(57)【要約】【課題】混色を生じることなく取扱電荷量の増大を図ることができるＣＣＤ固体撮像装置を提供する。【解決手段】マトリクス状に配列された受光部１、受光部で蓄積した信号電荷を読み出す読み出しゲート２、読み出しゲートで読み出された信号電荷の垂直転送を行なう垂直転送レジスタ３、垂直転送レジスタより転送された信号電荷の水平転送を行なう水平転送レジスタ４を備えるＣＣＤ固体撮像装置において、水平転送レジスタのＬＨ電極を３分割し、ＬＨ電極の中央部に印加する転送クロックの立ち下がりタイミングを、ＬＨ電極の上部及び下部に印加する転送クロックの立ち下がりタイミングよりも遅くする。【選択図】図４
2008282949.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有し、該電荷蓄積部のポテンシャルを変化することにより前記電荷蓄積部間で信号電荷を転送すべく構成されると共に、少なくとも一部の前記電荷蓄積部が信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成された電荷転送部において、
信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成された電荷蓄積部は、同電荷蓄積部の信号電荷の転送先に隣接する第１の領域と、該第１の領域の周辺領域である第２の領域とを備え、
前記第１の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングは、前記第２の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングよりも遅い
ことを特徴とする電荷転送部。
【請求項２】
最終段の電荷蓄積部には所定の固定電位が印加されると共に、最終段の電荷蓄積部に隣接する最終段のひとつ前の電荷蓄積部は信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成された
ことを特徴とする請求項１に記載の電荷転送部。
【請求項３】
前記第１の領域に印加される転送クロックの立ち上がりタイミングは、前記第２の領域に印加される転送クロックの立ち上がりタイミングと略同タイミングである
ことを特徴とする請求項１に記載の電荷転送部。
【請求項４】
撮像部と、
該撮像部より転送された信号電荷を転送する電荷転送部を備え、
前記電荷転送部は、信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有し、該電荷蓄積部のポテンシャルを変化することにより前記電荷蓄積部間で信号電荷を転送すべく構成されると共に、少なくとも一部の前記電荷蓄積部が信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成された固体撮像装置において、
信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成された電荷蓄積部は、同電荷蓄積部の信号電荷の転送先に隣接する第１の領域と、該第１の領域の周辺領域である第２の領域とを備え、
前記第１の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングは、前記第２の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングよりも遅い
ことを特徴とする固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電荷転送部及び固体撮像装置に関する。詳しくは、特にＣＣＤエリアセンサの水平転送レジスタやＣＣＤリニアセンサの転送レジスタ、さらにはＣＣＤ遅延素子の転送レジスタとして用いて好適な電荷転送部及びこうした電荷転送部を利用した固体撮像装置に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
図６は従来のＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）固体撮像装置を説明するための模式的な平面図であり、図７（ａ）は従来のＣＣＤ固体撮像装置の水平転送レジスタの最終出力段（図６中符合ａで示す領域）を説明するための模式的な断面図である。
