(57)【要約】【課題】本発明は、成膜する前に、成膜装置の真空容器内の汚損状態を把握する技術を提供することを目的とする。【解決手段】  成膜装置の真空容器内の汚損物質を検知する方法は、真空容器内に、検知用基材を配置する工程（ステップＳ１００）と、真空容器内を所定の真空状態にする工程（ステップＳ１２０、Ｓ１６０）と、真空容器内を所定の真空状態に維持して、検知用基材を、所定の時間前記真空容器内に放置する工程（ステップＳ１８０）と、ステップＳ１８０の後の検知用基材の表面に付着している物質を分析する工程（ステップＳ２２０）と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部を真空にすることが可能な真空容器を備え、前記真空容器内に配置された基材の表面に膜を成膜する成膜装置の、前記真空容器内の汚損物質を検知する方法であって、
（ａ）前記真空容器内に、検知用基材を配置する工程と、
（ｂ）前記真空容器内を所定の真空状態にする工程と、
（ｃ）前記真空容器内を前記所定の真空状態に維持して、前記検知用基材を、所定の時間前記真空容器内に放置する工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後の前記検知用基材の表面に付着している物質を分析する工程と、
を、備えることを特徴とする汚損物質検知方法。
【請求項２】
請求項１に記載の汚損物質検知方法において、
前記検知用基材は、
前記基材と同一の材料で、前記基材と同一の形状および同一の大きさに形成されていることを特徴とする汚損物質検知方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の汚損物質検知方法であって、
前記所定の真空状態は、
前記膜を成膜する場合と同一の真空状態であることを特徴とする汚損物質検知方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一つに記載の汚損物質検知方法であって、
（ｅ）前記検知用基材を加熱して所定の温度にする工程を、さらに備え、
前記工程（ｃ）は、
前記真空容器内を前記所定の真空状態に維持すると共に、前記検知用基材を前記所定の温度に維持して、前記検知用基材を、所定の時間前記真空容器内に放置することを特徴とする汚損物質検知方法。
【請求項５】
請求項４に記載の汚損物質検知方法であって、
前記所定の温度は、
前記膜を成膜する場合と同一の温度であることを特徴とする汚損物質検知方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の汚損物質検知方法であって、
前記成膜装置は、
レーザアブレーション法により、前記基材の表面に前記膜を成膜することを特徴とする汚損物質検知方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の汚損物質検知方法であって、
前記成膜装置は、
前記基材の前記表面上に、異なる２種類以上の膜を成膜することを特徴とする汚損物質検知方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置が備える真空容器内の汚損物質を検知する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
燃料電池の電解質膜や電極層等の薄膜を形成する場合には、従来、スパッタ法、真空蒸着法、レーザアブレーション法等の種々の方法によって形成されている。例えば、レーザアブレーション法によって、成膜する装置（以下、ＰＬＤ（Ｐｌｕｓｅｄ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置という。）の一例を、図３に、模式的に示す。
【０００３】
ＰＬＤ装置１００は、真空容器１１０と、基台１３０と、ターゲットホルダー１４０と、レーザ光源（図示しない。）と、を主に備える。真空容器１１０には、レーザ光を導入するための石英ガラス窓１２０が設けられている。基台１３０と、ターゲットホルダー１４０とは、真空容器１１０内に、対向するように設けられている。ターゲットホルダー１４０には、膜となる材料（以下、ターゲットという）を支持する支持部が２箇所設けられている。例えば、２種類のターゲットを、それぞれの支持部にセットして、ターゲットホルダー１４０を回転させることによって、レーザ光を当てるターゲットを変更することができる。
