃｕ系金属、Ａｌ系金属、Ｍｏ系金属又はＷ系金属を用いて形成できる。Ｃｒ系金属をエッチング処理する場合は、エッチング液として「過塩素酸硝酸第２セリウムアンモニウム水溶液」が用いられる。Ａｇ系金属、Ｃｕ系金属、Ａｌ系金属、Ｍｏ系金属及びＷ系金属は過塩素酸硝酸第２セリウムアンモニウム水溶液に対して耐性があるので、第１保護膜４１として好適に用いることができる。
【０１１８】
また、配線３をＡｇ系金属、Ｃｕ系金属、Ａｌ系金属又はＭｏ系金属を用いて形成する場合には、第１保護膜４１は、Ｃｒ系金属又はＷ系金属を用いて形成することができる。Ａｇ系金属、Ｃｕ系金属、Ａｌ系金属及びＭｏ系金属をエッチング処理する場合は、エッチング液として「燐硝酢酸水溶液」が用いられる。Ｃｒ系金属及びＷ系金属は燐硝酢酸水溶液に対して耐性があるので、第１保護膜４１として好適に用いることができる。
【０１１９】
さらに、配線３をＷ系金属を用いて形成する場合には、第１保護膜４１は、Ｃｒ系金属を用いて形成することができる。Ｗ系金属をエッチング処理する場合は、エッチング液として「燐硝酸水溶液」が用いられる。この燐硝酸水溶液の組成は、例えば燐酸が３０％、硝酸が１０％、水が６０％である。Ｃｒ系金属は燐硝酸水溶液に対して耐性があるので、第１保護膜４１として好適に用いることができる。
【０１２０】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、図１に示した第１実施形態では、図１３（ａ）の配線３をＣｒを用いて単層の膜として形成した。しかしながら、配線３は、Ｃｒ以外の材料、例えばＡｌを主成分とする合金、Ａｇを主成分とする合金又はＣｕを主成分とする合金を用いて、単層の膜として形成することもできる。例えば、Ｃｕを主成分とする合金の添加材としてはＭｏを用いることができ、Ａｇを主成分とする合金の添加材としては、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｇｅ等を用いることができる。Ａｌを主成分とする合金、Ａｇを主成分とする合金、銅を主成分とする合金では、いずれも、２０００Åの膜厚に形成することで配線のシート抵抗値を０．３Ω／□程度にできる。
【０１２１】
また、図１０に示した第３実施形態において、図１２（ｌ）の配線３３は、ＡｌとＭｏとを積層して形成した。しかしながら、配線３３は、ＡｌとＭｏ以外の材料、例えば、ＡｌとＣｒを積層することもできる。また、配線３３は、金属材料を２層より多く積層して形成することもできる。図１２（ｌ）の積層配線構造は、金属成膜とフォトエッチング処理をそれぞれ２回行うことによって形成されているが、連続成膜を１回行って、１回のフォトエッチング処理でパターン形成することもできる。例えば、ＡｌとＭｏを夫々２０００Åと２００Åで連続して成膜し、燐硝酢酸のエッチング液で同時にエッチングすれば、１回分フォトエッチング工程を削除でき、配線幅も小さくすることが可能である。
【０１２２】
また、図７（ｏ）において、第２保護膜１３はポジ型の感光性樹脂をスピンコート等によって塗布することによって成膜した。しかしながら、第２保護膜１３は、感光性樹脂のシートを貼り付ける、いわゆるラミネートによって設けることもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】本発明に係る基板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図２】図１の樹脂膜形成工程を詳しく示す工程図である。
【図３】図１の製造方法によって製造される大面積のパネル構造体の一部を示す図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその断面図である。
【図４】図１の工程図に対応して基板の第１主面上の膜構成の変遷を示す図である。
【図５】図４に続いて基板の第１主面上の膜構成の変遷を示す図である。
【図６】図５に続いて基板の第１主面上の膜構成の変遷を示す図である。
【図７】図６に続いて基板の第１主面上の膜構成の変遷を示す図である。
【図８】図１の工程図に対応して基板の第２主面上の膜構成の変遷を示す図である。
【図９】図８に続いて基板の第２主面上の膜構成の変遷を示す図である。
【図１０】本発明に係る基板の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。
【図１１】図１０の工程図に対応して基板の第１主面上の膜構成の変遷を示す断面図である。
【図１２】図１１に続いて基板の第１主面上の膜構成の変遷を示す断面図である。
【図１３】本発明に係る基板の製造方法を用いて製造される基板の一例を示す図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図である。
【図１４】図１３（ｂ）に示す基板の構成要素である透光性基板の断面構造を示す図である。
【符号の説明】
【０１２４】
１．基板、  １’．パネル構造体、  ２．透光性基板、  ２’マザー透光性基板、
３，３３．配線（金属パターン）、  ４ａ．第１透光性電極（第１導電パターン）、  
４ｂ．第２透光性電極（第２導電パターン）、  ５ａ．第１端子部、
５ｂ．第２端子部（第２導電パターン）、  ６．端子部第１層、
７．端子部第２層（第１導電パターン）、  １１，４１．第１保護膜、  １２．樹脂膜、  １３．第２保護膜、  １５．ガラス基材、  １６．強化層、  １７．ＳｉＯ２層、
２１ａ，２１ｄ，２１ｅ．レジスト、  ２１ｂ．レジスト（第１レジスト膜）、
２１ｃ．レジスト（第２レジスト膜）、  
２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ，２２Ｅ．露光マスク、  ２３．ガラス基板、  
２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ．遮光パターン、  ３４．配線の第１層、  
３４’．第１層の材料層、  ３５．配線の第２層、  ３５’．第２層の材料層、
Ｓ１．第１主面、  Ｓ２．第２主面
【図１】
2008170573.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2008170573.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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