従来のＣＣＤ固体撮像装置は、シリコン基板１００内に、マトリクス状に配列された複数の受光部１０１、この受光部に隣接して設けられ、受光部で取り込んだ信号電荷を読み出す読み出しゲート１０２、読み出しゲートに隣接して設けられ、読み出しゲートによって読み出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送レジスタ１０３、垂直転送レジスタにより転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタ１０４及び受光部の読み出しゲートとは逆側に設けられ、混色を抑制するチャネルストップ領域１０５が形成されている（例えば、特許文献１参照。）。また、水平転送レジスタは受光部から得られた信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有しており、水平転送レジスタ上の転送電極に転送クロックを印加することで電荷蓄積部のポテンシャルを変化させ、電荷蓄積部間で信号電荷を水平転送する様に構成されている。
【０００３】
水平転送レジスタに転送された信号電荷は、水平転送レジスタ上の転送電極（Ｈ１，Ｈ２，ＬＨ）に転送クロックを印加することで出力方向へ転送される。具体的には、図７（ａ）中符合Ｈ１で示す転送電極に図８中符合Ｈφ１で示す転送クロックを印加し、図７（ａ）中符号Ｈ２で示す転送電極に図８中符合Ｈφ２で示す転送クロックを印加し、図７（ａ）中符号ＬＨで示す転送電極（以下、「ＬＨ電極」と称する。）に図８中符合ＬＨφで示す転送クロックを印加し（一般的にはＨφ１の振幅／Ｈφ２の振幅は３〜５Ｖ程度であり、Ｈφ１とＨφ２とは逆位相となり、Ｈφ１とＬＨφとは同一の転送クロックとなる。）、水平転送レジスタのポテンシャルを上下させることで、出力方向（図７（ａ）の場合には右方向から左方向）に信号電荷が転送されることとなる。
【０００４】
水平転送レジスタ内を転送された信号電荷は、フローティング・ディフュージョン（ＦＤ）に転送され、ＦＤに転送された信号電荷は出力回路にて電荷量に応じた電圧に変換された後、リセットゲートＲＧに図８中符合ＲＧφで示すリセットゲート電圧が印加されることでリセットゲートドレインＲＤに掃き捨てられることとなる。
こうした一連の動作を行なうことによって、図８中符合Ｘで示す様な固体撮像装置の出力信号を得ることができる。
【０００５】
ここで、従来のＣＣＤ固体撮像装置では、水平転送レジスタをクロック駆動した場合におけるカップリングの低減を目的として水平転送レジスタの最終段には転送電極ＨＯＧ（以下、「ＨＯＧ電極」と称する。）によって固定電圧として電圧ＨＯＧφ（例えば、ＨＯＧφ＝０Ｖ）が印加されている。なお、カップリングとは、ＨＯＧ電極と出力回路の浮遊領域との間の寄生容量に起因する容量結合によって出力波形が変動することを意味する。
【０００６】
上記の様に、ＨＯＧ電極に固定電圧が印加されているために、ＨＯＧ電極下のポテンシャルはほとんど変化しないものの、ＬＨ電極にはＬＨφが印加されておりＬＨ電極下のポテンシャルは上下に変化する。そして、ＬＨφがハイレベル（以下、「Ｈレベル」と称する。）状態のときに、ＨＯＧ電極下のポテンシャルとＬＨ電極下のポテンシャルとでＬＨ電極下（図７（ｂ）中符合ｂで示す領域）に蓄積できる最大信号量（Ｄレンジ）が定義されることとなる。また、ＬＨ電極がＨレベル状態からローレベル（以下、「Ｌレベル」と称する。）状態に変化すると、ＬＨ電極下からＨＯＧ電極下の方向に転送電界が形成されるために、ＬＨ電極下に蓄積されていた信号電荷はＨＯＧ電極下のポテンシャルを越えてＦＤに転送されることとなる。
なお、Ｄレンジは大きい方が良く、ＬＨ電極下からＨＯＧ電極下への転送電界（図７（ｂ）中符合ｃで示す転送）も大きい方が良いことは言うまでもない。
【０００７】
ここで、通常のＣＣＤ固体撮像素子では、Ｈφ１が印加される電荷蓄積部とＨφ２が印加される電荷蓄積部を一対とし、この一対の電荷蓄積部と一列のユニットセルとを対応させて構成されているために（図９（ａ）参照。）、電荷蓄積部の転送長（図９中符合ｄ１で示す長さ）はユニットセルサイズ（単位画素の大きさ）によって決定されることとなる。そのために近年のセルサイズの微細化に伴って電荷蓄積部の転送長は短くなり、換言すると、電荷蓄積部の取扱電荷量が小さくなり、結果として水平レジスタの取扱電荷量が減少する傾向にある。
【０００８】
そのために、水平レジスタの取扱電荷量を増大する方法として、（１）一対の電荷蓄積部と複数列のユニットセルとを対応させる方法（図９（ｂ）参照。）や、（２）電荷蓄積部の転送幅（図９中符合ｄ２で示す長さ）を拡大する方法（図９（ｃ）参照。）が提案されている。