【０００４】
薄膜を成膜する際は、まず、膜となる材料（以下、ターゲット２０という）をターゲットホルダー１４０にセットして、薄膜が形成される基材１０を基台１３０にセットする。そして、真空容器１１０内を所定の真空状態にした後、石英ガラス窓１２０を介して、ターゲット２０にレーザ光を当てる。レーザ光によって、ターゲット２０の表面が溶融されて気化する。気化されたターゲット２０に含まれる粒子（以下、プルームともいう）が、基材１０上に到達し、堆積することによって、基材１０上にターゲット２０の薄膜が形成される。
【０００５】
このような成膜装置（ＰＬＤ装置１００）では、基材１０を真空容器１１０に入れる際に、空気中の不純物が真空容器１１０内に入るおそれがある。例えば、ＰＬＤ装置によって、電解質膜を成膜する場合に、真空容器１１０内に入ったその不純物が、形成された膜に混入すると、形成された電解質膜は、そのイオン伝導性が低下するため、電池性能が低下すると考えられる。
【０００６】
また、１つの成膜装置を用いて、電解質膜と、電極とを成膜する場合がある（例えば、特許文献１参照。）例えば、図３に示すＰＬＤ装置１００を用いて、燃料電池の膜電極接合体（ＭＥＡ：Ｍｅｍｂｒａｎｅ−Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ―Ａｓｓｅｍｂｌｙ）を製造する。まず、アノードを基材１０、電解質膜となる材料（例えば、金属酸化物の電解質膜を作る場合には、金属酸化物）をターゲット２０として、基材１０上に電解質膜を形成する。次に、カソードとなる材料（例えば、パラジウム）をターゲット２２として、電解質膜上に、カソードを形成する。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３０２４２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
カソードを形成する場合には、パラジウムのプルームが、基材１０上だけでなく、基材１０を支持している基台１３０や、真空容器１１０の内壁にも付着してしまっている。通常、ＰＬＤ装置１００を用いて、上記の工程を繰り返し、複数枚のＭＥＡを製造する。そのため、１枚のＭＥＡを製造して、次のＭＥＡを製造する場合に、電解質膜を形成するときに、上記したように、真空容器１１０内を真空状態にすると、基台１３０等に付着しているパラジウムが、剥がれて真空容器１１０内を浮遊し、カソードに混入するおそれがある。そうすると、電解質膜のイオン伝導性が低下して、結果として電池性能が低下する場合がある。
【０００９】
なお、このような問題は、レーザアブレーション法によって成膜する装置だけでなく、スパッタ法、真空蒸着法等、真空雰囲気下で成膜する装置に共通する問題である。
【００１０】
そこで、本発明は、上述の従来技術の問題点を解決するために、成膜する前に、成膜装置の真空容器内の汚損状態を把握する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【００１２】
［適用例１］  内部を真空にすることが可能な真空容器を備え、前記真空容器内に配置された基材の表面に膜を成膜する成膜装置の、前記真空容器内の汚損物質を検知する方法であって、
（ａ）前記真空容器内に、検知用基材を配置する工程と、
（ｂ）前記真空容器内を所定の真空状態にする工程と、
（ｃ）前記真空容器内を前記所定の真空状態に維持して、前記検知用基材を、所定の時間前記真空容器内に放置する工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後の前記検知用基材の表面に付着している物質を分析する工程と、
を、備えることを要旨とする。
【００１３】