【０００９】
【特許文献１】特開平１０−１４４９０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記の（１）一対の電荷蓄積部と複数列のユニットセルとを対応させる方法の場合には、一対の電荷蓄積部が複数のユニットセルに対応しているために、複数回の水平転送を繰り返さなければならず、高速駆動対応向きではない。具体的には、１回目で図９（ｂ）中符合１０３ａで示すユニットセルの信号電荷を水平転送し、２回目で図９（ｂ）中符合１０３ｂで示すユニットセルの信号電荷を水平転送し、３回目で図９（ｂ）中符合１０３ｃで示すユニットセルの信号電荷を水平転送するといった３回の水平転送を繰り返さなければならない。従って、高速駆動が求められる場合の対応策としては充分では無かった。
【００１１】
一方、上記の（２）電荷蓄積部の転送幅を拡大する方法の場合には、ＬＨφが印加される電荷蓄積部での混色が懸念される。以下、この点について詳細に説明する。
一般に水平転送レジスタの形状はＦＤに向けて絞り込まれて構成されており、換言すると、信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成されている。具体的には、ＬＨφが印加される電荷蓄積部が、信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成されている。そのために、Ｈφ１やＨφ２が印加される電荷蓄積部における水平転送は右から左への横方向のみの転送であるのに対して（図１０（ａ）参照。）、ＬＨφが印加される電荷蓄積部における水平転送は右から左への横方向への転送に加えて上下方向から中央に向かっての転送をも必要となるために（図１０（ｂ）参照。）、横方向のみの転送と比較するとより長い転送時間を要することとなる。そして、充分な転送時間を確保できない場合には、信号電荷の転送残りが生じて、結果として混色を招くことになってしまう。
【００１２】
なお、上記（２）の方法を採用した場合の転送残りの対応策として、ＨＯＧ電極下のポテンシャルを深くすることでＬＨ電極からＨＯＧ電極方向への転送電界を強める技術が採用されることもあるが、ＨＯＧ電極下のポテンシャルを深くすることはＤレンジの低下を招くこととなってしまう。更に、ＨＯＧ電極下のポテンシャルを深くしてＬＨ電極下からＨＯＧ電極下の方向への転送電界を強めることで、ＬＨφが印加される電荷蓄積部における右から左への横方向への転送（ＬＨφが印加される電荷蓄積部の中央付近における転送）は改善されるものの、上下方向から中央に向かっての転送については直接的な影響は少ないと考えられる。
【００１３】
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、混色を生じることなく取扱電荷量の増大を図ることができる電荷転送部及び固体撮像装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の目的を達成するために、本発明に係る電荷転送部は、信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有し、該電荷蓄積部のポテンシャルを変化することにより前記電荷蓄積部間で信号電荷を転送すべく構成されると共に、少なくとも一部の前記電荷蓄積部が信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成された電荷転送部において、信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成された電荷蓄積部は、同電荷蓄積部の信号電荷の転送先に隣接する第１の領域と、該第１の領域の周辺領域である第２の領域とを備え、前記第１の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングは、前記第２の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングよりも遅い。