真空容器内を真空にすると、蒸気圧と温度の関係により、真空容器内に存在する固体の蒸発温度が下がるため、蒸発しやすくなる。本発明の汚損物質検知方法では、検知用基材を所定の時間、真空状態の真空容器内に放置しているため、真空容器内に存在する固体が蒸発して、検知用基材上に付着する。そして、検知用基材表面に付着している物質の定性分析や、定量分析をすることによって、真空容器内に存在する物質を特定したり、その物質の量を予測したりすることができる。したがって、実際に、目的の膜を成膜する前に、本発明の汚損物質検知方法によって、成膜装置内の汚損物質を検知すれば、目的の膜に悪影響を及ぼす物質を取り除く等の対策をとることによって、膜の汚損を抑制することができるようになる。
【００１４】
［適用例２］  適用例１に記載の汚損物質検知方法において、
前記検知用基材は、
前記基材と同一の材料で、前記基材と同一の形状および同一の大きさに形成されていることが好ましい。
【００１５】
例えば、基材の材料、形状、大きさによって、検知用基板上に付着する不純物の種類や量が違ってくる可能性がある。検知用基材を、目的の膜を成膜する際に用いられる基材と同一にすることによって、検知用基材上に付着する物質の種類および量が、目的の膜を成膜する際に膜に混入する不純物の種類および量に近くなると考えられるため、好適である。
【００１６】
［適用例３］  適用例１または適用例２に記載の汚損物質検知方法であって、前記所定の真空状態は、前記膜を成膜する場合と同一の真空状態であることが好ましい。
【００１７】
このようにすると、真空容器内に存在する物質のうち、実際に目的の膜を成膜する際に、膜に混入する可能性のある物質を、特定しやすくなるため、好適である。
【００１８】
［適用例４］  適用例１ないし適用例３のいずれか一つに記載の汚損物質検知方法であって、
（ｅ）前記検知用基材を加熱して所定の温度にする工程を、さらに備え、
前記工程（ｃ）は、
前記真空容器内を前記所定の真空状態に維持すると共に、前記検知用基材を前記所定の温度に維持して、前記検知用基材を、所定の時間前記真空容器内に放置するようにしてもよい。
【００１９】
検知用基材を高温にすると、検知用基材上に到達した物質の結晶化が促進されるため、成膜速度が早くなる。すなわち、検知用基材上に、真空容器内に存在する不純物の膜が、形成され易くなる。したがって、分析の精度を上げることができる。
【００２０】
［適用例５］  適用例４に記載の汚損物質検知方法であって、
前記所定の温度は、
前記膜を成膜する場合と同一の温度であることが好ましい。
【００２１】
このようにすると、目的の膜を成膜する際の真空容器内および基材の状態を模擬することができる。そのため、目的の膜を成膜する際に、膜に混入する可能性のある物質を、特定しやすくなる。
【００２２】
［適用例６］  適用例１ないし適用例５に記載の汚損物質検知方法であって、前記成膜装置は、レーザアブレーション法により、前記基材の前記表面に前記膜を成膜する装置でもよい。
【００２３】
レーザアブレーション法によって成膜する装置を用いる場合も、上記したように、真空容器内に汚損物質が存在する場合がある。そのため、成膜する前に、本適用例の汚損物質検知方法によって、真空容器内の汚損状態を把握して、汚損物質を除去することにより、膜の汚損を低減することができる。
【００２４】
［適用例７］  適用例１ないし適用例６のいずれかに記載の汚損物質検知方法であって、前記成膜装置は、前記基材の前記表面上に、異なる２種類以上の膜を成膜するものであってもよい。
【００２５】
成膜装置の中には、例えば、２種類の成膜対象物を、真空容器内にセットすることができるようになっており、１種目の成膜対象物を用いて、基材上に成膜した後、さらに２種目の成膜対象物を用いて、１種目の膜上に２種目の膜を成膜できるものがある。このような装置では、例えば、２種目の膜を成膜する際に、１種目の膜の材料が混入する可能性がある。そのため、本発明の汚損物質検知方法を用いて、成膜装置内の汚損物質を検知すれば、成膜する前に、他方の膜の材料を取り除くことが可能になる。したがって、膜の汚損を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
Ａ．実施例：
図１は、本発明の一実施例としての汚損物質検知方法の流れを示す工程図、図２は、本実施例の汚損物質検知方法の概念を示す説明図である。本実施例では、ＭＥＡを製造するＰＬＤ装置（レーザアブレーション法によって成膜する成膜装置）内の汚損物質を検知する場合を例に挙げて、本発明の汚損物質検知方法について説明する。