【００１５】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る固体撮像装置は、撮像部と、該撮像部より転送された信号電荷を転送する電荷転送部を備え、前記電荷転送部は、信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有し、該電荷蓄積部のポテンシャルを変化することにより前記電荷蓄積部間で信号電荷を転送すべく構成されると共に、少なくとも一部の前記電荷蓄積部が信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成された固体撮像装置において、信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成された電荷蓄積部は、同電荷蓄積部の信号電荷の転送先に隣接する第１の領域と、該第１の領域の周辺領域である第２の領域とを備え、前記第１の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングは、前記第２の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングよりも遅い。
【００１６】
ここで、信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成された電荷蓄積部は、同電荷蓄積部の信号電荷の転送先に隣接する第１の領域と、この第１の領域の周辺領域である第２の領域とを備え、第１の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングが、第２の領域に印加される転送クロックの立ち下がりタイミングよりも遅いことによって、第２の領域から第１の領域に向かって転送電界を形成した状態で水平転送を行なうことができる。
【発明の効果】
【００１７】
上記した本発明の電荷転送部及び固体撮像装置では、信号電荷の転送残りが生じ易い領域から信号電荷の転送残りが生じ難い領域に向かって転送電荷を形成した状態で信号電荷の転送を行なうことができるために、混色を生じることなく取扱電荷量の増大を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
図１は本発明を適用した固体撮像装置の一例であるＣＣＤ固体撮像装置を説明するための模式的な平面図であり、図２は本発明を適用した固体撮像装置の一例であるＣＣＤ固体撮像装置の水平転送レジスタの最終出力段（図１中符合ａで示す領域）を説明するための模式的な断面図である。
ここで示すＣＣＤ固体撮像装置は、上記した従来のＣＣＤ固体撮像装置と同様に、シリコン基板内に、マトリクス状に配列された複数の受光部１、この受光部に隣接して設けられ、受光部で取り込んだ信号電荷を読み出す読み出しゲート２、読み出しゲートに隣接して設けられ、読み出しゲートによって読み出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送レジスタ３、垂直転送レジスタにより転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタ４及び受光部の読み出しゲートとは逆側に設けられ、混色を抑制するチャネルストップ領域５が形成されている。また、水平転送レジスタは受光部から得られた信号電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部を有しており、水平転送レジスタ上の転送電極に転送クロックを印加することで電荷蓄積部のポテンシャルを変化させ、電荷蓄積部間で信号電荷を水平転送する様に構成されている。
【００１９】
また、水平転送レジスタ４は、Ｎ型半導体基板６の表面側にＰ型ウェル７を介してＮ型のチャネル８が形成されている。Ｎ型のチャネルの表面部にはＮ−型のトランスファ（ＴＲ）領域９が図の左右方向にて一定のピッチで形成され、このトランスファ領域９，９間のチャネル領域がストレージ（ＳＴ）領域１０となっている。ストレージ領域の上方には１層目のポリシリコンからなる電極Ｈ１が、トランスファ領域の上方には２層目のポリシリコンからなる電極Ｈ２がそれぞれ絶縁膜（図示せず）を介して形成されている。そして、隣り合う電極Ｈ１，Ｈ２が対となり、この電極対（Ｈ１，Ｈ２）に対してその配列方向にて交互に２相の転送クロックＨφ１，Ｈφ２が印加されることで２相駆動の水平転送レジスタが構成されている。
【００２０】
この水平レジスタの最終段には２層目のポリシリコンからなるＨＯＧ電極１４が形成されると共に、ＨＯＧ電極は基準電位点であるグランド（接地）に電気的に接続され、ＨＯＧ電極はその下のチャネル領域と共に出力ゲート部１５を構成している。
【００２１】
水平転送レジスタによって転送された信号電荷は、出力ゲート部１５を介して電荷検出部１６に出力される。この電荷検出部は、例えば、出力ゲート部に隣接して形成されたＮ＋型のフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）１７と、このＦＤの横にチャネル領域１８を挟んで形成されたＮ＋型のリセットドレイン（ＲＤ）１９と、チャネル領域１８の上方に絶縁膜（図示せず）を介して形成されたリセットゲート（ＲＧ）２０とから成るフローティング・ディフュージョン・アンプ構成となっている。こうした電荷検出部において、リセットドレインには一定のリセット電圧Ｖｒｄが印加されると共に、リセットゲートにはリセットゲートパルスＲＧφが印加されている。そして、フローティング・ディフュージョンに注入された信号電荷は、電圧に変換されてバッファ２１を介して外部に導出されることとなる。
【００２２】
なお、水平レジスタの形状はＦＤに向けて絞り込まれて構成されており、換言すると、信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成されている。具体的には、ＬＨφが印加される電荷蓄積部が、信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成されている。
【００２３】
さて、本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置の水平レジスタでは、図３（図３（ａ）及び図３（ｃ）は水平レジスタのＬＨ電極の分割を説明するための模式的な平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）中Ａ−Ａ'で示す領域の模式的な断面図及びポテンシャル図を示している。）で示す様に、ＬＨ電極が上部（ＬＨ上）、中央部（ＬＨ中）及び下部（ＬＨ下）の３つに分割されており、中央部には従来のＣＣＤ固体撮像装置におけるＬＨ電極と同様にＨφ１と同一の転送クロックが印加され、上部及び下部にはＨφ１の転送クロックと同タイミングで立ち上がると共にＨφ１よりも早く立ち下がる転送クロックが印加される様に構成されている。
【００２４】
ここで、ＬＨ電極の上部及び下部に印加する転送クロックについては、［１］タイミングジェネレータ（ＴＧ）にＬＨ電極の上部及び下部を駆動するためのドライバ２２を増設し、ＴＧでＬＨ電極の上部及び下部を駆動するための転送パルスを生成して、こうした転送パルスをＬＨ電極の上部及び下部に印加しても良いし（図３（ａ）参照。）、［２］Ｈφ１と同タイミングで立ち下がると共にＨφ１よりも早く立ち上がる転送クロックは、ＲＧφに類似しているために、ＴＧ内のＲＧφを生成するドライバ２３によって生成される転送パルスを利用してＬＨ電極の上部及び下部に印加しても良い（図３（ｃ）参照。）。
なお、［１］で示す方法の場合には、ＴＧに新たな転送パルスを生成するためにドライバの増設が必要となるが、ＲＧφのタイミングに限定されることなくＬＨ電極の上部及び下部を駆動することができるのに対して、［２］で示す方法の場合にはＬＨ電極の上部及び下部の駆動がＲＧφのタイミングに限定されてしまうものの、ＴＧに新たな転送パルスを生成させないためにドライバの増設が不要である。
【００２５】
ここで、本実施例では、ＬＨφが印加される電荷蓄積部が信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成されている場合を例に挙げて説明を行なっているが、信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成される電荷蓄積部は必ずしもＬＨφが印加される電荷蓄積部である必要は無く、Ｈφ１やＨφ２が印加される電荷蓄積部であっても良い。即ち、信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成される電荷蓄積部は、必ずしも水平レジスタの最終段のひとつ前の電荷蓄積部である必要は無く、その他の電荷蓄積部であっても良い。また、信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成される電荷蓄積部の数は特に限定するものではない。
【００２６】