【００２７】
Ａ１．ＰＬＤ装置の構成：
本実施例の汚損物質検知方法の説明に先立って、本実施例において用いられるＰＬＤ装置について、図３に基づいて説明する。ＰＬＤ装置は、図３に示すような従来から用いられている装置である。なお、図３に示すＰＬＤ装置の概要については、背景技術の項目において説明したので、ここでは、説明を省略する。
【００２８】
ＰＬＤ装置１００について、さらに詳しく説明すると、真空容器１１０は、ターボ分子ポンプとロータリポンプとからなる真空排気系(図示しない。)で、１０-6Ｔｏｒｒ以下まで排気することができる。真空容器１１０には、酸素ガスの導入口（図示しない）が設けられており、マスフローコントローラー（図示しない）によって、所定の流量の酸素が、真空容器１１０内に導入される。基台１３０内には、ヒータ（図示しない）が設けられており、基台１３０の温度をコントロールすることによって、基材１０を所定の温度に保持することができる。ターゲットホルダー１４０は、ターゲットを支持する支持部が２箇所設けられている。例えば、２種類のターゲットを、それぞれの支持部にセットして、ターゲットホルダー１４０を回転させることによって、レーザ光を当てるターゲットを変更することができる。また、支持部自体もそれぞれ、回転機構を有しており、レーザ光がターゲットに当たる位置を変えることができる。
【００２９】
本実施例において、ＰＬＤ装置１００は、固体電解質形燃料電池のＭＥＡを製造する際に用いられる。上記したＭＥＡは、金属酸化物から成る電解質膜と、その一方の面に配置されるアノードと、他方の面に配置されるカソードと、から成る。具体的には、電解質膜には、ストロンチウム‐ジルコニウム‐インジウム酸化物が用いられている。アノードには、水素分離膜として、水素透過性金属のパラジウム（Ｐｄ）が用いられている。カソードには、ランタン‐ストロンチウム‐コバルト酸化物（ＬＳＣ）が用いられている。すなわち、真空容器１１０内の基台１３０上にセットする基材１０として、Ｐｄの平板、ターゲット２０として、ストロンチウム‐ジルコニウム‐インジウム酸化物の焼結金属、ターゲット２２として、ランタン‐ストロンチウム‐コバルト酸化物の焼結金属を用いている。
【００３０】
Ａ２．ＭＥＡを製造する工程：
次に、ＭＥＡを製造する工程を、簡単に説明する。まず、ターゲットホルダー１４０にターゲット２０およびターゲット２２をセットして、基材１０を基台１３０にセットする。真空容器１１０内に酸素を導入すると共に、真空容器１１０内を所定の真空状態にする。酸素を導入するのは、基材１０の表面を活性化させるためと、酸化物生成時の酸素不足を補うためである。さらに、真空排気系(図示しない。)を調節すると共に、酸素を導入することによって、真空容器１１０内を所定の真空状態にしている。
【００３１】
真空容器１１０内を所定の真空状態にすると共に、基台１３０内のヒータを所定の温度に設定する。基台１３０を高温にすることによって、基材１０を温めている。基材１０を温めると、膜の結晶化が促進され、成膜速度が上がるためである。
【００３２】
まず、ターゲット２０を、レーザ光が当たる位置にセットして、石英ガラス窓１２０を介して、ターゲット２０にレーザ光を当てる。レーザ光によって、ターゲット２０の表面が溶融されて気化する。気化されたプルームが、基材１０上に到達し、堆積することによって、基材１０上にターゲット２０の薄膜（すなわち、電解質膜）が形成される。このとき、プルームは、基材１０上に堆積されるたけでなく、基台１３０上や、真空容器１１０の内壁面等にも付着している。
【００３３】
続いて、ターゲットホルダー１４０を回転させて、ターゲット２２を、レーザ光が当たる位置にセットする。石英ガラス窓１２０を介して、ターゲット２２にレーザ光を当てる。電解質膜上に、上記と同様に、ターゲット２２の薄膜（すなわち、カソード）が形成される。このようにして、アノード（基材１０）、電解質膜（ターゲット２０の薄膜）、カソード（ターゲット２２の薄膜）の順に積層されたＭＥＡができる。なお、カソードを形成する際にも、電解質膜を形成した場合と同様に、プルームは、基台１３０上や、真空容器１１０の内壁面等にも付着している。すなわち、ＭＥＡを１枚製造した後、基台１３０上や、真空容器１１０の内壁面等には、ストロンチウム‐ジルコニウム‐インジウム酸化物、およびランタン‐ストロンチウム‐コバルト酸化物が、共に付着している。