更に、本実施例では、信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成された電荷蓄積部の中央部が信号電荷の転送先に隣接する場合を例に挙げて説明を行なっているが、具体的には、ＬＨ電極の中央部下がＨＯＧ電極下と隣接する場合を例に挙げて説明を行なっているが、信号電荷の転送方向に行くに従って幅狭に構成された電荷蓄積部の中央部と信号電荷の転送先とが隣接する必要はなく、具体的には、ＬＨ電極の上部下がＨＯＧ電極下と隣接しても良いし、ＬＨ電極の下部下がＨＯＧ電極下と隣接しても良い。
【００２７】
上記の様に構成されたＣＣＤ固体撮像装置の駆動方法の一例としては、電極Ｈ１に図４（ａ）中符号Ｈφ１で示す転送クロックを印加し、電極Ｈ２に図４（ａ）符号Ｈφ２で示す転送クロックを印加し、リセットゲートに図４（ａ）中符号ＲＧφで示すリセットゲート電圧を印加し、ＬＨ電極の中央部に図４（ａ）中符号ＬＨ中で示すＨφ１と同タイミングの転送クロックを印加し、ＬＨ電極の上部及び下部に図４（ａ）中符号ＬＨ上及びＬＨ下で示すリセットゲート電圧と同タイミングの転送クロックを印加する。この様に各転送パルスを印加して、水平転送レジスタのポテンシャルを上下させることで、出力方向（図１の場合には右方向から左方向）に信号電荷が転送されることとなる。
水平転送レジスタ内を転送された信号電荷は、ＦＤに転送され、ＦＤに転送された信号電荷は出力回路にて電荷量に応じた電圧に変換された後、リセットゲート電圧が印加されることでリセットゲートドレインＲＤに掃き捨てられることとなる。
こうした一連の動作を行なうことによって、図４（ａ）中符号Ｘで示す様なＣＣＤ固体撮像装置の出力信号を得ることができる。なお、ＨＯＧ電極に印加される電圧ＨＯＧφは０Ｖとされている。
【００２８】
ところで、上記の様に構成されたＣＣＤ固体撮像装置の製造方法の一例としては、先ず、図５Ａ（ａ）で示す様に、水平レジスタの信号電荷転送領域３０を形成し、次に、汎用の製造プロセスを用いてポリシリコンから成る転送電極３１を形成する（図５Ａ（ｂ）参照。）。なお、転送電極を形成する際には、従来は単一の電極として構成されていたＬＨ電極を上部、中央部、下部の３つに分割して形成する。
続いて、ＦＤ３２を形成すると共に（図５Ａ（ｃ）参照。）、転送電極と後述する金属配線とを電気的に接続するためのコンタクト３３を形成した後に（図５Ａ（ｄ）参照。）、転送パルスを転送電極に印加するための金属配線３４を形成することによって、ＣＣＤ固体撮像装置を得ることができる（図５Ａ（ｅ）参照。）。
【００２９】
また、上記の様に構成されたＣＣＤ固体撮像装置の製造方法の他の一例としては、先ず、図５Ｂ（ａ）で示す様に、水平レジスタの信号電荷転送領域３０を形成し、次に、汎用の製造プロセスを用いてポリシリコンから成る転送電極３１を形成する（図５Ｂ（ｂ）参照。）。なお、転送電極を形成する際には、従来は単一の電極として構成されていたＬＨ電極を上部、中央部、下部の３つに分割して形成する。
また、転送電極と後述するポリシリコン配線とを電気的に接続するためのコンタクト３３を形成した後に（図５Ｂ（ｃ）参照。）、ＬＨ電極の上部及び下部と一のポリシリコン配線３５を接続すると共に、ＬＨ電極の中央部と他のポリシリコン配線３６を接続する（図５Ｂ（ｄ）参照。）。続いて、ＦＤ３２を形成した後に（図５Ｂ（ｅ）参照。）、転送電極と後述する金属配線を電気的に接続したり、ポリシリコン配線と後述する金属配線を電気的に接続したりするためのコンタクト３３を形成した後に（図５Ｂ（ｆ）参照。）、転送パルスを転送電極に印加するための金属配線３４を形成することによって、ＣＣＤ固体撮像装置を得ることができる（図５Ｂ（ｇ）参照。）。
【００３０】
上記した本発明のＣＣＤ固体撮像装置では、ＬＨ電極下に信号電荷が蓄積された状態（図４（ａ）中符号ｔ１で示すタイミングであり図４（ｂ）中ｔ１参照。）から、ＬＨ電極の上部及び下部がＬＨ電極の中央部よりも早いタイミングでＨレベルからＬレベルに切り替わるために、ＬＨ電極の上部によって転送パルスが印加される領域（第２の領域の一例）からＬＨ電極の中央部によって転送パルスが印加される領域（第１の領域の一例）に向かって転送電界Ｐ１が形成されると共にＬＨ電極の下部によって転送パルスが印加される領域（第２の領域の他の一例）からＬＨ電極の中央部によって転送パルスが印加される領域に向かって転送電界Ｐ２が形成されることとなる（図４（ａ）中符号ｔ２で示すタイミングであり図４（ｂ）中ｔ２参照。）。そして、転送電界Ｐ１及び転送電界Ｐ２が形成されることによって、ＬＨ電極の上部及び下部によって転送パルスが印加される領域に蓄積された信号電荷がＬＨ電極の中央部によって転送パルスが印加される領域に転送されることとなる。