【００３４】
したがって、上記した工程を繰り返して、ＭＥＡを何枚も製造していると、電解質膜中にカソードの材料が混入したり、カソード中に電解質膜の材料が混入している可能性がある。そこで、ＭＥＡを所定の枚数製造し、次のＭＥＡを製造する前に、本実施例の汚損物質検知方法を使用して、真空容器１１０内の汚損状態を把握して、真空容器１１０内に存在する不純物を取り除く。
【００３５】
Ａ３．汚損物質検知方法：
本実施例の汚損物質検知方法について、上記したＭＥＡの製造に用いられるＰＬＤ装置１００の真空容器１１０内の汚損状態を把握する場合を例に挙げて、図１および図２に基づいて説明する。
【００３６】
まず、図２に示す真空容器１１０内の基台１３０上に、検知用基材１０Ｃをセットする（ステップＳ１００）。検知用基材１０Ｃは、上記した基材１０と同様のＰｄの平板である。なお、ターゲットホルダー１４０には、ターゲット２０およびターゲット２２がセットされたままの状態である。ＭＥＡを製造する際と、同様の条件にするためである。
【００３７】
続いて、ターボ分子ポンプとロータリポンプとからなる真空排気系(図示しない。)を調節することにより、真空容器１１０内を、１０-5Ｔｏｒｒの真空状態にした後（ステップＳ１２０）、基台１３０のヒータ温度を６００℃にする（ステップＳ１４０）。ステップＳ１４０では、ＭＥＡを製造する際の基台１３０の温度と、同一の温度にしている。
【００３８】
その後、マスフローコントローラーを調節して、酸素ガスの導入口を介して、真空容器１１０内に酸素を導入して、真空容器１１０内を１０-3Ｔｏｒｒの真空状態にする（ステップＳ１６０）。ステップＳ１２０〜Ｓ１６０を行うことによって、真空容器１１０内および検知用基材１０Ｃの状態を、ＭＥＡの製造時とほぼ同一にしている。
【００３９】
そして、真空容器１１０内を１０-3Ｔｏｒｒの真空状態、基台１３０のヒータ温度を６００℃に維持したまま、検知用基材１０Ｃを、真空容器１１０内に６０分間放置する（ステップＳ１８０）。６０分間というのは、上記したＭＥＡの製造にかかる時間と同じである。６０分経過後、検知用基材１０Ｃを取り出して（ステップＳ２００）、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｏｍｅｔｅｒ）によって基材表面を分析する（ステップＳ２２０）。
【００４０】
真空容器１１０の内表面、基台１３０には、ＭＥＡを製造した際にターゲット２０、２２から蒸発したストロンチウム‐ジルコニウム‐インジウム酸化物、およびランタン‐ストロンチウム‐コバルト酸化物（以下、単に金属酸化物ともいう）が付着している。また、検知用基材１０Ｃを、真空容器１１０内に入れる際に、空気中の炭素や金属粉等の不純物が、真空容器１１０中に入ることがある。
【００４１】
真空容器１１０内を１０-3Ｔｏｒｒの真空状態にして、基台１３０のヒータ温度を６００℃にすることにより、図２に示すように、真空容器１１０の内表面、基台１３０に付着している金属酸化物３０が蒸発して、検知用基材１０Ｃ上に付着する。真空容器１１０内を１０-3Ｔｏｒｒという高真空状態にすると、蒸気圧と温度の関係により、上記した金属酸化物の蒸発温度が下がる。そのため、上記した金属酸化物３０が蒸発して、検知用基材１０Ｃ上に付着すると考えられる。
【００４２】
同様に、ステンレスから成る基台１３０や真空容器１１０自体から、ステンレス３２が蒸発して、検知用基材１０Ｃ上に付着する。また、真空容器１１０内部に存在するその他の不純物３４も、１０Ｃ上に付着すると考えられる。このようにして、検知用基材１０Ｃ上には、金属酸化物３０、ステンレス３２、その他の不純物３４を含む薄膜が形成される。なお、図２では、説明を明瞭にするために、真空容器１１０内に存在する種々の粒子のうち一部を、拡大して例示している。
【００４３】
Ｘ線回折装置によって、基材表面に形成された薄膜を分析することによって、薄膜に含まれる物質を特定することができる。すなわち、ＭＥＡを複数枚製造した後、次のＭＥＡを製造する前に、本実施例の汚損物質検知方法を実施することにより、ＭＥＡを製造する前に、真空容器１１０内に存在する不純物を特定することができる。不純物を特定することによって、例えば、真空容器１１０内をエタノールで拭いたり、真空容器１１０内をサンドペーパーで削る等、特定された不純物に応じた方法で、ＭＥＡの性能を低下させるような物質を取り除くことができる。また、真空容器１１０内の空気を吸引することによって、不純物を真空容器１１０外に出すこともできる。
【００４４】
そうすると、ＭＥＡを製造する際に、電解質膜やカソード中に不純物が混入するのを低減することができるようになる。したがって、電解質膜のイオン伝導性が低下するのを抑制して、結果的に、燃料電池性能の低下を抑制することができる。
【００４５】
Ｂ．変形例：
なお、この発明は上記の実施例に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
【００４６】
（１）上記した実施例において、検知用基材１０Ｃを温めているが、検知用基材１０Ｃを温めなくてもよい。検知用基材１０Ｃを温めることにより、膜の結晶化が促進され、成膜速度が上がるが、実際に、目的の膜を成膜する際に、基材を温めない場合には、同様に、汚損物質検知方法においても、検知用基材１０Ｃを温めないようにしてもよい。このようにすることによって、実際の成膜状態と同じ状態にして、真空容器１１０内の汚損状態を把握することができる。
【００４７】
（２）真空容器１１０内の真空状態、基台１３０のヒータ温度、および検知用基材１０Ｃを放置する時間等は、上記した実施例と同一でなくてもよい。汚損物質検知の対象となる成膜装置を用いて成膜する際の条件と同一にするのが好ましい。そのようにすることによって、成膜時に、膜に混入する不純物を特定しやすくなるからである。また、成膜する際の条件と異なる条件であっても、真空容器１１０内の不純物等が、検知用基材１０Ｃに付着するような真空状態であればよい。
【００４８】
（３）上記した実施例では、検知用基材１０Ｃを温めるために、基台１３０内に内蔵されたヒータによって基台１３０を加熱しているが、その他の方法で、検知用基材１０Ｃを温めてもよい。
【００４９】
（４）上記した実施例では、レーザアブレーション法によって成膜する成膜装置（ＰＬＤ装置）の真空容器内の汚損物質を検知する場合を示したが、その他の成膜装置の真空容器内の汚損物質を検知することもできる。例えば、スパッタ法、真空蒸着法等、種々の真空容器を備える成膜装置について、真空容器内の汚損物質を検知することができる。また、ＰＬＤ装置も、実施例に示したものに限定されない。
【００５０】
（５）上記した実施例において、ＰＬＤ装置１００を用いて、電解質膜およびカソードを形成する場合を示したが、上記した汚損物質検知方法を用いて、成膜装置内の検査をするのは、このような場合に限定されない。例えば、１つのＰＬＤ装置にて、電解質膜のみ形成する場合であっても、上記した汚損物質検知方法を用いて、ＰＬＤ装置内の汚損状態を把握することができる。
【００５１】
（６）上記した実施例では、検知用基材１０Ｃとして、ＭＥＡを製造する際に用いる基材１０と同様のＰｄの平板を用いたが、材料、形状、大きさは、これに限定されない。ＰＬＤ装置１００を用いて実際に成膜される場合に用いられる基材と異なるものを検知用基材として用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施例としての汚損物質検知方法の流れを示す工程図である。
【図２】本実施例の汚損物質検知方法の概念を示す説明図である。
【図３】ＰＬＤ装置の一例を模式的に示す模式図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０…基材
１０Ｃ…検知用基材
２０、２２…ターゲット
３０…金属酸化物
３２…ステンレス
３４…不純物
１１０…真空容器
１２０…石英ガラス窓
１３０…基台
１４０…ターゲットホルダー
【図１】
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【図２】
2008266705.tif 000004
【図３】
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