その後、ＬＨ電極の中央部の転送パルスがＬレベルに切り替えられることによって、ＬＨ電極の中央部によって転送パルスが印加される領域に蓄積された信号電荷が水平転送レジスタの最終段へと転送されることとなる（図４（ａ）中符号ｔ３で示すタイミングであり図４（ｂ）中ｔ３参照。）。
【００３１】
ここで、本実施例では、ＬＨ電極の上部及び下部によって転送パルスが印加される領域に蓄積された信号電荷をＬＨ電極の中央部によって転送パルスが印加される領域に転送し、その後に、転送された信号電荷を水平転送レジスタの最終段に転送する場合を例に挙げているが、必ずしも、ＬＨ電極の中央部によって転送パルスが印加される領域に信号電荷の全てを転送した後に水平転送レジスタの最終段への転送を行なう必要はなく、信号電荷の転送残りが生じない程度に転送電界Ｐ１及び転送電界Ｐ２を形成した状態で水平レジスタの最終段への転送を行なえば良い。
【００３２】
本発明を適用したＣＣＤ撮像装置では、水平転送の際に上下方向から中央方向に向かっての転送が必要となるために信号電荷の転送残りが生じる可能性が高いＬＨ電極の上部及び下部によって転送パルスが印加される領域から、水平転送の際に横方向のみの転送で足りるＬＨ電極の中央部によって転送パルスが印加される領域に信号電荷を予め転送することによって、信号電荷の転送残りを低減でき、結果として混色を抑制することが可能となる。
【００３３】
また、混色を抑制することによって、カメラで撮像した画像における低輝度部分での画質劣化（色つき）を抑制することができ、カメラの画質の向上を期待することができる。更に、信号電荷の転送残りを低減できるために、取り扱い電荷量の確保のために、信号電荷蓄積部を増大させる必要がなく、セルサイズの微細化にも寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明を適用した固体撮像装置の一例であるＣＣＤ固体撮像装置を説明するための模式的な平面図である。
【図２】本発明を適用した固体撮像装置の一例であるＣＣＤ固体撮像装置の水平転送レジスタの最終出力段（図１中符合ａで示す領域）を説明するための模式的な断面図である。
【図３】水平レジスタのＬＨ電極の分割を説明するための模式図である。
【図４】ＣＣＤ固体撮像装置の駆動方法の一例を説明するための模式図である。
【図５Ａ】ＣＣＤ固体撮像装置の製造方法の一例を説明するための模式図である。
【図５Ｂ】ＣＣＤ固体撮像装置の製造方法の他の一例を説明するための模式図である。
【図６】従来のＣＣＤ固体撮像装置を説明するための模式的な平面図である。
【図７】従来のＣＣＤ固体撮像装置の水平転送レジスタの最終出力段を説明するための模式的な断面図、並びに信号電荷の蓄積及び転送を説明するための模式図である。
【図８】各転送クロックを説明するための模式図である。
【図９】電荷蓄積部と垂直転送レジスタとの対応関係を説明するための模式図である。
【図１０】信号電荷の転送を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００３５】
１    受光部
２    読み出しゲート
３    垂直転送レジスタ
４    水平転送レジスタ
５    チャネルストップ領域
６    Ｎ型半導体基板
７    Ｐ型ウェル
８    チャネル
９    トランスファ領域
１０    ストレージ領域
１４    ＨＯＧ電極
１５    出力ゲート部
１６    電荷検出部
１７    フローティング・ディフュージョン
１８    チャネル領域
１９    リセットドレイン
２０    リセットゲート
２１    バッファ
２２    ドライバ
２３    ドライバ
３０    信号電荷転送領域
３１    転送電極
３２    ＦＤ
３３    コンタクト
３４    金属配線
３５    一のポリシリコン配線
３６    他のポリシリコン配線
５０    電荷蓄積部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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